(57)【要約】【課題】測定精度に優れ、かつ各試料の性能差も充分に評価可能な高分子材料のエネルギーロスを評価する方法、測定精度に優れ、かつ短時間、低コストで評価可能な高分子材料の耐チッピング性能を評価する方法、及び、測定精度に優れ、かつ各試料の性能差も充分に評価可能な高分子材料の耐摩耗性能を評価する方法を提供する。【解決手段】Ｘ線又は中性子線を高分子材料に照射し、Ｘ線散乱測定又は中性子散乱測定を実施することにより、高分子材料のエネルギーロス、耐チッピング性能、及び耐摩耗性能を評価する方法に関する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線又は中性子線を高分子材料に照射し、Ｘ線散乱測定又は中性子散乱測定を実施することにより、高分子材料のエネルギーロスを評価する方法。
【請求項２】
Ｘ線散乱測定が小角Ｘ線散乱測定、中性子散乱測定が小角中性子散乱測定である請求項１記載の高分子材料のエネルギーロスを評価する方法。
【請求項３】
高分子材料が１種類以上の共役ジエン系化合物を用いて得られるゴム材料である請求項１又は２記載の高分子材料のエネルギーロスを評価する方法。
【請求項４】
ゴム材料がタイヤ用ゴム材料である請求項３記載の高分子材料のエネルギーロスを評価する方法。
【請求項５】
Ｘ線又は中性子線を用いて、下記（式１−１）で表されるｑが１０ｎｍ−１以下の領域で測定する請求項１〜４のいずれかに記載の高分子材料のエネルギーロスを評価する方法。
【数１】
2014102210.tif 000017
【請求項６】
Ｘ線散乱測定又は中性子散乱測定により得られた散乱強度曲線Ｉ（ｑ）に対し、下記（式１−２）〜（式１−３）でカーブフィッティングして得られる１ｎｍ〜１００μｍの相関長ξを用いてエネルギーロスを評価する請求項１〜５のいずれかに記載の高分子材料のエネルギーロスを評価する方法。
【数２】
2014102210.tif 000018
【請求項７】
Ｘ線又は中性子線を高分子材料に照射し、Ｘ線散乱測定又は中性子散乱測定を実施することにより、高分子材料の耐チッピング性能を評価する方法。
【請求項８】
Ｘ線散乱測定が小角Ｘ線散乱測定、中性子散乱測定が小角中性子散乱測定である請求項７記載の高分子材料の耐チッピング性能を評価する方法。
【請求項９】
高分子材料が１種類以上の共役ジエン系化合物を用いて得られるゴム材料である請求項７又は８記載の高分子材料の耐チッピング性能を評価する方法。
【請求項１０】
ゴム材料がタイヤ用ゴム材料である請求項９記載の高分子材料の耐チッピング性能を評価する方法。
【請求項１１】
Ｘ線又は中性子線を用いて、下記（式２−１）で表されるｑが１０ｎｍ−１以下の領域で測定する請求項７〜１０のいずれかに記載の高分子材料の耐チッピング性能を評価する方法。
【数３】
2014102210.tif 000019
【請求項１２】
Ｘ線散乱測定又は中性子散乱測定により得られた散乱強度曲線Ｉ（ｑ）に対し、下記（式２−２）〜（式２−３）でカーブフィッティングして得られる１ｎｍ〜１００μｍの相関長Ξｃを用いて耐チッピング性能を評価する請求項７〜１１のいずれかに記載の高分子材料の耐チッピング性能を評価する方法。
【数４】
2014102210.tif 000020
【請求項１３】
Ｘ線又は中性子線を高分子材料に照射し、Ｘ線散乱測定又は中性子散乱測定を実施することにより、高分子材料の耐摩耗性能を評価する方法。
【請求項１４】
Ｘ線散乱測定が小角Ｘ線散乱測定、中性子散乱測定が小角中性子散乱測定である請求項１３記載の高分子材料の耐摩耗性能を評価する方法。
【請求項１５】
高分子材料が１種類以上の共役ジエン系化合物を用いて得られるゴム材料である請求項１３又は１４記載の高分子材料の耐摩耗性能を評価する方法。
【請求項１６】
ゴム材料がタイヤ用ゴム材料である請求項１５記載の高分子材料の耐摩耗性能を評価する方法。
【請求項１７】
Ｘ線又は中性子線を用いて、下記（式３−１）で表されるｑが１０ｎｍ−１以下の領域で測定する請求項１３〜１６のいずれかに記載の高分子材料の耐摩耗性能を評価する方法。
【数５】
2014102210.tif 000021
【請求項１８】
Ｘ線散乱測定又は中性子散乱測定により得られた散乱強度曲線Ｉ（ｑ）に対し、下記（式３−２）〜（式３−６）でカーブフィッティングして得られる１ｎｍ〜１００μｍの相関長Ξｃを持つ散乱体の単位体積あたりの個数Ｎｃを用いて耐摩耗性能を評価する請求項１３〜１７のいずれかに記載の高分子材料の耐摩耗性能を評価する方法。
【数６】
2014102210.tif 000022
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高分子材料のエネルギーロス、耐チッピング性能及び耐摩耗性能を評価する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ゴム材料などの高分子材料において、エネルギーロス、耐チッピング性能、耐摩耗性能は製品の様々な特性に影響を及ぼす重要な物理量であり、例えば、ゴム製品であるタイヤにおいて、エネルギーロスは燃費性能やグリップ性能に、耐チッピング性能や耐摩耗性能はタイヤの寿命に密接に関係している。
【０００３】
高分子材料のエネルギーロスを評価する方法として、動的粘弾性測定から得られる損失正接（ｔａｎδ）の値を測定する手法が広く用いられている（特許文献１参照）。しかし、この手法は、誤差が大きく、測定精度として充分満足できるものではなく、更にサンプルごとの値の差が小さい場合、その差を再現性良く評価できないという問題もある。
【０００４】
タイヤの耐チッピング性能や耐摩耗性能は、例えば、所定距離走行後のタイヤトレッド部のチッピング発生率や溝深さを測定する実車テストの評価方法が広く実施されている。しかし、タイヤ成型や長距離走行が必要になるため、短時間、低コストで測定可能となる効率的な評価方法の提供が求められているが、このような耐チッピング性能の評価方法は一般に知られていない。
【０００５】
