(57)【要約】【課題】画像がぼやける現象（画像ボケ）及び残留電位の発生を抑制する電子写真感光体の提供。【解決手段】導電性基体１と、導電性基体１上に設けられた有機感光層（例えば電荷発生層２及び電荷輸送層３、又は単層型の有機感光層）と、有機感光層上に設けられた無機保護層５であって、前記感光層側から、第１層、第２層、及び第３層をこの順で有し、且つ下記式（１）：式（１）：ρ３≦ρ１＜ρ２の関係（但し（式（１）中、ρ１は前記第１層の体積抵抗率（Ωｃｍ）を示す。ρ２は前記第２層の体積抵抗率（Ωｃｍ）を示す。ρ３は前記第３層の体積抵抗率（Ωｃｍ）を示す。）を満たす無機保護層５と、を備えた電子写真感光体である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基体と、
前記導電性基体上に設けられた有機感光層と、
前記有機感光層上に設けられた無機保護層であって、前記有機感光層側から、第１層、第２層、及び第３層をこの順で有し、且つ下記式（１）の関係を満たす無機保護層と、
を備えた電子写真感光体。
・式（１）：ρ３≦ρ１＜ρ２
（式（１）中、ρ１は前記第１層の体積抵抗率（Ωｃｍ）を示す。ρ２は前記第２層の体積抵抗率（Ωｃｍ）を示す。ρ３は前記第３層の体積抵抗率（Ωｃｍ）を示す。）
【請求項２】
前記有機感光層がｐ型の電荷輸送性有機材料を含んで構成され、前記無機保護層がｎ型又はｉ型の電荷輸送性無機材料を含んで構成される請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記第１層の膜厚が、０．１μｍを超え１．０μｍ以下である請求項１又は２に記載の電子写真感光体。
【請求項４】
前記無機保護層の膜厚が、０．４μｍ以上５．０μｍ以下である請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項５】
前記無機保護層が、金属酸化物を含んで構成される請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項６】
前記無機保護層が、少なくともガリウムと酸素とを含んで構成される請求項１〜４のいずいれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項７】
前記無機保護層が、下記式（２）の関係を満たす請求項６に記載の電子写真感光体。
・式（２）：Ｃ３≦Ｃ１＜Ｃ２
（式（２）中、Ｃ１は前記第１層のガリウム及び酸素の原子数比〔酸素／ガリウム〕を示す。Ｃ２は前記第２層のガリウム及び酸素の原子数比〔酸素／ガリウム〕を示す。Ｃ３は前記第３層のガリウム及び酸素の原子数比〔酸素／ガリウム〕を示す。）
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に脱着するプロセスカートリッジ。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に潜像を形成する潜像形成手段と、
前記電子写真感光体の表面に形成された潜像をトナーにより現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を記録媒体に転写する転写手段と、
を備えた画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真法は、複写機やプリンター等に幅広く利用されている。
近年、電子写真法を利用した画像形成装置に使用される電子写真感光体（以下、「感光体」と称す場合がある）に関し、該感光体の感光層表面に表面層（保護層）を設ける技術が検討されている。
【０００３】
例えば、有機感光体上に、ダイヤモンド・ライク・カーボン（ＤＬＣ）や非晶質窒化炭素（ＣＮ）、非晶質窒化珪素、酸化アルミ、酸化ガリウムのような硬質な膜を表面保護層として形成することが行われている（例えば、特許文献１〜８等参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−１０１６２５号公報
【特許文献２】特開２００３−２７２３８号公報
【特許文献３】特開昭５８−８０６４７号公報
【特許文献４】特開昭５８−５９４５４号公報
【特許文献５】特開２００８−２６８２６６号公報
【特許文献６】特開平０７−１８１７０５号公報
【特許文献７】特開平０７−２３９５６５号公報
【特許文献８】特開２０１１−１９７５７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の課題は、画像がぼやける現象（以下、「画像ボケ」と称する）及び残留電位の発生を抑制する電子写真感光体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題は、以下の手段により解決される。即ち、
請求項１に係る発明は、
導電性基体と、
前記導電性基体上に設けられた有機感光層と、
前記有機感光層上に設けられた無機保護層であって、前記有機感光層側から、第１層、第２層、及び第３層をこの順で有し、且つ下記式（１）の関係を満たす無機保護層と、
を備えた電子写真感光体。
・式（１）：ρ３≦ρ１＜ρ２
（式（１）中、ρ１は前記第１層の体積抵抗率（Ωｃｍ）を示す。ρ２は前記第２層の体積抵抗率（Ωｃｍ）を示す。ρ３は前記第３層の体積抵抗率（Ωｃｍ）を示す。）
【０００７】
請求項２に係る発明は、
前記有機感光層がｐ型の電荷輸送性有機材料を含んで構成され、前記無機保護層がｎ型又はｉ型の電荷輸送性無機材料を含んで構成される請求項１に記載の電子写真感光体。
【０００８】
請求項３に係る発明は、
前記第１層の膜厚が、０．１μｍを超え１．０μｍ以下である請求項１又は２に記載の電子写真感光体。
【０００９】
請求項４に係る発明は、
前記無機保護層の膜厚が、０．４μｍ以上５．０μｍ以下である請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【００１０】
請求項５に係る発明は、
前記無機保護層が、金属酸化物を含んで構成される請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【００１１】
請求項６に係る発明は、
前記無機保護層が、少なくともガリウムと酸素とを含んで構成される請求項１〜４のいずいれか１項に記載の電子写真感光体。
【００１２】
請求項７に係る発明は、
前記無機保護層が、下記式（２）の関係を満たす請求項６に記載の電子写真感光体。
・式（２）：Ｃ３≦Ｃ１＜Ｃ２
（式（２）中、Ｃ１は前記第１層のガリウム及び酸素の原子数比〔酸素／ガリウム〕を示す。Ｃ２は前記第２層のガリウム及び酸素の原子数比〔酸素／ガリウム〕を示す。Ｃ３は前記第３層のガリウム及び酸素の原子数比〔酸素／ガリウム〕を示す。）
【００１３】
請求項８に係る発明は、
請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に脱着するプロセスカートリッジ。
【００１４】
請求項９に係る発明は、
請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に潜像を形成する潜像形成手段と、
前記電子写真感光体の表面に形成された潜像をトナーにより現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を記録媒体に転写する転写手段と、
を備えた画像形成装置。
【発明の効果】
【００１５】
請求項１、２に係る発明によれば、無機保護層が式（１）を満たさない場合に比べ、画像ボケ及び残留電位の発生を抑制する電子写真感光体が提供される。
請求項３に係る発明によれば、第１層の膜厚が上記範囲外の場合に比べ、画像ボケ及び残留電位の発生を抑制する電子写真感光体が提供される。
請求項４に係る発明によれば、無機保護層が式（１）を満たさない場合に比べ、画像ボケが発生し易い上記範囲の膜厚を持つ無機保護層を有していても、画像ボケの発生を抑制する電子写真感光体が提供される。
請求項５に係る発明によれば、無機保護層が金属酸化物以外の無機材料を含んで構成される場合に比べ、高い機械的強度を持つ無機保護層を有する電子写真感光体が提供される。
請求項６、７に係る発明によれば、無機保護層がガリウム及び酸素以外の元素で構成された無機材料を含んで構成された場合に比べ、高い機械的強度及び化学的安定性を持つ無機保護層を有する電子写真感光体が提供される。
【００１６】
請求項８、９に係る発明によれば、無機保護層が式（１）を満たさない電子写真感光体を備える場合に比べ、画像ボケ及び残留電位に起因する画像欠陥が抑制された画像が得られるプロセスカートリッジ、及び画像形成装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本実施形態の電子写真感光体の層構成の一例を示す模式断面図である。
【図２】本実施形態の電子写真感光体の層構成の別の一例を示す模式断面図である。
【図３】本実施形態の電子写真感光体の層構成の別の一例を示す模式断面図である。
【図４】本実施形態の電子写真感光体の無機保護層の形成に用いる成膜装置の一例を示す概略模式図である。
【図５】本実施形態の電子写真感光体の無機保護層の形成に用いるプラズマ発生装置の例を示す概略模式図である。
【図６】本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
【図７】本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態について、詳細に説明する。
【００１９】
（電子写真感光体）
本実施形態に係る電子写真感光体は、導電性基体と、導電性基体上に設けられた有機感光層と、有機感光層上に設けられた無機保護層と、を備える。
そして、無機保護層は、有機感光層側から、第１層（以下、「界面層」と称する）、第２層（以下、「中間層」と称する）、及び第３層（以下、「最表層」と称する）をこの順で有し、且つ下記式（１）の関係を満たしている。
・式（１）：ρ３≦ρ１＜ρ２
（式（１）中、ρ１は界面層の体積抵抗率（Ωｃｍ）を示す。ρ２は中間層の体積抵抗率（Ωｃｍ）を示す。ρ３は最表層の体積抵抗率（Ωｃｍ）を示す。）
【００２０】
なお、無機保護層は、界面層、中間層、及び最表層が互いの層間に明確な界面を有して積層されていてもよいし、明確な界面が存在しない状態で積層されていてもよい。
【００２１】
本実施形態に係る電子写真感光体では、上記構成により、画像ボケ及び残留電位の発生が抑制される。
この理由は、定かではないが、以下に示す理由によるものと考えられる。
【００２２】
従来、有機感光層上に無機保護層を設ける技術が知られている。有機感光層に含まれる電荷輸送性有機材料としてはｐ型のものが多く知られており、有機感光層の伝導性はｐ型を示すものが多い。一方、無機保護層を構成する電荷輸送性無機材料はｎ型又はｉ型のものが多く、無機保護層の伝導性はｎ型又はｉ型を示すものが多い。
