(57)【要約】【課題】簡単な構成で複数の基板の位置合わせを行うことが可能な位置合わせ装置およびそれを備えた基板処理装置を提供する。【解決手段】アライナＡＬ１は、複数の基板回転部７０および軸部材８２を備える。各基板回転部７０は、保持部７１、ノッチ検出部７２、電磁クラッチ７４および駆動ベルト７５を含む。各保持部７１は、基板Ｗの裏面を真空吸着し、基板Ｗを水平に保持する。各ノッチ検出部７２は、基板Ｗに形成されたノッチＮＴを検出し、その検出結果を検出信号として対応する電磁クラッチ７４に与える。軸部材８２の一端はモータ８１に接続される。モータ８１により軸部材８２が継続的に回転される。各電磁クラッチ７４は、ノッチ検出部７２から与えられる検出信号に応じて、内周部の回転力が外周部に伝達される接続状態と内周部の回転力が外周部に伝達されない切断状態とに切り替わる。【選択図】図５
2014138063.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検出部を有する基板を略水平に保持しつつ上下方向の回転中心線の周りで回転可能にそれぞれ構成され、上下方向に並ぶように配置された複数の保持部と、
上下方向に延びる軸心を有する軸部材と、
前記軸部材を前記軸心を中心として回転させる回転駆動部と、
前記複数の保持部にそれぞれ対応するように設けられ、対応する保持部により保持される基板の被検出部を検出するようにそれぞれ構成された複数の検出部と、
前記複数の保持部にそれぞれ対応するように設けられ、対応する保持部に前記軸部材の回転を伝達する伝達状態と対応する保持部に前記軸部材の回転を伝達しない非伝達状態とに切り替わる複数の伝達切替部とを備え、
前記複数の伝達切替部は、それぞれ対応する検出部による検出結果に基づいて、対応する保持部により回転される基板の被検出部が回転中心線に関して予め定められた共通の方向に位置するときに前記伝達状態から前記非伝達状態に切り替わるように構成される、位置合わせ装置。
【請求項２】
各伝達切替部は、
前記軸部材に取り付けられたクラッチと、
前記クラッチから対応する保持部に回転力を伝達する伝達部材とを含み、
前記クラッチが接続される場合に前記伝達切替部が前記伝達状態となり、前記クラッチが切断される場合に前記伝達切替部が前記非伝達状態となる、請求項１記載の位置合わせ装置。
【請求項３】
前記複数の検出部は、前記複数の保持部の回転中心線に平行な上下方向の直線上に並ぶように配置され、それぞれ対応する保持部により回転される基板の被検出部が回転中心線に関して前記予め定められた方向に位置するときにその被検出部を検出するように構成され、
前記複数の伝達切替部は、それぞれ対応する検出部により基板の被検出部が検出されたときに前記伝達状態から前記非伝達状態に切り替わるように構成される、請求項１または２記載の位置合わせ装置。
【請求項４】
基板に予め定められた処理を行う処理ユニットと、
請求項１〜３のいずれかに記載の位置合わせ装置と、
前記位置合わせ装置による位置合わせ後の基板を前記処理ユニットに搬送するように構成された第１の搬送機構とを備えた、基板処理装置。
【請求項５】
処理部と、
前記処理部に対して基板を搬入および搬出するための搬入搬出部と、
前記処理部と前記搬入搬出部との間に設けられる受け渡し部とをさらに備え、
前記処理部は、前記処理ユニットおよび前記第１の搬送機構を含み、
前記搬入搬出部は、
基板を収納する収納容器が載置される容器載置部と、
前記容器載置部に載置された収納容器と前記受け渡し部との間で基板を搬送する第２の搬送機構とを含み、
前記受け渡し部は、前記位置合わせ装置を含む、請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記処理ユニットによる処理後の基板の外観を検査する外観検査装置をさらに備えた、請求項４または５記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、位置合わせ装置およびそれを備えた基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等の各種基板に処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
基板の処理前には、基板に形成されたノッチが基板の中心に関して特定の方向に位置するように、基板の位置合わせが行われる。特許文献１には、５枚のウエハの位置合わせを同時に行うことができるノッチ付きウエハ揃え機構が記載される。このノッチ付きウエハ揃え機構は、５つのウエハ揃えユニットを備える。各ウエハ揃えユニットは、回転自在に設けられた回転テーブル、その回転テーブルを回転駆動するためのモータ、およびウエハのノッチを検出するためのノッチ検出センサを有する。各ウエハ揃えユニットにおいて、回転テーブル上にウエハが載置された状態で、モータにより回転テーブルが回転されつつノッチ検出センサによりウエハのノッチが検出され、ウエハの中心に関してノッチが所望の方向に位置するように、ウエハが位置合わせされる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−７７５０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のノッチ付きウエハ揃え機構においては、複数の回転テーブルを回転させるために、複数のモータが設けられるとともにそれらの複数のモータから複数の回転テーブルに回転をそれぞれ伝達するための複数の伝達機構が設けられる。そのため、装置が大型化するとともに装置の構成が複雑になる。
【０００６】
本発明の目的は、簡単な構成で複数の基板の位置合わせを行うことが可能な位置合わせ装置およびそれを備えた基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）第１の発明に係る位置合わせ装置は、被検出部を有する基板を略水平に保持しつつ上下方向の回転中心線の周りで回転可能にそれぞれ構成され、上下方向に並ぶように配置された複数の保持部と、上下方向に延びる軸心を有する軸部材と、軸部材を軸心を中心として回転させる回転駆動部と、複数の保持部にそれぞれ対応するように設けられ、対応する保持部により保持される基板の被検出部を検出するようにそれぞれ構成された複数の検出部と、複数の保持部にそれぞれ対応するように設けられ、対応する保持部に軸部材の回転を伝達する伝達状態と対応する保持部に軸部材の回転を伝達しない非伝達状態とに切り替わる複数の伝達切替部とを備え、複数の伝達切替部は、それぞれ対応する検出部による検出結果に基づいて、対応する保持部により回転される基板の被検出部が回転中心線に関して予め定められた共通の方向に位置するときに伝達状態から非伝達状態に切り替わるように構成されるものである。
【０００８】
その位置合わせ装置においては、上下方向に並ぶように複数の保持部が配置され、その複数の保持部に対応するように複数の検出部および複数の伝達切替部がそれぞれ設けられる。また、上下方向に延びる軸心を有する軸部材が設けられ、その軸部材が回転駆動部により回転される。
【０００９】
各保持部に基板が保持された状態で、対応する伝達切替部が伝達状態に切り替わることにより、軸部材の回転力がその保持部に伝達される。それにより、保持部に保持される基板が回転される。また、各保持部により基板が回転される状態で、対応する検出部により基板の被検出部が検出される。その検出結果に基づいて、対応する伝達切替部が非伝達状態に切り替わる。それにより、各保持部に保持される基板の被検出部が回転中心線に関して一定の方向に位置する状態で基板の回転を停止させることができる。
【００１０】
