(57)【要約】【課題】複数の無線通信方式に対応した半導体モジュールにおける通信信号の損失を低減させる。【解決手段】半導体モジュールは、時分割多重の第１の無線通信方式の第１の送信信号を出力する第１の送信回路と、時分割多重の第２の無線通信方式の第２の送信信号を出力する第２の送信回路と、アンテナからの受信信号を、第１の無線通信方式の第１の受信信号または第２の無線通信方式の第２の受信信号として出力可能に構成されるとともに、第１の送信信号及び第１の受信信号を時分割で出力可能に構成され、第２の送信信号及び第２の受信信号を時分割で出力可能に構成されたスイッチ回路と、を備える。【選択図】図２
2014138312.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
時分割多重の第１の無線通信方式の第１の送信信号を出力する第１の送信回路と、
時分割多重の第２の無線通信方式の第２の送信信号を出力する第２の送信回路と、
アンテナからの受信信号を、前記第１の無線通信方式の第１の受信信号または前記第２の無線通信方式の第２の受信信号として出力可能に構成されるとともに、前記第１の送信信号及び前記第１の受信信号を時分割で出力可能に構成され、前記第２の送信信号及び前記第２の受信信号を時分割で出力可能に構成されたスイッチ回路と、
を備える半導体モジュール。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体モジュールであって、
前記第１及び第２の送信回路が同一の半導体素子基板上に形成されている、
半導体モジュール。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体モジュールであって、
前記第１の送信回路と前記スイッチ回路との間に設けられた整合回路をさらに備え、
前記整合回路は、前記スイッチ回路側に、一端が信号経路に接続され、他端が接地されるインダクタを含む、
半導体モジュール。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体モジュールであって、
前記インダクタは、空芯コイルである、
半導体モジュール。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか一項に記載の半導体モジュールであって、
周波数分割多重の第３の無線通信方式の送受信信号が入出力される入出力端子をさらに備え、
前記スイッチ回路は、前記入出力端子と前記アンテナとを接続可能に構成されている、
半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話等の携帯端末で用いられる無線通信用の半導体モジュールは、複数の無線通信方式に対応することが求められている。具体的には、例えば、第２世代（２Ｇ：２ｎｄ  Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）の通信方式の一つであるＧＳＭ（登録商標）（Ｇｌｏｂａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ  ｆｏｒ  Ｍｏｂｉｌｅ  Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ）に加えて、第３世代（３Ｇ：３ｒｄ  Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）の通信方式の一つであるＴＤ−ＳＣＤＭＡ（Ｔｉｍｅ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｓｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓ  Ｃｏｄｅ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅ  Ａｃｃｅｓｓ）、第３．９世代（３．９Ｇ：３．９ｔｈ  Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）の通信方式の一つであるＴＤ−ＬＴＥ（Ｔｉｍｅ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｌｏｎｇ  Ｔｅｒｍ  Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）等の複数の通信方式に対応した半導体モジュールが必要となる場合がある。
