(57)【要約】【課題】高い発光効率を有する波長変換部材を提供する。【解決手段】波長変換部材１ａは、本体１０と、第１のフィルタ層１１とを備える。本体１０は、励起光が入射したときに蛍光を出射する蛍光体を含む。本体１０は、光入射面１０ａを有する。第１のフィルタ層１１は、光入射面１０ａの上に配されている。第１のフィルタ層１１では、入射角が相対的に小さな第１の入射角領域Ａ１における励起光の反射率をＲ１とし、第１の入射領域Ａ１よりも入射角が大きい第２の入射角領域Ａ２における励起光の反射率をＲ２としたときに、Ｒ２＞Ｒ１が満たされる。【選択図】図１
2014203852.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
励起光が入射したときに蛍光を出射する蛍光体を含み、前記励起光が入射する光入射面を有する本体と、
前記光入射面の上に配されており、入射角が相対的に小さな第１の入射角領域における前記励起光の反射率をＲ１とし、前記第１の入射領域よりも入射角が大きい第２の入射角領域における前記励起光の反射率をＲ２としたときに、Ｒ２＞Ｒ１が満たされる第１のフィルタ層と、
を備える、波長変換部材。
【請求項２】
前記第１のフィルタ層は、低反射率波長帯域と、前記低反射率波長帯域の長波長側に位置し、前記低反射率波長帯域よりも反射率が高い高反射率波長帯域とを有し、かつ、入射角によって前記低反射率波長帯域及び前記高反射率波長帯域の位置が変化し、前記第１の入射角領域において、前記励起光の波長が前記低反射率波長帯域に位置する一方、前記第２の入射角領域において、前記励起光の波長が前記高反射率波長帯域に位置するように構成されている、請求項１に記載の波長変換部材。
【請求項３】
前記第１の入射角領域は、入射角が１２°以下の領域である、請求項１または２に記載の波長変換部材。
【請求項４】
前記本体の前記光入射面と対向する面の上に配されており、前記励起光と、前記蛍光とを反射させる反射部材をさらに備える、請求項１〜３のいずれか一項に記載の波長変換部材。
【請求項５】
前記本体の前記光入射面と対向する面の上に配されており、前記蛍光を透過させる一方、前記励起光を反射させる第２のフィルタ層をさらに備える、請求項１〜３のいずれか一項に記載の波長変換部材。
【請求項６】
前記光入射面の上に配された第１のフィルタ層は、前記蛍光を反射させる、請求項５に記載の波長変換部材。
【請求項７】
前記第１のフィルタ層または第２のフィルタ層は、相対的に屈折率が低い低屈折率層と、相対的に屈折率が高い高屈折率層とが交互に積層されてなる、請求項１〜６のいずれか一項に記載の波長変換部材。
【請求項８】
前記本体は、前記蛍光体として、蛍光体粉末を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の波長変換部材。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の波長変換部材と、
前記光入射面に対して前記第１の入射角領域で入射するように前記励起光を出射する光源と、
を備える、発光デバイス。
【請求項１０】
前記光源は、レーザー光源である、請求項９に記載の発光デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、波長変換部材及びそれを備える発光デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、励起光が入射したときに、励起光とは異なる波長の蛍光を出射する波長変換部材が知られている。特許文献１には、波長変換部材の一例として、蛍光体層と、蛍光体層の励起光入射側に設けられたロングパスフィルタとを備える波長変換部材が記載されている。特許文献１に記載の波長変換部材に対して、光源は、光源からの光がロングパスフィルタの表面の垂線に対して所定の角度以上をなして入射するように配される。ロングパスフィルタは、所定の角度未満の入射角で入射する励起光を反射する。特許文献１に記載の波長変換部材では、ロングパスフィルタが設けられているため、蛍光体に吸収されずに散乱反射した励起光が蛍光体層の励起光入射側の表面から出射することを抑制することができる。従って、励起光の利用効率を高めることができるので、高い発光効率を得ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−２０９３６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
