(57)【要約】【課題】基板同士を適切に接合する。【解決手段】接合方法は、基板の接合される表面に対してプラズマ処理を行い、当該表面を改質する表面改質工程と、その後、表面改質工程において改質された基板の表面を親水化する表面親水化工程と、その後、表面親水化工程において表面が親水化された基板同士を分子間力によって接合する接合工程と、を有する。表面改質工程において、高周波出力、プラズマ処理時間及び処理雰囲気圧力を含む処理条件を制御してプラズマ処理を行い、基板表面の酸化量を制御して、接合工程で接合された重合基板の接合強度を制御する。【選択図】図２５
2014138136.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板同士を接合する接合方法であって、
基板の接合される表面に対してプラズマ処理を行い、当該表面を改質する表面改質工程と、
その後、前記表面改質工程において改質された基板の表面を親水化する表面親水化工程と、
その後、前記表面親水化工程において表面が親水化された基板同士を分子間力によって接合する接合工程と、を有し、
前記表面改質工程において、高周波出力、プラズマ処理時間及び処理雰囲気圧力を含む処理条件を制御してプラズマ処理を行い、基板表面の酸化量を制御することを特徴とする、接合方法。
【請求項２】
前記表面改質工程後の基板表面の酸化量と前記接合工程で接合された重合基板の接合強度との相関を予め求めておき、
前記接合工程で接合された重合基板の接合強度の許容範囲を予め求めておき、
前記表面改質工程における前記処理条件は、前記相関と前記接合強度の許容範囲とに基づいて制御されることを特徴とする、請求項１に記載の接合方法。
【請求項３】
前記接合強度の許容範囲の上限値は、前記接合工程で接合された重合基板間に気泡が発生しない接合強度であることを特徴とする、請求項２に記載の接合方法。
【請求項４】
前記表面改質工程後、基板表面の酸化量を測定する酸化量測定工程をさらに有し、
前記表面改質工程後の基板表面の酸化量と前記接合工程で接合された重合基板の接合強度との相関を予め求めておき、前記酸化量測定工程における測定結果と前記相関とに基づいて、前記接合工程で接合される重合基板の接合強度を導出して重合基板を検査することを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の接合方法。
【請求項５】
前記酸化量測定工程において測定される基板表面の酸化量は、基板表面の酸化膜の膜厚であることを特徴とする、請求項４に記載の接合方法。
【請求項６】
前記表面改質工程における前記処理条件は、プラズマ処理で用いられるガスの種類を含むことを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の接合方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の接合方法を接合システムによって実行させるために、当該接合システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
【請求項８】
請求項７に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【請求項９】
基板同士を接合する接合システムであって、
基板の接合される表面に対してプラズマ処理を行い、当該表面を改質する表面改質装置と、
前記表面改質装置で改質された基板の表面を親水化する表面親水化装置と、
前記表面親水化装置で表面が親水化された基板同士を接合する接合装置と、
前記表面改質装置で行われるプラズマ処理において、高周波出力、プラズマ処理時間及び処理雰囲気圧力を含む処理条件を制御し、基板表面の酸化量を制御する制御部と、を有することを特徴とする、接合システム。
【請求項１０】
前記制御部は、
前記表面改質装置で基板表面を改質した後の当該基板表面の酸化量と前記接合装置で接合された重合基板の接合強度との相関と、
前記接合装置で接合された重合基板の接合強度の許容範囲と、を有し、
前記相関と前記接合強度の許容範囲とに基づいて、前記表面改質装置で行われるプラズマ処理の前記処理条件を制御することを特徴とする、請求項９に記載の接合システム。
【請求項１１】
前記接合強度の許容範囲の上限値は、前記接合装置で接合された重合基板間に気泡が発生しない接合強度であることを特徴とする、請求項１０に記載の接合システム。
【請求項１２】
前記表面改質装置で基板表面を改質した後、当該基板表面の酸化量を測定する酸化量測定装置をさらに有し、
前記制御部は、前記表面改質装置で基板表面を改質した後の当該基板表面の酸化量と前記接合装置で接合された重合基板の接合強度との相関を有し、前記酸化量測定装置での測定結果と前記相関とに基づいて、前記接合装置で接合される重合基板の接合強度を導出して重合基板を検査することを特徴とする、請求項９〜１１のいずれかに記載の接合システム。
【請求項１３】
前記酸化量測定装置で測定される基板表面の酸化量は、基板表面の酸化膜の膜厚であることを特徴とする、請求項１２に記載の接合システム。
【請求項１４】
前記表面改質装置で行われるプラズマ処理の前記処理条件は、プラズマ処理で用いられるガスの種類を含むことを特徴とする、請求項９〜１３のいずれかに記載の接合システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板同士を接合する接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び接合システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの高集積化が進んでいる。高集積化した複数の半導体デバイスを水平面内で配置し、これら半導体デバイスを配線で接続して製品化する場合、配線長が増大し、それにより配線の抵抗が大きくなること、また配線遅延が大きくなることが懸念される。
【０００３】
そこで、半導体デバイスを３次元に積層する３次元集積技術を用いることが提案されている。この３次元集積技術においては、例えば接合システムを用いて、２枚の半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）の接合が行われる。例えば接合システムは、ウェハの接合される表面を改質する表面改質装置（表面活性化装置）と、当該表面改質装置で改質されたウェハの表面を親水化する表面親水化装置と、当該表面親水化装置で表面が親水化されたウェハ同士を接合する接合装置と、を有している。この接合システムでは、表面改質装置においてウェハの表面に対してプラズマ処理を行い当該表面を改質し、さらに表面親水化装置においてウェハの表面に純水を供給して当該表面を親水化した後、接合装置においてウェハ同士をファンデルワールス力及び水素結合（分子間力）によって接合する（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１８７７１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上述したようにウェハ同士が接合された重合ウェハは適切な接合強度を有している必要がある。しかしながら、特許文献１に記載された接合システムにおいては、重合ウェハの接合強度を適切にするため、各装置における処理条件を制御することまでは考慮されていなかった。このため、重合ウェハの接合強度を適切にするのに改善の余地があった。
【０００６】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板同士を適切に接合することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記の目的を達成するため、本発明は、基板同士を接合する接合方法であって、基板の接合される表面に対してプラズマ処理を行い、当該表面を改質する表面改質工程と、その後、前記表面改質工程において改質された基板の表面を親水化する表面親水化工程と、その後、前記表面親水化工程において表面が親水化された基板同士を分子間力によって接合する接合工程と、を有し、前記表面改質工程において、高周波出力、プラズマ処理時間及び処理雰囲気圧力を含む処理条件を制御してプラズマ処理を行い、基板表面の酸化量を制御することを特徴としている。なお、本発明における高周波はマイクロ波も含んでいる。
【０００８】
発明者らが鋭意検討したところ、前記表面改質工程において改質された基板表面の酸化量と、接合工程において接合された重合基板の接合強度との間に相関があることを見出した。そして、この基板表面の酸化量の変動が、表面改質工程において行われるプラズマ処理の処理条件、具体的には高周波出力、プラズマ処理時間及び処理雰囲気圧力に起因することをさらに見出した。
【０００９】
そこで本発明によれば、表面改質工程において、高周波出力、プラズマ処理時間及び処理雰囲気圧力を含む処理条件を制御してプラズマ処理を行っているので、基板表面の酸化量を制御することができる。そうすると、基板表面の酸化量と相関のある重合基板の接合強度も制御することができる。したがって、基板同士を適切な接合強度で接合することができる。
