(57)【要約】【課題】テストエリアの消費量や処理負担の増加を抑えつつ、前／後のスペース長を考慮したライトストラテジ調整を実現する。【解決手段】マークの前方スペース長で区別した各始端エッジ位置、及びマークの後方スペース長で区別した各終端エッジ位置に関して、上記各始端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＦ、上記各終端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＲがそれぞれ所定の基準値に近づくように、それら各始端エッジ位置ごとの動かし量ＷＦMn、及び各終端エッジ位置ごとの動かし量ＷＲMnを求める。前／後のスペース長で区別した各始端マークエッジ位置、各終端マークエッジ位置のばらつきの低減が図られ、ジッターの低減を図ることができる。【選択図】図９
2014032719.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光記録媒体に対してレーザ光を照射して、光記録媒体上でマーク及びスペースで表現される情報の書込及び読出を行う光学ヘッド部と、
記録する情報に応じたレーザ駆動パルスを生成して上記光学ヘッド部に供給し、上記光学ヘッド部に、記録のためのレーザ光照射を実行させるレーザ駆動パルス生成部と、
上記光学ヘッド部により上記光記録媒体から読み出した信号に基づき、上記マークのエッジ位置の誤差を表す評価値を測定する評価値測定部と、
制御部とを備え、
上記制御部は、
調整対象とする各マーク長について、それぞれその始端記録エッジ位置の動かし量をＷＦMn、終端記録エッジ位置の動かし量をＷＲMnとしたとき、上記各マーク長についてそれぞれ異なる組み合わせによる上記動かし量ＷＦMn，ＷＲMnを設定した試し書きを実行させ、該試し書きにより記録された信号に基づき、上記各マーク長ごとにその始端エッジ位置についての上記評価値ｄＦ、終端エッジ位置についての上記評価値ｄＲを上記設定した動かし量ＷＦMn，ＷＲMnの組み合わせごとに得、該得た評価値ｄＦ，ｄＲに基づき、上記動かし量ＷＦMn，ＷＲMnに対する上記評価値ｄＦ，ｄＲの感度を表す感度値を上記各マーク長ごとに求めると共に、該求めた感度値に基づいて、上記各マーク長ごとに、最適とされる上記動かし量ＷＦMn、ＷＲMnを求める始端／終端毎動かし量計算処理と、
上記始端／終端毎動かし量計算処理で上記各マーク長ごとに求めた上記動かし量ＷＦMn、ＷＲMnを設定した状態での試し書きを実行させる試し書き実行制御処理と、
上記試し書き実行制御処理により記録された信号に基づき、上記各マーク長ごとに、マークの前方スペース長で区別した各始端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＦと、マークの後方スペース長で区別した各終端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＲとを取得し、該取得した上記各始端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＦ及び上記各終端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＲと、上記感度値とに基づいて、上記各始端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＦ、上記各終端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＲをそれぞれ所定の基準値に近づける上記各始端エッジ位置ごとの動かし量ＷＦMn、上記各終端エッジ位置ごとの動かし量ＷＲMnを、上記各マーク長ごとに求める前後スペース長毎動かし量計算処理とを実行する
記録再生装置。
【請求項２】
上記制御部は、
上記前後スペース長毎動かし量計算処理における上記基準値として、少なくとも同一マーク長についての始端エッジ位置，終端エッジ位置ごとにそれぞれ同じ値を用いる
請求項１に記載の記録再生装置。
【請求項３】
上記制御部は、上記始端／終端毎動かし量計算処理として、
上記動かし量ＷＦMn，ＷＲMnと、上記評価値ｄＦ，ｄＲとの関係が、上記各マーク長ごとに
ｄＦ＝Ｃｆ１・ＷＦMn＋Ｃｆ２・ＷＲMn＋Ｄｆ
ｄＲ＝Ｃｒ１・ＷＦMn＋Ｃｒ２・ＷＲMn＋Ｄｒ
であることを前提として、
上記各マーク長について、上記動かし量ＷＦMn、ＷＲMnをそれぞれ異なる組み合わせで設定した試し書きを実行させ、該試し書きにより記録された信号についての上記評価値ｄＦ，ｄＲを、上記各マーク長について、上記設定した上記動かし量ＷＦMn、ＷＲMnの組み合わせごとに得、上記各マーク長ごとに、該得た評価値ｄＦ，ｄＲと、その評価値ｄＦ，ｄＲが得られたときに設定されていた上記動かし量ＷＦMn，ＷＲMnの値とを上式に代入し、それらの連立方程式を解くことで、上記感度値としてのＣｆ１,Ｃｆ２,Ｃｒ１,Ｃｒ２の値と上記Ｄｆ,Ｄｒとしてのオフセット値とを上記各マーク長ごとに求めると共に、上記各マーク長ごとに、これら求めた感度値Ｃｆ１,Ｃｆ２,Ｃｒ１,Ｃｒ２と、オフセット値Ｄｆ，Ｄｒと、ｄＦ＝０、ｄＲ＝０とを上式に代入して計算される上記動かし量ＷＦMn，ＷＲMnの値を、上記最適とされる動かし量ＷＦMn，ＷＲMnの値として得る処理を実行し、
且つ上記制御部は、上記前後スペース長毎動かし量計算処理として、
上記試し書き実行制御処理で記録された信号に基づき上記各マーク長ごとに取得した上記各始端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＦ、及び上記各終端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＲと、上記始端／終端毎動かし量計算処理で上記各マーク長ごとに求まった上記感度値Ｃｆ１,Ｃｆ２,Ｃｒ１,Ｃｒ２及び上記オフセット値Ｄｆ，Ｄｒとに基づいて、上記各マーク長ごとに、上記各始端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＦ、上記各終端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＲをそれぞれ上記基準値に近づける上記各始端エッジ位置ごとの動かし量ＷＦMn、上記各終端エッジ位置ごとの動かし量ＷＲMnを求める
請求項２に記載の記録再生装置。
【請求項４】
上記制御部は、上記前後スペース長毎動かし量計算処理として、
上記各マーク長の始端エッジ，終端エッジごとに用いる上記基準値をそれぞれｄｒＦ、ｄｒＲとし、上記前方スペース長で区別した各始端エッジ位置の上記評価値をｄS2MnＦ，ｄS3MnＦ，・・・,ｄSmMnＦとし、上記後方スペース長で区別した各終端エッジ位置の上記評価値をｄMnS2Ｒ，ｄMnS3Ｒ，・・・,ｄMnSmＲとしたとき、
上記各マーク長ごとに、上記前方スペース長で区別した各始端エッジ位置の動かし量ＷＦS2Mn，ＷＦS3Mn，・・・，ＷＦSmMnを、それぞれ
ｄｒＦ−ｄS2MnＦ＝Ｃｆ１・ＷＦS2Mn＋Ｃｆ２・０＋Ｄｆ
ｄｒＦ−ｄS3MnＦ＝Ｃｆ１・ＷＦS3Mn＋Ｃｆ２・０＋Ｄｆ
・
・
・
ｄｒＦ−ｄSmMnＦ＝Ｃｆ１・ＷＦSmMn＋Ｃｆ２・０＋Ｄｆ
による一次方程式を解くことで求め、
且つ上記各マーク長ごとに、上記後方スペース長で区別した各終端エッジ位置の動かし量ＷＲMnS2，ＷＲMnS3，・・・，ＷＲMnSmを、それぞれ
ｄｒＲ−ｄMnS2Ｒ＝Ｃｒ１・０＋Ｃｒ２・ＷＲMnS2＋Ｄｒ
ｄｒＲ−ｄMnS3Ｒ＝Ｃｒ１・０＋Ｃｒ２・ＷＲMnS3＋Ｄｒ
・
・
・
ｄｒＲ−ｄMnSmＲ＝Ｃｒ１・０＋Ｃｒ２・ＷＲMnSm＋Ｄｒ
による一次方程式を解くことにより求める
請求項３に記載の記録再生装置。
【請求項５】
上記制御部は、上記前後スペース長毎動かし量計算処理として、
上記各マーク長の始端エッジ，終端エッジごとに用いる上記基準値をそれぞれｄｒＦ、ｄｒＲとし、上記前方スペース長で区別した各始端エッジ位置の上記評価値をｄS2MnＦ，ｄS3MnＦ，・・・,ｄSmMnＦとし、上記後方スペース長で区別した各リアエッジ位置の上記評価値をｄMnS2Ｒ，ｄMnS3Ｒ，・・・,ｄMnSmＲとしたとき、
上記各マーク長ごとに、上記前方スペース長ごとに区別した各始端エッジ位置の動かし量ＷＦS2Mn，ＷＦS3Mn，・・・，ＷＦSmMnを、それぞれ
ｄｒＦ−ｄS2MnＦ＝Ｃｆ１・ＷＦS2Mn・α＋Ｃｆ２・０＋Ｄｆ
ｄｒＦ−ｄS3MnＦ＝Ｃｆ１・ＷＦS3Mn・α＋Ｃｆ２・０＋Ｄｆ
・
・
・
ｄｒＦ−ｄSmMnＦ＝Ｃｆ１・ＷＦSmMn・α＋Ｃｆ２・０＋Ｄｆ
による一次方程式を解くことで求め、
且つ上記各マーク長ごとに、上記後方スペース長で区別した各終端エッジ位置の動かし量ＷＲMnS2，ＷＲMnS3，・・・，ＷＲMnSmを、それぞれ
ｄｒＲ−ｄMnS2Ｒ＝Ｃｒ１・０＋Ｃｒ２・ＷＲMnS2・α＋Ｄｒ
ｄｒＲ−ｄMnS3Ｒ＝Ｃｒ１・０＋Ｃｒ２・ＷＲMnS3・α＋Ｄｒ
・
・
・
ｄｒＲ−ｄMnSmＲ＝Ｃｒ１・０＋Ｃｒ２・ＷＲMnSm・α＋Ｄｒ
による一次方程式を解くことにより求める
請求項３に記載の記録再生装置。
【請求項６】
上記制御部は、
上記試し書き実行制御処理で記録された信号に基づき、上記各マーク長の始端エッジ位置，終端エッジ位置のそれぞれについてその前方スペース長、後方スペース長を区別せずに上記評価値を取得し、該取得した上記各マーク長の始端エッジ位置，終端エッジ位置ごとの評価値を、上記基準値として用いる
請求項２に記載の記録再生装置。
【請求項７】
光記録媒体に対してレーザ光を照射して、光記録媒体上でマーク及びスペースで表現される情報の書込及び読出を行う光学ヘッド部と、記録する情報に応じたレーザ駆動パルスを生成して上記光学ヘッド部に供給し、上記光学ヘッド部に、記録のためのレーザ光照射を実行させるレーザ駆動パルス生成部と、上記光学ヘッド部により上記光記録媒体から読み出した信号に基づき、上記マークのエッジ位置の誤差を表す評価値を測定する評価値測定部とを備えた記録再生装置におけるレーザ駆動パルス調整方法であって、
調整対象とする各マーク長について、それぞれその始端エッジ位置の動かし量をＷＦMn、終端エッジ位置の動かし量をＷＲMnとしたとき、上記各マーク長についてそれぞれ異なる組み合わせによる上記動かし量ＷＦMn，ＷＲMnを設定した試し書きを実行させ、該試し書きにより記録された信号に基づき、上記各マーク長ごとにその始端エッジ位置についての上記評価値ｄＦ、終端エッジ位置についての上記評価値ｄＲを上記設定した動かし量ＷＦMn，ＷＲMnの組み合わせごとに得、該得た評価値ｄＦ，ｄＲに基づき、上記動かし量ＷＦMn，ＷＲMnに対する上記評価値ｄＦ，ｄＲの感度を表す感度値を上記各マーク長ごとに求めると共に、該求めた感度値に基づいて、上記各マーク長ごとに、最適とされる上記動かし量ＷＦMn、ＷＲMnを求める始端／終端毎動かし量計算手順と、
上記始端／終端毎動かし量計算手順で上記各マーク長ごとに求めた上記動かし量ＷＦMn、ＷＲMnを設定した状態での試し書きを実行させる試し書き実行制御手順と、
上記試し書き実行制御手順により記録された信号に基づき、上記各マーク長ごとに、マークの前方スペース長で区別した各始端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＦと、マークの後方スペース長で区別した各終端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＲとを取得し、該取得した上記各始端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＦ及び上記各終端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＲと、上記感度値とに基づいて、上記各始端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＦ、上記各終端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＲをそれぞれ所定の基準値に近づける上記各始端エッジ位置ごとの動かし量ＷＦMn、上記各終端エッジ位置ごとの動かし量ＷＲMnを、上記各マーク長ごとに求める前後スペース長毎動かし量計算手順と
