(57)【要約】【課題】可動電極としての振動部がスティッキングすることを抑制した振動子を提供する。【解決手段】振動部と、振動部から延設されている支持部と、を備え、支持部は、延設されている方向から見た断面における厚みが異なる部位を有することを特徴とする。【選択図】図１
2014103434.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動部と、
前記振動部から延設されている支持部と、を備え、
前記支持部は、延設されている方向から見た断面における厚みが異なる部位を有すること、を特徴とする振動子。
【請求項２】
請求項１に記載の振動子であって、
前記支持部は、前記振動部から複数延設されていること、を特徴とする振動子。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の振動子であって、
前記振動部の振動の節となる部位から前記支持部が延設されていること、を特徴とする振動子。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の振動子であって、
前記支持部を基板上に固定する固定部が設けられていること、を特徴とする振動子。
【請求項５】
振動部と支持部とを形成する工程と、
固定部と下部電極とを形成する工程と、を含み、
前記支持部の厚みが異なる部分に中間層を形成する工程と、
前記支持部の形成後に前記中間層を除去する工程と、を含むこと、
を特徴とする請求項１ないし請求項４に記載の振動子の製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の振動子が搭載されていること、を特徴とする電子機器。
【請求項７】
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の振動子が搭載されていること、を特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、振動子、振動子の製造方法、電子機器、及び移動体に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体微細加工技術を利用して形成されたＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）デバイスと呼ばれる機械的に可動な構造体を備えた電気機械系構造体（例えば、振動子、フィルター、センサー、モーター等）が知られている。この中で、ＭＥＭＳ振動子は、水晶や誘電体を使用した振動子・共振子と比較して、振動子の駆動回路や振動の変化を増幅する回路を組み込んで製造することが容易であり、微細化、高機能化に対し有利であることから、その用途が広がっている。
【０００３】
従来のＭＥＭＳ振動子の代表例としては、振動子が設けられた基板面と平行な方向に振動する櫛型振動子と、基板の厚さ方向に振動する梁型振動子とが知られている。梁型振動子は、基板上に設けられた下部電極（固定電極）と、この下部電極の上方に間隙を介して設けられた可動電極（振動部）等からなる振動子である。梁型振動子としては、可動電極の支持の方法によって、片持ち梁型（clamped−free beam）、両持ち梁型（clamped−clamped beam）、両端自由梁型（free−free beam）等が知られている。
【０００４】
両端自由梁型のＭＥＭＳ振動子は、振動する可動電極の振動の節の部分が支持部によって支持されるため、基板への振動洩れが少なく振動の効率が高い。特許文献１には、この支持部の長さを振動の周波数に対して適切な長さとすることにより振動特性を改善する構造の両端自由梁型のＭＥＭＳ振動子が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第ＵＳ６９３０５６９Ｂ２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載のＭＥＭＳ振動子は、振動部の厚みと振動部を支持する梁（支持部）との厚みが等しく、梁の厚みによって振動部の振動が規制される虞があった。また、梁の厚みを薄くすることや、長さを変えることで振動特性を改善することも可能であるが、厚みを薄くすることや、長さを変えることで振動する方向に梁が撓み振動部が下部電極に貼り付く、いわゆるスティッキングが発生し振動が停止する虞があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例または形態として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］
