(57)【要約】【課題】発光素子の光を効率的に発光させ、或いは発光した光を効率的に取り出すためには発光する化合物半導体膜の直下に反射膜を持つ基板構造が有効であり、発光層の至近位置に側面反射板を持つ構造が有効であり、そのベース基板には熱伝導率の良い基板であることが有効である。しかしこの様な反射膜の上に結晶構造の半導体を形成することは一般的にはできない。【解決手段】本発明はＳｉＣ種基板の表層に水素を注入し、表面に反射膜層を設けた基板の表面と、ポリＳｉＣ基板の表面とを貼り合わせ、その後に水素注入層で基板を剥離し、ポリＳｉＣに反射膜層、単結晶ＳｉＣが形成された状態で、Ｓｉによる側面反射体を形成しその内側にＧａＮ系の単結晶化合物半導体を形成した基板を用いる発光素子を特徴とする発明である。【選択図】図６
2014207416.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の単結晶化合物半導体を用いた半導体装置の製造方法であって、
第２の単結晶化合物半導体材料からなる基板の表層に一定の深さの水素を注入し水素注入層を形成し基板側の半導体母材層と表面側の薄い移植層に区分した基板を第１の基板とし或いはその表面に少なくとも一つの第３の材料からなる薄膜層を形成した基板を第１の基板としてその表面と、第４の材料からなる基板を第２の基板として或いはその表面に少なくとも一つの第５材料からなる薄膜層を形成した基板を第２の基板としてその表面とを、貼り合わせる第１の接合工程と、
前記第１接合工程の後に前記第１の基板の単結晶化合物半導体の水素注入層において剥離し、第２の単結晶化合物半導体の母材となる側の基板と、第４の材料からなる第２の基板に表層からみて第２の単結晶化合物半導体の移植層、或いは少なくとも一つの第３の材料からなる薄膜層あるいは少なくとも一つの第５の材料からなる薄膜層とが形成されている基板とを分離する第１の基板分離工程と、
これにより第４の材料からなる第２の基板に表層からみて第２の単結晶化合物半導体の移植層、或いは少なくとも一つの第３の材料からなる薄膜層あるいは少なくとも一つの第５の材料からなる薄膜層とが形成されている基板に、第６の材料からなる薄膜層を形成し側面反射部の形成する側面反射部形成工程と、
第１の単結晶化合物半導体膜からなる素子機能部を形成する素子形成工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法とそれを用いる半導体装置。
【請求項２】
請求項１において第１の基板の分離工程の後、
これにより第４の材料からなる第２の基板に表層からみて第２の単結晶化合物半導体の移植層、或いは少なくとも一つの第３の材料からなる薄膜層あるいは少なくとも一つの第５の材料からなる薄膜層とが形成されている基板に、第１の単結晶化合物半導体膜からなる素子機能部を形成する素子形成工程と、
第６の材料からなる薄膜層を形成し側面反射部の形成する側面反射部形成工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法とそれを用いる半導体装置。
【請求項３】
請求項１において第１の基板の分離工程の後、
第４の材料からなる第２の基板に表層からみて第２の単結晶化合物半導体の移植層、或いは少なくとも一つの第３の材料からなる薄膜層、或いは少なくとも一つの第５の材料からなる薄膜層とが形成されている基板と或いはその基板に少なくとも一つの第８の材料からなる薄膜を形成した基板の表面と、第６の材料からなる基板に基板の表層に一定の深さの水素を注入し水素注入層を形成し基板側の半導体母材層と表面側の薄い移植層に区分した基板を第３の基板として或いはその表面に少なくとも一つの第９の材料からなる薄膜層を形成した基板を第３の基板としてその表面とを貼り合わせる第２の接合と、
前記第２接合工程の後に前記第３の基板の水素注入層において剥離し、第６の材料からなる第３の母材となる側の基板と、第４の材料からなる第２の基板に表層からみて第２の単結晶化合物半導体の移植層、或いは少なくとも一つの第３の材料からなる薄膜層あるいは少なくとも一つの第５の材料からなる薄膜層とが形成されている基板の表層に第６の材料からなる第３の基板の移植層が設けられた状態で分離する第２の基板分離工程と、
前記第６の材料からなる移植層で側面反射部を形成する側面反射部形成工程と、
第１の材料である単結晶化合物半導体膜からなる素子機能部を形成する素子形成工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法とそれを用いる半導体装置。
【請求項４】
請求項１において第１の基板の分離工程の後、
第４の材料からなる第２の基板に表層からみて第２の単結晶化合物半導体の移植層、或いは少なくとも一つの第３の材料からなる薄膜層、或いは少なくとも一つの第５の材料からなる薄膜層とが形成されている基板の表面と或いはその基板に少なくとも一つの第８の材料からなる薄膜を形成した基板の表面と、第６の材料からなる基板に基板の表層に一定の深さにＰＮ接合層を形成し基板側の半導体母材層と表面側の薄い移植層に区分した基板を第３の基板としその表面と或いはその表面に少なくとも一つの第９の材料からなる薄膜層を形成した基板を第３の基板としてその表面とを貼り合わせる第２の接合と、
前記第２接合工程の後に前記第３の基板ＰＮ接合の界面にてエッチング分離して第６の材料からなる第３の母材となる側の基板を除去し、第４の材料からなる第２の基板に表層からみて第２の単結晶化合物半導体の移植層、或いは少なくとも一つの第３の材料からなる薄膜層或いは少なくとも一つの第５の材料からなる薄膜層とが形成されている基板の表層に第６の材料からなる第３の基板の移植層が設けられた状態とする第２の基板分離工程と、
前記第６の材料からなる移植層で側面反射部を形成する側面反射部形成工程と、
第１の材料である単結晶化合物半導体膜からなる素子機能部を形成する素子形成工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法とそれを用いる半導体装置。
【請求項５】
