(57)【要約】【課題】容易に電磁波を遮蔽することができるとともに半導体スイッチング素子の配線材の設計自由度が高い車両用インバータ装置を提供する。【解決手段】半導体スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ６と、外面にセラミック基板７０を介して半導体スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ６が固定される冷却器５０と、半導体スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ６のゲート端子と接続される駆動回路基板３１を備える。駆動回路基板３１と半導体スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ６が冷却器５０を挟んで配置されるとともに、半導体スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ６のゲート端子から延びる信号ピン８６，８８が冷却器５０側に延設されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アームを構成する半導体スイッチング素子と、
前記半導体スイッチング素子に対向する部位が少なくとも金属部となっており、外面に絶縁部材を介して前記半導体スイッチング素子が固定される冷却器と、
前記半導体スイッチング素子の制御端子と接続される制御基板と、
を備えた車両用インバータ装置であって、
前記制御基板と前記半導体スイッチング素子が前記冷却器を挟んで配置されるとともに、前記半導体スイッチング素子の制御端子から延びる配線材が前記冷却器側に延設されてなることを特徴とする車両用インバータ装置。
【請求項２】
前記冷却器における冷媒の入口と出口を結ぶ線の両側に前記配線材がそれぞれ延設されていることを特徴とする請求項１に記載の車両用インバータ装置。
【請求項３】
前記半導体スイッチング素子の入出力端子から延びる配線材が反冷却器側に延設されてなることを特徴とする請求項１または２に記載の車両用インバータ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、車両用インバータ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に開示の電力用半導体装置においては、放熱板の上に一対の絶縁基板が配置され、ケースの下面開口部が放熱板の上面において絶縁基板および絶縁基板に実装された半導体素子を囲っている。さらに、ケースの上面開口側においてプリント基板およびその下にシールド板を配置して、ねじ締結によりプリント基板およびシールド板を固定する構造が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−６６４２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、半導体スイッチング素子と制御基板を有する車両用インバータ装置においては制御基板が電磁波（ノイズ）による影響を受けるので、電磁波を遮蔽する機能を持たせるためにはシールド板を半導体スイッチング素子と制御基板の間に配置する必要がある。
【０００５】
本発明の目的は、容易に電磁波を遮蔽することができるとともに半導体スイッチング素子の配線材の設計自由度が高い車両用インバータ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載の発明では、アームを構成する半導体スイッチング素子と、前記半導体スイッチング素子に対向する部位が少なくとも金属部となっており、外面に絶縁部材を介して前記半導体スイッチング素子が固定される冷却器と、前記半導体スイッチング素子の制御端子と接続される制御基板と、を備えた車両用インバータ装置であって、前記制御基板と前記半導体スイッチング素子が前記冷却器を挟んで配置されるとともに、前記半導体スイッチング素子の制御端子から延びる配線材が前記冷却器側に延設されてなることを要旨とする。
【０００７】
請求項１に記載の発明によれば、冷却器は、半導体スイッチング素子に対向する部位が少なくとも金属部となっている。半導体スイッチング素子の制御端子と接続される制御基板と、半導体スイッチング素子が冷却器を挟んで配置されている。よって、半導体スイッチング素子から発生する電磁波は制御基板に対し冷却器により遮蔽される。また、半導体スイッチング素子の制御端子から延びる配線材が冷却器側に延設されるので、半導体スイッチング素子の配線材を容易に配置することができる。その結果、容易に電磁波を遮蔽することができるとともに半導体スイッチング素子の配線材の設計自由度を高くすることができる。
【０００８】
請求項２に記載のように、請求項１に記載の車両用インバータ装置において、前記冷却器における冷媒の入口と出口を結ぶ線の両側に前記配線材がそれぞれ延設されているとよい。
【０００９】
請求項２に記載の発明によれば、片側のみに配置した場合に比べ小型化可能である。
請求項３に記載のように、請求項１または２に記載の車両用インバータ装置において、前記半導体スイッチング素子の入出力端子から延びる配線材が反冷却器側に延設されてなるとよい。
【００１０】
請求項３に記載の発明によれば、半導体スイッチング素子の入出力端子から延びる配線材の自由度を高くでき、配線材を短縮することができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、容易に電磁波を遮蔽することができるとともに半導体スイッチング素子の配線材の設計自由度を高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】（ａ）は実施形態における車両用インバータ装置の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線での縦断面図。
【図２】車両用インバータ装置の回路構成図。
【図３】（ａ）は別例の車両用インバータ装置の要部を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線での縦断面図。
【図４】別例の車両用インバータ装置の縦断面図。
【図５】（ａ）は比較のための車両用インバータ装置の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線での縦断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図面に従って説明する。
車両用インバータ装置の電気的構成について、図２を用いて説明する。
図２に示すように、車両用インバータ装置（三相インバータ装置）１０は、インバータ回路２０を備えている。インバータ回路２０は、６個の半導体スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ６が設けられている。各半導体スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ６には、ＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラ型トランジスタ）が使用されている。なお、半導体スイッチング素子としてパワーＭＯＳＦＥＴを使用してもよい。半導体スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ６としてＩＧＢＴを用いた場合、ゲート端子が素子の制御端子となり、コレクタ・エミッタ端子が素子の入出力端子となる。また、半導体スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ６としてパワーＭＯＳＦＥＴを用いた場合、ゲート端子が素子の制御端子となり、ソース・ドレイン端子が素子の入出力端子となる。各半導体スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ６には、それぞれ帰還ダイオードＤ１〜Ｄ６が逆並列接続されている。
【００１４】
インバータ回路２０において、第１および第２の半導体スイッチング素子Ｓ１，Ｓ２、第３および第４の半導体スイッチング素子Ｓ３，Ｓ４、第５および第６の半導体スイッチング素子Ｓ５，Ｓ６がそれぞれ直列に接続されている。第１、第３および第５の半導体スイッチング素子Ｓ１，Ｓ３，Ｓ５が正極入力端子（Ｐ端子）と接続され、正極入力端子（Ｐ端子）が車載バッテリの正極と接続される。また、第２、第４および第６の半導体スイッチング素子Ｓ２，Ｓ４，Ｓ６が負極入力端子（Ｎ端子）と接続され、負極入力端子（Ｎ端子）が車載バッテリの負極と接続される。
【００１５】
Ｕ相用の上下のアームを構成する半導体スイッチング素子Ｓ１，Ｓ２の間の接続点はＵ相出力端子に接続されている。また、Ｖ相用の上下のアームを構成する半導体スイッチング素子Ｓ３，Ｓ４の間の接続点はＶ相出力端子に接続されている。さらに、Ｗ相用の上下のアームを構成する半導体スイッチング素子Ｓ５，Ｓ６の間の接続点はＷ相出力端子に接続されている。Ｕ相出力端子、Ｖ相出力端子およびＷ相出力端子は、車載モータとしての３相交流モータに接続される。
【００１６】
