(57)【要約】【課題】欠けショット領域の露光処理の効率化に有利な技術を提供する。【解決手段】走査露光装置を用い、フォトマスクと基板との同期走査を行って、スリット状に整形されたスリット光により前記基板をショット領域ごとに走査露光する露光方法であって、前記露光方法は、前記基板の有効露光領域を外縁の一部とする欠けショット領域を前記有効露光領域の内側から外側に向かって走査露光する場合には、前記スリット光の全部が前記有効露光領域の外側に出る前に前記基板に対して露光光を照射しながら前記同期走査の減速を開始する工程を含む。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査露光装置を用い、フォトマスクと基板との同期走査を行って、スリット状に整形されたスリット光により前記基板をショット領域ごとに走査露光する露光方法であって、
前記露光方法は、
前記基板の有効露光領域を外縁の一部とする欠けショット領域を前記有効露光領域の内側から外側に向かって走査露光する場合には、前記スリット光の全部が前記有効露光領域の外側に出る前に前記基板に対して露光光を照射しながら前記同期走査の減速を開始する工程を含む
ことを特徴とする露光方法。
【請求項２】
前記欠けショット領域を前記有効露光領域の外側から内側に向かって走査露光する場合には、前記スリット光の一部が前記有効露光領域の内側に入った時以後に前記同期走査を等速にする工程をさらに含む
ことを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】
走査露光装置を用い、フォトマスクと基板との同期走査を行って、スリット状に整形されたスリット光により前記基板をショット領域ごとに走査露光する露光方法であって、
前記露光方法は、
前記基板の有効露光領域を外縁の一部とする欠けショット領域を前記有効露光領域の外側から内側に向かって走査露光する場合には、前記スリット光の一部が前記有効露光領域の内側に入った時以後に前記同期走査を等速にする工程を含む
ことを特徴とする露光方法。
【請求項４】
前記同期走査を等速にする工程は、前記スリット光の一部が前記有効露光領域の内側に入った時以後、かつ、前記スリット光の全部が前記有効露光領域の内側に入る前に前記同期走査の速度を安定化させる工程をさらに含む
ことを特徴とする請求項２または３に記載の露光方法。
【請求項５】
前記同期走査の速度にしたがって露光光の照射量を変化させる
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の露光方法。
【請求項６】
スリット状に整形したスリット光により基板をショット領域ごとに走査露光する走査露光装置であって、
フォトマスクを保持して移動させる第１ステージと、
前記基板を保持して移動させる第２ステージと、
前記基板の有効露光領域を外縁の一部とする欠けショット領域を前記有効露光領域の内側から外側に向かって走査露光する場合には前記スリット光の全部が前記有効露光領域の外側に出る前に前記基板に対して露光光を照射しながら前記第１ステージおよび前記第２ステージの減速を開始する制御部と、を備える
ことを特徴とする走査露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光方法、そのプログラム、記憶媒体および走査露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体製造プロセスの露光工程では、露光光源の光束をスリット状に整形したスリット光によって基板をショット領域ごとに走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査露光装置が用いられうる。走査露光装置は、ウエハを保持するウエハステージと、レチクル（フォトマスク）を保持するレチクルステージとを同期走査させて走査露光を行う。走査露光装置は、あるショット領域の走査露光が完了した後はステップ移動を行って次のショット領域の走査露光を行い、このシーケンスを繰り返して基板を露光する。
