(57)【要約】【課題】液処理後の基板を液処理槽から乾燥処理槽に搬送する際に基板から処理液が流下せずに基板の下端縁部に処理液が残留してしまうのを防止して基板を良好に乾燥させること。【解決手段】本発明では、基板処理装置（１）において、垂直状に保持した基板（６）を処理液を用いて液処理部（液処理槽７）で液処理するための液処理工程と、液処理後の前記基板（６）を前記液処理部から上昇させて乾燥処理部（乾燥処理槽２９）に搬送するための基板搬送工程と、前記基板（６）を乾燥流体を用いて前記乾燥処理部で乾燥処理するための乾燥処理工程とを有し、前記基板搬送工程では、前記基板（６）を上昇させて前記液処理槽（７）から前記乾燥処理槽（２９）に搬送するとともに前記液処理部から前記処理液を排出する間に、前記液処理部での前記処理液の液面に対する前記基板（６）の相対的な上昇速度を増加させることにした。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液で基板の液処理を行うための液処理部と、
前記液処理部の上方に設けられ、乾燥流体で前記基板の乾燥処理を行うための乾燥処理部と、
前記基板を垂直状に保持した基板保持体を昇降させて前記液処理部と乾燥処理部との間で前記基板を搬送するための基板搬送機構と、
前記液処理部に前記処理液を供給するための処理液供給機構と、
前記液処理部から前記処理液を排出するための処理液排出機構と、
前記乾燥処理部に前記乾燥流体を供給するための乾燥流体供給機構と、
前記基板搬送機構、処理液供給機構、処理液排出機構、乾燥流体供給機構を制御する制御手段とを有し、
前記制御手段は、前記基板搬送機構によって前記基板を上昇させて前記液処理部から前記乾燥処理部に搬送するとともに前記処理液排出機構によって前記液処理部から前記処理液を排出する間に、前記液処理部での前記処理液の液面に対する前記基板の相対的な上昇速度を増加させるように制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記処理液排出機構によって前記液処理部から排出する前記処理液の流量を増大させることで、前記基板の上昇速度を増加させるように制御することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記処理液の液面が前記基板の表面に形成された回路パターン形成領域の下端縁部を通過した後に前記基板の上昇速度を増加させるように制御することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記乾燥流体供給機構は、前記乾燥流体を前記乾燥処理部から前記液処理部に向けて吐出する乾燥流体吐出ノズルを有することを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記乾燥処理部から前記乾燥流体を排出するための乾燥流体排出機構をさらに有し、前記乾燥流体排出機構は、前記乾燥流体を吸引する乾燥流体吸引口を前記乾燥処理部よりも下方に配置したことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記乾燥流体吸引口を前記液処理部の底部に配置したことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
垂直状に保持した基板を処理液を用いて液処理部で液処理するための液処理工程と、
液処理後の前記基板を前記液処理部から上昇させて乾燥処理部に搬送するための基板搬送工程と、
前記基板を乾燥流体を用いて前記乾燥処理部で乾燥処理するための乾燥処理工程とを有し、
前記基板搬送工程では、前記基板を上昇させて前記液処理部から前記乾燥処理部に搬送するとともに前記液処理部から前記処理液を排出する間に、前記液処理部での前記処理液の液面に対する前記基板の相対的な上昇速度を増加させることを特徴とする基板処理方法。
【請求項８】
