(57)【要約】【課題】発光効率が高い有機発光素子を提供する。【解決手段】陽極と陰極と、前記陽極と前記陰極との間に配置される発光層と、を有し、前記陽極と前記発光層との間に正孔輸送層が設けられ、前記正孔輸送層が、シロキサン化合物と、３級アリールアミン構造を有する化合物と、を有し、前記正孔輸送層に含まれるＳＰ2炭素原子の数が、前記正孔輸送層に含まれるケイ素の数の１０倍以下であることを特徴とする、有機発光素子。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極と、前記陽極と前記陰極との間に配置される発光層と、を有し、
前記陽極と前記発光層との間に正孔輸送層が設けられ、
前記正孔輸送層が、シロキサン化合物と、３級アリールアミン構造を有する化合物と、を有し、
前記正孔輸送層に含まれるＳＰ2炭素原子の数が、前記正孔輸送層に含まれるケイ素の数の１０倍以下であることを特徴とする、有機発光素子。
【請求項２】
前記正孔輸送層に含まれるＳＰ2炭素原子の数が、前記正孔輸送層に含まれるケイ素の数の３分の２０倍以下であることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項３】
前記シロキサン化合物が、下記一般式［１］乃至［３］のいずれかで示されるシルセスキオキサン化合物であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機発光素子。
【化１】
2014203907.tif 000063
【化２】
2014203907.tif 000064
【化３】
2014203907.tif 000065
（式［１］乃至［３］において、Ｒ1は、炭素原子数１以上８以下のアルキル基であり、式［１］乃至［３］において複数示されるＲ1は、それぞれ同じであっても異なってもよい。
式［１］において、Ｚ1は、炭素原子数１乃至８の１価のアルキル基、下記一般式［４Ａ］で示されるユニット又は下記一般式［５］乃至［９］のいずれかから選ばれる芳香族アミノ基である。
【化４】
2014203907.tif 000066
（式［４Ａ］において、Ａｒ1乃至Ａｒ3は、置換あるいは無置換のアリール基を表す。＊は、シルセスキオキサン骨格との結合手を表す。ｍ及びｎは、それぞれ０又は１である。ただしｍが０の場合、ｎは０である。）
【化５】
2014203907.tif 000067
（式［５］において、Ａ1乃至Ａ3は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は下記一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。
式［６］において、Ａ4、Ａ5、Ａ7及びＡ8は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は下記一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。Ａ6は、シルセスキオキサン骨格との結合手又は下記一般式［１０Ｂ］乃至［１０Ｄ］のいずれかで示されるユニットを表す。
式［７］において、Ａ9乃至Ａ14は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は下記一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。Ａ15は、シルセスキオキサン骨格との結合手又は下記一般式［１０Ｅ］乃至［１０Ｇ］のいずれかで示されるユニットを表す。
式［８］において、Ａ16、Ａ17、Ａ19、Ａ21及びＡ22は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は下記一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。Ａ18及びＡ20は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は下記一般式［１０Ｂ］乃至［１０Ｄ］のいずれかで示されるユニットを表す。
式［９］において、Ａ23、Ａ24、Ａ27、Ａ28、Ａ30及びＡ31は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は下記一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。Ａ25、Ａ26及びＡ29は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は下記一般式［１０Ｂ］乃至［１０Ｄ］のいずれかで示されるユニットを表す。
【化６】
2014203907.tif 000068
（式［１０Ａ］乃至［１０Ｇ］において、Ａｒ1乃至Ａｒ3は、それぞれ炭素原子数１乃至８のアルキル基、炭素原子数１以上８以下のアルキル基を有してよいフェノキシ基又はアルコキシ基を有してもよいアリール基を表す。※は、Ｎ原子との結合手を表す。ｍ及びｎは、それぞれ０又は１である。ただしｍが０の場合、ｎは０である。））
式［２］において、Ｚ2は、炭素原子数１乃至８の２価のアルキル基、下記一般式［４Ｂ］乃至［４Ｄ］のいずれかで示されるユニット又は下記一般式［５］乃至［９］のいずれかから選ばれる芳香族アミノ基である。
【化７】
2014203907.tif 000069
（式［４Ｂ］乃至［４Ｄ］において、Ａｒ1乃至Ａｒ3は、それぞれ炭素原子数１乃至８のアルキル基、炭素原子数１以上８以下のアルキル基を有してよいフェノキシ基又はアルコキシ基を有してもよいアリール基を表す。＊は、シルセスキオキサン骨格との結合手を表す。ｍ及びｎは、それぞれ０又は１である。ただしｍが０の場合、ｎは０である。）
【化８】
2014203907.tif 000070
（式［５］において、Ａ1乃至Ａ3は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は下記一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。
式［６］において、Ａ4、Ａ5、Ａ7及びＡ8は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は下記一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。Ａ6は、下記一般式［１０Ｂ］乃至［１０Ｄ］のいずれかで示されるユニットを表す。
式［７］において、Ａ9乃至Ａ14は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は下記一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。Ａ15は、下記一般式［１０Ｅ］乃至［１０Ｇ］のいずれかで示されるユニットを表す。
式［８］において、Ａ16、Ａ17、Ａ19、Ａ21及びＡ22は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は下記一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。Ａ18及びＡ20は、それぞれ下記一般式［１０Ｂ］乃至［１０Ｄ］のいずれかで示されるユニットを表す。
式［９］において、Ａ23、Ａ24、Ａ27、Ａ28、Ａ30及びＡ31は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は下記一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。Ａ25、Ａ26及びＡ29は、それぞれ下記一般式［１０Ｂ］乃至［１０Ｄ］のいずれかで示されるユニットを表す。
【化９】
2014203907.tif 000071
（式［１０Ａ］乃至［１０Ｇ］において、Ａｒ1乃至Ａｒ3は、置換あるいは無置換のアリール基を表す。※は、Ｎ原子との結合手を表す。ｍ及びｎは、それぞれ０又は１である。ただしｍが０の場合、ｎは０である。））
式［３］において、Ｚ3は、炭素原子数１乃至８の３価のアルキル基、下記一般式［４Ｅ］乃至［４Ｇ］で示されるユニット又は下記一般式［５］乃至［９］のいずれかから選ばれる芳香族アミノ基である。
【化１０】
2014203907.tif 000072
（式［４Ｅ］乃至［４Ｇ］において、Ａｒ1乃至Ａｒ3は、それぞれ置換あるいは無置換のアリール基を表す。＊は、シルセスキオキサン骨格との結合手を表す。ｍ及びｎは、それぞれ０又は１である。ただしｍが０の場合、ｎは０である。）
【化１１】
2014203907.tif 000073
（式［５］において、Ａ1乃至Ａ3は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は下記一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。
式［６］において、Ａ4、Ａ5、Ａ7及びＡ8は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は下記一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。Ａ6は、下記一般式［１０Ｂ］乃至［１０Ｄ］のいずれかで示されるユニットを表す。
式［７］において、Ａ9乃至Ａ14は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は下記一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。Ａ15は、下記一般式［１０Ｅ］乃至［１０Ｇ］のいずれかで示されるユニットを表す。
式［８］において、Ａ16、Ａ17、Ａ19、Ａ21及びＡ22は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は下記一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。Ａ18及びＡ20は、それぞれ下記一般式［１０Ｂ］乃至［１０Ｄ］のいずれかで示されるユニットを表す。
式［９］において、Ａ23、Ａ24、Ａ27、Ａ28、Ａ30及びＡ31は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は下記一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。Ａ25、Ａ26及びＡ29は、それぞれ又は下記一般式［１０Ｂ］乃至［１０Ｄ］のいずれかで示されるユニットを表す。
【化１２】
2014203907.tif 000074
（式［１０Ａ］乃至［１０Ｇ］において、Ａｒ1乃至Ａｒ3は、それぞれ置換あるいは無置換のアリール基を表す。※は、Ｎ原子との結合手を表す。ｍ及びｎは、それぞれ０又は１である。ただしｍが０の場合、ｎは０である。）））
【請求項４】
前記シロキサン化合物が、一般式［１］に示される化合物であり、
前記Ｚ1が、炭素原子数１以上８以下のアルキル基又は一般式［４Ａ］で示されるユニットであり、
前記Ａｒ1乃至Ａｒ3が、それぞれフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基及びフルオレニル基から選ばれる置換基であることを特徴とする、請求項３に記載の有機発光素子。
【請求項５】
前記式［１］において、前記Ｚ1が、一般式［５］乃至［９］のいずれかから選ばれる芳香族アミノ基であり、
前記式［２］において、前記Ｚ2が、一般式［５］乃至［９］のいずれかから選ばれる芳香族アミノ基であり、
前記式［３］において、前記Ｚ3が、一般式［５］乃至［９］のいずれかから選ばれる芳香族アミノ基であり、
前記アリール基が、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基及びフルオレニル基から選ばれる置換基であることを特徴とする、請求項３に記載の有機発光素子。
【請求項６】
前記シロキサン化合物が、下記一般式［１１］又は［１２］で示される化合物であることを特徴とする、請求項３又は４に記載の有機発光素子。
【化１３】
2014203907.tif 000075
（式［１１］及び［１２］において、Ｒ1は、炭素原子数１以上８以下のアルキル基を表し、式［１１］及び［１２］においてそれぞれ複数示されるＲ1は、それぞれ同じであっても異なってもよい。
式［１１］において、Ｒ2乃至Ｒ6は、それぞれ水素原子、炭素原子数１乃至８のアルキル基又はアルコキシ基を表す。
式［１２］において、Ａｒ4は、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基及びフルオレニル基のいずれかから選ばれるアリール基を表す。尚、Ａｒ4で表されるアリール基は、置換基をさらに有してもよい。）
【請求項７】
前記シロキサン化合物が、下記一般式［１３］乃至［１５］のいずれかで示されることを特徴とする、請求項３又は５に記載の有機発光素子。
【化１４】
2014203907.tif 000076
（式［１３］乃至［１５］において、Ｒ1は、炭素原子数１以上８以下のアルキル基を表し、式［１３］乃至［１５］においてそれぞれ複数示されるＲ1は、それぞれ同じであっても異なってもよい。
式［１３］において、ｊは１乃至３の整数を表す。Ａｒ5は、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基及びフルオレニレン基から選ばれるｊ＋１価のアリーレン基を表す。Ａｒ6及びＡｒ7は、それぞれフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基から選ばれるアリール基を表し、同じであって異なっていてもよい。尚、当該アリール基は、炭素原子数１以上８以下のアルキル基を有してよい。またｊが２以上の場合、複数のＡｒ6及びＡｒ7は、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。
式［１４］において、ｋは１又は２である。Ａｒ8乃至Ａｒ10は、それぞれフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基及びフルオレニレン基から選ばれる２価のアリーレン基を表す。Ａｒ11及びＡｒ12は、それぞれフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基から選ばれるアリール基を表し、同じであって異なっていてもよい。尚、当該アリール基は、炭素原子数１以上８以下のアルキル基を有してよい。ｋが２の場合、２個存在するＡｒ10は、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。
式［１５］において、ｋは１又は２である。Ａｒ13乃至Ａｒ15は、それぞれフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基及びフルオレニレン基から選ばれる２価のアリーレン基を表す。Ａｒ16及びＡｒ17は、それぞれフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基から選ばれるアリール基を表し、同じであって異なっていてもよい。尚、当該アリール基は、炭素原子数１以上８以下のアルキル基を有してよい。ｋが２の場合、２つのＡｒ15は、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。）
【請求項８】
前記３級アリールアミン構造を有する化合物が、下記一般式［２７］乃至［３２］のいずれかで示されることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【化１５】
2014203907.tif 000077
（式［２７］において、Ａｒ21乃至Ａｒ23は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アリール基及び複素環基から選ばれる１価の置換基を表す。
式［２８］において、Ａｒ24乃至Ａｒ27は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アリール基及び複素環基から選ばれる１価の置換基を表す。Ａｒ28は、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アリール基及び複素環基から選ばれる２価の置換基を表す。
式［２９］において、Ａｒ30乃至Ａｒ35は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アリール基及び複素環基から選ばれる１価の置換基を表す。Ａｒ29は、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アリール基及び複素環基から選ばれる３価の置換基を表す。
式［３０］において、Ａｒ38乃至Ａｒ42は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アリール基及び複素環基から選ばれる１価の置換基を表す。Ａｒ36及びＡｒ37は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アリール基及び複素環基から選ばれる２価の置換基を表す。
式［３１］において、Ａｒ46乃至Ａｒ51は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アリール基及び複素環基から選ばれる１価の置換基を表す。Ａｒ43乃至Ａｒ45は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アリール基及び複素環基から選ばれる２価の置換基を表す。
式［３２］において、Ａｒ55乃至Ａｒ60は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アリール基及び複素環基から選ばれる１価の置換基を表す。Ａｒ52乃至Ａｒ54は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アリール基及び複素環基から選ばれる２価の置換基を表す。）
【請求項９】
下記一般式［１］乃至［３］のいずれかで示される化合物であることを特徴とする、シルセスキオキサン化合物。
【化１６】
2014203907.tif 000078
【化１７】
2014203907.tif 000079
【化１８】
