(57)【要約】【課題】処理対象物の表面を平坦化する表面処理において、同一工程の繰り返しを抑制する。【解決手段】表面処理方法は、エネルギーが供給されることにより発光すると共に、表面の少なくとも一部が露出している発光部（１２、２２、３２、１４０）を備える基材（１０、２０、３０、１００）に対して施される表面処理方法である。該表面処理方法は、基材の周囲に所定のガスを供給するガス供給工程と、エネルギーを発光部に供給して、該発光部を発光させるエネルギー供給工程と、を備える。エネルギー供給工程の結果、発光部の発光に起因して該発光部の露出している表面の一部に近接場光が発生し、該発生した近接場光と所定のガスとが反応することにより、露出している表面の一部が処理される。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
エネルギーが供給されることにより発光すると共に、表面の少なくとも一部が露出している発光部を備える基材に対して施される表面処理方法であって、
前記基材の周囲に所定のガスを供給するガス供給工程と、
前記エネルギーを前記発光部に供給して、前記発光部を発光させるエネルギー供給工程と、
を備え、
前記発光部の発光に起因して前記発光部の露出している表面の一部に近接場光が発生し、前記発生した近接場光と前記所定のガスとが反応することにより、前記露出している表面の一部が処理される
ことを特徴とする表面処理方法。
【請求項２】
前記露出している表面の一部には、近接場光を発生させることが可能な凸部及び凹部の少なくとも一方が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表面処理方法。
【請求項３】
前記エネルギーは電力であることを特徴とする請求項１又は２に記載の表面処理方法。
【請求項４】
前記発光部は、その内部に複数の量子ドットが形成されており、
前記エネルギーは、前記基材に対して照射される光の光エネルギーである
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の表面処理方法。
【請求項５】
エネルギーが供給されることにより発光すると共に、表面の少なくとも一部が露出している発光部を有する基材を備える平坦化物の製造方法であって、
前記基材の周囲に所定のガスを供給するガス供給工程と、
前記エネルギーを前記発光部に供給して、前記発光部を発光させるエネルギー供給工程と、
を備え、
前記発光部の発光に起因して前記発光部の露出している表面の一部に近接場光が発生し、前記発生した近接場光と前記所定のガスとが反応することにより、前記露出している表面の一部が処理される
ことを特徴とする平坦化物の製造方法。
【請求項６】
基板の上方に活性層を積層してディスクレーザ基板を形成する基板形成工程と、
前記形成されたディスクレーザ基板に対してエッチングを施し、円盤状のディスクレーザ素子を形成するエッチング工程と、
前記形成されたディスクレーザ素子に電極を形成する電極形成工程と、
前記形成されたディスクレーザ素子の周囲に所定のガスを供給するガス供給工程と、
前記形成された電極を介して、電気エネルギーを前記活性層に供給して、前記活性層を発光させるエネルギー供給工程と、
を備え、
前記活性層の発光に起因して前記活性層の露出している表面の一部に近接場光が発生し、前記発生した近接場光と前記所定のガスとが反応することにより、前記露出している表面の一部が処理され平坦化される
ことを特徴とするディスクレーザの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、近接場光を用いる表面処理方法、並びに該表面処理方法を用いた平坦化物の製造方法及びディスクレーザの製造方法の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の方法として、例えば、数ｎｍ（ナノメートル）サイズの凹凸部を表面に有する基板を、反応性ガスが導入されたチャンバ内に配置し、該反応性ガスを構成するガス分子を直接励起可能な波長帯域における吸収端波長よりも長波長からなる光を凸部に照射し、該凸部に局所的に近接場光を発生させ凸部を除去する方法が提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
或いは、表面に微小突起を有する基材を、塩素が存在する雰囲気下におき、該微小突起が存在する表面に光を照射することにより、該微小突起の先端に近接場光を発生させることにより、該微小突起をエッチング除去する方法が提案されている（特許文献２参照）。
【０００４】
