(57)【要約】【課題】樹脂の残存を生じさせることなく上面の面積が大きい金属バンプを形成した回路基板を提供する。【解決手段】銅、銅合金、アルミニウムから選択される１種からなるベース金属基板２と、このベース金属基板２上に形成され、上面の面積が大きく、銅、銅合金、アルミニウム、ニッケルから選択される金属からなる金属バンプ３と、金属バンプ３の側面周囲に形成された絶縁樹脂層４と、絶縁樹脂層４上に形成された金属層（金属層５及び金属めっき層６）とを有し、ベース金属基板２の底面から金属バンプ３上の金属めっき層６の上面までの高さと、ベース金属基板２の底面から絶縁樹脂層４上の金属めっき層６の上面までの高さとが同一である回路基板を提供する。【選択図】図１（ｉ）
2014103354.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅、銅合金、アルミニウムから選択される１種からなる金属基板と、
前記金属基板上に形成され、上面の面積が９ｍｍ２以上の銅、銅合金、アルミニウム、ニッケルから選択される金属からなる柱状金属部と、
前記柱状金属部の側面周囲に形成された絶縁樹脂層と、
前記絶縁樹脂層上及び前記柱状金属部上に形成された金属層と、
を有し、
前記金属基板の底面から前記柱状金属部上の前記金属層の上面までの高さと、該金属基板の底面から前記絶縁樹脂層上の前記金属層の上面までの高さとが同一である
回路基板。
【請求項２】
前記絶縁樹脂層は、無機繊維を含有する請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の回路基板上にＬＥＤ（発光ダイオード）チップが搭載されたＬＥＤモジュール。
【請求項４】
金属基板上に柱状金属部を形成する工程と、
前記柱状金属部の形状に対応した柱状の穴部分が形成されている絶縁樹脂層の該穴部分に該柱状金属部を挿入する工程と、
前記絶縁樹脂層を加熱及び加圧することにより、前記金属基板と前記絶縁樹脂層とを圧着させる工程と、を有する、
回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記絶縁樹脂層は、無機繊維を含有する請求項４に記載の回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤ（Light Emitting Diode（発光ダイオード））を搭載するための回路基板、及び、この回路基板上にＬＥＤチップを搭載したＬＥＤモジュール、更には、この回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、回路基板上にＬＥＤ（Light Emitting Diode（発光ダイオード））チップを搭載（実装）したＬＥＤモジュールがある（例えば特許文献１乃至３参照）。
このような従来のＬＥＤモジュールは、ベース基板である金属基板（以下、「ベース金属基板」とも称する。）上にＬＥＤチップを搭載するための柱状金属部（以下、「金属バンプ」とも称する。）が形成されている。この金属バンプは、ベース金属基板とＬＥＤチップとを電気的に接続するとともに、ＬＥＤチップが発する熱をベース金属基板に放熱する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２７８０１２号公報
【特許文献２】特開平４−３３８６９２号公報
【特許文献３】特開平５−２９３７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ＬＥＤモジュールにおいては、益々、小型で高パワーを実現することが要求されており、ＬＥＤの大容量化が進められている。このため、高い放熱性を確保し、多数のＬＥＤチップを密集して搭載できるようにするために、金属バンプの上面の面積（以下、これを「バンプ面積」ともいう。）を大きくする必要がある。
しかしながら、従来の回路基板の製造においては、金属バンプが形成された金属基板上に絶縁樹脂層を介して金属層（金属薄膜）を貼り付け、その後に金属バンプ上を研磨処理を行っているため、バンプ面積の大きい金属バンプを形成すると、研磨の際に金属バンプ上に樹脂の残存（樹脂残り）が顕著に生じてしまう。そのため、従来、バンプ面積の大きい金属バンプを形成した回路基板を製造することは困難となっていた。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、鋭意研究の結果、金属バンプ上において樹脂の残存を生じさせることなくバンプ面積の大きい金属バンプを形成した回路基板を製造する技術を見出し、そのような回路基板上にＬＥＤチップを搭載したＬＥＤモジュールを提供するに至った。本発明は、このような点に基づいて完成したものである。具体的には、金属バンプの形状に対応した穴部分が形成された絶縁樹脂層を適用し、この穴部分に金属バンプを挿入することにより、金属バンプ上において樹脂が残存することがない回路基板を得た。
【０００６】
すなわち、本発明の回路基板は、銅、銅合金、アルミニウムから選択される１種からなる金属基板（ベース金属基板２）と、金属基板上に形成され、上面の面積が９ｍｍ２以上の銅、銅合金、アルミニウム、ニッケルから選択される金属からなる柱状金属部（金属バンプ３）と、柱状金属部の側面周囲に形成された絶縁樹脂層（絶縁樹脂層４）と、絶縁樹脂層及び柱状金属部上に形成された金属層（金属層５及び金属めっき層６）とを有し、金属基板の底面から柱状金属部上の金属層（金属めっき層６）の上面までの高さと、金属基板の底面から絶縁樹脂層（絶縁樹脂層４）上の金属層（金属めっき層６）の上面までの高さとが同一であることを特徴とする（図１（ｉ）参照）。
【０００７】
また、本発明のＬＥＤモジュールは、このような回路基板上にＬＥＤ（発光ダイオード）チップが搭載されたことを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の回路基板の製造方法は、金属基板上に柱状金属部を形成する工程と、この柱状金属部の形状に対応した柱状の穴部分が形成されている絶縁樹脂層の穴部分に柱状金属部を挿入する工程と、絶縁樹脂層を加熱及び加圧することにより、金属基板と絶縁樹脂層とを圧着させる工程とを有するものである。このような本発明の回路基板の製造方法によれば、上面の面積が大きい柱状金属部が形成された回路基板を容易且つ高精度に製造することができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、大面積でありながらも樹脂残りのない上面を有する金属バンプを形成した回路基板を提供することができ、そのような回路基板上に多数のＬＥＤチップを密集して搭載することにより、小型で高パワーなＬＥＤモジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１（ａ）】第１の実施形態の回路基板の製造方法における準備工程の一例を説明するための模式図である。
【図１（ｂ）】第１の実施形態の回路基板の製造方法におけるレジスト配置工程（１）の一例を説明するための模式図である。
【図１（ｃ）】第１の実施形態の回路基板の製造方法におけるバンプ形成工程の一例を説明するための模式図である。
【図１（ｄ）】第１の実施形態の回路基板の製造方法における層配置工程の一例を説明するための模式図である。
