(57)【要約】【課題】フルラインタイプ用に複数の液体吐出ヘッドチップを直接突き当てて配列する際においても配列精度良く各液体吐出ヘッドチップの吐出口配置面を配置可能な外周形状を有する液体吐出ヘッドチップ及びその製造方法を提供すること。【解決手段】液体を吐出するための複数の吐出口と、該各吐出口に連通する流路と、液体吐出用のエネルギーを発生するエネルギー発生素子を有する液体吐出部を、シリコン単結晶基板の（１００）面からなる上面側に設けた液体吐出ヘッドチップにおいて基板の有する２組の対向する側面の組合せの内の少なくとも１つの組合せにおける各側面を、シリコン単結晶の（１１１）面を有し、かつ、これらの（１１１）面の前記（１００）面に対する角度が互いに補角の関係とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を吐出するための複数の吐出口と、該各吐出口に連通する流路と、液体吐出用のエネルギーを発生するエネルギー発生素子を有する液体吐出部を、シリコン単結晶基板の（１００）面からなる上面側に設けた液体吐出ヘッドチップにおいて、
前記基板の有する２組の対向する側面の組合せの内の少なくとも１つの組合せにおいて各側面がシリコン単結晶の（１１１）面を有し、かつ、これらの（１１１）面の前記（１００）面に対する角度が互いに補角の関係にある、
ことを特徴とする液体吐出ヘッドチップ。
【請求項２】
前記液体吐出ヘッドチップの有する対向する側面の２つの組合せのそれぞれにおいて、対向する側面がシリコンの結晶の（１１１）面からなり、かつ、これらの対向する側面のシリコンの結晶の（１１１）面が前記（１００）面に対する角度が互いに補角の関係を有する請求項１に記載の液体吐出ヘッド
【請求項３】
前記シリコンの結晶の（１１１）面が、異方性エッチングで形成されたものである請求項１または２に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項４】
アルカリ溶液を用いて前記異方性エッチングが行われる請求項３のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項５】
液体を吐出するための複数の吐出口と、該各吐出口に連通する流路と、液体吐出用のエネルギーを発生するエネルギー発生素子を有する液体吐出部を、シリコン単結晶基板の（１００）面からなる上面側に設けた液体吐出ヘッドチップの製造方法であって、
（ａ）シリコン単結晶からかる共通基板の（１００）面からなる上面側に、前記液体吐出ヘッドチップを配列したチップ列を作り込む工程と、
（ｂ）前記共通基板に設けたチップ列から各液体吐出ヘッドチップを、該液体吐出ヘッドチップの対向する側面が、シリコン単結晶の（１１１）面からなり、かつ、前記（１００）面に対する角度が互いに補角の関係にある面となるように分割して、液体吐出ヘッドチップを得る工程と、
を有し、
前記工程（ｂ）が、
（ｂ−１）前記共通基板の上面側に前記チップ列を構成する各液体吐出ヘッドチップの前記対向する側面の一方を形成するためのエッチングマスクパターンを設け、該共通基板の上面側から異方性エッチングを行って、前記対向する側面の一方を形成する位置に、（１１１）面を前記共通基板の厚さ方向に形成する工程と、
（ｂ−２）前記共通基板の下面側に前記チップ列を構成する各液体吐出ヘッドチップの前記対向する側面の他方を形成するためのエッチングマスクパターンを設け、該共通基板の下面側から異方性エッチングを行って、前記対向する側面の他方を形成する位置に、（１１１）面を前記共通基板の厚さ方向に形成する工程と、
（ｂ−３）前記工程（ｂ−１）及び（ｂ−２）で得られた（１１１）面の内の、前記（１００）面に対する角度が互いに補角の関係にある面を残す位置で前記共通基板を切断して、前記対向する（１１１）面からなる側面を得る工程と、
を有することを特徴とする液体吐出ヘッドチップの製造方法。
【請求項６】
前記液体吐出ヘッドチップの有する対向する側面の２つの組合せの内の、少なくとも１つの組合せにおいて、前記補角の関係にある対向する（１１１）面からなる側面を形成する請求項５に記載の液体吐出ヘッドチップの製造方法。
