(57)【要約】【課題】  導電性高分子層が積層されたシリコン基板積層体よりなる、光電変換効率の高い有機無機ハイブリッド系太陽電池を提供する。【解決手段】  テクスチャー構造を有するシリコン基板のテクスチャー構造面上に、酸化グラフェンが分散した導電性高分子層、例えば、エチレンジオキシチオフェンとポリスルフォン酸塩の混合物よりなる層が霧化製膜法により積層されてなるシリコン基板積層体、及び前記シリコン基板積層体上に、電極が形成されてなる太陽電池。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
テクスチャー構造を有するシリコン基板のテクスチャー構造面上に、酸化グラフェンを分散した導電性高分子層が霧化製膜法により積層されてなるシリコン基板積層体。
【請求項２】
前記導電性高分子層が、エチレンジオキシチオフェンとポリスルフォン酸塩の混合物に酸化グラフェンが分散したものである請求項１記載のシリコン基板積層体。
【請求項３】
前記導電性高分子層の厚さが、５〜５００ｎｍである請求項１記載のシリコン基板積層体。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載のシリコン基板積層体上に、電極が形成されてなる太陽電池。
【請求項５】
シリコン基板をアルカリ溶液でエッチングし、テクスチャー構造を形成させる工程（１）と、
前記テクスチャー構造を形成後に、テクスチャー構造面上に酸化グラフェンが分散した導電性高分子層を霧化製膜法により積層する工程（２）と、
を有する請求項１に記載のシリコン基板積層体の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法で得られたシリコン基板積層体の上に電極を形成し、次いで、５０〜１８０℃で焼成し、導電性高分子層をＰ型有機電導層とする太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テクスチャー構造面上に、酸化グラフェンが分散した導電性高分子層が積層されてなるシリコン基板積層体およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、太陽電池の製造プロセスの簡素化を達成するために、太陽電池の原料をシリコン系原料から有機系材料へ転換する技術開発が盛んに行われている。しかしながら、有機系材料を用いた太陽電池では、有機材料の導電性が低いなどの理由のために、シリコン系太陽電池と比較して変換効率が低く、また、耐久性に劣るなどの課題があった。
【０００３】
そこで、有機系太陽電池の課題を解決するために、シリコン系原料の高い変換効率と有機系材料の簡素な製造プロセスの両方の特徴を併せ持つ有機無機ハイブリッド太陽電池の開発も盛んに行われている。（例えば、特許文献１など）
【０００４】
一般に有機無機ハイブリッド太陽電池では、Ｎ型のシリコン基板上にＰ型の有機電導層を成膜、Ｐ−Ｎ接合を形成させ、太陽電池として機能させる。従って、光電変換効率が高い太陽電池とするためには、シリコン基板上に均一に導電性が高い有機電導層を成膜することが大きな技術的課題となっていた。
【０００５】
これまでに、シリコン基板上に有機電導層を成膜する方法としては、スピンコーティング法が一般に知られている。スピンコーティング法は、シリコン基板を高速回転させることにより遠心力で薄膜を成膜する方法であり、特に、平滑性が高いシリコン基板上に成膜する場合は、回転速度と成膜される薄膜の膜厚が比例することから、半導体製造工程において、実用化されている。
【０００６】
また、有機電導層を塗布する方法として、超音波を利用して、有機電導層の原料となる溶液を霧化し、薄膜を形成する方法も知られている。（特許文献２参照）
【０００７】
一方で、近年、シリコン系太陽電池の性能を向上させるために、シリコン基板をテクスチャー構造とすることも知られており、太陽電池の表面をテクスチャー構造とすることで、表面での多重反射による表面反射率低下（表面凹凸により表面で１度反射した光を再び入射させる。）、光路長の拡大（凹凸により、光の進行方向が斜めになり、その結果、シリコン内部を光が進む距離が長くなる。）の効果が得られる。
【０００８】
また、前述したようにシリコン内部を光が斜めに進行するので、その光の一部が裏面で反射されて再び表面に達したとき、入射角が臨界角以上になり、光は全てシリコン基板内に閉じ込められ、その結果、シリコン系太陽電池の性能が向上する。
【０００９】
