(57)【要約】【課題】簡易な構成でパワー半導体で発生した熱を効率的に放熱することができるパワー半導体の放熱構造およびこれを用いたオーディオ装置を提供する。【解決手段】パワーＦＥＴ１のドレイン端子１３を面接合した基板２のパターン４の一部を、パワーＦＥＴ１の外形寸法より外側に拡張し、熱伝導ラバー５を拡張したパターン４の一部に圧接する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に面実装したパワー半導体で発生した熱を、伝熱部材を介して放熱部材へ放熱するパワー半導体の放熱構造において、
前記パワー半導体の端子を面接合した前記基板のパターンの一部を、前記パワー半導体の外形寸法より外側に拡張し、
前記伝熱部材を前記拡張したパターンの一部に圧接したことを特徴とするパワー半導体の放熱構造。
【請求項２】
前記基板のパターンを前記パワー半導体の外側全周まで拡張したことを特徴とする請求項１記載のパワー半導体の放熱構造。
【請求項３】
前記基板のパターンと前記基板の裏面側のパターンとを熱的に結合するサーマルビアを設けたことを特徴とする請求項１または請求項２記載のパワー半導体の放熱構造。
【請求項４】
前記基板は、多層基板であり、
前記多層基板の外表面のパターンと内層のパターンとを熱的に結合するサーマルビアを設けたことを特徴とする請求項１または請求項２記載のパワー半導体の放熱構造。
【請求項５】
前記基板のパターンにおける前記パワー半導体の端子を面接合した領域のサーマルビアを、前記パワー半導体の外形周囲のサーマルビアより高密度に配置したことを特徴とする請求項３または請求項４記載のパワー半導体の放熱構造。
【請求項６】
請求項１から請求項５のうちのいずれか１項記載のパワー半導体の放熱構造を用いたオーディオ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板に面実装するパワー半導体の放熱構造およびこれを用いたオーディオ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
パワー電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）などのパワー半導体は、大電流の制御によって高発熱になりやすく、特許文献１に開示されるようにドレイン端子部などに金属の放熱板を接触させる放熱構造を採用する場合が多い。
また、面実装タイプの高発熱素子の放熱構造としては、例えば特許文献２に開示されるものがある。この放熱構造は、高発熱素子を実装した基板部分にサーマルビアを形成し、この部分の裏面に設けた伝熱ブロックにサーマルビアを介して素子の熱を逃がしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１６１０８９号公報
【特許文献２】特開平１１−２６６６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に代表される従来の技術では、パワーＦＥＴのドレイン端子を放熱板に接触させるネジ固定やバネによる圧接が必要であり、また、ＦＥＴのリード（端子）をはんだ付けするためのフロー工程が必要であるため、部品点数の増加や製造工程の繁雑化を招くという課題があった。なお、特許文献１では、面実装タイプのＦＥＴを想定しておらず、特許文献１の構造を面実装タイプのパワーＦＥＴの放熱構造に適用することはできない。
【０００５】
面実装タイプのパワーＦＥＴにおいては、ＦＥＴの素子本体部を内包するモールド部に熱伝導ラバーを圧接し、この熱伝導ラバーを介して放熱材へ熱を伝導する放熱構造が一般的である。しかしながら、モールド部は、樹脂材で形成されており、かつ表面積も小さいことから大きな熱抵抗を有するため、高発熱のＦＥＴを放熱するには不十分であった。
