(57)【要約】【課題】インダクタ部品において、所望の電気特性を確保しつつ、上下のインダクタパターン同士を接続するビア導体の接続信頼性を確保する。【解決手段】第１インダクタパターン２１２ａ上には、第１部分を覆う磁性体層２１３ａと、第１インダクタパターン２１２ａの第１部分と第２部分の双方を覆う樹脂層２１４が形成されている。ビア導体２１８ａ，２２１ａは、樹脂層２１４に設けられたビアホールの内部に形成されている。ビア導体２１８ａは第１出力パッド２２３ａの上に形成され、ビア導体２２１ａは第１入力パッド２２２ａの上に形成されている。樹脂層２１４の上には、第２インダクタパターン２１２ｂが形成され、積層パッド２２０ａが形成されている。積層パッド２２０ａは、ビア導体２２１ａによって、第１入力パッド２２２ａと電気的に接続されている。【選択図】図２
2014032978.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁層と、
該第１絶縁層上に設けられ、第１インダクタパターンと該第１インダクタパターンの一
端部に設けられている第１パッドとを有する第１導体層と、
前記第１絶縁層上及び前記第１導体層上に設けられている第２絶縁層と、
該第２絶縁層上に設けられ、第２インダクタパターンと該第２インダクタパターンの端
部に設けられている第２パッドとを有する第２導体層と、
を有するインダクタ部品であって、
前記第２絶縁層は、前記第１インダクタパターンの少なくとも一部を被覆する磁性体層
と、前記第１パッドを被覆する樹脂層とを含み、
該樹脂層は、前記第１パッドの少なくとも一部を露出するビア導体用の開口を有し、
該開口の内部に設けられるビア導体により、前記第１導体層と前記第２導体層とが接続
されているインダクタ部品。
【請求項２】
前記磁性体層は、樹脂と磁性体粒子とを含有する請求項１に記載のインダクタ部品。
【請求項３】
前記樹脂層は、磁性体粒子を含んでいない請求項１または２に記載のインダクタ部品。
【請求項４】
前記第１インダクタパターンは平面視略環状に形成され、該第１インダクタパターンで
形成される内部空間には前記磁性体層が設けられている請求項１乃至３のいずれか１項に
記載のインダクタ部品。
【請求項５】
前記第１導体層は、前記第１インダクタパターンの他端部に設けられている第３パッド
を有し、該第３パッドは前記第１パッドと同じ側に設けられている請求項１乃至４のいず
れか１項に記載のインダクタ部品。
【請求項６】
前記第１導体層は、複数の第１インダクタパターンを有しており、
前記磁性体層は、各第１インダクタパターンを被覆する請求項１乃至５のいずれか１項に
記載のインダクタ部品。
【請求項７】
前記磁性体層はベタ状に設けられる請求項６に記載のインダクタ部品。
【請求項８】
前記磁性体層は、前記樹脂層に被覆されている請求項３に記載のインダクタ部品。
【請求項９】
前記磁性体層の厚みは、該磁性体層を覆う樹脂層の厚みよりも大きい請求項８に記載の
インダクタ部品。
【請求項１０】
前記第１インダクタパターン及び第２インダクタパターンは、金属箔と、該金属箔上の
めっき膜とから形成されている請求項１乃至９のいずれか１項に記載のインダクタ部品。
【請求項１１】
前記樹脂層は、粗化溶液に対して溶けやすい樹脂成分と、溶けにくい樹脂成分とを含ん
でなる請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のインダクタ部品。
【請求項１２】
第１絶縁層を準備することと、
該第１絶縁層上に、第１インダクタパターンと該第１インダクタパターンの一端部に設
けられている第１パッドとを有する第１導体層を形成することと、
前記第１絶縁層上及び前記第１導体層上に第２絶縁層を形成することと、
該第２絶縁層上に、第２インダクタパターンと該第２インダクタパターンの端部に設け
られている第２パッドとを有する第２導体層を形成することと、
前記第１導体層と前記第２導体層とを接続するビア導体を形成することと、
を含むインダクタ部品の製造方法であって、
前記第２絶縁層は、前記第１インダクタパターンの少なくとも一部を被覆する磁性体層
と、前記第１パッドを被覆する樹脂層とを含み、
該樹脂層は、前記第１パッドの少なくとも一部を露出する前記ビア導体用の開口を有し
、
該開口の内部に前記ビア導体が形成されるインダクタ部品の製造方法。
【請求項１３】
前記第１インダクタパターン及び前記第２インダクタパターンは、セミアディティブ法
により形成される請求項１２に記載のインダクタ部品の製造方法。
【請求項１４】
前記磁性体層は、印刷法により形成される請求項１２または１３に記載のインダクタ部
品の製造方法。
【請求項１５】
前記樹脂層の表面は、粗化溶液により粗化される請求項１２乃至１４のいずれか１項に
記載のインダクタ部品の製造方法。
【請求項１６】
開口部を有するコア基板と、前記開口部の内部に収容されるインダクタ部品と、を有す
る配線板であって、
前記インダクタ部品は、
第１絶縁層と、
該第１絶縁層上に設けられ、第１インダクタパターンと該第１インダクタパターンの一
端部に設けられている第１パッドとを有する第１導体層と、
前記第１絶縁層上及び前記第１導体層上に設けられている第２絶縁層と、
該第２絶縁層上に設けられ、第２インダクタパターンと該第２インダクタパターンの端
部に設けられている第２パッドとを有する第２導体層と、
を有し、
前記第２絶縁層は、前記第１インダクタパターンの少なくとも一部を被覆する磁性体層
と、前記第１パッドを被覆する樹脂層とを含み、
該樹脂層は、前記第１パッドの少なくとも一部を露出するビア導体用の開口を有し、
該開口の内部に設けられるビア導体により、前記第１導体層と第２導体層とが接続され
ている配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダクタ部品、インダクタ部品の製造方法及び配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の小型化、高集積化に伴い、半導体素子の電極端子は狭ピッチ化、多端子化
の傾向にある。それに伴って、半導体素子が実装される配線板は薄型化、多端子化が要求
されている。配線板の厚さを薄くするためには、コア材の厚さを薄くすることが考えられ
る。コア材の厚さを薄くした場合には、コア材の内部に収容されるインダクタ部品の厚さ
も、薄くすることが好ましい。特許文献１には、インダクタ部品がコア材内に収容されて
なるプリント配線板が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１５８４５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、インダクタ部品の厚さを薄くすると、インダクタ部品の巻き数（インダ
クタパターンの層の数）が減少する。その結果、所望の電気特性（特にインダクタンス）
が得られなくなる可能性がある。
【０００５】
これに対して、インダクタパターンの層間に磁性体層を設けて、インダクタ部品のイン
ダクタンスを向上させることが考えられる。磁性体層を形成する方法としては、磁性体粒
子と樹脂を含有する磁性体ペーストをインダクタパターンの上に塗布した後、磁性体ペー
ストを硬化させる方法等がある。しかし、インダクタパターンの全面を磁性体層で覆うと
、上下に配置されたインダクタパターン同士を接続するビア導体を形成するために、磁性
体層にビア導体用の貫通孔を形成しなければならない。この場合、ビア導体を形成するめ
っきと、磁性体粒子との密着性を確保することが困難で、磁性体層に対するビア導体の密
着性が低下する可能性がある。
【０００６】
本発明は、上述の事情の下になされたものであって、インダクタ部品において、所望の
電気特性を確保しつつ、上下のインダクタパターン同士を接続するビア導体の接続信頼性
を確保することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の第１の観点に係るインダクタ部品は、
第１絶縁層と、
該第１絶縁層上に設けられ、第１インダクタパターンと該第１インダクタパターンの一
端部に設けられている第１パッドとを有する第１導体層と、
前記第１絶縁層上及び前記第１導体層上に設けられている第２絶縁層と、
該第２絶縁層上に設けられ、第２インダクタパターンと該第２インダクタパターンの端
部に設けられている第２パッドとを有する第２導体層と、
を有するインダクタ部品であって、
前記第２絶縁層は、前記第１インダクタパターンの少なくとも一部を被覆する磁性体層と、前記第１パッドを被覆する樹脂層とを含み、
該樹脂層は、前記第１パッドの少なくとも一部を露出するビア導体用の開口を有し、
該開口の内部に設けられるビア導体により、前記第１導体層と前記第２導体層とが接続
されている。
【０００８】
前記磁性体層は、樹脂と磁性体粒子とを含有することが好ましい。
【０００９】
前記樹脂層は、磁性体粒子を含んでいないことが好ましい。
【００１０】
前記第１インダクタパターンは平面視略環状に形成され、該第１インダクタパターンで
形成される内部空間には前記磁性体層が設けられていることが好ましい。
【００１１】
前記第１導体層は、前記第１インダクタパターンの他端部に設けられている第３パッド
を有し、該第３パッドは前記第１パッドと同じ側に設けられていることが好ましい。
【００１２】
前記第１導体層は、複数の第１インダクタパターンを有しており、前記磁性体層は、各
第１インダクタパターンを被覆することが好ましい。
【００１３】
前記磁性体層はベタ状に設けられることが好ましい。
【００１４】
前記磁性体層は、前記樹脂層に被覆されていることが好ましい。
【００１５】
前記磁性体層の厚みは、該磁性体層を覆う樹脂層の厚みよりも大きいことが好ましい。
【００１６】
前記第１インダクタパターン及び第２インダクタパターンは、金属箔と、該金属箔上の
めっき膜とから形成されていることが好ましい。
【００１７】
前記樹脂層は、粗化溶液に対して溶けやすい樹脂成分と、溶けにくい樹脂成分とを含ん
でなることが好ましい。
【００１８】
上記目的を達成するために、本発明の第２の観点に係るインダクタ部品の製造方法は、
第１絶縁層を準備することと、
該第１絶縁層上に、第１インダクタパターンと該第１インダクタパターンの一端部に設
けられている第１パッドとを有する第１導体層を形成することと、
前記第１絶縁層上及び前記第１導体層上に第２絶縁層を形成することと、
該第２絶縁層上に、第２インダクタパターンと該第２インダクタパターンの端部に設け
られている第２パッドとを有する第２導体層を形成することと、
前記第１導体層と前記第２導体層とを接続するビア導体を形成することと、
を含むインダクタ部品の製造方法であって、
前記第２絶縁層は、前記第１インダクタパターンの少なくとも一部を被覆する磁性体層と、前記第１パッドを被覆する樹脂層とを含み、
該樹脂層は、前記第１パッドの少なくとも一部を露出する前記ビア導体用の開口を有し
、
該開口の内部に前記ビア導体が形成される。
【００１９】
前記第１インダクタパターン及び前記第２インダクタパターンは、セミアディティブ法
により形成されることが好ましい。
【００２０】
前記磁性体層は、印刷法により形成されることが好ましい。
【００２１】
前記樹脂層の表面は、粗化溶液により粗化されることが好ましい。
【００２２】
上記目的を達成するために、本発明の第３の観点に係る配線板は、
開口部を有するコア基板と、前記開口部の内部に収容されるインダクタ部品と、を有す
る配線板であって、
前記インダクタ部品は、
第１絶縁層と、
該第１絶縁層上に設けられ、第１インダクタパターンと該第１インダクタパターンの一
端部に設けられている第１パッドとを有する第１導体層と、
前記第１絶縁層上及び前記第１導体層上に設けられている第２絶縁層と、
該第２絶縁層上に設けられ、第２インダクタパターンと該第２インダクタパターンの端
部に設けられている第２パッドとを有する第２導体層と、
を有し、
前記第２絶縁層は、前記第１インダクタパターンの少なくとも一部を被覆する磁性体層と、前記第１パッドを被覆する樹脂層とを含み、
該樹脂層は、前記第１パッドの少なくとも一部を露出するビア導体用の開口を有し、
該開口の内部に設けられるビア導体により、前記第１導体層と第２導体層とが接続され
ている。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、インダクタ部品において、磁性体層に対するビア導体の密着性を確保
することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実施形態１に係る配線板を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態１に係るインダクタ部品を示す断面図である。
【図３Ａ】本発明の実施形態１に係るインダクタ部品の第１層を示す平面図である。
【図３Ｂ】本発明の実施形態１に係るインダクタ部品の第２層を示す平面図である。
【図３Ｃ】本発明の実施形態１に係るインダクタ部品の第３層を示す平面図である。
【図４】本発明の実施形態１に係るインダクタ部品の製造方法を示すフローチャートである。
【図５】図４に示す製造方法において、インダクタ部品の製造の土台となる支持体を示す断面図である。
【図６】図４に示す製造方法において、支持体の上に支持層及び導体層を形成する工程を説明するための図である。
【図７】図４に示す製造方法において、第１インダクタパターンを形成する工程を説明するための図である。
【図８】図４に示す製造方法において、第１インダクタパターンの上に磁性体層を形成する工程を説明するための図である。
【図９】図４に示す製造方法において、支持層、第１インダクタパターン、磁性体層の上に樹脂層を積層する工程を説明するための図である。
【図１０】図４に示す製造方法において、支持層、第１インダクタパターン、磁性体層の上に樹脂層が積層された状態を示す図である。
【図１１】図４に示す製造方法において、樹脂層に孔（ビアホール）を形成する工程を説明するための図である。
【図１２】図４に示す製造方法において、ビア導体及び導体層を形成する工程を説明するための図である。
【図１３】図４に示す製造方法において、第２インダクタパターンを形成する工程を説明するための図である。
【図１４】図４に示す製造方法において、第２インダクタパターンの上に磁性体層を形成する工程を説明するための図である。
【図１５】図４に示す製造方法において、樹脂層、第２インダクタパターン、磁性体層の上に樹脂層を積層する工程を説明するための図である。
【図１６】図４に示す製造方法において、樹脂層、第２インダクタパターン、磁性体層の上に樹脂層が積層された状態を示す図である。
【図１７】図４に示す製造方法において、樹脂層に孔（ビアホール）を形成する工程を説明するための図である。
【図１８】図４に示す製造方法において、ビア導体及び導体層を形成する工程を説明するための図である。
【図１９】図４に示す製造方法において、第３インダクタパターンを形成する工程を説明するための図である。
【図２０】図４に示す製造方法において、第３インダクタパターンの上に磁性体層を形成する工程を説明するための図である。
【図２１】図４に示す製造方法において、樹脂層、第３インダクタパターン、磁性体層の上に樹脂層を積層する工程を説明するための図である。
【図２２】図４に示す製造方法において、樹脂層、第３インダクタパターン、磁性体層の上に樹脂層が積層された状態を示す図である。
【図２３】図４に示す製造方法において、樹脂層に孔（ビアホール）を形成する工程を説明するための図である。
【図２４】図４に示す製造方法において、ビア導体及び導体層を形成する工程を説明するための図である。
【図２５】図４に示す製造方法において、入力端子及び出力端子を形成する工程を説明するための図である。
【図２６】本発明の実施形態１に係る配線板の製造方法を示すフローチャートである。
【図２７】図２６に示す製造方法において、基板にスルーホールを設ける工程を説明するための図である。
【図２８】図２６に示す製造方法において、スルーホール導体と導体パターンを形成する工程を説明するための図である。
【図２９】図２６に示す製造方法において、コア基板に貫通孔（キャビティ）を形成する工程を説明するための図である。
【図３０】図２６に示す製造方法において、キャビティ内にインダクタ部品を配置する工程を説明するための図である。