波長変換部材の発光効率をさらに高めたいという要望がある。
【０００５】
本発明の目的は、高い発光効率を有する波長変換部材を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る波長変換部材は、本体と、第１のフィルタ層とを備える。本体は、励起光が入射したときに蛍光を出射する蛍光体を含む。本体は、励起光が入射する光入射面を有する。第１のフィルタ層は、光入射面の上に配されている。第１のフィルタ層では、入射角が相対的に小さな第１の入射角領域における励起光の反射率をＲ１とし、第１の入射領域よりも入射角が大きい第２の入射角領域における励起光の反射率をＲ２としたときに、Ｒ２＞Ｒ１が満たされる。
【０００７】
第１のフィルタ層は、低反射率波長帯域と、低反射率波長帯域の長波長側に位置し、低反射率波長帯域よりも反射率が高い高反射率波長帯域とを有し、第１のフィルタ層は、入射角によって低反射率波長帯域及び高反射率波長帯域の位置が変化し、第１の入射角領域において、励起光の波長が低反射率波長帯域に位置する一方、第２の入射角領域において、励起光の波長が高反射率波長帯域に位置するように構成されていてもよい。
【０００８】
第１の入射角領域は、入射角が１２°以下の領域であることが好ましい。
【０００９】
波長変換部材は、本体の光入射面と対向する面の上に配されており、励起光と、蛍光とを反射させる反射部材をさらに備えることが好ましい。
【００１０】
波長変換部材は、本体の光入射面と対向する面の上に配されており、蛍光を透過させる一方、励起光を反射させる第２のフィルタ層をさらに備えていてもよい。また、光入射面の上に配された第１のフィルタ層は、蛍光を反射させるものであることが好ましい。
【００１１】
第１のフィルタ層または第２のフィルタ層は、相対的に屈折率が低い低屈折率層と、相対的に屈折率が高い高屈折率層とが交互に積層されてなるものであってもよい。
【００１２】
本体は、蛍光体として、蛍光体粉末を含むことが好ましい。
【００１３】
本発明に係る発光デバイスは、本発明に係る波長変換部材と、光入射面に対して第１の入射角領域で入射するように励起光を出射する光源とを備える。
【００１４】
光源は、レーザー光源であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、高い発光効率を有する波長変換部材を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１の実施形態における発光デバイスの模式図である。
【図２】第１の実施形態における波長変換部材の模式的断面図である。
【図３】誘電体多層膜の模式的断面図である。
【図４】第１の実施形態における第１のフィルタ層１１の第１の入射角領域における反射率を表すグラフである。
【図５】第１の実施形態における第１のフィルタ層１１の第２の入射角領域における反射率を表すグラフである。
【図６】第２の実施形態における発光デバイスの模式図である。
【図７】第２の実施形態における波長変換部材の模式的断面図である。
【図８】第２の実施形態における第１のフィルタ層１１の第１の入射角領域における反射率を表すグラフである。
【図９】第２の実施形態における第１のフィルタ層１１の第２の入射角領域における反射率を表すグラフである。
【図１０】第２の実施形態における第２のフィルタ層１３の第１の入射角領域における反射率を表すグラフである。
【図１１】第２の実施形態における第２のフィルタ層１３の第２の入射角領域における反射率を表すグラフである。
【図１２】実施例１，２で積層した誘電体多層膜（第１のフィルタ層）の入射角０°における反射率と、入射角１５°における反射率とを表すグラフである。
【図１３】実施例３，４において積層した誘電体多層膜（第１のフィルタ層）の入射角０°における反射率と、入射角１５°における反射率とを表すグラフである。
【図１４】実施例５，６における光入射側誘電体多層膜（第２のフィルタ層）の入射角０°における反射率と、入射角１５°における反射率とを表すグラフである。