2014203907.tif 000080
（式［１］乃至［３］において、Ｒ1は、炭素原子数１以上８以下のアルキル基であり、式［１］乃至［３］において複数示されるＲ1は、それぞれ同じであっても異なってもよい。
式［１］において、Ｚ1は、炭素原子数１乃至８の１価のアルキル基、下記一般式［４Ａ］で示されるユニット又は下記一般式［５］乃至［９］のいずれかから選ばれる芳香族アミノ基である。
【化１９】
2014203907.tif 000081
（式［４Ａ］において、Ａｒ1乃至Ａｒ3は、それぞれ置換あるいは無置換のアリール基を表す。＊は、シルセスキオキサン骨格との結合手を表す。ｍ及びｎは、それぞれ０又は１である。ただしｍが０の場合、ｎは０である。）
【化２０】
2014203907.tif 000082
（式［５］において、Ａ1乃至Ａ3は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は下記一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。
式［６］において、Ａ4、Ａ5、Ａ7及びＡ8は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は下記一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。Ａ6は、下記一般式［１０Ｂ］乃至［１０Ｄ］のいずれかで示されるユニットを表す。
式［７］において、Ａ9乃至Ａ14は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は下記一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。Ａ15は、下記一般式［１０Ｅ］乃至［１０Ｇ］のいずれかで示されるユニットを表す。
式［８］において、Ａ16、Ａ17、Ａ19、Ａ21及びＡ22は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は下記一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。Ａ18及びＡ20は、それぞれ下記一般式［１０Ｂ］乃至［１０Ｄ］のいずれかで示されるユニットを表す。
式［９］において、Ａ23、Ａ24、Ａ27、Ａ28、Ａ30及びＡ31は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は下記一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。Ａ25、Ａ26及びＡ29は、それぞれ下記一般式［１０Ｂ］乃至［１０Ｄ］のいずれかで示されるユニットを表す。
【化２１】
2014203907.tif 000083
（式［１０Ａ］乃至［１０Ｇ］において、Ａｒ1乃至Ａｒ3は、それぞれ置換あるいは無置換のアリール基を表す。※は、Ｎ原子との結合手を表す。ｍ及びｎは、それぞれ０又は１である。ただしｍが０の場合、ｎは０である。））
式［２］において、Ｚ2は、炭素原子数１乃至８の２価のアルキル基、下記一般式［４Ｂ］乃至［４Ｄ］のいずれかで示されるユニット又は下記一般式［５］乃至［９］のいずれかから選ばれる芳香族アミノ基である。
【化２２】
2014203907.tif 000084
（式［４Ｂ］乃至［４Ｄ］において、Ａｒ1乃至Ａｒ3は、それぞれ置換あるいは無置換のアリール基を表す。＊は、シルセスキオキサン骨格との結合手を表す。ｍ及びｎは、それぞれ０又は１である。ただしｍが０の場合、ｎは０である。）
【化２３】
2014203907.tif 000085
（式［５］において、Ａ1乃至Ａ3は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は下記一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。
式［６］において、Ａ4、Ａ5、Ａ7及びＡ8は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は下記一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。Ａ6は、下記一般式［１０Ｂ］乃至［１０Ｄ］のいずれかで示されるユニットを表す。
式［７］において、Ａ9乃至Ａ14は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は下記一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。Ａ15は、下記一般式［１０Ｅ］乃至［１０Ｇ］のいずれかで示されるユニットを表す。
式［８］において、Ａ16、Ａ17、Ａ19、Ａ21及びＡ22は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は下記一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。Ａ18及びＡ20は、それぞれ下記一般式［１０Ｂ］乃至［１０Ｄ］のいずれかで示されるユニットを表す。
式［９］において、Ａ23、Ａ24、Ａ27、Ａ28、Ａ30及びＡ31は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は下記一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。Ａ25、Ａ26及びＡ29は、それぞれ下記一般式［１０Ｂ］乃至［１０Ｄ］のいずれかで示されるユニットを表す。
【化２４】
2014203907.tif 000086
（式［１０Ａ］乃至［１０Ｇ］において、Ａｒ1乃至Ａｒ3は、それぞれ置換あるいは無置換のアリール基を表す。※は、結合手を表す。ｍ及びｎは、それぞれ０又は１である。ただしｍが０の場合、ｎは０である。））
式［３］において、Ｚ3は、炭素原子数１乃至８の３価のアルキル基、下記一般式［４Ｅ］乃至［４Ｇ］で示されるユニット又は下記一般式［５］乃至［９］のいずれかから選ばれる芳香族アミノ基である。
【化２５】
2014203907.tif 000087
（式［４Ｅ］乃至［４Ｇ］において、Ａｒ1乃至Ａｒ3は、それぞれ置換あるいは無置換のアリール基を表す。＊は、シルセスキオキサン骨格との結合手を表す。ｍ及びｎは、それぞれ０又は１である。ただしｍが０の場合、ｎは０である。）
【化２６】
2014203907.tif 000088
（式［５］において、Ａ1乃至Ａ3は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は下記一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。
式［６］において、Ａ4、Ａ5、Ａ7及びＡ8は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は下記一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。Ａ6は、下記一般式［１０Ｂ］乃至［１０Ｄ］のいずれかで示されるユニットを表す。
式［７］において、Ａ9乃至Ａ14は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は下記一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。Ａ15は、下記一般式［１０Ｅ］乃至［１０Ｇ］のいずれかで示されるユニットを表す。
式［８］において、Ａ16、Ａ17、Ａ19、Ａ21及びＡ22は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は下記一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。Ａ18及びＡ20は、それぞれ下記一般式［１０Ｂ］乃至［１０Ｄ］のいずれかで示されるユニットを表す。
式［９］において、Ａ23、Ａ24、Ａ27、Ａ28、Ａ30及びＡ31は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は下記一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。Ａ25、Ａ26及びＡ29は、それぞれ下記一般式［１０Ｂ］乃至［１０Ｄ］のいずれかで示されるユニットを表す。
【化２７】
2014203907.tif 000089
（式［１０Ａ］乃至［１０Ｇ］において、Ａｒ1乃至Ａｒ3は、それぞれ置換あるいは無置換のアリール基を表す。※は、Ｎ原子との結合手を表す。ｍ及びｎは、それぞれ０又は１である。ただしｍが０の場合、ｎは０である。）））
【請求項１０】
前記化合物が、一般式［１］に示される化合物であり、
前記Ｚ1が、炭素原子数１以上８以下のアルキル基又は一般式［４Ａ］で示されるユニットであり、
前記Ａｒ1乃至Ａｒ3が、それぞれフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基及びフルオレニル基から選ばれる置換基であることを特徴とする、請求項９に記載のシルセスキオキサン化合物。
【請求項１１】
前記式［１］において、前記Ｚ1が、一般式［５］乃至［９］のいずれかから選ばれる芳香族アミノ基であり、
前記式［２］において、前記Ｚ2が、一般式［５］乃至［９］のいずれかから選ばれる芳香族アミノ基であり、
前記式［３］において、前記Ｚ3が、一般式［５］乃至［９］のいずれかから選ばれる芳香族アミノ基であり、
前記アリール基が、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基及びフルオレニル基から選ばれる置換基であることを特徴とする、請求項９に記載のシルセスキオキサン化合物。
【請求項１２】
下記一般式［１１］又は［１２］で示される化合物であることを特徴とする、請求項９又は１０に記載のシルセスキオキサン化合物。
【化２８】
2014203907.tif 000090
（式［１１］及び［１２］において、Ｒ1は、炭素原子数１以上８以下のアルキル基を表し、式［１１］及び［１２］においてそれぞれ複数示されるＲ1は、それぞれ同じであっても異なってもよい。
式［１１］において、Ｒ2乃至Ｒ6は、それぞれ水素原子、炭素原子数１乃至８のアルキル基又はアルコキシ基を表す。
式［１２］において、Ａｒ4は、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基及びフルオレニル基のいずれかから選ばれるアリール基を表す。尚、Ａｒ4で表されるアリール基は、置換基をさらに有してもよい。）
【請求項１３】
下記一般式［１３］乃至［１５］のいずれかで示されることを特徴とする、請求項９又は１１に記載のシルセスキオキサン化合物。
【化２９】
2014203907.tif 000091
（式［１３］乃至［１５］において、Ｒ1は、炭素原子数１以上８以下のアルキル基を表し、式［１３］乃至［１５］においてそれぞれ複数示されるＲ1は、それぞれ同じであっても異なってもよい。
式［１３］において、ｊは１乃至３の整数を表す。Ａｒ5は、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基及びフルオレニレン基から選ばれるｊ＋１価のアリーレン基を表す。Ａｒ6及びＡｒ7は、それぞれフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基から選ばれるアリール基を表し、同じであって異なっていてもよい。尚、当該アリール基は、炭素原子数１以上８以下のアルキル基を有してよい。またｊが２以上の場合、複数のＡｒ6及びＡｒ7は、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。
式［１４］において、ｋは１又は２である。Ａｒ8乃至Ａｒ10は、それぞれフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基及びフルオレニレン基から選ばれる２価のアリーレン基を表す。Ａｒ11及びＡｒ12は、それぞれフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基から選ばれるアリール基を表し、同じであって異なっていてもよい。尚、当該アリール基は、炭素原子数１以上８以下のアルキル基を有してよい。ｋが２の場合、２個存在するＡｒ10は、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。
式［１５］において、ｋは１又は２である。Ａｒ13乃至Ａｒ15は、それぞれフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基及びフルオレニレン基から選ばれる２価のアリーレン基を表す。Ａｒ16及びＡｒ17は、それぞれフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基から選ばれるアリール基を表し、同じであって異なっていてもよい。尚、当該アリール基は、炭素原子数１以上８以下のアルキル基を有してよい。ｋが２の場合、２つのＡｒ15は、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。）
【請求項１４】
陽極と陰極と、前記陽極と前記陰極の間に配置されている発光層と、を有し、
前記陽極と前記発光層との間に有機化合物層が配置され、
前記有機化合物層が、請求項９乃至１３のいずれか一項に記載のシルセスキオキサン化合物と、を有することを特徴とする、有機発光素子。
【請求項１５】
前記有機化合物層が、３級アリールアミン構造を有する化合物をさらに有することを特徴とする、請求項１４に記載の有機発光素子。
【請求項１６】
前記３級アリールアミン構造を有する化合物が、下記一般式［２７］乃至［３２］のいずれかで示されることを特徴とする、請求項１５に記載の有機発光素子。
【化３０】
2014203907.tif 000092
（式［２７］において、Ａｒ21乃至Ａｒ23は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アリール基及び複素環基から選ばれる１価の置換基を表す。
式［２８］において、Ａｒ24乃至Ａｒ27は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アリール基及び複素環基から選ばれる１価の置換基を表す。Ａｒ28は、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アリール基及び複素環基から選ばれる２価の置換基を表す。
式［２９］において、Ａｒ30乃至Ａｒ35は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アリール基及び複素環基から選ばれる１価の置換基を表す。Ａｒ29は、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アリール基及び複素環基から選ばれる３価の置換基を表す。
式［３０］において、Ａｒ38乃至Ａｒ42は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アリール基及び複素環基から選ばれる１価の置換基を表す。Ａｒ36及びＡｒ37は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アリール基及び複素環基から選ばれる２価の置換基を表す。
式［３１］において、Ａｒ46乃至Ａｒ51は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アリール基及び複素環基から選ばれる１価の置換基を表す。Ａｒ43乃至Ａｒ45は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アリール基及び複素環基から選ばれる２価の置換基を表す。
式［３２］において、Ａｒ55乃至Ａｒ60は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アリール基及び複素環基から選ばれる１価の置換基を表す。Ａｒ52乃至Ａｒ54は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アリール基及び複素環基から選ばれる２価の置換基を表す。）
【請求項１７】
陽極と陰極と、前記陽極と前記陰極の間に配置されている発光層と、を有し、
前記陰極と前記発光層との間に有機化合物層が配置され、
前記有機化合物層が、請求項９乃至１３のいずれか一項に記載のシルセスキオキサン化合物と、を有することを特徴とする、有機発光素子。
【請求項１８】
陽極と陰極と、前記陽極と前記陰極の間に配置されている発光層と、を有し、
前記発光層が、請求項９乃至１３のいずれか一項に記載のシルセスキオキサン化合物と、を有することを特徴とする、有機発光素子。
【請求項１９】
複数の画素を有し、
前記複数の画素のうち少なくとも１つが、請求項１乃至８及び１４乃至１８のいずれか一項に記載の有機発光素子と、前記有機発光素子に接続されている能動素子と、を有することを特徴とする、表示装置。
【請求項２０】
画像情報を入力する入力部と、画像を表示する表示部とを有し、
前記表示部が、請求項１９に記載の表示装置であることを特徴とする、画像情報処理装置。
【請求項２１】
請求項１乃至８及び１４乃至１８のいずれか一項に記載の有機発光素子と、前記有機発光素子に駆動電圧を供給するためのＡＣ／ＤＣコンバーター回路と、を有することを特徴とする照明装置。
【請求項２２】
感光体と前記感光体の表面を帯電させる帯電部と、
前記感光体を露光するための露光部と、
前記感光体の表面に形成された静電潜像を現像するための現像器と、を有し、
前記露光部が、請求項１乃至８及び１４乃至１８のいずれか一項に記載の有機発光素子を有することを特徴とする、画像形成装置。
【請求項２３】
請求項１乃至８及び１４乃至１８のいずれか一項に記載の有機発光素子が列を形成して配置され、
前記有機発光素子が感光体を露光することを特徴とする、露光機。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シルセスキオキサン化合物、並びにこれを用いた有機発光素子、表示装置、画像情報処理装置及び画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子、有機ＥＬ素子）は、一対の電極とこれら電極の間に配置される有機化合物層とを有する電子素子である。これら一対の電極から電子及び正孔が注入され、有機化合物層内にて電子と正孔とが再結合することで発光性有機化合物の励起子が生成し、該励起子が基底状態に戻る際に、有機発光素子は光を放出する。
