(57)【要約】      （修正有）【課題】精度と再現性を改善するとともに、支持する光学素子の公称形状からの異常に対する感度を低下させるマウントを提供する。【解決手段】リソグラフィ装置のモジュール内に光学素子を取り付けるように構成されたマウントであって、光学素子を円周方向で支持するように構築され配置された複数の弾性部材を備える。各弾性部材２は、光学素子の外周で光学素子と係合するように構成された複数の弾性区画４’、４”、４'''を備える。各弾性区画は別の弾性区画と独立して屈曲するように構成される。【選択図】図５
2014241411.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置のモジュール内に光学素子を取り付けるように構成されるマウントであって、
前記光学素子の外周を円周方向で支持するとともに外周に力を及ぼすように構築され配置される複数の弾性部材を備え、
各弾性部材は、前記光学素子の外周で該光学素子と係合するように構成される複数の弾性区画を備え、各弾性区画が別の弾性区画と独立して屈曲するように構成されることを特徴とするマウント。
【請求項２】
前記弾性区画が互いに対する変位を許容するように配置されることを特徴とする請求項１に記載のマウント。
【請求項３】
前記弾性区画が前記それぞれの弾性部材の一端に配置されることを特徴とする請求項１に記載のマウント。
【請求項４】
前記光学素子がミラーであり、該ミラーが、極端紫外線放射源によって生成される放射を調整するように構成され配置されるコレクタミラーであることを特徴とする請求項１に記載のマウント。
【請求項５】
各弾性部材が板ばねであることを特徴とする請求項１に記載のマウント。
【請求項６】
リソグラフィ装置のモジュールであって、
極端紫外線放射を発生するように構築され配置される放射源と、
前記極端紫外線放射を調整するように構築され配置されるコレクタと、
前記コレクタ内に光学素子を取り付けるように構成されるマウントであって、前記光学素子の外周を円周方向で支持するとともに外周に力を及ぼすように構築され配置される複数の弾性部材を備えるマウントと、を備え、
各弾性部材は、前記光学素子の外周で該光学素子と係合するように構成される複数の弾性区画を備え、各弾性区画が別の弾性区画と独立して屈曲するように構成されることを特徴とするモジュール。
【請求項７】
前記弾性区画が互いに対する変位を許容するように配置されることを特徴とする請求項６に記載のモジュール。
【請求項８】
前記弾性区画が前記それぞれの弾性部材の一端に配置されることを特徴とする請求項６に記載のモジュール。
【請求項９】
前記光学素子がミラーであり、該ミラーが、極端紫外線放射源によって生成される放射を調整するように構成され配置されるコレクタミラーであることを特徴とする請求項６に記載のモジュール。
【請求項１０】
各弾性部材が板ばねであることを特徴とする請求項６に記載のモジュール。
【請求項１１】
リソグラフィ装置のモジュールの光学素子の外周に力を及ぼすように構築され配置される弾性部材であって、
前記弾性部材は、前記光学素子の外周で該光学素子と係合するとともに別の弾性区画と独立して屈曲するように構成される複数の弾性区画を備えることを特徴とする弾性部材。
【請求項１２】
前記弾性区画が互いに対する変位を許容するように配置されることを特徴とする請求項１１に記載の弾性部材。
【請求項１３】
前記弾性区画が前記それぞれの弾性部材の一端に配置されることを特徴とする請求項１１に記載の弾性部材。
【請求項１４】
前記光学素子がミラーであり、該ミラーが、極端紫外線放射源によって生成される放射を調整するように構成され配置されるコレクタミラーであることを特徴とする請求項１１に記載の弾性部材。
【請求項１５】
各弾性部材が板ばねであることを特徴とする請求項１１に記載の弾性部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
この出願は、２００８年７月２１日に出願された米国仮特許出願第６１／１２９，８１３号の利益を主張し、参照によりその全体が本明細書に引用される。
【０００２】
（分野）
本発明は、リソグラフィ装置用の光学素子マウントに関する。
【背景技術】
