(57)【要約】      （修正有）【課題】プロセスパラメータの設定値を変更する際、入力可能なプロセスパラメータを適切な範囲に制限することが可能な基板処理装置及びその制御方法、並びに編集プログラムを提供する。【解決手段】複数のステップから構成されるレシピを実行させる指示を受け付ける操作部と、該操作手段で受け付けた指示により実行される前記レシピに基づいて基板処理を行うように制御する制御部と、を備えた基板処理装置であって、前記操作部は、前記レシピを編集及び作成する際に使用するパラメータを編集する編集画面、及び前記パラメータの設定値を受け付ける入力画面を表示する表示部を有し、前記入力画面上で、前記複数のパラメータのうち所定のパラメータにおいて、設定可能な入力範囲を越えた設定値の変更を禁止する。【選択図】図１
2014138158.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のステップから構成されるレシピを実行させる指示を受け付ける操作部と、
前記操作部で受け付けた指示により実行される前記レシピに基づいて基板処理を行うように制御する制御部と、を備えた基板処理装置であって、
前記操作部は、前記レシピを編集及び作成する際に使用するパラメータを編集する編集画面、及び前記パラメータの設定値を受け付ける入力画面を表示する表示部と、を有し、
前記入力画面上で、前記複数のパラメータのうち所定のパラメータにおいて、設定可能な入力範囲を越えた設定値の変更入力を禁止する基板処理装置。
【請求項２】
複数のステップから構成されるレシピを実行させる指示を受け付ける操作部と、
前記操作部で受け付けた指示により実行される前記レシピに基づいて基板処理を行うように制御する制御部と、を備えた基板処理装置の制御方法であって、
前記レシピを編集及び作成する際に使用するパラメータを編集する編集画面を表示し、表示された前記編集画面上で前記パラメータが選択されると、前記パラメータの設定値を受け付ける入力画面を表示し、
前記複数のパラメータのうち所定のパラメータにおいて、設定可能な入力範囲を越えた設定値の変更を禁止する基板処理装置の制御方法。
【請求項３】
複数のステップから構成されるレシピを実行させる指示を受け付け、前記レシピに基づいて基板処理を行うように制御する基板処理装置で実行される編集プログラムであって、
前記レシピを編集及び作成する際に使用するパラメータを編集する編集画面上で所定のパラメータが選択されると、前記所定のパラメータの設定値を受け付ける入力画面を表示する手順と、
複数のパラメータのうち前記所定のパラメータにおいて、設定可能な入力範囲を越えた設定値の変更を禁止する手順と、
を有する編集プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置における操作性向上に係り、特に、レシピファイルの編集時に調整されるプロセスパラメータの設定ミスを防止する機能に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板を処理する基板処理装置には、基板を多段に保持する基板保持具を反応炉内に装入した状態で、反応炉内に処理ガスを供給して、基板保持具が保持する基板に対する処理を行うように構成されたバッチ式のものがある。
【０００３】
従来、このような縦型のバッチ式基板処理装置では、複数のステップで構成されるレシピファイルを実行することにより、基板処理が行われている。近年の半導体装置の微細化に伴い、より複雑な基板処理が求められてきている。縦型のバッチ式基板処理装置においても、多くのステップを実行することにより、基板処理を実行している。このような背景から、例えば、特許文献１によれば、複数のステップに共通するパラメータ(共通パラメータ)を利用してレシピを作成することが開示されている。
【０００４】
特許文献１のように、予め複数のステップで共通するプロセスパラメータを所定の共通パラメータとして登録しておくと、この共通パラメータで定義される設定値を変更してプロセスパラメータの調整を行うことができる。これにより、各ステップで各プロセスパラメータの設定値を修正をする必要が無く編集作業の無駄が省ける。ところが、オペレータが共通パラメータの設定値を変更する際、入力ミス等により基準となる入力前の設定値から大きく乖離する数値が入力されると、それをチェックする機能が無いため、そのままの入力値に変更される。そして、この入力ミスによる入力値に変更された共通パラメータを利用して編集されたプロセスレシピが実行されると、製品ロットアウトが発生する危険性があった。従来、このような危険性を回避するため、入力上限値、入力下限値をパラメータ化して、パラメータ範囲外の設定値をプロセスパラメータとして入力できないようにする技術も存在した。例えば、特許文献２によれば、複数のステップのうち所定のステップにおいて、下限設定値以下の入力値の設定を禁止することが開示されている。
【０００５】
しかしながら、プロセスパラメータの有効範囲は、レシピ毎、ステップ毎、及びパラメータ種別毎に異なるため、それぞれに応じた入力上限値、入力下限値を持つ必要がある。これら入力上限値、入力下限値をプロセスパラメータ毎に設定するのは効率が悪く、プロセスパラメータの設定管理が困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第３９８５９２２号公報
【特許文献２】特開２０１０−１６５７２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は斯かる実情に鑑み、プロセスパラメータの設定値を変更する際、入力可能なプロセスパラメータを適切な範囲に制限することが可能な基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理装置の制御方法及び編集プログラムを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によれば、
複数のステップから構成されるレシピを実行させる指示を受け付ける操作部と、該操作部で受け付けた指示により実行される前記レシピに基づいて基板処理を行うように制御する制御部と、を備えた基板処理装置であって、前記操作部は、前記レシピを編集及び作成する際に使用するパラメータを編集する編集画面、及び前記パラメータの設定値を受け付ける入力画面を表示する表示部と、を有し、前記入力画面上で、前記複数のパラメータのうち所定のパラメータにおいて、設定可能な入力範囲を越えた設定値の入力を禁止する基板処理装置が提供される。
【０００９】
本発明の他の態様によれば、
複数のステップから構成されるレシピを実行させる指示を受け付ける操作部と、該操作部で受け付けた指示により実行される前記レシピに基づいて基板処理を行うように制御する制御部と、を備えた基板処理装置の制御方法であって、前記レシピを編集及び作成する際に使用するパラメータを編集する編集画面を表示し、表示された前記編集画面上で前記パラメータが選択されると、前記パラメータの設定値を受け付ける入力画面を表示し、前記複数のパラメータのうち所定のパラメータにおいて、設定可能な入力範囲を越えた設定値の入力を禁止する基板処理装置の制御方法が提供される。
【００１０】
本発明の更に他の態様によれば、
複数のステップから構成されるレシピを実行させる指示を受け付け、前記レシピに基づいて基板処理を行うように制御する基板処理装置で実行される編集プログラムであって、前記レシピを編集及び作成する際に使用するパラメータを編集する編集画面上で、所定のパラメータが選択されると、前記所定のパラメータの設定値を受け付ける入力画面を表示する手順と、複数のパラメータのうち前記所定のパラメータにおいて、設定可能な入力範囲を越えた設定値の入力を禁止する手順と、を有する編集プログラムが提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、基準となるプロセスパラメータから一定の範囲を超えて乖離した数値の入力を防止することができ、このオペレータの入力ミスに起因する基板のロットアウトが防止されるので、基板品質の信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の基板処理装置を示す斜視図である。
【図２】本発明の基板処理装置を示す側断面図である。
【図３】本発明の基板処理装置における装置コントローラの構成を示す図である。
【図４】本発明の基板処理装置における主コントローラを中心とした操作部の構成を示す図である。
