(57)【要約】【課題】ターゲット支持基板の冷却を可能とする放射線透過型ターゲットを提供する。【解決手段】支持基板１５上にターゲット金属１４を有する放射線透過型ターゲットであって、支持基板１５のターゲット金属１４を有する面とは反対側の面に放熱層１６を有し、放熱層１６は、支持基板１５に含まれる元素と同一の元素を含み、輻射率が支持基板１５より大きく、かつ軽元素からなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上にターゲット金属を有する放射線透過型ターゲットであって、前記支持基板の前記ターゲット金属を有する面とは反対側の面に放熱層を有し、前記放熱層は、前記支持基板に含まれる元素と同一の元素を含み、輻射率が支持基板より大きく、かつ軽元素からなることを特徴とする放射線透過型ターゲット。
【請求項２】
前記支持基板は、ダイヤモンド、炭化シリコンまたは窒化アルミニウムからなることを特徴とする請求項１に記載の放射線透過型ターゲット。
【請求項３】
前記支持基板に含まれる元素と同一の元素は炭素であることを特徴とする請求項１または２に記載の放射線透過型ターゲット。
【請求項４】
前記放熱層は、グラファイトまたはダイヤモンドライクカーボンからなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の放射線透過型ターゲット。
【請求項５】
前記支持基板はダイヤモンドからなり、前記放熱層はグラファイトからなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の放射線透過型ターゲット。
【請求項６】
前記放熱層は、気相成長法により形成された層又は前記支持基板の加熱により形成された層であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の放射線透過型ターゲット。
【請求項７】
前記放熱層は、ダイヤモンド基板の結晶構造を変化させて形成された層であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の放射線透過型ターゲット。
【請求項８】
陰極と陽極を備えて内部が密閉された外囲器と、
前記外囲器内に配置された電子放出源と、
前記電子放出源から放出された電子の照射により放射線を発生させるターゲット金属を有するターゲットと、を有する放射線発生管であって、
前記ターゲットが、ターゲット金属が電子放出源と対向するように配置された、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の放射線透過型ターゲットであることを特徴とする放射線発生管。
【請求項９】
前記陽極が回転陽極であることを特徴とする請求項８に記載の放射線発生管。
【請求項１０】
請求項８または９に記載の放射線発生管を収納容器の中に収容し、放射線発生管の透過窓から出射された放射線を、前記収納容器に設けられた放出窓から放出する放射線発生ユニットと、該放射線発生ユニットの放出窓から放出される放射線の照射野の広さを調整する可動絞りユニットと、を備えたことを特徴とする放射線発生装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の放射線発生装置と、前記放射線発生装置から放出され、被検体を透過した放射線を検出する放射線検出装置と、前記放射線発生装置と前記放射線検出装置とを連携制御する制御装置とを備えることを特徴とする放射線撮影システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、医療機器分野における診断応用や産業機器分野における非破壊Ｘ線撮影等に適用できる放射線透過型ターゲット、放射線発生管、放射線発生装置及び放射線撮影システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線発生管は電子放出源から放出される電子を高電圧で加速し、タングステン等の金属で構成されるターゲットに照射してＸ線等の放射線を発生させる。
【０００３】
Ｘ線撮影に好適な放射線を発生させるためには、電子放出源とターゲット間に４０ｋＶ〜１５０ｋＶの高電圧を印加して、管電流と呼ぶ加速した電子流としての高エネルギーの電子線をターゲットに照射する必要がある。しかし、一般的に放射線の発生効率は極めて悪く、消費電力の９９％程度はターゲットにおいて熱となる。この発生した熱によりターゲットは高温になるため、ターゲットの熱損傷を防ぐ手段が必要となる。