【０００３】
通常、ウエハは円形状の基板であるため、ウエハの有効露光領域を外縁の一部とする欠けショット領域（又は外周ショット領域）が存在する。欠けショット領域においても、通常ショット領域と同様の走査露光が為されうる。特許文献１には、欠けショットにおいて照野フィールドの少なくとも一部が有効露光領域の内側に含まれている間は、通常ショットと同様の走査露光を行う技術が開示されている。即ち、スリット光の全てが有効露光領域の外側に位置している間の走査方向への動作を省略することによってスループットを向上させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−２９３６５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１によると、チップとして製品等に適用されない部分についても通常ショット領域と同様の走査露光を行っている。しかし、製品等に適用されるチップが得られる予定のない部分を含む欠けショット領域について通常ショット領域と同様の走査露光を行うことは、スループット低下の原因となる。
【０００６】
本発明の目的は、欠けショット領域の露光処理の効率化に有利な技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一つの側面は露光方法にかかり、前記露光方法は、走査露光装置を用い、フォトマスクと基板との同期走査を行って、スリット状に整形されたスリット光により前記基板をショット領域ごとに走査露光する露光方法であって、前記露光方法は、前記基板の有効露光領域を外縁の一部とする欠けショット領域を前記有効露光領域の内側から外側に向かって走査露光する場合には、前記スリット光の全部が前記有効露光領域の外側に出る前に前記基板に対して露光光を照射しながら前記同期走査の減速を開始する工程を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、欠けショット領域の露光処理の効率化に有利である。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】走査露光装置の構成例を説明する図。
【図２】ショット領域を説明する図。
【図３】走査露光の動作シーケンスの例を説明する図。
【図４】領域ＳＢ１の走査露光の動作シーケンスの例を説明する図。
【図５】領域ＳＢ２の走査露光の動作シーケンスの例を説明する図。
【図６】露光光の照度および露光速度と時間との関係を説明する図。
【図７】領域ＳＢ３の走査露光の動作シーケンスの例を説明する図。
【図８】領域ＳＢ４の走査露光の動作シーケンスの例を説明する図。
【図９】ショット領域を説明する図、及び、領域ＳＢ２の走査露光の動作シーケンスの例を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
＜走査露光装置の構成および動作について＞
以下、本発明の露光方法を説明するに先立って、図１乃至３を参照しながら、ステップ・アンド・スキャン方式の走査露光装置の構成および露光時の動作について述べる。図１は、走査露光装置Ａ（以下、単に装置Ａ）の構成を模式的に示している。装置Ａは、レチクルステージ６（第１ステージ）、ウエハステージ１（第２ステージ）、光源を含む照明光学系ＳＬ、投影光学系ＵＬおよび制御系２１（制御部）を備える。レチクルステージ６は、レチクルＲ（フォトマスク）を保持し、移動させる。ウエハステージ１は、例えば、感光性の部材が塗布されたウエハＷ（例えば半導体で構成された基板）を保持し、移動させる。
【００１１】
