(57)【要約】【課題】応力を緩和して絶縁基板の割れを抑制するとともに絶縁基板が割れても絶縁基板の破片が飛び散ることを防止することができる半導体装置を提供する。【解決手段】セラミック基板２０の一方の面に第１の配線層３１、第２の配線層３２が固定され、セラミック基板２０の他方の面に応力緩和層５０が固定されている。応力緩和層５０におけるセラミック基板２０が固定される面とは反対の面に冷却器６０が固定されている。第１の配線層３１および第２の配線層３２に半導体素子４０，４１が電気的に接合されている。セラミック基板２０には、第１の配線層３１と第２の配線層３２との間において他の部分よりも剛性が低い低剛性部２６を有し、少なくとも低剛性部２６が樹脂７０でモールドされている。【選択図】図１
2014093365.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の一方の面に固定された第１の配線層と、
前記絶縁基板の一方の面の前記第１の配線層とは異なる領域に固定された第２の配線層と、
前記絶縁基板の他方の面に固定された応力緩和層と、
前記応力緩和層における前記絶縁基板が固定される面とは反対の面に固定される放熱部材と、
前記第１の配線層および前記第２の配線層に電気的に接合される半導体素子と、
を有する半導体装置であって、
前記絶縁基板は、前記第１の配線層と前記第２の配線層との間において他の部分よりも剛性が低い低剛性部を有し、
少なくとも前記低剛性部が樹脂でモールドされることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記絶縁基板における前記低剛性部は、前記絶縁基板の少なくとも一方の面が開口するように開口部を形成した部位であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記低剛性部は前記絶縁基板に溝を形成した部位であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記低剛性部は前記絶縁基板に複数の貫通孔を形成した部位であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記溝は、断面角形であることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記溝は、断面Ｖ字であることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記溝は応力緩和層側に形成されることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記応力緩和層の絶縁基板側には開口部が形成され、前記溝は前記開口部に沿って形成されることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記応力緩和層は、前記第１の配線層に対応する第１の応力緩和層と、前記第２の配線層に対応する第２の応力緩和層とからなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に開示の電力用半導体モジュールにおいては、複数の電力用半導体素子を１枚の絶縁基板に接合し、さらに絶縁基板をベースプレートに接合して積層した電力用半導体モジュールにおいて、絶縁基板を複数枚に分割するための溝を絶縁基板に形成し、溝により分割される絶縁基板ごとに少なくとも１個の電力用半導体素子を配置している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−１１８９８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、熱変形に伴い絶縁基板に応力が加わり絶縁基板が割れてしまったときにその破片が飛び散ってしまう。
この発明の目的は、応力を緩和して絶縁基板の割れを抑制するとともに絶縁基板が割れても絶縁基板の破片が飛び散ることを防止することができる半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１に記載の発明では、絶縁基板と、前記絶縁基板の一方の面に固定された第１の配線層と、前記絶縁基板の一方の面の前記第１の配線層とは異なる領域に固定された第２の配線層と、前記絶縁基板の他方の面に固定された応力緩和層と、前記応力緩和層における前記絶縁基板が固定される面とは反対の面に固定される放熱部材と、前記第１の配線層および前記第２の配線層に電気的に接合される半導体素子と、を有する半導体装置であって、前記絶縁基板は、前記第１の配線層と前記第２の配線層との間において他の部分よりも剛性が低い低剛性部を有し、少なくとも前記低剛性部が樹脂でモールドされることを要旨とする。