また、高発熱のドレイン端子側を基板面に向けて面実装する場合、特許文献２のように基板にサーマルビアを形成する構造もあるが、この放熱構造では、高発熱素子を実装した部分に対応する基板の裏面側に伝熱ブロックあるいはヒートシンクを設ける必要があり、構造上の制約が大きいという課題があった。
【０００６】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、簡易な構成で、パワー半導体で発生した熱を効率的に放熱することができるパワー半導体の放熱構造およびこれを用いたオーディオ装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明に係るパワー半導体の放熱構造は、基板に面実装したパワー半導体で発生した熱を、伝熱部材を介して放熱部材へ放熱するパワー半導体の放熱構造において、パワー半導体の端子を面接合した基板のパターンの一部を、パワー半導体の外形寸法より外側に拡張し、伝熱部材を拡張したパターンの一部に圧接したことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、簡易な構成で、パワー半導体で発生した熱を効率的に放熱することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】面実装タイプのパワー半導体を示す図である。
【図２】この発明の実施の形態１に係るパワー半導体の放熱構造を示す図である。
【図３】実施の形態１に係るパワー半導体の放熱構造の他例を示す図である。
【図４】この発明の実施の形態２に係るパワー半導体の放熱構造を示す図である。
【図５】この発明の実施の形態３に係るパワー半導体の放熱構造を示す図である。
【図６】実施の形態３に係るパワー半導体の放熱構造の他例を示す図である。
【図７】この発明の実施の形態４に係るパワー半導体の放熱構造を示す図である。
【図８】実施の形態４に係るパワー半導体の放熱構造の他例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
実施の形態１．
図１は、面実装タイプのパワー半導体を示す図であって、パワーＦＥＴを示している。図１（ａ）はパワーＦＥＴの斜視図、図１（ｂ）はパワーＦＥＴの背面図、図１（ｃ）はパワーＦＥＴの回路図である。パワーＦＥＴ１は、図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、ＦＥＴ素子がモールドされた本体部から端子１０〜１２が突出し、さらに本体部の背面に端子１３を備えている。端子１０〜１３は、図１（ｃ）に示すように、端子１０がゲート端子であり、端子１２がソース端子、端子１１，１３がドレイン端子となる。
【００１１】
パワーＦＥＴ１では、大電流制御によって高発熱になるため、放熱部を兼ねてドレイン端子１３が本体部の背面に大きく形成されている。ドレイン端子１３は、パワーＦＥＴ１を基板に面実装した際に基板のパターンとの接触面積が最も大きい端子であって、基板のパターンに面接合する。
【００１２】
図２は、この発明の実施の形態１に係るパワー半導体の放熱構造を示す図であり、図２（ａ）はパワーＦＥＴ１の放熱構造の側面図、図２（ｂ）はパワーＦＥＴ１の放熱構造の上面図である。なお、図２（ｂ）においては、基板２の実装面上の構成を示すため、放熱板３および熱伝導ラバー５の記載を省略している。
実施の形態１に係る放熱構造は、例えば、車載用のオーディオ装置の増幅器などに利用され、図２（ａ）のように、パワーＦＥＴ１、基板２、放熱板３、パターン４および熱伝導ラバー５を備えて構成される。
【００１３】
基板２は、パワーＦＥＴ１を面実装する基板であり、例えば、汎用的なガラスエポキシ基板が用いられる。また、放熱板３は、パワーＦＥＴ１で発生した熱が、熱伝導ラバー５を介して伝えられて放熱を行う放熱部材である。放熱板３には、例えば、オーディオ装置筐体の一部などが用いられる。
【００１４】
