(57)【要約】【課題】アンテナの共振周波数を固体毎に微調整する作業の負担を軽減する。【解決手段】工程ＰA1では、面方位（１１１）の単結晶シリコンで形成された原基板４０の表面に対する処理でシリコン化合物の絶縁部１４１および絶縁部１４２が形成される。工程ＰB1では、絶縁部１４１および絶縁部１４２の各々の特定領域が除去される。工程ＰB2では、絶縁部１４１および絶縁部１４２をマスクとして利用したウェットエッチングで基材１０に貫通孔３０が形成される。基材１０の第１面１０Aには第１電極２１が形成され、反対側の第２面１０Bには第２電極２２が形成される。第２電極２２は、貫通孔３０を介して第１面１０A側の同軸ケーブル９０に電気的に接続される。【選択図】図４
2014093643.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンで形成された基体部を含む基材と、
前記基材の面上に形成された電極部と
を具備するアンテナ。
【請求項２】
前記基材は、前記基体部の表面にシリコン化合物で形成された絶縁層を含み、
前記電極部は、前記絶縁層の面上に形成される
請求項１のアンテナ。
【請求項３】
前記基体部は、単結晶シリコンで形成される
請求項１または請求項２のアンテナ。
【請求項４】
前記基体部は、面方位（１１１）の単結晶シリコンで形成され、
前記電極部は、
前記基材の第１面に形成された第１電極と、
前記基材のうち前記第１面とは反対側の第２面に形成された第２電極とを含み、
前記第２電極は、前記基材に形成された貫通孔を介して前記第１面側の配線に電気的に接続される
請求項３のアンテナ。
【請求項５】
請求項１から請求項４の何れかのアンテナを具備する電子機器。
【請求項６】
シリコンで形成された基体部を含む基材を用意する工程と、
前記基材の面上に電極部を形成する工程と
を含むアンテナの製造方法。
【請求項７】
前記電極部は、
前記基材の第１面に形成された第１電極と、
前記基材のうち前記第１面とは反対側の第２面に形成された第２電極とを含み、
前記第２電極を前記第１面側の配線に電気的に接続するための貫通孔を前記基材に形成する工程を含む
請求項６のアンテナの製造方法。
【請求項８】
前記基材を用意する工程では、面方位（１１１）の単結晶シリコンで前記基体部が形成された前記基材を用意し、
前記貫通孔を形成する工程では、前記基材のウェットエッチングで前記貫通孔を形成する
請求項７のアンテナの製造方法。
【請求項９】
前記基材を用意する工程では、前記基体部の表面に絶縁層を形成し、
前記電極部を形成する工程では、前記絶縁層の面上に前記電極部を形成し、
前記貫通孔を形成する工程は、
前記絶縁層の特定領域を除去する工程と、
前記絶縁層をマスクとしたウェットエッチングで前記特定領域に貫通孔を形成する工程とを含む
請求項８のアンテナの製造方法。
【請求項１０】
前記基材を用意する工程では、シリコンで形成された原基板の表面を処理することで、前記基体部の表面にシリコン化合物の絶縁層が形成された前記基材を製造し、
前記電極部を形成する工程では、前記絶縁層の面上に前記電極部を形成する
請求項６から請求項８の何れかのアンテナの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アンテナの構造および製造に関する。
【背景技術】
【０００２】
各種の電子機器に好適な小型のアンテナとして、平板状の基材の両面に電極を形成した構造のパッチアンテナ（誘電体アンテナ）が従来から提案されている（例えば特許文献１や特許文献２）。基材の材料としては、例えばチタン酸バリウムやチタン酸マグネシウム等の高誘電率のセラミクスが採用される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２００１／８２３１１号
【特許文献２】特開２００５−２３６６２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