このように、共通の回転駆動部により回転される共通の軸部材の回転力が複数の伝達切替部を介して複数の保持部にそれぞれ伝達されるとともに、複数の保持部の回転がそれぞれ所望の時点で停止される。それにより、複数の回転駆動部を設けることなく簡単な構成で複数の基板の位置合わせを並行して行うことができる。
【００１１】
（２）各伝達切替部は、軸部材に取り付けられたクラッチと、クラッチから対応する保持部に回転力を伝達する伝達部材とを含み、クラッチが接続される場合に伝達切替部が伝達状態となり、クラッチが切断される場合に伝達切替部が非伝達状態となってもよい。
【００１２】
この場合、簡単な構成で容易に各伝達切替部を伝達状態と非伝達状態とに切り替えることができる。
【００１３】
（３）複数の検出部は、複数の保持部の回転中心線に平行な上下方向の直線上に並ぶように配置され、それぞれ対応する保持部により回転される基板の被検出部が回転中心線に関して予め定められた方向に位置するときにその被検出部を検出するように構成され、複数の伝達切替部は、それぞれ対応する検出部により基板の被検出部が検出されたときに伝達状態から非伝達状態に切り替わるように構成されてもよい。
【００１４】
この場合、各保持部に保持される基板の被検出部が回転中心線に関して一定の方向に位置するときに、対応する検出部によりその被検出部が検出され、対応する伝達切替部が伝達状態から非伝達状態に切り替わる。それにより、各保持部に保持される基板の被検出部が回転中心線に関して一定の方向に位置する。したがって、複数の基板の位置合わせを容易に行うことができる。
【００１５】
（４）第２の発明に係る基板処理装置は、基板に予め定められた処理を行う処理ユニットと、上記第１の発明に係る位置合わせ装置と、位置合わせ装置による位置合わせ後の基板を処理ユニットに搬送するように構成された第１の搬送機構とを備えたものである。
【００１６】
その基板処理装置においては、第１の発明に係る位置合わせ装置による位置合わせ後の基板が第１の搬送機構により処理ユニットに搬送される。これにより、処理ユニットに搬送される基板の向きが統一される。それにより、基板の処理精度が向上される。
【００１７】
また、第１の発明に係る位置合わせ装置が用いられるので、簡単な構成で複数の基板の位置合わせを並行して行うことができる。それにより、基板処理装置のスループットの低下が防止されるとともに、基板処理装置の構成の複雑化が抑制される。
【００１８】
（５）基板処理装置は、処理部と、処理部に対して基板を搬入および搬出するための搬入搬出部と、処理部と搬入搬出部との間に設けられる受け渡し部とをさらに備え、処理部は、処理ユニットおよび第１の搬送機構を含み、搬入搬出部は、基板を収納する収納容器が載置される容器載置部と、容器載置部に載置された収納容器と受け渡し部との間で基板を搬送する第２の搬送機構とを含み、受け渡し部は、位置合わせ装置を含んでもよい。
【００１９】
この場合、搬入搬出部の容器載置部上に載置された収納容器に収納される基板が第２の搬送機構によって受け渡し部の位置合わせ装置に搬送される。位置合わせ装置による位置合わせ後の基板が第１の搬送機構によって処理ユニットに搬送される。このように、第１の搬送機構と第２の搬送機構との間における基板の受け渡しが位置合わせ装置を介して行われるので、基板処理装置のスループットの低下が防止される。
【００２０】
（６）基板処理装置は、処理ユニットによる処理後の基板の外観を検査する外観検査装置をさらに備えてもよい。
【００２１】
この場合、外観検査装置に搬送される基板の向きが統一される。そのため、処理ユニットにおいて基板に行われた処理が、基板の中心に関して対称でなく偏心している場合、外観検査時にその偏心の方向を正確に特定することができる。したがって、外観検査の結果に基づいて各構成要素の動作を補正することにより、基板に適正に処理を行うことが可能になる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、簡単な構成で複数の基板の位置合わせを並行して行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】基板処理装置の構成を示す模式的平面図である。
【図２】主として図１の塗布処理部、現像処理部および洗浄乾燥処理部を示す基板処理装置の模式的側面図である。
【図３】主として図１の熱処理部および洗浄乾燥処理部を示す基板処理装置の模式的側面図である。
【図４】主として図１の搬送部を示す側面図である。
【図５】アライナの構成について説明するための模式的斜視図である。
【図６】アライナの具体的な配置例を示す側面図である。
【図７】アライナの具体的な配置例を示す平面図である。
【図８】アライナの動作について説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等をいう。
【００２５】
（１）全体構成
図１は、基板処理装置１００の構成を示す模式的平面図である。図１および図２以降の図には、必要に応じて位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。
【００２６】
図１に示すように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、第１の処理ブロック１２、第２の処理ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂを備える。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにより、インターフェイスブロック１４が構成される。搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように露光装置１５が配置される。露光装置１５においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。
【００２７】
インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。
【００２８】
搬送部１１２には、制御部１１４および搬送機構１１５が設けられる。制御部１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。搬送機構１１５は、基板Ｗを保持するためのハンド１１６を有する。搬送機構１１５は、ハンド１１６により基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。
【００２９】
第１の処理ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向するように設けられる。後述のように、搬送部１２２と搬送部１１２との間には、基板Ｗの位置合わせを行うアライナＡＬ１、アライナＡＬ２、および基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２（図４参照）が設けられる。基板Ｗの位置合わせとは、基板Ｗに形成されたノッチＮＴ（図５参照）を基板Ｗの中心に関して特定の方向に配置することをいう。アライナＡＬ１，ＡＬ２の詳細については後述する。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１２７および後述する搬送機構１２８（図４参照）が設けられる。
【００３０】
第２の処理ブロック１３は、現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５および後述する基板載置部ＰＡＳＳ６〜ＰＡＳＳ８（図４参照）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１３７および後述する搬送機構１３８（図４参照）が設けられる。
