(57)【要約】【課題】リッジの側面の垂直性および対称性を向上させることができる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。【解決手段】半導体レーザ素子の製造方法は、基板上に、第１導電型の下クラッド層(１０３)、活性層(１０５)、第２導電型の第１上クラッド層(１０７)、第２導電型の第２上クラッド層および第２導電型の第３上クラッド層を含む層構造を形成する工程と、層構造上に、第２上クラッド層(１０８)および第３上クラッド層(１０９)の一部を含むリッジ(Ｒ１)を形成するためのエッチングマスク(３０１)を形成する工程と、エッチングマスク(３０１)を形成した後、第２上クラッド層が露出するように、第１ドライエッチング条件でドライエッチングを行う工程と、第１ドライエッチング条件でドライエッチングを行った後、第１ドライエッチング条件とは異なる第２ドライエッチング条件でドライエッチングを行って、リッジ(Ｒ１)を形成する工程とを備える。【選択図】図２Ｇ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１導電型の下クラッド層、活性層、第２導電型の第１上クラッド層、第２導電型の第２上クラッド層および第２導電型の第３上クラッド層を含む層構造を形成する工程と、
上記層構造上に、上記第２上クラッド層および第３上クラッド層の一部を含むリッジを形成するためのエッチングマスクを形成する工程と、
上記エッチングマスクを形成した後、上記第２上クラッド層が露出するように、第１ドライエッチング条件でドライエッチングを行う工程と、
上記第１ドライエッチング条件でドライエッチングを行った後、上記第１ドライエッチング条件とは異なる第２ドライエッチング条件でドライエッチングを行って、上記リッジを形成する工程と
を備えることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体レーザ素子の製造方法において、
上記第１上クラッド層は、上記第２ドライエッチング条件のドライエッチングに対してエッチングストップ層となることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体レーザ素子の製造方法において、
上記第２上クラッド層は第３上クラッド層と異なる材料からなることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれか一項に記載の半導体レーザ素子の製造方法において、
上記第２上クラッド層はＡｌＧａＡｓからなり、上記第３上クラッド層はＡｌＧａＩｎＰからなることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体レーザ素子の製造方法において、
上記第１上クラッド層はＡｌＧａＩｎＰからなることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ素子の製造方法と、この製造方法により製造される半導体レーザ素子とに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、記録メディアとしてＣＤ(コンパクトディスク)やＤＶＤ(デジタル万能ディスク)の利用が広く進んでいる。ＣＤやＤＶＤは音楽、映像などのデジタル情報の記録媒体として広く受け入れられ、ＣＤやＤＶＤの記録再生装置の基幹部品として半導体レーザの需要が高まっている。
【０００３】
通例では、ＣＤの光ピックアップ光源には発振波長７８０ｎｍ帯のＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ、ＤＶＤの光ピックアップ光源には発振波長６５０ｎｍ帯のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザが用いられる。
【０００４】
ここで、ＣＤ・ＤＶＤ双方に互換性を持つ記録再生装置においては、光学系の簡略化、小型化のために、発振波長７８０ｎｍ帯のレーザ発振部と、発振波長６５０ｎｍ帯のレーザ発振部とを同一基板上に有するモノリシック型半導体レーザ素子が必要となる。
【０００５】
また、ＣＤ・ＤＶＤ双方への記録を行うためには、上記２種のレーザ発振部には２００ｍＷ以上の出力での安定発振が求められる。
【０００６】
しかしながら、生産過程でのウエハ面内でのリッジの形状(リッジ幅、リッジ側面の垂直性、リッジ左右対称性)のばらつきにより、閾値電流、動作電流、動作電圧、駆動電流に対する発光強度の微分効率、キンク特性などのレーザ特性にばらつきが生じる。したがって、上記リッジ形状は、歩留り向上のために改善が必要とされるポイントであった。
【０００７】
従来のリッジの形成方法は、以下のような手法によるものであった。
【０００８】
ＣＤ・ＤＶＤのそれぞれの結晶成長領域がウエハのへき開方向に対し垂直をなす方向(主として[０−１１]方向)に交互に繰り返される状態のウエハに対し、最終製品状態でリッジ形成がなされる箇所に、レジストおよび誘電体膜により耐ドライエッチング特性を持つマスクを形成する。
【０００９】
次に、ＩＣＰ(誘導結合プラズマ)またはＲＩＥ(反応性イオンエッチング)またはＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴)などを用いるプラズマ発生装置により、エッチングストップ層に対して一定の間隔が残るようにドライエッチングを行った後、上記エッチストップ層まで、エッチストップ層に対して十分な選択比を持つ薬液を使用したウエットエッチングを行うものである。
【００１０】
上記ドライエッチングを行った箇所については、放電条件の調整により、リッジストライプ方向に対し垂直をなす方向における断面形状においてほぼ垂直なリッジ側壁の形成が可能であるものの、ウエットエッチング処理により、リッジ裾部分に傾斜領域が若干残るのが現状である。
【００１１】
また、半導体レーザ素子を製造する場合、ＧａＡｓウエハ表面が(１００)面から１０度〜１５度(０１１)面方向に傾斜した基板を用いるのが通常であるが、この傾斜分が、リッジ側面においてウエットエッチング工程で薬液と接触する領域にリッジ左右での非対称性を発生させるものである。
【００１２】
上記リッジの垂直性、左右対称性を上げる施策としては、以下のような手法がある。
【００１３】
例えば国際公開第２００６／０７７７６６号(特許文献１)の手法は、ドライエッチングの後、成膜およびエッチングを行って、リッジ側面のみを覆うＳｉＯ２膜を形成する。そして、上記ＳｉＯ２膜を保護膜とし、塩酸系の薬液でエッチングストップ層までウエットエッチングすることで、リッジ裾部の傾斜領域を小さくしようしている。
【００１４】
