(57)【要約】【課題】ＡＰＣシステム上で稼動される処理装置の制御パラメータの算出精度を向上させる。【解決手段】状態確認部４Ｂは、制御受付処理部４Ａにて各処理装置２Ａ〜２Ｃの制御パラメータの算出要求が受け付けられると、通信インターフェース７を介して各処理装置１Ａ〜２Ｃの状態を各処理装置２Ａ〜２Ｃに確認し、プロセス制御装置４は、状態確認部４Ｂに応答された処理装置２Ａ〜２Ｃの状態を参照しつつ、処理装置２Ａ〜２Ｃの制御パラメータを調整する。【選択図】図１
2014007273.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハを処理する処理装置と、
前記処理装置の状態を表すデータ形式を変換する装置コントローラと、
前記装置コントローラを介して収集した前記処理装置の状態に基づいて前記半導体ウェーハの処理を管理する処理管理装置と、
前記処理管理装置にて管理される前記半導体ウェーハの処理状況に基づいて、前記処理装置の制御パラメータを算出するプロセス制御装置とを備え、
前記処理装置は、自己の状態を表すデータを送信する通信インターフェースを備え、
前記装置コントローラは、
前記通信インターフェースを介して前記処理装置の状態を前記処理装置に確認する第１状態確認部と、
前記処理装置の状態の確認要求に基づいて前記処理装置の状態を応答する状態応答部とを備え、
前記処理管理装置は、
前記処理装置の制御パラメータの算出を要求する制御要求処理部を備え、
前記プロセス制御装置は、
前記制御要求処理部から前記制御パラメータの算出要求を受け付ける制御受付処理部と、
前記制御受付処理部にて前記制御パラメータの算出要求が受け付けられると、前記状態応答部を介して前記処理装置の状態を前記装置コントローラに確認する第２状態確認部とを備えることを特徴とする半導体処理システム。
【請求項２】
半導体ウェーハを処理する処理装置と、
前記処理装置の状態を表すデータ形式を変換する装置コントローラと、
前記装置コントローラを介して収集した前記処理装置の状態に基づいて前記半導体ウェーハの処理を管理する処理管理装置と、
前記処理管理装置にて管理される前記半導体ウェーハの処理状況に基づいて、前記処理装置の制御パラメータを算出するプロセス制御装置とを備え、
前記処理装置は、自己の状態を表すデータを送信する通信インターフェースを備え、
前記処理管理装置は、
前記処理装置の制御パラメータの算出を要求する制御要求処理部を備え、
前記プロセス制御装置は、
前記制御要求処理部から前記制御パラメータの算出要求を受け付ける制御受付処理部と、
前記制御受付処理部にて前記制御パラメータの算出要求が受け付けられると、前記通信インターフェースを介して前記処理装置の状態を前記処理装置に確認する状態確認部とを備えることを特徴とする半導体処理システム。
【請求項３】
半導体ウェーハを処理する処理装置と、
前記処理装置の状態を表すデータ形式を変換する装置コントローラと、
前記装置コントローラを介して収集した前記処理装置の状態に基づいて前記半導体ウェーハの処理を管理する処理管理装置と、
前記処理管理装置にて管理される前記半導体ウェーハの処理状況に基づいて、前記処理装置の制御パラメータを算出するプロセス制御装置とを備え、
前記処理装置は、自己の状態を表すデータを送信する通信インターフェースを備え、
前記装置コントローラは、
前記処理装置の制御パラメータの算出を要求する制御要求処理部と、
前記通信インターフェースを介して前記処理装置の状態を前記処理装置に確認する状態確認部を備え、
前記プロセス制御装置は、
前記制御要求処理部から前記制御パラメータの算出要求を受け付けるとともに、前記装置コントローラから前記処理装置の状態を取得する制御受付処理部とを備えることを特徴とする半導体処理システム。
【請求項４】
半導体ウェーハを処理する処理装置の制御パラメータの算出要求を受け付ける制御受付処理部と、
前記制御受付処理部にて前記制御パラメータの算出要求が受け付けられると、前記処理装置の状態を前記処理装置に確認する状態確認部とを備えることを特徴とするプロセス制御装置。
【請求項５】
半導体ウェーハを処理する処理装置の稼動状況に基づいて、前記処理装置の状態を前記処理装置に確認する状態確認部と、
