(57)【要約】【課題】プロービング領域とワイヤボンディング領域との境界線に沿う段差部が電極パッドの表面に形成された構造の半導体装置を容易に製造する。【解決手段】半導体装置の製造方法では、先ず、絶縁膜上に形成された感光膜において、電極パッドと対応する部位のうちの一部領域である第１領域と、電極パッドと対応する部位のうち第１領域に隣接する第２領域とで、互いに異なる膜厚となるように、露光及び現像を行う。次に、感光膜をマスクとして絶縁膜をエッチングすることにより電極パッドを露出させる。これにより、プロービング領域とワイヤボンディング領域との境界線に沿う段差部を電極パッドの表面に形成する。【選択図】図１
2014203933.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロービング領域とワイヤボンディング領域とを有する電極パッドを含む金属パターンと、前記金属パターンを覆う絶縁膜と、を有し、前記絶縁膜上に感光膜が形成されたウェハ、を準備する工程と、
前記感光膜において、前記電極パッドと対応する部位を露光及び現像し、当該部位の膜厚を減少させる工程と、
前記感光膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチングすることにより前記電極パッドを露出させる工程と、
を備え、
前記膜厚を減少させる工程では、前記感光膜において、前記電極パッドと対応する部位のうちの一部領域である第１領域と、前記電極パッドと対応する部位のうち前記第１領域に隣接する第２領域とで、互いに異なる膜厚となるように、前記露光及び前記現像を行い、
前記電極パッドを露出させる工程では、前記プロービング領域と前記ワイヤボンディング領域との境界線に沿う段差部を前記電極パッドの表面に形成する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１領域への露光量と、前記第２領域への露光量と、が互いに異なるように構成されたハーフトーンマスクを介して前記露光を行う請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記膜厚を減少させる工程では、前記感光膜の前記第１領域又は前記第２領域のうち何れか一方を除去する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１領域は、前記プロービング領域上の領域であり、
前記第２領域は、前記ワイヤボンディング領域上の領域であり、
前記段差部は、前記境界線に沿う一段の段差である請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１領域は、前記境界線に沿った帯状の領域であり、
前記段差部は、前記境界線に沿う凸条又は溝である請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記プロービング領域が前記ワイヤボンディング領域側に弧状に張り出すように、前記境界線を設定する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１領域は、前記プロービング領域と前記ワイヤボンディング領域との何れか一方における周縁部を除く領域上の領域であり、
前記第２領域は、前記プロービング領域と前記ワイヤボンディング領域との何れか他方と、前記何れか一方の周縁部と、を含む領域上の領域であり、
前記段差部は、前記第２領域を囲む一段の段差である請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体チップのサイズ縮小やボンディングワイヤの細線化が進み、半導体装置におけるパッドとボンディングワイヤとの接合強度を十分に確保することが困難になってきている。その解決策として、電気的特性の試験のためプローブを接触させるプロービング領域と、ボンディングワイヤが接続されるワイヤボンディング領域とを、パッド内に形成する技術がある。ワイヤボンディング領域とプロービング領域とを分けることにより、パッドにおいてプローブによる傷が存在する領域（プロービング領域）を避けてワイヤボンディングを行うことができるため、パッドとボンディングワイヤとの接合強度を十分に確保することが可能である（特許文献１乃至６参照）。
