(57)【要約】      （修正有）【課題】配線効率の向上により小型化を図り、且つ工程の簡単化によりコスト低減を図る。【解決手段】凹部の内面に第１配線層および第２配線層を接続する、第１配線層の側が開口し開口の周囲に所定のランドを有するコンフォーマルビアが形成された両面配線基板と、両面配線基板の第１配線層側に第１接着層を介して積層された第２絶縁層と、第２絶縁層の上に第２接着層を介して積層された第３絶縁層及びこの第３絶縁層の両面配線基板と反対側の面に形成された第２配線層を有する片面配線基板と、コンフォーマルビアの直上に配置され片面配線基板の第３の絶縁層を貫通して一端が第２配線層と接続され他端が第２絶縁層に至る第１導電性ペーストビアと、第１導電性ペーストビアよりも細く一端が第１導電性ペーストビアの周縁部に接続され第２絶縁層を貫通して他端がコンフォーマルビアのランドに接続された第２導電性ペーストビアとを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁層の両面に第１配線層および第２配線層がそれぞれ形成されると共に、前記第１配線層を開口とし前記第１絶縁層を前記開口から前記第２配線層まで掘り下げた凹部が形成され、前記凹部の内面に前記第１配線層および第２配線層を接続する、前記第１配線層の側が開口し前記開口の周囲に所定のランドを有する凹部状のコンフォーマルビアが形成された両面配線基板と、
前記両面配線基板の前記第１配線層側に第１接着層を介して積層された第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の上に第２接着層を介して積層された第３絶縁層及びこの第３絶縁層の前記両面配線基板と反対側の面に形成された第２配線層を有する片面配線基板と、
前記コンフォーマルビアの直上に配置され前記片面配線基板の第３の絶縁層を貫通して一端が前記第２配線層と接続され他端が前記第２絶縁層に至る第１導電性ペーストビアと、
前記第１導電性ペーストビアよりも細く一端が前記第１導電性ペーストビアの周縁部に接続され前記第２絶縁層を貫通して他端が前記コンフォーマルビアのランドに接続された第２導電性ペーストビアと
を有することを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記第２導電性ペーストビアの総体積は前記コンフォーマルビアの凹部の体積よりも小さい
ことを特徴とする請求項１記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記第２導電性ペーストビアの径は、５μｍ以上であることを特徴とする請求項１または２記載の多層配線基板。
【請求項４】
第１絶縁層の両面に第１配線層および第２配線層がそれぞれ形成された両面配線基板に前記第１配線層側が開口し、前記第２配線層の側が閉じた凹部を形成すると共に前記凹部の周囲に所定のランドを有するコンフォーマルビアを形成する工程と、
前記両面配線基板の前記第１配線層側に第１接着層を介して第２絶縁層を積層する工程と、
前記第２絶縁層を前記両面配線基板に積層する工程の前又は後に前記コンフォーマルビアのランドに対応する位置に前記第２絶縁層及び前記第１接着層を貫通する貫通孔を形成する工程と、
第３絶縁層の一方の面に所定のパターンの第３配線層を形成して片面配線基板を製造する工程と、
前記片面配線基板の前記第３配線層と反対側の面に第２接着層を積層する工程と、
前記片面配線基板の前記第２接着層および前記第３絶縁層を前記第２接着層側から穿孔して前記第３配線層まで貫通する孔を形成し、この孔に導電性ペーストを充填する工程と、
前記両面配線基板及び前記第２絶縁層と、前記片面配線基板とを、前記片面配線基板の導電性ペーストが前記第２絶縁層の貫通孔を覆うように配置して、前記コンフォーマルビアの凹部に前記第２絶縁層が充填され、前記貫通孔に前記導電性ペーストが充填されるように、前記両面配線基板、前記第２絶縁層および前記片面配線基板を前記第１接着層および前記第２接着層を介して熱圧着して一括積層する工程と
