(57)【要約】【課題】２つ以上の半導体レーザーを有する半導体レーザー装置を低コストで実現すること。【解決手段】基板２１と、基板２１上方に設けられた第１、第２の半導体レーザー２５、３０と、第１、第２の半導体レーザー２５、３０の間に介在する絶縁層２６とを備え、第１の半導体レーザー２５は、第１導電型クラッド層２２、発光層２３と、第２導電型クラッド層２４、リッジ３１、第１導電型電極３３、第２導電型電極３４を有し、絶縁層２６は、第２導電型クラッド層２４の上方における第２の領域１０２に配置され、第２の半導体レーザー３０は、絶縁層２６の上方に設けられた第１導電型クラッド層２７、第２の発光層２８、第２導電型クラッド層２９、リッジ３２、第１導電型電極３５、第２導電型電極３６と、を備えた半導体レーザー装置とした。【選択図】図１
2014170870.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上方に設けられた第１の半導体レーザーと、
前記基板上方に設けられた第２の半導体レーザーと、
前記第１の半導体レーザーと前記第２の半導体レーザーとの間に介在する絶縁層と、
を備え、
前記第１の半導体レーザーは、
前記基板上方に設けられた第１の第１導電型クラッド層と、
前記第１の第１導電型クラッド層の上方に設けられた第１の発光層と、
前記第１の発光層の上方に設けられた第１の第２導電型クラッド層と、
前記第１の第２導電型クラッド層の上方における第１の領域に設けられた第１のリッジと、
前記第１の第１導電型クラッド層に電気的に接続された第１の第１導電型電極と、
前記第１の第２導電型クラッド層に電気的に接続された第１の第２導電型電極と、
を有し、
前記絶縁層は、
前記第１の第２導電型クラッド層の上方における第２の領域に配置され、
前記第２の半導体レーザーは、
前記絶縁層の上方に設けられた第２の第１導電型クラッド層と、
前記第２の第１導電型クラッド層の上方に設けられた第２の発光層と、
前記第２の発光層の上方に設けられた第２の第２導電型クラッド層と、
前記第２の第２導電型クラッド層の上方に設けられた第２のリッジと、
前記第２の第１導電型クラッド層に電気的に接続された第２の第１導電型電極と、
前記第２の第２導電型クラッド層に電気的に接続された第２の第２導電型電極と、
を有する半導体レーザー装置。
【請求項２】
前記第２の第１導電型クラッド層は、
その上方に前記第２の発光層が設けられる発光層形成領域と、
その上方に前記第２の第１導電型電極が設けられる電極形成領域と、を有する
請求項１に記載の半導体レーザー装置。
【請求項３】
前記第１のリッジが、
前記第１の第２導電型クラッド層の上方における前記第１の領域の内、第２の領域近傍側に配置され、
前記第２のリッジが、
前記第２の第２導電型クラッド層の上方における前記第２の領域の内、第１の領域近傍側に配置された、
請求項１に記載の半導体レーザー装置。
【請求項４】
前記第１の第２導電型電極が、
前記第１の第２導電型クラッド層の上方における前記第１の領域の内、前記第２の領域近傍側に配置され、
前記第２の第２導電型電極が、
前記第２の第２導電型クラッド層の上方における前記第２の領域の内、前記第１の領域近傍側に配置された
請求項１に記載の半導体レーザー装置。
【請求項５】
前記絶縁層がＡｌＩｎＮ材料を含む
請求項１に記載の半導体レーザー装置。
【請求項６】
前記基板がＧａＮ材料を含む
請求項１に記載の半導体レーザー装置。
【請求項７】
前記第２の第１導電型クラッド層がＡｌＩｎＮ／ＧａＮの超格子を含む
請求項６に記載の半導体レーザー装置。
【請求項８】
前記第１の発光層からの発光が、
青色光と緑色光の内のいずれか一方であり、
前記第２の発光層からの発光が、
前記青色光と前記緑色光の内のいずれか他方である
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１導電型がｎ型であり、
前記第２導電型がｐ型である、
請求項１に記載の半導体レーザー装置。
【請求項１０】
前記第２の第２導電型クラッド層におけるアクセプターの活性化エネルギーが、
前記第２の第１導電型クラッド層におけるドナーの活性化エネルギーよりも大きい、
請求項９に記載の半導体レーザー装置。
【請求項１１】
前記第２の第２導電型クラッド層におけるアクセプターの活性化率が、
前記第２の第１導電型クラッド層におけるドナーの活性化率よりも低い、
請求項９に記載の半導体レーザー装置。
【請求項１２】
前記第１の第１導電型電極は前記第２の第１導電型電極と絶縁状態にあり、
前記第１の第１導電型電極は前記第２の第２導電型電極と絶縁状態にあり、
前記第１の第２導電型電極は前記第２の第１導電型電極と絶縁状態にあり、
前記第１の第２導電型電極は前記第２の第２導電型電極と絶縁状態にある、
請求項１に記載の半導体レーザー装置。
【請求項１３】
基板を用意する工程と、
前記基板の上方に第１の第１導電型クラッド層を設ける工程と、
前記第１の第１導電型クラッド層の上方に第１の発光層を設ける工程と、
前記第１の発光層の上方に第１の第２導電型クラッド層を設ける工程と、
前記第１の第２導電型クラッド層の上方に絶縁層を設ける工程と、
前記絶縁層の上方に第２の第１導電型クラッド層を設ける工程と、
前記第２の第１導電型クラッド層の上方に第２の発光層を設ける工程と、
前記第２の発光層の上方に第２の第２導電型クラッド層を設ける工程と、
少なくとも前記絶縁層から前記第２の第２導電型クラッド層までを第１の領域と第２の領域に分離し、前記第１の領域と第２の領域との境界から前記第１の第２導電型クラッド層を露出させる工程と、
前記第１の領域における前記絶縁層、前記第２の第１導電型クラッド層、前記第２の発光層、前記第２の第２導電型クラッド層を除去する工程と、
前記第１の第２導電型クラッド層の上面における前記第１の領域に第１のリッジを形成する工程と、
前記第２の第２導電型クラッド層の上面に第２のリッジを形成する工程と、
前記第２の第１導電型クラッド層の上面における電極形成領域を露出させる工程と、
前記電極形成領域に第２の第１導電型電極を形成する工程と、
前記第１のリッジの上方に第１の第２導電型電極を形成する工程と、
前記第２のリッジの上方に第２の第２導電型電極を形成する工程と、
前記基板の下方に第１の第１導電型電極を形成する工程と、