【０００３】
特許文献１には、金属層をエッチングすることにより、プロービング領域とボンディング領域とを互いに異なる高さに形成することが記載されている。
【０００４】
特許文献２には、プロービング領域とボンディング領域の境界にポリイミドの境界線を形成することが記載されている。
【０００５】
また、特許文献７には、プロービング領域とボンディング領域とを別個のパッドとして形成し、これらのパッドをパッシベーション膜により相互に仕切り、且つ、これらのパッドを下層の金属配線により相互に導通させることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−３６２５２号公報
【特許文献２】特開２００８−２１８８１０号公報
【特許文献３】特開２００７−１５８３５４号公報
【特許文献４】実開昭６３−１８５２３５号公報
【特許文献５】特開２００７−１０９９１７号公報
【特許文献６】特開２００５−２３６２７７号公報
【特許文献７】特開２００５−６４２１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１には、金属層においてプロービング領域に対応する領域またはボンディング領域に対応する領域をエッチングすることが記載されているが、どのようにエッチングを行うのかについては記載が無い。
【０００８】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
一実施の形態によれば、半導体装置の製造方法では、先ず、絶縁膜上に形成された感光膜において、電極パッドと対応する部位のうちの一部領域である第１領域と、電極パッドと対応する部位のうち第１領域に隣接する第２領域とで、互いに異なる膜厚となるように、露光及び現像を行う。次に、感光膜をマスクとして絶縁膜をエッチングすることにより電極パッドを露出させる。これにより、プロービング領域とワイヤボンディング領域との境界線に沿う段差部を電極パッドの表面に形成する。
【発明の効果】
【００１０】
前記一実施の形態によれば、プロービング領域とワイヤボンディング領域との境界線に沿う段差部が電極パッドの表面に形成された構造の半導体装置を容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す断面図である。
【図２】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法により製造される半導体装置の電極パッドの構造を示す図であり、このうち（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図３】ウェハの断面図である。
【図４】半導体装置としての半導体チップの模式的な平面図である。
【図５】（ａ）は配線基板上に半導体チップを搭載した例を示す模式的な断面図、（ｂ）は電極パッドにボンディングワイヤをボンディングした状態を示す模式的な断面図である。
【図６】半導体チップを含む半導体パッケージの例を示す模式図であり、このうち（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図７】第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す断面図である。
