(57)【要約】【課題】互いに接合された二つの導電膜の間における接続信頼性を向上させる。【解決手段】接合構造は、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０と、が互いに接合してなる。第１導電膜１１０は、透明導電材料により構成される。第２導電膜１３０は、金属材料により構成される。第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間には、中間領域が存在する。中間領域は、第１導電膜１１０のイオン化ポテンシャルと第２導電膜１３０のイオン化ポテンシャルの間の大きさを有するイオン化ポテンシャルを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電材料により構成される第１導電膜と、第１金属材料により構成される第２導電膜と、が互いに接合してなる接合構造であって、
前記第１金属材料と前記導電材料は、互いに異なるイオン化ポテンシャルを有し、
前記第１導電膜と前記第２導電膜との間には、前記第１導電膜のイオン化ポテンシャルと前記第２導電膜のイオン化ポテンシャルの間のイオン化ポテンシャルを有する中間領域が存在する接合構造。
【請求項２】
請求項１に記載の接合構造において、
前記中間領域は、ホール注入材料、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、またはＲｈから選択される１種または２種以上を含む接合構造。
【請求項３】
請求項１または２に記載の接合構造において、
前記中間領域は、前記第１金属材料よりもイオン化傾向が低い第３金属材料により構成される接合構造。
【請求項４】
請求項３に記載の接合構造において、
前記中間領域は、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、またはＲｈから選択される１種または２種以上を含む接合構造。
【請求項５】
請求項１〜４いずれか一項に記載の接合構造において、
前記導電材料は、導電性高分子を含む透明導電材料である接合構造。
【請求項６】
請求項１〜５いずれか一項に記載の接合構造において、
前記第１導電膜は、有機ＥＬ素子を構成する電極に接続する第１配線であり、
前記第２導電膜は、前記第１配線と電気的に接続する引出配線である接合構造。
【請求項７】
請求項１〜５いずれか一項に記載の接合構造において、
前記第１導電膜は、有機ＥＬ素子を構成する電極であり、
前記第２導電膜は、前記電極と電気的に接続する配線である接合構造。
【請求項８】
請求項１〜５いずれか一項に記載の接合構造を有する発光装置であって、
第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置された有機層と、を有する有機ＥＬ素子と、
前記第１電極と電気的に接続し、かつ前記第１導電膜により構成される第１配線と、
前記第１配線と接合し、かつ前記第２導電膜により構成される引出配線と、
を備える発光装置。
【請求項９】
請求項１〜５いずれか一項に記載の接合構造を有する発光装置であって、
前記第１導電膜により構成される第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置された有機層と、を有する有機ＥＬ素子と、
前記第１電極に接合し、かつ前記第２導電膜により構成される引出配線と、
を備える発光装置。
【請求項１０】
導電材料により構成される第１導電膜と、第１金属材料により構成される第２導電膜と、が互いに接合してなる接合構造であって、
前記第１導電膜と前記第２導電膜との間には、第１金属材料よりもイオン化傾向が低い第４金属材料により構成される中間領域が存在する接合構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接合構造および発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
照明装置やディスプレイの光源の一つに、有機ＥＬ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）がある。有機ＥＬ素子は、たとえば透明電極と、これに対向して配置される他の電極と、これらの電極に狭持される有機層と、により構成される。有機ＥＬ素子に関する技術としては、たとえば特許文献１〜３に記載のものが挙げられる。
【０００３】
特許文献１に記載の技術は、発光ディスプレイパネルに関するものである。特許文献１には、金属電極である陰極の端部に接続する陰極引出し部を、金属電極と比べて耐食性の高い高耐食性金属部を有するものとする発光ディスプレイパネルが記載されている。
【０００４】
特許文献２には、端子と電子注入電極とを接続する電極構造であって、下層に酸化層が形成され難い金属の下地層を有し、上層に酸化層が形成されやすい金属の電極層を有するものが記載されている。
【０００５】
特許文献３には、ライン状に形成された金属ラインと、当該金属ラインの上面および側面を覆うポリマーラインと、からなる電極を有する発光素子が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−２４３５５８号公報
【特許文献２】特開平１１−３２９７５０号公報
【特許文献３】特開２００６−９３１２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
第１導電膜と第２導電膜とを互いに接合させてなる接合構造においては、第１導電膜と第２導電膜との間の接続信頼性を向上させることが求められる。
【０００８】
本発明が解決しようとする課題としては、互いに接合された二つの導電膜の間における接続信頼性を向上させることが一例として挙げられる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に記載の発明は、
導電材料により構成される第１導電膜と、第１金属材料により構成される第２導電膜と、が互いに接合してなる接合構造であって、
前記第１金属材料と前記導電材料は、互いに異なるイオン化ポテンシャルを有し、
前記第１導電膜と前記第２導電膜との間には、前記第１導電膜のイオン化ポテンシャルと前記第２導電膜のイオン化ポテンシャルの間のイオン化ポテンシャルを有する中間領域が存在する接合構造である。
【００１０】
請求項８に記載の発明は、
請求項１〜５いずれか一項に記載の接合構造を有する発光装置であって、
第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置された有機層と、を有する有機ＥＬ素子と、
前記第１電極と電気的に接続し、かつ前記第１導電膜により構成される第１配線と、
前記第１配線と接合し、かつ前記第２導電膜により構成される引出配線と、
を備える発光装置である。
【００１１】
請求項９に記載の発明は、
請求項１〜５いずれか一項に記載の接合構造を有する発光装置であって、
前記第１導電膜により構成される第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置された有機層と、を有する有機ＥＬ素子と、
前記第１電極に接合し、かつ前記第２導電膜により構成される引出配線と、
を備える発光装置である。
【００１２】
請求項１０に記載の発明は、
導電材料により構成される第１導電膜と、第１金属材料により構成される第２導電膜と、が互いに接合してなる接合構造であって、
前記第１導電膜と前記第２導電膜との間には、第１金属材料よりもイオン化傾向が低い第４金属材料により構成される中間領域が存在する接合構造である。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１の形態に係る発光装置を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ断面を示す断面図である。
【図４】図１に示す発光装置の一部を示す図である。
【図５】図１に示す発光装置の一部を示す図である。
【図６】第１の形態における第１導電膜と、第２導電膜と、により構成される接合構造の一例を示す図である。
【図７】第１の形態における第１導電膜と、第２導電膜と、により構成される接合構造の一例を示す図である。
【図８】第２の形態に係る発光装置を示す平面図である。
【図９】図８のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
【図１０】図８のＤ−Ｄ断面を示す断面図である。
【図１１】図８に示す発光装置の一部を示す図である。
【図１２】第３の形態における第１導電膜と、第２導電膜と、により構成される接合構造の構成の一例を示す図である。
【図１３】第３の形態における第１導電膜と、第２導電膜と、により構成される接合構造の構成の一例を示す図である。
【図１４】第３の形態における第１導電膜と、第２導電膜と、により構成される接合構造の構成の一例を示す図である。
【図１５】第４の形態における第１導電膜と、第２導電膜と、により構成される接合構造の構成の一例を示す図である。
【図１６】第５の形態における第１導電膜と、第２導電膜と、により構成される接合構造の構成の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
また、本発明の実施形態は、以下の第４、第５の形態である。以下の第１〜第３の形態は、参考形態として記載される。
【００１５】
（第１の形態）
図１は、第１の形態に係る発光装置１０を示す平面図である。図２は図１のＡ−Ａ断面を示す断面図であり、図３は図１のＢ−Ｂ断面を示す断面図である。また、図４および図５は、図１に示す発光装置１０の一部を示す図である。図４では、とくに第１導電膜１１０と、第２導電膜１３０との位置関係が示されている。また、図５では、絶縁層１２０の構成が示されている。図６および７は、本形態における第１導電膜１１０と、第２導電膜１３０と、により構成される接合構造２００の一例を示す図である。
【００１６】
第１の形態に係る接合構造２００は、導電材料により構成される第１導電膜１１０と、第１金属材料により構成される第２導電膜１３０と、が互いに接合してなる。第２導電膜１３０は、第１導電膜１１０よりも低い電気抵抗値を有している。第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間には、第２導電膜１３０よりも高い電気抵抗値を有する中間領域２０２が存在する。
【００１７】
また、本形態に係る発光装置１０は、接合構造２００を有している。
発光装置１０は、有機ＥＬ素子２０と、第１配線１１４と、引出配線１３４と、を備えている。有機ＥＬ素子２０は、第１電極１１２と、第２電極１５２と、第１電極１１２と第２電極１５２との間に配置された有機層１４０と、を有している。第１配線１１４は、第１電極１１２と電気的に接続し、かつ第１導電膜１１０により構成される。引出配線１３４は、第１配線１１４と接合し、かつ第２導電膜１３０により構成される。
【００１８】
以下、本形態に係る接合構造２００の構成の一例、発光装置１０の構成の一例、および発光装置１０の製造方法の一例につき、詳細に説明する。
【００１９】
まず、本形態に係る接合構造２００の構成の一例について説明する。
接合構造２００は、第１導電膜１１０と、第２導電膜１３０と、が互いに接合してなる接合構造である。なお、本明細書において、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０が接合するとは、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間に他の構成が介在する場合を含む。
本形態において、接合構造２００は、たとえば基板１００上に形成される。この場合、第１導電膜１１０および第２導電膜１３０は、基板１００上に形成されることとなる。
【００２０】
接合構造２００は、たとえば有機ＥＬ素子を含む発光装置を構成する。発光装置は、たとえば有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子を構成する電極に電気的に接続する第１配線と、第１配線と電気的に接続する引出配線と、を備える。このとき、引出配線および第１配線を介して、有機ＥＬ素子を構成する電極に外部から発光／非発光を制御するための電気信号が供給される。
本形態において、接合構造２００のうち第１導電膜１１０は、たとえば有機ＥＬ素子を構成する電極に接続する第１配線を構成する。また、接合構造２００のうち第２導電膜１３０は、たとえば引出配線を構成する。この場合、第１配線と引出配線との間において、接合構造２００が形成されることとなる。
【００２１】
第１導電膜１１０は、実質的に導電材料を含んで構成される。第１導電膜１１０を構成する導電材料としては、たとえば透明導電材料、または銀等のペースト状の導電材料が挙げられる。この中でも、透明導電材料がとくに好ましい。第１導電膜１１０が透明導電材料により構成される場合、第１導電膜１１０は、透明性を有する導電膜となる。
本形態において、第１導電膜１１０は、たとえば基板１００平面に平行な一方向に延在する形状を有する。
【００２２】
透明導電材料は、たとえばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等の無機材料、または導電性高分子を含んでなる。