インバータ回路２０の各半導体スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ６のゲート端子と駆動回路３０とが接続され、駆動回路３０にはコントローラ４０が接続されている。駆動回路３０からゲート信号が半導体スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ６のゲート端子に送られる。駆動回路３０は制御基板としての駆動回路基板３１に搭載されている。コントローラ４０は駆動回路３０を介して各半導体スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ６をスイッングさせる。つまり、インバータ回路２０はバッテリから供給される直流を適宜の周波数の３相交流に変換してモータの各相の巻線に供給する。即ち、半導体スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ６のスイッチング動作によりモータの各相の巻線が通電されてモータを駆動することができる。
【００１７】
次に、車両用インバータ装置１０の構造について、図１を用いて説明する。
なお、図１および図３，４，５において、水平面を、直交するＸ，Ｙ方向で規定するとともに、上下方向をＺ方向で規定している。
【００１８】
図１に示すように、車両用インバータ装置１０は、駆動回路基板３１と、水冷式の冷却器５０と、筐体（ハウジング）６０を備えている。筐体６０は四角枠状をなし、上面および下面が開口している。四角枠状の筐体６０の内部において水冷式の冷却器５０が支持されている。水冷式の冷却器５０は水平に位置している。
【００１９】
水冷式の冷却器５０は、アルミ製の下側ケース５１と、アルミ製の上側ケース（天板）５２と、アルミ製のフィン５３を備える。下側ケース５１は上面が開口する箱型をなし、下側ケース５１の上面開口部が平板状をなす上側ケース５２で塞がれている。下側ケース５１と上側ケース５２で容器構造をなし、その内部に冷却水通路が形成されている。上側ケース５２の下面には板状のフィン５３が突設されている。下側ケース５１と上側ケース５２で構成される容器構造体の一端には入口パイプＰ１が形成されているとともに他端には出口パイプＰ２が形成されている。そして、入口パイプＰ１から冷媒としての冷却水が冷却器５０の内部に導入されて出口パイプＰ２から排出されるようになっている。
【００２０】
冷却器５０の外面としての上面には、絶縁部材としてのセラミック基板７０が配置されている。セラミック基板７０の下面には金属層７１が形成されているとともに、セラミック基板７０の上面には配線層７２，７３，７４，７５が形成されている。具体的には、例えば、セラミック基板７０はＡｌＮ基板よりなり、金属層７１はアルミ層よりなり、配線層７２，７３，７４，７５はアルミ層とその表面のＮｉめっき層よりなる。冷却器５０の上面に金属層７１がロウ付け等により接合されている。
【００２１】
配線層７２の上面には、半導体スイッチング素子（チップ）Ｓ１および帰還ダイオード（チップ）Ｄ１が接近する位置に、はんだ付け等により接合されている。同様に、配線層７２の上面には、半導体スイッチング素子（チップ）Ｓ３および帰還ダイオード（チップ）Ｄ３が接近する位置に、はんだ付け等により接合されている。また、配線層７２の上面には、半導体スイッチング素子（チップ）Ｓ５および帰還ダイオード（チップ）Ｄ５が接近する位置に、はんだ付け等により接合されている。
【００２２】
また、配線層７３の上面には、半導体スイッチング素子（チップ）Ｓ２および帰還ダイオード（チップ）Ｄ２が接近する位置に、はんだ付け等により接合されている。同様に、配線層７４の上面には、半導体スイッチング素子（チップ）Ｓ４および帰還ダイオード（チップ）Ｄ４が接近する位置に、はんだ付け等により接合されている。また、配線層７５の上面には、半導体スイッチング素子（チップ）Ｓ６および帰還ダイオード（チップ）Ｄ６が接近する位置に、はんだ付け等により接合されている。
【００２３】
これにより、冷却器５０の外面（上面）にセラミック基板７０を介して半導体スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ６および帰還ダイオードＤ１〜Ｄ６が固定され、半導体スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ６および帰還ダイオードＤ１〜Ｄ６は冷却器５０に熱的に結合している。
【００２４】
