(57)【要約】【課題】レベルシフタ回路にどのようなＭＯＳトランジスタを用いても充電器接続時に破壊されることがなく、レイアウト面積を縮小できる充放電制御回路及びバッテリ装置を提供する。【解決手段】二次電池の電圧を監視する制御回路の出力する充電制御信号の電圧をレベル変換するレベルシフタ回路は、ゲートがレベルシフタ回路の入力端子に接続され、ソースが第一電源端子に接続された第一導電型の第一トランジスタと、一方の端子がレベルシフタ回路の入力端子に接続された第一抵抗と、ゲートが第一抵抗の他方の端子に接続され、ドレインが第一トランジスタのドレインに接続され、ソースがレベル変換すべき電圧が入力される端子に接続された第二導電型の第二トランジスタと、ゲート及びドレインが第一抵抗の他方の端子に接続され、ソースがレベル変換すべき電圧が入力される端子に接続された第二導電型の第三トランジスタと、を備えた充放電制御回路。また、その充放電制御回路を備えたバッテリ装置。【選択図】図１
2014155283.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一端子と第二端子の間に接続される二次電池の充放電を制御する充放電制御回路であって、
前記充放電制御回路は、
前記第一端子と前記第二端子の間に接続され前記二次電池の電圧を監視する制御回路と、前記制御回路の出力する充電制御信号の電圧をレベル変換するレベルシフタ回路と、レベル変換すべき前記電圧が入力される第三端子と、を備え、
前記レベルシフタ回路は、
ゲートが前記レベルシフタ回路の入力端子に接続され、ソースが前記第一端子に接続された第一導電型の第一トランジスタと、
一方の端子が前記レベルシフタ回路の入力端子に接続された第一抵抗と、
ゲートが前記第一抵抗の他方の端子に接続され、ドレインが前記第一トランジスタのドレインに接続され、ソースが前記第三端子に接続された第二導電型の第二トランジスタと、
ゲート及びドレインが前記第一抵抗の他方の端子に接続され、ソースが前記第三端子に接続された第二導電型の第三トランジスタと、を備えた
ことを特徴とする充放電制御回路。
【請求項２】
前記レベルシフタ回路は、
アノードが前記第一トランジスタのドレインに接続され、カソードが前記第一端子に接続されたツェナーダイオードと、
前記第一トランジスタのドレインと前記第二トランジスタのドレインの間に接続された第二抵抗と、を更に備えた
ことを特徴とする請求項１に記載の充放電制御回路。
【請求項３】
前記レベルシフタ回路は、
カソードが前記第一トランジスタのドレインに接続され、アノードが前記第二端子に接続されたダイオードと、
前記第一トランジスタのドレインと前記第二トランジスタのドレインの間に接続された第二抵抗と、を更に備えた
ことを特徴とする請求項１に記載の充放電制御回路。
【請求項４】
充放電が可能な二次電池と、
前記二次電池の充放電経路に設けられた充放電制御スイッチと、
前記二次電池の電圧を監視し、前記充放電制御スイッチを開閉することによって前記二次電池の充放電を制御する請求項１から３のいずれかに記載の充放電制御回路と、を備えたバッテリ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、二次電池の電圧や異常を検知する充放電制御回路及びバッテリ装置に関し、特に、低電圧の信号を正極および負極の高電圧の信号に変換するレベルシフタ回路を内蔵した充放電制御回路及びバッテリ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図４に、従来の充放電制御回路を備えたバッテリ装置の回路図を示す。従来の充放電制御回路を備えたバッテリ装置は、二次電池１と、二次電池１の電圧を監視する制御回路２と、ＰＭＯＳトランジスタ４０１、４０８、４０９と、ＮＭＯＳトランジスタ４０２、４１０と、インバータ４０７と、二次電池１の充電と放電を制御するスイッチ回路３と、充電器８または負荷９が接続される外部端子４及び外部端子５と、レベルシフタ回路７４と、プルダウン抵抗４１１と、ＶＤＤ端子と、ＶＳＳ端子と、充電制御端子１３と、放電制御端子１２と、過電流検出端子１４を備えている。
