(57)【要約】【課題】基板において支持ピンやサセプターの支持ピン配置穴と重なる部分でも適正な処理がより行いやすい基板処理装置、および当該基板処理装置を用いた電気光学装置の製造方法を提供すること。【解決手段】基板処理装置では、リフトピン４４０の頭部４４３が、平面視において、頭部４４３に対する仮想外接円Ｌｃより内側に凹む凹部４４３ａを有する平面形状を備えている。また、サセプター４３０は、リフトピン配置穴４３３の内周部分に、平面視において、凹部４４３ａ内で仮想外接円Ｌｃの内側まで張り出した凸部４３３ａを備えている。このため、サセプター４３０の上面において、リフトピン４４０の頭部４４３、およびリフトピン配置穴４３３の開口部が占める面積が狭い。従って、基板１０ｘにおいてリフトピン４４０やリフトピン配置穴４３３と重なる部分は、周囲からの熱伝導等によって温度が制御される。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に基板を保持する基板保持面をもって処理室内に配置され、前記基板保持面に支持ピン配置穴が開口されたサセプターと、
前記サセプターの温度を調節するサセプター用温度調節装置と、
前記支持ピン配置穴に配置され、一方の端部に前記基板を支持する頭部を備えた支持ピンと、
を有し、
前記頭部は、前記基板保持面に垂直な方向から見た平面視において、当該頭部に対する仮想外接円より内側に凹む凹部を有する平面形状を備え、
前記サセプターは、前記基板保持面に垂直な方向から見た平面視において、前記支持ピン配置穴の内周部分が前記頭部の外周部分に沿って、前記凹部に向かって前記仮想外接円の内側まで張り出した凸部を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
一方の面に基板を保持する基板保持面をもって処理室内に配置され、前記基板保持面に支持ピン配置穴が開口されたサセプターと、
前記サセプターの温度を調節するサセプター用温度調節装置と、
前記支持ピン配置穴に配置され、一方の端部に前記基板を支持する頭部を備えた支持ピンと、
を有し、
前記頭部は、前記基板保持面に垂直な方向から見た平面視において、当該頭部に対する仮想外接円より内側に凹む複数の凹部を有する平面形状を備え、
前記サセプターは、前記基板保持面に垂直な方向から見た平面視において、前記支持ピン配置穴の内周部分が前記頭部の外周部分に沿って、前記複数の凹部の各々に向かって前記仮想外接円の内側まで張り出した複数の凸部を備え、
前記複数の凹部および前記複数の凸部は、前記仮想外接円の周に沿って３個所以上形成されており、
前記頭部において、前記仮想外接円の周に沿って隣り合う前記複数の凹部によって挟まれた箇所は、前記仮想外接円の中心から外側に向けて放射状に突出した形状になっていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置において、
前記複数の凹部および複数の凸部は、前記仮想外接円の周に沿った間隔が等間隔であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れかに記載の基板処理装置において、
前記支持ピンおよび前記支持ピン配置穴は、前記基板保持面の前記基板が保持される部分のうち、前記基板保持面に垂直な方向から見て中央の１個所に設けられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れかに記載の基板処理装置において、
前記サセプター用温度調節装置は、加熱装置を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れかに記載の基板処理装置において、
前記サセプター用温度調節装置は、冷却装置を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れかに記載の基板処理装置において、
前記支持ピンに対する支持ピン用温度調節装置が設けられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項７に記載の基板処理装置において、
前記基板保持面に垂直、かつ、前記基板保持面から前記基板へ向かう向きを第１の向きとし、前記第１の向きと反対の向きを第２の向きとしたとき、
前記支持ピンを第１の向きに付勢する付勢部材を有し、
前記基板を支持していない状態で前記支持ピンが第２の向きに移動した際、前記頭部は、前記基板保持面から突出していることを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れかに記載の基板処理装置において、
前記処理室は、成膜用であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の基板処理装置において、
前記処理室は、原子層堆積用であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の基板処理装置において、
前記基板は、石英基板またはガラス基板であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１２】
請求項１０または１１に記載の基板処理装置を利用した電気光学装置の製造方法であって、
前記処理室内で前記基板上に対して成膜を行う成膜工程を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サセプターの支持ピン配置穴に支持ピンが配置された基板処理装置、および当該基板処理装置を用いた電気光学装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置や有機エレクトロルミネッセンス装置等の電気光学装置を製造する際には、例えば、図８（ａ）に示すように、基板処理装置の処理室１４１０において、温度調節装置１４９０によって温度が制御されたサセプター１４３０上に基板１０ｘを配置して成膜等の処理が行われる。サセプター１４３０には、リフトピン配置穴１４３３が形成されており、かかるリフトピン配置穴１４３３の内部には、サセプター１４３０上に基板１０ｘを載置する際に基板１０ｘを支持するリフトピン１４４０が設けられている（特許文献１参照）。
【０００３】