【００１０】
前記表面改質工程後の基板表面の酸化量と前記接合工程で接合された重合基板の接合強度との相関を予め求めておき、前記接合工程で接合された重合基板の接合強度の許容範囲を予め求めておき、前記表面改質工程における前記処理条件は、前記相関と前記接合強度の許容範囲とに基づいて制御されてもよい。
【００１１】
前記接合強度の許容範囲の上限値は、前記接合工程で接合された重合基板間に気泡が発生しない接合強度であってもよい。
【００１２】
前記接合方法は、前記表面改質工程後、基板表面の酸化量を測定する酸化量測定工程をさらに有し、前記表面改質工程後の基板表面の酸化量と前記接合工程で接合された重合基板の接合強度との相関を予め求めておき、前記酸化量測定工程における測定結果と前記相関とに基づいて、前記接合工程で接合される重合基板の接合強度を導出して重合基板を検査してよい。
【００１３】
前記酸化量測定工程において測定される基板表面の酸化量は、基板表面の酸化膜の膜厚であってもよい。
【００１４】
前記表面改質工程における前記処理条件は、プラズマ処理で用いられるガスの種類を含んでいてもよい。
【００１５】
別な観点による本発明によれば、前記接合方法を接合システムによって実行させるために、当該接合システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
【００１６】
また別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
【００１７】
さらに別な観点による本発明は、基板同士を接合する接合システムであって、基板の接合される表面に対してプラズマ処理を行い、当該表面を改質する表面改質装置と、前記表面改質装置で改質された基板の表面を親水化する表面親水化装置と、前記表面親水化装置で表面が親水化された基板同士を接合する接合装置と、前記表面改質装置で行われるプラズマ処理において、高周波出力、プラズマ処理時間及び処理雰囲気圧力を含む処理条件を制御し、基板表面の酸化量を制御する制御部と、を有することを特徴としている。
【００１８】
前記制御部は、前記表面改質装置で基板表面を改質した後の当該基板表面の酸化量と前記接合装置で接合された重合基板の接合強度との相関と、前記接合装置で接合された重合基板の接合強度の許容範囲と、を有し、前記相関と前記接合強度の許容範囲とに基づいて、前記表面改質装置で行われるプラズマ処理の前記処理条件を制御してもよい。
【００１９】
前記接合強度の許容範囲の上限値は、前記接合装置で接合された重合基板間に気泡が発生しない接合強度であってもよい。
【００２０】
接合システムは、前記表面改質装置で基板表面を改質した後、当該基板表面の酸化量を測定する酸化量測定装置をさらに有し、前記制御部は、前記表面改質装置で基板表面を改質した後の当該基板表面の酸化量と前記接合装置で接合された重合基板の接合強度との相関を有し、前記酸化量測定装置での測定結果と前記相関とに基づいて、前記接合装置で接合される重合基板の接合強度を導出して重合基板を検査してもよい。
【００２１】
前記酸化量測定装置で測定される基板表面の酸化量は、基板表面の酸化膜の膜厚であってもよい。
【００２２】
前記表面改質装置で行われるプラズマ処理の前記処理条件は、プラズマ処理で用いられるガスの種類を含んでいてもよい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、基板同士を適切な接合強度で接合することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本実施の形態にかかる接合システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】本実施の形態にかかる接合システムの内部構成の概略を示す側面図である。
【図３】上ウェハと下ウェハの構成の概略を示す側面図である。
【図４】表面改質装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図５】イオン通過構造体の平面図である。
【図６】表面親水化装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図７】表面親水化装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図８】接合装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図９】接合装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図１０】位置調節機構の構成の概略を示す側面図である。
【図１１】反転機構の構成の概略を示す平面図である。
【図１２】反転機構の構成の概略を示す側面図である。
【図１３】反転機構の構成の概略を示す側面図である。
【図１４】保持アームと保持部材の構成の概略を示す側面図である。
【図１５】上チャックと下チャックの構成の概略を示す縦断面図である。
【図１６】上チャックを下方から見た平面図である。
【図１７】下チャックを上方から見た平面図である。
【図１８】ウェハ接合処理の主な工程を示すフローチャートである。
【図１９】上ウェハと下ウェハの水平方向の位置を調節する様子を示す説明図である。
【図２０】上ウェハと下ウェハの鉛直方向の位置を調節する様子を示す説明図である。
【図２１】上ウェハの中心部と下ウェハの中心部を当接させて押圧する様子を示す説明図である。
【図２２】上ウェハを下ウェハに順次当接させる様子を示す説明図である。
【図２３】上ウェハの表面と下ウェハの表面を当接させた様子を示す説明図である。
【図２４】上ウェハと下ウェハが接合された様子を示す説明図である。
【図２５】ウェハ表面の酸化量と重合ウェハの接合強度の相関を示す説明図である。
【図２６】（ａ）は高周波出力とウェハ表面の酸化量の相関を示す説明図であり、（ｂ）は高周波出力と重合ウェハの接合強度の相関を示す説明図である。
【図２７】（ａ）はプラズマ処理時間とウェハ表面の酸化量の相関を示す説明図であり、（ｂ）はプラズマ処理時間と重合ウェハの接合強度の相関を示す説明図である。
【図２８】（ａ）は処理雰囲気圧力とウェハ表面の酸化量の相関を示す説明図であり、（ｂ）は処理雰囲気圧力と重合ウェハの接合強度の相関を示す説明図である。
【図２９】他の実施の形態にかかる接合システムの内部構成の概略を示す側面図である。
【図３０】酸化量測定装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図３１】他の実施の形態にかかる表面改質装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる接合システム１の構成の概略を示す平面図である。図２は、接合システム１の内部構成の概略を示す側面図である。
【００２６】
接合システム１では、図３に示すように例えば２枚の基板としてのウェハＷＵ、ＷＬを接合する。以下、上側に配置されるウェハを「上ウェハＷＵ」といい、下側に配置されるウェハを「下ウェハＷＬ」という場合がある。また、上ウェハＷＵが接合される接合面を「表面ＷＵ１」といい、当該表面ＷＵ１と反対側の面を「裏面ＷＵ２」という。同様に、下ウェハＷＬが接合される接合面を「表面ＷＬ１」といい、当該表面ＷＬ１と反対側の面を「裏面ＷＬ２」という。そして、接合システム１では、上ウェハＷＵと下ウェハＷＬを接合して重合ウェハＷＴを形成する。
【００２７】
接合システム１は、図１に示すように例えば外部との間で複数のウェハＷＵ、ＷＬ、複数の重合ウェハＷＴをそれぞれ収容可能なカセットＣＵ、ＣＬ、ＣＴが搬入出される搬入出ステーション２と、ウェハＷＵ、ＷＬ、重合ウェハＷＴに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた処理ステーション３とを一体に接続した構成を有している。
【００２８】
搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。カセット載置台１０には、複数、例えば４つのカセット載置板１１が設けられている。カセット載置板１１は、水平方向のＸ方向（図１中の上下方向）に一列に並べて配置されている。これらのカセット載置板１１には、接合システム１の外部に対してカセットＣＵ、ＣＬ、ＣＴを搬入出する際に、カセットＣＵ、ＣＬ、ＣＴを載置することができる。このように、搬入出ステーション２は、複数の上ウェハＷＵ、複数の下ウェハＷＬ、複数の重合ウェハＷＴを保有可能に構成されている。なお、カセット載置板１１の個数は、本実施の形態に限定されず、任意に決定することができる。また、カセットの１つを異常ウェハの回収用として用いてもよい。すなわち、種々の要因で上ウェハＷＵと下ウェハＷＬとの接合に異常が生じたウェハを、他の正常な重合ウェハＷＴと分離することができるカセットである。本実施の形態においては、複数のカセットＣＴのうち、１つのカセットＣＴを異常ウェハの回収用として用い、他のカセットＣＴを正常な重合ウェハＷＴの収容用として用いている。