【０００３】
レベルシフタ回路７４は、ＰＭＯＳトランジスタ４０３、４０５と、ＮＭＯＳトランジスタ４０４、４０６を備えている。スイッチ回路３は、放電制御スイッチ１０と充電制御スイッチ１１を備えている。
【０００４】
制御回路２は二次電池１の電圧を監視しており、充電器８が接続され二次電池１の電池電圧が過充電状態になった時、放電制御スイッチ１０をオンする様にＨｉｇｈの信号を出力し、充電制御スイッチ１１をオフする様にＨｉｇｈの信号を出力する。こうして充電器８からの充電電流が遮断され二次電池１への充電が停止される。負荷９が接続され二次電池１の電圧が過放電状態の時、制御回路２は放電制御スイッチ１０をオフする様にＬｏｗの信号を出力し、充電制御スイッチ１１をオンする様にＬｏｗの信号を出力する。こうして負荷９への放電電流が遮断され二次電池１の放電が停止される。
【０００５】
以上により、二次電池１が過充電または過放電になったとき放電制御スイッチ１０または充電制御スイッチ１１を制御して、充電電流または放電電流を停止させる事ができる（例えば、特許文献１図１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−２２５００７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来の技術では、レベルシフタ回路７４にゲート耐圧の低いトランジスタを用いて構成すると充電器接続時にトランジスタが破壊されてしまうという課題があった。また、充電器接続時の破壊を防止するため高耐圧構造のＭＯＳトランジスタを用いると、ＭＯＳトランジスタの面積が大きくなりレイアウト面積が増加するという課題があった。
【０００８】
本発明は、以上のような課題を解決するために考案されたものであり、レベルシフタ回路にどのようなＭＯＳトランジスタを用いても充電器接続時に破壊されることがなく、レイアウト面積を縮小できる充放電制御回路及びバッテリ装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
従来の課題を解決するために、本発明の充放電制御回路を備えたバッテリ装置は以下のような構成とした。
【００１０】
二次電池の電圧を監視する制御回路の出力する充電制御信号の電圧をレベル変換するレベルシフタ回路は、ゲートがレベルシフタ回路の入力端子に接続され、ソースが第一電源端子に接続された第一導電型の第一トランジスタと、一方の端子がレベルシフタ回路の入力端子に接続された第一抵抗と、ゲートが第一抵抗の他方の端子に接続され、ドレインが第一トランジスタのドレインに接続され、ソースがレベル変換すべき電圧が入力される端子に接続された第二導電型の第二トランジスタと、ゲート及びドレインが第一抵抗の他方の端子に接続され、ソースがレベル変換すべき電圧が入力される端子に接続された第二導電型の第三トランジスタと、を備えた充放電制御回路。また、その充放電制御回路を備えたバッテリ装置。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の充放電制御回路を備えたバッテリ装置によれば、レベルシフタ回路にどのようなＭＯＳトランジスタを用いても充電器接続時に破壊されることを防止することができる。また、ＭＯＳトランジスタの面積の小さい素子を使用できレイアウト面積を小さくできるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第一の実施形態の充放電制御回路を備えたバッテリ装置の回路図である。
【図２】第二の実施形態の充放電制御回路を備えたバッテリ装置の回路図である。
