(57)【要約】【課題】絶縁破壊の発生を防止し得る、またはターゲット物質を適切に出力し得るターゲット供給装置を提供すること。【解決手段】ターゲット供給装置は、ノズルを備えたタンクと、第１貫通孔が設けられ、前記第１貫通孔内に前記ノズルの中心軸が位置するように設置された第１電極と、第２貫通孔が設けられた本体部、および、前記第２貫通孔の周縁から前記ノズルに近づく方向に延びる筒状に形成された捕集部を備え、前記第２貫通孔内に前記ノズルの中心軸が位置するように設置された第２電極と、前記タンク内部に設置された第３電極と、前記第２電極を加熱する加熱部と、を備えてもよい。【選択図】図３
2014102981.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノズルを備えたタンクと、
第１貫通孔が設けられ、前記第１貫通孔内に前記ノズルの中心軸が位置するように設置された第１電極と、
第２貫通孔が設けられた本体部、および、前記第２貫通孔の周縁から前記ノズルに近づく方向に延びる筒状に形成された捕集部を備え、前記第２貫通孔内に前記ノズルの中心軸が位置するように設置された第２電極と、
前記タンク内部に設置された第３電極と、
前記第２電極を加熱する加熱部と、を備えるターゲット供給装置。
【請求項２】
請求項１に記載のターゲット供給装置において、
前記第２電極は、前記本体部における前記捕集部の外側から前記捕集部と同じ方向に延びる筒状に形成され、その延出方向の先端が前記捕集部の延出方向の先端よりも前記ノズルの近くに位置するように設けられた電界緩和部を備えるターゲット供給装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、ターゲット供給装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外光（以下、ＥＵＶ光という場合がある。）を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ  Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）方式の装置との３種類の装置が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第７４０５４１６号明細書
【概要】
【０００５】
本開示の一態様によるターゲット供給装置は、ノズルを備えたタンクと、第１貫通孔が設けられ、前記第１貫通孔内に前記ノズルの中心軸が位置するように設置された第１電極と、第２貫通孔が設けられた本体部、および、前記第２貫通孔の周縁から前記ノズルに近づく方向に延びる筒状に形成された捕集部を備え、前記第２貫通孔内に前記ノズルの中心軸が位置するように設置された第２電極と、前記タンク内部に設置された第３電極と、前記第２電極を加熱する加熱部と、を備えてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
【図２】図２は、第１実施形態に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
【図３】図３は、第１実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
【図４】図４は、第１〜第３実施形態の課題を説明するための図であり、ターゲット供給装置がドロップレットを出力しているときの状態を示す。
【図５】図５は、第２実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
【図６】図６は、第２，第３実施形態の課題を説明するための図であり、ターゲット供給装置がドロップレットを出力しているときの状態を示す。
【図７】図７は、第３実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
【実施形態】
【０００７】
内容
１．概要
２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１  構成
２．２  動作
３．ターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置
３．１  用語の説明
３．２  第１実施形態
３．２．１  概略
３．２．２  構成
３．２．３  動作
３．３  第２実施形態
３．３．１  概略
３．３．２  構成
３．３．３  動作
３．４  第３実施形態
３．４．１  構成
３．４．２  動作
３．５  変形例
【０００８】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成および動作の全てが本開示の構成および動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【０００９】
１．概要
本開示の実施形態においては、ターゲット供給装置は、ノズルを備えたタンクと、第１貫通孔が設けられ、前記第１貫通孔内に前記ノズルの中心軸が位置するように設置された第１電極と、第２貫通孔が設けられた本体部、および、前記第２貫通孔の周縁から前記ノズルに近づく方向に延びる筒状に形成された捕集部を備え、前記第２貫通孔内に前記ノズルの中心軸が位置するように設置された第２電極と、前記タンク内部に設置された第３電極と、前記第２電極を加熱する加熱部と、を備えてもよい。
【００１０】
２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１  構成
図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。ＥＵＶ光生成装置１およびレーザ装置３を含むシステムを、以下、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１を参照に、以下に詳細に説明されるように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲット供給装置７をさらに含んでもよい。ターゲット供給装置７は、例えばチャンバ２に取り付けられていてもよい。ターゲット供給装置７から供給されるターゲットの材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、またはそれらのうちのいずれか２つ以上の組合せ等を含んでもよいが、これらに限定されない。
【００１１】
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔をレーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３２が通過するように、レーザ装置３等が配置されてもよい。あるいは、チャンバ２には、その貫通孔を塞ぐように、かつ、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３２が透過するように、少なくとも１つのウインドウ２１が設けられてもよい。チャンバ２の内部には例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１焦点および第２焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１焦点がプラズマ生成位置またはその近傍のプラズマ生成領域２５に位置し、その第２焦点が露光装置の仕様によって規定される所望の集光位置（中間焦点（ＩＦ）２９２）に位置するように配置されるのが好ましい。所望の集光位置は中間焦点（ＩＦ）２９２と呼んでもよい。なお、プラズマの生成については、後に説明する。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には、貫通孔２４が設けられてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、パルスレーザ光３３が貫通孔２４を通過するように配置されてもよい。
