(57)【要約】      （修正有）【課題】配線層のパターン形成性に優れると共に、積層される絶縁層の密着性の経時安定性に優れる配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】基板の濡れ性変化層１４の一部の領域にエネルギーを付与して撥水性領域１４ｂに変換し、濡れ性変化層上に撥水性領域と親水性領域１４ａとからなる濡れ性パターンを形成する工程（Ａ）と、濡れ性変化層上に、金属粒子および／または金属酸化物粒子を少なくとも含有する配線層形成用組成物１６を付与して、撥水性領域上または親水性領域上に塗膜を形成する工程（Ｂ）と、塗膜にエネルギーを付与して配線層１８を形成する工程（Ｃ１）、および、親水性領域にエネルギーを付与して撥水性領域に変換する工程（Ｃ２）を同時に、または、別々に行う工程（Ｃ）とを備える、配線基板の製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体と、前記支持体上に配置され、エネルギーが付与された際に水との接触角が増加するように濡れ性が変化する濡れ性変化層とを有する基板の前記濡れ性変化層の一部の領域にエネルギーを付与して親水性領域から撥水性領域に変換し、前記濡れ性変化層上に撥水性領域と親水性領域とからなる濡れ性パターンを形成する工程（Ａ）と、
前記濡れ性変化層上に、金属粒子および／または金属酸化物粒子を少なくとも含有する配線層形成用組成物を付与して、前記撥水性領域上または前記親水性領域上に塗膜を形成する工程（Ｂ）と、
前記塗膜にエネルギーを付与して配線層を形成する工程（Ｃ１）、および、前記濡れ性変化層に残存する前記親水性領域にエネルギーを付与して撥水性領域に変換する工程（Ｃ２）を同時に、または、別々に行う工程（Ｃ）とを備える、配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記撥水性領域上に塗膜を形成する、請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記エネルギーの付与が光照射処理である、請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記濡れ性変化層が、エネルギーの付与により脱炭酸して濡れ性が変化する層である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記濡れ性変化層が、ニトロフェニル酢酸構造、β−ケト酸構造、および、カルボキシル基に対してβ位にＯ、Ｎ、またはＳ元素を有する酢酸構造からなる群から選択される少なくとも一つを有する化合物を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記工程（Ｃ１）および前記工程（Ｃ２）を同時に行う、請求項１〜５のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法に係り、特に、エネルギーが付与された際に水との接触角が増加するように濡れ性が変化する濡れ性変化層を用いた配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、配線基板を製造する方法として、パターン形成性向上のために、基板表面の濡れ性の違いを利用してパターンを形成する方法が提案されている。
例えば、特許文献１においては、露光により親水化可能となる疎水性の処理剤を用いて基板のパターン形成部を疎水化し、その後、パターン形成部をパターン状に露光し、露光部を親水化し、金属化合物の親水性溶液をパターンに塗布し、金属化合物を析出させて、パターン状に配線層（金属）を形成するものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許３４３０６３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の方法では、疎水性の表面を露光して、親水性にして、親水性領域上に配線層を形成する方法である。そのため、形成された配線基板中には、親水性領域が残存してしまう。
近年、電子機器の高性能化・小型化が進んでおり、それに伴い配線基板と配線基板上に設けられる絶縁層との密着性のより一層の向上が求められている。
本発明者は、特許文献１に記載される疎水性から親水性に変化する濡れ性変化層を用いて配線基板を形成し、その上に絶縁層を設けて、その密着性について検討を行ったところ、時間が経つにつれて絶縁層の密着性が低下してくることが知見された。
【０００５】
本発明は、上記実情に鑑みて、配線層のパターン形成性に優れると共に、積層される絶縁層の密着性の経時安定性に優れる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、従来技術の問題点について鋭意検討した結果、エネルギーの付与により水との接触角が増加するように濡れ性が変化する濡れ性変化層を用いることにより、上記課題を解決できることを見出した。
すなわち、以下の構成により上記目的を達成することができることを見出した。
【０００７】
（１）  支持体と、支持体上に配置され、エネルギーが付与された際に水との接触角が増加するように濡れ性が変化する濡れ性変化層とを有する基板の濡れ性変化層の一部の領域にエネルギーを付与して親水性領域から撥水性領域に変換し、濡れ性変化層上に撥水性領域と親水性領域とからなる濡れ性パターンを形成する工程（Ａ）と、
濡れ性変化層上に、金属粒子および／または金属酸化物粒子を少なくとも含有する配線層形成用組成物を付与して、撥水性領域上または親水性領域上に塗膜を形成する工程（Ｂ）と、
塗膜にエネルギーを付与して配線層を形成する工程（Ｃ１）、および、濡れ性変化層に残存する親水性領域にエネルギーを付与して撥水性領域に変換する工程（Ｃ２）を同時に、または、別々に行う工程（Ｃ）とを備える、配線基板の製造方法。
（２）  撥水性領域上に塗膜を形成する、（１）に記載の配線基板の製造方法。
（３）  エネルギーの付与が光照射処理である、（１）または（２）に記載の配線基板の製造方法。
（４）  濡れ性変化層が、エネルギーの付与により脱炭酸して濡れ性が変化する層である、（１）〜（３）のいずれか１つに記載の配線基板の製造方法。