透明導電材料が導電性高分子を含む場合、第１導電膜１１０は塗布法を用いて形成することができる。この場合、第１導電膜１１０を形成する工程において、基板１００等の他の構成へ熱負荷がかかってしまうことを抑制することが可能となる。
また、透明導電材料として無機材料を含む場合には、第１導電膜１１０は、この無機材料を有機溶剤中に分散させた溶液を塗布することにより形成される塗布型導電膜であることが好ましい。このような場合においても、第１導電膜１１０を、塗布法を用いて形成することができる。
【００２３】
本形態において、第１導電膜１１０を構成する透明導電材料に含まれる導電性高分子は、たとえばπ共役系導電性高分子とポリアニオンを含んでなる導電性高分子である。この場合、とくに導電性や耐熱性、フレキシブル性に優れた第１導電膜１１０を形成することが可能となる。
π共役系導電性高分子としては、特に限定されないが、たとえばポリチオフェン類、ポリピロール類、ポリインドール類、ポリカルバゾール類、ポリアニリン類、ポリアセチレン類、ポリフラン類、ポリパラフェニレンビニレン類、ポリアズレン類、ポリパラフェニレン類、ポリパラフェニレンサルファイド類、ポリイソチアナフテン類、またはポリチアジル類の鎖状導電性ポリマーを用いることができる。導電性、透明性、安定性等の観点からは、ポリチオフェン類またはポリアニリン類であることが好ましく、ポリエチレンジオキシチオフェンであることがとくに好ましい。
ポリアニオンとしては、ポリビニルスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリアクリル酸エチルスルホン酸、ポリアクリル酸ブチルスルホン酸、ポリ−２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、ポリイソプレンスルホン酸、ポリビニルカルボン酸、ポリスチレンカルボン酸、ポリアリルカルボン酸、ポリアクリルカルボン酸、ポリメタクリルカルボン酸、ポリ−２−アクリルアミド−２−メチルプロパンカルボン酸、ポリイソプレンカルボン酸、またはポリアクリル酸を用いることができる。本形態において用いられるポリアニオンは、これらの単独重合体であってもよいし、２種以上の共重合体であってもよい。
【００２４】
第１導電膜１１０を構成する透明導電材料として導電性高分子を含む場合、透明導電材料は、架橋剤、レベリング剤、または消泡剤等をさらに含んでいてもよい。
【００２５】
本形態において、第２導電膜１３０は、第１導電膜１１０よりも低い電気抵抗値を有している。第２導電膜１３０および第１導電膜１１０の電気抵抗値は、たとえば材料や膜厚、配線幅等をそれぞれ調整することにより制御することが可能である。
第２導電膜１３０は、第１金属材料を含んで構成される。ここで、第２導電膜１３０に含まれる第１金属材料としては、たとえば第１導電膜１１０を構成する導電材料よりも電気抵抗率が低い金属材料が使用される。この場合、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０は、互いに異なる材料により構成されることとなる。
第２導電膜１３０を構成する第１金属材料は、たとえばＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、ＣｕおよびＰｄからなる群から選択される１種または２種以上により構成される。第２導電膜１３０は、たとえば金属粒子が焼結されてなる焼結体である。
【００２６】
第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間には、第２導電膜１３０よりも高い電気抵抗値を有する中間領域２０２が存在している。この場合、第２導電膜１３０は、中間領域２０２を介して第１導電膜１１０と接合する部分を有することとなる。第２導電膜１３０は、中間領域２０２を介さずに第１導電膜１１０と接合する部分、すなわち第１導電膜１１０と直接接触する部分を有していないことが好ましい。なお、第２導電膜１３０は、第１導電膜１１０と直接接触する部分を有していてもよい。
なお、中間領域２０２は、たとえばＳＥＭ等を用いて観察可能である。
【００２７】
中間領域２０２は、第２導電膜１３０よりも高い電気抵抗値を有している。中間領域２０２の電気抵抗値は、たとえば構成材料の電気抵抗率、および膜厚等をそれぞれ調整することにより制御することが可能である。中間領域２０２を構成する材料の電気抵抗率は、たとえば材料の組成や、形成方法等をそれぞれ適切に調整することにより制御できる。本形態において、中間領域２０２を構成する材料の電気抵抗率は、たとえば第２導電膜１３０を構成する第１金属材料の電気抵抗率よりも高い。
本形態において、中間領域２０２は、たとえば導電材料または絶縁材料により構成される。中間領域２０２が酸化物等の絶縁材料を含む場合においても、膜厚等を調整することにより中間領域２０２の電気抵抗値を調整することが可能である。
【００２８】
本形態によれば、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間において、中間領域２０２が存在している。また、中間領域２０２は、第２導電膜１３０よりも高い電気抵抗値を有している。この場合、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における電気抵抗値の差異を、中間領域２０２により緩和することが可能となる。このため、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０の電気抵抗値の差異に起因した接合部分における局所的な電流集中を緩和することができる。したがって、互いに接合された第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における接続信頼性を向上することができる。
【００２９】
中間領域２０２は、たとえば第１導電膜１１０よりも低い電気抵抗値を有している。これにより、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における電気抵抗値の差異を、中間領域２０２によってより効果的に緩和することが可能となる。したがって、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との接合部分における局所的な電流集中を、より効果的に緩和することが可能となる。本形態において、中間領域２０２を構成する材料の電気抵抗率は、たとえば第１導電膜１１０を構成する透明導電材料の電気抵抗率よりも低い。
【００３０】
中間領域２０２は、たとえば金属粒子が分散した透明導電材料により構成される。この場合、中間領域２０２は、たとえば金属粒子が分散した透明導電材料含有塗布液を第２導電膜１３０上へ塗布し、これを乾燥することにより形成される。これにより、中間領域２０２の電気抵抗値を第２導電膜１３０よりも高くしつつ、中間領域２０２と第１導電膜１１０との密着性を良好なものとすることができる。このため、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における接続信頼性をさらに向上させることができる。
透明導電材料としては、第１導電膜１１０を構成する透明導電材料と同様のものを用いることができる。また、金属粒子としては、たとえばＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、またはＰｄからなるものを用いることができる。本形態においては、中間領域２０２中に、これらのいずれかの材料からなる１種または２種以上の金属粒子を分散させることができる。
【００３１】
また、中間領域２０２は、たとえば金属粒子を焼結する焼結法、スパッタリング法、または蒸着法を用いて形成されてもよい。この場合、中間領域２０２は、たとえばＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、およびＰｄからなる群から選択される１種または２種以上により構成される第２金属材料、または第２金属材料の酸化物により構成される。これにより、中間領域２０２の電気抵抗値を第２導電膜１３０よりも高くしつつ、中間領域２０２と第２導電膜１３０との密着性を良好なものとすることができる。このため、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における接続信頼性をさらに向上させることができる。なお、第２金属材料は、第１金属材料と同一の材料であってもよい。
【００３２】
中間領域２０２を焼結法により形成する場合、中間領域２０２は、たとえば金属粒子と、バインダ樹脂となる樹脂材料と、を含む塗布液を塗布し、これを乾燥して得られた塗布膜に対し、焼結を行うことにより形成される。この場合、中間領域２０２は、たとえば樹脂材料を介して互いに結着した金属粒子を含む。なお、これらのバインダ樹脂材料や金属材料等をそれぞれ適切に選択することにより中間領域２０２の電気抵抗率を調整できる。このため、中間領域２０２の電気抵抗率を精度よく制御することが可能となる。
ここでは、バインダ樹脂となる樹脂材料として、たとえばエポキシ樹脂を用いることができる。また、塗布液中には、たとえばＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、およびＰｄからなる群から選択される１種または２種以上の金属材料からなる金属粒子が含まれる。なお、中間領域２０２に含まれる一部の金属粒子は、たとえば互いに融着していてもよい。
【００３３】
また、中間領域２０２を焼結法により形成する場合、中間領域２０２は、バインダ樹脂を含まずに金属粒子を含む塗布液を塗布し、これを乾燥して得られた塗布膜に対し焼結を行うことにより形成されてもよい。この場合、中間領域２０２は、たとえば互いに融着した金属粒子を含む。このとき、金属粒子を構成する金属材料等をそれぞれ適切に選択することにより中間領域２０２の電気抵抗率を調整できる。
塗布液中には、たとえばＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、およびＰｄからなる群から選択される１種または２種以上の金属材料からなる金属粒子が含まれる。
【００３４】
中間領域２０２を焼結法により形成する場合、塗布液中には、たとえば無機充填剤が含有されていてもよい。この場合、中間領域２０２は、無機充填剤を含有することとなる。無機充填剤は、たとえばＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ、または粉末ガラスから選択される。粉末ガラスとしては、たとえばＢ−Ｚｎ−Ｓｉ−Ｏ系のガラス材料を用いることができる。中間領域２０２に無機充填剤を含有させることにより、中間領域２０２における電気抵抗率の調整が容易となる。
【００３５】
中間領域２０２は、たとえば第２導電膜１３０のうちの少なくとも一部を覆うように形成される。そして、第１導電膜１１０は、第２導電膜１３０のうち中間領域２０２により覆われた部分の少なくとも一部を覆うように基板１００上に形成される。このため、中間領域２０２の少なくとも一部は、第２導電膜１３０と第１導電膜１１０との間に配置され、これらを電気的に接続することとなる。
中間領域２０２は、たとえば第２導電膜１３０上に層状に設けられる。この場合、第２導電膜１３０上に形成される中間領域２０２の膜厚は、たとえば１ｎｍ以上１０μｍ以下である。これにより、中間領域２０２の形成に起因したコストの増大を抑えつつ、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における接続信頼性を十分に向上できる。なお、中間領域２０２の形状はこれに限定されず、たとえば島状に設けられていてもよい。
【００３６】
図６に示す例では、第２導電膜１３０のうち、上面の一部と、側面の一部と、に層状の中間領域２０２が形成される。そして、第１導電膜１１０は、この中間領域２０２を介して第２導電膜１３０へ接合されている。なお、第２導電膜１３０のうち下面以外の全域に中間領域２０２が形成されていてもよい。さらに、第２導電膜１３０の全面が中間領域２０２により覆われていてもよい。
【００３７】
また、中間領域２０２は、第２導電膜１３０の側面に接触するよう基板１００上に設けられていてもよい。このとき、中間領域２０２は、たとえば配線状に形成される。この場合においても、中間領域２０２の少なくとも一部に接触するよう、第１導電膜１１０が形成される。このため、中間領域２０２は、第２導電膜１３０と第１導電膜１１０との間に配置され、これらを電気的に接続することとなる。
図７に示す例では、中間領域２０２は、たとえば第２導電膜１３０の側面に接触するよう、配線状に設けられる。このとき、第１導電膜１１０は、たとえば平面視で第２導電膜１３０と重なる部分を有しない。
【００３８】
本形態においては、たとえば次のようにして第１導電膜１１０および第２導電膜１３０が互いに接合してなる接合構造２００が形成される。
まず、基板１００上に第２導電膜１３０を形成する。第２導電膜１３０は、たとえば塗布法、スパッタリング法または蒸着法を用いて形成される。当該工程において使用される塗布法としては、特に限定されないが、たとえばインクジェット法、スクリーン印刷法、スプレー塗布法、またはディスペンサー塗布法が挙げられる。
