(57)【要約】【課題】本発明は駆動トランジスターに並列連結されるダミートランジスターを用いて電圧降下なしに電流を検出することができる電流検出機能を有する駆動装置及び電流検出機能を有するモータ駆動装置に関する。【解決手段】駆動電源を供給する駆動電源端と接地との間に連結された少なくとも一つのトランジスターを備え、上記少なくとも一つのトランジスターはスイッチング制御信号によりスイッチングされて予め設定された機器を駆動させる駆動部と、上記少なくとも一つのトランジスターに並列連結される少なくとも一つのダミートランジスターを備え、上記スイッチング制御信号により上記少なくとも一つのトランジスターとともにスイッチングされ、上記少なくとも一つのダミートランジスターに流れる電流を検出する検出部とを含む電流検出機能を有する駆動装置及び電流検出機能を有するモータ駆動装置を提案する。【選択図】図３
2014032169.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動電源を供給する駆動電源端と接地との間に連結された少なくとも一つのトランジスターを備え、当該少なくとも一つのトランジスターがスイッチング制御信号によりスイッチングして予め設定された機器を駆動させる駆動部と、
前記少なくとも一つのトランジスターに並列連結される少なくとも一つのダミートランジスターを備え、前記スイッチング制御信号により前記少なくとも一つのトランジスターとともにスイッチングする前記少なくとも一つのダミートランジスターに流れる電流を検出する検出部と
を含む電流検出機能を有する駆動装置。
【請求項２】
前記少なくとも一つのダミートランジスターの抵抗成分は、前記少なくとも一つのトランジスターの抵抗成分より大きい請求項１に記載の電流検出機能を有する駆動装置。
【請求項３】
前記検出部は前記少なくとも一つのダミートランジスターの抵抗成分と前記少なくとも一つのトランジスターの抵抗成分間の抵抗比により前記少なくとも一つのダミートランジスターに流れる電流を検出する請求項２に記載の電流検出機能を有する駆動装置。
【請求項４】
前記検出部は前記少なくとも一つのダミートランジスターと接地間に連結され、前記少なくとも一つのダミートランジスターに流れる電流を検出する検出抵抗をさらに含む請求項３に記載の電流検出機能を有する駆動装置。
【請求項５】
前記少なくとも一つのダミートランジスターと前記少なくとも一つのトランジスターの電気的極性が同一である請求項１から４の何れか１項に記載の電流検出機能を有する駆動装置。
【請求項６】
駆動電源を供給する駆動電源端と接地との間に連結され、互いに並列連結された複数のトランジスターユニットを備え、当該複数のトランジスターユニットがスイッチング制御信号によりスイッチングされてモータを駆動させる駆動部と、
前記複数のトランジスターユニットのうち少なくとも一つのトランジスターに並列連結される少なくとも一つのダミートランジスターを備え、前記スイッチング制御信号により前記少なくとも一つのトランジスターとともにスイッチングされる前記少なくとも一つのダミートランジスターに流れる電流を検出する検出部と
を含む電流検出機能を有するモータ駆動装置。
【請求項７】
前記駆動部は、
電源が供給される電源供給端と接地との間に電気的に連結された第１ＰＭＯＳ  ＦＥＴ及び前記第１ＰＭＯＳ  ＦＥＴと接地との間に電気的に連結された第１ＮＭＯＳ  ＦＥＴを有する第１トランジスターユニットと、
前記電源供給端に前記第１ＰＭＯＳ  ＦＥＴと並列連結され、前記電源供給端と接地の間に電気的に連結された第２ＰＭＯＳ  ＦＥＴ及び前記第２ＰＭＯＳ  ＦＥＴと接地との間に電気的に連結された第２ＮＭＯＳ  ＦＥＴを有する第２トランジスターユニットと、を含む請求項６に記載の電流検出機能を有するモータ駆動装置。
【請求項８】
前記少なくとも一つのダミートランジスターの抵抗成分は、前記少なくとも一つのトランジスターの抵抗成分より大きい請求項６または７に記載の電流検出機能を有するモータ駆動装置。
【請求項９】
前記検出部は前記少なくとも一つのダミートランジスターの抵抗成分と前記少なくとも一つのトランジスターの抵抗成分の間の抵抗比により前記少なくとも一つのダミートランジスターに流れる電流を検出する請求項８に記載の電流検出機能を有するモータ駆動装置。
【請求項１０】
前記検出部は、前記少なくとも一つのダミートランジスターと接地との間に連結され、前記少なくとも一つのダミートランジスターに流れる電流を検出する検出抵抗をさらに含む請求項９に記載の電流検出機能を有するモータ駆動装置。
【請求項１１】
前記少なくとも一つのダミートランジスターと前記少なくとも一つのトランジスターの電気的極性が同一である請求項６から１０の何れか１項に記載の電流検出機能を有する モータ駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子製品において電流検出機能を有する駆動装置及び特にモータ駆動において電流を検出する電流検出機能を有するモータ駆動装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近では、個人、家庭、事務所などの需要により電気機器または電子機器が爆発的に用いられている。
【０００３】
このような機器は、内部に特定動作を駆動するための駆動回路が採用されることができ、その機器としてはモータを例に挙げることができる。
【０００４】
一般的に、ブラシレス直流モータ（ＢｒｕｓｈＬｅｓｓ  ＤＣ  ｍｏｔｏｒ）とは、直流モータにおいて、ブラシ及び整流子など機械的な接触部を用いず、非接触の位置検出器と半導体素子により電流が通じるようにしたり、電流方向を調整する機能を有する直流（ＤＣ）モータのことである。
【０００５】
該ブラシレス直流モータを駆動するために駆動装置を採用することができる。
【０００６】
図１は一般的なモータ駆動装置の構成図である。
【０００７】
図１を参照すると、一般的なモータ駆動装置１０は、制御部１１と駆動部１２を含むことができる。