パターン４は、パワーＦＥＴ１のドレイン端子１３を面接合した基板２の表面パターンであり、銅箔からなる配線パターンである。
また、パターン４の一部は、パワーＦＥＴ１の外形寸法よりも外側に拡張されている。
例えば、パターン４の一部は、図２（ｂ）に示すように、ドレイン端子１３からパワーＦＥＴ１の本体部の外側に向けて延設される。
【００１５】
熱伝導ラバー５は、パワーＦＥＴ１で発生した熱を放熱板３へ伝える伝熱部材であり、熱伝導性が良好な弾力性を有する薄い材料から構成される。
また、熱伝導ラバー５は、図２（ａ）に示すように、放熱板３の一部によって、基板２における、拡張されたパターン４の一部に圧接されている。弾力性を有する熱伝導ラバー５を圧接することにより、熱伝導ラバー５とパターン４との間、および、熱伝導ラバー５と放熱板３との間の接触面積を確保することができ、効率よく伝熱することができる。
【００１６】
パワーＦＥＴ１で発生した熱は、本体部の背面を介してパターン４に伝わる。
パターン４においては、パワーＦＥＴ１で発生した熱がパターン面に沿って面方向に伝わっていく。次に、パターン４に伝わった熱が、熱伝導ラバー５を圧接した領域に達すると、熱伝導ラバー５を介して放熱板３に伝えられる。これにより、パワーＦＥＴ１で発生した熱が放熱板３へ放熱される。このように、パワーＦＥＴ１で発生した熱を放熱板３へ伝える熱伝導経路が確保されることから、駆動中のパワーＦＥＴ１の温度低減を図ることができる。
【００１７】
また、上述した構造に加えて、図３に示すように、パワーＦＥＴ１の本体部を、熱伝導ラバー６を介して放熱板３に接続してもよい。熱伝導ラバー６は、熱伝導ラバー５と同様に、熱伝導性が良好な弾力性を有する薄い材料から構成される。図３のように、放熱板３の一部によって熱伝導ラバー６をパワーＦＥＴ１の本体部に圧接する。パワーＦＥＴ１の本体部は、ＦＥＴ素子が樹脂モールドされた部分であり、ドレイン端子１３側と比較すると熱抵抗は高いが、図２で示した構造に追加する態様で熱伝導ラバー６を設けることで、放熱性をさらに向上させることが可能である。
【００１８】
以上のように、この実施の形態１によれば、パワーＦＥＴ１のドレイン端子１３を面接合した基板２のパターン４の一部を、パワーＦＥＴ１の外形寸法より外側に拡張し、熱伝導ラバー５を拡張したパターン４の一部に圧接する。このように構成することで、パワーＦＥＴ１から、パターン４と熱伝導ラバー５を介して放熱板３へ至る熱伝導経路が確保され、パワーＦＥＴ１で発生した熱を効率的に放熱することができる。また、パターン４の一部を、ドレイン端子１３からパワーＦＥＴ１の本体部の外側に向けて延設するだけで熱伝導経路が確保されるため、簡易な構成の放熱構造を実現することが可能である。
【００１９】
実施の形態２．
図４は、この発明の実施の形態２に係るパワー半導体の放熱構造を示す図であり、図４（ａ）はパワーＦＥＴ１の放熱構造の側面図、図４（ｂ）はパワーＦＥＴ１の放熱構造の上面図である。なお、図４（ｂ）においては、基板２の実装面上の構成を示すため、放熱板３Ａおよび熱伝導ラバー５ａ，５ｂの記載を省略している。
【００２０】
実施の形態２に係る放熱構造は、例えば、車載用のオーディオ装置の増幅器などに利用され、図４（ａ）に示すように、パワーＦＥＴ１、基板２、放熱板３Ａ、パターン４Ａ、および熱伝導ラバー５ａ，５ｂを備えて構成される。
なお、図４において、図２と同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【００２１】
パターン４Ａは、パワーＦＥＴ１のドレイン端子１３を面接合した基板２の表面パターンであり、銅箔からなる配線パターンである。
また、パターン４Ａは、実施の形態１のパターン４と異なり、パワーＦＥＴ１の外側全周まで拡張される。例えば、パターン４Ａでは、図４（ｂ）に示すようにパワーＦＥＴ１の本体部の外側全周に拡張する。これにより、基板２の表面のほぼ全面を占めるパターンとなっている。