更に、短時間、低コストで耐摩耗性能を評価する方法として、ランボーン摩耗試験やＤＩＮ摩耗試験が知られているが、誤差が大きく、実車テストの結果との相関がある程度見られるものの、測定精度として充分満足できるものではない。サンプルごとの値の差が小さい場合、その差を再現性良く評価できないという問題もある（非特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−４６０８８号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】日本ゴム協会誌（第６９巻、第１１号、第７３９頁、１９９６）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、前記課題を解決し、測定精度に優れ、かつ各試料の性能差も充分に評価可能な高分子材料のエネルギーロスを評価する方法を提供することを目的とする。また本発明は、前記課題を解決し、測定精度に優れ、かつ短時間、低コストで評価可能な高分子材料の耐チッピング性能を評価する方法を提供することを目的とする。更に本発明は、前記課題を解決し、測定精度に優れ、かつ各試料の性能差も充分に評価可能な高分子材料の耐摩耗性能を評価する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
第１の本発明は、Ｘ線又は中性子線を高分子材料に照射し、Ｘ線散乱測定又は中性子散乱測定を実施することにより、高分子材料のエネルギーロスを評価する方法に関する。
【００１０】
上記第１の本発明において、上記Ｘ線散乱測定は小角Ｘ線散乱測定、上記中性子散乱測定は小角中性子散乱測定であることが好ましい。
上記第１の本発明において、上記高分子材料は、１種類以上の共役ジエン系化合物を用いて得られるゴム材料であることが好ましい。ここで、上記ゴム材料は、タイヤ用ゴム材料であることが好ましい。
【００１１】
上記第１の本発明において、上記高分子材料のエネルギーロスを評価する方法としては、Ｘ線又は中性子線を用いて、下記（式１−１）で表されるｑが１０ｎｍ−１以下の領域で測定する方法が好ましい。
【数１】
2014102210.tif 000002
【００１２】
上記第１の本発明において、上記高分子材料のエネルギーロスを評価する方法としては、Ｘ線散乱測定又は中性子散乱測定により得られた散乱強度曲線Ｉ（ｑ）に対し、下記（式１−２）〜（式１−３）でカーブフィッティングして得られる１ｎｍ〜１００μｍの相関長ξを用いてエネルギーロスを評価する方法が好ましい。
【数２】
2014102210.tif 000003
【００１３】
第２の本発明は、Ｘ線又は中性子線を高分子材料に照射し、Ｘ線散乱測定又は中性子散乱測定を実施することにより、高分子材料の耐チッピング性能を評価する方法に関する。
【００１４】
上記第２の本発明において、上記Ｘ線散乱測定は小角Ｘ線散乱測定、上記中性子散乱測定は小角中性子散乱測定であることが好ましい。
上記第２の本発明において、上記高分子材料は、１種類以上の共役ジエン系化合物を用いて得られるゴム材料であることが好ましい。ここで、上記ゴム材料は、タイヤ用ゴム材料であることが好ましい。
【００１５】
上記第２の本発明において、上記高分子材料の耐チッピング性能を評価する方法としては、Ｘ線又は中性子線を用いて、下記（式２−１）で表されるｑが１０ｎｍ−１以下の領域で測定する方法が好ましい。
【数３】
2014102210.tif 000004
【００１６】
上記第２の本発明において、上記高分子材料の耐チッピング性能を評価する方法としては、Ｘ線散乱測定又は中性子散乱測定により得られた散乱強度曲線Ｉ（ｑ）に対し、下記（式２−２）〜（式２−３）でカーブフィッティングして得られる１ｎｍ〜１００μｍの相関長Ξｃを用いて耐チッピング性能を評価する方法が好ましい。
【数４】
2014102210.tif 000005
【００１７】
第３の本発明は、Ｘ線又は中性子線を高分子材料に照射し、Ｘ線散乱測定又は中性子散乱測定を実施することにより、高分子材料の耐摩耗性能を評価する方法に関する。
【００１８】
上記第３の本発明において、上記Ｘ線散乱測定は小角Ｘ線散乱測定、上記中性子散乱測定は小角中性子散乱測定であることが好ましい。
上記第３の本発明において、上記高分子材料は、１種類以上の共役ジエン系化合物を用いて得られるゴム材料であることが好ましい。ここで、上記ゴム材料は、タイヤ用ゴム材料であることが好ましい。
【００１９】
上記第３の本発明において、上記高分子材料の耐摩耗性能を評価する方法としては、Ｘ線又は中性子線を用いて、下記（式３−１）で表されるｑが１０ｎｍ−１以下の領域で測定する方法が好ましい。
【数５】
2014102210.tif 000006
【００２０】
上記第３の本発明において、上記高分子材料の耐摩耗性能を評価する方法としては、Ｘ線散乱測定又は中性子散乱測定により得られた散乱強度曲線Ｉ（ｑ）に対し、下記（式３−２）〜（式３−６）でカーブフィッティングして得られる１ｎｍ〜１００μｍの相関長Ξｃを持つ散乱体の単位体積あたりの個数Ｎｃを用いて耐摩耗性能を評価する方法が好ましい。
【００２１】
【数６】
2014102210.tif 000007
【発明の効果】
【００２２】
第１の本発明によれば、Ｘ線又は中性子線を高分子材料に照射し、Ｘ線散乱測定又は中性子散乱測定を実施する高分子材料のエネルギーロスの評価方法であるため、測定誤差を小さく抑えることが可能となり、高い測定精度でエネルギーロスを評価できる。また、動的粘弾性測定などの方法では、性能差を再現性良く評価できなかった異なる試料間についても、エネルギーロスの差を精度良く評価できる。
【００２３】
第２の本発明によれば、Ｘ線又は中性子線を高分子材料に照射し、Ｘ線散乱測定又は中性子散乱測定を実施する高分子材料の耐チッピング性能の評価方法であるため、測定誤差を小さく抑えることが可能となり、高い測定精度で耐チッピング性能を評価できる。また、短時間、低コストで簡便に耐チッピング性能を評価できる。
【００２４】
第３の本発明によれば、Ｘ線又は中性子線を高分子材料に照射し、Ｘ線散乱測定又は中性子散乱測定を実施する高分子材料の耐摩耗性能の評価方法であるため、測定誤差を小さく抑えることが可能となり、高い測定精度で耐摩耗性能を評価できる。また、ランボーン摩耗試験やＤＩＮ摩耗試験などの方法では、性能差を再現性良く評価できなかった異なる試料間についても、耐摩耗性能の差を精度良く評価できる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】ＳＡＸＳ測定により得られた実施例１−４、２−４、３−４の試料の散乱強度曲線の一例。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
