(57)【要約】【課題】半導体装置の動作信頼性を向上させる。【解決手段】導電膜により構成されるヒューズＦＳ１と、ヒューズＦＳ１を覆い、かつ一または複数の層間絶縁膜により構成される絶縁層ＩＬ１と、絶縁層ＩＬ１上に設けられたポリイミド膜ＰＩ１と、を備える。絶縁層ＩＬ１は、ヒューズＦＳ１と重なる凹部ＲＣ１２と、凹部ＲＣ１２の底面に設けられ、かつ平面視において凹部ＲＣ１２よりも小さい凹部ＲＣ１１と、を有している。ポリイミド膜ＰＩ１には、凹部ＲＣ１１が露出する開口部ＯＰ１が設けられている。【選択図】図１
2014241337.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電膜により構成されるヒューズと、
前記ヒューズを覆い、かつ一または複数の層間絶縁膜により構成される絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられたポリイミド膜と、
を備え、
前記絶縁層は、前記ヒューズと重なる第１凹部と、前記第１凹部の底面に設けられ、かつ平面視において前記第１凹部よりも小さい第２凹部と、を有しており、
前記ポリイミド膜には、前記第２凹部が露出する開口部が設けられている半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第２凹部の高さをｈ１とし、前記第２凹部の幅をｗ１とした場合において、ｈ１／ｗ１は０．３０以下である半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第２凹部の幅をｗ１とし、前記第１凹部の幅をｗ２とした場合において、ｗ２／ｗ１は１．４以上である半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記絶縁層内には、第１金属膜と、前記第１金属膜よりも上方に位置する第２金属膜と、が設けられており、
前記第１金属膜の一部は、前記第２凹部の側面から露出しており、
前記第２金属膜の一部は、前記第１凹部の側面から露出している半導体装置。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置において、
前記第１金属膜は、平面視で前記第２凹部を囲むように設けられ、
前記第２金属膜は、平面視で前記第１凹部を囲むように設けられている半導体装置。
【請求項６】
請求項４に記載の半導体装置において、
前記第１金属膜および前記第２金属膜は、互いに電気的に接続しておらず、かつそれぞれ他の導電膜と電気的に接続していない半導体装置。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記絶縁層は、底面に前記第１凹部が設けられ、かつ平面視において前記第１凹部よりも大きい第３凹部をさらに有している半導体装置。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記ポリイミド膜は、非感光性ポリイミド膜である半導体装置。
【請求項９】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第２凹部は、複数の前記ヒューズと重なるように設けられている半導体装置。
【請求項１０】
導電膜により構成されるヒューズを覆うように、第１金属膜と、前記第１金属膜の上方に位置し、かつ前記第１金属膜と重なる第１開口パターンを有する第２金属膜と、が埋め込まれた絶縁層を形成する工程と、
前記第２金属膜のうち前記第１開口パターンの周囲に位置する部分と、前記第１金属膜のうち前記第１開口パターン下に位置する部分と、が露出するよう前記絶縁層を選択的にエッチングして、前記絶縁層に凹部を形成する工程と、
前記第２金属膜のうち前記第１開口パターンの周囲に位置する前記部分と、前記第１金属膜のうち前記第１開口パターン下に位置する前記部分と、をエッチングにより選択的に除去する工程と、
前記凹部内、および前記絶縁層上に、ポリイミド膜を形成する工程と、
前記ポリイミド膜のうち少なくとも前記凹部内に位置する部分が除去されるよう、前記ポリイミド膜をエッチングする工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体装置の製造方法において、
前記絶縁層を形成する前記工程の後であって前記凹部を形成する前記工程の前において、前記絶縁層上であって前記凹部が形成される領域から離間する位置に電極パッドを形成する工程を備え、
前記ポリイミド膜をエッチングする前記工程は、
前記ポリイミド膜のうち前記凹部上に位置する一部を除去する工程と、
前記ポリイミド膜のうち前記凹部内に位置する一部と、前記ポリイミド膜のうち前記パッド上に位置する一部と、を除去する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０に記載の半導体装置の製造方法において、
前記絶縁層を形成する前記工程において、前記絶縁層には、前記第２金属膜の上方に位置し、かつ前記第１開口パターンと重なる前記第１開口パターンよりも大きい第２開口パターンを有する第３金属膜が埋め込まれており、
前記凹部を形成する前記工程において、前記第３金属膜のうち前記第２開口パターンの周囲に位置する部分が露出するように前記絶縁層がエッチングされ、
前記第２金属膜および前記第１金属膜をエッチングにより選択的に除去する工程において、前記第３金属膜のうち前記第２開口パターンの周囲に位置する前記部分がエッチングにより選択的に除去される半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、例えばヒューズを備える半導体装置およびその製造方法に適用可能な技術である。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置においては、回路の切り換え等を目的としてヒューズが設けられる場合がある。ヒューズを備える半導体装置に関する技術としては、たとえば特許文献１に記載されるものが挙げられる。特許文献１に記載の技術は、レーザによって溶け得る保護膜によってヒューズを覆うというものである。また、特許文献１には、パッシベーション膜により上記保護膜を形成することも記載されている。
