(57)【要約】【課題】温度検知用抵抗の温度依存性に対する、電流検知用抵抗の電圧降下の影響を低減する。【解決手段】スイッチング装置は、インバータＩＮＶと、電源線Ｌ１，Ｌ２と、電源線Ｌ２に挿入される電流検知用抵抗Ｒ４と、温度検知用抵抗Ｒｔｈと、電流供給用抵抗Ｒ３とを備える。温度検知用抵抗Ｒｔｈの一端は、電流検知用抵抗Ｒ４とインバータＩＮＶとの間で電源線Ｌ２に接続される。電流供給用抵抗Ｒ３の一端は温度検知用抵抗Ｒｔｈの他端に接続され、電流供給用抵抗Ｒ３の他端には直流電位Vｃｃが供給される。温度検知用抵抗Ｒｔｈの他端において電位Ｖ２が、電流検知用抵抗Ｒ４の一端において電位Ｖ４が、それぞれ得られる。【選択図】図１
2014103768.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチングを行って直流電圧を他の電圧に変換する半導体スイッチング回路（ＩＮＶ、ＣＨ）と、
前記半導体スイッチング回路へ前記直流電圧を供給する高電位側電源線（Ｌ１）及び低電位側電源線（Ｌ２）と、
前記低電位側電源線に挿入される電流検知用抵抗（Ｒ４）と、
前記電流検知用抵抗と前記半導体スイッチング回路との間で前記低電位側電源線に接続される一端と、他端とを有する温度検知用抵抗（Ｒｔｈ）と、
少なくとも前記半導体スイッチング回路及び前記温度検知用抵抗を載置する基板（２）と、
前記温度検知用抵抗（Ｒｔｈ）の前記他端に接続される一端と、正の固定電位（Ｖｃｃ）が与えられる他端とを有する電流供給用抵抗（Ｒ３）と
を備えるスイッチング装置に対し、
前記温度検知用抵抗の前記他端の電位（Ｖ２）から、前記温度検知用抵抗の前記一端の電位（Ｖ４）の半分（Ｖ４／２）を差し引いて、検出電圧（Ｖ２−Ｖ４／２）を得る演算装置。
【請求項２】
前記電流供給用抵抗（Ｒ３）の抵抗値は、前記温度検知用抵抗（Ｒｔｈ）の抵抗値として予測される値に採用される、請求項１記載の演算装置。
【請求項３】
前記温度検知用抵抗（Ｒｔｈ）の抵抗値は、正の温度係数を有する、請求項１乃至請求項２のいずれか一つに記載の演算装置。
【請求項４】
前記固定電位（Ｖｃｃ）は前記温度検知用抵抗の前記一端の電位（Ｖ４）の１０倍以上に設定される、請求項１乃至請求項３のいずれか一つに記載の演算装置。
【請求項５】
スイッチングを行って直流電圧を他の電圧に変換する半導体スイッチング回路（ＩＮＶ、ＣＨ）と、
前記半導体スイッチング回路へ前記直流電圧を供給する高電位側電源線（Ｌ１）及び低電位側電源線（Ｌ２）と、
前記低電位側電源線に挿入される電流検知用抵抗（Ｒ４）と、
前記電流検知用抵抗と前記半導体スイッチング回路との間で前記低電位側電源線に接続される一端と、他端とを有する温度検知用抵抗（Ｒｔｈ）と、
少なくとも前記半導体スイッチング回路及び前記温度検知用抵抗を載置する基板（２）と、
前記温度検知用抵抗（Ｒｔｈ）の前記他端に接続される一端と、正の固定電位（Ｖｃｃ）が与えられる他端とを有する電流供給用抵抗（Ｒ３）と
を備え、
前記電流供給用抵抗（Ｒ３）の抵抗値は、前記温度検知用抵抗（Ｒｔｈ）の抵抗値として予測される値に採用されるスイッチング装置。
【請求項６】
スイッチングを行って直流電圧を他の電圧に変換する半導体スイッチング回路（ＩＮＶ、ＣＨ）と、
前記半導体スイッチング回路へ前記直流電圧を供給する高電位側電源線（Ｌ１）及び低電位側電源線（Ｌ２）と、
前記低電位側電源線に挿入される電流検知用抵抗（Ｒ４）と、
前記電流検知用抵抗と前記半導体スイッチング回路との間で前記低電位側電源線に接続される一端と、他端とを有する温度検知用抵抗（Ｒｔｈ）と、
少なくとも前記半導体スイッチング回路及び前記温度検知用抵抗を載置する基板（２）と、
前記温度検知用抵抗（Ｒｔｈ）の前記他端に接続される一端と、正の固定電位（Ｖｃｃ）が与えられる他端とを有する電流供給用抵抗（Ｒ３）と
