(57)【要約】【課題】工程数や材料の増加等による製造コストの増大を抑制することができ、リッジ構造頂部全域のみに絶縁膜が露出する開口部を形成することが可能となるリッジ型光導波路構造を有する光半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】リッジ型光導波路構造を有する光半導体素子の製造方法であって、  エッチングマスクを用いてトレンチ構造を形成し、該トレンチ構造により隔てられた周辺構造を備えたリッジ型光導波路構造を形成する工程と、  前記リッジ型光導波路構造上のエッチングマスクを除去し、  前記リッジ型光導波路構造の頂部が前記トレンチ構造により隔てられた周辺構造の頂部よりも低くされた高低差を有する構造を形成する工程と、  前記リッジ型光導波路構造をレジスト膜で埋め込む工程と、  を有する。【選択図】            図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リッジ型光導波路構造を有する光半導体素子の製造方法であって、
エッチングマスクを用いてトレンチ構造を形成し、該トレンチ構造により隔てられた周辺構造を備えたリッジ型光導波路構造を形成する工程と、
前記リッジ型光導波路構造上のエッチングマスクを除去し、
前記リッジ型光導波路構造の頂部が前記トレンチ構造により隔てられた周辺構造の頂部よりも低くされた高低差を有する構造を形成する工程と、
前記リッジ型光導波路構造をレジスト膜で埋め込む工程と、
を有することを特徴とするリッジ型光導波路構造を有する光半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記高低差を有する構造は、前記リッジ型光導波路構造を形成する際に用いるエッチングマスクにより形成されることを特徴とする請求項１に記載のリッジ型光導波路構造を有する光半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記高低差を有する構造を形成する工程の後に、
全域に絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のリッジ型光導波路構造を有する光半導体素子の製造方法。
【請求項４】
前記レジスト膜で埋め込む工程の後に、
前記レジスト膜をエッチバックし、前記リッジ型光導波路構造の頂部の前記絶縁膜を露出する工程を有することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のリッジ型光導波路構造を有する光半導体素子の製造方法。
【請求項５】
前記エッチングマスクとして、誘電体絶縁膜を用いることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のリッジ型光導波路構造を有する光半導体素子の製造方法。
【請求項６】
前記リッジ型光導波路構造の幅、及び前記トレンチの幅が共に一定であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のリッジ型光導波路構造を有する光半導体素子の製造方法。
【請求項７】
前記リッジ型光導波路構造の幅が一定であり、前記トレンチの幅が変調していることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のリッジ型光導波路構造を有する光半導体素子の製造方法。
【請求項８】
前記リッジ型光導波路構造の幅、及び前記トレンチの幅が共に変調していることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のリッジ型光導波路構造を有する光半導体素子の製造方法。
【請求項９】
トレンチ構造により隔てられた周辺構造が形成されているリッジ型光導波路構造を有する光半導体素子であって、
前記リッジ型光導波路構造の頂部が前記トレンチ構造により隔てられた周辺構造の頂部よりも低くされた高低差を有する構造に構成されていることを特徴とするリッジ型光導波路構造を有する光半導体素子。
【請求項１０】
前記リッジ型光導波路構造の幅、及び前記トレンチの幅が共に一定であることを特徴とする請求項９に記載のリッジ型光導波路構造を有する光半導体素子。
【請求項１１】
前記リッジ型光導波路構造の幅が一定であり、前記トレンチの幅が変調していることを特徴とする請求項９に記載のリッジ型光導波路構造を有する光半導体素子。