【０００３】
ヒューズに関する技術としては、特許文献２〜５に記載のものも挙げられる。特許文献２に記載の技術は、ヒューズ層となる導電層上に位置する開口部を形成するためのマスクとして、導電層を用いるというものである。特許文献３には、ヒューズを覆う第１パッシベーション膜と、ヒューズ上に開口を有する第２パッシベーション膜と、を備える半導体装置が記載されている。特許文献４には、ヒューズ部の配線層が少なくとも銅からなる導電用金属層を有する半導体装置が記載されている。特許文献５に記載の技術は、抵抗体と重なるヒューズ素子を備える半導体装置において、抵抗対をトレンチ領域内に設けるというものである。
【０００４】
また、パッシベーション膜に関する技術としては、特許文献６に記載のものも挙げられる。特許文献６に記載の技術は、銅の拡散を防止する、あるいは銅の密着性が高い第１の絶縁膜と、耐湿性の高い、あるいは誘電率が低い第２の絶縁膜と、を備えるパッシベーション膜を最上層の銅配線に対して形成するというものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平３−１３５０５０号公報
【特許文献２】特開平１１−８３０５号公報
【特許文献３】特開２００３−６００３６号公報
【特許文献４】特開２００７−２０１４８５号公報
【特許文献５】特開２００８−１９２９８６号公報
【特許文献６】特開２００２−１９８３７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
半導体装置内に形成されるヒューズは、たとえばレーザ照射により切断される。このような半導体装置において、ヒューズを覆う絶縁層には、ヒューズに対してレーザを照射するための凹部が形成されることがある。
しかしながら、上記絶縁層上に設けられたポリイミド膜をパターニングする際に、上記凹部内にポリイミド膜が残存する場合があった。この場合、レーザによるヒューズの切断がポリイミド膜により阻害され、半導体装置の動作信頼性が低下するおそれがある。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一実施の形態によれば、ヒューズＦＳ１と重なるように絶縁層ＩＬ１に設けられる凹部ＲＣ１は、凹部ＲＣ１２と、凹部ＲＣ１２の底面に設けられ、かつ平面視において凹部ＲＣ１２よりも小さい凹部ＲＣ１１と、により構成される。
【発明の効果】
【０００８】
前記一実施の形態によれば、半導体装置の動作信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置を示す平面図である。
【図３】図１に示す半導体装置の製造方法の一例を示す断面図である。
【図４】図１に示す半導体装置の製造方法の一例を示す断面図である。
【図５】図１に示す半導体装置の製造方法の一例を示す断面図である。
【図６】図１に示す半導体装置の製造方法の一例を示す断面図である。
【図７】図１に示す半導体装置の製造方法の一例を示す断面図である。
【図８】第２の実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
【図９】図８に示す半導体装置の製造方法の一例を示す断面図である。
【図１０】図８に示す半導体装置の製造方法の一例を示す断面図である。
【図１１】第３の実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１１】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る半導体装置ＳＤ１を示す断面図である。図２は、図１に示す半導体装置ＳＤ１を示す平面図である。図２においては、ヒューズＦＳ１、金属膜ＭＦ１、金属膜ＭＦ２、および金属膜ＭＦ３の位置関係が示されており、絶縁層ＩＬ１等の他の構成は省略されている。
【００１２】
本実施形態に係る半導体装置ＳＤ１は、ヒューズＦＳ１と、絶縁層ＩＬ１と、ポリイミド膜ＰＩ１と、を備えている。ヒューズＦＳ１は、導電膜により構成されている。絶縁層ＩＬ１は、ヒューズＦＳ１を覆い、かつ一または複数の層間絶縁膜により構成されている。また、絶縁層ＩＬ１は、ヒューズＦＳ１と重なる凹部ＲＣ１２と、凹部ＲＣ１２の底面に設けられ、かつ平面視において凹部ＲＣ１２よりも小さい凹部ＲＣ１１と、を有する。ポリイミド膜ＰＩ１は、絶縁層ＩＬ１上に設けられている。また、ポリイミド膜ＰＩ１には、凹部ＲＣ１１が露出する開口部ＯＰ１が設けられている。
【００１３】
本実施形態では、ヒューズＦＳ１と重なるように絶縁層ＩＬ１に設けられる凹部ＲＣ１は、凹部ＲＣ１２と、凹部ＲＣ１２の底面に設けられ、かつ平面視において凹部ＲＣ１２よりも小さい凹部ＲＣ１１と、により構成される。この場合、ポリイミド膜ＰＩ１のパターニングに際して、凹部ＲＣ１内にポリイミド膜ＰＩ１が残存することを抑制できる。これは、凹部ＲＣ１の下部をアスペクト比の小さい凹部ＲＣ１１により構成できることや、凹部ＲＣ１の上部を開口幅の大きい凹部ＲＣ１２により構成できることに起因する。
したがって、本実施形態によれば、レーザ照射によるヒューズＦＳ１の切断不良を抑制し、半導体装置ＳＤ１の動作信頼性を向上させることが可能となる。
【００１４】
以下、本実施形態に係る半導体装置ＳＤ１の構成、および半導体装置ＳＤ１の製造方法について詳細に説明する。
【００１５】
まず、半導体装置ＳＤ１の構成の一例について説明する。
半導体装置ＳＤ１は、ヒューズＦＳ１を備えている。ヒューズＦＳ１は、凹部ＲＣ１を介してヒューズＦＳ１に対し照射されるレーザによって溶断される。