【図１（ｅ）】第１の実施形態の回路基板の製造方法におけるプレス工程の一例を説明するための模式図である。
【図１（ｆ）】第１の実施形態の回路基板の製造方法における凸部除去工程の一例を説明するための模式図である。
【図１（ｇ）】第１の実施形態の回路基板の製造方法におけるめっき工程の一例を説明するための模式図である。
【図１（ｈ）】第１の実施形態の回路基板の製造方法におけるレジスト配置工程（２）の一例を説明するための模式図である。
【図１（ｉ）】第１の実施形態の回路基板の製造方法におけるパターン形成工程の一例を説明するための模式図である。
【図２】第１の実施形態の回路基板の製造方法における絶縁樹脂層への穴部分の形成を説明するための模式図である。
【図３】第１の実施形態の回路基板の製造方法における層配置工程で配置した絶縁樹脂層及び金属バンプの上面を示す模式図である。
【図４（ａ）】第２の実施形態の回路基板の製造方法における準備工程の一例を説明するための模式図である。
【図４（ｂ）】第２の実施形態の回路基板の製造方法におけるレジスト配置工程（１）の一例を説明するための模式図である。
【図４（ｃ）】第２の実施形態の回路基板の製造方法におけるバンプ形成工程の一例を説明するための模式図である。
【図４（ｄ）】第２の実施形態の回路基板の製造方法における保護金属層除去工程の一例を説明するための模式図である。
【図４（ｅ）】第２の実施形態の回路基板の製造方法における層配置工程の一例を説明するための模式図である。
【図４（ｆ）】第２の実施形態の回路基板の製造方法におけるプレス工程の一例を説明するための模式図である。
【図４（ｇ）】第２の実施形態の回路基板の製造方法における凸部除去工程の一例を説明するための模式図である。
【図４（ｈ）】第２の実施形態の回路基板の製造方法におけるめっき工程の一例を説明するための模式図である。
【図４（ｉ）】第２の実施形態の回路基板の製造方法におけるレジスト配置工程（２）の一例を説明するための模式図である。
【図４（ｊ）】第２の実施形態の回路基板の製造方法におけるパターン形成工程の一例を説明するための模式図である。
【図５】第１の実施形態において製造した回路基板を用いたＬＥＤモジュールの側面断面図である。
【図６】第２の実施形態において製造した回路基板を用いたＬＥＤモジュールの側面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明を適用した実施形態について説明する。
本発明に係る回路基板は、例えば後に示す図１（ｉ）を参照してわかるように、銅、銅合金、アルミニウムから選択される１種からなるベース金属基板２と、このベース金属基板２上に形成され、上面の面積が９ｍｍ２以上の銅、銅合金、アルミニウム、ニッケルから選択される金属からなる金属バンプ３と、金属バンプ３の側面周囲に形成された絶縁樹脂層４と、絶縁樹脂層４及び金属バンプ３上に形成された金属層（金属層５及び金属めっき層６）とを有し、ベース金属基板２の底面から金属バンプ３上の金属めっき層６の上面までの高さと、ベース金属基板２の底面から絶縁樹脂層４上の金属めっき層６の上面までの高さとが同一である回路基板である。
本発明に係る回路基板は、金属バンプ３の側面周囲に絶縁樹脂層４が形成されていることにより、金属バンプ３上において樹脂が残存することがない回路基板とすることができる。また、本発明に係る回路基板は、ベース金属基板２の底面から金属バンプ３上の金属めっき層６の上面までの高さと、ベース金属基板２の底面から絶縁樹脂層４上の金属めっき層６の上面までの高さとが同一であることから、金属バンプ３上に搭載するＬＥＤチップと絶縁樹脂層４上の金属めっき層６上とをワイヤボンディングによって接続する際には、容易且つ高精度に両者を接続することができる。
【００１２】
次に、このような本発明の回路基板を製造する製造方法について説明する。
【００１３】
＜第１の実施形態＞
第１の実施形態の回路基板を製造する製造工程の一例について説明する。
この第１の実施形態の回路基板の製造工程は、以下の順序による各工程からなる。
１−１．準備工程
１−２．レジスト配置工程（１）
１−３．バンプ形成工程
１−４．層配置工程
１−５．プレス工程
１−６．凸部除去工程
１−７．めっき工程
１−８．レジスト配置工程（２）
１−９．パターン形成工程
【００１４】
（１−１．準備工程）
まず、図１（ａ）に示すように、後の工程でベース金属基板２及び金属バンプ３を形成するための金属板１を準備する。
金属板１の厚みは、特に限定されないが、例えば、１０μｍ乃至３００００μｍとすることができる。
金属板１を構成する金属としては、金属バンプ３を形成することから、放熱性及び高い電気伝導性の金属であることが好ましい。具体的には、銅、銅合金、アルミニウムから選択される１種の金属が好ましく、特に、熱伝導性や電気伝導性の点から、銅がより好ましい。
【００１５】
（１−２．レジスト配置工程（１））
次に、図１（ｂ）に示すように、エッチングレジストＭを、金属板１上面の金属バンプ３を形成する位置に配置する。
（１−３．バンプ形成工程）
次に、図１（ｃ）に示すように、エッチングレジストＭを用いて、金属板１の選択的なエッチングを行うことにより、回路基板上におけるＬＥＤチップの搭載位置に金属バンプ３（柱状金属部）を形成する。金属バンプ３の形状は、特に限定されず、例えば三角形、四角形でも良いが、通常は、上面が円形の柱状である。
金属バンプ３の上面の面積（バンプ面積）は、例えばＬＥＤチップの幅方向サイズと同じ又はそれ以下であり、ＬＥＤチップが発する熱をベース金属基板２に逃がすものであるため、ＬＥＤチップのバンプ面積よりも大きい方が、放熱効果がより大きいことから好ましく、具体的には、９ｍｍ２以上である。
また、金属バンプ３のバンプ面積を従来一般に使用される回路基板の金属バンプのバンプ面積よりも大きくすることにより、ＬＥＤモジュールの小型化及び高放熱性を実現することができる。
【００１６】
金属バンプ３を構成する金属としては、上述したように、放熱性及び高い電気伝導性の金属であることが好ましく、具体的には、銅、銅合金、アルミニウム、ニッケルから選択される金属が好ましく、特に、熱伝導性や電気伝導性の点から、銅がより好ましい。
【００１７】
エッチングレジストＭとしては、感光性樹脂やドライフィルムレジスト（フォトレジスト）等が挙げられる。なお、金属板１のベース金属基板２となる部分がエッチングされるのを防止するためのマスク材を、金属板１の下面に設けるのが好ましい。
【００１８】
エッチングの方法としては、金属板１を構成する各金属の種類に応じた各種エッチング液を用いたエッチング方法が挙げられる。
金属板１が銅である場合には、過硫酸アンモニウム、過酸化水素−硫酸等の市販のアルカリエッチング液を使用できる。このようなエッチング液により、金属板１におけるエッチングレジストＭで表面がマスクされた部分以外の部分をエッチングした後、エッチングレジストＭを除去する。
【００１９】
エッチングレジストＭを除去する方法としては、薬剤除去、剥離除去など、エッチングレジストＭの種類に応じて適宜選択すればよい。例えば、スクリーン印刷により形成された感光性のインクである場合、アルカリ等の薬品にて除去される。
【００２０】
