(57)【要約】      （修正有）【課題】従来技術の問題を解決するウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】レーザービームを分割予定ラインに沿って照射して、ウエーハ１１内部に改質層２５を形成する改質層形成ステップと、ウエーハ１１の表面に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、ウエーハ１１の裏面を研削して所定厚みへと薄化する研削ステップと、ウエーハ１１の裏面に紫外線の照射によって硬化する接着シート２９を貼着するとともに接着シート２９上にエキスパンドテープＴを貼着する接着シート貼着ステップと、エキスパンドシートＴを拡張させつつウエーハ１１の表面から紫外線を照射してウエーハ１１を改質層２５に沿って個々のチップ２７へと分割するとともに、隣接するチップ２７間の接着シート２９を硬化させてチップ２７に沿って破断させる紫外線照射ステップと、個々のチップ２７をエキスパンドテープＴ上からピックアップするピックアップステップと、を備える。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
交差する複数の分割予定ラインを有するウエーハの加工方法であって、
ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点をウエーハ内部に位置付けるとともに該レーザービームを該分割予定ラインに沿って照射して、ウエーハ内部に該分割予定ラインに沿った改質層を形成する改質層形成ステップと、
該改質層形成ステップを実施する前又は後に、ウエーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、
該改質層形成ステップと該保護部材配設ステップを実施した後、ウエーハの裏面を研削砥石を含む研削手段で研削し、ウエーハを所定厚みへと薄化する研削ステップと、
該研削ステップを実施した後、ウエーハの裏面に紫外線の照射によって硬化する接着シートを貼着しウエーハの裏面を該接着シートで被覆するとともに該接着シート上にエキスパンドテープを貼着し、ウエーハの表面に配設された該保護部材をウエーハ上から除去する接着シート貼着ステップと、
該接着シート貼着ステップを実施した後、該エキスパンドシートを拡張させつつウエーハの表面から紫外線を照射してウエーハを該改質層に沿って個々のチップへと分割するとともに、隣接するチップ間の該接着シートを硬化させて該チップに沿って破断させる紫外線照射ステップと、
該紫外線照射ステップを実施した後、裏面に接着シートが貼着された個々のチップを該エキスパンドテープ上からピックアップするピックアップステップと、
を備えたことを特徴とするウエーハの加工方法。
【請求項２】
交差する複数の分割予定ラインを有するウエーハの加工方法であって、
ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点をウエーハ内部に位置付けるとともに該レーザービームを該分割予定ラインに沿って照射して、ウエーハ内部に該分割予定ラインに沿った改質層を形成する改質層形成ステップと、
該改質層形成ステップを実施する前又は後に、ウエーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、
該改質層形成ステップと該保護部材配設ステップを実施した後、ウエーハの裏面を研削砥石を含む研削手段で押圧して研削し、ウエーハを所定厚みへと薄化するとともに該改質層を分割起点に個々のチップへと分割する研削ステップと、
該研削ステップを実施した後、ウエーハの裏面に紫外線の照射によって硬化する接着シートを貼着しウエーハの裏面を該接着シートで被覆するとともに該接着シート上にエキスパンドテープを貼着し、ウエーハの表面に配設された該保護部材をウエーハ上から除去する接着シート貼着ステップと、
該接着シート貼着ステップを実施した後、該エキスパンドテープを拡張させつつウエーハの表面から紫外線を照射して隣接するチップ間の該接着シートを硬化させて該チップに沿って破断させる紫外線照射ステップと、
該紫外線照射ステップを実施した後、裏面に接着シートが貼着された個々のチップを該エキスパンドシート上からピックアップするピックアップステップと、
を備えたことを特徴とするウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハの加工方法に関し、特に裏面に接着シートが貼着されたチップを形成するウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造プロセスにおいては、複数のＩＣやＬＳＩ等の半導体デバイスが表面に形成された半導体ウエーハを個々のチップへと分割することで半導体デバイスが形成される。
