(57)【要約】【課題】放熱性を向上させた半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、複数のダイパッドを備えた第１のメタルフレームと、第１のメタルフレームの複数のダイパッドの上に実装された複数の半導体チップと、複数のダイパッドを避けるように第１のメタルフレームに設けられた絶縁層と、複数のダイパッドのそれぞれと対応する複数の電極パッドを備え、絶縁層を介して第１のメタルフレームの上に積層配置された第２のメタルフレームとを有する。【選択図】図５
2014093498.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のダイパッドを備えた第１のメタルフレームと、
前記第１のメタルフレームの前記複数のダイパッドの上に実装された複数の半導体チップと、
前記複数のダイパッドを避けるように前記第１のメタルフレームに設けられた絶縁層と、
前記複数のダイパッドのそれぞれと対応する複数の電極パッドを備え、前記絶縁層を介して前記第１のメタルフレームの上に積層配置された第２のメタルフレームと、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記絶縁層は、熱硬化性樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２のメタルフレームは、前記熱硬化性樹脂が半硬化の状態で該熱硬化性樹脂の上に載置され、
前記第２のメタルフレームは、前記熱硬化性樹脂に対して加熱圧着を行うことにより、該熱硬化性樹脂に固着されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記熱硬化性樹脂の表面は、前記第１のリードフレームの前記複数のダイパッドの半導体チップ実装面と同一平面上にあることを特徴とする請求項２または３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記熱硬化性樹脂の表面は、前記第１のリードフレームの前記複数のダイパッドの半導体チップ実装面よりも高い位置にあることを特徴とする請求項２または３に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２のメタルフレームの前記複数の電極パッドは、前記熱硬化性樹脂の凹溝に埋め込まれていることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２のメタルフレームの前記複数の電極パッドは、陽極及び陰極である二つの種類の複数の電極パッドを含み、
前記二つの種類の複数の電極パッドは、前記熱硬化性樹脂を介して前記第１のメタルフレームの上に積層配置され、
前記熱硬化性樹脂は、前記複数の半導体チップを囲う複数の凹部を構成していることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記半導体チップは、ワイヤボンディングにより前記第２のメタルフレームの前記電極パッドに電気的に接続されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記半導体チップは、フリップチップ実装により前記第２のメタルフレームの前記電極パッドにそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体チップを封止する透光性樹脂を更に有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第２のメタルフレームは、前記透光性樹脂を供給する際に、該透光性樹脂の漏出を防止するためのリードを備えていることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記半導体チップは、ＬＥＤチップであることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
複数のダイパッドを備えた第１のメタルフレームを形成するステップと、
前記複数のダイパッドを避けるように前記第１のメタルフレームに絶縁層を設けるステップと、
前記第１のメタルフレームの前記複数のダイパッドの上に複数の半導体チップを実装するステップと、
前記複数のダイパッドのそれぞれと対応する複数の電極パッドを備えた第２のメタルフレームを、前記絶縁層を介して前記第１のメタルフレームの上に積層配置するステップと、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記絶縁層は、熱硬化性樹脂であることを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第２のメタルフレームは、前記熱硬化性樹脂が半硬化の状態で該熱硬化性樹脂の上に載置され、
前記第２のメタルフレームは、前記熱硬化性樹脂に対して加熱圧着を行うことにより、該熱硬化性樹脂に固着されることを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
複数のダイパッドを備えた第１のメタルフレームと、
前記複数のダイパッドを避けるように前記第１のメタルフレームに設けられた絶縁層と、
前記複数のダイパッドのそれぞれと対応する複数の電極パッドを備え、前記絶縁層を介して前記第１のメタルフレームの上に積層配置された第２のメタルフレームと、を有し、
前記第１のメタルフレームの前記複数のダイパッドの上に、複数の半導体チップが実装可能に構成されている、ことを特徴とする半導体チップの実装用基板。
【請求項１７】
複数のダイパッドを備えた第１のメタルフレームを形成するステップと、
前記複数のダイパッドを避けるように前記第１のメタルフレームに絶縁層を設けるステップと、
前記複数のダイパッドのそれぞれと対応する複数の電極パッドを備えた第２のメタルフレームを、前記絶縁層を介して前記第１のメタルフレームの上に積層配置するステップと、を有し、
前記第１のメタルフレームの前記複数のダイパッドの上に、複数の半導体チップが実装可能に構成されている、ことを特徴とする半導体チップの実装用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に係り、特に複数の半導体チップを実装して構成された半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、複数の半導体チップを実装して構成された半導体装置（マルチチップモジュール）が知られている。例えば特許文献１には、複数の発光チップ（半導体チップ）を備えて構成されたＬＥＤパッケージが開示されている。特許文献１に開示されているＬＥＤパッケージには、各々の発光チップにおける陽極及び陰極用の二つの電極パッドが設けられている。これらの二つの電極パッドは、同一のリードフレーム、すなわち同一平面上のリードフレームに設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２０６３７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、近年では、複数の半導体チップを有するマルチチップモジュールの大電流化に伴い、簡易な構成（すなわち低コスト）で放熱性の向上が要求されている。一方、特許文献１に開示された複数の発光チップを備えたＬＥＤパッケージでは、大電流化に伴う放熱性の向上を図ることが困難である。