セラミクスの基材は、例えば複数の原料と結合剤とを調合して加圧成形したうえで焼成することで形成される。しかし、以上の手順で製造された基材では、組成や密度のムラに起因した比誘電率の誤差（固体間のバラツキや１個の固体内でのバラツキ）が発生する。また、加圧形成後の焼成や結合剤の除去（脱脂）の段階で体積が変動するため、基材の板厚の誤差も発生し易い。基材の比誘電率や板厚の誤差は、アンテナの共振周波数の誤差に直結するという問題がある。周波数特性が広帯域にわたり平坦なアンテナであれば共振周波数に多少の誤差が発生しても過大な問題にはならないが、現実には、狭帯域の電波に対して充分な受信感度を示す周波数特性が要求されるから、共振周波数の誤差の低減は重要な課題である。
【０００５】
そこで、アンテナの共振周波数を固体毎に微調整する作業（以下「特性調整作業」という）がアンテナの製造後に実行される。特性調整作業は、例えば、アンテナの周波数特性を観測しながら随時にアンテナの電極のサイズを調整する作業である。しかし、特性調整作業は作業負担が大きく製造コストの増大にも直結するという問題がある。以上の事情を考慮して、本発明は、共振周波数の誤差を抑制して特性調整作業の負担を軽減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
以上の課題を解決するために、本発明のアンテナは、シリコンで形成された基体部を含む基材と、基材の面上に形成された電極部とを具備する。以上の構成では、基材の基体部がシリコン（珪素）で形成されるから、基材をセラミクスで形成した場合と比較して、基材の比誘電率や板厚の誤差が抑制される。すなわち、アンテナの共振周波数の誤差が低減される。したがって、周波数特性を調整する特性調整作業の負担を軽減する（理想的には特性調整作業を不要とする）ことが可能である。
【０００７】
本発明の好適な態様において、基材は、基体部の表面にシリコン化合物で形成された絶縁層を含み、電極部は、絶縁層の面上に形成される。以上の態様では、基体部の表面に絶縁層が形成されるから、電極部と基体部との電気的な絶縁を充分に確保することが可能である。また、シリコンで形成された原基板の表面を処理することで絶縁層を簡便に形成できるという利点もある。
【０００８】
本発明の好適な態様において、基体部は、単結晶シリコンで形成される。以上の態様では、基体部が単結晶シリコンで形成されるから、基材をセラミクスで形成した構成はもちろん、基体部を例えば多結晶シリコンで形成した構成と比較しても、比誘電率や板厚の誤差（共振周波数の誤差）を抑制することが可能である。
【０００９】
本発明の好適な態様において、基体部は、面方位（１１１）の単結晶シリコンで形成され、電極部は、基材の第１面に形成された第１電極と、基材のうち第１面とは反対側の第２面に形成された第２電極とを含み、第２電極は、基材に形成された貫通孔を介して第１面側の配線に電気的に接続される。以上の態様では、面方位（１１１）の単結晶シリコンで基体部が形成されるから、例えばウェットエッチング等の低廉な加工処理で基材に貫通孔を形成することが可能である。
【００１０】
以上に例示した各形態のアンテナは、各種の電子機器に搭載され得る。本発明のアンテナを適用可能な電子機器としては、例えば、時計，携帯電話機，携帯情報端末，ゲーム装置等が例示される。なお、アンテナの用途（受信電波の周波数）は任意であるが、例えば、ＧＰＳ衛星から送信された電波を受信する手段として本発明のアンテナは好適である。
【００１１】
本発明に係るアンテナの製造方法は、シリコンで形成された基体部を含む基材を用意する工程と、基材の面上に電極部を形成する工程とを含む。以上の製造方法では、基材の基体部がシリコンで形成されるから、基材をセラミクスで形成した場合と比較して、基材の比誘電率や板厚の誤差（共振周波数の誤差）が抑制される。したがって、周波数特性を調整する特性調整作業の負担を軽減する（理想的には特性調整作業を不要とする）ことが可能である。
【００１２】
基材の第１面に形成された第１電極と、基材のうち第１面とは反対側の第２面に形成された第２電極とを電極部が含む構造のアンテナの好適な製造方法では、第２電極を第１面側の配線に電気的に接続するための貫通孔を基材に形成する工程が実行される。以上の態様では、基材の貫通孔を介して第２電極が第１面側の配線に接続されるから、配線を無理に変形させる必要がないという利点がある。
