(57)【要約】      （修正有）【課題】導電膜の膜厚をインラインで測定可能な電子装置の製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも１つの絶縁膜１０２に少なくとも１つの凹部を形成する工程と、少なくとも１つの凹部の底面において少なくとも１つの絶縁膜の第１膜厚Ｔ１１を測定する工程と、少なくとも１つの凹部に、少なくとも１つの絶縁膜の上面と上面が同一面を形成する少なくとも１つの導電膜１０４を形成する工程と、少なくとも１つの凹部以外の領域において少なくとも１つの絶縁膜の第２膜厚Ｔ１２を測定する工程と、第２膜厚Ｔ１２から第１膜厚Ｔ１１を控除して少なくとも１つの導電膜の膜厚Ｔ１３を算出する工程と、を含む。【選択図】図４
2014007183.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの絶縁膜に少なくとも１つの凹部を形成する工程と、
前記少なくとも１つの凹部の底面において前記少なくとも１つの絶縁膜の第１膜厚を測定する工程と、
前記少なくとも１つの凹部に、前記少なくとも１つの絶縁膜の上面と上面が同一面を形成する少なくとも１つの導電膜を形成する工程と、
前記少なくとも１つの凹部以外の領域において前記少なくとも１つの絶縁膜の第２膜厚を測定する工程と、
前記第２膜厚から第１膜厚を控除して前記少なくとも１つの導電膜の膜厚を算出する工程と、を含む電子装置の製造方法。
【請求項２】
下層膜を形成する工程をさらに含み、
前記少なくとも１つの絶縁膜は、前記下層膜とは異なる材料で前記下層膜上に形成された第１絶縁膜であり、
前記少なくとも１つの凹部の深さは前記第１絶縁膜の膜厚よりも浅い請求項１に記載の電子装置の製造方法。
【請求項３】
下層膜を形成する工程をさらに含み、
前記少なくとも１つの絶縁膜は、前記下層膜とは異なる材料で前記下層膜上に形成された第１絶縁膜、及び前記第１絶縁膜とは異なる材料で前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜を有し、
前記少なくとも１つの凹部は、前記第２絶縁膜を貫通し、前記第１絶縁膜にその底面を有し、
前記第２膜厚は、前記第１絶縁膜の膜厚及び前記第２絶縁膜の膜厚の合計膜厚である請求項１に記載の電子装置の製造方法。
【請求項４】
下層膜を形成する工程と、
基準膜を形成する工程と、をさらに含み、
前記少なくとも１つの絶縁膜は、前記下層膜とは異なる材料で前記下層膜上に形成された第１絶縁膜、及び前記第１絶縁膜と同じ材料で前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜を有し、
前記少なくとも１つの凹部は、前記第２絶縁膜を貫通し、前記第１絶縁膜にその底面を有し、
前記基準膜は、前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜とは異なる材料で、前記第１絶縁膜の上面と前記基準膜の上面とが同一面を形成するように形成され、
前記第２膜厚は、前記第１絶縁膜の膜厚及び前記第２絶縁膜の膜厚の合計膜厚であり、
前記第２絶縁膜の膜厚は、前記基準膜上で測定する請求項１に記載の電子装置の製造方法。
【請求項５】
下層膜を形成する工程と、
基準膜を形成する工程と、をさらに含み、
前記少なくとも１つの絶縁膜は、前記下層膜とは異なる材料で前記下層膜上に形成された第１絶縁膜、及び前記第１絶縁膜と同じ材料で前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜を有し、
前記少なくとも１つの凹部の深さは、前記第１絶縁膜の膜厚より浅く、
前記基準膜は、前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜とは異なる材料で形成され、少なくとも上方に前記少なくとも１つの凹部が存在しない領域及び上方に前記少なくとも１つの凹部が存在する領域に存在し、前記第１絶縁膜の上面と前記基準膜の上面とが同一面を形成するように形成され、
前記第２膜厚は、前記第１絶縁膜の膜厚及び前記第２絶縁膜の膜厚の合計膜厚であり、
前記第１絶縁膜の膜厚及び前記第２絶縁膜の膜厚は、前記基準膜上で測定する請求項１に記載の電子装置の製造方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つの導電膜は、回路の一部を構成する第１導電膜、及び回路の一部を構成しない第２導電膜を有し、
前記第２導電膜の膜厚を測定することにより前記第１導電膜の膜厚を測定する請求項１に記載の電子装置の製造方法。
【請求項７】
前記少なくとも１つの凹部は、前記第１導電膜を形成するための第１凹部、及び前記第２導電膜を形成するための第２凹部を有し、
前記第１凹部の深さと前記第２凹部の深さは同じであり、
前記第１膜厚は前記第２凹部の底面において測定する請求項６に記載の電子装置の製造方法。
【請求項８】
下層膜を形成する工程をさらに含み、
前記少なくとも１つの絶縁膜は、前記下層膜とは異なる材料で前記下層膜上に形成された第１絶縁膜であり、
前記第１凹部及び前記第２凹部の深さは前記第１絶縁膜の膜厚よりも浅い請求項７に記載の電子装置の製造方法。
【請求項９】
下層膜を形成する工程をさらに含み、
前記少なくとも１つの絶縁膜は、前記下層膜とは異なる材料で前記下層膜上に形成された第１絶縁膜、及び前記第１絶縁膜とは異なる材料で前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜を有し、
前記第１凹部及び前記第２凹部は、前記第２絶縁膜を貫通し、前記第１絶縁膜にその底面を有し、
前記第２膜厚は、前記第１絶縁膜の膜厚及び前記第２絶縁膜の膜厚の合計膜厚である請求項７に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１０】
下層膜を形成する工程と、
基準膜を形成する工程と、をさらに含み、
前記少なくとも１つの絶縁膜は、前記下層膜とは異なる材料で前記下層膜上に形成された第１絶縁膜、及び前記第１絶縁膜と同じ材料で前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜を有し、
前記第１凹部及び前記第２凹部は、前記第２絶縁膜を貫通し、前記第１絶縁膜にその底面を有し、
前記基準膜は、前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜とは異なる材料で、前記第１絶縁膜の上面と前記基準膜の上面とが同一面を形成するように形成され、
前記第２膜厚は、前記第１絶縁膜の膜厚及び前記第２絶縁膜の膜厚の合計膜厚であり、
前記第２絶縁膜の膜厚は、前記基準膜上で測定する請求項７に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１１】
下層膜を形成する工程と、
基準膜を形成する工程と、をさらに含み、
前記少なくとも１つの絶縁膜は、前記下層膜とは異なる材料で前記下層膜上に形成された第１絶縁膜、及び前記第１絶縁膜と同じ材料で前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜を有し、
前記第１凹部及び前記第２凹部の深さは、前記第１絶縁膜の膜厚より浅く、
前記基準膜は、前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜とは異なる材料で形成され、少なくとも上方に前記第１凹部及び前記第２凹部が存在しない領域及び上方に前記第２凹部が存在する領域に存在し、前記第１絶縁膜の上面と前記基準膜の上面とが同一面を形成するように形成され、
前記第２膜厚は、前記第１絶縁膜の膜厚及び前記第２絶縁膜の膜厚の合計膜厚であり、
前記第１絶縁膜の膜厚及び前記第２絶縁膜の膜厚は、前記基準膜上で測定する請求項７に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第２絶縁膜の形成前に、前記第１絶縁膜上にエッチングストッパ膜を形成する工程をさらに含み、
前記第２膜厚は、前記第１絶縁膜の膜厚、前記第２絶縁膜の膜厚及び前記エッチングストッパ膜の膜厚の合計膜厚であり、
前記エッチングストッパ膜の膜厚は成膜条件より導き出す請求項４，５，１０及び１１のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１３】
前記基準膜は金属を含有する請求項４，５，１０及び１１のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１４】
前記基準膜を形成した後に、前記第１絶縁膜の膜厚を測定する請求項４又は１０に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第２凹部は、前記少なくとも１つの絶縁膜の膜厚を光学式測定法により測定可能な面積を有する請求項７〜１１のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第１凹部は、前記少なくとも１つの絶縁膜の膜厚を光学式測定法により測定可能な面積を有さない請求項７〜１１のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第１凹部及び前記第２凹部は同じ工程で形成する請求項７〜１１のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第１導電膜及び前記第２導電膜は同じ工程で形成する請求項６〜１１のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第２絶縁膜の膜厚は、前記少なくとも１つの導電膜を形成した後に測定する請求項３，４，５，９，１０及び１１のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法。