【０００５】
そこで本発明は、簡易な構成で放熱性を向上させた半導体装置、半導体チップの実装用基板、および、それらの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面としての半導体装置は、複数のダイパッドを備えた第１のメタルフレームと、前記第１のメタルフレームの前記複数のダイパッドの上に実装された複数の半導体チップと、前記複数のダイパッドを避けるように前記第１のメタルフレームに設けられた絶縁層と、前記複数のダイパッドのそれぞれと対応する複数の電極パッドを備え、前記絶縁層を介して前記第１のメタルフレームの上に積層配置された第２のメタルフレームとを有する。
【０００７】
本発明の他の側面としての半導体装置の製造方法は、複数のダイパッドを備えた第１のメタルフレームを形成するステップと、前記複数のダイパッドを避けるように前記第１のメタルフレームに絶縁層を設けるステップと、前記第１のメタルフレームの前記複数のダイパッドの上に複数の半導体チップを実装するステップと、前記複数のダイパッドのそれぞれと対応する複数の電極パッドを備えた第２のメタルフレームを、前記絶縁層を介して前記第１のメタルフレームの上に積層配置するステップとを有する。
【０００８】
本発明の他の側面としての半導体チップの実装用基板は、複数のダイパッドを備えた第１のメタルフレームと、前記複数のダイパッドを避けるように前記第１のメタルフレームに設けられた絶縁層と、前記複数のダイパッドのそれぞれと対応する複数の電極パッドを備え、前記絶縁層を介して前記第１のメタルフレームの上に積層配置された第２のメタルフレームとを有し、前記第１のメタルフレームの前記複数のダイパッドの上に、複数の半導体チップが実装可能に構成されている。
【０００９】
本発明の他の側面としての半導体チップの実装用基板の製造方法は、複数のダイパッドを備えた第１のメタルフレームを形成するステップと、前記複数のダイパッドを避けるように前記第１のメタルフレームに絶縁層を設けるステップと、前記複数のダイパッドのそれぞれと対応する複数の電極パッドを備えた第２のメタルフレームを、前記絶縁層を介して前記第１のメタルフレームの上に積層配置するステップとを有し、前記第１のメタルフレームの前記複数のダイパッドの上に、複数の半導体チップが実装可能に構成されている。
【００１０】
本発明の他の目的及び特徴は、以下の実施例において説明される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、簡易な構成で放熱性を向上させた半導体装置およびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１Ａ】実施例１、２における半導体装置の製造工程図（第１のリードフレーム）である。
【図１Ｂ】実施例１、２における半導体装置の製造工程図（樹脂成形後）である。
【図１Ｃ】実施例１における半導体装置の製造工程図（第２のリードフレーム積層後）である。
【図１Ｄ】実施例１における半導体装置の製造工程図（半導体チップ実装後）である。
【図１Ｅ】実施例１における半導体装置の製造工程図（透光性樹脂成形後）である。
【図１Ｆ】実施例１における別形態の半導体装置の製造工程図（第１のリードフレーム）である。
【図２Ａ】実施例２における半導体装置の製造工程図（第２のリードフレーム積層後）である。
【図２Ｂ】実施例２における半導体装置の製造工程図（半導体チップ実装後）である。
【図２Ｃ】実施例２における半導体装置の製造工程図（透光性樹脂成形後）である。
【図３Ａ】実施例３における半導体装置の製造工程図（第１のリードフレーム）である。
【図３Ｂ】実施例３における半導体装置の製造工程図（樹脂成形後）である。
【図３Ｃ】実施例３における半導体装置の製造工程図（第２のリードフレーム積層後）である。
【図３Ｄ】実施例３における半導体装置の製造工程図（半導体チップ実装後）である。
【図３Ｅ】実施例３における半導体装置の製造工程図（透光性樹脂成形後）である。
【図４Ａ】実施例４における半導体装置の製造工程図（第１のリードフレーム）である。
【図４Ｂ】実施例４における半導体装置の製造工程図（樹脂成形後）である。
【図４Ｃ】実施例４における半導体装置の製造工程図（第２のリードフレーム積層後）である。
【図４Ｄ】実施例４における半導体装置の製造工程図（半導体チップ実装後）である。
【図４Ｅ】実施例４における半導体装置の製造工程図（透光性樹脂成形後）である。
【図５】実施例５における半導体装置の要部断面図である。
【図６】実施例６における半導体装置の要部断面図である。
【図７】実施例６における第１のリードフレームの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら詳細に説明する。各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【実施例１】
【００１４】
まず、図１Ａ〜図１Ｅを参照して、本発明の実施例１における半導体装置及びその製造方法について説明する。図１Ａ〜図１Ｅは、本実施例における半導体装置の製造工程図であり、図１Ａ〜図１Ｅの順に時系列に並んで示されている。
【００１５】
本実施例の半導体装置は、多層のリードフレーム及び樹脂を備えたマルチチップ半導体モジュール（モジュール基板）であり、特に、複数のＬＥＤチップ（半導体チップ）を実装したＬＥＤチップモジュール（半導体チップモジュール）である。本実施例のＬＥＤチップモジュールは、例えばグラウンド用ライト、街灯用ライト、自動車用ヘッドライト等の高出力のライトに特に適して用いられるが、低出力のライトであってもよい。
【００１６】
また本実施例は、ＬＥＤチップモジュールに限定されるものではなく、ＩＢＧＴやＭＯＳＥＦＴ等のパワー半導体素子を備えた半導体装置にも適用可能である。また本実施例は、低コスト、大電流化、かつ、高放熱性が要求される他の半導体装置に適用してもよい。ＬＥＤチップモジュール以外の半導体装置に適用される場合には、その半導体装置に応じて必要な工程が適宜選択される。
【００１７】
