(57)【要約】【課題】プリズム素子に好適な、急峻な斜面を有する溝を安定して形成すること。【解決手段】第１の斜面７２ａ，７２ｂ及び第２の斜面７３ａ，７３ｂが裏面６ｂから表面６ａに向かうように配置された基板本体６と、第１の斜面及び第２の斜面を覆う第１絶縁膜８１と、前記第１の斜面を覆う前記第１絶縁膜８１の表面である第３の斜面７６ａ，７６ｂと、前記第２の斜面を覆う前記第１絶縁膜８１の表面である第４の斜面７７ａ，７７ｂと、を有し、前記裏面６ｂの側から前記表面６ａの側に向かう方向に広くなった第２溝部７５と、前記第２溝部７５及び前記第１絶縁膜８１を覆う第２絶縁膜８２を備え、第２絶縁膜８２の前記第２溝部７５を覆う部分の一部は前記第３の斜面と間隔を有し、前記第２の斜面は前記第１の斜面より前記表面６ａの側に配置され、前記第２の斜面と前記法線とがなす角度は前記第１の斜面と前記法線とがなす角度よりも大きい。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と前記第１面に対向する第２面とを有し、第１の斜面及び第２の斜面が前記第１面から前記第２面に向かうように配置された、光を透過する基板と、
前記第１の斜面及び前記第２の斜面を覆う第１の絶縁膜と、
前記第１の斜面を覆う前記第１の絶縁膜の表面である第３の斜面と、前記第２の斜面を覆う前記第１の絶縁膜の表面である第４の斜面と、を有し、前記第２面の側から前記第１面の側に向かう方向に広くなった溝部と、
前記溝部及び前記第１の絶縁膜を覆う第２の絶縁膜と、
を備え、
前記第２の絶縁膜の前記溝部を覆う部分の一部は、前記第３の斜面と間隔を有し、
前記第２の斜面は前記第１の斜面より前記第１面の側に配置され、
前記第２の斜面と前記第１面の法線とがなす角度は、前記第１の斜面と前記法線とがなす角度よりも大きいことを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項２】
前記第１の斜面と前記法線とがなす角度は１度から３度の範囲にあり、前記第２の斜面と前記法線とがなす角度は４度から７度の範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板。
【請求項３】
前記第３の斜面と前記法線とがなす角度は、３度よりも小さいことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置用基板。
【請求項４】
前記第３の斜面は、前記第１面に直交する面に対して面対称となるように配置された斜面を含み、
前記面対称となるように配置された斜面は、前記第１面の側から前記第２面の側に向かう方向で繋がっていることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置用基板。
【請求項５】
前記第１の絶縁膜は、テトラエトキシシランガスを用いたプラズマＣＶＤで形成された酸化シリコンであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電気光学装置用基板。
【請求項６】
前記基板と前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とは、略同じ屈折率を有し、
前記溝部と前記第２の絶縁膜とで囲まれた領域の屈折率は、前記基板の屈折率よりも小さいことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電気光学装置用基板。
【請求項７】
画素電極と前記画素電極を駆動するトランジスターとを有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向配置された第２の基板と、
を有する電気光学装置であって、
前記第１の基板及び前記第２の基板の少なくとも一方は、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電気光学装置用基板を備えていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項７に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項９】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電気光学装置用基板の製造方法であって、
前記基板の前記第１面にマスクを堆積する工程と、
前記マスクに異方性エッチングを施し、壁面で囲まれ前記基板が露出された開口部を形成する工程と、
前記壁面が後退するように前記マスクをエッチングしながら、前記開口部の露出された前記基板に異方性エッチングを施す工程と
前記マスクを除去する工程と、
テトラエトキシシランガスを用いたプラズマＣＶＤで酸化シリコンを堆積し、前記溝部を形成する工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項１０】
前記基板の構成材料は、石英であり、
前記マスクの構成材料は、タングステンシリサイドまたはシリコンのいずれかであることを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項１１】
基板の第１面にマスクを堆積する工程と、
前記マスクに開口部を形成する工程と、
前記基板を前記開口部の側から、異方性エッチングし、第１の斜面及び第２の斜面を有する第１の溝を形成する工程と、
前記マスクを除去する工程と、
前記第１の斜面及び前記第２の斜面を覆う第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の溝及び第１の絶縁膜を覆う第２の絶縁膜を形成する工程と、
を含み、
前記第２の斜面は前記第１の斜面より前記第１面の側に配置され、
前記第２の絶縁膜の前記溝を覆う部分の一部は、前記第１の斜面を覆う前記第１の絶縁膜の表面である第３の斜面と間隔を有し、
前記第２の斜面と前記第１面の法線との間の角度は、前記第１の斜面と前記法線との間の角度よりも大きいことを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置用基板、当該電気光学装置用基板を用いた電気光学装置、当該電気光学装置を用いた電子機器、及び電気光学装置用基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置として、例えば液晶プロジェクターの光変調素子（ライトバルブ）に用いられるアクティブ駆動型の液晶装置が知られている。当該液晶装置は、画素電極を有する素子基板、対向電極を有する対向基板、及び素子基板と対向基板とで挟持された液晶層などを有しており、より明るい表示が望まれる。
【０００３】
例えば、対向基板に光の反射部としてのプリズム素子を設け、表示に寄与しない入射光を当該プリズム素子で反射し表示光の一部とすることによって、より明るい表示を実現する液晶装置が提案されている（特許文献１）。特許文献１に記載のプリズム素子は、光軸方向に長くなった略二等辺三角形形状の断面を有する溝を有し、当該二等辺三角形形状の長辺（溝の斜面）が入射光を反射する光の反射面となる。光の反射面としての長辺と光軸とのなす角度はできるだけ小さい方が好ましく、例えば長辺と光軸とのなす角度が３度以下、すなわち頂角が６度以下の略二等辺三角形形状の断面を有するプリズム素子を形成することによって、光の利用効率が高められ、より明るい表示が実現されるとしている。このようなプリズム素子は、ドライエッチング法で光軸となす角度が３度以下の斜面を有する溝を対向基板に形成し、溝の内部に対向基板より低屈折率の空気層を設けることで、当該斜面を光の反射面とするプリズム素子が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２１５４２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ドライエッチング法で光軸となす角度が３度以下の斜面を有する溝、すなわち急峻なテーパー形状を有する溝を形成することが難しいという課題があった。
詳しくは、ドライエッチング法で急峻なテーパー形状の溝を基板に形成する場合、例えばフッ素系ガス（ＣＦ系ガス）などの反応ガスを用いて、横方向（深さ方向と直交する方向）の反応を抑制する保護膜（ＣＦ系ポリマーなど）を溝の側壁に堆積しつつ、深さ方向にエッチングする必要がある。この様な保護膜の影響を強くしすぎると、横方向に加えて深さ方向のエッチングも抑制され、急峻なテーパー形状の溝（深くエッチングされた溝）を形成することが難しくなる。加えて、深さ方向にエッチングを進めると、基板と反応ガスとの反応で生じた反応生成物が溝から排出されにくくなり、エッチング速度が低下する。さらに、深さ方向のエッチングを継続させるためには、エッチング反応を生じさせる領域が必要となり、溝の底部に横方向に広がったエッチング反応を生じさせる領域が形成される。このような横方向に広がった領域は、表示に寄与しない方向に光を反射する反射面となるので、溝の底部は、上述した略二等辺三角形形状のように尖った形状に加工することが好ましい。ところが、溝の底部を尖った形状に加工することが難しい、例えばエッチング反応を生じさせる領域を小さくすると尖った形状の底部となるが、これ以上深くエッチングすることが難しくなるという課題が生じる。