【図３】第三の実施形態の充放電制御回路を備えたバッテリ装置の回路図である。
【図４】従来の充放電制御回路を備えたバッテリ装置の回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本実施形態について図面を参照して説明する。
＜実施形態１＞
図１は、第一の実施形態の充放電制御回路を備えたバッテリ装置の回路図である。第一の実施形態の充放電制御回路を備えたバッテリ装置は、充放電制御回路２０と、二次電池１と、二次電池１の充電と放電を制御するスイッチ回路３と、充電器８または負荷９が接続される外部端子４及び外部端子５を備えている。
【００１４】
充放電制御回路２０は、二次電池１の電圧を監視する制御回路２と、ＰＭＯＳトランジスタ４０１、４０８、４０９と、ＮＭＯＳトランジスタ４０２、４１０と、レベルシフタ回路７１と、インバータ４０７と、プルダウン抵抗４１１と、ＶＤＤ端子と、ＶＳＳ端子と、充電制御端子１３と、放電制御端子１２と、過電流検出端子１４を備えている。
【００１５】
レベルシフタ回路７１は、ＮＭＯＳトランジスタ１０２、１０３と、ＰＭＯＳトランジスタ１０１と、抵抗１０４を備えている。スイッチ回路３は、放電制御スイッチ１０と充電制御スイッチ１１を備えている。
【００１６】
二次電池１の正極はＶＤＤ端子及び外部端子４に接続され、負極はＶＳＳ端子及び放電制御スイッチ１０のソース及びバックゲートに接続される。制御回路２は、第一の入力端子はＶＤＤ端子に接続され、第二の入力端子はＶＳＳ端子に接続され、第一の出力端子はＰＭＯＳトランジスタ４０１のゲートとＮＭＯＳトランジスタ４０２のゲートに接続され、第二の出力端子は放電制御端子１２に接続される。ＰＭＯＳトランジスタ４０１は、ソースはＶＤＤ端子に接続され、ドレインは抵抗１０４及びＰＭＯＳトランジスタ１０１のゲートに接続される。ＮＭＯＳトランジスタ４０２は、ソースはＶＳＳ端子に接続され、ドレインはＰＭＯＳトランジスタ１０１のゲートに接続される。ＮＭＯＳトランジスタ１０３は、ゲート及びドレインが抵抗１０４のもう一方の端子に接続され、ソースが過電流検出端子１４に接続される。ＰＭＯＳトランジスタ１０１は、ソースがＶＤＤ端子に接続され、ドレインがインバータ４０７の入力及びＮＭＯＳトランジスタ１０２のドレインに接続される。ＮＭＯＳトランジスタ１０２は、ゲートがＮＭＯＳトランジスタ１０３のゲートに接続され、ソースが過電流検出端子１４に接続される。ＰＭＯＳトランジスタ４０８は、ゲートがインバータ４０７の出力及びＮＭＯＳトランジスタ４１０のゲートに接続され、ドレインがＰＭＯＳトランジスタ４０９のソースに接続され、ソースがＶＤＤ端子に接続される。ＰＭＯＳトランジスタ４０９は、ゲートがＶＳＳ端子に接続され、ドレインがＮＭＯＳトランジスタ４１０のドレイン及びプルダウン抵抗４１１及び充電制御端子１３に接続される。ＮＭＯＳトランジスタ４１０のソースは過電流検出端子１４に接続され、プルダウン抵抗４１１のもう一方の端子は過電流検出端子１４に接続される。放電制御スイッチ１０は、ゲートは放電制御端子１２に接続され、ドレインは充電制御スイッチ１１のドレインに接続される。充電制御スイッチ１１は、ゲートは充電制御端子１３に接続され、ソース及びバックゲートは外部端子５及び過電流検出端子１４に接続される。
【００１７】
制御回路２は、二次電池１の電圧で動作し二次電池１の電圧を監視する。二次電池１の電圧が過充電電圧未満の場合、制御回路２は第一の出力端子と第二の出力端子にＨｉｇｈの信号を出力し、ＰＭＯＳトランジスタ４０１をオフ、ＮＭＯＳトランジスタ４０２をオンさせ、放電制御スイッチ１０をオンさせる。ＮＭＯＳトランジスタ４０２からはＬｏｗの信号が出力され、ＰＭＯＳトランジスタ１０１がオン、ＮＭＯＳトランジスタ１０２はオフされインバータ４０７にＨｉｇｈの信号が入力される。この信号を受けてインバータ４０７はＬｏｗの信号を出力しＰＭＯＳトランジスタ４０８をオン、ＮＭＯＳトランジスタ４１０をオフさせる。ＰＭＯＳトランジスタ４０９はオンしている状態のため、充電制御端子１３にＨｉｇｈの信号が出力され充電制御スイッチ１１をオンさせる。こうして、充電電流を許可し充電を可能とするように動作する。
