(57)【要約】【課題】  コンパクトな設計を可能にするマイクロ波加熱装置、画像定着装置、インク乾燥装置及びフィルム加熱装置を提供する。【解決手段】  画像定着装置１、インク乾燥装置及びフィルム加熱装置は、マイクロ波加熱装置２を備える。マイクロ波加熱装置２は、マイクロ波出力部３１を収容するランチャー部４と、導入されたマイクロ波を反射する加熱室短絡板６１を、マイクロ波進行方向Ｄ３の端部に有する加熱室６と、前記ランチャー部４と前記加熱室６との間に配置され、前記ランチャー部４側から進入するマイクロ波の少なくとも一部を通過させ且つ前記加熱室６側から進入するマイクロ波の少なくとも一部を反射させる誘電体５とを備え、前記ランチャー部４は、マイクロ波進行方向Ｄ３の端部に、前記加熱室６側から進入して前記誘電体５を通過したマイクロ波を反射するランチャー短絡板４１を備える。【選択図】  図２
2014203597.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ波を出力するマイクロ波出力部と、
前記マイクロ波出力部を収容するランチャー部と、
マイクロ波の定在波を形成して被加熱体を加熱すべく、導入された前記マイクロ波を反射する加熱室短絡板を、マイクロ波進行方向の端部に有する加熱室と、
前記ランチャー部と前記加熱室との間に配置される誘電体とを備え、
前記ランチャー部は、マイクロ波進行方向の端部に、前記加熱室側から進入して前記誘電体を通過したマイクロ波を反射するランチャー短絡板を備え、
前記加熱室は、前記被加熱体がマイクロ波進行方向と交差する方向で内部を通過するための開口部を備え、
前記誘電体は、空気よりも高い誘電率を有し、
前記マイクロ波の管内波長がλｇであり、前記マイクロ波の前記誘電体内の管内波長がλｇ’であり、前記ランチャー部のマイクロ波進行方向の幅がＡ・λｇであり、前記誘電体のマイクロ波進行方向の幅がＢ・λｇ’であり、Ｍ及びＮが１以上の自然数であるときに、
Ａ＋Ｂ＝Ｍ／２  と、
（４Ｎ−３）／８＜Ｂ＜（４Ｎ−１）／８  と、
を満たすマイクロ波加熱装置。
【請求項２】
前記加熱室は、マイクロ波進行方向に沿って角筒状に形成され、
前記開口部は、マイクロ波進行方向に沿って長尺に形成され、
前記加熱室は、磁界方向の内幅が狭くなるように内方に突出し且つ前記開口部の位置に対応してマイクロ波進行方向に沿って配置される段差部を備える請求項１に記載のマイクロ波加熱装置。
【請求項３】
前記加熱室は、磁界方向で幅狭となるように前記段差部から内方に突出する磁界方向突出部をさらに備え、
前記磁界方向突出部の突出量は、前記加熱室の磁界方向の内幅が前記マイクロ波の遮断波長よりも小さくなるように設定され、
前記磁界方向突出部のマイクロ波進行方向の長さは、マイクロ波が進行できるように設定される請求項２に記載のマイクロ波加熱装置。
【請求項４】
前記加熱室は、電界方向の内幅が狭くなるように内方に突出する電界方向突出部を備え、
前記電界方向突出部は、マイクロ波進行方向において前記段差部の両側に配置される請求項２又は３に記載のマイクロ波加熱装置。
【請求項５】
前記加熱室は、マイクロ波進行方向に沿って角筒状に形成され、
前記加熱室は、電界方向の内幅が狭くなるように内方に突出する電界方向突出部を備える請求項１に記載のマイクロ波加熱装置。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか１項に記載のマイクロ波加熱装置を備え、
前記加熱室は、前記開口部を介して通過するシートに付いている現像剤が前記シートに定着するように、前記シートを加熱する画像定着装置。
【請求項７】
請求項１〜５の何れか１項に記載のマイクロ波加熱装置を備え、
前記加熱室は、前記開口部を介して通過するシートに付着したインクを乾燥させるように、前記シートを加熱するインク乾燥装置。
【請求項８】
請求項１〜５の何れか１項に記載のマイクロ波加熱装置を備え、
前記加熱室は、前記開口部を介して通過するフィルムを加熱するフィルム加熱装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロ波により被加熱体を加熱するマイクロ波加熱装置に関する。また、本発明は、そのマイクロ波加熱装置を備える画像定着装置、インク乾燥装置及びフィルム加熱装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、マイクロ波加熱装置として、マイクロ波を出力するマイクロ波源と、マイクロ波が導入され、被加熱体を加熱する加熱室とを備えるマイクロ波加熱装置が知られている（例えば、特許文献１）。該マイクロ波加熱装置は、さらに整合器と、アイソレータとを備えている。
【０００３】
斯かる構成によれば、加熱室で反射されたマイクロ波のうち一部は整合器で反射されて加熱室内に戻される。整合器を通過してマイクロ波出力部に向けて進行したマイクロ波はアイソレータで吸収されるため、マイクロ波源は、過熱することなく、また異常出力を発生することなく安定して動作できる。しかしながら、斯かるマイクロ波加熱装置は、マイクロ波出力部と加熱室との間に、整合器及びアイソレータを配置しているため、大型化する傾向にある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２９５９０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
よって、本発明は、斯かる事情に鑑み、コンパクトな設計を可能にするマイクロ波加熱装置、画像定着装置、インク乾燥装置及びフィルム加熱装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るマイクロ波加熱装置は、マイクロ波を出力するマイクロ波出力部と、前記マイクロ波出力部を収容するランチャー部と、マイクロ波の定在波（以下、単に「定在波」という）を形成して被加熱体を加熱すべく、導入された前記マイクロ波を反射する加熱室短絡板を、マイクロ波進行方向の端部に有する加熱室と、前記ランチャー部と前記加熱室との間に配置される誘電体とを備え、前記ランチャー部は、マイクロ波進行方向の端部に、前記加熱室側から進入して前記誘電体を通過したマイクロ波を反射するランチャー短絡板を備え、前記加熱室は、前記被加熱体がマイクロ波進行方向と交差する方向で内部を通過するための開口部を備え、前記誘電体は、空気よりも高い誘電率を有し、前記マイクロ波の管内波長がλｇであり、前記マイクロ波の前記誘電体内の管内波長がλｇ’であり、前記ランチャー部のマイクロ波進行方向の幅がＡ・λｇであり、前記誘電体のマイクロ波進行方向の幅がＢ・λｇ’であり、Ｍ及びＮが１以上の自然数であるときに