前記液処理部から排出する前記処理液の流量を増大させることで、前記基板の上昇速度を増加させることを特徴とする請求項７に記載の基板処理方法。
【請求項９】
前記処理液の液面が前記基板の表面に形成された回路パターン形成領域の下端縁部を通過した後に前記基板の上昇速度を増加させることを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記乾燥流体を前記乾燥処理部から前記液処理部に向けて吐出することを特徴とする請求項７〜請求項９のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１１】
前記乾燥流体を前記乾燥処理部よりも下方で吸引することを特徴とする請求項７〜請求項１０のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記処理液を前記液処理部から排出した後に、前記乾燥流体を前記液処理部の底部で吸引することを特徴とする請求項７〜請求項１１のいずれかに記載の基板処理方法。
。
【請求項１３】
垂直状に保持した基板を処理液を用いて液処理部で液処理させる液処理工程と、
液処理後の前記基板を前記液処理部から上昇させて乾燥処理部に搬送させる基板搬送工程と、
前記基板を乾燥流体を用いて前記乾燥処理部で乾燥処理させる乾燥処理工程とを有し、
前記基板搬送工程では、前記基板を上昇させて前記液処理部から前記乾燥処理部に搬送するとともに前記液処理部から前記処理液を排出する間に、前記液処理部での前記処理液の液面に対する前記基板の相対的な上昇速度を増加させることを特徴とする基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を液処理槽で液処理した後に乾燥処理槽で乾燥処理する基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体部品やフラットパネルディスプレイなどを製造する場合には、各種の基板処理装置を用いて半導体ウエハや液晶用基板などの基板に対して洗浄処理等の処理を施している。
【０００３】
たとえば、特許文献１に開示された基板処理装置では、複数枚の基板を処理液で一括して液処理する液処理槽を設けるとともに、液処理槽の上方に液処理後の基板を乾燥処理する乾燥処理槽を設け、液処理槽と乾燥処理槽との間で基板を搬送する基板搬送装置を設けている。
【０００４】
そして、上記基板処理装置では、前後に間隔をあけて垂直状に並べた複数枚の基板を基板搬送装置で保持し、液処理槽に貯留した洗浄液やリンス液などの処理液に基板を浸漬して基板の液処理を行い、その後、基板を上方の乾燥処理槽に搬送し、乾燥処理槽でＩＰＡ（イソプロピルアルコール）蒸気等の乾燥流体を用いて基板の乾燥処理を行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−２０９１１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記従来の基板処理装置では、液処理後の基板搬送時に、基板を液処理槽から乾燥処理槽へ向けて上昇させると、前後に並ぶ基板の表面に乾燥流体が付着し、処理液が基板の下端縁部から下方の液処理槽に流下する。
【０００７】
その際に、一部の処理液が基板の下端縁部から下方に流下せずに基板の下端縁部に付着したまま残留し、基板の下端縁部にパーティクルが付着してしまい、基板を良好に乾燥させることができないおそれがあった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