装置Ａは、照明光学系ＳＬにより露光光ＩＬをウエハＷに対して照射しつつ、レチクルステージ６とウエハステージ１とを投影光学系ＵＬに対して同期走査させる。投影光学系ＵＬは、例えば鏡筒定盤５によって支持されている。露光光ＩＬは、例えば照明光学系ＳＬが有するスリット孔によりスリット状に整形された光束である。露光光ＩＬがレチクルＲおよび投影露光系ＵＬを通過してウエハＷ上にスリット状の照明領域（スリット光）が形成される。このスリット光を、レチクルステージ６とウエハステージ１との同期走査によってショット領域の一方の端から他方の端に向かって走査させ、ウエハＷの当該ショット領域が露光される（走査露光）。なお、レチクルステージ６は、レチクルステージガイド８に沿って走査方向の往復移動を行い、レチクルＲが有するパターンの全体像を転写することができるように十分なストロークを有する。
【００１２】
照明光学系ＳＬの光源としては、例えば、ＫｒＦエキシマレーザ光、ＡｒＦエキシマレーザ光、超高圧水銀ランプの紫外域の輝線（ｇ線、ｉ線等）等が用いられる。ショット領域のそれぞれに順に走査露光を行った後、現像処理が為され、レチクルＲが有するパターンを縮小投影したパターンが各ショット領域に転写される。
【００１３】
次に、レチクルステージ６とウエハステージ１との同期走査について述べる。図１に例示されるように、紙面に対して垂直な方向をＸ軸とし、Ｘ軸に交差する方向をＹ軸とし、さらに、Ｘ軸およびＹ軸が形成する面と交差する方向をＺ軸とする。レチクルステージ６とウエハステージ１との同期走査は、例えば、レチクルステージ６を＋Ｙ方向（または−Ｙ方向）に走査（レチクルスキャン）し、ウエハステージ１を−Ｙ方向（または＋Ｙ方向）に走査（ウエハスキャン）して為される。この同期走査は、ウエハスキャンの速度ＶＷと、レチクルスキャンの速度ＶＲとの比（ＶＷ／ＶＲ）が、投影光学系ＵＬの投影倍率（例えば１／４）に等しくなるように為される。
【００１４】
また、装置Ａは、レチクルステージ６の位置をモニタするためのレーザ干渉計２５と、レチクルステージ６の端部に設けられたバーミラー７と、レチクルステージ６を駆動するレチクルステージ駆動部２４とを備えうる。バーミラー７はレーザ干渉計２５からのレーザビームを反射し、レーザ干渉計２５は当該反射されたレーザを検知してレチクルステージ６の位置を取得する。取得されたレチクルステージ６の位置を示す位置情報は、制御系２１に出力される。制御系２１は、この位置情報に基づいてレチクルステージ駆動部２４を動作させ、レチクルステージ６の位置や速度を制御する。
【００１５】
同様にして、装置Ａは、ウエハステージ１の位置をモニタするためのレーザ干渉計２４と、ウエハステージ１の端部に設けられたバーミラー２と、ウエハステージ１を駆動するウエハステージ駆動部２２とを備えうる。制御系２１は、ウエハステージ１の位置情報に基づいてウエハステージ駆動部２２を動作させ、ウエハステージ１の位置や速度を制御する。また、装置Ａは多点ＡＦセンサ４をさらに備え、これによってウエハＷのエッジ位置等を検知することが可能である。
【００１６】
上述の走査露光は、図２に例示されるように、通常ショット領域および欠けショット領域を含む複数の領域Ｓ１乃至Ｓ４４について順に為されうる。各領域Ｓ１乃至Ｓ４４において記された矢印は走査露光の走査方向を示しており、−Ｙ方向の走査露光と、＋Ｙ方向の走査露光とが交互に繰り返し為される。
【００１７】
なお、通常は、ウエハＷから所定の距離（例えば３ｍｍ）だけ内側の領域を有効露光領域とするが、説明の容易化のため、本明細書では有効露光領域とウエハＷとを同一に示している。
【００１８】
