(57)【要約】【課題】半導体ウエハの破損を抑制することができる半導体装置の製造方法を開示する。【解決手段】絶縁層３０に連通溝４０が形成されていない部分では、半導体ウエハ２の表面側に保護テープ６０を貼り付けると、表面電極２０の表面、及び、絶縁層３０の表面に保護テープ６０が貼り付く。一方、絶縁層３０に連通溝４０が形成されている部分では、半導体ウエハ２の表面に保護テープ６０を貼り付けると、表面電極２０の表面には保護テープ６０が貼り付く。連通溝４０が形成されているため、絶縁層３０の表面には保護テープ６０が貼り付かない。そのため、隙間７０は、連通溝４０を介して、ダイシングライン溝５０と連通している。その後、半導体ウエハ２の裏面を加工する際に、半導体ウエハ２を真空環境下に置いたとしても、隙間７０内の空気は、連通溝４０及びダイシングライン溝５０を通って半導体ウエハ２の外周縁から外部に排出される。【選択図】図４
2014138143.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハの複数の素子領域のそれぞれに、表面電極と、その表面電極の周縁部に半導体ウエハの表面からの高さが表面電極より高くなる絶縁層とを形成する表面構造形成工程と、
半導体ウエハの表面に、平面視したときに絶縁層を挟んで表面電極の周囲を取り囲んでおり、半導体ウエハの表面からの高さが絶縁層よりも低く、半導体ウエハの外周縁まで伸びるダイシングライン溝を形成するダイシングライン溝形成工程と、
絶縁層に、表面電極側からダイシングライン溝を形成する位置まで伸びる連通溝を形成する連通溝形成工程と、
ダイシングライン溝及び連通溝が形成された半導体ウエハの表面側に保護テープを貼り付ける貼付工程と、
保護テープが貼り付けられた半導体ウエハの裏面を加工する裏面加工工程と、
を備える、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
裏面加工工程は、半導体ウエハの裏面に不純物を注入する注入工程を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
注入工程は、
半導体ウエハの複数の素子領域のそれぞれの裏面の一部に第１導電型の不純物を注入する工程と、
半導体ウエハの複数の素子領域のそれぞれの裏面の他の一部に第２導電型の不純物を注入する工程と、
を含む、ことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
裏面加工工程の後、ダイシングライン溝に沿って半導体ウエハをダイシングするダイシング工程をさらに備える、
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
複数の素子領域を有する半導体ウエハであって、
複数の素子領域のそれぞれは、表面電極と、その表面電極の周縁部に半導体ウエハの表面からの高さが表面電極より高くなる絶縁層とを有しており、
半導体ウエハの表面には、平面視したときに絶縁層を挟んで表面電極の周囲を取り囲んでおり、半導体ウエハの表面からの高さが絶縁層よりも低く、半導体ウエハの外周縁まで伸びるダイシングライン溝が形成されており、
絶縁層には、表面電極側からダイシングライン溝まで伸びる連通溝が形成されている、
ことを特徴とする半導体ウエハ。
【請求項６】
半導体装置であって、
半導体基板と、
半導体基板の表面に形成された表面電極と、
半導体基板の表面であって表面電極の周縁部に形成され、半導体基板の表面からの高さが表面電極よりも高い絶縁層と、
を有しており、
絶縁層には、表面電極側から半導体装置の外周縁まで伸びる連通溝が形成されている、
ことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書で開示する技術は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、電極と絶縁層とが形成されている半導体ウエハの表面に保護テープを貼り付け、保護テープを貼り付けた状態のまま、半導体ウエハの裏面を加工する半導体装置の製造方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−３１７５７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体ウエハの表面に形成された電極と絶縁層の間には段差が形成される。そのため、特許文献１の技術では、半導体ウエハの表面に保護テープを貼り付けると、電極と絶縁層の間の段差において、半導体ウエハと保護テープとの間に隙間が形成される場合がある。この場合、半導体ウエハと保護テープの間の隙間には空気が密閉される。その後、半導体ウエハの裏面を加工する場合に、半導体ウエハを真空環境下に置くと、隙間に密封された空気が膨張し、半導体ウエハが破損する場合がある。
【０００５】
本明細書では、半導体ウエハの破損を抑制することができる半導体装置の製造方法を開示する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本明細書で開示する半導体装置の製造方法は、表面構造形成工程と、ダイシングライン溝形成工程と、連通溝形成工程と、貼付工程と、裏面加工工程とを備える。表面構造形成工程では、半導体ウエハの複数の素子領域のそれぞれに、表面電極と、その表面電極の周縁部に半導体ウエハの表面からの高さが表面電極より高くなる絶縁層とを形成する。ダイシングライン溝形成工程では、半導体ウエハの表面に、平面視したときに絶縁層を挟んで表面電極の周囲を取り囲んでおり、半導体ウエハの表面からの高さが絶縁層よりも低く、半導体ウエハの外周縁まで伸びるダイシングライン溝を形成する。連通溝形成工程では、絶縁層に、表面電極側からダイシングライン溝を形成する位置まで伸びる連通溝を形成する。貼付工程では、ダイシングライン溝及び連通溝が形成された半導体ウエハの表面側に保護テープを貼り付ける。裏面加工工程では、保護テープが貼り付けられた半導体ウエハの裏面を加工する。
【０００７】
この方法では、連通溝形成工程において、絶縁層に、表面電極側からダイシングライン溝まで伸びる連通溝が形成される。そのため、半導体ウエハの表面側に保護テープを貼り付けたときに、表面電極と絶縁層との段差において半導体ウエハと保護テープとの間に隙間が形成されたとしても、絶縁層に連通溝が形成されていることにより、半導体ウエハと保護テープの間の隙間に空気が密閉されてしまうことがない。そのため、その後、半導体ウエハの裏面を加工する際に半導体ウエハを真空環境下に置いたとしても、隙間内の空気は、連通溝及びダイシングライン溝を通って半導体ウエハの外周縁から外部に排出される。そのため、半導体ウエハと保護テープの間に入り込んだ空気が膨張して半導体ウエハが破損してしまうことを抑制することができる。ここで、「半導体ウエハの表面側に保護テープを貼り付ける」とは、半導体ウエハ自体の表面に保護テープを貼り付けることを意味せず、表面に表面電極、絶縁層、ダイシングライン溝等の各種構造が形成された半導体ウエハにおいて、それらの各種構造の上から保護テープを貼り付けることを意味する。
【０００８】
本明細書では、新規な半導体ウエハも開示する。本明細書で開示する半導体ウエハは、複数の素子領域を有する。複数の素子領域のそれぞれは、表面電極と、その表面電極の周縁部に半導体ウエハの表面からの高さが表面電極より高くなる絶縁層とを有している。半導体ウエハの表面には、平面視したときに絶縁層を挟んで表面電極の周囲を取り囲んでおり、半導体ウエハの表面からの高さが絶縁層よりも低く、半導体ウエハの外周縁まで伸びるダイシングライン溝が形成されている。絶縁層には、表面電極側からダイシングライン溝まで伸びる連通溝が形成されている。
【０００９】
この半導体ウエハによると、絶縁層に連通溝が形成されているため、表面側に保護テープを貼り付けた際に、半導体ウエハと保護テープとの間に隙間が形成されたとしても、その隙間に空気が密閉されてしまうことがない。そのため、半導体ウエハと保護テープの間に入り込んだ空気に起因して半導体ウエハが破損してしまうことを抑制することができる。