【０００３】
有機ＥＬ素子の発光効率を向上させる方法として、例えば、三重項励起状態を利用する方法が挙げられる。現在では、この三重項励起状態を利用する具体的方法がいくつか提案されている。しかしながら、有機ＥＬ素子内で生成した励起子を発光を担う層に閉じ込めたままにすることは、現状では困難であるため、これを克服するために様々な研究開発がなされている。
【０００４】
特許文献１では、励起子を特定の層（例えば、発光層）に閉じ込めるための化合物として、シルセスキオキサン構造を有する化合物、具体的には、下記に示される化合物ａ−１及びｂ−１が提案されている。
【０００５】
【化１】
2014203907.tif 000002
【０００６】
ここで特許文献１にて提案されているシルセスキオキサン化合物（化合物ａ−１、化合物ｂ−１）は、シルセスキオキサンユニットに対するアリール基の比率が高く、高吸光度であり分子間でスタックすることが容易な化合物である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第３８８０５１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上述した課題を解決するためになされるものであり、その目的は、発光効率が高い有機発光素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の有機発光素子は、陽極と陰極と、前記陽極と前記陰極との間に配置される発光層と、を有し、
前記陽極と前記発光層との間に正孔輸送層が設けられ、
前記正孔輸送層が、シロキサン化合物と、３級アリールアミン構造を有する化合物と、を有し、
前記正孔輸送層に含まれるＳＰ2炭素原子の数が、前記正孔輸送層に含まれるケイ素の数の１０倍以下であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の有機発光素子は、構成材料として、薄膜状態で低い吸光度かつ広いバンドギャップを有するシルセスキオキサン化合物を有している。また本発明の有機発光素子は、このシロキサン化合物と３級アリールアミン化合物とを含有し、かつ低い吸光度かつ広いバンドギャップを備える混合薄膜層を有している。このため、本発明によれば、発光効率が高い有機発光素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】有機発光素子とこの有機発光素子に接続されている能動素子とを有する表示装置示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の有機発光素子は、陽極と陰極と、陽極と陰極との間に配置される発光層と、を有し、陽極と発光層との間に正孔輸送層が設けられている。ただし、本発明においては、陽極と陰極との間に配置される有機化合物層の中に、少なくとも発光層と正孔輸送層とを有していればよく、発光層と陰極との間、発光層と正孔輸送層との間及び正孔輸送層と陽極との間のいずれかに介在層を設けてもよい。ここでいう介在層として、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層及びエキシトンブロック層が挙げられる。介在層は、上述した層から１つを選択してもよいし、２以上を選択し選択したものを適宜組み合わせたものであってもよい。
【００１３】
また介在層を設ける具体的な方法として、例えば、電極と有機化合物層との界面に絶縁性層、接着層あるいは干渉層を設ける方法がある。また電子輸送層もしくは正孔輸送層をイオン化ポテンシャルがそれぞれ異なる二つの層からなる積層体にする等の多様な層構成をとることができる。
【００１４】
本発明において、有機発光素子の光取り出し構成は、基板側の電極から光を取り出すボトムエミッション方式でもよいし、基板とは反対側から光を取り出すトップエミッション方式でもよい。また基板側と基板の反対側との両方から光を取り出す構成でもよい。
【００１５】
本発明において、正孔輸送層は、シロキサン化合物と、３級アリールアミン構造を有する化合物と、を有する。また本発明において、正孔輸送層に含まれるＳＰ2炭素原子の数は、正孔輸送層に含まれるケイ素の数の１０倍以下である。尚、本発明は、正孔輸送層に含まれるＳＰ2炭素原子の数がゼロである場合も含まれる。ところで、ここでいう１０倍とは、小数点以下を四捨五入して１０倍となったものをいい、より具体的には、９．５倍以上１０．５倍未満であることを示す概念である。
【００１６】
本発明において、シロキサン化合物とは、ケイ素と酸素とで主骨格を形成する化合物であり、具体的には、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉで示される結合形式（シロキサン結合）を有する化合物である。より具体的には、例えば、下記一般式［１６］乃至［２６］に示される化合物をいう。尚、本発明に用いられるシロキサン化合物は、正孔輸送層に含まれるＳＰ2炭素原子の数が正孔輸送層に含まれるケイ素の数の１０倍以下であるという要件を満たしていれば、下記一般式［１６］乃至［２６］に示される化合物に限定されるものではない。また本発明に用いられるシロキサン化合物のうち、特に好ましい化合物については、後述する。
【００１７】
【化２】
2014203907.tif 000003
【００１８】
一般式［１６］乃至［２６］において、Ｒa1乃至Ｒa83は、それぞれアルキル基、アリール基、アルコキシ基、フェノキシ基、アリールアミノ基又はハロゲン原子を表す。尚、Ｒa1乃至Ｒa83のいずれかで表されるアリール基及びアリールアミノ基は、さらに置換基を有してもよい。
【００１９】
Ｒa1乃至Ｒa83で表されるアルキル基として、例えば、メチル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、イソブチル基、セカンダリーブチル基、ターシャリーブチル基、ノルマルペンチル基、ノルマルヘキシル基、ノルマルヘプチル基、ノルマルオクチル基、イソブチル基、ジメチルブチル基、エチルヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等が挙げられる。
【００２０】
Ｒa1乃至Ｒa83で表されるアリール基として、例えば、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、フェナンスレニル基、フルオレニル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、ピレニル基等が挙げられる。
【００２１】
Ｒa1乃至Ｒa83で表されるアルコキシ基として、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ターシャリブトキシ基、ヘキシロキシ基、エチルヘキシロキシ基、オクチルオキシ基等が挙げられる。
【００２２】
Ｒa1乃至Ｒa83で表されるアリールアミノ基は、窒素原子（Ｎ原子）にアリール基が結合している置換基をいう。ここで窒素原子（Ｎ原子）に結合するアリール基として、例えば、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、フェナンスレニル基、フルオレニル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、ピレニル基等が挙げられる。
【００２３】
Ｒa1乃至Ｒa83で表されるハロゲン原子として、例えば、塩素、臭素、フッ素等が挙げられる。好ましくはフッ素である。
【００２４】
上記アリール基及びアリールアミノ基がさらに有してもよい置換基として、メチル基、ターシャリーブチル基、シクロペンチル基等のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基等のアリール基、ジメチルアミノ基、メトキシ基等のアルコキシル基、フェノキシ基、アリールアミノ基、シアノ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子等が挙げられる。尚、正孔輸送層に含まれるＳＰ2炭素原子の数が正孔輸送層に含まれるケイ素の数の１０倍以下であるという要件を満たしていれば、上記アリール基及びアリールアミノ基がさらに有してもよい置換基の数は特に限定されない。
【００２５】
本発明において、正孔輸送層に含まれる化合物の１つである３級アリールアミン構造を有する化合物とは、例えば、下記一般式［２７］乃至［３３］に示される化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２６】
【化３】
2014203907.tif 000004
【００２７】
尚、３級アリールアミン構造を有する化合物である一般式［２７］乃至［３３］の化合物は、それぞれ下記表１に示されるように、少なくとも一つの３級アリールアミン構造を有している。
【００２８】
【表１】
2014203907.tif 000005
【００２９】
一般式［２７］乃至［３３］において、Ａｒ21乃至Ａｒ68は、それぞれアリール基、複素環基、ハロゲン基、アミノ基、アルキル基又はアルコキシ基を示す。尚、一般式［２７］乃至［３３］中にある置換基のうち、Ａｒ21乃至Ａｒ23、Ａｒ24乃至Ａｒ27、Ａｒ30乃至Ａｒ35、Ａｒ38乃至Ａｒ42、Ａｒ46乃至Ａｒ51、Ａｒ55乃至Ａｒ60及びＡｒ61乃至Ａｒ64は、１価の置換基が導入される。また一般式［２７］乃至［３３］中にある置換基のうち、Ａｒ28、Ａｒ36、Ａｒ37、Ａｒ43乃至Ａｒ45、Ａｒ52乃至Ａｒ54及びＡｒ65乃至Ａｒ68は、２価の置換基が導入される。また一般式［２７］乃至［３３］中にある置換基のうち、Ａｒ29は、３価の置換基が導入される。
【００３０】
一般式［２７］乃至［３３］において、Ａｒ21及至Ａｒ68で表されるアリール基は、さらに置換基を有してもよい。
【００３１】
Ａｒ21乃至Ａｒ68で表されるアリール基として、例えば、フェニル基、ナフチル基、ペンタレニル基、インデニル基、アズレニル基、アントリル基、ピレニル基、インダセニル基、アセナフテニル基、フェナントリル基、フェナレニル基、フルオランテニル基、アセフェナントリル基、アセアントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基、ペリレニル基、ペンタセニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基等が挙げられる。
【００３２】
Ａｒ21乃至Ａｒ68で表される複素環基として、例えば、チエニル基、ピロリル基、ピリジル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、ターチエニル基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフリル基、フェナントロニル基等が挙げられる。
【００３３】
Ａｒ21乃至Ａｒ68で表されるハロゲン基として、例えば、塩素、臭素、フッ素等が挙げられる。好ましくはフッ素である。
【００３４】
Ａｒ21乃至Ａｒ68で表されるアミノ基として、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ジアニソリルアミノ基等が挙げられる。
【００３５】
Ａｒ21乃至Ａｒ68で表されるアルキル基として、例えば、メチル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、ターシャリーブチル基、セカンダリーブチル基、エチルヘキシル基、オクチル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基等であり、好ましくは、炭素原子数８以下である、メチル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、ターシャリーブチル基、セカンダリーブチル基、エチルヘキシル基、オクチル基である。
【００３６】
Ａｒ21乃至Ａｒ68で表されるアルコキシ基として、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ターシャリブトキシ基、ヘキシロキシ基、エチルヘキシロキシ基、オクチルオキシ基等が挙げられる。
【００３７】
上記アリール基が有してもよい置換基として、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基等のアリール基、チエニル基、ピロリル基、ピリジル基等の複素環基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ジアニソリルアミノ基等のアミノ基、メトキシル基、エトキシル基、プロポキシル基、フェノキシル基等のアルコキシル基、シアノ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子等が挙げられる。
【００３８】
一般式［２７］において、Ａｒ21乃至Ａｒ23は、それぞれ同じであっても異なってもよい。また隣り合う置換基同士が結合して、窒素原子が含まれるカルバゾール等の複素環を形成してもよい。
【００３９】
一般式［２８］において、Ａｒ22乃至Ａｒ28は、それぞれ同じであっても異なってもよい。また隣り合う置換基（Ａｒ24−Ａｒ25、Ａｒ26−Ａｒ27）同士が結合して、窒素原子が含まれるカルバゾール等の複素環を形成してもよい。
【００４０】
一般式［２９］において、Ａｒ29乃至Ａｒ35は、それぞれ同じであっても異なってもよい。また隣り合う置換基（Ａｒ30−Ａｒ31、Ａｒ32−Ａｒ33、Ａｒ34−Ａｒ35）同士が結合して、窒素原子が含まれるカルバゾール等の複素環を形成してもよい。
【００４１】
一般式［３０］において、Ａｒ36乃至Ａｒ42は、それぞれ同じであっても異なってもよい。また隣り合う置換基（Ａｒ38−Ａｒ39、Ａｒ40−Ａｒ41）同士が結合して、窒素原子が含まれるカルバゾール等の複素環を形成してもよい。
【００４２】
一般式［３１］において、Ａｒ43乃至Ａｒ51は、それぞれ同じであっても異なってもよい。また隣り合う置換基（Ａｒ46−Ａｒ47、Ａｒ49−Ａｒ50）同士が結合して、窒素原子が含まれるカルバゾール等の複素環を形成してもよい。
【００４３】
一般式［３２］において、Ａｒ43乃至Ａｒ51は、それぞれ同じであっても異なってもよい。また隣り合う置換基（Ａｒ46−Ａｒ47、Ａｒ49−Ａｒ50）同士が結合して、窒素原子が含まれるカルバゾール等の複素環を形成してもよい。
【００４４】
一般式［３３］において、Ａｒ43乃至Ａｒ51は、それぞれ同じであっても異なってもよい。また隣り合う置換基（Ａｒ46−Ａｒ47、Ａｒ49−Ａｒ50）同士が結合して、窒素原子が含まれるカルバゾール等の複素環を形成してもよい。また、一般式［３３］において、ｈは、１乃至３の整数である。
【００４５】
また、正孔輸送層に含まれる３級アリールアミン構造を有する化合物には、一般式［２７］乃至［３２］を繰り返し単位として有する高分子化合物も含まれる。
【００４６】
本発明において、正孔輸送層に含まれるケイ素の数とは、正孔輸送層に含まれるシロキサン化合物が有するケイ素原子の総個数を意味している。またシロキサン化合物は、ケイ素と酸素とからなるシロキサンユニットを化合物の主骨格として有する化合物である。このため、シロキサン化合物は、可視領域に吸収をもたず、芳香族化合物よりも広いバンドギャップを有する化合物である。
【００４７】
一方、本発明において、ＳＰ2炭素原子の数とは、正孔輸送層に含まれる化合物のうち不飽和二重結合（Ｃ＝Ｃ）を形成する基礎となるＳＰ2炭素原子の総個数を意味している。不飽和二重結合（Ｃ＝Ｃ）を適宜組み合わせてなる芳香環を有する芳香族化合物は、一般的に、可視領域に吸収をもち、その芳香環同士の連結数が多くなったり縮合環の数が増えたりすることにより、吸収帯がより長波長側へシフトする。また芳香族化合物は、薄膜状態では、化合物自体が有する堅固な平面構造及びＳＰ2混成軌道上のπ電子系により非局在化した電子が豊富に存在する。このため、スタッキング相互作用が強くなり、希薄溶液状態と比較してバンドギャップが狭くなる。この効果はπ電子数が増えるに従ってより強くなる。
【００４８】
ところで、ＳＰ2炭素原子を多く有する芳香族化合物は、有機発光素子中でのキャリアの授与を容易にしたり、キャリアのホッピング移動を促進させたりする働きがある。さらに、この芳香族化合物、即ち、アリール基を有する３級アリールアミン化合物は、正孔輸送能力が高い化合物である。
【００４９】
本発明の有機発光素子において、シロキサン化合物と、３級アリールアミン構造を有する化合物と、を有する正孔輸送層は、キャリア（正孔）を輸送する機能を有し、かつ下記（１−１）及び（１−２）の特徴を有する。
（１−１）（特に、可視領域において）吸光度が低いこと
（１−２）バンドギャップが広いこと
【００５０】
まず特徴（１−１）について説明する。本発明において、吸光度が低いとは、２５０ｎｍ乃至６００ｎｍの波長範囲において吸光度が低いことを意味する。また２５０ｎｍ乃至６００ｎｍの波長範囲内の特定の波長（最大吸収波長）に吸収のピークが現れたとしてもそのピークの吸光度が小さければ「吸光度が低い」に該当する。また本発明においては、特に、可視領域、即ち、３６０ｎｍ乃至６００ｎｍの波長範囲において吸光度が低いことが好ましい。
【００５１】
このように、正孔輸送層が２５０ｎｍ乃至６００ｎｍの波長範囲内（好ましくは、３６０ｎｍ乃至６００ｎｍの波長範囲内）において吸光度が低い状態であるためには、正孔輸送層内に、可視領域に吸収をもたないシロキサンユニットの存在比率を多くする。正孔輸送層内において、可視領域に吸収をもたないシロキサンユニットのモル比を多くすれば、たとえ正孔輸送層内にアリール基や３級アリールアミン構造を有する化合物が存在しても当該化合物のモル濃度は低下する。このため、正孔輸送層において、２５０ｎｍ乃至６００ｎｍの波長範囲内の特定の波長（最大吸収波長）に吸収のピークが現れたとしてもそのピークの吸光度が小さくなる。これにより、芳香環同士がスタッキング相互作用を起こしたことによって生じる吸収スペクトルの可視領域へのブロード化を抑制し、有機発光素子内で生じた光の正孔輸送層内での再吸収を抑制することができる。