を有する半導体レーザー装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１の領域と前記第２の領域との分離工程は、
前記第２の第２導電型クラッド層の上方における前記第１の領域に第１のマスクを設け、
前記第２の第２導電型クラッド層の上方における前記第２の領域に第２のマスクを設ける工程と、
前記第１のマスクと前記第２のマスクが形成されていない領域をエッチングし前記第１の第２導電型クラッド層を露出させる工程と、
を有する
請求項１３に記載の半導体レーザーの製造方法。
【請求項１５】
前記第１のリッジを形成する工程において、
前記第１のリッジを、前記第１の第２導電型クラッド層の上方における前記第１の領域の内、前記第２の領域近傍側に形成し、
前記第２のリッジを形成する工程において、
前記第２のリッジを、前記第２の第２導電型クラッド層の上方における前記第２の領域の内、前記第１の領域近傍側に形成する
請求項１３に記載の半導体レーザー装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第１の第２導電型電極を形成する工程において、
前記第１の第２導電型電極を、前記第１の第２導電型クラッド層の上方における前記第１の領域の内、前記第２の領域近傍側に形成し、
前記第２の第２導電型電極を形成する工程において、
前記第２の第２導電型電極を、前記第２の第２導電型クラッド層の上方における前記第２の領域の内、前記第１の領域近傍側に形成する
請求項１３に記載の半導体レーザー装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第２の第２導電型クラッド層を形成する工程において、
前記第２の第２導電型クラッド層におけるアクセプター材料には、
その活性化エネルギーが、前記第２の第１導電型クラッド層におけるドナーの活性化エネルギーよりも大きい材料を用いる
請求項１３に記載の半導体レーザー装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第２の第２導電型クラッド層を形成する工程において、
前記第２の第２導電型クラッド層におけるアクセプター材料には、
その活性化率が、前記第２の第１導電型クラッド層におけるドナーの活性化率よりも低い材料を用いる
請求項１３に記載の半導体レーザー装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
ディスプレイ用光源、その他の電子装置、情報処理装置などに必要な光源として用いられる半導体レーザー装置とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来この種の半導体レーザーは、図１８に示すごとく、第１のｎ型電極１と、この第１のｎ型電極１の上方に形成されたｎ−ＧａＡｓ基板２と、このｎ−ＧａＡｓ基板２の上方に形成された第１のｎ型クラッド層３と、この第１のｎ型クラッド層３の上方に形成された第１の発光層４と、この第１の発光層４の上方に形成された第１のｐ型クラッド層６と、この第１のｐ型クラッド層６の上方に形成された第１の電流狭窄層５と、この第１の電流狭窄層５の上方に形成された第１のコンタクト層１４と、この第１のコンタクト層１４上方の一方側に形成されたｐ型電極７と、を備えている。これらにより赤色光を発する第１のレーザー１２を構成している。なお、第１の電流狭窄層５は開口部５Ａを有しており、この開口部５Ａ内部にも第１のｐ型クラッド層６の一部が形成されている。
【０００３】
更に、第１のコンタクト層１４上方の他方側に形成された第２の発光層８と、この第２の発光層８の上方に形成された第２のｎ型クラッド層１０と、この第２のｎ型クラッド層１０の上方に形成された第２の電流狭窄層９と、この第２の電流狭窄層９の上方に形成された第２のコンタクト層１５と、この第２のコンタクト層１５の上方に形成された第２のｎ型電極１１とを備え、上述した第１のｐ型クラッド層６、第１のｐ型電極７を第１のレーザー１２との共通部分として用いて、赤外光を発する第２のレーザー１３を構成している。なお、第２の電流狭窄層９は開口部９Ａを有しており、この開口部９Ａ内部にも第２のｎ型クラッド層１０の一部が形成されている。
【０００４】
なお、この出願に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−１１２１０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような従来の半導体レーザー装置では、製造する上でのコストが高いことが課題となっていた。
【０００７】
即ち、上記従来の構成においては、第１のｎ型クラッド層３から第１の電流狭窄層５までを成長炉内で形成した後、一度この成長炉から取り出し、第１の電流狭窄層５に開口部５Ａを設けた後、再び成長炉へ戻して開口部５Ａ内の第１のｐ型クラッド層６を形成しなければならない。更に、第２の電流狭窄層９の開口部９Ａを形成する際にも、この成長炉からの取り出し工程が発生してしまう。そのため、製造する上でのコストが高くなってしまっていた。
【０００８】
そこで本発明は、２つ以上の半導体レーザーを有する半導体レーザー装置を低コストで実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
そして、この目的を達成するために本発明は、基板と、前記基板上方に設けられた第１の半導体レーザーと、前記基板上方に設けられた第２の半導体レーザーと、前記第１の半導体レーザーと前記第２の半導体レーザーとの間に介在する絶縁層と、を備え、前記第１の半導体レーザーは、前記基板上方に設けられた第１の第１導電型クラッド層と、前記第１の第１導電型クラッド層の上方に設けられた第１の発光層と、前記第１の発光層の上方に設けられた第１の第２導電型クラッド層と、前記第１の第２導電型クラッド層の上方における第１の領域に設けられた第１のリッジと、前記第１の第１導電型クラッド層に電気的に接続された第１の第１導電型電極と、前記第１の第２導電型クラッド層に電気的に接続された第１の第２導電型電極と、を有し、前記絶縁層は、前記第１の第２導電型クラッド層の上方における第２の領域に配置され、前記第２の半導体レーザーは、前記絶縁層の上方に設けられた第２の第１導電型クラッド層と、前記第２の第１導電型クラッド層の上方に設けられた第２の発光層と、前記第２の発光層の上方に設けられた第２の第２導電型クラッド層と、前記第２の第２導電型クラッド層の上方に設けられた第２のリッジと、前記第２の第１導電型クラッド層に電気的に接続された第２の第１導電型電極と、前記第２の第２導電型クラッド層に電気的に接続された第２の第２導電型電極と、を有する半導体レーザー装置とした。
