(57)【要約】【課題】加熱した基板を短時間で冷却することができる浮上搬送熱処理装置を提供する。【解決手段】基板を超音波振動浮上させる振動板部と、振動板部に超音波振動を与える超音波発生部と、基板の端部を支持して基板の浮上方向と垂直な方向に基板を搬送する搬送部と、を有する浮上搬送ユニットが複数配列されて、各浮上搬送ユニットが順に基板を超音波振動浮上させながら熱処理し、搬送する浮上搬送熱処理装置１であり、浮上搬送ユニットがその浮上搬送ユニットの振動板部を加熱するヒータ部を備える加熱領域２と、浮上搬送ユニットがヒータ部を備えない冷却領域３と、を有している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を超音波振動浮上させる振動板部と、
前記振動板部に超音波振動を与える超音波発生部と、
基板の端部を支持して基板の浮上方向と垂直な方向に基板を搬送する搬送部と、
を有する浮上搬送ユニットが複数配列されて、各前記浮上搬送ユニットが順に基板を超音波振動浮上させながら熱処理し、搬送する浮上搬送熱処理装置であり、
前記浮上搬送ユニットがその浮上搬送ユニットの振動板部を加熱するヒータ部を備える加熱領域と、
前記浮上搬送ユニットが前記ヒータ部を備えない冷却領域と、
を有していることを特徴とする浮上搬送熱処理装置。
【請求項２】
前記冷却領域は、基板の搬送に関して最も下流側にあることを特徴とする、請求項１に記載の浮上搬送熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を浮上搬送させながら基板の加熱および冷却を行う浮上搬送熱処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等のフラットパネルディスプレイには、基板上にレジスト液が塗布されたもの（塗布基板と称す）が使用されている。この塗布基板は、塗布装置により基板上にレジスト液が均一に塗布されることによって塗布膜が形成され、その後、熱処理装置により塗布膜を乾燥させることにより生産される。
【０００３】
この熱処理装置には、たとえば特許文献１および図８で示すような浮上搬送熱処理装置がある。図８に示すように、浮上搬送熱処理装置９０は加熱領域９１を有し、超音波振動により加熱領域９１が基板Ｗを浮上させた状態で加熱領域９１自身の温度により基板Ｗを加熱することにより、基板Ｗを非接触で加熱することができるため、乾燥ムラを発生させずに基板Ｗ上の塗布膜を乾燥させることができる。
【０００４】
また、設定温度の異なる乾燥装置９１を複数設けることにより、基板Ｗを浮上搬送させる間に塗布膜の乾燥だけでなく焼成（ベーク）を行うこともできる。
【０００５】
このような浮上搬送熱処理装置９０によって加熱された基板Ｗは、たとえば基板Ｗを噴出エアによって空冷するエア浮上ユニットや水冷された金属板といったような冷却ユニット９２へ搬送され、この冷却ユニット９２に載置されることによって室温近くまで冷却されてから、下流のプロセス装置へ搬送される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特願２０１１−７４３３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、上記特許文献１および図８に示した浮上搬送熱処理装置９０では、基板の冷却に時間がかかるという問題があった。具体的には、浮上搬送熱処理装置９０から冷却ユニット９２へ基板Ｗを搬送するためには浮上搬送熱処理装置９０と冷却ユニット９２との間にある搬送ロボット９３が浮上搬送熱処理装置９０から基板Ｗを受け取り、そして搬送ロボット９３が冷却ユニット９２に基板Ｗを載置する必要があるため、この時間を基板Ｗの冷却時間に含めると、ユーザが準備しうる冷却時間の範囲に収まらなくなるおそれがあった。
