(57)【要約】【課題】半導体装置の内部に至る吸湿経路を低減できるようにした半導体装置及びその製造方法、半導体装置の特性調整方法を提供する。【解決手段】シリコン基板１の上方に形成された層間絶縁膜３０には、ヒューズ配線２０の上方に位置するレーザー開口部３５が形成されている。また、パッシベーション膜４０は、シリコン酸化膜４１と、シリコン酸化膜４１上に積層されたシリコン窒化膜４２と、を有する。シリコン酸化膜４１はレーザー開口部３５の底面及び側面を連続して覆っている。また、シリコン窒化膜４２はシリコン酸化膜４１を介してレーザー開口部３５の側面を覆っている。そして、シリコン酸化膜４１のうちのレーザー開口部３５の底面を覆っている部分４１ａの少なくとも一部が、シリコン窒化膜４２下から露出している。【選択図】図１
2014093438.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成されたヒューズと、
前記半導体基板の上方に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁上に形成されたパッシベーション膜と、を備え、
前記層間絶縁膜には前記ヒューズの上方に位置する開口部が形成されており、
前記パッシベーション膜は、第１膜と、前記第１膜上に積層された第２膜と、を有し、
前記第１膜と前記第２膜は組成が異なり、
前記第１膜は前記開口部の底面及び側面を連続して覆い、前記第２膜は前記第１膜を介して前記開口部の側面を覆い、且つ前記第１膜のうちの前記開口部の底面を覆っている部分の少なくとも一部が前記第２膜下から露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記開口部は、前記層間絶縁膜を底面とする凹部であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１膜はシリコン酸化膜であり、前記第２膜はシリコン窒化膜であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上にヒューズを形成する工程と、
前記半導体基板の上方に層間絶縁膜を形成して前記ヒューズを覆う工程と、
前記層間絶縁膜のうちの前記ヒューズの上方に位置する部分に開口部を形成する工程と、
前記層間絶縁上にパッシベーション膜を形成する工程と、を備え、
前記パッシベーション膜を形成する工程では、
前記層間絶縁膜上に第１膜を形成して前記開口部の底面及び側面を連続して覆い、
前記第１膜上に該第１膜とは組成が異なる第２膜を形成し、
前記第１膜よりも前記第２膜の方がエッチングされ易い条件で、前記第２膜のうちの前記開口部の底面を覆っている部分をエッチングすることによって、前記第２膜下から前記第１膜を露出させると共に、露出した前記第１膜を前記底面に残すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項３の何れか一項に記載の半導体装置の特性調整方法であって、
前記半導体基板の上方から前記開口部に向けてレーザー光を照射することによって、前記開口部の下方に位置するヒューズを切断することを特徴とする半導体装置の特性調整方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法、半導体装置の特性調整方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体装置に形成されたヒューズを選択的に切断して、回路の特性値を調整したり、製造過程で発生した不良回路を冗長回路に置き換えたりすることが行われている。このような特性調整方法は、トリミングと呼ばれている。トリミングには、ヒューズに大電流を流して切断する方法や、ヒューズにレーザー光を照射して切断する方法（以下、レーザートリミング）などがある。レーザートリミングが施される半導体装置は、ヒューズの上方に開口部が形成された構造となっている。例えば、特許文献１には、ヒューズの上方に、層間絶縁膜を底面とするレーザー開口部が形成された構造が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−１８５６２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１（以下、従来例）では、その図１１に示されているように、レーザー開口部の側面がパッシベーション膜で覆われている。吸湿経路となり得る上下の層間絶縁膜の接触界面や、層間絶縁膜と蝕刻停止膜との接触界面がパッシベーション膜で覆われているので、これら接触界面からの吸湿を防止することが可能である。