【請求項７】
前記液体吐出ヘッドチップの有する対向する側面の２つの組合せのそれぞれにおいて、前記補角の関係にある対向する（１１１）面からなる側面を形成する請求項５に記載の液体吐出ヘッドチップの製造方法。
【請求項８】
アルカリ溶液により前記異方性エッチングが行われる請求項５乃至７のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドチップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体吐出ヘッド列を精度よく形成する上で好適な矩形チップ形状を有する液体吐出ヘッド及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液体を吐出する液体吐出ヘッドの一例としては、インクの液滴を吐出し、それを紙等の被印刷媒体に付着させるインクジェット・プリント方式に利用されるインクジェット記録ヘッドが挙げられる。
【０００３】
近年の記録技術の発達に伴い、インクジェット記録ヘッドに対して、インクを吐出する吐出口の配列密度を高密度化すること、また吐出口およびそれに連通する流路の形状を高精細化することが求められている。例えば、特許文献１に開示のインクジェット記録ヘッドの製法では、予め発熱素子及び駆動回路を設けたシリコンウェハ上にフォトリソ技術によりパターニングが可能な樹脂でインク流路壁となる被覆樹脂層を設け、この被覆樹脂層にインク吐出口を形成している。
【０００４】
従来のフルラインタイプのインクジェット記録ヘッドの製造方法として、シリコンやガラスなどからなる複数の記録素子基板同士の端面を直線状に突き当てて配列する方法がある。しかし、この方式でのフルラインタイプのインクジェット記録ヘッドの製造方法では、突き当て製法を用いて記録素子基板同士の配列を行っている。そのため、記録素子基板の切断精度にバラツキがあると、そのまま吐出口の配列精度のバラツキに反映されるという問題を生ずる可能性がある。
【０００５】
そこで、この問題の対策として、特許文献２には吐出口の配列精度向上のための方法が開示されている。この特許文献２に開示される方法では、直方体状の記録素子基板の長手方向の側面の一部に設けたドライエッチングまたはアルカリ溶液による異方性シリコンエッチングでの加工面を記録素子基板同士の突き当て面としている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平６−２８６１４９号公報
【特許文献２】特開２０１０−１６２８７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
フルラインタイプの液体吐出ヘッドを用いることによって、記録用紙などの被記録媒体の横幅全体に渡って液体吐出ヘッドを配置して、液体吐出ヘッドを被記録媒体の横幅方向に走査しなくても横幅方向における記録動作を一度に行うことができる。このようなフルラインタイプの液体吐出ヘッドを作製する場合、概ね直方体形状の複数の液体吐出ヘッドチップを直接突き合せた配置方式とすることで、液体吐出ヘッド中での各液体吐出ヘッドチップの配置密度を高め、配置作業の効率化を図ることができる。
【０００８】
しかしながら、液体吐出ヘッドチップの側面同士を直接突き当てて直列配置する場合には、これらの突き当て部の加工面精度が直列配置後の吐出口の配列精度に大きく影響する。従って、液体吐出ヘッドチップの配列時の突き当て面には、技術的に非常に高い加工精度が要求される。
【０００９】
図３（ａ−１）の平面図に示すように液体吐出ヘッドチップを長手方向で直列配置する場合、各液体吐出ヘッドのフェイス面は同一平面中に精度よく配置されていることが好ましい。各液体吐出ヘッドのフェイス面の配置に関しては、各液体吐出ヘッドチップの突き当て面１５の面精度が配列後の吐出口の配列精度に影響を及ぼす。例えば、図３（ａ−２）及び（ａ−３）のＡ−Ａ’断面図に示すように、直接突き当てられる液体吐出ヘッドチップの側面の傾斜角に差があると、液体吐出ヘッドチップの吐出口配置面（フェイス面）の位置において設定レベルに対するバラツキを生じる。このように、フェイス面の設置位置にズレが生じると、各フェイス面から吐出されるインクの吐出方向に各フェイス面間でのズレを生じ、結果として印字される画像の乱れにつながる可能性がある。
