(57)【要約】【課題】無電界Ｎｉめっき層の応力によるクラックの発生を抑制することで信頼性を向上させた半導体装置を提供する。【解決手段】ＩＣ基板１０１上に形成されたパッド１０２ｂと、前記パッド及び前記ＩＣ基板の上に形成されたパッシベーション膜１０３と、前記パッシベーション膜に形成された、前記パッド上に位置するビアホール１０３ｂと、前記ビアホール内及び前記パッシベーション膜上に形成された、前記パッシベーション膜と接する金属層２１，２２と、前記金属層上に形成された無電解Ｎｉめっき層２３と、前記パッシベーション膜上に形成され、前記金属層及び前記無電解Ｎｉめっき層それぞれの外周端面部と前記パッシベーション膜との間に、斜面を有するように形成された樹脂層１４と、を具備する半導体装置である。【選択図】図１
2014103143.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣ基板上に形成されたパッドと、
前記パッド及び前記ＩＣ基板の上に形成されたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜に形成された、前記パッド上に位置するビアホールと、
前記ビアホール内及び前記パッシベーション膜上に形成された、前記パッシベーション膜と接する金属層と、
前記金属層上に形成された無電解Ｎｉめっき層と、
前記パッシベーション膜上に形成され、前記金属層及び前記無電解Ｎｉめっき層それぞれの外周端面部と前記パッシベーション膜との間に、斜面を有するように形成された樹脂層と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記金属層は前記樹脂層に接することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記金属層は、アンダーバンプメタル層とＣｕ層またはＣｕ合金層とを積層した層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記樹脂層は、前記金属層の外周を囲むリング形状を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記無電解Ｎｉめっき層上に形成されたバンプを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
ＩＣ基板上に形成された第１のパッド及び第２のパッドと、
前記第１のパッド、前記第２のパッド及び前記ＩＣ基板の上に形成されたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜に形成された、前記第１のパッド上に位置する第１のビアホールと、
前記パッシベーション膜に形成された、前記第２のパッド上に位置する第２のビアホールと、
前記第１のビアホール内及び前記パシベーション膜上に形成された樹脂層と、
前記樹脂層に形成された、前記第１のパッドの上に位置する第３のビアホールと、
前記第３のビアホール内及び前記樹脂層上に形成された第１の金属層と、
前記第２のビアホール内及び前記パッシベーション膜上に形成された、前記パッシベーション膜と接する第２の金属層と、
前記第２の金属層上に形成された無電解Ｎｉめっき層と、
を具備し、
前記樹脂層は、前記第２の金属層及び前記無電解Ｎｉめっき層それぞれの外周端面部と前記パッシベーション膜との間に、斜面を有するように形成された部分を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項７において、
前記樹脂層は応力緩和層であることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッド上に形成された金属層及び無電解Ｎｉめっき層を有する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図３（Ａ）は、ウエハレベルチップサイズパッケージ（ＷＣＳＰ）の半導体装置の構造を示す断面図であり、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）に示す第２の配線１０５ｂ等を詳細に示す断面図である。