【００１０】
さらに本明細書では、新規な半導体装置も開示する。本明細書で開示する半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の表面に形成された表面電極と、半導体基板の表面であって表面電極の周縁部に形成され、半導体基板の表面からの高さが表面電極よりも高い絶縁層と、を有している。絶縁層には、表面電極側から半導体装置の外周縁まで伸びる連通溝が形成されている。
【００１１】
上記の半導体装置では、絶縁層に、表面電極側から半導体装置の外周縁まで伸びる連通溝が形成されている。この半導体装置の製造過程では、上記連通溝は、複数の素子領域を有する半導体ウエハに形成されたダイシングライン溝まで伸びる。そのため、上記の通り、半導体装置を製造する過程で、半導体ウエハが破損することを抑制することができる。従って、上記の構成によると、半導体装置の製造時の不良率を抑制し、歩留まりを向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施例の半導体ウエハを示す平面図。
【図２】図１のＩＩ部分拡大図。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ断面図。
【図４】図２のＩＶ−ＩＶ断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に説明する実施例の主要な特徴を列記しておく。なお、以下に記載する技術要素は、それぞれ独立した技術要素であって、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。
【００１４】
（特徴１）裏面加工工程は、半導体ウエハの裏面に不純物を注入する注入工程を含んでもよい。半導体ウエハの裏面に不純物を注入する注入工程は、通常、半導体ウエハを真空環境下に置いて行われる。この方法によると、半導体ウエハの裏面に不純物を注入する場合に、半導体ウエハと保護テープとの間の隙間内の空気が、連通溝及びダイシングラインを通って半導体ウエハの外周から外部に排出される。そのため、空気が膨張して半導体ウエハが破損することを抑制することができる。
【００１５】
（特徴２）注入工程は、半導体ウエハの複数の素子領域のそれぞれの裏面の一部に第１導電型の不純物を注入する工程と、半導体ウエハの複数の素子領域のそれぞれの裏面の他の一部に第２導電型の不純物を注入する工程とを含んでもよい。この方法によると、半導体ウエハ内に、異なる素子構造（例えば、ダイオード領域とＩＧＢＴ領域）を有する半導体装置を形成することができる。
【００１６】
（特徴３）裏面加工工程の後に、ダイシングライン溝に沿って半導体ウエハをダイシングするダイシング工程をさらに備えてもよい。この方法によると、半導体ウエハ内に形成された複数個の半導体装置を分割することができる。
【実施例】
【００１７】
図１に示す本実施例の半導体ウエハ２は、主にＳｉからなる基板である。本実施例の半導体ウエハ２は、平面視した場合に、複数の素子領域１０と、各素子領域１０の周囲を取り囲んでおり、半導体ウエハ２の外周縁まで伸びるダイシングライン溝５０とを備える。
【００１８】
図２に示すように、半導体ウエハ２を平面視した場合に、各素子領域１０は、互いに等間隔をあけて形成されている。素子領域１０は、複数の表面電極２０と、複数の信号パッド２２と、表面電極２０及び信号パッド２２の周囲に形成された絶縁層３０と、を備えている。絶縁層３０には、各表面電極２０及び各信号パッド２２からダイシングライン溝５０まで伸びる連通溝４０が形成されている。
【００１９】
半導体ウエハ２の素子領域１０の表面構造についてさらに説明する。図３に示すように、半導体ウエハ２を図２のＩＩＩ−ＩＩＩ断面で見た場合、半導体ウエハ２の素子領域１０には、半導体領域１２及び終端領域１４が形成されている。ただし、本実施例の半導体ウエハ２は、裏面側が未加工である。裏面側を加工（薄板化、不純物注入、電極形成、等）することにより、半導体領域１２には、例えばＩＧＢＴやダイオードを形成することができる。従って、図３では、半導体ウエハ２の裏面側の図示を省略している。