半導体スイッチング素子（チップ）Ｓ１の上面と帰還ダイオード（チップ）Ｄ１の上面とがバスバー８０に、はんだ付け等により接合されている。バスバー８０の延設部８０ａが配線層７３に、はんだ付け等により接合されている。また、半導体スイッチング素子（チップ）Ｓ３の上面と帰還ダイオード（チップ）Ｄ３の上面とがバスバー８１に、はんだ付け等により接合されている。バスバー８１の延設部８１ａが配線層７４に、はんだ付け等により接合されている。さらに、半導体スイッチング素子（チップ）Ｓ５の上面と帰還ダイオード（チップ）Ｄ５の上面とがバスバー８２に、はんだ付け等により接合されている。バスバー８２の延設部８２ａが配線層７５に、はんだ付け等により接合されている。
【００２５】
バスバー８０の延設部８０ｂが、半導体スイッチング素子Ｓ１のエミッタ端子および半導体スイッチング素子Ｓ２のコレクタ端子から延びるＵ相出力端子として真上に延設されている。バスバー８１の延設部８１ｂが、半導体スイッチング素子Ｓ３のエミッタ端子および半導体スイッチング素子Ｓ４のコレクタ端子から延びるＶ相出力端子として真上に延設されている。バスバー８２の延設部８２ｂが、半導体スイッチング素子Ｓ５のエミッタ端子および半導体スイッチング素子Ｓ６のコレクタ端子から延びるＷ相出力端子として真上に延設されている。このように、半導体スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ６のコレクタ・エミッタ端子から延びる配線材としてのバスバー８０，８１，８２の延設部８０ｂ，８１ｂ，８２ｂが反冷却器側に延設されている。
【００２６】
半導体スイッチング素子（チップ）Ｓ２，Ｓ４，Ｓ６の上面と帰還ダイオード（チップ）Ｄ２，Ｄ４，Ｄ６の上面とがバスバー８３に、はんだ付け等により接合されている。バスバー８３の延設部８３ａが、半導体スイッチング素子Ｓ２，Ｓ４，Ｓ６のエミッタ端子から延びる負極入力端子（Ｎ端子）として真上に延設されている。配線層７２の上面にはバスバー８４が、はんだ付け等により接合されている。バスバー８４が、半導体スイッチング素子Ｓ１，Ｓ３，Ｓ５のコレクタ端子から延びる正極入力端子（Ｐ端子）として真上に延設されている。このように、半導体スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ６のコレクタ・エミッタ端子から延びる配線材としてのバスバー８３の延設部８３ａおよびバスバー８４が反冷却器側に延設されている。
【００２７】
四角枠状の筐体６０における下面開口には駆動回路基板３１が配置され、駆動回路基板３１は水平に位置している。そして、ねじを、駆動回路基板３１を貫通して筐体６０に螺入することにより駆動回路基板３１が筐体６０に固定されている。このように、駆動回路基板３１と半導体スイッチング素子（チップ）Ｓ１〜Ｓ６が冷却器５０を挟んで配置されている。なお、コントローラ４０を搭載した基板は駆動回路基板３１と多段に、即ち、駆動回路基板３１の下に重ねて配置される。
【００２８】
また、筐体６０には複数本の信号ピン８６が埋設されているとともに複数本の信号ピン８８が埋設されている。信号ピン８６，８８はＸ方向において冷却器５０の両側に延設されている。即ち、冷却器５０における冷却水の入口と出口を結ぶ線の両側に信号ピン８６，８８がそれぞれ延設されている。
【００２９】
複数本の信号ピン８６のうちの少なくとも１本がゲート信号ピンである。また、複数本の信号ピン８６のうちの少なくとも１本が温度センス用ピンである。信号線を構成する信号ピン８６は上下方向（Ｚ方向）に延設され、上端が筐体６０から露出している。信号ピン８６における筐体６０から露出する部位は、ボンディングワイヤ８５により半導体スイッチング素子（チップ）Ｓ１，Ｓ３，Ｓ５のゲート端子等と接続されている。信号ピン８６の下端が筐体６０から突出して駆動回路基板３１を貫通している。信号ピン８６と駆動回路基板３１とは、はんだ付け等により接続されている。
【００３０】
複数本の信号ピン８８のうちの少なくとも１本がゲート信号ピンである。また、複数本の信号ピン８８のうちの少なくとも１本が温度センス用ピンである。信号線を構成する信号ピン８８は上下方向（Ｚ方向）に延設され、上端が筐体６０から露出している。信号ピン８８における筐体６０から露出する部位は、ボンディングワイヤ８７により半導体スイッチング素子（チップ）Ｓ２，Ｓ４，Ｓ６のゲート端子等と接続されている。信号ピン８８の下端が筐体６０から突出して駆動回路基板３１を貫通している。信号ピン８８と駆動回路基板３１とは、はんだ付け等により接続されている。
【００３１】
このように、半導体スイッチング素子Ｓ１，Ｓ３，Ｓ５のゲート端子から延びる配線材としてのゲート信号ピン（８６）が冷却器５０側に延設されているとともに、半導体スイッチング素子Ｓ２，Ｓ４，Ｓ６のゲート端子から延びる配線材としてのゲート信号ピン（８８）が冷却器５０側に延設されている。
【００３２】
