(57)【要約】【課題】本発明は、耐熱性および靭性に優れ、かつ導電性に優れた、低コストで薄型化が可能な配線基板、および、その製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、樹脂を含む樹脂シートと、該樹脂シートの表面に形成された導体層とを備え、前記樹脂シートを貫通する銅または銅合金からなるビア導体を有する配線基板であって、少なくとも一方の前記導体層と前記ビア導体との接合部に、ＳｎまたはＳｎを７０重量％以上含有する合金からなる第１金属と、前記第１金属よりも融点が高いＣｕ−Ｎｉ合金またはＣｕ−Ｍｎ合金からなる第２金属とが反応することにより生成された３００℃以上の融点を有する金属間化合物を含むことを特徴とする、配線基板である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂を含む樹脂シートと、該樹脂シートの表面に形成された導体層とを備え、
前記樹脂シートを貫通する銅または銅合金からなるビア導体を有する配線基板であって、
少なくとも一方の前記導体層と前記ビア導体との接合部に、ＳｎまたはＳｎを７０重量％以上含有する合金からなる第１金属と、前記第１金属よりも融点が高いＣｕ−Ｎｉ合金またはＣｕ−Ｍｎ合金からなる第２金属とが反応することにより生成された３００℃以上の融点を有する金属間化合物を含むことを特徴とする、配線基板。
【請求項２】
前記導体層は銅または銅合金からなる、請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記樹脂は熱可塑性樹脂を含む、請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記Ｃｕ−Ｎｉ合金中のＮｉの比率が１０〜１５重量％であり、前記Ｃｕ−Ｍｎ合金中のＭｎの比率が１０〜１５重量％である、請求項１〜３のいずれかに記載の配線基板。
【請求項５】
両面に形成された導体層を有する１枚の前記樹脂シートからなる、請求項１〜４のいずれかに記載の配線基板。
【請求項６】
複数の前記樹脂シートを備える、請求項１〜４のいずれかに記載の配線基板。
【請求項７】
請求項１に記載の配線基板の製造方法であって、
第１の導体層上に銅または銅合金からなるバンプを形成し、
該バンプの露出面の少なくとも一部に前記第１金属からなる第１金属層を形成し、
前記第１の導体層の前記第１金属層側に前記樹脂シートを積層し、
さらに、該樹脂シートの前記第１の導体層とは反対側に、表面の少なくとも一部に前記第２金属からなる第２金属層が形成された第２の導体層を、前記第１金属層と前記第２金属層とが対向するように積層し、
得られた積層体を加熱および加圧することを特徴とする、製造方法。
【請求項８】
請求項１に記載の配線基板の製造方法であって、
第１の導体層上に銅または銅合金からなるバンプを形成し、
該バンプの露出面の少なくとも一部に前記第２金属からなる第２金属層を形成し、
前記第１の導体層の前記第２金属層側に前記樹脂シートを積層し、
さらに、該樹脂シートの前記第１の導体層とは反対側に、表面の少なくとも一部に前記第１金属からなる第１金属層が形成された第２の導体層を、前記第１金属層と前記第２金属層とが対向するように積層し、
得られた積層体を加熱および加圧することを特徴とする、製造方法。
【請求項９】
請求項１に記載の配線基板の製造方法であって、
片面に第１の導体層が形成された樹脂シートに開孔を形成し、
該開孔内に銅または銅合金のフィルドめっきによりビア導体を形成し、
該ビア導体の露出面の少なくとも一部に前記第１金属からなる第１金属層を形成し、
さらに、該樹脂シートの前記第１の導体層とは反対側に、表面の少なくとも一部に前記第２金属からなる第２金属層が形成された第２の導体層を、前記第１金属層と前記第２金属層が接するように積層し、
得られた積層体を加熱および加圧することを特徴とする、製造方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の配線基板の製造方法であって、
片面に第１の導体層が形成された樹脂シートに開孔を形成し、
該開孔内に銅または銅合金のフィルドめっきによりビア導体を形成し、
該ビア導体の露出面の少なくとも一部に前記第２金属からなる第２金属層を形成し、
さらに、該樹脂シートの前記第１の導体層とは反対側に、表面の少なくとも一部に前記第１金属からなる第１金属層が形成された第２の導体層を、前記第１金属層と前記第２金属層が接するように積層し、
