(57)【要約】【課題】配線パターンの微細化を図ることが可能な配線基板を提供する。【解決手段】配線基板１は、凹状の断面形状を有する溝１１が形成された基板１０と、溝１１の両方の側壁１１１、１１２にそれぞれ設けられた配線パターン２２，２３と、を備えている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹状の断面形状を有する溝が形成された基板と、
前記溝の両方の側壁にそれぞれ設けられた導電部と、を備えたことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板であって、
下記の（１）式を満たすことを特徴とする配線基板。
Ｄｇ／Ｗｇ＞１  …  （１）
但し、上記の（１）式において、Ｄｇは前記溝の深さであり、Ｗｇは前記溝の幅である。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の配線基板であって、
一対の前記導電部は、電気的に絶縁されていることを特徴とする配線基板。
【請求項４】
請求項１〜３の何れかに記載の配線基板であって、
一対の前記導電部の間に充填された絶縁材料をさらに備えたことを特徴とする配線基板。
【請求項５】
請求項１〜４の何れかに記載の配線基板であって、
前記溝の端部に連通した凹部が前記基板にさらに形成されており、
前記凹部は、前記溝の幅よりも広い幅を有することを特徴とする配線基板。
【請求項６】
凹状の断面形状を有する溝を基板に形成する第１のステップと、
前記溝の両方の側壁に導電部をそれぞれ形成する第２のステップと、を備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及び配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化や高性能化に対応するために、絶縁基板に陰刻形状の回路パターン形成領域をインプリント法により形成し、当該回路パターン形成領域にのみに金属材質を充填することで形成された回路基板が知られている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−５７２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のインプリント法では、インプリントモールドにおいてアスペクト比が高い部分が押圧時や離型時に折れてしまう等の不具合が発生するため、配線パターンの細線化や狭ピッチ化に限界があるという問題がある。
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、配線パターンの微細化を図ることが可能な配線基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
［１］本発明に係る配線基板は、凹状の断面形状を有する溝が形成された基板と、前記溝の両方の側壁にそれぞれ設けられた導電部と、を備えたことを特徴とする。
【０００７】
［２］上記発明において、下記の（１）式を満たしてもよい。
Ｄｇ／Ｗｇ＞１  …  （１）
但し、上記の（１）式において、Ｄｇは前記溝の深さであり、Ｗｇは前記溝の幅である。
【０００８】
［３］上記発明において、一対の前記導電部は、電気的に絶縁されていてもよい。
【０００９】
［４］上記発明において、前記配線基板は、一対の前記導電部の間に充填された絶縁材料をさらに備えてもよい。
【００１０】
［５］上記発明において、前記溝の端部に連通した凹部が前記基板にさらに形成されており、前記凹部は、前記溝の幅よりも広い幅を有してもよい。
【００１１】
［６］本発明に係る配線基板の製造方法は、凹状の断面形状を有する溝を基板に形成する第１のステップと、前記溝の両方の側壁に導電部をそれぞれ形成する第２のステップと、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、一つの溝に２つの導電層を設けるので、配線パターンの更なる細線化及び狭ピッチ化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本発明の実施形態における配線基板を示す平面図である。
【図２】図２は、図１のII-II線に沿った断面図である。