また、国際公開第２００６／０７７７６６号と同様に、特開２００７−７３５８２号公報(特許文献２)においても、リッジ部の垂直性を向上させる手法が記されている。この手法では、リッジ側面に保護膜としてＳｉＮ膜を形成した後、エッチャントにフッ酸を用い、ウエットエッチングを行っている。
【００１５】
ただし、これらの手法においても、ウエットエッチングを介する工程が残っており、リッジ裾部の傾斜状の広がりを完全になくすことはできない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１６】
【特許文献１】国際公開第２００６／０７７７６６号
【特許文献２】特開２００７−７３５８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
そこで、本発明の課題は、リッジの側面の垂直性および対称性を向上させることができる半導体レーザ素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記課題を解決するため、本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、
基板上に、第１導電型の下クラッド層、活性層、第２導電型の第１上クラッド層、第２導電型の第２上クラッド層および第２導電型の第３上クラッド層を含む層構造を形成する工程と、
上記層構造上に、上記第２上クラッド層および第３上クラッド層の一部を含むリッジを形成するためのエッチングマスクを形成する工程と、
上記エッチングマスクを形成した後、上記第２上クラッド層が露出するように、第１ドライエッチング条件でドライエッチングを行う工程と、
上記第１ドライエッチング条件でドライエッチングを行った後、上記第１ドライエッチング条件とは異なる第２ドライエッチング条件でドライエッチングを行って、上記リッジを形成する工程と
を備えることを特徴としている。
【００１９】
ここで、第１導電型とは、Ｐ型またはＮ型を意味する。また、第２導電型とは、第１導電型がＰ型の場合はＮ型、Ｎ型の場合はＰ型を意味する。
【００２０】
一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法では、
上記第１上クラッド層は、上記第２ドライエッチング条件のドライエッチングに対してエッチングストップ層となる。
【００２１】
一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法では、
上記第２上クラッド層は第３上クラッド層と異なる材料からなる。
【００２２】
一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法では、
上記第２上クラッド層はＡｌＧａＡｓからなり、上記第３上クラッド層はＡｌＧａＩｎＰからなる。
【００２３】
一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法では、
上記第１上クラッド層はＡｌＧａＩｎＰからなる。
【００２４】
一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法では、
上記第１ドライエッチング条件および第２ドライエッチング条件のエッチングガスは、ＳｉＣｌ４、ＳｉＦ４、Ｃｌ２、Ｆ２、ＣＣｌ４、ＣＦ４、ＳＦ６のうちの少なくとも１つを含むガスと、Ａｒガスとを混合したエッチングガスであり、
上記第２ドライエッチング条件のガス供給総量に対するＡｒガスの配合比率は、上記第１ドライエッチング条件のガス供給総量に対するＡｒガスの配合比率よりも低い。
【００２５】
一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法では、
上記第２上クラッド層の厚みが３０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内である。
【００２６】
一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法では、
上記第２ドライエッチング条件でドライエッチングを行うためのドライエッチング装置の電源出力は、上記第１ドライエッチング条件でドライエッチングを行うためのドライエッチング装置の電源出力よりも低い。
【００２７】
本発明の半導体レーザ素子は、
基板と、
上記基板上に形成された第１導電型の下クラッド層と、
上記下クラッド層上に形成された活性層と、
上記活性層上に形成された第２導電型の第１上クラッド層と、
上記第１上クラッド層上に形成された第２導電型の第２上クラッド層と、
上記第２上クラッド層上に形成された第２導電型の第３上クラッド層と
を備え、
上記第２上クラッド層および第３上クラッド層の一部を含むリッジは、上記第１ドライエッチング条件のドライエッチングと、上記第１ドライエッチング条件とは異なる第２ドライエッチング条件のドライエッチングとを行うことにより形成されていることを特徴としている。
【００２８】
一実施形態の半導体レーザ素子は、
モノリシック型２波長半導体レーザ素子である。
【発明の効果】
【００２９】
本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、第２上クラッド層が露出するように、第１ドライエッチング条件でドライエッチングを行った後、第１ドライエッチング条件とは異なる第２ドライエッチング条件でドライエッチングを行って、リッジを形成する工程を備えるので、リッジを形成するための工程からウエットエッチングを無くすことができる。したがって、上記リッジの裾部の傾斜状の広がりを低減でき、リッジの側面の垂直性および対称性を向上させることができる。
【００３０】
また、上記第１，第２ドライエッチング条件のドライエッチングでリッジを形成する方が、ドライエッチングとウエットエッチングでリッジを形成するよりも、半導体レーザ素子の製造工程を簡略化することができる。その結果、上記基板上に複数のリッジを形成する場合、複数のリッジの形状のばらつきを低減でき、半導体レーザ素子の歩留りを向上させることができる。
【００３１】
また、上記複数のリッジの形状のばらつきを低減できるので、複数の半導体レーザ素子の特性を均一に近づけることができる。
【００３２】
また、上記第２ドライエッチング条件は第１ドライエッチング条件とは異なるので、第２上クラッド層のドライエッチングレートよりも、第１上クラッド層のドライエッチングレートを低くすることができる。したがって、第１上クラッド層で第１ドライエッチング条件のドライエッチングを容易に停止させることができる。
【００３３】
本発明の半導体レーザ素子は、リッジは、第１ドライエッチング条件のドライエッチングと、第１ドライエッチング条件とは異なる第２ドライエッチング条件のドライエッチングとを行うことにより形成されているので、リッジを形成するための工程からウエットエッチングを無くすことができる。したがって、上記リッジの裾部の傾斜状の広がりを低減でき、リッジの側面の垂直性および対称性を向上させることができる。