このように、ドライエッチング法によって特許文献１に記載のプリズム素子に好適な溝を形成することが難しいという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置用基板は、第１面と前記第１面に対向する第２面とを有し、第１の斜面及び第２の斜面が前記第１面から前記第２面に向かうように配置された、光を透過する基板と、前記第１の斜面及び前記第２の斜面を覆う第１の絶縁膜と、前記第１の斜面を覆う前記第１の絶縁膜の表面である第３の斜面と、前記第２の斜面を覆う前記第１の絶縁膜の表面である第４の斜面と、を有し、前記第２面の側から前記第１面の側に向かう方向に広くなった溝部と、前記溝部及び前記第１の絶縁膜を覆う第２の絶縁膜と、を備え、前記第２の絶縁膜の前記溝部を覆う部分の一部は、前記第３の斜面と間隔を有し、前記第２の斜面は前記第１の斜面より前記第１面の側に配置され、前記第２の斜面と前記第１面の法線とがなす角度は、前記第１の斜面と前記法線とがなす角度よりも大きいことを特徴とする。
【０００８】
本適用例によれば、光を透過する基板の第１面に、第１の斜面及び第２の斜面が前記第１面から前記第２面に向かうように設けられて、前段階の溝部が形成される。当該前段階の溝部を第１の絶縁膜で覆うことで、第２面の側から第１面の側に向かう方向に広くなった溝部が形成される。また、当該溝部は、第１の斜面を覆う第１の絶縁膜の表面である第３の斜面と、第２の斜面を覆う第１の絶縁膜の表面である第４の斜面とを有している。さらに、当該溝部は、第３の斜面と離れて配置された部分を有する第２の絶縁膜で覆われ、当該溝部と第２の絶縁膜とで囲まれた（密閉された）領域が形成される。
上述した前段階の溝部の第２の斜面は、第１の斜面より第１面の側に配置され、第２の斜面と第１面の法線とがなす角度は、第１の斜面と第１面の法線とがなす角度よりも大きくなっている。すなわち、電気光学装置用基板の第１面（表面）で広くなった領域（開口領域）を有し、溝部の中に第１の絶縁膜を形成する材料がはいりやすくなっている。換言すれば、電気光学装置用基板は、前段階の溝部の全域（第１の斜面、第２の斜面）を第１の絶縁膜で覆うことが容易な形状を有している。その結果、前段階の溝部を第１の絶縁膜で覆い、溝部を容易に形成することができる。加えて、当該溝部を第２の絶縁膜で覆い、当該溝部と第２の絶縁膜とで囲まれた（密閉された）領域の屈折率と、第１の絶縁膜の屈折率とを異ならしめることで、当該溝部と第２の絶縁膜で囲まれた領域及び第１の絶縁膜の界面に光の反射面を形成することができる。従って、当該溝部と第２の絶縁膜とで囲まれた領域を光の反射部とした電気光学装置用基板を、容易に形成することができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に記載の電気光学装置用基板において、前記第１の斜面と前記法線とがなす角度は１度から３度の範囲にあり、前記第２の斜面と前記法線とがなす角度は４度から７度の範囲にあることが好ましい。
【００１０】
溝部を光の反射部として活用する場合、光の反射面となる溝部の斜面と第１面の法線とが適正な角度を有するように制御する必要がある。さらに、上述した前段階の溝部を第１の絶縁膜で覆うことによって、光の反射部としての溝部が形成されるので、前段階の溝部の形状を、内部に第１の絶縁膜を形成する材料がはいりやすい形状に制御する必要がある。すなわち、前段階溝部の第１の斜面と第１面の法線とがなす角度を１度から３度の範囲とし、第２の斜面と法線とがなす角度を４度から７度の範囲とすると、前段階の溝部を第１の絶縁膜で容易に覆うことができ、且つ光反射部として適正な斜面を有する溝部を形成することができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に記載の電気光学装置用基板において、前記第３の斜面と前記法線とがなす角度は、３度よりも小さいことが好ましい。
【００１２】
溝部を光の反射部として活用する場合、光の反射面となる溝部の斜面（第３の斜面）と第１面の法線とが適正な角度を有するように制御する必要がある。すなわち、溝部の第３の斜面と第１面の法線とのなす角度を３度よりも小さくすると、光の反射部としての性能を高めることができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に記載の電気光学装置用基板において、前記第３の斜面は、前記第１面に直交する面に対して面対称となるように配置された斜面を含み、前記面対称となるように配置された斜面は、前記第１面の側から前記第２面の側に向かう方向で繋がっていることが好ましい。
【００１４】
第１面に直交する面に対して面対称となるように配置された斜面（第３の斜面）が、第１面の側から第２面の側に向かう方向で繋がって、上述した溝部が形成されている。すると、第１面の側から第２面の側に向かう方向に尖った形状の底部（底辺）が、溝部の第２面の側に形成される。例えば、当該第１面に沿った方向に広がった領域の底部が、溝部の第２面の側に形成されると、光は当該第１面に沿った方向に広がった領域によっても反射され、光の反射面となる溝部の斜面への光の入射が阻害され、光の利用効率が低下する。溝部の底部が、第１面の側から第２面の側に向かう方向に尖った形状を有していると、光の反射面となる溝部の斜面に入射する光が阻害されにくく、光の利用効率を高めることができる。従って、第１面に直交する面に対して面対称となるように配置された斜面（第３の斜面）が、第１面の側から第２面の側に向かう方向で繋がっていることが好ましい。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に記載の電気光学装置用基板において、前記第１の絶縁膜は、テトラエトキシシランガスを用いたプラズマＣＶＤで形成された酸化シリコンであることが好ましい。
【００１６】
テトラエトキシシランガスを用いたプラズマＣＶＤで形成された酸化シリコンは、段差被覆性に優れ、上述した前段階の溝部が設けられた基板、すなわち前段階の溝部の内部を容易に覆うことができる。従って、テトラエトキシシランガスを用いたプラズマＣＶＤで形成された酸化シリコンは、前段階の溝部の全域（第１の斜面、第２の斜面）を覆い、光反射部としての溝部が容易に形成される。
【００１７】
［適用例６］上記適用例に記載の電気光学装置用基板において、前記基板と前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とは略同じ屈折率を有し、前記溝部と前記第２の絶縁膜とで囲まれた領域の屈折率は前記基板の屈折率よりも小さいことが好ましい。
【００１８】
基板と第１の絶縁膜と第２の絶縁膜とは略同じ屈折率を有しているので、基板と第１の絶縁膜との界面、及び第１の絶縁膜と第２の絶縁膜との界面では、光は良好に透過する。溝部と第２の絶縁膜とで囲まれた領域の屈折率は、基板（第１の絶縁膜）の屈折率よりも小さくなっているので、溝部と第２の絶縁膜とで囲まれた領域及び第１の絶縁膜の界面に、光の反射面を形成することができる。従って、溝部と第２の絶縁膜とで囲まれた領域及び第１の絶縁膜の界面を光の反射面とした、電気光学装置用基板を形成することができる。
【００１９】
［適用例７］本適用例に係る電気光学装置は、画素電極と前記画素電極を駆動するトランジスターとを有する第１の基板と、前記第１の基板に対向配置された第２の基板と、を有し、前記第１の基板及び前記第２の基板の少なくとも一方は、上記適用例に記載の電気光学装置用基板を備えていることを特徴とする。
【００２０】
光の反射部が設けられた電気光学装置用基板に、電気光学装置の光を変調する構成要素や光を発する構成要素などを形成することによって、電気光学装置における光の利用効率を高め、より明るい表示を実現することができる。
【００２１】
［適用例８］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする。
【００２２】
本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備え、電気光学装置用基板に設けられた光の反射部によって、電気光学装置では明るい表示が実現される。例えば、投射型表示装置、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）、直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、ＰＯＳなどの情報端末機器、及び電子手帳などの電子機器に、上記適用例に記載の電気光学装置を適用させることで、明るい表示を提供することができる。
【００２３】
［適用例９］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、上記適用例に記載の電気光学装置用基板の製造方法であって、前記基板の前記第１面にマスクを堆積する工程と、前記マスクに異方性エッチングを施し、壁面で囲まれ前記基板が露出された開口部を形成する工程と、前記壁面が後退するように前記マスクをエッチングしながら、前記開口部の露出された前記基板に異方性エッチングを施す工程と、前記マスクを除去する工程と、テトラエトキシシランガスを用いたプラズマＣＶＤで酸化シリコンを堆積し、前記溝部を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００２４】