を備え、
前記温度検知用抵抗（Ｒｔｈ）の抵抗値は、正の温度係数を有するスイッチング装置。
【請求項７】
スイッチングを行って直流電圧を他の電圧に変換する半導体スイッチング回路（ＩＮＶ、ＣＨ）と、
前記半導体スイッチング回路へ前記直流電圧を供給する高電位側電源線（Ｌ１）及び低電位側電源線（Ｌ２）と、
前記低電位側電源線に挿入される電流検知用抵抗（Ｒ４）と、
前記電流検知用抵抗と前記半導体スイッチング回路との間で前記低電位側電源線に接続される一端と、他端とを有する温度検知用抵抗（Ｒｔｈ）と、
少なくとも前記半導体スイッチング回路及び前記温度検知用抵抗を載置する基板（２）と、
前記温度検知用抵抗（Ｒｔｈ）の前記他端に接続される一端と、正の固定電位（Ｖｃｃ）が与えられる他端とを有する電流供給用抵抗（Ｒ３）と
を備え、
前記固定電位（Ｖｃｃ）は前記温度検知用抵抗の前記一端の電位（Ｖ４）の１０倍以上に設定されるスイッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体スイッチング回路の温度を測定する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
スイッチングを行って直流電圧を他の電圧に変換する半導体スイッチング回路として、インバータや、チョッパが知られている。インバータは直流電圧を交流電圧に変換し、チョッパは直流電圧を昇圧／降圧して他の直流電圧に変換する。チョッパは力率改善回路として採用されることもある。
【０００３】
インバータであれ、チョッパであれ、半導体スイッチング回路のスイッチングを制御するため、あるいは過電流を検知するため、半導体スイッチング回路に流れる電流（以下「スイッチング電流」と仮称する）を検知する要求がある。
【０００４】
スイッチング電流を検出するための構成としては、これを簡易に実現すべく、抵抗（以下「電流検知用抵抗」）が採用される。電流検知用抵抗は、半導体スイッチング回路に入力する直流電圧を供給するための一対の電源線の一方上に設けられる。電流検知用抵抗における電流降下からスイッチング電流を検知するための構成を簡易にするため、電流検知用抵抗は上記電源線のうち、低電位側の電源線上に設けられることが多い。
【０００５】
他方、半導体スイッチング回路の過熱による破壊を防ぐため、半導体スイッチング回路の温度を検知する要求もある。当該温度を検知する構成としては、これを簡易に実現すべく、抵抗（以下「温度検知用抵抗」）が採用される。温度検知用抵抗は、通常の抵抗であっても（その抵抗値が温度依存性を有するので）かまわないが、より感度が高いサーミスタ（あるいはポジスタ）が採用されることも多い。
【０００６】
温度検知用抵抗は、半導体スイッチング回路の温度を検知するため、半導体スイッチング回路の近くに設けることが要求される。そして温度検知用抵抗における温度変化は、温度検知用抵抗の抵抗値の温度変化として検出できるので、温度検知用抵抗に電流を供給し、当該温度検知用抵抗における電圧降下を検知する。このような電流の供給や電圧降下の測定を行う回路を簡易に構成するため、温度検知用抵抗は低電位側の電源線と、所定の電位点との間に設けられることが多い。
【０００７】
このように、低電位側の電源線上に電流検知用抵抗が設けられ、低電位側の電源線に一端が接続された温度検知用抵抗が設けられる技術が、特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許第４６３９９５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記特許文献１でも示されるように、温度検知用抵抗は半導体スイッチング回路の温度を検知するために、半導体スイッチング回路に近く設けられることが望ましい。よって温度検知用抵抗の一端は、電流検知用抵抗と半導体スイッチング回路との間で低電位側電源線に接続されることが望まれる。