【０００８】
制御部１１はモータの駆動を制御し、駆動部１２は制御部１１の駆動信号により４個のＦＥＴをターンオンまたはターンオフさせてモータを駆動させることができる。
【０００９】
図２はモータ駆動装置の駆動信号である。
【００１０】
図２を参照すると、制御部１１から駆動部１２に伝達される駆動信号は、計４種類に区分され、識別符号Ｉ、II、III、IVの順に駆動信号が伝達されることができる。
【００１１】
即ち、識別符号Ｉの駆動信号により第１ＰＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｐ１）と第２ＮＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｎ２）がターンオンし、識別符号IIの駆動信号により第１ＰＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｐ１）と第２ＮＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｎ２）はターンオフし、第２ＰＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｐ２）と第１ＮＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｎ１）がターンオンすることができる。
【００１２】
また、識別符号IIIの駆動信号により第２ＰＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｐ２）と第１ＮＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｎ１）はターンオフし、第１ＰＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｐ１）と第２ＮＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｎ２）がターンオンして、識別符号IVの駆動信号により第１ＰＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｐ１）と第２ＮＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｎ２）はターンオフし、第２ＰＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｐ２）と第１ＮＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｎ１）がターンオンすることができる。
【００１３】
このような駆動方式により第１ＰＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｐ１）と第２ＰＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｐ２）がターンオンするとき、ＰＷＭ信号（図２の斜線部分）を発生させてモータの速度を調節することができる。
【００１４】
このようなモータ駆動装置は、モータの正確な駆動のため、接地に連結された抵抗を通じてモータに流れる電流を検出し、検出された信号に基づいてＰＷＭ信号を提供し、モータの速度を設定されたように適切に調節したり、過電流時にモータ駆動を停止させる制御動作を行うことができる。
【００１５】
しかし、このような検出方式には、抵抗による電圧降下が発生して電力効率が低減するという問題点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１６】
【特許文献１】韓国公開特許公報第１０−２００６−００４５３５７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明の課題は上記の問題点を解決するためのもので、本発明は駆動トランジスターに並列連結されるダミートランジスターを用いて電圧降下なしに電流を検出することができる電流検出機能を有する駆動装置及び電流検出機能を有するモータ駆動装置を提案する。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上述した本発明の課題を解決するため、本発明の一つの技術的な側面では、駆動電源を供給する駆動電源端と接地との間に連結された少なくとも一つのトランジスターを備え、上記少なくとも一つのトランジスターはスイッチング制御信号によりスイッチングされて予め設定された機器を駆動させる駆動部と、上記少なくとも一つのトランジスターに並列連結される少なくとも一つのダミートランジスターを備え、上記スイッチング制御信号により上記少なくとも一つのトランジスターとともにスイッチングされ、上記少なくとも一つのダミートランジスターに流れる電流を検出する検出部を含む電流検出機能を有する駆動装置を提案する。
【００１９】
本発明の一つの技術的な側面によると、上記少なくとも一つのダミートランジスターの抵抗成分は、上記少なくとも一つのトランジスターの抵抗成分より大きくてよい。
【００２０】
本発明の一つの技術的な側面によると、上記検出部は上記少なくとも一つのダミートランジスターの抵抗成分と上記少なくとも一つのトランジスターの抵抗成分の間の抵抗比により上記少なくとも一つのダミートランジスターに流れる電流を検出することができる。
【００２１】
本発明の一つの技術的な側面によると、上記検出部は上記少なくとも一つのダミートランジスターと接地との間に連結され、上記少なくとも一つのダミートランジスターに流れる電流を検出する検出抵抗をさらに含んでよい。
【００２２】
本発明の一つの技術的な側面によると、上記少なくとも一つのダミートランジスターと上記少なくとも一つのトランジスターの電気的極性は同一であってよい。
【００２３】