第１の本発明は、Ｘ線又は中性子線を高分子材料に照射し、Ｘ線散乱測定又は中性子散乱測定を実施することにより、高分子材料のエネルギーロスを評価する方法である。
【００２７】
カーボンブラック、シリカなどの充填剤を含むゴム材料などの高分子材料を小角Ｘ線散乱や小角中性子散乱の測定に供することにより、材料中の充填剤が凝集して形成された１ｎｍ〜１００μｍのクラスターの慣性半径Ｒｇを算出できる。そして、このＲｇとエネルギーロスに高い相関性（Ｒｇが小さいほどエネルギーロスが小さい）、更にはこのＲｇを持つ散乱体の個数Ｎとエネルギーロスに高い相関性（Ｎが少ないほどエネルギーロスが小さい）が存在することから、前記の測定により高分子材料のエネルギーロスの評価が可能になる。
【００２８】
この点に関し、充填剤を含むゴム材料のエネルギーロスには、材料中の充填剤の分散性の寄与及びポリマーの寄与が高いと一般的に言われているが、前述のＲｇやＮで評価する方法は、充填剤の分散性を測定してエネルギーロスを評価するもので、ポリマーのエネルギーロスは直接的に評価されていない。そのため、充填剤を含まないゴム材料のエネルギーロスを精度良く評価できないという懸念があり、例えば、充填剤の分散性が同程度のゴム材料である場合、それぞれのエネルギーロスを精度良く評価できないことがある。
【００２９】
そこで、第１の本発明の方法は、充填剤を含まない高分子材料であっても、小角Ｘ線散乱や小角中性子散乱の測定により、ポリマーの架橋点間距離に相当すると推察される０．１ｎｍ〜１００μｍの相関長ξ、ポリマーの不均一網目構造サイズに相当すると推察される０．１ｎｍ〜１００μｍの相関長Ξｂ及びΞｃを算出するとともに、この相関長ξとエネルギーロスに高い相関性が存在すること、すなわちξが小さいほどエネルギーロスが小さくなることを見出し、完成したものである。従って、Ｘ線散乱や中性子散乱を測定することで、充填剤の有無などにかかわらず、任意の高分子材料についてエネルギーロスを精度良く評価できる。
【００３０】
ここで、相関長ξとエネルギーロスに相関性がある理由は必ずしも明らかではないが、０．１ｎｍ〜１００μｍの架橋点間距離を有するポリマーの架橋点間距離が小さいほど、架橋点が良好に分散し、応力集中を起こさずゴム材料全体に均一に力がかかるため、エネルギーロスが小さくなるものと推察される。
【００３１】
第１の本発明では、高分子材料のエネルギーロスを評価するために、Ｘ線散乱測定として、高分子材料にＸ線を照射し散乱強度を測定するＳＡＸＳ（Ｓｍａｌｌ−ａｎｇｌｅ  Ｘ−ｒａｙ  Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  小角Ｘ線散乱（散乱角：通常１０度以下））測定を好適に採用できる。なお、小角Ｘ線散乱では、Ｘ線を物質に照射して散乱するＸ線のうち、散乱角が小さいものを測定することで物質の構造情報が得られ、高分子材料のミクロ相分離構造など、数ナノメートルレベルでの規則構造を分析できる。
【００３２】
ＳＡＸＳ測定から詳細な分子構造情報を得るためには、高いＳ／Ｎ比のＸ線散乱プロファイルを測定できることが望ましい。そのため、シンクロトロンから放射されるＸ線は、少なくとも１０１０（ｐｈｏｔｏｎｓ／ｓ／ｍｒａｄ２／ｍｍ２／０．１％ｂｗ）以上の輝度を有することが好ましい。尚、ｂｗはシンクロトロンから放射されるＸ線のｂａｎｄ  ｗｉｄｔｈを示す。このようなシンクロトロンの例として、財団法人高輝度光科学研究センター所有の大型放射光施設ＳＰｒｉｎｇ−８のビームラインＢＬ０３ＸＵ、ＢＬ２０ＸＵが挙げられる。
【００３３】
上記Ｘ線の輝度（ｐｈｏｔｏｎｓ／ｓ／ｍｒａｄ２／ｍｍ２／０．１％ｂｗ）は、好ましくは１０１０以上、より好ましくは１０１２以上である。上限は特に限定されないが、放射線ダメージがない程度以下のＸ線強度を用いることが好ましい。
【００３４】
また、上記Ｘ線の光子数（ｐｈｏｔｏｎｓ／ｓ）は、好ましくは１０７以上、より好ましくは１０９以上である。上限は特に限定されないが、放射線ダメージがない程度以下のＸ線強度を用いることが好ましい。
【００３５】
また第１の本発明では、高分子材料のエネルギーロスを評価するために、中性子散乱測定として、高分子材料に中性子線を照射し散乱強度を測定するＳＡＮＳ（Ｓｍａｌｌ−Ａｎｇｌｅ  Ｎｅｕｔｒｏｎ  Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  小角中性子散乱（散乱角：通常１０度以下））測定を好適に採用できる。なお、小角中性子散乱では、中性子線を物質に照射して散乱する中性子線のうち散乱角が小さいものを測定して物質の構造情報が得られ、高分子材料のミクロ相分離構造など、数ナノメートルレベルでの規則構造を分析できる。
【００３６】
ＳＡＮＳ測定では、公知の磁気構造や重水素化法を利用した方法を用いることができる。重水素化法を採用する場合、例えば、高分子材料を重水素化溶媒により膨潤化し、重水素溶媒中で平衡状態にある高分子材料に中性子線を照射し、散乱強度を測定することができる。ここで、高分子材料を膨潤させる重水素化溶媒としては、重水、重水素化ヘキサン、重水素化トルエン、重水素化クロロホルム、重水素化メタノール、重ＤＭＳＯ（（Ｄ３Ｃ）２Ｓ＝Ｏ）、重水素化テトラヒドロフラン、重水素化アセトニトリル、重水素化ジクロロメタン、重水素化ベンゼン、重水素化Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどが挙げられる。
【００３７】
ＳＡＮＳなどの中性子散乱測定に使用される中性子線は、独立行政法人日本原子力研究開発機構所有のＪＲＲ−３研究炉のビームラインＳＡＮＳ−Ｊなどを使用して得られる。
【００３８】
ＳＡＸＳ測定と同様に、高いＳ／Ｎ比の中性子散乱プロファイルが得られるという点から、上記中性子線の中性子束強度（ｎｅｕｔｒｏｎｓ／ｃｍ２／ｓ）は、好ましくは１０３以上、より好ましくは１０４以上である。上限は特に限定されないが、放射線ダメージがない程度以下の中性子束強度を用いることが好ましい。