前記第１の単結晶化合物半導体である素子機能部の周辺が少なくとも第６の材料からなる膜により側面反射部となるように設けられている構成とし、前記第１の単結晶化合物半導体である素子機能部の周辺の全て或いは少なくとも一部が第６の材料からなる側面反射部で囲まれている構造を特徴とする請求項１乃至４に記載の半導体装置の構成とその製造方法。
【請求項６】
前記第６の材料はＳｉ材料からなることを特徴とする請求項１乃至５に記載の半導体装置の構成とその製造方法。
【請求項７】
前記第２の化合物半導体材料は単結晶ＳｉＣ基板とすることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体装置の構成とその製造方法。
【請求項８】
前記第２の化合物半導体は第１の単結晶化合物半導体と同族の基板とすることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体装置の構成とその製造方法。
【請求項９】
前記第２基板となる第４の材料は、ポリＳｉＣであることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第２基板となる第４の材料は、Ｓｉであることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の単結晶化合物半導体はＧａＮあるいはＧａＡｌＮ或いはＧａＮ系の半導体であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の半導体装置の構成とその製造方法。
【請求項１２】
前記第３の材料或いは第５の材料の少なくとも一方が光学反射膜材料であること特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の半導体装置の構成とその製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】本発明は化合物半導体の基板構造とその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】  ＧａＮなどの単結晶化合物半導体を用いてその薄膜層に素子機能部を作り込み、発光素子とする発光ダイオードが普及してきている。従来のＬＥＤは図１−１に示すような構造を有している。ＧａＡｌＮなどよりなる発光素子をパッケージ基板上に実装してボンディングポストへのワイヤのボンディングを通して電極を取り出し、発光した紫外光を蛍光体にあてて波長の長い光を励起する構造である。（特許文献１）。【０００３】  図１−１において１は発光素子を実装するパッケージの基板、２はパッケージから外部へ電極を取り出すリード、３はカバーガラス、４は発光素子でありその平面図を図１−２、断面図を図１−３に示す。５はボンディグワイア、６は蛍光体であり発光素子から放出される波長の短い光で励起されて波長の長い光を発光するものである。この光はカバーガラス３を経て外部に放出される。２０は光を集光方向へ向けるための反射板である。【０００４】  図１−２において７はサファイア基板９の上に形成されたＧａＡｌＮなどよりなる半導体を示し、８はその半導体のＰ型半導体層とＮ型半導体層の境界を示す。１０はＮ型半導体層、１１はＰ型半導体層を示し、１２、１３はそれぞれＮ型半導体層のボンディングパッド部、Ｐ型半導体層のボンディングパッド部を示す。【０００５】  図１−３は図１−２のＸ−Ｘ｀の断面図を示す。９はサファイア基板、１０はＮ型半導体層であり、１２はその電極を示す。１６は半導体の活性層であり、１１はＰ型半導体層であり、１３はその電極を示す。１８は活性層１６を中心としてＮ型半導体１０、Ｐ型半導体１１からなる発光部である。１９はサファイア基板の裏面に設けられた銀やニッケルからなる裏面反射膜である。【０００６】  発光素子の光はカバーガラス３の方向である集光方向、反対方向、直角方向に発光されるが、集光方向の光はそのまま集光方向へ集まり、反対方向の光はサファイア基板の裏面の反射膜層で反射されて集光方向に集まる。集光方向と直角方向の光の多くは減衰してその残りである一部の光をパッケージの側面などを傾斜させて集光方向に反射させることにより利用されている。より具体的には、集光方向の光はそのまま集光方向である表面方向に放出される。Ａにより示している。側面方向の光Ｂは活性層１６の側面から素子外部に出て、反射板２０により集光方向へ向けられる。しかし、光が素子から外部へ出るときに端面にて散乱され一部の光だけ反射板に至るのでその他の光は素子内にとどまる。集光方向と反対方向の光は裏面反射膜１９で反射され集光方向に集まる。Ｃでその様子を示す。しかし光の方向によっては反射膜層１９と電極１３による反射とを繰り返しサファイア層を往復するためにその間の減衰してしまう。【０００７】  このように、発光する光のうち一部しか表面を通して集光方向へ集められない。この様な現象を排除するには、側面方向の光は発光層の至近位置にて反射させることが望ましいが、発光層の至近位置に一定角度の反射板を設けることは容易ではない。集光方向と反対方向の光についてはサファイア基板の裏面での反射ではなくサファイアの表面側すなわちサファイアと半導体層の界面に反射層があることが理想である。しかし、現実的にはサファイア基板の上に形成し、発光素子半導体の下地となる反射特性を有する光学薄膜を形成することは容易ではない。【０００８】  サイファイア基板はその基板の上にＧａＡｌＮ層を形成するには格子定数が近くで適しており、ある程度の透明度があるために基板として実用化がされている。一方で熱伝導率は４２ｗ／ｍ・ｋ程度と低く、発光層で発光時に発生する熱を基板に伝える能力が低い。結果として、半導体層の温度が１５０℃を大幅に超えてしまう。この高温度になることにより、発光効率は減少し、素子寿命に重大な影響があり、この温度によりパッケージ材料選択の制約要因にもなっている。これらの理由からサファイアに代わる熱伝導率の良い基板が必要な背景がある。【０００９】  白色発光ダイオードは、白熱電球の代替としてその普及が進んでいるが、輝度向上、発光効率の向上するために多くの課題を残している。【００１０】