（５）  濡れ性変化層が、ニトロフェニル酢酸構造、β−ケト酸構造、および、カルボキシル基に対してβ位にＯ、Ｎ、またはＳ元素を有する酢酸構造からなる群から選択される少なくとも一つを有する化合物を含む、（１）〜（４）のいずれか１つに記載の配線基板の製造方法。
（６）  工程（Ｃ１）および工程（Ｃ２）を同時に行う、（１）〜（５）のいずれか１つに記載の配線基板の製造方法。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、配線層のパターン形成性に優れると共に、積層される絶縁層の密着性の経時安定性に優れる配線基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の製造方法の各工程を示す模式的断面図である。
【図２】濡れ性変化層の好適実施態様を示模式的断面図である。
【図３】実施例欄におけるパターン形成性の評価方法を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明の配線基板の製造方法の好適態様について詳述する。
まず、本発明の従来技術と比較した特徴点について詳述する。
上述したように、本発明の特徴点は、エネルギーの付与により水との接触角が増加するように濡れ性が変化する濡れ性変化層を用いると共に、濡れ性変化層に親水性領域が残存しないようにエネルギーを付与する工程（定着工程）を実施している点が挙げられる。本発明者は、従来技術において絶縁層の密着性が低下してくる原因として、親水性領域が残存しているために、時間の経過につれ、水分が配線基板と絶縁層との界面付近に吸着し、その結果両者の密着性が低下してくることを見出した。そこで、本発明では、接触角が増加するように濡れ性が変化する濡れ性変化層、つまり、親水性から撥水性（疎水性）に表面特性が変化する濡れ性変化層を用いることにより、上記課題が解決できることを見出した。より具体的には、本発明においては、上記濡れ性変化層を用いて、配線層をパターン精度よく形成すると共に、最終的に親水性領域が残存しないように、濡れ性変化層の全領域を撥水性に変化させ、水分の吸着を抑制して、絶縁層の密着力を担保している。
【００１１】
以下、図１を参照しながら、具体的に本発明の配線基板の製造方法について詳述する。
本発明の製造方法は、工程（Ａ）から工程（Ｃ）を備える。以下では工程毎に使用される材料・部材、および、工程の手順について詳述する。
【００１２】
＜工程（Ａ）（濡れ性パターン形成工程）＞
工程（Ａ）は、基板中の濡れ性変化層の一部の領域にエネルギーを付与して親水性領域を撥水性領域に変換し、濡れ性変化層上に撥水性領域と親水性領域とからなる濡れ性パターンを形成する工程である。なお、基板は、支持体と、支持体上に配置され、エネルギーが付与された際に水との接触角が増加するように濡れ性が変化する濡れ性変化層とを有する。
より具体的には、図１（Ａ）に示すように、まず、基板１０を用意する。なお、基板１０は、支持体１２と、濡れ性変化層１４とを備える。濡れ性変化層１４は、エネルギー付与前の状態であり、親水性領域１４ａを有する。この濡れ性変化層１４に対して、パターン状にエネルギー付与を行い、撥水性領域１４ｂを形成させ、図１（Ｂ）に示すように、濡れ性変化層１４上に親水性領域１４ａと撥水性領域１４ｂとからなる濡れ性パターンを形成する。
なお、本明細書において、撥水性領域および親水性領域とは、両者の間に濡れ性の違いあることを示す文言であり、それぞれの領域の接触角の大きさを示すものではない。また、本明細書において、エネルギー付与前の濡れ性変化層の領域を親水性領域、エネルギーが付与されて水に対する接触角が増加した領域を撥水性領域と称する。
以下では、本工程Ａで使用される材料・部材について詳述し、その後工程Ａの手順について詳述する。
【００１３】
（基板）
基板は、支持体と、支持体上に配置された濡れ性変化層とを有する。以下、それぞれについて詳述する。
【００１４】
支持体は、後述する濡れ性変化層を支持する基板である。
支持体の種類は特に制限されず、公知の支持体が使用される。例えば、樹脂基板、ガラス基板、金属基板、半導体基板などが挙げられる。なかでも、取扱い性に優れる点で、樹脂基板（特に、絶縁樹脂基板）を使用することが好ましい。
【００１５】
濡れ性変化層は、支持体上に配置され、熱、紫外線、電子線、プラズマ等のエネルギーが付与された際に水との接触角が増加するように濡れ性が変化する層である。つまり、エネルギー付与により、より疎水性に濡れ性が変化する層である。
このような濡れ性変化層の一部の領域にエネルギーを付与することにより、撥水性領域（高表面エネルギー領域）と親水性領域（低表面エネルギー領域）からなる表面濡れ性の異なるパターンを形成することができる。言い換えれば、水に対する接触角が異なる領域を形成することができる。そのため、後述する配線層形成用組成物は、その性質（親疎水性）に基づいて、撥水性領域または親水性領域に選択的に付着し、これを固化することにより、選択的に一方の領域上に配線層を形成することができる。
【００１６】
濡れ性変化層の親水性領域においては、水との接触角が６０°以下が好ましく、４０°以下がより好ましく、２０°以下がさらに好ましい。
また、濡れ性変化層の撥水性領域においては、水との接触角が９０°超が好ましく、１００°以上が好ましく、１１０°以上がさらに好ましい。
親水性領域および撥水性領域の水との接触角の差は特に制限されないが、配線層のパターン形成性がより優れ、ジャギーバルジが発生しづらい点で、３０°以上が好ましく、５０°以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、通常、１５０°以下の場合が多い。
水との接触角の測定方法としては、滴下した水の頂点と濡れ性変化層との２点の接点を用いる接線法を用いる。
【００１７】
濡れ性変化層の厚みは特に制限されないが、配線層のパターン形成性がより優れる点で、０．０１〜２μｍが好ましく、０．０１〜１μｍがより好ましい。
【００１８】
濡れ性変化層を構成する材料の種類は特に制限されず、単一の材料からなっていてもよいし、２種類以上の材料から構成されていてもよい。濡れ性変化層が２種類以上の材料から構成される場合には、絶縁材料（例えば、絶縁性樹脂）と濡れ性が変化する材料を混合することが好ましい。