しかしながら、従来例では、全てのレーザー開口部でパッシベーション膜に切れ目があり、この切れ目から層間絶縁膜が露出していた。このため、パッシベーション膜と層間絶縁膜との界面が吸湿経路となり、この吸湿経路を通って半導体装置の内部に水分が侵入する可能性があった。半導体装置の内部に水分が侵入すると、内部の配線等が腐食する可能性があり、半導体装置の信頼性が低下してしまう可能性があった。
そこで、この発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、半導体装置の内部に至る吸湿経路を低減できるようにした半導体装置及びその製造方法、半導体装置の特性調整方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されたヒューズと、前記半導体基板の上方に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁上に形成されたパッシベーション膜と、を備え、前記層間絶縁膜には前記ヒューズの上方に位置する開口部が形成されており、前記パッシベーション膜は、第１膜と、前記第１膜上に積層された第２膜と、を有し、前記第１膜と前記第２膜は組成が異なり、前記第１膜は前記開口部の底面及び側面を連続して覆い、前記第２膜は前記第１膜を介して前記開口部の側面を覆い、且つ前記第１膜のうちの前記開口部の底面を覆っている部分の少なくとも一部が前記第２膜下から露出していることを特徴とする。
また、上記の半導体装置において、前記開口部は、前記層間絶縁膜を底面とする凹部であることを特徴としてもよい。
また、上記の半導体装置において、前記第１膜はシリコン酸化膜であり、前記第２膜はシリコン窒化膜であることを特徴としてもよい。
【０００６】
本発明の別の態様に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上にヒューズを形成する工程と、前記半導体基板の上方に層間絶縁膜を形成して前記ヒューズを覆う工程と、前記層間絶縁膜のうちの前記ヒューズの上方に位置する部分に開口部を形成する工程と、前記層間絶縁上にパッシベーション膜を形成する工程と、を備え、前記パッシベーション膜を形成する工程では、前記層間絶縁膜上に第１膜を形成して前記開口部の底面及び側面を連続して覆い、前記第１膜上に該第１膜とは組成が異なる第２膜を形成し、前記第１膜よりも前記第２膜の方がエッチングされ易い条件で、前記第２膜のうちの前記開口部の底面を覆っている部分をエッチングすることによって、前記第２膜下から前記第１膜を露出させると共に、露出した前記第１膜を前記底面に残すことを特徴とする。
【０００７】
本発明のさらに別の態様に係る半導体装置の特性調整方法は、上記の半導体装置の特性調整方法であって、前記半導体基板の上方から前記開口部に向けてレーザー光を照射することによって、前記開口部の下方に位置するヒューズを切断することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一態様によれば、少なくともトリミングが施されていない開口部において、該開口部の底面及び側面はパッシベーション膜のうちの第１膜で連続して覆われている。第１膜には切れ目はなく、パッシベーション膜と層間絶縁膜の接触界面は露出していない。これにより、パッシベーション膜と層間絶縁膜の接触界面が半導体装置の内部に至る吸湿経路となることを防ぐことができる。よって、半導体装置の内部に至る吸湿経路を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態に係る半導体装置１００の構成例を示す図。
【図２】半導体装置１００の要部を拡大して示した図。
【図３】半導体装置１００の製造方法を示す図。
【図４】半導体装置１００の製造方法を示す図。
