(57)【要約】【課題】リーク電流の発生をより確実に防止することができる表示装置およびこの製造方法、並びに電子機器の製造方法を提供することにある。【解決手段】複数の第１電極を形成する工程と、前記第１電極から電極間領域を覆う機能層を形成する工程と、前記機能層に局所的にエネルギー線を照射して、前記電極間領域の機能層に断線部または高抵抗部を形成する工程とを含む表示装置の製造方法。【選択図】図１
2014032817.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１電極を形成する工程と、
前記第１電極から電極間領域を覆う機能層を形成する工程と、
前記機能層に局所的にエネルギー線を照射して、前記電極間領域の機能層に断線部または高抵抗部を形成する工程と
を含む表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記電極間領域に隔壁を設け、前記隔壁を覆う機能層にエネルギー線を照射する
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記エネルギー線を、前記第１電極の表面に対して９０度未満の角度で照射する
請求項２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記機能層は、前記第１電極と発光層との間の正孔注入層である
請求項２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記機能層は、発光層および前記発光層と前記第１電極との間の正孔注入層である
請求項２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記機能層に断線部または高抵抗部を設けた後、前記機能層を間にして前記第１電極と対をなす第２電極を形成する
請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記エネルギー線の照射により、前記断線部を設けると共に前記隔壁に埋設された端子の表面を露出させ、
前記端子を前記第２電極に電気的に接続させる
請求項６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記エネルギー線の照射により、前記断線部を設けると共に前記隔壁を削り、
前記機能層を間にして前記第１電極と対をなす第２電極を形成する
請求項２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記エネルギー線の照射により、隣り合う前記第１電極の間の間隙を形成する
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記エネルギー線としてイオンビーム，原子ビーム，分子ビーム，電子ビームあるいはレーザビームのいずれかを用いる
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
表示装置を製造する工程を備え、
前記表示装置を製造する工程は、
複数の第１電極を形成する工程と、
前記第１電極から電極間領域を覆う機能層を形成する工程と、
前記機能層に局所的にエネルギー線を照射して、前記電極間領域の機能層に断線部または高抵抗部を形成する工程とを含む
電子機器の製造方法。
【請求項１２】
複数の第１電極と、
前記第１電極から電極間領域を覆うと共に、局所的にエネルギー線が照射されて前記電極間領域に断線部または高抵抗部が設けられた機能層と
を備えた表示装置。
【請求項１３】
前記電極間領域に設けられた隔壁と、
前記機能層を間にして前記第１電極と対向する第２電極と、
前記隔壁に埋設されると共に前記第２電極に電極的に接続された端子とを有する
請求項１２に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、例えば正孔注入層や発光層等の機能層を有する表示装置およびその製造方法、並びに電子機器の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットパネルディスプレイの一つとして、有機ＥＬ（Electroluminescence）素子を用いたディスプレイが注目されている。このディスプレイは、自発光型であるので視野角が広く、消費電力が低いという特性を有している。また、有機ＥＬ素子は高精細度の高速ビデオ信号に対しても十分な応答性を有するものと考えられており、実用化に向けて開発が進められている。
【０００３】
有機ＥＬ素子の構成としては、例えば第１電極，発光層を含む有機層および第２電極を順に積層したものが知られている。隣り合う第１電極の間の領域（電極間領域）には絶縁膜からなる隔壁が設けられる。有機層の形成方法としては主に２つの方法があり、蒸着マスクを用いて赤，緑および青の各色の発光層を素子毎に別々に蒸着する方法と、蒸着マスクを用いず、素子に共通の赤，緑および青の各色の発光層を積層して形成する方法とがある。高解像度や開口率の向上のためには、後者の方法が有利となる。
【０００４】
しかし後者の方法では、隣接する素子間で有機層（特に、正孔注入層）を介して駆動電流のリークが発生し易くなる。このリーク電流により、非発光素子が発光素子からの影響で発光してしまい、混色や発光効率の低下の原因となる。
【０００５】
これに対し、特許文献１では逆テーパ形状に設けた隔壁により、素子間で正孔注入層を高抵抗化してリークの発生を防ぐ方法を提案している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−４３４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら特許文献１の方法では、正孔注入層の高抵抗化を十分に行うことができなかったため、より確実にリーク電流を防ぐ方法の開発が望まれていた。
【０００８】
本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、リーク電流の発生をより確実に防止することができる表示装置およびその製造方法、並びに電子機器の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本技術による表示装置の製造方法は、複数の第１電極を形成する工程と、第１電極から電極間領域を覆う機能層を形成する工程と、機能層に局所的にエネルギー線を照射して、電極間領域の機能層に断線部または高抵抗部を形成する工程とを含むものである。
【００１０】
本技術による電子機器の製造方法は、上記表示装置の製造方法を用いたものである。
【００１１】
本技術の表示装置の製造方法または電子機器の製造方法では、エネルギー線の照射により機能層に断線部または高抵抗部が形成されるので、機能層を介した電流の流れは電極間領域で遮断される。
【００１２】
本技術の表示装置は、複数の第１電極と、第１電極から電極間領域を覆うと共に、局所的にエネルギー線が照射されて電極間領域に断線部または高抵抗部が設けられた機能層とを備えたものである。
【００１３】
本技術の表示装置では、断線部により機能層を介した電流の流れが電極間領域で遮断される。