【００１２】
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御システム５を含んでいてもよい。また、ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲットセンサ４を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、ターゲットの存在、軌道、位置等を検出してもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよい。
【００１３】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２内部と露光装置６内部とを連通させるための接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２焦点位置に位置するように配置されてもよい。
【００１４】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光光学系２２、ドロップレット２７を回収するためのターゲット回収装置２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置や姿勢等を調節するためのアクチュエータとを備えてもよい。
【００１５】
２．２  動作
図１を参照すると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過して、チャンバ２に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光光学系２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのドロップレット２７に照射されてもよい。
【００１６】
ターゲット供給装置７からは、ドロップレット２７がチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力されてもよい。ドロップレット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスレーザ光が照射され得る。パルスレーザ光３３が照射されたドロップレット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶを含む光２５１（以下、「ＥＵＶ光を含む光」を「ＥＵＶ光」と表現する場合がある）が放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって集光されるとともに反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３で反射されたＥＵＶ光２５２（ＥＵＶ光を含む光２５２）は、中間焦点２９２を通って露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのドロップレット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスレーザ光が照射されてもよい。
【００１７】
ＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたドロップレット２７のイメージデータ等を処理してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、ドロップレット２７を出力するタイミングやドロップレット２７の出力速度等を制御してもよい。また、ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、レーザ装置３のレーザ発振タイミングやパルスレーザ光３２の進行方向やパルスレーザ光３３の集光位置等を制御してもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御を追加してもよい。
【００１８】
３．ターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置
３．１  用語の説明
以下、図２、図３、図４、図５，図６における紙面上方向を＋Ｚ方向と表現し、下方向を−Ｚ方向と表現し、上方向と下方向とをＺ軸方向と表現する場合がある。同様に、図２、図３、図４、図５，図６における紙面右方向を＋Ｘ方向と表現し、左方向を−Ｘ方向と表現し、右方向と左方向とをＸ軸方向と表現する場合がある。図７における紙面左斜め上方向を＋Ｚ方向と表現し、右斜め下方向を−Ｚ方向と表現し、左斜め上方向と右斜め下方向とをＺ軸方向と表現する場合がある。同様に、図７における紙面右斜め上方向を＋Ｘ方向と表現し、左斜め下方向を−Ｘ方向と表現し、右斜め上方向と左斜め下方向とをＸ軸方向と表現する場合がある。同様に、図２、図３、図４、図５，図６、図７における紙面手前方向を＋Ｙ方向と表現し、奥方向を−Ｙ方向と表現し、手前方向と奥方向とをＹ軸方向と表現する場合がある。なお、これらの表現は、重力方向１０Ｂとの関係を表すものではない。
【００１９】
３．２  第１実施形態
３．２．１  概略
本開示の第１実施形態のターゲット供給装置において、ノズルを備えたタンクと、第１貫通孔が設けられ、前記第１貫通孔内に前記ノズルの中心軸が位置するように設置された第１電極と、第２貫通孔が設けられた本体部、および、前記第２貫通孔の周縁から前記ノズルに近づく方向に延びる筒状に形成された捕集部を備え、前記第２貫通孔内に前記ノズルの中心軸が位置するように設置された第２電極と、前記タンク内部に設置された第３電極と、前記第２電極を加熱する加熱部と、を備えてもよい。
【００２０】
３．２．２  構成
図２は、第１実施形態に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。図３は、第１実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
ＥＵＶ光生成装置１Ａは、図２に示すように、チャンバ２と、ターゲット供給装置７Ａとを備えてもよい。ターゲット供給装置７Ａは、ターゲット生成部７０Ａと、ターゲット制御装置９０Ａとを備えてもよい。ターゲット制御装置９０Ａには、レーザ装置３と、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａとが電気的に接続されてもよい。
【００２１】
ターゲット生成部７０Ａは、ターゲット生成器７１Ａと、圧力制御部７２Ａと、第１温度制御部７３Ａと、静電引出部７５Ａと、第２温度制御部８０Ａとを備えてもよい。
