(57)【要約】【課題】多相の電力変換装置において、ドライブ回路の入力側ＧＮＤ端子と出力側ＧＮＤ端子との間に発生する電位差を小さくする。【解決手段】電力変換装置１０、１１０、１２０は、正電極２１、１２１と、負電極２２、１２２、２２２と、各相の出力電極３０Ｕ、３０Ｖ、３０Ｗ、１３０Ｕ、１３０Ｖ、１３０Ｗとを備える。負電極２２、１２２、２２２は基準位置２２ｘ、１２２ｘ、２２２ｘから３方向に延びる延伸部第１延伸部２２ａ、１２２ａ、２２２ａ、第２延伸部２２ｂ、１２２ｂ、２２２ｂ、および第３延伸部２２ｃ、１２２ｃ、２２２ｃを備え、これらに各相の下アーム側スイッチング素子４０ＵＬ、４０ＶＬ、４０ＷＬ、１４０ＵＬ、１４０ＶＬ、１４０ＷＬ、２４０ＵＬ、２４０ＶＬ、２４０ＷＬが接続される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多相の電力変換装置であって、
入力側正電極と、
入力側負電極と、
各相の出力側電極と、
前記入力側正電極と、各相の前記出力側電極との間に接続される上アーム側スイッチング素子と、
前記入力側負電極と、各相の前記出力側電極との間に接続される下アーム側スイッチング素子と
を備え、
前記入力側負電極は、基準位置からそれぞれ異なる向きに延びる３つ以上の延伸部を備える、多相の電力変換装置。
【請求項２】
相の数は３であり、
前記延伸部の数は３以上であり、
第１および第２の前記延伸部は、互いに反対方向に延び、いずれも第３の相の前記下アーム側スイッチング素子に接続され、
第３の前記延伸部は、前記第１および第２の延伸部と垂直な方向に延び、第１の相の前記下アーム側スイッチング素子および第２の相の前記下アーム側スイッチング素子に接続される、請求項１に記載の多相の電力変換装置。
【請求項３】
前記第１の延伸部、前記第２の延伸部、前記第３の延伸部および各相の前記出力側電極は略直線状であり、
前記第１の相の前記出力側電極および前記第２の相の前記出力側電極は、前記第３の延伸部を挟んで互いに対向する側に、前記第３の延伸部と平行に配置され、
前記第３の相の前記出力側電極は、前記第１および第２の延伸部からみて前記第３の延伸部と反対側に、前記第１および第２の延伸部と平行に配置される、請求項２に記載の多相の電力変換装置。
【請求項４】
前記延伸部の数は相の数に等しく、
前記延伸部は互いに等しい角度をなして放射状に延びる、請求項１に記載の多相の電力変換装置。
【請求項５】
各前記延伸部の長手方向に沿って、各前記延伸部を挟んで互いに対向する側に、互いに隣接する相の前記下アーム側スイッチング素子が接続される、請求項４に記載の多相の電力変換装置。
【請求項６】
前記入力側負電極に接続される入力側負極端子をさらに備え、
前記入力側負極端子は、前記基準位置に接続されるか、または前記基準位置の近傍に接続される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の多相の電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電力変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
直流電力を交流電力に変換する電力変換装置（インバータ）の例が特許文献１に記載されている。このような電力変換装置では、直流の入力電極と交流の出力電極との間にスイッチング素子が配置されるとともに、スイッチング素子の動作を制御するドライブ回路が設けられる。
【０００３】
従来の電力変換装置の構成の例を図５および図６に示す。