ｐ型の有機感光層上にｎ型又はｉ型の無機保護層が形成された電子写真感光体は、負帯電型の電子写真感光体と呼ばれている。
【００２３】
上記のようにｐ型の有機感光層とｎ型又はｉ型の無機保護層を有する負帯電型の電子写真感光体では、表面が帯電されると、帯電から露光の間において、帯電電荷である負電荷（電子）が無機保護層の表面から導電性基体側に向かう方向（無機保護層の面直方向）の力を受けると考えられる。そして、負電荷は、無機保護層の表面からの注入性、無機保護層の伝導性に依存して、有機感光層と無機保護層との界面に向かって移動すると考えられる。
【００２４】
次に、負帯電型の電子写真感光体が露光されると、露光から現像の間において、露光部では光により生成した正電荷（ホール）が有機感光層中を移動して、有機感光層の表面（無機保護層との界面）まで到達することで、電子写真感光体の表面電位が低下し、露光部と非露光部との電位差が生じる。これにより、潜像が形成されることになる。そして、その後、現像が行われる。
【００２５】
このような動作で現像が行われる負帯電型の電子写真感光体では、有機感光層と無機保護層との界面に到達した正電荷（ホール）は、ｎ型又はｉ型の無機保護層へ注入して、無機保護層内を流れる（移動する）ことが困難であり、当該界面（有機感光層側の界面）に留まると考えられる。
【００２６】
一方で、負帯電型の電子写真感光体では、帯電による負電荷（電子）注入性を考慮して、無機保護層に欠陥や不純物を導入して低抵抗化すると、欠陥や不純物が作る準位の影響により無機保護層中で負電荷が散乱されたり捕獲されたりして流れにくくなり、一部は滞留してゆくと考えられる。負電荷が有機感光層と無機保護層との界面に滞留すると、当該界面に留まった正電荷との間の電位差が大きくなり、残留電位が発生すると考えられる。
【００２７】
このため、帯電による負電荷（電子）注入性を考慮しつつ、残留電位の発生を抑えるためには、表面側の層（最表層）を低抵抗化し、有機感光層側に接する側の下層（有機感光層と界面を形成する層）を高抵抗化した２層構造の無機保護層とすることがよい。これは、有機感光層側に接する側の下層を欠陥や不純物を抑制して高抵抗化することにより、欠陥や不純物が作る準位の影響が抑制され、負電荷が無機保護層内で流れ易くなり、無機保護層中に負帯電が滞留し難くなると考えられるからである。
【００２８】
しかし、露光後における負帯電型の電子写真感光体では、面内方向（無機保護層の厚み方向に交差する方向）にも電界が加わることから、非露光部の負電荷（電子）は導電性基体側に向かう方向（無機保護層層の面直方向）の力のみならず、面内方向に向かう方向の力を受けると考えられる。
つまり、上記２層構成の無機保護層において、有機感光層側に接する側の下層（有機感光層と界面を形成する層）を欠陥や不純物を抑制して高抵抗化すると、非露光部の負電荷（電子）が面内方向に流れ易くなり、潜像にズレや広がりが生じ、画像ボケが発生すると考えられる。
【００２９】
そこで、上記２層構成の無機保護層において、高抵抗の下層と有機感光層との間に、当該高抵抗の下層よりも欠陥や不純物を導入して抵抗が低い層を界面層として介在させ、高抵抗の下層を中間層とする。つまり、無機保護層を、式（１）を満たす抵抗関係で、有機感光層側から、界面層、中間層、及び最表層をこの順で有する無機保護層とする。
これにより、無機保護層全体としては、中間層によって負電荷が流れ易くなる一方で、界面層によって有機感光層と無機保護層の界面の近くにおいて負電荷が一時的に面内方向に流れ難くなると考えられる。このため、残留電位の発生を抑えつつ、画像ボケの発生も抑えられると考えられる。
【００３０】
なお、有機感光層及び無機保護層における伝導性の関係が逆の関係なる正帯電型の電子写真感光体（つまり、ｎ型又はｉ型の有機感光層上にｐ型の無機保護層が形成された正帯電型の電子写真感光体）でも、同様であると考えられる。
【００３１】
以上から、本実施形態に係る電子写真感光体では、式（１）を満たす抵抗関係で、界面層、中間層、及び最表層で構成された無機保護層が有機感光層上を有することで、画像ボケ及び残留電位の発生が抑制されると考えられる。
【００３２】
なお、残留電位は、表面保護層（その全体）が厚膜化（例えば０．４μｍ以上５．０μｍ以下）したときに顕著に生じるが、本実施形態では、これが改善される。
また、画像ボケは、例えば、１００ｌｐｉ（ｌｐｉ＝ｌｉｎｅｓ／ｉｎｃｈ）から６００ｌｐｉの網点スクリーン線数で出力する条件（例えば上記範囲のｌｐｉのドットでの網点（クラスタードット）を出力する条件）で画像を形成するときに顕著に生じるが、本実施形態では、これが改善される。
【００３３】
以下、本実施形態に係る電子写真感光体について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付することとし、重複する説明は省略する。
図１は、本実施形態に係る電子写真用感光体の一例を示す模式断面図である。図２乃至図３はそれぞれ本実施形態に係る電子写真感光体の他の一例を示す模式断面図である。
【００３４】
図１に示す電子写真感光体７Ａは、いわゆる機能分離型感光体（又は積層型感光体）であり、導電性基体４上に下引層１が設けられ、その上に電荷発生層２、電荷輸送層３、及び無機保護層５が順次形成された構造を有するものである。電子写真感光体７Ａにおいては、電荷発生層２及び電荷輸送層３により有機感光層が構成されている。
そして、有機感光層（電荷輸送層３）側から、界面層５Ａ、中間層５Ｂ、及び最表層５Ｃがこの順で積層されて無機保護層５が構成されている。
【００３５】
図２に示す電子写真感光体７Ｂは、図１に示す電子写真感光体７Ａと同様に電荷発生層２と電荷輸送層３とに機能が分離された機能分離型感光体である。また、図３に示す電子写真感光体７Ｃは、電荷発生材料と電荷輸送性有機材料とを同一の層（単層型有機感光層６（電荷発生／電荷輸送層））に含有するものである。
【００３６】
図２に示す電子写真感光体７Ｂにおいては、導電性基体４上に下引層１が設けられ、その上に、電荷輸送層３、電荷発生層２、及び無機保護層５が順次形成された構造を有するものである。電子写真感光体７Ｂにおいては、電荷輸送層３及び電荷発生層２により有機感光層が構成されている。
そして、有機感光層（電荷発生層２）側から、界面層５Ａ、中間層５Ｂ、及び最表層５Ｃがこの順で積層されて無機保護層５が構成されている。
【００３７】
図３に示す電子写真感光体７Ｃにおいては、導電性基体４上に下引層１が設けられ、その上に単層型有機感光層６、無機保護層５が順次形成された構造を有するものである。
そして、有機感光層（単層型有機感光層６）側から、界面層５Ａ、中間層５Ｂ、及び最表層５Ｃがこの順で積層されて無機保護層５が構成されている。
【００３８】
なお、図１乃至図３に示す電子写真感光体において、下引層１は設けてもよいし、設けなくてもよい。
【００３９】
以下、代表例として図１に示す電子写真感光体７Ａに基づいて、各要素について説明する。
【００４０】
−導電性基体−
導電性基体としては、従来から使用されているものであれば、如何なるものを使用してもよい。例えば、薄膜（例えばアルミニウム、ニッケル、クロム、ステンレス鋼等の金属類、及びアルミニウム、チタニウム、ニッケル、クロム、ステンレス鋼、金、バナジウム、酸化錫、酸化インジウム、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）等の膜）を設けたプラスチックフィルム等、導電性付与剤を塗布又は含浸させた紙、導電性付与剤を塗布又は含浸させたプラスチックフィルム等が挙げられる。基体の形状は円筒状に限られず、シート状、プレート状としてもよい。
なお、導電性基体は、例えば体積抵抗率が１０７Ω・ｃｍ未満の導電性を有するものがよい。
【００４１】
導電性基体として金属パイプを用いる場合、表面は素管のままであってもよいし、予め鏡面切削、エッチング、陽極酸化、粗切削、センタレス研削、サンドブラスト、ウエットホーニングなどの処理が行われていてもよい。
【００４２】
−下引層−
下引層は、導電性基体表面における光反射の防止、導電性基体から有機感光層への不要なキャリアの流入の防止などの目的で、必要に応じて設けられる。
【００４３】
下引層は、例えば、結着樹脂と、必要に応じてその他添加物とを含んで構成される。
下引層に含まれる結着樹脂としては、ポリビニルブチラールなどのアセタール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、カゼイン、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂などの公知の高分子樹脂化合物、また電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂やポリアニリン等の導電性樹脂などが挙げられる。これらの中でも、上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が望ましく用いられ、特にフェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂などが望ましく用いられる。
【００４４】
下引層には、シリコーン化合物、有機ジルコニウム化合物、有機チタン化合物、有機アルミニウム化合物等の金属化合物等を含有してもよい。
【００４５】
金属化合物と結着樹脂との比率は、特に制限されず、所望する電子写真感光体特性を得られる範囲で設定される。
【００４６】
下引層には、表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子を添加してもよい。樹脂粒子としては、シリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）樹脂粒子等が挙げられる。なお、表面粗さ調整のために下引層を形成後、その表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、ウエットホーニング、研削処理等が用いられる。
【００４７】
ここで、下引層の構成として、結着樹脂と導電性粒子とを少なくとも含有する構成が挙げられる。なお、導電性粒子は、例えば体積抵抗率が１０７Ω・ｃｍ未満の導電性を有するものがよい。
【００４８】
導電性粒子としては、例えば、金属粒子（アルミニウム、銅、ニッケル、銀などの粒子）、導電性金属酸化物粒子（酸化アンチモン、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛などの粒子）、導電性物質粒子（カーボンファイバ、カーボンブラック、グラファイト粉末の粒子）等が挙げられる。これらの中でも、導電性金属酸化物粒子が好適である。導電性粒子は、２種以上混合して用いてもよい。
また、導電性粒子は、疎水化処理剤（例えばカップリング剤）等により表面処理を施して、抵抗調整して用いてもよい。
