(57)【要約】      （修正有）【課題】チップ搭載位置を個別に独立して冷却して、基板を先に縮め、チップや基板の破損や変形及び接合不良を防止する。又、次のチップ搭載位置を冷却してしまうことによる加熱効率の低下を生じさせず、ボンディングの作業時間の短縮化を図る。【解決手段】ボンディング装置に次の手段を採用する。第１に、チップ保持手段と加熱手段を有するボンディングヘッド３と、基板冷却手段を有するボンディングステージ４とを備える。第２に、基板４０には、チップ搭載位置４７が複数設けられる。第３に、チップ搭載位置４７にチップ７を位置させた状態で順次チップを加熱してボンディングする。第４に、各チップ搭載位置４７をそれぞれ独立して冷却可能な複数の冷却部４６を有する基板冷却手段により、ボンディングしている基板４０のチップ搭載位置４７を冷却する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップを保持するボンディングツールと加熱手段を有するボンディングヘッドと、
基板を保持するとともに保持した基板を冷却する基板冷却手段を有するボンディングステージとを備え、
前記基板上の被搭載位置にチップを位置させた状態で当該チップを加熱して前記基板に当該チップをボンディングするとともに、前記基板冷却手段により前記基板を冷却するボンディング装置において、
前記基板には、それぞれにチップが搭載される複数の被搭載位置が設けられるとともに、前記ボンディングヘッドは当該複数の被搭載位置のそれぞれに順次チップをボンディングするようにし、
前記基板冷却手段は、前記各被搭載位置に対応させて設けられるとともに、それぞれ独立して冷却動作させることが可能な複数の冷却部を有し、前記ボンディングヘッドがチップをボンディングしている基板の被搭載位置を裏面から冷却する
ことを特徴とするボンディング装置。
【請求項２】
上記ボンディングステージは、上記基板の裏面に当接する当接面を有し、
上記基板冷却手段の冷却部は、前記当接面に形成した冷却溝を前記ボンディングステージに保持した基板の裏面で閉鎖することにより形成される冷却通路と、当該冷却通路に冷却流体を供給し排出することが可能な冷却流体給排手段とから構成される
ことを特徴とする請求項１記載のボンディング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板にチップをボンディングするボンディング装置に関するもので、詳しくは、ボンディング装置における基板の冷却技術に特徴を有するものである。
【背景技術】
【０００２】
図８（Ａ）に示されるように樹脂基板にチップを接合する方法として、基板４０上のバンプ５４とチップ７のバンプ５４の位置合わせを行った後、荷重と加熱によって半田バンプ５５を溶融させて接合する熱圧着方式がある。この熱圧着の工程では、所定の圧力を加えた後、チップ７側に高温をかけて接合を行うが、接合中にチップ７の熱が基板４０に流れ、基板４０の接合部分の温度を上昇させてしまう。その結果、チップ７と基板４０とがともに熱膨張した状態で接合することとなる。
【０００３】
このとき、チップ７と基板４０では熱膨張係数が違うため、チップ７と基板４０とでは、図８（Ｂ）に示されるように伸び量が異なっている。即ち、チップ７より基板４０の方が大きな伸び量となる。その後、ボンディングが終了し、温度が下がった時、チップ７と基板４０が縮む前に半田バンプ５５が先に固まる。このとき、チップ７と基板４０の縮み量（図８（Ｂ）の矢印で示される方向の量）が異なっているので、基板４０又はチップ７に応力がかかり、破損や反り等の変形や接合不良が生じていた。
【０００４】