得られた積層体を加熱および加圧することを特徴とする、製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、樹脂を含む樹脂シートの表面に導体配線層を形成した複数の樹脂層を積層した、いわゆる樹脂多層配線基板が、回路基板や半導体素子を搭載したパッケージ等に適用されている。また、配線の多層化に伴い、異なる層間の導体配線層をビア導体により電気的に接続することも行われている。
【０００３】
かかる多層配線基板の製造方法として、例えば、特許文献１（特許第３４０７７３７号公報）には、ビアホールに導電ペーストを埋め込んだ熱可塑性樹脂シートの片面に導体パターンが形成されたシート（単層配線シート）を複数枚積層して圧着する方法が開示される。
【０００４】
具体的には、図７を参照して、まず、樹脂シート３の片面に導体層１が形成された片面導体積層シートを用意し（図７（ａ））、導体層１のパターン形成を行う（図７（ｂ））。そして、樹脂シート３にレーザ加工等により開孔７０を形成する（図７（ｃ））。次に、開孔７０に導電性ペースト７３を充填する（図７（ｄ））。
【０００５】
このようにして得られた単層配線シートを積層する（図７（ｅ））。ここで、基本的には、１つの単層配線シートの導体層１側と他の単層配線シートの熱可塑樹脂側（樹脂シート３側）が接するように積層される。ただし、少なくとも１箇所では互いに接する二層の間で、熱可塑樹脂側同士を対向させることで、多層配線基板の両側の最外層に導体層（電極）が配置されるようにする。得られた積層体を加熱および加圧することにより、各単層配線シートが圧着され、所望の多層配線基板が得られる。
【０００６】
このようにビア導体は、例えば、金属粉末と有機成分とを混合した低粘度の導電性ペーストを開孔内に充填し、固化することにより形成される。導電性ペーストとしては、ＣｕまたはＡｇとＳｎ、Ｂｉなどを主成分とする金属成分（非鉛はんだ）および有機成分（フラックス成分）からなる導電性ペーストや、ＡｇやＣｕと有機成分とからなる接触型導電性ペーストなどが知られている（特許文献２：特開２００２−２９００５２号公報）。
【０００７】
また、特許文献３（特開２００２−２５４１９４号公報）には、低融点金属であるＳｎまたはＩｎのボールと、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇなどの高融点金属のボールとを含むはんだペーストが開示されている。このはんだペーストは、低融点金属ボールおよび高融点金属ボールとフラックス成分とを含んでおり、熱処理されることにより、低融点金属ボールに由来する低融点金属と高融点金属ボールに由来する高融点金属とが反応して高融点の金属間化合物を生成する。熱処理後のはんだは、複数個の高融点金属ボールが、金属間化合物を介して連結された状態となり、この耐熱性の高い連結体により導体配線層が接続・連結されることになる。
【０００８】
しかしながら、ＡｇやＣｕとＳｎとの反応におけるＳｎの拡散速度が遅いため、Ｓｎが完全に合金化するのには時間を要する。また、Ｃｕなどの高融点金属とＳｎなどの低融点金属との組み合わせでは、それらの反応における低融点金属の拡散速度が遅いため、低融点金属が全て合金化するためには時間を要する。
【０００９】
このため、短時間の熱処理では、未反応のＳｎ（低融点金属）がビア導体中に残存してしまい、ビア導体の耐熱性が低下してしまう。一方で、高温かつ長時間の熱処理を行えば、樹脂シートを構成する樹脂が流れ出してしまう可能性があり、生産性も低下するため実用上望ましくない。したがって、このような従来の導電性ペースト（はんだペースト）を用いてビア導体を形成した場合、工業的に十分な耐熱性を有するビア導体を得ることは難しかった。
【００１０】
また、熱可塑性樹脂同士を対向させて接合させた層においては、絶縁層の厚みが２倍になってしまい、薄型化の妨げとなるばかりでなく、ランド形成ができないので、２層のビア同士の位置合わせが難しく、ビア径を大きくせざるを得なくなる。これがコストアップとなるだけでなく、小型化と高密度化を妨げる要因ともなっていた。
【００１１】
かかる従来の問題を解決すべく、特許文献４（国際公開第２０１２／０６６７９５号）には、第１金属（ＳｎまたはＳｎを７０重量％以上含む合金）と、第１金属よりも融点の高い第２金属（Ｃｕ−Ｍｎ合金、Ｃｕ−Ｎｉ合金）とを含む導電性材料をソルダペーストやビア充填材として用いることが開示され、低温かつ短時間で融点の高い金属間化合物が生成し、低融点成分が残留しないため、耐熱強度に優れた接続構造が提供される旨記載されている。
【００１２】