そこで、本発明では、基板処理装置において、処理液で基板の液処理を行うための液処理部と、前記液処理部の上方に設けられ、乾燥流体で前記基板の乾燥処理を行うための乾燥処理部と、前記基板を垂直状に保持した基板保持体を昇降させて前記液処理部と乾燥処理部との間で前記基板を搬送するための基板搬送機構と、前記液処理部に前記処理液を供給するための処理液供給機構と、前記液処理部から前記処理液を排出するための処理液排出機構と、前記乾燥処理部に前記乾燥流体を供給するための乾燥流体供給機構と、前記基板搬送機構、処理液供給機構、処理液排出機構、乾燥流体供給機構を制御する制御手段とを有し、前記制御手段は、前記基板搬送機構によって前記基板を上昇させて前記液処理部から前記乾燥処理部に搬送するとともに前記処理液排出機構によって前記液処理部から前記処理液を排出する間に、前記液処理部での前記処理液の液面に対する前記基板の相対的な上昇速度を増加させるように制御することにした。
【０００９】
また、前記制御手段は、前記処理液排出機構によって前記液処理部から排出する前記処理液の流量を増大させることで、前記基板の上昇速度を増加させるように制御することにした。
【００１０】
また、前記制御手段は、前記処理液の液面が前記基板の表面に形成された回路パターン形成領域の下端縁部を通過した後に前記基板の上昇速度を増加させるように制御することにした。
【００１１】
また、前記乾燥流体供給機構は、前記乾燥流体を前記乾燥処理部から前記液処理部に向けて吐出する乾燥流体吐出ノズルを有することにした。
【００１２】
また、前記乾燥処理部から前記乾燥流体を排出するための乾燥流体排出機構をさらに有し、前記乾燥流体排出機構は、前記乾燥流体を吸引する乾燥流体吸引口を前記乾燥処理部よりも下方に配置することにした。
【００１３】
また、前記乾燥流体吸引口を前記液処理部の底部に配置することにした。
【００１４】
また、基板処理方法において、垂直状に保持した基板を処理液を用いて液処理部で液処理するための液処理工程と、液処理後の前記基板を前記液処理部から上昇させて乾燥処理部に搬送するための基板搬送工程と、前記基板を乾燥流体を用いて前記乾燥処理部で乾燥処理するための乾燥処理工程とを有し、前記基板搬送工程では、前記基板を上昇させて前記液処理部から前記乾燥処理部に搬送するとともに前記液処理部から前記処理液を排出する間に、前記液処理部での前記処理液の液面に対する前記基板の相対的な上昇速度を増加させることにした。
【００１５】
また、前記液処理部から排出する前記処理液の流量を増大させることで、前記基板の上昇速度を増加させることにした。
【００１６】
また、前記処理液の液面が前記基板の表面に形成された回路パターン形成領域の下端縁部を通過した後に前記基板の上昇速度を増加させることにした。
【００１７】
また、前記乾燥流体を前記乾燥処理部から前記液処理部に向けて吐出することにした。
【００１８】
また、前記乾燥流体を前記乾燥処理部よりも下方で吸引することにした。
【００１９】
また、前記処理液を前記液処理部から排出した後に、前記乾燥流体を前記液処理部の底部で吸引することにした。
【００２０】
また、基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体において、垂直状に保持した基板を処理液を用いて液処理部で液処理させる液処理工程と、液処理後の前記基板を前記液処理部から上昇させて乾燥処理部に搬送させる基板搬送工程と、前記基板を乾燥流体を用いて前記乾燥処理部で乾燥処理させる乾燥処理工程とを有し、前記基板搬送工程では、前記基板を上昇させて前記液処理部から前記乾燥処理部に搬送するとともに前記液処理部から前記処理液を排出する間に、前記液処理部での前記処理液の液面に対する前記基板の相対的な上昇速度を増加させることにした。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、基板の下端縁部に処理液が残留するのを抑制することができ、基板を良好に乾燥させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】基板処理装置を示す断面説明図。
【図２】基板保持体を示す正面図（ａ）、側面図（ｂ）。
【図３】基板処理プログラムを示すフローチャート。
【図４】基板処理方法を模式的に示す断面説明図（基板搬入工程）。