塗布法により引出配線１３４を形成する際に用いられる塗布液は、たとえばバインダ樹脂および有機溶剤を含む。バインダ樹脂としては、たとえばセルロース系樹脂、エポキシ系樹脂、またはアクリル系樹脂を用いることができる。有機溶剤としては、たとえば炭化水素系溶剤、またはアルコール系溶剤を用いることができる。また、塗布液中に含有される金属粒子は、たとえばＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、およびＰｄである。当該塗布液中には、これらの金属粒子のうち１種または２種以上が含まれる。
【００３９】
次に、第２導電膜１３０上に中間領域２０２を形成する。中間領域２０２は、たとえば第２導電膜１３０の一部を覆うように形成される。中間領域２０２は、たとえば金属粒子および透明導電材料を含有する塗布液を第２導電膜１３０上へ塗布し、これを乾燥することにより形成される。透明導電材料としては、上述したものを使用できる。また、金属粒子としては、たとえばＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、またはＰｄからなるものを用いることができる。この場合、塗布液中には、これらの金属粒子のうち１種または２種以上が含まれる。
中間領域２０２が図７に示す構成を有する場合には、たとえばインクジェット法等を用いて金属粒子および透明導電材料を含有する塗布液を基板１００上に塗布し、これを乾燥することにより、中間領域２０２を形成することができる。
【００４０】
また、中間領域２０２は、焼結法、スパッタリング法、または蒸着法を用いて形成されてもよい。この場合、中間領域２０２は、たとえばＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、およびＰｄからなる群から選択される一種以上を含む金属材料、または当該金属材料の酸化物を含む。
焼結法を用いて形成する場合には、たとえば金属粒子を含む塗布液を塗布し、これを乾燥して得られた塗布膜に対し、焼結を行うことにより形成される。なお、塗布液中には、バインダ樹脂となる樹脂材料や無機充填剤が含まれていてもよい。塗布液中には、たとえばＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、およびＰｄからなる群から選択される一種以上の金属材料からなる金属粒子が含まれる。バインダ樹脂となる樹脂材料として、たとえばエポキシ樹脂を用いることができる。また、無機充填剤は、たとえばＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ、または粉末ガラスから選択される。
【００４１】
次に、基板１００上に、第１導電膜１１０を形成する。第１導電膜１１０は、たとえば透明導電材料含有塗布液を基板１００上に塗布し、これを乾燥することにより形成される。第１導電膜１１０は、たとえば第２導電膜１３０のうち中間領域２０２により覆われた部分の少なくとも一部を覆うように形成される。このとき、第２導電膜１３０のうち中間領域２０２により覆われていない部分に第１導電膜１１０が接触しないよう、第１導電膜１１０が形成されることが好ましい。
基板１００上に形成される第１導電膜１１０の膜厚は、特に限定されないが、たとえば１０ｎｍ以上１０μｍ以下である。なお、第１導電膜１１０の膜厚は、抵抗値、透過率、およびコスト等を考慮して適宜選択することが可能である。また、当該工程においては、特に限定されないが、たとえばインクジェット法、スクリーン印刷法、凸版印刷法、グラビア印刷法、ダイコート、スピンコート、またはスプレーを用いて透明導電材料含有塗布液が基板１００上に塗布される。第１導電膜１１０を形成する当該工程において用いられる透明導電材料含有塗布液は、たとえば上述した透明導電材料に加え、有機溶剤や水等を含む。有機溶剤としては、たとえばアルコール系溶剤を用いることができる。なお、第１導電膜１１０は、銀等のペースト状の導電材料を基板１００上に塗布し、これを乾燥することにより形成されてもよい。
本形態においては、たとえばこのようにして、第１導電膜１１０および第２導電膜１３０が互いに接合してなる接合構造２００が形成されることとなる。
【００４２】
次に、発光装置１０の構成の一例について説明する。
図１においては、発光装置１０がディスプレイである場合が例示される。
なお、発光装置１０は、照明装置であってもよい。発光装置１０が照明装置である場合、発光装置１０は、たとえば互いに発光色が異なるライン状の有機層１４０を複数繰り返し並べた構成を有する。これにより、演色性に優れた照明装置が実現される。また、照明装置である発光装置１０は、面状の有機層１４０を有していてもよい。
【００４３】
基板１００は、たとえば透明基板である。本形態において、基板１００は、ガラス基板とすることができる。これにより、耐熱性等に優れた発光装置１０を安価に製造することが可能となる。
【００４４】
基板１００は、樹脂材料により構成されるフィルム状の基板であってもよい。この場合、特にフレキシブル性の高いディスプレイを実現することが可能となる。フィルム状の基板を構成する樹脂材料としては、たとえばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよびポリカーボネートが挙げられる。
【００４５】
ディスプレイである発光装置１０は、たとえばアレイ状に配列された複数の有機ＥＬ素子２０を基板１００上に有する。有機ＥＬ素子２０は、基板１００上に設けられた第１電極１１２と、第１電極１１２上に設けられた有機層１４０と、有機層１４０上に設けられた第２電極１５２と、を有している。このとき、有機層１４０は、第１電極１１２と第２電極１５２により狭持されることとなる。
【００４６】
本形態では、たとえば図中Ｙ方向に延びる複数の第１電極１１２と、図中Ｘ方向に延びる複数の第２電極１５２と、が基板１００上に設けられる。そして、第１電極１１２と第２電極１５２が平面視で互いに重なる各部分において、有機ＥＬ素子２０が形成される。これにより、基板１００上には、アレイ状に配列された複数の有機ＥＬ素子２０が形成されることとなる。
【００４７】
第１電極１１２は、たとえば有機ＥＬ素子の陽極となる。この場合、第１電極１１２は、たとえば後述する有機層１４０のうちの発光層１４４から発光される光の波長に対して透明または半透明である透明電極となる。また、第１電極１１２は、たとえば基板１００上であって、かつ画素領域３００内において、図中Ｙ方向に直線状に延在するように設けられる。また、基板１００上には、たとえば互いに離間する複数の第１電極１１２が、第１電極１１２の延在方向と垂直な方向（図中Ｘ方向）に配列される。このとき、複数の第１電極１１２は、たとえば互いに離間する。なお、画素領域３００は、複数の有機ＥＬ素子２０を含む領域である。図４に示す例では、一点鎖線により囲まれた領域が画素領域３００に該当する。
【００４８】
本形態において、第１電極１１２は、たとえば透明導電材料により構成される。第１電極１１２を構成する透明導電材料としては、たとえば第１導電膜１１０を構成する透明導電材料と同様のものを用いることができる。このため、第１電極１１２は透明性を有することができる。
【００４９】
基板１００上には、たとえば第１配線１１４が設けられている。本形態では、第１配線１１４が、第１電極１１２と電気的に接続する場合が例示される。このとき、基板１００上には、それぞれ異なる第１電極１１２へ接続する複数の第１配線１１４が設けられる。このため、本形態における複数の第１電極１１２は、それぞれ第１配線１１４を介して引出配線１３４へ接続されることとなる。
【００５０】
本形態において、第１配線１１４は、導電材料により構成される第１導電膜１１０により構成される。第１導電膜１１０が透明導電材料により構成される場合、第１導電膜１１０により構成される第１配線１１４は透明性を有することができる。
【００５１】
本形態において、第１電極１１２および第１配線１１４は、たとえば基板１００上に一体として設けられる。この場合、第１配線１１４および第１電極１１２は、たとえば第１導電膜１１０により構成されることとなる。このとき、第１導電膜１１０のうち、複数の有機ＥＬ素子２０を含む画素領域３００内に位置する部分が、第１電極１１２となる。また、第１導電膜１１０のうち、画素領域３００外に位置する部分が、第１配線１１４となる。第１電極１１２は、第１配線１１４を介して引出配線１３４に接続する。
図４に示す例において、基板１００上には、図中Ｙ方向に延在する第１導電膜１１０が複数設けられている。これら複数の第１導電膜１１０は、互いに離間するよう図中Ｘ方向に配列されている。そして、第１導電膜１１０のうち、一点鎖線で示される画素領域３００よりも引出配線１３４と接続する端部側に位置する部分が、第１配線１１４となる。
【００５２】
基板１００上には、引出配線１３４が設けられている。
本形態では、引出配線１３４が第１配線１１４に接続する場合が例示される。基板１００上には、互いに離間するよう図中Ｘ方向に配列された複数の引出配線１３４が設けられている。各引出配線１３４は、それぞれ第１配線１１４に接続される。このため、複数の第１配線１１４は、それぞれ引出配線１３４を介して外部へ接続されることとなる。有機ＥＬ素子２０には、第１配線１１４および引出配線１３４を介して発光／非発光の信号が供給される。
【００５３】
本形態において、引出配線１３４は、第１金属材料により構成される第２導電膜１３０により構成される。このため、引出配線１３４が第１配線１１４に接続される場合、第１導電膜１１０により構成される第１配線１１４と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、が互いに接合して接合構造２００が形成されることとなる。図４に示す例では、破線により囲まれた部分において接合構造２００が形成される。
【００５４】
第１配線１１４は、一の端部において引出配線１３４と接続している。このとき、第１配線１１４は、たとえば上記一の端部において引出配線１３４と接合し、接合構造２００を形成することとなる。第１配線１１４は、引出配線１３４からみて第１方向に延びている。なお、本形態において第１方向とは、たとえば図中Ｙ方向をさす。
図４では、引出配線１３４のうち画素領域３００側に位置する端部のみが、平面視で第１配線１１４と重なる場合が例示される。この場合、引出配線１３４のうち画素領域３００側に位置する端部は第１配線１１４により覆われ、他の部分は第１配線１１４により覆われずに露出することとなる。本形態においては、引出配線１３４は、たとえば上面の一部、画素領域３００に面する端面、および当該端面に隣接する二つの側面の一部において第１配線１１４により覆われる。
【００５５】
基板１００上には、たとえば第１電極１１２を覆うように絶縁層１２０が設けられている。本形態においては、たとえば第１電極１１２と、第１配線１１４および後述する引出配線１６４それぞれの一部と、を覆うように絶縁層１２０が設けられる。
絶縁層１２０は、ポリイミド系樹脂等の感光性の樹脂であり、露光および現像されることによって所望のパターンに形成される。絶縁層１２０は、ポリイミド系樹脂以外の樹脂材料により構成されてもよく、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂であってもよい。
【００５６】
絶縁層１２０には、たとえば複数の第１開口１２２が設けられている。図５に示すように、第１開口１２２は、たとえばマトリクスを構成するように形成される。
本形態においては、複数の第１開口１２２は、第１電極１１２上に位置するように形成される。図中Ｙ方向に延在する各第１電極１１２の上には、たとえば複数の第１開口１２２が所定の間隔を空けて図中Ｙ方向に配列される。また、これらの複数の第１開口１２２は、たとえば第１電極１１２と直交する方向（図中Ｘ方向）に延在する第２電極１５２と重なる位置に設けられる。このため、複数の第１開口１２２は、マトリクスを構成するように配置されることとなる。
【００５７】
絶縁層１２０には、たとえば複数の第２開口１２４が設けられている。
図５に示すように、第２開口１２４は、たとえば引出配線１６４上に位置するように設けられる。複数の第２開口１２４は、第１開口１２２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。この一辺に沿う方向（たとえば図中Ｙ方向）でみた場合、第２開口１２４は、第１開口１２２と同じ間隔で配置されている。
【００５８】
絶縁層１２０上には、たとえば隔壁１７０が設けられている。
図１に示すように、隔壁１７０は、図中Ｘ方向に延在するように設けられる。すなわち、隔壁１７０は、第２電極１５２の延在方向に沿って形成されることとなる。また、隔壁１７０は、図中Ｙ方向に配列されるよう複数設けられる。
隔壁１７０は、たとえばポリイミド系樹脂等の感光性の樹脂であり、露光および現像されることによって所望のパターンに形成される。なお、隔壁１７０は、ポリイミド系樹脂以外の樹脂材料により構成されてもよく、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂であってもよい。
【００５９】
隔壁１７０は、たとえば断面が台形の上下を逆にした形状（逆台形）を有している。すなわち、隔壁１７０の上面の幅は、たとえば隔壁１７０の底面の幅よりも大きい。この場合、複数の第２電極１５２をスパッタリング法や蒸着法等により一括して形成する場合であっても、隣接する隔壁１７０間にそれぞれ位置する複数の第２電極１５２を互いに分断させることが可能となる。したがって、第２電極１５２を容易に形成することができる。
