(57)【要約】      （修正有）【課題】より長い波長の紫外線で架橋できるポリマーベースの誘電体組成物（例えば処方物）及び材料（例えば、フィルム）及び関連する素子（デバイス）の提供。【解決手段】１種以上のビニルモノマーから重合されたビニルポリマーであって、少なくとも１種のビニルモノマーが、ビニルフェノール、又はこれらの誘導体であり、及びビニルポリマーが、下記式を有する任意に置換されたクマリン部分を含むペンダント基を有する繰り返し単位を含むことを特徴とするビニルポリマー。2014240488.tif 000053【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄いフィルムトランジスタ素子であって、以下の、
誘電体層；
半導体層；
ゲート電極；
ソース電極及び
ドレイン電極；
を含み、及び誘電体層が、半導体層とゲート電極の間に配置され；及びソース電極とドレイン電極が、半導体層と接触しており、及び
誘電体層が、ポリマー性フィルムを含み、該ポリマー性フィルムが、任意に置換されたクマリン−６−イル部分を含む、ペンダント基を有する繰り返し単位を含むポリマーを含むことを特徴とする薄いフィルムトランジスタ素子。
【請求項２】
任意に置換されたクマリン−６−イル部分が、式：
【化１】
2014240488.tif 000046
（但し、
Ｒ1及びＲ2が、独立して、ａ）Ｈ、ｂ）ハロゲン、ｃ）−ＣＮ、ｄ）−ＮＯ2、ｅ）−ＯＲ4、ｆ）−Ｎ（Ｒ4）2、ｇ）−ＣＨＯ、ｈ）−Ｃ（Ｏ）Ｒ4、ｉ）−Ｃ（Ｏ）ＯＲ4、ｊ）−Ｃ（Ｏ）ＮＯ（Ｒ4）2、ｋ）Ｃ1-20アルキル基、ｌ）Ｃ2-20アルケニル基、ｍ）Ｃ2-20アルキニル基、ｎ）Ｃ1-20アルコキシ基、ｏ）Ｃ1-20アルキルチオ基、ｐ）Ｃ1-20ハロアルキル基、ｑ）ａ−Ｙ−Ｃ3-14シクロアルキル基、ｒ）ａ−Ｙ−Ｃ6-14アリール基、ｓ）ａ−Ｙ−３〜１４員のシクロヘテロアルキル基、及びｔ）ａ−Ｙ−５〜１４員のヘテロアリール基、
（但し、各Ｃ1-20アルキル基、Ｃ2-20アルケニル基、Ｃ2-20アルキニル基、Ｃ3-14シクロアルキル基、Ｃ6-14アリール基、３〜１４員のシクロヘテロアルキル基、及び５〜１４員のヘテロアリール基が、任意に１〜５個のＲ5基で置換されていても良い）
から選ばれ、
Ｒ3が、それぞれにおいて、独立して、ａ）ハロゲン、ｂ）−ＣＮ、ｃ）−ＮＯ2、ｄ）−ＯＲ4、ｅ）−Ｎ（Ｒ4）2、ｆ）−ＣＨＯ、ｇ）−Ｃ（Ｏ）Ｒ4、ｈ）−Ｃ（Ｏ）ＯＲ4、ｉ）−Ｃ（Ｏ）ＮＯ（Ｒ4）2、ｊ）ａＣ1-20アルキル基、ｋ）Ｃ2-20アルケニル基、ｌ）Ｃ2-20アルキニル基、ｍ）Ｃ1-20アルコキシ基、ｎ）Ｃ1-20アルキルチオ基、ｏ）Ｃ1-20ハロアルキル基、ｐ）ａ−Ｙ−Ｃ3-14シクロアルキル基、ｑ）ａ−Ｙ−Ｃ6-14アリール基、ｒ）ａ−Ｙ−３〜１４員のシクロヘテロアルキル基、及びｓ）ａ−Ｙ−５〜１４員のヘテロアリール基、
（但し、各Ｃ1-20アルキル基、Ｃ2-20アルケニル基、Ｃ2-20アルキニル基、Ｃ3-14シクロアルキル基、Ｃ6-14アリール基、３〜１４員のシクロヘテロアルキル基、及び５〜１４員のヘテロアリール基が、任意に１〜５個のＲ5基で置換されていても良い）
から選ばれ、
ここで、
Ｒ4が、各場合において、独立して、ａ）Ｈ、ｂ）Ｃ1-20アルキル基、ｃ）Ｃ2-20アルケニル基、ｄ）Ｃ2-20アルキニル基、ｅ）Ｃ1-20アルコキシ基、ｆ）Ｃ1-20アルキルチオ基、ｇ）Ｃ1-20ハロアルキル基、ｈ）ａ−Ｙ−Ｃ3-14シクロアルキル基、ｉ）ａ−Ｙ−Ｃ6-14アリール基、ｊ）ａ−Ｙ−３〜１４員のシクロヘテロアルキル基、及びｋ）ａ−Ｙ−５〜１４員のヘテロアリール基、
（但し、各Ｃ1-20アルキル基、Ｃ2-20アルケニル基、Ｃ2-20アルキニル基、Ｃ3-14シクロアルキル基、Ｃ6-14アリール基、３〜１４員のシクロヘテロアルキル基、及び５〜１４員のヘテロアリール基が、任意に１〜５個のＲ5基で置換されていても良い）
から選ばれ、
Ｒ5が、それぞれにおいて、独立して、ａ）ハロゲン、ｂ）−ＣＮ、ｃ）−ＮＯ2、ｄ）−ＯＨ、ｅ）−Ｏ−Ｃ6-14アリール、ｆ）−ＮＨ2、ｇ）−ＮＨ−Ｃ1-10アルキル、ｈ）−Ｎ（Ｃ1-10アルキル）2、ｉ）−ＮＨ−Ｃ6-14アリール、ｊ）−Ｎ（Ｃ1-10アルキル）−Ｃ6-14アリール、ｋ）−Ｎ（Ｃ6-14アリール）2、ｌ）−ＣＨＯ、ｍ）−Ｃ（Ｏ）−Ｃ1-10アルキル、ｎ）−Ｃ（Ｏ）−Ｃ6-14アリール、ｏ）−Ｃ（Ｏ）ＯＨ、ｐ）−Ｃ（Ｏ）−ＯＣ1-10アルキル、ｑ）−Ｃ（Ｏ）−ＯＣ6-14アリール、ｒ）−Ｃ（Ｏ）ＮＨ2、ｓ）−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−Ｃ1-10アルキル、ｔ）−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ1-10アルキル）2、ｕ）−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−Ｃ6-14アリール、ｖ）−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ1-10アルキル）−Ｃ6-14アリール、ｗ）−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ6-14アリール）2、ｘ）Ｃ1-10アルキル基、ｙ）Ｃ2-10アルケニル基、ｚ）Ｃ2-10アルキニル基、ａａ）Ｃ1-10アルコキシ基、ａｂ）Ｃ1-10アルキルチオ基、ａｃ）Ｃ1-10ハロアルキル基、ａｄ）ａ−Ｙ−Ｃ3-14シクロアルキル基、ａｅ）ａ−Ｙ−Ｃ6-14アリール基、ａｆ）ａ−Ｙ−３〜１４員のシクロヘテロアルキル基、及びａｇ）ａ−Ｙ−５〜１４員のヘテロアリール基、
（但し、各Ｃ1-10アルキル基、Ｃ2-10アルケニル基、Ｃ2-10アルキニル基、Ｃ3-14シクロアルキル基、Ｃ6-14アリール基、３〜１４員のシクロヘテロアルキル基、及び５〜１４員のヘテロアリール基が、任意に、ハロゲン、ＣＮ、Ｃ1-6アルキル基、Ｃ1-6ハロアルキル基、Ｃ1-6アルコキシ基、ａ−Ｏ−Ｃ1-6ハロアルキル基、ａ−Ｃ（Ｏ）−Ｃ1-6アルキル基、ａ−Ｃ（Ｏ）−Ｃ1-6ハロアルキル基、及びａ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−Ｃ1-6アルキル基、から独立して選ばれる１〜５個の置換基で置換されても良い）
から選ばれ；及び
Ｙが、各場合において、二価のＣ1-6アルキル基、二価のＣ2-6アルケニル基、二価のＣ2-6アルキニル基、又は共有結合であり；及び
ｂが０、１、２又は３である）
を有することを特徴とする請求項１に記載の素子。
【請求項３】
Ｒ1及びＲ2が、独立して、Ｈ、Ｆ、−ＣＮ、及びＣＦ3から選ばれることを特徴とする請求項２に記載の素子。
【請求項４】
Ｒ3が、各場合において、独立して、ハロゲン、ＯＨ、−ＣＮ、Ｃ1-6アルキル基、Ｃ1-6ハロアルキル基、及びＣ1-6アルコキシル基から選ばれることを特徴とする請求項２又は３の何れかに記載の素子。
【請求項５】
ポリマーが、ビニルポリマー、シロキサンポリマー、ポリマレイミド、ポリエチレンアミン、及びこれらのコポリマーから選ばれ、及び任意に置換されたクマリン−６−イル部分を含むペンダント基を有する繰り返し単位を含むことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の素子。
【請求項６】
ポリマーが、ポリスチレン、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセテート、ポリメチルメタクリレート、及びこれらのコポリマーから成る群から選ばれるビニルポリマーであり、及び任意に置換されたクマリン−６−イル部分を含むペンダント基を有する繰り返し単位を含むことを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の素子。
【請求項７】
ポリマーが、以下の
【化２】
2014240488.tif 000047
（但し、
Ｑが、−（Ｌ”）p−Ｌ'''であり；及び
Ｒ6、Ｒ7、及びＲ8が、独立して、Ｈ、ハロゲン、Ｃ1-10アルキル基、及びＣ6-14アリール基から選ばれ（但し、Ｃ1-10アルキル基、及びＣ6-14アリール基はそれぞれ、任意に１〜５個のＲ5基で置換されても良い）；
ここで、
Ｌ”が、それぞれの場合において、独立して、−Ｙ”−、−（Ｙ”）m−Ｏ−、−Ｙ”−ＮＲ4−、−Ｙ”−Ｃ（ＮＲ4）−、−Ｙ”−Ｓｉ（Ｒ4）2−、−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ4）2−、及び共有結合から選ばれ；
Ｌ'''がクマリン部分に結合し、及び−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−Ｙ'''−Ｏ−、−Ｏ−Ｙ'''−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ4−、−ＮＲ4−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−Ｙ'''−ＮＲ4−、−ＮＲ4−Ｙ'''−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）k−、−Ｏ−Ｙ'''−Ｓ（Ｏ）k−、及び共有結合から選ばれ；
Ｙ”が、各場合において、二価のＣ1-6アルキル基、二価のＣ2-6アルケニル基、及び二価のＣ6-14アリール基から選ばれ、ここで、各Ｃ1-6アルキル基、Ｃ2-6アルケニル基、及びＣ6-14アリール基は、任意に１〜５個のＲ5基で置換されても良く；
Ｙ'''が、二価のＣ1-6アルキル基、二価のＣ2-6アルケニル基、及び二価のＣ6-14アリール基から選ばれ、ここで、各Ｃ1-6アルキル基、Ｃ2-6アルケニル基、及びＣ6-14アリール基は、任意に１〜５個のＲ5基で置換されても良く；
ｋが０、１、又は２であり；
ｍが、１、２、３、４、５又は６であり；
ｐが、０〜１０の範囲の整数であり；及び
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、及びｂが、請求項２に定義されたものである）
から選ばれる式の、１種以上の繰り返し単位を含むことを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の素子。
【請求項８】
ポリマーが、以下の、
【化３】
2014240488.tif 000048
から選ばれる式の１種以上の繰り返し単位を含むことを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の素子。
【請求項９】
ポリマーが、以下の、
誘電定数が、約１．１〜約５．０の範囲であること；
ガラス転移温度（Ｔg）が、約１００℃〜約２００℃の範囲であること；
溶解度が、アニソール、キシレン、シクロペンタノン、シクロヘキサン、及びシクロヘキサノンから選ばれる溶媒中、約０．１ｍｇ／ｍＬを超えること；
最大吸光度の波長が、約２５０ｎｍ〜約５００ｎｍの範囲であること、及び
分子量が、約１００００Ｄａ〜約１０００００Ｄａの範囲であること、
の１種以上の特性によって特徴付けられることを特徴とする請求項１〜８の何れか１項に記載の素子。
【請求項１０】
トップゲート素子構造として構成され、及び誘電体層と半導体層の間に中間層を含むことを特徴とする請求項１〜９の何れか１項に記載の素子。
【請求項１１】
１種以上のビニルモノマーから重合されたビニルポリマーであって、
少なくとも１種のビニルモノマーが、ビニルフェノール、又はこれらの誘導体であり、及びビニルポリマーが、任意に置換されたクマリン部分を含むペンダント基を有する繰り返し単位を含むことを特徴とするビニルポリマー。
【請求項１２】
任意に置換されるクマリン部分が、式、
【化４】
2014240488.tif 000049
（但し、
Ｒ1及びＲ2が、独立して、ａ）Ｈ、ｂ）ハロゲン、ｃ）−ＣＮ、ｄ）−ＮＯ2、ｅ）−ＯＲ4、ｆ）−Ｎ（Ｒ4）2、ｇ）−ＣＨＯ、ｈ）−Ｃ（Ｏ）Ｒ4、ｉ）−Ｃ（Ｏ）ＯＲ4、ｊ）−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ4）2、ｋ）Ｃ1-20アルキル基、ｌ）Ｃ2-20アルケニル基、ｍ）Ｃ2-20アルキニル基、ｎ）Ｃ1-20アルコキシ基、ｏ）Ｃ1-20アルキルチオ基、ｐ）Ｃ1-20ハロアルキル基、ｑ）ａ−Ｙ−Ｃ3-14シクロアルキル基、ｒ）ａ−Ｙ−Ｃ6-14アリール基、ｓ）ａ−Ｙ−３〜１４員のシクロヘテロアルキル基、及びｔ）ａ−Ｙ−５〜１４員のヘテロアリール基から選ばれ、ここで、各Ｃ1-20アルキル基、Ｃ2-20アルケニル基、Ｃ2-20アルキニル基、Ｃ3-14シクロアルキル基、Ｃ6-14アリール基、３〜１４員のシクロヘテロアルキル基、及び５〜１４員のヘテロアリール基が、任意に１〜５個のＲ5基で置換されても良く；
Ｒ3が、各場合において、独立して、ａ）ハロゲン、ｂ）−ＣＮ、ｃ）−ＮＯ2、ｄ）−ＯＲ4、ｅ）−Ｎ（Ｒ4）2、ｆ）−ＣＨＯ、ｇ）−Ｃ（Ｏ）Ｒ4、ｈ）−Ｃ（Ｏ）ＯＲ4、ｉ）−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ4）2、ｊ）Ｃ1-20アルキル基、ｋ）Ｃ2-20アルケニル基、ｌ）Ｃ2-20アルキニル基、ｍ）Ｃ1-20アルコキシ基、ｎ）Ｃ1-20アルキルチオ基、ｏ）Ｃ1-20ハロアルキル基、ｐ）ａ−Ｙ−Ｃ3-14シクロアルキル基、ｑ）ａ−Ｙ−Ｃ6-14アリール基、ｒ）ａ−Ｙ−３〜１４員のシクロヘテロアルキル基、及びｓ）ａ−Ｙ−５〜１４員のヘテロアリール基から選ばれ、ここで、各Ｃ1-20アルキル基、Ｃ2-20アルケニル基、Ｃ2-20アルキニル基、Ｃ3-14シクロアルキル基、Ｃ6-14アリール基、３〜１４員のシクロヘテロアルキル基、及び５〜１４員のヘテロアリール基が、任意に１〜５個のＲ5基で置換されても良く、
（但し、
Ｒ4が、各場合において、独立して、ａ）Ｈ、ｂ）Ｃ1-20アルキル基、ｃ）Ｃ2-20アルケニル基、ｄ）Ｃ2-20アルキニル基、ｅ）Ｃ1-20アルコキシ基、ｆ）Ｃ1-20アルキルチオ基、ｇ）Ｃ1-20ハロアルキル基、ｈ）ａ−Ｙ−Ｃ3-14シクロアルキル基、ｉ）ａ−Ｙ−Ｃ6-14アリール基、ｊ）ａ−Ｙ−３〜１４員のシクロヘテロアルキル基、及びｋ）ａ−Ｙ−５〜１４員のヘテロアリール基から選ばれ、ここで、各Ｃ1-20アルキル基、Ｃ2-20アルケニル基、Ｃ2-20アルキニル基、Ｃ3-14シクロアルキル基、Ｃ6-14アリール基、３〜１４員のシクロヘテロアルキル基、及び５〜１４員のヘテロアリール基が、任意に１〜５個のＲ5基で置換されても良く；
Ｒ5が、各場合において、独立して、ａ）ハロゲン、ｂ）−ＣＮ、ｃ）−ＮＯ2、ｄ）−ＯＨ、ｅ）−Ｏ−Ｃ6-14アリール、ｆ）−ＮＨ2、ｇ）−ＮＨ−Ｃ1-10アルキル、ｈ）−Ｎ（Ｃ1-10アルキル）2、ｉ）−ＮＨ−Ｃ6-14アリール、ｊ）−Ｎ（Ｃ1-10アルキル）−Ｃ6-14アリール、ｋ）−Ｎ（Ｃ6-14アリール）2、ｌ）−ＣＨＯ、ｍ）−Ｃ（Ｏ）−Ｃ1-10アルキル、ｎ）−Ｃ（Ｏ）−Ｃ6-14アリール、ｏ）−Ｃ（Ｏ）ＯＨ、ｐ）−Ｃ（Ｏ）−ＯＣ6-10アルキル、ｑ）−Ｃ（Ｏ）−ＯＣ6-14アリール、ｒ）−Ｃ（Ｏ）ＮＨ2、ｓ）−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−Ｃ6-10アルキル、ｔ）−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ1-10アルキル）2、ｕ）−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−Ｃ6-14アリール、ｖ）−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ1-10アルキル）−Ｃ6-14アリール、ｗ）−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ6-14アリール）2、ｘ）Ｃ1-10アルキル基、ｙ）Ｃ2-10アルケニル基、ｚ）Ｃ2-10アルキニル基、ａａ）Ｃ1-10アルコキシ基、ａｂ）Ｃ1-10アルキルチオ基、ａｃ）Ｃ1-10ハロアルキル基、ａｄ）ａ−Ｙ−Ｃ3-14シクロアルキル基、ａｅ）ａ−Ｙ−Ｃ6-14アリール基、ａｆ）ａ−Ｙ−３〜１４員のシクロヘテロアルキル基、及びａｇ）ａ−Ｙ−５〜１４員のヘテロアリール基から選ばれ、ここで、各Ｃ1-10アルキル基、Ｃ2-10アルケニル基、Ｃ2-10アルキニル基、Ｃ3-14シクロアルキル基、Ｃ6-14アリール基、３〜１４員のシクロヘテロアルキル基、及び５〜１４員のヘテロアリール基が、任意に、ハロゲン、ＣＮ、Ｃ1-6アルキル基、Ｃ1-6ハロアルキル基、Ｃ1-6アルコキシ基、ａ−Ｏ−Ｃ1-6ハロアルキル基、ａ−Ｃ（Ｏ）−Ｃ1-6アルキル基、ａ−Ｃ（Ｏ）−Ｃ1-6ハロアルキル基、及びａ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−Ｃ1-6アルキル基から選ばれる１〜５個の置換基で置換されても良く；及び
Ｙが、各場合において、二価のＣ1-6アルキル基、二価のＣ2-6アルケニル基、二価のＣ2-6アルキニル基、又は共有結合である）
及び、
ｂが、０、１、２又は３である）
を有することを特徴とする請求項１１に記載のビニルポリマー。
【請求項１３】
少なくとも１種のビニルモノマーが、式、
【化５】
2014240488.tif 000050
（但し、
Ｑが、−（Ｌ”）p−Ｌ'''であり、
（ここで、
Ｌ”が、それぞれの場合において、独立して、−Ｙ”−、−（Ｙ”）m−Ｏ−、−Ｙ”−Ｓｉ（Ｒ4）2−、−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ4）2−、及び共有結合から選ばれ；