金属バンプ３のバンプ面積は、上述のように９ｍｍ２以上であり、一例としては、バンプ面積２５ｍｍ２の極めて大きな金属バンプ３を形成することができる。
また、金属バンプの形成方法は、上述の金属バンプ３を形成する例に限定されない。例えば、特許第３２１７３８１号、特許第３１７８６７７号に記載されている方法で金属バンプを形成するようにしてもよい。
なお、ここでは、バンプ面積が９ｍｍ２以上ある金属バンプ３を形成する例について説明しているが、この例に限定されず、他のバンプ面積の金属バンプ（バンプ面積が大きいもの）を形成する場合であっても、この第１の実施形態による製造方法を適用することが可能である。
【００２１】
（１−４．層配置工程）
次に、図１（ｄ）に示すように、ベース金属基板２上に絶縁樹脂層４を配置し、その絶縁樹脂層４上及び金属バンプ３上に金属層５を配置する。
絶縁樹脂層４には、金属バンプ３の形状に対応した柱状の穴部分４ａが形成されている。この層配置工程では、絶縁樹脂層４の穴部分４ａに金属バンプ３を挿入するバンプ挿入工程を有する。
絶縁樹脂層４の上面側における穴部分の面積（以下、これを「穴面積」ともいう。）は、金属バンプ３のバンプ面積よりも僅かに大きい。具体的には、金属バンプ３のバンプ面積が９ｍｍ２以上であり、絶縁樹脂層４の上面側における穴面積は９ｍｍ２よりも大きい面積である。
バンプ挿入工程では、ベース金属基板２上に形成された金属バンプ３の上面（バンプ面積９ｍｍ２以上、例えば円形）の中心と、絶縁樹脂層４の上面側における穴部分（穴面積９ｍｍ２よりも大きく、例えば円形）の中心とが重なるようにして、絶縁樹脂層４の穴部分４ａに金属バンプ３を挿入する。これにより、ベース金属基板２上の金属バンプ３が形成されていない位置に絶縁樹脂層４が配置される。
このように、絶縁樹脂層４の穴部分４ａに金属バンプ３を挿入するだけで、ベース金属基板２上に絶縁樹脂層４が配置され、金属バンプ３の側面周囲に絶縁樹脂層が形成される。
【００２２】
絶縁樹脂層４を構成する絶縁性材料は、特に限定されない。例えば、加熱及び加圧によって変形して固化すると共に、通常の配線基板に要求される耐熱性を有する絶縁性樹脂に、絶縁樹脂層４の強度を上げる所定の材料を含有するものを挙げることができる。例えば、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等の各種反応硬化性樹脂からなる絶縁性樹脂に、ガラス繊維（ガラスクロス）、セラミック繊維、アラミド繊維等の繊維を複合させてなる複合体（プリプレグ）等を挙げることができる。
絶縁樹脂層４をこのような複合体とすることで、ドリル加工等により穴部分４ａを形成する際に、絶縁樹脂層４に割れ、剥がれ等の形状変化が生じないようにすることができる。
特に、ガラスクロスは、容易に絶縁樹脂層４の強度を上げることができるため、好適である。
絶縁樹脂層４の複合体における絶縁性樹脂としては、硬化状態下において、ベース金属基板２との接合力に優れ、さらには耐電圧特性等を損なわない樹脂を挙げることができる。
このような樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂の他、各種のエンジニアリングプラスチック等を単独で、または２種以上混合して用いることができる。この内、エポキシ樹脂が金属同士の接合力に優れるので好ましい。
エポキシ樹脂の中では、例えば、流動性が高い、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂構造を両末端に有するトリブロックポリマー、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂構造を両末端に有するトリブロックポリマーが好ましい。
【００２３】
絶縁樹脂層４の絶縁性樹脂には、熱伝導性を高めるために熱伝導性フィラーを含ませるようにしてもよい。
【００２４】
絶縁樹脂層４は、熱伝導性フィラーを含ませる場合、１．０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有し、１．２Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有することが好ましく、１．５Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有することがより好ましい。これによって、金属バンプ３からの熱を効率良くベース金属基板１１側に放熱することができる。ここで、絶縁樹脂層４の熱伝導率は、適宜、熱伝導性フィラーの配合量及び粒度分布を考慮した配合を選択することで決定されるが、硬化前の絶縁性接着剤の塗工性を考慮すると、一般的には１０Ｗ／ｍＫ程度が上限として好ましい。
【００２５】
絶縁樹脂層４の絶縁性樹脂に含ませる熱伝導性フィラーとしては、例えば金属酸化物及び／又は金属窒化物からなる熱伝導性フィラーを挙げることができる。金属酸化物並びに金属窒化物は、熱伝導性に優れるとともに電気絶縁性であるものが好ましい。
金属酸化物としては、例えば酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化ベリリウム、酸化マグネシウムが好ましく、金属窒化物としては窒化硼素、窒化珪素、窒化アルミニウムが好ましい。これらを単独または２種以上を混合して用いることができる。
金属酸化物の中でも、酸化アルミニウムは電気絶縁性、熱伝導性ともに良好な絶縁接着剤層を容易に得ることができ、しかも安価に入手可能であることから特に好ましい。
また、金属窒化物の中でも、窒化硼素は電気絶縁性、熱伝導性に優れ、更に誘電率が小さいことから特に好ましい。
【００２６】
熱伝導性フィラーとしては、小径フィラー及び大径フィラーの両方を含むものが好ましい。このように２種以上の大きさの異なる粒子（粒度分布の異なる粒子）を用いることで、大径フィラー自体による伝熱機能と、小径フィラーにより大径フィラー間の樹脂の伝熱性を高める機能により、絶縁樹脂層４の熱伝導率をより向上させることができる。
このような観点から、小径フィラーのメディアン径は、例えば０．５μｍ乃至２μｍとすることができ、より好ましくは０．５μｍ乃至１μｍとすることができる。また、大径フィラーのメディアン径は、例えば１０μｍ乃至４０μｍとすることができ、より好ましくは１５μｍ乃至２０μｍとすることができる。
【００２７】
絶縁樹脂層４における穴部分４ａは、例えば以下のような形成方法によって形成することができる（図２参照）。
図２（ａ）に示すように、穴部分４ａを形成するための絶縁樹脂層４は、所定の厚さを有する絶縁性の部材である。この絶縁樹脂層４の厚さは、特に限定されないが、金属バンプ３の高さと同程度であることが好ましい。なお、後のプレス工程で加圧されることを考慮し、金属バンプ３の高さよりもやや厚いものであってもよい。
図２（ｂ）に示すように、絶縁樹脂層４に穴部分４ａを形成する際には、凸型の先端加工部３０ａを有するドリル或いはルーター等の加工器具３０を用いてドリル加工を行う。
これにより、図２（ｃ）の絶縁樹脂層４の上面図に示すように、絶縁樹脂層４の上面と下面とを貫通する円形の穴部分４ａを形成する。
【００２８】