図５は主回路（ＭＯＳ基板上）における各構成要素の配置を表し、図６は各基板を通しての回路図を表す。直流入力の正極端子３２３から正電極３２１に伝えられた正電位は、各相の上アーム側スイッチング素子３４０ＵＨ、３４０ＶＨおよび３４０ＷＨを介して各相の出力側電極３３０Ｕ、３３０Ｖおよび３３０Ｗに伝えられる。また、直流入力の負極端子３２４から負電極３２２に伝えられた負電位（ＭＯＳ基板のＧＮＤ電位）は、各相の下アーム側スイッチング素子３４０ＵＬ、３４０ＶＬおよび３４０ＷＬを介して各相の出力側電極３３０Ｕ、３３０Ｖおよび３３０Ｗに伝えられる。
【０００４】
図６に示すように、各スイッチング素子について、スイッチング動作を制御するドライブ回路が設けられる。ただし図６では下アーム側スイッチング素子３４０ＵＬ、３４０ＶＬおよび３４０ＷＬに対応するドライブ回路３５０のみ示す。ドライブ回路３５０のそれぞれにおいて、入力側ＧＮＤ端子３５１は負電極３２２に接続され、入力側駆動端子３５２は図示しない駆動信号入力部に接続され、出力側ＧＮＤ端子３５３は対応するスイッチング素子のソース３４１に接続され、出力側駆動端子３５４は対応するスイッチング素子のゲート３４２に接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１９７８５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の構成では、ドライブ回路の入力側ＧＮＤ端子と出力側ＧＮＤ端子との間に発生する電位差が大きいという問題があった。
【０００７】
理想的には、ドライブ回路の入力側ＧＮＤ端子と出力側ＧＮＤ端子とは同一の電位（ＭＯＳ基板のＧＮＤ電位）であるが、実際にはスイッチング素子の動作により電位差が発生する。この電位差が大きくなると回路の誤動作が発生するおそれがある。この電位差を抑えるためにはスイッチングスピードを制限する必要があり、電力損失が増える。また、ドライブ回路にフォトカプラ等の完全に絶縁された接続構成を用いれば電位差による誤動作は回避できるが、コストが大きくなる。
【０００８】
本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、ドライブ回路の入力側ＧＮＤ端子と出力側ＧＮＤ端子との間に発生する電位差を小さくできる電力変換装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述の問題を解決するため、この発明に係る電力変換装置は、多相の電力変換装置であって、入力側正電極と、入力側負電極と、各相の出力側電極と、入力側正電極と、各相の出力側電極との間に接続される上アーム側スイッチング素子と、入力側負電極と、各相の出力側電極との間に接続される下アーム側スイッチング素子とを備え、入力側負電極は、基準位置からそれぞれ異なる向きに延びる３つ以上の延伸部を備える。
【００１０】
このような構成によれば、負電極の延伸部が３以上の向きに延びるので、下アーム側スイッチング素子の配置の自由度が向上し、ドライブ回路の入力側ＧＮＤ端子と出力側ＧＮＤ端子との間に発生する電位差低減をより重視した設計が可能になる。
【００１１】
相の数は３であり、延伸部の数は３以上であり、第１および第２の延伸部は、互いに反対方向に延び、いずれも第３の相の下アーム側スイッチング素子に接続され、第３の延伸部は、第１および第２の延伸部と垂直な方向に延び、第１の相の下アーム側スイッチング素子および第２の相の下アーム側スイッチング素子に接続されてもよい。
第１の延伸部、第２の延伸部、第３の延伸部および各相の出力側電極は略直線状であり、第１の相の出力側電極および第２の相の出力側電極は、第３の延伸部を挟んで互いに対向する側に、第３の延伸部と平行に配置され、第３の相の出力側電極は、第１および第２の延伸部からみて第３の延伸部と反対側に、第１および第２の延伸部と平行に配置されてもよい。
延伸部の数は相の数に等しく、延伸部は互いに等しい角度をなして放射状に延びてもよい。
各延伸部の長手方向に沿って、各延伸部を挟んで互いに対向する側に、互いに隣接する相の下アーム側スイッチング素子が接続されてもよい。