【００１０】
しかしながらこのような接続態様では、スイッチング電流が温度検知における誤差要因となりやすい。スイッチング電流の変化が電流検知用抵抗の電圧降下を変化させ、当該変化は温度検知用抵抗の一端の電位を変化させるからである。
【００１１】
例えば、特許文献１の図４では、電流検知用抵抗における電圧降下を電圧Ｖｓｈで、電流検知用抵抗と温度検知用抵抗との直列接続における電圧降下を電圧Ｖ１で、電流検知用抵抗と温度検知用抵抗と分圧抵抗との直列接続に印加される電圧を電圧ＶＤＤで、それぞれ示している。よって検出される電圧Ｖ１は、温度検知用抵抗の抵抗値Ｒ５１、分圧抵抗の抵抗値Ｒ５３を導入して、下式（１）で求められる。
【００１２】
【数１】
2014103768.tif 000003
【００１３】
右辺第１項は温度検知用抵抗の抵抗値Ｒ５１の変動のみならず、電流検知用抵抗の電圧降下Ｖｓｈの変動にも依存する。他方、第２項は、通常は電圧ＶＤＤが一定電圧に維持され、分圧抵抗の抵抗値Ｒ５１の温度依存性が小さいので、温度検知用抵抗の抵抗値Ｒ５１の変動のみに依存すると見ることができる。即ち、電圧Ｖ１についてのＳ／Ｎ比の観点で見れば、第１項及び第２項はそれぞれ雑音及び信号に対応することになる。
【００１４】
そこで、右辺第１項の右辺第２項に対する割合を小さくすることが望まれる。これは例えばＲ５３＜＜Ｒ５１に設定することが望ましい。しかしながら、そうすると抵抗値Ｒ５１の変動に対する右辺第２項の変動が小さくなる。これは電圧Ｖ１の温度検知に対する感度が低下することになって望ましくない。
【００１５】
かかる感度の低下は特に、電圧Ｖ１をＡ／Ｄ変換してデジタル処理を行う場合、デジタル処理における量子化誤差直線性の影響が大きくなり、温度検知の精度悪化を招来する点で望ましくない。
【００１６】
この発明は上記の観点から、温度検知用抵抗の温度依存性に対する、電流検知用抵抗の電圧降下の影響を低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
この発明にかかる演算装置の第１の態様は、スイッチング装置に対し、検出電圧（Ｖ２−Ｖ４／２）を得る。前記スイッチング装置は、スイッチングを行って直流電圧を他の電圧に変換する半導体スイッチング回路（ＩＮＶ、ＣＨ）と、前記半導体スイッチング回路へ前記直流電圧を供給する高電位側電源線（Ｌ１）及び低電位側電源線（Ｌ２）と、前記低電位側電源線に挿入される電流検知用抵抗（Ｒ４）と、前記電流検知用抵抗と前記半導体スイッチング回路との間で前記低電位側電源線に接続される一端と、他端とを有する温度検知用抵抗（Ｒｔｈ）と、少なくとも前記半導体スイッチング回路及び前記温度検知用抵抗を載置する基板（２）と、前記温度検知用抵抗（Ｒｔｈ）の前記他端に接続される一端と、正の固定電位（Ｖｃｃ）が与えられる他端とを有する電流供給用抵抗（Ｒ３）とを備える。
【００１８】
そして前記検出電圧は、前記温度検知用抵抗の前記他端の電位（Ｖ２）から、前記温度検知用抵抗の前記一端の電位（Ｖ４）の半分（Ｖ４／２）を差し引いて得られる。
【００１９】
この発明にかかる演算装置の第２の態様は、その第１の態様であって、前記電流供給用抵抗（Ｒ３）の抵抗値は、前記温度検知用抵抗（Ｒｔｈ）の抵抗値として予測される値に採用される。
【００２０】
この発明にかかる演算装置の第３の態様は、その第１の態様または第２の態様であって、前記温度検知用抵抗（Ｒｔｈ）の抵抗値は、正の温度係数を有する。
【００２１】
この発明にかかる演算装置の第４の態様は、その第１の態様乃至第３の態様のいずれかであって、前記固定電位（Ｖｃｃ）は前記温度検知用抵抗の前記一端の電位（Ｖ４）の１０倍以上に設定される。
【００２２】