【０００４】
ターゲットの熱損傷を防ぐ手段として、特許文献１には、電子ビームが照射されるターゲットの表面又は裏面に接する様に熱伝導性が良い放熱層を備えているＸ線発生管が提案されている。
【０００５】
また、特許文献２には、ターゲット支持基板の表面に輻射による放熱層として二酸化チタンを含有する酸化物を形成する際に、放熱層の劣化防止のため中間層を導入することが提案されている。そして、この中間層、放熱層共にターゲット支持基板とは異種材料を使用している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−２７６７６０号公報
【特許文献２】特開平４−２６９４３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、何れの特許文献においても、基板と異種材料を放熱層に使用しているため、局所的な温度上昇による熱膨張係数の違いに起因して放熱層が剥れる場合があった。
【０００８】
また、透過型Ｘ線管においては、ターゲット支持基板のターゲット反対側に放熱層を形成する際に特許文献２にある様に酸化物放熱層を用いると、Ｘ線が急激に減衰してしまう課題があった。
【０００９】
特に、Ｘ発生管を備えるＸ線撮影装置に関しては、撮影画質の向上が望まれており、医療分野においては診断精度を高める為に輪郭解像度を上げる必要がある。解像度向上が必要な場合としては、例えば循環器等の動きや患者の体の動きに対応して短時間での撮影となる場合があり、短パルス・大管電流が必要となる。また、産業分野ではデバイスの高集積化に伴い、検査時の透過像も高解像度の画質が望まれる。そのためには、例えばターゲットに入射する電子線の焦点を絞った撮影が要求される場合があり、局所的な電流密度が高くなる。
【００１０】
一方、Ｘ線撮影装置は医療分野では可搬性、取扱容易性から小型軽量化のニーズもあり、放熱用の絶縁油を重量の軽い絶縁性気体に変更する場合もある。
【００１１】
Ｘ線撮影装置の使用に際し、医療分野での短時間パルス・大管電流撮影に伴いターゲットに対して瞬間的な温度上昇が発生し、又、産業分野においての高解像度撮影は電子線の焦点を絞る為、ターゲットの局所的な温度負荷の上昇が発生する。さらに小型、軽量化の為に放熱用の絶縁油を重量の軽い絶縁性気体に変更した場合は熱伝導による放熱能力が低下する。そのため、温度上昇によりターゲットに溶融等の熱損傷が発生することがあり、改良が望まれている。
【００１２】
そこで、本発明はターゲット支持基板の冷却を可能とする放射線透過型ターゲット、これを用いた放射線発生管及び放射線発生装置、並びに放射線発生装置を備え、撮影時に高解像度の画質を得ることができる放射線撮影システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
即ち、本発明の放射線透過型ターゲットは、支持基板上にターゲット金属を有する放射線透過型ターゲットであって、前記支持基板の前記ターゲット金属を有する面とは反対側の面に放熱層を有し、前記放熱層は、前記支持基板に含まれる元素と同一の元素を含み、輻射率が支持基板より大きく、かつ軽元素からなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、ターゲットの局所的な温度上昇が発生する動作においても、放熱層の膜剥れが発生せず、かつＸ線の減衰も小さく、放熱層による輻射率向上で基板温度の局所的な上昇を抑えることが出来、ターゲットへの熱損傷が軽減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に係る放射線透過型ターゲットを備える放射線発生管の一例を説明する図である。
【図２】本発明に係る放射線発生管を備える放射線発生システムの構成の一例を示す概略図である。
【図３】本発明に係る放射線発生管の他の例の断面模式図である。
【図４】本発明に係る放射線撮影システムの一例を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明の放射線透過型ターゲット及びこれを用いた放射線発生管、放射線発生装置及び放射線撮影システムの好適な実施形態を、主に、放射線がＸ線である場合を例にとり説明するが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。