本適用例に係る振動子は、振動部と、振動部から延設されている支持部と、を備え、支持部は、延設されている方向から見た断面における厚みが異なる部位を有することを特徴とする。
【０００９】
この様な振動子によれば、支持部は、延設されている方向から見た断面における厚みが異なる部位を有している。この厚みが異なる部分によって、振動部の振動に伴う支持部の回転軸方向の変位、すなわち支持部の捻れを許容することができる。
よって、支持部は、その支持部の一部の厚みを薄くすることで剛性を保ち、また、支持部の長さに係わらず振動部の振動に伴って厚みの異なる部分が捻れることできる。
従って、支持部の厚みの異なる部分が捻れることで振動特性を改善することと、支持部が撓むことで生じる振動部のスティッキングを抑制することができる。
【００１０】
［適用例２］
上記適用例に係る振動子において、支持部は、振動部から複数延設されていることが好ましい。
【００１１】
この様な振動子によれば、振動部から複数の支持部が延設されている。支持部が複数延設されていることによって、振動部を安定して支持することができる。従って、効果的に振動部のスティッキングを抑制することができる。
【００１２】
［適用例３］
上記適用例に係る振動子において、振動部の振動の節となる部位から支持部が延設されていることが好ましい。
【００１３】
この様な振動子によれば、支持部は、振動部の振動の節となる部位から延設されている。支持部が振動の節から延設されていることによって、振動部は振動の節が支えられているため、その振動が規制されることを抑制することができる。換言すると、振動の振動特性の劣化を抑制することができる。従って、振動部の振動を規制することなく振動部のスティッキングを抑制することができる。
【００１４】
［適用例４］
上記適用例に係る振動子において、支持部を基板上に固定する固定部が設けられていることが好ましい。
【００１５】
この様な振動子によれば、支持部を基板上に固定する固定部が設けられている。固定部が設けられることによって、支持部は基板に固定されるため、振動部を安定して支持することができる。従って、効果的に振動部のスティッキングを抑制することができる。
【００１６】
［適用例５］
本適用例に係る上記適用例に係る振動子の製造方法は、振動部と支持部とを形成する工程と、固定部と下部電極とを形成する工程とを含み、支持部の厚みが異なる部分に中間層を形成する工程と、支持部の形成後に中間層を除去する工程とを含むことを特徴とする。
【００１７】
この様な製造方法によれば、支持部の厚みを異ならせる部分に中間層を形成する工程と、支持部の形成工程後に中間層を除去する工程を含む。
支持部を形成する際に厚みの異なる部分に中間層を設けることで、当該厚みが異なる部分に支持部が形成されない様に支持部を形成し、その後に中間層を除去することで、支持部に厚みが異なる部分を形成することができる。従って、支持部の厚みの異なる部分が捻れることで振動特性を改善することと、支持部が撓むことで生じる振動部のスティッキングを抑制することができる振動子を製造することができる。
【００１８】
［適用例６］
本適用例に係る電子機器において、上記適用例に係る振動子が搭載されていることを特徴とする。
【００１９】
この様な電子機器によれば、スティッキングの発生が抑制された振動子が搭載されることで、信頼性の高い電子機器を得ることができる。
【００２０】
［適用例７］
本適用例に係る移動体において、上記適用例に係る振動子が搭載されていることを特徴とする。
【００２１】
この様な移動体によれば、スティッキングの発生が抑制された振動子が搭載されることで、信頼性の高い移動体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】実施形態に係る振動子の概略構成を示す斜視図。
【図２】実施形態に係る振動子の概略構成を示す断面図。
【図３】実施形態に係る振動子の概略構成と動作状態を示す断面図。
【図４】実施形態に係る振動子の支持部の断面を示す断面図。
【図５】実施形態に係る振動子の製造工程を示す断面図。
【図６】実施形態に係る振動子の製造工程を示す断面図。
【図７】実施形態に係る振動子の製造工程を示す断面図。
【図８】実施形態に係る振動子の製造工程を示す断面図。
【図９】実施形態に係る振動子の製造工程を示す断面図。
【図１０】実施形態に係る振動子の製造工程を示す断面図。
【図１１】実施例に係る電子機器を示す斜視図。
【図１２】実施例に係る電子機器を示す斜視図。
【図１３】実施例に係る電子機器を示す斜視図。
【図１４】実施例に係る移動体を示す斜視図。
