(57)【要約】      （修正有）【課題】研磨後の基板表面のスクラッチ及び突起欠陥を低減できる磁気ディスク基板の製造方法を提供する。【解決手段】被研磨基板３を研磨する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法であって、前記研磨が、樹脂を含む被研磨基板保持材１を用いた研磨であり、前記被研磨基板保持材が、下記（１）及び（２）の少なくとも一方の条件を満たす、磁気ディスク基板の製造方法。（１）前記保持材１におけるＡｌ、Ｍｇ、及びＴｉ金属イオンの含有量が、それぞれ、１０ｐｐｍ以下。（２）前記保持材１の灰化処理後の残渣量が、０．１０質量％以下。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被研磨基板を研磨する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法であって、
前記研磨が、樹脂を含む被研磨基板保持材を用いた研磨であり、
前記保持材におけるＡｌ、Ｍｇ、及びＴｉ金属イオンの含有量が、保持材中に、それぞれ、１０ｐｐｍ以下である、磁気ディスク基板の製造方法。
【請求項２】
被研磨基板を研磨する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法であって、
前記研磨が、樹脂を含む被研磨基板保持材を用いた研磨であり、
前記保持材の灰化処理後の残渣量が、０．１０質量％以下である、磁気ディスク基板の製造方法。
【請求項３】
被研磨基板を研磨する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法であって、
前記研磨が、樹脂を含む被研磨基板保持材を用いた研磨であり、
前記保持材におけるＡｌ、Ｍｇ、及びＴｉ金属イオンの含有量が、保持材中に、それぞれ、１０ｐｐｍ以下であり、かつ、
前記保持材の灰化処理後の残渣量が、０．１０質量％以下である、磁気ディスク基板の製造方法。
【請求項４】
前記保持材の曲げ弾性率が２０００ＭＰａ以上である、請求項１から３のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
【請求項５】
前記樹脂が、環状オレフィン系重合体樹脂である、請求項１から４のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
【請求項６】
前記保持材が、灰化処理後の残渣に対して蛍光Ｘ線定性分析を行った場合に、Ａｌ、Ｍｇ、及びＴｉのすべてが実質的に検出されない保持材である、請求項１から５のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
【請求項７】
前記保持材が、灰化処理後の残渣に対して走査型電子顕微鏡観察による無機粒子検出を行った場合に、Ａｌ、Ｍｇ、又はＴｉを含む無機粒子が実質的に検出されない保持材である、請求項１から６のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
【請求項８】
前記被研磨基板が、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板又はガラス基板である、請求項１から７のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
【請求項９】
磁気ディスク基板の研磨方法であって、樹脂を含む被研磨基板保持材を用いて被研磨基板を研磨することを含み、前記被研磨基板保持材が、下記（１）及び（２）の少なくとも一方の条件を満たす、研磨方法。
（１）前記保持材におけるＡｌ、Ｍｇ、及びＴｉ金属イオンの含有量が、保持材中に、それぞれ、１０ｐｐｍ以下。
（２）前記保持材の灰化処理後の残渣量が、０．１０質量％以下。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク基板の製造方法及び磁気ディスク基板の研磨方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスクドライブは小型化・大容量化が進み、高記録密度化が求められており、磁気ヘッドの浮上高さをより低くする技術開発が進められている。高記録密度化のために縮小された単位記録面積から発せられる弱くなった高記録密度磁気信号の検出感度を向上させる必要があるからである。それゆえ、磁気ディスク基板は、磁気ヘッドの低浮上化と記録面積の確保に対応するため、平滑性及び平坦性の向上（表面粗さ、うねり、端面ダレの低減）や表面欠陥低減（残留砥粒、スクラッチ、突起、ピット等の低減）が厳しく要求されている。
【０００３】
このような要求に対して、より平滑で、傷が少ないといった表面品質向上と生産性の向上を両立させる観点から、磁気ディスク基板の製造方法においては、２段階以上の研磨工程を有する多段研磨方式が採用されることが多い。一般に、磁気ディスク基板の研磨、すなわち、磁気ディスク基板用の被研磨基板の研磨は、平面研磨機で行われる。研磨機内の被研磨基板は、被研磨基板保持材で保持される。前記保持材としては、ガラス繊維不織布基材エポキシ樹脂積層板やアラミド繊維基材エポキシ樹脂積層板等が使用されていた。しかし、ガラス繊維不織布強化エポキシ樹脂は、保持材の歯車部が被研磨物の研磨時の負荷により欠けが発生し、ガラス繊維粉による被研磨物表面に傷が発生するという問題があった。そのため、前記保持材としては、アラミド繊維基材エポキシ樹脂積層板が広く使用されている（例えば、特許文献１参照）。アラミド繊維基材エポキシ樹脂積層板には熱硬化性樹脂組成物としてエポキシ樹脂が使用されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
また、シリコンウエハを研磨する際の被研磨物保持材としてアラミド繊維基材やガラス繊維基材を用いる場合、被研磨物保持材中の金属イオンに起因するイオン性不純物の含有量を３００ｐｐｍ以下とすることで、被研磨物に残存するイオン性不純物の残存量を少なくすることができることが開示されている（特許文献３）。
【０００５】