【０００３】
分割された半導体デバイスは、金属製基板（リードフレーム）やテープ基板等にダイボンディングされ、これらの金属製基板やテープ基板が分割されることで個々の半導体チップが製造される。こうして製造された半導体チップは、携帯電話やパソコン等の各種電気機器に広く使用されている。
【０００４】
半導体デバイスを基板上にダイボンディングするには、基板上の半導体デバイス搭載位置に半田やＡｕ‐Ｓｉ共晶、樹脂ペースト等の接着剤を供給してその上に半導体デバイスを載置して接着する方法が用いられている。
【０００５】
近年では、例えば特開２０００−１８２９９５号公報に開示されているように、予め半導体ウエーハの裏面にＤＡＦ（ダイアタッチフィルム）と称される接着シートを接着しておく方法が広く採用されている。
【０００６】
即ち、ＤＡＦが接着された半導体ウエーハを個々のチップへと分割することで、接着シートが裏面に装着された半導体チップを形成する。その後、半導体チップ裏面のＤＡＦを介して基板上にダイボンディングすることで、使用する接着剤を最小限とし、また半導体チップの搭載エリアを最小にできるというメリットがある。
【０００７】
近年、携帯電話やパソコン等の電気機器はより軽量化、小型化が求められており、より薄いデバイスが要求されている。ウエーハをより薄いデバイスに分割する技術として、所謂先ダイシング法と称する分割技術が開発され、実用化されている（例えば、特開平１１−４０５２０号公報参照）。
【０００８】
この先ダイシング法は、半導体ウエーハの表面から分割予定ラインに沿って所定深さ（デバイスの仕上がり厚さに相当する深さ）の分割溝を形成し、その後、表面に分割溝が形成された半導体ウエーハの裏面を研削して裏面に分割溝を表出させて個々のデバイスチップに分割する技術であり、デバイスチップの厚さを５０μｍ以下に加工することが可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０００−１８２９９５号公報
【特許文献２】特開平１１−４０５２０号公報
【特許文献３】特開２００５−２２３２８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、先ダイシング法で一度デバイスチップに分割されたウエーハにＤＡＦ（接着シート）を貼着すると、デバイスチップ同士が動いてしまう所謂ダイシフトが発生する。ダイシフトが発生すると、隣接するデバイスチップの間隔で形成されるレーザービームを照射すべきラインが真っ直ぐではなく曲がってしまったり、時にはデバイスチップ間の隙間がなくなってしまう。
【００１１】
レーザービームを照射すべきラインが曲がると、その曲がりに追従させてレーザービームを照射する必要があり、レーザービーム照射の制御が非常に難しくなる上、デバイスチップ間の隙間がなくなってしまうと、レーザービームの照射ができなくなってしまうという問題が生じる。
【００１２】
一方、接着シートをレーザービームによって破断するのではなく、分割装置で引きちぎる手法も特開２００５−２２３２８３号公報で開示されている。しかしこの方法では、例えばチップサイズが１ｍｍ角以下と小さい場合には、接着シートが破断されない領域が発生する恐れがある。
【００１３】
また、近年、１ウエーハ当たりのチップ取り数を向上させるために更なる分割予定ラインの細線化（ストリートリダクション）が切望されており、先ダイシング法で使用される切削ブレードの厚みをより薄くして除去領域を低減することが切望されている。しかし、より薄い切削ブレードによる切削では、蛇行が生じる恐れや加工速度を上げられないという問題がある。
【００１４】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、上述した問題を解決するウエーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
請求項１記載の発明によると、交差する複数の分割予定ラインを有するウエーハの加工方法であって、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点をウエーハ内部に位置付けるとともに該レーザービームを該分割予定ラインに沿って照射して、ウエーハ内部に該分割予定ラインに沿った改質層を形成する改質層形成ステップと、該改質層形成ステップを実施する前又は後に、ウエーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、該改質層形成ステップと該保護部材配設ステップを実施した後、ウエーハの裏面を研削砥石を含む研削手段で研削し、ウエーハを所定厚みへと薄化する研削ステップと、該研削ステップを実施した後、ウエーハの裏面に紫外線の照射によって硬化する接着シートを貼着しウエーハの裏面を該接着シートで被覆するとともに該接着シート上にエキスパンドテープを貼着し、ウエーハの表面に配設された該保護部材をウエーハ上から除去する接着シート貼着ステップと、該接着シート貼着ステップを実施した後、該エキスパンドシートを拡張させつつウエーハの表面から紫外線を照射してウエーハを該改質層に沿って個々のチップへと分割するとともに、隣接するチップ間の該接着シートを硬化させて該チップに沿って破断させる紫外線照射ステップと、該紫外線照射ステップを実施した後、裏面に接着シートが貼着された個々のチップを該エキスパンドテープ上からピックアップするピックアップステップと、を備えたことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
【００１６】
請求項２記載の発明によると、交差する複数の分割予定ラインを有するウエーハの加工方法であって、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点をウエーハ内部に位置付けるとともに該レーザービームを該分割予定ラインに沿って照射して、ウエーハ内部に該分割予定ラインに沿った改質層を形成する改質層形成ステップと、該改質層形成ステップを実施する前又は後に、ウエーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、該改質層形成ステップと該保護部材配設ステップを実施した後、ウエーハの裏面を研削砥石を含む研削手段で押圧して研削し、ウエーハを所定厚みへと薄化するとともに該改質層を分割起点に個々のチップへと分割する研削ステップと、該研削ステップを実施した後、ウエーハの裏面に紫外線の照射によって硬化する接着シートを貼着しウエーハの裏面を該接着シートで被覆するとともに該接着シート上にエキスパンドテープを貼着し、ウエーハの表面に配設された該保護部材をウエーハ上から除去する接着シート貼着ステップと、該接着シート貼着ステップを実施した後、該エキスパンドテープを拡張させつつウエーハの表面から紫外線を照射して隣接するチップ間の該接着シートを硬化させて該チップに沿って破断させる紫外線照射ステップと、該紫外線照射ステップを実施した後、裏面に接着シートが貼着された個々のチップを該エキスパンドシート上からピックアップするピックアップステップと、を備えたことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の加工方法によると、ウエーハに形成した改質層を起点にウエーハを個々のデバイスチップへと分割するため、チップ間の除去領域をほぼなくすことができ、ストリートリダクションが可能となる。
【００１８】
紫外線照射によって硬化する接着シートを用いるため、ウエーハの表面から紫外線を照射するとチップ間の接着シートが硬化して収縮することで接着シートはチップに沿って破断されるため、接着シートが破断されない領域が発生する恐れを低減できる。
【００１９】
紫外線照射と同時にエキスパンドテープをエキスパンドすることで、隣接するチップ間に十分な間隔を形成して接着シートに紫外線を照射して硬化させることができる。また、エキスパンドシテープをエキスパンドしつつ紫外線を照射するため、エキスパンドによって接着シートが破断されてしまう恐れを低減できる。
【００２０】
請求項２記載の発明によると、研削でウエーハを薄化するとともに研削時の押圧によってウエーハを個々のチップへと分割するため、別途分割ステップを実施する必要がなく、工程の簡略化が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】半導体ウエーハの表面に表面保護テープを貼着する様子を示す斜視図である。
【図２】表面に表面保護テープが貼着された状態の半導体ウエーハの断面図である。
【図３】レーザービーム照射ユニットのブロック図である。
【図４】第１実施形態のウエーハの加工方法における改質層形成ステップを示す断面図である。
【図５】研削ステップを示す斜視図である。
【図６】研削ステップ実施後のウエーハの断面図である。
【図７】接着シート貼着ステップを説明する断面図である。
【図８】紫外線照射ステップを示す縦断面図である。
【図９】ピックアップステップを示す断面図である。
【図１０】第２実施形態のウエーハの加工方法における改質層形成ステップを示す断面図である。
【図１１】研削ステップ実施後のウエーハの断面図である。
【図１２】接着シート貼着ステップを示す断面図である。