【図５】本発明の基板処理装置におけるプロセス系コントローラの構成を示す図である。
【図６】本発明の一実施形態における共通パラメータの一種であるバリアブルパラメータ(ＶＰ)のデータ構造を示す図である。
【図７】本発明の一実施形態におけるＶＰパラメータ入力制限パラメータの図示例である。
【図８】本発明の一実施形態におけるＶＰプロセスパラメータ入力画面を説明するための図である。
【図９】本発明の一実施形態におけるプロセスパラメータ編集画面の図示例である。
【図１０】本発明の一実施形態における誤入力禁止機能付編集プログラムの入力画面の表示を説明するフロー図である。
【図１１】本発明の一実施形態における誤入力禁止機能付編集プログラムのパラメータ編集を説明するフロー図である。
【図１２】本発明の一実施形態におけるＶＰプロセスパラメータ入力画面の図示例である。
【図１３】本発明の一実施形態におけるＶＰプロセスパラメータ入力範囲を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施例を説明する。
【００１４】
先ず、図１、図２に於いて、本発明が実施される基板処理装置について説明する。
【００１５】
図１、図２は基板処理装置の一例として縦型の基板処理装置を示している。尚、該基板処理装置に於いて処理される基板は、一例としてシリコン等から成る半導体ウェーハが示されている。
【００１６】
基板処理装置１は筐体２を備え、該筐体２の正面壁３の下部にはメンテナンス可能な様に設けられた開口部としての正面メンテナンス口４が開設され、該正面メンテナンス口４は正面メンテナンス扉５によって開閉される。
【００１７】
前記筐体２の前記正面壁３にはポッド搬入搬出口６が前記筐体２の内外を連通する様に開設されており、前記ポッド搬入搬出口６はフロントシャッタ（搬入搬出口開閉機構）７によって開閉され、前記ポッド搬入搬出口６の正面前方側にはロードポート（基板搬送容器受渡し台）８が設置されており、該ロードポート８は載置されたポッド９を位置合せする様に構成されている。
【００１８】
該ポッド９は密閉式の基板搬送容器であり、図示しない工程内搬送装置によって前記ロードポート８上に搬入され、又、該ロードポート８上から搬出される様になっている。
【００１９】
前記筐体２内の前後方向の略中央部に於ける上部には、回転式ポッド棚（基板搬送容器格納棚）１１が設置されており、該回転式ポッド棚１１は複数個のポッド９を格納する様に構成されている。
【００２０】
前記回転式ポッド棚１１は垂直に立設されて間欠回転される支柱１２と、該支柱１２に上中下段の各位置に於いて放射状に支持された複数段の棚板（基板搬送容器載置棚）１３とを備えており、該棚板１３は前記ポッド９を複数個宛載置した状態で格納する様に構成されている。
【００２１】
前記回転式ポッド棚１１の下方には、ポッドオープナ（基板搬送容器蓋体開閉機構）１４が設けられ、該ポッドオープナ１４は前記ポッド９を載置し、又該ポッド９の蓋を開閉可能な構成を有している。
【００２２】
前記ロードポート８と前記回転式ポッド棚１１、前記ポッドオープナ１４との間には、ポッド搬送機構（容器搬送機構）１５が設置されており、該ポッド搬送機構１５は、前記ポッド９を保持して昇降可能、水平方向に進退可能となっており、前記ロードポート８、前記回転式ポッド棚１１、前記ポッドオープナ１４との間で前記ポッド９を搬送する様に構成されている。
【００２３】
前記筐体２内の前後方向の略中央部に於ける下部には、サブ筐体１６が後端に亘って設けられている。該サブ筐体１６の正面壁１７にはウェーハ（基板）１８を前記サブ筐体１６内に対して搬入搬出する為のウェーハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１９が一対、垂直方向に上下２段に並べられて開設されており、上下段のウェーハ搬入搬出口１９，１９に対して前記ポッドオープナ１４がそれぞれ設けられている。
【００２４】
該ポッドオープナ１４は前記ポッド９を載置する載置台２１と、前記ポッド９の蓋を開閉する開閉機構２２とを備えている。前記ポッドオープナ１４は前記載置台２１に載置された前記ポッド９の蓋を前記開閉機構２２によって開閉することにより、前記ポッド９のウェーハ出入口を開閉する様に構成されている。
【００２５】
前記サブ筐体１６は前記ポッド搬送機構１５や前記回転式ポッド棚１１が配設されている空間（ポッド搬送空間）から気密となっている移載室２３を構成している。該移載室２３の前側領域にはウェーハ移載機構（基板移載機構）２４が設置されており、該ウェーハ移載機構２４は、ウェーハ１８を載置する所要枚数（図示では５枚）のウェーハ載置プレート２５を具備し、該ウェーハ載置プレート２５は水平方向に直動可能、水平方向に回転可能、又昇降可能となっている。前記ウェーハ移載機構２４はボート（基板保持体）２６に対してウェーハ１８を装填及び払出しする様に構成されている。
【００２６】
前記移載室２３の後側領域には、前記ボート２６を収容して待機させる待機部２７が構成され、該待機部２７の上方には縦型の処理炉２８が設けられている。該処理炉２８は内部に処理室２９を形成し、該処理室２９の下端部は炉口部となっており、該炉口部は炉口シャッタ（炉口開閉機構）３１により開閉される様になっている。
【００２７】
前記筐体２の右側端部と前記サブ筐体１６の前記待機部２７の右側端部との間には前記ボート２６を昇降させる為のボートエレベータ（基板保持具昇降機構）３２が設置されている。該ボートエレベータ３２の昇降台に連結されたアーム３３には蓋体としてのシールキャップ３４が水平に取付けられており、該シールキャップ３４は前記ボート２６を垂直に支持し、該ボート２６を前記処理室２９に装入した状態で前記炉口部を気密に閉塞可能となっている。
【００２８】
前記ボート２６は、複数枚（例えば、５０枚〜１２５枚程度）のウェーハ１８をその中心に揃えて水平姿勢で多段に保持する様に構成されている。
【００２９】
前記ボートエレベータ３２側と対向した位置にはクリーンユニット３５が配設され、該クリーンユニット３５は、清浄化した雰囲気若しくは不活性ガスであるクリーンエア３６を供給する様供給ファン及び防塵フィルタで構成されている。前記ウェーハ移載機構２４と前記クリーンユニット３５との間には、ウェーハ１８の円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合せ装置（図示せず）が設置されている。
【００３０】
前記クリーンユニット３５から吹出された前記クリーンエア３６は、ノッチ合せ装置（図示せず）及び前記ウェーハ移載機構２４、前記ボート２６に流通された後に、図示しないダクトにより吸込まれて、前記筐体２の外部に排気がなされるか、若しくは前記クリーンユニット３５によって前記移載室２３内に吹出されるように構成されている。
【００３１】
次に、前記基板処理装置１の作動について説明する。
【００３２】
前記ポッド９が前記ロードポート８に供給されると、前記ポッド搬入搬出口６が前記フロントシャッタ７によって開放される。前記ロードポート８上の前記ポッド９は前記ポッド搬送装置１５によって前記筐体２の内部へ前記ポッド搬入搬出口６を通して搬入され、前記回転式ポッド棚１１の指定された前記棚板１３へ載置される。前記ポッド９は前記回転式ポッド棚１１で一時的に保管された後、前記ポッド搬送装置１５により前記棚板１３からいずれか一方のポッドオープナ１４に搬送されて前記載置台２１に移載されるか、若しくは前記ロードポート８から直接前記載置台２１に移載される。
【００３３】
この際、前記ウェーハ搬入搬出口１９は前記開閉機構２２によって閉じられており、前記移載室２３には前記クリーンエア３６が流通され、充満している。例えば、前記移載室２３には前記クリーンエア３６として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と、前記筐体２の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遙かに低く設定されている。
【００３４】
前記載置台２１に載置された前記ポッド９はその開口側端面が前記サブ筐体１６の前記正面壁１７に於ける前記ウェーハ搬入搬出口１９の開口縁辺部に押付けられると共に、蓋が前記開閉機構２２によって取外され、ウェーハ出入口が開放される。
【００３５】
