(57)【要約】【課題】  封止樹脂の剥離を抑制することが可能な半導体装置を提供すること。【解決手段】  半導体装置Ａ１は、２つの半導体素子４２０と、それぞれに半導体素子４２０が搭載される２つのアイランド部１２０を有するリード１００と、２つのアイランド部１２０からの熱を放熱する放熱部材２００と、２つのアイランド部１２０と放熱部材２００とを接合する接合層３００と、２つの半導体素子４２０、２つのアイランド部１２０および放熱部材２００の一部を覆う封止樹脂７００と、を備えており、接合層３００は、各アイランド部１２０ごとに設けられ、かつ互いに分離された２つの個別領域３１０を有する。【選択図】  図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの半導体素子と、
それぞれに上記半導体素子が搭載される２つのアイランド部を有するリードと、
上記２つのアイランド部からの熱を放熱する放熱部材と、
上記２つのアイランド部と上記放熱部材とを接合する接合層と、
上記２つの半導体素子、上記２つのアイランド部および上記放熱部材の一部を覆う封止樹脂と、を備えており、
上記接合層は、上記各アイランド部ごとに設けられ、かつ互いに分離された２つの個別領域を有することを特徴とする、半導体装置。
【請求項２】
上記各個別領域は、その外縁が平面視において上記アイランド部の外縁よりも内方に位置する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
上記放熱部材は、セラミックスからなる、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
上記放熱部材は、上記封止樹脂から露出し、かつ上記封止樹脂と面一とされた露出面を有する、請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
上記放熱部材は、板状である、請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
上記半導体素子は、パワー系半導体素子である、請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
複数の上記半導体素子を備え、
上記リードは、複数の上記アイランド部を有し、
上記接合層は、上記複数のアイランド部と同数の上記個別領域を有する、請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
上記複数のアイランド部のいずれかには、２以上の上記半導体素子が搭載されている、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
上記複数のアイランド部は、一方向に沿って配列されている、請求項７または８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
上記リードは、上記複数のアイランド部の各々に繋がり、かつ上記封止樹脂から露出する複数の端子部を有する、請求項７ないし９のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１１】
上記アイランド部には、複数の凹部が形成されている、請求項１ないし１０のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１２】
上記アイランド部のうち上記半導体素子と重なる部位は、平滑である、請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
上記各凹部は、断面円形状である、請求項１１または１２に記載の半導体装置。
【請求項１４】
上記複数の凹部は、上記半導体素子を囲むように配置されている、請求項１１ないし１３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１５】
上記半導体素子は、底面を有しており、
溶融状態を経て上記底面と上記アイランド部とを接合する接合材を備えており、
溶融状態における上記接合材に対する濡れ性が、上記アイランド部よりも上記半導体素子の上記底面の方が優れている、請求項１１ないし１４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１６】
上記半導体素子は、上記底面を構成する底面電極を有している、請求項１５に記載の半導体装置。
【請求項１７】
上記底面電極は、上記半導体素子の上記底面側の全面に形成されている、請求項１６に記載の半導体装置。
【請求項１８】
上記アイランド部は、上記半導体素子の外側に位置する堀部を有する、請求項１５ないし１７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１９】
上記接合材は、上記堀部よりも内方に位置する、請求項１８に記載の半導体装置。
【請求項２０】
上記堀部は、上記半導体素子の全周を囲んでいる、請求項１８または１９に記載の半導体装置。
【請求項２１】
上記複数の凹部は、上記堀部の外側に設けられている、請求項１８ないし２０のいずれかに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、種々の半導体装置が知られている。種々の半導体装置の一つとしてＩＰＭ（Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｔ  Ｐｏｗｅｒ  Ｍｏｄｕｌｅ）と称されるものがある。このような半導体装置は、複数の半導体素子と、複数のアイランド部を有するリードと、放熱部材と、封止樹脂と、を備える。複数の半導体素子は複数のアイランド部にそれぞれ搭載されている。各アイランド部は、放熱部材に接合されている。封止樹脂は、複数の半導体素子と複数のアイランド部と放熱部材とを覆っている。また、複数の半導体素子どうし、または半導体素子とリードとは、ワイヤを介して適宜導通している。ＩＰＭと称される半導体装置は、たとえば、特許文献１に記載されている。
【０００３】
ＩＰＭとして構成された半導体装置は、使用に際し半導体素子が発熱する。この熱により、リード、放熱部材および封止樹脂に熱膨張が生じる。リード、放熱部材および封止樹脂は、互いに異なる材質からなる場合が多い。この結果、互いの接合部に熱応力が発生する。この熱応力によってたとえばリードと封止樹脂とが部分的に剥離すると、半導体素子どうし、または半導体素子とリードとの絶縁が適切に確保できないという問題がある。
【０００４】
また、放熱部材は、半導体素子から発生した熱を外部に伝達するものであるため、その一部が封止樹脂から露出している。このため、放熱部材と封止樹脂との界面の端部が外部に露出する。半導体装置の使用環境によっては、この界面に湿気などが侵入するおそれがある。この湿気の侵入が内部へと過度に進行すると、放熱部材と封止樹脂とが剥離し、絶縁が適切に確保できないという問題がある。また、半導体素子などが腐食するおそれがある。
【０００５】
また、ＩＰＭとして構成された半導体装置に発生する熱応力は、半導体素子やリードに接合されたワイヤにも作用する。ワイヤの接合部は、比較的不連続な形状となっているため、特に応力が集中しやすい。このような応力集中により、ワイヤが半導体素子やリードから剥離してしまうという問題がある。
【０００６】
また、半導体装置に発生する熱応力は、半導体素子とアイランド部との接合箇所に作用する。半導体素子は、はんだやＡｇペーストなどの接合材によってアイランド部に接合されている。このため、接合材による半導体素子とアイランド部との接合強度が不十分であると半導体素子とアイランド部とが剥離してしまう。
【０００７】
また、リードは、一般的に金属によって形成される。このため、リードと封止樹脂との接合箇所は、異種の物質である金属と樹脂との接合箇所となる。金属と樹脂とは互いの熱膨張係数が顕著に異なるため、熱応力が発生しやすい。この熱応力によってリードと封止樹脂とが剥離すると、適切な絶縁を図ることができない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１１−２４３８３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、封止樹脂の剥離を抑制することが可能な半導体装置を提供することをその課題とする。また、本発明は、ワイヤの剥離を抑制することが可能な半導体装置を提供することをその課題とする。また、本発明は、半導体素子とアイランド部との剥離を抑制することが可能な半導体装置を提供することをその課題とする。また、本発明は、リードと封止樹脂との剥離を抑制することが可能な半導体装置を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明によって提供される半導体装置は、２つの半導体素子と、それぞれに上記半導体素子が搭載される２つのアイランド部を有するリードと、上記２つのアイランド部からの熱を放熱する放熱部材と、上記２つのアイランド部と上記放熱部材とを接合する接合層と、上記２つの半導体素子、上記２つのアイランド部および上記放熱部材の一部を覆う封止樹脂と、を備えており、上記接合層は、上記各アイランド部ごとに設けられ、かつ互いに分離された２つの個別領域を有することを特徴としている。
【００１１】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記各個別領域は、その外縁が平面視において上記アイランド部の外縁よりも内方に位置する。
【００１２】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記放熱部材は、セラミックスからなる。