【０００３】
例えば、特許文献１には、このような複数の通信方式に対応したフロントエンドモジュールが開示されている（図１）。特許文献１に開示されているフロントエンドモジュールは、ＥＧＳＭ（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ  ＧＳＭ）、ＤＣＳ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｃｅｌｌｕｌａｒ  Ｓｙｓｔｅｍ）、ＰＣＳ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｅｒｖｉｃｅ）、ＴＤ−ＳＣＤＭＡの４つの通信方式に対応したものとなっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−３００１５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、特許文献１の図１に示したフロントエンドモジュールは、４つの通信方式に対応するために、多数の切り替え手段を用いている。具体的には、アンテナ直下に、低周波帯と高周波帯の信号を分離するダイプレクサが設けられ、該ダイプレクサの直下に、ＥＧＳＭの送受信切り替え用のスイッチ、ＤＣＳ／ＰＣＳの送受信及びＴＤ−ＳＣＤＭＡの切り替え用のスイッチが設けられ、さらに、ＴＤ−ＳＣＤＭＡの送受信切り替え用のスイッチが設けられている。このような構成では、通信信号が複数の切り替え手段を通過するため、信号の損失が大きくなってしまうことがある。
【０００６】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、複数の無線通信方式に対応した半導体モジュールにおける通信信号の損失を低減させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面に係る半導体モジュールは、時分割多重の第１の無線通信方式の第１の送信信号を出力する第１の送信回路と、時分割多重の第２の無線通信方式の第２の送信信号を出力する第２の送信回路と、アンテナからの受信信号を、前記第１の無線通信方式の第１の受信信号または前記第２の無線通信方式の第２の受信信号として出力可能に構成されるとともに、前記第１の送信信号及び前記第１の受信信号を時分割で出力可能に構成され、前記第２の送信信号及び前記第２の受信信号を時分割で出力可能に構成されたスイッチ回路と、を備える。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、複数の無線通信方式に対応した半導体モジュールにおける通信信号の損失を低減させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態である電力増幅モジュールを含む通信ユニットの構成例を示す図である。
【図２】第１の実施形態におけるフロントエンドモジュールの構成を示す図である。
【図３】第２の実施形態におけるフロントエンドモジュールの構成を示す図である。
【図４】第３の実施形態におけるフロントエンドモジュールの構成を示す図である。
【図５】広帯域化された整合回路の構成の一例を示す図である。
【図６】一般的な整合回路の構成の一例を示す図である。
【図７】広帯域化された整合回路のイミッタンスチャートである。
【図８】一般的な整合回路のイミッタンスチャートである。