【請求項２０】
前記第１絶縁膜の膜厚は、前記少なくとも１つの導電膜を形成した後に測定する請求項２又は８に記載の電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置の製造方法に関する。本発明は、例えば、金属抵抗素子を有する電子装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体装置の製造工程においては、ダマシン加工技術を用いて配線を形成することがある。ダマシン加工においては、絶縁層に溝を形成し、当該溝に金属を埋め込み、絶縁層上に堆積した金属を化学的機械的研磨（ＣＭＰ；Chemical Mechanical Polishing）法を用いて除去することによって配線（以下「ダマシン配線」という）を形成する。配線抵抗は配線の断面積に依存するので、ダマシン配線の抵抗を制御するために、絶縁層に形成する溝の深さを測定する方法が開発されている（例えば特許文献１〜３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２２９４１４号公報
【特許文献２】特開２００２−９３８７０号公報
【特許文献３】特開２００１−１１８８３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
以下の分析は、本発明の観点から与えられる。
【０００５】
半導体装置等の電子装置においては、配線自体を抵抗素子として利用することがある。例えば、マイコン製品の高速ＯＣＯ（On Chip Oscillator）においては、低電流発生回路の抵抗素子としてポリシリコン抵抗が用いられることがある。しかしながら、ポリシリコン抵抗は、いわゆるピエゾ抵抗効果に起因して応力によって抵抗が変化してしまう。したがって、ポリシリコン抵抗では抵抗値を高精度に制御することが困難である。そこで、配線抵抗素子として、配線を金属層で形成したダマシン配線を用いることが提案されている。
【０００６】
ダマシン配線の抵抗値を制御する場合、その断面積を管理する必要がある。ダマシン配線の断面積を管理するためには、配線の幅及び膜厚（深さ・高さ）を把握する必要がある。配線の幅については、絶縁層に溝を形成するリソグラフィ技術によって制御することができる。しかしながら、配線の膜厚については、金属配線形成後に金属配線の膜厚を直接測定する技術は現段階では存在していない。そこで、電子装置製造後に、破壊的検査、すなわち電子装置断面の顕微鏡観察によって金属配線の膜厚を測定することが行われている。しかしながら、この方法では、製品の良否判定に時間を要すると共に、異常が発生したとしても迅速にその対応を採ることができず、製品ロスが発生してしまう。
【０００７】
特許文献１〜３に記載の方法によれば、金属埋め込み前における絶縁層の溝の深さを算出することはできる。しかしながら、金属埋め込み後にはＣＭＰ加工が行われるので、溝の深さとダマシン配線の膜厚が合致するとは限らない。すなわち、この方法ではダマシン配線の実効的な膜厚を把握することはできない。また、絶縁層の溝の深さの測定はＣＭＰ工程前に行われるので、この方法では、ＣＭＰ工程における研磨のばらつきや異常の発生を認識することができず、ダマシン配線の良否判定をするには、結局、製造後の破壊的検査に頼らざるを得ない。
【０００８】
そこで、時間的ロス及び製造コスト増大を回避するため、製造プロセスにおいてインラインで非破壊的にダマシン配線の膜厚を把握することが望まれている。
【０００９】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
一実施形態によれば、電子装置の製造方法は、絶縁膜に形成した凹部の底面において当該絶縁膜の第１膜厚を測定する工程と、当該凹部に、絶縁膜の上面と同一面を形成する導電膜を形成する工程と、導電膜を形成した後に凹部以外の領域において絶縁膜の第２膜厚を測定する工程と、第２膜厚から第１膜厚を控除して当該導電膜の膜厚を算出する工程と、を含む。
【発明の効果】
【００１１】
上記一実施形態によれば、導電膜の膜厚をインラインで測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施形態に係る電子装置の製造方法を説明するための概略図。
【図２】第１実施形態に係る電子装置の製造方法を説明するための概略図。
【図３】第１実施形態に係る電子装置の製造方法を説明するための概略図。
【図４】第１実施形態に係る電子装置の概略図、及びその製造方法を説明するための概略図。
【図５】第２実施形態に係る電子装置の製造方法を説明するための概略図。
【図６】第２実施形態に係る電子装置の製造方法を説明するための概略図。
【図７】第２実施形態に係る電子装置の製造方法を説明するための概略図。
【図８】第２実施形態に係る電子装置の製造方法を説明するための概略図。
【図９】第２実施形態に係る電子装置の概略図、及びその製造方法を説明するための概略図。
【図１０】第３実施形態に係る電子装置の製造方法を説明するための概略図。
【図１１】第３実施形態に係る電子装置の製造方法を説明するための概略図。
【図１２】第３実施形態に係る電子装置の製造方法を説明するための概略図。
【図１３】第３実施形態に係る電子装置の製造方法を説明するための概略図。
【図１４】第３実施形態に係る電子装置の製造方法を説明するための概略図。
【図１５】第３実施形態に係る電子装置の製造方法を説明するための概略図。
【図１６】第３実施形態に係る電子装置の概略図、及びその製造方法を説明するための概略図。
【図１７】第４実施形態に係る電子装置の概略図、及びその製造方法を説明するための概略図。
【図１８】第５実施形態に係る電子装置の製造方法を説明するための概略図。
【図１９】第５実施形態に係る電子装置の製造方法を説明するための概略図。
【図２０】第５実施形態に係る電子装置の製造方法を説明するための概略図。
【図２１】第５実施形態に係る電子装置の概略図、及びその製造方法を説明するための概略図。
【図２２】第６実施形態に係る電子装置の概略図、及びその製造方法を説明するための概略図。
【図２３】第７実施形態に係る電子装置の概略図、及びその製造方法を説明するための概略図。
【図２４】第８実施形態に係る電子装置の概略図、及びその製造方法を説明するための概略図。
【図２５】第９実施形態に係る電子装置の概略ブロック図。
【図２６】第１〜第８実施形態に係る電子装置の製造方法のフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下の説明において、図面参照符号は実施形態の理解を容易にするために付記しているものであり、図示の態様に限定することを意図するものではない。
【００１４】
第１実施形態に係る電子装置及びその製造方法について説明する。電子装置としては、例えば半導体装置が挙げられる。第１実施形態は、導電膜を形成するための凹部の深さが、当該凹部を形成する１つの絶縁層の厚さよりも浅い場合に適用可能である。図４に、第１実施形態に係る電子装置の概略図を示す。図１〜４に、第１実施形態に係る電子装置の製造方法を説明するための概略図を示す。以下の図面において、上図の（ａ）図は電子装置の中間製品の概略平面図である。下図の（ｂ）図は、（ａ）図のＢ−Ｂ線に沿った概略断面図である。
【００１５】
第１実施形態に係る電子装置１００は、下層膜１０１と、下層膜１０１上に形成された第１絶縁膜１０２と、第１絶縁膜１０２に形成された第１導電膜１０４と、を備える。
【００１６】
第１絶縁膜１０２は、ダマシン加工技術によって導電膜を形成する絶縁膜である。第１絶縁膜１０２は、光学式膜厚測定（例えば、光干渉方式）によって膜厚を測定可能なものであればよい。例えば、第１絶縁膜１０２として、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮ）等を使用することができる。第１絶縁膜１０２は、第１導電膜１０４以外の領域で、第１絶縁膜１０２の膜厚を測定可能な面積を有する。
【００１７】
下層膜１０１は、第１絶縁膜１０２の膜厚を測定することを可能にするものであればよく、第１絶縁膜１０２とは異なる材料であると好ましい。下層膜１０１としては、例えば、半導体基板、金属層、ポリシリコン層、絶縁層を使用することができる。
【００１８】
第１導電膜１０４は、例えば、ダマシン配線であり、回路の一部を形成する。第１実施形態において、第１導電膜１０４の膜厚Ｔ１３は、第１絶縁膜の膜厚Ｔ１２より薄くなっている。第１導電膜１０４の材料は、回路設計に応じて適宜好適なものを選択することができる。第１導電膜１０４の上面は、第１絶縁膜１０２の上面と同一面を形成している。第１導電膜１０４は、第１絶縁膜の膜厚を測定可能な面積を有する。
【００１９】
第１実施形態に係る電子装置１００の他の構成や各要素については、後述の製造方法の説明からも明らかにされる。
【００２０】
半導体装置１００によれば、その製造過程において、第１導電膜１０４の膜厚を測定することができる。
【００２１】
次に、第１実施形態に係る電子装置の製造方法について説明する。まず、下層膜１０１の上に、第１絶縁膜１０２を形成する（図１）。