【図１５】実施例６における光出射側誘電体多層膜（第２のフィルタ層）の入射角０°における反射率と、入射角１５°における反射率とを表すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
【００１８】
また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものである。図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
【００１９】
（第１の実施形態）
図１は、本実施形態における発光デバイスの模式図である。図２は、本実施形態における波長変換部材の模式的断面図である。なお、図２及び後述する図７においては、断面のハッチングを省略している。図２及び図７において、励起光Ｌ１は、実線の矢印で示し、蛍光Ｌ２は、一点鎖線の矢印で示している。
【００２０】
図１に示されるように、発光デバイス２ａは、波長変換部材１ａと、光源２０とを備える。波長変換部材１ａは、励起光Ｌ１が入射した際に、蛍光Ｌ２を出射させる部材である。
【００２１】
図２に示されるように、波長変換部材１ａは、波長変換部材本体１０と、第１のフィルタ層１１と、反射部材１２とを備える。波長変換部材１０は、励起光Ｌ１が入射した際に蛍光Ｌ２を出射する蛍光体を含む。波長変換部材１０は、例えば、分散媒と、分散媒中に分散した蛍光体粉末とを有していてもよい。分散媒としては、樹脂やガラスが好ましく用いられる。熱的耐久性や光耐久性に優れた波長変換部材１０を得る観点からは、分散媒は、ガラスにより構成されていることが好ましい。
【００２２】
蛍光体は、得ようとする蛍光Ｌ２の波長や、光源２０から出射される光の波長等に応じて適宜選択することができる。蛍光体としては、例えば、イットリウム・アルミニウム・ガーネット（Ｙｔｔｒｉｕｍ  Ａｌｕｍｉｎｕｍ  Ｇａｒｎｅｔ：ＹＡＧ）、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ（ＣＡＳＮ）、ＳｉＡｌＯＮ等が例示される。
【００２３】
波長変換部材本体１０は、互いに対向している第１の主面１０ａ及び第２の主面１０ｂを有する。本実施形態では、第１の主面１０ａは、光源２０からの光が入射する光入射面を構成している。第２の主面１０ｂの上には、反射部材１２が配されている。このため、第２の主面１０ｂは、光反射面を構成している。
【００２４】
図１に示されるように、光源２０は、波長変換部材１ａに対して、蛍光体の励起光Ｌ１を出射する。光源２０は、直進性に優れた光を出射できるレーザー光源により構成されていることが好ましい。
【００２５】
具体的には、光源２０は、波長変換部材１ａの光入射面を構成している第１の主面１０ａに対して、相対的に小さな第１の入射角領域Ａ１（図２を参照）で入射するように励起光Ｌ１を出射する。本実施形態では、第１の入射角領域Ａ１は、入射角が１２°以下の領域である。光源２０は、波長変換部材１ａの第１の主面１０ａに対して、入射角が実質的に０°となるように励起光Ｌ１を出射するものであることが好ましい。換言すれば、光源２０は、波長変換部材１ａの第１の主面１０ａに対して略垂直に励起光Ｌ１が入射するように励起光Ｌ１を出射するものであることが好ましい。
【００２６】
光源２０から出射された励起光Ｌ１は、ビームスプリッタ２１を透過し、波長変換部材１ａに入射する。励起光Ｌ１が波長変換部材１ａに入射すると、波長変換部材１ａに含まれる蛍光体から蛍光Ｌ２が出射される。この蛍光Ｌ２は、波長変換部材本体１０を透過し、さらに、第１のフィルタ層１１を透過して波長変換部材１ａから出射する。波長変換部材１ａから出射した蛍光Ｌ２は、ビームスプリッタ２１により反射され、発光デバイス２ａから取り出される。従って、波長変換部材１ａに入射する励起光Ｌ１の進行方向と、波長変換部材１ａから出射する蛍光Ｌ２の進行方向とは、平行であって、１８０°異なる。すなわち、波長変換部材１ａに入射する励起光Ｌ１の進行方向と、波長変換部材１ａから出射する蛍光Ｌ２の進行方向とは、逆方向である。
【００２７】