【図３１】図２６に示す製造方法において、キャビティとインダクタ部品との隙間に樹脂を充填する工程を説明するための図である。
【図３２】図２６に示す製造方法において、基板の両面に層間絶縁層を形成する工程を説明するための図である。
【図３３Ａ】本発明の実施形態１の変形例に係るインダクタ部品を示す断面図である。
【図３３Ｂ】本発明の実施形態１の変形例に係るインダクタ部品の第１層を示す平面図である。
【図３３Ｃ】本発明の実施形態１の変形例に係るインダクタ部品の第２層を示す平面図である。
【図３３Ｄ】本発明の実施形態１の変形例に係るインダクタ部品の第３層を示す平面図である。
【図３４Ａ】本発明の実施形態２に係るインダクタ部品を示す断面図である。
【図３４Ｂ】本発明の実施形態２に係るインダクタ部品の第１層を示す平面図である。
【図３４Ｃ】本発明の実施形態２に係るインダクタ部品の第２層を示す平面図である。
【図３４Ｄ】本発明の実施形態２に係るインダクタ部品の第３層を示す平面図である。
【図３５】本発明の実施形態３に係るインダクタ部品を示す断面図である。
【図３６】本発明の実施形態３に係るインダクタ部品の第１層を示す平面図である。
【図３７】本発明の実施形態３に係るインダクタ部品の第２層を示す平面図である。
【図３８】本発明の実施形態３に係るインダクタ部品の第３層を示す平面図である。
【図３９】本発明の実施形態３の第１変形例に係るインダクタ部品の第１層を示す平面図である。
【図４０】本発明の実施形態３の第２変形例に係るインダクタ部品の第１層を示す平面図である。
【図４１】本発明の実施形態３の第３変形例に係るインダクタ部品の第１層を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、理解を容易にする
ため、ＸＹＺ座標を設定し、適宜参照する。図中、矢印Ｚは、インダクタ部品及び配線板
の主面（表裏面）の法線方向に相当するインダクタ部品及び配線板の積層方向（またはイ
ンダクタ部品及び配線板の厚み方向）を指す。一方、矢印Ｘ及びＹは、それぞれ積層方向
に直交する方向（または各層の側方）を指す。インダクタ部品及び配線板の主面は、Ｘ−
Ｙ平面となる。また、インダクタ部品及び配線板の側面は、Ｘ−Ｚ平面またはＹ−Ｚ平面
となる。積層方向において、支持層及び基板に近い側を下層（または内層側）、支持層（
及び基板）から遠い側を上層（または外層側）という。
【００２６】
孔は貫通孔に限られず、非貫通の孔も含めて、孔という。孔には、ビアホール及びスル
ーホールが含まれる。以下、ビアホール内（壁面または底面）に形成される導体をビア導
体といい、スルーホール内（壁面）に形成される導体をスルーホール導体という。孔の「
径」または「内径」とは、特に断らない限り、孔の径または内径の最大値と最小値の平均
値をいう。
【００２７】
「めっき」とは、金属層を形成する工程のみならず、形成された金属及び金属層をも意
味する。めっきには、無電解めっきや電解めっき等の湿式めっきのほか、ＰＶＤ（Physic
al Vapor Deposition）やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の乾式めっきも含まれ
る。
【００２８】
「平面形状」とは、インダクタ部品及び配線板の積層方向、すなわちＺ方向から見た場
合の形状を意味する。また、インダクタパターンの平面形状には、円形のほか、矩形（図
２Ａ乃至図２Ｃ、図３３Ｂ乃至図３３Ｄ、図３４Ｂ乃至図３４Ｄ、図３７乃至図４１参照
）、楕円形、多角形等も含まれる。
【００２９】
以下、本発明を具体化した実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００３０】
［実施形態１］
本発明の実施形態１について、図１乃至図３３Ｄを参照して説明する。まず、実施形態
１に係る配線板１０の構成について、図１を参照して説明する。
【００３１】
本実施形態１に係る配線板１０は、図１に示すように、基板１００（絶縁基板）と、第
１ビルドアップ部Ｂ１と、第２ビルドアップ部Ｂ２と、インダクタ部品２１０と、ソルダ
ーレジスト１１、１２と、を有する。本実施形態１の配線板１０は、矩形板状のリジッド
配線板である。ただし、配線板１０は、フレキシブル配線板であってもよい。以下、基板
１００の表裏面（２つの主面）の一方を第１面Ｆ１、他方を第２面Ｆ２という。また、イ
ンダクタ部品２１０の表裏面（２つの主面）のうち、第１面Ｆ１と同じ方向を向く面を第
３面Ｆ３といい、他方を第４面Ｆ４という。
【００３２】
第１ビルドアップ部Ｂ１は、基板１００の第１面Ｆ１側に形成され、第２ビルドアップ
部Ｂ２は、基板１００の第２面Ｆ２側に形成される。第１ビルドアップ部Ｂ１は、絶縁層
１０１（層間絶縁層）と、導体層１１０と、から構成され、第２ビルドアップ部Ｂ２は、
絶縁層１０２（層間絶縁層）と、導体層１２０と、から構成される。インダクタ部品２１
０は、配線板１０に内蔵される。第１ビルドアップ部Ｂ１上、第２ビルドアップ部Ｂ２上
にはそれぞれ、ソルダーレジスト１１、１２が形成される。
【００３３】
基板１００は、絶縁性を有し、配線板１０のコア基板となる。基板１００の第１面Ｆ１
上には導体層１５１が形成され、基板１００の第２面Ｆ２上には導体層１５２が形成され
る。基板１００にはキャビティ（開口部）Ｒ１０が形成される。キャビティＲ１０には、
インダクタ部品２１０が収容される。キャビティＲ１０は、基板１００を貫通する貫通孔
からなる。キャビティＲ１０の両端（第１面Ｆ１側及び第２面Ｆ２側）の開口形状はそれ
ぞれ、略長方形になっている。インダクタ部品２１０の形状は、例えば矩形板状であり、
インダクタ部品２１０の主面の形状は、例えば略長方形である。本実施形態１では、イン
ダクタ部品２１０がキャビティＲ１０に対応した平面形状（例えば略同じ大きさの相似形
）を有する。
なお、キャビティＲ１０は基板１００を貫通していなくともよい。すなわち、キャビテ
ィＲ１０は、深さが基板１００の厚みよりも小さく、有底形状であってもよい。
【００３４】
本実施形態１では、インダクタ部品２１０の略全体がキャビティＲ１０に収容される。
しかしこれに限られず、インダクタ部品２１０の一部のみがキャビティＲ１０に配置され
てもよい。本実施形態１では、キャビティＲ１０におけるインダクタ部品２１０と基板１
００との隙間Ｒ１に、絶縁体１０１ａが充填される。本実施形態１では、絶縁体１０１ａ
が、上層の絶縁層１０１（詳しくは樹脂絶縁層）を構成する絶縁材料（詳しくは樹脂）か
らなる（図３１参照）。絶縁体１０１ａは、基板１００及びインダクタ部品２１０のいず
れよりも大きな熱膨張係数を有する。絶縁体１０１ａは、インダクタ部品２１０の周りを
完全に覆う。これにより、インダクタ部品２１０が、絶縁体１０１ａ（樹脂）で保護され
るとともに、所定の位置に固定される。
なお、絶縁体１０１ａは、上層の絶縁層１０１とは別の材料であってもよい。
【００３５】
絶縁層１０１は、基板１００の第１面Ｆ１上及びインダクタ部品２１０の第３面Ｆ３上
に形成され、絶縁層１０２は、基板１００の第２面Ｆ２上及びインダクタ部品２１０の第
４面Ｆ４上に形成される。そして、キャビティＲ１０（貫通孔）の一方（第１面Ｆ１側）
の開口は絶縁層１０１によって塞がれ、キャビティＲ１０（貫通孔）の他方（第２面Ｆ２
側）の開口は絶縁層１０２によって塞がれる。本実施形態１では、導体層１１０及び１２
０が、最外層となる。ただしこれに限られず、より多くの層間絶縁層及び導体層を積層し
てもよい。
【００３６】
導体層１１０は、第１面Ｆ１側の最外の導体層となり、導体層１２０は、第２面Ｆ２側
の最外の導体層となる。導体層１１０、１２０上にはそれぞれ、ソルダーレジスト１１、
１２が形成される。ただし、ソルダーレジスト１１、１２にはそれぞれ、開口部１１ａ、
１２ａが形成されている。このため、導体層１１０の所定の部位（開口部１１ａに位置す
る部位）は、ソルダーレジスト１１に覆われず露出しており、パッドＰ１となる。また、
導体層１２０の所定の部位（開口部１２ａに位置する部位）は、パッドＰ２となる。パッ
ドＰ１は、例えば他の配線板と電気的に接続するための外部接続端子となり、パッドＰ２
は、例えば電子部品を実装するための外部接続端子となる。ただしこれに限られず、パッ
ドＰ１、Ｐ２の用途は任意である。
【００３７】
本実施形態では、パッドＰ１、Ｐ２が、その表面に、例えばＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ膜からな
る耐食層を有する。耐食層は、電解めっきまたはスパッタリング等により形成することが
できる。また、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理を行うことにより、
有機保護膜からなる耐食層を形成してもよい。なお、耐食層は必須の構成ではなく、必要
がなければ割愛してもよい。
【００３８】
基板１００（コア基板）にはスルーホール１００ａが形成され、スルーホール１００ａ
内に導体（例えば銅めっき）が充填されることにより、スルーホール導体１００ｂが形成
される。本実施形態１では、スルーホール導体１００ｂの形状が、砂時計状（鼓状）であ
る。導体層１５１、１５２にはそれぞれ、スルーホール導体１００ｂのランドが含まれる
。
【００３９】
絶縁層１０１には孔１１１ａ及び１１２ａ（それぞれビアホール）が形成され、絶縁層
１０２には孔１２２ａ（ビアホール）が形成されている。孔１１１ａ、１１２ａ、１２２
ａ内にそれぞれ導体（例えば銅のめっき）が充填されることにより、各孔内の導体がそれ
ぞれ、ビア導体１１１ｂ、１１２ｂ、１２２ｂ（それぞれフィルド導体）となる。孔１１
１ａは、インダクタ部品２１０の入力端子２２０ｃ及び出力端子２１９にそれぞれ達し、
ビア導体１１１ｂは、基板１００の第１面Ｆ１側から、インダクタ部品２１０の入力端子
２２０ｃ及び出力端子２１９にそれぞれ電気的に接続される。
【００４０】
基板１００の第１面Ｆ１上の導体層１５１と、絶縁層１０１上の導体層１１０とは、ビ
ア導体１１２ｂを介して互いに電気的に接続され、基板１００の第２面Ｆ２上の導体層１
５２と、絶縁層１０２上の導体層１２０とは、ビア導体１２２ｂを介して互いに電気的に
接続される。また、基板１００の第１面Ｆ１上の導体層１５１と基板１００の第２面Ｆ２
上の導体層１５２とは、スルーホール導体１００ｂを介して、互いに電気的に接続されて
いる。ビア導体１１２ｂ、１２２ｂ及びスルーホール導体１００ｂは、いずれもフィルド
導体であり、これらがＺ方向にスタックされることで、スタック構造が形成される。
【００４１】
基板１００は、例えばガラスクロス（心材）にエポキシ樹脂を含浸させたもの（以下、
「ガラエポ」という。）からなる。心材は、主材料（本実施形態１ではエポキシ樹脂）よ
りも熱膨張率の小さい材料である。心材としては、例えばガラス繊維（例えばガラス布ま
たはガラス不織布）、アラミド繊維（例えばアラミド不織布）、またはシリカフィラー等
の無機材料が好ましいと考えられる。ただし、基板１００の材料は、基本的に任意である
。例えばエポキシ樹脂に代えて、ポリエステル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（Ｂ
Ｔ樹脂）、イミド樹脂（ポリイミド）、フェノール樹脂、またはアリル化フェニレンエー
テル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）等を用いてもよい。基板１００は、異種材料からなる複数の
層から構成されていてもよい。
【００４２】
本実施形態１では、絶縁層１０１、１０２の各々が、心材を樹脂に含浸してなる。絶縁
層１０１、１０２は、例えばガラエポからなる。ただしこれに限定されず、例えば絶縁層
１０１、１０２は心材を含まない樹脂からなってもよい。また、絶縁層１０１、１０２の
材料は、基本的に任意である。例えばエポキシ樹脂に代えて、ポリエステル樹脂、ビスマ
レイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、イミド樹脂（ポリイミド）、フェノール樹脂、ま
たはアリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）等を用いてもよい。各絶縁層は
、異種材料からなる複数の層から構成されていてもよい。
【００４３】
導体層１１０は、銅箔（下層）と、銅めっき（上層）と、から構成され、導体層１２０
は、銅箔（下層）と、銅めっき（上層）と、から構成される。導体層１１０、１２０は、
例えば電気回路（例えばインダクタ部品２１０を含む電気回路）を構成する配線、ランド
、及び配線板１０の強度を高めるためのベタパターンなどを有する。
【００４４】
各導体層及び各ビア導体の材料は、導体であれば任意であり、金属でも非金属でもよい
。各導体層及び各ビア導体は、異種材料からなる複数の層から構成されていてもよい。
【００４５】
次に、実施形態１に係るインダクタ部品２１０の構成について、図２、図３Ａ、図３Ｂ
、図３Ｃを参照して説明する。
【００４６】
図２は、本実施形態１に係るインダクタ部品２１０の断面図である。図３Ａは、＋Ｚ方
向から見たインダクタ部品２１０の第１層Ｌ１を示す概略図である。図３Ｂは、＋Ｚ方向
から見たインダクタ部品２１０の第２層Ｌ２を示す概略図である。図３Ｃは、＋Ｚ方向か
ら見たインダクタ部品２１０の第３層Ｌ３を示す概略図である。なお、図３Ａ乃至図３Ｃ
においては、樹脂層２１４、２１５、２１６をそれぞれ図示省略している。
【００４７】
図２に示すように、インダクタ部品２１０は、支持層（絶縁層）２１１と、その上の第
１層Ｌ１と、その上の第２層Ｌ２と、その上の第３層Ｌ３と、その上の入力端子２２０ｃ
及び出力端子２１９から構成される。
【００４８】
第１層Ｌ１は、第１インダクタパターン２１２ａと、層間絶縁層２１７ａと、ビア導体
２１８ａと、ビア導体２２１ａとから構成される。層間絶縁層２１７ａは、磁性体層２１
３ａと、樹脂層２１４とから構成される。
【００４９】
第２層Ｌ２は、第２インダクタパターン２１２ｂと、層間絶縁層２１７ｂと、ビア導体
２１８ｂと、ビア導体２２１ｂとから構成される。層間絶縁層２１７ｂは、磁性体層２１
３ｂと、樹脂層２１５とから構成される。
【００５０】
第３層Ｌ３は、第３インダクタパターン２１２ｃと、層間絶縁層２１７ｃと、ビア導体
２１８ｃと、ビア導体２２１ｃとから構成される。層間絶縁層２１７ｃは、磁性体層２１
３ｃと、樹脂層２１６とから構成される。
【００５１】
図３Ａに示すように、第１インダクタパターン２１２ａは、磁性体層２１３ａと重なる
第１部分２１２ａａと、それ以外の第２部分２１２ａｂとを有する。すなわち、第１イン
ダクタパターン２１２ａの少なくとも一部（第１部分）が磁性体層２１３ａに被覆されて
いる。第１部分２１２ａａは、Ｃ字状に形成されている。主としてこの第１部分が、イン
ダクタとしての役割を果たす。第２部分２１２ａｂのそれぞれの一端部には、第１出力パ
ッド２２３ａ、第１入力パッド２２２ａが設けられている。ここで、図３Ａに示すように
、第１インダクタパターン２１２ａの第１出力パッド２２３ａは、第１入力パッド２２２
ａと同じ側に設けられている。これにより、磁性体層２１３ａを平面視で略矩形状に一体
に形成することができる。この結果、磁性体層２１３ａの形成が容易になる。
【００５２】
図２に示すように、第１インダクタパターン２１２ａ上には、第１部分２１２ａａを覆
う磁性体層２１３ａと、第１インダクタパターン２１２ａの第１部分２１２ａａと第２部
分２１２ａｂの双方を覆う樹脂層２１４が形成されている。磁性体層２１３ａは、磁性体
粒子と樹脂とを含む。ビア導体２１８ａ，２２１ａは、樹脂層２１４に設けられたビアホ
ールの内部に形成されている。ビア導体２１８ａは、第１出力パッド２２３ａの上に形成
されている。ビア導体２２１ａは、第１入力パッド２２２ａの上に形成されている。
【００５３】
図２に示すように、樹脂層２１４の上には、第２インダクタパターン２１２ｂが形成さ
れている。また、樹脂層２１４の上には、積層パッド２２０ａが形成されている。積層パ
ッド２２０ａは、ビア導体２２１ａによって、第１入力パッド２２２ａと電気的に接続さ
れている。すなわち、磁性体層２１３ａは、樹脂層２１４に被覆されている。この場合、
磁性体粒子を含んでいない平坦な樹脂層２１４上に導体層（第２インダクタパターン２１