そこで、特許文献１に示されるように、ボンディング中に基板を冷却して、製品の反りを防止する技術が開示された。しかしながら、特許文献１の技術は、図９（Ａ）に示されるように、１つの基板に複数のチップを搭載する場合においても、基板全体を冷却している（図９（Ａ）中斜線で示される部分を冷却している）ことから、次の被搭載位置まで冷却されることになり、次の被搭載位置での加熱効率が低下するという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献２】特開２００４−４７６７０号公開特許公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の第１の課題は、半田バンプ５５が未固化のうちに、チップ７がボンディングされた基板４０上の被搭載位置の裏面側（図８（Ｃ）中斜線で示される部分）を個別に独立して冷却することにより、伸び量及び縮み量の大きい基板４０を先に縮め、チップ７や基板４０の破損や変形を防止するとともに、接合不良を防止することを目的とする。
第２の課題は、図９（Ｂ）に示されるように、ボンディングヘッドがチップをボンディングしている基板の被搭載位置のみを裏面から冷却することにより（図９（Ｂ）中斜線で示される部分）、次の被搭載位置まで冷却してしまい、加熱効率を低下させるという問題をなくし、ボンディングの作業時間の短縮化を図ることを目的とする。
第３の課題は、簡便な構造によりボンディングしている基板の被搭載位置の個別冷却を行うことのできるボンディング装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、第１の発明は、ボンディング装置に次の手段を採用する。
第１に、チップを保持するボンディングツールと加熱手段を有するボンディングヘッドと、基板を保持するとともに保持した基板を冷却する基板冷却手段を有するボンディングステージとを備える。
第２に、前記基板上の被搭載位置にチップを位置させた状態で当該チップを加熱して前記基板に当該チップをボンディングするとともに、前記基板冷却手段により前記基板を冷却するボンディング装置とする。
第３に、前記基板には、それぞれにチップが搭載される複数の被搭載位置が設けられるとともに、前記ボンディングヘッドは当該複数の被搭載位置のそれぞれに順次チップをボンディングするようにする。
第４に、前記基板冷却手段は、前記各被搭載位置に対応させて設けられるとともに、それぞれ独立して冷却動作させることが可能な複数の冷却部を有し、前記ボンディングヘッドがチップをボンディングしている基板の被搭載位置を裏面から冷却する。
【０００８】
第２の発明は、第１の発明に、次の手段を付加したボンディング装置とする。
第１に、上記ボンディングステージは、上記基板の裏面に当接する当接面を有する。
第２に、上記基板冷却手段の冷却部は、前記当接面に形成した冷却溝を前記ボンディングステージに保持した基板の裏面で閉鎖することにより形成される冷却通路と、当該冷却通路に冷却流体を供給し排出することが可能な冷却流体給排手段とから構成される。
【発明の効果】
【０００９】
第１の発明は、基板冷却手段が、チップをボンディングしている基板の被搭載位置を個別に独立して冷却するので、次の被搭載位置の冷却を防ぎ、次の被搭載位置での加熱効率の低下をなくし、ボンディングの作業時間の短縮を図ることができた。
【００１０】
第２の発明の効果ではあるが、基板冷却手段の冷却部を、冷却溝を基板の裏面で閉鎖することにより形成される冷却通路と、当該冷却通路に冷却流体を供給し排出することが可能な冷却流体給排手段とで構成することにより、ボンディングしている基板の被搭載位置の個別冷却を簡単な構造で行うことのできるボンディング装置となった。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】ボンディング装置の正面説明図
【図２】同平面説明図
【図３】ボンディングヘッド先端の内部説明図
【図４】ボンディングステージの平面説明図
【図５】基板とチップ搭載位置を示す平面説明図
【図６】１個の冷却部を示す平面説明図