を有するレーザ駆動パルス調整方法。
【請求項８】
光記録媒体に対してレーザ光を照射して、光記録媒体上でマーク及びスペースで表現される情報の書込及び読出を行う光学ヘッド部と、記録する情報に応じたレーザ駆動パルスを生成して上記光学ヘッド部に供給し、上記光学ヘッド部に、記録のためのレーザ光照射を実行させるレーザ駆動パルス生成部と、上記光学ヘッド部により上記光記録媒体から読み出した信号に基づき、上記マークのエッジ位置の誤差を表す評価値を測定する評価値測定部とを備えた記録再生装置において実行されるべきプログラムであって、
調整対象とする各マーク長について、それぞれその始端エッジ位置の動かし量をＷＦMn、終端エッジ位置の動かし量をＷＲMnとしたとき、上記各マーク長についてそれぞれ異なる組み合わせによる上記動かし量ＷＦMn，ＷＲMnを設定した試し書きを実行させ、該試し書きにより記録された信号に基づき、上記各マーク長ごとにその始端エッジ位置についての上記評価値ｄＦ、終端エッジ位置についての上記評価値ｄＲを上記設定した動かし量ＷＦMn，ＷＲMnの組み合わせごとに得、該得た評価値ｄＦ，ｄＲに基づき、上記動かし量ＷＦMn，ＷＲMnに対する上記評価値ｄＦ，ｄＲの感度を表す感度値を上記各マーク長ごとに求めると共に、該求めた感度値に基づいて、上記各マーク長ごとに、最適とされる上記動かし量ＷＦMn、ＷＲMnを求める始端／終端毎動かし量計算処理と、
上記始端／終端毎動かし量計算処理で上記各マーク長ごとに求めた上記動かし量ＷＦMn、ＷＲMnを設定した状態での試し書きを実行させる試し書き実行制御処理と、
上記試し書き実行制御処理により記録された信号に基づき、上記各マーク長ごとに、マークの前方スペース長で区別した各始端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＦと、マークの後方スペース長で区別した各終端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＲとを取得し、該取得した上記各始端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＦ及び上記各終端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＲと、上記感度値とに基づいて、上記各始端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＦ、上記各終端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＲをそれぞれ所定の基準値に近づける上記各始端エッジ位置ごとの動かし量ＷＦMn、上記各終端エッジ位置ごとの動かし量ＷＲMnを、上記各マーク長ごとに求める前後スペース長毎動かし量計算処理と
を上記記録再生装置に実行させるプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば記録型光ディスク等の光記録媒体に対する記録再生装置と、レーザ駆動パルス調整方法とに関する。また、上記記録再生装置にて実行されるべきプログラムに関する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００２】
【特許文献１】特許第４２７４１８３号公報
【特許文献２】特開２０１１−１７５６９５号公報
【背景技術】
【０００３】
光ディスクの記録技術において、いわゆるライトストラテジとして知られているように記録のためのレーザ駆動パルスの調整を行うことが知られている。
まず、このライトストラテジに関して、従来の技術と本発明に係る技術で用いる用語として、「記録エッジ位置」「マークエッジ位置」「マークエッジ位置誤差」について説明しておく。
図１２Ａ，Ｂ，Ｃにデータビット列、記録波形、再生波形の例を示す。図１２Ａのデータビット列は、３Ｔマーク、２Ｔスペース、２Ｔマークが連続する区間としている。Ｔはチャネルクロック長である。図１２Ｂの記録波形とは、光学ヘッド（ピックアップ）におけるレーザダイオードの駆動パルスであり、記録しようとするマーク長に応じたパルスとして生成される。図１２Ｃの再生波形は、図１２Ｂのレーザ駆動パルスで光ディスクに記録した情報を再生したときに得られる再生ＲＦ信号波形である。破線はＰＬＬ（Phase Locked Loop）で生成する再生クロックのタイミングを示しており、再生波形からは、再生クロックタイミングにあたる○で示すタイミングのデータがサンプリングされる。例えばスライスレベルを基準に二値化され、復号処理に供される。
【０００４】
本明細書で言う記録エッジ位置とは、記録波形においてライトストラテジで調整に用いるエッジ位置のことであり、例えば図１２Ｂに矢印ＲＥの部分のエッジ位置などである。
マークエッジ位置とは、再生波形とスライスレベルのクロス点の位置と再生クロックタイミングの中間位置との誤差である。例えば図１２Ｃにおいて、再生波形とスライスレベルのクロス点である矢印ＭＥＰの位置である。図１２の場合、矢印ＭＥＰの位置が、３Ｔマークから２Ｔスペースへ移行するときのマークエッジ位置となっている。図１２Ｄに図１２Ｃのマークエッジ位置ＭＥＰ近辺を拡大して示している。本来、再生波形が二値化のためのスライスレベルとクロスするのは、再生クロックタイミングの中間タイミングが望ましい。図１２Ｄでは、その中間タイミングを一点鎖線で示しているが、この中間タイミングと、再生波形とスライスレベルのクロス点のズレ分である矢印ＭＥＰがマークエッジ位置である。
また、マークエッジ位置誤差とは、調整時に０にしたい評価値であり、例えばマークエッジ位置そのものでよいし、あるマーク長のマークエッジ位置を基準とし、その基準となるマークエッジ位置からの差分と考えることもできる。
【０００５】
マークエッジ位置は、レーザ駆動パルスのストラテジ調整のための評価値として用いることができる。マークエッジ位置誤差は再生波形とスライスレベルとのクロス点と再生クロックタイミングとの時間誤差を示す値であり、このマークエッジ位置誤差を全てのマーク長について揃えるようにストラテジを調整することが理想となる。
【０００６】
ここで、最も単純なエッジ位置の調整手法としては、個々のエッジ位置について、マークエッジ位置誤差を検出し、その誤差量に応じた分だけ個々のエッジ位置を移動させるという調整手法を挙げることができる。
例えば図１２のように３Ｔマークの終端側のマークエッジ位置が他のマークエッジ位置よりもプラス方向（図面上右側）に１［ｎｓ］ずれている場合には、３Ｔマークの記録波形の後ろのエッジ位置ＲＥを矢印ｗｘ、矢印ｗｙのように左側に１［ｎｓ］補正することで、３Ｔマークの終端のマークエッジ位置を揃えることができる。
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１，２にも開示されているように、評価値としてのマークエッジ位置誤差と記録エッジ位置のシフト量の関係には、以下のような特性がある。
（特性１）評価値となるマークエッジ位置誤差は記録エッジシフト量に対して一定ではないことがある。この理由として、ディスクの記録膜特性によって、マーク形成プロセスや熱干渉の影響に違いがあることが考えられる。
（特性２）マークエッジ位置は記録波形のファーストパルス、マルチパルス、ラストパルスのエッジ位置の移動量に依存することがあり、さらに記録波形のファーストパルス、マルチパルス、ラストパルスの記録エッジ位置の移動量は、始端側のマークエッジ位置、終端側のマークエッジ位置の両方に影響を与えることがある。
なおファーストパルス、マルチパルス、ラストパルスについては図２に示している。例えば２Ｔマークの記録波形はファーストパルスのみとなる。３Ｔマークの記録波形はファーストパルスとラストパルスの２つのパルスで形成される。４Ｔマークの記録波形は、ファーストパルス、マルチパルス、ラストパルスの３つのパルスで形成される。５Ｔマーク以上では、ファーストパルスとラストパルスの間に配されるマルチパルスの数がマーク長に応じて増えることとなる。
（特性３）他のマーク長の記録エッジシフト量がマークエッジ位置に対して影響を与えることがある。
【０００８】
これらの特性より、前述した最も単純な調整手法を採った場合には、調整に多くの時間を要するものとなる。具体的に、ひとつのマークエッジ位置を確認しながら記録エッジ位置をひとつずつ調整していく場合、その記録エッジシフト量は、他のマークエッジ位置に影響を与えるため、一旦最適に調整したマークエッジ位置が、他のマークエッジ位置についての記録エッジ位置調整によってずれてしまうことがある。従って時間がかかるだけでなく、調整精度も悪化する虞がある。
【０００９】
このように、ライトストラテジ調整を行う場合には、或る記録エッジの調整が他のマークエッジ位置に与える影響（以下、相互干渉とも称する）を考慮すべきものとなる。
【００１０】
さらに、ライトストラテジ調整においては、各マークの前／後のスペース長によって熱伝導の影響が異なる点も考慮すべきものとなる。すなわちこの点を考慮すると、各マーク長の記録エッジ位置の調整は、その始端（フロント）／終端（リア）側のエッジ位置の区別のみでなく、少なくとも前方スペース長で区別した各始端エッジ位置、及び後方スペース長で区別した各終端エッジ位置ごとに行うべきものとなる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ここで、上記特許文献１，２には、上記のような前／後のスペース長も区別したストラテジ調整の手法も開示されているが、これら特許文献１，２に開示される調整手法は、単純に調整対象とするエッジ位置の数を前／後のスペース長の別に応じて増やしただけである。従って、ストラテジ調整にあたり試し書きを行うべき記録パターンの数が増加して、光ディスク上に設けられたテストエリアの消費量が増大化してしまうという問題を招くと共に、ストラテジ調整に必要な計算量も膨大となって、処理負担が増大化してしまうという問題も招来するものとなる。
【００１２】
本技術は上記のような問題点に鑑み為されたものであり、テストエリアの消費量や処理負担の増加を抑えつつ、前／後のスペース長を考慮したライトストラテジ調整を実現することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題の解決のため、本技術では記録再生装置を以下のように構成することとした。
すなわち、本技術の記録再生装置は、光記録媒体に対してレーザ光を照射して、光記録媒体上でマーク及びスペースで表現される情報の書込及び読出を行う光学ヘッド部を備える。
また、記録する情報に応じたレーザ駆動パルスを生成して上記光学ヘッド部に供給し、上記光学ヘッド部に、記録のためのレーザ光照射を実行させるレーザ駆動パルス生成部を備える。
また、上記光学ヘッド部により上記光記録媒体から読み出した信号に基づき、上記マークのエッジ位置の誤差を表す評価値を測定する評価値測定部と、さらに制御部とを備える。
そして、上記制御部が、以下の処理を実行する。
つまり、上記制御部は、
調整対象とする各マーク長について、それぞれその始端記録エッジ位置の動かし量をＷＦMn、終端記録エッジ位置の動かし量をＷＲMnとしたとき、上記各マーク長についてそれぞれ異なる組み合わせによる上記動かし量ＷＦMn，ＷＲMnを設定した試し書きを実行させ、該試し書きにより記録された信号に基づき、上記各マーク長ごとにその始端エッジ位置についての上記評価値ｄＦ、終端エッジ位置についての上記評価値ｄＲを上記設定した動かし量ＷＦMn，ＷＲMnの組み合わせごとに得、該得た評価値ｄＦ，ｄＲに基づき、上記動かし量ＷＦMn，ＷＲMnに対する上記評価値ｄＦ，ｄＲの感度を表す感度値を上記各マーク長ごとに求めると共に、該求めた感度値に基づいて、上記各マーク長ごとに、最適とされる上記動かし量ＷＦMn、ＷＲMnを求める始端／終端毎動かし量計算処理と、
上記始端／終端毎動かし量計算処理で上記各マーク長ごとに求めた上記動かし量ＷＦMn、ＷＲMnを設定した状態での試し書きを実行させる試し書き実行制御処理と、