【００５２】
次に、特徴（１−２）について説明する。本発明において、層（例えば、正孔輸送層）内のバンドギャップを広げる方法としては、例えば、下記（１−２ａ）、（１−２ｂ）に示される方法がある。
（１−２ａ）層内に含まれ、かつ芳香環を有する化合物として、芳香環同士の連結の数が少ない化合物あるいは縮合環の数が少ない化合物を採用する方法
（１−２ｂ）層内に含まれるシロキサンユニットのモル比を多くする方法
【００５３】
（１−２ａ）及び（１−２ｂ）のいずれの方法を採用するにしても正孔輸送層となる薄膜を形成する際に、当該薄膜についてスタッキング相互作用が抑制され吸収スペクトルの短波長化及び波形のシャープ化が実現される。よって広いバンドギャップを維持することができる。
【００５４】
以上より、本発明では、正孔輸送層に含まれるＳＰ2炭素原子の数を正孔輸送層に含まれるケイ素の数の１０倍以下にする。尚、この要件は、正孔輸送層中におけるＳＰ2炭素原子に対するケイ素の相対的割合が１０％以上であることと同意である。
【００５５】
ここで、正孔輸送層中におけるＳＰ2炭素原子に対するケイ素の相対的割合をさらに増やすと、上記（１−１）及び（１−２）の特徴がさらに際立つ。これにより、有機発光素子の発光効率がより向上する。ここで発光効率の向上の効果は、上記特徴（１−１）及び（１−２）によってもたらされる効果である。即ち、特徴（１−１）によりもたらされる、発光層で生じた発光が、例えば、正孔輸送層内で再吸収される確率を小さくできる効果と、特徴（１−２）によりもたらされる、発光層内での電子や励起子の閉じ込めが可能となる効果により、発光効率が向上する。
【００５６】
従って、シロキサン化合物と３級アリールアミン構造を有する化合物とが、層に含まれるＳＰ2炭素原子の数を正孔輸送層に含まれるケイ素の数の１０倍以下となる正孔輸送層が導入されている本発明の有機発光素子は、発光効率が高くなる。尚、本発明において、正孔輸送層に含まれるＳＰ2炭素原子の数を正孔輸送層に含まれるケイ素の数の６．６７倍以下、即ち、３分の２０倍以下にするのが好ましい。
【００５７】
以下に、正孔輸送層に含まれるシロキサン化合物の具体例を下記に示す。ただし、本発明はこれら具体例に限定されるものではない。
【００５８】
【化４】
2014203907.tif 000006
【００５９】
次に、正孔輸送層に含まれる３級アリールアミン化合物の具体例を下記に示す。ただし、本発明はこれら具体例に限定されるものではない。
【００６０】
【化５】
2014203907.tif 000007
【００６１】
【化６】
2014203907.tif 000008
【００６２】
【化７】
2014203907.tif 000009
【００６３】
【化８】
2014203907.tif 000010
【００６４】
以上、本発明の有機発光素子、特に、主要な構成材料であるシロキサン化合物及び３級アリールアミン構造を有する化合物について説明した。ただし、本発明の有機発光素子の構成材料は、上述したシロキサン化合物、３級アリールアミン構造を有する化合物に限定されるものではない。尚、本発明の有機発光素子に含まれる他の構成材料については、別途説明する。
【００６５】
（２）シルセスキオキサン化合物
次に、本発明のシルセスキオキサン化合物について説明する。本発明のシルセスキオキサン化合物は、具体的には、下記一般式［１］乃至［３］のいずれかで示される化合物である。
【００６６】
【化９】
2014203907.tif 000011
【００６７】
【化１０】
2014203907.tif 000012
【００６８】
【化１１】
2014203907.tif 000013
【００６９】
式［１］乃至［３］において、Ｒ1は、炭素原子数１以上８以下のアルキル基を表す。
【００７０】
Ｒ1で表される炭素原子数１以上８以下のアルキル基として、メチル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、イソブチル基、セカンダリーブチル基、ターシャリーブチル基、ノルマルペンチル基、ノルマルヘキシル基、ノルマルヘプチル基、ノルマルオクチル基、イソブチル基、ジメチルブチル基、エチルヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等が挙げられる。
【００７１】
式［１］乃至［３］において、それぞれ複数示されるＲ1は、それぞれ同じであっても異なってもよい。
【００７２】
式［１］において、Ｚ1は、炭素原子数１乃至８の１価のアルキル基、下記一般式［４Ａ］で示されるユニット又は下記一般式［５］乃至［９］のいずれかから選ばれる芳香族アミノ基である。
【００７３】
【化１２】
2014203907.tif 000014
【００７４】
【化１３】
2014203907.tif 000015
【００７５】
Ｚ1が、炭素原子数１以上８以下の１価のアルキル基である場合、アルキル基の具体例は、Ｒ1で表される炭素原子数１以上８以下のアルキル基の具体例と同様である。
【００７６】
Ｚ1が、一般式［４Ａ］に示されるユニットである場合、一般式［４Ａ］中のＡｒ1a、Ａｒ2a及びＡｒ3aは、それぞれ置換あるいは無置換のアリール基を表す。Ａｒ1a、Ａｒ2a及びＡｒ3aのいずれか表されるアリール基として、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、フェナンスレニル基、フルオレニル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、ピレニル基等が挙げられる。
【００７７】
このアリール基がさらに有してもよい置換基として、メチル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、イソブチル基、セカンダリーブチル基、ターシャリーブチル基、ノルマルペンチル基、ノルマルヘキシル基、ノルマルヘプチル基、ノルマルオクチル基、イソブチル基、ジメチルブチル基、エチルヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等の炭素原子数１以上８以下のアルキル基、上述した炭素原子数１以上８以下のアルキル基を有してもよいフェノキシ基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ターシャリブトキシ基、ヘキシロキシ基、エチルヘキシロキシ基、オクチルオキシ基等のアルコキシ基等が挙げられる。
【００７８】
Ｚ1が、一般式［４Ａ］に示されるユニットである場合、一般式［４Ａ］中の＊は、シルセスキオキサン骨格との結合手を表す。
【００７９】
Ｚ1が、一般式［４Ａ］に示されるユニットである場合、一般式［４Ａ］中のｍ及びｎは、それぞれ０又は１である。ただしｍが０の場合、ｎは０である。
【００８０】
Ｚ1が、一般式［５］に示される芳香族アミノ基である場合、一般式［５］中のＡ1乃至Ａ3は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は後述する一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。
【００８１】
Ｚ1が、一般式［６］に示される芳香族アミノ基である場合、一般式［６］中のＡ4、Ａ5、Ａ7及びＡ8は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は後述する一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。
【００８２】
Ｚ1が、一般式［６］に示される芳香族アミノ基である場合、一般式［６］中のＡ6は、後述する一般式［１０Ｂ］乃至［１０Ｄ］のいずれかで示されるユニットを表す。
【００８３】
Ｚ1が、一般式［７］に示される芳香族アミノ基である場合、一般式［７］中のＡ9乃至Ａ14は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は後述する一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。
【００８４】
Ｚ1が、一般式［７］に示される芳香族アミノ基である場合、一般式［７］中のＡ15は、後述する一般式［１０Ｅ］乃至［１０Ｇ］のいずれかで示されるユニットを表す。
【００８５】
Ｚ1が、一般式［８］に示される芳香族アミノ基である場合、一般式［８］中のＡ16、Ａ17、Ａ19、Ａ21及びＡ22は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は後述する一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。
【００８６】
Ｚ1が、一般式［８］に示される芳香族アミノ基である場合、一般式［８］中のＡ18及びＡ20は、それぞれ後述する一般式［１０Ｂ］乃至［１０Ｄ］のいずれかで示されるユニットを表す。
【００８７】
Ｚ1が、一般式［９］に示される芳香族アミノ基である場合、一般式［９］中のＡ23、Ａ24、Ａ27、Ａ28、Ａ30及びＡ31は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は後述する一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。
【００８８】
Ｚ1が、一般式［９］に示される芳香族アミノ基である場合、一般式［９］中のＡ25、Ａ26及びＡ29は、それぞれ後述する一般式［１０Ｂ］乃至［１０Ｄ］のいずれかで示されるユニットを表す。
【００８９】
次に、下記一般式［１０Ａ］乃至［１０Ｇ］に示されるユニットについて説明する。
【００９０】
【化１４】
2014203907.tif 000016
【００９１】
一般式［１０Ａ］乃至［１０Ｇ］において、Ａｒ1乃至Ａｒ3は、置換あるいは無置換のアリール基を表す。Ａｒ1乃至Ａｒ3で表されるアリール基及びこのアリール基がさらに有してもよい置換基の具体例は、一般式［４Ａ］中のＡｒ1a、Ａｒ2a及びＡｒ3aの具体例と同様である。
【００９２】
一般式［１０Ａ］乃至［１０Ｇ］において、※は、Ｎ原子との結合手を表す。
【００９３】
一般式［１０Ａ］乃至［１０Ｇ］において、ｍ及びｎは、それぞれ０又は１である。ただしｍが０の場合、ｎは０である。
【００９４】
式［２］において、Ｚ2は、炭素原子数１乃至８の２価のアルキル基、下記一般式［４Ｂ］乃至［４Ｄ］のいずれかに示されるユニット又は下記一般式［５］乃至［９］のいずれかから選ばれる芳香族アミノ基である。
【００９５】
【化１５】
2014203907.tif 000017
【００９６】
【化１６】
2014203907.tif 000018
【００９７】
Ｚ2が、炭素原子数１以上８以下の２価のアルキル基である場合、この２価のアルキル基の具体例として、メチル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、イソブチル基、セカンダリーブチル基、ターシャリーブチル基、ノルマルペンチル基、ノルマルヘキシル基、ノルマルヘプチル基、ノルマルオクチル基、イソブチル基、ジメチルブチル基、エチルヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等に由来する２価の置換基が挙げられる。
【００９８】
Ｚ2が、一般式［４Ｂ］乃至［４Ｄ］のいずれかに示されるユニットである場合、一般式［４Ｂ］乃至［４Ｄ］中のＡｒ1a、Ａｒ2a及びＡｒ3aは、それぞれ置換あるいは無置換のアリール基を表す。尚、Ａｒ1a、Ａｒ2a及びＡｒ3aのいずれかで表されるアリール基及びこのアリール基がさらに有してもよい置換基の具体例は、一般式［４Ａ］中のＡｒ1a、Ａｒ2a及びＡｒ3aの具体例と同様である。
【００９９】
Ｚ2が、一般式［４Ｂ］乃至［４Ｄ］のいずれかに示されるユニットである場合、＊は、シルセスキオキサン骨格との結合手を表す。
【０１００】
Ｚ2が、一般式［４Ｂ］乃至［４Ｄ］のいずれかに示されるユニットである場合、ｍ及びｎは、それぞれ０又は１である。ただしｍが０の場合、ｎは０である。
【０１０１】
Ｚ2が、一般式［５］に示される芳香族アミノ基である場合、一般式［５］中のＡ1乃至Ａ3は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。
【０１０２】
Ｚ2が、一般式［６］に示される芳香族アミノ基である場合、一般式［６］中のＡ4、Ａ5、Ａ7及びＡ8は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。
【０１０３】
Ｚ2が、一般式［６］に示される芳香族アミノ基である場合、一般式［６］中のＡ6は、一般式［１０Ｂ］乃至［１０Ｄ］のいずれかで示されるユニットを表す。
【０１０４】
Ｚ2が、一般式［７］に示される芳香族アミノ基である場合、一般式［７］中のＡ9乃至Ａ14は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。
【０１０５】
Ｚ2が、一般式［７］に示される芳香族アミノ基である場合、一般式［７］中のＡ15は、一般式［１０Ｅ］乃至［１０Ｇ］のいずれかで示されるユニットを表す。
【０１０６】
Ｚ2が、一般式［８］に示される芳香族アミノ基である場合、一般式［８］中のＡ16、Ａ17、Ａ19、Ａ21及びＡ22は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。
【０１０７】
Ｚ2が、一般式［８］に示される芳香族アミノ基である場合、一般式［８］中のＡ18及びＡ20は、それぞれ一般式［１０Ｂ］乃至［１０Ｄ］のいずれかで示されるユニットを表す。
【０１０８】
Ｚ2が、一般式［９］に示される芳香族アミノ基である場合、一般式［９］中のＡ23、Ａ24、Ａ27、Ａ28、Ａ30及びＡ31は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。
【０１０９】
Ｚ2が、一般式［９］に示される芳香族アミノ基である場合、一般式［９］中のＡ25、Ａ26及びＡ29は、それぞれ一般式［１０Ｂ］乃至［１０Ｄ］のいずれかで示されるユニットを表す。
【０１１０】
Ｚ2が、一般式［５］乃至［９］に示される芳香族アミノ基のいずれかである場合、この芳香族アミノ基に含まれ得る一般式［１０Ａ］乃至［１０Ｇ］のユニットは、それぞれ下記に示されるユニットである。
【０１１１】
【化１７】
2014203907.tif 000019
【０１１２】
尚、上記ユニット群（一般式［１０Ａ］乃至［１０Ｇ］のユニット群）詳細については、一般式［１］中のＺ1に含まれ得る一般式［１０Ａ］乃至［１０Ｇ］のユニットと同様である。
【０１１３】
式［３］において、Ｚ3は、炭素原子数１乃至８の３価のアルキル基、下記一般式［４Ｅ］乃至［４Ｇ］で示されるユニット又は下記一般式［５］乃至［９］のいずれかから選ばれる芳香族アミノ基である。
【０１１４】
【化１８】
2014203907.tif 000020
【０１１５】
【化１９】
2014203907.tif 000021
【０１１６】
Ｚ3が、炭素原子数１以上８以下の３価のアルキル基である場合、この３価のアルキル基の具体例として、メチル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、イソブチル基、セカンダリーブチル基、ターシャリーブチル基、ノルマルペンチル基、ノルマルヘキシル基、ノルマルヘプチル基、ノルマルオクチル基、イソブチル基、ジメチルブチル基、エチルヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等に由来する３価の置換基が挙げられる。
【０１１７】
Ｚ3が、一般式［４Ｅ］乃至［４Ｇ］のいずれかに示されるユニットである場合、一般式［４Ｅ］乃至［４Ｇ］中のＡｒ1a、Ａｒ2a及びＡｒ3aは、それぞれ置換あるいは無置換のアリール基を表す。尚、Ａｒ1a、Ａｒ2a及びＡｒ3aのいずれかで表されるアリール基及びこのアリール基がさらに有してもよい置換基の具体例は、一般式［４Ａ］中のＡｒ1a、Ａｒ2a及びＡｒ3aの具体例と同様である。
【０１１８】
Ｚ3が、一般式［４Ｅ］乃至［４Ｇ］のいずれかに示されるユニットである場合、一般式［４Ｅ］乃至［４Ｇ］中の＊は、シルセスキオキサン骨格との結合手を表す。
【０１１９】
Ｚ3が、一般式［４Ｅ］乃至［４Ｇ］のいずれかに示されるユニットである場合、一般式［４Ｅ］乃至［４Ｇ］中のｍ及びｎは、それぞれ０又は１である。ただしｍが０の場合、ｎは０である。
【０１２０】
Ｚ3が、一般式［５］に示される芳香族アミノ基である場合、一般式［５］中のＡ1乃至Ａ3は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手を表す。
【０１２１】
Ｚ3が、一般式［６］に示される芳香族アミノ基である場合、一般式［６］中のＡ4、Ａ5、Ａ7及びＡ8は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。
【０１２２】
Ｚ3が、一般式［６］に示される芳香族アミノ基である場合、一般式［６］中のＡ6は、一般式［１０Ｂ］乃至［１０Ｄ］のいずれかで示されるユニットを表す。
【０１２３】
Ｚ3が、一般式［７］に示される芳香族アミノ基である場合、一般式［７］中のＡ9乃至Ａ14は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。
【０１２４】
Ｚ3が、一般式［７］に示される芳香族アミノ基である場合、一般式［７］中のＡ15は、一般式［１０Ｅ］乃至［１０Ｇ］のいずれかで示されるユニットを表す。
【０１２５】
Ｚ3が、一般式［８］に示される芳香族アミノ基である場合、一般式［８］中のＡ16、Ａ17、Ａ19、Ａ21及びＡ22は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。
【０１２６】
Ｚ3が、一般式［８］に示される芳香族アミノ基である場合、一般式［８］中のＡ18及びＡ20は、それぞれ一般式［１０Ｂ］乃至［１０Ｄ］のいずれかで示されるユニットを表す。
【０１２７】
Ｚ3が、一般式［９］に示される芳香族アミノ基である場合、一般式［９］中のＡ23、Ａ24、Ａ27、Ａ28、Ａ30及びＡ31は、それぞれシルセスキオキサン骨格との結合手又は一般式［１０Ａ］で示されるユニットを表す。
【０１２８】