Ｌ'''がクマリン部分に結合し、及び−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−Ｙ'''−Ｏ−、−Ｏ−Ｙ'''−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−Ｙ'''−ＮＲ4−、−ＮＲ4−Ｙ'''−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）k−、−Ｏ−Ｙ'''−Ｓ（Ｏ）k−、及び共有結合から選ばれ；
Ｙ”が、各場合において、二価のＣ1-6アルキル基、二価のＣ2-6アルケニル基、及び二価のＣ6-14アリール基から選ばれ、ここで、各Ｃ1-6アルキル基、Ｃ2-6アルケニル基、及びＣ6-14アリール基は、任意に１〜５個のＲ5基で置換されても良く；
Ｙ'''が、二価のＣ1-6アルキル基、二価のＣ2-6アルケニル基、及び二価のＣ6-14アリール基から選ばれ、ここで、各Ｃ1-6アルキル基、Ｃ2-6アルケニル基、及びＣ6-14アリール基は、任意に１〜５個のＲ5基で置換されても良く；
ｋが０、１、又は２であり；
ｍが、１、２、３、４、５又は６であり；
ｐが、０〜１０の範囲の整数である）及び
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、及びｂが、請求項１２に定義されたものである）
を有することを特徴とする請求項１２に記載のビニルポリマー。
【請求項１４】
少なくとも１種のビニルモノマーがアクリレートであることを特徴とする請求項１１〜１３の何れか１項に記載のビニルポリマー。
【請求項１５】
任意に置換されたクマリン部分は、１種以上のビニルモノマーが重合された後に導入されることを特徴とする請求項１１又は１２の何れかに記載のビニルポリマー。
【請求項１６】
式、
【化６】
2014240488.tif 000051
（但し、
Ｑが、−（Ｌ”）p−Ｌ'''であり
（ここで、
Ｌ”が、それぞれの場合において、独立して、−Ｙ”−、−（Ｙ”）m−Ｏ−、−Ｙ”−Ｓｉ（Ｒ4）2−、−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ4）2−、及び共有結合から選ばれ；
Ｌ'''がクマリン部分に結合し、及び−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−Ｙ'''−Ｏ−、−Ｏ−Ｙ'''−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−Ｙ'''−ＮＲ4−、−ＮＲ4−Ｙ'''−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）k−、−Ｏ−Ｙ'''−Ｓ（Ｏ）k−、及び共有結合から選ばれ；
Ｙ”が、各場合において、二価のＣ1-6アルキル基、二価のＣ2-6アルケニル基、及び二価のＣ6-14アリール基から選ばれ、ここで、各Ｃ1-6アルキル基、Ｃ2-6アルケニル基、及びＣ6-14アリール基は、任意に１〜５個のＲ5基で置換されても良く；
Ｙ'''が、二価のＣ1-6アルキル基、二価のＣ2-6アルケニル基、及び二価のＣ6-14アリール基から選ばれ、ここで、各Ｃ1-6アルキル基、Ｃ2-6アルケニル基、及びＣ6-14アリール基は、任意に１〜５個のＲ5基で置換されても良く；
ｋが０、１、又は２であり；
ｍが、１、２、３、４、５又は６であり；
ｐが、０〜１０の範囲の整数である）；
Ｗ”が、ａ）Ｈ、ｂ）ハロゲン、ｃ）Ｃ1-20アルキル基、ｄ）Ｃ2-20アルケニル基、ｅ）Ｃ1-20ハロアルキル基、ｆ）Ｃ3-14シクロアルキル基、ｇ）Ｃ6-14アリール基、ｈ）３〜１４員のシクロアルキル基、及びｉ）５〜１４員のヘテロアリール基から選ばれ、ここで、各Ｃ1-20アルキル基、Ｃ2-20アルケニル基、Ｃ1-20ハロアルキニル基、Ｃ3-14シクロアルキル基、Ｃ6-14アリール基、３〜１４員のシクロヘテロアルキル基、及び５〜１４員のヘテロアリール基が、任意に、ハロゲン、−ＣＮ、オキソ基、Ｃ1-6アルキル基、Ｃ1-6ハロアルキル基、Ｃ1-6アルコキシ基、ａ−Ｃ（Ｏ）−Ｃ1-6アルキル基、ａ−Ｃ（Ｏ）−Ｃ1-6ハロアルキル基、及びａ−Ｃ（Ｏ）−Ｃ1-6アルキル基から独立して選ばれる１〜５個の置換基で置換されても良く；
ｘ、ｘ’、ｘ”、及びｙが、独立して、実数であり、ここで、０＜ｘ≦１、０≦ｘ’＜１、０≦ｘ”＜１、０＜ｙ＜１、及びｘ＋ｘ’＋ｘ”＋ｙ＝１であり；
ｎが、１０〜１０００の範囲の整数であり；及び
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、及びＲ5が、請求項１２に定義されたものである）
を有する請求項１１〜１５の何れか１項に記載のビニルポリマー。
【請求項１７】
以下の式、
【化７】
2014240488.tif 000052
（但し、ｎが、１０〜１０００の範囲の整数である）
から選ばれることを特徴とする請求項１１に記載のビニルポリマー。
【請求項１８】
ポリマーが、以下の、
誘電定数が１．１〜５．０の範囲であること；
ガラス転移温度（Ｔg）が約１００℃〜約２００℃の範囲であること；
アニソール、キシレン、シクロペンタノン、シクロヘキサン、及びシクロヘキサノンから選ばれる溶媒中の溶解度が、約０．１ｍｇ／ｍＬを超えること；
最大吸光の波長が、約２５０ｎｍ〜約４５０ｎｍの範囲であること；
及び分子量が、約１００００Ｄａ〜約１０００００Ｄａの範囲であること；
から選ばれる１種以上の特性によって特徴付けられることを特徴とする請求項１１〜１７の何れか１項に記載のビニルポリマー。
【請求項１９】
電子素子中の誘電体層を製造するために、請求項１１〜１８の何れか１項に記載のビニルポリマーを使用する方法。
【請求項２０】
請求項１１〜１８の何れか１項に記載のビニルポリマーを含む溶液を製造する工程；
基材上に溶液を配置、堆積させ、被覆物を得る工程；及び
該被覆物を放射に曝し、架橋を行い、及び架橋された誘電体を製造する工程；
を含むことを特徴とする誘電体を製造するための方法。
【請求項２１】
漏えい電流密度が、約１×１０-8Ａ／ｃｍ2ａｔ２ＭＶ／ｃｍ以下であることを特徴とする請求項２０に記載の方法によって製造された誘電体。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
［優先権の主張］
本願は、２００８年、１１月２４日に出願した、Ｕ．Ｓ．Ｐｒｏｖｉｓｉｏｎａｌ Ｐａｔｅｎｔ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｅｒｉａｌ Ｎｏ．６１／１１７４０４の優先権及びその利益を主張し、これによりこの文献の全てがここに導入される。
【０００２】
次世代の電子素子の発達は、有機材料、柔軟性基材及び低コスト溶液処理に基づいている。大半の有機電子素子の重要な要素は、ポリマー性誘電体層で、該ポリマー性誘電体層は、電子回路の重要な構成ブロックである、薄いフィルム状のトランジスター中で、ゲート絶縁物材料として作用する。ポリマー誘電体層は、電気的に絶縁性の（即ち、誘電性の）ポリマーの溶液を、液相法、例えばスピン被覆、又は印刷によって、配置、堆積させることによって、（ボトム−ゲートトランジスター構造のための）ゲートコンタクトにも、（トップゲートトランジスター構造のための）半導体層にも形成することができる。強固な、不溶性の誘電体を製造するために、通常、架橋工程が必要になる。
【０００３】
架橋した誘電体フィルムは、放射（即ち、光硬化）、化学的開始剤、又は熱的開始剤（即ち、アニーリング、焼きなまし）によって製造することができる。光硬化が有利である。この理由は、光硬化は行うのが容易であり、そして化学的開始剤や長時間にわたる加熱（これらは、フィルムの均一性を乱すものである）を回避することができるからである。現世代の光硬化性材料の制限は、十分な硬化を達成するために、高エネルギー光、例えば短波長ＵＶ光線、及び長時間にわたる露光が必要になることである。しかしながら、多くのポリマーのバックボーン及び架橋した単位が短波長のＵＶ光を吸収することができるので、これらの光硬化性材料の使用は、誘電体フィルムの非効率的な硬化(curing)をもたらし得る。従って、（誘電体層のより速い、及び深い硬化をもたらすであろう）より長い波長で架橋することができる、ポリマー性誘電体を発達させることが有利である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従って、光硬化が可能なポリマー性誘電体組成物の技術分野では、より長い波長の紫外線で架橋することができることへの要望が有る。より一般的には、この技術分野では、（好ましくは、空気−、及び／又は水分安定性で、種々のゲート、及び／又は半導体材料と調和し、及び漏えい電流密度が低い）溶液処理可能な誘電体フィルムを得ることができるポリマー性組成物をも要望している。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
概要
上述の内容を背景に、本発明の教示は、従来技術の（上述したものを含む）種々の欠点と短所を解決する、電気的に絶縁性の（即ち誘電体の）ポリマー、ポリマーベースの誘電体組成物（例えば、処方物）及び材料（例えばフィルム）、及び関連する素子を提供する。
【０００６】
ある局面では、本発明の教示は、種々のポリマー、及び誘電体を製造するために使用できるこれらのポリマーを含む複合体を提供する。他の望ましい特性の中で、本教示のポリマーは、一般的な有機溶媒に溶解性であることができるが、架橋（例えば、所定の処理性の有利さが得られる光架橋）を行った後、ある溶媒には不溶性であることが可能である。より特定的に、本教示は、そのペンダント基（又は側基）中に、（例えば、放射露光の下にポリマーを架橋することを可能とする）架橋可能な官能基、例えば光架橋可能な官能基を有するポリマーを提供する。架橋の官能価(functionality)は、密に架橋したポリマー性マトリックスの形成を許容可能とする。本教示の光ポリマー（photopolymer）、及びその架橋した生成物は、卓越した電気的な絶縁特性を有することができ、これにより、これらを誘電体として使用可能とすることができる。ある実施の形態では、光ポリマー及びその架橋した生成物は、漏えい電流密度が、（２ＭＶ／ｃｍの電界で）約１×１０-8Ａ／ｃｍ2ａｔＭＶ／ｃｍ以下であることができる。
【０００７】
本教示のポリマーは、クマリン含有ペンダント基を有することができ、ここで、クマリン含有ペンダント基は、式：
【０００８】
【化１】
2014240488.tif 000002
【０００９】
例えば、
【００１０】
【化２】
2014240488.tif 000003
【００１１】
（但し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｌ及びｂは、ここに定義したものである）
で表すことができる。
【００１２】
ある実施の形態では、ポリマーは、ビニルフェノールモノマーに基づくホモポリマー又はコポリマーであることが可能である。例えば、本ポリマーのある実施の形態は、以下の式：
【００１３】
【化３】
2014240488.tif 000004
【００１４】
（但し、ｘ及びｘ’が、独立して、実数であり；ｘ＋ｘ’＝１；ｘ＞０；０≦ｘ’＜１；ｎが、２より大きい整数（例えば、１０〜１０００の範囲）；及びＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ8’、Ｑ及びｂがここで定義されたものである）
によって表すことができる。ある実施の形態では、本ポリマーは、以下の式：
【００１５】
【化４】
2014240488.tif 000005
【００１６】
（但し、ｘ、ｘ’、ｘ”が、独立して、実数であり；ｘ＋ｘ’＋ｘ”＝１；ｘ、ｘ”＞０；０≦ｘ’＜１；ｎが２よりも大きい整数（例えば、１０〜１０００）；及びＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ8’、Ｒ8”、Ｑ、Ｗ”及びｂがここで定義されたものである。例えば、−Ｏ−Ｑ−Ｗ”が、フェノール基のヒドロキシル基の誘導体であることができる。
【００１７】
特定の実施の形態では、本ポリマーは、ペンダント基−Ｌ−Ｗ、及び任意にペンダント基−Ｌ−Ｗ’を含み、及び式：
【００１８】
【化５】
2014240488.tif 000006
【００１９】
（但し、各ｘ、ｘ’、ｘ”、ｙ及びｙ’が、独立して実数であり；ｘ、ｙ＞０；０≦ｘ’＜１；０≦ｘ”＜１；０≦ｙ’＜１；ｎが、２よりも大きい整数（例えば１０〜１０００の間）；及びＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ8’、Ｒ8”、Ｒ9、Ｒ9’、Ｌ、Ｑ、Ｗ、Ｗ’、Ｗ”及びｂがここで定義されたものである）
を有することができるコポリマーであることができる。
【００２０】
本教示はまた、ポリマー性組成物物、及び上述したポリマーを含む誘電体（dielectric material）を提供する。例えば、誘電体は、上述したポリマーから製造することができる。２層以上の誘電体の層が、連続的に互いの頂部に配置、沈澱され、少なくとも１層が、本教示のポリマーから製造されている、複数層の誘電体が提供される。本ポリマーは、種々の印刷技術を含む、種々の溶液処理を使用して、誘電体を製造するために使用することができる。
【００２１】
本教示は、更に、上述した何れかの誘電体を含む、又はこれらから製造される電子素子を提供する。電子素子の例は、有機の薄いフィルム状のトランジスター（ＯＴＦＴｓ）（例えば、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴｓ））及びキャパシタを含むが、これらに限られるものではない。誘電体成分に加え、これらの素子は、例えば、基材成分、半導体成分、及び／又は１種以上の金属性接触成分(metallic contact component)を含むことができる。ある実施の形態では、本教示は、誘電体層；半導体層；ゲート電極；ソース電極；及びドレイン電極を含む、薄いフィルム状のトランジスター素子を提供することができ、ここで、誘電体層は、半導体層及びゲート電極と結合することができ、そしてソース電極とドレイン電極は、半導体層と接触し、及び誘電体層は、ここに記載した１種以上のポリマーを含む、ポリマー性フィルム（例えば、光架橋されたポリマー性フィルム）を含むことができる。
【００２２】
ポリマーを製造する方法、これらを電子素子に使用する方法、上述した誘電体（誘電体材料）、及び電子素子も提供され、これらは本教示の範囲内である。
【００２３】
上述した内容、及び本教示の他の特徴、及び有利な点を、以下に図を使用して、及び請求項に基づいてより詳細に説明する。
【００２４】
以下に説明する図面は、例示のみを目的としていると理解される。図面は、本教示の原理を説明するのに配置されたスケールを強調する必要なない。図面は、本教示の範囲を限定することを意図するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】図１は、本教示の誘電体を使用して作成した金属−絶縁体−金属キャパシター構造の、漏えい電流密度（Ｊ）対電界（Ｅ）のプロットを示している。
【図２】図２は、本教示の誘電体（ＰＶＰ0.55-CO-ＰＭＭＡ0.45-６ＨＯＣ-Ａｃから製造された、架橋された誘電体フィルム）を有する、トップゲート構造中に作成された、ポリ（３−ヒドロキシチオフェン）−ベースの有機電界効果トランジスターの代表的なアウトプットプロットを示している。
【図３】図３は、本教示の誘電体（ＰＶＰ0.55-CO-ＰＭＭＡ0.45-６ＨＯＣ-Ａｃから製造された、架橋された誘電体フィルム）を有する、トップゲート構造中に作成された、ポリ（３−ヒドロキシチオフェン）−ベースの有機電界効果トランジスターの代表的な遷移プロット（transfer plot）を示している。
【図４】図４は、本教示の誘電体（ＰＶＰ0.55-CO-ＰＭＭＡ0.45-６ＨＯＣ-Ａｃから製造された、架橋された誘電体フィルム）を有する、トップゲート構造中に作成された、種々の放射ドーズで硬化された、ポリ（３−ヒドロキシチオフェン）−ベースの有機電界効果トランジスターの代表的な遷移プロットを示している。
【図５】図５は、ＳｉＯ2誘電体層を有する、ボトムイゲート、トップコンタクト構造中に作成された、ポリ（３−ヒドロキシチオフェン）−ベースの有機電界効果トランジスターの、比較としての代表的な遷移プロット（transfer plot）を示している。
【図６】図６は、本教示の誘電体（ＰＶＰ0.55-CO-ＰＭＭＡ0.45-６ＨＯＣ-Ａｃから製造された、架橋された誘電体フィルム）を有する、トップゲート構造中に作成された、ペリレンジカルボキシイミド（ＰＤＩ）−ベースの有機電界効果トランジスターの代表的な遷移プロットを示している。
【図７】図７は、本教示の誘電体（ＰＶＰ-６ＨＯＣ-Ａｃから製造された、架橋された誘電体フィルム）を有する、トップゲート構造中に作成された、ＰＤＩ−ベースの有機電界効果トランジスターの代表的な遷移プロットを示している。
【図８】図８は、本教示の誘電体（ＰＶＰ0.55-CO-ＰＭＭＡ0.45-６ＨＯＣ-Ａｃから製造された、架橋された誘電体フィルム）を有する、ボトムゲート、ボトムコンタクト構造中に作成された、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）−ベースの有機電界効果トランジスターの代表的な遷移プロットを示している。
【図９】図９は、本教示の誘電体（ＰＶＰ0.55-CO-ＰＭＭＡ0.45-６ＨＯＣ-Ａｃから製造された、架橋された誘電体フィルム）を有する、ボトムゲート、ボトムコンタクト構造中に作成された、ＰＤＩ−ベースの有機電界効果トランジスターの代表的な遷移プロットを示している。