なお、ゲート端子１０およびソース端子１２は、基板２の裏面または内層に設けたパターンに電気的に接続されるため、パターン４Ａと導通しないように端子１０，１２の周囲のパターンは除かれている。
【００２２】
放熱板３Ａは、パワーＦＥＴ１で発生した熱が、熱伝導ラバー５ａ，５ｂを介して伝えられて放熱を行う放熱部材である。この実施の形態２では、ドレイン端子１３と面接合するパターン４Ａがさらに拡張されているため、拡張された分にも熱伝導ラバーを圧接して熱伝導経路を確保している。なお、放熱板３Ａには、実施の形態１と同様に、例えば、オーディオ装置筐体の一部などが用いられる。
【００２３】
パワーＦＥＴ１で発生した熱は、本体部の背面を介してパターン４Ａに伝わる。
パターン４Ａにおいては、パワーＦＥＴ１で発生した熱がパターン面に沿って面方向に伝わっていく。次に、パターン４Ａに伝わった熱が、熱伝導ラバー５ａ，５ｂを圧接した各領域に達すると、熱伝導ラバー５ａ，５ｂを介して放熱板３Ａに伝えられる。
これにより、パワーＦＥＴ１で発生した熱が放熱板３Ａへ放熱される。このように、パワーＦＥＴ１で発生した熱を放熱板３Ａへ伝える熱伝導経路が、実施の形態１よりも多く確保されることから、駆動中のパワーＦＥＴ１のさらなる温度低減を図ることができる。
【００２４】
また、図４の構造に対して、パワーＦＥＴ１の本体部を、熱伝導ラバー６を介して放熱板３Ａに接続してもよい。これにより、ドレイン端子１３側と比較すると熱抵抗は高いが、図４で示した構造に追加する態様で熱伝導ラバー６を設けることで、放熱性をさらに向上させることが可能である。
【００２５】
以上のように、この実施の形態２によれば、基板２のパターン４ＡがパワーＦＥＴ１の外側全周まで拡張されたパターンである。このように構成することで、パワーＦＥＴ１で発生した熱を放熱板３Ａに伝える熱伝導経路がさらに拡張されるため、実施の形態１の構造より放熱性能を向上させることができる。
【００２６】
実施の形態３．
図５は、この発明の実施の形態３に係るパワー半導体の放熱構造を示す図であり、上記実施の形態２の構造（図４）に対して実施の形態３の概念を適用したものである。図５（ａ）はパワーＦＥＴ１の放熱構造の上面図、図５（ｂ）はパワーＦＥＴ１の放熱構造の側面図である。なお、図５（ａ）においては、基板２Ａの実装面上の構成を示すために、パワーＦＥＴ１、放熱板３Ａおよび熱伝導ラバー５ａ，５ｂの記載を省略している。また、図５（ｂ）において、サーマルビア７の位置を破線で示している。
【００２７】
実施の形態３に係る放熱構造は、例えば、車載用のオーディオ装置の増幅器などに利用され、図５（ａ）に示すように、パワーＦＥＴ１、基板２Ａ、放熱板３Ａ、パターン４Ａ，４Ｂ、熱伝導ラバー５ａ，５ｂおよびサーマルビア７を備えて構成される。
なお、図５において、図４と同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【００２８】
図５（ａ）に示すように、パターン４Ａには複数のサーマルビア７が形成されている。サーマルビア７は、基板２Ａを貫通する小孔に伝熱材を充填した構成であるか、または、基板２Ａに形成した微小なスルーホールである。これにより、図５（ｂ）に示すように、サーマルビア７は、基板２Ａのパターン４Ａと基板２Ａの裏面側のパターン４Ｂとを熱的に結合する。
基板２Ａの裏面側に形成されたパターン４Ｂは、パターン４Ａと同様な銅箔のパターンであり、例えば、グランドパターンなどの裏面のほぼ全面を占めるパターンや、パターン４Ａと電気的に接続した配線パターンであってもよい。
なお、この実施の形態３においては、図５（ａ）に示すように、パワーＦＥＴ１のドレイン端子１３が位置する領域であるドレイン端子部１３Ａであるか、その外側全周の領域であるかにかかわらず、サーマルビア７が均一なピッチで形成されている。
【００２９】
パワーＦＥＴ１で発生した熱は、本体部の背面からパターン４Ａに伝わり、さらにサーマルビア７を介してパターン４Ｂに伝わる。
