(57)【要約】      （修正有）【課題】コモンモードインピーダンスを増強するとともに正確に制御するために、構造が簡単で効果的に超小型化することが可能な薄膜型コモンモードフィルタを提供する。【解決手段】薄膜型コモンモードフィルタは、非磁性材質の絶縁基板と、非磁性材質の絶縁基板に設けられるコイル主体積層構造と、を含む。コイル主体積層構造は、第１のコイル、第２のコイル、第３のコイル及び第４のコイルを含む。第１のコイルと第３のコイルとが電気的に直列され、第２のコイルと第４のコイルとが電気的に直列される。第１のコイル、第２のコイル、第３のコイル及び第４のコイルの何れの総線長Ｌ（ｍｍ）及び線幅Ｗ（ｍｍ）は、［（７．２−ｆｃ）／３．０］２＜Ｌ／Ｗ＜［（８．１５−ｆｃ）／２．７］２の関係式を満たす。式中、ｆｃは差動モード信号のカットオフ周波数である。【選択図】図２
2014103335.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
携帯型電子装置に適用されており、前記携帯型電子装置の電子回路が作動する際に生成したコモンモードノイズを除去するための薄膜型コモンモードフィルタであって、
非磁性材質の絶縁基板と、
前記非磁性材質の絶縁基板の上に設けれており、第１のコイルを有する第１の導体層と、
前記第１の導体層の上に設けられており、第２のコイルを有する第２の導体層と、
前記第１の導体層と前記第２の導体層との間に設けられる第１の電気絶縁層と、
前記第２の導体層の上に設けられており、第３のコイルを有する第３の導体層と、
前記第２の導体層と前記第３の導体層との間に設けられる第２の電気絶縁層と、
前記第３の導体層の上に設けられており、第４のコイルを有する第４の導体層と、
前記第３の導体層と前記第４の導体層との間に設けられる第３の電気絶縁層と、
前記第３の電気絶縁層の上に設けられる絶縁層と、
前記絶縁層の上に設けられる磁性材料層と、
を含み、
前記第１のコイルが前記第１の電気絶縁層と前記第２の電気絶縁層を介して前記第３のコイルと電気的に直列されることで、前記第１のコイルと前記第３のコイルは共同でコモンモードノイズを除去し、
前記第２のコイルが前記第２の電気絶縁層と前記第３の電気絶縁層を介して前記第４のコイルと電気的に直列されることで、前記第２のコイルと前記第４のコイルは共同でコモンモードノイズを除去し、
前記第１のコイル、前記第２のコイル、前記第３のコイル及び前記第４のコイルの何れの総線長Ｌ（ｍｍ）及び線幅Ｗ（ｍｍ）は、［（７．２−ｆｃ）／３．０］２＜Ｌ／Ｗ＜［（８．１５−ｆｃ）／２．７］２の関係式を満たし、ｆｃは差動モード信号のカットオフ周波数であることを特徴とする薄膜型コモンモードフィルタ。
【請求項２】
前記非磁性材質の絶縁基板と前記第１の導体層との間に設けられる他の磁性材料層を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜型コモンモードフィルタ。
【請求項３】
複数の磁性部を更に含み、
前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層及び前記第３の電気絶縁層にはそれぞれ貫通孔が開設され、
前記複数の磁性部は、前記第１の電気絶縁層の貫通孔、前記第２の電気絶縁層の貫通孔、前記第３の電気絶縁層の貫通孔を介して、前記第１のコイル、前記第２のコイル、前記第３のコイル及び前記第４のコイルの内側に設けられることを特徴とする請求項１に記載の薄膜型コモンモードフィルタ。
【請求項４】
前記第１のコイル、前記第２のコイル、前記第３のコイル及び前記第４のコイルは、内端部と外端部を有し、
前記第１の電気絶縁層には第１の接続孔が設けられ、
前記第２の電気絶縁層には第２の接続孔と第３の接続孔が設けられ、
前記第３の電気絶縁層には第４の接続孔が設けられ、
前記第１の接続孔と前記第２の接続孔は、前記第１のコイルの内端部と前記第３のコイルの内端部の対応する箇所に位置し、
前記第３の接続孔と前記第４の接続孔は、前記第２のコイルの内端部と前記第４のコイルの内端部の対応する箇所に位置することを特徴とする請求項１に記載の薄膜型コモンモードフィルタ。