【図１０】図１０は、本教示の誘電体（ＰＶＰ0.55-CO-ＰＭＭＡ0.45-６ＨＯＣ-Ａｃから製造された、架橋された誘電体フィルム）を有する、ボトムゲート、トップコンタクト構造中に作成された、ペンタセン−ベースの有機電界効果トランジスターの代表的な遷移プロットを示している。
【図１１】図１１は、本教示の誘電体（ＰＶＰ−７ＨＯＣ-Ａｃから製造された、架橋された誘電体フィルム）を有する、ボトムゲート、トップコンタクト構造中に作成された、ペンタセン−ベースの有機電界効果トランジスターの代表的な遷移プロットを示している。
【図１２】図１２は、本教示のポリマー（ＰＶＰ-６ＨＯＣ-Ａｃ）の代表的な示差走査熱量測定（ＤＳＣ）を示している。
【図１３】図１３は、本教示の誘電体（ＰＶＰ-６ＨＯＣ-Ａｃから製造された、架橋された誘電体フィルム）を組み込んだ金属−絶縁体−金属キャパシター構造の、ポスト−架橋溶媒処理の前及び後の、漏えい電流密度（Ｊ）と種々の電界（Ｅ）の関係を示している。
【図１４】図１４は、薄いフィルム状のトランジスターの４種の異なる構造ａ）ボトムゲート、トップコンタクト、ｂ）ボトムゲート、ボトムコンタクト、ｃ）トップゲート、ボトムコンタクト、及びｄ）トップゲート、トップコンタクトを示している；それぞれは、本教示の１種以上のポリマーを、特に誘電体層、又は誘電体成分として組み込むことができる。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
詳細な説明
本教示は、架橋可能なポリマーを含む、有機誘電体、及び関連した組成物、複合体、及び／又はこのような架橋可能なポリマー及び誘電体を含む素子に関する。より特定的には、本発明は、溶液−処理が可能な（及び架橋可能な、例えば光架橋可能な）ポリマー（該ポリマーは、電気的に絶縁性の特性を示し、及びＯＴＦＴｓを含む種々の有機電子素子を製造するのに使用可能な、不溶性の、強固(robust)な誘電体材料を提供するものである）を提供する。この誘電体は、空気安定性であり、及び長期にわたり自己安定性であり、及びｐ−タイプ及びｎ−タイプの有機及び無機半導体と調和し(compatible)、種々の電子素子を製造するのに魅力有る材料である。
【００２７】
本願において、組成が特定の成分を有する、包含する、含む（成る）と記載されている場合、又は方法が、特定の工程を、有する、包含する、含む（成る）と記載されている場合、本教示の組成（物）は、上記組成から原則的に成り、又は成り、及び本教示の方法も、上記工程から原則的に成ると考えられる。
【００２８】
本願において、要素又は成分が含められる、及び／又は上記要素又は成分のリストから選ばれる場合、要素又は成分は、上記要素又は成分の何れかのものであることができ、又は上記要素又は成分の２種以上のものから成る群から選ぶことができると理解される。更に、ここに記載された組成、装置、又は方法の要素、及び／又は特性は、（明示された又は暗示された）本教示の精神と範囲の範囲から離れることなく、種々の方法で組み合わせることができると理解されるべきである。
【００２９】
「含む(include)」、「含む(includes)」、「含んでいる(including)」、「有する(have)」、「有する(has)」又は「有している(having)」という用語の使用は、他に記載がなければ通常、境界が設定されておらず、及び限定するものでないと理解されるべきである。
【００３０】
ここで単数形の使用は、他に記載がなければ複数の場合を含む（逆の場合もそうである）。更に、量的な値の前に「約」という用語を使用する場合、本教示は、他に記載がなければ特定の量的な値も含む。ここで使用されているように、他に示されておらず、予測できなければ「約」という用語は、名目的数値の±１０％の変動を表す。
【００３１】
工程の順序、又は所定の処理を行うための順序は、本教示が実施可能である限り、重要ではない。更に、２種以上の工程又は処理が同時に行われても良い。
【００３２】
ここに使用されているように、「ポリマー」又は「ポリマー化合物」は、共有結合によって結合された複数の繰り返し単位を含む分子（例えば高分子）を意味する。ポリマーは、一般式：
【００３３】
【化６】
2014240488.tif 000007
【００３４】
（但し、Ｍが繰り返し単位、又はモノマーであり、及びｎがポリマー中のＭの数である）
によって表すことができる。ポリマー又はポリマー性化合物は、１種のみの繰り返し単位を有することも可能であり、及び２種以上の異なる繰り返し単位を有することもできる。前者の場合、ポリマーは、ホモポリマーと称することができる。後者の場合、（ポリマーが、化学的に相当に異なる繰り返し単位を有する場合には、）この替わりに、「コポリマー」又は「コポリマー性化合物」という用語を使用することができる。ポリマー又はポリマー性化合物は、直鎖状が可能であり、又は枝分れしていることが可能である。枝分れしたポリマーは、樹枝状高分子、例えば樹枝状化したポリマー(dendronized polymer)、超分岐ポリマー、ブラシポリマー（ボトル−ブラシとも称される）、及びこれらに類似するものを含むことができる。他に記載がなければ、コポリマー中の繰り返し単位の集合は、ヘッド−ツウ−テール、ヘッド−ツウ−ヘッド、又はテイル−ツウ−テイルであることができる。更に、他に記載がなければ、コポリマーは、ランダムコポリマー、交互コポリマー、又はブロックコポリマーであることができる。ある実施の形態では、以下に示したものに類似した式を、繰り返し単位として使用することができ、及びこのような式は、ｘ0％のＭ1、ｙ0％のＭ2、ｚ0％のＭ3（Ｍ2、及びＭ3は異なる繰り返し単位である）から成る任意の繰り返し単位を含むコポリマーを含むと解釈されるべきである：
【００３５】
【化７】
2014240488.tif 000008
【００３６】
即ち、順序、及びオリエンテーション、及びＭ1、Ｍ2、及びＭ3は、特定のものを意図しているものではなく、及び式は、Ｍ1、Ｍ2、及びＭ3の、交互、ランダム、及びブロックコポリマーを含むことを意図している。
【００３７】
ここに使用されるように、「ペンダント基」又は「側基」は、ポリマーの繰り返し単位の一部であり、及びポリマーのバックボーンに共有結合的に付加された部分(moiety)を意味する。
【００３８】
ここに使用されるように、「フォトポリマー（感光性樹脂）」は、硬化することができる、例えば光（しばしば、スペクトルの紫外線領域の光、又は放射の他のタイプを使用）に曝すことによって架橋することができるポリマーを意味する。
【００３９】
ここに使用されるように、「溶液−処理が可能な」は、スピンコーティング、印刷（例えば、インクジェット印刷、スクリーン印刷、パッド印刷、オフセット印刷、グラビア印刷、フレキソ印刷、リトグラフ印刷、マス印刷、及びこれらに類似するもの）、スプレー被覆、電気スプレー被覆、ドロップ被覆、ディップ被覆、及びブレード被覆を含む、種々の溶液−相処理に使用することができるポリマー、材料、又は組成物を意味する。「溶液−処理が可能な」は、（これらが上述した処理によって処理可能である限り）ポリマー、材料、又は組成物の分散物も含む。
【００４０】
ここで使用されているように、「ハロ」又は「ハロゲン」は、フルオロ、クロロ、ブロモ、及びヨードを示す。
【００４１】
ここで使用されるように、「オキソ」は、二重結合した酸素（即ち、＝Ｏ）を示す。
ここで使用されるように、「アルキル」は、直鎖状、又は枝分かれした、飽和した炭化水素基を示す。アルキル基の例は、メチル（Ｍｅ）、エチル（Ｅｔ）、プロピル（例えば、ｎ−プロピル及びイソ−プロピル）、ブチル（例えば、ｎ−ブチル、イソ−ブチルｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル）、ペンチル基（例えば、ｎ−ペンチル、イソ−ペンチル、ネオペンチル）、ヘキシル基、及びこれに類似するものを含む。種々の実施の形態では、アルキル基は、１〜４０個の炭素原子を含むことができ（即ち、Ｃ1-40アルキル基）、例えば、１〜２０個の炭素原子を含むことができる（即ち、Ｃ1-20アルキル基）。ある実施の形態では、アルキル基は、１〜６個の炭素原子を有することができ、及び「低アルキル基」と称することができる。低アルキル基の例は、メチル、エチル、プロピル（例えば、ｎ−プロピル、及びイソ−プロピル）、ブチル（例えば、ｎ−ブチル、イソ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル）、及びヘキシル基を含む。ある実施の形態では、アルキル基は、ここに記載したように、置換することができる。アルキル基は、通常、他のアリキル基、アルケニル基、又はアルキニル基によって置換されない。
【００４２】
ここに記載したように、「ハロアルキル」は、１個以上のハロゲン置換基を有するアルキル基を示す。種々の実施の形態で、ハロアルキル基は、１〜４０個の炭素原子を有することができ（即ち、Ｃ1-40ハロアルキル基）、例えば１〜２０個の炭素原子を有することができる（即ち、Ｃ1-20ハロアルキル基）。ハロアルキル基の例は、ＣＦ3、Ｃ2Ｆ5、ＣＨＦ2、ＣＨ2Ｆ、ＣＣｌ3、ＣＨＣｌ2、ＣＨ2Ｃｌ、Ｃ2Ｃｌ5、及びこれらに類似するものを含む。ペルハロアルキル基、即ち水素原子の全てがハロゲン原子に置換されたアルキル基（例えば、ＣＦ3及びＣ2Ｆ5）が、「ハロアルキル」の定義内に含められる。例えば、ａＣ1-40ハロルキル基は、式−ＣzＨ2z+1-tＸ0t、を有することができる（但し、Ｘ0が、各場合において、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩであり、ｚが、１〜４０の範囲の整数であり、及びｔが１〜８１の範囲の整数である；但し、ｔは、２ｚ＋１以下である）。ペルハロアルキル基ではないハロアルキル基は、ここに記載したように置換することができる。
【００４３】
ここに使用されるように、「アルコキシ」は、−Ｏ−アルキル基を示す。アルコキシ基の例は、メトキシ、エトキシ、プロポキシ（例えば、ｎ−プロポキシ及びイソプロポキシ）、ｔ−ブトキシ、ペントキシ、ヘキソキシル基、及びこれらに類似するものを含むが、これらに限られるものではない。−Ｏ−アルキル基中のアルキル基は、ここに記載したように置換することができる。
【００４４】
ここに使用されるように、「アルキルチオ」は、−Ｓ−アルキル基を示す。アルキルチオ基の例は、メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ（例えば、ｎ−プロピルチオ及びイソプロピルチオ）、ｔ−ブチルチオ、ペンチルチオ、ヘキシルチオ基、及びこれらに類似するものを含むが、これらに限定されるものではない。−Ｓ−アルキル基中のアルキル基は、ここに記載したように置換することができる。
【００４５】
ここに使用されるように、「アリールアルキル」は、−アルキル−アリール基を示し、ここでアリールアルキルは、定義された化学構造に、アルキル基を介して共有結合的に結合されている。アリールアルキルは、−Ｙ−Ｃ6~14アリール基の定義内である（但し、Ｙはここに定義したものである）。アリールアルキルの例は、ベンジル基（−ＣＨ2−Ｃ6Ｈ5）である。アリールアルキル基は、任意に置換することができ、即ちアリール基、及び／又はアルキル基は、ここに開示したように置換することができる。
【００４６】
ここに使用したように、「アルケニル」は、炭素−炭素二重結合を１個以上有する、直鎖状、又は枝分れしたアルキル基を示す。アルケニル基の例は、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル、ブタジエニル、ペンタジエニル、ヘキサジエニル基、及びこれらに類似するものを含む。１個以上の炭素−炭素二重結合は、内部のもの（例えば２−ブテン）、又は末端のもの（例えば、１−ブテン）であることが可能である。種々の実施の形態では、アルケニル基は、２〜４０個の炭素原子を含むことができ（即ち、Ｃ2-40アルケニル基）、例えば２〜２０個の炭素原子を含むことができる（即ち、Ｃ2-20アルケニル基）。ある実施の形態では、アルケニル基は、ここに記載したように置換することができる。アルケニル基は、通常、他のアルケニル基、アルキル基、又はアルキニル基で置換されない。
【００４７】
ここに使用されるように、「アルキニル」は、炭素−炭素三重結合を１個以上有する、直鎖状の、又は枝分かれしたアルキル基を示す。アルキニル基の例は、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、及びこれらに類似するものを含む。この１個以上の炭素−炭素三重結合は、内部のもの（例えば２−ブチン）、又は末端のもの（例えば、１−ブチン）であることが可能である。種々の実施の形態では、アルキニル基は、２〜４０個の炭素原子（即ち、Ｃ2-40アルキニル基）、例えば２〜２０個の炭素原子を含むことができる（即ち、Ｃ2-20アルキニル基）。ある実施の形態では、アルキニル基は、ここに記載したように置換することができる。アルキニル基は、通常、他のアルキニル基、アルキル基、又はアルケニル基で置換されない。
【００４８】
ここに使用されるように、「シクロアルキル」は、アルキル、アルケニル、及びアルキニル基を含む、非芳香族炭素環式の基を示す。種々の実施の形態では、シクロアルキル基は、３〜２０個の炭素原子を含むことができ、例えば３〜１４個の炭素原子を含むことができる（即ち、Ｃ3-14シクロアルキニル基）。シクロアルキル基は、単環式（例えばシクロヘキシル）、又は多環式（例えば、縮合(fused)した、橋かけした、及び／又はスピロ環系）であることができ、ここで、炭素原子は、環系の内側又は外側に配置される。シクロアルキル基の適切な任意の環位置が、定義した化学構造に共有結合的に結合可能である。シクロアルキル基の例は、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロペンテニル、シクロヘキセニル、及びスピロ［４．５］デカニル基、及びその同族体、異性体、及びこれに類似するものを含む。ある実施の形態では、シクロアルキル基は、ここに記載されたように置換することができる。
【００４９】
ここに使用されるように、「ヘテロ原子」は、炭素又は窒素以外の原子で、例えば窒素、酸素、シリコン、リン及びセレニウムを含む。
【００５０】
ここで使用されるように、「シクロヘテロアルキル」は、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｎ、Ｐ及びＳｉ（例えばＯ、Ｓ及びＮ）から選ばれる少なくとも１個の環ヘテロ原子を含み、及び任意に１個以上の二重又は三重結合を含む、非芳香族シクロアルキル基を示す。シクロヘテロアルキル基は、３個〜２０個の環原子、例えば３〜１４個の環原子（即ち、３〜１４員のシクロアルキル基）を有することができる。シクロアルキル環中の１つ以上のＮ、Ｐ、Ｓ、又はＳｅ原子（例えば、Ｎ又はＳ）が酸化されても良い（例えば、モルホリンＮ−オキシド、チオモリホリンＳ−オキシド、チオモルホリンＳ，Ｓ−ジオキシド）。ある実施の形態では、シクロアルキル基中の窒素、又はリン原子は、置換基、例えば水素原子、アルキル基、又はここに記載されている他の置換基を有することができる。シクロアルキル基は、１種以上のオキソ基、例えばオキソピペリジル、オキソオキサゾーリジル、ジオキソ−（１Ｈ，３Ｈ）−ピリミジル、オキソ−２（１Ｈ）−ピリジル、及びこれに類似する基を含むこともできる。シクロヘテロアルキル基の例は、特に、モルホリニル、チオモルホリニル、ピラニル、イミダゾリジニル、イミダゾリニル、オキサゾリジニル、ピラゾリジニル、ピラゾリニル、ピロリジニル、ピロリニル、テトラヒドロフラニル、テトラヒドロチオフェニル、ピペリジニル、ピペラジニル、及びこれに類似するものを含む。ある実施の形態では、シクロヘテロアルキル基は、ここに記載したように置換することができる。
ここに使用されるように、「アリール」は、芳香族単環式炭化水素環系、又は多環式環系を示し、ここで多環式環系内では、２つ以上の芳香族炭化水素環が一緒に融合(fuse)（即ち、共通する結合を有する）しているか、又は少なくとも１個の芳香族単環式炭化水素環が１個以上のシクロアルキル及び／又はシクロヘテロアルキル環に融合している。アリール基は、６個〜２０個の炭素原子を（複数の融合した環を含むことができる）その環系内に有することができる（例えばＣ6-14アリール基）。ある実施の形態では、多環式アリール基は、８個〜２０個の炭素原子を有することができる。アリール基の適切な任意の環位置が定義された化学構造に共有結合することができる。芳香族１つ以上の炭素環式環のみを有するアリール基の例は、フェニル、１−ナフチル（２環式）、２−ナフチル（２環式）、アントラセニル（３環式）、フェナンスレニル（３環式）、及びこれらに類似する基を含む。少なくとも１個の芳香族炭素環式環が、１個以上のシクロアルキル及び／又はシクロヘテロアルキル環に融合している多環式環系の例は、特に、シクロペンタン（即ち、５，６−ビシクリックシクロアルキルであるインダニル基／芳香族環系）、シクロヘキサン（即ち、６，６−ビシクリックシクロアルキルであるテトラヒドロナフチル基／芳香族環系）、イミダゾリン（即ち、５，６−ビシクリックシクロヘテロアルキルであるベンズイミダゾリニル／芳香族環系）、及びピラン（即ち、６，６−ビシクリックシクロヘテロアルキルである、クロメニル基／芳香族環系）のベンゾ誘導体を含む。アリール基の他の例は、ベンゾジオキサニル、ベンゾジオキソリル、クロマニル、インドリニル基、及びこれらに類似するものを含む。ある実施の形態では、アリール基は、ここに記載されているように置換することができる。ある実施の形態では、アリール基は、１つ以上のハロゲン置換基を有することができ、及び「ハロアリール基」と称することができる。ペルハロアリール基、即ち全ての水素原子が、ハロゲン原子で置換されたアリール基（例えば、−Ｃ6Ｆ5）は、「ハロアリール」の定義内に含まれる。ある実施の形態では、アリール基は、他のアリール基で置換され、及びビアリール基と称することができる。ビアリール基内の各アリール基は、ここに開示したように置換することができる。