【００２０】
半導体領域１２は、コンタクト領域１１０と、トップボディ領域１１２と、フローティング領域１１４と、ボトムボディ領域１１６と、ドリフト領域１１８とを有している。さらに、半導体領域１２は、複数のトレンチ１０２と、各トレンチ１０２の内面を覆うゲート絶縁膜１０４と、ゲート絶縁膜１０４で覆われた状態でトレンチ１０２内に収容されているゲート電極１０６とを有している。
【００２１】
コンタクト領域１１０は、ｎ＋型の領域であって、半導体ウエハ２の表面に露出する範囲に形成されている。トップボディ領域１１２は、ｐ型の領域であって、コンタクト領域１１０より深い位置まで設けられている。フローティング領域１１４は、ｎ型の領域であって、トップボディ領域１１２より深い位置に設けられている。ボトムボディ領域１１６は、ｐ型の領域であって、フローティング領域１１４より深い位置に設けられている。ボトムボディ領域１１６は、トレンチ１０２の下端部より浅い範囲に形成されている。ドリフト領域１１８は、ｎ型の領域であって、ボトムボディ領域１１６より深い位置に設けられている。
【００２２】
コンタクト領域１１０の表面、及び、トップボディ領域１１２の表面の一部は、表面電極２０とオーミック接続されている。
【００２３】
トレンチ１０２は、半導体ウエハ２の表面からコンタクト領域１１０、トップボディ領域１１２、フローティング領域１１４、及び、ボトムボディ領域１１６を貫通して形成されている。トレンチ１０２の深さ方向の下端部は、ボトムボディ領域１１６の下端部からドリフト領域１１８内に突き出している。上記の通り、トレンチ１０２の内面は、ゲート絶縁膜１０４で覆われている。ゲート電極１０６は、ゲート絶縁膜１０４で覆われた状態でトレンチ１０２内に収容されている。ゲート電極１０６は、その上面が層間絶縁膜１２０で覆われ、表面電極２０から絶縁されている。ただし、図示しない他の位置で、ゲート電極１０６は信号パッド２２（図２参照）と接続されている。
【００２４】
終端領域１４は、素子領域１０の外周に形成されている領域である。終端領域１４は、分離領域１２２と、複数のトレンチ１０２と、絶縁膜１０５と、導電体領域１０７とを有している。
【００２５】
分離領域１２２は、ｐ型の領域であって、半導体ウエハ２の表面に露出する範囲に形成されている。分離領域１２２の下端部は、トレンチ１０２の下端部より深い位置に形成されている。終端領域１４内のトレンチ１０２は、分離領域１２２内に形成されている。分離領域１２２の上面、及び、導電体領域１０７の上面は、終端絶縁膜１２４で覆われ、表面電極２０から絶縁されている。
【００２６】
図３に示すように、表面電極２０は、半導体ウエハ２の表面側に形成されている。表面電極２０は、コンタクト領域１１０の表面、及び、トップボディ領域１１２のうち半導体ウエハ２の表面に露出した部分とオーミック接続されている。また、表面電極２０は、層間絶縁膜１２０、終端絶縁膜１２４によって、各ゲート電極１０６及び導電体領域１０７と絶縁されている。表面電極２０の外周端部は、終端絶縁膜１２４の上面に重ねて形成されている。
【００２７】
絶縁層３０は、表面電極２０の外周縁部、及び、終端絶縁膜１２４の表面側に形成されている。絶縁層３０の一部は、表面電極２０の外周縁部に重ねて形成されている。本実施例では、絶縁層３０は、ポリイミドで形成されている。他の例では、絶縁層３０は、電気絶縁性を有する他の樹脂材料で形成してもよい。図３に示すように、絶縁層３０の半導体ウエハ２の表面からの高さは、表面電極２０の高さよりも高い。
【００２８】
図４に示すように、半導体ウエハ２を図２のＩＶ−ＩＶ断面で見た場合、絶縁層３０は連通溝４０を有する。連通溝４０は、表面電極２０側からダイシングライン溝５０まで伸びている。図４に示すように、連通溝４０が形成されている部分の絶縁層３０の半導体ウエハ２の表面からの高さは、連通溝４０が形成されていない部分の絶縁層３０（図３参照）の高さより低い。