【００１３】
本発明に係る製造方法の好適例において、基材を用意する工程では、面方位（１１１）の単結晶シリコンで基体部が形成された基材を用意し、貫通孔を形成する工程では、基材のウェットエッチングで貫通孔を形成する。以上の態様において、面方位（１１１）の単結晶シリコンで形成された基体部を含む基材に対するウェットエッチングは異方性エッチングとして進行する。したがって、基材に対するドライエッチングで貫通孔を形成する構成と比較して、基材を略垂直に貫通する好適な形状の貫通孔を安価に形成できるという利点がある。
【００１４】
本発明に係る製造方法の好適例において、基材を用意する工程では、基体部の表面に絶縁層を形成し、電極部を形成する工程では、絶縁層の面上に電極部を形成し、貫通孔を形成する工程は、絶縁層の特定領域を除去する工程と、絶縁層をマスクとしたウェットエッチングで特定領域に貫通孔を形成する工程とを含む。以上の態様では、基体部の表面に絶縁層が形成されるから、電極部と基体部との電気的な絶縁を充分に確保することが可能である。また、特定領域が除去された絶縁層をマスクとしたウェットエッチングで基材（基体部）に貫通孔が形成されるから、貫通孔を形成するためのマスクを絶縁層とは別個に形成する場合と比較して製造工程が簡素化されるという利点がある。
【００１５】
本発明に係る製造方法の好適例において、基材を用意する工程では、シリコンで形成された原基板の表面を処理することで、基体部の表面にシリコン化合物の絶縁層が形成された基材を製造し、電極部を形成する工程では、絶縁層の面上に電極部を形成する。以上の態様では、基体部の表面に絶縁層が形成されるから、電極部と基体部との電気的な絶縁を充分に確保することが可能である。また、シリコンで形成された原基板の表面を処理することで絶縁層を簡便に形成できるという利点もある。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１実施形態に係るアンテナの平面図である。
【図２】図１におけるII−II線の断面図である。
【図３】同軸ケーブルをアンテナに接続した状態の断面図である。
【図４】第１実施形態に係るアンテナの製造工程図である。
【図５】第１実施形態に係るアンテナの製造工程図である。
【図６】第２実施形態に係るアンテナの平面図である。
【図７】図６におけるVII−VII線の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係るアンテナ１００Aの平面図であり、図２は、図１におけるII−II線の断面図である。第１実施形態のアンテナ１００Aは、複数のＧＰＳ（Global Positioning System）衛星から送信された電波を受信するためのパッチアンテナ（誘電体アンテナ）であり、図１および図２に示すように基材１０と電極部２０とを具備する。
【００１８】
基材１０は、電極部２０を支持する誘電性の部材である。図２に示すように、第１実施形態の基材１０は、第１面１０Aと第１面１０Aの反対側の第２面１０Bとを含む平板材で構成され、平面視で矩形状に成形される。基材１０の所定の位置には第１面１０Aから第２面１０Bにわたる貫通孔３０が形成される。
【００１９】
基材１０は、基体部１２と絶縁層１４とを含んで構成される。基体部１２は、シリコン（珪素）で形成された平板状の部分であり、絶縁層１４は、基体部１２の表面に形成された絶縁性の部分である。第１実施形態の基体部１２は、単結晶シリコンで構成される。他方、絶縁層１４は、酸化シリコン（ＳiＯ2）や窒化シリコン（Ｓi3Ｎ4）等のシリコン化合物で形成される。絶縁層１４は、基体部１２のうち第１面１０A側の表面に形成された絶縁部１４１と、基体部１２のうち第２面１０B側の表面に形成された絶縁部１４２と、貫通孔３０の内壁面に形成された絶縁部１４３とを含んで構成される。絶縁部１４１の表面が第１面１０Aに相当し、絶縁部１４２の表面が第２面１０Bに相当する。
【００２０】