本実施形態においては、たとえば半導体装置ＳＤ１内に基準電圧生成回路または冗長回路等が設けられており、これらの内部にヒューズＦＳ１が形成される。基準電圧生成回路にヒューズＦＳ１が設けられる場合、たとえばヒューズＦＳ１を切断することにより出力に基準電圧が生成される。また、冗長回路にヒューズＦＳ１が設けられる場合、たとえばヒューズＦＳ１を切断することにより不良品メモリセルと良品メモリセルとの切り替えが行われる。このとき、たとえばウェハ状態における検査の結果等に基づき、切断すべきヒューズＦＳ１が選択される。
【００１６】
半導体装置ＳＤ１には複数のヒューズＦＳ１が設けられている。本実施形態に係る半導体装置ＳＤ１においては、たとえばヒューズＦＳ１を切断することにより回路の切り替えや選択が行われる。この場合、複数のヒューズＦＳ１のうち一部が切断され、他のヒューズＦＳ１は切断されないこととなる。すなわち、半導体装置ＳＤ１には、切断されたヒューズＦＳ１と、切断されていないヒューズＦＳ１と、が含まれる。
【００１７】
図２は、とくに基準電圧生成回路にヒューズＦＳ１が設けられる場合の一例を示している。この場合、各ヒューズＦＳ１の一端は、たとえばＶｄｄまたはＧＮＤに接続される。また、各ヒューズＦＳ１の他端は、それぞれ出力端子に接続される。このとき、Ｖｄｄに接続されるヒューズＦＳ１とＧＮＤに接続されるヒューズＦＳ１からなる一組のヒューズＦＳ１が、一の出力端子に接続されるように設計される。なお、各ヒューズＦＳ１は、たとえばコンタクトプラグＣＰ１を介してＶｄｄ、ＧＮＤまたは出力端子に接続される。
【００１８】
図１に示す例において、ヒューズＦＳ１は、基板（図示せず）上に設けられた酸化膜ＯＦ１上に形成されている。基板は、たとえばシリコン等により構成される半導体基板である。また、酸化膜ＯＦ１は、たとえばフィールド酸化膜である。なお、ヒューズＦＳ１は酸化膜ＯＦ１上に形成されるものに限定されず、たとえば多層配線構造中の任意の配線層に形成することも可能である。
図２に示す例において、ヒューズＦＳ１は、第１方向（図２中左右方向）に延在する配線状の形状を有している。半導体装置ＳＤ１に複数のヒューズＦＳ１が設けられている場合、複数のヒューズＦＳ１は、たとえば半導体基板（図示せず）平面において第１方向に直交する第２方向（図２中上下方向）に、互いに離間するように配列される。なお、ヒューズＦＳ１の形状は、図１および図２に示すものに限定されず、用途に応じて適宜選択することが可能である。
【００１９】
ヒューズＦＳ１は、導電膜により構成される。ヒューズＦＳ１を構成する導電膜は、たとえば多結晶シリコン膜、またはＡｌもしくはＣｕ等の金属膜により形成される。
本実施形態において、ヒューズＦＳ１は、たとえば多結晶シリコンにより形成される導電膜により構成される。このようにヒューズＦＳ１を多結晶シリコンにより形成することで、耐腐食性に優れたヒューズＦＳ１を実現することができる。これにより、切断後のヒューズＦＳ１が腐食により再接続されてしまうことを抑制し、半導体装置ＳＤ１の動作信頼性をさらに向上することが可能となる。また、多結晶シリコンにより形成されるヒューズＦＳ１は、図１に示すように、たとえばＭ１配線を含む層間絶縁膜ＩＩ１下に形成することができる。この場合、ヒューズＦＳ１を、多結晶シリコン膜からなるゲート電極等とともに形成することが可能である。
【００２０】
半導体装置ＳＤ１は、ヒューズＦＳ１を覆う絶縁層ＩＬ１を備えている。絶縁層ＩＬ１は、一または複数の層間絶縁膜により構成される。絶縁層ＩＬ１を構成する各層間絶縁膜は、たとえばＳｉＯ２または低誘電率材料等により構成される。
図１においては、複数の層間絶縁膜により絶縁層ＩＬ１が構成される場合が例示されている。具体的には、酸化膜ＯＦ１上に設けられた層間絶縁膜ＩＩ１と、層間絶縁膜ＩＩ１上に設けられた層間絶縁膜ＩＩ２と、層間絶縁膜ＩＩ２上に設けられた層間絶縁膜ＩＩ３と、により絶縁層ＩＬ１が構成されている。なお、絶縁層ＩＬ１を構成する層間絶縁膜の層数は図１に示すものに限定されず、任意の層数とすることができる。
【００２１】
絶縁層ＩＬ１は、ヒューズＦＳ１と重なる凹部ＲＣ１を有する。凹部ＲＣ１は、ヒューズＦＳ１と重なる凹部ＲＣ１２と、凹部ＲＣ１２の底面に設けられ、かつ平面視において凹部ＲＣ１２よりも小さい凹部ＲＣ１１と、により構成される。この場合、凹部ＲＣ１の下部は、アスペクト比の小さい凹部ＲＣ１１により構成される。また、凹部ＲＣ１の上部は、開口幅の大きい凹部ＲＣ１２により構成される。このため、エッチャントや現像液等のポリイミド膜ＰＩ１をパターニングするための薬液が凹部ＲＣ１の底部まで入り込みやすくなる。したがって、ポリイミド膜ＰＩ１のパターニングに際して、凹部ＲＣ１内にポリイミド膜ＰＩ１が残存することを抑制できる。
なお、凹部ＲＣ１１のアスペクト比とは、凹部ＲＣ１１の幅に対する高さの比である。これは、凹部ＲＣ１２や後述する凹部ＲＣ１３において同様である。
【００２２】
凹部ＲＣ１の側面には、凹部ＲＣ１１と凹部ＲＣ１２との間において段差が形成されている。当該段差は、凹部ＲＣ１の側面の周方向における全域において連続して設けられていることが好ましい。これにより、凹部ＲＣ１の底面にポリイミド膜ＰＩ１が残存することを、より効果的に抑制することが可能となる。当該段差は、凹部ＲＣ１の側面の周方向における一部のみに設けられていてもよい。
なお、凹部ＲＣ１の側面には、凹部ＲＣ１１と凹部ＲＣ１２との間に設けられる段差を含む複数の段差が設けられていてもよい。この場合、各段差は、凹部ＲＣ１の下端から上端に向けて凹部ＲＣ１の径が大きくなるように設けられることが好ましい。
【００２３】
凹部ＲＣ１１は、たとえば複数のヒューズＦＳ１と重なるように設けられる。また、本実施形態においては、絶縁層ＩＬ１に複数の凹部ＲＣ１が設けられていてもよい。この場合、たとえば各凹部ＲＣ１１が、複数のヒューズＦＳ１と重なるように設けられる。
凹部ＲＣ１１および凹部ＲＣ１２の平面形状は、たとえば矩形である。本実施形態においては、たとえば凹部ＲＣ１１の平面視における外形線が凹部ＲＣ１２の平面視における外形線よりも内側に位置するように、凹部ＲＣ１１と凹部ＲＣ１２が設けられる。