【０００８】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、加熱した基板を短時間で冷却することができる浮上搬送熱処理装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために本発明の浮上搬送熱処理装置は、基板を超音波振動浮上させる振動板部と、前記振動板部に超音波振動を与える超音波発生部と、基板の端部を支持して基板の浮上方向と垂直な方向に基板を搬送する搬送部と、を有する浮上搬送ユニットが複数配列されて、各前記浮上搬送ユニットが順に基板を超音波振動浮上させながら熱処理し、搬送する浮上搬送熱処理装置であり、前記浮上搬送ユニットがその浮上搬送ユニットの振動板部を加熱するヒータ部を備える加熱領域と、前記浮上搬送ユニットが前記ヒータ部を備えない冷却領域と、を有していることを特徴としている。
【００１０】
上記浮上搬送熱処理装置によれば、加熱領域で加熱された基板を冷却領域によって短時間で冷却することが可能である。具体的には、加熱領域および冷却領域において浮上搬送ユニットが基板を超音波振動浮上させることによって、基板と振動板部との間の気体に強制対流が発生する。この強制対流する気体を経由して基板と振動板部との間で熱伝達が行われるが、強制対流は超音波振動によって生じていることにより、高速の熱伝達が可能である。これにより、冷却領域では、短時間で基板を冷却することが可能である。また、加熱領域と冷却領域とが浮上搬送熱処理装置の中で隣接しているため、冷却領域を別個設ける場合と比較して加熱領域から冷却領域への基板の搬送時間を短縮することができ、また、搬送中でも冷却領域にさしかかった部分から基板の冷却が開始するため、基板の搬送による時間のロスを低減できる。
【００１１】
また、前記冷却領域は、基板の搬送に関して最も下流側にあると良い。
【００１２】
こうすることにより、加熱された基板を最後は冷却領域で十分に冷却して次工程へ引き渡すことが可能である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の浮上搬送熱処理装置によれば、加熱した基板を短時間で冷却することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施形態における浮上搬送熱処理装置の概略図である。
【図２】本実施形態における加熱領域の斜視図である。
【図３】本実施形態における加熱領域の側面図である。
【図４】本実施形態における冷却領域の斜視図である。
【図５】本発明における基板の冷却形態を示す概略図である。
【図６】本実施形態における冷却領域の冷却性能の例を示すグラフである。
【図７】本実施形態における浮上搬送熱処理装置による基板の温度変化を示す概略図である。
【図８】従来の浮上搬送熱処理装置およびこの浮上搬送熱処理装置による基板の温度変化を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明に係る実施の形態を図面を用いて説明する。
【００１６】
図１は、本発明の一実施形態における浮上搬送熱処理装置の概略図である。
【００１７】
浮上搬送熱処理装置１は、加熱領域２および冷却領域３を有し、基板Ｗを超音波振動浮上させながら、基板Ｗの加熱および冷却を行う。
【００１８】
加熱領域２は基板Ｗを加熱する領域である。加熱領域２には、設定温度が異なる後述の振動板部４が複数設けられており、基板Ｗの乾燥だけでなく、焼成も行うようにしている。
【００１９】
冷却領域３は、基板Ｗの搬送に関して最も下流側に位置し、加熱領域２で加熱された基板Ｗを室温近くまで冷却することで下流の処理装置へ引き渡す準備をする。
【００２０】
また、加熱領域２および冷却領域３は後述する搬送部７を有しており、基板Ｗが加熱領域２および冷却領域３のそれぞれの振動板部４の上で所定時間浮上した後、搬送部７によって隣接する振動板部４へ搬送される。これが繰り返されることにより、基板Ｗは浮上搬送熱処理装置１内で搬送されながら、加熱および冷却される。なお、以下の説明では、基板Ｗが搬送される方向をＹ軸方向、Ｙ軸方向と水平面上で直交する方向をＸ軸方向、Ｘ軸およびＹ軸方向の双方に直交する方向をＺ軸方向として説明を進めることとする。
【００２１】
本実施形態における加熱領域２の概略図を図２および図３に示す。
【００２２】
加熱領域２は、振動板部４、ヒータ部５、超音波発生部６、および搬送部７を備えており、振動板部４は超音波発生部６により超音波振動し、その振動による放射圧によって振動板部４上の基板Ｗを浮上させる。また、振動板部４がヒータ部５により加熱されている。また、搬送部７によって基板Ｗは振動板部４へ搬入され、振動板部４から搬出され、また、振動板部４上を搬送される。
