(57)【要約】【課題】本発明は、ダイパッドと半導体チップの剥離を抑制した半導体装置の提供を目的とする。【解決手段】本実施の形態における半導体装置１００は、ダイパッド１と電極端子５とを備えるリードフレームと、ダイパッド１表面に接着された半導体チップ３と、を備え、底面を除くリードフレームと、半導体チップ３とは封止樹脂４により封止され、ダイパッド１表面と半導体チップ３との接着界面には、凹凸が形成されていることを特徴とする。【選択図】図１
2014203861.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイパッドと電極端子とを備えるリードフレームと、
前記ダイパッド表面に接着された半導体チップと、
を備え、
底面を除く前記リードフレームと、前記半導体チップとは封止樹脂により封止され、
前記ダイパッド表面と前記半導体チップとの接着界面には、凹凸が形成されていることを特徴とする、
半導体装置。
【請求項２】
前記ダイパッド表面に凹凸部が形成されることにより、前記接着界面の凹凸が形成されていることを特徴とする、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体チップに凹凸部が形成されることにより、前記接着界面の凹凸が形成されていることを特徴とする、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
ダイパッドと電極端子とを備えるリードフレームと、
前記ダイパッド表面に接着された半導体チップと、
を備え、
底面を除く前記リードフレームと、前記半導体チップとは封止樹脂により封止され、
前記ダイパッドと前記半導体チップとは、部分的に接着されていることを特徴とする、
半導体装置。
【請求項５】
前記ダイパッド表面には、平面視で前記半導体チップを囲む突起が形成されていることを特徴とする、
請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記突起と、前記ダイパッドとは別部材により形成されることを特徴とする、
請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記突起は、ワイヤボンドによるワイヤにより形成されることを特徴とする、
請求項５に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記突起は、ワイヤボンドによるアルミワイヤである、
請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記突起は、前記ダイパッドの表面を削ることにより形成されることを特徴とする、
請求項５に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記ダイパッドの底面には凹部が形成されており、
前記凹部の少なくとも一部は、前記半導体チップと平面視で重なっていることを特徴とする、
請求項１〜９のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記ダイパッドの厚みよりも、前記半導体チップの厚みが小さいことを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記半導体チップは、ワイドバンドギャップ半導体を含むことを特徴とする、
請求項１〜１１のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記半導体チップは複数であることを特徴とする、
請求項１〜１２のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれかに記載の半導体装置と、
パワー半導体チップと、
を備える、
半導体モジュール。
【請求項１５】
前記パワー半導体チップは、ワイドバンドギャップ半導体を含むことを特徴とする、
請求項１４に記載の半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置および半導体モジュールに関し、特に樹脂封止された半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップ用のパッケージとして、ＱＦＮ（ｑｕａｄ  ｆｌａｔ  ｎｏ−ｌｅａｄｓ）やＳＯＮ（ｓｍａｌｌ  ｏｕｔｌｉｎｅ  ｎｏ−ｌｅａｄｓ）等のノンリード型のパッケージが知られている。一般的なノンリード型のパッケージにおいては、リードフレームのダイパッド上には、ダイボンド樹脂により半導体チップが接着されている。半導体チップの端子とリードフレームの電極端子とは、ワイヤボンディングにより接続される。リードフレーム、半導体チップおよびワイヤはトランスファーモールド法によりモールド樹脂（封止樹脂）によって封止されている。パッケージ下面には、ダイパッドおよび電極端子が露出している。