【図８】第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法により製造される半導体装置の電極パッドの構造を示す図であり、このうち（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図９】第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法により製造される半導体装置の電極パッドの構造を示す図であり、このうち（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図１０】第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法により製造される半導体装置の電極パッドの構造を示す図であり、このうち（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様の構成要素には同一の符号を付し、適宜に説明を省略する。
【００１３】
〔第１の実施形態〕
図１は第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す断面図である。図２は第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法により製造される半導体装置の電極パッドＰＤ１の構造を示す図であり、このうち（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【００１４】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、以下の工程を備える。
１）ウェハＷ１を準備する工程
ウェハＷ１は、プロービング領域ＰＲ１とワイヤボンディング領域ＢＲ１とを有する電極パッドＰＤ１を含む金属パターンＭＰ１と、金属パターンＭＰ１を覆う絶縁膜ＩＦ１と、を有し、絶縁膜ＩＦ１上に感光膜ＬＳＦ１が形成されている。
２）感光膜ＬＳＦ１において、電極パッドＰＤ１と対応する部位を露光及び現像し、当該部位の膜厚を減少させる工程
３）感光膜ＬＳＦ１をマスクとして絶縁膜ＩＦ１をエッチングすることにより電極パッドＰＤ１を露出させる工程
ここで、膜厚を減少させる工程では、感光膜ＬＳＦ１において、電極パッドＰＤ１と対応する部位のうちの一部領域である第１領域ＦＲ１と、電極パッドＰＤ１と対応する部位のうち第１領域ＦＲ１に隣接する第２領域ＳＲ１とで、互いに異なる膜厚となるように、露光及び現像を行う。
そして、電極パッドＰＤ１を露出させる工程では、プロービング領域ＰＲ１とワイヤボンディング領域ＢＲ１との境界線ＢＬ１に沿う段差部ＳＴＰ１を電極パッドＰＤ１の表面に形成する。
以下、詳細に説明する。
【００１５】
先ず、ウェハＷ１を作製する工程を説明する。図３はウェハＷ１の断面図である。
【００１６】
ウェハＷ１を作製するには、先ず、半導体基板ＳＣＳ１に素子分離膜ＳＴＩ１を形成する。これにより、素子形成領域ＥＦＲ１が分離される。素子分離膜ＳＴＩ１は、例えばＳＴＩ法を用いて形成されるが、ＬＯＣＯＳ法を用いて形成されても良い。次に、半導体基板ＳＣＳ１において素子形成領域ＥＦＲ１に位置する部分に、ゲート絶縁膜ＧＩ１及びゲート電極ＧＥ１を形成する。ゲート絶縁膜ＧＩ１は酸化シリコン膜であってもよいし、酸化シリコン膜よりも誘電率が高い高誘電率膜（例えばハフニウムシリケート膜）であってもよい。ゲート絶縁膜ＧＩ１が酸化シリコン膜である場合、ゲート電極ＧＥ１はポリシリコン膜により形成される。またゲート絶縁膜ＧＩ１が高誘電率膜である場合、ゲート電極ＧＥ１は、金属膜（例えばＴｉＮ）とポリシリコン膜の積層膜により形成される。また、ゲート電極ＧＥ１がポリシリコンにより形成される場合、ゲート電極ＧＥ１を形成する工程において、素子分離膜ＳＴＩ１上にポリシリコン抵抗を形成しても良い。
【００１７】
次に、半導体基板ＳＣＳ１において素子形成領域ＥＦＲ１に位置する部分に、ソース及びドレインのエクステンション領域ＥＸＲ１を形成する。次にゲート電極ＧＥ１の側壁にサイドウォールＳＷ１を形成する。次に、半導体基板ＳＣＳ１において素子形成領域ＥＦＲ１に位置する部分に、ソース及びドレインとなる不純物領域ＳＤＲ１を形成する。このようにして、半導体基板ＳＣＳ１上にＭＯＳトランジスタＴＲ１が形成される。
【００１８】