【図３】図３は、本発明の実施形態における溝の変形例を示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の第１実施形態における配線基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図５】図５（ａ）は、図４のステップＳ１０における樹脂基板の平面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）のVB-VB線に沿った断面図である。
【図６】図６（ａ）及び図６（ｂ）は、図４のステップＳ１２とステップＳ１４における樹脂基板の断面図である。
【図７】図７（ａ）及び図７（ｂ）は、図４のステップＳ１５における樹脂基板の平面図及び断面図である。
【図８】図８は、本発明の第２実施形態における配線基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図９】図９（ａ）は、図８のステップＳ２０における樹脂基板の平面図であり、図９（ｂ）は、図８のステップＳ２６における樹脂基板の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１５】
<<第１実施形態>>
先ず、本実施形態における配線基板１の構成について、図１〜図２を参照しながら説明する。
【００１６】
図１は本実施形態における配線基板の平面図、図２は細配線パターンの断面図である。
【００１７】
本実施形態における配線基板１は、図１及び図２に示すように、樹脂基板１０と、配線パターン２１〜２３と、ランド２４と、絶縁層３０と、を備えている。この配線基板１は、例えば、ＩＣデバイス等の電子部品が実装されるインタポーザやフレキシブルプリント配線板として使用される。なお、図１では、絶縁層３０を省略して配線基板１を図示している。
【００１８】
なお、この配線基板１が有する配線パターンやランドの数や配置は、図１に示す例に限定されない。また、図１に示す例では、樹脂基板１０の上面のみに配線パターン２１〜２３やランド２４を設けているが、特にこれに限定されず、樹脂基板１０の上下両面に配線パターンやランドを設けてもよい。
【００１９】
樹脂基板１０は、電気絶縁性を有するフレキシブルなフィルム部材であり、例えば、ポリイミド（ＰＩ）、液晶ポリマ（ＬＣＰ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、シクロオレフィンポリマ（ＣＯＰ）等の熱可塑性樹脂材料や、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）等の熱硬化性樹脂材料から構成されている。なお、この樹脂基板１０を、紫外線硬化性樹脂材料で構成してもよい。
【００２０】
表面配線パターン２１とランド２４は、樹脂基板１０の表面上に設けられた導体パターンである。この表面配線パターン２１とランド２４を構成する材料としては、電気導電性を有する材料であれば特に限定されないが、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、又は、これらの少なくとも一つを含有する合金等から構成されている。この表面配線パターン２１とランド２４は、例えば、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、又は、フルアディティブ法等の従来の配線形成技術によって形成されている。
【００２１】
なお、導電性ペーストをスクリーン印刷やグラビアオフセット印刷等によって印刷した後に硬化させることで、表面配線パターン２１やランド２４を形成してもよい。或いは、インクジェット印刷によって表面配線パターン２１やランド２４を形成してもよい。
【００２２】
表面配線パターン２１は、細配線パターン２２又は２３の端部近傍で、当該細配線パターン２２又は２３に接続されている。そして、ランド２４は、表面配線パターン２１を介して、細配線パターン２２又は２３に接続されている。
【００２３】
なお、配線パターン２１〜２３やランド２４の接続関係は、先述したものに限定されない。例えば、図１に示す例では、表面配線パターン２１を介してランド２４同士を直接接続したものもあり、配線パターン２１〜２３やランド２４の接続関係は任意に設定することができる。
【００２４】
