(57)【要約】【課題】劈開端面コーティング時に隣接するレーザダイオードバーのＡｕ電極同士が熱圧着されるのを防ぎ、コストを削減し、スループットをアップさせる。【解決手段】表面Ａｕ電極２と裏面Ａｕ電極３を持つ複数のレーザダイオード１が一列に連なったレーザダイオードバー７を形成する。第１のレーザダイオードバー７の表面と第２のレーザダイオードバー７の裏面を向かい合わせ、かつ第１のレーザダイオードバー７の表面Ａｕ電極２と第２のレーザダイオードバー７の裏面Ａｕ電極３が接触しないようにレーザダイオードバー７を重ねた状態でレーザダイオードバー７の劈開端面にコーティング膜４を形成する。各レーザダイオード１の表面Ａｕ電極２と裏面Ａｕ電極３は、レーザダイオードバー７の表面及び裏面に対して垂直な方向から見た平面視において互いに重ならない相補な形状を持つ。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面Ａｕ電極と裏面Ａｕ電極を持つ複数のレーザダイオードが一列に連なった第１及び第２のレーザダイオードバーを形成する工程と、
前記第１のレーザダイオードバーの表面と前記第２のレーザダイオードバーの裏面を向かい合わせ、かつ前記第１のレーザダイオードバーの前記表面Ａｕ電極と前記第２のレーザダイオードバーの前記裏面Ａｕ電極が接触しないように前記第１及び第２のレーザダイオードバーを重ねた状態で前記第１及び第２のレーザダイオードバーの劈開端面にコーティング膜を形成する工程とを備え、
各レーザダイオードの前記表面Ａｕ電極と前記裏面Ａｕ電極は、前記第１及び第２のレーザダイオードバーの前記表面及び前記裏面に対して垂直な方向から見た平面視において互いに重ならない相補な形状を持つことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
各レーザダイオードの前記表面Ａｕ電極は、光導波路上に設けられた第１の電極と、ワイヤボンド領域に設けられた第２の電極とを有し、
各レーザダイオードの前記裏面Ａｕ電極は、前記平面視で前記第１及び第２の電極と重なる領域において開口を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
各レーザダイオードの前記表面Ａｕ電極と前記裏面Ａｕ電極は、前記平面視で光導波路を挟んで左右に分かれて配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
各レーザダイオードの前記表面Ａｕ電極と前記裏面Ａｕ電極は、前記平面視で光導波路と平行な複数のストライプ形状であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
各レーザダイオードの前記表面Ａｕ電極と前記裏面Ａｕ電極は、前記平面視で光導波路と垂直な複数のストライプ形状であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
各レーザダイオードの前記表面Ａｕ電極と前記裏面Ａｕ電極は、前記平面視で複数の格子状であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
レーザダイオードと、
前記レーザダイオードの表面に設けられた表面Ａｕ電極と、
前記レーザダイオードの裏面に設けられた裏面Ａｕ電極と、
前記レーザダイオードの劈開端面に設けられたコーティング膜とを備え、
前記レーザダイオードの前記表面及び前記裏面に対して垂直な方向から見た平面視において前記表面Ａｕ電極と前記裏面Ａｕ電極は互いに重ならない相補な形状を持つことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、劈開端面コーティング時に隣接するレーザダイオードバーのＡｕ電極同士が熱圧着されるのを防ぎ、コストを削減し、スループットをアップさせることができる半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数のレーザダイオードバーを重ねて、それらの劈開端面に反射率を制御するためのコーティング膜を形成する。この際にレーザダイオードバーのＡｕ電極同士が熱圧着され、レーザダイオードバーが分解できなくなるという問題があった。そこで、従来は、レーザダイオードバーとダミーバーを交互に重ねた状態で治具にセットして劈開端面コーティングを行っていた。また、レーザダイオードバーの表面に凹部を設け、その凹部内にＡｕ電極を設けることで、他のレーザバーのＡｕ電極との接触を防ぐ方法も提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−０６６４４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ダミーバーを用いることでコストが増加し、一つの治具にセットできるレーザダイオードバーの本数が減ってスループットがダウンするという問題があった。また、レーザダイオードバーの表面に凹部を設ける場合にもコストが増加するという問題があった。