したがって、有機無機ハイブリッド太陽電池の特性を向上させようとした場合に、太陽電池の表面をテクスチャー構造とする手法が簡便である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平１０−３２１５４８号公報
【特許文献２】特開２００５−３０５２３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、本発明者らは有機無機ハイブリッド系太陽電池の光電変換効率を向上させるため、テクスチャー構造を形成したシリコン基板表面にスピンコーティング法で有機電導層を成膜してみたが、良好な光電変換効率の太陽電池を得ることができなかった。
【００１２】
また、特許文献２に記載されている成膜法を採用しても、スピンコーティング法と同様に、太陽電池の光電変換効率が悪いという課題があった。
【００１３】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、テクスチャー構造を有するシリコン基板のテクスチャー構造面上に、酸化グラフェンが分散した導電性高分子層が霧化製膜法により積層されてなるシリコン基板積層体を提供し、また、その製造方法を提供することを目的とする。
【００１４】
このようにして製造されたシリコン基板積層体を用いることで、光電変換効率の高い有機無機ハイブリッド系太陽電池を提供することが可能となる。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
このような課題の解決を目的とした本発明は以下のとおりである。
即ち、本発明は、テクスチャー構造を有するシリコン基板のテクスチャー構造面上に、酸化グラフェンを分散した導電性高分子層が霧化製膜法により積層されてなるシリコン基板積層体である。
【００１６】
また、本発明は、シリコン基板をアルカリ溶液でエッチングし、テクスチャー構造を形成させる工程（１）と、前記テクスチャー構造を形成後に、テクスチャー構造面上に酸化グラフェンが分散した導電性高分子層を霧化製膜法により積層する工程（２）と、を有する上記シリコン基板積層体の製造方法である。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、テクスチャー構造を有するシリコン基板上に、酸化グラフェンを分散した導電性高分子層が積層されたシリコン基板積層体を得ることができる。そして、得られたシリコン基板積層体上に、銀などの金属を使用して電極パターンを形成すれば、光電変換効率が約９％の太陽電池とすることが可能である。
【００１８】
また、シリコン系太陽電池の製造プロセスと比較して、形成した導電性高分子層を焼成するだけで、Ｐ型電導層を作成することが出来るので、製造プロセスのコストを低減することも可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、本発明において用いられる霧化製膜装置の模式図である。
【図２】図２は、実施例１で得られた本発明のシリコン基板積層体の断面を表す走査型電子顕微鏡写真である。
【図３】図３は、実施例１で用いた、酸化グラフェンを分散させたポリ３，４−エチレンジオキシチオフェン、ポリスチレンスルホン酸塩、及び水の混合溶液の光学顕微鏡写真である。
【符号の説明】
【００２０】
１  酸化グラフェンが分散した導電性高分子の溶液
２  内容器
３  外容器
４  キャリアガス
５  霧
６  連通管
７  シリコン基板
８  メッシュ電極
９  電圧発生器
１０  超音波発生装置
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００２２】
＜シリコン基板積層体＞
本発明のシリコン基板積層体は、テクスチャー構造面上に、酸化グラフェンが分散した導電性高分子層が積層されてなる。
【００２３】
本発明において、シリコン基板は厚みや形状に制限されることなく公知のものを使用することができる。また、Ｐ型、Ｎ型のシリコン基板であっても、表面にテクスチャー構造が形成可能であれば、本発明におけるシリコン基板として使用することが可能である。このように、様々なシリコン基板を使用することが可能であるが、容易に表面にテクスチャー構造を形成可能であるという点から、シリコン基板表面が（１００）面である単結晶シリコン基板が好ましい。このような面方位の単結晶シリコン基板表面とアルカリ溶液を接触させると、アルカリ溶液によるシリコン基板のエッチング速度が（１１１）面と（１００）面で異なるために、エッチング速度の遅い（１１１）面が残り、該表面に良好なテクスチャー（ピラミッド状の凹凸部）が形成される。
【００２４】