前記処理装置の状態の確認要求に基づいて前記処理装置の状態を応答する状態応答部とを備えることを特徴とする装置コントローラ。
【請求項６】
半導体ウェーハを処理する処理装置の稼動状況に基づいて、前記処理装置の状態を前記処理装置に確認する状態確認部と、
前記処理装置の制御パラメータの算出を要求する時に前記処理装置の状態を前記制御パラメータの算出の要求先に通知する制御要求処理部とを備えることを特徴とする装置コントローラ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体処理システム、プロセス制御装置および装置コントローラに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造プロセスでは、一つの製品を完成させるために多数の工程を経る必要があり、それらの工程に使用される処理装置も多数に上る。このため、これらの処理装置の稼動状況や半導体製造プロセスの進捗状況などをコンピュータにてオンラインで管理することが行われている。また、半導体製造プロセスにおいて大量処理が行われると、処理装置に経時変化が起こることがある。このような処理装置に経時変化があっても、製品の品質を均一化できるようにするため、処理装置の稼動状況や半導体製造プロセスの進捗状況などに応じて処理装置の制御パラメータを最適化できるようにしたＡＰＣ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｐｒｏｃｅｓｓ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）システムが用いられることもある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−３４９６４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の一つの実施形態は、処理装置の制御パラメータの算出精度を向上させることが可能な半導体処理システム、プロセス制御装置および装置コントローラを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一つの実施形態によれば、制御受付処理部と、状態確認部とが設けられている。制御受付処理部は、半導体ウェーハを処理する処理装置の制御パラメータの算出要求を受け付ける。状態確認部は、前記制御受付処理部にて前記制御パラメータの算出要求が受け付けられると、前記処理装置の状態を前記処理装置に確認する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、第１の実施形態に係る半導体処理システムの概略構成を示すブロック図である。
【図２】図２は、第２の実施形態に係る半導体処理システムの概略構成を示すブロック図である。
【図３】図３は、第３の実施形態に係る半導体処理システムの概略構成を示すブロック図である。
【図４】図４は、第４の実施形態に係る半導体処理システムに適用される薬液の処理枚数とエッチングレートとの関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に添付図面を参照して、実施形態に係る半導体処理システムを詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
【０００８】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る半導体処理システムの概略構成を示すブロック図である。