なお、隔壁１７０の平面形状は、図１に示すものに限られない。このため、隔壁１７０の平面形状を変更することにより、隔壁１７０により互いに分断される複数の第２電極１５２の平面パターンを自由に変更することが可能となる。
【００６０】
図２に示すように、第１開口１２２の中には、たとえば有機層１４０が形成されている。
本形態において、有機層１４０は、たとえば正孔注入層１４２、発光層１４４および電子注入層１４６を順に積層した積層体により構成される。このとき、正孔注入層１４２は第１電極１１２に接し、電子注入層１４６は第２電極１５２に接する。このため、有機層１４０は、第１電極１１２と第２電極１５２との間に狭持されることとなる。
なお、正孔注入層１４２と発光層１４４の間には正孔輸送層が形成されてもよいし、発光層１４４と電子注入層１４６の間には電子輸送層が形成されてもよい。また、有機層１４０は、正孔注入層１４２を有していなくともよい。
【００６１】
本形態において、絶縁層１２０上には、たとえば隔壁１７０が設けられている。この場合、図２に示すように、隣接する隔壁１７０間に挟まれる複数の領域それぞれに設けられた有機層１４０は、図中Ｙ方向において互いに分断される。なお、隔壁１７０上には、たとえば有機層１４０と同一材料からなる積層膜が形成される。
一方で、図３に示すように、有機層１４０を構成する各層は、隔壁１７０が延在する図中Ｘ方向において、隣り合う第１開口１２２の間において連続するように設けられる。
【００６２】
有機層１４０上には、第２電極１５２が設けられている。
本形態において、第２電極１５２は、たとえば有機ＥＬ素子の陰極となる。第２電極１５２は、たとえば図中Ｘ方向に直線状に延在するように設けられる。また、基板１００上には、たとえば互いに離間する複数の第２電極１５２が、第２電極１５２の延在方向と垂直な方向（図中Ｙ方向）に配列される。
【００６３】
第２電極１５２は、たとえば錫、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、もしくは銀、またはこれらの合金等の金属材料により構成される。これらの材料は、一種を単独で用いてもよく、二種以上の任意の組み合わせを用いてもよい。なお、第２電極１５２が陰極である場合、第２電極１５２は、陽極である第１電極１１２よりも仕事関数が小さい導電性材料により構成されることが好ましい。
【００６４】
基板１００上には、第２配線１５４が設けられている。
第２配線１５４は、第１電極１１２または第２電極１５２のうち第１配線１１４と接続していない一方に接続している。これにより、第１電極１１２および第２電極１５２のうち第２配線１５４と接続されるいずれか一方は、第２配線１５４を介して外部へ接続されることとなる。
本形態においては、第２配線１５４が有機層１４０上に設けられ、第２電極１５２に接続される場合が例示される。このとき、有機層１４０上には、それぞれ異なる第２電極１５２へ接続する複数の第２配線１５４が設けられる。このため、本形態における複数の第２電極１５２は、それぞれ第２配線１５４を介して外部へ接続されることとなる。なお、第２配線１５４は、たとえば一部が第２開口１２４内に埋め込まれ、当該一部において後述する引出配線１６４に接続される。
【００６５】
第２配線１５４は、たとえば金属材料により構成される。第２配線１５４を構成する金属材料としては、たとえば第２電極１５２と同様のものを用いることができる。
【００６６】
本形態において、第２電極１５２および第２配線１５４は、たとえば有機層１４０上に一体として設けられ、導電膜１５０を構成する。この場合、導電膜１５０のうち、複数の有機ＥＬ素子２０を含む画素領域３００内に位置する部分が、第２電極１５２となる。また、導電膜１５０のうち、画素領域３００外に位置する部分が、第２配線１５４となる。第２電極１５２は、たとえば第２配線１５４を介して引出配線１６４に接続する。なお、図１に示す例では、一点鎖線で囲まれた領域が画素領域３００に該当する。
図１に示す例において、有機層１４０上には、図中Ｘ方向に延在する導電膜１５０が複数設けられている。また、これらの複数の導電膜１５０は、互いに離間するよう図中Ｙ方向に配列されている。そして、導電膜１５０のうち、画素領域３００よりも引出配線１６４と接続する端部側に位置する部分が、第２配線１５４となる。
【００６７】
複数の導電膜１５０は、たとえばスパッタリング法または蒸着法等を用いて有機層１４０上に一括で形成される。このような場合であっても、本形態においては絶縁層１２０上に隔壁１７０が形成されているため、隣接する隔壁１７０間に挟まれる複数の領域それぞれに設けられた導電膜１５０は図中Ｙ方向において互いに分断されることとなる。
これにより、互いに離間するよう図中Ｙ方向に配列され、かつ図中Ｘ方向に延在する複数の導電膜１５０を形成することが可能となる。このとき、隔壁１７０上には、導電膜１５０と同一材料からなる膜が形成されることとなる。
【００６８】
基板１００上には、たとえば引出配線１６４が設けられている。第２配線１５４は、引出配線１６４を介して外部に接続する。このため、第２電極１５２は、第２配線１５４および引出配線１６４を介して外部に接続され、信号が供給されることとなる。
【００６９】
引出配線１６４は、たとえば金属材料により構成される。引出配線１６４を構成する金属材料としては、たとえば引出配線１３４と同様のものを用いることができる。この場合、引出配線１６４は、引出配線１３４と同時に形成することが可能となる。このため、発光装置１０の製造工程数が増大することを抑制することができる。
【００７０】
次に、発光装置１０の製造方法の一例について説明する。
まず、基板１００上に引出配線１３４を形成する。引出配線１３４は、たとえば塗布法、スパッタリング法または蒸着法を用いて基板１００上に形成される。なお、本形態において、引出配線１３４は、第２導電膜１３０により構成される。このため、引出配線１３４は、たとえば上述した第２導電膜１３０を形成する方法および第２導電膜１３０を構成する材料を用いて形成される。
【００７１】
また、本形態においては、たとえば引出配線１３４を形成する工程と同時に、基板１００上に引出配線１６４が形成される。この場合、引出配線１６４は、たとえば引出配線１３４と同様の方法および材料により形成される。
【００７２】
次に、基板１００上に、第１配線１１４を形成する。第１配線１１４は、たとえば透明導電材料含有塗布液を基板１００上に塗布し、これを乾燥することにより形成される。なお、本形態において、第１配線１１４は、第１導電膜１１０である。このため、第１配線１１４は、たとえば上述した第１導電膜１１０を形成する方法および第１導電膜１１０を構成する材料を用いて形成される。また、第１導電膜１１０により構成される第１配線１１４および第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４は、互いに接合して接合構造２００を形成する。このとき、接合構造２００は、たとえば上述した接合構造２００を形成する方法を用いて形成される。
第１配線１１４を形成する上記工程においては、たとえば第１配線１１４とともに、第１配線１１４に接続する第１電極１１２が形成される。この場合、第１電極１１２は、たとえば第１配線１１４と一体として第１導電膜１１０により形成される。
【００７３】
次に、第１配線１１４に対し熱処理を施す。これにより、第１配線１１４を乾燥させる。透明導電材料が導電性高分子を含む場合には、第１配線１１４を乾燥させることにより導電性高分子の凝集力が高まり、第１配線１１４を強固な膜とすることができる。また、第１配線１１４に対し熱処理を施すことにより、第１配線１１４の硬化が行われる。また、第１配線１１４を構成する透明導電材料が感光性材料を含む場合には、ＵＶ照射により第１配線１１４を硬化してもよい。
この段階において得られる構造が、図４に示されるものである。
【００７４】
次に、基板１００上、第１電極１１２上、第１配線１１４上および引出配線１６４上に絶縁層１２０を形成する。絶縁層１２０は、ドライエッチングまたはウェットエッチング等を用いて所定の形状にパターニングされる。これにより、絶縁層１２０に、複数の第１開口１２２および複数の第２開口１２４が形成される。このとき、複数の第１開口１２２は、たとえば各第１開口１２２から第１電極１１２の一部が露出するように形成される。
【００７５】
次に、絶縁層１２０上に隔壁１７０を形成する。隔壁１７０は、絶縁層１２０上に設けられた絶縁膜をドライエッチングまたはウェットエッチング等を用いて所定の形状にパターニングすることにより得られる。隔壁１７０が感光性樹脂により形成される場合、露光および現像時の条件を調節することにより、隔壁１７０の断面形状を逆台形にすることができる。この段階において得られる構造が、図５に示されるものである。
【００７６】
次に、第１開口１２２内に、正孔注入層１４２、発光層１４４および電子注入層１４６を順に形成する。これらは、たとえば塗布法または蒸着法を用いて形成される。
これにより、有機層１４０が形成される。
【００７７】
次に、有機層１４０上に、第２電極１５２および第２配線１５４を構成する導電膜１５０を形成する。このとき、たとえば導電膜１５０の一部が第２開口１２４内に位置するように、導電膜１５０が形成される。導電膜１５０は、たとえば蒸着法またはスパッタリング法を用いて形成される。
これにより、第１電極１１２と、第２電極１５２と、これらに狭持された有機層１４０と、により構成される有機ＥＬ素子２０が、基板１００上に形成されることとなる。
本形態においては、たとえばこのようにして発光装置１０が形成される。
【００７８】
以上、本形態によれば、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間において、中間領域２０２が存在している。また、中間領域２０２は、第２導電膜１３０よりも高い電気抵抗値を有している。この場合、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における電気抵抗値の差異を、中間領域２０２により緩和することが可能となる。このため、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０の電気抵抗値の差異に起因した接合部分における局所的な電流集中を緩和することができる。したがって、互いに接合された第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における接続信頼性を向上することができる。
また、有機ＥＬ素子２０を構成する第１電極１１２に接続され、かつ第１導電膜１１０により構成される第１配線１１４と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、を備える発光装置１０を実現することができる。これにより、第１電極１１２と引出配線１３４との間における接続信頼性を向上させることができる。また、発光装置１０の動作信頼性を向上させることも可能となる。
【００７９】
（第２の形態）
図８は、第２の形態に係る発光装置１２を示す平面図であり、第１の形態に係る図１に対応している。図９は、図８のＣ−Ｃ断面を示す断面図であり、図１０は図８のＤ−Ｄ断面を示す断面図である。図１１は、図８に示す発光装置１２の一部を示す図である。図１１では、とくに第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との位置関係が示されている。
【００８０】
本形態において、接合構造２００のうち第１導電膜１１０は、たとえば有機ＥＬ素子を構成する電極を構成する。接合構造２００のうち第２導電膜１３０は、たとえば有機ＥＬ素子を構成する電極と電気的に接続する引出配線を構成する。この場合、有機ＥＬ素子を構成する電極と、引出配線と、の間において、接合構造２００が形成される。
【００８１】
本形態に係る発光装置１２は、第１電極１１２、および引出配線１３４の構成を除いて第１の形態に係る発光装置１０と同様の構成を有する。
発光装置１２は、接合構造２００を有している。発光装置１２は、有機ＥＬ素子２０と、引出配線１３４と、を備えている。有機ＥＬ素子２０は、第１導電膜１１０により構成される第１電極１１２と、第２電極１５２と、第１電極１１２と第２電極１５２との間に配置された有機層１４０と、を有している。引出配線１３４は、第１電極１１２と接合し、かつ第２導電膜１３０により構成されている。
【００８２】
本形態において、第１電極１１２は、たとえば基板１００上であって、画素領域３００内にマトリクス状に配置される。マトリクス状に配置された複数の第１電極１１２は、互いに離間する。なお、画素領域３００は、複数の有機ＥＬ素子２０を含む領域である。図８に示す例では、一点鎖線により囲まれた領域が画素領域３００に該当する。
第１電極１１２は、導電材料により構成される第１導電膜１１０により構成される。第１導電膜１１０が透明導電材料により構成される場合、第１導電膜１１０により構成される第１電極１１２は透明性を有することができる。
【００８３】
本形態に係る発光装置１２においては、第１の形態に係る発光装置１０を構成する第１配線１１４が設けられていない。
【００８４】