まず、図１Ａに示されるように、半導体装置の製造に用いられるリードフレームを準備する（第１のリードフレーム準備工程）。図１Ａは、本実施例の半導体装置に用いられるリードフレーム１０（第１のリードフレーム、または、第１のメタルフレーム）の平面図である。リードフレーム１０は、例えば、銅系フレーム材の表面に、ニッケル、パラジウム、銀、又は、金などのメッキ層（例えばＮｉ−Ａｇメッキ）を形成して構成される。リードフレーム１０は、例えば０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度の厚さを有する。本実施例のリードフレーム１０は、好ましくは、裏面（半導体チップの実装面とは反対側の面）に放熱構造体（ヒートシンク）を備えたメタルフレーム、又は、放熱構造体を取り付け可能に構成されたメタルフレームである。
【００１８】
１１は、リードフレーム１０に設けられた複数のダイパッド（ＬＥＤチップ用パッド）である。複数のダイパッド１１のそれぞれの上には、後述のように半導体チップが実装される。１２は、ツェナーダイオード用パッドである。１３は、端子用パッドである。端子用パッド１３は、本実施例の半導体装置（半導体チップモジュール）における一方電極側（陽極側または陰極側の一方）の外部接続端子として用いられる。
【００１９】
１４は、複数のダイパッド１１のそれぞれを電気的に接続して保持するために設けられたリードである。またリード１４の先端部（分岐先端部）には、ツェナーダイオード用パッド１２及び端子用パッド１３がそれぞれ電気的に接続されて保持されている。本実施例において、リード１４は、その厚さ（紙面直交方向における表面と裏面との距離）がリードフレーム１０の周囲、ダイパッド１１、ツェナーダイオード用パッド１２、及び、端子用パッド１３のそれぞれの厚さよりも薄い薄肉部である。
【００２０】
図１Ａに示されるように、本実施例のリードフレーム１０には、矩形外枠に囲われて概形が矩形の抜き部１８が形成されている。抜き部１８の形状により、ダイパッド１１、ツェナーダイオード用パッド１２、端子用パッド１３、及び、リード１４の形状（外形）が規定されている。リードフレーム１０の構造は、スタンピングにより形成される。このため、低コストでリードフレーム１０を加工することができる。ただし本実施例は、これに限定されるものではなく、図１Ｆに示されるように、抜き部１８を有しないリードフレームを用いてもよい。
【００２１】
図１Ｆは、本実施例における別形態のリードフレーム１０ａ（第１のリードフレーム）の平面図である。図１Ｆに示されるように、リードフレーム１０ａには、図１Ａのリードフレーム１０と同様に、複数のダイパッド１１、ツェナーダイオード用パッド１２、及び、端子用パッド１３が形成されている。また、リードフレーム１０の抜き部１８に相当する位置には、薄肉部１５が形成されている。薄肉部１５は、リードフレーム１０のリード１４と同様に、各パッドの厚さに比べて薄く形成された領域である。リードフレーム１０ａでは、抜き部１８に代えて薄肉部１５を設けることにより、放熱面を拡げて放熱性を向上することができる。また、大きな抜き部１８を設けずにメタルフレームである薄肉部１５により半導体装置の下面を構成することで、強度を向上することもできる。
【００２２】
また、薄肉部１５の一部（各パッドの周囲）には、抜き部１６が形成されている。抜き部１６は、後述の樹脂を成形する際に、樹脂をリードフレーム１０ａに確実に固着させるために設けられている（アンカー効果）。また、抜き部１６は、例えばリードフレーム１０ａをコイニングのようなプレス加工により成形する際にフレーム材の変形を許容する逃げとして機能させることも可能である。
【００２３】
続いて、図１Ｂに示されるように、図１Ａのリードフレーム１０に形成された抜き部１８の領域に、樹脂３０を充填（成形）する（樹脂成形工程）。図１Ｂは、リードフレーム１０の抜き部１８に樹脂３０を充填した状態を示す平面図である。樹脂３０は、複数のダイパッド１１、ツェナーダイオード用パッド１２、及び、端子用パッド１３を避けるように設けられており、複数のダイパッド１１、ツェナーダイオード用パッド１２、及び、端子用パッド１３のそれぞれの厚さと略同一の厚さになるように充填される。本実施例において、樹脂３０の表面は、ダイパッド１１の半導体チップ実装面と同一平面上にある。このため樹脂３０は、リードフレーム１０の厚さに応じて、例えば０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度の厚さを有する。
【００２４】
一方、従来の印刷工程により樹脂を成形した場合、数十μｍ程度の厚さを有する極めて薄い樹脂膜を形成することができるが、本実施例のように比較的厚い膜を有する樹脂を形成することはできない。このため、本実施例の構成によれば、大電流を流した場合でも絶縁性を確実に確保することができる。
【００２５】
樹脂３０は、リードフレーム１０の周囲、ダイパッド１１、ツェナーダイオード用パッド１２、及び、端子用パッド１３を露出させた状態で、抜き部１８に充填される。このときリード１４の表面は、薄肉部であるため、樹脂３０により覆われる（非露出状態）。図１Ｂにおいて、リード１４が樹脂３０により覆われている状態を点線で示している。
【００２６】
樹脂３０は、例えば、シリカ及び酸化チタン等を含有したエポキシ又はシリコーン樹脂である。樹脂３０は、熱硬化性樹脂であることが好ましいが、熱可塑性樹脂であってもよく、その材質に限定されるものではない。樹脂３０は、例えば、不図示の金型（上金型、下金型）を用いてリードフレーム１０を両面からクランプし、トランスファ成形により樹脂を流し込んで半硬化させることによって形成される。この場合、この上金型及び下金型において、抜き部１８を囲うクランプ面を平坦形状とすると共に、いずれかの金型に設けた図示しないゲート及びランナを介して抜き部１８に樹脂３０を供給することで平板形状に成形することができる。また後述のように、リードフレーム２０を樹脂３０に埋め込まれるように配置するときには、抜き部１８を囲うクランプ面内に所定の凸条を設けることで、リードフレーム２０の形状に相当する溝を有する平板形状に成形することもできる。
【００２７】
なお、樹脂３０は、ポッティングにて成形されるものであってもよい。本実施例において、半導体装置（半導体チップモジュール）は、樹脂３０で一括して成形されたマップ構造を有する。ただし本実施例はこれに限定されるものではなく、マトリックス構造を有する半導体装置にも適用可能である。
【００２８】
また樹脂３０は、後述の工程において他のリードフレーム（第２のリードフレーム）を接着させるため、被接着物を加圧すれば接着できる程度に接着力が残っている半硬化状態（Ｂステージ）で成形される。ただし本実施例は、これに限定されるものではなく、樹脂を硬化させた状態で接着剤を用いてもよい。
【００２９】