【００３４】
また、上記第１，第２ドライエッチング条件のドライエッチングでリッジを形成する方が、ドライエッチングとウエットエッチングでリッジを形成するよりも、半導体レーザ素子の製造工程を簡略化することができる。その結果、上記半導体レーザ素子を複数製造する場合、リッジの形状のばらつきを低減でき、歩留りを向上させることができる。
【００３５】
また、上記リッジの形状のばらつきを低減できるので、複数の半導体レーザ素子の特性を均一に近づけることができる。
【００３６】
また、上記第２ドライエッチング条件は第１ドライエッチング条件とは異なるので、第２上クラッド層のドライエッチングレートよりも、第１上クラッド層のドライエッチングレートを低くすることができる。したがって、第１上クラッド層で第１ドライエッチング条件のドライエッチングを容易に停止させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の一実施形態の半導体レーザ素子の模式断面図である。
【図２Ａ】本発明の一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の模式工程図である。
【図２Ｂ】図２Ａに続く半導体レーザ素子の製造方法の模式工程図である。
【図２Ｃ】図２Ｂに続く半導体レーザ素子の製造方法の模式工程図である。
【図２Ｄ】図２Ｃに続く半導体レーザ素子の製造方法の模式工程図である。
【図２Ｅ】図２Ｄに続く半導体レーザ素子の製造方法の模式工程図である。
【図２Ｆ】図２Ｅに続く半導体レーザ素子の製造方法の模式工程図である。
【図２Ｇ】図２Ｆに続く半導体レーザ素子の製造方法の模式工程図である。
【図２Ｈ】図２Ｇに続く半導体レーザ素子の製造方法の模式工程図である。
【図２Ｉ】図２Ｈに続く半導体レーザ素子の製造方法の模式工程図である。
【図２Ｊ】図２Ｉに続く半導体レーザ素子の製造方法の模式工程図である。
【図２Ｋ】図２Ｊに続く半導体レーザ素子の製造方法の模式工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
以下、本発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００３９】
図１は本発明の一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法で製造された半導体レーザ素子の模式断面図である。
【００４０】
上記半導体レーザ素子は、Ｎ型ＧａＡｓ基板１０１、赤外系レーザ発振部ＬＢ１および赤色系レーザ発振部ＬＢ２を備えている。この赤外系レーザ発振部ＬＢ１および赤色系レーザ発振部ＬＢ２は、互いに隣り合うように基板１０１上に形成されている。
【００４１】
上記赤外系レーザ発振部ＬＢ１は、Ｎ型ＩｎＧａＰバッファ層１０２、Ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層１０３、Ｎ型ＡｌＧａＡｓ下ガイド層１０４、活性層１０５、Ｐ型ＡｌＧａＡｓ上ガイド層１０６、Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第１上クラッド層１０７、Ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２上クラッド層１０８、Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第３上クラッド層１０９、Ｐ型ＩｎＧａＰ中間層１１０およびＰ型ＧａＡｓキャップ層１１１を有して、前側端面から例えば７８５ｎｍのレーザ光を出射する。
【００４２】
上記活性層１０５は、ＡｌＧａＡｓおよびＧａＡｓにて形成されるウェル/バリア層よりなる。
【００４３】
また、上記赤外系レーザ発振部ＬＢ１の上部には、共振器長方向に延びるリッジＲ１が形成されている。このリッジＲ１の両側面はＳｉＯ２膜１２２で覆われている。また、リッジＲ１の上面にはＰ側電極１２４が電気的に接続されている。
【００４４】
上記Ｐ側電極１２４は、Ｔｉ、Ａｕよりなる構造体１５１と、Ａｕ１５３と、ＴｉおよびＡｕからなる表面電極部１５５とからならっている。
【００４５】
上記赤色系レーザ発振部ＬＢ２は、Ｎ型ＧａＡｓバッファ層１１２、Ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層１１３、Ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下ガイド層１１４、活性層１１５、ＡｌＧａＩｎＰ上ガイド層１１６、Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第１上クラッド層１１７、Ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２上クラッド層１１８、Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第３上クラッド層１１９、Ｐ型ＩｎＧａＰ中間層１２０およびＰ型ＧａＡｓキャップ層１２１を有して、前側端面から例えば６６０ｎｍのレーザ光を出射する。
【００４６】
上記活性層１１５は、ＩｎＧａＰおよびＡｌＧａＩｎＰにて形成されるウェル/バリア層よりなる。
【００４７】
また、上記赤色系レーザ発振部ＬＢ２の上部には、共振器長方向に延びるリッジＲ２が形成されている。このリッジＲ２の両側面はＳｉＯ２膜１２２で覆われている。また、リッジＲ２の上面にはＰ側電極１２５が電気的に接続されている。
【００４８】
上記Ｐ側電極１２５は、Ｔｉ、Ａｕよりなる構造体１５２と、Ａｕ１５４と、ＴｉおよびＡｕからなる表面電極部１５６とからならっている。
【００４９】
また、上記基板１０１下には、赤外系レーザ発振部ＬＢ１および赤色系レーザ発振部ＬＢ２に電流を供給するためのＮ側電極１２３が形成されている。
【００５０】
上記構成の半導体レーザ素子は、モノリシック型２波長半導体レーザ素子であるので、２種類の記録媒体(例えばＣＤとＤＶＤ)に対応することができる。
【００５１】
以下、図２Ａ〜図２Ｋを用いて、上記半導体レーザ素子の製造方法について説明する。
【００５２】