本発明において、シリコン基板表面に形成されたテクスチャー構造は、凹凸部が形成されていればよい。特に、該凹凸部は、多数のピラミッド構造を有し、そのうちの一つのピラミッド構造は１〜５０μｍの高さであり、１〜１０００μｍ２の平面面積を持つものであることが好ましい。このような凹凸部を有するテクスチャー構造を形成すれば、シリコン基板表面における光の反射率をより低くすることが可能となり、太陽電池を作製した場合に、光電変換効率を向上させることが可能となる。
【００２５】
本発明において、導電性高分子層に分散させる酸化グラフェンは、特に制限されることなく、公知の酸化グラフェンを使用することができる。例えば、特許第４５２７１９４号に記載されている酸化グラフェンやジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサイエティ８０巻（１９５８年）１３３９頁に記載されている改良ハマーズ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｈｕｍｍｅｒｓ）法で製造された酸化グラフェンが何ら制限なく使用できる。
【００２６】
なお、酸化グラフェンは、上記した方法で作製した段階では、一辺が０．５〜１０μｍである四辺形状であるが、非常に脆いため、後述する導電性高分子の溶液に分散させ、超音波が印加された段階で、粒子径が１０ｎｍ程度の微粒子状となる。
【００２７】
本発明において、導電性高分子層を構成する導電性高分子は、導電性を有する公知の高分子であれば特に制限されないが、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスルホン酸塩の混合物が、水溶性で、且つ、導電性が高いという観点から好ましい。特に、ポリ３，４−エチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸塩の混合物（以下、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳともいう。）が好ましい。
【００２８】
この理由として、Ｓｉの価電子帯とＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの最高被占分子軌道（Ｈｉｇｈｅｓｔ  Ｏｃｃｕｐｉｅｄ  Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｏｒｂｉｔａｌ：ＨＯＭＯ準位、真空準位とイオン化ポテンシャルとの差）がシリコンの価電子帯とほぼ等しいエネルギーレベルを示すことから、シリコンと接触させた場合にキャリアーのエネルギー障壁を形成せず、太陽電池の光電変換効率が向上する点が挙げられる。
【００２９】
ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスルホン酸塩の混合比は、ポリエチレンジオキシチオフェン１質量部に対して、ポリスルホン酸塩が０．１〜５質量部であることが好ましく、０．５〜２質量部がより好ましい。
【００３０】
導電性高分子は各種溶媒に溶解させて用いることができる。溶媒としては、水、アルコール、アセトン等を挙げることができるが、前述の酸化グラフェンの分散性を均一にするためには水を用いることが好ましい。溶媒に溶解した時の導電性高分子の濃度は、導電性高分子が溶解すればよく、通常、０．１〜３質量％の範囲であることが好ましい。導電性高分子の溶液は、ヘラウス（Ｈｅｒａｅｕｓ）社から商品名「クレヴィオス（Ｃｌｅｖｉｏｓ）」として市販されている。
【００３１】
さらに、前記方法で作製した酸化グラフェンが導電性高分子層に分散することによって、エチレンジオキシチオフェンの共有結合から余った電子が、分散した酸化グラフェンを通して導電するために、導電性高分子層の最高被占分子軌道（Ｈｉｇｈｅｓｔ  Ｏｃｃｕｐｉｅｄ  Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｏｒｂｉｔａｌ：ＨＯＭＯ）−最低空分子軌道（Ｌｏｗｅｓｔ  Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ  Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｏｒｂｉｔａｌ：ＬＵＭＯ）エネルギーが増大し、結晶Ｓｉとの界面において内部電界が増強され、本発明のシリコン基板積層体を用いて太陽電池を作製した場合に、光電変換効率が向上するという効果を得ることが出来る。
【００３２】
導電性高分子層を形成する導電性高分子に分散させる酸化グラフェンの割合は特に制限されないが、通常、導電性高分子１質量部に対して５〜２０質量部とすることが、本発明のシリコン基板積層体を太陽電池として用いたときに、解放電圧が増加し光電変換効率が向上するために好適である。