【００１３】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記放熱部材は、上記封止樹脂から露出し、かつ上記封止樹脂と面一とされた露出面を有する。
【００１４】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記放熱部材は、板状である。
【００１５】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記半導体素子は、パワー系半導体素子である。
【００１６】
本発明の好ましい実施の形態においては、複数の上記半導体素子を備え、上記リードは、複数の上記アイランド部を有し、上記接合層は、上記複数のアイランド部と同数の上記個別領域を有する。
【００１７】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記複数のアイランド部のいずれかには、２以上の上記半導体素子が搭載されている。
【００１８】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記複数のアイランド部は、一方向に沿って配列されている。
【００１９】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記リードは、上記複数のアイランド部の各々に繋がり、かつ上記封止樹脂から露出する複数の端子部を有する。
【００２０】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記アイランド部には、複数の凹部が形成されている。
【００２１】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記アイランド部のうち上記半導体素子と重なる部位は、平滑である。
【００２２】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記各凹部は、断面円形状である。
【００２３】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記複数の凹部は、上記半導体素子を囲むように配置されている。
【００２４】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記半導体素子は、底面を有しており、溶融状態を経て上記底面と上記アイランド部とを接合する接合材を備えており、溶融状態における上記接合材に対する濡れ性が、上記アイランド部よりも上記半導体素子の上記底面の方が優れている。
【００２５】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記半導体素子は、上記底面を構成する底面電極を有している。
【００２６】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記底面電極は、上記半導体素子の上記底面側の全面に形成されている。
【００２７】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記アイランド部は、上記半導体素子の外側に位置する堀部を有する。
【００２８】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記接合材は、上記堀部よりも内方に位置する。
【００２９】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記堀部は、上記半導体素子の全周を囲んでいる。
【００３０】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記複数の凹部は、上記堀部の外側に設けられている。
【００３１】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の第１実施形態に基づく半導体装置を示す斜視図である。
【図２】図１の半導体装置を示す平面図である。
【図３】図１の半導体装置を示す平面図である。
【図４】図１の半導体装置を示す正面図である。
【図５】図１の半導体装置を示す側面図である。
【図６】図３のＶＩ−ＶＩ線に沿う要部断面図である。
【図７】図３のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う要部断面図である。
【図８】図１の半導体装置のアイランド部を示す要部平面図である。
【図９】図８のＩＸ−ＩＸ線に沿う要部断面図である。
【図１０】図８のＸ−Ｘ線に沿う要部断面図である。
【図１１】図８のＩＸ−ＩＸ線に沿う要部拡大断面図である。
【図１２】放熱部材を形成するための板材料を示す要部拡大断面図である。
【図１３】図１２の板材料を分割する工程を示す要部拡大断面図である。
【図１４】放熱部材の他の例を示す要部拡大断面図である。
【図１５】放熱部材を形成するための板材料の他の例を示す要部拡大断面図である。
【図１６】図１の半導体装置のアイランド部を示す要部平面図である。
【図１７】図１６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿う要部拡大断面図である。
【図１８】図１６のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ線に沿う要部拡大断面図である。
【図１９】図１の半導体装置のアイランド部、接合層および放熱部材を示す要部平面図である。
【図２０】図１の半導体装置のワイヤを示す写真である。
【図２１】図１の半導体装置のワイヤの製造工程を示す要部断面図である。
【図２２】図１の半導体装置のワイヤの製造工程を示す要部断面図である。
【図２３】図１の半導体装置のワイヤの製造工程を示す要部断面図である。
【図２４】図１の半導体装置のワイヤの製造工程を示す要部断面図である。
【図２５】図１の半導体装置のワイヤの製造工程を示す要部断面図である。
【図２６】図１の半導体装置のワイヤの製造工程を示す要部断面図である。
【図２７】図１の半導体装置のワイヤの製造工程を示す要部断面図である。
【図２８】図１の半導体装置のワイヤの製造工程を示す要部断面図である。
【図２９】図１の半導体装置のワイヤの製造工程を示す要部断面図である。
【図３０】本発明の第２実施形態に基づく半導体装置を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【００３４】
図１〜図７は、本発明の第１実施形態に基づく半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ１は、リード１００、放熱部材２００、接合層３００、複数の半導体素子４１０，４２０，４３０，４４０、複数の受動部品４９０、接合材５１０，５２０、ワイヤ６００，６５０および封止樹脂７００を備えている。半導体装置Ａ１は、たとえばインバータモータの駆動制御などに用いられるＩＰＭとして構成されている。半導体装置Ａ１の大きさの一例を挙げると、ｘ方向寸法が３８ｍｍ程度、ｙ方向寸法が２４ｍｍ程度、ｚ方向寸法（封止樹脂７００の厚さ）が３．５ｍｍ程度である。
【００３５】
図１は、半導体装置Ａ１の斜視図であり、理解の便宜上、封止樹脂７００については、主な外形線のみを二点鎖線で示している。図２は、半導体装置Ａ１の平面図である。図３は、半導体装置Ａ１の平面図であり、理解の便宜上、封止樹脂７００を二点鎖線で示している。図４は、半導体装置Ａ１の正面図であり、図５は、半導体装置Ａ１の側面図である。図６は、図３のＶＩ−ＶＩ線に沿うｚｘ平面における断面図であり、理解の便宜上、後述する端子部を省略している。図７は、図３のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿うｙｚ平面における断面図である。なお、以降の説明で参照する断面図においては、理解の便宜上、ワイヤ６００およびワイヤ６５０を省略している。
【００３６】
リード１００は、半導体素子４１０，４２０，４３０，４４０を支持し、かつこれらへの導通経路を構成する導通支持部材である。本実施形態においては、リード１００は、アイランド部１１０，１２０，１３０，１４０，１５０、パッド部１６０，１７０，１８０、端子部１１１，１２１，１４１，１５１，１６１，１７１，１８１，１９１を有している。リード１００は、金属からなり本実施形態においては、Ｃｕからなる。リード１００の厚さは、たとえば０．４２ｍｍ程度である。リード１００は、たとえば金属製の板材料に対して打ち抜きなどの切断加工および曲げ加工を施すことによって形成される。
【００３７】
アイランド部１１０，１２０，１３０，１４０，１５０は、複数の半導体素子４１０，４２０，４３０，４４０および複数の受動部品４９０が搭載される部位である。本実施形態においては、１つのアイランド部１１０と３つのアイランド部１２０とが、ｘ方向に並べられている。また、アイランド部１３０とアイランド部１４０とが、ｘ方向に並べられている。１つのアイランド部１１０および３つのアイランド部１２０とアイランド部１３０およびアイランド部１４０とは、ｙ方向に並んでいる。３つのアイランド部１５０は、アイランド部１３０に対してｙ方向に隣接する位置に配置されている。
【００３８】
図８は、アイランド部１１０およびそれに付随する部位を示す要部拡大平面図である。図９は、図８のＩＸ−ＩＸ線に沿うｚｘ平面における要部断面図であり、図１０は、図８のＸ−Ｘ線に沿うｚｘ平面における要部断面図である。アイランド部１１０は、略矩形状であり、半導体素子４１０，４２０が搭載されている。本実施形態においては、アイランド部１１０には、３つの半導体素子４１０および３つの半導体素子４２０が搭載されている。３つの半導体素子４１０および３つの半導体素子４２０は、それぞれｘ方向に並んでいる。また、３つの半導体素子４１０と３つの半導体素子４２０とは、ｙ方向に離間して平行に配置されている。