【００２２】
次に、第１絶縁膜１０２に、導電膜を形成するための第１凹部１０２ａを形成する（図２）。第１凹部１０２ａは、例えば、ダマシン配線を埋め込む溝部の一部である。
【００２３】
次に、第１凹部１０２ａにおける第１絶縁膜１０２の第１膜厚Ｔ１１を測定する（矢印部分）。第１膜厚Ｔ１１は、下層膜１０１の上面と第１凹部１０２ａの底面との間隔となる。
【００２４】
次に、第１凹部１０２ａを埋め込むように、第１絶縁膜１０２上に導電膜前駆層１０３を形成する（図３）。
【００２５】
次に、ＣＭＰ法を用いて、少なくとも第１絶縁膜１０２上面上の導電膜前駆層１０３を除去して、第１凹部１０２ａに第１導電膜１０４を形成する（図４）。このとき、第１導電膜１０４の上面と第１絶縁膜１０２の上面は、同一面を形成するようにする。第１絶縁層１０２の上部が研磨され、第１絶縁層１０２は薄化されてもよい。
【００２６】
次に、第１導電膜１０４（第１凹部１０２ａ）以外の領域における第１絶縁膜１０２の第２膜厚Ｔ１２を測定する（矢印部分）。第２膜厚Ｔ１２は、ＣＭＰ工程後における下層膜１０１の上面と第１絶縁膜１０２の上面との間隔となる。図面上、第１導電膜１０４の近くで第２膜厚を測定しているが、第１絶縁膜１０２の膜厚を測定可能な部分であれば測定場所はいずれでもよい。
【００２７】
次に、第１絶縁膜１０２の第２膜厚Ｔ１２から第１膜厚Ｔ１１を控除して、第１導電膜１０４の膜厚Ｔ１３を算出する（Ｔ１３＝Ｔ１２−Ｔ１１）。これにより、第１導電膜１０４の膜厚をＴ１３として得ることができる。第１導電膜１０４がダマシン配線である場合には、ダマシン配線の膜厚を測定できることになる。
【００２８】
図１〜図４においては、下層膜１０１と第１絶縁膜１０２の２層の積層体を示したが、第１絶縁膜１０２の膜厚を測定可能であるならば、３層以上の積層体であってもよい。
【００２９】
第１実施形態においては、導電膜下の絶縁膜の膜厚及び導電膜形成後における導電膜以外の部分の絶縁膜の膜厚を測定することによって、導電膜の膜厚を算出する。したがって、第１実施形態によれば、ＣＭＰ工程後の導電膜の膜厚を測定することができるので、ＣＭＰ工程により絶縁膜が薄化したとしても、より正確な膜厚を測定することができる。また、導電膜の膜厚をインラインで非破壊的に測定することができる。これにより、製品不良や製造プロセスの異常を時間的ロスなく検出することができる。また、製品不良や異常に対して迅速に対応することができるので、製造コストの増大を抑制することができる。第１実施形態は、例えば、導電膜を抵抗素子として利用する場合等、導電膜の膜厚の製造管理が要求される場合に特に有用である。
【００３０】
次に、第２実施形態に係る電子装置及びその製造方法について説明する。第２実施形態は、導電膜を形成するための凹部が複数の絶縁層に亘る場合に適用可能である。図９に、第２実施形態に係る電子装置の概略図を示す。図５〜図９に、第２実施形態に係る電子装置の製造方法を説明するための概略図を示す。図５〜図９において、第１実施形態と同じ要素には同じ符号を付してある。
【００３１】
第２実施形態に係る電子装置２００は、下層膜１０１と、下層膜１０１上に形成された第１絶縁膜１０２と、第１絶縁膜１０２上に形成された第２絶縁膜２０１と、第２絶縁膜２０１から第１絶縁膜１０２にかけて形成された第１導電膜２０４と、を備える。下層膜１０１及び第１絶縁膜１０２は、第１実施形態と同様である。
【００３２】
第２絶縁膜２０１は、第１絶縁膜１０２上において光学式膜厚測定によって膜厚を測定可能なものであればよい。第２絶縁膜２０１は、第１絶縁膜１０２とは異なる材料にすると好ましい。例えば、第１絶縁膜１０２が酸化シリコンである場合、第２絶縁膜２０１は窒化シリコンで形成することができる。
【００３３】
第１導電膜２０４は、例えば、ダマシン配線であり、回路の一部を形成する。第２実施形態において、第１導電膜２０４の膜厚Ｔ２４は、第２絶縁膜２０１の膜厚Ｔ２３より厚く、第１絶縁膜１０２と第２絶縁膜２０１の合計膜厚Ｔ２１＋Ｔ２３より薄くなっている。第１導電膜２０４の材料は、回路設計に応じて適宜好適なものを選択することができる。第１導電膜２０４の上面は、第２絶縁膜２０１の上面と同一面を形成している。
【００３４】
第２実施形態に係る電子装置２００の他の構成や各要素については、後述の製造方法の説明からも明らかにされる。
【００３５】
電子装置２００によれば、その製造過程において、第１導電膜２０４の膜厚を測定することができる。
【００３６】
次に、第２実施形態に係る電子装置の製造方法について説明する。まず、第１実施形態と同様にして、下層膜１０１上に第１絶縁膜１０２を形成する（図５）。次に、第１絶縁膜１０２の第１膜厚Ｔ２１を測定する（矢印部分）。
【００３７】
次に、第１絶縁膜１０２上に第２絶縁膜２０１を形成する（図６）。
【００３８】
次に、第２絶縁膜２０１及び第１絶縁膜１０２に第１凹部２０２を形成する（図７）。第１凹部２０２は、第２絶縁膜２０１を貫通し、第１絶縁膜１０２を部分的に除去して形成されている。すなわち、第１凹部２０２の底面は第１絶縁膜１０２に形成されている。第１凹部２０２は、例えば、ダマシン配線を埋め込む溝部の一部である。
【００３９】
次に、第１凹部２０２における第１絶縁膜１０２の第２膜厚Ｔ２２を測定する（矢印部分）。第２膜厚Ｔ２２は、下層膜１０１の上面と第１凹部２０２の底面との間隔となる。
【００４０】
次に、第１凹部２０２を埋め込むように、第２絶縁膜２０１上に導電膜前駆層２０３を形成する（図８）。
【００４１】
次に、ＣＭＰ法を用いて、少なくとも第２絶縁膜２０１上面上の導電膜前駆層２０３を除去して、第１凹部２０２に第１導電膜２０４を形成する（図９）。このとき、第１導電膜２０４の上面と第２絶縁膜２０１の上面は、同一面を形成するようにする。第２絶縁層２０１の上部が研磨され、第２絶縁層２０１は薄化されてもよい。第１導電膜２０４は、例えば、ダマシン配線の一部である。
【００４２】
次に、第１導電膜２０４（第１凹部２０２）以外の領域における第２絶縁膜２０１の第３膜厚Ｔ２３を測定する（矢印部分）。
【００４３】
次に、第１導電膜２０４（第１凹部２０２）部分以外の領域における第１絶縁膜１０２の第１膜厚Ｔ２１と第２絶縁膜２０１の第３膜厚Ｔ２３の合計膜厚（Ｔ２１＋Ｔ２３）から、第１導電膜２０４（第１凹部２０２）部分の第１絶縁膜１０２の第２膜厚Ｔ２２を控除して、第１導電膜２０４の膜厚Ｔ２４を算出する（Ｔ２４＝Ｔ２１＋Ｔ２３−Ｔ２２）。これにより、導電膜の膜厚をＴ２４として得ることができる。
【００４４】
図５〜図９においては、凹部が貫通する絶縁膜が１層である形態を示したが、第２実施形態は、凹部が貫通する絶縁膜が２層以上であっても適用することができる。
【００４５】
第２実施形態における上記以外の形態は第１実施形態と同様である。
【００４６】
第２実施形態によれば、導電膜を形成する溝の深さが複数の絶縁層にまたがる場合であっても、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００４７】
次に、第３実施形態に係る電子装置及びその製造方法について説明する。第２実施形態においては、異なる種類の材料の絶縁膜が積層されていたが、第３実施形態は、同じ種類の材料の絶縁膜が積層されている場合に適用可能である。図１６に、第３実施形態に係る電子装置の概略図を示す。図１０〜図１６に、第３実施形態に係る電子装置の製造方法を説明するための概略図を示す。図１０〜図１６において、第１実施形態と同じ要素には同じ符号を付してある。
【００４８】
第３実施形態に係る電子装置３００は、下層膜１０１と、下層膜１０１上に形成された第１エッチングストッパ膜３０１と、第１エッチングストッパ膜３０１上に形成された第１絶縁膜１０２と、少なくとも第１絶縁膜１０２に形成された膜厚測定用の基準膜３０２（上層の絶縁膜の膜厚を測定する際に基準となる膜）と、第１絶縁膜１０２及び基準膜３０２上に形成された第２エッチングストッパ膜３０３と、第２エッチングストッパ膜３０３上に形成された第２絶縁膜３０４と、少なくとも第２絶縁膜３０４に形成された第１導電膜３０７と、を備える。下層膜１０１及び第１絶縁膜１０２は、第１実施形態と同様である。
【００４９】
第１導電膜３０７は、例えば、ダマシン配線であり、回路の一部を構成する。第１導電膜３０７の上面は、第２絶縁膜３０４の上面と同一面を形成している。
【００５０】
基準膜３０２は、第１絶縁膜１０２と第２絶縁膜３０４とが同種の材料である場合に、上層の第２絶縁膜３０４の膜厚を光学方式で測定可能とするための膜である。基準膜３０２は、第１導電膜３０７と重複しないような位置に形成する。基準膜３０２は、基準膜３０２上の第２絶縁膜３０４の膜厚測定を可能とする大きさ（面積）を有する。例えば、第２凹部１０２ｂの大きさＬ１は、５０μｍ以上とすると好ましい。基準膜３０２の上面は、第１絶縁膜１０２の上面と同一面を形成している。基準膜３０２の材料は、第１絶縁膜１０２上に形成する第２絶縁膜の材料に応じて選択する。すなわち、第２絶縁膜３０４の膜厚を基準膜３０２上の領域で光学方式を用いて測定することを可能とするような材料を選択する。第２絶縁膜３０４が酸化シリコンである場合、基準膜３０２の材料としては、金属を含有する材料、例えば、タングステン等の金属を選択することができる。基準膜３０２が導電体である場合、基準膜３０２は、電気的に浮いた状態（フローティング状態）にあってもよいし、回路の一部を構成してもよい。
【００５１】
第３実施形態に係る電子装置３００の他の構成や各要素については、後述の製造方法の説明からも明らかにされる。