【発明の効果】
【００１０】
このような構成とすることにより、製造プロセス上、成長炉から複数回の取り出しを必要とせず、２つ以上の半導体レーザーを有する半導体レーザー装置を低コストで実現することができるのである。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施の形態１における半導体レーザー装置の断面図
【図２】実施の形態１における半導体レーザー装置の製造工程を示す断面図
【図３】実施の形態１における半導体レーザー装置の製造工程を示す断面図
【図４】実施の形態１における半導体レーザー装置の製造工程を示す断面図
【図５】実施の形態１における半導体レーザー装置の製造工程を示す断面図
【図６】実施の形態１における半導体レーザー装置の製造工程を示す断面図
【図７】実施の形態１における半導体レーザー装置の製造工程を示す断面図
【図８】実施の形態１における半導体レーザー装置の製造工程を示す断面図
【図９】実施の形態１における半導体レーザー装置の製造工程を示す断面図
【図１０】実施の形態１における半導体レーザー装置の他の実施例を示す断面図
【図１１】実施の形態１の半導体レーザー装置における他の実施例の製造工程を示す断面図
【図１２】実施の形態１の半導体レーザー装置における他の実施例の製造工程を示す断面図
【図１３】実施の形態１の半導体レーザー装置における他の実施例の製造工程を示す断面図
【図１４】実施の形態１の半導体レーザー装置における他の実施例の製造工程を示す断面図
【図１５】実施の形態１の半導体レーザー装置における他の実施例の製造工程を示す断面図
【図１６】実施の形態１の半導体レーザー装置における他の実施例の製造工程を示す断面図
【図１７】実施の形態１の半導体レーザー装置における他の実施例の製造工程を示す断面図
【図１８】従来の半導体レーザー装置の断面図
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（実施の形態１）
以下、実施の形態１における半導体レーザー装置について図面を参照しながら説明する。
【００１３】
実施の形態１における半導体レーザー装置は、図１に示すごとく、基板２１と、基板２１の上方に設けられた第１の半導体レーザー２５と、基板２１の上方に設けられた第２の半導体レーザー３０と、第１の半導体レーザー２５と第２の半導体レーザー３０との間に介在する絶縁層２６と、を備えている。
【００１４】
第１の半導体レーザー２５は、基板２１上方に設けられた第１の第１導電型クラッド層２２と、第１の第１導電型クラッド層２２の上方に設けられた第１の発光層２３と、第１の発光層２３の上方に設けられた第１の第２導電型クラッド層２４と、第１の第２導電型クラッド層２４の上方における第１の領域１０１に設けられた第１のリッジ３１と、第１の第１導電型クラッド層２２に電気的に接続された第１の第１導電型電極３３と、第１の第２導電型クラッド層２４に電気的に接続された第１の第２導電型電極３４と、を有している。
【００１５】
絶縁層２６は、第１の第２導電型クラッド層２４の上方における第２の領域１０２に配置されている。
【００１６】
第２の半導体レーザー３０は、絶縁層２６の上方に設けられた第２の第１導電型クラッド層２７と、第２の第１導電型クラッド層２７の上方に設けられた第２の発光層２８と、第２の発光層２８の上方に設けられた第２の第２導電型クラッド層２９と、第２の第２導電型クラッド層２９の上方に設けられた第２のリッジ３２と、第２の第１導電型クラッド層２７に電気的に接続された第２の第１導電型電極３５と、第２の第２導電型クラッド層２９に電気的に接続された第２の第２導電型電極３６と、を有している。
【００１７】
このような構成とすることにより、成長炉から複数回の取り出しを必要とせず、基板２１に対して縦方向に第１の半導体レーザー２５、第２の半導体レーザー３０を製造することができるため、２つ以上の半導体レーザーを有する半導体レーザー装置を低コストで実現することができる。なお、製造工程の詳細については後述する。
【００１８】
また、このような構成とすることによる付随的効果として、第２の第１導電型電極３５から第２の第２導電型電極３６への電流伝達を第２の領域１０２という限られた範囲内のみにおいて行うことができるため、電流が第２の第２導電型クラッド層２９を通過する距離を短くすることが可能である。その結果、第２の第２導電型クラッド層２９が有する抵抗値の影響を抑制し、電力−光変換効率を向上させることができるのである。
【００１９】
以下、必須の構成要素ではない任意の構成について説明する。
【００２０】
本実施の形態においては、第２の第１導電型クラッド層２７は、その上方に第２の発光層２８が設けられる発光層形成領域１０２Ｃと、その上方に第２の第１導電型電極３５が設けられる電極形成領域１０２Ｂと、を有する。
【００２１】
このような構成とすることにより、第２の第１導電型クラッド層２７の上方において、第２の発光層２８と第２の第１導電型電極３５の双方を設ける構成とすることができる。
【００２２】
また、第１のリッジ３１を第１の第２導電型クラッド層２４の上方における第１の領域１０１の内、第２の領域近傍側１０１Ａに形成し、第２のリッジ３２を第２の第２導電型クラッド層２９の上方における第２の領域１０２の内、第１の領域近傍側１０２Ａに形成する構成としている。
【００２３】
なお、第２の領域近傍側１０１Ａとは、図１に示すような、第１のリッジ３１、第２のリッジ３２を横切るある断面において、第１の領域１０１における中心線よりも第２の領域１０２に近い側を意味する。
【００２４】
また、第１の領域近傍側１０２Ａとは、図１に示すような、第１のリッジ３１、第２のリッジ３２を横切るある断面において、第２の領域１０２における中心線よりも第１の領域１０１に近い側を意味する。
【００２５】