電極部２０は、電波を受信するための導電体であり、基材１０の面上に形成される。第１実施形態の電極部２０は、第１電極２１と第２電極２２と接続部２４とを含んで構成される。第１電極２１および接続部２４は基材１０の第１面１０Aに形成され、第２電極２２は基材１０の第２面１０Bに形成される。
【００２１】
図１に示すように、第１電極２１は、第１面１０Aの外形に対応する矩形状（電極長Ｌ×電極幅Ｗ）の電極である。第１電極２１のうち平面視で基材１０の貫通孔３０に重なる領域には円形状の開口部２１Aが形成される。接続部２４は、第１電極２１の開口部２１Aの内側に形成された導電体（ハンダ付け用のランド）である。第１電極２１と接続部２４とは相互に間隔をあけて配置される。したがって、第１電極２１と接続部２４とは相互に絶縁される。他方、第２電極２２は、第２面１０Bの外形に対応する矩形状の電極である。以上の説明から理解される通り、第１電極２１と第２電極２２との間に基材１０が介在する。
【００２２】
図３に示すように、基材１０の第１面１０A側に配置された同軸ケーブル９０がアンテナ１００Aに接続される。同軸ケーブル９０は、内部導体９２を外部導体９４で包囲した構造の配線である。同軸ケーブル９０の内部導体９２は、例えばハンダ付けで接続部２４に接続される。第２面１０Bに形成された第２電極２２は、基材１０の貫通孔３０の内部に充填されたハンダ９８を介して第１面１０A側の接続部２４および内部導体９２に電気的に接続される。内部導体９２から電源電位が供給されることで、第２電極２２はアンテナ１００Aの給電電極として機能する。他方、同軸ケーブル９０の外部導体９４は、第１電極２１に電気的に接続（例えばハンダ付け）される。外部導体９４から接地電位が供給されることで、第１電極２１はアンテナ１００Aの放射電極として機能する。
【００２３】
電極幅Ｗの基材１０の実効比誘電率εrelは、以下の数式(1)で表現される。
【数１】
2014093643.tif 000003
数式(1)の記号εrは基材１０の比誘電率を意味し、記号ｔwは基材１０の板厚を意味する。単結晶シリコン（比誘電率：１１.９）で形成された板厚６５０μｍの基体部１２の両面に膜厚１μｍの酸化シリコン（比誘電率：３.８）の絶縁層１４（絶縁部１４１および絶縁部１４２）を形成した基材１０の比誘電率εrは１１.８２３である。したがって、例えば第１電極２１の電極幅Ｗを２５ｍｍとして基材１０の板厚ｔwを６５０μｍとした場合の基材１０の実効比誘電率εrelは、数式(1)を利用して１１.１３６と算定される。
【００２４】
また、アンテナ１００Aの共振周波数ｆは、以下の数式(2)で表現される。数式(2)の記号ｃは光速を意味する。
【数２】
2014093643.tif 000004
ＧＰＳ衛星から送信される電波の周波数は１.５７５４２ＧＨｚである。数式(1)で算定された実効比誘電率εrelを数式(2)に適用すると、ＧＰＳ衛星からの電波に共振する（ｆ＝１.５７５４２［ＧＨｚ］）ために必要な第１電極２１の電極長Ｌは、２８.５３２ｍｍと算定される。以上の例示の通り、第１電極２１は、電極幅Ｗを２５ｍｍとして電極長Ｌを２８．５３２ｍｍとした矩形状に形成される。
【００２５】
以上に説明したように、第１実施形態では、基材１０の基体部１２がシリコンで形成されるから、基材１０をセラミクスで形成した場合と比較して、基材１０の比誘電率や板厚の誤差が抑制される。すなわち、アンテナ１００Aの共振周波数ｆの誤差が低減される。したがって、共振周波数ｆを調整する特性調整作業の負担を軽減する（理想的には特性調整作業を不要とする）ことが可能である。第１実施形態では、基体部１２が単結晶シリコンで形成されるから、基材１０をセラミクスで形成した場合はもちろん、基体部１２を多結晶シリコンで形成した場合（例えば後述の第２実施形態）と比較しても、比誘電率や板厚の誤差（共振周波数ｆの誤差）が抑制されるという効果は格別に顕著である。
【００２６】
