(57)【要約】【課題】  シートフィルムに発生させた張力を安定してシートフィルムに付与することができる薄膜形成装置を提供する。【解決手段】  第２プレート５が上昇すると、薄膜が薄膜形成面に形成されたシートフィルムＦが第１プレート４の基板Ｗに押圧される。同時に、第一ベローズ２２が縮小し内部空間が減少し、第一ベローズ２２から押し出された気体は、開口１１２から薄膜形成室１１に流入する。一方、第二ベローズ２０４が伸張し内部空間が拡大し、吸引力が発生するとともに、配管２０６を介して処理容器１から気体を吸引し導入する。そのため、連なった気体系の装置内空間の容積は変化しない。第二ベローズ２０４内に圧力は第一ベローズ２２内と同じであるため、昇降ユニット２０に対して薄膜形成室１１の外部より働く圧力が必要以上に変動することが防止できる。【選択図】図１
2014203975.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シートフィルムの薄膜形成面に形成された薄膜を基板に転写する転写処理を実行する薄膜形成装置において、
前記シートフィルム上の前記薄膜に対向する装着面を有し、該装着面に前記基板が装着される第１プレートと、
前記シートフィルムの両主面のうち前記薄膜形成面に対して反対の非薄膜形成面側に前記第１プレートに対向して配設された第２プレートと、
前記第２プレートと前記第１プレートが配置され、内部が減圧された処理空間を有し、その一面に外部空間に向かって開放する開口を形成された処理容器と、
前記処理容器の処理空間と開口を通じて外部に渡って配置され、前記第１プレートまたは前記第２プレートを移動することで、プレート間の相対位置を規定する移動ユニットと、
前記移動ユニットの一部の周囲を覆い、前記処理容器の前記開口の周囲を外面に一方端が取り付けられ、他方端が移動ユニットに塞がれることで前記処理空間と前記外部空間との隔離を形成し、その内部の空洞が前記処理空間と連通する移動ユニットに沿う方向に伸縮自在で気密性を有する筒状の伸縮部材と、
前記移動ユニットを前記移動方向に沿って移動させることで前記シートフィルムを前記第２プレートに装着するとともに前記第１プレートに装着された前記基板に対して前記シートフィルム上の前記薄膜を押し付けて前記転写処理を実行する加重手段と、
前記加重手段が前記移動ユニットを移動させるのに伴って、前記伸縮部材の内部空間の増減を同じ空間の増減を前記処理容器外部に生成するとともに、前記処理容器の処理空間と導通する容積調整手段と、
を具備することを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項２】
前記容積調整手段は、前記移動ユニットの外面に一方端が取り付けられ、その内部が前記処理空間と連通する空洞となる移動ユニットの移動方向に伸縮自在で気密性を有する筒状の伸縮部材と、
前記伸縮部材の他方端を塞いで前記処理空間と前記外部空間とを隔離する固定隔壁と、を有することを特徴とする請求項１記載の薄膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板に薄膜を形成する薄膜形成装置に関するものである。なお、薄膜が形成される基板としては、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板などの各種基板（以下、単に「基板」という）が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＳＩの製造に用いるウエハの大口径化や液晶パネルなどの大面積化に伴い、大面積に適合した薄膜形成方法が必要となってきている。また、ＬＳＩ製造技術における多層配線技術の分野においては、多層配線を実現するために絶縁膜の表面を高い精度で平坦化する必要があり、大面積化に加えて、薄膜形成における表面の平坦化技術への要求も高まってきている。そこで、これらの要求を満足すべく、加圧転写によって基板に薄膜を形成する薄膜形成方法が提案されている。
【０００３】
このような薄膜形成方法を実行する装置として、例えば次のように構成された装置が従来より知られている（特許文献１〜３参照）。これらの装置では、処理容器の内部に形成された薄膜形成室に、基板用プレート（第１プレート）が設けられており、薄膜形成対象となる半導体ウエハなどの基板を装着可能となっている。また、薄膜形成室内には、フィルム用プレート（第２プレート）が基板用プレートと対向しながら配置されており、シートフィルムを装着可能となっている。シートフィルムの表面には予め薄膜が形成されており、この薄膜を基板用プレート上の基板に対向させながらシートフィルムがフィルム保持機構により保持されている。そして、基板が装着された基板用プレートと、シートフィルムが装着されたフィルム用プレートとを所定の移動方向に沿って近接するように移動させることによって、基板とシートフィルムとを互いに押し付けてシートフィルム上の薄膜を基板に転写している。
【０００４】
このような薄膜形成装置では、処理チャンバ内で基板を保持するための機構が必要である。この場合、処理チャンバ内の処理空間の汚染を防止するために、保持手段を駆動するための機構は処理チャンバの外に設けられることが望ましい。その一方で、このように処理チャンバ外部に設けた駆動機構によりチャンバ内部に設けられた基板保持手段を駆動する場合、チャンバの機密性を維持しながら駆動機構と基板保持手段を機械的にリンクさせる機構が必要となる。
【０００５】
ここで、処理チャンバ内で基板に所定の処理を施す基板処理装置および処理チャンバ内で基板を保持する基板保持機構において、処理チャンバの機密性を維持しながら、チャンバ内部での基板の保持およびその解除をチャンバ外から行うための技術が提供されている（特許文献４参照）。
【０００６】
特許文献４に記載の装置では、基板を保持する爪部材が連結される横ロッドは、処理チャンバの上板の上部に突出するハウジングの側面にベローズを介して取り付けられた隔壁形成部材に接続されており、エアシリンダの作動により隔壁形成部材が水平方向に移動すると、これに伴って爪部材が左右に動き、基板の保持・解除を切り換える。処理チャンバ内部の爪を外部から駆動する機構として、ロッドを例えばＯリングなどのシールを介してチャンバ外部にまで延設し、チャンバ外部からこれを駆動することが開始される。
【０００７】
しかしながら、摺動あるいは回転などの動きを伴う部分においては、Ｏリングでは隙間からの漏れが避けられず機密性を保持するのに十分とは言えない。そこで、処理空間と外部空間とを隔てる隔壁形成部材を伸縮自在で機密性を有する筒状の伸縮部材を介して処理チャンバに取り付け、伸縮部材の伸縮によって隔壁形成部材をこの伸縮方向に可動とした。これにより処理空間と外部空間との間に摺動あるいは回転する部分がなくなるので、機密を保持することが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−１３５６２９号公報