【０００６】
請求項１に記載の発明によれば、絶縁基板と放熱部材の間には応力緩和層が介在されているので、応力を緩和して絶縁基板の割れを抑制することができる。また、絶縁基板は、第１の配線層と第２の配線層との間において他の部分よりも剛性が低い低剛性部を有し、少なくとも低剛性部が樹脂でモールドされているので、絶縁基板が割れても絶縁基板の破片が飛び散ることを防止することができる。
【０００７】
請求項２に記載のように、請求項１に記載の半導体装置において、前記絶縁基板における前記低剛性部は、前記絶縁基板の少なくとも一方の面が開口するように開口部を形成した部位であるとよい。
【０００８】
請求項３に記載の発明では、請求項１または２に記載の半導体装置において、前記低剛性部は前記絶縁基板に溝を形成した部位であることを要旨とする。
請求項３に記載の発明によれば、溝に沿って割れやすい。
【０００９】
請求項４に記載の発明では、請求項１または２に記載の半導体装置において、前記低剛性部は前記絶縁基板に複数の貫通孔を形成した部位であることを要旨とする。
請求項４に記載の発明によれば、複数の貫通孔に沿って割れやすい。
【００１０】
請求項５に記載のように、請求項３に記載の半導体装置において、前記溝は、断面角形であってもよい。
請求項６に記載の発明では、請求項３に記載の半導体装置において、前記溝は、断面Ｖ字であることを要旨とする。
【００１１】
請求項６に記載の発明によれば、溝の断面がＶ字なので絶縁基板の割れる位置を特定しやすい。
請求項７に記載の発明では、請求項３に記載の半導体装置において、前記溝は応力緩和層側に形成されることを要旨とする。
【００１２】
請求項７に記載の発明によれば、溝によって応力緩和空間を形成することができる。
請求項８に記載の発明では、請求項３に記載の半導体装置において、前記応力緩和層の絶縁基板側には開口部が形成され、前記溝は前記開口部に沿って形成されることを要旨とする。
【００１３】
請求項８に記載の発明によれば、溝の空間と応力緩和層の開口部によって形成される空間とによって応力緩和空間を形成することができる。
請求項９に記載のように、請求項１に記載の半導体装置において、前記応力緩和層は、前記第１の配線層に対応する第１の応力緩和層と、前記第２の配線層に対応する第２の応力緩和層とからなる場合に適用するとよい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、応力を緩和して絶縁基板の割れを抑制するとともに絶縁基板が割れても絶縁基板の破片が飛び散ることを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施形態のパワーモジュールの縦断面図。
【図２】（ａ）はモールド樹脂を除くパワーモジュールの平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線での縦断面図。
【図３】（ａ）はモールド樹脂および冷却器を除くパワーモジュールの平面図、（ｂ）はパワーモジュールの正面図、（ｃ）はパワーモジュールの下面図、（ｄ）は（ａ）のＢ−Ｂ線での縦断面図。
【図４】（ａ）は作用説明のためのパワーモジュールの平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線での縦断面図。
【図５】（ａ）は比較のためのパワーモジュールの平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線での縦断面図。
【図６】（ａ）は別例におけるモールド樹脂および冷却器を除くパワーモジュールの平面図、（ｂ）はパワーモジュールの正面図、（ｃ）はパワーモジュールの下面図、（ｄ）は（ａ）のＢ−Ｂ線での縦断面図。
【図７】（ａ）は別例におけるモールド樹脂および冷却器を除くパワーモジュールの平面図、（ｂ）はパワーモジュールの正面図、（ｃ）はパワーモジュールの下面図、（ｄ）は（ａ）のＢ−Ｂ線での縦断面図。
【図８】（ａ），（ｂ），（ｃ）は別例のセラミック基板の一部縦断面図。