本形態では、引出配線１３４が第１電極１１２に接続される場合が例示される。引出配線１３４は、図中Ｙ方向に延在している。また、基板１００上には、互いに離間するよう図中Ｘ方向に配列された複数の引出配線１３４が設けられている。各引出配線１３４は、それぞれＹ方向に配列された複数の第１電極１１２に接続される。このため、複数の第１電極１１２は、それぞれ引出配線１３４を介して外部へ接続されることとなる。有機ＥＬ素子２０には、引出配線１３４を介して発光／非発光の信号が供給される。
本形態において、引出配線１３４は、金属材料により構成される第２導電膜１３０により構成される。このため、第１導電膜１１０により構成される第１電極１１２と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、が互いに接合して接合構造２００が形成されることとなる。図１１に示す例では、破線により囲まれた部分において接合構造２００が形成される。
【００８５】
第１電極１１２は、一の端部において引出配線１３４と接続している。このとき、第１電極１１２は、たとえば上記一の端部において引出配線１３４と接合し、接合構造２００を形成することとなる。図１０に示すように、引出配線１３４のうち第１電極１１２と接合する部分は、たとえば平面視で有機ＥＬ素子２０を形成する領域内に位置する。
第１電極１１２は、引出配線１３４からみて第２方向に延在している。なお、本形態において第２方向とは、たとえば図中Ｘ方向をさす。第１電極１１２の形状は、特に限定されず有機ＥＬ素子２０の設計に併せて適宜選択可能であるが、たとえば矩形である。
【００８６】
引出配線１３４は、少なくとも一部が第１電極１１２と重なるように設けられている。
図１１に示す例においては、第１電極１１２の一端が引出配線１３４の一部上に重なるように第１電極１１２が形成される。この場合、第１電極１１２は、たとえば引出配線１３４のうちの、上面と、側面と、のそれぞれの一部を覆うように形成されることとなる。
【００８７】
絶縁層１２０は、たとえば引出配線１３４を覆うように形成される。本形態においては、たとえば引出配線１３４と引出配線１６４のそれぞれの一部を覆うように絶縁層１２０が設けられる。また、図１１に示すように、絶縁層１２０には、複数の第１開口１２２が、たとえばマトリクスを構成するように形成される。
本形態においては、第１電極１１２は、第１開口１２２内に形成される。これにより、基板１００上にマトリクス状に配置された複数の第１電極１１２が形成される。また、図９および１０に示すように、複数の第１電極１１２は、絶縁層１２０によって互いに離間されることとなる。第１開口１２２は、たとえば引出配線１３４の一部と平面視で重なるように形成される。この場合、引出配線１３４のうちの第１開口１２２と平面視で重なる一部が、第１開口１２２に形成された第１電極１１２と接続することとなる。
絶縁層１２０は、たとえば第１の形態と同様の材料により構成される。
【００８８】
本形態における隔壁１７０、有機層１４０、第２電極１５２、第２配線１５４および引出配線１６４は、たとえば第１の形態と同様の構成を有する。
【００８９】
以上、本形態においても、第１の形態と同様に、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における接続信頼性を向上させることができる。
また、本形態によれば、第１導電膜１１０により構成される第１電極１１２と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、を備える発光装置１２を実現することができる。これにより、第１電極１１２と引出配線１３４との間における接続信頼性を向上させることができる。また、発光装置の動作信頼性を向上させることも可能となる。
【００９０】
（第３の形態）
図１２〜１４は、第３の形態における第１導電膜１１０と、第２導電膜１３０と、により構成される接合構造２００の構成の一例を示す図である。
【００９１】
第３の形態に係る接合構造２００は、導電材料により構成される第１導電膜１１０と、第１金属材料により構成される第２導電膜１３０と、が互いに接合してなる。
第２導電膜１３０の一部は、第１導電膜１１０により覆われている。第２導電膜１３０の上面のうち第１導電膜１１０から露出した露出面２２０には、少なくとも一部において第１金属材料の酸化物または水酸化物により構成される第１皮膜２０４が存在している。第２導電膜１３０の上面のうち第１導電膜１１０に覆われた被覆面２２２には、少なくとも一部において第１皮膜２０４よりも薄く、かつ第１金属材料の酸化物または水酸化物により構成される第２皮膜２０６が存在している、または第１金属材料の酸化物および水酸化物が存在しない。
【００９２】
本形態に係る接合構造２００は、発光装置１０に適用することが可能である。本形態に係る発光装置１０は、接合構造２００の構成を除いて第１の形態に係る発光装置１０と同様の構成を有する。
すなわち、本形態に係る発光装置１０は、接合構造２００を有している。発光装置１０は、有機ＥＬ素子２０と、第１配線１１４と、引出配線１３４と、を備えている。有機ＥＬ素子２０は、第１電極１１２と、第２電極１５２と、第１電極１１２と第２電極１５２との間に配置された有機層１４０と、を有している。第１配線１１４は、第１電極１１２と電気的に接続し、かつ第１導電膜１１０により構成されている。引出配線１３４は、第１配線１１４と接合し、かつ第２導電膜１３０により構成されている。このとき、第１導電膜１１０により構成される第１配線１１４と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、の間において接合構造２００が形成されることとなる。
【００９３】
また、本形態に係る接合構造２００は、発光装置１２にも適用することが可能である。本形態に係る発光装置１２は、接合構造２００の構成を除いて第２の形態に係る発光装置１２と同様の構成を有する。
すなわち、発光装置１２は、接合構造２００を有している。発光装置１２は、有機ＥＬ素子２０と、引出配線１３４と、を備えている。有機ＥＬ素子２０は、第１導電膜１１０により構成される第１電極１１２と、第２電極１５２と、第１電極１１２と第２電極１５２との間に配置された有機層１４０と、を有している。引出配線１３４は、第１電極１１２と接合し、かつ第２導電膜１３０により構成されている。このとき、第１導電膜１１０により構成される第１電極１１２と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、の間において接合構造２００が形成されることとなる。
【００９４】
以下、本形態に係る接合構造２００の構成の一例につき詳細に説明する。
【００９５】
接合構造２００は、たとえば有機ＥＬ素子を含む発光装置を構成する。
【００９６】
本形態の一例に係る発光装置は、たとえば有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子を構成する電極に電気的に接続する第１配線と、第１配線に電気的に接続する引出配線と、を備える。このとき、有機ＥＬ素子を構成する電極には、引出配線および第１配線を介して外部から発光／非発光を制御するための電気信号が供給される。
この例において、接合構造２００のうち第１導電膜１１０は、たとえば有機ＥＬ素子を構成する電極に接続する第１配線を構成する。また、接合構造２００のうち第２導電膜１３０は、たとえば引出配線を構成する。この場合、第１配線と引出配線との間において、接合構造２００が形成されることとなる。
【００９７】
本形態の他の一例に係る発光装置は、たとえば有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子を構成する電極に電気的に接続する引出配線と、を備える。有機ＥＬ素子を構成する電極には、引出配線を介して外部から発光／非発光を制御するための電気信号が供給される。
この例において、接合構造２００のうち第１導電膜１１０は、たとえば有機ＥＬ素子を構成する電極を構成する。また、接合構造２００のうち第２導電膜１３０は、たとえば引出配線を構成する。この場合、有機ＥＬ素子を構成する電極と引出配線との間において、接合構造２００が形成されることとなる。
【００９８】
第１導電膜１１０は、導電材料を含んで構成される。
本形態における第１導電膜１１０は、たとえば第１の形態と同様の構成を有する。また、第１導電膜１１０を構成する導電材料は、第１の形態において例示したものを用いることができる。すなわち、第１導電膜１１０を構成する導電材料としては、たとえば透明導電材料、または銀等のペースト状の導電材料が挙げられる。また、透明導電材料は、たとえばＩＴＯ等の無機材料、または導電性高分子を含んでなる。
【００９９】
本形態における第１導電膜１１０を構成する透明導電材料として導電性高分子を含む場合、透明導電材料は、さらに皮膜反応剤を含んでいてもよい。皮膜反応剤としては、第２導電膜１３０上に形成される第１金属材料の酸化物および水酸化物を除去しうるものであれば特に限定されないが、たとえば塩酸が挙げられる。
この場合、第２導電膜１３０のうち第１導電膜１１０により覆われる被覆面２２２において生じる第１金属材料の酸化物または水酸化物の除去を行うことができる。したがって、後述するように、被覆面２２２に生じる第２皮膜２０６を第１皮膜２０４よりも薄くする、または完全に除去することができる。
【０１００】
第２導電膜１３０は、第１金属材料を含んで構成される。
本形態における第２導電膜１３０は、たとえば第１の形態と同様の構成を有する。また、第２導電膜１３０を構成する第１金属材料は、第１の形態において例示したものを用いることができる。すなわち、第１金属材料は、たとえばＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、ＣｕおよびＰｄからなる群から選択される１種または２種以上により構成される。
【０１０１】
第２導電膜１３０の一部は、第１導電膜１１０により覆われている。このため、第２導電膜１３０の上面は、第１導電膜１１０により覆われた被覆面２２２と、第１導電膜１１０から露出した露出面２２０と、を有することとなる。
本形態において、第１導電膜１１０は、平面視で第２導電膜１３０の一部と重なるように設けられる。そして、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０とが重なる積層領域において、第２導電膜１３０は、第１導電膜１１０により覆われることとなる。第２導電膜１３０は、たとえば上面の一部および側面の一部が第１導電膜１１０により覆われる。この場合、第２導電膜１３０は、上面および側面のそれぞれにおいて、被覆面２２２および露出面２２０を有することとなる。
【０１０２】
第２導電膜１３０の上面のうち第１導電膜１１０から露出した露出面２２０には、少なくとも一部において第１金属材料の酸化物または水酸化物により構成される第１皮膜２０４が存在している。なお、第２導電膜１３０表面に皮膜が存在しているとは、第１金属材料により構成される第２導電膜１３０の表面部分が酸化または水酸化され、これにより皮膜が生じている場合を含む。また、第２導電膜１３０表面に皮膜が存在していないとは、第２導電膜１３０の表面部分が酸化または水酸化されて生じる皮膜が存在していない場合を含む。以下、本明細書において同様である。
【０１０３】
本形態において、第１皮膜２０４は、たとえば第２導電膜１３０の上面および側面のうちの、第１導電膜１１０により覆われていない露出部分の全域に形成される。この場合、第１皮膜２０４は、第２導電膜１３０表面のうち、基板１００に接しておらず、かつ第１導電膜１１０により覆われていない部分の全域に存在することとなる。
また、本形態において、露出面２２０に存在する第１皮膜２０４は、第１金属材料の酸化物と、第１金属材料の水酸化物と、の双方を含んでいてもよい。
【０１０４】
第１皮膜２０４を構成する第１金属材料としては、たとえば第２導電膜１３０を構成する第１金属材料と同様のものが挙げられる。本形態において、第１皮膜２０４を構成する第１金属材料は、たとえばＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、ＣｕおよびＰｄからなる群から選択される１種または２種以上により構成される。
【０１０５】
第２導電膜１３０の上面のうち第１導電膜１１０により覆われた被覆面２２２には、少なくとも一部において第１皮膜２０４よりも薄く、かつ第１金属材料の酸化物または水酸化物により構成される第２皮膜２０６が存在している、または第１金属材料の酸化物および水酸化物が存在しない。被覆面２２２に第２皮膜２０６が存在する場合、第２皮膜２０６は、第１金属材料の酸化物と、第１金属材料の水酸化物と、の双方を含んでいてもよい。
本形態において、第２導電膜１３０は、上面の一部および側面の一部において、第１導電膜１１０により覆われた被覆面２２２を有する。この場合、第２導電膜１３０の上面および側面それぞれの被覆面２２２において、第２皮膜２０６が存在している、または第１金属材料の酸化物および水酸化物が存在しないこととなる。
【０１０６】
図１２および図１３においては、第２導電膜１３０の上面および側面のうち、第１導電膜１１０により覆われた被覆面２２２に、第１皮膜２０４よりも膜厚が薄い第２皮膜２０６が存在している場合が例示されている。