【００３１】
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１，１６２は、搬送部１６３を挟んで対向するように設けられる。搬送部１６３には、搬送機構１４１，１４２が設けられる。搬送部１６３と搬送部１３２との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１および後述の載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図４参照）が設けられる。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２は、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。
【００３２】
また、搬送機構１４１，１４２の間において、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および後述の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図４参照）が設けられる。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、基板Ｗを冷却する機能を備える。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、基板Ｗが露光処理に適した温度に冷却される。
【００３３】
搬入搬出ブロック１４Ｂには、搬送機構１４６が設けられる。搬送機構１４６は、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入および搬出を行う。露光装置１５には、基板Ｗを搬入するための基板搬入部１５ａおよび基板Ｗを搬出するための基板搬出部１５ｂが設けられる。
【００３４】
（２）塗布処理部および現像処理部の構成
図２は、主として図１の塗布処理部１２１、現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１を示す基板処理装置１００の模式的側面図である。
【００３５】
図２に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。現像処理部１３１には、現像処理室３１，３２，３３，３４が階層的に設けられる。塗布処理室２１〜２４の各々には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。現像処理室３１〜３４の各々には、現像処理ユニット１３９が設けられる。
【００３６】
各塗布処理ユニット１２９は、基板Ｗを保持するスピンチャック２５およびスピンチャック２５の周囲を覆うように設けられるカップ２７を備える。本実施の形態では、各塗布処理ユニット１２９に２組のスピンチャック２５およびカップ２７が設けられる。スピンチャック２５は、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。また、図１に示すように、各塗布処理ユニット１２９は、処理液を吐出する複数の処理液ノズル２８およびそれらの処理液ノズル２８を移動させるノズル搬送機構２９を備える。
【００３７】
塗布処理ユニット１２９においては、図示しない駆動装置によりスピンチャック２５が回転されるとともに、複数のノズル２８のうちのいずれかのノズル２８がノズル搬送機構２９により基板Ｗの上方に移動され、そのノズル２８から処理液が吐出される。これにより、基板Ｗ上に処理液が塗布される。また、図示しないエッジリンスノズルから、基板Ｗの周縁部にリンス液が吐出される。それにより、基板Ｗの周縁部に付着する処理液が除去される。
【００３８】
塗布処理室２２，２４の塗布処理ユニット１２９においては、反射防止膜用の処理液がノズル２８から基板Ｗに供給される。塗布処理室２１，２３の塗布処理ユニット１２９においては、レジスト膜用の処理液がノズル２８から基板Ｗに供給される。
【００３９】
現像処理ユニット１３９は、塗布処理ユニット１２９と同様に、スピンチャック３５およびカップ３７を備える。本実施の形態では、各現像処理ユニット１３９に３組のスピンチャック３５およびカップ３７が設けられる。スピンチャック３５は、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。また、図１に示すように、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つの現像ノズル３８およびその現像ノズル３８をＸ方向に移動させる移動機構３９を備える。
【００４０】
現像処理ユニット１３９においては、図示しない駆動装置によりスピンチャック３５が回転されるとともに、一方の現像ノズル３８がＸ方向に移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給し、その後、他方の現像ノズル３８が移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。この場合、基板Ｗに現像液が供給されることにより、基板Ｗの現像処理が行われる。また、本実施の形態においては、２つの現像ノズル３８から互いに異なる現像液が吐出される。それにより、各基板Ｗに２種類の現像液を供給することができる。
【００４１】
洗浄乾燥処理部１６１には、複数（本例では４つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【００４２】
図１および図２に示すように、塗布処理部１２１において現像処理部１３１に隣り合うように流体ボックス部５０が設けられる。同様に、現像処理部１３１において洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣り合うように流体ボックス部６０が設けられる。流体ボックス部５０および流体ボックス部６０内には、塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９への薬液の供給ならびに塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９からの廃液および排気等に関する導管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器等の流体関連機器が収納される。
【００４３】
（３）熱処理部の構成
図３は、主として図１の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２を示す基板処理装置１００の模式的側面図である。
【００４４】
図３に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部３０１および下方に設けられる下段熱処理部３０２を有する。上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２の各々には、複数の熱処理ユニットＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰが設けられる。
【００４５】
熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が行われる。以下、熱処理ユニットＰＨＰにおける加熱処理および冷却処理を単に熱処理と呼ぶ。密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Ｗに加熱処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。
【００４６】
熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部３０３および下方に設けられる下段熱処理部３０４を有する。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４の各々には、冷却ユニットＣＰ、エッジ露光兼検査部ＥＥＷおよび複数の熱処理ユニットＰＨＰが設けられる。エッジ露光兼検査部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの外観検査が行われるとともに、基板Ｗの周縁部の露光処理（エッジ露光処理）が行われる。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４において、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣り合うように設けられる熱処理ユニットＰＨＰは、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａからの基板Ｗの搬入が可能に構成される。
【００４７】
洗浄乾燥処理部１６２には、複数（本例では４つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【００４８】
（４）搬送部の構成
図４は、主として図１の搬送部１２２，１３２，１６３を示す側面図である。図４に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。上段搬送室１２５には搬送機構１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送機構１２８が設けられる。また、上段搬送室１３５には搬送機構１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送機構１３８が設けられる。
【００４９】
搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、アライナＡＬ１および基板載置部ＰＡＳＳ１が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、アライナＡＬ２および基板載置部ＰＡＳＳ２が設けられる。上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。
【００５０】
上段搬送室１３５と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１が設けられ、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２が設けられる。搬送部１６３においてインターフェイスブロック１５と隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが設けられる。
【００５１】
搬送機構１２７は、アライナＡＬ１、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６、塗布処理室２１，２２（図２）および上段熱処理部３０１（図３）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。搬送機構１２８は、アライナＡＬ２、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８、塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図３）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。
【００５２】
搬送機構１３７は、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１、現像処理室３１，３２（図２）および上段熱処理部３０３（図３）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。搬送機構１３８は、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２、現像処理室３３，３４（図２）および下段熱処理部３０４（図３）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。
【００５３】
搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８は、基板Ｗの裏面を吸着して保持しつつ基板Ｗを搬送するように構成されることが好ましい。これにより、基板Ｗの搬送時に、基板Ｗの中心に関するノッチＮＴの位置が変化することが防止される。
【００５４】
（５）動作
図１〜図４を参照しながら基板処理装置１００の動作を説明する。インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１（図１）には、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送機構１１５は、キャリア１１３からアライナＡＬ１，ＡＬ２（図４）に未処理の基板Ｗを搬送する。アライナＡＬ１，ＡＬ２において、基板Ｗの位置合わせが行われる。また、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２（図４）に載置された処理済みの基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。
【００５５】
第１の処理ブロック１２において、搬送機構１２７（図４）は、アライナＡＬ１（図４）によって位置合わせされた基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）、塗布処理室２２（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）、塗布処理室２１（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ５（図４）に順に搬送する。
【００５６】
この場合、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板Ｗに密着強化処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、反射防止膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２２において、塗布処理ユニット１２９（図２）により基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。続いて、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、レジスト膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２１において、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。
【００５７】
また、搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ６（図４）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１（図４）に搬送する。
【００５８】