【図９】（ａ），（ｂ）は別例の応力緩和層の一部縦断面図。
【図１０】（ａ）は別例のモールド樹脂および冷却器を除くパワーモジュールの平面図、（ｂ）はパワーモジュールの正面図、（ｃ）はパワーモジュールの下面図、（ｄ）は（ａ）のＢ−Ｂ線での縦断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図面に従って説明する。
本実施形態においては、車両に搭載されて使用されるパワーモジュールに具体化している。特に、ハイブリッド車における走行モータ駆動用のインバータを構成するパワーモジュールに適用している。このインバータは複数の半導体スイッチング素子を具備し、これら半導体スイッチング素子でアームを構成している。
【００１７】
図１，２に示すように、半導体装置としてのパワーモジュール１０は、絶縁基板としてのセラミック基板２０と、金属層よりなる配線層３０（３１，３２）と、半導体素子４０，４１，４２，４３と、金属層よりなる応力緩和層５０（５１，５２）と、放熱部材としての冷却器６０と、モールド樹脂７０を有する。
【００１８】
図２に示すように、半導体素子４０，４１は、ＩＧＢＴまたはＭＯＳＦＥＴである。半導体素子４２，４３はダイオードであって、スイッチング素子としての半導体素子４０，４１に対し逆並列接続されて使用される。半導体素子（スイッチング素子）４０および半導体素子（ダイオード）４２がインバータの上アームを構成している。半導体素子（スイッチング素子）４１および半導体素子（ダイオード）４３がインバータの下アームを構成している。パワー素子である半導体素子４０，４１，４２，４３は駆動時（通電時）に発熱する。
【００１９】
図２，３に示すように、セラミック基板２０は長方形状をなしており、水平に配置される。配線層３０は第１の配線層３１と第２の配線層３２からなる。第１の配線層３１と第２の配線層３２は長方形状をなす。第１の配線層３１はセラミック基板２０の一方の面である上面に固定され、第２の配線層３２はセラミック基板２０の一方の面である上面の第１の配線層３１とは異なる領域に固定されている。第１の配線層３１と第２の配線層３２とは、端面同士が一定距離Ｌ１だけ離間して配置されている。このように、配線層３０は、セラミック基板２０の表面において第１の配線層３１と第２の配線層３２とに分割した状態で接合されている。
【００２０】
発熱体としての半導体素子（半導体チップ）４０，４１，４２，４３は、第１の配線層３１および第２の配線層３２に電気的に接合される。詳しくは、半導体素子４０，４１，４２，４３は、分割された配線層３１，３２にそれぞれ接合されている。つまり、半導体素子４０，４２は、第１の配線層３１に接合される。また、半導体素子４１，４３は、第２の配線層３２に接合される。
【００２１】
応力緩和層（緩衝層）５０は、セラミック基板２０の他方の面である下面に固定されている。応力緩和層５０は第１の応力緩和層５１と第２の応力緩和層５２からなる。第１の応力緩和層５１と第２の応力緩和層５２は長方形状をなしている。第１の応力緩和層５１は、セラミック基板２０の裏面において第１の配線層３１と対応する位置、即ち、真下に接合されている。第２の応力緩和層５２は、セラミック基板２０の裏面において第２の配線層３２と対応する位置、即ち、真下に接合されている。つまり、応力緩和層５０は、第１の配線層３１に対応する第１の応力緩和層５１と、第２の配線層３２に対応する第２の応力緩和層５２とからなる。第１の配線層３１と第１の応力緩和層５１は同一面積であるとともに平面視において重なるように配置されている。また、第２の配線層３２と第２の応力緩和層５２は同一面積であるとともに平面視において重なるように配置されている。このように、応力緩和層５０（５１，５２）は、セラミック基板２０の裏面において配線層３１，３２と対応する位置に分割した状態で接合されている。
【００２２】
冷却器６０は、応力緩和層５０（分割した各応力緩和層５１，５２）に接合されている。つまり、冷却器６０は、応力緩和層５０におけるセラミック基板２０が固定される面とは反対の面に固定される。
【００２３】
セラミック基板２０は、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）等により形成されている。また、配線層３０（３１，３２）および応力緩和層５０（５１，５２）は、アルミニウムよりなる。特に、応力緩和層５０（５１，５２）は、４Ｎ−Ａｌ（純度９９．９９ｗｔ％以上）を用いることができる。