このような構成とすることにより、第１の半導体レーザー２５の発光点と、第２の半導体レーザー３０の発光点が近い構成を実現することができる。その結果、第１の半導体レーザー２５、第２の半導体レーザー３０が組み込まれたセット製品の小型化を実現することが可能となる。
【００２６】
本実施の形態においては、第１の第１導電型電極３３は第１の第１導電型クラッド層２２の下方に設けられている。第１の第２導電型電極３４は第１の第２導電型クラッド層２４上方における第１の領域１０１の内、第２の領域近傍側１０１Ａに設けられており、第１のリッジ３１を介して第１の第２導電型クラッド層２４と電気的に接続されている。第２の第１導電型電極３５は、上述したとおり第２の第１導電型クラッド層２７上方における電極形成領域１０２Ｂに設けている。第２の第２導電型電極３６は第１の第２導電型クラッド層２４上方における第２の領域１０２の内、第１の領域近傍側１０２Ａに設けられており、第２のリッジ３２を介して第２の第２導電型クラッド層２９と電気的に接続されている。
【００２７】
なお、絶縁層２６の存在により、第１の第１導電型電極３３は第２の第１導電型電極３５と絶縁状態にあり、第１の第１導電型電極３３は前記第２の第２導電型電極３６と絶縁状態にあり、第１の第２導電型電極３４は第２の第１導電型電極３５と絶縁状態にあり、第１の第２導電型電極３４は前記第２の第２導電型電極３６と絶縁状態にある。
【００２８】
なお、絶縁層２６はＡｌＩｎＮ材料を用いて形成した場合、ＡｌとＩｎを含んでいるため、それらの含有比率を適宜選択することにより格子定数を調整することができ、歪調整層として機能させることができる。そのため、第２の半導体レーザー３０における歪発生を抑制することができる。更に、水酸化カリウムなどの酸性溶液にＡｌＩｎＮが溶解されることから、選択的エッチングが可能であるため、後に示す製造工程にて詳述するが、第１の第２導電型クラッド層２４における絶縁層２６非形成部の膜厚を一定に保つことができる。
【００２９】
更に、基板２１にＧａＮ材料を用いる場合においては、第２の第１導電型クラッド層２７をＡｌＩｎＮ／ＧａＮの超格子を用いて形成することにより、第２の第１導電型クラッド層２７における歪を小さくすることができる。これは、ＡｌＩｎＮ／ＧａＮの超格子がＧａＮの格子定数を選択することができるためである。
【００３０】
なお、本実施の形態における第１の発光層２３からの発光、及び第２の発光層２８からの発光は、赤色光、赤外光でもよく、また青色光、緑色光でも構わない。第１の発光層２３からの発光が、青色光と緑色光の内のいずれか一方であり、第２の発光層２８からの発光が、青色光と緑色光の内のいずれか他方である場合には、上述した第２の第２導電型クラッド層２９が有する抵抗値の影響を抑制するという効果がより顕著となる。その理由について以下、説明する。
【００３１】
まず、青色光または緑色光を発光させるためには、ＧａＮなどのバンドギャップの高い材料を用いて各クラッド層を構成する必要がある。そうすると、一般的にフェルミレベルとバレンスバンドとのエネルギー差が大きくなるため、各クラッド層の抵抗値が高くなってしまう。しかし、本実施の形態の構成であれば、上述したとおり、第２の第１導電型電極３５から第２の第２導電型電極３６への電流伝達を絶縁層２６の上方の限られた領域内のみにおいて行うことができるため、電流が前記第２の第２導電型クラッド層２９をシート方向に通過する距離を短くすることが可能である。その結果、たとえ第２の第２導電型クラッド層２９が有する抵抗値が高かったとしても、その影響を抑制し、電力−光変換効率を向上させることができるのである。
【００３２】
なお、第１導電型がｎ型であり、第２導電型がｐ型である構成、即ち、第１の第１導電型クラッド層２２と第２の第１導電型クラッド層２７とがそれぞれ第１、第２のｎ型クラッド層であり、第１の第２導電型クラッド層２４と第２の第２導電型クラッド層２９とがそれぞれ第１、第２のｐ型クラッド層である場合には、上述した第２の第２導電型クラッド層２９が有する抵抗値の影響を抑制するという効果がより顕著となる。その理由について以下、説明する。
【００３３】
上述したとおり、青色光または緑色光を発光させるためには、ＧａＮなどのバンドギャップの高い材料を用いて各クラッド層を構成する必要がある。ここで、一般的にＧａＮに用いられるアクセプターとしてはマグネシウムが用いられ、ドナーとしてはシリコンが用いられる。そうすると、アクセプターの活性化エネルギーはドナーの活性化エネルギーよりも大きいため、アクセプターの活性化率がドナーの活性化率よりも低くなり、その結果としてｐ型ＧａＮの抵抗はｎ型ＧａＮの抵抗よりも大きくなってしまう。特に、室温においてはドナーの活性化率と比較してアクセプターの活性化率の低さがより顕著となるため、ｎ型ＧａＮの抵抗と比較してｐ型ＧａＮの抵抗はより大きくなってしまう。しかし、本実施の形態の構成であれば、第２の第１導電型電極３５から第２の第２導電型電極３６への電流伝達経路において、電流がｐ型クラッド層である第２の第２導電型クラッド層２９を通過するのは、第２の第２導電型クラッド層２９における膜厚方向のわずかな距離である。また、上述したとおり、第２の第１導電型電極３５から第２の第２導電型電極３６への電流伝達を第２の領域１０２という限られた領域内のみにおいて行うことができるため、電流が前記第２の第２導電型クラッド層２９を通過する距離を短くすることが可能である。その結果、たとえ第２の第２導電型クラッド層２９がｐ型クラッド層であり高い抵抗値を有していたとしても、その影響を抑制し、電力−光変換効率を向上させることができるのである。
【００３４】
以下、製造方法について説明する。
【００３５】
まず、図２に示すように、基板２１を用意し、その上方にＭＯＣＶＤ装置を用いて第１の第１導電型クラッド層２２、第１の発光層２３、第１の第２導電型クラッド層２４、絶縁層２６、第２の第１導電型クラッド層２７、第２の発光層２８、第２の第２導電型クラッド層２９の順に積層して積層体を形成する。
【００３６】
ここで、第１の第１導電型クラッド層２２、第１の第２導電型クラッド層２４、第２の第１導電型クラッド層２７、第２の第２導電型クラッド層２９はＧａＮ系材料を用いて形成している。そして、第１の第１導電型クラッド層２２、第２の第１導電型クラッド層２７、にはドナーとしてのシリコンをドープしており、第１の第２導電型クラッド層２４、第２の第２導電型クラッド層２９にはアクセプターとしてのマグネシウムをドープしている。