前記ポッド９が前記ポッドオープナ１４によって開放されると、ウェーハ１８は前記ポッド９から前記ウェーハ移載機構２４によって取出され、ノッチ合せ装置（図示せず）に移送され、該ノッチ合せ装置にてウェーハ１８を整合した後、前記ウェーハ移載機構２４はウェーハ１８を前記移載室２３の後方にある前記待機部２７へ搬入し、前記ボート２６に装填（チャージング）する。
【００３６】
該ボート２６にウェーハ１８を受渡した前記ウェーハ移載機構２４は前記ポッド９に戻り、次のウェーハ１８を前記ボート２６に装填する。
【００３７】
一方（上端又は下段）のポッドオープナ１４に於ける前記ウェーハ移載機構２４によりウェーハ１８の前記ボート２６への装填作業中に、他方（下段又は上段）のポッドオープナ１４には前記回転式ポッド棚１１から別のポッド９が前記ポッド搬送装置１５によって搬送されて移載され、前記他方のポッドオープナ１４によるポッド９の開放作業が同時進行される。
【００３８】
予め指定された枚数のウェーハ１８が前記ボート２６に装填されると前記炉口シャッタ３１によって閉じられていた前記処理炉２８の炉口部が前記炉口シャッタ３１によって開放される。続いて、前記ボート２６は前記ボートエレベータ３２によって上昇され、前記処理室２９に搬入（ローディング）される。
【００３９】
ローディング後は、前記シールキャップ３４によって炉口部が気密に閉塞される。尚、本実施の形態において、このタイミングで(ローディング後)、前記処理室２９が不活性ガスに置換されるパージ工程(プリパージ工程)を有する。
【００４０】
前記処理室２９が所望の圧力（真空度）となる様にガス排気機構（図示せず）によって真空排気される。又、前記処理室２９が所望の温度分布となる様にヒータ駆動部（図示せず）によって所定温度迄加熱される。
【００４１】
又、ガス供給機構（図示せず）により、所定の流量に制御された処理ガスが供給され、処理ガスが前記処理室２９を流通する過程で、ウェーハ１８の表面と接触し、ウェーハ１８の表面上に所定の処理が実施される。更に、反応後の処理ガスは、前記ガス排気機構により前記処理室２９から排気される。
【００４２】
予め設定された処理時間が経過すると、前記ガス供給機構により不活性ガス供給源（図示せず）から不活性ガスが供給され、前記処理室２９が不活性ガスに置換されると共に、前記処理室２９の圧力が常圧に復帰される(アフターパージ工程)。そして、前記ボートエレベータ３２により前記シールキャップ３４を介して前記ボート２６が降下される。
【００４３】
処理後のウェーハ１８の搬出については、上記説明と逆の手順で、ウェーハ１８及びポッド９は前記筐体２の外部へ払出される。未処理のウェーハ１８が、更に前記ボート２６に装填され、ウェーハ１８のバッチ処理が繰返される。
【００４４】
前記処理炉２８、少なくとも基板を搬送する機構であるポッド搬送機構１５、ウェーハ移載機構２４、ボートエレベータ３２を含む搬送機構、前記処理炉２８に処理ガス等を供給するガス供給機構、前記処理炉２８内を排気するガス排気機構、前記処理炉２８を所定温度に加熱するヒータ駆動部、及び前記処理炉２８、前記搬送機構、前記ガス供給機構、前記ガス排気機構、前記ヒータ駆動部をそれぞれ制御する制御装置２４０について、図３、図４を参照して説明する。
【００４５】
次に、図３を参照して、主制御部としての主コントローラ２０１を中心とした制御装置２４０の構成について説明する。図３に示すように、制御装置としての装置コントローラ２４０は、主コントローラ２０１と、主コントローラ２０１に接続されるスイッチングハブ２１５と、主コントローラ２０１に接続される表示制御部２１６と、スイッチングハブ２１５を介して主コントローラ２０１に接続される副操作部としての副表示制御部２１７と、搬送制御部としての搬送系コントローラ２１１と、処理制御部としてのプロセス系コントローラ２１２と、を備えている。主コントローラ２０１は、スイッチングハブ２１５を介して例えば１００ＢＡＳＥ−Ｔ等のＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ  Ａｒｅａ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）により搬送系コントローラ２１１及びプロセス系コントローラ２１２と電気的に接続されているため、各データの送受信や各ファイルのダウンロード及びアップロード等が可能な構成となっている。
【００４６】
主コントローラ２０１には、外部記憶装置としての記録媒体であるＵＳＢメモリ等が挿脱される装着部としてのポート２１３が設けられている。主コントローラ２０１には、ポート２１３に対応するＯＳがインストールされている。また、主コントローラ２０１は、図示しない外部の上位コンピュータと、例えば通信ネットワークを介して接続される。このため、基板処理装置１がクリーンルーム内に設置されている場合であっても上位コンピュータがクリーンルーム外の事務所等に配置されることが可能である。
【００４７】
表示制御部２１６は、例えばビデオケーブルにより表示装置２１８に接続されている。表示装置２１８は、例えば液晶表示パネルである。表示部としての表示装置２１８には基板処理装置１を操作するための各操作画面が表示されるように構成されている。操作画面には、基板搬送系２１１Ａや基板処理系の状態を確認するための画面を有し、また、表示部は、基板搬送系２１１Ａや基板処理系（加熱機構２１２Ａ、ガス排気機構２１２Ｂ及びガス供給系２１２Ｃ）への動作指示を入力したりする入力部としての各操作ボタン（システムコマンドボタン、又はＰＭコマンドボタンともいう）を設けることも可能である。表示制御部２１６は、操作画面を介して基板処理装置１００内で生成される情報を表示部に表示させる。また、表示部に表示された情報を主コントローラ２０１に挿入されたＵＳＢメモリなどのデバイスに出力させる。表示制御部２１６は、表示装置２１８に表示される操作画面からの作業者の入力データ（入力指示）を受け付け、入力データを主コントローラ２０１に送信する。また、表示制御部２１６は、後述のメモリ(ＲＡＭ)等に展開されたレシピ若しくは後述する記憶部に格納された複数のレシピのうち任意の基板処理レシピ（プロセスレシピともいう）を実行させる指示（制御指示）を受け付け、主コントローラ２０１に送信するようになっている。なお、表示制御部２１６及び入力部と表示装置２１８はタッチパネルにより構成されていてもよい。又、副表示制御部２１７及び副表示装置２１９も上記表示制御部２１６及び表示装置２１８と同様な構成である。ここで、表示制御部１６と副表示制御部１７は主コントローラ２０１と別体で記載されているが、主コントローラ２０１に含む構成でもよい。また、本発明の実施形態における操作部は、主コントローラ２０１と、表示制御部２１６と、表示装置２１８とで少なくとも構成されている。
【００４８】
搬送系コントローラ２１１は、主に回転式ポッド棚１１，ボートエレベータ３２、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１５、ウェーハ移載機構（基板移載機構）２４、ボート２６及び回転機構(図示せず)により構成される基板搬送系２１１Ａに接続されている。搬送系コントローラ２１１は、回転式ポッド棚１１，ボートエレベータ３２、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１５、ウェーハ移載機構（基板移載機構）２４、ボート２６及び回転機構(図示せず)の搬送動作をそれぞれ制御するように構成されている。
【００４９】
プロセス系コントローラ２１２は、温度コントローラ２１２ａ、圧力コントローラ２１２ｂ及びガス供給流量コントローラ２１２ｃ、シーケンサ２１２ｄを備えている。温度コントローラ２１２ａ、圧力コントローラ２１２ｂ及びガス供給流量コントローラ２１２ｃ、シーケンサ２１２ｄ、はサブコントローラを構成し、プロセス系コントローラ２１２と電気的に接続されているため、各データの送受信や各ファイルのダウンロード及びアップロード等が可能となっている。尚、プロセス系コントローラ２１２とサブコントローラは、別体で図示されているが、一体構成でも構わない。
【００５０】
温度コントローラ２１２ａには、主にヒータ２０６及び温度センサ２６３により構成される加熱機構２１２Ａが接続されている。温度コントローラ２１２ａは、処理炉２８のヒータの温度を制御することで処理炉２８内の温度を調節するように構成されている。なお、温度コントローラ２１２ａは、サイリスタのスイッチング（オンオフ）制御を行い、ヒータ素線に供給する電力を制御するように構成されている。
【００５１】