【００２４】
本実施形態において、凹部ＲＣ１１の高さをｈ１とし、凹部ＲＣ１１の幅をｗ１とする。この場合、ｈ１／ｗ１が０．３０以下であることが好ましい。これにより、凹部ＲＣ１１におけるアスペクト比を十分に小さくし、凹部ＲＣ１１底部にポリイミド膜ＰＩ１が残存することをより効果的に抑制することができる。また、ｈ１／ｗ１は、０．０３以上であることが好ましい。この場合、凹部ＲＣ１２におけるアスペクト比の増大を抑えつつ、半導体装置ＳＤ１の小型化を図ることができる。このため、凹部ＲＣ１２の底面にポリイミド膜ＰＩ１が残存することを抑制することも可能となる。
なお、ｈ１は、たとえば１μｍ以上３μｍ以下とすることができる。ｗ１は、たとえば２１μｍ以上２３μｍ以下とすることができる。これにより、上記範囲のアスペクト比を実現することが容易となる。
図１においては、とくにヒューズＦＳ１が延在する第１方向（図１中左右方向）に平行な任意の断面において、凹部ＲＣ１１の高さをｈ１とし、凹部ＲＣ１１の幅をｗ１としている。しかしながら、第１方向に直交する第２方向に平行な任意の断面においても、凹部ＲＣ１１の高さをｈ１とし、凹部ＲＣ１１の幅をｗ１として、これらが上述の数値範囲を満たすように凹部ＲＣ１１を設けることが好ましい。
【００２５】
本実施形態において、凹部ＲＣ１２の幅をｗ２とする。この場合において、ｗ２／ｗ１は、１．４以上であることが好ましい。これにより、凹部ＲＣ１の上部における開口幅を十分に大きくし、凹部ＲＣ１１底部にポリイミド膜ＰＩ１が残存することをより効果的に抑制することができる。また、ｗ２／ｗ１は、１．７以下であることが好ましい。これにより、半導体装置ＳＤ１の小型化を図ることが可能となる。また、凹部ＲＣ１１の周囲に位置する凹部ＲＣ１２の底面の幅をｗ２１とした場合に、ｗ２１／ｗ１は、０．２以上０．４以下であることが好ましい。これにより、凹部ＲＣ１１底部にポリイミド膜ＰＩ１が残存することをさらに効果的に抑制しつつ、半導体装置ＳＤ１の小型化を図ることができる。
なお、ｗ２は、たとえば３３μｍ以上３５μｍ以下とすることができる。ｗ２１は、たとえば５μｍ以上７μｍ以下とすることができる。これにより、上記数値範囲を満たす凹部ＲＣ１２を形成することが容易となる。
図１においては、とくにヒューズＦＳ１が延在する第１方向（図１中左右方向）に平行な任意の断面において、凹部ＲＣ１２の幅をｗ２とし、凹部ＲＣ１１の周囲に位置する凹部ＲＣ１２の底面の幅をｗ２１としている。しかしながら、第１方向に直交する第２方向に平行な任意の断面においても、凹部ＲＣ１２の幅をｗ２とし、凹部ＲＣ１１の周囲に位置する凹部ＲＣ１２の底面の幅をｗ２１として、これらが上述の数値範囲を満たすように凹部ＲＣ１２を設けることが好ましい。
【００２６】
絶縁層ＩＬ１内には、たとえば金属膜ＭＦ１と、金属膜ＭＦ１よりも上方に位置する金属膜ＭＦ２と、が設けられている。金属膜ＭＦ１の一部は、凹部ＲＣ１１の側面から露出している。また、金属膜ＭＦ２の一部は、凹部ＲＣ１２の側面から露出している。このような金属膜ＭＦ１および金属膜ＭＦ２は、後述する製造方法において、それぞれ凹部ＲＣ１をエッチングにより形成する際のマスクまたはストッパとして機能する。
【００２７】
金属膜ＭＦ１および金属膜ＭＦ２は、たとえば平面形状が枠状である。この場合、金属膜ＭＦ１は、平面視で凹部ＲＣ１１を囲むように設けられ、凹部ＲＣ１１の側面の周方向全域において連続して露出することとなる。また、金属膜ＭＦ２は、平面視で凹部ＲＣ１２を囲むように設けられ、凹部ＲＣ１２の側面の周方向全域において連続して露出することとなる。これにより、後述する製造方法を用いて、凹部ＲＣ１の側面の周方向全域において連続するように、凹部ＲＣ１１と凹部ＲＣ１２との間の段差を設けることができる。
図２に示す例においては、金属膜ＭＦ１および金属膜ＭＦ２により囲まれる領域が矩形となるように、枠状の金属膜ＭＦ１および金属膜ＭＦ２が設けられている。
【００２８】
半導体装置ＳＤ１が多層配線構造を有する場合、金属膜ＭＦ１および金属膜ＭＦ２は、たとえば任意の配線層に形成することが可能である。本実施形態においては、ヒューズＦＳ１を覆う層間絶縁膜ＩＩ１上に、金属膜ＭＦ１を形成することがとくに好ましい。これにより、後述する製造方法を用いて、凹部ＲＣ１１のアスペクト比を小さくすることが容易となる。図１においては、層間絶縁膜ＩＩ２により構成されるＭ１配線層内に金属膜ＭＦ１が設けられ、層間絶縁膜ＩＩ３により構成されるＭ２配線層内に金属膜ＭＦ２が設けられる場合が例示されている。
【００２９】
金属膜ＭＦ１および金属膜ＭＦ２は、たとえばＡｌにより構成される。これにより、Ａｌにより構成される配線とともに、金属膜ＭＦ１および金属膜ＭＦ２を形成することが可能となる。なお、金属膜ＭＦ１および金属膜ＭＦ２を構成する金属材料は、上記に限定されず、Ｃｕ等であってもよい。
また、金属膜ＭＦ１および金属膜ＭＦ２は、互いに電気的に接続しておらず、かつそれぞれ他の導電膜と電気的に接続していないことが好ましい。すなわち、金属膜ＭＦ１および金属膜ＭＦ２は、電気的にフローティングであることが好ましい。これにより、回路への影響を抑えつつ、凹部ＲＣ１を容易に形成することが可能となる。一方で、配線を構成する金属膜の一部により、金属膜ＭＦ１および金属膜ＭＦ２が構成されていてもよい。
【００３０】
絶縁層ＩＬ１上には、たとえば金属膜ＭＦ３が設けられている。金属膜ＭＦ３を構成する金属材料は、とくに限定されないが、たとえばＡｌである。図２においては、金属膜ＭＦ３の平面形状が、凹部ＲＣ１を囲む枠状である場合が例示されている。
金属膜ＭＦ３は、たとえば金属膜ＭＦ３と離間して設けられるパッドＰＤ１（図７参照）と同層に形成される。この場合、金属膜ＭＦ３とパッドＰＤ１は、たとえば互いに同一の金属材料によって、同一の工程により形成することができる。
【００３１】