２ｂ等）を形成することになる。その結果、樹脂層（絶縁層）に対する導体層の密着性を
確保することができる。
【００５４】
図３Ｂに示すように、第２インダクタパターン２１２ｂは、磁性体層２１３ｂと重なる
第１部分２１２ｂａと、それ以外の第２部分２１２ｂｂとを有する。すなわち、第２イン
ダクタパターン２１２ｂの少なくとも一部（第１部分）が磁性体層２１３ｂに被覆されて
いる。第１部分２１２ｂａは、Ｃ字状に形成されている。主としてこの第１部分が、イン
ダクタとしての役割を果たす。第２部分２１２ｂｂのそれぞれの一端部には、第２出力パ
ッド２２３ｂ、第２入力パッド２２２ｂが設けられている。ここで、図３Ｂに示すように
、第２インダクタパターン２１２ｂの第２出力パッド２２３ｂは、第２入力パッド２２２
ｂと同じ側に設けられている。これにより、磁性体層２１３ｂを平面視で略矩形状に一体
に形成することができる。この結果、磁性体層２１３ｂの形成が容易になる。
【００５５】
第２インダクタパターン２１２ｂの第２入力パッド２２２ｂは、ビア導体２１８ａによ
って、第１出力パッド２２３ａと電気的に接続されている。ビア導体２１８ａ及びビア導
体２２１ａは、樹脂層２１４を貫通する。
【００５６】
図２に示すように、第２インダクタパターン２１２ｂ上には、第１部分２１２ｂａを覆
う磁性体層２１３ｂと、第２インダクタパターン２１２ｂの第１部分２１２ｂａと第２部
分２１２ｂｂの双方を覆う樹脂層２１５が形成されている。磁性体層２１３ｂは、磁性体
粒子と樹脂とを含む。ビア導体２１８ｂ、２２１ｂは、樹脂層２１５に設けられたビアホ
ールの内部に形成されている。ビア導体２１８ｂは、第２出力パッド２２３ｂの上に形成
されている。ビア導体２２１ｂは、積層パッド２２０ａの上に形成されている。
【００５７】
図２に示すように、樹脂層２１５の上には、第３インダクタパターン２１２ｃが形成さ
れる。また、樹脂層２１５の上には、積層パッド２２０ｂが形成される。すなわち、磁性
体層２１３ｂは、樹脂層２１５に被覆されている。この場合、磁性体粒子を含んでいない
平坦な樹脂層２１５上に導体層（第３インダクタパターン２１２ｃ等）を形成することに
なる。その結果、樹脂層（絶縁層）に対する導体層の密着性を確保することができる。
【００５８】
積層パッド２２０ｂは、ビア導体２２１ｂによって、積層パッド２２０ａと電気的に接
続されている。第３インダクタパターン２１２ｃの第３入力パッド２２２ｃは、ビア導体
２１８ｂによって、第２出力パッド２２３ｂと電気的に接続されている。ビア導体２１８
ｂ及びビア導体２２１ｂは、樹脂層２１５を貫通する。
【００５９】
図３Ｃに示すように、第３インダクタパターン２１２ｃは、磁性体層２１３ｃと重なる
第１部分２１２ｃａと、それ以外の第２部分２１２ｃｂとを有する。すなわち、第３イン
ダクタパターン２１２ｃの少なくとも一部（第１部分）が磁性体層２１３ｃに被覆されて
いる。第１部分２１２ｃａは、Ｃ字状に形成されている。主としてこの第１部分が、イン
ダクタとしての役割を果たす。第２部分２１２ｃｂのそれぞれの一端部には、第３出力パ
ッド２２３ｃ、第３入力パッド２２２ｃが設けられている。ここで、図３Ｃに示すように
、第３インダクタパターン２１２ｃの第３出力パッド２２３ｃは、第３入力パッド２２２
ｃと同じ側に設けられている。これにより、磁性体層２１３ｃを平面視で略矩形状に一体
に形成することができる。この結果、磁性体層２１３ｃの形成が容易になる。
【００６０】
図２に示すように、第３インダクタパターン２１２ｃ上には、第１部分２１２ｃａを覆
う磁性体層２１３ｃと、第３インダクタパターン２１２ｃの第１部分２１２ｃａと第２部
分２１２ｃｂの双方を覆う樹脂層２１６が形成されている。磁性体層２１３ｃは、磁性体
粒子と樹脂とを含む。ビア導体２１８ｃ、２２１ｃは、樹脂層２１６に設けられたビアホ
ールの内部に形成されている。ビア導体２１８ｃは、第３出力パッド２２３ｃの上に形成
されている。ビア導体２２１ｃは、積層パッド２２０ｂの上に形成されている。
【００６１】
樹脂層２１６の上には、入力端子２２０ｃ及び出力端子２１９が形成される。入力端子
２２０ｃは、ビア導体２２１ｃによって、積層パッド２２０ｂと電気的に接続されている
。出力端子２１９は、ビア導体２１８ｃによって、第３出力パッド２２３ｃと電気的に接
続されている。ビア導体２１８ｃ及びビア導体２２１ｃは、樹脂層２１６を貫通する。
【００６２】
このように、第１インダクタパターン２１２ａ、ビア導体２１８ａ、第２インダクタパ
ターン２１２ｂ、ビア導体２１８ｂ及び第３インダクタパターン２１２ｃは、３ターンの
インダクタを構成している。また、ビア導体２２１ａ、２２１ｂ、２２１ｃは、いずれも
フィルド導体であり、これらはＺ方向にスタックされている。こうしたスタック構造は、
インダクタ部品２１０の小型化に有利である。
【００６３】
本実施形態１のインダクタ部品２１０においては、入力端子２２０ｃから電流が入力さ
れ、ビア導体２２１ａ、２２１ｂ、２２１ｃからなるスタック構造を伝って第１インダク
タパターン２１２ａに入り、３ターンのインダクタを通過して、出力端子２１９から出力
される。本実施形態１のインダクタ部品２１０においては、入力端子２２０ｃ及び出力端
子２１９が同じ面（第３面Ｆ３）に形成されている。これにより、インダクタ部品２１０
を配線板１０のコア基板１００内に収容した場合に、インダクタ部品２１０への配線が容
易になる。
【００６４】
本実施形態１では、支持層２１１の材料、層間絶縁層２１７ａ、２１７ｂ、２１７ｃを
構成する各樹脂材料は、基本的に任意である。支持層２１１の材料、層間絶縁層２１７ａ
、２１７ｂ、２１７ｃの樹脂材料は、例えばエポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレ
イミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、イミド樹脂（ポリイミド）、フェノール樹脂、また
はアリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）等を用いることができる。各層は
、異種材料からなる複数の層から構成されていてもよい。
【００６５】
磁性体層２１３ａ、２１３ｂ、２１３ｃを構成する樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、
１３０℃以上であることが好ましい。磁性体層２１３ａ、２１３ｂ、２１３ｃを構成する
樹脂のガラス転移温度が１３０℃以上であれば、ガラス転移温度が１３０℃未満である場
合に比べて、インダクタ部品２１０が配線板の中で加熱されたときに、磁性体層２１３ａ
、２１３ｂ、２１３ｃが変形しにくくなる。
【００６６】
磁性体層２１３ａ、２１３ｂ、２１３ｃを構成する樹脂は、基本的には絶縁性の樹脂材
料であればよいが、耐熱性の樹脂からなることが好ましい。磁性体層２１３ａ、２１３ｂ
、２１３ｃを構成する樹脂は、具体的には、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリ
ベンゾオキサゾール樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリベンゾシクロブテン樹脂、ポリアリ
ーレンエーテル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ
エステルウレタン樹脂、フッ素樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリシクロオレフィン樹脂、
シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂及びポリスチレン樹脂等、またはこれらの
混合物等であることが好ましい。
【００６７】
磁性体層２１３ａ、２１３ｂ、２１３ｃを構成する磁性体粒子の粒子径の平均値（平均
粒子径）は、例えば０．５〜５０μｍの範囲内にある。磁性体粒子の平均粒子径は、走査
型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真に写る複数の磁性体粒子の粒子径を実測した結果から算出さ
れる。本実施形態では、例えば１００個の磁性体粒子の計測結果から、磁性体粒子の平均
粒子径が算出される。磁性体粒子の平均粒子径が０．５μｍ以上であると、平均粒子径が
０．５μｍ未満である場合に比べて、磁性体粒子が凝集しにくくなる。このため磁性体層
２１３ａ、２１３ｂ、２１３ｃの磁性体粒子を均一に分散させることが容易になる。磁性
体粒子の平均粒子径が５０μｍ以下であると、平均粒子径が５０μｍを超える場合に比べ
て、粒子同士の摩擦抵抗が小さくなる。このため、磁性体層２１３ａ、２１３ｂ、２１３
ｃを均一な厚さに構成することが容易となる。
【００６８】
磁性体層２１３ａ、２１３ｂ、２１３ｃにおける磁性体粒子の体積含有率は、３０体積
％〜７０体積％の範囲内にあることが好ましい。体積含有率が３０体積％以上であると、
３０体積％未満である場合に比べて、インダクタ部品２１０の磁気特性が向上する。体積
含有率が７０体積％以下であると、７０体積％を超える場合に比べて、粒子同士の摩擦抵
抗が小さくなる。このため、磁性体粒子の体積含有率が上記範囲にあると、磁性体層２１
３ａ、２１３ｂ、２１３ｃを均一な厚さに構成することが容易になる。
【００６９】
磁性体粒子を構成する磁性体は、軟磁性体であれば任意であり、例えば鉄、軟磁性鉄合
金、ニッケル、軟磁性ニッケル合金、コバルト、軟磁性コバルト合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）
−シリコン（Ｓｉ）系合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−窒素（Ｎ）系合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−
炭素（Ｃ）系合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−ホウ素（Ｂ）系合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−リン（
Ｐ）系合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−アルミニウム（Ａｌ）系合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−アル
ミニウム（Ａｌ）−シリコン（Ｓｉ）系合金等である。
【００７０】
磁性体層２１３ａ、２１３ｂ、２１３ｃの厚みは、磁性体層２１３ａ、２１３ｂ、２１
３ｃを覆う樹脂層２１４、２１５、２１６の厚みよりも、大きいことが好ましい。これに
より、磁性体層２１３ａ、２１３ｂ、２１３ｃ中に十分な量の磁性体粒子を含有させるこ
とができ、インダクタ部品２１０のインダクタンスをさらに向上させることができる。具
体的には、磁性体層２１３ａ、２１３ｂ、２１３ｃの厚さは、例えば２０〜１００μｍの
範囲内にあり、磁性体層２１３ａ、２１３ｂ、２１３ｃの存在する部分における樹脂層２
１４、２１５、２１６の厚さは、例えば１０〜６０μｍの範囲内にあることが好ましい。
【００７１】
樹脂層２１４、２１５、２１６は、樹脂材料から構成される。樹脂材料は、基本的には
絶縁性の樹脂材料であればよいが、耐熱性の樹脂であることが好ましい。具体的には、例
えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリフェニレン樹脂
、ポリベンゾシクロブテン樹脂、ポリアリーレンエーテル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ポ
リウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルウレタン樹脂、フッ素樹脂、ポリオレ
フィン樹脂、ポリシクロオレフィン樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂
及びポリスチレン樹脂等、またはこれらの混合物等であることが好ましい。
【００７２】
樹脂層２１４、２１５、２１６は、粗化溶液に対して溶けやすい樹脂成分と、溶けにく
い樹脂成分とを含んでなることが好ましい。具体的には、極性基を多くすることにより過
マンガン酸やクロム酸等の粗化溶液に溶けやすくした樹脂成分と、過マンガン酸やクロム
酸等の粗化溶液に溶けにくい樹脂成分とを混合して樹脂層２１４、２１５、２１６を形成
する。これにより、粗化工程において、樹脂層の表面が粗化されることで、樹脂層に対す
る導体層の密着性が確保される。
【００７３】
磁性体層２１３ａ、２１３ｂ、２１３ｃを構成する樹脂材料と樹脂層２１４、２１５、
２１６を構成する樹脂材料とは、同じ材料であることが好ましい。磁性体層の樹脂材料と
、樹脂層の樹脂材料とを同じ材料にすることで、磁性体層２１３ａ、２１３ｂ、２１３ｃ
と樹脂層２１４、２１５、２１６との密着性が向上する。また、樹脂層２１４、２１５、
２１６の線膨張係数は、磁性体層２１３ａ、２１３ｂ、２１３ｃの線膨張係数より小さい
ことが好ましい。樹脂層の線膨張係数を磁性体層の線膨張係数より小さくすることで、磁
性体層２１３ａ、２１３ｂ、２１３ｃが熱変形するおそれが小さくなる。
【００７４】
本実施形態１では、支持層２１１の材料としては、エポキシ樹脂を用いている。また、
磁性体層２１３ａ、２１３ｂ、２１３ｃを構成する樹脂及び樹脂層２１４、２１５、２１
６を構成する樹脂としては、それぞれエポキシ樹脂を用いている。
【００７５】
支持層２１１、樹脂層２１４、２１５、２１６は、無機フィラーを含有してもよい。こ
れにより、樹脂層２１４、２１５、２１６の線膨張係数を、磁性体層２１３ａ、２１３ｂ
、２１３ｃの線膨張係数より小さくすることが容易となる。無機フィラーは、例えばガラ
ス繊維、ガラス粒子、炭酸カルシウム、炭酸ナトリウム、硫酸バリウム、水酸化アルミニ
ウム、アルミナ、シリカ、珪藻土、雲母、タルク等である。
【００７６】
本実施形態１に係るインダクタ部品２１０においては、インダクタパターンが、磁性体
層から引き出された部分で接続される。これにより、磁性体層の面積が同じである場合に
は、磁性体層にビアを形成してインダクタパターンを接続する場合に比較して、インダク
タパターンに対する磁性体層の有効面積が大きくなる。したがって、磁性体層の面積を大
きくすることなく、インダクタンスを大きくすることができる。その結果、インダクタ部
品の小型化、薄型化を実現することができる。
【００７７】
上述の如く、本実施形態１に係るインダクタ部品２１０は、第１インダクタパターン２
１２ａ、第２インダクタパターン２１２ｂ、第３インダクタパターン２１２ｃの第２部分
２１２ａｂ、２１２ｂｂ、２１２ｃｂが、それぞれ磁性体層から引き出されている。これ
により、第１部分２１２ａａ、２１２ｂａ、２１２ｃａと第２部分２１２ａｂ、２１２ｂ
ｂ、２１２ｃｂとを、直線で区画することができる。この結果、磁性体ペーストの塗布が
容易になる。
【００７８】
本実施形態１に係る配線板１０は、このようなインダクタ部品２１０をコア基板１００
のキャビティＲ１０内に収容している。これにより、コア基板１００を薄くすることがで
き、配線板１０全体の厚さも薄くすることができる。
【００７９】
インダクタ部品２１０の製造方法について、図４等を参照して説明する。図４は、本実
施形態１に係るインダクタ部品２１０の製造方法の概略的な内容及び手順を示すフローチ
ャートである。
【００８０】
ステップＳ１では、支持体の上に、支持層及び導体層を形成する。
【００８１】
詳しくは、まず、図５に示すように、インダクタ部品２１０の製造の土台として、支持
体４００を準備する。支持体４００は、片面に銅箔４１０が形成された絶縁体である。
【００８２】
続けて、図６に示すように、例えば金属箔を有する樹脂層を、支持体４００の銅箔４１
０上に積層する。続けてめっき液を用いて、金属箔をシード層として電解めっきを行うこ
とにより、例えば銅めっきを形成する。そして、樹脂層を加熱硬化させる。これにより、
硬化した樹脂層からなる支持層２１１、及び金属箔と銅めっきからなる導体層２１２ｘを
形成する。この支持層２１１には、ガラスクロス等の心材が含まれていてもよい。
【００８３】