上記試し書き実行制御処理により記録された信号に基づき、上記各マーク長ごとに、マークの前方スペース長で区別した各始端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＦと、マークの後方スペース長で区別した各終端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＲとを取得し、該取得した上記各始端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＦ及び上記各終端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＲと、上記感度値とに基づいて、上記各始端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＦ、上記各終端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＲをそれぞれ所定の基準値に近づける上記各始端エッジ位置ごとの動かし量ＷＦMn、上記各終端エッジ位置ごとの動かし量ＷＲMnを、上記各マーク長ごとに求める前後スペース長毎動かし量計算処理と
を実行するものである。
【００１４】
上記のように本技術では、マークの前方スペース長で区別した各始端エッジ位置、及びマークの後方スペース長で区別した各終端エッジ位置に関して、上記各始端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＦ、上記各終端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＲがそれぞれ所定の基準値に近づくように、それら各始端エッジ位置ごとの動かし量ＷＦMn、及び各終端エッジ位置ごとの動かし量ＷＲMnを求めるものとしている。
このように各評価値が所定の基準値に近づくように各エッジ位置ごとの動かし量ＷＦ，ＷＲを求めることで、前／後のスペース長で区別した各始端マークエッジ位置、各終端マークエッジ位置のばらつきの低減が図られ、ジッターの低減を図ることができる。
ここで、上記本技術によれば、前／後のスペース長も考慮したライトストラテジ調整にあたり行う試し書きは、上記始端／終端毎動かし量計算処理で上記感度値の導出のために行われる前／後スペース長を考慮しない試し書きと、該始端／終端毎動かし量計算処理で求まった始端／終端の各エッジ位置についての動かし量ＷＦ，ＷＲを設定した試し書きとなる。先の特許文献１，２に開示される従来手法では、前／後スペース長の別も考慮してより多くの感度値を求めるために、該感度値の導出にあたり試し書きを行う量が膨大となるが、上記本技術によれば、求めるべき感度値は前後スペース長の別を考慮しない場合と同数となり、結果、必要とされる試し書きの量は従来よりも格段に減らすことができる。つまりこれにより、テストエリアの消費量を格段に低減できる。
また、上記のように本技術では従来手法よりも求めるべき感度値が少ないことから、前／後のスペース長も考慮したライトストラテジ調整にあたり必要とされる計算量も格段に減らすことができる。つまりこの結果、処理負担の軽減が図られるものである。
【発明の効果】
【００１５】
上記のように本技術によれば、テストエリアの消費量や処理負担の増加を抑えつつ、前／後のスペース長を考慮したライトストラテジ調整を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施の形態の記録再生装置の要部のブロック図である。
【図２】実施の形態のレーザ駆動パルスとその記録エッジ位置の説明図である。
【図３】実施の形態のレーザ駆動パルスの動かし方の例の説明図である。
【図４】実施の形態の第１ストラテジ調整処理におけるストラテジ設定の説明図である。
【図５】実施の形態の第１ストラテジ調整処理のフローチャートである。
【図６】第１ストラテジ調整における最適ストラテジ算出の考え方の説明図である。
【図７】第１ストラテジ調整における最適ストラテジ算出の考え方の説明図である。
【図８】第１ストラテジ調整における最適ストラテジ算出の考え方の説明図である。
【図９】第１ストラテジ調整で求まった最適ストラテジ（前後スペース長の別を考慮せずに求めた最適ストラテジ）を設定した試し書きを行って得られる、あるマーク長についてのマークエッジ位置誤差の測定結果を例示した図である。
【図１０】前後スペース長を考慮した実施の形態としての最適ストラテジの算出手法を実現するために実行すべき具体的な処理の手順を示したフローチャートである。
【図１１】本実施の形態の調整手法の有効性を実証するための実験結果を示した図である。
【図１２】レーザ駆動パルスと記録エッジ位置、マークエッジ位置の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本技術に係る実施の形態を次の順序で説明する。
＜１．記録再生装置の構成＞
＜２．第１ストラテジ調整＞
［2-1．第１ストラテジ調整の基本となる考え方］
［2-2．具体的な調整手法］
＜３．前後スペース長考慮のストラテジ調整＞
＜４．変形例＞
【００１８】
＜１．記録再生装置の構成＞
図１は、実施の形態としての記録再生装置の要部のブロック図を示している。
先ず、図中の光ディスク１は、ディスク状の光記録媒体とされ、レーザ光の照射により情報の記録／再生が行われる。
なお光記録媒体とは、光の照射により信号の記録又は再生が行われる記録媒体を総称したものである。
【００１９】
光ディスク１は、記録／再生時にはスピンドルモータ２によって回転される。
光学ヘッド３（光学ピックアップ）は、レーザダイオードから出射されたレーザ光を、所定の光学系により対物レンズから光ディスク１に照射する。また光ディスク１からの反射光を、所定の光学系を介してフォトディテクタに導き、反射光量に応じた電気信号を得る。また複数のフォトディテクタで検出された各光量信号に対して演算処理を行い、記録された情報の再生信号（再生ＲＦ信号）や、トラッキング、フォーカスなどの各種サーボエラー信号を生成する。
【００２０】
記録時には、レーザドライバ１０からレーザ駆動パルスが光学ヘッド３に供給され、光学ヘッド３内のレーザダイオードはレーザ駆動パルスに応じて発光駆動される。
記録時には、光ディスク１に記録しようとする記録データが、記録データエンコーダ１２で、例えばＲＬＬ（１，７）変調等のエンコード処理が施され、そのエンコード信号がライトストラテジ回路１１に供給される。ライトストラテジ回路１１では、エンコード信号に応じたレーザ駆動パルスを生成する。ライトストラテジ回路１１で生成されるレーザ駆動パルスのパルスレベルや記録エッジ位置は、システムコントローラ１３からの設定値により調整される。
このライトストラテジ回路１１で生成され、ストラテジ調整されたレーザ駆動パルスが、レーザドライバ１０を介して光学ヘッド内のレーザダイオードの駆動信号となる。
【００２１】
再生時には、光学ヘッド３で読み出された再生信号がイコライザ（ＥＱ）４で処理された後、ＡＤ変換器でサンプリングされてデジタル値としての再生データとされる。
ＰＬＬ（Phase Locked Loop）回路６は、再生データに同期した再生クロックＣＫを生成する。再生クロックＣＫはＡ／Ｄ変換器５のサンプリングクロックとして用いられると共に、後段のＰＲ等化回路７，最尤復号回路８、マークエッジ位置誤差検出回路９に処理クロックとして供給される。
Ａ／Ｄ変換器５からの再生データは、ＰＲ等化回路７で所定のパーシャルレスポンス方式に応じたＰＲ等化が施された後、最尤復号器８に供給され、ビタビ復号が行われる。最尤復号器８でビタビ復号された復号データは、図示しない再生処理系に供給される。
【００２２】
ＰＲ等化回路７で処理されたデータＤＤは、マークエッジ位置誤差検出回路９にも供給される。
マークエッジ位置誤差検出回路９は、データＤＤのデータ系列から先の図１２Ｄで説明したマークエッジ位置及びマークエッジ位置誤差ｍを検出する。例えばデータＤＤとして値の異なる２つのサンプル点（「１」と「０」）の間の直線とスライスレベルのクロス点をマークエッジ位置とし、そのマークエッジ位置と再生クロックＣＫのタイミングからマークエッジ位置誤差ｍを検出する。このマークエッジ位置誤差検出回路９では例えばマークの始端側となる始端マークエッジ位置誤差、マークの終端側となる終端マークエッジ位置誤差などが検出される。
また最尤復号回路８からは、ビタビ復号で検出されたマーク長／スペース長の情報が、マーク／スペース識別結果情報ＭＳとしてマークエッジ位置誤差検出回路９に供給される。これにより、マークエッジ位置誤差検出回路９はマーク長毎のマークエッジ位置誤差や、マークの前／後のスペース長で区別した各エッジ位置ごとのマークエッジ位置誤差を検出できる。
なお、この構成例では、マークエッジ位置誤差検出回路９は、ＰＲ等化回路７からのデータＤＤについてマークエッジ位置誤差の検出を行うようにしているが、ＰＲ等化前のデータ列、つまりＡ／Ｄ変換器５からの出力段階の再生データ列をマークエッジ位置誤差検出回路９に供給して、マークエッジ位置誤差を検出するようにしてもよい。
【００２３】
マークエッジ位置誤差検出回路９で検出されるマークエッジ位置誤差の情報はシステムコントローラ１３に供給される。
システムコントローラ１３は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）やＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）などのメモリ装置を備えて成るマイクロコンピュータで構成される。
システムコントローラ１３は、後述するようにして、マークエッジ位置誤差の情報を用いて最適とされるストラテジ設定を算出し、ライトストラテジ回路１１に設定する。
具体的にこの場合、ストラテジ調整としては、例えば初期ＯＰＣ時など予め定められた所定のタイミングで、ユーザデータエリア以外の調整エリア（テストエリア）にてストラテジを振って測定させたマークエッジ位置誤差の値に基づき、最適とされるストラテジ設定を求めるものとなる。
【００２４】
また、システムコントローラ１３に対しては、メモリ１４が設けられる。このメモリ１４には、後述する実施の形態としてのストラテジ調整を実現する処理をシステムコントローラ１３に実行させるための制御プログラム１４ａが格納されている。
【００２５】
なお、光学ヘッド３におけるフォーカスサーボ、トラッキングサーボ動作や光学ヘッドの移送（スレッド移動）動作などは、図示しないサーボ回路やサーボ駆動機構（光学ヘッド内の二軸機構やスレッド機構など）によって行われる。
またスピンドルモータ２の回転制御もサーボ回路によって行われる。システムコントローラ１３は、サーボ回路に指示を行って、記録動作、再生動作のためのスピンドルモータ２の駆動や光学ヘッド３の挙動を制御し、光ディスク１に対する記録動作や再生動作を実行させる。
【００２６】
＜２．第１ストラテジ調整＞
［2-1．第１ストラテジ調整の基本となる考え方］
先ず前提として、本実施の形態では、ストラテジ調整として、前後スペース長を考慮しない第１ストラテジ調整を行って、各マーク長ごとに、その始端（フロント）エッジ位置、終端（リア）エッジ位置についてのエッジ位置動かし量（シフト量）を求め、このように求めた動かし量に基づき、前後スペース長も考慮した始端エッジ位置、終端エッジ位置についての動かし量を計算により求めるという手法を採る。
以下では先ず、前後スペース長を考慮せずに行う第１ストラテジ調整について説明する。
なお、該第１ストラテジ調整は、先に挙げた特許文献１，２において「第１の調整例」として説明される手法と同様の手法となる。
【００２７】
先ずは第１ストラテジ調整の基本となる考え方について述べておく。
本例の第１ストラテジ調整は、予め定められた基準となるストラテジ（初期ストラテジと呼ぶ）を基準としてストラテジを調整する。ここで初期ストラテジは、例えば光ディスク１に予め記録されている管理情報に含まれているストラテジ推奨情報であったり、或いは記録再生装置に記憶されているストラテジ設定情報である。記録再生装置においては、例えば光ディスク１の製造メーカーやディスク種別などに応じて、それぞれ対応する初期ストラテジを記憶している場合もある。