【００３３】
本発明において、酸化グラフェンが分散した導電性高分子層の形成は、霧化製膜法が用いられる。従来のスピンコーティング法を用いたのでは、得られるシリコン基板積層体を太陽電池としたときの光電変換効率が低いために好ましくない。
【００３４】
霧化製膜法は、酸化グラフェンを分散した導電性高分子の溶液を超音波照射して霧化させ、さらに発生した霧に電圧を印加することにより、シリコン基板上に酸化グラフェンを分散した導電性高分子層を形成する方法である。詳細は後述する。
【００３５】
本発明において、酸化グラフェンが分散した導電性高分子層の厚みは、特に制限されないが、膜の強度、均一性、太陽電池とした場合の光電変換効率などの観点から５〜５００ｎｍであることが好ましい。
【００３６】
本発明のシリコン基板積層体は、その上に電極を形成し、さらに５０〜１８０℃で焼成することにより導電性高分子層をＰ型有機電導層にすることができ、太陽電池として動作する。
【００３７】
このように作製された、光電変換効率に優れた太陽電池は、製造プロセスの簡素化に伴って、製造コストを低減できるので、幅広い用途に使用することが可能である。
【００３８】
一方で、スピンコーティング法などの従来技術で、導電性高分子層を成膜し、太陽電池とした場合は本発明と比較して光電変換効率が低い。このような原因としては、本発明者らは、スピンコーティング法などの従来技術で、テクスチャー構造を有するシリコン基板上に導電性高分子層を成膜した場合には、導電性高分子層の膜厚が不均一になるために太陽電池の光電変換効率が低下すると推測している。
【００３９】
＜シリコン基板積層体の製造方法＞
次に、本発明のシリコン基板積層体を製造する方法について説明する。
【００４０】
工程（１）
まず、シリコン基板をアルカリ溶液でエッチングし、シリコン基板表面にテクスチャー構造を形成させる。
アルカリ溶液は、アルカリ金属塩とアルコールとの１：１〜５（質量比）の混合物を用いることが好ましく、アルカリ金属塩としては水酸化ナトリウムが好ましく、アルコールとしてはイソプロピルアルコールが好ましい。
【００４１】
シリコン基板をアルカリ溶液と接触させる方法としては、例えば、アルカリ溶液が導入された処理槽にシリコン基板を浸漬させればよい。このとき、シリコン基板表面に均一にテクスチャー（凹凸部）を形成させるため、処理槽中でシリコン基板を揺動させたり、振動することもできる。また、処理槽中のアルカリ溶液を撹拌したり、循環混合を行いながら、シリコン基板と接触させることもできる。
【００４２】
工程（２）
次に、テクスチャー構造面上に酸化グラフェンが分散した導電性高分子層を積層するが、その前にテクスチャー構造を形成した面を洗浄することが好ましい。洗浄する方法としては特に制限されないが、シリコン基板を希フッ酸水溶液中に入れ、シリコン基板の表面の酸化膜を溶解させ、その後、アンモニアと過酸化水素の混合溶液で有機物等を除去し、次いで、塩酸と過酸化水素の混合溶液で、シリコン基板に付着した金属類を溶解させ、最後に超純水で洗浄する方法（一般にＲＣＡ処理と呼ばれる方法）で、有機物や重金属を除去、洗浄することが好ましい。
【００４３】
上記の洗浄の後、テクスチャー構造面上に酸化グラフェンが分散した導電性高分子層を霧化成膜法により積層する。
【００４４】
霧化成膜法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｉｓｔ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、以下、ＣＭＤ法ともいう。）は、例えば、図１に示した霧化製膜装置を使用して実施される。酸化グラフェンが分散した導電性高分子の溶液（以下、原料溶液ともいう）１を入れた内容器２を、水を満たした外容器３中に浸し、外容器３中の水に超音波発生装置１０で超音波を照射することによって原料溶液１を霧化する。内容器２中にはキャリアガス４を流し、生成した霧５を連通管６を通してシリコン基板７上に導く。さらに、シリコン基板７の上方の連通管６に設けたメッシュ電極８とシリコン基板７間で電圧発生器９により電圧を印加し、シリコン基板７上に均一な導電性高分子層を堆積させる。
【００４５】
ＣＭＤ法を採用することにより、テクスチャー構造が形成されたシリコン基板のように凹凸が表面に存在する基板上に薄膜が形成可能となる。上記の霧化製膜法においては、酸化グラフェンが分散した導電性高分子の溶液に超音波が照射されると、酸化グラフェンが微粒子状となり、導電性高分子に酸化グラフェンが分散された状態で霧状となる。霧の大きさが、形成される導電性高分子層の均一性に影響を与えることから、２〜５ＭＨｚの超音波を照射することが好ましい。