基板に対するエッチング選択性の高い材料で、壁面で囲まれ基板が露出された領域を有するマスクを形成し、当該マスクをエッチングマスクに使用して基板を縦方向（法線方向）にエッチングすることで、大きな縦方向寸法の（深い）前段階の溝部を形成することができる。さらに、壁面が法線方向と交差する方向に後退するようマスクをエッチングしながら、すなわち基板をエッチングする領域の寸法を横方向に大きくしながら、基板を縦方向にエッチングすることによって、基板の第１面の側でより広くなった領域（開口領域）を有する前段階の溝部を形成することができる。前段階の溝部は基板の第１面の側で広くなっているので、酸化シリコンとなる材料物質は前段階の溝部の中にはいりやすい。さらに、テトラエトキシシランガスを用いたプラズマＣＶＤで形成した酸化シリコンは、段差被覆性に優れている。その結果、テトラエトキシシランガスを用いたプラズマＣＶＤで形成した酸化シリコンは前段階の溝部の全域（第１の斜面、第２の斜面）を覆い、光反射部としての溝部を容易に形成することができる。
【００２５】
［適用例１０］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記基板の構成材料は石英であり、前記マスクの構成材料はタングステンシリサイドまたはシリコンのいずれかであることが好ましい。
【００２６】
タングステンシリサイドまたはシリコンは、石英（酸化シリコン）に対して、高いエッチング選択性を有している。従って、タングステンシリサイドまたはシリコンをマスク（エッチングマスク）に使用し、基板（酸化シリコン）を縦方向にエッチングすることで、大きな縦方向寸法の（深い）前段階の溝部を形成することができる。
【００２７】
［適用例１１］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、基板の第１面にマスクを堆積する工程と、前記マスクに開口部を形成する工程と、前記基板を前記開口部の側から、異方性エッチングし、第１の斜面及び第２の斜面を有する第１の溝を形成する工程と、前記マスクを除去する工程と、前記第１の斜面及び前記第２の斜面を覆う第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の溝及び第１の絶縁膜を覆う第２の絶縁膜を形成する工程と、を含み、前記第２の斜面は前記第１の斜面より前記第１面の側に配置され、前記第２の絶縁膜の前記溝を覆う部分の一部は、前記第１の斜面を覆う前記第１の絶縁膜の表面である第３の斜面と間隔を有し、前記第２の斜面と前記第１面の法線との間の角度は、前記第１の斜面と前記法線との間の角度よりも大きいことを特徴とする。
【００２８】
本適用例によれば、第１の斜面及び第２の斜面を第１の絶縁膜で覆い、プリズムに適した構造を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】実施形態１に係る液晶装置の構成を示す概略平面図。
【図２】図１のＪ−Ｊ’線で切った概略断面図。
【図３】実施形態１に係る液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】画素電極の配置を示す概略平面図。
【図５】図４のＡ−Ａ’線で切った液晶装置の概略断面図。
【図６】図５の破線で囲まれた領域Ｃの概略断面図。
【図７】電気光学装置用基板を形成するための工程フロー。
【図８】各工程を経た後の電気光学装置用基板の状態を示す模式断面図。
【図９】各工程を経た後の電気光学装置用基板の状態を示す模式断面図。
【図１０】各工程を経た後の電気光学装置用基板の状態を示す模式断面図。
【図１１】実施形態２に係る液晶装置の概略断面図。
【図１２】実施形態３に係る投射型表示装置の構成を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の各図においては、各層や各部位を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部位の縮尺を実際とは異ならせしめてある。
【００３１】
（実施形態１）
「液晶装置の概要」
実施形態１に係る液晶装置１００は、電気光学装置の一例であり、薄膜トランジスター（以降、ＴＦＴと称す）３０を備えた透過型の液晶装置である。本実施形態に係る液晶装置１００は、例えば後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子として好適に使用することができるものである。
【００３２】
まず、本実施形態に係る液晶装置１００の全体構成について、図１乃至図３を参照して説明する。図１は、液晶装置の構成を示す概略平面図である。図２は、図１のＪ−Ｊ’線で切った概略断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
【００３３】
図１及び図２に示すように、本実施形態に係る液晶装置１００は、素子基板１０、対向基板２０、及び素子基板１０と対向基板２０とで挟持された液晶層５０などを有する。
素子基板１０は、本発明における「第１の基板」の一例である。対向基板２０は、本発明における「第２の基板」の一例である。
【００３４】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、額縁状に配置されたシール材５２を介して接着され、その隙間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層５０を構成している。シール材５２は、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材５２には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００３５】
額縁状に配置されたシール材５２の内側には、同じく額縁状に遮光膜５３が設けられている。遮光膜５３は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜５３の内側が表示領域Ｅとなる。表示領域Ｅには、画素Ｐがマトリックス状に複数配置されている。
【００３６】
素子基板１０の複数の外部接続用端子１０２が配列された第１辺と該第１辺に沿ったシール材５２との間には、データ線駆動回路１０１が設けられている。該第１辺と直交し互いに対向する他の第２辺、第３辺に沿ったシール材５２と表示領域Ｅとの間には、走査線駆動回路１０４が設けられている。該第１辺と対向する他の第４辺に沿ったシール材５２と表示領域Ｅとの間には、２つの走査線駆動回路１０４を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。これらデータ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４に繋がる配線は、該第１辺に沿って配列された複数の外部接続用端子１０２に接続されている。
以降、該第１辺に沿った方向をＸ方向、該第１辺と直交し互いに対向する他の２辺（第２辺、第３辺）に沿った方向をＹ方向、及び素子基板１０から対向基板２０に向かう方向をＺ方向として説明する。
なお、Ｚ方向は、本発明における「第１面の法線」の一例である。以降、本発明における「第１面の法線」を、Ｚ方向または法線と称す。
【００３７】
図２に示すように、素子基板１０は、素子基板本体１１、並びに素子基板本体１１の液晶層５０側の面に形成されたＴＦＴ３０や画素電極１７、及び画素電極１７を覆う配向膜１８などを有している。素子基板本体１１は、例えば石英やガラスなどの透明材料で構成されている。また、ＴＦＴ３０や画素電極１７は、画素Ｐの構成要素である。
素子基板１０の詳細は、後述する。
【００３８】
対向基板２０は、電気光学装置用基板５、電気光学装置用基板５の液晶層５０側の面に順に積層された遮光膜５３、絶縁膜２２、対向電極２３、及び配向膜２４などを有している。
【００３９】
電気光学装置用基板５は、基板本体６、プリズム７０、及び第３絶縁膜８３などを有している。
基板本体６には、例えば石英基板が使用されている。基板本体６は、透光性の絶縁基板であればよく、石英基板の他にガラス基板やサファイア基板など使用することができる。基板本体６の液晶層５０側の面６ａには、プリズム７０が形成されている。さらに、プリズム７０が設けられた基板本体６の液晶層５０側の面は、第３絶縁膜８３で覆われている。第３絶縁膜８３は、例えば酸化シリコンで構成される。また、基板本体６は、液晶層５０側の面６ａと、液晶層５０側の面６ａに対向する面６ｂとを有している。
基板本体６は、本発明における「光を透過する基板」の一例である。基板本体６の液晶層５０側の面６ａは、本発明における「第１面」の一例であり、以降表面６ａと称す。また、基板本体６の液晶層５０側の面６ａに対向する面６ｂは、本発明における「第２面」の一例であり、以降裏面６ｂと称す。
電気光学装置用基板５の詳細は、後述する。