圧力コントローラ２１２ｂには、主に圧力センサ２４６、圧力バルブとしてのＡＰＣバルブ２４２及び真空ポンプにより構成されるガス排気機構２１２Ｂが接続されている。圧力コントローラ２１２ｂは、圧力センサ２４６により検知された圧力値に基づいて、処理室２９内の圧力が所望のタイミングにて所望の圧力となるように、ＡＰＣバルブ２４２の開度及び真空ポンプのスイッチング(オンオフ)を制御するように構成されている。
【００５２】
ガス流量コントローラ２１２ｃは、ＭＦＣ(Ｍａｓｓ  Ｆｌｏｗ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ)により構成される。シーケンサ２１２ｄは、処理ガス供給管，パージガス供給管からのガスの供給や停止を、バルブ２１２Ｄを開閉させることにより制御するように構成されている。また、プロセス系コントローラ２１２は、処理室２９内に供給するガスの流量が所望のタイミングにて所望の流量となるように、ガス流量コントローラ２１２ｃ（ＭＦＣ）、シーケンサ２１２ｄ（バルブ２１２Ｄ）を制御するように構成されている。
【００５３】
尚、本発明の実施の形態にかかる主コントローラ２０１、搬送系コントローラ２１１、プロセス系コントローラ２１２は、専用のシステムによらず、通常のコンピュータシステムを用いて実現可能である。例えば、汎用コンピュータに、上述の処理を実行するためのプログラムを格納した記録媒体（フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＵＳＢなど）から当該プログラムをインストールすることにより、所定の処理を実行する各コントローラを構成することができる。
【００５４】
そして、これらのプログラムを供給するための手段は任意である。上述のように所定の記録媒体を介して供給できる他、例えば、通信回線、通信ネットワーク、通信システムなどを介して供給してもよい。この場合、例えば、通信ネットワークの掲示板に当該プログラムを掲示し、これをネットワークを介して搬送波に重畳して提供してもよい。そして、このように提供されたプログラムを起動し、ＯＳの制御下で、他のアプリケーションプログラムと同様に実行することにより、所定の処理を実行することができる。
【００５５】
次に、主コントローラ１４を中心とした操作部の構成を、図４を参照しながら説明する。図４は、本発明の実施形態に係る基板処理装置１００の制御装置としての装置コントローラ２４０が備える主コントローラ２０１と、表示部としての表示装置２１８とを少なくとも含む操作部の構成図である。
【００５６】
主制御部としての主コントローラ２０１は、処理部としてのＣＰＵ(中央処理装置)２２４、一時記憶部としてのメモリ(ＲＡＭ、ＲＯＭ等)２２６、記憶部としてのハードディスク(ＨＤＤ)２２２、通信部としての送受信モジュール２２８、時計機能(図示せず)を備えたコンピュータとして構成されている。ハードディスク２２２には、処理条件及び処理手順が定義されたレシピ等の各レシピファイル、これら各レシピファイルを実行させるための制御プログラムファイル、処理条件及び処理手順を設定するためのパラメータファイル、また、エラー処理プログラムファイル及びエラー処理のパラメータファイルの他、プロセスパラメータを入力する入力画面を含む各種画面ファイル、各種アイコンファイル等(いずれも図示せず)が格納されている。更に、本実施の形態においては、バリアブルパラメータ(以下、ＶＰ：Ｖａｒｉｅｂｌｅ  Ｐａｒａｍｅｔｅｒという場合がある)ファイル及びＶＰ入力範囲制限パラメータファイルの他、誤入力禁止機能付プログラムファイルが少なくとも格納されている。これらＶＰファイル、ＶＰ入力制限パラメータファイル及び誤入力禁止機能付編集プログラムについては後述する。なお、主コントローラ２０１の送受信モジュール２２８には、表示制御部２１６及びスイッチングハブ２１５等が接続され、主コントローラ２０１は、ネットワークを介して外部のコンピュータ等とデータの送信及び受信を行うように構成されている。また、図４に示すように、主コントローラ２０１は、ＣＰＵ２２４及びメモリ２２６などを少なくとも含む制御部２２０と、ネットワークを介して外部のコンピュータなどとデータの送信及び受信を行う通信部２２８と、ハードディスクドライブなどの記憶部２２２の他、液晶ディスプレイなどの表示装置並びにキーボード及びマウス等のポインティングデバイスを含むユーザインタフェース(ＵＩ)装置２１８などを含む構成でも構わない。また、制御部２２０は、更に通信部２２８を含む構成としても良い。
【００５７】
また、主コントローラ２０１は、図示しないネットワークを介して外部のホスト装置等に対して基板処理装置本体１１１の状態などを送信する。基板処理装置本体１１１は、例えば基板に酸化並びに拡散処理及びＣＶＤ処理などを行なう縦型の装置である。尚、基板処理装置本体１１１は、記憶部２２２に記憶されている各レシピファイル、各パラメータファイル等に基づいて、装置コントローラ２４０により制御される。
【００５８】
図５には、プロセス系コントローラ２１２の詳細が記載されている。また、図示しないが搬送系コントローラ２１１も同様な構成である。
【００５９】
図５に示されるように、プロセス系コントローラ２１２は、処理部としてのＣＰＵ２３６を有するとともに、ＲＯＭ（read-only memory）２５０、及びＲＡＭ（random-access memory）２５１を少なくとも含む一時記憶部と、温度制御部２１２ａ、ＭＦＣ２１２ｃ、圧力制御部２１２ｂ、シーケンサ２１２ｄ等とのＩ／Ｏ通信を行なうＩ／Ｏ通信部２５５を少なくとも有する。ＣＰＵ２３６は、例えば、表示装置２１８の操作画面等で作成又は編集され、ＲＡＭ２５１等に記憶されているレシピに基づいて、基板を処理するための制御データ（制御指示）を温度制御部２１２ａ等に対して出力する。
【００６０】
ＲＯＭ２５０又はＲＡＭ２５１には、シーケンスプログラム、複数のレシピや操作部としての表示装置２１８等から入力される入力データ（入力指示）、レシピのコマンド及びレシピ実行時の履歴データ等が格納される。このように、ＲＯＭ２５０又はＲＡＭ２５１は基板を処理する手順が記載されているレシピを記憶する記憶部としても用いられる。入力指示は、表示装置２１８に表示される操作画面から、副表示装置２１９に表示される副操作画面から、又は外部の表示装置に表示される操作画面からなされる。また、入力指示は、レシピを実行させる指示のほか、各ユーザの操作権限を設定する指示などがその一例として挙げられるが、これに限定されない。尚、プロセス系コントローラ２１２には、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）等により実現される記憶部（不図示）が含まれてもよく、この場合、該記憶部には、ＲＡＭ２５１に格納されるデータと同様のデータが格納されるようにしても良い。
【００６１】
温度制御部２１２ａは、上述した処理炉２８の外周部に設けられたヒータにより処理炉２８内の温度を制御する。ガス制御部としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）２１２ｃは、処理炉２８のガス配管に設けられ、処理炉２８内に供給する反応ガス等の供給量を制御する。シーケンサ２１２ｄは、処理ガス供給管，パージガス供給管に設けられたバルブ２１２Ｄを開閉させることにより、所定のガスの供給や停止を制御する。また、プロセス系コントローラ２１２は、処理室２９内に供給するガスの流量が所望のタイミングにて所望の流量となるように、ガス流量コントローラ２１２ｃ（ＭＦＣ）、シーケンサ２１２ｄ（バルブ２１２Ｄ）を制御するように構成されている。一方、圧力制御部２１２ｂは、処理炉２８の排気配管に設けられた圧力センサ２４６の出力値に基づいてＡＰＣバルブ２４２の開度を制御することにより処理炉２８内の圧力を制御する。
【００６２】
本実施形態における基板処理装置１においては、ファイルの種類毎に、ユーザ（作業者）の操作権限が設定される。例えば、種々のレシピファイルのうちプロセスレシピについていえば、プロセスレシピに対する操作権限が編集可能に設定された場合、登録されたユーザは、プロセスレシピ(ファイル)の参照、編集を行なうことができる。また、各種パラメータファイルのうちプロセスパラメータファイルに関しても同様であるのはいうまでも無い。
【００６３】