【００５１】
ここに使用されるように、「ヘテロアリール」は、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、硫黄（Ｓ）、シリコン（Ｓｉ）及びセリウム（Ｓｅ）から選ばれる、少なくとも１つの環ヘテロアトムを含む芳香族単環式環系、又は多環式環系（ここで、環系内に存在する少なくとも１個の環が芳香族であり、及び少なくとも１個の環ヘテロ原子を含む）を示す。多環式ヘテロアリール基は、互いに融合した(fuse)２個以上のヘテロアリール環、及び１個以上の芳香族炭素環式環、非芳香族炭素環式環、及び／又は非芳香族シクロヘテロアルキル環に融合した単環式ヘテロアリール環を含む。ヘテロアリール基は、全体として、例えば５個〜２０個の環原子を有することができ、及び１〜５個の環ヘテロ原子（即ち、５員〜２０員のヘテロアリール基）を含むことができる。ヘテロアリール基は、定義した化学構造に、安定した構造を得ることができる任意のヘテロ原子、又は炭素の個所で付くことができる。通常、ヘテロアリール基Ｏ−Ｏ、Ｓ−Ｓ又はＳ−Ｏ結合を含まない。しかしながら、ヘテロアリール基内の、１つ以上のＮ又はＳ原子が、酸化可能である（例えば、ピリジンＮ−オキシド、チオフェンＳ−オキシド、チオフェンＳ，Ｓ−ジオキシド）。ヘテロアリール基の例は、例えば、以下に示す、５−又は６−員の単環式、及び５〜６個の２環式環系(5-6 bicyclic ring system)である：
【００５２】
【化８】
2014240488.tif 000009
【００５３】
（但し、
Ｔが、Ｏ、Ｓ、ＮＨ、Ｎ−アルキル、Ｎ−アリール、Ｎ−（アリールアルキル）（例えば、Ｎ−ベンジル）、ＳｉＨ2、ＳｉＨ（アルキル）、Ｓｉ（アルキル）2、ＳｉＨ（アリールアルキル）、Ｓｉ（アリールアルキル）2、又はＳｉ（アルキル）（アリールアルキル）である）。このようなヘテロアリール環の例は、ピロリル、フリル、チエニル、ピリジル、ピリミジル、ピリダジニル、ピラジニル、トリアゾリル、テトラゾリル、ピラゾリル、イミダソリル、イソチアゾリル、チアゾリル、チアジアゾリル、イソキサゾリル、オキサゾリル、オキサジアゾリル、インドリル、イソインドリル、ベンゾフリル、ベンゾチエニル、キノリル、２−メチルキノイル、イソキノイル、キノキサリル、キナゾリル、ベンゾトリアゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、ベンズイソチアゾリル、ベンズイソキサゾリル、ベンズオキサジアゾリル、ベンズオキサゾリル、シノリニル、１Ｈ−インダゾリル、２Ｈ−インダゾリル、インドィジニル、イソベンゾフリル、ナフチリジニル、フタラジニル、プテリジニル、プリニル、オキサゾロピリジニル、チアゾロピリジニル、イミダゾピリジニル、フロピリジニル、チエノピリジニル、ピリドピリミジニル、ピリドピラジニル、ピリドピリダジニル、チエノチアゾリル、チエノキサゾリル、チエノイミダソリル基、及びこれらに類似するものを含む。ヘテロアリール基の更なる例は、４，５，６，７−テトラヒドロインドリル、テトラヒドロキノリニル、ベンゾチエノピリジニル、ベンゾフロピリジニル基、及びこれらに類似するものを含む。ある実施の形態では、ヘテロアリール基は、ここに記載したように置換することができる。
【００５４】
本教示のポリマーは、他の２個の部分と共有結合を形成することができる結合基(linking group)として定義された、「２価の基」を含むことができる。例えば、本教示のポリマーは、２価のＣ1-20アルキル基（例えば、メチレン基）、２価のＣ2-20アルケニル基（例えば、ビニリル基）、２価のＣ2-20アルキニル基（例えば、メチリニル基）、２価のＣ6-14アリール基（例えば、フェニリル基）；２価の３〜１４員のシクロヘテロアルキル基（例えばピロリジニル）、及び／又は２価の５〜１４員のヘテロアリール基（例えば、チエニリル基）を含むことができる。
【００５５】
本明細書の種々の個所で、化学的な基への置換基を群又は範囲で示した。ここで、この記載は、特に、このような群又は範囲の要素の、各、及びそれぞれのセブコンビネーションを含むことを意図している。例えば、「Ｃ1-6アルキル」という用語は、特に、個々に、Ｃ1、Ｃ2、Ｃ3、Ｃ4、Ｃ5、Ｃ6、Ｃ1−Ｃ6、Ｃ1−Ｃ5、Ｃ1−Ｃ4、Ｃ1−Ｃ3、Ｃ1−Ｃ2、Ｃ2−Ｃ6、Ｃ2−Ｃ5、Ｃ2−Ｃ4、Ｃ2−Ｃ3、Ｃ3−Ｃ6、Ｃ3−Ｃ5、Ｃ3−Ｃ4、Ｃ4−Ｃ6、Ｃ4−Ｃ5、及びＣ5−Ｃ6を示すことを意図している。他の例では、０〜４０の範囲の整数は、特に、個々に、０、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０、２１、２２、２３、２４、２５、２６、２７、２８、２９、３０、３１、３２、３３、３４、３５、３６、３７、３８、３９、及び４０を示すことを意図しており、及び０〜２０の範囲の整数は、特に、個々に、０、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、及び２０を示すことを意図している。追加的な例は、「任意に１〜５個の置換基で置換された」という記載は、特に、個々に、０、１、２、３、４、５、０〜５、０〜４、０〜３、０〜２、０〜１、１〜５、１〜４、１〜３、１〜２、２〜５、２〜４、２〜３、３〜５、３〜４、及び４〜５個の置換基を含むことができる化学基を示すことを意図している。
【００５６】
ここで使用されているように、「ｐ−タイプ半導体材料」又は「ｐ−タイプ半導体」は、大多数の電流媒体としてのホールを有する半導体材料を示す。ある実施の形態では、ｐ−タイプの半導体材料が、基材上に配置、沈澱され、これは約１０-5ｃｍ2／Ｖｓを超える正孔移動度を与えることができる。電界効果素子（電界効果デバイス）の場合、ｐ−タイプ半導体は、約１０を超える電流オン／オフ割合を示すこともできる。
【００５７】
ここに使用されるように、「ｎ−タイプ半導体材料」、又は「ｎ−タイプ半導体」は、大多数の電流媒体として電子を有する半導体材料を示す。ある実施の形態では、ｎ−タイプ半導体が基材上に沈澱された場合、これは約１０-5ｃｍ2／Ｖｓを超える電子移動度を与えることができる。電界効果素子の場合、ｎ−タイプ半導体は、約１０を超える電流オン／オフ割合を示すこともできる。
【００５８】
２種の成分が互いに結合していると記載された場合、この２成分は、直接的に接触することができ（即ち、相互に直接的に結合している）、又は２成分は、１つ以上の仲介する成分又は層を介して相互に結合することができる。
【００５９】
本明細書において構造は、化学的な名称を有して存在していなくても良い。術後について疑問が有る場合には、構造が優先される（有効である）。
【００６０】
ある局面では、本教示は、１種以上の架橋可能な官能基を含むポリマーを提供する。架橋基は、ポリマーのバックボーンに共有結合したペンダントを形成することができ、又はその一部であることができる。より特定的には、本教示は、クマリン含有のペンダント基を含む、１種以上の繰り返し単位を有するポリマーを提供する。クマリン部分は、重合の前、又は後に、ポリマーに導入することができ、及び任意に置換され、そして式
【００６１】
【化９】
2014240488.tif 000010
【００６２】
（但し、Ｒ1、及びＲ2が独立して、Ｈ又は非−水素置換基であることができ、各Ｒ3が、独立して非−水素置換基であることができ、及びｂが０、１、２又は３である）
によって表すことができる。
【００６３】
例えば、Ｒ1、及びＲ2は、独立して、ａ）Ｈ、ｂ）ハロゲン、ｃ）−ＣＮ、ｄ）−ＮＯ2、ｅ）−ＯＲ4、ｆ）−Ｎ（Ｒ4）2、ｇ）−ＣＨＯ、ｈ）−Ｃ（Ｏ）Ｒ4、ｉ）−Ｃ（Ｏ）ＯＲ4、ｊ）−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ4）2、ｋ）ａＣ1-20アルキル基、ｌ）ａＣ2-20アルケニル基、ｍ）ａＣ2-20アルキニル基、ｎ）ａＣ1-20アルコキシ基、ｏ）ａＣ1-20アルキルチオ基、ｐ）ａＣ1-20ハロアルキル基、ｑ）ａ−Ｙ−Ｃ3-14シクロアルキル基、ｒ）ａ−Ｙ−Ｃ6-14アリール基、ｓ）ａ−Ｙ−３〜１４員のシクロヘテロアルキル基、及びｔ）ａ−Ｙ−５〜１４員のヘテロアリール基、（但し、各Ｃ1-20アルキル基、Ｃ2-20アルケニル基、Ｃ2-20アルキニル基、Ｃ3-14シクロアルキル基、Ｃ6-14アリール基、３〜１４員のシクロヘテロアルキル基、及び５〜１４員のヘテロアリール基が、任意に１〜５個のＲ5基で置換されていても良い）から選ぶことができ；
Ｒ3が、それぞれにおいて、独立して、ａ）ハロゲン、ｂ）−ＣＮ、ｃ）−ＮＯ2、ｄ）−ＯＲ4、ｅ）−Ｎ（Ｒ4）2、ｆ）−ＣＨＯ、ｇ）−Ｃ（Ｏ）Ｒ4、ｈ）−Ｃ（Ｏ）ＯＲ4、ｉ）−Ｃ（Ｏ）ＮＯ（Ｒ4）2、ｊ）ａＣ1-20アルキル基、ｋ）ａＣ2-20アルケニル基、ｌ）ａＣ2-20アルキニル基、ｍ）ａＣ1-20アルコキシ基、ｎ）ａＣ1-20アルキルチオ基、ｏ）ａＣ1-20ハロアルキル基、ｐ）ａ−Ｙ−Ｃ3-14シクロアルキル基、ｑ）ａ−Ｙ−Ｃ6-14アリール基、ｒ）ａ−Ｙ−３〜１４員のシクロヘテロアルキル基、及びｓ）ａ−Ｙ−５〜１４員のヘテロアリール基、
（但し、各Ｃ1-20アルキル基、Ｃ2-20アルケニル基、Ｃ2-20アルキニル基、Ｃ3-14シクロアルキル基、Ｃ6-14アリール基、３〜１４員のシクロヘテロアルキル基、及び５〜１４員のヘテロアリール基が、任意に１〜５個のＲ5基で置換されていても良い）
から選ばれることができ、
ここで：
Ｒ4が、各場合において、独立して、ａ）Ｈ、ｂ）ａＣ1-20アルキル基、ｃ）ａＣ2-20アルケニル基、ｄ）ａＣ2-20アルキニル基、ｅ）ａＣ1-20アルコキシ基、ｆ）ａＣ1-20アルキルチオ基、ｇ）ａＣ1-20ハロアルキル基、ｈ）ａ−Ｙ−Ｃ3-14シクロアルキル基、ｉ）ａ−Ｙ−Ｃ6-14アリール基、ｊ）ａ−Ｙ−３〜１４員のシクロヘテロアルキル基、及びｋ）ａ−Ｙ−５〜１４員のヘテロアリール基、
（但し、各Ｃ1-20アルキル基、Ｃ2-20アルケニル基、Ｃ2-20アルキニル基、Ｃ3-14シクロアルキル基、Ｃ6-14アリール基、３〜１４員のシクロヘテロアルキル基、及び５〜１４員のヘテロアリール基が、任意に１〜５個のＲ5基で置換されていても良い）
から選ばれることができ；
Ｒ5が、それぞれにおいて、独立して、ａ）ハロゲン、ｂ）−ＣＮ、ｃ）−ＮＯ2、ｄ）−ＯＨ、ｅ）−Ｏ−Ｃ6-14アリール、ｆ）−ＮＨ2、ｇ）−ＮＨ−Ｃ1-10アルキル、ｈ）−Ｎ（Ｃ1-10アルキル）2、ｉ）−ＮＨ−Ｃ6-14アリール、ｊ）−Ｎ（Ｃ1-10アルキル）−Ｃ6-14アリール、ｋ）−Ｎ（Ｃ6-14アリール）2、ｌ）−ＣＨＯ、ｍ）−Ｃ（Ｏ）−Ｃ1-10アルキル、ｎ）−Ｃ（Ｏ）−Ｃ6-14アリール、ｏ）−Ｃ（Ｏ）ＯＨ、ｐ）−Ｃ（Ｏ）−ＯＣ1-10アルキル、ｑ）−Ｃ（Ｏ）−ＯＣ6-14アリール、ｒ）−Ｃ（Ｏ）ＮＨ2、ｓ）−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−Ｃ1-10アルキル、ｔ）−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ1-10アルキル）2、ｕ）−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−Ｃ6-14アリール、ｖ）−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ1-10アルキル）−Ｃ6-14アリール、ｗ）−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ6-14アリール）2、ｘ）ａＣ1-10アルキル基、ｙ）ａＣ2-10アルケニル基、ｚ）ａＣ2-10アルキニル基、ａａ）ａＣ1-10アルコキシ基、ａｂ）ａＣ1-10アルキルチオ基、ａｃ）ａＣ1-10ハロアルキル基、ａｄ）ａ−Ｙ−Ｃ3-14シクロアルキル基、ａｅ）ａ−Ｙ−Ｃ6-14アリール基、ａｆ）ａ−Ｙ−３〜１４員のシクロヘテロアルキル基、及びａｇ）ａ−Ｙ−５〜１４員のヘテロアリール基、
（但し、各Ｃ1-10アルキル基、Ｃ2-10アルケニル基、Ｃ2-10アルキニル基、Ｃ3-14シクロアルキル基、Ｃ6-14アリール基、３〜１４員のシクロヘテロアルキル基、及び５〜１４員のヘテロアリール基が、任意に、ハロゲン、ＣＮ、ａＣ1-6アルキル基、ａＣ1-6ハロアルキル基、ａＣ1-6アルコキシ基、ａ−Ｏ−Ｃ1-6ハロアルキル基、ａ−Ｃ（Ｏ）−Ｃ1-6アルキル基、ａ−Ｃ（Ｏ）−Ｃ1-6ハロアルキル基、及びａ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−Ｃ1-6アルキル基、から独立して選ばれる１〜５個の置換基で置換されても良い）
から選ばれることができ；及び
Ｙが、各場合において、二価のＣ1-6アルキル基、二価のＣ2-6アルケニル基、二価のＣ2-6アルキニル基、又は共有結合であることができる。
【００６４】
ある実施の形態では、クマリン部分は、無置換であることができ、そしてこの場合、Ｒ1及びＲ2がＨであり、及びｂが０である。他の実施の形態では、クマリン部分は、１つ以上の官能基で置換されることもできる。これらの実施の形態では、Ｒ1及びＲ2の少なくとも１つが、非−水素置換基であることができ、及び／又は少なくとも１つのＲ3基が存在する。
【００６５】
ある実施の形態では、架橋可能なクマリン部分は、ポリマーのバックボーンに直接的に、又は結合体(linker)（又はスペーサー）基を介して、特定の炭素原子で共有結合することができる：
【００６６】
【化１０】
2014240488.tif 000011
【００６７】
（但し、Ｌが、共有結合、又は結合体であり、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、及びｂが、ここに定義されたものである。例えば、架橋可能なクマリン部分は、以下に示すように、Ｃ６又はＣ７で、ポリマーのバックボーンに共有結合することができる：
【００６８】
【化１１】
2014240488.tif 000012
【００６９】
（但し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｌ、及びｂがここに定義されたものである）。
【００７０】
種々の実施の形態において、Ｃ６結合したクマリン部分を有するポリマーは、Ｃ７結合したクマリン部分を有するその対応部分（counterpart）よりも速い速度で架橋されることができる。すなわち、誘電体（例えばフィルム）を製造するために本ポリマーを使用する場合、（次の素子処理条件が、誘電体の特性を脅かすことばないように）誘電体（誘電体材料）が十分な程度に架橋されることが望まれる。架橋工程の後、誘電体を製造（調製）するために使用される溶媒（母溶媒）で処理された場合に、誘電体フィルムの厚さが約１０％以上減少することがなければ、誘電体は「十分に架橋されている」と考えられる。これに加え、又はこの替わりに、架橋工程の後、架橋した誘電体フィルムが母溶媒と接触した時に、漏えい電流が２ＭＶ／ｃｍで、約５倍以上増加することがなければ、誘電体は、「十分に架橋された」と考えることができる。所定の実施の形態では、Ｃ６−結合したクマリン部分を有するポリマーを、Ｃ７−結合したクマリン部分を有する対応部分と比較した場合、Ｃ６−結合したクマリン部分を有するポリマーは、Ｃ７−結合したクマリン部分を有する対応部分は、少なくとも２倍（例えば、少なくとも３倍）速く、架橋の十分な程度に達することができる。
【００７１】
ある実施の形態では、本発明は、クマリン部分がペンダント基の末端部分である、クマリン含有繰り返し単位を含むことができる。これらの実施の形態では、クマリン部分上の任意の置換基が、小さな官能基、例えばＦ、Ｃｌ、ＯＨ、又は他の非−環式有機基、例えばＲ、ＯＲ、Ｃ（Ｏ）Ｒ、ＯＣ（Ｏ）Ｒ、ＯＣ（Ｏ）ＯＲ（但し、ＲがＣ1-6アルキル基である）である。
【００７２】
しかしながら、ある所定の実施の形態では、本ポリマーは、クマリン部分がペンダント基の末端部分ではない、クマリン含有繰り返し単位を含むことができる。これらの実施の形態では、クマリン部分がポリマー性バックボーンに結合する態様に依存して、Ｒ1、Ｒ2、又はＲ3は、ペンダント基の末端部分を表すことができる。例えば、Ｒ1、Ｒ2、又はＲ3は、大きな官能基（例えば、６個以上の炭素原子を含む）であることができ、この官能基は、１個以上の架橋可能な基（例えば、シンナモイル基、アゾベンゼン、及これらに類似するもの）を含むことができる。
【００７３】
本ポリマーは、ホモポリマー又はコポリマーであることができる。多くの実施の形態では、本ポリマーは、１種以上の非−環式ビニルモノマーから重合されたビニルポリマーである（即ち、非−環式ビニルモノマーは得られるポリマーのバックボーンの一部を形成する環式基を含むことがなく、非−環式ビニルモノマーは、ペンダント基として環式基を含むことができる）。非−環式ビニルモノマーの例は、エテン、プロペン、ブタジエン、スチレン、ビニルフェノール（又はヒドロキシルスチレン）、ビニルクロリド、ビニルアセテート、アクリレート（例えば、メタクリレート、メチルメタクリレート、アクリル酸、メタクリル酸、アクリルアミド）、アクリロニトリル、及びこれらの誘導体を含む。ビニルポリマーは、炭素だけ（カーボンオンリー）のバックボーンを含むことができ、そして全ての繰り返し単位は、式−［ＣＲ02−ＣＲ0’2］n−（正し、各Ｒ0とＲ0’は、独立してＨ又はペンダント基である）によって表すことができる。
【００７４】