【００３７】
この一連の工程を、ＭＯＣＶＤ装置における同一の成長炉内において取り出し工程なしに連続で行うことができるため、製造上のコストを低減することができるのである。
【００３８】
次に、図２に示した積層体を成長炉から取り出し、図３に示すように、第２の第２導電型クラッド層２９の上方に第１のマスク３７、第２のマスク３８を形成する。ここで、第１のマスク３７は図１を用いて上述した第１の半導体レーザー２５、即ち第１の領域１０１に対応する位置に形成し、第２のマスク３８は、第２の半導体レーザー３０、即ち第２の領域１０２に対応する位置に形成する。具体的には、マスク材料を第２の第２導電型クラッド層２９の上方全体に形成した後、フォトリソグラフィーにより第１、第２のマスク３７、３８に対応する部分のみを硬化状態とした後、ウェットエッチングによりそれ以外の部分を除去することにより、第１、第２のマスク３７、３８を形成する。
【００３９】
その後、図４に示すように、ドライエッチング工程により、第１、第２のマスク３７、３８非形成部をエッチングし、第１のマスク３７と第２のマスク３８の間から、第１の第２導電型クラッド層２４の一部を露出させる。この工程により、絶縁層２６、第２の第１導電型クラッド層２７、第２の発光層２８、第２の第２導電型クラッド層２９を含む積層体が、第１の領域１０１と、第２の領域１０２とに分離される。
【００４０】
次に、図５に示すごとく、例えばフッ化水素を用いたウェットエッチングにより、第１、第２のマスク３７、３８を除去する。
【００４１】
その後、図６に示すごとく、マスク材料３９を第１の第２導電型クラッド層２４、絶縁層２６、第２の第１導電型クラッド層２７、第２の発光層２８、第２の第２導電型クラッド層２９の露出する上面及び側面に形成する。ここで、マスク材料３９には酸化珪素を使用することができる。
【００４２】
次に、図７に示すごとく、図１を用いて上述した第１の半導体レーザー２５の上方に対応する部分、即ち第１の領域１０１のマスク材料３９のみをフォトリソグラフィーにより除去する。具体的には、図１を用いて上述した第２の半導体レーザー３０の上方に対応する部分、即ち第２の領域１０２のマスク材料３９のみを硬化状態とし、未硬化状態である第１の半導体レーザー２５の上方に対応する部分のマスク材料３９をウェットエッチングにより除去する。
【００４３】
その後、図８に示すごとく、選択的ウェットエッチングにより、第１の半導体レーザー２５の上方に対応する部分、即ち第１の領域１０１の絶縁層２６、第２の第１導電型クラッド層２７、第２の発光層２８、第２の第２導電型クラッド層２９を除去する。このような選択的ウェットエッチングを行うためには、構造の説明において上述したとおり、絶縁層２６はＡｌＩｎＮ材料を用いて形成することが望ましい。ＡｌＩｎＮが水酸化カリウムなどの酸性溶液に溶解されることから、選択的エッチングが可能であるためである。このような選択的エッチングを行うことで、第１の第２導電型クラッド層２４の上面までもエッチングされてしまうことを抑制することができるため、第１の第２導電型クラッド層２４における絶縁層２６非形成部の膜厚を一定に保つことができる。この段階で、絶縁層２６及びその上層は、第２の領域１０２内に収まる構成となっている。
【００４４】
次に、図８に示したマスク材料３９を、図９に示すごとく、例えばフッ化水素を用いたウェットエッチングにより除去する。
【００４５】
その後、図１に示すごとく、第１の第２導電型クラッド層２４の上面にドライエッチングを施し、第１のリッジ３１を形成し、第２の第２導電型クラッド層２９の上面にドライエッチングを施し、第２のリッジ３２を形成する。ここで、第１のリッジ３１を第１の第２導電型クラッド層２４の上方における第１の領域１０１の内、第２の領域近傍側１０１Ａに形成し、第２のリッジ３２を第２の第２導電型クラッド層２９の上方における第２の領域１０２の内、第１の領域近傍側１０２Ａに形成した場合、上述したセット製品の小型化を実現する効果を得ることができる。
【００４６】
次に、第２の第１導電型クラッド層２７の上面における電極形成領域１０２Ｂをウェットエッチングにより露出させ、この露出した上面に第２の第１導電型電極３５を電子ビーム蒸着工程により形成する。なお、このウェットエッチング工程において第２の発光層２８が除去されずに形成されたままになっている領域が、発光層形成領域１０２Ｃである。
【００４７】
更に、第１のリッジ３１の上方には、第１の第２導電型電極３４を電子ビーム蒸着工程により形成し、第２のリッジ３２の上方には、第２の第２導電型電極３６を電子ビーム蒸着工程により形成する。なお、第１の第１導電型電極３３は基板２１の下面に電子ビーム蒸着工程により形成する。
【００４８】
このような製造方法により、成長炉から複数回の取り出しを必要とせず、基板２１に対して縦方向に第１の半導体レーザー２５、第２の半導体レーザー３０を製造することができるため、製造上のコストを低減することができる。
【００４９】
なお、更なる工程として、第１のリッジ３１と第１の第２導電型電極３４との間の一部、第２のリッジ３２と第２の第２導電型電極３６との間の一部、及び第１の第２導電型クラッド層２４、絶縁層２６、第２の第１導電型クラッド層２７、第２の発光層２８、第２の第２導電型クラッド層２９の側面における少なくとも一部に絶縁膜４０をプラズマＣＶＤにより形成する工程を有することにより、リーク電流を大幅に低減することができる。
【００５０】
以下、図１０を用いて、本実施の形態における他の実施例の構成について説明する。
【００５１】
図１０に示す実施例においては、図１に示した構成に加えて、以下のような構成要素を有している。
【００５２】
基板２１と第１の第１導電型クラッド層２２との間に第１の第１導電型下地層４１を設けている。第１の第１導電型下地層４１を設けることにより、第１の第１導電型クラッド層２２形成面について平坦な表面を形成することができ、それよりも上層の界面の急峻性を向上させることができる。
【００５３】
第１の第１導電型クラッド層２２と第１の発光層２３との間には、第１の第１導電型ガイド層４２を設け、第１の第２導電型クラッド層２４と第１の発光層２３との間には、第１の第２導電型ガイド層４３を設けている。第１の第１導電型クラッド層２２、第１の第２導電型クラッド層２４の屈折率より高い屈折率を有する第１の第１導電型ガイド層４２、第１の第２導電型ガイド層４３を設けることにより、それらの屈折率差によって光を第１の発光層２３を含む光導波領域に閉じ込めることができるメリットがある。