続いて、図１Ｃに示されるように、図１Ｂの樹脂封止後のリードフレーム１０の上に、リードフレーム２０（第２のリードフレーム、または、第２のメタルフレーム）を積層するように載置する（第２のリードフレーム積層工程）。図１Ｃは、樹脂封止後のリードフレーム１０の上にリードフレーム２０を積層載置した状態を示している。
【００３０】
リードフレーム２０は、リードフレーム１０と同様に、例えば、銅系フレーム材の表面に、ニッケル、パラジウム、銀、又は、金などのメッキ層（例えばＮｉ−Ａｇメッキ）を形成して構成される。リードフレーム２０は、例えば０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度の厚さを有する。また、リードフレーム１０よりも薄いリードフレーム２０を用いてもよい。
【００３１】
２１は、リードフレーム２０に設けられたボンディング用パッド（電極パッド）である。ボンディング用パッド２１は、ダイパッド１１に搭載される後述の半導体チップの他方の電極（陽極または陰極の他方）と後述のワイヤにより電気的に接続されるように構成されている。２２は、ツェナーダイオード用パッドである。２３は、端子用パッドである。端子用パッド２３は、本実施例の半導体装置（半導体チップモジュール）における他方電極側（陽極側または陰極側の他方）の外部接続端子として用いられる。２４は、複数のボンディング用パッド２１のそれぞれを電気的に接続して保持するために設けられたリードである。またリード２４の先端部（分岐先端部）には、ツェナーダイオード用パッド２２及び端子用パッド２３がそれぞれ電気的に接続されて保持されている。
【００３２】
図１Ｃに示されるように、本実施例のリードフレーム２０には、抜き部２８が形成されている。抜き部２８の形状により、ボンディング用パッド２１、ツェナーダイオード用パッド２２、端子用パッド２３、及び、リード２４の形状（外形）が規定されている。
【００３３】
樹脂３０は、前述のように、半硬化状態（Ｂステージ）でリードフレーム１０の抜き部１８に充填されている。このような半硬化の状態で、リードフレーム２０を樹脂３０（リードフレーム１０）の上に載置（積層配置）させる。そして、リードフレーム２０と樹脂３０との加熱圧着を行う。具体的には、リードフレーム２０と樹脂３０との加熱圧着を行った後に、更に本硬化加熱を行うことにより、半硬化状態（Ｂステージ）から全硬化状態とすることでリードフレーム２０と樹脂３０とを固着させる。これにより、半導体装置の回路が形成される。このように、リードフレーム２０は、複数のダイパッド１１のそれぞれと対応する複数のボンディング用パッド２１（電極パッド）を備え、樹脂３０を介してリードフレーム１０の上に積層配置される。
【００３４】
続いて、図１Ｄに示されるように、複数のダイパッド１１のそれぞれの上に、半導体チップ４０（ＬＥＤチップ）を実装する（半導体チップ実装工程）。また、ツェナーダイオード用パッド１２、２２の上に、電圧の安定化に用いられるツェナーダイオード４２（定電圧ダイオード）を実装する。更に、半導体チップ４０の一方電極（陽極または陰極の一方）とダイパッド１１との間を、ワイヤ４５（ボンディングワイヤ）を用いて電気的に接続する。また、半導体チップ４０の他方電極（陽極または陰極の他方）とボンディング用パッド２１との間を、ワイヤ４６（ボンディングワイヤ）を用いて電気的に接続する。
【００３５】
ワイヤ４５、４６は、例えば金ワイヤであるが、これに限定されるものではなく、銅ワイヤやアルミニウム合金ワイヤ等の他の材料からなるワイヤを用いてもよい。図１Ｄ中には、ワイヤ４５、４６がそれぞれ一本だけ示されているが、本実施例はこれに限定されるものではなく、搭載される半導体チップ４０の種類に応じてワイヤ４５、４６のそれぞれを複数本設けてもよい。また、１個のダイパッド１１には、複数の半導体チップ４０を搭載してもよい。また、半導体チップ４０をダイパッド１１及びボンディング用パッド２１の上にフリップチップ実装するように構成してもよい。この場合、半導体チップ４０は、ダイパッド１１及びボンディング用パッド２１にそれぞれ直接、電気的に接続される。このため、ワイヤ４５、４６は不要である。
【００３６】
このように接続することで、リードフレーム１０、２０を介して半導体チップ４０を端子用パッド１３、２３に並列に接続することを容易に実現することができる。この場合、十分に厚みのあるリードフレーム１０、２０を用いた配線構成とすることができるため、大出力化（大電流化）が容易となる。
【００３７】
続いて、図１Ｅに示されるように、少なくとも半導体チップ４０及びワイヤ４５、４６を覆うように透光性樹脂５０（レンズ樹脂）を供給する（透光性樹脂成形工程）。具体的には、ＬＥＤチップである半導体チップ４０をレンズ樹脂で封止するときには、必要に応じて半導体チップ４０の周囲に蛍光体を塗布し、トランスファ成形や圧縮成形の金型を用いた成形やポッティングなどにより透光性樹脂５０をレンズ形状に成形する。
【００３８】
図１Ｅは、透光性樹脂５０を供給した状態を示している。複数の半導体チップ４０のそれぞれの上には、透光性樹脂５０により半球状のレンズ部５１が形成されている。これにより、半導体チップ４０は封止される。なお本実施例において、透光性樹脂５０は複数の半導体チップ４０を一体的に封止しているが、これに限定されるものではなく、半導体チップ４０の各々を個別に封止してもよい。
【００３９】
透光性樹脂５０としては、透光性及び熱硬化性を有するシリコーン樹脂が好適に用いられる。なお、透光性樹脂５０として、エポキシ樹脂やアクリル樹脂などの熱硬化性樹脂を用いることもできる。また、透光性樹脂５０は、樹脂３０とは異なり、半導体チップ４０（発光チップ）からの光を透過させるために窒化アルミ等のフィラーを含有させずに用いられる。シリコーン樹脂は、エポキシ樹脂等の他の樹脂と比較して、紫外線や熱により透光性が低下しにくい性質を有する。このため、本実施例ではシリコーン樹脂が適して用いられる。なお、透光性樹脂５０は透明色の樹脂に限定されるものではなく、蛍光体を配合した樹脂を用いることもできる。
【００４０】
以上のように、本実施例の半導体装置は、図１Ａ〜図１Ｅに示される工程を経た後、適切な大きさ（使用サイズ）に切断（ダイシング）されることにより製造される。一例として、リードフレーム１０の抜き部１８の外周に沿う内側を矩形形状に切断する。これにより、積層されたリードフレーム１０、２０の外枠が分離されることで外枠同士の接触による電気的な接続を防止し、実装した素子以外でのリードフレーム１０、２０間の絶縁を確保することができる。
【００４１】
以上により製造された半導体装置は、端子用パッド１３、２３を介して、外部の装置（回路）と電気的に接続されることにより用いられる。この場合、リードフレーム１０（若しくはリードフレーム１０ａ）において、高出力の半導体チップ４０であってもメタルフレームとして形成されたダイパッド１１を介して効率的に放熱することができる。
【００４２】