まず、ＭＯＣＶＤ(有機金属気相成長)装置により、赤外系レーザ発振部ＬＢ１のためのエピタキシャル層(以下、「赤外系エピタキシャル層」と言う。)を形成する。より具体的には、図２Ａに示すように、Ｎ型ＧａＡｓ基板２０１上に、Ｎ型ＩｎｘＧａ１−ｘＰバッファ層３０２(０＜ｘ＜１)、Ｎ型ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＰ下クラッド層３０３(０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１)、Ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ下ガイド層３０４(０＜ｘ＜１)、活性層３０５、Ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ上ガイド層３０６(０＜ｘ＜１)、Ｐ型ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＰ第１上クラッド層３０７(０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１)、Ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ第２上クラッド層３０８(０＜ｘ＜１)、Ｐ型ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＰ第３上クラッド層３０９(０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１)、Ｐ型ＩｎｘＧａ１−ｘＰ中間層３１０(０＜ｘ＜１)およびＰ型ＧａＡｓキャップ層３１１をこの順番でエピタキシャル成長させる。
【００５３】
上記活性層３０５は、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ(０＜ｘ＜１)およびＧａＡｓにて形成されるウェル/バリア層よりなる。
【００５４】
次に、上記赤色系レーザ発振部ＬＢ２のためのエピタキシャル層(以下、「赤色系エピタキシャル層」と言う。)を形成すべき領域にある赤外系エピタキシャル層を、既存のフォトリソ工程とエッチング工程で除去する。これにより、図２Ｂに示すように、Ｎ型ＩｎＧａＰバッファ層１０２、Ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層１０３、Ｎ型ＡｌＧａＡｓ下ガイド層１０４、活性層１０５、Ｐ型ＡｌＧａＡｓ上ガイド層１０６、Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第１上クラッド層１０７、Ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ第２上クラッド層２０８、Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第３上クラッド層２０９、Ｐ型ＩｎＧａＰ中間層２１０およびＰ型ＧａＡｓキャップ層２１１が得られる。
【００５５】
次に、ＭＯＣＶＤなどの成膜装置により、赤色系エピタキシャル層を形成する。より具体的には、Ｎ型ＧａＡｓ基板２０１上であって残った赤外系エピタキシャル層の側方に、Ｎ型ＧａＡｓバッファ層、Ｎ型ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＰ下クラッド層(０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１)、Ｎ型ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＰ下ガイド層(０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１)、活性層、ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＰ上ガイド層(０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１)、Ｐ型ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＰ第１上クラッド層(０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１)、Ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ第２上クラッド層(０＜ｘ＜１)、Ｐ型ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＰ第３上クラッド層(０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１)、Ｐ型ＩｎｘＧａ１−ｘＰ中間層(０＜ｘ＜１)およびＰ型ＧａＡｓキャップ層をこの順番でエピタキシャル成長させる。
【００５６】
上記活性層は、ＩｎｘＧａ１−ｘＰ(０＜ｘ＜１)およびＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＰ(０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１)にて形成されるウェル/バリア層よりなる。
【００５７】
次に、上記キャップ層２１１上にある赤色系エピタキシャル層を、既存のフォトリソ工程とエッチング工程により除去する。これにより、図２Ｃに示すように、Ｎ型ＧａＡｓバッファ層２１２、Ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層２１３、Ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下ガイド層２１４、活性層２１５、ＡｌＧａＩｎＰ上ガイド層２１６、Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第１上クラッド層２１７、Ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２上クラッド層２１８、Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第３上クラッド層２１９、Ｐ型ＩｎＧａＰ中間層２２０およびＰ型ＧａＡｓキャップ層２２１が得られる。
【００５８】
次に、窓構造領域を形成するため、後述の（１）〜（５）の工程を順次行う。
【００５９】
(１)  上記キャップ層２１１，２２１上に、リフトオフ用のレジストをパターニングした後、スパッタなどの方法によりＺｎＯを成膜する。
【００６０】
(２)  上記バッファ層２１２などを搭載したＮ型ＧａＡｓ基板２０１つまりウエハを、アセトンなどの有機溶媒または適切なレジスト剥離液に浸漬して、超音波洗浄機にてリフトオフ工程を実施する。このとき、ＺｎＯパターンが形成される場所は、最終的なレーザダイオードチップのレーザ出射面となる前側端面から予め設定された長さの領域と、この前側端面と対をなす後側端面とから予め設定された長さの領域とである。
【００６１】