濡れ性変化層中に含まれるエネルギー付与により濡れ性が変化する材料（以後、濡れ性変化材料とも称する）としては、濡れ性の変化の程度が大きく、配線層のパターン形成性により優れる点で、ニトロフェニル酢酸構造、β−ケト酸構造、４級アンモニウム塩構造、および、カルボキシル基に対してβ位にＯ、Ｎ、またはＳ元素を有する酢酸構造からなる群から選択される少なくとも一つを有する化合物が好ましい。化合物としては、低分子化合物（分子量が１０００以下の化合物）でも、高分子化合物（分子量が１０００超の化合物）でもよい。
濡れ性変化層中における濡れ性変化材料の含有量は特に制限されないが、濡れ性変化層の水の接触角の変化がより大きい点で、８０質量％以上が好ましく、９０質量％以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、１００質量％が好ましい。
【００１９】
ニトロフェニル酢酸構造とは、より具体的には、以下の式（１）で表される構造が好ましく挙げられる。式（１）中、＊１〜＊２は結合位置を示し、いずれか一つの位置で化合物と結合していればよい。なお、＊１または＊２に位置する炭素原子のうち、結合位置でない炭素原子には水素原子が結合する。
【００２０】
【化１】
2014203848.tif 000003
【００２１】
このニトロフェニル酢酸構造にエネルギー（特に、光エネルギー）が付与されると、カルボキシル基部分が脱炭酸反応を起こして、分解・除去され、結果としてより撥水性（疎水性）を示すようになる。
式（１）中、Ｍは陽電荷を有するイオンを表す。具体的には、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウムイオン、リチウムイオン等が挙げられ、水素イオンも含まれる。
【００２２】
β−ケト酸構造とは、より具体的には、以下の式（２）で表される構造が好ましく挙げられる。式（２）中、＊３は結合位置を示す。式（２）中のＭは、上記と同じ定義である。
【００２３】
【化２】
2014203848.tif 000004
【００２４】
このβ−ケト酸構造にエネルギー（特に、熱エネルギー）が付与されると、カルボキシル基部分が脱炭酸反応を起こして、分解・除去され、結果としてより撥水性（疎水性）を示すようになる。
【００２５】
４級アンモニウム塩構造とは、より具体的には、以下の式（３）で表される構造である。式（３）中、＊４は結合位置を示す。
【００２６】
【化３】
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【００２７】
この４級アンモニウム塩構造にエネルギーが付与されると、アンモニウム構造が分解・除去され、結果としてより撥水性（疎水性）を示すようになる。
式（３）中、Ｚはハロゲンアニオン（例えば、塩素イオン、臭素イオンなど）を示す。Ｒは、アルキル基を示す。
【００２８】
カルボキシル基に対してβ位にＯ、Ｎ、またはＳ元素を有する酢酸構造（以後、単に酢酸構造Ｘとも称する）とは、より具体的には、以下の式（４）で表される構造である。式（４）中、＊５は結合位置を示す。
【００２９】
【化４】
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【００３０】
この酢酸構造Ｘにエネルギー（特に、熱エネルギー）が付与されると、カルボキシル基部分が脱炭酸反応を起こして、分解・除去され、結果としてより撥水性（疎水性）を示すようになる。
式（４）中、Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−、−ＮＲ3−、−ＣＯ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＰＯ−、−ＳｉＲ3Ｒ4−、−ＣＳ−を表す。
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は、それぞれ独立して、水素原子または置換基を表す。
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4の具体例としては、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＣＮ、−Ｒ10、−ＯＲ10、−ＯＣＯＲ10、−ＯＣＯＯＲ10、−ＯＣＯＮＲ10Ｒ11、−ＯＳＯ2Ｒ10、−ＣＯＲ10、−ＣＯＯＲ10、−ＣＯＮＲ10Ｒ14、−ＮＲ10Ｒ11、−ＮＲ10−ＣＯＲ11、−ＮＲ10−ＣＯＯＲ11、−ＮＲ10−ＣＯＮＲ11Ｒ12、−ＳＲ10、−ＳＯＲ10、−ＳＯ2Ｒ10、−ＳＯ3Ｒ10等が挙げられる。
Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12は、それぞれ水素原子、アルキル基、アリール基、アルケニル基、またはアルキニル基を表す。
これらのうち、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4として好ましいのは、具体的には、水素原子、アルキル基、アリール基、アルキニル基、アルケニル基である。
Ｍは陽電荷を有するイオンであり、定義は上述の通りである。
【００３１】
濡れ性が変化する材料の好適実施態様としては、上記ニトロフェニル酢酸構造、β−ケト酸構造、および、酢酸構造Ｘからなる群から選択されるいずれか１つを含む繰り返し単位を有する高分子が挙げられる。より具体的には、以下の式（５）で表される繰り返し単位を有する高分子が好ましい。
【００３２】
【化５】
2014203848.tif 000007
【００３３】
式（５）中、Ｒ20は、水素原子またはアルキル基（好ましくはメチル基、エチル基）を表す。
Ｌは、単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基としては、２価の脂肪族炭化水素基（好ましくは炭素数１〜８）、２価の芳香族炭化水素基（好ましくは炭素数６〜１２）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、−Ｎ(Ｒ)−（Ｒ：アルキル基）、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、またはこれらを組み合わせた基（例えば、アルキレンオキシ基、アルキレンオキシカルボニル基、アルキレンカルボニルオキシ基など）などが挙げられる。