しかし、ビア導体全体をかかる導電性材料で構成した場合、ビア導体の抵抗がＣｕ等と比べて高くなるため、さらなる改良が望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特許第３４０７７３７号公報
【特許文献２】特開２００２−２９００５２号公報
【特許文献３】特開２００２−２５４１９４号公報
【特許文献４】国際公開第２０１２／０６６７９５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は、耐熱性および靭性に優れ、かつ導電性に優れた、低コストで薄型化と高密度化が可能な配線基板、および、その製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、樹脂を含む樹脂シートと、該樹脂シートの表面に形成された導体層とを備え、
前記樹脂シートを貫通する銅または銅合金からなるビア導体を有する配線基板であって、
少なくとも一方の前記導体層と前記ビア導体との接合部に、ＳｎまたはＳｎを７０重量％以上含有する合金からなる第１金属と、前記第１金属よりも融点が高いＣｕ−Ｎｉ合金またはＣｕ−Ｍｎ合金からなる第２金属とが反応することにより生成された３００℃以上の融点を有する金属間化合物を含むことを特徴とする、配線基板である。
【００１６】
上記導体層は銅または銅合金からなることが好ましい。また、上記樹脂は熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。
【００１７】
上記Ｃｕ−Ｎｉ合金中のＮｉの比率が１０〜１５重量％であり、上記Ｃｕ−Ｍｎ合金中のＭｎの比率が１０〜１５重量％であることが好ましい。
【００１８】
上記配線基板は、両面に形成された導体層を有する１枚の上記樹脂シートからなる両面配線基板であってもよく、複数の上記樹脂シートを備える多層配線基板であってもよい。また、その外層に単層配線シートを積層し、多層基板を形成するための中間基板であっても良い。
【００１９】
また、本発明は、上記の配線基板の製造方法であって、
第１の導体層上に銅または銅合金からなるバンプを形成し、
該バンプの露出面の少なくとも一部に上記第１金属からなる第１金属層を形成し、
上記第１の導体層の上記第１金属層側に上記樹脂シートを積層し、
さらに、該樹脂シートの上記第１の導体層とは反対側に、表面の少なくとも一部に上記第２金属からなる第２金属層が形成された第２の導体層を、上記第１金属層と上記第２金属層とが対向するように積層し、
得られた積層体を加熱および加圧することを特徴とする、製造方法にも関する。
【００２０】
また、本発明は、上記の配線基板の製造方法であって、
第１の導体層上に銅または銅合金からなるバンプを形成し、
該バンプの露出面の少なくとも一部に前記第２金属からなる第２金属層を形成し、
前記第１の導体層の前記第２金属層側に前記樹脂シートを積層し、
さらに、該樹脂シートの前記第１の導体層とは反対側に、表面の少なくとも一部に前記第１金属からなる第１金属層が形成された第２の導体層を、前記第１金属層と前記第２金属層とが対向するように積層し、
得られた積層体を加熱および加圧することを特徴とする、製造方法にも関する。
【００２１】
また、本発明は、上記の配線基板の製造方法であって、
片面に第１の導体層が形成された樹脂シートに開孔を形成し、
該開孔内に銅または銅合金のフィルドめっきによりビア導体を形成し、
該ビア導体の露出面の少なくとも一部に上記第１金属からなる第１金属層を形成し、
さらに、該樹脂シートの上記第１の導体層とは反対側に、表面の少なくとも一部に上記第２金属からなる第２金属層が形成された第２の導体層を、上記第１金属層と上記第２金属層が接するように積層し、
得られた積層体を加熱および加圧することを特徴とする、製造方法にも関する。
【００２２】
また、本発明は、上記の配線基板の製造方法であって、
片面に第１の導体層が形成された樹脂シートに開孔を形成し、
該開孔内に銅または銅合金のフィルドめっきによりビア導体を形成し、
該ビア導体の露出面の少なくとも一部に前記第２金属からなる第２金属層を形成し、
さらに、該樹脂シートの前記第１の導体層とは反対側に、表面の少なくとも一部に前記第１金属からなる第１金属層が形成された第２の導体層を、前記第１金属層と前記第２金属層が接するように積層し、