図１において、半導体処理システムには、処理装置１Ａ〜１Ｃ、装置コントローラ２Ａ〜２Ｃ、処理管理装置３およびプロセス制御装置４が設けられている。ここで、処理とは、半導体製造プロセスにおけるエッチング等の加工、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等による成膜、露光、イオン注入、洗浄等をいう。処理装置１Ａ〜１Ｃは、半導体ウェーハを処理することができる。ここで、処理装置１Ａ〜１Ｃには半導体ウェハＷを搬入することができる。そして、処理装置１Ａ〜１Ｃにて半導体ウェハＷを処理することで半導体ウェーハを処理することができる。なお、処理装置１Ａ〜１Ｃは、半導体製造プロセスにおける各工程を分担することができる。例えば、処理装置１Ａ〜１Ｃは、エッチング装置であってもよいし、露光装置であってもよいし、イオン注入装置であってもよいし、アニール装置であってもよいし、洗浄装置であってもよいし、ＣＶＤ装置であってもよい。ここで、処理装置１Ａ〜１Ｃには、通信インターフェース７が設けられている。そして、処理装置１Ａ〜１Ｃは、通信インターフェース７を介して自己の状態を外部に通知することができる。なお、自己の状態は、例えば、センサ値やステータス値で表すことができる。例えば、センサ値は、処理パワー、圧力、ガス流量、処理時間および処理温度などを示すことができる。ステータス値は、処理枚数およびウェハローディング状況などを示すことができる。通信インターフェース７の通信プロトコルは、ＳＥＣＳ（ＳＥＭＩ  Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ  Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ  Ｓｔａｎｄａｒｄ）またはＧＥＭ（Ｇｅｎｅｒｉｃ  Ｍｏｄｅｌ  Ｆｏｒ  Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ  ａｎｄ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  ｏｆ  Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ  Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ）を用いることができる。この通信インターフェース７は、ＬＡＮ上でシリアル通信を行うことができる。
【０００９】
装置コントローラ２Ａ〜２Ｃは、処理装置１Ａ〜１Ｃごとに設けることができる。そして、装置コントローラ２Ａ〜２Ｃは、各処理装置１Ａ〜１Ｃの状態を表すデータ形式を変換することができる。なお、各処理装置１Ａ〜１Ｃは、その製造メーカや形式ごとに独自の仕様を採用することができる。
【００１０】
処理管理装置３は、装置コントローラ２Ａ〜２Ｃを介して収集した処理装置１Ａ〜１Ｃの状態に基づいて半導体ウェーハの処理を管理することができる。例えば、処理管理装置３は、処理装置１Ａ〜１Ｃの稼動状態や半導体製造プロセスの進捗状況を製品別やロット別に管理することができる。ここで、処理管理装置３には、制御要求処理部３Ａが設けられている。制御要求処理部３Ａは、各処理装置１Ａ〜２Ｃの制御パラメータの算出をプロセス制御装置４に要求することができる。なお、制御パラメータは、例えば、処理パワー、圧力、真空度、ガス流量、処理時間および処理温度などを挙げることができる。
【００１１】
プロセス制御装置４は、処理管理装置３にて管理される半導体ウェーハの処理状況に基づいて、処理装置１Ａ〜１Ｃの制御パラメータを算出することができる。そして、プロセス制御装置４は、各処理装置１Ａ〜２Ｃで処理されるロット別に制御パラメータを調整し、処理管理装置３に応答することができる。
ここで、プロセス制御装置４には、制御受付処理部４Ａ、状態確認部４Ｂ、コアモジュール５およびプラグイン６Ａ、６Ｂが設けられている。制御受付処理部４Ａは、制御要求処理部３Ａから各処理装置１Ａ〜２Ｃの制御パラメータの算出要求を受け付けることができる。状態確認部４Ｂは、制御受付処理部４Ａにて各処理装置１Ａ〜２Ｃの制御パラメータの算出要求が受け付けられると、通信インターフェース７を介して各処理装置１Ａ〜２Ｃの状態を各処理装置１Ａ〜２Ｃに確認することができる。コアモジュール５は、プラグイン６Ａ、６Ｂを実行することができる。プラグイン６Ａ、６Ｂは、各処理装置１Ａ〜２Ｃの制御パラメータの算出するプログラムが記述される。このプラグイン６Ａ、６Ｂには製品別やロット別に制御パラメータを調整するレシピが登録され、レシピに付された名称にて管理することができる。
【００１２】