本実施例によれば、簡易な構成で放熱性を向上させながら大容量化に対応した半導体装置（マップ状のマルチチップモジュール）およびその製造方法を提供することができる。なお、ＬＥＤチップである半導体チップ４０を用いるときには、透光性を有しない樹脂で封止することもできる。
【００４３】
また、本実施例の半導体装置の製造工程において、図１Ａ〜図１Ｃに示される工程を経て積層されたリードフレーム１０、２０を、半導体チップを実装可能な実装用基板として用いることもできる。これによれば、放熱性を向上させながら大容量化に対応した半導体チップの実装用基板を提供することができる。
【００４４】
また、この半導体チップの実装用基板として、上下に貫通する端子用パッド２３を備える構成を採用することもできる。具体的には、まず端子用パッド２３の位置に突起を設けた金型を用い金型同士でクランプした状態で樹脂３０を成形する。このように成形された樹脂３０では、端子用パッド２３に相当する位置を上下に貫通する貫通孔を形成される。次いで、この貫通孔に挿入可能となるように下面側に突起した端子用パッド２３を有するリードフレーム２０を積層することで、半導体チップの実装用基板を成形することができる。これによれば、端子用パッド１３、２３の上面のみならず下面を介しても外部の装置（回路）と電気的に接続することができる。この場合、端子用パッド１３、２３の中心に孔開けをしておくことでネジ止めにより外部の装置に電気的接続及び固定を行ってもよい。
【実施例２】
【００４５】
次に、図２Ａ〜図２Ｃを参照して、本発明の実施例２における半導体装置及びその製造方法について説明する。図２Ａ〜図２Ｃは、本実施例における半導体装置の製造工程図であり、図２Ａ〜図２Ｃの順に時系列に並んで示されている。なお本実施例において、第１のリードフレーム準備工程及び樹脂成形工程は、実施例１の図１Ａ及び図１Ｂとそれぞれ同様であるため、それらの説明は省略する。
【００４６】
図１Ｂの樹脂成形工程後、図２Ａに示されるように、図１Ｂの樹脂封止後のリードフレーム１０の上に、リードフレーム２０ａ（第２のリードフレーム）を積層するように載置する（第２のリードフレーム積層工程）。図２Ａは、樹脂封止後のリードフレーム１０の上にリードフレーム２０ａを積層載置した状態を示している。図２Ａに示されるように、本実施例のリードフレーム２０ａには、配列された複数のダイパッド１１の最上側及び最下側において、リード２６が設けられている。リード２６は、後述の透光性樹脂の漏出を防止するために設けられている。
【００４７】
続いて、図２Ｂに示されるように、複数のダイパッド１１のそれぞれの上に、半導体チップ４０を実装する（半導体チップ実装工程）。また、実施例１と同様に、ツェナーダイオード４２を実装し、ワイヤ４５、４６を用いてワイヤボンディングを行う。  
【００４８】
続いて、図２Ｃに示されるように、半導体チップ４０を覆うように透光性樹脂５０ａ（レンズ樹脂）を供給する（透光性樹脂成形工程）。図２Ｃは、透光性樹脂５０ａを供給した状態を示している。複数の半導体チップ４０のそれぞれの上には、透光性樹脂５０ａにより半球状のレンズ部５１ａが形成されている。これにより、半導体チップ４０は封止される。本実施例のリードフレーム２０ａには、半導体チップ４０の実装領域の上側及び下側にリード２６が設けられている。このため、半導体チップ４０の上に供給された透光性樹脂５０ａは、リード２４、２６により囲まれた領域内で成形されることになる。具体的には、トランスファ成形や圧縮成形おいて、リード２４、２６により囲まれた矩形領域内を金型でクランプすると共に、その内側における金型面で透光性樹脂５０ａのレンズ成形を行うことができる。したがって、透光性樹脂５０ａがこの領域外に漏出することを簡易な構成で確実に防止することができる。
【００４９】
以上のように、本実施例の半導体装置は、図１Ａ、１Ｂ、２Ａ〜２Ｃに示される工程を経た後、適切な大きさ（使用サイズ）に切断（ダイシング）されることにより製造される。半導体装置は、端子用パッド１３、２３を介して、外部の装置（回路）と電気的に接続されることにより用いられる。本発明によれば、簡易な構成で放熱性を向上させた半導体装置（マップ状のマルチチップモジュール）およびその製造方法を提供することができる。本実施例の構成は、特に、簡易な構成の追加で透光性樹脂の漏出を防止可能であるという点で有利である。
【実施例３】
【００５０】
次に、図３Ａ〜図３Ｅを参照して、本発明の実施例３における半導体装置及びその製造方法について説明する。図３Ａ〜図３Ｅは、本実施例における半導体装置の製造工程図であり、図３Ａ〜図３Ｅの順に時系列に並んで示されている。
【００５１】
まず、図３Ａに示されるように、半導体装置の製造に用いられるリードフレームを準備する（第１のリードフレーム準備工程）。図３Ａは、本実施例の半導体装置に用いられるリードフレーム１０ｂ（第１のリードフレーム）の平面図である。
【００５２】
１１ｂは複数のダイパッド、１３ｂは端子用パッドである。端子用パッド１３ｂは、本実施例の半導体装置における一方電極側（陽極側または陰極側の一方）の外部接続端子として用いられる。１４ｂは、複数のダイパッド１１ｂのそれぞれを電気的に接続して保持するために設けられたリードである。リード１４ｂは、その厚さ（紙面直交方向における表面と裏面との距離）がリードフレーム１０ｂの周囲、ダイパッド１１ｂ、及び、端子用パッド１３ｂのそれぞれの厚さよりも薄い薄肉部である。図３Ａに示されるように、本実施例のリードフレーム１０には、抜き部１８ｂが形成されている。抜き部１８ｂの形状により、ダイパッド１１ｂ、端子用パッド１３ｂ、及び、リード１４ｂの形状（外形）が規定されている。なお、図１Ｆに示されるリードフレーム１０ａと同様に、抜き部１８ｂに相当する位置に薄肉部１５を設ける構成としてもよい。この点は、以下の実施例についても同様である。
【００５３】
続いて、図３Ｂに示されるように、図３Ａのリードフレーム１０ｂに形成された抜き部１８ｂの領域に、樹脂３０ｂを充填（成形）する（樹脂成形工程）。図３Ｂは、リードフレーム１０ｂの抜き部１８ｂに樹脂３０ｂを充填した状態を示す平面図である。樹脂３０ｂは、リードフレーム１０ｂの周囲、ダイパッド１１ｂ、及び、端子用パッド１３ｂのそれぞれの厚さと略同一の厚さになるように充填される。また樹脂３０ｂは、リードフレーム１０ｂの周囲、ダイパッド１１ｂ、及び、端子用パッド１３ｂを露出させた状態で、抜き部１８ｂに充填される。このときリード１４ｂの表面は、薄肉部であるため、樹脂３０ｂにより覆われる（非露出状態）。図３Ｂにおいて、リード１４ｂが樹脂３０ｂにより覆われている状態を点線で示している。また樹脂３０ｂは、実施例１と同様に、半硬化状態（Ｂステージ）で成形される。
【００５４】
続いて、図３Ｃに示されるように、図３Ｂの樹脂封止後のリードフレーム１０ｂの上に、リードフレーム２０ｂ（第２のリードフレーム）を積層するように載置する（第２のリードフレーム積層工程）。図３Ｃは、樹脂封止後のリードフレーム１０ｂの上にリードフレーム２０ｂを積層載置した状態を示している。