導電性粒子の含有量は、例えば、結着樹脂に対して、１０質量％以上８０質量％以下であることが望ましく、より望ましくは４０質量％以上８０質量％以下である。
【００４９】
下引層の膜厚は、１５μｍ以上が望ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下がより望ましい。
【００５０】
下引層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶媒に加えた下引層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
【００５１】
下引層形成用塗布液を導電性基体上に塗布する方法としては、例えば、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等が挙げられる。
【００５２】
なお、下引層形成用塗布液中に粒子を分散させる場合、その分散方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。ここで、高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式などが挙げられる。
【００５３】
ここで、図示は省略するが、下引層と有機感光層との間に中間層をさらに設けてもよい。中間層に用いられる結着樹脂としては、ポリビニルブチラールなどのアセタール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、カゼイン、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂などの高分子樹脂化合物のほかに、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素原子などを含有する有機金属化合物などが挙げられる。これらの化合物は、単独にあるいは複数の化合物の混合物あるいは重縮合物として用いてもよい。中でも、ジルコニウムもしくはケイ素を含有する有機金属化合物は残留電位が低く環境による電位変化が少なく、また繰り返し使用による電位の変化が少ないなど点から好適である。
【００５４】
なお、中間層は上層の塗布性改善の他に、電気的なブロッキング層の役割も果たすが、膜厚が大きすぎる場合には電気的な障壁が強くなりすぎて減感や繰り返しによる電位の上昇を引起こすことがある。したがって、中間層を形成する場合には、０．１μｍ以上３μｍ以下の膜厚範囲に設定することがよい。また、この場合の中間層を下引層として使用してもよい。
【００５５】
中間層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶媒に加えた中間層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行われる。
【００５６】
中間層形成用塗布液を下引層上に塗布する方法としては、例えば、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
【００５７】
−電荷発生層−
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂中とを含んで構成される。なお、電荷発生層は、例えば、電荷発生材料の蒸着膜で構成されていてもよい。
【００５８】
電荷発生材料としては、無金属フタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、ジクロロスズフタロシアニン、チタニルフタロシアニン等のフタロシアニン顔料が挙げられ、特に、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも７．４゜、１６．６゜、２５．５゜及び２８．３゜に強い回折ピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも７．７゜、９．３゜、１６．９゜、１７．５゜、２２．４゜及び２８．８゜に強い回折ピークを有する無金属フタロシアニン結晶、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも７．５゜、９．９゜、１２．５゜、１６．３゜、１８．６゜、２５．１゜及び２８．３゜に強い回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも９．６゜、２４．１゜及び２７．２゜に強い回折ピークを有するチタニルフタロシアニン結晶が挙げられる。その他、電荷発生材料としては、キノン顔料、ペリレン顔料、インジゴ顔料、ビスベンゾイミダゾール顔料、アントロン顔料、キナクリドン顔料等が挙げられる。また、これらの電荷発生材料は、単独又は２種以上を混合して用いてもよい。
【００５９】
電荷発生層を構成する結着樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡタイプあるいはビスフェノールＺタイプ等のポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ポリビニルアセテート樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリスルホン樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体樹脂、塩化ビニリデン−アクリルニトリル共重合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール樹脂等が挙げられる。これらの結着樹脂は、単独又は２種以上混合して用いてもよい。
なお、電荷発生材料と結着樹脂の配合比（質量比）は、例えば１０：１乃至１：１０の範囲が望ましい。
【００６０】
電荷発生層の膜厚は、望ましくは０．０１μｍ以上５μｍ以下、より望ましくは０．０５μｍ以上２．０μｍ以下の範囲に設定される。
【００６１】
電荷発生層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶媒に加えた電荷発生層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。なお、電荷発生層の形成は、電荷発生材料の蒸着により行ってもよい。
【００６２】
電荷発生層形成用塗布液を下引層上（又は中間層上）に塗布する方法としては、例えば、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等が挙げられる。
【００６３】
なお、電荷発生層形成用塗布液中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式などが挙げられる。
【００６４】
−電荷輸送層−
電荷輸送層は、電荷輸送有機材料と、必要に応じて結着樹脂と、を含んで構成される。
【００６５】
電荷輸送性有機材料は、周知のものが挙げられるが、無機保護層の伝導型に応じて、ｐ型の電荷輸送性有機材料、ｎ型の電荷輸送性有機材料が選択される。但し、電荷輸送性及び入手性等の観点から、ｐ型の電荷輸送性有機材料が好適である（つまり、無機保護層の伝導型はｎ型又はｉ型がよい）。
【００６６】
ｐ型の電荷輸送性有機材料（正孔輸送性有機材料）としては、例えば、２，５−ビス（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾールなどのオキサジアゾール誘導体；、１，３，５−トリフェニル−ピラゾリン、１−［ピリジル−（２）］−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）ピラゾリンなどのピラゾリン誘導体、トリフェニルアミン、トリ（ｐ−メチル）フェニルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）ビフェニル−４−アミン、ジベンジルアニリン、９，９−ジメチル−Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）フルオレノン−２−アミン、トリス［４−（４，４−ジフェニル−１，３−ブタジエニル）フェニル］アミンなどの芳香族第３級アミノ化合物；、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１−ビフェニル］−４，４’−ジアミンなどの芳香族第３級ジアミノ化合物；、３−（４’ジメチルアミノフェニル）−５，６−ジ−（４’−メトキシフェニル）−１，２，４−トリアジンなどの１，２，４−トリアジン誘導体；、４−ジエチルアミノベンズアルデヒド−１，１−ジフェニルヒドラゾン、４−ジフェニルアミノベンズアルデヒド−１，１−ジフェニルヒドラゾン、［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］（１−ナフチル）フェニルヒドラゾン、１−ピレンジフェニルヒドラゾン、９−エチル−３−［（２メチル−１−インドリニルイミノ）メチル］カルバゾール、４−（２−メチル−１−インドリニルイミノメチル）トリフェニルアミン、９−メチル−３−カルバゾールジフェニルヒドラゾン、１，１−ジ−（４，４’−メトキシフェニル）アクリルアルデヒドジフェニルヒドラゾン、β，β−ビス（メトキシフェニル）ビニルジフェニルヒドラゾンなどのヒドラゾン誘導体；、２−フェニル−４−スチリル−キナゾリンなどのキナゾリン誘導体；、６−ヒドロキシ−２，３−ジ（ｐ−メトキシフェニル）−ベンゾフランなどのベンゾフラン誘導体；、ｐ−（２，２−ジフェニルビニル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリンなどのα−スチルベン誘導体、エナミン誘導体、Ｎ−エチルカルバゾールなどのカルバゾール誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、及びその誘導体等の正孔輸送物質、並びに、これら正孔輸送物質からなる基を主鎖又は側鎖に有する重合体などが挙げられる。
これらの電荷輸送性有機材料は、単独又は２種以上を組み合せて使用してもよい。
【００６７】
ｎ型の電荷輸送性有機材料（電子輸送性有機材料等）としては、例えば、クロラニル、ブロアントラキノン等のキノン系化合物、テトラアノキノジメタン系化合物、２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物、キサントン系化合物、チオフェン化合物等の電子輸送物質、及び上記した化合物からなる基を主鎖又は側鎖に有する重合体などが挙げられる。
これらの電荷輸送性有機材料は、単独又は２種以上を組み合せて使用してもよい。
【００６８】