【００３９】
アイランド部１１０には、複数の凹部１１２および複数の堀部１１３が形成されている。複数の凹部１１２は、アイランド部１１０のうち半導体素子４１０，４２０が搭載された面に開口している。本実施形態においては、凹部１１２は、断面円形状であるが、本発明で言う凹部の形状はこれに限定されない。複数の凹部１１２は、アイランド部１１０のうち、堀部１１３および堀部１１３に囲まれた領域以外の領域に形成されている。また、本実施形態においては、複数の凹部１１２は、ｘ方向およびｙ方向に沿ってマトリクス状に配置されている。
【００４０】
堀部１１３は、半導体素子４１０あるいは半導体素子４２０を囲むように形成されており、アイランド部１１０のうち半導体素子４１０，４２０が搭載された面に開口している。図８における図中上方の堀部１１３は、矩形状の外枠とこの外枠を３箇所に分割する２つのｙ方向に延びる部位とを有している。このような形状により、堀部１１３によって囲まれた領域が３つ形成されている。これらの領域には、それぞれ半導体素子４１０が配置されている。図８における図中下方の３つの堀部１１３は、それぞれが矩形状とされている。各堀部１１３が囲む領域には、半導体素子４２０がそれぞれ配置されている。なお、本発明で言う掘部は、環状に連続した形状が好ましいがこれに限定されず、たとえば、複数の部位が環状をなすように離散配置された構成であってもよい。
【００４１】
図１６は、図３において図中左端に位置するアイランド部１２０およびそれに付随する部位を示す要部拡大平面図である。なお、図３に示す他のアイランド部１２０は、若干の形状の差異があるほかは、このアイランド部１２０と同様の構成である。図１７は、図１６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿うｙｚ平面における要部断面図である。アイランド部１２０は、ｙ方向を長手方向とする略長矩形状であり、半導体素子４１０，４２０が搭載されている。本実施形態においては、アイランド部１２０には、１つの半導体素子４１０および１つの半導体素子４２０が搭載されている。半導体素子４１０および半導体素子４２０は、ｙ方向に並んでいる。
【００４２】
アイランド部１２０には、複数の凹部１２２および複数の堀部１２３が形成されている。複数の凹部１２２は、アイランド部１２０のうち半導体素子４１０，４２０が搭載された面に開口している。本実施形態においては、凹部１２２は、断面円形状であるが、本発明で言う凹部の形状はこれに限定されない。複数の凹部１２２は、アイランド部１２０のうち、堀部１２３および堀部１２３に囲まれた領域以外の領域に形成されている。また、本実施形態においては、複数の凹部１２２は、ｘ方向およびｙ方向に沿ってマトリクス状に配置されている。
【００４３】
堀部１２３は、半導体素子４１０あるいは半導体素子４２０を囲むように形成されており、アイランド部１２０のうち半導体素子４１０，４２０が搭載された面に開口している。図１６における図中上方の堀部１２３は、矩形状とされている。この堀部１２３が囲む領域には、半導体素子４１０が配置されている。図１６における図中下方の堀部１２３は、矩形状とされている。この堀部１２３が囲む領域には、半導体素子４２０がそれぞれ配置されている。なお、本発明で言う掘部は、環状に連続した形状が好ましいがこれに限定されず、たとえば、複数の部位が環状をなすように離散配置された構成であってもよい。
【００４４】
また、図１６に示すアイランド部１２０には、２つの角部１２５および円弧部１２６が形成されている。２つの角部１２５は、図中上端側（後述する端子部１２１に対して離間した側）に設けられており、円弧部１２６は、図中下端側（後述する端子部１２１に対して近接した側）に設けられている。また、角部１２５は、半導体素子４１０，４２０よりも図中上端側（後述する端子部１２１に対して離間した側）に設けられており、円弧部１２６は、半導体素子４１０，４２０よりも図中下端側（後述する端子部１２１に対して近接した側）に設けられている。角部１２５は、アイランド部１２０の不連続な２辺が繋がる部位であり、本実施形態においてはこれらの２辺が９０°に繋がっている。円弧部１２６は、２辺が円弧をなして繋がる部位である。
【００４５】
図１〜図３および図７に示すように、アイランド部１３０は、アイランド部１１０に対してｙ方向に隣接して配置されており、ｘ方向を長手方向とする略長矩形状とされている。アイランド部１３０には、半導体素子４３０が搭載されている。半導体素子４３０は、ｘ方向を長手方向とする長矩形状であり、アイランド部１３０と長手方向が一致している。
【００４６】
アイランド部１３０には、複数の凹部１３２が形成されている。複数の凹部１３２は、アイランド部１３０のうち半導体素子４３０が搭載された面に開口している。本実施形態においては、凹部１３２は、断面円形状であるが、本発明で言う凹部の形状はこれに限定されない。複数の凹部１３２は、主に、アイランド部１３０のうち、半導体素子４３０を避けた領域に形成されている。また、半導体素子４３０の剥離などが生じない範囲においては、半導体素子４３０と重なる位置に凹部１３２を形成してもよい。本実施形態においては、複数の凹部１３２は、ｘ方向およびｙ方向に沿ってマトリクス状に配置されている。
【００４７】
アイランド部１４０は、アイランド部１２０に対してｙ方向に隣接して配置されており、ｘ方向を長手方向とする略長矩形状とされている。アイランド部１４０には、半導体素子４４０が搭載されている。半導体素子４４０は、ｘ方向を長手方向とする長矩形状であり、アイランド部１４０と長手方向が一致している。
【００４８】
アイランド部１４０には、複数の凹部１４２が形成されている。複数の凹部１４２は、アイランド部１４０のうち半導体素子４４０が搭載された面に開口している。本実施形態においては、凹部１４２は、断面円形状であるが、本発明で言う凹部の形状はこれに限定されない。複数の凹部１４２は、主に、アイランド部１４０のうち、半導体素子４４０を避けた領域に形成されている。また、半導体素子４４０の剥離などが生じない範囲においては、半導体素子４４０と重なる位置に凹部１４２を形成してもよい。本実施形態においては、複数の凹部１４２は、ｘ方向およびｙ方向に沿ってマトリクス状に配置されている。また、アイランド部１４０に繋がる略三角形状の部位にも、複数の凹部１４２が形成されている。
【００４９】
３つのアイランド部１５０は、アイランド部１３０に対してｙ方向に隣接した位置に配置されている。３つのアイランド部１５０は、ｘ方向に沿って並べられている。各アイランド部１５０は、アイランド部１１０，１２０，１３０，１４０と比較して小さい部位として構成されている。各アイランド部１５０には、受動部品４９０が搭載されている。各アイランド部１５０には、複数の凹部１５２が形成されている。凹部１５２は、アイランド部１５０のうち受動部品４９０が搭載された面に開口しており、受動部品４９０を避けた位置に形成されている。本実施形態においては、複数の凹部１５２は、ｘ方向およびｙ方向に沿ってマトリクス状に配置されている。また、各アイランド部１５０には、後述する封止樹脂７００の溝部７１０に対応した円弧状の切欠きが形成されている。
【００５０】
パッド部１６０，１７０，１８０は、半導体素子４１０，４２０，４３０，４４０とワイヤ６００，６５０を介して導通する部位である。
【００５１】
複数のパッド部１６０は、図３においてアイランド部１２０に対して図中左斜め下の位置に設けられている。各パッド部１６０は、矩形状とされている。各パッド部１６０には、ワイヤ６５０がボンディングされている。
【００５２】
複数のパッド部１７０は、アイランド部１３０および１４０に隣接する位置に配置されている。各パッド部１７０は、細長い略矩形状であり、より具体的には細い帯状部分の先端寄り部分である。各パッド部１７０にはワイヤ６００がボンディングされている。
【００５３】
パッド部１８０は、図３における左端に配置されている。パッド部１８０には、ワイヤ６００がボンディングされている。パッド部１８０は、略三角形状であり、複数の凹部１８２が形成されている。凹部１８２は、パッド部１８０のうちワイヤ６００がボンディングされた面に開口しており、ワイヤ６００を避けた位置に形成されている。本実施形態においては、複数の凹部１８２は、ｘ方向およびｙ方向に沿ってマトリクス状に配置されている。
【００５４】
なお、上述した凹部１１２，１２２，１３２，１４２，１５２，１８２および堀部１１３，１２３は、たとえばリード１００を形成する過程において、エッチングを施すことにより形成することができる。あるいは、リード１００を形成するための切断加工または曲げ加工に用いられる金型に複数の凸部を設けることにより形成することができる。
【００５５】
図１、図３および図７から理解されるように、リード１００は、屈曲部１１４，１２４を有している。屈曲部１１４は、アイランド部１１０に繋がっており、アイランド部１１０から離間している側がｚ方向上方に位置するように屈曲している。屈曲部１２４は、アイランド部１２０に繋がっており、アイランド部１２０から離間している側がｚ方向上方に位置するように屈曲している。
【００５６】
本実施形態においては、屈曲部１１４，１２４のうちｚ方向上方側に位置する部分と、アイランド部１３０，１４０，１５０、パッド部１６０，１７０，１８０とのｚ方向位置が略同じとされている。換言すると、アイランド部１３０，１４０，１５０、パッド部１６０，１７０，１８０に対して、アイランド部１１０，１２０がｚ方向下方に若干シフトした位置に配置されている。
【００５７】