次に、車両用インバータ装置１０の作用について説明する。
駆動回路基板３１における駆動回路３０からのゲート信号によりインバータ回路２０の半導体スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ６がスイッチング動作する。この半導体スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ６のスイッチング動作により、バッテリから供給される直流が適宜の周波数の３相交流に変換されてモータの各相の巻線に供給される。
【００３３】
半導体スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ６のスイッチング動作に伴い半導体スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ６が発熱する。この熱は冷却器５０において冷却水と熱交換される。
また、半導体スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ６のスイッチング動作に伴い電磁波（ノイズ）が発生する。ここで、駆動回路基板３１と半導体スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ６が冷却器５０を挟んで配置されているので、半導体スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ６から発生する電磁波（ノイズ）は駆動回路基板３１に対し金属製の冷却器５０により遮蔽される。
【００３４】
このように、信号ピン８６，８８が下方側へ、また、バスバー８４およびバスバーの延設部８０ｂ，８１ｂ，８２ｂ，８３ａが上方側へ延びており、互いに反対方向に突出した構造となっている。具体的には、信号ピン８６，８８が冷却器５０の上面から下面へ延設され、冷却器５０の下面側に配置された駆動回路基板３１に接続されており、バスバー８４およびバスバーの延設部８０ｂ，８１ｂ，８２ｂ，８３ａを容易に配置（引き出す）ことができる。
【００３５】
図１の本実施形態と図５の比較例とを対比しつつ説明する。
比較例として図５においては、冷却器１００と筐体１０１とシールド板１０２と駆動回路基板１０３とバスバー１０４と信号ピン１０５を備える。冷却器１００の上面に素子が配置され、その上方に図示しない固定手段によりシールド板１０２が配置され、さらにその上方に駆動回路基板１０３が配置されている。また、素子に対し信号ピン１０５が上方に延設され、駆動回路基板１０３と接続されている。一方、バスバー１０４が駆動回路基板１０３の下方において駆動回路基板１０３を避けるべく水平方向に延びている。この際、バスバー１０４は上方に延設される信号ピン１０５を避けて配置する必要が生じる。そのために図５のＹ方向での幅Ｌ２が大きくなっている（体格が大きくなっている）。なお図５（ａ）において駆動回路基板１０３，シールド板１０２の図示を省略している。
【００３６】
これに対し、本実施形態においては、図１に示すように、信号ピン８６，８８が冷却器５０の上側から筐体６０の内部を通り、筐体６０の下側から突出して駆動回路基板３１に接合されている。よって、バスバー８０，８１，８２，８３，８４は信号ピン８６，８８との接触を考慮することなく延設（引き出す）ことができる。つまり、駆動回路基板３１が上部にないためバスバー８４およびバスバーの延設部８０ｂ，８１ｂ，８２ｂ，８３ａを上方に延ばすことができ、そのためバスバーを避けて信号ピンを配置させる必要がない。これにより、図１のＹ方向での幅Ｌ１と図５のＹ方向での幅Ｌ２との対比において、図５の幅寸法（Ｌ２）に比べ図１の幅寸法（Ｌ１）を小さくすることができる。その結果、小型化が図られる。
【００３７】
また、図１の本実施形態では、冷却器５０が半導体スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ６と駆動回路基板３１との間に配置されることにより、電磁波の遮蔽効果が生まれるので、シールド板を配置させなくてもよい。
【００３８】