電荷輸送層を構成する結着樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡタイプあるいはビスフェノールＺタイプ等のポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリスルホン樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体樹脂、塩化ビニリデン−アクリルニトリル共重合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリアミド樹脂、塩素ゴム等の絶縁性樹脂、及びポリビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン等の有機光導電性ポリマー等があげられる。これらの結着樹脂は、単独又は２種以上混合して用いてもよい。
なお、電荷輸送性有機材料と結着樹脂との配合比（質量比）は、例えば１０：１乃至１：５が望ましい。
【００６９】
電荷輸送層の膜厚は、望ましくは５μｍ以上５０μｍ以下、より望ましくは１０μｍ以上４０μｍ以下の範囲に設定される。
【００７０】
電荷輸送層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶媒に加えた電荷輸送層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
【００７１】
電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層上に塗布する方法としては、例えば、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法を用いられる。
【００７２】
なお、電荷輸送層形成用塗布液中に粒子（例えばフッ素樹脂粒子）を分散させる場合、その分散方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式などが挙げられる。
【００７３】
−無機保護層−
無機保護層は、有機感光層側から、界面層、中間層、及び最表層をこの順で有し、且つ下記式（１）の関係（望ましくは下記式（１−２）の関係）を満たしている。
・式（１）    ：ρ３≦ρ１＜ρ２
・式（１−２）：ρ３＜ρ１＜ρ２
（式（１）、（１−２）中、ρ１は界面層の体積抵抗率（Ωｃｍ）を示す。ρ２は中間層の体積抵抗率（Ωｃｍ）を示す。ρ３は最表層の体積抵抗率（Ωｃｍ）を示す。）
【００７４】
なお、中間層は、体積抵抗率が異なる複数の層で構成されていてもよく、その場合、中間層の体積抵抗率とは当該複数の層全体の体積抵抗率を意味する。
【００７５】
界面層の体積抵抗率ρ１は、例えば、１０９Ωｃｍを超える範囲がよく、望ましくは５×１０９Ωｃｍ以上５×１０１０Ωｃｍ以下、より望ましくは１×１０１０Ωｃｍ以上３×１０１０Ωｃｍ以下である。
界面層の体積抵抗率ρ１を上記範囲とすると、画像ボケの発生が抑制され易くなる。
【００７６】
中間層の体積抵抗率ρ２は、例えば、３×１０１０Ωｃｍ以上がよく、望ましくは４×１０１０Ωｃｍ以上である。
中間層の体積抵抗率ρ２を上記範囲とすると、残留電位の発生が抑制され易くなる。
【００７７】
最表層の体積抵抗率ρ３は、例えば、５×１０８Ωｃｍ以上３×１０１０Ωｃｍ以下がよく、望ましくは１×１０９Ωｃｍ以上１×１０１０Ωｃｍ以下、である。
最表層の体積抵抗率ρ３を上記範囲とすると、無機保護層の電荷注入性が向上し、また残留電位の発生が抑制され易くなる。
【００７８】
ここで、界面層の体積抵抗率ρ１と中間層の体積抵抗率ρ２との比ρ２/ρ１（相対値）は、２以上がよい。
この差（絶対値）を上記範囲とすると、画像ボケと残留電位が抑制され易くなる。
【００７９】
なお、無機保護層を構成する各層の体積抵抗率は、例えば、無機材料の組成比（化合物の化学量論比からのずれ）、添加不純物元素（ドーパント）等の欠陥、結晶構造等により制御される。一般に、１２族や１３族を含む金属酸化物では酸素欠損を導入することで、１２族や１３族を含む金属窒化物であれば窒素欠損を導入することでｎ型の導電性が発現する。また、後述するように水素を導入することで抵抗を調整してもよい。
【００８０】
無機保護層の各層の体積抵抗率は、ｎＦ社製ＬＣＲメーターＺＭ２３７１を用いて、測定環境２３℃５５％ＲＨ、周波数１ｋＨｚ、電圧１Ｖの条件にて測定した抵抗値から、電極面積Ｓ、試料厚みｄに基づき算出して求められる。
具体的には、ｎＦ社製ＬＣＲメーターＺＭ２３７１から測定される交流抵抗値Ｒａｃ［Ω］から、下記式に基づき、体積抵抗率ρｖ［Ωｃｍ］を算出する。
・式：ρｖ＝Ｒａｃ×Ｓ／ｄ
なお、測定試料は、測定対象となる無機保護層の各層の成膜時の同条件でアルミ基材上に成膜し、その成膜物上に真空蒸着により金電極を形成し得られた試料であってもよいし、又は作製後の電子写真感光体から無機保護層の各層を剥離し、一部エッチングして、これを一対の電極で挟み込んだ試料であってもよい。
【００８１】
・無機保護層の組成
無機保護層（界面層、中間層及び最表層）は、無機材料を含んで構成された層である。
ここで、界面層、中間層及び最表層は、体積抵抗率が異なれば、その組成には制限はなく、全ての層が組成比が異なる同じ無機材料で構成されていてもよく、少なくとも１層が異なる組成の無機材料で構成されていてもよい。
【００８２】
無機材料としては、周知のものが挙げられるが、有機感光層（電荷輸送層）の伝導型に応じて、ｐ型の電荷輸送性無機材料、ｎ型又はｉ型の電荷輸送性無機材料が選択される。但し、電荷輸送性及び入手性等の観点から、ｎ型又はｉ型の電荷輸送性無機材料が好適である（つまり、有機感光層（電荷輸送層）の伝導型はｐ型がよい）。
なお、無機材料の伝導型は、その結晶構造や、各伝導型のドーパントのドーピング等により制御される。
【００８３】
無機材料としては、保護層としての機械的強度、透光性を有するという観点から、例えば、酸化物系、窒化物系、炭素系、珪素系の無機材料が挙げられる。
酸化物系の無機材料としては、例えば、酸化ガリウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化インジウム、酸化錫、酸化ホウ素等の金属酸化物、又はこれらの混晶が挙げられる。
窒化物系の無機材料としては、例えば、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化亜鉛、窒化チタン、窒化インジウム、窒化錫、窒化ホウ素等の金属窒化物、又はこれらの混晶が挙げられる。
炭素系及び珪素系の無機材料としては、例えば、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、アモルファスカーボン（ａ−Ｃ）、水素化アモルファスカーボン（ａ−Ｃ：Ｈ）、水素・フッ素化アモルファスカーボン（ａ−Ｃ：Ｈ）、アモルファスシリコンカーバイト（ａ−ＳｉＣ）、水素化アモルファスシリコンカーバイト（ａ−ＳｉＣ：Ｈ）等が挙げられる。
なお、無機材料は、酸化物系及び窒化物系の無機材料の混晶であってもよい。
【００８４】
これらの中でも、無機材料としては、機械的強度、透光性に優れ、特にｎ型の伝導性を有し、その導電制御性に優れるという観点から、金属酸化物、特に、化学的安定性の観点から、第１３族元素の酸化物（望ましくは酸化ガリウム）が望ましい。
つまり、無機保護層は、少なくとも第１３族元素（特にガリウム）及び酸素を含んで構成されることがよく、必要応じて、水素を含んで構成されていてもよい。水素を含むことで、少なくとも第１３族元素（特にガリウム）及び酸素を含んで構成された無機保護層の諸物性が容易に制御され易くなる。例えば、ガリウム、酸素、及び水素を含む無機保護層（水素を含む酸化ガリウムで構成された無機保護層）において、組成比［Ｏ］／［Ｇａ］を１．０から１．５と変化させることで、１０９Ω・ｃｍ以上１０１４Ω・ｃｍの範囲で体積抵抗率の制御が実現され易くなる。
【００８５】
無機保護層には、上記無機材料の他、導電型の制御のために、不純物元素を含んでもよい。例えば、第１３族元素を含む窒化物や酸化物の材料をｎ型にする場合、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれる１つ以上の元素を含んでいてもよい。また、例えば、第１３族元素を含む材料をｐ型にする場合、Ｎ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒから選ばれる１つ以上の元素を含んでいてもよい。
【００８６】
ここで、無機保護層（各層）が、少なくともガリウムと酸素と必要に応じて水素とを含んで構成された場合、上記式（１）の関係を満たし易い観点から、下記式（２）の関係（望ましくは（２−２）の関係）を満たすことがよい。
・式（２）    ：Ｃ３≦Ｃ１＜Ｃ２
・式（２−２）：Ｃ３＜Ｃ１＜Ｃ２
（式（２）、（２−２）中、Ｃ１は界面層のガリウム及び酸素の原子数比〔酸素／ガリウム〕を示す。Ｃ２は中間層のガリウム及び酸素の原子数比〔酸素／ガリウム〕を示す。Ｃ３は最表層のガリウム及び酸素の原子数比〔酸素／ガリウム〕を示す。
【００８７】
界面層のガリウム及び酸素の原子数比〔酸素／ガリウム〕は、例えば、１．１以上１．５以下がよく、望ましくは１．２以上１．４以下である。
界面層の水素の元素構成比率は、例えば、界面層の全構成元素に対して、１原子％以上３０原子％以下であることがよく、望ましくは５原子％以上２５原子％以下、より望ましくは１０原子％以上２０原子％以下である。
【００８８】
中間層のガリウム及び酸素の原子数比〔酸素／ガリウム〕は、例えば、１．４以上１．６以下がよく、望ましくは１．４５以上１．５５以下である。
中間層の水素の元素構成比率は、例えば、中間層の全構成元素に対して、１原子％以上３０原子％以下であることがよく、望ましくは５原子％以上２５原子％以下、より望ましくは１０原子％以上２０原子％以下である。
【００８９】
最表層のガリウム及び酸素の原子数比〔酸素／ガリウム〕は、例えば、１．０以上１．４以下がよく、望ましくは１．１以上１．３以下である。
最表層の水素の元素構成比率は、例えば、最表層の全構成元素に対して、１原子％以上３０原子％以下であることがよく、望ましくは５原子％以上２５原子％以下、より望ましくは１０原子％以上２０原子％以下である。
【００９０】
ここで、界面層、中間層、及び最表層ともに、ガリウム、酸素、及び水素の合計の元素構成比率が各層の全構成元素に対して８５原子％以上がよく、望ましくは９０原子％以上である。
各層のガリウム、酸素、及び水素の合計の元素構成比率を上記範囲とした上で、各層のガリウム及び酸素の原子数比率を上記範囲にすると、抵抗制御が実現され易くなる。
【００９１】
なお、無機保護層として、具体的に好適な層構成は以下のものである。
１）界面層、中間層、及び最表層の全層が、少なくとも少なくともガリウムと酸素と必要に応じて水素とを含んで構成された態様
２）界面層及び中間層が少なくとも少なくともガリウムと酸素と必要に応じて水素とを含んで構成され、最表層がガリウムと亜鉛と酸素を含んで構成された態様