【請求項１２】
前記リッジ型光導波路構造の幅、及び前記トレンチの幅が共に変調していることを特徴とする請求項９に記載のリッジ型光導波路構造を有する光半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リッジ型光導波路構造を有する光半導体素子の製造方法及び光半導体素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、リッジ型の導波路構造を有する光半導体素子が知られている（端面発光レーザ、発光ダイオード、スーパールミネッセントダイオードなど）。
このリッジ型光導波路を有する光半導体素子では、リッジ頂部にコンタクト層が形成されており、素子全体を覆う絶縁層には、コンタクト層を露出させるために開口部（窓部）が形成されている。
この開口部の形成は、フォトリソグラフィ工程とエッチング工程の組み合わせ、あるいはレジストエッチバック工程を用いたセルフアライメント法にて行われる。
しかしながら、フォトリソグラフィ工程とエッチング工程の組み合わせによる開口部の形成においては、所望の位置に開口部を形成するために、高精度なマスク合わせ（アライメント）が要求される。さらに、フォトマスクを用いるため製造コストも増大してしまう。また、位置合わせが不十分であると、コンタクト面積が確保できずに接触抵抗が低減されないという問題が生じる。
【０００３】
また、レジストエッチバック工程による開口部の形成においては、所望の形状の開口部を形成するために、レジストの平坦化が要求される。
レジストの平坦化が不十分であると、所望の開口領域よりも大きな開口となり、リッジの頂部に加え、リッジ構造の側壁部の絶縁膜も露出してしまう。
露出した絶縁膜を除去した後に、電極材料を形成すると、後のアニール工程の際に、リッジ構造の側壁から金属材料の半導体層への拡散が発生し、素子の劣化が問題となる。
このようなリッジ構造の側壁部の絶縁膜が露出することにより生じる問題に対処するため、特許文献１では次のような半導体光素子の製造方法が提案されている。
すなわち、この方法では、コンタクト層の上
に除去することを前提とした誘電体層を予め積層したリッジ構造を形成することによって、エッチバックにより絶縁膜を除去しても、リッジ構造の側壁部の絶縁膜が露出しないように構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２８２８８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来例の半導体光素子の製造方法では、除去を前提とした誘電体層を形成する工程やこの誘電体層を除去する工程が必要となり、そのため工程数の増加や、用いる材料の増加等により製造コストが増大するという課題を有している。
これらを、特許文献１の半導体光素子の製造方法を説明する図８を用いて更に説明する。この方法では、図８に示すように、コンタクト層７４の上に除去することを前提とした誘電体層７５をあらかじめ積層している（図８（ａ））。
図８（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）に示すように、リッジ構造を形成した後に、全域を絶縁膜７８、及びレジスト８０で覆う（図８（ｆ））。
その後、図８（ｇ）に示すように、レジストエッチバック法で、リッジ構造頂部の絶縁膜を露出する開口を形成する。このレジストエッチバック工程において、レジストが平坦化されていないため、リッジ構造の側壁に形成した絶縁膜が一部露出する。その後、図８（ｈ）に示すように、リッジ構造の側壁に形成した絶縁膜７８と、あらかじめ形成した誘電体層７５が除去される。その結果、リッジ構造の頂部のコンタクト層のみが露出する開口部が形成できる。
しかし、この方法では、以上のように除去を前提とした層の形成が必要となり、そのための工程数の増加、用いる材料の増加による製造コストが増大する。
【０００６】
本発明は、上記問題に鑑み、工程数や材料の増加等による製造コストの増大を抑制することができ、リッジ構造頂部全域のみに絶縁膜が露出する開口部を形成することが可能となるリッジ型光導波路構造を有する光半導体
素子の製造方法及び光半導体素子の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のリッジ型光導波路構造を有する光半導体素子の製造方法は、