【００１４】
本技術の他の表示装置の製造方法は、複数の第１電極を形成する工程と、第１電極の電極間領域に端子および端子を埋設する隔壁を形成する工程と、隔壁にエネルギー線を照射して隔壁に埋設された端子の表面を露出させ、機能層を間にして第１電極と対向する第２電極に端子を電気的に接続させる工程とを含むものである。
【００１５】
本技術の他の表示装置の製造方法では、第２電極は隔壁に埋設された端子に電気的に接続されるので、第２電極を接続するための電極パッドが配置されていた領域をなくすことができる。例えば、表示領域の周囲に設けられていた電極パッドが不要となり、表示領域とダイシング領域との間の領域（周縁部）を狭くすることができる。また、エネルギー線の照射により、隔壁が削られて平坦化されるので第２電極の断線が抑えられる。
【発明の効果】
【００１６】
本技術の表示装置およびその製造方法、並びに電子機器の製造方法によれば、エネルギー線の照射により機能層に断線部または高抵抗部を設けるようにしたので、より確実にリーク電流の発生を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本技術の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した表示装置の全体構成を表す図である。
【図３】図２に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図４】図１に示した隔壁の他の例を表す断面図である。
【図５Ａ】図１に示した表示装置の製造工程を表す断面図である。
【図５Ｂ】図５Ａに続く工程を表す断面図である。
【図５Ｃ】図５Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図６Ａ】図５Ｃに続く工程を表す断面図である。
【図６Ｂ】図６Ａに続く工程を表す断面図である。
【図６Ｃ】図６Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図７Ａ】図６Ｃに続く工程を表す断面図である。
【図７Ｂ】図７Ａに続く工程を表す断面図である。
【図８Ａ】図７Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図８Ｂ】図８Ａに続く工程を表す断面図である。
【図９Ａ】図８Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図９Ｂ】図９Ａに続く工程を表す断面図である。
【図１０】図９Ａに示した工程の他の例を表す断面図である。
【図１１Ａ】図９Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図１１Ｂ】図１１Ａに続く工程を表す断面図である。
【図１２】比較例に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図１３】変形例１に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図１４Ａ】図１３に示した表示装置の製造工程を表す断面図である。
【図１４Ｂ】図１４Ａに続く工程を表す断面図である。
【図１５】変形例２に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図１６】本技術の第２の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図１７】図１６に示した表示装置の製造工程を表す断面図である。
【図１８Ａ】図１６に示した表示装置の他の例を表す断面図である。
【図１８Ｂ】図１８Ａに示した表示装置の他の例を表す断面図である。
【図１９】本技術の第３の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２０Ａ】図１９に示した表示装置の製造工程の一例を表す断面図である。
【図２０Ｂ】図２０Ａに続く工程を表す断面図である。
【図２１Ａ】図１９に示した表示装置の製造工程の他の例を表す断面図である。
【図２１Ｂ】図２１Ａに続く工程を表す断面図である。
【図２２】本技術の第４の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２３Ａ】図１２に示した表示装置の構成を表す平面図である。
【図２３Ｂ】図２３ＡのＢ−Ｂ線に沿った断面構成を表す図である。
【図２４Ａ】図２２に示した表示装置の製造工程を表す断面図である。
【図２４Ｂ】図２４Ａに続く工程を表す断面図である。
【図２４Ｃ】図２４Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図２５Ａ】図２４Ｃに続く工程を表す断面図である。
【図２５Ｂ】図２５Ａに続く工程を表す断面図である。
【図２５Ｃ】図２５Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図２６】図１等に示した表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図２７】適用例１の外観を表す斜視図である。
【図２８Ａ】適用例２の表側から見た外観を表す斜視図である。
【図２８Ｂ】適用例２の裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図２９】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図３０】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図３１Ａ】適用例５の閉じた状態を表す図である。
【図３１Ｂ】適用例５の開いた状態を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（正孔注入層に断線部を設けた表示装置：トップエミッション型）
２．変形例１（正孔注入層に高抵抗部を設けた表示装置）
３．変形例２（正孔注入層に断線部を設けた表示装置：ボトムエミッション型）
４．第２の実施の形態（エネルギー線照射により隔壁の平滑化がなされた表示装置）
５．第３の実施の形態（正孔注入層と共に発光層にも断線部が設けられた表示装置）
６．第４の実施の形態（隔壁に端子が埋設された表示装置）
【００１９】
＜第１の実施の形態＞
［表示装置の全体構成］
図１は、本技術の第１の実施の形態に係る表示装置（表示装置１）の要部断面構成を表したものである。この表示装置１は、複数の有機ＥＬ素子１０を備えた自発光型の表示装置であり、支持基板１１の上に、画素駆動回路形成層Ｌ１、有機ＥＬ素子１０を含む発光素子形成層Ｌ２および対向基板２１をこの順に有している。表示装置１は対向基板２１側に光取り出し方向を有する、所謂トップエミッション型の表示装置であり、画素駆動回路形成層Ｌ１には、例えば映像表示用の信号線駆動回路や走査線駆動回路（図示せず）が含まれている。各構成要素の詳細については後述する。
【００２０】