【００４０】
遮光膜５３は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などで構成される。図１に示すように、遮光膜５３は、平面的に走査線駆動回路１０４と重なる位置に額縁状に設けられている。これにより対向基板２０側から素子基板１０側に入射する光を遮光して、走査線駆動回路１０４の光による誤動作を防止している。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮光して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００４１】
絶縁膜２２は、透光性の無機絶縁材料で構成され、例えば常圧または減圧ＣＶＤ法などを用いて形成された酸化シリコンを使用することができる。絶縁膜２２は、電気光学装置用基板５に遮光膜５３を形成することで生ずる表面凹凸を緩和可能な程度の膜厚を有している。
【００４２】
対向電極２３は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、表示領域Ｅに亘って形成される。図１に示すように、対向電極２３は、対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６によって、素子基板１０側の配線に電気的に接続されている。
【００４３】
画素電極１７を覆う配向膜１８及び対向電極２３を覆う配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて設定されており、本実施形態では、酸化シリコンなどの無機材料の斜め蒸着膜（無機配向膜）が使用されている。また、配向膜１８，２４には、ポリイミドなどの有機配向膜を使用してもよい。
【００４４】
図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する信号線としての複数の走査線１２及び複数のデータ線１６や、データ線１６に対して平行に延在する容量線４１などを有する。なお、容量線４１の配置はこれに限定されず、走査線１２に対して平行に延在するように配置してもよい。
なお、走査線１２、データ線１６、及び容量線４１は、遮光性の導電材料で構成され、素子基板１０側に設けられている。
【００４５】
走査線１２とデータ線１６とで区分された領域には、画素電極１７、ＴＦＴ３０、及び蓄積容量４０などが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００４６】
走査線１２は、ＴＦＴ３０のゲート電極に電気的に接続されている。データ線１６は、ＴＦＴ３０のソース電極に電気的に接続されている。画素電極１７は、ＴＦＴ３０のドレイン電極に電気的に接続されている。
【００４７】
データ線１６はデータ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎを各画素Ｐに供給する。走査線１２は走査線駆動回路１０４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０４から供給される走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍを各画素Ｐに供給する。データ線駆動回路１０１からデータ線１６に供給される画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線１６同士に対してグループごとに供給してもよい。
【００４８】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍの入力によりオン状態とされた期間に同期して、データ線１６から供給される画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，ＳｎがＴＦＴ３０を介して画素電極９に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１７に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、画素電極１７と共通電極として機能する対向電極２３との間で一定期間保持される。
【００４９】
保持された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎがリーク（劣化）するのを防止するために、画素電極１７と対向電極２３との間に形成される液晶容量と並列に、蓄積容量４０が接続されている。蓄積容量４０は、ＴＦＴ３０のドレイン電極と容量線４１との間に設けられている。
【００５０】
このような液晶装置１００は透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きくて明表示となるノーマリーホワイトモードや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さくて暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光学設計に応じて、光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子（図示省略）が配置されて用いられる。
【００５１】
「素子基板及び電気光学装置用基板の概要」
図４は、画素電極の配置を示す概略平面図である。図５は、図４のＡ−Ａ’線で切った液晶装置の概略断面図である。図６は、図５の破線で囲まれた領域Ｃの概略断面図である。図４及び図６において二点鎖線で示されたＢは、Ｘ方向に沿って延在する非開口領域Ｄ２の中心線に直交する面（Ｘ方向とＺ方向とで構成される面）を示し、以降基準面Ｂと称す。なお、基準面Ｂは、本発明における「第１面に直交する面（Ｘ方向とＹ方向とで構成される面）」の一例である。また、図６では、図面を見やすくするために、後述する上溝部７２，７６が配置された領域は、網掛けで示されている。
以下、図４乃至図６を参照して、素子基板１０及び電気光学装置用基板５の概要を説明する。
【００５２】
図４に示すように、画素Ｐは、Ｘ方向およびＹ方向にマトリックス状に配置されている。
非開口領域Ｄ２は、素子基板１０側に設けられた遮光性の信号線（データ線１６、走査線１２、容量線４１）や、対向基板２０側に設けられた遮光膜５３などで構成された遮光領域である。非開口領域Ｄ２はＸ方向とＹ方向とに延在し、格子状に設けられている。Ｘ方向及びＹ方向における非開口領域Ｄ２の幅は、同じに設定されている。非開口領域Ｄ２で囲まれた領域が、光が透過する（光が変調される）開口領域Ｄ１となる。開口領域Ｄ１は、非開口領域Ｄ２で四角形（略正方形）に区画されている。
【００５３】
画素電極１７は、画素Ｐ毎に設けられ、四角形（略正方形）の形状を有している。Ｚ方向から見て、画素電極１７の外縁部は、遮光性の非開口領域Ｄ２に重なるように配置されている。図４では図示を省略したが、非開口領域Ｄ２には、ＴＦＴ３０、蓄積容量４０、及びプリズム７０などが配置されている。
【００５４】
最初に、素子基板１０の概要を説明する。
図５に示すように、素子基板１０は、素子基板本体１１、並びに素子基板本体１１の液晶層５０側の面に順に積層された走査線１２、絶縁層１３、ＴＦＴ３０、絶縁層１４、データ線１６、絶縁層１５、画素電極１７、及び配向膜１８などを有している。
【００５５】
走査線１２は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、Ｔａ（タンタル）、Ｃｒ（クロム）などの金属材料の少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらを積層したものからなり、遮光性を有している。
【００５６】
絶縁層１３は、素子基板本体１１と走査線１２とを覆うように設けられている。絶縁層１３は、例えば酸化シリコンで構成され、光透過性を有している。ＴＦＴ３０は、絶縁層１３上に設けられている。ＴＦＴ３０は、画素電極１７を駆動するスイッチング素子である。図示を省略するが、ＴＦＴ３０は、半導体層、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極で構成されている。
【００５７】
半導体層は、例えば多結晶シリコン膜からなり、島状に形成されている。半導体層には、不純物イオンが注入されて、ソース領域、チャネル領域、およびドレイン領域が形成されている。チャネル領域とソース領域、または、チャネル領域とドレイン領域との間には、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域が形成されていてもよい。
【００５８】
ゲート電極は、Ｚ方向から見て半導体層のチャネル領域と重なる領域に絶縁層１４の一部（ゲート絶縁膜）を介して配置されている。図示を省略するが、ゲート電極は、下層側に配置された走査線１２にコンタクトホールを介して電気的に接続されている。
【００５９】
絶縁層１４は、絶縁層１３とＴＦＴ３０とを覆うように設けられている。絶縁層１４は、例えば酸化シリコンで構成され、光透過性を有している。絶縁層１４は、ＴＦＴ３０の半導体層とゲート電極との間を絶縁するゲート絶縁膜を含む。絶縁層１４により、ＴＦＴ３０によって生じる表面凹凸が緩和される。