【００２４】
冷却器６０は扁平中空状をなし、放熱性のよい金属、具体的には、アルミニウムにより形成されている。冷却器６０の内部において複数の冷却水通路６１が並列状に設けられている。冷却水通路６１に冷却水が流れる。冷却水通路６１は、図示しない入口部および出口部を備え、入口部および出口部は、車両に装備された冷却水循環路に連結可能に形成されている。
【００２５】
図２に示すように、冷却器６０の上面において、配線層３０（３１，３２）および応力緩和層５０（５１，５２）を形成したセラミック基板２０が配置され、配線層３０（３１，３２）および応力緩和層５０（５１，５２）を形成したセラミック基板２０と冷却器６０とが直接ロウ付けされている。これにより、冷却器６０はセラミック基板２０を介して半導体素子４０，４１，４２，４３と熱的に結合しており、半導体素子４０，４１，４２，４３の発する熱はセラミック基板２０を介して冷却器６０に逃がされる。
【００２６】
セラミック基板２０における配線層３０（３１，３２）および応力緩和層５０（５１，５２）の分割部に溝２５が設けられている。溝２５は、断面Ｖ字状をなす。溝２５は、セラミック基板２０を横断するように延設されており、セラミック基板２０の側面２０ａ，２０ｂにおいて開口している。セラミック基板２０における溝２５により薄くなっている部位が他の部分よりも剛性が低い低剛性部２６となっている。つまり、絶縁基板としてのセラミック基板２０は、第１の配線層３１と第２の配線層３２との間において他の部分よりも剛性が低い低剛性部２６を有し、詳しくは、セラミック基板２０における低剛性部２６は、断面Ｖ字の溝２５を形成した部位である。
【００２７】
図１に示すように、モールド樹脂７０は、冷却器６０の上面に配したセラミック基板２０、配線層３０（３１，３２）、半導体素子４０，４１，４２，４３、応力緩和層５０（５１，５２）を封止している。詳しくは、樹脂７０によりセラミック基板２０におけるＶ字溝２５の開口部を含めて封止しており、少なくとも、セラミック基板２０における低剛性部２６（Ｖ字溝２５の形成領域）を樹脂７０でモールドしている。
【００２８】
次に、このように構成したパワーモジュール１０の作用について説明する。
図２，３に示すように、セラミック基板２０において、複数の半導体素子４０，４１，４２，４３が搭載される配線層３０（３１，３２）および応力緩和層５０（５１，５２）の分割部に溝２５が形成されている。
【００２９】
そして、インバータの駆動により半導体素子４０，４１，４２，４３が発熱し、その熱は配線層３１，３２、セラミック基板２０、応力緩和層５１，５２を通して冷却器６０に伝わり、冷却器６０において冷却水と熱交換される。これにより、半導体素子４０，４１，４２，４３の熱は放熱される。
【００３０】
ここで、冷却器６０の熱膨張係数とセラミック基板２０の熱膨張係数の差に起因して図３（ｂ），（ｄ）において一点鎖線で示すようにセラミック基板２０には上に凸となるような反りが発生する。この際、セラミック基板２０と冷却器６０の間に介在された応力緩和層５０により応力が緩和される。よって、セラミック基板２０の割れを抑制することができる。
【００３１】
セラミック基板２０に加わる応力がセラミック基板２０の強度以下だった場合は、セラミック基板２０にはクラックが発生しない。よって、図２（ｂ）に示すように、配線層３１，３２間で、断面Ｖ字の溝２５に沿った絶縁距離（沿面距離）Ｌ２を確保することができる。
【００３２】
一方、セラミック基板２０に加わる応力がセラミック基板２０の強度以上であると、図４に示すように、セラミック基板２０における断面Ｖ字の溝２５により薄くなっている低剛性部２６においてクラックＣｒ１が発生してセラミック基板２０が割れる。このとき、セラミック基板２０は溝２５に沿って割れる。このとき、溝２５は断面Ｖ字状をなすのでセラミック基板２０の割れる位置を特定しやすく、また、溝２５はセラミック基板２０の側面２０ａ，２０ｂに開口しているのでセラミック基板２０の割れる位置を特定しやすい。
【００３３】
熱変形により冷却器６０からセラミック基板２０に応力がかかった時、図５に示すように、割れの起点が点Ｐ１であると、半導体素子４０，４１，４２，４３および配線層３０（３１，３２）の下までクラックＣｒ２が発生し、セラミック基板２０が割れた後において半導体素子４０，４１，４２，４３に反り応力が加わることになる。その結果、例えば、半導体素子（チップ）４０，４１，４２，４３にクラックが発生する等の可能性がある。また、配線層３２と応力緩和層５２との間の沿面距離がセラミック基板２０の厚さ分のＬ１０となり、絶縁性が低下する。