【図５】基板処理方法を模式的に示す断面説明図（液処理工程）。
【図６】基板処理方法を模式的に示す断面説明図（搬送準備工程）。
【図７】基板処理方法を模式的に示す断面説明図（第１の搬送工程）。
【図８】処理液の液面に対する基板の相対的な上昇速度を模式的に示す説明図。
【図９】基板処理方法を模式的に示す断面説明図（第２の搬送工程）。
【図１０】基板処理方法を模式的に示す断面説明図（第３の搬送工程）。
【図１１】基板処理方法を模式的に示す断面説明図（遮蔽工程）。
【図１２】基板処理方法を模式的に示す断面説明図（乾燥処理工程）。
【図１３】基板処理方法を模式的に示す断面説明図（基板搬出工程）。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下に、本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムの具体的な構成について図面を参照しながら説明する。
【００２４】
図１に示すように、基板処理装置１は、液処理手段２の上方に遮蔽手段３を介して乾燥処理手段４を設けるとともに、液処理手段２及び乾燥処理手段４に基板搬送手段５を設けている。ここで、液処理手段２は、基板６に対して液処理を行う。遮蔽手段３は、液処理手段２と乾燥処理手段４とを遮蔽する。乾燥処理手段４は、液処理後の基板６に対して乾燥処理を行う。基板搬送手段５は、前後に間隔をあけて平行に並べた複数枚（たとえば、５０枚）の基板６を垂直に保持した状態で、液処理手段２に基板６を搬入し、液処理手段２と乾燥処理手段４との間で基板６を搬送し、乾燥処理手段４から基板６を搬出する。
【００２５】
液処理手段２は、基板６の液処理を行う液処理部としての液処理槽７に処理液供給機構８と処理液排出機構９とを接続している。
【００２６】
液処理槽７は、上端部を開口させた貯留槽10の上端外周部に上端部を開口させたオーバーフロー槽11を設け、オーバーフロー槽11の上端外周部に上端部を開口させたシール槽12を設けている。貯留槽10は、洗浄液やリンス液などの処理液を貯留するとともに、貯留した処理液に基板搬送手段５で保持した複数枚の基板６を一括して同時に浸漬させて、基板６の液処理を行う。オーバーフロー槽11は、貯留槽10からオーバーフローした処理液を貯留する。なお、オーバーフロー槽11に貯留された処理液は、貯留槽10で循環利用したり外部へ排液される。シール槽12は、貯留した純水等で液処理槽７の内部と外部とを遮断する。
【００２７】
処理液供給機構８は、貯留槽10の内側底部に左右一対の処理液吐出ノズル13,13を配置し、処理液吐出ノズル13,13に洗浄液供給源14とリンス液供給源15とをそれぞれ流量調整器16,17を介して接続している。洗浄液供給源14は、基板６を洗浄処理するためのフッ酸等の洗浄液を供給する。リンス液供給源15は、基板６をリンス処理するための純水等のリンス液を供給する。流量調整器16,17は、制御手段18に接続されており、制御手段18で開閉制御及び流量制御される。なお、制御手段18は、基板処理装置１の全体を制御する。
【００２８】
この処理液供給機構８は、洗浄液供給源14又はリンス液供給源15から供給される洗浄液又はリンス液のいずれかの処理液を流量調整器16,17で流量調整しながら処理液吐出ノズル13,13から貯留槽10の内部に供給する。
【００２９】
処理液排出機構９は、貯留槽10の内側底部に排出口19を形成し、排出口19に流量調整器20を介して外部の排水管21に接続している。流量調整器20は、制御手段18に接続されており、制御手段18で開閉制御や流量制御される。
【００３０】
この処理液排出機構９は、流量調整器20を開放することで貯留槽10の内部に貯留した処理液を排出口19から外部の排水管21に排出する。その際に、処理液排出機構９は、貯留槽10から排出する処理液の流量を流量調整器20によって調整することができる。
【００３１】