端子部１１１，１２１，１４１，１５１，１６１，１７１，１８１，１９１は、封止樹脂７００から突出している。これらの端子部１１１，１２１，１４１，１５１，１６１，１７１，１８１，１９１は、９０°に近い角度に折り曲げられた折り曲げ部位を有し、それぞれの一端がｚ方向上方を向いている。端子部１１１，１２１，１４１，１５１，１６１，１７１，１８１，１９１は、半導体装置Ａ１をたとえば図示しない回路基板などに実装するために用いられる。
【００５８】
端子部１１１は、屈曲部１１４に繋がっており、アイランド部１１０に導通している。３つの端子部１２１は、屈曲部１２４に繋がっており、アイランド部１２０に導通している。２つの端子部１４１は、アイランド部１４０に繋がっている。３つの端子部１５１は、３つのアイランド部１５０に各別に繋がっている。３つの端子部１６１は、３つのパッド部１６０に各別に繋がっている。複数の端子部１７１は、複数のパッド部１７０に各別に繋がっている。端子部１８１は、パッド部１８０に繋がっている。
【００５９】
本実施形態においては、端子部１１１，１２１，１４１，１５１，１６１，１７１，１８１，１９１の間隔は、すべてが等間隔とはされていない。たとえば、ｙ方向において同じ側に並べられた端子部１４１，１５１，１７１，１８１の間隔については、２つの端子部１４１と複数の端子部１７１と端子部１８１とが略等間隔でｘ方向に並んでいる。一方、３つの端子部１５１とこれらの端子部１５１に隣り合う端子部１７１との間隔は、明確に大きいものとされている。この間隔が大きい３つの端子部１５１と端子部１７１との間には、後述する封止樹脂７００の溝部７１０が位置しており、また、上述したようにアイランド部１５０に設けられた円弧状の切欠きが位置している。
【００６０】
端子部１９１は、ｘ方向端部に離れて設けられている。本実施形態においては、端子部１９１は、アイランド部１１０，１２０，１３０，１４０や、半導体素子４１０，４２０，４３０，４４０などには導通していない。
【００６１】
また、ｙ方向において同じ側に並べられた端子部１１１，１２１，１６１の間隔については、３つの端子部１６１が比較的狭い間隔で並べられている。一方、端子部１１１と３つの端子部１２１およびこれらに隣り合う端子部１６１の間隔は、明確に大きいものとされている。また、端子部１９１は、端子部１１１に対してさらに大きい間隔を置いて配置されている。
【００６２】
端子部１１１，１２１，１４１，１５１，１６１，１７１，１８１，１９１の間隔が上述した関係とされている理由には、これらの端子部の機能がある。たとえば、本実施形態の半導体装置Ａ１がＩＰＭとして構成されている場合、半導体装置Ａ１によって制御される電流は、たとえばＵ相、Ｖ相、Ｗ相を有する三相交流電流である。そして、３つの端子部１２１が、それぞれＵ相、Ｖ相、Ｗ相の端子部として割り当てられる。また、３つの端子部１５１には、比較的高い電圧が印加される。このため、相対的に大電流が流れる、あるいは高い電圧が印加される端子部は、隣り合う端子部との間隔が相対的に大とされている。
【００６３】
放熱部材２００は、主に半導体素子４１０，４２０からの熱を半導体装置Ａ１外に伝達するために設けられている。本実施形態においては、放熱部材２００は、セラミックスからなり、矩形の板状とされている。なお、本発明で言う放熱部材としては、セラミックスからなる構成が強度、熱伝達率および絶縁性の観点から好ましいが、本発明が意図する効果を奏するものであれば、種々の材料が採用されうる。また、放熱部材２００が板状であることは、半導体装置Ａ１の薄型化に好ましいが、本発明で言う放熱部材は、板状に限定されず、様々な形状が採用されうる。
【００６４】
放熱部材２００は、接合面２１０、露出面２２０および側面２３０を有している。接合面２１０と露出面２２０とは、放熱部材２００の厚さ方向において互いに反対側を向いており、かつ互いに平行である。接合面２１０は、接合層３００を介してアイランド部１１０と３つのアイランド部１２０に接合されている。なお、本実施形態においては、ｚ方向視において、放熱部材２００は、アイランド部１１０，１２０に加えてアイランド部１３０，１４０の少なくとも一部と重なっている。ただし、放熱部材２００は、アイランド部１３０，１４０とは接合されていない。
【００６５】
接合層３００は、放熱部材２００とアイランド部１１０，１２０とを接合している。接合層３００としては、たとえばセラミックスからなる放熱部材２００とたとえばＣｕからなるアイランド部１１０，１２０とを適切に接合するとともに、比較的良好な熱伝導性を有するものが好ましく、たとえば熱伝導性に優れた樹脂製の接着剤が用いられる。
【００６６】
図１９は、理解の便宜として、放熱部材２００およびアイランド部１１０，１２０と接合層３００とを選択的に示している。本図に示すように、本実施形態においては、接合層３００は、複数の個別領域３１０からなる。複数の個別領域３１０は、互いに分離されている。また、複数の個別領域３１０は、アイランド部１１０および３つのアイランド部１２０に対応して形成されており、その個数は４である。さらに、本実施形態においては、各個別領域３１０は、それぞれに対応するアイランド部１１０，１２０よりもｚ方向視において小であり、かつその外縁がｚ方向視において対応するアイランド部１１０，１２０の外編よりも内方に位置している。このような接合層３００により、アイランド部１１０および３つのアイランド部１２０の間においては、放熱部材２００の接合面２１０が接合層３００から露出している。
【００６７】
接合層３００による放熱部材２００とアイランド部１１０，１２０との接合に際しては、まず、放熱部材２００に接合層３００となる接着剤がパターン印刷される。そして、このパターン印刷された接着剤にアイランド部１１０，１２０を付着させ、その後に上記接着剤を硬化させる。
【００６８】
露出面２２０は、封止樹脂７００から露出した面であり、半導体装置Ａ１が使用される際には、図外の放熱板などに接触させられる面である。本実施形態においては、露出面２２０は、封止樹脂７００のうちこの露出面２２０を囲む部分と面一とされている。
【００６９】
放熱部材２００の側面２３０は、接合面２１０と露出面２２０とを繋いでおり、厚さ方向に沿っている。本実施形態においては、側面２３０は、ｚ方向視において直線状である複数の部位によって構成されており、より具体的には矩形状である。換言すると、側面２３０は、放熱部材２００の全周にわたって設けられている。また、本実施形態においては、側面２３０は、その全てが封止樹脂７００によって覆われている。
【００７０】
図１１は、図１０に示す断面図と同様の断面における要部拡大断面図である。同図に示すように、本実施形態の側面２３０は、平滑部２３１と粗部２３２とを有している。平滑部２３１は、露出面２２０側に位置しており、露出面２２０に繋がっている。粗部２３２は、平滑部２３１よりも露出面２２０に対して離間した側に位置している。平滑部２３１は、粗部２３２に対して相対的に平滑な面とされている。換言すると、粗部２３２は、平滑部２３１に対して相対的に粗い面とされている。本実施形態においては、平滑部２３１は、ｚ方向に沿った面であり、粗部２３２も、おおむねｚ方向に沿っている。また、粗部２３２は、ｚ方向視において平滑部２３１よりも放熱部材２００の内方に若干位置している。本実施形態においては、平滑部２３１と粗部２３２との境界は、ｘ方向またはｙ方向に沿っており、露出面２２０に対して平行である。
【００７１】
図１２は、放熱部材２００の製造に用いられるセラミックス材料板２０１を示している。このセラミックス材料板２０１には、溝部２０２が形成されている。溝部２０２は、たとえばレーザー加工、あるいはセラミックス材料板２０１を形成する過程においていまだ硬化する前の比較的軟質なセラミックス材料に溝形状を形付けることによって形成される。このセラミックス材料板２０１を溝部２０２に沿って割ることにより、図１３に示すように複数の放熱部材２００が得られる。そして、溝部２０２であった部分が粗部２３２となり、分割による破断面が平滑部２３１となる。
【００７２】
図１４は、側面２３０の変形例を示している。本変形例においては、粗部２３２がｚ方向に対して全体的に傾斜している。すなわち、粗部２３２は、ｚ方向下方から上方に向かうほど図中ｘ方向左方（放熱部材２００の内方）に位置する傾斜とされている。このような粗部２３２は、図１５に示すように、Ｖ字状の溝部２０２を用いてセラミックス材料板２０１が割られる場合に形成される。このようなＶ字状の溝部２０２は、たとえばレーザー加工によって形成される場合に一般的な形状である。
【００７３】
半導体素子４１０，４２０，４３０，４４０は、半導体装置Ａ１をＩＰＭとして機能させるための機能素子である。本実施形態においては、半導体素子４１０，４２０は、いわゆるパワー系半導体素子である。本発明で言うパワー系半導体素子とは、たとえばＩＰＭにおいて制御対象である三相交流電流が入出力するものであり、典型的には、ＩＧＢＴ（Insulated-Gate Bipolar Transistor）、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect Transistor）、ＦＲＤ（Fast Recovery Diode）などが挙げられる。また、これらのパワー系半導体素子であって、ＳｉＣを基材とするものを採用してもよい。本実施形態においては、半導体素子４１０がたとえばＩＧＢＴであり、半導体素子４２０がたとえばＦＲＤである。
【００７４】
図８〜図１０および図１６、図１７に示すように、半導体素子４１０は、底面４１１、２つの上面電極４１２および底面電極４１３を有している。上面電極４１２は、半導体素子４１０のｚ方向上方を向く面に形成されており、たとえばＡｕからなる。上面電極４１２には、ワイヤ６００，６５０がボンディングされている。底面電極４１３は、半導体素子４１０のｚ方向下面すべてを占めるように形成されており、たとえばＡｕまたはＡｇなどからなる。底面４１１は、接合材５１０を介してアイランド部１１０，１２０に接合される面であり、本実施形態においては、底面電極４１３によって構成されている。