【図１５】変形例に係る支持部の断面を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際の構成要素とは適宜に異ならせて記載する場合がある。
【００２４】
［実施形態］
実施形態に係る振動子について図１から図１０を用いて説明する。
図１は、本実施形態に係る振動子としてのＭＥＭＳ振動子を模式的に示す斜視図である。
図２及び図３は、図１に示したＭＥＭＳ振動子の断面を模式的に示す断面図である。
図４は、図１に示したＭＥＭＳ振動子の支持部の断面を模式的に示す断面図である。
図５から図１０は、本実施形態に係る振動子としてのＭＥＭＳ振動子の製造方法を説明する工程図である。
【００２５】
本実施形態に係る振動子としてのＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０上に、振動部３０と、振動部３０から延設されている支持部４０と、支持部４０を固定する固定部５０と、を有する。また、基板１０上には、振動部３０を振動させるために下部電極２０を有する。また、支持部４０は、梁部４１と、柱部４２とを含み構成されている。
【００２６】
ＭＥＭＳ振動子１００は、振動部３０から延設されている支持部４０によって固定部５０を介して振動部３０が基板１０に固定されている。また、支持部４０は、振動部３０から梁部４１が延設され、振動部３０と反対側の梁部４１の一端に柱部４２が設けられ、柱部４２と固定部５０が接続されている。
なお、振動部３０は、図１においてＺ軸方向から平面視した場合に、基板１０上に設けられた下部電極２０と重なる様に間隙３５を有して設けられている。振動部３０は、間隙３５を介して下部電極２０と重なる様に設けられることで、振動可能となる。なお、振動部３０の動作については後述する。
【００２７】
基板１０は、振動部３０等が搭載されるベース（基材）である。基板１０は、半導体加工技術によって加工容易なシリコン基板を用いると好適である。なお、基板１０はシリコン基板に限定されることなく、例えば、ガラス基板を用いることができる。
【００２８】
基板１０上には、図２に示す様に絶縁膜１１と、絶縁膜１１に積層させて下地膜１２とが設けられている。また、下地膜１２上に下部電極２０と、固定部５０と、が設けられている。
【００２９】
絶縁膜１１は、図１及び図２に示すＺ軸方向から見た基板１０上の略全面に設けられている。絶縁膜１１としては、例えば、ＬＯＣＯＳ（Local Oxidation of Silicon）膜が用いられている。また、ＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）膜や、各種のＣＶＤ膜を用いることができる。
下地膜１２は、上述した絶縁膜１１に対応（積層）して設けられている。下地膜１２としては、例えば、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）が用いられている。
【００３０】
下部電極２０は、上述した下地膜１２上に設けられている。下部電極２０は、例えば、矩形状にパターニングされた電極であり、その材料として、シリコン（Ｓｉ），ポリシリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉｌｉｃｏｎ），アモルファスシリコン（Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−Ｓｉｌｉｃｏｎ），金（Ａｕ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ），ニッケル（Ｎｉ），アルミニウム（Ａｌ）等の単体、またはこれらの合金等を用いることができる。
【００３１】
固定部５０は、上述した下部電極２０と同様に下地膜１２上に設けられている。より詳しくは、固定部５０は、下地膜１２上に積層して設けられている。固定部５０は、例えば、矩形状にパターニングされた電極である。固定部５０は、その材料として、下部電極２０と同様にシリコン（Ｓｉ），ポリシリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉｌｉｃｏｎ），アモルファスシリコン（Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−Ｓｉｌｉｃｏｎ），金（Ａｕ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ），ニッケル（Ｎｉ），アルミニウム（Ａｌ）等の単体、またはこれらの合金等を用いることができる。
【００３２】