一方、半導体ウェハ等の被研磨物を研磨加工する際の保持材の反り量を低減することを目的として、環状オレフィン系重合体樹脂からなる樹脂材を用いて製造した保持材を使用することが提案されている（特許文献４）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−１６７７６８号公報
【特許文献２】特開２０１０−１７４０９４号公報
【特許文献３】特開２００１−９７０９号公報
【特許文献４】特開２００９−２７４１５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
磁気ディスクドライブの大容量化に伴い、基板の表面品質に対する要求特性はさらに厳しくなっており、研磨後の基板表面のスクラッチに加えて、研磨後の基板表面の突起欠陥をよりいっそう低減する必要がある。そこで、本発明は、研磨後の基板表面のスクラッチ及び突起欠陥を低減できる磁気ディスク基板の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、一態様において、被研磨基板を研磨する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法であって、前記研磨が樹脂を含む被研磨基板保持材を用いた研磨であり、前記保持材におけるＡｌ、Ｍｇ、及びＴｉ金属イオンの含有量が、保持材中に、それぞれ、１０ｐｐｍ以下である、磁気ディスク基板の製造方法に関する。
【０００９】
本発明は、一態様において、被研磨基板を研磨する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法であって、前記研磨が樹脂を含む被研磨基板保持材を用いた研磨であり、前記保持材の灰化処理後の残渣量が０．１０質量％以下である、磁気ディスク基板の製造方法に関する。
【００１０】
本発明は、一態様において、被研磨基板を研磨する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法であって、前記研磨が樹脂を含む被研磨基板保持材を用いた研磨であり、前記保持材におけるＡｌ、Ｍｇ、及びＴｉ金属イオンの含有量が、保持材中に、それぞれ、１０ｐｐｍ以下であり、かつ、前記保持材の灰化処理後の残渣量が０．１０質量％以下である、磁気ディスク基板の製造方法に関する。
【００１１】
本発明は、一態様において、磁気ディスク基板用の被研磨基板の研磨方法であって、樹脂を含む被研磨基板保持材を用いて研磨機で研磨することを含み、前記被研磨基板保持材が下記（１）及び（２）の少なくとも一方の条件を満たす研磨方法に関する。
（１）前記保持材におけるＡｌ、Ｍｇ、及びＴｉ金属イオンの含有量が、保持材中に、それぞれ、１０ｐｐｍ以下。
（２）前記保持材の灰化処理後の残渣量が、０．１０質量％以下。
【発明の効果】
【００１２】
本発明にかかる製造方法によれば、研磨後の基板表面のスクラッチ及び突起欠陥を低減できる。その結果、基板品質が向上した磁気ディスク基板、とりわけ、垂直磁気記録方式の磁気ディスク基板を生産性よく製造できるという効果が奏されうる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、比較例として使用したNo.4の被研磨基板保持材で検出された無機粒子（Al/Si/O）のＳＥＭ写真の一例である。
【図２】図２は、比較例として使用したNo.5の被研磨基板保持材で検出された無機粒子（Ti/O）のＳＥＭ写真の一例である。
【図３】図３は、被研磨基板保持材の一実施形態を示す図である。
【図４】図４は、研磨機による研磨を説明する概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明は、磁気ディスク基板の製造工程における被研磨基板の研磨で一般的に使用されている被研磨基板保持材には無機粒子が含まれており、この無機粒子を低減することにより、前記保持材を用いた研磨後の基板表面のスクラッチ及び突起欠陥を低減することができるという知見に基づく。
【００１５】
本発明の製造方法によって研磨後の基板表面のスクラッチ及び突起欠陥を低減できる理由の詳細は明らかではないが以下のように推定される。被研磨基板の研磨で被研磨基板保持材として一般的に使用されているアラミド繊維基材エポキシ樹脂積層板には熱硬化性樹脂組成物としてエポキシ樹脂が使用されている。これらエポキシ樹脂には被研磨基板保持材としての強度を上げるためにカオリンクレー、酸化チタン、タルク等の無機充填剤が使用されている（例えば特許文献２を参照）。磁気ディスク基板用の被研磨基板をこれらの被研磨物保持材の貫通孔に嵌め込んで研磨を実施すると、前記被研磨物保持材はその表面および歯車部が少しずつ磨耗する。前記被研磨基板保持材の摩耗により、含有されていた無機充填剤が研磨剤や研磨パッドに混入する。今回、磁気ディスク基板表面の突起欠陥原因の詳細解析により、特定の無機充填剤用いた場合、又は、灰化処理後の残渣として観測される無機充填剤量が一定量以上となった場合に、砥粒或いは磁気ディスク基板の削りかす由来の突起欠陥以外にこれらの無機充填剤が磁気ディスク基板表面に付着し、その結果、スクラッチ及び突起欠陥の原因になっていることが見出された。被研磨基板保持材として使用される無機充填剤の中でも、特にＡｌ、Ｍｇ、及びＴｉ金属イオンを含有する無機充填剤が、被研磨基板としてＮｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板やガラス基板等の磁気ディスク基板に吸着、残留しやすい。作用機作の詳細は不明であるが、無機充填剤表面に存在するＡｌ、Ｍｇ、及びＴｉ金属イオンが前記被研磨基板表面と特に強い相互作用を持ち、少量であっても、被研磨基板表面への吸着が促進され残留し、突起欠陥の増加につながったり、スクラッチの原因となったりするものと考えられる。また、灰化処理後の残渣として観測される無機充填剤量が一定量を超える場合においても、砥粒に比べて前記被研磨基板表面と相互作用が強く、研磨後の基板表面に残留しやすくなり、突起欠陥やスクラッチの増加の原因となるものと考えられる。したがって、被研磨物保持材中の、Ａｌ、Ｍｇ、及びＴｉ金属イオンを含有する無機充填剤の添加量をそれぞれ１０ｐｐｍ以下とすること、又は、無機充填剤の含有量自体を灰化処理後の残渣量として０．１０質量％以下とすることにより、研磨後の基板表面のスクラッチ及び突起欠陥が低減されると考えられる。但し、本発明はこれらのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。