【０００３】
図３（Ａ）に示すように、ＩＣ基板１０１上には第１のＡｌパッド１０２ａ及び第２のＡｌパッド１０２ｂが形成されている。第１及び第２のＡｌパッド１０２ａ，１０２ｂ及びＩＣ基板１０１の上にはパシベーション膜１０３が形成されている。パシベーション膜１０３には第１のＡｌパッド１０２ａ上に位置する第１のビアホール１０３ａ及び第２のＡｌパッド１０２ｂ上に位置する第２のビアホール１０３ｂが形成されている。パッシベーション膜１０３及び第１のＡｌパッド１０２ａの上にはポリイミド膜１０４が形成されており、ポリイミド膜１０４には第１のＡｌパッド１０２ａの上に位置する第３のビアホール１０４ａが形成されている。
【０００４】
第１及び第３のビアホール１０３ａ，１０４ａ内及びポリイミド膜１０４上には第１の配線１０５ａが形成されており、第１の配線１０５ａは第１のＡｌパッド１０２ａに電気的に接続されている。第２のビアホール１０３ｂ内及びパッシベーション膜１０３上には第２の配線１０５ｂが形成されており、第２の配線１０５ｂは第２のＡｌパッド１０２ｂに電気的に接続されている。ポリイミド膜１０４上には第３の配線１０５ｃが形成されている。
【０００５】
第１の配線１０５ａにおける第３のビアホール１０４ａから引き出された部分上には、第１のスタッドバンプ１０６ａが形成されている（例えば特許文献１参照）。第３の配線１０５ｃ上には第２のスタッドバンプ１０６ｂが形成されている。第１のスタッドバンプ１０６ａ及び第２のスタッドバンプ１０６ｂの上には水晶振動子１０７が形成されている。
【０００６】
第２の配線１０５ｂ上にはボンディングワイヤ１０８の一端であるボンディング部１０８ａが形成されており、ボンディング部１０８ａは第２の配線１０５ｂに電気的に接続されている。ボンディングワイヤ１０８の他端は図示せぬ外部基板に電気的に接続されている。これにより、外部基板はボンディングワイヤ１０８及び第２の配線１０５ｂを介して第２のＡｌパッド１０２ｂに電気的に接続されている。
【０００７】
図３（Ａ）に示す半導体装置において、ボンディング部１０８ａを第２のＡｌパッド１０２ｂ上に位置し、且つ第２の配線１０５ｂに接続した構造とするのに代えて、第１のスタッドバンプ１０６ａのようにポリイミド膜１０４に形成したビアホールから引き出された配線部分にバンプを形成するような構造とすることも考えられる。しかし、このような構造とすると、配線を引き出すために広いエリアが必要になり、スペース効率が悪くなる。そこで、スペース効率を考慮して、第２のＡｌパッド１０２ｂ、第２の配線１０５ｂ及びボンディング部１０８ａを積み上げたような図３（Ａ）に示す構造を考えた。
【０００８】
図３（Ｂ）に示すように、第２のＡｌパッド１０２ｂに電気的に接続された第２の配線１０５ｂは、アンダーバンプメタル層１１１、Ｃｕ層１１２、無電解Ｎｉめっき層１１３、Ａｕ層１１４を順に積層した構造を有している。詳細には、第２のビアホール１０３ｂ内及びパッシベーション膜１０３上にはアンダーバンプメタル層１１１が形成されており、アンダーバンプメタル層１１１上にはＣｕ層１１２が形成されている。Ｃｕ層１１２の上面及び側面には無電解Ｎｉめっき層１１３が形成されており、無電解Ｎｉめっき層１１３上にはＡｕ層１１４が形成されている。
【０００９】
上述した半導体装置では、無電解Ｎｉめっき層１１３の応力によって第２の配線１０５ｂが歪み、パッシベーション膜１０３またはＩＣ基板１０１にクラック１１５が発生することがあり（図３（Ｂ）及び図４参照）、ひいてはパシベーション膜１０３が剥離してしまうことがある。このようなクラック１１５が発生すると信頼性が低下する原因となる。なお、図４は、図３（Ｂ）に示す半導体装置において発生したクラックを示すＳＥＭ写真である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】ＷＯ００／４４０４３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の幾つかの態様は、無電界Ｎｉめっき層の応力によるクラックの発生を抑制することで信頼性を向上させた半導体装置に関連している。