【０００３】
上述の構成を持つ半導体パッケージにおいて、外部環境の温度変化や半導体チップ自体の温度変化により、発熱、冷却の温度サイクルが繰り返されると、ダイボンド樹脂がダイパッドまたは半導体チップから剥離することにより、ダイパッドと半導体チップが剥離することがある。また、ダイパッドと半導体チップが剥離することにより、モールド樹脂にクラックが生じることがある。剥離やクラックが生じると、半導体パッケージの信頼性低下および寿命の低下が起こる。
【０００４】
上述の剥離やクラックは、半導体チップ、リードフレーム、ダイボンド樹脂、モールド樹脂間で、線膨張係数が異なることにより生じる。例えば、半導体チップはシリコンで形成され、リードフレームは銅で形成されている場合、半導体チップの線膨張係数よりもリードフレームの線膨張係数が大きくなる。この場合、常温では、半導体パッケージの形状はフラットであるが、低温時には、熱応力により上に凸の反りが発生する。また、高温時には、熱応力により下に凸の反りが発生する。この反りによって、上述の剥離、クラックが生じる。
【０００５】
剥離、クラックがパッケージ外部へ達すると、耐湿性、絶縁性の低下を引き起こす恐れがあり、半導体パッケージの信頼性および寿命が低下する。また、半導体チップの下に剥離、クラックが生じると、半導体チップの放熱性の低下、電気的接続の劣化が起こり、半導体パッケージの信頼性および寿命が低下する。
【０００６】
例えば、特許文献１においては、ダイパッドとモールド樹脂（レジン封止体）との界面に凹凸形状を設けることにより、ダイパッドからモールド樹脂が剥離することを抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平６−８５１３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
以上で述べた様に、半導体パッケージ内部に生じる剥離やクラックが原因となって、半導体パッケージの信頼性低下および寿命の低下が起こる問題があった。また、上述の特許文献１に記載の技術は、ダイパッドとモールド樹脂の剥離を抑制するものであり、ダイパッドと半導体チップの剥離を抑制することはできない。
【０００９】
本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、ダイパッドと半導体チップの剥離を抑制した半導体装置およびこれを備える半導体モジュールの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る半導体装置は、ダイパッドと電極端子とを備えるリードフレームと、ダイパッド表面に接着された半導体チップと、を備え、底面を除くリードフレームと、半導体チップとは封止樹脂により封止され、ダイパッド表面と半導体チップとの接着界面には、凹凸が形成されていることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明に係る半導体装置は、ダイパッドと電極端子とを備えるリードフレームと、ダイパッド表面に接着された半導体チップと、を備え、底面を除くリードフレームと、半導体チップとは封止樹脂により封止され、ダイパッドと前記半導体チップとは、部分的に接着されていることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明に係る半導体モジュールは、半導体装置と、パワー半導体チップと、を備える。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、ダイパッドと半導体チップとの接着界面に凹凸を形成することにより、接着界面の面積が増大し、接着がより強固となるため、ダイパッドと半導体チップとの接着界面に熱応力が生じても、接着界面が剥離しにくくなる。よって、半導体装置の信頼性および寿命を向上させることが可能である。
【００１４】