【特許文献１】  特開平１０−９３１４６号公報  特願２００８−３３６２５１  特願２００９−２４２５６  特願２００９−２６８０５１  特願２０１０−５４４１９７  特願２０１０−５４４１９８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】  本発明は、この様な事情に鑑みなされたものである。従来技術ではＧａＡｌＮなどの結晶構造を持つ化合物半導体において機能素子部はその薄膜層において形成され、格子定数が化合物半導体と近いサファイア基板の上に形成されてきた。本発明は、熱伝導率の悪いサファイア基板の代わりに熱伝導率の良いベース基板の上に反射膜層、単結晶層を形成する発明であり、ベース基板として熱伝導率がサファイアと比べて格段に大きな材料を選定出来るようにする発明である。具体的には、熱伝導率の良い基板を用いること、反射膜層を化合物半導体層から至近距離に設けて基板中における減衰を減らすこと、これによりベース基板としては透明度が不必要になりベース基板として熱伝導率が良い基板を選択することが可能になる点にある。【００１２】  これらのことを可能にする本発明の新規点は、熱伝導率良いベース基板の上に反射膜層を形成し、その上に単結晶ＳｉＣ膜や単結晶ＧａＮ膜を形成して、その上にＧａＡｌＮなどの半導体膜からなる発光層を設ける構造のものである。これまでのベース基板となるサファイア基板に発光層を形成した構造と比べて、発光層で発生する熱は、熱伝導度の良い基板を通じてパッケージに逃げ、更には外部に排出される。これにより、素子の接合部温度の上昇を抑え、発光効率が悪くなることを抑制することができる。【００１３】  また、発光した光のうち、下面方向の光は反射層において速やかに反射され集光方向に集められる。横方向の光は、素子表面に設けられる側面鏡を用いて集光方向へ集められる。これは、活性層において発光する光のうち、表面方向、すなわち集光方向の光はそのまま放出して、反対方向の光、すなわち裏面方向への光はＧａＡｌＮ膜の直下の反射膜層で反射させ、集光方向へ集める。側面方向の光はＧａＡｌＮ層の側面方向の至近位置に傾斜した反射層を設けて、集光方向に集めることを可能にする発明である。【００１４】  このような着想に基づく発明を具現化する具体的な形態を図２−１、図２−２、図２−３において示す。図２−１は素子の断面図であり、発光部１８の周辺に側面反射膜２２を設け、電極は発光部１８の外にＰ電極１３、Ｎ電極１２を設けられている。これらがベース基板２９の上に形成されている。Ｐ電極を発光部１８の内部に設け、Ｎ層電極を裏面から取ることにより電極領域が節減できるが、Ｐ型電極を発光層の上に設けるとそれが遮蔽部となり光の取り出し効率を低減せしめ発光効率を減らしてしまうためこの事例では発光層以外の部分に電極を設けている。また、ベース基板２９が導電性を確保できることが出来る場合にはＮ電極を裏面に設けることも可能であるが、裏面の電極形成が必要とされるためこの事例では表面に設けている。これらの選択は総合的に得失を考慮して決めることができる。図２−２に図２−１のｙ−ｙ‘線での断面図を示す。熱伝導性の良いベース基板２９の上に発光素子部が形成されており、ベース基板の熱伝導度が良いために素子部の温度上昇が避けられる構造である。図２−３に図２−１のｘ−ｘ’線での断面図を示す。発光部１８にて発光する光の光路を示す。集光方向である表面に向けての光はそのまま放出され、側面方向の光は、発光層の側面近傍に設けられた���側面反射膜２２において集光方向に向けられる。反対方向の光は、ベース基板２９と発光部１８との間に設けてある光学薄膜などによる反射部層５５において反射され、集光方向に集められる。この反射部層をベース基板２９と発光部１８との界面に設けることにより、ベース基板は透明である必要はなく、熱伝導度の良い基板を使用することができる。このような構成はベース基板として熱伝導度の良い基板を採用したいこと、及び集光の効率を上げたいというニーズに応える本発明の着想である。このようにして新規点であり課題となるのは熱伝導の良いベース基板と発光層形成に必要な結晶性の良い半導体層との間に反射率の良い反射部層を設ける手法の開発及び側面反射部の形成方法の開発にある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】１．  第１の単結晶化合物半導体を用いた半導体装置の製造方法であって、
第２の単結晶化合物半導体材料からなる基板の表層に一定の深さの水素を注入し水素注入層を形成し基板側の半導体母材層と表面側の薄い移植層に区分した基板を第１の基板とし或いはその表面に少なくとも一つの第３の材料からなる薄膜層を形成した基板を第１の基板としてその表面と、第４の材料からなる基板を第２の基板として或いはその表面に少なくとも一つの第５材料からなる薄膜層を形成した基板を第２の基板としてその表面とを、貼り合わせる第１の接合工程と、
前記第１接合工程の後に前記第１の基板の単結晶化合物半導体の水素注入層において剥離し、第２の単結晶化合物半導体の母材となる側の基板と、第４の材料からなる第２の基板に表層からみて第２の単結晶化合物半導体の移植層、或いは少なくとも一つの第３の材料からなる薄膜層あるいは少なくとも一つの第５の材料からなる薄膜層とが形成されている基板とを分離する第１の基板分離工程と、
これにより第４の材料からなる第２の基板に表層からみて第２の単結晶化合物半導体の移植層、或いは少なくとも一つの第３の材料からなる薄膜層あるいは少なくとも一つの第５の材料からなる薄膜層とが形成されている基板に、第６の材料からなる薄膜層を形成し側面反射部の形成する側面反射部形成工程と、
第１の単結晶化合物半導体膜からなる素子機能部を形成する素子形成工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法とそれを用いる半導体装置。
２．  上記項１において第１の基板の分離工程の後、
これにより第４の材料からなる第２の基板に表層からみて第２の単結晶化合物半導体の移植層、或いは少なくとも一つの第３の材料からなる薄膜層あるいは少なくとも一つの第５の材料からなる薄膜層とが形成されている基板に、第１の単結晶化合物半導体膜からなる素子機能部を形成する素子形成工程と、
第６の材料からなる薄膜層を形成し側面反射部の形成する側面反射部形成工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法とそれを用いる半導体装置。
３．  上記項１において第１の基板の分離工程の後、