【図７】基板へのチップ搭載動作を示す説明図
【図８】基板とチップの関係を示す説明図で、（Ａ）は加熱開始前の状態を示す図であり、（Ｂ）は従来の加熱終了直後の状態を示す図であり、（Ｃ）は本実施例における加熱終了直後の状態を示す図である。
【図９】基板の冷却位置を示す説明図であり、（Ａ）は従来の冷却位置を示す図であり、（Ｂ）は本実施例における冷却位置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下，図示の実施例と共に実施の形態について説明する。図１はボンディング装置の正面説明図であり、図２は同平面説明図であり、両図中、ボンディング装置は、チップ供給手段となるリレーステージ１と、フラックスステージ２と、基板冷却手段を有するボンディングステージ４と、ボンディングヘッド３と、ヘッド移動手段５と、ツール冷却手段６とを備える。
【００１３】
リレーステージ１は、チップ７が載置されるステージであって、Ｙ軸移動機構となるＹ軸移動レール８に、Ｙ軸方向（図２中上下方向）に、移動可能に装着されている。図２中、符号１はリレーステージであって、リレーステージ１の位置が、図示されていないピック＆プレーサによりチップ７が、受け渡される位置であり、Ｙ軸移動レール８上で後述するＸ軸移動レール３１付近の下方に示される点線位置がチップ供給位置９である。
【００１４】
尚、図２中符号２が、リレーステージ１に載置されたチップ７にフラックスを塗布するためのフラックストレイ２０が配置されたフラックスステージである。チップ７をリレーステージ１からボンディングヘッド３に供給した後、チップ供給位置９からリレーステージ１をチップ７が受け渡される位置へ移動させると略同時にフラックスステージ２をチップ供給位置９へ位置させる。この間、ボンディングヘッド３はチップ供給位置９上方に待機しており、チップ供給位置９にフラックスステージ２が位置すると下降させて、保持したチップ７の裏面のみをフラックストレイ２０中のフラックスにディップすることで、チップ７の裏面にフラックスを塗布する。
【００１５】
ボンディングステージ４は、基板４０の保持手段及び基板冷却手段を有し、保持された基板４０にチップ７がボンディングされるステージである。基板４０には、チップ７がボンディングされる複数のチップ搭載位置４７が設けられている。チップ搭載位置４７が、本発明で言う被搭載位置である。
【００１６】
ボンディングステージ４は、上面を、基板４０の裏面が当接する当接面４５とし、該当接面４５には、図４に示されるように基板保持手段となる基板吸着孔５３と基板冷却手段となる冷却部４６が形成されている。
【００１７】
基板冷却手段である冷却部４６は、基板４０のチップ搭載位置４７に対応させて複数個設けられる。冷却部４６は、ボンディングステージ４の当接面４５に形成した冷却溝４８を図７に示されるようにボンディングステージ４に保持した基板４０の裏面で閉鎖することにより形成される冷却通路４９と、当該冷却通路４９に冷却流体である冷却エアを供給し、排出することが可能な冷却流体給排手段となるエア流入孔５０とエア流出孔５１とから構成される。エア流入孔５０及びエア流出孔５１は、図６に示される。
【００１８】
具体的には、ボンディングステージ４の上面で、各チップ搭載位置４７に対応する位置の外縁部分に、図６に示されるようにチップサイズより一回り小さいサイズで冷却溝４８を掘り、冷却溝４８にエア流入孔５０とエア流出孔５１を開けることで形成する。
【００１９】
各チップ搭載位置４７に対応するそれぞれの冷却溝４８の内側の中央部５２は、基板４０の裏面に当接し、基板４０の裏面と冷却溝４８とで冷却通路４９を形成できるよう高いまま残しておく。中央部５２のほぼ中心位置には基板４０を吸着する基板吸着孔５３が開けられている。
【００２０】