【００１６】
本明細書において「スクラッチ」とは、研磨後の基板上に発生する線状の傷のことをいう。また、本明細書において、「突起欠陥」は、粗研磨工程後及び仕上げ研磨後の残留砥粒、砥粒付着、及び砥粒突き刺さりを含む。基板表面の突起欠陥は、例えば、研磨後に得られる基板表面の顕微鏡観察、走査型電子顕微鏡観察等、表面欠陥検査装置により評価することができ、具体的には実施例に記載した方法で評価できる。
【００１７】
［被研磨基板保持材］
本明細書において、「被研磨基板保持材」は、被研磨基板を研磨機（研磨装置）で研磨するために用いられるものをいう。被研磨基板保持材の形状は、従来の研磨機及び／又は今後開発される研磨機、及び、被研磨基板の大きさに適合したものを適宜選択できる。被研磨基板保持材は、限定されない一又は複数の実施形態において、駆動用のギアを周囲に形成した円板に被研磨基板保持用の貫通穴を１個又は複数個有する構造、或いは、単なる円板に、被研磨基板保持用の貫通穴を１個又は複数個有する構造である。被研磨基板保持材の限定されないその他の一実施形態を図３で説明する。被研磨基板保持材１は、全体として円板状をなす平坦な板状をなし、外周部が歯車状に構成されていると共に、内側に、被研磨基板を収容保持するための１個又は複数の円形の貫通穴２が形成されている。本実施形態の被研磨基板保持材を用いた研磨は、限定されない一又は複数の実施形態において、以下のように行われる。すなわち、前記貫通穴に被研磨基板をはめ込んだ前記被研磨基板保持材を研磨機に装着し、前記被研磨基板の研磨対象面に研磨液組成物を供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板保持材を動かすことにより行われる。研磨機を用いた研磨の限定されない一実施形態を図４で説明する。被研磨基板保持材１に保持された被研磨基板３を定盤５に配置された研磨パッド４で挟み込み、研磨液組成物が供給され、定盤５及び／又は被研磨保持材１が回転することで平面研磨が行われる。
【００１８】
被研磨基板保持材は、研磨後の基板表面のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、無機粒子の添加量および／または無機粒子に含まれるＡｌ、Ｍｇ、及びＴｉの金属イオンの含有量をスクラッチ及び突起欠陥の原因とならない範囲に設定することが好ましい。
【００１９】
〔金属イオンの含有量〕
被研磨基板保持材は、被研磨基板保持材中の無機粒子に起因する研磨後の基板表面のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、一又は複数の実施形態において、前記保持材におけるＡｌ、Ｍｇ、及びＴｉの金属イオンの含有量が、それぞれ、１０ｐｐｍ以下であって、好ましくは８ｐｐｍ以下、より好ましくは６ｐｐｍ以下、さらに好ましくは４ｐｐｍ以下、さらにより好ましくは２ｐｐｍ以下である。なお、前記金属イオンは、被研磨基板保持材に含有されていなくてもよい。一又は複数の実施形態において、前記金属イオンがこれらの範囲であると、被研磨基板保持材中の無機粒子の含有量が研磨後の基板表面のスクラッチ及び突起欠陥を低減できる程度に少ないとみなすことができる。なお、本明細書において、前記金属イオンの含有量は、灰化処理後の残渣に対する誘導結合プラズマ発光分光法（ＩＣＰ−ＡＥＳ）で分析及び算出される値をいい、具体的には実施例に記載の方法で求められる値をいう。
【００２０】
〔灰化処理後の残渣量〕
被研磨基板保持材は、被研磨基板保持材中の無機粒子に起因する研磨後の基板表面のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、一又は複数の実施形態において、前記保持材の灰化処理後の残渣量（以下、「灰化残渣量」ともいう。）が、０．１０質量％以下であって、好ましくは０．０９質量％以下、より好ましくは０．０８質量％以下、さらに好ましくは０．０７質量％以下である。なお、前記灰化残渣量は、０．００質量％であってもよい。一又は複数の実施形態において、灰化残渣量がこれらの範囲であると、被研磨基板保持材中の無機粒子の含有量が研磨後の基板表面のスクラッチ及び突起欠陥を低減できる程度に少ないとみなすことができる。なお、本明細書において、灰化残渣量は、熱処理による灰化処理前後の質量変化で求められる値をいい、具体的には実施例に記載の方法で求められる値をいう。
【００２１】
〔灰化処理後の蛍光Ｘ線分析〕
被研磨基板保持材は、被研磨基板保持材中の無機粒子に起因する研磨後の基板表面のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、一又は複数の実施形態において、前記保持材の灰化処理後の残渣に対して蛍光Ｘ線（ＸＲＦ）定性分析を行った場合に、Ａｌ、Ｍｇ、及びＴｉのすべてが実質的に検出されない保持材であることが好ましい。「蛍光Ｘ線定性分析で実質的に検出されない」とは、実施例に記載の条件で蛍光Ｘ線定性分析を行う場合に検出されないことをいう。一又は複数の実施形態において、蛍光Ｘ線（ＸＲＦ）定性分析で、Ａｌ、Ｍｇ、及びＴｉのすべてが実質的に検出されない場合には、被研磨基板保持材中の無機粒子の含有量が研磨後の基板表面のスクラッチ及び突起欠陥を低減できる程度に少ないとみなすことができる。
【００２２】
〔無機粒子観察〕
被研磨基板保持材は、被研磨基板保持材中の無機粒子に起因する研磨後の基板表面のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、一又は複数の実施形態において、前記保持材の灰化処理後の残渣に対して走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察による無機粒子検出を行った場合に、Ａｌ、Ｍｇ、又はＴｉを含む無機粒子が実質的に検出されない保持材であることが好ましい。「走査型電子顕微鏡観察による無機粒子検出で実質的に検出されない」とは、実施例に記載の条件で走査型電子顕微鏡観察を行う場合に検出されないことをいう。一又は複数の実施形態において、走査型電子顕微鏡観察による無機粒子検出で、Ａｌ、Ｍｇ、及びＴｉのすべてが実質的に検出されない場合には、被研磨基板保持材中の無機粒子の含有量が研磨後の基板表面のスクラッチ及び突起欠陥を低減できる程度に少ないとみなすことができる。