【００１８】
二次電池１の電圧が増加し過充電電圧以上になった場合、制御回路２は第一の出力端子にＬｏｗ、第二の出力端子にＨｉｇｈの信号を出力し、ＰＭＯＳトランジスタ４０１をオン、ＮＭＯＳトランジスタ４０２をオフさせる。ＮＭＯＳトランジスタ４０１からはＨｉｇｈの信号が出力され、ＰＭＯＳトランジスタ１０１がオフ、ＮＭＯＳトランジスタ１０２はオンされインバータ４０７にＬｏｗの信号が入力される。この信号を受けてインバータ４０７はＨｉｇｈの信号を出力しＰＭＯＳトランジスタ４０８をオフ、ＮＭＯＳトランジスタ４１０をオンさせる。ＰＭＯＳトランジスタ４０９はオンしている状態のため、充電制御端子１３にＬｏｗの信号が出力され充電制御スイッチ１１をオフさせる。こうして、充電電流を遮断し充電を禁止するように動作する。
【００１９】
二次電池１の電圧が減少し過放電電圧以下になった場合、制御回路２は第一の出力端子にＨｉｇｈ、第二の出力端子にＬｏｗの信号を出力し、ＰＭＯＳトランジスタ４０１をオフ、ＮＭＯＳトランジスタ４０２をオンさせ、放電制御スイッチ１０をオフさせる。ＮＭＯＳトランジスタ４０２からはＬｏｗの信号が出力され、ＰＭＯＳトランジスタ１０１がオン、ＮＭＯＳトランジスタ１０２はオフされインバータ４０７にＨｉｇｈの信号が入力される。この信号を受けてインバータ４０７はＬｏｗの信号を出力しＰＭＯＳトランジスタ４０８をオン、ＮＭＯＳトランジスタ４１０をオフさせる。ＰＭＯＳトランジスタ４０９はオンしている状態のため、充電制御端子１３にＨｉｇｈの信号が出力され充電制御スイッチ１１をオンさせる。こうして、放電電流を遮断し放電を禁止するように動作する。
【００２０】
二次電池１の電圧がさらに減少しＰＭＯＳトランジスタ４０９のしきい値より低くなった場合、ＰＭＯＳトランジスタ４０９はオフし充電制御端子１３にＬｏｗの信号が出力され充電制御スイッチ１１をオフさせる。この場合は制御回路２の出力に関わらず充電制御端子１３にＬｏｗの信号が出力され、充電制御スイッチ１１をオフして充電電流を遮断し充電を禁止するように動作する。
【００２１】
充電制御スイッチ１１はオフすると、外部端子４と外部端子５の間には充電器８の開放電圧がかかり、レベルシフタ回路７１のＮＭＯＳトランジスタ１０２、１０３のゲートが開放電圧で破壊される事を防ぐ必要がある。充電器８の電流は、ＰＭＯＳトランジスタ４０１、抵抗１０４、ＮＭＯＳトランジスタ１０３、過電流検出端子１４を通って外部端子５に流れる。このため、充電器８の開放電圧は、ＰＭＯＳトランジスタ４０１のオン抵抗と抵抗１０４とＮＭＯＳトランジスタ１０３のオン抵抗で分圧され抵抗１０４を調節することでＮＭＯＳトランジスタ１０３のゲート・ソース間電圧を耐圧以下に設定することができる。
【００２２】
充電器の開放電圧をＶＣＨＡ、ＰＭＯＳトランジスタ４０１のオン抵抗値をＲＯＮ（４０１）、抵抗１０４の抵抗値をＲ１０４、ＮＭＯＳトランジスタ１０３のオン抵抗値をＲＯＮ（１０３）、ＮＭＯＳトランジスタ１０３と１０２のゲート・ソース間耐圧をＶＧＳＳとすると、ＮＭＯＳトランジスタ１０３と１０２のゲート・ソース間耐圧を以下のように設定することで破壊される事を防止する事ができる。
【００２３】
ＶＣＨＡ×ＲＯＮ（１０３）／（ＲＯＮ（４０１）＋Ｒ１０４＋ＲＯＮ（１０３））＜ＶＧＳＳ・・・（１）
ＮＭＯＳトランジスタ１０３のゲート・ソース間電圧は、ＮＭＯＳトランジスタ１０２のゲート・ソース間電圧と等しいので、ＮＭＯＳトランジスタ１０２のゲート・ソース間電圧も耐圧以下に設定することができる。こうして、ＮＭＯＳトランジスタ１０２、１０３のゲートには開放電圧がなくなるためゲート・ソース間耐圧の低いトランジスタを用いて構成することが可能になる。