また、本発明によれば、ダイパッドと半導体チップとを部分的に接着することにより、接着界面の面積が減少するため、ダイパッドと半導体チップとの線膨張係数の差によって生じる反りが低減される。反りが低減されるため、ダイボンド樹脂の剥離や、封止樹脂に発生するクラック等を抑制することが可能である。よって、半導体装置の信頼性および寿命を向上させることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施の形態１に係る半導体装置の断面図である。
【図２】実施の形態２に係る半導体装置の断面図である。
【図３】実施の形態３に係る半導体装置の断面図である。
【図４】実施の形態４に係る半導体装置の断面図である。
【図５】実施の形態５に係る半導体装置の断面図である。
【図６】実施の形態６に係る半導体装置の断面図である。
【図７】実施の形態７に係る半導体装置の断面図である。
【図８】実施の形態８に係る半導体装置の断面図である。
【図９】実施の形態９に係る半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
＜実施の形態１＞
＜構成＞
本実施の形態における半導体装置１００の断面図を図１に示す。半導体装置１００は、ＱＦＮやＳＯＮ等のノンリード型のパッケージである。リードフレームはダイパッド１と電極端子５から構成される。ダイパッド１上には、ダイボンド樹脂２を介して、半導体チップ３が接着されている。
【００１７】
半導体チップ３上面の各端子（図示せず）は、ワイヤ６を介して、電極端子５に接続されている。リードフレーム、半導体チップ３、ワイヤ６は、封止樹脂４により封止されている。なお、リードフレームの底面は封止されず、外部に露出している。半導体装置１００において、ダイパッド１と半導体チップ３との接着界面には、凹凸が形成されている。より具体的には、接着界面の凹凸は、ダイパッド１の表面に凹凸部１ａ形成されることによって、形成される。
【００１８】
ダイパッド１表面に凹凸部１ａを形成する方法は、パンチングやレーザー加工等の機械的方法や、エッチング等の化学的方法を用いる。
【００１９】
なお、半導体チップ３として、ＳｉＣやＧａＮ等のワイドバンドギャップ半導体を用いてもよい。一般的に、ＳｉＣやＧａＮ等による半導体チップは、シリコン製の半導体チップよりも高温で動作可能であるが、これにより、使用温度環境や自己発熱による温度サイクルの幅が大きくなり、熱応力の増大による剥離やクラック等が問題となる。本実施の形態では、接着界面に凹凸が形成されることにより、半導体チップ３とダイパッド１との接着がより強固になるため、熱応力の増大による剥離やクラックの発生等を抑制することが可能である。
【００２０】
また、本実施の形態において、ダイパッド１の厚みよりも、半導体チップ３の厚みを小さくしてもよい。半導体チップ３は、他の構成部品（リードフレーム、封止樹脂４、ダイボンド樹脂２）と比較して線膨張係数が小さい。リードフレームは銅などの線膨張係数の比較的大きい金属で構成されるため、半導体チップ３の厚みがダイパッド１の厚みよりも大きい場合、構成部品間の膨張の差が大きくなり、熱応力による変形（反り）が大きくなる。一方、ダイパッド１の厚みよりも、半導体チップ３の厚みを小さくすれば、構成部品間の膨張の差が小さくなるため、熱応力による変形を小さくできる。熱応力による変形が小さくなることにより、剥離やクラックの発生等を抑制することができる。
【００２１】
また、本実施の形態において、モールド樹脂４の厚みが薄いと、パッケージ自体の剛性が低くなり、反り変形量が大きくなる。一方、封止樹脂４を厚くする、つまり図１において封止樹脂４の高さを高くすることで、パッケージ自体の剛性が高くなるため、熱応力による反りを抑制することが可能である。よって、剥離やクラックの発生を抑制することができる。
【００２２】
＜効果＞
本実施の形態における半導体装置１００は、ダイパッド１と電極端子５とを備えるリードフレームと、ダイパッド１表面に接着された半導体チップ３と、を備え、底面を除くリードフレームと、半導体チップ３とは封止樹脂４により封止され、ダイパッド１表面と半導体チップ３との接着界面には、凹凸が形成されていることを特徴とする。
【００２３】
従って、ダイパッド１と半導体チップ３との接着界面に凹凸を形成することにより、接着界面の面積が増大し、ダイボンド樹脂２による接着がより強固となるため、ダイパッド１と半導体チップ３との接着界面に熱応力が生じても、接着界面が剥離しにくくなる。よって、半導体装置１００の信頼性および寿命を向上させることが可能である。