【００１７】
＜第１の実施形態＞
図１（ａ）は本発明の放射線透過型ターゲットを用いた放射線発生管の一実施形態を示す断面模式図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）における放射線透過型ターゲット部を拡大した断面模式図である。
【００１８】
本発明の放射線発生管１０は透過型のＸ線発生管である。本発明の放射線発生管１０は、本発明の放射線透過型ターゲット２０として、ターゲット金属１４、支持基板１５及び放熱層１６からなるＸ線透過型ターゲット、外囲器１８、電子線発生手段２１、放射線遮蔽部材１７としてＸ線遮蔽部材を備えている。
【００１９】
放射線発生管１０には、図１に示すように排気管９を設けても良い。排気管９を設けた場合は、排気管９を通じて外囲器１８内を真空に排気した後に排気管９を封止することで外囲器１８の内部を真空にすることができる。
【００２０】
外囲器１８は、放射線発生管１０の内部を真空に保つためのもので、セラミックス材料やガラス等が用いられる。外囲器１８内の真空度は１０-4Ｐａ〜１０-8Ｐａ程度であれば良く、外囲器１８の内部には真空度を向上するために、ゲッター（不図示）を配置しても良い。また、外囲器１８は、開口部を有しており、その開口部に、ターゲット２０、放射線遮蔽部材１７が接合されることにより外囲器１８が密閉される。
【００２１】
電子線発生手段２１は、電子放出源１１を備えている。電子放出源１１は、外囲器１８の内部に、ターゲット金属１４に対向して配置されている。電子放出源１１にはタングステンフィラメントや、含浸型カソードのような熱陰極、又はカーボンナノチューブ等の冷陰極を用いることができる。電子線発生手段２１には、図１に示すように引出し電極１２とレンズ電極１３を設けても良い。これらを電子放出源１１の近傍に設けた場合、引出し電極１２によって形成される電界によって放出された電子は、レンズ電極１３で収束され、ターゲット金属１４に入射しターゲット金属１４からＸ線が発生し、透過窓１９より出射される。このとき、電子放出源１１とターゲット金属１４の間に印加される電圧Ｖａは、Ｘ線の使用用途によって異なるものの、概ね４０ｋＶ〜１２０ｋＶ程度である。
【００２２】
本発明の放射線透過型ターゲット及びその周辺の詳細構造を図１（ｂ）で説明する。
【００２３】
本発明の放射線透過型ターゲットは、支持基板１５上にターゲット金属１４を有し、支持基板１５のターゲット金属１４を有する面とは反対側の面に放熱層１６を有する。
【００２４】
ターゲット金属１４は、支持基板１５の片面（電子放出源側の面）に配置されている。ターゲット金属１４を構成する材料は、融点が高く、放射線発生効率の高いものが好ましい。例えばタングステン、タンタル、モリブデン等を用いることができる。発生したＸ線がターゲット金属１４を透過する際に生じる吸収を軽減するため、ターゲット金属１４の厚みは数μｍ〜十数μｍ程度が適当である。
【００２５】
支持基板１５を構成する材料は、ターゲット金属１４を支持できる強度を有し、ターゲット金属１４で発生したＸ線の吸収が少なく、かつターゲット金属１４で発生した熱をすばやく放熱できるよう熱伝導率の高いものが好ましい。例えばダイヤモンド、炭化シリコン、窒化アルミニウム等を用いることができる。上記要求事項を満たすためには、支持基板１５の厚みは０．１ｍｍ〜数ｍｍ程度が適当である。
【００２６】
放熱層１６は、ターゲット金属１４を有する面と反対側の面に形成されている。放熱層１６の厚さは数μｍあれば良い。そして、放熱層は、支持基板１５に含まれる元素と同一元素を含み、輻射率が支持基板１５より大きく、かつ軽元素からなる。
【００２７】
局所的な発熱により支持基板１５と放熱層１６の密着力が不十分な場合、熱応力により放熱層１６が剥れてしまうことがあるが、本発明では基板に含まれる元素と同一元素を含む放熱層１６を形成することで密着力を向上することが可能となる。
【００２８】