続けて、図４のステップＳ２で、例えばエッチングレジスト及びエッチング液を用いて
、導体層２１２ｘのパターニングを行う。具体的には、第１インダクタパターン２１２ａ
に対応したパターンを有するエッチングレジストで導体層２１２ｘを覆う。そして、導体
層２１２ｘの、エッチングレジストで覆われない部分（エッチングレジストの開口部から
露出する部位）を、エッチングで除去する。これにより、図７に示すように、支持層２１
１上に、第１インダクタパターン２１２ａを形成する。なお、エッチングは、湿式に限ら
れず、乾式であってもよい。
【００８４】
このように、第１インダクタパターン２１２ａは、金属箔と、該金属箔上のめっき膜と
から形成されている。これにより、インダクタ特性（Ｑ値）を確保するのに適した、第１
インダクタパターン２１２ａの厚みが得られる。
【００８５】
図３Ａに示すように、第１インダクタパターン２１２ａは、一端に、第１出力パッド２
２３ａを有する。第１インダクタパターン２１２ａは、他端に、第１入力パッド２２２ａ
を有する。第１インダクタパターン２１２ａは、内部領域を有するターン部分（略矩形形
状）を備えている。第１入力パッド２２２ａ及び第１出力パッド２２３ａは、このターン
部分の外側に引き出されている。
【００８６】
続けて、図４のステップＳ３で、磁性体ペースト２１３ｘを塗布する。詳しくは、図８
に示すように、磁性体ペースト２１３ｘを、第１インダクタパターン２１２ａ及び支持層
２１１上に塗布する。これにより、未硬化の磁性体ペースト２１３ｘが、第１インダクタ
パターン２１２ａが形成されていない部分及び第１インダクタパターン２１２ａのターン
部分の内部領域に入り込む。第１インダクタパターン２１２ａのターン部分の内部領域に
充填される磁性体の量が多いほど、インダクタンスも大きくなるものと考えられる。磁性
体ペースト２１３ｘは、例えばスクリーン印刷、スプレーコーティング、ロールコーティ
ング、またはラミネート等により、塗布することができる。その後、磁性体ペースト２１
３ｘを加熱硬化して、図９に示すように、磁性体層２１３ａを形成する。
【００８７】
ここで、図３Ａに示すように、第１入力パッド２２２ａ及び第１出力パッド２２３ａは
、ターン部分の外側に引き出されているため、第１インダクタパターン２１２ａの第１部
分２１２ａａと第２部分２１２ａｂとは、一本の直線で区画される。これにより、磁性体
ペースト２１３ｘの塗布が容易になり、磁性体ペースト２１３ｘの塗布を一回で済ませる
ことが可能となる。また、第１インダクタパターン２１２ａの第１部分２１２ａａに含ま
れるターン部分の外縁の平面形状は、略矩形である。これにより、磁性体層２１３ａによ
って覆われるターン部分の面積は、ターン部分の外縁の平面形状が略円形の場合に比較し
て、より大きくなる。また、第１インダクタパターン２１２ａのターン部分の内部領域に
充填される磁性体の量も、ターン部分の外縁の平面形状が略円形の場合に比較して、より
多くなる。このため、磁性体層２１３ａによるインダクタンスの向上効果も、ターン部分
の外縁の平面形状が略円形の場合に比較して、より大きくなるものと考えられる。
【００８８】
続けて、図４のステップＳ４で、樹脂層２１４を積層・プレスする。詳しくは、図９に
示すように、例えば金属箔２２５を有する樹脂層２１４を、磁性体層２１３ａ、第１イン
ダクタパターン２１２ａ及び支持層２１１の上に積層する。樹脂層２１４は、例えばエポ
キシ樹脂からなる。そして、金属箔２２５を有する樹脂層２１４をプレスし、磁性体層２
１３ａ、第１インダクタパターン２１２ａ及び支持層２１１に圧着する。その後、樹脂層
２１４を加熱硬化する。これにより、図１０に示すように、金属箔２２５を有する樹脂層
２１４を積層する。
【００８９】
このとき、金属箔２２５を省略してもよい。その場合、樹脂層２１４上に例えばセミア
ディティブ法により導体層、第２インダクタパターンを形成する。
【００９０】
続けて、図４のステップＳ５で、ビア導体２１８ａ、２２１ａ及び導体層２１２ｙを形
成する。詳しくは、図１１に示すように、例えばレーザにより、樹脂層２１４及び金属箔
２２５に孔２１８ｘ、２２１ｘ（ビアホール）を形成する。孔２１８ｘ、２２１ｘは、金
属箔２２５及び樹脂層２１４を貫通する。孔２２１ｘは、第１インダクタパターン２１２
ａの第１入力パッド２２２ａに至る。孔２１８ｘは、第１インダクタパターン２１２ａの
第１出力パッド２２３ａに至る。その後、必要に応じて、デスミアを行う。
【００９１】
続けて、例えば化学めっき法により、金属箔２２５上及び孔２１８ｘ、２２１ｘ内に、
例えば銅の無電解めっき膜を形成する。無電解めっきに先立って、例えば浸漬により、パ
ラジウム等からなる触媒を、孔２１８ｘ、２２１ｘの表面に吸着させる。
【００９２】
続けて、無電解めっき膜上に、例えば銅の電解めっきを形成する。これにより、図１２
に示すように、孔２１８ｘ、２２１ｘに電解めっきが充填され、例えば銅のめっきからな
るビア導体２１８ａ及びビア導体２２１ａを形成する。そして、樹脂層２１４上に導体層
２１２ｙを形成する。
【００９３】
続けて、図４のステップＳ６で、例えばエッチングレジスト及びエッチング液を用いて
、導体層２１２ｙのパターニングを行う。具体的には、第２インダクタパターン２１２ｂ
及び積層パッド２２０ａに対応したパターンを有するエッチングレジストで導体層２１２
ｙを覆う。そして、導体層２１２ｙの、エッチングレジストで覆われない部分（エッチン
グレジストの開口部から露出する部位）を、エッチングで除去する。これにより、図１３
に示すように、樹脂層２１４上に、第２インダクタパターン２１２ｂ及び積層パッド２２
０ａを形成する。なお、エッチングは、湿式に限られず、乾式であってもよい。
【００９４】
このように、第２インダクタパターン２１２ｂは、金属箔と、該金属箔上のめっき膜と
から形成されている。これにより、インダクタ特性（Ｑ値）を確保するのに適した、第２
インダクタパターン２１２ｂの厚みが得られる。
【００９５】
第２インダクタパターン２１２ｂは、その一端に、第２出力パッド２２３ｂを有する。
第２インダクタパターン２１２ｂは、他端に、第２入力パッド２２２ｂを有する。図３Ｂ
に示すように、第２インダクタパターン２１２ｂは、内部領域を有するターン部分（略矩
形形状）を備えている。第２入力パッド２２２ｂ及び第２出力パッド２２３ｂは、このタ
ーン部分の外側に引き出されている。
【００９６】
続けて、図４のステップＳ７で、再び、磁性体ペースト２１３ｙを塗布する。詳しくは
、図１４に示すように、磁性体ペースト２１３ｙを、第２インダクタパターン２１２ｂ上
及び樹脂層２１４上に塗布する。これにより、未硬化の磁性体ペースト２１３ｙが、第２
インダクタパターン２１２ｂが形成されていない部分及び第２インダクタパターン２１２
ｂのターン部分の内部領域に入り込む。第２インダクタパターン２１２ｂのターン部分の
内部領域に充填される磁性体の量が多いほど、インダクタンスも大きくなるものと考えら
れる。磁性体ペースト２１３ｙは、例えばスクリーン印刷、スプレーコーティング、ロー
ルコーティング、またはラミネート等により、塗布することができる。その後、磁性体ペ
ースト２１３ｙを加熱硬化して、図１５に示すように、磁性体層２１３ｂを形成する。
【００９７】
ここで、図３Ｂに示すように、第２入力パッド２２２ｂ及び第２出力パッド２２３ｂは
、ターン部分の外側に引き出されているため、第２インダクタパターン２１２ｂの第１部
分２１２ｂａと第２部分２１２ｂｂは、一本の直線で区画される。これにより、磁性体ペ
ースト２１３ｙの塗布が容易になり、磁性体ペースト２１３ｙの塗布を一回で済ませるこ
とが可能となる。また、第２インダクタパターン２１２ｂの第１部分２１２ｂａに含まれ
るターン部分の外縁の平面形状は、略矩形である。これにより、磁性体層２１３ｂによっ
て覆われるターン部分の面積は、ターン部分の外縁の平面形状が略円形の場合に比較して
、より大きくなる。また、第２インダクタパターン２１２ｂのターン部分の内部領域に充
填される磁性体の量も、ターン部分の外縁の平面形状が略円形の場合に比較して、より多
くなる。このため、磁性体層２１３ｂによるインダクタンスの向上効果も、ターン部分の
外縁の平面形状が略円形の場合に比較して、より大きくなるものと考えられる。
【００９８】
続けて、図４のステップＳ８で、樹脂層２１５を積層・プレスする。詳しくは、図１５
に示すように、例えば金属箔２２６を有する樹脂層２１５を、磁性体層２１３ｂ、第２イ
ンダクタパターン２１２ｂ及び樹脂層２１４の上に積層する。そして、金属箔２２６を有
する樹脂層２１５をプレスして、磁性体層２１３ｂ、第２インダクタパターン２１２ｂ及
び樹脂層２１４に圧着する。その後、樹脂層２１５を加熱硬化する。これにより、図１６
に示すように、金属箔２２６を有する樹脂層２１５を積層する。
【００９９】
このとき、金属箔２２６を省略してもよい。その場合、樹脂層２１５上に例えばセミア
ディティブ法により導体層、第３インダクタパターンを形成する。
【０１００】
続けて、図４のステップＳ９で、ビア導体２１８ｂ、２２１ｂ及び導体層２１２ｚを形
成する。詳しくは、図１７に示すように、例えばレーザにより、樹脂層２１５及び金属箔
２２６に孔２１８ｙ、２２１ｙ（ビアホール）を形成する。孔２１８ｙ、２２１ｙは、金
属箔２２６及び樹脂層２１５を貫通する。孔２２１ｙは、積層パッド２２０ａに至る。孔
２１８ｙは、第２インダクタパターン２１２ｂの第２出力パッド２２３ｂに至る。その後
、必要に応じて、デスミアを行う。
【０１０１】
続けて、例えば化学めっき法により、金属箔２２６上及び孔２１８ｙ、２２１ｙ内に、
例えば銅の無電解めっき膜を形成する。無電解めっきに先立って、例えば浸漬により、パ
ラジウム等からなる触媒を、孔２１８ｙ、２２１ｙの表面に吸着させる。
【０１０２】
続けて、無電解めっき膜上に、例えば銅の電解めっきを形成する。これにより、図１８
に示すように、孔２１８ｙ、２２１ｙに電解めっきが充填され、例えば銅のめっきからな
るビア導体２１８ｂ及びビア導体２２１ｂを形成する。そして、樹脂層２１５上に導体層
２１２ｚを形成する。
【０１０３】
続けて、図４のステップＳ１０で、例えばエッチングレジスト及びエッチング液を用い
て、導体層２１２ｚのパターニングを行う。具体的には、第３インダクタパターン２１２
ｃ及び積層パッド２２０ｂに対応したパターンを有するエッチングレジストで導体層２１
２ｚを覆う。そして、導体層２１２ｚの、エッチングレジストで覆われない部分（エッチ
ングレジストの開口部から露出する部位）を、エッチングで除去する。これにより、図１
９に示すように、樹脂層２１５上に、第３インダクタパターン２１２ｃ及び積層パッド２
２０ｂを形成する。なお、エッチングは、湿式に限られず、乾式であってもよい。
【０１０４】
第３インダクタパターン２１２ｃは、その一端に、第３出力パッド２２３ｃを有する。
第３インダクタパターン２１２ｃは、他端に、第３入力パッド２２２ｃを有する。図３Ｃ
に示すように、第３インダクタパターン２１２ｃは、内部領域を有するターン部分（略矩
形形状）を備えている。第３入力パッド２２２ｃ及び第３出力パッド２２３ｃは、このタ
ーン部分の外側に引き出されている。
【０１０５】
続けて、図４のステップＳ１１で、再び、磁性体ペースト２１３ｚを塗布する。詳しく
は、図２０に示すように、磁性体ペースト２１３ｚを、第３インダクタパターン２１２ｃ
上及び樹脂層２１５上に塗布する。これにより、未硬化の磁性体ペースト２１３ｚが、第
３インダクタパターン２１２ｃが形成されていない部分及び第３インダクタパターン２１
２ｃのターン部分の内部領域に入り込む。第３インダクタパターン２１２ｃのターン部分
の内部領域に充填される磁性体の量が多いほど、インダクタンスも大きくなるものと考え
られる。磁性体ペースト２１３ｚは、例えばスクリーン印刷、スプレーコーティング、ロ
ールコーティング、またはラミネート等により、塗布することができる。その後、磁性体
ペースト２１３ｚを加熱硬化して、図２１に示すように、磁性体層２１３ｃを形成する。
【０１０６】
ここで、図３Ｃに示すように、第３入力パッド２２２ｃ及び第３出力パッド２２３ｃは
、ターン部分の外側に引き出されているため、第３インダクタパターン２１２ｃの第１部
分２１２ｃａと第２部分２１２ｃｂとは、一本の直線で区画される。これにより、磁性体
ペースト２１３ｚの塗布が容易になり、磁性体ペースト２１３ｚの塗布を一回で済ませる
ことが可能となる。また、第３インダクタパターン２１２ｃの第１部分２１２ｃａに含ま
れるターン部分の外縁の平面形状は、略矩形である。これにより、磁性体層２１３ｃによ
って覆われるターン部分の面積は、ターン部分の外縁の平面形状が略円形の場合に比較し
て、より大きくなる。また、第３インダクタパターン２１２ｃのターン部分の内部領域に
充填される磁性体の量も、ターン部分の外縁の平面形状が略円形の場合に比較して、より
多くなる。このため、磁性体層２１３ｃによるインダクタンスの向上効果も、ターン部分
の外縁の平面形状が略円形の場合に比較して、より大きくなるものと考えられる。
【０１０７】
続けて、図４のステップＳ１２で、樹脂層２１６を積層・プレスする。詳しくは、図２
１に示すように、樹脂層２１６を、磁性体層２１３ｃ、第３インダクタパターン２１２ｃ
及び樹脂層２１５の上に積層する。そして、樹脂層２１６をプレスして、磁性体層２１３
ｃ、第３インダクタパターン２１２ｃ及び樹脂層２１５に圧着する。その後、樹脂層２１
６を加熱硬化する。これにより、図２２に示すように、樹脂層２１６を積層する。
【０１０８】
続けて、図４のステップＳ１３で、図２３に示すように、例えばレーザにより、樹脂層
２１６に孔２１８ｚ、２２１ｚ（ビアホール）を形成する。孔２１８ｚ、２２１ｚは、樹
脂層２１６を貫通する。孔２２１ｚは、積層パッド２２０ｂに至る。孔２１８ｚは、第３
インダクタパターン２１２ｃの第３出力パッド２２３ｃに至る。その後、必要に応じて、
デスミアを行う。
【０１０９】
続けて、図４のステップＳ１４で、入力端子２２０ｃ及び出力端子２１９を形成する。
詳しくは、図２４に示すように、例えば化学めっき法により、孔２１８ｚ、２２１ｚの側
壁を含む樹脂層２１６の上面に、例えば銅の無電解めっき膜１００７を形成する。なお、
無電解めっきに先立って、例えば浸漬により、パラジウム等からなる触媒を、樹脂層２１
６の上面に吸着させる。続けて、リソグラフィ技術または印刷等により、第３面Ｆ３側の
主面（無電解めっき膜１００７上）に、開口部１００９ａを有するめっきレジスト１００
９を形成する。開口部１００９ａは、入力端子２２０ｃ及び出力端子２１９（図２）に対
応したパターンを有する。
【０１１０】
続けて、図２４に示すように、例えばパターンめっき法により、めっきレジスト１００
９の開口部１００９ａに、例えば銅の電解めっき１０１１を形成する。これにより、孔２
１８ｚ、２２１ｚに、それぞれ電解めっき１０１１が充填され、例えば銅のめっきからな
るビア導体２１８ｃ、２２１ｃを形成する。
【０１１１】
その後、例えば所定の剥離液により、めっきレジスト１００９を除去し、続けて不要な
無電解めっき膜１００７を除去する。これにより、図２５に示すように、樹脂層２１６上
に、入力端子２２０ｃ及び出力端子２１９を形成する。
【０１１２】
続けて、図４のステップＳ１５で、支持体４００及び銅箔４１０を除去する。詳しくは
、まず、支持体４００を除去する。続けて、例えばエッチングにより、銅箔４１０を除去
する。以上の工程により、本実施形態１に係るインダクタ部品２１０（図２）が完成する
。
【０１１３】
本実施形態１のインダクタ部品の製造方法は、インダクタ部品２１０の製造に適してい
る。こうした製造方法であれば、低コストで、良好なインダクタ部品２１０が得られると
考えられる。
【０１１４】
次に、配線板１０の製造方法について、図２６等を参照して説明する。図２６は、本実
施形態１に係る配線板１０の製造方法の概略的な内容及び手順を示すフローチャートであ
る。
【０１１５】
ステップＳ２１では、図２７に示すように、出発材料として両面銅張積層板１０００を
準備する。両面銅張積層板１０００は、基板１００（コア基板）と、基板１００の第１面
Ｆ１上に形成された銅箔１００１と、基板１００の第２面Ｆ２上に形成された銅箔１００
２と、から構成される。本実施形態１では、この段階において、基板１００が、完全に硬