３）中間層及び最表層が少なくとも少なくともガリウムと酸素と必要に応じて水素とを含んで構成され、界面層がガリウムと亜鉛と酸素を含んで構成された態様
【００９２】
ここで、無機保護層の各層における各元素の元素構成比率、原子数比等は、厚み方向の分布も含めてラザフォードバックスキャタリング（以下、「ＲＢＳ」と称する）により求められる
なお、ＲＢＳでは、加速器としてＮＥＣ社  ３ＳＤＨ  Ｐｅｌｌｅｔｒｏｎ、エンドステーションとしてＣＥ＆Ａ社  ＲＢＳ−４００、システムとして３Ｓ−Ｒ１０を用いる。解析にはＣＥ＆Ａ社のＨＹＰＲＡプログラム等を用いる。
なお、ＲＢＳの測定条件は、Ｈｅ＋＋イオンビームエネルギーは２．２７５ｅＶ、検出角度１６０°、入射ビームに対してＧｒａｚｉｎｇ  Ａｎｇｌｅは約１０９°とする。
【００９３】
ＲＢＳ測定は、具体的には以下のように行う
まず、Ｈｅ＋＋イオンビームを試料に対して垂直に入射し、検出器をイオンビームに対して、１６０°にセットし、後方散乱されたＨｅのシグナルを測定する。検出したＨｅのエネルギーと強度から組成比と膜厚を決定する。組成比及び膜厚を求める精度を向上させるために二つの検出角度でスペクトルを測定してもよい。深さ方向分解能や後方散乱力学の異なる二つの検出角度で測定しクロスチェックすることにより精度が向上する。
ターゲット原子によって後方散乱されるＨｅ原子の数は、１）ターゲット原子の原子番号、２）散乱前のＨｅ原子のエネルギー、３）散乱角度の３つの要素のみにより決まる。  測定された組成から密度を計算によって仮定して、これを用いて厚みを算出する。密度の誤差は２０％以内である。
【００９４】
なお、水素の元素構成比率は、ハイドロジェンフォワードスキャタリング（以下、「ＨＦＳ」と称する）により求められる。
ＨＦＳ測定では、加速器としてＮＥＣ社  ３ＳＤＨ  Ｐｅｌｌｅｔｒｏｎ、エンドステーションとしてＣＥ＆Ａ社  ＲＢＳ−４００を用い、システムとして３Ｓ−Ｒ１０を用いる。解析にはＣＥ＆Ａ社のＨＹＰＲＡプログラムを用いる。そして、ＨＦＳの測定条件は、以下の通りである。
・Ｈｅ＋＋イオンビームエネルギー：２．２７５ｅＶ
・検出角度：１６０°入射ビームに対してＧｒａｚｉｎｇ  Ａｎｇｌｅ３０°
【００９５】
ＨＦＳ測定は、Ｈｅ＋＋イオンビームに対して検出器が３０°に、試料が法線から７５°になるようにセットすることにより、試料の前方に散乱する水素のシグナルを拾う。この時検出器をアルミ箔で覆い、水素とともに散乱するＨｅ原子を取り除くことがよい。定量は参照用試料と被測定試料との水素のカウントを阻止能で規格化した後に比較することによって行う。参照用試料としてＳｉ中にＨをイオン注入した試料と白雲母を使用する。
白雲母は水素濃度が６．５原子％であることが知られている。
最表面に吸着しているＨは、例えば、清浄なＳｉ表面に吸着しているＨ量を差し引くことによって補正を行う。
【００９６】
・無機保護層の特性
無機保護層の各層は、微結晶膜、多結晶膜、非晶質膜などの非単結晶膜であることが望ましい。これらの中でも、非晶質は表面の平滑性で特に望ましいが、微結晶膜は硬度の点でより望ましい。
無機保護層の成長断面は、柱状構造をとっていてもよいが、滑り性の観点からは平坦性の高い構造が望ましく、非晶質が望ましい。
なお、結晶性、非晶質性は、ＲＨＥＥＤ（反射高速電子線回折）測定により得られた回折像の点や線の有無により判別される。
【００９７】
無機保護層の各層の弾性率は、５０ＧＰａ以上１５０ＧＰａ以下であることがよく、望ましくは６０ＧＰａ以上１２０ＧＰａ以下である。
この弾性率を上記範囲とすると、無機保護層の凹部（打痕状の傷）の発生、剥れや割れが抑制され易くなる。
この弾性率は、ＭＴＳシステムズ社製  Ｎａｎｏ  Ｉｎｄｅｎｔｅｒ  ＳＡ２を用いて、連続剛性法（ＣＳＭ）（米国特許４８４８１４１）により深さプロファイルを得て、その押込み深さ３０ｎｍから１００ｎｍの測定値から得た平均値を用いる。下記は測定条件である。
・測定環境：２３℃、５５％ＲＨ
・使用圧子：ダイヤモンド製正三角錐圧子（Ｂｅｒｋｏｖｉｃ圧子）三角錐圧子
・試験モード：ＣＳＭモード
なお、測定試料は、測定対象となる無機保護層の成膜時の同条件で基材上に成膜した試料であってもよいし、又は作製後の電子写真感光体から無機保護層の各層を剥離し、一部エッチングした試料であってもよい。
【００９８】
無機保護層の膜厚は、例えば、０．２μｍ以上１０．０μｍ以下であることがよく、望ましくは０．４μｍ以上５．０μｍ以下である。この膜厚を上記範囲とすると、無機保護層の凹部（打痕状の傷）の発生、剥れや割れが抑制され易くなる。
【００９９】
ここで、界面層の膜厚は、例えば、０．０５μｍ以上１．０μｍ以下がよく、特に、像ボケ及び残留電位の発生が抑制され易くなる観点から、望ましくは０．１μｍを超え０．４μｍ以下、より望ましくは０．１５μｍ以上０．３μｍ以下である。
中間層の膜厚は、例えば、例えば、０．０５μｍ以上４．５μｍ以下がよく、特に、像ボケ及び残留電位の発生が抑制され易くなる観点から、望ましくは０．１μｍ以上４．０μｍ以下である。
最表層の膜厚は、例えば、例えば、０．０５μｍ以上２．０μｍ以下がよく、特に、摩耗による削り及び残留電位の発生が抑制の観点から、望ましくは０．２μｍ以上１．５μｍ以下、より望ましくは０．５μｍ以上１．０μｍ以下である。
【０１００】
・無機保護層の形成
無機保護層の各層の形成（以下、単に「無機保護層の形成」と称する）には、例えば、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、有機金属気相成長法、分子線エキタピシー法、蒸着、スパッタリング等の公知の気相成膜法が利用される。
【０１０１】
以下、無機保護層の形成について、成膜装置の一例を図面に示しつつ具体例を挙げて説明する。なお、以下の説明は、ガリウム、酸素、及び水素を含んで構成された無機保護層の各層の形成方法について示すが、これに限られず、目的とする無機保護層の組成に応じて、周知の形成方法を適用すればよい。
【０１０２】
図４は、本実施形態に係る電子写真感光体の無機保護層の形成に用いる成膜装置の一例を示す概略模式図であり、図４（Ａ）は、成膜装置を側面から見た場合の模式断面図を表し、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）に示す成膜装置のＡ１−Ａ２間における模式断面図を表す。図４中、２１０は成膜室、２１１は排気口、２１２は基体回転部、２１３は基体支持部材、２１４は基体、２１５はガス導入管、２１６はガス導入管２１５から導入したガスを噴射する開口を有するシャワーノズル、２１７はプラズマ拡散部、２１８は高周波電力供給部、２１９は平板電極、２２０はガス導入管、２２１は高周波放電管部である。
【０１０３】
図４に示す成膜装置において、成膜室２１０の一端には、不図示の真空排気装置に接続された排気口２１１が設けられており、成膜室２１０の排気口２１１が設けられた側と反対側に、高周波電力供給部２１８、平板電極２１９及び高周波放電管部２２１からなるプラズマ発生装置が設けられている。
このプラズマ発生装置は、高周波放電管部２２１と、高周波放電管部２２１内に配置され、放電面が排気口２１１側に設けられた平板電極２１９と、高周波放電管部２２１外に配置され、平板電極２１９の放電面と反対側の面に接続された高周波電力供給部２１８とから構成されたものである。なお、高周波放電管部２２１には、高周波放電管部２２１内にガスを供給するためのガス導入管２２０が接続されており、このガス導入管２２０のもう一方の端は、不図示の第１のガス供給源に接続されている。
【０１０４】
なお、図４に示す成膜装置に設けられたプラズマ発生装置の代わりに、図５に示すプラズマ発生装置を用いてもよい。図５は、図４に示す成膜装置において利用されるプラズマ発生装置の他の例を示す概略模式図であり、プラズマ発生装置の側面図である。図５中、２２２が高周波コイル、２２３が石英管を表し、２２０は、図４中に示すものと同様である。このプラズマ発生装置は、石英管２２３と、石英管２２３の外周面沿って設けられた高周波コイル２２２とからなり、石英管２２３の一方の端は成膜室２１０（図５中、不図示）と接続されている。また、石英管２２３のもう一方の端には、石英管２２３内にガスを導入するためのガス導入管２２０が接続されている。
【０１０５】
図４において、平板電極２１９の放電面側には、放電面に沿って延びる棒状のシャワーノズル２１６が接続されており、シャワーノズル２１６の一端は、ガス導入管２１５と接続されており、このガス導入管２１５は成膜室２１０外に設けられた不図示の第２のガス供給源と接続されている。
また、成膜室２１０内には、基体回転部２１２が設けられており、円筒状の基体２１４が、シャワーノズル２１６の長手方向と基体２１４の軸方向とが沿って対面するように基体支持部材２１３を介して基体回転部２１２に取りつけられるようになっている。成膜に際しては、基体回転部２１２が回転することによって、基体２１４が周方向に回転する。なお、基体２１４としては、例えば、予め有機感光層まで積層された感光体等が用いられる。
【０１０６】
無機保護層の形成は、例えば、以下のように実施する。
まず、酸素ガス（又は、ヘリウム（Ｈｅ）希釈酸素ガス）、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、及び必要に応じ水素（Ｈ２）ガスを、ガス導入管２２０から高周波放電管部２２１内に導入すると共に、高周波電力供給部２１８から平板電極２１９に、１３．５６ＭＨｚのラジオ波を供給する。この際、平板電極２１９の放電面側から排気口２１１側へと放射状に広がるようにプラズマ拡散部２１７が形成される。ここで、ガス導入管２２０から導入されたガスは成膜室２１０を平板電極２１９側から排気口２１１側へと流れる。平板電極２１９は電極の周りをアースシールドで囲んだものでもよい。
【０１０７】
次に、トリメチルガリウムガスをガス導入管２１５、活性化手段である平板電極２１９の下流側に位置するシャワーノズル２１６を介して成膜室２１０に導入することによって、基体２１４表面にガリウムと酸素と水素とを含む非単結晶膜を成膜する。
基体２１４としては、例えば、有機感光層が形成された基体を用いる。
【０１０８】
無機保護層の成膜時の基体２１４表面の温度は、有機感光層を有する有機感光体を用いるので、１５０℃以下が望ましく、１００℃以下がより望ましく、３０℃以上１００℃以下が特に望ましい。
基体２１４表面の温度が成膜開始当初は１５０℃以下であっても、プラズマの影響で１５０℃より高くなる場合には有機感光層が熱で損傷を受ける場合があるため、この影響を考慮して基体２１４の表面温度を制御することが望ましい。
基体２１４表面の温度は加熱及び／又は冷却手段（図中、不図示）によって制御してもよいし、放電時の自然な温度の上昇に任せてもよい。基体２１４を加熱する場合にはヒータを基体２１４の外側や内側に設置してもよい。基体２１４を冷却する場合には基体２１４の内側に冷却用の気体又は液体を循環させてもよい。