を有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、２層以上の配線層を有し、層間導通用ビアをそれぞれ一つ以上有する多層配線基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線層を複数層有する多層配線基板においては、各層間の導通を図るために、各層にビアホールを形成し、めっきによるビア配線（以下、「めっきビア」と呼ぶ。）を形成し、順次各層を積み重ねていくビルドアップ工法が知られている。この工法では、例えばポリイミド樹脂フィルム等からなる絶縁層の両面に銅箔が設けられた両面銅張板（ＣＣＬ：Copper Clad Laminate）からなる両面配線基板に、レーザ等によってスルーホールを形成したのち、炭素のコロイド溶液などに浸漬させることによりスルーホールの内部に給電層を形成する。次いで、給電層を用いて両面配線基板全体に銅めっきを施し、表裏の銅箔を導通させ、エッチングによって回路パターンを形成する。その後、両面配線基板の上下に、片面配線基板を層間接着材を介して積層し、所望の箇所に再びレーザ等でビアホールを形成し、更に同様の工程によりめっきビアを形成して多層配線基板を製造する。
【０００３】
このような多層配線基板は、内層側のめっきビアは開口されているため、その直上に外層側のめっきビアを形成すると、内層側のビアホールと外層側のビアホールとの接続部位を確保することができない。このため、一般的には、内層側のめっきビアと外層側のめっきビアとは、面方向にずらして形成する必要があり、配線効率が悪く、基板の小型化を図ることができないという欠点があった。
【０００４】
そこで、内層側の両面配線機板のめっきビアに穴埋め材を充填すると共に、穴埋め材の両端に再度めっきにより導体層を形成することにより、スルーホールの直上に外層側のビアを形成可能にした多層配線基板も知られている（特許文献１）。
【０００５】
しかし、上述した多層配線基板では、スルーホールにめっきを施してめっきビアを形成した後に、めっきビア部分に穴埋め材を充填し、更にその上にめっきで蓋をする必要があり、工程が複雑且つ高度で高コストになるという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−６３９７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、配線効率が良好で小型化を図ることができ、且つ工程が簡単でコスト低減を図ることができる多層配線基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る多層配線基板は、第１絶縁層の両面に第１配線層および第２配線層がそれぞれ形成されると共に、前記第１配線層を開口とし前記第１絶縁層を前記開口から前記第２配線層まで掘り下げた凹部が形成され、前記凹部の内面に前記第１配線層および第２配線層を接続する、前記第１配線層の側が開口し前記開口の周囲に所定のランドを有する凹部状のコンフォーマルビアが形成された両面配線基板と、前記両面配線基板の前記第１配線層側に第１接着層を介して積層された第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上に第２接着層を介して積層された第３絶縁層及びこの第３絶縁層の前記両面配線基板と反対側の面に形成された第２配線層を有する片面配線基板と、前記コンフォーマルビアの直上に配置され前記片面配線基板の第３の絶縁層を貫通して一端が前記第２配線層と接続され他端が前記第２絶縁層に至る第１導電性ペーストビアと、前記第１導電性ペーストビアよりも細く一端が前記第１導電性ペーストビアの周縁部に接続され前記第２絶縁層を貫通して他端が前記コンフォーマルビアのランドに接続された第２導電性ペーストビアと、を有することを特徴とする。
【０００９】
本発明に係る多層配線基板によれば、片面配線基板に充填された第１導電性ペーストビアは、それよりも細い第２導電性ペーストビアと周縁部で接続され、この第２導電性ペーストビアが第２絶縁層を貫通して両面配線基板に形成されたコンフォーマルビアのランドに接続されている。このため、導電性ペーストがコンフォーマルビアの凹部に入り込むことが無く、第１及び第２導電性ペーストビアを介して第１配線層、第２配線層及び第３配線層を相互に確実に接続することができる。しかも、第１導電性ペーストビアは、コンフォーマルビアの直上に配置されているので、ビアを一箇所に集中させることができる。このため、配線効率が良好で、基板サイズを小型化することができる。
【００１０】
本発明の一つの実施形態では、第２導電性ペーストビアの総体積はコンフォーマルビアの凹部の体積よりも小さい。これにより、導電性ぺーストをコンフォーマルビアの凹部に充填する場合よりも少ない充填量で、第１配線層、第２配線層及び第３配線層を接続することができる。
【００１１】
なお、第２導電性ペーストビアの径は、導電性ペーストに含まれる導電性フィラーの径を考慮して、５μｍ以上であると良い。
【００１２】