(３)  上記リフトオフ工程により、ＺｎＯのパターニングが終了した後、ウエハ全面にＳｉＯ２膜をプラズマＣＶＤ法にて０．２μｍ程度成膜する。これにより、後に実施する熱処理中にＡｓが抜け出してしまうことを避けることができる。
【００６２】
(４)  上記ウエハに熱処理を行うＺｎの拡散工程を実施する。このときの条件を、処理温度５００度〜６００度、処理時間は例えば１２０分〜２５０分とするＺｎの拡散条件は、ＺｎＯパターン直下の活性層２０５，２１５の一部がＺｎの拡散により混晶化され、いわゆる窓構造としての機能を果たすようにする。すなわち、上記Ｚｎの拡散は、ＺｎＯパターン直下の活性層２０５，２１５の一部のバンドギャップが、活性層２０５，２１５の上記一部以外の部分のバンドギャップよりも十分に大きくなり、且つ、Ｚｎの過剰な拡散により無効電流が発生しないように調整しなければならない。
【００６３】
(５)  上記ＺｎＯパターンおよびＳｉＯ２膜を、フッ素系エッチャントを用いたエッチング工程により除去する。
【００６４】
上記窓構造領域を形成した後、ウエハ上に、ＳｉＯ２などの絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により成膜して、フォトリソ工程と、ＲＩＥ装置を用いたエッチング工程とにより、図２Ｄに示すように、リッジ形成に必要なエッチングマスク３０１を形成する。
【００６５】
次に、上記エッチングマスク３０１を用いて、ＩＣＰによるドライエッチングだけで、リッジを形成する。
【００６６】
このように、ウエットエッチングを行わず、ドライエッチングのみによる処理を実施することで、リッジ形状の垂直性および左右対称性を維持することができ、半導体レーザ素子の量子効率特性の向上やキンクの発生を抑止する効果を得ることができる。
【００６７】
また、上記ドライエッチングの選択比を利用した層界面でのドライエッチングの進捗を停止させる手法は、エッチング深さに関するばらつきをキャンセルさせるものであり、ウエハ面内での半導体レーザ素子の特性ばらつきを大きく低減させることができる。
【００６８】
本実施形態では、ドライエッチングはＩＣＰドライエッチング装置を使って次のように行う。ここで、上記ドライエッチングの進捗は、ハロゲン光源などから発せられる照射光をウエハ表面に当て、その反射光の干渉波形を読み取ることで解析する手法や、プラズマモニタにより特定の元素の発光を検知することで層の界面を判断する手法などで管理する。
【００６９】
まず、第１ドライエッチング条件でドライエッチングを行うことにより、キャップ層２１１，２２１、中間層２１０，２２０、第３上クラッド層２０９，２１９および第２上クラッド層２０８，２１８の各一部を除去して、図２Ｅ，図２Ｆに示すように、キャップ層１１１，１２１、中間層１１０，１２０、第３上クラッド層１０９，１１９および第２上クラッド層２０８’，２１８’を形成する。このとき、上記ドライエッチングが第２上クラッド層２０８，２１８に到達したことは、例えばプラズマモニタにてＡｌの発光強度をモニタリングし、その強度が増加するタイミングにより知ることができる。
【００７０】
上記第１ドライエッチング条件は、例えば、ＩＣＰコイルにかかるＲＦ(高周波)電源出力３００Ｗ〜８００Ｗ、電極側コイルにかかるＲＦ電源出力５０Ｗ〜２００Ｗ、供給ガス種においてはＳｉＣｌ４を５ＳＣＣＭ〜１５ＳＣＣＭ、Ａｒを１５ＳＣＣＭ〜２５ＳＣＣＭとする。
【００７１】
次に、上記第１ドライエッチング条件とは異なる第２ドライエッチング条件でドライエッチングを行うことにより、第２上クラッド層２０８’，２１８’の一部を除去して、図２Ｇ，図２Ｈに示すように、第２上クラッド層１０８，１１８を形成する。すなわち、リッジＲ１，Ｒ２が得られる。
【００７２】
上記第２ドライエッチング条件は、例えば、ＩＣＰコイルにかかるＲＦ電源出力５０Ｗ〜１００Ｗ、電極側コイルにかかるＲＦ電源出力５Ｗ〜３０Ｗ、供給ガス種においてはＳｉＣｌ４を１５ＳＣＣＭ〜３０ＳＣＣＭ、Ａｒを０ＳＣＣＭ〜１０ＳＣＣＭとする。
【００７３】
このように、上記第１，第２ドライエッチング条件のドライエッチングでリッジＲ１，Ｒ２を形成するので、リッジＲ１，Ｒ２を形成するための工程からウエットエッチングを無くすことができる。したがって、リッジＲ１，Ｒ２の裾部の傾斜状の広がりを低減でき、リッジＲ１，Ｒ２の側面の垂直性および対称性を向上させることができる。
【００７４】
また、上記第１，第２ドライエッチング条件のドライエッチングでリッジＲ１，Ｒ２を形成する方が、ドライエッチングとウエットエッチングでリッジＲ１，Ｒ２を形成するよりも、半導体レーザ素子の製造工程を簡略化することができる。その結果、リッジＲ１，Ｒ２の形状のばらつきを低減でき、半導体レーザ素子の歩留りを向上させることができる。
【００７５】
また、上記リッジＲ１，Ｒ２の形状のばらつきを低減できるので、特性が均一な半導体レーザ素子を複数得られる。
【００７６】
また、上記第１ドライエッチング条件から第２ドライエッチング条件に切替えることにより、第２上クラッド層２０８，２１８に対してはドライエッチングレートが高い状態とし、第１上クラッド層１０７，１１７に対してはドライエッチレートが極めて低い状態とすることができ、この選択比は２０を超えるものである。
【００７７】
したがって、上記第２ドライエッチング条件のドライエッチングが第１上クラッド層１０７，１１７に到達すると、実態的にほぼ停止状態となる。このほぼ停止状態は、上記干渉波形によるドライエッチングの進捗管理において、その干渉波形に変化が見られなくなり、時間に対してほぼ横ばいのパターンとして検出される。このタイミングで、第２ドライエッチング条件のドライエッチングのためのプラズマ放電を停止する。
【００７８】
すなわち、上記第１上クラッド層１０７，１１７は、第２ドライエッチング条件のドライエッチングに対してエッチングストップ層となっている。
【００７９】
また、上記第１ドライエッチング条件のドライエッチングが第２上クラッド層２０８，２１８に到達したことは、Ａｌの発光強度などに基づいて知ることができるので、第１ドライエッチング条件のドライエッチングが過剰に行われるのを防ぐことができる。
【００８０】
また、上記第１上クラッド層１０７，１１７はＡｌＧａＩｎＰからなるので、第１上クラッド層１０７，１１７を介して活性層１０５，１１５の共振器長方向の端部にＺｎを迅速に拡散させることができる。したがって、上記半導体レーザ素子の生産性を高めることができる。
【００８１】
これに対して、ＡｌＧａＡｓクラッドはＺｎの拡散速度が遅いため、半導体レーザ素子の生産性が落ちてしまう。
【００８２】
また、上記第２ドライエッチング条件のガス供給総量に対するＡｒガスの配合比率は、第１ドライエッチング条件のガス供給総量に対するＡｒガスの配合比率よりも低いので、Ａｒイオンによる被エッチング部表面への物理的なスパッタ効果が抑えられ、第２上クラッド層２０８，２１８の第１上クラッド層１０７，１１７に対するエッチング選択比をより大きく取ることができる。