【００４６】
キャリアガスは、超音波によって発生させた霧を、成膜される基板上に輸送する。キャリアガスは、不活性であれば特に制限されないが、取り扱いが容易であるという点から窒素が好ましい。キャリアガスの流量も特に制限されないが、基板上に均一な成膜が可能であるという点から、５〜１０００ｓｃｃｍ（標準状態のときの1分あたりの流量）の流量を採用することが好ましい。ただし、キャリアガスの流量は、霧を供給する連通管の径、及び、成膜される基板の直径、霧化成膜装置の装置構成等によって大きな影響を受けるので、実際に採用する条件に応じて適宜調整すればよい。
【００４７】
本発明においては、シリコン基板上方の連通管に設置されたメッシュ電極とシリコン基板間で、電圧が印加される。電圧は±１〜１０ｋＶの範囲から選択することが、超音波によって発生した霧の流れを制御して均一な膜とすることが可能であるために好ましい。
【００４８】
本発明においては、成膜時間は所望する導電性高分子層の厚みにもよるが、５〜５００ｎｍの厚みの導電性高分子層を形成する場合は、１０分〜２０時間を採用することが好ましい。
【００４９】
また、成膜時の基板温度は、霧を供給する連通管からシリコン基板に到達する霧の流れを整流して均一な成膜を可能とするために２０〜８０℃であることが好ましい。
【００５０】
本発明においては、工程（２）の後に、シリコン基板積層体上に電極を形成する。電極の金属は、アルミニウム又は銀がオーミック特性を示すという理由から好ましい。また、電極の形状は、集電という理由から、櫛形あるいはアンテナ型が好ましい。電極に使用される金属をシリコン基板積層体上に形成する方法は、特に制限されないが、プロセスが容易であり、電極のパターンを形成しやすいという観点から、蒸着法や印刷法を採用することが好ましい。電極形成後、必要に応じて乾燥を行えばよい。
【００５１】
その後、５０〜１８０℃で焼成することによって、導電性高分子層をＰ型有機電導層に変換できる。焼成温度が５０℃未満の場合は、導電性高分子層に残留する溶媒を除去できず有機電導層がＰ型半導体として機能しないため好ましくない。焼成温度が１８０℃より高い場合は、有機電導層を構成する有機物質の劣化が進むために好ましくない。
【００５２】
このようにして光電変換効率が優れた太陽電池とすることが出来る。
【００５３】
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で適宜変更して実施し得るものである。
【００５４】
以下に、シリコン基板積層体および太陽電池の評価方法を示した。
【００５５】
（シリコン基板積層体上の導電性高分子層の厚み）
導電性高分子層の厚み測定は、導電性高分子層部分とシリコン部分との境界を、日立製作所製走査型電子顕微鏡SU-8030を使用して、断面観察することによって行った。代表的な観察例を図２に示した。図２の導電性高分子層の厚みは１００ｎｍである。
【００５６】
（シリコン基板積層体上の導電性高分子層の同定）
堀場製作所製エネルギー分散型Ｘ線分析装置Ｘ−Ｍａｘを使用してシリコン基板積層体上に形成した導電性高分子層の元素分析を行った。また、島津製作所製Ｘ線光電子分光分析装置ＡＸＩＳ−ＨＳｉを使用して、導電性高分子層を構成する原子間の結合エネルギーを測定することにより、化合物を同定した。
【００５７】
（太陽電池の光電変換効率の算出方法）
エアマス１．５、強度１００ｍＷ／ｃｍ２の白色光を照射したときに得られる、電流電圧特性より、光電変換効率を算出した。
【００５８】
次に、本発明を実施例及び比較例により、さらに詳細に説明するが、本発明は、これら実施例によってなんら限定されるものではない。
【実施例】
【００５９】
（実施例１）
面方位（１００）、抵抗率１−５Ω・ｃｍの単結晶シリコン基板（φ４インチ）より約４ｃｍ２の大きさに切りだした試験片を準備し、水酸化ナトリウムおよびイソプロピルアルコールを１：２（質量比）で混合した混合溶液中に４０分間浸漬することによって、テクスチャー構造を形成した。その後、有機溶剤による洗浄及びＲＣＡ洗浄を行ない、本試験片を霧化成膜装置の試料台へセットした。
【００６０】
次に、ジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサイエティ８０巻（１９５８年）１３３９頁に記載されている方法にしたがって酸化グラフェンを調製した。酸化グラフェンの形状は薄片状であり、１辺の長さは約０．５〜１０μｍとなっていることが確認された。