【００２９】
図３、図４に示すように、ダイシングライン溝５０の半導体ウエハ２の表面からの高さは、絶縁層３０の高さより低い。また、図２に示すように、半導体ウエハ２を平面視すると、ダイシングライン溝５０は、各素子領域１０を取り囲んでおり、半導体ウエハ２の外周縁まで伸びている。
【００３０】
以上、本実施例の半導体ウエハ２の構成を説明した。次いで、図３、図４を参照して、本実施例の半導体ウエハ２の裏面を加工する際に、半導体ウエハ２の表面を保護するために半導体ウエハ２の表面側に貼り付けられる、保護テープ６０の一例について説明する。保護テープ６０は、半導体ウエハ２の表面側（図３、図４の下側）に粘着層を有する樹脂性のテープである。
【００３１】
図３に示すように、絶縁層３０に連通溝４０が形成されていない部分では、半導体ウエハ２の表面側に保護テープ６０を貼り付けると、表面電極２０の表面、及び、絶縁層３０の表面に保護テープ６０が貼り付く。そのため、表面電極２０と絶縁層３０の間の段差において、半導体ウエハ２と保護テープ６０との間に隙間７０が形成される。
【００３２】
一方、図４に示すように、絶縁層３０に連通溝４０が形成されている部分では、半導体ウエハ２の表面側に保護テープ６０を貼り付けると、表面電極２０の表面には保護テープ６０が貼り付くが、連通溝４０が形成されているため、絶縁層３０の表面には保護テープ６０が貼り付かない。そのため、図４に示すように、絶縁層３０に連通溝４０が形成されている部分では、半導体ウエハ２と保護テープ６０との間に形成される隙間７０は、連通溝４０を介して、ダイシングライン溝５０と連通している。
【００３３】
即ち、本実施例の半導体ウエハ２によると、表面側に保護テープ６０を貼り付けた際に、半導体ウエハ２と保護テープ６０との間に隙間７０が形成されたとしても、その隙間７０に空気が密閉されることがない。そのため、後述するように、半導体ウエハ２の裏面を加工する際に、半導体ウエハを真空環境下に置いたとしても、隙間７０内の空気は、連通溝４０及びダイシングライン溝５０を通って半導体ウエハ２の外周縁から外部に排出される。そのため、半導体ウエハ２と保護テープ６０の間に入り込んだ空気が膨張して半導体ウエハ２が破損してしまうことを抑制することができる。
【００３４】
なお、半導体ウエハ２の裏面を加工した後は、半導体ウエハ２をダイシングライン溝５０に沿ってダイシングすることにより、複数の半導体装置が形成される。本実施例の構成によると、裏面加工する際に半導体ウエハ２の破損が抑制されるため、半導体装置の製造歩留まりを向上することができる。
【００３５】
次いで、本実施例の半導体ウエハ２を製造する方法、及び、半導体ウエハ２を用いて複数の半導体装置を製造する方法について説明する。以下では、ダイオード領域とＩＧＢＴ領域とを有するＲＣ−ＩＧＢＴを製造する場合の例について説明する。
【００３６】
まず、複数の素子領域１０のそれぞれに、半導体領域１２及び終端領域１４（図３参照）を作りこんだ半導体ウエハ２を用意する。
【００３７】
次に、公知の方法によって、各半導体領域１２の表面に層間絶縁膜１２０を形成する。さらに、終端領域１４の表面に終端絶縁膜１２４を形成する。終端絶縁膜１２４は、半導体ウエハ２の表面のうち、隣り合う２個の素子領域１０の間の部分にも形成される（図３参照）。次に、公知の方法によって、各素子領域１０の表面に表面電極２０（図３参照）を形成する。
【００３８】
次に、半導体ウエハ２の表面全面にポジ型の感光性ポリイミドを塗布する。その後、半導体ウエハ２の表面にマスクを配置して露光を行う。露光の際に用いられるマスクは、表面電極２０が形成されている部分、信号パッド２２が形成されている部分、ダイシングライン溝５０を形成する部分、及び、連通溝４０を形成する部分に開口が形成されている。ここで、ダイシングライン溝５０を形成する部分とは、素子領域１０の周囲の部分であって、半導体ウエハ２の外周縁まで伸びる部分である。また、連通溝４０を形成する部分とは、各表面電極２０（信号パッド２２）側からダイシングライン溝５０を形成する部分まで伸びる部分である。連通溝４０を形成する部分の開口面積は、他の開口の開口面積より小さく形成されている。そのため、連通溝４０を形成する部分の露光量は、表面電極２０（信号パッド２２）が形成されている部分の露光量、及び、ダイシングライン溝５０を形成する部分の露光量より少ない。