【００１０】
一方、液体吐出ヘッドチップの作製方法としては、共通基板としてのシリコンウェハ内に、多数の液体吐出ヘッドチップを作り込み、各液体吐出ヘッドチップを分割して取り出す方法が知られている。シリコンウェハから各液体吐出ヘッドチップを分割して取り出す際に各液体吐出ヘッドチップ間の切断に異方性のドライエッチングやウエットエッチングを用いることによって、切断面の平面精度等を向上させることができる。
【００１１】
しかしながら、ドライエッチングを用いて液体吐出ヘッドチップの側面を形成する場合、一般的なリアクティブイオンエッチング法ではガスの供給量がシリコンウェハの中心部と外周部で差が生じるローディング効果と呼ばれる現象が発生する場合がある。このローディング効果が生じると、シリコンウェハの中心部とシリコンウェハの外周部ではエッチングレートに差が生じ、結果として各液体吐出ヘッドチップの側面の鉛直方向における傾斜角に差が生じる。例えば、エッチング条件にもよるが、その角度には約数度程度の差が生じる場合がある。このような側面における傾斜角にバラツキのある液体吐出ヘッドチップを直接突き当てて直列配置すると、先に図３（ａ−３）で示したようなフェイス面の配列精度の低下という問題が生じる。
【００１２】
本発明の目的は、フルラインタイプ用に複数の液体吐出ヘッドチップを直接突き当てて直列配置する際においても配列精度良く各液体吐出ヘッドチップの吐出口配置面を配置可能な外周形状を有する液体吐出ヘッドチップ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明にかかる液体吐出ヘッドチップは、
液体を吐出するための複数の吐出口と、該各吐出口に連通する流路と、液体吐出用のエネルギーを発生するエネルギー発生素子を有する液体吐出部を、シリコン単結晶基板の（１００）面からなる上面側に設けた液体吐出ヘッドチップにおいて、
前記基板の有する２組の対向する側面の組合せの内の少なくとも１つの組合せにおいて各側面がシリコン単結晶の（１１１）面を有し、かつ、これらの（１１１）面の前記（１００）面に対する角度が互いに補角の関係にある、
ことを特徴とする液体吐出ヘッドチップである。
【００１４】
本発明にかかる液体吐出ヘッドチップの製造方法は、
液体を吐出するための複数の吐出口と、該各吐出口に連通する流路と、液体吐出用のエネルギーを発生するエネルギー発生素子を有する液体吐出部を、シリコン単結晶基板の（１００）面からなる上面側に設けた液体吐出ヘッドチップの製造方法であって、
（ａ）シリコン単結晶からかる共通基板の（１００）面からなる上面側に、前記液体吐出ヘッドチップを配列したチップ列を作り込む工程と、
（ｂ）前記共通基板に設けたチップ列から各液体吐出ヘッドチップを、該液体吐出ヘッドチップの対向する側面が、シリコン単結晶の（１１１）面からなり、かつ、前記（１００）面に対する角度が互いに補角の関係にある面となるように分割して、液体吐出ヘッドチップを得る工程と、
を有し、
前記工程（ｂ）が、
（ｂ−１）前記共通基板の上面側に前記チップ列を構成する各液体吐出ヘッドチップの前記対向する側面の一方を形成するためのエッチングマスクパターンを設け、該共通基板の上面側から異方性エッチングを行って、前記対向する側面の一方を形成する位置に、（１１１）面を前記共通基板の厚さ方向に形成する工程と、
（ｂ−２）前記共通基板の下面側に前記チップ列を構成する各液体吐出ヘッドチップの前記対向する側面の他方を形成するためのエッチングマスクパターンを設け、該共通基板の下面側から異方性エッチングを行って、前記対向する側面の他方を形成する位置に、（１１１）面を前記共通基板の厚さ方向に形成する工程と、
（ｂ−３）前記工程（ｂ−１）及び（ｂ−２）で得られた（１１１）面の内の、前記（１００）面に対する角度が互いに補角の関係にある面を残す位置で前記共通基板を切断して、前記対向する（１１１）面からなる側面を得る工程と、