これに対し、図２に示すように、第１及び第２の細配線パターン２２，２３は、樹脂基板１０に形成された溝１１の側壁１１１，１１２にそれぞれ設けられた導電性材料からなる導電層によって構成されている。この樹脂基板１０の溝１１は、後述するインプリント法によって形成されている。この溝１１は、従来のインプリントモールドを用いて形成されており、特に限定されないが、例えば、５［μｍ］の幅を有し、１０［μｍ］の深さを有している。また、第１及び第２の細配線パターン２２，２３を構成する導電性材料としては、導電性を有する材料であれば特に限定されないが、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、又は、これらの少なくとも一つを含有する合金等を例示することができる。
【００２５】
本実施形態では、図２に示すように、２本の細配線パターン２２，２３が、同一の溝１１内に相互に対向するように設けられている。具体的には、第１の細配線パターン２２が、溝１１の一方の側壁１１１に積層された導電層によって構成されているのに対し、第２の細配線パターン２３が、溝１１の他方の側壁１１２に積層された導電層によって構成されている。この一対の細配線パターン２２，２３は、相互に離れて配置されており電気的に絶縁されている。
【００２６】
この第１及び第２の配線パターン２２，２３を形成するための溝１１は、下記の（１）式を満たしている。
【００２７】
Ｄｇ／Ｗｇ＞１  …  （１）
但し、上記の（１）式において、Ｄｇは溝１１の深さであり、Ｗｇは溝１１の幅である。
【００２８】
このように、本実施形態では、溝１１がアスペクト比の高い断面形状を有しており、側壁１１１，１１２が広く確保されているので、細配線パターン２２，２３の断線が発生し難くなっていると共に、細配線パターン２２，２３を形成し易くなっている。
【００２９】
なお、図２に示す例では、溝１１は、いずれも直立した側壁１１１、１１２を有しているが、溝１１の断面形状は特にこれに限定されない。例えば、図３に示すように、溝１１Ｂが、傾斜した側壁１１１Ｂ、１１２Ｂを有してもよい。図３は細配線パターンが形成される溝の変形例を示す断面図である。
【００３０】
図１に示すように、溝１１の両端には凹部１２がそれぞれ連通している。こうした凹部１２は、後述するように、第１の細配線パターン２２と第２の細配線パターン２３の分離のために設けられており、下記の（２）式及び（３）式を満たしている。この凹部１２は、溝１１と同時にインプリント法によって形成されている。
【００３１】
Ｗｒ＞Ｗｇ  …  （２）
Ｌｒ＞Ｗｇ  …  （３）
但し、上記の（２）式におけるＷｒは凹部１２の幅であり、上記の（３）式におけるＬｒは凹部１２の長さである（図５（ａ）参照）。
【００３２】
なお、凹部１２の幅が溝１１の幅よりも広ければ、凹部１２の開口形状は、図１に示すような矩形形状に特に限定されない。例えば、特に図示しないが、凹部１２の開口形状を円形形状としてもよい。
【００３３】
絶縁層３０は、配線パターン２１〜２３を覆うように、樹脂基板１０の上面に積層されている。この絶縁層３０は、例えば、ポリイミド（ＰＩ）、液晶ポリマ（ＬＣＰ）、エポキシ樹脂等の樹脂フィルムを、接着剤を介して積層したものである。なお、オーバーコート樹脂やソルダレジストで絶縁層３０を構成してもよい。また、例えば配線基板１の上に他の配線基板を積層するような場合には、この絶縁層３０を省略してもよい。
【００３４】
本実施形態では、この絶縁層３０の接着剤が溝１１の中に入り込んで、第１の細配線パターン２２と第２の細配線パターン２３との間に介在している。このため、第１の配線パターン２２と第２の細配線パターン２３との間で水分やイオンの移動が抑制されるので、第１及び第２の細配線パターン２２，２３間でのマイグレーションの発生を防止することができる。
【００３５】
以上のように、本実施形態では、同一の溝１１の中に２本の配線パターン２２，２３を配置しているので、この２本の細配線パターン２２，２３は、インプリント法により作製された従来の配線パターンの線幅の１／２以下の線幅を有していると共に、当該細配線パターン２２，２３の間のピッチも狭くなっている。このように、本実施形態では、インプリント法を用いて配線パターンを形成する場合であっても、配線パターンの更なる微細化を図ることが可能となっている。