【請求項５】
前記第１のコイルの内端部は、前記第１の接続孔と前記第２の接続孔を介して前記第３のコイルの内端部に電気的に直列され、
前記第２のコイルの内端部は、前記第３の接続孔と前記第４の接続孔を介して前記第４のコイルの内端部に電気的に直列されることを特徴とする請求項１に記載の薄膜型コモンモードフィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コモンモードフィルタ（ｃｏｍｍｏｎ  ｍｏｄｅ  ｆｉｌｔｅｒ）に関するものであり、特に携帯型電子装置に適用される薄膜型コモンモードフィルタ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｙｐｅ  ｃｏｍｍｏｎ  ｍｏｄｅ  ｆｉｌｔｅｒ）に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
コモンモードフィルタは、コモンモード電流（ｃｏｍｍｏｎ  ｍｏｄｅ  ｃｕｒｒｅｎｔ）を抑制するための素子である。コモンモード電流は、平行伝送線路内に電磁干渉（Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ、ＥＭＩ）を発生させるものであり、電子回路におけるノイズの要因の１つである。携帯型電子装置の超小型化に伴い、携帯型電子装置に適用されるコモンモードフィルタは、超小型化と高密度の構造を有することが求められることが多くなってきた。そのため、薄膜型と積層型のコモンモードフィルタが従来の巻線コモンモードフィルタに取って代わりつつある。
【０００３】
日本公開特許公報ＪＰ２０００−１７３８２４Ａ（特許文献１）において、絶縁基板と、該絶縁基板上に導体パターンと絶縁層とを交互に積層して形成した積層体と、前記導体パターンに電気的に接続されると共に、前記絶縁基板と前記積層体とに渡って形成された外部電極端子部とを備えた電子部品において、前記導体パターンの少なくとも一部を遮蔽するための磁性体から成る層又は小片を設けたことを特徴とする電子部品が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】日本公開特許公報ＪＰ２０００−１７３８２４Ａ
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、先行技術の電子部品はコモンモードインピーダンス（ｃｏｍｍｏｎ  ｍｏｄｅ  ｉｍｐｅｄａｎｃｅ）を増強するために、導体パターンの巻数を増加しなければならないため、電子部品の体積が大きくなる欠点がある。また、先行技術には更に、積層体の導体パターンを変えることによってコモンモードインピーダンスを制御することが開示されているが、導体パターンと絶縁層を交互に積層するため、構造が複雑となり、その影響による製造工程の変動も極めて多い。
【０００６】
上記の事情に鑑みて、本願発明者は、関連製品の製造開発及び設計に長年携わって来た経験に基づき、上述した目標について、細やかな設計を施し、つぶさに検討、評価を行うことによって、確実に実用性を備える本願発明を得るに至った。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、コモンモードインピーダンスを増強するとともに正確に制御するために、構造が簡単で効果的に超小型化することが可能な薄膜型コモンモードフィルタを提供する。本発明に係る薄膜型コモンモードフィルタは、非磁性材質の絶縁基板、第１の導体層、第１の電気絶縁層、第２の導体層、第２の電気絶縁層、第３の導体層、第３の電気絶縁層、第４の導体層、絶縁層及び磁性材料層を順次含む。
【０００８】
第１の導体層は、非磁性材質の絶縁基板に設けられ、且つ第１のコイルを有する。第２の導体層は、第１の導体層の上方に設けられ、且つ第２のコイルを有する。第１の電気絶縁層は、第１の導体層と第２の導体層との間に設けられる。第３の導体層は、第２の導体層の上方に設けられ、且つ第３のコイルを有する。第２の電気絶縁層は、第２の導体層と第３の導体層との間に設けられる。第１のコイルが第１の電気絶縁層と第２の電気絶縁層を介して第３のコイルに直列に配置されることによって、第１のコイル及び第３のコイルにより、共同でコモンモードノイズ（ｃｏｍｍｏｎ  ｍｏｄｅ  ｎｏｉｓｅ）を除去する。