を有することを特徴とする液体吐出ヘッドチップの製造方法である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明にかかる液体吐出ヘッドチップの対向する側面をシリコン結晶の（１１１）面とし、これらの側面の傾斜角が補角をなしている。その結果、これらの側面を直接突き当て面として利用することで、複数の液体吐出ヘッドチップを配列してフルラインタイプのインクジェット記録ヘッドを作製する際に、各液体吐出ヘッドチップのフェイス面にある吐出口の位置を容易、かつ高精度で合わせることができる。これにより、高精度の画像形成能力を有するフルラインタイプのインクジェット記録ヘッドを実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明にかかる液体吐出ヘッドチップの一例を示す図である。
【図２】本発明にかかる液体吐出ヘッドチップの製造方法の一例を示す工程図である。
【図３】液体吐出ヘッドチップの張り合わせ工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明にかかる液体吐出ヘッドチップは、シリコン単結晶からなる基板の上面（フェイス面）側に液体吐出部が設けられた構造を有する。液体吐出部は、少なくとも、液体を吐出するための吐出口と、各吐出口に連通する流路と、液体吐出用のエネルギーを発生するエネルギー発生素子を有して構成されている。これらの具体的な構造及び設置位置などは、本発明において目的とする基板側面の面精度や形状を得ることができれば、特に限定されない。また、後述する実施態様例に示すように、基板下面（裏面）に液体の供給口を設けて、基板上面側に設けた吐出口への液体供給を行う構造を採用することもできる。
【００１８】
基板としては結晶方位が＜１００＞であるシリコン単結晶基板を用いる。この基板では、平行をなす上面及び下面は矩形状の（１００）面となっている。この基板の上面内に液体吐出部を作り込み、対向する側面を（１１１）面としてこれらの側面が補角なすように形成することにより、これらの側面同士を直接突き当て部として使用して精度良い液体吐出ヘッドチップの配列が可能となる。
【００１９】
基板には２組の対向する側面の組合せがあり、その内の少なくとも一方の組合せにおける側面について上記の構造とすることで、これらの側面を直接突き当て部として利用することが可能となる。
【００２０】
本発明にかかる液体吐出ヘッドチップの一例について図１に基づき説明する。
【００２１】
図１は本発明に係る液体吐出ヘッドチップの一例を示す模式図である。図１（ａ）は本発明にかかる液体吐出ヘッドチップの斜視図であり、図１（ｂ）および（ｃ）はそれぞれ、図１（ａ）に示される液体吐出ヘッドをＡ−Ａ’及びＢ−Ｂ’に沿って垂直に切断した場合の切断面図である。図１（ａ）に示されるように、この液体吐出ヘッドチップは、インク等の液体を複数の吐出口から吐出させるための駆動回路（不図示）が形成された基板１上に、少なくとも吐出口が形成された吐出口形成部材６が設けられている。基板１には結晶方位＜１００＞の単結晶シリコンからなるウェハ、すなわち単結晶シリコン基板を用いている。この液体吐出ヘッドチップの上下面は（１００）面となっており、側面１３−１〜１３−４は単結晶シリコンの異方性エッチングにより（１１１）面として形成されている。
【００２２】
側面１３−２、１３−４と基板１の上面のなす角度は、単結晶シリコンの結晶方位（１００）面と結晶方位（１１１）面のなす角度となるため５４．７４°となる。また、これらの側面１３−２、１３−４とそれぞれ対向する側面１３−１、１３−３は基板下面からの異方性エッチングにより形成された面となるため、１８０°−５４．７４°＝１２５．２６°となり、２組の対向する面同士が互いに補角の関係を有することとなる。
【００２３】
フルラインタイプのインクジェット記録ヘッドを形成する際、図示した液体吐出ヘッドチップの対向する側面同士を突き当てて配置させると、単結晶シリコンの結晶方位に沿って形成された角度が補角の関係にある側面同士を突き合わせることが可能となる。このため、互いに補角の関係を有する側壁同士を突き合わせることで、２次元的な精度だけでなく、インクが吐出される面同士の向きについても精度よく突き合わせ配置させることが可能となる。