遮蔽手段３は、中空箱型状のケーシング22の内部に遮蔽扉23を左右に移動（開閉）可能に収容し、遮蔽扉23に遮蔽扉開閉機構24を接続している。
【００３２】
ケーシング22は、上下に連通する連通ケーシング25と、遮蔽扉23の開放時に遮蔽扉23を収容する遮蔽扉収容ケーシング26とで構成している。このケーシング22は、下端面に矩形枠状のシール片27を形成している。このシール片27は、シール槽12に貯留した純水に浸漬される。
【００３３】
遮蔽扉23は、矩形平板形状となっており、上面外周端縁部にシール部材28を取付けている。
【００３４】
遮蔽扉開閉機構24は、遮蔽扉23に接続されており、遮蔽扉23を左右及び上下に移動させることで遮蔽扉23を開閉する。この遮蔽扉開閉機構24は、制御手段18に接続されており、制御手段18で開閉制御される。
【００３５】
乾燥処理手段４は、基板６の乾燥処理を行う乾燥処理部としての乾燥処理槽29に蓋開閉機構30と乾燥流体供給機構31と乾燥流体排出機構32とを接続している。
【００３６】
乾燥処理槽29は、上端部及び下端部を開口させた槽本体33の上端開口部に蓋体34を開閉可能に設けている。
【００３７】
蓋開閉機構30は、乾燥処理槽29の蓋体34に接続されており、蓋体34を上下に昇降させることで蓋体34を開閉する。この蓋開閉機構30は、制御手段18に接続されており、制御手段18で開閉制御される。
【００３８】
乾燥流体供給機構31は、乾燥処理槽29の槽本体33の上部に上方へ向けて乾燥流体を吐出する左右一対の第1の乾燥流体吐出ノズル35,35を配置するとともに、槽本体33の中途部に下方へ向けて乾燥流体を吐出する左右一対の第２の乾燥流体吐出ノズル36,36を配置している。第１及び第２の乾燥流体吐出ノズル35,35,36,36には、ＩＰＡ供給源37と不活性ガス供給源38とをそれぞれ流量調整器39,40と開閉弁41,42を介して接続している。流量調整器39,40及び開閉弁41,42は、制御手段18に接続されており、制御手段18で開閉制御や流量制御される。
【００３９】
この乾燥流体供給機構31は、ＩＰＡ供給源37から供給されるＩＰＡ蒸気や不活性ガス供給源38から供給される不活性ガスを流量調整器39,40で流量調整することでイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）蒸気と不活性ガスの混合流体や加熱された不活性ガスなどからなる乾燥流体を生成し、その乾燥流体を第１の乾燥流体吐出ノズル35,35や第２の乾燥流体吐出ノズル36,36から乾燥処理槽29の内部に供給する。
【００４０】
乾燥流体排出機構32は、乾燥処理槽29の槽本体33の下部（遮蔽扉23よりも上方）に乾燥流体を吸引する左右一対の第1の乾燥流体吸引口43,43を配置し、第1の乾燥流体吸引口43,43に開閉弁44を介して外部の排気管45に接続している。開閉弁44は、制御手段18に接続されており、制御手段18で開閉制御される。
【００４１】
また、乾燥流体排出機構32は、遮蔽手段３のケーシング22の下部（遮蔽扉23よりも下方、貯留槽10に貯留される処理液の液面よりも上方）に乾燥流体を吸引する左右一対の第２の乾燥流体吸引口46,46を配置し、第２の乾燥流体吸引口46,46に開閉弁47を介して外部の排気管45に接続している。開閉弁47は、制御手段18に接続されており、制御手段18で開閉制御される。
【００４２】
さらに、乾燥流体排出機構32は、液処理槽７（貯留槽10）の底部に乾燥流体を吸引する第３の乾燥流体吸引口48を配置し、第３の乾燥流体吸引口48に開閉弁49を介して外部の排気管45に接続している。開閉弁49は、制御手段18に接続されており、制御手段18で開閉制御される。
【００４３】
この乾燥流体排出機構32は、開閉弁44,47,49をそれぞれ開放することで乾燥処理槽29の内部から乾燥流体を各乾燥流体吸引口43,46,48から排気管45に設けた排気装置で外部に排出する。
【００４４】