【００８３】
ところで、上記第２ドライエッチング条件でドライエッチングを開始する時、ウエハ面内の全ての所定領域で第２上クラッド層２０８’，２１８’の一部が露出している必要がある。このため、ドライエッチング装置の面内分布特性により、第２上クラッド層２０８，２１８の適正な厚み設定は異なる。
【００８４】
したがって、上記第２上クラッド層２０８，２１８の厚さは３０ｎｍ〜３００ｎｍとすることが望ましい。なぜなら、上記第１ドライエッチング条件のドライエッチングの進捗がウエハ面内の全ての所定領域で第２上クラッド層２０８’，２１８’の範囲内にある時間が一定以上必要であるが、厚み３０ｎｍ未満であると、そのような時間を一定以上とることが困難となるからである。
【００８５】
また、ＡｌＧａＩｎＰに比較してＡｌＧａＡｓは窓領域の形成時に拡散させるＺｎの拡散係数が著しく低いため、第２上クラッド層２０８，２１８の厚みが３００ｎｍを越えると、その窓領域の形成が困難である。したがって、第２上クラッド層２０８，２１８の厚みは３００ｎｍ以下とすることが望ましい。
【００８６】
また、上記第２ドライエッチング条件でドライエッチングを行うためのドライエッチング装置の電源出力は、第１ドライエッチング条件でドライエッチングを行うためのドライエッチング装置の電源出力よりも低いので、被エッチング部表面への物理的なスパッタ効果が抑えられ、第２上クラッド層２０８，２１８の第１上クラッド層１０７，１１７に対するエッチング選択比をより大きく取ることができる。
【００８７】
本実施形態の半導体レーザ素子の製造方法であれば、ウエットエッチングで使用するエッチングストップ層(多くの場合はＩｎＧａＰ）を必要としない。ＩｎＧａＰ層はレーザ発振時、光を吸収する層として必要最小限の層厚で形成されるのが通常であるが、これをなくすことにより発振効率の向上を見込むことができる。
【００８８】
また、本実施形態では、リッジＲ１，Ｒ２の形成が完了した後、ウエハ上の全域にＳｉＯ２膜を成膜する。
【００８９】
その後、フォトリソ工程とエッチング工程を用い、電流の導通部となるリッジＲ１，Ｒ２上のＳｉＯ２膜のみを除去する。これにより、図２Ｉに示すＳｉＯ２膜１２２が得られる。ここで、上記エッチング工程にはＲＩＥ装置を用いドライエッチングで処理してもよいし、フッ素系のエッチャントにより処理してもよい。また、ＳｉＯ２膜１２２を形成するとき、窓構造領域への電流の注入を防ぐため、リッジＲ１，Ｒ２上であっても、窓構造領域部分においてはＳｉＯ２膜を残すようにパターニングを行う。
【００９０】
次に、基板研磨装置により、基板２０１の厚みを所望の値まで削減する工程を行う。
【００９１】
次に、図２Ｊに示すように、Ｎ側電極１２３の形成を行う。より詳しくは、基板１０１の下面に、ＡｕＧｅＮｉ、Ｔｉ、Ａｕの積層構造をスパッタおよび蒸着により作成し、適切な条件にてアニールを加えオーミックコンタクトをとる。このアニールは、例えば、処理温度４４０℃、処理時間１０分の条件で行う。そして、上記構造体にスパッタなどでＴｉ、Ａｕを積層して、基板１０１下にＮ側電極１２３を得る。
【００９２】
次に、図２Ｋに示すように、Ｐ側電極１２４，１２５の形成を行う。より詳しくは、Ｔｉ、Ａｕよりなる構造体１５１，１５２をスパッタなどの成膜方法にて形成後、メッキにてＡｕ１５３，１５４を形成する。そして、Ａｕ１５３，１５４上に、ＴｉおよびＡｕからなる表面電極部１５５，１５６をスパッタなどの成膜方法により形成して、赤外系レーザ発振部ＬＢ１上にＰ側電極１２４を得ると共に、赤色系レーザ発振部ＬＢ２上にＰ側電極１２５を得る。なお、Ｐ側電極１２４，１２５を形成するためのＴｉおよびＡｕにおいて、レーザチップの個片に分割する際に、その妨げとなったり、赤外系レーザ発振部ＬＢ１および赤色系レーザ発振部ＬＢ２の一方のレーザ発振時に赤外系レーザ発振部ＬＢ１および赤色系レーザ発振部ＬＢ２の他方へのリーク電流起因となる部分は、公知のフォトリソ技術、エッチング技術により除去している。
【００９３】
次に、レーザの共振器端面がむき出しになるように、ウエハから短冊状のレーザバーを切り出す。
【００９４】
次に、ＥＣＲスパッタ装置またはＥＢ蒸着装置を使って、上記共振器端面に、保護および反射率調整のための端面コート膜を成膜する。
【００９５】
最後に、チップ分割を行って、複数の２波長モノリシック型半導体レーザ素子が得られる。すなわち、図１に示す半導体レーザ素子が得られる。
【００９６】
上記実施形態では、赤外系レーザ発振部ＬＢ１を形成するために、活性層１０５の下側(基板１０１側)にＮ型半導体層を形成する一方、活性層１０５の上側(基板１０１とは反対側)にＰ型半導体層を形成していたが、活性層１０５の下側にＰ型半導体層を形成する一方、活性層１０５の上側にＮ型半導体層を形成してもよい。
【００９７】
上記実施形態では、赤色系レーザ発振部ＬＢ２を形成するために、活性層１１５の下側(基板１０１側)にＮ型半導体層を形成する一方、活性層１１５の上側(基板１０１とは反対側)にＰ型半導体層を形成していたが、活性層１１５の下側にＰ型半導体層を形成する一方、活性層１１５の上側にＮ型半導体層を形成してもよい。
【００９８】
上記実施形態において、ＧａＡｓウエハ表面が(１００)面から１０度〜１５度(０１１)面方向に傾斜したＮ型ＧａＡｓ基板を用いてもよい。
【００９９】
本発明の具体的な一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々変更して実施することができる。例えば、上記実施形態と上述の変形例とを適宜組み合わせたものを本発明の一実施形態としてもよい。
【０１００】
すなわち、本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、
基板２０１上に、第１導電型の下クラッド層１０３、活性層１０５，１１５、第２導電型の第１上クラッド層１０７，１１７、第２導電型の第２上クラッド層２０８，２１８および第２導電型の第３上クラッド層２０９，２１９を含む層構造を形成する工程と、
上記層構造上に、上記第２上クラッド層１０８，１１８および第３上クラッド層１０９，１１９の一部を含むリッジＲ１，Ｒ２を形成するためのエッチングマスク３０１を形成する工程と、
上記エッチングマスク３０１を形成した後、上記第２上クラッド層２０８’，２１８’が露出するように、第１ドライエッチング条件でドライエッチングを行う工程と、
上記第１ドライエッチング条件でドライエッチングを行った後、上記第１ドライエッチング条件とは異なる第２ドライエッチング条件でドライエッチングを行って、上記リッジＲ１，Ｒ２を形成する工程と
を備えることを特徴としている。
【０１０１】