【００２３】
〔曲げ弾性率〕
被研磨基板保持材は、耐摩耗性向上の観点、及び、被研磨基板保持材中の無機粒子に起因する研磨後の基板表面のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、一又は複数の実施形態において、前記保持材の曲げ弾性率が２０００ＭＰａ以上であり、好ましくは２３００ＭＰａ以上、さらに好ましくは２５００ＭＰａ以上、よりさらに好ましくは２７００ＭＰａ以上であり、被研磨基板保持材の加工性、研磨操作性の観点から、２５０００ＭＰａ以下であり、好ましくは１００００ＭＰａ以下、さらに好ましくは５０００ＭＰａ以下、よりさらに好ましくは３５００ＭＰａ以下である。なお、本明細書において、曲げ弾性率強度は、引張圧縮試験機で測定される値をいい、具体的には実施例に記載の方法で求められる値をいう。
【００２４】
〔被研磨基板保持材の材質〕
被研磨基板保持材は、無機粒子を低減する観点、及び、被研磨基板保持材中の無機粒子に起因する研磨後の基板表面のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、樹脂を含むことが好ましい。樹脂を含む被研磨基板保持材は、限定されない一又は複数の実施形態として、樹脂材料から製造された若しくはされ得るもの、樹脂からなるもの、樹脂フィルムの積層板、樹脂からなるフィルムの積層板、表面が樹脂であるもの、又は、被研磨基板や研磨機や研磨パッド等の他の部品と接触する部分が樹脂で構成されるものが挙げられる。無機粒子を低減する観点、及び、被研磨基板保持材中の無機粒子に起因する研磨後の基板表面のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、樹脂フィルムの積層板が好ましい。
【００２５】
前記樹脂は、限定されない一又は複数の実施形態として、アラミド繊維基材エポキシ樹脂等の樹脂繊維強化樹脂、ポリフェニレンサルファイド、ポリアセタール樹脂、ポリカーボネート、及び、環状オレフィン系（共）重合体樹脂が挙げられる。耐食性、耐摩耗性の観点からは、アラミド繊維基材エポキシ樹脂等の樹脂繊維強化樹脂、ポリフェニレンサルファイド、ポリアセタール樹脂、及び、環状オレフィン系（共）重合体樹脂ポリカーボネートが好ましく、保持材の平坦性向上、研磨抵抗低減の観点から、環状オレフィン系（共）重合体樹脂が好ましい。
【００２６】
〔環状オレフィン系（共）重合体樹脂を含む被研磨基板保持材〕
環状オレフィン系（共）重合体樹脂を含む被研磨基板保持材は、限定されない一又は複数の実施形態として、環状オレフィン系（共）重合体樹脂からなる樹脂フィルムが複数枚重ねられ、該樹脂フィルム同士が熱融着により接着された基材を裁断又は打ち抜きして製造された若しくはされ得るものである。この実施形態に関し、特許文献４の開示を参照できる。
【００２７】
前記環状オレフィン系（共）重合体樹脂からなる樹脂フィルム（環状オレフィンコポリマー（ＣＯＣ）樹脂フィルム）は、環状オレフィンに由来する構造単位を含む重合体又は共重合体からなるフィルムである。限定されない一又は複数の実施形態として、特開２００７−１１３０１８号公報に記載されているものが使用できる。このようなＣＯＣ樹脂フィルムとして、例えば「トパス」（ＴＯＰＡＳ  商標；ポリプラスチックス株式会社）、「アートン」（ＡＲＴＯＮ  商標；ジェイ・エス・アール株式会社）などが挙げられる。前記ＣＯＣ樹脂フィルムの厚みは、ＣＯＣ樹脂フィルムの厚みや積層枚数を適宜選択して、目的とする基材の厚みになるように組み合わせ重ねることができる。例えば、厚み０．８ｍｍの基材を得る場合には、厚み０．２ｍｍのＣＯＣ樹脂フィルムを４枚重ねてもよいし、厚み０．４ｍｍのＣＯＣ樹脂フィルムを２枚重ねてもよいし、厚み０．３ｍｍのＣＯＣ樹脂フィルムを２枚と厚み０．２ｍｍのＣＯＣ樹脂フィルムを１枚とを重ねてもよい。また、厚み０．８ｍｍの１枚のＣＯＣ樹脂フィルムとしてもよい。
【００２８】
［被研磨基板保持材の製造方法］
被研磨基板保持材の製造方法は、限定されない一又は複数の実施形態として、基材を裁断又は打ち抜きする製造方法が挙げられる。前記基材は、無機粒子を低減する観点、及び、被研磨基板保持材中の無機粒子に起因する研磨後の基板表面のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、好ましくは樹脂を含む基材、より好ましくは前述したＣＯＣ樹脂を含む基材を任意の厚さに成型することによって得られる。また、さらに好ましくは樹脂フィルムを複数枚重ね、該樹脂フィルム同士を熱融着により接着することによって得られ、さらにより好ましくはＣＯＣ樹脂フィルムを複数枚重ね、該ＣＯＣ樹脂フィルム同士を熱融着により接着することによって得られる。前記基材は、無機粒子を低減する観点、及び、被研磨基板保持材中の無機粒子に起因する研磨後の基板表面のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、無機充填剤を含まずに製造することが好ましい。
【００２９】
［磁気ディスク基板の製造方法］
一般に、磁気ディスク基板は、精研削工程を経たガラス基板や、Ｎｉ−Ｐメッキ工程を経たアルミニウム合金基板を、粗研磨工程、仕上げ研磨工程を経て研磨され、記録部形成工程を経て製造される。また、前記研磨の各工程の間にはリンス工程、洗浄工程が含まれることがある。本発明は、一又は複数の実施形態として、本明細書の開示にかかる被研磨基板保持材を用いた研磨工程を含む磁気ディスク基板の製造方法に関する。「本明細書の開示にかかる被研磨基板保持材を用いた研磨工程」は、粗研磨工程であってもよく、仕上げ研磨工程であってもよく、両研磨工程であってもよい。本発明の磁気ディスク基板の製造方法は、一又は複数の実施形態として、従来の磁気ディスク基板の製造方法における研磨工程において、本明細書の開示にかかる被研磨基板保持材を用いる製造方法である。
【００３０】
本発明の磁気ディスク基板の製造方法は、限定されない一又は複数の実施形態として、下記（１）〜（３）の工程を有し、下記工程（１）及び（３）の少なくとも一方の被研磨基板保持材として本明細書の開示にかかる被研磨基板保持材を用いる磁気ディスク基板の製造方法である。