２価の脂肪族炭化水素基（例えば、アルキレン基）としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、またはブチレン基などが挙げられる。
２価の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニレン基、ナフチレン基などが挙げられる。
【００３４】
式（５）中、Ｙはニトロフェニル酢酸構造、β−ケト酸構造、および、酢酸構造Ｘからなる群から選択されるいずれか１つを表す。
【００３５】
高分子中における上記繰り返し単位の含有量は特に制限されないが、濡れ性の変化がより大きな点で、高分子中の全繰り返し単位に対して、６０モル％以上が好ましく、８０モル％以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、１００モル％である。
【００３６】
高分子の重量平均分子量は特に制限されないが、濡れ性の変化がより大きく、取扱い性が優れる点で、５０００〜１０００００が好ましく、１００００〜５００００がより好ましい。
【００３７】
濡れ性変化層には、光熱変換物質が含まれていてもよい。
付与するエネルギーがＩＲレーザーなどの光エネルギーであれば、該光エネルギーを熱エネルギーに変換するための光熱変換物質を、濡れ性変化層に含有させておくことが好ましい。また、濡れ性変化層上に光熱変換物質含有層を別途設け、そこに含有させてもよい。
光熱変換物質としては、紫外線、可視光線、赤外線、白色光線等の光を吸収して熱に変換し得る物質ならば全て使用でき、例えば、カーボンブラック、カーボングラファイト、顔料、フタロシアニン系顔料、鉄粉、黒鉛粉末、酸化鉄粉、酸化鉛、酸化銀、酸化クロム、硫化鉄、硫化クロム等が挙げられる。特に好ましいのは、エネルギー付与に使用する赤外線レーザーの露光波長である７６０ｎｍから１２００ｎｍに極大吸収波長を有する染料、顔料または金属微粒子である。
【００３８】
濡れ性変化層の好適実施態様としては、エネルギーの付与により脱炭酸して濡れ性が変化する層が挙げられる。このような層としては、例えば、上述したニトロフェニル酢酸構造、β−ケト酸構造、および、酢酸構造Ｘからなる群から選択される少なくとも一つを有する化合物を含む層が挙げられる。
上記層が好適な理由について、図２を用いて説明する。
脱炭酸を伴いながら濡れ性が変化する場合、脱炭酸に伴い、その領域の体積が減少し、結果として隣接する領域（未エネルギー付与領域）との間で高さの差が生じる。より具体的には、図２に示すように、エネルギー付与部分である撥水性領域１４ｂは脱炭酸に伴い、その領域の高さが減少し、隣接する親水性領域１４ａよりも低くなる。結果として、図２（Ｂ）に示すように、後述する配線層形成用組成物２０を撥水性領域１４ｂ上に付与する際に、撥水性領域１４ｂと親水性領域１４ａとの間の段差によって、配線層形成用組成物２０が撥水性領域１４ｂ上に留まりやすくなり、配線層のパターン形成性がより優れる。
【００３９】
なお。支持体上に濡れ性変化層を形成する方法は特に制限されず、公知の方法が採用できる。例えば、濡れ性変化層を形成する材料を含む濡れ性変化層形成用組成物を支持体上に塗布して、必要に応じて、乾燥処理を施す方法が挙げられる。
なお、濡れ性変化層形成用組成物には、必要に応じて、溶媒が含まれていてもよい。
【００４０】
（工程（Ａ）の手順）
工程（Ａ）における濡れ性変化層の一部の領域にエネルギーを付与する方法は特に制限されず、エネルギーの種類に応じて適宜最適な方法が選択される。
エネルギーの付与手段としては、例えば、加熱処理や、露光等の光照射処理を用いることができる。具体的には、例えば、ＵＶランプ、可視光線などによる光照射、レーザーなどでの加熱等が可能である。
光源としては、例えば、水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ケミカルランプ、カーボンアーク灯、等がある。また、ｇ線、ｉ線、Ｄｅｅｐ−ＵＶ光も使用しうる。
エネルギー付与に要する時間としては、使用される材料により異なるが、生産性の点から、１秒〜１０分が好ましい。
なお、加熱処理および光照射処理の詳細について、後述する工程（Ｃ）にて詳述する。
【００４１】
＜工程（Ｂ）：塗膜形成工程＞
工程（Ｂ）は、工程（Ａ）で得られた濡れ性変化層上に、金属粒子および／または金属酸化物粒子を少なくとも含有する配線層形成用組成物を付与して、撥水性領域上または親水性領域上に塗膜を形成する工程である。本工程を実施することにより、撥水性領域上または親水性領域上の一方の領域上に、配線層の前駆体層である塗膜を形成することができる。
以下では、本工程（Ｂ）で使用される材料（配線層形成用組成物）について詳述し、その後、本工程（Ｂ）の手順について詳述する。
【００４２】
（配線層形成用組成物）
配線層形成用組成物は、金属粒子および／または金属酸化物粒子を含有する。金属粒子および／または金属酸化物粒子は、後述する工程（Ｃ）において、配線層を形成する材料となる。
金属粒子および金属酸化物粒子に含まれる金属原子の種類は特に制限されないが、配線層の導電性がより優れる点で、銅原子、銀原子、または金原子が好ましく、銅原子または銀原子がより好ましい。つまり、金属銅粒子、酸化銅粒子、金属銀粒子、酸化銀粒子が好ましい。
【００４３】
金属粒子および金属酸化物粒子の形状は特に制限されず、球状、楕円体状、ロッド状、ワイヤ状、板状、樹木状などが挙げられる。
金属粒子および金属酸化物粒子の平均粒子径は特に制限されないが、１０μｍ以下が好ましく、５μｍ以下がより好ましく、５００ｎｍ以下がさらに好ましい。下限は特に制限されないが、１ｎｍ以上が好ましい。
平均粒子径が１ｎｍ以上であれば、粒子表面の活性が高くなりすぎず、組成物中で溶解することがなく、取扱い性に優れるため好ましい。また、１０μｍ以下であれば、配線層形成用組成物をインクジェット用インク組成物やスクリーン印刷用ペースト組成物として用い、各種印刷法により配線等のパターン形成を行うことが容易となり、組成物を導体化する際に、得られる導電膜の導電性が良好であるため好ましい。