基板搬送手段５は、基板６を保持する基板保持体50に昇降アーム51を接続し、昇降アーム51に基板搬送機構52を接続している。基板保持体50は、図２に示すように、上下に並べた左右一対の保持片53,54,55,56の上端部に基板６を１枚ずつ挿入する保持溝57,58,59,60を前後に間隔をあけて形成している。これにより、基板搬送手段５は、複数枚の基板６を前後に所定の間隔をあけて平行かつ垂直に下方から保持する。基板搬送機構52は、昇降アーム51を介して基板保持体50を昇降させることで基板６を上下に搬送する。この基板搬送機構52は、制御手段18に接続されており、制御手段18で搬送制御（昇降制御）される。
【００４５】
基板処理装置１は、以上に説明したように構成しており、制御手段18（コンピュータ）が読み取り可能な記録媒体61に記録した基板処理プログラムにしたがって基板６を処理する。なお、記録媒体61は、基板処理プログラム等の各種プログラムを記録できる媒体であればよく、ＲＯＭやＲＡＭなどの半導体メモリー型の記録媒体であってもハードディスクやＣＤ−ＲＯＭなどのディスク型の記録媒体であってもよい。
【００４６】
基板処理プログラムでは、まず、図３及び図４に示すように、基板搬入工程を実行する。この基板搬入工程において、基板処理装置１は、制御手段18によって蓋開閉機構30及び基板搬送機構52を制御して、乾燥処理槽29の内部に基板保持体50で前後に間隔をあけて垂直状に保持した複数枚の基板６を搬入する。
【００４７】
次に、基板処理プログラムは、図３及び図５に示すように、液処理工程を実行する。この液処理工程において、基板処理装置１は、制御手段18によって基板搬送機構52を制御して、予め処理液を貯留した液処理槽７に基板６を搬送し、処理液に基板６を浸漬させる。これにより、基板６は、処理液で液処理される。なお、液処理工程では、処理液供給機構８によって洗浄液供給源14から液処理槽７に洗浄液を供給し、洗浄液で基板６を洗浄処理した後に、処理液排出機構９によって液処理槽７から洗浄液を排水管21に廃棄する。その後、処理液供給機構８によってリンス液供給源15から液処理槽７にリンス液を供給し、リンス液で基板６をリンス処理する。リンス処理後においては、リンス液を液処理槽７に貯留したままの状態にしておく。
【００４８】
次に、基板処理プログラムは、図３に示すように、基板搬送工程を実行する。この基板搬送工程は、搬送準備工程と第１の搬送工程と第２の搬送工程と第３の搬送工程で構成している。
【００４９】
搬送準備工程では、基板処理装置１は、図６に示すように、制御手段18によって乾燥流体供給機構31及び乾燥流体排出機構32を制御して、乾燥処理槽29の内部に乾燥流体を充填する。具体的には、乾燥流体排出機構32の第１の乾燥流体吸引口43,43から乾燥処理槽29の排気を行い、乾燥流体供給機構31の第１の乾燥流体吐出ノズル35から乾燥処理槽29の上方へ向けて乾燥流体を吐出するとともに、第２の乾燥流体吐出ノズル36から乾燥処理槽29の下方へ向けて乾燥流体を吐出する。この搬送準備工程では、基板搬送機構52を駆動せずに基板６を液処理槽７の内部でリンス液に浸漬させたままの状態にしておく。
【００５０】
その後、第１の搬送工程では、基板処理装置１は、図７に示すように、制御手段18によって処理液排出機構９、乾燥流体供給機構31、及び基板搬送機構52を制御して、液処理槽７から処理液を排出するとともに、乾燥処理槽29及び液処理槽７に乾燥流体を供給しながら、基板６を液処理槽７から乾燥処理槽29へと上昇させる。具体的には、処理液排出機構９によって流量調整器20で調整した所定の流量（たとえば、0.5リットル／分）で処理液を液処理槽７から排出する。また、基板搬送機構52によって基板保持体50を上方へ移動させて基板６を所定の速度で上昇させる。その際に、乾燥流体供給機構31は、搬送準備工程から継続して、第１の乾燥流体吐出ノズル35から乾燥処理槽29の上方へ向けて乾燥流体を吐出するとともに、第２の乾燥流体吐出ノズル36から乾燥処理槽29の下方へ向けて乾燥流体を吐出する。この第１の搬送工程では、乾燥流体排出機構32による乾燥流体の排出は停止しておく。なお、乾燥流体の流れを乱さないように乾燥流体の排出を行ってもよい。