放電による基体２１４表面の温度の上昇を避けたい場合には、基体２１４表面に当たる高エネルギーの気体流を調節することが効果的である。この場合、ガス流量や放電出力、圧力などの条件を所要温度となるように調整する。
【０１０９】
また、トリメチルガリウムガスの代わりにアルミニウムを含む有機金属化合物やジボラン等の水素化物を用いることもでき、これらを２種類以上混合してもよい。
例えば、無機保護層の形成の初期において、トリメチルインジウムをガス導入管２１５、シャワーノズル２１６を介して成膜室２１０内に導入することにより、基体２１４上に窒素とインジウムとを含む膜を成膜すれば、この膜が、継続して成膜する場合に発生し、有機感光層を劣化させる紫外線を吸収する。このため、成膜時の紫外線の発生による有機感光層へのダメージが抑制される。
【０１１０】
また、成膜時におけるドーパントのドーピングの方法としては、ｎ型用としてはＳｉＨ３，ＳｎＨ４を、ｐ型用としては、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム、ジメチルカルシウム、ジメチルストロンチウム、などをガス状態で使用する。また、ドーパント元素を表面層中にドーピングするには、熱拡散法、イオン注入法等の公知の方法を採用してもよい。
具体的には、例えば、少なくとも一つ以上のドーパント元素を含むガスをガス導入管２１５、シャワーノズル２１６を介して成膜室２１０内に導入することによって、ｎ型、ｐ型等の導電型の無機保護層を得る。
【０１１１】
図４及び図５を用いて説明した成膜装置では、放電エネルギーにより形成される活性窒素又は活性水素を、活性装置を複数設けて独立に制御してもよいし、ＮＨ３など、窒素原子と水素原子を同時に含むガスを用いてもよい。さらにＨ２を加えてもよい。また、有機金属化合物から活性水素が遊離生成する条件を用いてもよい。
このようにすることで、基体２１４表面上には、活性化された、炭素原子、ガリウム原子、窒素原子、水素原子、等が制御された状態で存在する。そして、活性化された水素原子が、有機金属化合物を構成するメチル基やエチル基等の炭化水素基の水素を分子として脱離させる効果を有する。
このため、三次元的な結合を構成する硬質膜（無機保護層）が形成される。
【０１１２】
図４及び図５に示す成膜装置のプラズマ発生手段は、高周波発振装置を用いたものであるが、これに限定されるものではなく、例えば、マイクロ波発振装置を用いたり、エレクトロサイクロトロン共鳴方式やヘリコンプラズマ方式の装置を用いてもよい。また、高周波発振装置の場合は、誘導型でも容量型でもよい。
さらに、これらの装置を２種類以上組み合わせて用いてもよく、あるいは、同種の装置を２つ以上用いてもよい。プラズマの照射によって基体２１４表面の温度上昇を抑制するためには高周波発振装置が望ましいが、熱の照射を抑制する装置を設けてもよい。
【０１１３】
２種類以上の異なるプラズマ発生装置（プラズマ発生手段）を用いる場合には、同じ圧力で同時に放電が生起されるようにすることが望ましい。また、放電する領域と、成膜する領域（基体が設置された部分）とに圧力差を設けてもよい。これらの装置は、成膜装置内をガスが導入される部分から排出される部分へと形成されるガス流に対して直列に配置してもよいし、いずれの装置も基体の成膜面に対向するように配置してもよい。
【０１１４】
例えば、２種類のプラズマ発生手段をガス流に対して直列に設置する場合、図４に示す成膜装置を例に上げれば、シャワーノズル２１６を電極として成膜室２１０内に放電を起こさせる第２のプラズマ発生装置として利用される。この場合、例えば、ガス導入管２１５を介して、シャワーノズル２１６に高周波電圧を印加して、シャワーノズル２１６を電極として成膜室２１０内に放電を起こさせる。あるいは、シャワーノズル２１６を電極として利用する代わりに、成膜室２１０内の基体２１４と平板電極２１９との間に円筒状の電極を設けて、この円筒状電極を利用して、成膜室２１０内に放電を起こさせる。
また、異なる２種類のプラズマ発生装置を同一の圧力下で利用する場合、例えば、マイクロ波発振装置と高周波発振装置とを用いる場合、励起種の励起エネルギーを大きく変えることができ、膜質の制御に有効である。また、放電は大気圧近傍（７００００Ｐａ以上１１００００Ｐａ以下）で行ってもよい。大気圧近傍で放電を行う場合にはキャリアガスとしてＨｅを使用することが望ましい。
【０１１５】
無機保護層の形成は、例えば、成膜室２１０に基体上に有機感光層を形成した基体２１４を設置し、各々組成の異なる混合ガスを導入して、無機保護層を形成する。
【０１１６】
また、成膜条件としては、例えば高周波放電により放電する場合、低温で良質な成膜を行うには、周波数として１０ｋＨｚ以上５０ＭＨｚ以下の範囲とすることが望ましい。また、出力は基体２１４の大きさに依存するが、基体の表面積に対して０．０１Ｗ／ｃｍ２以上０．２Ｗ／ｃｍ２以下の範囲とすることが望ましい。基体２１４の回転速度は０．１ｒｐｍ以上５００ｒｐｍ以下の範囲が望ましい。
【０１１７】
なお、無機保護層の形成において、各層は、その目的とする体積抵抗率に応じて、各々組成の異なる混合ガスを導入して、連続的に形成してもよいし、別個独立に行ってもよい。また、各層は、その目的とする体積抵抗率に応じて、成膜条件を選択する。
【０１１８】
以上、電子写真感光体として機能分離型の例を説明したが、図３に示される単層型有機感光層６（電荷発生／電荷輸送層）中の電荷発生材料の含有量は、１０質量％以上８５質量％以下程度、望ましくは２０質量％以上５０質量％以下である。また、電荷輸送性有機材料の含有量は５質量％以上５０質量％以下とすることが望ましい。単層型有機感光層６（電荷発生／電荷輸送層）の形成方法は、電荷発生層２や電荷輸送層３の形成方法と同様である。単層型有機感光層（電荷発生／電荷輸送層）６の膜厚は５μｍ以上５０μｍ以下程度が望ましく、１０μｍ以上４０μｍ以下とするのが更に望ましい。
【０１１９】
（プロセスカートリッジ及び画像形成装置）
図６は、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
本実施形態に係る画像形成装置１０１は、図６に示すように、例えば、矢印ａで示すように、時計回り方向に回転する電子写真感光体１０（上記本実施形態に係る電子写真感光体）と、電子写真感光体１０の上方に、電子写真感光体１０に相対して設けられ、電子写真感光体１０の表面を帯電させる帯電装置２０（帯電手段の一例）と、帯電装置２０により帯電した電子写真感光体１０の表面に露光して、静電潜像を形成する露光装置３０（静電潜像形成手段の一例）と、露光装置３０により形成された静電潜像に現像剤に含まれるトナーを付着させて電子写真感光体１０の表面にトナー像を形成する現像装置４０（現像手段の一例）と、電子写真感光体１０に接触しつつ矢印ｂで示す方向に走行するとともに、電子写真感光体１０の表面に形成されたトナー像を転写するベルト状の中間転写体５０と、電子写真感光体１０の表面をクリーニングするクリーニング装置７０（クリーニング手段の一例）とを備える。
【０１２０】
帯電装置２０、露光装置３０、現像装置４０、中間転写体５０、潤滑剤供給装置６０及びクリーニング装置７０は、電子写真感光体１０を囲む円周上に、時計周り方向に配設されている。なお、本実施形態では、クリーニング装置７０内部に、潤滑剤供給装置６０が配置された形態を説明するが、これに限られるわけではなく、クリーニング装置７０とは別途、潤滑剤供給装置６０を配置した形態であってもよい。また、潤滑剤供給装置を有していないものであってもよい。
【０１２１】
中間転写体５０は、内側から、支持ローラ５０Ａ、５０Ｂ、背面ローラ５０Ｃ、及び駆動ローラ５０Ｄによって張力を付与されつつ保持されるとともに、駆動ローラ５０Ｄの回転に伴い矢印ｂの方向に駆動される。中間転写体５０の内側における電子写真感光体１０に相対する位置には、中間転写体５０をトナーの帯電極性とは異なる極性に帯電させて中間転写体５０の外側の面に電子写真感光体１０上のトナーを吸着させる一次転写装置５１が設けられている。中間転写体５０の下方における外側には、記録紙Ｐ（記録媒体の一例）をトナーの帯電極性とは異なる極性に帯電させて、中間転写体５０に形成されたトナー像を記録紙Ｐ上に転写する二次転写装置５２が背面ローラ５０Ｃに対向して設けられている。なお、これら、電子写真感光体１０に形成されたトナー像を記録紙Ｐへ転写するための部材が転写手段の一例に相当する。
【０１２２】
中間転写体５０の下方には、さらに、二次転写装置５２に記録紙Ｐを供給する記録紙供給装置５３と、二次転写装置５２においてトナー像が形成された記録紙Ｐを搬送しつつ、トナー像を定着させる定着装置８０とが設けられている。
【０１２３】
記録紙供給装置５３は、１対の搬送ローラ５３Ａと、搬送ローラ５３Ａで搬送される記録紙Ｐを二次転写装置５２に向かって誘導する誘導スロープ５３Ｂと、を備える。一方、定着装置８０は、二次転写装置５２によってトナー像が転写された記録紙Ｐを加熱・押圧することにより、トナー像の定着を行う１対の熱ローラである定着ローラ８１と、定着ローラ８１に向かって記録紙Ｐを搬送する搬送コンベア８２とを有する。
【０１２４】
記録紙Ｐは、記録紙供給装置５３と二次転写装置５２と定着装置８０とにより、矢印ｃで示す方向に搬送される。
【０１２５】
中間転写体５０には、さらに、二次転写装置５２において記録紙Ｐにトナー像を転写した後に中間転写体５０に残ったトナーを除去するクリーニングブレードを有する中間転写体クリーニング装置５４が設けられている。
【０１２６】
以下、本実施形態に係る画像形成装置１０１における主な構成部材の詳細について説明する。
【０１２７】
−帯電装置−
帯電装置２０としては、例えば、導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が挙げられる。また、帯電装置２０としては、例えば、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も挙げられる。帯電装置２０としては、接触型帯電器がよい。
【０１２８】
−露光装置−
露光装置３０としては、例えば、電子写真感光体１０表面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を、像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体１０の分光感度領域にあるものがよい。半導体レーザの波長としては、例えば、７８０ｎｍ前後に発振波長を有する近赤外がよい。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、露光装置３０としては、例えばカラー画像形成のためにはマルチビーム出力するタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。