【図５】半導体装置１００の変形例（１）を示す図。
【図６】半導体装置１００の変形例（２）を示す図。
【図７】半導体装置１００の変形例（３）を示す図。
【図８】第２実施形態に係る半導体装置２００の構成例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明による実施形態を、図面を用いて説明する。なお、以下に説明する各図において、同一の機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１１】
＜第１実施形態＞
（構成）
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置１００の構成例を示す断面図と、その要部を平面視で示した図である。図２は、半導体装置１００の要部を拡大して示した断面図である。図１に示すように、この半導体装置１００は、例えばＰ型のシリコン基板（Ｐ−ｓｕｂ）１と、シリコン基板１上に形成された素子分離膜３と、シリコン基板１のうちの素子分離膜３によって周囲から素子分離された領域に形成されたＭＯＳトランジスタ１０と、素子分離膜３上に形成されたヒューズ配線２０と、シリコン基板１の上方に形成された層間絶縁膜３０と、層間絶縁膜３０上に形成されたパッシベーション膜４０と、を備える。
【００１２】
素子分離膜３は、例えばＬＯＣＯＳ（local oxidation of silicon）法で形成された絶縁膜である。或いは、素子分離膜３は、例えばＳＴＩ（shallow trench isolation）法で形成されたＳＴＩ層でもよい。
ＭＯＳトランジスタ１０は、例えば、Ｐ型のシリコン基板１に形成されたＮチャネル型のＭＯＳトランジスタ（即ち、ＮＭＯＳトランジスタ）である。このＭＯＳトランジスタ１０は、シリコン基板１に形成されたゲート絶縁膜１１と、ゲート絶縁膜１１上に形成されたゲート電極１２と、ゲート電極１２の両側下のシリコン基板１に形成されたＮ型のソース１３及びドレイン１４と、を有する。なお、図示しないが、ＭＯＳトランジスタ１０は、シリコン基板１にＮ型のウェル領域が形成され、このウェル領域の内側に形成されたＰチャネル型のＭＯＳトランジスタ（即ち、ＰＭＯＳトランジスタ）でもよい。或いは、ＭＯＳトランジスタ１０は、ＮＭＯＳトランジスタとＰＭＯＳトランジスタとを組み合わせたＣＭＯＳトランジスタであってもよい。
【００１３】
ヒューズ配線２０は、例えば、ＭＯＳトランジスタ１０のソース１３又はドレイン１４の一方と、図示しない他の素子とを接続する配線である。このヒューズ配線２０には、例えば、切断可能領域２１が設定されている。切断可能領域とは、予め設定した条件でレーザー光を照射することにより、切断されることが可能な領域のことである。ヒューズ配線２０は、例えば、リン、ヒ素又はボロン等の不純物がドープされたポリシリコン膜で構成されている。或いは、ヒューズ配線２０は、アルミニウム若しくはアルミニウム合金、又は、銅等で構成されていてもよい。
【００１４】
層間絶縁膜３０は、シリコン基板１に形成されたＭＯＳトランジスタ１０やヒューズ配線２０を保護すると共に、上下の配線間を分離するための絶縁膜である。層間絶縁膜３０は、例えば、ＢＰＳＧ膜３１と、ＢＰＳＧ膜３１上に形成された第１層間膜（ＴＥＯＳ１（ｔｅｔｒａ  ｅｔｈｙｌ  ｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ）＋ＳＯＧ（ｓｐｉｎ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ）＋ＴＥＯＳ２膜）３２と、第１層間膜３２上に形成された第２層間膜（ＴＥＯＳ１＋ＳＯＧ＋ＴＥＯＳ２膜）３３とで構成されている。ＢＰＳＧ膜３１、第１層間膜３２及び第第２層間膜３３は何れも、シリコン酸化膜である。また、この層間絶縁膜３０にはレーザー開口部３５が形成されている。レーザー開口部３５は、ヒューズ配線２０の切断可能領域の上方に位置する。
【００１５】