【００５２】
半導体装置３００によれば、その製造過程において、第１導電膜３０７の膜厚を測定することができる。
【００５３】
次に、第３実施形態に係る電子装置の製造方法について説明する。まず、下層膜１０１の上に、第１エッチングストッパ膜３０１を形成する。次に、第１エッチングストッパ膜３０１上に、第１絶縁膜１０２を形成する（図１０）。例えば、下層膜１０１をポリシリコン、第１絶縁膜１０２を酸化シリコンで形成した場合、第１エッチングストッパ膜３０１は窒化シリコンで形成することができる。第１エッチングストッパ膜３０１は、下層膜１０１上の第１絶縁膜１０２のみをエッチング可能とするための膜である。下層膜１０１と第１絶縁膜１０２の材料の関係上、第１絶縁膜１０２のみをエッチング除去可能である場合には、第１エッチングストッパ膜３０１は設けなくともよい。
【００５４】
次に、第１絶縁膜１０２を部分的に除去して第２凹部１０２ｂを形成する（図１１）。第２凹部１０２ｂは、第１絶縁膜１０２を貫通するものであってもよいし、貫通しないものであってもよい。また、第２凹部１０２ｂは、第１エッチングストッパ３０１をも貫通するものであってもよい。第２凹部１０２ｂは、後の工程において導電膜（例えばダマシン配線）を形成しない領域に形成する。第２凹部１０２ｂの形状及び大きさは、第１絶縁膜１０２の上に形成する絶縁膜の膜厚を光学方式によって測定するのに必要な形状及び大きさを満たすものであればよい。図１１においては、第２凹部１０２ｂの平面形状は矩形としたが、これに限定することなく種々の形状を採ることができる。例えば、第２凹部１０２ｂの平面形状は、円形、楕円形、無定形であってもよい。第２凹部１０２ｂの大きさ（面積）は、第２凹部１０２ｂ上の絶縁膜の膜厚を測定可能となる大きさがあればよい。例えば、第２凹部１０２ｂの一辺の大きさＬ１は、５０μｍ以上とすると好ましい。
【００５５】
次に、第２凹部１０２ｂに、膜厚測定用の基準膜３０２を埋め込む（図１２）。基準膜３０２を金属で形成する場合、第１実施形態における導電膜と同様にして形成することができる。例えば、第２凹部１０２ｂを埋め込むように、第１絶縁膜１０２上に金属材料を堆積し（不図示）、ＣＭＰ法により第１絶縁膜１０２上の当該金属材料を除去することによって基準膜３０２を形成することができる。
【００５６】
次に、基準膜３０２以外の領域において第１絶縁膜１０２の第１膜厚Ｔ３１を測定する（矢印部分）。
【００５７】
次に、第１絶縁膜１０２及び基準膜３０２上に、第２エッチングストッパ膜３０３を形成する。次に、第２エッチングストッパ膜３０３上に、第２絶縁膜３０４を形成する（図１３）。第２絶縁膜３０４は、第１絶縁膜１０２と同じ材料とすることができる。例えば、第１絶縁膜１０２が酸化シリコンである場合、第２絶縁膜３０４も酸化シリコンとすることができる。第２絶縁膜３０４は、光学式膜厚測定（例えば、光干渉方式）によって膜厚を測定可能なものであれば、第１絶縁膜１０２と異なる材料であってもよい。第１絶縁膜１０２及び第２絶縁膜３０４が酸化シリコンである場合、第２エッチングストッパ膜３０３は、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）とすることができる。第１絶縁膜１０２と第２絶縁膜３０４の材料の関係上、第２絶縁膜３０４のみをエッチング除去可能である場合には、第２エッチングストッパ膜３０３は設けなくともよい。次に、第２エッチングストッパ膜３０３の成膜条件から第２エッチングストッパ膜３０３の第２膜厚Ｔ３２を導き出す。
【００５８】
次に、第２絶縁膜３０４、第２エッチングストッパ膜３０３及び第１絶縁膜１０２に第１凹部３０５を形成する（図１４）。第１凹部３０５は、第２絶縁膜３０４及び第２エッチングストッパ膜３０３を貫通し、第１絶縁膜１０２を部分的に除去して形成されている。第１凹部３０５の底面は第１絶縁膜１０２に形成されている。第１凹部３０５は、例えば、ダマシン配線を埋め込む溝部の一部である。
【００５９】
次に、第１凹部３０５における第１絶縁膜１０２の第３膜厚Ｔ３３を測定する（矢印部分）。第３膜厚Ｔ３３は、第１エッチングストッパ膜３０１の上面と第１凹部３０５の底面との間隔となる。
【００６０】
次に、第１凹部３０５を埋め込むように、第２絶縁膜３０４上に導電膜前駆層３０６を形成する（図１５）。
【００６１】
次に、ＣＭＰ法を用いて、少なくとも第２絶縁膜３０４上面上の導電膜前駆層３０６を除去して、第１凹部３０５に第１導電膜３０７を形成する（図１６）。このとき、第１導電膜３０７の上面と第２絶縁膜３０４の上面は、同一面を形成するようにする。第２絶縁層３０４の上部が研磨され、第２絶縁層３０４は薄化されてもよい。第１導電膜３０７は、例えば、ダマシン配線の一部である。
【００６２】
次に、基準膜３０２上の領域における第２絶縁膜３０４の第４膜厚Ｔ３４を測定する（矢印部分）。第４膜厚Ｔ３４は、ＣＭＰ工程後における第２エッチングストッパ膜３０３の上面と第２絶縁膜３０４の上面との間隔となる。第１絶縁膜１０２と第２絶縁膜３０４の材料が同じであっても、基準膜３０２が存在することにより、第２絶縁膜３０４のより正確な膜厚を測定することができるようになる。
【００６３】
次に、第１導電膜３０７部分以外の領域における第１絶縁膜１０２の第１膜厚Ｔ３１、第２エッチングストッパ膜３０３の第２膜厚Ｔ３２、及び基準膜３０２上の領域における第２絶縁膜３０４の第４膜厚Ｔ３４の合計膜厚（Ｔ３１＋Ｔ３２＋Ｔ３４）から、第１導電膜３０７部分における第１絶縁膜１０２の第３膜厚Ｔ３３を控除して、第１導電膜３０７の膜厚Ｔ３５を算出する（Ｔ３５＝Ｔ３１＋Ｔ３２＋Ｔ３４−Ｔ３３）。これにより、導電膜の膜厚をＴ３５として得ることができる。
【００６４】
第３実施形態における上記以外の形態は第１実施形態及び第２実施形態と同様である。
【００６５】
第３実施形態によれば、同種の絶縁膜を積層する場合であっても、基準膜を形成することにより、上層の絶縁膜の膜厚を測定することができる。これにより、同種の絶縁膜の積層体に形成した導電膜の膜厚を測定することができ、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６６】
次に、第４実施形態に係る電子装置及びその製造方法について説明する。第３実施形態において、導電膜は、第２実施形態と同様に複数の絶縁膜にわたって形成されていたが、第４実施形態においては、導電膜は１つの絶縁膜に形成されている。図１７に、第４実施形態に係る電子装置の概略図及びその製造方法を説明するための概略図を示す。図１７において、第１実施形態及び第３実施形態と同じ要素には同じ符号を付してある。
【００６７】
第４実施形態に係る電子装置４００においては、第１導電膜４０７は、第２絶縁膜３０４のみに形成されている。膜厚測定用の基準膜４０２は、第１導電膜４０７と重複していない領域のみならず、第１導電膜４０７と重複する領域にも形成されている。基準膜４０２の第１導電膜４０７と重複していない領域は、基準膜４０２上の第２絶縁膜３０４の膜厚測定を可能とする大きさ（面積）を有するようにする。図１７においては、基準膜４０２は、第１導電膜４０７と重複する領域と第１導電膜４０７と重複しない領域の両領域に延在するように一体的に図示しているが、それぞれの領域に別個の（分離した）部分を有するものであってもよい。電子装置４００におけるこれ以外の形態は、第３実施形態に係る電子装置と同様であり、その説明を省略する。
【００６８】
電子装置４００は、第３実施形態と同様の方法で製造することができる。第４実施形態においては、膜厚測定用の基準膜４０２を埋め込むための第２凹部１０２ｂを、第１導電膜４０７の下方の領域にも形成する。また、第１導電膜４０７を埋め込むための第１凹部３０４ａを、第１絶縁膜１０２まで掛からないように形成する。それ以外は、第３実施形態と同様の工程で各要素を形成することができる。
【００６９】
電子装置４００の製造方法における第１導電膜４０７の膜厚の測定方法は、第１実施形態と同様にして測定することができる。まず、第２絶縁膜３０４に第１凹部３０４ａを形成した後、基準膜４０２上の第１凹部３０４ａにおける第２絶縁膜３０４の第１膜厚Ｔ４１を測定する。第１膜厚Ｔ４１は、第２エッチングストッパ膜３０３の上面と第１凹部３０４ａの底面との間隔となる。次に、第１導電膜４０７を形成した後、基準膜４０２上の領域における第２絶縁膜３０４の第２膜厚Ｔ４２を測定する。第２膜厚Ｔ４２は、ＣＭＰ工程後における第２エッチングストッパ膜３０３の上面と第２絶縁膜３０４の上面との間隔となる。そして、基準膜４０２上の領域における第２絶縁膜３０４の第２膜厚Ｔ４２から、基準膜４０２上の第１導電膜４０７部分における第１絶縁膜１０２の第１膜厚Ｔ４１を控除して、第１導電膜４０７の膜厚Ｔ４３を算出する（Ｔ４３＝Ｔ４２−Ｔ４１）。これにより、第１導電膜４０７の膜厚をＴ４３として得ることができる。
【００７０】
第４実施形態における上記以外の形態は第１〜第３実施形態と同様である。
【００７１】
第４実施形態によれば、導電膜が１つの絶縁膜のみに形成されている場合であっても、第３実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００７２】
次に、第５実施形態に係る電子装置及びその製造方法について説明する。第１〜第４実施形態においては、ダマシン配線下等の絶縁膜の膜厚を測定する形態を示した。しかし、絶縁膜の膜厚を測定するためには所定の面積が必要である。第５実施形態は、回路設計等の都合上、回路領域において絶縁膜の膜厚を測定可能な面積を確保できない場合の形態である。図２１に、第５実施形態に係る電子装置の概略図を示す。図１８〜図２１に、第３実施形態に係る電子装置の製造方法を説明するための概略図を示す。図１８〜２１において、第１実施形態と同じ要素には同じ符号を付してある。