なお、平均粒子径は、平均一次粒径のことを指す。平均粒子径は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察または走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察により、少なくとも５０個以上の金属粒子または金属酸化物粒子の粒子径（直径）を測定し、それらを算術平均して求める。なお、観察図中、金属銅粒子または酸化銅粒子の形状が真円状でない場合、長径を直径として測定する。
【００４４】
配線形成用組成物には、上記金属粒子および金属酸化物粒子以外の成分が含まれていてもよい。
例えば、配線形成用組成物には、樹脂バインダーが含有されていてもよい。
樹脂バインダーの種類は特に制限されず、例えば、ビニル系樹脂、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリアミド系樹脂等の熱可塑性樹脂；エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリイミド系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂等の硬化性樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で用いられてもよいし、２種以上が併用されてもよい。
より具体的には、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリアルキレングリコール（例えば、ポリエチレングリコールなど）が挙げられる。
【００４５】
また、配線層形成用組成物には、溶媒が含まれていてもよい。溶媒は、金属粒子および金属酸化物粒子の分散媒として機能する。
溶媒の種類は特に制限されないが、例えば、水や、アルコール類（例えば、メタノール、エタノール、１−プロパノール、１−ブタノール、１−ペンタノール）、エーテル類（例えば、ジエチルエーテル、ジイソブチルエーテル、ジブチルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテル）、エステル類（例えば、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸ブチル、酢酸メチル）などの有機溶媒などを使用することができる。
なお、後述するように、溶媒の種類によって、配線層形成用組成物を撥水性領域および親水性領域のいずれの領域上に配置するかを制御できる。つまり、撥水性領域の表面エネルギーに近い表面エネルギーを有する溶媒（撥水性溶媒）を使用した場合は、配線層形成用組成物は撥水性領域上に配置され、親水性領域の表面エネルギーに近い表面エネルギーを有する溶媒（親水性溶媒）を使用した場合は、配線層形成用組成物は親水性領域上に配置される。
【００４６】
（工程（Ｂ）の手順）
上記配線層形成用組成物を濡れ性変化層上に塗布する方法は特に制限されず、例えば、スピンコート法、ディップコート法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、インクジェット法等が挙げられるが、濡れ性変化層の表面エネルギーの影響を受けやすくするためには、より小さな液滴を供給できるインクジェット法が好ましい。
【００４７】
図１（Ｃ）に示すように、上記配線層形成用組成物を濡れ性変化層上に塗布することにより、塗膜１６を形成することができる。
なお、図１（Ｃ）においては、撥水性領域１４ｂ上に塗膜１６が形成されているが、配線層形成用組成物中の溶媒の種類を選択することにより、いずれの領域上に塗膜を形成するか制御できる。つまり、撥水性の溶媒を含む配線層形成用組成物の場合は、組成物が撥水性領域１４ｂ上に配置されやすくなり、結果として図１（Ｃ）に示す態様が形成される。
一方、親水性の溶媒を含む配線層形成用組成物を使用した場合は、組成物が親水性領域１４ａ上に配置されやすくなり、結果として、親水性領域１４ａ上に塗膜１６が配置される。
【００４８】
本工程においては、必要に応じて、配線層形成用組成物を濡れ性変化層へ塗布した後に乾燥処理を行い、溶媒を除去してもよい。残存する溶媒を除去することにより、後述する工程（Ｃ）において、溶媒の気化膨張に起因する微小なクラックや空隙の発生を抑制することができ、配線層の導電性および配線層と濡れ性変化層との密着性の点で好ましい。
乾燥処理の方法としては、例えば、温風乾燥機などを用いることができ、温度としては使用される材料に応じて適宜最適な温度が選択されるが、例えば、５０℃以上１００℃未満で加熱処理を行なうことがより好ましく、７０℃以上１００℃未満で加熱処理を行うことがさらに好ましい。金属酸化物粒子を用いる場合は酸化を抑制するような条件が好ましく、例えば、窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気下がより好ましく、水素等の還元性ガス雰囲気下で乾燥することがさらに好ましい。
【００４９】
＜工程（Ｃ）：配線層形成工程＞
工程（Ｃ）は、工程（Ｂ）で製造された塗膜にエネルギーを付与して配線層を形成する工程（Ｃ１）、および、濡れ性変化層に残存する親水性領域にエネルギーを付与して撥水性領域に変換する工程（Ｃ２）を同時に、または、別々に行う工程である。
より具体的には、工程（Ｃ）は、図１（Ｄ）に示すように、図１（Ｃ）の塗膜１６にエネルギーを付与して配線層１８を形成すると共に、濡れ性変化層１４中に残存する親水性領域１４ａにエネルギーを付与して撥水性領域１４ｂに変換する工程である。
まず、工程（Ｃ１）および工程（Ｃ２）のそれぞれの手順について詳述する。
【００５０】
（工程（Ｃ１）：焼成工程）
工程（Ｃ１）は、工程（Ｂ）で製造された塗膜にエネルギーを付与して配線層を形成する工程である。
エネルギーの付与方法は、上記工程（Ａ）で述べたように、加熱処理および／または光照射処理が挙げられる。
塗膜中に金属粒子が含まれる場合は、加熱処理および／または光照射処理を行うことにより、金属粒子同士が互いに融着してグレインを形成し、さらにグレイン同士が接着・融着して、金属を含有する配線層が形成される。
また、塗膜中に金属酸化物粒子が含まれる場合は、加熱処理および／または光照射処理を行うことにより、金属酸化物粒子が金属粒子に還元され、生成した金属粒子同士が互いに融着してグレインを形成し、さらにグレイン同士が接着・融着して、金属を含有する配線層が形成される。