搬送機構１２８（図４）は、アライナＡＬ２（図４）によって位置合わせされた基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）、塗布処理室２４（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）、塗布処理室２３（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ７（図４）に順に搬送する。また、搬送機構１２８（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ８（図４）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図４）に搬送する。塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図３）における基板Ｗの処理内容は、上記の塗布処理室２１，２２（図２）および上段熱処理部３０１（図３）における基板Ｗの処理内容と同様である。
【００５９】
第２の処理ブロック１３において、搬送機構１３７（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ５（図４）に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗをエッジ露光兼検査部ＥＥＷ（図３）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図４）に順に搬送する。
【００６０】
この場合、エッジ露光兼検査部ＥＥＷにおいて、基板Ｗの外観検査が行われる。具体的には、ＣＣＤ（電荷結合素子）イメージセンサ等の撮像装置により、基板Ｗの表面の外観が撮像される。基板Ｗの表面とは、反射防止膜およびレジスト膜が形成される基板Ｗの面である。これにより、基板Ｗの表面の画像データが生成される。図１の制御部１１４は、生成された画像データに基づいて、基板Ｗの表面の状態を検査し、その検査結果に応じて、成膜処理に関わる基板処理装置１００の各構成要素の動作を補正する。
【００６１】
例えば、各塗布処理ユニット１２９において、基板Ｗの中心がスピンチャック２５の回転中心からずれた状態で基板Ｗがスピンチャック２５により保持されていると、基板Ｗに形成される膜（反射防止膜またはレジスト膜）が基板Ｗの中心に関して対称でなく偏心する。そこで、制御部１１４は、画像データに基づいて、基板Ｗに形成された膜が基板Ｗの中心に関して対称であるか否かを判定する。基板Ｗに形成された膜が基板Ｗの中心に関して対称でない場合、制御部１１４は、基板Ｗの中心がスピンチャック２５の回転中心に一致するように、搬送機構１２７，１２８によるスピンチャック２５への基板Ｗの載置位置を補正する。
【００６２】
また、各塗布処理ユニット１２９において、エッジリンスノズルから吐出されるリンス液の量が多いと、基板Ｗの周縁部における膜が形成されていない領域の幅（以下、エッジカット幅と呼ぶ）が適正範囲よりも大きくなる。逆に、エッジリンスノズルから吐出されるリンス液の量が少ないと、エッジカット幅が適正範囲よりも小さくなる。そこで、制御部１１４は、画像データに基づいて、エッジカット幅が予め定められた適正範囲にあるか否かを判定する。エッジカット幅が適正範囲外である場合、制御部１１４は、エッジカット幅が予め定められた範囲内になるように、エッジリンスノズルから吐出されるリンス液の量を補正する。
【００６３】
このような外観検査の後、基板Ｗにエッジ露光処理が行われる。なお、外観検査において、基板Ｗの表面の状態が適正でないと判定された場合、その基板Ｗに対して以降の処理が行われなくてもよい。その基板Ｗは、例えば載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に収容されたまま一定時間放置され、一のロットの処理の終了時と次のロットの処理の開始時との間等に作業員により回収される。
【００６４】
また、搬送機構１３７（図４）は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図３）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図３）、現像処理室３１，３２（図２）のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ６（図４）に順に搬送する。
【００６５】
この場合、冷却ユニットＣＰにおいて、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却された後、現像処理室３１，３２のいずれか一方において、現像処理ユニット１３９により基板Ｗの現像処理が行われる。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。
【００６６】
搬送機構１３８（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ７（図４）に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗをエッジ露光兼検査部ＥＥＷ（図３）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図４）に順に搬送する。また、搬送機構１３８（図４）は、裏面洗浄処理ブロック１４に隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図３）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図３）、現像処理室３３，３４（図２）のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ８（図４）に順に搬送する。現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０４における基板Ｗの処理内容は、上記の現像処理室３１，３２および上段熱処理部３０３における基板Ｗの処理内容と同様である。
【００６７】
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送機構１４１（図１）は、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図４）に載置された基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６１の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１（図２）および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図４）に順に搬送する。この場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１において、基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われた後、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、露光装置１５（図１〜図３）における露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。
【００６８】
搬送機構１４２（図１）は、基板載置部ＰＡＳＳ９（図４）に載置された露光処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６２の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２（図３）に搬送し、洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２から上段熱処理部３０３の熱処理ユニットＰＨＰ（図３）または下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰ（図３）に搬送する。この熱処理ユニットＰＨＰにおいては、露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。