本発明に係る多層配線機板の製造方法は、第１絶縁層の両面に第１配線層および第２配線層がそれぞれ形成された両面配線基板に前記第１配線層側が開口し、前記第２配線層の側が閉じた凹部を形成すると共に前記凹部の周囲に所定のランドを有するコンフォーマルビアを形成する工程と、前記両面配線基板の前記第１配線層側に第１接着層を介して第２絶縁層を積層する工程と、前記第２絶縁層を前記両面配線基板に積層する工程の前又は後に前記コンフォーマルビアのランドに対応する位置に前記第２絶縁層及び前記第１接着層を貫通する貫通孔を形成する工程と、第３絶縁層の一方の面に所定のパターンの第３配線層を形成して片面配線基板を製造する工程と、前記片面配線基板の前記第３配線層と反対側の面に第２接着層を積層する工程と、前記片面配線基板の前記第２接着層および前記第３絶縁層を前記第２接着層側から穿孔して前記第３配線層まで貫通する孔を形成し、この孔に導電性ペーストを充填する工程と、前記両面配線基板及び前記第２絶縁層と、前記片面配線基板とを、前記片面配線基板の導電性ペーストが前記第２絶縁層の貫通孔を覆うように配置して、前記コンフォーマルビアの凹部に前記第２絶縁層が充填され、前記貫通孔に前記導電性ペーストが充填されるように、前記両面配線基板、前記第２絶縁層および前記片面配線基板を前記第１接着層および前記第２接着層を介して熱圧着して一括積層する工程とを有することを特徴とする。
【００１３】
これらの多層配線機板の製造方法によれば、両面配線機板と片面配線基板との第２絶縁層を介した熱圧着による一括積層方式であるから、製造工程が容易であり、しかも、両面配線基板と片面配線基板をそれぞれ並行して作成することができるので、ビルドアップ方式に比べると多層配線基板の製造時間も短縮可能である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、配線効率が良好で小型化を図ることができ、且つ工程が簡単でコスト低減を図ることができる多層配線基板およびその製造方法を提供することかできる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る多層配線基板の構造を示す断面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線で切断して矢印方向から見た平面図である。
【図３】同実施形態に係る多層配線基板における両面配線基板の製造工程を示す断面図である。
【図４】同実施形態に係る多層配線基板における片面配線基板の製造工程を示す断面図である。
【図５】同実施形態に係る多層配線基板の第１の製造工程を示す断面図である。
【図６】同実施形態に係る多層配線基板の第２の製造工程を示す断面図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る多層配線基板の平面図である。
【図８】本発明の第３の実施形態に係る部品実装体の構造を示す断面図である。
【図９】本発明の第４の実施形態に係る多層配線基板の構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、添付の図面を参照して、この発明の実施形態に係る多層配線基板およびその製造方法について詳細に説明する。
【００１７】
先ず、本発明の第１の実施形態に係る多層配線基板について説明する。
図１は、第１の実施形態に係る多層配線基板の構造を示す断面図、図２は図１のＡ−Ａ線で切断した平面図である。
図１に示すように、多層配線基板１００は、両面配線基板１１０と、片面配線基板１２０とを、第２絶縁層１３０を介して熱圧着により一括積層して形成されたものである。両面配線基板１１０と第２絶縁層１３０とは、第１接着層１４０により接着され、第２絶縁層１３０と片面配線基板１２０とは、第２接着層１５０により接着されている。
【００１８】
両面配線基板１１０は、例えば第１絶縁層１１１の両面に第１配線層１１２および第２配線層１１３が形成されたものである。両面配線基板１１０には、これら第１絶縁層１１１および第１配線層１１２を貫通し、第１および第２配線層１１２，１１３を電気的に接続する凹部状のめっき層からなるコンフォーマル１１４が形成されている。また、第２配線層１１２のコンフォーマルビア１１４と反対側には、めっき配線層１１５が形成され、これが第２配線層１１２と共に凹部１１６の底部を形成している。この凹部１１６の開口側の周囲にコンフォーマル日負１１４につながる環状のランド１１７が形成されている。
【００１９】