第４の材料からなる第２の基板に表層からみて第２の単結晶化合物半導体の移植層、或いは少なくとも一つの第３の材料からなる薄膜層、或いは少なくとも一つの第５の材料からなる薄膜層とが形成されている基板と或いはその基板に少なくとも一つの第８の材料からなる薄膜を形成した基板の表面と、第６の材料からなる基板に基板の表層に一定の深さの水素を注入し水素注入層を形成し基板側の半導体母材層と表面側の薄い移植層に区分した基板を第３の基板として或いはその表面に少なくとも一つの第９の材料からなる薄膜層を形成した基板を第３の基板としてその表面とを貼り合わせる第２の接合と、
前記第２接合工程の後に前記第３の基板の水素注入層において剥離し、第６の材料からなる第３の母材となる側の基板と、第４の材料からなる第２の基板に表層からみて第２の単結晶化合物半導体の移植層、或いは少なくとも一つの第３の材料からなる薄膜層あるいは少なくとも一つの第５の材料からなる薄膜層とが形成されている基板の表層に第６の材料からなる第３の基板の移植層が設けられた状態で分離する第２の基板分離工程と、
前記第６の材料からなる移植層で側面反射部を形成する側面反射部形成工程と、
第１の材料である単結晶化合物半導体膜からなる素子機能部を形成する素子形成工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法とそれを用いる半導体装置。
４．  上記項１において第１の基板の分離工程の後、
第４の材料からなる第２の基板に表層からみて第２の単結晶化合物半導体の移植層、或いは少なくとも一つの第３の材料からなる薄膜層、或いは少なくとも一つの第５の材料からなる薄膜層とが形成されている基板と或いはその基板に少なくとも一つの第８の材料からなる薄膜を形成した基板の表面と、第６の材料からなる基板に基板の表層に一定の深さにＰＮ接合層を形成し基板側の半導体母材層と表面側の薄い移植層に区分した基板を第３の基板としその表面と或いはその表面に少なくとも一つの第９の材料からなる薄膜層を形成した基板を第３の基板としてその表面とを貼り合わせる第２の接合と、
前記第２接合工程の後に前記第３の基板ＰＮ接合の界面にてエッチング分離して第６の材料からなる第３の母材となる側の基板を除去し、第４の材料からなる第２の基板に表層からみて第２の単結晶化合物半導体の移植層、或いは少なくとも一つの第３の材料からなる薄膜層あるいは少なくとも一つの第５の材料からなる薄膜層とが形成されている基板の表層に第６の材料からなる第３の基板の移植層が設けられた状態とする第２の基板分離工程と、
前記第６の材料からなる移植層で側面反射部を形成する側面反射部形成工程と、
第１の材料である単結晶化合物半導体膜からなる素子機能部を形成する素子形成工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法とそれを用いる半導体装置。
５．  前記第１の単結晶化合物半導体である素子機能部の周辺が少なくとも第６の材料からなる膜により側面反射部となるように設けられている構成とし、前記第１の単結晶化合物半導体である素子機能部の周辺の全て或いは少なくとも一部が第６の材料からなる側面反射部で囲まれている構造を特徴とする上記項１乃至４に記載の半導体装置の構成とその製造方法。
６．  前記第６の層はＳｉ材料からなることを特徴とする上記項１乃至５に記載の半導体装置の構成とその製造方法。
７．  前記第２の化合物半導体は単結晶ＳｉＣ基板とすることを特徴とする上記項１乃至６のいずれかに記載の半導体装置の構成とその製造方法。
８．  前記第２の化合物半導体は第１の単結晶化合物半導体と同族の基板とすることを特徴とする上記項１乃至７のいずれかに記載の半導体装置の構成とその製造方法。
９．  前記第３の基板はポリＳｉＣであることを特徴とする上記項１乃至８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
１０．  前記第１の単結晶化合物半導体はＧａＮあるいはＧａＡｌＮ或いはＧａＮ系の半導体であることを特徴とする上記項１乃至９のいずれかに記載の半導体装置の構成とその製造方法。
１１．  前記第１の第３の材料或いは第５の材料の少なくとも一方が光学反射膜材料であること特徴とする上記項１乃至１０のいずれかに記載の半導体装置の構成とその製造方法。
【発明の効果】
【００１６】  発光ダイオードの発光効率の向上は省エネを更に定着させるために必須の案件である。高出力の発光ダイオードの発熱を抑制するために、本発明は発光層で発光される光を出来るだけ効率よく発光させるために発光層の温度上昇を最小限にして発光効率を上昇させることが可能となり、また、反射膜層を発光層の近傍に設けることにより集光効率を上げ、これらにより、発光効率の良い、発光ダイオードを実現することが可能になる。【００１７】  本発明による基板では、ベース基板に熱伝導性を良くし、このベース基板と表面の化合物半導体との間の反射膜層を金属とする場合には電気的な遮蔽性を上げられるために、高周波素子用途の基板としても有効である。例えば、ミリ波用の化合物半導体素子の高放熱基板として使用することが出来る。その他、応用範囲が広い発明である。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】  従来の発光ダイオードの構造を示す断面図
【図２】  本発明による発光ダイオードの構造を実現する断面図
【図３】  本発明による基板の作成方法
【図４】  本発明の基板による素子の作成方法
【図５】  本発明の基板による別の素子の作成方法
【図６】  本発明による発光素子の特性説明図
【図７】  本発明による別の基板の作成方法
【図８】  本発明による別の素子の作成方法
【図９】  本発明による別の基板の作成方法
【図１０】  本発明による別の基板の発光素子の特性説明図
【図１１】  本発明による別の基板の作成方法
【図１２】  本発明による別の基板の作成方法
【図１３】  本発明による別の基板の作成方法
【発明を実施するための形態】
【００１９】  図３においてベース基板として安価で熱伝導率の良いポリＳｉＣ基板を用い、側面反射板としてＳｉ層を形成する本発明の基板の作成方法を示す。ポリＳｉＣの熱伝導率は３００〜４００Ｗ／ｍ・ｋでありサファイア基板のそれと比べると７倍から１０倍と大きく放熱の効果が大きい。また、側面反射板としてＳｉを用いることは斜め面の加工が容易であり理想の側面反射板を形成することが出来るためである。