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一態様は、ＩＣ基板上に形成されたパッドと、前記パッド及び前記ＩＣ基板の上に形成されたパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜に形成された、前記パッド上に位置するビアホールと、前記ビアホール内及び前記パッシベーション膜上に形成された、前記パッシベーション膜と接する金属層と、前記金属層上に形成された無電解Ｎｉめっき層と、前記パッシベーション膜上に形成され、前記金属層及び前記無電解Ｎｉめっき層それぞれの外周端面部と前記パッシベーション膜との間に、斜面を有するように形成された樹脂層と、を具備することを特徴とする半導体装置である。
【００１３】
上記本発明の一態様によれば、金属層及び無電解Ｎｉめっき層それぞれの外周端面部とパッシベーション膜との間に、斜面を有するように樹脂層を形成し、金属層をパッシベーション膜に接するように配置している。これにより、無電界Ｎｉめっき層の応力によって金属層が歪んでも、その応力が樹脂層によって緩和され、パッシベーション膜またはＩＣ基板にクラックが発生することを抑制できる。
【００１４】
また、上記本発明の一態様において、前記金属層は前記樹脂層に接するとよい。これにより、無電界Ｎｉめっき層の応力をより確実に緩和させることができる。
【００１５】
また、上記本発明の一態様において、前記金属層は、アンダーバンプメタル層とＣｕ層またはＣｕ合金層とを積層した層であるとよい。これにより、無電界Ｎｉめっき層の応力によって、アンダーバンプメタル層とＣｕ層またはＣｕ合金層とを積層した層が歪んでも、その応力が樹脂層によって緩和され、パッシベーション膜またはＩＣ基板にクラックが発生することを抑制できる。
【００１６】
また、上記本発明の一態様において、前記樹脂層は、前記金属層の外周を囲むリング形状を有しているとよい。これにより、樹脂層が形成される金属層の外周部の領域を狭くできる。
【００１７】
また、上記本発明の一態様において、前記無電解Ｎｉめっき層上に形成されたバンプを有するとよい。これにより、バンプの下地の剛性が高く、接続の信頼性が向上する。
【００１８】
なお、本明細書において「層上に形成され」と記載した場合は、その層の直上に形成された場合だけでなく、その層上に別の層が形成され、さらにその別の層の上に形成された場合も含む意味である。また、本明細書において「バンプ」とは、スタッドバンプと、ボンディングワイヤの端部のボンディング部とを含む意味である。
【００１９】
本発明の一態様は、ＩＣ基板上に形成された第１のパッド及び第２のパッドと、前記第１のパッド、前記第２のパッド及び前記ＩＣ基板の上に形成されたパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜に形成された、前記第１のパッド上に位置する第１のビアホールと、前記パッシベーション膜に形成された、前記第２のパッド上に位置する第２のビアホールと、前記第１のビアホール内及び前記パシベーション膜上に形成された樹脂層と、前記樹脂層に形成された、前記第１のパッドの上に位置する第３のビアホールと、前記第３のビアホール内及び前記樹脂層上に形成された第１の金属層と、前記第２のビアホール内及び前記パッシベーション膜上に形成された、前記パッシベーション膜と接する第２の金属層と、前記第２の金属層上に形成された無電解Ｎｉめっき層と、を具備し、前記樹脂層は、前記第２の金属層及び前記無電解Ｎｉめっき層それぞれの外周端面部と前記パッシベーション膜との間に、斜面を有するように形成された部分を有することを特徴とする半導体装置である。
【００２０】
上記本発明の一態様によれば、第２の金属層及び無電解Ｎｉめっき層それぞれの外周端面部とパッシベーション膜との間に、斜面を有するように樹脂層を形成し、第２の金属層をパッシベーション膜に接するように配置している。これにより、無電界Ｎｉめっき層の応力によって第２の金属層が歪んでも、その応力が樹脂層によって緩和され、パッシベーション膜またはＩＣ基板にクラックが発生することを抑制できる。