【００２８】
初期ストラテジ調整処理では、初期ストラテジを基準にして、複数の異なるストラテジ設定の状態でそれぞれ調整用の記録（試し書き）を行う。
例えばシステムコントローラ１３は、初期ストラテジを基準として選定したストラテジ設定をライトストラテジ回路１１に設定した状態で、記録データエンコーダ１２にランダムデータを供給する。そのランダムデータは、記録データエンコーダ１２で例えばＲＬＬ（１，７）方式等の変調処理が施され、ライトストラテジ回路１１に供給される。ライトストラテジ回路１１は、そのときのストラテジ設定に基づいて、ランダムデータの変調データに応じたレーザ駆動パルスを生成する。このレーザ駆動パルスがレーザドライバ１０に供給され、光学ヘッド３のレーザダイオードを駆動することで、光ディスク１に調整のための試し記録が行われる。
【００２９】
また、システムコントローラ１３は、記録したランダムデータを再生させ、そのときにマークエッジ位置誤差検出回路９で検出されるマークエッジ位置誤差の値を取得する。
このような処理を、複数のストラテジ設定状態で実行し、それぞれのストラテジ設定状態で記録したデータを再生したときに、マークエッジ位置誤差の情報を取得していく。そして各ストラテジ設定状態でのマークエッジ位置誤差の挙動を学習して、マークエッジ位置誤差を０とする最適なストラテジ設定を算出し、当該最適なストラテジ設定をライトストラテジ回路１１に設定する。
【００３０】
第１ストラテジ調整において、検出されるマークエッジ位置誤差からの最適ストラテジの算出は以下の考え方に基づき行う。
先ず、マークエッジ位置誤差と記録エッジ位置のシフト量（動かし量）の関係を線形であると仮定する。
ここで、調整対象とする記録エッジ位置のシフト量はｑ種類あり、ベクトルＷで表す。例えば図２には、２Ｔマーク、３Ｔマーク、４Ｔマークのそれぞれの場合のレーザ駆動パルスを示している。図では主にファーストパルスの記録エッジ位置である始端記録エッジ位置のシフトをＷＦ、主にラストパルスの記録エッジ位置である終端記録エッジ位置のシフトをＷＲで表し、特にこの図ではこれを２Ｔ、３Ｔ、４Ｔの別に応じて、ＷＦM2、ＷＲM2、ＷＦM3、ＷＲM3、ＷＦM4、ＷＲM4というように示している。
本実施の形態では、２Ｔマーク、３Ｔマーク、４Ｔマーク等のマーク長について個別に、ファーストパルスとラストパルスのエッジを調整すべき記録エッジ位置とする。つまりこの場合、各マーク長ごとに、調整対象とする記録エッジ位置はＷＦとＷＲの２種類となる。このとき上記ｑ＝２となる。
例えば２Ｔマークのレーザ駆動パルスについて調整のために算出する記録エッジ位置はＷＦとＷＲであり、同様に３Ｔマーク、４Ｔマークについても、それぞれ調整のために算出する記録エッジ位置はＷＦとＷＲである。
【００３１】
上述のように、調整のために算出すべき記録エッジ位置はｑ種類とし、ベクトルＷで表す。
一方で、マークエッジ位置誤差はｐ種類あるとし、ベクトルｄで表す。
測定すべきマークエッジ位置誤差の種類ｐは、ここで説明している第１ストラテジ調整のように各マーク長について始端記録エッジ位置、終端記録エッジ位置の区別のみ（つまり前後スペース長の別を考慮しない）でそれぞれの最適エッジシフト量を求める場合にあっては、記録エッジ位置の種類ｑと同数となる。
また、初期ストラテジでのマークエッジ位置誤差をベクトルＤで表す。
このとき、次の（数１）に示すｐ×ｑの行列Ｃは、記録エッジ位置のシフト量に対する各マークエッジ位置についてのマークエッジ位置誤差の挙動を表すものであり、以下、「干渉感度」或いは単純に「感度」とも呼ぶ。
また、初期ストラテジでのマークエッジ位置誤差Ｄは、下記（数１）で表す一次関数におけるオフセットの値として捉えることができ、この点で以下、オフセット値Ｄとも表記する。
【数１】
2014032719.tif 000003
この（数１）のように、記録エッジ位置のシフト量とマークエッジ位置誤差との関係は線形であると仮定する。
【００３２】
ここで、ｑ＋１通りのストラテジ設定状態で調整のための試し記録を行い、マークエッジ位置誤差ｄを取得することで、行列ＣとオフセットＤとを求めることができる。そして、求めた行列とベクトルから、次の（数２）の計算をすることで、最適とされる記録エッジ位置の動かし量Ｗ0を求めることができる。
【数２】
2014032719.tif 000004
ここで、Ｃ#は、本例のようにｐ＝ｑの場合は逆行列となる。ｐ＞ｑの場合は擬似逆行列となる。
【００３３】
なお、ｑ＋１通りでの試し記録が必要な理由は、上記（数１）の行列ＣとオフセットＤを求めるために必要最小限の試し記録がｑ＋１通りであるためである。
また、ｑ＋１通りの試し記録におけるエッジ位置のシフト量Ｗtestは、適当に選んだひとつの記録エッジシフト量Ｗ0に対して、Ｗ0を基準としたｑ種類のベクトルが１次独立なベクトルとなるように選べばよい。つまり、適当な記録エッジシフト量Ｗ0を選び、Ｗ1＋Ｗ0、Ｗ2−Ｗ0、・・・ Ｗq+1−Ｗ0のベクトルが１次独立になるように選ぶ。
具体的に、本例のようにｐ＝２，ｑ＝２の場合は、Ｗ0を[0 0]Tと選び、1次独立なベクトル[1 0]T、 [0 1]Tを選べばよい。
【００３４】
ここで、本実施の形態で用いるマークエッジ位置誤差と記録エッジ位置とについて説明する。
まず、直前のスペースとその直後のマークとの境界位置を始端マークエッジ位置と呼ぶ。また直前のマークとその直後のスペースとの境界位置を終端マークエッジ位置と呼ぶ。
本例では、マーク長とスペース長を２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ，５Ｔ以上という分け方により分類するものとする。ここでＴはチャネルクロック周期である。
なお、本実施の形態では、第１ストラテジ調整後、最終的にはマーク前後のスペース長も考慮した記録エッジ位置の動かし量（記録エッジシフト量）を求めるものとなるが、この場合において、例えば２Ｔスペースから３Ｔマークへの始端マークエッジ位置の場合はS2M3というように表す。また、終端マークエッジ位置に関して、例えば３Ｔマークから４Ｔスペースへのエッジ位置の場合はM3S4というように表す。例えば、図１２に示した３Ｔマークから２Ｔスペースのマークエッジ位置ＭＥＰは、MepM3S2と表す。
【００３５】
次にマークエッジ位置誤差を定義する。
第１ストラテジ調整においては、マーク前後のスペース長の別は考慮しないので、調整対象とする各マーク長ごと（本例の場合は２Ｔ,３Ｔ,４Ｔ,５Ｔ以上ごと）に、マークエッジ位置誤差を始端マークエッジ位置誤差ｄＦ、終端マークエッジ位置誤差ｄＲとして述べる。
本例の第１ストラテジ調整では、このマークエッジ位置誤差が０となるように記録エッジ位置を調整するものである。
例えばマークエッジ位置誤差を次の＜１＞＜２＞又は＜３＞のように定義することができる。
＜１＞マークエッジ位置そのもの。
＜２＞基準となるマーク長に調整する。
ある基準となるマークエッジ位置を決定し、基準のマークエッジ位置との差分をマークエッジ位置誤差とする。例えば始端マークエッジ位置（スペースからマーク）については５Ｔ以上スペース、５Ｔ以上マークのマークエッジ位置を基準とした場合を考え、終端マークエッジ位置（マークからスペース）については５Ｔ以上マーク、５Ｔ以上スペースのマークエッジ位置を基準とした場合を考える。
例えば、２Ｔスペース→２Ｔマークの始端エッジ位置についての始端マークエッジ位置誤差ｄS2M2Ｆと、２Ｔマーク→２Ｔスペースの終端エッジ位置についての終端マークエッジ位置誤差ｄM2S2Ｒは、次の（数３）のように定義する。
【数３】
2014032719.tif 000005
但し（数３）において、S5^は５Ｔ以上スペース、M5^は５Ｔ以上マークを表す。
【００３６】
＜３＞すべてのマーク長における平均を基準にする。
始端マークエッジ位置（スペースからマーク）については始端マークエッジ位置の平均値MepSxMxを基準とし、終端マークエッジ位置（マークからスペース）については終端マークエッジ位置の平均値MepMxSxを基準とする。この場合、例えば始端マークエッジ位置誤差ｄS2M2Ｆと、終端マークエッジ位置誤差ｄM2S2Ｒは、次の（数４）のように定義する
【数４】
2014032719.tif 000006
【００３７】
ストラテジ調整では、マークエッジ位置を移動させるために記録波形のエッジ位置を動かす。この場合、レーザ駆動パルスを構成するパルスのどのエッジ位置をどの組み合わせで動かして調整してもよい。
例えば、始端マークエッジ位置を調整する部分を始端記録エッジ位置と呼び、始端マークエッジ位置を調整する部分を終端記録エッジ位置とすると、調整すべき記録エッジ位置は、先の図２のようなエッジ位置シフト（ＷＦM2、ＷＲM2、ＷＦM3、ＷＲM3、ＷＦM4、ＷＲM4）が行われればよい。
また、例えば図３にＭＶ１〜ＭＶ７としてファーストパルス、マルチパルス、ラストパルスのエッジを示しているが、それぞれのパルスについてのエッジの動かし方は次のような例が考えられる。
ファーストパルスについては、エッジＭＶ１のみを動かす例、エッジＭＶ２のみを動かす例、或いはエッジＭＶ１、ＭＶ２を連動させる例がある。
マルチパルスについては、エッジＭＶ３のみを動かす例、エッジＭＶ４のみを動かす例、或いはエッジＭＶ３、ＭＶ４を連動させる例がある。
ラストパルスについては、エッジＭＶ５のみを動かす例、エッジＭＶ６のみを動かす例、エッジＭＶ７のみを動かす例、エッジＭＶ５、ＭＶ６を連動させる例、エッジＭＶ５、ＭＶ７を連動させる例、エッジＭＶ６、ＭＶ７を連動させる例、エッジＭＶ５、ＭＶ６、ＭＶ７を連動させる例がある。
【００３８】
［2-2．具体的な調整手法］
上記の前提を踏まえた上で、以下、第１ストラテジ調整について具体的に説明する。
第１ストラテジ調整では、マーク前後のスペース長は考慮せず、他のＴのマーク／スペースの干渉が少ないことを前提としている。特には、マークエッジ位置誤差と記録エッジのシフト量の関係としての上述した特性１及び特性２を考慮した調整方式といえる。端的に言えば、或る記録エッジ位置を動かすと、その動かした側のマークエッジ位置のみでなく、他端側のマークエッジ位置も連動して動くという点を主に考慮した調整方式となる。
【００３９】
ここでは前述の通り、マーク長とスペース長については２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ，５Ｔ以上という分類をするものとする。そしてマークエッジ位置誤差については、上記＜２＞のように、５Ｔ以上のマークエッジ位置を基準として定義するものとする。
調整対象とするマーク長は、２Ｔ、３Ｔ、４Ｔ、５Ｔ以上の分類であり、これらのマーク長のそれぞれについて、始端記録エッジ位置、終端記録エッジ位置を求める例とする。
この場合、前後スペース長の別は考慮しないので、上記の各マーク長（２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ，５Ｔ以上）ごとに測定すべきマークエッジ位置誤差ｄは、これら各マーク長をMnで表すと、その始端マークエッジ位置誤差ｄSxMnＦと、終端マークエッジ位置誤差ｄMnSxの２値となる。これら各マーク長ごとの始端マークエッジ位置誤差ｄSxMnＦ、終端マークエッジ位置誤差ｄMnSxは、前後スペース長を表すSxを省略して、単純にｄMnＦ、ｄMnＲと表記できる。
【００４０】
ここで、各マーク長の別を区別しない形で、記録エッジ位置を移動したときの始端マークエッジ位置誤差をｄＦ、終端マークエッジ位置誤差をｄＲと表す。
同様に各マーク長を区別しない形で、記録エッジ位置のシフト量を、始端と終端に区別してそれぞれＷＦ, ＷＲで表す。なお確認のため述べておくと、これら始端側のシフト量ＷＦ, 終端側のシフト量ＷＲは、それぞれ初期ストラテジとして設定された始端側記録エッジ位置、終端側記録エッジ位置からのシフト量（動かし量）を表すものである。