ここで、「通常ショット領域」は、複数の領域Ｓ１乃至Ｓ４４のうち、全体をウエハＷ（の有効露光領域。以下、同様）の一部とするショット領域（図２において実線で示された２０個の領域）をいう。通常ショット領域についての走査露光を「通常ショット」と称する。また、「欠けショット領域」（または「外周ショット領域」）は、複数の領域Ｓ１乃至Ｓ４４のうち、ウエハＷの外縁を一部とするショット領域（図２において破線で示された２４個の領域）をいう。欠けショット領域についての走査露光を「欠けショット」（または「外周ショット」）と称する。通常ショット領域については、半導体ＩＣとして製品等に適用可能なチップが得られる。
【００１９】
欠けショット領域については、１つのショット領域から１つのチップが得られる場合は、半導体ＩＣとして製品等に適用可能なチップは得られない。一方、１つのショット領域から複数のチップが得られる場合は、チップ領域の全体がウエハＷに含まれるチップを除いて、それ以外の部分は半導体ＩＣとして製品等に適用することはできない。しかし、露光処理の後に為されうるＣＭＰ工程やエッチング工程における製造ばらつきを低減させ、ウエハＷ面内のパターン均一性を向上させる目的から、欠けショット領域についても走査露光を行うことが望ましい。
【００２０】
図３は、走査露光時におけるレチクルステージ６とウエハステージ１との同期走査における駆動シーケンスを、縦軸をウエハスキャンの速度ＶＷとし、横軸を時間として示している。まず、走査露光を開始するために、速度ＶＷが所定の速度に達するまでウエハステージ１を加速させる。当該加速においてウエハステージ１が移動する距離を区間Ｌ１と示す。次に、速度ＶＷが安定化するまでウエハステージ１を走査させる（安定化工程）。当該安定化のための走査によってウエハステージ１が移動する距離を区間Ｌ２と示す。
【００２１】
この距離（区間Ｌ２）は、ウエハステージ１を加速させることによって生じた振動が、所望の露光を適切に行うことが可能な程度までに収まるのに要する、いわゆる整定距離である。よって、区間Ｌ２は、ウエハステージ１のスペック、例えば、速度ＶＷおよび安定化に要する時間（整定時間）に依存する。例えば、速度ＶＷを高速に設定すると区間Ｌ２は大きくなり、速度ＶＷを低速に設定すると区間Ｌ２は小さくなる。また、区間Ｌ２は、製造されるチップに要求されるスペックにも依存する。例えば、要求スペックが高いと区間Ｌ２は大きくなり、スループットを優先すると区間Ｌ２は小さくなるし、さらには安定化工程を省略してもよい。このことは、以下において同様である。
【００２２】
次に、区間Ｌ３にわたって速度ＶＷを等速に維持しつつウエハステージ１を走査させ、露光光を照射する。当該ショット領域の露光が完了した後は露光光の照射を中止する。その後、次のショット領域に移るために非走査方向（ここではＸ軸方向）にウエハステージ１を移動させつつ（ステップ移動）、次のショット領域の露光を開始するのに必要な位置（整定距離も考慮する）まで走査方向（ここではＹ軸方向）に移動させる。ここで、ウエハステージ１が移動する距離のうち、等速で移動した距離を区間Ｌ４と示し、減速しながら移動した距離を区間Ｌ５と示す。その後、上述と同様のシーケンスで、次のショット領域の走査露光を開始する。以上のシーケンスを繰り返して、レチクルステージ６とウエハステージ１との同期走査を継続的に行い、各領域Ｓ１〜Ｓ４４の走査露光が順に為されうる。
【００２３】
＜領域ＳＢ１（通常ショット領域Ｓ１７〜Ｓ１８）について＞
以下では、各領域Ｓ１〜Ｓ４４の走査露光のうち、１つのショット領域の走査露光を完了して次のショット領域に移行するまでの例として、領域ＳＢ１（通常ショット領域Ｓ１７〜Ｓ１８）の場合の態様を例示する。図４は、スリット光が描く軌跡（Ｐ１〜Ｐ６）を示しつつ、通常ショット領域Ｓ１７の走査露光を行った後に通常ショット領域Ｓ１８にステップ移動して、通常ショット領域Ｓ１８の走査露光を開始する様子を示している。
【００２４】
なお、実際にはスリット光ではなくレチクルステージ６とウエハステージ１との同期走査によりウエハＷが移動する。ここでは説明の容易化のため、スリット光がウエハＷに対して相対的に描く軌跡（Ｐ１〜Ｐ６）を示している。