かかる基板処理装置においては、リフトピン１４４０の頭部１４４３は、図８（ｂ）に示すように、円形の平面形状を有しており、それ故、リフトピン配置穴１４３３の開口形状も円形である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−６３８６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、図８に示す基板処理装置では、サセプター１４３０によって基板１０ｘの温度が制御されるが、リフトピン１４４３やリフトピン配置穴１４３３が形成されている箇所では、サセプター１４３０と基板１０ｘとが接していないため、基板１０ｘにおいてリフトピン１４４３やリフトピン配置穴１４３３と重なる部分は、サセプター１４３０から直接、温度が制御されることがない。このため、基板１０ｘにおいてリフトピン１４４３やリフトピン配置穴１４３３と重なる部分は、他の領域と比較して温度がばらつきやすいため、適正な成膜ができない場合がある。このため、リフトピン１４４３やリフトピン配置穴１４３３を、サセプター１４３０において平面視で基板と重なる領域の外周側の複数箇所に設け、基板１０ｘにおいてリフトピン配置穴１４３３と平面視で重なる領域については、基板１０ｘを分割した際、チップ等として利用しないようにすることがある。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、基板において支持ピンやサセプターの支持ピン配置穴と重なる部分でも適正な処理がより行いやすい基板処理装置、および当該基板処理装置を用いた電気光学装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る基板処理装置の一態様は、一方の面に基板を保持する基板保持面をもって処理室内に配置され、前記基板保持面に支持ピン配置穴が開口されたサセプターと、前記サセプターの温度を調節するサセプター用温度調節装置と、前記支持ピン配置穴に配置され、一方の端部に前記基板を支持する頭部を備えた支持ピンと、を有し、前記頭部は、前記基板保持面に垂直な方向から見た平面視において、当該頭部に対する仮想外接円より内側に凹む凹部を有する平面形状を備え、前記サセプターは、前記基板保持面に垂直な方向から見た平面視において、前記支持ピン配置穴の内周部分が前記頭部の外周部分に沿って、前記凹部に向かって前記仮想外接円の内側まで張り出した凸部を備えていることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明に係る基板処理装置の別の態様は、一方の面に基板を保持する基板保持面をもって処理室内に配置され、前記基板保持面に支持ピン配置穴が開口されたサセプターと、前記サセプターの温度を調節するサセプター用温度調節装置と、前記支持ピン配置穴に配置され、一方の端部に前記基板を支持する頭部を備えた支持ピンと、を有し、前記頭部は、前記基板保持面に垂直な方向から見た平面視において、当該頭部に対する仮想外接円より内側に凹む複数の凹部を有する平面形状を備え、前記サセプターは、前記基板保持面に垂直な方向から見た平面視において、前記支持ピン配置穴の内周部分が前記頭部の外周部分に沿って、前記複数の凹部の各々に向かって前記仮想外接円の内側まで張り出した複数の凸部を備え、前記複数の凹部および前記複数の凸部は、前記仮想外接円の周に沿って３個所以上形成されており、前記頭部において、前記仮想外接円の周に沿って隣り合う前記複数の凹部によって挟まれた箇所は、前記仮想外接円の中心から外側に向けて放射状に突出した形状になっていることを特徴とする。
【０００９】
本発明において、支持ピンの頭部は、平面視において、頭部に対する仮想外接円より内側に凹む凹部を有する平面形状を備え、サセプターは、支持ピン配置穴の内周部分に、平面視において、凹部内で前記仮想外接円の内側まで張り出した凸部を備えている。このため、サセプターの基板保持面において、支持ピンの頭部、および支持ピン配置穴の開口部が占める面積が狭い。従って、基板において支持ピンや支持ピン配置穴と重なる部分は、サセプターから直接、温度が制御されることはないが、かかる部分の面積が狭いので、周囲からの熱伝導等によって温度が制御される。それ故、基板において支持ピンや支持ピン配置穴と重なる部分でも、温度が制御されるので、成膜等が適正に行われる。よって、基板において支持ピン配置穴と平面視で重なる領域についても、基板を分割した際、チップ等として利用することができる。
【００１０】
本発明において、前記複数の凹部および複数の凸部は、前記仮想外接円の周に沿った間隔が等間隔である構成を採用することができる。かかる構成によれば、基板を安定した姿勢で支持することができる。
【００１１】
本発明において、前記支持ピンおよび前記支持ピン配置穴は、前記基板保持面の前記基板が保持される部分のうち、前記基板保持面に垂直な方向から見て中央の１個所に設けられていることが好ましい。かかる構成によれば、基板において支持ピンや支持ピン配置穴と重なる部分の面積を最少減に抑えることができるので、基板において支持ピンや支持ピン配置穴と重なる部分は、周囲からの熱伝導等によって温度が制御される。また、支持ピンが基板の中央を支持する構成であるため、基板のサイズが変更になっても、支持ピンによって基板を支持することができる。
【００１２】
本発明において、前記サセプター用温度調節装置は、加熱装置を備えている構成を採用することができる。
【００１３】
本発明において、前記サセプター用温度調節装置は、冷却装置を備えている構成を採用してもよい。
【００１４】
本発明において、前記支持ピンに対する支持ピン用温度調節装置が設けられている構成を採用してもよい。かかる構成によれば、基板において支持ピンと重なる部分は、支持ピンから直接、温度が制御される。それ故、基板において支持ピンと重なる部分でも、より確実に適正な成膜等を行うことができる。
【００１５】
この場合、前記基板保持面に垂直、かつ、前記基板保持面から前記基板へ向かう向きを第１の向きとし、前記第１の向きと反対の向きを第２の向きとしたとき、前記支持ピンを第１の向きに付勢する付勢部材を有し、前記基板を支持していない状態で前記支持ピンが第２の向きに移動した際、前記頭部は、前記基板保持面から突出していることが好ましい。かかる構成によれば、支持ピンが基板を支持した際、付勢部材の付勢力に抗して、支持ピンが移動し、支持ピンの頭部は、サセプターの基板保持面と同一の高さ位置となるとともに、支持ピンの頭部と基板とが密着する。このため、基板において支持ピンと重なる部分の温度を支持ピンから直接、制御することができる。
【００１６】
本発明は、前記処理室が成膜用である場合に適用すると効果的である。成膜の場合、温度によって成膜速度が変動しやすいが、本発明によれば、基板において支持ピンや支持ピン配置穴と重なる部分でも、他の領域と同一の速度で成膜を行うことができる。それ故、基板の面内における膜厚のばらつきを抑制することができる。
【００１７】
本発明は、前記処理室が原子層堆積(Atomic Layer Deposition：ALD)用である場合に適用すると効果的である。原子層堆積用の場合、成膜中、処理室に対するガスの供給および排気を繰り返し行うため、基板の温度が変動しやすいが、かかる成膜の場合でも、本発明によれば、基板において支持ピンや支持ピン配置穴と重なる部分を含めて、基板全体の温度を適正に制御することができる。
【００１８】
本発明は、前記基板が石英基板またはガラス基板である場合に適用すると効果的である。基板が石英基板またはガラス基板である場合、基板が半導体基板や金属基板である場合に比して、熱伝導率が低いので、基板の面内方向での温度ばらつきが変動しやすいが、このような場合でも、本発明によれば、基板において支持ピンや支持ピン配置穴と重なる部分を含めて、基板全体の温度を適正に制御することができる。
【００１９】