個々の冷却溝４８に形成されたエア流入孔５０は、各々独立してボンディングステージ４外周部に連通されており、個々のチップ搭載位置４７下部に形成された冷却通路４９に、冷却エアを流入させ、エア流出孔５１より排出することにより、基板４０のチップ搭載位置４７を冷却する。即ち、冷却部４６は、チップ７をボンディングしている基板４０のチップ搭載位置４７を裏面から冷却する。
【００２１】
ボンディングプロセス中又はプロセスの加熱終了直後に、ボンディングステージ４の該当する部分、即ち、基板４０のチップ搭載位置４７に対応する位置の冷却部４６に、冷却エアを流して、チップ搭載位置４７の基板４０を冷却し、溶けた半田バンプ５５が完全に固まる前に、チップ搭載位置４７の基板４０の伸びを戻すことにより、接合後の不具合を防いでいる。
【００２２】
尚、実施例では、冷却部４６を、ボンディングステージ４の当接面４５中、基板４０の複数のチップ搭載位置４７の対応位置に冷却溝４８を掘り、該冷却溝４８を基板４０の裏面で閉鎖することにより冷却通路４９を形成したものとするが、ボンディングステージ４の複数のチップ搭載位置４７に対応する位置の内部にペルチェ素子を埋め込み、複数のチップ搭載位置４７それぞれを個別独立して冷却できるようにしても良い。
【００２３】
ボンディングステージ４は、Ｘ軸移動機構によりＸ軸方向及びＹ軸移動機構によりＹ軸方向に移動可能なるようＸＹステージ４４上に設けられる。
【００２４】
ボンディングヘッド３は、加熱方式の相違により第１実施例と第２実施例が考えられる。第１実施例はボンディングツール１０を加熱して、チップ７を間接的に加熱する間接加熱方式を採用する場合のボンディングヘッド３であり、第２実施例は直接チップ７を加熱する直接加熱方式を採用する場合のボンディングヘッドである。ここでは第１実施例のボンディングヘッド３について説明する。第１実施例にかかるボンディングヘッド３は、チップ７を吸着保持する吸着面１１が形成されたボンディングツール１０と、ボンディングツール１０の吸着部１２と、当該ボンディングツール１０にボンディングのための加熱を行う加熱部２１を有し、加熱部２１の下方に吸着部１２を配置し、該吸着部１２にボンディングツール１０を保持させたものである。ボンディングツール１０の吸着面１１には、チップ７を吸着保持するためチップ吸着孔Ｃが穿設されている。
【００２５】
ボンディングツール１０の吸着部１２は、内部空間１３を有するリング状部材であって、そのケーシング１６にツール吸着用配管１４及びチップ吸着用配管１５が形成されている。又、ケーシング１６の下端には、マスク１７を挟んでツールベース１８が、ツールベース止め１９によりネジ止めされている。ツールベース１８には、ボンディングツール１０を吸着するツール吸着孔Ａが穿設されている。
【００２６】
ツール吸着用配管１４は、図示されていない真空源と接続することでツール吸着孔Ａに真空吸引力を発生させ、その吸引力でボンディングツール１０をツールベース１８に吸着させる。尚、ボンディング装置を運転中は常時吸引する。
【００２７】
ツールベース１８にはツール吸着孔Ａとは別に、チップ吸着孔Ｂが穿設されている。ツールベース１８のチップ吸着孔Ｂは、一方でボンディングツール１０のチップ吸着孔Ｃと連続しており、他方では、チップ吸着用配管１５が繋がった内部空間１３に連通している。所望のタイミングでチップ吸着用配管１５を図示しない真空源と接続することにより、ボンディングツール１０のチップ吸着孔Ｃに真空吸引力を発生させ、チップ７をボンディングツール１０に吸着保持する。
【００２８】
ボンディングツール１０を加熱する加熱部２１には、図３に示されるように、レーザ光２４を発振するレーザ発振器２５と、当該レーザ発振器２５が発振したレーザ光２４を第１実施例でのボンディングヘッド３内に導光する導光手段となる照射筒２６と、第１実施例にかかるボンディングヘッド３内でレーザ光２４を受光し、ボンディングツール１０へ照射する受光部２２が設けられている。尚、レーザ発振器２５は近赤外光レーザを発信する半導体レーザである。本実施例での加熱部２１は、レーザ加熱方式によるものを利用しているが、従来より用いられているその他の加熱方式、例えば、セラミックヒータによる加熱方式であってもよい。