（１）被研磨基板保持材に被研磨基板を保持させて研磨機に配置し、研磨液組成物Ａを前記被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板保持材を動かして前記研磨対象面を研磨する工程。
（２）工程（１）で得られた基板を洗浄する工程。
（３）被研磨基板保持材に工程（２）で得られた基板を保持させて研磨機に配置し、シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを前記基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板保持材を動かして前記研磨対象面を研磨する工程。
【００３１】
［被研磨基板］
本発明の磁気ディスク基板の製造方法における被研磨基板は、磁気ディスク基板又は磁気ディスク基板に用いられる基板であり、例えば、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板や、珪酸ガラス、アルミノ珪酸ガラス、結晶化ガラス、強化ガラス等のガラス基板が挙げられる。上記被研磨基板の形状には特に制限はなく、例えば、ディスク状、プレート状、スラブ状、プリズム状等の平面部を有する形状や、レンズ等の曲面部を有する形状であればよい。中でも、ディスク状の被研磨基板が適している。ディスク状の被研磨基板の場合、その外径は例えば２〜９５ｍｍ程度であり、その厚みは例えば０．５〜２ｍｍ程度である。
【００３２】
［研磨機］
本発明の磁気ディスク基板の製造方法で使用されうる研磨機としては、特に限定されず、磁気ディスク基板研磨用の従来知られている及び今後開発される研磨機が使用できる。
【００３３】
［研磨パッド］
本発明の磁気ディスク基板の製造方法で使用されうる研磨パッドとしては、特に制限はなく、従来知られている及び今後開発される研磨パッドが使用できる。例えば、スエードタイプ、不織布タイプ、ポリウレタン独立発泡タイプ、又はこれらを積層した二層タイプ等の研磨パッドを使用することができるが、研磨速度向上の観点から、スエードタイプの研磨パッドが好ましい。また、研磨パッドの平均気孔径は、研磨速度向上の観点、基板表面の面質向上の観点から、１０〜１００μｍが好ましく、１５〜８０μｍがより好ましく、１５〜４０μｍがさらに好ましい。
【００３４】
［研磨液組成物］
本発明の磁気ディスク基板の製造方法で使用されうる研磨液組成物としては、特に限定されず、磁気ディスク基板研磨用の従来知られている及び今後開発される研磨液組成物が使用できる。一又は複数の実施形態において、研磨液組成としては、特開２０１０−１６７５５３、特開２０１１−１３１３４６に開示されるものが挙げられる。また、研磨液組成物Ａ及び研磨液組成物Ｂは、同じであっても異なっていてもよい。
【００３５】
［研磨条件］
本発明の磁気ディスク基板の製造方法における研磨条件も、特に制限はなく、従来知られている及び今後開発される研磨条件を採用できる。
【００３６】
本発明の磁気ディスク基板の製造方法によれば、研磨後の基板表面のスクラッチ及び突起欠陥が低減された磁気ディスク基板が製造できるため、高度の表面平滑性が要求される垂直磁気記録方式の磁気ディスク基板の研磨に好適に用いることができる。
【００３７】
［研磨方法］
本発明は、その他の態様として、磁気ディスク基板の研磨方法であって、本明細書の開示にかかる被研磨基板保持材を用いて被研磨基板を研磨することを含む研磨方法に関する。本発明の磁気ディスク基板の研磨方法は、限定されない一又は複数の実施形態として、下記（１）〜（３）の工程を有し、下記工程（１）及び（３）の少なくとも一方の被研磨基板保持材として本明細書の開示にかかる被研磨基板保持材を用いる磁気ディスク基板の研磨方法である。
（１）被研磨基板保持材に被研磨基板を保持させて研磨機に配置し、研磨液組成物Ａを前記被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板保持材を動かして前記研磨対象面を研磨する工程。
（２）工程（１）で得られた基板を洗浄する工程。
（３）被研磨基板保持材に工程（２）で得られた基板を保持させて研磨機に配置し、砥粒及び水を含有する研磨液組成物Ｂを前記基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板保持材を動かして前記研磨対象面を研磨する工程。
【００３８】
本発明の研磨方法における被研磨基板、研磨パッド、研磨液組成物、研磨機及び研磨条件については、上述の本発明の磁気ディスク基板の製造方法と同様とすることができる。
【００３９】
本発明の研磨方法を使用することにより、研磨後の基板表面のスクラッチ及び突起欠陥が低減された磁気ディスク基板を製造できるという効果が奏されうる。
【００４０】
本発明はさらに以下の一又は複数の実施形態に関する。
【００４１】
＜１＞  被研磨基板を研磨する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法であって、
前記研磨が、樹脂を含む被研磨基板保持材を用いた研磨であり、
前記保持材におけるＡｌ、Ｍｇ、及びＴｉ金属イオンの含有量が、保持材中に、それぞれ、１０ｐｐｍ以下である、磁気ディスク基板の製造方法。
＜２＞  被研磨基板を研磨する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法であって、
前記研磨が、樹脂を含む被研磨基板保持材を用いた研磨であり、
前記保持材の灰化処理後の残渣量が、０．１０質量％以下である、磁気ディスク基板の製造方法。
＜３＞  被研磨基板を研磨する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法であって、
前記研磨が、樹脂を含む被研磨基板保持材を用いた研磨であり、
前記保持材におけるＡｌ、Ｍｇ、及びＴｉ金属イオンの含有量が、保持材中に、それぞれ、１０ｐｐｍ以下であり、かつ、
前記保持材の灰化処理後の残渣量が、０．１０質量％以下である、磁気ディスク基板の製造方法。
【００４２】