本発明を適用した基板処理装置を利用した電気光学装置の製造方法では、前記処理室内で前記基板上に対して成膜を行う成膜工程を行うことになる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施の形態１に係る基板処理装置の一例の説明図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る基板処理装置のリフトピンの位置等を示す説明図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る基板処理装置のリフトピンおよびリフトピン配置穴の形状を示す説明図である。
【図４】本発明の実施の形態２に係る基板処理装置の説明図である。
【図５】本発明の実施の形態３に係る基板処理装置の説明図である。
【図６】本発明に係る電気光学装置の液晶パネルの一例の説明図である。
【図７】本発明に係る電気光学装置の画素の一例の説明図である。
【図８】従来の基板処理装置の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００２２】
本発明は、サセプターの上面、下面、および側面のいずれの面に基板保持面が設けられている場合にも適用できるが、以下の説明では、サセプターの上面に基板保持面が設けられている場合を例示する。従って、以下の説明において、「基板載置面４３１」は本発明における「基板保持面」に相当し、「リフトピン４４０」は本発明における「支持ピン」に相当し、「リフトピン配置穴４３３」は「本発明における「支持ピン配置穴」に相当する。また、以下の説明において、リフトピン４４０の頭部４４３や基板載置面４３１を説明する際の「平面視」とは、基板載置面４３１に対して垂直な方向からみたときを意味する。
【００２３】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明の実施の形態１に係る基板処理装置の一例の説明図であり、図１（ａ）、（ｂ）は、リフトピンが下降してサセプターの基板載置面上に基板を載置した状態の説明図、およびリフトピンが上昇して頭部で基板を支持した状態の説明図である。
【００２４】
図１（ａ）に示す基板処理装置４００は、枚葉成膜装置であり、特に、原子層堆積用の成膜装置として構成されている。かかる基板処理装置４００は、基板１０ｘが処理される処理室４１０を区画する壁部４２０を有している。基板処理装置４００において、壁部４２０には、処理室４１０内に基板１０ｘを搬入するとともに、処理室４１０内の基板１０ｘを搬出する搬入搬出口（図示せず）が設けられている。また、壁部４２０には、処理室４１０の内部にガスを導入するガス導入口４１１と、処理室４１０からガスを排出する排出口４１３とが設けられている。
【００２５】
基板処理装置４００において、処理室４１０には、サセプター４３０と、サセプター４３０に対するサセプター用温度調節装置４９０とが設けられている。サセプター４３０の上面は、基板１０ｘが載置される基板載置面４３１（基板保持面）になっている。サセプター用温度調節装置４９０は、サセプター４３０に下側に重なるように配置されており、サセプター４３０の温度を調節することによって、基板１０ｘの温度を調節する。本形態において、サセプター用温度調節装置４９０は、ヒーターを内蔵した加熱装置４９１として構成されている。また、本形態では、サセプター４３０に上方で対向するハウジング４７０が設けられており、サセプター４３０とハウジング４７０とによって囲まれた空間が成膜室４８０になっている。
【００２６】
サセプター４３０には、厚さ方向に貫通するリフトピン配置穴４３３（支持ピン配置穴）が設けられており、リフトピン配置穴４３３の内側にはリフトピン４４０（支持ピン）が配置されている。また、サセプター用温度調節装置４９０には、リフトピン配置穴４３３と連通する穴４９３が形成されている。ここで、穴４９３は、リフトピン配置穴４３３より大径であるため、サセプター用温度調節装置４９０の穴４９３の周辺は、リフトピン配置穴４３３より内側に突出する段部４９５を構成している。
【００２７】
サセプター４３０の下方位置には、リフトピン４４０とサセプター４３０とを相対的に上下動させる昇降装置４６０の出力軸４６１が配置されている。本形態において、サセプター４３０は、処理室４１０に固定された状態にあり、リフトピン４４０は、リフトピン配置穴４３３の内側で上下動可能である。このため、昇降装置４６０の出力軸４６１が上昇すると、リフトピン４４０は上方に押し上げられることになる。
【００２８】
（リフトピン４４０およびリフトピン配置穴４３３の詳細構成）
図２は、本発明の実施の形態１に係る基板処理装置４００のリフトピン４４０等の位置等を示す説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は、サセプターの平面図、および基板の平面図である。図３は、本発明の実施の形態１に係る基板処理装置４００のリフトピン４４０およびリフトピン配置穴４３３の形状を示す説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、リフトピン４４０等の斜視図、リフトピン４４０等の平面図、リフトピン４４０に形成した凹部４４３ａの説明図、およびサセプター４３０に設けた凸部４３３ａの説明図である。
【００２９】
本形態の基板処理装置４００において、リフトピン４４０は、リフトピン配置穴４３３に挿通された軸部４４１と、軸部４４１の上端部で拡径して上面で基板１０ｘを支持する頭部４４３とを備えている。かかる構成のリフトピン４４０は、セラミックス製、金属製、合成樹脂等からなる円筒状の軸部４４１の上端部に対して、断面Ｔ字形状のセラミックス製の頭部４４３の凸部を圧入する方法等により構成することができる。軸部４４１および頭部４４３に用いられるセラミックスとしてはアルミナ等を挙げることができる。
【００３０】
サセプター４３０のリフトピン配置穴４３３、およびサセプター用温度調節装置４９０の穴４９３は、リフトピン４４０の構成に対応する内径寸法および形状を有している。このため、サセプター４３０のリフトピン配置穴４３３の内周面と、リフトピン４４０の頭部４４３の外周面との間に隙間が形成され、サセプター用温度調節装置４９０の穴４９３の内周面と、リフトピン４４０の軸部４４１の外周面との間には隙間が形成されている。
【００３１】
リフトピン４４０は、図１（ａ）に示すように、下降した状態で、リフトピン４４０の頭部４４３の下面がサセプター用温度調節装置４９０の段部４９５に当接することにより、下方への抜けが阻止されている。リフトピン４４０の頭部４４３の下面には、外周縁に沿って延在する突起４４４が形成されており、突起４４４がサセプター用温度調節装置４９０の段部４９５に当接することになる。リフトピン４４０の頭部４４３の上面には、複数の突起４４５が形成されており、突起４４５が基板１０ｘの下面に当接することになる。
【００３２】
図２（ａ）に示すように、本形態の基板処理装置４００において、サセプター４３０は、平面視で円形形状を有しており、リフトピン配置穴４３３およびリフトピン４４０は、サセプター４３０において、図２（ｂ）に示す基板１０ｘを保持する領域の中央の１個所に設けられている。本形態において、基板１０ｘの直径は３００ｍｍ程度であり、リフトピン４４０の頭部４４３の外形寸法は２０ｍｍ程度である。
【００３３】