図２は、表示装置１の全体構成を表すものである。表示装置１は、支持基板１１の上に表示領域１１０を有し、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられる。支持基板１１上の表示領域１１０の周辺には、例えば映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０、走査線駆動回路１３０および電源供給線駆動回路１４０が設けられている。
【００２１】
表示領域１１０には、マトリクス状に二次元配置された複数の有機ＥＬ素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）と、それらを駆動するための画素駆動回路１５０とが形成されている。有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ、赤色、緑色、青色を発光する有機ＥＬ素子１０を意味する。画素駆動回路１５０において、列方向（Ｙ方向）には複数の信号線１２０Ａ（１２０Ａ１，１２０Ａ２，・・・，１２０Ａｍ，・・・）および複数の電源供給線１４０Ａ（１４０Ａ１，・・・，１４０Ａｎ，・・・）が配置され、行方向（Ｘ方向）には複数の走査線１３０Ａ（１３０Ａ１，・・・，１３０Ａｎ，・・・）が配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの各交差点に、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つが対応して設けられている。各信号線１２０Ａはその両端が信号線駆動回路１２０に接続され、各走査線１３０Ａはその両端が走査線駆動回路１３０に接続され、各電源供給線１４０Ａはその両端が電源供給線駆動回路１４０に接続されている。
【００２２】
信号線駆動回路１２０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を、信号線１２０Ａを介して選択された有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに供給するものである。信号線１２０Ａには、その両端から信号線駆動回路１２０からの信号電圧が印加される。
【００２３】
走査線駆動回路１３０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどによって構成されている。走査線駆動回路１３０は、各有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂへの映像信号の書き込みに際し行単位でそれらを走査し、各走査線１３０Ａに走査信号を順次供給するものである。走査線１３０Ａには、その両端から走査線駆動回路１３０からの走査信号が供給される。
【００２４】
電源供給線駆動回路１４０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどによって構成されている。電源供給線駆動回路１４０は、信号線駆動回路１２０による列単位の走査と同期して、各電源供給線１４０Ａに対し、各々の両端から、互いに異なる第１電位および第２電位のいずれかを適宜供給する。これにより、後述する駆動トランジスタＴｒ１の導通状態または非導通状態の選択が行われる。
【００２５】
画素駆動回路１５０は、支持基板１１と有機ＥＬ素子１０との間の階層、すなわち画素駆動回路形成層Ｌ１（後述のＴＦＴ層１２）に設けられている。図３に、画素駆動回路１５０の一構成例を表す。画素駆動回路１５０は、駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２と、その間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、有機ＥＬ素子１０とを有するアクティブ型の駆動回路である。有機ＥＬ素子１０は、電源供給線１４０Ａおよび共通電源供給線（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１と直列に接続されている。駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成され、その構成は例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガ構造（トップゲート型）でもよく、特に限定されない。
【００２６】
書込トランジスタＴｒ２は、例えばドレイン電極が信号線１２０Ａと接続されており、信号線駆動回路１２０からの映像信号が供給されるようになっている。また、書込トランジスタＴｒ２のゲート電極は走査線１３０Ａと接続されており、走査線駆動回路１３０からの走査信号が供給されるようになっている。さらに、書込トランジスタＴｒ２のソース電極は、駆動トランジスタＴｒ１のゲート電極と接続されている。
【００２７】
駆動トランジスタＴｒ１は、例えばドレイン電極が電源供給線１４０Ａと接続されており、電源供給線駆動回路１４０による第１電位または第２電位のいずれかに設定される。駆動トランジスタＴｒ１のソース電極は、有機ＥＬ素子１０と接続されている。
【００２８】
保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＴｒ１のゲート電極（書込トランジスタＴｒ２のソース電極）と、駆動トランジスタＴｒ１のドレイン電極との間に形成されるものである。
【００２９】
[表示装置の要部構成]
次に、再び図１を参照して、支持基板１１、画素駆動回路形成層Ｌ１、発光素子形成層Ｌ２および対向基板２１などの詳細な構成について説明する。有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは互いに共通の構成であるので、以下では、まとめて説明する。
【００３０】
支持基板１１は、ガラス，シリコン（Ｓｉ）ウェハ、樹脂あるいは導電性基板などにより構成されている。トップエミッション型では対向基板２１から光が取り出されるため、支持基板１１は、透過性材料または非透過性材料のいずれにより形成されていてもよい。導電性基板を使用する場合は、表面を酸化シリコン（ＳｉＯ2）や樹脂で絶縁化しておく。
【００３１】
画素駆動回路形成層Ｌ１は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）層１２と平坦化層１３との積層構造を有している。画素駆動回路形成層Ｌ１には、画素駆動回路１５０を構成する駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２が形成されており、さらに、信号線１２０Ａ、走査線１３０Ａおよび電源供給線１４０Ａ（図示せず）も埋設されている。
【００３２】
ＴＦＴ層１２のＴＦＴ（駆動トランジスタＴｒ１，書込トランジスタＴｒ２）の構成は特に限定されず、例えば半導体層にはａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン），酸化物半導体あるいは有機半導体等のいずれを用いるようにしてもよい。また、駆動トランジスタＴｒ１，書込トランジスタＴｒ２がＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）により構成されていてもよい。