絶縁層ＩＬ１上には、たとえば酸化膜ＯＦ２およびパッシベーション膜ＰＦ１が順に設けられる。酸化膜ＯＦ２およびパッシベーション膜ＰＦ１は、たとえば金属膜ＭＦ３およびパッドＰＤ１を覆うように層間絶縁膜ＩＩ１３上に設けられる。この場合、酸化膜ＯＦ２およびパッシベーション膜ＰＦ１は、たとえば少なくとも凹部ＲＣ１上およびパッドＰＤ１上に開口を有する。酸化膜ＯＦ２は、たとえばＳｉＯ２により構成される。また、パッシベーション膜ＰＦ１は、たとえばＳｉＯＮにより構成される。
【００３２】
絶縁層ＩＬ１上には、ポリイミド膜ＰＩ１が設けられている。図１においては、絶縁層ＩＬ１上に、酸化膜ＯＦ２およびパッシベーション膜ＰＦ１を介してポリイミド膜ＰＩ１が設けられる場合が例示されている。
ポリイミド膜ＰＩ１には、凹部ＲＣ１を露出させる開口部ＯＰ１が設けられている。これにより、凹部ＲＣ１を介してヒューズＦＳ１に対しレーザ照射を行うことが可能となる。なお、図７に示す例のように、絶縁層ＩＬ１上に設けられたパッドＰＤ１を有する場合には、パッドＰＤ１上においても開口部を有していることが好ましい。
【００３３】
ポリイミド膜ＰＩ１は、たとえば非感光性ポリイミド膜である。ポリイミド膜ＰＩ１として非感光性ポリイミド膜を用いることにより、半導体装置ＳＤ１内に含まれる他の物質に対する化学的安定性に優れたポリイミド膜ＰＩ１を実現することができる。なお、非感光性ポリイミド膜は、後述する製造方法に示すように、たとえばレジストマスクを用いたウェットエッチングによりパターニングされる。
また、本実施形態によれば、凹部ＲＣ１を凹部ＲＣ１１と凹部ＲＣ１２により構成することにより、凹部ＲＣ１底部に存在するポリイミド膜ＰＩ１を容易に除去することが可能となる。すなわち、ポリイミド膜ＰＩ１のパターニングに際し、長時間のエッチングを行わずとも凹部ＲＣ１底部に存在するポリイミド膜ＰＩ１を除去できる。このため、等方性のウェットエッチングによりポリイミド膜ＰＩ１をパターニングする場合であっても、長時間のエッチングに起因してポリイミド膜ＰＩ１に形成される開口パターン等が横方向に広がってしまうことを抑制できる。すなわち、ポリイミド膜ＰＩ１として非感光性ポリイミド膜を用いた場合であっても、凹部ＲＣ１内にポリイミド膜ＰＩ１膜が残存することを抑制しつつ、所望の形状を有するポリイミド膜ＰＩ１を実現することが可能となる。
なお、ポリイミド膜ＰＩ１は、感光性ポリイミド膜により構成されていてもよい。この場合、たとえば感光性ポリイミド膜であるポリイミド膜ＰＩ１に対し露光および現像を行うことにより、ポリイミド膜ＰＩ１のパターニングが行われる。
【００３４】
次に、本実施形態に係る半導体装置ＳＤ１の製造方法について説明する。
図３〜７は、図１に示す半導体装置ＳＤ１の製造方法の一例を示す断面図である。図３〜図７においては、ヒューズＦＳ１が設けられる第１領域と、第１領域から離間しており、かつパッドＰＤ１が設けられる第２領域と、が示されている。
【００３５】
半導体装置ＳＤ１は、次のように製造される。
まず、導電膜により構成されるヒューズＦＳ１を覆うように、金属膜ＭＦ１と、金属膜ＭＦ１の上方に位置し、かつ金属膜ＭＦ１と重なる開口パターンＰＴ１を有する金属膜ＭＦ２と、が埋め込まれた絶縁層ＩＬ１を形成する。次いで、金属膜ＭＦ２のうち開口パターンＰＴ１の周囲に位置する部分と、金属膜ＭＦ１のうち開口パターンＰＴ１下に位置する部分と、が露出するよう絶縁層ＩＬ１を選択的にエッチングして、絶縁層ＩＬ１に凹部ＲＣ１を形成する。次いで、金属膜ＭＦ２のうち開口パターンＰＴ１の周囲に位置する部分と、金属膜ＭＦ１のうち開口パターンＰＴ１下に位置する部分と、をエッチングにより選択的に除去する。次いで、凹部ＲＣ１内、および絶縁層ＩＬ１上に、ポリイミド膜ＰＩ１を形成する。次いで、ポリイミド膜ＰＩ１のうち少なくとも凹部ＲＣ１内に位置する部分が除去されるよう、ポリイミド膜ＰＩ１をエッチングする。
以下、本実施形態に係る半導体装置ＳＤ１の製造方法につき、詳細に説明する。
【００３６】
まず、基板（図示せず）上に、酸化膜ＯＦ１を介してヒューズＦＳ１を形成する。次いで、酸化膜ＯＦ１上にヒューズＦＳ１を覆うように、金属膜ＭＦ１と金属膜ＭＦ２が埋め込まれた絶縁層ＩＬ１を形成する。金属膜ＭＦ２は、金属膜ＭＦ１の上方に設けられており、かつ金属膜ＭＦ１およびヒューズＦＳ１と重なる開口パターンＰＴ１を有する。金属膜ＭＦ１は、たとえば開口パターンを有していない。次いで、金属膜ＭＦ３と、金属膜ＭＦ３から離間して位置するパッドＰＤ１と、を絶縁層ＩＬ１上に形成する。パッドＰＤ１は、絶縁層ＩＬ１上であって凹部ＲＣ１が形成される領域から離間する位置に形成される。次いで、絶縁層ＩＬ１上に、金属膜ＭＦ３およびパッドＰＤ１を覆うように、酸化膜ＯＦ２およびパッシベーション膜ＰＦ１を順に形成する。
これにより、図３（ａ）に示す構造が得られることとなる。
【００３７】
図３（ａ）においては、たとえば絶縁層ＩＬ１が、酸化膜ＯＦ１上に順に設けられた層間絶縁膜ＩＩ１、層間絶縁膜ＩＩ２および層間絶縁膜ＩＩ３により構成される場合が例示される。この場合、金属膜ＭＦ１は、たとえば層間絶縁膜ＩＩ１上に設けられる。また、金属膜ＭＦ２は、たとえば層間絶縁膜ＩＩ２上に設けられる。また、図３（ａ）に示す例においては、層間絶縁膜ＩＩ２上であってパッドＰＤ１下に配線ＩＣ１が設けられる。
【００３８】
次に、図３（ｂ）に示すように、パッシベーション膜ＰＦ１上にレジスト膜ＲＦ１を形成する。レジスト膜ＲＦ１には、開口パターンＰＴ１と重なり、かつ平面視において開口パターンＰＴ１よりも大きい開口パターンＰＴ３が設けられている。
【００３９】
次に、図４（ａ）に示すように、レジスト膜ＲＦ１をマスクとして絶縁層ＩＬ１を選択的にエッチングし、絶縁層ＩＬ１に凹部ＲＣ１を形成する。このとき、金属膜ＭＦ２のうち開口パターンＰＴ１の周囲に位置する部分と、金属膜ＭＦ１のうち開口パターンＰＴ１下に位置する部分と、が凹部ＲＣ１内において露出するようにエッチングが行われる。この工程においては、たとえば酸化膜エッチャーを用いたドライエッチングが行われる。