＜４＞  前記保持材におけるＡｌ、Ｍｇ、及びＴｉの金属イオンの含有量が、それぞれ、１０ｐｐｍ以下であって、好ましくは８ｐｐｍ以下、より好ましくは６ｐｐｍ以下、さらに好ましくは４ｐｐｍ以下、さらにより好ましくは２ｐｐｍ以下である、＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜５＞  前記保持材の灰化処理後の残渣量が、０．１０質量％以下であって、好ましくは０．０９質量％以下、より好ましくは０．０８質量％以下、さらに好ましくは０．０７質量％以下である、＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜６＞  前記保持材の曲げ弾性率が２０００ＭＰａ以上である、＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜７＞  前記保持材の曲げ弾性率が２３００ＭＰａ以上、好ましくは２５００ＭＰａ以上、より好ましくは２７００ＭＰａ以上であり、及び/又は、２５０００ＭＰａ以下であり、好ましくは１００００ＭＰａ以下、さらに好ましくは５０００ＭＰａ以下、よりさらに好ましくは３５００ＭＰａ以下である、＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜８＞  樹脂を含む被研磨基板保持材が、樹脂材料から製造された若しくはされ得るもの、樹脂からなるもの、樹脂フィルムの積層板、樹脂からなるフィルムの積層板、表面が樹脂であるもの、及び、被研磨基板や研磨機や研磨パッド等の他の部品と接触する部分が樹脂で構成されるものからなる群から選択される、＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜９＞  前記樹脂が、アラミド繊維基材エポキシ樹脂等の樹脂繊維強化樹脂、ポリフェニレンサルファイド、ポリアセタール樹脂、ポリカーボネート、及び、環状オレフィン系（共）重合体樹脂からなる群から選択される、＜１＞から＜８＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜１０＞  前記樹脂が、環状オレフィン系重合体樹脂である、＜１＞から＜９＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜１１＞  前記環状オレフィン系（共）重合体樹脂が、環状オレフィンに由来する構造単位を含む重合体又は共重合体である、＜９＞又は＜１０＞に記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜１２＞  前記保持材が、灰化処理後の残渣に対して蛍光Ｘ線定性分析を行った場合に、Ａｌ、Ｍｇ、及びＴｉのすべてが実質的に検出されない保持材である、＜１＞から＜１１＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜１３＞  前記保持材が、灰化処理後の残渣に対して走査型電子顕微鏡観察による無機粒子検出を行った場合に、Ａｌ、Ｍｇ、又はＴｉを含む無機粒子が実質的に検出されない保持材である、＜１＞から＜１２＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜１４＞  前記被研磨基板が、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板又はガラス基板である、＜１＞から＜１３＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜１５＞  前記研磨をする工程が、粗研磨工程、仕上げ研磨工程、又は両研磨工程である、＜１＞から＜１４＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜１６＞  下記（１）〜（３）の工程を有し、下記工程（１）及び（３）の少なくとも一方の研磨の工程が、前記研磨をする工程である、＜１＞から＜１５＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
（１）被研磨基板保持材に被研磨基板を保持させて研磨機に配置し、研磨液組成物Ａを前記被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板保持材を動かして前記研磨対象面を研磨する工程。
（２）工程（１）で得られた基板を洗浄する工程。
（３）被研磨基板保持材に工程（２）で得られた基板を保持させて研磨機に配置し、シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを前記基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板保持材を動かして前記研磨対象面を研磨する工程。
＜１７＞  樹脂を含む被研磨基板保持材を用いて被研磨基板を研磨することを含み、前記被研磨基板保持材が、下記（１）及び（２）の少なくとも一方の条件を満たす、磁気ディスク基板の研磨方法。
（１）前記保持材におけるＡｌ、Ｍｇ、及びＴｉ金属イオンの含有量が、保持材中に、それぞれ、１０ｐｐｍ以下。
（２）前記保持材の灰化処理後の残渣量が、０．１０質量％以下。
＜１８＞  下記（１）〜（３）の工程を有し、下記工程（１）及び（３）の少なくとも一方の研磨が、前記研磨である、＜１７＞記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
（１）被研磨基板保持材に被研磨基板を保持させて研磨機に配置し、研磨液組成物Ａを前記被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板保持材を動かして前記研磨対象面を研磨する工程。
（２）工程（１）で得られた基板を洗浄する工程。
（３）被研磨基板保持材に工程（２）で得られた基板を保持させて研磨機に配置し、砥粒及び水を含有する研磨液組成物Ｂを前記基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板保持材を動かして前記研磨対象面を研磨する工程。