【００３３】
平坦化層１３は、画素駆動回路１５０が形成された支持基板１１の表面を平坦化するためのものであり、微細な接続孔１３Ｈが設けられるためパターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。ＴＦＴ層１２の駆動トランジスタＴｒ１は、平坦化層１３に設けられた接続孔１３Ｈを介して有機ＥＬ素子１０（後述の第１電極１４）に電気的に接続されている。接続孔１３Ｈには、導電性金属よりなるプラグが設けられている。平坦化層１３の構成材料としては、例えば、ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ2），窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機材料が挙げられる。
【００３４】
発光素子形成層Ｌ２には、有機ＥＬ素子１０および隔壁１９と、それらを覆う保護層１８とが設けられている。
【００３５】
有機ＥＬ素子１０は、支持基板１１の側から、アノード電極としての第１電極１４、正孔注入層１５および発光層１６を含む有機層、およびカソード電極としての第２電極１７が各々順に積層されたものである。
【００３６】
第１電極１４は有機ＥＬ素子１０毎に設けられており、複数の第１電極１４が平坦化層１３上に互いに離間して配置されている。この第１電極１４は陽極としての機能および反射層としての機能を備えたものであり、反射率が高く、かつ、正孔注入性も高い材料により構成されていることが望ましい。このような第１電極１４としては、例えば、積層方向の厚み（以下、単に厚みと言う）が３０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），モリブデン（Ｍｏ），タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ），タンタル（Ｔａ），アルミニウム（Ａｌ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金が挙げられる。表示装置１の第１電極１４は、例えば第１電極１４Ａ，１４Ｂの積層構造を有している。例えば、下層（平坦化層１３側）の第１電極１４Ａにはチタン、上層（正孔注入層１５側）の第１電極１４Ｂにはアルミニウムをそれぞれ用いることができる。
【００３７】
隔壁１９は、隣り合う第１電極１４の間（電極間領域）に設けられ、第１電極１４（第１電極１４Ｂ）の表面の端部を覆っている。隔壁１９は、第１電極１４の表面から第２電極１７側に盛りあがり、その側面により第１電極１４を囲んでいる（開口）。この隔壁１９は、第１電極１４と第２電極１７との間の絶縁性および隣接する有機ＥＬ素子１０間の絶縁性を確保すると共に発光領域を正確に所望の形状に制御するためのものである。第１電極１４上の隔壁１９の開口が発光領域となる。隔壁１９の開口の大きさは、例えば第１電極１４から第２電極１７まで（深さ方向）において一定、即ち隔壁１９の断面（ＸＺ断面）形状が略矩形となっている。図４に示したように、隔壁１９の断面形状が順テーパ状であり、開口が第１電極１４から第２電極１７にかけて広がるようになっていてもよい。隔壁１９は例えば、酸化シリコン，窒化シリコンまたは酸窒化シリコンにより構成され、その厚みは例えば１０ｎｍ以上である。
【００３８】
正孔注入層１５および発光層１６を含む有機層は、有機ＥＬ素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）の発光色にかかわらず同一の構造を有しており、例えば、第１電極１４側から、正孔注入層１５，正孔輸送層（図示せず），発光層１６，電子輸送層（図示せず）および電子注入層（図示せず）がこの順に積層されている。正孔注入層１５は、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。本実施の形態では、電極間領域にこの正孔注入層１５の断線部１５Ｄが設けられている。これにより、正孔注入層１５を介したリーク電流の発生を防ぐことができる。
【００３９】
詳細は後述するが、断線部１５Ｄはエネルギー線の照射により正孔注入層１５が除去された部分であり、正孔注入層１５を介して有機ＥＬ素子１０間を流れる電流は断線部１５Ｄで遮断される。断線部１５Ｄは電極間領域に広く渡っていることが好ましいが、電極間領域の少なくとも一部に設けられていればよい。断線部１５Ｄは例えば、隔壁１９の表面と同じ位置（平面視）に設けられている（図１）。
【００４０】
正孔注入層１５は、例えば、厚みが１ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、化１または化２に示したヘキサアザトリフェニレン誘導体により構成されている。
【００４１】
【化１】
2014032817.tif 000003
（化１において、Ｒ１〜Ｒ６それぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、アミノ基、アルールアミノ基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニルエステル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルコキシル基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアリール基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換の複素環基、ニトリル基、シアノ基、ニトロ基、またはシリル基から選ばれる置換基であり、隣接するＲｍ（ｍ＝１〜６）は環状構造を通じて互いに結合してもよい。また、Ｘ１〜Ｘ６はそれぞれ独立に炭素もしくは窒素原子である。）
【００４２】
【化２】
2014032817.tif 000004
【００４３】
正孔輸送層は、発光層１６への正孔輸送効率を高めるためのものである。正孔輸送層は、例えば、厚みが４０ｎｍ程度であり、４，４′，４″−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）またはα−ナフチルフェニルジアミン（αＮＰＤ）により構成されている。正孔輸送層，発光層１６，電子輸送層および電子注入層は、全ての有機ＥＬ素子１０に共通しており、これらは電極間領域にも設けられている。即ち、正孔注入層１５の断線部１５Ｄでは例えば正孔輸送層が隔壁１９に接している。
【００４４】
発光層１６は白色発光用の発光層であり、例えば第１電極１４と第２電極１７との間に互いに積層して設けられた赤色発光層，緑色発光層および青色発光層（いずれも図示せず）を有している。赤色発光層，緑色発光層および青色発光層は、電界をかけることにより、第１電極１４から正孔注入層１５および正孔輸送層を介して注入された正孔の一部と、第２電極１７から電子注入層および電子輸送層を介して注入された電子の一部とが再結合して、それぞれ赤色，緑色および青色の光を発生するものである。
【００４５】