化した状態のガラエポからなる。
【０１１６】
続けて、図２６のステップＳ２２で、スルーホール導体１００ｂ及び導体層１５１、１
５２を形成する。
【０１１７】
詳しくは、図２７に示すように、例えばＣＯ２レーザを用いて、第１面Ｆ１側からレー
ザを両面銅張積層板１０００に照射することにより孔を形成し、第２面Ｆ２側からレーザ
を両面銅張積層板１０００に照射することにより孔を形成する。これらの孔は、Ｘ−Ｙ平
面において略同じ位置に形成され、最終的にはつながって、図２８に示すように、両面銅
張積層板１０００を貫通するスルーホール１００ａとなる。第１面Ｆ１に対するレーザ照
射と第２面Ｆ２に対するレーザ照射とは、同時に行っても、片面ずつ行ってもよい。スル
ーホール１００ａを形成した後には、デスミアを行うことが好ましい。なお、スルーホー
ル１００ａの形成は、ドリルまたはエッチングなど、レーザ以外の方法で行ってもよい。
ただし、レーザ加工であれば、微細な加工をしやすい。特に、スルーホール１００ａの径
（最大直径）が１００μｍ以下の場合には、ドリル加工が困難になるため、レーザ加工が
有効である。
【０１１８】
続けて、例えばパネルめっき法により、図２８に示すように、銅箔１００１、１００２
上及びスルーホール１００ａ内に、例えば銅のめっきを形成する。具体的には、まず無電
解めっきを行い、続けてめっき液を用いて、その無電解めっき膜をシード層として電解め
っきを行うことにより、めっきを形成する。これにより、スルーホール１００ａにめっき
が充填され、スルーホール導体１００ｂが形成される。
【０１１９】
続けて、例えばエッチングレジスト及びエッチング液を用いて、基板１００の第１面Ｆ
１及び第２面Ｆ２に形成された各導体層のパターニングを行う。具体的には、導体層１５
１、１５２に対応したパターンを有するエッチングレジストで各導体層を覆い、各導体層
の、エッチングレジストで覆われない部分（エッチングレジストの開口部から露出する部
位）を、エッチングで除去する。これにより、図２８に示すように、基板１００の第１面
Ｆ１、第２面Ｆ２上にそれぞれ、導体層１５１、１５２を形成する。なお、エッチングは
、湿式に限られず、乾式であってもよい。
【０１２０】
続けて、図２６のステップＳ２３で、基板１００（コア基板）にキャビティＲ１０を形
成する。本実施形態１では、基板１００にレーザを照射することにより、キャビティＲ１
０を形成する。具体的には、例えば四角形を描くようにレーザを照射することにより、基
板１００における、キャビティＲ１０に対応した領域を、その周りの部分から切り取る。
レーザの照射角度は、例えば基板１００の第１面Ｆ１に対して略垂直の角度とする。これ
により、図２９に示すように、キャビティＲ１０が形成される。本実施形態１では、キャ
ビティＲ１０をレーザにより形成するため、キャビティＲ１０が容易に得られる。キャビ
ティＲ１０は、インダクタ部品２１０の収容スペースとなる。
【０１２１】
続けて、図２６のステップＳ２４で、インダクタ部品２１０を、基板１００のキャビテ
ィＲ１０に配置する。
【０１２２】
具体的には、図３０に示すように、例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）から
なるキャリア１００６を、基板１００の片側（例えば第２面Ｆ２）に設ける。これにより
、キャビティＲ１０（貫通孔）の一方の開口がキャリア１００６で塞がれる。本実施形態
１では、キャリア１００６が、粘着シート（例えばテープ）からなり、基板１００側に粘
着性を有する。キャリア１００６は、例えばラミネートにより、基板１００と接着される
。
【０１２３】
続けて、図３０に示すように、キャビティＲ１０（貫通孔）の塞がれた開口とは反対側
（＋Ｚ側）から、キャビティＲ１０にインダクタ部品２１０を入れる。インダクタ部品２
１０は、例えば部品実装機によりキャビティＲ１０に入れ込まれる。例えばインダクタ部
品２１０は、真空チャック等により保持され、キャビティＲ１０の上方（＋Ｚ側）に運ば
れた後、そこから鉛直方向に沿って下降し、キャビティＲ１０に入れられる。これにより
、図３１に示すように、キャリア１００６（粘着シート）上に、インダクタ部品２１０が
配置される。なお、インダクタ部品２１０の位置決めをする際には、アライメントマーク
を用いることが好ましい。そうすることで、インダクタ部品２１０とキャビティＲ１０と
の位置合わせの精度を高めることが可能になると考えられる。
【０１２４】
続けて、図２６のステップＳ２５で、キャビティＲ１０における基板１００とインダク
タ部品２１０との隙間に絶縁体を充填する。詳しくは、図３１に示すように、半硬化の状
態で、キャビティＲ１０（貫通孔）の塞がれた開口とは反対側（＋Ｚ側）の、基板１００
の第１面Ｆ１上及びインダクタ部品２１０の第３面Ｆ３上に、絶縁層１０１（第１の層間
絶縁層）を配置する。絶縁層１０１は、例えばエポキシ樹脂からなる。なお、絶縁層１０
１は、ガラスクロス等の心材を含んでいてもよい。
【０１２５】
続けて、図３１に示すように、絶縁層１０１を半硬化の状態でプレスすることにより、
絶縁層１０１から樹脂を流出させてキャビティＲ１０へ流し込む。これにより、キャビテ
ィＲ１０における基板１００とインダクタ部品２１０との隙間Ｒ１に絶縁体１０１ａ（絶
縁層１０１を構成する樹脂）を充填する。この際、基板１００とインダクタ部品２１０と
の隙間が狭ければ、インダクタ部品２１０の固定が弱くても、樹脂がキャビティＲ１０へ
流れ込む勢いで、インダクタ部品２１０の位置ずれや、好ましくない傾きは生じにくい。
なお、絶縁体１０１ａは、基板１００及びインダクタ部品２１０のいずれよりも大きな熱
膨張係数を有する。
【０１２６】
キャビティＲ１０に絶縁体１０１ａを充填したら、その充填樹脂（絶縁体１０１ａ）と
インダクタ部品２１０との仮溶着を行う。具体的には、加熱により充填樹脂にインダクタ
部品２１０を支持できる程度の保持力を発現させる。これにより、キャリア１００６に支
持されていたインダクタ部品２１０が、充填樹脂によって支持されるようになる。その後
、キャリア１００６を除去する。
【０１２７】
なお、この段階では、絶縁体１０１ａ（充填樹脂）及び絶縁層１０１は半硬化している
にすぎず、完全には硬化していない。ただしこれに限られず、例えば、この段階で絶縁体
１０１ａ及び絶縁層１０１を完全に硬化させてもよい。
【０１２８】
続けて、図２６のステップＳ２６で、基板１００の第２面Ｆ２側にビルドアップを行う
。
【０１２９】
具体的には、図３２に示すように、基板１００の第２面Ｆ２上に、絶縁層１０２（第２
の層間絶縁層）を配置する。絶縁層１０２は、例えばエポキシ樹脂からなる。続けて、例
えばプレスにより、絶縁層１０２を半硬化の状態で基板１００及びインダクタ部品２１０
に接着させた後、加熱して絶縁層１０１、１０２の各々を硬化させる。本実施形態１では
、粘着シート（キャリア１００６）を除去した後に、キャビティＲ１０に充填した樹脂を
硬化させるため、絶縁層１０１、１０２の硬化を同時に行うことが可能になる。そして、
両面の絶縁層１０１、１０２の硬化を同時に行うことにより、基板１００の反りが抑制さ
れるため、基板１００を薄くし易くなる。
【０１３０】
続く図２６のステップＳ２７では、ビア導体及び導体層を形成する。
【０１３１】
詳しくは、図１に示すように、例えばレーザにより、絶縁層１０１に孔１１１ａ及び１
１２ａ（それぞれビアホール）を形成し、絶縁層１０２に孔１２２ａ（ビアホール）を形
成する。孔１１１ａ及び１１２ａの各々は絶縁層１０１を貫通し、孔１２２ａは絶縁層１
０２を貫通する。そして、孔１１１ａは、それぞれインダクタ部品２１０の入力端子２２
０ｃ及び出力端子２１９に至り、孔１１２ａ及び１２２ａの各々は、スルーホール導体１
００ｂに至る。その後、必要に応じて、デスミアを行う。
【０１３２】
続けて、図１に示すように、例えば化学めっき法により、孔１１１ａ、１１２ａ、１２
２ａの側壁を含む絶縁層１０１、１０２の表面に、例えば銅の無電解めっき膜を形成する
。なお、無電解めっきに先立って、例えば浸漬により、パラジウム等からなる触媒を、絶
縁層１０１、１０２の表面に吸着させる。続けて、リソグラフィ技術または印刷等により
、第１面Ｆ１側の主面に、開口部を有するめっきレジストを、また、第２面Ｆ２側の主面
に、開口部を有するめっきレジストを、それぞれ形成する。開口部はそれぞれ、導体層１
１０、１２０に対応したパターンを有する。
【０１３３】
続けて、例えばパターンめっき法により、めっきレジストの開口部に、それぞれ例えば
銅の電解めっきを形成する。これにより、孔１１１ａ及び１１２ａ、孔１２２ａに、それ
ぞれ電解めっきが充填され、例えば銅のめっきからなるビア導体１１１ｂ、１１２ｂ、１
２２ｂが形成される。その後、例えば所定の剥離液により、めっきレジストを除去し、続
けて不要な無電解めっき膜を除去することにより、図１に示すように、導体層１１０及び
１２０を形成する。なお、電解めっきのためのシード層は無電解めっき膜に限られず、無
電解めっき膜に代えて、スパッタ膜等をシード層として用いてもよい。
【０１３４】
続けて、図２６のステップＳ２８で、絶縁層１０１、１０２上にそれぞれ、開口部１１
ａを有するソルダーレジスト１１、開口部１２ａを有するソルダーレジスト１２を形成す
る。図１に示すように、導体層１１０，１２０はそれぞれ、開口部１１ａ、１２ａに位置
する所定の部位（パッドＰ１、Ｐ２及びランド等）を除いて、ソルダーレジスト１１、１
２で覆われる。ソルダーレジスト１１及び１２は、例えばスクリーン印刷、スプレーコー
ティング、ロールコーティング、またはラミネート等により、形成することができる。
【０１３５】
続けて、図１に示すように、電解めっきまたはスパッタリング等により、導体層１１０
，１２０上、詳しくはソルダーレジスト１１、１２に覆われないパッドＰ１、Ｐ２の表面
にそれぞれ、例えばＮｉ／Ａｕ膜からなる耐食層を形成する。また、ＯＳＰ処理を行うこ
とにより、有機保護膜からなる耐食層を形成してもよい。
【０１３６】
こうして、基板１００の第１面Ｆ１上に、絶縁層１０１及び導体層１１０から構成され
る第１ビルドアップ部Ｂ１が形成され、基板１００の第２面Ｆ２上に、絶縁層１０２及び
導体層１２０から構成される第２ビルドアップ部Ｂ２が形成される。その結果、図１に示
すように、本実施形態１の配線板１０が完成する。その後、必要があれば、インダクタ部
品２１０の電気テスト（インダクタンス、Ｑ値及び絶縁性などのチェック）を行う。
【０１３７】
本実施形態１の製造方法は、配線板１０の製造に適している。こうした製造方法であれ
ば、低コストで、良好な配線板１０が得られると考えられる。本実施形態１の配線板１０
は、例えば電子部品または他の配線板と電気的に接続することができる。例えば、半田等
により、配線板１０のパッドＰ２に電子部品（例えばＩＣチップ）を実装することができ
る。また、パッドＰ１により、配線板１０を他の配線板（例えばマザーボード）に実装す
ることができる。本実施形態１の配線板１０は、例えば携帯電話の回路基板として用いる
ことができる。
【０１３８】
次に、実施形態１の変形例に係るインダクタ部品３５０の構成について、図３３Ａ、図
３３Ｂ、図３３Ｃ、図３３Ｄを参照して説明する。
【０１３９】
図３３Ａは、本実施形態１の変形例に係るインダクタ部品３５０の断面図である。図３
３Ｂは、＋Ｚ方向から見たインダクタ部品３５０の第１層Ｌ１１を示す概略図である。図
３３Ｃは、＋Ｚ方向から見たインダクタ部品３５０の第２層Ｌ１２を示す概略図である。
図３３Ｄは、＋Ｚ方向から見たインダクタ部品３５０の第３層Ｌ１３を示す概略図である
。なお、図３３Ｂ乃至図３３Ｄにおいては、樹脂層３５４、３５５、３５６をそれぞれ図
示省略している。
【０１４０】
図３３Ａに示すように、インダクタ部品３５０は、支持層３５１と、その上の第１層Ｌ
１１と、その上の第２層Ｌ１２と、その上の第３層Ｌ１３と、その上の入力端子３６０ｃ
及び出力端子３５９から構成される。変形例に係るインダクタ部品３５０が、上記実施形
態１のインダクタ部品２１０と異なるのは、インダクタパターンの形状である。
【０１４１】
図３３Ｂに示すように、第１インダクタパターン３５２ａは、破線で示す第１部分３５
２ａａと、実線で示す第２部分３５２ａｂとに区画される。第１インダクタパターン３５
２ａは、その一端ではなく、その一端の近傍に、第１出力パッド３６３ａを有している。
第１インダクタパターン３５２ａは、他端の近傍に、第１入力パッド３６２ａを有してい
る。第１出力パッド３６３ａの上には、ビア導体３５８ａが形成される。第１入力パッド
３６２ａの上には、ビア導体３６１ａが形成される。第１インダクタパターン３５２ａの
上には、磁性体層３５３ａが形成される。磁性体層３５３ａは、磁性体粒子と樹脂とを含
む。図３３Ａに示すように、磁性体層３５３ａの上には、樹脂層３５４が形成される。樹
脂層３５４の上には、第２インダクタパターン３５２ｂが形成される。
【０１４２】
図３３Ｃに示すように、第２インダクタパターン３５２ｂは、破線で示す第１部分３５
２ｂａと、実線で示す第２部分３５２ｂｂとに区画される。第２インダクタパターン３５
２ｂも、その一端ではなく、その一端の近傍に、第２入力パッド３６２ｂを有している。
第２インダクタパターン３５２ｂは、他端の近傍に、第２出力パッド３６３ｂを有してい
る。図３３Ｄに示すように、第３インダクタパターン３５２ｃも、その一端ではなく、そ
の一端の近傍に、第３入力パッド３６２ｃを有している。第３インダクタパターン３５２
ｃは、他端の近傍に、第３出力パッド３６３ｃを有している。
【０１４３】
樹脂層３５６の上には、入力端子３６０ｃ及び出力端子３５９が形成される。入力端子
３６０ｃは、ビア導体３６１ｃによって、積層パッド３６０ｂと電気的に接続されている
。出力端子３５９は、ビア導体３５８ｃによって、第３出力パッド３６３ｃと電気的に接
続されている。ビア導体３５８ｃ及びビア導体３６１ｃは、樹脂層３５６を貫通する。
【０１４４】
このように、本実施形態１の変形例に係るインダクタ部品３５０は、上記実施形態１の
インダクタ部品２１０とほぼ同様の構成を有している。そして、インダクタ部品３５０は
、インダクタ部品２１０とほぼ同様のインダクタ特性を示す。インダクタ部品３５０も、
配線板１０に内蔵して用いることができる。
【０１４５】
［実施形態２］
本発明の実施形態２について、図３４Ａ、図３４Ｂ、図３４Ｃ、図３４Ｄを参照して説
明する。まず、本実施形態２に係るインダクタ部品２３０の構成について、図３４Ａ、図
３４Ｂ、図３４Ｃ、図３４Ｄを参照して説明する。
【０１４６】
図３４Ａは、本実施形態２に係るインダクタ部品２３０の断面図である。図３４Ｂは、
＋Ｚ方向から見たインダクタ部品２３０の第１層Ｌ２１を示す概略図である。図３４Ｃは
、＋Ｚ方向から見たインダクタ部品２３０の第２層Ｌ２２を示す概略図である。図３４Ｄ
は、＋Ｚ方向から見たインダクタ部品２３０の第３層Ｌ２３を示す概略図である。なお、
図３４Ｂ乃至図３４Ｄにおいては、樹脂層２３４、２３５、２３６をそれぞれ図示省略し
ている。
【０１４７】
本実施形態２に係るインダクタ部品２３０の構造は、上記実施形態１に係るインダクタ
部品２１０の構造に類似している。異なるのは、各インダクタパターンの平面形状及び各
磁性体層の平面形状である。
【０１４８】
図３４Ａに示すように、インダクタ部品２３０は、支持層２３１と、その上の第１層Ｌ
２１と、その上の第２層Ｌ２２と、その上の第３層Ｌ２３と、その上の入力端子２４０ｃ
及び出力端子２３９から構成される。インダクタ部品２３０の上面を第５面Ｆ５、下面を
第６面Ｆ６とする。
【０１４９】
第１層Ｌ２１は、第１インダクタパターン２３２ａと、層間絶縁層２３７ａと、ビア導
体２３８ａと、ビア導体２４１ａとから構成される。層間絶縁層２３７ａは、磁性体層２
３３ａと、樹脂層２３４とから構成される。
【０１５０】
第２層Ｌ２２は、第２インダクタパターン２３２ｂと、層間絶縁層２３７ｂと、ビア導
体２３８ｂと、ビア導体２４１ｂとから構成される。層間絶縁層２３７ｂは、磁性体層２
３３ｂと、樹脂層２３５とから構成される。
【０１５１】
第３層Ｌ２３は、第３インダクタパターン２３２ｃと、層間絶縁層２３７ｃと、ビア導
体２３８ｃと、ビア導体２４１ｃとから構成される。層間絶縁層２３７ｃは、図３４Ｄに
示す磁性体層２３３ｃと、樹脂層２３６とから構成される。
【０１５２】