【００６０】
絶縁層１４上には、データ線１６が設けられている。データ線１６は、走査線１２と同様の材料で形成され、遮光性を有している。ＴＦＴ３０は、遮光性を有する走査線１２及びデータ線１６との間に挟まれるように配置されている。これにより、ＴＦＴ３０の半導体層に光が入射することによるリーク電流の増加（ＴＦＴ３０の誤動作）が抑制される。
【００６１】
図示を省略するが、絶縁層１４上には、データ線１６と配線層を異ならせて容量線４１が設けられている。絶縁層１４とデータ線１６と容量線４１とを覆うように、絶縁層１５が設けられている。絶縁層１５は、例えば酸化シリコンで構成され、光透過性を有している。
【００６２】
画素電極１７は、絶縁層１５上に設けられている。画素電極１７は、絶縁層１４や絶縁層１５に設けられたコンタクトホール（図示省略）を介して、ＴＦＴ３０の半導体層におけるドレイン領域に電気的に接続されている。配向膜１８は、画素電極１７を覆うように設けられている。
【００６３】
次に、電気光学装置用基板５の概要を説明する。
図５に示すように、電気光学装置用基板５は、基板本体６、基板本体６の表面６ａに設けられたプリズム７０や、プリズム７０を覆う第３絶縁膜８３などを有している。
上述したように、基板本体６は光を透過する基板であり、本実施形態では石英基板が使用されている。
【００６４】
プリズム７０は、基板本体６をエッチングすることで形成された第１溝部７１、第１溝部７１を覆う第１絶縁膜８１、第２溝部７５、及び第２溝部７５の開口部を塞ぐ第２絶縁膜８２、及び第２溝部７５と第２絶縁膜８２とで密閉された空気層８５などを有している。
【００６５】
第１絶縁膜８１及び第２絶縁膜８２は、例えば酸化シリコンで構成され、透光性を有している。第１溝部７１を第１絶縁膜８１で覆うことによって、第２溝部７５が形成される。第２溝部７５は、基板本体６の裏面６ｂから表面６ａに向かう方向、すなわちＺ（−）方向に広くなった形状を有している。
第２溝部７５は、本発明における「溝部」の一例である。第１絶縁膜８１は、本発明における「第１の絶縁膜」の一例である。第２絶縁膜８２は、本発明における「第２の絶縁膜」の一例である。
また、第１溝部７１は、第２溝部７５を形成するための前段階の溝部、すなわち本発明における「溝部」を形成するための前段階の溝部である。
【００６６】
第２溝部７５と第２絶縁膜８２とで囲まれた領域には、基板本体６の屈折率より低屈折率の空気層８５が配置されている。また、基板本体６（石英）、第１絶縁膜８１（酸化シリコン）、第２絶縁膜８２（酸化シリコン）、及び第３絶縁膜８３（酸化シリコン）は略同じ屈折率の材料で構成され、これら材料の界面（境界）で反射等による光の減衰は発生せず、これら材料が積層された領域の界面では、光は良好に透過する。一方、第２溝部７５の斜面７５ａ、すなわち屈折率が異なる空気層８５と第１絶縁膜８１との界面では、光は反射される。
【００６７】
図５において符号Ｌ１，Ｌ２が付された矢印は、光源（図示省略）から発せられ対向基板２０側から素子基板１０側に入射する光（以降、入射光と称す）を示している。実線で示された入射光Ｌ１は、開口領域Ｄ１に向けて入射する（進行する）光であり、破線で示された入射光Ｌ２は、非開口領域Ｄ２に向けて進行する光である。本実施形態の液晶装置１００は、後述する液晶プロジェクターに好適に使用できる光変調素子（ライトバルブ）であり、光源から発した光は、対向基板２０側から素子基板１０側に向けて入射するようになっている。液晶装置１００に入射した光は、開口領域Ｄ１で変調され、Ｚ（−）方向に射出され表示光となる。
【００６８】
図５に示すように、開口領域Ｄ１に向けて進行する入射光Ｌ１は、開口領域Ｄ１を通過し、Ｚ（−）方向に射出され、表示光となる。非開口領域Ｄ２に向けて進行する入射光Ｌ２は、プリズム７０（第２溝部７５の斜面７５ａ）で反射され、開口領域Ｄ１を通過し、Ｚ（−）方向に射出され表示光となる。
【００６９】
このように、プリズム７０によって、開口領域Ｄ１に向けて進行する入射光Ｌ１以外に非開口領域Ｄ２に向けて進行する入射光Ｌ２光も表示光として利用できるので、プリズム７０を形成していない場合と比べて入射光の利用効率を高めることができ、より明るい表示が実現される。
なお、光源から発した光は、素子基板１０側から対向基板２０側に向けて入射する場合であっても、プリズム７０によって入射光の利用効率を高めることができる。
【００７０】
「プリズムの構成」
次に図６を参照して、プリズム７０の構成を詳細に説明する。上述したように、プリズム７０は、第１溝部７１、第１絶縁膜８１、第２溝部７５、第２絶縁膜８２、及び空気層８５などを有している。
【００７１】
図６に示すように、第１溝部７１は、上溝部７２、下溝部７３、及び底面７４を有している。第１溝部７１は、基板本体６の裏面６ｂ側から基板本体６の表面６ａ側に向かう方向、すなわちＺ（−）方向に広がった形状を有している。
【００７２】
上溝部７２は、基準面Ｂに対して略面対称となるように配置された第１の斜面７２ａ，７２ｂを有している。下溝部７３は、基準面Ｂに対して略面対称となるように配置された第２の斜面７３ａ，７３ｂを有している。下溝部７３は、上溝部７２よりも基板本体６の表面６ａ側に配置されている。第２の斜面７３ａ，７３ｂは、第１の斜面７２ａ，７２ｂよりも基板本体６の表面６ａ側に配置されている。
以降の説明では、第１の斜面７２ａ，７２ｂや第２の斜面７３ａ，７３ｂなどの斜面と法線（Ｚ方向）とがなす角度を、傾斜角と称す。
【００７３】
第２の斜面７３ａ，７３ｂの傾斜角θ２ａ，θ２ｂは、第１の斜面７２ａ，７２ｂの傾斜角θ１ａ，θ１ｂよりも大きくなっている。具体的には、第２の斜面７３ａ，７３ｂの傾斜角θ２ａ，θ２ｂは４度から７度の範囲にあり、第１の斜面７２ａ，７２ｂの傾斜角θ１ａ，θ１ｂは１度から３度の範囲にある。
【００７４】
なお、本実施形態における斜面は、平面に加えて曲面も含む。すなわち、本実施形態における斜面と法線とがなす角度（傾斜角）は、一定な場合に加えて一定でない場合も含む。
【００７５】
底面７４は、第１溝部７１の底部であり、Ｙ方向に広がった形状を有している。詳細を後述するが、第１溝部７１は基板本体６をエッチングして形成される。底面７４は、基板本体６を深さ方向（法線方向）にエッチングする際の、エッチングガスと反応する領域となる。上述したように、基板本体６と第１絶縁膜８１との界面は光透過性を有するので、第１溝部７１の底部にＹ方向に広がった領域（底面７４）が形成されても、底面７４が光（入射光Ｌ１、入射光Ｌ２）の透過率に影響を及ぼすことはない。
【００７６】
第２溝部７５は、上溝部７６、下溝部７７、及び底辺７８を有している。第２溝部７５は、基板本体６の裏面６ｂ側から基板本体６の表面６ａ側に向かう方向、すなわちＺ（−）方向に広がった形状を有している。
【００７７】
上溝部７６は、基準面Ｂに対して略面対称となるように配置された第３の斜面７６ａ，７６ｂを有している。下溝部７７は、基準面Ｂに対して略面対称となるように配置された第４の斜面７７ａ，７７ｂを有している。下溝部７７は、上溝部７６よりも基板本体６の表面６ａ側に配置されている。第４の斜面７７ａ，７７ｂは、第３の斜面７６ａ，７６ｂよりも基板本体６の表面６ａ側に配置されている。
【００７８】
上述したように、第２溝部７５は、第１溝部７１を第１絶縁膜８１で覆うことによって形成される。従って、第１溝部７１の第１の斜面７２ａ，７２ｂを覆う第１絶縁膜８１の表面が、第２溝部７５の第３の斜面７６ａ，７６ｂとなる。第１溝部７１の第２の斜面７３ａ，７３ｂを覆う第１絶縁膜８１の表面が、第２溝部７５の第４の斜面７７ａ，７７ｂとなる。第３の斜面７６ａ，７６ｂの傾斜角θ３ａ，θ３ｂは、第１の斜面７２ａ，７２ｂの傾斜角θ１ａ，１ｂよりも小さくなっている。具体的には、第３の斜面７６ａ，７６ｂの傾斜角θ３ａ，θ３ｂは、３度よりも小さくなっている。
【００７９】
第３の斜面７６ａと第３の斜面７６ｂとが、基板本体６の表面６ａ側から基板本体６の裏面６ｂ側に向かう方向で繋がって、Ｘ方向に沿った底辺７８（第２溝部７５の底部）が形成される。Ｘ方向から見ると、第２溝部７５の底部は、Ｚ方向に尖った形状を有している。第２溝部７５の底部は、Ｙ方向に広がった形状を有していない。詳細を後述するが、第２溝部７５は、第１溝部７１に第１絶縁膜８１を堆積し、第１溝部７１を第１絶縁膜８１で覆うことによって形成される。第１溝部７１に第１絶縁膜８１を堆積する過程において、このようにＺ方向に尖った形状を容易に形成することができる。
【００８０】
上述したように、第２溝部７５の斜面７５ａ（第３の斜面７６ａ，７６ｂ、第４の斜面７７ａ，７７ｂ）は、異なる屈折率の材料（第１絶縁膜８１、空気層８５）で形成された界面であり、光の反射面となる。仮に、第２溝部７５の底部でＹ方向に広がった領域が存在すると、このＹ方向に広がった領域で光の反射が生じ、Ｚ（−）方向への光の反射（表示光となる方向への光の反射）が阻害され、液晶装置１００の光の利用効率が低下する。第１溝部７１と異なり、第２溝部７５の底部（７８）はＹ方向に広がった領域を有していないので、光の反射による光（入射光Ｌ１、入射光Ｌ２）の利用効率の低下が抑制される。また、第２溝部７５の底部７８はやや広がった領域を有することもできる。