そして、例えば、ウェハＷを保持したキャリアが処理装置１Ａのロードポートに置かれると、ロットローディング情報が装置コントローラ２Ａに送られる（Ｓ１）。そして、装置コントローラ２Ａにおいて、そのロットローディング情報が処理管理装置３で解読できるようにデータ形式が変換され、処理管理装置３に送られる（Ｓ２）。そして、処理管理装置３において、そのロットローディング情報に基づいて、処理装置１Ａの稼動状態や半導体製造プロセスの進捗状況がロット別に管理される。そして、今回のロットが正しい処理装置１Ａに搬入されたことが確認されると、今回のロットについての処理装置１Ａの制御パラメータの算出要求が制御要求処理部３Ａを介してプロセス制御装置４に出される（Ｓ３）。
【００１３】
そして、制御受付処理部４Ａにおいて、処理装置１Ａの制御パラメータの算出要求が受け付けられると、状態確認部４Ｂを介して処理装置１Ａの状態の確認要求が処理装置１Ａに出される（Ｓ４）。そして、この確認要求が通信インターフェース７を介して処理装置１Ａに受け取られると、処理装置１Ａの状態が状態確認部４Ｂに応答される（Ｓ５）。そして、プロセス制御装置４において、処理装置１Ａの状態が確認されると、今回のロットを処理装置１Ａで処理するためのレシピに対応したプラグイン６Ａがコアモジュール５にて実行される。この時、状態確認部４Ｂに応答された処理装置１Ａの状態が参照されつつ、処理装置１Ａの制御パラメータが調整され、その調整結果が処理管理装置３に応答される（Ｓ６）。
【００１４】
そして、処理管理装置３において、プロセス制御装置４にて調整された制御パラメータが装置コントローラ２Ａに送られる（Ｓ７）。そして、装置コントローラ２Ａにおいて、プロセス制御装置４にて調整された制御パラメータが処理装置１Ａで解読できるようにデータ形式が変換され、処理装置１Ａに送られる（Ｓ８）。そして、処理装置１Ａにおいて、プロセス制御装置４にて調整された制御パラメータに基づいて、処理装置１Ａの処理条件が設定され、ウェハＷの処理が行われる。
【００１５】
ここで、プロセス制御装置４は、処理装置１Ａの制御パラメータを調整する前に処理装置１Ａの状態を処理装置１Ａに確認することにより、処理装置１Ａの最新の状態を参照しつつ処理装置１Ａの制御パラメータを調整することができ、制御パラメータの調整精度を向上させることができる。
【００１６】
（第２の実施形態）
図２は、第２の実施形態に係る半導体処理システムの概略構成を示すブロック図である。
図２において、半導体処理システムには、処理装置１１Ａ〜１１Ｃ、装置コントローラ１２Ａ〜１２Ｃ、処理管理装置１３およびプロセス制御装置１４が設けられている。処理装置１１Ａ〜１１Ｃは、半導体ウェーハを処理することができる。ここで、処理装置１１Ａ〜１１Ｃには半導体ウェハＷを搬入することができる。そして、処理装置１１Ａ〜１１Ｃにて半導体ウェハＷを処理することで半導体ウェーハを処理することができる。ここで、処理装置１１Ａ〜１１Ｃには、通信インターフェース１７が設けられている。そして、処理装置１１Ａ〜１１Ｃは、通信インターフェース１７を介して自己の状態を外部に通知することができる。
【００１７】
装置コントローラ１２Ａ〜１２Ｃは、処理装置１１Ａ〜１１Ｃごとに設けることができる。そして、装置コントローラ１２Ａ〜１２Ｃは、各処理装置１１Ａ〜１１Ｃの状態を表すデータ形式を変換することができる。ここで、装置コントローラ１２Ａ〜１２Ｃには、状態応答部１８および状態確認部１９が設けられている。状態応答部１８は、処理装置１１Ａ〜１１Ｃの状態の確認要求に基づいて処理装置１１Ａ〜１１Ｃの状態を応答することができる。状態確認部１９は、通信インターフェース１７を介して処理装置１１Ａ〜１１Ｃの状態を処理装置１１Ａ〜１１Ｃに確認することができる。
【００１８】
処理管理装置１３は、装置コントローラ１２Ａ〜１２Ｃを介して収集した処理装置１１Ａ〜１１Ｃの状態に基づいて半導体ウェーハの処理を管理することができる。ここで、処理管理装置１３には、制御要求処理部１３Ａが設けられている。制御要求処理部１３Ａは、各処理装置１１Ａ〜１２Ｃの制御パラメータの算出をプロセス制御装置１４に要求することができる。
【００１９】