或いは、表面に微細な凹凸が形成された光学素子を、原料ガスとしての塩素系ガスの雰囲気中に配置し、光学素子の表面に光を照射して、微細な凹凸に近接場光を発生させることにより、凸部をエッチングすると共に、凹部を平滑化する方法が提案されている（特許文献３参照）。
【０００５】
或いは、基板表面に形成された凸部が露出するように該基板の表面にレジストを被覆し、エッチングガス雰囲気中において、該エッチングガスのガス分子の吸収端波長より長波長の伝搬光を基板に照射することによって、近接場光を発生させてエッチングする方法が提案されている（特許文献４参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−９４３４５号公報
【特許文献２】特開２０１０−１１０８９７号公報
【特許文献３】特開２０１１−１４４０５２号公報
【特許文献４】特開２０１２−１６０４８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述の背景技術によれば、平坦化処理を施す表面に対してレーザ光等の光を照射する必要がある。このため、例えば立方体や円柱等の複数の面を有する構造物に対して平坦化処理を施す場合、該平坦化処理を施す面を一の面から他の面へ変更する度に、処理対象物の配置の変更或いはレーザ光源の配置や光路の変更が必要である。同一工程を複数の面に対して複数回繰り返さなければならないという技術的問題点がある。
【０００８】
本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、同一工程の繰り返しを抑制することができる表面処理方法、平坦化物の製造方法及びディスクレーザの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に記載の表面処理方法は、上記課題を解決するために、エネルギーが供給されることにより発光すると共に、表面の少なくとも一部が露出している発光部を備える基材に対して施される表面処理方法であって、前記基材の周囲に所定のガスを供給するガス供給工程と、前記エネルギーを前記発光部に供給して、前記発光部を発光させるエネルギー供給工程と、を備え、前記発光部の発光に起因して前記発光部の露出している表面の一部に近接場光が発生し、前記発生した近接場光と前記所定のガスとが反応することにより、前記露出している表面の一部が処理される。
【００１０】
請求項５に記載の平坦化物の製造方法は、上記課題を解決するために、エネルギーが供給されることにより発光すると共に、表面の少なくとも一部が露出している発光部を有する基材を備える平坦化物の製造方法であって、前記基材の周囲に所定のガスを供給するガス供給工程と、前記エネルギーを前記発光部に供給して、前記発光部を発光させるエネルギー供給工程と、を備え、前記発光部の発光に起因して前記発光部の露出している表面の一部に近接場光が発生し、前記発生した近接場光と前記所定のガスとが反応することにより、前記露出している表面の一部が処理される。
【００１１】
請求項６に記載のディスクレーザの製造方法は、上記課題を解決するために、基板の上方に活性層を積層してディスクレーザ基板を形成する基板形成工程と、前記形成されたディスクレーザ基板に対してエッチングを施し、円盤状のディスクレーザ素子を形成するエッチング工程と、前記形成されたディスクレーザ素子に電極を形成する電極形成工程と、前記形成されたディスクレーザ素子の周囲に所定のガスを供給するガス供給工程と、前記形成された電極を介して、電気エネルギーを前記活性層に供給して、前記活性層を発光させるエネルギー供給工程と、を備え、前記活性層の発光に起因して前記活性層の露出している表面の一部に近接場光が発生し、前記発生した近接場光と前記所定のガスとが反応することにより、前記露出している表面の一部が処理され平坦化される。
【００１２】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１実施例に係る表面処理方法における一工程を示す図である。
【図２】図１に示した工程に続く工程を示す図である。
【図３】図２に示した工程に続く工程を示す図である。
【図４】第１実施例に係る表面処理方法を示すフローチャートである。
【図５】第２実施例に係る近接場光素子の製造方法における一工程を示す図である。
【図６】図５に示した工程に続く工程を示す図である。
【図７】図６に示した工程に続く工程を示す図である。
【図８】図７に示した工程に続く工程を示す図である。
【図９】図８に示した工程に続く工程を示す図である。
【図１０】図９に示した工程に続く工程を示す図である。
【図１１】図１０に示した工程に続く工程を示す図である。