【００８１】
第１溝部７１の斜面７１ａ（第１の斜面７２ａ，７２ｂ、第２の斜面７３ａ，７３ｂ）は、及び第２溝部７５の斜面７５ａ（第３の斜面７６ａ，７６ｂ、第４の斜面７７ａ，７７ｂ）は、基準面Ｂに対して略面対称となるように配置されているが、これに限定されない。例えば、第２溝部７５の第３の斜面７６ａ及び第３の斜面７６ｂが基準面Ｂに対して面対称となるように配置されず、第３の斜面７６ａの傾斜角θ３ａと第３の斜面７６ｂの傾斜角θ３ｂとが異なっていても、第３の斜面７６ａの傾斜角θ３ａ及び第３の斜面７６ｂの傾斜角θ３ｂが３度より小さくなっていれば、液晶装置１００の光の利用効率を大きくするという優れた効果を得ることができる。
同様に、第２の斜面７３ａの傾斜角θ２ａと第２の斜面７３ｂの傾斜角θ２ｂとは異なっていても良く、第２の斜面７３ａの傾斜角θ２ａ及び第２の斜面７３ｂの傾斜角θ２ｂは、４度から７度の範囲にあれば良い。また、第１の斜面７２ａの傾斜角θ１ａと第１の斜面７２ｂの傾斜角θ１ｂとは異なっていても良く、第１の斜面７２ａの傾斜角θ１ａ及び第１の斜面７２ｂの傾斜角θ１ｂは１度から３度の範囲にあれば良い。
【００８２】
第２絶縁膜８２は、第２溝部７５の第３の斜面７６ａ，７６ｂと離れた位置に配置され、第２溝部７５の開口部を塞ぎ、第１絶縁膜８１を覆って形成されている。詳細を後述するが、第２絶縁膜８２を形成する過程で、第２溝部７５と第２絶縁膜８２とで囲まれた領域に空気層８５（基板本体６よりも低屈折材料で充填された領域）が形成される。
【００８３】
このように、プリズム７０は非開口領域Ｄ２に配置され、光反射部としての機能を有し、非開口領域Ｄ２に向かって進行する光を開口領域Ｄ１に向けて反射し、液晶装置１００の光の利用効率を高める役割を有している。プリズム７０の光の反射面は、第２溝部７５の第３の斜面７６ａ，７６ｂとなる。光の反射面（第３の斜面７６ａ，７６ｂ）の傾斜角は、３度以下であることが好ましい。さらに、光の反射面（第３の斜面７６ａ，７６ｂ）の傾斜角は、小さい方がより好ましい。
本発明に係る製造方法は、より好ましい光の反射面を有するプリズム７０を安定して形成するために好適な構成を有している。以下に、その概要を説明する。
【００８４】
「電気光学装置用基板の製造方法」
図７は、電気光学装置用基板を形成するための工程フローである。図８乃至図１０は、図５に対応しており、図７に示す各工程を経た後の電気光学装置用基板の状態を示す模式断面図である。なお、図面を見やすくするために、図８乃至図１０における基板本体６の表面６ａ及び裏面６ｂの位置関係が、図５における基板本体６の表面６ａ及び裏面６ｂの位置関係と異なっている（逆になっている）。具体的には、図８乃至図１０は、基板本体６の裏面６ｂより上方に基板本体６の表面６ａが配置されている。
以下、図７乃至図１０を参照して、電気光学装置用基板の製造方法を説明する。
【００８５】
図７のステップＳ１では、基板本体６の表面６ａに、スパッタやＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）などの公知技術を用いてタングステンシリサイドを堆積し、ハードマスク９０を形成する。ハードマスク９０の膜厚は、概略２０００ｎｍ〜４０００ｎｍである。ハードマスク９０は、後述するステップＳ３工程において基板本体６をエッチングする際に、基板本体６に対して高いエッチング選択性を有する材料で構成される。ハードマスク９０を構成する材料は、上述したタングステンシリサイドの他に、例えばシリコンを使用することができる。
ハードマスク９０は、本発明における「マスク」の一例である。
【００８６】
図８（ａ）は、ステップＳ１を経た後の状態を示している。同図に示すように、ハードマスク９０は、基板本体６の表面６ａを覆って形成される。
【００８７】
図７のステップＳ２では、フォトリソ法で形成したレジスト（図示省略）をマスクとして、公知技術、例えば塩素及び酸素の混合ガスを用いたドライエッチングでハードマスク９０に異方性エッチングを施し、基板本体６の表面６ａを露出させる開口部９２を形成する。
【００８８】
図８（ｂ）は、ステップＳ２を経た後の状態を示している。開口部９２の壁面９１は、Ｚ方向に沿って形成される。基板本体６の表面６ａは、Ｚ方向に沿った壁面９１で囲まれた開口部９２によって露出されている。開口部９２のＹ方向の寸法Ｗ１は、概略１０００ｎｍ〜２０００ｎｍであり、開口部９２で露出された基板本体６が次の工程（ステップＳ３）でエッチングされる。以降、開口部９２で基板本体６が露出された領域のＹ方向の寸法を、開口寸法と称す。図８（ｂ）では、開口寸法がＷ１となる。
【００８９】
次に、ハードマスク９０をエッチングマスクとして、ハードマスク９０及び基板本体６に異方性エッチングを施す。ハードマスク９０及び基板本体６に異方性エッチングを施す工程の効果を分かりやすくするために、以降ハードマスク９０及び基板本体６に異方性エッチングを施す工程を、ステップＳ３及びステップＳ４に分けて説明する。
ハードマスク９０をエッチングすると、ハードマスク９０は、Ｚ方向の寸法（膜厚）に加えてＹ方向の寸法も変化する。その結果、図８（ｃ）及び図９（ａ）に示すように、ハードマスク９０の壁面９１の位置は、図中の矢印で示された方向、すなわちＺ方向と交差する方向に変化する（後退する）。ハードマスク９０の壁面９１の位置の後退量が大きくなると、基板本体６の表面６ａを露出された領域の寸法（開口寸法）も変化するようになる。図７に示すステップＳ３は、ハードマスク９０の壁面９１の位置の後退量が小さく、開口寸法が変化していない状態に対応している。ステップＳ４は、ハードマスク９０の壁面９１の位置の後退量が大きく、開口寸法が変化している状態に対応している。また、ステップＳ３及びステップＳ４は、同じ条件で連続的にエッチングされている。
ステップＳ３及びステップＳ４は、本発明における「壁面が後退するようにマスクをエッチングしながら、開口部の露出された基板に異方性エッチングを施す工程」の一例である。
【００９０】
図７のステップＳ３では、公知技術、例えば高密度プラズマを形成可能なＩＣＰ（ICP-RIE／Inductive Coupled Plasma-RIE）を用いて、ハードマスク９０及び開口部９２で露出された基板本体６に異方性エッチングを施し、基板本体６の表面６ａに前駆溝部６８を形成する。例えば、フッ素系ガスや酸素などの混合ガスをエッチングガスに用いると、ハードマスク９０（タングステンシリサイド）のエッチング速度及び基板本体６（石英）のエッチング速度の比率を１：１０以上とすることができる。
なお、前駆溝部６８は、後述するステップＳ４で第１溝部７１となる。
【００９１】
図８（ｃ）は、ステップＳ３を経た後の状態を示している。また、同図の２点鎖線は、ステップＳ２を経た後のハードマスク９０の輪郭（図８（ｂ））を示し、同図の矢印は、壁面９１の後退方向を示している。
ハードマスク９０は、ハードマスク９０のＹ方向に沿った面と比べて、ハードマスク９０の端部（壁面９１の頂部）のほうがエッチングされやすく、壁面９１はＺ方向と交差する方向（矢印で示す方向）に後退する。壁面９１の位置が矢印方向に後退すると、壁面９１は、Ｙ方向に対して垂直な状態からＹ方向に対して傾斜した状態に変化する。ステップＳ３の開口寸法Ｗ１は、ステップＳ２と同じ寸法（概略１０００ｎｍ〜２０００ｎｍ）を維持している。
【００９２】
ステップＳ３では、開口寸法Ｗ１（概略１０００ｎｍ〜２０００ｎｍ）で露出された領域の基板本体６が、エッチング過程で生じる保護膜（例えば、ＣＦポリマー）を側壁に堆積しながらＺ方向（深さ方向）にエッチングする。すなわち、保護物でＹ方向（横方向）のエッチングを抑制しながら、Ｚ方向（深さ方向）にエッチングする。前駆溝部６８の側壁は、Ｚ方向と交差するように傾斜し、いわゆるテーパー形状に加工される。ステップＳ３によって、深さ（Ｚ方向の長さ）２５０００ｎｍの前駆溝部６８が形成される。
【００９３】
Ｚ方向（深さ方向）のエッチングを継続させるためには、エッチング反応が生じる領域（エッチング領域）が必要であり、破線Ｄで囲まれた領域に示すように、前駆溝部６８の底部にＹ方向に広がったエッチング領域（底面７４）が形成される。仮に、破線Ｄで囲まれた領域がＶ字形状、すなわち側壁同志が繋がった形状になると、側壁は保護膜でエッチングが抑制されているので、Ｙ方向に加えてＺ方向のエッチングも抑制され、Ｚ方向に深くエッチングすることが難しくなる。
【００９４】
さらに、Ｚ方向（深さ方向）のエッチングを継続させるためには、上述した内容の他に、エッチング反応で生じた反応生成物をエッチング領域から排出することが必要となる。例えば、エッチング領域に反応生成物が滞留すると、エッチング反応が抑制され、Ｚ方向へのエッチングが進行しにくくなる。
【００９５】
図７のステップＳ４では、ステップＳ３と同じ条件でハードマスク９０及び開口部９２で露出された基板本体６に異方性エッチングを施し、基板本体６の表面６ａに第１溝部７１を形成する。
【００９６】
図９（ａ）は、ステップＳ４を経た後の状態を示している。また、同図の２点鎖線は、ステップＳ３を経た後のハードマスク９０の輪郭（図８（ｃ））を示し、同図の矢印は、壁面９１の後退方向を示している。