【００２３】
なお、本説明では、振動板部４、超音波発生部６、および搬送部７をまとめて浮上搬送ユニットとも呼ぶ。
【００２４】
振動板部４は、複数の振動板２１を有している。振動板２１は、本実施形態ではアルミ製（アルミ合金製）で矩形板状の形状を有した金属板であり、それらが基板搬送方向（Ｙ軸方向）に連続的に配列されることにより、振動板部４が形成されている。
【００２５】
この振動板部４は、上記の通りヒータ部５によって加熱されているため、振動板部４上で浮上させている基板Ｗを輻射加熱により加熱することができる。
【００２６】
ここで、振動板部４のＸ軸方向の寸法およびＹ軸方向の寸法は、振動板２１に基板Ｗが載置されたときの基板ＷのＸ軸方向およびＹ軸方向の寸法よりも大きく設定されている。これにより、基板Ｗが振動板部４の上で浮上しながら加熱される際、基板Ｗが振動板部４からはみ出る部分が存在することなく、基板Ｗの全面が振動板部４の上に存在するため、ヒータ部５により加熱された振動板部４によって基板Ｗを均一に加熱することができる。
【００２７】
ヒータ部５は、振動板部４の基板Ｗを浮上させる面８の裏面９側に位置し、複数のヒータユニット３１およびスペーサ３２を有している。ヒータユニット３１がＸ軸方向およびＹ軸方向に並べられることにより、一つのヒータ集合体３３が形成される。また、スペーサ３２は、一部のヒータユニット３１に設置されて振動板２１を支持し、また、スペーサ３２によって振動板部４とヒータ集合体３３とが所定の間隔を設けて離間されている。
【００２８】
ヒータユニット３１は、本実施形態ではカートリッジヒータまたはシーズヒータが矩形板状のアルミ板に挿入されて構成されるプレートヒータであり、これらがＸ軸方向およびＹ軸方向に隙間無く並べられている。なお、ここでプレートヒータの代わりにマイカヒータを用いても良い。
【００２９】
ここで、ヒータ集合体３３のＸ軸方向の寸法は、振動板部４のＸ軸方向の寸法よりも大きく、また、ヒータ集合体３３のＹ軸方向の寸法は、振動板部４のＹ軸方向と同等以上である。そして、Ｚ軸方向に沿って振動板部４からヒータ集合体３３を見たときに、振動板部４の領域がヒータ集合体３３の領域に収まる配置となっている。これによって、ヒータ集合体３３は振動板部４の全面を同時に加熱することができ、振動板部４全体を均一な温度に加熱することが可能である。なお、ヒータ集合体３３を形成する各々のヒータユニット３１は、振動板２１よりもＸ軸方向およびＹ軸方向の寸法が小さくても構わない。また、集合体の形をとらず、Ｘ軸方向およびＹ軸方向の寸法が振動板部４よりも大きい１つのヒータユニット３１のみを用いて振動板部４を加熱する方法をとっても良い。
【００３０】
スペーサ３２は、例えば樹脂製の小径のブロックであり、本実施形態では、スペーサ３２によって振動板部４とヒータ集合体３３の間に１ｍｍの間隔が設けられている。このように振動板部４とヒータ集合体３３とを離間することにより、ヒータ集合体３３による振動板部４への加熱は直接加熱でなく輻射加熱および対流による熱伝達となり、直接加熱と比較して振動板部４全体の温度を均一にすることが容易となる。
【００３１】
また、振動板部４とヒータ集合体３３とが接触する配置であった場合、両者の固有振動数など振動特性の差異により、ヒータ集合体３３が振動板部４の振動の妨げとなることがあるが、両者を離間することにより、振動板部４はヒータ集合体３３によって振動を妨げられることなく、設定された通りに振動することができる。
【００３２】
ここで、スペーサ３２は、振動板２１の振動の節にあたる位置で振動板２１を支持するよう、ヒータユニット３１上に配置されることが望ましい。これにより、スペーサ３２が振動板２１から受ける振動を極小にすることができるため、スペーサ３２が振動板２１との干渉によって摩耗することを防ぐことができる。
【００３３】
超音波発生部６は、超音波振動子４１およびホーン４２を有している。超音波振動子４１は、Ｚ軸方向から見て振動板２１に対してヒータユニット３１と同じ側にあり、ヒータユニット３１よりも振動板２１から離れた位置に配置されている。超音波振動子４１にはホーン４２が接続されており、このホーン４２がヒータユニット３１を突き抜けて、振動板２１に接触している。