図３４Ｂに示すように、第１インダクタパターン２３２ａは、磁性体層２３３ａと重な
る第１部分２３２ａａと、それ以外の第２部分２３２ａｂとを有する。第１部分２３２ａ
ａは、Ｃ字状に形成されている。主としてこの第１部分が、インダクタとしての役割を果
たす。第２部分２３２ａｂのそれぞれの一端部には、第１出力パッド２４３ａ、第１入力
パッド２４２ａが設けられている。第２部分２３２ａｂは、第１入力パッド２４２ａを除
いて、第１インダクタパターン２３２ａのターン部分から外側に引き出されておらず、ほ
ぼターン部分に含まれている。
【０１５３】
図３４Ａに示すように、第１インダクタパターン２３２ａ上には、第１部分２３２ａａ
を覆う磁性体層２３３ａと、第１インダクタパターン２３２ａの第１部分２３２ａａと第
２部分２３２ａｂの双方を覆う樹脂層２３４が形成されている。磁性体層２３３ａは、磁
性体粒子と樹脂とを含む。ビア導体２３８ａ、２４１ａは、樹脂層２３４に設けられたビ
アホールの内部に形成されている。ビア導体２３８ａは、第１出力パッド２４３ａの上に
形成されている。ビア導体２４１ａは、第１入力パッド２４２ａの上に形成されている。
【０１５４】
図３４Ａに示すように、樹脂層２３４の上には、第２インダクタパターン２３２ｂが形
成されている。また、樹脂層２３４の上には、積層パッド２４０ａが形成されている。積
層パッド２４０ａは、ビア導体２４１ａによって、第１入力パッド２４２ａと電気的に接
続されている。
【０１５５】
図３４Ｃに示すように、第２インダクタパターン２３２ｂは、磁性体層２３３ｂと重な
る第１部分２３２ｂａと、それ以外の第２部分２３２ｂｂとを有する。第１部分２３２ｂ
ａは、Ｃ字状に形成されている。主としてこの第１部分が、インダクタとしての役割を果
たす。第２部分２３２ｂｂのそれぞれの一端部には、第１出力パッド２４３ａ、第１入力
パッド２４２ａが設けられている。第２部分２３２ｂｂは、第２インダクタパターン２３
２ｂのターン部分から外側に引き出されておらず、ターン部分に含まれている。
【０１５６】
第２インダクタパターン２３２ｂの第２入力パッド２４２ｂは、ビア導体２３８ａによ
って、第１出力パッド２４３ａと電気的に接続されている。ビア導体２３８ａ及びビア導
体２４１ａは、樹脂層２３４を貫通する。
【０１５７】
図３４Ａに示すように、第２インダクタパターン２３２ｂ上には、第１部分２３２ｂａ
を覆う磁性体層２３３ｂと、第２インダクタパターン２３２ｂの第１部分２３２ｂａと第
２部分２３２ｂｂの双方を覆う樹脂層２３５が形成されている。磁性体層２３３ｂは、磁
性体粒子と樹脂とを含む。ビア導体２３８ｂ、２４１ｂは、樹脂層２３５に設けられたビ
アホールの内部に形成されている。ビア導体２３８ｂは、第２出力パッド２４３ｂの上に
形成されている。ビア導体２４１ｂは、積層パッド２４０ａの上に形成されている。
【０１５８】
図３４Ａに示すように、樹脂層２３５の上には、第３インダクタパターン２３２ｃが形
成される。また、樹脂層２３５の上には、積層パッド２４０ｂが形成される。
【０１５９】
積層パッド２４０ｂは、ビア導体２４１ｂによって、積層パッド２４０ａと電気的に接
続されている。第３インダクタパターン２３２ｃの第３入力パッド２４２ｃは、ビア導体
２３８ｂによって、第２出力パッド２４３ｂと電気的に接続されている。ビア導体２３８
ｂ及びビア導体２４１ｂは、樹脂層２３５を貫通する。
【０１６０】
図３４Ｄに示すように、第３インダクタパターン２３２ｃは、磁性体層２３３ｃと重な
る第１部分２３２ｃａと、それ以外の第２部分２３２ｃｂとを有する。第１部分２３２ｃ
ａは、Ｃ字状に形成されている。主としてこの第１部分が、インダクタとしての役割を果
たす。第２部分２３２ｃｂのそれぞれの一端部には、第３出力パッド２４３ａ、第３入力
パッド２４２ａが設けられている。第２部分２３２ｃｂは、第３インダクタパターン２３
２ｃのターン部分から外側に引き出されておらず、ターン部分に含まれている。
【０１６１】
図３４Ａに示すように、第３インダクタパターン２３２ｃ上には、第１部分２３２ｃａ
を覆う磁性体層２３３ｃと、第３インダクタパターン２３２ｃの第１部分２３２ｃａと第
２部分２３２ｃｂの双方を覆う樹脂層２３６が形成されている。磁性体層２３３ｃは、磁
性体粒子と樹脂とを含む。ビア導体２３８ｃ、２４１ｃは、樹脂層２３６に設けられたビ
アホールの内部に形成されている。ビア導体２３８ｃは、第３出力パッド２４３ｃの上に
形成されている。ビア導体２４１ｃは、積層パッド２４０ｂの上に形成されている。
【０１６２】
樹脂層２３６の上には、入力端子２４０ｃ及び出力端子２３９が形成される。入力端子
２４０ｃは、ビア導体２４１ｃによって、積層パッド２４０ｂと電気的に接続されている
。出力端子２３９は、ビア導体２３８ｃによって、第３出力パッド２４３ｃと電気的に接
続されている。ビア導体２３８ｃ及びビア導体２４１ｃは、樹脂層２３６を貫通する。
【０１６３】
このように、第１インダクタパターン２３２ａ、ビア導体２３８ａ、第２インダクタパ
ターン２３２ｂ、ビア導体２３８ｂ及び第３インダクタパターン２３２ｃは、３ターンの
インダクタを構成している。また、ビア導体２４１ａ、２４１ｂ、２４１ｃは、いずれも
フィルド導体であり、これらはＺ方向にスタックされている。こうしたスタック構造は、
インダクタ部品２３０の小型化に有利である。
【０１６４】
本実施形態２のインダクタ部品２３０においては、入力端子２４０ｃから電流が入力し
、ビア導体２４１ａ、２４１ｂ、２４１ｃからなるスタック構造を伝って第１インダクタ
パターン２３２ａに入り、３ターンのインダクタを通過して、出力端子２３９から出力す
る。本実施形態２のインダクタ部品２３０においては、入力端子２４０ｃ及び出力端子２
３９が同じ面（第５面Ｆ５）に形成されている。これにより、インダクタ部品２３０を配
線板のコア材内に収容した場合に、インダクタ部品２３０への配線が容易になる。
【０１６５】
本実施形態２に係るインダクタ部品２３０においては、インダクタパターンが、その上
に磁性体層が設けられない部分で接続される。これにより、磁性体層の面積が同じである
場合には、磁性体層にビアを形成してインダクタパターンを接続する場合に比較して、イ
ンダクタパターンに対する磁性体層の有効面積が大きくなる。したがって、磁性体層の面
積を大きくすることなく、インダクタンスを大きくすることができるので、インダクタ部
品を薄くできる。
【０１６６】
また、本実施形態２に係るインダクタ部品２３０は、第１インダクタパターン２３２ａ
、第２インダクタパターン２３２ｂ、第３インダクタパターン２３２ｃの全体が、それぞ
れターン部分を構成している。これにより、インダクタ部品２３０を、より小型化するこ
とができる。
【０１６７】
本実施形態２に係るインダクタ部品２３０の製造方法は、上記実施形態１のインダクタ
部品２１０の製造方法と同様である。すなわち、図４に示す手順と同様の手順にしたがっ
て、インダクタ部品２３０が製造される。そして、インダクタ部品２３０は、上述した配
線板１０のキャビティＲ１０内に配置することが可能である。
【０１６８】
［実施形態３］
本発明の実施形態３について、図３５乃至図４１を参照して説明する。まず、実施形態
３に係るインダクタ部品２５０の構成について、図３５乃至図３８を参照して説明する。
本実施形態３に係るインダクタ部品２５０は、同一平面上に複数のインダクタパターンが
形成され、それを積層して構成される。
【０１６９】
図３５は、本実施形態３に係るインダクタ部品２５０の断面図である。図３６は、＋Ｚ
方向から見たインダクタ部品２５０の第１層Ｌ３１を示す概略図である。図３７は、＋Ｚ
方向から見たインダクタ部品２５０の第２層Ｌ３２を示す概略図である。図３８は、＋Ｚ
方向から見たインダクタ部品２５０の第３層Ｌ３３を示す概略図である。なお、図３６乃
至図３８においては、樹脂層２５４、２５７、２６０を図示省略している。
【０１７０】
図３５に示すように、インダクタ部品２５０は、支持層２５１と、その上の第１層Ｌ３
１と、その上の第２層Ｌ３２と、その上の第３層Ｌ３３と、その上の出力端子２７３ａ〜
２７３ｈから構成される。図３６乃至図３８に示すように、インダクタ部品２５０の各層
は、それぞれ８個のインダクタパターンを備えている。インダクタ部品２５０の上面を第
７面Ｆ７、下面を第８面Ｆ８とする。
【０１７１】
図３５及び図３６に示すように、第１層Ｌ３１は、８個の第１インダクタパターン２５
２ａ〜２５２ｈと、磁性体層２５３と、樹脂層２５４と、８個のビア導体２６１ａ〜２６
１ｈと、８個のビア導体２７０ａ〜２７０ｈとから構成される。
【０１７２】
図３５及び図３７に示すように、第２層Ｌ３２は、８個の第２インダクタパターン２５
５ａ〜２５５ｈと、磁性体層２５６と、樹脂層２５７と、８個のビア導体２７１ａ〜２７
１ｈと、２つの電極２８０ａ、２８０ｂから構成される。
【０１７３】
図３５及び図３８に示すように、第３層Ｌ３３は、８個の第３インダクタパターン２５
８ａ〜２５８ｈと、磁性体層２５９と、樹脂層２６０と、８個のビア導体２７２ａ〜２７
２ｈとから構成される。
【０１７４】
図３６に示すように、第１インダクタパターン２５２ａ〜２５２ｈは、磁性体層２５３
ａと重なる第１部分２５２ａａ〜２５２ｈａと、それ以外の第２部分２５２ａｂ〜２５２
ｈｂとを有する。第１部分２５２ａａ〜２５２ｈａは、Ｃ字状に形成されている。主とし
てこの第１部分が、インダクタとしての役割を果たす。第２部分２５２ａｂ〜２５２ｈｂ
のそれぞれの一端部には、第１出力パッド２６３ａ〜２６３ｈ、第１入力パッド２６２ａ
〜２６２ｈが設けられている。
【０１７５】
ここで、隣り合う第１インダクタパターン２５２ａ〜２５２ｈ同士の間隔は、１０μｍ
〜５０μｍの範囲内であることが好ましい。隣り合う第１インダクタパターン２５２ａ〜
２５２ｈ同士の間隔が１０μｍ以上であると、１０μｍ未満である場合と比較して、互い
の絶縁性を確保するのが容易になる。隣り合う第１インダクタパターン２５２ａ〜２５２
ｈ同士の間隔が５０μｍ以下であると、５０μｍを超える場合と比較して、インダクタ部
品２５０をよりコンパクトにできるとともに、磁性体層２５３の面積を有効に活用するこ
とができる。
【０１７６】
図３５に示すように、磁性体層２５３の上には、樹脂層２５４が形成される。磁性体層
２５３と樹脂層２５４は、層間絶縁層を構成する。樹脂層２５４の上には、第２インダク
タパターン２５５ａ〜２５５ｈ及び電極２８０ａ、電極２８０ｂが形成される。ビア導体
２６１ａ〜２６１ｈ及びビア導体２７０ａ〜２７０ｈは、樹脂層２５４を貫通する。
【０１７７】
図３７に示すように、第２インダクタパターン２５５ａ〜２５５ｈは、磁性体層２５６
ａと重なる第１部分２５５ａａ〜２５５ｈａと、それ以外の第２部分２５５ａｂ〜２５５
ｈｂとを有する。第１部分２５５ａａ〜２５５ｈａは、Ｃ字状に形成されている。主とし
てこの第１部分が、インダクタとしての役割を果たす。第２部分２５５ａｂ〜２５５ｈｂ
のそれぞれの一端部には、第２出力パッド２６６ａ〜２６６ｈ、第２入力パッド２６５ａ
〜２６５ｈが設けられている。
【０１７８】
また、電極２８０ａは、ビア導体２６１ａ〜２６１ｄによって、それぞれ第１入力パッ
ド２６２ａ〜２６２ｄに電気的に接続されている。電極２８０ｂは、ビア導体２６１ｅ〜
２６１ｈによって、それぞれ第１入力パッド２６２ｅ〜２６２ｈに電気的に接続されてい
る。このように、第２インダクタパターン２５５ａ〜２５５ｈの外側に電極２８０ａ、２
８０ｂを設けることにより、図示しない入力端子を電極２８０ａ、２８０ｂに接続して、
インダクタ部品２５０内に形成される８個のインダクタに容易に電流を流すことができる
。
【０１７９】
図３５に示すように、磁性体層２５６の上には、樹脂層２５７が形成される。磁性体層
２５６と樹脂層２５７は、層間絶縁層を構成する。樹脂層２５７の上には、第３インダク
タパターン２５８ａ〜２５８ｈが形成される。ビア導体２７１ａ〜２７１ｈは、樹脂層２
５７を貫通する。
【０１８０】
図３８に示すように、第３インダクタパターン２５８ａ〜２５８ｈは、磁性体層２５９
と重なる第１部分２５８ａａ〜２５８ｈａと、それ以外の第２部分２５８ａｂ〜２５８ｈ
ｂとを有する。第１部分２５８ａａ〜２５８ｈａは、Ｃ字状に形成されている。主として
この第１部分が、インダクタとしての役割を果たす。第２部分２５８ａｂ〜２５８ｈｂの
それぞれの一端部には、第３出力パッド２６９ａ〜２６９ｈ、第３入力パッド２６８ａ〜
２６８ｈが設けられている。
【０１８１】
図３５に示すように、磁性体層２５９の上には、樹脂層２６０が形成される。磁性体層
２５９と樹脂層２６０は、層間絶縁層を構成する。樹脂層２６０の上には、出力端子２７
３ａ〜２７３ｈが形成される。出力端子２７３ａ〜２７３ｈは、ビア導体２７２ａ〜２７
２ｈによって、それぞれ第３出力パッド２６９ａ〜２６９ｈに電気的に接続されている。
ビア導体２７２ａ〜２７２ｈは、樹脂層２６０を貫通する。
【０１８２】
このように、第１インダクタパターン２５２ａ〜２５２ｈ、ビア導体２７０ａ〜２７０
ｈ、第２インダクタパターン２５５ａ〜２５５ｈ、ビア導体２７１ａ〜２７１ｈ及び第３
インダクタパターン２５８ａ〜２５８ｈは、それぞれ３ターンの８個のインダクタを構成
している。
【０１８３】
本実施形態３では、支持層２５１の材料、層間絶縁層（２５３、２５４）、層間絶縁層
（２５６、２５７）、層間絶縁層（２５９、２６０）を構成する各樹脂材料は、基本的に
任意である。支持層２５１の材料、層間絶縁層（２５３、２５４）、層間絶縁層（２５６
、２５７）、層間絶縁層（２５９、２６０）の樹脂材料は、例えばエポキシ樹脂、ポリエ
ステル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、イミド樹脂（ポリイミド）、
フェノール樹脂、またはアリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）等を用いる
ことができる。各層は、異種材料からなる複数の層から構成されていてもよい。
【０１８４】
磁性体層２５３、磁性体層２５６、磁性体層２５９を構成する樹脂のガラス転移温度（
Ｔｇ）は、１３０℃以上であることが好ましい。磁性体層２５３、磁性体層２５６、磁性
体層２５９を構成する樹脂のガラス転移温度が１３０℃以上であれば、ガラス転移温度が
１３０℃未満である場合に比べて、インダクタ部品２５０が配線板の中で加熱されたとき
に、磁性体層２５３、２５６、２５９が変形しにくくなる。
【０１８５】
磁性体層２５３、２５６、２５９を構成する樹脂は、基本的には絶縁性の樹脂材料であ
ればよいが、耐熱性の樹脂からなることが好ましい。具体的には、例えばエポキシ樹脂、
フェノール樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリベンゾシクロ
ブテン樹脂、ポリアリーレンエーテル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポ
リエステル樹脂、ポリエステルウレタン樹脂、フッ素樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリシ
クロオレフィン樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂及びポリスチレン樹
脂等、またはこれらの混合物等である。
【０１８６】
磁性体層２５３、２５６、２５９を構成する磁性体粒子の粒子径の平均（平均粒子径）
は、例えば０．５〜５０μｍの範囲内にある。磁性体粒子の平均粒子径は、走査型電子顕
微鏡（ＳＥＭ）写真で撮影された磁性体粒子の中から、１００個の磁性体粒子の粒子径を
ＳＥＭ写真上で実測して、ＳＥＭ写真の倍率に合わせて粒子径を算出し、算術平均するこ
とにより算出される。磁性体粒子の平均粒子径が０．５μｍ以上であると、平均粒子径が
０．５μｍ未満である場合に比べて、磁性体粒子が凝集しにくくなる。これにより、磁性
体粒子を磁性体層２５３、２５６、２５９に均一に分散させることが容易になる。磁性体
粒子の平均粒子径が５０μｍ以下であると、平均粒子径が５０μｍを超える場合に比べて
、粒子同士の摩擦抵抗が小さくなる。これにより、磁性体層２５３、２５６、２５９を均
一な厚さに構成することが容易となる。
【０１８７】
磁性体粒子の磁性体層２５３、２５６、２５９における体積含有率は、３０体積％〜７