【０００９】
第４の導体層は、第３の導体層の上方に設けられ、且つ第４のコイルを有する。第３の電気絶縁層は、第３の導体層と第４の導体層との間に設けられる。第２のコイルが第２の電気絶縁層と第３の電気絶縁層を介して第４のコイルに直列に配置されることによって、第２のコイル及び第４のコイルにより、共同でコモンモードノイズを消去する。絶縁層は、第３の電気絶縁層に設けられる。磁性材料層は、絶縁層に設けられる。
【００１０】
ここで、第１のコイル、第２のコイル、第３のコイル及び第４のコイルの何れの総線長Ｌ（ｍｍ）及び線幅Ｗ（ｍｍ）は、
［（７．２−ｆｃ）／３．０］２＜Ｌ／Ｗ＜［（８．１５−ｆｃ）／２．７］２
の関係式を満たす。式中、ｆｃは差動モード信号（ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ−ｍｏｄｅ  ｓｉｇｎａｌ）のカットオフ周波数である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る薄膜型コモンモードフィルタにおいては、電気的に直列接続された第１のコイル及び第３のコイルが相互に磁性的にカップリングされることでコモンモードノイズを除去することができる。また、本発明に係る薄膜型コモンモードフィルタにおいては、電気的に直列接続された第２のコイル及び第４のコイルが相互に磁性的にカップリングされることでコモンモードノイズを除去することもできる。これにより、本発明に係る薄膜型コモンモードフィルタは、コイルの巻数を増加しなくても、カットオフ周波数を一定の範囲内に制御することでコモンモードインピーダンスを増強するとともに正確に制御することができ、効果的に超小型化することができる。また、本発明に係る薄膜型コモンモードフィルタは、各コイルが非磁性材質の絶縁基板に設けられることによって、コモンモードインピーダンスを正確に制御することができ、カットオフ周波数を一定の範囲内に正確に制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１の実施例の薄膜型コモンモードフィルタの立体分解図を示すものである。
【図２】本発明に係る薄膜型コモンモードフィルタによって生成されるカットオフ周波数と、各コイルの総線長を線幅で除算したものとの関係を示す模式図である。
【図３】本発明の第２の実施例の薄膜型コモンモードフィルタの立体分解図を示すものである。
【図４】本発明の第３の実施例の薄膜型コモンモードフィルタの立体分解図を示すものである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（第１の実施例）
図１は、本発明の第１の実施例の薄膜型コモンモードフィルタ１の立体分解図を示すものである。薄膜型コモンモードフィルタ１は、非磁性材質の絶縁基板１０、コイル主体積層構造２０、絶縁層３０及び磁性材料層４０を含む。コイル主体積層構造２０は、非磁性材質の絶縁基板１０に設けられる。磁性材料層４０がコイル主体積層構造２０の上に設けられることによって薄膜型コモンモードフィルタ１の蓋体となるようにする。本実施例において、絶縁層３０は接着剤層であってもよいが、それに限定されない。
【００１４】
具体的に言えば、非磁性材質の絶縁基板１０は、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ガラス（Ｇｌａｓｓ）、石英（Ｑｕａｒｔｚ）、若しくは高誘電率を有する非磁性材質で製造した絶縁基板である。コイル主体積層構造２０は、第１の導体層２１、第１の電気絶縁層２２、第２の導体層２３、第２の電気絶縁層２４、第３の導体層２５、第３の電気絶縁層２６及び第４の導体層２７を順次含む。絶縁層３０が磁性材料層４０とコイル主体積層構造２０との間に設けられることによって、磁性材料層４０がコイル主体積層構造２０に覆われるようになっているため、薄膜型コモンモードフィルタ１のインダクタンス効果を向上することができる。