また、初期ストラテジで記録したときのマークエッジ位置誤差としての、前述したオフセットＤに関して、始端マークエッジ位置誤差ｄＦについてのオフセットＤをＤ１、終端マークエッジ位置誤差ｄＲについてのオフセットＤをＤ２と表す。
このときの記録エッジ位置のシフト量ＷＦ，ＷＲに対する始端マークエッジ位置誤差ｄＦ、終端マークエッジ位置誤差ｄＲは、先の（数１）の考え方から、次の（数５）のように表される。
【数５】
2014032719.tif 000007
【００４１】
調整対象とする各マーク長ごとにｑ＝２種類の記録エッジ位置のシフト量Ｗ、すなわち始端記録エッジ位置のシフト量ＷＦと終端記録エッジ位置のシフト量ＷＲとを求めるために、ｑ＋１＝３とおりのストラテジ設定で調整のための試し記録を行う。そして、それを再生したときに得られる始端マークエッジ位置誤差ｄＦ、終端マークエッジ位置誤差ｄＲを０にできるような始端記録エッジ位置シフト量ＷＦ、終端記録エッジ位置シフト量ＷＲを上記各マーク長ごとに算出すればよい。
２種類の記録エッジ位置シフト量ＷＦ, ＷＲと２種類のマークエッジ位置誤差ｄＦ、ｄＲとの関係が線形であると仮定し、３通りのストラテジ設定で試し記録を行う。このときに行列Ｃ（Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２）とオフセットＤ（Ｄ１，Ｄ２）とを求めることで、先の（数２）から最適ストラテジを求めることができる。
【００４２】
調整のための試し記録（試し書き）は次のように行う。
先ず、調整対象とする各マーク長（２Ｔマーク、３Ｔマーク、４Ｔマーク）についての記録エッジ位置のシフトは、それぞれ先の図２に示したようなエッジシフトとする。
このとき、３通りのストラテジ設定ＳＴ１，ＳＴ２，ＳＴ３を、図４に示すように初期ストラテジを原点とし、記録波形移動量を（始端記録波形移動量，終端記録波形移動量)のように表すと、（１[ns]，１[ns]）、（−１[ns]，１[ns]）、（−１[ns]，−１[ns]）の３点とする。ここで[ns]はnano secの略である。
図４のように３つのストラテジ設定ＳＴ１，ＳＴ２，ＳＴ３で例えばランダムデータを記録したときのマークエッジ位置誤差ｄを測定することにより、（数５）の行列ＣとオフセットＤが求まる。そこから（数２）の計算より調整すべきレーザ駆動パルスの記録エッジ位置シフト量Ｗが計算される。
【００４３】
第１ストラテジ調整処理のフローチャートを図５に示す。これはシステムコントローラ１３による制御処理となる。具体的には、先の図１に示した制御プログラム１４ａに従って行われる制御処理である。
システムコントローラ１３は、先ずステップＳ１０１で変数ｉを１にセットする。そしてステップＳ１０２で、ライトストラテジ回路１１を第ｉのストラテジ設定（ＳＴｉ）に制御する。例えば上記ストラテジ設定ＳＴ１の状態、つまり始端記録波形移動量を１[ns]、終端記録波形移動量を１[ns]に設定する。このストラテジ設定ＳＴ１は、調整対象とする各マーク長ごと（２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ，５Ｔ以上）について行う。
【００４４】
システムコントローラ１３は、この状態でステップＳ１０３の記録を実行させる。この場合システムコントローラ１３は、調整のための試し記録用のデータとしてランダムデータを発生させ、記録データエンコーダ１２に与える。このランダムデータが記録データエンコーダ１２で変調され、変調されたデータに応じてライトストラテジ回路１１においてレーザ駆動パルスとしての波形が成形される。このときストラテジ設定ＳＴ１に従って、調整対象とする各マーク長について、それぞれ始端記録エッジ位置シフト量ＷＦMn＝１[ns]、終端記録エッジ位置シフト量ＷＲMn＝１[ns]としてレーザ駆動パルスが生成される。そしてこのレーザ駆動パルスがレーザドライバ１０に供給され、光学ヘッド３内のレーザダイオードが発光駆動されて記録が行われる。
【００４５】
続いてステップＳ１０４では、ステップＳ１０３で記録したデータの読出が行われる。システムコントローラ１３は、光学ヘッド３及び再生系各部を制御して再生動作を実行させ、このときマークエッジ位置誤差検出回路９で、マークエッジ位置誤差ｄを検出（測定）させる。具体的には、２Ｔマーク、３Ｔマーク、４Ｔマーク，５Ｔ以上マークのそれぞれについて、始端マークエッジ位置誤差ｄＦ（ｄM2Ｆ，ｄM3Ｆ，ｄM4Ｆ，ｄM5^Ｆ）、終端マークエッジ位置誤差ｄＲ（ｄM2Ｒ，ｄM3Ｒ，ｄM4Ｒ，ｄM5^Ｒ）を検出させる。
【００４６】
ステップＳ１０５では、変数ｉを確認し、ｉ≧３でなければ、ステップＳ１０６で変数ｉをインクリメントしてステップＳ１０２、Ｓ１０３，Ｓ１０４の処理を同様に実行する。
すなわち、始端記録エッジ位置シフト量ＷＦMn＝−１[ns]、終端記録エッジ位置シフト量ＷＲMn＝１[ns]とする第２のストラテジ設定ＳＴ２でレーザ駆動パルスを生成させ、ランダムデータの記録を実行させる。そしてそれを再生させて、２Ｔマーク、３Ｔマーク、４Ｔマーク、５Ｔ以上マークのそれぞれについて、始端マークエッジ位置誤差ｄMnＦ、終端マークエッジ位置誤差ｄMnＲを検出させる。
さらに、ステップＳ１０５からＳ１０６に進み、変数ｉをインクリメントしてステップＳ１０２、Ｓ１０３，Ｓ１０４の処理を同様に実行する。
すなわち、始端記録エッジ位置シフト量ＷＦMn＝−１[ns]、終端記録エッジ位置シフト量ＷＲMn＝−１[ns]とする第３のストラテジ設定ＳＴ３でレーザ駆動パルスが生成させ、ランダムデータの記録を実行させる。そしてそれを再生させて、２Ｔマーク、３Ｔマーク、４Ｔマーク，５Ｔ以上マークのそれぞれについて、始端マークエッジ位置誤差ｄMnＦ、終端マークエッジ位置誤差ｄMnＲを検出させる。
【００４７】
以上の処理で、図４に示したストラテジ設定ＳＴ１、ＳＴ２，ＳＴ３のそれぞれで試し書き及び評価値の取得を行ったら、ステップＳ１０５からＳ１０７に進む。
ステップＳ１０７において、システムコントローラ１３は、それぞれのストラテジ設定における始端記録エッジ位置シフト量ＷＦMn、終端記録エッジ位置シフト量ＷＲMnと、検出された始端マークエッジ位置誤差ｄMnＦ、終端マークエッジ位置誤差ｄMnＲとを用いて、２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ，５Ｔ以上の各マーク長ごとに感度計算を行う。
これは、先の（数５）における行列Ｃ１，Ｃ２（Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２）とオフセットＤ（Ｄ１，Ｄ２）とを求める処理となる。具体的には、（数５）に、第１〜３のストラテジ設定としての始端記録エッジ位置シフト量ＷＦMn、終端記録エッジ位置シフト量ＷＲMnとそれらの設定区間で測定された始端マークエッジ位置誤差ｄMnＦ、終端マークエッジ位置誤差ｄMnＲとを代入し、それにより得られる３式の連立方程式を解くことで、行列Ｃ１，Ｃ２（Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２）とオフセットＤ（Ｄ１，Ｄ２）とを求める。
【００４８】
ステップＳ１０７で行列Ｃ１，Ｃ２（Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２）とオフセットＤ（Ｄ１，Ｄ２）とを各マーク長ごとに求めたら、ステップＳ１０８で、先の（数２）に基づき最適ストラテジを算出する。つまり、始端マークエッジ位置誤差ｄMnＦ、終端マークエッジ位置誤差ｄMnＲがそれぞれ０となるような始端記録エッジ位置シフト量ＷＦMn、終端記録エッジ位置シフト量ＷＲMnを各マーク長ごとに求めるものである。
確認のため述べておくと、（数２）は、（数１）においてｄ＝０とした「０＝Ｃ・Ｗ＋Ｄ」より導出されたものである。
【００４９】
具体的に、該ステップＳ１０８では、２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ，５Ｔ以上の各マーク長ごとに、ステップＳ１０７にて求めた行列Ｃ（干渉感度Ｃ）の逆行列Ｃ#をそれぞれ計算し、該逆行列Ｃ#と、上記各マーク長ごとに求めたオフセットＤ（Ｄ１，Ｄ２）とを用いてそれぞれ（数２）を解くことで、始端マークエッジ位置誤差ｄMnＦ、終端マークエッジ位置誤差ｄMnＲをそれぞれ０とする始端記録エッジ位置シフト量ＷＦMn、終端記録エッジ位置シフト量ＷＲMnを上記各マーク長ごとに求める。
なおステップＳ１０８において、システムコントローラ１３は、上記のようにして計算した干渉感度Ｃ及びオフセットＤの情報を、後述する前後スペース長を考慮したストラテジ計算に用いるべく、例えばメモリ１４などの所要のメモリに対して保持（記憶）させておく。
【００５０】
以上で、第１ストラテジ調整処理は完了となる。
【００５１】
なお確認のため、ステップＳ１０７，Ｓ１０８の計算処理の考え方を、図６、図７，図８を用いて説明しておく。
図６は２Ｔマーク、図７は３Ｔマーク、図８は４Ｔマークについてそれぞれ示している。
各図においては、始端記録エッジ位置シフト量ＷＦMn、終端記録エッジ位置シフト量ＷＲMnについて設定される上記の３つのストラテジ設定ＳＴ１、ＤＴ２，ＤＴ３を、それぞれ◇で示している。また実線でマークエッジ位置誤差を等高線で示している。等高線の値はそれぞれ下段に示すようになる。
例えば図６Ａの始端マークエッジ位置誤差ｄMnＦ（ｄM2Ｆ）については、下段に示すように、始端マークエッジ位置誤差ｄMnＦの値が０となるポイントから右斜め下方向に向かって＋、左斜め上に向かって−となっていくような等高線が描かれる。
【００５２】
ステップＳ１０７での感度計算で行列Ｃを求めるときには、２種類の記録エッジ位置（始端記録エッジ位置シフト量ＷＦMn、終端記録エッジ位置シフト量ＷＲMn）と、上記２種類のマークエッジ位置誤差（始端マークエッジ位置誤差ｄMnＦ、終端マークエッジ位置誤差ｄMnＲ）との関係が線形であることが前提となっており、つまり等高線がリニアになると考えることで、図６Ａ，図６Ｂのように、始端マークエッジ位置誤差ｄMnＦ、終端マークエッジ位置誤差ｄMnＲについて、等高線を描くことができる。
ここでステップＳ１０８での最適ストラテジの計算は、始端と終端のマークエッジ位置誤差ｄMnＦ、ｄMnＲの２乗和が最小になる位置にストラテジを調整することになる。図６Ｃには、２乗和の等高線を示しているが、この２乗和が最小（例えば０）になるポイントを◆で示している。なお初期ストラテジを●で示している。
つまり初期ストラテジ●と最小ポイント◆の差分が、始端記録エッジ位置シフト量ＷＦMn、終端記録エッジ位置シフト量ＷＲMnとしての初期ストラテジに対する補正量となる。
この図６は２Ｔマークについて示しているが、３Ｔマーク、４Ｔマークについても、図７，図８に示すように、最終的に最適ストラテジのポイント（初期ストラテジからの補正量）が◆で示すポイントとして算出される。
このように各図に◆で示すポイントが、始端記録エッジ位置シフト量ＷＦMn、終端記録エッジ位置シフト量ＷＲMnとしての最適設定となる。
【００５３】
なお、先に挙げた特許文献１，２にも記載されているように、上記のような第１ストラテジ調整処理は、マーク長の分類をすべて同時に学習することにより、他のマーク長のパルス移動の影響を小さくできるという利点がある。また、調整すべき記録エッジ位置の種類を、レーザ駆動パルスの始端エッジと終端エッジの２種類というように少なくしていることで、試し書き量を少なくでき、テストエリアの消費量の削減、及び調整時間の短縮化が図られるものとなる。
【００５４】
＜３．前後スペース長考慮のストラテジ調整＞
本実施の形態では、上記のような前後スペース長の別を考慮しない第１ストラテジ調整を行って、調整対象の各マーク長ごとに始端記録エッジ位置シフト量ＷＦMn、終端記録エッジ位置シフト量ＷＲMnと、感度Ｃ（Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２）及びオフセットＤ（Ｄ１，Ｄ２）とを求める。その上で、これらの各値を用いた以下のような処理を行うことで、前後スペース長の別も考慮した最適ストラテジ調整を実現する。