【０００５】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は劈開端面コーティング時に隣接するレーザダイオードバーのＡｕ電極同士が熱圧着されるのを防ぎ、コストを削減し、スループットをアップさせることができる半導体装置及びその製造方法を得るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、複数のレーザダイオードが一列に連なった第１及び第２のレーザダイオードバーを形成する工程と、各レーザダイオードの表面Ａｕ電極と裏面Ａｕ電極を形成する工程と、前記第１のレーザダイオードバーの前記表面と前記第２のレーザダイオードバーの前記裏面を向かい合わせ、かつ前記第１のレーザダイオードバーの前記表面Ａｕ電極と前記第２のレーザダイオードバーの前記裏面Ａｕ電極が接触しないように前記第１及び第２のレーザダイオードバーを重ねた状態で前記第１及び第２のレーザダイオードバーの劈開端面にコーティング膜を形成する工程とを備え、各レーザダイオードの前記表面Ａｕ電極と前記裏面Ａｕ電極は、前記第１及び第２のレーザダイオードバーの前記表面及び前記裏面に対して垂直な方向から見た平面視において互いに重ならない相補な形状を持つことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明により、劈開端面コーティング時に隣接するレーザダイオードバーのＡｕ電極同士が熱圧着されるのを防ぎ、コストを削減し、スループットをアップさせることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体装置を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る半導体装置を示す上面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る半導体装置を示す下面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図６】比較例に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態２に係る半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図８】本発明の実施の形態３に係る半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図９】本発明の実施の形態４に係る半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図１０】本発明の実施の形態５に係る半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
【００１０】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置を示す断面図である。図２は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置を示す上面図である。図３は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置を示す下面図である。
【００１１】
レーザダイオード１は、半導体基板上にレーザ発振可能な多層構造を積層したものである。レーザダイオード１の表面に表面Ａｕ電極２が設けられ、レーザダイオード１の裏面に裏面Ａｕ電極３が設けられ、レーザダイオード１の劈開端面にコーティング膜４が設けられている。
【００１２】
レーザダイオード１の表面及び裏面に対して垂直な方向から見た平面視において表面Ａｕ電極２と裏面Ａｕ電極３は互いに重ならない相補な形状を持つ。本実施の形態では、表面Ａｕ電極２は、光導波路５上に設けられた第１の電極２ａと、ワイヤボンド領域６に設けられた第２の電極２ｂとを有する。裏面Ａｕ電極３は、平面視で第１及び第２の電極２ａ，２ｂと重なる領域において開口３ａを有する。
【００１３】
続いて、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。図４は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を示す平面図である。図５は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【００１４】
まず、ウェハ状態の基板に複数のレーザダイオード１をＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）等により形成する。基板表面に各レーザダイオード１のパシベーション膜（不図示）と表面Ａｕ電極２を形成する。基板裏面に各レーザダイオード１の裏面Ａｕ電極３を形成する。その後に、図４に示すように、ウェハ状態の基板を劈開して、複数のレーザダイオード１が一列に連なったレーザダイオードバー７を形成する。
【００１５】