【００７５】
半導体素子４２０は、底面４２１、上面電極４２２および底面電極４２３を有している。上面電極４２２は、半導体素子４２０のｚ方向上方を向く面に形成されており、たとえばＡｕからなる。上面電極４２２には、ワイヤ６５０がボンディングされている。底面電極４２３は、半導体素子４２０のｚ方向下面すべてを占めるように形成されており、たとえばＡｕまたはＡｇなどからなる。底面４２１は、接合材５１０を介してアイランド部１１０，１２０に接合される面であり、本実施形態においては、底面電極４２３によって構成されている。
【００７６】
接合材５１０は、半導体素子４１０，４２０をアイランド部１１０，１２０に接合するものである。本実施形態においては、接合材５１０としてはんだが用いられている。接合材５１０であるはんだは、溶融状態を経て硬化することにより半導体素子４１０，４２０とアイランド部１１０，１２０とを接合する。本実施形態においては、半導体素子４１０，４２０の底面電極４１３，４２３がＡｕあるいはＡｇからなり、アイランド部１１０，１２０がＣｕからなることにより、半導体素子４１０，４２０の底面４１１，４２１の溶融状態のはんだすなわち接合材５１０に対する濡れ性が、アイランド部１１０，１２０よりも優れている。
【００７７】
はんだである接合材５１０に対する濡れ性が上述した関係であることにより、半導体素子４１０，４２０の搭載工程においては、溶融状態となったはんだ（接合材５１０）は、アイランド部１１０，１２０よりも半導体素子４１０，４２０の底面４１１，４２１に付着する傾向を示す。このため、本実施形態においては、溶融状態であるはんだ（接合材５１０）は、アイランド部１１０，１２０との接触面積よりも半導体素子４１０，４２０の底面４１１，４２１との接触面積が大となる。これにより、図９、図１０および図１７に示すように、接合材５１０は、ｚ方向上方が大である形状となっている。また、接合材５１０は、ｚ方向視において半導体素子４１０，４２０よりも小であり、その外縁が半導体素子４１０，４２０の外縁の内方に位置している。このような接合材５１０は、当然に堀部１１３，１２３よりも内方に位置している。
【００７８】
また、半導体素子４１０，４２０の搭載工程においては、接合材５１０となるはんだペーストをアイランド部１１０，１２０に塗布する。この際、アイランド部１１０，１２０のうち堀部１１３，１２３に囲まれた領域に上記はんだペーストを塗布する。特に、このはんだペーストを堀部１１３，１２３から極力離間させて塗布することが好ましい。
【００７９】
本実施形態においては、半導体素子４３０，４４０は、いわゆる制御系半導体素子である。本発明で言う制御系半導体素子とは、上述したパワー系半導体素子の動作を制御する機能を果たすものであり、たとえばドライバＩＣなどである。本実施形態においては、半導体素子４３０，４４０は、いずれもドライバＩＣである。また、半導体素子４３０は、比較的高電圧の電流を扱う高電圧側のドライバＩＣであり、半導体素子４４０は、比較的低電圧の電流を扱う低電圧側のドライバＩＣである。
【００８０】
図３に示すように、半導体素子４３０，４４０は、複数の上面電極４３２，４４２を有している。上面電極４３２，４４２には、ワイヤ６００がボンディングされている。図７に示すように、半導体素子４３０は、接合材５２０を介してアイランド部１３０に接合されている。接合材５２０は、たとえばＡｇペーストである。半導体素子４４０も同様に、たとえばＡｇペーストからなる接合材５２０を介してアイランド部１４０に接合されている。
【００８１】
受動部品４９０は、たとえば抵抗、コンデンサ、コイルなどの単機能な電子部品であり、本実施形態においては、半導体素子４３０への電流に作用するものである。受動部品４９０は、接合材５２０を介してアイランド部１５０に接合されている。受動部品４９０のｚ方向上面には、ワイヤ６００が接合されている。
【００８２】
ワイヤ６００およびワイヤ６５０は、上述したリード１００とともに半導体素子４１０，４２０，４３０，４４０および受動部品４９０が所定の機能を果たすための導通経路を構成している。本実施形態においては、ワイヤ６００は、比較的小電流が流れる導通経路の構成に用いられており、ワイヤ６５０は、比較的大電流が流れる導通経路の構成に用いられている。ワイヤ６００は、たとえばＡｕからなり、その直径がたとえば３８μｍ程度である。ワイヤ６５０は、たとえばＡｌからなり、その直径がたとえば４００μｍ程度である。
【００８３】
図２０は、ワイヤ６００の一部を示す拡大写真であり、図２１〜図２９は、ワイヤ６００を形成するワイヤボンディング方法の一例を示している。図２０に示すように、ワイヤ６００は、セカンドボンディング部６２０、段差部６０５および補強ボンディング部６３０を有している。また、図２３から理解されるように、ワイヤ６００は、ファーストボンディング部６１０を有する。
【００８４】
図２１〜図２９に示すワイヤボンディング方法は、図３において半導体素子４３０の上面電極４３２とアイランド部１５０とを接続しているワイヤ６００を例として示している。本実施形態のワイヤ６００は、これと同様のワイヤボンディング方法によって形成される。
【００８５】
まず、図２１に示すように、キャピラリＣｐを用意する。キャピラリＣｐは、貫通孔を有する筒状であり、先端が緩やかな曲面によって構成されている。キャピラリＣｐからはワイヤ６００の材料となるＡｕ製のワイヤＷが進退自在に送り出される。キャピラリＣｐから送り出されたワイヤＷの先端にたとえばスパークを当てることにより、ボールＷｂを形成する。
【００８６】
次いで、図２２に示すようにキャピラリＣｐを下降させることにより、ボールＷｂを半導体素子４３０の上面電極４３２に押し付ける。これにより、ボールＷｂは、上面電極４３２とキャピラリＣｐの先端とによって押しつぶされる格好となる。この押しつぶされたボールＷｂが上面電極４３２への接合部位であるファーストボンディング部６１０となる。
【００８７】
次いで、図２３に示すように、ワイヤＷを送り出しながら、キャピラリＣｐを上昇させる。そして、図２４に示すようにアイランド部１５０の直上にキャピラリＣｐを移動させ、さらにキャピラリＣｐを下降させることにより、キャピラリＣｐの先端をアイランド部１５０に押し付ける。これにより、ワイヤＷがキャピラリＣｐの先端とアイランド部１５０とに挟まれ、切断される。この切断により、半導体素子４３０の上面電極４３２とアイランド部１５０とにボンディングされたワイヤ６０１が形成される。
【００８８】
ワイヤ６０１のうちアイランド部１５０に接合された箇所は、セカンドボンディング部６２０となる。セカンドボンディング部６２０は、ワイヤＷのうちキャピラリＣｐの先端によって変形を受けた部位である。また、ワイヤ６０１には、キャピラリＣｐとの接触部分と非接触部分との境界に段差部６０５が形成される。ワイヤ６０１においては、段差部６０５よりもファーストボンディング部６１０寄りにある部分は、断面円形状である。一方、段差部６０５を境界として先端寄りに位置するセカンドボンディング部６２０は、先端に向かうほど厚さが徐々に薄くなっている。
【００８９】
次いで、図２５に示すように、ワイヤＷの送り出しを停止した状態で、キャピラリＣｐを上昇させる。なお、キャピラリＣｐがアイランド部１５０に対して押し付けられ、直接接した部位には、環状痕６９０が形成される。環状痕６９０は、筒状とされたキャピラリＣｐの先端形状に対応した形状となっており、たとえば円環状である。
【００９０】
次いで、図２６に示すように、キャピラリＣｐを図中左方に若干移動させる。この移動は、キャピラリＣｐの中心軸（図中一点鎖線）をセカンドボンディング部６２０側にシフトさせる方向である。次いで、図２７に示すように、ワイヤＷの先端にボールＷｂを再度形成する。
【００９１】
次いで、図２８に示すように、キャピラリＣｐを下降させる。これにより、ボールＷｂは、アイランド部１５０とキャピラリＣｐの先端とによって押しつぶされる格好となる。この押しつぶされたボールＷｂが円盤部６３１および円柱部６３２となる。円盤部６３１は、キャピラリＣｐの先端とアイランド部１５０との間において挟まれ延伸した部分である。円柱部６３２は、キャピラリＣｐの貫通孔の先端部分において高い圧縮力によってこの貫通孔に沿って変形した部分であり、円盤部６３１よりも小径の円柱形状である。
【００９２】
そして、図２９に示すようにキャピラリＣｐを上昇させる。これにより、ワイヤＷが切断され、上述した円盤部６３１および円柱部６３２に加えて尖頭部６３３を有する補強ボンディング部６３０が形成される。尖頭部６３３は、ワイヤＷから引きちぎられることによって上方に突き出た形状となった部分である。これにより、ワイヤ６００が完成する。
【００９３】
本実施形態においては、図２０および図２９に示すように、補強ボンディング部６３０は、セカンドボンディング部６２０の少なくとも一部と重なり、かつ段差部６０５を露出させている。また、補強ボンディング部６３０は、環状痕６９０のうちセカンドボンディング部６２０とは反対側に位置する部分を露出させている。より具体的には、補強ボンディング部６３０は、環状痕６９０のうちセカンドボンディング部６２０側にある半分以上の部位を覆っている。
【００９４】
なお、本実施形態においては、上述したワイヤ６００の以外の複数のワイヤ６００にも、適宜補強ボンディング部６３０が形成されている。図３に示された複数のワイヤ６００は、そのファーストボンディング部６１０が半導体素子４３０の上面電極４３２か半導体素子４４０の上面電極４４２かのいずれかに接合されている。一方、これらのワイヤ６００のセカンドボンディング部６２０は、半導体素子４１０の上面電極４１２、半導体素子４２０の上面電極４２２、受動部品４９０、アイランド部１５０およびパッド部１７０，１８０に接合されている。
【００９５】