入力側負電極に接続される入力側負極端子をさらに備え、入力側負極端子は、基準位置に接続されるか、または基準位置の近傍に接続されてもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の電力変換装置によれば、負電極の延伸部が３以上の向きに延びるので、下アーム側スイッチング素子の配置の自由度が向上し、結果として、ドライブ回路の入力側ＧＮＤ端子と出力側ＧＮＤ端子との間に発生する電位差を小さくする位置に下アーム側スイッチング素子を配置できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施の形態１に係る電力変換装置の主回路における各構成要素の配置を表す図である。
【図２】図１の電力変換装置の、各基板を通しての回路図を表す図である。
【図３】実施の形態２に係る電力変換装置の構成の例を示す図である。
【図４】実施の形態３に係る電力変換装置の構成の例を示す図である。
【図５】従来の電力変換装置の主回路における各構成要素の配置を表す図である。
【図６】従来の電力変換装置の、各基板を通しての回路図を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、この発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
実施の形態１．
図１および図２に、本発明の実施の形態１に係る電力変換装置１０の構成の例を示す。
図１は主回路（たとえばＭＯＳ基板上に構成される回路）における各構成要素の配置を表し、図２は各基板を通しての回路図を表す。なお、各図において、各構成要素の形状を明確にするために一部ハッチングを付すが、このハッチングはとくに断面を表すものではない。
【００１５】
電力変換装置１０は、直流の入力を三相交流の出力に変換する変換装置である。電力変換装置１０は、入力側の電極として、正電極２１および負電極２２を備える。正電極２１には正極端子２３が接続され、この正極端子２３を介して外部の直流電源から正電位が供給される。また、負電極２２には負極端子２４が接続され、この負極端子２４を介して外部の直流電源から負電位（すなわちＭＯＳ基板のＧＮＤ電位）が供給される。
【００１６】
電力変換装置１０は、出力側の電極として、第１相電極３０Ｕと、第２相電極３０Ｖと、第３相電極３０Ｗとを備える。これらはたとえばそれぞれＵ相、Ｖ相およびＷ相の出力に対応する。第１相電極３０Ｕ、第２相電極３０Ｖおよび第３相電極３０Ｗは、本実施形態ではいずれも直線状または略直線状である。
【００１７】
電力変換装置１０は、電力変換動作を実現する複数のスイッチング素子を備える。これらのスイッチング素子は、上アーム側スイッチング素子および下アーム側スイッチング素子を含む。
上アーム側スイッチング素子は、正電極２１と、各相の出力側電極との間に接続される。具体的には、正電極２１と第１相電極３０Ｕとの間に第１相上アーム側スイッチング素子４０ＵＨが接続され、正電極２１と第２相電極３０Ｖとの間に第２相上アーム側スイッチング素子４０ＶＨが接続され、正電極２１と第３相電極３０Ｗとの間に第３相上アーム側スイッチング素子４０ＷＨが接続される。
同様に、下アーム側スイッチング素子は、負電極２２と、各相の出力側電極との間に接続される。具体的には、負電極２２と第１相電極３０Ｕとの間に第１相下アーム側スイッチング素子４０ＵＬが接続され、負電極２２と第２相電極３０Ｖとの間に第２相下アーム側スイッチング素子４０ＶＬが接続され、負電極２２と第３相電極３０Ｗとの間に第３相下アーム側スイッチング素子４０ＷＬが接続される。
これらのスイッチング素子は、図２に示すようにそれぞれソース４１、ゲート４２およびドレイン４３を備える（図１ではソース４１のみ参照符号を付す）。
【００１８】