ここで、第１導電型とは、Ｐ型またはＮ型を意味する。また、第２導電型とは、第１導電型がＰ型の場合はＮ型、Ｎ型の場合はＰ型を意味する。
【０１０２】
上記構成によれば、上記エッチングマスク３０１を形成した後、第２上クラッド層２０８’，２１８’が露出するように、第１ドライエッチング条件でドライエッチングを行う。そして、上記第１ドライエッチング条件とは異なる第２ドライエッチング条件でドライエッチングを行って、第２上クラッド層１０８，１１８および第３上クラッド層１０９，１１９の一部を含むリッジＲ１，Ｒ２を形成する。
【０１０３】
このように、上記第１，第２ドライエッチング条件のドライエッチングでリッジＲ１，Ｒ２を形成するので、リッジＲ１，Ｒ２を形成するための工程からウエットエッチングを無くすことができる。したがって、上記リッジＲ１，Ｒ２の裾部の傾斜状の広がりを低減でき、リッジＲ１，Ｒ２の側面の垂直性および対称性を向上させることができる。
【０１０４】
また、上記第１，第２ドライエッチング条件のドライエッチングでリッジＲ１，Ｒ２を形成する方が、ドライエッチングとウエットエッチングでリッジＲ１，Ｒ２を形成するよりも、半導体レーザ素子の製造工程を簡略化することができる。その結果、上記基板２０１上に複数のリッジＲ１，Ｒ２を形成する場合、複数のリッジＲ１，Ｒ２の形状のばらつきを低減でき、半導体レーザ素子の歩留りを向上させることができる。
【０１０５】
また、上記複数のリッジＲ１，Ｒ２の形状のばらつきを低減できるので、複数の半導体レーザ素子の特性を均一に近づけることができる。
【０１０６】
また、上記第２ドライエッチング条件は第１ドライエッチング条件とは異なるので、第２上クラッド層２０８，２１８のドライエッチングレートよりも、第１上クラッド層１０７，１１７のドライエッチングレートを低くすることができる。したがって、第１上クラッド層１０７，１１７で第１ドライエッチング条件のドライエッチングを容易に停止させることができる。
【０１０７】
また、本発明の本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、後述する本発明の半導体レーザ素子を提供できる。
【０１０８】
一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法では、
上記第１上クラッド層１０７，１１７は、上記第２ドライエッチング条件のドライエッチングに対してエッチングストップ層となる。
【０１０９】
上記実施形態によれば、上記第１上クラッド層１０７，１１７は、第２ドライエッチング条件のドライエッチングに対してエッチングストップ層となるので、第１，第２ドライエッチング条件のドライエッチングにより発生するエッチング深さのバラツキを確実に低減することができる。したがって、上記基板２０１上に複数のリッジＲ１，Ｒ２を形成する場合、複数のリッジＲ１，Ｒ２の形状のばらつきを確実に低減でき、半導体レーザ素子の歩留りを確実に向上させることができる。
【０１１０】
また、上記複数のリッジＲ１，Ｒ２の形状のばらつきを確実に低減できるので、複数の半導体レーザ素子の特性を確実に均一に近づけることができる。
【０１１１】
一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法では、
上記第２上クラッド層２０８，２０８’，２１８，２１８’は第３上クラッド層２０９，２１９と異なる材料からなる。
【０１１２】
上記実施形態によれば、上記第２上クラッド層２０８，２０８’，２１８，２１８’は第３上クラッド層２０９，２１９と異なる材料からなるので、第１ドライエッチング条件でドライエッチングを行っているとき、第２上クラッド層２０８，２０８’，２１８，２１８’の露出を確認することができる。したがって、上記第１ドライエッチング条件のドライエッチングが過剰に行われるのを防ぐことができる。
【０１１３】
一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法では、
上記第２上クラッド層２０８，２０８’，２１８，２１８’はＡｌＧａＡｓからなり、上記第３上クラッド層２０９，２１９はＡｌＧａＩｎＰからなる。
【０１１４】
上記実施形態によれば、上記第２上クラッド層２０８，２０８’，２１８，２１８’はＡｌＧａＡｓからなり、第３上クラッド層２０９，２１９はＡｌＧａＩｎＰからなるので、第１ドライエッチング条件でドライエッチングを行っているとき、第２上クラッド層２０８，２０８’，２１８，２１８’の露出を確実に確認することができる。
【０１１５】
一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法では、
上記第１上クラッド層１０７，１１７はＡｌＧａＩｎＰからなる。
【０１１６】
上記実施形態によれば、上記第１上クラッド層１０７，１１７はＡｌＧａＩｎＰからなるので、第２ドライエッチング条件のドライエッチングに対するエッチングストップ層に容易にすることができる。
【０１１７】
また、上記活性層１０５，１１５の共振器長方向の端部にＺｎで窓領域を形成する場合、第１上クラッド層１０７，１１７はＡｌＧａＩｎＰからなるので、第１上クラッド層１０７，１１７を介して活性層１０５，１１５の共振器長方向の端部にＺｎを迅速に拡散させることができる。したがって、上記半導体レーザ素子の生産性を高めることができる。
【０１１８】
これに対して、ＡｌＧａＡｓクラッドはＺｎの拡散速度が遅いため、半導体レーザ素子の生産性が落ちてしまう。
【０１１９】
一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法では、
上記第１ドライエッチング条件および第２ドライエッチング条件のエッチングガスは、ＳｉＣｌ４、ＳｉＦ４、Ｃｌ２、Ｆ２、ＣＣｌ４、ＣＦ４、ＳＦ６のうちの少なくとも１つを含むガスと、Ａｒガスとを混合したエッチングガスであり、
上記第２ドライエッチング条件のガス供給総量に対するＡｒガスの配合比率は、上記第１ドライエッチング条件のガス供給総量に対するＡｒガスの配合比率よりも低い。
【０１２０】
上記実施形態によれば、上記第２ドライエッチング条件のガス供給総量に対するＡｒガスの配合比率は、第１ドライエッチング条件のガス供給総量に対するＡｒガスの配合比率よりも低いので、Ａｒイオンによる被エッチング部表面への物理的なスパッタ効果が抑えられ、第２上クラッド層２０８，２１８の第１上クラッド層１０７，１１７に対するエッチング選択比をより大きく取ることができる。
【０１２１】
一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法では、
上記第２上クラッド層２０８，２１８の厚みが３０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内である。