【００６９】
インターフェイスブロック１５において、搬送機構１４６（図１）は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図４）に載置された露光処理前の基板Ｗを露光装置１５の基板搬入部１５ａ（図１）に搬送する。また、搬送機構１４６（図１）は、露光装置１５の基板搬出部１５ｂ（図１）から露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９（図４）に搬送する。
【００７０】
なお、露光搬送部２００が基板Ｗの受け入れをできない場合、露光処理前の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。また、第２の処理ブロック１３の現像処理ユニット１３９（図２）が露光処理後の基板Ｗの受け入れをできない場合、露光処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。
【００７１】
本実施の形態においては、上段に設けられた塗布処理室２１，２２、現像処理室３１，３２および上段熱処理部３０１，３０３における基板Ｗの処理と、下段に設けられた塗布処理室２３，２４、現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０２，３０４における基板Ｗの処理を並行して行うことができる。それにより、フットプリントを増加させることなく、スループットを向上させることができる。
【００７２】
（６）アライナ
（６−１）構成
図５は、アライナＡＬ１の構成について説明するための模式的斜視図である。アライナＡＬ２の構成は、図５に示されるアライナＡＬ１の構成と同様である。以下の説明では、鉛直方向（Ｚ方向）の軸を中心とする回転方向をθ方向と呼ぶ。
【００７３】
図５に示すように、アライナＡＬ１は、複数（本例では５つ）の基板回転部７０を備える。各基板回転部７０は、保持部７１、ノッチ検出部７２、電磁クラッチ７４および駆動ベルト７５を含む。各保持部７１は、基板Ｗの裏面（膜が形成されない面）を真空吸着し、基板Ｗを水平に保持する。各保持部７１はθ方向に回転可能に設けられる。また、複数の保持部７１の回転中心線が互いに一致するように、複数の保持部７１が上下方向に並ぶように配置される。
【００７４】
各ノッチ検出部７２は、投光部７２ａおよび受光部７２ｂを含む。投光部７２ａと受光部７２ｂとの間に検出位置が設定される。保持部７１により保持される基板Ｗの周縁部が検出位置に一致するように、投光部７２ａおよび受光部７２ｂが配置される。基板Ｗの周縁部とは、基板Ｗの外周端部に沿った一定幅の円環状の領域をいう。また、複数のノッチ検出部７２の検出位置が共通の鉛直線上に位置するように、各投光部７２ａおよび各受光部７２ｂが配置される。
【００７５】
各ノッチ検出部７２は、基板Ｗに形成されたノッチＮＴを検出し、その検出結果を検出信号として対応する電磁クラッチ７４に与える。本例では、投光部７２ａから投射された光が受光部７２ｂに入射する場合に検出信号がハイになり、投光部７２ａから投射された光が受光部７２ｂに入射しない場合に検出信号がローになる。具体的には、検出位置に基板ＷのノッチＮＴ以外の基板Ｗの周縁部の領域がある場合には、投光部７２ａから投射された光が基板Ｗに遮断されて受光部７２ｂに入射しない。そのため、検出信号がローになる。一方、検出位置に基板ＷのノッチＮＴがある場合には、投光部７２ａから投射された光がノッチＮＴを通して受光部７２ｂに入射する。そのため、検出信号がハイになる。また、保持部７１上に基板Ｗが載置されていない場合にも、投光部７２ａから投射された光が基板Ｗに遮断されることなく受光部７２ｂに入射する。そのため、検出信号がハイになる。
【００７６】
複数の保持部７１の側方において鉛直方向に延びるように軸部材８２が設けられる。軸部材８２の一端はモータ８１に接続される。モータ８１により軸部材８２が継続的にθ方向に回転される。
【００７７】
各電磁クラッチ７４は、内周部および外周部を含む。各電磁クラッチ７４の内周部は、対応する保持部７１と略等しい高さにおいて軸部材８２に固定される。各電磁クラッチ７４は、ノッチ検出部７２から与えられる検出信号に応じて、内周部の回転力が外周部に伝達される接続状態と内周部の回転力が外周部に伝達されない切断状態とに切り替わる。電磁クラッチ７４が接続状態にあるときには、電磁クラッチ７４の外周部が軸部材８２と一体的にθ方向に回転する。一方、電磁クラッチ７４が切断状態にあるときには、電磁クラッチ７４の外周部が軸部材８２と一体的に回転しない。
【００７８】
互いに対応する保持部７１および電磁クラッチ７４の外周部に無端の駆動ベルト７５が巻き掛けられる。これにより、電磁クラッチ７４が接続状態にあるときに、軸部材８２の回転力が駆動ベルト７５を介して保持部７１に伝達される。なお、電磁クラッチ７４が接続状態から切断状態に切り替わった後に、慣性によって電磁クラッチ７４の外周部および保持部７１の回転が継続されることを防止するため、電磁クラッチ７４の外周部および保持部７１の少なくとも一方に対して一定の摩擦力を与える摩擦部材が設けられてもよい。
【００７９】
図６および図７は、アライナＡＬ１の具体的な配置例を示す側面図および平面図である。図６および図７の例では、複数の棚部材７６が互いに上下に重なるように４本の支柱７７により支持される。隣り合う各２つの棚部材７６間に、各保持部７１および各ノッチ検出部７２が配置される。各保持部７１は、隣り合う２つの棚部材７６のうち下方の棚部材７６の上面に軸受部材７１ａを介して取り付けられる。各ノッチ検出部７２の投光部７２ａは、上下に隣り合う２つの棚部材７６のうち下方の棚部材７６の上面に取り付けられ、受光部７２ｂは、上方の棚部材７６の下面に取り付けられる。
【００８０】
また、モータ８１および軸部材８２は、各保持部７１への基板Ｗの搬送および各保持部７１からの基板Ｗの搬送の妨げとならないように配置される。具体的には、図７に示すように、搬送機構１１５（図４）による各保持部７１への基板Ｗの搬送方向Ｄ１および搬送機構１２７（図４）による各保持部７１からの基板Ｗの搬送方向Ｄ２の各々に交差する方向において、各保持部７１と隣り合うようにモータ８１および軸部材８２が配置される。本実施の形態では、搬送方向Ｄ１，Ｄ２はそれぞれＸ方向と一致し、モータ８１および軸部材８２は、Ｙ方向において各保持部７１と隣り合うように配置される。
【００８１】
（６−２）動作
図８は、アライナＡＬ１の動作について説明するための図である。アライナＡＬ２の動作は、図８に示されるアライナＡＬ１の動作と同様である。図８には、複数の基板回転部７０のうち３つの基板回転部７０における検出信号の変化および電磁クラッチ７４の状態の変化が示される。
【００８２】
以下、３つの基板回転部７０における検出信号をそれぞれ第１の検出信号、第２の検出信号および第３の検出信号と呼び、３つの基板回転部７０の電磁クラッチ７４をそれぞれ第１の電磁クラッチ７４、第２の電磁クラッチ７４および第３の電磁クラッチ７４と呼ぶ。また、３つの基板回転部７０の保持部７１をそれぞれ第１の保持部７１、第２の保持部７１および第３の保持部７１と呼び、３つの基板回転部７０のノッチ検出部７２をそれぞれ第１のノッチ検出部７２、第２のノッチ検出部７２および第３のノッチ検出部７２と呼ぶ。