【００１５】
以下、図１を参照しながらコイル主体積層構造２０の具体的特徴について詳述する。第１の導体層２１は、非磁性材質の絶縁基板１０の表面に設けられる。第１の導体層２１は、第１のコイル２１１、第１の電極２１２、第２の電極２１３、第３の電極２１４及び第４の電極２１５を含む。第１のコイル２１１は、内端部２１１１及び外端部２１１２を備える。第１のコイル２１１の外端部２１１２は、第１の電極２１２に電気的に接続される。
【００１６】
第２の導体層２３は、第１の電気絶縁層２２の表面に形成される。即ち、第２の導体層２３及び第１の導体層２１は、第１の電気的絶縁層２２の対向する両表面にそれぞれ設けられる。第２の導体層２３は、第２のコイル２３１、第１の電極２３２、第２の電極２３３、第３の電極２３４及び第４の電極２３５を備える。第２のコイル２３１は、内端部２３１１及び外端部２３１２を備える。第２のコイル２３１の外端部２３１２は、第３の電極２３４に電気的に接続される。
【００１７】
第３の導体層２５は、第２の電気絶縁層２４の表面に形成される。即ち、第３の導体層２５及び第２の導体層２３は、第２の電気的絶縁層２４の対向する両表面にそれぞれ設けられる。第３の導体層２５は、第３のコイル２５１、第１の電極２５２、第２の電極２５３、第３の電極２５４及び第４の電極２５５を備える。第３のコイル２５１は、内端部２５１１及び外端部２５１２を備える。第３のコイル２５１の外端部２５１２は、第２の電極２５３に電気的に接続される。
【００１８】
第４の導体層２７は、第３の電気絶縁層２６の表面に形成される。即ち、第４の導体層２７及び第３の導体層２５は、第３の電気的絶縁層２６の対向する両表面にそれぞれ設けられる。第４の導体層２７は、第４のコイル２７１、第１の電極２７２、第２の電極２７３、第３の電極２７４及び第４の電極２７５を備える。第４のコイル２７１は、内端部２７１１及び外端部２７１２を備える。第４のコイル２７１の外端部２７１２は、第４の電極２７５に電気的に接続される。
【００１９】
本実施例において、第１のコイル２１１、第２のコイル２３１、第３のコイル２５１及び第４のコイル２７１は、矩形の螺旋コイルであってよく、その他の形状の螺旋コイルであってもよい。また、第１のコイル２１１、第２のコイル２３１、第３のコイル２５１及び第４のコイル２７１は、同じ巻数である。第１のコイル２１１、第２のコイル２３１、第３のコイル２５１及び第４のコイル２７１は、非磁性材質の絶縁基板１０に対して垂直の方向にほぼ重畳している。また、第１の導体層２１、第２の導体層２３、第３の導体層２５及び第４の導体層２７の各電極も、非磁性材質の絶縁基板１０に対して垂直の方向にほぼ重畳している。
【００２０】
第１の電気絶縁層２２は、第１の導体層２１と第２の導体層２３との間に設けられる。第１の電気絶縁層２２には第１の接続孔２２１が開設される。第２の電気絶縁層２４は、第２の導体層２３と第３の導体層２５との間に設けられる。第２の電気絶縁層２４には第２の接続孔２４１と第３の接続孔２４２が開設される。第３の電気絶縁層２６は、第３の導体層２５と第４の導体層２７との間に設けられる。第３の電気絶縁層２６には第４の接続孔２６１が開設される。第１の接続孔２２１及び第２の接続孔２４１は、第１のコイル２１１の内端部２１１１及び第３のコイル２５１の内端部２５１１の相対する箇所に設けられる。第３の接続孔２４２及び第４の接続孔２６１は、第２のコイル２３１の内端部２３１１及び第４のコイル２７１の内端部２７１１の相対する箇所に位置する。
【００２１】
第１のコイル２１１の内端部２１１１は、第１の接続孔２２１と第２の接続孔２４１を介して第３のコイル２５１の内端部２５１１と直列接続される。これにより、直列の第１のコイル２１１と第３のコイル２５１及び直列の第２のコイル２３１と第４のコイル２７１が相互に磁性的にカップリングされることでコモンモードノイズを除去することができる。
【００２２】