【特許文献２】特開２００１−１３５６２３号公報
【特許文献３】特開２００４−１８６２９２号公報
【特許文献４】特開２０１０−１９２５１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、平坦で均一な膜厚の薄膜を基板に形成するために、薄膜の乾燥状態を制御するのにチャンバ内の圧力制御を精密に行うことが重要となっている。というのも、塗布膜の流動性が減圧状態によって可変となる状態でシートフィルム上の薄膜が転写されると薄膜の表面に皺が生じ、平坦で均一な膜厚の薄膜を基板に形成することができなくなるからである。そこで、上記した従来装置では、チャンバ内の圧力を検出して排気を調整することによって、この問題の解消を図っている。
【００１０】
しかしながら、特許文献４に記載の装置では、プレートの昇降機構をチャンバ外に配置し、チャンバ外から移動ロッドでプレートを稼動することを発生させているため、プレートの移動機構においてもベローズを組み込む必要があった。具体的には、下プレートの上方に基材保持機構が配置され、基材保持機構によりシートフィルムが保持されている。そして、基材保持機構によりシートフィルムを保持した状態で、下プレートを上昇させることでシートフィルムの一部（中央部分）を押し上げてシートフィルムを伸張させている。これにより、シートフィルムに張力が付与される。その後、下プレートと基材保持機構とが所定の位置関係に達した時点で、これらの間の位置関係を保ったまま、下プレートと基材保持機構とが上プレートに向けて移動される。
【００１１】
このように、プレートの移動機構にベローズを用いた場合、ベローズの伸縮に伴い、ベローズ内部の雰囲気が処理チャンバ内に押し出される。そのため、処理チャンバ内の圧力が変動してしまう。処理チャンバ内の圧力検出によって圧力調整が可能となっているが、プレートの移動機構におけるベローズが比較的大きく、また薄膜の転写工程において圧力変動が生じることとなり、低圧力による転写動作において改善の余地が残されていた。
【００１２】
更に、薄膜の転写工程における転写加圧力は、昇降機構によるプレートの移動力と処理チャンバ内の減圧によって昇降機構に掛かる引き込み力の合計となる。一方、ベローズの下端である処理チャンバ外部に配置された部位には、処理チャンバと外気圧との差圧による力が生じるために、転写加圧力に対して抵抗となる。特に、低圧力による転写動作を行なう時に、この抵抗により精度の高い設定が困難な状況であった。
【００１３】
この発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、処理チャンバ内の転写加圧力を安定して付与することができる薄膜形成装置および薄膜形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の第１の局面は、薄膜形成装置が、シートフィルムの薄膜形成面に形成された薄膜を基板に転写する転写処理を実行する薄膜形成装置において、前記シートフィルム上の前記薄膜に対向する装着面を有し、該装着面に前記基板が装着される第１プレートと、前記シートフィルムの両主面のうち前記薄膜形成面に対して反対の非薄膜形成面側に前記第１プレートに対向して配設された第２プレートと、前記第２プレートと前記第１プレートが配置され、内部が減圧された処理空間を有し、その一面に外部空間に向かって開放する開口を形成された処理容器と、前記処理容器の処理空間と開口を通じて外部に渡って配置され、前記第１プレートまたは前記第２プレートを移動することで、プレート間の相対位置を規定する移動ユニットと、前記移動ユニットの一部の周囲を覆い、前記処理容器の前記開口の周囲を外面に一方端が取り付けられ、他方端が移動ユニットに塞がれることで前記処理空間と前記外部空間との隔離を形成し、その内部の空洞が前記処理空間と連通する移動ユニットに沿う方向に伸縮自在で気密性を有する筒状の伸縮部材と、前記移動ユニットを前記移動方向に沿って移動させることで前記シートフィルムを前記第２プレートに装着するとともに前記第１プレートに装着された前記基板に対して前記シートフィルム上の前記薄膜を押し付けて前記転写処理を実行する加重手段と、前記加重手段が前記移動ユニットを移動させるのに伴って、前記伸縮部材の内部空間の増減を同じ空間の増減を前記処理容器外部に生成するとともに、前記処理容器の処理空間と導通する容積調整手段と、を具備することを特徴とする。
【００１５】
本発明の第２の局面は、本発明の第１の局面において、薄膜形成装置が、前記容積調整手段は、前記移動ユニットの外面に一方端が取り付けられ、その内部が前記処理空間と連通する空洞となる移動ユニットの移動方向に伸縮自在で気密性を有する筒状の伸縮部材と、前記伸縮部材の他方端を塞いで前記処理空間と前記外部空間とを隔離する固定隔壁と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の第１の局面によれば、移動ユニットの移動により、第１プレートと第２プレートの相対位置を規定されるようにプレートが移動され、シートフィルムの薄膜を基板に転写する転写処理が実行される。その際に、処理チャンバ外部の加重手段と連結するのに処理チャンバの開口を通して外部に渡って配置される移動ユニットの周囲は伸縮部材によって外部空間と隔離される。そして、移動ユニットの移動とともに伸縮部材が伸縮することで気密性が維持される。同時に伸縮部材の内部空間が増減することとなるが、処理チャンバの処理空間は容積調整手段と導通しているので容積調整手段の内部空間が増減することで処理空間に押し出された気体は容積調整手段に吸収される。そのため、処理チャンバの減圧に際して移動ユニットの移動に伴う処理空間への気流の押し出しよる影響が相殺される。したがって、加重手段によって移動される移動ユニットによるプレートの相対位置を正確に規定することができる。
【００１７】
本発明の第２の局面によれば、容積調整手段が固定隔壁と移動ユニットの外面との間に配置された伸縮部材により構成されることで、移動ユニットの移動に伴う伸縮部材の伸縮によって空間の増減が行なわれる。その結果、処理チャンバと移動ユニットの間に配置されている伸縮部材の伸縮と、固定隔壁と移動ユニットの間に配置されている伸縮部材の伸縮が同時に行なわれることで、処理チャンバ内へ押し出された気体の量に相当する処理チャンバ内の気体を容積調整手段へ移動することができる。そのため、処理チャンバの減圧に際して移動ユニットの移動に伴う処理空間への気流の押し出しによる影響が相殺される。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】この発明にかかる薄膜形成装置の一実施形態を示す図である。
【図２】リング体およびリング体を挟持する構成を説明するための断面図である。