パターン４Ａ，４Ｂにおいては、パワーＦＥＴ１で発生した熱がパターン面に沿って面方向に伝わっていく。
次に、パターン４Ａに伝わった熱が、パターン４Ａにおける熱伝導ラバー５ａ，５ｂを圧接した各領域に達し、さらに、パターン４Ｂに伝わった熱が、サーマルビア７を介してパターン４Ａにおける熱伝導ラバー５ａ，５ｂが圧接された領域に達すると、熱伝導ラバー５ａ，５ｂを介して放熱板３Ａに伝えられる。これにより、パワーＦＥＴ１で発生した熱が放熱板３Ａへ放熱される。このように、パワーＦＥＴ１で発生した熱を放熱板３Ａへ伝える熱伝導経路が確保されることから、駆動中のパワーＦＥＴ１の温度低減を図ることができる。
【００３０】
また、実施の形態３において、図６に示すように、パワーＦＥＴ１を面実装する基板を多層基板２Ｂ（図６の例では３層基板）としてもよい。なお、内層パターン４Ｃ−１，４Ｃ−２は、パターン４Ａと同様な銅箔のパターンであり、例えばグランドパターンなどの大面積のパターンや、パターン４Ａ，４Ｂと電気的に接続した配線パターンであってもよい。この放熱構造において、パワーＦＥＴ１で発生した熱は、パワーＦＥＴ１の本体部の背面を介してパターン４Ａに伝わり、さらに、サーマルビア７を介して内層パターン４Ｃ−１，４Ｃ−２と裏面側のパターン４Ｂに伝わる。パターン４Ａ，４Ｂ，４Ｃ−１，４Ｃ−２では、熱がパターン面に沿って面方向に伝わっていく。
次に、パターン４Ａに伝わった熱が、熱伝導ラバー５ａ，５ｂを圧接した領域に達し、パターン４Ｂに伝わった熱が、サーマルビア７を介してパターン４Ａにおける熱伝導ラバー５ａ，５ｂを圧接した領域に達し、さらに、内層パターン４Ｃ−１，４Ｃ−２に伝わった熱が、サーマルビア７を介してパターン４Ａにおける熱伝導ラバー５ａ，５ｂを圧接した領域に達すると、熱伝導ラバー５ａ，５ｂを介して放熱板３Ａに伝えられる。これにより、パワーＦＥＴ１で発生した熱が放熱板３Ａへ放熱される。
【００３１】
また、図５および図６の構造に対して、パワーＦＥＴ１の本体部を、熱伝導ラバー６を介して放熱板３Ａに接続してもよい。これにより、ドレイン端子１３側と比較すると熱抵抗は高いが、図５および図６で示した構造に追加する態様で熱伝導ラバー６を設けることで、放熱性をさらに向上させることが可能である。
【００３２】
以上のように、この実施の形態３によれば、基板２Ａのパターン４Ａと基板２Ａの裏面側のパターン４Ｂとを熱的に結合するサーマルビア７を設けている。このように構成することで、パワーＦＥＴ１で発生した熱を放熱板３Ａに伝える熱伝導経路がさらに拡張されるため、実施の形態２の構造より放熱性能を向上させることができる。
【００３３】
また、この実施の形態３によれば、基板２Ｂが多層基板であり、多層基板２Ｂの外表面のパターン４Ａ，４Ｂと内層のパターン４Ｃ−１，４Ｃ−２とを熱的に結合するサーマルビア７を設けている。このように構成することで、パワーＦＥＴ１で発生した熱を放熱板３Ａに伝える熱伝導経路が図５の構成よりも拡張されるため、さらに放熱性能を向上させることができる。
【００３４】
なお、上記実施の形態３では、実施の形態２の構造に対してサーマルビア７を設けた構成を示したが、上述のようなサーマルビア７を実施の形態１（図２）の構成に設けてもよい。このように構成しても、上記実施の形態３と同様の効果を得ることができる。
【００３５】
実施の形態４．
図７は、この発明の実施の形態４に係るパワー半導体の放熱構造を示す図であり、上記実施の形態２の構造（図４）に対して実施の形態４の概念を適用したものである。図７（ａ）はパワーＦＥＴ１の放熱構造の上面図、図７（ｂ）はパワーＦＥＴ１の放熱構造の側面図である。なお、図７（ａ）においては、基板２Ａの実装面上の構成を示すために、パワーＦＥＴ１、放熱板３Ａおよび熱伝導ラバー５ａ，５ｂの記載を省略している。また、図７（ｂ）において、サーマルビア７の位置を破線で示している。なお、図７において、図４と同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【００３６】
