(57)【要約】      （修正有）【課題】電力変換装置を組み上げた状態で電流分担を実測するのが容易な構成を提供する。【解決手段】第一の半導体回路と、第二の半導体回路が並列接続されることにより、交流の１相分の電力変換を担当するとともに、第一と第二の半導体回路はそれぞれモジュール化されており、モジュール化された第一の半導体回路ＭＢＵａは、第一の正極側スイッチング素子ＳＢＵ１１と第一の負極側スイッチング素子ＳＢＵ２１との接続点である第一の交流端子ＴＢＵａ３を備え、モジュール化された第二の半導体回路ＭＢＵｂは、第二の正極側スイッチング素子ＳＢＵ１２と第二の負極側スイッチング素子ＳＢＵ２２との接続点である第二の交流端子ＴＢＵｂ３を備え、第一の交流端子と負荷を接続する第一の交流導体ＬＢＵａと、第二の交流端子と負荷を接続する第二の交流導体ＬＢＵｂとが、第一および第二の交流端子とは別の第三の端子ＴＢＵ３で接続される。【選択図】図１
2014103803.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交流と直流の間での電力変換を行うための電力変換装置であって、
第一の正極側スイッチング素子及び第一の負極側スイッチング素子が直列接続された第一の半導体回路と、第二の正極側スイッチング素子及び第二の負極側スイッチング素子が直列接続された第二の半導体回路が並列接続されることにより、前記交流の１相分の電力変換を担当するとともに、前記第一と第二の半導体回路はそれぞれモジュール化されており、
前記モジュール化された前記第一の半導体回路は、前記第一の正極側スイッチング素子と第一の負極側スイッチング素子との接続点である第一の交流端子を備え、
前記モジュール化された前記第二の半導体回路は、第二の正極側スイッチング素子と第二の負極側スイッチング素子との接続点である第二の交流端子を備え、
前記第一の交流端子と負荷を接続する第一の交流導体と、前記第二の交流端子と負荷を接続する第二の交流導体とが、前記第一および第二の交流端子とは別の第三の端子で接続されていることを特徴とする電力変換装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電力変換装置であって、
前記モジュール化された前記第一と第二の半導体回路は、冷却ブロックのおもて面上に配置され、前記交流の他の相を構成する前記モジュール化された前記第一と第二の半導体回路は、冷却ブロックのうら面上に配置されていることを特徴とする電力変換装置。
【請求項３】
第一の交流を直流に変換する第一の交直変換回路と、前記直流を第二の交流に変換する第二の交直変換回路で構成された請求項２に記載の電力変換装置であって、
前記冷却ブロックのおもて面上に前記第一の交直変換回路の前記モジュール化された前記第一と第二の半導体回路を配置し、前記冷却ブロックのうら面上に前記第二の交直変換回路の前記モジュール化された前記第一と第二の半導体回路を配置することによりコンバータ／インバータ１相分ユニットを形成していることを特徴とする電力変換装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の電力変換装置であって、
電力変換装置を構成する各部品が筐体内に収納されており、筐体の扉を開いた位置に、前記第３の端子が配置されていることを特徴とする電力変換装置。
【請求項５】
請求項３に記載の電力変換装置であって、
前記第一の交流及び前記第二の交流の少なくとも一方が三相交流であり、
電力変換装置を構成する各部品が筐体内に収納されており、３組の前記コンバータ／インバータ１相分ユニットが並列に配置されて収納されていることを特徴とする電力変換装置。
【請求項６】
請求項５に記載の電力変換装置であって、
電力変換装置を構成する各部品が筐体内に収納されており、筐体の扉を開いた位置に、前記３組のコンバータ／インバータ１相分ユニットに対応する複数の前記第３の端子が配置されていることを特徴とする電力変換装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の電力変換装置であって、