【００５５】
ここで、本例では、前述のようにマーク長、スペース長について２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ，５Ｔ以上と分類するものとしている。調整対象とするマーク長は、２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ，５Ｔ以上の分類となる。
前後スペース長の別を考慮する場合には、調整対象とする各マーク長Mn（n＝2，3，4，5^）について、その始端記録エッジ位置ＷＦはそのマークMnの前方に配されるスペース長（S2，S3，S4，S5^）ごとに区分する。また終端記録エッジ位置ＷＲは、そのマークMnの後方に配されるスペース長（S2，S3，S4，S5^）ごとに区分する。
従ってこの場合、調整対象とする記録エッジ位置のシフト量Ｗの種類は、以下の３２種類となる（ｑ＝３２）。
（２Ｔマークについて）
ＷＦS2M2，ＷＦS3M2，ＷＦS4M2，ＷＦS5^M2
ＷＲM2S2，ＷＲM2S3，ＷＲM2S4，ＷＲM2S5^
（３Ｔマークについて）
ＷＦS2M3，ＷＦS3M3，ＷＦS4M3，ＷＦS5^M3
ＷＲM3S2，ＷＲM3S3，ＷＲM3S4，ＷＲM3S5^
（４Ｔマークについて）
ＷＦS2M4，ＷＦS3M4，ＷＦS4M4，ＷＦS5^M4
ＷＲM4S2，ＷＲM4S3，ＷＲM4S4，ＷＲM4S5^
（５Ｔ以上のマークについて）
ＷＦS2M5^，ＷＦS3M5^，ＷＦS4M5^，ＷＦS5^M5^
ＷＲM5^S2，ＷＲM5^S3，ＷＲM5^S4，ＷＲM5^S5^
【００５６】
上記の前提を踏まえた上で、前後スペース長を考慮した、本実施の形態としての最適ストラテジ算出手法を説明する。
先ず、先に説明した第１ストラテジ調整処理が完了したことに応じて、該第１ストラテジ調整処理によって求まった最適ストラテジを設定した試し書きを行う。すなわち、第１ストラテジ調整処理によって調整対象とする各マーク長（M2，M3，M4，M5^）ごとに求まった始端記録エッジ位置シフト量ＷＦ（ＷＦM2，M3，M4，M5^）、終端記録エッジ位置シフト量ＷＲ（ＷＲM2，M3，M4，M5^）をそれぞれ設定した試し書きを行うものである。
なお確認のため述べておくと、５Ｔ以上マークについて求まった始端記録エッジ位置シフト量ＷＦM5^、終端記録エッジ位置シフト量ＷＲM5^は、それぞれ５Ｔ以上マークとしての５Ｔ，６Ｔ，７Ｔ，８Ｔの各マークについて設定するものである。
【００５７】
本実施の形態では、上記のような試し書きにより記録した信号についてマークエッジ位置誤差ｄとしての評価値を取得した結果に基づき、前後スペース長を考慮した最適ストラテジを計算により求める。
【００５８】
図９は、上記のように第１ストラテジ調整で求まった最適ストラテジ（前後スペース長の別を考慮せずに求めた最適ストラテジ）を設定した試し書きを行って得られる、あるマーク長Mnについてのマークエッジ位置誤差ｄの測定結果の例を示している。
具体的に、この図９においては、横軸をマークエッジ位置誤差ｄ、縦軸を度数（サンプル数）として、マーク長Mnによるマークの各始端エッジ位置ごとのマークエッジ位置誤差ｄ（始端マークエッジ位置誤差ｄＦ）の度数分布を示している。より具体的には、マーク長Mnのマークについて、その前方スペース長S2，S3，S4，S5^ごとに区別した各始端エッジ位置（S2Mn，S3Mn，S4Mn，S5^Mn）についての始端マークエッジ位置誤差ｄＦの度数分布を表している。
またこの図９では、これら各始端エッジ位置S2Mn，S3Mn，S4Mn，S5^Mnについてそれぞれ測定される始端マークエッジ位置誤差ｄS2MnＦ，ｄS3MnＦ，ｄS4MnＦ，ｄS5^MnＦの値をそれぞれ縦破線によって表している。
ここで、この図からも明らかなように、マークエッジ位置誤差ｄの最終的な評価値としては、測定対象とするエッジ位置（この場合はS2Mn、S3Mn、S4Mn，S5^Mn）ごとに逐次得られる複数のマークエッジ位置誤差ｄの値の平均値を求めることになる。
【００５９】
またこの図９では、マーク長Mnのマークについて、その前後のスペース長を区別せずに取得した始端マークエッジ位置誤差ｄＦについての度数分布（図中SxMn）と、その平均値としての始端マークエッジ位置誤差ｄSxMnＦの値とをそれぞれ一点鎖線で示している。
【００６０】
なお図示は省略したが、終端マークエッジ位置誤差ｄMnS2Ｒ，ｄMnS3Ｒ，ｄMnS4Ｒ，ｄMnS5^Ｒについても、図９に示すような所要の分布を示すものとなる。
【００６１】
本実施の形態では、この図９に示すような分布を示す、前方スペース長ごとに区別して取得した各始端マークエッジ位置誤差ｄＦ（ｄS2MnＦ，ｄS3MnＦ，ｄS4MnＦ，ｄS5^MnＦ）の値が、それぞれ、前方スペース長を区別せずに取得したいわばトータルとしての始端マークエッジ位置誤差ｄSxMnＦの値に近づくように、調整対象とする各始端エッジ位置S2Mn，S3Mn，S4Mn，S5^Mnについての始端記録エッジ位置シフト量ＷＦS2Mn，ＷＦS3Mn，ＷＦS4Mn，ＷＦS5^Mnを求める。
同様に終端エッジ側についても、後方スペース長ごとに区別して取得した各終端マークエッジ位置誤差ｄＲ（ｄMnS2Ｒ，ｄMnS3Ｒ，ｄMnS4Ｒ，ｄMnS5^Ｒ）の値が、それぞれ、後方スペース長を区別せずに取得したいわばトータルとしての終端マークエッジ位置誤差ｄMnSxＲの値に近づくように、調整対象とする各終端エッジ位置MnS2，MnS3，MnS4，MnS5^についての終端記録エッジ位置シフト量ＷＲMnS2，ＷＲMnS3，ＷＲMnS4，ＷＲMnS5^を求める。
【００６２】
このように前後スペース長で区別した各調整対象エッジ位置について、それらのマークエッジ位置誤差ｄの値を前後スペース長を区別せずに取得したトータルのマークエッジ位置誤差ｄの値に近づけるということは、それら対象エッジ位置のばらつきが低減されることを意味する。すなわち、これによりジッターの低減が図られる。
このことからも理解されるように、上記の手法で始端記録エッジ位置シフト量ＷＦS2Mn，ＷＦS3Mn，ＷＦS4Mn，ＷＦS5^Mn、終端記録エッジ位置シフト量ＷＲMnS2，ＷＲMnS3，ＷＲMnS4，ＷＲMnS5^を求めるものとすれば、前後スペース長を考慮した最適なストラテジ設定の導出が実現されるものである。
【００６３】
ここで、具体的な計算手法の例を説明しておく。
先ず、この場合も、記録エッジ位置のシフト量Ｗとマークエッジ位置誤差ｄの値との関係は、先の（数５）のように線形であるものと仮定する。
この仮定の下において、上述のように各始端マークエッジ位置誤差ｄS2MnＦ，ｄS3MnＦ，ｄS4MnＦ，ｄS5^MnＦの値をそれぞれトータルの始端マークエッジ位置誤差ｄSxMnＦの値に近づけさせるために設定すべき始端記録エッジ位置シフト量ＷＦS2Mn，ＷＦS3Mn，ＷＦS4Mn，ＷＦS5^Mnの値は、第１ストラテジ調整で求まった感度Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２、及びオフセットＤ１，Ｄ２を用いて、それぞれ以下の一次方程式を解くことで求められる。
ｄSxMnＦ−ｄS2MnＦ＝Ｃ１１・ＷＦS2Mn＋Ｃ１２・０＋Ｄ１
ｄSxMnＦ−ｄS3MnＦ＝Ｃ１１・ＷＦS3Mn＋Ｃ１２・０＋Ｄ１
ｄSxMnＦ−ｄS4MnＦ＝Ｃ１１・ＷＦS4Mn＋Ｃ１２・０＋Ｄ１
ｄSxMnＦ−ｄS5^MnＦ＝Ｃ１１・ＷＦS5^Mn＋Ｃ１２・０＋Ｄ１
【００６４】
同様に、各終端マークエッジ位置誤差ｄMnS2Ｒ，ｄMnS3Ｒ，ｄMnS4Ｒ，ｄMnS5^Ｒの値をそれぞれトータルの終端マークエッジ位置誤差ｄMnSxＲの値に近づけさせるために設定すべき終端記録エッジ位置シフト量ＷＲMnS2，ＷＲMnS3，ＷＲMnS4，ＷＲMnS5^の値は、第１ストラテジ調整で求まった感度Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２、及びオフセットＤ１，Ｄ２を用いて、それぞれ以下の一次方程式を解くことで求められる。
ｄMnSxＲ−ｄMnS2R＝Ｃ２１・０＋Ｃ２２・ＷＲMnS2＋Ｄ２
ｄMnSxＲ−ｄMnS3R＝Ｃ２１・０＋Ｃ２２・ＷＲMnS3＋Ｄ２
ｄMnSxＲ−ｄMnS4R＝Ｃ２１・０＋Ｃ２２・ＷＲMnS4＋Ｄ２
ｄMnSxＲ−ｄMnS5^R＝Ｃ２１・０＋Ｃ２２・ＷＲMnS5^＋Ｄ２
【００６５】
図１０のフローチャートに、上記により説明した前後スペース長を考慮した最適ストラテジの算出手法を実現するために実行すべき具体的な処理の手順を示す。
なおこの図１０に示す処理としても、システムコントローラ１３が制御プログラム１４ａに従って実行するものである。
【００６６】
先の図５で説明した第１ストラテジ調整処理を実行した後は、図１０に示すステップＳ２０１において、調整対象の各マーク長（M2，M3，M4，M5^）ごとに求まった始端記録エッジ位置シフト量（ＷＦM2，M3，M4，M5^）及び終端記録エッジ位置シフト量（ＷＲM2，M3，M4，M5^）を設定した試し書き処理を実行する。
すなわち、先の第１ストラテジ調整処理で求めた始端記録エッジ位置シフト量ＷＦM2,ＷＦM3，ＷＦM4、ＷＦM5^、及び終端記録エッジ位置シフト量ＷＲM2，ＷＲM3，ＷＲM4，ＷＲM5^を設定した試し書きを実行させるものである。
なおこの場合もシステムコントローラ１３は、調整のための試し記録用のデータとしてランダムデータを発生させ、記録データエンコーダ１２に与える。
【００６７】
ステップＳ２０１で試し書きを実行させた後は、ステップＳ２０２において、調整対象とする各マーク長について、前方スペース長で区別した各始端エッジ位置ごとの評価値及び始端エッジ位置のトータルの評価値と、後方スペース長で区別した各終端エッジ位置ごとの評価値及び終端エッジ位置のトータルの評価値とを取得する。
具体的には、ステップＳ２０１で試し書きした信号についての再生動作を実行させ、それによりマークエッジ位置誤差検出回路９で測定される、各始端エッジ位置S2Mn，S3Mn，S4Mn，S5^Mnについての始端マークエッジ位置誤差ｄS2MnＦ，ｄS3MnＦ，ｄS4MnＦ，ｄS5^MnＦの値及びトータルの始端マークエッジ位置誤差ｄSxMnＦの値と、各終端エッジ位置MnS2，MnS3，MnS4，MnS5^についての終端マークエッジ位置誤差ｄMnS2Ｒ，ｄMnS3Ｒ，ｄMnS4Ｒ，ｄMnS5^Ｒの値及びトータルの終端マークエッジ位置誤差ｄMnSxＲの値とを、調整対象とする各マーク長M2，M3，M4，M5^について取得するものである。
なお先の説明からも理解されるように、トータルの始端マークエッジ位置誤差ｄSxMnＦの値は、前方スペース長を区別せずに測定した始端マークエッジ位置誤差ｄMnＦの値を意味し、トータルの終端マークエッジ位置誤差ｄMnSxＲの値は、後方スペース長を区別せずに測定した終端マークエッジ位置誤差ｄMnＲの値を意味するものである。
【００６８】
ステップＳ２０２で各評価値を取得した後は、ステップＳ２０３において、取得した評価値と、算出したＣ１，Ｃ２，Ｄ１，Ｄ２とに基づき、調整対象とする各始端エッジ位置（S2Mn，S3Mn，S4Mn，S5^Mn）ごとのシフト量ＷＦ（ＷＦS2Mn，ＷＦS3Mn，ＷＦS4Mn，ＷＦS5^Mn）と、調整対象とする各終端エッジ位置（MnS2，MnS3，MnS4，MnS5^）ごとのシフト量ＷＲ（ＷＲMnS2，ＷＲMnS3，ＷＲMnS4，ＷＲMnS5^）とを、調整対象の各マーク長ごとに求める。
具体的には、それぞれ下記の一次方程式を解くことで、各マーク長（M2，M3，M4，M5^）ごとに、始端記録エッジ位置シフト量ＷＦS2Mn，ＷＦS3Mn，ＷＦS4Mn，ＷＦS5^Mn、及び終端記録エッジ位置シフト量ＷＲMnS2，ＷＲMnS3，ＷＲMnS4，ＷＲMnS5^の値を算出する。
−２Ｔマークについて−
（始端エッジ側）
ｄSxM2Ｆ−ｄS2M2Ｆ＝Ｃ１１・ＷＦS2M2＋Ｃ１２・０＋Ｄ１
ｄSxM2Ｆ−ｄS3M2Ｆ＝Ｃ１１・ＷＦS3M2＋Ｃ１２・０＋Ｄ１
ｄSxM2Ｆ−ｄS4M2Ｆ＝Ｃ１１・ＷＦS4M2＋Ｃ１２・０＋Ｄ１
ｄSxM2Ｆ−ｄS5^M2Ｆ＝Ｃ１１・ＷＦS5^M2＋Ｃ１２・０＋Ｄ１
（終端エッジ側）