【００２４】
以上により、抵抗１０４を調節することでＮＭＯＳトランジスタ１０２、１０３のゲートにゲート・ソース間耐圧以上の電圧がかかる事を防ぎ、ゲート・ソース間耐圧がどのようなＭＯＳトランジスタを用いても充電器接続時に破壊されることを防止することができる。また、ＭＯＳトランジスタの面積の小さい素子を使用できレイアウト面積を小さくすることができる。
【００２５】
＜実施形態２＞
図２は、第二の実施形態の充放電制御回路を備えたバッテリ装置の回路図である。第一の実施形態との違いは、ツェナーダイオード２０１と抵抗２０２を追加した点である。接続については、ＰＭＯＳトランジスタ１０１のドレインにツェナーダイオード２０１のアノードが接続され、ソースにツェナーダイオード２０１のカソードが接続される。抵抗２０２は、一方の端子はＰＭＯＳトランジスタ１０１のドレインに接続され、もう一方の端子はＮＭＯＳトランジスタ１０２のドレイン及びインバータ４０７の入力に接続される。他は図１の接続と同様である。
【００２６】
制御回路２は、二次電池１の電圧で動作し二次電池１の電圧を監視する。二次電池１の電圧が過充電電圧未満の場合、制御回路２は第一の出力端子と第二の出力端子にＨｉｇｈの信号を出力し、ＰＭＯＳトランジスタ４０１をオフ、ＮＭＯＳトランジスタ４０２をオンさせ、放電制御スイッチ１０をオンさせる。ＮＭＯＳトランジスタ４０２からはＬｏｗの信号が出力され、ＰＭＯＳトランジスタ１０１がオン、ＮＭＯＳトランジスタ１０２はオフされインバータ４０７にＨｉｇｈの信号が入力される。この信号を受けてインバータ４０７はＬｏｗの信号を出力しＰＭＯＳトランジスタ４０８をオン、ＮＭＯＳトランジスタ４１０をオフさせる。ＰＭＯＳトランジスタ４０９はオンしている状態のため、充電制御端子１３にＨｉｇｈの信号が出力され充電制御スイッチ１１をオンさせる。こうして、充電電流を許可し充電を可能とするように動作する。
【００２７】
二次電池１の電圧が増加し過充電電圧以上になった場合、制御回路２は第一の出力端子にＬｏｗ、第二の出力端子にＨｉｇｈの信号を出力し、ＰＭＯＳトランジスタ４０１をオン、ＮＭＯＳトランジスタ４０２をオフさせる。ＮＭＯＳトランジスタ４０１からはＨｉｇｈの信号が出力され、ＰＭＯＳトランジスタ１０１がオフ、ＮＭＯＳトランジスタ１０２はオンされインバータ４０７にＬｏｗの信号が入力される。この信号を受けてインバータ４０７はＨｉｇｈの信号を出力しＰＭＯＳトランジスタ４０８をオフ、ＮＭＯＳトランジスタ４１０をオンさせる。ＰＭＯＳトランジスタ４０９はオンしている状態のため、充電制御端子１３にＬｏｗの信号が出力され充電制御スイッチ１１をオフさせる。こうして、充電電流を遮断し充電を禁止するように動作する。
【００２８】
二次電池１の電圧が減少し過放電電圧以下になった場合、制御回路２は第一の出力端子にＨｉｇｈ、第二の出力端子にＬｏｗの信号を出力し、ＰＭＯＳトランジスタ４０１をオフ、ＮＭＯＳトランジスタ４０２をオンさせ、放電制御スイッチ１０をオフさせる。ＮＭＯＳトランジスタ４０２からはＬｏｗの信号が出力され、ＰＭＯＳトランジスタ１０１がオン、ＮＭＯＳトランジスタ１０２はオフされインバータ４０７にＨｉｇｈの信号が入力される。この信号を受けてインバータ４０７はＬｏｗの信号を出力しＰＭＯＳトランジスタ４０８をオン、ＮＭＯＳトランジスタ４１０をオフさせる。ＰＭＯＳトランジスタ４０９はオンしている状態のため、充電制御端子１３にＨｉｇｈの信号が出力され充電制御スイッチ１１をオンさせる。こうして、放電電流を遮断し放電を禁止するように動作する。
【００２９】