【図９】第４の実施形態におけるフロントエンドモジュールの構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態について説明する。図１は、本発明の一実施形態であるフロントエンドモジュールを含む通信ユニットの構成例を示す図である。通信ユニット１０は、例えば、携帯電話等の移動体通信機において、音声やデータなどの各種信号を基地局との間で送受信するために用いられる。
【００１１】
図１に示すように、通信ユニット１０は、ベースバンド部２０、ＲＦ処理部２５、制御部３０、フロントエンドモジュール３５、アンテナ４０、及びバンドパスフィルタ４５を含んで構成される。
【００１２】
ベースバンド部２０は、送信信号をＩＱ信号に変換して出力したり、ＲＦ処理部２５から入力されるＩＱ信号を受信信号に変換して出力したりすることができる。
【００１３】
ＲＦ処理部２５は、ＧＳＭやＴＤ−ＳＣＤＭＡ、ＴＤ−ＬＴＥ等の無線通信方式に基づいてＩＱ信号を変調し、無線送信を行うための高周波（ＲＦ）信号を生成することができる。また、ＲＦ処理部２５は、アンテナ４０を介して受信されるＲＦ信号を、無線通信方式に基づいて復調し、ＩＱ信号を出力することができる。なお、ＲＦ処理部２５は、複数の無線通信方式に対応しており、複数の周波数帯のＲＦ信号を生成することができる。ＲＦ信号の周波数帯は、例えば、数百ＭＨｚから数ＧＨｚ程度である。
【００１４】
制御部３０は、ＲＦ処理部２５での変復調の制御や、フロントエンドモジュール３５における信号送受信の制御などを行うことができる。
【００１５】
フロントエンドモジュール３５は、制御部３０の制御に応じて、ＲＦ信号をアンテナ４０を介して出力したり、アンテナ４０を介して受信されるＲＦ信号をバンドパスフィルタ４５に出力したりすることができる。フロントエンドモジュール３５の構成については後述するが、フロントエンドモジュール３５は、ＲＦ信号の電力を、基地局に送信するために必要なレベルまで増幅して出力することができる。
【００１６】
バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）４５は、フロントエンドモジュール３５から出力されるＲＦ信号から、無線通信方式の周波数帯に応じた帯域の信号を抽出し、ＲＦ処理部２５に出力する。なお、ＢＰＦ４５は、通信ユニット１０が対応している周波数帯に応じた数のフィルタ回路を含むことができる。
【００１７】
以下、フロントエンドモジュール３５の構成例である、第１〜第４の実施形態（フロントエンドモジュール３５Ａ〜３５Ｄ）について説明する。
【００１８】
＝＝第１の実施形態＝＝
図２は、第１の実施形態におけるフロントエンドモジュール３５Ａの構成を示す図である。図２に示す構成において、フロントエンドモジュール３５Ａは、２Ｇ低周波帯（ＬＢ：Ｌｏｗ  Ｂａｎｄ）、２Ｇ高周波帯（ＨＢ：Ｈｉｇｈ  Ｂａｎｄ）、ＴＤ−ＳＣＤＭＡ、ＴＤ−ＬＴＥの４つに対応している。
【００１９】
なお、２ＧＬＢは、例えば、ＧＳＭの８５０ＭＨｚや９００ＭＨｚであり、２ＧＨＢは、例えば、ＤＣＳの１８００ＭＨｚやＰＣＳの１９００ＭＨｚである。また、ＴＤ−ＳＣＤＭＡの周波数帯は、例えば、Ｂａｎｄ３４（Ｂ３４：２０１０ＭＨｚ〜２０２５ＭＨｚ）、Ｂａｎｄ３９（Ｂ３９：１８８０ＭＨｚ〜１９２０ＭＨｚ）である。また、ＴＤ−ＬＴＥの周波数帯は、例えば、Ｂａｎｄ３８（Ｂ３８：２５７０ＭＨｚ〜２６２０ＭＨｚ）、Ｂａｎｄ４０（Ｂ４０：２３００ＭＨｚ〜２４００ＭＨｚ）、Ｂａｎｄ４１（Ｂ４１: ２４９６〜２６９０ＭＨｚ）である。また、ＴＤ−ＬＴＥの周波数帯には、Ｂａｎｄ４１（Ｂ４１: ２４９６〜２６９０ＭＨｚ）が追加される場合がある。
【００２０】
フロントエンドモジュール３５Ａは、ＴＤ−ＬＴＥの送信信号（ＴＤ−ＬＴＥTx）、ＴＤ−ＳＣＤＭＡの送信信号（ＴＤ−ＳＣＤＭＡTx）、２ＧＨＢの送信信号（２ＧＨＢTx）、２ＧＬＢの送信信号（２ＧＬＢTx）の入力端子を備えている。
【００２１】
