(57)【要約】【課題】スルーホールが形成された配線基板の配線密度を向上させる【解決手段】多層配線基板１は、樹脂層２２と樹脂層２３との間にガラス繊維層２１を含む構造を有する支持層１１と、支持層１１の面Ｐ１２から支持層１１の内部に向かうに従って縮径してガラス繊維層２１の位置で径が最小となり、さらに、ガラス繊維層２１から面Ｐ１１に向かうに従って拡径するスルーホール３０と、スルーホール３０における面Ｐ１２側の開口部３０２を覆うように形成されるランド導体５１と、面Ｐ１１側の開口部３０１を覆うように形成されるランド導体４１１と、ランド導体５１とランド導体４１１とを電気的に接続するためにスルーホール３０内に形成されるスルーホール導体３１とを備え、面Ｐ１２側の開口部３０２の径は、面Ｐ１１側の開口部３０１の径よりも大きく、ランド導体５１の径はランド導体４１１の径よりも大きい。【選択図】図１
2014138093.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁層と第２絶縁層との間にガラス繊維を含む構造を有する絶縁基体と、
前記絶縁基体の両面のうち一方の面を上面とするとともに他方の面を下面とし、前記上面から前記絶縁基体の内部に向かうに従って縮径して前記ガラス繊維の位置で径が最小となり、さらに、前記ガラス繊維から前記下面に向かうに従って拡径するスルーホールと、
前記スルーホールにおける前記上面側の開口部を覆うように形成される上面側ランド導体と、
前記スルーホールにおける前記下面側の開口部を覆うように形成される下面側ランド導体と、
前記上面側ランド導体と前記下面側ランド導体とを電気的に接続するために前記スルーホール内に形成されるスルーホール導体とを備え、
前記スルーホールにおける前記上面側の開口部の径は、前記スルーホールにおける前記下面側の開口部の径よりも大きく、
前記上面側ランド導体の径は、前記下面側ランド導体の径よりも大きい
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
複数の前記スルーホールと、
複数の前記スルーホールのそれぞれに対応して設けられた前記上面側ランド導体および前記下面側ランド導体とを備え、
前記絶縁基体の前記下面上において、互いに隣接する少なくとも２つの前記下面側ランド導体の間に配線が形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記絶縁基体の両面のうち前記下面の側に、ＩＣチップと接続するための接続端子を備える
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記スルーホールのうち、前記ガラス繊維を挟んで前記上面側に位置する部分を上面側部分とし、前記ガラス繊維を挟んで前記下面側に位置する部分を下面側部分として、
前記上面側部分の断面積は、前記下面側部分の断面積よりも大きい
ことを特徴とする請求項１〜請求項３の何れか１項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記絶縁基体の前記上面と前記ガラス繊維との間の距離は、前記絶縁基体の前記下面と前記ガラス繊維との間の距離よりも長い
ことを特徴とする請求項１〜請求項４の何れか１項に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スルーホールが形成された配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
支持基板の両面に、絶縁層と導体層とを交互に積層したビルドアップ層を形成する多層配線基板が知られている。このような多層配線基板では、支持基板を貫通するスルーホールを形成するとともにスルーホールの内周面に導体層を形成することにより、支持基板の上面側に形成された上面側ビルドアップ層と、下面側に形成された下面側ビルドアップ層との間を電気的に接続する。
【０００３】