【００３９】
Ｘ線、中性子散乱測定においては、高分子材料のより微細な分子構造を測定する必要があるという点から、上記Ｘ線、中性子線を用いて、下記（式１−１）で表されるｑが１０ｎｍ−１以下の領域で測定することが好ましい。前記ｑ（ｎｍ−１）の領域は、数値が大きくなるほどより小さな情報が得られる点から望ましいので、該ｑの領域は、２０ｎｍ−１以下であることがより好ましい。
【数７】
2014102210.tif 000008
【００４０】
ＳＡＸＳ測定において散乱するＸ線は、Ｘ線検出装置によって検出され、該Ｘ線検出装置からのＸ線検出データを用いて画像処理装置などによって画像が生成される。
【００４１】
Ｘ線検出装置としては、例えば、２次元検出器（Ｘ線フィルム、原子核乾板、Ｘ線撮像管、Ｘ線蛍光増倍管、Ｘ線イメージインテンシファイア、Ｘ線用イメージングプレート、Ｘ線用ＣＣＤ、Ｘ線用非晶質体など）、ラインセンサー１次元検出器を使用できる。分析対象となる高分子材料の種類や状態などにより、適宜Ｘ線検出装置を選択すればよい。
【００４２】
画像処理装置としては、Ｘ線検出装置によるＸ線検出データに基づき、通常のＸ線散乱画像を生成できるものを適宜使用できる。
【００４３】
ＳＡＮＳ測定でもＳＡＸＳ測定と同様の原理により測定可能であり、散乱する中性子線を中性子線検出装置により検出し、該中性子線検出装置からの中性子線検出データを用いて画像処理装置などによって画像が生成される。ここで、前記と同様、中性子線検出装置としては、公知の２次元検出器や１次元検出器、画像処理装置としては、公知の中性子線散乱画像を生成できるものを使用でき、適宜選択すればよい。
【００４４】
第１の本発明における高分子材料としては特に限定されず、従来公知のものが挙げられるが、例えば、１種類以上の共役ジエン系化合物を用いて得られるゴム材料、該ゴム材料と１種類以上の樹脂とが複合された複合材料を適用できる。共役ジエン系化合物としては特に限定されず、イソプレン、ブタジエンなどの公知の化合物が挙げられる。
【００４５】
このようなゴム材料としては、天然ゴム（ＮＲ）、イソプレンゴム（ＩＲ）、ブタジエンゴム（ＢＲ）、スチレンブタジエンゴム（ＳＢＲ）、アクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）、クロロプレンゴム（ＣＲ）、ブチルゴム（ＩＩＲ）、ハロゲン化ブチルゴム（Ｘ−ＩＩＲ）、スチレンイソプレンブタジエンゴム（ＳＩＢＲ）などの二重結合を有するポリマーが挙げられる。また、前記ゴム材料、複合材料などの高分子材料は、水酸基、アミノ基などの変性基を１つ以上含むものでもよい。
【００４６】
上記樹脂としては特に限定されず、例えば、ゴム工業分野で汎用されているものが挙げられ、例えば、Ｃ５系脂肪族石油樹脂、シクロペンタジエン系石油樹脂などの石油樹脂が挙げられる。
【００４７】
高分子材料としては、例えば、分子構造中に少なくとも１種の金属配位能を有する官能基を含むゴム材料及び複合材料などを好適に適用できる。ここで、金属配位能を有する官能基としては、金属配位能を持つものであれば特に限定されず、例えば、酸素、窒素、硫黄などの金属配位性の原子を含む官能基が挙げられる。具体的には、ジチオカルバミン酸基、リン酸基、カルボン酸基、カルバミン酸基、ジチオ酸基、アミノ燐酸基、チオール基などが例示される。上記官能基は１種のみ含まれても、２種以上含まれてもよい。
【００４８】
なお、該官能基に対する配位金属としては、例えば、Ｆｅ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｃｏ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｗ，Ｏｓ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ａｌ，Ｓｉなどが挙げられる。例えば、このような金属原子（Ｍ１）を有する化合物が配合されかつ金属配位能を有する官能基（−ＣＯＯなど）を含む高分子材料では、各−ＣＯＯＭ１が配位結合して多数の−ＣＯＯＭ１が重なることにより、金属原子が凝集したクラスターが形成される。なお、上記金属原子（Ｍ１）の配合量としては、高分子材料中のポリマー成分１００質量部に対して、０．０１〜２００質量部が好ましい。
【００４９】
高分子材料としては、充填剤を含むゴム材料及び複合材料なども好適に適用できる。ここで、充填剤としては、カーボンブラック、シリカ；ｍＭ２・ｘＳｉＯｙ・ｚＨ２Ｏ（式中、Ｍ２はアルミニウム、カルシウム、マグネシウム、チタン及びジルコニウムよりなる群より選択された少なくとも１種の金属、又は該金属の酸化物、水酸化物、水和物若しくは炭酸塩を示し、ｍは１〜５、ｘは０〜１０、ｙは２〜５、ｚは０〜１０の範囲の数値を示す。）、などが挙げられる。
【００５０】
上記ｍＭ２・ｘＳｉＯｙ・ｚＨ２Ｏで表される充填剤の具体例としては、水酸化アルミニウム（Ａｌ（ＯＨ）３）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３・３Ｈ２Ｏ（水和物））、クレー（Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）、カオリン（Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２・２Ｈ２Ｏ）、パイロフィライト（Ａｌ２Ｏ３・４ＳｉＯ２・Ｈ２Ｏ）、ベントナイト（Ａｌ２Ｏ３・４ＳｉＯ２・２Ｈ２Ｏ）、ケイ酸アルミニウム（Ａｌ２ＳｉＯ５、Ａｌ４（ＳｉＯ２）３・５Ｈ２Ｏなど）、ケイ酸アルミニウムカルシウム（Ａｌ２Ｏ３・ＣａＯ・２ＳｉＯ２）、水酸化カルシウム（Ｃａ（ＯＨ）２）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、ケイ酸カルシウム（Ｃａ２ＳｉＯ４）、ケイ酸マグネシウムカルシウム（ＣａＭｇＳｉＯ４）、水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）２）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、タルク（ＭｇＯ・４ＳｉＯ２・Ｈ２Ｏ）、アタパルジャイト（５ＭｇＯ・８ＳｉＯ２・９Ｈ２Ｏ）、酸化アルミニウムマグネシウム（ＭｇＯ・Ａｌ２Ｏ３）、チタン白（ＴｉＯ２）、チタン黒（ＴｉｎＯ２ｎ−１）などが挙げられる。このような充填剤を含む高分子材料では、充填剤が凝集したクラスターが形成される。なお、上記充填剤の配合量としては、高分子材料中のポリマー成分１００質量部に対して、１０〜２００質量部が好ましい。