ターゲット生成器７１Ａは、内部にターゲット物質２７０を収容するためのタンク７１１Ａを備えてもよい。タンク７１１Ａは、筒状であってもよい。タンク７１１Ａには、当該タンク７１１Ａ内のターゲット物質２７０を、ドロップレット２７としてチャンバ２内に出力するためのノズル７１２Ａが設けられていてもよい。ターゲット生成器７１Ａは、タンク７１１Ａがチャンバ２外部に位置し、ノズル７１２Ａがチャンバ２内部に位置するように設けられてもよい。ノズル７１２Ａの軸は、図３に示すように、ドロップレット２７の設定軌道ＣＡと一致してもよい。設定軌道ＣＡは、Ｚ軸方向と一致してもよい。
【００２２】
ノズル７１２Ａは、図２および図３に示すように、ノズル本体７１３Ａと、出力部７１４Ａとを備えてもよい。
ノズル本体７１３Ａは、略円筒状に形成されてもよい。ノズル本体７１３Ａは、タンク７１１Ａの下面からチャンバ２内に突出するように設けられてもよい。
出力部７１４Ａは、略円板状に形成されてもよい。出力部７１４Ａの外径は、ノズル本体７１３Ａの外径と略等しくてもよい。出力部７１４Ａは、ノズル本体７１３Ａの先端面に密着するように設けられてもよい。出力部７１４Ａの中央部分には、円錐台状の突出部７１５Ａが設けられてもよい。突出部７１５Ａは、そこに電界が集中し易いようにするために設けられてもよい。突出部７１５Ａには、突出部７１５Ａにおける円錐台上面部を構成する先端部の略中央部に開口するノズル孔７１６Ａが設けられてもよい。ノズル孔７１６Ａの直径は、６μｍ〜１５μｍであってもよい。
出力部７１４Ａは、出力部７１４Ａとターゲット物質２７０との接触角が９０°以上の材料で構成されるのが好ましい。あるいは、出力部７１４Ａの少なくとも表面が、当該接触角が９０°以上の材料でコーティングされてもよい。接触角が９０°以上の材料は、ＳｉＣ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、モリブデン、タングステンであってもよい。
【００２３】
タンク７１１Ａと、ノズル７１２Ａと、出力部７１４Ａとは、電気絶縁材料で構成されてもよい。これらが、電気絶縁材料ではない材料、例えばモリブデンなどの金属材料で構成される場合には、チャンバ２とターゲット生成器７１Ａとの間や、出力部７１４Ａと後述する第１電極７５１Ａおよび第２電極７５２Ａとの間に電気絶縁材料が配置されてもよい。この場合、タンク７１１Ａと後述するパルス電圧生成器７５５Ａとが電気的に接続されてもよい。
【００２４】
チャンバ２の設置形態によっては、予め設定されるドロップレット２７の出力方向（ノズル７１２Ａの軸方向（設定出力方向１０Ａと称する））は、必ずしも重力方向１０Ｂと一致するとは限らない。重力方向１０Ｂに対して、斜め方向や水平方向に、ドロップレット２７が出力されるよう構成されてもよい。なお、第１実施形態では、設定出力方向１０Ａが重力方向１０Ｂと一致するようにチャンバ２が設置されてもよい。
【００２５】
圧力制御部７２Ａは、アクチュエータ７２２Ａと、圧力センサ７２３Ａとを備えてもよい。アクチュエータ７２２Ａは、配管７２４Ａを介して、タンク７１１Ａの上端に連結されてもよい。アクチュエータ７２２Ａには、配管７２５Ａを介して、不活性ガスボンベ７２１Ａが接続されてもよい。アクチュエータ７２２Ａは、ターゲット制御装置９０Ａに電気的に接続されてもよい。アクチュエータ７２２Ａは、ターゲット制御装置９０Ａから送信される信号に基づいて、不活性ガスボンベ７２１Ａから供給される不活性ガスの圧力を制御して、タンク７１１Ａ内の圧力を調節するよう構成されてもよい。
圧力センサ７２３Ａは、配管７２５Ａに設けられてもよい。圧力センサ７２３Ａは、ターゲット制御装置９０Ａに電気的に接続されてもよい。圧力センサ７２３Ａは、配管７２５Ａ内に存在する不活性ガスの圧力を検出して、この検出した圧力に対応する信号をターゲット制御装置９０Ａに送信してもよい。
【００２６】
第１温度制御部７３Ａは、タンク７１１Ａ内のターゲット物質２７０の温度を制御するよう構成されてもよい。第１温度制御部７３Ａは、第１ヒータ７３１Ａと、第１ヒータ電源７３２Ａと、第１温度センサ７３３Ａと、第１温度コントローラ７３４Ａとを備えてもよい。
第１ヒータ７３１Ａは、タンク７１１Ａの外周面に設けられてもよい。
第１ヒータ電源７３２Ａは、第１温度コントローラ７３４Ａからの信号に基づいて、第１ヒータ７３１Ａに電力を供給して第１ヒータ７３１Ａを発熱させてもよい。それにより、タンク７１１Ａ内のターゲット物質２７０が、タンク７１１Ａを介して加熱され得る。
第１温度センサ７３３Ａは、タンク７１１Ａの外周面におけるノズル７１２Ａ側に設けられてもよいし、タンク７１１Ａ内に設けられてもよい。第１温度センサ７３３Ａは、タンク７１１Ａにおける主に第１温度センサ７３３Ａの設置位置およびその近傍の位置の温度を検出して、当該検出した温度に対応する信号を第１温度コントローラ７３４Ａに送信するよう構成されてもよい。第１温度センサ７３３Ａの設置位置およびその近傍の位置の温度は、タンク７１１Ａ内のターゲット物質２７０の温度とほぼ同一の温度となり得る。
第１温度コントローラ７３４Ａは、第１温度センサ７３３Ａからの信号に基づいて、ターゲット物質２７０の温度を所定温度に制御するための信号を第１ヒータ電源７３２Ａに出力するよう構成されてもよい。
【００２７】
静電引出部７５Ａは、第１電極７５１Ａと、第２電極７５２Ａと、第３電極７５３Ａと、固定部７５４Ａと、パルス電圧生成器７５５Ａと、電圧源７５６Ａとを備えてもよい。後に説明するように、静電引出部７５Ａは、第１電極７５１Ａの電位と第３電極７５３Ａの電位との間の電位差を利用して、ドロップレット２７を出力部７１４Ａのノズル孔７１６Ａから引き出してもよい。また、静電引出部７５Ａは、第１電極７５１Ａの電位と第２電極７５２Ａの電位との間の電位差を利用して、ノズル孔７１６Ａから引き出したドロップレット２７を加速して、チャンバ２内へ出力してもよい。
【００２８】
第１電極７５１Ａは、導電性を有する材料によって構成されてもよい。第１電極７５１Ａには、フィードスルー７５７Ａを介してパルス電圧生成器７５５Ａが電気的に接続されてもよい。第１電極７５１Ａは、第１板状部７６０Ａを備えてもよい。
【００２９】
第１板状部７６０Ａは、略円板状に形成されてもよい。第１板状部７６０Ａの外径は、出力部７１４Ａの外径よりも大きくてもよい。第１板状部７６０Ａの中央には、円形状の第１貫通孔７６３Ａが形成されてもよい。第１板状部７６０Ａは、ノズル７１２Ａから所定距離離れた位置で当該ノズル７１２Ａと対向するように、面方向外側の端部が固定部７５４Ａに固定されてもよい。
【００３０】
第１貫通孔７６３Ａの縁は、滑らかな曲面状に形成されてもよい。このように、第１貫通孔７６３Ａの縁を曲面状に形成することによって、当該部分に電界が集中することを抑制できる。
【００３１】
第２電極７５２Ａは、導電性を有する材料によって構成されてもよい。第２電極７５２Ａは、接地されてもよい。第２電極７５２Ａは、本体部７７０Ａと、捕集部７７１Ａとを備えてもよい。
【００３２】
本体部７７０Ａは、第２板状部７７３Ａと、筒状部７７４Ａとを備えてもよい。
第２板状部７７３Ａは、略円板状に形成されてもよい。第２板状部７７３Ａの外径は、第１電極７５１Ａの第１板状部７６０Ａの外径と略等しくてもよい。第２板状部７７３Ａの中央には、円形状の第２貫通孔７７６Ａが形成されてもよい。第２貫通孔７７６Ａの直径は、第１電極７５１Ａの第１貫通孔７６３Ａの直径よりも大きくてもよい。