上述したように、穴部分４ａの面積（穴面積）は、金属バンプ３のバンプ面積よりも僅かに大きいものとする。穴部分４ａの穴面積を金属バンプ３のバンプ面積よりも僅かに大きくすることにより、絶縁樹脂層４の穴部分４ａに金属バンプ３を容易に挿入し、これにより、ベース金属基板２上に絶縁樹脂層４を配置することができる。穴部分４ａの穴面積は、金属バンプ３のバンプ面積よりも大きければよく、バンプ面積９ｍｍ２以上の金属バンプ３に対し、穴面積が９ｍｍ２よりも大きい穴部分を形成する。穴部分４ａの穴面積は、例えば２７ｍｍ２である。
また、穴部分４ａの穴面積は、金属バンプ３のバンプ面積よりも僅かに大きくすることによって次のような効果もある。すなわち、このようにすることによって、後述するプレス工程において、絶縁樹脂層４がプレスの圧力によって流動して、不適切に金属バンプ３の上側に盛り上がることを防ぐことが可能となる。
【００２９】
なお、このようなドリル加工に代えて、金型を用いた金属プレス加工等の従来一般に行われているプレス加工、或いはトムソン刃により絶縁樹脂層４を打ち抜くことにより、穴部分４ａを形成するようにしてもよい。
これにより、穴部分４ａが形成された絶縁樹脂層４を容易に大量生産することができる。また、金属プレス加工によって生産することによって、複数の穴部分４ａを有する絶縁樹脂層４に対しては、適切な位置に、適切な穴面積の穴部分４ａを形成することが可能となる。
【００３０】
さらになお、この穴部分４ａの形状は、図２（ｃ）のように、上方から見た場合に、上側の面が円形の円柱形状を想定しているが、この形状に限定される趣旨ではない。金属バンプ３の形状に適合させて、上側の面の形状が正方形、長方形、三角形状等であってもよく、穴面積が９ｍｍ２よりも大きければ、何れの形状であってもよい。
また、この円柱の形状も、絶縁樹脂層４の上側から下側まで同じ長さである必要はない。例えば、穴の形状は円錐台であってよい。
【００３１】
図３の絶縁樹脂層４の上面図に示すように、絶縁樹脂層４における９ｍｍ２よりも大きい穴面積の穴部分４ａに金属バンプ３を挿入することにより、ベース基板２上に絶縁樹脂層４が配置される。これにより、面積が９ｍｍ２以上の金属バンプ３の上面のみが露出され、金属バンプ３間、すなわち金属バンプ３の側面周囲が絶縁樹脂層４で充填される。そして、絶縁樹脂層４上に金属層５を配置する。
このような穴部分４ａを有する絶縁樹脂層４を用いた配置処理によれば、短時間でベース金属基板１１上の正確な位置に絶縁樹脂層４を配置させることができる。
【００３２】
そして、金属バンプ３上に絶縁樹脂層４が配置されないことから、金属バンプ３上においては絶縁樹脂層４の樹脂が存在しないため、研磨によっても金属バンプ３上に樹脂が残存して電気的及び機械的な接続信頼性を低下させる、といった問題も生じない。これにより、大面積でありながらも樹脂残りのない上面を有する金属バンプを形成した回路基板を製造することができる。
【００３３】
なお、従来、金属バンプ上に絶縁樹脂層が配置される場合には、この金属バンプ上に残存する樹脂を完全に除去するために、さらに強く研磨を行っていた。この場合、金属バンプ３側面周囲の絶縁樹脂層の表面まで大きく削られてしまい、この金属バンプ３側面周囲の絶縁樹脂層の表面において凹みを生じさせることがあった。その結果、従来、この凹みが生じている位置においてピール強度が低下するといった問題もあった。
このように第１の実施形態によれば、金属バンプ３上に絶縁樹脂層４が配置されないことから、金属バンプ３の上面を強く研磨する必要がなく、研磨によって金属バンプ３側面周囲の絶縁樹脂層の表面まで削られてしまうことを防止することが可能となる。その結果、金属バンプ３側面周囲の絶縁樹脂層の上面に大きな凹みが生じることがないため、製造される回路基板において高いピール強度を確保することが可能となる。
【００３４】
この第１の実施形態では、従来よりもバンプ面積の大きい金属バンプ３（例えば９ｍｍ２以上の面積）を形成することにより、高い放熱性を確保することができる。そして、このようにバンプ面積が大きい金属バンプ３を形成しても、その金属バンプ３上に樹脂が存在しないことから、接続信頼性（電気的及び機械的）の高い高性能な回路基板を製造することができる。
【００３５】
そして、従来よりも面積の大きい金属バンプ３を形成した回路基板を使用することで、高い放熱性を確保することができるため、金属バンプ３上に多数のＬＥＤチップを搭載した場合であっても、これら多数のＬＥＤチップが発する熱を効率良く金属バンプ３を介してベース基板２側に逃がすことができる。また、１つの金属バンプ３上に多数のＬＥＤモジュールを密集して搭載することができることから、これと同数のＬＥＤモジュールを従来のようにバンプ面積の小さい金属バンプのそれぞれに搭載した場合と比べてＬＥＤモジュールの小型化を実現することが可能となる。
【００３６】
金属層５は、特に限定されないが、銅箔とすることができる。銅箔としては、各種市販のものを使用することができる。
【００３７】
（１−５．プレス工程）
次に、図１（ｅ）に示すように、金属層５上面を加熱及び加圧する（熱プレス）。これにより、ベース金属基板２と、絶縁樹脂層４と、金属層５とを圧着させる。金属バンプ３の存在により、熱プレスによって金属層５が凹状に変形することに対応して金属バンプ３上に凸部Ａが形成される。このようにしてプレス工程では、凸部Ａを有する積層体が形成される。
加熱及び加圧の方法としては、加熱加圧装置（熱ラミネータ、加熱プレス装置）などを用いて行えばよく、その際、空気の混入を避けるために、雰囲気を真空（真空ラミネータ等）にしてもよい。加熱温度、圧力等の諸条件は、絶縁樹脂層４の材料や厚さに応じて適宜設定すればよいが、圧力としては、例えば０．５ＭＰａ乃至３０ＭＰａとすることができる。
シート材は、加熱プレス時に凹状変形を許容する材料であればよく、クッション紙、ゴムシート、エラストマーシート、不織布、織布、多孔質シート、発泡体シート、金属箔、これらの複合体等を挙げることができる。特に、クッション紙、ゴムシート、エラストマーシート、発泡体シート、これらの複合体等の弾性変形可能なものが好ましい。
【００３８】
（１−６．凸部除去工程）
次に、図１（ｆ）に示すように、凸部Ａを除去する処理を行い、金属バンプ３の上面が露出されて平坦面Ｂが形成される。この凸部Ａの除去の際には、金属層５の高さと金属バンプ３の高さとが一致するように、凸部Ａを除去した。これにより、ベース金属基板２の底面から金属バンプ３の上面までの高さと、ベース金属基板２の底面から金属層５の上面までの高さとを同一となるようにする。
このように、ベース金属基板２の底面から金属バンプ３上の金属めっき層６の上面までの高さと、ベース金属基板２の底面から絶縁樹脂層４上の金属めっき層６の上面までの高さとが同一であることにより、金属バンプ３上に搭載するＬＥＤチップと絶縁樹脂層４上の金属めっき層６上とをワイヤボンディングによって接続する際には、容易且つ高精度に両者を接続することができる。
【００３９】
凸部Ａを除去する方法としては、研削、研磨等を挙げることができる。
例えば、ダイヤモンド製等の硬質刃を回転板の半径方向に複数配置した硬質回転刃を有する研削装置を使用する方法や、サンダ、ベルトサンダ、グラインダ、平面研削盤、硬質砥粒成形品等を用いる方法等が挙げられる。
研削装置を使用すると、硬質回転刃を回転させながら、固定支持された配線基板の上面に沿って移動させることによって、金属バンプ３の上面を平坦化することができる。