片面配線基板１２０は、第３絶縁層１２１と、この第３絶縁層１２１の両面配線基板１１０と反対側に形成された第３配線層１２２とを備えて構成されている。片面配線基板１２０の、コンフォーマルビア１１４の直上位置には、第１導電性ペーストビア１６０ａが埋め込まれている。この第１導電性ペーストビア１６０ａは、コンフォーマルビア１１４のランド１１７とほぼ同様の径を有する円柱状で、上端が第３配線層１２２に接続され、下端が第２絶縁層１３０まで延びている。この第１導電性ペーストビア１６０ａの下端周縁部からランド１１７にかけて、第２絶縁層１３０及び第１接着層１４０を貫通する第２導電性ペーストビア１６０ｂが形成されている。この例では、図２に示すように、４つの第２導電性ペーストビア１６０ｂをランド１１７に沿って均等に配置している。  
【００２０】
このように構成された多層配線基板１００によれば、片面配線基板１２０に充填された第１導電性ペーストビア１６０ａは、それよりも細い第２導電性ペーストビア１６０ｂと周縁部で接続され、この第２導電性ペーストビア１６０ｂが第２絶縁層１３０を貫通して両面配線基板１１０に形成されたコンフォーマルビア１１４のランド１１７に接続されている。このため、導電性ペーストがコンフォーマルビア１１４の凹部１１６に入り込むことが無い。このため、高価な導電性ペーストの使用量を削減しつつ、第１及び第２導電性ペーストビア１６０ａ，１６０ｂを介して第１配線層１１２、第２配線層１１３及び第３配線層１２２を相互に確実に接続することができる。また、第１導電性ペーストビア１６０ａは、コンフォーマルビア１１４の直上に配置されているので、ビアを一箇所に集中させることができる。このため、配線効率が良好で、基板サイズを小型化することができる。
【００２１】
次に、本実施形態に係る多層配線基板１００の製造方法について説明する。
図３〜図５は、本実施形態に係る多層配線基板１００を第１の製造方法を製造工程順に示す断面図で、図３は両面配線基板１１０の製造工程を示す断面図、図４は片面配線基板１２０の製造方法を示す断面図、図５は両面配線基板１１０および片面配線基板１２０を使用した多層配線基板１００の製造工程を示す断面図である。
【００２２】
まず、図３を参照して両面配線基板１１０の製造方法を説明する。
図３（ａ）に示すように、例えば５０μｍ厚のポリイミド樹脂フィルム等からなる第１絶縁層１１１ａの両面に、例えば１２μｍ厚の銅箔からなる第１配線層１１２ａおよび第２配線層１１３ａが貼り付けられた両面銅張板（ＣＣＬ: Copper Clad Laminate）からなる両面配線基板１１０ａを準備する。なお、この両面配線基板１１０ａには、銅箔にポリイミドワニスを塗布して硬化させる、いわゆるキャスティング法により作成されたＣＣＬを使用することもできるし、ポリイミドフィルム上にシード層をスパッタにより形成し、めっきにより銅層を成長させたＣＣＬ、圧延や電解銅箔とポリイミドフィルムを接着剤によって貼りあわせたもの等を使用するようにしても良い。また、第１絶縁層１１１ａとしては、ポリイミドの他に、液晶ポリマ等のプラスチックフィルムを使用することもできる。
【００２３】
次に、図３（ｂ）に示すように、例えばＹＡＧレーザ等により、両面配線基板１１０ａの第１配線層１１２ａおよび第１絶縁層１１１に、第２配線層１１３ａの表面に至る、例えば直径１００μｍの凹部１１６ａを形成し、ＣＦ４およびＯ２の混合ガスによるプラズマデスミア処理を施す。なお、使用するレーザは、ＹＡＧレーザの他に、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ等を使用することもできる。また、デスミア処理で使用されるガスは、ＣＦ４およびＯ２の混合ガスの他に、Ａｒガス等、その他の不活性ガスを使用することもできる。また、ドライ処理ではなく、薬液を用いたウェットデスミア処理を行うようにしても良い。
【００２４】
次に、図３（ｃ）に示すように、凹部１１６ａが形成された両面配線基板１１０ａを、炭素のコロイド溶液等に浸漬させることにより、凹部１１６ａの内面を含めた両面配線基板１１０ａの表面に図示しない給電層を形成し、両面配線基板１１０ａの表面全体に厚さ１０μｍの銅めっき層１１４ａ，１１５ａを形成する。これにより、両面配線基板１１０ａの上下の配線層１１２ａ，１１２ｂが凹部１１６の内面に形成された銅めっき層１１４ａ，１１５ａによって導通する。
【００２５】
次に、図３（ｄ）に示すように、めっき済みの両面配線基板１１０ａの銅めっき層１１４ａ，１１５ａ上に、フォトリソグラフィにより図示しないエッチングレジストをパターン形成した後、例えば塩化第二鉄を主成分とするエッチャントを用いて、化学エッチング法により第１配線層１１２、第２配線層１１３、コンフォーマルビア１１４、めっき配線層１１５およびランド１１７を形成する。なお、銅のエッチャントは、塩化第二鉄を主成分とするものの他に、塩化第二銅を主成分とするものを用いても良い。以上の工程により、両面配線基板１１０が形成される。