【図３】図１の薄膜形成装置のＡ−Ａ'横断面図である。
【図４】突き上げピンと下クランプとが係合した状態を示した図である。
【図５】突き上げピンの構造を示す図である。
【図６】容積調整手段２００の側面断面図である。
【図７】図１の薄膜形成装置の動作を説明するための模式図である。
【図８】図１の薄膜形成装置の動作を説明するための模式図である。
【図９】図１の薄膜形成装置の動作を説明するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１はこの発明にかかる薄膜形成装置の一実施形態を示す図である。この薄膜形成装置は、その内部が薄膜を基板Ｗに転写する転写処理を行う処理空間を形成する薄膜形成室１１となっている処理容器１を有している。この薄膜形成室１１は転写処理時に真空ポンプ２によって真空排気可能になっている。この真空ポンプ２は装置全体を制御する制御ユニット１０に電気的に接続されており、制御ユニット１０からの動作指令に応じて作動して薄膜形成室１１内を排気減圧することができるようになっている。また、制御ユニット１０は真空ポンプ２による薄膜形成室１１からの排気量を調整し、薄膜形成室１１内の圧力（真空度）を制御可能となっている。これにより、薄膜の乾燥状態をコントロールしながら該薄膜を基板Ｗに転写することができる。薄膜形成室１１内の圧力としては、薄膜の種類等に応じて大気圧から数Ｐａまでの範囲内の所定の圧力に設定される。
【００２０】
薄膜形成室１１には、第１、第２プレート４，５が上下に対向して収容されている。第１プレート４は薄膜形成室１１内に固設された上ベース部材１２によって水平に固定支持されており、第２プレート５の上方に位置している。第１プレート４は基板Ｗが装着される試料台を構成し、第２プレート５と対向する下面４ａが基板Ｗの装着面を形成している。第１プレート４の下面４ａは円形に形成されている。ここで、薄膜形成対象となる基板Ｗとしては、例えば円板状に形成された半導体ウエハと、この半導体ウエハ上に電極配線をパターニングした構造を有するものがあり、基板Ｗのパターン形成面側に絶縁膜などの薄膜が転写される。
【００２１】
第１プレート４の下面４ａには、平坦性を確保するために研磨された石英板（図示せず）が設けられており、この石英板に基板Ｗが装着される。石英は基板Ｗを汚染する物質を含まないこと、および加工性がよく、必要とする平坦性が容易に得られることなどから基板Ｗを装着する材料として優れている。第１プレート４は、内部に加熱手段として加熱ヒータ４１を具備している。この加熱ヒータ４１はヒータコントローラ４２と電気的に接続されており、制御ユニット１０からの基板温度情報に基づきヒータコントローラ４２を作動させることによって、２５°Ｃ〜３００°Ｃの間で加熱制御される。
【００２２】
このように構成された第１プレート４に対して、複数本（この実施形態では２本）のリフタ４４が昇降自在で、しかも水平方向に移動自在に支持されている。各リフタ４４の下端部には爪部材４５が固着されている。爪部材４５はその上面が基板Ｗの周縁部と係合可能に仕上げられ、基板Ｗを爪部材４５上に載置させることができる。各リフタ４４にはリフタ駆動機構４６が接続されており、制御ユニット１０からの動作指令に応じてリフタ駆動機構４６が作動することで、薄膜形成室１１内に搬入された基板Ｗを爪部材４５上に載置可能な基板搬入位置と、爪部材４５上に載置された基板Ｗを第１プレート４の下面４ａに装着する基板装着位置（図１で示す位置）とに複数のリフタ４４を一体的に移動させることができる。
【００２３】
具体的には、リフタ駆動機構４６に対して制御ユニット１０から下降指令が与えられると、リフタ４４は下方に移動し、爪部材４５を第１プレート４の下面４ａの下方側に移動させた後、さらにリフタ４４を水平移動させて爪部材４５を第１プレート４の下面周縁部と離間して対向させる。これにより、爪部材４５が基板搬入位置に位置決めされ、爪部材４５への基板Ｗの載置が可能となる。また、制御ユニット１０からリフタ駆動機構４６に上昇指令が与えられると、リフタ駆動機構４６はリフタ４４を上方に移動させて爪部材４５上に載置された基板Ｗを第１プレート４の下面４ａに密着させる。これにより、爪部材４５が基板装着位置に位置決めされ、第１プレート４に基板Ｗが装着される。
【００２４】
第２プレート５は、移動方向Ｚ（鉛直方向）に沿って昇降自在に設けられた昇降ユニット２０に装備され、第１プレート４の下方に軸線を一致させて対向して配置されている。昇降ユニット２０は薄膜形成室１１内に下ベース部材１３（本発明の「基台」に相当）を有し、下ベース部材１３上に第２プレート５が固定支持されている。第２プレート５はシートフィルムＦが装着される転写板を構成し、第１プレート４と対向する上面５ａがシートフィルムＦの装着面を形成している。第２プレート５の上面５ａは円形に形成されている。シートフィルムＦは基板Ｗより大きい円形に形成され、その表面（薄膜形成面）には薄膜が形成されている。また、第２プレート５の上面５ａの平面サイズはシートフィルムＦの平面サイズよりも小さく形成されている。このシートフィルムＦは後述する上側挟持部および下側挟持部によって移動方向Ｚに挟み込まれることによって保持されており、第２プレート５はシートフィルムＦの裏面（シートフィルムの両主面のうち薄膜形成面に対して反対の非薄膜形成面）側に配置されている。第２プレート５の上面５ａには、第１プレート４と同様に石英板（図示せず）が設けられている。また、第２プレート５には加熱手段として加熱ヒータ５１が内蔵されている。この加熱ヒータ５１はヒータコントローラ５２と電気的に接続されており、制御ユニット１０からの基板温度情報に基づきヒータコントローラ５２を作動させることによって、２５°Ｃ〜３００°Ｃの間で加熱制御される。
【００２５】
シートフィルムＦは、例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）もしくはＥＴＦＥ（エチレンテトラフルオロエチレン）などの可撓性を有し、また可塑性を有する有機材料からなるシート状のフィルムである。
【００２６】
昇降ユニット２０は、下ベース部材１３の下面中央部に一体に垂設された軸１３１を有している。軸１３１は移動方向Ｚに沿って昇降自在に軸支され、加重モータ１４（本発明の「加重手段」に相当）によって昇降されるように構成されている。すなわち、軸１３１の下端には加重モータ１４が接続されており、制御ユニット１０からの動作指令に応じて加重モータ１４が駆動されることで、昇降ユニット２０を移動方向Ｚに沿って昇降させることができる。したがって、昇降ユニット２０の昇降により、下ベース部材１３上に支持された第２プレート５が移動方向Ｚに沿って昇降する。このように、この実施形態では、昇降ユニット２０が本発明の「移動ユニット」として機能する。そして、昇降ユニット２０に接続されて容積調整手段２００が薄膜形成室１１内を導通して装備される。これらの詳細な説明は後述する。