ｄM2SxＲ−ｄM2S2R＝Ｃ２１・０＋Ｃ２２・ＷＲM2S2＋Ｄ２
ｄM2SxＲ−ｄM2S3R＝Ｃ２１・０＋Ｃ２２・ＷＲM2S3＋Ｄ２
ｄM2SxＲ−ｄM2S4R＝Ｃ２１・０＋Ｃ２２・ＷＲM2S4＋Ｄ２
ｄM2SxＲ−ｄM2S5^R＝Ｃ２１・０＋Ｃ２２・ＷＲM2S5^＋Ｄ２
−３Ｔマークについて−
（始端エッジ側）
ｄSxM3Ｆ−ｄS2M3Ｆ＝Ｃ１１・ＷＦS2M3＋Ｃ１２・０＋Ｄ１
ｄSxM3Ｆ−ｄS3M3Ｆ＝Ｃ１１・ＷＦS3M3＋Ｃ１２・０＋Ｄ１
ｄSxM3Ｆ−ｄS4M3Ｆ＝Ｃ１１・ＷＦS4M3＋Ｃ１２・０＋Ｄ１
ｄSxM3Ｆ−ｄS5^M3Ｆ＝Ｃ１１・ＷＦS5^M3＋Ｃ１２・０＋Ｄ１
（終端エッジ側）
ｄM3SxＲ−ｄM3S2R＝Ｃ２１・０＋Ｃ２２・ＷＲM3S2＋Ｄ２
ｄM3SxＲ−ｄM3S3R＝Ｃ２１・０＋Ｃ２２・ＷＲM3S3＋Ｄ２
ｄM3SxＲ−ｄM3S4R＝Ｃ２１・０＋Ｃ２２・ＷＲM3S4＋Ｄ２
ｄM3SxＲ−ｄM3S5^R＝Ｃ２１・０＋Ｃ２２・ＷＲM3S5^＋Ｄ２
−４Ｔマークについて−
（始端エッジ側）
ｄSxM4Ｆ−ｄS2M4Ｆ＝Ｃ１１・ＷＦS2M4＋Ｃ１２・０＋Ｄ１
ｄSxM4Ｆ−ｄS3M4Ｆ＝Ｃ１１・ＷＦS3M4＋Ｃ１２・０＋Ｄ１
ｄSxM4Ｆ−ｄS4M4Ｆ＝Ｃ１１・ＷＦS4M4＋Ｃ１２・０＋Ｄ１
ｄSxM4Ｆ−ｄS5^M4Ｆ＝Ｃ１１・ＷＦS5^M4＋Ｃ１２・０＋Ｄ１
（終端エッジ側）
ｄM4SxＲ−ｄM4S2R＝Ｃ２１・０＋Ｃ２２・ＷＲM4S2＋Ｄ２
ｄM4SxＲ−ｄM4S3R＝Ｃ２１・０＋Ｃ２２・ＷＲM4S3＋Ｄ２
ｄM4SxＲ−ｄM4S4R＝Ｃ２１・０＋Ｃ２２・ＷＲM4S4＋Ｄ２
ｄM4SxＲ−ｄM4S5^R＝Ｃ２１・０＋Ｃ２２・ＷＲM4S5^＋Ｄ２
−５Ｔ以上のマークについて−
（始端エッジ側）
ｄSxM5^Ｆ−ｄS2M5^Ｆ＝Ｃ１１・ＷＦS2M5^＋Ｃ１２・０＋Ｄ１
ｄSxM5^Ｆ−ｄS3M5^Ｆ＝Ｃ１１・ＷＦS3M5^＋Ｃ１２・０＋Ｄ１
ｄSxM5^Ｆ−ｄS4M5^Ｆ＝Ｃ１１・ＷＦS4M5^＋Ｃ１２・０＋Ｄ１
ｄSxM5^Ｆ−ｄS5^M5^Ｆ＝Ｃ１１・ＷＦS5^M5^＋Ｃ１２・０＋Ｄ１
（終端エッジ側）
ｄM5^SxＲ−ｄM5^S2R＝Ｃ２１・０＋Ｃ２２・ＷＲM5^S2＋Ｄ２
ｄM5^SxＲ−ｄM5^S3R＝Ｃ２１・０＋Ｃ２２・ＷＲM5^S3＋Ｄ２
ｄM5^SxＲ−ｄM5^S4R＝Ｃ２１・０＋Ｃ２２・ＷＲM5^S4＋Ｄ２
ｄM5^SxＲ−ｄM5^S5^R＝Ｃ２１・０＋Ｃ２２・ＷＲM5^S5^＋Ｄ２
【００６９】
ステップＳ２０３で各マーク長ごとの始端記録エッジ位置シフト量ＷＦS2Mn，ＷＦS3Mn，ＷＦS4Mn，ＷＦS5^Mn、及び終端記録エッジ位置シフト量ＷＲMnS2，ＷＲMnS3，ＷＲMnS4，ＷＲMnS5^の値を算出した後は、ステップＳ２０４において、最適ストラテジ設定処理を行う。
ここで、ステップＳ２０３で求まった各シフト量ＷＦは、初期ストラテジに対する補正量となる。従ってステップＳ２０４では、それぞれの初期ストラテジをステップＳ２０３で求まったシフト量Ｗで補正したストラテジ設定を最適ストラテジ設定として算出した上で、算出した最適ストラテジ設定をライトストラテジ回路１１に設定する。
【００７０】
以上で、実施の形態としてのストラテジ調整処理は完了となる。
【００７１】
上記により説明した実施の形態としてのストラテジ調整処理によれば、前後のスペース長で区別した各始端エッジ位置、各終端エッジ位置についてそのばらつきの低減が図られ、前後スペース長を考慮した最適なライトストラテジ調整を実現できる。
【００７２】
このとき、必要とされる試し書きは、先の図５のステップＳ１０２〜Ｓ１０６で実行される３度の試し書きと、図１０のステップＳ２０１で実行される１度の試し書きとなる。
ここで、先の特許文献１，２に「第２の調整例」として記載されるように、従来において前後スペース長の別を考慮したストラテジ調整を実現しようとした場合には、ステップＳ１０２〜Ｓ１０６で実行すべき試し書き回数が膨大となる。また、行列Ｃについても、その行及び列の数が膨大（つまり求めるべき感度値が膨大）となる。
本実施の形態によれば、必要な試し書き回数は、このような従来手法との比較で格段に少ないものとでき、また感度値（行列Ｃ）についても、前後スペース長の別を考慮せずに求めるので、その行及び列の数は格段に少ないものとなる。
この点からも理解されるように、本実施の形態によれば、前後スペース長の別を考慮したストラテジ調整の実現にあたり、必要な試し書き量を格段に減らすことができ、試し書きで使用するテストエリアの消費量についても削減が図られる。また、求めるべき感度値が従来よりも少ないため、ストラテジ調整にあたり必要とされる計算量も少なくすることができ、処理負担の軽減が図られる。
【００７３】
以上より、本実施の形態によれば、テストエリアの消費量や処理負担の増加を抑えつつ、前／後のスペース長も考慮したライトストラテジ調整を実現することができる。
【００７４】
ここで、先のステップＳ２０３の説明からも理解されるように、本実施の形態では、前後スペース長を考慮した最適ストラテジの算出処理にあたり、始端マークエッジ位置誤差ｄＦの値には、終端記録エッジ位置シフト量ＷＲによる影響が無い（０である）ものとし、逆に終端マークエッジ位置誤差ｄＲの値には、始端記録エッジ位置シフト量ＷＦによる影響が無いないものとして扱うこととした。
具体的には、例えば
ｄSxM2Ｆ−ｄS2M2Ｆ＝Ｃ１１・ＷＦS2M2＋Ｃ１２・０＋Ｄ１
において、本来ＷＲM2S2が代入されるべきところを「０」を代入し、また
ｄM2SxＲ−ｄM2S2R＝Ｃ２１・０＋Ｃ２２・ＷＲM2S2＋Ｄ２
において、本来ＷＦS2M2が代入されるべきところを「０」を代入していることが相当する。
【００７５】
このように始端マークエッジ位置誤差ｄＦの値には終端記録エッジ位置シフト量ＷＲによる影響が無く、終端マークエッジ位置誤差ｄＲの値には始端記録エッジ位置シフト量ＷＦによる影響が無いないものとして扱うことによっては、必要な計算量を効果的に減らすことができ、処理負担の軽減が図られるが、例えば光ディスク１の特性等に依存して、正確なストラテジ調整を実現できない（適正なジッター改善効果が得られない）場合も考えられ得る。
【００７６】
そこで、上記のように始端マークエッジ位置誤差ｄＦの値について終端記録エッジ位置シフト量ＷＲ＝０とし、終端マークエッジ位置誤差ｄＲの値について始端記録エッジ位置シフト量ＷＦ＝０とした影響を軽減するために、以下に示すようにして、所定の補正係数α（０＜α＜１）を与えるようにしてもよい。
−２Ｔマークについて−
（始端エッジ側）
ｄSxM2Ｆ−ｄS2M2Ｆ＝Ｃ１１・ＷＦS2M2・α＋Ｃ１２・０＋Ｄ１
ｄSxM2Ｆ−ｄS3M2Ｆ＝Ｃ１１・ＷＦS3M2・α＋Ｃ１２・０＋Ｄ１
ｄSxM2Ｆ−ｄS4M2Ｆ＝Ｃ１１・ＷＦS4M2・α＋Ｃ１２・０＋Ｄ１
ｄSxM2Ｆ−ｄS5^M2Ｆ＝Ｃ１１・ＷＦS5^M2・α＋Ｃ１２・０＋Ｄ１
（終端エッジ側）
ｄM2SxＲ−ｄM2S2R＝Ｃ２１・０＋Ｃ２２・ＷＲM2S2・α＋Ｄ２
ｄM2SxＲ−ｄM2S3R＝Ｃ２１・０＋Ｃ２２・ＷＲM2S3・α＋Ｄ２
ｄM2SxＲ−ｄM2S4R＝Ｃ２１・０＋Ｃ２２・ＷＲM2S4・α＋Ｄ２
ｄM2SxＲ−ｄM2S5^R＝Ｃ２１・０＋Ｃ２２・ＷＲM2S5^・α＋Ｄ２
−３Ｔマークについて−
（始端エッジ側）
ｄSxM3Ｆ−ｄS2M3Ｆ＝Ｃ１１・ＷＦS2M3・α＋Ｃ１２・０＋Ｄ１
ｄSxM3Ｆ−ｄS3M3Ｆ＝Ｃ１１・ＷＦS3M3・α＋Ｃ１２・０＋Ｄ１
ｄSxM3Ｆ−ｄS4M3Ｆ＝Ｃ１１・ＷＦS4M3・α＋Ｃ１２・０＋Ｄ１
ｄSxM3Ｆ−ｄS5^M3Ｆ＝Ｃ１１・ＷＦS5^M3・α＋Ｃ１２・０＋Ｄ１
（終端エッジ側）
ｄM3SxＲ−ｄM3S2R＝Ｃ２１・０＋Ｃ２２・ＷＲM3S2・α＋Ｄ２
ｄM3SxＲ−ｄM3S3R＝Ｃ２１・０＋Ｃ２２・ＷＲM3S3・α＋Ｄ２
ｄM3SxＲ−ｄM3S4R＝Ｃ２１・０＋Ｃ２２・ＷＲM3S4・α＋Ｄ２
ｄM3SxＲ−ｄM3S5^R＝Ｃ２１・０＋Ｃ２２・ＷＲM3S5^・α＋Ｄ２
−４Ｔマークについて−
（始端エッジ側）
ｄSxM4Ｆ−ｄS2M4Ｆ＝Ｃ１１・ＷＦS2M4・α＋Ｃ１２・０＋Ｄ１
ｄSxM4Ｆ−ｄS3M4Ｆ＝Ｃ１１・ＷＦS3M4・α＋Ｃ１２・０＋Ｄ１
ｄSxM4Ｆ−ｄS4M4Ｆ＝Ｃ１１・ＷＦS4M4・α＋Ｃ１２・０＋Ｄ１
ｄSxM4Ｆ−ｄS5^M4Ｆ＝Ｃ１１・ＷＦS5^M4・α＋Ｃ１２・０＋Ｄ１
（終端エッジ側）
ｄM4SxＲ−ｄM4S2R＝Ｃ２１・０＋Ｃ２２・ＷＲM4S2・α＋Ｄ２
ｄM4SxＲ−ｄM4S3R＝Ｃ２１・０＋Ｃ２２・ＷＲM4S3・α＋Ｄ２
ｄM4SxＲ−ｄM4S4R＝Ｃ２１・０＋Ｃ２２・ＷＲM4S4・α＋Ｄ２
ｄM4SxＲ−ｄM4S5^R＝Ｃ２１・０＋Ｃ２２・ＷＲM4S5^・α＋Ｄ２
−５Ｔ以上のマークについて−
（始端エッジ側）
ｄSxM5^Ｆ−ｄS2M5^Ｆ＝Ｃ１１・ＷＦS2M5^・α＋Ｃ１２・０＋Ｄ１
ｄSxM5^Ｆ−ｄS3M5^Ｆ＝Ｃ１１・ＷＦS3M5^・α＋Ｃ１２・０＋Ｄ１
ｄSxM5^Ｆ−ｄS4M5^Ｆ＝Ｃ１１・ＷＦS4M5^・α＋Ｃ１２・０＋Ｄ１
ｄSxM5^Ｆ−ｄS5^M5^Ｆ＝Ｃ１１・ＷＦS5^M5^・α＋Ｃ１２・０＋Ｄ１
（終端エッジ側）
ｄM5^SxＲ−ｄM5^S2R＝Ｃ２１・０＋Ｃ２２・ＷＲM5^S2・α＋Ｄ２
ｄM5^SxＲ−ｄM5^S3R＝Ｃ２１・０＋Ｃ２２・ＷＲM5^S3・α＋Ｄ２
ｄM5^SxＲ−ｄM5^S4R＝Ｃ２１・０＋Ｃ２２・ＷＲM5^S4・α＋Ｄ２
ｄM5^SxＲ−ｄM5^S5^R＝Ｃ２１・０＋Ｃ２２・ＷＲM5^S5^・α＋Ｄ２
【００７７】
なお、補正係数αの値としては、例えば該補正係数αの値を変化させてジッターを測定する実験を行った結果等に基づき、良好なジッター改善効果が得られる値を導出し、該導出した値を設定するものとすればよい。
【００７８】
図１１は、本実施の形態の調整手法の有効性を実証するための実験結果を示した図である。
具体的に、図１１Ａは、比較のため前後スペース長を考慮しない第１ストラテジ調整で求まったストラテジ設定で記録した信号についてのマークエッジ位置誤差ｄの測定結果を示し、図１１Ｂは、前後スペース長を考慮した実施の形態としてのストラテジ調整で求まったストラテジ設定で記録した信号についてのマークエッジ位置誤差ｄの測定結果を示している。
これら図１１Ａ，図１１Ｂにおいては、図中の一点鎖線を境に、右側が始端エッジ側、左側が終端エッジ側の測定結果をそれぞれ表しており、具体的に、始端エッジ側については、図中の横軸を２Ｔマーク（S_M2），３Ｔマーク（S_M3），４Ｔマーク（S_M4），５Ｔマーク（S_M5）の別とし、且つ実線と◆印の組み合わせを前方スペース長を区別しないトータルの始端エッジ位置（Sx_M）、実線と■印の組み合わせを前方スペース長＝２Ｔの始端エッジ位置（S2_M）、実線と▲印の組み合わせを前方スペース長＝３Ｔの始端エッジ位置（S3_M）、実線と×印の組み合わせを前方スペース長＝４Ｔの始端エッジ位置（S4_M）、実線と＊印の組み合わせを前方スペース長＝５Ｔの始端エッジ位置（S5_M）として、マークエッジ位置誤差ｄS2M2Ｆ〜ｄS5M2Ｆ、ｄS3M2Ｆ〜ｄS5M3Ｆ、ｄS2M4Ｆ〜ｄS5M4Ｆ、ｄS2M5Ｆ〜ｄS5M5Ｆの測定結果を示している。
また終端エッジ側については、同様に横軸を２Ｔマーク（M2_S），３Ｔマーク（M3_S），４Ｔマーク（M4_S），５Ｔマーク（M5_S）の別とし、且つ破線と◆印の組み合わせを後方スペース長を区別しないトータルの終端エッジ位置（M_Sx）、破線と■印の組み合わせを後方スペース長＝２Ｔの終端エッジ位置（M_S2）、破線と▲印の組み合わせを後方スペース長＝３Ｔの終端エッジ位置（M_S3）、破線と×印の組み合わせを後方スペース長＝４Ｔの終端エッジ位置（M_S4）、破線と＊印の組み合わせを後方スペース長＝５Ｔの終端エッジ位置（M_S5）として、マークエッジ位置誤差ｄM2S2Ｒ〜ｄM2S5Ｒ、ｄM2S3Ｒ〜ｄM3S5Ｒ、ｄM4S2Ｒ〜ｄM4S5Ｒ、ｄM5S2Ｒ〜ｄM5S5Ｒの測定結果を示している。
ここで、図１１Ｂに示す測定結果を得るにあたっては、補正係数α＝０．４を設定した。
【００７９】