そして従来、基板の上面側と下面側のそれぞれからレーザを照射することにより、テーパ形状の頂部同士が対向した形状のスルーホールを形成する技術が知られている（例えば、特許文献１を参照）。この技術により、スルーホールのアスペクト比が高い場合であっても、スルーホールの内部にボイドを発生させることなくスルーホール内に導体を充填することが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−４６２４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記特許文献１に記載の技術では、上面側と下面側とで別々にレーザを照射するため、上面側からのレーザ照射により形成される上面側スルーホールと、下面側からのレーザ照射により形成される下面側スルーホールとの位置がずれるおそれがある。
【０００６】
このため、上面側スルーホールの開口部を覆う上面側ランドと、下面側スルーホールの開口部を覆う下面側ランドを、上記の位置ずれを考慮して広く形成しなければならず、ビルドアップ層内の配線の高密度化が阻害されるという問題があった。
【０００７】
本発明は、こうした問題に鑑みてなされたものであり、スルーホールが形成された配線基板の配線密度を向上させることができる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するためになされた本発明は、第１絶縁層と第２絶縁層との間にガラス繊維を含む構造を有する絶縁基体と、絶縁基体の両面のうち一方の面を上面とするとともに他方の面を下面とし、上面から絶縁基体の内部に向かうに従って縮径してガラス繊維の位置で径が最小となり、さらに、ガラス繊維から下面に向かうに従って拡径するスルーホールと、スルーホールにおける上面側の開口部を覆うように形成される上面側ランド導体と、スルーホールにおける下面側の開口部を覆うように形成される下面側ランド導体と、上面側ランド導体と下面側ランド導体とを電気的に接続するためにスルーホール内に形成されるスルーホール導体とを備え、スルーホールにおける上面側の開口部の径は、スルーホールにおける下面側の開口部の径よりも大きく、上面側ランド導体の径は、下面側ランド導体の径よりも大きいことを特徴とする配線基板である。
【０００９】
このように構成された配線基板では、絶縁基体が第１絶縁層と第２絶縁層との間にガラス繊維を含む構造を有するため、以下に示す方法で、絶縁基体の内部にスルーホールを形成することができる。
【００１０】
まず、金属層と絶縁基体とが順次積層された構造を有する積層体を作製する。そして、金属層が配置されていない面（以下、レーザ照射面という）の側から積層体に対してレーザを照射することにより、レーザ照射面側から絶縁基体の内部に向かうに従って縮径するスルーホールが第２絶縁層内に形成される。これは、レーザ照射面側から絶縁基体の内部に向かうに従って、レーザ照射面側から照射されるレーザから受ける熱エネルギが減少するからである。なお、第１絶縁層と第２絶縁層のうち、第２絶縁層がレーザ照射面側に配置されているとして説明する。
【００１１】
そして、第１絶縁層と第２絶縁層との間にガラス繊維を含んでいるため、第１絶縁層と第２絶縁層との間の領域（以下、ガラス繊維領域という）は第１絶縁層および第２絶縁層よりもレーザ照射で溶融し難い。このため、レーザを照射することにより積層体内に形成されるスルーホールについて、その積層方向に沿ったスルーホール形成速度は、第２絶縁層内よりもガラス繊維領域の方が遅くなる。
【００１２】
したがって、レーザ照射によりガラス繊維領域内のスルーホールがガラス繊維領域を貫通するまでに、第２絶縁層を貫通するスルーホールは、レーザ照射面側から絶縁基体の内部に向かうに従って縮径する円錐台状に形成される。
【００１３】
その後にレーザがガラス繊維領域を貫通すると、レーザ照射面側からのレーザは、第２絶縁層とガラス繊維領域を通過して第１絶縁層に照射される。これにより、第１絶縁層内においてガラス繊維領域側から金属層側に向かうスルーホールの形成が、第１絶縁層を貫通するまで進行する。
【００１４】
そして、レーザが第１絶縁層を貫通すると、レーザ照射面側からのレーザは、第２絶縁層と第１絶縁層を通過して金属層に照射される。このため、金属層に照射されたレーザの熱エネルギが、金属層を介して第１絶縁層に伝導する。これにより、第１絶縁層を貫通するスルーホールは、金属層側から絶縁基体の内部に向かうに従って縮径する円錐台状に形成される。これは、金属層側から絶縁基体の内部に向かうに従って、金属層から受ける熱エネルギが減少するからである。