０体積％の範囲内にあることが好ましい。体積含有率が３０体積％以上であると、３０体
積％未満である場合に比べて、インダクタ部品２５０の磁気特性が向上する。体積含有率
が７０体積％以下であると、７０体積％を超える場合に比べて、粒子同士の摩擦抵抗が小
さくなる。このため、磁性体粒子の体積含有率が上記範囲にあると、磁性体層２５３、２
５６、２５９を均一な厚さに構成することが容易になる。
【０１８８】
磁性体粒子を構成する磁性体は、軟磁性体であれば任意であり、例えば鉄、軟磁性鉄合
金、ニッケル、軟磁性ニッケル合金、コバルト、軟磁性コバルト合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）
−シリコン（Ｓｉ）系合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−窒素（Ｎ）系合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−
炭素（Ｃ）系合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−ホウ素（Ｂ）系合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−リン（
Ｐ）系合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−アルミニウム（Ａｌ）系合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−アル
ミニウム（Ａｌ）−シリコン（Ｓｉ）系合金等である。
【０１８９】
磁性体層２５３、２５６、２５９の厚さは、磁性体層２５３、２５６、２５９の存在す
る部分における樹脂層２５４、２５７、２６０の厚さよりも厚いことが好ましい。これに
より、磁性体層２５３、２５６、２５９中に十分な量の磁性体粒子を含有させることがで
き、インダクタ部品２５０の磁気特性が向上する。具体的には、磁性体層２５３、２５６
、２５９の厚さは、例えば２０〜１００μｍの範囲内にあり、磁性体層２５３、２５６、
２５９の存在する部分における樹脂層２５４、２５７、２６０の厚さは、例えば１０〜６
０μｍの範囲内にあることが好ましい。
【０１９０】
樹脂層２５４、２５７、２６０は、樹脂材料から構成される。樹脂材料は、基本的には
絶縁性の樹脂材料であればよいが、耐熱性の樹脂であることが好ましい。具体的には、例
えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリフェニレン樹脂
、ポリベンゾシクロブテン樹脂、ポリアリーレンエーテル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ポ
リウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルウレタン樹脂、フッ素樹脂、ポリオレ
フィン樹脂、ポリシクロオレフィン樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂
及びポリスチレン樹脂等、またはこれらの混合物等である。
【０１９１】
磁性体層２５３、２５６、２５９を構成する樹脂材料と樹脂層２５４、２５７、２６０
を構成する樹脂材料とは、同じ材料であることが好ましい。磁性体層の樹脂材料と、樹脂
層の樹脂材料とを同じ材料にすることで、磁性体層２５３、２５６、２５９と樹脂層２５
４、２５７、２６０との密着性が向上する。また、樹脂層２５４、２５７、２６０の線膨
張係数は、磁性体層２５３、２５６、２５９の線膨張係数より小さいことが好ましい。樹
脂層の線膨張係数を磁性体層の線膨張係数より小さくすることで、磁性体層２５３、２５
６、２５９が熱変形するおそれが小さくなる。
【０１９２】
本実施形態３では、支持層２５１の材料としては、エポキシ樹脂を用いている。また、
磁性体層２５３、２５６、２５９を構成する樹脂及び樹脂層２５４、２５７、２６０を構
成する樹脂は、同じ材料であることが好ましいことから、それぞれエポキシ樹脂を用いて
いる。
【０１９３】
支持層２５１、樹脂層２５４、２５７、２６０は、無機フィラーを含有してもよい。こ
れにより、樹脂層２５４、２５７、２６０の線膨張係数を、磁性体層２５３、２５６、２
５９の線膨張係数より小さくすることが容易となる。無機フィラーは、例えばガラス繊維
、ガラス粒子、炭酸カルシウム、炭酸ナトリウム、硫酸バリウム、水酸化アルミニウム、
アルミナ、シリカ、珪藻土、雲母、タルク等である。
【０１９４】
本実施形態３に係るインダクタ部品２５０は、第１インダクタパターン２５２ａ〜２５
２ｈ、第２インダクタパターン２５５ａ〜２５５ｈ、第３インダクタパターン２５８ａ〜
２５８ｈの第１部分２５２ａａ〜２５２ｈａ、２５５ａａ〜２５５ｈａ、２５８ａａ〜２
５８ｈａが、それぞれ磁性体層２５３、２５６、２５９によって覆われている。各インダ
クタパターンの第２部分２５２ａｂ〜２５２ｈｂ、２５５ａｂ〜２５５ｈｂ、２５８ａｂ
〜２５８ｈｂは、各インダクタパターンのターン部分から引き出されている。そして、こ
れらの第２部分２５２ａｂ〜２５２ｈｂ、２５５ａｂ〜２５５ｈｂ、２５８ａｂ〜２５８
ｈｂに、入力パッド、出力パッド及びビア導体がそれぞれ設けられている。したがって、
磁性体層によるインダクタンスの向上効果を確保できる。
【０１９５】
すなわち、インダクタ部品２５０においては、インダクタパターンが、その上に磁性体
層が設けられない部分で接続される。これにより、磁性体層の面積が同じである場合には
、磁性体層にビアを形成してインダクタパターンを接続する場合に比較して、インダクタ
パターンに対する磁性体層の有効面積が大きくなる。したがって、磁性体層の面積を大き
くすることなく、インダクタンスを大きくすることができるので、インダクタ部品を薄く
できる。これにより、インダクタンスを低化させることなく、インダクタ部品を薄くでき
るので、配線板の小型化等が可能となる。
【０１９６】
上述の如く、本実施形態３に係るインダクタ部品２５０は、第１インダクタパターン２
５２ａ〜２５２ｈ、第２インダクタパターン２５５ａ〜２５５ｈ、第３インダクタパター
ン２５８ａ〜２５８ｈの第２部分２５２ａｂ〜２５２ｈｂ、２５５ａｂ〜２５５ｈｂ、２
５８ａｂ〜２５８ｈｂが、それぞれターン部分から引き出されている。これにより、第１
部分２５２ａａ〜２５２ｈａ、２５５ａａ〜２５５ｈａ、２５８ａａ〜２５８ｈａと第２
部分２５２ａｂ〜２５２ｈｂ、２５５ａｂ〜２５５ｈｂ、２５８ａｂ〜２５８ｈｂとを、
直線で区画することができる。この結果、磁性体ペーストの塗布が容易になる。
【０１９７】
すなわち、第１入力パッド２６２ａ〜２６２ｈ、第２入力パッド２６５ａ〜２６５ｈ、
第３入力パッド２６８ａ〜２６８ｈ及び第１出力パッド２６３ａ〜２６３ｈ、第２出力パ
ッド２６６ａ〜２６６ｈ、第３出力パッド２６９ａ〜２６９ｈは、ターン部分の外側に引
き出されている。このため、各インダクタパターンの第１部分２５２ａａ〜２５２ｈａ、
２５５ａａ〜２５５ｈａ、２５８ａａ〜２５８ｈａと、第２部分２５２ａｂ〜２５２ｈｂ
、２５５ａｂ〜２５５ｈｂ、２５８ａｂ〜２５８ｈｂとは、一本の直線で区画される。こ
れにより、図３６乃至図３８に示すように磁性体ペーストを矩形に塗布することができ、
それぞれの層における磁性体ペーストの塗布を、一回の塗布で済ませることが可能となる
。すなわち、各磁性体層２５３、２５６、２５９をベタ状に設けることができる。
【０１９８】
また、各インダクタパターンの第１部分２５２ａａ〜２５２ｈａ、２５５ａａ〜２５５
ｈａ、２５８ａａ〜２５８ｈａ、すなわちターン部分の外縁の平面形状は、略矩形である
。これにより、磁性体層２５３、２５６、２５９によって覆われるターン部分の面積は、
ターン部分の外縁の平面形状が略円形の場合に比較して、より大きくなる。また、各イン
ダクタパターンのターン部分の内部領域に充填される磁性体の量も、ターン部分の外縁の
平面形状が略円形の場合に比較して、より多くなる。このため、磁性体層２５３、２５６
、２５９によるインダクタンスの向上効果も、ターン部分の外縁の平面形状が略円形の場
合に比較して、より大きくなるものと考えられる。
【０１９９】
インダクタ部品２５０の製造方法は、上述した実施形態１のインダクタ部品２１０、実
施形態２のインダクタ部品２３０の製造方法とほぼ同一である。
【０２００】
具体的には、支持体に支持された支持層２５１の上に導体層を形成し、エッチングによ
り８個の第１インダクタパターン２５２ａ〜２５２ｈを形成する。第１インダクタパター
ン２５２ａ〜２５２ｈの第１部分２５２ａａ〜２５２ｈａに磁性体ペーストを塗布し、加
熱硬化させて磁性体層２５３を形成する。続いて、金属箔を有する樹脂層２５４を積層し
、例えばレーザにより孔を開ける。続いて、無電解めっき及び電解めっきを行って、ビア
導体２６１ａ〜２６１ｈ、ビア導体２７０ａ〜２７０ｈ及び導体層を形成する。導体層を
エッチングして、８個の第２インダクタパターン２５５ａ〜２５５ｈ及び電極２８０ａ、
電極２８０ｂを形成する。
【０２０１】
続いて、第２インダクタパターン２５５ａ〜２５５ｈの第１部分２５５ａａ〜２５５ｈ
ａに磁性体ペーストを塗布し、加熱硬化させて磁性体層２５６を形成する。続いて、金属
箔を有する樹脂層２５７を積層し、例えばレーザにより孔を開ける。続いて、無電解めっ
き及び電解めっきを行って、ビア導体２７１ａ〜２７１ｈ及び導体層を形成する。導体層
をエッチングして、８個の第３インダクタパターン２５８ａ〜２５８ｈを形成する。続い
て、第３インダクタパターン２５８ａ〜２５８ｈの第１部分２５８ａａ〜２５８ｈａに磁
性体ペーストを塗布し、加熱硬化させて磁性体層２５９を形成する。続いて、樹脂層２６
０を積層し、例えばレーザにより孔を開ける。続いて、無電解めっき及び電解めっきを行
って、出力端子２７３ａ〜２７３ｈを形成する。そして、支持体を除去すれば、図３５乃
至図３８に示すインダクタ部品２５０が完成する。
【０２０２】
本実施形態３の製造方法は、インダクタ部品２５０の製造に適している。こうした製造
方法であれば、低コストで、良好なインダクタ部品２５０が得られると考えられる。
【０２０３】
次に、本発明の実施形態３の第１変形例について、図３９を参照して説明する。図３９
は、＋Ｚ方向から見た本実施形態３の第１変形例に係るインダクタ部品９０の第１層を示
す概略図である。なお、図３９においては、樹脂層を図示省略している。
【０２０４】
インダクタ部品９０は、上述したインダクタ部品２５０と同様に、支持層と、その上の
第１層と、その上の第２層と、その上の第３層と、その上の出力端子から構成される。図
３９に示すように、インダクタ部品９０の各層は、それぞれ８個のインダクタパターンを
備えている。
【０２０５】
インダクタ部品９０の第１層は、８個の第１インダクタパターン９２ａ〜９２ｈと、磁
性体層９３と、樹脂層とから構成される。第１インダクタパターン９２ａ〜９２ｈは、そ
れぞれ一対の第１入力パッド９４ａ〜９４ｈ、９６ａ〜９６ｈと、一対の第１出力パッド
９５ａ〜９５ｈ、９７ａ〜９７ｈとを有している。第１インダクタパターン９２ａ〜９２
ｈは、それぞれ破線で示される第１部分９２ａａ〜９２ｈａと、実線で示される第２部分
９２ａｂ〜９２ｈｂとに区画される。第１インダクタパターン９２ａ〜９２ｈのうち、破
線で示される第１部分９２ａａ〜９２ｈａは、その上に磁性体層９３が設けられる部分で
ある。実線で示される第２部分９２ａｂ〜９２ｈｂは、その上に磁性体層９３が設けられ
ない部分である。
【０２０６】
第１インダクタパターン９２ａ〜９２ｈは、その一端に、第１出力パッド９５ａ〜９５
ｈ、９７ａ〜９７ｈをそれぞれ有している。第１インダクタパターン９２ａ〜９２ｈは、
他端に、第１入力パッド９４ａ〜９４ｈ、９６ａ〜９６ｈをそれぞれ有している。第１イ
ンダクタパターン９２ａ〜９２ｈの上には、磁性体層９３が形成される。磁性体層９３は
、磁性体粒子と樹脂とを含む。
【０２０７】
本実施形態３の第１変形例に係るインダクタ部品９０は、第１インダクタパターン９２
ａ〜９２ｈ、第２インダクタパターン、第３インダクタパターンの第１部分が、それぞれ
磁性体層９３、第２層の磁性体層、第３層の磁性体層によって覆われている。また、本実
施形態３の第１変形例に係るインダクタ部品９０は、第１インダクタパターン９２ａ〜９
２ｈ、第２インダクタパターン、第３インダクタパターンの第２部分が、それぞれターン
部分から引き出されている。そして、第２部分に、入力パッド、出力パッド及びビア導体
が設けられている。
【０２０８】
したがって、インダクタ部品９０においては、インダクタパターンが、磁性体層から引
き出された部分で接続される。これにより、磁性体層の面積が同じである場合には、磁性
体層にビアを形成してインダクタパターンを接続する場合に比較して、インダクタパター
ンに対する磁性体層の有効面積が大きくなる。したがって、磁性体層の面積を大きくする
ことなく、インダクタンスを大きくすることができるので、インダクタ部品を薄くできる
。これにより、インダクタンスを低化させることなく、インダクタ部品を薄くできるので
、配線板の小型化等が可能となる。
【０２０９】
また、図３９に示すように、第１入力パッド９４ａ〜９４ｈ、９６ａ〜９６ｈ及び第１
出力パッド９５ａ〜９５ｈ、９７ａ〜９７ｈは、ターン部分の外側に引き出されているた
め、第１インダクタパターン９２ａ〜９２ｈの第１部分９２ａａ〜９２ｈａと、第２部分
９２ａｂ〜９２ｈｂとは、一本の直線で区画される。これにより、磁性体ペーストを矩形
に塗布することができ、それぞれの層における磁性体ペーストの塗布を一回の塗布で済ま
せることが可能となる。すなわち、各磁性体層をベタ状に設けることができる。
【０２１０】
また、第１インダクタパターン９２ａ〜９２ｈの第１部分９２ａａ〜９２ｈａに含まれ
るターン部分の外縁の平面形状は、略矩形である。これにより、磁性体層９３によって覆
われるターン部分の面積は、ターン部分の外縁の平面形状が略円形の場合に比較して、よ
り大きくなる。また、第１インダクタパターン９２ａ〜９２ｈのターン部分の内部領域に
充填される磁性体の量も、ターン部分の外縁の平面形状が略円形の場合に比較して、より
多くなる。このため、磁性体層９３によるインダクタンスの向上効果も、ターン部分の外
縁の平面形状が略円形の場合に比較して、より大きくなるものと考えられる。図示しない
第２層、第３層についても、同様のことがいえる。
【０２１１】
インダクタ部品９０の製造方法は、上述したインダクタ部品２５０の製造方法と同様で
ある。
【０２１２】
具体的には、支持体に支持された支持層の上に導体層を形成し、エッチングにより８個
の第１インダクタパターン９２ａ〜９２ｈを形成する。第１インダクタパターン９２ａ〜
９２ｈの第１部分９２ａａ〜９２ｈａに磁性体ペーストを塗布し、加熱硬化させて磁性体
層９３を形成する。続いて、金属箔を有する樹脂層を積層し、例えばレーザにより孔を開
ける。続いて、無電解めっき及び電解めっきを行って、ビア導体及び導体層を形成する。
導体層をエッチングして、８個の第２インダクタパターン及び電極を形成する。
【０２１３】
続いて、第２インダクタパターンの第１部分に磁性体ペーストを塗布し、加熱硬化させ
て磁性体層を形成する。続いて、金属箔を有する樹脂層を積層し、例えばレーザにより孔
を開ける。続いて、無電解めっき及び電解めっきを行って、ビア導体及び導体層を形成す
る。導体層をエッチングして、８個の第３インダクタパターンを形成する。続いて、第３
インダクタパターンの第１部分に磁性体ペーストを塗布し、加熱硬化させて磁性体層を形
成する。続いて、樹脂層を積層し、例えばレーザにより孔を開ける。続いて、無電解めっ
き及び電解めっきを行って、出力端子を形成する。そして、支持体を除去すれば、図３９
に第１層を示すインダクタ部品９０が完成する。
【０２１４】
次に、本発明の実施形態３の第２変形例について、図４０を参照して説明する。図４０
は、＋Ｚ方向から見た本実施形態３の第２変形例に係るインダクタ部品３１０の第１層を
示す概略図である。なお、図４０においては、樹脂層を図示省略している。
【０２１５】
インダクタ部品３１０は、上述したインダクタ部品９０と同様に、支持層と、その上の
第１層と、その上の第２層と、その上の第３層と、その上の出力端子から構成される。図