エッチングマスクを用いてトレンチ構造を形成し、該トレンチ構造により隔てられた周辺構造を備えたリッジ型光導波路構造を形成する工程と、
前記リッジ型光導波路構造上のエッチングマスクを除去し、
前記リッジ型光導波路構造の頂部が前記トレンチ構造により隔てられた周辺構造の頂部よりも低くされた高低差を有する構造を形成する工程と、
前記リッジ型光導波路構造をレジスト膜で埋め込む工程と、
を有することを特徴とする。
また、本発明のリッジ型光導波路構造を有する光半導体素子は、
トレンチ構造により隔てられた周辺構造が形成されているリッジ型光導波路構造を有する光半導体素子であって、
前記リッジ型光導波路構造の頂部が前記トレンチ構造により隔てられた周辺構造の頂部よりも低くされた高低差を有する構造に構成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、工程数や材料の増加等による製造コストの増大を抑制することができ、リッジ構造頂部全域のみに絶縁膜が露出する開口部を形成することが可能となるリッジ型光導波路構造を有する光半導体素子の製造方法及び光半導体素子を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施例１におけるＳＬＤの構成を説明する模式図。
【図２】実施例１におけるＳＬＤの製造方法を説明する図。
【図３】実施例１におけるＳＬＤの製造方法を説明する図。
【図４】実施例２におけるＳＬＤの構成を説明する模式図。
【図５】実施例２におけるＳＬＤの製造工程の一部を説明する図。
【図６】実施例３におけるＳＬＤの構成を説明する模式図。
【図７】実施例３におけるＳＬＤの製造工程の一部を説明する図。
【図８】特許文献１における端面発光レーザの製造方法を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の実施形態におけるリッジ構造頂部全域のみに絶縁膜が露出する開口部を形成することが可能となるリッジ型光導波路構造を有する光半導体素子の製造方法及び光半導体素子について説明する。
本発明の実施形態においては、つぎのようにして、歩留まり良く安価な製造が可能となるリッジ型光導波路構造の頂部全域に電極を有する半導体素子及びその製造方法を実現した。
本実施形態においては、従来例と異なり、リッジ型光導波路構造の頂部に電極を形成するに際し、
リッジ型光導波路構造とトレンチ構造を挟んで周囲の領域との高さを違えた状態（リッジ型光導波路構造を周囲より低くする）を形成した後に、レジスト等で全体を覆う工程を実施する。
この工程により、リッジ型光導波路構造の周囲を含む領域のレジストを平坦化することが可能となり、続く工程でリッジ型光導波路構造の頂部全域のみを露出させることができ、最終的にリッジ型光導波路構造の頂部全域にコンタクトを有する電極を形成することが可能となる。
また、リッジ型光導波路構造の周囲に形成するトレンチの幅を変調する構成を採る。
この構成により、リッジ型光導波路構造の頂部に形成される平坦化したレジストの厚さを変調することができ、続く工程でリッジ型光導波路構造の頂部全域が露出する領域と全く露出しない領域とを同時に形成することが可能となる。
また、リッジ型光導波路構造の幅が変調している場合に、その度合いに応じてトレンチの幅を変調する構成を採る。
この構成により、リッジ型光導波路構造の頂部に形成される平坦化したレジストの厚さを一定にすることができ、続く工程でリッジ型光導波路構造の頂部全域のみを露出させることができ、最終的にリッジ型光導波路構造の頂部全域にコンタクトを有する電極を形成することが可能となる。
以上のように、本実施形態の構成によれば、リッジ型光導波路構造の頂部全域に電極を有する半導体素子において、歩留まり良く安価な製造が可能となる。
また、リッジ型光導波路構造の頂部に電極を有する半導体素子において、リッジ型光導波路構造頂部の任意の領域に電極よりキャリアを注入する領域と注入を阻害する領域を、安定、容易かつ安価に製造することが可能となる。
【実施例】
【００１１】
以下に本発明の実施例について説明する。
［実施例１］
実施例１においては、リッジ型光導波路構造を有するスーパールミネッセントダイオード（ＳＬＤ）及びその製造方法について説明する。
図１に、本実施例におけるＳＬＤの構成を説明する模式図を示す。