【００２４】
なお、図１に示す例では、基板１の矩形平面形状の４つの辺の全て、すなわち基板１の４つの側面の全てが上述した補角をなす（１１１）面を有する関係にあるが、本願発明はかかる構造に限定されない。すなわち、基板の有する対向する側面の２つの組合せの内の少なくとも１つの組合せにおける各側面が上述した関係を有ればよい。従って、図１に示す側面１３−１、１３−２の組合せのみが、あるいは側面１３−３、１３−４の組合せのみが上述した側面の関係を有するようにすることができる。
【００２５】
基板側面をシリコン結晶の（１１１）面とするには、結晶方位＜１００＞のシリコン単結晶に対して（１１１）面を生じる異方性エッチングを基板の所定位置において行う方法を利用することができる。
【００２６】
以下に本発明にかかる液体吐出ヘッドチップの製造工程の一例を図２に示す断面図に沿って説明する。
【００２７】
はじめに、直径２００ｍｍ、厚み７２５μｍの単結晶シリコンウェハの所定位置に発熱素子及び駆動回路（不図示）が形成された共通基板１ａを用意する。共通基板１ａには液体吐出ヘッドチップの多数個取りが可能なように、発熱素子及び駆動回路が作り込まれている。図２には、共通基板１ａ中の２つの液体吐出ヘッドチップの互いに隣接する側面を含む側を部分的に示した。まず、図２（ａ）に示すように、その後形成する吐出口形成部材の密着性を向上させるための中間層２を、共通基板１ａの上面側及び下面側に形成する。この中間層２はその後の液体供給口形成及び液体吐出ヘッドチップ側面を形成する際のエッチングマスクとしても機能する。中間層２の形成方法としては、スピンコート法、スリットコート法等、必要な膜厚や形成条件に応じて適宜選択することが可能である。
【００２８】
次いで、図２（ｂ）に示すように、この中間層の表面に液体吐出ヘッドチップの側面形成時に必要となる開口部３を有するエッチングマスクパターンを形成する。この際、共通基板１ａの裏面にも同様に開口部３を有するエッチングマスクパターンと、吐出用の液体を供給する液体供給口１０を形成するための開口部１４を有するエッチングマスクパターンを同時に形成する。
【００２９】
共通基板１ａの表面の開口部３は液体吐出ヘッドチップの対向する側面の一方を形成するためのものであり、共通基板１ａの裏面の開口部３はこれらの対向する側面の他方を形成するためのものである。これらの側面は、図２（ｈ）において側面１３−１、１３−２として示されている。
【００３０】
次に、図２（ｃ）に示すように、共通基板１ａの表面の開口部３の領域内に液体吐出ヘッドチップの側面形成用の先導孔４をレーザー加工により形成する。その後、単結晶シリコンの異方性エッチングにより共通基板１ａの上面に液体吐出ヘッドチップ側面形成用の加工溝５を共通基板１ａの厚さ方向の途中の位置まで形成する。その際、裏面は環化ゴム等の耐エッチング保護膜を形成し、開口部３、１４のシリコン面が露出しないよう保護しておくことが必要である。
【００３１】
次に、図２（ｅ）に示すように、共通基板１ａ上に、少なくとも流路及び吐出口１７を有する吐出口形成部材６を形成する。吐出口形成部材６の製造工程は特に限定されず、吐出口形成部材の構造に応じて選択された製造工程を用いることができる。
【００３２】
次に、図２（ｆ）に示すように、共通基板１ａの裏面に液体供給口１０を形成するための先導孔８、及び液体吐出ヘッドチップ側面形成用の加工溝１１を形成するための先導孔９を、レーザー加工により形成する。このレーザー加工の際、先導孔の個数、設置位置、幅、深さ等の形成条件を調整することによって、異方性エッチングにより一括で、液体供給口１０及び加工溝１１を形成することが可能である。加工溝１１は共通基板１ａの厚さ方向の途中の位置まで形成する。
【００３３】