【００１５】
そして、レーザが金属層を貫通する前にレーザの照射を終了する。レーザが金属層を貫通すると、金属層がレーザから受ける熱エネルギが、金属層を貫通する前と比較して急激に減少するためである。
【００１６】
その後、金属層を除去してもよいし、絶縁基体上に導体層を形成するために金属層を用いてもよい。
このように、積層体の一方の面から内部に向かうに従って縮径し更に内部から他方の面に向かうに従って拡径するスルーホールを、積層体の一方の面側からレーザを照射することにより形成することができる。
【００１７】
これにより、スルーホールのアスペクト比が高い場合であっても、スルーホールの内部にボイドを発生させることなくスルーホール導体を充填することが可能となる。さらに、スルーホールのうち、ガラス繊維を挟んで上面側に位置する上面側部分と、ガラス繊維を挟んで下面側に位置する部分を下面側部分との間で位置がずれることがなくなる。このため、スルーホールにおける上面側の開口部を覆うように形成される上面側ランド導体と、スルーホールにおける下面側の開口部を覆うように形成される下面側ランド導体とを、この位置ずれを考慮して広く形成する必要がなくなる。
【００１８】
そして、絶縁基体の上面を上記レーザ照射面とすると、スルーホールにおける上面側の開口部の径は、スルーホールにおける下面側の開口部の径よりも大きくなる。絶縁基体の上面側からレーザを照射するため、レーザから受ける熱エネルギ量は上面側の方が下面側よりも多いからである。
【００１９】
そして、スルーホールの開口部を覆うランド導体の径は、スルーホールの開口部を覆うために、スルーホールの開口部の径よりも若干大きくすればよい。このため、下面側ランド導体の径は、上面側ランド導体の径よりも小さくすることができる。
【００２０】
以上、絶縁基体の下面側では、上面側との位置ずれを考慮する必要がなく、さらに、上面側よりランド導体の径を小さくすることができるため、その分、絶縁基体の下面側において配線密度を向上させることができる。
【００２１】
また本発明の配線基板において、複数のスルーホールと、複数のスルーホールのそれぞれに対応して設けられた上面側ランド導体および下面側ランド導体とを備え、絶縁基体の下面上において、互いに隣接する少なくとも２つの下面側ランド導体の間に配線が形成されているようにするよい。これにより、２つの下面側ランド導体の間の領域を配線のために有効に利用することができ、絶縁基体の下面側において配線密度を向上させることができる。
【００２２】
また本発明の配線基板において、絶縁基体の両面のうち下面の側に、ＩＣチップと接続するための接続端子を備えるようにするとよい。本発明の配線基板では、下面側ランド導体の径は上面側ランド導体の径よりも小さいため、絶縁基体の上面側より下面側の方が配線の配置についての自由度が高い。このため、本発明の配線基板と電子部品とを接続するために配線基板に設けられる接続端子の集積度は、絶縁基体の上面側よりも下面側の方が向上させ易い。そして、本発明の配線基板のように絶縁基体の上面と下面との間を貫通するスルーホールを備える配線基板において、ＩＣチップを一方の面に搭載する場合には一般に、他方の面に他の配線基板が接続され、ＩＣチップを搭載する側の方で接続端子の集積度が高くなるためである。
【００２３】
また本発明の配線基板において、スルーホールのうち、ガラス繊維を挟んで上面側に位置する部分を上面側部分とし、ガラス繊維を挟んで下面側に位置する部分を下面側部分として、上面側部分の断面積は、下面側部分の断面積よりも大きいようにするとよい。これにより、スルーホールの下面側部分よりもスルーホールの上面側部分で熱容量が大きくなるため、下面側部分に搭載された電子部品で発生した熱がスルーホールを介して絶縁基体の上面側へ放出し易くなり、電子部品の放熱性を向上させることができる。
【００２４】
また本発明の配線基板において、絶縁基体の上面とガラス繊維との間の距離は、絶縁基体の下面とガラス繊維との間の距離よりも長いようにしてもよい。これにより、絶縁基体の下面とガラス繊維との間の距離が短くなるほど、スルーホールの径が最小となる位置が絶縁基体の下面に近づき、スルーホールにおける下面側の開口部の径を小さくすることができ、その分、下面側ランド導体の径を小さくすることができる。このため、絶縁基体の下面側において配線密度を更に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】多層配線基板１の概略構成を示す断面図である。