次に、素子分離膜ＳＴＩ１上及びＭＯＳトランジスタＴＲ１上に、多層配線層ＭＬＩ１を形成する。最上層の配線層の金属パターンＭＰ１の一部分は、電極パッドＰＤ１（図２）を構成する。なお、少なくとも最上層の配線層は、例えばＡｌにより構成されている。ただし、最上層の配線層は、Ｃｕあるいはその他の金属により構成されていても良い。
【００１９】
次に、多層配線層ＭＬＩ１上に、保護絶縁膜（パッシベーション膜）としての絶縁膜ＩＦ１を形成する。次に、絶縁膜ＩＦ１上に感光膜ＬＳＦ１を塗布法により成膜する。感光膜ＬＳＦ１は、例えば、感光性ポリイミドである。
こうして、ウェハＷ１（図１（ａ）の状態）が得られる。
【００２０】
その後、以下に説明する工程を行う。
【００２１】
図１（ａ）はウェハＷ１の上層部の模式的な断面図である。
【００２２】
先ず、図１（ｂ）に示すように、レチクルＲＴＣ１を介して感光膜ＬＳＦ１において電極パッドＰＤ１と対応する部位を露光する。レチクルＲＴＣ１は、石英板などからなる板状の透光部ＴＲＰ１と、透光部ＴＲＰ１の一方の面に設けられた遮光部ＬＳＰ１と、透光部ＴＲＰ１の一方の面に設けられたハーフトーン部ＨＴＰ１と、を備えている。透光部ＴＲＰ１は露光光を透過する。遮光部ＬＳＰ１は露光光を遮光する。ハーフトーン部ＨＴＰ１は、露光光を半透過する、すなわち露光光の強度を弱めて透過する。感光膜ＬＳＦ１において、遮光部ＬＳＰ１と対向する部位は露光されない。感光膜ＬＳＦ１において、遮光部ＬＳＰ１およびハーフトーン部ＨＴＰ１の何れも介さずに透光部ＴＲＰ１と対向する部位（第１領域ＦＲ１）は、露光される。感光膜ＬＳＦ１において、ハーフトーン部ＨＴＰ１と対向する部位（第２領域ＳＲ１）は、第１領域ＦＲ１よりも弱い露光光により露光される。このように、レチクルＲＴＣ１は、第１領域ＦＲ１への露光量と、第２領域ＳＲ１への露光量と、が互いに異なるように構成されたハーフトーンマスクである。
【００２３】
次に、図１（ｃ）に示すように、感光膜ＬＳＦ１を現像する。これにより、感光膜ＬＳＦ１における第１領域ＦＲ１および第２領域ＳＲ１の膜厚を減少させる。その結果、感光膜ＬＳＦ１には開口ＯＰ１が形成される。ここで、本実施形態の場合、第１領域ＦＲ１の膜厚を第２領域ＳＲ１の膜厚よりも薄くする。より具体的には、本実施形態の場合、例えば、第１領域ＦＲ１を除去する。このため、開口ＯＰ１は第１領域ＦＲ１において金属パターンＭＰ１を露出させる。一方、第２領域ＳＲ１は、当初よりも薄い膜として金属パターンＭＰ１上に残留する。
【００２４】
次に、図１（ｄ）に示すように、感光膜ＬＳＦ１をマスクとして絶縁膜ＩＦ１および金属パターンＭＰ１をエッチングする。このエッチングは、例えば、ドライエッチングによる異方性エッチングである。このエッチングを行うことにより、絶縁膜ＩＦ１には電極パッドＰＤ１を露出させる開口ＯＰ２が形成される。
【００２５】
ここで、感光膜ＬＳＦ１における第２領域ＳＲ１の膜厚が第１領域ＦＲ１の膜厚よりも厚い（具体的には第１領域ＦＲ１および第２領域ＳＲ１のうち第２領域ＳＲ１のみが残留している）。本実施形態の場合、第１領域ＦＲ１は、プロービング領域ＰＲ１上の領域であり、第２領域ＳＲ１は、ワイヤボンディング領域ＢＲ１上の領域である。このため、電極パッドＰＤ１のプロービング領域ＰＲ１は、電極パッドＰＤ１のワイヤボンディング領域ＢＲ１よりも深くエッチングされる。よって、図１（ｄ）に示すように、プロービング領域ＰＲ１とワイヤボンディング領域ＢＲ１との境界線ＢＬ１に沿う段差部ＳＴＰ１が電極パッドＰＤ１の表面に形成される。段差部ＳＴＰ１は、境界線ＢＬ１に沿う一段の段差である。
【００２６】
こうして、図1（ｄ）および図３に示すウェハＷ１が得られる。
【００２７】
次に、ウェハＷ１の電気的特性の検査を行う。この検査は、電極パッドＰＤ１のプロービング領域ＰＲ１にプロービング針（図示略）を導通させて行う。
【００２８】