【００５１】
上記ゴム材料、複合材料は、ゴム工業分野で汎用されている他の配合剤（シランカップリング剤、酸化亜鉛、ステアリン酸、各種老化防止剤、オイル、ワックス、加硫剤、加硫促進剤、架橋剤など）を含むものでもよい。このようなゴム材料や複合材料は、公知の混練方法などを用いて製造できる。このようなゴム材料、複合材料としては、例えば、タイヤ用ゴム材料として使用されるものが挙げられる。
【００５２】
次に、高分子材料のＸ線散乱測定、中性子散乱測定で得られた散乱強度曲線の解析法について具体的に説明する。
高分子材料について、ＳＡＸＳ測定やＳＡＮＳ測定を実施した場合、例えば、得られた散乱強度曲線を以下の方法で解析することにより、１ｎｍ〜１００μｍの相関長ξ（ポリマーの架橋点間距離）を求めることができる。
【００５３】
図１などのＳＡＸＳ測定、ＳＡＮＳ測定により得られた散乱強度曲線Ｉ（ｑ）に対して、下記（式１−２）〜（式１−３）を用いてカーブフィッティングを行い、フィッティングパラメーターを最小２乗法で求める。
【数８】
2014102210.tif 000009
【００５４】
求められたフィッティングパラメーターのうち、１ｎｍ〜１００μｍの相関長ξがポリマーの架橋点距離に相当し、相関長Ξｂ及びΞｃがポリマーの不均一網目構造サイズに相当すると推定される。そして前記のとおり、この相関長ξとエネルギーロスの相関性が高く、ξが小さいほどエネルギーロスが小さいことから、ξがエネルギーロスに大きな影響を及ぼしていると考えられる。従って、ＳＡＸＳなどのＸ線散乱測定やＳＡＮＳなど中性子線散乱測定を実施し、（式１−２）〜（式１−３）を用いたカーブフィッティングでξを求めることにより、充填剤の有無などにかかわらず、任意の高分子材料のエネルギーロスの評価が可能となる。
【００５５】
第１の本発明、特に相関長ξを用いる評価方法によれば、ポリマー自体のエネルギーロスを考慮することが可能となり、充填剤を含むゴム材料だけでなく、含まないゴム材料などのエネルギーロスも高精度で評価できる。また、動的粘弾性測定などの方法では、性能差を再現性良く評価できない異なる試料間についてもエネルギーロスの差を精度良く評価できる。
【００５６】
次に、第２の本発明は、Ｘ線又は中性子線を高分子材料に照射し、Ｘ線散乱測定又は中性子散乱測定を実施することにより、高分子材料の耐チッピング性能を評価する方法である。
【００５７】
第２の本発明の方法は、ゴム材料などの高分子材料の小角Ｘ線散乱や小角中性子散乱の測定により、ポリマーの架橋点間距離に相当すると推察される０．１ｎｍ〜１００μｍの相関長ξ、ポリマーの不均一網目構造サイズに相当すると推察される０．１ｎｍ〜１００μｍの相関長Ξｂ及びΞｃを算出するとともに、この相関長Ξｃと耐チッピング性能に高い相関性が存在すること、すなわちΞｃが小さいほど耐チッピング性能が良好になることを見出し、完成したものである。従って、Ｘ線散乱や中性子散乱を測定することで、高分子材料の耐チッピング性能を簡便かつ精度良く評価できる。
【００５８】
ここで、相関長Ξｃと耐チッピング性能に相関性がある理由は必ずしも明らかではないが、０．１ｎｍ〜１００μｍのポリマーの不均一網目構造が起点となってチッピングが発生し、ポリマーの不均一構造が小さいほどチッピングの起点になりにくいと考えられるため、耐チッピング性能が向上するものと推察される。
【００５９】
第２の本発明では、高分子材料の耐チッピング性能を評価するために、Ｘ線散乱測定として、高分子材料にＸ線を照射し散乱強度を測定するＳＡＸＳ（Ｓｍａｌｌ−ａｎｇｌｅ  Ｘ−ｒａｙ  Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  小角Ｘ線散乱（散乱角：通常１０度以下））測定を好適に採用できる。なお、小角Ｘ線散乱では、Ｘ線を物質に照射して散乱するＸ線のうち、散乱角が小さいものを測定することで物質の構造情報が得られ、高分子材料のミクロ相分離構造など、数ナノメートルレベルでの規則構造を分析できる。
【００６０】
ＳＡＸＳ測定から詳細な分子構造情報を得るためには、高いＳ／Ｎ比のＸ線散乱プロファイルを測定できることが望ましい。そのため、シンクロトロンから放射されるＸ線は、少なくとも１０１０（ｐｈｏｔｏｎｓ／ｓ／ｍｒａｄ２／ｍｍ２／０．１％ｂｗ）以上の輝度を有することが好ましい。尚、ｂｗはシンクロトロンから放射されるＸ線のｂａｎｄ  ｗｉｄｔｈを示す。このようなシンクロトロンの例として、財団法人高輝度光科学研究センター所有の大型放射光施設ＳＰｒｉｎｇ−８のビームラインＢＬ０３ＸＵ、ＢＬ２０ＸＵが挙げられる。
【００６１】
上記第２の本発明において、上記Ｘ線の輝度、Ｘ線の光子数は、前述の第１の本発明と同様であることが好ましい。
【００６２】
また第２の本発明では、高分子材料の耐チッピング性能を評価するために、中性子散乱測定として、高分子材料に中性子線を照射し散乱強度を測定するＳＡＮＳ（Ｓｍａｌｌ−Ａｎｇｌｅ  Ｎｅｕｔｒｏｎ  Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  小角中性子散乱（散乱角：通常１０度以下））測定を好適に採用できる。なお、小角中性子散乱では、中性子線を物質に照射して散乱する中性子線のうち、散乱角が小さいものを測定することで物質の構造情報が得られ、高分子材料のミクロ相分離構造など、数ナノメートルレベルでの規則構造を分析できる。
【００６３】
ＳＡＮＳ測定では、上記第１の本発明と同様、公知の磁気構造や重水素化法を利用した方法を用いることができる。また、同様の中性子線の中性子束強度を使用できる。
【００６４】
Ｘ線、中性子散乱測定においては、高分子材料のより微細な分子構造を測定する必要があるという点から、上記Ｘ線、中性子線を用いて、下記（式２−１）で表されるｑが１０ｎｍ−１以下の領域で測定することが好ましい。前記ｑ（ｎｍ−１）の領域は、数値が大きくなるほどより小さな情報が得られる点から望ましいので、該ｑの領域は、２０ｎｍ−１以下であることがより好ましい。