【００２１】
なお、上記本発明の一態様において、前記樹脂層は応力緩和層であるとよい。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】（Ａ）は本発明の一態様に係るＷＣＳＰの半導体装置の構造を示す断面図、（Ｂ）は（Ａ）に示す第２の配線１５ｂ等を詳細に示す断面図。
【図２】（Ａ）は本発明の一態様に係るＷＣＳＰの半導体装置の構造を示す断面図、（Ｂ）は（Ａ）に示す第２の配線１５ｂ等を詳細に示す断面図。
【図３】（Ａ）はＷＣＳＰの半導体装置の構造を示す断面図、（Ｂ）は（Ａ）に示す第２の配線１０５ｂ等を詳細に示す断面図。
【図４】図３（Ｂ）に示す半導体装置において発生したクラックを示すＳＥＭ写真。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２４】
［実施の形態１］
図１（Ａ）は、本発明の一態様に係るＷＣＳＰの半導体装置の構造を示す断面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す第２の配線１５ｂ等を詳細に示す断面図である。
【００２５】
図１（Ａ）に示すように、ＩＣ基板１０１上には第１のＡｌパッド１０２ａ及び第２のＡｌパッド１０２ｂが形成されている。第１及び第２のＡｌパッド１０２ａ，１０２ｂ及びＩＣ基板１０１の上にはパシベーション膜１０３が形成されている。
【００２６】
パシベーション膜１０３には、第１のＡｌパッド１０２ａ上に位置する第１のビアホール１０３ａ及び第２のＡｌパッド１０２ｂ上に位置する第２のビアホール１０３ｂが形成されている。パッシベーション膜１０３及び第１のＡｌパッド１０２ａの上には樹脂層１４が形成されている。樹脂層１４には、第１のＡｌパッド１０２ａの上に位置する第３のビアホール１４ａと、第２のビアホール１０３ｂ及び第２のＡｌパッド１０２ｂそれぞれより大きい第４のビアホール１４ｂとが形成されている。
【００２７】
第１及び第３のビアホール１０３ａ，１４ａ内及び樹脂層１４上には第１の配線１５ａが形成されており、第１の配線１５ａは第１のＡｌパッド１０２ａに電気的に接続されている。第２のビアホール１０３ｂ内及びパッシベーション膜１０３上には第２の配線１５ｂが形成されており、第２の配線１５ｂは第２のＡｌパッド１０２ｂに電気的に接続されている。第２の配線１５ｂは第４のビアホール１４ｂ内に形成されている。樹脂層１４上には第３の配線１５ｃが形成されている。
【００２８】
第２の配線１５ｂはパッシベーション膜１０３に接しており、第２の配線１５ｂの外周端面部は樹脂層１４と接している。別言すれば、第２の配線１５ｂの外周部は樹脂層１４上に乗り上げるように形成されている。
【００２９】
第１の配線１５ａにおける第３のビアホール１４ａから引き出された部分上には第１のスタッドバンプ１６ａが形成されている。第３の配線１５ｃ上には第２のスタッドバンプ１６ｂが形成されている。第１のスタッドバンプ１６ａ及び第２のスタッドバンプ１６ｂの上には水晶振動子１７が形成されている。
【００３０】
第２の配線１５ｂ上にはボンディングワイヤ１８の一端であるボンディング部１８ａが形成されており、ボンディング部１８ａは第２の配線１５ｂに電気的に接続されている。ボンディングワイヤ１８の他端は図示せぬ外部基板に電気的に接続されている。これにより、外部基板はボンディングワイヤ１８及び第２の配線１５ｂを介して第２のＡｌパッド１０２ｂに電気的に接続されている。
【００３１】
図１（Ｂ）に示すように、第２のＡｌパッド１０２ｂに電気的に接続された第２の配線１５ｂは、アンダーバンプメタル層２１、Ｃｕ層２２、無電解Ｎｉめっき層２３、Ａｕ層２４を順に積層した構造を有している。詳細には、第２のビアホール１０３ｂ内及びパッシベーション膜１０３上にはアンダーバンプメタル層２１が形成されており、アンダーバンプメタル層２１上にはＣｕ層２２が形成されている。Ｃｕ層２２上には無電解Ｎｉめっき層２３が形成されており、無電解Ｎｉめっき層２３上にはＡｕ層２４が形成されている。Ａｕ層２４上にはボンディングワイヤ１８の一端であるボンディング部１８ａが形成されている。