【００２９】
搬入出ステーション２には、カセット載置台１０に隣接してウェハ搬送部２０が設けられている。ウェハ搬送部２０には、Ｘ方向に延伸する搬送路２１上を移動自在なウェハ搬送装置２２が設けられている。ウェハ搬送装置２２は、鉛直方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各カセット載置板１１上のカセットＣＵ、ＣＬ、ＣＴと、後述する処理ステーション３の第３の処理ブロックＧ３のトランジション装置５０、５１との間でウェハＷＵ、ＷＬ、重合ウェハＷＴを搬送できる。
【００３０】
処理ステーション３には、各種装置を備えた複数例えば３つの処理ブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３が設けられている。例えば処理ステーション３の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、第１の処理ブロックＧ１が設けられ、処理ステーション３の背面側（図１のＸ方向正方向側）には、第２の処理ブロックＧ２が設けられている。また、処理ステーション３の搬入出ステーション２側（図１のＹ方向負方向側）には、第３の処理ブロックＧ３が設けられている。
【００３１】
例えば第１の処理ブロックＧ１には、ウェハＷＵ、ＷＬの表面ＷＵ１、ＷＬ１を改質する表面改質装置３０が配置されている。本実施の形態では、表面改質装置３０において、ウェハＷＵ、ＷＬの表面ＷＵ１、ＷＬ１に対してプラズマ処理を行い、当該表面ＷＵ１、ＷＬ１を改質する。
【００３２】
例えば第２の処理ブロックＧ２には、例えば純水によってウェハＷＵ、ＷＬの表面ＷＵ１、ＷＬ１を親水化すると共に当該表面ＷＵ１、ＷＬ１を洗浄する表面親水化装置４０、ウェハＷＵ、ＷＬを接合する接合装置４１が、搬入出ステーション２側からこの順で水平方向のＹ方向に並べて配置されている。
【００３３】
例えば第３の処理ブロックＧ３には、図２に示すようにウェハＷＵ、ＷＬ、重合ウェハＷＴのトランジション装置５０、５１が下から順に２段に設けられている。
【００３４】
図１に示すように第１の処理ブロックＧ１〜第３の処理ブロックＧ３に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域６０が形成されている。ウェハ搬送領域６０には、例えばウェハ搬送装置６１が配置されている。
【００３５】
ウェハ搬送装置６１は、例えば鉛直方向、水平方向（Ｙ方向、Ｘ方向）及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置６１は、ウェハ搬送領域６０内を移動し、周囲の第１の処理ブロックＧ１、第２の処理ブロックＧ２及び第３の処理ブロックＧ３内の所定の装置にウェハＷＵ、ＷＬ、重合ウェハＷＴを搬送できる。
【００３６】
次に、上述した表面改質装置３０の構成について説明する。表面改質装置３０は、図４に示すように内部を密閉可能な処理容器１００を有している。処理容器１００のウェハ搬送領域６０側の側面には、ウェハＷＵ、ＷＬの搬入出口１０１が形成され、当該搬入出口１０１にはゲートバルブ１０２が設けられている。
【００３７】
処理容器１００の底面には、吸気口１０３が形成されている。吸気口１０３には、処理容器１００の内部の処理雰囲気を所定の圧力まで減圧する吸気装置１０４に連通する吸気管１０５が接続されている。
【００３８】
また、処理容器１００の底面には、ウェハＷＵ、ＷＬを載置する載置台１１０が設けられている。載置台１１０は、例えば静電吸着や真空吸着によってウェハＷＵ、ＷＬを載置することができる。
【００３９】
載置台１１０には、例えば冷却媒体を流通させる温度調節機構１１１が内蔵されている。温度調節機構１１１は、冷却媒体の温度を調整する液温調節部１１２に接続されている。そして、液温調節部１１２によって冷媒媒体の温度が調節され、載置台１１０の温度を制御できる。この結果、載置台１１０上に載置されたウェハＷＵ、ＷＬを所定の温度に維持できる。
【００４０】
なお、載置台１１０の下方には、ウェハＷＵ、ＷＬを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられている。昇降ピンは、載置台１１０に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し載置台１１０の上面から突出可能になっている。
【００４１】
処理容器１００の上面には、電極１２０が設けられている。電極１２０には、高周波電源１２１が接続されている。この高周波電源１２１は、後述するイオン通過構造体１４０における上部電極１４１にも接続されている。そしてプラズマ処理時には、高周波電源１２１から電極１２０と上部電極１４１に例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電圧が印加され、電極１２０と上部電極１４１との間に電界が形成されるようになっている。
【００４２】
処理容器１００の側面には、当該処理容器１００内に処理ガスとしての酸素ガスを供給するガス供給管１３０が接続されている。ガス供給管１３０は、後述するイオン通過構造体１４０の上方に配置され、処理容器１００内のプラズマ生成領域Ｒ１に酸素ガスを供給する。また、ガス供給管１３０には、内部に酸素ガスを貯留するガス供給源１３１に連通している。ガス供給管１３０には、酸素ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群１３２が設けられている。
【００４３】
処理容器１００内の載置台１１０と電極１２０との間には、イオン通過構造体１４０が設けられている。すなわち、イオン通過構造体１４０は、処理容器１００の内部を、高周波電源１２１から印可される高周波電圧により電極１２０と上部電極１４１との間に形成された電界によってガス供給管１３０から供給された酸素ガスをプラズマ化するプラズマ生成領域Ｒ１と、プラズマ生成領域Ｒ１で生成された酸素イオンを用いて載置台１１０上のウェハＷＵ、ＷＬの表面ＷＵ１、ＷＬ１を改質する処理領域Ｒ２に区画するように設けられている。
【００４４】
イオン通過構造体１４０は、一対の電極１４１、１４２を有している。以下、上部に配置された電極を上部電極１４１といい、下部に配置された電極を下部電極１４２という場合がある。一対の電極１４１、１４２間には、当該一対の電極１４１、１４２を電気的に絶縁する絶縁材１４３が設けられている。
【００４５】
各電極１４１、１４２は、図４及び図５に示すように平面視においてウェハＷＵ、ＷＬの径よりも大きい円形状を有している。また、各電極１４１、１４２には、プラズマ生成領域Ｒ１から処理領域Ｒ２に酸素イオンが通過する開口部１４４が複数形成されている。これら複数の開口部１４４は、例えば格子状に配置されている。なお、複数の開口部１４４の形状や配置は、本実施の形態に限定されず、任意に設定することができる。
【００４６】
イオン通過構造体１４０には、一対の電極１４１、１４２間に所定の電圧を印加する電源１４５が接続されている。この電源１４５によって印加される所定の電圧は、後述する制御部３００によって制御され、最大電圧は例えば１ＫｅＶである。
【００４７】
次に、上述した表面親水化装置４０の構成について説明する。表面親水化装置４０は、図６に示すように内部を密閉可能な処理容器１５０を有している。処理容器１５０のウェハ搬送領域６０側の側面には、図７に示すようにウェハＷＵ、ＷＬの搬入出口１５１が形成され、当該搬入出口１５１には開閉シャッタ１５２が設けられている。
【００４８】
処理容器１５０内の中央部には、図６に示すようにウェハＷＵ、ＷＬを保持して回転させるスピンチャック１６０が設けられている。スピンチャック１６０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハＷＵ、ＷＬを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハＷＵ、ＷＬをスピンチャック１６０上に吸着保持できる。
【００４９】
スピンチャック１６０は、例えばモータなどを備えたチャック駆動部１６１を有し、そのチャック駆動部１６１により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部１６１には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック１６０は昇降自在になっている。
【００５０】
スピンチャック１６０の周囲には、ウェハＷＵ、ＷＬから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ１６２が設けられている。カップ１６２の下面には、回収した液体を排出する排出管１６３と、カップ１６２内の雰囲気を真空引きして排気する排気管１６４が接続されている。
【００５１】