【００３４】
超音波振動子４１は、図示しない発振器からの発振信号に基づいて対象物を励振させるものであり、例えば電極およびピエゾ素子を有するランジュバン型振動子がある。ランジュバン型振動子は、発振器によって電極に駆動電圧が印加されることでピエゾ素子が振動し、所定の振幅および周波数で発振する。このように発振した超音波振動子４１の振動は、ホーン４２を経由して、対象物である振動板２１へ伝播し、振動板２１を振動させる。振動板２１が振動することで、振動板２１から放射音圧が発せられ、この放射音圧によって、振動板２１上にある基板Ｗには上向きの力が加わる。これにより、基板Ｗを振動板２１の上方に所定の浮上量だけ浮上した状態で保持することが可能である。
【００３５】
また、超音波振動子４１の振動は、発振器から与えられる駆動電圧を制御することで振幅および周波数を調整することができ、これによって振動板２１上で浮上する基板Ｗの浮上量を調整することが可能である。基板Ｗの浮上量は、本実施形態では０．１ｍｍ程度としている。
【００３６】
ホーン４２は、円柱もしくは複数の円柱をつなげた形状をとっており、片端が超音波振動子４１と接続され、他端が振動板２１に接触しており、超音波振動子４１が発する振動の振幅を増幅もしくは減衰して振動板２１に伝播させる。また、ホーン４２はヒータユニット３１を突き抜ける配置となるため、ホーン４２が配置される位置においてヒータユニット３１には貫通穴もしくは切り欠きが設けられ、ホーン４２との干渉を回避している。
【００３７】
また、ホーン４２は、超音波振動子４１と振動板２１との間に設置されることにより、超音波振動子４１をヒータ集合体３３から離間する役割も兼ねている。超音波振動子４１は熱に弱く、加熱されるとピエゾ素子の損傷などの異常が発生するため、ヒータ集合体３３からの熱が超音波振動子４１に伝わらないよう、ホーン４２を用いて超音波振動子４１がヒータ集合体３３から遠ざけてられている。
【００３８】
ここで、本実施形態では、基板Ｗの搬送の妨げにならないことを考慮して、超音波振動子４１をＺ軸方向から見て振動板２１に対してヒータユニット３１と同じ側、すなわち基板Ｗと反対側において振動板２１と接触させているが、基板Ｗと同じ側で接触させても構わない。超音波振動子４１を基板Ｗと同じ側で接触させても、本実施形態のように基板Ｗと反対側で接触させた場合と同様に、基板Ｗを振動浮上させる効果を得ることが可能である。
【００３９】
搬送部７は、ハンド５１および進退機構５２を有している。ハンド５１は、例えばＬ字型のブロックを有し、基板Ｗの角部において基板Ｗの２辺と接触して支持する。ハンド５１は基板Ｗの対角を位置決めして支持ができるよう、基板Ｗ１枚の支持に対して基板Ｗの対角方向に２つ設けられている。また、進退機構５２は、エアシリンダなどの直動機構であり、ハンド５１が取付けられ、基板Ｗの支持時および支持解除時にそれぞれのハンド５１を移動させる。この進退機構５２によって、ハンド５１は基板Ｗの支持時には基板Ｗに接近し、支持解除時には基板Ｗから退避する。ここで、ハンド５１が退避している状態では、基板ＷはＸ軸方向およびＹ軸方向の拘束が解除されている状態であるため、次にハンド５１が接近する時には基板Ｗの位置がずれ、ハンド５１と衝突して基板Ｗおよびハンド５１が破損する可能性がある。この場合、振動板部４に上下動するピンを設け、ハンド５１が退避して振動板部４上の所定位置で基板Ｗが浮上している時はピンが上昇して基板Ｗの位置を拘束し、基板Ｗが振動板部４上を搬送される時はピンが下降して搬送動作を妨げないようにすると良い。
【００４０】
また、進退機構５２は図示しないＹ軸方向の走行軸に接続されている。ハンド５１が基板Ｗの角部に接近し、基板Ｗを支持している状態において、この走行軸によりハンド５１および進退機構５２がＹ軸方向に移動することによって、基板ＷがＹ軸方向へ搬送される。
【００４１】
次に、振動板部４への超音波発生部６の取付け位置について、図２および図３を用いて説明する。
【００４２】