第３の端子部分において前記第一の交流導体に流れる電流と、前記第二の交流導体に流れる電流と、第三の端子に流れる合成電流を観測することを特徴とする電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体スイッチング素子が直列接続されたモジュールを用いた電力変換装置に係り、特に複数のモジュールを並列接続して構成された電力変換装置を実装するための構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）等の高速半導体スイッチング素子を用いた電力変換装置が様々な分野で使われている。特に近年では、半導体技術の進歩により大容量半導体モジュールが実現されている。モジュール化は半導体スイッチ個々のモジュール化ばかりでなく、インバータのアームを構成する上下の半導体スイッチを１つのモジュールで構成したアーム部の半導体モジュールも数多く利用されている。また大容量化のために、アーム部の半導体モジュールを、さらに複数並列接続して使用することもある。
【０００３】
このように大容量化にはアーム部の半導体モジュールの並列接続が避けられないが、並列接続した場合には、各半導体素子モジュールの電流分担を均等化しないと責務の重い側の半導体素子モジュールで使用条件あるいは寿命が決まってしまうため、バランスさせることが必要となる。
【０００４】
アーム部の半導体モジュール並列接続の場合における電流均等化に寄与する主な要因は、半導体素子特性の差異、ゲート駆動回路の差異及び主回路配線インダクタンスの差異などが挙げられる。従って、これらの要因ごとに対策すれば、電流均等化が実現できることにはなる。
【０００５】
このための具体的取組として、例えば素子特性の差異については並列素子間で特性を揃えるように選別するなどの策が講じられることが多い。ゲート駆動回路については、並列素子に対して共通の駆動電源回路とすること、ゲート配線長を同一にするなどの対応策がとられる。
【０００６】
また主回路配線インダクタンスの均等化については、特許文献１及び特許文献２に示すような方法がある。特許文献１では、直流電源となる平滑コンデンサと上下のＩＧＢＴ一巡回路のインダクタンスを低減かつ均等化を図る構造になっており、特許文献１の図２３に示すように正極及び負極導体を積層導体としている。
【０００７】
また特許文献２では、並列接続されたＩＧＢＴモジュールの交流端子から負荷へのインダクタンス不均等を抑制するために、導体に切り欠きを設ける等の工夫をしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００７−１５１２８６号公報
【特許文献２】特開２０１２−９５４７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記の各観点での対応策はそれぞれに実施されているが、このうち半導体素子特性の差異について詳述すると、半導体スイッチＩＧＢＴの特性選別に関し、導通損失を支配する飽和電圧Ｖｃｅ（ｓａｔ）についてはランク分けされているなど選別がしやすい。しかし、ゲート閾値電圧Ｖｇｅ（ｔｈ）や入力容量Ｃｉｅｓについては通常は選別されていない。このような場合に、極端に半導体素子特性が異なると電流不均等が発生する。
【００１０】
而して、アーム部の半導体モジュールを並列接続して最終的に筐体（あるいは収納盤）内に実装が完了した状態での電力変換装置についてみると、ＩＧＢＴモジュール周辺の配線導体は高密度実装されているため、電力変換装置を組み上げた状態で複数のアーム部の半導体モジュール間の電流分担を実測するのは困難である。
【００１１】