【０１２２】
上記実施形態によれば、上記第２上クラッド層２０８，２１８を露出させる箇所が複数ある場合、上記第２上クラッド層２０８，２１８の厚みが３０ｎｍ以上であるので、その複数の箇所を確実に露出させることができる。
【０１２３】
また、上記第２上クラッド層２０８，２１８の厚みが３００ｎｍ以下であるので、半導体レーザ素子に窓領域を容易に形成することができる。
【０１２４】
一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法では、
上記第２ドライエッチング条件でドライエッチングを行うためのドライエッチング装置の電源出力は、上記第１ドライエッチング条件でドライエッチングを行うためのドライエッチング装置の電源出力よりも低い。
【０１２５】
上記実施形態によれば、上記第２ドライエッチング条件でドライエッチングを行うためのドライエッチング装置の電源出力は、第１ドライエッチング条件でドライエッチングを行うためのドライエッチング装置の電源出力よりも低いので、被エッチング部表面への物理的なスパッタ効果が抑えられ、第２上クラッド層２０８，２１８の第１上クラッド層１０７，１１７に対するエッチング選択比をより大きく取ることができる。
【０１２６】
本発明の半導体レーザ素子は、
基板１０１と、
上記基板１０１上に形成された第１導電型の下クラッド層１０３，１１３と、
上記下クラッド層１０３，１１３上に形成された活性層１０５，１１５と、
上記活性層１０５，１１５上に形成された第２導電型の第１上クラッド層１０７，１１７と、
上記第１上クラッド層１０７，１１７上に形成された第２導電型の第２上クラッド層１０８，１１８と、
上記第２上クラッド層１０８，１１８上に形成された第２導電型の第３上クラッド層１０９，１１９と
を備え、
上記第２上クラッド層１０８，１１８および第３上クラッド層１０９，１１９の一部を含むリッジＲ１，Ｒ２は、上記第１ドライエッチング条件のドライエッチングと、上記第１ドライエッチング条件とは異なる第２ドライエッチング条件のドライエッチングとを行うことにより形成されていることを特徴としている。
【０１２７】
上記構成によれば、上記リッジＲ１，Ｒ２は、第１ドライエッチング条件のドライエッチングと、第１ドライエッチング条件とは異なる第２ドライエッチング条件のドライエッチングとを行うことにより形成されているので、リッジＲ１，Ｒ２を形成するための工程からウエットエッチングを無くすことができる。したがって、上記リッジＲ１，Ｒ２の裾部の傾斜状の広がりを低減でき、リッジＲ１，Ｒ２の側面の垂直性および対称性を向上させることができる。
【０１２８】
また、上記第１，第２ドライエッチング条件のドライエッチングでリッジＲ１，Ｒ２を形成する方が、ドライエッチングとウエットエッチングでリッジＲ１，Ｒ２を形成するよりも、半導体レーザ素子の製造工程を簡略化することができる。その結果、上記半導体レーザ素子を複数製造した場合、リッジＲ１，Ｒ２の形状のばらつきを低減でき、歩留りを向上させることができる。
【０１２９】
また、上記リッジＲ１，Ｒ２の形状のばらつきを低減できるので、複数の半導体レーザ素子の特性を均一に近づけることができる。
【０１３０】
また、上記第２ドライエッチング条件は第１ドライエッチング条件とは異なるので、第２上クラッド層１０８，１１８のドライエッチングレートよりも、第１上クラッド層１０７，１１７のドライエッチングレートを低くすることができる。したがって、第１上クラッド層１０７，１１７で第１ドライエッチング条件のドライエッチングを容易に停止させることができる。
【０１３１】
一実施形態の半導体レーザ素子は、
モノリシック型２波長半導体レーザ素子である。
【０１３２】
上記実施形態によれば、上記半導体レーザ素子がモノリシック型２波長半導体レーザ素子であるので、２種類の記録媒体(例えばＣＤとＤＶＤ)に対応することができる。
【符号の説明】
【０１３３】
１０１，２０１  Ｎ型ＧａＡｓ基板
１０２，２０２，３０２  Ｎ型ＩｎＧａＰバッファ層
１０３，３０３  Ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層
１０４，３０４  Ｎ型ＡｌＧａＡｓ下ガイド層
１０５，３０５  活性層
１０６，３０６  Ｐ型ＡｌＧａＡｓ上ガイド層
１０７，３０７  Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第１上クラッド層
１０８，２０８，２０８’，３０８  Ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２上クラッド層
１０９，２０９，３０９  Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第３上クラッド層
１１０，２１０，３１０  Ｐ型ＩｎＧａＰ中間層
１１１，２１１，３１１  Ｐ型ＧａＡｓキャップ層
１２２  ＳｉＯ２膜
１２４  Ｐ側電極
１１２  Ｎ型ＧａＡｓバッファ層
１１３  Ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層
１１４  Ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下ガイド層
１１５  活性層
１１６  ＡｌＧａＩｎＰ上ガイド層
１１７  Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第１上クラッド層
１１８，２１８，２１８’  Ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２上クラッド層
１１９，２１９  Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第３上クラッド層
１２０，２２０  Ｐ型ＩｎＧａＰ中間層
１２１，２２１  Ｐ型ＧａＡｓキャップ層
ＬＢ１  赤外系レーザ発振部
ＬＢ２  赤色系レーザ発振部
Ｒ１，Ｒ２  リッジ
【図１】
2014103161.tif 000003
【図２Ａ】
2014103161.tif 000004
【図２Ｂ】
2014103161.tif 000005
【図２Ｃ】
2014103161.tif 000006
【図２Ｄ】
2014103161.tif 000007
【図２Ｅ】
2014103161.tif 000008
【図２Ｆ】
2014103161.tif 000009
【図２Ｇ】
2014103161.tif 000010
【図２Ｈ】
2014103161.tif 000011
【図２Ｉ】
2014103161.tif 000012
【図２Ｊ】
2014103161.tif 000013
【図２Ｋ】
2014103161.tif 000014