振動部３０と支持部４０とは、図１及び図２に示すＺ軸方向から見た基板１０上に設けられている。
振動部３０は、間隙３５を介して上述した下部電極２０と対向させて設けられている。
支持部４０は、上述した振動部３０から固定部５０に向かって延設されている。支持部４０は、振動部３０から延伸する梁部４１と、振動部３０と反対側の梁部４１の一端が柱部４２と接続され、柱部４２が固定部５０に接続されている。
これにより、振動部３０は支持部４０によって固定部５０に接続されることで、基板１０に固定されている。また、ＭＥＭＳ振動子１００は、振動部３０と下部電極２０との間に間隙３５が設けられているため、振動部３０が振動可能となっている。
【００３３】
振動部３０は、例えば、矩形状にパターンニングされ導電性を有し、後述する可動電極として機能するものである。振動部３０は、その材料として、ポリシリコン（Polycrystalline Silicon）が用いられている。
【００３４】
図３は、図１に示す線分Ｂ−Ｂ’におけるＭＥＭＳ振動子１００の断面図であり、当該振動部３０の振動動作を示している。
振動部３０は、下部電極２０と、可動電極としての振動部３０との間に印加される交流電圧に伴い発生する電荷の静電力により、振動部３０が下部電極２０に誘引と、遊離と、を繰り返すことで屈曲振動運動する。また、それぞれの電極間には、振動に伴う信号が出力される。
振動部３０（可動電極）の振動は、下部電極２０と振動部３０とが重なる中央部分、及び振動部３０の両端部が振動の腹となり、また、振動の腹の間に振動の節３１を有する撓み振動動作となる。換言すると、振動部３０の振動は、節３１を支点とする屈曲運動動作となる。
また、振動の節３１には、その節３１の回転軸方向の力、ω，ω’が発生する。また、振動部３０は、振動運動に伴ってＺ軸方向の力、α，α’が発生する。
【００３５】
振動部３０には、振動の節３１の部分に支持部４０が接続されている。換言すると、振動部３０の振動の節３１から梁部４１が延設されている。
具体的には、振動部３０は、図１において符号３１を付して一点鎖線で示される振動の節３１の両端部が支持部４０によって支持されている。
振動部３０の支持は、振動の節３１毎に振動部３０から反対方向に支持部４０が延設され、２対（２組）の支持部４０で支持されると好適である。なお、これに限定されることなく、振動部３０の振動の節３１から一方向に設けられていても良い。また、振動の節３１毎に互い違いの方向に支持部４０が設けられていても良い。また、いずれかの振動の節３１に支持部４０が設けられていても良い。
図１から図３において、下部電極２０及び振動部３０（可動電極）には、振動に伴う信号を取り出す配線が設けられているが、説明と各図においてその図示とを省略している。
【００３６】
ここで、支持部４０について図４を用いて詳細に説明する。
図４は、支持部４０を構成する梁部４１の断面を模式的に示す断面図である。図４に示す梁部４１は、振動部３０から延設されている方向から見た断面（斜視する断面）を示している。
支持部４０は、振動部３０から固定部５０に延設されている間に、その厚み（Ｚ軸方向）が異なる部分を有する。より詳しくは、図４に示す様に梁部４１には、例えば、基板１０と対向する面に凹部４１ａと、その反対側の面に凹部４１ｂと、が設けられている。換言すると、梁部４１の断面形状はＨ形状となっている。
【００３７】
本実施形態の梁部４１は、その厚みが異なる部分の形状が「Ｈ形状」を有するため、例えば、梁部４１に節３１の回転軸方向の力、ω１，ω２が加えられた場合には、捻れやすい特性を備える。換言すると、例えば、梁部４１が角柱形状である場合と比較して、Ｈ形状を有する本実施形態の梁部４１は捻れやすい特性を有する。
また、梁部４１がＨ形状となっているため、例えば、梁部４１のせん断方向α１，α２、せん断方向β１，β２の力が加えられた場合には、撓み（曲がり）にくい特性を有する。
換言すると梁部４１は、凹部４１ａ，４１ｂが設けられた方向に延設されている縦梁４１ｃと、凹部４１ａ，４１ｂの底部となり、縦梁４１ｃと交わる横梁４１ｄを備える。これによって、縦梁４１ｃによって、α１，α２方向の梁部４１の撓みを抑制し、横梁４１ｄによって、β１，β２方向の梁部４１の撓みを抑制することができる。
【００３８】
（製造方法）
次に、ＭＥＭＳ振動子１００の製造方法について説明する。
図５から図１０は、ＭＥＭＳ振動子の製造方法を工程順に示す工程である。
ＭＥＭＳ振動子１００の製造方法は、振動部３０と支持部４０とを形成する工程と、固定部５０と下部電極２０とを形成する工程と、支持部４０の厚みを異ならせる部分に中間層を形成する工程と、支持部４０を形成した後に中間層を除去する工程と、を含む。