波長変換部材本体１０の第１の主面１０ａの上には、第１のフィルタ層１１が配されている。第１のフィルタ層１１は、入射角が相対的に小さな第１の入射領域Ａ１における励起光Ｌ１の反射率をＲ１とし、第１の入射角領域Ａ１よりも入射角が大きい第２の入射角領域Ａ２における励起光Ｌ１の反射率をＲ２としたときに、Ｒ２＞Ｒ１が満たされるように構成されている。このため、光源２０から波長変換部材１ａに向けて出射された励起光Ｌ１は、第１のフィルタ層１１を透過し、波長変換部材本体１０に入射する。一方、波長変換部材本体１０内で散乱等することにより第１のフィルタ層１１側に向かう励起光Ｌ１のうち、第２の入射角領域Ａ２で第１のフィルタ層１１に向かう励起光Ｌ１は、第１のフィルタ層１１により反射され、波長変換部材本体１０内に留まる。よって、この第１のフィルタ層１１により反射された励起光Ｌ１の少なくとも一部は、蛍光体の励起に使用される。
【００２８】
ところで、特許文献１には、所定角度以上の射角で入射する励起光を透過させ、当該所定角度よりも入射角の小さな励起光を反射させるロングパスフィルタを設けた波長変換部材が開示されている。ここで、上記所定角度が大きいロングパスフィルタを設けると、励起光を反射させる領域が大きくなるため、励起光の利用効率は向上する。しかしながら、この場合、光源から波長変換部材に向かう励起光の入射角も大きくする必要がある。光源から波長変換部材に向かう励起光の入射角が大きすぎると、波長変換部材表面において励起光が全反射しやすくなり、光源から波長変換部材に向かう励起光の波長変換部材への入射率が低下してしまう。よって、光源から波長変換部材に向かう励起光の入射角をそれほど大きくすることはできない。従って、励起光の利用効率を高めることは困難である。それに対して、波長変換部材１ａでは、例えば直進性の高い光を出射可能なレーザー光源を光源２０として用いることによって、第１の入射角領域Ａ１を小さくでき、励起光Ｌ１の波長変換部材１０からの出射が抑制される第２の入射角領域Ａ２を広くすることができる。よって、励起光Ｌ１の利用効率をより高めることができる。その結果、優れた発光効率を実現することができる。
【００２９】
より優れた発光効率を得る観点からは、第１の入射角領域Ａ１が、入射角が１２°以下の領域であることが好ましく、入射角が１０°以下の領域であることがより好ましい。Ｒ１は、１５％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましい。Ｒ２は、２０％以上であることが好ましく、３０％以上であることがより好ましい。
【００３０】
また、波長変換部材１ａでは、光反射面を構成している第２の主面１０ｂの上に、励起光Ｌ１と蛍光Ｌ２とを反射する反射部材１２が設けられている。具体的には、反射部材１２は、入射角に関わらず、励起光Ｌ１と蛍光Ｌ２とを反射する。このため、励起光Ｌ１の波長変換部材１０からの出射がより効率的に抑制されていると共に、不所望な方向に蛍光Ｌ２が出射することも抑制されている。従って、さらに優れた発光効率を実現することができる。なお、反射部材１２は、例えば、銀膜などの金属膜や、白色塗膜等により構成することができる。
【００３１】
なお、図４及び図５に示されるように、Ｒ２＞Ｒ１となる第１のフィルタ層１１は、例えば、低反射率波長帯域と、低反射率波長帯域よりも長波長側に位置し、低反射率波長帯域よりも反射率が高い高反射率波長帯域を有し、入射角によって低反射率波長帯域と高反射率波長帯域との位置が変化し、第１の入射角領域Ａ１において励起光Ｌ１の波長（λ１）が低反射率波長帯域に位置する一方、第２の入射角領域Ａ２において、励起光Ｌ１の波長（λ１）が高反射率波長帯域に位置するように構成されたフィルタ層により構成することができる。また、波長変換部材１ａは、第１及び第２の入射角領域Ａ１，Ａ２のそれぞれにおいて、蛍光Ｌ２の波長（λ２）が低反射率波長帯域に位置するように構成されている。従って、波長変換部材１ａから光源２０側に蛍光Ｌ２を効果的に取り出すことができ、発光効率が向上する。
【００３２】
このようなフィルタ層は、例えば、図３に示される、相対的に屈折率が低い低屈折率層３１Ｌと、相対的に屈折率が高い高屈折率層３１Ｈとが交互に積層されてなる、入射角依存性を有する誘電体多層膜３０により構成することができる。低屈折率層３１Ｌは、例えば、酸化ケイ素等により構成することができる。高屈折率層３１Ｈは、例えば、酸化ニオブ、酸化チタン、酸化ランタン、酸化タンタル、酸化イットリウム、酸化ガドリニウム、酸化タングステン、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、窒化珪素等により構成することができる。
【００３３】