上述した本発明の課題を解決するため、本発明の他の一つの技術的な側面では、駆動電源を供給する駆動電源端と接地との間に連結され、互いに並列連結された複数のトランジスターユニットを備え、上記複数のトランジスターユニットはスイッチング制御信号によりスイッチングされてモータを駆動させる駆動部と、上記複数のトランジスターユニットのうち少なくとも一つのトランジスターに並列連結される少なくとも一つのダミートランジスターを備え、上記スイッチング制御信号により上記少なくとも一つのトランジスターとともにスイッチングされ、上記少なくとも一つのダミートランジスターに流れる電流を検出する検出部とを含む電流検出機能を有するモータ駆動装置を提案する。
【００２４】
本発明の他の一つの技術的な側面によると、上記駆動部は電源が供給される電源供給端と接地との間に電気的に連結された第１ＰＭＯＳ  ＦＥＴ及び上記第１ＰＭＯＳ  ＦＥＴと接地との間に電気的に連結された第１ＮＭＯＳ  ＦＥＴを有する第１トランジスターユニットと、上記電源供給端に上記第１ＰＭＯＳ  ＦＥＴと並列連結され、上記電源供給端と接地との間に電気的に連結された第２ＰＭＯＳ  ＦＥＴ及び上記第２ＰＭＯＳ  ＦＥＴと接地との間に電気的に連結された第２ＮＭＯＳ  ＦＥＴを有する第２トランジスターユニットとを含んでよい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によると、駆動トランジスターに並列連結されるダミートランジスターを用いて電圧降下なしに電流を検出し、電流検出により電力効率が低減されることを防止することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】一般的なモータ駆動装置の構成図である。
【図２】モータ駆動装置の駆動信号である。
【図３】本発明の駆動装置の概略的な回路図である。
【図４】本発明のモータ駆動装置の概略的な構成図である。
【図５】本発明のモータ駆動装置の電流の流れを示す図面である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下では、添付の図面を参照し、本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
【００２８】
図３は本発明の駆動装置の概略的な回路図である。
【００２９】
図３を参照すると、本発明の駆動装置１００は駆動部１１０及び検出部１２０を含んでよい。
【００３０】
駆動部１１０は駆動電源ＶＤＤを供給する駆動電源端と接地との間に連結された少なくとも一つのトランジスター１１１を含んでよい。
【００３１】
上記少なくとも一つのトランジスター１１１は、ゲートに外部から駆動信号の印加を受けてスイッチングオン／オフ動作をすることができ、これにより駆動させようとする機器を駆動させることができる。
【００３２】
検出部１２０は、少なくとも一つのダミートランジスター１２１と検出抵抗１２２を含んでよい。
【００３３】
ダミートランジスター１２１は、駆動部１１０のトランジスター１１１のようにゲートに上記駆動信号の入力を受けることができる。これにより、駆動部１１０のトランジスター１１１がスイッチングオンすると、ダミートランジスター１２１もスイッチングオンし、駆動部１１０のトランジスター１１１がスイッチングオフすると、ダミートランジスター１２１もスイッチングオフすることができる。
【００３４】
このために、ダミートランジスター１２１と駆動部１１０のトランジスター１１１の電気的極性は同一であってよい。
【００３５】
検出抵抗１２２は、ダミートランジスター１２１と接地との間に連結され、ダミートランジスター１２１に流れる電流を検出することができる。
【００３６】
このとき、ダミートランジスター１２１の回路面積及び抵抗と駆動部１１０のトランジスター１１１の回路面積及び抵抗とは比をなすことができ、ダミートランジスター１２１は駆動部１１０のトランジスター１１１より回路面積及びこれによる抵抗が大きくてよい。
【００３７】
これにより、ダミートランジスター１２１には、上述した回路面積及び抵抗比による値を有する電流が流れることができる。
【００３８】
例えば、ダミートランジスター１２１の回路面積及び抵抗は、駆動部１１０のトランジスター１１１の回路面積及び抵抗に対して、その比を１０００：１と設定することができ、これにより、ダミートランジスター１２１に流れる電流と駆動部１１０のトランジスター１１１に流れる電流比は１：１０００であることができる。
【００３９】
即ち、駆動電源ＶＤＤにより流れる電流の大部分は駆動部１１０のトランジスター１１１に流れ、抵抗降下が殆どない少ない量の電流のみがダミートランジスター１２１に流れることができる。
【００４０】
検出抵抗１２２により検出された検出信号は外部の制御回路に伝達されることができ、外部の制御回路では予めダミートランジスター１２１と駆動部１１０のトランジスター１１１間の回路面積及び抵抗比を知っているため、検出信号に含まれた電流情報をスケーリングし、正確な電流情報を獲得することができる。
【００４１】
図４は本発明のモータ駆動装置２００の概略的な構成図である。
【００４２】
駆動部２１０は、駆動信号によりスイッチングオンオフ動作をするトランジスターを備えることができ、上記トランジスターのスイッチングオン／オフ動作によりモータが駆動されることができる。
【００４３】
より詳細には、駆動部２１０は２つのトランジスターユニットを有することができ、トランジスターユニットのそれぞれは２つのトランジスターを含むことができ、駆動部２１０は計４つのトランジスターを備えることができる。上記４つのトランジスターは二つのＰＭＯＳ  ＦＥＴ（ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ｆｉｅｌｄ−ｅｆｆｅｃｔ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）（Ｐ１、Ｐ２）と二つのＮＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｎ１，Ｎ２）で構成されてよい。