【００２０】  図３−１はベース基板として使用するポリＳｉＣ基板３０を示す。大きさは直径６インチ、厚さは２００μｍである。この基板にＳｉ薄膜４６が形成されている。図３−２において、種基板となる種単結晶ＳｉＣ基板４０は直径６インチ、厚さ５００μｍであり、表層にＨ注入層４１が水素のイオン注入により形成されている。このＨ注入層４１は、後に貼り合せをして、高温度で熱処理することにより剥離される界面となる層である。水素注入層の表面側の薄い層が移植ＳｉＣ層４２であり、０．５μｍの厚さである。図３−３は図３−２の状態に、光学薄膜などによる反射膜層４３を１μｍ厚成長させ、最表面にシリコン酸化膜であるＳｉＯ２膜４４を０．１μｍ形成したものである。図３−４は図３−３の基板の表面であるＳｉＯ２膜と、図３−１の基板の表面であるＳｉ薄膜とを表面活性化処理して貼り合わせたものである。シリコン酸化膜ＳｉＯ２とＳｉとの界面の貼り合わせは、フッ酸などの表面活性化処理により容易に活性化を行うことができ、安価な設備で貼り合わせが可能となる手法である。室温での貼り合わせの後に  数百℃の熱処理により、貼り合わせを強固なものにすることが出来る。図３−５は、図３−４において貼り合わせた基板を約１０００℃に温度を上昇させることにより、Ｈ注入層４１にて剥離した状態を示す。ポリＳｉＣ基板３０にＳｉ薄膜４６、ＳｉＯ２膜４４、反射膜層４３、移植ＳｉＣ層４２が形成された状態を示す。図３−６は、図３−５の基板の表面を研磨して、Ｓｉ層４５を２μｍの厚さに成長させた状態を示す。このＳｉ層４５が以降の側面反射部となる。図３−７は図３−６と同じ図であり、図４における素子工程の説明を容易にするための図である。Ｓｉ薄膜４６、極薄いＳｉＯ２層４４、反射膜層４３、移植ＳｉＣ層４２を反射部層５５と称することとする。
【００２１】図４において図３にて形成した基板を用いて反射部付き発光層を形成す工程を示す。図４−１はフォトレジストを全面に塗布して、露光、硬化、フォトレジストエッチング等を経て必要部分だけを残した状態で必要部分のフォトレジスト６０を示している。図４−２は、Ｓｉ層４５をエッチング後、フォトレジストを除去し、再度フォトレジストを形成した状態でテ−パエッチングするためのフォトレジスト６０と下地の保護のためのフォトレジスト５８を示している。破線はテ−パエッチライン５９を示しておりテ−パエッチング後の側面反射部の予測される傾斜を示している。図４−３はこの状態でＳｉ層をエッチングすることにより側面を約４５度に傾斜させたものである。エッチング速度が無方向性の場合には、公知のテ−パエッチングを行い、Ｓｉの面方位が（１００）面であればＫＯＨなどの方向依存性のあるエッチングを行うことが出来る。図４−３においてフォトレジスト６０、フォトレジスト５８を除去すれば側面反射部が完成した状態である。図４−４は全面にＮ型ＧａＡｌＮ層５０、活性層５１、Ｐ型ＧａＡｌＮ層５２からなる発光部層５６を全面に形成して、必要部をフォトリソグラフィー工程で形成した状態を示す。図４−５はこの状態で、側面反射用の反射膜層を全面に形成して、必要部をフォトリソグラフィー工程で形成した状態を示す。側面反射膜２２がそれを示している。図４−６はこの状態で全面にＳｉＯ２絶縁膜６２を形成しコンタクトとして必要部分であるＰ型ＧａＡｌＮ部などをフォトリソグラフィーにより開口部を形成し、その後全面に導電性のある酸化インジウムスズ（以降ＩＴＯ膜と称する）を全面に形成し、その後フォトリソグラフィー工程で必要部分のＩＴＯ膜を形成した状態を示す。Ｐ型ＧａＡｌＮの電極はＩＴＯ膜を介して横方向に取り出される。図４−７はＰ型電極層となるＰ電極１３を導体であるＩＴＯ膜の上に形成した状態を表す。ボンデングパッドとなるアルミ薄膜を蒸着しフォトリソグラフィー技術により必要部を形成した状態を示している。これは図２−１のｙ−ｙ‘断面図に相当する部分である。発光部層５６の表層であるＰ型ＧａＡｌＮ膜５２からは透明導体であるＩＴＯ膜６１を介してＰ電極１３へ接続されている。ＩＴＯを電気伝導度は小さいので実際の表面レイアウトは電気伝導性の良いアルミ薄膜を出来るだけ多くして抵抗分を小さくする必要がある。図４−８はＮ電極が反射膜層に形成されている様子を示す。図２−１のｘ−ｘ’断面図に相当する部分である。発光部層５６の下面のＮ型ＧａＡｌＮ膜５０は反射膜層４３と移植ＳｉＣ層４２からなる反射部層５５によりＮ電極１２と電気的に接続されている。
【００２２】図４−５において、反射部層５５と側面反射部２１の底面とその間の面も位置が同じであるため側面反射部２１の上に形成する側面反射膜はそのすそ野の部分で反射膜の厚みの分だけ斜面が確保できにくくなる。エッチングによりすそ野の端面に傾斜を持たせることはできるが理想形ではない。この是正をするには、発光部層５６の底面と側面反射部２１の底面との間の部分を一段と低くすることが好ましい。この為の手順を以下の図５において示す。
【００２３】図５は図４と、発光部層５６の底面部と側面反射部２１の底面との間の部分を除いて同じである。すなわちこの間において発光層底面部８４が一段と深い発光層底面深堀部８５となっている点である。図５−１から図５−３までは、図４と同じである。図５−４において、発光部層５６のエッチング後に、その下の膜である反射部層５５の一部をエッチングして、発光部層５６の底面と側面反射部２１の底面との間の位置を反射膜厚と同程度低くして発光部底面深堀部８５を形成している様子を示している。図５−５は図５−４の状態で側面反射膜２２を形成した状態を示しており、発光部層５６の底面より低い位置までテ−パが確保されている様子を示す。図５−６以降は図４−６以降と同様である。
【００２４】図６−１は、図５−７と同じであり、詳細構造図にもとづき機能を説明する。図２−１或いは図６−３のｙ−ｙ‘の断面図に相当する図である。活性層５１において発光される光のうち、表面方向の光は、ＩＴＯ膜を通過して集光方向である表面へ向かう。Ａに相当する光である。活性層５１に沿った横方向の光は、概ね４５度の角度を有する側面反射膜２２において集光方向へ向けられる。Ｂに相当する光である。裏面方向へ向かう光は反射部層５５の表層である反射膜層４３にて反射され、集光方向に向かう。Ｃに相当する光である。図６−２は図２−１のｘ−ｘ’の断面に相当する図である。図６−３は、素子の平面図を示しており図２−１に相当するものである。