図７に示すようにカップ１６２のＸ方向負方向（図７の下方向）側には、Ｙ方向（図７の左右方向）に沿って延伸するレール１７０が形成されている。レール１７０は、例えばカップ１６２のＹ方向負方向（図７の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図７の右方向）側の外方まで形成されている。レール１７０には、例えばノズルアーム１７１とスクラブアーム１７２が取り付けられている。
【００５２】
ノズルアーム１７１には、図６及び図７に示すようにウェハＷＵ、ＷＬに純水を供給する純水ノズル１７３が支持されている。ノズルアーム１７１は、図７に示すノズル駆動部１７４により、レール１７０上を移動自在である。これにより、純水ノズル１７３は、カップ１６２のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部１７５からカップ１６２内のウェハＷＵ、ＷＬの中心部上方まで移動でき、さらに当該ウェハＷＵ、ＷＬ上をウェハＷＵ、ＷＬの径方向に移動できる。また、ノズルアーム１７１は、ノズル駆動部１７４によって昇降自在であり、純水ノズル１７３の高さを調節できる。
【００５３】
純水ノズル１７３には、図６に示すように当該純水ノズル１７３に純水を供給する供給管１７６が接続されている。供給管１７６は、内部に純水を貯留する純水供給源１７７に連通している。また、供給管１７６には、純水の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群１７８が設けられている。
【００５４】
スクラブアーム１７２には、スクラブ洗浄具１８０が支持されている。スクラブ洗浄具１８０の先端部には、例えば複数の糸状やスポンジ状のブラシ１８０ａが設けられている。スクラブアーム１７２は、図７に示す洗浄具駆動部１８１によってレール１７０上を移動自在であり、スクラブ洗浄具１８０を、カップ１６２のＹ方向負方向側の外方からカップ１６２内のウェハＷＵ、ＷＬの中心部上方まで移動させることができる。また、洗浄具駆動部１８１によって、スクラブアーム１７２は昇降自在であり、スクラブ洗浄具１８０の高さを調節できる。
【００５５】
なお、以上の構成では、純水ノズル１７３とスクラブ洗浄具１８０が別々のアームに支持されていたが、同じアームに支持されていてもよい。また、純水ノズル１７３を省略して、スクラブ洗浄具１８０から純水を供給するようにしてもよい。さらに、カップ１６２を省略して、処理容器１５０の底面に液体を排出する排出管と、処理容器１５０内の雰囲気を排気する排気管を接続してもよい。また、以上の構成の表面親水化装置４０において、帯電防止用のイオナイザ（図示せず）を設けてもよい。
【００５６】
次に、上述した接合装置４１の構成について説明する。接合装置４１は、図８に示すように内部を密閉可能な処理容器１９０を有している。処理容器１９０のウェハ搬送領域６０側の側面には、ウェハＷＵ、ＷＬ、重合ウェハＷＴの搬入出口１９１が形成され、当該搬入出口１９１には開閉シャッタ１９２が設けられている。
【００５７】
処理容器１９０の内部は、内壁１９３によって、搬送領域Ｔ１と処理領域Ｔ２に区画されている。上述した搬入出口１９１は、搬送領域Ｔ１における処理容器１９０の側面に形成されている。また、内壁１９３にも、ウェハＷＵ、ＷＬ、重合ウェハＷＴの搬入出口１９４が形成されている。
【００５８】
搬送領域Ｔ１のＸ方向正方向側には、ウェハＷＵ、ＷＬ、重合ウェハＷＴを一時的に載置するためのトランジション２００が設けられている。トランジション２００は、例えば２段に形成され、ウェハＷＵ、ＷＬ、重合ウェハＷＴのいずれか２つを同時に載置することができる。
【００５９】
搬送領域Ｔ１には、ウェハ搬送機構２０１が設けられている。ウェハ搬送機構２０１は、図８及び図９に示すように例えば鉛直方向、水平方向（Ｙ方向、Ｘ方向）及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有している。そして、ウェハ搬送機構２０１は、搬送領域Ｔ１内、又は搬送領域Ｔ１と処理領域Ｔ２との間でウェハＷＵ、ＷＬ、重合ウェハＷＴを搬送できる。
【００６０】
搬送領域Ｔ１のＸ方向負方向側には、ウェハＷＵ、ＷＬの水平方向の向きを調節する位置調節機構２１０が設けられている。位置調節機構２１０は、図１０に示すように基台２１１と、ウェハＷＵ、ＷＬを吸着保持して回転させる保持部２１２と、ウェハＷＵ、ＷＬのノッチ部の位置を検出する検出部２１３と、を有している。そして、位置調節機構２１０では、保持部２１２に吸着保持されたウェハＷＵ、ＷＬを回転させながら検出部２１３でウェハＷＵ、ＷＬのノッチ部の位置を検出することで、当該ノッチ部の位置を調節してウェハＷＵ、ＷＬの水平方向の向きを調節している。
【００６１】
また、搬送領域Ｔ１には、上ウェハＷＵの表裏面を反転させる反転機構２２０が設けられている。反転機構２２０は、図１１〜図１３に示すように上ウェハＷＵを保持する保持アーム２２１を有している。保持アーム２２１は、水平方向（図１１及び図１２中のＹ方向）に延伸している。また保持アーム２２１には、上ウェハＷＵを保持する保持部材２２２が例えば４箇所に設けられている。保持部材２２２は、図１４に示すように保持アーム２２１に対して水平方向に移動可能に構成されている。また保持部材２２２の側面には、上ウェハＷＵの外周部を保持するための切り欠き２２３が形成されている。そして、これら保持部材２２２は、上ウェハＷＵを挟み込んで保持することができる。
【００６２】
保持アーム２２１は、図１１〜図１３に示すように例えばモータなどを備えた第１の駆動部２２４に支持されている。この第１の駆動部２２４によって、保持アーム２２１は水平軸周りに回動自在である。また保持アーム２２１は、第１の駆動部２２４を中心に回動自在であると共に、水平方向（図１１及び図１２中のＹ方向）に移動自在である。第１の駆動部２２４の下方には、例えばモータなどを備えた第２の駆動部２２５が設けられている。この第２の駆動部２２５によって、第１の駆動部２２４は鉛直方向に延伸する支持柱２２６に沿って鉛直方向に移動できる。このように第１の駆動部２２４と第２の駆動部２２５によって、保持部材２２２に保持された上ウェハＷＵは、水平軸周りに回動できると共に鉛直方向及び水平方向に移動できる。また、保持部材２２２に保持された上ウェハＷＵは、第１の駆動部２２４を中心に回動して、位置調節機構２１０から後述する上チャック２３０との間を移動できる。
【００６３】
処理領域Ｔ２には、図８及び図９に示すように上ウェハＷＵを下面で吸着保持する上チャック２３０と、下ウェハＷＬを上面で載置して吸着保持する下チャック２３１とが設けられている。下チャック２３１は、上チャック２３０の下方に設けられ、上チャック２３０と対向配置可能に構成されている。すなわち、上チャック２３０に保持された上ウェハＷＵと下チャック２３１に保持された下ウェハＷＬは対向して配置可能となっている。
【００６４】
上チャック２３０は、図９に示すように処理容器１９０の天井面に設けられた支持部材２３２に支持されている。支持部材２３２は、上チャック２３０の上面外周部を支持している。下チャック２３１の下方には、シャフト２３３を介してチャック駆動部２３４が設けられている。このチャック駆動部２３４により、下チャック２３１は鉛直方向に昇降自在、且つ水平方向に移動自在になっている。また、チャック駆動部２３４によって、下チャック２３１は鉛直軸周りに回転自在になっている。また、下チャック２３１の下方には、下ウェハＷＬを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられている。昇降ピンは、下チャック２３１に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、下チャック２３１の上面から突出可能になっている。
【００６５】
上チャック２３０は、図１５に示すように複数、例えば３つの領域２３０ａ、２３０ｂ、２３０ｃに区画されている。これら領域２３０ａ、２３０ｂ、２３０ｃは、図１６に示すように上チャック２３０の中心部から外周部に向けてこの順で設けられている。そして、領域２３０ａは平面視において円形状を有し、領域２３０ｂ、２３０ｃは平面視において環状形状を有している。各領域２３０ａ、２３０ｂ、２３０ｃには、図１５に示すように上ウェハＷＵを吸着保持するための吸引管２４０ａ、２４０ｂ、２４０ｃがそれぞれ独立して設けられている。各吸引管２４０ａ、２４０ｂ、２４０ｃには、異なる真空ポンプ２４１ａ、２４１ｂ、２４１ｃがそれぞれ接続されている。したがって、上チャック２３０は、各領域２３０ａ、２３０ｂ、２３０ｃ毎に上ウェハＷＵの真空引きを設定可能に構成されている。
【００６６】
なお以下において、上述した３つの領域２３０ａ、２３０ｂ、２３０ｃを、それぞれ第１の領域２３０ａ、第２の領域２３０ｂ、第３の領域２３０ｃという場合がある。また、吸引管２４０ａ、２４０ｂ、２４０ｃを、それぞれ第１の吸引管２４０ａ、第２の吸引管２４０ｂ、第３の吸引管２４０ｃという場合がある。さらに、真空ポンプ２４１ａ、２４１ｂ、２４１ｃを、それぞれ第１の真空ポンプ２４１ａ、第２の真空ポンプ２４１ｂ、第３の真空ポンプ２４１ｃという場合がある。
【００６７】