また、フロントエンドモジュール３５Ａは、２ＧＨＢの受信信号（２ＧＨＢRx）、２ＧＬＢの受信信号（２ＧＬＢRx）、ＴＤ−ＳＣＤＭＡのＢ３４の受信信号（Ｂ３４Rx）、ＴＤ−ＳＣＤＭＡのＢ３９の受信信号（Ｂ３９Rx）、ＴＤ−ＬＴＥのＢ３８の受信信号（Ｂ３８Rx）、ＴＤ−ＬＴＥのＢ４０の受信信号（Ｂ４０Rx）の出力端子を備えている。また、フロントエンドモジュール３５Ａには、Ｂａｎｄ４１（Ｂ４１: ２４９６〜２６９０ＭＨｚ）の出力端子が追加される場合がある。
【００２２】
図２に示すように、フロントエンドモジュール３５Ａは、電力増幅回路１００，１１０、スイッチ回路１２０、整合回路１３０，１４０，１５０，１６０、ローパスフィルタ１７０，１８０を含んでいる。
【００２３】
電力増幅回路１００は、ＴＤ−ＬＴＥ及びＴＤ−ＳＣＤＭＡのＲＦ信号（送信信号）の電力を増幅して出力する半導体素子基板（送信回路）であり、パワーアンプ２００，２１０，２２０，２３０及び整合回路２４０，２５０，２６０，２７０を含んで構成されている。
【００２４】
パワーアンプ２００，２１０，２２０，２３０は、それぞれ、ＨＢＴ（Ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等の増幅素子を用いて構成されている。後述する他のパワーアンプについても同様である。整合回路２４０，２５０，２６０，２７０は、回路間でインピーダンスを整合させるために設けられている。
【００２５】
電力増幅回路１１０は、２ＧＨＢ及び２ＧＬＢのＲＦ信号（送信信号）の電力を増幅して出力する半導体素子基板（送信回路）であり、パワーアンプ３００，３１０，３２０，３３０及び整合回路３４０，３５０，３６０，３７０を含んで構成されている。
【００２６】
なお、電力増幅回路１００，１１０におけるパワーアンプの段数は、二段である必要はなく、一段であってもよいし、三段以上であってもよい。また、電力増幅回路１００，１１０の回路構成は同一である必要はない。後述する他の電力増幅回路についても同様である。
【００２７】
整合回路１３０は、パワーアンプ２１０の出力とスイッチ回路１２０の入力との間のインピーダンスを整合させるために設けられている。同様に、整合回路１４０は、パワーアンプ２３０の出力とスイッチ回路１２０の入力との間でインピーダンスを整合させるために設けられている。整合回路１３０，１４０は、例えば、インダクタやコンデンサ等を用いて構成されている。
【００２８】
整合回路１５０は、パワーアンプ３１０の出力とＬＰＦ１７０の入力との間のインピーダンスを整合させるために設けられている。同様に、整合回路１６０は、パワーアンプ３３０の出力とＬＰＦ１８０の入力との間でインピーダンスを整合させるために設けられている。整合回路１５０，１６０は、例えば、インダクタやコンデンサ等を用いて構成されている。
【００２９】
ＬＰＦ１７０及びＬＰＦ１８０は、それぞれ、２ＧＨＢ及び２ＧＬＢに応じた周波数帯のＲＦ信号を通過させ、高調波成分を低減するように構成されている。
【００３０】
スイッチ回路１２０は、端子ＣＴＲＬから入力される、制御部３０からの制御信号に応じて、信号の入出力の切り替えを行うことができる。スイッチ回路１２０には、送信信号の入力として、電力増幅回路１００から出力される、ＴＤ−ＬＴＥ及びＴＤ−ＳＣＤＭＡのＲＦ信号と、電力増幅回路１１０から出力される、２ＧＨＢ及び２ＧＬＢのＲＦ信号とが入力されている。また、スイッチ回路１２０には、受信信号の入力として、アンテナ４０からのＲＦ信号が入力されている。また、スイッチ回路１２０は、受信信号を出力するための端子と接続されている。
【００３１】
ここで、ＴＤ−ＬＴＥ、ＴＤ−ＳＣＤＭＡ、２ＧＨＢ、２ＧＬＢのＲＦ信号は、いずれも、時分割多重されたものである。したがって、例えば、ＴＤ−ＬＴＥでの送受信が行われる場合、スイッチ回路１２０は、パワーアンプ２１０から出力される、ＴＤ−ＬＴＥのＲＦ信号（ＴＤ−ＬＴＥTx）のアンテナ４０への出力と、アンテナ４０から入力されるＴＤ−ＬＴＥのＲＦ信号（Ｂ３８Rx／Ｂ４０Rx）の出力とを、制御信号に応じて切り替えることができる。他の無線通信方式の通信信号についても同様である。なお、ＴＤ−ＬＴＥ／ＴＤ−ＳＣＤＭＡ用のスイッチ回路は、スイッチ回路１２０から分離される場合もある。