この発明にかかるスイッチング装置は、スイッチングを行って直流電圧を他の電圧に変換する半導体スイッチング回路（ＩＮＶ、ＣＨ）と、前記半導体スイッチング回路へ前記直流電圧を供給する高電位側電源線（Ｌ１）及び低電位側電源線（Ｌ２）と、前記低電位側電源線に挿入される電流検知用抵抗（Ｒ４）と、前記電流検知用抵抗と前記半導体スイッチング回路との間で前記低電位側電源線に接続される一端と、他端とを有する温度検知用抵抗（Ｒｔｈ）と、少なくとも前記半導体スイッチング回路及び前記温度検知用抵抗を載置する基板（２）と、前記温度検知用抵抗（Ｒｔｈ）の前記他端に接続される一端と、正の固定電位（Ｖｃｃ）が与えられる他端とを有する電流供給用抵抗（Ｒ３）とを備える。
【００２３】
そしてその第１の態様では、前記電流供給用抵抗（Ｒ３）の抵抗値は、前記温度検知用抵抗（Ｒｔｈ）の抵抗値として予測される値に採用される。
【００２４】
またその第２の態様では、前記温度検知用抵抗（Ｒｔｈ）の抵抗値は、正の温度係数を有する。
【００２５】
またその第３の態様では、前記固定電位（Ｖｃｃ）は前記温度検知用抵抗の前記一端の電位（Ｖ４）の１０倍以上に設定される。
【発明の効果】
【００２６】
この発明にかかる演算装置の第１の態様によれば、検出電圧と、固定電位と、電流供給用抵抗の抵抗値とから、温度検知用抵抗の抵抗が求められる。よって当該演算装置から得られた検出電圧を元に、温度検知用抵抗の抵抗値が、引いては半導体スイッチング回路の温度が推定される。しかもこの推定は、電流検知用抵抗の抵抗値の変動を受けにくい。
【００２７】
この発明にかかる演算装置の第２の態様によれば、温度検知用抵抗の抵抗値、引いては半導体スイッチング回路の温度の推定において、電流検知用抵抗の抵抗値の変動の影響がより小さくなる。
【００２８】
半導体スイッチング回路は動作によって温度が上昇するが、温度の許容範囲には上限がある。よって推定される半導体スイッチング回路の温度は高温側で精度を高める必要がある。この発明にかかる演算装置の第３の態様によれば、温度検知用抵抗の抵抗値が正の温度係数を有することにより、高温になるほどその抵抗値は増加し、検出電圧は電流検知用抵抗の抵抗値の変動の影響を受けにくくなる。
【００２９】
この発明にかかる演算装置の第４の態様によれば、温度検知用抵抗の抵抗値、引いては半導体スイッチング回路の温度の推定において、電流検知用抵抗の抵抗値の変動の影響がより小さくなる。
【００３０】
この発明にかかるスイッチング装置の第１の態様によれば、この発明にかかる演算装置の第１の態様が当該スイッチング装置に用いられるに際し、この発明にかかる演算装置の第２の態様の効果を得ることができる。
【００３１】
この発明にかかるスイッチング装置の第２の態様によれば、この発明にかかる演算装置の第１の態様が当該スイッチング装置に用いられるに際し、この発明にかかる演算装置の第３の態様の効果を得ることができる。
【００３２】
この発明にかかるスイッチング装置の第３の態様によれば、この発明にかかる演算装置の第１の態様が当該スイッチング装置に用いられるに際し、この発明にかかる演算装置の第４の態様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】第１の実施の形態にかかるスイッチング装置の構成を示す回路図である。
【図２】第１の実施の形態にかかるスイッチング装置の特性を示すグラフである。
【図３】第１の実施の形態にかかるスイッチング装置の特性を示すグラフである。
【図４】第１の実施の形態にかかる演算装置の構成を示す回路図である。
【図５】第１の実施の形態にかかる演算装置の他の構成を示す回路図である。
【図６】第１の実施の形態にかかるスイッチング装置の構成を示す平面図である。
【図７】第２の実施の形態にかかるスイッチング装置の構成を示す回路図である。