【０００３】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に転写する機械である。リソグラフィ装置は例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いられる。この例では、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々のレイヤ上に形成される回路パターンを作成することができる。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば一つまたは複数のダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は、典型的に基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）の層への結像によって行われる。一般に、単一の基板は、連続してパターニングされる隣接するターゲット部分のネットワークを含む。
【０００４】
リソグラフィは、ＩＣ及び他のデバイス及び／または構造を製造する重要なステップの一つとして広く認識されている。しかしながら、リソグラフィを利用して作られるフィーチャの寸法が小さくなるにつれて、微小なＩＣまたは他のデバイス及び／または構造の製造を可能にするために、リソグラフィがさらに決定的な因子となりつつある。
【０００５】
パターン印刷の限界の理論推定値は、次式（１）に示す解像度のレイリー基準によって与えられる。
【数１】
2014241411.tif 000003
ここで、λは使用する放射の波長であり、ＮＡＰＳはパターンの印刷に使用される投影系の開口数であり、ｋ１はレイリー定数とも呼ばれるプロセス依存の調整因子であり、ＣＤは印刷されるフィーチャのフィーチャサイズ（または限界寸法）である。フィーチャの最小印刷可能サイズの低減は、以下の三つの方法で実現できることが式（１）から分かる。すなわち、露光波長λの短縮、開口数ＮＡＰＳの増加、またはｋ１値の低下である。
【０００６】
露光波長を短くして最小印刷可能サイズを削減するために、極端紫外線（ＥＵＶ）放射源の使用が提案されている。ＥＵＶ放射源は、約１３ｎｍの放射波長を出力するように構成される。したがって、ＥＵＶ放射源は、小さなフィーチャ印刷の実現に向けた重要なステップを構成することができる。このような放射は極端紫外線または軟Ｘ線とも呼ばれ、可能性のある放射源には、例えば、レーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、または電子貯蔵リングからのシンクロトロン放射が含まれる。ＥＵＶ放射源は、有用であるＥＵＶ帯域内放射の他に、ほぼ等量の（ときにはより多くの）不要な帯域外の赤外線（ＩＲ）及び深紫外線（ＤＵＶ）放射を生成することがある。
【０００７】
リソグラフィ装置で使用される光学素子は（誤ってまたは意図的に）、最大５００°Ｃまでの温度に加熱されることがある。光学素子の許容される変形は制限されることがあり、これにより、光学素子に対して加えられる荷重及び／またはヘルツ応力などの応力が制限されることがある。通常、光学素子は吊架されており、光学素子の質量に対して比較的高い固有周波数を有していることが望ましい。光学素子が比較的高い加速度レベルに耐えられるような方法で、光学素子が取り付けられなければならない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
精度と再現性を改善するとともに、マウントが支持する光学素子の公称形状からの異常に対する感度が低下したマウントを提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施形態によると、リソグラフィ装置のモジュール内に光学素子を取り付けるように構成されるマウントが提供される。マウントは、光学素子を円周方向で支持するように構築され配置される複数の弾性部材を備える。各弾性部材は、光学素子の外周で光学素子と係合するように構成される複数の弾性区画を備える。各弾性区画は別の弾性区画と独立して屈曲するように構成される。選択的に、光学素子はレンズまたはミラーであってもよい。
【００１０】
本発明の一実施形態によると、リソグラフィ装置のモジュールが提供される。モジュールは、極端紫外線放射を発生するように構築され配置される放射源と、極端紫外線放射を調整するように構築され配置されるコレクタと、コレクタ内に光学素子を取り付けるように構成されるマウントと、を備える。マウントは、光学素子を円周方向で支持するように構築され配置される複数の弾性部材を備える。各弾性部材は、光学素子の外周で光学素子と係合するように構成される複数の弾性区画を備える。各弾性区画は別の弾性区画と独立して屈曲するように構成される。選択的に、光学素子はレンズまたはミラーであってもよい。
【００１１】
本発明の一実施形態によると、リソグラフィ装置のモジュールの光学素子に力を及ぼすように構築され配置される弾性部材が提供される。弾性部材は別の弾性区画と独立して屈曲するように構成される複数の弾性区画を備える。選択的に、光学素子はレンズまたはミラーであってもよい。