【００５４】
また、第２の第１導電型クラッド層２７と第２の発光層２８との間には、第２の第１導電型ガイド層４６を設け、第２の第２導電型クラッド層２９と第２の発光層２８との間には、第２の第２導電型ガイド層４７を設けている。第２の第１導電型クラッド層２７、第２の第２導電型クラッド層２９の屈折率より高い屈折率を有する第２の第１導電型ガイド層４６、第２の第２導電型ガイド層４７を設けることにより、それらの屈折率差によって光を第２の発光層２８を含む光導波領域に閉じ込めることができるメリットがある。
【００５５】
第１の第２導電型ガイド層４３と第１の第２導電型クラッド層２４との間には、第１のオーバーフロー抑制層４４を設け、第２の第２導電型ガイド層４７と第２の第２導電型クラッド層２９との間には、第２のオーバーフロー抑制層４８を設けている。第１のオーバーフロー抑制層４４、第２のオーバーフロー抑制層４８を設けることにより、第１の発光層２３、第２の発光層２８に注入された伝導帯電子が光に変換されることなく再結合し、第１の第２導電型クラッド層２４、第２の第２導電型クラッド層２９にオーバーフローしてしまうことを抑制することができる。
【００５６】
第１のリッジ３１と第１の第２導電型電極３４との間には、第１の第２導電型コンタクト層４５を設け、第２のリッジ３２と第２の第２導電型電極３６との間には、第２の第２導電型コンタクト層４９を設けている。第１の第２導電型コンタクト層４５、第２の第２導電型コンタクト層４９を設けることにより、第１のリッジ３１と第１の第２導電型電極３４との接触抵抗、及び第２のリッジ３２と第２の第２導電型電極３６との接触抵抗を低減させることができる。
【００５７】
第１の第１導電型クラッド層２２、第１の第１導電型ガイド層４２、第１の発光層２３、第１の第２導電型ガイド層４３、第１のオーバーフロー抑制層４４、第１の第２導電型クラッド層２４、第１のリッジ３１、第１の第２導電型コンタクト層４５、第１の第２導電型電極３４により、第１の半導体レーザー５０を構成している。
【００５８】
第２の第１導電型クラッド層２７、第２の第１導電型ガイド層４６、第２の発光層２８、第２の第２導電型ガイド層４７、第２のオーバーフロー抑制層４８、第２の第２導電型クラッド層２９、第２のリッジ３２、第２の第２導電型コンタクト層４９、第２の第２導電型電極３６により、第２の半導体レーザー５１を構成している。
【００５９】
そして、第１の半導体レーザー５０と第２の半導体レーザー５１との間には、絶縁層２６を設けている。より具体的には、第１の第２導電型クラッド層２４の上方における第２の領域１０２内であり、且つ第２の半導体レーザー５１形成部の下方、即ち第２の第１導電型クラッド層２７の下方に絶縁層２６を設けている。
【００６０】
このような構成とすることにより、成長炉から複数回の取り出しを必要とせず、基板２１に対して縦方向に第１の半導体レーザー５０、第２の半導体レーザー５１を製造することができるため、２つ以上の半導体レーザーを有する半導体レーザー装置を低コストで実現することができる。なお、製造工程の詳細については後述する。
【００６１】
また、このような構成とすることによる付随的効果として、第２の第１導電型電極３５から第２の第２導電型電極３６への電流伝達を第２の領域１０２という限られた範囲内のみにおいて行うことができるため、電流が第２の第２導電型クラッド層２９を通過する距離を短くすることが可能である。その結果、第２の第２導電型クラッド層２９が有する抵抗値の影響を抑制し、電力−光変換効率を向上させることができるのである。
【００６２】
本実施の形態においては、第２の第１導電型クラッド層２７は、その上方に第２の発光層２８が設けられる発光層形成領域１０２Ｃと、その上方に第２の第１導電型電極３５が設けられる電極形成領域１０２Ｂと、を有する。
【００６３】
このような構成とすることにより、第２の第１導電型クラッド層２７の上方において、第２の発光層２８と第２の第１導電型電極３５の双方を設ける構成とすることができる。
【００６４】
本実施の形態においては、第１の第２導電型クラッド層２４の上方において、絶縁層２６を形成した第２の領域１０２とは異なる第１の領域１０１において第１のリッジ３１を有し、第２の第２導電型クラッド層２９の上方に第２のリッジ３２を更に有する構成としている。
【００６５】
そして、第１のリッジ３１を第１の第２導電型クラッド層２４の上方における第１の領域１０１の内、第２の領域近傍側１０１Ａに形成し、第２のリッジ３２を第２の第２導電型クラッド層２９の上方における第２の領域１０２の内、第１の領域近傍側１０２Ａに形成する構成としている。
【００６６】
このような構成とすることにより、第１の半導体レーザー５０の発光点と、第２の半導体レーザー５１の発光点が近い構成を実現することができる。その結果、第１の半導体レーザー５０、第２の半導体レーザー５１が組み込まれたセット製品の小型化を実現することが可能となる。
【００６７】
さらに、第１の第１導電型クラッド層２２に電気的に接続された第１の第１導電型電極３３と、第１の第２導電型クラッド層２４に電気的に接続された第１の第２導電型電極３４と、第２の第１導電型クラッド層２７に電気的に接続された第２の第１導電型電極３５と、第２の第２導電型クラッド層２９に電気的に接続された第２の第２導電型電極３６と、を備えている。
【００６８】
本実施の形態においては、第１の第１導電型電極３３は第１の第１導電型クラッド層２２の下方に設けられている。第１の第２導電型電極３４は第１の第２導電型クラッド層２４上方における第１の領域１０１の内、第２の領域近傍側１０１Ａに設けられており、第１のリッジ３１を介して第１の第２導電型クラッド層２４と電気的に接続されている。第２の第１導電型電極３５は、上述したとおり第２の第１導電型クラッド層２７上方における電極形成領域１０２Ｂに設けている。第２の第２導電型電極３６は第１の第２導電型クラッド層２４上方における第２の領域１０２の内、第１の領域近傍側１０２Ａに設けられており、第２のリッジ３２を介して第２の第２導電型クラッド層２９と電気的に接続されている。
【００６９】