【００３６】
また、一般的に、微細な配線パターンが必要とされるエリアは局所的であることが多い。これに対し、本実施形態では、微細化が要求されるエリアのみに細配線パターン２２，２３を形成し、その他のエリアでは従来の配線形成技術によって導体パターンを形成するので、配線基板１の歩留まりの向上を図ることもできる。
【００３７】
また、本実施形態では、配線パターン２２，２３は幅狭であるが、溝１１は従来と同じ幅であるので、従来のインプリントモールドをそのまま使用することができ、インプリントモールドに折れ等が発生するおそれも少ない。
【００３８】
本実施形態における樹脂基板１０が本発明における基板の一例に相当し、本実施形態における溝１１が本発明における溝の一例に相当し、本実施形態における凹部１２が本発明における凹部の一例に相当する。また、本実施形態における細配線パターン２２，２３が本発明における導電部の一例に相当し、本実施形態における絶縁層３０の接着剤が本発明における絶縁材料の一例に相当する。
【００３９】
以下に、本実施形態における配線基板の製造方法について、図４〜図７を参照しながら説明する。
【００４０】
図４は本実施形態における配線基板の製造方法を示すフローチャート、図５（ａ）〜図７（ｂ）は図４の各ステップにおける樹脂基板の平面図又は断面図である。なお、図５（ａ）及び図７（ａ）に示す平面図では、溝１１のパターン形状を直線形状に単純化して図示しているが、実際には任意の形状を採用することができ、図１にその一例が示されている。
【００４１】
先ず、図４のステップＳ１０において、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、熱インプリント法によって、樹脂基板１０に溝１１と凹部１２を形成する。このステップＳ１０で使用されるインプリントモールド５０には、溝１１及び凹部１２に対応した凸部５１を有している。なお、熱インプリント法に代えて、このステップＳ１０において、ＵＶインプリント法を用いてもよい。
【００４２】
次いで、図４のステップＳ１１において、樹脂基板１０の表面に向かって紫外線を照射した後に、同図のステップＳ１２において、無電解めっき処理によって樹脂基板１０の表面にシード層４１を形成する。このシード層４１は、例えば、銅（Ｃｕ）等から構成されている。
【００４３】
ここで、紫外線を樹脂基板１０に向かって照射すると、当該紫外線に含まれる１８５［ｎｍ］や２５４［ｎｍ］の波長の光が樹脂基板１０の表面に衝突したり、その光によって活性酸素が生成されることで、当該樹脂基板１０表面の分子鎖が切断され新たな官能基が生成される。この官能基は親水性を有するため、無電解めっき処理においてめっき液が樹脂基板１０と接触し易くなると共に、その改質された樹脂基板１０の表面の内部からめっきが析出する。そのため、樹脂基板１０とシード層４１の密着力が向上する。
【００４４】
特に１８５［ｎｍ］の波長の光は高いエネルギーを持つため、分子鎖の切断に有効であるが、この光は大気中で大幅に減衰する。本実施形態では、溝１１の底面１１３の改質を抑制するために、ＵＶ照射装置と樹脂基板１０との間の距離を１００［ｍｍ］程度に設定している。
【００４５】
また、溝１１は高アスペクト比の断面形状を有しているため、紫外線がその底面１１３まで到達し難く、樹脂基板１０の表面と比較して紫外線の照度が低くなっている。
【００４６】
以上の理由により、溝１１の底面１１３の改質の度合いはその他部分と比較して相対的に低くなっており、本実施形態では、ステップＳ１２の無電解めっき処理において、溝１１の底面１１３でのめっき析出が抑制され、シード層４１の成膜レートが低下し、図６（ａ）に示すようなシード層４１が形成される。このシード層４１において、溝１１の底面１１３に形成された部分は、その他の部分と比較して相対的に薄くなっている。
【００４７】
なお、図４のステップＳ１１において、ＵＶ照射装置に対して樹脂基板１０を相対的に傾斜させて、紫外線の直進成分を溝１１の側壁１１１，１１２に衝突させることで、溝１１の底面１１３の改質の度合いを低くしてもよい。
【００４８】
また、図４のステップＳ１２において、無電解めっき処理に代えて、ＤＰＰ（Direct Plating Process）、スパッタリング、又は、真空蒸着によって、シード層４１を形成してもよい。なお、スパッタリングや真空蒸着によってシード層４１を形成する場合には、樹脂基板１０を傾斜させることが好ましい。