なお、図４（ａ）に示すように、金属膜ＭＦ２のうち開口パターンＰＴ１の周囲に位置する部分の上端部は、たとえば絶縁層ＩＬ１とともにエッチングされる。
【００４０】
次に、図４（ｂ）に示すように、レジスト膜ＲＦ１をマスクとして、金属膜ＭＦ２のうち開口パターンＰＴ１の周囲に位置する部分と、金属膜ＭＦ１のうち開口パターンＰＴ１下に位置する部分と、をエッチングにより選択的に除去する。この工程においては、たとえばアルミドライエッチャーを用いたドライエッチングが行われる。
このエッチング工程は、層間絶縁膜ＩＩ１のうち開口パターンＰＴ１下に位置する部分の少なくとも一部が残存するように行われる。図４（ｂ）に示す例においては、層間絶縁膜ＩＩ１のうち開口パターンＰＴ１下に位置する部分の上端部が、金属膜ＭＦ１とともにエッチングされている。
【００４１】
次に、レジスト膜ＲＦ１を、たとえばアッシング処理等により除去する。
このようにして、凹部ＲＣ１２と、凹部ＲＣ１２の底面に設けられ、かつ平面視において凹部ＲＣ１２よりも小さい凹部ＲＣ１１と、により構成される凹部ＲＣ１が、絶縁層ＩＬ１に形成されることとなる。図４（ｂ）においては凹部ＲＣ１２の底面が層間絶縁膜ＩＩ２により覆われる場合が例示されているが、凹部ＲＣ１２の底面において金属膜ＭＦ１が露出していてもよい。
【００４２】
次に、図５（ａ）に示すように、凹部ＲＣ１内、およびパッシベーション膜ＰＦ１上にレジスト膜ＲＦ２を形成する。レジスト膜ＲＦ２には、パッドＰＤ１と重なる開口パターンＰＴ４が設けられている。
【００４３】
次に、図５（ｂ）に示すように、レジスト膜ＲＦ２をマスクとして、パッシベーション膜ＰＦ１および酸化膜ＯＦ２のうちパッドＰＤ１上に位置する部分を選択的にエッチングする。これにより、パッドＰＤ１は、パッシベーション膜ＰＦ１および酸化膜ＯＦ２から露出することとなる。このとき、図５（ｂ）に示すように、パッドＰＤ１のうち開口パターンＰＴ４下に位置する部分の上端部がパッシベーション膜ＰＦ１および酸化膜ＯＦ２とともに除去されてもよい。
次いで、レジスト膜ＲＦ２を、たとえばアッシング処理等により除去する。
【００４４】
次に、図６（ａ）に示すように、凹部ＲＣ１内、および絶縁層ＩＬ１上に、ポリイミド膜ＰＩ１を形成する。ポリイミド膜ＰＩ１を形成する方法としては、とくに限定されないが、たとえばスピンコート法等の塗布法を用いることができる。
【００４５】
次に、ポリイミド膜ＰＩ１のうち少なくとも凹部ＲＣ１内に位置する部分が除去されるよう、ポリイミド膜ＰＩ１をエッチングする。ポリイミド膜ＰＩ１をエッチングする工程は、たとえば以下のように行われる。
まず、ポリイミド膜ＰＩ１上に、レジスト膜ＲＦ３を形成する。レジスト膜ＲＦ３には、凹部ＲＣ１と重なる開口パターンＰＴ５が設けられている。図６（ａ）においては、開口パターンＰＴ５の平面視における外形線が凹部ＲＣ１の平面視における外形線と重なるように、開口パターンＰＴ５が形成される場合が例示されている。
【００４６】
次いで、図６（ｂ）に示すように、レジスト膜ＲＦ３をマスクとしてポリイミド膜ＰＩ１をエッチングし、ポリイミド膜ＰＩ１のうち凹部ＲＣ１上に位置する一部を選択的に除去する。この工程において、ポリイミド膜ＰＩ１のエッチングは、たとえば薬液を用いたウェットエッチングにより行われる。この場合、ポリイミド膜ＰＩ１には、半楕円形状の凹部ＲＣ２が開口パターンＰＴ５下に形成されることとなる。
【００４７】
次いで、図７（ａ）に示すように、レジスト膜ＲＦ３を、露光現像することによりパターニングする。これにより、開口パターンＰＴ５を包含する開口パターンＰＴ６１と、パッドＰＤ１上に位置する開口パターンＰＴ６２と、をレジスト膜ＲＦ３に形成する。開口パターンＰＴ６１は、たとえば平面視においてポリイミド膜ＰＩ１に設けられた凹部ＲＣ２を内側に含むように設けられる。
【００４８】
次いで、図７（ｂ）に示すように、レジスト膜ＲＦ３をマスクとしてポリイミド膜ＰＩ１をエッチングし、ポリイミド膜ＰＩ１のうち凹部ＲＣ１内に位置する一部と、ポリイミド膜ＰＩ１のうちパッドＰＤ１上に位置する一部と、を除去する。これにより、パッドＰＤ１がポリイミド膜ＰＩ１から露出することとなる。この工程において、ポリイミド膜ＰＩ１のエッチングは、たとえば薬液を用いたウェットエッチングにより行われる。
本実施形態において、凹部ＲＣ１は、ヒューズＦＳ１と重なる凹部ＲＣ１２と、凹部ＲＣ１２の底面に設けられ、かつ平面視において凹部ＲＣ１２よりも小さい凹部ＲＣ１１と、により構成される。このため、ウェットエッチングにおいて用いられる薬液が凹部ＲＣ１の底部まで入り込みやすくなる。したがって、ポリイミド膜ＰＩ１のパターニングに際して、凹部ＲＣ１内にポリイミド膜ＰＩ１が残存することを抑制できる。
また、図６および７に示す例においては、ポリイミド膜ＰＩ１のうち凹部ＲＣ１上に位置する一部を選択的に除去する工程を行った後、ポリイミド膜ＰＩ１のうち凹部ＲＣ１内に位置する一部と、ポリイミド膜ＰＩ１のうちパッドＰＤ１上に位置する一部と、を除去する工程を行う。このため、パッドＰＤ１上に形成されるポリイミド膜ＰＩ１の開口部が過度に広がってしまうことを抑制できる。
このようにして、ポリイミド膜ＰＩ１をエッチングする工程が行われる。
【００４９】
なお、ポリイミド膜ＰＩ１が感光性ポリイミド膜により構成される場合、ポリイミド膜ＰＩ１は、たとえば露光および現像によりパターニングされてもよい。この場合においても、本実施形態によれば、凹部ＲＣ１内へ現像液を入り込みやすくすることができ、凹部ＲＣ１内にポリイミド膜ＰＩ１が残存することを抑制することができる。
【００５０】
その後、レジスト膜ＲＦ３を、たとえばアッシング処理等により除去する。本実施形態においては、たとえばこのようにして半導体装置ＳＤ１の製造方法が行われる。
【００５１】
次に、本実施形態の効果を説明する。