Ａ＋Ｂ＝Ｍ／２  と、
（４Ｎ−３）／８＜Ｂ＜（４Ｎ−１）／８  と、
を満たす。
【０００７】
本発明に係るマイクロ波加熱装置によれば、ランチャー部に収容されるマイクロ波出力部は、マイクロ波を出力する。出力されたマイクロ波の少なくとも一部は、ランチャー部と加熱室との間に配置される誘電体を通過して、加熱室に導入される。導入されたマイクロ波は、加熱室のマイクロ波進行方向の端部に有する加熱室短絡板で反射される。反射されたマイクロ波の少なくとも一部は、誘電体で反射されて加熱室に戻る。これにより、加熱室の電界強度のピーク値を大きくすることができる。
【０００８】
ランチャー部のマイクロ波進行方向の端部に配置されるランチャー短絡板は、マイクロ波進行方向に進行するマイクロ波を反射する。ここで、マイクロ波の管内波長がλｇであり、マイクロ波の誘電体内の管内波長がλｇ’であり、ランチャー部のマイクロ波進行方向の幅がＡ・λｇであり、誘電体のマイクロ波進行方向の幅がＢ・λｇ’であり、Ｍが１以上の自然数であるときに、Ａ＋Ｂ＝Ｍ／２を満たす。
【０００９】
これにより、ランチャー短絡板が、定在波の節の位置に配置され、しかも、誘電体の加熱室側の部位が、定在波の節の位置に配置されている。したがって、マイクロ波出力部に向かって進行するマイクロ波が存在した場合でも、マイクロ波を発生させるマイクロ波源は、過熱や異常出力することなく安定して動作する。
【００１０】
さらに、Ｎが１以上の自然数であるときに、（４Ｎ−３）／８＜Ｂ＜（４Ｎ−１）／８も満たす。これにより、誘電体をマイクロ波進行方向に通過したマイクロ波により、加熱室の内部における定在波による電界強度を効果的に大きくすることができる。これにより、被加熱体は、開口部を介して、波出力方向マイクロ波進行方向と交差する方向で加熱室の内部を通過することにより、加熱される。
【００１１】
また、本発明に係るマイクロ波加熱装置においては、前記加熱室は、マイクロ波進行方向に沿って角筒状に形成され、前記開口部は、マイクロ波進行方向に沿って長尺に形成され、前記加熱室は、磁界方向の内幅が狭くなるように内方に突出し且つ前記開口部の位置に対応してマイクロ波進行方向に沿って配置される段差部を備える、という構成でもよい。
【００１２】
斯かる構成によれば、加熱室は、マイクロ波進行方向に沿って角筒状に形成され、段差部は、加熱室において内方に突出している。これにより、加熱室の磁界方向の内幅が狭くなる。そして、開口部は、マイクロ波進行方向に沿って長尺に形成され、段差部は、開口部の位置に対応してマイクロ波進行方向に沿って配置されている。これにより、段差部を有する領域において、定在波の波長がマイクロ波進行方向に伸ばされ、しかも、定在波による電界強度のピーク値が大きくなる。
【００１３】
例えば、定在波による電界のうち、有効な電界強度（所望の電界強度）を有する部分に対応するマイクロ波の波長を、マイクロ波進行方向に伸ばすこともできる。このようにすれば、マイクロ波進行方向において、開口部を有する位置に亘って、有効な電界強度を確保することが可能である。
【００１４】
また、本発明に係るマイクロ波加熱装置においては、前記加熱室は、磁界方向で幅狭となるように前記段差部から内方に突出する磁界方向突出部をさらに備え、前記磁界方向突出部の突出量は、前記加熱室の磁界方向の内幅が前記マイクロ波の遮断波長よりも小さくなるように設定され、前記磁界方向突出部のマイクロ波進行方向の長さは、マイクロ波が進行できるように設定される、という構成でもよい。
【００１５】
斯かる構成によれば、磁界方向突出部が、段差部から内方に突出するため、加熱室は、磁界方向で幅狭となる。そして、磁界方向突出部において、突出量は、加熱室の磁界方向の内幅がマイクロ波の遮断波長よりも小さくなるように設定され、マイクロ波進行方向の長さは、マイクロ波が進行できるように設定されている。これにより、磁界方向突出部の位置において、定在波による電界強度が効果的に大きくなる。
【００１６】
例えば、磁界方向突出部は、定在波による電界のうち、有効な電界強度が必要とされる部分において、電界強度が比較的小さい位置に、配置することもできる。このようにすれば、マイクロ波進行方向において、開口部を有する位置に亘って、電界強度を均一化することが可能である。
【００１７】
また、本発明に係るマイクロ波加熱装置においては、前記加熱室は、電界方向の内幅が狭くなるように内方に突出する電界方向突出部を備え、前記電界方向突出部は、マイクロ波進行方向において前記段差部の両側に配置される、という構成でもよい。
【００１８】
斯かる構成によれば、電界方向突出部が、加熱室において内方に突出するため、加熱室の電界方向の内幅が、狭くなる。これにより、電界方向突出部を配置した位置において、定在波による電界強度が大きくなる。
【００１９】
しかも、電界方向突出部は、マイクロ波進行方向において段差部の両側に配置されている。即ち、定在波の変形が段差部の端部で開始しているのに対して、電界方向突出部は、その変形開始位置に配置されている。したがって、電界方向突出部により、定在波における変形開始位置の電界強度が大きくなるため、変形する定在波を安定にすることができる。
【００２０】
また、本発明に係るマイクロ波加熱装置においては、前記加熱室は、マイクロ波進行方向に沿って角筒状に形成され、前記加熱室は、電界方向の内幅が狭くなるように内方に突出する電界方向突出部をさらに備える、という構成でもよい。
【００２１】
斯かる構成によれば、加熱室は、マイクロ波進行方向に沿って角筒状に形成され、電界方向突出部は、加熱室において内方に突出している。これにより、加熱室の電界方向の内幅が狭くなるため、電界方向突出部を配置した位置において、定在波による電界強度が大きくなる。