【００３２】
アンダーバンプメタル層２１はパッシベーション膜１０３に接している。樹脂層１４の一部は、アンダーバンプメタル層２１、Ｃｕ層２２、無電解Ｎｉめっき層２３及びＡｕ層２４それぞれの外周端面部とパッシベーション膜１０３との間に、斜面を有するように形成されている。アンダーバンプメタル層２１の外周端面部は樹脂層１４に接している。
【００３３】
なお、第１及び第３の配線１５ａ，１５ｃそれぞれは第２の配線１５ｂと同様の構成を有している。
【００３４】
次に、各構成について具体的に説明する。
ＩＣ基板１０１は、シリコン基板上にトランジスタ等の素子が形成され、その素子が配線を介して第１及び第２のＡｌパッド１０２ａ，１０２ｂと電気的に接続されているものである。第１及び第２のＡｌパッド１０２ａ，１０２ｂそれぞれは、Ａｌ層またはＡｌ合金層によって形成されている。パッシベーション膜１０３は、酸化珪素膜、窒化珪素膜及び酸化窒化珪素膜のいずれかの膜であってもよいし、これらの膜を積層させた膜であってもよい。樹脂層１４は、ＩＣ基板１０１の応力を緩和する機能を有する応力緩和層であり、ポリイミドによって形成されていてもよいし、ポリイミド以外の樹脂によって形成されていてもよい。
【００３５】
アンダーバンプメタル層１１は、Ｔｉ／Ｗ層、Ｔｉ層、Ｎｉ／Ｃｒ層、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ層等を用いることができ、例えば厚さ０．０５〜１μｍ（好ましくは０．１μｍ）のＴｉ／Ｗ層を用いてもよい。Ｃｕ層１２は、純Ｃｕからなる層でもよいし、Ｃｕ合金層でもよく、その厚さは例えば０．１〜２０μｍ（好ましくは８μｍ）のものを用いることができる。無電解Ｎｉめっき層１３は、Ｎｉを主成分とするめっき層であり、例えば無電解Ｎｉ−Ｐめっき層である。無電解Ｎｉめっき層１３は、例えば厚さ０．２〜５μｍ（好ましくは２μｍ）のものを用いることができる。Ａｕ層１４は、純Ａｕ層またはＡｕを主成分とする層であってもよいし、Ａｕ／Ｐａの積層であってもよく、例えば０．０５μｍ以下〜１μｍ（好ましくは０．０５μｍ）のＰｄ層と、例えば０．０５μｍ以下〜１μｍ（好ましくは０．０５μｍ）のＡｕ層の積層であってもよい。
【００３６】
第１及び第２のスタッドバンプ１６ａ，１６ｂそれぞれはＡｕまたはＡｕ合金によって形成されている。ボンディングワイヤ１８及びボンディング部１８ａはＡｕまたはＡｕ合金によって形成されている。
【００３７】
本実施の形態によれば、アンダーバンプメタル層２１、Ｃｕ層２２及び無電解Ｎｉめっき層２３それぞれの外周端面部とパッシベーション膜１０３との間に、斜面を有するように樹脂層１４を形成し、アンダーバンプメタル層２１をパッシベーション膜１０３及び樹脂層１４それぞれに接するように配置している。これにより、無電界Ｎｉめっき層２３の応力によって第２の配線１５ｂが歪んでも、その応力が樹脂層１４によって緩和され、パッシベーション膜１０３またはＩＣ基板１０１にクラックが発生することを抑制でき、パシベーション膜１０３が剥離することを抑制できる。その結果、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
特に、アンダーバンプメタル層２１、Ｃｕ層２２及び無電解Ｎｉめっき層２３それぞれの外周端面部とパッシベーション膜１０３との間に、斜面を有するように樹脂層１４を形成することにより、バンプ部（ボンディング部１８ａ）をよりコンパクトに形成することができる。
【００３８】
また、本実施の形態では、第２の配線１５ｂを第２のＡｌパッド１０２ｂから引き出すことなく、第２の配線１５ｂ上に形成したボンディング部１８ａを第２のＡｌパッド１０２ｂ上に位置させているため、スペース効率を高くすることができる。
【００３９】
また、第２のＡｌパッド１０２ｂより大きな第２の配線１５ｂによるランドが形成可能なため、ＩＣ基板側に大きなパッド開口を設ける必要がなくなり、ＩＣ基板の素子密度が向上する。