筒状部７７４Ａは、第２板状部７７３Ａの面方向外側端部の上面から当該面方向と直交する方向（＋Ｚ方向）に延びる略円筒状に形成されてもよい。本体部７７０Ａは、第１板状部７６０Ａから所定距離離れた位置で当該第１板状部７６０Ａと対向するように、筒状部７７４Ａが固定部７５４Ａに固定されてもよい。
【００３３】
捕集部７７１Ａは、第２板状部７７３Ａの第２貫通孔７７６Ａの周縁から、筒状部７７４Ａと同じ方向（＋Ｚ方向）に延びる略円錐台筒状に形成されてもよい。捕集部７７１Ａの先端部７７７Ａは、尖っていてもよい。捕集部７７１Ａの外周面と、第２板状部７７３Ａの上面と、筒状部７７４Ａの内周面とは、溝部７７９Ａを形成し得る。
ここで、先端部７７７Ａの先端を尖らせないで平面状に形成した場合、設定軌道ＣＡから外れたドロップレット２７が先端部７７７Ａに付着すると、当該ドロップレット２７は、そのまま先端部７７７Ａ上に残り得る。これに対して、先端部７７７Ａを尖らせることによって、設定軌道ＣＡから外れたドロップレット２７が先端部７７７Ａに付着すると、当該ドロップレット２７は、捕集部７７１Ａの外周面に沿って流れ、溝部７７９Ａ内に溜まり得る。
【００３４】
第３電極７５３Ａは、タンク７１１Ａ内のターゲット物質２７０中に配置されてもよい。第３電極７５３Ａには、フィードスルー７５８Ａを介して電圧源７５６Ａが電気的に接続されてもよい。
【００３５】
固定部７５４Ａは、第１電極７５１Ａおよび第２電極７５２Ａをノズル７１２Ａに対して固定してもよい。固定部７５４Ａは、第１固定部材７９０Ａと、第２固定部材７９１Ａとを備えてもよい。
【００３６】
第１固定部材７９０Ａおよび第２固定部材７９１Ａは、絶縁性の材料によって、略円筒状に形成されてもよい。第１固定部材７９０Ａの内径および第２固定部材７９１Ａの内径は、ノズル本体７１３Ａの外径および出力部７１４Ａの外径と略等しくてもよい。第１固定部材７９０Ａの外径および第２固定部材７９１Ａの外径は、第１板状部７６０Ａの外径および第２板状部７７３Ａの外径と略等しくてもよい。第１固定部材７９０Ａの軸方向の寸法は、第２固定部材７９１Ａの軸方向の寸法よりも小さくてもよい。
【００３７】
第１固定部材７９０Ａは、当該第１固定部材７９０Ａの内部にノズル７１２Ａが嵌め込まれるように、ノズル７１２Ａに固定されてもよい。第１固定部材７９０Ａの下端は、突出部７１５Ａの先端よりも下方に位置してもよい。第１固定部材７９０Ａの下端には、第１電極７５１Ａの第１板状部７６０Ａが固定されてもよい。
このような固定によって、第１貫通孔７６３Ａの軸は、ノズル７１２Ａの軸と略一致し得る。
【００３８】
第２固定部材７９１Ａの上端は、第１板状部７６０Ａの下面に固定されてもよい。第２固定部材７９１Ａの下端には、第２電極７５２Ａの筒状部７７４Ａが固定されてもよい。
このような固定によって、捕集部７７１Ａの軸と第２貫通孔７７６Ａの軸とは、ノズル７１２Ａの軸と略一致し得る。第２電極７５２Ａの第２板状部７７３Ａと第１電極７５１Ａの第１板状部７６０Ａとの距離は、突出部７１５Ａと第１板状部７６０Ａとの距離よりも大きくなり得る。
【００３９】
パルス電圧生成器７５５Ａおよび電圧源７５６Ａは、接地されてもよい。パルス電圧生成器７５５Ａおよび電圧源７５６Ａには、ターゲット制御装置９０Ａが電気的に接続されてもよい。
【００４０】
第２温度制御部８０Ａは、本開示の加熱部であってもよい。第２温度制御部８０Ａは、第２電極７５２Ａの温度を制御するよう構成されてもよい。第２温度制御部８０Ａは、第２ヒータ８０１Ａと、第２ヒータ電源８０２Ａと、第２温度センサ８０３Ａと、第２温度コントローラ８０４Ａとを備えてもよい。
【００４１】
第２ヒータ８０１Ａは、第２板状部７７３Ａにおけるノズル７１２Ａから遠い側（−Ｚ方向側）の第２面に設けられてもよい。第２ヒータ８０１Ａには、図２に示すように、フィードスルー８０６Ａを介して第２ヒータ電源８０２Ａが電気的に接続されてもよい。
第２ヒータ電源８０２Ａは、第２温度コントローラ８０４Ａからの信号に基づいて、第２ヒータ８０１Ａを発熱させてもよい。それにより、捕集部７７１Ａの先端部７７７Ａに付着したドロップレット２７や、溝部７７９Ａ内に溜まったターゲット物質２７１Ａが、第２電極７５２Ａを介して加熱され得る。
第２温度センサ８０３Ａは、筒状部７７４Ａの外周面に設けられてもよいし、捕集部７７１Ａの内周面や溝部７７９Ａ内に設けられてもよい。第２温度センサ８０３Ａには、フィードスルー８０６Ａを介して第２温度コントローラ８０４Ａが電気的に接続されてもよい。第２温度センサ８０３Ａは、第２電極７５２Ａにおける主に第２温度センサ８０３Ａの設置位置およびその近傍の位置の温度を検出して、当該検出した温度に対応する信号を第２温度コントローラ８０４Ａに送信するよう構成されてもよい。第２温度センサ８０３Ａの設置位置およびその近傍の位置の温度は、溝部７７９Ａ内のターゲット物質２７１Ａの温度とほぼ同一の温度となり得る。
第２温度コントローラ８０４Ａは、第２温度センサ８０３Ａからの信号に基づいて、先端部７７７Ａに付着したドロップレット２７や溝部７７９Ａ内に溜まったターゲット物質２７１Ａの温度を所定温度に制御するための信号を第２ヒータ電源８０２Ａに出力するよう構成されてもよい。
【００４２】
ターゲット制御装置９０Ａは、第１温度コントローラ７３４Ａに信号を送信して、ターゲット生成器７１Ａ内のターゲット物質２７０の温度を制御してもよい。ターゲット制御装置９０Ａは、圧力制御部７２Ａのアクチュエータ７２２Ａに信号を送信して、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力を制御してもよい。ターゲット制御装置９０Ａは、第２温度コントローラ８０４Ａに信号を送信して、先端部７７７Ａに付着したドロップレット２７や溝部７７９Ａ内に溜まったターゲット物質２７１Ａの温度を制御してもよい。
【００４３】
３．２．３  動作
図４は、第１〜第３実施形態の課題を説明するための図であり、ターゲット供給装置がドロップレットを出力しているときの状態を示す。
なお、以下において、ターゲット物質２７０がスズの場合を例示して、ターゲット供給装置７Ａの動作を説明する。
【００４４】
まず、第１〜第３実施形態のターゲット供給装置が解決しようとする課題について説明する。
ＥＵＶ光生成装置のターゲット供給装置は、図４に示すように、第２電極７５２以外の構成については、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ａと同様のものを適用してもよい。
第２電極７５２は、第２貫通孔７７２を有する第２板状部７７０のみから構成されてもよい。
【００４５】
このようなターゲット供給装置において、第１温度制御部は、ターゲット生成器内のターゲット物質２７０を当該ターゲット物質２７０の融点以上の所定の温度まで加熱してもよい。電圧源７５６Ａは、ターゲット生成器内のターゲット物質２７０に正極の高電圧（例えば、５０ｋＶ）を印加してもよい。