【００３２】
なお、スイッチ回路１２０を介して出力されるＲＦ信号（２ＧＨＢRx、２ＧＬＢRx、Ｂ３４Rx、Ｂ３９Rx、Ｂ３８Rx、Ｂ４０Rx）は、ＢＰＦ４５を介してＲＦ処理部２５に入力されることとなる。なお、ＢＰＦ４５では、それぞれの周波数帯に応じたフィルタリングが行われる。
【００３３】
図２に示すフロントエンドモジュール３５Ａでは、通信信号の切り替えは、１つのスイッチ回路１２０のみで行われている。したがって、複数の切り替え手段を用いて通信信号の切り替えが行われる構成と比べて、通信信号の損失を低減させることが可能となる。
【００３４】
＝＝第２の実施形態＝＝
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図３は、第２の実施形態におけるフロントエンドモジュール３５Ｂの構成を示す図である。図３に示すように、フロントエンドモジュール３５Ｂは、電力増幅回路４００，４１０、スイッチ回路４２０、整合回路４３０，４４０，１６０、ローパスフィルタ４５０，１８０を含んでいる。なお、第１の実施形態のフロントエンドモジュール３５Ａと同一の構成については、同一の番号を付して説明を省略する。
【００３５】
図３に示す構成において、フロントエンドモジュール３５Ｂは、２ＧＬＢ、２ＧＨＢ、ＴＤ−ＳＣＤＭＡ、ＴＤ−ＬＴＥの４つに対応している。なお、ＴＤ−ＬＴＥの周波数帯は、例えば、Ｂ３８及びＢ４０に加えて、Ｂａｎｄ４１（Ｂ４１：２４９６ＭＨｚ〜２９６０ＭＨｚ）となっている。また、ＴＤ−ＳＣＤＭＡの周波数帯は、例えば、Ｂ３４、Ｂ３９となっている。また、フロントエンドモジュール３５Ｂが対応する周波数帯に、Ｂａｎｄ７（Ｂ７：２５００ＭＨｚ〜２５７０ＭＨｚ）が含まれる場合もある。
【００３６】
電力増幅回路４００は、ＴＤ−ＬＴＥのＲＦ信号（送信信号）の電力を増幅して出力する半導体素子基板であり、パワーアンプ５００，５１０及び整合回路５２０，５３０を含んで構成されている。電力増幅回路４００から出力されるＲＦ信号は、整合回路４３０を介してスイッチ回路４２０に入力される。
【００３７】
電力増幅回路４１０は、２ＧＬＢ及び２ＧＨＢに加えて、ＴＤ−ＳＣＤＭＡのＲＦ信号（送信信号）の電力を増幅して出力する半導体素子基板であり、パワーアンプ６００，６１０，３２０，３３０及び整合回路６２０，６３０，３６０，３７０を含んで構成されている。電力増幅回路４１０では、図３における上側の信号経路、すなわち、パワーアンプ６００，６１０及び整合回路６２０，６３０の信号経路が、ＴＤ−ＳＣＤＭＡのＲＦ信号及び２ＧＨＢのＲＦ信号に対応している。パワーアンプ６１０から出力されるＲＦ信号は、整合回路４４０及びＬＰＦ４５０を介してスイッチ回路４２０に入力される。なお、電力増幅回路４１０の下側の信号経路は、第１の実施形態と同様に、２ＧＬＢのＲＦ信号に対応している。
【００３８】
スイッチ回路４２０は、第１の実施形態と同様に、端子ＣＴＲＬから入力される制御信号に応じて、通信信号の切り替え制御を行う。
【００３９】
このように、ＴＤ−ＳＣＤＭＡを２ＧＨＢとともに電力増幅回路４１０でサポートし、電力増幅回路４００をＴＤ−ＬＴＥの１経路のみとしてもよい。これにより、電力増幅回路４００を小型化し、フロントエンドモジュール３５Ｂを小型化することができる。この構成においても、通信信号の切り替えは、１つのスイッチ回路４２０のみで行われているため、複数の切り替え手段を用いて通信信号の切り替えが行われる構成と比べて、通信信号の損失を低減させることが可能となる。なお、ＴＤ−ＬＴＥ用のスイッチ回路は、スイッチ回路４２０から分離される場合もある。
【００４０】
＝＝第３の実施形態＝＝
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。図４は、第３の実施形態におけるフロントエンドモジュール３５Ｃの構成を示す図である。図４に示すように、フロントエンドモジュール３５Ｃは、電力増幅回路７００，１１０、スイッチ回路７１０、整合回路７２０，１５０，１６０、ローパスフィルタ１７０，１８０を含んでいる。なお、第１または第２の実施形態のフロントエンドモジュール３５Ａ，３５Ｂと同一の構成については、同一の番号を付して説明を省略する。