得られた積層体を加熱および加圧することを特徴とする、製造方法にも関する。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、ビア導体が抵抗の低い材質からなり、かつ、ビア導体と導体層との接合部が耐熱性に優れた特定の金属間化合物を含むことにより、耐熱性に優れ、かつ、靭性が高く、導電性に優れ、低コストで薄型化が可能な配線基板、および、その製造方法を提供することができる。また、これにより、接続信頼性に優れた配線基板が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の製造方法の一実施形態を説明するための模式図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は、実施例１の製造方法を説明するための模式図である。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は、実施例２の製造方法を説明するための模式図である。
【図４】（ａ）〜（ｆ）は、実施例２の製造方法を説明するための別の模式図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、実施例２の製造方法を説明するためのさらに別の模式図である。
【図６】（ａ）および（ｂ）は、実施例１および２のデイジーチェーンの構造を説明するための模式図である。
【図７】（ａ）〜（ｆ）は、従来の製造方法を説明するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
＜配線基板＞
本発明の配線基板は、樹脂を含む樹脂シートと、該樹脂シートの表面に形成された導体層とを備え、
上記樹脂シートを貫通する開孔内に、銅または銅合金からなるビア導体を有する。
【００２６】
そして、本発明の配線基板は、上記導体層と上記ビア導体との接合部に、ＳｎまたはＳｎを７０重量％以上含有する合金からなる第１金属と、上記第１金属よりも融点が高いＣｕ−Ｎｉ合金またはＣｕ−Ｍｎ合金からなる第２金属とが反応することにより生成された３００℃以上の融点を有する金属間化合物を含むことを特徴とする。
【００２７】
本発明の配線基板は、両面に形成された導体層を有する１枚の上記樹脂シートからなる両面配線基板であってもよく、複数の上記樹脂シートを備える多層配線基板であってもよい。
【００２８】
（樹脂シート）
本発明において、樹脂シートは、電気絶縁性を有する材料からなる板状またはフィルム状の樹脂シートからなるものであれば特に限定されない。樹脂としては、熱可塑性樹脂を含むものであることが好ましい。熱可塑性樹脂としては、例えば、熱可塑性ポリイミド、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリエーテルエーテルケトン樹脂（ＰＥＥＫ）、ポリフェニレンスルフィド樹脂（ＰＰＳ）、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミドや、これらの樹脂の混合物が挙げられる。ただし、熱可塑性樹脂を含む樹脂シートに限定されず、例えば、接着剤を予めコーティングした熱硬化性樹脂（ポリイミド（ＰＩ））シートなどを用いることもできる。
【００２９】
（導体層）
導体層としては、種々公知の配線基板に用いられる導体層（導体配線層）を使用することができる。導体層の材料としては、例えば、銅、銀、アルミニウム、ＳＵＳ、ニッケル、金や、それらの合金などを用いることができ、好ましくは銅または銅合金である。また、導体層は導体箔からなることが好ましい。
【００３０】
（ビア導体）
本発明において、ビア導体は銅または銅合金からなる。ビア導体には、導体層上に形成されたバンプが樹脂シートに埋入したものなども含まれる。
【００３１】
（第１金属）
第１金属は、ＳｎまたはＳｎを７０重量％以上含有する合金からなる。すなわち、第１金属は、Ｓｎ単体からなる金属、または、Ｓｎを７０重量％以上含有する合金である。Ｓｎを７０重量％以上含有する合金としては、７０重量％以上のＳｎと、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｐｄ、Ｓｉ、Ｓｒ、ＴｅおよびＰからなる群より選ばれる少なくとも１種とを含む合金などが挙げられる。これにより、所望の金属間化合物（Ｃｕ2ＮｉＳｎ、Ｃｕ2ＭｎＳｎ、Ｎｉ-Ｓｎ金属間化合物、Ｍｎ-Ｓｎ金属間化合物、Ｓｎ−Ｃｕ金属間化合物など）を生成するために必要な、第２金属（Ｃｕ−Ｎｉ合金、Ｃｕ−Ｍｎ合金）との反応成分であるＳｎの量を十分に供給することができる。第１金属におけるＳｎの含有量が７０重量％未満である場合、Ｓｎの量が不足して所望の量の金属間化合物が生成されず、耐熱性に優れた接合部（ビア導体と導体層との接合部）が得られなくなる。なお、第１金属が合金である場合、Ｓｎを８５重量％以上含有していると、さらに上記の効果を確実に得ることができ好ましい。