上チャック２３０の中心部には、当該上チャック２３０を厚み方向に貫通する貫通孔２４２が形成されている。この上チャック２３０の中心部は、当該上チャック２３０に吸着保持される上ウェハＷＵの中心部に対応している。そして、貫通孔２４２には、後述する押動部材２５０の押動ピン２５１が挿通するようになっている。
【００６８】
上チャック２３０の上面には、上ウェハＷＵの中心部を押圧する押動部材２５０が設けられている。押動部材２５０は、シリンダ構造を有し、押動ピン２５１と当該押動ピン２５１が昇降する際のガイドとなる外筒２５２とを有している。押動ピン２５１は、例えばモータなどを備えた駆動部（図示せず）によって、貫通孔２４２を挿通して鉛直方向に昇降自在になっている。そして、押動部材２５０は、後述するウェハＷＵ、ＷＬの接合時に、上ウェハＷＵの中心部と下ウェハＷＬの中心部とを当接させて押圧することができる。
【００６９】
上チャック２３０には、下ウェハＷＬの表面ＷＬ１を撮像する上部撮像部材２５３が設けられている。上部撮像部材２５３には、例えば広角型のＣＣＤカメラが用いられる。なお、上部撮像部材２５３は、上チャック２３０上に設けられていてもよい。
【００７０】
下チャック２３１は、図１７に示すように複数、例えば２つの領域２３１ａ、２３１ｂに区画されている。これら領域２３１ａ、２３１ｂは、下チャック２３１の中心部から外周部に向けてこの順で設けられている。そして、領域２３１ａは平面視において円形状を有し、領域２３１ｂは平面視において環状形状を有している。各領域２３１ａ、２３１ｂには、図１５に示すように下ウェハＷＬを吸着保持するための吸引管２６０ａ、２６０ｂがそれぞれ独立して設けられている。各吸引管２６０ａ、２６０ｂには、異なる真空ポンプ２６１ａ、２６１ｂがそれぞれ接続されている。したがって、下チャック２３１は、各領域２３１ａ、２３１ｂ毎に下ウェハＷＬの真空引きを設定可能に構成されている。
【００７１】
下チャック２３１の外周部には、ウェハＷＵ、ＷＬ、重合ウェハＷＴが当該下チャック２３１から飛び出したり、滑落するのを防止するストッパ部材２６２が設けられている。ストッパ部材２６２は、その頂部が少なくとも下チャック２３１上の重合ウェハＷＴよりも上方に位置するように鉛直方向に延伸している。また、ストッパ部材２６２は、図１７に示すように下チャック２３１の外周部に複数個所、例えば５箇所に設けられている。
【００７２】
下チャック２３１には、図１５に示すように上ウェハＷＵの表面ＷＵ１を撮像する下部撮像部材２６３が設けられている。下部撮像部材２６３には、例えば広角型のＣＣＤカメラが用いられる。なお、下部撮像部材２６３は、下チャック２３１上に設けられていてもよい。
【００７３】
以上の接合システム１には、図１に示すように制御部３００が設けられている。制御部３００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、接合システム１におけるウェハＷＵ、ＷＬ、重合ウェハＷＴの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、接合システム１における後述のウェハ接合処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部３００にインストールされたものであってもよい。
【００７４】
次に、以上のように構成された接合システム１を用いて行われるウェハＷＵ、ＷＬの接合処理方法について説明する。図１８は、かかるウェハ接合処理の主な工程の例を示すフローチャートである。
【００７５】
先ず、複数枚の上ウェハＷＵを収容したカセットＣＵ、複数枚の下ウェハＷＬを収容したカセットＣＬ、及び空のカセットＣＴが、搬入出ステーション２の所定のカセット載置板１１に載置される。その後、ウェハ搬送装置２２によりカセットＣＵ内の上ウェハＷＵが取り出され、処理ステーション３の第３の処理ブロックＧ３のトランジション装置５０に搬送される。
【００７６】
次に上ウェハＷＵは、ウェハ搬送装置６１によって第１の処理ブロックＧ１の表面改質装置３０に搬送される。表面改質装置３０に搬入された上ウェハＷＵは、ウェハ搬送装置６１から載置台１１０の上面に受け渡され載置される。その後、ウェハ搬送装置６１が表面改質装置３０から退出し、ゲートバルブ１０２が閉じられる。なお、載置台１１０に載置された上ウェハＷＵは、温度調節機構１１１によって所定の温度、例えば２５℃〜３０℃に維持される。
【００７７】
その後、吸気装置１０４を作動させ、吸気口１０３を介して処理容器１００の内部の処理雰囲気が所定の圧力、例えば４Ｐａ〜２００Ｐａ（３０ｍＴｏｒｒ〜１５００ｍＴｏｒｒ）まで減圧される。そして、後述するように上ウェハＷＵを処理中、処理容器１００内の処理雰囲気は上記所定の圧力に維持される。
【００７８】
その後、ガス供給管１３０から処理容器１００内のプラズマ生成領域Ｒ１に向けて、酸素ガスが供給される。また、高周波電源１２１から電極１２０と上部電極１４１に例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電圧が印加される。このとき、高周波は高周波電源１２１から例えば５０Ｗ〜２０００Ｗで出力される。そうすると、電極１２０と上部電極１４１との間に電界が形成される。そして、この電界によってプラズマ生成領域Ｒ１内において酸素ガスが励起されてプラズマ化され、例えば酸素ガスがイオン化する。
【００７９】
続いて、イオン通過構造体１４０において、電源１４５により一対の電極１４１、１４２に所定の電圧を印加する。そうすると、この一対の電極１４１、１４２によって、プラズマ生成領域Ｒ１で生成された酸素イオンのみが、イオン通過構造体１４０の開口部１４４を通過して処理領域Ｒ２に流入する。
【００８０】
その後、処理領域Ｒ２に導入された酸素イオンは、載置台１１０上の上ウェハＷＵの表面ＷＵ１に照射され、当該表面ＷＵ１に対してプラズマ処理が行われる。そして、かかるプラズマ処理が例えば５０秒〜２４０秒間行われて、上ウェハＷＵの表面ＷＵ１が改質される（図１８の工程Ｓ１）。
【００８１】
次に上ウェハＷＵは、ウェハ搬送装置６１によって第２の処理ブロックＧ２の表面親水化装置４０に搬送される。表面親水化装置４０に搬入された上ウェハＷＵは、ウェハ搬送装置６１からスピンチャック１６０に受け渡され吸着保持される。
【００８２】
続いて、ノズルアーム１７１によって待機部１７５の純水ノズル１７３を上ウェハＷＵの中心部の上方まで移動させると共に、スクラブアーム１７２によってスクラブ洗浄具１８０を上ウェハＷＵ上に移動させる。その後、スピンチャック１６０によって上ウェハＷＵを回転させながら、純水ノズル１７３から上ウェハＷＵ上に純水を供給する。そうすると、表面改質装置３０において改質された上ウェハＷＵの表面ＷＵ１に水酸基（シラノール基）が付着して当該表面ＷＵ１が親水化される。また、純水ノズル１７３からの純水とスクラブ洗浄具１８０によって、上ウェハＷＵの表面ＷＵ１が洗浄される（図１８の工程Ｓ２）。
【００８３】
次に上ウェハＷＵは、ウェハ搬送装置６１によって第２の処理ブロックＧ２の接合装置４１に搬送される。接合装置４１に搬入された上ウェハＷＵは、トランジション２００を介してウェハ搬送機構２０１により位置調節機構２１０に搬送される。そして位置調節機構２１０によって、上ウェハＷＵの水平方向の向きが調節される（図１８の工程Ｓ３）。
【００８４】
その後、位置調節機構２１０から反転機構２２０の保持アーム２２１に上ウェハＷＵが受け渡される。続いて搬送領域Ｔ１において、保持アーム２２１を反転させることにより、上ウェハＷＵの表裏面が反転される（図１８の工程Ｓ４）。すなわち、上ウェハＷＵの表面ＷＵ１が下方に向けられる。
【００８５】
その後、反転機構２２０の保持アーム２２１が、第１の駆動部２２４を中心に回動して上チャック２３０の下方に移動する。そして、反転機構２２０から上チャック２３０に上ウェハＷＵが受け渡される。上ウェハＷＵは、上チャック２３０にその裏面ＷＵ２が吸着保持される（図１８の工程Ｓ５）。このとき、すべての真空ポンプ２４１ａ、２４１ｂ、２４１ｃを作動させ、上チャック２３０のすべての領域２３０ａ、２３０ｂ、２３０ｃにおいて、上ウェハＷＵを真空引きしている。上ウェハＷＵは、後述する下ウェハＷＬが接合装置４１に搬送されるまで上チャック２３０で待機する。
【００８６】
上ウェハＷＵに上述した工程Ｓ１〜Ｓ５の処理が行われている間、当該上ウェハＷＵに続いて下ウェハＷＬの処理が行われる。先ず、ウェハ搬送装置２２によりカセットＣＬ内の下ウェハＷＬが取り出され、処理ステーション３のトランジション装置５０に搬送される。
【００８７】
次に下ウェハＷＬは、ウェハ搬送装置６１によって表面改質装置３０に搬送され、下ウェハＷＬの表面ＷＬ１が改質される（図１８の工程Ｓ６）。なお、工程Ｓ６における下ウェハＷＬの表面ＷＬ１の改質は、上述した工程Ｓ１と同様である。すなわち、高周波出力、プラズマ処理時間及び処理雰囲気圧力の処理条件についても工程Ｓ１と同様の条件で、表面ＷＬ１に対してプラズマ処理が行われる。
【００８８】
その後、下ウェハＷＬは、ウェハ搬送装置６１によって表面親水化装置４０に搬送され、下ウェハＷＬの表面ＷＬ１が親水化される共に当該表面ＷＬ１が洗浄される（図１８の工程Ｓ７）。なお、工程Ｓ７における下ウェハＷＬの表面ＷＬ１の親水化及び洗浄は、上述した工程Ｓ２と同様であるので詳細な説明を省略する。