Ｚ3が、一般式［９］に示される芳香族アミノ基である場合、一般式［９］中のＡ25、Ａ26及びＡ29は、それぞれ一般式［１０Ｂ］乃至［１０Ｄ］のいずれかで示されるユニットを表す。
【０１２９】
Ｚ3が、一般式［６］乃至［９］に示される芳香族アミノ基のいずれかである場合、この芳香族アミノ基に含まれ得る一般式［１０Ａ］乃至［１０Ｇ］のユニットは、それぞれ下記に示されるユニットである。
【０１３０】
【化２０】
2014203907.tif 000022
【０１３１】
尚、上記ユニット群（一般式［１０Ａ］乃至［１０Ｇ］のユニット群）詳細については、一般式［１］中のＺ1に含まれ得る一般式［１０Ａ］乃至［１０Ｇ］のユニットと同様である。
【０１３２】
ここで、一般式［１］乃至［３］のシルセスキオキサン化合物は、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉを含む分子ユニット（シルセスキオキサンユニット）が、カゴ状構造である。このため、各シルセスキオキサンユニットの安定性が高く、当該カゴ状構造の内部に空間を設けることができるので、吸光度を低くすることができると共に、バンドギャップを広くすることができる。
【０１３３】
次に、一般式［１］乃至［３］のシルセスキオキサン化合物の特徴を説明する。一般式［１］乃至［３］のシルセスキオキサン化合物は、下記（２−１）及び（２−２）の構造的特徴を有する。
（２−１）シルセスキオキサンユニットの置換基Ｒ1がすべて炭素原子数１以上８以下のアルキル基であること
（２−２）アリール基を含む置換基ユニットＺは１か所に置換していること
【０１３４】
上記特徴を有することにより、以下に説明する２つの効果を奏する。
【０１３５】
１つ目の効果として、有機溶媒への溶解性が向上することが挙げられる。一般的に、固体状態で分子間スタッキングが強くなる芳香族置換基（アリール基等）よりもアルキル基の方が有機溶媒に対する溶解性が高い。従って、特許文献１に記載の化合物ａ−１や化合物ｂ−１よりも、本発明のシルセスキオキサン化合物の方が有機溶媒に対する溶解性が高い。このため合成時のハンドリングもよく、かつ薄膜状態にしたときに結晶化が起こりにくい。
【０１３６】
２つ目の効果として、最大吸収波長での吸光度が低くなり、また薄膜状態でのバンドギャップも広くなることである。これは、アリール基を含め得る置換基ユニットＺ1、Ｚ2及びＺ3が、一つ以上あるシルセスキオキサンユニットに対して一つしか置換していないことに起因する効果である。ところで、アリール基は、そのほとんどが可視領域の吸収がありスタック相互作用の大きい置換基である。これに対して、シルセスキオキサンユニットは、可視領域に吸収をもたない分子ユニットである。本発明のシルセスキオキサン化合物は、特許文献１に記載の化合物ａ−１や化合物ｂ−１よりも、シルセスキオキサンユニットの割合が大きい。このため、本発明のシルセスキオキサン化合物を薄膜状にしたときに最大吸収波長での吸光度は低くなり、バンドギャップをより広く維持できる。
【０１３７】
以上説明した二つの効果より、本発明のシルセスキオキサン化合物を有機発光素子の構成材料として用いると、化合物自体の吸光度が低いので、発光層で生じた光は本発明のシルセスキオキサン化合物によって吸収されることなく外部に取り出すことができる。さらに、本発明のシルセスキオキサン化合物が有する広いバンドギャップにより電子や励起子を発光層内に閉じ込めることができるので、発光効率が向上する。
【０１３８】
ここで、本発明のシルセスキオキサン化合物は、置換基ユニットＺ1、Ｚ2及びＺ3の部分構造を有するが、これら置換基ユニットは、以下の２つの部分構造に大別される。
（２−３）アリールアミン構造を含まない部分構造
（２−４）アリールアミン構造を含む部分構造
【０１３９】
以下、特徴（２−３）及び（２−４）について説明する。
【０１４０】
＜Ｚ1、Ｚ2又はＺ3が、アリールアミン構造を含まない部分構造である場合＞
Ｚ1、Ｚ2あるいはＺ3が、炭素原子数１乃至８のアルキル基である場合、又は一般式［４Ａ］乃至［４Ｇ］のいずれかである場合、Ｚ1、Ｚ2あるいはＺ3で表される部分構造は、上記（２−３）でいう部分構造に該当する。このケースにおいて、好ましくは、Ｚ1、Ｚ2あるいはＺ3が、一般式［４Ａ］乃至［４Ｇ］のいずれかである場合である。
【０１４１】
ここで、Ｚ1、Ｚ2あるいはＺ3が、一般式［４Ａ］乃至［４Ｇ］のいずれかである場合、一般式［４Ａ］乃至［４Ｇ］に含まれるアリール基（Ａｒ1a、Ａｒ2a、Ａｒ3a）として、特に好ましくは、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基又はフルオレニル基である。これら置換基は、いずれもアリール基を形成する芳香環の縮環の数が２個以下の置換基である。またこれら置換基は、アリール基を形成する芳香環の縮環の数が３個以上のアリール基、例えば、フェナンスレニル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、ピレニル基等よりもバンドギャップが広い置換基である。
【０１４２】
尚、上記アリール基が、炭素原子数１以上８以下のアルキル基、炭素原子数１以上８以下のアルキル基を有してもよいフェノキシ基又は炭素原子数１以上８以下のアルコキシ基をさらに有していてもバンドギャップが広い状態を維持することができる。
【０１４３】
ここで、一般式［４Ａ］乃至［４Ｇ］に含まれるアリール基（Ａｒ1a、Ａｒ2a、Ａｒ3a）は、縮合環の数や芳香環の連結数が少ないほど、分子全体に対するシルセスキオキサンユニットの割合が高くなる。その結果、最大吸収波長での吸光度が低くなり、バンドギャップも広くなる。
【０１４４】
以上を考慮すると、特徴（２−３）を有する化合物のうち、好ましくは、下記一般式［１１］及び一般式［１２］のいずれか示されるシルセスキオキサン化合物である。
【０１４５】
【化２１】
2014203907.tif 000023
【０１４６】
一般式［１１］及び［１２］において、Ｒ1は、炭素原子数１以上８以下のアルキル基を表す。Ｒ1で表されるアルキル基の具体例は、一般式［１］中のＲ1と同様である。また一般式［１１］及び［１２］においてそれぞれ複数示されるＲ1は、それぞれ同じであっても異なってもよい。
【０１４７】
一般式［１１］において、Ｒ2乃至Ｒ6は、水素原子、炭素原子数１乃至８のアルキル基又はアルコキシ基を表す。
【０１４８】
Ｒ2乃至Ｒ6で表される炭素原子数１以上８以下のアルキル基として、メチル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、イソブチル基、セカンダリーブチル基、ターシャリーブチル基、ノルマルペンチル基、ノルマルヘキシル基、ノルマルヘプチル基、ノルマルオクチル基、イソブチル基、ジメチルブチル基、エチルヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等が挙げられる。
【０１４９】
Ｒ2乃至Ｒ6で表されるアルコキシ基として、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ターシャリブトキシ基、ヘキシロキシ基、エチルヘキシロキシ基、オクチルオキシ基等が挙げられる。
【０１５０】
一般式［１２］において、Ａｒ4は、置換もしくは無置換のアリール基を表す。
【０１５１】
Ａｒ4で表されるアリール基は、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基及びフルオレニル基から選ばれる置換基である。
【０１５２】
上記アリール基がさらに有してもよい置換基として、メチル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、イソブチル基、セカンダリーブチル基、ターシャリーブチル基、ノルマルペンチル基、ノルマルヘキシル基、ノルマルヘプチル基、ノルマルオクチル基、イソブチル基、ジメチルブチル基、エチルヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等の炭素原子数１以上８以下のアルキル基、上述した炭素原子数１以上８以下のアルキル基を有してもよいフェノキシ基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ターシャリブトキシ基、ヘキシロキシ基、エチルヘキシロキシ基、オクチルオキシ基等のアルコキシ基等が挙げられる。
【０１５３】
また、特徴（２−３）を有するシルセスキオキサン化合物は、酸化に対して安定な置換基で構成されているため、酸化への耐性が強いという特徴を有する。
【０１５４】
有機発光素子において、有機発光素子に含まれる有機化合物は、正孔又は電子が有機化合物層内を移動する際に、酸化と還元とを繰り返す。このため、正孔又は電子の移動のときに生じる酸化及び還元への安定性（耐性）は重要である。従って、特徴（２−３）を有するシルセスキオキサン化合物を有機発光素子の構成材料として用いることで、有機発光素子の連続発光に対する耐久性が高くなる。
【０１５５】
＜Ｚ1、Ｚ2又はＺ3が、アリールアミン構造を含む部分構造である場合＞
特徴（２−４）を有するシルセスキオキサン化合物は、Ｚ1、Ｚ2あるいはＺ3が、一般式［５］乃至［９］のいずれかで示される部分構造である。このケースにおいて、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3に含まれ得るＡｒ1及至Ａｒ3で表されるアリール基は、好ましくは、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基又はフルオレニル基である。これら置換基が好適に選択される理由は、特徴（２−３）を有するシルセスキオキサン化合物のケースと同様に、バンドギャップが広いためである。
【０１５６】
尚、上記アリール基として好適な置換基が、炭素原子数１以上８以下のアルキル基をさらに有したとしてもバンドギャップが広い状態を維持することができる。
【０１５７】
ここで、一般式［５］乃至［９］に含まれ得るアリール基（Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3）は、縮合環の数や芳香環の連結数が少ないほど、分子全体に対するシルセスキオキサンユニットの割合が高くなる。その結果、最大吸収波長での吸光度が低くなり、バンドギャップも広くなる。
【０１５８】
以上を考慮すると、特徴（２−４）を有する化合物のうち、好ましくは、下記一般式［１３］乃至一般式［１５］のいずれか示されるシルセスキオキサン化合物である。
【０１５９】
【化２２】
2014203907.tif 000024
【０１６０】
一般式［１３］乃至［１５］において、Ｒ1は、炭素原子数１以上８以下のアルキル基を表す。Ｒ1で表されるアルキル基の具体例は、一般式［１］中のＲ1と同様である。また一般式［１３］乃至［１５］においてそれぞれ複数示されるＲ1は、それぞれ同じであっても異なってもよい。
【０１６１】
一般式［１３］において、ｊは１乃至３の整数を表す。
【０１６２】
一般式［１３］において、Ａｒ5は、それぞれ置換もしくは無置換のｊ＋１価のアリーレン基を表す。Ａｒ5で表されるアリーレン基は、それぞれフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基及びフルオレニレン基から選ばれる置換基に由来するｊ＋１価の置換基である。
【０１６３】
Ａｒ5で表されるアリーレン基が有してもよい置換基として、メチル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、イソブチル基、セカンダリーブチル基、ターシャリーブチル基、ノルマルペンチル基、ノルマルヘキシル基、ノルマルヘプチル基、ノルマルオクチル基、イソブチル基、ジメチルブチル基、エチルヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等の炭素原子数１以上８以下のアルキル基が挙げられる。
【０１６４】
一般式［１３］において、Ａｒ6及びＡｒ7は、それぞれ置換もしくは無置換のアリール基を表す。Ａｒ6及びＡｒ7で表されるアリール基は、それぞれフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基及びフルオレニル基から選ばれる置換基である。
【０１６５】
Ａｒ6及びＡｒ7で表されるアリール基が有してもよい置換基として、メチル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、イソブチル基、セカンダリーブチル基、ターシャリーブチル基、ノルマルペンチル基、ノルマルヘキシル基、ノルマルヘプチル基、ノルマルオクチル基、イソブチル基、ジメチルブチル基、エチルヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等の炭素原子数１以上８以下のアルキル基が挙げられる。
【０１６６】
一般式［１３］において、ｊが２以上の場合、複数のＡｒ6及びＡｒ7は、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。
【０１６７】
一般式［１４］及び［１５］において、ｋは１又は２である。
【０１６８】
一般式［１４］において、Ａｒ8乃至Ａｒ10は、それぞれ置換もしくは無置換の２価のアリーレン基を表す。Ａｒ8乃至Ａｒ10で表される２価のアリーレン基は、それぞれフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基及びフルオレニレン基から選択される置換基である。尚、ｋが２のとき２個存在するＡｒ10は、それぞれ同じであってもよいし異なっていてもよい。
【０１６９】
一般式［１４］において、Ａｒ11及びＡｒ12は、それぞれ置換もしくは無置換のアリール基を表す。Ａｒ11及びＡｒ12で表される１価のアリール基の具体例は、一般式［１３］中のＡｒ5乃至Ａｒ7で表されるアリール基の具体例と同様である。
【０１７０】
また一般式［１４］において、Ａｒ8乃至Ａｒ12がさらに有してもよい置換基の具体例は、一般式［１３］中のＡｒ5乃至Ａｒ7がさらに有してもよい置換基の具体例と同様である。
【０１７１】
一般式［１５］において、Ａｒ13乃至Ａｒ15は、それぞれ置換もしくは無置換の２価のアリール基を表す。Ａｒ13乃至Ａｒ15で表される２価のアリーレン基は、それぞれフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基及びフルオレニレン基から選ばれる置換基である。尚、ｋが２のとき２個存在するＡｒ15は、それぞれ同じであってもよいし異なっていてもよい。
【０１７２】
一般式［１５］において、Ａｒ16及びＡｒ17は、それぞれ置換もしくは無置換のアリール基を表す。Ａｒ16及びＡｒ17で表される１価のアリール基の具体例は、一般式［１３］中のＡｒ5乃至Ａｒ7で表されるアリール基の具体例と同様である。
【０１７３】
また一般式［１５］において、Ａｒ13乃至Ａｒ17がさらに有してもよい置換基の具体例は、一般式［１３］中のＡｒ5乃至Ａｒ7がさらに有してもよい置換基の具体例と同様である。
【０１７４】
また、アリールアミン誘導体は、芳香族炭化水素系化合物よりも正孔移動能力が高いという特長がある。従って、特徴（２−４）を有するシルセスキオキサン化合物は、その構造的特徴（アリールアミン構造を含むという特徴）により、正孔輸送能力が高いという特徴を持つ。
【０１７５】
このため、特徴（２−４）を有するシルセスキオキサン化合物を、有機発光素子を構成する正孔注入層又は正孔輸送層として用いると、正孔移動度が速くなり駆動電圧が低くなる。
【０１７６】
本発明のシルセスキオキサン化合物は、有機発光素子の構成材料、即ち、有機発光素子用材料として用いることができる。ここで有機発光素子用材料とは、有機発光素子を構成する層、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層等の各層のうちいずれかを形成する際に用いられる材料である。
【０１７７】
本発明のシルセスキオキサン化合物は、発光層の構成材料として用いることができるが、この場合、好ましくは、ホストとして用いる。ここでホストとは、発光層を構成する化合物の中で最も重量比が大きい化合物である。また発光層には、ホストだけでなくゲスト（ドーパント）が含まれることがある。ここでゲストとは、発光層を構成する化合物の中で重量比がホストよりも小さく主たる発光をする化合物である。
【０１７８】
本発明のシルセスキオキサン化合物のうち、特徴（２−４）を有する化合物は、有機発光素子を構成する正孔注入層もしくは正孔輸送層の構成材料として用いるのが好ましい。これは、特徴（２−４）を有する化合物が、正孔輸送能力を有し、かつ、化合物自体が発光層からの発光を吸収せずバンドギャップが広いためである。従って、本発明のシルセスキオキサン化合物のうち、特徴（２−４）を有する化合物を正孔注入層もしくは正孔輸送層に導入すると、電荷及び励起子のブロッキング能力が高くなり、より高い発光効率の有機発光素子が得られる。
【０１７９】
また本発明のシルセスキオキサン化合物のうち、特徴（２−３）を有する化合物は、例えば、発光層のホストとして他の有機化合物と混合して用いることが好ましい。他の層（例えば、正孔注入層、正孔輸送層等）の構成材料として用いる場合も同様である。特徴（２−３）を有する化合物に限られないが、本発明のシルセスキオキサン化合物は、バンドギャップが広いため、発光ドーパントのバンドギャップより広いことが好適とされる発光層のホストとして好ましいといえる。ここでホストのバンドギャップが発光ドーパントよりも広いことが好適であるのは、この好適条件を備えることにより、発光ドーパントから本発明のシルセスキオキサン化合物へのエネルギー移動による励起子の損失を抑制するからである。よって、励起子を効率よく発光ドーパントへ送り込むことができるため、発光ドーパントが効率よく発光することができる。
【０１８０】
また、本発明のシルセスキオキサン化合物は、紫外領域以上の広いバンドギャップを有するため、可視領域の光を出力する全ての有機発光素子を製造する際に用いることができる。ここで可視領域の光を出力する有機発光素子とは、例えば、青色発光素子、緑色発光素子、赤色発光素子、白色発光素子等が挙げられる。
【０１８１】
（本発明の有機化合物の具体例）
本発明のシルセスキオキサン化合物の具体例を以下に示す。ただし本発明はこれら具体例に限定されるものではない。尚、式中のＰＯＳＳ１は、下記に示される置換基