【００２５】
位置Ｐ１は、通常ショット領域Ｓ１７の露光が完了した直後のスリット光の位置を示している。その後、前述の同期走査によって、スリット光を非走査方向（Ｘ軸方向）へ移動させつつ、走査方向（Ｙ軸方向）に向かって距離ＤＬ２（後述）だけ等速で移動させ、スリット光は位置Ｐ２に到達する。スリット光が位置Ｐ２に到達した後、同期走査の減速を開始し、スリット光を位置Ｐ３で停止させる。当該減速を開始してからスリット光が停止するまでに移動する距離を距離ＤＬ１と示す。
【００２６】
その後、同期走査の加速を開始し、位置Ｐ４でスリット光の非走査方向（Ｘ軸方向）への移動を完了させ、位置Ｐ５で走査方向（Ｙ軸方向）の加速を完了させる。位置Ｐ３から位置Ｐ５までに、スリット光は走査方向（Ｙ軸方向）に距離ＤＬ１だけ移動する。次に、位置Ｐ６に到達するまで、スリット光を走査方向（Ｙ軸方向）に距離Ｄ２だけ移動させる。即ち、距離Ｄ１は減速または加速に要する距離を示し、距離Ｄ２は整定距離を示す。位置Ｐ６からスリット光を等速で移動させながら通常ショット領域Ｓ１８の露光を開始する。
【００２７】
＜領域ＳＢ２（欠けショット領域Ｓ３〜Ｓ４）について＞
前述のとおり、ウエハＷ面内のパターン均一性を維持させるため、欠けショットについても走査露光が為される。しかし、１つのショット領域から１つのチップが得られる場合は、欠けショット領域のチップを半導体ＩＣとして製品等に適用することはできない。また、１つのショット領域から複数のチップが得られる場合は、チップ領域の全体がウエハＷに含まれるチップを除いて、半導体ＩＣとして製品等に適用することはできない。よって、欠けショット領域については、ウエハＷ面内のパターン均一性を維持させつつ、チップとして製品等に適用されるべき部分が適切に露光されればよく、通常ショット領域と同等の露光精度までは要求されない。
【００２８】
以下では、前述の領域ＳＢ１と同様にして、領域ＳＢ２（欠けショット領域Ｓ３〜Ｓ４）についての走査露光の態様を例示する。図５（ａ）は、スリット光の軌跡（Ｐ１１〜Ｐ１６）を示しつつ、欠けショット領域Ｓ３の走査露光を行った後に欠けショット領域Ｓ４にステップ移動して、欠けショット領域Ｓ４の走査露光を開始する様子を示している。図５（ｂ）は、本シーケンスを、縦軸をスリット光の移動速度Ｖ（露光速度）とし、横軸を時間Ｔとして、スリット光の軌跡（Ｐ１１〜Ｐ１６）に対応させて示している。なお、図９（ａ）は、１つのショット領域から複数のチップが得られる場合のショット領域を、図２と同様にして示している。ここでは、１つのショット領域から２つのチップが得られる場合を示しており、ｍ＝１〜４４の整数として、各領域Ｓｍに対応させてチップＣＡｍ及びＣＢｍと示す。例えば、領域Ｓ１については、チップＣＡ１及びＣＢ１と示す。図９（ｂ）は、１つのショット領域から複数のチップが得られる場合におけるスリット光の軌跡を、図５（ａ）と同様に示している。
【００２９】
位置Ｐ１１において、同期走査の減速が開始されうる。スリット光の全部がウエハＷの外側に位置した位置Ｐ１２では欠けショット領域Ｓ３の露光が完了し、スリット光を非走査方向（Ｘ軸方向）に移動（欠けショット領域Ｓ４にステップ移動）させ、スリット光は位置Ｐ１３に到達する。ここで、距離ＤＬ１は、距離ＤＬ１ａと距離ＤＬ１ｂとに分けて示している。距離ＤＬ１ａは、同期走査の減速を開始した位置Ｐ１１からスリット光の全部がウエハＷの外側に位置した位置Ｐ１２までの距離を示す。距離ＤＬ１ｂは、この位置Ｐ１２から、スリット光が停止する位置Ｐ１３（即ち、スリット光の走査方向（Ｙ軸方向）における移動の方向が反転する位置）までの距離を示す。位置Ｐ１１は、同期走査の減速を開始してから停止するまでの距離ＤＬ１ａと、スリット光の全部がウエハＷの外側に位置する位置Ｐ１２と、から求めることが出来る。