【００４１】
図４に示す構成において、フロントエンドモジュール３５Ｃは、２ＧＬＢ、２ＧＨＢ、ＴＤ−ＳＣＤＭＡ、ＴＤ−ＬＴＥの４つに対応している。なお、ＴＤ−ＬＴＥの周波数帯は、例えば、Ｂ３８、Ｂ４０、Ｂ４１となっている。また、ＴＤ−ＳＣＤＭＡの周波数帯は、例えば、Ｂ３４、Ｂ３９となっている。また、フロントエンドモジュール３５Ｃが対応する周波数帯にＢ７が含まれる場合もある。
【００４２】
電力増幅回路７００は、ＴＤ−ＬＴＥ及びＴＤ−ＳＣＤＭＡのＲＦ信号（送信信号）の電力を増幅して出力する半導体素子基板であり、パワーアンプ８００，８１０及び整合回路８２０，８３０を含んで構成されている。電力増幅回路７００から出力されるＲＦ信号は、整合回路７２０を介してスイッチ回路７１０に入力される。なお、ＴＤ−ＬＴＥ／ＳＣＤＭＡ用のスイッチ回路は、スイッチ回路７１０から分離される場合もある。
【００４３】
電力増幅回路７００は、１つの通信経路で、ＴＤ−ＬＴＥ及びＴＤ−ＳＣＤＭＡに対応している。したがって、電力増幅回路７００とスイッチ回路７１０の間に設けられた整合回路７２０は、一般的な構成の整合回路と比較して広帯域化されている。
【００４４】
図５は、広帯域化された整合回路７２０の構成の一例を示す図である。図５に示すように、整合回路７２０は、インダクタＬ0，Ｌ1，Ｌ2，Ｌ3及びコンデンサＣ0，Ｃ1，Ｃ2，Ｃ3を含んでいる。そして、整合回路７２０は、インダクタＬ1，Ｌ2及びコンデンサＣ1，Ｃ2によるローパスフィルタと、コンデンサＣ3及びインダクタＬ3によるハイパスフィルタの構成となっている。また、インダクタＬ3は、例えば、空芯コイルで構成することができる。空芯コイルはＱ値が高いため、インダクタＬ3を空芯コイルとすることにより、整合回路７２０における信号損失を抑制することができる。
【００４５】
また、整合回路７２０では、スイッチ回路７１０側に、一端が信号経路に接続され、他端が接地されるインダクタＬ3が設けられているため、スイッチ回路７１０を介してアンテナ４０から侵入する静電気をグランドへ導くことができる。つまり、静電気が電力増幅回路７００に流れ込むことによる回路の破壊を抑制することができる。
【００４６】
整合回路７２０が広帯域化されることについて、一般的な整合回路の構成と対比して説明する。図６は、一般的な整合回路９００の構成の一例を示す図である。図６に示すように、整合回路９００は、インダクタＬ0，Ｌ1，Ｌ2及びコンデンサＣ0，Ｃ1，Ｃ2，Ｃ3，Ｃ4を含んでいる。そして、整合回路９００は、インダクタＬ1，Ｌ2及びコンデンサＣ2，Ｃ3によるローパスフィルタの構成となっている。なお、整合回路９００における、スイッチ回路７１０側の最終素子は、信号経路に直列に接続されたコンデンサＣ4となっている。
【００４７】
整合回路７２０，９００における整合トポロジーを、イミッタンスチャートを用いて説明する。図７は、整合回路７２０のイミッタンスチャートである。また、図８は、整合回路９００のイミッタンスチャートである。なお、図７及び図８において示されるＡ点は、電力増幅回路７００の出力におけるインピーダンスである。
【００４８】
整合回路７２０では、スイッチ回路７１０側の最終素子は、信号経路に並列接続されたインダクタＬ3である。そのため、図７に示すように、イミッタンスチャートの中心点から、等コンダクタンス円上を、反時計回りに、インダクタＬ3のインダクタンスに応じた長さ移動する軌跡が引かれている。次は、信号経路に直列接続されたコンデンサＣ3であるため、等抵抗円上を、反時計回りに、コンデンサＣ3の容量に応じた長さ移動する軌跡が引かれている。以後、同様に軌跡が引かれ、最終的にＡ点に到達する。これにより、電力増幅回路７００の出力とスイッチ回路７１０の入力との間でインピーダンス整合が行われる。
【００４９】