【数９】
2014102210.tif 000010
【００６５】
ＳＡＸＳ測定において散乱するＸ線、ＳＡＮＳ測定において散乱する中性子線は、上記第１の本発明と同様の原理により測定可能である。
【００６６】
第２の本発明における高分子材料としては特に限定されず、例えば、上記第１の本発明と同様のものが挙げられる。なお、金属原子（Ｍ１）、充填剤の配合量も同一範囲が好ましい。
【００６７】
また、上記第１の本発明と同様の他の配合剤を含むものでもよい。更に、同様の方法により製造でき、タイヤ用ゴム材料などに使用できる。
【００６８】
次に、高分子材料のＸ線散乱測定、中性子散乱測定で得られた散乱強度曲線の解析法について具体的に説明する。
高分子材料について、ＳＡＸＳ測定やＳＡＮＳ測定を実施した場合、例えば、得られた散乱強度曲線を以下の方法で解析することにより、１ｎｍ〜１００μｍの相関長Ξｃ（ポリマーの不均一網目構造サイズ）を求めることができる。
【００６９】
図１などのＳＡＸＳ測定、ＳＡＮＳ測定により得られた散乱強度曲線Ｉ（ｑ）に対して、下記（式２−２）〜（式２−３）を用いてカーブフィッティングを行い、フィッティングパラメーターを最小２乗法で求める。
【数１０】
2014102210.tif 000011
【００７０】
求められたフィッティングパラメーターのうち、１ｎｍ〜１００μｍの相関長ξがポリマーの架橋点距離に相当し、相関長Ξｂ及びΞｃがポリマーの不均一網目構造サイズに相当すると推定される。そして前記のとおり、この相関長Ξｃと耐チッピング性能の相関性が高く、Ξｃが小さいほど耐チッピング性能が向上することから、Ξｃが耐チッピング性能に大きな影響を及ぼしていると考えられる。従って、ＳＡＸＳなどのＸ線散乱測定やＳＡＮＳなど中性子線散乱測定を実施し、（式２−２）〜（式２−３）を用いたカーブフィッティングでΞｃを求めることにより、高分子材料の耐チッピング性能の評価が可能となる。
【００７１】
第２の本発明、特に相関長Ξｃを用いる評価方法によれば、ポリマーの架橋構造の不均一性を考慮することが可能となり、ゴム材料などの耐チッピング性能を高精度で評価できる。また、タイヤ成型及び実車テストを実施せず、簡便に耐チッピング性能を評価できるため、効率的に開発を進めることも可能となる。
【００７２】
続いて、第３の本発明は、Ｘ線又は中性子線を高分子材料に照射し、Ｘ線散乱測定又は中性子散乱測定を実施することにより、高分子材料の耐摩耗性能を評価する方法である。
【００７３】
第３の本発明の方法は、ゴム材料などの高分子材料の小角Ｘ線散乱や小角中性子散乱の測定により、ポリマーの架橋点間距離に相当すると推察される０．１ｎｍ〜１００μｍの相関長ξ、ポリマーの不均一網目構造サイズに相当すると推察される０．１ｎｍ〜１００μｍの相関長Ξｂ及びΞｃを算出するとともに、この相関長Ξｃを持つ散乱体（不均一網目構造）の単位体積あたりの個数Ｎｃと耐摩耗性能に高い相関性が存在すること、すなわちＮｃが多いほど耐摩耗性能が良好になることを見出し、完成したものである。従って、Ｘ線散乱や中性子散乱を測定することで、高分子材料の耐摩耗性能を精度良く評価できる。
【００７４】
ここで、個数Ｎｃと耐摩耗性能に相関性がある理由は必ずしも明らかではないが、０．１ｎｍ〜１００μｍの相関長Ξｃを持つ不均一網目構造が亀裂進展を抑える役割を担っており、その個数が多いほど亀裂進展が抑制されることで、耐摩耗性能が向上するものと推察される。
【００７５】
第３の本発明では、高分子材料の耐摩耗性能を評価するために、Ｘ線散乱測定として、高分子材料にＸ線を照射し散乱強度を測定するＳＡＸＳ（Ｓｍａｌｌ−ａｎｇｌｅ  Ｘ−ｒａｙ  Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  小角Ｘ線散乱（散乱角：通常１０度以下））測定を好適に採用できる。なお、小角Ｘ線散乱では、Ｘ線を物質に照射して散乱するＸ線のうち、散乱角が小さいものを測定することで物質の構造情報が得られ、高分子材料のミクロ相分離構造など、数ナノメートルレベルでの規則構造を分析できる。
【００７６】
ＳＡＸＳ測定から詳細な分子構造情報を得るためには、高いＳ／Ｎ比のＸ線散乱プロファイルを測定できることが望ましい。そのため、シンクロトロンから放射されるＸ線は、少なくとも１０１０（ｐｈｏｔｏｎｓ／ｓ／ｍｒａｄ２／ｍｍ２／０．１％ｂｗ）以上の輝度を有することが好ましい。尚、ｂｗはシンクロトロンから放射されるＸ線のｂａｎｄ  ｗｉｄｔｈを示す。このようなシンクロトロンの例として、財団法人高輝度光科学研究センター所有の大型放射光施設ＳＰｒｉｎｇ−８のビームラインＢＬ０３ＸＵ、ＢＬ２０ＸＵが挙げられる。
【００７７】
上記第３の本発明において、上記Ｘ線の輝度、Ｘ線の光子数は、前述の第１の本発明と同様であることが好ましい。
【００７８】
また第３の本発明では、高分子材料の耐摩耗性能を評価するために、中性子散乱測定として、高分子材料に中性子線を照射し散乱強度を測定するＳＡＮＳ（Ｓｍａｌｌ−Ａｎｇｌｅ  Ｎｅｕｔｒｏｎ  Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  小角中性子散乱（散乱角：通常１０度以下））測定を好適に採用できる。なお、小角中性子散乱では、中性子線を物質に照射して散乱する中性子線のうち、散乱角が小さいものを測定することで物質の構造情報が得られ、高分子材料のミクロ相分離構造など、数ナノメートルレベルでの規則構造を分析できる。
【００７９】
ＳＡＮＳ測定では、上記第１の本発明と同様、公知の磁気構造や重水素化法を利用した方法を用いることができる。また、同様の中性子線の中性子束強度を使用できる。
【００８０】
Ｘ線、中性子散乱測定においては、高分子材料のより微細な分子構造を測定する必要があるという点から、上記Ｘ線、中性子線を用いて、下記（式３−１）で表されるｑが１０ｎｍ−１以下の領域で測定することが好ましい。前記ｑ（ｎｍ−１）の領域は、数値が大きくなるほどより小さな情報が得られる点から望ましいので、該ｑの領域は、２０ｎｍ−１以下であることがより好ましい。