また、支持基板１５の輻射率は、例えば炭化シリコン基板で０．５以下、ダイヤモンドの場合は表面研磨した基板で０．２以下と小さい。その為、本発明では、輻射率が支持基板１５より大きい放熱層１６を形成し、支持基板１５表面からの放熱を促進する。例えば、支持基板１５が炭化シリコンの場合は、放熱層１６としてカーボンを含む輻射率の高いダイヤモンドライクカーボンを形成する。また、支持基板１５がダイヤモンドの場合においては、例えば輻射率が０．９０と高いグラファイトを放熱層１６として形成する。
【００２９】
また、本発明では、軽元素からなる放熱層１６を形成するため、放熱層１６での放射線の減衰は小さい。例えば、ダイヤモンドライクカーボン、グラファイト共に、軽元素である炭素より形成されるのでＸ線の減衰は小さい。
【００３０】
放熱層１６の形成方法は特に限定されないが、例えばプラズマＣＶＤ法やスパッタリング法などの気相成長法にて形成できる。また、支持基板１５がダイヤモンドの場合は表面の結晶構造を変化させて形成してもよい。ダイヤモンドは炭素原子が共有結合からなる面心立方結晶から形成されているが、グラファイトは炭素原子が層状の六角板状結晶から形成されている。ダイヤモンドに熱を加えることで結晶構造が変化してグラファイト化がおこり、輻射率も変化する。
【００３１】
ターゲット２０の支持基板１５は、放射線遮蔽部材１７に対して固定され、外囲器１８の真空気密が維持されるが、この固定手段としては銀ろう付けが好適に用いられる。
【００３２】
また、ターゲット２０外周側には、支持基板１５を囲んで放射線遮蔽部材１７が設けられている。放射線遮蔽部材１７の外囲器１８への取り付け方法としては、ろう付け、鋳こみ、ハンダ付け、溶接、レーザー溶接、ネジこみ、焼きバメ、テーパーはめ込み、接着剤による接合、機械的なネジ止め等が挙げられる。
【００３３】
次に、本発明の放射線発生管を備える放射線発生ユニットについて説明する。図２は図１の放射線発生管を備える放射線発生ユニットの構成の一例を示す断面模式図である。
【００３４】
図２の放射線発生ユニット３０は、透過型のＸ線発生管である放射発生管１０を備えており、この放射線発生管１０は収納容器１の内部に収容されている。この収納容器１内に放射線発生管１０を収容した余空間には絶縁性流体８が充填されている。収納容器１の内部には、図２に示すように不図示の回路基板及び絶縁トランス等から構成される駆動回路３を設けても良い。駆動回路３を設けた場合、例えば放射線発生管１０に端子４、５、６、７を介して駆動回路３から電圧信号が印加されＸ線の発生を制御することができる。
【００３５】
収納容器１は、容器としての十分な強度を有していれば良く、金属やプラスチックス材料等から構成される。収納容器１には、Ｘ線を透過し収納容器１の外部にＸ線を取り出すための放出窓２が設けられている。放射線発生管１０から放出されたＸ線はこの放出窓２を通して外部に放出される。放出窓２には、ガラス、アルミニウム、ベリリウム等が用いられる。
【００３６】
絶縁性流体８は、電気絶縁性を有していれば良く、液体でも気体でも良い。例えば絶縁媒体及び放射線発生管１０の冷却効果を重視すれば、冷却媒体としての役割を有する電気絶縁油を用いるのが好ましい。電気絶縁油としては、鉱油、シリコーン油、フッ素系電気絶縁性液体等が好適に用いられる。一方、軽量、小型化を重視するならば、気体を用いた方が絶縁性液体よりも装置を軽くすることができる。気体では空気や六フッ化硫黄等が用いられ、六フッ化硫黄がより好適に用いられる。本発明では、絶縁性流体８に気体を使用し熱伝達率が小さくなった場合においても、輻射にて有効に収納容器１へ放熱する。
【００３７】
＜第２の実施形態＞
図３は本発明の放射線透過型ターゲットを用いた放射線発生管の他の例を示す断面模式図である。
【００３８】
本例の放射線発生管は透過型の回転陽極を有する。具体的には、図３に示す様に、本発明の放射線透過型ターゲット２０の支持基板１５を、回転機構のローター４３へつながる円盤状のキャリア４２に接着して、円周状にターゲット２０を配置する。
【００３９】
引出し電極１２によって形成される電界によって、電子放出源１１より放出された電子線４０は、レンズ電極１３で収束され、ターゲット金属１４に入射しターゲット金属１４から放射線４１が発生し、支持基板１５を透過して透過窓１９より出射される。
【００４０】