【００２２】
また、本発明に係る画像定着装置は、前記マイクロ波加熱装置を備え、前記加熱室は、前記開口部を介して通過するシートに付いている現像剤が前記シートに定着するように、前記シートを加熱する。さらに、本発明に係るインク乾燥装置は、インクジェットプリンタよりプリントアウトされるシート上に付着したインクを乾燥させる。加えて、本発明に係るフィルム加熱装置は、太陽電池や液晶表示器に用いられるフィルムを加熱処理する。
【発明の効果】
【００２３】
以上の如く、本発明に係るマイクロ波加熱装置、画像定着装置、インク乾燥装置及びフィルム加熱装置は、省電力でコンパクトな設計を可能にするという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る画像定着装置の要部図で且つマイクロ波加熱装置の全体図であって、斜視図を示す。
【図２】図２は、同実施形態に係るマイクロ波加熱装置の図１のII−II線における断面図を示す。
【図３】図３は、同実施形態に係るマイクロ波加熱装置の図２のIII−III線における断面図を示す。
【図４】図４は、導波管内の終端部を短絡したときの管内の電界状態を説明するための概念図である。
【図５】図５は、導波管内の終端部に誘電率の異なる材料を満たしたときの管内の電界状態を説明するための概念図である。
【図６】図６は、導波管内に誘電率の異なる材料を満たしたときの、当該誘電体の上流、誘電体内、及び下流の各電界状態を説明するための概念図である。
【図７】図７は、誘電体を配置していない場合の定在波の波形を示すグラフである。
【図８】図８は、０．０６λｇ’の幅の誘電体を配置したことによる電界強度の変化を示すためのグラフである。
【図９】図９は、０．１３λｇ’の幅の誘電体を配置したことによる電界強度の変化を示すためのグラフである。
【図１０】図１０は、０．２５λｇ’の幅の誘電体を配置したことによる電界強度の変化を示すためのグラフである。
【図１１】図１１は、０．３７λｇ’の幅の誘電体を配置したことによる電界強度の変化を示すためのグラフである。
【図１２】図１２は、０．４４λｇ’の幅の誘電体を配置したことによる電界強度の変化を示すためのグラフである。
【図１３】図１３は、誘電体の前後における電界強度の比と、誘電体の幅の関係を示すグラフである。
【図１４】図１４は、誘電体の前後における電界強度の比と、誘電体の幅の関係を示す表である。
【図１５】図１５は、実施例１に係るマイクロ波加熱装置の縦断面図及び電界強度分布図を示す。
【図１６】図１６は、実施例２に係るマイクロ波加熱装置の縦断面図及び電界強度分布図を示す。
【図１７】図１７は、実施例３に係るマイクロ波加熱装置の縦断面図及び電界強度分布図を示す。
【図１８】図１８は、実施例４（上記実施形態）に係るマイクロ波加熱装置の縦断面図及び電界強度分布図を示す。
【図１９】図１９は、本発明の他の実施形態（実施例５）に係るマイクロ波加熱装置の縦断面図及び電界強度分布図を示す。
【図２０】図２０は、本発明のさらに他の実施形態（実施例６）に係る縦断面図を示す。
【図２１】図２１は、同実施形態に係るマイクロ波加熱装置の図２０のXXI−XXI線における断面図を示す。
【図２２】図２２は、同実施形態に係るマイクロ波加熱装置の縦断面図及び電界強度分布図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明に係るマイクロ波加熱装置について説明する。このマイクロ波加熱装置は、電子写真式の画像形成装置でトナーをシートに定着するための画像定着装置、インクジェットプリンタでシート上のインクを乾燥させるインク乾燥装置、太陽電池や液晶表示器等に用いられるフィルムを加熱処理するフィルム加熱装置に適用可能である。ここでは一実施形態として、画像定着装置に適用した場合について、図１〜図３を参酌して説明する。
【００２６】
図１に示すように、本実施形態に係る画像定着装置１は、マイクロ波により内部を加熱するマイクロ波加熱装置２を備えている。そして、画像定着装置１は、現像剤（図示していない）を付けているシート状の被加熱体（以下、単に「シート（用紙）」ともいう）１００がマイクロ波加熱装置２の内部を通過させることにより、シート１００に現像剤を定着する。
【００２７】
本実施形態において、加熱室６内を進行するマイクロ波は、基本モード（Ｈ１０モード又はＴＥ１０モード）であるものとする。また、本実施形態において、磁界が存在する磁界方向は、Ｄ１とされ、電界が存在する電界方向は、Ｄ２とされ、マイクロ波が進行するマイクロ波進行方向は、Ｄ３とされる。即ち、磁界は、Ｄ１方向及びＤ３方向の方向に分布し、電界は、Ｄ２及びＤ３方向を含む方向に分布する。
【００２８】
図１〜図３に示すように、本実施形態に係るマイクロ波加熱装置２は、マイクロ波をマイクロ波出力部３１からマイクロ波進行方向Ｄ３に出力するマイクロ波源３と、マイクロ波出力部３１を収容するランチャー部４とを備えている。また、マイクロ波加熱装置２は、ランチャー部４のマイクロ波進行方向Ｄ３の他方側の端部に連結される誘電体５と、マイクロ波進行方向Ｄ３に沿って角筒状に形成され、シート１００を加熱すべく、ランチャー部４から誘電体５を経由してマイクロ波を導入する加熱室６とを備えている。なお、マイクロ波源３として、この実施形態ではマグネトロンを使用している。
【００２９】
マイクロ波出力部３１は、棒状に形成されており、長手方向が電界方向Ｄ２に沿うようにして配置されている。また、マイクロ波出力部３１は、マイクロ波進行方向Ｄ３において、誘電体５側に寄って配置されている。
【００３０】
ランチャー部４は、マイクロ波加熱装置２におけるマイクロ波進行方向Ｄ３の一方側の端部に、マイクロ波を反射するランチャー短絡板４１を備えている。即ち、ランチャー部４は、導波管における一方側の端部をランチャー短絡板４１で短絡されている。
【００３１】
そして、ランチャー部４は、マイクロ波進行方向Ｄ３に沿って角筒状に形成されている。また、ランチャー短絡板４１は、磁界方向Ｄ１及び電界方向Ｄ２に沿った面で、加熱室６側から進入して誘電体５を通過したマイクロ波を反射する。