なお、低反射率波長帯域における光反射率は、１０％以下であることが好ましく、５％以下であることがより好ましい。高反射率波長帯域における光反射率は、９０％以上であることが好ましく、９５％以上であることがより好ましい。
【００３４】
以下、本発明の好ましい実施形態の他の例について説明する。以下の説明において、上記第１の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。
【００３５】
（第２の実施形態）
図６は、第２の実施形態における発光デバイスの模式図である。図７は、第２の実施形態における波長変換部材の模式的断面図である。
【００３６】
第１の実施形態では、励起光Ｌ１の入射方向と、蛍光Ｌ２の出射方向とが１８０°異なる（逆方向）所謂反射型の波長変換部材１ａについて説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。本発明に係る波長変換部材は、例えば、図６及び図７に示されるように、励起光Ｌ１の入射方向と、蛍光Ｌ２の出射方向とが同じである所謂透過型の波長変換部材であってもよい。
【００３７】
図６に示される発光デバイス２ｂでは、波長変換部材１ｂは透過型の波長変換部材である。波長変換部材本体１０の光源２０側の第１の主面１０ａの上に第１のフィルタ層１１が配されている。一方、波長変換部材本体１０の光源２０とは反対側の第２の主面１０ｂの上には、第２のフィルタ層１３が配されている。この第２のフィルタ層１３は、例えば、誘電体多層膜３０により構成することができる。
【００３８】
本実施形態では、第１のフィルタ層１１は、Ｒ２＞Ｒ１が満たされると共に、蛍光Ｌ２を反射するように構成されている。具体的には、図８及び図９に示すように、第１のフィルタ層１１は、第１の入射角領域Ａ１において励起光Ｌ１の波長（λ１）が低反射率波長帯域に位置する一方、第２の入射角領域Ａ２において、励起光Ｌ１の波長（λ１）が高反射率波長帯域に位置し、かつ、第１及び第２の入射角領域Ａ１，Ａ２のそれぞれにおいて、蛍光Ｌ２の波長（λ２）が高反射率波長帯域に位置するように構成されている。従って、波長変換部材１ｂから光源２０側に蛍光Ｌ２が漏洩することが効果的に抑制されており、発光効率が向上する。
【００３９】
一方、第２のフィルタ層１３は、蛍光Ｌ２を透過させる一方、励起光Ｌ１を反射させる。具体的には、図１０及び図１１に示されるように、第２のフィルタ層１３は、第１及び第２の入射角領域Ａ１，Ａ２のそれぞれにおいて、蛍光Ｌ２の波長λ２が低反射率波長帯域に位置し、励起光Ｌ１の波長λ１が高反射率波長帯域に位置するように構成されている。従って、第２のフィルタ層１３が設けられていることによって、励起光Ｌ１の利用効率がさらに高められ、より高い発光効率を実現することができる。
【００４０】
以下、本発明について、具体的な実施例に基づいて、さらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。
【００４１】
（実施例１〜４）
モル％で、ＳｉＯ２：６０％、Ｂ２Ｏ３：１０％、ＢａＯ：１０％、ＣａＯ：２０％の組成を有するＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＲＯ系ガラス粉末（軟化点８２０℃、平均粒径Ｄ５０：２．５μｍ）、モル％で、ＳｎＯ：７０％、Ｐ２Ｏ５：２０％、Ｂ２Ｏ３：５％、ＭｇＯ：５％の組成を有するＳｎＯ−Ｐ２Ｏ５系ガラス粉末（軟化点３５０℃、平均粒径Ｄ５０：１５μｍ）、またはモル％で、ＳｉＯ２：４０％、Ｂ２Ｏ３：１０％、Ｎａ２Ｏ  １０％、Ｋ２Ｏ  １０％、ＺｎＯ：１０％、Ｌｉ２Ｏ：１０％、ＴｉＯ２：１０％の組成を有するＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｒ２Ｏ系ガラス粉末（軟化点５００℃、平均粒径Ｄ５０：２．５μｍ）に対して、表１〜表４に記載の無機蛍光体粉末を添加して、混合粉末を得た。無機蛍光体粉末の蛍光ピーク波長は、ＹＡＧ：５６０ｎｍ、ＣＡＳＮ：６２０ｎｍ、ＳｉＡＬＯＮ：５４０ｎｍである。次に、混合粉末を、円柱状にプレス成形して成形体を得た。その成形体を、２００Ｐａで表１〜表４に示す焼成温度で３０分間焼成した。これにより、円板状の波長変換部材本体を得た。
【００４２】