【００７３】
第５実施形態に係る電子装置５００は、回路を有する回路領域Ｙと、回路を有さない非回路領域である膜厚測定領域Ｘと、を備える。電子装置５００は、下層膜１０１と、下層膜１０１上に形成された第１絶縁膜１０２と、第１絶縁膜１０２に形成された第１導電膜１０４及び第２導電膜５０４と、を備える。第１導電膜１０４は回路領域Ｙに形成されている。第２導電膜５０４は、膜厚測定領域Ｘに形成されている。膜厚測定領域Ｘは、電子装置５００から切り離し可能な領域である。膜厚測定領域Ｘは、導電膜が形成されている第１領域Ｘ１と、導電膜が形成されていない第２領域Ｘ２と、を有する。下層膜１０１、第１絶縁膜１０２及び第１導電膜１０４は、第１実施形態と同様である。回路領域Ｙの構成は、第１実施形態の構成と同様である。
【００７４】
第２導電膜５０４は、第１導電膜１０４と同じ材料で形成されている。第２導電膜５０４の膜厚と第１導電膜１０４の膜厚は同一（Ｔ５３）である。第２導電膜５０４の上面は、第１導電膜１０４の上面及び第１絶縁膜１０２の上面と同一面を形成している。第２導電膜５０４は、電気的に浮いた状態（フローティング状態）にある。図２１においては、第２導電膜５０４の平面形状は矩形としたが、これに限定することなく種々の形状を採ることができる。例えば、第２導電膜５０４の平面形状は、円形、楕円形、無定形であってもよい。第２導電膜５０４の大きさ（面積）は、第２導電膜５０４部分の第１絶縁膜１０２の膜厚を測定可能となる大きさがあればよい。例えば、第２導電膜５０４の一辺の大きさＬ１は、５０μｍ以上とすると好ましい。
【００７５】
第２領域Ｘ２は、第２導電膜５０４が形成されていない部分の第１絶縁膜１０２の膜厚を測定するための領域である。第２領域Ｘ２の大きさ（面積）は、第１絶縁膜１０２の膜厚を測定可能となる大きさがあればよい。例えば、第２領域Ｘ２の一辺の大きさＬ２は、５０μｍ以上とすると好ましい。第２領域Ｘ２は、第１領域Ｘ１と隣接した領域でなくともよい。
【００７６】
第５実施形態に係る電子装置５００の他の構成や各要素については、後述の製造方法の説明からも明らかにされる。
【００７７】
半導体装置５００によれば、第１導電膜１０４を有する回路領域Ｙに絶縁膜の膜厚を測定するための十分な面積がなくとも、その製造過程において、第１導電膜１０４の膜厚を測定することができる。
【００７８】
次に、第５実施形態に係る電子装置の製造方法について説明する。膜厚測定領域Ｘを回路領域Ｙの製造工程と同一の工程で製造する。膜厚測定領域Ｘは、回路領域Ｙと共に第１実施形態に係る製造方法で製造することができる。まず、第１実施形態と同様にして、下層膜１０１の上に、第１絶縁膜１０２を形成する（図１８）。
【００７９】
次に、第１絶縁膜１０２を部分的に除去して、第１導電膜１０４を形成するための第１凹部１０２ａを回路領域Ｙに形成すると共に、第２導電膜５０４を形成するための第２凹部１０２ｂを膜厚測定領域Ｘに形成する（図１９）。第１凹部１０２ａは、例えば、ダマシン配線を埋め込む溝部の一部である。第１凹部１０２ａの寸法及び形状は回路設計に応じて適宜設定する。第１凹部１０２ａの形状及び大きさは、第１絶縁膜１０２の膜厚を光学方式によって測定するのに必要な形状及び大きさを満たさないものであってもよい。第２凹部１０２ｂの形状及び大きさは、第２凹部１０２ｂにおける第１絶縁膜１０２の膜厚を光学方式によって測定するのに必要な形状及び大きさを満たすものであればよい。図１９においては、第２凹部１０２ｂの平面形状は矩形としたが、これに限定することなく種々の形状を採ることができる。例えば、第２凹部１０２ｂの平面形状は、円形、楕円形、無定形であってもよい。第２凹部１０２ｂの大きさ（面積）は、光学方式によって絶縁膜の膜厚を測定可能となる大きさがあればよい。例えば、第２凹部１０２ｂの一辺の大きさＬ１は、５０μｍ以上とすると好ましい。第１凹部１０２ａ及び第２凹部１０２ｂは、その寸法及び形状を除いて、同一工程で（すなわち同一条件で同時に）形成する。これにより、第１凹部１０２ａ及び第２凹部１０２ｂは、第１絶縁膜１０２において同じ深さを有することになる。
【００８０】
次に、第２凹部１０２ｂにおける第１絶縁膜１０２の第１膜厚Ｔ５１を測定する（矢印部分）。第１膜厚Ｔ５１は、下層膜１０１の上面と第２凹部１０２ｂの底面との間隔となる。第２凹部１０２ｂにおける第１絶縁膜１０２の膜厚を測定することにより、第１凹部１０２ａにおける第１絶縁膜１０２の膜厚を得る。すなわち、第１膜厚Ｔ５１は、第１凹部１０２ａにおける第１絶縁膜１０２の膜厚でもある。
【００８１】
次に、第１凹部１０２ａ及び第２凹部１０２ｂを埋め込むように、第１絶縁膜１０２上に導電膜前駆層５０２を形成する（図２０）。導電膜前駆層５０２は、回路領域Ｙと膜厚測定領域Ｘとにおいて同一工程で（すなわち同一条件で同時に）形成する。
【００８２】
次に、ＣＭＰ法を用いて、少なくとも第１絶縁膜１０２上面上の導電膜前駆層５０２を除去して、第１凹部１０２ａに第１導電膜１０４を形成すると共に、第２凹部１０２ｂに第２導電膜５０４を形成する（図２１）。このとき、第１導電膜１０４の上面及び第２導電膜５０４の上面は、第１絶縁膜１０２の上面と同一面を形成するようにする。第１絶縁層１０２の上部が研磨され、第１絶縁層１０２は薄化されてもよい。回路領域Ｙと膜厚測定領域Ｘは、同一工程で（すなわち同一条件で同時に）研磨する。これにより、両領域において第１絶縁層１０２及び導電膜前駆層５０２が研磨除去される量は同じとなる。よって、第１導電膜１０４の膜厚と第２導電膜５０４とは同じ膜厚を有することになる。
【００８３】
次に、第１導電膜１０４（第１凹部１０２ａ）以外の第２領域Ｘ２における第１絶縁膜１０２の第２膜厚Ｔ５２を測定する（矢印部分）。第２膜厚Ｔ５２は、ＣＭＰ工程後における下層膜１０１の上面と第１絶縁膜１０２の上面との間隔となる。第２膜厚Ｔ５２を測定することにより、回路領域Ｙにおける第１絶縁膜１０２の膜厚を得る。
【００８４】
次に、第１絶縁膜１０２の第２膜厚Ｔ５２から第１膜厚Ｔ５１を控除して、第２導電膜５０４の膜厚Ｔ５３を算出する（Ｔ５３＝Ｔ５２−Ｔ５１）。第２導電膜５０４の膜厚と第１導電膜１０４の膜厚は同じであるので、第１導電膜１０４の膜厚をＴ５３として得ることができる。
【００８５】
第５実施形態における上記以外の形態は第１実施形態と同様である。
【００８６】
第５実施形態においては、第１導電膜１０４と同じ膜厚を有する第２導電膜５０４を別途形成し、第２導電膜５０４の膜厚を測定することによって第１導電膜１０４の膜厚を測定する。これにより、回路領域Ｙにおいて絶縁膜の膜厚を測定できない場合であっても、回路設計を変更することなく、第１導電膜１０４の膜厚を測定することができる。したがって、第５実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００８７】
次に、第６実施形態に係る電子装置及びその製造方法について説明する。第５実施形態においては、導電膜は１つの絶縁膜のみに形成されていたが、第６実施形態においては、導電膜は複数の絶縁膜にわたって形成されている。すなわち、第６実施形態は、第５実施形態に含まれている第１実施形態を第２実施形態に置換した形態である。図２２に、第６実施形態に係る電子装置の概略図及びその製造方法を説明するための概略図を示す。図２２において、第１実施形態、第２実施形態及び第５実施形態と同じ要素には同じ符号を付してある。
【００８８】
第６実施形態に係る電子装置６００は、下層膜１０１と、下層膜１０１上に形成された第１絶縁膜１０２と、第１絶縁膜１０２上に形成された第２絶縁膜２０１と、第２絶縁膜２０１から第１絶縁膜１０２にかけて形成された第１導電膜２０４及び第２導電膜６０４と、を備える。第２導電膜６０４は、膜厚測定領域Ｘに形成されている。すなわち、第２導電膜６０４は、第５実施形態における第２導電膜に相当する。回路領域Ｙの構成は、第２実施形態の構成と同様である。電子装置６００におけるこれ以外の形態は、第５実施形態に係る電子装置と同様であり、その説明を省略する。
【００８９】
電子装置６００は、第２実施形態及び第５実施形態と同様の方法で製造することができる。すなわち、膜厚測定領域Ｘは、回路領域Ｙと共に第２実施形態に係る製造方法で製造することができる。これにより、第２導電膜６０４は、第１導電膜２０４と同一の工程で形成されるので、第１導電膜２０４と同一の膜厚を有することができる。
【００９０】
電子装置６００の製造方法における第１導電膜２０４の膜厚の測定方法は第５実施形態と同様である。第１導電膜２０４の膜厚は、第２導電膜６０４の膜厚を測定することによって測定する。第２導電膜６０４の膜厚は、第２実施形態と同様にして測定することができる。まず、第１絶縁膜１０２を形成した後、膜厚測定領域Ｘにおいて第１絶縁膜１０２の第１膜厚Ｔ６１を測定する。次に、第２絶縁膜２０４及び第１絶縁膜１０２に第２凹部６０２を形成した後、第１領域Ｘ１において、第２凹部６０２における第１絶縁膜１０２の第２膜厚Ｔ６２を測定する。第２膜厚Ｔ６２は、下層膜１０１の上面と第２凹部６０２の底面との間隔となる。次に、第２導電膜６０４を形成した後、第２領域Ｘ２において、第２絶縁膜２０１の第３膜厚Ｔ６３を測定する。第３膜厚Ｔ６３は、ＣＭＰ工程後における第１絶縁膜１０２の上面と第２絶縁膜２０１の上面との間隔となる。そして、第２領域Ｘ２における第１絶縁膜１０２の第１膜厚Ｔ６１と第２絶縁膜２０１の第２膜厚Ｔ６３の合計膜厚（Ｔ６１＋Ｔ６３）から、第１領域Ｘ１の第２凹部６０２部分における第１絶縁膜１０２の第２膜厚Ｔ６２を控除して、第２導電膜６０４の膜厚Ｔ６４を算出する（Ｔ６４＝Ｔ６１＋Ｔ６３−Ｔ６２）。第２導電膜６０４の膜厚と第１導電膜２０４の膜厚は等しいので、第１導電膜２０４の膜厚をＴ６４として得ることができる。