図１（ａ）は、本実施例におけるＳＬＤの立体図であり、図１（ｂ）は立体図におけるＡ−Ａ’断面図である。図１に示すように、１００は活性層、１０２はコンタクト層、１０４は誘電体絶縁膜（マスク）、１０６はトレンチ（溝）、１０８はリッジ型光導波路構造、１１０は絶縁膜、１１２は電極材料である。
本実施例のＳＬＤにおいては、リッジ型光導波路構造１０８とトレンチ１０６を挟んだ周辺構造とで、誘電体絶縁膜１０４の厚さ分の高低差を有している。また、リッジ型光導波路構造１０８の幅、及びトレンチ１０６の幅は一定としている。
このような構成を採ることにより、リッジ型光導波路構造１０８の頂部でのみ電極材料１１２とコンタクト層１０２とが接触するＳＬＤを安定かつ容易に製造することが可能となる。
【００１２】
次に、本実施例のＳＬＤの製造方法について説明する。
図２、及び図３に、本実施例におけるＳＬＤの製造方法を説明する図を示す。
まず、図２（ａ）に示すように、基板上に、活性層１００、コンタクト層１０２を含む半導体層をＭＯＣＶＤ結晶成長技術を用いて順次積層する。
そして、積層された半導体層表面（コンタクト層１０２の表面）に誘電体絶縁膜１０４を
形成する。下記で説明するように、誘電体絶縁膜１０４は、リッジ型光導波路構造１０８をエッチングにより形成するためのエッチングマスクとなる。
本実施例では、誘電体絶縁膜１０４の厚さは、２ミクロンとした。
誘電体絶縁膜１０４の材料としては、シリコンオキサイド、シリコンナイトライド等を用いることができる。
続いて、図２（ｂ）に示すように、誘電体絶縁膜１０４上にリソグラフィ技術を用いて、第一のレジストパターン２００を形成する。次に、図２（ｃ）に示すように、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）を用いたウエットエッチングにより、第一のレジストパターン２００を誘電体絶縁膜１０４に転写する。
なお、この転写はウエットエッチングによるだけではなく、ドライエッチングによって行ってもよい。
上記バッファードフッ酸を用いたウエットエッチングを行った後に、第一のレジストパターン２００を除去する。
【００１３】
次に、図２（ｄ）に示すように、ドライエッチングにより、トレンチ１０６を形成することにより、リッジ型光導波路構造１０８が形成される。
なお、本実施例では、リッジ型光導波路構造１０８の幅を３ミクロン、トレンチ１０６の深さを０．８ミクロン、及びトレンチ１０６の幅を８ミクロンとした。また、ドライエッチング後の誘電体絶縁膜１０４の厚さは、１．５ミクロンである。
次に、図２（ｅ）に示すように、リッジ型光導波路構造１０８上の誘電体絶縁膜２０２が露出し、かつそれ以外の誘電体絶縁膜１０４が露出しないように、リソグラフィ技術を用いて第二のレジストパターン２０４を形成する。
次に、図２（ｆ）に示すように、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）を用いたウエットエッチングにより、リッジ型光導波路構造上の誘電体絶縁膜２０２を除去する。その後、第二のレジストパターン２０４を除去する。
【００１４】
次に、図３（ａ）に示すように、全域を覆うように絶縁膜１１０をＰＥＣＶＤ技術を用いて成膜する。絶縁膜１１０の材料としては、シリコンオキサイド、シリコンナイトライドなどを用いることができる。
次に、図３（ｂ）に示すように、スピンコート技術を用いてレジストを全域に塗布し、レジスト膜２０６を形成する。
なお、本実施例では、レジストとしてＡＺ１５００−２０Ｃｐ（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ製）を用い、３０００ｒｐｍ／３０秒でスピンコートした。その結果、リッジ型光導波路構造１０８上のレジスト膜２０６は１０ミクロン幅で平坦化した形状で得られる。
次に、図３（ｃ）に示すように、酸素プラズマアッシング技術を用いて、レジスト膜２０６をリッジ型光導波路構造１０８上の絶縁膜１１０が露出するまでエッチバックする。
【００１５】
次に、図３（ｄ）に示すように、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）を用いたウエットエッチングにより、リッジ型光導波路構造上の絶縁膜１１０を除去する。