【図８】第２の実施の形態にかかるスイッチング装置の構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
第１の実施の形態．
図１は第１の実施の形態にかかるスイッチング装置の構成を示す回路図である。半導体スイッチング回路たるインバータＩＮＶは、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ６を有している。電源線Ｌ１，Ｌ２間の直流電圧Ｖｄｃは、電流検知用抵抗Ｒ４とインバータＩＮＶとの直列接続に印加される。インバータＩＮＶに供給された直流電圧は、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ６のスイッチングによって三相交流電圧Ｖｕ，Ｖｖ，Ｖｗへ変換される。
【００３５】
低電位側の電源線Ｌ２には電流検知用抵抗Ｒ４が挿入される。電流検知用抵抗Ｒ４の、インバータＩＮＶと反対側の端は接地される。接地ＧＮＤの電位は０である。
【００３６】
温度検知用抵抗Ｒｔｈの一端は、電流検知用抵抗Ｒ４とインバータＩＮＶとの間で、電源線Ｌ２に接続される。温度検知用抵抗Ｒｔｈの他端には電流供給用抵抗Ｒ３の一端が接続される。電流供給用抵抗Ｒ３の他端には直流電位Ｖｃｃが供給される電位供給点（これにも記号Ｖｃｃを採用する）が接続される。直流電位Ｖｃｃは、電源線Ｌ２が与える電位（ここでは接地ＧＮＤの電位０）よりも電位が高い。
【００３７】
基板２は、少なくともインバータＩＮＶ及び温度検知用抵抗Ｒｔｈを載置する。
【００３８】
温度検知用抵抗Ｒｔｈの抵抗値の変動は、その一端の電位と、他端の電位に基づいて検出される。通常、電位を測定する構成の入力インピーダンスは非常に大きいので、当該構成へは電流が流れないと考えることができる。
【００３９】
よって、電流供給用抵抗Ｒ３を介して電位供給点Ｖｃｃから流れる電流ｉ２は次式（２）で求められる。但し、温度検知用抵抗Ｒｔｈの抵抗値にも記号Ｒｔｈを用い、電流検知用抵抗Ｒ４の抵抗値にも記号Ｒ４を用い、電流供給用抵抗Ｒ３の抵抗値にも記号Ｒ３を用いた。
【００４０】
【数２】
2014103768.tif 000004
【００４１】
電流検知用抵抗Ｒ４にはインバータＩＮＶに流れる電流によって電圧降下Ｖ４が発生し、これにより温度検知用抵抗Ｒｔｈの一端において電位Ｖ４が発生する。インバータＩＮＶに流れる電流は通常、電流ｉ２よりも非常に大きく、電圧降下Ｖ４に対する電流ｉ２の寄与は無視できる。
【００４２】
温度検知用抵抗Ｒｔｈには電流ｉ２によって電圧降下が発生する。よって温度検知用抵抗Ｒｔｈの他端での電位Ｖ２は特許文献１について示した式（１）と類似して次式（３）で求められる。
【００４３】
【数３】
2014103768.tif 000005
【００４４】
式（１）と同様に、右辺第１項は温度検知用抵抗の抵抗値Ｒｔｈの変動のみならず、電流検知用抵抗Ｒ４の電圧降下Ｖ４の変動にも依存する。他方、第２項は、通常は電位Ｖｃｃが一定に維持され、電流供給用抵抗Ｒ３の抵抗値Ｒ３の温度依存性が小さいので、温度検知用抵抗Ｒｔｈの抵抗値Ｒｔｈの変動のみに依存すると見ることができる。即ち、電位Ｖ２についてのＳ／Ｎ比の観点で見れば、第１項及び第２項はそれぞれ雑音及び信号に対応することになる。
【００４５】
そこで、本実施の形態では、温度検知用抵抗Ｒｔｈの他端の電位Ｖ２から、温度検知用抵抗Ｒｔｈの一端の電位Ｖ４の半分（Ｖ４／２）を差し引いて、検出電圧（Ｖ２−Ｖ４／２）を得る。当該検出電圧の値は次式（４）で表される。但し、値α＝（Ｒｔｈ−Ｒ３）／Ｒ３を導入した。
【００４６】
【数４】
2014103768.tif 000006
【００４７】