二次電池１の電圧がさらに減少しＰＭＯＳトランジスタ４０９のしきい値より低くなった場合、ＰＭＯＳトランジスタ４０９はオフし充電制御端子１３にＬｏｗの信号が出力され充電制御スイッチ１１をオフさせる。この場合は制御回路２の出力に関わらず充電制御端子１３にＬｏｗの信号が出力され、充電制御スイッチ１１をオフして充電電流を遮断し充電を禁止するように動作する。
【００３０】
充電制御スイッチ１１はオフすると、外部端子４と外部端子５の間には充電器８の開放電圧がかかり、レベルシフタ回路７１のＮＭＯＳトランジスタ１０２、１０３のゲートとＮＭＯＳトランジスタ１０２、ＰＭＯＳトランジスタ１０１のドレインが開放電圧で破壊される事を防ぐ必要がある。充電器８の電流は、ＰＭＯＳトランジスタ４０１、抵抗１０４、ＮＭＯＳトランジスタ１０３、過電流検出端子１４を通って外部端子５に流れる。このため、充電器８の開放電圧は、ＰＭＯＳトランジスタ４０１のオン抵抗と抵抗１０４とＮＭＯＳトランジスタ１０３のオン抵抗で分圧され抵抗１０４を調節することでＮＭＯＳトランジスタ１０３のゲート・ソース間電圧を耐圧以下に設定することができる。
【００３１】
充電器の開放電圧をＶＣＨＡ、ＰＭＯＳトランジスタ４０１のオン抵抗値をＲＯＮ（４０１）、抵抗１０４の抵抗値をＲ１０４、ＮＭＯＳトランジスタ１０３のオン抵抗値をＲＯＮ（１０３）、ＮＭＯＳトランジスタ１０３と１０２のゲート・ソース間耐圧をＶＧＳＳとすると、ＮＭＯＳトランジスタ１０３と１０２のゲート・ソース間耐圧を式１のように設定することで破壊される事を防止する事ができる。
【００３２】
ＮＭＯＳトランジスタ１０３のゲート・ソース間電圧は、ＮＭＯＳトランジスタ１０２のゲート・ソース間電圧と等しいので、ＮＭＯＳトランジスタ１０２のゲート・ソース間電圧も耐圧以下に設定することができる。こうして、ＮＭＯＳトランジスタ１０２、１０３のゲートには開放電圧がなくなるためゲート・ソース間耐圧の低いトランジスタを用いて構成することが可能になる。
【００３３】
充電器８の電流は、ツェナーダイオード２０１、抵抗２０２、ＮＭＯＳトランジスタ１０２、過電流検出端子１４を通って外部端子５に流れる。このため、充電器８の開放電圧は、ツェナーダイオード２０１のツェナー電圧と抵抗２０２とＮＭＯＳトランジスタ１０２のオン抵抗で分圧され、抵抗２０２を調節することでＰＭＯＳトランジスタ１０１のドレイン・ソース間電圧を耐圧以下に設定することができる。
【００３４】
ＰＭＯＳトランジスタ１０１とＮＭＯＳトランジスタ１０２のドレイン・ソース間耐圧をＶＤＳＳ、ツェナーダイオード２０１のツェナー電圧をＶｚ、抵抗２０２の抵抗値をＲ２０２、ＮＭＯＳトランジスタ１０２のオン抵抗をＲＯＮ（１０２）とする。Ｖｚ＜ＶＤＳＳと設定することでＰＭＯＳトランジスタ１０１のドレイン・ソース間電圧が破壊される事を防ぐことができる。充電制御スイッチ１１がオフの時は、ＮＭＯＳトランジスタ１０２のドレイン・ソース間電圧を以下のように設定することで破壊される事を防止する事ができる。
(ＶＣＨＡ−Ｖｚ)×ＲＯＮ（１０２）／（Ｒ２０２＋ＲＯＮ（１０２））＜ＶＤＳＳ・・・（２）
式２から、Ｒ２０２を調節することでＰＭＯＳトランジスタ１０１とＮＭＯＳトランジスタ１０２のドレイン・ソース間には開放電圧がかからなくなり、ドレイン耐圧の低いトランジスタを用いて構成することが可能になる。
【００３５】
以上により、抵抗１０４を調節することでＮＭＯＳトランジスタ１０２、１０３のゲートに開放電圧がかかる事を防ぎ、どのようなＭＯＳトランジスタを用いても充電器接続時に破壊されることを防止することができる。また、抵抗２０２を調節することでＰＭＯＳトランジスタ１０１とＮＭＯＳトランジスタ１０２のドレインに開放電圧がかかる事を防ぎ、どのようなＭＯＳトランジスタを用いても充電器接続時に破壊されることを防止することができる。さらにＭＯＳトランジスタの面積の小さい素子を使用できレイアウト面積を小さくすることができる。
【００３６】
＜実施形態３＞