なお、先導孔４、９の個数、設置位置、幅、深さ等の形成条件は、目的とする形状の加工溝５、１１を共通基板１ａを貫通しない位置の深さまで形成することができるように設定される。先導孔の深さについては、加工溝の深さよりも浅く、かつ目的とする形状及び広さの（１１１）面が加工溝中に形成される位置まで行うことが好ましい。更に、加工溝中に形成される（１１１）面が分割後の各液体吐出ヘッドチップの直接突き合わせに利用する対向する側面となるように、加工溝５、１１の深さや設置位置を設定することが好ましい。例えば、図２（ｇ）に示す例では、加工溝５、１１を、共通基板１ａの厚さに対して５０％を超え、かつ共通基板１ａを貫通しない深さで形成して、共通基板１ａ中で加工溝５内の一方の面５ｂと加工溝１１内の一方の面１１ａとを対向させている。
【００３４】
加工溝形成位置に残される共通基板の厚さは、ダイシング等による各液体吐出ヘッドチップの切断分割時にまで共通基板の形態を維持可能であり、かつダイシング等による切断に操作が可能となる程度の厚さとすればよい。また、先導孔の深さは、加工溝の目的とする深さと加工溝を形成する際のエッチングレート等を考慮して設定することができる。
【００３５】
また、共通基板の表面及び／または裏面の反対側の加工溝形成位置に対応してＳｉＯ２やＳｉＮ等の材料から成るエッチングストッパー層を設けておくこともできる。このようなエッチングストッパー層を設けることによって、加工溝が共通基板を貫通して形成されることを防止できる。
【００３６】
液体供給口１０及び加工溝１１の形成後、ダイシング等で各液体吐出ヘッドチップに切断する。その際、図２（ｇ）に示す液体吐出ヘッドチップの切断線１２を切断位置として、各液体吐出ヘッドチップの側面にダイシングブレードがかかるよう切断する。この切断線１２での切断を行うことにより、先に形成した加工溝５及び加工溝１１内の単結晶シリコンの面方位（１１１）面のうち、所望の対向する側面が目的とする補角の関係となる面を、液体吐出ヘッドチップとして取り出した際の側面として残すことができる。
【００３７】
以上の各工程によって、共通基板から分割して取り出した各液体吐出ヘッドチップにおいて、図２（ｈ）に示す側面１３−１及び１３−２を得ることができる。これらの側面は、本発明における補角に関係にあり、切断線１２での切断により、図１（ｂ）に示す側面１３−１、１３−２の組合せを得ることができる。なお、図１（ｃ）で示す側面１３−３、１３−４の組合せを得る場合は、吐出口例の配列方向に沿った液体吐出ヘッドチップの対向する側面の組合せに対して、図２（ａ）〜（ｈ）で示す工程による側面形成を行う。また、液体吐出ヘッドチップの全側面について、すなわち対向する側面の２つの組合せの両方において目的とする補角の関係を得るには、各側面の形成位置において図２（ａ）〜（ｈ）で示す工程による側面形成を行えばよい。
【００３８】
なお、切断線１２で示される隣接する２つの切断位置を近接させることで、切断によって除去される部分を少なくすることができ材料利用効率を上げることが可能となる。
【００３９】
以上の工程により、その後のチップ突き合わせで、ダイシングの切断面ではなく結晶方位（１１１）で形成された側面同士で突き合わせることが可能な、本発明にかかる液体吐出ヘッドチップを完成させる。
【００４０】
液体吐出ヘッドチップの側面形成用の加工溝の形成のための異方性エッチングには、アルカリ溶液を用いることができる。このアルカリ溶液は、シリコン単結晶の（１００）面に作用して（１１１）面のエッチング面を形成可能なものであればよい。このようなアルカリ溶液としては、例えば、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）やＫＯＨ（水酸化カリウム）の水溶液を用いることができる。濃度としては、例えばＴＭＡＨの水溶液で５質量％以上３０質量％以下とすることが好ましい。
【００４１】
他には、反応性イオンエッチングのようなドライエッチングを用いることもできる。但し、アルカリ溶液を用いた異方性エッチングによれば、（１１１）面を良好に形成することができるため、好ましい。
【００４２】