【００４０】
また、第２のＡｌパッド１０２ｂ上へ直接形成した第２の配線１５ｂへのボンディングを行うため、下地に樹脂層を有する場合に比べて下地の剛性が高く、接続性が高く、ボンディング部１８ａの信頼性が向上する。
【００４１】
［実施の形態２］
図２（Ａ）は、本発明の一態様に係るＷＣＳＰの半導体装置の構造を示す断面図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示す第２の配線１５ｂ等を詳細に示す断面図である。
図２（Ａ），（Ｂ）において、図１（Ａ），（Ｂ）と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００４２】
図２（Ａ）に示すように、第２の配線１５ｂはパッシベーション膜１０３に接しており、第２の配線１５ｂの外周端面部は樹脂層３４と接している。第２の配線１５ｂの外周部は樹脂層３４上に乗り上げるように形成されており、その樹脂層３４は第２の配線１５ｂの外周を囲むリング形状を有している。
【００４３】
図２（Ｂ）に示すように、第２のビアホール１０３ｂ内及びパッシベーション膜１０３上にはアンダーバンプメタル層２１が形成されており、アンダーバンプメタル層２１上にはＣｕ層２２が形成されている。Ｃｕ層２２の上面及び側面（端部）には無電解Ｎｉめっき層２３が形成されており、無電解Ｎｉめっき層２３上にはＡｕ層２４が形成されている。
【００４４】
アンダーバンプメタル層２１はパッシベーション膜１０３に接している。樹脂層３４は、アンダーバンプメタル層２１、Ｃｕ層２２、無電解Ｎｉめっき層２３及びＡｕ層２４それぞれの外周端面部とパッシベーション膜１０３との間に、斜面を有するように形成されている。アンダーバンプメタル層２１の外周端面部は樹脂層３４に接している。
【００４５】
樹脂層３４は、例えばインクジェットによって塗布されて形成される。樹脂層３４は、ポリイミドによって形成されていてもよいし、ポリイミド以外の樹脂によって形成されていてもよい。
【００４６】
本実施の形態においても実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
【００４７】
また、本実施の形態では、アンダーバンプメタル層２１、Ｃｕ層２２及び無電解Ｎｉめっき層２３それぞれの外周端面部とパッシベーション膜１０３との間に、斜面を有するように樹脂層３４を形成し、アンダーバンプメタル層２１をパッシベーション膜１０３及び樹脂層３４それぞれに接するように配置している。これにより、無電界Ｎｉめっき層２３の応力によって第２の配線１５ｂが歪んでも、その応力が樹脂層３４によって緩和され、パッシベーション膜１０３またはＩＣ基板１０１にクラックが発生することを抑制でき、パシベーション膜１０３が剥離することを抑制できる。その結果、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００４８】
また、本実施の形態では、樹脂層３４を第２の配線１５ｂの外周を囲むリング形状に形成しているため、樹脂層３４が形成される外周部の領域を実施の形態１に比べて狭くすることができ、スペース効率を向上させることができる。
【符号の説明】
【００４９】
１４…樹脂層、１４ａ…第３のビアホール、１４ｂ…第４のビアホール、１５ａ…第１の配線、１５ｂ…第２の配線、１５ｃ…第３の配線、１６ａ…第１のスタッドバンプ、１６ｂ…第２のスタッドバンプ、１７…水晶振動子、１８…ボンディングワイヤ、１８ａ…ボンディング部、２１…アンダーバンプメタル層、２２…Ｃｕ層、２３…無電解Ｎｉめっき層、２４…Ａｕ層、３４…樹脂層、１０１…ＩＣ基板、１０２ａ…第１のＡｌパッド、１０２ｂ…第２のＡｌパッド、１０３…パッシベーション膜、１０３ａ…第１のビアホール、１０３ｂ…第２のビアホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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