ステップＳ４では、基板本体６が露出された領域のＹ方向の寸法（開口寸法）が変化している、すなわち開口寸法Ｗ２を大きくしながら、基板本体６を深さ方向にエッチングする。
【００９７】
ここで、Ｙ方向と側壁とがなす角を、テーパー角と定義する。開口部９２の開口寸法Ｗ２を大きくしながら、基板本体６を深さ方向にエッチングすることによって、基板本体６の表面６ａの側に、テーパー角が小さくなった領域（緩勾配となった領域）が形成される。その結果、第１溝部７１には、テーパー角が異なる２種類の領域が形成される。テーパー角が小さくなった領域（緩勾配となった領域）の第１溝部７１は、下溝部７３に対応する。テーパー角が大きくなった領域（急勾配となった領域）の第１溝部７１は、上溝部７２に対応する。テーパー角が小さくなった領域の第１溝部７１の側壁は、第２の斜面７３ａ，７３ｂに対応する。テーパー角が大きくなった領域の第１溝部７１の側壁は、第１の斜面７２ａ，７２ｂに対応する。
【００９８】
ステップＳ４では、基板本体６の表面６ａの側にテーパー角が小さくなり、広く開口された領域が形成される。この広く開口された領域は、ドライエッチングで使用する反応ガスの給排気口に相当する。反応ガスの給排気口が広くなっているので、上述した反応生成物をエッチング領域から円滑に排気（排出）したり、エッチングガスをエッチング領域に円滑に給気（供給）することができる。すなわち、基板本体６の表面６ａの側に広く開口された領域を設けることによって、Ｚ方向（深さ方向）のエッチングを円滑に進行させることができる。その結果、より深く、より急勾配の第１溝部７１を形成することができる。
ステップＳ４によって、基板本体６の表面６ａにおける開口寸法（Ｙ方向長さ）が１５００ｎｍ〜２５００ｎｍ、及び深さ（Ｚ方向の長さ）が概略３００００ｎｍの第１溝部７１が形成される。また、第１溝部７１底部には、Ｙ方向に広がった領域（底面７４）が形成されている。
【００９９】
図７のステップＳ５では、公知技術、例えば塩素及び酸素の混合ガスを用いたドライエッチングによって、ハードマスク９０を選択的に除去する。
【０１００】
図９（ｂ）は、ステップＳ５を経た後の状態を示している。同図に示すように、基板本体６の裏面６ｂ側から基板本体６の表面６ａ側に向かう方向、すなわちＺ（−）方向に広がった形状の第１溝部７１が形成される。第１溝部７１は、基板本体６の表面６ａ側に配置された緩勾配の斜面（第２の斜面７３ａ，７３ｂ）を有する領域（下溝部７３）と、基板本体６の裏面６ｂ側に配置された急勾配の斜面（第１の斜面７２ａ，７２ｂ）を有する領域（上溝部７２）とを備える。第２の斜面７３ａ，７３ｂの傾斜角θ２ａ，θ２ｂは、第１の斜面７２ａ，７２ｂの傾斜角θ１ａ，θ１ｂよりも大きく、第２の斜面７３ａ，７３ｂの傾斜角θ２ａ，θ２ｂは４度から７度の範囲にあり、第１の斜面７２ａ，７２ｂの傾斜角θ１ａ，θ１ｂは１度から３度の範囲にある。
【０１０１】
図７のステップＳ６では、段差被覆性に優れた成膜法、例えばＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン（Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4））を用いたプラズマＣＶＤによって酸化シリコンを成膜し、第１絶縁膜８１を形成する。第１絶縁膜８１は第１溝部７１を覆い、第１溝部７１に対応する位置に第２溝部７５が形成される。
【０１０２】
図９（ｃ）は、ステップＳ６を経た後の状態を示している。プラズマＣＶＤは、シラン（ＳｉＨ4）やＴＥＯＳなどの材料ガスと、亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）や酸素などの酸化ガス（酸素供給源としての材料ガス）とをプラズマ中で分解し、材料ガスから生成される反応生成物の前駆体ラジカルと、酸化ガスから生成される酸素ラジカルとを反応させ、酸化シリコンを形成する成膜方法である。また、当該プラズマＣＶＤは、気相反応過程、表面反応過程、及び堆積膜反応過程という過程を経て、酸化シリコンが堆積される。ＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤは、表面反応過程が支配的であり、プラズマ中で形成された前駆体ラジカルが第１溝部７１の表面に吸着し、酸素ラジカルと反応して酸化シリコンが形成される。前駆体ラジカルは第１溝部７１の内部にはいりやすいため、ＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤで形成される酸化シリコンは、段差被覆性に優れ、第１溝部７１の内部の全域（第１の斜面７２ａ，７２ｂ、第２の斜面７３ａ，７３ｂ、底面７４）を容易に覆うことができる。
【０１０３】
さらに、第１溝部７１は、基板本体６の表面６ａ側にテーパー角が小さくなり、広く開口された領域を有している。この広く開口された領域は、上記前駆体ラジカルの入口に相当する。前駆体ラジカルの入口が広くなっているので、前駆体ラジカルは第１溝部７１の中にはいりやすく、ＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤで形成される酸化シリコンは、第１溝部７１の全域をより容易に覆うことができる。その結果、第１溝部７１の表面（第１の斜面７２ａ，７２ｂ、第２の斜面７３ａ，７３、底面７４）は第１絶縁膜８１で覆われ、第１溝部７１に対応する位置に第２溝部７５が形成される。
【０１０４】
プラズマＣＶＤやスパッタなどの真空成膜法では、第１溝部７１が形成されていない平坦な領域と比べて、第１溝部７１が形成され窪んだ領域の中に、膜の原材料（前駆体ラジカル）が供給されにくくなる。このため、第１溝部７１の頂部側から第１溝部７１の底部側に向けて、第１絶縁膜８１の形成速度（酸化シリコンの成膜速度）が小さくなる。すなわち、第１溝部７１の頂部側から第１溝部７１の底部側に向けて、第１絶縁膜８１の膜厚が小さくなる。その結果、図９（ｃ）に示すように、基板本体６の表面６ａ側から裏面６ｂ側に向けて、第１溝部７１の斜面（第１の斜面７２ａ，７２ｂ、第２の斜面７３ａ，７３ｂ）を覆う第１絶縁膜８１の膜厚が小さくなる。
【０１０５】
第１溝部７１の第１の斜面７２ａ，７２ｂを覆う第１絶縁膜８１の表面が第２溝部７５の第３の斜面７６ａ，７６ｂであり、第１絶縁膜８１の膜厚が基板本体６の表面６ａ側から裏面６ｂ側に向けて小さくなっているので、第１の斜面７２ａ，７２ｂの内側に設けられた第３の斜面７６ａ，７６ｂの斜面は、第１の斜面７２ａ，７２ｂよりも急勾配となる。このように、第１溝部７１の斜面を第１絶縁膜８１で覆うことによって、より急勾配の斜面を有する第２溝部７５が形成される。具体的には、第１の斜面７２ａ，７２ｂの傾斜角θ１ａ，θ１ｂよりも小さくなった、３度よりも小さい傾斜角θ３ａ，θ３ｂの第３の斜面７６ａ，７６ｂが形成される。
【０１０６】
さらに、プラズマＣＶＤやスパッタなどの真空成膜法で形成する場合、膜の原材料（前駆体ラジカル）は、第１溝部７１のＹ方向側の面（第１の斜面７２ａ，７２ｂ、第２の斜面７３ａ，７３）と比べて、第１溝部７１のＺ方向側の面（底面７４）に供給されやすく、第１溝部７１のＹ方向側の面と比べて、第１溝部７１のＺ方向側の面に第１絶縁膜８１が堆積されやすい。このように、プラズマＣＶＤやスパッタなどの真空成膜法では、Ｙ方向側の面に堆積されにくく、Ｚ方向側の面に堆積されやすいという異方性を有している。この異方性によって、第１溝部７１の底部側でＹ方向に広がった底面７４の形状は緩和され、第２溝部７５の底部の形状に反映されにくくなる。その結果、第２溝部７５は、頂部側（基板本体６の表面６ａ側）から底部側（基板本体６の裏面６ｂ側）に向かう方向に尖った形状となり、第１溝部７１の底部側で発生したＹ方向に広がった領域が解消される。
【０１０７】
さらに、第２溝部７５は、上記異方性によって、基板本体６の表面６ａ側から基板本体６の裏面６ｂ側に向かう方向により急峻（急勾配）となった形状を有するようになる。その結果、第２溝部７５の第３の斜面７６ａ，７６ｂの傾斜角θ３ａ，θ３ｂは、基板本体６の表面６ａ側から基板本体６の裏面６ｂ側に向かう方向に小さくなる。
基板本体６の表面６ａ側から基板本体６の裏面６ｂ側に向かう方向により急峻に尖った形状は、プリズム７０の反射面としてより好ましい。すなわち、本実施形態に係る製造方法によって、より好ましい形状のプリズム７０を形成することができる。
【０１０８】
図７のステップＳ７では、段差被覆性に劣る成膜法、例えばシランを用いたプラズマＣＶＤによって酸化シリコンを堆積し、第２絶縁膜８２を形成する。第２絶縁膜８２は第２溝部７５の開口部を塞ぎ、第２絶縁膜８２と第２溝部７５とで囲まれた領域（密閉された領域）に空気層８５を形成する。そして、第１溝部７１、第１絶縁膜８１、第２溝部７５、第２絶縁膜８２、及び空気層８５で構成されたプリズム７０が形成される。
【０１０９】