封止樹脂７００は、リード１００、半導体素子４１０，４２０，４３０，４４０、受動部品４９０およびワイヤ６００、６５０を部分的に、もしくはその全体を覆っている。封止樹脂７００は、たとえば黒色のエポキシ樹脂からなる。
【００９６】
図２に示すように、封止樹脂７００には、４つの溝部７１０と２つの溝部７２０とが形成されている。４つの溝部７１０は、ｙ方向に凹んでおり、ｚ方向に延びている。４つの溝部７１０は、３つの端子部１５１と端子部１７１との間および端子部１５１に隣接する位置に設けられている。これらの溝部７１０に対応して、図３に示すように、アイランド部１５０には円弧状の切欠きが形成されている。また、上述した通り、３つの端子部１５１の間隔は比較的大とされている。
【００９７】
２つの溝部７２０は、ｘ方向両端に設けられており、ｘ方向に凹んでおり、ｚ方向に延びている。これらの溝部７２０は、たとえば半導体装置Ａ１の搬送や取り付けなどの際に利用される。
【００９８】
図６、図７、図９、図１０および図１７から理解されるように、封止樹脂７００は、リード１００の凹部１１２，１２２，１３２，１４２，１５２、１８２および堀部１１３，１２３に入り込んでいる。また、本実施形態においては、封止樹脂７００は、放熱部材２００の側面２３０の全てを覆っており、ｚ方向下方を向く面が放熱部材２００の露出面と面一とされている。
【００９９】
図１８に示すように、封止樹脂７００は、後形成部７３０を有している。後形成部７３０は、封止樹脂７００のうち後形成部７３０以外の部位と同じ材質からなるが、この部位とは異なるタイミングで硬化することにより、その製造順序の痕跡として残存したものである。
【０１００】
たとえば、半導体装置Ａ１の製造工程においては、最終段階に近い工程として金型を用いた封止樹脂の形成工程がある。この際、図１６に示すアイランド部１２０について、端子部１２１となる部位がアイランド部１２０を支える格好となる。このため、アイランド部１２０のうち端子部１２１とは反対側にある部分が確実に支持されず、不安定な状態となりうる。封止樹脂７００の形成工程においては、金型を装填した後に、液状の樹脂材料を充填する前に、ロッド状の部材によって、アイランド部１２０の角部１２５付近を押さえておく。この状態で樹脂材料を充填すると、上記ロッド状の部材の形状を残したまま、樹脂材料の硬化が始まる。ある程度硬化が進行したタイミングで、上記ロッド状の部材を抜き去り、その空間に樹脂材料を速やかに充填する。この後からの充填によって形成された部分が図１８に示す後形成部７３０となる。後形成部７３０は、アイランド部１２０のうち円弧部１２６よりも角部１２５に近い部分、より具体的には、角部１２５の近傍部分から封止樹脂７００の外表面に至っており、本実施形態においては、ｚ方向に延びる柱状である。
【０１０１】
次に、半導体装置Ａ１の作用について説明する。
【０１０２】
本実施形態によれば、図１９に示すように、接合層３００が、アイランド部１１０，１２０ごとに設けられ、かつ互いに分離された複数の個別領域３１０を有する。これにより、アイランド部１１０，１２０の間において放熱部材２００の接合面が接合層３００から露出する。そして、図６に示すように、この露出した放熱部材２００の部分に、封止樹脂７００が接することとなる。たとえばセラミックスからなる放熱部材２００は、たとえばエポキシ樹脂からなる封止樹脂７００との接合強度が比較的高い。このため、アイランド部１１０，１２０の間において封止樹脂７００が剥離してしまうことを抑制することができる。また、接合層３００の材料選定において、封止樹脂７００との接合強度をそれほど重視する必要がない。したがって、接合層３００として、放熱部材２００とアイランド部１１０，１２０とを適切に接合可能であり、かつ熱伝導性に優れた材質を選定することができる。
【０１０３】
図１９に示すように、個別領域３１０の外縁が、ｚ方向視においてアイランド部１１０，１２０の外縁よりも内方に位置することにより、アイランド部１１０，１２０の間において放熱部材２００を最大限に露出させることができる。これは、封止樹脂７００の剥離防止に適している。
【０１０４】
本実施形態においては、１つのアイランド部１１０と３つのアイランド部１２０に対応して４つの個別領域３１０が形成されている。これにより、１つのアイランド部１１０と３つのアイランド部１２０のいずれの間においても、放熱部材２００を露出させることができる。これは、封止樹脂７００の剥離防止に好適である。
【０１０５】
アイランド部１１０，１２０は、それぞれに半導体素子４１０，４２０が搭載されており、比較的面積が大きい。このような大面積のアイランド部１１０，１２０であっても、本実施形態によれば接合層３００の材料選定を接合強度や熱伝導性を重視して選定可能であり、適切な接合を実現することができる。
【０１０６】
また、本実施形態によれば、図１１に示すように、放熱部材２００の側面２３０が平滑部２３１と粗部２３２とを有する。平滑部２３１は、比較的平滑であるため、平滑部２３１と封止樹脂７００との境界は、湿気などが比較的浸入しやすいと想定される。一方、粗部２３２は、比較的粗い面であるため、粗部２３２と封止樹脂７００とは互いに入り組んだように接合される。したがって、仮に平滑部２３１に沿って湿気などが浸入してきても、粗部２３２と封止樹脂７００との接合部によって、湿気などのさらなる浸入を阻止することができる。したがって、封止樹脂７００と放熱部材２００との剥離を抑制することができる。
【０１０７】
側面２３０が放熱部材２００の全周にわたって形成されていることにより、湿気などの浸入を放熱部材２００の全周にわたって阻止することができる。また、側面２３０のすべてが封止樹脂７００によって覆われていることにより、湿気などの浸入をより確実に防止することができる。露出面２２０が封止樹脂７００と面一であることにより、側面２３０と封止樹脂７００との境界は、その外端部において放熱部材２００と封止樹脂７００とが密に接し合った部位となる。これにより、湿気などの浸入防止効果を高めることができる。平滑部２３１と粗部２３２との境界が露出面２２０に対して平行であることにより、側面２３０が設けられた部位において、湿気などの浸入防止効果をまんべんなく発揮させることができる。
【０１０８】
また、本実施形態においては、ワイヤ６００がセカンドボンディング部６２０に重なる補強ボンディング部６３０を有している。補強ボンディング部６３０は、ワイヤ６００の直径が急激に小となる段差部６０５は敢えて露出させており、その半面、セカンドボンディング部６２０のうち厚さが薄くなっている部位をより確実に抑えこむ格好となっている。このような構成により、比較的薄肉であるセカンドボンディング部６２０の接合対象であるアイランド部１５０や半導体素子４１０の上面電極４１２、半導体素子４２０の上面電極４２２、受動部品４９０およびパッド部１７０，１８０への接合強度を高めることが可能であり、ワイヤ６００の剥離を抑制することができる。
【０１０９】
図２０に示すように、補強ボンディング部６３０は、環状痕６９０を露出させている。環状痕６９０は、セカンドボンディング部６２０を形成する際に生じたキャピラリＣｐの押し付け痕である。この環状痕６９０を露出させる位置に補強ボンディング部６３０が設けられることは、補強ボンディング部６３０がセカンドボンディング部６２０から不当に離れてしまうことが回避されることを意味する。これにより、セカンドボンディング部６２０の剥離防止をより確実に図ることができる。また、補強ボンディング部６３０が環状痕６９０の半分以上の部位を覆うことは、補強ボンディング部６３０がセカンドボンディング部６２０の多くの部位を覆うことを意味する。これは、セカンドボンディング部６２０の剥離防止に好適である。
【０１１０】
また、本実施形態においては、図９、図１０および図１７に示すように、溶融状態となった接合材５１０に対する濡れ性が、半導体素子４１０，４２０の底面４１１，４１２の方がアイランド部１１０，１２０よりも優れている。これにより、溶融状態となった接合材５１０が半導体素子４１０，４２０の底面４１１，４１２に沿うような挙動を呈し、アイランド部１１０，１２０との接触面積が縮小される。この結果、硬化した後の接合材５１０は、アイランド部１１０，１２０との接触部分が比較的小さく、これにより、接合材５１０の厚さが厚くなる。したがって、半導体素子４１０，４２０とアイランド部１１０，１２０との接合箇所に熱応力などが作用しても、接合材５１０によって熱応力を緩衝することにより、半導体素子４１０，２４０の剥離を防止することができる。
【０１１１】
半導体素子４１０，４２０に底面電極４１３，４２３を形成することは、溶融状態である接合材５１０に対する底面４１１，４２１の濡れ性を高めるのに適している。また、底面電極４１３，４２３を半導体素子４１０，４２０の全面に形成することにより、接合材５１０の厚さをより厚くすることができる。ＡｕまたはＡｇからなる底面電極４１３，４２３は、たとえばはんだである接合材５１０に対する濡れ性を高めるのに適している。
【０１１２】
アイランド部１１０，１２０に堀部１１３，１２３が形成されていることにより、溶融した接合材５１０が不当に周囲に広がってしまうことを防止することができる。堀部１１３の端縁は、溶融した接合材５１０が仮に向かってきた場合に、表面張力の作用により接合材５１０が越えていくことを阻止し、溶融した接合材５１０を留まらせる効果が期待できる。堀部１１３，１２３が半導体素子４１０，４２０の全周を囲んでいることにより、接合材５１０の広がり防止をより好適に図ることができる。
【０１１３】
また、本実施形態によれば、リード１００の適所に複数の凹部１１２，１２２，１３２，１４２，１５２，１８２が形成されている。これらの凹部１１２，１２２，１３２，１４２，１５２，１８２に封止樹脂７００が入り込むことにより、リード１００に対する封止樹脂７００の接合強度を高めることができる。したがって、封止樹脂７００がリード１００から剥離することを防止することができる。