図３は、第三の実施形態の充放電制御回路を備えたバッテリ装置の回路図である。第二の実施形態との違いは、ツェナーダイオード２０１をダイオード３０１に変更した点である。接続については、ダイオード３０１のカソードはＰＭＯＳトランジスタ１０１のドレインに接続され、アノードはＶＳＳ端子に接続される。他は図２の接続と同様である。
【００３７】
制御回路２は、二次電池１の電圧で動作し二次電池１の電圧を監視する。二次電池１の電圧が過充電電圧未満の場合、制御回路２は第一の出力端子と第二の出力端子にＨｉｇｈの信号を出力し、ＰＭＯＳトランジスタ４０１をオフ、ＮＭＯＳトランジスタ４０２をオンさせ、放電制御スイッチ１０をオンさせる。ＮＭＯＳトランジスタ４０２からはＬｏｗの信号が出力され、ＰＭＯＳトランジスタ１０１がオン、ＮＭＯＳトランジスタ１０２はオフされインバータ４０７にＨｉｇｈの信号が入力される。この信号を受けてインバータ４０７はＬｏｗの信号を出力しＰＭＯＳトランジスタ４０８をオン、ＮＭＯＳトランジスタ４１０をオフさせる。ＰＭＯＳトランジスタ４０９はオンしている状態のため、充電制御端子１３にＨｉｇｈの信号が出力され充電制御スイッチ１１をオンさせる。こうして、充電電流を許可し充電を可能とするように動作する。
【００３８】
二次電池１の電圧が増加し過充電電圧以上になった場合、制御回路２は第一の出力端子にＬｏｗ、第二の出力端子にＨｉｇｈの信号を出力し、ＰＭＯＳトランジスタ４０１をオン、ＮＭＯＳトランジスタ４０２をオフさせる。ＮＭＯＳトランジスタ４０１からはＨｉｇｈの信号が出力され、ＰＭＯＳトランジスタ１０１がオフ、ＮＭＯＳトランジスタ１０２はオンされインバータ４０７にＬｏｗの信号が入力される。この信号を受けてインバータ４０７はＨｉｇｈの信号を出力しＰＭＯＳトランジスタ４０８をオフ、ＮＭＯＳトランジスタ４１０をオンさせる。ＰＭＯＳトランジスタ４０９はオンしている状態のため、充電制御端子１３にＬｏｗの信号が出力され充電制御スイッチ１１をオフさせる。こうして、充電電流を遮断し充電を禁止するように動作する。
【００３９】
二次電池１の電圧が減少し過放電電圧以下になった場合、制御回路２は第一の出力端子にＨｉｇｈ、第二の出力端子にＬｏｗの信号を出力し、ＰＭＯＳトランジスタ４０１をオフ、ＮＭＯＳトランジスタ４０２をオンさせ、放電制御スイッチ１０をオフさせる。ＮＭＯＳトランジスタ４０２からはＬｏｗの信号が出力され、ＰＭＯＳトランジスタ１０１がオン、ＮＭＯＳトランジスタ１０２はオフされインバータ４０７にＨｉｇｈの信号が入力される。この信号を受けてインバータ４０７はＬｏｗの信号を出力しＰＭＯＳトランジスタ４０８をオン、ＮＭＯＳトランジスタ４１０をオフさせる。ＰＭＯＳトランジスタ４０９はオンしている状態のため、充電制御端子１３にＨｉｇｈの信号が出力され充電制御スイッチ１１をオンさせる。こうして、放電電流を遮断し放電を禁止するように動作する。
【００４０】
二次電池１の電圧がさらに減少しＰＭＯＳトランジスタ４０９のしきい値より低くなった場合、ＰＭＯＳトランジスタ４０９はオフし充電制御端子１３にＬｏｗの信号が出力され充電制御スイッチ１１をオフさせる。この場合は制御回路２の出力に関わらず充電制御端子１３にＬｏｗの信号が出力され、充電制御スイッチ１１をオフして充電電流を遮断し充電を禁止するように動作する。
【００４１】
充電制御スイッチ１１はオフすると、外部端子４と外部端子５の間には充電器８の開放電圧がかかり、レベルシフタ回路７１のＮＭＯＳトランジスタ１０２、１０３のゲートとＮＭＯＳトランジスタ１０２、ＰＭＯＳトランジスタ１０１のドレインが開放電圧で破壊される事を防ぐ必要がある。充電器８の電流は、ＰＭＯＳトランジスタ４０１、抵抗１０４、ＮＭＯＳトランジスタ１０３、過電流検出端子１４を通って外部端子５に流れる。このため、充電器８の開放電圧は、ＰＭＯＳトランジスタ４０１のオン抵抗と抵抗１０４とＮＭＯＳトランジスタ１０３のオン抵抗で分圧され抵抗１０４を調節することでＮＭＯＳトランジスタ１０３のゲート・ソース間電圧を耐圧以下に設定することができる。