プロセス制御装置１４は、処理管理装置１３にて管理される半導体ウェーハの処理状況に基づいて、処理装置１１Ａ〜１１Ｃの制御パラメータを算出することができる。そして、プロセス制御装置１４は、各処理装置１１Ａ〜１２Ｃで処理されるロット別に制御パラメータを調整し、処理管理装置１３に応答することができる。
ここで、プロセス制御装置１４には、制御受付処理部１４Ａ、状態確認部１４Ｂ、コアモジュール１５およびプラグイン１６Ａ、１６Ｂが設けられている。制御受付処理部１４Ａは、制御要求処理部１３Ａから各処理装置１１Ａ〜１２Ｃの制御パラメータの算出要求を受け付けることができる。状態確認部１４Ｂは、制御受付処理部１４Ａにて各処理装置１１Ａ〜１２Ｃの制御パラメータの算出要求が受け付けられると、各処理装置１Ａ〜２Ｃの状態を各装置コントローラ１２Ａ〜１２Ｃに確認することができる。コアモジュール１５は、プラグイン１６Ａ、１６Ｂを実行することができる。プラグイン１６Ａ、１６Ｂは、各処理装置１１Ａ〜１２Ｃの制御パラメータの算出するプログラムが記述される。このプラグイン１６Ａ、１６Ｂには製品別やロット別に制御パラメータを調整するレシピが登録され、レシピに付された名称にて管理することができる。
【００２０】
そして、例えば、ウェハＷを保持したキャリアが処理装置１１Ａのロードポートに置かれると、ロットローディング情報が装置コントローラ１２Ａに送られる（Ｓ１１）。そして、装置コントローラ１２Ａにおいて、そのロットローディング情報が処理管理装置１３で解読できるようにデータ形式が変換され、処理管理装置１３に送られる（Ｓ１２）。そして、処理管理装置１３において、そのロットローディング情報に基づいて、処理装置１１Ａの稼動状態や半導体製造プロセスの進捗状況がロット別に管理される。そして、今回のロットが正しい処理装置１１Ａに搬入されたことが確認されると、今回のロットについての処理装置１１Ａの制御パラメータの算出要求が制御要求処理部１３Ａを介してプロセス制御装置１４に出される（Ｓ１３）。
【００２１】
そして、制御受付処理部１４Ａにおいて、処理装置１１Ａの制御パラメータの算出要求が受け付けられると、状態確認部１４Ｂを介して処理装置１１Ａの状態の確認要求が装置コントローラ１２Ａに出される（Ｓ１４）。そして、この確認要求が状態応答部１８を介して処理装置１１Ａに受け取られると、状態確認部１９を介して処理装置１１Ａの状態の確認要求が処理装置１１Ａに出される（Ｓ１５）。そして、この確認要求が通信インターフェース１７を介して処理装置１１Ａに受け取られると、処理装置１１Ａの状態が状態確認部１９に応答される（Ｓ１６）。そして、状態確認部１９において、処理装置１１Ａの状態が確認されると、状態応答部１８を介して処理装置１１Ａの状態が状態確認部１４Ｂに応答される（Ｓ１７）。そして、プロセス制御装置１４において、処理装置１１Ａの状態が確認されると、今回のロットを処理装置１１Ａで処理するためのレシピに対応したプラグイン１６Ａがコアモジュール１５にて実行される。この時、状態確認部１４Ｂに応答された処理装置１１Ａの状態が参照されつつ、処理装置１１Ａの制御パラメータが調整され、その調整結果が処理管理装置１３に応答される（Ｓ１８）。
【００２２】
そして、処理管理装置１３において、プロセス制御装置１４にて調整された制御パラメータが装置コントローラ１２Ａに送られる（Ｓ１９）。そして、装置コントローラ１２Ａにおいて、プロセス制御装置１４にて調整された制御パラメータが処理装置１１Ａで解読できるようにデータ形式が変換され、処理装置１１Ａに送られる（Ｓ２０）。そして、処理装置１１Ａにおいて、プロセス制御装置１４にて調整された制御パラメータに基づいて、処理装置１１Ａの処理条件が設定され、ウェハＷの処理が行われる。
【００２３】
ここで、プロセス制御装置１４は、処理装置１１Ａの制御パラメータを調整する前に処理装置１１Ａの状態を装置コントローラ１２Ａに確認することにより、処理装置１１Ａの最新の状態を参照しつつ処理装置１１Ａの制御パラメータを調整することができ、制御パラメータの調整精度を向上させることができる。
【００２４】
（第３の実施形態）
図３は、第３の実施形態に係る半導体処理システムの概略構成を示すブロック図である。