以上のことから本発明が解決しようとする課題は、電力変換装置を組み上げた状態で電流分担を実測するのが容易な構成を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の課題を解決するために、本発明では、交流と直流の間での電力変換を行うための電力変換装置であって、第一の正極側スイッチング素子及び第一の負極側スイッチング素子が直列接続された第一の半導体回路と、第二の正極側スイッチング素子及び第二の負極側スイッチング素子が直列接続された第二の半導体回路が並列接続されることにより、交流の１相分の電力変換を担当するとともに、第一と第二の半導体回路はそれぞれモジュール化されており、モジュール化された第一の半導体回路は、第一の正極側スイッチング素子と第一の負極側スイッチング素子との接続点である第一の交流端子を備え、モジュール化された第二の半導体回路は、第二の正極側スイッチング素子と第二の負極側スイッチング素子との接続点である第二の交流端子を備え、第一の交流端子と負荷を接続する第一の交流導体と、第二の交流端子と負荷を接続する第二の交流導体とが、第一および第二の交流端子とは別の第三の端子で接続されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
上記のような構成とすることで、電力変換装置を組み上げた状態のまま電流不均等を観測することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】半導体モジュールを複数並列接続した構成を示す図。
【図２】２組の交直変換回路で構成された電力変換装置の例を示す図。
【図３（ａ）】半導体モジュールを並列接続した構成のおもて面を表す図。
【図３（ｂ）】両面実装した時の側面図を示す図。
【図４】２組の交直変換回路で構成された電力変換装置を筐体に収納した例を示す図。
【図５】共通接続用端子ＴＢとしてＵ相の共通接続用端子ＴＢＵ３の構成を示す図。
【図６】計測された電流の例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１６】
なお、以下の実施例において、スイッチングモジュールは、半導体スイッチング素子であるＩＧＢＴとＩＧＢＴに逆並列に接続される環流ダイオードをそれぞれ２つずつ内蔵している場合で説明するが、ＩＧＢＴ以外のほかのスイッチング素子でも構わない。
【実施例１】
【００１７】
図２は、２組の交直変換回路で構成された電力変換装置の例を示している。この図で２組の交直変換回路１Ａ，１Ｂは、半導体スイッチング素子Ｓ（例えばＩＧＢＴ）を用いた３相変換回路であり、交直変換回路１Ａ，１Ｂの一方（例えば１Ａ）で交流を直流に変換し、直流回路を介して交直変換回路１Ａ，１Ｂの他方（例えば１Ｂ）で交流に変換する。
【００１８】
具体的には、インバータ運転を行う交直変換回路１Ｂでは、平滑コンデンサＣを直流電源とし、図示せぬ制御装置からの点弧信号に応じて各スイッチング素子ＳＢＵ，ＳＢＶ，ＳＢＷをオフ／オンすることにより、負荷側（Ｕ，Ｖ，Ｗ相側）に所望の電力を供給する。コンバータ運転を行う交直変換回路１Ａでは、交流電源（Ｒ，Ｓ，Ｔ相側）を、図示せぬ制御装置からの点弧信号に応じて各スイッチング素子ＳＢＲ，ＳＢＳ，ＳＢＴをオフ／オンすることにより、直流に変換し平滑コンデンサＣを充電する。
【００１９】
図示せぬ制御装置では、電力変換装置に流入出する電流や、直流回路部分の電圧、電動機の速度等を検出し、電力変換装置を制御している。なお、図では、スイッチング素子を駆動するゲート回路については記載省略しており、耐圧保護を目的に必要に応じて接続されるスナバ回路についても記載省略している。
【００２０】
なお本発明は２組の交直変換回路１Ａ，１Ｂを備えた電力変換装置１にのみ適用可能なわけではなく、交流と直流の間での変換を行う１組の交直変換回路（１Ａまたは１Ｂ）で構成された電力変換装置にも適用可能である。
【００２１】
図２において、交直変換回路１ＡはＲ、Ｓ，Ｔ相で示される交流回路に接続され，交直変換回路１ＢはＵ，Ｖ，Ｗ相で示される交流回路に接続される。また交直変換回路１Ａ，１Ｂは、半導体スイッチング素子Ｓを３相グレーツ結線したものであり、半導体スイッチング素子Ｓに付した記号Ａ，Ｂは、交直変換回路１Ａと１Ｂの側の素子であることを表す。また記号Ｒ，Ｓ，ＴとＵ、Ｖ、Ｗは三相交流の各相を意味している。さらに半導体スイッチング素子Ｓに付した記号１，２により、アーム構成における正側の素子（１）と負側の素子（２）を区別している。