【００２４】
また、本実施の形態における半導体装置１００において、ダイパッド１表面に凹凸部１ａが形成されることにより、接着界面の凹凸が形成されていることを特徴とする。
【００２５】
従って、ダイパッド１表面に凹凸部１ａを形成することにより、ダイパッド１表面とモールド樹脂２との接着界面の面積が増大するため、ダイパッド１からダイボンド樹脂２が剥離しにくくなる。よって、半導体装置１００の信頼性および寿命を向上させることが可能である。
【００２６】
また、本実施の形態における半導体装置１００において、ダイパッド１の厚みよりも、半導体チップ３の厚みが小さいことを特徴とする。
【００２７】
従って、半導体チップ３の厚みが減少することにより、体積が減少するため、ダイパッド１と半導体チップ３との接着による熱応力が低減される。よって、接着界面の剥離や、封止樹脂４のクラックの発生を抑制することが可能である。
【００２８】
また、本実施の形態における半導体装置１００において、半導体チップ３は、ワイドバンドギャップ半導体を含むことを特徴とする。
【００２９】
従って、半導体チップ３を、高温で動作するワイドバンドギャップ半導体とした場合であっても、接着界面の凹凸形状によりモールド樹脂２による接着がより強固となるため、熱応力による剥離等を抑制することが可能である。
【００３０】
＜実施の形態２＞
本実施の形態における半導体装置２００の断面図を図２に示す。半導体装置２００において、ダイパッド１と半導体チップ３とのダイボンド樹脂２による接着界面には、凹凸が形成されている。より具体的には、接着界面の凹凸は、半導体チップ３の下面に凹凸部３ａが形成されることによって、形成される。
【００３１】
半導体チップ３下面に凹凸部３ａを形成する方法は、レーザー加工等の機械的方法や、エッチング等の化学的方法を用いる。なお、半導体ウエハプロセスの裏面処理工程において、この凹凸部３ａを形成すれば、工程数の増加を抑制することができる。
【００３２】
＜効果＞
本実施の形態における半導体装置２００において、半導体チップ３に凹凸部３ａが形成されることにより、接着界面の凹凸が形成されていることを特徴とする。
【００３３】
従って、半導体チップ３に凹凸部３ａを形成することにより、半導体チップ３底面とダイボンド樹脂２との接着界面の面積が増大するため、半導体チップ３からダイボンド樹脂２が剥離しにくくなる。よって、半導体装置１００の信頼性および寿命を向上させることが可能である。
【００３４】
＜実施の形態３＞
本実施の形態における半導体装置３００の断面図を図３に示す。半導体装置３００において、ダイパッド１と半導体チップ３とは、ダイボンド樹脂２により部分的に接着されている。その他の構成は実施の形態１と同じであるため、説明を省略する。
【００３５】
なお、実施の形態１と同様、半導体チップ３としてＳｉＣ、ＧａＮ等のワイドバンドギャップ半導体を用いても良い。
【００３６】
また、本実施の形態において、実施の形態１と同様、ダイパッド１の厚みよりも、半導体チップ３の厚みを小さくしてもよい。半導体チップ３の厚みを小さくすれば、構成部品間の膨張の差が小さくなるため、熱応力による変形を小さくできる。
【００３７】
また、本実施の形態において、実施の形態１と同様、封止樹脂４を厚く設計してもよい。封止樹脂４を厚くすることで、パッケージ自体の剛性が高くなるため、熱応力による反りを抑制することが可能である。よって、剥離やクラックの発生を抑制することができる。
【００３８】
＜効果＞
本実施の形態における半導体装置３００は、ダイパッド１と電極端子５とを備えるリードフレームと、ダイパッド１表面に接着された半導体チップ３と、を備え、底面を除くリードフレームと、半導体チップ３とは封止樹脂４により封止され、ダイパッド１と半導体チップ３とは、部分的に接着されていることを特徴とする。
【００３９】
従って、ダイパッド１と半導体チップ３とを部分的に接着することにより、接着界面の面積が減少するため、ダイパッド１と半導体チップ３との線膨張係数の差によって生じる反りが低減される。反りが低減されるため、ダイボンド樹脂２の剥離や、封止樹脂４に発生するクラック等を抑制することが可能である。よって、半導体装置３００の信頼性および寿命を向上させることが可能である。信頼性とは、特に耐湿性に対するものであり、寿命とは、特に温度サイクルに対するものである。
【００４０】
＜実施の形態４＞