次に、プロービング針の針跡がワイヤボンディング領域ＢＲ１内に存在するか否かを光学的に判定する。この判定は、電極パッドＰＤ１を光学顕微鏡により観察することによって行う。このとき、段差部ＳＴＰ１に光が当たることにより段差部ＳＴＰ１の影ができ、その影が線として見える。このため、ワイヤボンディング領域ＢＲ１とプロービング領域ＰＲ１との境界を容易に認識することができるので、ワイヤボンディング領域ＢＲ１とプロービング領域ＰＲ１とを容易に識別することができる。ここでの判定では、段差部ＳＴＰ１の位置を基準としてワイヤボンディング領域ＢＲ１側に針跡が存在するか否かを判定する。この判定は、個々の電極パッドＰＤ１ごとに行う。
【００２９】
次に、ウェハＷ１を個片化し、個々の半導体チップＳＣ１（図４）を得る。半導体チップＳＣ１の一方の面の周縁部に沿って、複数の電極パッドＰＤ１が並んで配置されている。半導体チップＳＣ１の中央部は、回路が配置された回路領域ＣＲ１となっている。
【００３０】
ここで、ワイヤボンディング領域ＢＲ１に針跡が存在する電極パッドＰＤ１を１つでも有する半導体チップＳＣ１は、不良品とする。すなわち、ワイヤボンディング領域ＢＲ１に針跡が存在しない電極パッドＰＤ１のみを含む半導体チップＳＣ１を良品とする。
【００３１】
半導体チップＳＣ１を用いて、各種の半導体デバイスを作製することができる。
【００３２】
一例として、図５（ａ）には、配線基板（インターポーザ）ＩＰ１上に半導体チップＳＣ１を搭載し、この半導体チップＳＣ１の電極パッドＰＤ１を配線基板ＩＰ１上の電極ＥＤ１に対してボンディングワイヤＢＷ１を介してワイヤボンディングすることにより構成された半導体デバイスを示す。半導体チップＳＣ１およびボンディングワイヤＢＷ１は、配線基板ＩＰ１の一方の面に形成された封止樹脂ＥＣＲ１内に封止されている。ここで、図５（ｂ）に示すように、ボンディングワイヤＢＷ１は電極パッドＰＤ１のワイヤボンディング領域ＢＲ１にボンディングされている。
【００３３】
また、図６（ａ）および（ｂ）には、半導体チップＳＣ１を含む半導体パッケージの一例を示す。図６（ａ）および（ｂ）に示すように、リードフレームからなるダイパッドＤＰ１上に半導体チップＳＣ１が搭載されている。半導体チップＳＣ１の電極パッドＰＤ１は、リードフレームからなるリードＬＤ１に対してボンディングワイヤＢＷ１を介してワイヤボンディングされている。この例でも、ボンディングワイヤＢＷ１はワイヤボンディング領域ＢＲ１にボンディングされている（図５（ｂ）参照）。なお、半導体チップＳＣ１を含む半導体パッケージは、図６に示す構造以外の構造のものであっても良い。
【００３４】
以上のような第１の実施形態によれば、感光膜ＬＳＦ１において電極パッドＰＤ１と対応する部位の膜厚を減少させる工程では、第１領域ＦＲ１と第２領域ＳＲ１とで互いに異なる膜厚となるように露光及び現像を行う。これにより、電極パッドＰＤ１を露出させる工程では、プロービング領域ＰＲ１とワイヤボンディング領域ＢＲ１との境界線ＢＬ１に沿う段差部ＳＴＰ１を電極パッドＰＤ１の表面に形成することができる。よって、プロービング領域ＰＲ１とワイヤボンディング領域ＢＲ１との境界線ＢＬ１に沿う段差部ＳＴＰ１が電極パッドＰＤ１の表面に形成された構造の半導体装置を容易に製造することができる。
【００３５】
第１領域ＦＲ１への露光量と、第２領域ＳＲ１への露光量と、が互いに異なるように構成されたハーフトーンマスクであるレチクルＲＴＣ１を介して露光を行うことにより、容易に、第１領域ＦＲ１と第２領域ＳＲ１とで互いに異なる膜厚にすることができる。
【００３６】
感光膜ＬＳＦ１において電極パッドＰＤ１と対応する部位の膜厚を減少させる工程では、感光膜ＬＳＦ１の第１領域ＦＲ１又は第２領域ＳＲ１のうち何れか一方を除去することにより、段差形成のためのエッチング工程を設けることなく識別可能な段差を電極パッドＰＤ１に形成することができる。
【００３７】
第１領域ＦＲ１はプロービング領域ＰＲ１上の領域であり、第２領域ＳＲ１はワイヤボンディング領域ＢＲ１上の領域であり、段差部ＳＴＰ１は、境界線ＢＬ１に沿う一段の段差であるので、一段の段差によってプロービング領域ＰＲ１とワイヤボンディング領域ＢＲ１とが区分けされたシンプルな構造の電極パッドＰＤ１を容易に形成することができる。
【００３８】