【０１８２】
【化２３】
2014203907.tif 000025
であり、式中のＰＯＳＳ２は、下記に示される置換基
【０１８３】
【化２４】
2014203907.tif 000026
である。
【０１８４】
【化２５】
2014203907.tif 000027
【０１８５】
【化２６】
2014203907.tif 000028
【０１８６】
【化２７】
2014203907.tif 000029
【０１８７】
【化２８】
2014203907.tif 000030
【０１８８】
【化２９】
2014203907.tif 000031
【０１８９】
【化３０】
2014203907.tif 000032
【０１９０】
【化３１】
2014203907.tif 000033
【０１９１】
【化３２】
2014203907.tif 000034
【０１９２】
【化３３】
2014203907.tif 000035
【０１９３】
【化３４】
2014203907.tif 000036
【０１９４】
【化３５】
2014203907.tif 000037
【０１９５】
【化３６】
2014203907.tif 000038
【０１９６】
以上に列挙されたシルセスキオキサン化合物は、いずれもシルセスキオキサン骨格を有すると共に、ＳＰ2炭素原子の個数がケイ素の個数の１０倍以下であるため、薄膜状態にしたときにその薄膜の吸光度が低く、バンドギャップが広い。
【０１９７】
また以上に列挙されたシルセスキオキサン化合物は、シルセスキオキサン骨格の数と置換基の種類によって、以下に説明するＡ群乃至Ｆ群にグループ分けすることができる。以下、各群の特有の効果を以下に説明する。
【０１９８】
Ａ群に属する化合物は、シルセスキオキサンユニットを１個有する化合物群である。そのため、他の化合物群と比較して分子量が小さく、昇華精製が可能であると共に合成が容易である特徴を有する化合物群である。またＡ群に属する化合物は、アリールアミン構造を含まない化合物群であるため、酸化に対して安定であるという特徴も有する。
【０１９９】
ここでＡ群に属する化合物のうち、例示化合物Ａ１乃至Ａ１７及びＡ２１乃至２８は、化合物中に含まれるアリール基が、縮合環の数が２以下のアリール基、具体的には、フェニル基、ターフェニル基、ナフチル基又はフルオレニル基である化合物群である。ここで縮合環の数が２以下のアリール基を有する化合物は、フェナンスレニル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、ベンゾフェナンスレニル基等の縮合環の数が３以上のアリール基を有する化合物よりもＳＰ2混成軌道上にあるパイ電子の数が少ない。このため、化合物自体の吸光度は低く、バンドギャップは広い。
【０２００】
特に、Ａ群に属する化合物のうち、例示化合物Ａ１乃至Ａ９、Ａ１３乃至Ａ１５及びＡ２１乃至Ａ２７は、一般式［１１］又は一般式［１２］で定義される化合物群であって、分子内のＳＰ2炭素原子の数に対するケイ素の数の比率が４０％以上である化合物群である。このため、分子中のケイ素の数の比率が特に高い化合物である。このため、化合物全体の吸光度がより低くなり、バンドギャップがより広くなるので、好ましい。低吸光度及び広バンドギャップを有する化合物であるほど、有機発光素子の構成材料として用いた場合、発光効率がより向上する。
【０２０１】
Ｂ群に属する化合物は、Ａ群に属する化合物と同様に、シルセスキオキサンユニットを１個有する化合物群である。このため、Ａ群に属する化合物と同様に分子量が小さく、昇華精製が可能であると共に合成が容易である特徴を有する化合物群である。
【０２０２】
またＢ群に属する化合物は、正孔輸送能力が高いという特徴を持つ。即ち、Ｂ群に属する化合物は、本発明のシルセスキオキサン化合物の例示化合物の中でも特に分子内のＳＰ2炭素原子の数の比率が高いため、正孔輸送能力がより高いという特徴を持つ。
【０２０３】
ここでＢ群に属する化合物のうち、例示化合物Ｂ１乃至Ｂ１２及びＢ１５乃至１８は、Ｚ1に含まれるアリール基が、縮環数が２以下のアリール基に限定されている。このため低吸光度、広バンドギャップが実現できる。
【０２０４】
特に、例示化合物Ｂ１乃至Ｂ８、Ｂ１０乃至Ｂ１２及びＢ１５乃至Ｂ１８は、一般式［１３］で定義される化合物群である。このためシルセスキオキサンユニットに結合する部分構造を構成するアリール基の数は少なく、また少なくとも当該アリール基の一つがフェニル基である。このため、吸光度がより低くなり、また広バンドギャップを維持できる。
【０２０５】
Ｃ群に属する化合物は、分子中にシルセスキオキサンユニットを２個有し、かつ２個のシルセスキオキサンユニットを連結する部分構造（Ｚ2）の中にアリールアミン構造が含まれている化合物群である。Ｃ群に属する化合物は、分子内のＳＰ2炭素原子の数に対するケイ素の数の比率が高く、かつ物性の微調整能力が高い特徴を有する化合物である。ここで分子内のＳＰ2炭素原子の数に対するケイ素の数の比率が高いのは、分子中にシルセスキオキサン骨格が２個含まれているからである。このため、ＳＰ2炭素原子の数が多くなっても分子内のＳＰ2炭素原子の数に対するケイ素の数の比率を１０％以上に保持できるため、Ｚ2に含め得るアリール基の種類や数の組み合わせを多様化させることができる。従って、Ｃ群に属する化合物は、正孔注入能力、正孔輸送能力、ＨＯＭＯ準位、ガラス転移温度等の有機発光素子の構成材料として要求される物性を微調整することができるという特徴を有する。以上より、Ｃ群に属する化合物を有機発光素子の構成材料に用いた場合、多様な素子構成に適応することができる。
【０２０６】
ここでＣ群に属する化合物のうち、例示化合物Ｃ１乃至Ｃ１５及びＣ２３乃至Ｃ３０は、Ｚ2に含まれるアリール基が、縮環数が２以下のアリール基に限定されている。このため低吸光度、広バンドギャップが実現できるので、好ましい。
【０２０７】
特に、例示化合物Ｃ３乃至Ｃ５、Ｃ７乃至Ｃ９、Ｃ１４、Ｃ１５、Ｃ２４及びＣ２６乃至Ｃ２８は、一般式［１４］又は［１５］で定義される化合物群である。これら化合物は、シルセスキオキサンユニットに結合する部分構造を構成するアリール基の数は少なく、かつアリールアミン構造を２個含有する化合物群である。そしてこれら化合物は、低吸光度、広バンドギャップを備えると共に、正孔注入能力、正孔輸送能力、ＨＯＭＯ準位、ガラス転移温度等の物性とのバランスがよいため好ましい。
【０２０８】
Ｄ群に属する化合物は、分子中にシルセスキオキサンユニットを３個有し、かつ３個のシルセスキオキサンユニットを連結する部分構造（Ｚ3）の中にアリールアミン構造を含む化合物群である。Ｄ群に属する化合物は、分子内のＳＰ2炭素原子の数に対するケイ素の数の比率が高く、具体的には、２０％以上である。このため、より低い吸光度と、広いバンドギャップを実現できる。
【０２０９】
Ｅ群に属する化合物は、アリール基を有していない化合物群である。このため、シルセスキオキサン化合物を含む層において、層内に含まれるＳｉ原子の比率を容易に高くすることができる。またＥ群に属する化合物は、分子中に芳香環を有さないため、可視領域に吸収がない。さらに、Ｅ群に属する化合物は、アリール基はもとよりアリールアミン構造をも有していない。従って、Ｅ群に属する化合物は、有機発光素子の構成材料として用いる場合は、例えば、正孔注入材料や正孔輸送材料と混合させることが好ましい。
【０２１０】
Ｆ群に属する化合物は、アリールアミン構造を含まない化合物群であり、かつ分子中にシルセスキオキサンユニットを２個もしくは３個有する化合物群である。Ｆ群に属する化合物は、アリールアミン構造を含まない化合物群であるため、酸化に対して安定であるという特徴を有する。また、Ｆ群に属する化合物は、シルセスキオキサンユニットを２個もしくは３個有するため、分子内のＳＰ2炭素原子の数に対するケイ素の数の比率が高く、具体的には、４０％以上である。このため、より低い吸光度と、広いバンドギャップを実現できるという特徴も有する。
【０２１１】
本発明のシルセスキオキサン化合物は、主に、有機発光素子の構成材料として用いられる。
【０２１２】
本発明のシルセスキオキサン化合物を有機発光素子の構成材料として用いる場合、本発明のシルセスキオキサン化合物を有する有機発光素子の実施形態は、大きく分けて二つあり、具体的には、下記（２Ａ）、（２Ｂ）がある。
（２Ａ）陽極と陰極と、陽極と陰極との間に設けられ、少なくとも発光層と、陽極と発光層との間に設けられる有機化合物層と、を有し、この有機化合物層に３級アリールアミン構造を有する化合物が含まれている有機発光素子。
（２Ｂ）陽極と陰極と、陽極と陰極との間に設けられる有機化合物層と、を有する有機発光素子。
【０２１３】
本発明のシルセスキオキサン化合物を、上記（２Ａ）の態様の有機発光素子の構成材料として用いる場合、本発明の有機化合物は、３級アリールアミン構造を有する化合物と共に有機化合物層に含まれる。ここで（２Ａ）の態様の有機発光素子を構成する有機化合物層は、陽極と発光層との間に設けられる層であるため、本発明の有機化合物は、陽極と発光層との間に設けられる層、例えば、正孔輸送層、正孔注入層、電子ブロック層等に含まれる。また本発明のシルセスキオキサン化合物は、シロキサン化合物の中でもバンドギャップがより広い化合物である。このため、他のシロキサン化合物と比較して好適な材料である。
【０２１４】
ところで、上記（２Ｂ）の態様は、下記（２Ｂ−１）乃至（２Ｂ−３）に細分化することができる。
（２Ｂ−１）陽極と陰極と、陽極と陰極との間に設けられる発光層と、陽極と発光層との間に設けられる有機化合物層（正孔注入輸送層）と、を有する有機発光素子。
（２Ｂ−２）陽極と陰極と、陽極と陰極との間に設けられる発光層と、陰極と発光層との間に設けられる有機化合物層（電子注入輸送層）と、を有する有機発光素子。
（２Ｂ−３）陽極と陰極と、陽極と陰極との間に設けられる発光層と、を有する有機発光素子（（２Ｂ）でいう「有機化合物層」が発光層である有機発光素子）。
【０２１５】
本発明のシルセスキオキサン化合物を、上記（２Ｂ）の態様の有機発光素子の構成材料として用いる場合、本発明の有機化合物を含む有機化合物層としては、発光層、正孔注入輸送層（正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層）、電子注入輸送層（電子注入層、電子輸送層、正孔・エキシトンブロック層）等が挙げられる。また本発明の有機化合物を、上記（２Ｂ）の態様の有機発光素子の構成材料として用いる場合、本発明の有機化合物を含む層は、一層であってもよいし、複数層であってもよい。さらに本発明の有機化合物を、上記（２Ｂ）の態様の有機発光素子の構成材料として用いる場合、本発明の有機化合物を含む層は、本発明の有機化合物のみからなる層であってもよいし、本発明の有機化合物と他の化合物とが混合されている層であってもよい。
【０２１６】
本発明のシルセスキオキサン化合物と他の化合物とを混合して層を形成する場合、混合比率を適宜調整する。ここで混合比率は、例えば、真空蒸着法等化合物の昇華を伴う成膜の場合は、真空蒸着時の昇華レートの比を考慮する。また塗布法の場合は、塗布溶液作成時の化合物の重量比を考慮する。
【０２１７】
本発明の有機化合物を有する有機発光素子の基本構成として、例えば、下記（ａ）乃至（ｅ）が挙げられる。ただし、本発明は、これらに限定されるものではない。
（ａ）（基板／）陽極／発光層／陰極
（ｂ）（基板／）陽極／正孔輸送層／電子輸送層／陰極
（ｃ）（基板／）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ｄ）（基板／）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ｅ）（基板／）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔・エキシトンブロッキング層／電子輸送層／陰極
【０２１８】
尚、上記（ａ）乃至（ｅ）の構成は、いずれも基板に近い電極が陽極である場合の構成であるが、本発明においてはこれに限定されるものではなく、基板に近い電極が陰極である場合の構成も当然に含まれる。
【０２１９】
（３）有機発光素子の他の構成材料
次に、本発明の有機発光素子の他の構成材料（シロキサン化合物（本発明のセルシスキオキサン化合物に該当する化合物を含む。）、３級アリールアミン構造を有する化合物以外の材料）について説明する。本発明の有機発光素子においては、必要に応じて従来公知の低分子系及び高分子系の材料を使用することができる。より具体的には正孔注入輸送性材料、発光アシスト材料、あるいは電子注入輸送性材料等を使用することができる。
【０２２０】
以下にこれらの材料例を挙げる。
【０２２１】
正孔注入輸送性材料としては、一般式［１］乃至［６］の有機化合物の他に、トリアリールアミン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、スチルベン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、ポリ（ビニルカルバゾール）、ポリ（チオフェン）、その他導電性高分子が挙げられる。ただし本発明はこれらに限定されるものではない。
【０２２２】
主に発光機能に関わる発光材料（ゲスト）としては、トリアリールアミン誘導体、フェニレン誘導体、縮合環芳香族化合物（例えばフルオランテン誘導体、ベンゾフルオランテン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、またそれらとジアリールアミン置換誘導体等）、スチルベン誘導体等の青、緑又は赤に発光する蛍光性発光材料、有機金属錯体（例えば有機イリジウム錯体、有機プラチナ錯体、希土類金属錯体等）等の青、緑又は赤に発光する燐光性発光材料が挙げられる。
【０２２３】
本発明において、ゲストは、発光層全量を基準として０．１質量％以上３０質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以上１０質量％以下であることがより好ましい。
【０２２４】
発光層に含まれるホストは、発光層中の重量比率が一番高い材料である。ホストとして、例えば、トリアリールアミン誘導体、フェニレン誘導体、縮合環芳香族化合物（例えばナフタレン誘導体、フェナントレン誘導体、フルオレン誘導体、クリセン誘導体、など）、有機金属錯体（例えば、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム等の有機アルミニウム錯体、有機ベリリウム錯体、有機イリジウム錯体、有機プラチナ錯体等）およびポリ（フェニレンビニレン）誘導体、ポリ（フルオレン）誘導体、ポリ（フェニレン）誘導体、ポリ（チエニレンビニレン）誘導体、ポリ（アセチレン）誘導体等の高分子誘導体が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
【０２２５】
ホストとして、より具体的には、表２に示される化合物群が挙げられる。
【０２２６】
【表２】
2014203907.tif 000039
【０２２７】
上記表２に示される化合物群以外にも、縮環化合物（例えばフルオレン誘導体、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、カルバゾール誘導体、キノキサリン誘導体、キノリン誘導体等）、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム等の有機アルミニウム錯体、有機亜鉛錯体、及びトリフェニルアミン誘導体、ポリ（フルオレン）誘導体、ポリ（フェニレン）誘導体等の高分子誘導体が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
【０２２８】
電子注入輸送性材料としては、陰極からの電子の注入が容易で注入された電子を発光層へ輸送することができるものから任意に選ぶことができ、正孔輸送性材料の正孔移動度とのバランス等を考慮して選択される。電子注入性能及び電子輸送性能を有する材料としては、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ピラジン誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、有機アルミニウム錯体等が挙げられる。
【０２２９】
陽極の構成材料としては仕事関数がなるべく大きなものがよい。例えば、金、白金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、コバルト、セレン、バナジウム、タングステン等の金属単体あるいはこれらを組み合わせた合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム等の金属酸化物が使用できる。またポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン等の導電性ポリマーも使用できる。
【０２３０】
これらの電極物質は一種類を単独で使用してもよいし、二種類以上を併用して使用してもよい。また、陽極は一層で構成されていてもよく、複数の層で構成されていてもよい。
【０２３１】
一方、陰極の構成材料としては仕事関数の小さなものがよい。例えばリチウム等のアルカリ金属、カルシウム等のアルカリ土類金属、アルミニウム、チタニウム、マンガン、銀、鉛、クロム等の金属単体が挙げられる。あるいはこれら金属単体を組み合わせた合金も使用することができる。例えばマグネシウム−銀、アルミニウム−リチウム、アルミニウム−マグネシウム等が使用できる。酸化錫インジウム（ＩＴＯ）等の金属酸化物の利用も可能である。これらの電極物質は一種類を単独で使用してもよいし、二種類以上を併用して使用してもよい。また陰極は一層構成でもよく、多層構成でもよい。
【０２３２】
本発明の有機発光素子を構成する有機化合物層（正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層等）は、以下に示す方法により形成される。
【０２３３】
発明の有機発光素子を構成する有機化合物層は、真空蒸着法、イオン化蒸着法、スパッタリング、プラズマ等のドライプロセスを用いることができる。またドライプロセスに代えて、適当な溶媒に溶解させて公知の塗布法（例えば、スピンコーティング、ディッピング、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等）により層を形成するウェットプロセスを用いることもできる。