図１０（ａ）は、ステップＳ７を経た後の状態を示している。シランを用いたプラズマＣＶＤは、シランの反応性が高いために、気相反応過程（気相中での化学反応）が支配的となる。すなわち、前駆体ラジカルと酸素ラジカルとが主に気相中で反応し、気相中で生成した酸化シリコンが、第１絶縁膜８１の表面に堆積する。気相中で生成した酸化シリコンは、第２溝部７５の中にはいりにくく、第２溝部７５の頂部側に厚く形成され、第２溝部７５の頂部の開口部分を塞ぐ（密閉する）。このとき第２溝部７５内は、酸化シリコンを堆積する際の雰囲気の状態で密封される。具体的には、シランを用いたプラズマＣＶＤによって酸化シリコンを堆積する際に使用したガスが、減圧された状態で第２絶縁膜８２と第２溝部７５とで囲まれた領域に密閉され、空気層８５が形成される。
【０１１０】
図７のステップＳ８では、例えばＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤによって酸化シリコンを堆積した後、平坦化処理を施し、平坦な面を有する第３絶縁膜８３を形成する。
【０１１１】
図１０（ｂ）は、ステップＳ８を経た後の状態を示している。段差被覆性に優れた成膜法、例えばＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤによって形成した酸化シリコンに、例えば化学的機械的研磨（Chemical  Mechanical  Polishing、以下ＣＭＰと称す）によって平坦化処理を施し、第２絶縁膜８２を覆う第３絶縁膜８３を形成する。ＣＭＰでは、研磨液に含まれる化学成分の化学的作用と、研磨剤と素子基板１０との相対移動による機械的作用との兼ね合いによって、高速で平坦な研磨面を得ることができる。その結果、プリズム７０を形成することによる表面凹凸が解消され、平坦な面を有する第３絶縁膜８３が形成される。
【０１１２】
なお、上述した第２絶縁膜８２を堆積するだけで、第２溝部７５の頂部の開口部分を塞ぐことが難しい場合は、第２溝部７５の内部に予め犠牲膜となるポリシリコンなどを埋め込んで堆積し、ダマシン法で埋め込み平坦化する。その上層に第２絶縁膜８２を堆積する。さらに、第２絶縁膜８２にエッチング用の小孔を形成して選択的に犠牲膜をエッチング除去することで、第２溝部７５の内部を空洞にする。その後、第３絶縁膜８３を堆積し、エッチング用の小孔を塞ぐことで、第２溝部７５の内部に空気層８５が密閉されたプリズム１１０を形成することができる。この場合、ＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤによって酸化シリコン（第３絶縁膜８３）を堆積する際に使用したガスが、減圧された状態で第２絶縁膜８２と第２溝部７５とで囲まれた領域に密閉され、空気層８５が形成される。
【０１１３】
（実施形態２）
図１１は、実施形態２に係る液晶装置の概略断面図であり、図５に対応している。
以下、図１１を参照して、本実施形態に係る液晶装置２００を、実施形態１との相違点を中心に説明する。また、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明を省略する。
【０１１４】
実施形態１に係る液晶装置１００では、電気光学装置用基板５が対向基板２０側に使用されている。本実施形態に係る液晶装置２００では、電気光学装置用基板５が素子基板１０側に使用されている。この点が本実施形態と実施形態１との相違点であり、他の構成は実施形態１と同じである。
【０１１５】
図１１に示すように、対向基板２０は、対向基板本体２１、対向基板本体２１の液晶層５０側の面に順に積層された遮光膜５３（図示省略）、絶縁膜２２、対向電極２３、及び配向膜２４などを有している。対向基板本体２１には、例えば石英基板が使用されている。
【０１１６】
素子基板１０は、電気光学装置用基板５、並びに電気光学装置用基板５の液晶層５０側の面に順に積層された走査線１２、絶縁層１３、ＴＦＴ３０、絶縁層１４、データ線１６、絶縁層１５、画素電極１７、及び配向膜１８などを備えている。
【０１１７】
電気光学装置用基板５には、光反射部としてのプリズム７０が非開口領域Ｄ２に設けられている。プリズム７０の光反射面を形成する第２溝部７５の斜面７５ａは、基板本体６の裏面６ｂ側から基板本体６の表面６ａ側に向かう方向、すなわちＺ方向に広がって配置されている。
【０１１８】
本実施形態の液晶装置２００は、後述する液晶プロジェクターに好適に使用できる光変調素子（ライトバルブ）であり、光源から発した光は、素子基板１０側から対向基板２０側に向けて入射するようになっている。液晶装置２００に入射した光は、開口領域Ｄ１で変調され、Ｚ方向に射出され、液晶プロジェクターの表示光となる。
【０１１９】
開口領域Ｄ１に向かって進行する入射光Ｌ１は、開口領域Ｄ１を通過し、Ｚ方向に射出され表示光となる。非開口領域Ｄ２に向かって進行する入射光Ｌ２は、プリズム７０（第２溝部７５の斜面７５ａ）で反射され、開口領域Ｄ１を通過し、Ｚ方向に射出され表示光となる。このように、プリズム７０によって、開口領域Ｄ１に向かって進行する入射光Ｌ１以外に非開口領域Ｄ２に向かって進行する入射光Ｌ２光も表示光として利用できるので、プリズム７０を形成していない場合と比べて入射光の利用効率を高めることができ、より明るい表示が実現される。
なお、光源から発した光は、対向基板２０側から素子基板１０側に向けて入射する場合であっても、プリズム７０によって入射光の利用効率を高めることができる。
【０１２０】
（実施形態３）
「電子機器」
図１２は電子機器としての投射型表示装置（液晶プロジェクター）の構成を示す概略図である。図１２に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【０１２１】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【０１２２】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【０１２３】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【０１２４】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【０１２５】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０には、上述した実施形態１の液晶装置１００や実施形態２の液晶装置２００が適用されている。液晶装置１００や液晶装置２００に使用されている電気光学装置用基板５（プリズム７０）によって光の利用効率を高めることができ、より明るい表示を実現することができる。
【０１２６】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置及び該液晶装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０１２７】
（変形例１）液晶装置１００，２００に適用させることに限定されず、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子を有する発光装置にも適用することができる。電気光学装置用基板５（プリズム７０）によって光の利用効率を高めることができるので、電気光学装置用基板５（プリズム７０）を有する発光装置では、より明るい表示を実現することができる。
【０１２８】
（変形例２）電気光学装置用基板５は、素子基板１０側及び対向基板２０側の両方に使用されていても良い。すなわち、電気光学装置用基板５は、素子基板１０側及び対向基板２０側の少なくとも一方に使用されていれば良い。
【０１２９】
（変形例３）上記液晶装置１００，２００が適用される電子機器は、実施形態３の投射型表示装置１０００に限定されない。投射型表示装置１０００の他に、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、ＰＯＳなどの情報端末機器、及び電子手帳などの電子機器に、液晶装置１００，２００を適用させることができる。
【符号の説明】
【０１３０】
５…電気光学装置用基板、６…基板本体、６ａ…表面、６ｂ…裏面、１０…素子基板、１１…素子基板本体、１２…走査線、１３，１４，１５…絶縁層、１６…データ線、１７…画素電極、１８…配向膜、２０…対向基板、２１…対向基板本体、２２…絶縁膜、２３…対向電極、２４…配向膜、３０…ＴＦＴ、４０…蓄積容量、４１…容量線、５０…液晶層、５２…シール材、５３…遮光膜、６８…前駆溝部、７０…プリズム、７１…第１溝部、７１ａ…斜面、７２…上溝部、７２ａ…第１の斜面、７２ｂ…第１の斜面、７３…下溝部、７３ａ…第２の斜面、７３ｂ…第２の斜面、７４…底面、７５…第２溝部、７５ａ…斜面、７６…上溝部、７６ａ…第３の斜面、７６ｂ…第３の斜面、７７…下溝部、７７ａ…第４の斜面、７７ｂ…第４の斜面、７８…底辺、８１…第１絶縁膜、８２…第２絶縁膜、８３…第３絶縁膜、８５…空気層、９０…ハードマスク、９１…壁面、９２…開口部、１００，２００…液晶装置、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部接続用端子、１０４…走査線駆動回路、１０５…配線、１０６…上下導通部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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