同様に、整合回路９００においても、図８に示すように、イミッタンスチャートの中心点からＡ点への軌跡が引かれている。整合回路９００では、スイッチ回路７１０側の最終素子は、信号経路に直列接続されたコンデンサＣ4である。そのため、図８に示すように、イミッタンスチャートの中心点から、等抵抗線上を、反時計回りに、コンデンサＣ4の容量に応じた長さ移動する軌跡が引かれており、目標整合ポイントより遠ざかる軌跡になる。次は、信号経路に並列接続されたコンデンサＣ3であるため、等抵コンダクタンス円上を、時計回りに、コンデンサＣ3の容量に応じた長さ移動する軌跡が引かれている。このため、図７よりＱが高く、狭帯域の回路となっている。
【００５０】
図７及び図８のイミッタンスチャートを比較する。図７では、軌跡は、中心点から等コンダクタンス線上を反時計回りに進んだ後に、等抵抗線上を反時計回りに進んでいる。つまり、最初に実数軸から離れた後、次は実数軸に近づく軌跡となっている。一方、図８では、軌跡は、中心点から等抵抗線上を反時計回りに進んだ後に、等コンダクタンス線上を時計回りに進んでいる。つまり、最初に実数軸から離れた後、さらに実数軸から離れる軌跡となっている。したがって、整合回路７２０では、インダクタやコンデンサの特性によるが、実数軸を基準とした軌跡の高さ、すなわちＱ値を、整合回路９００よりも低くすることが容易である。そして、Ｑ値を低くすることにより、整合回路７２０を広帯域化することができる。
【００５１】
＝＝第４の実施形態＝＝
次に、本発明の第４の実施形態について説明する。図９は、第４の実施形態におけるフロントエンドモジュール３５Ｄの構成を示す図である。フロントエンドモジュール３５Ｄは、図２に示した第１の実施形態のフロントエンドモジュール３５Ａのスイッチ回路１２０の代わりに、スイッチ回路１０００を有している。スイッチ回路１０００は、スイッチ回路１２０における通信経路に加えて、端子ＦＤＤ（入出力端子）との通信経路を有している。この端子ＦＤＤには、周波数帯の分離にデュプレクサが必要となる、周波数分割多重の無線通信方式に対応した通信モジュールを接続することができる。そして、スイッチ回路１０００は、アンテナ４０と端子ＦＤＤとの間で、ＦＤＤの通信信号（送受信信号）を送受信することができる。
【００５２】
このように、端子ＦＤＤを設けることにより、時分割多重の複数の無線通信方式に対応した通信ユニットにおける通信信号の損失低減を可能とするとともに、周波数分割多重の無線通信方式にも対応することが可能となる。
【００５３】
なお、本実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るととともに、本発明にはその等価物も含まれる。
【符号の説明】
【００５４】
１０  通信ユニット
２０  ベースバンド部
２５  ＲＦ処理部
３０  制御部
３５（３５Ａ，３５Ｂ，３５Ｃ，３５Ｄ）  フロントエンドモジュール
４０  アンテナ
４５  バンドパスフィルタ
１００，１１０，４００，４１０，７００  電力増幅回路
１２０，４２０，７１０，１０００  スイッチ回路
１３０，１４０，１５０，１６０，２４０，２５０，２６０，２７０，３４０，３５０，３６０，３７０，４３０，４４０，５２０，５３０，６２０，６３０，７２０，８２０，８３０，９００  整合回路
１７０，１８０，４５０  ローパスフィルタ
２００，２１０，２２０，２３０，３００，３１０，３２０，３３０，５００，５１０，６００，６１０  パワーアンプ
【図１】
2014138312.tif 000003
【図２】
2014138312.tif 000004
【図３】
2014138312.tif 000005
【図４】
2014138312.tif 000006
【図５】
2014138312.tif 000007
【図６】
2014138312.tif 000008
【図９】
2014138312.tif 000009
【図７】
2014138312.tif 000010
【図８】
2014138312.tif 000011