図２に示すように、電力変換装置１０は、制御基板７１、コンデンサ基板７２、ＭＯＳ基板７３にそれぞれ形成される回路を備える。ＭＯＳ基板７３は図１に示されるスイッチング素子を備えるが、図２では１つの相の１つのアームに対応するスイッチング素子は代表的に１つのみ示している（たとえば、第１相上アーム側スイッチング素子４０ＵＨは、図１では６個示されているが図２では１個のみである）。なお、図２において、厳密に言えば、正電極２１、負電極２２、第１相電極３０Ｕ、第２相電極３０Ｖおよび第３相電極３０ＷはいずれもＭＯＳ基板７３に形成されるものであるが、図示の都合上ＭＯＳ基板７３の外部に表している。
コンデンサ基板７２はコンデンサ６０を備える。
【００１９】
制御基板７１はスイッチング素子を駆動するドライブ回路を備える。ドライブ回路はスイッチング素子それぞれについて１つ設けられるが、図２では下アーム側のスイッチング素子に対応するもののみ示す。具体的には、第１相下アーム側スイッチング素子４０ＵＬを駆動する第１相下アーム側ドライブ回路５０Ｕと、第２相下アーム側スイッチング素子４０ＶＬを駆動する第２相下アーム側ドライブ回路５０Ｖと、第３相下アーム側スイッチング素子４０ＷＬを駆動する第３相下アーム側ドライブ回路５０Ｗとが示されている。
【００２０】
ドライブ回路５０Ｕ、５０Ｖおよび５０Ｗは、それぞれ４つの端子を備える。これらの端子は、入力側ＧＮＤ端子５１、入力側駆動端子５２、出力側ＧＮＤ端子５３および出力側駆動端子５４である。入力側ＧＮＤ端子５１は負電極２２に接続される。入力側駆動端子５２は図示しない駆動信号入力部に接続されて駆動信号の入力を受け付ける。出力側ＧＮＤ端子５３は対応するスイッチング素子のソース４１に接続される。出力側駆動端子５４は対応するスイッチング素子のゲート４２に接続されてスイッチング素子を駆動する。
【００２１】
図１に示すように、電力変換装置１０の主回路において、外側に正電極２１が配置される。正電極２１は、底辺２１ａ、左辺２１ｂおよび右辺２１ｃを有する略コの字状に形成される。底辺２１ａの内側において、外側から内側に向かう順に、第３相上アーム側スイッチング素子４０ＷＨ、第３相電極３０Ｗ、第３相下アーム側スイッチング素子４０ＷＬおよび負電極２２が配置される。また、左辺２１ｂと右辺２１ｃとの間に、左辺２１ｂから右辺２１ｃに向かう順に、第１相上アーム側スイッチング素子４０ＵＨ、第１相電極３０Ｕ、第１相下アーム側スイッチング素子４０ＵＬ、負電極２２、第２相下アーム側スイッチング素子４０ＶＬ、第２相電極３０Ｖおよび第２相上アーム側スイッチング素子４０ＶＨが配置される。
【００２２】
負電極２２は、基準位置２２ｘからそれぞれ異なる向きに延びる３つの延伸部を備える。具体的には、第１延伸部２２ａおよび第２延伸部２２ｂは、正電極２１の底辺２１ａと平行であり、互いに反対方向に延びる。第３延伸部２２ｃは、正電極２１の左辺２１ｂおよび右辺２１ｃと平行であり、第１延伸部２２ａおよび第２延伸部２２ｂと垂直な方向に延びる。本実施形態ではこれらの延伸部はいずれも直線状である。このような構成により、負電極２２はＴ字形状をなす。
【００２３】
第１延伸部２２ａおよび第２延伸部２２ｂは、いずれも、第３延伸部２２ｃと反対の側において、第３相下アーム側スイッチング素子４０ＷＬに接続される。第３相下アーム側スイッチング素子４０ＷＬは、第１延伸部２２ａおよび第２延伸部２２ｂと平行に、第１延伸部２２ａおよび第２延伸部２２ｂの長手方向に沿って配列される。
第３延伸部２２ｃは、一方の側において第１相下アーム側スイッチング素子４０ＵＬに接続され、他方の側において第２相下アーム側スイッチング素子４０ＶＬに接続される。第１相下アーム側スイッチング素子４０ＵＬおよび第２相下アーム側スイッチング素子４０ＶＬは、いずれも第３延伸部２２ｃと平行に、第３延伸部２２ｃの長手方向に沿って配列される。