４０に示すように、インダクタ部品３１０の各層は、それぞれ８個のインダクタパターン
を備えている。
【０２１６】
インダクタ部品３１０の第１層は、８個の第１インダクタパターン３１５ａ〜３１５ｈ
と、磁性体層３１６と、樹脂層とから構成される。第１インダクタパターン３１５ａ〜３
１５ｈは、破線で示される第１部分３１５ａａ〜３１５ｈａと、実線で示される第２部分
３１５ａｂ〜３１５ｈｂとに区画される。第１インダクタパターン３１５ａ〜３１５ｈの
うち、破線で示される第１部分３１５ａａ〜３１５ｈａは、磁性体層３１６に覆われる部
分である。実線で示される第２部分３１５ａｂ〜３１５ｈｂは、磁性体層３１６に覆われ
ない部分である。
【０２１７】
第１インダクタパターン３１５ａ〜３１５ｈは、その一端に、第１出力パッド３２７ａ
〜３２７ｈをそれぞれ有している。第１インダクタパターン３１５ａ〜３１５ｈは、他端
に、第１入力パッド３２６ａ〜３２６ｈをそれぞれ有している。第１入力パッド３２６ａ
〜３２６ｈの下には、ビア導体３２１ａ〜３２１ｈが電気的に接続されている。第１出力
パッド３２７ａ〜３２７ｈには、ビア導体３２２ａ〜３２２ｈが電気的に接続されている
。第１インダクタパターン３１５ａ〜３１５ｈの上には、磁性体層３１６が形成される。
磁性体層３１６は、磁性体粒子と樹脂とを含む。
【０２１８】
本実施形態３の第２変形例に係るインダクタ部品３１０は、第１インダクタパターン３
１５ａ〜３１５ｈ、第２インダクタパターン、第３インダクタパターンの第１部分が、そ
れぞれ磁性体層３１６、第２層の磁性体層、第３層の磁性体層によって覆われている。
【０２１９】
また、本実施形態３の第２変形例に係るインダクタ部品３１０は、第１インダクタパタ
ーン３１５ａ〜３１５ｈ、第２インダクタパターン、第３インダクタパターンの第２部分
が、それぞれターン部分に含まれている。これにより、インダクタ部品３１０をよりコン
パクトにすることができる。
【０２２０】
また、第１インダクタパターン３１５ａ〜１１５ｈの第１部分３１５ａａ〜３１５ｈａ
、すなわちターン部分の外縁の平面形状は、略矩形である。これにより、磁性体層３１６
によって覆われるターン部分の面積は、ターン部分の外縁の平面形状が略円形の場合に比
較して、より大きくなる。また、第１インダクタパターン３１５ａ〜３１５ｈのターン部
分の内部領域に充填される磁性体の量も、ターン部分の外縁の平面形状が略円形の場合に
比較して、より多くなる。このため、磁性体層３１６によるインダクタンスの向上効果も
、ターン部分の外縁の平面形状が略円形の場合に比較して、より大きくなるものと考えら
れる。図示しない第２層、第３層についても、同様のことがいえる。
【０２２１】
インダクタ部品３１０の製造方法は、上述したインダクタ部品２５０、９０の製造方法
とは異なる。
【０２２２】
具体的には、支持体に支持された支持層の上に導体層を形成し、エッチングにより８個
の第１インダクタパターン３１５ａ〜３１５ｈ及び電極３２９ａ、３２９ｂを形成する。
続いて、第１インダクタパターン３１５ａ〜３１５ｈの全体に、平面形状が略矩形になる
ように磁性体ペーストを塗布する。そして、塗布した磁性体ペーストを加熱硬化して、磁
性体層３１６を形成する。続いて、例えばレーザにより、第１入力パッド３２６ａ〜３２
６ｈ及び第１出力パッド３２７ａ〜３２７ｈの真上において、磁性体層３１６に貫通孔を
形成する。
【０２２３】
続いて、支持層、第１インダクタパターン３１５ａ〜３１５ｈ及び磁性体層３１６の上
に、金属箔を有する樹脂層を積層し、例えばレーザにより孔を開ける。続いて、無電解め
っき及び電解めっきを行って、ビア導体３１２ａ〜３１２ｈ、ビア導体３２２ａ〜３２２
ｈ及び導体層を形成する。導体層をエッチングして、８個の第２インダクタパターンを形
成する。以下、同様にして、第２層及び第３層を形成する。そして、支持体を除去すれば
、図４０に第１層を示すインダクタ部品３１０が完成する。
【０２２４】
ここで、磁性体層３１６に設けられる貫通孔の面積は、磁性体層３１６の全体の面積に
比較して小さい。これにより、インダクタパターンが１個で、磁性体層にビアを形成して
インダクタパターンを接続する場合に比較して、インダクタパターンに対する磁性体層の
有効面積が大きくなる。したがって、磁性体層の面積を大きくすることなく、インダクタ
ンスを大きくすることができるので、インダクタ部品を薄くできる。これにより、インダ
クタンスを低下させることなく、インダクタ部品を薄くできるので、配線板の小型化等が
可能となる。
【０２２５】
次に、本発明の実施形態３の第３変形例について、図４１を参照して説明する。図４１
は、＋Ｚ方向から見た本実施形態３の第３変形例に係るインダクタ部品３３０の第１層を
示す概略図である。なお、図４１においては、樹脂層を図示省略している。
【０２２６】
インダクタ部品３３０は、上述したインダクタ部品２５０、９０、３１０と同様に、支
持層と、その上の第１層と、その上の第２層と、その上の第３層と、その上の出力端子か
ら構成される。図４１に示すように、インダクタ部品３３０の各層は、それぞれ８個のイ
ンダクタパターンを備えている。本実施形態３の第３変形例に係るインダクタ部品３３０
が、上述したインダクタ部品２５０、９０、３１０と異なるのは、電極３４９が中央に位
置しており、磁性体層が２つに分かれている点である。
【０２２７】
インダクタ部品３３０の第１層は、８個の第１インダクタパターン３３５ａ〜３３５ｈ
と、磁性体層３３６ａ、３３６ｂと、樹脂層とから構成される。第１インダクタパターン
３３５ａ〜３３５ｈは、破線で示される第１部分３３５ａａ〜３３５ｈａと、実線で示さ
れる第２部分３３５ａｂ〜３３５ｈｂとに区画される。第１インダクタパターン３３５ａ
〜３３５ｈのうち、破線で示される第１部分３３５ａａ〜３３５ｈａは、磁性体層３３６
ａ、３３６ｂに覆われる部分である。実線で示される第２部分３３５ａｂ〜３３５ｈｂは
、磁性体層３３６ａ、３３６ｂに覆われない部分である。
【０２２８】
第１インダクタパターン３３５ａ〜３３５ｈは、その一端に、第１出力パッド３４７ａ
〜３４７ｈをそれぞれ有している。第１インダクタパターン３３５ａ〜３３５ｈは、第１
入力パッド３４６ａ〜３４６ｈをそれぞれ有している。第１入力パッド３４６ａ〜３４６
ｈの下には、ビア導体３４１ａ〜３４１ｈが電気的に接続されている。第１出力パッド３
４７ａ〜３４７ｈには、ビア導体３４２ａ〜３４２ｈが電気的に接続されている。第１イ
ンダクタパターン３３５ａ〜３３５ｄの上には、磁性体層３３６ａが形成され、第１イン
ダクタパターン３３５ｅ〜３３５ｈの上には、磁性体層３３６ｂが形成される。磁性体層
３３６ａ、３３６ｂは、磁性体粒子と樹脂とを含む。
【０２２９】
本実施形態３の第３変形例に係るインダクタ部品３３０は、第１インダクタパターン３
３５ａ〜３３５ｈ、第２インダクタパターン、第３インダクタパターンの第１部分が、そ
れぞれ磁性体層３３６ａ、３３６ｂ、第２層の磁性体層、第３層の磁性体層によって覆わ
れている。
【０２３０】
また、本実施形態３の第３変形例に係るインダクタ部品３３０は、第１インダクタパタ
ーン３３５ａ〜３３５ｈ、第２インダクタパターン、第３インダクタパターンの第２部分
が、それぞれターン部分に含まれている。これにより、インダクタ部品３３０をよりコン
パクトにすることができる。
【０２３１】
また、第１インダクタパターン３３５ａ〜３３５ｈの第１部分３３５ａａ〜３３５ｈａ
が含まれるターン部分の外縁の平面形状は、略矩形である。これにより、磁性体層３３６
ａ、３３６ｂによって覆われるターン部分の面積は、ターン部分の外縁の平面形状が略円
形の場合に比較して、より大きくなる。また、第１インダクタパターン３３５ａ〜３３５
ｈのターン部分の内部領域に充填される磁性体の量も、ターン部分の外縁の平面形状が略
円形の場合に比較して、より多くなる。このため、磁性体層３３６ａ、３３６ｂによるイ
ンダクタンスの向上効果も、ターン部分の外縁の平面形状が略円形の場合に比較して、よ
り大きくなるものと考えられる。図示しない第２層、第３層についても、同様のことがい
える。
【０２３２】
インダクタ部品３３０の製造方法は、上述したインダクタ部品３１０の製造方法とほぼ
同一である。
【０２３３】
具体的には、支持体に支持された支持層の上に導体層を形成し、エッチングにより８個
の第１インダクタパターン３３５ａ〜３３５ｈ及び電極３４９を形成する。続いて、第１
インダクタパターン３３５ａ〜３３５ｄの全体に、及び第１インダクタパターン３３５ｅ
〜３３５ｈの全体に、平面形状が略矩形になるように磁性体ペーストを塗布する。そして
、塗布した磁性体ペーストを加熱硬化して、磁性体層３３６ａ、３３６ｂを形成する。続
いて、例えばレーザにより、第１入力パッド３４６ａ〜３４６ｈ及び第１出力パッド３４
７ａ〜３４７ｈの真上において、磁性体層３３６ａ、３３６ｂに貫通孔を形成する。
【０２３４】
続いて、支持層、第１インダクタパターン３３５ａ〜３３５ｈ及び磁性体層３３６ａ、
３３６ｂの上に、金属箔を有する樹脂層を積層し、例えばレーザにより孔を開ける。続い
て、無電解めっき及び電解めっきを行って、ビア導体３３２ａ〜３３２ｈ、ビア導体３４
２ａ〜３４２ｈ及び導体層を形成する。導体層をエッチングして、８個の第２インダクタ
パターンを形成する。以下、同様にして、第２層及び第３層を形成する。そして、支持体
を除去すれば、図４１に第１層を示すインダクタ部品３３０が完成する。
【０２３５】
ここで、磁性体層３３６に設けられる貫通孔の面積は、磁性体層３３６の全体の面積に
比較して小さい。これにより、インダクタパターンが１個で、磁性体層にビアを形成して
インダクタパターンを接続する場合に比較して、インダクタパターンに対する磁性体層の
有効面積が大きくなる。したがって、磁性体層の面積を大きくすることなく、インダクタ
ンスを大きくすることができるので、インダクタ部品を薄くできる。これにより、インダ
クタンスを低下させることなく、インダクタ部品を薄くできるので、配線板の小型化等が
可能となる。
【０２３６】
本発明は、上記の各実施形態に限定されない。例えば、上記の各実施形態においては、
第１インダクタパターン、第２インダクタパターン、第３インダクタパターンのターン部
分の外縁の平面形状を略矩形とした。これに限られず、ターン部分の外縁の平面形状は、
略円形、楕円形、多角形等とすることができる。
【０２３７】
上記の各実施形態においては、インダクタ部品を３層の積層構造とした。これに限られ
ず、インダクタ部品の積層構造は、２層でもよい。また、インダクタ部品を薄くできれば
、４層以上の積層構造としてもよい。
【０２３８】
電解めっきのためのシード層は無電解めっき膜に限られず、無電解めっき膜に代えて、
スパッタ膜等をシード層として用いてもよい。
【０２３９】
その他の点についても、配線板１０、インダクタ部品２１０、２３０、２５０、９０、
３１０、３３０及び層間絶縁層の構成、及びその構成要素の種類、性能、寸法、材質、形
状、層数、または配置等は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に変更すること
ができる。
【０２４０】
また、各インダクタパターンの材料は、上記のものに限定されず、用途等に応じて変更
可能である。例えばインダクタパターンの材料として、銅以外の金属または非金属の導体
材料を用いてもよい。
【０２４１】
以上、本発明の実施形態について説明したが、設計上の都合やその他の要因によって必
要となる様々な修正や組み合わせは、「請求項」に記載されている発明や「発明を実施す
るための形態」に記載されている具体例に対応する発明の範囲に含まれると理解されるべ
きである。
【産業上の利用可能性】
【０２４２】
本発明のインダクタ部品は、薄型の配線板を製造するのに適している。本発明の配線板
は、携帯電話機、パソコン等に用いるのに適している。本発明のインダクタ部品の製造方
法は、配線板に内蔵されるインダクタ部品の製造に適している。
【符号の説明】
【０２４３】
１０  配線板
１００  基板（コア基板）
２１０，２３０，２５０，９０，３１０，３３０  インダクタ部品
２１１，２３１，２５１  支持層
２１２ａ，２３２ａ，２５２ａ〜２５２ｈ，９２ａ〜９２ｈ，３１５ａ〜３１５ｈ，３
３５ａ〜３３５ｈ  第１インダクタパターン
２１２ｂ，２３２ｂ，２５５ａ〜２５５ｈ  第２インダクタパターン
２１２ｃ，２３２ｃ，２５８ａ〜２５８ｈ  第３インダクタパターン
２１２ｘ，２１２ｙ，２１２ｚ，２３２ｘ，２３２ｙ，２３２ｚ  導体層
２１２ａａ，２１２ｂａ，２１２ｃａ，２３２ａａ，２３２ｂａ，２３２ｃａ，２５２
ａａ〜２５２ｈａ，２５５ａａ〜２５５ｈａ，２５８ａａ〜２５８ｈａ，９２ａａ〜９２
ｈａ，３１５ａａ〜３１５ｈａ，３３５ａａ〜３３５ｈａ  第１部分
２１２ａｂ，２１２ｂｂ，２１２ｃｂ，２３２ａｂ，２３２ｂｂ，２３２ｃｂ，２５２
ａｂ〜２５２ｈｂ，２５５ａｂ〜２５５ｈｂ，２５８ａｂ〜２５８ｈｂ，９２ａｂ〜９２
ｈｂ，３１５ａｂ〜３１５ｈｂ，３３５ａｂ〜３３５ｈｂ  第２部分
２１３ａ，２１３ｂ，２１３ｃ，２３３ａ，２３３ｂ，２３３ｃ，２５３，２５６，２
５９，９３，３１６，３３６ａ，３３６ｂ  磁性体層
２１３ｘ，２１３ｙ，２１３ｚ，２３３ｘ，２３３ｙ  磁性体ペースト
２１４，２１５，２１６，２３４，２３５，２３６，２５４，２５７，２６０  樹脂層
２１７ａ，２１７ｂ，２１７ｃ，２３７ａ，２３７ｂ，２３７ｃ  層間絶縁層
２１８ａ，２１８ｂ，２１８ｃ，２２１ａ，２２１ｂ，２２１ｃ，２３８ａ，２３８ｂ
，２３８ｃ，２４１ａ，２４１ｂ，２４１ｃ，２６１ａ〜２６１ｈ，２７０ａ〜２７０ｈ
，２７１ａ〜２７１ｈ，２７２ａ〜２７２ｈ，３１２ａ〜３１２ｈ，３２１ａ〜３２１ｈ
，３２２ａ〜３２２ｈ，３３２ａ〜３３２ｈ，３４１ａ〜３４１ｈ，３４２ａ〜３４２ｈ
ビア導体
２１８ｘ，２１８ｙ，２１８ｚ，２２１ｘ，２２１ｙ，２２１ｚ，２３８ｘ，２３８ｙ
，２３８ｚ，２４１ｘ，２４１ｙ，２４１ｚ  孔
２１９，２３９，２７３ａ〜２７３ｈ  出力端子
２２０ａ，２２０ｂ，２４０ａ，２４０ｂ  積層パッド
２２０ｃ，２４０ｃ  入力端子
２２２ａ，２４２ａ，２６２ａ〜２６２ｈ，９４ａ〜９４ｈ，９６ａ〜９６ｈ，３２６
ａ〜３２６ｈ，３４６ａ〜３４６ｈ  第１入力パッド
２２２ｂ，２４２ｂ  第２入力パッド
２２２ｃ，２４２ｃ，２６８ａ〜２６８ｈ  第３入力パッド
２２３ａ，２４３ａ，２６３ａ〜６３ｈ，９５ａ〜９５ｈ，９７ａ〜９７ｈ，３２７ａ
〜３２７ｈ，３４７ａ〜３４７ｈ  第１出力パッド
２２３ｂ，２４３ｂ，２６５ａ〜２６５ｈ，２６６ａ〜２６６ｈ  第２出力パッド
２２３ｃ，２４３ｃ，２６９ａ〜２６９ｈ  第３出力パッド
２２５，２２６，２４５，２４６  金属箔
２８０ａ，２８０ｂ，３２９ａ，３２９ｂ，３４９  電極
４００，４０２  支持体
４１０，４１２  銅箔
Ｌ１，Ｌ１１，Ｌ２１，Ｌ３１  第１層
Ｌ２，Ｌ１２，Ｌ２２，Ｌ３２  第２層
Ｌ３，Ｌ１３，Ｌ２３，Ｌ３３  第３層
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３Ａ】
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【図３３Ｂ】
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【図３３Ｃ】
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【図３３Ｄ】
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【図３４Ａ】
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【図３４Ｂ】
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【図３４Ｃ】
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【図３４Ｄ】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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