赤色発光層は、例えば、赤色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。赤色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。赤色発光層は、例えば、厚みが５ｎｍ程度であり、４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス［（４’−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。
【００４６】
緑色発光層は、例えば、緑色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。緑色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。緑色発光層は、例えば、厚みが１０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉにクマリン６を５重量％混合したものにより構成されている。
【００４７】
青色発光層は、例えば、青色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。青色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。青色発光層は、例えば、厚みが３０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉに４，４’−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。
【００４８】
電子輸送層は、発光層１６への電子輸送効率を高めるためのものであり、例えば厚みが２０ｎｍ程度の８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）により構成されている。
電子注入層は、発光層１６への電子注入効率を高めるためのものであり、例えば厚みが０．３ｎｍ程度のＬｉＦあるいはＬｉ2Ｏ等により構成されている。
【００４９】
第２電極１７は、有機層を間にして第１電極１４と対をなし、第１電極１４と絶縁された状態で電子注入層の上に有機ＥＬ素子１０に共通して設けられている。第２電極１７は、光透過性の透明材料からなり、例えば、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），銀（Ａｇ），カルシウム（Ｃａ）またはナトリウム（Ｎａ）の合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（Ｍｇ−Ａｇ合金）は、薄膜での導電性と吸収の小ささとを兼ね備えているので好ましい。Ｍｇ−Ａｇ合金におけるマグネシウムと銀との比率は特に限定されないが、膜厚比でＭｇ：Ａｇ＝２０：１〜１：１の範囲であることが望ましい。また、第２電極１７の材料には、アルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（Ａｌ−Ｌｉ合金）を用いるようにしてもよく、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），アルミナドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ），ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ），インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ），インジウムチタン酸化物（ＩＴｉＯ）またはインジウムタングステン酸化物（ＩＷＯ）等を用いてもよい。
【００５０】
保護膜１８は、例えば平坦化層１３と同様に、例えば、ポリイミドなどの絶縁性樹脂材料により形成されている。
【００５１】
対向基板２１は、熱硬化型樹脂などの接着層（図示せず）などと共に有機ＥＬ素子１０を封止するものであり、発光層１６において発生した光を透過する透明なガラスまたはプラスチック材料により構成されている。対向基板２１の一方の面には、カラーフィルタ（図示せず）が設けられている。このカラーフィルタは、赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタを有しており、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応して順に配置されている。カラーフィルタは、対向基板２１のどちら側の面に設けられてもよいが、有機ＥＬ素子１０の側に設けられることが好ましい。カラーフィルタが表面に露出せず、保護層１８（または接着層）により保護することができるからである。また、発光層１６とカラーフィルタとの間の距離が狭くなることにより、発光層１６から出射した光が隣接する他の色のカラーフィルタに入射して混色を生じることを避けることができるからである。
【００５２】
このような表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる（図５Ａ〜図１１Ｂ）。
【００５３】
まず、上述した材料よりなる支持基板１１の上に駆動トランジスタＴｒ１を含む画素駆動回路１５０（ＴＦＴ層１２）を形成したのち、支持基板１１の全面に例えば感光性樹脂を塗布する。この感光性樹脂に露光および現像を行い、所定の形状にパターニングして平坦化層１３を形成する。パターニングと同時に接続孔１３Ｈおよびプラグを形成する（図５Ａ）。
【００５４】
次いで、図５Ｂに示したように、平坦化層１３上に例えばスパッタ法により、２ｎｍ以上のチタンからなる金属膜１４ＡＭ、２０ｎｍ以上のアルミニウムからなる金属膜１４ＢＭをこの順に成膜する。続いて、金属膜１４ＢＭ上にレジスト２２を塗布し（図５Ｃ）、フォトリソグラフィ工程を用いて金属膜１４Ｍ（金属膜１４ＡＭ，１４ＢＭ）をパターニングする。具体的には、レジスト２２を露光した後、ドライエッチングを行い（図６Ａ）、アッシングおよび洗浄によりレジスト２２を除去して、有機ＥＬ素子１０ごとに分離された第１電極１４を形成する（図６Ｂ）。
【００５５】
続いて、図６Ｃに示したように、支持基板１１の全面にわたり例えば酸化シリコンからなる絶縁膜１９Ｍを例えば２０ｎｍ以上の膜厚で成膜する。このとき、第１電極１４よりも絶縁膜１９Ｍを厚く形成しておく。絶縁膜１９Ｍの成膜は、例えばコンフォーマルな成膜が可能なプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて行う。第１電極１４間の隙間を完全に埋めるため（すの防止）、ＨＤＰ（高密度プラズマ）を用いるようにしてもよい。絶縁膜１９Ｍを成膜した後、フォトリソグラフィ工程およびエッチング工程を行って、隔壁１９を形成する。具体的には、まず絶縁膜１９Ｍ上にレジスト２３を塗布し、露光する（図７Ａ）。次いで、エッチングを行って絶縁膜１９Ｍに開口を設け（図７Ｂ）、アッシングおよび洗浄によりレジスト２３を除去する（図８Ａ）。これにより隔壁１９が形成される。
【００５６】