【００３９】
次いで、現像液を用いて、露光された箇所のポリイミドを除去する。これにより、各表面電極２０及び信号パッド２２の表面に塗布されたポリイミドが除去され、各表面電極２０及び信号パッド２２の表面が露出する（図２参照）。また、各素子領域１０の周囲の部分のポリイミドも除去され、ダイシングライン溝５０が形成される。この結果、残ったポリイミドが絶縁層３０を形成する。形成された絶縁層３０には、連通溝４０が形成される。上記の通り、連通溝４０を形成する部分の露光量は、表面電極２０（信号パッド２２）が形成されている部分の露光量、及び、ダイシングライン溝５０を形成する部分の露光量より少ない。そのため、現像液により、ポリイミドの表面付近のみが除去される。その結果、絶縁層３０に、表面電極２０（信号パッド２２）とダイシングライン溝５０とを連通する連通溝４０が形成される。以上の各工程により、本実施例の半導体ウエハ２（図１〜図４）が完成する。
【００４０】
次いで、図３、図４に示すように、半導体ウエハ２の表面側に、保護テープ６０を貼り付ける。図３に示すように、絶縁層３０に連通溝４０が形成されていない部分では、表面電極２０の表面、及び、絶縁層３０の表面に保護テープ６０が貼り付く。そのため、表面電極２０と絶縁層３０の間の段差において、半導体ウエハ２と保護テープ６０との間に隙間７０が形成される。一方、図４に示すように、絶縁層３０に連通溝４０が形成されている部分では、表面電極２０の表面には保護テープ６０が貼り付くが、絶縁層３０の表面には保護テープ６０が貼り付かない。そのため、図４に示すように、絶縁層３０に連通溝４０が形成されている部分では、半導体ウエハ２と保護テープ６０との間に形成される隙間７０は、連通溝４０を介してダイシングライン溝５０と連通する。
【００４１】
次いで、半導体ウエハ２の裏面を研削して薄板化する。次いで、薄板化した半導体ウエハ２の半導体領域１２の裏面の一部にｐ型の不純物を注入し、コレクタ領域を形成する。半導体領域１２のうち、コレクタ領域が形成された範囲は、ＩＧＢＴ領域になる。一方、薄板化した半導体ウエハ２の半導体領域１２の裏面の他の一部にはｎ型の不純物を注入する。ｎ型の不純物が注入された部分と、ドリフト領域１１８とによって、カソード領域が形成される。半導体領域１２のうち、カソード領域が形成された範囲は、ダイオード領域になる。この結果、素子領域１０内にＲＣ−ＩＧＢＴが形成される。
【００４２】
半導体領域１２の裏面にｐ型の不純物又はｎ型の不純物を注入する工程は、真空環境下で行われる。この際、隙間７０内の空気は、連通溝４０及びダイシングライン溝５０を通って半導体ウエハ２の外周縁から外部に排出される（図４参照）。そのため、半導体ウエハ２と保護テープ６０の間の隙間７０に入り込んだ空気が膨張して半導体ウエハ２が破損してしまうことを抑制することができる。
【００４３】
その後、半導体ウエハ２の裏面をアッシングし、不純物を注入する際に半導体ウエハ２の裏面に塗布されたマスク用のレジストを除去する。このアッシング工程も真空環境下で行われるが、上記と同様に、半導体ウエハ２と保護テープ６０の間の隙間７０に入り込んだ空気が膨張して半導体ウエハ２が破損してしまうことを抑制することができる。
【００４４】
その後、公知の方法により、半導体ウエハ２の裏面に裏面電極を形成する。その後、半導体ウエハ２の表面側から保護テープ６０を取り外す。
【００４５】
次いで、半導体ウエハ２の裏面に公知のダイシングテープを貼り付ける。その後、ダイシングライン溝５０に沿って半導体ウエハ２をダイシングする。これにより、半導体ウエハ２に形成された複数の半導体装置（ＲＣ−ＩＧＢＴ）が分割され、複数の半導体装置（ＲＣ−ＩＧＢＴ）が製造される。
【００４６】