研磨の方法としては、例えば、ベルトサンダ、バフ研磨等により軽く研磨する方法が挙げられる。
【００４０】
（１−７．めっき工程）
次に、図１（ｇ）に示すように、露出された金属バンプ３上面及び金属層５上面を覆うように、例えば無電解及び電解により、金属めっき層６を形成する。或いは、図示しないが、露出された金属バンプ３上面のみを金属めっきするようにしてもよい。
金属めっき層６のめっき金属種としては、例えば銅、銀、ニッケル等が好ましい。金属めっき層６を形成する方法としては、例えば、エッチングレジストを使用してパターン形成するパネルめっき法や、パターンめっき用レジストを使用してめっきで形成するパターンめっき法等が挙げられる。
【００４１】
（１−８．レジスト配置工程（２））
次に、図１（ｈ）に示すように、エッチングレジストＮを金属めっき層６の周辺パターン部６ａ，６ｂ及びパッド６ｃを形成する部分の上面に配置する。
【００４２】
（１−９．パターン形成工程）
次に、図１（ｉ）に示すように、エッチングレジストＮを用いて、所定のパターンで金属めっき層６及び金属層５を部分的にエッチングする。これにより、下層に金属層５を有するパターン部、すなわち、ＬＥＤチップが搭載されるパッド６ｃ、及び、電極部を形成する周辺パターン部６ａ，６ｂを形成する。これにより、絶縁樹脂層４が、これらのパターン部が形成されていない部分（非パターン部４ｂ）から露出されるようになる。
パッド６ｃの幅は、特に限定されないが、実装されるＬＥＤチップの幅よりも小さくする必要がある。パッド６ｃの上面の形状は、四角形、円形等何れでもよい。非パターン部４ｂの幅は、短絡を防止することができれば特に限定されない。
【００４３】
エッチングレジストＮを除去する方法としては、薬剤除去、剥離除去など、エッチングレジストＮの種類に応じて適宜選択すればよい。例えば、スクリーン印刷により形成された感光性のインクである場合、アルカリ等の薬品にて除去される。
【００４４】
また、パッド６ｃと周辺パターン部６ａ，６ｂには、反射効率を高めるために金、ニッケル、銀等の貴金属によるめっきを行うのが好ましい。また、従来の配線基板と同様に、ソルダレジストの形成、或いは部分的な半田めっき等を行ってもよい。
【００４５】
＜第２の実施形態＞
第２の実施形態の回路基板を製造する製造工程の一例について説明する。この第２の実施形態では、上述した第１の実施形態の金属板１に代えて、３層の金属層が積層された積層板を適用する。この第２の実施形態において、第１の実施形態と同一の構成（材料）或いは同一の製造方法については、説明を省略する。
【００４６】
この第２の実施形態の回路基板の製造工程は、以下の順序による各工程からなる。
２−１．準備工程
２−２．レジスト配置工程（１）
２−３．バンプ形成工程
２−４．保護金属層除去工程
２−５．層配置工程
２−６．プレス工程
２−７．凸部除去工程
２−８．めっき工程
２−９．レジスト配置工程（２）
２−１０．パターン形成工程
【００４７】
（２−１．準備工程）
まず、図４（ａ）に示すように、ベース金属基板１１と、保護金属層１２と、金属バンプ２３を形成するための表面金属層１３とがこの順に積層された積層板１０を準備する。
積層板１０の製造方法は、特に限定されず、例えば、電解めっき、無電解めっき、スパッタリング、蒸着等、何れの方法で製造したものであってもよく、クラッド材等を使用してもよい。積層板１０の各層の厚みは特に限定されないが、例えば、ベース金属基板１１の厚みは１μｍ乃至５００μｍ、保護金属層１２の厚みは１μｍ乃至３０μｍ、表面金属層１３の厚みは１０μｍ乃至２００００μｍとすることができる。
【００４８】
ベース金属基板１１は、単層又は積層体の何れであってもよい。ベース金属基板１１を構成する金属としては、銅、銅合金、アルミニウムから選択される１種の金属を挙げることができる。中でも、熱伝導性や電気伝導性の点から、銅、アルミニウムが好ましい。
このように放熱性が高い金属からなるベース金属基板１１を用いることにより、搭載するＬＥＤチップの温度上昇を防止できるため、本実施形態において製造する回路基板を用いたＬＥＤモジュールにおいては、駆動電流をより多く流せ、発光量を増加させることができる。
【００４９】
表面金属層１３を構成する金属としては、上述の第１の実施形態における金属板１と同様、金属バンプ２３を形成する点から、銅、銅合金、アルミニウムから選択される１種の金属が好ましく、特に銅が好ましい。
また、表面金属層１３の構成は、特に限定されないが、例えば、金属製の基板であっても、めっきにより表面金属層１３を形成してもよい。
【００５０】
保護金属層１２を構成する金属としては、ベース金属基板１１及び表面金属層１３をそれぞれ構成する金属とは別の金属であればよく、ベース金属基板１１及び表面金属層１３の金属のエッチング時に耐性を示す金属が好ましい。
例えばベース金属基板１１及び表面金属層１３を構成する金属が銅である場合、保護金属層１２を構成する別の金属としては、例えば、金、銀、亜鉛、パラジウム、ルテニウム、ニッケル、ロジウム、鉛−錫系はんだ合金、又はニッケル−金合金等を挙げることができる。
【００５１】
この第２の実施形態において、ベース金属基板１１及び表面金属層１３を構成する金属と保護金属層１２を構成する金属との組合せは、これらの金属に限定されない。保護金属層１２を構成する金属は、金属のエッチング時に耐性を示す、ベース金属基板１１及び表面金属層１３を構成する金属とは別の金属であればよい。
なお、保護金属層１２を形成しない場合、別の金属からなる表面金属層１３を直接に金属基板に形成することもできる。
【００５２】
（２−２．レジスト配置工程（１））
次に、図４（ｂ）に示すように、エッチングレジストＭを表面金属層１３上面の金属バンプ２３を形成する位置に配置する。
【００５３】
（２−３．バンプ形成工程）
次に、図４（ｃ）に示すように、上述の第１の実施形態におけるバンプ形成工程で行ったエッチングの方法と同様の方法により、エッチングレジストＭを用いた表面金属層１３の選択的なエッチングを行うことにより、回路基板上におけるＬＥＤチップの搭載位置に金属バンプ２３を形成する。
表面金属層１３が銅であり保護金属層１２が上述の金属（金属系レジストを含む）である場合には、過硫酸アンモニウム、過酸化水素−硫酸等の市販のアルカリエッチング液を使用できる。このようなエッチング液により、表面金属層１３におけるエッチングレジストＭで表面がマスクされた部分以外の部分をエッチングした後、エッチングレジストＭを除去し、金属バンプ２３を形成する。
なお、第１の実施の形態と同様に、第２の実施形態においても、バンプ面積が９ｍｍ２以上ある金属バンプ（金属バンプ２３）を形成する場合に限定されず、他のバンプ面積の金属バンプ（バンプ面積が大きいもの）を形成する場合であっても、この第２の実施形態による製造方法を適用することが可能である。
【００５４】
（２−４．保護金属層除去工程）
次に、図４（ｄ）に示すように、露出している保護金属層１２を同様のエッチングにより除去し、バンプ部保護金属層２２を形成する。
なお、保護金属層１２を除去せずに、後の工程で絶縁樹脂層４を形成するようにしてもよい。或いは、保護金属層１２を形成しないことによりバンプ部保護金属層２２を形成しないようにしてもよい。