【００５１】
この第１の搬送工程では、図８に示すように、液処理槽７から処理液62を所定の流量で排出することで、液処理槽７での処理液62の液面63が下方に向けて所定の速度Ｖ１で下降する。一方、基板６は、所定の速度Ｖ２で上昇している。そのため、下降する処理液62の液面63を基準とすると、基板６は、液処理槽７での処理液62の液面63に対して相対的にＶ３の上昇速度で上昇することになる。
【００５２】
そして、第１の搬送工程では、基板６の上昇とともに処理液62の液面63が下降することで、前後に並ぶ基板６と基板６との間隙に負圧（吸引力）が生じ、乾燥流体64が侵入して、基板６の表面から処理液62を下方へ流下させる。なお、基板６の相対的な上昇速度Ｖ３が速すぎると、基板６の表面に処理液62が残留するおそれがあるため、基板６の相対的な上昇速度Ｖ３は、基板６の表面に処理液62が残留しない速度に設定する。
【００５３】
この第1の搬送工程は、基板６の表面に回路パターンが形成されている領域（回路パターン形成領域65：基板６の表面の外周端縁から所定距離だけ内側の領域）の下端縁を処理液62の液面63が通過するまで行う。なお、ここでは、回路パターン形成領域65の下端縁を液面63が通過するまで第1の搬送工程を行った後に第２の搬送工程を行うようにしているが、基板６の下端縁又は下端縁から所定距離下方を液面63が通過した後に第２の搬送工程を行うようにしてもよい。
【００５４】
その後、第２の搬送工程では、基板処理装置１は、図９に示すように、第1の搬送工程と同様に、制御手段18によって処理液排出機構９、乾燥流体供給機構31、及び基板搬送機構52を制御して、液処理槽７から処理液を排出するとともに、乾燥処理槽29及び液処理槽７に乾燥流体を供給しながら、基板６を液処理槽７から乾燥処理槽29へと上昇させる。その際に、第２の搬送工程では、第１の搬送工程よりも多量の処理液を液処理槽７から排出させる。具体的には、処理液排出機構９によって流量調整器20で調整した所定の流量（たとえば、２リットル／分）で処理液を液処理槽７から排出する。また、基板搬送機構52によって基板保持体50を上方へ移動させて基板６を第１の搬送工程と同一の速度で上昇させる。その際に、乾燥流体供給機構31は、第1の搬送工程から継続して、第１の乾燥流体吐出ノズル35から乾燥処理槽29の上方へ向けて乾燥流体を吐出するとともに、第２の乾燥流体吐出ノズル36から乾燥処理槽29の下方へ向けて乾燥流体を吐出する。この第２の搬送工程でも、乾燥流体排出機構32による乾燥流体の排出は停止しておく。なお、乾燥流体の流れを乱さないように乾燥流体の排出を行ってもよい。
【００５５】
この第２の搬送工程では、第１の搬送工程よりも液処理槽７から排出される処理液の流量が増大することで、液処理槽７での処理液の液面が下方に向けて下降する速度（Ｖ１）が増加する。一方、基板６は、第１の搬送工程と同一の速度（Ｖ２）で上昇する。その結果、液処理槽７での処理液の液面に対する相対的な基板６の上昇速度（Ｖ３）は増加されたことになる。
【００５６】
そして、第２の搬送工程では、基板６の相対的な上昇速度が増加することで、前後に並ぶ基板６と基板６との間隙に生じる負圧（吸引力）が増大し、基板６の間隙に乾燥流体が良好に侵入して、基板６の表面から処理液を円滑に下方へ流下させることができる。なお、第２の搬送工程では、処理液の液面が基板６の回路パターン形成領域を通過しているために、基板６の相対的な上昇速度を速くしても、基板６の回路パターン形成領域に処理液が残留することはない。
【００５７】
この第２の搬送工程は、液処理槽７の貯留槽10から全ての処理液が排出されるまで行う。
【００５８】