【００３４】
本実施形態においては、図４に示すように、セラミック基板２０の割れの起点が線であり、線に沿って割れ（クラックＣｒ１）が発生する。このように、熱変形により応力緩和層５０（分割した応力緩和層５１，５２）からセラミック基板２０が応力を受けると、溝２５を起点としてセラミック基板２０にクラックＣｒ１が発生して割れる。この割れは半導体素子４０，４１，４２，４３および配線層３０（３１，３２）が存在しない部位に生じ、半導体素子に反りが加わりにくい（クラックにより半導体素子に反りが加わってしまうことを回避することができる）。また、配線層３２と応力緩和層５２との間の絶縁距離（沿面距離）Ｌ３は、少なくともセラミック基板２０の厚さ分を含むことになる。よって、セラミック基板２０は、溝２５に沿って割れるため、セラミック基板２０の厚さ分も含めて絶縁距離を確保できる。
【００３５】
このようにして、配線層３１，３２および応力緩和層５１，５２の分割部のセラミック基板２０に溝２５をつけることで、配線層３１，３２間の距離により絶縁性を保つことができる。仮に、セラミック基板２０の強度以上の応力がかかった時に、溝２５に沿ってセラミック基板２０が割れるため絶縁距離を保つことができ、絶縁性能に影響が出ない。
【００３６】
また、完全に分離した複数のセラミック基板を使用するのに対し、部品点数が減り、組み立ての工程が簡素化できる。さらに、複数のセラミック基板を配置すると、必要になる間のスペースを省略することで、小型化が可能となる。
【００３７】
また、セラミック基板２０と配線層３０（３１，３２）と半導体素子４０，４１，４２，４３と応力緩和層５０（５１，４２）とはモールド樹脂７０で封止されている。樹脂７０でモールドした構造とすることにより、モールド樹脂７０によりセラミック基板２０の変形が抑えられる。また、セラミック基板２０における低剛性部２６（断面Ｖ字の溝２５を形成した部位）が樹脂７０でモールドされていることによりセラミック基板２０が割れた際の破片が飛ばずに半導体素子４０，４１，４２，４３に傷がつきにくくすることができる（半導体素子に当たって傷つけることを防止することができる）。また、半導体素子以外の部品についても、例えば、破片のネジ孔等への入り込みを防止することができたり、絶縁膜を傷つけることを防止することができる。また、樹脂７０がＶ字状の溝２５に入り込むことにより樹脂７０とセラミック基板２０の密着性がよく、強固に固定できる。
【００３８】
上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）セラミック基板２０と冷却器６０の間には応力緩和層５０が介在されているので、応力を緩和してセラミック基板２０の割れを抑制することができる。また、セラミック基板２０は、第１の配線層３１と第２の配線層３２との間において他の部分よりも剛性が低い低剛性部２６を有し、少なくとも低剛性部２６が樹脂７０でモールドされているので、セラミック基板２０が割れてもセラミック基板２０の破片が飛び散ることを防止することができる。
【００３９】
（２）セラミック基板２０における低剛性部２６は溝２５を形成した部位であり、配線層３１，３２および応力緩和層５１，５２の分割部のセラミック基板２０に溝２５をつけることで、セラミック基板２０に応力がかかったときに溝２５に沿ってセラミック基板２０が割れる。そのため、絶縁性能に影響が出ない。
【００４０】
このようにして、低剛性部は絶縁基板としてのセラミック基板２０に溝２５を形成した部位であると、溝２５に沿って割れやすい。
（３）溝２５は、断面Ｖ字状をなすので、セラミック基板の割れる位置を特定しやすい。また、樹脂７０がＶ字状の溝２５に入り込むことにより密着性がよく、強固に固定できる。
【００４１】
このように、溝２５は断面Ｖ字であり、溝２５の断面がＶ字なので絶縁基板（セラミック基板）の割れる位置を特定しやすい。
（４）溝２５は、セラミック基板２０の側面２０ａ，２０ｂに開口しているので、セラミック基板２０の割れる位置を特定しやすい。
【００４２】
実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