ある実施の形態では、本ポリマーは、１種以上のビニルフェノールモノマー又はこれらの誘導体から誘導することができる。本ポリマーがビニルフェノール誘導体から誘導される実施の形態では、誘導体化は、重合の前又は後に発生することができる。このような誘導体化の結果、フェノール部分のヒドロキシル基の水素原子は、異なる官能基で置き換えられる。例えば、本ポリマーは、ビニルフェノールポリマー（例えば、ポリ−４−ビニルフェノール、ＰＶＰ）を含むことができ、ここで、フェノールペンダント基の少なくともあるものは、ここに記載されたクマリン部分を含むように誘導される。
【００７５】
ある所定の実施の形態では、本ポリマーは、ビニルフェノール又はビニルフェノール誘導体ではない、（１種以上の）追加的な繰り返し単位を含むことができる。特定の実施の形態では、本ポリマーは、ビニルフェノール及び／又はビニルフェノール誘導体、及び少なくとも１種の他のビニルモノマーのコポリマーを含むことができる。例えば、他のビニルモノマーは、アクリル性モノマー、例えばメチルメタクリレート、メチルアクリレート、アクリル酸、メタクリル酸、アクリルアミド、及びこれらの誘導体であることができる。このような実施の形態で、クマリン部分は、ビニルフェノール繰り返し単位、又はアクリレート繰り返し単位に付く（結合する）ことができる。更に例示すると、本ポリマーは、ビニルフェノール、及び／又はビニルフェノール誘導体、及びメチルメタクリレート、及び／又はメタクリレート誘導体のコポリマー（ここで、ビニルフェノール繰り返し単位の少なくともあるものは、クマリン部分で誘導体化される）を含むことができる。しかしながら、クマリン部分は、ビニルフェノール単位の替わりに、又はこれに加えて、非−ビニルフェノール内に導入することもできる。
【００７６】
ある実施の形態、例えば、Ｃ６結合したクマリン部分を有する実施の形態では、本ポリマーは、１種以上のヘテロ原子（例えば、Ｏ、Ｎ、Ｓｉ）及び／又は１つ以上の環式（炭素環式、又は複素環式）の部分を有する、少なくとも１種の繰り返し単位を含むことができる（該繰り返し単位は、１個以上のヘテロ原子、及び／又は環式部分をポリマーのバックボーン中に与える）。このような実施の形態の例は、ポリエーテル（例えば、ポリエチレングリコール）、ポリエチレンアミン、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド（例えばポリマレイミド）、シロキサンポリマー、及びこれらのコポリマー（ここ記載した、１種以上の非−環式ビニルモノマーとのコポリマーを含む）、及び誘電体として使用するのに適切な他のポリマーを含む。
【００７７】
本ポリマーの所定の実施の形態は、以下の式：
【００７８】
【化１２】
2014240488.tif 000013
【００７９】
（但し、
Ｌ及びＱが、各場合において、独立して、結合基（linker group）又は共有結合であることができ；
Ｗ、Ｗ’及びＷ”が独立して、ａ）Ｈ、ｂ）ハロゲン、ｃ）ａＣ1-20アルキル基、ｄ）ａＣ2-20アルケニル基、ｅ）ａＣ1-20ハロアルキル基、ｆ）ａＣ3-14シクロアルキル基、ｇ）ａＣ6-14アリール基、ｈ）ａ３〜１４員のシクロアルキル基、及びｉ）５〜１４員のヘテロアリール基から選ばれ、ここで、各Ｃ1-20アルキル基、Ｃ2-20アルケニル基、Ｃ1-20ハロアルキニル基、Ｃ3-14シクロアルキル基、Ｃ6-14アリール基、３〜１４員のシクロヘテロアルキル基、及び５〜１４員のヘテロアリール基が、任意に、ハロゲン、−ＣＮ、オキソ基、ａＣ1-6アルキル基、ａＣ1-6ハロアルキル基、ａＣ1-6アルコキシ基、ａ−Ｃ（Ｏ）−Ｃ1-6アルキル基、ａ−Ｃ（Ｏ）−Ｃ1-6ハロアルキル基、及びａ−Ｃ（Ｏ）−Ｃ1-6アルキル基から独立して選ばれる１〜５個の置換基で置換されても良く；
Ｒ6、及びＲ7が、各場合において、独立して、ａ）Ｈ、ｂ）ハロゲン、ｃ）ａＣ1-10アルキル基、及びｄ）ａＣ6-14アリール基から選ばれることができ（但し、Ｃ1-10アルキル基、及びＣ6-14アリール基はそれぞれ、任意に１〜５個のＲ5基で置換されても良い）；
Ｒ8、Ｒ8’、Ｒ8”、Ｒ9、及びＲ9’が、独立して、ａ）Ｈ、ｂ）ハロゲン、ｃ）ａＣ1-10アルキル基、及びｄ）ａＣ6-14アリール基から選ばれ（但し、Ｃ1-10アルキル基、及びＣ6-14アリール基はそれぞれ、任意に１〜５個のＲ5基で置換されても良い）；
ｘ、ｘ’、ｘ”、ｙ及びｙ’が、独立して、実数であり、ここで、０＜ｘ≦１、０≦ｘ’＜１、０≦ｘ”＜１、０≦ｙ＜１、０≦ｙ’＜１、及びｘ＋ｘ’＋ｘ”＋ｙ＋ｙ’＝１であり；及び
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、及びｂ及びｎが、ここに定義されたものである）
で表すことができる。
【００８０】
換言すれば、上記式によって表されるポリマーは、通常、クマリン部分を含むペンダント基を含む、ｘの量の第１の単位（モノマーＡ）、及び任意に，ビニルフェノールを含む、１以上のｘ’の量の第２の単位（モノマーＢ）、ビニルフェノール誘導体を含む、ｘ”の量の第３の単位（モノマーＣ）、ペンダント基Ｌ−Ｗを含む、ｙの量の第４の単位（モノマーＤ）、及びペンダント基Ｌ−Ｗ’を含む、ｙ’の量の第５の単位（モノマーＥ）（但し、ｘ、ｘ’ｘ”、ｙ、ｙ’、Ｌ、Ｗ及びＷ’がここに定義されたものである）を含む。
【００８１】
ある所定の実施の形態では、本ポリマーは、そのフェノールペンダント基（すなわち、ｘ”、ｙ、ｙ’＝０；ｘ＋ｘ’＝１）の少なくともあるものに、架橋可能なクマリン部分を含むポリ（ビニルフェノール）であることができる。これらの実施の形態は、式：
【００８２】
【化１３】
2014240488.tif 000014
【００８３】
（但し、
ｘ及びｘ’が独立して、実数であり、及びｘ＋ｘ’＝１であり；及びＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ8’、Ｑ、ｂ及びｎがここに定義されたものである）
によって表すことができる。特定の実施の形態では、実質的に全てのフェノールペンダント基が、架橋可能なクマリン部分（例えば、ｘ’≦０．１）で誘導体化することができる。他の実施の形態では、フェノールペンダント基のある割合が、架橋可能なクマリン部分で誘導体化可能であり（例えば、０．１≦ｘ≦０．８）、一方、残りのフェノールペンダント基が、誘導体化されずに残ることができる。ここに使用されるように、化合物または部分(moiety)の「誘導体」は、化合物又は部分の、変性（修飾；modify）された形態として理解されるべきであり、ここで、変性された形態は、化合物又は部分中の少なくとも１個の原子において、他の原子又は原子のグループで取り替えられている。誘導体化は、重合又は共重合の前又は後に行うことができる。
【００８４】
ある所定の実施の形態では、フェノールペンダント基を誘導体化して、クマリン部分を含む第１の単位（モノマーＡ）とは異なる第３の単位（モノマーＣ）を得ることができる。例えば、本発明は、モノマーＡ及びＣ、及び任意にモノマーＢ（即ち、ｙ及びｙ’が０であることができる）のコポリマーであることができる。従って、本ポリマーは、式：
【００８５】
【化１４】
2014240488.tif 000015
【００８６】
（但し、
ｘ、ｘ’及びｘ”が、独立して、実数であり；ｘ＋ｘ’＋ｘ”＝１；ｘ、ｘ”＞０；０≦ｘ’＜１；及びＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ8’、Ｒ8”、Ｑ、Ｗ”、ｂ、及びｎが、ここに定義したものである）
によって表すことができる。例えば、−Ｏ−Ｑ−Ｗ”は、フェノール基のヒドロキシル基の誘導体であることができる。ある実施の形態では、Ｑ及び／又はＷ”は、第２の（即ち、非−クマリン）架橋可能な部分を提供することができる。ある実施の形態では、Ｑ及び／又はＷ”は、全体として、ポリマーに有利な特性を与えることができる、官能基を含むことができる。例えば、官能基は、溶解性を改良することを補助し、又はより一般的には、ポリマーの処理性（加工性）、及び／又はポリマーの安定性（例えば疎水性を増すことによる）を改良することを補助する。
【００８７】
ある実施の形態では、本教示は、ペンダント基Ｌ−Ｗを含む繰り返し単位を含む、ビニルフェノールコポリマーを提供することができる。従って、本ポリマーは、式：
【００８８】
【化１５】
2014240488.tif 000016
【００８９】
（但し、
ｘ、ｘ’、ｘ”、及びｙが、独立して実数であり；ｘ＋ｘ’＋ｘ”＋ｙ＝１；ｘ＞０；ｙ＞０；０≦ｘ’＜１；０≦ｘ”＜１；及びＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ8’、Ｒ8”、Ｒ9、Ｑ，Ｗ、Ｗ”、ｂ及びｎが、ここに定義したものである）
によって表すことができる。ある所定の実施の形態では、ｘは、約０．２５よりも大きくでき；及びｘ＋ｘ’＋ｘ”は約０．５よりも大きくできる。例えば、ｘは、約０．６よりも大きくでき；ｙは、約０．２よりも大きくでき；０≦ｘ’＜０．１０；及び０≦ｘ”＜０．１０である。
【００９０】
ある実施の形態では、本教示は、ペンダント基Ｌ−Ｗを含んだ繰り返し単位、及びペンダント基Ｌ−Ｗ’を含んだ繰り返し単位（但し、Ｌ−ＷとＬ−Ｗ’は異なる）を含むビニルフェノールコポリマーを提供することができる。これらの実施の形態は、式：
【００９１】
【化１６】
2014240488.tif 000017
【００９２】
（但し、ｘ、ｘ’、ｙ及びｙ’が独立して、実数であり；ｘ＋ｘ’＋ｙ＋ｙ’＝１；ｘ＞０；ｙ＞０；ｙ’＞０；０≦ｘ’＜１；及びＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ8’、Ｒ9、Ｒ9’、Ｑ，Ｗ、Ｗ’、ｂ及びｎが、ここに定義したものである）
によって表すことができる。ある所定の実施の形態では、ｘは約０．２５よりも大きくでき；及びｘ＋ｘ’は約０．５よりも大きくできる。例えば、ｘは、約０．６よりも大きくでき；ｙ’は、約０．２よりも大きくでき；０≦ｘ’＜０．１０；及び０＜ｙ＜０．１０である。
【００９３】
ある所定の実施の形態では、繰り返し単位
【００９４】
【化１７】
2014240488.tif 000018
は、−（ＣＨ2−ＣＨ2）−、−（ＣＨＣＨ3−ＣＨ2）−、−（ＣＨＣｌ−ＣＨ2）−、−（ＣＨＯＨ−ＣＨ2）−、−（ＣＨＣ6Ｈ5−ＣＨ2）−、−（ＣＨＯＣ（Ｏ）ＣＨ3−ＣＨ2）−、−（ＣＣＨ3Ｃ（Ｏ）ＯＣＨ3−ＣＨ2）−、及びこれらの組み合わせから選ぶことができる。ある所定の実施の形態では、上記繰り返し単位は、メチルメタクリレートであることができる。ある所定の実施の形態では、上記繰り返し単位は、ビニルアセテート−コ−ビニルアルコールであることができる。ある所定の実施の形態では、Ｌ−Ｗ’は、Ｌ−Ｗの誘導体であることができる（但し、Ｌ及びＷは、ここに定義したものである）。
【００９５】
例えば、ＷはＯＨであることができ、Ｗ’はＯＣＨ3であることができる。
【００９６】
種々の実施の形態では、Ｌ及びＱは、各場合において、独立して、２価のＣ1-20アルキル基、２価のＣ2-20アルケニル基、又は２価のＣ2-20アルキニル基から選ばれる結合基(linker group)であることがでる。ここで、これらの各基の１〜５個のメチレン基（隣接又は非隣接）は、Ｏ、Ｓ（Ｏ）k、Ｃ（Ｏ）、ＯＳｉＲ42、ＮＲ4、Ｎ（Ｃ（Ｏ）Ｒ4）、Ｃ（ＮＲ4）、及び２価のＣ6-14アリール基から独立して選ばれる官能基で置き換えられることができ、及びそれぞれのＣ1-20アルキル基、Ｃ2-20アルケニル基、Ｃ2-20アルキニル基、及びＣ6-14アリール基は、任意に、１〜５個のＲ5で置換されることができる（但し、ｋが０、１又は２であり；及びＲ4及びＲ5が、ここに定義されたものである）。
【００９７】
ある実施の形態では、Ｌは、各場合において、独立して、共有結合、又は式：
【００９８】
【化１８】
2014240488.tif 000019
【００９９】
（但し、
Ｌ’が、ポリマーのバックボーンに結合され、及び−Ｙ’−Ｏ−、−Ｙ’−ＮＲ4−、−Ｙ’−Ｎ（Ｃ（Ｏ）Ｒ4）−、Ｙ’−Ｓ−、−Ｙ’−Ｃ（Ｏ）−、−Ｙ’−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｙ’ＯＣ（Ｏ）−、−Ｙ’−ＮＲ4Ｃ（Ｏ）−、−Ｙ’−Ｃ（Ｏ）ＮＲ4−、−Ｙ’−Ｓｉ（Ｒ4）2−、及び共有結合から選ばれることができ；
Ｌ”が、各場合において、独立して、−Ｙ”−、−（Ｙ”）m−Ｏ−Ｙ”−、−Ｙ”−ＮＲ4−Ｙ”−、−Ｙ”−Ｃ（ＮＲ4）−Ｙ”−、−Ｙ”−Ｓｉ（Ｒ4）2−Ｙ”、−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ4）2−Ｙ”−、−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ4）2−Ｙ”−及び共有結合から選ばれることができ；
Ｌ'''が、クマリン部分に結合し、及び−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−Ｙ'''−、−Ｃ（Ｏ）―Ｙ'''―Ｏ−、−Ｏ−Ｙ'''−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ4−、−ＮＲ4−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−Ｙ'''−ＮＲ4−、−ＮＲ4−Ｙ'''−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）k、−Ｏ−Ｙ'''−Ｓ（Ｏ）k−、及び共有結合から選ばれることができ；
ここで、Ｌ’、Ｌ”及びＬ'''の少なくとも１つが、共有結合ではなく；
Ｙ’が、２価のＣ1-6アルキル基、２価のＣ2-6アルケニル基、２価のＣ2-6アルキニル基、２価のＣ6-14アリール基、及び共有結合から選ばれることができ、ここで、各Ｃ1-6アルキル基、Ｃ2-6アルケニル基、Ｃ2-6アルキニル基、Ｃ6-14アリール基は、任意に１〜５個のＲ5基で置換されることができ；
Ｙ”が、各場合において、２価のＣ1-6アルキル基、２価のＣ2-6アルケニル基、及び２価のＣ6-14アリール基から選ばれることができ、ここで、各Ｃ1-6アルキル基、Ｃ2-6アルケニル基、及びＣ6-14アリール基は、任意に１〜５個のＲ5基で置換されることができ；
Ｙ'''が、２価のＣ1-6アルキル基、２価のＣ2-6アルケニル基、及び２価のＣ6-14アリール基から選ばれることができ、ここで、各Ｃ1-6アルキル基、Ｃ2-6アルケニル基、及びＣ6-14アリール基は、任意に１〜５個のＲ5基で置換されることができ；
ｋが、０、１又は２であり；
ｍが、１、２、３、４、５又は６であり；
ｐが、０、１、２、３、４、５、６、７、８、９、又は１０であり；及び
Ｒ4及びＲ5がここに定義されたものである）
の結合基であることができる。
【０１００】
ある所定の実施の形態では、Ｌは、式−Ｌ’−（Ｌ”）p−Ｌ'''−の結合基であることができる（但し、Ｌ’が、−Ｙ’−Ｏ−、−Ｙ’−Ｃ（Ｏ）−、−Ｙ’−ＯＣ（Ｏ）−、−Ｙ’−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、及び共有結合から選ばれることができ；Ｌ”が、各場合において、独立して、−Ｙ”−、−（Ｙ”）m−Ｏ−、及び共有結合から選ばれることができ；Ｌ'''が、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）−Ｙ'''−Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）−Ｙ'''−ＮＲ4−、及び共有結合から選ばれることができ、ここで、Ｌ’、Ｌ”、及びＬ'''の少なくとも１つが共有結合ではなく；Ｒ4、Ｙ’、Ｙ”、Ｙ'''及びｍがここに定義したものである）。特定の実施の形態では、Ｌが、各場合において、独立して、−（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）p’−、−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）p’−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）p’−、Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）p’−、−Ｃ6Ｈ4−Ｏ−（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）p’−、−Ｃ6Ｈ4−Ｏ−、−Ｃ6Ｈ4−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ6Ｈ4−Ｏ−Ｃ（Ｏ）（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）p’−、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−ＣＦ2ＣＦ2−Ｏ−、−（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）p’−Ｃ（Ｏ）−ＣＨ2−Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）−ＣＨ2−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＣＨ2−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）p’−Ｃ（Ｏ）−ＣＨ2−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）p’−Ｃ（Ｏ）−ＣＨ2−Ｏ−、Ｃ（Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）p’−Ｃ（Ｏ）−ＣＨ2−Ｏ−、Ｃ6Ｈ4−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）p’−Ｃ（Ｏ）−ＣＨ2−Ｏ−、−Ｃ6Ｈ4−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＣＨ2−Ｏ−、−Ｃ6Ｈ4−Ｏ−Ｃ（Ｏ）（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）p’−Ｃ（Ｏ）−ＣＨ2−Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−ＣＦ2ＣＦ2−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＣＨ2−Ｏ−、−［ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＣＨ3）2］p’−、−［ＯＳｉ（ＣＨ3）2］p’−、ー−Ｓｉ（ＣＨ3）2−［ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＣＨ3）2］p’−、及び共有結合から選ばれることができる（但し、ｐ’が、１、２、３又は４である）。例えば、Ｌは、各場合において、独立して、ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＣＨ2−Ｏ−、−ＯＣ（Ｏ）−ＣＨ2−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＣＨ2−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＣＨ2−Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＣＨ2−Ｏ−、−Ｃ6Ｈ4−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＣＨ2−Ｏ−、−Ｃ6Ｈ4−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＣＨ2−Ｏ−、−Ｃ6Ｈ4−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＣＨ2−Ｏ−、及び−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−ＣＦ2ＣＦ2−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＣＨ2−Ｏ−から選ばれることができる。