例えば、プロセスレシピは、表示装置２１８の操作画面上でユーザの操作により作成または編集して保存されると、スイッチングハブ２１５を介してプロセス系コントローラ２１２の送受信処理部(図示せず)に送信され、ＲＯＭ２５０に格納される。若しくは、記憶部２２２に格納される。この場合、プロセスレシピを含む各ファイルが、記憶部２２２に格納しても良い。また、ＲＯＭ２５０及びＲＡＭ２５１に格納されるデータと同様のデータが格納しても良いのは言うまでもない。
【００６４】
そして、表示装置２１８の操作画面を介して入力部により、レシピを設定する為のデータや該レシピに対するユーザ（作業者）の操作権限等のデータ（入力データ）が入力されると、該入力データ（入力指示）は、一時記憶部としてのメモリ２２６に格納されると共に表示制御部２１６を介して表示部に表示される。さらにスイッチングハブ２１５を介してプロセス系コントローラ２１２の送受信処理部に送信される。ＣＰＵ２３６は、該入力データをＲＡＭ２５１に格納し、例えばＲＯＭ２５０に格納されたレシピや該レシピに対するユーザ（作業者）の操作権限等の設定入力を確定させる。ＣＰＵ２３６は、制御プログラムを起動し、該制御プログラムに従って、例えばＲＡＭ２５１に格納されたレシピのコマンドを呼び込み実行することで、ステップが逐次実行され、Ｉ／Ｏ通信部２５５を介して温度制御部２１２ａ、流量制御部２１２ｃ、圧力制御部２１２ｂに対して基板を処理するための制御指示が送信される。このように、温度制御部２１２ａ等のサブコントローラは、プロセス系コントローラ２１２からの制御指示に基づいて基板処理装置１の各構成部品（ヒータ、ＭＦＣ２１２ｃ及びバルブ２１２Ｄ等）の制御を行なう。これにより、上述したウェーハ１８の処理が行われる。
【００６５】
次に、本実施の形態におけるレシピファイルの作成及びパラメータファイルの編集から作成及び編集されたレシピファイル実行による基板処理について順を追って説明する。
【００６６】
(ＶＰファイル)
先ず、レシピファイル作成時に使用される共通パラメータの一種であるバリアブルパラメータ(ＶＰ)ファイルに関して、図６を用いて説明する。図６は、複数のＶＰファイルのデータ構造を示す図である。ＶＰは、アイテム名称と、設定値とから構成され、必要な数だけ任意に登録ができるように構成されている。また、パラメータの種別(温度、圧力、ガス種等)に関係なく全てのパラメータに関して登録することができる。本実施の形態において、以後、温度に関するＶＰをVP_Temp-00*と表記する場合がある。
【００６７】
(入力範囲制限パラメータファイル)
そして、本発明において、基準となるプロセスパラメータの設定値から、一定の範囲を超えて乖離した数値の入力(オペレータの入力ミス等)を防止するための入力範囲制限パラメータファイルに関して、図７を用いて説明する。図７は、ＶＰパラメータ入力制限パラメータの図示例である。このＶＰパラメータ入力制限パラメータは、ＶＰ入力時の入力範囲を変更前の設定値からの差分で制限するパラメータである。つまり、本実施の形態において、ＶＰ設定値が２００、ＶＰパラメータ入力制限パラメータ値が３０の場合、ＶＰ設定値を変更する際に入力できる数値は、１７０〜２３０までの数値となる。尚、ＶＰパラメータ入力範囲制限パラメータのデータ構造は、ＶＰファイルと同様の構成であり、パラメータ名称と、パラメータ値とから構成される。又、パラメータ種別に応じてそれぞれのパラメータ値を有する。図７においては、各パラメータに一つずつＶＰパラメータ入力制限パラメータが定義されているが、各パラメータに対して複数有しても良い。尚、図７に示す例では、時間、温度、ループ回数、圧力、ＭＦＣ流量に対して定義した場合を示すがこれに限定されないのは言うまでも無い。
【００６８】
(ＶＰプロセスパラメータ入力画面)
図８は、本発明の一実施形態におけるＶＰプロセスパラメータ入力画面の図示例である。ＶＰ編集画面３００上でＶＰプロセスパラメータが選択されると、ＶＰプロセスパラメータ入力画面４００が表示されるように構成されている。この入力画面には、「エラーメッセージ」表示エリア４０１と、「入力下限値」表示エリア４０２及び「入力上限値」表示エリア４０３と、「数値(プロセスパラメータ)」表示エリア４０４と、±ボタン４０５と、「差異(ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ)」表示エリア４０７及び基準となるプロセスパラメータである「入力前プロセスパラメータ(ＩｎｉｔＶａｌｕｅ)」表示エリア４０８と、「数値」入力ボタン４０６、「数値クリア(Ｃｌｅａｒ)」ボタン４１０、「入力キャンセル(Ｃａｎｃｅｌ)」ボタン４１２、「入力確定(Ｅｎｔｅｒ)」ボタン４１１等で構成されている。「入力下限値」表示エリア４０２は、「入力前プロセスパラメータ(ＩｎｉｔＶａｌｕｅ)」表示エリア４０８に表示される「変更前のプロセスパラメータ」設定値−「ＶＰ入力範囲制限パラメータ」の値（入力下限値）、「入力上限値」表示エリア４０３は、「入力前プロセスパラメータ(ＩｎｉｔＶａｌｕｅ)」表示エリア４０８に表示される「変更前のプロセスパラメータ」設定値＋「ＶＰ入力範囲制限パラメータ」の値(入力上限値)がそれぞれ表示されている。「数値入力」ボタン４０６及び±ボタン４０５を押下することにより、所望の値を「数値(プロセスパラメータ)」入力エリア４０４に入力可能に構成されている。ここで、±ボタン４０５は、「数値(プロセスパラメータ)」入力エリア４０４に入力された値を桁毎に微調整するのに使用される。そして、「数値(プロセスパラメータ)入力」エリア４０４に入力される値が、上記「入力上限値」を超えた値、若しくは上記「入力下限値」未満の値である場合に「エラーメッセージ」表示エリア４０１に所定の「エラーメッセージ」が表示される。また、「差異(ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ)」表示エリア４０７は、「数値(プロセスパラメータ)」入力エリア４０４に入力された値と「入力前プロセスパラメータ(ＩｎｉｔＶａｌｕｅ)」表示エリア４０８に表示された値との差異が表示されるように構成されている。「数値クリア(Ｃｌｅａｒ)」ボタン４１０は、「数値(プロセスパラメータ)」入力エリア４０４に入力された値を０に設定する。「入力キャンセル(Ｃａｎｃｅｌ)」ボタン４１２は、「数値(プロセスパラメータ)」入力エリア４０４に入力された値を破棄してＶＰ編集画面３００に戻る。「入力確定(Ｅｎｔｅｒ)」４１１ボタンは、「数値(プロセスパラメータ)」入力エリア４０４に入力された値を、ＶＰ編集画面３００上で選択したＶＰプロセスパラメータに設定して、ＶＰ編集画面３００に戻る。
【００６９】
(誤入力禁止機能付編集プログラム)
本実施の形態における誤入力禁止機能付編集プログラム（以下、単に編集プログラムという場合がある）は、図８に示すＶＰプロセスパラメータ入力画面４００上での編集作業を可能にするプログラムである。編集プログラムは、ＶＰ編集画面３００上で所定のプロセスパラメータ(例えば、ＶＰ設定値)が選択されると、起動(実行開始)される。起動された編集プログラムは、ＶＰファイル及びＶＰ入力制限パラメータファイルが読込み、入力上限値と入力下限値を算出して所定のプロセスパラメータ入力画面（ＶＰプロセスパラメータ入力画面）４００を表示する。そして、この入力画面上でプロセスパラメータの変更が行われると、ＶＰファイル及びＶＰ入力制限パラメータファイルより算出された入力上限値と入力下限値の範囲内であるかを監視する。範囲外のプロセスパラメータが入力されると、エラーメッセージを表示すると共に「入力確定(Ｅｎｔｅｒ)」ボタン４１１の押下ができないように構成される。本実施の形態における誤入力禁止機能付編集プログラムの内容に関しては後述する。
【００７０】
(レシピ編集画面)
図９は、本発明の一実施形態におけるレシピ編集画面の図示例である。
基板処理装置１を用いて実施する基板処理に対応する基板処理レシピ(プロセスレシピ)を作成及び編集する際、操作部の表示部にレシピ編集画面を表示する。この編集画面上で、プロセスパラメータの設定、修正及び変更を行うことが可能に構成されている。尚、図９において、ステップ２にVP_Temp-001、ステップ３にVP_Temp-002、ステップ３にVP_Temp-003がそれぞれＶＰ設定値として使用されている。本編集画面では、これらＶＰ設定値の編集を行うことはできないようになっている。そして、プロセスパラメータの編集を終了し、保存ボタンが押下されると、基板処理レシピ(プロセスレシピ)の編集作業が終了して、主コントローラ２０１の記憶部に保存される。
【００７１】
(レシピ編集工程)