本実施形態によれば、ヒューズＦＳ１と重なるように絶縁層ＩＬ１に設けられる凹部ＲＣ１は、凹部ＲＣ１２と、凹部ＲＣ１２の底面に設けられ、かつ平面視において凹部ＲＣ１２よりも小さい凹部ＲＣ１１と、により構成される。この場合、ポリイミド膜ＰＩ１のパターニングに際して、凹部ＲＣ１内にポリイミド膜ＰＩ１が残存することを抑制できる。したがって、レーザによるヒューズＦＳ１切断不良を抑制し、半導体装置ＳＤ１の動作信頼性を向上させることが可能となる。
【００５２】
（第２の実施形態）
図８は、第２の実施形態に係る半導体装置ＳＤ２を示す断面図であり、第１の実施形態における図１に対応している。本実施形態に係る半導体装置ＳＤ２において、絶縁層ＩＬ１には、凹部ＲＣ１３が設けられている。
以下、半導体装置ＳＤ２の構成につき、詳細に説明する。
【００５３】
絶縁層ＩＬ１は、底面に凹部ＲＣ１２が設けられ、かつ平面視において凹部ＲＣ１２よりも大きい凹部ＲＣ１３をさらに有している。すなわち、凹部ＲＣ１は、凹部ＲＣ１１と、凹部ＲＣ１１上に設けられた凹部ＲＣ１２と、凹部ＲＣ１２上に設けられた凹部ＲＣ１３と、により構成されることとなる。
凹部ＲＣ１２上に凹部ＲＣ１３を形成することにより、凹部ＲＣ１２のアスペクト比を小さくすることができる。また、凹部ＲＣ１の上部は、凹部ＲＣ１２よりも開口幅の大きい凹部ＲＣ１３により構成されることとなる。この場合、エッチャントや現像液等のポリイミド膜ＰＩ１をパターニングするための薬液は、凹部ＲＣ１２の側面と底面との間に形成される角部まで入り込みやすくなる。したがって、ポリイミド膜ＰＩ１のパターニングに際して、凹部ＲＣ１２の上記角部にポリイミド膜ＰＩ１が残存することを抑制できる。
【００５４】
凹部ＲＣ１の側面には、凹部ＲＣ１１と凹部ＲＣ１２との間と、凹部ＲＣ１２と凹部ＲＣ１３との間において段差が形成される。これらの段差は、凹部ＲＣ１の側面の周方向における全域において連続して設けられていることが好ましい。これにより、凹部ＲＣ１の底面にポリイミド膜ＰＩ１が残存することを、より効果的に抑制することが可能となる。これらの段差は、凹部ＲＣ１の側面の周方向における一部のみに設けられていてもよい。
【００５５】
本実施形態において、凹部ＲＣ１２の高さをｈ２とし、凹部ＲＣ１２の幅をｗ２とする。この場合、ｈ２／ｗ２が０．１以下であることが好ましい。これにより、凹部ＲＣ１２におけるアスペクト比を十分に小さくし、凹部ＲＣ１２の側面と底面との間に形成される角部にポリイミド膜ＰＩ１が残存することをより効果的に抑制することができる。また、ｈ２／ｗ２は、０．０２以上であることが好ましい。この場合、凹部ＲＣ１３におけるアスペクト比の増大を抑えつつ、半導体装置ＳＤ１の小型化を図ることができる。このため、凹部ＲＣ１３の底面にポリイミド膜ＰＩ１が残存することを抑制することも可能となる。
なお、ｈ２は、たとえば１μｍ以上３μｍ以下とすることができる。ｗ２は、たとえば３３μｍ以上３５μｍ以下とすることができる。これにより、上記範囲のアスペクト比を実現することが容易となる。
図８においては、とくにヒューズＦＳ１が延在する第１方向（図１中左右方向）に平行な任意の断面において、凹部ＲＣ１２の高さをｈ２とし、凹部ＲＣ１２の幅をｗ２としている。しかしながら、第１方向に直交する第２方向に平行な任意の断面においても、凹部ＲＣ１２の高さをｈ２とし、凹部ＲＣ１２の幅をｗ２として、これらが上述の数値範囲を満たすように凹部ＲＣ１２を設けることが好ましい。
【００５６】
本実施形態において、凹部ＲＣ１３の幅をｗ３とする。この場合において、ｗ３／ｗ２は、１．３以上であることが好ましい。これにより、凹部ＲＣ１の上部における開口幅を十分に大きくし、凹部ＲＣ１２の側面と底面との間に形成される角部にポリイミド膜ＰＩ１が残存することをより効果的に抑制することができる。また、ｗ３／ｗ２は、１．６以下であることが好ましい。これにより、半導体装置ＳＤ１の小型化を図ることが可能となる。また、凹部ＲＣ１２の周囲に位置する凹部ＲＣ１３の底面の幅をｗ３１とした場合に、ｗ３１／ｗ２は、０．１５以上０．３以下であることが好ましい。これにより、凹部ＲＣ１１底部にポリイミド膜ＰＩ１が残存することをさらに効果的に抑制しつつ、半導体装置ＳＤ１の小型化を図ることができる。
なお、ｗ３は、たとえば４９μｍ以上５１μｍ以下とすることができる。ｗ３１は、たとえば７μｍ以上９μｍ以下とすることができる。これにより、上記数値範囲を満たす凹部ＲＣ１３を形成することが容易となる。
図８においては、とくにヒューズＦＳ１が延在する第１方向（図１中左右方向）に平行な任意の断面において、凹部ＲＣ１３の幅をｗ３とし、凹部ＲＣ１２の周囲に位置する凹部ＲＣ１３の底面の幅をｗ３１としている。しかしながら、第１方向に直交する第２方向に平行な任意の断面においても、凹部ＲＣ１３の幅をｗ３とし、凹部ＲＣ１２の周囲に位置する凹部ＲＣ１３の底面の幅をｗ３１として、これらが上述の数値範囲を満たすように凹部ＲＣ１３を設けることが好ましい。
【００５７】
図８においては、酸化膜ＯＦ１上に設けられた層間絶縁膜ＩＩ１と、層間絶縁膜ＩＩ１上に設けられた層間絶縁膜ＩＩ２と、層間絶縁膜ＩＩ２上に設けられた層間絶縁膜ＩＩ３と、層間絶縁膜ＩＩ３上に設けられた層間絶縁膜ＩＩ４と、により絶縁層ＩＬ１が構成されている。また、図８に示す例において、金属膜ＭＦ３、酸化膜ＯＦ２およびパッシベーション膜ＰＦ１は、層間絶縁膜ＩＩ４上に設けられる。なお、絶縁層ＩＬ１を構成する層間絶縁膜の層数は図８に示すものに限定されず、任意の層数とすることができる。
【００５８】
絶縁層ＩＬ１内には、たとえば金属膜ＭＦ２よりも上方に位置する金属膜ＭＦ４がさらに設けられている。金属膜ＭＦ４の一部は、凹部ＲＣ１３の側面から露出している。金属膜ＭＦ４を構成する金属材料は、とくに限定されないが、たとえばＡｌ等である。
半導体装置ＳＤ１が多層配線構造を有する場合、金属膜ＭＦ４は、たとえば任意の配線層に形成することが可能である。図８においては、層間絶縁膜ＩＩ３上に金属膜ＭＦ４が設けられる場合が例示されている。