【００３２】
（第２金属）
第２金属は、第１金属よりも融点が高いＣｕ−Ｎｉ合金またはＣｕ−Ｍｎ合金からなる。ここで、Ｃｕ−Ｎｉ合金とは、主たる成分がＣｕおよびＮｉである合金であり、他の金属成分を含んでいてもよい。また、Ｃｕ−Ｍｎ合金とは、主たる成分がＣｕおよびＭｎである合金であり、他の金属成分を含んでいてもよい。Ｃｕ−Ｎｉ合金としてはＣｕ−１０Ｎｉなどが挙げられ、Ｃｕ−Ｍｎ合金としてはＣｕ−１０Ｍｎなどが挙げられる。なお、本明細書において、たとえば「Ｃｕ−１０Ｎｉ」の数字１０は当該成分（この場合はＮｉ）の重量％の値を示しており、他の記載についても同様である。
【００３３】
ここで、Ｃｕ−Ｎｉ合金中のＮｉの比率は１０〜１５重量％であることが好ましい。また、上記Ｃｕ−Ｍｎ合金中のＭｎの比率は１０〜１５重量％であることが好ましい。これにより、所望の金属間化合物を生成するのに必要十分なＮｉまたはＭｎを供給することができる。Ｃｕ−Ｎｉ合金中のＮｉの比率およびＣｕ−Ｍｎ合金中のＭｎの比率が１０重量％未満である場合、第１金属中のＳｎが全て金属間化合物とならずに残留しやすくなる。また、Ｃｕ−Ｎｉ合金中のＮｉの比率およびＣｕ−Ｍｎ合金中のＭｎの比率が１５重量％を超える場合も、第１金属中のＳｎが全て金属間化合物とならずに残留しやすくなる。
【００３４】
（金属間化合物）
ビア導体と導体層との接合部は、第１金属と第２金属との反応により生成する３００℃以上の融点を有する金属間化合物を含んでいる。金属間化合物は、Ｃｕ2ＮｉＳｎまたはＣｕ2ＭｎＳｎを含んでいることが好ましい。融点が３００℃以上であるこれらの金属間化合物で形成された接合部を含む配線基板は、耐熱性および耐衝撃性に優れたものとなる。
【００３５】
なお、第１金属と接した状態で加熱および加圧したときに、第２金属の表面に最初に生成する金属間化合物と第２金属との格子定数の差が、第２金属の格子定数に対して５０％以上となるような金属（合金を含む）であるＣｕ−Ｎｉ合金またはＣｕ−Ｍｎ合金である。
【００３６】
ここで、「第２金属の表面に最初に生成する金属間化合物」とは、加熱処理を開始してから最初に第２金属の表面に生成する金属間化合物であり、通常は、第１金属および第２金属を構成する金属からなる３元系合金（例えば、Ｃｕ2ＮｉＳｎ、Ｃｕ2ＭｎＳｎ）であり、好ましくは、Ｃｕ、ＮｉおよびＳｎからなる合金、または、Ｃｕ、ＭｎおよびＳｎからなる合金である。
【００３７】
「第２金属の表面に最初に生成する金属間化合物と第２金属との格子定数の差」とは、第２金属の表面に最初に生成する金属間化合物の格子定数（結晶軸の長さ）から第２金属成分の格子定数（結晶軸の長さ）を差し引いた値の絶対値である。すなわち、この格子定数の差は、第２金属との界面に新たに生成する金属間化合物の格子定数が、第２金属の格子定数に対してどれだけ差があるかを示すものであり、いずれの格子定数が大きいかを問わないものである。通常は、金属間化合物の格子定数の方が第２金属成分の格子定数よりも大きい。
【００３８】
このように第２金属の表面に最初に生成する金属間化合物の格子定数と第２金属の格子定数との差を一定以上とすることで、第１金属と第２金属との金属間化合物を生成する反応を高速化することが可能となり、比較的低温で短時間の熱処理により、金属間化合物を生成させることができるため、ビア導体と導体層の接合部に形成された低融点の第１金属が高融点の金属間化合物に短時間で変化し、耐熱性に優れたビア導体と導体層の接合部が形成される。本発明者らにより、第２金属の表面に最初に形成される金属間化合物と上記第２金属との格子定数の差が、上記第２金属の格子定数に対して５０％未満となるような、第１金属と第２金属を使用しても、このような効果を得ることができない。
【００３９】
本発明の配線基板は、ビア導体と導体層の第２金属層との接合部に強固な金属間化合物が形成されるため、高い接合信頼性を有する配線基板を得ることができる。また、ビア導体の主体は伸びが大きく柔らかい銅なので、熱や物理的変形に伴い発生する応力による破壊は、ビア導体全体が硬い金属間化合物で形成された場合よりも少ないという利点がある。
【００４０】
＜配線基板の製造方法＞
以下、上記配線基板の製造方法の実施形態について説明する。
【００４１】
（実施形態１）
本実施形態の製造方法は、
第１の導体層上に銅または銅合金からなるバンプを形成し、
該バンプの露出面の少なくとも一部に上記第１金属からなる第１金属層を形成し、
上記第１の導体層の上記第１金属層側に上記樹脂シートを積層し、