ここでは、位置Ｐ１１は、スリット光の一部がウエハＷの外側に位置した位置である。なお、１つのショット領域から複数のチップが得られる場合には、当該ショット領域における各チップのうち、その全体がウエハＷに含まれるものについては製品等に使用されうる。図９（ｂ）の例によると、領域Ｓ３において、２つのチップＣＡ３及びＣＢ３のうちのチップＣＡ３は、その全体がウエハＷに含まれておらず、チップＣＡＢは、その全体がウエハＷに含まれている。同期走査の減速が開始される位置Ｐ１１はチップＣＡ３に含まれており、チップＣＢ３については通常ショットと同様の露光が為されているため、チップＣＢ３を製品等に適用することができる。
【００３０】
位置Ｐ１３において走査方向（Ｙ軸方向）における移動の方向を反転させ、その後、同期走査の加速を開始し、スリット光は位置Ｐ１４に到達する。前述の距離ＤＬ１ｂは、位置Ｐ１３から位置Ｐ１４までの距離となる。位置Ｐ１４では、非走査方向（Ｘ軸方向）の移動（欠けショット領域Ｓ４へのステップ移動）が完了する。位置Ｐ１４から、前述の加速を継続しつつスリット光を移動させて欠けショット領域Ｓ４の露光を開始し、前述の距離ＤＬ１ａだけ移動した位置Ｐ１５で当該加速が完了する。その後、整定距離に相当する距離ＤＬ２だけ移動して、スリット光は位置Ｐ１６に到達する。位置Ｐ１４も、位置Ｐ１１と同様の手法で位置を求めることが出来る。また、ここでは、位置Ｐ１４は、スリット光の一部がウエハＷの内側に位置である。
【００３１】
ここで、非走査方向（Ｘ軸方向）の移動（ステップ移動）に要する時間をＴｘ［ｓｅｃ］と示し、その間に走査方向（Ｙ軸方向）に動く距離はＤＬ１ｂ×２である。この期間においては、露光光の照度（照射量）を変化させることで、欠けショット及び現像処理で形成される部分のパターンの精度の調整することも可能である。
【００３２】
スリット光の移動速度をＶ［ｍｍ／ｓｅｃ］とし、走査方向（Ｙ軸方向）におけるスリット光の幅をＤ［ｍｍ］とし、単位面積当りの照度をＩ［Ｗ／ｍ２］としたとき、露光量Ｓ［Ｊ／ｍ２］は、Ｓ＝（Ｄ・Ｉ）／Ｖ（式１）と表せる。ここで、許容される露光量Ｓの下限をＳｍｉｎとし、その上限をＳＭＡＸとする。許容される照度の下限Ｉｍｉｎ（Ｗ／ｍ２）および上限ＩＭＡＸ（Ｗ／ｍ２）のそれぞれは、（式１）より、Ｉｍｉｎ＝Ｓｍｉｎ×Ｖ／Ｄ（式２）、およびＩＭＡＸ＝ＳＭＡＸ×Ｖ／Ｄ（式３）と表せる。よって、欠けショットを行うときの照度Ｉは、Ｓｍｉｎ＜Ｓ＜ＳＭＡＸをみたすように、Ｉｍｉｎ＜Ｉ＜ＩＭＡＸの範囲内で露光速度Ｖに応じて調整ないし変更すればよい。露光速度に応じて照度Ｉを変化させる技術の一例は、同出願人による特開平０９−２２３６６２を参照されたい。
【００３３】
図６（ａ）は、照度Ｉと速度Ｖとの関係を示しており、図６（ｂ）は、照度Ｉおよび速度Ｖと、時間Ｔとの関係を示している。所定の速度Ｖ＝Ｖ０で露光を行っている状態から、時刻Ｔ１において減速を開始する。次に、時刻Ｔ２においてスリット光の全部がウエハＷの外側に位置し、時刻Ｔ３において走査方向（Ｙ軸方向）における移動方向を反転させて加速を開始する。その後、時刻Ｔ４においてスリット光の一部が次のショット領域の内側に位置する。さらに、時刻Ｔ５において加速が完了して速度Ｖ＝Ｖ０となり、当該次のショット領域の露光を行っている。ここで、照度Ｉは、時刻Ｔ２以前および時刻Ｔ４以後において、Ｉｍｉｎ≦Ｉ≦ＩＭＡＸ（式４）をみたせば、露光量ＳはＳｍｉｎ≦Ｓ≦ＳＭＡＸ（式５）をみたす。なお、時刻Ｔ２から時刻Ｔ４の間においては、露光光ＩＬを照射する必要がないので、例えば照明光学系ＳＬに設けられたマスキングブレードによって遮光すればよい。
【００３４】