【００５５】
２１ｂはボンディング用パッド、２３ｂは端子用パッドである。２４ｂは、複数のボンディング用パッド２１ｂのそれぞれを電気的に接続して保持するために設けられたリードである。２８ｂは、リードフレーム２０ｂに形成された抜き部である。抜き部２８ｂの形状により、ボンディング用パッド２１ｂ、端子用パッド２３ｂ、及び、リード２４ｂの形状（外形）が規定されている。
【００５６】
樹脂３０ｂは、前述のように、半硬化状態（Ｂステージ）でリードフレーム１０ｂの抜き部１８ｂに充填されている。この状態で、リードフレーム２０ｂをリードフレーム１０ｂの上に積層させる。そして、リードフレーム２０ｂと樹脂３０ｂとを加熱圧着することにより、回路を形成する。最後に、本硬化加熱を行い、リードフレーム２０ｂと樹脂３０ｂとを固着させる。
【００５７】
続いて、図３Ｄに示されるように、複数のダイパッド１１ｂのそれぞれの上に、半導体チップ４０を実装する（半導体チップ実装工程）。また、半導体チップ４０の一方電極とダイパッド１１ｂとの間を、ワイヤ４５を用いて電気的に接続する。また、半導体チップ４０の他方電極とボンディング用パッド２１ｂとの間を、ワイヤ４６を用いて電気的に接続する。
【００５８】
続いて、図３Ｅに示されるように、少なくとも半導体チップ４０及びワイヤ４５、４６を覆うように透光性樹脂５０ｂ（レンズ樹脂）を供給しレンズ成形する（透光性樹脂成形工程）。一例として、図３Ｅに示される領域１５０（二点鎖線）においてレンズを成形することができる。図３Ｅは、透光性樹脂５０ｂを供給した状態を示している。複数の半導体チップ４０のそれぞれの上には、透光性樹脂５０ｂにより半球状のレンズ部５１ｂが形成されている。これにより、半導体チップ４０は封止される。
【００５９】
本実施例の半導体装置は、図３Ａ〜図３Ｅに示される工程を経た後、適切な大きさ（使用サイズ）に切断（ダイシング）されることにより製造される。例えば本実施例では、図３Ｅに示される領域１５０（二点鎖線）において切断（ダイシング）することにより、基板（ワーク）が複数の半導体装置に個片化されることで、複数のストレート状の半導体装置が製造される。なお本実施例では、図３Ｅに示されるように、４つのストレート状の半導体装置が製造されるが、これに限定されるものではなく、他の個数のストレート状の半導体装置が製造されるものであってもよい。これにより、例えば蛍光灯のような長細い形状のライトに用いられる光源を簡易に製造することができる。
【００６０】
本実施例の半導体装置は、端子用パッド１３、２３を介して、外部の装置（回路）と電気的に接続されることにより用いられる。本発明によれば、簡易な構成で放熱性を向上させたストレート状の半導体装置（ストレート状のマルチチップモジュール）およびその製造方法を提供することができる。なお本実施例において、必要に応じて実施例１と同様にツェナーダイオードを設けてもよい。また、ダイパッド１１ｂ及びボンディング用パッド２１ｂの一端側だけでなく両側に端子用パッド１３ｂ、２３ｂを設けることで、上述の切断方向と交差する方向に切断しても半導体装置として機能させることができる。このように８つのストレート状の半導体装置が製造してもよい。また、１つ以上のダイパッド１１ｂ及びボンディング用パッド２１ｂごとに端子用パッド１３ｂ、２３ｂを設けることで上述のストレート状の半導体装置を分割した形状の半導体装置としてもよい（この点は、実施例４も同様である）。
【実施例４】
【００６１】
次に、図４Ａ〜図４Ｅを参照して、本発明の実施例４における半導体装置及びその製造方法について説明する。図４Ａ〜図４Ｅは、本実施例における半導体装置の製造工程図であり、図４Ａ〜図４Ｅの順に時系列に並んで示されている。
【００６２】
まず、図４Ａに示されるように、半導体装置の製造に用いられるリードフレームを準備する（第１のリードフレーム準備工程）。図４Ａは、本実施例の半導体装置に用いられるリードフレーム１０ｃ（第１のメタルフレーム）の平面図である。なお、図４Ａ〜図４Ｅに示されるリードフレーム１０ｃは、半導体チップ４０が電気的に接続されず配線構造としては機能しない点で、前述の実施例のリードフレーム１０ａ、１０ｂとは異なる。
【００６３】
１１ｃは複数のダイパッドある。１４ｃは、複数のダイパッド１１ｃのそれぞれを電気的に接続して保持するために設けられたリードである。リード１４ｃは、その厚さ（紙面直交方向における表面と裏面との距離）がリードフレーム１０ｃの周囲の厚さよりも薄く、かつ、ダイパッド１１ｃの厚さと同一である。図４Ａに示されるように、本実施例のリードフレーム１０ｃには、抜き部１８ｃが形成されている。抜き部１８ｃの形状により、ダイパッド１１ｃ及びリード１４ｃの形状（外形）が規定されている。
【００６４】
続いて、図４Ｂに示されるように、図４Ａのリードフレーム１０ｃに形成された抜き部１８ｃの領域に、樹脂３０ｃを充填（成形）する（樹脂成形工程）。図４Ｂは、リードフレーム１０ｃの抜き部１８ｃに樹脂３０ｃを充填した状態を示す平面図である。樹脂３０ｃは、リードフレーム１０ｃの周囲の厚さと略同一の厚さで、抜き部１８ｃに充填される。このときリード１４ｃ及びダイパッド１１ｃの表面は、薄肉部であるため、リード１４ｃ中央の半導体チップ実装領域６０を除いて樹脂３０ｃにより覆われる（部分露出状態）ように形成することができる。すなわち、樹脂３０ｃの表面は、ダイパッド１１ｃの半導体チップ実装面よりも高い位置にある。
【００６５】
図４Ｂにおいて、リード１４ｃ及びダイパッド１１ｃの外周が樹脂３０ｃにより覆われている状態を点線で示している。また樹脂３０ｃは、実施例１と同様に、半硬化状態（Ｂステージ）で成形される。本実施例において、樹脂３０ｃは、ダイパッド１１ｃの中央部（半導体チップ実装領域６０）を露出させた状態で、ダイパッド１１ｃの周囲を覆うように成形される。このような露出した半導体チップ実装領域６０は、例えば、樹脂成形時に用いられる金型に所定の突起部を形成し、この突起部で半導体チップ実装領域６０をクランプした状態で樹脂成形することで生成可能である。このような構成により、本実施例の樹脂３０ｃは、半導体チップ４０を囲う凹部を形成することができる。この凹部は、半導体チップ４０（ＬＥＤチップ）から発せられた光を上方に反射させるリフレクタとして機能させることができ、また、蛍光体の広がりを抑制する壁部として機能させることができる。また、半導体チップ４０のボンディング材が広がってしまうのを抑える壁として機能させることもできる。
【００６６】
続いて、図４Ｃに示されるように、図４Ｂの樹脂封止後のリードフレーム１０ｃの上に、リードフレーム２０ｃ（第２のリードフレーム）を積層するように載置する（第２のリードフレーム積層工程）。図４Ｃは、樹脂封止後のリードフレーム１０ｃの上にリードフレーム２０ｃを積層載置した状態を示している。