【００５１】
加熱処理の条件は、使用される金属粒子や金属酸化物の種類によって適宜最適な条件が選択される。なかでも、短時間で、導電性により優れる配線層を形成することができる点で、加熱温度は１００〜３００℃が好ましく、１５０〜２５０℃がより好ましく、また、加熱時間は５〜１２０分が好ましく、１０〜６０分がより好ましい。
なお、加熱手段は特に制限されず、オーブン、ホットプレート等公知の加熱手段を用いることができる。
【００５２】
光照射処理は、上述した加熱処理とは異なり、室温にて塗膜が付与された部分に対して光を短時間照射することで焼結が可能となり、長時間の加熱による基板の劣化が起こらず、導電膜の基板との密着性がより良好となる。
【００５３】
光照射処理で使用される光源は特に制限されず、例えば、水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ケミカルランプ、カーボンアーク灯等がある。放射線としては、電子線、Ｘ線、イオンビーム、遠赤外線などがある。また、ｇ線、ｉ線、Ｄｅｅｐ−ＵＶ光、高密度エネルギービーム（レーザービーム）も使用される。
具体的な態様としては、赤外線レーザーによる走査露光、キセノン放電灯などの高照度フラッシュ露光、赤外線ランプ露光などが好適に挙げられる。
【００５４】
光照射は、フラッシュランプによる光照射が好ましく、フラッシュランプによるパルス光照射であることがより好ましい。高エネルギーのパルス光の照射は、塗膜を付与した部分の表面を、極めて短い時間で集中して加熱することができるため、基板への熱の影響を極めて小さくすることができる。
パルス光の照射エネルギーとしては、１〜１００Ｊ／ｃｍ2が好ましく、１〜３０Ｊ／ｃｍ2がより好ましく、パルス幅としては１μ秒〜１００ｍ秒が好ましく、１０μ秒〜１０ｍ秒がより好ましい。パルス光の照射時間は、１〜１００ｍ秒が好ましく、１〜５０ｍ秒がより好ましく、１〜２０ｍ秒が更に好ましい。
【００５５】
上記加熱処理および光照射処理は、単独で実施してもよく、両者を同時に実施してもよい。また、一方の処理を施した後、さらに他方の処理を施してもよい。
【００５６】
上記加熱処理および光照射処理を実施する雰囲気は特に制限されず、大気雰囲気下、不活性雰囲気下、または還元性雰囲気下などが挙げられる。なお、不活性雰囲気とは、例えば、アルゴン、ヘリウム、ネオン、窒素等の不活性ガスで満たされた雰囲気であり、また、還元性雰囲気とは、水素、一酸化炭素等の還元性ガスが存在する雰囲気を指す。
【００５７】
（工程（Ｃ２）：定着工程）
工程（Ｃ２）は、親水性領域にエネルギーを付与して撥水性領域に変換する工程である。
エネルギーの付与方法は、上記工程（Ｃ１）で述べた加熱処理や光照射処理が挙げられる。例えば、図１（Ｃ）においては、親水性領域１４ａに光照射処理を実施することにより、撥水性領域１４ｂへ変換することができる。
【００５８】
上述した工程（Ｃ１）および工程（Ｃ２）は、同時に実施してもよいし、別々に実施してもよい。なかでも、製造プロセスをより短くすることができる点で、同時に実施することが好ましい。
同時に実施する方法としては、例えば、図１（Ｃ）の態様においては、濡れ性変化層１４の全面に光照射処理を実施することにより、塗膜１６から配線層１８の形成と、親水性領域１４ａの撥水性領域１４ｂへの変換を同時に実施することができる。また、光照射処理の代わりに、図１（Ｃ）の態様の支持体１２、濡れ性変化層１４、および、塗膜１６を含む積層体をオーブン中に入れ、加熱処理を実施することにより、工程（Ｃ１）と工程（Ｃ２）を同時に実施することもできる。
なお、光照射は、図１（Ｃ）の塗膜１６側から行ってもよいし、図１（Ｃ）の支持体１２側から行ってもよい。特に、親水性領域上に塗膜を形成する場合に工程（Ｃ２）で光照射を行う場合は、支持体１２側から行うことが好ましい。
【００５９】
また、工程（Ｃ１）および工程（Ｃ２）は、別々に実施することもできる。
例えば、工程（Ｃ１）を実施した後、工程（Ｃ２）を実施することもでき、または、工程（Ｃ２）を実施したのち、工程（Ｃ１）を実施することもできる。
【００６０】
上記工程（Ａ）〜（Ｃ）を経て得られた配線基板中の濡れ性変化層には、親水性領域が実質的に残存していない。結果として、配線基板上に配置される絶縁層と、配線基板との間の界面に水分が入りにくくなり、絶縁層の密着性の経時安定性が優れる。
【００６１】
配線層の厚みは特に制限されず、使用される用途に応じて適宜最適な膜厚が調整される。なかでも、プリント配線基板用途の点からは、０．０１〜１０００μｍが好ましく、０．１〜１００μｍがより好ましい。
なお、厚みは、配線層の任意の点における厚みを３箇所以上測定し、その値を算術平均して得られる値（平均値）である。
配線層の体積抵抗値は、導電特性の点から、５×１０-4Ωｃｍ未満が好ましく、１×１０-4Ωｃｍ未満がより好ましい。
体積抵抗値は、配線層の表面抵抗値を四探針法にて測定後、得られた表面抵抗値に膜厚を乗算することで算出することができる。
【００６２】
配線層のパターンは特に制限されず、種々のパターン形状（ストライプ状、格子状など）をとりえる。
配線基板の配線層上には、さらに絶縁層（絶縁樹脂層、層間絶縁膜、ソルダーレジスト）を積層してもよい。また、その表面にさらなる配線（金属パターン）を形成してもよい。
上記で得られた配線基板は、種々の用途に使用することができる。例えば、プリント配線基板、ＴＦＴ、ＦＰＣ、ＲＦＩＤなどが挙げられる。
【実施例】
【００６３】
以下、実施例により、本発明について更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００６４】
（合成例１：ポリマー１の合成）
Ｊｏｕｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ, １９４５, ｐ６３０−６３３に記載の方法で、以下の中間体１−１を合成した。中間体１−１（２１．５ｇ，１００ｍｍｏｌ）をジクロロメタン５０ｍLに溶解させ、その中にトリエチルアミン（１１．１ｇ，１１０ｍｍｏｌ）を添加し、アクリル酸クロライド（１１．４ｇ，１１０ｍｍｏｌ）を５℃を保ちながら２０分かけて滴下した。室温まで昇温を行い２時間反応させた。反応液に対して水１００ｍL、酢酸エチル３００ｍＬを投入し、分液、水洗した後に、酢酸エチル層をエバポレーション後、カラムクロマトグラフィーを用いて精製を行い、中間体１−２を８ｇ得た。