また、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、リフトピン４４０の頭部４４３は、平面視において、頭部４４３に対する仮想外接円Ｌｃより内側に凹む凹部４４３ａ（図３（ｃ）に右下がりの斜線を付した部分）を有する平面形状を備えている。また、サセプター４３０は、平面視において、リフトピン配置穴４３３の内周部分が頭部４４３の外周部分に沿って延在しており、凹部４４３ａに向かって仮想外接円Ｌｃの内側まで張り出した凸部４３３ａ（図３（ｄ）に右上がりの斜線を付した部分）を備えている。
【００３４】
ここで、凹部４４３ａおよび凸部４３３ａは、周に沿って３個所以上に形成されており、凹部４４３ａおよび凸部４３３ａは、周に沿って等角度間隔に形成されている。本形態において、凹部４４３ａおよび凸部４３３ａは、周に沿って３箇所に１２０°間隔で形成されている。このため、リフトピン４４０の頭部４４３には、周に沿う方向で隣り合う凹部４４３ａに挟まれた部分は、径方向外側に向けて放射状に突出した凸部４４３ｂになっており、かかる凸部４４３ｂの上面の先端付近に、基板１０ｘに当接する突起４４５が形成されている。また、凹部４４３ａは、周に沿って隣り合う凸部４４３ｂの先端を直線的に結んだ仮想線より内側まで凹んでいる。
【００３５】
（基板処理装置４００の動作）
本形態の基板処理装置４００において、基板１０ｘの表面に成膜を行うには、まず、処理室４１０の内部に基板１０ｘを搬入する。それには、図１（ｂ）に示すように、昇降装置４６０によって出力軸４６１を上昇させると、リフトピン４４０が押し上げられ、頭部４４３は、サセプター４３０の上面（基板載置面４３１）より上方に突出する。この状態で、ロボットハンド（図示せず）等によって、リフトピン４４０の頭部４４３の上面に基板１０ｘを載置する。
【００３６】
次に、図１（ａ）に示すように、昇降装置４６０によって出力軸４６１を下降させると、リフトピン４４０が下降する。このため、基板１０ｘは、サセプター４３０の基板載置面４３１に載置された状態となる。その際、昇降装置４６０の出力軸４６１がリフトピン４４０の下端部よりさらに下方まで下降すると、リフトピン４４０は、頭部４４３の下面が段部４９５に引っ掛かった状態で垂れ下がる。
【００３７】
そして、排出口４１３から処理室４１０の内部を真空引きし、処理室４１０の内部を減圧状態とする。また、ガス導入口４１１から処理室４１０の内部に原料ガスを導入しながら、基板１０ｘに成膜を行う。ここで、ハウジング４７０に代えて、プラズマ発生用の電極を配置すれば、成膜室４８０においてプラズマＣＶＤ法による成膜を行うことができる。
【００３８】
このようにして成膜を行った後、昇降装置４６０によってリフトピン４４０を上昇させ、サセプター４３０の基板載置面４３１から基板１０ｘを持ち上げた後、ロボットハンド（図示せず）等によって、リフトピン４４０の頭部４４３の上面から基板１０ｘを浮かせ、しかる後に、基板１０ｘを処理室４１０から搬出する。以降、同様な動作を繰り返し行って、基板１０ｘを順次処理する。
【００３９】
（成膜の具体例）
本形態の基板処理装置４００において、原子層堆積法により、例えば、酸化アルミニウム膜を形成する場合、まず、成膜室４８０を減圧した状態で、水蒸気（Ｈ2Ｏ）を導入する。その結果、基板１０ｘの表面にＯＨ基が吸着する。次に、窒素（Ｎ2）ガスを導入して水蒸気を排出した後、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）ガスを導入する。その結果、トリメチルアルミニウムが基板１０ｘの表面のＯＨ基のみと反応し、基板１０ｘの表面に１原子層分の酸化アルミニウム膜が形成されるとともに、余剰なトリメチルアルミニウムは複生成物のメタン（ＣＨ4）とともに排出される。
【００４０】
次に、窒素ガスを導入して、成膜室４８０の残留ガスを排出した後、再び、水蒸気を導入する。その結果、基板１０ｘの表面にＯＨ基が吸着する。次に、窒素ガスを導入して水蒸気を排出した後、トリメチルアルミニウムガスを導入する。その結果、トリメチルアルミニウムが基板１０ｘの表面のＯＨ基のみと反応し、基板１０ｘの表面にさらに１原子層分の酸化アルミニウム膜が形成されるとともに、余剰なトリメチルアルミニウムは複生成物のメタン（ＣＨ4）とともに排出される。
【００４１】
よって、上記の成膜を所定回数繰り返せば、酸化アルミニウム膜を極めて高い膜厚精度で形成することができる。また、原料ガスを途中で切り替えれば、異なる種類の膜を高い膜厚精度で積層することもできる。その際、成膜室４８０の圧力は窒素ガスの導入によって制御される。ここで、基板１０ｘの温度が高いと、原料ガスが分解し、分子が基板１０ｘ上で安定しない一方、基板１０ｘの温度が低いと、原料ガスが基板１０ｘ上で凝縮してしまうとともに、化学反応が進行しない。それ故、サセプター用温度調節装置４９０によってサセプター４３０の温度を高い精度で制御することにより、基板１０ｘの温度を高い精度で制御する。
【００４２】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の基板処理装置４００では、図３等を参照して説明したように、リフトピン４４０の頭部４４３が、平面視において、頭部４４３に対する仮想外接円Ｌｃより内側に凹む凹部４４３ａを有する平面形状を備えている。また、サセプター４３０は、リフトピン配置穴４３３の内周部分に、平面視において、凹部４４３ａ内で仮想外接円Ｌｃの内側まで張り出した凸部４３３ａを備えている。このため、サセプター４３０の上面において、リフトピン４４０の頭部４４３、およびリフトピン配置穴４３３の開口部が占める面積が狭い。従って、基板１０ｘにおいてリフトピン４４０やリフトピン配置穴４３３と重なる部分は、サセプター４３０から直接、温度が制御されることはないが、かかる部分の面積が狭いので、周囲からの熱伝導等によって温度が制御される。それ故、基板１０ｘにおいてリフトピン４４０やリフトピン配置穴４３３と重なる部分でも、温度が制御されるので、成膜が適正に行われる。よって、基板１０ｘにおいてリフトピン配置穴４３３と平面視で重なる領域についても、基板１０ｘを分割した際、チップ等として利用することができる。
【００４３】
また、リフトピン４４０およびリフトピン配置穴４３３は、サセプター４３０において基板１０ｘと平面視で重なる領域の中央の１個所に設けられている。このため、基板１０ｘにおいてリフトピン４４０やリフトピン配置穴４３３と重なる部分の面積を最少減に抑えることができるので、基板１０ｘにおいてリフトピン４４０やリフトピン配置穴４３３と重なる部分は、周囲からの熱伝導等によって温度が制御される。また、リフトピン４４０が基板１０ｘの中央を支持する構成であるため、基板１０ｘのサイズが変更になっても、リフトピン４４０によって基板１０ｘを支持することができる。
【００４４】
また、凹部４４３ａおよび凸部４３３ａは、周に沿って３個所以上に形成されており、頭部４４３において、周に沿う方向で隣り合う凹部４４３ａによって挟まれた箇所は、径方向外側に向けて放射状に突出した凸部４４３ｂになっている。また、凹部４４３ａは、周に沿う方向で隣り合う凸部４４３ｂの先端を結んだ仮想線より内側まで凹んでいる。このため、サセプター４３０の基板載置面４３１において、リフトピン４４０の頭部４４３、およびリフトピン配置穴４３３の開口部が占める面積を狭くすることができるので、基板１０ｘにおいてリフトピン４４０やリフトピン配置穴４３３と重なる部分は、周囲からの熱伝導等によって温度が制御される。