図２（ａ）〜（ｈ）に示した工程において、シリコン単結晶からかる共通基板１ａの（１００）面からなる上面側に液体吐出ヘッドチップを配列したチップ列を作り込む工程は、共通基板に吐出エネルギー発生素子としての発熱素子、電気配線、駆動素子などを組み込む工程、吐出口及び流路を有する吐出口形成部材を形成する工程、液体供給口を形成する工程を含む。これらの工程は図２に示す工程に限定されず、液体吐出部の設計に応じて変更することができる。また、液体吐出ヘッドチップの側面形成用の加工溝の形成工程は、図２（ａ）〜（ｈ）に示す例では、チップ列を作り込む工程中に組み込まれているが、この加工溝形成工程の組み込みも、目的とする構造の液体吐出ヘッドチップの製造工程に応じて変更可能である。
【００４３】
以上のようにして得られた液体吐出ヘッドチップ同士を直接突き合せて液体吐出ヘッドチップを配列することができる。例えば、図３（ｂ−１）の平面図、並びに図３（ｂ−２）及び図３（ｂ−３）のＢ−Ｂ’断面図に示すように、対応する側面１３−３、１３−４での直接突き合せを行って長手方向（吐出口列方向）に直列させることができる。また、図３（ｃ−１）の平面図に示すように、長手方向に沿った側面１３−１、１３−２の概ね半分の部分での直接突き合わせを行って、各液体吐出チップを互い違いに２列配置することもできる。更に、図３（ｃ−２）の平面図に示すように、長手方向に交差する側面１３−３、１３−４の概ね半分の部分での直接突き合わせを行って、液体吐出チップの接触する側面同士をずらせて１列に配置することもできる。このような各液体吐出ヘッドチップの直接突き合わせにおいて、ダイシングの切断面ではなく結晶方位（１１１）で形成された側面同士で突き合わせることが可能となる。その結果、各液体吐出ヘッドチップにおける吐出口列を精度よく配列したフルラインタイプの液体吐出ヘッドを提供することができる。
【実施例】
【００４４】
（実施例１）
次に、本発明の実施例について、図２に示す断面模式図に沿って説明する。
【００４５】
はじめに、直径２００ｍｍ、厚み７２５μｍの単結晶シリコンウェハの所定位置に液体吐出ヘッドチップの多数個取りが可能なように発熱素子及び駆動回路（不図示）が形成されたヒーターボードを共通基板１ａとして用意した。共通基板１ａの表面及び裏面に、図２（ｂ）に示す中間層２をスピンコート法にて形成した。中間層２の材料としては、日立化学のＨＬ−１２００ＣＨを用い、スピン回転数を調整して３μｍとなるよう調整した。この中間層は、吐出口形成部材６と共通基板１ａの密着性を向上させると共に、液体吐出ヘッドチップ（以下、「ノズルチップ」という）側壁形成用のアルカリエッチング、及び液体供給口形成のためのアルカリエッチング時のエッチングマスクとしても使用する。このため、共通基板１ａの表面だけでなく、裏面にも同様にスピンコート法で中間層２を同一の膜厚で形成している。
【００４６】
この中間層２を、一般的に用いられるポジ型レジストのパターンをエッチングマスクとして、フルオロカーボン系ガスＣＦ4用いたドライエッチングで中間層２のパターニングを行った。共通基板１ａ表面の中間層２にはノズルチップ側壁を形成するためのアルカリエッチング用の開口部３を形成する。その後、共通基板１ａ裏面には、ノズルチップ側壁を形成のためのアルカリエッチング用の開口部３及び液体供給口形成用の開口部１４を形成した。
【００４７】
上記工程で共通基板１ａの表面及び裏面に形成した開口部３の開口幅を測定したところ、約５６０μｍであった。
【００４８】
次に、共通基板１ａ表面に形成した開口部３内にアルカリエッチング用の先導孔４を、レーザー加工により形成した。この先導孔４の加工深さはレーザーの加工サイクルの調整により深さ２５０μｍとなるように調整を行った。
【００４９】
その後、共通基板１ａ裏面側に環化ゴムを主成分としたエッチング保護膜をスピンコートにより２０μｍの膜厚で形成し、共通基板１ａの表面側から異方性アルカリエッチング処理を行った。この際のエッチング液には８０℃、濃度２５ｗｔ％のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの水溶液を用い、エッチング処理時間は１８時間であり、このエッチングにより、図２（ｄ）に示すノズルチップ側壁形成用の加工溝５を形成した。
【００５０】
エッチング処理後には、共通基板１ａの裏面側の保護膜として形成した環化ゴム保護膜を３０℃に温調したキシレンを用いて除去した。
【００５１】