【００２７】
また、この実施形態ではシートフィルムＦのハンドリング性を向上させるために図２に示すように一対のリングＲup，Ｒdwを用いて一体化したリング体ＲＦを形成し、このリング体ＲＦの状態でシートフィルムＦの搬送を実行している。以下では、図１および図２を参照しつつ、シートフィルムＦのハンドリング構成について説明する。
【００２８】
図２はリング体およびリング体を挟持する構成を説明するための断面図である。このリング体ＲＦは、上リングＲupと下リングＲdwとでシートフィルムＦの周縁部を全周にわたって挟み込むことによってシートフィルムＦを保持したものである。上リングＲupと下リングＲdwとは同一形状を有する円環状部材であり、シートフィルムＦを挟んで上リングＲupおよび下リングＲdwを配置させることにより、シートフィルムＦを磁力吸着により保持可能となっている。
【００２９】
また、第１、第２プレート４，５の周囲には、一対のリングＲup，Ｒdwを上下から挟み込んでリング体ＲＦを保持する上クランプ５３および下クランプ５４が設けられている。上クランプ５３および下クランプ５４はそれぞれ、一対のリングＲup，Ｒdwとほぼ同じ内径を有する円環状部材であり、上クランプ５３の外径が一対のリングＲup，Ｒdwの外径よりも小さく形成される一方、下クランプ５４の外径が一対のリングＲup，Ｒdwの外径よりも大きく形成されている。
【００３０】
このような構成により、上クランプ５３および下クランプ５４によってリング体ＲＦが上下方向（移動方向Ｚ）に挟んで保持されると、結果的にシートフィルムＦは上リングＲupおよび上クランプ５３からなる上側挟持部ＵＨと、下リングＲdwおよび下クランプ５４からなる下側挟持部ＤＨとにより保持（挟持）された状態となる（図２（ｂ））。つまり、下側挟持部ＤＨに載置されたシートフィルムＦが上側挟持部ＵＨにより上方から押圧されることによって該シートフィルムＦが下側挟持部ＤＨと上側挟持部ＵＨとにより挟持される。以下、下側挟持部ＤＨと上側挟持部ＵＨとをあわせて「一対の挟持部」という。このように、この実施形態では、シートフィルムＦを移動方向Ｚに挟んで配置された一対の挟持部、つまり上側挟持部ＵＨおよび下側挟持部ＤＨが「フィルム保持機構」として機能する。
【００３１】
一対の挟持部ＵＨ，ＤＨに挟持されたシートフィルムＦは第１プレート４と第２プレート５との間に配置される。具体的には、薄膜が形成されたシートフィルムＦの表面（薄膜形成面）が第１プレート４に対向する一方、シートフィルムＦの裏面（非薄膜形成面）側が第２プレート５に対向するように、シートフィルムＦが一対の挟持部ＵＨ，ＤＨにより挟持される。
【００３２】
図３は図１の薄膜形成装置のＡ−Ａ'横断面図である。２つのクランプのうち下クランプ５４は、薄膜形成室１１に立設された複数本（この実施形態では３本）の円柱体よりなるクランプ受け５５上に水平姿勢で支持される。クランプ受け５５は第２プレート５の上面５ａの中心を通り移動方向Ｚに伸びる軸（以下、単に「中心軸」という）Ｊ回りに互いに等角度（１２０°）間隔で放射状に配置されている。下クランプ５４の上面周縁部（円環部）にはリング体ＲＦの下端部（下リングＲdw）を収容可能な内部に向けて窪んだ窪部５４ａが形成されている（図２（ａ））。そして、リング体ＲＦの下端部を窪部５４ａに収容させることによって、窪部５４ａの周囲を取り囲む周面部５４ｂによってリング体ＲＦの水平方向の移動を規制することができる。
【００３３】
また、下ベース部材１３上には、複数本（この実施形態では３本）の突き上げピン１５が中心軸Ｊ回りに互いに等角度（１２０°）間隔で放射状に、しかも円周方向に沿ってクランプ受け５５の間に位置するように立設されている。一方、下クランプ５４の下面には各突き上げピン１５に対応して突き上げピン１５の先端部を挿入させることが可能なピン挿入孔５４ｃ（図１）が形成されている。このため、昇降ユニット２０が上昇駆動されると、突き上げピン１５の先端部がピン挿入孔５４ｃに挿入されるとともに、突き上げピン１５の先端部と後端部との間に形成された段差面が下クランプ５４の下面と当接する。これにより、突き上げピン１５と下クランプ５４（一対の挟持部ＵＨ，ＤＨ）とが互いに係合する。したがって、昇降ユニット２０がさらに上昇駆動されると、下クランプ５４がクランプ受け５５から離れ、突き上げピン１５と下クランプ５４とが係合した状態で一体的に上昇する。これにより、第２プレート５と一対の挟持部、つまり上側挟持部ＵＨおよび下側挟持部ＤＨとが一定の位置関係を保ったまま上昇する。すなわち、突き上げピン１５は移動方向Ｚにおける第２プレート５に対する相対位置が規定されて昇降ユニット２０に設けられているため、突き上げピン１５と下クランプ５４とが係合することで、下クランプ５４（一対の挟持部ＵＨ，ＤＨ）に対する第２プレート５の相対位置が固定された状態で、第２プレート５と一対の挟持部ＵＨ，ＤＨとが一体的に移動方向Ｚに沿って移動する。このように、この実施形態では、突き上げピン１５が「係合部材」として機能する。
【００３４】
図４は突き上げピンと下クランプとが係合した状態を示した図である。突き上げピン１５と下クランプ５４とが係合した時点では、第２プレート５が一対の挟持部ＵＨ，ＤＨに挟持されたシートフィルムＦに接触して該シートフィルムＦが上方に突き上げられる。これにより、シートフィルムＦが緊張し、該シートフィルムＦに張力を発生させることができる。ここで、第２プレート５の上面５ａが円形に形成されるとともに、一対の挟持部ＵＨ，ＤＨによりシートフィルムＦの周縁部が全周にわたって保持（挟持）されているため、シートフィルムＦに対して周方向に均一な張力を付与することができる。
【００３５】
また、この実施形態では、突き上げピン１５が下クランプ５４と係合する係合部位の第２プレート５に対する移動方向Ｚにおける相対距離（以下、単に「相対距離」という）Ｄを調整することによってシートフィルムＦに発生させる張力の大きさをコントロールすることが可能となっている。具体的には、突き上げピン１５の先端部と後端部との間に形成された段差面（突き上げピン１５が下クランプ５４と係合する係合部位）から第２プレート５の上面５ａまでの距離（相対距離Ｄ）を調整することにより、シートフィルムＦに発生させる張力の大きさを変更することが可能となっている。つまり、相対距離Ｄに応じて、第２プレート５がシートフィルムＦと接触を開始してから突き上げピン１５と下クランプ５４とが係合するまでの間にシートフィルムＦが第２プレート５によって移動方向Ｚに沿って突き上げられる量（以下、単に「突き上げ量」という）Ｑが変化する。したがって、相対距離Ｄが調整されることで、突き上げ量Ｑを変更し、シートフィルムＦに発生する張力の大きさを調整することができる。
【００３６】