３つ口フラスコにジメチルアセトアミド（２２ｇ）を投入し、８０℃に加温した。その溶液の中に、中間体１−２（１３ｇ）とジメチルアセトアミド（２２ｇ）の溶液を２時間かけて滴下した。その後、更に２時間反応させて中間体１−２を重合した。次に、得られた反応液を再沈精製することで、以下のポリマー１（５ｇ）を得た。
【００６５】
【化６】
2014203848.tif 000008
【００６６】
【化７】
2014203848.tif 000009
【００６７】
（合成例２：ポリマー２の合成）
４−アセト−スチレン（ａｌｄｒｉｃｈ製）を用いて、Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｐｈａｒｍａ ｃｅｕｔｉｃａｌ Ｂｕｌｌｅｔｉｎ, １９８２, ｐ２５９０-２５９４に記載の方法に従って、中間体２−１を合成した。次に、中間体２−１をＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ, Ｐａｒｋｉｎ ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ Ｉ, １９８２ ｐ２４７７−２４８６に記載の方法に従って、中間体２−２を合成した。
次に、３つ口フラスコにジメチルアセトアミド（１５ｇ）を投入し、８０℃に加温した。その溶液の中に、中間体２−２（９．５ｇ）とジメチルアセトアミド（１５ｇ）の溶液を２時間かけて滴下した。その後、更に２時間反応させて中間体２−２を重合した。次に、得られた反応液を再沈精製することで、ポリマー２（８ｇ）を得た。
【００６８】
【化８】
2014203848.tif 000010
【００６９】
【化９】
2014203848.tif 000011
【００７０】
（合成例３：化合物３の合成）
ＴｅｔｒａｈｅｄｒｏｎＬｅｔｔｅｒｓ １９９５ ｐ２３７７−２３７８に記載の方法に従って、化合物３を合成した。
【００７１】
【化１０】
2014203848.tif 000012
【００７２】
（合成例４：ポリマー４の合成）
ＵＳ３９６２２３０に記載の方法に従って、中間体４−１を合成した。
次に、３つ口フラスコにジメチルアセトアミド（２０ｇ）を投入し、８０℃に加温した。その溶液の中に、中間体４−１（１２．５ｇ）とジメチルアセトアミド（２０ｇ）の溶液を２時間かけて滴下した。その後、更に２時間反応させて中間体４−１を重合した。次に、得られた反応液を再沈精製することで、ポリマー４（６ｇ）得た。
【００７３】
【化１１】
2014203848.tif 000013
【００７４】
（合成例５：ポリマー５の合成）
３つ口フラスコにジメチルアセトアミド（１７ｇ）を投入し、８０℃に加温した。その溶液の中に、４−（メチルトリメチルアンモニウムクロライド）−スチレン（１０．６ｇ）とジメチルアセトアミド（１７ｇ）の溶液を２時間かけて滴下した。その後、更に２時間反応させて重合した。次に、得られた反応液を再沈精製することで、ポリマー５（７ｇ）を得た。
【００７５】
【化１２】
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【００７６】
（合成例６：比較ポリマー１の合成）
特開２００８−２２７２９４号公報の実施例欄の記載の方法に従って、以下の比較ポリマー１を合成した。
【００７７】
【化１３】
2014203848.tif 000015
【００７８】
＜実施例１＞
ポリイミド支持体上に以下の組成の濡れ性変化層形成組成物１を塗布した。
（濡れ性変化層形成組成物１）
・ポリマー１    １ｇ
・メチルエチルケトン    ０．５ｇ
【００７９】
以下の光熱変換層形成用組成物を、濡れ性変化層上に更に塗布した。得られた基板にＩＲレーザー（水冷式４０Ｗ赤外線半導体レーザーを搭載したＣｒｅｏ社製Ｔｒｅｎｄｓｅｔｔｅｒ ３２４４ＶＦＳにて露光）にてパターン状（Ｌ／Ｓ＝３０μｍ／３０μｍ）に露光（１Ｊ/ｃｍ2）し、基板を水洗することで光熱変換層を除去して、露光部を撥水化した。
（光熱変換層形成用組成物）
・光熱変換剤Ａ    １ｇ
・水    ０．７ｇ
・１−メトキシ−２−プロパノール    ０．３ｇ
【００８０】
【化１４】
2014203848.tif 000016
【００８１】
その後、インクジェット装置（ダイマティックス製  ＤＭＰ２８３１）を用いて、濡れ性変化層上に親水性の銀ナノインク（特開２０１０-２６５５４３号に記載の方法で作製）を塗布したところ、撥水性領域ではインクははじかれ、親水性領域上にインクが堆積され、塗膜が形成された。
次に、得られた塗膜付き基板に対して、２５０℃で１５分間加熱処理を行い、塗膜から配線層を形成すると共に、濡れ性変化層中に残存していた親水性領域を撥水性領域に変換し、配線基板を得た。
【００８２】
（パターン形成性評価）
光学顕微鏡で配線基板の配線層を上から観察し、配線層のパターンのエッジ部（端部）の直線性を確認し、以下の基準に沿って評価した。なお、以下のエッチ部の位置のズレ幅Ｗとは、配線基板を上面から観察した模式図である図３に示すように、配線層のエッチ部の位置が幅方向にどれだけズレているかを示す尺度である。
「Ａ」：配線層のエッチ部の位置のズレ幅が３μｍ以内
「Ｂ」：配線層のエッチ部の位置のズレ幅が３μｍ超１０μｍ以内
「Ｃ」：配線層のエッチ部の位置のズレ幅が１０μｍ超
【００８３】
（耐久性評価）
得られた配線基板の配線層側上にソルダーレジストを配置して保護し、４０℃、８５ＲＨ％で７日放置した後に、配線層、および、ソルダーレジストの剥がれを確認し、以下の基準に沿って評価した。
「Ａ」：剥がれがなかった。
「Ｂ」：剥がれた部分が２箇所以下であった。
「Ｃ」：剥がれた部分が３箇所以上であった。
【００８４】
＜実施例２＞
銀ナノインクの代わりに、立山マシン製の銅ナノインク（溶媒：デカン）を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って、配線基板を製造し、各種評価を実施した。