【図２】多層配線基板１の製造工程を示す第１の断面図である。
【図３】多層配線基板１の製造工程を示す第２の断面図である。
【図４】多層配線基板１の製造工程を示す第３の断面図である。
【図５】別の実施形態の多層配線基板１を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下に本発明の実施形態を図面とともに説明する。
本発明が適用された実施形態の多層配線基板１は、図１に示すように、その両面のうちの一方の面Ｐ１にＩＣチップ２を搭載する。また多層配線基板１は、他方の面Ｐ２に形成されたバンプ３を介して、マザーボード等の他の配線基板（不図示）と接続される。これにより多層配線基板１は、ＩＣチップ２と他の配線基板とを電気的に接続する。
【００２７】
多層配線基板１は、支持層１１とビルドアップ層１２，１３とを備え、支持層１１における一方の面Ｐ１１および他方の面Ｐ１２のそれぞれにビルドアップ層１２とビルドアップ層１３を積層方向ＳＤに沿って積層して構成される。
【００２８】
支持層１１は、ガラス繊維層２１の両面のそれぞれに樹脂層２２と樹脂層２３を積層して構成される。なお、樹脂層２２は面Ｐ１１側に配置され、樹脂層２３は面Ｐ１２側に配置されている。また、樹脂層２２と樹脂層２３の厚さは互いに等しい。
【００２９】
支持層１１内には、支持層１１を貫通するスルーホール３０が形成されている。そしてスルーホール３０内にスルーホール導体３１が埋め込まれている。なおスルーホール３０の径は、支持層１１の面Ｐ１１からガラス繊維層２１に向うにつれて徐々に小さくなり、ガラス繊維層２１で最小となる。さらにスルーホール３０の径は、ガラス繊維層２１から支持層１１の面Ｐ１２に向うにつれて徐々に大きくなっている。また、スルーホール３０における面Ｐ１１側の開口部３０１の径は、面Ｐ１２側の開口部３０２の径よりも小さい。
【００３０】
ビルドアップ層１２は、導体層４１、絶縁層４２、導体層４３、絶縁層４４、導体層４５およびソルダーレジスト層４６が順次積層されて構成されている。導体層４１は、スルーホール３０における面Ｐ１１側の開口部３０１を覆うように形成されている複数のランド導体４１１と、ランド導体４１１間に配置されている複数の配線用導体４１２とから構成されている。
【００３１】
そして、絶縁層４２，４４内にはそれぞれ、積層方向ＳＤに延びて形成されるビア導体４７，４８が設けられる。これにより、導体層４１，４３はそれぞれ、導体層４３，４５と電気的に接続される。またソルダーレジスト層４６は、導体層４５が配置されている領域に開口部４６０が形成される。
【００３２】
そして、開口部４６０内における導体層４５上にバンプ４が形成され、このバンプ４とＩＣチップ２の接続端子２０１とが接続される。
ビルドアップ層１３は、導体層５１、絶縁層５２、導体層５３、絶縁層５４および導体層５５が順次積層されて構成されている。導体層５１は、スルーホール３０における面Ｐ１２側の開口部３０２を覆うように形成されるランド導体である。以下、開口部３０２を覆っている導体層５１をランド導体５１ともいう。そして、絶縁層５２，５４内にはそれぞれ、積層方向ＳＤに延びて形成されるビア導体５６，５７が設けられる。これにより、導体層５１，５３はそれぞれ、導体層５３，５５と電気的に接続される。そして、導体層５５上にバンプ３が形成される。
【００３３】
次に、本発明が適用された多層配線基板１の製造方法を説明する。
図２に示すように、まず、支持層１１の面Ｐ１１に金属層６１（本実施形態では銅）を積層する。そして、支持層１１の面Ｐ１２上における所定の位置にレーザを照射する。これにより、面Ｐ１２側から支持層１１の内部に向かうに従って縮径するスルーホール３０が樹脂層２３内に形成される。これは、面Ｐ１２側から支持層１１の内部に向かうに従って、レーザ照射面側から照射されるレーザから受ける熱エネルギが減少するからである。
【００３４】