図２は、薄膜型コモンモードフィルタ１を作動させた際に生成されるカットオフ周波数と、各コイルの総線長Ｌ（ｍｍ）を線幅Ｗ（ｍｍ）で除算したものとの関係を示す模式図である。図２に示すように、各カットオフ周波数と、コイルの総線長Ｌ（ｍｍ）を線幅Ｗ（ｍｍ）で除算したものとの交点は、すべて第１の傾向線（ｔｒｅｎｄ  ｌｉｎｅ）Ｇ１と第２の傾向線Ｇ２の範囲内に入っている。このことから、薄膜型コモンモードフィルタ１は、生成されたカットオフ周波数をおおよそ２．５ＭＨｚ〜５．５ＭＨｚの範囲内に制御することができ、ひいては特定の携帯型電子装置の需要を満たすことが可能であることが分かる。
【００２３】
より詳しく説明すれば、薄膜型コモンモードフィルタ１において、矩形螺旋状の第１のコイル２１１、第２のコイル２３１、第３のコイル２５１及び第４のコイル２７１が非磁性材質の絶縁基板１０に設けられる。ここで、好ましくは、非磁性材質の絶縁基板１０は、アルミニウム基板である。従って、［（７．２−ｆｃ）／３．０］２＜Ｌ／Ｗ＜［（８．１５−ｆｃ）／２．７］２の関係式を十分に満たすことができる。
【００２４】
また、本実施例において、第１の導体層２１、第２の導体層２３、第３の導体層２５及び第４の導体層２７は、薄膜金属の堆積、フォトリソグラフィ、エッチング等複数の工程を介して、又は電気めっき工程、スパッタ工程を介して形成するようにしてもよい。第１の導体層２１、第２の導体層２３、第３の導体層２５及び第４の導体層２７の材料は、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）又は白金（Ｐｔ）等の導電材料であってもよい。
【００２５】
また、第１の電気絶縁層２２、第２の電気絶縁層２４及び第３の電気絶縁層２６は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ）又はベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ、ＢＣＢ）等の好ましい電気的、機械的特性を有する電気絶縁材料からなり、且つスピンコート工程を介して形成するようにしてもよい。また、磁性材料層４０は、磁性基材又は磁性粉末を混合した樹脂体からなり、且つスピンコート工程を介して形成するようにしてもよい。ここで、磁性粉末を混合した樹脂体は、磁性粉末とポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）又はその他の高分子重合体との混合によって形成されるようにしてもよい。
【００２６】
（第２の実施例）
図３は、本発明の第２の実施例の薄膜型コモンモードフィルタ１’の立体分解図を示すものである。第１の実施例と異なる点は下記の通りである。薄膜型コモンモードフィルタ１’は、第１の磁性材料層４０Ａと第２の磁性材料層４０Ｂを含む。第１の磁性材料層４０Ａは、絶縁層３０を介してコイル主体積層構造２０の上に覆われる。第２の磁性材料層４０Ｂは、コイル主体積層構造２０と非磁性材質の絶縁基板１０との間に設けられる。
【００２７】
より詳しく述べると、コモンモードノイズのより高いフィルタリング除去効果を達成するために、第１の磁性材料層４０Ａは絶縁層３０及び第４の導体層２７の上に覆われ、第２の磁性材料層４０Ｂは第１の導体層２１と非磁性材質の絶縁基板１０との間に介在される。同様に、薄膜型コモンモードフィルタ１’は生成するカットオフ周波数を一定の範囲内に制御すると共に、［（７．２−ｆｃ）／３．０］２＜Ｌ／Ｗ＜［（８．１５−ｆｃ）／２．７］２の関係式を満たすことができる。式中、Ｌは第１のコイル２１１、第２のコイル２３１、第３のコイル２５１及び第４のコイル２７１の総線長であり、Ｗは第１のコイル２１１、第２のコイル２３１、第３のコイル２５１及び第４のコイル２７１の線幅であり、ｆｃは差動モード信号のカットオフ周波数である。カットオフ周波数はおおよそ２．５ＭＨｚ〜５．５ＭＨｚの範囲内である。
【００２８】
（第３の実施例）
図４は、本発明の第３の実施例の薄膜型コモンモードフィルタ１”の立体分解図を示すものである。薄膜型コモンモードフィルタ１”は複数の磁性部５０を更に含む。具体的に言えば、複数の磁性部５０はフェライトコア（Ｆｅｒｒｉｔｅ  ｃｏｒｅ）である。フェライトコアは、透磁率が高く、幅広い周波数範囲において高抵抗で渦電流損失が小さいといった利点を有する。
【００２９】