パッシベーション膜４０は、例えば、シリコン酸化膜４１と、シリコン酸化膜４１上に積層されたシリコン窒化膜４２とを有する。図２に示すように、シリコン酸化膜４１は、レーザー開口部３５の底面及び側面を連続して覆っている。また、シリコン窒化膜４２は、シリコン酸化膜４１を介してレーザー開口部３５の側面を覆っている。そして、シリコン酸化膜４１のうちのレーザー開口部３５の底面を覆っている部分４１ａの少なくとも一部が、シリコン窒化膜４２下から露出している。
【００１６】
なお、図１では、ヒューズ配線２０を１本のみ示しているが、各半導体装置１００（即ち、各ＩＣチップ）におけるヒューズ配線２０の本数は１本に限定されるものではない。第１実施形態及び、後述の第２実施形態では、各半導体装置１００におけるヒューズ配線２０の本数は１本又は２本以上である。また、１本のヒューズ配線２０に対して、例えば１つのレーザー開口部３５が配置されている。
【００１７】
（製造方法）
次に、半導体装置１００の製造方法について説明する。
図３及び図４は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置１００の製造方法を示す断面図である。図３（ａ）では、まず、シリコン基板１に素子分離膜３を形成する。素子分離膜３は、例えばＬＯＣＯＳ法である。
【００１８】
次に、シリコン基板１のうちの素子分離膜３から露出した領域にＭＯＳトランジスタ１０を形成する。また、ＭＯＳトランジスタ１０の形成工程を利用して、素子分離膜３上にヒューズ配線２０を形成する。具体的には、まず、シリコン基板１にゲート絶縁膜１１を形成する。ゲート絶縁膜１１の形成方法は熱酸化である。次に、ゲート絶縁膜１１が形成されたシリコン基板１上にポリシリコン膜を堆積する。ポリシリコン膜の堆積方法は例えばＣＶＤ（chemical vapor deposition）法である。そして、ポリシリコン膜をパターニングして、ポリシリコン膜からゲート電極１２とヒューズ配線２０とを同時に形成する。図示しないが、このポリシリコン膜のパターニング工程では、ゲート電極１２及びヒューズ配線２０を形成すると同時に、例えばキャパシタの下部電極等を素子分離膜３上に形成してよい。次に、ゲート電極１２をマスクとして、シリコン基板１に例えばリン又はヒ素等のＮ型不純物をイオン注入する。これにより、ゲート電極１２の両側下のシリコン基板１にＮ型のソース１３及びドレイン１４を形成すると共に、ゲート電極１２及びヒューズ配線２０等にＮ型の導電性を持たせる。これにより、ＭＯＳトランジスタ１０とヒューズ配線２０が完成する。
【００１９】
次に、図３（ｂ）に示すように、シリコン基板１上にＢＰＳＧ膜３１を堆積して、ゲート電極１２及びヒューズ配線２０等を覆う。ＢＰＳＧ膜３１の堆積方法は例えば常圧ＣＶＤ法であり、その堆積厚は例えば６１５０〜６８５０Åである。次に、ＢＰＳＧ膜３１をパターニングして、ソース１３上、ドレイン１４上、ゲート電極１２上及びヒューズ配線２０上にそれぞれコンタクトホールを形成する。そして、これらのコンタクトホールに例えばチタン又はタングステン等の高融点金属をそれぞれ埋め込んで、第１プラグ電極５１を形成する。
【００２０】
次に、ＢＰＳＧ３１上に例えばアルミニウム等の導電膜を堆積する。そして、アルミニウム膜をパターニングして、図３（ｃ）に示すように、下層配線５２等を形成する。
次に、ＢＰＳＧ膜３１上に第１層間膜３２を堆積して、下層配線５２等を覆う。ここでは、層間絶縁膜３０の一部として第１層間膜３２を形成することにより、アルミニウム配線による段差を平坦化する。そして、第１層間膜３２をパターニングして、下層配線５２上にコンタクトホールを形成する。そして、コンタクトホール内に例えばチタン又はタングステン等の高融点金属をそれぞれ埋め込んで、第２プラグ電極５３を形成する。
【００２１】
次に、図４（ａ）に示すように、第１層間膜３２上に例えばアルミニウム等の導電膜を堆積する。そして、導電膜をパターニングして、上層配線５４を形成する。図示しないが、この導電膜のパターニング工程では、上層配線５４を形成すると同時に、例えばパッド電極等を形成してもよい。次に、第１層間膜３２上に第２層間膜３３を堆積して上層配線５４等を覆う。これにより、ＢＰＳＧ膜３１、第１層間膜３２及び第２層間膜３３からなる層間絶縁膜３０が完成する。
【００２２】