【００２４】
第１相電極３０Ｕおよび第２相電極３０Ｖは、第３延伸部２２ｃを挟んで互いに対向する側に、第３延伸部２２ｃと平行に配置される。また、第３相電極３０Ｗは、第１延伸部２２ａおよび第２延伸部２２ｂからみて第３延伸部２２ｃと反対側に、第１延伸部２２ａおよび第２延伸部２２ｂと平行に配置される。
【００２５】
基準位置２２ｘは、本実施形態では各延伸部が接続されて構成するＴ字の中央部（交点）として定義される。なお、基準位置２２ｘは厳密に一点に定める必要はなく、ある程度任意に選んでよい。具体的には、負電極２２が占める領域のうちからある特定の点を選び、その特定の点から各延伸部がそれぞれ異なる向きに延びるものとして定義可能であれば、その特定の点を基準位置２２ｘとすることができる。
【００２６】
負極端子２４は基準位置２２ｘに接続される。より厳密には、負電極２２がなす平面または電力変換装置１０の主回路がなす平面において、負電極２２を投影した場合に、負極端子２４が基準位置２２ｘを含む。
【００２７】
図２を参照して、各スイッチング素子のスイッチング時にドライブ回路の入力側ＧＮＤ端子５１と出力側ＧＮＤ端子５３との間に発生する電位差について説明する。この電位差は、制御基板のＧＮＤ電位すなわち点Ａの電位と、各スイッチング素子のソース４１との間の電位差として現れる。この電位差は、点Ａとソース４１との回路上の距離と正の相関を有する（たとえば、近似的に回路上の距離と比例する）。第１相下アーム側スイッチング素子４０ＵＬの場合、この距離は距離Ｌである。したがって、距離Ｌが小さいほど入力側ＧＮＤ端子５１と出力側ＧＮＤ端子５３との電位差も小さくなる。
【００２８】
この構成を、図５および図６に示す従来の構成と比較する。図５および図６において、負電極３２２の負極端子３２４から離れた位置にあるスイッチング素子の例として、下アーム側スイッチング素子３４０ＵＬを考える。図２における距離Ｌに対応する距離は、図６では点Ａ０と下アーム側スイッチング素子３４０ＵＬのソース３４１との回路上の距離Ｌ０であるが、図２の距離Ｌは図６の距離Ｌ０よりも短い。したがって、本実施形態によれば、各スイッチング素子のスイッチング時にドライブ回路の入力側ＧＮＤ端子５１と出力側ＧＮＤ端子５３との間に発生する電位差を、従来に比べて低く抑えることができる。この結果として、スイッチングスピードを向上させることができ、電力損失を低減できる。また、フォトカプラ等の完全に絶縁された接続構成を用いる必要がなく、コストを抑えられる。
【００２９】
図６の距離Ｌ０が大きくなる理由は、たとえば次のように説明できる。図５では負電極３２２が負極端子３２４から２方向（すなわち、相の数よりも少ない数の方向）にしか延びていないので、すべての相のスイッチング素子をカバーするために延伸部を長くしたり屈曲させたりする必要があり、全体のサイズに比較して距離Ｌ０が大きくなる。これに対し、図５に示す本実施形態では、負電極２２から３方向に延伸部が延びるため、延伸部を比較的短く、またはより直線的に構成することができ、結果として全体のサイズに比較して距離Ｌを短くできる。
【００３０】
実施の形態２．
実施の形態２は、実施の形態１において各電極の形状およびスイッチング素子の配置を変更するものである。以下、実施の形態１との相違点を説明する。
図３に、実施の形態２に係る電力変換装置１１０の構成の例を示す。図３（ａ）は図１に対応する図であり、主回路における各構成要素の配置を表す。図３（ｂ）は各基板を接続する構成を表す。図３（ｂ）は、図３（ａ）を下方向から見た図に対応する。
【００３１】
負電極１２２は、基準位置１２２ｘからそれぞれ異なる向きに延びる３つの延伸部として、第１延伸部１２２ａ、第２延伸部１２２ｂおよび第３延伸部１２２ｃを備える。図３の例では、第１延伸部１２２ａ、第２延伸部１２２ｂおよび第３延伸部１２２ｃは互いに１２０度の角度をなして放射状に延びる。また、第１延伸部１２２ａ、第２延伸部１２２ｂおよび第３延伸部１２２ｃはすべて同一形状であるか、または略同一形状である。