【００２５】図４−３においてＳｉ面方位が（１００）の時にはＫＯＨエッチングにより５４度の角度が確保できるということに言及したが、その基板の形成方法を以下において示す。
【００２６】図７−１はベース基板として使用するポリＳｉＣ基板３０を示す。大きさは直径６インチ、厚さは２００μｍである。この基板にＳｉ薄膜４６が形成されている。図７−２は、種基板となる種ＳｉＣ基板４０、直径は６インチであり厚さは５００μｍであり、表層に水素層がイオン注入により形成されている。このＨ注入層４１は、後に貼り合せし、高温度で熱処理することにより剥離させる界面となる層である。水素注入層の表面側の薄い層が移植ＳｉＣ層４２であり、０．５μｍの厚さである。図７−３は図７−２の状態に、反射膜層４３を１μｍの厚さで形成し、最表面にＳｉＯ２膜４４を０．１μｍ形成したものである。図７−４は図７−３の基板のＳｉＯ２表面と、図７−１のポリＳｉＣ基板３０のＳｉ表面とを表面活性化処理をして貼り合わせたものである。シリコン酸化膜ＳｉＯ２とＳｉとの界面の貼り合わせは、フッ酸などの表面活性化処理により容易に活性化を行うことができ、安価な設備で貼り合わせが可能となる手法である。その後の熱処理により、貼り合わせを強固なものにすることが出来る。図７−５は、図７−４において貼り合わせた基板を約１０００℃に温度を上昇させることにより、Ｈ注入層４１の界面にて剥離をした状態を示す。ポリＳｉＣ基板３０にＳｉ薄膜４６、ＳｉＯ２膜４４、反射膜層４３、単結晶ＳｉＣの移植ＳｉＣ層４２が形成された状態を示す。図７−６は、６インチ、５００μｍ厚の面方位（１００）の単結晶Ｓｉ基板である種Ｓｉ基板７０の表層に水素層がイオン注入により形成されている。このＨ注入層７１は、後に貼り合せし、高温度で熱処理することにより剥離させる界面となる層である。水素注入層の表面側の薄い層が移植Ｓｉ層７２であり、２μｍの厚さである。図７−７は図７−５の状態の移植ＳｉＣ層４２の表面と図７−６の状態の移植Ｓｉ層７２の表面とを貼り合せたものである。Ｓｉを介する貼り合わせは、プラズマ処理やイオン照射などの表面活性化処理により容易に活性化を行うことができ、活性化の後に真空中で貼り合わせが可能となる手法である。図７−８は図７−７で貼り合せ状態において数百℃の高温状態とすることにより水素注入層７１でＳｉ基板の剥離を行った状態を示している。図３−６と同じ構造であり、その後は図４、図５に示した手順で素子を作成することが出来る。
【００２７】図７−７において、貼り合わせは移植Ｓｉ層７２のＳｉ面と移植ＳｉＣ４２のＳｉＣ面で行った事例を示したが、図７−５の後に表面にＳｉＯ２膜４４を形成し、この面と図７−６の移植Ｓｉ面との貼り合わせを行えば、貼り合わせはＳｉ−ＳｉＯ２界面の貼り合わせとなり活性化は簡素になる。この場合、Ｓｉ層を用いて側面反射部２１を形成した後に、移植ＳｉＣ層上にあるＳｉＯ２膜は発光部層５６の形成前にエッチング除去しておく必要がある。
【００２８】図７−８と図３−６の主な違いは図６においてはＳｉは（１００）面の単結晶を用いているので、図４においてテ−パエッチングの代わりに水酸化カリウム液（ＫＯＨ）により５４度のテ−パエッチングが可能となる点である。これにより、結晶方位で決まる再現性の良いテ−パ角度を実現できる点にある。その他は全く同様であり、説明は省略する。
【００２９】図４、図５はＳｉ層を先に形成して、後に発光層５６を形成する工程図を示したが、この順序は逆でも同様な素子構成とすることが出来る。すなわち、図３の基板工程において図３−５の移植ＳｉＣ層４２の形成後に発光層を形成する手順である。移植ＳｉＣ層４２、反射膜層４３、ＳｉＯ２層４４、Ｓｉ薄膜４６を反射部層５５と称し以下の図において素子工程の手順を示す。
【００３０】図８において、基板は図３−５に示す状態を使用する。すなわち、移植ＳｉＣ層４２、反射膜層４３、ＳｉＯ２膜４４からなる反射部層５５がポリＳｉＣ基板３０の上に形成されている状態を基板とする。図８−１は反射部層５５に発光層５６を形成し、必要部分をフォトリソグラフィーで残した状態を示す。図８−２は図８−１の状態で全面にＳｉ層を形成し必要部のＳｉ層４５を残した状態を示す。図８−３はこの状態において側壁形成用のフォトレジスト６０とフォトレジスト（保護部）５８を形成した状態を示す。図８−４はフォトレジストをマスクにテ−パエッチングをした状態を示す。この図８−４以降は図３−４と同様であり説明は省略する。
【００３１】図３，７はベース基板と種基板の貼り合わせをＳｉＯ２を介して貼り合わせる事例を示した。この貼り合わせはＳｉＯ２を介在させることにより容易に貼り合わせが出来ること公知の事実である。しかし、ＳｉＯ２が絶縁物であるため導電性が必要な基板が必要な場合には適用できない。Ｎ電極を裏面にするような必要性がある場合には絶縁膜ではなく導電性のある材料を介在させる必要がある。図９においてＳｉ膜を介在させる事例を示す。
【００３２】  図９−１はベース基板として使用するポリＳｉＣ基板３０を示す。大きさは直径６インチ、厚さは２００μｍである。図９−２は、種基板となる種ＳｉＣ基板４０、直径は６インチであり厚さは５００μｍであり、表層に水素層がイオン注入により形成されている。このＨ注入層４１は、後に貼り合せし、高温度で熱処理することにより剥離させる界面となる層である。水素注入層の表面側の薄い層が移植ＳｉＣ層４２であり、０．５μｍの厚さである。図９−３は図９−２の状態に、反射膜層４３を１μｍの厚さで形成し、最表面にＳｉ膜４６を０．１μｍ形成したものである。図９−４は図９−３の基板に、図９−１のポリＳｉＣ基板３０の表面を表面活性化処理をして貼り合わせたものである。Ｓｉを介する貼り合わせは、プラズマ処理やイオン照射などの表面活性化処理により容易に活性化を行うことができ、活性化の後に真空中で貼り合わせが可能となる手法である。その後の熱処理により、貼り合わせを強固なものにすることが出来る。図９−５は、図９−４において貼り合わせた基板を約１０００℃に温度を上昇させることにより、Ｈ注入層４１の界面にて剥離をした状態を示す。ポリＳｉＣ基板３０に極薄のＳｉ薄膜４６、反射膜層４３、単結晶ＳｉＣの移植ＳｉＣ層４２が形成された状態を示す。図９−６は、図９−５の基板に、Ｓｉ層４５を形成した状態を示す。図９−７は図９−６と同じであるがが、この基板を用いる後の素子形成の説明を容易にするために、Ｓｉ膜４６、反射膜層４３、移植ＳｉＣ層４２を反射部層５５と称することとして、表記を簡素化したものである。この図の構成は、図３−７とほぼ同様な構成である。従って、その後の素子形成は図４、図５と同様であり説明を省略する。