【００４９】
次いで、図４のステップＳ１３において、大気環境下において樹脂基板１０に対して加熱処理を行った後に、同図のステップＳ１４において、電解めっき処理によって樹脂基板１０の表面に電解めっき層４２を形成する。本実施形態では、このステップＳ１４において、硫酸銅めっき液等の酸性の電解めっき液を使用し、電解めっきの前処理では希硫酸を使用する。
【００５０】
ここで、ステップＳ１３の加熱処理は、シード層４１と樹脂基板１０の密着力を確保するためのものであるが、この処理によってシード層４１の表面が強制的に酸化されて表面酸化膜が形成される。そして、ステップＳ１４の電解めっき処理では、この表面酸化膜が上述の希硫酸や酸性の電解めっき液によって溶解された後に、その下から現れたシード層４１上に電解めっき層４２が成長することとなる。
【００５１】
この際、本実施形態では、上述のようにシード層４１において溝１１の底面１１３の部分が元々薄く形成されているので、このシード層４１の薄い部分を酸化した後に希硫酸や電解めっき液に浸漬すると、シード層４１自体の膜厚はさらに薄くなり電気的な抵抗が高くなる。そのため、シード層４１の薄い部分での電解めっき膜４２の成長が特に遅くなり、図６（ｂ）に示すような電解めっき層４２が形成される。この電解めっき層４２において、溝１１の底面１１３に形成された部分は、その他の部分と比較して相対的に薄くなっている。
【００５２】
因みに、凹部１２は、溝１１の幅Ｗｇと比較して相対的に大きなサイズＷｒ，Ｌｒを有しているので、当該凹部１２の底面での紫外線の照度はあまり低下しない。そのため、凹部１２の底面でのシード層４１の厚さは、溝１１の底面１１３での厚さほど薄くはない。同様に、凹部１２の底面での電解めっき層４２の厚さも、溝１１の底面１１３での厚さほど薄くはない。
【００５３】
なお、図４のステップＳ１３において、大気環境下での加熱処理に代えて、樹脂基板１０の表面に対して酸素プラズマ処理を行ってもよい。この酸素プラズマ処理では、ＲＦ電源によって酸素ガスをプラズマ化させた雰囲気中に樹脂基板１０を放置することで、プラズマ中の酸素ラジカルをシード層４１と結合させて表面酸化膜を生成する。
【００５４】
次いで、図４のステップＳ１５において、シード層４１と電解めっき層４２からなる導電層４３に対してウェットエッチング処理を行うことで、樹脂基板１０の表面から導電層４３を除去する。エッチング液としては、例えば、過酸化水素／硫酸系エッチング液、塩化鉄、塩化銅等を用いることができる。なお、このステップＳ１５において、ウェットエッチングに代えて、ドライエッチングを行ってもよい。
【００５５】
この際、溝１１は、高アスペクト比の断面形状を有しており、エッチング液が浸入し難く且つ循環し難い構造を有している。そのため、樹脂基板１０の表面よりもエッチングレートが低くなり、溝１１の側壁１１１，１１２には導電層４３が残存する。これに対し、上述のように導電層４３において溝１１の底面１１３に形成された部分は薄くなっているため、溝１１の底面１１３からはエッチングによって導電層４３が除去される。
【００５６】
また、溝１１の端部に連通した凹部１２内にもエッチング液が浸入するが、この凹部１２のサイズＷｒ，Ｌｒは溝１１の幅Ｗｇと比較して大きいため（すなわち、上記の（２）式及び（３）式を満たしているため）、当該凹部１２の内面にはエッチング液が潤沢に接触し、樹脂基板１０の表面と同等のエッチングレートを得ることができる。そのため、凹部１２内に形成された全ての導電層４３が除去されるので、同一の溝１１の中に設けられた導電層４３が２本に分離され、電気的に絶縁された一対の細配線パターン２２，２３が形成される。
【００５７】
次いで、図４のステップＳ１６において、樹脂基板１０の上に絶縁層３０を積層する。この際、絶縁層３０の接着剤が、第２の配線パターン２２と第３の配線パターン２３の間に入り込むので（図２参照）、当該一対の細配線パターン２２，２３間でのマイグレーションの発生が防止される。
【００５８】
なお、表面配線パターン２１とランド２４は、細配線パターン２２，２３の形成前に樹脂基板１０上に形成してもよいし、絶縁層３０の形成前であれば、細配線パターン２２，２３の形成後に樹脂基板１０上に形成してもよい。