【００２９】
受光部２２のケーシング２３内には、ミラー２８が下方のボンディングツール１０に向けて傾斜角度を設けて設置される。尚、受光部２２のケーシング２３内の空部とその下方に配置される吸着部１２の内部空間１３との間にはガラス板２９が装着されている。
【００３０】
レーザ発振器２５から発振されたレーザ光２４は、光ファイバー２７から照射筒２６を通り、受光部２２のミラー２８に向けて照射される。レーザ光２４は、ミラー２８により角度を変えられ、ボンディングツール１０へと向い、ガラス板２９を透過し、マスク開口３０を通過し、ツールベース１８を透過してボンディングツール１０を加熱する。第１実施例のボンディングヘッド３におけるツールベース１８は、石英ガラス製であり、レーザ光２４が透過できる透明体である。
【００３１】
ボンディングヘッド３には、ヘッド移動手段としてＸ軸移動機構と昇降機構とθ軸移動機構（回転機構）とを有する。Ｘ軸移動機構は、Ｘ軸移動レール３１とＸスライダ３２を有しており、ボンディングヘッド３は、Ｘスライダ３２を介してＸ軸移動レール３１上をＸ軸方向（図１及び図２中左右方向）に移動可能とされている。Ｘ軸移動機構により、ボンディングヘッド３はリレーステージ１上のチップ供給位置９とボンディングステージ４上のボンディング位置（基板４０上のチップ搭載位置４７）との間で往復移動する。
【００３２】
ボンディングヘッド３の昇降機構は、Ｘスライダ３２に昇降自在に装着されたベーススライダ３４にヘッドベース３５を取り付け、該ヘッドベース３５に荷重制御装置を介してボンディングヘッド３を装着したものである。尚、ボンディングヘッド３は、図示しないθ軸移動機構を有し、チップ７のθ軸方向（回転方向）の姿勢を修正できるようになっている。
【００３３】
ボンディングヘッド３の荷重制御装置は、ヘッドベース３５に上下動自在に装着されたヘッドスライダ３８にボンディングヘッド３を取り付け、ボンディングヘッド３に固着したアーム３７と、これに接するロードセル３６を有する。即ち、ボンディングの際の荷重制御は、ロードセル３６によって行う。
【００３４】
詳述すると、次のようになる。ボンディング位置、即ち，基板４０上のチップ搭載位置４７でヘッドベース３５を下降させると、ボンディングツール１０が保持しているチップ７が基板４０に当接することになり、ボンディングヘッド３の下降が規制される。当接時点まではボンディングヘッド３の自重すべてがアーム３７を通してロードセル３６にかかっている。
【００３５】
さらに、ヘッドベース３５を下降させると、アーム３７からロードセル３６にかかっていた荷重が抜ける。即ち、チップ７が基板４０に当接する前にかかっていた荷重（ボンディングヘッド３の自重分）が、減少する。この抜けた分が基板４０にかかることになる。具体的には、ボンディングヘッド３の自重による荷重が３０Ｎであった場合に、ロードセル３６の表示値が２５Ｎであれば、その差分の５Ｎが基板４０に加わっている荷重となる。このようにして荷重を適正値で制御することになる。
【００３６】
Ｘ軸移動レール３１には、カメラ用スライダ４２がＸ軸方向（図１及び図２中左右方向）に移動可能に装着され、カメラ用スライダ４２に上下動可能な昇降体４３が取り付けられており、昇降体４３に撮像手段としてのカメラ４１が取り付けられている。カメラ４１は、チップ７と基板４０上のチップ搭載位置４７とのそれぞれの位置情報を取得するため、上下を同時に撮像可能なカメラである。
【００３７】