【数１１】
2014102210.tif 000012
【００８１】
ＳＡＸＳ測定において散乱するＸ線、ＳＡＮＳ測定において散乱する中性子線は、上記第１の本発明と同様の原理により測定可能である。
【００８２】
第３の本発明における高分子材料としては特に限定されず、例えば、上記第１の本発明と同様のものが挙げられる。なお、金属原子（Ｍ１）、充填剤の配合量も同一範囲が好ましい。
【００８３】
また、上記第１の本発明と同様の他の配合剤を含むものでもよい。更に、同様の方法により製造でき、タイヤ用ゴム材料などに使用できる。
【００８４】
次に、高分子材料のＸ線散乱測定、中性子散乱測定で得られた散乱強度曲線の解析法について具体的に説明する。
高分子材料について、ＳＡＸＳ測定やＳＡＮＳ測定を実施した場合、例えば、得られた散乱強度曲線を以下の方法で解析することにより、１ｎｍ〜１００μｍの相関長Ξｃを持つ散乱体（不均一網目構造）の単位体積あたりの個数Ｎｃを求めることができる。
【００８５】
図１などのＳＡＸＳ測定、ＳＡＮＳ測定により得られた散乱強度曲線Ｉ（ｑ）に対して、下記（式３−２）〜（式３−６）を用いてカーブフィッティングを行い、フィッティングパラメーターを最小２乗法で求める。
【数１２】
2014102210.tif 000013
【００８６】
求められたフィッティングパラメーターのうち、１ｎｍ〜１００μｍの相関長ξがポリマーの架橋点距離に相当し、相関長Ξｂ及びΞｃがポリマーの不均一網目構造サイズに相当すると推定される。そして前記のとおり、この相関長Ξｃを持つ散乱体（不均一網目構造）の単位体積あたりの個数Ｎｃと耐摩耗性能の相関性が高く、Ｎｃが多いほど耐摩耗性能が向上することから、Ｎｃが耐摩耗性能に大きな影響を及ぼしていると考えられる。従って、ＳＡＸＳなどのＸ線散乱測定やＳＡＮＳなど中性子線散乱測定を実施し、（式３−２）〜（式３−６）を用いたカーブフィッティングでＮｃを求めることにより、高分子材料の耐摩耗性能の評価が可能となる。
【００８７】
第３の本発明、特に１ｎｍ〜１００μｍの相関長Ξｃを持つ散乱体（不均一網目構造）の単位体積あたりの個数Ｎｃを用いる評価方法によれば、ポリマーの架橋構造の不均一性を考慮することが可能となり、ゴム材料などの耐摩耗性能を高精度で評価できる。また、ランボーン摩耗試験やＤＩＮ摩耗試験などの方法では、性能差を再現性良く評価できない異なる試料間についても耐摩耗性能の差を精度良く評価できる。
【実施例】
【００８８】
実施例に基づいて、本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらのみに限定されるものではない。
【００８９】
以下、実施例及び比較例で使用した各種薬品について、まとめて説明する。
（使用試薬）
シクロへキサン：関東化学（株）製
ピロリジン：関東化学（株）製
ジビニルベンゼン：シグマアルドリッチ社製
１．６Ｍ  ｎ−ブチルリチウムへキサン溶液：関東化学（株）製
イソプロパノール：関東化学（株）製
スチレン：関東化学（株）製
ブタジエン：高千穂化学工業（株）製
テトラメチルエチレンジアミン：関東化学（株）製
変性剤：アヅマックス社製の３−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピル）トリメトキシシラン
ＮＲ：ＲＳＳ＃３
カーボンブラック：キャボットジャパン（株）のＮ２２０
アロマオイル：出光興産（株）製のダイアナプロセスＡＨ−２４
ステアリン酸：日油（株）製のステアリン酸
酸化亜鉛：東邦亜鉛製の銀嶺Ｒ
老化防止剤：大内新興化学工業（株）製のノクラック６Ｃ（Ｎ−１，３−ジメチルブチル−Ｎ’−フェニル−ｐ−フェニレンジアミン）
ワックス：大内新興化学工業（株）製のサンノックワックス
硫黄：鶴見化学（株）製の粉末硫黄
加硫促進剤（１）：大内新興化学工業（株）製のノクセラーＣＺ
加硫促進剤（２）：大内新興化学工業（株）製のノクセラーＤ
【００９０】
（モノマー（１）の合成）
十分に窒素置換した１００ｍｌ容器に、シクロヘキサン５０ｍｌ、ピロリジン４．１ｍｌ、ジビニルベンゼン８．９ｍｌを加え、０℃にて１．６Ｍ  ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液０．７ｍｌを加えて攪拌した。１時間後、イソプロパノールを加えて反応を停止させ、抽出・精製を行うことでモノマー（１）を得た。
【００９１】
（重合体（１）の合成）
十分に窒素置換した１０００ｍｌ耐圧製容器に、シクロヘキサン６００ｍｌ、スチレン１２．６ｍｌ、ブタジエン７１．０ｍｌ、モノマー（１）０．０６ｇ、テトラメチルエチレンジアミン０．１１ｍｌを加え、４０℃で１．６Ｍ  ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液０．２ｍｌを加えて撹拌した。３時間後、変性剤を０．５ｍｌ加えて攪拌した。１時間後、イソプロパノール３ｍｌを加えて重合を停止させた。反応溶液に２，６−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール１ｇを添加後、メタノールで再沈殿処理を行い、加熱乾燥させて重合体（１）を得た。
【００９２】
（重合体（２）の合成）
モノマー（１）を０．１７ｇとし、上記重合体（１）と同様の方法で重合体（２）を得た。
【００９３】
（重合体（３）の合成）
モノマー（１）を０．２９ｇとし、上記重合体（１）と同様の方法で重合体（３）を得た。
【００９４】
（成型品の製造方法）
表１〜３に示す配合処方にしたがい、バンバリー混練機及びロール混練機にて混練し、次いで、混練した材料を１７０℃で２０分間プレス成型して成型品を得た。
【００９５】
得られた成型品のエネルギーロス、耐チッピング性能、耐摩耗性能を以下に示すＳＡＸＳ測定法、動的粘弾性測定法、ランボーン摩耗試験、実車テストの試験方法により評価し、結果を示した。
【００９６】
１−１．ＳＡＮＳ測定法−相関長ξ（実施例１−１〜１−６）