【００９１】
第６実施形態における上記以外の形態は第２実施形態及び第５実施形態と同様である。
【００９２】
第６実施形態によれば、導電膜が複数の絶縁膜にわたって形成され、かつ回路領域に膜厚測定可能な領域がない場合であっても、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００９３】
次に、第７実施形態に係る電子装置及びその製造方法について説明する。第６実施形態においては、導電膜は、異なる種類の材料の絶縁膜が積層されていたが、第７実施形態においては、同じ種類の材料の絶縁膜が積層されている。すなわち、第７実施形態は、第６実施形態と第３実施形態とを組み合わせた形態である。図２３に、第７実施形態に係る電子装置の概略図及びその製造方法を説明するための概略図を示す。図２３において、第１実施形態、第３実施形態、第５実施形態及び第６実施形態と同じ要素には同じ符号を付してある。
【００９４】
第７実施形態に係る電子装置７００は、下層膜１０１と、下層膜１０１上に形成された第１エッチングストッパ膜３０１と、第１エッチングストッパ膜３０１上に形成された第１絶縁膜１０２と、少なくとも第１絶縁膜１０２に形成された膜厚測定用の基準膜３０２と、第１絶縁膜１０２及び基準膜３０２上に形成された第２エッチングストッパ膜３０３と、第２エッチングストッパ膜３０３上に形成された第２絶縁膜３０４と、第２絶縁膜３０４から第１絶縁膜１０２にかけて形成された第１導電膜３０７及び第２導電膜７０７と、を備える。第２導電膜７０７及び基準膜３０２は、膜厚測定領域Ｘに形成されている。第２導電膜７０７は、第６実施形態における第２導電膜に相当する。基準膜３０２は、導電膜が形成されていない第２領域Ｘ２に形成されている。回路領域Ｙの構成は、基準膜３０２を除いて第３実施形態と同様である。電子装置７００におけるこれ以外の形態は、第３実施形態及び第６実施形態に係る電子装置と同様であり、その説明を省略する。
【００９５】
電子装置７００は、第３実施形態及び第６実施形態と同様の方法で製造することができる。すなわち、膜厚測定領域Ｘは、回路領域Ｙと共に第３実施形態に係る製造方法で製造することができる。これにより、第２導電膜７０７は、第１導電膜３０７と同一の工程で形成されるので、第１導電膜３０７と同一の膜厚を有することができる。
【００９６】
電子装置７００の製造方法における第１導電膜３０７の膜厚の測定方法は第３実施形態及び第６実施形態と同様である。第１導電膜３０７の膜厚は、第２導電膜７０７の膜厚を測定することによって測定する。第２導電膜７０７の膜厚は、第３実施形態と同様にして測定することができる。まず、膜厚測定用の基準膜３０２を形成した後、第１領域Ｘ１において、第１絶縁膜１０２の第１膜厚Ｔ７１を測定する。第２エッチングストッパ膜３０３を形成した後、成膜条件から第２エッチングストッパ膜３０３の第２膜厚Ｔ７２を導き出す。次に、第２絶縁膜３０４、第２エッチングストッパ膜３０３及び第１絶縁膜１０２に第２凹部７０５を形成した後、第１領域Ｘ１において、第２凹部７０５における第１絶縁膜１０２の第３膜厚Ｔ７３を測定する。第３膜厚Ｔ７３は、第１エッチングストッパ膜３０１の上面と第２凹部７０５の底面との間隔となる。次に、第２導電膜７０７を形成した後、第２領域Ｘ２の基準膜３０２上において、第２絶縁膜３０４の第４膜厚Ｔ７４を測定する。第４膜厚Ｔ７４は、ＣＭＰ工程後における第２エッチングストッパ膜３０３の上面と第２絶縁膜３０４の上面との間隔となる。そして、膜厚測定領域Ｘにおける第１絶縁膜１０２の第１膜厚Ｔ７１、第２エッチングストッパ膜３０３の第２膜厚Ｔ７２及び第２絶縁膜３０４の第２膜厚Ｔ７４の合計膜厚（Ｔ７１＋Ｔ７２＋Ｔ７４）から、第１領域Ｘ１の第２凹部７０５部分における第１絶縁膜１０２の第３膜厚Ｔ７３を控除して、第２導電膜７０７の膜厚Ｔ７５を算出する（Ｔ７５＝Ｔ７１＋Ｔ７２＋Ｔ７４−Ｔ７３）。第２導電膜７０７の膜厚と第１導電膜３０７の膜厚は等しいので、第１導電膜３０７の膜厚をＴ７５として得ることができる。
【００９７】
第７実施形態における上記以外の形態は第１〜第３実施形態、第５実施形態及び第６実施形態と同様である。
【００９８】
第７実施形態によれば、導電膜が複数の絶縁膜にわたって形成され、回路領域に膜厚測定可能な領域がなく、かつ同種の絶縁膜が積層されている場合であっても、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００９９】
次に、第８実施形態に係る電子装置及びその製造方法について説明する。第７実施形態においては、導電膜は、複数の絶縁膜にわたって形成されていたが、第８実施形態においては、導電膜は１つの絶縁膜に形成されている。すなわち、第８実施形態は、第７実施形態と第４実施形態とを組み合わせた形態である。図２４に、第８実施形態に係る電子装置の概略図及びその製造方法を説明するための概略図を示す。図２４において、第１実施形態、第３実施形態、第４実施形態、第５実施形態及び第７実施形態と同じ要素には同じ符号を付してある。
【０１００】
第８実施形態に係る電子装置８００は、下層膜１０１と、下層膜１０１上に形成された第１エッチングストッパ膜３０１と、第１エッチングストッパ膜３０１上に形成された第１絶縁膜１０２と、少なくとも第１絶縁膜１０２に形成された膜厚測定用の基準膜４０２と、第１絶縁膜１０２及び基準膜４０２上に形成された第２エッチングストッパ膜３０３と、第２エッチングストッパ膜３０３上に形成された第２絶縁膜３０４と、第２絶縁膜３０４に形成された第１導電膜４０７及び第２導電膜８０７と、を備える。第２導電膜８０７及び基準膜４０２は、膜厚測定領域Ｘに形成されている。第２導電膜８０７は、第５実施形態における第２導電膜に相当する。基準膜４０２は、第２導電膜８０７が存在する第１領域及び第２導電膜８０７が存在しない第２領域Ｘ２の両方に形成されている。回路領域Ｙの構成は、基準膜を除いて第４実施形態と同様である。電子装置８００におけるこれ以外の形態は、第４実施形態及び第５実施形態に係る電子装置と同様であり、その説明を省略する。
【０１０１】
電子装置８００は、第４実施形態及び第５実施形態と同様の方法で製造することができる。すなわち、膜厚測定領域Ｘは、回路領域Ｙと共に第４実施形態に係る製造方法で製造することができる。これにより、第２導電膜８０７は、第１導電膜４０７と同一の工程で形成されるので、第１導電膜４０７と同一の膜厚を有することができる。
【０１０２】
電子装置８００の製造方法における第１導電膜４０７の膜厚の測定方法は第４実施形態及び第５実施形態と同様である。第１導電膜４０７の膜厚は、第２導電膜８０７の膜厚を測定することによって測定する。第２導電膜８０７の膜厚は、第４実施形態と同様にして測定することができる。まず、第２絶縁膜３０４に第２凹部８０４を形成した後、第１領域Ｘ１において、膜厚測定用の基準膜４０２上の第２凹部８０４における第２絶縁膜３０４の第１膜厚Ｔ８１を測定する。第１膜厚Ｔ８１は、第２エッチングストッパ膜３０３の上面と第２凹部８０４の底面との間隔となる。次に、第２導電膜８０７を形成した後、第２領域Ｘ２において、基準膜４０２上の領域における第２絶縁膜３０４の第２膜厚Ｔ８２を測定する。第２膜厚Ｔ８２は、ＣＭＰ工程後における第２エッチングストッパ膜３０３の上面と第２絶縁膜３０４の上面との間隔となる。そして、第２領域Ｘ２の基準膜４０２上の領域における第２絶縁膜３０４の第２膜厚Ｔ８２から、第１領域Ｘ１の第２導電膜８０７部分における第２絶縁膜３０４の第１膜厚Ｔ８１を控除して、第２導電膜８０７の膜厚Ｔ８３を算出する（Ｔ８３＝Ｔ８２−Ｔ８１）。これにより、第２導電膜８０７の膜厚をＴ８３として得ることができる。第２導電膜８０７の膜厚と第１導電膜４０７の膜厚は等しいので、第１導電膜４０７の膜厚をＴ８３として得ることができる。
【０１０３】
第８実施形態における上記以外の形態は第１〜第７実施形態と同様である。
【０１０４】
第８実施形態によれば、導電膜が１つの絶縁膜に形成され、回路領域に膜厚測定可能な領域がなく、かつ同種の絶縁膜が積層されている場合であっても、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１０５】
次に、第１実施形態〜第８実施形態に係る電子装置を製造するための第９実施形態に係る電子装置の製造装置について説明する。図２５に、第９実施形態に係る電子装置の概略ブロック図を示す。
【０１０６】
電子装置の製造装置１０は、絶縁膜及びエッチングストッパ膜を形成する絶縁膜形成ユニット１２と、導電膜を形成する導電膜形成ユニット１３と、絶縁膜等に凹部や溝部を形成するエッチングユニット１４と、導電膜等を化学的機械的研磨するＣＭＰユニット１５と、絶縁膜の膜厚を測定する膜厚測定ユニット１６、各ユニットの動作を制御・統括する制御ユニット１１と、を備える。
【０１０７】