図５は突き上げピンの構造を示す図である。下ベース部材１３には移動方向Ｚに沿って該下ベース部材１３を貫通する貫通孔１３ａが形成されており、貫通孔１３ａに突き上げピン１５が挿通されている。これにより、その先端側に係合部位（段差面）が設けられた突き上げピン１５が下クランプ５４（一対の挟持部ＵＨ，ＤＨ）に向けて突設される。突き上げピン１５の後端部１５１にはねじ溝が刻まれる一方、貫通孔１３ａの内壁には突き上げピン１５のねじ溝と螺合するねじ溝が刻まれている。また、下ベース部材１３の上面側に２つのナットからなるダブルナット１５５が突き上げピン１５の後端部１５１のねじ部に螺嵌されており、ダブルナット１５５により突き上げピン１５が下ベース部材１３に緩みなく締め付け固定される。突き上げピン１５の先端部１５２は下クランプ５４のピン挿入孔５４ｃに挿入可能とされている。そして、突き上げピン１５の先端部１５２がピン挿入孔５４ｃに挿入されることで、突き上げピン１５の後端部１５１と先端部１５２とを結合する段差面１５３（係合部位）が下クランプ５４の下面５４ｄに当接する。段差面１５３と下クランプ５４の下面５４ｄとは平行に形成され、面接触状態で当接する。
【００３７】
このような構成によれば、ダブルナット１５５を緩めて突き上げピン１５の頭部１５４を回転させていくことで、下ベース部材１３の上面から段差面１５３までの移動方向Ｚにおける長さＬが調整される。すなわち、突き上げピン１５と下クランプ５４とが互いに係合している状態では、下ベース部材１３と下クランプ５４（一対の挟持部ＵＨ，ＤＨ）との間の間隙が調整される。そして、下ベース部材１３の上面から段差面１５３までの移動方向Ｚにおける長さＬを所定の長さに調整した後、ダブルナット１５５を締めることによって突き上げピン１５を下ベース部材１３に固定する。このように、下ベース部材１３の上面から段差面１５３までの移動方向Ｚにおける長さＬが調整されることで、相対距離Ｄが調整される。これにより、突き上げ量Ｑを変更し、シートフィルムＦに発生する張力の大きさを自在に、しかも簡素な構成により調整することができる。したがって、使用するシートフィルムＦの種類や膜厚に応じて最適な張力をシートフィルムＦに与えることができる。
【００３８】
図１に戻って説明を続ける。下クランプ５４の下面周縁部には下クランプ５４の水平方向における位置を固定するために、複数本の位置決めピン５４１が下方に延びるように取り付けられている。これら位置決めピン５４１は下ベース部材１３に移動方向Ｚに沿って形成された貫通孔１３ｂを貫通している。位置決めピン５４１と貫通孔１３ｂの内壁との間にはボールスプライン機構等が介在しており、位置決めピン５４１はボールスプライン機構等を介して移動方向Ｚに沿ってのみ可動（昇降）自在に支持される。つまり、下クランプ５４は移動方向Ｚに直交する方向（水平方向）に移動するのを規制されながら下ベース部材１３に対して移動方向Ｚに沿って昇降自在に支持される。このような構成によれば、昇降ユニット２０（第２プレート５）を移動方向Ｚに沿って移動させたとしても、水平方向において第２プレート５と下クランプ５４（一対の挟持部ＵＨ，ＤＨ）との間の相対位置関係を確実に固定することができる。このため、第２プレート５と一対の挟持部ＵＨ，ＤＨとが互いに水平方向にずれるのを防止することができる。
【００３９】
また、もう一方のクランプ、つまり上クランプ５３は昇降自在に支持された複数本のロッド５６の下端に固着されている。この実施形態では、３本のロッド５６が中心軸Ｊ回りに互いに等角度（１２０°）間隔で放射状に、上クランプ５３から上方に伸びるように設けられている。複数本のロッド５６の各々には、上クランプ５３を移動方向Ｚに沿って昇降駆動させるためのエアシリンダ５７が連結されている。そして、制御ユニット１０からの動作指令に応じてエアシリンダ５７を作動させることで、上クランプ５３を移動方向Ｚに沿って昇降させることができる。具体的には、上クランプ５３を上昇させて第２プレート５に対するリング体ＲＦの搬入出を可能とする一方、上クランプ５３を下降させて下クランプ５４とでリング体ＲＦを挟持して固定することができる。
【００４０】
このエアシリンダ５７は処理容器１の外部に配設されており、エアシリンダ５７から発生するパーティクル等の汚染物質が薄膜形成室１１内に混入するのを防止することができる。なお、上クランプ５３を昇降駆動させる駆動機構としては、エアシリンダに限らず、エアシリンダ以外の他の昇降駆動用アクチュエータを用いるようにしてもよい。
【００４１】
また、エアシリンダ５７と、該エアシリンダ５７に圧縮空気を供給するための圧縮空気供給源との間には調圧弁５８が介装されている。そして、制御ユニット１０からの動作指令に応じて調圧弁５８の開度を調整することにより、ロッド５６の推力を一定に保つことが可能となっている。この実施形態では、軸１３１が移動方向Ｚにおいて受ける加重圧力を検出する加重センサ１６が設けられており、後述するようにして加重センサ１６によって検出された加重圧力に基づいて制御ユニット１０が調圧弁５８の開度を調整し、ロッド５６の推力を一定に保つようにフィードバック制御する。これにより、下クランプ５４に載置されたリング体ＲＦを上クランプ５３により一定の押圧力で押圧することができる。すなわち、下側挟持部ＤＨ上に配置されたシートフィルムＦを上側挟持部ＵＨにより上方から一定の押圧力で押圧することが可能となっている。
【００４２】
図６は容積調整手段２００の側面横断面図である。処理容器１の下面を構成する下板１１０には、薄膜形成室１１と連通する開口１１２に薄膜形成室１１と外部空間に渡って昇降ユニット２０が設けられている。この昇降ユニット２０の軸１３１の他方端は、処理容器１の下板１１０の略中央に穿設された開口１１２を通して処理容器１内の薄膜形成室１１にまで入り込んでおり、その上端には下ベース部材１３が取り付けられている。また、軸１３１の下端部は拡径されて円形のフランジ２１となっており、フランジ２１の上面と下板１１０の下面との間には上下方向（Ｚ方向）に伸縮自在の第一伸縮部材としての第一ベローズ２２が設けられ、開口１１２が塞がれている。第一ベローズ２２は、気密性を有する筒状の内部空間が空洞となる伸縮部材である。
【００４３】
昇降ユニット２０は、加重モータ１４がボールねじ機構２３を備え、そのボールねじ機構２３にリフタ２４が昇降自在に装備される。リフタ２４の一端はボールねじ機構２３に連結され、他端は延設され軸１３１の下端に連結される。軸１３１に連結されるリフタ２４は、フランジ２１との間に加重センサ１６を有する圧力測定部２５を有し、圧力測定部２５で測定された測定圧力に基づいて加重モータ１４による第２プレート５の変位を制御している。
【００４４】