本実施形態においても、第１の実施形態と同様にターゲット２０の熱損傷を軽減できる。更に、本実施形態の利点は、放射線発生時にはキャリア４２が回転してターゲット２０が移動して、異なった位置に電子線４０が照射される為、ターゲット金属１４及び支持基板１５の温度上昇が抑制される。これより大きな電子線量を注入でき、発生する放射線強度を大きくすることができる。さらに、円周状にターゲット２０を複数配置していることから、それに対応して放熱層１６も面積が大きくなる。よって、電子線４０が照射されていないターゲット２０の放熱層１６からも放熱され放熱効率が向上する。
【００４１】
＜第３の実施形態＞
図４に基づいて、本発明に係る放射線撮影システムの一例を説明する。
【００４２】
本例において、既に説明した放射線発生ユニット３０は、その放出窓２部分に設けられた可動絞りユニット１００と共に放射線発生装置２００を構成している。可動絞りユニット１００は、放射線発生ユニット３０から照射される放射線の照射野の広さを調整する機能を有する。また、可動絞りユニット１００として、放射線の照射野を可視光により模擬表示できる機能が付加されたものを用いることもできる。
【００４３】
システム制御装置２０２は、放射線発生装置２００と放射線検出装置２０１とを連携制御する。駆動回路３は、システム制御装置２０２による制御の下に、放射線発生管１０に各種の制御信号を出力する。この制御信号により、放射線発生装置２００から放出される放射線の放出状態が制御される。放射線発生装置２００から放出された放射線は、被検体２０４を透過して検出器２０６で検出される。検出器２０６は、検出した放射線を画像信号に変換して信号処理部２０５に出力する。信号処理部２０５は、システム制御装置２０２による制御の下に、画像信号に所定の信号処理を施し、処理された画像信号をシステム制御装置２０２に出力する。システム制御装置２０２は、処理された画像信号に基づいて、表示装置２０３に画像を表示させるための表示信号を表示装置２０３に出力する。表示装置２０３は、表示信号に基づく画像を、被検体２０４の撮影画像としてスクリーンに表示する。放射線の代表例はＸ線であり、本発明の放射線発生ユニット３０と放射線撮影システムは、Ｘ線発生ユニットとＸ線撮影システムとして利用することができる。Ｘ線撮影システムは、工業製品の非破壊検査や人体や動物の病理診断に用いることができる。
【実施例】
【００４４】
＜実施例１＞
図１に示す放射線発生管としてＸ線発生管を用いて、図２に示す放射線発生ユニットを作製した。
【００４５】
支持基板１５としての直径１０ｍｍ厚さ１ｍｍのダイヤモンドの表面に、ターゲット金属１４としてタングステンを１μｍの厚さにてスパッタ成膜した。その後、支持基板１５のターゲット金属１４を有する面とは反対側の面を真空雰囲気中にて１５００℃に加熱し、約１μｍ程度の深さでグラファイト化して放熱層１６を形成した。Ｘ線を遮蔽する放射線遮蔽部材１７に接着する箇所等の放熱層１６が不要な箇所をエッチングにより除去して、Ｘ線を透過するターゲット２０を得た。
【００４６】
支持基板１５と放熱層１６の密着力が不十分な場合には、使用時の局所的な発熱により放熱層１６が剥れてしまうことがある。しかし、本実施例では、支持基板１５であるダイヤモンドに含まれる元素と同一元素である炭素を含むグラファイトの放熱層を形成しており、更には支持基板１５の一部を変性して放熱層１６を形成している為、基板への密着力が向上する。
【００４７】
また、ダイヤモンド基板の輻射率は０．２程度であるが、表面のグラファイトの輻射率は０．９０となり、裏面からの輻射による放熱効率が向上した。また、放熱層１６は軽元素である炭素より形成されるのでＸ線の減衰は小さい。
【００４８】
得られたターゲット２０を放射線遮蔽部材１７にろう付けで固定し、溶接にて外囲器１８へ接合し、図１に示す放射線発生管１０を作製した。
【００４９】
この放射線発生管１０を用いて、図２に示す放射線発生ユニットを作製した。収納容器１はＳＵＳから構成され、Ｘ線を透過するベリリウムの放出窓２が設けられている。収納容器１内に充填させる絶縁性流体８としては、耐電圧確保及び省スペース、軽量化の為、六フッ化硫黄を用いた。
【００５０】
タングステンフィラメントからなる電子放出源１１を、不図示の加熱手段によって加熱し、電子を放出させた。また、放出された電子を、引出し電極１２、レンズ電極１３に印加した電圧によって生じる電位分布によって放出された電子の電子線軌道を制御した。
【００５１】