＜１９＞  前記保持材におけるＡｌ、Ｍｇ、及びＴｉの金属イオンの含有量が、それぞれ、１０ｐｐｍ以下であって、好ましくは８ｐｐｍ以下、より好ましくは６ｐｐｍ以下、さらに好ましくは４ｐｐｍ以下、さらにより好ましくは２ｐｐｍ以下である、＜１７＞又は＜１８＞に記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜２０＞  前記保持材の灰化処理後の残渣量が、０．１０質量％以下であって、好ましくは０．０９質量％以下、より好ましくは０．０８質量％以下、さらに好ましくは０．０７質量％以下である、＜１７＞から＜１９＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜２１＞  前記保持材の曲げ弾性率が２０００ＭＰａ以上である、＜１７＞から＜２０＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜２２＞  前記保持材の曲げ弾性率が２３００ＭＰａ以上、好ましくは２５００ＭＰａ以上、より好ましくは２７００ＭＰａ以上であり、及び/又は、２５０００ＭＰａ以下であり、好ましくは１００００ＭＰａ以下、さらに好ましくは５０００ＭＰａ以下、よりさらに好ましくは３５００ＭＰａ以下である、＜１７＞から＜２１＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜２３＞  樹脂を含む被研磨基板保持材が、樹脂材料から製造された若しくはされ得るもの、樹脂からなるもの、樹脂フィルムの積層板、樹脂からなるフィルムの積層板、表面が樹脂であるもの、及び、被研磨基板や研磨機や研磨パッド等の他の部品と接触する部分が樹脂で構成されるものからなる群から選択される、＜１７＞から＜２２＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜２４＞  前記樹脂が、アラミド繊維基材エポキシ樹脂等の樹脂繊維強化樹脂、ポリフェニレンサルファイド、ポリアセタール樹脂、ポリカーボネート、及び、環状オレフィン系（共）重合体樹脂からなる群から選択される、＜１７＞から＜２３＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜２５＞  前記樹脂が、環状オレフィン系重合体樹脂である、＜１７＞から＜２４＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜２６＞  前記環状オレフィン系（共）重合体樹脂が、環状オレフィンに由来する構造単位を含む重合体又は共重合体である、＜２４＞又は＜２５＞に記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜２７＞  前記保持材が、灰化処理後の残渣に対して蛍光Ｘ線定性分析を行った場合に、Ａｌ、Ｍｇ、及びＴｉのすべてが実質的に検出されない保持材である、＜１７＞から＜２６＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜２８＞  前記保持材が、灰化処理後の残渣に対して走査型電子顕微鏡観察による無機粒子検出を行った場合に、Ａｌ、Ｍｇ、又はＴｉを含む無機粒子が実質的に検出されない保持材である、＜１７＞から＜２７＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜２９＞  前記被研磨基板が、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板又はガラス基板である、＜１７＞から＜２８＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
【実施例】
【００４３】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、これらは例示的なものであって、本発明はこれら実施例に制限されるものではない。
【００４４】
表１に示す材質の被研磨基板保持材（No.1〜No.8）を使用して被研磨基板を研磨し、研磨後の基板表面の表面欠陥数、付着物、耐摩耗性を評価した（実施例１〜３、比較例１〜５）。研磨条件、各パラメータの測定方法、研磨条件（研磨方法）及び評価方法は以下のとおりである。
【００４５】
１．被研磨基板保持材
被研磨基板保持材として、表１に示すNo.1からNo.8の材質の被研磨基板保持材を使用した。これらの保持材について、灰化処理を施し、灰化後残渣に対して蛍光Ｘ線（ＸＲＦ）定性分析、誘導結合プラズマ発光分光法（ＩＣＰ−ＡＥＳ）、及び、走査型電子顕微鏡観察とエネルギー分散型Ｘ線分析法（ＳＥＭ−ＥＤＳ）を用いて無機元素分析（Ａｌ、Ｍｇ、及びＴｉ）及び無機粒子の検出を行った。また、保持材の曲げ弾性率も測定した。それらの条件は以下のとおりである。No.1〜No.3の被研磨基板保持材は、環状オレフィン系重合体製であって、特許文献４に開示の方法に準じて製造されたものである。No.4〜No.8の被研磨基板保持材は、従来の被研磨基板の保持材として使用されていたものであって、それぞれ、以下の市販品を用いた。
No.４、５、７：相模PCI社製
No.６：シー・アール・ティー社製
No.８：富士ベークライト社製
【００４６】
［灰化条件］
所定の大きさにカットした保持材片を超純水にて洗浄、乾燥後、約５ｇを磁性るつぼに入れ、電気炉に入れた。５５０℃、１時間加熱し、保持材を灰化し、灰化残渣を得た。灰化処理の残渣量は下記式により算出した。
灰化残渣量＝（熱処理後の質量／熱処理前の質量）ｘ100
【００４７】
［蛍光Ｘ線（ＸＲＦ）定性分析条件］
測定装置：蛍光Ｘ線分析装置  ＺＳＸ１００ｅ（リガク社製）
評価：前期灰化処理にて得た灰化残渣を蛍光Ｘ線分析装置（ターゲット：ロジウム管球・管電圧：５０ｋＶ・管電流５０ｍＡ）にて定性分析を行った。
【００４８】
［誘導結合プラズマ発光分光法（ＩＣＰ−ＡＥＳ）条件］
測定装置：誘導結合プラズマ発光分析装置  ＳＰＳ５５２０（エスアイアイ・ナノテクノロジー社製）
評価：所定の大きさにカットした基板保持材に硫酸を加え、灰化した後、アルカリ溶融を実施した。融解処理にて得た試料に塩酸を加え溶解したものを測定試料とし、誘導結合プラズマ発光分析装置にてＡｌ、Ｍｇ、Ｔｉ元素含有量の測定を行った。なお、No.8の被研磨保持材は、ＸＲＦ定性分析にてＭｇが多量に検出されたため、ＩＣＰ−ＡＥＳによるＭｇの分析は行わなかった。
【００４９】
［走査型電子顕微鏡観察とエネルギー分散型Ｘ線分析法（ＳＥＭ−ＥＤＳ）条件］
測定装置：走査型電子顕微鏡  Ｓ−４８００（日立ハイテク社製）
測定装置：エネルギー分散型Ｘ線分析  ＥＭＡＸ  ＥＸ−３５０（堀場製作所社製）