【０２３４】
ここで真空蒸着法や溶液塗布法等によって層を形成すると、結晶化等が起こりにくく経時安定性に優れる。また塗布法で成膜する場合は、適当なバインダー樹脂と組み合わせて膜を形成することもできる。
【０２３５】
上記バインダー樹脂としては、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ＡＢＳ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、尿素樹脂等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０２３６】
また、これらバインダー樹脂は、ホモポリマー又は共重合体として一種類を単独で使用してもよいし、二種類以上を混合して使用してもよい。さらに必要に応じて、公知の可塑剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤等の添加剤を併用してもよい。
【０２３７】
本発明の有機発光素子が発する光は、青、緑、赤のいずれでもよいし、青、緑及び赤から選択される複数の発光色が混色されてなる色、例えば、青、緑及び赤が混色されてなる白色であってもよい。
【０２３８】
（４）有機発光素子の用途
本発明の有機発光素子は、表示装置や照明装置の構成部材として用いることができる。他にも、電子写真方式の画像形成装置の露光光源や液晶表示装置のバックライト、白色光源にカラーフィルターを有する発光装置等の用途がある。カラーフィルターは例えば赤、緑、青の３つの色が透過するフィルターが挙げられる。
【０２３９】
本発明の表示装置は、本発明の有機発光素子を表示部に有する。尚、この表示部は複数の画素を有する。
【０２４０】
そしてこの画素は、本発明の有機発光素子と、発光輝度を制御するための能動素子（スイッチング素子）又は増幅素子の一例であるトランジスタとを有し、この有機発光素子の陽極又は陰極とトランジスタのドレイン電極又はソース電極とが電気接続されている。ここで表示装置は、ＰＣ等の画像表示装置として用いることができる。上記トランジスタとして、例えば、ＴＦＴ素子が挙げられ、このＴＦＴ素子は、例えば、基板の絶縁性表面に設けられている。またこのＴＦＴ素子は、透明酸化物半導体からなる電極を有するのが好ましい。
【０２４１】
表示装置は、エリアＣＣＤ、リニアＣＣＤ、メモリーカード等からの画像情報を入力する画像入力部を有し、入力された画像を表示部に表示する画像情報処理装置でもよい。
【０２４２】
また、撮像装置やインクジェットプリンタが有する表示部は、タッチパネル機能を有していてもよい。このタッチパネル機能の駆動方式は特に限定されない。
【０２４３】
また表示装置はマルチファンクションプリンタの表示部に用いられてもよい。
【０２４４】
照明装置は例えば室内を照明する装置である。照明装置は白色（色温度が４２００Ｋ）、昼白色（色温度が５０００Ｋ）、その他青から赤のいずれの色を発光するものであってもよい。
【０２４５】
本発明の照明装置は、本発明の有機発光素子と、この有機発光素子と接続し有機発光素子に駆動電圧を供給するＡＣ／ＤＣコンバーター回路（交流電圧を直流電圧に変換する回路）とを有している。尚、この照明装置は、カラーフィルターをさらに有してもよい。
【０２４６】
本発明の画像形成装置は、感光体とこの感光体の表面を帯電させる帯電部と、感光体を露光して靜電潜像を形成するための露光部と、感光体の表面に形成された静電潜像を現像するための現像器とを有する画像形成装置である。ここで画像形成装置に備える露光手段は、本発明の有機発光素子を含んでいる。
【０２４７】
また本発明の有機発光素子は、感光体を露光するための露光機の構成部材（発光部材）として使用することができる。本発明の有機発光素子を有する露光機は、例えば、本発明の有機発光素子を所定の直線方向に沿って列を形成して配置されている露光機がある。
【０２４８】
次に、図面を参照しながら本発明の表示装置につい説明する。図１は、有機発光素子とこの有機発光素子に接続されるスイッチング素子とを有する表示装置の例を示す断面模式図である。尚、図１の表示装置１を構成する有機発光素子として、本発明の有機発光素子が用いられている。
【０２４９】
図１の表示装置１は、ガラス等の基板１１とその上部にスイッチング素子となるＴＦＴ素子１８又は有機化合物層を保護するための防湿膜１２が設けられている。また符号１３は金属のゲート電極１３である。符号１４はゲート絶縁膜１４であり、１５は半導体層である。
【０２５０】
ＴＦＴ素子１８は、半導体層１５とドレイン電極１６とソース電極１７とを有している。ＴＦＴ素子１８の上部には絶縁膜１９が設けられている。コンタクトホール２０を介して有機発光素子を構成する陽極２１とソース電極１７とが接続されている。
【０２５１】
尚、有機発光素子に含まれる電極（陽極、陰極）とＴＦＴに含まれる電極（ソース電極、ドレイン電極）との電気接続の方式は、図１に示される態様に限られるものではない。つまり陽極又は陰極のうちいずれか一方とＴＦＴ素子ソース電極又はドレイン電極のいずれか一方とが電気接続されていればよい。
【０２５２】
図１の表示装置１では多層の有機化合物層を１つの層の如く図示をしているが、有機化合物層２２は、複数層であってよい。陰極２３の上には有機発光素子の劣化を抑制するための第一の保護層２４や第二の保護層２５が設けられている。
【０２５３】
図１の表示装置１が白色を発する表示装置の場合、図１中の有機化合物層２２に含まれる発光層は、赤色発光材料、緑色発光材料及び青色発光材料を混合してなる層としてもよい。また赤色発光材料からなる層、緑色発光材料からなる層、青色発光材料からなる層をそれぞれ積層させてなる積層型の発光層としてもよい。さらに別法として、赤色発光材料からなる層、緑色発光材料からなる層、青色発光材料からなる層を横並びにするなりして一の発光層の中にドメインを形成した態様であってもよい。
【０２５４】
図１の表示装置１ではスイッチング素子としてトランジスタを使用しているが、これに代えてＭＩＭ素子をスイッチング素子として用いてもよい。
【０２５５】
また図１の表示装置１に使用されるトランジスタは、単結晶シリコンウエハを用いたトランジスタに限らず、基板の絶縁性表面上に活性層を有する薄膜トランジスタでもよい。活性層として単結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタ、活性層としてアモルファスシリコンや微結晶シリコン等の非単結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタ、活性層としてインジウム亜鉛酸化物やインジウムガリウム亜鉛酸化物等の非単結晶酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタであってもよい。尚、薄膜トランジスタはＴＦＴ素子とも呼ばれる。
【０２５６】
図１の表示装置１に含まれるトランジスタは、Ｓｉ基板等の基板内に形成されていてもよい。ここで基板内に形成されるとは、Ｓｉ基板等の基板自体を加工してトランジスタを作製することを意味する。つまり、基板内にトランジスタを有することは、基板とトランジスタとが一体に形成されていると見ることもできる。
【０２５７】
基板内にトランジスタを設けるかどうかについては、精細度によって選択される。例えば１インチでＱＶＧＡ程度の精細度の場合はＳｉ基板内に有機発光素子を設けることが好ましい。
【０２５８】
以上の説明の通り、本発明の有機発光素子を用いた表示装置を駆動することにより、良好な画質で、長時間安定な表示が可能になる。
【実施例】
【０２５９】
以下、実施例により本発明を詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に説明する実施例に限定されるものではない。
【０２６０】
［実施例１］例示化合物Ａ３の合成
【０２６１】
【化３７】
2014203907.tif 000040
【０２６２】
（１）化合物Ｊ２の合成
反応容器内に、以下に示す試薬、溶媒を投入した。
化合物Ｊ１：２５ｍｌ（１５０ｍｍｏｌ）
アセトン：６００ｍｌ
【０２６３】
次に、反応溶液中に、蒸留水１７０ｍｌを滴下した。次に、反応溶液を７０℃に加熱し、この温度（７０℃）で３日間撹拌した。反応終了後、懸濁液をろ過し、アセトンで洗浄した後、ピリジンを投入してピリジン溶液にした。次に、このピリジン溶液を酸性条件にすることで結晶を生じさせた。次に、この結晶について、ジエチルエーテル及びクロロホルムを用いたソックスレー抽出を行うことにより、化合物Ｊ２を、白色固体として６．３ｇ（収率３３％）得た。
【０２６４】
（２）化合物Ｊ３の合成
反応容器内に、以下に示す試薬、溶媒を投入した。
化合物Ｊ２：３．１ｇ（３．５ｍｍｏｌ）
トリエチルアミン：１．０ｇ（１０ｍｍｏｌ）
ＴＨＦ：１８ｍｌ
【０２６５】
次に、反応溶液中に、トリクロロ（４−クロロフェニル）シラン０．９３ｇ（３．８ｍｍｏｌ）を滴下した。次に、反応溶液を室温で１２時間撹拌した後、生成した固体を濾取した。次に、濾取した物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；ヘプタン：クロロホルム＝４：１）で精製することにより、化合物Ｊ３を、白色固体として１．４ｇ（収率３９％）得た。
【０２６６】
（３）例示化合物Ａ３の合成
反応容器内に、以下に示す試薬、溶媒を投入した。
酢酸パラジウム：２６ｍｇ（０．１２ｍｍｏｌ）
ｘ−ｐｈｏｓ：１６０ｍｇ（０．３５ｍｍｏｌ）
トルエン：３ｍｌ
【０２６７】
次に、反応溶液を室温で１５分間撹拌した。次に、反応溶液中に、以下に示す試薬、溶媒を投入した。
化合物Ｊ３：４００ｍｇ（１．３ｍｍｏｌ）
化合物Ｊ４：１．２ｇ（１．２ｍｍｏｌ）
リン酸カリウム：９８０ｍｇ（４．６ｍｍｏｌ）
水：０．５３ｍｌ
【０２６８】
次に、反応溶液を９５℃に加熱し、この温度（９５℃）で５時間撹拌を行った。反応終了後、反応溶液を冷却した後、ヘプタン２０ｍｌを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；ヘプタン：クロロホルム＝１０：１）にて精製することにより、例示化合物Ａ３を白色固体として７３０ｍｇ（収率５４％）得た。
【０２６９】
Ｗａｔｅｒｓ製ｍｉｃｒｏｍａｓｓＺＱを用いたＬＣ−ＭＳによる質量分析により、例示化合物Ａ３のＭ+である１１６６を確認した。
【０２７０】
［実施例２］例示化合物Ａ６の合成
実施例１（３）において、化合物Ｊ４の代わりに下記に示される化合物Ｊ５を用いたこと以外は、実施例１と同様の方法により例示化合物Ａ６を合成した。
【０２７１】
【化３８】
2014203907.tif 000041
【０２７２】
実施例１と同様の分析法（ＬＣ−ＭＳによる質量分析法）により、例示化合物Ａ６のＭ+である１０８４を確認した。
【０２７３】
［実施例３］例示化合物Ａ９の合成
実施例１（３）において、化合物Ｊ４の代わりに下記に示される化合物Ｊ６を用いたこと以外は、実施例１と同様の方法により例示化合物Ａ９を合成した。
【０２７４】
【化３９】
2014203907.tif 000042
【０２７５】
実施例１と同様の分析法（ＬＣ−ＭＳによる質量分析法）により、例示化合物Ａ９のＭ+である１０８４を確認した。
【０２７６】
［実施例４］例示化合物Ａ１１の合成
実施例１（３）において、化合物Ｊ４の代わりに下記に示される化合物Ｊ７を用いたこと以外は、実施例１と同様の方法により例示化合物Ａ１１を合成した。
【０２７７】
【化４０】
2014203907.tif 000043
【０２７８】
実施例１と同様の分析法（ＬＣ−ＭＳによる質量分析法）により、例示化合物Ａ１１のＭ+である１３５８を確認した。
【０２７９】
［実施例５］例示化合物Ａ１５の合成
実施例１（３）において、化合物Ｊ４の代わりに下記に示される化合物Ｊ８を用いたこと以外は、実施例１と同様の方法により例示化合物Ａ１５を合成した。
【０２８０】
【化４１】
2014203907.tif 000044
【０２８１】
実施例１と同様の分析法（ＬＣ−ＭＳによる質量分析法）により、例示化合物Ａ１５のＭ+である１２８２を確認した。
【０２８２】
［実施例６］例示化合物Ａ１９の合成
実施例１（３）において、化合物Ｊ４の代わりに下記に示される化合物Ｊ９を用いたこと以外は、実施例１と同様の方法により例示化合物Ａ１９を合成した。
【０２８３】
【化４２】
2014203907.tif 000045
【０２８４】
実施例１と同様の分析法（ＬＣ−ＭＳによる質量分析法）により、例示化合物Ａ１９のＭ+である１３１６を確認した。
【０２８５】
［実施例７］例示化合物Ａ２４の合成
実施例１（１）において、化合物Ｊ１の代わりに下記に示される化合物Ｊ１０を用いた。また実施例１（３）において、化合物Ｊ４の代わりに下記に示される化合物Ｊ１１を用いた。これらを除いては、実施例１と同様の方法により例示化合物Ａ２４を合成した。
【０２８６】
【化４３】
2014203907.tif 000046
【０２８７】
実施例１と同様の分析法（ＬＣ−ＭＳによる質量分析法）により、例示化合物Ａ１９のＭ+である１１９４を確認した。
【０２８８】
［実施例８］例示化合物Ｂ１の合成
【０２８９】
【化４４】
2014203907.tif 000047
【０２９０】
反応容器内に、以下に示す試薬、溶媒を投入した。
トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）：２３ｍｇ（０．０２５ｍｍｏｌ）
ｘ−ｐｈｏｓ：４７ｍｇ（０．１０ｍｍｏｌ）
トルエン：５ｍｌ
【０２９１】
次に、反応溶液を、室温で１５分間撹拌した。その後、反応溶液中に、以下に示す試薬を投入した。
化合物Ｊ３：５００ｍｇ（０．４９ｍｍｏｌ）
化合物Ｊ１２：８８ｍｇ（０．５２ｍｍｏｌ）、
ターシャリーブトキシナトリウム：９５ｍｇ［０．９９ｍｍｏｌ）
【０２９２】
次に、反応溶液を１２０℃に加熱し、この温度（１２０℃）で５時間撹拌を行った。反応終了後、反応溶液を冷却した後、有機層をトルエンで抽出した。次に、抽出した有機層を乾燥した後、溶媒を減圧留去することで粗生成物を得た。次に、粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；ヘプタン：トルエン＝５：１）で精製することにより、例示化合物Ｂ１を、白色固体として３６８ｍｇ（収率６５％）得た。
【０２９３】
ＭＡＬＤＩによる質量分析により、例示化合物Ｂ１のＭ+である１１４５を確認した。
【０２９４】
［実施例９］例示化合物Ｂ５の合成
【０２９５】
【化４５】
2014203907.tif 000048
【０２９６】
（１）化合物Ｊ１５の合成
反応容器内に、以下に示す試薬、溶媒を投入した。
トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）：１９０ｍｇ（０．２１ｍｍｏｌ）
トリ（ターシャリ‐ブチル）ホスフィン：１７０ｍｇ（０．８２ｍｍｏｌ）
トルエン：２０ｍｌ
【０２９７】
次に、反応溶液を、室温で１５分間撹拌した。その後、反応溶液中に、以下に示す試薬を投入した。
化合物Ｊ１３：５６０ｍｇ（２．１ｍｍｏｌ）
化合物Ｊ１４：１．０ｇ（４．６ｍｍｏｌ）
ターシャリーブトキシナトリウム：８８０ｍｇ（９．１ｍｍｏｌ）
【０２９８】
次に、反応溶液を１００℃に加熱して、この温度（１００℃）で３時間撹拌を行った。反応終了後、反応溶液を冷却した後、有機層をトルエンで抽出した。次に、抽出した有機層を乾燥した後、溶媒を減圧留去することで粗生成物を得た。次に、粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；ヘプタン：トルエン＝３：１）で精製することにより、化合物Ｊ１５を７６０ｍｇ（収率６７％）得た。
【０２９９】
（２）化合物Ｊ１６の合成
反応容器内に、以下に示す試薬、溶媒を投入した。
酢酸パラジウム：３１ｍｇ（０．１４ｍｍｏｌ）
ｘ−ｐｈｏｓ：１３０ｍｇ（０．２７ｍｍｏｌ）
１，４−ジオキサン：１０ｍｌ
【０３００】
次に、反応溶液を、室温で１５分間撹拌した。その後、反応溶液中に、以下に示す試薬を投入した。
化合物Ｊ１５：７５０ｍｇ（１．４ｍｍｏｌ）
ビス（ピナコラート）ジボロン：６７０ｍｇ（２．７ｍｍｏｌ）
酢酸カリウム：４００ｍｇ（４．１ｍｍｏｌ）
【０３０１】
次に、反応溶液を１００℃に加熱して、この温度（１００℃）で６時間撹拌を行った。反応終了後、反応溶液を冷却した後、有機層をトルエンで抽出した。次に、抽出した有機層を乾燥した後、溶媒を減圧留去することで粗生成物を得た。次に、粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；ヘプタン：トルエン＝１：１）で精製することにより、化合物Ｊ１６を４９０ｍｇ（収率５５％）得た。
【０３０２】
（３）例示化合物Ｂ５の合成
反応容器内に、以下に示す試薬、溶媒を投入した。
トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）：４５ｍｇ（０．０４９ｍｍｏｌ）
ｘ−ｐｈｏｓ：７０ｍｇ（０．１６ｍｍｏｌ）
１，４−ジオキサン：５ｍｌ
【０３０３】
次に、反応溶液を、室温で１５分間撹拌した。その後、反応溶液中に、以下に示す試薬を投入した。
化合物Ｊ３：５００ｍｇ（０．４９ｍｍｏｌ）
化合物Ｊ１６：３５０ｍｇ（０．５４ｍｍｏｌ）
酢酸カリウム：９９ｍｇ（０．９９ｍｍｏｌ）
【０３０４】
次に、反応溶液を１００℃に加熱して、この温度（１００℃）で６時間撹拌を行った。反応終了後、反応溶液を冷却した後、メタノールを加えて生じた析出物をろ過した後、この析出物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；ヘプタン：トルエン＝７：１）で精製した。以上により、例示化合物Ｂ５を、白色固体として３７０ｍｇ（収率５６％）得た。
【０３０５】
ＭＡＬＤＩによる質量分析法により、例示化合物Ｂ５のＭ+である１４８８を確認した。
【０３０６】
［実施例１０］例示化合物Ｂ１６の合成
（１）化合物Ｊ１０Ａの合成
実施例１（１）において、化合物Ｊ１の代わりに化合物Ｊ１０を用いたことを除いては、実施例１（１）と同様の方法により、化合物Ｊ１０Ａを合成した。
【０３０７】
【化４６】
2014203907.tif 000049
【０３０８】
（２）化合物Ｊ１５Ａの合成