【００５９】
或いは、図４のステップＳ１４において導電層４３を形成した後に、表面配線パターン２１やランド２４に対応したレジストパターンを当該導電層４３の上に形成し、次いで、図４のステップＳ１５において導電層４３をエッチングすることで、表面配線パターン２１やランド２４を形成してもよい。
【００６０】
本実施形態におけるステップＳ１０が本発明における第１のステップの一例に相当し、本実施形態におけるステップＳ１１〜１５が本発明における第２のステップの一例に相当する。
【００６１】
<<第２実施形態>>
図８に示す製造方法に従って配線基板を製造することで、凹部１２を不要としてもよい。
【００６２】
図８は本発明の第２実施形態における配線基板の製造方法を示すフローチャート、図９（ａ）及び図９（ｂ）は図８のステップＳ２０及びＳ２６における樹脂基板の平面図である。
【００６３】
本実施形態では、上述の第１実施形態における図４のステップＳ１０と同様に、先ず、図８のステップＳ２０において、熱インプリント法によって、樹脂基板１０に溝１１を形成する。この際、図９（ａ）に示すように、溝１１の両端に連通した凹部１２は形成しない。
【００６４】
次いで、図８のステップＳ２１〜Ｓ２５を経ることで、溝１１の中に細配線パターン２２，２３が形成されるが、当該細配線パターン２２，２３の端部は未だ接続されている。なお、本実施形態におけるステップＳ２１〜Ｓ２５では、上述の第１実施形態における図４のステップＳ１１〜Ｓ１５と同一の処理を行うので、その説明を省略する。
【００６５】
次いで、図８のステップＳ２６において、図９（ｂ）に示すように、樹脂基板１０の上にレジスト層４４を形成する。このレジスト層４４は、第２の溝１３の両端のみを露出する開口４４１を有している。
【００６６】
次いで、図８のステップＳ２７において、レジスト層４４の開口４４１を介して細配線パターン２２，２３の端部のみに対してウェットエッチング処理を行う。これにより、一対の細配線パターン２２，２３が完全に分離される。エッチング液としては、例えば、過酸化水素／硫酸系エッチング液、塩化鉄、塩化銅等を用いることができる。また、このステップＳ２７において、ウェットエッチングに代えて、ドライエッチングを行ってもよい。
【００６７】
次いで、図８のステップＳ２８において、上述の第１実施形態における図４のステップＳ１６と同様に、樹脂基板１０の上に絶縁層３０を積層する。この際、絶縁層３０の接着剤が、第２の配線パターン２２と第３の配線パターン２３の間に入り込むので、当該一対の配線パターン２２，２３間でのマイグレーションの発生が防止される。
【００６８】
以上のように、本実施形態では、第１実施形態と同様に、同一の溝１１の中に２本の細配線パターン２２，２３を配置するので、この２本の細配線パターン２２，２３は、インプリント法により作製された従来の配線パターンの線幅の１／２以下の線幅を有していると共に、当該細配線パターン２２，２３の間のピッチも狭くなる。このように、本実施形態では、インプリント法を用いて配線パターンを形成する場合であっても、配線パターンの更なる微細化を図ることが可能となる。
【００６９】
また、本実施形態では、以上に説明した図８に示す製造方法に従って配線基板を製造することで、樹脂基板１０の凹部１２を省略することができる。
【００７０】
本実施形態におけるステップＳ２０が本発明における第１のステップの一例に相当し、本実施形態におけるステップＳ２１〜２７が本発明における第２のステップの一例に相当する。
【００７１】
なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【符号の説明】
【００７２】
１…配線基板
１０…樹脂基板
１１…溝
１１１…第１の側壁
１１２…第２の側壁
１１３…底面
１２…凹部
２１…表面配線パターン
２２…第１の細配線パターン
２３…第２の細配線パターン
２４…ランド
３０…絶縁層
４１…シード層
４２…電解めっき層
４３…導体層
４４…レジスト層
４４１…開口
５０…インプリントモールド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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