【００３２】
ランチャー部４は、金属等の導体で形成されている。例えば、ランチャー部４は、アルミニウム、銅、銀、金等の純度の高い非磁性金属（透磁率が真空の透磁率とほぼ等しい金属）、導電率の高い合金、前記の金属や合金を表皮深さの数倍の厚みを持たせた一層若しくは多層のめっき又は箔又は表面処理（導電性塗料の塗装を含む）を施した金属、真鍮等の合金又は樹脂を、材料として採用可能である。
【００３３】
誘電体５は、空気よりも高い誘電率を有している。そして、誘電体５は、ランチャー部４と加熱室６との間に配置されている。これにより、誘電体５は、ランチャー部４側から進入するマイクロ波の少なくとも一部を通過させ、且つ加熱室６側から進入するマイクロ波の少なくとも一部を反射させる。即ち、誘電体５は、マイクロ波に対して位相を調整する整合器としての機能を有している。
【００３４】
誘電体５は、誘電率の高い材料で構成されており、例えば、ポリテトラフルオロエチレン等の樹脂材料又は石英等を、材料として採用可能である。また、誘電体５は、加熱され難い材料で形成されることが好ましい。本実施形態においては、誘電体５は、高密度ポリエチレン（ＵＨＭＷ:Ultra High Molecular Weight ）としている。高密度ポリエチレンは、加工が容易であり且つコストが安価であるため、好ましい。
【００３５】
ところで、ランチャー短絡板４１と誘電体５の他方側の端部（加熱室６側の部位）５１が、それぞれ定在波の節の位置に配置されることにより、従来のようにマイクロ波を吸収するアイソレータが存在していなくても、マイクロ波源３を安定して動作可能なことが確認された。したがって、ランチャー部４のマイクロ波進行方向Ｄ３の幅と、誘電体５のマイクロ波進行方向Ｄ３の幅とは、所定の関係式を満たしている。
【００３６】
具体的には、マイクロ波の管内波長がλｇであり、マイクロ波の誘電体５内の管内波長がλｇ’であり、ランチャー部４のマイクロ波進行方向Ｄ３の幅がＡ・λｇであり（なお、「・」は乗算を示す。）、誘電体５のマイクロ波進行方向Ｄ３の幅がＢ・λｇ’であり、Ｍが１以上の自然数であるときに、関係式１が満たされる。
（関係式１）
Ａ＋Ｂ＝Ｍ／２
【００３７】
なお、ランチャー部４側からマイクロ波進行方向Ｄ３で進行するマイクロ波の一部が、誘電体５で反射されることを抑制するために、Ａ＋Ｂは、１／２であること（即ち、Ｍが１であること）が好ましい。
【００３８】
また、誘電体５のマイクロ波進行方向Ｄ３の幅が所定の範囲内の値に設定されることにより、ランチャー部４側から誘電体５に進入したマイクロ波の電界強度を大きくできることが確認された。したがって、誘電体５のマイクロ波進行方向Ｄ３の幅は、所定の関係式を満たしている。具体的には、マイクロ波の誘電体５内の管内波長がλｇ’であり、誘電体５のマイクロ波進行方向Ｄ３の幅がＢ・λｇ’であり、Ｎが１以上の自然数であるときに、関係式２が満たされる。
（関係式２）
（４Ｎ−３）／８＜Ｂ＜（４Ｎ−１）／８
【００３９】
即ち、誘電体５は、電界を大きくする電界変成器（電界変圧器）としての機能を有している。しかも、誘電体５のマイクロ波進行方向Ｄ３の幅は、λｇ’／４の奇数倍（λｇ’／４、３λｇ’／４、…）の長さとすることで、その効果を最も高められる。本実施形態においては、誘電体５のマイクロ波進行方向Ｄ３の幅は、λｇ’／４としている。
【００４０】
なお、マイクロ波源３から発生するマイクロ波の波長がλであり、誘電体５の誘電率がε’であり、遮断波長がλｃであり，マイクロ波の誘電体５内の管内波長がλｇ’であるときに、下記数１が成立する。この関係式により、マイクロ波の誘電体５内の管内波長λｇ’が算出可能である。
【００４１】
【数１】
2014203597.tif 000003
【００４２】
加熱室６は、方形導波管として構成され、定在波を形成すべく、ランチャー部４から導入されたマイクロ波を反射する加熱室短絡板６１を備えている。また、加熱室６は、シート１００がマイクロ波進行方向Ｄ３と交差する方向、具体的には、電界方向Ｄ２に沿って内部を通過させるための開口部６２，６２を一対備えている。
【００４３】
そして、加熱室６は、磁界方向Ｄ１の内幅が狭くなるように内方に突出し且つ開口部６２の位置に対応してマイクロ波進行方向Ｄ３に沿って配置される一対の段差部６３，６３と、磁界方向Ｄ１で幅狭となるように段差部６３から内方に突出する複数の磁界方向突出部６４，…とを備えている。さらに、加熱室６は、電界方向Ｄ２の内幅が狭くなるように内方に突出する複数の電界方向突出部６５，…を備えている。
【００４４】
加熱室６は、金属等の導体で形成されている。例えば、加熱室６は、アルミニウム、銅、銀、金等の純度の高い非磁性金属（透磁率が真空の透磁率とほぼ等しい金属）、導電率の高い合金、前記の金属や合金を表皮深さの数倍の厚みを持たせた一層若しくは多層のめっき又は箔又は表面処理（導電性塗料の塗装を含む）を施した金属、真鍮等の合金又は樹脂が、材料として採用可能である。
【００４５】
加熱室短絡板６１は、マイクロ波加熱装置２におけるマイクロ波進行方向Ｄ３の他方側の端部に配置されている。具体的には、加熱室６は、方形導波管における他方側の端部を加熱室短絡板６１で短絡されている。そして、加熱室短絡板６１は、磁界方向Ｄ１及び電界方向Ｄ２に沿った面で、ランチャー部４側から進入して誘電体５を通過したマイクロ波を反射する。
【００４６】
また、加熱室短絡板６１は、定在波の節の位置に配置されている。なお、本実施形態においては、加熱室短絡板６１は、マイクロ波加熱装置２の所定位置に固定されている。しかしながら、加熱室短絡板６１は、斯かる構成に限られず、マイクロ波進行方向Ｄ３に移動可能な構成でもよい。
【００４７】
開口部６２は、マイクロ波進行方向Ｄ３に沿って長尺に形成されている。具体的には、開口部６２は、スリット状に形成されている。また、一対の開口部６２，６２は、互いに電界方向Ｄ２で対面するように配置されている。そして、開口部６２は、磁界方向Ｄ１において電界強度が最大である位置にシート１００を通過させるべく、加熱室６の磁界方向Ｄ１における中央部に配置されている。