以上、本実施例の半導体ウエハ２を製造する方法、及び、半導体ウエハ２を用いて複数の半導体装置を製造する方法について説明した。上記の通り、本実施例の方法では、絶縁層３０を形成する際に同時に連通溝４０が形成される。そのため、半導体ウエハ２の表面に保護テープ６０を貼り付けたときに、表面電極２０（信号パッド２２）と絶縁層３０の間の段差において半導体ウエハ２と保護テープ６０との間に隙間７０が形成されたとしても、絶縁層３０に連通溝４０が形成されているため、半導体ウエハ２と保護テープ６０の間の隙間７０に空気が密閉されてしまうことがない。そのため、その後、半導体ウエハ２の裏面を加工（不純物注入、アッシング等）する際に、半導体ウエハ２を真空環境下に置いたとしても、隙間７０内の空気は、連通溝４０及びダイシングライン溝５０を通って半導体ウエハ２の外周縁から外部に排出される。そのため、半導体ウエハ２と保護テープ６０の間に入り込んだ空気が膨張して半導体ウエハ２が破損してしまうことを抑制することができる。その結果、半導体装置の製造歩留まりを向上することもできる。
【００４７】
本実施例と請求項の記載の対応関係を説明しておく。表面電極２０及び信号パッド２２が、「表面電極」の一例である。ダイシングによって分割された後の半導体ウエハ２が「半導体基板」の一例である。素子領域１０の表面に表面電極２０を形成し、その後、ポジ型の感光性ポリイミドを用いて、ダイシングライン溝５０、絶縁層３０、及び、連通溝４０を同時に形成する工程が、「表面構造形成工程」の一例である。また、上記ダイシングライン溝５０、絶縁層３０、及び、連通溝４０を同時に形成する工程は、「ダイシングライン溝形成工程」、及び、「連通溝形成工程」の一例でもある。
【００４８】
以上、本明細書に開示の技術の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。例えば、以下の変形例を採用してもよい。
【００４９】
（変形例１）上記の実施例では、ポジ型の感光性ポリイミドを用いて、ダイシングライン溝５０、絶縁層３０、及び、連通溝４０を形成している。これに限られず、非感光性ポリイミドを用いて、ダイシングライン溝５０、絶縁層３０、及び、連通溝４０を形成してもよい。この場合、非感光性ポリイミドを半導体ウエハ２の表面全面に塗布した後、塗布された非感光性ポリイミドの表面にマスクとなるレジストを塗布し、表面電極２０が形成されている部分、信号パッド２２が形成されている部分、ダイシングライン溝５０を形成する部分、及び、連通溝４０を形成する部分に開口を形成する。その後、現像液で、レジストによってマスクされていない部分のポリイミドを除去する。その結果、上記と同様に、ダイシングライン溝５０、絶縁層３０、及び、連通溝４０を形成することができる。
【００５０】
（変形例２）上記の実施例では、ダイシングライン溝５０、絶縁層３０、及び、連通溝４０を同時に形成しているが、ダイシングライン溝５０、絶縁層３０、及び、連通溝４０は、それぞれ別個の工程で形成してもよい。また、ダイシングライン溝５０と連通溝４０を形成する順序は、どちらを先に行ってもよい。
【００５１】
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００５２】
２：半導体ウエハ
１０：素子領域
１２：半導体領域
１４：終端領域
２０：表面電極
２２：信号パッド
３０：絶縁層
４０：連通溝
５０：ダイシングライン溝
６０：保護テープ
７０：隙間
１０２：トレンチ
１０４：ゲート絶縁膜
１０５：絶縁膜
１０６：ゲート電極
１０７：導電体領域
１１０：コンタクト領域
１１２：トップボディ領域
１１４：フローティング領域
１１６：ボトムボディ領域
１１８：ドリフト領域
１２０：層間絶縁膜
１２２：分離領域
１２４：終端絶縁膜
【図１】
2014138143.tif 000003
【図２】
2014138143.tif 000004
【図３】
2014138143.tif 000005
【図４】
2014138143.tif 000006