そして、ターゲット物質２７０に高電圧を印加した状態において、パルス電圧生成器７５５Ａは、第１電極７５１Ａに印加する電圧を高電圧から低電圧（例えば、４５ｋＶ）に降下させ、所定時間保持して、再び高電圧に戻してもよい。このとき、第１電極７５１Ａの電圧降下のタイミングに同期して、ターゲット物質２７０が静電気力によってドロップレット２７の形状で引き出され得る。ドロップレット２７は、正極に帯電し得る。そして、ドロップレット２７は、接地（０ｋＶ）された第２電極７５２によって加速し、第２電極７５２の第２貫通孔７７２を通過し得る。第２貫通孔７７２を通過したドロップレット２７は、プラズマ生成領域に到達したときにパルスレーザ光が照射され得る。
【００４６】
ここで、ターゲット生成器内のターゲット物質２７０がノズル７１２Ａからドロップレット２７の形状で引き出されるとき、ドロップレット２７の軌道が設定軌道ＣＡから当該設定軌道ＣＡと略直交する方向（Ｚ軸方向と略直交する方向）にずれることがあり得る。ドロップレット２７の軌道が設定軌道ＣＡからずれる原因は、以下のように推測し得る。
【００４７】
ドロップレット２７が生成されるとき、突出部７１５Ａの先端面７１７Ａのうち内縁側の円環状の領域には、ドロップレット２７と接触する領域と、ドロップレット２７と接触しない領域とが存在し得る。この場合、先端面７１７Ａにおける内縁側の円環状の領域のうちドロップレット２７と接触した領域は、ターゲット物質２７０が濡れやすくなり得る。その結果、ドロップレット２７の中心位置が設定軌道ＣＡから例えば左側（−Ｘ方向）にずれ得る。
この設定軌道ＣＡから中心位置がずれたドロップレット２７を第１電極７５１Ａによって引き出すと、ドロップレット２７の軌道ＣＡ１が設定軌道ＣＡより左側にずれ得る。軌道ＣＡ１が設定軌道ＣＡからずれると、ドロップレット２７は、静電力によって第２貫通孔７７２の外縁側に引き寄せられ、第２板状部７７０上に付着し得る。一旦、ドロップレット２７が第２板状部７７０に付着すると、ターゲット物質が固化し得る。固化したターゲット物質には電界が集中し、次に出力されるドロップレット２７を当該固化したターゲット物質に引き寄せる力が発生し得る。この発生した力によってドロップレット２７が樹枝状に堆積し、ドロップレット２７が第２貫通孔７７２を通過してターゲット供給装置から出力されなくなり得る。
この図４に示す課題を解決するために、図３に示すように、ターゲット供給装置７Ａに捕集部７７１Ａ、第２温度制御部８０Ａを設けてもよい。
【００４８】
ターゲット供給装置７Ａにおいて、第２温度制御部８０Ａは、第２電極７５２Ａをターゲット物質２７０の融点以上の所定の温度まで加熱してもよい。ターゲット供給装置７Ａは、ターゲット生成器７１Ａ内のターゲット物質２７０をドロップレット２７の形状で引き出してもよい。
ノズル７１２Ａからドロップレット２７が引き出されたとき、ドロップレット２７の軌道が設定軌道ＣＡからＺ軸方向と略直交する方向にずれることがあり得る。このドロップレット２７は、捕集部７７１Ａの外周面に付着し得る。捕集部７７１Ａがターゲット物質２７０の融点以上の所定の温度まで加熱されているため、ドロップレット２７は、捕集部７７１Ａに付着すると、固化することなく重力によって流れ得る。その結果、ターゲット物質２７１Ａが液体の状態で溝部７７９Ａ内に溜まり得る。これにより、次に出力されるドロップレット２７を捕集部７７１Ａに引き寄せる力の発生が防止され得る。
【００４９】
その後、ドロップレット２７が連続して引き出されると、先端面７１７Ａにおける内縁側の円環状の領域のうち、ドロップレット２７と接触する領域が徐々に広がり得る。当該円環状の領域の全てにドロップレット２７が接触していない状態では、ドロップレット２７の中心位置が設定軌道ＣＡからＺ軸方向と略直交する方向にずれるため、ノズル７１２Ａから引き出されたドロップレット２７の軌道が設定軌道ＣＡからずれてしまい、ドロップレット２７は溝部７７９Ａ内に溜まり得る。このとき、ターゲット物質２７１Ａが液体の状態で溝部７７９Ａ内に溜まり得るため、第２電極７５２Ａ上にドロップレット２７が樹枝状に堆積することが防止され得る。その結果、次に出力されるドロップレット２７を捕集部７７１Ａに引き寄せる力の発生が防止され得る。
そして、ドロップレット２７が先端面７１７Ａにおける内縁側の円環状の領域の全てに接触すると、ドロップレット２７の中心位置が設定軌道ＣＡと略一致し得る。その結果、ドロップレット２７は、捕集部７７１Ａと接触せずに第２貫通孔７７６Ａを通過して、ターゲット供給装置７Ａから出力され得る。
【００５０】
上述のように、ターゲット供給装置７Ａは、捕集部７７１Ａおよび第２温度制御部８０Ａによって、固体のターゲット物質が第２電極７５２Ａ上に樹枝状に堆積することを防止し得る。このため、ターゲット供給装置７Ａは、ドロップレット２７を適切に出力し得る。
【００５１】
３．３  第２実施形態
３．３．１  概略
本開示の第２実施形態のターゲット供給装置において、前記第２電極は、前記本体部における前記捕集部の外側から前記捕集部と同じ方向に延びる筒状に形成され、その延出方向の先端が前記捕集部の延出方向の先端よりも前記ノズルの近くに位置するように設けられた電界緩和部を備えてもよい。
【００５２】
３．３．２  構成
図５は、第２実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ｄは、図５に示すように、ターゲット供給装置７Ｄのターゲット生成部７０Ｄ以外の構成については、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ａと同様のものを適用してもよい。
第２実施形態では、設定出力方向１０Ａが重力方向１０Ｂと一致するようにチャンバ２が設置されてもよい。
【００５３】
ターゲット生成部７０Ｄは、静電引出部７５Ｄと、第２温度制御部８０Ｄ以外の構成については、第１実施形態のターゲット生成部７０Ａと同様のものを適用してもよい。
静電引出部７５Ｄは、第１電極７５１Ｄと、第２電極７５２Ｄ以外の構成については、第１実施形態の静電引出部７５Ａと同様のものを適用してもよい。
【００５４】
第１電極７５１Ｄは、導電性を有する材料によって構成されてもよい。第１電極７５１Ｄは、第１板状部７６０Ａと、第１筒状部７６１Ｄと、第２筒状部７６２Ｄとを備えてもよい。
【００５５】
第１筒状部７６１Ｄは、第１板状部７６０Ａのノズル７１２Ａに近い側の第１面から、ノズル７１２Ａに近づく方向に延びる略円筒状に形成されてもよい。
第２筒状部７６２Ｄは、第１板状部７６０Ａの第１面と反対の第２面から、ノズル７１２Ａから離れる方向に延びる略円筒状に形成されてもよい。第２筒状部７６２Ｄの軸は、第１筒状部７６１Ｄの軸と略一致してもよい。第２筒状部７６２Ｄの内径および外径は、第１筒状部７６１Ｄの内径および外径とそれぞれ略等しくてもよい。第２筒状部７６２Ｄの軸方向の寸法は、第１筒状部７６１Ｄの軸方向の寸法よりも大きくてもよい。
【００５６】
第１筒状部７６１Ｄの先端部７６４Ｄおよび第２筒状部７６２Ｄの先端部７６５Ｄは、それぞれ滑らかな曲面状に形成されてもよい。このように、第１筒状部７６１Ｄの先端部７６４Ｄ、および、第２筒状部７６２Ｄの先端部７６５Ｄを曲面状に形成することによって、当該各部分に電界が集中することを抑制できる。
なお、第１筒状部７６１Ｄおよび第２筒状部７６２Ｄのうち少なくとも一方は、第１板状部７６０Ａと別体で構成され、溶接などによって第１板状部７６０Ａと接合されてもよい。
【００５７】