【００３９】
なお、図５から図１０において（ａ１）から（ｌ（エル）１）は、図１に示す線分Ｄ−Ｄ’の断面を示し、また、（ａ２）から（ｌ（エル）２）は、図１に示す線分Ｃ−Ｃ’の断面を示すものである。また、図５から図１０において、例えば、図５（ａ）と記した場合は、図５（ａ１），図５（ａ２）を含むものとして説明する。
【００４０】
図５（ａ）は、基板１０に下部電極２０と固定部５０とが設けられた状態を示している。
下部電極２０と固定部５０との形成は、基板１０を準備し、主面となる面に絶縁膜１１を設ける。絶縁膜１１の形成方法としては、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて一般的なＬＯＣＯＳ（Local Oxidation of Silicon）膜を形成することができる。
次に、下地膜１２を絶縁膜１１に対応させて積層する。下地膜１２の形成方法としては、例えば、ＣＶＤ法を用いてシリコン窒化膜（ＳｉＮ）を形成することができる。なお、シリコン窒化膜を用いた下地膜１２は、フッ酸を含む洗浄液（エッチャント）に対する耐性を備え、いわゆるエッチングストッパーとして機能することができる。
次に、下部電極２０と固定部５０とを下地膜１２上に形成する。下部電極２０と固定部５０の形成方法としては、例えば、フォトリソグラフィー法を用いて導電性膜を設けることができる。
【００４１】
図５（ｂ）は、支持部４０の厚みの異なる部分（図１、図２参照）と、下部電極２０と振動部３０との間に間隙３５（図１、図２参照）を設けるため中間層としての第１犠牲層１３が設けられた状態を示している。
第１犠牲層１３は、下地膜１２、もしくは下地膜１２、下部電極２０、及び固定部５０に積層して形成する。第１犠牲層１３は、後述する振動部３０と支持部４０の一部とを下地膜１２、下部電極２０、固定部５０との間に間隙３５を設けるため一時的に設けられるものである。第１犠牲層１３の形成方法としては、例えば、ＣＶＤ法を用いてシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）を設けることができる。
また、第１犠牲層１３には、後述する工程で第１犠牲層１３に積層して振動部３０と支持部４０となる第１シリコン層（膜）１４が形成されるため、第１犠牲層１３の表面の平坦化が行われる。第１犠牲層１３の平坦化は、例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法によって行うことができる。
【００４２】
図５（ｃ）は、固定部５０に支持部４０が接続される部分と、支持部４０の厚みが異なる部分とを形成するために、第１犠牲層１３が除去（エッチング）された状態を示している。詳細には、図５（ｃ１）は、支持部４０の柱部４２を接続する固定部５０となる部分の第１犠牲層１３が除去され、固定部５０が露出されている状態を示している。また、図５（ｃ２）は、支持部４０の厚みが異なる部分となる梁部４１、即ち凹部４１ａとなる部分の第１犠牲層１３が除去された状態を示している。これら第１犠牲層１３の部分的な除去は、フォトリソグラフィー法によって行うことができる。
【００４３】
図６（ｄ）は、振動部３０と支持部４０となる第１シリコン層１４が形成された状態を示している。第１シリコン層１４は、第１犠牲層１３、もしくは第１犠牲層１３と固定部５０とに対応させて形成する。
第１シリコン層１４の形成方法としては、例えば、ＣＶＤ法を用いてポリシリコン層を設けることができる。
【００４４】
図６（ｅ）は、第１シリコン層１４が平坦化された状態を示している。第１シリコン層１４は、前述のとおり、第１犠牲層１３が除去された部分を含んで形成するため、当該第１犠牲層１３が除去された部分に窪み（凹み）が生じる。窪みが生じると後述する第１シリコン層１４に積層して形成される第２シリコン層１６の厚みが不均一になり、これにより第１シリコン層１４と第２シリコン層１６とで形成される振動部３０と支持部４０との厚みが不均一になる虞がある。このことから、第１シリコン層１４の平坦化を行う。
第１シリコン層１４の平坦化は、前述した第１犠牲層１３の平坦化と同様にＣＭＰ法によって行うことができる。
【００４５】
図７（ｆ）は、中間層としての第２犠牲層１５が形成され、支持部４０が形成される部分の第２犠牲層１５が除去された状態を示している。
第２犠牲層１５が除去された部分とは、梁部４１と、梁部４１に形成する凹部４１ｂである。
第２犠牲層１５の形成方法としては、例えば、ＣＶＤ法を用いてシリコン酸化膜を形成することができる。また、第２犠牲層１５の部分的除去は、例えば、フォトリソグラフィー法によって行う。