更に、放出された電子を、電子放出源１１とターゲット金属１４間に印加される電圧Ｖａによって高エネルギーに加速することでターゲット金属１４に衝突させ、Ｘ線を発生させた。
【００５２】
この際に支持基板１５の熱は主に放射線遮蔽部材１７から外囲器１８へと伝導していき放熱する。一方、放熱層１６からの輻射エネルギーは１．４（Ｗ）となり、放熱層１６が無い支持基板１５と比較して４．５倍の放熱を行っている。これにより支持基板１５の裏面温度は５００℃となった。また、輻射エネルギーが７．６（Ｗ）の際の裏面温度は９００℃となった。
【００５３】
本実施例によれば、支持基板１５の裏面の放熱層１６全体より放熱されることから、支持基板１５の局所的な温度上昇を抑えることが出来、ターゲット２０への熱損傷が軽減できた。
【００５４】
＜実施例２＞
支持基板１５としての１ｍｍの炭化シリコンの表面に、ターゲット金属１４としてタングステンを１μｍ厚さにてスパッタ成膜した。その後、支持基板１５のターゲット金属１４を有する面とは反対側の面に、放熱層１６として厚さ１μｍのダイヤモンドライクカーボンをプラズマＣＶＤ法にて形成し、Ｘ線を透過するターゲット２０を得た。
【００５５】
本実施例では、支持基板１５である炭化シリコンに含まれる元素と同一元素である炭素を含むダイヤモンドライクカーボンの放熱層１６を形成することで、支持基板１５と放熱層１６の密着力が向上する。また、研磨された炭化シリコン基板の輻射率は０．５であるが、ダイヤモンドライクカーボンの輻射率は０．８０となり、輻射による放熱量が増加して有効に放熱される。また、放熱層１６は軽元素である炭素より形成されるのでＸ線の減衰は小さい。
【００５６】
得られたターゲット２０を用いた以外は実施例１と同様にして、放射線発生管及び放射線発生ユニットを作製した。
【００５７】
本実施例においても、実施例１と同様にターゲット２０への熱損傷が軽減できた。
【００５８】
＜実施例３＞
図３に示す放射線発生管としてＸ線発生管を用い、放射線発生ユニットを作製した。
【００５９】
支持基板１５としての直径１０ｍｍ厚さ２ｍｍのダイヤモンドの表面に、ターゲット金属１４としてタングステンを１μｍの厚さにてスパッタ成膜した。その後、支持基板１５のターゲット金属１４を有する面とは反対側の面に、放熱層１６として厚さ１μｍのダイヤモンドライクカーボンをプラズマＣＶＤ法にて形成した。キャリア４２に接着する箇所等の放熱層１６が不要な箇所はエッチングにより除去して、Ｘ線を透過するターゲット２０を得た。
【００６０】
このターゲット２０の支持基板１５を回転機構のローター４３へつながる円盤状のキャリア４２に接着して、複数のターゲット２０を円周状に配置した以外は、実施例１と同様にして、放射線発生管及び放射線発生ユニットを作製した。
【００６１】
本実施例では、支持基板１５であるダイヤモンドに含まれる元素と同一元素である炭素を含むダイヤモンドライクカーボンの放熱層１６を形成することで、支持基板１５と放熱層１６の密着力が向上する。また、ダイヤモンド基板の輻射率は０．２程度であるが、ダイヤモンドライクカーボンの輻射率は０．８０となり、輻射による放熱量が増加して有効に放熱される。また、放熱層１６は軽元素である炭素より形成されるのでＸ線の減衰は小さい。
【００６２】
さらに、本実施例では円周状にターゲット２０を複数配置していることから、それに対応して放熱層１６も面積が大きくなる。よって電子線４０が照射されていないターゲット２０の放熱層１６からも放熱され放熱効率が向上する。
【００６３】
以上の構成において、支持基板１５の熱は裏面の放熱層１６全体より放熱されることから、実施例１と同様にターゲットへの熱損傷が軽減できた。
【符号の説明】
【００６４】
１：収納容器、２：放出窓、３：駆動回路、４，５，６，７：端子、８：絶縁性流体、９：排気管、１０：放射線発生管、１１：電子放出源、１２：引出し電極、１３：レンズ電極、１４：ターゲット金属、１５：支持基板、１６：放熱層、１７：放射線遮蔽部材、１８：外囲器、１９：透過窓、２０：ターゲット、２１：電子線発生手段、３０：放射線発生システム、４０：電子線、４１：放射線、４２：キャリア、４３：ローター
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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