このように、本発明の実施形態におけるレシピ作成工程は、プロセスパラメータを編集するレシピ編集画面(図９)を表示する工程と、前記レシピ編集画面上で前記プロセスパラメータを数値及び共通パラメータで設定する工程と、前記共通パラメータを編集する編集画面(図８)を表示する工程と、前記編集画面上で所定の共通パラメータを選択して、選択された前記共通パラメータの設定値を入力する入力画面(図８)を表示する工程と、前記入力画面(図８)上で選択された前記共通パラメータを修正する工程を有する。これにより、共通パラメータであるＶＰを利用してレシピ作成を行う場合でも、設定ミスを防止することができるので、プロセスパラメータの設定ミス(誤入力)に起因するロットアウトを防止することができる。
【００７２】
(基板処理方法)
次に、本実施形態に係る基板処理装置１を用いて実施する基板処理方法について説明する。ここでは、半導体デバイスの製造工程の一工程である基板処理工程を実施する場合を例に挙げる。
【００７３】
基板処理工程の実施にあたって、実施すべき基板処理に対応する基板処理レシピ(プロセスレシピ)が、例えば、一時記憶部としてのＲＯＭ２５０から読み出され、主コントローラ４１内のＲＡＭ２５１等のメモリに展開される。そして、必要に応じて、主コントローラ２０１からプロセス系コントローラ２１２や搬送系コントローラ２１１へ動作指示が与えられる。このようにして実施される基板処理工程は、大別すると、移載工程と、搬入工程と、成膜工程と、ボート移送工程と、搬出工程とを有する。
【００７４】
（移載工程）
主コントローラ４１からは、搬送系コントローラ１１０に対して、ウェーハ移載機構２４の駆動指示が発せられる。そして、搬送系コントローラ１１０からの指示に従いつつ、ウェーハ移載機構２４は載置台としての授受ステージ２１上のポッド９からボート２６へのウェーハ１８の移載処理を開始する。この移載処理は、予定された全てのウェーハ１８のボート２６への装填(ウエハチャージ)が完了するまで行われる。
【００７５】
（搬入工程）
指定枚数のウェーハ１８がボート２６に装填されると、ボート２６は、搬送系コントローラ１１０からの指示に従って動作するボートエレベータ３２によって上昇されて、処理炉２８内に形成される処理室２９に装入(ボートロード)される。ボート２６が完全に装入されると、ボートエレベータ３２のシールキャップ３４は、処理炉２８のマニホールドの下端を気密に閉塞する。
【００７６】
（成膜工程）
その後は、処理室２９内は、圧力制御部２１２ｂからの指示に従いつつ、所定の成膜圧力(真空度)となるように真空排気装置によって真空排気される。この際、処理室２９内の圧力は圧力センサ２４６で測定され、この測定された圧力情報に基づき圧力調整装置がフィードバック制御される。また、処理室２９内は、温度制御部２１２ａからの指示に従いつつ、所定の温度となるようにヒータによって加熱される。この際、処理室２９内の温度が所定の温度(成膜温度)となるように、温度検出器としての温度センサ２６３が検出した温度情報に基づきヒータへの通電具合がフィードバック制御される。続いて、搬送系コントローラ２１１からの指示に従いつつ、回転機構によるボート２６及びウェーハ１８の回転を開始する。
【００７７】
（搬出工程）
ボート２６に対する成膜工程が完了すると、搬送系コントローラ２１１からの指示に従いつつ、その後、回転機構によるボート２６及びウェーハ１８の回転を停止させ、ボートエレベータ３２によりシールキャップ３４を下降させてマニホールドの下端を開口させるとともに、処理済のウェーハ１８を保持したボート２６を処理炉２８の外部に搬出（ボートアンロード）する。
【００７８】
そして、処理済のウェーハ１８を保持したボート２６は、クリーンユニット３５から吹出されるクリーンエア３６によって極めて効果的に冷却される。そして、例えば１５０℃以下に冷却されると、ボート２６から処理済のウェーハ１８を脱装（ウエハディスチャージ）してポッド９に移載した後に、新たな未処理ウェーハ１８のボート２６への移載が行われる。
【００７９】
プロセスレシピを実行することにより、以上のような各工程を繰り返すことで、本実施形態に係る基板処理装置１は、ウェーハ１８上へのシリコン膜の形成を、高スループットで行うことができる。
【００８０】
このように本実施の形態において、基準となるプロセスパラメータから一定の範囲を超えて乖離した数値の入力を禁止することができ、このオペレータの入力ミスを防止することができる。従い、プロセスレシピに使用されるプロセスパラメータが意図しない設定値に変更されることはないため、このオペレータの入力ミスに起因する基板のロットアウトが防止される。
【００８１】
次に、本発明の一実施形態における誤入力禁止機能付編集プログラム(編集プログラム)に関して、図１０及び図１１を用いて説明する。尚、図１０は編集するパラメータ種別が温度である場合の編集プログラムの起動から入力画面を表示するまでのフローチャートであり、それぞれ後述する初期化工程と、上下限設定工程と、画面表示工程を説明するためのフロー図である。また、図１１は上記編集プログラムの入力画面上でのプロセスパラメータ編集を説明するフローチャートであり、それぞれ後述する上下限監視工程と、パラメータ編集工程を説明するためのフロー図である。
【００８２】
(初期化工程)
図８に示すＶＰ編集画面３００上で、アイテム名称が温度である所定のＶＰ設定値が選択されると、本実施の形態における編集プログラムが起動される。そして、ＶＰ編集画面３００で選択した温度アイテムのＶＰ設定値を「入力前プロセスパラメータ」として取得し、この「入力前プロセスパラメータ」を「入力中プロセスパラメータ」に設定する。「入力上限値」に「温度コントローラ設定上限(1500℃)」、「入力下限値」に「温度コントローラ設定下限(0℃)」に設定する。また、本実施の形態におけるＶＰ入力範囲制限パラメータに設定されているパラメータのうち温度のパラメータ設定値を取得する。
【００８３】
(上下限設定工程)
次に、「入力前プロセスパラメータ」とＶＰ入力範囲制限パラメータ(温度)の設定値の和が「温度コントローラ設定上限(1500℃)」以下であるか比較し、以下である場合は、「入力上限値」に上記和の値に設定し、以上である場合、「入力上限値」はそのまま1500℃に設定する。「入力下限値」は、「入力前プロセスパラメータ」とＶＰ入力範囲制限パラメータ(温度)の設定値の差が「温度コントローラ設定下限(0℃)」以下であるか比較し、以上である場合は、「入力下限値」に上記差の値に設定し、以下である場合、そのまま0℃に設定する。本工程により、ＶＰプロセスパラメータ入力画面で入力可能な数値範囲を「入力前プロセスパラメータ」からの差分で、±ＶＰ入力範囲制限パラメータの範囲内に制限することが可能となる。
【００８４】
(画面表示工程)
次に、「入力下限値」表示エリア４０２及び「入力上限値」表示エリア４０３、「数値(プロセスパラメータ)入力」エリア４０４、「入力前プロセスパラメータ」表示エリア４０８がそれぞれ表示されるように構成されている。また、図１０に示すフローチャート中には、詳細な記載は無いが、「差異(ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ)」表示エリア４０７や「数値」入力ボタン４０６、「数値クリア(Ｃｌｅａｒ)」ボタン４１０、「入力キャンセル(Ｃａｎｃｅｌ)」ボタン４１２、「入力確定(Ｅｎｔｅｒ)」ボタン４１１等も表示されるように構成されている。これにより、ＶＰプロセスパラメータ入力画面４００が表示される。
【００８５】
(上下限監視工程)
次に、「数値(プロセスパラメータ)入力」エリア４０４に入力された数値が、「入力上限値」と「入力下限値」の数値範囲内にあるかを監視する上下限監視工程が実行される。この工程により数値範囲内にあると判定されると、「入力確定」ボタン４１１が有効(押下可能)となる。また、この工程により数値範囲から外れていると判定されると、「エラーメッセージ」表示エリア４０１にエラーメッセージが表示されると共に「入力確定」ボタン４１１が無効(押下不可)となる。
【００８６】
(パラメータ編集工程)