この際、リッジ型光導波路構造１０８上に絶縁膜以外の露出した絶縁膜１１０も同時に除去されるが、リッジ型光導波路構造側壁の絶縁膜１１０は除去されずに残存している。
また、トレンチ及び周辺の構造の半導体層はウエットエッチング後においても、絶縁膜１１０、あるいは誘電体絶縁膜１０４で覆われているため問題にならない。
次に、図３（ｅ）に示すように、残存したレジスト膜２０６をリムーバー等を用いて除去する。
次に、図３（ｆ）に示すように、電極材料１１２であるＴｉ／Ａｕを金属蒸着技術を用いて形成する。続いて、金属蒸着技術を用いて、基板側電極材料２０８（ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ）を形成する（不図示）。続いて、劈開により第一の端面１１６、及び第二の端面１１８となる結晶面を出して素子を分割し、その後、端面の反射率を調整するための誘電体膜を両端面にコーティングして完成となる（不図示）。
本実施例では、リッジ型光導波路構造を有するＳＬＤについて述べたがこれに限定されるものではなく、例えばリッジ型光導波路構造を有する端面発光型の半導体レーザや発光ダイオードなどにも適用可能である。
また、本実施例において示した、ＭＯＣＶＤ結晶成長技術、リソグラフィ、エッチング、アッシング及び蒸着に用いた手法（装置）あるいは記述手法（装置）に限るものではなく、同様の効果が得られるのであればいかなる
手法（装置）であっても良い。
【００１６】
［実施例２］
実施例２においては、リッジ型光導波路構造の一部が吸収体として機能するＳＬＤ及びその製造方法について説明する。
図４に、本実施例におけるＳＬＤの構成を説明する模式図を示す。
図４（ａ）は、本実施例におけるＳＬＤの立体図であり、図４（ｂ）は立体図におけるＡ−Ａ’断面図である。
また、図４（ｃ）は立体図におけるＢ−Ｂ’断面図である。図４に示すように、１００は活性層、１０２はコンタクト層、１０４は誘電体絶縁膜（マスク）、１０６はトレンチ（溝）、１０８はリッジ型光導波路構造、１１０は絶縁膜、１１２は電極材料である。
本実施例のＳＬＤにおいても、リッジ型光導波路構造１０８とトレンチ１０６を挟んだ周辺構造とで、誘電体絶縁膜１０４の厚さ分の高低差を有している。
一方、実施例１とは異なり、実施例２では、リッジ型光導波路構造１０８の幅は一定であるが、トレンチ１０６の幅が変調している。具体的には、トレンチ１０６は幅の広い領域（図１（ｂ））と狭い領域（図１（ｃ））の二つの領域で構成されている。
本実施例におけるＳＬＤでは、トレンチ１０６幅の広い領域のリッジ型光導波路構造１０８の頂部でのみ電極材料１１２とコンタクト層１０２とが接触しておりキャリア注入がなされる。
一方で、トレンチ１０６幅の狭い領域のリッジ型光導波路構造１０８の頂部では電極材料１１２とコンタクト層１０２との間に絶縁膜１１０が存在するためにキャリア注入がなされず、吸収体として機能する。
【００１７】
次に、図５を用いて、本実施例のＳＬＤの製造方法について説明する。
図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）には幅の狭いトレンチ構造が示され、図５（ａ’）、（ｂ’）、（ｃ’）には幅の広いトレンチ構造が示されている。
実施例１における製造方法と異なり、トレンチ１０６の幅を決める第一のレジストパターン幅を変調し、リッジ型光導波路構造を形成する。
図５（ａ）、（ａ’）に示すように、本実施例で形成したトレンチ１０６は、深さについ
ては０．８ミクロンで一定であるが、幅は広い領域で８ミクロン、狭い領域では３ミクロンで構成されている。また、リッジ型光導波路構造１０８の幅は３ミクロンで一定ある。このような構成を採ることにより、図５（ｂ）、（ｂ’）に示すように、エッチバック前の状態で、トレンチ１０６の幅の狭い領域のリッジ型光導波路構造１０８の頂部のレジスト２０６の厚さの方が、幅の広い領域のリッジ型光導波路構造１０８の頂部のレジストの厚さに比べて厚いものとなる。
この状態で、図５（ｃ）、（ｃ’）に示すように、エッチバックを行うと、トレンチ１０６の幅の広い領域のリッジ型光導波路構造１０８の平坦化したレジストが先に除去され、絶縁膜１１０が露出する。
この時点エッチバックを終了すると、トレンチ１０６の幅の狭い領域のリッジ型光導波路構造１０８の平坦化したレジスト２０６はまだリッジ型光導波路構造１０８の頂部に残存している。
【００１８】