【００４６】
図７（ｇ）は、支持部４０となる第２シリコン層１６が形成された状態を示している。
第２シリコン層１６は、第２犠牲層１５が部分的に除去され、第１シリコン層１４が露出した部分と、第２犠牲層１５とに積層して形成する。
第２シリコン層１６の形成方法としては、第１シリコン層１４と同様に、例えば、ＣＶＤ法を用いてポリシリコン膜を形成することができる。
【００４７】
図８（ｈ）は、支持部４０を所定の厚みとするため、第２シリコン層１６の一部が研削された状態を示している。
第２シリコン層１６の研削は、支持部４０を構成する梁部４１と柱部４２とを所定の厚みになるようにする。
第２シリコン層１６の研削は、第１シリコン層１４の平坦化と同様にＣＭＰ法によって行うことができる。
【００４８】
図８（ｉ）は、第２犠牲層１５が除去された状態を示している。
第２犠牲層１５の除去は、例えば、第２犠牲層１５から露出している支持部４０を構成する梁部４１と柱部４２とを、フォトリソグラフィー法を用いてマスクパターンなどで保護をし、ウエットエッチング法を用いて除去することができる。第２犠牲層１５が除去されることで、柱部４２の一部と、梁部４１に形成された凹部４１ｂとの形状が顕れる。
【００４９】
図９（ｊ）は、振動部３０と支持部４０との形状を形成するため第２シリコン層１６上がレジスト膜１７によってパターニングされた状態を示している。
第２シリコン層１６には、振動部３０及び支持部４０として必要となる部分にレジスト膜１７を形成する。これにより、レジスト膜１７が形成されていない部分の第２シリコン層１６と、その下層となる第１シリコン層１４を除去することで振動部３０と支持部４０とを形成することができる。
第１シリコン層１４及び第２シリコン層１６の除去は、例えば、フォトリソグラフィー法によって行うことができる。
また、図９（ｋ）は、前述の工程によって、第１シリコン層１４及び第２シリコン層１６の一部が除去され、振動部３０と支持部４０との形状の一部が顕れた状態を示している。
第１シリコン層１４及び第２シリコン層１６の除去は、例えば、これらを構成するポリシリコンのみを選択的にエッチングする洗浄液（エッチャント）を用いてウエットエッチング法を用いて行うことでできる。
【００５０】
図１０（ｌ）は、第１犠牲層１３が除去され、振動部３０と支持部４０との形状が顕れた状態を示している。
第１犠牲層１３の除去は、例えば、第１犠牲層１３を選択的にエッチング可能な洗浄液（エッチャント）を用いてウエットエッチング法で行うことができる。なお、洗浄液としては、フッ酸を含む洗浄液を用いることができる。この様な洗浄液を用いることで、シリコン酸化膜で形成した第１犠牲層１３を選択的に除去（エッチング）することができ、シリコン窒化膜で形成された下地膜１２によって、ＬＯＣＯＳ膜で形成した絶縁膜１１の保護が可能である。
第１犠牲層１３の除去が完了することでＭＥＭＳ振動子１００の製造工程が完了する。
【００５１】
上述した実施形態によれば、以下の効果が得られる。
この様なＭＥＭＳ振動子１００によれば、支持部４０には、厚みが異なる部位として梁部４１を有している。この梁部４１によって、振動部３０の振動に伴う支持部４０回転軸方向ωの力、すなわち梁部４１の捻れを許容することができる。
よって、支持部４０は、梁部４１の厚みを薄くすることで支持部４０全体の厚みを薄くすること無く剛性を保ち、また、梁部４１の長さに係わらず振動部３０の振動に伴って厚みの異なる部分が捻れることで振動が規制されることを抑制することができる。
従って、支持部４０の厚みの異なる部分、即ち梁部４１が捻れることで振動特性を改善することと、支持部４０が撓むことで生じる振動部３０のスティッキングを抑制することができる。
【００５２】
またこの様なＭＥＭＳ振動子１００の製造方法によれば、中間層として第１犠牲層１３と第２犠牲層１５とが形成されることで、支持部４０を形成する際に厚みの異なる部分、即ち、梁部４１に中間層を設けることができる。また、中間層は、凹部４１ａ，４１ｂの窪みに形成され、支持部４０の形成後に当該中間層を除去することで、振動部３０と支持部４０とのが一体として形成され、その梁部４１に厚みの異なる部分、即ち、凹部４１ａ，４１ｂを形成することができる。
【００５３】
［電子機器］
次いで、本発明の実施形態に係る電子部品としてのＭＥＭＳ振動子１００を適用した電子機器について、図１１から図１３を用いて説明する。
【００５４】