【００１２】
以下、対応する参照符号が対応する部分を表す添付の模式図を参照して、本発明の実施形態を例示として説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を示す図である。
【００１４】
【図２】本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を示す図である。
【００１５】
【図３】本発明の一実施形態に係る放射源と垂直入射コレクタとを示す図である。
【００１６】
【図４】本発明の一実施形態に係る放射源とシュヴァルツシルト型垂直入射コレクタとを示す図である。
【００１７】
【図５】本発明の一実施形態に係る光学素子用のマウントを示す図である。
【００１８】
【図６】光学素子を備えた図５のマウントを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す。この装置は、
放射ビームＢ（例えば、ＥＵＶ放射）を調整する照明系（照明器）ＩＬと、
パターニングデバイス（例えば、マスクまたはレチクル）ＭＡを支持し、パターニングデバイスを正確に位置決めするよう構成された第１位置決めデバイスＰＭに接続されるサポート構造またはパターニングデバイス支持部（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
基板（例えば、レジストコートされたウェハ）Ｗを保持するよう構成され、基板を正確に位置決めするよう構成された第２位置決めデバイスＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェハテーブル）ＷＴと、
基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、一つまたは複数のダイを含む）に、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを投影するよう構成された投影系（例えば、屈折投影レンズ系）ＰＳとをさらに備える。
【００２０】
照明系は、屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子、あるいは他の種類の光学素子などの各種の光学素子、またはこれらの組み合わせを含み得るものであり、放射ビームの向きや形状、あるいは他の特性を制御するためのものである。
【００２１】
支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、及び例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様でパターニングデバイスを保持する。支持構造は、機械的、真空、静電気または他の取り付け技術を使用してパターニングデバイスを保持することができる。支持構造は、必要に応じて固定または移動可能である、例えばフレームまたはテーブルであってもよい。支持構造は、例えば投影システムに対してパターニングデバイスが所望の位置にあることを保証してもよい。
【００２２】
「パターニングデバイス」なる用語は、基板の目標部分にパターンを生成するためなどに放射ビーム断面にパターンを与えるのに使用される何らかのデバイスを指すものと広義に解釈される。放射ビームに付与されたパターンは、目標部分に生成される集積回路等のデバイスにおける特定の機能層に対応してもよい。
【００２３】
パターニングデバイスは、透過型であってもよいし、反射型であってもよい。パターニングデバイスには例えばマスク、プログラム可能ミラーアレイ、及びプログラム可能ＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィにおいて周知であり、バイナリマスク、レベンソン型位相シフトマスク、減衰型位相シフトマスク、さらには多様なハイブリッド型マスクなどのマスクタイプが含まれる。プログラム可能ミラーアレイは例えば、微小ミラーのマトリックス配列で構成される。各微小ミラーは、入射する放射ビームを異なる複数の方向に反射するよう個別的に傾斜可能である。ミラーマトリックスにより反射された放射ビームには、傾斜されたミラーによってパターンが付与されている。
【００２４】
本明細書において「投影系」なる用語は、屈折光学素子、反射光学素子、反射屈折光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子、またはこれらの組み合わせを含む何らかの投影系であると広義に解釈される。投影系は、使用される露光光に応じて、あるいは液浸液または真空の使用等のその他の要因に応じて適切とされるいかなる投影系であってもよい。ＥＵＶまたは電子ビーム放射のために真空を用いることが望ましい場合もあるが、これは他の気体が放射または電子を吸収しすぎることがあるからである。したがって、真空壁または真空ポンプを用いてビーム経路の全体に真空環境が与えられてもよい。