【図１３】紫外線照射ステップを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、本発明の加工方法の加工対象となる半導体ウエーハ１１の表面側斜視図が示されている。半導体ウエーハ（以下ウエーハと略称することがある）１１は、例えば厚さが７００μｍのシリコンウエーハから成っており、表面１１ａに複数の分割予定ライン（ストリート）１３が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン１３によって区画された各領域にそれぞれＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１５が形成されている。
【００２３】
このように構成されたウエーハ１１は、デバイス１５が形成されているデバイス領域１７と、デバイス領域１７を囲繞する外周余剰領域１９をその表面１１ａに備えている。また、ウエーハ１１の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ２１が形成されている。
【００２４】
本発明のウエーハの加工方法では、半導体ウエーハ１１の表面１１ａに形成されたデバイス１５を保護するために、図１に示すように、ウエーハ１１の表面１１ａに表面保護テープ２３が貼着される。表面保護テープ２３に替えて、ガラス又はシリコンウエーハ等からなる保護部材をウエーハ１１の表面１１ａに配設するようにしてもよい。
【００２５】
尚、この表面保護部材配設ステップは、ウエーハ１１の裏面１１ｂを研削する前に実施すればよく、後で説明する改質層形成ステップを実施してからウエーハ１１の表面１１ａに表面保護テープ２３を貼着するようにしてもよい。図２はウエーハ１１の表面１１ａに表面保護テープ２３が貼着された状態のウエーハ１１の断面図を示している。
【００２６】
本発明第１実施形態のウエーハの加工方法では、まず、レーザー加工装置によりウエーハ１１に対して透過性を有する波長のレーザービームを分割予定ライン１３に沿って照射して、ウエーハ１１内部に分割予定ライン１３に沿った改質層を形成する改質層形成ステップを実施する。
【００２７】
図３を参照すると、レーザー加工装置のレーザービーム照射ユニット１２のブロック図が示されている。レーザービーム照射ユニット１２は、レーザービーム発生ユニット１４と、加工ヘッドとなる集光器１６とから構成される。
【００２８】
レーザービーム発生ユニット１４は、ＹＡＧレーザー又はＹＶＯ４レーザーを発振するレーザー発振器１８と、繰り返し周波数設定手段２０と、パルス幅調整手段２２と、パワー調整手段２４とを含んでいる。
【００２９】
レーザービーム発生ユニット１４のパワー調整手段２４により所定パワーに調整されたパルスレーザービームは、集光器１６のミラー２６で反射され、更に集光用対物レンズ２８により集光されてレーザー加工装置のチャックテーブル３０に保持されている半導体ウエーハ１１に照射される。本実施形態の改質層形成ステップでは、好ましくは、図４に示すように、ウエーハ１１の裏面１１ｂ側からパルスレーザービームが照射される。
【００３０】
この改質層形成ステップを実施する前に、集光器１６とウエーハ１１の分割予定ライン１３とを整列させるアライメントステップを実施するが、アライメントステップはよく知られたステップであるので本明細書ではその説明を省略する。
【００３１】
図４では、ウエーハ１１を保持するチャックテーブル３０が省略されている。改質層形成ステップでは、集光器１６からウエーハ１１に対して透過性を有する波長のパルスレーザービームをウエーハ１１の内部に集光点Ｐを合わせて照射して、チャックテーブル３０を加工送りすることによりウエーハ１１の内部に分割予定ライン１３に沿った改質層２５を形成する。本実施形態では、この改質層２５の形成は、研削仕上げ厚みｔ１よりウエーハ１１の表面１１ａ側に形成する。
【００３２】
チャックテーブル３０を割り出し送りしながら、第１の方向に伸長する分割予定ライン１３に沿って次々と改質層２５を形成する。次いで、チャックテーブル３０を９０度回転してから、第１の方向に直交する第２の方向に伸長する分割予定ライン１３に沿っても同様な改質層２５を形成する。この改質層２５は、溶融再硬化層として形成される。改質層２５は、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域をいう。
【００３３】
この改質層形成ステップにおける加工条件は、例えば次のように設定されている。
【００３４】
光源                    ：ＬＤ励起Ｑスイッチ  Ｎｄ：ＹＶＯ４パルスレーザー
波長                    ：１０６４ｎｍ
繰り返し周波数          ：１００ｋＨｚ
パルス出力              ：１０μＪ
加工送り速度            ：１００ｍｍ／秒
【００３５】
改質層形成ステップ及びウエーハ１１の表面１１ａに保護部材を配設する保護部材配設ステップを実施した後、ウエーハ１１の裏面１１ｂを研削する研削ステップを実施する。この研削ステップでは、図５に示すように、研削装置のチャックテーブル３２でウエーハ１１の表面１１ａに貼着された表面保護テープ２３側を吸引保持し、ウエーハ１１の裏面１１ｂを露出させる。