【００４８】
一対の段差部６３，６３は、磁界方向Ｄ１における両側から中央に向けて突出している。そして、段差部６３の位置において、加熱室６の磁界方向Ｄ１の内幅は、マイクロ波の遮断波長よりも少し大きく設定されている。これにより、定在波の波長が、マイクロ波進行方向Ｄ３に伸ばされ、そして、定在波による電界強度のピーク値が、大きくなる。
【００４９】
また、段差部６３は、加熱室６内の電界方向Ｄ２に亘って配置されている。さらに、段差部６３は、磁界方向Ｄ１で開口部６２と重なるように配置されている。本実施形態においては、段差部６３のマイクロ波進行方向Ｄ３における長さは、開口部６２のマイクロ波進行方向Ｄ３における長さと略同じであり、詳細には、少し短い。
【００５０】
一対の磁界方向突出部６４，６４は、磁界方向Ｄ１において、互いに対面するように配置され、そして、各段差部６３から磁界方向Ｄ１における中央に向けてそれぞれ突出している。また、一対の磁界方向突出部６４，６４からなるユニットは、マイクロ波進行方向Ｄ３において、段差部６３の両側にそれぞれ配置されている。なお、磁界方向突出部６４，６４の上側と下側とで大きさ(マイクロ波進行方向Ｄ３の長さ)と位置が異なっているが、このように構成することで、マイクロ波がマイクロ波進行方向Ｄ３に進行しやすくすることができる。
【００５１】
磁界方向突出部６４の突出量は、加熱室６の磁界方向Ｄ１の内幅がマイクロ波の遮断波長λcよりも小さくなるように設定されている。本実施形態においては、磁界方向突出部６４の位置において、加熱室６の磁界方向Ｄ１の内幅は、マイクロ波の遮断波長λcよりも少し小さく設定されている。
【００５２】
このように、磁界方向突出部６４が配置されているため、マイクロ波進行方向Ｄ３において、開口部６２を有する位置に亘って、電界強度が均一化されている。なお、磁界方向突出部６４のマイクロ波進行方向Ｄ３の長さは、長過ぎるとマイクロ波が進行できないため、マイクロ波が進行できるように設定されている。
【００５３】
一対の電界方向突出部６５，６５は、磁界方向Ｄ１において、互いに対面するように配置され、そして、磁界方向Ｄ１における両側から中央に向けてそれぞれ突出している。また、一対の電界方向突出部６５，６５からなるユニットは、マイクロ波進行方向Ｄ３において、段差部６３の両側にそれぞれ配置されている。
【００５４】
即ち、定在波の変形が段差部６３の端部で開始しているのに対して、電界方向突出部６５は、その変形開始位置(電界強度分布の変曲点)に配置されている。したがって、電界方向突出部６５により、定在波における変形開始位置の電界強度が大きくなるため、変形する定在波を安定にすることができる。
【００５５】
また、本実施形態に係るマイクロ波加熱装置２は、誘電体５におけるマイクロ波進行方向Ｄ３の両側に、ランチャー部４及び加熱室６の内幅を狭くする板状のアイリス部（絞り部）７，８を備えている。各アイリス部７，８は、誘電体５に接触して配置されている。
【００５６】
第１のアイリス部７は、加熱室６を磁界方向Ｄ１で内幅を狭くするように形成されている。これにより、定在波の節は、安定して、誘電体５の他方側の端部（加熱室６側の部位）５１に位置する。また、第２のアイリス部８は、ランチャー部４を電界方向Ｄ２で内幅を狭くするように形成されている。これにより、第２のアイリス部８の電界が大きくなるため、定在波の位相と強度が安定し、定在波の腹が誘電体５の一方側の端部（ランチャー部４側の部位）５２に位置する。
【００５７】
以上より、本実施形態に係るマイクロ波加熱装置２によれば、ランチャー部４に収容されるマイクロ波出力部３１は、マイクロ波をマイクロ波進行方向Ｄ３に出力する。出力されたマイクロ波は、ランチャー部４と加熱室６との間に配置される誘電体５を通過して、加熱室６に導入される。導入されたマイクロ波は、加熱室６のマイクロ波進行方向Ｄ３の他方側の端部に有する加熱室短絡板６１で反射される。反射されたマイクロ波の少なくとも一部は、誘電体５で反射されて加熱室６に戻る。これにより、加熱室６の電界強度を大きくすることができる。
【００５８】
ランチャー部４のマイクロ波進行方向Ｄ３の一方側の端部に配置されるランチャー短絡板４１は、マイクロ波進行方向Ｄ３に進行するマイクロ波を反射する。ここで、マイクロ波の管内波長がλｇであり、マイクロ波の誘電体５内の管内波長がλｇ’であり、ランチャー部４のマイクロ波進行方向Ｄ３の幅がＡ・λｇであり、誘電体５のマイクロ波進行方向Ｄ３の幅がＢ・λｇ’であり、Ｍが１以上の自然数であるときに、Ａ＋Ｂ＝Ｍ／２（具体的には、Ａが１／４であり、Ｂが１／４であり、Ａ＋Ｂが１／２である）を満たす。
【００５９】
これにより、ランチャー短絡板４１が、定在波における節の位置に配置され、しかも、誘電体５の他方側の端部（加熱室６側の部位）５１が、定在波における節の位置に配置されている。したがって、マイクロ波出力部３１に向かって進行するマイクロ波が存在した場合でも、マイクロ波を発生させるマイクロ波源３は、過熱したり異常出力をすることなく安定して動作する。
【００６０】
さらに、Ｎが１以上の自然数であるときに、（４Ｎ−３）／８＜Ｂ＜（４Ｎ−１）／８も満たす（具体的には、Ｂが１／４であるため、１／８＜Ｂ＜３／８を満たす）。これにより、誘電体５をマイクロ波進行方向Ｄ３に通過したマイクロ波により、加熱室６の内部における定在波による電界強度を効果的に大きくすることができる。これにより、シート１００は、開口部６２，６２を介して、マイクロ波進行方向Ｄ３と交差する電界方向Ｄ２で加熱室６の内部を通過することにより、急激に加熱される。
【００６１】
また、本実施形態に係るマイクロ波加熱装置２によれば、加熱室６は、マイクロ波進行方向Ｄ３に沿って角筒状に形成され、段差部６３は、加熱室６において内方に突出している。これにより、加熱室６の磁界方向Ｄ１の内幅が狭くなる。そして、開口部６２は、マイクロ波進行方向Ｄ３に沿って長尺に形成され、段差部６３は、開口部６２の位置に対応してマイクロ波進行方向Ｄ３に沿って配置されている。これにより、段差部６３を有する領域において、定在波の波長がマイクロ波進行方向Ｄ３で伸ばされ、そして、電界強度のピーク値が大きくなる。