第２電極７５２Ｄは、導電性を有する材料によって構成されてもよい。第２電極７５２Ｄは、接地されてもよい。第２電極７５２Ｄは、本体部７７０Ｄと、捕集部７７１Ｄと、第３筒状部７７２Ｄとを備えてもよい。
【００５８】
本体部７７０Ｄは、第２板状部７７３Ｄと、第４筒状部７７４Ｄと、突出部７７５Ｄとを備えてもよい。
第２板状部７７３Ｄは、略円板状に形成されてもよい。第２板状部７７３Ｄの外径は、第１電極７５１Ｄの第１板状部７６０Ａの外径と略等しくてもよい。
第４筒状部７７４Ｄは、第２板状部７７３Ｄの面方向内側から当該面方向と直交する方向（図５中下方）に延びる略円筒状に形成されてもよい。
突出部７７５Ｄは、第４筒状部７７４Ｄの内周面から突出するように設けられてもよい。突出部７７５Ｄは、略円環状に形成されてもよい。突出部７７５Ｄで囲まれる空間は、第２貫通孔７７６Ｄを構成してもよい。第２貫通孔７７６Ｄの直径は、第１電極７５１Ｄの第１貫通孔７６３Ａの直径よりも大きくてもよい。
【００５９】
捕集部７７１Ｄは、突出部７７５Ｄにおけるノズル７１２Ａに近い側（＋Ｚ方向側）の第１面から、当該第１面と略直交する方向（＋Ｚ方向）に延びる略円錐台筒状に形成されてもよい。捕集部７７１Ｄの先端部７７７Ｄは、尖っていてもよい。このように先端部７７７Ｄを尖らせることによって、先端部７７７Ｄは、第１実施形態の先端部７７７Ａと同様の作用効果を奏し得る。
【００６０】
第３筒状部７７２Ｄは、本開示の電界緩和部であってもよい。第３筒状部７７２Ｄは、第２板状部７７３Ｄの面方向内側の端部から捕集部７７１Ｄと同じ方向（＋Ｚ方向）に延びる略円筒状に形成されてもよい。第３筒状部７７２Ｄの内径および外径は、第４筒状部７７４Ｄの内径および外径とそれぞれ等しくてもよい。第３筒状部７７２Ｄは、当該第３筒状部７７２Ｄの先端部７７８Ｄから捕集部７７１Ｄの先端部７７７Ｄが突出しないように形成されてもよい。
第３筒状部７７２Ｄの内周面および第４筒状部７７４Ｄの内周面と、捕集部７７１Ｄの外周面との間には、溝部７７９Ｄが形成され得る。溝部７７９Ｄには、設定軌道ＣＡから外れたドロップレット２７がターゲット物質２７１Ｄとして溜まり得る。
【００６１】
第２固定部材７９１Ａの下端には、第２電極７５２Ｄの第２板状部７７３Ｄが固定されてもよい。
このような固定によって、捕集部７７１Ｄの軸と第２貫通孔７７６Ｄの軸とは、ノズル７１２Ａの軸と略一致し得る。第２筒状部７６２Ｄの先端部７６５Ｄは、第２板状部７７３Ｄから所定距離離れ得る。第２筒状部７６２Ｄの先端部７６５Ｄは、第３筒状部７７２Ｄの先端部７７８Ｄより下方（−Ｚ方向）に位置し得る。第２電極７５２Ｄの第２板状部７７３Ｄと第１電極７５１Ｄの第１板状部７６０Ａとの距離は、突出部７１５Ａと第１板状部７６０Ａとの距離よりも大きくなり得る。
第３筒状部７７２Ｄの先端部７７８Ｄおよび第４筒状部７７４Ｄの先端部７８０Ｄは、滑らかな曲面状に形成されてもよい。このように、先端部７７８Ｄおよび先端部７８０Ｄを曲面状に形成することによって、当該各部分に電界が集中することを抑制できる。
また、第３筒状部７７２Ｄの先端部７７８Ｄは、捕集部７７１Ｄの先端部７７７Ｄよりもノズル７１２Ａの近くに位置し得る。このように、先端部７７８Ｄを先端部７７７Ｄよりもノズル７１２Ａの近くに位置させることで、ドロップレット２７が先端部７７７Ｄ上に残らないように先端部７７７Ｄを尖らせた場合でも、当該先端部７７７Ｄに電界が集中することを緩和できる。
【００６２】
第１筒状部７６１Ｄは、ノズル７１２Ａの先端と第１電極７５１Ｄとの間におけるドロップレット２７の設定軌道ＣＡを囲み得る。第１筒状部７６１Ｄは、本開示の第１囲み部７０１Ｄを構成し得る。
第２筒状部７６２Ｄ、捕集部７７１Ｄおよび第３筒状部７７２Ｄは、第１電極７５１Ｄと第２電極７５２Ｄとの間におけるドロップレット２７の設定軌道ＣＡを囲み得る。第２筒状部７６２Ｄ、捕集部７７１Ｄおよび第３筒状部７７２Ｄは、本開示の第２囲み部７０２Ｄを構成し得る。
なお、捕集部７７１Ｄ、第３筒状部７７２Ｄ、第４筒状部７７４Ｄのうち少なくとも１つは、第２板状部７７３Ｄと別体で構成され、溶接などによって第２板状部７７３Ｄと接合されてもよい。
【００６３】
第２温度制御部８０Ｄは、本開示の加熱部であってもよい。第２温度制御部８０Ｄは、第２電極７５２Ｄの温度を制御するよう構成されてもよい。第２温度制御部８０Ｄは、円環部材８０５Ｄ以外の構成については、第１実施形態の第２温度制御部８０Ａと同様のものを適用してもよい。
【００６４】
第２ヒータ８０１Ａは、第２板状部７７３Ｄにおけるノズル７１２Ａから遠い側（−Ｚ方向）の第２面に設けられてもよい。
第２温度センサ８０３Ａは、第４筒状部７７４Ｄの外周面に設けられてもよいし、捕集部７７１Ｄの内周面や溝部７７９Ｄ内に設けられてもよい。
円環部材８０５Ｄは、第２板状部７７３Ｄと略等しい略円環状に形成されてもよい。円環部材８０５Ｄは、第２板状部７７３Ｄとの間に第２ヒータ８０１Ａを挟み込むように設けられてもよい。
【００６５】
３．３．３  動作
図６は、第２，第３実施形態の課題を説明するための図であり、ターゲット供給装置がドロップレットを出力しているときの状態を示す。
以下において、第１実施形態と同様の動作については、説明を省略する。
【００６６】
まず、第２，第３実施形態のターゲット供給装置が解決しようとする課題について説明する。
図６に示すターゲット供給装置は、図４に示すターゲット供給装置と同様の構成を有してもよい。
このようなターゲット供給装置において、ターゲット物質２７０がノズル７１２Ａからドロップレット２７の形状で引き出されると、正極に帯電したターゲット物質のミスト２７９が生成され得る。ミスト２７９の大きさは、ドロップレット２７の大きさよりも小さくなり得る。ミスト２７９は、ノズル７１２Ａと第１電極７５１Ａとの間や第１電極７５１Ａと第２電極７５２との間において、Ｚ軸方向と略直交する方向に移動し得る。ミスト２７９は、第１固定部材７９０Ａの内周面や第２固定部材７９１Ａの内周面に付着し得る。第１固定部材７９０Ａの内周面や第２固定部材７９１Ａの内周面にミスト２７９が付着すると、これらの内周面が正極に帯電し得る。
この帯電によって、ノズル７１２Ａと第１電極７５１Ａとの間の電気絶縁耐圧、および、第１電極７５１Ａと第２電極７５２との間の少なくともいずれか一方の電気絶縁耐圧が低下し、絶縁破壊を誘発し得る。ドロップレット２７の設定軌道ＣＡ上での電位分布が変化し、帯電したドロップレット２７の出力方向がＺ軸方向と略直交する方向に変化し得る。
このような課題を解決するため、図５に示すように、ターゲット供給装置７Ｄに第１囲み部７０１Ｄおよび第２囲み部７０２Ｄを設けてもよい。
【００６７】
ターゲット供給装置７Ｄにおいて、第２温度制御部８０Ｄは、第２電極７５２Ｄをターゲット物質２７０の融点以上の所定の温度まで加熱してもよい。ターゲット供給装置７Ｄは、ターゲット生成器７１Ａ内のターゲット物質２７０をドロップレット２７の形状で引き出してもよい。
ドロップレット２７の軌道が設定軌道ＣＡからずれた場合、このドロップレット２７は、捕集部７７１Ｄの外周面に付着し得る。捕集部７７１Ｄがターゲット物質２７０の融点以上の所定の温度まで加熱されているため、ドロップレット２７は、捕集部７７１Ｄに付着すると、固化することなく重力によって流れ得る。その結果、ターゲット物質２７１Ｄが液体の状態で溝部７７９Ｄ内に溜まり得る。これにより、次に出力されるドロップレット２７を捕集部７７１Ｄに引き寄せる力の発生が防止され得る。