厚み約１ｍｍのプレート状試料（成型品）を重水素化トルエンで平衡膨潤させた状態でサンプルホルダーに取り付け、室温にて試料に中性子線を照射した。試料から検出器までの距離が２．５ｍ、１０ｍ、及びフォーカシングレンズ測定から得られた絶対散乱強度曲線を最小２乗法にて結合させた。３つの曲線の結合は、試料から検出器までの距離が２.５ｍの測定から得られる散乱強度曲線を固定し、１０ｍ、フォーカシングレンズ測定から得られる散乱強度曲線をシフトさせた。得られた散乱強度曲線Ｉ（ｑ）に対して、（式１−２）〜（式１−３）を用いてカーブフィッティングを行い、フィッティングパラメーターξ（１ｎｍ〜１００μｍの相関長（ポリマーの架橋点間距離））を最小２乗法で求めた。得られた相関長ξの値について、実施例１−１を１００として指数表示した。数値が大きいほどエネルギーロスが小さいことを示す。
【００９７】
（ＳＡＮＳ装置）
ＳＡＮＳ：独立行政法人日本原子力研究開発機構所有のＪＲＲ−３研究炉のビームラインＳＡＮＳ−Ｊ付属のＳＡＮＳ測定装置
（測定条件）
中性子線の波長：６．５Å
中性子線の中性子束強度：９．９×１０７ｎｅｕｔｒｏｎｓ／ｃｍ２／ｓ
試料から検出器までの距離：２．５ｍ、１０ｍ（なお、更に小角側の情報を得るために試料から検出器までの距離１０ｍの条件下、フォーカシングレンズを用いた測定を行った。）
（検出器）
２次元検出器（３Ｈｅ  ２次元検出器及び２次元フォトマル＋ＺｎＳ／６ＬｉＦ検出器）
【００９８】
１−２．動的粘弾性測定法（比較例１−１〜１−６）
（株）上島製作所製のスペクトロメーターを用いて、動的歪振幅１％、周波数１０Ｈｚ、温度６０℃でｔａｎδを測定した。得られたｔａｎδの逆数の値について、比較例１−１を１００として指数表示した。数値が大きいほどエネルギーロスが小さいことを示す。
【００９９】
１−３．タイヤ転がり性能
実施例１−１〜１−６、比較例１−１〜１−６の各配合をタイヤ部材に適用した試供タイヤについて、転がり抵抗試験機を用い、リム（１５×６ＪＪ）、内圧（２３０ｋＰａ）、荷重（３．４３ｋＮ）、速度（８０ｋｍ／ｈ）で走行させたときの転がり抵抗を測定し、比較例１−１を１００として指数で表示した。指数が大きい方がタイヤの転がり性能が良く、エネルギーロスが小さいことを示している。
【０１００】
【表１】
2014102210.tif 000014
【０１０１】
表１から、ＳＡＮＳ測定を用いた実施例において、（式１−２）〜（式１−３）を用いたカーブフィッティングで相関長ξを求めることにより、エネルギーロスを評価できることが立証され、特に比較例と比較すると、動的粘弾性測定法では試料によるエネルギーロスの差を評価しにくいものでも、微小な差を精度よく測定できることも明らかとなった。更に、カーボンブラックを配合していない実施例１−４〜１−６の結果から、相関長ξを測定することで充填剤を含まない配合でもエネルギーロスが良好に評価できることも明らかとなった。
【０１０２】
２−１．ＳＡＮＳ測定法−相関長Ξｃ（実施例２−１〜２−６）
前記ＳＡＮＳ測定法で得られた散乱強度曲線Ｉ（ｑ）に対して、（式２−２）〜（式２−３）を用いてカーブフィッティングを行い、フィッティングパラメーターΞｃ（１ｎｍ〜１００μｍの相関長（ポリマーの不均一網目構造サイズ））を最小２乗法で求めた。得られた相関長Ξｃの値について、実施例２−１を１００として指数表示した。数値が小さいほど耐チッピング性能が高いことを示す。
【０１０３】
２−２．実車チッピングテスト（比較例２−１〜２−６）
比較例２−１〜２−６の各配合をタイヤトレッド部に適用した試供タイヤ（タイヤサイズ１９５／６５Ｒ１５）を国産ＦＦ車に装着し、走行距離８０００ｋｍ後のタイヤトレッド部のチッピング発生箇所をカウントし、比較例１−１を１００として指数表示した。数値が小さいほど耐チッピング性能が高いことを示している。
【０１０４】
【表２】
2014102210.tif 000015
【０１０５】
表２から、ＳＡＮＳ測定を用いた実施例において、（式２−２）〜（式２−３）を用いたカーブフィッティングで相関長Ξｃを求めることにより、耐チッピング性能を評価できることが立証され、比較例の実車テストとの相関性も優れていることから、精度よく測定できることも明らかとなった。また、カーボンブラックを有無にかかわらず、耐チッピング性能を良好に評価できることも明らかとなった。
【０１０６】
３−１．ＳＡＮＳ測定法−個数Ｎｃ（実施例３−１〜３−６）
前記ＳＡＮＳ測定法で得られた散乱強度曲線Ｉ（ｑ）に対して、（式３−２）〜（式３−６）を用いてカーブフィッティングを行い、フィッティングパラメーターΞｃ（１ｎｍ〜１００μｍの相関長（ポリマーの不均一網目構造サイズ））を最小２乗法で求め、更に得られた相関長Ξｃの値から、相関長Ξｃを持つ散乱体の単位体積あたりの個数Ｎｃを求めた。得られた個数Ｎｃの値について、実施例３−１を１００として指数表示した。数値が大きいほど耐摩耗性能が高いことを示す。
【０１０７】
３−２．ランボーン摩耗試験（比較例３−１〜３−６）
ランボーン型摩耗試験機を用いて、室温、負荷荷重１．０ｋｇｆ、スリップ率３０％の条件で摩耗量を測定した。摩耗量の逆数を、比較例３−１を１００として指数表示をした。数値が大きいほど耐摩耗性能が高いことを示す。
【０１０８】
３−３．実車耐摩耗性能テスト
実施例３−１〜３−６、比較例３−１〜３−６の各配合をタイヤトレッド部に適用した試供タイヤ（タイヤサイズ１９５／６５Ｒ１５）を国産ＦＦ車に装着し、走行距離８０００ｋｍ後のタイヤトレッド部の溝深さを測定した。この溝深さからタイヤの溝深さが１ｍｍ減るときの走行距離を算出し、下記式により比較例３−１を１００として指数表示をした。指数が大きいほど、耐摩耗性能が良好である。
（実車耐摩耗性能指数）＝（１ｍｍ溝深さが減るときの走行距離）／（比較例１のタイヤ溝が１ｍｍ減るときの走行距離）×１００
【０１０９】
【表３】
2014102210.tif 000016
【０１１０】
表３から、ＳＡＮＳ測定を用いた実施例において、（式３−２）〜（式３−６）を用いたカーブフィッティングで相関長Ξｃの散乱体の単位体積あたりの個数Ｎｃを求めることにより、耐摩耗性能を評価できることが立証され、特に比較例と比較すると、ランボーン摩耗試験では試料による耐摩耗性能の差を評価しにくいものでも、微小な差を精度よく測定できることも明らかとなった。また、カーボンブラックを有無にかかわらず、耐摩耗性能を良好に評価できることも明らかとなった。
【図１】
2014102210.tif 000023