また、以上の構成では、基体部１２の表面に絶縁層１４が形成されるから、基体部１２の比抵抗が低い場合でも第１電極２１と第２電極２２との電気的な絶縁を維持することが可能である。また、基体部１２の経時的な変化（例えば酸化の進行）が絶縁層１４により低減されるから、比誘電率εrの経時的な変動が抑制される。したがって、共振周波数ｆの変動を抑制できるという利点がある。
【００２７】
＜アンテナ１００Aの製造方法＞
図４および図５を参照して、以上に説明したアンテナ１００Aの製造方法の具体例を説明する。図４および図５に示す通り、アンテナ１００Aを製造する工程は、工程ＰAから工程ＰEに区分される。工程ＰAではアンテナ１００Aの基材１０が用意され、工程ＰBでは基材１０に貫通孔３０が形成される。工程ＰCでは、基材１０の面上に電極部２０が形成される。工程ＰAから工程ＰCは、基材１０の複数個分に相当する大型の基板（以下「原基板」という）を対象として実行される。工程ＰDでは、原基板の分断で複数のアンテナ１００Aが形成される。工程ＰEでは、配線がアンテナ１００Aに接続される。各工程の具体的な内容を以下に詳述する。
【００２８】
［工程ＰA］
図４に示す通り、基材１０を用意する工程ＰAは、工程ＰA1と工程ＰA2とを包含する。工程ＰA1では、単結晶シリコンで形成された原基板４０が用意される。第１実施形態では、面方位（１１１）の原基板４０が使用される。具体的には、原基板４０は、両表面が鏡面状に研磨された６５０ｎｍ程度の板厚の平板材（シリコンウェハー）である。原基板４０のうち１個のアンテナ１００Aの基材１０に対応する領域Ｑが図４および図５では図示されている。以上のように両表面が鏡面状に研磨された原基板４０を基材１０の形成に利用することで、例えば基材１０をセラミクスで形成する場合と比較して、基材１０の板厚の誤差や表面の凹凸が顕著に低減される（ひいては共振周波数ｆの誤差が低減される）という利点がある。また、シリコンで形成された原基板４０を加工することでアンテナ１００Aが形成されるから、充分に高精度な加工が可能な公知の半導体製造技術を有効に利用できるという利点もある。
【００２９】
工程ＰA1の実行後の工程ＰA2では、基体部１２の表面に絶縁層１４を形成した基材１０が原基板４０から製造される。具体的には、図４に示すように、原基板４０の表面を処理することでシリコン化合物の絶縁層１４（絶縁部１４１および絶縁部１４２）が原基板４０（基体部１２）の両面に形成される。第１実施形態では、原基板４０を酸化することで酸化シリコン（ＳiＯ2）の絶縁部１４１および絶縁部１４２が基体部１２の表面に形成される。例えば、１０００℃の熱酸化炉（縦型酸化炉）内でパイロジェニック酸化（Ｈ2Ｏ ９２％）を３１２分にわたり実施することで、１.０μｍ程度の膜厚の絶縁部１４１および絶縁部１４２が形成される。なお、原基板４０の窒化により窒化シリコン（Ｓi3Ｎ4）の絶縁部１４１および絶縁部１４２を形成することも可能である。以上の通り、第１実施形態では、原基板４０の表面を反応させたシリコン化合物で絶縁層１４が形成されるから、絶縁層１４（絶縁部１４１および絶縁部１４２）の比誘電率や膜厚の誤差を充分に低減できるという利点がある。以上に説明した工程ＰAにより、面方位（１１１）の単結晶シリコンで形成された基体部１２に絶縁層１４（絶縁部１４１および絶縁部１４２）を形成した基材１０が製造される。
【００３０】
［工程ＰB］
貫通孔３０を形成する工程ＰBは、工程ＰA（ＰA2）で形成された絶縁層１４をマスクとして利用したウェットエッチングで基材１０に貫通孔３０を形成する工程であり、図４に示す通り、工程ＰB1と工程ＰB2と工程ＰB3とを包含する。工程ＰB1では、工程ＰA2で形成された絶縁層１４のうち貫通孔３０に対応する領域（以下「特定領域」という）を選択的に除去することで開口部４２が形成される。特定領域は、基材１０のうち平面視で貫通孔３０として除去されるべき領域に相当する。
【００３１】
具体的には、工程ＰB1では、第１に、基材１０の第１面１０A（絶縁部１４１）および第２面１０B（絶縁部１４２）の双方に塗布されたレジストを例えばフォトリソグラフィ技術により選択的に除去することで特定領域に開口部が形成される。第２に、絶縁部１４１および絶縁部１４２のうちレジストの開口部の内側に露出した領域を除去することで絶縁部１４１および絶縁部１４２に開口部４２が形成される。開口部４２の形成には、例えばＢＨＦ（緩衝フッ酸溶液）をエッチング液として利用したウェットエッチングが好適に採用される。開口部４２の形成後にレジストは剥離される。