実施の形態４に係る放熱構造においても、図７（ａ）に示すように、表面パターン４Ａに複数のサーマルビア７が形成されている。
実施の形態４で実施の形態３と異なる点は、図７（ａ）に示すように基板の２ＡのパワーＦＥＴ１のドレイン端子１３を面接合した領域（ドレイン端子部１３Ａ）のサーマルビア７の密度を、パワーＦＥＴ１の外形周囲のサーマルビア７の密度よりも高くしている。このように構成することで、サーマルビア７の密度が高いドレイン端子部１３Ａでは基板２Ａの厚み方向の熱伝導率が向上してパターン４Ａ，４Ｂへの熱伝導が均一化する。
一方、サーマルビア７の密度が低いパワーＦＥＴ１の外形周囲の領域では、伝熱媒体となるパターン面の銅箔面積がドレイン端子部１３Ａよりも確保されるため、パターン面に沿った面方向の熱伝導が主に行われる。
このように構成することで、パワーＦＥＴ１で発生した熱を、実施の形態３の構造よりも効率的に放熱板３Ａへ伝えることができる。
なお、パワーＦＥＴ１で発生した熱を放熱板３Ａまで伝える熱伝導経路自体は、実施の形態３と同様である。
【００３７】
また、実施の形態４において、図８に示すように、パワーＦＥＴ１を面実装する基板を多層基板２Ｃ（図８の例では３層基板）としてもよい。このように構成することで、上記と同様の効果を得ることができる。
【００３８】
さらに、図７および図８の構造に対して、パワーＦＥＴ１の本体部を、熱伝導ラバー６を介して放熱板３Ａに接続してもよい。これにより、ドレイン端子１３側と比較すると熱抵抗は高いが、図７および図８で示した構造に追加する態様で熱伝導ラバー６を設けることで、放熱性をさらに向上させることが可能である。
【００３９】
以上のように、この実施の形態４によれば、基板２Ａ，２Ｃのパターン４ＡにおけるパワーＦＥＴ１のドレイン端子１３を面接合した領域（ドレイン端子部１３Ａ）のサーマルビア７を、パワーＦＥＴ１の外形周囲のサーマルビア７より高密度に配置している。このように構成することで、パワーＦＥＴ１で発生した熱を、さらに効率的に放熱板３Ａに伝えることができるため、実施の形態３の構造より放熱性能を向上させることができる。
【００４０】
また、オーディオ装置が実施の形態１から実施の形態４のいずれかの放熱構造を用いることで、駆動中のパワーＦＥＴ１の発熱が低減されるため、安定した動作を期待できる。
【００４１】
実施の形態３および実施の形態４においては、放熱板３Ａが基板の表面側に配置され、パターン４Ａに圧接された熱伝導ラバー５ａ，５ｂを介して放熱板３Ａへ放熱する構造を示したが、放熱板３Ａは、基板の裏面側に配置してもよい。この場合、パワーＦＥＴ１で発生した熱はパターン４Ａを伝わり、サーマルビア７を介してパターン４Ｂに伝わって、パターン４Ｂに圧接された熱伝導ラバー５ａ，５ｂを介して放熱板３Ａへ放熱される。
【００４２】
上記実施の形態４では、実施の形態２の構造に対してサーマルビア７を設けた構成を示したが、上述のようなサーマルビア７を実施の形態１（図２）の構成に設けてもよい。このように構成しても、上記実施の形態４と同様の効果を得ることができる。
【００４３】
なお、本発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。
【符号の説明】
【００４４】
１  パワーＦＥＴ、２，２Ａ〜２Ｃ  基板、３，３Ａ  放熱板、４，４Ａ，４Ｂ，４Ｃ−１，４Ｃ−２  パターン、５，５ａ，５ｂ，６  熱伝導ラバー、７  サーマルビア、１０  ゲート端子、１２  ソース端子、１１，１３  ドレイン端子、１３Ａ  ドレイン端子部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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