この式から明確なように、電流供給用抵抗Ｒ３の抵抗値Ｒ３が、温度検知用抵抗Ｒｔｈの抵抗値Ｒｔｈと等しいときに、検出電圧が電圧降下Ｖ４から受ける影響を完全に除去することができる。換言すれば、電流供給用抵抗Ｒ３の抵抗値Ｒ３を、温度検知用抵抗Ｒｔｈの抵抗値Ｒｔｈとして予測される値に採用すれば、検出電圧から精度良く温度検知用抵抗Ｒｔｈを得ることができる（電流供給用抵抗Ｒ３及び直流電位Ｖｃｃは別途に採用可能なので）。
【００４８】
図２及び図３はいずれも本実施の形態スイッチング装置の特性を示すグラフである。具体的には、式（３）や式（４）の第２項を、電圧降下Ｖ４の影響を受けない理想的な値とし、当該値からの乖離率を示した。破線は式（３）の、実線は式（４）の、それぞれの乖離率である。乖離率についての上記定義から明らかなように、実線はα＝０のときに乖離率が０となる点を通る。図２はＶ４＝Ｖｃｃの場合を、図３はＶ４＝Ｖｃｃ×0.1の場合を、それぞれ示す。
【００４９】
図２、及び図３から明白なように、式（３）に基づいた実線の方が、式（２）に基づく破線よりも乖離率は小さい。よって特許文献１のように式（２）に基づくよりも、本実施の形態のように式（３）の検出電圧に基づく方が、温度検知用抵抗Ｒｔｈの抵抗値Ｒｔｈを、引いてはインバータＩＮＶの温度変動を推定するに際して、電流検知用抵抗Ｒ４での電圧降下の変動の影響を受けにくい。
【００５０】
また、値αが大きい領域の方が、値αが小さい領域よりも乖離率の変動は小さい。つまり、温度検知用抵抗Ｒｔｈの抵抗値Ｒｔｈが、電流供給用抵抗Ｒ３よりも大きい方が、乖離率の変動は小さくなる。
【００５１】
一般に、半導体スイッチング回路（ここではインバータＩＮＶ）は動作によって温度が上昇する。そしてその温度の許容範囲には上限がある。よって推定される半導体スイッチング回路の温度は高温側で精度を高める必要がある。
【００５２】
以上を考慮すると、温度検知用抵抗Ｒｔｈの抵抗値が正の温度係数を有することが望ましい。
【００５３】
また、図２と図３の比較から明白なように、直流電位Ｖｃｃは電圧降下Ｖ４よりも十分に、例えば１０倍以上に高めることが、乖離率を低下させる観点で望ましい。例えば直流電位Ｖｃｃが５Ｖ程度に選定される場合、電圧降下Ｖ４が０．５Ｖ以下に抑えられるように電流検知用抵抗Ｒ４の抵抗値Ｒ４を小さく選定することが望ましい。
【００５４】
図４はこの実施の形態にかかる演算装置１０の構成を示す回路図である。演算装置１０は、電位Ｖ２，Ｖ４から検出電圧（Ｖ２−Ｖ４／２）を得る。
【００５５】
演算装置１０は、乗算部１０１と差分演算器１０２とを備える。乗算部１０１は電位Ｖ４を半分にし、電位Ｖ４／２を得る。差分演算器１０２は電位Ｖ２から電位（Ｖ４／２）を減算し、検出電圧（Ｖ２−Ｖ４／２）を得る。
【００５６】
検出電圧（Ｖ２−Ｖ４／２）は、例えばインバータＩＮＶの動作を制御するマイクロコンピュータ２００に入力する。例えばマイクロコンピュータ２００はアナログ入力端子及びこれに接続されたアナログ／デジタル変換器２０１を有している。検出電圧（Ｖ２−Ｖ４／２）はアナログ入力端子を介してアナログ／デジタル変換器２０１に入力する。
【００５７】
アナログ／デジタル変換器２０１の出力はその後の種々の計算処理に用いられ、例えば直流電位Ｖｃｃと抵抗値Ｒ３と、式（２）や式（３）の第２項に基づいて、抵抗値Ｒｔｈが推定される。
【００５８】
図５はこの実施の形態にかかる他の演算装置２０４の構成を示す回路図である。演算装置２０４は、例えばインバータＩＮＶの動作を制御するマイクロコンピュータ２００内に設けられる。
【００５９】
マイクロコンピュータ２００はアナログ入力端子及びこれに接続されたアナログ／デジタル変換器２０２，２０３を有している。アナログ／デジタル変換器２０２，２０３には、それぞれ電位Ｖ２，Ｖ４が供給される。
【００６０】