〔第２の実施形態〕
図７は第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す断面図である。図８は第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法により製造される半導体装置の電極パッドの構造を示す図であり、このうち（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、以下に説明する点で、上記の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法と相違し、その他の点は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法と同様である。
【００３９】
本実施形態の場合、第１領域ＦＲ１は、境界線ＢＬ１に沿った帯状の領域であり、段差部ＳＴＰ１は、境界線ＢＬ１に沿う凸条又は溝（具体的には、例えば、凸条）である。
【００４０】
図７（ａ）は感光膜ＬＳＦ１を露光する工程（図１（ｂ）と対応する工程）を示す。図７（ｂ）は感光膜ＬＳＦ１を現像する工程（図１（ｃ）と対応する工程）を示す。図７（ｃ）は感光膜ＬＳＦ１をマスクとして絶縁膜ＩＦ１および金属パターンＭＰ１をエッチングする工程（図１（ｄ）と対応する工程）を示す。図７（ａ）〜（ｃ）に示すように、レチクルＲＴＣ１のハーフトーン部ＨＴＰ１の平面形状を、段差部ＳＴＰ１と対応する帯状の形状にすることにより、段差部ＳＴＰ１を境界線ＢＬ１に沿う凸条とすることができる（図８（ａ）、（ｂ））。なお、第１領域ＦＲ１と第２領域ＳＲ１との配置を逆にすることにより、段差部ＳＴＰ１を境界線ＢＬ１に沿う溝とすることができる。
【００４１】
以上のような第２の実施形態によれば、上記の第１の実施形態と同様の効果が得られる他、以下の効果が得られる。
【００４２】
本実施形態の場合、第１領域ＦＲ１は境界線ＢＬ１に沿った帯状の領域であり、段差部ＳＴＰ１は、境界線ＢＬ１に沿う凸条又は溝である。このため、凸条又は溝の両側にそれぞれ段差が存在する。すなわち、２つの段差がプロービング領域ＰＲ１とワイヤボンディング領域ＢＲ１との間に存在する。このため、光学顕微鏡による段差部ＳＴＰ１の視認性が更に向上する。
【００４３】
〔第３の実施形態〕
図９は第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法により製造される半導体装置の電極パッドの構造を示す図であり、このうち（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、以下に説明する点で、上記の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法と相違し、その他の点は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法と同様である。
【００４４】
本実施形態の場合、プロービング領域ＰＲ１がワイヤボンディング領域ＢＲ１側に弧状に張り出すように、境界線ＢＬ１を設定する（図９（ａ）参照）。具体的には、レチクルＲＴＣ１のハーフトーン部ＨＴＰ１の平面形状を、境界線ＢＬ１と対応する弧状（アーチ状）の形状にすることにより、プロービング領域ＰＲ１がワイヤボンディング領域ＢＲ１側に弧状に張り出すようにできる。
【００４５】
以上のような第３の実施形態によれば、上記の第１の実施形態と同様の効果が得られる他、以下の効果が得られる。
【００４６】
本実施形態の場合、プロービング領域ＰＲ１がワイヤボンディング領域ＢＲ１側に弧状に張り出すように、境界線ＢＬ１が設定されている。よって、カンチレバータイプのブロービング針ＰＢ１と電極パッドＰＤ１との接触面積を段差部ＳＴＰ１における段差の分だけ増やすことができるので、ブロービング針ＰＢ１と電極パッドＰＤ１との接触不良を低減することができる。
【００４７】
〔第４の実施形態〕