【００２５】
図示されるように、装置は（例えば反射型マスクを有する）反射型である。なお、装置は（例えば透過型マスクを有する）透過型であってもよい。
【００２６】
リソグラフィ装置は二つ以上（二つの場合にはデュアルステージと呼ばれる）の基板テーブル（及び／または二つ以上のマスクテーブル）を備えてもよい。このような多重ステージ型の装置においては、複数のテーブルが並行して使用されるか、あるいは１以上のテーブルまたはサポートで露光が行われている間に１以上の他のテーブルで準備工程が実行されるようにしてもよい。
【００２７】
図１に示されるようにイルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。放射源ＳＯは放射システム３（すなわち、放射生成ユニット３）の一部であってもよい。放射システム３及びリソグラフィ装置は別体であってもよい。この場合、放射システム３はリソグラフィ装置の一部を構成しているとはみなされず、放射ビームは放射システム３の放射源ＳＯからビーム搬送系を介してイルミネータＩＬへと到達する。ビーム搬送系は例えば適当な方向変更用ミラー及び／またはビームエキスパンダを含む。別の場合には、光源はリソグラフィ装置に一体に構成されていてもよい。
【００２８】
放射システム３の放射源ＳＯは様々な方法で構成することができる。例えば、放射源ＳＯは、スズＬＰＰ源（このような放射源はそれ自体周知である）などのレーザ生成プラズマ源（ＬＰＰ源）または放電生成プラズマ源（ＤＰＰ源）であってもよい。放射源ＳＯは異なる種類の放射源であってもよい。
【００２９】
イルミネータＩＬは放射ビームの角強度分布を調整するアジャスタを備えてもよい。一般には、イルミネータの瞳面における照度分布の少なくとも外径及び／または内径の値（通常それぞれσ−ｏｕｔｅｒ、σ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）が調整される。加えてイルミネータＩＬは、インテグレータ及びコンデンサなどの他の素子を備えてもよい。イルミネータはビーム断面における所望の均一性及び照度分布を得るべく放射ビームを調整するために用いられる。
【００３０】
放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されているパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射して、当該パターニングデバイスによりパターンが付与される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影系ＰＳを通過する。投影系ＰＳはビームを基板Ｗの目標部分Ｃに合焦させる。第２位置決めデバイスＰＷと位置センサＩＦ２（例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど）により基板テーブルＷＴは正確に移動される。例えば放射ビームＢの経路に異なる複数の目標部分Ｃをそれぞれ位置決めするように移動される。同様に、例えば走査中またはマスクライブラリからのマスク交換後に、第１位置決めデバイスＰＭと別の位置センサＩＦ１により放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡは正確に位置決めされてもよい。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡと基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２と基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いて位置合わせされてもよい。
【００３１】
図示の装置は以下のモードのうち少なくとも一つで使用することができる。
【００３２】
１．ステップモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンの全体が１回の照射で一つの目標部分Ｃに投影される間、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと基板テーブルＷＴとが実質的に静止状態とされる（すなわち１回の静的な露光）。そして基板テーブルＷＴがＸ方向及び／またはＹ方向に移動されて、異なる目標部分Ｃが露光される。