演算装置２０４は、乗算器２０４ａと減算器２０４ｂとを有している。乗算器２０４ａはアナログ／デジタル変換器２０３の出力に乗数（１／２）を乗算し、減算器２０４ｂに入力する。減算器２０４ｂはアナログ／デジタル変換器２０２の出力から減算器２０４ｂの出力を減算し、デジタル値として検出電圧（Ｖ２−Ｖ４／２）を得る。
【００６１】
図６はスイッチング装置の構成を示す平面図である。インバータＩＮＶの温度測定の精度を高めるためには、インバータＩＮＶと温度検知用抵抗Ｒｔｈとは同じ基板２に搭載されることが望ましい。但し、図６では電流供給用抵抗Ｒ１、電流検知用抵抗Ｒ４も同じ基板２に搭載されている場合が例示されている。
【００６２】
このようにインバータＩＮＶと温度検知用抵抗Ｒｔｈとは同じ基板２に搭載され、導体パターン２１で接続される。導体パターン２１は例えば銅を主成分とする金属で形成されるので、熱伝導も良好であり、温度検知用抵抗Ｒｔｈの抵抗値はインバータＩＮＶの温度を良好に反映する。
【００６３】
なお、導体パターン２１，２２には、それぞれ電位Ｖ４，Ｖ２が発生するので、これらを経由して電位Ｖ４，Ｖ２を外部から測定することができる。
【００６４】
第２の実施の形態．
図７は第２の実施の形態にかかるスイッチング装置の構成を示す回路図である。半導体スイッチング回路たるチョッパＣＨは、スイッチング素子Ｑ０とダイオードＤを有している。直流電圧Ｖｄｃは電源線Ｌ１に挿入されたコイル４と、チョッパＣＨと、電流検知用抵抗Ｒ４との直列接続に印加される。電源線Ｌ２には電流検知用抵抗Ｒ４が挿入され、電流検知用抵抗Ｒ４の、チョッパＣＨと反対側の端は接地される。
【００６５】
温度検知用抵抗Ｒｔｈの一端は、電流検知用抵抗Ｒ４とチョッパＣＨとの間で、電源線Ｌ２に接続される。電流供給用抵抗Ｒ３と温度検知用抵抗Ｒｔｈとの接続関係は、第１の実施の形態と同様である。
【００６６】
チョッパＣＨはコイル４と共に昇圧チョッパを構成し、外部に接続されるコンデンサＣに直流電圧Ｖ０を引加する。つまりチョッパＣＨはコイル４と協働して直流電圧の変換を行うと把握することができる。
【００６７】
この場合にも電流検知用抵抗Ｒ４にはチョッパＣＨに流れる電流によって電圧降下Ｖ４が発生する。よって検出電圧（Ｖ２−Ｖ４／２）を得ることにより、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００６８】
図８はこの実施の形態にかかるスイッチング装置の構成を示す平面図である。チョッパＣＨの温度測定の精度を高めるためには、チョッパＣＨと温度検知用抵抗Ｒｔｈとは同じ基板２に搭載されることが望ましい。但し、図８では電流供給用抵抗Ｒ３、電流検知用抵抗Ｒ４も同じ基板２に搭載されている場合が例示されている。
【００６９】
コイル４及びコンデンサＣは電流供給用抵抗Ｒ３、電流検知用抵抗Ｒ４、温度検知用抵抗Ｒｔｈと比較して形状が大きいため、基板２に搭載しない場合もある。
【００７０】
チョッパＣＨも、第１の実施の形態で示されたインバータＩＮＶと同様に、温度検知用抵抗Ｒｔｈとは同じ基板２に搭載され、導体パターン２１で接続される。よって温度検知用抵抗Ｒｔｈの抵抗値はチョッパＣＨの温度を良好に反映する。
【００７１】
本実施の形態においても、第１の実施の形態と同様に、電流供給用抵抗Ｒ３の抵抗値Ｒ３は、温度検知用抵抗Ｒｔｈの抵抗値Ｒｔｈとして予測される値に採用されることが望ましい。また温度検知用抵抗Ｒｔｈの抵抗値Ｒｔｈは、正の温度係数を有することが望ましい。また直流電位Ｖｃｃは電位Ｖ４の１０倍以上に設定されることが望ましい。
【符号の説明】
【００７２】
２  基板
Ｌ１，Ｌ２  電源線
Ｒ１  電流設定用抵抗
Ｒ３  電流供給用抵抗
Ｒ４  電流検知用抵抗
Ｒｔｈ  温度検知用抵抗
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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