次に、「数値」入力ボタン４０６、「数値クリア(Ｃｌｅａｒ)」ボタン４１０等の各ボタンが押下されたか監視する。「数値」入力ボタン４０６が押下されると、「数値(プロセスパラメータ)」表示エリア４０４内の数値が更新されるため、上記上下限監視工程が実行される。また「数値クリア(Ｃｌｅａｒ)」ボタン４１０が押下されると「数値(プロセスパラメータ)入力」エリア４０４内の数値が０に更新され、同様に上記上下限監視工程が実行される。そして、「数値」入力ボタン４０６又は「数値クリア(Ｃｌｅａｒ)」ボタン４１０を押下して、「入力上限値」と「入力下限値」の数値範囲内にある数値が「数値(プロセスパラメータ)入力」エリア４０４に入力されると、「入力確定」ボタン４１１が有効(押下可能)となり、「入力確定」ボタン４１１が押下されると、ＶＰプロセスパラメータの設定値を「数値(プロセスパラメータ)」表示エリア４０４に入力された数値に変更して、ＶＰプロセスパラメータ入力画面４００が終了される。
尚、「入力キャンセル(Ｃａｎｃｅｌ)」ボタン４１２が押下されると、ＶＰプロセスパラメータの設定値の変更なしにＶＰプロセスパラメータ入力画面４００が終了される。
【００８７】
本発明の一実施形態におけるＶＰプロセスパラメータ入力画面４００の図示例を図１２に示す。図１２は、設定変更前のＶＰプロセスパラメータ（例えば、VP_Temp-002）の設定値が２００℃、ＶＰ入力範囲制限パラメータ(温度)の設定値を３０℃に設定された場合の実施例を示す。この際、「入力上限値」表示エリア４０３には、２００＋３０＝２３０℃、「入力下限値」表示エリア４０２には、２００−３０＝１７０℃がそれぞれ表示されているため、入力範囲は１７０〜２３０℃に制限される。ここで、図１１において、「数値(プロセスパラメータ)」表示エリア４０４に２１℃が入力されている。明らかに入力範囲から外れているため、「エラーメッセージ」表示エリア４０１にエラーメッセージとして(Ｕｎｄｅｒ  Ｍｉｎｉｍｕｍ)が表示されている。更に、差異(Ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ)表示エリア４０７には、２１−２００＝−１７９が表示されている。また、「入力確定」ボタンが無効化され、入力不可となっている。従来は、２１℃であっても「入力確定」ボタンが押下されるように構成していたため、極端に設定値が変更されてしまい、ロットアウト(基板の損失)が生じる恐れがあったが、このようなオペレータの設定ミスによるロットアウトを防止することができる。
【００８８】
本発明の一実施形態におけるプロセスパラメータ入力範囲に関して、図１３を用いて説明する。図１２は、パラメータ種別が温度の場合において、プロセスレシピ内の複数のステップにおけるプロセスパラメータの入力範囲を示すものである。具体的には、ＶＰ入力範囲制限パラメータ(温度)の設定値が３０℃であり、ＶＰ設定値としてそれぞれVP_Temp-001が100℃、
VP_Temp-002が200℃、 VP_Temp-003が125℃と設定されていた場合のプロセスパラメータの入力範囲を示す。このように、図１３のように各ステップで異なるＶＰ設定値が予め設定されている場合でも、一括して制限可能に構成されている。尚、同様に各レシピに異なるＶＰ設定値が予め設定されている場合でも、一つの入力制限パラメータに対して、各レシピのＶＰの入力範囲を一括して制限できるようにしても良い。ここで、図１３のようにレシピのステップ数が少ない場合、ＶＰ入力範囲制限パラメータファイルの効果が分かりにくいので補足説明する。本実施の形態において、基板処理装置で実施される基板処理が複雑になればレシピ構成も複雑になり、ステップ数が多く (例えば、約100ステップ) なるが、ＶＰを有効利用することによりレシピの作成(例えば、プロセスパラメータ設定)に費やす時間を短縮することができる。更に、ＶＰ入力範囲制限パラメータにより各ＶＰの設定値を一括して制限することができるため、ＶＰ毎に一つずつパラメータ上下限値を設定する場合と比較して編集作業の無駄が省くことができる。
【００８９】
このように、本実施の形態において、入力範囲制限パラメータが、基準となるプロセスパラメータからの差分を変更可能なパラメータとして有するため、一つのパラメータで有効範囲の異なる複数のレシピ、ステップに対応することも可能となる。つまり、制限パラメータが一つに対して、複数のＶＰ設定値に関して入力制限を実行できるため、ＶＰ毎に設定値変更を行う編集作業の無駄を省くことができる。従い、これに伴い装置の非稼働時間を短縮できるため、結果として装置稼働率の改善が期待できる。
【００９０】
(別の実施形態)
本発明の実施形態において、共通パラメータのうちＶＰ(バリアブルパラメータ)について説明してきたが、これに限定されない。例えば、ＣＰ(コンディションパラメータ)についても、ＶＰと同様に、ＣＰに関して本願発明の入力制限パラメータ及び誤入力禁止機能付編集プログラムを実装することにより、オペレータの設定ミスに起因するロットアウトを防止することができる。
【００９１】
上述したように、本発明に係る処理炉２８の構成では、ウェーハ１８を多数処理するバッチ式装置として構成されているが、これに限らず、ウェーハ１８を一枚毎に処理する枚様式装置に本発明を適用してもよい。
【００９２】
例えば、上述した実施形態では、処理対象となる基板(ウェーハ１８)が半導体ウェーハ基板である場合を例にあげたが、本発明はこれに限定されることなく、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）装置等のガラス基板を処理する基板処理装置にも好適に適用できる。
【００９３】
また例えば、上述した実施形態では、基板処理装置１が行う処理として成膜処理を例にあげたが、本発明がこれに限定されることはない。すなわち、処理としては、酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理であってもよい。また、基板処理の具体的内容は不問であり、成膜処理だけでなく、アニール処理、酸化処理、窒化処理、拡散処理、リソグラフィ処理等の他の基板処理にも好適に適用できる。さらに、本発明は、他の基板処理装置、例えばアニール処理装置、酸化処理装置、窒化処理装置、露光装置、塗布装置、乾燥装置、加熱装置、プラズマを利用した処理装置等の他の基板処理装置にも好適に適用できる。
【００９４】
次に、本発明の好ましい態様を付記する。
【００９５】
［付記１］
本発明の一態様によれば、
複数のステップから構成されるレシピを実行させる指示を受け付ける操作部と、該操作部で受け付けた指示により実行される前記レシピに基づいて基板処理を行うように制御する制御部と、を備えた基板処理装置であって、
前記操作部は、前記レシピを編集及び作成する際に使用するパラメータを編集する編集画面、及び前記パラメータの設定値を受け付ける入力画面を表示する表示部を有し、前記入力画面上で、前記複数のパラメータのうち所定のパラメータにおいて、設定可能な入力範囲を越えた設定値の変更を禁止する基板処理装置が提供される。
【００９６】
［付記２］
更に、前記レシピ及び前記パラメータを規定するファイルを格納する記憶部を備え、好ましくは、
この記憶部に格納されているファイルを実行することにより、所定のパラメータにおける、上限入力値と下限入力値をそれぞれ算出し、上限入力値と下限入力値の間を入力範囲に設定するように構成されている付記１の基板処理装置が提供される。
【００９７】
［付記３］
更に、記憶部は、所定のパラメータの入力範囲を算出するための入力範囲制限パラメータを備え、
好ましくは、この入力範囲制限パラメータに規定された値を利用して上限入力値と下限入力値を算出する付記２の基板処理装置が提供される。
【００９８】
［付記４］
上限入力値は、所定のパラメータの設定値と入力範囲制限パラメータに規定された値との和、下限入力値は、所定のパラメータの設定値と入力範囲制限パラメータに規定された値との差で算出される付記２または付記３の基板処理装置が提供される。
【００９９】
［付記５］
前記入力画面は、上限入力値及び下限入力値の範囲内に設定される入力範囲を表示するように構成されている付記１乃至付記４にいずれかに記載の基板処理装置が提供される。
【０１００】
［付記６］
更に、前記入力画面は、前記編集画面上で選択された所定のパラメータの設定値の変更を確定する確定ボタンを備え、
前記操作部は、前記入力範囲を超えて前記所定のパラメータの設定値が入力された場合、前記確定ボタンを無効にする付記１または付記５の基板処理装置が提供される。
【０１０１】
［付記７］
更に、前記入力画面は、エラーの発生を通知するエラーメッセージ表示部を備え、
前記操作部は、前記入力範囲を超えて前記所定のパラメータの設定値が入力された場合、入力ミスによるエラーの内容に応じて前記エラーメッセージを表示する付記１または付記５の基板処理装置が提供される。
【０１０２】
［付記８］