【００８９】
その後、下ウェハＷＬは、ウェハ搬送装置６１によって接合装置４１に搬送される。接合装置４１に搬入された下ウェハＷＬは、トランジション２００を介してウェハ搬送機構２０１により位置調節機構２１０に搬送される。そして位置調節機構２１０によって、下ウェハＷＬの水平方向の向きが調節される（図１８の工程Ｓ８）。
【００９０】
その後、下ウェハＷＬは、ウェハ搬送機構２０１によって下チャック２３１に搬送され、下チャック２３１に吸着保持される（図１８の工程Ｓ９）。このとき、すべての真空ポンプ２６１ａ、２６１ｂを作動させ、下チャック２３１のすべての領域２３１ａ、２３１ｂにおいて、下ウェハＷＬを真空引きしている。そして、下ウェハＷＬの表面ＷＬ１が上方を向くように、当該下ウェハＷＬの裏面ＷＬ２が下チャック２３１に吸着保持される。
【００９１】
次に、上チャック２３０に保持された上ウェハＷＵと下チャック２３１に保持された下ウェハＷＬとの水平方向の位置調節を行う。図１９に示すように下ウェハＷＬの表面ＷＬ１には予め定められた複数、例えば４点以上の基準点Ａが形成され、同様に上ウェハＷＵの表面ＷＵ１には予め定められた複数、例えば４点以上の基準点Ｂが形成されている。これら基準点Ａ、Ｂとしては、例えばウェハＷＬ、ＷＵ上に形成された所定のパターンがそれぞれ用いられる。そして、上部撮像部材２５３を水平方向に移動させ、下ウェハＷＬの表面ＷＬ１が撮像される。また、下部撮像部材２６３を水平方向に移動させ、上ウェハＷＵの表面ＷＵ１が撮像される。その後、上部撮像部材２５３が撮像した画像に表示される下ウェハＷＬの基準点Ａの位置と、下部撮像部材２６３が撮像した画像に表示される上ウェハＷＵの基準点Ｂの位置とが合致するように、下チャック２３１によって下ウェハＷＬの水平方向の位置（水平方向の向きを含む）が調節される。すなわち、チャック駆動部２３４によって、下チャック２３１を水平方向に移動させて、下ウェハＷＬの水平方向の位置が調節される。こうして上ウェハＷＵと下ウェハＷＬとの水平方向の位置が調節される（図１８の工程Ｓ１０）。なお、上部撮像部材２５６と下部撮像部材２６３を移動させる代わりに、下チャック２３１を移動させてもよい。
【００９２】
なお、ウェハＷＵ、ＷＬの水平方向きは、工程Ｓ３、Ｓ８において位置調節機構２１０によって調節されているが、工程Ｓ１０において微調節が行われる。また、本実施の形態の工程Ｓ１０では、基準点Ａ、Ｂとして、ウェハＷＬ、ＷＵ上に形成された所定のパターンを用いていたが、その他の基準点を用いることもできる。例えばウェハＷＬ、ＷＵの外周部とノッチ部を基準点として用いることができる。
【００９３】
その後、チャック駆動部２３４によって、図２０に示すように下チャック２３１を上昇させ、下ウェハＷＬを所定の位置に配置する。このとき、下ウェハＷＬの表面ＷＬ１と上ウェハＷＵの表面ＷＵ１との間の間隔が所定の距離、例えば８０μｍ〜２００μｍになるように下ウェハＷＬを配置する。こうして上ウェハＷＵと下ウェハＷＬとの鉛直方向の位置が調節される（図１８の工程Ｓ１１）。なお、工程Ｓ５〜工程Ｓ１１において、上チャック２３０のすべての領域２３０ａ、２３０ｂ、２３０ｃにおいて、上ウェハＷＵを真空引きしている。同様に工程Ｓ９〜工程Ｓ１１において、下チャック２３１のすべての領域２３１ａ、２３１ｂにおいて、下ウェハＷＬを真空引きしている。
【００９４】
その後、第１の真空ポンプ２４１ａの作動を停止して、図２１に示すように第１の領域２３０ａにおける第１の吸引管２４０ａからの上ウェハＷＵの真空引きを停止する。このとき、第２の領域２３０ｂと第３の領域２３０ｃでは、上ウェハＷＵが真空引きされて吸着保持されている。その後、押動部材２５０の押動ピン２５１を下降させることによって、上ウェハＷＵの中心部を押圧しながら当該上ウェハＷＵを下降させる。このとき、押動ピン２５１には、上ウェハＷＵがない状態で当該押動ピン２５１が７０μｍ移動するような荷重、例えば２００ｇがかけられる。そして、押動部材２５０によって、上ウェハＷＵの中心部と下ウェハＷＬの中心部を当接させて押圧する（図１８の工程Ｓ１２）。
【００９５】
そうすると、押圧された上ウェハＷＵの中心部と下ウェハＷＬの中心部との間で接合が開始する（図２１中の太線部）。すなわち、上ウェハＷＵの表面ＷＵ１と下ウェハＷＬの表面ＷＬ１はそれぞれ工程Ｓ１、Ｓ６において改質されているため、先ず、表面ＷＵ１、ＷＬ１間にファンデルワールス力（分子間力）が生じ、当該表面ＷＵ１、ＷＬ１同士が接合される。さらに、上ウェハＷＵの表面ＷＵ１と下ウェハＷＬの表面ＷＬ１はそれぞれ工程Ｓ２、Ｓ７において親水化されているため、表面ＷＵ１、ＷＬ１間の親水基が水素結合し（分子間力）、表面ＷＵ１、ＷＬ１同士が強固に接合される。
【００９６】
その後、図２２に示すように押動部材２５０によって上ウェハＷＵの中心部と下ウェハＷＬの中心部を押圧した状態で、第２の真空ポンプ２４１ｂの作動を停止して、第２の領域２３０ｂにおける第２の吸引管２４０ｂからの上ウェハＷＵの真空引きを停止する。そうすると、第２の領域２３０ｂに保持されていた上ウェハＷＵが下ウェハＷＬ上に落下する。さらにその後、第３の真空ポンプ２４１ｃの作動を停止して、第３の領域２３０ｃにおける第３の吸引管２４０ｃからの上ウェハＷＵの真空引きを停止する。このように上ウェハＷＵの中心部から外周部に向けて、上ウェハＷＵの真空引きを停止し、上ウェハＷＵが下ウェハＷＬ上に順次落下して当接する。そして、上述した表面ＷＵ１、ＷＬ１間のファンデルワールス力と水素結合による接合が順次拡がる。こうして、図２３に示すように上ウェハＷＵの表面ＷＵ１と下ウェハＷＬの表面ＷＬ１が全面で当接し、上ウェハＷＵと下ウェハＷＬが接合される（図１８の工程Ｓ１３）。
【００９７】
その後、図２４に示すように押動部材２５０を上チャック２３０まで上昇させる。また、下チャック２３１において吸引管２６０ａ、２６０ｂからの下ウェハＷＬの真空引きを停止して、下チャック２３１による下ウェハＷＬの吸着保持を停止する。
【００９８】
上ウェハＷＵと下ウェハＷＬが接合された重合ウェハＷＴは、ウェハ搬送装置６１によってトランジション装置５１に搬送され、その後搬入出ステーション２のウェハ搬送装置２２によって所定のカセット載置板１１のカセットＣＴに搬送される。こうして、一連のウェハＷＵ、ＷＬの接合処理が終了する。
【００９９】
ここで、発明者らが鋭意検討したところ、工程Ｓ１３において接合されるウェハＷＵ、ＷＬの表面ＷＵ１、ＷＬ１の酸化量（Ｓｉ酸化量であって、表面ＷＵ１、ＷＬ１の酸化膜の膜厚）と、工程Ｓ１３において接合された重合ウェハＷＴの接合強度（接合エネルギー）との間には、図２５に示すように相関があることを見出した。そして、ウェハＷＵ、ＷＬの表面ＷＵ１、ＷＬ１の酸化量の変動が、図２６〜図２８に示すように工程Ｓ１、Ｓ６において行われるプラズマ処理の処理条件、具体的には高周波出力、プラズマ処理時間及び処理雰囲気圧力に起因することをさらに見出した。
【０１００】
発明者らは実際に実験（シミュレーションを含む。）を行い、上記知見を得た。そして高周波出力以外の処理条件を同じ条件にして実験を行ったところ、図２６に示すように高周波出力（ＲＦ  Ｐｏｗｅｒ）を増加させれば、図２６（ａ）に示すように表面ＷＵ１、ＷＬ１の酸化量（Ｓｉ酸化量）が増加し、図２６（ｂ）に示すように重合ウェハＷＴの接合強度（接合エネルギー）が増加することが分かった。また、図２７に示すようにプラズマ処理時間（Ｔｉｍｅ）を増加させれば、図２７（ａ）に示すように表面ＷＵ１、ＷＬ１の酸化量が増加し、図２７（ｂ）に示すように重合ウェハＷＴの接合強度が増加することが分かった。さらに、図２８に示すように処理雰囲気圧力（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ）を小さくすれば、図２８（ａ）に示すように表面ＷＵ１、ＷＬ１の酸化量が増加し、図２８（ｂ）に示すように重合ウェハＷＴの接合強度が増加することが分かった。そして、発明者らはこれら高周波出力、プラズマ処理時間及び処理雰囲気圧力を制御すれば、ウェハＷＵ、ＷＬの表面ＷＵ１、ＷＬ１の酸化量を十分に制御できることを見出した。
【０１０１】
さらに、これら図２６（ａ）と図２６（ｂ）、図２７（ａ）と図２７（ｂ）、図２８（ａ）と図２８（ｂ）をそれぞれ比較することで、図２５に示すようにウェハＷＵ、ＷＬの表面ＷＵ１、ＷＬ１の酸化量と重合ウェハＷＴの接合強度との間に相関があることを見出した。
【０１０２】
なお、図２６〜図２８における表面ＷＵ１、ＷＬ１の酸化量は、実際には接合装置４１で接合された重合ウェハＷＴを所定の温度で加熱（アニール処理）した後に測定したものである。
【０１０３】
そして、上述した工程Ｓ１、Ｓ６における高周波出力、プラズマ処理時間及び処理雰囲気圧力は、図２５に示す重合ウェハＷＴの接合強度の許容範囲Ｊに基づいて設定される。
【０１０４】
許容範囲Ｊの下限値Ｊ１は、要求される重合ウェハＷＴの接合強度に基づいて設定される。本実施の形態において下限値Ｊ１は、例えば１．０Ｊ／ｍ２である。