【００３３】
２．スキャンモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと基板テーブルＷＴとが同期して走査される（すなわち１回の動的な露光）。支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影系ＰＳの拡大（縮小）特性及び像反転特性により定められる。
【００３４】
３．別のモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴはプログラム可能パターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、基板テーブルＷＴは移動または走査される。このモードでは一般にパルス放射源が用いられ、プログラム可能パターニングデバイスは走査中に基板テーブルＷＴが移動するたびに、または連続する放射パルスの間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述のプログラム可能ミラーアレイなどのプログラム可能パターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに適用可能である。
【００３５】
上記のモードを組み合わせて動作させてもよいし、モードに変更を加えて動作させてもよく、さらに全く別のモードを用いてもよい。
【００３６】
図２は、ＥＵＶリソグラフィ装置のさらなる実施形態を模式的に示す。ＥＵＶリソグラフィ装置は、図１の実施形態で示した装置の動作と同様の動作原理を有する。図２の実施形態では、装置は、放射源−コレクタモジュールまたは放射ユニット３（本明細書では放射系とも呼ぶ）と、照明系ＩＬと、投影系ＰＳとを備える。一実施形態によると、放射ユニット３には、好ましくはレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源である放射源ＳＯが設けられている。本実施形態では、放射源ＳＯから発せられた放射は、放射源チャンバ７からガスバリアまたは「フォイルトラップ」９を経由してチャンバ８内へと通過してもよい。図２において、チャンバ８は放射コレクタ１０を備える。
【００３７】
図２は、かすめ入射コレクタ１０を適用したものを示す。しかしながら、特に放射源がＬＰＰ源である場合には、コレクタは垂直入射コレクタであってもよい。さらに別の実施形態では、コレクタがシュヴァルツシルト型コレクタ（図４を参照）であり、放射源がＤＰＰ源であってもよい。
【００３８】
チャンバ８内の開口から仮想放射源点１２（すなわち、中間焦点ＩＦ）に放射が合焦されてもよい。チャンバ８から、放射ビーム１６が垂直入射リフレクタ１３、１４によって照明系ＩＬ内で反射され、支持構造またはパターニングデバイス支持部（例えばレチクルまたはマスクテーブル）ＭＴ上に位置するパターニングデバイス（例えばレチクルまたはマスク）に入射する。反射素子１８、１９を経由して投影系ＰＳによってウェーハステージまたは基板テーブルＷＴ上に結像するパターン付与されたビーム１７が形成される。図示したよりも多数の素子が照明系ＩＬ及び投影系ＰＳ内に存在していてもよい。
【００３９】
反射素子１９の一つは、貫通する開口２１を有する開口数（ＮＡ）ディスク２０をその前方に有していてもよい。開口２１の大きさは、パターン付与された放射ビーム１７が基板テーブルＷＴに当たるときにビームによって作られる角度αｉを決定する。
【００４０】
別の実施形態では、放射コレクタは、集光された放射を放射ビーム発射開口内に合焦させるように構成されたコレクタ；放射源と一致する第１焦点と、放射ビーム発射開口と一致する第２焦点とを有するコレクタ；垂直入射コレクタ；単一の実質的に楕円形の放射集光面区画を有するコレクタ；二つの放射集光面を有するシュヴァルツシルト型コレクタのうちの一つまたは複数である。
【００４１】
同じく、別の実施形態では、放射源ＳＯは、所定の波長のコヒーレント光ビームを燃料上に合焦させるように構成させた光源を備えるレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源であってもよい。
【００４２】
例えば、図３は、垂直入射コレクタ７０を備える放射源ユニット３の一実施形態の断面図である。コレクタ７０は、二つの自然楕円焦点Ｆ１、Ｆ２を持つ楕円構成を有する。特に、垂直入射コレクタは、楕円区画のジオメトリを有する単一の放射集光面７０ｓを有するコレクタを備える。言い換えると、楕円の放射集光面区画は仮想的な楕円（その一部が図中に点線Ｅで描かれている）に沿って広がる。
【００４３】