先述の通り、超音波振動子４１からの振動を振動板２１に伝播するために、ホーン４２が振動板２１に接触しており、また、ホーン４２が配置される位置においてヒータユニット３１には貫通穴もしくは切り欠きが設けられている。そのため、振動板２１のホーン４２が接触している箇所およびその近辺では、他の箇所と比べ、ヒータユニット３１からの加熱を受けにくくなり、温度が低くなる。それは基板Ｗを浮上させる側の面でも同じであり、裏面側でホーン４２が接触している箇所およびその近辺では、温度が低くなる。このような箇所にて基板Ｗを加熱すると、他の箇所に比べて十分に加熱することができないため、基板Ｗに乾燥ムラを発生させる可能性がある。
【００４３】
したがって、本実施形態では、上記のような箇所では基板Ｗを加熱しないようにし、乾燥ムラの発生を防止している。具体的には、図２および図３中に示している、振動板部４の基板Ｗを浮上させる領域Ｒ１、およびその裏面側にあたる領域をＲ２に対して、それらの領域の外部、すなわち、基板Ｗを加熱する領域の外部において振動板２１がホーン４２と接触している。
【００４４】
次に、本実施形態における冷却領域３の概略図を図４に示す。
【００４５】
冷却領域３は、振動板部１０、超音波発生部１１、および搬送部１２を備えている。すなわち、先述の浮上搬送ユニットと同様の構成を備えており、ヒータ部を有していないことを除いて加熱領域２と同等の構成を有している。
【００４６】
振動板部１０は加熱領域２の振動板部４と同様に超音波発生部１１により超音波振動し、その振動による放射圧によって振動板部４上の基板Ｗを浮上させる。また、搬送部１２によって基板Ｗは振動板部１０へ搬入され、振動板部１０から搬出され、また、振動板部１０上を搬送される。
【００４７】
なお、加熱領域２では先述の通り基板Ｗの乾燥ムラの発生を防ぐために超音波発生部６の取付け位置について言及しているが、乾燥、焼成まで完了した基板Ｗ上の塗布液はそこから新たにムラが生じるおそれは少ないため、その場合は、冷却領域３では振動板部１０の基板Ｗを浮上させる領域の裏面側にあたる領域に超音波発生部１１を取り付けても構わない。
【００４８】
次に、本発明における基板の冷却形態を図５に示す。
【００４９】
基板Ｗが振動板部１０上で超音波振動浮上する際、振動板部１０の基板Ｗを浮上させる面１３と基板Ｗとの間に存在する気体には振動板部１０の超音波振動という外力が加わる。この外力により、気体は振動板部１０と基板Ｗとの間に矢印で図示したように、対流させられる。すなわち、強制対流が生じる。
【００５０】
この強制対流した気体が基板Ｗおよび振動板部１０と接触する際に、気体と基板Ｗとの間、および気体Ｗと振動板部１０との間で熱伝達が生じる。
【００５１】
したがって、加熱領域２によって加熱された基板Ｗが冷却領域３の振動板部１０の上に搬送され、振動板部１０がこの基板Ｗを超音波振動浮上させた場合、上記強制対流によって基板Ｗが冷却される。
【００５２】
なお、強制対流は気体に外力を加えると生じるものであり、たとえばエア浮上ユニットからエアを噴出して基板を浮上させる場合にも、エア浮上ユニットと基板との間の気体が強制対流する。したがって、加熱された基板をエア浮上ユニットで浮上させる場合にも強制対流した気体と基板との間で熱伝達が行われ、基板Ｗは冷却される。これに対し、振動板部１０が基板Ｗを超音波振動浮上させる場合は、振動板部１０が数十ｋＨｚという非常に高い周波数で振動することによって強制対流が生じるため、対流の速度はエア浮上ユニットによるものと比べてはるかに高速となる。したがって、熱伝達の速度はエア浮上ユニットによるものと比べてはるかに高速となり、短時間で基板Ｗの冷却を行うことができる。
【００５３】
また、冷却領域３は、先述の通り、加熱領域２の下流側に設けられており、加熱領域２の搬送部７もしくは冷却領域３の搬送部１２によって加熱領域２から基板Ｗを直接受け取ることができる。これにより、図８に示した従来の例のように搬送ロボット９３が浮上搬送熱処理装置９０から基板Ｗを受け取り、そして搬送ロボット９３が別個に設けられた冷却ユニット９２に基板Ｗを載置することと比較して、冷却領域３への搬送時間を短くすることが可能である。また、搬送中であっても、冷却領域３にさしかかった部分から基板Ｗの冷却が開始するため、基板Ｗの搬送による時間のロスを低減することができる。
【００５４】
この冷却領域３の冷却性能の例を図６のグラフに示す。