【００８３】
図８の例では、時点ｔ０において、第１〜第３の保持部７１のいずれにも基板Ｗが載置されていない。そのため、第１〜第３の検出信号はハイである。この場合、第１〜第３の電磁クラッチ７４の各々は、切断状態に維持される。そのため、第１〜第３の電磁クラッチ７４の外周部は軸部材８２と一体的に回転せず、第１〜第３の保持部７１も回転しない。なお、軸部材８２は継続的に回転する。
【００８４】
時点ｔ１において、第１の保持部７１上に基板Ｗが載置され、第１の保持部７１により基板Ｗが保持される。この場合、第１のノッチ検出部７２の検出位置に、ノッチＮＴ以外の基板Ｗの周縁部の領域がある。そのため、第１の検出信号がローになる。それに応答して、第１の電磁クラッチ７４が接続状態に切り替わる。それにより、第１の電磁クラッチ７４の外周部が軸部材８２と一体的に回転する。第１の電磁クラッチ７４の回転は駆動ベルト７５を介して第１の保持部７１に伝達される。それにより、第１の保持部７１が回転し、第１の保持部７１に保持される基板Ｗが回転する。
【００８５】
なお、各電磁クラッチ７４は、検出信号がローに切り替わった時点で接続状態に切り替わるのではなく、検出信号がローに切り替わってから規定時間が経過した後に接続状態に切り替わる。これにより、保持部７１により基板Ｗが保持されていない状態で保持部７１の回転が開始されることが防止される。
【００８６】
時点ｔ２において、第２の保持部７１上に基板Ｗが載置され、第２の保持部７１により基板Ｗが保持される。この場合、第２のノッチ検出部７２の検出位置に、ノッチＮＴ以外の基板Ｗの周縁部の領域がある。そのため、第２の検出信号がローになる。それに応答して、第２の電磁クラッチ７４が接続状態に切り替わる。それにより、第２の電磁クラッチ７４の外周部が軸部材８２と一体的に回転する。第２の電磁クラッチ７４の回転は駆動ベルト７５を介して第２の保持部７１に伝達される。それにより、第２の保持部７１が回転するとともに、第２の保持部７１に保持される基板Ｗが回転する。
【００８７】
次に、時点ｔ３において、第３の保持部７１上に基板Ｗが載置され、第３の保持部７１により基板Ｗが保持される。この場合、第３のノッチ検出部７２の検出位置に、ノッチＮＴ以外の基板Ｗの周縁部の領域がある。そのため、第３の検出信号がローになる。それに応答して、第３の電磁クラッチ７４が接続状態に切り替わる。それにより、第３の電磁クラッチ７４の外周部が軸部材８２と一体的に回転する。第３の電磁クラッチ７４の回転は駆動ベルト７５を介して第３の保持部７１に伝達される。それにより、第３の保持部７１が回転するとともに、第３の保持部７１に保持される基板Ｗが回転する。
【００８８】
時点ｔ４において、第１の保持部７１により回転される基板ＷのノッチＮＴが、第１のノッチ検出部７２の検出位置に達する。それにより、第１の検出信号がハイになる。それに応答して、第１の電磁クラッチ７４が切断状態に切り替わる。それにより、第１の電磁クラッチ７４の外周部の回転が停止されるとともに、第１の保持部７１の回転が停止される。したがって、基板ＷのノッチＮＴが第１のノッチ検出部７２の検出位置にある状態で、基板Ｗの回転が停止される。その後、図１の搬送機構１２７により第１の保持部７１から基板Ｗが受け取られる。
【００８９】
時点ｔ５において、第２の保持部７１により回転される基板ＷのノッチＮＴが、第２のノッチ検出部７２の検出位置に達する。それにより、第２の検出信号がハイになる。それに応答して、第２の電磁クラッチ７４が切断状態に切り替わる。それにより、第２の電磁クラッチ７４の外周部の回転が停止されるとともに、第２の保持部７１の回転が停止される。したがって、基板ＷのノッチＮＴが第２のノッチ検出部７２の検出位置にある状態で、基板Ｗの回転が停止される。その後、図１の搬送機構１２７により第２の保持部７１から基板Ｗが受け取られる。
【００９０】
時点ｔ６において、第３の保持部７１により回転される基板ＷのノッチＮＴが、第３のノッチ検出部７２の検出位置に達する。それにより、第３の検出信号がハイになる。それに応答して、第３の電磁クラッチ７４が切断状態に切り替わる。それにより、第３の電磁クラッチ７４の外周部の回転が停止されるとともに、第３の保持部７１の回転が停止される。したがって、基板ＷのノッチＮＴが第３のノッチ検出部７２の検出位置にある状態で、基板Ｗの回転が停止される。その後、図１の搬送機構１２７により第３の保持部７１から基板Ｗが受け取られる。
【００９１】
このように、複数の基板回転部７０の各々において、基板ＷのノッチＮＴがノッチ検出部７２の検出位置に一致するように基板Ｗの位置合わせが行われる。上記のように、複数の保持部７１の回転中心線は鉛直方向において互いに一致し、かつ複数のノッチ検出部７２の検出位置は共通の鉛直線上に位置する。それにより、複数の基板回転部７０において、基板ＷのノッチＮＴが基板Ｗの中心に関して同じ方向に位置する。各基板回転部７０において、このような動作が連続的に繰り返される。
【００９２】
なお、図８においては、時点ｔ４、時点ｔ５および時点ｔ６で各検出信号がハイになった後、次の基板Ｗが第１の保持部７１上に載置されるまで（図８の時点ｔ７、時点ｔ８および時点ｔ９）、各検出信号がハイに維持される。しかしながら、実際には、搬送機構１２７（図１）によって保持部７１から受け取られた基板Ｗが搬送される際に、ノッチ検出部７２の検出位置を基板Ｗの一部が通過するので、一時的に第１の検出信号がローになる。
【００９３】
本例では、検出信号がローに切り替わってから次にハイに切り替わるまでの時間が一定時間よりも短い場合には、電磁クラッチ７４が切断状態に維持される。これにより、位置合わせ後の基板Ｗが搬送させる際に検出信号が一時的にローになっても、電磁クラッチ７４が切断状態に維持される。
【００９４】
また、図８の例では、各保持部７１上に基板Ｗが載置されたときに、ノッチＮＴ以外の基板Ｗの周縁部の領域が各ノッチ検出部７２の検出位置に位置する。しかしながら、実際には、保持部７１上に基板Ｗが載置されたときに、ノッチ検出部７２の検出位置に基板ＷのノッチＮＴが位置することもあり得る。この場合、ノッチ検出部７２から出力される検出信号に基づいて、保持部７１上に基板Ｗが載置されたことを検出することは困難である。
【００９５】
例えば、各保持部７１には、基板Ｗを真空吸着するための吸引路が設けられる。その吸引路に圧力センサを取り付け、圧力センサにより検出される圧力（吸着圧）の変化に基づいて、保持部７１上に基板Ｗが載置されたことを検出してもよい。保持部７１上に基板Ｗが載置されたことが検出されると、例えば、電磁クラッチ７４が接続状態に切り替えられ、改めてノッチ検出部７２により基板ＷのノッチＮＴが検出されるまで、基板Ｗが回転される。
【００９６】
また、各保持部７１上に基板Ｗが載置されるべきタイミングが予め定められている場合には、そのタイミングにおいて、電磁クラッチ７４を接続状態に切り替えて各保持部７１を一定角度だけ回転させてもよい。その一定角度は、基板Ｗの円周方向においてノッチＮＴが形成される角度（例えば５度）以上に設定される。この場合、保持部７１上に基板Ｗが載置されているか否かを確実に判別することができる。保持部７１上に基板Ｗが載置されている場合には、例えば、改めてノッチ検出部７２により基板ＷのノッチＮＴが検出されるまで、引き続き基板Ｗが回転される。
【００９７】
（７）効果
本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、基板Ｗに処理が施される前に、アライナＡＬ１，ＡＬ２において基板Ｗの位置合わせが行われる。アライナＡＬ１，ＡＬ２の各々においては、各保持部７１に基板Ｗが保持された状態で、対応する電磁クラッチ７４が接続状態に切り替わることにより、軸部材８２の回転力がその保持部７１に伝達される。それにより、保持部７１に保持される基板Ｗが回転される。対応するノッチ検出部７２により基板ＷのノッチＮＴが検出されると、対応する電磁クラッチ７４が切断状態に切り替わる。それにより、各保持部７１に保持される基板ＷのノッチＮＴが回転中心線に関して一定の方向に位置する状態で基板Ｗの回転が停止される。