【００４５】
また、凹部４４３ａおよび凸部４３３ａは、周に沿って３個所に形成されているため、リフトピン４４０の頭部４４３は、周に沿う方向で凹部４４３ａによって挟まれた３個所の凸部４４３ｂで基板１０ｘを支持するので、基板１０ｘを安定した姿勢で支持することができる。しかも、凹部４４３ａおよび凸部４３３ａは、等角度間隔に形成されているため、基板１０ｘを安定した姿勢で支持することができる。
【００４６】
また、処理室４１０において、原子層堆積法による成膜を行う場合、成膜中、処理室４１０に対するガスの供給および排気を繰り返し行うため、基板１０ｘの温度が変動しやすいが、かかる成膜の場合でも、本形態によれば、基板１０ｘにおいてリフトピン４４０やリフトピン配置穴４３３と重なる部分を含めて、基板１０ｘ全体の温度を適正に制御することができる。また、処理室４１０を減圧状態とした場合、対流が発生しないので、基板１０ｘに温度ばらつきが発生やすいが、かかる成膜の場合でも、本形態によれば、基板１０ｘにおいてリフトピン４４０やリフトピン配置穴４３３と重なる部分を含めて、基板１０ｘ全体の温度を適正に制御することができる。
【００４７】
［実施の形態２］
図４は、本発明の実施の形態２に係る基板処理装置４００の説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００４８】
図４に示すように、本形態の基板処理装置４００では、リフトピン４４０に対するリフトピン用温度調節装置４５０が設けられている。より具体的には、リフトピン４４０の頭部４４３には、リフトピン用温度調節装置４５０として、ヒーターが設けられている。このため、基板１０ｘにおいてリフトピン４４０と重なる部分は、リフトピン４４０から直接、温度が制御される。それ故、基板１０ｘにおいてリフトピン４４０と重なる部分でも、より確実に適正な成膜等を行うことができる。
【００４９】
［実施の形態３］
図５は、本発明の実施の形態３に係る基板処理装置４００の説明図であり、図５（ａ）、（ｂ）は、基板１０ｘを支持した状態でリフトピン４４０が下降している様子を示す説明図、および基板１０ｘを支持しない状態でリフトピン４４０が下降している様子を示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００５０】
図５（ａ）に示すように、本形態の基板処理装置４００では、リフトピン４４０に対するリフトピン用温度調節装置４５０が設けられている。より具体的には、リフトピン４４０の頭部４４３には、リフトピン用温度調節装置４５０として、ヒーターが設けられている。このため、基板１０ｘにおいてリフトピン４４０と重なる部分は、リフトピン４４０から直接、温度が制御される。それ故、基板１０ｘにおいてリフトピン４４０と重なる部分でも、より確実に適正な成膜等を行うことができる。
【００５１】
また、本形態では、リフトピン４４０を上方（第１の向き）に付勢する付勢部材４５５が配置されている。本形態において、付勢部材４５５は、段部４９５とリフトピン４４０の頭部４４３との間に配置された圧縮コイルバネである。
【００５２】
かかる構成の場合、図５（ｂ）に示すように、基板１０ｘを支持していない状態でリフトピン４４０が下方（第２の向き）に移動した際、頭部４４３は、基板載置面４３１から突出している。これに対して、図５（ａ）に示すように、リフトピン４４０が基板１０ｘを支持した際、付勢部材４５５の付勢力に抗して、リフトピン４４０が下降し、リフトピン４４０の頭部４４３は、サセプター４３０の基板載置面４３１と同一の高さ位置となるとともに、リフトピン４４０の頭部４４３と基板１０ｘとが密着する。このため、リフトピン４４０の頭部４４３にリフトピン用温度調節装置４５０を設けた効果が発揮されやすいので、基板１０ｘにおいてリフトピン４４０と重なる部分の温度をリフトピン４４０から直接、制御することができる。
【００５３】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、サセプター４３０が固定でリフトピン４４０が上下動する基板処理装置４００を説明したが、リフトピン４４０が固定でサセプター４３０が上下動する基板処理装置や、リフトピン４４０およびサセプター４３０が上下動する基板処理装置に本発明を適用してもよい。また、上記実施の形態では、枚葉式の成膜装置を説明したが、枚葉式に限らずリフトピン４４０およびサセプター４３０を用いたバッチ式の基板処理装置に適用してもよい。また、上記の実施の形態では、原子層堆積用の成膜装置を説明したが、熱ＣＶＤ装置やプラズマＣＶＤ装置、スパッタ成膜等のＰＶＤ装置に適用してもよい。また、上記の実施の形態では、成膜装置を説明したが、成膜以外の処理装置でサセプター４３０の温度を調節する装置、例えば、プラズマを用いたドライエッチング装置や不純物の導入等に用いるイオン注入装置に本発明を適用してもよい。また、上記の実施の形態では、サセプターの上面に基板１０ｘを載置する装置を説明したが、真空チャックや静電チャック等を用いてサセプターの下面や側面に載置する装置に本発明を適用してもよい。
【００５４】
上記実施の形態では、サセプター用温度調節装置４９０やリフトピン用温度調節装置４５０として加熱装置を例示したが、サセプター用温度調節装置４９０やリフトピン用温度調節装置４５０が、冷却装置を有する構成や、加熱装置および冷却装置の双方を有する基板処理装置４００に本発明を適用してもよい。また、上記実施の形態では、凹部４４３ａ、凸部４４３ｂ、および凸部４３３ａの数が３つの場合を例示したが、凹部４４３ａ、凸部４４３ｂ、および凸部４３３ａの数は、３つあるいは４つ以上であってもよい。
【００５５】
［電気光学装置の説明］
上記実施の形態１〜３に係る基板処理装置４００の製造方法において利用される電気光学装置１００の代表例として液晶装置を説明する。なお、以下に説明する液晶装置において、素子基板１０および対向基板２０のうちの少なくとも一方の基板を製造するためのマザー基板が上記実施の形態における「基板１０ｘ」に相当する。但し、上記実施の形態１〜３で説明した基板処理装置４００については、以下に説明する電気光学装置１００以外にも、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出を用いた装置（Field Emission Display）、ＤＬＰ（Digital Light Processing）等の電気光学装置の製造に用いることができる。さらには、上記実施の形態１〜３で説明した基板処理装置４００については、電気光学装置以外の半導体装置の製造に用いることができる。
【００５６】
（電気光学装置の構成）
図６は、本発明に係る電気光学装置の液晶パネルの一例の説明図であり、図６（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネルを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００５７】