【００２２】
また記号Ｍは、アーム部の半導体素子モジュールを表しており、これに付した記号Ａ，Ｂと記号Ｒ，Ｓ，Ｔ、Ｕ、Ｖ、Ｗは前述したとおり、交直変換回路１Ａと１Ｂの区別、三相交流の各相を表している。
【００２３】
以上の表記約束から明らかなように、例えばＭＡＲは交直変換回路１ＡのＲ相に接続されるアーム部の半導体素子モジュールであり、ＭＢＵは交直変換回路１ＢのＵ相に接続されるアーム部の半導体素子モジュールであることを意味する。他のアーム部の半導体素子モジュールも同様に理解することができるので、個々のアーム部の半導体素子モジュールについての説明を省略する。
【００２４】
なお、アーム部の半導体素子モジュールとして例えばＭＡＲは、２つの半導体スイッチング素子ＳＡＲ１とＳＡＲ２が直列接続され、正極側スイッチング素子ＳＡＲ１の負極側端子と負極側スイッチング素子ＳＡＲ２の正極側端子である交流端子はモジュール内部の導体で接続されている。また直列接続された２つの半導体スイッチング素子ＳＡＲ１とＳＡＲ２の両端が直流回路ＤＣの正極側ＤＣ＋と、負極側ＤＣ−に接続されている。さらに直流回路ＤＣには正負極間に平滑コンデンサＣが設置されている。
【００２５】
図１は、図２における１つのアーム部の半導体モジュールを、さらに複数並列接続した構成を示している。ここでは、アーム部の半導体モジュールとしてＭＢＵの例を示している。交直変換回路１ＢのＵ相に接続されるアーム部の半導体素子モジュールＭＢＵは、ＭＢＵａとＭＢＵｂが並列接続されている。
【００２６】
図１に示すように、正極側スイッチング素子ＳＢＵ１１と負極側スイッチング素子ＳＢＵ２１とは１つのモジュールＭＢＵａで構成されている。同様に正極側スイッチング素子ＳＢＵ１２と負極側スイッチング素子ＳＢＵ２２とは１つのモジュールＭＢＵｂで構成されている。また正極側スイッチング素子ＳＢＵ１１とＳＢＵ１２とが並列に接続され、負極側スイッチング素子ＳＢＵ２１とＳＢＵ２２とが並列に接続されている。なお、正極側の導体と負極側の導体は並列接続したスイッチングモジュールのインダクタンスが均等になるように実装される。
【００２７】
正極側スイッチング素子ＳＢＵ１１と負極側スイッチング素子ＳＢＵ２１との接続点である交流端子ＴＢＵａ３と、正極側スイッチング素子ＳＢＵ１２と負極側スイッチング素子ＳＢＵ２２との接続点である交流端子ＴＢＵｂ３は、端子ＴＢＵ３にて接続され、２並列の入出力を結合する構造となっている。
【００２８】
なお電力変換装置１の制御に用いる電流検出器１１は結合後の後段に設けてある。なお、詳細を図示していないが他の２相も同一の構造となっている。
【００２９】
２つのモジュールの外部接続関係についてさらに詳細に説明する。アーム部の半導体素子モジュールＭＢＵａとＭＢＵｂは、それぞれ直流回路側に接続するための直流端子（ＴＢＵａ１，ＴＢＵａ２と、ＴＢＵｂ１，ＴＢＵｂ２）と交流回路側（Ｕ相）に接続するための交流端子（ＴＢＵａ３とＴＢＵｂ３）とを備えている。直流端子（ＴＢＵａ１とＴＢＵｂ１）は直流回路の正極ＤＣ＋に接続され、直流端子（ＴＢＵａ２とＴＢＵｂ２）は直流回路の負極ＤＣ−に接続される。
【００３０】
本発明では交流回路側（Ｕ相）に接続するための交流端子（ＴＢＵａ３とＴＢＵｂ３）を共通に接続するが、共通接続用端子ＴＢＵ３は、交流端子（ＴＢＵａ３とＴＢＵｂ３）から配線ＬＢＵａ、ＬＢＵｂを介して遠隔の位置に配置されている。また以後の図示で明らかなように、Ｕ相の共通接続用端子ＴＢＵ３は、他の相の共通接続用端子とともに纏めて同じ個所に配置される。
【００３１】
図３（ａ）は、アーム部の半導体モジュールを並列接続した構成の平面図を示している。平面図にはＵ相の機器配置が表されている。この図で１３は、アーム部の半導体モジュールＭＢＵａとＭＢＵｂを搭載するとともに、ここで発生した熱を除去するための冷却ブロックである。なお、半導体モジュールでの発熱は冷却ブロック１３から冷却器１２に伝達されて外部に放熱される。
【００３２】