【００３３】  図１０−１は、図９により作成した基板を用いて形成した素子の断面図であり、この詳細構造図にもとづき機能を説明する。図２−１のｙ−ｙ‘、或いは図１０−３の断面図に相当する図である。活性層５１において発光される光のうち、表面方向の光は、ＩＴＯ膜６１を通過して集光方向である表面へ向かう。Ａに相当する光である。活性層５１に沿った横方向の光は、概ね４５度の角度を有する側面反射膜２２において集光方向へ向けられる。Ｂに相当する光である。裏面方向へ向かう光は反射部層５５の表層である反射膜層４３にて反射され集光方向に向かう。Ｃに相当する光である。図１０−２は図２−１のｘ−ｘ’の断面に相当する図である。縦方向に電流が流れるために、Ｎ型電極として裏面にＮ型裏面６３を有することが出来る。図１０−３は、素子の平面図を示しており図２−１に相当するものである。このように図１０はベース基板と種基板との貼り合わせをＳｉを介して貼り合わせる事例を示し、Ｎ電極を裏面にすることが可能である。
【００３４】  図９においては、Ｓｉ層４５を先に形成して、後に発光層５６を形成する手順を示したが、図９−５の基板状態で、先に発光層５６を形成して、その後にＳｉ層４６を形成することも可能である。図８と類似の工程なるので説明は省略する。
【００３５】  図３，７、９においては、種ＳｉＣ基板にＨ注入層を形成した後に反射膜層を形成し、ポリＳｉＣ基板との貼り合わせを行ったが、反射膜層は、ベース基板であるポリＳｉＣ基板に形成し、Ｈ注入層を形成した種ＳｉＣと貼り合わせることも可能である。以下図１１、図１２に示す。
【００３６】  図１１はこの構成による基板の作成方法である。貼り合せの時の活性化を容易にするためにＳｉ面とＳｉＯ２面との間で貼り合わせる事例である。図１１−１は、種基板となる種ＳｉＣ基板４０、直径は６インチであり厚さは５００μｍであり、表層にＨ注入層４１が水素イオン注入により形成されている。このＨ注入層は、後に貼り合せし、高温度で熱処理することにより剥離させる界面となる層である。水素注入層の表面側の薄い層が移植ＳｉＣ層４２であり、０．５μｍの厚さである。図１１−２は図１１−１の表層にＳｉ薄膜４６を形成した状態である。図１１−３はベース基板となるポリＳｉＣ基板に反射膜層４３を２μｍ厚に形成し，さらにＳｉＯ２膜４４を０．１μｍの厚さで形成した状態である。図１１−４は、図１１−２の基板の表面と図１１−３の基板の表面を表面活性化処理して貼り合わせたものである。ＳｉＯ２とＳｉ面の貼り合わせは、フッ酸などの表面活性化処理により容易に活性化を行うことができ、安価な設備で貼り合わせが可能となる手法である。室温での貼り合わせの後に  数百℃の熱処理により、貼り合わせを強固なものにすることが出来る。図１１−５は、図１１−４において貼り合わせた基板を約１０００℃に温度を上昇させることにより、Ｈ注入層４１の界面にて剥離をした状態を示す。ポリＳｉＣ基板３０に反射膜層４３、シリコン酸化膜ＳｉＯ２  ４４、シリコンＳｉ薄膜４６、ＳｉＣ単結晶の移植ＳｉＣ層４２が形成された状態を示す。図１１−６は、図１１−５の基板に、Ｓｉ膜４５を形成した状態を示す。図１１−７は図１１−６と同じであるがが、この基板を用いる後の素子形成の説明を容易にするために、反射膜層４３、ＳｉＯ２層４４、Ｓｉ薄膜４６、ＳｉＣ層４２を反射部層５５と称することとして、表記を簡素化したものである。
【００３７】  図１１で作成した基板を用いる素子の工程図は図４，５に示すものと同様である。
【００３８】図１１はベース基板であるポリＳｉＣ側に反射膜層を形成した場合で、ＳｉＯ２とＳｉ面を貼り合わせる事例を示したが、ＳｉＯ２が介在するため縦方向には絶縁状態となる。裏面を使う場合で、ポリＳｉＣ側に反射層を形成する場合を以下の図１２において示す。
【００３９】  図１２は縦方向に電流を流す場合の基板作成の事例である。図１２−１は、種基板となる種ＳｉＣ基板４０、直径は６インチであり厚さは５００μｍであり、表層にＨ注入層４１が水素イオン注入により形成されている。このイオン注入層は、後に貼り合せし、高温度で熱処理することにより剥離させる界面となる層である。Ｈ注入層４１の表面側の薄い層が移植ＳｉＣ層４２であり、０．５μｍの厚さである。図１２−２はベース基板となるポリＳｉＣ基板３０に反射膜層４３を１μｍ厚で成長させ、シリコンからなるＳｉ膜４６を０．５μｍを形成した状態である。図１２−３は図１２−１の基板の表面と図１２−２の基板の表面を表面活性化処理をして貼り合わせたものである。Ｓｉ面とＳｉＣ面との貼り合わせは、プラズマ処理やイオン照射などの表面活性化処理により容易に活性化を行うことができ、活性化の後に真空中で貼り合わせが可能となる手法である。その後の熱処理により、貼り合わせを強固なものにすることが出来る。図１２−４は、図１２−３において貼り合わせた基板を約１０００℃に温度を上昇させることにより、水素層の界面にて剥離をした状態を示す。ポリＳｉＣ基板３０に反射膜層４３、Ｓｉ膜４６、単結晶の移植ＳｉＣ層４２が形成された状態を示す。図１２−５は６インチ、５００μｍ厚の単結晶Ｓｉ基板である種Ｓｉ基板７０の表層に水素層がイオン注入により形成されている。このＨ注入層７１は、後に貼り合せし、高温度で熱処理することにより剥離させる界面となる層である。水素注入層の表面側の薄い層が移植Ｓｉ層７２であり、２μｍの厚さである。図１２−６は図１２−４の状態の移植ＳｉＣ層４２の表面と図１２−５の状態の移植Ｓｉ層７２の表面とを貼り合せたものである。Ｓｉを介する貼り合わせは、プラズマ処理やイオン照射などの表面活性化処理により容易に活性化を行うことができ、活性化の後に真空中で貼り合わせが可能となる手法である。図１２−７は図１２−６で貼り合せ状態において数百℃の高温状態とすることにより水素注入層でＳｉ基板の剥離を行った状態を示している。図３−６とほぼ同じ構造であり、その後は図４に示した手順で素子を作成することが出来る。