昇降ユニット２０において、フランジ２１とリフト２４との間に圧力測定部２５が介装されている。圧力測定部２５は、軸１３１の下方に組み込まれて移動方向Ｚにおいて加重される圧力を測定することができる。圧力測定部２５の加重センサ１６には例えば圧電センサが用いられ、圧電センサに加えられた圧力に応じて発生する電圧に応じた信号（圧力信号）を制御ユニット１０に送出する。制御ユニット１０は圧力測定部２５により測定された圧力（以下「測定圧力」という）と所定の設定圧力とを比較する。ここで、設定圧力とは予め設定され、転写処理に適した圧力をいう。そして、両者に差異がある場合には、各圧力測定部２５での測定圧力が設定圧力に等しくなるように加重モータ１４を制御する。具体的には、圧力測定部２５で測定された測定圧力が設定圧力よりも小さい場合には、制御ユニット１０は加重モータ１４でリフト２４を上昇させるように電圧発生部に電圧制御指令を与える。一方、圧力測定部２４で測定された測定圧力が設定圧力よりも大きい場合には、制御ユニット１０は加重モータ１４でリフト２４を下降させるように電圧発生部に電圧制御指令を与える。
【００４５】
また、ここで、加重モータ１４と同時にエアシリンダ５７を制御するようにしてもよい。圧力測定部２５で測定された測定圧力が設定圧力よりも小さい場合には、制御ユニット１０はエアシリンダ５７のロッド５６を下降させるように電圧発生部に電圧制御指令を与える。一方、圧力測定部２４で測定された測定圧力が設定圧力よりも大きい場合には、制御ユニット１０はエアシリンダ５７のロッド５６を上昇させるように電圧発生部に電圧制御指令を与える。
【００４６】
なお、圧力測定部２５の加重センサ１６としては、圧電センサ（圧電式圧力センサ）以外に半導体圧力センサ、圧電式圧力センサ、水晶振動式圧力センサ、静電容量式圧力センサの各種圧力センサを用いることができる。特に圧力センサとしては小型で動荷重の測定に適した圧電センサを用いることが好ましい。
【００４７】
昇降ユニット２０は、フランジ２１の上面と下板１１０の下面との間に第一ベローズ２２が設けられている。このため、加重モータ１４が回転すると、第一ベローズ２２の伸縮範囲内でボールねじ機構２３、リフタ２４、フランジ２１および圧力測定部２５が一体的に上下動する。このとき第一ベローズ２２が伸縮することによって処理容器１の気密性が維持されている。
【００４８】
容積調整手段２００は、昇降ユニット２０の軸１３１を覆うように包囲し、ハウジング２０１が下板１１０に取り付けられている。ハウジング２０１の内部空間は外部空間に連通しており、またその外側側面には貫通スリット２０２が穿設されている。この貫通スリット２０２をリフタ２４が、制御ユニット１０からの制御指令により加重モータ１４が作動するとＺ方向に動くことになる。
【００４９】
ハウジング２０１の下板２０３は、処理容器１の下板１１０と平行に対向して固定配置されており固定隔壁を形成している。リフタ２４の下面と下板２０３との間には、上下方向（Ｚ方向）に伸縮自在の第二伸縮部材としての第二ベローズ２０４が取り付けられている。第二ベローズ２０４は、気密性を有する筒状の内部空間が空洞となる伸縮部材である。ハウジング２０１の下板２０３は外側側面に貫通孔２０５が穿設されており、この貫通孔２０５を介して第二ベローズ２０４の内部空間は処理容器１の薄膜形成室１１に配管２０６により導通している。したがってリフタ２４は下板２０３に対して第二ベローズ２０４の伸縮範囲内でＺ方向に変位可能である。
【００５０】
第一ベローズ２２と第二ベローズ２０４は、同一の大きさの内径を有し、同一の内部空間の大きさ、即ち同じ容積を有しており、伸縮にともなう内部空間の増減も同一であるものである。そして、容積調整手段２００では、この第一ベローズ２２と第二ベローズ２０４が昇降ユニット２０を構成する部材によってそれぞれの一端が隔壁されている。また、リフタ２４の昇降動作に伴う第一ベローズ２２と第二ベローズ２０４の伸縮長も同一となるように構成されている。こうするとで、リフタ２４が上昇する際には、第一ベローズ２２が縮小し内部空間が減少し、第二ベローズ２０４が伸張し内部空間が拡大するが、その減少した内部空間と拡大した内部空間の大きさが同じである。同様に、リフタ２４が下降する際には、第一ベローズ２２が伸張し内部空間が拡大し、第二ベローズ２０４が縮小し内部空間が減少するが、その減少した内部空間と拡大した内部空間の大きさは同じである。
【００５１】
このため、第一ベローズ２２が縮小し内部空間が減少し、第二ベローズ２０４が伸張し内部空間が拡大した場合、第一ベローズ２２から押し出された気体は、開口１１２から薄膜形成室１１に流入する。一方、第二ベローズ２０４が伸張し吸引力が発生するとともに、第一ベローズ２２と第二ベローズ２０４の内部空間の増減の容積が同一であるので第二ベローズ２０４は配管２０６を介して処理容器１から気体を吸引し導入する。そのため、第一ベローズ２２の内部空間の減少分が、第二ベローズ２０４の内部空間の拡大分で調整されることとなり、連なった気体系の装置内の容積は変化しない。そして、リフタ２４の下面で第二ベローズ２０４の内部に位置する面に掛かる圧力と、フランジ２１の上面で第一ベローズ２２の内部に位置する面に掛かる圧力が同じなる。
【００５２】
このように、容積調整手段２００によってリフタ２４への第一ベローズ２２の縮小または伸張にともなう圧力変動が抑えられることになる。そして、加重モータ１４によってリフタ２４の動作が安定して行なえることとなる。
【００５３】
次に、上記した薄膜形成装置の動作について図７ないし図９を参照しつつ説明する。図７ないし図９は図１の薄膜形成装置の動作を説明するための模式図である。本実施形態においては、薄膜形成室１１内への基板ＷおよびシートフィルムＦの搬入に先立って、各突き上げピン１５において、下ベース部材１３の上面から段差面１５３までの移動方向Ｚにおける長さＬが使用されるシートフィルムＦの種類や膜厚等に応じて予め調整されているものとする。
【００５４】
最初に第１プレート４側に基板Ｗが搬入される。すなわち、制御ユニット１０はリフタ駆動機構４６に下降指令を与え、図７（ａ）に示すように、爪部材４５を基板搬入位置に位置決めする。それに続いて、薄膜を形成すべき基板Ｗが薄膜形成室１１内に搬入され、爪部材４５の上に載置される。その後、制御ユニット１０はリフタ駆動機構４６に対して上昇指令を与え、爪部材４５を基板装着位置に移動させて基板Ｗの上面（非パターン形成面）を第１プレート４の下面４ａに密着させた状態で基板Ｗを位置決めする（図７（ｂ））。これにより、第１プレート４に基板Ｗが装着される（基板装着工程）。
【００５５】
一方、第２プレート５側では、シートフィルムＦがリング体ＲＦにより挟持された状態で薄膜形成室１１内に搬入される。ここで、リング体ＲＦを構成する一対のリングＲup，Ｒdwに挟まれたシートフィルムＦの表面（薄膜形成面）には予め薄膜が形成されており、薄膜形成面を上方に向けてシートフィルムＦが搬入される。このとき、上クランプ５３はリング体ＲＦの搬入を妨げることのないように上方に退避している。また、第２プレート５の上面５ａは下クランプ５４（リング体ＲＦが載置される載置面）の下方に位置している。このため、シートフィルムＦが搬入される際に、シートフィルムＦと第２プレート５とが接触するのを回避することができる。その結果、シートフィルムＦに張力が発生していない状態で薄膜が部分的に乾燥して薄膜の均一な乾燥が阻害されてしまうのを防止することができる。