さらに、該樹脂シートの上記第１の導体層とは反対側に、表面の少なくとも一部に上記第２金属からなる第２金属層が形成された第２の導体層を、上記第１金属層と上記第２金属層とが対向するように積層し、
得られた積層体を加熱および加圧することを特徴とする。
【００４２】
図１（ａ）〜（ｃ）は、実施形態１の製造方法を説明するための模式図である。以下、図１を参照して、本実施形態の具体例について説明する。
【００４３】
まず、第１の導体層１ａ上に銅または銅合金からなるバンプ２を形成する。次に、このバンプ２の露出面の少なくとも一部（頭頂部）に上記第１金属からなる第１金属層５０を形成する。
【００４４】
次に、第１の導体層１ａの第１金属層５０側に樹脂シート３を積層する。さらに、別途用意しておいた表面の少なくとも一部（こここでは、全面）に上記第２金属からなる第２金属層４が形成された第２の導体層を、樹脂シート３の第１の導体層１ａとは反対側に、第１金属層５０と第２金属層４とが対向するように積層する（図１（ａ））。
【００４５】
得られた積層体を加熱および加圧することにより、バンプ２は樹脂シート３に埋入し、樹脂シート３を貫通して第１金属層５０が第２金属層４と接触する。これにより、バンプ２はビア導体となる。さらに、第１金属層５０と第２金属層４との接合部において、第１金属と第２金属から金属間化合物が生成され、第１金属層５０は金属間化合物層５１となる（図１（ｂ））。
【００４６】
熱処理（加熱）の温度は、少なくとも一定時間の間、２３０℃以上に達することが好ましい。２３０℃に達しない場合は第１金属中のＳｎ（融点：２３２℃）が溶融状態とならず、金属間化合物を生成することができない。また、熱処理の最高温度は、３００℃以下であることが好ましい。３００℃を超えると、樹脂シートを構成する樹脂が液晶ポリマー（ＬＣＰ）を含む場合は、樹脂が流れ出してしまうおそれがあるからである。なお、加圧の圧力が０Ｐａのとき、樹脂（ＬＣＰ）が流動を開始する温度は、樹脂の分子量にもよるが、約３１５℃である。
【００４７】
加圧の圧力は、好ましくは１〜１０ＭＰａである。また、加熱および加圧を行う時間は、好ましくは１分間〜１時間であり、より好ましくは２〜１５分間である。
【００４８】
さらに、第２の導体層１ｂおよび第２金属層４をパターニングすることで、両面に導体層を有する単層の樹脂シート（両面配線基板）が得られる（図１（ｃ））。
【００４９】
なお、バンプの露出面に第２金属層を形成し、第２の導体層の表面に第１金属層を形成しても、同様に上記金属間化合物を含む接合部を有する上記配線基板を得ることができる。
【００５０】
また、後述する実施例１（図２）のように、バンプを樹脂シートに貫通させた後に、バンプの露出面（頭頂部）に第１金属層を形成し、第２の導体層を積層しても良い。
【００５１】
ここで、第１の導体層および第２の導体層は、予めパターン形成されたものであってもよい。また、樹脂シートの片面または両面に形成された導体層であってもよく、多層基板（複数の樹脂シートを含む）の最表面に形成された導体層であってもよい。
【００５２】
本実施形態の製造方法によれば、該接合部における接合は、物理的な接触に依存しないので、過剰な圧力を加える必要が無く、樹脂シートを構成する樹脂の流動によるパターンの変形を生じずに配線基板を製造することができる。
【００５３】
また、本実施形態の製造方法によれば、両面に導体層を有し、該導体層間を導通するビア導体を内部に有する樹脂シート（両面配線基板）を作成できる。この両面配線基板はその外層に単層配線シートを積層して多層化することにより、多層板を形成することができる。導電ペーストを開孔に充填してビア導体を形成する従来の方法では、通常、片面に導体層を有する樹脂シート（単層配線シート）を、樹脂（面）同士を貼り合わせた層を形成することにより、両面に導体層を有する基板構造を得る。このように樹脂シート２枚を用いる場合に比較して、薄型化と製造コストの低減が可能である。
【００５４】
さらに、本実施形態の製造方法によれば、樹脂シートに開孔を形成するための別途の加工（レーザー加工等）が不要であり、特にビアの数が多い場合は、製造コストの低減が可能である。
【００５５】
（実施形態２）
本実施形態の製造方法は、
片面に第１の導体層が形成された樹脂シートに開孔を形成し、
該開孔内に銅または銅合金のフィルドめっきによりビア導体を形成し、
該ビア導体の露出面の少なくとも一部に上記第１金属からなる第１金属層を形成し、
さらに、該樹脂シートの上記第１の導体層とは反対側に、表面の少なくとも一部に上記第２金属からなる第２金属層が形成された第２の導体層を、上記第１金属層と上記第２金属層が接するように積層し、