【図１２】図１１に示した工程に続く工程を示す図である。
【図１３】図１２に示した工程に続く工程を示す図である。
【図１４】図１３に示した工程に続く工程を示す図である。
【図１５】図１３に示したマイクロディスクの平面図である。
【図１６】図１４に示した工程に続く工程を示す図である。
【図１７】図１６に示した工程に続く工程を示す図である。
【図１８】図１７に示した工程に続く工程を示す図である。
【図１９】図１８に示した工程に続く工程を示す図である。
【図２０】図１９に示した工程に続く工程を示す図である。
【図２１】第３実施例に係る表面処理方法を示す図である。
【図２２】第４実施例に係る表面処理方法における一工程を示す図である。
【図２３】図２２に示した工程に続く工程を示す図である。
【図２４】図２３に示した工程に続く工程を示す図である。
【図２５】図２４に示した工程に続く工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
（表面処理方法）
本発明に係る表面処理方法の実施形態について説明する。
【００１５】
実施形態に係る表面処理方法は、発光部を備える基材の表面の、例えばナノメートルオーダ（数ｎｍ〜数十ｎｍ程度）の凹部及び／又は凸部の少なくとも一部を平坦化するための表面処理方法である。発光部は、例えば電力や光エネルギー等のエネルギーが供給されることにより発光する。また、発光部は、その表面の少なくとも一部が露出している。
【００１６】
当該表面処理方法は、基材の周囲に、例えば塩素ガス等のエッチングに用いられる所定のガスを供給するガス供給工程と、エネルギーを発光部に供給して、該発光部を発光させるエネルギー供給工程と、を備える。
【００１７】
上記エネルギー供給工程の結果、発光部の発光に起因して該発光部の露出している表面の一部（即ち、意図しない凹部及び／又は凸部が形成されている部分）に近接場光が発生する。すると、発生した近接場光と、基材の周囲に存在する所定のガスを構成するガス分子とが反応することにより、発光部の露出している表面の一部が処理される。尚、近接場光とガス分子との反応については、特許文献１乃至４を参照。
【００１８】
ここで、発光部が、例えばＬＥＤや、内部に複数の量子ドットを含む量子ドットレーザ素子等の発光素子である場合、該発光部に電力が供給されると発光部自体が発光し、該発光部の発光に起因して、発光部表面の凹部及び／又は凸部の周囲に近接場光が発生する。また、発光部が、量子ドットを含む量子ドット層である場合、該発光部に光が照射されることにより（つまり、光エネルギーが量子ドットに供給されることにより）発光部が発光されてよい。量子ドットに光エネルギーが供給された結果、量子ドットの周囲に近接場光が発生し、該発生した近接場光が近隣の量子ドットに移動することにより、発光部表面の凹部及び／又は凸部の周囲に近接場光が発生する。このことについては、国際公開ＷＯ２０１２／１１１８１６Ａ１に詳述されている。
【００１９】
このように構成すれば、処理対象である基材自体が発光するので、表面処理を施す対象となる部分毎に、例えば基材の配置を変更する必要がないので、同一工程の繰り返し回数を抑制することができる。
【００２０】
特に、発光部に電力を供給することにより、該発光部を発光させる場合、上述の背景技術のように、基材に対して光を照射する必要がないので、表面処理に用いるガスと照射される光との反応を考慮する必要がなく、実用上非常に有利である。
【００２１】
（平坦化物の製造方法）
本発明の平坦化物の製造方法に係る実施形態について説明する。
【００２２】
実施形態に係る製造方法は、エネルギーが供給されることにより発光すると共に、表面の少なくとも一部が露出している発光部を有する基材を備える平坦化物の製造方法である。
【００２３】
当該製造方法は、基材の周囲に所定のガスを供給するガス供給工程と、エネルギーを発光部に供給して、該発光部を発光させるエネルギー供給工程と、を備える。該エネルギー供給工程の結果、発光部の発光に起因して該発光部の露出している表面の一部に近接場光が発生する。すると、発生した近接場光と、基材の周囲に存在する所定のガスを構成するガス分子とが反応することにより、発光部の露出している表面の一部が処理される。
【００２４】
つまり、当該製造方法では、発光部の露出している表面を処理するために、上述した実施形態に係る表面処理方法が用いられる。従って、発光部の露出している表面を好適に処理することができる。
【００２５】
（ディスクレーザの製造方法）