図１１は、本発明の一実施形態に係るＭＥＭＳ振動子１００を備える電子機器としてのモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成の概略を示す斜視図である。この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１００８を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター１１００には、フィルター、共振器、基準クロック等として機能する電子部品としてのＭＥＭＳ振動子１００が内蔵されている。
【００５５】
図１２は、本発明の一実施形態に係るＭＥＭＳ振動子１００を備える電子機器としての携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成の概略を示す斜視図である。この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４及び送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０８が配置されている。このような携帯電話機１２００には、フィルター、共振器、角速度センサー等として機能する電子部品（タイミングデバイス）としてのＭＥＭＳ振動子１００が内蔵されている。
【００５６】
図１３は、本発明の実施形態に係るＭＥＭＳ振動子１００を備える電子機器としてのデジタルスチールカメラの構成の概略を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。デジタルスチールカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）等の撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
デジタルスチールカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部１０００が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行なう構成になっており、表示部１０００は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤ等を含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部１０００に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。また、このデジタルスチールカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニター１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。このようなデジタルスチールカメラ１３００には、フィルター、共振器、角速度センサー等として機能する電子部品としてのＭＥＭＳ振動子１００が内蔵されている。
【００５７】
上述したように、電子機器は本発明の実施形態に係るＭＥＭＳ振動子１００が適用されることにより、より高性能で動作が安定した電子機器を提供することができる。
【００５８】
なお、本発明の実施形態に係る電子部品としてのＭＥＭＳ振動子１００は、図１１に示すパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図１２に示す携帯電話機、図１３に示すデジタルスチールカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等の電子機器に適用することができる。
【００５９】
［移動体］
次いで、本発明の実施形態に係る電子部品としてのＭＥＭＳ振動子１００を適用した移動体について、図１４を用いて説明する。
図１４は移動体の一例としての自動車を概略的に示す斜視図である。自動車１５００には本発明に係るＭＥＭＳ振動子１００を備える。例えば、同図に示すように、移動体としての自動車１５００には、当該自動車１５００の加速度を検知するセンサーとしてＭＥＭＳ振動子１００を内蔵してエンジンの出力を制御する電子制御ユニット（ＥＣＵ：electronic  Control  Unit）１５０８が車体１５０７に搭載されている。また、ＭＥＭＳ振動子１００は、他にも、車体姿勢制御ユニット、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム（ＴＰＭＳ：Tire  Pressure  Monitoring  System）、に広く適用できる。
【００６０】
上述したように、移動体は、本発明の実施形態に係るＭＥＭＳ振動子１００が適用されることにより、より高性能で安定した走行を実現できる移動体を提供することができる。