【０１２９】
−現像装置−
現像装置４０は、例えば、現像領域で電子写真感光体１０に対向して配置されており、例えば、トナー及びキャリアからなる２成分現像剤を収容する現像容器４１（現像装置本体）と、補給用現像剤収納容器（トナーカートリッジ）４７と、を有している。現像容器４１は、現像容器本体４１Ａとその上端を塞ぐ現像容器カバー４１Ｂとを有している。
【０１３０】
現像容器本体４１Ａは、例えば、その内側に、現像ロール４２を収容する現像ロール室４２Ａを有しており、現像ロール室４２Ａに隣接して、第１攪拌室４３Ａと第１攪拌室４３Ａに隣接する第２攪拌室４４Ａとを有している。また、現像ロール室４２Ａ内には、例えば、現像容器カバー４１Ｂが現像容器本体４１Ａに装着された時に現像ロール４２表面の現像剤の層厚を規制するための層厚規制部材４５が設けられている。
【０１３１】
第１攪拌室４３Ａと第２攪拌室４４Ａとの間は例えば仕切り壁４１Ｃにより仕切られており、図示しないが、第１攪拌室４３Ａ及び第２攪拌室４４Ａは仕切り壁４１Ｃの長手方向（現像装置長手方向）両端部に開口部が設けられて通じており、第１攪拌室４３Ａ及び第２攪拌室４４Ａによって循環攪拌室（４３Ａ＋４４Ａ）を構成している。
【０１３２】
そして、現像ロール室４２Ａには、電子写真感光体１０と対向するように現像ロール４２が配置されている。現像ロール４２は、図示しないが磁性を有する磁性ロール（固定磁石）の外側にスリーブを設けたものである。第１攪拌室４３Ａの現像剤は磁性ロールの磁力によって現像ロール４２の表面上に吸着されて、現像領域に搬送される。また、現像ロール４２はそのロール軸が現像容器本体４１Ａに回転自由に支持されている。ここで、現像ロール４２と電子写真感光体１０とは、同方向に回転し、対向部において、現像ロール４２の表面上に吸着された現像剤は、電子写真感光体１０の進行方向とは逆方向から現像領域に搬送するようにしている。
【０１３３】
また、現像ロール４２のスリーブには、不図示のバイアス電源が接続され、現像バイアスが印加されるようになっている（本実施形態では、現像領域に交番電界が印加されるように、直流成分（ＡＣ）に交流成分（ＤＣ）を重畳したバイアスを印加）。
【０１３４】
第１攪拌室４３Ａ及び第２攪拌室４４Ａには現像剤を攪拌しながら搬送する第１攪拌部材４３（攪拌・搬送部材）及び第２攪拌部材４４（攪拌・搬送部材）が配置されている。第１攪拌部材４３は、現像ロール４２の軸方向に伸びる第１回転軸と、回転軸の外周に螺旋状に固定された攪拌搬送羽根（突起部）とで構成されている。また、第２攪拌部材４４も、同様に、第２回転軸及び攪拌搬送羽根（突起部）とで構成されている。なお、攪拌部材は現像容器本体４１Ａに回転自由に支持されている。そして、第１攪拌部材４３及び第２攪拌部材４４は、その回転によって、第１攪拌室４３Ａ及び第２攪拌室４４Ａの中の現像剤は互いに逆方向に搬送されるように配設されている。
【０１３５】
そして、第２攪拌室４４Ａの長手方向一端側には、補給用トナー及び補給用キャリアを含む補給用現像剤を第２攪拌室４４Ａへ供給するための補給搬送路４６の一端が連結されており、補給搬送路４６の他端には、補給用現像剤を収容している補給用現像剤収納容器４７が連結されている。
【０１３６】
このように現像装置４０は、補給用現像剤収納容器（トナーカートリッジ）４７から補給搬送路４６を経て補給用現像剤を現像装置４０（第２攪拌室４４Ａ）へ供給する。
【０１３７】
なお、現像装置４０に使用される現像剤は、例えば、トナー単独で含む一成分現像剤、又は、トナーとキャリアを含む二成分系現像剤等の周知の現像剤が採用される。
【０１３８】
−転写装置−
一次転写装置５１、及び二次転写装置５２としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。
【０１３９】
中間転写体５０としては、導電剤を含んだポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等のベルト状のもの（中間転写ベルト）が使用される。また、中間転写体の形態としては、ベルト状以外に円筒状のものが用いられる。
【０１４０】
−クリーニング装置−
クリーニング装置７０は、筐体７１と、筐体７１から突出するように配設されるクリーニングブレード７２と、クリーニングブレード７２の電子写真感光体１０回転方向下流側に配置される潤滑剤供給装置６０と、を含んで構成されている。
なお、クリーニングブレード７２は、筐体７１の端部で支持された形態であってもよし、別途、支持部材（ホルダー）により支持される形態であってもよいが、本実施形態では、筐体７１の端部で支持された形態を示している。
【０１４１】
まず、クリーニングブレード７２について説明する。
クリーニングブレード７２（上記クリーニング層７２Ａ及び背面層７２Ｂ）を構成する材料としては、ウレタンゴム、シリコンゴム、フッ素ゴム、プロピレンゴム、ブタジエンゴム等が挙げられる。これらの中で、ウレタンゴムがよい。
ウレタンゴム（ポリウレタン）は、例えば、通常ポリウレタンの形成に用いられるものであれば特に限定されないが、例えばポリエチレンアジペート、ポリカプロラクトンなどのポリエステルポリオールなどのポリオールとジフェニルメタンジイソシアネートなどのイソシアネートとからなるウレタンプレポリマー及びたとえば１，４−ブタンジオール、トリメチロールプロパン、エチレングリコールやこれらの混合物などの架橋剤を原料とするものよい。
【０１４２】
次に、潤滑剤供給装置６０について説明する。
潤滑剤供給装置６０は、例えば、クリーニング装置７０の内部であって、クリーニングブレード７２よりも電子写真感光体１０の回転方向上流側に設けられている。
【０１４３】
潤滑剤供給装置６０としては、例えば、電子写真感光体１０と接触して配置される回転ブラシ６１と、回転ブラシ６１に接触して配置される固形状の潤滑剤６２と、で構成されている。潤滑剤供給装置６０では、固形状の潤滑剤６２と接触した状態で回転ブラシ６１を回転させることで、回転ブラシ６１に潤滑剤６２が付着すると共に、その付着した潤滑剤６２が電子写真感光体１０の表面に供給され、当該潤滑剤６２の皮膜が形成される。
【０１４４】
なお、潤滑剤供給装置６０は、上記形態に限られず、例えば、回転ブラシ６１に代わりにゴムローラを採用した形態であってもよい。
【０１４５】
−画像形成装置の動作−
次に、本実施形態に係る画像形成装置１０１の動作について説明する。まず、電子写真感光体１０が矢印ａで示される方向に沿って回転すると同時に、帯電装置２０により負に帯電する。
【０１４６】
帯電装置２０によって表面が負に帯電した電子写真感光体１０は、露光装置３０により露光され、表面に潜像が形成される。
【０１４７】
電子写真感光体１０における潜像の形成された部分が現像装置４０に近づくと、現像装置４０（現像ロール４２）により、潜像にトナーが付着し、トナー像が形成される。
【０１４８】
トナー像が形成された電子写真感光体１０が矢印ａに方向にさらに回転すると、トナー像は中間転写体５０の外側の面に転写する。
【０１４９】
トナー像が中間転写体５０に転写されたら、記録紙供給装置５３により、二次転写装置５２に記録紙Ｐが供給され、中間転写体５０に転写されたトナー像が二次転写装置５２により、記録紙Ｐ上に転写される。これにより、記録紙Ｐにトナー像が形成される。
【０１５０】
画像が形成された記録紙Ｐは、定着装置８０でトナー像が定着される。
【０１５１】
ここで、トナー像が中間転写体５０に転写された後、電子写真感光体１０は、転写後、潤滑剤供給装置６０により潤滑剤６２が電子写真感光体１０の表面へ供給されて、当該電子写真感光体１０の表面に潤滑剤６２の皮膜が形成される。その後、クリーニング装置７０のクリーニングブレード７２により、表面に残ったトナーや放電生成物が除去される。そして、クリーニング装置７０において、転写残のトナーや放電生成物が除去された電子写真感光体１０は、帯電装置２０により、再び帯電され、露光装置３０において露光されて潜像が形成される。
【０１５２】
また、本実施形態に係る画像形成装置１０１は、例えば、図７に示すように、筐体１１内に、電子写真感光体１０、帯電装置２０、現像装置４０、潤滑剤供給装置６０、及びクリーニング装置７０を一体に収容させたプロセスカートリッジ１０１Ａを備えた形態であってもよい。このプロセスカートリッジ１０１Ａは、複数の部材を一体的に収容し、画像形成装置１０１に脱着させるものである。なお、図７に示す画像形成装置１０１では、現像装置４０には、補給用現像剤収納容器４７を設けない形態が示されている。
プロセスカートリッジ１０１Ａの構成は、これに限られず、例えば、少なくとも、電子写真感光体１０を備えてえればよく、その他、例えば、帯電装置２０、露光装置３０、現像装置４０、一次転写装置５１、潤滑剤供給装置６０及びクリーング装置７０から選択される少なくとも一つを備えていてもよい。
【０１５３】
また、本実施形態に係る画像形成装置１０１は、上記構成に限られず、例えば、電子写真感光体１０の周囲であって、一次転写装置５１よりも電子写真感光体１０の回転方向下流側でクリーニング装置７０よりも電子写真感光体の回転方向上流側に、残留したトナーの極性を揃え、クリーニングブラシで除去しやすくするための第１除電装置を設けた形態であってもよいし、クリーニング装置７０よりも電子写真感光体の回転方向下流側で帯電装置２０よりも電子写真感光体の回転方向上流側に、電子写真感光体１０の表面を除電する第２除電装置を設けた形態であってもよい。
【０１５４】
また、本実施形態に係る画像形成装置１０１は、上記構成に限れず、周知の構成、例えば、電子写真感光体１０に形成したトナー像を直接、記録紙Ｐに転写する方式を採用してもよいし、タンデム方式の画像形成装置を採用してもよい。
【実施例】
【０１５５】
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。なお、以下の実施例において「部」は質量部を意味する。
【０１５６】
［実施例１］
−下引層の形成−
酸化亜鉛（平均粒子径：７０ｎｍ、テイカ社製）１００質量部をトルエン５００質量部と攪拌混合し、シランカップリング剤（商品名：ＫＢＭ６０３、信越化学社製）１．５質量部を添加して２時間攪拌した。その後、減圧蒸留によりトルエンを留去し、１５０℃で２時間焼き付けを行った。
【０１５７】
このようにして表面処理を施した酸化亜鉛６０質量部、硬化剤（ブロック化イソシアネート、商品名：スミジュールＢＬ３１７５、住友バイエルンウレタン社製）１５質量部及びブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＭ−１、積水化学社製）１５質量部をメチルエチルケトン８５質量部に溶解した溶液３８質量部に、メチルエチルケトン２５質量部を混合して被処理液を得た。
【０１５８】