本発明のディスクレーザの製造方法に係る実施形態について説明する。実施形態に係るディスクレーザの製造方法は、基板形成工程、エッチング工程、電極形成工程、ガス供給工程及びエネルギー供給工程を備えて構成されている。
【００２６】
基板形成工程では、基板の上方に活性層を積層してディスクレーザ基板が形成される。尚、基板と活性層との間には、一又は複数の他の層が積層されていてよい。エッチング工程では、ディスクレーザ基板に対して所定のエッチングが施され、円盤状のディスクレーザ素子が形成される。電極形成工程では、ディスクレーザ素子に電極が形成される。
【００２７】
ガス供給工程では、ディスクレーザ素子の周囲に所定のガスが供給される。エネルギー供給工程では、電極を介して電気エネルギーがディスクレーザ素子の活性層に供給され、該活性層が発光される。
【００２８】
該エネルギー供給工程の結果、活性層の発光に起因して該活性層の露出している表面の一部に近接場光が発生する。すると、発生した近接場光と、ディスクレーザ素子の周囲に存在する所定のガスを構成するガス分子とが反応することにより、活性層の露出している表面の一部が処理される。
【００２９】
つまり、当該製造方法では、活性層の露出している表面を処理するために、上述した実施形態に係る表面処理方法が用いられる。従って、活性層の露出している表面を好適に処理することができる。
【実施例】
【００３０】
本発明の表面処理方法に係る実施例を、図面に基づいて説明する。
【００３１】
＜第１実施例＞
本発明の表面処理方法に係る第１実施例について、図１乃至図４を参照して説明する。尚、図１乃至図３では、各要素を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、要素毎に縮尺を異ならしめている。
【００３２】
図１において、本実施例に係る基材１０は、ＧａＡｓ（ガリウムヒ素）からなる半導体層１１と、該半導体層１１の上に積層され、複数のＩｎＡｓ（インジウムヒ素）量子ドットを含むＧａＡｓからなる活性層１２と、該活性層１２の上に積層され、ＧａＡｓからなる半導体層１３と、を備えて構成されている。
【００３３】
半導体層１１の上面及び半導体層１３の上面の各々には、電源に電気的に接続された電極が形成されている。該電極及び半導体層１１、並びに該電極及び半導体層１３を介して、本発明に係る「発光部」の一例としての、活性層１２に電力が供給される。この結果、該活性層１２は、所謂量子ドット発光素子として動作する。
【００３４】
次に、上述の基材１０に対して施される表面処理について、図４のフローチャートに従って説明する。
【００３５】
図４において、先ず、図１に示すように、基材１０がチャンバ内の載置台に設置される（ステップＳ１０１）。次に、図２に示すように、例えば塩素（Ｃｌ２）等のエッチングガスで、チャンバ内が満たされる（ステップＳ１０２）。続いて、基材１０に対して、電極を介してエネルギー（ここでは、電力）が加給される（ステップＳ１０３）。
【００３６】
エネルギーの加給に起因して、活性層１２が発光し、該活性層１２の表面に形成された、例えば５０ｎｍ以下の、意図しない凹部及び凸部に近接場光が発生する（ステップＳ１０４）。この結果、凹部及び凸部各々に纏わりついた近接場光により、該凹部及び凸部周囲のエッチングガスが活性化され、近接場光が纏わりつく凹部及び凸部のみがエッチングされる。
【００３７】
尚、活性層１２の表面に形成された凹部については、該表面に形成された凸部がエッチングされることで発生する該凸部を構成していた分子が、該凹部に纏わりついた近接場光と反応し、該凹部が平坦化されることが期待できる。該凹部が十分に平坦化されない場合であっても、近接場光に起因するエッチングの効果により、該凹部の角部を滑らかにすることができる。
【００３８】
基材１０に対するエネルギー加給後一定時間経過した場合（ステップＳ１０６）、基材１０に対するエネルギー加給が停止される（ステップＳ１０７）。続いて、チャンバ内のエッチングガスが排気される（ステップＳ１０８）。近接場光に起因するエッチングの結果、図３に示すように、活性層１２の表面が平坦化される。次に、チャンバ内から基材１０が取り出される（ステップＳ１０９）。
【００３９】
＜第２実施例＞
本発明の表面処理方法に係る第２実施例について、図５乃至図２０を参照して説明する。第２実施例では、本発明に係る「平坦化物」の一例としての、熱アシスト磁気記録（Ｈｅａｔ  Ａｓｓｉｓｔｅｄ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ：ＨＡＭＲ）の磁気ヘッド用いられる近接場光素子の製造方法も併せて説明する。尚、図５乃至図２０でも、各要素を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、要素毎に縮尺を異ならしめている。また、図５乃至図２０では、チャンバや載置台の記載を省略している。