【００４４】
第１ＰＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｐ１）は電源ＶＤＤが供給される電源供給端と接地との間に電気的に連結されてよく、第１ＮＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｎ１）は第１ＰＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｐ１）と接地との間に電気的に連結されてよい。
【００４５】
第２ＰＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｐ２）は上記電源供給端に第１ＰＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｐ１）と並列連結され、上記電源供給端と接地との間に電気的に連結されてよく、第２ＮＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｎ２）は第２ＰＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｐ２）と接地との間に電気的に連結されてよい。
【００４６】
また、第１ＰＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｐ１）と第１ＮＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｎ１）の連結点及び第２ＰＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｐ２）と第２ＮＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｎ２）の連結点にはモータが連結され、第１ＰＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｐ１）及び第２ＮＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｎ２）と、第２ＰＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｐ２）及び第１ＮＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｎ１）のスイッチング動作によりモータが駆動されることができる。
【００４７】
モータ駆動動作について簡単に説明すると、外部からの制御信号ＰＯＵＴ１、ＰＯＵＴ２、ＮＯＵＴ１、ＮＯＵＴ２により第１ＰＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｐ１）及び第２ＮＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｎ２）と、第２ＰＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｐ２）及び第１ＮＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｎ１）が交番にターンオン／ターンオフすることができる。
【００４８】
即ち、外部からの駆動信号ＰＯＵＴ１、ＰＯＵＴ２、ＮＯＵＴ１、ＮＯＵＴ２により第１ＰＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｐ１）と第２ＮＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｎ２）はターンオフし、第２ＰＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｐ２）と第１ＮＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｎ１）がターンオンすることができ、再び、駆動信号ＰＯＵＴ１、ＰＯＵＴ２、ＮＯＵＴ１、ＮＯＵＴ２により第２ＰＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｐ２）と第１ＮＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｎ１）はターンオフし、第１ＰＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｐ１）と第２ＮＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｎ２）がターンオンすることができる。
【００４９】
検出部２２０は、ダミートランジスターＮＤ１、ＮＤ２と検出抵抗Ｒ１、Ｒ２を含んでよい。
【００５０】
ダミートランジスターＮＤ１、ＮＤ２は、駆動部の少なくとも一つのＭＯＳ  ＦＥＴに並列連結されてよい。
【００５１】
より詳細には、ダミートランジスターＮＤ１、ＮＤ２は、それぞれ第１ＮＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｎ１）及び第２ＮＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｎ２）に並列連結されてよい。
【００５２】
ダミートランジスターＮＤ１、ＮＤ２のゲートに、第１ＮＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｎ１）及び第２ＮＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｎ２）のゲートに入力される駆動信号ＮＯＵＴ１、ＮＯＵＴ２が入力されることができる。
【００５３】