・図６に示すように、セラミック基板２０において溝（Ｖ字溝）８０は非連続に延設されていてもよい。つまり、セラミック基板２０における低剛性部２６は非連続である。このように低剛性部２６（溝８０）は、非連続状態で分割部に延びていてもよい。
【００４３】
・図６に代わり、図７に示すように、セラミック基板２０において貫通孔８１を用いてもよい（貫通孔８１はセラミック基板２０の表裏を貫通している）。この場合、セラミック基板２０における非連続の貫通孔８１，８１間が低剛性部２６である。
【００４４】
このように、絶縁基板としてのセラミック基板２０における低剛性部は、セラミック基板２０の少なくとも一方の面が開口するように開口部を形成した部位であってもよい。また、低剛性部は絶縁基板としてのセラミック基板２０に複数の貫通孔８１を形成した部位であると、複数の貫通孔８１に沿って割れやすい。
【００４５】
・セラミック基板２０において溝の構成として、図８（ａ）に示すように、溝８２はセラミック基板２０の下面に開口していてもよい。つまり、溝８２は応力緩和層側に形成されると、溝８２によって応力緩和空間を形成することができる。図８（ｂ）に示すように、溝は、セラミック基板２０の上面に開口するＶ字溝８３ａと下面に開口するＶ字溝８３ｂで構成してもよい。図８（ｃ）に示すように、溝８４は断面角形であってもよく、溝の数、断面形状および上面視形状は問わない。図８（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すように、セラミック基板２０における低剛性部２６を形成するための溝は、セラミック基板２０の少なくとも一面に設けられる。
【００４６】
・応力緩和層の構成として、図９（ａ）に示すように応力緩和層５５は金属層に凹部５６を形成して構成してもよい。ここで、応力緩和層５５は金属層における凹部５６の反対側の面にも形成して構成してもよい。図９（ｂ）に示すように応力緩和層５５は金属層に貫通孔５７を形成して構成してもよい。即ち、応力緩和層５５は金属層における少なくとも一面に開口部を形成して構成すればよい。
【００４７】
・図１０に示すように、１つの応力緩和層５３に溝（凹部）５８が延設され、応力緩和層５３の溝５８とセラミック基板２０の溝８５とが対向する構成としてもよい。即ち、応力緩和層５３は、溝５８が形成され、セラミック基板２０における低剛性部８６は、溝５８の開口部に沿って形成される。このように、応力緩和層５３のセラミック基板２０側には開口部を構成する溝５８が形成され、溝８５は開口部（溝５８）に沿って形成されると、溝８５の空間と応力緩和層の開口部（溝５８）によって形成される空間とによって応力緩和空間を形成することができる。広義には、応力緩和層５３は、溝５８または貫通孔が形成され、セラミック基板２０における低剛性部８６は、溝５８または貫通孔の開口部に沿って形成される。この構成によって、溝５８と溝８５とで形成された空間によって応力を緩和することができる。また、セラミック基板２０の破片を応力緩和層の溝５８で集めることができる。この場合、溝５８と溝８５とで形成された空間によって応力を緩和したが、溝５８が応力緩和層５３側に形成されていれば溝５８の空間によって応力を緩和することができる。
【００４８】
・放熱部材は水冷式の冷却器６０を用いたが、空冷式の冷却部材（ヒートシンク）でもよい。
・モールド樹脂７０は、冷却器６０の上面に配したセラミック基板２０、配線層３０（３１，３２）、半導体素子４０，４１，４２，４３、応力緩和層５０（５１，５２）を封止したが、少なくとも、セラミック基板２０における低剛性部２６（Ｖ字溝２５の形成領域）をモールドしていればよい。
【符号の説明】
【００４９】
１０…パワーモジュール、２０…セラミック基板、２５…溝、２６…低剛性部、３０…配線層、３１…第１の配線層、３２…第２の配線層、４０…半導体素子、４１…半導体素子、４２…半導体素子、４３…半導体素子、５０…応力緩和層、５１…第１の応力緩和層、５２…第２の応力緩和層、５３…応力緩和層、５８…溝、６０…冷却器、７０…樹脂、８１…貫通孔、８２…溝、８４…溝、８５…溝、８６…低剛性部。
【図１】
2014093365.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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