以上、欠けショット領域をウエハＷの内側から外側に向かって走査露光する場合においては、スリット光の全部がウエハＷの外側に位置する前に、同期走査の減速を開始する。当該減速は露光光ＩＬが照射された状態で為され、例えば制御系２１の制御によって露光光ＩＬの照度Ｉをスリット光の速度に応じて変化させてもよい。また、ウエハＷ面内のパターン均一性を向上させる観点から、当該減速は、例えばスリット光の一部がウエハＷの外側に位置した時以後に開始させればよい。
【００３５】
同様にして、欠けショット領域をウエハＷの外側から内側に向かって走査露光する場合についても、スリット光の一部がウエハＷの内側に位置した時以後に同期走査が等速になるように、同期走査の加速を開始する。当該加速は、前述の減速と同様にして、露光光ＩＬが照射された状態で為され、照度Ｉをスリット光の速度に応じて変化させてもよい。また、ウエハＷ面内のパターン均一性を向上させる観点から、例えばスリット光の全部がウエハＷの内側に位置する前に同期走査が等速になるように、当該加速が開始されてもよい。
【００３６】
以上のシーケンスによるとスループットが向上し、特にウエハサイズの小さい場合は欠けショットの数量が多くなるため有利である。
【００３７】
＜領域ＳＢ３（欠けショット領域Ｓ５〜Ｓ６）について＞
以下では、領域ＳＢ１およびＳＢ２と同様にして、領域ＳＢ３（欠けショット領域Ｓ５〜Ｓ６）についての走査露光の態様を例示する。領域ＳＢ２では、同期走査の減速が、例えばスリット光の一部がウエハＷの外側に位置した時以後に開始される態様を示した。しかし、ウエハＷ面内のパターン均一性を維持させつつ、チップとして製品等に適用されるべき部分が適切に露光されればよく、製品等に適用するチップを取得する予定がない部分であれば、さらに手前の位置から減速することも可能である。
【００３８】
図７（ａ）は、スリット光の軌跡（Ｐ２１〜Ｐ２６）を示しつつ、欠けショット領域Ｓ５の走査露光を行った後に欠けショット領域Ｓ６にステップ移動して、欠けショット領域Ｓ６の走査露光を開始する様子を示している。図７（ｂ）は、本シーケンスを、縦軸をスリット光の移動速度Ｖとし、横軸を時間Ｔとして、スリット光の軌跡（Ｐ２１〜Ｐ２６）に対応させて示している。
【００３９】
例えば、スリット光が位置Ｐ２１に達したときに減速が開始されうる。スリット光の全部がウエハＷの外側に位置した位置Ｐ２２では欠けショット領域Ｓ５の露光が完了し、スリット光を非走査方向（Ｘ軸方向）に移動（欠けショット領域Ｓ６にステップ移動）させ、スリット光は位置Ｐ２３に到達する。ここで、距離ＤＬ１は、距離ＤＬ１ｃと距離ＤＬ１ｄとに分けて示している。距離ＤＬ１ｃは、同期走査の減速を開始した位置Ｐ２１からスリット光の全部がウエハＷの外側に位置した位置Ｐ２２までの距離を示す。距離ＤＬ１ｄは、この位置Ｐ２２から、スリット光が停止する位置Ｐ２３（即ち、スリット光の走査方向（Ｙ軸方向）における移動の方向が反転する位置）までの距離を示す。
【００４０】
位置Ｐ２３において走査方向（Ｙ軸方向）における移動の方向を反転させ、その後、同期走査の加速を開始し、スリット光は位置Ｐ２４に到達する。位置Ｐ２３から位置Ｐ２４までの距離を距離ＤＬ１ｅと示す。位置Ｐ２４では、スリット光の一部がウエハＷの内側に位置するとともに非走査方向（Ｘ軸方向）の移動（欠けショット領域Ｓ６へのステップ移動）が完了する。位置Ｐ２４から、前述の加速を継続しつつスリット光を移動させて欠けショット領域Ｓ６の露光を開始し、距離ＤＬ１ｆだけ移動した位置Ｐ２５で当該加速が完了する。その後、整定距離に相当する距離ＤＬ２だけ移動して、スリット光は位置Ｐ２６に到達する。
【００４１】