なお、絶縁層２６の存在により、第１の第１導電型電極３３は第２の第１導電型電極３５と絶縁状態にあり、第１の第１導電型電極３３は前記第２の第２導電型電極３６と絶縁状態にあり、第１の第２導電型電極３４は第２の第１導電型電極３５と絶縁状態にあり、第１の第２導電型電極３４は前記第２の第２導電型電極３６と絶縁状態にある。
【００７０】
なお、絶縁層２６はＡｌＩｎＮ材料を用いて形成した場合、ＡｌとＩｎを含んでいるため、それらの含有比率を適宜選択することにより格子定数を調整することができ、歪調整層として機能させることができる。そのため、第２の半導体レーザー５１における歪発生を抑制することができる。更に、水酸化カリウムなどの酸性溶液にＡｌＩｎＮが溶解されることから、選択的エッチングが可能であるため、後に示す製造工程にて詳述するが、第１の第２導電型クラッド層２４における絶縁層２６非形成部の膜厚を一定に保つことができる。
【００７１】
更に、基板２１にＧａＮ材料を用いる場合においては、第２の第１導電型クラッド層２７をＡｌＩｎＮ／ＧａＮの超格子を用いて形成することにより、第２の第１導電型クラッド層２７における歪を小さくすることができる。これは、ＡｌＩｎＮ／ＧａＮの超格子がＧａＮの格子定数を選択することができるためである。
【００７２】
なお、本実施の形態における第１の発光層２３からの発光、及び第２の発光層２８からの発光は、赤色光、赤外光でもよく、また青色光、緑色光でも構わない。特に第１の発光層２３からの発光が、青色光と緑色光の内のいずれか一方であり、第２の発光層２８からの発光が、青色光と緑色光の内のいずれか他方である場合には、上述した第２の第２導電型クラッド層２９が有する抵抗値の影響を抑制するという効果がより顕著となる。その理由について以下、説明する。
【００７３】
まず、青色光または緑色光を発光させるためには、ＧａＮなどのバンドギャップの高い材料を用いて各クラッド層を構成する必要がある。そうすると、一般的にフェルミレベルとバレンスバンドとのエネルギー差が大きくなるため、各クラッド層の抵抗値が高くなってしまう。しかし、本実施の形態の構成であれば、上述したとおり、第２の第１導電型電極３５から第２の第２導電型電極３６への電流伝達を絶縁層２６の上方の限られた領域内のみにおいて行うことができるため、電流が前記第２の第２導電型クラッド層２９をシート方向に通過する距離を短くすることが可能である。その結果、たとえ第２の第２導電型クラッド層２９が有する抵抗値が高かったとしても、その影響を抑制し、電力−光変換効率を向上させることができるのである。
【００７４】
なお、第１導電型がｎ型であり、第２導電型がｐ型である構成、即ち、第１の第１導電型クラッド層２２と第２の第１導電型クラッド層２７とがそれぞれ第１、第２のｎ型クラッド層であり、第１の第２導電型クラッド層２４と第２の第２導電型クラッド層２９とがそれぞれ第１、第２のｐ型クラッド層である場合には、上述した第２の第２導電型クラッド層２９が有する抵抗値の影響を抑制するという効果がより顕著となる。その理由について以下、説明する。
【００７５】
上述したとおり、青色光または緑色光を発光させるためには、ＧａＮなどのバンドギャップの高い材料を用いて各クラッド層を構成する必要がある。ここで、一般的にＧａＮに用いられるアクセプターとしてはマグネシウムが用いられ、ドナーとしてはシリコンが用いられる。そうすると、アクセプターの活性化エネルギーはドナーの活性化エネルギーよりも大きいため、アクセプターの活性化率がドナーの活性化率よりも低くなり、その結果としてｐ型ＧａＮの抵抗はｎ型ＧａＮの抵抗よりも大きくなってしまう。特に、室温においてはドナーの活性化率と比較してアクセプターの活性化率の低さがより顕著となるため、ｎ型ＧａＮの抵抗と比較してｐ型ＧａＮの抵抗はより大きくなってしまう。しかし、本実施の形態の構成であれば、第２の第１導電型電極３５から第２の第２導電型電極３６への電流伝達経路において、電流がｐ型クラッド層である第２の第２導電型クラッド層２９を通過するのは、第２の第２導電型クラッド層２９における膜厚方向のわずかな距離である。また、上述したとおり、第２の第１導電型電極３５から第２の第２導電型電極３６への電流伝達を第２の領域１０２という限られた領域内のみにおいて行うことができるため、電流が前記第２の第２導電型クラッド層２９を通過する距離を短くすることが可能である。その結果、たとえ第２の第２導電型クラッド層２９がｐ型クラッド層であり高い抵抗値を有していたとしても、その影響を抑制し、電力−光変換効率を向上させることができるのである。
【００７６】
以下、製造方法について説明する。
【００７７】
まず、図１１に示すように、基板２１を用意し、その上方にＭＯＣＶＤ装置を用いて第１の第１導電型下地層４１、第１の第１導電型クラッド層２２、第１の第１導電型ガイド層４２、第１の発光層２３、第１の第２導電型ガイド層４３、第１のオーバーフロー抑制層４４、第１の第２導電型クラッド層２４、第１の第２導電型コンタクト層４５、絶縁層２６、第２の第１導電型クラッド層２７、第２の第１導電型ガイド層４６、第２の発光層２８、第２の第２導電型ガイド層４７、第２のオーバーフロー抑制層４８、第２の第２導電型クラッド層２９、第２の第２導電型コンタクト層４９の順に積層して積層体を形成する。
【００７８】
ここで、第１の第１導電型クラッド層２２、第１の第２導電型クラッド層２４、第２の第１導電型クラッド層２７、第２の第２導電型クラッド層２９はＧａＮ系材料を用いて形成している。そして、第１の第１導電型クラッド層２２、第２の第１導電型クラッド層２７、にはドナーとしてのシリコンをドープしており、第１の第２導電型クラッド層２４、第２の第２導電型クラッド層２９にはアクセプターとしてのマグネシウムをドープしている。
【００７９】
この一連の工程を、ＭＯＣＶＤ装置における同一の成長炉内において取り出し工程なしに連続で行うことができるため、製造上のコストを低減することができるのである。
【００８０】
次に、図１１に示した積層体を成長炉から取り出し、図１２に示すように、第２の第２導電型コンタクト層４９の上方に第１のマスク３７、第２のマスク３８を形成する。ここで、第１のマスク３７は図１０を用いて上述した第１の半導体レーザー５０に対応する位置に形成し、第２のマスク３８は、第２の半導体レーザー５１に対応する位置に形成する。具体的には、マスク材料を第２の第２導電型コンタクト層４９の上方全体に形成した後、フォトリソグラフィーにより第１、第２のマスク３７、３８に対応する部分のみを硬化状態とした後、ウェットエッチングによりそれ以外の部分を除去することにより、第１、第２のマスク３７、３８を形成する。