例えば表面金属層１３を構成する金属が銅であり、保護金属層１２を構成する金属が、例えば、金、銀、亜鉛、パラジウム、ルテニウム、ニッケル、ロジウム、鉛−錫系はんだ合金、又はニッケル−金合金等である場合、はんだ剥離用として市販されている、硝酸系、硫酸系、シアン系等の酸系のエッチング液等を使用できる。
【００５５】
予め露出する保護金属層１２を除去する場合、除去部分から金属基板の表面が露出するが、これと絶縁樹脂層４との密着性を高めるために、黒化処理、粗化処理等の表面処理を行うことが好ましい。
【００５６】
（２−５．層配置工程）
次に、図４（ｅ）に示すように、第１の実施形態の層配置工程と同様に、ベース金属基板１１上に絶縁樹脂層４を配置し、その絶縁樹脂層４上に金属層５を配置する。
この層配置工程においても、第１の実施形態の層配置工程と同様に、絶縁樹脂層４の穴部分４ａに金属バンプ２３を挿入するバンプ挿入工程を有する。
このバンプ挿入工程では、ベース金属基板２上に形成された金属バンプ２３の上面（面積９ｍｍ２以上、例えば円形）の中心と、絶縁樹脂層４の上面側における穴部分（穴面積９ｍｍ２よりも大きく、例えば円形）の中心とが重なるようにして、絶縁樹脂層４の穴部分４ａに金属バンプ２３を挿入する。これにより、ベース金属基板２上の金属バンプ２３が形成されていない位置に絶縁樹脂層４が配置される。
その後、絶縁樹脂層４上に金属層５を配置する。
【００５７】
なお、この第２の実施形態においても、第１の実施形態と同様の方法で、金属バンプ２３が挿入されるための穴部分４ａを絶縁樹脂層４に形成する。
【００５８】
（２−６．プレス工程）
次に、図４（ｆ）に示すように、金属層５を上述の第１の実施形態のプレス工程と同様に加熱及び加圧（熱プレス）することにより、金属バンプ２３上に凸部Ａが形成される。
【００５９】
（２−７．凸部除去工程）
次に、図４（ｇ）に示すように、上述の第１の実施形態の凸部除去工程と同様に凸部Ａを除去することにより、金属バンプ２３上の上面を露出して平坦面Ｂが形成される。
【００６０】
（２−８．めっき工程）
次に、図４（ｈ）に示すように、上述の第１の実施形態のめっき工程と同様に、露出された金属バンプ３３上面及び金属層５上面を覆うように金属めっき層６を形成する。或いは、図示しないが、露出された金属バンプ２３上面のみを金属めっきするようにしてもよい。
【００６１】
（２−９．レジスト配置工程（２））
次に、図４（ｉ）に示すように、上述の第１の実施形態のレジスト配置工程（２）と同様に、エッチングレジストＮを金属めっき層６の周辺パターン部６ａ，６ｂ及びパッド６ｃを形成する部分の上面に配置する。
【００６２】
（２−１０．パターン形成工程）
次に、図４（ｊ）に示すように、上述の第１の実施形態のパターン形成工程と同様に、エッチングレジストＮを用いて、所定のパターンで金属めっき層６及び金属層５を部分的にエッチングする。これにより、下層に金属層５を有するパターン部、すなわち、ＬＥＤチップが搭載されるパッド６ｃ、及び、電極部を形成する周辺パターン部６ａ，６ｂを形成する。その結果、絶縁樹脂層４が、これらのパターン部が形成されていない部分（非パターン部４ｂ）から露出されるようになる。
【００６３】
このような第１の実施形態或いは第２の実施形態の製造方法によって回路基板が製造され、その製造された回路基板のパッド６ｃ上にＬＥＤチップを搭載し、回路基板のＬＥＤチップを搭載した側をレンズ形状の封止樹脂（レンズ樹脂）で封止することにより、ＬＥＤモジュールを製造することができる。
なお、封止樹脂とレンズ樹脂は別々に設けてもよいし、１部材によってこの２つの機能を持たせることも可能である。
【００６４】
次に、第１の実施形態及び第２の実施形態によって製造した回路基板上にＬＥＤ（Light Emitting Diode（発光ダイオード））チップを搭載してなるＬＥＤモジュールの例について説明する。
【００６５】
図５は、第１の実施形態において製造した回路基板を用いたＬＥＤモジュールの一例であるＬＥＤモジュール５０の側面断面図である。
また、図６は、第２の実施形態において製造した回路基板を用いたＬＥＤモジュールの一例であるＬＥＤモジュール５０ａの側面断面図である。
【００６６】
周辺パターン部６ａ，６ｂは、アノード又はカソードである電極とされる。図５の金属バンプ３（或いは図６の金属バンプ２３）を挟む２つの周辺パターン部６ａ，６ｂは、それぞれめっき処理及びエッチング処理が施されて２層のめっき層が形成された第１電極部３４、第２電極部３５が形成される。周辺パターン部６ａがカソードを形成した場合は、周辺パターン部６ｂがアノードを形成する。アノード又はカソードの関係は、この逆であってもよい。
【００６７】
また、パッド６ｃ上にも、同様のめっき処理及びエッチング処理が施され、３層のめっき層が形成されたＬＥＤ搭載部３６が形成される。
【００６８】
周辺パターン部６ａ，６ｂ上、パッド６ｃ上には、何れも、例えば無電解めっき或いは電解めっきにより、ニッケルめっき層を形成することができる。この場合、周辺パターン部６ａ上に第１電極側ニッケルめっき層３１ａが形成され、周辺パターン部６ｂ上に第２電極側ニッケルめっき層３１ｂが形成される。また、パッド６ｃ上には、ＬＥＤ側ニッケルめっき層３１ｃが形成される。
ニッケルめっき層の厚みは、例えば０．１μｍ〜３０μｍとすることができる。
【００６９】
また、これらのニッケルめっき層上には、例えば、無電解めっき或いは電解めっきにより、金メッキ層を形成することができる。この場合、第１電極側ニッケルめっき層３１ａ上には、第１電極側金めっき層３２ａが形成され、第２電極側ニッケルめっき層３１ｂ上には、第２電極側金めっき層３２ｂが形成される。また、ＬＥＤ側ニッケルめっき層３１ｃ上には、ＬＥＤ側金めっき層３２ｃが形成される。
金メッキ層の厚みは、例えば０．０１μｍ〜１μｍとすることができる。
【００７０】
また、ＬＥＤ側金めっき層３２ｃ上には、電解或いは電解めっきにより、銀めっき層（ＬＥＤ側銀めっき層３３）が形成される。
銀めっき層の厚みは、例えば０．１μｍ〜２０μｍとすることができる。
【００７１】
図５及び図６に示すように、このようなＬＥＤ搭載部３６におけるバンプ面積が９ｍｍ２以上の金属バンプ３或いは金属バンプ２３上方のＬＥＤ側銀メッキ層３３上にＬＥＤチップを搭載する。
【００７２】
なお、図５及び図６では、簡略のため、１個のＬＥＤチップ４１のみを図示しているが、このバンプ面積が大きい（９ｍｍ２以上の）金属バンプ３或いは金属バンプ２３上方のＬＥＤ側銀めっき３３上に多数のＬＥＤチップを密集して搭載する。これにより、小型であっても高パワーのＬＥＤモジュールとすることができる。
すなわち、バンプ面積を大きくすることにより、高い放熱性を確保することができる。これにより、１つの金属バンプ（金属バンプ３或いは金属バンプ２３）上に多数の（大容量の）ＬＥＤチップを搭載することが可能となり、ＬＥＤモジュールの高パワー化を実現することができる。また、この場合、バンプ間距離を考慮することなく１つの金属バンプ上に多数のＬＥＤチップを密集して搭載することができるため、ＬＥＤチップの搭載数を同数として比較すると、バンプ面積の小さい金属バンプを多数形成する場合よりも小型のＬＥＤモジュールを得ることができる。