【０１１４】
アイランド部１１０，１２０のうち半導体素子４１０，４２０と重なる部位には、凹部１１２，１２２が形成されておらず平滑とされている。これにより、接合材５１０による半導体素子４１０，４２０の接合を適切に行うことができる。また、アイランド部１１０，１２０においては、複数の凹部１１２，１２２が半導体素子４１０，４２０を囲むように配置されている。これにより、封止樹脂７００が半導体素子４１０，４２０を囲んで、アイランド部１１０，１２０に対して強固に接合される。これは、封止樹脂７００の剥離防止に適しており、半導体素子４１０，４２０に通ずる空隙が剥離によって生じることを阻止することができる。このような空隙が生じないことは、半導体素子４１０，４２０の絶縁状態を保持するのに適している。
【０１１５】
図１６に示すように、アイランド部１２０には、円弧部１２６が設けられている。緩やかな形状とされた円弧部１２６は、リード１００と封止樹脂７００との剥離起点となるおそれが小さい。したがって、封止樹脂７００がリード１００から剥離することを抑制することができる。一方、角部１２５を有することにより、アイランド部１２０は先端寄りの部位において、ある程度の面積を確保できている。この部位は、図１８を参照して説明した通り、封止樹脂７００を形成する際に、アイランド部１２０を安定して固定する部位として用いることができる。
【０１１６】
角部１２５が半導体素子４１０，４２０よりも端子部１２１に対して離間していることにより、アイランド部１２０をより安定して固定することができる。また、円弧部１２６が半導体素子４１０，４２０よりも端子部１２１に近い位置にあることは、円弧部１２６が半導体素子４１０，４２０よりも封止樹脂７００の外表面に近い位置にあることを意味する。一般的に封止樹脂７００の外表面に近いほど、熱応力などの影響をうけやすい。このような剥離が想定されやすい部位に円弧部１２６を配置することにより、封止樹脂７００の剥離をより効果的に抑制することができる。
【０１１７】
図３０は、本発明の第２実施形態に基づく半導体装置を示している。なお、本図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。
【０１１８】
本実施形態の半導体装置Ａ２は、アイランド部１１０，１２０の構成が上述した実施形態と異なっている。本実施形態においては、アイランド部１１０は角部１１５および円弧部１１６を有している。また、すべてのアイランド部１２０が角部１２５および円弧部１２６を有している。
【０１１９】
角部１１５は、図中上端側（端子部１１１に対して離間した側）に設けられており、円弧部１１６は、図中下端側（端子部１１１に対して近接した側）に設けられている。また、角部１１５は、半導体素子４１０，４２０よりも図中上端側（端子部１１１に対して離間した側）に設けられており、円弧部１１６は、半導体素子４１０，４２０よりも図中下端側（端子部１１１に対して近接した側）に設けられている。角部１１５は、アイランド部１１０の不連続な２辺が繋がる部位であり、本実施形態においてはこれらの２辺が９０°に繋がっている。円弧部１１６は、２辺が円弧をなして繋がる部位である。
【０１２０】
このような実施形態によれば、封止樹脂７００の形成工程においてすべてのアイランド部１１０，１２０を確実に固定しつつ、封止樹脂７００の剥離を効果的に抑制することができる。
【０１２１】
本発明に係る半導体装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る半導体装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【０１２２】
本発明の構成およびそのバリエーションを以下に付記として列挙する。
【０１２３】
（付記１Ａ）
半導体素子と、
上記半導体素子が搭載されるアイランド部を有するリードと、
上記アイランド部からの熱を放熱する放熱部材と、
上記半導体素子、上記アイランド部および上記放熱部材の一部を覆う封止樹脂と、を備えており、
上記放熱部材は、セラミックスからなり、かつ上記封止樹脂から露出する露出面および上記露出面に繋がるとともに少なくともその一部が上記封止樹脂に覆われた側面を有し、
上記側面は、上記露出面側に位置する相対的に平滑な平滑部と、この平滑部よりも上記露出面に対して離間した側に位置するとともに相対的に粗い粗部と、を有することを特徴とする、半導体装置。
（付記２Ａ）
上記側面は、上記放熱部材の全周にわたって設けられている、付記１Ａに記載の半導体装置。
（付記３Ａ）
上記側面は、そのすべてが上記封止樹脂によって覆われている、付記１Ａまたは２Ａに記載の半導体装置。
（付記４Ａ）
上記露出面は、上記封止樹脂と面一とされている、付記１Ａないし３Ａのいずれかに記載の半導体装置。
（付記５Ａ）
上記粗部は、上記平滑部よりも平面視において内方に位置している、付記１Ａないし４Ａのいずれかに記載の半導体装置。
（付記６Ａ）
上記平滑部は、上記露出面に対して直角である、付記１Ａないし５Ａのいずれかに記載の半導体装置。
（付記７Ａ）
上記粗部は、上記露出面から離間するほど平面視において内方に位置するように傾斜している、付記１Ａないし６Ａのいずれかに記載の半導体装置。
（付記８Ａ）
上記側面は、平面視において直線状である複数の部位によって構成されている、付記１Ａないし７Ａのいずれかに記載の半導体装置。
（付記９Ａ）
上記放熱部材は、矩形状である、付記８Ａに記載の半導体装置。
（付記１０Ａ）
上記平滑部と上記粗部との境界は、上記露出面に対して平行である、付記１Ａないし９Ａのいずれかに記載の半導体装置。
（付記１１Ａ）
２つの上記半導体素子を備え、
上記リードは、それぞれに上記２つの半導体素子が搭載される２つの上記アイランド部を有し、
上記２つのアイランド部と上記放熱部材とを接合する接合層を備えており、
上記接合層は、上記各アイランド部ごとに設けられ、かつ互いに分離された２つの個別領域を有する、付記１Ａないし１０Ａのいずれかに記載の半導体装置。
（付記１２Ａ）
上記各個別領域は、その外縁が平面視において上記アイランド部の外縁よりも内方に位置する、付記１１Ａに記載の半導体装置。
（付記１３Ａ）
上記放熱部材は、板状である、付記１１Ａまたは１２Ａに記載の半導体装置。
（付記１４Ａ）
上記半導体素子は、パワー系半導体素子である、付記１１Ａないし１３Ａのいずれかに記載の半導体装置。
（付記１５Ａ）
複数の上記半導体素子を備え、
上記リードは、複数の上記アイランド部を有し、
上記接合層は、上記複数のアイランド部と同数の上記個別領域を有する、付記１１Ａないし１４Ａのいずれかに記載の半導体装置。
（付記１６Ａ）
上記複数のアイランド部Ａのいずれかには、２以上の上記半導体素子が搭載されている、付記１５Ａに記載の半導体装置。
（付記１７Ａ）
上記複数のアイランド部は、一方向に沿って配列されている、付記１５Ａまたは１６Ａに記載の半導体装置。
（付記１８Ａ）
上記リードは、上記複数のアイランド部の各々に繋がり、かつ上記封止樹脂から露出する複数の端子部を有する、付記１５Ａないし１７Ａのいずれかに記載の半導体装置。
（付記１９Ａ）
上記アイランド部には、複数の凹部が形成されている、付記１１Ａないし１８Ａのいずれかに記載の半導体装置。
（付記２０Ａ）
上記複数の凹部は、上記半導体素子を囲むように配置されている、付記１９Ａに記載の半導体装置。
【０１２４】
（付記１Ｂ）
半導体素子と、
上記半導体素子が搭載されたリードと、
上記半導体素子に接合されたワイヤと、を備えており、
上記ワイヤは、ファーストボンディング部と、段差部を境界として厚さが徐々に薄くなる形状とされたセカンドボンディング部と、上記セカンドボンディング部の少なくとも一部と重なり、かつ上記段差部を露出させる補強ボンディング部と、を有することを特徴とする、半導体装置。
（付記２Ｂ）
上記補強ボンディング部は、上記セカンドボンディング部に接する円盤部を有する、付記１Ｂに記載の半導体装置。
（付記３Ｂ）
上記補強ボンディング部は、上記円盤部上に形成されており、上記円盤部よりも小径でありかつ上記円盤部と同心である円柱部を有する、付記２Ｂに記載の半導体装置。
（付記４Ｂ）
上記補強ボンディング部は、上記円柱部上に形成された尖頭部を有する、付記３Ｂに記載の半導体装置。
（付記５Ｂ）
上記セカンドボンディング部がボンディングされた部位には、このセカンドボンディング部を形成する際にキャピラリが圧着されたことによって生じた環状痕が形成されている、付記１Ｂないし４Ｂのいずれかに記載の半導体装置。
（付記６Ｂ）
上記補強ボンディング部は、上記環状痕の一部を露出させている、付記５Ｂに記載の半導体装置。
（付記７Ｂ）
上記補強ボンディング部は、上記環状痕のうち上記セカンドボンディング部側にある半分以上の部位を覆っている、付記６Ｂに記載の半導体装置。
（付記８Ｂ）
上記ファーストボンディング部は、上記半導体素子にボンディングされている、付記１Ｂないし７Ｂのいずれかに記載の半導体装置。
（付記９Ｂ）
上記セカンドボンディング部は、追加の半導体素子にボンディングされている、付記８Ｂに記載の半導体装置。
（付記１０Ｂ）
上記セカンドボンディング部は、上記リードにボンディングされている、付記８Ｂに記載の半導体装置。
（付記１１Ｂ）
上記ワイヤは、Ｂｕからなる、付記１Ｂないし１０Ｂのいずれかに記載の半導体装置。
（付記１２Ｂ）
上記リードは、上記半導体素子が搭載されたアイランド部を有し、
上記半導体素子および上記アイランド部を覆う封止樹脂と、を備えており、
上記アイランド部には、複数の凹部が形成されている、付記１Ｂないし１１Ｂのいずれかに記載の半導体装置。
（付記１３Ｂ）