＜構成＞
本実施の形態における半導体装置４００の断面図と平面図を図４（ａ），（ｂ）にそれぞれ示す。本実施の形態における半導体装置４００には、実施の形態１における半導体装置１００（図１）に対して、さらに、ダイパッド１表面に、平面視で半導体チップ３を囲む突起１ｂが形成されている。その他の構成は実施の形態１（図１）と同じであるため、説明を省略する。
【００４１】
ダイパッド１表面に形成される突起１ｂは、例えば、パンチングによりダイパッド１を部分的に隆起させるなどの、機械的加工により形成される。
【００４２】
また、ダイパッド１と、突起１ｂとを別部材で構成してもよい。つまり、半導体チップ３の周囲を囲む形状の部材を別に用意して、ダイパッド表面１に実装してもよい。
【００４３】
なお、ダイパッド１と半導体チップ３との接着界面は、実施の形態２（即ち図２の半導体装置２００）または実施の形態３（即ち図３の半導体装置３００）のように構成されてもよい。
【００４４】
＜効果＞
本実施の形態における半導体装置４００において、ダイパッド１表面には、平面視で半導体チップ３を囲む突起１ｂが形成されていることを特徴とする。
【００４５】
従って、ダイパッド１と半導体チップとの接着界面において剥離やクラックが生じても、突起１ｂによって、これらの進行を抑制することが可能である。よって、剥離やクラックがパッケージ外部に到達することを抑制することが可能であるため、半導体装置４００の信頼性および寿命を向上させることが可能である。
【００４６】
また、本実施の形態における半導体装置４００において、突起１ｂと、ダイパッド１とは別部材により形成されることを特徴とする。
【００４７】
従って、突起１ｂと、ダイパッド１とを別部材することで、パンチングなどの機械的加工を必要とせずに、所望の位置に所望の形状の突起１ｂを設けることが可能となる。
【００４８】
＜実施の形態５＞
本実施の形態における半導体装置５００の断面図と平面図を図５（ａ），（ｂ）にそれぞれ示す。本実施の形態における半導体装置５００には、実施の形態４（図４（ａ），（ｂ））と同様に、ダイパッド１表面に、平面視で半導体チップ３を囲む突起１ｂが形成されている。突起１ｂはワイヤボンディングにより形成される。その他の構成は実施の形態４（図４（ａ），（ｂ））と同じであるため、説明を省略する。
【００４９】
ダイパッド１表面に形成される突起１ｂの素材を金線とすれば、ワイヤ６をワイヤボンディングにより実装する工程において、同時に突起１ｂを形成することが可能となる。よって、工程数を増加させることなく、突起１ｂを設けることができる。
【００５０】
また、突起１ｂを金線よりも太いアルミワイヤにより形成してもよい。突起１ｂをアルミワイヤとすることにより、突起１ｂの高さをより高くすることが可能である。
【００５１】
＜効果＞
本実施の形態における半導体装置５００において、突起１ｂは、ワイヤボンドによるワイヤにより形成されることを特徴とする。
【００５２】
従って、突起１ｂをワイヤボンドにより形成しても、実施の形態４で述べた効果と同様の効果を得ることが可能である。また、ワイヤ６をワイヤボンディングにより実装する工程において、同時に突起１ｂを形成すれば、工程数を増やすことなく、突起１ｂを形成可能である。
【００５３】
また、本実施の形態における半導体装置５００において、突起１ｂは、ワイヤボンドによるアルミワイヤである。
【００５４】
従って、突起１ｂをアルミワイヤで形成することにより、突起１ｂを金線で形成する場合と比較して、ワイヤをより太くすることが可能である。従って、突起１ｂの高さをより高くすることが可能なため、剥離やクラックがパッケージ外部に到達することを、より抑制することが可能となる。
【００５５】
＜実施の形態６＞
本実施の形態における半導体装置６００の断面図を図６に示す。本実施の形態における半導体装置６００には、実施の形態４（図４（ａ），（ｂ））と同様に、ダイパッド１表面に、平面視で半導体チップ３を囲む突起１ｂが形成されている。突起１ｂは、ダイパッド１の表面を削ることにより形成される。その他の構成は実施の形態４（図４（ａ），（ｂ））と同じであるため、説明を省略する。
【００５６】
突起１ｂは、ダイパッド１の表面の突起１ｂ以外の部分を、エッチング等の化学的処理やパンチングやレーザー加工等の機械的処理により削ることにより形成される。また、ダイパッド１の表面を削ることにより、ダイパッド１の厚みが薄くなるため、半導体チップ３とダイパッド１間に生じる熱応力が低減される。