次の工程で、バッファードフッ酸を用いてウエットエッチングすると、トレンチ１０６の幅の広い領域のリッジ型光導波路構造１０８の頂部の絶縁膜１１０のみが除去される。そのため、後の工程で電極材料１１２を形成すると、コンタクト層１０２と接触するのは、トレンチ１０６の幅の広い領域のリッジ型光導波路構造１０８の頂部のみとなり、この領域でキャリア注入がなされる。
一方、トレンチ１０６幅の狭い領域のリッジ型光導波路構造１０８の頂部では電極材料１１２とコンタクト層１０２との間に絶縁膜１１０が存在するためにキャリア注入がなされず、吸収体として機能する。
【００１９】
［実施例３］
実施例３においては、リッジ型光導波路構造の幅、及びトレンチの幅が変調したＳＬＤ及びその製造方法について説明する。
図６に、本実施例におけるＳＬＤの構成を説明する模式図を示す。
図６（ａ）は、本実施例におけるＳＬＤの立体図であり、図６（ｂ）は立体図におけるＡ−Ａ’断面図である。また、図６（ｃ）は立体図におけるＢ−Ｂ’断面図である。
図６に示すように、１００は活性層、１０２はコンタクト層、１０４は誘電体絶縁膜（マスク）、１０６はトレンチ（溝）、１０８は
リッジ型光導波路構造、１１０は絶縁膜、１１２は電極材料である。
【００２０】
本実施例のＳＬＤにおいても、リッジ型光導波路構造１０８とトレンチ１０６を挟んだ周辺構造とで、誘電体絶縁マスク１０４の厚さ分の高低差を有している。
そして、本実施例では、リッジ型光導波路構造１０８の幅は変調しており、またトレンチ１０６の幅も変調している。
具体的には、リッジ型光導波路構造１０８は幅の広い領域と狭い領域の二つの領域で構成されており、またトレンチ１０６も幅の広い領域と狭い領域の二つの領域で構成されている。
本実施例におけるＳＬＤでは、リッジ型光導波路構造１０８の頂部全域で電極材料１１２とコンタクト層１０２とが接触しておりキャリア注入がなされる。
【００２１】
次に、図７を用いて本実施例のＳＬＤの製造方法について説明する。
図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）には幅の狭いリッジ構造で、かつ幅の広いトレンチ構造が示されている。
また、図７（ａ’）、（ｂ’）、（ｃ’）には幅の広いリッジ構造で、かつ幅の狭いトレンチ構造が示されている。
実施例１における製造方法と異なり、トレンチ１０６の幅を決める第一のレジストパターン３００の幅が変調した、次のような構成を備える。
図７（ａ）、（ａ’）に示すように、本実施例で形成したリッジ型光導波路構造１０８は、幅の狭い領域で３ミクロン、幅の広い領域で６ミクロンである。
一方、トレンチ１０６の深さは、リッジ型光導波路構造の幅の狭い領域で８ミクロン、リッジ型光導波路構造１０８の広い領域では７．５ミクロンで構成されている。
このような構成を採ることにより、図７（ｂ）、（ｂ’）に示す、エッチバック前の状態で、リッジ型光導波路構造１０８の頂部のレジスト２０６の厚さは全域において一定となる。
【００２２】
この状態で、図７（ｃ）、（ｃ’）に示すように、エッチバックを行うと、リッジ型光導波路構造１０８の頂部の平坦化したレジスト２０６は均一に除去され、リッジ型光導波
路構造１０８の頂部全域の絶縁膜１１０が露出する。
次の工程で、バッファードフッ酸を用いてウエットエッチングすると、リッジ型光導波路構造１０８の頂部全域の絶縁膜１１０が除去される。
そのため、後の工程で電極材料１１２を形成すると、リッジ型光導波路構造１０８の頂部全域のコンタクト層１０２と接触するため、リッジ型光導波路構造１０８の全域にわたりキャリア注入が成される。
本実施例においては、光導波路に幅広部を設けているので、発光面積を増大させることができ、自然出力光成分による光出力を増大させることができる。その結果、単一横モード動作する高出力なＳＬＤ素子を得ることができる。
【符号の説明】
【００２３】
１００：活性層
１０２：コンタクト層
１０４：誘電体絶縁膜
１０６：トレンチ（溝）
１０８：リッジ型光導波路構造
１１０：絶縁膜
１１２：電極材料
２００：第一のレジストパターン
２０２：リッジ型光導波路構造上の誘電体絶縁膜
２０４：第二のレジストパターン
２０６：レジスト膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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