【００３２】
基準位置１２２ｘは、実施の形態１と同様に定義することができる。とくに、負電極１２２がなす平面または電力変換装置１１０の主回路がなす平面において、負電極１２２を投影した場合に、投影された図形の重心となる位置として定義することができる。また、負極端子１２４は基準位置１２２ｘに接続される。
図３（ｂ）に示すように、負極端子１２４はコンデンサ基板１７２およびＭＯＳ基板１７３について共通する位置に、コンデンサ基板１７２を貫通するように設けられる。
【００３３】
各延伸部の長手方向に沿って、各延伸部を挟んで互いに対向する側に、互いに隣接する相の下アーム側スイッチング素子が接続される。すなわち、第１延伸部１２２ａには、第１延伸部１２２ａの長手方向に沿って、一方の側に第２相下アーム側スイッチング素子１４０ＶＬが、他方の側に第３相下アーム側スイッチング素子１４０ＷＬが、それぞれ接続される。第２延伸部１２２ｂには、第２延伸部１２２ｂの長手方向に沿って、一方の側に第３相下アーム側スイッチング素子１４０ＷＬが、他方の側に第１相下アーム側スイッチング素子１４０ＵＬが、それぞれ接続される。第３延伸部１２２ｃには、第３延伸部１２２ｃの長手方向に沿って、一方の側に第１相下アーム側スイッチング素子１４０ＵＬが、他方の側に第２相下アーム側スイッチング素子１４０ＶＬが、それぞれ接続される。
【００３４】
各相の出力側電極、すなわち第１相電極１３０Ｕ、第２相電極１３０Ｖおよび第３相電極１３０Ｗは、すべて同一形状であるか、または略同一形状である。図３ではいずれも中央部で６０度屈曲した折れ線状に形成される。第１相電極１３０Ｕにおいて、第１相下アーム側スイッチング素子１４０ＵＬと反対側に第１相上アーム側スイッチング素子１４０ＵＨが接続され、第２相電極１３０Ｖにおいて、第２相下アーム側スイッチング素子１４０ＶＬと反対側に第２相上アーム側スイッチング素子１４０ＶＨが接続され、第３相電極１３０Ｗにおいて、第３相下アーム側スイッチング素子１４０ＷＬと反対側に第３相上アーム側スイッチング素子１４０ＷＨが接続される。また、第１相電極１３０Ｕ、第２相電極１３０Ｖおよび第３相電極１３０Ｗの中央部には、それぞれ、第１相出力端子１３１Ｕ、第２相出力端子１３１Ｖおよび第３相出力端子１３１Ｗが接続される。
図３（ｂ）に示すように、第１相出力端子１３１Ｕ、第２相出力端子１３１Ｖおよび第３相出力端子１３１Ｗは、コンデンサ基板１７２およびＭＯＳ基板１７３について共通する位置に、コンデンサ基板１７２を貫通するように設けられる。
【００３５】
本実施形態では３つの正電極１２１が設けられる。３つの正電極１２１はそれぞれ個別に、第１相出力端子１３１Ｕ、第２相出力端子１３１Ｖおよび第３相出力端子１３１Ｗに対応して設けられるものである。各正電極１２１は正極端子１２３を備える。
図３（ｂ）に示すように、各正極端子１２３はコンデンサ基板１７２とＭＯＳ基板１７３との間に設けられるが、これらの正極端子１２３はコンデンサ基板１７２内で互いに同電位に接続され、コンデンサ基板１７２には共通の正極端子１２３’が設けられる。このようにして、外部からの入力端子としては、単一の正極端子１２３’が形成される。
【００３６】
本実施形態における回路図は、図２に示す実施の形態１のものと原理的に同一であるので図示を省略する。本実施形態でも図２と同様に、制御基板のＧＮＤ電位と各スイッチング素子のソースとの間の距離を小さくできるので、スイッチング時にドライブ回路の入力側ＧＮＤ端子と出力側ＧＮＤ端子との間に発生する電位差を低く抑えることができる。
【００３７】
実施の形態３．
実施の形態３は、実施の形態２において各相の下アーム側スイッチング素子の配置を中央寄りにずらすものである。以下、実施の形態２との相違点を説明する。