【００６２】
また、本実施形態に係るマイクロ波加熱装置２によれば、磁界方向突出部６４が、段差部６３から内方に突出するため、加熱室６は、磁界方向Ｄ１で幅狭となる。そして、磁界方向突出部６４において、突出量は、加熱室６の磁界方向Ｄ１の内幅がマイクロ波の遮断波長λcよりも小さくなるように設定され、マイクロ波進行方向Ｄ３の長さは、マイクロ波が進行できるように設定されている。これにより、磁界方向突出部６４の位置において、定在波の電界強度が効果的に大きくなる。
【００６３】
具体的には、磁界方向突出部６４は、定在波による電界のうち、有効な電界強度（シート１００を加熱するために適した電界強度）を有する部分において、電界強度が比較的小さい位置に配置されている。これにより、マイクロ波進行方向Ｄ３において、開口部６２を有する位置に亘って、定在波による電界強度が均一化されている。
【００６４】
また、本実施形態に係るマイクロ波加熱装置２によれば、電界方向突出部６５が、加熱室６において内方に突出するため、加熱室６の電界方向Ｄ２の内幅が、狭くなる。これにより、電界方向突出部６５を配置した位置において、定在波による電界強度が大きくなる。
【００６５】
しかも、定在波の変形が段差部６３の端部で開始しているのに対して、電界方向突出部６５は、その変形開始位置(電界強度分布の変曲点)に配置されている。したがって、電界方向突出部６５により、定在波における変形開始位置の電界強度が大きくなるため、変形する定在波を安定にすることができる。
【００６６】
ここで、上述した本実施形態に係るマイクロ波加熱装置２の作用について、理論又は実施例にて確認する。
【００６７】
まず、誘電体５により、その下流側の電界を高める効果が得られる点について、以下の理論により裏付けられる。具体的には、誘電体５のマイクロ波進行方向Ｄ３の幅が、λｇ’／４の奇数倍（λｇ’／４、３λｇ’／４、…）の長さとすることで、その効果を最も高められることについて、理論的に確認する。
【００６８】
長方形導波管の負荷端を図４に示すように、インピーダンスＺrで終端した場合を想定する。ＴＥ10モードを考え、負荷端における入射電界及び反射電界の振幅をそれぞれＥi，Ｅrで表した場合、導波管のＺ軸の各点のＥy及びＨxは以下の数２で表される。なお、図１〜３におけるＤ１方向がＸ軸、Ｄ２方向がＹ軸、Ｄ３方向がＺ軸にそれぞれ対応しており、Ｅyとは電界のＹ軸成分、Ｈxとは磁界のＸ軸成分に相当する。
【００６９】
【数２】
2014203597.tif 000004
【００７０】
なお、数２において、Ｚ01は特性インピーダンス、γ1は伝搬定数である。
【００７１】
ここで、図５に示すように、領域Ｉを大気とし、領域IIにインピーダンスＺRとして終端部ｃで短絡された誘電体が満たされている状況を想定する。領域Ｉでの入射電界をＥi1、反射電界をＥr1、領域IIでの入射電界をＥi2、反射電界をＥr2とすると、上記数１及びｚ＝０における境界条件より、以下の数３が成立する。
【００７２】
【数３】
2014203597.tif 000005
【００７３】
ここで、図５において終端部ｃ面は短絡されているため、以下の数４が成立する。なお、領域IIの先頭位置（マイクロ波発生側）のＺ座標を０とし、領域IIのＺ軸方向の幅をｄとしている。
【００７４】
【数４】
2014203597.tif 000006
【００７５】
上記数４をＥi2について解くと、数５が成立する。
【００７６】
【数５】
2014203597.tif 000007
【００７７】
上記数５において、損失を無視してその絶対値を取ると、数６が成立する。
【００７８】
【数６】
2014203597.tif 000008
【００７９】
数６において、β1gは、領域Ｉ内における管内波長λ1gの複素成分（位相定数）、β2gは、領域II内における管内波長λ2gの複素成分（位相定数）である。また、Ｋは、定数である。
【００８０】
数６により、β2gdがπ／２の奇数倍の場合、領域IIの電界強度は、入射電界に等しく、β2gdがπ／２の偶数倍の場合、領域IIの電界強度は、入射電界の１／Ｋになっている。よって、その両側での電界強度は、誘電率が異なる領域の境界面が電界の腹に当たる場合には、等しくなり、節に当たる場合には、それぞれの領域での位相定数βgの比に反比例することが分かる。
【００８１】
よって、図６のように、基準面ａの下流側にλ2g／４の厚みを有する誘電体５で導波管を満たし（領域II）、さらにその下流側（領域III）のλ1g／４の距離の位置に短絡面ｃを置く場合には、数７が成立する。なお、ＥI，ＥII，ＥIIIは、それぞれ領域Ｉ，II，III における電界強度を示す。
【００８２】
【数７】
2014203597.tif 000009
【００８３】
これに、｜ＥI｜＝｜ＥII｜の条件を考慮すると、下記数８が成立する。
【００８４】
【数８】
2014203597.tif 000010
【００８５】
数８により、領域IIIの電界強度は、領域Ｉの電界強度のＫ倍となることが分かる。つまり、λ2g／４の厚みを有する誘電体５を挿入することで、その上流側の電界強度が増幅されて下流側に伝搬することが分かる。
【００８６】
なお、領域Ｉが大気、領域IIが誘電率εrの誘電体５である場合、定数Ｋは、以下の数９により規定される。
【００８７】
【数９】
2014203597.tif 000011
【００８８】
次に、マイクロ波の誘電体５内の管内波長がλｇ’であり、誘電体５のマイクロ波進行方向Ｄ３の幅がＢ・λｇ’であり、Ｎが１以上の自然数であるときに、関係式２：（４Ｎ−３）／８＜Ｂ＜（４Ｎ−１）／８を満たすことで、ランチャー部４側から進入したマイクロ波の電界強度を大きくできることを、図７〜図１４の各例（実施例及び比較例）にて確認する。
【００８９】
各例に係る加熱室６は、内壁面が平坦であり（段差部６３、各突出部６４，６５を備えておらず）、磁界方向Ｄ１の内幅が１０９．２ｍｍであり、電界方向Ｄ２の内幅が５４．６ｍｍである、という構成にした。また、各例に係る誘電体５は、高密度ポリエチレン（誘電率εr＝２．３）とした。具体的には、加熱室６内において、マイクロ波進行方向Ｄ３の幅が異なる複数の高密度ポリエチレンは、終端部の短絡板（加熱室短絡板６１）から上流側に５００ｍｍ離れた位置に配置されている。