図１２に示す例では、たとえば第２導電膜１３０のうちの被覆面２２２全域に第２皮膜２０６が存在している。この場合、第２導電膜１３０は、第２皮膜２０６を介さずに第１導電膜１１０と接合する部分、すなわち第１導電膜１１０と直接接触する部分を有しない。
一方で、図１３に示す例においては、たとえば第２導電膜１３０のうちの被覆面２２２の一部のみに第２皮膜２０６が存在している。この場合、第２導電膜１３０の被覆面２２２のうち第２皮膜２０６が存在しない部分は、たとえば第１導電膜１１０と直接接触する。
【０１０７】
図１４においては、第２導電膜１３０の上面および側面のうち、第１導電膜１１０により覆われた被覆面２２２に、第１金属材料の酸化物および水酸化物が存在しない場合が例示されている。図１４に示す例では、たとえば第２導電膜１３０のうちの被覆面２２２全域において、第２皮膜２０６が存在しない。この場合、第２導電膜１３０は、たとえば被覆面２２２の全域において第１導電膜１１０と直接接触する。
【０１０８】
第２皮膜２０６を構成する第１金属材料としては、たとえば第２導電膜１３０を構成する第１金属材料と同様のものが挙げられる。本形態において、第２皮膜２０６を構成する第１金属材料は、たとえばＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、ＣｕおよびＰｄからなる群から選択される１種または２種以上により構成される。
【０１０９】
本形態によれば、第２導電膜１３０の上面のうちの被覆面２２２には、第１皮膜２０４よりも薄い第２皮膜２０６が存在している、または第１金属材料の酸化物または水酸化物が存在しない。すなわち、被覆面２２２における酸化物または水酸化物による被覆の程度を、低減することが可能となる。この場合、第２導電膜１３０と第１導電膜１１０との間の接触抵抗を低減することができる。したがって、互いに接合された第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における接続信頼性を向上させることができる。
【０１１０】
また、本形態によれば、第２導電膜１３０表面のうちの露出面２２０には、第１皮膜２０４が存在している。この場合、第２導電膜１３０上に存在する第１皮膜２０４は、第２導電膜１３０表面に対し保護膜として機能する。すなわち、第２導電膜１３０上に第１皮膜２０４が存在していることにより、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０へ通電する際に、外部から侵入してくる酸素や水等による劣化が進行してしまうことを抑制できる。このような観点からも、互いに接合された第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における接続信頼性を向上できる。
【０１１１】
第１皮膜２０４の膜厚は、たとえば１ｎｍ以上１０μｍ以下である。これにより、第２導電膜１３０に対する保護膜としての機能を確保しつつ、酸化膜や水酸化膜の厚膜化に起因して第２導電膜１３０内の電気抵抗が増大してしまうことを抑制することができる。また、第２皮膜２０６の膜厚は、たとえば１０ｎｍ以下である。これにより、第２導電膜１３０と第１導電膜１１０との接触抵抗を十分に低減することができる。
【０１１２】
第２導電膜１３０のうちの被覆面２２２に第２皮膜２０６が存在する場合には、第２皮膜２０６の電気抵抗値が、第２導電膜１３０よりも高く、第１導電膜１１０よりも低くなるよう、これらを設計することが好ましい。これにより、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との接合部における電流集中を緩和し、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における接続信頼性を向上することができる。なお、第２皮膜２０６の電気抵抗値は、たとえば第２皮膜２０６を構成する材料の電気抵抗率や、第２皮膜２０６の膜厚等をそれぞれ調整することにより適宜制御することが可能である。
【０１１３】
なお、引出配線１３４表面に存在する金属材料の酸化物または水酸化物は、たとえばＴＥＭまたはＳＥＭ等を用いて観察可能である。また、第１皮膜２０４および第２皮膜２０６の材料は、たとえば元素分析により分析が可能である。
【０１１４】
本形態においては、たとえば次のようにして第１導電膜１１０および第２導電膜１３０が互いに接合してなる接合構造２００が形成される。
まず、基板１００上に第２導電膜１３０を形成する。第２導電膜１３０は、第１の形態において例示された方法を用いて形成することができる。次に、第２導電膜１３０に対して、表面酸化処理またはＵＶオゾン処理等の処理を行う。これにより、第２導電膜１３０表面のうち基板１００と接する下面以外の部分、すなわち第２導電膜１３０の上面および側面に、引出配線１３４を構成する第１金属材料の酸化物または水酸化物の皮膜が形成される。
次に、第２導電膜１３０上に形成された上記皮膜の表層部分を除去し、皮膜を薄化する。ここで、皮膜の除去は、たとえばプラズマ処理、メカニカル処理、またはケミカル処理を用いて行われる。メカニカル処理としては、たとえば皮膜を研磨して除去する研磨処理が挙げられる。ケミカル処理としては、たとえばシアンまたはアンモニア等を用いたアルカリ処理や、塩酸、硫酸または硝酸等を用いた酸処理が挙げられる。
【０１１５】
次に、基板１００上に、第１導電膜１１０を形成する。第１導電膜１１０は、たとえば透明導電材料含有塗布液を基板１００上に塗布し、これを乾燥することにより形成される。このとき、上記塗布液は、基板１００上、および第２導電膜１３０の一部上に塗布される。このため、第１導電膜１１０は、第２導電膜１３０の一部を覆うように形成される。これにより、第２導電膜１３０の上面は、第１導電膜１１０により覆われる被覆面２２２と、第１導電膜１１０から露出する露出面２２０と、を有することとなる。なお、第１導電膜１１０は、銀等のペースト状の導電材料を基板１００上に塗布し、これを乾燥することにより形成されてもよい。
【０１１６】
本形態において、透明導電材料含有塗布液は、たとえば皮膜反応剤を含む透明導電材料を含有している。この場合、第２導電膜１３０上に存在する金属材料の酸化物または水酸化物からなる皮膜の一部は、透明導電材料を塗布することにより皮膜反応剤により溶解または分解され、第２導電膜１３０表面から除去されることとなる。このため、第２導電膜１３０のうちの被覆面２２２に存在する上記皮膜は、露出面２２０に存在する皮膜よりも薄くなる、または完全に除去されることとなる。このとき、皮膜反応剤の種類や添加量等をそれぞれ適宜調整することにより、被覆面２２２に存在する上記皮膜が除去される程度を調節することが可能である。
本形態においては、たとえばこのようにして、第２導電膜１３０の上面のうちの被覆面２２２において、第１皮膜２０４よりも薄い第２皮膜２０６が存在している、または第１金属材料の酸化物および水酸化物が存在しない構成を実現することができる。
【０１１７】
また、第２導電膜１３０のうちの被覆面２２２に存在する金属材料の酸化物または水酸化物からなる皮膜は、たとえば電気分解処理を行うことによっても除去することができる。この電気分解処理においては、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間に電圧を印加して皮膜を電気的に還元することにより、被覆面２２２に存在する皮膜が除去される。
本形態においては、たとえばこのようにして、第２導電膜１３０の上面のうちの被覆面２２２において、第１皮膜２０４よりも薄い第２皮膜２０６が存在している、または第１金属材料の酸化物および水酸化物が存在しない構成を実現することもできる。
【０１１８】
以上、本形態によれば、第２導電膜１３０の上面のうちの被覆面２２２には、第１皮膜２０４よりも薄い第２皮膜２０６が存在している、または第１金属材料の酸化物または水酸化物が存在しない。すなわち、被覆面２２２における酸化物または水酸化物による被覆の程度を、低減することが可能となる。この場合、第２導電膜１３０と第１導電膜１１０との間の接触抵抗を低減することができる。したがって、互いに接合された第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における接続信頼性を向上させることができる。
また、有機ＥＬ素子２０を構成する第１電極１１２に接続され、かつ第１導電膜１１０により構成される第１配線１１４と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、を備える発光装置１０を実現することができる。さらに、第１導電膜１１０により構成される第１電極１１２と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、を備える発光装置１２を実現することもできる。これらのいずれにおいても、第１電極１１２と引出配線１３４との間における接続信頼性を向上させることができる。したがって、発光装置の動作信頼性を向上させることも可能となる。
【０１１９】
（第４の形態）
図１５は、第４の形態における第１導電膜１１０と、第２導電膜１３０と、により構成される接合構造２００の構成の一例を示す図である。
【０１２０】
第４の形態に係る接合構造２００は、導電材料により構成される第１導電膜１１０と、第１金属材料により構成される第２導電膜１３０と、が互いに接合してなる。
第１金属材料と上記導電材料は、互いに異なるイオン化ポテンシャルを有する。第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間には、第１導電膜１１０のイオン化ポテンシャルと第２導電膜１３０のイオン化ポテンシャルの間のイオン化ポテンシャルを有する中間領域２０８が存在している。
なお、本明細書において、イオン化ポテンシャルとは、特に明記しない限り第１イオン化ポテンシャルを意味する。また、金属材料の場合、イオン化ポテンシャルとはとくに仕事関数を意味する。
【０１２１】
本形態に係る接合構造２００は、発光装置１０に適用することが可能である。本形態に係る発光装置１０は、接合構造２００の構成を除いて第１の形態に係る発光装置１０と同様の構成を有する。
すなわち、本形態に係る発光装置１０は、接合構造２００を有している。発光装置１０は、有機ＥＬ素子２０と、第１配線１１４と、引出配線１３４と、を備えている。有機ＥＬ素子２０は、第１電極１１２と、第２電極１５２と、第１電極１１２と第２電極１５２との間に配置された有機層１４０と、を有している。第１配線１１４は、第１電極１１２と電気的に接続し、かつ第１導電膜１１０により構成されている。引出配線１３４は、第１配線１１４と接合し、かつ第２導電膜１３０により構成されている。このとき、第１導電膜１１０により構成される第１配線１１４と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、の間において接合構造２００が形成されることとなる。
【０１２２】
また、本形態に係る接合構造２００は、発光装置１２にも適用することが可能である。本形態に係る発光装置１２は、接合構造２００の構成を除いて第２の形態に係る発光装置１２と同様の構成を有する。
すなわち、発光装置１２は、接合構造２００を有している。発光装置１２は、有機ＥＬ素子２０と、引出配線１３４と、を備えている。有機ＥＬ素子２０は、第１導電膜１１０により構成される第１電極１１２と、第２電極１５２と、第１電極１１２と第２電極１５２との間に配置された有機層１４０と、を有している。引出配線１３４は、第１電極１１２と接合し、かつ第２導電膜１３０により構成されている。このとき、第１導電膜１１０により構成される第１電極１１２と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、の間において接合構造２００が形成されることとなる。
【０１２３】
以下、本形態に係る接合構造２００の構成の一例につき詳細に説明する。
【０１２４】
接合構造２００は、たとえば有機ＥＬ素子を含む発光装置を構成する。
【０１２５】
本形態の一例に係る発光装置は、たとえば有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子を構成する電極に電気的に接続する第１配線と、第１配線に電気的に接続する引出配線と、を備える。このとき、有機ＥＬ素子を構成する電極には、引出配線および第１配線を介して外部から発光／非発光を制御するための電気信号が供給される。
この例において、接合構造２００のうち第１導電膜１１０は、たとえば有機ＥＬ素子を構成する電極に接続する第１配線を構成する。また、接合構造２００のうち第２導電膜１３０は、たとえば引出配線を構成する。この場合、第１配線と引出配線との間において、接合構造２００が形成されることとなる。
【０１２６】
本形態の他の一例に係る発光装置は、たとえば有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子を構成する電極に電気的に接続する引出配線と、を備える。有機ＥＬ素子を構成する電極には、引出配線を介して外部から発光／非発光を制御するための電気信号が供給される。
この例において、接合構造２００のうち第１導電膜１１０は、たとえば有機ＥＬ素子を構成する電極を構成する。また、接合構造２００のうち第２導電膜１３０は、たとえば引出配線を構成する。この場合、有機ＥＬ素子を構成する電極と引出配線との間において、接合構造２００が形成されることとなる。