次に、水平型メディアミル分散機（ＫＤＬ−ＰＩＬＯＴ型、ダイノーミル、シンマルエンタープライゼス社製）を用いて以下の手順で分散処理を行った。分散機のシリンダー及び撹拌ミルはジルコニアを主成分としたセラミックスで構成されている。このシリンダーに直径１ｍｍのガラスビーズ（ハイビーＤ２０、株式会社オハラ製）をかさ充填率８０％で投入し、攪拌ミルの周速を８ｍ／分、被処理液の流量を１０００ｍＬ／分として、循環方式により分散処理を行った。被処理液の送液にはマグネットギヤポンプを用いた。
【０１５９】
上記分散処理において、所定時間経過後に被処理液の一部をサンプリングし、成膜時の透過率を測定した。すなわち、被処理液をガラスプレート上に膜厚２０μｍとなるように塗布し、１５０℃で２時間の硬化処理を行って塗膜を形成させた後、分光光度計（Ｕ−２０００、日立社製）を用いて波長９５０ｎｍの透過率を求めた。そして、この透過率（膜厚２０ｎｍに対する値）が７０％を超えた時点で分散処理を終了した。
【０１６０】
このようにして得られた分散液に、触媒としてジオクチルスズジラウレート０．００５質量部及びシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２９ＰＡ、東レダウコーニングシリコーン社製）０．０１質量部を添加し、下引層用塗布液を調製した。この塗布液を浸漬塗布法にて直径３０ｍｍ、長さ４１０ｍｍ、肉厚１ｍｍのアルミニウム基体上に塗布し、１６０℃、１００分の乾燥硬化を行い、膜厚２０μｍの下引層を形成させた。
【０１６１】
−有機感光層の形成−
次に、下引層上に感光層を形成した。
まず、電荷発生物質として、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．４゜，１６．６゜，２５．５゜，２８．３゜の位置に回折ピークを有する塩化ガリウムフタロシアニン１５質量部、結着樹脂として塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂（商品名：ＶＭＣＨ、日本ユニカー社製）１０質量部、及びｎ−ブチルアルコール３００質量部からなる混合物を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散処理し、電荷発生層用塗布液を得た。得られた分散液を下引層上に浸漬塗布し、乾燥させて、膜厚０．２μｍの電荷発生層を形成させた。
【０１６２】
さらに、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’］ビフェニル−４，４’−ジアミン４質量部及びビスフェノールＺポリカーボネート樹脂（粘度平均分子量：４００００）６質量部をクロルベンゼン８０質量部に加えて溶解して電荷輸送層用塗布液を得た。この塗布液を電荷発生層上に塗布し、１３０℃、４０分の乾燥を行うことにより膜厚２５μｍの電荷輸送層を形成させ、有機感光体（ノンコート感光体（１））を得た。
【０１６３】
−無機保護層の形成−
・界面層の形成
ノンコート感光体（１）表面への第３の層の形成は、図４に示す構成を有する成膜装置を用いて行った。
まず、ノンコート感光体（１）を、成膜装置の成膜室２１０内の基体支持部材２１３に載せ、排気口２１１を介して成膜室２１０内を、圧力が０．１Ｐａになるまで真空排気した。
次に、Ｈｅ希釈４０％酸素ガス（３．５ｓｃｃｍ）、及びＨ２ガス（１００ｓｃｃｍ）を、ガス導入管２２０から直径８５ｍｍの平板電極２１９が設けられた高周波放電管部２２１内に導入し、高周波電力供給部２１８及びマッチング回路（図４中不図示）により、１３．５６ＭＨｚのラジオ波を出力２００Ｗにセットしチューナでマッチングを取り平板電極２１９から放電を行った。この時の反射波は０Ｗであった。
次に、トリメチルガリウムガス（５ｓｃｃｍ）を、ガス導入管２１５を介してシャワーノズル２１６から成膜室２１０内のプラズマ拡散部２１７に導入した。この時、バラトロン真空計で測定した成膜室２１０内の反応圧力は１０Ｐａであった。
この状態で、ノンコート感光体（１）を１００ｒｐｍの速度で回転させながら１５分間成膜し、ノンコート感光体（１）の電荷輸送層表面に膜厚０．２１μｍの界面層を形成した。
【０１６４】
・中間層の形成
次に、高周波放電を停止し、Ｈｅ希釈４０％酸素ガス(１０ｓｃｃｍ)に変更した後、再び高周波放電を開始した。
この状態で、界面層を形成したノンコート感光体（１）１００ｒｐｍの速度で回転させながら６０分間成膜し、界面層上に、膜厚１．０μｍの中間層を形成した。
【０１６５】
・最表層の形成
次に、高周波放電を停止し、成膜室２１０内の圧力（５Ｐａ）、Ｈｅ希釈４０％酸素ガス(２．２ｓｃｃｍ)、Ｈ２ガス（３００ｓｃｃｍ）トリメチルガリウムガス（３．２ｓｃｃｍ）に変更した後、再び高周波放電を開始した。
この状態で、界面層及び中間層を順次形成したノンコート感光体（１）を１００ｒｐｍの速度で回転させながら５５分間成膜し、中間層上に、膜厚０．５２μｍの最表面層を形成した。
【０１６６】
以上の工程を経て、導電性基体上に、下引層、電荷発生層、電荷輸送層、無機保護層が順次形成された電子写真感光体を得た。
【０１６７】
［実施例２〜７、比較例１〜３］
表１〜表２に従って、Ｈｅ希釈４０％酸素ガス（Ｏ２／Ｈｅと表記）、水素ガス（Ｈ２と表記）、トリメチルガリウムガス（ＴＭＧと表記）、ジメチル亜鉛（ＤＭＺｎと表記）のガス供給量に加え、高周波電力（ｒｆ電力と表記）、成膜室２１０内の圧力（成膜圧力と表記）、成膜時間等の成膜条件を変更した以外は、実施例１と同様にして、ノンコート感光体（１）上に、界面層、中間層、及び最表層を順次成膜し、無機保護層を形成して、電子写真感光体を得た。
【０１６８】
［評価］
（特性評価）
−無機保護層の各層の体積抵抗率の測定−
測定対象となる無機保護層の各層（界面層、中間層、及び最表面層）の体積抵抗率は、各層を各例の電子写真感光体の作製時と同じ条件でアルミ蒸着ＰＥＴフィルム上に成膜し、真空蒸着により金電極を形成した測定試料を作製し、これを用いて既述の方法に従って測定した。
【０１６９】
−無機保護層の各層の組成−
測定対象となる無機保護層の各層（界面層、中間層、及び最表面層）の組成をラザフォード・バック・スキャタリング（ＲＢＳ）とハイドロジェン・フォワードスキャタリング（ＨＦＳ）とＥＤＳ（エネルギー分散型X線分析法）とを用いて、ガリウムと酸素の原子数比〔Ｏ／Ｇａ〕を測定した。
なお、組成の測定は、無機保護層のうち、最表面層については得られた電子写真感光体の外周面に対して測定を行い、界面層及び中間層については得られた電子写真感光体の外周面を切削し、露出した各層に対して測定を行った。
ここで、表３及び表４中、［Ｇａ］＋［Ｏ］＋［Ｈ］欄は、各層中における、ガリウム（Ｇａ）、酸素（Ｏ）、及び水素（Ｈ）の合計の元素構成比率（全構成元素に対する比率）を示す。そして、値「１」が１００原子％に対応する。
また、［Ｇａ］＋［Ｚｎ］＋［Ｏ］＋［Ｈ］欄は、各層中における、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）、及び水素（Ｈ）の合計の元素構成比率（全構成元素に対する比率）を示す。そして、値「１」が１００原子％に対応する。
【０１７０】
（実機評価）
-画像ボケ-
各例で得られた電子写真感光体を、ＤｏｃｕＣｅｎｔｅｒ  Ｃｏｌｏｒ  ａ４５０に装着し、２００ｌｐｉの網点スクリーン線数で、画像濃度Ｃｉｎ３０％のハーフトーン画像をＡ３用紙に１０００枚出力した。
得られた画像を、顕微鏡によりハーフトーンドットの観察をした。これを出力画像の１枚目と１０００枚目で評価した。それぞれ結果を表２に示した。
評価基準を以下に示す。
Ａ：ハーフトーンドットが確認され異常はみられない
Ｂ：  ハーフトーンドットが確認されるが、一部ドットに欠け、太りなどの異常を含んでいる(実使用には問題ないレベル) 
Ｃ：  ハーフトーンドットが、確認される部分と消失している部分がある(実使用において問題があるレベル) 
Ｄ：ハーフトーンドットが全く確認されない。
【０１７１】
−残留電位−
各例で得られた電子写真感光体の残留電位について、次のようにして評価した。
まず、電子写真感光体に対して、露光用の光（光源：半導体レーザー、波長：７８０ｎｍ、出力：５ｍＷ）を、スコロトロン帯電器により−７００Ｖに帯電させた状態で４０ｒｐｍで回転させている電子写真感光体の表面に走査しながら照射した。その後、電子写真感光体の電位を表面電位計（モデル３４４、トレックジャパン社製）により測定し、電子写真感光体における電位状態（残留電位）を調べた。これを１００サイクル繰り返し、１００回目の残留電位を測定した。
評価基準を以下に示す（但し、数値は絶対値を表す。）。
Ａ：２０Ｖ未満
Ｂ：２０Ｖ以上６０Ｖ未満
Ｃ：６０Ｖ以上１００Ｖ未満
Ｄ：１００Ｖ以上
【０１７２】
以下、各例の評価結果を表３〜表４に一覧にして示す。
【０１７３】
【表１】
2014006351.tif 000003
【０１７４】
【表２】
2014006351.tif 000004
【０１７５】
【表３】
2014006351.tif 000005
【０１７６】
【表４】
2014006351.tif 000006
【０１７７】
上記結果から、本実施例では、比較例に比べ、画像ボケ、残留電位の評価について、共に良好な結果が得られていることがわかる。
【符号の説明】
【０１７８】
２１０  成膜室、２１１  排気口、２１２  基体回転部、２１３  基体支持部材、２１４  基体、２１５、２２０  ガス導入管、２１６  シャワーノズル、２１７  プラズマ拡散部、２１８  高周波電力供給部、２１９  平板電極、２２１  高周波放電管部、２２２  高周波コイル、２２３  石英管、１０  電子写真感光体、１０Ａ  電子写真感光体、１０Ｂ  電子写真感光体、２０  帯電装置、３０  露光装置、４０  現像装置、４１  現像容器、４１Ａ  現像容器本体、４１Ｂ  現像容器カバー、４１Ｃ  壁、４２  現像ロール、４２Ａ  現像ロール室、４３  攪拌部材、４３Ａ  攪拌室、４４  攪拌部材、４４Ａ  攪拌室、４５  層厚規制部材、４６  補給搬送路、４７  補給用現像剤収納容器、５０  中間転写体、５０Ａ  支持ローラ、５０Ｂ  支持ローラ、５０Ｃ  背面ローラ、５０Ｄ  駆動ローラ、５１  一次転写装置、５２  二次転写装置、５３  記録紙供給装置、５３Ａ  搬送ローラ、５３Ｂ  誘導スロープ、５４  中間転写体クリーニング装置、７０  クリーニング装置、７１  筐体、７２  クリーニングブレード、８０  定着装置、８１  定着ローラ、８２  搬送コンベア、１０１  画像形成装置、１０１Ａ  プロセスカートリッジ、
【図５】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図６】
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【図７】
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