続いて、図８Ｂに示したように、例えば蒸着法により支持基板１１の全面に正孔注入層１５を成膜し、第１電極１４から電極間領域の隔壁１９を覆う正孔注入層１５を設ける。そののち、この正孔注入層１５に指向性をもつエネルギー線Ｅを照射し（図９Ａ）、断線部１５Ｄを形成する（図９Ｂ）。エネルギー線Ｅには、例えば、イオンビーム，原子ビーム，分子ビーム，電子ビームあるいはレーザビーム等を用いることができる。例えば、エネルギー線Ｅにアルゴン（Ａｒ）イオンビームを用いてイオンミリングを行うことにより電極間領域の正孔注入層１５が除去され、断線部１５Ｄが形成される。エネルギー線Ｅは、第１電極１４の表面に対して例えば１度以上９０度未満の低角度で照射する。隔壁１９は第１電極１４の表面よりも盛り上がっているため、この低角度での照射によりエネルギー線Ｅは隔壁１９に遮られ、第１電極１４上の正孔注入層１５が除去されるのを防ぐことができる。このように、隔壁１９の形状を利用して、電極間領域の正孔注入層１５に局所的にエネルギー線Ｅを照射するので、マスク等を用いることなく、セルフアラインにて断線部１５Ｄを形成することができる。ここでは、正孔注入層１５のみがエネルギー線Ｅの照射により、選択的に除去される。正孔注入層１５は下層の隔壁１９等と比較して非常に薄いため、断線部１５Ｄを設けても上層の発光層１６および第２電極１７等には影響しない。
【００５７】
図１０に示したように、金属膜１４Ｍをパターニングせずに隔壁１９および正孔注入層１５を形成した後、エネルギー線Ｅを照射するようにしてもよい。このエネルギー線Ｅの照射では、正孔注入層１５の断線部１５Ｄと共に隔壁１９の下層の金属膜１４Ｍが除去されて間隙が形成される。換言すれば、隣り合う第１電極１４の間の間隙が形成される。
【００５８】
正孔注入層１５に断線部１５Ｄを設けた後、図１１Ａに示したように、例えば蒸着法により正孔輸送層（図示せず）、発光層１６、電子輸送層（図示せず）、電子注入層（図示せず）および第２電極１７をこの順に支持基板１１の全面に成膜する。これにより、有機ＥＬ素子１０が形成される。
【００５９】
続いて、例えばＣＶＤ法またはスパッタ法により、有機ＥＬ素子１０上に保護層１８を形成する（図１１Ｂ）。最後に、この保護層１８の上に、接着層（図示せず）を間にしてカラーフィルタを設けた対向基板２１を貼り合わせて表示装置１を完成させる。
【００６０】
この表示装置１では、各有機ＥＬ素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、各有機ＥＬ素子１０に駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第２電極１７，カラーフィルタ（図示せず）および対向基板２１を透過して取り出される。
【００６１】
ここでは、エネルギー線Ｅの照射により、電極間領域に正孔注入層１５の断線部１５Ｄが設けられているので、正孔注入層１５を介したリーク電流の発生を防ぐことができる。
【００６２】
図１２は比較例に係る表示装置（表示装置１００）の断面構成を表したものである。この表示装置１００では正孔注入層１５１に断線部が設けられておらず、各有機ＥＬ素子１００Ｅの正孔注入層１５１は互いにつながっている。従って、正孔注入層１５１を介して有機ＥＬ素子１００Ｅ間に駆動電流が流れ、リークが発生する虞がある。特に、ホワイト（Ｗｈｉｔｅ）発光方式のディスプレイでは、有機ＥＬ素子１０毎に有機層を塗り分けず、リークの発生が問題となりやすい。
【００６３】
特許文献１では、逆テーパ形状に設けた隔壁により、素子間で正孔注入層を高抵抗化してリークの発生を防ぐ方法が提案しているが、これでは高抵抗化を十分に行うことができなかった。また、正孔注入層を成膜した後に、熱処理により隔壁をテーパ形状に変形させるため、正孔注入層などの有機層が熱により劣化する虞があった。
【００６４】
これに対し表示装置１では、エネルギー線Ｅの照射により正孔注入層１５の断線部１５Ｄが形成されているので、正孔注入層１５を介した電流の流れは電極間領域で遮断される。よって、正孔注入層１５を介したリークの発生をより確実に抑えることができる。また、エネルギー線Ｅを適宜選択することにより、有機ＥＬ素子１０の特性劣化を防ぐことができる。例えば、イオンビームを照射しても発熱しないため、有機ＥＬ素子１０の特性は劣化することなく維持される。更に、隔壁１９の形状を利用して、電極間領域の正孔注入層１５に局所的にエネルギー線Ｅを照射するので、マスク等を用いることなく、セルフアラインにて断線部１５Ｄを形成することができる。
【００６５】
以上のように本実施の形態の表示装置１では、エネルギー線Ｅの照射により電極間領域に正孔注入層１５の断線部１５Ｄを設けるようにしたので、正孔注入層１５を介したリークの発生をより確実に防ぐことができる。
【００６６】
以下、上記実施の形態の変形例および他の実施の形態について説明するが、以降の説明において上記実施の形態と同一構成部分については同一符号を付してその説明は適宜省略する。
【００６７】
＜変形例１＞
図１３は、変形例１に係る表示装置（表示装置１Ａ）の断面構成を表したものである。この表示装置１Ａは、電極間領域に正孔注入層１５の高抵抗部１５Ｈを有するものである。この点を除き、表示装置１Ａは表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００６８】
正孔注入層１５の高抵抗部１５Ｈは、図１４Ａに示したように、上記実施の形態と同様にエネルギー線Ｅが照射された部分である。この高抵抗部１５Ｈでは、正孔注入層１５は除去されず、その構成材料がエネルギー線Ｅの照射により変化して高抵抗化されている（図１４Ｂ）。これにより、断線部１５Ｄと同様に正孔注入層１５を介したリーク電流の発生を防ぐことができる。
【００６９】
＜変形例２＞
図１５は、変形例２に係る表示装置（表示装置１Ｂ）の断面構成を表したものである。この表示装置１Ｂでは支持基板１１側に映像が表示される。即ち、表示装置１Ｂは所謂ボトムエミッション型の表示装置である。この点を除き、表示装置１Ｂは表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００７０】
表示装置１Ｂでは、支持基板１１および第１電極１４が透明材料、第２電極１７が反射性材料からなり、発光層１６で発生した光は第１電極１４および支持基板１１を透過して取り出される。断線部１５Ｄに代えて高抵抗部１５Ｈを設けるようにしてもよい（図１３）。
【００７１】
＜第２の実施の形態＞
図１６は、第２の実施の形態に係る表示装置（表示装置２）の断面構成を表したものである。この表示装置２は、エネルギー線Ｅの照射により正孔注入層１５を除去すると共に隔壁１９の一部を削ったものである。この点を除き、表示装置２は表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００７２】
図１７に示したように、正孔注入層１５にエネルギー線Ｅを照射する際、エネルギー線Ｅの種類を選択することにより隔壁１９の表面をエッチングすることが可能となる。例えば、酸化シリコンからなる隔壁１９に対してアルゴンイオンビームを照射すると、隔壁１９はエッチングされる。エッチングされた隔壁１９は、成膜時よりも平滑化され、第１電極１４との間の段差が小さくなっている。このように隔壁１９を平滑化することにより、隔壁１９上の第２電極１７の断線を防ぐことができる。