【０１２７】
第１導電膜１１０は、導電材料を含んで構成される。
本形態における第１導電膜１１０は、たとえば第１の形態と同様の構成を有する。また、第１導電膜１１０を構成する導電材料は、第１の形態において例示したものを用いることができる。すなわち、第１導電膜１１０を構成する導電材料としては、たとえば透明導電材料、または銀等のペースト状の導電材料が挙げられる。また、透明導電材料は、たとえばＩＴＯ等の無機材料、または導電性高分子を含んでなる。
【０１２８】
第２導電膜１３０は、第１金属材料を含んで構成される。ここで、第２導電膜１３０を構成する第１金属材料としては、たとえば第１導電膜１１０を構成する導電材料と異なるイオン化ポテンシャルが有するものが使用される。第１金属材料のイオン化ポテンシャルは、第１導電膜１１０を構成する導電材料のイオン化ポテンシャルより大きくてもよく、小さくてもよい。
本形態における第２導電膜１３０は、たとえば第１の形態と同様の構成を有する。また、第２導電膜１３０を構成する第１金属材料は、第１の形態において例示したものを用いることができる。すなわち、第１金属材料は、たとえばＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、ＣｕおよびＰｄからなる群から選択される１種または２種以上により構成される。
【０１２９】
第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間には、第１導電膜１１０のイオン化ポテンシャルと第２導電膜１３０のイオン化ポテンシャルの間のイオン化ポテンシャルを有する中間領域２０８が存在している。この場合、第２導電膜１３０は、中間領域２０８を介して第１導電膜１１０と接合する部分を有することとなる。第２導電膜１３０は、中間領域２０８を介さずに第１導電膜１１０と接合する部分、すなわち第１導電膜１１０と直接接触する部分を有していないことが好ましい。なお、第２導電膜１３０は、第１導電膜１１０と直接接触する部分を有していてもよい。
なお、中間領域２０８は、たとえばＴＥＭまたはＳＥＭ等を用いて観察可能である。
【０１３０】
中間領域２０８は、第１導電膜１１０のイオン化ポテンシャルと第２導電膜１３０のイオン化ポテンシャルの間の大きさを有するイオン化ポテンシャルを有する。すなわち、第１導電膜１１０、中間領域２０８、第２導電膜１３０の順に、イオン化ポテンシャルの大きさが増大または減少していくこととなる。中間領域２０８、第１導電膜１１０、および第２導電膜１３０のイオン化ポテンシャルは、たとえばそれぞれを構成する材料によって設計することができる。
なお、中間領域２０８のイオン化ポテンシャルとは、たとえば中間領域２０８を構成する材料のイオン化ポテンシャルをさす。このため、本形態においては、中間領域２０８を構成する材料のイオン化ポテンシャルが、第１導電膜１１０を構成する導電材料のイオン化ポテンシャルと第２導電膜１３０を構成する第１金属材料のイオン化ポテンシャルの間の大きさを有することとなる。
【０１３１】
本形態によれば、互いに異なるイオン化ポテンシャルを有する材料からなる第２導電膜１３０と第１導電膜１１０との間において、中間領域２０８が形成されている。また、中間領域２０８は、第１導電膜１１０のイオン化ポテンシャルと第２導電膜１３０のイオン化ポテンシャルの間のイオン化ポテンシャルを有する。この場合、第２導電膜１３０から第１導電膜１１０へのキャリア注入が促進される。すなわち、第２導電膜１３０と第１導電膜１１０の接触抵抗が低減されることとなる。したがって、互いに接合された第２導電膜１３０と第１導電膜１１０との間の接続信頼性を向上させることができる。
【０１３２】
中間領域２０８は、たとえばホール注入材料、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、またはＲｈから選択される１種または２種以上を含んでいる。これにより、第２導電膜１３０や第１導電膜１１０について発光装置を構成するための好適な材料を選択した場合においても、第１導電膜１１０のイオン化ポテンシャルと第２導電膜１３０のイオン化ポテンシャルの間の大きさを有するイオン化ポテンシャルを有する中間領域２０８を容易に実現することができる。
ホール注入材料としては、たとえば正孔輸送性を有する化合物を使用することができる。本形態においては、ホール注入材料として、たとえば芳香族アミン化合物、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、またはオリゴチオフェン誘導体が挙げられる。
【０１３３】
本形態においては、たとえば第２導電膜１３０を構成する第１金属材料よりもイオン化傾向が低い第３金属材料により中間領域２０８を構成することが好ましい。これにより、たとえば第１導電膜１１０を構成する導電性高分子等の材料が酸性である場合においても、中間領域２０８が第２導電膜１３０に対し腐食防止膜として機能するため、第２導電膜１３０の表面が腐食してしまうことを抑制することができる。
この場合、中間領域２０８は、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、またはＲｈから選択される１種または２種以上からなる金属材料により構成されることが好ましい。これにより、第２導電膜１３０について発光装置を構成するための好適な材料を選択した場合においても、第２導電膜１３０を構成する金属材料よりもイオン化傾向が低い金属材料により中間領域２０８を形成することが容易となる。
【０１３４】
中間領域２０８は、たとえば塗布法、スパッタリング法、または蒸着法を用いて形成される。中間領域２０８を塗布法により形成する場合には、ホール注入材料、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、またはＲｈから選択される１種または２種以上を含む塗布液を塗布し、これを乾燥することにより中間領域２０８が得られる。
塗布法により形成された金属粒子を含む中間領域２０８に対しては、その後、熱処理によって焼結処理が行われてもよい。このとき、中間領域２０８中にバインダ樹脂となる樹脂材料が含まれる場合には、中間領域２０８は、たとえば樹脂材料を介して互いに結着した金属粒子を含む。また、中間領域２０８中にバインダ樹脂が含まれない場合には、中間領域２０８は、たとえば互いに融着した金属粒子を含む。バインダ樹脂となる樹脂材料としては、たとえばエポキシ樹脂を用いることができる。
【０１３５】
上述したとおり、第１導電膜１１０は、無機材料もしくは導電性高分子を含んでなる透明導電材料、または銀等のペースト状の導電材料により構成される。第２導電膜１３０は、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、ＣｕおよびＰｄからなる群から選択される１種または２種以上により構成される第１金属材料により構成される。中間領域２０８は、ホール注入材料、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、ＣｕまたはＲｈから選択される１種または２種以上により構成される。本形態においては、中間領域２０８が第１導電膜１１０のイオン化ポテンシャルと第２導電膜１３０のイオン化ポテンシャルの間の大きさを有するイオン化ポテンシャルを有するよう、第１導電膜１１０、中間領域２０８および第２導電膜１３０の材料をそれぞれ上記の中から適宜選択することが可能である。本形態に係る材料の組み合わせの一例として、第１導電膜１１０、中間領域２０８および第２導電膜１３０を、それぞれポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）、Ａｕ、Ａｇにより構成することができる。
【０１３６】
中間領域２０８は、たとえば第２導電膜１３０のうちの少なくとも一部を覆うように形成される。そして、第１導電膜１１０は、第２導電膜１３０のうち中間領域２０８により覆われた部分の少なくとも一部を覆うように基板１００上に形成される。このため、中間領域２０８の少なくとも一部は、第２導電膜１３０と第１導電膜１１０との間に配置され、これらを電気的に接続することとなる。
中間領域２０８は、たとえば第２導電膜１３０上に層状に設けられる。この場合、第２導電膜１３０上に形成される中間領域２０８の膜厚は、たとえば１ｎｍ以上１０μｍ以下である。これにより、中間領域２０８の形成に起因したコストの増大を抑えつつ、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における接続信頼性を十分に向上できる。なお、中間領域２０８の形状はこれに限定されず、たとえば島状に設けられていてもよい。
【０１３７】
図１５に示す例では、第２導電膜１３０のうち、上面の一部と、側面の一部と、に層状の中間領域２０８が形成される。そして、第１導電膜１１０は、この中間領域２０８を介して第２導電膜１３０へ接合されている。なお、第２導電膜１３０のうち下面以外の全域に中間領域２０８が形成されていてもよい。さらに、第２導電膜１３０の全面が中間領域２０８により覆われていてもよい。
【０１３８】
本形態においては、たとえば次のように第１導電膜１１０および第２導電膜１３０が互いに接合してなる接合構造２００が形成される。
まず、基板１００上に第２導電膜１３０を形成する。第２導電膜１３０は、第１の形態において例示された方法を用いて形成することができる。
次に、第２導電膜１３０上に中間領域２０８を形成する。中間領域２０８は、たとえば第２導電膜１３０の一部を覆うように形成される。中間領域２０８は、たとえば塗布法、スパッタリング法、または蒸着法を用いて形成される。中間領域２０８を塗布法により形成する場合には、たとえばホール注入材料、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、またはＲｈから選択される１種または２種以上を含む塗布液を塗布し、これを乾燥することにより中間領域２０８が得られる。塗布法により形成された金属粒子を含む中間領域２０８に対しては、その後、熱処理によって焼結処理が行われてもよい。
【０１３９】
次に、基板１００上に、第１導電膜１１０を形成する。第１導電膜１１０は、たとえば透明導電材料含有塗布液を基板１００上に塗布し、これを乾燥することにより形成される。第１導電膜１１０は、たとえば第２導電膜１３０のうち中間領域２０８により覆われた部分の少なくとも一部を覆うように形成される。このとき、中間領域２０８は、第２導電膜１３０と第１導電膜１１０の間において、これらを接続するように設けられることとなる。なお、第１導電膜１１０は、銀等のペースト状の導電材料を基板１００上に塗布し、これを乾燥することにより形成されてもよい。
本形態においては、たとえばこのようにして、第１導電膜１１０および第２導電膜１３０が互いに接合してなる接合構造２００が形成されることとなる。
【０１４０】
以上、本形態によれば、互いに異なるイオン化ポテンシャルを有する材料からなる第２導電膜１３０と第１導電膜１１０との間において、中間領域２０８が形成されている。また、中間領域２０８は、第１導電膜１１０のイオン化ポテンシャルと第２導電膜１３０のイオン化ポテンシャルの間のイオン化ポテンシャルを有する。この場合、第２導電膜１３０から第１導電膜１１０へのキャリア注入が促進される。すなわち、第２導電膜１３０と第１導電膜１１０の接触抵抗が低減されることとなる。したがって、第２導電膜１３０と第１導電膜１１０との間の接続信頼性を向上させることができる。
また、有機ＥＬ素子２０を構成する第１電極１１２に接続され、かつ第１導電膜１１０により構成される第１配線１１４と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、を備える発光装置１０を実現することができる。さらに、第１導電膜１１０により構成される第１電極１１２と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、を備える発光装置１２を実現することもできる。これらのいずれにおいても、第１電極１１２と引出配線１３４との間における接続信頼性を向上させることができる。したがって、発光装置の動作信頼性を向上させることも可能となる。
【０１４１】
（第５の形態）
図１６は、第５の形態における第１導電膜１１０と、第２導電膜１３０と、により構成される接合構造２００の構成の一例を示す図である。
【０１４２】
第５の形態に係る接合構造２００は、導電材料により構成される第１導電膜１１０と、第１金属材料により構成される第２導電膜１３０と、が互いに接合してなる。第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間には、第１金属材料よりもイオン化傾向が低い第４金属材料により構成される中間領域２１０が存在している。
【０１４３】
本形態に係る接合構造２００は、発光装置１０に適用することが可能である。本形態に係る発光装置１０は、接合構造２００の構成を除いて第１の形態に係る発光装置１０と同様の構成を有する。