上記アイランド部のうち上記半導体素子と重なる部位は、平滑である、付記１２Ｂに記載の半導体装置。
（付記１４Ｂ）
上記各凹部は、断面円形状である、付記１２Ｂまたは１３Ｂに記載の半導体装置。
（付記１５Ｂ）
上記複数の凹部は、上記半導体素子を囲むように配置されている、付記１２Ｂないし１４Ｂのいずれかに記載の半導体装置。
（付記１６Ｂ）
上記複数の凹部は、マトリクス状に配置されている、付記１２Ｂないし１５Ｂのいずれかに記載の半導体装置。
（付記１７Ｂ）
上記複数の凹部は、等ピッチで配置されている、付記１６Ｂに記載の半導体装置。
（付記１８Ｂ）
上記リードは、上記半導体素子が搭載されておらずかつワイヤが接続されたパッド部を有しており、
上記パッド部には、複数の凹部が形成されている、付記１２Ｂないし１７Ｂのいずれかに記載の半導体装置。
（付記１９Ｂ）
上記半導体素子は底面を有し、
溶融状態を経て上記底面と上記アイランド部とを接合する接合材を備えており、
溶融状態における上記接合材に対する濡れ性が、上記アイランド部よりも上記半導体素子の上記底面の方が優れている、付記１２Ｂないし１８Ｂのいずれかに記載の半導体装置。
（付記２０Ｂ）
上記アイランド部は、上記半導体素子の外側に位置する堀部を有する、付記１９Ｂに記載の半導体装置。
（付記２１Ｂ）
上記接合材は、上記堀部よりも内方に位置する、付記２０Ｂに記載の半導体装置。
【０１２５】
（付記１Ｃ）
底面を有する半導体素子と、
上記半導体素子が搭載されたアイランド部を有するリードと、
溶融状態を経て上記底面と上記アイランド部とを接合する接合材と、を備えており、
溶融状態における上記接合材に対する濡れ性が、上記アイランド部よりも上記半導体素子の上記底面の方が優れていることを特徴とする、半導体装置。
（付記２Ｃ）
上記半導体素子は、上記底面を構成する底面電極を有している、付記１Ｃに記載の半導体装置。
（付記３Ｃ）
上記底面電極は、上記半導体素子の上記底面側の全面に形成されている、付記２Ｃに記載の半導体装置。
（付記４Ｃ）
上記接合材は、導電性である、付記２Ｃまたは３Ｃに記載の半導体装置。
（付記５Ｃ）
上記接合材は、はんだである、付記４Ｃに記載の半導体装置。
（付記６Ｃ）
上記底面電極は、ＣｕＣまたはＣｇからなる、付記５Ｃに記載の半導体装置。
（付記７Ｃ）
上記アイランド部は、Ｃｕからなる、付記６Ｃに記載の半導体装置。
（付記８Ｃ）
上記アイランド部は、上記半導体素子の外側に位置する堀部を有する、付記１Ｃないし７Ｃのいずれかに記載の半導体装置。
（付記９Ｃ）
上記接合材は、上記堀部よりも内方に位置する、付記８Ｃに記載の半導体装置。
（付記１０Ｃ）
上記堀部は、上記半導体素子の全周を囲んでいる、付記９Ｃに記載の半導体装置。
（付記１１Ｃ）
上記半導体素子および上記アイランド部を覆う封止樹脂を備えており、
上記アイランド部には、複数の凹部が形成されている、付記１Ｃないし１０Ｃのいずれかに記載の半導体装置。
（付記１２Ｃ）
上記アイランド部のうち上記半導体素子と重なる部位は、平滑である、付記１１Ｃに記載の半導体装置。
（付記１３Ｃ）
上記各凹部は、断面円形状である、付記１１Ｃまたは１２Ｃに記載の半導体装置。
（付記１４Ｃ）
上記複数の凹部は、上記半導体素子を囲むように配置されている、付記１１Ｃないし１３Ｃのいずれかに記載の半導体装置。
（付記１５Ｃ）
上記複数の凹部は、マトリクス状に配置されている、付記１１Ｃないし１４Ｃのいずれかに記載の半導体装置。
（付記１６Ｃ）
上記複数の凹部は、等ピッチで配置されている、付記１５Ｃに記載の半導体装置。
（付記１７Ｃ）
上記リードは、上記半導体素子が搭載されておらずかつワイヤが接続されたパッド部を有しており、
上記パッド部には、複数の凹部が形成されている、付記１１Ｃないし１６Ｃのいずれかに記載の半導体装置。
（付記１８Ｃ）
上記リードは、上記アイランド部に繋がり、かつ上記封止樹脂から露出する端子部を有しており、
上記アイランド部は、不連続な２辺が繋がる角部と、この角部よりも上記端子部寄りに位置する円弧部と、を有する、付記１１Ｃないし１７Ｃのいずれかに記載の半導体装置。
（付記１９Ｃ）
上記角部は、上記半導体素子よりも上記端子部から離間しており、
上記円弧部は、上記半導体素子よりも上記端子部に近い、付記１８Ｃに記載の半導体装置。
（付記２０Ｃ）
上記封止樹脂は、上記アイランド部のうち上記円弧部よりも上記角部に近い部位から外表面に至る後形成部を有する、付記１８Ｃまたは１９Ｃに記載の半導体装置。
【０１２６】
（付記１Ｄ）
半導体素子と、
上記半導体素子が搭載されたアイランド部を有するリードと、
上記半導体素子および上記アイランド部を覆う封止樹脂と、を備えており、
上記アイランド部には、複数の凹部が形成されていることを特徴とする、半導体装置。
（付記２Ｄ）
上記アイランド部のうち上記半導体素子と重なる部位は、平滑である、付記１Ｄに記載の半導体装置。
（付記３Ｄ）
上記各凹部は、断面円形状である、付記１Ｄまたは２Ｄに記載の半導体装置。
（付記４Ｄ）
上記複数の凹部は、上記半導体素子を囲むように配置されている、付記１Ｄないし３Ｄのいずれかに記載の半導体装置。
（付記５Ｄ）
上記複数の凹部は、マトリクス状に配置されている、付記に１Ｄないし４Ｄのいずれか記載の半導体装置。
（付記６Ｄ）
上記複数の凹部は、等ピッチで配置されている、付記５Ｄに記載の半導体装置。
（付記７Ｄ）
上記リードは、上記半導体素子が搭載されておらずかつワイヤが接続されたパッド部を有しており、
上記パッド部には、複数の凹部が形成されている、付記１Ｄないし６Ｄのいずれかに記載の半導体装置。
（付記８Ｄ）
上記リードは、上記アイランド部に繋がり、かつ上記封止樹脂から露出する端子部を有しており、
上記アイランド部は、不連続な２辺が繋がる角部と、この角部よりも上記端子部寄りに位置する円弧部と、を有する、付記１Ｄないし７Ｄのいずれかに記載の半導体装置。
（付記９Ｄ）
上記角部は、上記半導体素子よりも上記端子部から離間しており、
上記円弧部は、上記半導体素子よりも上記端子部に近い、付記８Ｄに記載の半導体装置。
（付記１０Ｄ）
上記封止樹脂は、上記アイランド部のうち上記円弧部よりも上記角部に近い部位から外表面に至る後形成部を有する、付記８Ｄまたは９Ｄに記載の半導体装置。
（付記１１Ｄ）
上記半導体素子は、底面を有し、
溶融状態を経て上記底面と上記アイランド部とを接合する接合材を備えており、
溶融状態における上記接合材に対する濡れ性が、上記アイランド部よりも上記半導体素子の上記底面の方が優れている、付記１Ｄないし１０Ｄのいずれかに記載の半導体装置。
（付記１２Ｄ）
上記半導体素子は、上記底面を構成する底面電極を有している、付記１１Ｄに記載の半導体装置。
（付記１３Ｄ）
上記底面電極は、上記半導体素子の上記底面側の全面に形成されている、付記１２Ｄに記載の半導体装置。
（付記１４Ｄ）
上記接合材は、導電性である、付記１２Ｄまたは１３Ｄに記載の半導体装置。
（付記１５Ｄ）
上記接合材は、はんだである、付記１４Ｄに記載の半導体装置。
（付記１６Ｄ）
上記底面電極は、ＤｕＤまたはＤｇからなる、付記１５Ｄに記載の半導体装置。
（付記１７Ｄ）
上記アイランド部は、Ｃｕからなる、付記１６Ｄに記載の半導体装置。
（付記１８Ｄ）
上記アイランド部は、上記半導体素子の外側に位置する堀部を有する、付記１１Ｄないし１７Ｄのいずれかに記載の半導体装置。
（付記１９Ｄ）
上記接合材は、上記堀部よりも内方に位置する、付記１８Ｄに記載の半導体装置。
（付記２０Ｄ）
上記堀部は、上記半導体素子の全周を囲んでいる、付記１９Ｄに記載の半導体装置。
【符号の説明】
【０１２７】
Ａ１，Ａ２  半導体装置
１００  リード
１１０，１２０，１３０，１４０，１５０  アイランド部
１６０，１７０，１８０  パッド部
１１１，１２１，１４１，１５１，１６１，１７１，１８１，１９１  端子部
１１２，１２２，１３２，１４２，１５２，１８２  凹部
１１３，１２３  堀部
１１４，１２４  屈曲部
１１５，１２５  角部
１１６，１２６  円弧部
２００  放熱部材
２１０  接合面
２２０  露出面
２３０  側面
２３１  平滑部
２３２  粗部
３００  接合層
３１０  個別領域
４１０，４２０，４３０，４４０  半導体素子
４１１，４２１  底面
４１２，４２２，４３２，４４２  上面電極
４１３，４２３  底面電極
４９０  受動部品
５１０，５２０  接合材
６００，６５０  ワイヤ
６０１  ワイヤ
６１０  ファーストボンディング部
６０５  段差部
６２０  セカンドボンディング部
６３０  補強ボンディング部
６３１  円盤部
６３２  円柱部
６３３  尖頭部
６９０  環状痕
７００  封止樹脂
７１０  溝部
７２０  溝部
７３０  後形成部
【図１】
2014207430.tif 000003
【図２】
2014207430.tif 000004
【図３】
2014207430.tif 000005
【図４】
2014207430.tif 000006
【図５】
2014207430.tif 000007
【図６】
2014207430.tif 000008
【図７】
2014207430.tif 000009
【図８】
2014207430.tif 000010
【図９】
2014207430.tif 000011
【図１０】
2014207430.tif 000012
【図１１】
2014207430.tif 000013
【図１２】
2014207430.tif 000014
【図１３】
2014207430.tif 000015
【図１４】
2014207430.tif 000016
【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図２０】
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