次に、図４（ｂ）に示すように、層間絶縁膜３０をパターニングして、例えばヒューズ配線２０の切断可能領域２１の上方にレーザー開口部３５を形成する。このレーザー開口部３５は、例えば、ＢＰＳＧ膜３１を底面とする凹部である。次に、層間絶縁膜３０上にパッシベーション膜４０を堆積して、レーザー開口部３５の底面３５ａ及び側面３５ｂを覆う。ここでは、図４（ｃ）に示すように、層間絶縁膜３０上にシリコン酸化膜４１を堆積して、レーザー開口部３５の底面及び側面と層間絶縁膜３０の上面とを連続して覆う。シリコン酸化膜４１の堆積方法は例えばプラズマＣＶＤ法であり、その堆積厚は例えば３７００〜４３００Åである。
【００２３】
次に、シリコン酸化膜４１上にシリコン窒化膜４２を堆積する。これにより、シリコン窒化膜４２は、シリコン酸化膜４１を介して、レーザー開口部３５の底面及び側面と層間絶縁膜３０の上面とを連続して覆う。シリコン窒化膜４２の堆積方法は例えばプラズマＣＶＤ法であり、その堆積厚は例えば８６００〜９４００Åである。
次に、シリコン窒化膜４２をパターニングして、シリコン窒化膜４２のうちのレーザー開口部３５の底面を覆っている部分４２ａの少なくとも一部を除去する。これにより、シリコン酸化膜４１のうちのレーザー開口部３５の底面を覆っている部分４１ａをシリコン窒化膜４２下から露出させる。また、このパターニング工程では、シリコン窒化膜４２のうちのレーザー開口部３５の側面を覆っている部分及び、層間絶縁膜３０の上面を覆っている部分はそのまま残す。以上の工程を経て、図１に示した半導体装置１００が完成する。
【００２４】
（トリミング方法）
図１に示した半導体装置１００では、レーザートリミングを行うことが可能である。レーザートリミングでは、シリコン基板１の上方からレーザー開口部３５に底面に向けてレーザー光を照射して、素子分離膜３上に形成された１本又は２本以上のヒューズ配線２０を選択的に切断する。レーザー開口部３５の底面上では、シリコン窒化膜４２下からシリコン酸化膜４１ａが露出している。レーザー光は、この露出しているシリコン酸化膜４１ａを透過してヒューズ配線２０の切断可能領域２１を溶断する。
【００２５】
なお、レーザー開口部３５の底面上のシリコン酸化膜４１ａは、レーザー光が照射されると破壊されて穴（即ち、切れ目）が生じる。このため、図１に示した半導体装置１００では、複数のレーザー開口部３５の一部にレーザートリミングによりシリコン酸化膜４１が破壊されたものが存在する場合がある。換言すると、複数のレーザー開口部３５の各々において、シリコン酸化膜４１に切れ目が無い状態は、レーザートリミングによりシリコン酸化膜４１が破壊されない限り維持される。
【００２６】
この第１実施形態及び、後述の第２実施形態では、シリコン基板１が本発明の「半導体基板」に対応し、素子分離膜３が本発明の「絶縁膜」に対応している。また、ヒューズ配線２０が本発明の「ヒューズ」に対応し、レーザー開口部３５が本発明の「開口部」に対応している。また、シリコン酸化膜４１が本発明の「第１膜」に対応し、シリコン窒化膜４２が本発明の「第２膜」に対応している。
【００２７】
（第１実施形態の効果）
本発明の第１実施形態は、以下の効果を奏する。
（１）少なくともトリミングが施されていないレーザー開口部３５において、その底面及び側面はシリコン酸化膜４１で連続して覆われている。シリコン酸化膜４１には切れ目はなく、パッシベーション膜４０と層間絶縁膜３０の接触界面は露出していない。このため、パッシベーション膜４０と層間絶縁膜３０の接触界面６１が半導体装置の内部に至る吸湿経路となることを防ぐことができる。これにより、半導体装置の内部に至る吸湿経路を低減することができる。
【００２８】
（２）また、レーザートリミングが施されたレーザー開口部３５においても、レーザー開口部３５の側面に位置する、ＢＰＳＧ膜３１と第１層間膜３２との接触界面の端部６２、及び、第１層間膜３２と第２層間膜の３３との接触界面の端部６３は、パッシベーション膜４０でそれぞれ覆われており、露出することはない。従って、これらの端部６２、６３が半導体装置の内部に至る吸湿経路となることを抑制することができる。
【００２９】