【００５６】
そして、リング体ＲＦが下クランプ５４上に載置された後、上クランプ５３が下降して下クランプ５４に載置されたリング体ＲＦが上クランプ５３によって押圧される（図７（ｃ））。これによって、シートフィルムＦの周縁部が全周にわたって所定の押圧力で均一に押圧され、シートフィルムＦにしわや折り曲げが発生するのを防止しながら、シートフィルムＦが一対の挟持部、つまり上側挟持部ＵＨおよび下側挟持部ＤＨにより挟持された状態となる（フィルム保持工程）。
【００５７】
こうして、基板ＷおよびシートフィルムＦの搬入が完了すると、制御ユニット１０は装置各部を制御し、以下に示すように薄膜を基板Ｗに転写する転写工程を実行する。先ず、真空ポンプ２による薄膜形成室１１の排気減圧を開始する。また、ヒータコントローラ４２によって加熱ヒータ４１に通電して第１プレート４を加熱して基板Ｗを所望の温度に加熱するとともに、ヒータコントローラ５２によって加熱ヒータ５１に通電して第２プレート５を加熱してシートフィルムＦを所望の温度に加熱する。
【００５８】
そして、薄膜形成室１１が所望の圧力まで減圧されると、制御ユニット１０より加重モータ１４に信号が送られ、昇降ユニット２０（第２プレート５）の上昇駆動を開始する。加重モータ１４の作動により第２プレート５が上昇すると、一対の挟持部ＵＨ，ＤＨに挟持されたシートフィルムＦの裏面（非薄膜形成面）と第２プレート５の上面５ａとが接触して第２プレート５にシートフィルムＦが装着される。このとき、第２プレート５の上面５ａの平面サイズはシートフィルムＦの平面サイズよりも小さく形成されているため、第２プレート５の上面５ａの全面がシートフィルムＦにより覆われる。そして、第２プレート５の上面５ａがシートフィルムＦに接触した状態で第２プレート５がさらに上昇すると、シートフィルムＦが緊張し、該シートフィルムＦに張力が発生する。つまり、一対の挟持部ＵＨ，ＤＨに挟持されたシートフィルムＦに第２プレート５が突き当てられてシートフィルムＦに張力が発生する。その結果、シートフィルムＦが加熱ヒータ５１によって加熱され、熱膨張により伸張して弛んでいても、その弛みが取り除かれる。
【００５９】
また、昇降ユニット２０の上昇によって突き上げピン１５がクランプ受け５５上に載置された下クランプ５４と係合する（図８（ａ））。これによって、移動方向Ｚにおける下クランプ５４（一対の挟持部ＵＨ，ＤＨ）に対する第２プレート５の相対位置が固定される。その結果、シートフィルムＦに発生する張力の大きさが決定されるとともに固定される。また、第２プレート５の上昇により、下クランプ５４（一対の挟持部ＵＨ，ＤＨ）がクランプ受け５５から突き上げピン１５に受け渡される。
【００６０】
そして、第２プレート５の上昇とともに一対の挟持部ＵＨ，ＤＨがシートフィルムＦを挟持しながら移動方向Ｚに沿って変位する。このとき、上クランプ５３に連結されたロッド５６がエアシリンダ５７内に後退してストロークが短くなると、エアシリンダ５７内の圧力が上昇してロッド５６の推力が増大する。その結果、シートフィルムＦに対する押圧力が増大し、加重センサ１６によって検出される加重圧力が上昇する。そこで、制御ユニット１０は加重センサ１６によって検出される加重圧力が一定となるように調圧弁５８の開度を調整し、ロッド５６の推力を一定に保つようにフィードバック制御する。つまり、シートフィルムＦに対する押圧力が一定になるように、つまり第２プレート５がシートフィルムＦに接触する前にシートフィルムＦに与えられた押圧力に等しくなるように、制御ユニット１０からの動作指令に応じて調圧弁５８が制御される。そして、制御ユニット１０は昇降ユニット２０を上昇させるとともに、シートフィルムＦへの押圧力が一定となるように調圧弁５８を制御しながらロッド５６をエアシリンダ５７内に後退させてストロークを短くしていく。これにより、第２プレート５の上昇を阻害することなく、かつ一対の挟持部ＵＨ，ＤＨによりシートフィルムＦが良好かつ確実に保持される。
【００６１】
また、下クランプ５４（一対の挟持部）と突き上げピン１５とが互いに係合した状態で一対の挟持部ＵＨ，ＤＨと第２プレート５とが一体的に移動方向Ｚに沿って移動することで、決定された張力をシートフィルムＦに付与した状態を維持したままシートフィルムＦが上昇する。つまり、第２プレート５と一対の挟持部ＵＨ，ＤＨとが一定の位置関係を保ったまま上昇するので、シートフィルムＦに与えられた張力の大きさが変化するのを防止することができる。このため、シートフィルムＦに張力を安定して与えながらシートフィルムＦを基板Ｗに近接させていくことができる。
【００６２】
また、下クランプ５４と突き上げピン１５とは、突き上げピン１５の先端部１５２が下クランプ５４のピン挿入孔５４ｃに挿入されることで係合している。このため、下クランプ５４と突き上げピン１５とが係合した状態で移動方向Ｚに沿って移動する際に、互いの位置関係がずれるのを防止することができる。
【００６３】
そして、第２プレート５がさらに上昇すると、シートフィルムＦ上の薄膜が基板Ｗに密着し、基板Ｗへの薄膜の転写が開始される（図８（ｂ））。また、薄膜形成室１１を排気減圧したまま、基板ＷとシートフィルムＦとが所定の加重で一定時間互いに押し付けられる。その間も基板ＷとシートフィルムＦは所定の温度となるように加熱されている。薄膜が基板Ｗに押し付けられている間もシートフィルムＦは一対の挟持部ＵＨ，ＤＨにより挟持されながら、一定の張力、つまり下クランプ５４と突き上げピン１５とが係合することによって決定された張力が付与された状態となっている。このため、シートフィルムＦにしわや折り曲げが発生するのを防止して、平坦で均一な膜厚の薄膜を基板Ｗに形成することができる。
【００６４】
同時に、第一ベローズ２２が縮小し内部空間が減少し、第二ベローズ２０４が伸張し内部空間が拡大し、第一ベローズ２２から押し出された気体は、開口１１２から薄膜形成室１１に流入する。一方、第二ベローズ２０４が伸張し吸引力が発生するとともに、第一ベローズ２２と第二ベローズ２０４の内部空間の増減の容積が同一であるので第二ベローズ２０４は配管２０６を介して処理容器１から気体を吸引し導入する。この時、第一ベローズ２２と第二ベローズ２０４の内径が同じでリフタ２４のそれぞれのベローズの内部空間に位置する表面積が同じであるため、リフタ２４の上下で第一ベローズ２２と第二ベローズ２０４の内部空間による圧力が同じとなる。
【００６５】
このように、リフタ２４の上昇の間、第一ベローズ２２と第二ベローズ２０４の内部空間による圧力が同じとなり相殺されることで、リフタ２４の動作への影響が抑えられる。その結果、加重モータ１４による昇降動作が安定する。特に、加重モータ１４による設定圧が低圧範囲の場合に、リフタ２４に外圧がかかると調整が困難となるが、その問題が無い。