図４に、実施の形態３に係る電力変換装置２１０の主回路における各構成要素の配置を示す。図４の構成では、図３と比較して、第１相下アーム側スイッチング素子２４０ＵＬ、第２相下アーム側スイッチング素子２４０ＶＬおよび第３相下アーム側スイッチング素子２４０ＷＬが中央寄り（すなわち、各延伸部について、延伸部の長手方向において負極端子２２４側寄り）に配置されている。
【００３８】
この配置を言い換えると次のようになる。各延伸部の両側には、各延伸部から近い順に、下アーム側スイッチング素子、各相の電極、上アーム側スイッチング素子が配置される。ここで、負電極２２２のたとえば第１延伸部２２２ａについて、第２相下アーム側スイッチング素子２４０ＶＬおよび第３相下アーム側スイッチング素子２４０ＷＬが配置される長手方向位置は、第２相上アーム側スイッチング素子２４０ＶＨおよび第３相上アーム側スイッチング素子２４０ＷＨが配置される長手方向位置よりも、基準位置２２２ｘ寄りである。第２延伸部２２２ｂおよび第３延伸部２２２ｃについても同様である。
【００３９】
このため、負極端子２２４と各相の下アーム側スイッチング素子のソースとの距離が実施の形態２（図３）よりも小さくなり、スイッチング時にドライブ回路の入力側ＧＮＤ端子と出力側ＧＮＤ端子との間に発生する電位差をさらに低く抑えることができる。
【００４０】
以上のように構成される実施の形態１〜３において、次のような変形を施すことができる。
実施の形態１〜３では、延伸部および各相の出力側電極はすべて直線状であるが、これ以外の形状であってもよく、たとえば曲線部分または屈曲部分を有してもよい。
【００４１】
実施の形態１〜３では負極端子２４、１２４および２２４は基準位置２２ｘ、１２２ｘおよび２２２ｘに接続されるが、必ずしも直接的に接続される必要はなく、負極端子が基準位置の近傍に接続されてもよい。この場合、負極端子と基準位置との距離に応じて電位差の低減効果が変動することになる。
【００４２】
実施の形態１〜３ではいずれも出力は三相交流であるが、出力の相の数は３に限らず、３以上（多相）であればよい。たとえば、実施の形態２および３において、ｎ相（ｎは４以上の整数）の電力変換装置を構成するには、延伸部の数を相の数に等しくｎ個とし、各延伸部が互いに等しい角度３６０／ｎ度をなして放射状に延びる配置とすればよい。
【符号の説明】
【００４３】
１０，１１０，２１０  電力変換装置、
２１，１２１  正電極（入力側正電極）、
２２ａ〜２２ｃ，１２２ａ〜１２２ｃ，２２２ａ〜２２２ｃ  延伸部、
２２ｘ，１２２ｘ，２２２ｘ  基準位置、
２２，１２２，２２２  負電極（入力側負電極）、
２３，１２３  正極端子、
２４，１２４，２２４  負極端子（入力側負極端子）、
３０Ｕ，１３０Ｕ  第１相電極（出力側電極）、
３０Ｖ，１３０Ｖ  第２相電極（出力側電極）、
３０Ｗ，１３０Ｗ  第３相電極（出力側電極）、
４０ＵＨ，１４０ＵＨ，４０ＶＨ，１４０ＶＨ，２４０ＵＨ，４０ＷＨ，１４０ＷＨ，２４０ＷＨ  上アーム側スイッチング素子、
４０ＵＬ，１４０ＵＬ，２４０ＵＬ，４０ＶＬ，１４０ＶＬ，２４０ＶＬ，４０ＷＬ，１４０ＷＬ，２４０ＷＬ  下アーム側スイッチング素子（４１  ソース、４２  ゲート、４３  ドレイン）、
５０Ｕ，５０Ｖ，５０Ｗ  ドライブ回路（５１  入力側ＧＮＤ端子、５２  入力側駆動端子、５３  出力側ＧＮＤ端子、５４  出力側駆動端子）、
６０  コンデンサ、
７１  制御基板、
７２，１７２  コンデンサ基板、
７３，１７３  ＭＯＳ基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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