電子装置の製造装置１０の動作を電子装置の製造方法と共に説明する。図２６に、第１〜第８実施形態に係る電子装置の製造方法のフローチャートを示す。図２６に示すフローチャートは、第１〜第８実施形態を総括するフローを示す。エッチングストッパ膜の形成に関する説明については省略する。まず、回路領域の設計において、回路領域に絶縁膜の膜厚を測定可能な箇所がない場合には（Ｓ１）、膜厚測定領域の設計を追加する（Ｓ２）。なお、以下の説明においては、回路領域と膜厚測定領域とを区別せずに説明する。次に、電子装置の製造を開始する。絶縁膜形成ユニット１２及び導電膜形成ユニット１３は、下層膜を形成し、絶縁膜を２層以上形成する場合には絶縁膜形成ユニット１２は下層絶縁膜を形成する（Ｓ３）。下層絶縁膜と上層絶縁膜が同種である場合には（Ｓ４）、エッチングユニット１４は下層絶縁膜に凹部を形成し、絶縁膜形成ユニット１２又は導電膜形成ユニット１３及びＣＭＰユニット１４は下層絶縁膜に膜厚測定用の基準膜を形成する（Ｓ５）。導電膜を形成するための凹部・溝部が上層絶縁膜と下層絶縁膜の両層にわたって形成される場合には、すなわち凹部・溝部が上層絶縁膜を貫通する場合には、膜厚測定ユニット１６は、上層絶縁膜を形成する前に下層絶縁膜の膜厚を測定する（Ｓ７）。次に、絶縁膜形成ユニット１２は、下層絶縁膜上に上層絶縁膜を形成する（Ｓ８）。次に、エッチングユニット１４は、導電膜を埋め込むための凹部・溝部を絶縁膜に形成する（Ｓ９）。次に、膜厚測定ユニット１６は、凹部下部の絶縁膜の膜厚を測定する（Ｓ１０）。次に、導電膜形成ユニット１３及びＣＭＰユニット１５は当該凹部に導電膜を形成する（Ｓ１１）。次に、膜厚測定ユニット１６は、ＣＭＰ後の上層絶縁膜の膜厚を測定する（Ｓ１２）。そして、絶縁膜全体の膜厚から凹部下部の膜厚を控除することによって導電膜の膜厚を算出する（Ｓ１３）。制御ユニット１１は、これらの工程を各ユニットに動作させる。
【０１０８】
第９実施形態によれば、電子装置の製造ラインにおいて、非破壊的に、ダマシン配線等ダマシン技術によって形成された導電膜の膜厚を測定することができる。これにより、膜厚確認のための時間的ロスの発生を回避することができると共に、製造コストを削減することができる。
【０１０９】
本発明の電子装置及びその製造方法並びに電子装置の製造装置は、上記実施形態に基づいて説明されているが、上記実施形態に限定されることなく、本発明の範囲内において、かつ本発明の基本的技術思想に基づいて、種々の開示要素（各請求項の各要素、各実施形態ないし実施例の各要素、各図面の各要素等を含む）に対し種々の変形、変更及び改良を含むことができることはいうまでもない。また、本発明の請求の範囲の枠内において、種々の開示要素（各請求項の各要素、各実施形態ないし実施例の各要素、各図面の各要素等を含む）の多様な組み合わせ・置換ないし選択が可能である。
【０１１０】
実施の形態に記載された内容の一部を以下に記載する。
【０１１１】
（１）
第１視点によれば、電子装置の製造方法は、ダマシン法を用いて少なくとも１つの絶縁膜に少なくとも１つの導電膜を形成する工程と、少なくとも１つの導電膜下部における少なくとも１つの絶縁膜の第１膜厚を測定する工程と、少なくとも１つの導電膜以外の領域において少なくとも１つの絶縁膜の第２膜厚を測定する工程と、第２膜厚から第１膜厚を控除して少なくとも１つの導電膜の膜厚を算出する工程と、を含む。
（２）
上記第１視点において、第１膜厚は、少なくとも１つの導電膜を形成する前に測定する。
（３）
上記第１視点において、第２膜厚は、少なくとも１つの導電膜を形成した後に測定する。
（４）
第１視点によれば、電子装置の製造方法は、少なくとも１つの絶縁膜に少なくとも１つの凹部を形成する工程と、少なくとも１つの凹部の底面において少なくとも１つの絶縁膜の第１膜厚を測定する工程と、少なくとも１つの凹部に、少なくとも１つの絶縁膜の上面と上面が同一面を形成する少なくとも１つの導電膜を形成する工程と、少なくとも１つの凹部以外の領域において少なくとも１つの絶縁膜の第２膜厚を測定する工程と、第２膜厚から第１膜厚を控除して少なくとも１つの導電膜の膜厚を算出する工程と、を含む。
（５）
上記第１視点及び第２視点において、電子装置の製造方法は、下層膜を形成する工程をさらに含む。少なくとも１つの絶縁膜は、下層膜とは異なる材料で下層膜上に形成された第１絶縁膜である。少なくとも１つの凹部の深さは第１絶縁膜の膜厚よりも浅い。
（６）
上記第１視点及び第２視点において、電子装置の製造方法は、下層膜を形成する工程をさらに含む。少なくとも１つの絶縁膜は、下層膜とは異なる材料で下層膜上に形成された第１絶縁膜、及び第１絶縁膜とは異なる材料で第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜を有する。少なくとも１つの凹部は、第２絶縁膜を貫通し、第１絶縁膜にその底面を有する。第２膜厚は、第１絶縁膜の膜厚及び第２絶縁膜の膜厚の合計膜厚である。
（７）
上記第１視点及び第２視点において、電子装置の製造方法は、下層膜を形成する工程と、基準膜を形成する工程と、をさらに含む。少なくとも１つの絶縁膜は、下層膜とは異なる材料で下層膜上に形成された第１絶縁膜、及び第１絶縁膜と同じ材料で第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜を有する。少なくとも１つの凹部は、第２絶縁膜を貫通し、第１絶縁膜にその底面を有する。基準膜は、第１絶縁膜及び第２絶縁膜とは異なる材料で、第１絶縁膜の上面と基準膜の上面とが同一面を形成するように形成されている。第２膜厚は、第１絶縁膜の膜厚及び第２絶縁膜の膜厚の合計膜厚である。第２絶縁膜の膜厚は、基準膜上で測定する。
（８）
上記第１視点及び第２視点において、電子装置の製造方法は、下層膜を形成する工程と、基準膜を形成する工程と、をさらに含む。少なくとも１つの絶縁膜は、下層膜とは異なる材料で下層膜上に形成された第１絶縁膜、及び第１絶縁膜と同じ材料で第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜を有する。少なくとも１つの凹部の深さは、第１絶縁膜の膜厚より浅い。基準膜は、第１絶縁膜及び第２絶縁膜とは異なる材料で形成され、少なくとも上方に少なくとも１つの凹部が存在しない領域及び上方に少なくとも１つの凹部が存在する領域に存在し、第１絶縁膜の上面と基準膜の上面とが同一面を形成するように形成されている。第２膜厚は、第１絶縁膜の膜厚及び第２絶縁膜の膜厚の合計膜厚である。第１絶縁膜の膜厚及び第２絶縁膜の膜厚は、基準膜上で測定する。
（９）
上記第１視点及び第２視点において、少なくとも１つの導電膜は、回路の一部を構成する第１導電膜、及び回路の一部を構成しない第２導電膜を有する。第２導電膜の膜厚を測定することにより第１導電膜の膜厚を測定する。
（１０）
上記第１視点及び第２視点において、少なくとも１つの凹部は、第１導電膜を形成するための第１凹部、及び第２導電膜を形成するための第２凹部を有する。第１凹部の深さと第２凹部の深さは同じである。第１膜厚は第２凹部の底面において測定する。
（１１）
上記第１視点及び第２視点において、電子装置の製造方法は、下層膜を形成する工程をさらに含む。少なくとも１つの絶縁膜は、下層膜とは異なる材料で下層膜上に形成された第１絶縁膜である。第１凹部及び第２凹部の深さは第１絶縁膜の膜厚よりも浅い。
（１２）
上記第１視点及び第２視点において、電子装置の製造方法は、下層膜を形成する工程をさらに含む。少なくとも１つの絶縁膜は、下層膜とは異なる材料で下層膜上に形成された第１絶縁膜、及び第１絶縁膜とは異なる材料で第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜を有する。第１凹部及び第２凹部は、第２絶縁膜を貫通し、第１絶縁膜にその底面を有する。第２膜厚は、第１絶縁膜の膜厚及び第２絶縁膜の膜厚の合計膜厚である。
（１３）
上記第１視点及び第２視点において、電子装置の製造方法は、下層膜を形成する工程と、基準膜を形成する工程と、をさらに含む。少なくとも１つの絶縁膜は、下層膜とは異なる材料で下層膜上に形成された第１絶縁膜、及び第１絶縁膜と同じ材料で第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜を有する。第１凹部及び第２凹部は、第２絶縁膜を貫通し、第１絶縁膜にその底面を有する。基準膜は、第１絶縁膜及び第２絶縁膜とは異なる材料で、第１絶縁膜の上面と基準膜の上面とが同一面を形成するように形成されている。第２膜厚は、第１絶縁膜の膜厚及び第２絶縁膜の膜厚の合計膜厚である。第２絶縁膜の膜厚は、基準膜上で測定する。
（１４）
上記第１視点及び第２視点において、電子装置の製造方法は、下層膜を形成する工程と、基準膜を形成する工程と、をさらに含む。少なくとも１つの絶縁膜は、下層膜とは異なる材料で下層膜上に形成された第１絶縁膜、及び第１絶縁膜と同じ材料で第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜を有する。第１凹部及び第２凹部の深さは、第１絶縁膜の膜厚より浅い。基準膜は、第１絶縁膜及び第２絶縁膜とは異なる材料で形成され、少なくとも上方に第１凹部及び第２凹部が存在しない領域及び上方に第２凹部が存在する領域に存在し、第１絶縁膜の上面と基準膜の上面とが同一面を形成するように形成されている。第２膜厚は、第１絶縁膜の膜厚及び第２絶縁膜の膜厚の合計膜厚である。第１絶縁膜の膜厚及び第２絶縁膜の膜厚は、基準膜上で測定する。
（１５）
上記第１視点及び第２視点において、第２絶縁膜の形成前に、第１絶縁膜上にエッチングストッパ膜を形成する工程をさらに含む。第２膜厚は、第１絶縁膜の膜厚、第２絶縁膜の膜厚及びエッチングストッパ膜の膜厚の合計膜厚である。エッチングストッパ膜の膜厚は成膜条件より導き出す。