【００７３】
回路基板上にＬＥＤチップを搭載する方法としては、特に限定されない。
例えば図５及び図６に示すように、ＬＥＤチップ４１と、第１電極部３４、第２電極部３５とは、それぞれ第１金属ワイヤ４２ａ、第２金属ワイヤ４２ｂによるワイヤボンディングにより強固に接続することができる。
なお、これに代えて、パッド６ｃ、及び、周辺パターン部６ａ，６ｂの両方に対してソルダにより接続するようにしてもよい。或いは、導電性ペースト、異方性導電膜等によって、ＬＥＤチップとパッド６ｃとを電気的に接続することも可能である。
【００７４】
また、上述したように、回路基板のＬＥＤチップ４１の搭載面をレンズ形状の封止樹脂（レンズ樹脂４３）で封止することにより、図５に示すＬＥＤモジュール５０、或いは、図６に示すＬＥＤモジュール５０ａが製造される。
【００７５】
回路基板のＬＥＤチップ４１の搭載面を封止するレンズ樹脂４３は、ＬＥＤチップ４１が発光する光を透過するとともに、ＬＥＤチップ４１の発熱に対する耐熱性を有する透明な合成樹脂であることが好ましい。レンズ樹脂４３としては、例えば熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等を挙げることができる。
より具体的に、レンズ樹脂４３としては、例えばメタアクリル樹脂、スチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、ブチラール樹脂、セルロース樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂等の単体又は混合体を挙げることができる。
セルロース樹脂としては、例えばエチルセルロース、セルロースアセテート、セルロースアセテートブチレート等を挙げることができる。
【００７６】
また、レンズ樹脂４３には、発光強度を向上させるとともに実用上の発光色を確立させるため、蛍光体を含有させることが好ましい。蛍光体としては、黄色発光蛍光体、赤色発光蛍光体、緑色発光蛍光体、それらの間の色を発光する蛍光体を挙げることができる。
このような蛍光体は、無機物、有機物の何れの蛍光体であってもよい。無機物の蛍光体としては、例えば、酸化物蛍光体、窒化物蛍光体、酸窒化物蛍光体、シリケート蛍光体等を挙げることができる。
【００７７】
黄色発光蛍光体としては、例えば、Ｙを含み、Ｃｅ又はＰｒで賦活されたイットリウム・アルミニウムガーネット酸化物蛍光体、（Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕで表わされるユーロピウム賦活アルカリ土類金属シリケート蛍光体、Ｓｉ１２−（ｍ＋ｎ）Ａｌ（ｍ＋ｎ）Ｎ１６−ｎＯｎで表されるαサイアロン蛍光体等を挙げることができる。
【００７８】
赤色発光蛍光体としては、例えば、（Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕで表されるユーロピウム賦活アルカリ土類金属シリケート蛍光体、（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕで表されるユーロピウム賦活アルカリ土類シリコンナイトライド蛍光体、（Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ）２Ｏ２Ｓ：Ｅｕで表されるユーロピウム賦活希土類オキシカルコゲナイト蛍光体等を挙げることができる。
【００７９】
緑色発光蛍光体としては、例えば、（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）Ｓｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕで表されるユーロピウム賦活アルカリ土類シリコンオキシナイトライド蛍光体、（Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕで表されるユーロピウム賦活アルカリ土類マグネシウムシリケート蛍光体、Ｓｉ６−ＺＡｌＺＮ８−ＺＯＺで表されるβサイアロン蛍光体等を挙げることができる。
【００８０】
このように構成されるＬＥＤモジュール５０或いはＬＥＤモジュール５０ａは、単体もしくは複数個配列されることでＬＥＤ発光装置とされる。
ＬＥＤモジュール５０或いはＬＥＤモジュール５０ａが以上のような構成を有することにより、適切な発光量を有するＬＥＤ発光装置を提供することができる。
【００８１】
また、このように構成されるＬＥＤモジュール５０或いはＬＥＤモジュール５０ａは、照明器具を含む発光器具等に広く用いられる。発光器具としては、屋内或いは屋外に設置される電灯、広告用ネオンライト、トンネル内に設置されるライト、懐中電灯等の照明器具、パーソナルコンピュータやテレビジョンで用いられる液晶パネルのバックライト、自動車や自動二輪に設置されるヘッドライトやウインカー、画像を映し出すプロジェクターの光源等を挙げることができる。
【００８２】
以上の実施形態は、あくまで一例であり、製造方法、材料等は適宜変更することが可能である。
【実施例】
【００８３】
以下、本発明の具体的な実施例について説明する。
＜実施例１＞
まず、エッチングレジストを用いて、厚さ１ｍｍの銅板の選択的なエッチングを行った。すなわち、銅板上の銅バンプを形成する位置にエッチングレジストを配置し、銅板の上面のエッチングレジストを配置していない位置において、銅板の上面から垂直下方向に銅バンプの高さとなる０．１２ｍｍの厚さだけ銅板を切除するエッチング処理を行った。これにより、ベース銅板を形成するとともに、このベース銅板上に上面がバンプ径Φ１３ｍｍの円形の銅バンプを形成した。
【００８４】
次に、エポキシ絶縁樹脂にガラスクロスを含有させた厚さ０．０６ｍｍの絶縁樹脂層（日立化成社プリプレグ「ＧＥＡ−６７９Ｎ」）であって銅バンプの形状に対応した円柱状の穴部分（穴径Φ１８ｍｍ）が形成されたものを用いた層配置処理を行った。なお、この穴部分は、絶縁樹脂層をトムソン刃で加工することにより形成した。
この層配置処理においては、まず絶縁樹脂層の穴部分に銅板の銅バンプを挿入した。これにより、銅板上の銅バンプが形成されていない位置（ベース銅板上）に絶縁樹脂層が配置された。次に、この絶縁樹脂層及び金属バンプ上に金属層である銅箔を配置した。
【００８５】
次に、加圧圧力３０ｋｇｆ／ｃｍ2、加熱温度１７０℃として３時間、加熱及び加圧することにより、絶縁樹脂層を硬化させた。
【００８６】
次に、この加熱及び加圧によって銅バンプ上に生じた凸部を、研磨装置（ベルトサンダー、株式会社丸源鉄工所社製）を用いた研磨により除去した。
【００８７】
次に、厚さ０．０３０ｍｍの無電解及び電解銅めっきを行った後、エッチングを行うことにより、銅バンプ上に銅めっき層を形成するとともに、電子部品等を実装するための２つの銅回路（銅めっき層を有する回路）を形成した。
【００８８】
次に、全ての銅めっき層上に厚さ０．００４ｍｍの無電解ニッケルめっき層を形成した後、形成した全ての無電解ニッケルめっき層上に厚さ０．０００１ｍｍの無電解金めっき層を形成した。
【００８９】
次に、銅回路における無電解金めっき層上に、厚さ０．００３ｍｍの電解銀めっき層を形成した。１個の回路基板に１個の銅バンプが含まれるように、外形４０×４０ｍｍの基板にカッティングした。