【００５７】
＜効果＞
本実施の形態における半導体装置６００において、突起１ｂは、ダイパッド１の表面を削ることにより形成されることを特徴とする。
【００５８】
従って、突起１ｂを形成することにより、実施の形態４で述べた効果と同様の効果を得ることが可能である。さらに、ダイパッド１の表面を削って突起１ｂを形成することにより、突起１ｂの高さ分だけダイパッド１の厚みが薄くなるため、半導体チップ３とダイパッド１間に生じる熱応力が低減される。よって、ダイボンド樹脂２の剥離や、封止樹脂４に発生するクラック等を抑制することが可能である。
【００５９】
＜実施の形態７＞
＜構成＞
本実施の形態における半導体装置７００の断面図を図７に示す。本実施の形態における半導体装置７００には、実施の形態１における半導体装置１００（図１）に対して、さらに、ダイパッド１底面に、凹部１ｃが形成される。その他の構成は実施の形態１（図１）と同じであるため、説明を省略する。
【００６０】
凹部１ｃは、平面視で、少なくとも一部が半導体チップ３と重なるように形成される。つまり、凹部１ｃは、半導体チップ３とダイパッド１との接着界面の下方に位置する。凹部１ｃを形成することにより、接着界面の下方において、ダイパッド１の体積が減少するため、半導体チップ３とダイパッド１間に生じる熱応力が低減される。なお、凹部１ｃには、封止樹脂４が充填される。
【００６１】
なお、本実施の形態において、実施の形態１と同様、半導体チップ３としてＳｉＣ、ＧａＮ等のワイドバンドギャップ半導体を用いても良い。
【００６２】
また、本実施の形態において、実施の形態１と同様、ダイパッド１の厚みよりも、半導体チップ３の厚みを小さくしてもよい。半導体チップ３の厚みを小さくすれば、構成部品間の膨張の差が小さくなるため、熱応力による変形を小さくできる。
【００６３】
また、本実施の形態において、実施の形態１と同様、封止樹脂４を厚く設計してもよい。封止樹脂４を厚くすることで、パッケージ自体の剛性が高くなるため、熱応力による反りを抑制することが可能である。よって、剥離やクラックの発生を抑制することができる。
【００６４】
＜効果＞
本実施の形態における半導体装置７００において、ダイパッドの底面には凹部１ｃが形成されており、凹部１ｃの少なくとも一部は、半導体チップ３と平面視で重なっていることを特徴とする。
【００６５】
従って、半導体チップ３とダイパッド１の接着界面の下方において、ダイパッド１の体積が減少するため、半導体チップ３とダイパッド１との間に生じる熱応力が低減される。熱応力の低減により、ダイボンド樹脂２の剥離や、封止樹脂４に発生するクラック等を抑制することが可能である。よって、半導体装置７００の信頼性および寿命を向上させることが可能である。信頼性とは、特に耐湿性に対するものであり、寿命とは、特に温度サイクルに対するものである。
【００６６】
＜実施の形態８＞
＜構成＞
本実施の形態における半導体装置８００の断面図を図８に示す。本実施の形態における半導体装置８００は、複数の半導体チップ３を備える。また、リードフレームは、複数のダイパッド１を備える。半導体チップ３とダイパッド１の各々は、実施の形態１（図１）と同様にダイボンド樹脂２により接着されている。その他の構成は実施の形態１と同じため、説明を省略する。
【００６７】
複数の半導体チップを近接して配置した場合、高温で動作する半導体チップに熱応力による反りが生じた場合、その周囲の半導体チップ３等にも反りによる変形の影響が及ぶ問題があった。これは特に、シリコン製の半導体チップ３と、ＳｉＣやＧａＮ等の高温動作が可能な半導体チップ３とを近接して配置する場合に特に問題となる。
【００６８】
本実施の形態では、実施の形態１と同様に、半導体チップ３とダイパッド１がより強固に接着されているため、高温で動作する半導体チップ３とダイパッド１間に熱応力が生じても、剥離やクラックの発生を抑制することができる。また、高温で動作する半導体チップ３に近接する他の半導体チップ３とダイパッド１間に反りが生じても、その半導体チップ３とダイパッド１間は強固に接着されているため、剥離やクラックの発生を抑制可能である。
【００６９】
なお、本実施の形態において、ダイパッド１と半導体チップ３との接着界面を実施の形態２（図２）のように構成しても同様の効果を得ることができる。
【００７０】