そして、樹脂層２２と樹脂層２３との間にガラス繊維層２１を含んでいるため、樹脂層２２と樹脂層２３との間のガラス繊維層２１は樹脂層２２，２３よりもレーザ照射で溶融し難い。このため、レーザを照射することにより支持層１１内に形成されるスルーホール３０について、積層方向ＳＤに沿ったスルーホール形成速度は、樹脂層２３内よりもガラス繊維層２１内の方が遅くなる。
【００３５】
したがって、レーザ照射によりガラス繊維層２１内のスルーホール３０がガラス繊維層２１を貫通するまでに、樹脂層２３を貫通するスルーホール３０は、レーザ照射面側から支持層１１の内部に向かうに従って縮径する円錐台状に形成される。
【００３６】
その後にレーザがガラス繊維層２１を貫通すると、レーザ照射面側からのレーザは、樹脂層２３とガラス繊維層２１を通過して樹脂層２２に照射される。これにより、樹脂層２２内においてガラス繊維層２１側から金属層６１側に向かうスルーホール３０の形成が、樹脂層２２を貫通するまで進行する。
【００３７】
そして、レーザが樹脂層２２を貫通すると、レーザ照射面側からのレーザは、樹脂層２２，２３を通過して金属層６１に照射される。このため、金属層６１に照射されたレーザの熱エネルギが、金属層６１を介して樹脂層２２に伝導する。これにより、樹脂層２２を貫通するスルーホールは、金属層６１側から支持層１１の内部に向かうに従って縮径する円錐台状に形成される。これは、金属層６１側から支持層１１の内部に向かうに従って、金属層６１から受ける熱エネルギが減少するからである。
【００３８】
そして、レーザが金属層６１を貫通する前にレーザの照射を終了する。レーザが金属層６１を貫通すると、金属層６１がレーザから受ける熱エネルギが、金属層６１を貫通する前と比較して急激に減少するためである。
【００３９】
以上より、図３に示すように、支持層１１の面Ｐ１２から内部に向かうに従って縮径し更に内部から面Ｐ１１に向かうに従って拡径するスルーホール３０を、支持層１１の面Ｐ１２側からレーザを照射することにより形成することができる。
【００４０】
さらに、支持層１１の面Ｐ１２側からレーザを照射するため、レーザから受ける熱エネルギ量は面Ｐ１２側の方が面Ｐ１１側よりも多い。このため、スルーホール３０における面Ｐ１２側の開口部３０２の径は、面Ｐ１１側の開口部３０１の径よりも大きくなる。
【００４１】
そして図４に示すように、金属層６１をエッチングにより除去する。
その後、無電解メッキを行うことにより、スルーホール３０の内周面上と樹脂層２２，２３上に薄い無電解メッキ層（本実施形態では銅）を形成する。そして、そして、無電解メッキ層上に、導体層４１，５１の配線パターンに対応する所定のレジストパターンを形成する。さらに、電気メッキを行うことにより、レジストに覆われていない領域にメッキ層（本実施形態では銅）を形成する。その後、不要な無電解メッキ層とレジストをエッチングにより除去する。これにより、図１に示すように、スルーホール３０内にスルーホール導体３１が形成されるとともに、所定の配線パターンを有する導体層４１，５１が形成される。なお、積層方向ＳＤに沿って開口部３０１とビア導体４７とが対向するように配置されている場合に、この開口部３０１を覆うランド導体４１１の径は、このランド導体４１１と積層方向ＳＤに沿って対向しているランド導体５１の径よりも小さい。
【００４２】
そして、支持層１１の両面のそれぞれについて、支持層１１上にフィルム状の樹脂材料（例えばエポキシ樹脂）を配置し、真空下において加圧加熱することにより樹脂材料を硬化させて絶縁層４２，５２を形成する。これにより、図１に示すように、支持層１１の面Ｐ１１と導体層４１が絶縁層４２に被覆された状態になる。同様に、支持層１１の面Ｐ１２と導体層５１が絶縁層５２に被覆された状態になる。
【００４３】
そして、絶縁層４２，５２の表面上における所定の位置にレーザを照射することにより、絶縁層４２，５２内に複数のビアホールを形成する。さらに、ビアホールの形成によりビアホール内に生成されたスミアを除去するための処理（デスミア処理）を行う。その後、無電解メッキを行うことにより、絶縁層４２，５２上に薄い無電解メッキ層（本実施形態では銅）を形成する。そして、無電解メッキ層上に、導体層４３，５３の配線パターンに対応する所定のレジストパターンを形成する。さらに、電気メッキを行うことにより、レジストに覆われていない領域にメッキ層（本実施形態では銅）を形成する。その後、不要な無電解メッキ層とレジストをエッチングにより除去する。これにより、図１に示すように、ビアホール内にビア導体４７，５６が形成されるとともに、所定の配線パターンを有する導体層４３，５３が形成される。