【００６７】
本実施例において、２１ｃは一方電極用のボンディング用パッド、２１ｄは他方電極用のボンディング用パッドである。また、リードフレーム２０ｃには、ダイパッド１１ｃを挟むように、一方電極用の端子用パッド２３ｃ及び他方電極用の端子用パッド２３ｄが設けられている。２４ｃは、複数のボンディング用パッド２１ｃのそれぞれを電気的に接続して保持するために設けられたリードである。また２４ｄは、複数のボンディング用パッド２１ｄのそれぞれを電気的に接続して保持するために設けられたリードである。このように本実施例において、両極のボンディング用パッド２１ｃ、２１ｄ、及び、両極の端子用パッド２３ｃ、２３ｄは、リードフレーム２０ｃ（第２のリードフレーム）に設けられている。２８ｃは、リードフレーム２０ｃに形成された抜き部である。抜き部２８ｃの形状により、ボンディング用パッド２１ｃ、２１ｄ、端子用パッド２３ｃ、２３ｄ、及び、リード２４ｃ、２４ｄの形状（外形）が規定されている。
【００６８】
樹脂３０ｃは、前述のように、半硬化状態（Ｂステージ）でリードフレーム１０ｃの抜き部１８ｃに充填されている。この状態で、リードフレーム２０ｃをリードフレーム１０ｃの上に積層させる。そして、リードフレーム２０ｃと樹脂３０ｃとを加熱圧着することにより、回路を形成する。最後に、本硬化加熱を行い、リードフレーム２０ｃと樹脂３０ｃとを固着させる。
【００６９】
続いて、図４Ｄに示されるように、複数のダイパッド１１ｃのそれぞれの上に、半導体チップ４０を実装する（半導体チップ実装工程）。また、半導体チップ４０の一方電極とボンディング用パッド２１ｃとの間を、ワイヤ４５を用いて電気的に接続する。また、半導体チップ４０の他方電極とボンディング用パッド２１ｄとの間を、ワイヤ４６を用いて電気的に接続する。
【００７０】
続いて、図４Ｅに示されるように、少なくとも半導体チップ４０及びワイヤ４５、４６を覆うように透光性樹脂５０ｃ（レンズ樹脂）を供給する（透光性樹脂成形工程）。図４Ｅは、透光性樹脂５０ｃを供給した状態を示している。複数の半導体チップ４０のそれぞれの上には、透光性樹脂５０ｃにより半球状のレンズ部５１ｃが形成されている。これにより、半導体チップ４０は封止される。
【００７１】
本実施例の半導体装置は、図４Ａ〜図４Ｅに示される工程を経た後、適切な大きさ（使用サイズ）に切断（ダイシング）されることにより製造される。例えば本実施例では、図４Ｅに示される領域１５０（二点鎖線）において切断（ダイシング）することにより、基板（ワーク）が複数の半導体装置に個片化されることで、複数のストレート状の半導体装置が製造される。なお本実施例では、図４Ｅに示されるように、４つのストレート状の半導体装置が製造されるが、これに限定されるものではなく、他の個数のストレート状の半導体装置が製造されるものであってもよい。
【００７２】
本実施例の半導体装置は、端子用パッド２３ｃ、２３ｄを介して、外部の装置（回路）と電気的に接続されることにより用いられる。本発明によれば、簡易な構成で放熱性を向上させたストレート状の半導体装置（ストレート状のマルチチップモジュール）およびその製造方法を提供することができる。本実施例は、特に、簡易な構成でリフレクタとしても機能する凹部を備えた半導体装置を製造することができるため、低コストかつ高効率な半導体装置（ＬＥＤチップモジュール）を実現可能である。なお、リードフレーム２０ｃに代えて実施例３に示されるリードフレーム２０ｂを用いて一方電極のみボンディング用パッド２１ｂに電気的に接続し、他方電極はダイパッド１１ｃの半導体チップ実装領域６０に電気的に接続する構成としてもよい。
【００７３】
また、本実施例の樹脂成形工程において、リード１４ｃ中央の半導体チップ実装領域６０も樹脂３０ｃにより覆われる（非露出状態）ように形成することができる。この場合、半硬化状態（Ｂステージ）の樹脂３０ｃ上にリードフレーム２０ｃを積層した後、半導体チップ４０を実装してから樹脂３０ｃを全硬化状態としてもよい。これによれば、半導体チップ４０のボンディング材が不要となり、半導体装置を安価に成形することができる。さらに、この樹脂成形工程において、非露出状態となるリード１４ｃ中央の半導体チップ実装領域６０に突起部を形成した金型を用いて樹脂成形することで、半導体チップ実装領域６０を囲う凹溝を形成するように樹脂３０ｃを成形することもできる。
【実施例５】
【００７４】
次に、図５を参照して、本発明の実施例５における半導体装置について説明する。図５は、本実施例における半導体装置の要部断面図である。本実施例では、図５（ａ）〜（ｅ）に示されるような半導体装置の変形例について説明する。図５（ａ）〜（ｅ）はいずれも、リードフレーム１０のダイパッド１１上にダイアタッチ材９１を介して半導体チップ４０を実装した状態を示している。
【００７５】
図５（ａ）に示される半導体装置は、ダイパッド１１（リードフレーム１０）の厚さと同一の厚さを有する樹脂３０を抜き部に充填し、樹脂３０の上にボンディング用パッド２１（リードフレーム２０）を積層（接着）した構造を有する。
【００７６】
図５（ｂ）に示される半導体装置は、図５（ａ）と同様に、ダイパッド１１（リードフレーム１０）の厚さと同一の厚さを有する樹脂３０を抜き部１８に充填した構造を有する。ただし、ボンディング用パッド２１（リードフレーム２０）が樹脂３０の一部に形成された凹溝に埋め込まれている点で、図５（ａ）の構造とは異なる。この場合、上述の樹脂成形工程において、薄肉部または抜き部を囲うクランプ面内にリードフレーム２０と同等の形状の凸条を設けることで、リードフレーム２０を収容可能な溝を有する平板形状に成形するようにしてもよい。このような構成によれば、リードフレーム２０が嵌め込まれた状態で加圧することができ、樹脂３０の移動量を少なくして、低圧加圧しても確実に積層構造を成形することができる。
【００７７】
この半導体装置では、ダイパッド１１とボンディング用パッド２１の上面が同一高さに形成されるため、半導体チップを容易にフリップチップ実装することもできる。
【００７８】
図５（ｃ）に示される半導体装置は、図５（ａ）、（ｂ）とは異なり、ダイパッド１１よりも厚い樹脂３０を成形する（ダイパッド１１の上に樹脂３０を成形する）ことにより実現される。また、図５（ａ）と同様に、樹脂３０の上にボンディング用パッド２１（第２のリードフレーム）を積層（接着）した構造を有する。
【００７９】
図５（ｄ）に示される半導体装置は、図５（ｃ）と同様に、ダイパッド１１よりも厚い樹脂３０を成形する（ダイパッド１１の上に樹脂３０を成形する）ことにより実現される。また、図５（ｂ）と同様に、ボンディング用パッド２１（第２のリードフレーム）が樹脂３０の一部に形成された凹溝に埋め込まれた構造を有する。
【００８０】