波長変換部材本体の一方の主面の上に、Ｎｂ２Ｏ５層とＳｉＯ２層とが交互に計２６層積層されてなる誘電体多層膜（第１のフィルタ層）をスパッタリング法により形成した。また、波長変換部材本体の他方の主面の上に、反射基板（マテリアルハウス社製のＭＩＲＯ−ＳＩＬＶＥＲ）を、接着剤（信越化学工業社製の高反射樹脂）を用いて貼付し、波長変換部材を得た。図１２に、実施例１，２において積層した誘電体多層膜（第１のフィルタ層）の入射角０°における反射率と、入射角１５°における反射率とを表すグラフを示す。図１３に、実施例３，４において積層した誘電体多層膜（第１のフィルタ層）の入射角０°における反射率と、入射角１５°における反射率とを表すグラフを示す。
【００４３】
波長変換部材を、励起用青色レーザー（励起波長４４５ｎｍ）上に、誘電体多層膜が青色レーザーと対向するように設置し、白色光を出射させる発光デバイスを作製した。発光デバイスを、校正された積分球内で発光させ、小型分光機（オーシャンフォトニクス製、ＵＳＢ２０００）により発光スペクトルを測定し、発光スペクトルから全光束値（ｌｍ）を算出した。結果を表１〜表４に示す。なお、表１〜表４に示す全光束値（ｌｍ）は、比較例を１とした規格化値である。
【００４４】
（比較例１〜４）
誘電体多層膜を形成せず、波長変換部材本体を単独で波長変換部材として用い、実施例１〜４と同様に、全光束値（ｌｍ）を算出した。結果を表１〜表４に示す。
【００４５】
【表１】
2014203852.tif 000003
【００４６】
【表２】
2014203852.tif 000004
【００４７】
【表３】
2014203852.tif 000005
【００４８】
【表４】
2014203852.tif 000006
【００４９】
表１〜表４に示す結果から、第１のフィルタ層を設けることにより、発光効率が向上することが分かる。
【００５０】
（実施例５）
実施例１と同様にして波長変換部材本体を作製した。次に、波長変換部材本体の一方の主面の上に、Ｎｂ２Ｏ５層とＳｉＯ２層とが交互に計２６層積層されてなる誘電体多層膜（第１のフィルタ層）を形成し、波長変換部材を得た。次に、波長変換部材を、励起用青色レーザー（励起波長４４５ｎｍ）上に、誘電体多層膜が青色レーザーと対向するように設置し、白色光を出射させる透過型の発光デバイスを作製した。得られた発光デバイスの全光束値を実施例１と同様にして測定した。結果を下記の表５に示す。表５に示す全光束値は、下記の比較例５の全光束値を１とした規格化値である。
【００５１】
図１４に示される通り、本実施例５の光入射側誘電体多層膜は、第１の入射角領域において励起光の波長が低反射率波長帯域に位置する一方、第２の入射角領域において、励起光の波長が高反射率波長帯域に位置し、かつ、第１及び第２の入射角領域のそれぞれにおいて、蛍光を反射させるように構成されている。
【００５２】
（実施例６）
波長変換部材本体の他方の主面の上に、Ｎｂ２Ｏ５層とＳｉＯ２層とが交互に計２６層積層されてなる誘電体多層膜（第２のフィルタ層）をさらに形成したこと以外は実施例５と同様にして、発光デバイスを得、全光束値を測定した。
【００５３】
図１５に示される通り、本実施例では、光出射側誘電体多層膜は、第１及び第２の入射角領域のそれぞれにおいて励起光を反射させる一方、蛍光を透過させるように構成されている。
【００５４】
（比較例５）
誘電体多層膜（第１のフィルタ層）を形成せず、波長変換部材本体を単独で波長変換部材として用い、実施例５と同様に、全光束値（ｌｍ）を算出した。結果を表５に示す。
【００５５】
【表５】
2014203852.tif 000007
【００５６】
表５に示す結果から、光入射側誘電体多層膜を設けることにより、発光効率を改善でき、光入射側誘電体多層膜と光出射側誘電体多層膜との両方を設けることにより、発光効率をさらに改善できることが分かる。
【符号の説明】
【００５７】
１ａ、１ｂ…波長変換部材
２ａ、２ｂ…発光デバイス
１０…波長変換部材本体
１０ａ…第１の主面
１０ｂ…第２の主面
１１…第１のフィルタ層
１２…反射部材
１３…第２のフィルタ層
２１…ビームスプリッタ
３０…誘電体多層膜
３１Ｌ…低屈折率層
３１Ｈ…高屈折率層
Ａ１…第１の入射角領域
Ａ２…第２の入射角領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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