リレーステージ１とボンディングステージ４との間にはツール冷却手段６となる冷却ステージ６０が配置される。冷却ステージ６０は、その上面が冷却面６１であり、冷却面６１にボンディングツール１０の吸着面１１を当接させてボンディングツール１０を冷却する。実施例での、冷却ステージ６０は、冷却面６１を冷却するペルチェ素子を有し、ボンディングツール１０を強制冷却する。実施例では、ペルチェ素子を組み込んだ冷却ステージ６０であるが、内部に冷却流体循環用の配管を配置したものでも良い。
【００３８】
又、冷却ステージ６０は、図示されていない、結露防止ガスを供給するガス供給装置を有する。ガス供給装置が供給する結露防止ガス雰囲気中でボンディングツール１０の吸着面１１と冷却ステージ６０の冷却面６１とを接触させることにより、冷却面６１の結露を防止する。冷却面６１が結露することにより、ツール冷却手段６の各所に錆が生じたりして、装置寿命が短くなる上、吸着面１１に結露の液滴が付着すれば、装置内のダスト等が付着し、チップ７を汚染する結果、ボンディングに不具合を生じさせることになる。ガス供給装置は、このような結露が生じることを防止する。
【００３９】
尚、冷却のためのボンディングツール１０と冷却ステージ６０の当接は、ボンディングツール１０側の昇降機構、具体的にはボンディングヘッド３の取り付けられているヘッドベース３５の上下によるが、ツール冷却手段６のベース６３に冷却ステージ６０を昇降させる昇降手段を仕込んでおき、冷却ステージ６０の上方にボンディングヘッド３を停止させた状態で、冷却ステージ６０を上昇させて、冷却面６１をボンディングツール１０の吸着面１１に接触させるようにしても良い。
【００４０】
以下、実施例に係るボンディング装置の動作について説明する。チップ供給手段では、図示されていないピック＆プレーサにより、リレーステージ１にチップ７を載置した後、リレーステージ１がチップ供給位置９へと移動する。チップ７をリレーステージ１からボンディングヘッド３に供給した後、チップ供給位置９からリレーステージ１をチップ７が受け渡される位置へ移動させると略同時にフラックスステージ２をチップ供給位置９へ位置させる。この間、ボンディングヘッド３はチップ供給位置９上方に待機しており、チップ供給位置９にフラックスステージ２が位置すると下降させて、保持したチップ７の裏面のみをフラックストレイ２０中のフラックスにディップすることで、チップ７の裏面にフラックスを塗布する。
【００４１】
その後、ボンディングヘッド３をボンディング位置、即ち、チップ搭載位置４７上方に移動させ、カメラ４１をチップ７と基板４０上のボンディング位置，即ち，チップ搭載位置４７との間に位置させ、それぞれの位置情報を取得する。そして、この位置情報に基づき、チップ７と基板４０の位置合わせを行う。即ち、ボンディングヘッド３のθ軸移動機構により、チップ７のθ軸方向の姿勢を修正するとともに、ボンディングステージ４のＸＹステージ４４により基板４０のＸ軸方向の位置の修正とＹ軸方向の位置の修正を行う。
【００４２】
位置が決まったら、ボンディングヘッド３をロードセル３６での荷重表示が所定の荷重となるまで下降させ、レーザ光２４を発振してボンディングツール１０を加熱することにより、チップ７を加熱してバンプを溶融し、チップ７を基板４０にボンディングする。ボンディングヘッド３は、基板４０に設けられる複数のチップ搭載位置４７のそれぞれに順次チップ７をボンディングする。
【００４３】
所定のチップ搭載位置４７にチップ７のボンディングのための加熱が完了したら、当該チップ搭載位置４７に対応する冷却部４６の冷却通路４９に冷却エアを流通させて所定時間だけ基板４０を冷却する。当該チップ搭載位置４７のみを独立して冷却するものであるので、次にボンディングするチップ搭載位置４７を無駄に冷却することなく次のボンディング操作に移ることができる。
【００４４】
他方、ボンディングヘッド３は再びチップ供給位置９に移動する前に、ボンディングツール１０をチップ搭載位置４７から離脱させ、次に、冷却位置となるツール冷却手段６の冷却ステージ６０の冷却面６１上方へと移動させ、下降させて、冷却面６１にボンディングツール１０の吸着面１１を当接させる。この際、図示されていないガス供給装置のノズルからドライエアか露点の低い窒素ガスを供給しておくことで冷却面６１が結露することを防止する。