【００６８】
その後、ドロップレット２７が連続して引き出されると、ドロップレット２７が先端面７１７Ａにおける内縁側の円環状の領域の全てと接触するまでは、ドロップレット２７の軌道が設定軌道ＣＡからずれ得る。しかし、設定軌道ＣＡから外れたドロップレット２７が液体の状態で溝部７７９Ｄ内に溜まり得るため、第２電極７５２Ｄ上にドロップレット２７が樹枝状に堆積することが防止され得る。その結果、次に出力されるドロップレット２７を捕集部７７１Ｄに引き寄せる力の発生が防止され得る。
そして、ドロップレット２７の中心位置が設定軌道ＣＡと略一致すると、ドロップレット２７は、捕集部７７１Ｄと接触せずに第２貫通孔７７６Ｄを通過して、ターゲット供給装置７Ｄから出力され得る。
【００６９】
ターゲット供給装置７Ｄにおいて、ターゲット物質２７０がドロップレット２７の形状で引き出されると、ミスト２７９が生成され得る。ノズル７１２Ａと第１電極７５１Ｄとの間において、設定軌道ＣＡと略直交する方向に移動するミスト２７９は、設定軌道ＣＡと第１固定部材７９０Ａとの間に位置する第１筒状部７６１Ｄに付着し得る。第１電極７５１Ｄと第２電極７５２Ｄとの間において、設定軌道ＣＡと略直交する方向に移動するミスト２７９は、設定軌道ＣＡと第２固定部材７９１Ａとの間に位置する第２筒状部７６２Ｄ、捕集部７７１Ｄ、および、第３筒状部７７２Ｄに付着し得る。その結果、第１囲み部７０１Ｄと第２囲み部７０２Ｄとは、ミスト２７９が第１固定部材７９０Ａおよび第２固定部材７９１Ａに付着することを防止し、第１固定部材７９０Ａの内周面および第２固定部材７９１Ａの内周面が正極に帯電することを防止し得る。
【００７０】
上述のように、ターゲット供給装置７Ｄは、ドロップレット２７が先端部７７７Ｄ上に残らないように先端部７７７Ｄを尖らせた場合でも、当該先端部７７７Ｄに電界が集中することを緩和できる。
さらに、ターゲット供給装置７Ｄは、ノズル７１２Ａと第１電極７５１Ｄとの間の電気絶縁耐圧、および、第１電極７５１Ｄと第２電極７５２Ｄとの間の電気絶縁耐圧が低下することを防止し、絶縁破壊の発生を防止し得る。また、帯電したドロップレット２７の出力方向の変化を抑制し得る。
【００７１】
３．４  第３実施形態
３．４．１  構成
図７は、第３実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ｅは、図７に示すように、ターゲット供給装置７Ｅのターゲット生成部７０Ｅ以外の構成については、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ａと同様のものを適用してもよい。
第３実施形態では、設定出力方向１０Ａが重力方向１０Ｂに対して斜めとなるようにチャンバ２が設置されてもよい。
【００７２】
ターゲット生成部７０Ｅは、静電引出部７５Ｅと、第２温度制御部８０Ｅ、ターゲット制御装置９０Ｅ以外の構成については、第１実施形態のターゲット生成部７０Ａと同様のものを適用してもよい。
静電引出部７５Ｅは、第１電極７５１Ｅと、第２電極７５２Ｅと、固定部７５４Ｅ以外の構成については、第１実施形態の静電引出部７５Ａと同様のものを適用してもよい。
【００７３】
第１電極７５１Ｅは、導電性を有する材料によって構成されてもよい。第１電極７５１Ｅは、第１板状部７６０Ｅと、第１筒状部７６１Ｅとを備えてもよい。
第１板状部７６０Ｅは、略円板状に形成されてもよい。第１板状部７６０Ｅの外径は、出力部７１４Ａの外径よりも大きくてもよい。第１板状部７６０Ｅの中央には、円形状の第１貫通孔７６３Ｅが形成されてもよい。
第１筒状部７６１Ｅは、第１板状部７６０Ｅの面方向外側の端部から当該面方向と直交する方向に延びる略円筒状に形成されてもよい。
第１筒状部７６１Ｅは、第１板状部７６０Ｅがノズル７１２Ａから所定距離離れた位置で当該ノズル７１２Ａと対向するように、先端側が固定部７５４Ｅの溝に固定されてもよい。
第１貫通孔７６３Ｅの縁は、滑らかな曲面状に形成されてもよい。このように、第１貫通孔７６３Ｅの縁を曲面状に形成することによって、当該部分に電界が集中することを抑制できる。
【００７４】
第２電極７５２Ｅは、導電性を有する材料によって構成されてもよい。第２電極７５２Ｅは、接地されてもよい。第２電極７５２Ｅは、本体部７７０Ｅと、第２筒状部７８５Ｅと、捕集部７７１Ｅと、電界緩和部７７２Ｅとを備えてもよい。
【００７５】
本体部７７０Ｅは、第２板状部７７３Ｅと、第３筒状部７７４Ｅとを備えてもよい。
第２板状部７７３Ｅは、略円板状に形成されてもよい。第２板状部７７３Ｅの外径は、第１板状部７６０Ｅの外径よりも大きくてもよい。第２板状部７７３Ｅの中央には、円形状の第２貫通孔７７６Ｅが形成されてもよい。第２貫通孔７７６Ｅの内径は、第１電極７５１Ｅの第１貫通孔７６３Ｅの内径よりも大きくてもよい。
第３筒状部７７４Ｅは、第２板状部７７３Ｅの面方向内側の端部より若干外側から当該面方向と直交する方向（図７中右斜め下方向）に延びる略円筒状に形成されてもよい。
【００７６】
第２筒状部７８５Ｅは、第２板状部７７３Ｅの面方向外側の端部に設けられてもよい。第２筒状部７８５Ｅと第２板状部７７３Ｅとが交差する部分は、貯留部７８２Ｅを構成してもよい。
捕集部７７１Ｅは、第２板状部７７３Ｅにおける第２貫通孔７７６Ｅの周縁から、第２筒状部７８５Ｅと同じ方向（＋Ｚ方向）に延びる略円錐台筒状に形成されてもよい。捕集部７７１Ｅの先端部７７７Ｅは、尖っていてもよい。このように先端部７７７Ｅを尖らせることによって、先端部７７７Ｅは、第２実施形態の先端部７７７Ｄと同様の作用効果を奏し得る。
【００７７】
電界緩和部７７２Ｅは、第２板状部７７３Ｅにおける捕集部７７１Ｅの外側から、捕集部７７１Ｅと同じ方向（＋Ｚ方向）に延びる略円筒状に形成されてもよい。電界緩和部７７２Ｅの内径および外径は、第３筒状部７７４Ｅの内径および外径とそれぞれ等しくてもよい。電界緩和部７７２Ｅは、当該電界緩和部７７２Ｅの先端部７７８Ｅから捕集部７７１Ｅの先端部７７７Ｅが突出しないように形成されてもよい。
電界緩和部７７２Ｅの内周面と、捕集部７７１Ｅの外周面との間には、溝部７７９Ｅが形成され得る。
電界緩和部７７２Ｅの基端には、溝部７７９Ｅ内に流入したドロップレット２７を溝部７７９Ｅから排出するための貫通孔７８１Ｅが設けられてもよい。貫通孔７８１Ｅから排出されたドロップレット２７は、重力によって第２板状部７７３Ｅに沿って流れ、ターゲット物質２７１Ｅとして貯留部７８２Ｅに溜まり得る。
【００７８】
固定部７５４Ｅは、第１電極７５１Ｅおよび第２電極７５２Ｅをノズル７１２Ａに対して固定してもよい。
固定部７５４Ｅは、絶縁性の材料によって、略円板状に形成されてもよい。なお、固定部７５４Ｅは、略円筒状に形成されてもよい。
固定部７５４Ｅには、嵌合孔７９２Ｅが設けられてもよい。嵌合孔７９２Ｅの直径は、ノズル本体７１３Ａの外径および出力部７１４Ａの外径と略等しくてもよい。固定部７５４Ｅの外径は、第１筒状部７６１Ｅの外径より大きくてもよい。固定部７５４Ｅの外径は、第２筒状部７８５Ｅの外径と略等しくてもよい。
【００７９】