【０１０１】
ある所定の実施の形態では、Ｑは、各場合において、独立して、共有結合、又は式：
【０１０２】
【化１９】
2014240488.tif 000020
の結合基であることができる
（但し、
Ｌ”が、それぞれの場合において、独立して、−Ｙ”−、−（Ｙ”）m−Ｏ−Ｙ”、−Ｙ”−ＮＲ4−Ｙ”−、−Ｙ”−Ｃ（ＮＲ4）−Ｙ”−、Ｙ”−Ｓｉ（Ｒ4）2−Ｙ”−、−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ4）2−Ｙ”−、及び共有結合から選ばれ；
Ｌ'''がクマリン部分に結合し、及び−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−Ｙ'''−、−Ｃ（Ｏ）−Ｙ'''−Ｏ−、−Ｏ−Ｙ'''−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ4−、−ＮＲ4−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−Ｙ'''−ＮＲ4−、−ＮＲ4−Ｙ'''−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）k−、−Ｏ−Ｙ'''−Ｓ（Ｏ）k−、及び共有結合から選ばれ；
ここで、Ｌ”及びＬ'''の少なくとも１つが共有結合ではなく；
Ｙ”が、各場合において、二価のＣ1-6アルキル基、二価のＣ2-6アルケニル基、及び二価のＣ6-14アリール基から選ばれ、ここで、各Ｃ1-6アルキル基、Ｃ2-6アルケニル基、及びＣ6-14アリール基は、任意に１〜５個のＲ5基で置換されても良く；
Ｙ'''が、二価のＣ1-6アルキル基、二価のＣ2-6アルケニル基、及び二価のＣ6-14アリール基から選ばれ、ここで、各Ｃ1-6アルキル基、Ｃ2-6アルケニル基、及びＣ6-14アリール基は、任意に１〜５個のＲ5基で置換されても良く；
ｋが０、１、又は２であり；
ｍが、１、２、３、４、５又は６であり；
ｐが、０、１、２、３、４、５、６、７、８、９、又は１０であり；及び
Ｒ4、及びＲ5が、ここに定義されたものである）。
【０１０３】
所定の実施の形態では、Ｑが、各場合において、独立して、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）−Ｙ'''−、−Ｃ（Ｏ）−Ｙ'''−Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）−Ｙ'''−ＮＨ−、及び共有結合から選ばれることができ；ここで、Ｙ'''が、２価のＣ1-6アルキル基、２価のＣ1-6アルケニル基、及び２価のフェニル基から選ばれることができる。
【０１０４】
ある実施の形態では、Ｗ、Ｗ’、及びＷ”が、独立して、Ｈ、ａＣ1-10アルキル基、ａＣ2-10アルケニル基、ａＣ1-10ハロアルキル基、フェニル基、及び５〜１４員のヘテロアリール基から選ばれ、ここで、各Ｃ1-10アルキル基、Ｃ2-10アルケニル基、Ｃ1-10ハロアルキニル基、フェニル基、及び５〜１４員のヘテロアリール基が、任意に、ハロゲン、−ＣＮ、オキソ基、ａＣ1-6アルキル基、ａＣ1-6ハロアルキル基、ａＣ1-6アルコキシ基、ａ−Ｃ（Ｏ）−Ｃ1-6アルキル基、ａ−Ｃ（Ｏ）−Ｃ1-6ハロアルキル基、及びａ−Ｃ（Ｏ）−Ｃ1-6アルキル基から独立して選ばれる１〜５個の置換基で置換されても良い。
【０１０５】
種々の実施の形態では、Ｒ1は、Ｈ、Ｆ、−ＣＮ及びＣＦ3から選ばれることができる。所定の実施の形態では、Ｒ2は、Ｈであることができる。所定の実施の形態では、ｂは、０又は１であることができ、及びＲ3は、ハロゲン、ＯＨ、−ＣＮ、ａＣ1-6アルキル基、ａＣ1-6ハロアルキル基、及びａＣ1-6アルコキシル基から選ばれることができる。特定の実施の形態では、少なくともＲ1又はＲ3が、Ｆ、−ＣＮ及びＣＦ3から選ばれる、電子求引性の基であることができる。クマリン部分上での、特定の電子吸引基、又は電子供与基での置換により、置換されていないクマリン部分を有する類似したポリマーと比べて、ポリマーの吸収範囲をシフトすることができる。
【０１０６】
種々の実施の形態では、Ｒ6及びＲ7は、各場合において、独立して、Ｈ、ハロゲン、及びａＣ1-6アルキル基、ａＣ1-6ハロアルキル基から選ばれることができる。種々の実施の形態では、Ｒ8、Ｒ8’、Ｒ8”、Ｒ9及び、Ｒ9’は、独立して、Ｈ、ハロゲン、及びａＣ1-6アルキル基、ａＣ1-6ハロアルキル基から選ばれることができる。
【０１０７】
従って、ある実施の形態では、本ポリマーは、式：
【０１０８】
【化２０】
2014240488.tif 000021
【０１０９】
例えば、
【０１１０】
【化２１】
2014240488.tif 000022
【０１１１】
（但し、Ｌ、Ｑ、Ｗ、Ｗ’、Ｗ”、Ｒ1、Ｒ8、Ｒ8’、Ｒ8”、Ｒ9、Ｒ9’、ｎ、ｘ、ｘ’、ｘ”、ｙ、及びｙ’が、ここに定義されたものである。）
によって表すことができる。所定の実施の形態では、ｘを約０．２５よりも大きくすることができ；及びｘ＋ｘ’＋ｘ”を約０．５よりも大きくすることができる。例えば、ｘを約０．６よりも大きくすることができ；ｙを約０．２よりも大きくすることができ；０≦ｘ’＜０．１０；及び０≦ｘ”＜０．１０である。
【０１１２】
ある実施の形態では、本ポリマーは、式：
【０１１３】
【化２２】
2014240488.tif 000023
【０１１４】
（但し、Ｑ、Ｗ”、Ｒ1、ｎ、ｘ、ｘ’、ｘ”、及びｙが、ここに定義したものである。）
を有することができる。所定の実施の形態では、ｘは、約０．２５よりも大きくすることができ、；及びｘ＋ｘ’＋ｘ”は、約０．５よりも大きくすることができる。例えば、ｘは、約０．５よりも大きくすることができ；ｙは約０．２５よりも大きくすることができ；０≦ｘ’＜０．１０；及び０≦ｘ”＜０．１０である。
【０１１５】
ある実施の形態では、繰り返し単位（又はモノマーＣ）
【０１１６】
【化２３】
2014240488.tif 000024
中のＱ及びＷ”は、それぞれ−Ｃ（Ｏ）−Ｃ２−６アルケニル結合基であることができ、そして任意に置換されたフェニル又は５〜１４員のヘテロアリール基であることができる。例えば、上記繰り返し単位（モノマーＣ）は、式：
【０１１７】
【化２４】
2014240488.tif 000025
（但し、ｂ’が、０、１、２、３、又は４であり；及びＲ3、Ｒ6、Ｒ7、及びＲ8”が、ここに定義されたものである）
を有することができる。特定の実施の形態では、モノマーＣは、
【０１１８】
【化２５】
2014240488.tif 000026
から選ぶことができる。
【０１１９】
他の実施の形態では、Ｑ及びＷ”は、−Ｃ（Ｏ）−Ｃ1-20アルキル基（例えば、−Ｃ（Ｏ）−ＣＨ3）であることができ、これにより、例えば以下の式：
【０１２０】
【化２６】
2014240488.tif 000027
【０１２１】
（但し、ＲがＣ1-20アルキル基である）
を有するモノマーＣが得られる。これらのモノマーの１種以上は、ここに記載したように、クマリン含有繰り返し単位と共重合することができる。ポリマーの例は：
【０１２２】
【化２７】
2014240488.tif 000028
【０１２３】
（但し、Ｒが、Ｃ1-20アルキル基（例えばＣＨ3）であり、及びｎがここに定義されたものである）
であることができる。
【０１２４】
本ポリマーの例としての追加的な実施の形態は、
【０１２５】
【化２８】
2014240488.tif 000029
【０１２６】
【化２９】
2014240488.tif 000030
【０１２７】
（但し、ｎがここに定義されたものである）
を含む。
【０１２８】
本教示は、クマリン含有ポリマーにも関する（ここで、クマリン部分は、フェノール基以外のペンダント基に結合することができる）。いくつかの実施の形態では、クマリン部分は、特定の炭素原子を介して、このようなペンダント基に結合することができる。例えば、クマリン部分は、ポリマーの残り部分に、そのＣ６位置を介して共有結合することができ、即ち、クマリン部分は、クマリン−６−イル基であることができる。これらの実施の形態の例は、
【０１２９】
【化３０】
2014240488.tif 000031
【０１３０】
（但し、Ｌ、Ｑ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、ｂ、ｎ、ｘ及びｙがここに定義されたものである。）
を含む。特定の実施の形態では、本ポリマーは、式：
【０１３１】
【化３１】
2014240488.tif 000032
【０１３２】
（但し、ｎ、ｘ、及びｙが、ここに定義したものである）
を有することができる。
【０１３３】
上述した種々のポリマーのために、ｎは、３〜１００００の整数であることができる。ある実施の形態では、ｎは、１０〜１００００、２０〜１００００、５０〜１００００、又は１００〜１００００であることができる。例えば、ｎは、１０〜５０００、１０〜１０００、１０〜５００、１０〜４００、１０〜３００、又は１０〜２００であることができる。所定の実施の形態では、ｎは８〜１０００であることができる。種々の実施の形態では、本ポリマーは、分子量（Ｍw）が、約１０００〜約５００００００の範囲、例えば、約２０００〜約１００００００の範囲であり；又は約５０００Ｄａ〜約５０００００Ｄａの範囲である。
【０１３４】
ここに記載されたポリマーは、フォトポリマー処方物を得るために、通常の有機溶媒に対して、十分な溶解度を有することができる。通常の有機溶媒の例は、ペテロレウムエーテル；芳香族炭化水素、例えばベンゼン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、１，２，３，４テトラヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼン、トルエン、アニソール、キシレン、及びメシチレン；ケトン、例えばアセトン、２−ブタノン、シクロペンタノン、及びシクロヘキサノン；エーテル、例えばテトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、及びジオキサン；アルコール、例えばエタノール、プロパノール、及びイソプロピルアルコール；脂肪族炭化水素、例えばヘキサン、及びシクロヘキサン；エステル、例えばエチルアセテート、又はブチルアセテート；水素化された脂肪族炭化水素、例えばジクロロメタン、クロロホルム、及びエチレンクロリド；及び他の非プロトン性の溶媒、例えばジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、及びＮ−メチルピロリドンを含むが、これらに限定されるものではない。ここに使用されるように、化合物は、１ｍＬの溶媒中に少なくとも１ｍｇの化合物が溶解可能であれば、その化合物は、溶解性であると考えられる。
【０１３５】
本教示のポリマーの処方物は、種々の溶液−相法内で使用することができ、該溶液−相法は、スピン被覆、印刷、ドロップキャスティング、浸漬被覆、スプレイング、及びブレード被覆を含むが、これらに限定されるものではない。スピン−被覆は、過剰な量の被覆溶液を基材上に施し、次に基材を高速で回転させ、液体を遠心力によって広げることを含む。この技術によって製造された誘電体フィルムの厚さは、スピン−コーティング速度、溶液の遠心力、及び使用する溶液に依存する。印刷は、例えば、輪転グラビア印刷プレス、フレキソ印刷プレス、パッド印刷、スクリーン印刷、又はインクジェット印刷を使用して行なうことができる。これらの印刷法で製造されるような誘電体フィルムの厚さは、溶液の濃度、溶媒の選択、及び印刷の繰り返しに依存することができる。周囲条件、例えば温度、圧力、及び湿度もフィルムの得られる厚さに影響を及ぼすことができる。使用する特定の印刷技術に依存して、印刷の品質は、処方物の流動体特性、例えばテンションエネルギー及び粘度（これらに限定されるものではない）を含む、異なるパラメーターによって影響されることができる。
【０１３６】
本ポリマーは、電子素子、特に薄いフィルム状のトランジスター素子中（最も好ましくは有機半導体材料に基づく薄いフィルム状のトランジスター素子）の誘電体層を製造するのに特に有用である。
【０１３７】
ここに開示されたポリマー処方物の有利な点の一つは、基材上に配置、沈澱させた後に、これらが架橋可能なこと、例えば光架橋可能なことである。架橋の官能性（functionality）は、密に架橋したポリマー性材料の形成を可能にする。架橋したポリマー性マトリックスは、十分に強く、素子製像造工程では通常の種々の条件、例えばパターン化、及び次の溶液−相工程、例えば形成／沈殿オーバーライイング層（例えば、ボトムベートＯＴＦＴ構造中の、又はトップ−ゲートＯＴＦＴ構造中の半導体層）に耐えることができる。特定の理論に結びつくことなく、架橋化学は、安定したシクロブタン部分を提供する２＋２光−刺激付加環化(2+2 photo-stimulated cycloaddition)を含むことができると信じられている。架橋化学は、Ｃ−Ｃ及びＣ−Ｏ結合を可能にするフリーラジカル付加(free radical addition)を含むこともできる。本教示のポリマーは、硬化(cure)、例えば、紫外線、例えば約２５０〜５００ｎｍ（例えば、約３００ｎｍ〜約４５０ｎｍ）で露光することにより、光架橋することができる。光のより短い波長を、例えば光学フィルター、例えばｐｙｒｅｘ（カットオフ、約３００ｎｍ）で、ろ過することができる。架橋は、他の種類の放射、例えば、放射装置を使用した、荷電された粒子のイオンビーム及び電子ビームによって行うことも可能である。架橋したマトリックスを形成した後、本教示の誘電体材料は、更なるパターン化及び処理工程で処理することができ、これにより、（追加的な誘電体、半導体及び／又は伝導層を含む）追加的な層を、誘電体の上に形成することができる。
【０１３８】
本教示のポリマーを１種以上含む組成物（処方物）は、低い漏えい電流密度、高いブレークダウン電圧、低いヒステリシス、調整されたキャパシタンス価、均一なフィルム厚さ、溶液処理性、低温での製造性、及び／又は大気圧、空気及び湿分安定性、及び／又は種々のゲート材料、及び／又は半導体との調和性を含む（但し、これらに限られるものではない）、広い範囲の望ましい特性と特徴を示す、誘電体を製造するために使用することができる。
【０１３９】
本教示のポリマーは、比較的高いガラス転移温度（Ｔg）を有することができる。例えば、本ポリマーは、１００℃〜２００℃の範囲のＴgを有することができる。このことは有利であるが、この理由は、多くの電子素子の製造方法は、１００℃以上の温度での焼きなまし(annealing)工程を含むことができ、これらの工程では、Ｔgが約１００℃未満のポリマーは有用ではないからである。本ポリマーは、誘電定数を１．１〜５．０の範囲に有することができる。ここで、誘電定数は、この技術分野では公知の任意の手順（標準試験法ＡＳＴＭ Ｄ１５０に記載されている手順を含む）を使用して測定（決定）することができる。特定の理論に結び付くことを望むものではないが、ＰＭＭＡとの共重合は、本ポリマーのための所定の特定の実施の形態（例えば、クマリン−含有ビニルフェノール誘導体繰り返し単位を有するもの）のために、より高い誘電定数をもたらすことができると信じられている。