【００４０】
図５において、ｎ−ＧａＡｓ基板１１０の上に、ｎ−ＧａＡｓ層１１１が積層される。次に、図６に示すように、ｎ−ＧａＡｓ層１１１の上に、ｎ−ＡｌＧａＡｓ層１２０が積層される。次に、図７に示すように、ｎ−ＡｌＧａＡｓ層１２０の上に、ｎ−ＡｌＧａＡｓ光閉込層１３０が積層される。
【００４１】
次に、図８に示すように、ｎ−ＡｌＧａＡｓ光閉込層１３０の上に、複数のＩｎＡｓ量子ドットを含むＧａＡｓ層１４０が積層される。尚、本実施例に係る「ＧａＡｓ層１４０」は、本発明に係る「発光部」の他の一例である。次に、図９に示すように、ＧａＡｓ層１４０の上に、ｐ−ＡｌＧａＡｓ光閉込層１５０が積層され、ディスクレーザ基板が形成される。
【００４２】
次に、図１０に示すように、ｐ−ＡｌＧａＡｓ光閉込層１５０の上に、ｐ−ＡｌＧａＡｓ層１６０が積層される。次に、ｐ−ＡｌＧａＡｓ層１６０の上に所定のマスク（所望するディスクレーザの形状に応じた、例えば円形のマスク）が形成された後エッチングが施される（図１１参照）。次に、図１２に示すように、ｎ−ＡｌＧａＡｓ層１２０及びｐ−ＡｌＧａＡｓ層１６０が夫々エッチングされる。
【００４３】
尚、エッチング工程では、塩素ガス等によるドライエッチングに限らず、フッ素系材料を用いたウェットエッチングを用いることも可能である。このエッチング工程によりディスクレーザ基板が円盤状に加工される。
【００４４】
次に、図１３に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板１１０の上面の一部、及びｐ−ＡｌＧａＡｓ層１６０の上に、電極１７１及び１７２が夫々形成される。次に、図１４に示すように、電極１７１に配線１８１が電気的に接続されるように、該配線１８１が形成される。同様に、電極１７２に配線１８２が電気的に接続されるように、該配線１８２が形成される。図５乃至図１４に示した工程により、ディスクレーザ素子１００が形成される。
【００４５】
尚、ディスクレーザ素子１００には、例えば、「冨士田誠之他、『ＧａＩｎＡｓＰ電流注入ディスクレーザの最適設計と連続動作』電気情報通信学会技術研究報告  信学技報  ＬＱＥ９８−１３９（１９９９−２）、ｐ７−１３」等に記載の技術を適用可能である。
【００４６】
ところで、上記エッチング工程の後、ディスクレーザ素子１００を、その上方から平面的に見ると、図１５に示すように、エッチング加工に起因して、例えばＧａＡｓ層１４０の露出した表面に、ナノメートルオーダ（数ｎｍ〜数十ｎｍ）の意図しない凹凸が生じている。該凹凸は、ディスクレーザ素子１００の発光を妨げるため除去する必要がある。  そこで本実施例では、図１４に示した工程の後、図１６に示すように、ディスクレーザ素子１００が設置されたチャンバ（図示せず）内に、例えば塩素等のエッチングガスを導入すると共に、配線１８１及び１８２を介して、ディスクレーザ素子１００に電力を供給する。
【００４７】
この結果、ディスクレーザ素子１００のＧａＡｓ層１４０が発光することに起因して、該ＧａＡｓ層１４０の露出した表面（即ち、ディスクレーザ素子１００の活性層としてのＧａＡｓ層１４０の側面）に形成された凹凸の周囲に、図１７に示すように、近接場光が発生する。即ち、ＧａＡｓ層１４０の側面の一部に近接場光が発生する。そして、発生した近接場光とエッチングガスとが反応することにより、図１８に示すように、ＧａＡｓ層１４０の表面が平坦化される。
【００４８】
尚、ナノメートルオーダの凹凸は研磨等の物理的な方法では除去することができない。他方で、該凹凸が存在すると、ディスクレーザ素子１００のＧａＡｓ層１４０が完全な円形にならないため共振モードに影響がでてしまう。本実施例では、上述の如くＧａＡｓ層１４０の表面が平坦化されることで、ディスクレーザ素子１００のＧａＡｓ層１４０を完全な円に近い形状にすることができる。ＧａＡｓ層１４０は円盤状であり、従来技術では該ＧａＡｓ層１４０に光を均一に照射することが困難であったが、本実施例のように、ＧａＡｓ層１４０自体を発光させる方法であれば、該ＧａＡｓ層１４０の表面を容易に平坦化することができる。
【００４９】
次に、図１９に示すように、ディスクレーザ素子１００の近傍に、金（Ａｕ）ロッドが配置（形成）される。次に、ディスクレーザ素子１００と、磁極（図示せず）等とが組み合わされることにより、図２０に示すような磁気ヘッドが形成される。
【００５０】