【００４４】
さらに、絶縁層４２，５２と導体層４３，５３とビア導体４７，５６の形成と同様の工程を用いることで、図１に示すように、絶縁層４２，５２上に、絶縁層４４，５４と導体層４５，５５とビア導体４８，５７を形成する。
【００４５】
そして、エポキシ樹脂等の有機樹脂材料で構成されたソルダーレジストを絶縁層４４と導体層４５を覆うように塗布した後に、このソルダーレジストをパターニングする。これにより、図１に示すように、導体層４５が配置されている領域に開口部４６０を有するソルダーレジスト層４６が絶縁層４４上に形成される。
【００４６】
このように構成された多層配線基板１は、樹脂層２２と樹脂層２３との間にガラス繊維層２１を含む構造を有する支持層１１と、支持層１１の面Ｐ１２から支持層１１の内部に向かうに従って縮径してガラス繊維層２１の位置で径が最小となり、さらに、ガラス繊維層２１から支持層１１の面Ｐ１１に向かうに従って拡径するスルーホール３０と、スルーホール３０における面Ｐ１２側の開口部３０２を覆うように形成されるランド導体５１と、スルーホール３０における面Ｐ１１側の開口部３０１を覆うように形成されるランド導体４１１と、ランド導体５１とランド導体４１１とを電気的に接続するためにスルーホール３０内に形成されるスルーホール導体３１とを備え、スルーホール３０における面Ｐ１２側の開口部３０２の径は、スルーホール３０における面Ｐ１１側の開口部３０１の径よりも大きく、ランド導体５１の径はランド導体４１１の径よりも大きい。
【００４７】
上記のように、支持層１１が樹脂層２２と樹脂層２３との間にガラス繊維層２１を含む構造を有するため、支持層１１の面Ｐ１２から支持層１１の内部に向かうに従って縮径してガラス繊維層２１の位置で径が最小となり、さらに、ガラス繊維層２１から支持層１１の面Ｐ１１に向かうに従って拡径するスルーホール３０を、支持層１１の面Ｐ１２側からレーザを照射することにより形成することができる。
【００４８】
これにより、スルーホール３０のうち、ガラス繊維層２１を挟んで面Ｐ１２側に位置する部分と、ガラス繊維層２１を挟んで面Ｐ１１側に位置する部分を部分との間で位置がずれることがなくなる。このため、スルーホール３０における面Ｐ１２側の開口部３０２を覆うように形成されるランド導体５１と、スルーホール３０における面Ｐ１１側の開口部３０１を覆うように形成されるランド導体４１１とを、この位置ずれを考慮して広く形成する必要がなくなる。
【００４９】
そして、スルーホール３０の開口部を覆うランド導体の径は、スルーホールの開口部を覆うために、スルーホールの開口部の径よりも若干大きくすればよい。このため、ランド導体４１１の径は、ランド導体５１の径よりも小さくすることができる。
【００５０】
以上、支持層１１の面Ｐ１１側では、面Ｐ１２側との位置ずれを考慮する必要がなく、さらに、面Ｐ１２側よりランド導体の径を小さくすることができるため、その分、支持層１１の面Ｐ１１側において配線密度を向上させることができる。
【００５１】
また多層配線基板１では、複数のスルーホール３０と、複数のスルーホール３０のそれぞれに対応して設けられたランド導体４１１およびランド導体５１とを備え、支持層１１の面Ｐ１１上において、互いに隣接する少なくとも２つのランド導体４１１の間に配線用導体４１２が形成されている。
【００５２】
これにより、２つのランド導体４１１の間の領域を配線のために有効に利用することができ、支持層１１の面Ｐ１１側において配線密度を向上させることができる。
また多層配線基板１では、支持層１１の面Ｐ１１側にＩＣチップ２と接続するためのバンプ４を備える。多層配線基板１では、ランド導体４１１の径はランド導体５１の径よりも小さいため、支持層１１の面Ｐ１２側より面Ｐ１１側の方が配線の配置についての自由度が高い。このため、多層配線基板１とＩＣチップ２とを接続するために多層配線基板１に設けられる接続端子の集積度は、支持層１１の面Ｐ１２側よりも面Ｐ１１側の方が向上させ易い。そして多層配線基板１は、ＩＣチップ２と他の配線基板とを電気的に接続するために用いられるため、他の配線基板と接続される側よりもＩＣチップ２を搭載する側で接続端子の集積度が高くなるためである。