すなわち、本形態に係る発光装置１０は、接合構造２００を有している。発光装置１０は、有機ＥＬ素子２０と、第１配線１１４と、引出配線１３４と、を備えている。有機ＥＬ素子２０は、第１電極１１２と、第２電極１５２と、第１電極１１２と第２電極１５２との間に配置された有機層１４０と、を有している。第１配線１１４は、第１電極１１２と電気的に接続し、かつ第１導電膜１１０により構成されている。引出配線１３４は、第１配線１１４と接合し、かつ第２導電膜１３０により構成されている。このとき、第１導電膜１１０により構成される第１配線１１４と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、の間において接合構造２００が形成されることとなる。
【０１４４】
また、本形態に係る接合構造２００は、発光装置１２にも適用することが可能である。本形態に係る発光装置１２は、接合構造２００の構成を除いて第２の形態に係る発光装置１２と同様の構成を有する。
すなわち、発光装置１２は、接合構造２００を有している。発光装置１２は、有機ＥＬ素子２０と、引出配線１３４と、を備えている。有機ＥＬ素子２０は、第１導電膜１１０により構成される第１電極１１２と、第２電極１５２と、第１電極１１２と第２電極１５２との間に配置された有機層１４０と、を有している。引出配線１３４は、第１電極１１２と接合し、かつ第２導電膜１３０により構成されている。このとき、第１導電膜１１０により構成される第１電極１１２と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、の間において接合構造２００が形成されることとなる。
【０１４５】
以下、本形態に係る接合構造２００の構成の一例につき詳細に説明する。
【０１４６】
接合構造２００は、たとえば有機ＥＬ素子を含む発光装置を構成する。
【０１４７】
本形態の一例に係る発光装置は、たとえば有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子を構成する電極に電気的に接続する第１配線と、第１配線に電気的に接続する引出配線と、を備える。このとき、有機ＥＬ素子を構成する電極には、引出配線および第１配線を介して外部から発光／非発光を制御するための電気信号が供給される。
この例において、接合構造２００のうち第１導電膜１１０は、たとえば有機ＥＬ素子を構成する電極に接続する第１配線を構成する。また、接合構造２００のうち第２導電膜１３０は、たとえば引出配線を構成する。この場合、第１配線と引出配線との間において、接合構造２００が形成されることとなる。
【０１４８】
本形態の他の一例に係る発光装置は、たとえば有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子を構成する電極に電気的に接続する引出配線と、を備える。有機ＥＬ素子を構成する電極には、引出配線を介して外部から発光／非発光を制御するための電気信号が供給される。
この例において、接合構造２００のうち第１導電膜１１０は、たとえば有機ＥＬ素子を構成する電極を構成する。また、接合構造２００のうち第２導電膜１３０は、たとえば引出配線を構成する。この場合、有機ＥＬ素子を構成する電極と引出配線との間において、接合構造２００が形成されることとなる。
【０１４９】
第１導電膜１１０は、導電材料を含んで構成される。
本形態における第１導電膜１１０は、たとえば第１の形態と同様の構成を有する。また、第１導電膜１１０を構成する導電材料は、第１の形態において例示したものを用いることができる。すなわち、第１導電膜１１０を構成する導電材料としては、たとえば透明導電材料、または銀等のペースト状の導電材料が挙げられる。また、透明導電材料は、たとえばＩＴＯ等の無機材料、または導電性高分子を含んでなる。
【０１５０】
第２導電膜１３０は、第１金属材料を含んで構成される。
本形態における第２導電膜１３０は、たとえば第１の形態と同様の構成を有する。また、第２導電膜１３０を構成する第１金属材料は、第１の形態において例示したものを用いることができる。すなわち、第１金属材料は、たとえばＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、ＣｕおよびＰｄからなる群から選択される１種または２種以上により構成される。
【０１５１】
第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間には、第１金属材料よりもイオン化傾向が低い第４金属材料により構成される中間領域２１０が存在している。この場合、第２導電膜１３０は、中間領域２１０を介して第１導電膜１１０と接合する部分を有することとなる。第２導電膜１３０は、中間領域２１０を介さずに第１導電膜１１０と接合する部分、すなわち第１導電膜１１０と直接接触する部分を有していないことが好ましい。なお、第２導電膜１３０は、第１導電膜１１０と直接接触する部分を有していてもよい。
なお、中間領域２１０は、たとえばＳＥＭ等を用いて観察可能である。
【０１５２】
本形態において、中間領域２１０は、第２導電膜１３０を構成する第１金属材料よりもイオン化傾向が低い第４金属材料により構成される。これにより、たとえば第１導電膜１１０を構成する導電性高分子等の材料が酸性である場合においても、第２導電膜１３０の表面が腐食してしまうことを抑制することができる。したがって、第２導電膜１３０と第１導電膜１１０との接続信頼性を向上させることができる。
【０１５３】
中間領域２１０を構成する第４金属材料は、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、またはＲｈから選択される１種または２種以上により構成されることが好ましい。これにより、第２導電膜１３０に好適な材料を用いた場合においても、第２導電膜１３０を構成する第１金属材料よりもイオン化傾向が低い金属材料により中間領域２１０を形成することが容易となる。
【０１５４】
中間領域２１０は、たとえば塗布法、スパッタリング法、または蒸着法を用いて形成される。中間領域２１０を塗布法により形成する場合には、たとえばＡｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、またはＲｈから選択される１種または２種以上を含む塗布液を塗布し、これを乾燥することにより中間領域２１０が得られる。
なお、塗布法により形成された金属粒子を含む中間領域２１０に対しては、その後、熱処理によって焼結処理が行われてもよい。このとき、中間領域２１０中にバインダ樹脂となる樹脂材料が含まれる場合には、中間領域２１０は樹脂材料を介して互いに結着した金属粒子を含むこととなる。また、中間領域２１０中にバインダ樹脂が含まれない場合には、中間領域２１０は互いに融着した金属粒子を含むこととなる。バインダ樹脂となる樹脂材料としては、たとえばエポキシ樹脂を用いることができる。
【０１５５】
中間領域２１０は、たとえば第２導電膜１３０のうちの少なくとも一部を覆うように形成される。そして、第１導電膜１１０は、第２導電膜１３０のうち中間領域２１０により覆われた部分の少なくとも一部を覆うように基板１００上に形成される。このため、中間領域２１０の少なくとも一部は、第２導電膜１３０と第１導電膜１１０との間に配置され、これらを電気的に接続することとなる。
中間領域２１０は、たとえば第２導電膜１３０上に層状に設けられる。この場合、第２導電膜１３０上に形成される中間領域２１０の膜厚は、たとえば１ｎｍ以上１０μｍ以下である。これにより、中間領域２１０の形成に起因したコストの増大を抑えつつ、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における接続信頼性を十分に向上できる。なお、中間領域２１０の形状はこれに限定されず、たとえば島状に設けられていてもよい。
【０１５６】
図１６に示す例では、第２導電膜１３０のうち、上面の一部と、側面の一部と、に層状の中間領域２１０が形成される。そして、第１導電膜１１０は、この中間領域２１０を介して第２導電膜１３０へ接合されている。なお、第２導電膜１３０のうち下面以外の全域に中間領域２１０が形成されていてもよい。さらに、第２導電膜１３０の全面が中間領域２１０により覆われていてもよい。
【０１５７】
本形態においては、たとえば次のように第１導電膜１１０および第２導電膜１３０が互いに接合してなる接合構造２００が形成される。
まず、基板１００上に第２導電膜１３０を形成する。第２導電膜１３０は、第１の形態において例示された方法を用いて形成することができる。
次に、第２導電膜１３０上に中間領域２１０を形成する。中間領域２１０は、たとえば塗布法、スパッタリング法、または蒸着法を用いて形成される。中間領域２１０を塗布法により形成する場合には、たとえばＡｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、またはＲｈから選択される１種または２種以上を含む塗布液を塗布し、これを乾燥することにより中間領域２１０が得られる。塗布法により形成された金属粒子を含む中間領域２１０に対しては、その後、熱処理によって焼結処理が行われてもよい。
【０１５８】
次に、基板１００上に、第１導電膜１１０を形成する。第１導電膜１１０は、たとえば透明導電材料含有塗布液を基板１００上に塗布し、これを乾燥することにより形成される。第１導電膜１１０は、たとえば第２導電膜１３０のうち中間領域２１０により覆われた部分の少なくとも一部を覆うように形成される。このとき、中間領域２１０は、第２導電膜１３０と第１導電膜１１０の間において、これらを接続するように設けられることとなる。なお、第１導電膜１１０は、銀等のペースト状の導電材料を基板１００上に塗布し、これを乾燥することにより形成されてもよい。
本形態においては、たとえばこのようにして、第１導電膜１１０および第２導電膜１３０が互いに接合してなる接合構造２００が形成されることとなる。
【０１５９】
以上、本形態によれば、中間領域２１０は、第２導電膜１３０を構成する第１金属材料よりもイオン化傾向が低い第４金属材料により構成される。これにより、たとえば第１導電膜１１０を構成する導電性高分子等の材料が酸性である場合においても、第２導電膜１３０の表面が腐食してしまうことを抑制することができる。したがって、互いに接合される第２導電膜１３０と第１導電膜１１０との接続信頼性を向上させることができる。
また、有機ＥＬ素子２０を構成する第１電極１１２に接続され、かつ第１導電膜１１０により構成される第１配線１１４と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、を備える発光装置１０を実現することができる。さらに、第１導電膜１１０により構成される第１電極１１２と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、を備える発光装置１２を実現することもできる。これらのいずれにおいても、第１電極１１２と引出配線１３４との間における接続信頼性を向上させることができる。したがって、発光装置の動作信頼性を向上させることも可能となる。
【０１６０】
以下、実施形態を、実施例を参照して詳細に説明する。なお、実施形態は、これらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。
【０１６１】
（実施例１）
まず、ガラス基板上に、銀からなる金属膜を、スパッタリング法を用いて形成した。次いで、この金属膜をドライエッチングによりライン状にパターニングし、第２導電膜を形成した。次いで、金により構成される層状の中間領域を、スパッタリング法を用いて第２導電膜の一部上に形成した。次いで、透明導電材料含有塗布液をガラス基板上にライン状に塗布し、これを乾燥して第１導電膜を形成した。このとき、第１導電膜が、第２導電膜のうちの中間領域が形成された部分を覆うように、上記塗布液を塗布した。ここで、上記塗布液としては、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ、ＣＬＥＶＩＯＳ  ＰＨ５１０（Ｈｅｒａｅｕｓ社製））を溶剤中へ分散して得られる溶液を使用した。これにより、第１導電膜と、第２導電膜と、中間領域と、からなる構造体を作製した。
このようにして得られた構造体を、第１の形態に係る発光装置に適用した。
【０１６２】
実施例１では、第１導電膜と第２導電膜との間に、第１導電膜のイオン化ポテンシャルと第２導電膜のイオン化ポテンシャルとの間の大きさのイオン化ポテンシャルを有する中間領域が形成されていた。実施例１においては、第１導電膜と第２導電膜との間に長時間電流を流した際における、第１導電膜と第２導電膜との間の接続信頼性に優れていた。
【０１６３】
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【０１６４】
１０、１２  発光装置
２０  有機ＥＬ素子
１００  基板
１１０  第１導電膜
１１２  第１電極
１１４  第１配線
１３０  第２導電膜
１３４、１６４  引出配線
１４０  有機層
１５０  導電膜
１５２  第２電極
１５４  第２配線
２００  接合構造
２０８、２１０  中間領域
３００  画素領域
【図１】
2014203527.tif 000003
【図２】
2014203527.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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