即ち、第１ダミートランジスターＮＤ１は第１ＮＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｎ１）に並列連結されて駆動信号ＮＯＵＴ１の伝達をともに受けることができ、第２ダミートランジスターＮＤ２は第２ＮＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｎ２）に並列連結されて駆動信号ＮＯＵＴ２の伝達をともに受けることができる。
【００５４】
図示しなかったが、第１及び第２ダミートランジスターＮＤ１、ＮＤ２は第１及び第２ＰＭＯＳ  ＦＥＴに並列連結されて駆動信号ＰＯＵＴ１、ＰＯＵＴ２の伝達をともに受けることもできる。
【００５５】
検出抵抗Ｒ１、Ｒ２は、第１及び第２ダミートランジスターＮＤ１、ＮＤ２と接地との間にそれぞれ連結されることができる。
【００５６】
図５は本発明のモータ駆動装置２００の電流流れを示している。
【００５７】
図４及び図５を参照すると、上述のように駆動信号ＰＯＵＴ１、ＰＯＵＴ２、ＮＯＵＴ１、ＮＯＵＴ２により第１ＰＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｐ１）と第２ＮＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｎ２）はターンオフし、第２ＰＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｐ２）と第１ＮＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｎ１）がターンオンされることができ、再び、駆動信号ＰＯＵＴ１、ＰＯＵＴ２、ＮＯＵＴ１、ＮＯＵＴ２により第２ＰＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｐ２）と第１ＮＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｎ１）はターンオフし、第１ＰＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｐ１）と第２ＮＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｎ２）がターンオンすることができる。これにより矢印のような電流の流れが形成されることができる。
【００５８】
このとき、ダミートランジスターＮＤ１、ＮＤ２の回路面積及び抵抗と第１ＮＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｎ１）及び第２ＮＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｎ２）の回路面積及び抵抗とは比をなすことができ、ダミートランジスターＮＤ１、ＮＤ２は第１及び第２ＮＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｎ１，Ｎ２）より回路面積及び抵抗が大きくよい。
【００５９】
これにより、ダミートランジスターＮＤ１、ＮＤ２には、上述した回路面積及び抵抗比による値を有する電流が流れることができる。
【００６０】
例えば、ダミートランジスターＮＤ１、ＮＤ２の回路面積及び抵抗は、第１及び第２ＮＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｎ１、Ｎ２）の回路面積及び抵抗に対し、その比を１０００：１と設定することができ、これにより、ダミートランジスターＮＤ１、ＮＤ２に流れる電流と第１及び第２ＮＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｎ１、Ｎ２）にそれぞれ流れる電流比は１：１０００であることができる。
【００６１】
即ち、駆動電源ＶＤＤにより流れる電流の大部分は第１及び第２ＮＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｎ１、Ｎ２）に流れ、抵抗降下が殆どない少ない量の電流のみがダミートランジスターＮＤ１、ＮＤ２に流れることができる。
【００６２】
先行技術文献のように、モータ駆動に用いられるＮＭＯＳ  ＦＥＴと接地との間に検出抵抗を連結した場合、駆動電源の電圧は下記数式１のようである。
【００６３】
【数１】
2014032169.tif 000003
【００６４】
しかし、本発明によるモータ駆動装置において、ダミートランジスターと接地との間に検出抵抗を連結して電流を検出する場合、駆動電源の電圧は下記数式２のようである。
【００６５】
【数２】
2014032169.tif 000004
【００６６】
数式１と数式２を比較すると、検出抵抗（Ｒｓｅｎｓｉｎｇ）による電圧降下が除去されたことが分かる。
【００６７】
検出抵抗Ｒ１、Ｒ２により検出された検出信号は、外部の制御回路に伝達されることができ、外部の制御回路では予めダミートランジスターＮＤ１、ＮＤ２と第１及び第２ＮＭＯＳ  ＦＥＴ（Ｎ１、Ｎ２）間の回路面積及び抵抗比を知っているため、検出信号に含まれた電流情報をスケーリングして正確な電流情報を獲得することができる。なお、本実施形態例においては、モータの回転速度情報は、モータに隣接するホールセンサーからのホール電圧に基づいて得てもよい。
【００６８】
上述のように、本発明によると、駆動トランジスターに並列連結されるダミートランジスターを使用して電圧降下なしに電流を検出し、電流検出により電力効率が低減されることを防止することができる。
【００６９】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。
【符号の説明】
【００７０】
１００  駆動装置
１１０  駆動部
１２０  検出部
１２１  ダミートランジスター
１２２  検出抵抗
２００  モータ駆動装置
２１０  駆動部
２２０  検出部
【図１】
2014032169.tif 000005
【図２】
2014032169.tif 000006
【図３】
2014032169.tif 000007
【図４】
2014032169.tif 000008
【図５】
2014032169.tif 000009