また、ダイパッド１と半導体チップ３との接着界面を実施の形態３（図３）のように構成すれば、熱応力そのものを低減できるため、反りが抑制され、高温動作する半導体チップ３と比較的低温度で動作する半導体チップ３とを近接して配置可能となる。
【００７１】
また、実施の形態４〜６（図４〜６）のように、各半導体チップ３を囲むように、ダイパッド１表面に突起１ｂを形成してもよい。さらに、実施の形態７（図７）のように、ダイパッド１底面に凹部１ｃを設けてもよい。
【００７２】
＜効果＞
本実施の形態における半導体装置８００において、半導体チップ３は複数であることを特徴とする。従って、各半導体チップ３において剥離、クラック等の発生を抑制可能なため、複数の半導体チップ３を隣接して配置しても、信頼性を維持することが可能である。よって、動作温度の異なる半導体チップを近接して配置することが可能となり、設計の自由度が向上する。
【００７３】
＜実施の形態９＞
＜構成＞
本実施の形態における半導体モジュール９００の断面図を図９に示す。半導体モジュール９００は、実施の形態１における半導体装置１００と、パワー半導体チップ２４とを備える。半導体装置１００の電極端子５、はんだ１１を介して制御基板１３のランド１２に接続されている。
【００７４】
制御基板１３は、中継端子１４に接続されている。また、制御基板１３には、端子固定部材１６を介して外部端子１５が接続されている。中継端子１４は、半導体モジュールのケース１７に埋め込まれている。
【００７５】
ケース１７はベース板１８に固定されており、ベース板１８上には両面に配線パターン２０，２２が形成された絶縁基板２１が、はんだ１９を介して配置される。パワー半導体チップ２４は、はんだ２３を介して配線パターン２２に接続されている。パワー半導体チップ２４、配線パターン２２、中継端子１７、外部端子２６は、ワイヤ２５により適宜接続されている。パワー半導体チップ２４、ワイヤ２５、絶縁基板２１は、シリコンゲル２７により封止されている。また、ケース１７内部は、蓋２８により密閉される。
【００７６】
本実施の形態では、パワー半導体チップ２４としてＳｉＣやＧａＮ等のワイドバンドギャップ半導体を用いてもよい。ＳｉＣやＧａＮ等のワイドバンドギャップ半導体を材料とする半導体チップは、シリコン製の半導体チップよりも高温動作が可能なため、使用環境温度や、自己発熱による温度サイクルの幅が大きくなる。半導体装置１００は、実施の形態１で述べた様に、熱応力による剥離、クラックの発生を抑制可能なため、このような温度環境下で動作する半導体モジュール９００にも搭載可能である。
【００７７】
なお、半導体装置１００に代えて、半導体装置２００，３００，４００，５００，６００，７００，８００を搭載してもよい。
【００７８】
＜効果＞
本実施の形態における半導体モジュール９００は、半導体装置１００と、パワー半導体チップ２４と、を備える。
【００７９】
従って、実施の形態１で述べた様に、半導体装置１００は熱応力による剥離、クラックを抑制できる構成を持つため、パワー半導体チップ２４の発熱により高温となる半導体モジュール９００内に半導体装置１００を搭載した場合であっても、信頼性を維持することが可能である。また、ノンリード型の半導体装置１００を搭載可能なため、半導体モジュール９００の小型化が可能である。
【００８０】
また、本実施の形態における半導体モジュール９００において、パワー半導体チップ２４は、ワイドバンドギャップ半導体を含むことを特徴とする。
【００８１】
従って、パワー半導体チップ２４をＳｉＣやＧａＮ等のワイドバンドギャップ半導体とすると、半導体モジュール９００は動作時により高温となる場合があるが、半導体装置１００は熱応力による剥離、クラックを抑制できる構成を持つため、このような半導体モジュール９００にも搭載可能である。
【００８２】
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【符号の説明】
【００８３】
１  ダイパッド、１ａ  凹凸部、１ｂ  突起、１ｃ  凹部、２  ダイボンド樹脂、３  半導体チップ、３ａ  凹凸部、４  封止樹脂、５  電極端子、６  ワイヤ、２４  パワー半導体チップ、１００，２００，３００，４００，５００，６００，７００，８００  半導体装置、９００  半導体モジュール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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