ここで、非走査方向（Ｘ軸方向）の移動（ステップ移動）に要する時間をＴｘ［ｓｅｃ］とし、その間に走査方向（Ｙ軸方向）に動く距離はＤＬ１ｄ＋ＤＬ１ｅである。スリット光が位置Ｐ２２から位置Ｐ２３まで移動するのに要する時間をＴ１と示し、スリット光が位置Ｐ２３から位置Ｐ２４まで移動するのに要する時間をＴ２と示す。また、減速／加速を行うときの加速度を−α／＋α［ｍｍ／ｓｅｃ２］とし、位置Ｐ２２と位置Ｐ２５の間の走査方向（Ｙ軸方向）の距離をｋ［ｍｍ］とする。このとき、ＤＬ１＝ＤＬ１ｃ＋ＤＬ１ｄ（式６）、ＤＬ１＝ＤＬ１ｅ＋ＤＬ１ｆ（式７）、ｋ＝ＤＬ１ｃ−ＤＬ１ｆ（式８）、Ｔｘ＝Ｔ１＋Ｔ２（式９）、ＤＬ１ｄ＝α×Ｔ１２／２（式１０）、およびＤＬ１ｅ＝α×Ｔ２２／２（式１１）と表せる。未知数はＤＬ１ｃ、ＤＬ１ｄ、ＤＬ１ｅ、ＤＬ１ｆ、Ｔ１およびＴ２の６つであるから、（式６）〜（式１１）の連立方程式を解くことによってＤＬ１ｃ、ＤＬ１ｄ、ＤＬ１ｅおよびＤＬ１ｆを求めることができる。
【００４２】
以上、欠けショット領域をウエハＷの内側から外側に向かって走査露光する場合においては、スリット光の全部がウエハＷの外側に位置する前に、同期走査の減速を開始する。ウエハＷ面内のパターン均一性を維持させつつ、チップとして製品等に適用されるべき部分が適切に露光されればよく、製品等に適用するチップを取得する予定がない部分であれば、その位置から減速することも可能である。欠けショット領域をウエハＷの外側から内側に向かって走査露光する場合についても同様である。
【００４３】
＜領域ＳＢ４（欠けショット領域Ｓ２２〜Ｓ２３）について＞
以下では、領域ＳＢ１乃至ＳＢ３と同様にして、領域ＳＢ４（欠けショット領域Ｓ２２〜Ｓ２３）についての走査露光の例を示す。欠けショット領域Ｓ２２およびＳ２３は、チップとして製品等に適用されるべき部分が適切に露光されればよい。しかし、当該欠けショット領域から製品等に適用するチップが得られる予定がない部分であれば、ウエハＷ面内のパターン均一性を維持させる程度の走査露光が為されればよい。以下では、当該欠けショット領域から製品等に適用するチップが得られる予定がない場合を例示する。
【００４４】
図８（ａ）は、スリット光の軌跡（Ｐ３１〜Ｐ３３）を示しつつ、欠けショット領域Ｓ２２の走査露光を行った後に欠けショット領域Ｓ２３の走査露光を開始する様子を示している。図８（ｂ）は、本シーケンスを、縦軸をスリット光の移動速度Ｖとし、横軸を時間Ｔとして、スリット光の軌跡（Ｐ３１〜Ｐ３３）に対応させて示している。
【００４５】
欠けショット領域Ｓ２２の露光が完了した後、同期走査の速度を維持したまま、欠けショット領域Ｓ２３に移動しつつ、位置Ｐ３１において前述の減速を開始し、距離ＤＬ１だけ移動して位置Ｐ３２に到達する。位置Ｐ３２は、スリット光が停止する位置（即ち、スリット光の走査方向（Ｙ軸方向）における移動の方向が反転する位置）である。位置Ｐ３２において走査方向（Ｙ軸方向）における移動の方向を反転させ、その後、同期走査の加速を開始する。減速／加速の加速度は−α／＋αであり、スリット光は再び前述の位置Ｐ３１に到達する。その後、整定距離に相当する距離ＤＬ２だけ移動して、スリット光は位置Ｐ３３に到達する。
【００４６】
よって、当該欠けショット領域から製品等に適用するチップが得られる予定がない場合においては、スリット光が停止すべき位置Ｐ３２から減速／加速に要する距離ＤＬ１だけ手前の位置Ｐ３１から減速を開始すればよい。その後、位置Ｐ３２から走査方向を反転させて加速を開始すればよい。以上のシーケンスによるとスループットが向上し、特にウエハサイズの小さい場合は欠けショットの数量が多くなるため有利である。
【００４７】
本発明は以上の実施形態に限られるものではなく、目的、状態、用途及び機能その他の仕様に応じ、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜、変更が可能であり、他の形態によっても為されうる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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