【００９０】
図７〜図１２は、加熱室６内の電界強度を示すグラフである。横軸は、加熱室６内におけるマイクロ波進行方向Ｄ３の位置を示し、縦軸は、電界強度を示している。図９及び図１０に係る実施例によれば、誘電体５よりも下流側において、電界強度が大きく上昇していることが分かる。なお、図７〜図１４において、縦軸が示す電界強度は、所定の値を基準としたときの相対値（無次元値）である。
【００９１】
図７〜図１２は、誘電体５の幅を変化させたときの加熱室６内の電界強度を示すグラフである。なお、各例は、短絡板の直前に同一幅の誘電体を挿入しているが、これら誘電体の上流側の面を短絡板の位置として考えても差し支えない。また、グラフによっては、定在波の谷の位置における電界強度の大きさに多少のばらつきがあるが、これは、計算誤差の範囲内である。
【００９２】
また、図１３は、誘電体５のマイクロ波進行方向Ｄ３における幅を変化させた場合において、誘電体５の上流側と下流側とにおける電界強度の大きさの比の変化を示すグラフである。そして、図１４は、それを表にしたものである。
【００９３】
図７〜図１２は、誘電体５の幅を、０ｍｍ、６ｍｍ、１３ｍｍ、２５ｍｍ、３７ｍｍ、４４ｍｍとした場合におけるそれぞれのグラフである。
【００９４】
図７に係る比較例においては、誘電体５が挿入されていないため、当然に、誘電体５の前後で電界強度のピーク値が変化するということはない（電界強度のピーク値は、４．２のままである）。
【００９５】
誘電体５の幅を６ｍｍ（これは、０．０６λｇ’に相当する）とした図８に係る比較例においては、誘電体５の上流側における電界強度のピーク値が４．２であったのに対して、下流側における電界強度のピーク値が５．３となっている。これにより、電界強度のピーク値は、誘電体５の前後で、１．２６倍となっている。
【００９６】
誘電体５の幅を１３ｍｍ（これは、０．１３λｇ’に相当する）とした図９に係る実施例においては、誘電体５の上流側における電界強度のピーク値が３．８であったのに対して、下流側における電界強度のピーク値が６．８となっている。これにより、電界強度のピーク値は、誘電体５の前後で１．７９倍となっている。
【００９７】
誘電体５の幅を２５ｍｍ（これは、０．２５λｇ’に相当する）とした図１０に係る実施例においては、誘電体５の上流側における電界強度のピーク値が３．４であったのに対して、下流側における電界強度のピーク値が６．２となっている。これにより、電界強度のピーク値は、誘電体５の前後で１．８２倍となっている。
【００９８】
誘電体５の幅を３７ｍｍ（これは、０．３７λｇ’に相当する）とした図１１に係る実施例においては、誘電体５の上流側における電界強度のピーク値が３．５であったのに対して、下流側における電界強度のピーク値が６．０となっている。これにより、電界強度のピーク値は、誘電体５の前後で１．７倍となっている。
【００９９】
誘電体５の幅を４４ｍｍ（これは、０．４４λｇ’に相当する）とした図１２に係る比較例においては、誘電体５の上流側における電界強度のピーク値が４．２であったのに対して、下流側における電界強度のピーク値が４．５となっている。これにより、電界強度のピーク値は、誘電体５の前後で１．１倍となっている。
【０１００】
なお、グラフで図示していないが、誘電体５の幅を５０ｍｍ（これは、０．５０λｇ’に相当する）とした比較例においては、誘電体５の上流側端点と下流側端点とが共に定在波の節（谷）の位置となる。これにより、電界強度のピーク値は、誘電体５の前後で変化しない（１倍となっている）。
【０１０１】
以上の結果によれば、マイクロ波の誘電体５内の管内波長がλｇ’であり、誘電体５のマイクロ波進行方向Ｄ３の幅がＢ・λｇ’であり、Ｎが１以上の自然数であるときに、関係式２：（４Ｎ−３）／８＜Ｂ＜（４Ｎ−１）／８を満たすように設定することで、誘電体５の下流側の定在波による電界強度のピーク値を大きくする効果が得られることが分かる。これにより、加熱室６内の電界強度のピーク値が高められ、トナー定着に要する時間を大きく短縮する効果が得られる。
【０１０２】
次に、段差部６３、磁界方向突出部６４及び電界方向突出部６５に係る作用効果を、図１５〜図１８の実施例１〜４にて確認する。上記実施形態に係る実施例は、図１８に示す実施例４である。なお、使用するマイクロ波は、２．４５ＧＨｚであり、その遮断波長は、６１．２ｍｍである。
【０１０３】
図１５に示す実施例１に係る加熱室６は、内壁面が平坦であり（段差部６３、各突出部６４，６５を備えておらず）、磁界方向Ｄ１の内幅が１０９．２ｍｍであり、電界方向Ｄ２の内幅が５４．６ｍｍである、という構成にした。また、各実施例に係る誘電体５は、マイクロ波進行方向Ｄ３の幅が１５ｍｍである高密度ポリエチレン（誘電率εr＝２．３）とし、加熱室６内において、加熱室短絡板６１から上流側（マイクロ波進行方向Ｄ３）に３００ｍｍ離れた位置に配置している。
【０１０４】
図１６に示す実施例２に係る加熱室６は、実施例１に対して、段差部６３，６３を追加している。段差部６３，６３の突出量は、２４ｍｍ（図１６における上方側）と２３ｍｍ（図１６における下方側）であるため、段差部６３，６３が位置する加熱室６の磁界方向Ｄ１の内幅は、遮断波長λcよりも少し大きい６２ｍｍとなっている。また、段差部６３のマイクロ波進行方向Ｄ３の長さは、２８４ｍｍであり、開口部６２のマイクロ波進行方向Ｄ３の長さは、３０８ｍｍである。
【０１０５】
図１７に示す実施例３に係る加熱室６は、実施例２に対して、磁界方向突出部６４，…を追加して備えている。磁界方向突出部６４の磁界方向Ｄ１の突出量は、２ｍｍであるため、磁界方向突出部６４が位置する加熱室６の磁界方向Ｄ１の内幅は、遮断波長よりも少し小さい５８ｍｍとなっている。また、磁界方向突出部６４のマイクロ波進行方向Ｄ３の長さは、５０ｍｍ（図１７における上方側）と７０ｍｍ（図１７における下方側）である。
【０１０６】