当業者には理解されるように、コレクタミラー７０が楕円（すなわち、楕円に沿って広がる反射面７０ｓを備える）である場合、コレクタミラーは、一方の焦点Ｆ１からの放射をもう一方の焦点Ｆ２に合焦させる。二つの焦点は、楕円の中心からｆ＝（ａ２−ｂ２）ｌ／２の距離に楕円の長軸に沿って配置される。ここで、２ａ及び２ｂは、それぞれ長軸及び短軸の長さである。図１に示した実施形態がＬＰＰ放射源ＳＯを備える場合、コレクタは図３に示すような単一の楕円形ミラーであってもよい。このとき、光源ＳＯが一方の焦点（Ｆ１）に配置され、中間焦点ＩＦがミラーの他方の焦点（Ｆ２）に確立される。第１焦点（Ｆ１）に配置された放射源から反射面７０ｓに向けて広がる放射、及び表面によって反射され第２焦点Ｆ２に向かう反射放射が、図中に線ｒで描かれている。例えば、一実施形態によると、上述の中間焦点ＩＦは、リソグラフィ装置のコレクタと照明系ＩＬ（図１、２を参照）との間に配置されてもよいし、必要であれば照明系ＩＬの中に配置されてもよい。
【００４４】
図４は、本発明の一実施形態に係る、コレクタ１７０を備える放射源ユニット３’の断面の模式図である。この場合、コレクタは二つの垂直入射コレクタ部分１７０ａ、１７０ｂを備える。各部分１７０ａ、１７０ｂは好ましくは（しかし必須ではない）実質的に楕円形の放射集光面区画を有している。特に、図４の実施形態は、好ましくは二つのミラー１７０ａ、１７０ｂからなるシュヴァルツシルトコレクタ設計を備える。放射源ＳＯは、第１焦点Ｆ１に配置されてもよい。例えば、第１コレクタミラー部分１７０ａは、第１焦点Ｆ１から発せられた放射を、第２コレクタミラー部分１７０ｂ、特に第２焦点Ｆ２に向けて合焦させるように構成された凹面の反射面（例えば楕円系またはパラボラ形）を有してもよい。第２ミラー部分１７０ｂは、第１ミラー部分１７０ａによって向きを変えられた放射を、第２焦点Ｆ２に向けて、さらには焦点ＩＦ（例えば中間焦点）に向けて合焦するように構成されてもよい。第１ミラー部分１７０ａは開口１７２を備えており、この開口１７２を経由して（第２ミラー１７０ｂによって反射された）放射がさらに焦点ＩＦに向けて伝達されてもよい。例えば、図４の実施形態をＤＰＰ放射源と組み合わせて使用すると有利な場合もある。
【００４５】
放射源ＳＯは、所定の波長を有するコヒーレント光のレーザビームを生成するように構成されたレーザ源と関連するＬＰＰ源であってもよい。レーザ光は、燃料（例えば、燃料供給器によって供給される燃料、及び例えば燃料の液滴を含む）上に合焦されて、レーザ生成プラズマ過程でそこから放射を発生する。その結果得られる放射は、この実施形態ではＥＵＶ放射であってもよい。限定されない実施形態では、レーザ光の所定の波長は１０．６ミクロン（すなわちμｍ）である。例えば、燃料はスズ（Ｓｎ）であってもよいし、当業者には理解されるように他の種類の燃料であってもよい。
【００４６】
放射コレクタ７０は、放射源によって生成された放射を集光し、集光した放射をチャンバ８の下流放射ビーム発射開口６０へと合焦させるように構成されてもよい。
【００４７】
例えば、放射源ＳＯは、発散放射を発するように構成されてもよい。コレクタ７０は、（図３及び図４に示すように）その発散放射を反射して発射開口６０に向けて収束する収束放射ビームを与えるように配置されてもよい。特に、コレクタ７０は、システム（図２を参照）の光軸Ｏ上の、発射開口６０内に配置された焦点ＩＦ上に放射を合焦させるようにしてもよい。
【００４８】
発射開口６０は円形の開口であってもよいし、別の形状（例えば、楕円形、正方形または別の形状）を有していてもよい。発射開口６０は、好ましくは小さな直径、例えば約１０ｃｍ未満、好ましくは１ｃｍ未満の直径を有する（直径は、放射伝達方向Ｔを横切る方向で測定される。例えば、開口６０が円形断面を有する場合は、半径方向で測定される）。好ましくは、光軸ＯＸは開口６０の中心を通って延びるが、これは必須ではない。
【００４９】
上述のコレクタ７０やコレクタ１７０などのコレクタにおける光学素子１の半径方向の固定は、図５及び図６に示すような複数の弾性部材２を備えるマウントの一実施形態を用いて行うようにしてもよい。マウントはいわゆるデュアルステージスプリングネスト（dual stage spring nest）であってもよい。マウントは、一端がより小さな弾性区画４’、４”、４'''にさらに分割される複数の弾性部材２を備える。図５は、一実施形態に係る三つの弾性部材２を表しており、弾性部材２のそれぞれが一端に三つの弾性区画４’、４”、４'''を備えている。
【００５０】
光学素子１は、レンズまたはミラーであってもよい。一実施形態では、上述したように、光学素子１は、極端紫外線放射源によって生成された放射を調整するように構成されたコレクタミラーであってもよい。