【００４０】図１２においては（１００）面Ｓｉ基板に水素を注入した事例を示したが、（１００）面Ｓｉ基板にＰＮ接合を形成してＫＯＨのテ−パエッチングを用いることもできる。その基板の作成方法を図１３において示す。
【００４１】  図１３は縦方向に電流を流す場合の基板作成の事例である。図１３−１は、種基板となる種ＳｉＣ基板４０、直径は６インチであり厚さは５００μｍであり、表層にＨ注入層４１が水素イオン注入により形成されている。このイオン注入層は、後に貼り合せし、高温度で熱処理することにより剥離させる界面となる層である。Ｈ注入層４１の表面側の薄い層が移植ＳｉＣ層４２であり、０．５μｍの厚さである。図１３−２はベース基板となるポリＳｉＣ基板３０に反射膜層４３を１μｍ厚で成長させ、シリコンからなるＳｉ膜４６を０．５μｍを形成した状態である。図１３−３は図１２−１の基板の表面と図１３−２の基板の表面を表面活性化処理をして貼り合わせたものである。Ｓｉ面とＳｉＣ面との貼り合わせは、プラズマ処理やイオン照射などの表面活性化処理により容易に活性化を行うことができ、活性化の後に真空中で貼り合わせが可能となる手法である。その後の熱処理により、貼り合わせを強固なものにすることが出来る。図１３−４は、図１３−３において貼り合わせた基板を約１０００℃に温度を上昇させることにより、水素層の界面にて剥離をした状態を示す。ポリＳｉＣ基板３０に反射膜層４３、Ｓｉ膜４６、単結晶の移植ＳｉＣ層４２が形成された状態を示す。図１３−５は、（１００）面方位のＰ型Ｓｉ基板７５にＮ型層７６を形成した状態である。図１３−６は図１３−５の基板の表面に図１３−４の基板の表面を貼り合せた状態を示す。その後、Ｐ型Ｓｉ層に負電界をかけながらＳｉをエッチングすることによりＰ型Ｓｉ部だけを除去される。これにより必要な厚さの（１００）面方位のＳｉ層を形成することが出来る。図１３−７にその状態を示す。図１３−８は図１３−７と同じであるがが、この基板を用いる後の素子形成の説明を容易にするために、反射膜層４３、Ｓｉ膜４６、移植ＳｉＣ層４２を反射部層５５と称することとして、表記を簡素化したものである。この図の構成は、図３−７とほぼ同様な構成である。従って、その後の素子形成は図４、図５と同様であり説明を省略する。
【００４２】  図１２、図１３で作成した基板を用いる素子の工程図は図５に示すものと同様である。また、図１２、図１３の図の事例では、Ｓｉ膜４５を（１００面）とするために、Ｓｉ基板の貼り合わせ手法を用いたが、テ−パエッチングを面方位に依存しない手法を用いる場合には、図１３−４に直接Ｓｉ層４５を形成することにより、簡素な製造手法とすることが出来る。
【００４３】  以上の事例では発光層となるＮ型ＧａＡｌＮ層、活性層、Ｐ型ＧａＡｌＮ層を作成する基板として単結晶ＳｉＣを用いる事例を示したが、単結晶ＳｉＣ基板の代わりに、単結晶ＧａＮ基板を用いることをも同様に可能である。
【００４４】  以上の事例ではベース基板としてポリＳｉＣ基板を用いる事例を示したが、Ｓｉ基板など熱伝導率やや小さいものの安価な基板を用いることも同様に可能である。また、Ｓｉ基板や、サファイ基板に部分的に基板の上下を貫通する穴をあけ金属層を充填したサーマルビア形式の高熱伝導度の基板を用いることも可能である。
【産業上の利用の可能性】
【００４５】  発光ダイオードの輝度向上に向けてその用途が拡大している現在、最大の効率出せるような素子構造を形成する本発明はいろいろな用途に応用できる。発光ダイオードの事例で説明をしたが化合物半導体と他の母材の組み合わせも可能になり多くの用途に用いることができる。
【符号の説明】
【００４６】１・・・パッケージの基板    ２・・・パッケージの配線部    ３・・・カバーガラス
４・・・発光素子      ５・・・ワイアボンディング      ６・・・蛍光体
７・・・ＧａＡｌＮ半導体    ８・・・ＰＮの境界      ９・・・サファイア基板
１０・・・Ｎ型半導体層    １１・・・Ｐ型半導体層    １２・・・Ｎ電極
１３・・・Ｐ電極          １６・・・活性層          １８・・・発光部
１９・・・裏面反射膜      ２０・・・反射板          ２１・・・側面反射部
２２・・・側面反射膜      ２９・・・ベース基板      ３０・・・ポリＳｉＣ基板
４０・・・種単結晶ＳｉＣ基板    ４１・・・Ｈ注入層    ４２・・・移植ＳｉＣ層
４３・・・反射膜層      ４４・・・ＳｉＯ２膜      ４５・・・Ｓｉ層
４６・・・Ｓｉ薄膜
５０・・・Ｎ型ＧａＡｌＮ膜    ５１・・・活性層    ５２・・・Ｐ型ＧａＡｌＮ膜
５５・・・反射部層        ５６・・・発光部層        ５７・・・発光部
５８・・・フォトレジスト（保護用）      ５９・・・テ−パエッチライン
６０・・・フォトレジスト    ６１・・・ＩＴＯ膜
６２・・・ＳｉＯ２絶縁膜    ６３・・・Ｎ裏面電極    ６５・・・フラッシュＳｉＯ２
７０・・・Ｓｉ基板        ７１・・・Ｈ注入層        ７２・・・移植Ｓｉ層
７３・・・ＳｉＯ２層      ７５・・・Ｐ型Ｓｉ基板    ７６・・・Ｎ型Ｓｉ層
８４・・・発光層底面部    ８５・・・発光層底面深堀部
【図１】
2014207416.tif 000003
【図２】
2014207416.tif 000004
【図３】
2014207416.tif 000005
【図４】
2014207416.tif 000006
【図５】
2014207416.tif 000007
【図６】
2014207416.tif 000008
【図７】
2014207416.tif 000009
【図８】
2014207416.tif 000010
【図９】
2014207416.tif 000011
【図１０】
2014207416.tif 000012
【図１１】
2014207416.tif 000013
【図１２】
2014207416.tif 000014
【図１３】
2014207416.tif 000015