【００２６】
次に、図４を参照して片面配線基板１２０の製造方法について説明する。
まず、図４（ａ）に示すように、例えば２５μｍ厚のポリイミド樹脂フィルム等からなる第３絶縁層１２１の片面に、例えば１２μｍ厚の銅箔からなる第３配線層１２２ａが貼り付けられた片面銅張板（片面ＣＣＬ）からなる片面配線基板１２０ａを準備する。なお、この片面配線基板１２０ａにも、銅箔にポリイミドワニスを塗布して硬化させる、いわゆるキャスティング法により作成されたＣＣＬを使用することもできるし、ポリイミドフィルム上にシード層をスパッタにより形成し、めっきにより銅層を成長させたＣＣＬ、圧延や電解銅箔とポリイミドフィルムを接着材によって貼りあわせたもの等を使用するようにしても良い。また、第３絶縁層１２１としては、ポリイミドの他に、ＰＥＴやＰＥＮ等のプラスチックフィルムを使用することもできるし、ＵＶ照射によって接着や剥離が可能なフィルムを使用することもできる。
【００２７】
次に、図４（ｂ）に示すように、図３（ｄ）と同様の化学エッチング法により、第３配線層１２２ａをエッチングして、所定のパターンの第３配線層１２２を形成する。続いて、図４（ｃ）に示すように、片面配線基板１２０ａの第３配線層１２２とは反対側の面に、第１接着層１４０ａを加熱圧着により貼りあわせる。第１接着層１４０ａとしては、例えば２５μｍ厚のエポキシ系熱硬化性フィルム接着材を使用することができる。加熱圧着には、真空ラミネータを用いることができる。片面配線基板１２０ａおよび第１接着層１４０ａは、減圧下の雰囲気中にて、第１接着層１４０ａの硬化温度以下の温度で、例えば０．３ＭＰａの圧力でプレスすることにより貼り合わせすることができる。なお、使用する第１接着層１４０ａとしては、エポキシ系熱硬化性フィルム接着材の他、アクリル系接着材、熱可塑性ポリイミドに代表される熱可塑性接着材を用いることもできる。
【００２８】
次に、図４（ｄ）に示すように、片面配線基板１２０ａの第１接着層１４０ａ側から上述したレーザ照射等により、第３配線層１２２をストッパとして、第１接着層１４０および第３絶縁層１２１を開口し、凹部１２０ｂを形成する。
【００２９】
そして、形成された凹部１２０ｂ内に、印刷法により導電性ペーストを充填して、図４（ｅ）に示すような、導電性ペーストビア１６０を形成する。これにより、片面配線基板１２０が出来上がる。なお、導電性ペーストとしては、例えば、金、銀および銅から選択される少なくとも１種類の低電気抵抗の金属粒子と、錫、ビスマス、インジウム、鉛から選択される少なくとも１種の低融点金属粒子を含み、エポキシ樹脂を主成分とするバインダ成分を混合したペーストを用いることができる。
【００３０】
図５は、最終工程を示す断面図である。図５（ａ）に示すように、上述した工程で作成された両面配線基板１１０を用意する。次に、図５（ｂ）に示すように、第２絶縁層１３０の下面に第１接着層１４０を積層し、第２導電性ペーストビア１６０ｂが形成される貫通孔１７０を予めレーザ等で形成しておいた２層構造体を用意する。この２層構造体としては、カバーレイフィルムを使用することができる。この２層構造体を、図５（ｃ）に示すように、両面配線基板１１０の上に仮貼りする。なお、このとき第２絶縁層１３０は、貫通孔１７０が両面配線基板１１０のコンフォーマルビア１１４のランド１１７と接続される位置に位置決めされる。
【００３１】
最後に、図５（ｄ）に示すように、両面配線基板１１０と第２絶縁層１３０の仮圧着積層体の上に、片面配線基板１２０を配置する。このとき、第１導電性ペーストビア１６０が全ての貫通孔１７０の上を覆うように片面配線基板１２０を第２絶縁層１３０に対して位置決めし、積層する。次に、真空キュアプレス機を用いて、１ｋＰａ以下の減圧雰囲気中でこれらを加熱圧着することにより、片面配線基板１２０に埋め込まれている導電性ペーストビア１６０が、第２絶縁層１３０および第１接着層１４０に形成された貫通孔１７０に入り込み、図１に示すような、第１導電性ペーストビア１６０ａと第２導電性ペーストビア１６０ｂが形成される。これにより、本実施形態に係る多層配線基板１００が完成する。なお、上記キュアプレス工程では、第１接着層１４０および第２接着層１５０と第１〜第３絶縁層１１１，１３０，１２１等の硬化と、導電性ペーストビア１６０ａ，１６０ｂの硬化および接触部の合金化とを同時に実現することができる。
【００３２】