前後スペース長の別を考慮しない第１ストラテジ調整のみでは、図１１Ａに示すようにしてマークエッジ位置誤差ｄの測定結果を前後のスペース長ごとに分解してみると、そのばらつきが生じていることが分かる。すなわち、ジッターが大であることが分かる。
特に、図中にて円形の破線により囲った始端エッジ位置S2M3についてのマークエッジ位置誤差ｄS2M3Ｆの値、及び終端エッジ位置M4S2についてのマークエッジ位置誤差ｄM4S2Ｒの値の乖離が大きいことが分かる。
【００８０】
図１１Ａと比較すると、図１１Ｂに示す本実施の形態の場合は、各前後のスペース長ごとのマークエッジ位置誤差ｄの値が、トータルのマークエッジ位置誤差ｄ（エッジ位置Sx_M、M_Sx）の値に近づく傾向となっていることが分かる。つまりこの点からも理解されるように、本実施の形態の調整手法によれば、前後のスペース長で区別した各エッジ位置ごとのマークエッジ位置誤差のばらつきが抑えられて、ジッターの改善が図られるものである。
特にこの図の実験結果によると、上述した始端エッジ位置S2M3、終端エッジ位置M4S2についての改善効果が大きいことが分かる。
【００８１】
＜４．変形例＞
以上、本技術に係る実施の形態について説明したが、本技術はこれまでで例示した具体例に限定されるべきものではない。
例えばこれまでの説明では、前後スペース長を区別しないトータルのマークエッジ位置誤差ｄの値を基準値として、各マークエッジ位置誤差ｄの値を該基準値に近づけるようにしてストラテジ調整を行うものとしたが、ジッターの改善を図る上では、上記基準値としては特にその値を限定すべきものではなく、あくまで、所要の基準値に近づけるという点が重要となる。例えば基準値＝０とするなど、基準値を上記トータルのマークエッジ位置誤差ｄの値以外の値としても、ジッターの改善効果を得ることが可能である。
【００８２】
またこれまでの説明では、ストラテジ調整の対象とするマーク長は２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ，５Ｔ以上としたが、例えば２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ以上とする等、他のマーク長の組を調整対象とすることもできる。
また、前後スペース長の区別についてもこれまでで例示した２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ，５Ｔ以上の区別に限定されるべきものではない。
【００８３】
また、マークエッジ位置に係る評価値としては、再生波形とスライスレベルとのクロス点と再生クロックとの時間誤差とする以外に、例えば次のような評価値とすることも可能である。すなわち、ビタビ復号において、復号ビット列のゼロクロス部前後のマーク・スペースの組み合わせ毎に、最尤パスとその１ビットシフト（エッジシフト）に相当する対抗パスとのメトリック差の分布を統計処理し、エッジ及び振幅ずれの評価指標としたものでもよい。
【００８４】
また、本技術は以下に示す構成を採ることもできる。
（１）
光記録媒体に対してレーザ光を照射して、光記録媒体上でマーク及びスペースで表現される情報の書込及び読出を行う光学ヘッド部と、
記録する情報に応じたレーザ駆動パルスを生成して上記光学ヘッド部に供給し、上記光学ヘッド部に、記録のためのレーザ光照射を実行させるレーザ駆動パルス生成部と、
上記光学ヘッド部により上記光記録媒体から読み出した信号に基づき、上記マークのエッジ位置の誤差を表す評価値を測定する評価値測定部と、
制御部とを備え、
上記制御部は、
調整対象とする各マーク長について、それぞれその始端記録エッジ位置の動かし量をＷＦMn、終端記録エッジ位置の動かし量をＷＲMnとしたとき、上記各マーク長についてそれぞれ異なる組み合わせによる上記動かし量ＷＦMn，ＷＲMnを設定した試し書きを実行させ、該試し書きにより記録された信号に基づき、上記各マーク長ごとにその始端エッジ位置についての上記評価値ｄＦ、終端エッジ位置についての上記評価値ｄＲを上記設定した動かし量ＷＦMn，ＷＲMnの組み合わせごとに得、該得た評価値ｄＦ，ｄＲに基づき、上記動かし量ＷＦMn，ＷＲMnに対する上記評価値ｄＦ，ｄＲの感度を表す感度値を上記各マーク長ごとに求めると共に、該求めた感度値に基づいて、上記各マーク長ごとに、最適とされる上記動かし量ＷＦMn、ＷＲMnを求める始端／終端毎動かし量計算処理と、
上記始端／終端毎動かし量計算処理で上記各マーク長ごとに求めた上記動かし量ＷＦMn、ＷＲMnを設定した状態での試し書きを実行させる試し書き実行制御処理と、
上記試し書き実行制御処理により記録された信号に基づき、上記各マーク長ごとに、マークの前方スペース長で区別した各始端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＦと、マークの後方スペース長で区別した各終端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＲとを取得し、該取得した上記各始端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＦ及び上記各終端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＲと、上記感度値とに基づいて、上記各始端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＦ、上記各終端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＲをそれぞれ所定の基準値に近づける上記各始端エッジ位置ごとの動かし量ＷＦMn、上記各終端エッジ位置ごとの動かし量ＷＲMnを、上記各マーク長ごとに求める前後スペース長毎動かし量計算処理とを実行する
記録再生装置。
（２）
上記制御部は、
上記前後スペース長毎動かし量計算処理における上記基準値として、少なくとも同一マーク長についての始端エッジ位置，終端エッジ位置ごとにそれぞれ同じ値を用いる
上記（１）に記載の記録再生装置。
（３）
上記制御部は、上記始端／終端毎動かし量計算処理として、
上記動かし量ＷＦMn，ＷＲMnと、上記評価値ｄＦ，ｄＲとの関係が、上記各マーク長ごとに
ｄＦ＝Ｃｆ１・ＷＦMn＋Ｃｆ２・ＷＲMn＋Ｄｆ
ｄＲ＝Ｃｒ１・ＷＦMn＋Ｃｒ２・ＷＲMn＋Ｄｒ
であることを前提として、
上記各マーク長について、上記動かし量ＷＦMn、ＷＲMnをそれぞれ異なる組み合わせで設定した試し書きを実行させ、該試し書きにより記録された信号についての上記評価値ｄＦ，ｄＲを、上記各マーク長について、上記設定した上記動かし量ＷＦMn、ＷＲMnの組み合わせごとに得、上記各マーク長ごとに、該得た評価値ｄＦ，ｄＲと、その評価値ｄＦ，ｄＲが得られたときに設定されていた上記動かし量ＷＦMn，ＷＲMnの値とを上式に代入し、それらの連立方程式を解くことで、上記感度値としてのＣｆ１,Ｃｆ２,Ｃｒ１,Ｃｒ２の値と上記Ｄｆ,Ｄｒとしてのオフセット値とを上記各マーク長ごとに求めると共に、上記各マーク長ごとに、これら求めた感度値Ｃｆ１,Ｃｆ２,Ｃｒ１,Ｃｒ２と、オフセット値Ｄｆ，Ｄｒと、ｄＦ＝０、ｄＲ＝０とを上式に代入して計算される上記動かし量ＷＦMn，ＷＲMnの値を、上記最適とされる動かし量ＷＦMn，ＷＲMnの値として得る処理を実行し、
且つ上記制御部は、上記前後スペース長毎動かし量計算処理として、
上記試し書き実行制御処理で記録された信号に基づき上記各マーク長ごとに取得した上記各始端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＦ、及び上記各終端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＲと、上記始端／終端毎動かし量計算処理で上記各マーク長ごとに求まった上記感度値Ｃｆ１,Ｃｆ２,Ｃｒ１,Ｃｒ２及び上記オフセット値Ｄｆ，Ｄｒとに基づいて、上記各マーク長ごとに、上記各始端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＦ、上記各終端エッジ位置ごとの上記評価値ｄＲをそれぞれ上記基準値に近づける上記各始端エッジ位置ごとの動かし量ＷＦMn、上記各終端エッジ位置ごとの動かし量ＷＲMnを求める
上記（２）に記載の記録再生装置。
（４）
上記制御部は、上記前後スペース長毎動かし量計算処理として、
上記各マーク長の始端エッジ，終端エッジごとに用いる上記基準値をそれぞれｄｒＦ、ｄｒＲとし、上記前方スペース長で区別した各始端エッジ位置の上記評価値をｄS2MnＦ，ｄS3MnＦ，・・・,ｄSmMnＦとし、上記後方スペース長で区別した各終端エッジ位置の上記評価値をｄMnS2Ｒ，ｄMnS3Ｒ，・・・,ｄMnSmＲとしたとき、
上記各マーク長ごとに、上記前方スペース長で区別した各始端エッジ位置の動かし量ＷＦS2Mn，ＷＦS3Mn，・・・，ＷＦSmMnを、それぞれ
ｄｒＦ−ｄS2MnＦ＝Ｃｆ１・ＷＦS2Mn＋Ｃｆ２・０＋Ｄｆ
ｄｒＦ−ｄS3MnＦ＝Ｃｆ１・ＷＦS3Mn＋Ｃｆ２・０＋Ｄｆ
・
・
・
ｄｒＦ−ｄSmMnＦ＝Ｃｆ１・ＷＦSmMn＋Ｃｆ２・０＋Ｄｆ
による一次方程式を解くことで求め、
且つ上記各マーク長ごとに、上記後方スペース長で区別した各終端エッジ位置の動かし量ＷＲMnS2，ＷＲMnS3，・・・，ＷＲMnSmを、それぞれ
ｄｒＲ−ｄMnS2Ｒ＝Ｃｒ１・０＋Ｃｒ２・ＷＲMnS2＋Ｄｒ
ｄｒＲ−ｄMnS3Ｒ＝Ｃｒ１・０＋Ｃｒ２・ＷＲMnS3＋Ｄｒ
・
・
・
ｄｒＲ−ｄMnSmＲ＝Ｃｒ１・０＋Ｃｒ２・ＷＲMnSm＋Ｄｒ
による一次方程式を解くことにより求める
上記（３）に記載の記録再生装置。
（５）
上記制御部は、上記前後スペース長毎動かし量計算処理として、
上記各マーク長の始端エッジ，終端エッジごとに用いる上記基準値をそれぞれｄｒＦ、ｄｒＲとし、上記前方スペース長で区別した各始端エッジ位置の上記評価値をｄS2MnＦ，ｄS3MnＦ，・・・,ｄSmMnＦとし、上記後方スペース長で区別した各リアエッジ位置の上記評価値をｄMnS2Ｒ，ｄMnS3Ｒ，・・・,ｄMnSmＲとしたとき、
上記各マーク長ごとに、上記前方スペース長ごとに区別した各始端エッジ位置の動かし量ＷＦS2Mn，ＷＦS3Mn，・・・，ＷＦSmMnを、それぞれ
ｄｒＦ−ｄS2MnＦ＝Ｃｆ１・ＷＦS2Mn・α＋Ｃｆ２・０＋Ｄｆ
ｄｒＦ−ｄS3MnＦ＝Ｃｆ１・ＷＦS3Mn・α＋Ｃｆ２・０＋Ｄｆ
・
・
・
ｄｒＦ−ｄSmMnＦ＝Ｃｆ１・ＷＦSmMn・α＋Ｃｆ２・０＋Ｄｆ
による一次方程式を解くことで求め、
且つ上記各マーク長ごとに、上記後方スペース長で区別した各終端エッジ位置の動かし量ＷＲMnS2，ＷＲMnS3，・・・，ＷＲMnSmを、それぞれ
ｄｒＲ−ｄMnS2Ｒ＝Ｃｒ１・０＋Ｃｒ２・ＷＲMnS2・α＋Ｄｒ
ｄｒＲ−ｄMnS3Ｒ＝Ｃｒ１・０＋Ｃｒ２・ＷＲMnS3・α＋Ｄｒ
・
・
・
ｄｒＲ−ｄMnSmＲ＝Ｃｒ１・０＋Ｃｒ２・ＷＲMnSm・α＋Ｄｒ
による一次方程式を解くことにより求める
上記（３）に記載の記録再生装置。
（６）
上記制御部は、
上記試し書き実行制御処理で記録された信号に基づき、上記各マーク長の始端エッジ位置，終端エッジ位置のそれぞれについてその前方スペース長、後方スペース長を区別せずに上記評価値を取得し、該取得した上記各マーク長の始端エッジ位置，終端エッジ位置ごとの評価値を、上記基準値として用いる
上記（２）乃至（５）何れかに記載の記録再生装置。
【符号の説明】
【００８５】
１  光ディスク、３  光学ヘッド、４  イコライザ（ＥＱ）、５  Ａ／Ｄ変換器、６  ＰＬＬ回路、７  ＰＲ等化回路、８  最尤復号回路、９  マークエッジ位置誤差検出回路、１０  レーザドライバ、１１  ライトストラテジ回路、１２  記録データエンコーダ、１３  システムコントローラ、１４  メモリ、１４ａ  制御プログラム
【図１】
2014032719.tif 000008
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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