図３（ａ）では、図１における４個のスイッチング素子ＳＢＵ１１，ＳＢＵ１２，ＳＢＵ２１，ＳＢＵ２２，従って２つのモジュールＭＢＵａとＭＢＵｂが冷却器１２の冷却ブロック１３に取り付けられている。ここではヒートパイプ式の冷却器を図示しているが、ヒートシンクでも構わない。
【００３３】
なおこの実装に関して以下の点に配慮するのが良い。まずスイッチングモジュールの動作時における跳ね上がり電圧を抑制するために、モジュールと平滑コンデンサＣで構成される一巡回路のインダクタンスを低減する必要がある。このため、２つのモジュールＭＢＵａとＭＢＵｂの部品実装に際しては、中央側に２つのモジュールの直流端子を配置し、交流端子ＴＢＵａ３、ＴＢＵｂ３を外側に向けて実装する。特に２つのモジュールの直流端子については、正極端子と、負極端子が対向するように実装する。図３（ａ）の例では、正極端子ＴＢＵａ１と、負極端子ＴＢＵｂ２が対向し、正極端子ＴＢＵｂ１と、負極端子ＴＢＵａ２が対向する位置に配置される。
【００３４】
なお平滑コンデンサＣの実装位置は図示していないが、スイッチングモジュール間のインダクタンスが均等になるよう実装される。また、図では導体配線については記載省略している。
【００３５】
アーム部の半導体モジュールＭＢＵａとＭＢＵｂには、それぞれ直流端子（ＴＢＵａ１，ＴＢＵａ２と、ＴＢＵｂ１，ＴＢＵｂ２）と交流端子（ＴＢＵａ３とＴＢＵｂ３）とを備えている。交流端子ＴＢＵａ３と共通接続用端子ＴＢＵ３の間は配線ＬＢＵａで接続され、交流端子ＴＢＵｂ３と共通接続用端子ＴＢＵ３の間は配線ＬＢＵｂで接続されている。このように２つの配線ＬＢＵａ、ＬＢＵｂは，Ｕ相の共通接続用端子ＴＢＵ３に導入されて接続され、Ｕ相端子として外部に導かれる。また図示していないが、直流端子ＴＢＵａ１とＴＢＵｂ１は直流回路ＤＣの正極に共通に接続され、直流端子ＴＢＵａ２とＴＢＵｂ２は直流回路ＤＣの負極に共通に接続される。
【００３６】
図３（ａ）は、アーム部の半導体モジュールを並列接続した構成のおもて面を表しているが、うら面も同様の考えで配置構成することで実装密度を上げることができる。図３（ｂ）は両面実装した時の側面図を示している。両面実装する時のうら面の相は、同一交直変換回路内の別相としてもよいが、図２のように２組の交直変換回路で構成された電力変換装置とするのであれば、うら面には他の交直変換回路内の相とするのが良い。
【００３７】
図３（ｂ）ではうら面に他の交直変換回路１Ａ内のＲ相であるアーム部の半導体モジュールＭＡＲを構成した例を示している。なお図２のように２組の交直変換回路１Ａ，１Ｂで構成された電力変換装置１では、一方の交直変換回路をコンバータ、他方の交直変換回路をインバータとして機能させるので、この図３の構成は、コンバータ／インバータ１相分ユニットと呼ぶべきものである。なおうら面において、アーム部の半導体モジュールＭＡＲはＭＡＲａとＭＡＲｂで構成されており、ここからの２つの配線ＬＡＲ１、ＬＡＲｂはＲ相の共通接続用端子ＴＢＲ３に導入されて接続され、Ｒ相端子として外部に導かれる。なおＵ相の共通接続用端子ＴＢＵ３と、Ｒ相の共通接続用端子ＴＢＲ３は、共通の端子台ＴＵＲ３に纏めて配置される。
【００３８】
図４は、図２の２組の交直変換回路で構成された電力変換装置を筐体１０内に収納した図を示しており、筐体前面の扉を開いた状態で視認可能な部品の配置関係を示している。３組のコンバータ／インバータ１相分ユニットＹ（ＹＵＲ，ＹＶＳ，ＹＷＴ）は、冷却器１２を上側に、冷却ブロック１３を下側に配置した高さ位置関係で、横方向に３組配置されている。筐体１０の扉前面には端子台Ｔが配置されている。端子台Ｔは、直列配置された３個の端子台ＴＵＲ，ＴＶＳ，ＴＷＴで構成されている。
【００３９】
このうち、端子台ＴＵＲにはＵ相の共通接続用端子ＴＢＵ３と、Ｒ相の共通接続用端子ＴＢＲ３が設けられ、同様に、端子台ＴＶＳにはＶ相の共通接続用端子ＴＢＶ３と、Ｓ相の共通接続用端子ＴＢＳ３が設けられ、端子台ＴＷＴにはＷ相の共通接続用端子ＴＢＷ３と、Ｔ相の共通接続用端子ＴＢＴ３が設けられている。各共通接続用端子には、並列接続されたアーム部の半導体モジュールからの配線が導入され、結線されている。