【００９８】
このように、共通のモータ８１により回転される共通の軸部材８２の回転力が複数の電磁クラッチ７４を介して複数の保持部７１にそれぞれ伝達されるとともに、複数の保持部７１の回転がそれぞれ所望の時点で停止される。それにより、複数のモータ８１を設けることなく簡単な構成で複数の基板Ｗの位置合わせを並行して行うことができる。
【００９９】
また、本実施の形態では、アライナＡＬ１，ＡＬ２により基板Ｗの位置合わせが行われた後、その基板Ｗが搬送機構１２７，１２８により塗布処理部１２１に搬送され、塗布処理部１２１において基板Ｗ上に反射防止膜およびレジスト膜が形成される。この場合、塗布処理部１２１に搬送される基板Ｗの向きが統一される。そのため、基板Ｗ上に反射防止膜およびレジスト膜を精度良く形成することができる。
【０１００】
また、本実施の形態では、搬送機構１１５と搬送機構１２７との間、および搬送機構１１５と搬送機構１２８との間における基板Ｗの受け渡しが、アライナＡＬ１，ＡＬ２を介して行われる。それにより、基板処理装置１００のスループットの低下が防止される。
【０１０１】
また、本実施の形態では、基板Ｗ上に反射防止膜およびレジスト膜が形成された後、エッジ露光兼検査部ＥＥＷにおいて、基板Ｗの外観検査が行われる。この場合、エッジ露光兼検査部ＥＥＷに搬送される基板Ｗの向きが統一される。それにより、基板Ｗの中心に関して反射防止膜またはレジスト膜が対称でなく偏心している場合、その偏心の方向を正確に特定することができる。したがって、外観検査の結果に基づいて成膜処理に関わる基板処理装置１００の各構成要素の動作を正確に補正することができる。その結果、基板Ｗに適正に処理を行うことができる。
【０１０２】
（８）他の実施の形態
（８−１）
上記実施の形態では、ノッチ検出部７２から出力される検出信号が電磁クラッチ７４に直接与えられ、与えられた検出信号に応じて電磁クラッチ７４が接続状態と切断状態とに切り替わるが、これに限らない。
【０１０３】
例えば、複数のノッチ検出部７２および複数の電磁クラッチ７４に対応するように共通の制御部が設けられてもよい。この場合、複数のノッチ検出部７２の各々から制御部に検出信号が与えられる。制御部は、与えられた検出信号に基づいて、複数の電磁クラッチ７４を接続状態と切断状態とに切り替える。制御部は、各電磁クラッチ７４を接続状態または切断状態に切り替えるタイミングを適宜調整することができる。それにより、基板Ｗの回転の開始タイミングおよび停止タイミングを適宜調整することができる。なお、共通の制御部の代わりに、複数のノッチ検出部７２および複数の電磁クラッチ７４にそれぞれ対応するように複数の制御部が設けられてもよい。
【０１０４】
（８−２）
上記実施の形態では、複数のノッチ検出部７２の検出位置が共通の鉛直線上に位置するが、これに限らない。例えば、複数のノッチ検出部７２の検出位置が基板Ｗの周方向にずれていてもよい。この場合、各ノッチ検出部７２により基板ＷのノッチＮＴが検出された後、検出されたノッチＮＴが基板Ｗの回転中心線に関して予め定められた方向に位置するように、基板Ｗが所定の角度回転される。これにより、複数の基板回転部７０において、複数の基板ＷのノッチＮＴを回転中心線に関して同じ方向に位置させることができる。
【０１０５】
（８−３）
上記実施の形態では、伝達切替部が電磁クラッチ７４および駆動ベルト７５により構成されるが、これに限らない、例えば、伝達切替部がメカニカルギア等により構成されてもよい。
【０１０６】
（８−４）
上記実施の形態では、搬送部１１２と上段搬送室１２５との間にアライナＡＬ１が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間にアライナＡＬ２が設けられるが、アライナＡＬ１，ＡＬ２の配置はこれに限らない。例えば、上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間にアライナＡＬ１が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間にアライナＡＬ２が設けられてもよい。この場合、基板Ｗが塗布処理部１２１に搬送される前に、アライナＡＬ１，ＡＬ２において基板Ｗの位置合わせが行われる。それにより、上記の例と同様に、基板Ｗ上に反射防止膜およびレジスト膜を精度よく形成することができる。
【０１０７】
（８−５）
上記実施の形態は、露光処理の前後における基板Ｗの処理を行う基板処理装置１００に本発明を適用した例であるが、他の基板処理装置に本発明を適用してもよい。例えば、基板Ｗにエッチング液を供給することにより基板Ｗのエッチング処理を行う基板処理装置に本発明を適用してもよい。この場合、基板Ｗのエッチング処理の前に、上記のアライナＡＬ１，ＡＬ２と同様の構成を有する位置合わせ装置によって基板Ｗの位置合わせが行われる。それにより、基板Ｗのエッチング処理をより適正に行うことができる。また、基板Ｗのエッチング処理後に基板Ｗの外観検査を行い、その検査結果に応じて各構成要素の動作を補正することにより、より精度良く基板Ｗのエッチング処理を行うことが可能になる。
【０１０８】
（９）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１０９】
上記実施の形態では、アライナＡＬ１，ＡＬ２が位置合わせ装置の例であり、保持部７１が保持部の例であり、ノッチＮＴが被検出部の例であり、軸部材８２が軸部材の例であり、モータ８１が回転駆動部の例であり、ノッチ検出部７２が検出部の例であり、電磁クラッチ７４および駆動ベルト７５が伝達切替部の例であり、電磁クラッチ７４がクラッチの例であり、駆動ベルト７５が伝達部材の例である。また、塗布処理ユニット１２９が処理ユニットの例であり、基板処理装置１００が基板処理装置の例であり、搬送機構１２７，１２８が第１の搬送機構の例であり、第１および第２の処理ブロック１２，１３が処理部の例であり、インデクサブロック１１が搬入搬出部の例であり、アライナＡＬ１，ＡＬ２および基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が受け渡し部の例であり、キャリア載置部１１１が容器載置部の例であり、キャリア１１３が収納容器の例であり、搬送機構１１５が第２の搬送機構の例であり、エッジ露光兼検査部ＥＥＷが外観検査装置の例である。
【０１１０】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１１１】
本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。
【符号の説明】
【０１１２】
１１  インデクサブロック
１２  第１の処理ブロック
１３  第２の処理ブロック
１４  インターフェイスブロック
１４Ａ  洗浄乾燥処理ブロック
１４Ｂ  搬入搬出ブロック
１５  露光装置
７０  基板回転部
７１  保持部
７２  ノッチ検出部
７４  電磁クラッチ
７５  駆動ベルト
８１  モータ
８２  軸部材
１００  基板処理装置
１２９  塗布処理ユニット
ＥＥＷ  エッジ露光兼検査部
ＮＴ  ノッチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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