得られた積層体を加熱および加圧することを特徴とする。
【００５６】
なお、ビア導体の露出面に第２金属層を形成し、導体層の表面に第１金属層を形成しても良い。
【００５７】
第１の導体層は、予めパターン形成されたものでもよい。また、第２の導体層は、異なる樹脂シートの片面または両面に形成された導体層であってもよく、多層基板（複数の樹脂シートを含む）の最表面に形成された導体層であってもよい。
【００５８】
本実施形態の製造方法によれば、該接合部における接合は、物理的な接触に依存しないので、過剰な圧力を加える必要が無く、樹脂シートを構成する樹脂の流動によるパターンの変形を生じずに配線基板を製造することができる。
【００５９】
本実施形態の製造方法によれば、従来のレーザー加工と、メッキを使用した基板製造技術の工程を流用して、配線基板を作成することができる。
【００６０】
また、本実施形態の製造方法においては、フィルム貫通工程が無く、バンプ頂点への樹脂残留やバンプの貫通不良が生じないので、ケミカルエッチングやプラズマエッチングによる余剰樹脂の排除が不要である。
【実施例】
【００６１】
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００６２】
（実施例１）
本実施例は、実施形態１において、バンプを樹脂シートに貫通させた後に、バンプの露出面（頭頂部）に第１金属層を形成し、第２の導体層を積層する方法についての具体例である。以下、図２を参照して、本実施例について説明する。
【００６３】
（１）  第１の導体層１ａおよびバンプ２の材料として、厚さ５０μｍの銅層／厚さ１μｍのニッケル層／厚さ１８μｍの銅層からなる三層クラッド材を使用した。まず、この三層クラッド材の厚さ５０μｍの銅層側に、バンプ形成部のみエッチングレジストを形成し、銅を塩化第二鉄でエッチングして高さ５０μｍの銅のバンプ２を形成した後、選択性ニッケルエッチング液でニッケルをエッチングし、厚さ１８μｍの銅層からなる第１の導体層１ａを形成した（図２（ａ））。
【００６４】
（２）  樹脂シート３として、ＬＣＰ（液晶ポリマー）フィルム（５０μｍ厚）を使用した。バンプ２の頭頂部が樹脂シート３に接するように配置し、樹脂シート３の反対面に耐熱性クッション材を配置して、真空プレス装置で２７０℃、３ＭＰａ、２分間のプレス条件で加熱および加圧することにより、バンプ２が樹脂シート３に埋入させ、樹脂シート３を貫通させた（図２（ｂ））。なお、バンプ２の頭頂部が確実に露出するように、樹脂シート側の表面にＡｒプラズマ処理を行った。その後、露出したバンプ２の頭頂部にＳｎめっきを施し、第１金属層（Ｓｎめっき層）５０を０．５μｍの厚さで形成した。
【００６５】
なお、本実施例では、ビア導体７２の形成パターンは、ビアピッチ２ｍｍ、ビア径１００μｍ（トップ）、ランド径３００μｍ、配線幅５０μｍ、１０×１０穴のデイジーチェーン（図６（ａ））とした。図６（ａ）において、ビア導体９２は、ランド９３および配線９１で電気的に接続されており、ランド９３および配線９１は、第２の導体層１ｂ（第２金属層４を含む）と、第１の導体層１ａとから構成される。なお、図６（ａ）は、あくまでもデイジーチェーンの概念図であり、パターンの一列の一部分のみを抜き出したものである。
【００６６】
（３）  別途、第２の導体層１ｂ（厚さ１８μｍの電解銅箔）のＭ面に、めっきで第２金属層（Ｃｕ−Ｎｉ層）４を０．５μｍ厚で形成したものを準備した。これを、第２金属層４が樹脂シート３および第１金属層２と接するように配置し（図２（ｃ））、真空プレス装置でプレス条件２８０℃、６ＭＰａ、１０分間で加熱および加圧することで、バンプ２はビア導体となり、第１金属層５０と第２金属層４との接合部において、第１金属と第２金属から金属間化合物が生成され、第１金属層５０は金属間化合物層５１となる（図２（ｄ））。
【００６７】
（４）  さらに、サブトラクティブ法で第２の導体層１ｂおよび第２金属層４と、第１の導体層１ａをパターニングすることで、両面に導体層を有するデイジーチェーンのテスト基板を得た（図２（ｅ））。
【００６８】
（５）  このテスト基板について導通検査を行ったところ、良好な導通を有していた。
（６）  また、このテスト基板について、３０分間−６５℃に維持し、３０分間＋１２０℃に維持する操作を１０００サイクル繰り返す冷熱衝撃試験を行ったところ、抵抗の増加は見られなかった。
【００６９】
（実施例２）
本実施例は、上記実施形態２についての具体例である。以下、図３〜図６を参照して説明する。
【００７０】