【００３２】
工程ＰB1の実行後の工程ＰB2では、絶縁部１４１および絶縁部１４２をマスクとして利用したウェットエッチングで基材１０（基体部１２）に貫通孔３０が形成される。工程ＰB2のウェットエッチングでは、例えば水酸化カリウム（ＫＯＨ）やＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）等のアルカリ溶液がエッチング液として好適に利用される。具体的には、７０℃で２５％の水酸化カリウム溶液をエッチング液として利用し、基材１０の第１面１０Aおよび第２面１０Bの双方から約１.２μｍ／ｍｉｎ程度のエッチングレートでエッチングを進行させることが可能である。
【００３３】
前述の通り、基材１０（基体部１２）は面方位（１１１）の単結晶シリコンで形成されるから、工程ＰB2のウェットエッチングは、図４から把握される通り、単結晶シリコンの結晶面を反映した特定の方向に進行する異方性エッチングとなる。具体的には、第１面１０Aおよび第２面１０Bに垂直な方向にエッチングが進行し、内壁面が第１面１０Aおよび第２面１０Bに垂直な貫通孔３０が形成される。また、貫通孔３０の平面形状（断面形状）は基材１０の面方位に対応した矩形状となる。すなわち、基材１０のうち第１面１０Aと第２面１０Bとを端面とする四角柱状の部分が除去されて貫通孔３０が形成される。したがって、前述の工程ＰB1で絶縁層１４に形成される開口部４２（レジストの開口部）の平面形状は、基材１０の面方位に対応した矩形状（例えば１辺が０.５ｍｍの正方形状）に設定される。また、アンテナ１００Aのインピーダンスが所望の数値（例えば５０Ω）となるように貫通孔３０の位置は選定される。
【００３４】
なお、基材１０の第１面１０Aや第２面１０Bに垂直な内壁面の貫通孔３０の形成にはドライエッチング（異方性エッチング）を採用することも可能である。ただし、板厚６５０μｍ程度の基材１０にドライエッチングで貫通孔３０を形成するには非常に長い時間が必要となるから、製造コストが増大するという問題が発生し得る。第１実施形態では、面方位（１１１）の単結晶シリコンで形成された基材１０（基体部１２）に貫通孔３０が形成されるから、ドライエッチングと比較して安価なウェットエッチングで短時間に貫通孔３０を形成できるという利点がある。なお、ドライエッチングで貫通孔３０を形成する場合には原基板４０の面方位の如何は不問である。
【００３５】
工程ＰB2の直後の段階では、貫通孔３０の内壁面にて基体部１２が絶縁層１４から露出する。そこで、工程ＰB2の実行後の工程ＰB3では、貫通孔３０の内壁面を覆う絶縁層１４（絶縁部１４３）が形成される。具体的には、貫通孔３０の内壁面（基体部１２）を処理することでシリコン化合物の絶縁部１４３が形成される。例えば、１０００℃の熱酸化炉内で１５０分にわたるドライ酸化を実行することで０.１μｍ程度の膜厚の酸化シリコン（ＳiＯ2）の絶縁部１４３が形成される。なお、貫通孔３０の内壁面の窒化により窒化シリコン（Ｓi3Ｎ4）の絶縁部１４３を形成することも可能である。以上に説明した工程ＰBにより、単結晶シリコンの基体部１２にシリコン化合物の絶縁層１４（絶縁部１４１，絶縁部１４２，絶縁部１４３）を形成した基材１０が製造される。
【００３６】
［工程ＰC］
電極部２０を形成する工程ＰCは、図５に示す通り、工程ＰC1と工程ＰC2と工程ＰC3とを包含する。工程ＰC1および工程ＰC2は、基材１０の第１面１０Aおよび第２面１０Bに導電膜４８を形成する工程であり、工程ＰC3は、導電膜４８を選択的に除去することで電極部２０（第１電極２１および第２電極２２）を形成する工程である。
【００３７】