【００４０】
図５は、共通接続用端子ＴＢとしてＵ相の共通接続用端子ＴＢＵ３の構成を示している。同一相の複数のアーム部の半導体モジュールＭＢＵａ，ＭＢＵｂからの配線ＬＢＵａ、ＬＢＵｂは共通接続用端子ＴＢＵ３で接続され、Ｕ相とされる。
【００４１】
筐体１０内には、上記回路部品以外にも直流回路の平滑コンデンサＣあるいは各種結線のための配線なども収納されている。このため、筐体内は手狭であり、一般には電力変換装置を組み上げた状態で複数のアーム部の半導体モジュール間の電流分担を実測するのは困難である。
【００４２】
これに対し本発明の場合には、筐体１０前面に設けられた端子台Ｔの共通接続用端子の部分で、複数のアーム部の半導体モジュールの電流を実測することができる。例えば図５に示すＵ相の共通接続用端子ＴＢＵ３には、２組の半導体モジュールに接続される端子が準備されているので、この部分で各電流が計測可能である。
【００４３】
図３、図４に示すように部品配置をすると、図１における各相のスイッチングモジュールＭＡＲ，ＭＡＳ，ＭＡＴ，ＭＢＵ、ＭＢＶ，ＭＢＷにおいて交流端子が実装上の外側となる配置になっているため、図１に示すように、第一の半導体モジュールの交流端子ＴＢＵａ３を流れる電流と、第二の半導体モジュールの交流端子ＴＢＵｂ３を通って流れる電流とを結合端子ＴＢＵ３の前段において汎用性のある電流検出器で観測できる構造であり、実装状態のまま電流不均等を観測することが可能となる。
【００４４】
本発明により計測される波形例を図６に示す。図６では図１に対応するＵ相の各部電流を示しており、ｉｕが電流検出器１１により検知されたＵ相電流、ｉｕａが電流検出器１１ａにより検知されたＵ相電流のモジュールＭＢＵａ側電流、ｉｕｂが電流検出器１１ｂにより検知されたＵ相電流のモジュールＭＢＵｂ側電流を表している。
【００４５】
以上詳細に説明した本発明の電力変換装置を図１のＵ相の構成で示すと、
第一の正極側スイッチング素子ＳＢＵ１１及び第一の負極側スイッチング素子ＳＢＵ２１が直列接続された第一の半導体回路ＭＢＵａと，
第二の正極側スイッチング素子ＳＢＵ１２及び第二の負極側スイッチング素子ＳＢＵ２２が
直列接続された第二の半導体回路ＭＢＵｂを有し、
第１の正極側スイッチング素子ＳＢＵ１１と第一の負極側スイッチング素子ＳＢＵ２１との接続点である第一の交流端子ＴＢＵａ３と、
第二の正極側スイッチング素子ＳＢＵ１２と第二の負極側スイッチング素子ＳＢＵ２２との接続点である第二の交流端子ＴＢＵｂ３を有し、
第一の交流端子ＴＢＵａ３と負荷を接続する第一の交流導体ＬＢＵａと
第二の交流端子ＴＢＵｂ３と負荷を接続する第二の交流導体ＬＢＵｂとが
第一および第二の交流端子とは別の第三の端子ＴＢＵ３で接続されているものということができる。
【符号の説明】
【００４６】
１Ａ，１Ｂ：交直変換回路
Ｓ、ＳＢＵ，ＳＢＶ，ＳＢＷ、ＳＢＲ，ＳＢＳ，ＳＢＴ：半導体スイッチング素子
Ｃ：平滑コンデンサ
Ｒ、Ｓ，Ｔ：三相交流の相
Ｕ，Ｖ，Ｗ：三相交流の相
Ｍ、ＭＢＵ，ＭＢＶ，ＭＢＷ，ＭＡＲ，ＭＡＳ，ＭＡＴ：アーム部の半導体素子モジュール
ＤＣ：直流回路
ＤＣ＋：正極側
ＤＣ−：負極側
ＭＢＵａ、ＭＢＵｂ：並列接続されたアーム部の半導体素子モジュール
ＴＢＵａ１，ＴＢＵａ２、ＴＢＵｂ１，ＴＢＵｂ２：直流端子
ＴＢＵａ３、ＴＢＵｂ３：交流端子
１３：冷却ブロック
１２：冷却器
ＴＢＵ３：共通接続用端子
ＬＢＵａ、ＬＢＵｂ：配線
【図１】
2014103803.tif 000003
【図２】
2014103803.tif 000004
【図３（ａ）】
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【図３（ｂ）】
2014103803.tif 000006
【図４】
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【図５】
2014103803.tif 000008
【図６】
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