（３）上述したように、各レーザー開口部３５では、レーザートリミングによりシリコン酸化膜４１が破壊されない限り、パッシベーション膜４０と層間絶縁膜３０との接触界面は露出せず、この接触界面は吸湿経路とはならない。このため、図１に示したように、配線層からなるガードリングをレーザー開口部３５の周囲に配置しなくてもよい。ガードリングを省略することにより半導体装置のレイアウト面積を減らすことができるので、半導体装置の微細化、縮小化に寄与することができる。
【００３０】
（４）レーザー開口部３５はＢＰＳＧ膜３１を底面とする凹部であり、ヒューズ配線２０の切断可能領域２１上にはＢＰＳＧ膜３１が残されている。これにより、ヒューズ配線２０の切断可能領域２１をシリコン酸化膜４１とＢＰＳＧ膜３１の両膜で保護することができる。切断可能領域２１上にＢＰＳＧ膜３１が残されていない場合と比べて、ヒューズ配線２０をより信頼性高く保護することができる。
【００３１】
（５）パッシベーション膜４０は、下層のシリコン酸化膜４１と、上層のシリコン窒化膜４２とからなる。これにより、レーザー開口部３５の底面の上方からシリコン窒化膜４２を除去する際に、シリコン窒化膜４２をシリコン酸化膜４１に対して選択性高くエッチングすることができ、シリコン酸化膜４１の意図しない膜減りや、シリコン窒化膜４２の意図しない膜残りを少なくすることができる。切断可能領域２１を覆う膜の膜厚制御性を高めることができる。
【００３２】
（６）レーザー開口部３５の底面の上方からシリコン窒化膜４２が除去されている。これにより、レーザートリミングを行う際に、レーザー光の減衰を抑えつつ、レーザー光をヒューズ配線２０に照射することができる。
【００３３】
（変形例）
（１）上記の第１実施形態では、レーザー開口部３５をＢＰＳＧ膜３１を底面とする凹部とし、この凹部とヒューズ配線２０の切断可能領域との間にＢＰＳＧ膜３１を残す場合について説明した。しかしながら、第１実施形態において、レーザー開口部３５は層間絶縁膜３０に形成された凹部ではなく、例えば図５に示すように、層間絶縁膜３０を貫く貫通穴であってもよい。このような構成であっても、上記の第１実施形態の効果（１）〜（３）、（５）、（６）を奏する。
【００３４】
（２）また、上記の第１実施形態では、素子分離膜３上にヒューズ配線２０の切断可能領域２１を配置する場合について説明した。しかしながら、第１実施形態において、ヒューズ配線２０の配置位置はこれに限られることはない。例えば図６に示すように、第１層間膜３１上にヒューズ配線２０の切断可能領域２１を配置してもよい。このような構成であっても、上記の第１実施形態の効果（１）〜（３）、（５）、（６）を奏する。また、この構成では、レーザー開口部３５は第１層間膜３２を底面とする凹部であり、ヒューズ配線２０の切断可能領域２１とレーザー開口部３５の底面との間に第１層間膜３２を残している。これにより、ヒューズ配線２０の切断可能領域２１をシリコン酸化膜４１と第１層間膜３２の両膜で保護することができる。切断可能領域２１上に第１層間膜３２が残されていない場合と比べて、ヒューズ配線２０をより信頼性高く保護することができる。
【００３５】
（３）また、上記の第１実施形態では、図１に示したように、配線層からなるガードリングを省略した場合について説明した。しかしながら、第１実施形態において、ガードリングの省略は必須な構成ではない。例えば図７に示すように、レーザー開口部３５の周囲に（即ち、平面視で囲むように）第１プラグ電極５１、下層配線５２、第２プラグ電極５３及び上層配線５４等からなるガードリングを配置してもよい。このような構成であっても、上記の第１実施形態の効果（１）、（２）、（４）〜（６）と同様の効果を奏する。
【００３６】
＜第２実施形態＞
本発明は、例えば特許文献１に開示されたような、ＤＲＡＭ（dynamic random access memory）を有する半導体装置にも適用可能である。第２実施形態では、この点について説明する。
【００３７】