【０１４０】
漏えい電流密度は、代表的には、その大きさが断面積当たりの漏えい電流であるベクトルとして定義される。ここに使用されるように、「漏えい電流」は、半導体構造、又は電流が流れるべきではない素子の断面を流れる、制御されない（寄生性の）電流、例えば、金属−オキシド−半導体（ＭＯＳ）構造中のゲートオキシド（の断面）を流れる電流を示す。この技術分野の当業者にとって公知のように、誘電体の漏えい電流密度は、標準金属−絶縁体−半導体（ＭＩＳ）及び／又は金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタ構造を誘電体を使用して作成し、次に漏えい電流を測定し、そして金属電極の面積で、測定した電流を割り算することによって決定（測定）することができる。
【０１４１】
本教示のポリマー及びその架橋した製造物は、標準ＭＩＳ及びＭＩＭキャパシタ構造から測定して、非常に低い漏えい電流密度を有することができる。例えば、本教示のポリマー及びその架橋した製造物は、漏えい電流密度が、約４×１０-8Ａ／ｃｍ2ａｔ２ＭＶ／ｃｍ以下、約２×１０-8Ａ／ｃｍ2ａｔＥ＝２ＭＶ／ｃｍ以下、約１×１０-8Ａ／ｃｍ2ａｔＥ＝２ＭＶ／ｃｍ以下、約８×１０-9Ａ／ｃｍ2ａｔＥ＝２ＭＶ／ｃｍ以下、約７×１０-9Ａ／ｃｍ2ａｔＥ＝２ＭＶ／ｃｍ以下、約６×１０-9Ａ／ｃｍ2ａｔＥ＝２ＭＶ／ｃｍ以下、約４×１０-9Ａ／ｃｍ2ａｔＥ＝２ＭＶ／ｃｍ以下、約２×１０-9Ａ／ｃｍ2ａｔＥ＝２ＭＶ／ｃｍ以下、又は約１×１０-9Ａ／ｃｍ2ａｔＥ＝２ＭＶ／ｃｍ以下であることができる。本教示のポリマーは、高い電圧で、低い漏えい電流密度例えば、約１×１０-6Ａ／ｃｍ2ａｔＥ＝４ＭＶ／ｃｍ以下、約５×１０-7Ａ／ｃｍ2ａｔＥ＝４ＭＶ／ｃｍ以下、約３×１０-7Ａ／ｃｍ2ａｔＥ＝４ＭＶ／ｃｍ以下、約１×１０-7Ａ／ｃｍ2ａｔＥ＝４ＭＶ／ｃｍ以下、約５×１０-8Ａ／ｃｍ2ａｔＥ＝４ＭＶ／ｃｍ以下、約１×１０-8Ａ／ｃｍ2ａｔＥ＝４ＭＶ／ｃｍ以下をも示す。
【０１４２】
本教示のポリマーから製造された誘電体は、非常に高いブレークダウン電圧（即ち、ブレークダウンし、及び伝導を開始する前に誘電体にかけることができる最大の電位差）に耐えることもできる。例えば、本教示の誘電体は、４ＭＶ／ｃｍ以上のブレークダウン電圧、６ＭＶ／ｃｍ以上のブレークダウン電圧、又は７ＭＶ／ｃｍ以上のブレークダウン電圧に耐えることができる。
【０１４３】
本教示は、更に、製造物の製品、例えば、本教示の誘電体、及び基材成分、及び／又は半導体材料を含む複合体を提供する。基材成分は、ドープしたシリコン、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、ＩＴＯ−被覆ガラス、ＩＴＯ−被覆ポリイミド、又は他のプラスチック、アルミニウム、又は他の金属単独体、又はポリマー又は他の基材に被覆されたもの、ドープされたポリチオフェン、及びこれらに類似するものから選ぶことができるが、これに限られるものではない。複合体は、半導体成分を含むことができる。半導体成分は、種々の融合したヘテロ環、芳香族炭化水素、ポリチオフェン、融合した(fused)（ヘテロ）芳香族（例えば、ペリレンイミド、及びナフタレンイミド）、及び他のこのような有機半導体成分、又は材料（ｐ−タイプであっても又はｎ−タイプであっても）、他にこの技術分野で公知の、又は有用であることが見出されたものから選ぶことができるが、これに限られるものではない。例えば、半導体成分は、Ｕ．Ｓ．Ｐａｔｅｎｔ Ｎｏｓ．６，５８５，９１４、６，６０８，３２３及び６，９９１，７４９；及びＵ．Ｓ．特許公報Ｎｏｓ．２００５／０１７６９７０、２００６／０１８６４０１、２００７／０２８０９４、２００８／００２１２２０、２００８／０１６７４３５、２００８／０１７７０７３、２００８／０１８５５５５、２００８／０１８５５７７、及び２００８／０２４９３０９に記載されている１種以上の化合物、及び／又はポリマーから製造することができる。半導体成分は、無機半導体材料、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム、ヒ化物、金属酸化物、及びこれらに類似するものを含むこともできる。
【０１４４】
複合体は、半導体層と誘電体層の間に、中間層を含むことができる。このような中間層は、電気的に絶縁性であることが可能であり、及び種々の誘電体ポリマーから製造することができる。ある実施の形態では、ある実施の形態では、１つ以上の中間層がポリマー、例えば、フルオロポリマー（例えば、Ｃｙｔｏｐ（登録商標）、Ａｓａｈｉ Ｇｌａｓｓ Ｃｏ．，Ｗｉｌｍｉｎｇｔｏｎ，ＤＥ；及びＴｅｆｌｏｎ（登録商標）ＡＦ，Ｄｕｐｏｎｔ，Ｗｉｌｍｉｎｇｔｏｎ，ＤＥ）、ポリ（イソブチレン）、ポリ（ビニルフェノール−コ−メチルメタクリレート）、ポリ（ビニルアルコール）、ポリ（プロピレン）、ポリ（ビニルクロリド）、ポリシアノプルラン、ポリ（ビニルフェノール）、ポリ（ビニルシクロヘキサン）、ベンゾシクロブテン−ベースのポリマー、ポリ（メチルメタクリレート）、ポリ（スチレン−コ−ブタジエン）、ポリ（ビニルピリジン）、ポリ（ビニリジンフルオリド）、ポリアクリロニトリル、ポリ（４−ビニルピリジン）、ポリ（２−エチル−２−オキサゾリン）、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）、ポリビニルピロリドン、及びポリ（ペンタフルオロスチレン）等から製造されることができる。
【０１４５】
複合体は、１つ以上の電気接触(electrical contact)を有することができる。このような電気接触は、金属（例えば金）又は他の有機又は無機の導電性材料で製造することができ、及びソース、ドレイン、又はゲート接触として機能することができる。ここに記載した複合体の１種以上が、種々の有機的な、電子、光学、及び光電気素子、例えば有機的な、薄いフィルム状のトランジスター（ＯＴＦＴｓ）、特定的には、有機電界効果トタンジスター（ＯＦＥＴｓ）、及びセンサー、キャパシター、単極回路、補完的な回路（例えば、インバーター回路）、及びこれらに類似するものに具体化することができる。本ポリマー及びポリマー性材料は、製品、例えば、有機発光ダイオード、光電池、又は太陽電池等の付属成分を製造するのにも使用することができる。本教示のポリマーの、このような素子（デバイス）への利用は、当業者の知識の範囲内である。
【０１４６】
本教示の他の局面は、誘電体を製造する方法に関する。この方法は、ここに記載された１種以上のポリマーを溶媒に溶解することにより、ポリマー組成物（処方物）を製造し、及びこの処方物を基材上に印刷し、誘電体層を形成することを含むことができる。この方法は、誘電体層を放射源（例えば紫外線光）に曝し、架橋を発生させ、これにより架橋した誘電体を形成することを含むことができる。この方法は、追加的な誘電体層を架橋した誘電体上に印刷し、複数層の誘電体を形成することを含むこともできる。
【０１４７】
本教示の１局面は、ここに記載した誘電体を含む誘電体層、半導体層、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を含む薄いフィルム状のトランジスター素子に関する。誘電体層は、代表的には、半導体層とゲート電極の間に配置される。誘電体層は、直接的にでも、又は任意に存在する介在層、例えば保護中間層を介してでも、半導体層に結合することができる。素子の幾何学に依存して、ソース及びドレイン電極は、半導体層の上に配置することができ（トップコンタクト）、又、半導体層は、ソース及びドレイン電極の上に配置することもできる（ボロムコンタクト）。誘電体層は、ポリマー性フィルム（例えば、光架橋したポリマー性フィルム）を含むことができ、ここで、ポリマー性フィルムは、光架橋可能なペンダント基、より特定的には、式：
【０１４８】
【化３２】
2014240488.tif 000033
【０１４９】
（但し、Ｒ1、Ｒ2、及びＲ3が、ここに定義したものである）
のクマリン−６−イル基を含むペンダント基を有する繰り返し単位を有するポリマーを含むことができる。
【０１５０】
本教示の他の局面は、本教示の誘電体を含む有機電界効果トランジスターを製造するための方法に関する。本教示の誘電体は、トップ−ゲートトップ−コンタクト構造、トップ−ゲートボトム−コンタクト構造、ボトム−ゲートトップ−コンタクト構造、及びボトム−ゲートボトム−コンタクト構造を含む（但し、これらにものではない）、種々のタイプの有機電界効果トランジスターに使用することができる。図１４は、ＯＦＥＴ構造の４種の一般的なタイプを示している：（ａ）ボトム−ゲートトップ−コンタクト構造（１４ａ）、（ｂ）ボトム−ゲートボトム−コンタクト構造（１４ｂ）、（ｃ）トップ−ゲートボトム−コンタクト構造、及び（ｄ）トップ−ゲートトップ−コンタクト構造（ｄ）。図１４に示したように、ＯＦＥＴは誘電体層（８、８’、８”、及び８'''）、半導体／チャンネル層（６、６’、６”、及び６'''）、ゲート接触（１０、１０’、１０”、及び１０'''）、基材（１２、１２’、１２”、及び１２'''）、及びソースコンタクト（２、２’、２”、及び２'''）、及びドレインコンタクト（４、４’、４”、及び４'''）を含むことができる。
【０１５１】
ある実施の形態では、本方法は、ここに記載した１種以上のポリマーを含むポリマー処方物を製造し、この処方物を基材（ゲート）上に印刷して誘電体層を形成し、この誘電体層の上に半導体層を形成し、そして第１の電気接触及び第２の電気接触（ソース及びドレイン）を半導体上に形成し、トップ−コンタクトボトム−ゲート有機電界効果トランジスターを製造することを含むことができる。この方法は、誘電体層を放射線（照射：radiation）の曝し、架橋を発生させ、架橋した誘電体を形成することを含むことができる。
【０１５２】
ある実施の形態では、本方法は、ここに記載したポリマーを１種以上含む溶液を製造し、この溶液を基材（ゲート）上に印刷して誘電体層を形成し、第１の電気接触、及び第２の電気接触（ソース及びドレイン）を誘電体の上に形成し、そして第１と第２の電気接触と誘電体の上に半導体層を形成し（即ち、電気接触及び誘電体の間誘電体の領域をカバーする）、ボトム−コンタクトボトム−ゲート有機電界効果トランジスターを製造することを含むことができる。本方法は、誘電体層を放射線（照射線）に曝し、架橋を発生させ、架橋した誘電体を形成することを含むこともできる。
【０１５３】
ある実施の形態では、本方法は、第１の電気接触と第２の電気接触（ソース及びドレイン）を基材上に形成し、基材と第１及び第２の電気接触の上に半導体層を形成し（電気接触及び電気接触の間の基材の領域をカバーする）、ここに記載した１種以上のポリマーを含むポリマー処方物を製品造し、半導体層の上に処方物を印刷して誘電体を形成し、第３の電気接触（ゲート）を誘電体の上に形成し、そして第３の電気接触が第１と第２の電気接触の領域の上に存在して、ボトム−コンタクトトップゲート有機電界効果トランジスターを製造することを含むことができる。ある実施の形態では、本方法は、誘電体層を放射線に曝し、架橋を発生させ、架橋した誘電体を形成することを含むことができる。ある実施の形態では、本方法は、誘電体性ポリマー処方物を配置、沈澱させる前に、半導体層の上に中間層を形成することを含むことができる。
【０１５４】
ある実施の形態では、本方法は、基材上に半導体層を形成すること、半導体層の上に第１の電気接触及び第２の電気接触（ソース及びドレイン）を形成すること、ここに記載した１種以上のポリマーを含むポリマー処方物を製造すること、この処方物を、第１と第２の電気接触の上、及び第１と第２の電気接触の間の半導体の領域に印刷し、誘電体層を形成すること、及び誘電体の上に第３の電気接触（ゲート）を形成することを含む（ここで、第３の電気接触は、第１と第２の電気接触の間の領域の上に存在し、トップ−コンタクトトップ−ゲート有機電界効果トランジスターを製造する）。ある実施の形態では、本方法は、誘電体層を放射線に曝して架橋を発生させ、架橋した誘電体を形成することを含む。ある実施の形態では、本方法は、誘電体ポリマー処方物を配置、沈殿する前に、半導体層の上に中間層を形成することを含む。
【０１５５】
半導体層及び種々の電気接触は、この技術分野の当業者にとって公知の、種々の沈殿法で形成することができる。例えば、半導体層及び中間層は、例えば、物理的蒸着、異なる種類の印刷技術（例えば、フレキソ印刷、石版印刷、グラビア印刷、インク−ジェット、パッド印刷、等）、ドロップコーティング、浸漬被覆、ドクターブレーディング、ロールコーティング、及びスピン−コーティング等の方法（これらに限られるものではない）によって形成することができる。電気接触は、例えば（これらに限られるものではない）、熱蒸発、及び高周波又はｅ−ビームスパッタリング、及び直ぐ前に記載したもの、例えば、フレキソ印刷、石版印刷、グラビア印刷、インク−ジェット、パッド印刷、スクリーン印刷、ドロップキャスティング、浸漬被覆、ドクターブレーディング、ロールコーティング、及びスピンコーテキングを含む（これらに限られるものではない）種々の沈殿法等の方法によって形成することができる。
【０１５６】
以下の実施例では、本教示に従うポリマー及び誘電体が製造され、及びＮＭＲ、ＵＶ−Ｖｉｓスペクトロスコピー、示差走査熱量測定法（ＤＳＣ）、ＡＦＭ、及び金属−絶縁体−半導体（ＭＩＳ）素子漏えい、及びインピーダンススペクトロスコピー測定によって特徴付けられ、そして特に、その誘電特性、及び種々のｐ−タイプ及びｎ−タイプの有機半導体との調和性（両立性）が実証される。有機電子素子、例えば、有機の薄いフィルム状のトランジスター（ＯＴＦＴｓ）、特に、これらの有機の薄いフィルム状のトランジスターに基づく有機電界効果トランジスター（ＯＦＥＴｓ）も作成し、特徴付けを行った。これらのデーターを以下に示す。
【０１５７】
更に説明し、本教示の理解を容易にするために、以下に実施例を記載するが、本発明を限定することを意図するものではない。
【０１５８】
実施例１：６ＨＯＣ−ＡｃＣｌの製造
【０１５９】
【化３３】
2014240488.tif 000034
【０１６０】
５５０ｍＬのアセトン中の、２５ｇ（０．１５モル）の６−ヒドロキシクマリン及び３０．７ｇ（０．２２モル）のＫ2ＣＯ3の懸濁液に、２０．５ｍＬ（３０．９ｇ、０．１９モル）のエチルブロモアセテートを加えた。この混合物を１６時間還流し、そして暖かい状態でろ過した。ろ液をバキュオ(vacuo)内で濃縮し、そして得られた固体を１００ｍＬのエタノールから再結晶化させ、３４．８ｇ（９１％収率）の６ＨＯＣ−ＡｃＯＥｔを黄色プリズムとして得た。
【０１６１】
Ｍ．Ｐ．１１３−１１４℃；1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）：σ７．６５（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．５）、７．２９（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝９．５），７．１７（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．７）、６．９５（ｓ，１Ｈ）、６．４５（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝９．８）、４．６７（ｓ，２Ｈ）、４．３０（ｑ，２Ｈ，Ｊ＝６．５）、１．３２（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝６．８）。
【０１６２】
９７ｇ（０．３９モル）の６ＨＯＣ−ＡｃＯＥｔ、６２ｇ（１．５モル）のＮａＯＨ、１Ｌの１，４−ジオキサン、及び１．５Ｌの水を周囲温度（室温）で２２時間攪拌した。この溶液を、１５０ｍＬの濃縮した、水性の塩酸で、迅速に攪拌させながら（一つの部分内で）処理した。得られた懸濁液を室温にまで冷却し、そしてろ過した。このフィルターケーキを水で洗浄（５×１００ｍＬ）し、そして真空下に１００℃で乾燥させ、８１．８ｇ（９５％収率）の６ＨＯＣ−ＡｃＯＨをタン粉（tan powder）として得た。
【０１６３】
Ｍ．Ｐ．２５８−２６１℃；1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ6）：δ１３．０５（ｂｒｓ，１Ｈ）、８．０１（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝９．６），７．３５（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．９）、７．２７（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝３．９）、７．２１（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．６，２．９）、６．４９（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．９）、４．７４（ｓ，２Ｈ）。
【０１６４】
８１．８ｇ（０．３７モル）の６ＨＯＣ−ＡｃＯＨ及び４００ｍＬ（５．５モル）のＳＯＣｌ2の混合物を、６時間還流させ、そして加熱したガラスフリットを通して、暖かい状態でろ過した。炉液を水槽内で冷却し、次に冷却器（０〜−５℃）内で１時間置いた。この懸濁液をろ過し、そしてフィルターケーキを２５ｍＬのＴＨＦで洗浄した。この固体を空気中で乾燥させ、７５ｇ（８５％収率）の６ＨＯＣ−ＡｃＣｌをピンクのニードルとして得た。
【０１６５】