【００７３】
図１８Ａ，１８Ｂに示したように、突部１９Ｐを有する隔壁１９にエネルギー線Ｅを照射するようにしてもよい。突部１９Ｐを設けておくことにより、エネルギー線Ｅの照射による隔壁１９のエッチングを制御することが可能となる。突部１９Ｐの大きさや形状は適宜調整すればよいが、例えばその断面が四角形状（図１８Ａ）または三角形状（図１８Ｂ）となっている。
【００７４】
＜第３の実施の形態＞
図１９は、第３の実施の形態に係る表示装置（表示装置３）の断面構成を表したものである。この表示装置３では、電極間領域に正孔注入層１５の断線部１５Ｄと共に発光層１６の断線部（断線部１６Ｄ）が設けられている。この点を除き、表示装置３は表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００７５】
発光層１６の断線部１６Ｄは、エネルギー線Ｅの照射により発光層１６が除去された部分である。隔壁１９上（電極間領域）の発光層１６が除去されることにより、有機ＥＬ素子１０間で第２電極１７に形成される段差が小さくなり、第２電極１７の断線を防ぐことができる。また、断線部１５Ｄに加えて断線部１６Ｄを設けることにより、リーク電流の発生を更に効果的に防ぐことができる。
【００７６】
発光層１６の断線部１６Ｄは、例えば図２０Ａに示したように、正孔注入層１５および発光層１６を連続して成膜した後、エネルギー線Ｅを照射して（図２０Ｂ）正孔注入層１５の断線部１５Ｄと同時に形成する。
【００７７】
あるいは、図２１Ａに示したように、正孔注入層１５に断線部１５Ｄを設けた後、発光層１６を成膜し、再度エネルギー線Ｅを照射して（図２１Ｂ）発光層１６の断線部１６Ｄを形成するようにしてもよい。
【００７８】
＜第４の実施の形態＞
図２２は、第４の実施の形態に係る表示装置（表示装置４）の断面構成を表したものである。この表示装置４では、上記表示装置３と同様に発光層１６に断線部１６Ｄが設けられている。また、隔壁１９に第２電極１７に電気的に接続された端子（端子１７Ｔ）が埋設されている。これらの点を除き、表示装置４は表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００７９】
端子１７Ｔは例えばタングステン，チタン，アルミニウムあるいは窒化チタン（ＴｉＮ）等からなり、その表面が露出されて隔壁１９に埋め込まれている。端子１７Ｔの表面は第２電極１７に接しており、端子１７Ｔと第２電極１７とが電気的に接続される。端子１７Ｔは、例えば共通電源供給線（ＧＮＤ）に接続されている（図３）。
【００８０】
比較例に係る表示装置１００では、第２電極１７は表示領域１１０よりも広い領域にわたって設けられ、表示領域１１０を囲むように配置された電極パッド１１７Ｔに電気的に接続される（図２３Ａ，２３Ｂ）。表示装置１００では、表示領域１１０の外側に、このような電極パッド１１７Ｔが必要であるため、表示領域１１０とダイシング領域１１１との間の領域（周縁部）が大きくなってしまう。また、電極パッド１１７Ｔの形成にはマスクを使用するため、表示領域１１０と電極パッド１１７Ｔとの間にもマージンをとるための面積が必要となる。電極パッド１１７Ｔよりも更に外側に、例えばボンディングパッド１１８が設けられている。
【００８１】
表示装置４では、上記電極パッド１１７Ｔに代えて、端子１７Ｔを設けることにより周縁部を狭くすることが可能となる。また、発光層１６の断線部１６Ｄにより第２電極１７の断線を防ぐことができる。断線部１６Ｄは第２電極１７と端子１７Ｔとが接触できる程度に設けられていればよいが（図２２）、より広い領域に渡って設けるようにしてもよい（図１９）。図２４Ａ〜図２５Ｃは表示装置４の製造方法を表したものである。
【００８２】
まず、表示装置１で説明したのと同様にして、第１電極１４まで設けた後、電極間領域に端子１７Ｔを形成する。次いで、この端子１７Ｔを埋め込み、完全に完全に覆うようにして隔壁１９を形成する（図２４Ａ）。続いて、支持基板１１の全面に渡って正孔注入層１５を成膜した後（図２４Ｂ）、エネルギー線Ｅを照射して正孔注入層１５の断線部１５Ｄを形成する（図２４Ｃ）。断線部１５Ｄを形成した後、基板１１の全面に発光層１６までを成膜し（図２５Ａ）、再びエネルギー線Ｅを照射する。これにより、発光層１６に断線部１６Ｄが形成されると共に、隔壁１９が削られて端子１７Ｔの表面が露出される（図２５Ｂ）。こののち、第２電極１７を形成して、端子１７Ｔと電気的に接続させる（図２５Ｃ）。発光層１６に断線部１６Ｄを設けることに加え、隔壁１９を削って平滑化しておくことにより、第２電極１７の断線をより確実に防ぐことが可能となる。以降、表示装置１と同様にして、保護層１８および対向基板２１を設けて表示装置４を完成させる。
【００８３】
（モジュール）
上記実施の形態および変形例の表示装置１，１Ａ，１Ｂ，２，３，４（以下、単に表示装置１と表す）は、例えば、図２６に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。特にビデオカメラや一眼レフカメラのビューファインダーあるいはヘッドマウント型ディスプレイなど高解像度が要求されるマイクロディスプレイに適する。このモジュールは、例えば、支持基板１１の一辺に、対向基板２１から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【００８４】
（適用例１）
図２７は、上記実施の形態の表示装置１が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記各実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００８５】
（適用例２）
図２８Ａ，２８Ｂは、上記実施の形態の表示装置１が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記各実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００８６】
（適用例３）
図２９は、上記実施の形態の表示装置１が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記各実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００８７】
（適用例４）
図３０は、上記実施の形態の表示装置１が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記各実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００８８】
（適用例５）
図３１Ａ，３１Ｂは、上記実施の形態の表示装置１が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記各実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００８９】