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の電気光学装置１００は液晶装置であり、液晶パネル１００ｐを有している。液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバーあるいはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０と対向基板２０との間のうち、シール材１０７によって囲まれた領域内には液晶層５０（電気光学物質層）が設けられている。本形態において、シール材１０７には、液晶注入口１０７ｃとして利用される途切れ部分が形成されており、かかる液晶注入口１０７ｃは、液晶材料の注入後、封止材１０７ｄによって封止されている。
【００５８】
液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、素子基板１０は、Ｙ方向（第２方向）で対向する２つの辺１０ｅ、１０ｆ（端部）と、Ｘ方向（第１方向）で対向する２つの辺１０ｇ、１０ｈ（端部）とを備えている。液晶パネル１００ｐの略中央には、表示領域１０ａが四角形の領域として設けられており、かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられている。表示領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。
【００５９】
素子基板１０において、外周領域１０ｃでは、素子基板１０においてＹ軸方向の一方側に位置する辺１０ｅに沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この辺１０ｅに隣接する他の辺１０ｇ、１０ｈの各々に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して外部制御回路から各種電位や各種信号が入力される。
【００６０】
図７を参照して詳しくは後述するが、素子基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、対向基板２０と対向する一方面１０ｓの側において、表示領域１０ａには、画素電極９ａや画素トランジスター（図示せず）がマトリクス状に配列されている。従って、表示領域１０ａは、画素電極９ａがマトリクス状に配列された画素電極配列領域１０ｐとして構成されている。かかる構成の素子基板１０において、画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。素子基板１０の一方面１０ｓの側において、表示領域１０ａより外側の外周領域１０ｃのうち、表示領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた四角枠状の周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。
【００６１】
対向基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、素子基板１０と対向する一方面２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。本形態において、共通電極２１は、対向基板２０の略全面に形成されている。
【００６２】
対向基板２０の一方面２０ｓの側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され、共通電極２１の表面には配向膜２６が積層されている。遮光層２９は、表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されており、遮光層２９の内周縁によって表示領域１０ａが規定されている。また、遮光層２９は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域に重なるブラックマトリクス部２９ｂとしても形成されている。額縁部分２９ａはダミー画素電極９ｂと重なる位置に形成されており、額縁部分２９ａの外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分２９ａとシール材１０７とは重なっていない。
【００６３】
液晶パネル１００ｐにおいて、シール材１０７より外側には、対向基板２０の一方面２０ｓの側の４つの角部分に基板間導通用電極２５が形成されており、素子基板１０の一方面１０ｓの側には、対向基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極２５）と対向する位置に基板間導通用電極１９が形成されている。本形態において、基板間導通用電極２５は、共通電極２１の一部からなる。基板間導通用電極１９には、共通電位Ｖcomが印加されている。基板間導通用電極１９と基板間導通用電極２５との間には、導電粒子を含んだ基板間導通材１９ａが配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極１９、基板間導通材１９ａおよび基板間導通用電極２５を介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられているが、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極１９、２５を避けて内側を通るように設けられている。
【００６４】
本形態において、電気光学装置１００は透過型の液晶装置であり、画素電極９ａおよび共通電極２１は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜により形成されている。かかる透過型の液晶装置（電気光学装置１００）では、例えば、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０の側から出射される間に変調されて画像を表示する。また、電気光学装置１００が反射型の液晶装置である場合、共通電極２１は、ＩＴＯ膜やＩＺＯ膜等の透光性導電膜により形成され、画素電極９ａは、アルミニウム膜等の反射性導電膜により形成される。かかる反射型の液晶装置（電気光学装置１００）では、素子基板１０および対向基板２０のうち、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００６５】
電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０には、カラーフィルター（図示せず）が形成される。また、電気光学装置１００は、電子ペーパーとして用いることができる。また、電気光学装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、電気光学装置１００は、投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００６６】
（画素１００ａの具体的構成）