図３において、半導体処理システムには、処理装置２１Ａ〜２１Ｃ、装置コントローラ２２Ａ〜２２Ｃ、処理管理装置２３およびプロセス制御装置２４が設けられている。処理装置２１Ａ〜２１Ｃは、半導体ウェーハを処理することができる。ここで、処理装置２１Ａ〜２１Ｃには半導体ウェハＷを搬入することができる。そして、処理装置２１Ａ〜２１Ｃにて半導体ウェハＷを処理することで半導体ウェーハを処理することができる。ここで、処理装置２１Ａ〜２１Ｃには、通信インターフェース２７が設けられている。そして、処理装置２１Ａ〜２１Ｃは、通信インターフェース２７を介して自己の状態を外部に通知することができる。
【００２５】
装置コントローラ２２Ａ〜２２Ｃは、処理装置２１Ａ〜２１Ｃごとに設けることができる。そして、装置コントローラ２２Ａ〜２２Ｃは、各処理装置２１Ａ〜２１Ｃの状態を表すデータ形式を変換することができる。ここで、装置コントローラ２２Ａ〜２２Ｃには、制御要求処理部２８および状態確認部２９が設けられている。制御要求処理部２８は、各処理装置２１Ａ〜２２Ｃの制御パラメータの算出をプロセス制御装置２４に要求することができる。また、制御要求処理部２８は、各処理装置２１Ａ〜２１Ｃの制御パラメータの算出をプロセス制御装置２４に要求する時に各処理装置２１Ａ〜２１Ｃの状態をプロセス制御装置２４に通知することができる。状態確認部２９は、通信インターフェース２７を介して処理装置２１Ａ〜２１Ｃの状態を処理装置２１Ａ〜２１Ｃに確認することができる。
【００２６】
処理管理装置２３は、装置コントローラ２２Ａ〜２２Ｃを介して収集した処理装置２１Ａ〜２１Ｃの状態に基づいて半導体ウェーハの処理を管理することができる。
【００２７】
プロセス制御装置２４は、処理管理装置２３にて管理される半導体ウェーハの処理状況に基づいて、処理装置２１Ａ〜２１Ｃの制御パラメータを算出することができる。そして、プロセス制御装置２４は、各処理装置２１Ａ〜２２Ｃで処理されるロット別に制御パラメータを調整し、装置コントローラ２２Ａ〜２２Ｃに応答することができる。
ここで、プロセス制御装置２４には、制御受付処理部２４Ａ、コアモジュール２５およびプラグイン２６Ａ、２６Ｂが設けられている。制御受付処理部２４Ａは、制御要求処理部２８から各処理装置２１Ａ〜２２Ｃの制御パラメータの算出要求を受け付けることができる。コアモジュール２５は、プラグイン２６Ａ、２６Ｂを実行することができる。プラグイン２６Ａ、２６Ｂは、各処理装置２１Ａ〜２２Ｃの制御パラメータの算出するプログラムが記述される。このプラグイン２６Ａ、２６Ｂには製品別やロット別に制御パラメータを調整するレシピが登録され、レシピに付された名称にて管理することができる。
【００２８】
そして、例えば、ウェハＷを保持したキャリアが処理装置２１Ａのロードポートに置かれると、ロットローディング情報が装置コントローラ２２Ａに送られる（Ｓ２１）。そして、装置コントローラ２２Ａにおいて、そのロットローディング情報が処理管理装置２３で解読できるようにデータ形式が変換され、処理管理装置２３に送られる（Ｓ２２）。そして、処理管理装置２３において、そのロットローディング情報に基づいて、処理装置２１Ａの稼動状態や半導体製造プロセスの進捗状況がロット別に管理される。そして、今回のロットが正しい処理装置２１Ａに搬入されたことが確認されると、今回のロットについての確認情報が装置コントローラ２２Ａに通知される（Ｓ２３）。
【００２９】
そして、状態確認部２９において、今回のロットについての確認情報が装置コントローラ２２Ａに通知されると、処理装置２１Ａの状態の確認要求が処理装置２１Ａに出される（Ｓ２４）。そして、この確認要求が通信インターフェース２７を介して処理装置２１Ａに受け取られると、処理装置２１Ａの状態が状態確認部２９に応答される（Ｓ２５）。そして、状態確認部２９において、処理装置２１Ａの状態が確認されると、今回のロットについての処理装置２１Ａの制御パラメータの算出要求が制御要求処理部２８を介してプロセス制御装置２４に出される（Ｓ２６）。この時、状態確認部２９に応答された処理装置２１Ａの状態がプロセス制御装置２４に通知される。