【００６１】
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。ここで、上述した実施形態と同一の構成部位については、同一の符号を付して重複する説明は省略している。
【００６２】
（変形例１）
図１５（ａ）は、変形例１に係るＭＥＭＳ振動子１０１の支持部１４０の断面図（斜視図）である。
ＭＥＭＳ振動子１０１は、ＭＥＭＳ振動子１００と同様に両端自由梁型の可動電極を備えたＭＥＭＳ振動子であり、基板１０、下部電極２０、振動部３０、固定部５０、支持部１４０等を含み構成されている。なお、図１５（ａ）においては、これらの図示を一部省略している。
支持部１４０は、上述したＭＥＭＳ振動子１００の支持部４０とは、梁部１４１の形状が異なる。
梁部１４１は、振動部３０から固定部５０に延設されている間に、その厚み（Ｚ軸方向）が異なる部分を有する。
より詳しくは、梁部１４１は、厚みの異なる部分として、振動部３０が振動する方向に延設されている縦梁１４１ａと、縦梁１４１ａに直交する方向に延設されている横梁１４１ｂとで構成されている。換言すると梁部１４１は、「Ｔ形状」を有する。
【００６３】
梁部１４１は、その厚みが異なる部分の形状がＴ形状となっているため、例えば、梁部１４１の回転軸ω１１，ω２１方向の力が加えられた場合には、捻れやすい特性を備える。換言すると、例えば、梁部１４１が角柱形状である場合と比較して、Ｔ形状を有する梁部１４１は捻れやすい特性を有する。
また、梁部１４１がＴ形状となっているため、例えば、梁部１４１のせん断方向α１１，α１２、せん断方向β１１，β１２の力が加えられた場合には、撓み（曲がり）にくい特性を有する。換言すると、横梁１４１ｂによって、β１１，β１２方向の梁部１４１の撓みを抑制し、縦梁１４１ａによって、α１１，α１２方向の梁部１４１の撓みを抑制することができる。従って、振動部３０のスティッキングを抑制する事ができる。
その他の点は、前述したＭＥＭＳ振動子１００と同様であるため説明を省略する。
【００６４】
（変形例２）
図１５（ｂ）は、変形例２に係るＭＥＭＳ振動子１０２の支持部２４０の断面図（斜視図）である。
ＭＥＭＳ振動子１０２は、ＭＥＭＳ振動子１００と同様に両端自由梁型の可動電極を備えたＭＥＭＳ振動子であり、基板１０、下部電極２０、振動部３０、固定部５０、支持部２４０等を含み構成されている。なお、図１５（ｂ）においては、これらの図示を一部省略している。支持部２４０は、上述したＭＥＭＳ振動子１００の支持部４０とは、梁部２４１の形状が異なる。
梁部２４１は、振動部３０から固定部５０に延設されている間に、その厚み（Ｚ軸方向）が異なる部分を有する。
より詳しくは、梁部２４１は、例えば、基板１０と対向する面に凹部２４１ａが設けられている。また、凹部２４１ａは、その底部となる横梁２４１ｂと、側壁となる縦梁２４１ｃとを備える。換言すると、梁部２４１の断面形状は「Ｕ形状」を有する。
【００６５】
梁部２４１は、その厚みが異なる部分の形状がＵ形状となっているため、例えば、梁部２４１の回転軸ω２１，ω２２方向の力が加えられた場合には、捻れやすい特性を備える。換言すると、例えば、梁部２４１が角柱形状である場合と比較して、Ｕ形状を有する梁部２４１は捻れやすい特性を有する。
また、梁部２４１がＵ形状となっているため、例えば、梁部２４１のせん断方向α２１，α２２、せん断方向β２１，β２２の力が加えられた場合には、撓み（曲がり）にくい特性を有する。換言すると、横梁２４１ｂによって、β２１，β２２方向の梁部２４１の撓みを抑制し、縦梁２４１ｃによって、α２１，α２２方向の梁部２４１の撓みを抑制することができる。従って、振動部３０のスティッキングを抑制する事ができる。
その他の点は、前述したＭＥＭＳ振動子１００と同様であるため説明を省略する。
【符号の説明】
【００６６】
１０…基板、１１…絶縁膜、１２…下地膜、１３…第１犠牲層、１４…第１シリコン層、１５…第２犠牲層、１６…第２シリコン層、１７…レジスト膜、２０…下部電極、３０…振動部、３１…節、３５…間隙、４０…支持部、４１…梁部、４１ａ…凹部、４１ｂ…凹部、４１ｃ…縦梁、４１ｄ…横梁、４２…柱部、５０…固定部、１００…ＭＥＭＳ振動子、１１００…パーソナルコンピューター、１２００…携帯電話機、１３００…デジタルスチールカメラ、１５００…自動車。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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