【００６６】
そして、一連の加重操作が終了して転写処理が完了すると、ヒータコントローラ４２，５２により加熱ヒータ４１，５１の作動を停止させて第１，第２プレート４，５の加熱を停止すると同時に、爪部材４５を側方に退避させて爪部材４５による基板保持を解除する（図９（ｃ））。
【００６７】
続いて、加重の状態が零となるように制御ユニット１０から加重モータ１４に信号を送り、昇降ユニット２０および一対の挟持部ＵＨ，ＤＨ（上クランプ５３、リング体ＲＦ、下クランプ５４）を一体的に下降させる（図９（ａ））。すなわち、制御ユニット１０はシートフィルムＦに対する押圧力が一定となるように調圧弁５８を制御しながらロッド５６をエアシリンダ５７内から進出させてストロークを長くしていく。その後、昇降ユニット２０が下降し、上クランプ５３により上方から押圧された状態で下クランプ５４およびリング体ＲＦがクランプ受け５５上に受け渡される（図９（ｂ））。さらに、昇降ユニット２０が下降し、昇降ユニット２０（第２プレート５）が転写前の初期位置に復帰すると、突き上げピン１５が下クランプ５４から離れる。また、上クランプ５３によるリング体ＲＦへの押圧が解除される（図９（ｃ））。これにより、下クランプ５４およびリング体ＲＦがクランプ受け５５上に支持された状態となる。
【００６８】
こうして、第２プレート５が転写前の初期位置に戻った後、真空ポンプ２を停止させる。なお、上記のようにして薄膜の密着が完了すると、基板Ｗは薄膜を挟んでシートフィルムＦと一体となっており、この一体化状態のままリング体ＲＦを薄膜形成室１１から取り出し、シートフィルムＦを剥離する剥離装置（図示せず）に搬送する。
【００６９】
同時に、リフタ２４が下降することで第一ベローズ２２が伸張し内部空間が拡大し、第二ベローズ２０４が縮小し内部空間が減少する。そして、第二ベローズ２０４から押し出された気体は、配管２０６から薄膜形成室１１に流入し、第一ベローズ２２の伸張によって吸引され、その内部空間へ導入される。そのため、第二ベローズ２０４の内部空間の減少分が、第一ベローズ２２の内部空間の拡大分で調整されることとなり、連なった気体系の装置内空間の容積は変化しない。この時、リフタ２４の上昇時に同じように、リフタ２４の下降の間、第一ベローズ２２と第二ベローズ２０４の内部空間による圧力が同じとなり相殺されることで、リフタ２４の動作への影響が抑えられる。その結果、加重モータ１４による下降動作が安定する。
【００７０】
以上のように、この実施形態によれば、昇降ユニット２０の移動により、薄膜形成室１１内に気体が流入するが、その分の気体が容積調整手段２００に流入する。この時、リフタ２４の一方面に第一ベローズ２２によりかかる圧力と他方面に第二ベローズ２０４によりかかる圧力が同じとなるので、加重モータ１４によるリフタ２４の動作が安定する。したがって、シートフィルムＦに付与する張力を一定値（決定された張力）に保ったまま該シートフィルムＦ上の薄膜を基板Ｗに転写することができ、基板Ｗ上に薄膜を良好に形成することができる。
【００７１】
＜その他＞
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態では、第２プレート５を第１プレート４の下方に配置し、第２プレート５の上面５ａを第１プレート４に対向させているが、第２プレート５を第１プレート４の上方に配置し、第２プレート５の下面を第１プレート４に対向させてもよい。
【００７２】
また、上記実施形態では、第１プレート４を固定配置した状態で第２プレート５を移動させることで転写処理を実行しているが、第１および第２プレート４，５をともに移動させることで転写処理を実行するように構成してもよい。
【００７３】
また、上記実施形態では、エアシリンダ５７などの昇降駆動用アクチュエータを用いて上側挟持部ＵＨ（上リングＲupおよび上クランプ５３）を駆動することで下側挟持部ＤＨ（下リングＲdwおよび下クランプ５４）に載置されたシートフィルムＦへの押圧力を発生させてシートフィルムＦを保持（挟持）している。しかしながら、昇降駆動用アクチュエータを用いることは必須ではなく、上側挟持部ＵＨの自重のみにより下側挟持部ＤＨに載置されたシートフィルムＦを上方から押圧して、上側挟持部ＵＨと下側挟持部ＤＨとによりシートフィルムＦを保持するようにしてもよい。また、下クランプ５４上にリング体ＲＦ（上リングＲupおよび下リングＲdw）のみを載置することで、シートフィルムＦを保持するようにしてもよい。この場合には、第２プレート５の上昇によってリング体ＲＦに挟持されたシートフィルムＦが押し上げられる際に、リング体ＲＦが動かないだけの重量を有することがリング体ＲＦに必要とされる。
【００７４】
また、上記実施形態では、一対のリングＲup，ＲdwによりシートフィルムＦを挟み込んでリング体ＲＦを構成し、リング体ＲＦを薄膜形成室１１に搬入することでシートフィルムＦを搬送しているが、シートフィルムＦの搬送態様はこれに限定されるものではなく、シートフィルムＦを薄膜形成室１１に直接搬入してもよい。この場合、シートフィルムＦは下クランプ５４上に載置され、下クランプ５４に載置されたシートフィルムＦが上クランプ５３により上方から押圧されることで移動方向Ｚに保持（挟持）される。
【００７５】
また、上記実施形態では、半導体基板に薄膜を転写する場合に限らず、電子部品材料関係であればマルチチップモジュール等の実装関係の基板や液晶関係の基板に薄膜を転写する場合にも適用できる。また、薄膜についても絶縁膜に限らず、金属系の薄膜を基板に転写してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板などを含む基板に薄膜を形成する薄膜形成装置および薄膜形成方法に適用することができる。
【符号の説明】
【００７７】
４  第１プレート
４ａ  （第１プレートの）下面（装着面）
５  第２プレート
１３  下ベース部材（基台）
１４  加重モータ（加重手段）
１５  突き上げピン（係合部材）
２０  昇降ユニット（移動ユニット）
２２  第一ベローズ
２０１  ハウジング
２０４  第二ベローズ
２０６  配管
２００  容積調整手段
Ｄ  （移動方向における係合部位の第２プレートに対する）相対距離
ＤＨ  下側挟持部（フィルム保持機構）
Ｆ  シートフィルム
Ｌ  （基台から係合部位までの移動方向における）長さ
ＵＨ  上側挟持部（フィルム保持機構）
Ｗ  基板
Ｚ  移動方向
【図１】
2014203975.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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