【００３６】
図５において、研削ユニット３４は、回転駆動されるスピンドル３６と、スピンドル３６の先端に固定されたホイールマウント３８と、ホイールマウント３８に複数のねじ４２により着脱可能に装着された研削ホイール４０とを含んでいる。研削ホイール４０は、環状基台４４の自由端部に複数の研削砥石４６が固着されて構成されている。
【００３７】
この研削ステップでは、チャックテーブル３２を矢印ａ方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削ホイール４０をチャックテーブル３２と同一方向に、即ち矢印ｂ方向に例えば６０００ｒｐｍで回転させるとともに、図示しない研削ユニット送り機構を作動して研削砥石４６をウエーハ１１の裏面１１ｂに圧接させる。
【００３８】
そして、切削ホイール４０を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りして、ウエーハ１１の裏面１１ｂの研削を実施してウエーハ１１を仕上げ厚みｔ１に仕上げる。図６は研削ステップ終了後のウエーハ１１の断面図を示している。
【００３９】
研削ステップを実施した後、ウエーハ１１の裏面１１ｂにＤＡＦ（ダイアタッチフィルム）と称される接着シートを貼着し、更にその上にエキスパンドテープＴを貼着する接着シート貼着ステップを実施する。
【００４０】
即ち、図７に示すように、ウエーハ１１の裏面１１ｂに紫外線の照射によって硬化するＤＡＦ２９を貼着し、更にその上にエキスパンドテープＴを貼着する。そして、エキスパンドテープＴの外周部を環状フレームＦに貼着する。
【００４１】
エキスパンドテープＴは紫外線の照射によって硬化しない粘着テープが好ましい。更に、この接着シート貼着ステップでは、ウエーハ１１の表面１１ａから表面保護テープ２３を剥離する。
【００４２】
接着シート貼着ステップを実施した後、エキスパンドテープＴを拡張させつつウエーハ１１の表面１１ａから紫外線を照射してウエーハ１１を改質層２５を分割起点に個々のデバイスチップへと分割するとともに、隣接するチップ間の接着シート２９を硬化させてデバイスチップ２７に沿って破断させる紫外線照射ステップを実施する。
【００４３】
この紫外線照射ステップは、エキスパンドテープＴを拡張させつつ紫外線を照射するため、例えば図８に示すようなエキスパンド装置５２を使用する。エキスパンド装置５２は、環状フレームＦを保持するフレーム保持ユニット５４と、フレーム保持ユニット５４に保持された環状フレームＦに装着されたエキスパンドテープＴを拡張する拡張ドラム６０を具備している。
【００４４】
フレーム保持ユニット５４は、環状のフレーム保持部材５６と、フレーム保持部材５６の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ５８とから構成される。フレーム保持部材５６の上面は環状フレームＦを載置する載置面５６ａを形成しており、この載置面５６ａ上に環状フレームＦが載置される。
【００４５】
そして、載置面５６ａ上に載置された環状フレームＦは、クランプ５８によってフレーム保持部材５６に固定される。このように構成されたフレーム保持ユニット５４は駆動ユニット６２により上下方向に移動される。駆動ユニット６２は複数のエアシリンダ６４を備えており、エアシリンダ６４のピストンロッド６６はフレーム保持部材５６の下面に連結されている。
【００４６】
複数のエアシリンダ６４から構成される駆動ユニット６２は、環状のフレーム保持部材５６を、その載置面５６ａが拡張ドラム６０の上端と略同一高さとなる基準位置と、拡張ドラム６０の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動する。
【００４７】
この紫外線照射ステップでは、図８（Ａ）に示すように、ウエーハ１１をエキスパンドテープＴを介して支持した環状フレームＦを、フレーム保持部材５６の載置面５６ａ上に載置し、クランプ５８によってフレーム保持部材５６を固定する。このとき、フレーム保持部材５６はその載置面５６ａが拡張ドラム６０の上端と略同一高さとなる基準位置に位置付けられる。
【００４８】
次いで、エアシリンダ６４を駆動してフレーム保持部材５６を下方に約１５ｍｍ程度移動して、図８（Ｂ）に示す拡張位置に下降させる。これにより、フレーム保持部材５６の載置面５６ａ上に固定されている環状フレームＦも下降するため、環状フレームＦに貼着されたエキスパンドテープＴは拡張ドラム６０の上端縁に当接して主に半径方向に拡張される。
【００４９】