そして、プロセス制御装置２４において、処理装置２１Ａの制御パラメータの算出要求が受け付けられると、今回のロットを処理装置２１Ａで処理するためのレシピに対応したプラグイン２６Ａがコアモジュール２５にて実行される。この時、装置コントローラ２２Ａから通知された処理装置２１Ａの状態が参照されつつ、処理装置２１Ａの制御パラメータが調整され、その調整結果が装置コントローラ２２Ａに送られる（Ｓ２７）。そして、装置コントローラ２２Ａにおいて、プロセス制御装置２４にて調整された制御パラメータが処理装置２１Ａで解読できるようにデータ形式が変換され、処理装置２１Ａに送られる（Ｓ２８）。そして、処理装置２１Ａにおいて、プロセス制御装置２４にて調整された制御パラメータに基づいて、処理装置２１Ａの処理条件が設定され、ウェハＷの処理が行われる。
【００３０】
ここで、装置コントローラ２２Ａは、今回のロットについての処理装置２１Ａの制御パラメータの算出要求をプロセス制御装置２４に出す前に処理装置２１Ａの状態を処理装置２１Ａに確認し、処理装置２１Ａの制御パラメータの算出要求とともに処理装置２１Ａの状態をプロセス制御装置２４に通知することにより、通信処理にかかる負荷を低減しつつ、制御パラメータの調整精度を向上させることができる。
【００３１】
（第４の実施形態）
以下、第４の本実施形態に係る半導体処理システムについて、図１の処理装置１Ａがウェットエッチング装置である場合を例にとって説明する。このウェットエッチング装置では、ウェットエッチングを行うために薬液が用いられる。そして、エッチング対象物を薬液に浸すことでエッチングが行われる。このウェットエッチングは、例えば、ＮＡＮＤフラッシュメモリに用いられる制御ゲート電極のスリミング工程に適用することができる。このウェットエッチングでは、処理枚数の増加に伴って薬液のエッチングレートが変化する。
【００３２】
図４は、第４の実施形態に係る半導体処理システムに適用される薬液の処理枚数とエッチングレートとの関係を示す図である。
図４において、薬液交換を行わない場合、処理枚数の増加に伴って薬液のエッチングレートが増加するものする。そして、図１のプロセス制御装置４は、このウェットエッチング装置にロットがロードされた時に、このウェットエッチング装置の制御パラメータとして処理時間を計算するものとする。そして、このウェットエッチング装置は、今回のロットについてプロセス制御装置４にて計算された処理時間だけエッチングを行うものとする。
【００３３】
ここで、このウェットエッチング装置の処理枚数は処理管理装置３にて管理されているものとする。そして、プロセス制御装置４は、図４の処理枚数とエッチングレートとの関係から、処理管理装置３にて管理されている処理枚数に基づいて処理時間を算出するものとすると、薬液交換が行われた場合の処理時間と異なる値が算出される。この時、プロセス制御装置４は、処理時間を算出する前に、ウェットエッチング装置の状態をウェットエッチング装置に問い合わせることにより、直近の薬液交換後の処理枚数を確認することができる。そして、直近の薬液交換後の処理枚数に基づいて処理時間を算出することにより、ウェットエッチング装置の現在の状態を処理時間に反映させることができ、処理時間の算出精度を向上させることができる。
【００３４】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００３５】
１Ａ〜１Ｃ、１１Ａ〜１１Ｃ、２１Ａ〜２１Ｃ  処理装置、２Ａ〜２Ｃ、１２Ａ〜１２Ｃ、２２Ａ〜２２Ｃ  装置コントローラ、３、１３、２３  処理管理装置、３Ａ、１３Ａ、２８  制御要求処理部、４、１４、２４  プロセス制御装置、４Ａ、１４Ａ、２４Ａ  制御受付処理部、４Ｂ、１４Ｂ、１９、２９  状態確認部、５、１５、２５  コアモジュール、６Ａ、６Ｂ、１６Ａ、１６Ｂ、２６Ａ、２６Ｂ  プラグイン、７、１７、２７  通信インターフェース、１８  状態応答部
【図１】
2014007273.tif 000003
【図２】
2014007273.tif 000004
【図３】
2014007273.tif 000005
【図４】
2014007273.tif 000006