また、第１の電気絶縁層２２、第２の電気絶縁層２４、第３の電気絶縁層２６にはそれぞれ貫通孔２２２、２４３、２６２が開設される。複数の磁性部５０は、第１の電気絶縁層２２、第２の電気絶縁層２４、第３の電気絶縁層２６の貫通孔２２２、２４３、２６２を介して、第１のコイル２１１、第２のコイル２３１、第３のコイル２５１及び第４のコイル２７１の内側に設けられる。これにより、薄膜型コモンモードフィルタ１”の安定性が増加し、且つ各電機絶縁層の間の磁場経路を増加することができ、ひいては薄膜型コモンモードフィルタ１”のインピーダンスを増強することができる。
【００３０】
薄膜型コモンモードフィルタ１”は生成するカットオフ周波数を一定の範囲内に制御すると共に、［（７．２−ｆｃ）／３．０］２＜Ｌ／Ｗ＜［（８．１５−ｆｃ）／２．７］２の関係式を満たすことができる。式中、Ｌは第１のコイル２１１、第２のコイル２３１、第３のコイル２５１及び第４のコイル２７１の総線長であり、Ｗは第１のコイル２１１、第２のコイル２３１、第３のコイル２５１及び第４のコイル２７１の線幅であり、ｆｃは差動モード信号のカットオフ周波数である。カットオフ周波数はおおよそ２．５ＭＨｚ〜５．５ＭＨｚの範囲内である。これにより、特定の携帯型電子装置の需要を満たすことができる。
【００３１】
上述したように、本発明の薄膜型コモンモードフィルタにおいては、電気的に直列接続された第１のコイル及び第３のコイルが相互に磁性的にカップリングされることでコモンモードノイズを除去することができると共に、電気的に直列接続された第２のコイル及び第４のコイルが相互に磁性的にカップリングされることでコモンモードノイズを除去することができる。これにより、本発明に係る薄膜型コモンモードフィルタは、コイルの巻数を増加しなくても、コモンモードインピーダンスを増強するができ、効果的に超小型化することができるため、各種の超小型化の携帯型電子装置に適用されることができる。
【００３２】
また、本発明の薄膜型コモンモードフィルタにおいては、各導体層及び各コイルが高誘電率を有する非磁性材質で製造した絶縁基板に設置されることによって、コモンモードインピーダンスを正確に制御することができ、カットオフ周波数を一定の範囲内に正確に制御することができると共に、［（７．２−ｆｃ）／３．０］２＜Ｌ／Ｗ＜［（８．１５−ｆｃ）／２．７］２の関係式を満たすことができる。また、カットオフ周波数ｆｃはおおよそ２．５ＭＨｚ〜５．５ＭＨｚの範囲内である。これにより、特定の携帯型電子装置の需要を満たすことが可能である。
【符号の説明】
【００３３】
１、１’、１”  薄膜型コモンモードフィルタ
１０  非磁性材質の絶縁基板
２０  コイル主体積層構造
２１  第１の導体層
２１１  第１のコイル
２１１１  内端部
２１１２  外端部
２１２  第１の電極
２１３  第２の電極
２１４  第３の電極
２１５  第４の電極
２２  第１の電気絶縁層
２２１  第１の接続孔
２２２  貫通孔
２３  第２の導体層
２３１  第２のコイル
２３１１  内端部
２３１２  外端部
２３２  第１の電極
２３３  第２の電極
２３４  第３の電極
２３５  第４の電極
２４  第２の電気絶縁層
２４１  第２の接続孔
２４２  第３の接続孔
２４３  貫通孔
２５  第３の導体層
２５１  第３のコイル
２５１１  内端部
２５１２  外端部
２５２  第１の電極
２５３  第２の電極
２５４  第３の電極
２５５  第４の電極
２６  第３の電気絶縁層
２６１  第４の接続孔
２６２  貫通孔
２７  第４の導体層
２７１  第４のコイル
２７１１  内端部
２７１２  外端部
２７２  第１の電極
２７３  第２の電極
２７４  第３の電極
２７５  第４の電極
３０  絶縁層
４０  磁性材料層
４０Ａ  第１の磁性材料層
４０Ｂ  第２の磁性材料層
５０  磁性部
Ｇ１、Ｇ２  傾向線
【図１】
2014103335.tif 000003
【図２】
2014103335.tif 000004
【図３】
2014103335.tif 000005
【図４】
2014103335.tif 000006