その結果、エキスパンドテープＴに貼着されているウエーハ１１及びＤＡＦ２９には放射状に引張力が作用し、デバイスチップ２７間の間隔が拡大され、ＤＡＦ（ダイアタッチフィルム）２９は引き伸ばされる。
【００５０】
このエキスパンドテープＴの引き伸ばしと同時に、ウエーハ１１の表面１１ａから紫外線ランプ４８により紫外線を照射して隣接するデバイスチップ２７間の隙間を通してＤＡＦ２９に紫外線を導き、ＤＡＦ２９を硬化させてデバイスチップ２７に沿って破断させる。紫外線ランプ４８はＬＥＤから構成されるのが好ましい。ＬＥＤは発熱が少ないため、加熱によるＤＡＦ２９の変質を防ぐことができる。
【００５１】
この紫外線照射ステップでは、エキスパンドテープＴを拡張するのと同時に紫外線ランプ４８から紫外線を照射しているので、デバイスチップ２７間のＤＡＦ２９を確実に硬化して収縮させ、デバイスチップ２７に沿って破断することができる。
【００５２】
紫外線照射ステップを実施した後、図９に示すように、裏面にＤＡＦ２９が貼着されたデバイスチップ２７をピックアップコレット５０によりエキスパンドテープＴ上からピックアップするピックアップステップを実施する。図９において、符号３３は紫外線が照射された部分のＤＡＦを示しており、紫外線により硬化されて収縮することによりデバイスチップ２７に沿ってＤＡＦ２９が破断される。
【００５３】
次に、図１０乃至図１３を参照して、本発明第２実施形態のウエーハの加工方法について説明する。この第２実施形態のウエーハの加工方法では、保護部材配設ステップを実施した後、ウエーハ１１内部に改質層を形成する改質層形成ステップを実施するが、本実施形態では、改質層２５は研削仕上げ厚みｔ１よりウエーハ１１の裏面１１ｂ側に形成する。この改質層形成ステップを実施すると、改質層２５からウエーハ１１の表面１１ａ側にクラックが伸長する。
【００５４】
次いで、図５を参照して説明した第１実施形態の研削ステップと同様に、ウエーハ１１の裏面１１ｂを研削してウエーハ１１を研削仕上げ厚みｔ１に薄化する研削ステップを実施する。
【００５５】
本実施形態の研削ステップでは、ウエーハ１１を仕上げ厚みｔ１に研削するとともにウエーハ１１を内部に形成された改質層２５及び改質層２５からウエーハ１１の表面１１ａ側に伸長するクラックを分割起点に、図１１に示すように、個々のデバイスチップ２７に分割する。
【００５６】
研削ステップを実施した後、ウエーハ１１の裏面１１ｂにＤＡＦ（ダイアタッチフィルム）と称される粘着シートを貼着し、更にその上にエキスパンドテープＴを貼着する接着シート貼着ステップを実施する。
【００５７】
即ち、図１２に示すように、ウエーハ１１の裏面１１ｂに紫外線の照射によって硬化するＤＡＦ２９を貼着し、更にその上にエキスパンドテープＴを貼着する。そして、エキスパンドテープＴの外周部を環状フレームＦに貼着する。
【００５８】
エキスパンドテープＴは紫外線の照射によって硬化しない粘着テープが好ましい。更に、この粘着シート貼着ステップでは、ウエーハ１１の表面１１ａから表面保護テープ２３を剥離する。
【００５９】
接着シート貼着ステップを実施した後、第１実施形態で使用した図８に示すようなエキスパンド装置５２を使用して、図１３に示すように、エキスパンドテープＴを矢印Ａ方向に拡張させつつウエーハ１１の表面１１ａ上に配設した紫外線ランプ４８から紫外線を照射して、隣接するデバイスチップ２７間の拡大された隙間を通して３３で示す部分に紫外線を照射し、この部分のＤＡＦ２９を硬化させてデバイスチップ２７に沿って破断させる。
【００６０】
紫外線照射ステップを実施した後、図９を参照して説明した第１実施形態と同様に、裏面にＤＡＦ２９が貼着されたデバイスチップ２７をピックアップコレット５０によりエキスパンドテープＴ上からピックアップするピックアップステップを実施する。
【００６１】
本実施形態によると、研削でウエーハ１１を薄化するとともに研削時の押圧力によってウエーハ１１を改質層２５を分割起点に個々のチップへと分割するため、別途分割ステップを実施する必要がなく、工程の簡略化が可能である。
【符号の説明】
【００６２】
１１    半導体ウエーハ
１１ａ    表面
１１ｂ    裏面
１２    レーザービーム照射ユニット
１３    分割予定ライン
１４    レーザービーム発生ユニット
１５    デバイス
１６    集光器
２３    表面保護テープ
２５    改質層
２７    デバイスチップ
２９    ＤＡＦ（接着シート）
３４    研削ユニット
４０    研削ホイール
４６    研削砥石
４８    紫外線ランプ
５０    ピックアップコレット
５２    エキスパンド装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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