図５に示すように、導電膜４８は、シード層４８１とメッキ層４８２との積層で構成される。シード層４８１は、基材１０（絶縁層１４）の表面とメッキ層４８２との密着性を向上させるための導電層（下地層）である。工程ＰC1では、基材１０の第１面１０Aおよび第２面１０Bにシード層４８１が形成される。シード層４８１は、第１層と第２層との積層で構成される（図示略）。第１層は、例えばチタン（Ｔi）とタングステン（Ｗ）との合金（ＴiＷ）で基材１０の第１面１０Aおよび第２面１０Bに形成される。第２層は、第１面１０Aおよび第２面１０Bの各々の第１層を覆うように銅（Ｃu）で形成される。シード層４８１（第１層および第２層）の形成には、スパッタリング等の公知の成膜技術が任意に採用される。
【００３８】
工程ＰC2では、工程ＰC1で基材１０の第１面１０Aおよび第２面１０Bに形成されたシード層４８１を覆うように電解メッキ法でメッキ層４８２が形成される。メッキ層４８２は、シード層４８１の第２層と同様に銅（Ｃu）で形成される。なお、導電膜４８の形成方法は以上の例示に限定されない。
【００３９】
工程ＰC3では、工程ＰC1および工程ＰC2で形成された導電膜４８を選択的に除去することで所定の形状および寸法の電極部２０（第１電極２１および第２電極２２）が形成される。なお、図５の工程ＰC3の例示では、シード層４８１およびメッキ層４８２の個別の図示は省略されている。導電膜４８の選択的な除去には、フォトリソグラフィ技術やウェットエッチング等の公知の加工技術が任意に採用され得る。前述の通り、所望の共振周波数ｆに対応した電極長Ｌおよび電極幅Ｗの第１電極２１が工程ＰC3で形成される。なお、基材１０の第２面１０Bの全域にわたり第２電極２２を形成する構成では、第２面１０B側の導電膜４８の選択的な除去は省略され得る。
【００４０】
［工程ＰDおよび工程ＰE］
工程ＰDでは、工程ＰAから工程ＰCの加工後の原基板４０が例えばダイサーにより各アンテナ１００A毎に分断されて複数のアンテナ１００Aが完成する。工程ＰDの実行後の工程ＰEでは、同軸ケーブル９０の内部導体９２が接続部２４にハンダ付けされることで第２電極２２が貫通孔３０内のハンダ９８を介して内部導体９２に電気的に接続され、かつ、同軸ケーブル９０の外部導体９４が第１電極２１に電気的に接続される。前述の通り、第１実施形態では共振周波数ｆの誤差が充分に低減されるから、工程ＰEの実行後にアンテナ１００Aの特性を固体毎に調整する特性調整作業を不要とする（または簡略化する）ことが可能である。
【００４１】
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態を以下に説明する。なお、以下に例示する各態様において作用や機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で参照した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。
【００４２】
図６は、第２実施形態に係るアンテナ１００Bの平面図であり、図７は、図６におけるVII−VII線の断面図である。第２実施形態のアンテナ１００Bは、基材６０と電極部７０とを具備する。第２実施形態の基材６０は、図７に示すように、第１面６０Aと第２面６０Bとを含む矩形状の平板材である。第１実施形態の貫通孔３０は第２実施形態では形成されない。
【００４３】
基材６０は、基体部６２と絶縁層６４とを含んで構成される。基体部６２は、多結晶シリコン（ポリシリコン）で形成される。絶縁層６４は、基体部６２の表面に形成された絶縁性の部分であり、基体部６２のうち第１面６０A側の表面に形成された絶縁部６４１と第２面６０B側の表面に形成された絶縁部６４２とを含んで構成される。第１実施形態の絶縁層１４と同様に、第２実施形態の絶縁層６４は、酸化シリコン（ＳiＯ2）や窒化シリコン（Ｓi3Ｎ4）等のシリコン化合物で形成される。具体的には、多結晶シリコンで形成された原基板の表面を処理（例えば酸化または窒化）することで、多結晶シリコンの基体部６２の表面にシリコン化合物の絶縁層６４が形成される。
【００４４】