図１０は第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法により製造される半導体装置の電極パッドの構造を示す図であり、このうち（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、以下に説明する点で、上記の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法と相違し、その他の点は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法と同様である。
【００４８】
本実施形態の場合、感光膜ＬＳＦ１の第１領域ＦＲ１（図１参照）は、プロービング領域ＰＲ１とワイヤボンディング領域ＢＲ１との何れか一方における周縁部ＣＩＲ１を除く領域上の領域である。また、感光膜ＬＳＦ１の第２領域ＳＲ１（図１参照）は、プロービング領域ＰＲ１とワイヤボンディング領域ＢＲ１との何れか他方と、プロービング領域ＰＲ１とワイヤボンディング領域ＢＲ１との何れか一方の周縁部ＣＩＲ１と、を含む領域上の領域である。
具体的には、例えば、第１領域ＦＲ１（図１参照）は、プロービング領域ＰＲ１における周縁部ＣＩＲ１を除く領域上の領域であり、第２領域ＳＲ１（図１参照）は、ワイヤボンディング領域ＢＲ１と、プロービング領域ＰＲ１の周縁部ＣＩＲ１と、を含む領域上の領域である。
そして、段差部ＳＴＰ１は、第２領域ＳＲ１を囲む一段の段差である。
なお、第１領域ＦＲ１と第２領域ＳＲ１との配置を逆にすることにより、第１領域ＦＲ１は、ワイヤボンディング領域ＢＲ１における周縁部を除く領域上の領域となり、第２領域ＳＲ１は、プロービング領域ＰＲ１とワイヤボンディング領域ＢＲ１の周縁部とを含む領域上の領域となる。
【００４９】
レチクルＲＴＣ１のハーフトーン部ＨＴＰ１の平面形状を、図１０（ａ）に示すワイヤボンディング領域ＢＲ１と周縁部ＣＩＲ１とを合わせた領域と対応する形状にすることにより、図１０に示すような形状の電極パッドＰＤ１を形成することができる。
【００５０】
以上のような第４の実施形態によれば、上記の第１の実施形態と同様の効果が得られる他、以下の効果が得られる。
【００５１】
本実施形態の場合、例えば、光学顕微鏡を用いた光学的判定の際に識別したい領域であるプロービング領域ＰＲ１（またはワイヤボンディング領域ＢＲ１）を囲むように段差部ＳＴＰ１を形成することができるので、プロービング領域ＰＲ１（またはワイヤボンディング領域ＢＲ１）を容易に識別することができる。
【００５２】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００５３】
例えば、上記の各実施形態では、段差部ＳＴＰ１の側面が電極パッドＰＤ１の上面に対して垂直になっている例を図示したが、電極パッドＰＤ１の上面に対する段差部ＳＴＰ１の側面の角度は９０度以外の角度であっても良い（傾斜していても良い）。
【符号の説明】
【００５４】
ＢＬ１ 境界線
ＢＲ１ ワイヤボンディング領域
ＢＷ１ ボンディングワイヤ
ＣＩＲ１ 周縁部
ＣＲ１ 回路領域
ＤＰ１ ダイパッド
ＥＣＲ１ 封止樹脂
ＥＤ１ 電極
ＥＦＲ１ 素子形成領域
ＥＸＲ１ エクステンション領域
ＦＲ１ 第１領域
ＧＥ１ ゲート電極
ＧＩ１ ゲート絶縁膜
ＨＴＰ１ ハーフトーン部
ＩＦ１ 絶縁膜
ＩＰ１ 配線基板
ＬＤ１ リード
ＬＳＦ１ 感光膜
ＬＳＰ１ 遮光部
ＭＬＩ１ 多層配線層
ＭＰ１ 金属パターン
ＯＰ１ 開口
ＯＰ２ 開口
ＰＢ１ ブロービング針
ＰＤ１ 電極パッド
ＰＲ１ プロービング領域
ＲＴＣ１ レチクル
ＳＣ１ 半導体チップ
ＳＣＳ１ 半導体基板
ＳＤＲ１ 不純物領域
ＳＲ１ 第２領域
ＳＴＩ１ 素子分離膜
ＳＴＰ１ 段差部
ＳＷ１ サイドウォール
ＴＲ１ トランジスタ
ＴＲＰ１ 透光部
Ｗ１ ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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