【００５５】
図６のグラフ中、実線は本実施形態の冷却領域３によって基板Ｗを冷却した場合の基板Ｗの温度変化を表したものであり、破線はエア浮上ユニットで基板Ｗを浮上させてものである。ここで、冷却前の基板Ｗの温度は約１１０℃、基板Ｗが搬送される前の振動板部１０の温度、およびエア浮上ユニットから噴出するエアの温度は約２０℃であった。
【００５６】
この結果、図示の通り超音波振動浮上による冷却効果はエア浮上時の冷却効果よりも大きくなっており、たとえば室温近くなど、所定の温度にまで基板Ｗの温度を冷却するのに必要な時間をエア浮上時よりも短くすることが可能であった。
【００５７】
次に、本実施形態における浮上搬送熱処理装置１による基板の温度変化を図７に示す。
【００５８】
先述の通り、冷却領域３は加熱領域２の下流側に隣接しており、加熱領域２から冷却領域３への搬送時間は短い。したがって、加熱領域２で基板Ｗの乾燥および焼成を実施した直後、すぐに冷却領域３による基板Ｗの冷却を開始することができる。
【００５９】
そして、図６に示した通り、超音波振動による強制対流を利用した本実施形態の冷却領域３による冷却性能は高く、短時間で基板Ｗを冷却することができる。
【００６０】
したがって、加熱領域２（図８の従来例では加熱領域９１）から冷却領域３（図８の従来例では冷却ユニット９２）への基板Ｗの搬送時間と冷却領域上での基板Ｗの載置時間とを合計した時間を基板Ｗの冷却に要する時間とした場合、本実施形態の浮上搬送熱処理装置１では、この基板Ｗの冷却に要する時間を従来より短縮することが可能である。
【００６１】
このように浮上搬送熱処理装置１の下流において冷却領域３で十分に冷却された基板Ｗは、室温に近い基板温度で次工程へ引き渡されることが可能となる。
【００６２】
なお、図５では、冷却領域３による基板Ｗの冷却形態について示し、振動板部１０と基板Ｗとの間の気体の強制対流によって基板Ｗが冷却されることを説明したが、加熱領域２の場合でも同様に、図３に示す振動板部４と基板Ｗとの間で振動板部４の超音波振動による気体の強制対流が生じ、基板Ｗと振動板部４との間の気体を介した熱伝達によって基板Ｗが加熱される。また、この場合、ヒータ部５に加熱されて高熱である振動板部４から基板Ｗへの輻射熱によっても、基板Ｗは加熱される。
【００６３】
また、加熱領域２では、振動板部４とヒータ部５との間でも振動板部４の超音波振動により気体は強制対流し、この強制対流による熱伝達とヒータ部５から振動板部４への輻射熱によって、ヒータ部５は振動板部４を加熱している。
【００６４】
以上説明した浮上搬送熱処理装置によれば、加熱した基板を短時間で冷却することができる。
【００６５】
なお、本実施形態では、冷却領域３は浮上搬送熱処理装置１の最も下流側にのみ配置されており、加熱領域２で加熱された基板Ｗを十分に冷却して下流の処理装置へ基板Ｗを引き渡しているが、冷却領域３の配置は最も下流側のみに限らず、加熱領域２の中間にも冷却領域３が設けられても構わない。すなわち、たとえば上流側から順番に加熱領域２、冷却領域３、加熱領域２、冷却領域３となるように加熱領域２および冷却領域３とが設けられていても構わない。
【符号の説明】
【００６６】
１  浮上搬送熱処理装置
２  加熱領域
３  冷却領域
４  振動板部
５  ヒータ部
６  超音波発生部
７  搬送部
８  基板を浮上させる面
９  基板を浮上させる面の裏面
１０  振動板部
１１  超音波発生部
１２  搬送部
１３  基板を浮上させる面
２１  振動板
３１  ヒータユニット
３２  スペーサ
３３  ヒータ集合体
４１  超音波振動子
４２  ホーン
５１  ハンド
５２  進退機構
９０  浮上搬送熱処理装置
９１  加熱領域
９２  冷却ユニット
Ｗ  基板
【図１】
2014103230.tif 000003
【図２】
2014103230.tif 000004
【図３】
2014103230.tif 000005
【図４】
2014103230.tif 000006
【図５】
2014103230.tif 000007
【図６】
2014103230.tif 000008
【図７】
2014103230.tif 000009
【図８】
2014103230.tif 000010