電極部７０は、基材６０の面上に形成され、基材６０の第１面６０Aに形成された第１電極７１と第２面６０Bに形成された第２電極７２とを含んで構成される。第１電極７１は、図６に示すように、平面視で矩形状の切欠部８０が形成された矩形状（電極長Ｌ×電極幅Ｗ）の第１部分８２と、切欠部８０の内周縁から突出する帯状の第２部分８４とが連続する形状である。必要な共振周波数ｆに応じて第１部分８２の電極長Ｌおよび電極幅Ｗが選定され、所望のインピーダンスに応じて第２部分８４の寸法（長さ）が選定される。他方、第２電極７２は、図７に示すように、基材６０の第２面６０Bの全域にわたり形成される。第１電極７１の第２部分８４が同軸ケーブル９０（図６および図７では図示略）の内部導体９２に接続され、第２電極２２が同軸ケーブル９０の外部導体９４に接続される。したがって、第１電極７１は、電源電位が供給される給電電極として機能し、第２電極７２は接地電位が供給される放射電極として機能する。
【００４５】
第２実施形態に係るアンテナ１００Bの製造には、第１実施形態と同様の方法が採用される。ただし、工程ＰA1では、多結晶シリコンで形成された原基板が用意され、工程ＰA2では、酸化シリコン（ＳiＯ2）や窒化シリコン（Ｓi3Ｎ4）等のシリコン化合物の絶縁層６４（絶縁部６４１および絶縁部６４２）が原基板に対する処理（酸化や窒化）で多結晶シリコンの原基板の各表面に形成される。また、貫通孔３０を形成する工程ＰBは第２実施形態では省略される。
【００４６】
第２実施形態においても、基材１０の基体部１２がシリコン（多結晶シリコン）で形成されるから、第１実施形態と同様の効果が実現される。また、第１実施形態ではウェットエッチングにより基材１０に貫通孔３０を形成するために面方位（１１１）の単結晶シリコンの原基板４０を使用したが、第２実施形態では、貫通孔３０の形成が不要であるから、面方位（１１１）の単結晶シリコンの原基板４０を用意する必要がないという利点がある。なお、第２実施形態では、以上に例示した多結晶シリコンの原基板に代えて、（１１１）以外の面方位の単結晶シリコンの原基板を使用することも可能である。
【００４７】
＜変形例＞
以上に例示した形態は多様に変形され得る。具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された２以上の態様は適宜に併合され得る。
【００４８】
（１）第１実施形態では、基体部１２の表面に絶縁層１４を形成した構造の基材１０を例示したが、例えば第１電極２１と第２電極２２とが電気的に絶縁される程度に基体部１２の比抵抗が高い構成では、絶縁層１４を省略することも可能である。同様に、第２実施形態では、絶縁層６４が省略され得る。
【００４９】
（２）アンテナ１００（１００A，１００B）の製造方法は前述の例示に限定されない。また、各工程の順序は適宜に変更され得る。例えば、第１実施形態では、貫通孔３０の形成（工程ＰB）後に電極部２０を形成（工程ＰC）したが、電極部２０の形成後に貫通孔３０を形成することも可能である。
【００５０】
（３）前述の各形態では、ＧＰＳ衛星からの電波を受信するアンテナ１００を例示したが、アンテナ１００の用途や共振周波数ｆ（受信電波の周波数）は以上の例示に限定されない。
【００５１】
（４）以上の各形態に例示したアンテナ１００は各種の電子機器（特に携帯型の電子機器）に利用される。本発明が適用される電子機器としては、例えば、時計（例えば位置検出機能を搭載した時計），携帯電話機，携帯情報端末，ゲーム装置，コンピュータ，デジタルスチルカメラ，ビデオカメラ，カーナビゲーション装置等が例示される。
【符号の説明】
【００５２】
１００A、１００B……アンテナ、１０，６０……基材、１０A、６０A……第１面、１０B，６０B……第２面、１２，６２……基体部、１４，６４……絶縁層、１４１，１４２，１４３，６４１，６４２……絶縁部、２０，７０……電極部、２１，７１……第１電極、２２，７２……第２電極、２４……接続部、２１A……開口部、３０……貫通孔、９０……同軸ケーブル、９２……内部導体、９４……外部導体、９８……ハンダ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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