【００５９】
本実施形態に係る半導体装置ＳＤ２は、たとえば上述した構成を除いて、第１の実施形態に係る半導体装置ＳＤ１と同様の構成を有することができる。
【００６０】
次に、本実施形態に係る半導体装置ＳＤ２の製造方法について説明する。
図９および図１０は、図８に示す半導体装置ＳＤ２の製造方法の一例を示す断面図である。図９および図１０においては、ヒューズＦＳ１が設けられる第１領域と、第１領域から離間しており、かつパッドＰＤ１が設けられる第２領域と、が示されている。
【００６１】
まず、導電膜により構成されるヒューズＦＳ１を覆うように、金属膜ＭＦ１と、金属膜ＭＦ２と、金属膜ＭＦ４と、が埋め込まれた絶縁層ＩＬ１を形成する。金属膜ＭＦ２は、金属膜ＭＦ１と重なる開口パターンＰＴ１を有する。また、金属膜ＭＦ４は、金属膜ＭＦ２の上方に位置し、かつ開口パターンＰＴ１と重なる開口パターンＰＴ１よりも大きい開口パターンＰＴ２を有する。次いで、金属膜ＭＦ３と、パッドＰＤ１と、を絶縁層ＩＬ１上に形成する。次いで、絶縁層ＩＬ１上に、金属膜ＭＦ３およびパッドＰＤ１を覆うように酸化膜ＯＦ２およびパッシベーション膜ＰＦ１を順に形成する。
これにより、図９（ａ）に示す構造が得られる。
【００６２】
次に、図９（ｂ）に示すように、パッシベーション膜ＰＦ１上にレジスト膜ＲＦ４を形成する。レジスト膜ＲＦ４には、開口パターンＰＴ２と重なり、かつ平面視において開口パターンＰＴ２よりも大きい開口パターンＰＴ７が設けられている。
【００６３】
次に、図１０（ａ）に示すように、レジスト膜ＲＦ４をマスクとして、絶縁層ＩＬ１を選択的にエッチングし、絶縁層ＩＬ１に凹部ＲＣ１を形成する。このとき、金属膜ＭＦ４のうち開口パターンＰＴ２の周囲に位置する部分と、金属膜ＭＦ２のうち開口パターンＰＴ１の周囲に位置する部分と、金属膜ＭＦ１のうち開口パターンＰＴ１下に位置する部分と、が凹部ＲＣ１内において露出するようにエッチングが行われる。この工程においては、たとえば酸化膜エッチャーを用いたドライエッチングが行われる。
【００６４】
次に、図１０（ｂ）に示すように、レジスト膜ＲＦ４をマスクとして、金属膜ＭＦ４のうち開口パターンＰＴ２の周囲に位置する部分と、金属膜ＭＦ２のうち開口パターンＰＴ１の周囲に位置する部分と、金属膜ＭＦ１のうち開口パターンＰＴ１下に位置する部分と、をエッチングにより選択的に除去する。この工程においては、たとえばアルミドライエッチャーを用いたドライエッチングが行われる。
次いで、レジスト膜ＲＦ４を、たとえばアッシング処理等により除去する。このようにして、凹部ＲＣ１３と、凹部ＲＣ１３の底面に設けられた凹部ＲＣ１２と、凹部ＲＣ１２の底面に設けられた凹部ＲＣ１１と、により構成される凹部ＲＣ１が、絶縁層ＩＬ１に形成されることとなる。
【００６５】
その後、図５〜７に示す第１の実施形態に係る半導体装置ＳＤ１の製造方法と同様に、パッドＰＤ１を露出させた後、ポリイミド膜ＰＩ１を形成する。本実施形態においては、たとえばこのようにして半導体装置ＳＤ２の製造方法が行われる。
【００６６】
本実施形態においても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６７】
（第３の実施形態）
図１１は、第３の実施形態に係る半導体装置ＳＤ３を示す断面図であり、第１の実施形態における図１に対応している。本実施形態において、ヒューズＦＳ１を構成する導電膜は、金属材料により形成される。
以下、半導体装置ＳＤ３の構成につき、詳細に説明する。
【００６８】
ヒューズＦＳ１を構成する導電膜は、金属材料により形成される。当該導電膜を形成する金属材料は、たとえばＣｕまたはＡｌである。この場合、ヒューズＦＳ１を、他の配線とともに形成することが可能となる。
図１１においては、層間絶縁膜ＩＩ１上にヒューズＦＳ１が設けられる場合が例示される。この場合、ヒューズＦＳ１は、Ｍ１配線層内に形成されることとなる。また、図１１に示す例においては、層間絶縁膜ＩＩ３により構成されるＭ２配線層内に金属膜ＭＦ１が設けられ、層間絶縁膜ＩＩ４により構成されるＭ３配線層内に金属膜ＭＦ２が設けられる。金属膜ＭＦ１および金属膜ＭＦ２は、たとえば第１の実施形態と同様の構成を有することができる。なお、本実施形態におけるヒューズＦＳ１の構成は、これに限られず、たとえば多層配線構造中の任意の配線層にヒューズＦＳ１を形成することができる。
【００６９】
本実施形態に係る半導体装置ＳＤ３は、たとえば上述した構成を除いて、第１の実施形態に係る半導体装置ＳＤ１と同様の構成を有することができる。
【００７０】
本実施形態においても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００７１】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００７２】
ＳＤ１、ＳＤ２、ＳＤ３  半導体装置
ＦＳ１  ヒューズ
ＭＦ１、ＭＦ２、ＭＦ３、ＭＦ４  金属膜
ＩＬ１  絶縁層
ＩＩ１、ＩＩ２、ＩＩ３、ＩＩ４  層間絶縁膜
ＯＦ１、ＯＦ２  酸化膜
ＰＦ１  パッシベーション膜
ＰＩ１  ポリイミド膜
ＯＰ１  開口部
ＲＣ１、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ２  凹部
ＣＰ１  コンタクトプラグ
ＰＤ１  パッド
ＩＣ１  配線
ＲＦ１、ＲＦ２、ＲＦ３、ＲＦ４  レジスト膜
ＰＴ１、ＰＴ２、ＰＴ３、ＰＴ４、ＰＴ５、ＰＴ６１、ＰＴ６２、ＰＴ７  開口パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2014241337.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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