前記所定のパラメータは、複数のレシピ及び複数のステップに共通するプロセスパラメータを設定するための共通パラメータである付記１の基板処理装置が提供される。
【０１０３】
［付記９］
前記共通パラメータは、バリアブルパラメータ(ＶＰ)またはコンディションパラメータ(ＣＰ)である付記１の基板処理装置が提供される。
【０１０４】
［付記１０］
本発明の他の態様によれば、
複数のステップから構成されるレシピを実行させる指示を受け付ける操作部と、該操作部で受け付けた指示により実行される前記レシピに基づいて基板処理を行うように制御する制御部と、を備えたコントローラであって、
前記操作部は、前記レシピを編集及び作成する際に使用するパラメータを編集する編集画面、及び前記パラメータの設定値を受け付ける入力画面を表示する表示部を有し、前記入力画面上で、前記複数のパラメータのうち所定のパラメータにおいて、設定可能な入力範囲を越えた設定値の入力を禁止するコントローラが提供される。
【０１０５】
［付記１１］
本発明の更に他の態様によれば、
複数のステップから構成されるレシピを前記ステップにパラメータ種別毎にプロセスパラメータを設定して作成する方法であって、
前記プロセスパラメータを編集するレシピ編集画面を表示する工程と、
前記レシピ編集画面上で前記プロセスパラメータを数値及び共通パラメータで設定する工程と、
前記共通パラメータを編集する編集画面を表示する工程と、
前記共通パラメータを選択して、前記共通パラメータの設定値を入力する入力画面を表示する工程と、
前記入力画面上で選択された前記共通パラメータを修正する工程と、
を有するレシピ作成方法が提供される。
【０１０６】
［付記１２］
前記入力画面を表示する工程は、
選択された前記共通パラメータ、及びプロセスパラメータの上下限を設定するための入力範囲制限パラメータを少なくとも読込む初期化工程と、
前記共通パラメータの設定値及び前記入力範囲制限パラメータの設定値から入力上限値および入力下限値を決定する上下限設定工程と、
前記共通パラメータの入力上限値表示エリア及び入力下限値表示エリア、及び前記共通パラメータの設定値が入力される数値表示エリア、前記共通パラメータの設定に必要な各種ボタンを少なくとも表示する画面表示工程と、を有する付記１０のレシピ作成方法。
【０１０７】
［付記１２］
前記共通パラメータを修正する工程は、
各種ボタンのうち数値入力ボタンを押下して前記共通パラメータが入力されると、前記入力上限値と前記入力下限値との範囲内であるかを監視する上下限監視工程と、
各種ボタンのうち入力確定ボタンが押下して、前記選択された前記共通パラメータの設定値を前記数値表示エリアに入力された値に変更して、前記入力画面を終了させるパラメータ編集工程と、を有する付記１０のレシピ作成方法。
【０１０８】
［付記１３］
本発明の更に他の態様によれば、
複数のステップから構成されるレシピを実行させる指示を受け付ける操作部と、
該操作手段で受け付けた指示により実行される前記レシピに基づいて基板処理を行うように制御する制御部と、を備えた基板処理装置の制御方法であって、
前記レシピを編集及び作成する際に使用するパラメータを設定する編集画面を表示し、表示された前記編集画面上で前記パラメータが選択されると、前記パラメータの設定値を受け付ける入力画面を表示し、前記複数のパラメータのうち所定のパラメータにおいて、設定可能な入力範囲を越えた設定値の変更を禁止する基板処理装置の制御方法が提供される。
【０１０９】
［付記１４］
本発明の更に他の態様によれば、
複数のステップから構成されるレシピを作成する編集工程と、前記レシピを実行して基板に膜を形成する処理工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記編集工程では、前記レシピを編集及び作成する際に使用するパラメータを編集する編集画面を表示し、表示された前記編集画面上で前記パラメータが選択されると、前記パラメータの設定値を受け付ける入力画面を表示し、前記複数のパラメータのうち所定のパラメータにおいて、設定可能な入力範囲を越えた設定値の変更を禁止する半導体装置の製造方法が提供される。
【０１１０】
［付記１５］
本発明の更に他の態様によれば、
複数のステップから構成されるレシピを実行させる指示を受け付け、前記レシピに基づいて基板処理を行うように制御する基板処理装置で実行される編集プログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記録媒体であって、
前記レシピを編集及び作成する際に使用するパラメータを編集する編集画面を表示する手順と、表示された前記編集画面上で所定のパラメータが選択されると、前記所定のパラメータの設定値を受け付ける入力画面を表示する手順と、複数のパラメータのうち前記所定のパラメータにおいて、設定可能な入力範囲を越えた設定値の変更を禁止する手順と、を有する編集プログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記録媒体が提供される。
【０１１１】
［付記１６］
前記入力画面を表示する手順は、
選択された前記共通パラメータ、及びプロセスパラメータの上下限を設定するための入力範囲制限パラメータを少なくとも読込む初期化手順と、
前記共通パラメータの設定値及び前記入力範囲制限パラメータの設定値から入力上限値および入力下限値を決定する上下限設定手順と、
前記共通パラメータの入力上限値表示エリア及び入力下限値表示エリア、及び前記共通パラメータの設定値が入力される数値表示エリア、前記共通パラメータの設定に必要な各種ボタンを少なくとも表示する画面表示手順と、
を有する付記１５の編集プログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記録媒体。
【０１１２】
［付記１７］
前記共通パラメータを修正する手順は、
各種ボタンのうち数値入力ボタンを押下して前記共通パラメータが入力されると、前記入力上限値と前記入力下限値との範囲内であるかを監視する上下限監視手順と、
各種ボタンのうち入力確定ボタンが押下して、前記選択された前記共通パラメータの設定値を前記数値表示エリアに入力された値に変更して、前記入力画面を終了させるパラメータ編集手順と、
を有する付記１５の編集プログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記録媒体。
【０１１３】
［付記１８］
本発明の更に他の態様によれば、
複数のステップから構成されるレシピを実行させる指示を受け付け、前記レシピに基づいて基板処理を行うように制御する基板処理装置で実行される編集プログラムであって、
前記レシピを編集及び作成する際に使用するパラメータを編集する編集画面を表示する手順と、表示された前記編集画面上で所定のパラメータが選択されると、前記所定のパラメータの設定値を受け付ける入力画面を表示する手順と、複数のパラメータのうち前記所定のパラメータにおいて、設定可能な入力範囲を越えた設定値の変更を禁止する手順と、を有する編集プログラムが提供される。
【符号の説明】
【０１１４】
１              基板処理装置
１８            ウェーハ(基板)
２０１          主コントローラ(主制御部)
２１８          表示装置(表示部)
２４０          装置コントローラ
３００          ＶＰ編集画面
４００          ＶＰプロセスパラメータ入力画面
４０１          エラーメッセージ表示エリア
４０２          入力下限値表示エリア
４０３          入力上限値表示エリア
４０４          数値(プロセスパラメータ)入力エリア
４０５          ±ボタン
４０６          数値入力ボタン
４０７          差異(ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ)表示エリア
４０８          入力前プロセスパラメータ(ＩｎｉｔＶａｌｕｅ)表示エリア４０８
４１０          数値クリア(Ｃｌｅａｒ)ボタン
４１１          入力確定ボタン
４１２          入力キャンセル(Ｃａｎｃｅｌ)ボタン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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