なお、実施例２においては、工程（Ｂ）にて、塗膜は撥水性領域上に形成された。
【００８５】
＜実施例３＞
ポリマー１の代わりに、ポリマー２を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って、配線基板を製造し、各種評価を実施した。
【００８６】
＜実施例４＞
銀ナノインクの代わりに、立山マシン製の銅ナノインク（溶媒：デカン）を使用した以外は、実施例３と同様の手順に従って、配線基板を製造し、各種評価を実施した。
なお、実施例４においては、工程（Ｂ）にて、塗膜は撥水性領域上に形成された。
【００８７】
＜実施例５＞
ポリマー１の代わりに、化合物３を使用して、ＩＲレーザーにてパターン状に露光する代わりに、フォトマスクを用いてＵＶ露光（１Ｊ/ｃｍ2）した以外は、実施例２と同様の手順に従って、配線基板を製造し、各種評価を実施した。
【００８８】
＜実施例６＞
２５０℃で１５分間加熱処理の代わりに、フラッシュランプ露光（Ｘｅｎｏｎ社製光焼結装置Ｓｉｎｔｅｒｏｎ２０００、照射エネルギー：５Ｊ／ｍ2、パルス幅：２ｍ秒）を行い塗膜から配線層を形成すると共に、濡れ性変化層中に残存していた親水性領域を撥水性領域に変換し、銀ナノインクの代わりに以下の組成物Ａを用い、インクジェット装置の代わりにディスペンサーを用いた以外は、実施例５と同様の手順に従って、配線基板を製造し、各種評価を実施した。
なお、実施例６においては、工程（Ｂ）にて、塗膜は撥水性領域上に形成された。
（組成物Ａ）
以下の成分を、ビーズミル分散により混合して、組成物を製造した。
・アイソパーＣ                １８ｇ
・ＣｕＯ                        １ｇ
・ポリエチレンオキシド          １ｇ
【００８９】
＜実施例７＞
化合物３の代わりに、ポリマー４を使用し、濡れ性変化層形成組成物にさらにベンゾフェノン（０．２ｇ）を添加した以外は、実施例６と同様の手順に従って、配線基板を製造し、各種評価を実施した。
【００９０】
＜実施例８＞
濡れ性変化層形成組成物１の代わりに、濡れ性変化層形成組成物２を使用した以外は、実施例２と同様の手順に従って、配線基板を製造し、各種評価を実施した。
なお、濡れ性変化層形成組成物２で得られる層は、エネルギーの付与により脱炭酸して濡れ性が変化する層ではない。
（濡れ性変化層形成組成物２）
・ポリマー５                    １ｇ
・メタノール／水＝３／１        ９ｇ
・光熱変換剤Ａ              ０．２ｇ
【００９１】
＜実施例９＞
化合物３の代わりに、以下の化合物Ｘを使用した以外は、実施例６と同様の手順に従って、配線基板を製造し、各種評価を実施した。
【００９２】
【化１５】
2014203848.tif 000017
【００９３】
＜比較例１＞
濡れ性変化層を用いなかった以外は、実施例２と同様の手順に従って、配線基板を製造し、各種評価を実施した。
【００９４】
＜比較例２＞
化合物３の代わりに、比較ポリマー１を用いた以外は、実施例５と同様の手順に従って、配線基板の製造を試みた。
しかしながら、ＵＶ光を１Ｊ/ｃｍ2露光しても親水性領域および撥水性領域のパターンが形成されなかった。
なお、比較ポリマー１は、エネルギーが付与された際に水との接触角が低下するように濡れ性が変化する濡れ性変化材料である。
【００９５】
＜比較例３＞
ＵＶ露光（１Ｊ/ｃｍ2）の代わりにＵＶ露光（１０Ｊ/ｃｍ2）を実施した以外は、比較例２と同様の手順に従って、配線基板を製造し、各種評価を実施した。
【００９６】
＜比較例４＞
得られた塗膜付き基板に対して２５０℃で１５分間加熱処理を行う代わりに、塗膜部分にのみフラッシュランプ露光（Ｘｅｎｏｎ社製光焼結装置Ｓｉｎｔｅｒｏｎ２０００、照射エネルギー：５Ｊ／ｍ2、パルス幅：２ｍ秒）を行って配線層を形成した以外は、実施例２と同様の手順に従って、配線基板を製造し、各種評価を実施した。
なお、比較例４では、工程（Ｃ２）が実施されていない。
【００９７】
以下の表１中、「親水性インク」は上記銀ナノインク（実施例１に記載）を意図し、「疎水性インク１」は立山マシン製の銅ナノインクを意図し、「疎水性インク２」は上記組成物Ａを意図する。
表１中、「焼成工程」欄および「定着工程」欄中の「熱」は加熱処理を、「光」は光照射処理（フラッシュランプ露光）を意図する。
また、「焼成・定着に要した時間」とは、所定の導電度の配線層が得られるまでの時間を意図する。
【００９８】
【表１】
2014203848.tif 000018
【００９９】
本発明の製造方法によれば、得られた配線基板は配線層のパターン形成性に優れると共に、絶縁層の密着性の経時安定性にも優れていた。
なかでも、実施例１と２との比較からわかるように、撥水性領域上に塗膜を形成したほうがパターン形成性に優れることが確認された。
また、実施例５と６との比較からわかるように、焼成工程および定着工程で光照射処理を実施した場合、配線層を得るまでの時間がより短縮されることが確認された。
また、実施例８と実施例２との比較からわかるように、エネルギーの付与により脱炭酸して濡れ性が変化する層を用いた実施例２のほうが、パターン形成性に優れることが確認された。
【０１００】
一方、濡れ性変化層を用いなかった比較例１ではパターン形成性に劣っていた。
また、エネルギーが付与された際に水との接触角が低下するように濡れ性が変化する濡れ性変化材料である比較ポリマー１を用いた場合、エネルギー照射量が少なく比較例２では、濡れ性変化層の変化が十分に進行せず、パターン形成性に劣っていた。また、エネルギー照射量を増やした比較例３では、パターンは形成されるものの、親水性領域が残存する為に耐久性に劣っていた。さらに、定着工程（Ｃ２）を実施しなかった比較例４では、パターンは形成されるものの、親水性領域が残存する為に耐久性に劣っていた。
【符号の説明】
【０１０１】
１０    基板
１２    支持体
１４    濡れ性変化層
１４ａ  親水性領域
１４ｂ  撥水性領域
１６    塗膜
１８    配線層
２０  配線層形成用組成物
【図１】
2014203848.tif 000019
【図２】
2014203848.tif 000020
【図３】
2014203848.tif 000021