【００６１】
次に、ポリ３．４−エチレンジオキシチオフェン０．５質量％、ポリスチレンスルホン酸塩０．８質量％、残部が水の混合溶液（Ｈｅｒａｅｕｓ社製  Ｃｌｅｖｉｏｓ  １０００）１００質量部に、酸化グラフェン粉末を１２質量部の割合で分散させ、原料溶液を作製した。得られた原料溶液を光学顕微鏡にて分散状態を確認した。その結果を図３に示した。図３からＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの水溶液中に酸化グラフェンが均一に分散していることが確認された。
【００６２】
原料溶液を霧化製膜装置に注入し、メッシュ電極から試料片までの間隔を１０ｃｍとして、シリコン基板の温度を４０℃、窒素流量を６０ｓｃｃｍ、メッシュ電極印加電圧を−５ｋＶ、超音波の周波数を３ＭＨｚとして、霧化成膜装置を３０分運転した。
【００６３】
ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ中に酸化グラフェンが分散した導電性高分子層を、テクスチャー構造が形成された単結晶シリコン基板上に形成した。本条件で形成されるＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ膜の厚みは、電子顕微鏡観察で測定した結果、１００ｎｍであった（図１参照）。また、エネルギー分散型Ｘ線分析装置で、主元素が炭素、酸素、イオウが主体であることが確認でき、また、Ｘ線光電子分光分析装置により測定した各原子間結合エネルギーから、単結晶シリコン基板上に形成された薄膜が、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳであると評価した。
【００６４】
次に、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ膜上に口型形状の銀電極を印刷法により形成し、１００℃で5分間銀電極を乾燥した。最後に、空気中で１４０℃、３０分間焼成して、太陽電池を完成させた。
【００６５】
作製した太陽電池を光電変換効率測定装置にセットして、変換効率を測定した。その結果、変換効率は９．２％であった。
【００６６】
（実施例２）
実施例１において、テクスチャー構造を施した単結晶シリコン基板上に形成する酸化グラフェン分散導電性高分子膜の厚みを５０ｎｍとした以外は、すべての条件を実施例１と同じにして太陽電池を形成した。
【００６７】
作製した太陽電池を光電変換効率測定装置にセットして、変換効率を測定した。その結果、変換効率は８．９％であった。
【００６８】
（実施例３）
実施例１において、テクスチャー構造を施した単結晶シリコン基板上に形成する酸化グラフェン分散導電性高分子膜の厚みを３００ｎｍとした以外は、すべての条件を実施例１と同じにして太陽電池を形成した。
【００６９】
作製した太陽電池を光電変換効率測定装置にセットして、変換効率を測定した。その結果、変換効率は８．８％であった。
【００７０】
（実施例４）
実施例１において、電極作製後、空気中で１７０℃、３０分間焼成した以外は、すべての条件を実施例１と同じにして太陽電池を形成した。
【００７１】
作製した太陽電池を光電変換効率測定装置にセットして、変換効率を測定した。その結果、変換効率は８．３％であった。
【００７２】
（実施例５）
実施例１において、電極作製後、空気中で７０℃、３０分間焼成した以外は、すべての条件を実施例１と同じにして太陽電池を形成した。
【００７３】
作製した太陽電池を光電変換効率測定装置にセットして、変換効率を測定した。その結果、変換効率は８．０％であった。
【００７４】
（比較例１）
実施例１において、テクスチャー構造を施した単結晶シリコン基板上に酸化グラフェン分散導電性高分子膜をスピンコート法で成膜した以外は、すべての条件を実施例１と同じにして太陽電池を形成した。
【００７５】
作製した太陽電池を光電変換効率測定装置にセットして、変換効率を測定した。その結果、変換効率は７．０％であった。
【００７６】
（比較例２）
実施例１において、表面が平坦な単結晶シリコン基板上に酸化グラフェン分散導電性高分子膜を成膜した以外は、すべての条件を実施例１と同じにして太陽電池を形成した。
【００７７】
作製した太陽電池を光電変換効率測定装置にセットして、変換効率を測定した。その結果、変換効率は５．４％であった。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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