評価：前記ＸＲＦ定性分析で行った灰化条件にて灰化した試料を超純水に分散させ、メンブレンフィルター（Ｋ０２０Ａ０２５Ａ：アドバンテック東洋社製）を用いてろ過を実施した。フィルターを乾燥後、観察用試料台に固定し、オスミウム蒸着を実施し、観察を実施した。フィルター上の残渣を無作為に５０点選択し、走査型電子顕微鏡（加速電圧：１０ｋＶ）にて観察、エネルギー分散型Ｘ線分析により元素の同定を実施した。No.4で検出された無機粒子（Al/Si/O）のＳＥＭ写真の一例を図１に示す。また、No.5で検出された無機粒子（Ti/O）のＳＥＭ写真の一例を図２に示す。
【００５０】
［曲げ弾性率］
測定装置：オートグラフ  ＡＧ−１００ＫＮＸ（島津製作所製）
評価：所定の大きさにカットした試験片をオートグラフにて測定を実施し、ＪＩＳ  Ｋ７１７１に従い、曲げ弾性率の算出を実施した。
【００５１】
【表１】
2014093098.tif 000003
【００５２】
２．研磨
下記被研磨基板及び研磨液組成物、並びに、前記No.1からNo.8の被研磨基板保持材を用いて、下記の条件で研磨を行った（実施例１〜３、比較例１〜５）。
【００５３】
［被研磨基板］
被研磨基板は、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板を予めアルミナ研磨剤を含有する研磨液組成物で粗研磨した基板を用いた。なお、この被研磨基板は、厚み１．２７ｍｍ、直径９５ｍｍ（中心部直径２５ｍｍの穴あきドーナツ型）であり、ＡＦＭ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ  Ｎａｎｏ  Ｓｃｏｐｅ  ＩＩＩａ Ｍｕｌｔｉ  Ｍｏｄｅ  ＡＦＭ）により測定した中心線平均粗さＲａが１ｎｍ、長波長うねり（波長０．４〜２ｍｍ）の振幅は２ｎｍであった。
【００５４】
［研磨液組成物の調製］
研磨液組成物は、超純水に硫酸、１Ｈ−ベンゾトリアゾール、アミノエチルエタノールアミン、過酸化水素を加え、更にコロイドシリカ（平均粒子径：２５ｎｍ）を加えて調整した。この際、研磨液組成物中の硫酸濃度を０．５質量％、１Ｈ−ベンゾトリアゾール濃度を０．１質量％、アミノエチルエタノールアミンを０．０５質量％、過酸化水素濃度を０．４質量％とした。また、コロイドシリカの含有量は５質量％とした。
【００５５】
［研磨条件］
研磨機：両面研磨機（９Ｂ型両面研磨機、スピードファム社製）
研磨パッド：スエードタイプ（発泡層：ポリウレタンエラストマー）、厚み１．０４ｍｍ、平均気孔径２０μｍ（フジボウ社製）
定盤回転数：３５ｒｐｍ
研磨荷重：１０ｋＰａ（設定値）
研磨液供給量：１００ｍＬ／分（０．０７６ｍＬ／（ｃｍ2・分））
研磨時間：６分（研磨量：４５ｍｇ/枚）
投入した基板の枚数：１０枚（両面研磨）
リンス条件：
定盤回転数：２０ｒｐｍ
研磨荷重：２．５ｋＰａ
イオン交換水供給量：２Ｌ／分で１５秒間
【００５６】
［洗浄条件］
研磨後の基板を、下記条件で洗浄した。
１）  基板を超純水中に浸漬し、超音波照射（９５０ｋＨｚ）を１分間行う。
２）  超音波照射後の基板を洗浄ブラシがセットされたスクラブ洗浄ユニットに移送し洗浄する。
【００５７】
３．評価方法
前記研磨について、研磨抵抗、研磨後の基板表面欠陥（スクラッチ及び突起欠陥）、及び研磨後の保持材の耐摩耗性を評価した。
【００５８】
［研磨抵抗］
測定装置：リモートI/O  R1M-GH（エム・システム技研社製）
評価：測定装置を研磨機のインバーターに接続し、モーター電流を測定した。研磨荷重１０ｋＰａにおけるモーター電流の平均値を算出した。その結果を表２に示す。
【００５９】
［表面欠陥（スクラッチ及び突起欠陥）の評価］
測定機器：Ｃａｎｄｅｌａ ＯＳＡ７１００（ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ社製）
評価：前記条件で研磨及び洗浄を行った基板のうち、無作為に４枚を選択し、各々の基板を１００００ｒｐｍにてレーザーを照射してスクラッチ数（個）及び突起欠陥数（個）を測定した。その４枚の基板の各々両面にあるスクラッチ数（個）及び突起欠陥数（個）の合計を８で除して、基板面当たりのスクラッチ数及び突起欠陥数を算出した。それらの結果を、表２に、比較例１を１００とした相対値として示す。
【００６０】
［突起欠陥（付着物）の解析］
測定装置：走査型電子顕微鏡  Ｓ−４８００（日立ハイテク社製）
測定装置：エネルギー分散型Ｘ線分析  ＥＭＡＸ  ＥＸ−３５０（堀場製作所社製）
評価：前記条件にて検出した突起欠陥のうち、無作為に２０点を選択し、Ｃａｎｄｅｌａ ＯＳＡ７１００にてマーキングを実施した。その２０点を走査型電子顕微鏡（加速電圧：１０ｋＶ）にて観察、エネルギー分散型Ｘ線分析により元素の同定を実施した。
【００６１】
［耐摩耗性］
研磨後に各保持材を取り出し、光学顕微鏡により前記保持材の歯車部の磨耗量を目視観察し、下記の基準で評価した。評価点Ｂ以上であれば使用可能である。
Ａ：  欠け、磨耗がほとんどなし
Ｂ：  欠け、磨耗が若干あり
Ｃ：  欠け、磨耗が著しい
【００６２】
【表２】
2014093098.tif 000004
【００６３】
表１及び２に示す通り、No.1〜No.3の被研磨基板保持材を用いた実施例１〜３では、No.4〜No.8の被研磨基板保持材を用いた比較例１〜５に比べ、研磨後の表面欠陥数が低減された。また、実施例１〜３の突起欠陥である付着物中にはＡｌ、Ｍｇ、Ｔｉに由来する無機粒子は含まれていなかったが、比較例１〜５の付着物中にはＡｌ、Ｍｇ、Ｔｉに由来する無機粒子が検出された。また、実施例１〜３の研磨時の研磨抵抗は、比較例１〜５の研磨時の研磨抵抗に比べて低かった。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本発明の磁気ディスクの製造方法は、例えば、高記録密度の磁気ディスク基板の製造に好適に用いることができる。
【符号の説明】
【００６５】
１：基研磨基板保持材
２：貫通孔
３：被研磨基板
４：研磨パッド
５：定盤
【図３】
2014093098.tif 000005
【図４】
2014093098.tif 000006
【図１】
2014093098.tif 000007
【図２】
2014093098.tif 000008