【００５３】
また多層配線基板１では、スルーホール３０のうち、ガラス繊維層２１を挟んで面Ｐ１２側に位置する部分（以下、面Ｐ１２側部分という）の断面積は、ガラス繊維層２１を挟んで面Ｐ１１側に位置する部分（以下、面Ｐ１１側部分という）の断面積よりも大きい。これにより、スルーホール３０の面Ｐ１１側部分よりもスルーホール３０の面Ｐ１２側部分で熱容量が大きくなるため、面Ｐ１１側部分に搭載されたＩＣチップ２で発生した熱がスルーホール３０を介して支持層１１の面Ｐ１２側へ放出し易くなり、ＩＣチップ２の放熱性を向上させることができる。
【００５４】
以上説明した実施形態において、多層配線基板１は本発明における配線基板、支持層１１は本発明における絶縁基体、樹脂層２２は本発明における第１絶縁層、樹脂層２３は本発明における第２絶縁層、ガラス繊維層２１は本発明におけるガラス繊維、面Ｐ１２は本発明における上面、面Ｐ１１は本発明における下面、ランド導体５１は本発明における上面側ランド導体、ランド導体４１１は本発明における下面側ランド導体、配線用導体４１２は本発明における配線、バンプ４は本発明における接続端子である。
【００５５】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の形態を採ることができる。
例えば上記実施形態では、樹脂層２２と樹脂層２３の厚さは互いに等しく、支持層１１の面Ｐ１２とガラス繊維層２１との間の距離が、支持層１１の面Ｐ１１とガラス繊維層２１との間の距離に等しいものを示した。しかし、図５に示すように、樹脂層２２が樹脂層２３よりも薄く、支持層１１の面Ｐ１２とガラス繊維層２１との間の距離が、支持層１１の面Ｐ１１とガラス繊維層２１との間の距離よりも長いようにしてもよい。
【００５６】
これにより、支持層１１の面Ｐ１１とガラス繊維層２１との間の距離が短くなるほど、スルーホール３０の径が最小となる位置が支持層１１の面Ｐ１１に近づき、スルーホール３０における面Ｐ１１側の開口部３０１の径を小さくすることができ、その分、ランド導体４１１の径を小さくすることができる。このため、支持層１１の面Ｐ１１側において配線密度を更に向上させることができる。
【００５７】
また、上記実施形態では、支持層１１の下面に金属層６１を積層するものを示したが、支持層１１上にさらに上面金属層を積層するようにしてもよい。これにより、この上面金属層を、多層配線基板１の配線層として利用することができる。そして、レーザ照射により、支持層１１と上面金属層を貫通するスルーホールを形成する。この場合には、レーザ照射により上面金属層を貫通し易くすることと、レーザ照射により金属層６１を貫通し難くすることとを両立するために、金属層６１は上面金属層よりも厚いようにするとよい。これにより、上面金属層を貫通させるためにレーザの照射エネルギを上げ、上面金属層を貫通した後に、金属層６１を貫通し難くするためにレーザの照射エネルギを下げるという処理を行う必要がなくなる。つまり、スルーホールを形成する工程においてレーザの照射エネルギを一定とすることができ、この工程を簡略化することができる。
【００５８】
さらに、支持層１１上にさらに上面金属層を積層する場合に、スルーホールを形成する工程でレーザを照射する前に、レーザを通過させるための貫通孔を上面金属層に形成するようにしてもよい。これにより、スルーホールを形成する工程においてレーザの照射エネルギを一定とすることができ、この工程を簡略化することができる。
【符号の説明】
【００５９】
１…多層配線基板、２…ＩＣチップ、３，４…バンプ、１１…支持層、１２，１３…ビルドアップ層、２１…ガラス繊維層、２２，２３…樹脂層、３０…スルーホール、３１…スルーホール導体、４１，４３，４５，５１，５３，５５…導体層、４２，４４，５２，５４…絶縁層、４６…ソルダーレジスト層、４７，４８，５６，５７…ビア導体、６１…金属層、２０１…接続端子、３０１，３０２…開口部、４１１…ランド導体、４１２…配線用導体、４６０…開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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