（１６）
上記第１視点及び第２視点において、基準膜は金属を含有する。
（１７）
上記第１視点及び第２視点において、基準膜を形成した後に、第１絶縁膜の膜厚を測定する。
（１８）
上記第１視点及び第２視点において、第２凹部は、少なくとも１つの絶縁膜の膜厚を光学式測定法により測定可能な面積を有する。
（１９）
上記第１視点及び第２視点において、第１凹部は、少なくとも１つの絶縁膜の膜厚を光学式測定法により測定可能な面積を有さない。
（２０）
上記第１視点及び第２視点において、第１凹部及び第２凹部は同じ工程で形成する。
（２１）
上記第１視点及び第２視点において、第１導電膜及び第２導電膜は同じ工程で形成する。
（２２）
上記第１視点及び第２視点において、第２絶縁膜の膜厚は、少なくとも１つの導電膜を形成した後に測定する。
（２３）
上記第１視点及び第２視点において、第１絶縁膜の膜厚は、少なくとも１つの導電膜を形成した後に測定する。
（２４）
上記第１視点及び第２視点において、少なくとも１つの絶縁膜の膜厚は、光学式測定法により測定する。
（２５）
上記第１視点及び第２視点において、少なくとも１つの導電膜は、少なくとも１つの凹部を埋め込むように、少なくとも１つの絶縁膜上に金属層を堆積し、少なくとも１つの絶縁膜上の金属層を化学的機械的研磨法によって除去することによって形成する。
（２６）
第３視点によれば、電子装置は、少なくとも１つの絶縁膜と、少なくとも１つの絶縁膜に形成され、少なくとも１つの絶縁膜の上面と上面が同一面を形成する少なくとも１つの導電膜と、を備える。少なくとも１つの絶縁膜は、少なくとも１つの導電膜以外野領域において、少なくとも１つの絶縁膜の膜厚を測定可能な領域を有する。
（２７）
上記第３視点において、少なくとも１つの導電膜は、少なくとも１つの絶縁膜の膜厚を測定可能な面積を有する。
（２８）
上記第３視点において、電子装置は、少なくとも１つの絶縁膜下に形成され、少なくとも１つの絶縁膜とは異なる材料で形成された下層膜をさらに備える。少なくとも１つの導電膜の膜厚は第１絶縁膜の膜厚よりも薄い。
（２９）
上記第３視点において、電子装置は、少なくとも１つの絶縁膜下に形成された下層膜をさらに備える。少なくとも１つの絶縁膜は、下層膜とは異なる材料で下層膜上に形成された第１絶縁膜、及び第１絶縁膜とは異なる材料で第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜を有する。少なくとも１つの導電膜は、第２絶縁膜を貫通し、その底面は第１絶縁膜と接している。
（３０）
上記第３視点において、電子装置は、少なくとも１つの絶縁膜下に形成された下層膜と、基準膜と、をさらに備える。少なくとも１つの絶縁膜は、下層膜とは異なる材料で下層膜上に形成された第１絶縁膜、及び第１絶縁膜と同じ材料で第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜を有する。少なくとも１つの導電膜は、第２絶縁膜を貫通し、その底面が第１絶縁膜と接している。基準膜は、第１絶縁膜及び第２絶縁膜とは異なる材料で形成され、第１絶縁膜の上面と基準膜の上面とが同一面を形成している。
（３１）
上記第３視点において、電子装置は、少なくとも１つの絶縁膜下に形成された下層膜と、基準膜と、をさらに備える。少なくとも１つの絶縁膜は、下層膜とは異なる材料で下層膜上に形成された第１絶縁膜、及び第１絶縁膜と同じ材料で第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜を有する。少なくとも１つの導電膜の膜厚は、第１絶縁膜の膜厚より薄い。基準膜は、第１絶縁膜及び第２絶縁膜とは異なる材料で形成され、少なくとも上方に少なくとも１つの導電膜が存在しない領域及び上方に少なくとも１つの導電膜が存在する領域に存在し、第１絶縁膜の上面と基準膜の上面とが同一面を形成している。
（３２）
上記第３視点において、少なくとも１つの導電膜は、回路の一部を構成する第１導電膜、及び回路の一部を構成しない第２導電膜を有する。
（３３）
上記第３視点において、第１導電膜の膜厚と第２導電膜の膜厚は同じである。
（３４）
上記第３視点において、電子装置は、少なくとも１つの絶縁膜下に形成された下層膜をさらに備える。少なくとも１つの絶縁膜は、下層膜とは異なる材料で形成された第１絶縁膜である。第１導電膜の膜厚と第２導電膜の膜厚は第１絶縁膜の膜厚よりも薄い。
（３５）
上記第３視点において、電子装置は、少なくとも１つの絶縁膜下に形成された下層膜をさらに備える。少なくとも１つの絶縁膜は、下層膜とは異なる材料で下層膜上に形成された第１絶縁膜、及び第１絶縁膜とは異なる材料で第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜を有する。第１導電膜及び第２導電膜は、第２絶縁膜を貫通し、その底面が第１絶縁膜と接している。
（３６）
上記第３視点において、電子装置は、少なくとも１つの絶縁膜下に形成された下層膜と、基準膜と、をさらに備える。少なくとも１つの絶縁膜は、下層膜とは異なる材料で下層膜上に形成された第１絶縁膜、及び第１絶縁膜と同じ材料で第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜を有する。第１導電膜及び第２導電膜は、第２絶縁膜を貫通し、その底面が第１絶縁膜と接している。基準膜は、第１絶縁膜及び第２絶縁膜とは異なる材料で形成され、第１絶縁膜の上面と基準膜の上面とが同一面を形成するように形成されている。
（３７）
上記第３視点において、電子装置は、少なくとも１つの絶縁膜下に形成された下層膜と、基準膜と、をさらに備える。少なくとも１つの絶縁膜は、下層膜とは異なる材料で下層膜上に形成された第１絶縁膜、及び第１絶縁膜と同じ材料で第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜を有する。第１導電膜及び第２導電膜の膜厚は、第１絶縁膜の膜厚より薄く、基準膜は、第１絶縁膜及び第２絶縁膜とは異なる材料で形成され、上方に第１導電膜及び第２導電膜が存在しない領域及び上方に第２導電膜が存在する領域に存在し、第１絶縁膜の上面と基準膜の上面とが同一面を形成するように形成されている。
（３８）
上記第３視点において、第２導電膜は、少なくとも１つの絶縁膜の膜厚を光学式測定法により測定可能な面積を有する。
（３９）
上記第３視点において、第１導電膜は、少なくとも１つの絶縁膜の膜厚を光学式測定法により測定可能な面積を有さない。
（４０）
上記第３視点において、基準膜は、少なくとも１つの絶縁膜の膜厚を光学式測定法により測定可能な面積を有する。
（４１）
上記第３視点において、基準膜は、金属を含有する。
（４２）
上記第３視点において、少なくとも１つの導電膜はダマシン法により形成されている。
（４３）
上記第３視点において、少なくとも１つの絶縁膜は、その膜厚を光学式測定法により測定可能な材料を有する。
【符号の説明】
【０１１２】
１０            製造装置
１１            制御ユニット
１２            絶縁膜形成ユニット
１３            導電膜形成ユニット
１４            エッチングユニット
１５            ＣＭＰユニット
１６            膜厚測定ユニット
１００，２００，３００，４００，５００，６００，７００，８００          電子装置
１０１          下層膜
１０２          第１絶縁膜
１０２ａ，２０２，３０５，３０４ａ        第１凹部
１０２ｂ，６０２，７０５，８０４        第２凹部
１０３，２０３，３０６，５０２          導電膜前駆層
１０４，２０４，３０７，４０７          第１導電膜
２０１，３０４          第２絶縁膜
３０１          第１エッチングストッパ膜
３０２，４０２          基準膜
３０３          第２エッチングストッパ膜
５０４，６０４，７０７，８０７          第２導電膜
【図１】
2014007183.tif 000003
【図２】
2014007183.tif 000004
【図３】
2014007183.tif 000005
【図４】
2014007183.tif 000006
【図５】
2014007183.tif 000007
【図６】
2014007183.tif 000008
【図７】
2014007183.tif 000009
【図８】
2014007183.tif 000010
【図９】
2014007183.tif 000011
【図１０】
2014007183.tif 000012
【図１１】
2014007183.tif 000013
【図１２】
2014007183.tif 000014
【図１３】
2014007183.tif 000015
【図１４】
2014007183.tif 000016
【図１５】
2014007183.tif 000017
【図１６】
2014007183.tif 000018
【図１７】
2014007183.tif 000019
【図１８】
2014007183.tif 000020
【図１９】
2014007183.tif 000021
【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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