次に、図５に示すように、一方のレーザダイオードバー７の表面と他方のレーザダイオードバー７の裏面を向かい合わせ、かつ一方のレーザダイオードバー７の表面Ａｕ電極２と他方のレーザダイオードバー７の裏面Ａｕ電極３が接触しないようにレーザダイオードバー７を重ねて、一方の劈開端面が上向きになるように治具にセットする。この状態でレーザダイオードバー７の一方の劈開端面にコーティング膜４を形成する。同様に他方の劈開端面にもコーティング膜４を形成する。その後、レーザダイオードバー７を治具から取出し、レーザダイオード１ごとに分離する。
【００１６】
続いて本実施の形態の効果を比較例と比較して説明する。図６は、比較例に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。比較例ではレーザダイオードバー７とＳｉ等でできたダミーバー８を交互に重ねた状態で治具にセットして劈開端面コーティングを行う。しかし、ダミーバー８を用いることでコストが増加し、一つの治具にセットできるレーザダイオードバー７の本数が減ってスループットがダウンする。
【００１７】
本実施の形態では、各レーザダイオード１の表面Ａｕ電極２と裏面Ａｕ電極３は、レーザダイオードバー７の表面及び裏面に対して垂直な方向から見た平面視において互いに重ならない相補な形状を持つ。これにより、隣接する一方のレーザダイオードバー７の表面Ａｕ電極２と他方のレーザダイオードバー７の裏面Ａｕ電極３が接触しないようにレーザダイオードバー７を重ねることができる。従って、ダミーバーを用いなくても、劈開端面コーティング時に隣接するレーザダイオードバー７のＡｕ電極同士が熱圧着されるのを防ぐことができる。この結果、劈開端面コーティング後にレーザダイオードバー７を一本一本に分解することができる。さらに、ダミーバーを使用しないため、コストを削減することができ、一つの治具にセットできるバー本数アップによりスループットをアップさせることができる。
【００１８】
実施の形態２．
図７は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置の製造方法を示す平面図である。各レーザダイオード１の表面Ａｕ電極２と裏面Ａｕ電極３は、平面視で光導波路５を挟んで左右に分かれて配置されている。この場合にも表面Ａｕ電極２と裏面Ａｕ電極３は平面視において互いに重ならない相補な形状を持つため、隣接する一方のレーザダイオードバー７の表面Ａｕ電極２と他方のレーザダイオードバー７の裏面Ａｕ電極３が接触しないようにレーザダイオードバー７を重ねることができる。この結果、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
【００１９】
実施の形態３．
図８は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置の製造方法を示す平面図である。各レーザダイオード１の表面Ａｕ電極２と裏面Ａｕ電極３は、平面視で光導波路５と平行な複数のストライプ形状である。この場合にも表面Ａｕ電極２と裏面Ａｕ電極３は平面視において互いに重ならない相補な形状を持つため、隣接する一方のレーザダイオードバー７の表面Ａｕ電極２と他方のレーザダイオードバー７の裏面Ａｕ電極３が接触しないようにレーザダイオードバー７を重ねることができる。この結果、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
【００２０】
実施の形態４．
図９は、本発明の実施の形態４に係る半導体装置の製造方法を示す平面図である。各レーザダイオード１の表面Ａｕ電極２と裏面Ａｕ電極３は、平面視で光導波路５と垂直な複数のストライプ形状である。この場合にも表面Ａｕ電極２と裏面Ａｕ電極３は平面視において互いに重ならない相補な形状を持つため、隣接する一方のレーザダイオードバー７の表面Ａｕ電極２と他方のレーザダイオードバー７の裏面Ａｕ電極３が接触しないようにレーザダイオードバー７を重ねることができる。この結果、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
【００２１】
実施の形態５．
図１０は、本発明の実施の形態５に係る半導体装置の製造方法を示す平面図である。各レーザダイオード１の表面Ａｕ電極２と裏面Ａｕ電極３は、平面視で複数の格子状である。この場合にも表面Ａｕ電極２と裏面Ａｕ電極３は平面視において互いに重ならない相補な形状を持つため、隣接する一方のレーザダイオードバー７の表面Ａｕ電極２と他方のレーザダイオードバー７の裏面Ａｕ電極３が接触しないようにレーザダイオードバー７を重ねることができる。この結果、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００２２】
１  レーザダイオード、２  表面Ａｕ電極、２ａ  第１の電極、２ｂ  第２の電極、３  裏面Ａｕ電極、３ａ  開口、４  コーティング膜、５  光導波路、６  ワイヤボンド領域、７  レーザダイオードバー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2014207290.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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