以上、実施の形態および変形例を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件等は限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００９０】
また、上記実施の形態等においては、発光層１６として赤色発光層，緑色発光層および青色発光層の３層を含む白色発光用の発光層を形成した場合について説明したが、白色発光用の発光層１６の構成は特に限定されず、橙色発光層および青色発光層、あるいは、青緑色発光層および赤色発光層など、互いに補色関係にある２色の発光層を積層した構造としてもよい。更に、発光層１６は、白色発光用の発光層に限らず、例えば緑色発光層のみを形成した単色の表示装置にも適用可能である。加えて、有機ＥＬ素子１０毎に発光層１６が塗り分けられた表示装置に適用させるようにしてもよい。
【００９１】
更にまた、例えば上記実施の形態等では、第１電極１４を陽極、第２電極１７を陰極とする場合について説明したが、陽極および陰極を逆にして、第１電極１４を陰極、第２電極１７を陽極としてもよい。加えてまた、表示装置３，４がボトムエミッション型の表示装置であってもよい。
【００９２】
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）複数の第１電極を形成する工程と、前記第１電極から電極間領域を覆う機能層を形成する工程と、前記機能層に局所的にエネルギー線を照射して、前記電極間領域の機能層に断線部または高抵抗部を形成する工程とを含む表示装置の製造方法。
（２）前記電極間領域に隔壁を設け、前記隔壁を覆う機能層にエネルギー線を照射する前記（１）に記載の表示装置の製造方法。
（３）前記エネルギー線を、前記第１電極の表面に対して９０度未満の角度で照射する前記（１）または（２）に記載の表示装置の製造方法。
（４）前記機能層は、前記第１電極と発光層との間の正孔注入層である前記（２）または（３）に記載の表示装置の製造方法。
（５）前記機能層は、発光層および前記発光層と前記第１電極との間の正孔注入層である前記（２）または（３）に記載の表示装置の製造方法。
（６）前記機能層に断線部または高抵抗部を設けた後、前記機能層を間にして前記第１電極と対をなす第２電極を形成する前記（２）乃至（５）のうちいずれか１つに記載の表示装置の製造方法。
（７）前記エネルギー線の照射により、前記断線部を設けると共に前記隔壁に埋設された端子の表面を露出させ、前記端子を前記第２電極に電気的に接続させる前記（６）に記載の表示装置の製造方法。
（８）前記エネルギー線の照射により、前記断線部を設けると共に前記隔壁を削り、前記機能層を間にして前記第１電極と対をなす第２電極を形成する前記（２）乃至（５）のうちいずれか１つに記載の表示装置の製造方法。
（９）前記エネルギー線の照射により、前記隣り合う第１電極の間の間隙を形成する前記（１）乃至（８）のうちいずれか１つに記載の表示装置の製造方法。
（１０）前記エネルギー線としてイオンビーム，原子ビーム，分子ビーム，電子ビームあるいはレーザビームのいずれかを用いる前記（１）乃至（９）のうちいずれか１つに記載の表示装置の製造方法。
（１１）表示装置を製造する工程を備え、前記表示装置を製造する工程は、複数の第１電極を形成する工程と、前記第１電極から電極間領域を覆う機能層を形成する工程と、前記機能層に局所的にエネルギー線を照射して、前記電極間領域の機能層に断線部または高抵抗部を形成する工程とを含む電子機器の製造方法。
（１２）複数の第１電極と、前記第１電極から電極間領域を覆うと共に、局所的にエネルギー線が照射されて前記電極間領域に断線部または高抵抗部が設けられた機能層とを備えた表示装置。
（１３）前記電極間領域に設けられた隔壁と、前記機能層を間にして前記第１電極と対向する第２電極と、前記隔壁に埋設されると共に前記第２電極に電極的に接続された端子とを有する前記（１２）に記載の表示装置。
【符号の説明】
【００９３】
１，１Ａ，１Ｂ，２，３，４・・・表示装置、１０，１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ・・・有機ＥＬ素子、Ｌ１・・・画素駆動回路形成層、Ｌ２・・・発光素子形成層、１１・・・支持基板、１２・・・ＴＦＴ層、１３・・・平坦化層、１３Ｈ・・・接続孔、１４，１４Ａ，１４Ｂ・・・第１電極、１５・・・正孔注入層、１５Ｄ，１６Ｄ・・・断線部、１６・・・発光層、１７・・・第２電極、１７Ｔ・・・端子、１８・・・保護膜、１９・・・隔壁、２１・・・封止用基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１９】
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【図２０Ａ】
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【図２０Ｂ】
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【図２１Ａ】
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【図２１Ｂ】
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【図２２】
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【図２３Ａ】
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【図２３Ｂ】
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【図２４Ａ】
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【図２４Ｂ】
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【図２４Ｃ】
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【図２５Ａ】
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【図２５Ｂ】
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【図２５Ｃ】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８Ａ】
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【図２８Ｂ】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１Ａ】
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【図３１Ｂ】
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