図８は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置２００の構成例を示す断面図である。図８に示すように、この半導体装置２００は、シリコン基板１と、シリコン基板１に形成された素子分離膜３と、シリコン基板１の素子分離膜３下から露出した領域に形成されたＭＯＳトランジスタ１０と、シリコン基板１上に形成されて素子分離膜３及びＭＯＳトランジスタ１０を覆う第１層間絶縁膜１３０と、第１層間絶縁膜１３０上に形成されたヒューズ配線２０と、第１層間絶縁膜１３０上に形成されてヒューズ配線２０を覆う第２層間絶縁膜１４０と、第２層間絶縁膜１４０上に形成されたキャパシタ１１０と、第２層間絶縁膜１４０上に形成されてキャパシタ１１０を覆う第３層間絶縁膜１５０と、第３層間絶縁膜１５０上に形成された下層配線１７０と、第３層間絶縁膜１５０上に形成されて下層配線を覆う第４層間絶縁膜１６０と、第４層間絶縁膜１６０上に形成された上層配線１８０と、上層配線１８０を覆うパッシベーション膜４０と、を備える。
【００３８】
第１層間絶縁膜１３０、第２層間絶縁膜１４０、第３層間絶縁膜１５０及び第４層間絶縁膜１６０は全てシリコン酸化膜である。また、キャパシタ１１０は、下部電極１１１と、誘電膜１１２と、上部電極１１３とを有する。
この半導体装置２００において、少なくとも第３層間絶縁膜１５０及び第４層間絶縁膜１６０には、レーザー開口部３５が形成されている。また、この半導体装置２００は、レーザー開口部３５の周囲に蝕刻停止膜１９０を備える。蝕刻停止膜１９０は、例えば、上部電極１１３と同時に形成されたものである。
【００３９】
この半導体装置２００においても、第１実施形態で説明した半導体装置１００と同様に、シリコン酸化膜４１は、レーザー開口部３５の底面及び側面を連続して覆っている。また、シリコン窒化膜４２は、シリコン酸化膜４１を介してレーザー開口部３５の側面を覆っている。そして、シリコン酸化膜４１のうちのレーザー開口部３５の底面を覆っている部分の少なくとも一部がシリコン窒化膜４２下から露出している。
【００４０】
このような構成であれば、上記の第１実施形態の効果（１）、（２）、（５）、（６）を奏する。また、レーザー開口部３５は第２層間絶縁膜１４０を底面とする凹部であり、この凹部とヒューズ配線２０の切断可能領域との間には第２層間絶縁膜１４０が残されている。これにより、ヒューズ配線２０の切断可能領域２１をシリコン酸化膜４１と第２層間絶縁膜１４０の両膜で保護することができる。切断可能領域２１上に第２層間絶縁膜１４０が残されていない場合と比べて、ヒューズ配線２０をより信頼性高く保護することができる。
【００４１】
＜その他＞
本発明は、以上に記載した各実施形態に限定されるものではない。当業者の知識に基づいて各実施形態に設計の変更等を加えることが可能であり、そのような変形が加えられた態様も本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４２】
１  シリコン基板
３  素子分離膜
１０  ＭＯＳトランジスタ
１１  ゲート絶縁膜
１２  ゲート電極
１３  ソース
１４  ドレイン
２０  ヒューズ配線
２１  切断可能領域
３０  層間絶縁膜
３１  ＢＰＳＧ膜
３２  第１層間膜
（ＴＥＯＳ１（ｔｅｔｒａ  ｅｔｈｙｌ  ｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ）＋ＳＯＧ（ｓｐｉｎ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ）＋ＴＥＯＳ２膜）
３３  第２層間膜
（ＴＥＯＳ１＋ＳＯＧ＋ＴＥＯＳ２膜）
３５  レーザー開口部
３５ａ  底面
３５ｂ  側面
４０  パッシベーション膜
４１  シリコン酸化膜
４１ａ  シリコン酸化膜のうちのレーザー開口部の底面を覆っている部分
４２  シリコン窒化膜
４２ａ  シリコン窒化膜のうちのレーザー開口部の底面を覆っている部分
５１  第１プラグ電極
５２、１７０  下層配線
５３  第２プラグ電極
５４、１８０  上層配線
６１  接触界面
６２  ＢＰＳＧ膜と第１層間膜の接触界面の端部
６３  第１層間膜と第２層間膜の接触界面の端部
１００、２００  半導体装置
１１０  キャパシタ
１１１  下部電極
１１２  誘電膜
１１３  上部電極
１３０  第１層間絶縁膜
１４０  第２層間絶縁膜
１５０  第３層間絶縁膜
１６０  第４層間絶縁膜
１９０  蝕刻停止膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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