まず、多層配線基板を構成するための各単層配線シートの作製について説明する。図３は、外層となる単層配線シートの作製工程を示している。また、図４は、中間層となる単層配線シートの作製工程を示しており、第２金属層４が形成されている点のみが図３と異なるため、図３と重複する工程については説明を省略する。
【００７１】
（１）  まず、片面に導体層１ａとして電解銅箔（１８μｍ厚）が形成された樹脂シート３（ＬＣＰフィルム：５０μｍ厚）を用意した。この樹脂シート３側の全面に、保護フィルム６（微粘着ＰＥＴフィルム）をラミネートした（図３（ａ）。該保護フィルム側からＣＯ２レーザーを照射することにより、導体層１ａと樹脂シート３の界面まで達する開孔７０を形成した（図３（ｂ））。
【００７２】
なお、中間層となる単層配線シートについては、さらに、導体層１ａの表面（樹脂シート３とは反対側）に、第２金属層４（Ｃｕ−Ｎｉめっき層）が０．５μｍ厚で形成されている（図４（ａ）、（ｂ））。
【００７３】
（２）  開孔７０の内壁面に、０．１μｍ厚で無電解銅めっきを行い、シード層（無電解Ｃｕ層）７１を形成した後、保護フィルム６を剥離した（図３（ｃ））。さらに、電解めっきにて銅のフィルドビア（ビア導体７２）を形成した（図３（ｄ））。銅のフィルドビア形成には、一般的にアディティブ法によるパターン形成に用いられているめっき液と条件を使用した。
【００７４】
なお、本実施例では、ビア導体７２の形成パターンは、ビアピッチ２ｍｍ、ビア径１００μｍ（トップ）、ランド径３００μｍ、配線幅５０μｍ、１０×１０穴のデイジーチェーン（図６（ｂ））とした。図６（ｂ）において、ビア導体９２は、ランド９３および配線９１で電気的に接続されており、ランド９３および配線９１は、第２の導体層１ｂ（第２金属層４を含む）と、第１の導体層１ａとから構成される。なお、配線９１は最外層のみに形成し、中間層はビア導体９２に対応する位置にランド９３のみを形成している。なお、図６（ｂ）は、あくまでもデイジーチェーンの概念図であり、パターンの一列の一部分のみを抜き出したものである。
【００７５】
（３）  このビア導体７２の露出面にＳｎめっきを施し、第１金属層５０（Ｓｎめっき層）を０．５μｍの厚さで形成した（図３（ｅ））。
【００７６】
なお、中間層となる単層配線シートについては、さらに、導体層１ａおよび第２金属層４のパターニングを行った（図４（ｆ））。具体的には、ランドのパターンにエッチングレジストを形成し、塩化第二鉄で不要な銅箔をエッチングしてランドを形成した後、レジストを剥離した。
【００７７】
（４）  次に、図５を参照して、各単層配線シートから多層配線基板を作製する方法について説明する。
【００７８】
導体層１ｂ（銅箔）のＭ面にめっきで第２金属層４（Ｃｕ−Ｎｉ層）を０．５μｍ厚で形成されたものを準備した。これを、導体層１ｂの第２金属層４側が、中間層用の単層配線シート（図４（ｆ））のビア導体７２の表面に形成された第１金属層５０に接するように配置した。さらに、外層用の単層配線シート（図３（ｅ））を、外層用の単層配線シートの第１金属層５０が中間層用の単層配線シートのランド上の第２金属層４に接するように配置した（図５（ａ））。この状態で、真空プレス装置を用いて、プレス条件２８０℃、６ＭＰａで、１０分間の加熱および加圧を行った（図５（ｂ））。さらに、導体層１ｂ（第２金属層４を含む）をパターニングしたデイジーチェーンの多層テスト基板を得た（図５（ｃ））。
【００７９】
（５）  このテスト基板について導通検査を行ったところ、良好な導通を有していた。
（６）  このテスト基板について、３０分間−６５℃に維持し、３０分間＋１２０℃に維持する操作を１０００サイクル繰り返す冷熱衝撃試験を行ったところ、抵抗の増加は見られなかった。
【００８０】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００８１】
１ａ  第１の導体層、１ｂ  第２の導体層、２  バンプ（ビア導体）、３  樹脂シート、４  第２金属層（Ｃｕ−Ｎｉ層）、５０  第１金属層（Ｓｎ層）、５１  金属間化合物層（Ｓｎ／Ｃｕ−Ｎｉ合金層）、６  保護フィルム、７０  開孔、７１  シード層（無電解Ｃｕ層）、７２  ビア導体（Ｃｕフィルドめっきビア）、７３  導電性ペースト、９１  銅配線、９２  ビア、９３  パッド。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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