【００９０】
次に、この回路基板の電解銀めっき層が形成された銅バンプを有する銅ランド上に、６０個のＬＥＤチップをシリコーンダイディング材で搭載した。その後、ＬＥＤチップと、他の銅回路とを金ワイヤで接続し、さらに回路基板のＬＥＤを搭載した側の面をシリコーン封止材（製品名「ＯＥ６６３６」、東レ・ダウコーニング社製）で封止（被覆）した。このようにして、実施例１のＬＥＤモジュールを製造した。
【００９１】
この実施例１のＬＥＤモジュールをアルミフィンにネジ止めし、通電してＬＥＤチップの温度をサーモビュアー（製品名「ＴＶＳ−５００ＥＸ、日本アビオニクス株式会社製）にて測定した。その結果、室温２７℃におけるＬＥＤチップの温度は、１３５℃であった。
【００９２】
＜比較例１＞
以下の比較例１において、実施例１と同様の処理については、簡略のため、部材、材料、装置等の説明を省略する。
【００９３】
実施例１と同様の方法で、エッチングレジストを用いて、厚さ１ｍｍの銅板の選択的なエッチング（銅板の厚さ０．１２ｍｍを切除）を行った。これにより、径がΦ１３ｍｍの銅ランド下の放熱用銅バンプとして、上面がバンプ径Φ１ｍｍの円形であり、バンプ間距離が１ｍｍの銅バンプを形成した。
次に、この銅バンプが形成された銅板の銅ランド上に、穴部分を形成しない絶縁樹脂層を配置した。
次に、この絶縁樹脂層上の全面に、金属層として銅箔を配置した。
【００９４】
次に、加圧圧力３０ｋｇｆ／ｃｍ2、加熱温度１７０℃として３時間、加熱及び加圧することにより、絶縁樹脂層を硬化させた。
【００９５】
次に、この加熱及び加圧によって銅バンプ上に生じた凸部を、研磨装置（製品名「ベルトサンダー」、株式会社丸源鉄工所会社製）を用いた研磨により除去した。
【００９６】
次に、厚さ０．０３０ｍｍの無電解及び電解銅めっきを行った後、エッチングを行うことにより、銅バンプ上に銅めっき層を形成するとともに、他の位置に、電子部品等を実装するための２つの銅回路（銅めっき層を有する回路）を形成した。
【００９７】
次に、全ての銅めっき層上に厚さ０．００４ｍｍの無電解ニッケルめっき層を形成した後、形成した全ての無電解ニッケルめっき層上に厚さ０．０００１ｍｍの無電解金めっき層を形成した。
【００９８】
次に、銅回路における無電解金めっき層上に、厚さ０．００３ｍｍの電解銀めっき層を形成した。１個の回路基板に１個の銅バンプが含まれるように、外形４０×４０ｍｍの基板にカッティングした。
【００９９】
次に、この回路基板の銅バンプ上に形成された電解銀めっき層（銅ランド）上に、６０個のＬＥＤチップをシリコーンダイディング材で搭載した。その後、ＬＥＤチップと、他の銅回路とを金ワイヤで接続し、さらに回路基板のＬＥＤを搭載した側の面をシリコーン封止材で封止（被覆）した。このようにして、比較例１のＬＥＤモジュールを製造した。
【０１００】
この比較例１のＬＥＤモジュールをアルミフィンにネジ止めし、通電してＬＥＤチップの温度をサーモビュアーにて測定した。その結果、室温２７℃におけるＬＥＤチップの温度は、１６０℃であった。
【０１０１】
これら実施例１、比較例１の結果について述べる。実施例１のＬＥＤモジュールは、比較例１のＬＥＤモジュールよりも放熱効果が高いことがわかる。すなわち、実施例１のＬＥＤモジュールは、ＬＥＤチップが発する熱を大面積の銅バンプを介して効率的にベース銅板側に逃すことができたといえる。
実施例１及び比較例１で用いたシリコーン封止材を含め、通常の封止樹脂の耐熱温度は、室温（２７℃）において、１５０℃程度である。そのため、比較例１のＬＥＤモジュールは、ＬＥＤチップの温度が室温にて１６０℃であることから、製品として良好でないものであるといえる。
【符号の説明】
【０１０２】
１  金属板
２  ベース金属基板
３  金属バンプ
４  絶縁樹脂層
４ａ  穴部分
４ｂ  非パターン部
５  金属層
６  金属めっき層
６ａ，６ｂ  周辺パターン部
６ｃ  パッド
１０  積層板
１１  ベース金属基板
１２  保護金属層
１３  表面金属層
２２  バンプ部保護金属層
２３  金属バンプ
３０  加工器具
３０ａ  先端加工部
３１ａ  第１電極側ニッケルめっき層
３１ｂ  第２電極側ニッケルめっき層
３１ｃ  ＬＥＤ側ニッケルめっき層
３２ａ  第１電極側金めっき層
３２ｂ  第２電極側金めっき層
３２ｃ  ＬＥＤ側金めっき層
３３  ＬＥＤ側銀めっき層
３４  第１電極部
３５  第２電極部
３６  ＬＥＤ搭載部
４１  ＬＥＤチップ
４２ａ  第１金属ワイヤ
４２ｂ  第２金属ワイヤ
４３  レンズ樹脂
５０  ＬＥＤモジュール
５０ａ  ＬＥＤモジュール
Ａ  凸部
Ｂ  平坦面
Ｍ  エッチングレジスト
Ｎ  エッチングレジスト
【図１（ａ）】
2014103354.tif 000003
【図１（ｂ）】
2014103354.tif 000004
【図１（ｃ）】
2014103354.tif 000005
【図１（ｄ）】
2014103354.tif 000006
【図１（ｅ）】
2014103354.tif 000007
【図１（ｆ）】
2014103354.tif 000008
【図１（ｇ）】
2014103354.tif 000009
【図１（ｈ）】
2014103354.tif 000010
【図１（ｉ）】
2014103354.tif 000011
【図２】
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【図３】
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【図４（ａ）】
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【図４（ｂ）】
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【図４（ｃ）】
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【図４（ｄ）】
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【図４（ｅ）】
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【図４（ｆ）】
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【図４（ｇ）】
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【図４（ｈ）】
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【図４（ｉ）】
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【図４（ｊ）】
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【図５】
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【図６】
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