固定部７５４Ｅは、嵌合孔７９２Ｅの内部にノズル７１２Ａが嵌め込まれるように、ノズル７１２Ａに固定されてもよい。固定部７５４Ｅの下面は、出力部７１４Ａの先端よりも上方に位置してもよい。第１電極７５１Ｅは、固定部７５４Ｅに第１筒状部７６１Ｅが嵌め込まれるように、固定部７５４Ｅに固定されてもよい。第２電極７５２Ｅは、固定部７５４Ｅに第２筒状部７８５Ｅが嵌め込まれるように、固定部７５４Ｅに固定されてもよい。
このような固定によって、捕集部７７１Ｅの軸と第２貫通孔７７６Ｅの軸とは、ノズル７１２Ａの軸と略一致し得る。第２電極７５２Ｅの第２板状部７７３Ｅと第１電極７５１Ｅの第１板状部７６０Ｅとの距離は、突出部７１５Ａと第１板状部７６０Ｅとの距離よりも大きくなり得る。
電界緩和部７７２Ｅの先端部７７８Ｅおよび第３筒状部７７４Ｅの先端部７８０Ｅは、滑らかな曲面状に形成されてもよい。このように、先端部７７８Ｅおよび先端部７８０Ｅを曲面状に形成することによって、当該各部分に電界が集中することを抑制できる。
また、先端部７７８Ｅを先端部７７７Ｅよりもノズル７１２Ａの近くに位置させることで、先端部７７７Ｅを尖らせた場合でも、先端部７７７Ｅに電界が集中することを緩和できる。
【００８０】
第１筒状部７６１Ｅは、ノズル７１２Ａの先端と第１電極７５１Ｅとの間におけるドロップレット２７の設定軌道ＣＡを囲み得る。第１筒状部７６１Ｅは、本開示の第１囲み部７０１Ｅを構成し得る。
第２筒状部７８５Ｅ、捕集部７７１Ｅおよび電界緩和部７７２Ｅは、第１電極７５１Ｅと第２電極７５２Ｅとの間におけるドロップレット２７の設定軌道ＣＡを囲み得る。第２筒状部７８５Ｅ、捕集部７７１Ｅおよび電界緩和部７７２Ｅは、本開示の第２囲み部７０２Ｅを構成し得る。
【００８１】
第２温度制御部８０Ｅは、本開示の加熱部であってもよい。第２温度制御部８０Ｅは、第２電極７５２Ｅの温度を制御するよう構成されてもよい。第２温度制御部８０Ｅは、第２ヒータ８０１Ａと、第２ヒータ電源８０２Ａと、第２温度センサ８０３Ａと、第２温度コントローラ８０４Ａと、第３ヒータ８０５Ｅとを備えてもよい。
【００８２】
第２ヒータ８０１Ａは、第２板状部７７３Ｅにおけるノズル７１２Ａから遠い側の第２面に設けられてもよい。第３ヒータ８０５Ｅは、第２筒状部７８５Ｅの外周面における重力方向１０Ｂ側に設けられてもよい。
第２ヒータ電源８０２Ａは、第２温度コントローラ８０４Ａからの信号に基づいて、第２ヒータ８０１Ａおよび第３ヒータ８０５Ｅに電力を供給してもよい。それにより、捕集部７７１Ｅの先端部７７７Ｅに付着したドロップレット２７や、貯留部７８２Ｅ内に溜まったターゲット物質２７１Ｅが、第２電極７５２Ｅを介して加熱され得る。
第２温度センサ８０３Ａは、第２板状部７７３Ｅにおける第３筒状部７７４Ｅの近傍に設けられてもよい。第２温度センサ８０３Ａは、検出した温度に対応する信号を第２温度コントローラ８０４Ａに送信するよう構成されてもよい。第２温度センサ８０３Ａが検出した温度は、貯留部７８２Ｅ内のターゲット物質２７１Ｅの温度とほぼ同一の温度となり得る。
【００８３】
ターゲット制御装置９０Ｅは、第２温度コントローラ８０４Ａに信号を送信して、先端部７７７Ｅに付着したドロップレット２７や貯留部７８２Ｅ内に溜まったターゲット物質２７１Ｅの温度を制御してもよい。
【００８４】
３．４．２  動作
以下において、第１，第２実施形態と同様の動作については、説明を省略する。
ターゲット供給装置７Ｅにおいて、第２温度制御部８０Ｅは、第２電極７５２Ｅをターゲット物質２７０の融点以上の所定の温度まで加熱してもよい。ターゲット供給装置７Ｅは、ターゲット生成器７１Ａ内のターゲット物質２７０をドロップレット２７の形状で引き出してもよい。
ドロップレット２７の軌道が設定軌道ＣＡからずれた場合、このドロップレット２７は、捕集部７７１Ｅの外周面に付着し得る。ドロップレット２７は、捕集部７７１Ｅに付着すると、固化することなく重力によって流れ、溝部７７９Ｅ内に流入し得る。そして、溝部７７９Ｅ内に流入したドロップレット２７は、重力によって貫通孔７８１Ｅから排出され、液体のターゲット物質２７１Ｅとして貯留部７８２Ｅに溜まり得る。その結果、次に出力されるドロップレット２７を捕集部７７１Ｅに引き寄せる力の発生が防止され得る。
【００８５】
その後、ドロップレット２７が連続して引き出されると、ドロップレット２７が先端面７１７Ａにおける内縁側の円環状の領域の全てと接触するまでは、ドロップレット２７の軌道が設定軌道ＣＡからずれ得る。しかし、設定軌道ＣＡから外れたドロップレット２７は、液体の状態で貯留部７８２Ｅ内に溜まり得るため、第２電極７５２Ｅ上にドロップレット２７が樹枝状に堆積することが防止され得る。その結果、次に出力されるドロップレット２７を捕集部７７１Ｅに引き寄せる力の発生が防止され得る。
ノズル７１２Ａの先端に付着したドロップレット２７の中心位置が設定軌道ＣＡと略一致すると、ドロップレット２７は、捕集部７７１Ｅと接触せずに第２貫通孔７７６Ｅを通過して、ターゲット供給装置７Ｅから出力され得る。
【００８６】
ミスト２７９は、第１筒状部７６１Ｅ、第２筒状部７８５Ｅ、捕集部７７１Ｅ、電界緩和部７７２Ｅに付着し得る。その結果、第１囲み部７０１Ｅを構成する第１筒状部７６１Ｅと、第２囲み部７０２Ｅを構成する第２筒状部７８５Ｅ、捕集部７７１Ｅおよび電界緩和部７７２Ｅとは、ミスト２７９が固定部７５４Ｅに付着することを防止し、固定部７５４Ｅが正極に帯電することを防止し得る。
【００８７】
上述のように、ターゲット供給装置７Ｅは、固体のターゲット物質が第２電極７５２Ｅ上に樹枝状に堆積することを防止し、ドロップレット２７を適切に出力し得る。
さらに、ターゲット供給装置７Ｅは、ノズル７１２Ａと第１電極７５１Ｅとの間の電気絶縁耐圧、および、第１電極７５１Ｅと第２電極７５２Ｅとの間の電気絶縁耐圧が低下することを防止し、絶縁破壊の発生を防止し得る。また、帯電したドロップレット２７の出力方向の変化を抑制し得る。
【００８８】
３．５  変形例
なお、ターゲット供給装置としては、以下のような構成としてもよい。
第１実施形態において、第１電極７５１Ａの代わりに、第２実施形態の第１電極７５１Ｄを適用してもよい。第２実施形態において、第１電極７５１Ｄの代わりに、第１実施形態の第１電極７５１Ａを適用してもよい。
捕集部７７１Ａ，７７１Ｄ，７７１Ｅの先端部７７７Ａ，７７７Ｄ，７７７Ｅを尖らせなくてもよい。
第３筒状部７７２Ｄの先端部７７８Ｄ、電界緩和部７７２Ｅの先端部７７８Ｅを曲面状に形成しなくてもよい。
【００８９】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【００９０】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【００９１】
７Ａ，７Ｄ，７Ｅ…ターゲット供給装置、７１Ａ…ターゲット生成器、８０Ａ，８０Ｄ，８０Ｅ…第２温度制御部（加熱部）、７１１Ａ…タンク、７１２Ａ…ノズル、７５１Ａ，７５１Ｄ，７５１Ｅ…第１電極、７５２Ａ，７５２Ｄ，７５２Ｅ…第２電極、７５３Ａ…第３電極、７６３Ａ，７６３Ｅ…第１貫通孔、７７０Ａ，７７０Ｄ，７７０Ｅ…本体部、７７１Ａ，７７１Ｄ，７７１Ｅ…捕集部、７７２Ｄ…第３筒状部（電界緩和部）、７７２Ｅ…電界緩和部、７７６Ａ，７７６Ｄ，７７６Ｅ…第２貫通孔。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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