【００５１】
図示するように、各弾性部材２は、自らの幅よりも大きい長さと、自らの幅よりも小さい厚さとを持つ細長い本体を有する板ばねであってもよい。細長い本体は、構成が板状であり実質的に平坦であってもよいし、または、支持する光学素子１の半径に対応して全幅にわたり曲率を有するように形成されてもよい。弾性部材２の少なくとも一端は、機械加工、エッチング等の任意の適切な方法によって、少なくとも二つの区画にさらに分割されてもよい。三つの区画が描かれているが、より多数のまたはより少数の区画を使用してもよい。図示の実施形態は、いかなる方法によっても限定するように意図されていない。弾性部材２は、高熱環境に置かれ極端紫外線放射にさらされるのに必要な特性を有する任意の適切な材料で作成することができる。
【００５２】
弾性部材２は、光学素子１に所望の力／剛性を伝えて、放射源モジュール３、より具体的にはコレクタ７０、１７０に光学素子１を取り付けられるように構築され配置される。弾性部材２の剛性は、光学素子１を一定の位置に保持する一方で、半径方向の公差及び一様な熱膨張効果などの通常からの全体的なずれの影響並びに固有周波数の影響に対処できるように、光学素子１に対して所望の力を与えるよう選択されてもよい。
【００５３】
弾性区画４’、４”、４'''は、局所的な半径方向の不揃い、一様でない熱膨張、ヘルツ接触応力分布に対処するように構築され配置される。弾性区画４’、４”、４'''の望ましい寸法は、ヒステリシス効果を最小にすることによって定められる。例えば、半径方向の剛性と摩擦係数との積が接線方向の剛性よりも大きくなることが望ましい。
【００５４】
大量の弾性部材２を使用すると、作動中のリソグラフィプロセスの再現性を改善することができ、また、マウントに設けられた弾性部材２によって保持される光学素子１に沿った不揃いに対する感度を低下させることができる。
【００５５】
ＩＣ製造時におけるリソグラフィ装置の使用について本文で特定した言及がなされるかもしれないが、本明細書で述べるリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気領域メモリ用の誘導及び検出パターン（guidance and detection pattern）、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の応用形態も有していることを理解すべきである。
【００５６】
光学リソグラフィの文脈における本発明の実施形態の使用について特定した言及をしたかもしれないが、本発明を例えばインプリントリソグラフィといった他の応用形態で使用しうること、及び文脈が許す限り光学リソグラフィに限定されないことは認められよう。
【００５７】
本明細書で使用される「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５、３５５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの波長を有する）、極端紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば、５−２０ｎｍの範囲の波長を有する）、イオンビームまたは電子ビームなどの粒子ビームを含むあらゆるタイプの電磁放射を包含している。
【００５８】
本発明の具体的な実施形態を上述したが、本発明は説明したのとは別の方法で実行されてもよいことを理解されたい。例えば、本発明は、上述の方法を記載した機械読取可能な指示の一つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、またはこのようなコンピュータプログラムを格納したデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形をとってもよい。
【００５９】
上述の記載は、説明を意図しており、限定するものではない。したがって、下記の請求項の範囲から逸脱することなしに、上述の本発明に対して修正が施されてもよいことは当業者には明らかである。
【００６０】
本出願において、「含む」という用語は他の要素またはステップを除外しないことを理解すべきである。また、「ａ」「ａｎ」という語は複数を除外しない。請求項におけるあらゆる参照符号は、請求項の範囲の限定として解釈されるべきではない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【外国語明細書】
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