上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）車両用インバータ装置１０の構成として、半導体スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ６と冷却器５０と駆動回路基板３１とを備える。駆動回路基板３１と半導体スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ６が冷却器５０を挟んで配置されるとともに、信号ピン８６，８８が冷却器５０側に延設されている。よって、半導体スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ６から発生する電磁波（ノイズ）は駆動回路基板３１に対し冷却器５０により遮蔽される。また、半導体スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ６の制御端子から延びる信号ピン８６，８８が冷却器側に延設されるので、半導体スイッチング素子の配線材（バスバー８４およびバスバーの延設部８０ｂ，８１ｂ，８２ｂ，８３ａ）を容易に配置することができる。その結果、容易に電磁波を遮蔽することができるとともに半導体スイッチング素子の配線材の設計自由度を高くすることができる。
【００３９】
（２）冷却器５０における冷却水の入口と出口を結ぶ線の両側に信号ピン８６，８８がそれぞれ延設されている。これにより、片側のみに配置した場合に比べ小型化可能である。また、冷媒の入口・出口側に配線材が配置されないので、冷媒の流れや出入口形状の自由度（入口パイプＰ１，出口パイプＰ２の形状の自由度）を阻害することがない。
【００４０】
（３）半導体スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ６の入出力端子から延びるバスバー８４およびバスバーの延設部８０ｂ，８１ｂ，８２ｂ，８３ａが反冷却器側に延設されているので、実用的である。つまり、配置の自由度が高くできるので、バスバー８４およびバスバーの延設部８０ｂ，８１ｂ，８２ｂ，８３ａを短縮することができる。
【００４１】
（４）図５（ｂ）のように、駆動回路基板１０３と筐体１０１との間にバスバーを通す必要がないため、図１（ｂ）のように駆動回路基板３１と筐体６０とが接するように配置することができる。したがって駆動回路基板３１を筐体６０に固定（ねじ止め）が可能であるので、別途、駆動回路基板の固定手段を設ける必要がない。
【００４２】
実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
・図３に示すように、冷却器９０に切り欠き部９１，９２を設け、切り欠き部９１，９２に信号ピン９３を通してもよい。また、切り欠き部の形状は、切り欠き部９１のように矩形でも、切り欠き部９２のように楕円形状でもよい。なお、図３は切り欠き部９１，９２の形状を示すための冷却器９０および信号ピン９３の要部のみを示す。
【００４３】
より詳しくは、冷却器９０は、断面が凹形状をなす下側ケース９０ａの上面開口部が平板状をなす上側ケース９０ｂで塞いでおり、かつ、図３でのＸ方向における下側ケース９０ａの幅よりも上側ケース９０ｂの幅が大きくなっている。上側ケース９０ｂにおける下側ケース９０ａよりも幅広部において切り欠き部９１，９２が形成されている。
【００４４】
・図４に示すように、四角枠状をなす筐体６０における冷却器５０の下面を底板部９９で塞いだ構成とするとともに筐体６０の下面に駆動回路基板３１を固定してもよい。
・冷却器５０はアルミ製であったが、銅製等の他の金属製であってもよい。
【００４５】
・冷却器は全体が金属製（アルミ製）であったが、樹脂で容器を構成し、樹脂製容器における半導体スイッチング素子の下側のみにシールド用金属部を有する構成でもよい。要は、冷却器は、半導体スイッチング素子に対向する部位が少なくとも金属部となっていればよい。
【００４６】
・半導体スイッチング素子の入出力端子から延びる配線材としてのバスバーは横出し（水平方向に出す）ようにしてもよい。この場合も信号ピン８６，８８は冷却器５０側へ延設されるので、平面視で信号ピン８６，８８上に重ねてバスバーを配置でき、幅寸法を小さくすることができる。
【００４７】
・冷却器の上面に配した基板（セラミック基板７０等）と半導体スイッチング素子とをポッティングしてもよい（樹脂で封止してもよい）。具体的には、図１（ｂ）において筐体６０内にポッティング材をバスバー８４の上端部およびバスバーの延設部８０ｂ，８１ｂ，８２ｂ，８３ａの上端部が露出するように注入する。
【符号の説明】
【００４８】
１０…車両用インバータ装置、３１…駆動回路基板、５０…冷却器、７０…セラミック基板、８０…バスバー、８０ｂ…延設部、８１…バスバー、８１ｂ…延設部、８２…バスバー、８２ｂ…延設部、８３…バスバー、８３ａ…延設部、８４…バスバー、８６…信号ピン、８８…信号ピン、Ｓ１〜Ｓ６…半導体スイッチング素子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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