次に、吐出口形成部材中に設ける流路と発泡室の型となる樹脂層１６を、スピンコート法を用いて形成した。樹脂層１６形成用の樹脂としては東京応化工業（株）製ポジ型Ｄｅｅｐ−ＵＶレジストＯＤＵＲを用いて塗布後の膜厚を１７μｍとなるようにメイン回転数を調整し、塗布後ベークは１００℃、ベーク時間は３分とした。この際の塗布後の塗布層の厚さを測定したところ１７μｍであった。この塗布層に対してフォトリソ法でパターニングを行い、樹脂層１６を形成した。
【００５２】
次いで、吐出口形成部材６を形成するための樹脂により樹脂層１６をスピンコートにより被覆した。この被覆層形成用の樹脂としては化薬マイクロケム株式会社製ネガ型レジストＳＵ−８を用いた。この際メイン回転数は被覆層の厚さが３０μｍとなるよう調整し、被覆層のベーク温度は１５０℃、ベーク時間は６０分とした。更に、この被覆層に対してフォトリソ法でパターニングを行い、また、吐出口１７を所定位置に形成した。これにより図２（ｅ）に示す吐出口形成部材６を形成した。
【００５３】
次いで共通基板１ａの表面側に環化ゴムからなる保護膜７をスピンコートにより形成した。この保護膜の膜厚はスピン回転数の調整により膜厚５０μｍとなるように調整した。
【００５４】
その後、図２（ｆ）に示すように、共通基板１ａの裏面側から、アルカリエッチング用の先導孔９及び、液体供給口を形成するためのアルカリエッチング用の先導孔８を、レーザー加工により形成した。この先導孔の加工深さは先導孔９に関しては、先の工程で共通基板１ａの表面に形成した先導孔４と同様に深さ２５０μｍとなるよう調整し、先導孔８は深さ４００μｍとなるように調整を行った。
【００５５】
このように予め先導孔の配置と深さ適宜調整しておくと、深さの異なる加工溝の開口パターンを、一度のアルカリエッチングにて形成することが可能である。先導孔の配置、配置個数、深さ等の形成条件は、加工溝の所望とする断面形状や加工深さに応じて適宜変更することが可能である。
【００５６】
次いで、共通基板１ａの裏面側から異方性アルカリエッチング処理を行った。この際のエッチング液には共通基板１ａの表面の加工と同様に、８０℃、２５質量％のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド液を用い、エッチング処理時間は１８時間として処理を行った。この加工により、図２（ｇ）に示すノズルチップ側壁形成用の加工溝１１と、液体供給口１０を形成した。
【００５７】
その後、図２（ｇ）の破線で示す切断線１２の箇所をダイシング加工によりチップダイシングを行った。この際のダイシング加工は、先に形成したノズルチップ側壁形成用パターン形成で露出した単結晶シリコンの（１１１）面の面方位にダイシングブレードが入るように調整を行う。
【００５８】
これにより、図２（ｈ）に示すように加工後のチップ側壁は単結晶シリコン（１１１）面が露出した状態となる。また、対向する逆側のチップ側壁にも単結晶シリコン（１１１）面を露出させることが可能となる。これにより、ノズルチップ突き合わせの際、互いに補角となるシリコン（１１１）面を精度良く突き合わせることが可能となり、チップ同士のＸＹ方向の突き合わせ精度だけでなく、インクが吐出されるノズル面同士の面精度も高精度に合わせる事が可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明にかかる液体吐出ヘッドは、インクジェット記録方式に用いるフルラインタイプのインクジェットヘッドに用いることができる。
【符号の説明】
【００６０】
１・・基板
１ａ・・共通基板
２・・中間層
３・・液体吐出ヘッドチップの側面形成用の開口部
４、９・・・先導孔
５、１１・・加工溝
６・・・吐出口形成部材
７・・・保護膜
８・・・先導孔
１０・・液体供給口
１３−１〜１３−４・・結晶方位（１１１）からなる側面
１４・・開口部
１５・・ドライエッチングで形成されたノズルチップ側面
１６・・樹脂層
１７・・吐出口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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