【０１０５】
許容範囲Ｊの上限値Ｊ２は、重合ウェハＷＴの間に気泡（ボイド）が発生しない接合強度に設定される。ここで発明者らは、重合ウェハＷＴの接合強度と重合ウェハＷＴ間の気泡発生には、トレードオフの関係があることを見出した。すなわち、重合ウェハＷＴの接合強度が大き過ぎると、重合ウェハＷＴ間に気泡が発生し易くなることを見出した。そこで、上限値Ｊ２は気泡が発生しないように設定され、本実施の形態において上限値Ｊ２は例えば３．０Ｊ／ｍ２である。なお、重合ウェハＷＴ間の気泡は、赤外線や超音波を透過させて検査する。
【０１０６】
そして、重合ウェハＷＴの接合強度の許容範囲Ｊに基づき、ウェハＷＵ、ＷＬの表面ＷＵ１、ＷＬ１の酸化量と重合ウェハＷＴの接合強度の相関を用いて、表面ＷＵ１、ＷＬ１の酸化量の許容範囲が得られる。この表面ＷＵ１、ＷＬ１の酸化量の許容範囲に基づき、図２６〜２８に示した相関から工程Ｓ１、Ｓ６における高周波出力、プラズマ処理時間及び処理雰囲気圧力を設定する。なお、ウェハＷＵ、ＷＬの表面ＷＵ１、ＷＬ１の酸化量と重合ウェハＷＴの接合強度の相関、及び重合ウェハＷＴの接合強度の許容範囲Ｊは制御部３００に保存されており、高周波出力、プラズマ処理時間及び処理雰囲気圧力の設定は制御部３００で行われる。
【０１０７】
以上の実施の形態によれば、工程Ｓ１、Ｓ６において高周波出力、プラズマ処理時間及び処理雰囲気圧力を含む処理条件を制御してプラズマ処理を行っているので、ウェハＷＵ、ＷＬの表面ＷＵ１、ＷＬ１の酸化量を制御することができる。そうすると、表面ＷＵ１、ＷＬ１の酸化量と相関のある重合ウェハＷＴの接合強度も制御することができる。したがって、ウェハＷＵ、ＷＬ同士を適切な接合強度で接合することができる。
【０１０８】
また工程Ｓ１、Ｓ６における高周波出力、プラズマ処理時間及び処理雰囲気圧力は、ウェハＷＵ、ＷＬの表面ＷＵ１、ＷＬ１の酸化量と重合ウェハＷＴの接合強度の相関と重合ウェハＷＴの接合強度の許容範囲Ｊとに基づいて設定されるので、重合ウェハＷＴにおける気泡の発生を抑制しつつ、ウェハＷＵ、ＷＬを適切な接合強度で接合することができる。
【０１０９】
さらに接合システム１は、表面改質装置３０に加えて、ウェハＷＵ、ＷＬの表面ＷＵ１、ＷＬ１を親水化すると共に当該表面ＷＵ１、ＷＬ１を洗浄する表面親水化装置４０と、ウェハＷＵ、ＷＬを接合する接合装置４１も備えているので、一のシステム内でウェハＷＵ、ＷＬの接合を効率よく行うことができる。したがって、ウェハ接合処理のスループットをより向上させることができる。
【０１１０】
以上の実施の形態の接合システム１において、表面改質装置３０でウェハＷＵ、ＷＬの表面ＷＵ１、ＷＬ１を改質した後、当該表面ＷＵ１、ＷＬ１の酸化量を測定する酸化量測定装置を有していてもよい。図２９に示すように酸化量測定装置４００は、例えば第３の処理ブロックＧ３のトランジション装置５０、５１上に積層されて設けられる。
【０１１１】
酸化量測定装置４００は、ウェハＷＵ、ＷＬの表面ＷＵ１、ＷＬ１の酸化膜の膜厚を測定する。本実施の形態の酸化量測定装置４００では、スキャトロメトリ法（エリプソメトリ法）を用いて酸化膜の膜厚を測定するが、酸化膜の膜厚の測定方法はこれに限定されず、種々の方法を取り得る。
【０１１２】
酸化量測定装置４００は、図３０に示すように処理容器４１０を有している。処理容器４１０のウェハ搬送領域６０側の側面には、ウェハＷＵ、ＷＬの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。
【０１１３】
処理容器４１０内の底面には、ウェハＷＵ、ＷＬを水平に載置する載置台４２０と、光学式表面形状測定計４２１が設けられている。載置台４２０は、例えば水平方向の２次元方向に移動できる。光学式表面形状測定計４２１は、例えばウェハＷＵ、ＷＬに対して斜方向から光を照射する光照射部４２２と、光照射部４２２から照射されウェハＷＵ、ＷＬで反射した光を検出する光検出部４２３と、当該光検出部４２３の受光情報に基づいてウェハＷＵ、ＷＬの表面ＷＵ１、ＷＬ１の酸化膜の膜厚を算出する測定部４２４を備えている。酸化量測定装置４００は、例えばスキャトロメトリ法を用いて酸化膜の膜厚を測定するものであり、測定部４２４において、光検出部４２３により検出されたウェハ面内の光強度分布と、予め記憶されている仮想の光強度分布とを照合し、その照合された仮想の光強度分布に対応する酸化膜の膜厚を求めることにより、表面ＷＵ１、ＷＬ１の酸化膜の膜厚を測定できる。
【０１１４】
かかる場合、工程Ｓ１で上ウェハＷＵの表面ＷＵ１を改質した後、ウェハ搬送装置６１によって上ウェハＷＵは酸化量測定装置４００に搬送される。酸化量測定装置４００では、上ウェハＷＵが載置台４２０に載置される。続いて上ウェハＷＵに光照射部４２２から光が照射され、その反射光が光検出部４２３により検出される。そして測定部４２４において、上ウェハＷＵの表面ＷＵ１の酸化膜の膜厚が測定される。この表面ＷＵ１の酸化膜の膜厚測定結果は、制御部３００に出力される。
【０１１５】
制御部３００には、図２５に示したようにウェハＷＵ、ＷＬの表面ＷＵ１、ＷＬ１の酸化量と重合ウェハＷＴの接合強度の相関が予め求められており、この相関と上記上ウェハＷＵの表面ＷＵ１の酸化膜の膜厚測定結果とに基づいて、工程Ｓ１３で接合される重合ウェハＷＴの接合強度を導出する。そして、導出された接合強度が図２５に示した重合ウェハＷＴの接合強度の許容範囲Ｊ内にある場合、以後のウェハＷＵ、ＷＬに対してもそのままの処理条件でプラズマ処理が行われる。一方、導出された接合強度が許容範囲Ｊの範囲外の場合、図２５の相関と図２０〜図２２に示した相関に基づいて、高周波出力、プラズマ処理時間及び処理雰囲気圧力を補正する。そして、以後のウェハＷＵ、ＷＬに対して、補正された処理条件でプラズマ処理が行われる。
【０１１６】
なお本実施の形態では、酸化量測定装置４００における測定結果に基づいて、図２５の相関から重合ウェハＷＴの接合強度を導出していたが、上記実施の形態と同様に重合ウェハＷＴの接合強度の許容範囲Ｊに基づいて、予めウェハＷＵ、ＷＬの表面ＷＵ１、ＷＬ１の酸化量の許容範囲を予め求めておいてもよい。そして、この酸化量の許容範囲に基づいて高周波出力、プラズマ処理時間及び処理雰囲気圧力を補正してもよい。
【０１１７】
工程Ｓ１後の上ウェハＷＵと同様に、工程Ｓ６で下ウェハＷＬの表面ＷＬ１を改質した後、ウェハ搬送装置６１によって下ウェハＷＬは酸化量測定装置４００に搬送され、下ウェハＷＬの表面ＷＬ１の酸化膜の膜厚が測定される。そして、この膜厚測定結果に基づいて、プラズマ処理における高周波出力、プラズマ処理時間及び処理雰囲気圧力が補正される。
【０１１８】
なお、その他の工程Ｓ２〜Ｓ５、Ｓ７〜Ｓ１３については、上記実施の形態と同様であるので説明を省略する。
【０１１９】
本実施の形態によれば、酸化量測定装置４００において工程Ｓ１、Ｓ６後のウェハＷＵ、ＷＬの表面ＷＵ１、ＷＬ１の酸化量を測定しているので、工程Ｓ１３で接合される重合ウェハＷＴの接合強度を導出し、当該重合ウェハＷＴを検査することができる。そして重合ウェハＷＴの接合強度の許容範囲Ｊに基づいて、工程Ｓ１、Ｓ６におけるプラズマ処理の高周波出力、プラズマ処理時間及び処理雰囲気圧力を適切に補正することができる。したがって、以後接合される重合ウェハＷＴの接合強度をより適切にすることができ、重合ウェハＷＴにおける気泡の発生を抑制しつつ、ウェハＷＵ、ＷＬを適切に接合することができる。
【０１２０】
ここで重合ウェハＷＴの接合強度を測定する際には、従来より、例えばクラックオープニング法が用いられている。クラックオープニング法は、重合ウェハＷＴ間の接合面に外端部からブレードを挿入して、重合ウェハＷＴの接合強度（接合エネルギー）を導出する方法である。しかしながら、この方法では接合強度の評価に２枚のウェハが必要となり、しかも検査される重合ウェハＷＴの外縁部にはクラックが発生し、当該重合ウェハＷＴを廃棄することになるため、無駄が生じる。また表面改質装置３０におけるプラズマ処理以外の要因で評価結果が変動する場合があり、プラズマ処理の処理条件を適切に補正できない。さらに重合ウェハＷＴの外縁部の評価しかできない。
【０１２１】
これに対して本実施の形態によれば、上述したようにウェハＷＵ、ＷＬの表面ＷＵ１、ＷＬ１の酸化量を測定することで、重合ウェハＷＴの接合強度を導出できるので、検査される重合ウェハＷＴを廃棄する必要がなく、製品の歩留まりを向上させることができる。また工程Ｓ１、Ｓ６（プラズマ処理）後の酸化量を測定するので、プラズマ処理の処理条件を適切に補正できる。さらに酸化量測定装置４００ではウェハＷＵ、ＷＬの表面ＷＵ１、ＷＬ１全面の酸化量を測定することができるので、重合ウェハＷＴの接合強度を適切に評価することができる。
【０１２２】
また本実施の形態の酸化量測定装置４００では、でウェハＷＵ、ＷＬの表面ＷＵ１、ＷＬ１の酸化量として酸化膜の膜厚を測定しているので、例えばスキャトロメトリ法（エリプソメトリ法）等を用いて適切に測定することができる。
【０１２３】
なお、本実施の形態の酸化量測定装置４００は接合システム１の内部に設けられていたが、接合システム１の外部に設けられていてもよい。