図７は、本発明に係る電気光学装置１００の画素１００ａの一例の説明図であり、図７（ａ）、（ｂ）は、素子基板１０において隣り合う複数の画素の平面図、および電気光学装置１００のＦ−Ｆ′断面図である。なお、図７（ａ）では、各層を以下の線
下層側の遮光層８ａ＝細くて長い破線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
走査線３ａ＝太い実線
ドレイン電極４ａ＝細い実線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ＝細い一点鎖線
容量線５ａ＝太い一点鎖線
上層側の遮光層７ａおよび中継電極７ｂ＝細い二点鎖線
画素電極９ａ＝太い破線
で示してある。また、図７（ａ）では、互いの端部が平面視で重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。
【００６７】
図７（ａ）に示すように、素子基板１０において対向基板２０と対向する一方面１０ｓには、複数の画素１００ａの各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域に沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。本形態において、画素間領域は縦横に延在しており、走査線３ａは画素間領域のうち、Ｘ方向に延在する第１画素間領域に沿って直線的に延在し、データ線６ａは、Ｙ方向に延在する第２画素間領域に沿って直線的に延在している。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して画素トランジスター３０が形成されており、本形態において、画素トランジスター３０は、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域およびその付近を利用して形成されている。素子基板１０には容量線５ａが形成されており、かかる容量線５ａには共通電位Ｖcomが印加されている。本形態において、容量線５ａは、走査線３ａおよびデータ線６ａに重なるように延在して格子状に形成されている。画素トランジスター３０の上層側には遮光層７ａが形成されており、かかる遮光層７ａは、データ線６ａに重なるように延在している。画素トランジスター３０の下層側には遮光層８ａが形成されており、かかる遮光層８ａは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを備えている。
【００６８】
図７（ｂ）に示すように、素子基板１０では、石英基板やガラス基板等の透光性の第１基板１０ｗの液晶層５０側の基板面（対向基板２０と対向する一方面１０ｓ側）に画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、および配向膜１６等が形成されている。対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の第２基板２０ｗの液晶層５０側の表面（素子基板１０と対向する一方面２０ｓ）に遮光層２９、共通電極２１、および配向膜２６等が形成されている。
【００６９】
素子基板１０において、第１基板１０ｗの一方面１０ｓ側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる下層側の遮光層８ａが形成されている。本形態において、遮光層８ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の遮光膜からなり、電気光学装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射して画素トランジスター３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止する。なお、遮光層８ａを走査線として構成する場合もあり、この場合、後述するゲート電極３ｂと遮光層８ａを導通させた構成とする。
【００７０】
第１基板１０ｗの一方面１０ｓ側において、遮光層８ａの上層側には、シリコン酸化膜等の透光性の絶縁膜１２が形成されており、かかる絶縁膜１２の表面側に、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。画素トランジスター３０は、データ線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｂとを備えており、本形態において、ゲート電極３ｂは走査線３ａの一部からなる。画素トランジスター３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｂとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｂに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側にソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、画素トランジスター３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｇの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。
【００７１】
半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層２ａと、減圧ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁層２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極３ｂおよび走査線３ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ゲート電極３ｂは、導電性のポリシリコン膜とタングステンシリサイド膜との２層構造を有している。
【００７２】
ゲート電極３ｂの上層側には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成され、層間絶縁膜４１の上層には、ドレイン電極４ａが形成されている。本形態において、層間絶縁膜４１は、シリコン酸化膜からなる。ドレイン電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ドレイン電極４ａはチタン窒化膜からなる。ドレイン電極４ａは、半導体層１ａのドレイン領域１ｃ（画素電極側ソースドレイン領域）と一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介してドレイン領域１ｃに導通している。
【００７３】
ドレイン電極４ａの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の絶縁膜４９、および透光性の誘電体層４０が形成されており、かかる誘電体層４０の上層側には容量線５ａが形成されている。誘電体層４０としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。容量線５ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、容量線５ａは、チタン窒化膜、アルミニウム膜、およびチタン窒化膜との３層構造を有している。ここで、容量線５ａは、誘電体層４０を介してドレイン電極４ａと重なっており、保持容量５５を構成している。