【００８１】
その後、図１３に示すように、ドライエッチング工程により、第１、第２のマスク３７、３８非形成部をエッチングし、第１のマスク３７と第２のマスク３８との間から第１の第２導電型クラッド層２４の一部を露出させる。この工程により、第１の第２導電型コンタクト層４５から第２の第２導電型コンタクト層４９までを含む積層体が、第１の領域１０１と、第２の領域１０２とに分離される。そして、例えばフッ化水素を用いたウェットエッチングにより第１、第２のマスク３７、３８を除去する。
【００８２】
その後、図１４に示すごとく、マスク材料３９を第１の第２導電型クラッド層２４、第１の第２導電型コンタクト層４５、絶縁層２６、第２の第１導電型クラッド層２７、第２の第１導電型ガイド層４６、第２の発光層２８、第２の第２導電型ガイド層４７、第２のオーバーフロー抑制層４８、第２の第２導電型クラッド層２９、第２の第２導電型コンタクト層４９の露出する側面及び上面に形成する。ここで、マスク材料３９には酸化珪素を使用することができる。
【００８３】
次に、図１５に示すごとく、図１０を用いて上述した第１の半導体レーザー５０の上方に対応する部分、即ち第１の領域１０１のマスク材料３９のみをフォトリソグラフィーにより除去する。具体的には、図１０を用いて上述した第２の半導体レーザー５１の上方に対応する部分、即ち第２の領域１０２のマスク材料３９のみを硬化状態とし、未硬化状態である第１の半導体レーザー５０の上方に対応する部分のマスク材料３９をウェットエッチングにより除去する。
【００８４】
その後、図１６に示すごとく、選択的ウェットエッチングにより、第１の半導体レーザー５０の上方に対応する部分、即ち第１の領域１０１の絶縁層２６、第２の第１導電型クラッド層２７、第２の第１導電型ガイド層４６、第２の発光層２８、第２の第２導電型ガイド層４７、第２のオーバーフロー抑制層４８、第２の第２導電型クラッド層２９、第２の第２導電型コンタクト層４９を除去する。このような選択的ウェットエッチングを行うためには、絶縁層２６はＡｌＩｎＮ材料を用いて形成することが望ましい。ＡｌＩｎＮが水酸化カリウムなどの酸性溶液に溶解されることから、選択的エッチングが可能であるためである。このような選択的エッチングを行うことで、第１の第２導電型クラッド層２４の上面までもエッチングされてしまうことを抑制することができるため、第１の第２導電型クラッド層２４における絶縁層２６非形成部の膜厚を一定に保つことができる。この段階で、絶縁層２６及びその上層は、第２の領域１０２内に収まる構成となっている。
【００８５】
次に、図１６に示したマスク材料３９を、図１７に示すごとく、例えばフッ化水素を用いたウェットエッチングにより除去する。
【００８６】
その後、図１０に示すごとく、第１の第２導電型クラッド層２４の上面にドライエッチングを施し、第１のリッジ３１を形成し、第２の第２導電型クラッド層２９の上面にドライエッチングを施し、第２のリッジ３２を形成する。なお、この第１のリッジ３１を形成するドライエッチングと第２のリッジ３２を形成するドライエッチングとは同一の工程で行ってもかまわない。ここで、第１のリッジ３１を第１の第２導電型クラッド層２４の上方における第１の領域１０１の内、第２の領域近傍側１０１Ａに形成し、第２のリッジ３２を第２の第２導電型クラッド層２９の上方における第２の領域１０２の内、第１の領域近傍側１０２Ａに形成した場合、上述したセット製品の小型化を実現する効果を得ることができる。
【００８７】
次に、第２の第１導電型クラッド層２７の上面における電極形成領域１０２Ｂをウェットエッチングにより露出させ、この露出した上面に第２の第１導電型電極３５を蒸着工程により形成する。なお、このウェットエッチング工程において第２の発光層２８が除去されずに形成されたままになっている領域が、発光層形成領域１０２Ｃである。
【００８８】
更に、第１のリッジ３１の上方には、第１の第２導電型電極３４を蒸着工程により形成し、第２のリッジ３２の上方には、第２の第２導電型電極３６を蒸着工程により形成する。なお、第１の第１導電型電極３３は基板２１の下面に蒸着工程により形成する。
【００８９】
このような製造方法により、成長炉から複数回の取り出しを必要とせず、基板２１に対して縦方向に第１の半導体レーザー５０、第２の半導体レーザー５１を製造することができるため、製造上のコストを低減することができる。
【００９０】
なお、更なる工程として、第１のリッジ３１と第１の第２導電型電極３４との間の一部、第２のリッジ３２と第２の第２導電型電極３６との間の一部、及び第１の第２導電型クラッド層２４、絶縁層２６、第２の第１導電型クラッド層２７、第２の第１導電型ガイド層４６、第２の発光層２８、第２の第２導電型ガイド層４７、第２の第２導電型クラッド層２９の側面には絶縁膜４０をプラズマＣＶＤ工程により形成する工程を有することにより、リーク電流を低減することができる。
【産業上の利用可能性】
【００９１】
本発明は、２つ以上の半導体レーザーを有する半導体レーザー装置を低コストで実現することができるという効果を有し、ディスプレイ用光源、その他の電子装置、情報処理装置などにおいて有用である。
【符号の説明】
【００９２】
２１  基板
２２  第１の第１導電型クラッド層
２３  第１の発光層
２４  第１の第２導電型クラッド層
２５、５０  第１の半導体レーザー
２６  絶縁層
２７  第２の第１導電型クラッド層
２８  第２の発光層
２９  第２の第２導電型クラッド層
３０、５１  第２の半導体レーザー
３３  第１の第１導電型電極
３４  第１の第２導電型電極
３５  第２の第１導電型電極
３６  第２の第２導電型電極
１０１  第１の領域
１０１Ａ  第２の領域近傍側
１０２  第２の領域
１０２Ａ  第１の領域近傍側
１０２Ｂ  電極形成領域
１０２Ｃ  発光層形成領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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