磁気ヘッドのディスクレーザ素子１００の動作時に、Ａｕロッドの端部に近接場光が発生することに起因して、図示しない磁気記録媒体上に熱スポットが形成される。尚、ディスクレーザ素子を用いたＨＡＭＲ方式の記録ヘッドの構造や記録方法については、本願出願人が出願した特願２０１２−１７７０６９の明細書に詳述されている。
【００５１】
＜第３実施例＞
本発明の表面処理方法に係る第３実施例について、図２１を参照して説明する。尚、図２１でも、各要素を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、要素毎に縮尺を異ならしめている。
【００５２】
図２１において、本実施例に係る基材２０は、ＧａＡｓからなる半導体層２１と、該半導体層２１の上に積層され、複数のＩｎＡｓ量子ドットを含むＧａＡｓからなる活性層２２と、遮光を目的として、半導体層２１の上面を覆うように形成されたマスク層２３と、を備えて構成されている。ここで、活性層２２の内部に形成されたＩｎＡｓ量子ドットのサイズは、例えば幅２０〜３０ｎｍであり、高さ５〜１５ｎｍである。
【００５３】
基材２０がチャンバ内の載置台に設置され、例えば塩素等のエッチングガスでチャンバ内が満たされた後、基材２０に対して光が照射されると、活性層２２の内部に形成されたＩｎＡｓ量子ドットを介して、光エネルギーが伝搬し、活性層２２の表面に形成された意図しない凹部及び凸部に近接場光が発生する。近接場光に起因して、活性層２２の表面が平坦化される。
【００５４】
本実施例では、光源として、例えば緑色半導体レーザ等の５３２ｎｍの波長を有する光を出射する光源を用いている。５３２ｎｍの波長を有する光が照射された場合、活性層２２の内部に形成されたＩｎＡｓ量子ドットは、１０２３ｎｍの波長を有する光を出射する、ことが本願発明者の研究により判明している。このＩｎＡｓ量子ドットが発する１０２３ｎｍの波長の光によって、活性層２２の露出した表面に形成された意図しない凹部及び凸部に近接場光が発生するのである。
【００５５】
本実施例では特に、上述の如く、マスク層２３が形成されているため、光源から出射された光がエッチングガスと直接反応することはない。このため、エッチングガスとして用いられるガス分子の吸収端波長の制限を受けずに、光源を選択することができ、実用上非常に有利である。
【００５６】
＜第４実施例＞
本発明の表面処理方法に係る第４実施例について、図２２乃至図２５を参照して説明する。尚、図２２乃至図２５でも、各要素を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、要素毎に縮尺を異ならしめている。
【００５７】
図２２において、本実施例に係る基材３０は、ＧａＡｓからなる半導体層３１と、該半導体層の上に積層され、複数のＩｎＡｓ量子ドットを含むＧａＡｓからなる活性層３２と、を備えて構成されている。本実施例では特に、基材３０が設置されているチャンバ内には、光源と、エッチングガス等のガスを局所的に噴出可能なガス噴き出し口が設けられている。
【００５８】
図２３に示すように、基材３０に対して光が照射されると、活性層３２の上面に形成された意図しない凹部及び凸部に近接場光が発生する。この状態で、図２４に示すように、活性層３２の上部近傍にエッチングガスが供給されると、近接場光とエッチングガスとが反応する。この結果、図２５に示すように、活性層３２の上面が平坦化される。
【００５９】
本実施例では特に、エッチングガスが局所的にしか存在しないので、光源から出射された光とエッチングガスとが反応する可能性を著しく低減することができる。この結果、エッチングガスの選択肢、及び／又は光の波長の選択肢を増加させることができ、実用上非常に有利である。
【００６０】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う表面処理方法、平坦化物の製造方法及びディスクレーザの製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００６１】
１０、２０、３０…基材、１１、１３、２１、３２…半導体層、１２、２２、３２…活性層、１００…ディスクレーザ素子、１１０…ｎ−ＧａＡｓ基板、１１１…ｎ−ＧａＡｓ層、１２０…ｎ−ＡｌＧａＡｓ層、１３０…ｎ−ＡｌＧａＡｓ層光閉込層、１４０…ＧａＡｓ層、１５０…ｐ−ＡｌＧａＡｓ光閉込層、１６０…ｐ−ＡｌＧａＡｓ層、１７１、１７２…電極、１８１、１８２…配線
【図１】
2014203891.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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