図５（ｅ）に示される半導体装置は、ワイヤ４５が接続されるボンディング用パッド２１に加えて、ボンディング用パッド２１と同様の構造のボンディング用パッド２５を更に有する。すなわち、リードフレーム２０の複数のボンディング用パッド（複数の電極パッド）は、陽極及び陰極である二つの種類の複数のボンディング用パッドを含む。図５（ｅ）に示されるように、ワイヤ４６は、ダイパッド１１でなくボンディング用パッド２５に接続される。ボンディング用パッド２１、２５は、樹脂３０を介してリードフレーム１０の上に積層配置されており、樹脂３０の凹溝に埋め込まれている。樹脂３０は、複数の半導体チップ４０からの光を反射する複数のリフレクタとしても機能する凹部を構成している。
【００８１】
図５（ｃ）〜（ｅ）の構造によれば、樹脂３０によりリフレクタとしても機能する凹部を形成することができるため、より高効率なＬＥＤチップモジュールを実現することが可能である。特に、図５（ｅ）の構造では、凹部３１の中央部に半導体チップ４０（ＬＥＤチップ）を配置可能であり、凹部３１を半導体チップ４０の周囲全体に形成することができるため、更なる効率の向上を図ることが可能である。
【００８２】
上記各実施例によれば、簡易な構成（すなわち低コスト）で放熱性を向上させた半導体装置およびその製造方法を提供することができる。
【実施例６】
【００８３】
次に、図６及び図７を参照して、本発明の実施例６における半導体装置について説明する。図６は、本実施例における半導体装置の要部断面図である。本実施例では、図６（ａ）〜（ｄ）に示されるような半導体装置の変形例について説明する。図７（ａ）、（ｂ）は、本実施例におけるリードフレーム１０ｄ、１０ｅの平面図である。
【００８４】
図６（ａ）に示される半導体装置は、図７（ａ）に示されるような形状を有するリードフレーム１０ｄを用いて形成される。このリードフレーム１０ｄは、ダイパッド１１をプレス加工により押し出して突起させることにより平板材を用いて成形することができ、安価に成形することができる。この場合、抜き部１６をダイパッド１１の外周に沿って設けることで変形が容易となり簡易な装置構成での成形が可能となる。また、図７（ａ）に示されるツェナーダイオード用パッド１２ａ及び端子用パッド１３ｃをダイパッド１１と同様にプレス加工により成形してもよい。なお、図６（ａ）に示される半導体装置では、ダイパッド１１の下方に樹脂３０が充填されておらず、放熱部材を挿入可能な凹部が形成されている。なお、この凹部には、抜き部１６とこの凹部を連結するハーフエッチングを成形することで、これを介して樹脂３０を充填してもよい。
【００８５】
図６（ｂ）に示される半導体装置は、リードフレーム１０ｄを用いて成形される。ワイヤ４５が接続されるボンディング用パッド２１に加えて、ボンディング用パッド２１と同様の構造のボンディング用パッド２５を更に有する。すなわち、リードフレーム２０の複数のボンディング用パッド（複数の電極パッド）は、陽極及び陰極である二種類のボンディング用パッドを含む。なお、ボンディング用パッド２１、２５は、樹脂３０を介してリードフレーム１０の上に積層配置されており、樹脂３０の凹溝に埋め込まれていてもよい。
【００８６】
図６（ｃ）に示される半導体装置は、図７（ｂ）に示されるような形状を有するリードフレーム１０ｅを用いて形成される。このリードフレーム１０ｅは、ダイパッド１１をプレス加工により押し出して突起させると共に、その中央を逆向きに押し出してさらに突起させることにより平板材を用いて成形することができ、安価に成形することができる。この場合、ダイパッド１１の中央を囲う環状突起とし、リフレクタとしても機能する壁部１１ａとして使用することができる。また、ダイパッド１１の中央は、リフレクタとしても機能する環状突起部を除き、リードフレーム１０ｅの下面と同一面とすることができ、放熱性の高い半導体装置を安価に製造することができる。
【００８７】
図６（ｄ）に示される半導体装置は、リードフレーム１０ｅを用いて成形される。ワイヤ４５が接続されるボンディング用パッド２１に加えて、ボンディング用パッド２１、２５を含み、陽極及び陰極である二種類のボンディング用パッドを含む。なお、ボンディング用パッド２１、２５は、樹脂３０を介してリードフレーム１０の上に積層配置されていてもよいし、樹脂３０の凹溝に埋め込まれていてもよい。
【００８８】
以上、本発明の実施例について具体的に説明した。ただし、本発明は上記実施例として記載された事項に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。
【００８９】
例えば、上記各実施例において、第１のリードフレームと第２のリードフレームとの間には樹脂が設けられているが、樹脂以外の絶縁層を用いてもよい。また、各実施例の特徴点を組み合わせて用いることもできる。また、ダイパッド１１とボンディング用パッド２１の上面が異なる高さに形成される場合であっても、半導体チップのバンプの高さを異ならせることでフリップチップ実装することも可能である。
【符号の説明】
【００９０】
１０    リードフレーム（第１のメタルフレーム）
１１    ダイパッド
１２    ツェナーダイオード用パッド
１３    端子用パッド
１４    リード
１８    抜き部
２０    リードフレーム（第２のメタルフレーム）
２１    ボンディング用パッド（電極パッド）
２３    端子用パッド
２４    リード
２８    抜き部
３０    樹脂
４０    半導体チップ
４５、４６    ワイヤ
５０    透光性樹脂
【図１Ａ】
2014093498.tif 000003
【図１Ｂ】
2014093498.tif 000004
【図１Ｃ】
2014093498.tif 000005
【図１Ｄ】
2014093498.tif 000006
【図１Ｅ】
2014093498.tif 000007
【図１Ｆ】
2014093498.tif 000008
【図２Ａ】
2014093498.tif 000009
【図２Ｂ】
2014093498.tif 000010
【図２Ｃ】
2014093498.tif 000011
【図３Ａ】
2014093498.tif 000012
【図３Ｂ】
2014093498.tif 000013
【図３Ｃ】
2014093498.tif 000014
【図３Ｄ】
2014093498.tif 000015
【図３Ｅ】
2014093498.tif 000016
【図４Ａ】
2014093498.tif 000017
【図４Ｂ】
2014093498.tif 000018
【図４Ｃ】
2014093498.tif 000019
【図４Ｄ】
2014093498.tif 000020
【図４Ｅ】
2014093498.tif 000021
【図５】
2014093498.tif 000022
【図６】
2014093498.tif 000023
【図７】
2014093498.tif 000024