その後、第３の搬送工程では、基板処理装置１は、図１０に示すように、制御手段18によって乾燥流体供給機構31、乾燥流体排出機構32及び基板搬送機構52を制御して、乾燥処理槽29及び液処理槽７に乾燥流体を供給しながら、基板６を液処理槽７から乾燥処理槽29へと上昇させる。具体的には、第２の搬送工程から継続して、乾燥流体供給機構31によって第１の乾燥流体吐出ノズル35から乾燥処理槽29の上方へ向けて乾燥流体を吐出するとともに、第２の乾燥流体吐出ノズル36から乾燥処理槽29の下方へ向けて乾燥流体を吐出する。また、乾燥流体排出機構32の駆動を開始して、第２の乾燥流体吸引口46,46と第３の乾燥流体吸引口48から乾燥流体を排出する。また、基板搬送機構52によって基板保持体50を上方へ移動させて基板６を第２の搬送工程と同一の速度で上昇させる。
【００５９】
この第３の搬送工程において、乾燥流体の排出は、第２及び第３の乾燥流体吸引口46,48を用いる場合に限られず、第１〜第３の乾燥流体吸引口43,46,48のいずれか又は２以上の組合せを用いてもよい。特に、第３の乾燥流体吸引口48や基板６の通過後の第２の乾燥流体吸引口46のように基板６よりも下方に位置する第２又は第３の乾燥流体吸引口46,48を用いた場合には、乾燥流体を基板６に沿って下方に流動させることができ、基板６の間隙に乾燥流体が円滑に侵入して、基板６を良好に乾燥させることができる。
【００６０】
次に、基板処理プログラムは、図３及び図１１に示すように、遮蔽工程を実行する。この遮蔽工程において、基板処理装置１は、制御手段18によって遮蔽扉開閉機構24を制御して、遮蔽扉23を遮蔽扉収容ケーシング26から連通ケーシング25に横方向に移動させるとともに、連通ケーシング25の内部で上方に移動させ、乾燥処理槽29を密閉した状態で液処理槽７と乾燥処理槽29とを遮蔽する。
【００６１】
次に、基板処理プログラムは、図３及び図１２に示すように、乾燥処理工程を実行する。この乾燥処理工程において、基板処理装置１は、制御手段18によって乾燥流体供給機構31及び乾燥流体排出機構32を制御して、乾燥処理槽29の内部で乾燥流体を循環させて基板６を乾燥処理する。具体的には、乾燥流体供給機構31によって第１の乾燥流体吐出ノズル35から乾燥処理槽29の上方へ向けて乾燥流体を吐出する。また、乾燥流体排出機構32によって第１の乾燥流体吸引口43,43から乾燥流体を排出する。なお、乾燥流体の流れを乱さないように第２の乾燥流体吐出ノズル36から乾燥処理槽29の下方へ向けて乾燥流体を吐出してもよい。
【００６２】
次に、基板処理プログラムは、図３及び図１３に示すように、基板搬出工程を実行する。この基板搬出工程において、基板処理装置１は、制御手段18によって蓋開閉機構30及び基板搬送機構52を制御して、基板保持体50で保持した基板６を乾燥処理槽29の内部から搬出する。
【００６３】
以上に説明したように、基板処理装置１では、基板処理プログラムに従って、液処理工程や基板搬送工程や乾燥処理工程を行い、特に、基板搬送工程の途中において処理液の液面に対する基板の相対的な上昇速度を増加させることで、基板６の下端縁部に処理液が残留するのを抑制することができ、基板６を良好に乾燥させることができる。
【００６４】
なお、上記の基板処理装置１では、複数枚の基板６を前後に間隔をあけて垂直状に保持して処理を行っているが、これに限られず、１枚の基板６を垂直状に保持して処理を行う場合であっても基板６の下端縁部に処理液が残留するのを抑制することができ、基板６を良好に乾燥させることができる。
【符号の説明】
【００６５】
１  基板処理装置
６  基板
７  液処理槽
８  処理液供給機構
９  処理液排出機構
18  制御手段
29  乾燥処理槽
31  乾燥流体供給機構
32  乾燥流体排出機構
50  基板保持体
52  基板搬送機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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