図１８に示す実施例４に係る加熱室６は、実施例３に対して、電界方向突出部６５，…を追加して備えている。電界方向突出部６５の電界方向Ｄ２の突出量は、２ｍｍであるため、電界方向突出部６５が位置する加熱室６の電界方向Ｄ２の内幅は、５０．６ｍｍとなっている。また、電界方向突出部６５のマイクロ波進行方向Ｄ３の長さは、２ｍｍである。
【０１０７】
図１５に示すように、実施例１に係る電界強度Ｅ１は、正弦波のような分布である。なお、マイクロ波が誘電体５をマイクロ波進行方向Ｄ３に通過することにより、電界強度のピーク値が大きくなるため、加熱室６の電界強度Ｅ１のピーク値は、ランチャー部４の電界強度Ｅ１のピーク値よりも大きくなっている。
【０１０８】
図１６に示すように、実施例２に係る電界強度Ｅ２と実施例１に係る電界強度Ｅ１とを比較した場合、実施例２においては、定在波における１波長に相当する電界強度がマイクロ波進行方向Ｄ３に広がっている。しかも、実施例２に係る電界強度Ｅ２のピーク値は、実施例１に係る電界強度Ｅ１のピーク値に対して、全体的に大きくなっている。
【０１０９】
図１７に示すように、実施例３に係る電界強度Ｅ３と実施例２に係る電界強度Ｅ２とを比較した場合、実施例３においては電界強度の分布が均一化されている。
【０１１０】
図１８に示すように、実施例４に係る電界強度Ｅ４と実施例３に係る電界強度Ｅ３とを比較した場合、実施例４においては、電界方向突出部６５により、定在波における変形開始位置の電界強度が大きくなる。したがって、変形する定在波の節の位置を安定にすることで、電界強度の分布が安定になる。
【０１１１】
なお、本発明に係るマイクロ波加熱装置及び画像定着装置は、上記した実施形態の構成に限定されるものではなく、また、上記した作用効果に限定されるものではない。また、本発明に係るマイクロ波加熱装置及び画像定着装置は、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、下記する各種の変更例に係る構成や方法等を任意に選択して、上記した実施形態に係る構成や方法等に採用してもよいことは勿論である。
【０１１２】
また、本発明にマイクロ波加熱装置２は、図１９に示すように、加熱室短絡板６１に、磁界方向Ｄ１の内幅を狭くするように形成されているアイリス部９を備えてもよい。なお、図１９の実施例５に係る加熱室６は、実施例３（図１７参照）に係る加熱室６に対して、アイリス部９を追加している。
【０１１３】
かかる構成によれば、定在波の節の位置がアイリス部９のマイクロ波進行方向Ｄ３の幅だけ位置ずれしても問題ないため、定在波が安定する。したがって、図１９に示すように、実施例５の電界強度Ｅ５と実施例３（図１７参照）の電界強度Ｅ３とを比較した場合、実施例５の電界強度の分布は、マイクロ波進行方向Ｄ３において、さらに均一化されている。
【０１１４】
上記実施形態に係るマイクロ波加熱装置２において、加熱室６は、段差部６３と、磁界方向突出部６４と、電界方向突出部６５とを備える構成である。しかしながら、本発明に係るマイクロ波加熱装置２は、斯かる構成に限られない。本発明に係るマイクロ波加熱装置２の加熱室６は、段差部６３、磁界方向突出部６４及び電界方向突出部６５を必須の構成としておらず、例えば、図２０〜図２２に示すように、電界方向突出部６６のみを備える構成でもよい。
【０１１５】
図２０〜図２２に係るマイクロ波加熱装置２においては、加熱室６は、マイクロ波進行方向Ｄ３に沿って角筒状に形成され、加熱室６は、電界方向Ｄ２の内幅が狭くなるように内方に突出する電界方向突出部６６，…を備えている。斯かる構成によれば、加熱室６は、マイクロ波進行方向Ｄ３に沿って角筒状に形成され、電界方向突出部６６は、加熱室６において内方に突出している。
【０１１６】
これにより、加熱室６の電界方向Ｄ２の内幅が狭くなるため、電界方向突出部６６を配置した位置において、定在波による電界強度が大きくなる。図２２は、図２０及び図２１に係る実施例６の電界強度Ｅ６と、図２０及び図２１に係る実施例６に対して電界方向突出部６６を備えていない場合の電界強度Ｅ７とを示している。
【０１１７】
なお、図２０及び図２１に示す実施例６に係る加熱室６は、磁界方向Ｄ１の内幅が６２．０ｍｍであり、電界方向Ｄ２の内幅が５４．６ｍｍである、という構成にした。また、誘電体５は、マイクロ波進行方向Ｄ３の幅が１５ｍｍである高密度ポリエチレン（誘電率εr＝２．３）とし、加熱室６内において、加熱室短絡板６１から上流側（マイクロ波進行方向Ｄ３であって、図２０〜図２２における左側）に３００ｍｍ離れた位置に配置している。
【０１１８】
また、電界方向突出部６６の電界方向Ｄ２の突出量は、２ｍｍであるため、電界方向突出部６６が位置する加熱室６の電界方向Ｄ２の内幅は、５０．６ｍｍとなっている。加えて、電界方向突出部６６のマイクロ波進行方向Ｄ３の長さは、５０ｍｍである。
【０１１９】
また、上記実施形態において、マイクロ波加熱装置２は、画像定着装置１に用いられる、という構成である。しかしながら、本発明は、斯かる構成に限られない。例えば、本発明においては、マイクロ波加熱装置２は、例えば、セラミックスの仮焼又は焼結する用途、高温を必要とする化学反応の用途、トナーを金属粉末として配線（導線）パターンを製作する用途、インクジェットプリンタでシート上のインクを乾燥する用途（即ち、インク乾燥装置）、太陽電池や液晶等に用いられるフィルムを加熱する用途（即ち、フィルム加熱装置）に用いてもよい。
【符号の説明】
【０１２０】
１…画像定着装置、２…マイクロ波加熱装置、３…マイクロ波源、４…ランチャー部、５…誘電体、６…加熱室、７…アイリス部、８…アイリス部、９…アイリス部、３１…マイクロ波出力部、４１…ランチャー短絡板、５１…誘電体の端部（加熱室側の部位）、５２…誘電体の端部（ランチャー部側の部位）、６１…加熱室短絡板、６２…開口部、６３…段差部、６４…磁界方向突出部、６５…電界方向突出部、６６…電界方向突出部、１００…被加熱体（シート）、Ｄ１…磁界方向、Ｄ２…電界方向、Ｄ３…マイクロ波進行方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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