【０１２４】
以上の実施の形態の表面改質装置３０では、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波を用いて酸素ガス（処理ガス）をプラズマ化していたが、本発明における高周波はマイクロ波を含む。例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を用いて酸素ガスをプラズマ化してもよい。
【０１２５】
図３１に示すように表面改質装置３０において、電極１２０に代えて、ラジアルラインスロットアンテナ４５０（ＲＬＳＡ：Ｒａｄｉａｌ  Ｌｉｎｅ  Ｓｌｏｔ  Ａｎｔｅｎｎａ）が設けられる。処理容器１００の上面は開口し、当該上面開口部にラジアルラインスロットアンテナ４５０が配置される。ラジアルラインスロットアンテナ４５０は、下面が開口したアンテナ本体４５１を備えている。アンテナ本体４５１の内部には、例えば冷却媒体を流通させる流通路（図示せず）が設けられている。
【０１２６】
アンテナ本体４５１の下面の開口部には、複数のスロットが形成され、アンテナとして機能するスロット板４５２が設けられている。スロット板４５２の材料には、導電性を有する材料、たとえば銅、アルミニウム、ニッケル等が用いられる。アンテナ本体４５１内のスロット板４５２の上部には、遅相板４５３が設けられている。遅相板４５３の材料には、低損失誘電体材料、例えば石英、アルミナ、窒化アルミニウム等が用いられる。
【０１２７】
アンテナ本体４５１及びスロット板４５２の下方には、マイクロ波透過板４５４が設けられている。マイクロ波透過板４５４は、例えばＯリング等のシール材（図示せず）を介して、処理容器１００の内部を塞ぐように配置されている。マイクロ波透過板４５４の材料には、誘電体、例えば石英やＡｌ２Ｏ３等が用いられる。
【０１２８】
アンテナ本体４５１の上部には、マイクロ波発振装置４５５に通じる同軸導波管４５６が接続されている。マイクロ波発振装置４５５は、処理容器１００の外部に設置されており、ラジアルラインスロットアンテナ４５０に対し、所定周波数、例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発振できる。
【０１２９】
かかる構成により、マイクロ波発振装置４５５から発振されたマイクロ波は、ラジアルラインスロットアンテナ４５０内に伝搬され、遅相板４５３で圧縮され短波長化され、スロット板４５２で円偏波を発生させた後、マイクロ波透過板４５４を透過して処理容器１００内に向けて放射される。
【０１３０】
なお、イオン通過構造体１４０の各開口部１４４の寸法は、例えばラジアルラインスロットアンテナ４５０から放射されるマイクロ波の波長よりも短く設定されるのが好ましい。こうすることによって、ラジアルラインスロットアンテナ４５０から供給されたマイクロ波がイオン通過構造体１４０で反射され、マイクロ波の処理領域Ｒ２への進入を抑制できる。この結果、載置台１１０上のウェハＷＵ、ＷＬがマイクロ波に直接曝されることがなく、マイクロ波によるウェハＷＵ、ＷＬの損傷を防止できる。
【０１３１】
表面改質装置３０のその他の構成は、上記実施の形態と同様であるので説明を省略する。
【０１３２】
かかる場合、工程Ｓ１、Ｓ６においてプラズマ生成領域Ｒ１で酸素ガスをプラズマ化する際には、先ず、ガス供給管１３０からプラズマ生成領域Ｒ１に酸素ガスが供給される。また、ラジアルラインスロットアンテナ４５０からプラズマ生成領域Ｒ１に向けて、例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波が放射される。このマイクロ波の放射によって、プラズマ生成領域Ｒ１内において酸素ガスが励起されてプラズマ化され、例えば酸素ガスがイオン化する。このとき、下方に進行するマイクロ波は、イオン通過構造体１４０で反射し、プラズマ生成領域Ｒ１内に留まる。この結果、プラズマ生成領域Ｒ１内には、高密度のプラズマが生成される。そして、イオン通過構造体１４０を介してプラズマ生成領域Ｒ１から処理領域Ｒ２に酸素イオンが導入され、当該酸素イオンによってウェハＷＵ、ＷＬの表面ＷＵ１、ＷＬ１が改質される。
【０１３３】
なお、本実施の形態の工程Ｓ１、Ｓ６のプラズマ処理における高周波出力、プラズマ処理時間及び処理雰囲気圧力の処理条件も、上記実施の形態の処理条件と同様である。
【０１３４】
また、その他の工程Ｓ２〜Ｓ５、Ｓ７〜Ｓ１３については、上記実施の形態と同様であるので説明を省略する。
【０１３５】
本実施の形態においても、上記実施の形態と同様の効果を享受できる。すなわち、工程Ｓ１、Ｓ６のプラズマ処理における高周波出力、プラズマ処理時間及び処理雰囲気圧力を適切に制御して、ウェハＷＵ、ＷＬ同士を適切な接合強度で接合することができる。
【０１３６】
以上の実施の形態では、工程Ｓ１、Ｓ６のプラズマ処理において高周波出力、プラズマ処理時間及び処理雰囲気圧力を制御して、ウェハＷＵ、ＷＬの表面ＷＵ１、ＷＬ１の酸化量（重合ウェハＷＴの接合強度）を制御していたが、処理ガスを変更することで表面ＷＵ１、ＷＬ１の酸化量を制御することもできる。例えば処理ガスとして窒素ガスを用いた場合、酸素ガスを用いた場合に比べて表面ＷＵ１、ＷＬ１の酸化量を増加させ、重合ウェハＷＴの接合強度を大きくすることができる。要求される重合ウェハＷＴの接合強度に応じて、処理ガスの種類を適宜変更することができるのである。
【０１３７】
以上の実施の形態の表面改質装置３０では、酸素ガス（処理ガス）は処理容器１００の側面に接続されたガス供給管１３０からプラズマ生成領域Ｒ１に供給されていたが、処理ガスの供給方法はこれに限定されない。例えばプラズマ生成領域Ｒ１の上方から処理ガスを供給してもよい。かかる場合、例えば表面改質装置３０の電極１２０（ラジアルラインスロットアンテナ４５０）の下面側に、処理ガスを供給するシャワーヘッドを設けてもよい。シャワーヘッドの下面には、例えば処理ガスを供給する複数の供給口が形成されている。そして、当該シャワーヘッドからプラズマ生成領域Ｒ１内に均一に処理ガスが供給される。
【０１３８】
以上の実施の形態の接合装置４１では、チャック駆動部２３４によって下チャック２３１が鉛直方向に昇降自在且つ水平方向に移動自在になっていたが、上チャック２３０を鉛直方向に昇降自在にし、あるいは水平方向に移動自在に構成してもよい。また、上チャック２３０と下チャック２３１の両方が、鉛直方向に昇降自在且つ水平方向に移動自在に構成されていてもよい。
【０１３９】
以上の実施の形態の接合システム１において、接合装置４１でウェハＷＵ、ＷＬを接合した後、さらに接合された重合ウェハＷＴを所定の温度で加熱（アニール処理）してもよい。重合ウェハＷＴにかかる加熱処理を行うことで、接合界面をより強固に結合させることができる。
【０１４０】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
【符号の説明】
【０１４１】
１    接合システム
３０  表面改質装置
４０  表面親水化装置
４１  接合装置
３００  制御部
４００  酸化量測定装置
ＷＵ    上ウェハ
ＷＬ    下ウェハ
ＷＴ    重合ウェハ
【図１】
2014138136.tif 000003
【図２】
2014138136.tif 000004
【図３】
2014138136.tif 000005
【図４】
2014138136.tif 000006
【図５】
2014138136.tif 000007
【図６】
2014138136.tif 000008
【図７】
2014138136.tif 000009
【図８】
2014138136.tif 000010
【図９】
2014138136.tif 000011
【図１０】
2014138136.tif 000012
【図１１】
2014138136.tif 000013
【図１２】
2014138136.tif 000014
【図１３】
2014138136.tif 000015
【図１４】
2014138136.tif 000016
【図１５】
2014138136.tif 000017
【図１６】
2014138136.tif 000018
【図１７】
2014138136.tif 000019
【図１８】
2014138136.tif 000020
【図１９】
2014138136.tif 000021
【図２０】
2014138136.tif 000022
【図２１】
2014138136.tif 000023
【図２２】
2014138136.tif 000024
【図２３】
2014138136.tif 000025
【図２４】
2014138136.tif 000026
【図２５】
2014138136.tif 000027
【図２６】
2014138136.tif 000028
【図２７】
2014138136.tif 000029
【図２８】
2014138136.tif 000030
【図２９】
2014138136.tif 000031
【図３０】
2014138136.tif 000032
【図３１】
2014138136.tif 000033