この実施形態によれば、両面配線基板１１０、第２絶縁層１３０および片面配線基板１２０を一括積層することで、両面配線基板１１０のコンフォーマルビア１１４の凹部１１６内は、第２絶縁層１３０の下面に配置された第１接着層１４０で満たされ、第２導電性ペーストビア１６０ｂは、ランド１１７の部分にのみ形成されるので、導電性ペーストが凹部１１６内に流失することがなく、少ない導電性ペースト量で確実な接続状態を確保するこみとができる。なお、このような効果をより高めるためには、第２導電性ペーストビア１６０ｂの総体積が凹部１１６の体積よりも小さいことが望ましい。
【００３３】
更に、本実施形態に係る多層配線基板１００の製造方法によれば、熱圧着による一括積層方式であるから、製造工程が容易であり、しかも、両面配線基板１１０、片面配線基板１２０および第２絶縁層１３０と第１接着層１４０の２層構造体をそれぞれ並行して作成することができるので、ビルドアップ方式に比べると多層配線基板の製造時間も短縮可能である。これにより、コスト低減を図ることができる。
【００３４】
図６は、本発明の第１の実施形態に係る多層配線基板１００の第２の製造方法を製造工程順に示す断面図である。図５に示した第１の製造方法では、第２絶縁層１３０と第１接着層１４０の２層構造体に先に貫通孔１７０を形成し、その後、両面配線基板１１０に仮貼りしたが、第２の製造方法では、図６（ｂ）に示すように２層構造体を両面配線基板１１０に仮貼りしてから、図６（ｃ）に示すように貫通孔１７０を形成している点が先の製造方法と異なっている。この場合には、ランド１１７を孔開け時のストッパとして用いることができる。
【００３５】
なお、第２絶縁層１３０および第１接着層１４０に形成される貫通孔１７０は、次の条件を満たすことが望ましい。
（１）導電性ペーストの導電フィラーの直径に相当する５μｍの球が移動可能なように、直径５μｍ以上であること。
（２）貫通孔１７０の形成後に、第２絶縁層１３０および第１接着層１４０の残った部分がつながっていること。
（３）確実な接続を図るために、貫通孔の断面積がランド１１７の面積の５％以上であること。
このような条件を満たす限り、例えば図７に示すように、第２導電性ペーストビア１６０ｂを、第１の実施形態よりも太くし、数を４本から２本に減らす等の変更は可能である。
【００３６】
図８は、本発明の第３の実施形態に係る部品実装体を示す断面図である。
この部品実装体は、第１の実施形態により製造された多層配線基板１００上にＩＣ等の電子部品２００を搭載したものである。電子部品２００には下面に電極パッド２０１が設けられ。この電極パッド２０１に設けられた半田バンプ２０２が多層配線基板１００の第３配線層１２２と接続されている。
【００３７】
図９は、本発明の第４の実施形態に係る多層配線基板を示す断面図である。
この多層配線基板は、第１の実施形態に係る多層配線基板１００のめっき配線層１１５側の面に、ソルダレジスト３０１を形成し、ソルダレジスト３０１のめっき配線層１１５に相当する部分に開口を設け、この開口から臨むめっき配線層１１５に半田バンプ３０２を形成したものである。
【００３８】
以上のように、第３、第４の実施形態によれば、導電性ペーストビア１６０ａとコンフォーマルビア１１４が一箇所に集中することにより、図８のように、電子部品２００を搭載する場合も、図９のように、多層配線基板１００自体を他の基板に実装するような場合も、共に配線レイアウトの自由度が向上するという効果を奏する。
【００３９】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではない。上記実施形態では、３層構造の多層配線基板を例に挙げて説明したが、４層以上の多層配線基板についても本願発明を適用可能であることは言うまでもない。また、導電性ペーストビア１６０ａ，１６０ｂは、円柱状に限られるものではなく、楕円柱状や多角柱状でも良い。
【符号の説明】
【００４０】
１００…多層配線基板、
１１０…両面配線基板、
１１１…第１絶縁層、
１１２…第１配線層、
１１３…第２配線層、
１１４…コンフォーマルビア、
１１６…凹部、
１１７…ランド、
１２０…片面配線基板、
１２１…第３絶縁層、
１２２…第３配線層、
１３０…第２絶縁層、
１４０…第１接着層、
１５０…第２接着層、
１６０ａ…第１導電性ペーストビア、
１６０ｂ…第２導電性ペーストビア、
２００…電子部品。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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