【００７４】
容量線５ａの上層側には層間絶縁膜４２が形成されており、かかる層間絶縁膜４２の上層側には、データ線６ａと中継電極６ｂとが同一の導電膜により形成されている。層間絶縁膜４２はシリコン酸化膜からなる。データ線６ａと中継電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、データ線６ａおよび中継電極６ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。データ線６ａは、層間絶縁膜４２、絶縁膜４９、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してソース領域１ｂ（データ線側ソースドレイン領域）に導通している。中継電極６ｂは、層間絶縁膜４２および絶縁膜４９を貫通するコンタクトホール４２ｂを介してドレイン電極４ａに導通している。
【００７５】
データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４４が形成されており、かかる層間絶縁膜４４の上層側には、遮光層７ａおよび中継電極７ｂが同一の導電膜によって形成されている。層間絶縁膜４４は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなり、その表面は平坦化されている。遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。中継電極７ｂは、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ａを介して中継電極６ｂに導通している。遮光層７ａは、データ線６ａと重なるように延在しており、遮光層として機能している。なお、遮光層７ａを容量線５ａと導通させて、シールド層として利用してもよい。
【００７６】
遮光層７ａおよび中継電極７ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４５が形成されており、かかる層間絶縁膜４５の上層側にはＩＴＯ膜等からなる画素電極９ａが形成されている。層間絶縁膜４５には、層間絶縁膜４５を貫通して中継電極７ｂまで到達したコンタクトホール４５ａが形成されており、画素電極９ａは、コンタクトホール４５ａを介して中継電極７ｂに電気的に接続している。その結果、画素電極９ａは、中継電極７ｂ、中継電極６ｂおよびドレイン電極４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。層間絶縁膜４５は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなる。また、層間絶縁膜４５は、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）からなる下層側の第１無機絶縁膜と、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）からなる上層側の第２無機絶縁膜との構造を有している場合がある。いずれの場合も、層間絶縁膜４５の表面は平坦化されている。
【００７７】
画素電極９ａの表面側には、ポリイミドや無機配向膜からなる配向膜１６が形成されている。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（無機配向膜）からなる。        
【００７８】
（対向基板２０の構成）
対向基板２０では、第２基板２０ｗの液晶層５０側の表面（素子基板１０に対向する一方面２０ｓ）に、遮光層２９、シリコン酸化膜等からなる絶縁膜２８、およびＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように、ポリイミドや無機配向膜からなる配向膜２６が形成されている。本形態において、共通電極２１はＩＴＯ膜からなる。本形態において、配向膜２６は、配向膜１６と同様、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（無機配向膜）からなる。かかる配向膜１６、２６は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を傾斜垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。
【００７９】
（成膜工程）
このように構成した電気光学装置１００において、その製造工程では、各種成膜工程が行われる。また、各種成膜工程のうち、保持容量５５の誘電体層４０については、膜厚によって静電容量が変動するため、実施の形態１〜３で説明した基板処理装置４００において、原子層堆積法により成膜することが好ましい。
【００８０】
その際の成膜工程は、図２（ｂ）に示すように、複数の素子基板１０を得ることができる大型の基板１０ｘ（マザー基板）の状態で行われる。ここで、基板１０ｘは、石英基板やガラス基板である。本形態において、基板１０ｘはシリコンウェーハと同様、円板状である。基板１０ｘにおいて、複数の素子基板１０が切り出される領域（一点鎖線Ｌｙで囲んだ領域）が有効領域１０ｙであり、それ以外の領域は、切断工程で除去される無効領域１０ｚ（除材領域／一点鎖線Ｌｙで囲んだ領域の外側）である。
【００８１】
本形態の基板処理装置４００では、リフトピン４４０およびリフトピン配置穴４３３が基板１０ｘの中央と平面視で重なる位置に設けられているため、リフトピン４４０およびリフトピン配置穴４３３が基板１０ｘの有効領域１０ｙと重なっている。このような場合でも、本発明に係る基板処理装置４００によれば、基板１０ｘにおいて、リフトピン４４０およびリフトピン配置穴４３３と平面視で重なる部分でも適正な成膜が行われる。
【００８２】
特に、基板１０ｘが石英基板やガラス基板である場合、半導体基板や金属基板である場合に比して、熱伝導率が低いので、基板１０ｘの面内方向での温度ばらつきが変動しやすいが、このような場合でも、本形態の基板処理装置４０によれば、基板１０ｘにおいてリフトピン４４０やリフトピン配置穴４３３と重なる部分を含めて、基板１０ｘ全体の温度を適正に制御することができる。
【符号の説明】
【００８３】
１０ｘ・・基板、１００・・電気光学装置、４００・・基板処理装置、４１０・・処理室、４３０・・サセプター、４３１・・基板載置面（基板保持面）、４３３・・リフトピン配置穴（支持ピン配置穴）、４３３ａ・・凸部、４４０・・リフトピン（支持ピン）、４４３・・頭部、４４３ａ・・凹部、４４３ｂ・・凸部、４５０・・リフトピン用温度調節装置、４５５・・付勢部材、４９０・・サセプター用温度調節装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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