実施例９（１）において、化合物Ｊ１４の代わりに下記に示される化合物Ｊ１７を用いたことを除いては、実施例９（１）と同様の方法により、化合物Ｊ１５Ａを合成した。
【０３０９】
【化４７】
2014203907.tif 000050
【０３１０】
（３）化合物Ｊ１６Ａの合成
実施例９（２）において、化合物Ｊ１５の代わりに（２）で合成した化合物Ｊ１５Ａを用いたことを除いては、実施例９（２）と同様の方法により、化合物Ｊ１６Ａを合成した。
【０３１１】
（４）例示化合物Ｂ１６の合成
実施例９（３）において、化合物Ｊ３の代わりに化合物Ｊ１０Ａを、化合物Ｊ１６の代わりに化合物Ｊ１６Ａを、それぞれ用いた。これらを除いては、実施例９（３）と同様の方法により、例示化合物Ｂ１６を合成した。
【０３１２】
ＭＡＬＤＩによる質量分析法により、例示化合物Ｂ１６のＭ+である１４８６を確認した。
【０３１３】
［実施例１１］例示化合物Ｃ３の合成
【０３１４】
【化４８】
2014203907.tif 000051
【０３１５】
反応容器内に、以下に示す試薬、溶媒を投入した。
トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）：４５ｍｇ（０．０５ｍｍｏｌ）
ｘ−ｐｈｏｓ：７１ｍｇ（０．１５ｍｍｏｌ）
トルエン：５ｍｌ
【０３１６】
次に、反応溶液を、室温で１５分間撹拌した。その後、反応溶液中に、以下に示す試薬を投入した。
化合物Ｊ３：１．０ｇ（０．９９ｍｍｏｌ）
化合物Ｊ１８：１６０ｍｇ（０．４７ｍｍｏｌ）
ターシャリーブトキシナトリウム：１７０ｍｇ（１．９ｍｍｏｌ）
【０３１７】
次に、反応溶液を１２０℃に加熱して、この温度（１２０℃）で５時間撹拌を行った。反応終了後、反応溶液を冷却した後、有機層をトルエンで抽出した。次に、抽出した有機層を乾燥した後、溶媒を減圧留去することで粗生成物を得た。次に、粗生成物について、熱時ろ過と、ヘプタンを用いた分散洗浄と、を順次行って精製を行うことにより、例示化合物物Ｃ３を、白色固体として７９０ｍｇ（収率７３％）得た。
【０３１８】
ＭＡＬＤＩによる質量分析により、例示化合物Ｃ３のＭ+である２２８８を確認した。
【０３１９】
［実施例１２］例示化合物Ｃ５の合成
実施例１１において、化合物Ｊ１８の代わりに下記に示される化合物Ｊ１９を用いることを除いては、実施例１１と同様の方法により例示化合物Ｃ５を合成した。
【０３２０】
【化４９】
2014203907.tif 000052
【０３２１】
ＭＡＬＤＩによる質量分析法により、例示化合物Ｃ５のＭ+である２５２０を確認した。
【０３２２】
［実施例１３］例示化合物Ｃ６の合成
【０３２３】
【化５０】
2014203907.tif 000053
【０３２４】
（１）化合物Ｊ２２の合成
反応容器内に、以下に示す試薬、溶媒を投入した。
化合物Ｊ２０：１．４４ｇ（５．００ｍｍｏｌ）
化合物Ｊ２１：２．１１ｇ（６．３３ｍｍｏｌ）
トルエン：１０ｍｌ
エタノール：１０ｍｌ
１０質量％炭酸ナトリウム水溶液：２０ｍｌ
【０３２５】
次に、反応溶液中に、テトラキストリフェニルフォスフィンパラジウム（０）を２８８ｍｇ（０．００２５ｍｍｏｌ）加えた後、反応溶液を９０℃に加熱し、この温度（９０℃）で５時間攪拌を行った。反応終了後、反応溶液を冷却した後、有機層をトルエンで抽出した。次に、抽出した有機層を乾燥した後、溶媒を減圧留去することで粗生成物を得た。次に、粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；ヘプタン：クロロホルム＝２：１）で精製することにより、化合物Ｊ２２を、１．５５ｇ（収率７２％）得た。
【０３２６】
（２）化合物Ｊ２３の合成
反応容器内に、以下に示す試薬、溶媒を投入した。
化合物Ｊ２２：１．０ｇ（２．３ｍｍｏｌ）
ビス（ピナコラート）ジボロン：１．１７ｇ（４．６ｍｍｏｌ）
酢酸カリウム：０．６８ｇ（６．９ｍｍｏｌ）
［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（ジクロロメタン付加物）：９４ｍｇ
１，４−ジオキサン：３００ｍｌ
【０３２７】
次に、反応溶液を１００℃に加熱して、この温度（１００℃）で４時間撹拌を行った。反応終了後、反応溶液を冷却した後、反応溶液を減圧濃縮することで粗生成物を得た。次に、この粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；ヘプタン：クロロホルム＝２：１）で精製することにより、化合物Ｊ２３を、０．９５ｇ（収率８５％）得た。
【０３２８】
（３）化合物Ｊ２４の合成
反応容器内に、以下に示す試薬、溶媒を投入した。
化合物Ｊ２２：０．６９６ｇ（１．６０ｍｍｏｌ）
化合物Ｊ２３：０．８０ｇ（１．６６ｍｍｏｌ）
トルエン：２０ｍｌ
エタノール：１０ｍｌ
１０質量％炭酸ナトリウム水溶液：２０ｍｌ
【０３２９】
次に、反応溶液中にテトラキストリフェニルフォスフィンパラジウム（０）を９６ｍｇ加えた後、反応溶液を９０℃に加熱してこの温度（９０℃）で５時間攪拌を行った。反応終了後、反応溶液を冷却した後、有機層をトルエンで抽出した。次に、抽出した有機層を乾燥した後、溶媒を減圧留去することで粗生成物を得た。次に、粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；ヘプタン：トルエン＝７：１）で精製することにより、化合物Ｊ２４を、１．１０ｇ（収率９７％）得た。
【０３３０】
（４）化合物Ｊ２５の合成
反応容器内に、以下に示す試薬、溶媒を投入した。
パラジウムジベンジリデンアセトン：８１ｍｇ
ｓ−ｐｈｏｓ：１３５ｍｇ
１，４−ジオキサン：３０ｍｌ
【０３３１】
次に、反応溶液を、室温で１５分間撹拌した。その後、反応溶液中に、以下に示す試薬を投入した。
化合物Ｊ２４：１．０ｇ（１．４１ｍｍｏｌ）
ビス（ピナコラート）ジボロン：１．７９ｇ（７．０５ｍｍｏｌ）
酢酸カリウム：８２９ｍｇ（８．４６ｍｍｏｌ）
【０３３２】
次に、反応溶液を１００℃に加熱してこの温度（１００℃）で７時間攪拌を行った。反応終了後、反応溶液を冷却した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；ヘプタン：クロロホルム＝１：１）で精製することにより、化合物Ｊ２５を９４３ｍｇ（収率７５％）得た。
【０３３３】
（５）例示化合物Ｃ６の合成
反応容器内に、以下に示す試薬、溶媒を投入した。
パラジウムジベンジリデンアセトン：２３ｍｇ
ｓ−ｐｈｏｓ：４３ｍｇ
トルエン：３ｍｌ
【０３３４】
次に、反応溶液を、室温で１５分間撹拌した。その後、反応溶液中に、以下に示す試薬、溶媒を投入した。
化合物Ｊ３：５４５ｍｇ（０．５３８ｍｍｏｌ）
化合物Ｊ２５：２００ｇ（０．２２４ｍｍｏｌ）
リン酸カリウム：２８５ｍｇ（１．３４ｍｍｏｌ）
水：０．５３ｍｌ
【０３３５】
次に、反応溶液を９５℃に加熱してこの温度（９５℃）で７時間攪拌を行った。反応終了後、反応溶液を冷却した。次に、反応溶液にヘプタン２０ｍｌを加えた後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；ヘプタン：クロロホルム＝３：１）で精製することにより、例示化合物Ｃ６を、白色固体として６５ｍｇ（収率１１％）得た。
【０３３６】
ＭＡＬＤＩによる質量分析法により、例示化合物Ｃ６のＭ+である２５９２を確認した。
【０３３７】
［実施例１４］例示化合物Ｃ２４の合成
（１）化合物Ｊ１０Ａの合成
実施例１（１）において、化合物Ｊ１の代わりに化合物Ｊ１０を用いたことを除いては、実施例１（１）と同様の方法により、化合物Ｊ１０Ａを合成した。
【０３３８】
【化５１】
2014203907.tif 000054
【０３３９】
（２）例示化合物Ｂ１６の合成
実施例１１において、化合物Ｊ３の代わりに化合物Ｊ１０Ａを用いた。これを除いては、実施例１１と同様の方法により、例示化合物Ｃ２４を合成した。
【０３４０】
ＭＡＬＤＩによる質量分析法により、例示化合物Ｃ２４のＭ+である２４８４を確認した。
【０３４１】
［実施例１５］例示化合物Ｄ２の合成
【０３４２】
【化５２】
2014203907.tif 000055
【０３４３】
（１）化合物Ｊ２７の合成
反応容器内に、以下に示す試薬、溶媒を投入した。
化合物Ｊ２６：０．５０ｇ（２．０ｍｍｏｌ）
ジクロロメタン：２０ｍｌ
【０３４４】
次に、ＮＢＳ（１．２ｇ、６．７ｍｍｏｌ）を加えた後、反応溶液を室温で１２時間撹拌した。次に、反応溶液を減圧濃縮することで得られた粗生成物についてシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相；トルエン）を用いた精製を行い、メタノールで分散洗浄した後、ヘプタン−メタノール混合溶媒による再結晶を行った。以上により、化合物Ｊ２７を４７０ｍｇ（収率４８％）得た。
【０３４５】
（２）化合物Ｊ２８の合成
反応容器内に、以下に示す試薬、溶媒を投入した。
トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）：４８ｍｇ（０．０５２ｍｍｏｌ）
トリ（ターシャリ‐ブチル）ホスフィン：４２ｍｇ（０．２１ｍｍｏｌ）
トルエン：５ｍｌ
【０３４６】
次に、反応溶液を、室温で１５分間撹拌した。その後、反応溶液中に、以下に示す試薬、溶媒を投入した。
化合物Ｊ２７：２５０ｍｇ（０．５２ｍｍｏｌ）
アニリン：５８０ｍｇ（６．２ｍｍｏｌ）
ターシャリーブトキシナトリウム：６００ｍｇ［６．２ｍｍｏｌ）
【０３４７】
次に、反応溶液を１００℃に加熱してこの温度（１００℃）で３時間攪拌を行った。反応終了後、反応溶液を冷却した後、反応溶液を減圧濃縮することで粗生成物を得た。次に、この粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；トルエン）で精製することにより、化合物Ｊ２８を１５０ｍｇ（収率５４％）得た。
【０３４８】
（３）例示化合物Ｄ２の合成
反応容器内に、以下に示す試薬、溶媒を投入した。
トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）：２９ｍｇ（０．０３２ｍｍｏｌ）
ｘ−ｐｈｏｓ：４５ｍｇ（０．０９５ｍｍｏｌ）
トルエン：３ｍｌ
【０３４９】
次に、反応溶液を、室温で１５分間撹拌した。その後、反応溶液中に、以下に示す試薬、溶媒を投入した。
化合物Ｊ３：３２０ｍｇ（０．３２ｍｍｏｌ）
化合物Ｊ２８：５０ｍｇ（０．０９６ｍｍｏｌ）
ターシャリーブトキシナトリウム：５５ｍｇ（０．５８ｍｍｏｌ）
【０３５０】
次に、反応溶液を９５℃に加熱してこの温度（９５℃）で７時間攪拌を行った。反応終了後、トルエンを用いた熱時ろ過を行った後、アルミナカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；トルエン）により精製した。次に、トルエン−エタノール混合溶媒による再結晶により、例示化合物Ｄ２を白色個体として１００ｍｇ（収率３１％）得た。
【０３５１】
ＭＡＬＤＩによる質量分析により、例示化合物Ｄ２のＭ+である３４４６を確認した。
【０３５２】
（比較例１）
実施例１（３）において、化合物Ｊ４の代わりに下記に示される化合物Ｊ２９を用いた。
【０３５３】
【化５３】
2014203907.tif 000056
【０３５４】
これを除いては、実施例１と同様の方法により、下記に示される比較化合物ｃ−１を合成した。
【０３５５】
【化５４】
2014203907.tif 000057
【０３５６】
ＭＡＬＤＩによる質量分析法により、例示化合物ｃ−１のＭ+である２１１９を確認した。
【０３５７】
［実施例１６］
本実施例では、基板上に、陽極、正孔輸送層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層及び陰極がこの順で形成されている有機発光素子を、以下に説明する方法により作製した。また、本実施例で使用した材料の一部を以下に列挙する。
【０３５８】
【化５５】
2014203907.tif 000058
【０３５９】
スパッタ法により、ガラス基板上に、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）を成膜して陽極を形成した。このとき陽極の膜厚を１２０ｎｍとした。次に、陽極が形成されている基板を、アセトン、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で順次超音波洗浄し、次いでＩＰＡで煮沸洗浄後乾燥した。さらに、ＵＶ／オゾン洗浄した。以上の方法で処理した基板を、透明導電性支持基板として、次の工程で使用した。
【０３６０】
次に、例示化合物Ａ６（重量濃度７５％）と、３級アリールアミン化合物Ｆ−３（重量濃度２５％）とを含むクロロホルム溶液を調製した。次に、スピンコート法により、透明導電性支持基板上に、調製したクロロホルム溶液を塗布・成膜することで正孔輸送層を形成した。このとき正孔輸送層の膜厚は３０ｎｍであった。次に、１×１０-5Ｐａの真空チャンバー内における抵抗加熱を用いた真空蒸着により、下記表３に示される有機化合物層及び電極層を連続成膜することにより、有機発光素子を作成した。
【０３６１】
【表３】
2014203907.tif 000059
【０３６２】
得られた有機発光素子は、１０００ｃｄ／ｍ2の輝度における発光効率が９．０ｃｄ／Ａであり、ＣＩＥ色度が（０．１５，０．２６）の青色発光が観測された。
【０３６３】
［実施例１７乃至２４、比較例２乃至６］
実施例１６において、正孔輸送層の構成材料を、下記表４に示されるように変更したことを除いては、実施例１６と同様の方法により有機発光素子を作製した。得られた有機発光素子について、実施例１６と同様の方法に素子特性を評価した。結果を表４に示す。
【０３６４】
【表４】
2014203907.tif 000060
【０３６５】
［実施例２５］
本実施例では、基板上に、陽極、正孔輸送層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層及び陰極がこの順で形成されている有機発光素子を、以下に説明する方法により作製した。また、本実施例で使用した材料の一部を以下に列挙する。
【０３６６】
【化５６】
2014203907.tif 000061
【０３６７】
スパッタ法により、ガラス基板上に、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）を成膜して陽極を形成した。このとき陽極の膜厚を１２０ｎｍとした。次に、陽極が形成されている基板を、アセトン、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で順次超音波洗浄し、次いでＩＰＡで煮沸洗浄後乾燥した。さらに、ＵＶ／オゾン洗浄した。以上の方法で処理した基板を、透明導電性支持基板として、次の工程で使用した。
【０３６８】
次に、例示化合物Ｂ５とクロロホルムとを混合して、濃度が０．２５重量％となるクロロホルム溶液を調製した。次に、このクロロホルム溶液を、ＩＴＯ電極上に滴下した後、最初に回転数５００ＲＰＭで１０秒、次に、回転数１０００ＲＰＭで１分間スピンコートを行い、膜を形成した。この後、８０℃の真空オーブンで１０分間乾燥して、薄膜中の溶剤を完全に除去することで正孔輸送層を形成した。このとき正孔輸送層の膜厚は３０ｎｍであった。
【０３６９】
次に、１×１０-5Ｐａの真空チャンバー内における抵抗加熱を用いた真空蒸着により、下記表５に示される有機化合物層及び電極層を連続成膜することにより、有機発光素子を作成した。
【０３７０】
【表５】
2014203907.tif 000062
【０３７１】
得られた有機発光素子は、１０００ｃｄ／ｍ2の輝度における発光効率が８．２ｃｄ／Ａであり、良好な青色発光が観測された。
【０３７２】
［実施例２６］
実施例２５において、正孔輸送層の構成材料として、例示化合物Ｂ５の代わりに例示化合物Ｂ１６を用いたこと以外は、実施例２５と同様の方法により有機発光素子を得た。
【０３７３】
得られた有機発光素子は、１０００ｃｄ／ｍ2の輝度における発光効率が８．４ｃｄ／Ａであり、良好な青色発光が観測された。
【０３７４】
［実施例２７］
実施例２５において、正孔輸送層の構成材料として、例示化合物Ｂ５の代わりに例示化合物Ｃ３を用いたこと以外は、実施例２５と同様の方法により有機発光素子を得た。
【０３７５】
得られた有機発光素子は、１０００ｃｄ／ｍ2の輝度における発光効率が８．７ｃｄ／Ａであり、良好な青色発光が観測された。
【０３７６】
［実施例２８］
実施例２５において、正孔輸送層の構成材料として、例示化合物Ｂ５の代わりに例示化合物Ｃ６を用いたこと以外は、実施例２５と同様の方法により有機発光素子を得た。
【０３７７】
得られた有機発光素子は、１０００ｃｄ／ｍ2の輝度における発光効率が８．４ｃｄ／Ａであり、良好な青色発光が観測された。
【０３７８】
［実施例２９］
実施例２５において、正孔輸送層の構成材料として、例示化合物Ｂ５の代わりに例示化合物Ｃ２４を用いたこと以外は、実施例２５と同様の方法により有機発光素子を得た。
【０３７９】
得られた有機発光素子は、１０００ｃｄ／ｍ2の輝度における発光効率が８．９ｃｄ／Ａであり、良好な青色発光が観測された。
【０３８０】
［実施例３０］
実施例２５において、正孔輸送層の構成材料として、例示化合物Ｂ５の代わりに例示化合物Ｄ２を用いたこと以外は、実施例２５と同様の方法により有機発光素子を得た。
【０３８１】
得られた有機発光素子は、１０００ｃｄ／ｍ2の輝度における発光効率が８．９ｃｄ／Ａであり、良好な青色発光が観測された。
【０３８２】
［比較例７］
実施例２５において、正孔輸送層の構成材料として、例示化合物Ｂ５の代わりに化合物ａ−１を用いたこと以外は、実施例２５と同様の方法により有機発光素子を得た。
【０３８３】
得られた有機発光素子は、１０００ｃｄ／ｍ2の輝度における発光効率が３．６ｃｄ／Ａであり、かつ、青色発光が観測された。
【０３８４】
［結果と考察］
以上のように、本発明のシルセスキオキサン化合物は、薄膜状態で低い吸光度かつ広いバンドギャップを有するため、高発光効率で駆動する有機発光素子を提供することが可能である。また、シルセスキオキサン化合物と３級アリールアミン化合物を含有し低い吸光度かつ広いバンドギャップを特徴とする混合薄膜層を用いることで、高発光効率で駆動する有機発光素子を提供することが可能である。
【符号の説明】
【０３８５】
１８：ＴＦＴ素子、２１：陽極、２２：有機化合物層、２３：陰極
【図１】
2014203907.tif 000093