【００４２】
充電器の開放電圧をＶＣＨＡ、ＰＭＯＳトランジスタ４０１のオン抵抗値をＲＯＮ（４０１）、抵抗１０４の抵抗値をＲ１０４、ＮＭＯＳトランジスタ１０３のオン抵抗値をＲＯＮ（１０３）、ＮＭＯＳトランジスタ１０３と１０２のゲート・ソース間耐圧をＶＧＳＳとすると、ＮＭＯＳトランジスタ１０３と１０２のゲート・ソース間耐圧を式１のように設定することで破壊される事を防止する事ができる。
【００４３】
ＮＭＯＳトランジスタ１０３のゲート・ソース間電圧は、ＮＭＯＳトランジスタ１０２のゲート・ソース間電圧と等しいので、ＮＭＯＳトランジスタ１０２のゲート・ソース間電圧も耐圧以下に設定することができる。こうして、ＮＭＯＳトランジスタ１０２、１０３のゲートには開放電圧がなくなるためゲート耐圧の低いトランジスタを用いて構成することが可能になる。
【００４４】
充電器８の電流は、二次電池１、ダイオード３０１、抵抗２０２、ＮＭＯＳトランジスタ１０２、過電流検出端子１４を通って外部端子５に流れる。このため、充電器８の開放電圧は、二次電池１の電圧とダイオード３０１の順方向電圧と抵抗２０２とＮＭＯＳトランジスタ１０２のオン抵抗で分圧され抵抗２０２を調節することでＰＭＯＳトランジスタ１０１のドレイン・ソース間電圧を耐圧以下に設定することができる。
【００４５】
ＰＭＯＳトランジスタ１０１とＮＭＯＳトランジスタ１０２のドレイン・ソース間耐圧をＶＤＳＳ、ダイオード３０１の順方向電圧をＶＦ、抵抗２０２の抵抗値をＲ２０２、ＮＭＯＳトランジスタ１０２のオン抵抗をＲＯＮ（１０２）、二次電池１の電圧をＶＢＡＴとする。ＶＢＡＴ＋ＶＦ＜ＶＤＳＳにＶＦを設定することでＰＭＯＳトランジスタ１０１のドレイン・ソース間電圧が破壊される事を防ぐことができる。充電制御スイッチ１１がオフの時は、ＮＭＯＳトランジスタ１０２のドレイン・ソース間電圧を以下のように設定することで破壊される事を防止する事ができる。
（ＶＣＨＡ−（（ＶＢＡＴ＋ＶＦ））×ＲＯＮ（１０２）／（Ｒ２０２＋ＲＯＮ（１０２））＜ＶＤＳＳ・・・（３）
式３から、Ｒ２０２を調節することでＰＭＯＳトランジスタ１０１とＮＭＯＳトランジスタ１０２のドレイン・ソース間には開放電圧がかからなくなり、ドレイン耐圧の低いトランジスタを用いて構成することが可能になる。
【００４６】
以上により、抵抗１０４を調節することでＮＭＯＳトランジスタ１０２、１０３のゲートに開放電圧がかかる事を防ぎ、どのようなＭＯＳトランジスタを用いても充電器接続時に破壊されることを防止することができる。また、抵抗２０２を調節することでＰＭＯＳトランジスタ１０１とＮＭＯＳトランジスタ１０２のドレインに開放電圧がかかる事を防ぎ、どのようなＭＯＳトランジスタを用いても充電器接続時に破壊されることを防止することができる。さらにＭＯＳトランジスタの面積の小さい素子を使用できレイアウト面積を小さくすることができる。
【００４７】
なお、本発明の実施形態は、ＶＳＳ端子と外部端子５の間に接続されたスイッチ回路３で二次電池１の充放電を制御する構成で説明したが、ＶＤＤ端子と外部端子４の間に接続されたスイッチ回路３で二次電池１の充放電を制御する構成であっても、レベルシフタ回路７１を構成するトランジスタの導電型を変更し、回路接続をそれに対応するように変更すれば、同様の効果を得ることが出来る。
【符号の説明】
【００４８】
１  二次電池
２  制御回路
３  スイッチ回路
８  充電器
１０  放電制御スイッチ
１１  充電制御スイッチ
２０  充放電制御回路
７１、７４  レベルシフタ回路
２０１  ツェナーダイオード
３０１  ダイオード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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