【００４５】
所定時間だけボンディングヘッド３の吸着面１１を冷却面６１に接触させた後、冷却位置から離脱し、再びチップ供給位置９にボンディングヘッド３を移動させて次のチップ７を吸着する。
【００４６】
第１実施例のボンディングヘッド３での加熱方式では、ボンディングツール１０にレーザ光２４を照射して、ボンディングツール１０を加熱することにより、チップ７を間接的に加熱するようにしているが、耐熱性の高いチップ７であれば、チップ７にレーザ光２４を直接照射して、加熱する第２実施例のボンディングヘッドとすることも可能である。
【００４７】
この直接加熱方式の場合のボンディングヘッドでは、第１実施例のボンディングヘッド３におけるボンディングツール１０を省略し、ツールベース１８のチップ吸着孔Ｂによって、チップ７を保持するようになる。即ち、第２実施例にかかるボンディングヘッドでは、透明体であるツールベース１８が、本発明でのチップを吸着保持する吸着面が形成されたボンディングツールとなるのである。直接加熱されたチップ７からツールベース１８へと熱が伝導するので、この場合も冷却手段６での冷却が必要になる。
【００４８】
このような直接加熱方式であれば、第１実施例のボンディングヘッド３の間接加熱方式と比較して、ボンディングツール１０を昇温させる時間だけ、タクトタイムを減少させることができる。
【符号の説明】
【００４９】
１・・・・・・・・リレーステージ
２・・・・・・・・フラックスステージ
３・・・・・・・・ボンディングヘッド
４・・・・・・・・ボンディングステージ
５・・・・・・・・ヘッド移動手段
６・・・・・・・・ツール冷却手段
７・・・・・・・・チップ
８・・・・・・・・Ｙ軸移動レール
９・・・・・・・・チップ供給位置
１０・・・・・・・ボンディングツール
１１・・・・・・・吸着面
１２・・・・・・・吸着部
１３・・・・・・・内部空間
１４・・・・・・・ツール吸着用配管
１５・・・・・・・チップ吸着用配管
１６・・・・・・・ケーシング
１７・・・・・・・マスク
１８・・・・・・・ツールベース
１９・・・・・・・ツールベース止め
２０・・・・・・・フラックストレイ
２１・・・・・・・加熱部
２２・・・・・・・受光部
２３・・・・・・・ケーシング
２４・・・・・・・レーザ光
２５・・・・・・・レーザ発振器
２６・・・・・・・照射筒
２７・・・・・・・光ファイバー
２８・・・・・・・ミラー
２９・・・・・・・ガラス板
３０・・・・・・・マスク開口
３１・・・・・・・Ｘ軸移動レール
３２・・・・・・・Ｘスライダ
３４・・・・・・・ベーススライダ
３５・・・・・・・ヘッドベース
３６・・・・・・・ロードセル
３７・・・・・・・アーム
３８・・・・・・・ヘッドスライダ
４０・・・・・・・基板
４１・・・・・・・カメラ
４２・・・・・・・カメラ用スライダ
４３・・・・・・・昇降体
４４・・・・・・・ＸＹステージ
４５・・・・・・・当接面
４６・・・・・・・冷却部
４７・・・・・・・チップ搭載位置
４８・・・・・・・冷却溝
４９・・・・・・・冷却通路
５０・・・・・・・エア流入孔
５１・・・・・・・エア流出孔
５２・・・・・・・中央部
５３・・・・・・・基板吸着孔
５４・・・・・・・バンプ
５５・・・・・・・半田バンプ
６０・・・・・・・冷却ステージ
６１・・・・・・・冷却面
６３・・・・・・・ベース
Ａ・・・・・・・・ツール吸着孔
Ｂ・・・・・・・・チップ吸着孔
Ｃ・・・・・・・・チップ吸着孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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