Ｍ．Ｐ．１６０−１６３℃；1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ6）：δ８．０２（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝９．６）、７．３５（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝９．７），７．２７（ｓ，１Ｈ）、７．２２（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．８，３．０）、６．４９（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝９．８）、４．７４（ｓ，２Ｈ）。
【０１６６】
実施例２：ＰＶＰ0.55−ｃｏ−ＰＭＭＡ0.45−６ＨＯＣ−Ａｃの製造
【０１６７】
【化３４】
2014240488.tif 000035
【０１６８】
３．１ｇのＰＶＰ0.55−ｃｏ−ＰＭＭＡ（ＭＷ １０ｋ、プロトンＮＭＲからの計算に基づいて、ビニルフェノール部分モル割合５５％）及び２０ｍＬ中のピリジン中１０ｍｇの４−ジメチルアミノ−ピリジンの溶液に、６０ｍＬの暖かい１，４−ジオキサン中６．０ｇ（２５ミリモル）の６ＨＯＣ−ＡｃＣｌの溶液を加えた。得られた混合物を、周囲温度（室温）で３時間攪拌し、次に１５０ｍＬのメタノールで処理した。曇った上液（supernatant）をデカントし（上澄み液を移し）、及び残った残留物を２０ｍＬクロロホルム／５０ｍＬメタノールから３回、沈殿させた（各度に、上液をデカント）。残った残留物を３０ｍＬのクロロホルム内に溶解させ、そして１００ｍＬのメタノール内に直接的にろ過させた（−７８℃に冷却）。沈殿物をろ過し、そしてバキュオ内で乾燥させ、６．３ｇのＰＶＰ0.55−ｃｏ−ＰＭＭＡ0.45−６ＨＯＣ−Ａｃを白色の粉として得た。
【０１６９】
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）：δ７．６７（ｂｒｓ，１Ｈ）、７．３５−６．６５（ｍ，７Ｈ），６．４５（ｂｒｓ，１Ｈ）、４．９（ｍ，２Ｈ）、３．５−０．５（ｂｒ）。
【０１７０】
実施例３：ＰＶＰ0.80−ｃｏ−ＰＭＭＡ0.20−６ＨＯＣ−Ａｃの製造
【０１７１】
【化３５】
2014240488.tif 000036
【０１７２】
３．０ｇのＰＶＰ0.80−ｃｏ−ＰＭＭＡ0.20（ＭＷ７０ｋ）及び１５ｍＬ中のピリジン中１０ｍｇの４−ジメチルアミノピリジンの溶液に、７５ｍＬの暖かい１，４−ジオキサン中７．５ｇ（３１ミリモル）の６ＨＯＣ−ＡｃＣｌの溶液を加えた。得られた混合物を、周囲温度（室温）で３時間攪拌し、次に１００ｍＬのメタノールで処理した。上液（上澄液：supernatant）をデカントし（上澄み液を移し）、及び残った残留物を３０ｍＬのクロロホルムで処理し、そして１５分間攪拌した。混合物を１００ｍＬのメタノールで処理し、そして上液をデカントした。残った残留物を２０ｍＬのシクロペンタノン／６０ｍＬのメタノールから３回沈殿させ、各度に上液をデカントした（メタノールのトレース（微量）をロートバップ(rotovap)で除去し、シクロペンタノン中への溶解を補助）。残った残留物を６０ｍＬのシクロペンタノン内に溶解させ、そして３００ｍＬのジエチルエーテル内に攪拌しながら直接的にろ過させた。沈殿物をろ過除去し、そして３×５０ｍＬのジエチルエーテルで洗浄した。このフィルターケーキを真空下に乾燥させ、５．４ｇのＰＶＰ0.80−ｃｏ−ＰＭＭＡ0.20−６ＨＯＣ−Ａｃを白色の粉として得た。
【０１７３】
1Ｈ ＮＭＲ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ６）：δ７．９（ｂｒ，１Ｈ）、７．４−６．３（ｂｒ，８Ｈ）、５．０５（ｂｒ，２Ｈ）、３．４−０．０（ｂｒ）。
【０１７４】
実施例４ａ：ＰＶＰ−６ＨＣ−Ａｃの製造
【０１７５】
【化３６】
2014240488.tif 000037
【０１７６】
２．６６ｇのポリ（４−ビニルフェノール）（ＭＷ２０ｋ）及び２０ｍＬのピリジン中１０ｍｇの４−ジメチルアミノピリジンの溶液に、８０ｍＬの暖かい１，４−ジオキサン中８．０ｇ（３３．５ミリモル）の６ＨＯＣ−ＡｃＣｌを加えた。得られた混合物を周囲温度で３時間攪拌し、次に上液をデカントした。残った残留物を最初に、２０ｍＬのシクロペンタノンで処理し、油性の部分を溶解し、そして次に６０ｍＬのメタノールで処理した。上液（上澄液）をデカントし、そして残った残留部分を、２０ｍＬシクロペンタノン／６０ｍＬメタノールから１回、及び２０ｍＬシクロペンタノン／６０ｍＬジエチルエーテルから１回、沈澱させた。残留物を５０ｍＬのシクロペンタノン中に溶解し、そしてろ過した。炉液を２０ｍＬに濃縮し、そして７０ｍＬのジエチルエーテルで処理した。曇った上液を除去し、そして残った残留物を５０ｍＬのジエチルエーテルで処理し、及び１５分間、シェイク及び／又は攪拌した。懸濁液をろ過し、そしてフィルターケーキをバキュオ内で乾燥させ、５．４ｇ（７６％収率）のＰＶＰ−６ＨＯＣ−Ａｃを白色の粉として得た。
【０１７７】
1Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ6）：δ７．８１（ｂｒｓ，１Ｈ）、７．４−６．３（ｂｒ，８Ｈ）、５．０１（ｂｒｓ，２Ｈ）、２．０−１．０（ｂｒ，３Ｈ）。
【０１７８】
実施例４ｂ：ＰＶＰ−６ＨＯＣ−Ａｃの製造
【０１７９】
【化３７】
2014240488.tif 000038
【０１８０】
５．６３ｇのポリ（４−ビニルフェノール）（ＭＷ２０ｋ）（ｎOH＝４６．８６ミリモル）、２０ｍｇの４−ジメチルアミノピリジン、及び３０ｍＬの水の無いＤＭＡＣ中の、（１．５Ｅｑ、ｎ＝７０．２９ミリモル、ｍ＝７．１１ｇ、Ｖ＝９．８０ｍＬ）のトリエチルアミンに、５０ｍＬの水の無いＤＭＡＣ中の、８．０ｇ（１．５Ｅｑ、ｎ＝７０．２９、ｍ＝１６．６３ｇ）のクマリン−ＣＯＣｌを加えた。得られた混合物を周囲温度で１２時間攪拌した。この後、ポリマーを、１ＬのＭｅＯＨ中に、強く攪拌させながら滴下させて沈澱させた。懸濁液をろ過し、そしてフィルターケーキを４０ｍＬのＤＭＡＣ中に再度、溶解させた。このポリマー溶液を、１Ｌのメタノール中に２回目に沈澱させた。この懸濁液をろ過し、そしてフィルターケーキをバキュオ内で乾燥させ、１３．４ｇ（８５％収率）のＰＶＰ−６ＨＯＣ−Ａｃを白色粉として得た。
【０１８１】
1Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ6）：δ７．８１（ｂｒｓ，１Ｈ）、７．４−６．３（ｂｒ，８Ｈ）、５．０１（ｂｒｓ，２Ｈ）、２．０−１．０（ｂｒ，３Ｈ）。
【０１８２】
実施例５：ＰＶＰ0.55-CO-ＰＭＭＡ0.45-７ＨＯＣ-Ａｃの製造
【０１８３】
【化３８】
2014240488.tif 000039
【０１８４】
３．０ｇのＰＶＰ−ＰＭＭＡ（ＭＷ１０ｋ、プロトンＮＭＲからの計算に基づいて、ビニルフェノール部分モル割合５５％）、及び１５ｍＬ中のピリジン中の１０ｍｇの４−ジメチルアミノ−ピリジンに、２５ｍＬの暖かいＴＨＦ中の５．５ｇ（２３ミリモル）の７ＨＯＣ−ＡｃＣｌ（Ｃｈｕｊｏ，Ｙ．；Ｓａｄａ，Ｋ．；Ｓａｅｇｕｓａ，Ｔ．，Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２３：２６９３−２６９７（１９９０））の溶液を加えた。混合物を、１２０ｍＬのクロロホルムで処理し、そして周囲温度で１時間攪拌した。この混合物を５ｍＬの水で処理し、そして２分間攪拌した。この混合物を１００ｍＬのメタノールに注ぎ、そして得られた懸濁液を、回転蒸発器を使用して、半分の体積に減少させた。この混合物を５０ｍＬのメタノールで処理し、そして上液をデカントした。残った残留物をクロロホルム（１５ｍＬ）とピリジン（１ｍＬ）中に溶解させ、そしてメタノール（３０ｍＬ）を使用して沈殿させた。上液をデカントし、そして残った残留物を、クロロホルム（１５ｍＬ）／メタノール（３０ｍＬ）から、３回沈澱させた（各度に上液をデカント）。残っている残留物を５０ｍＬのクロロホルム内に溶解させ、そして２００ｍＬのメタノール中に滴下させて加えた（−７８℃に冷却）。沈澱物をろ過除去し、そして５．７ｇのＰＶＰ0.55-CO-ＰＭＭＡ0.45-７ＨＯＣ-Ａｃを、黄白色として得た。
【０１８５】
1Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）：δ７．６８（ｂｒ，１Ｈ）、７．４４（ｂｒ，１Ｈ）、７．２−６．６（ｂｒ，６Ｈ）、６．２９（ｂｒ，１Ｈ）、４．９（ｂｒ，２Ｈ）、３．５−０．５（ｂｒ）。
【０１８６】
実施例６：ＰＶＰ−７ＨＯＣ−Ａｃの製造
【０１８７】
【化３９】
2014240488.tif 000040
【０１８８】
８０ｍＬのピリジン中、１０ｇのポリ（４−ビニルフェノール）（ＭＷ２０ｋ）及び１０ｍｇの４−ジメチルアミノピリジンの溶液に、１００ｍＬの暖かいＴＨＦ中の３０ｇ（１２６ミリモル）の７ＨＯＣ−ＡｃＣｌの溶液を加えた。この混合物を周囲温度で１時間攪拌し、そして２００ｍＬのメタノールで処理した。上液をデカントし、そして残っているオイルを、シクロペンタノン（１００ｍＬ）／メタノール（２００ｍＬ）から、３回沈澱させた（各度に上液をデカント）。残っているオイルをシクロペンタノン（２００ｍＬ）中に溶解させ、そして４００ｍＬのメタノールに滴下させて加えた（−７８℃に冷却）。ろ過を使用して材料を集め、そしてバキュオ内で乾燥させ、２０ｇのＰＶＰ−７ＨＯＣ−Ａｃを黄色の粉として得た。
【０１８９】
1Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ6）：δ７．９（ｂｒｓ，１Ｈ）、７．５（ｂｒｓ，１Ｈ）、７．２−６．１（ｂｒ，７Ｈ）、５．１（ｂｒｓ，２Ｈ）、２．０−１．０（ｂｒ，３Ｈ）。
【０１９０】
実施例７：（ＰＶＰ−６ＨＯＣ−Ａｃ）0.80−ｃｏ−（ＰＶＰ−Ａｃ）0.20の製造
【０１９１】
【化４０】
2014240488.tif 000041
【０１９２】
１０ｍＬのピリジン中、２．５ｇのポリ（４−ビニルフェノール）（ＭＷ２０ｋ）及び１０ｍｇの４−ジメチルアミノピリジンの溶液に、４０ｍＬの暖かい１，４−ジオキサン中４．０ｇ（１６．８ミリモル）の６ＨＯＣ−ＡｃＣｌの溶液を加えた。得られた混合物を周囲温度で１時間攪拌し、そして次に、この混合物を２ｍＬ（２０．８ミリモル）の無水酢酸で処理した。この混合物を加熱して沸騰させ、そして次に周囲温度で１時間攪拌した。この混合物を１００ｍＬのメタノールで処理し、そして上液をデカントした。残っている残留物を、最初に１０ｍＬのシクロペンタノンで処理し、油性の部分を溶解させ、そして次に５０ｍＬのメタノールで処理した。上液をデカントし、そして残っている残留物を３０ｍＬシクロペンタノン／１００ｍＬメタノールから２回、沈澱させた（各度に上液をデカントした）。残っている残留物を３０ｍＬのシクロペンタノンに溶解し、そしてフィルターケーキをバキョ内で乾燥させ、３．２ｇの（ＰＶＰ−６ＨＯＣ−Ａｃ）0.80−ｃｏ−（ＰＶＰ−Ａｃ）0.20を、灰色がかった白色の粉として得た。
【０１９３】
1Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ6）：δ８．０−６．２（ｂｒ）、５．０５（ｂｒ）、２．２５−１．０（ｂｒ）。
【０１９４】
実施例８：４−ビニルフェニル２−（クマリン−６−イルオキシ）アセテート（ＶＰ−６ＨＯＣ−Ａｃ）の製造
【０１９５】
【化４１】
2014240488.tif 000042
【０１９６】
１０ｍＬのシクロペンタノン中の１．０ｇ（４．２ミリモル）の６ＨＯＣ−ＡｃＣｌ（実施例１）に、１ｍＬのピリジン中の０．５０ｇ（４．２ミリモル）の４−ヒドロキシスチレン及び５ｍｇの４−ジメチルアミノピリジンを加えた（この間、水槽内で冷却）。この混合物を周囲温度で１時間攪拌し、そして次に０．２ｍＬの水で処理し、そして２分間攪拌した。この混合物を８０ｍＬのメタノールで処理し、そしてろ過した。フイルターケーキをメタノール（２×１０ｍＬ）で洗浄し、そして真空下に乾燥させた。得られた粉をクロロホム内に溶解させ、そしてシリカゲルのショートパッド(short pad)に通した。ろ液をバキュオ内で濃縮し、そして得られた固体を、１００ｍＬのエタノールから再結晶化させ、０．６ｇ（４５％収率）のＶＰ−６ＨＯＣ−Ａｃを無色のニードルとして得た。
【０１９７】
1Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）：δ７．６７（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１０Ｈｚ）、７．４５−７．０４（ｍ，６Ｈ）、６．７１（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１８，１１Ｈｚ）、６．４７（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１０Ｈｚ）、５．７４（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１８Ｈｚ）、５．２８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１１Ｈｚ）、４．９３（ｓ，２Ｈ）。
【０１９８】
実施例９：ＶＰ−６ＨＯＣ−Ａｃの重合
【０１９９】
【化４２】
2014240488.tif 000043
【０２００】
ａ）暗いフラスコ内で、５ｇ（１５．２ミリモル）のＶＰ−６ＨＯＣ−Ａｃ（実施例８）を、２５ｍｌの乾燥ジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ）内に、不活性雰囲気下で溶解させた。５０ｍｇ（０．３ミリモル）のアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）を加えた後、反応混合物を６０℃に加熱し、そしてこの温度で、暗所内で、１５時間攪拌した。そして、混合物を室温にまで冷却し、そしてＣＨＣｌ3／ＭｅＯＨ（５０／５０）内で沈澱させた。
【０２０１】
ジメチルホルムアルデヒド（ＤＭＦ）中への再溶解、ＣＨＣｌ3中での沈澱、及び少量のＭｅＯＨでの処理で、白色粉としての生成物を得た。収量：３．６ｇ（７２％）。Ｍn＝２，７９０ｇ／モル；Ｍw＝２５，１００ｇ／モル；Ｍw／Ｍn＝９．０。
【０２０２】
ｂ）暗いフラスコ内で、５ｇ（１５．２ミリモル）のＶＰ−６ＨＯＣ−Ａｃ（実施例８）を２５ｍｌの乾燥ＤＭＡＣ内に、不活性雰囲気下に溶解した。５０ｍｇ（０．３ミリモル）のＡＩＢＮを加えた後、反応混合物を７０℃に加熱し、そしてこの温度で、暗所で、１５時間攪拌した。そして、この混合物を室温に冷却し、そしてＣＨＣｌ3／ＭｅＯＨ（５０／５０）内で沈澱させた。
【０２０３】
ＤＭＦ中での再溶解、ＣＨＣｌ3中での沈澱、及び少量のＭｅＯＨでの処理で、生成物を白色粉として生成した。収量：３．６ｇ（７２％）。Ｍn＝３，６４０ｇ／モル；Ｍw＝７６，０００ｇ／モル；Ｍw／Ｍn＝２０．９。
【０２０４】
ｃ）暗いフラスコ内で、５ｇ（１５．２ミリモル）のＶＰ−６ＨＯＣ−Ａｃ（実施例８）を２５ｍｌの乾燥ＤＭＦに、不活性雰囲気下に溶解させた。５０ｍｇ（０．３ミリモル）のＡＩＢＮを加えた後、この反応混合物を６０℃に加熱し、そしてこの温度で、暗所で１５時間、攪拌した。そしてこの混合物を室温にまで冷却し、そしてＣＨＣｌ3／ＭｅＯＨ（５０／５０）内で沈澱させた。
【０２０５】
ＤＭＦ中での再溶解、ＣＨＣｌ3中での沈澱、及び少量のＭｅＯＨでの処理で、生成物を白色粉として生成した。収量：３．５ｇ（７０％）。Ｍn＝４，４４０ｇ／モル；Ｍw＝１０８，０００ｇ／モル；Ｍw／Ｍn＝２４．３。
【０２０６】
ｃ）暗いフラスコ内で、５ｇ（１５．２ミリモル）のＶＰ−６ＨＯＣ−Ａｃ（実施例８）を２５ｍｌの乾燥ＤＭＦに、不活性雰囲気下に溶解させた。１００ｍｇ（０．６ミリモル）のＡＩＢＮを加えた後、この反応混合物を６０℃に加熱し、そしてこの温度で、暗所で１５時間、攪拌した。そしてこの混合物を室温にまで冷却し、そしてＣＨＣｌ3／ＭｅＯＨ（５０／５０）内で沈澱させた。
【０２０７】
ＤＭＦ中での再溶解、ＣＨＣｌ3中での沈澱、及び少量のＭｅＯＨでの処理で、生成物を白色粉として生成した。収量：３．５ｇ（７０％）。Ｍn＝４，８１０ｇ／モル；Ｍw＝１８０，０００ｇ／モル；Ｍw／Ｍn＝３７．５。
【０２０８】
実施例１０：光架橋の前及び後のフォトポリマー材料の溶解度
本教示の多くのフォトポリマーは、通常の有機溶媒（これらの有機溶媒は、テトラヒドフラン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ジオキサン、クロロホルム、エチルアセテート、アセトン、トルエン、ジクロロベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、シクロペンタノン及びシクロヘキサノンを含むが、これらに限られるものではない）に対して溶解性である。実施例２〜７及び９からのフォトポリマーは、例えば、通常の有機溶媒に対して卓越した溶解度を有している。例えば、実施例２からのＰＶＰ0.55-CO-ＰＭＭＡ0.45-６ＨＯＣ-Ａｃは、シクロペンタノンに、加熱することなく溶解して、３５０ｍｇ／Ｌの濃度を得ることができる。このような溶液は、グラビア印刷に使用するのに十分に粘（着）性である。
【０２０９】
印刷又は他の溶液−相沈澱工程の後、本教示のフォトポリマーを、紫外線に曝すことによって（例えば、４００ＷＵＶオーブン内で０．５〜５分間処理することによって）硬化させることができ、これにより、本教示のフォトポリマーが（光架橋の前では、最初は溶解性であった）有機溶媒に対して不溶性になる。硬化した誘電体フィルムは、比較的厳しい工程に耐えることができる程、十分に強い。例えば、光架橋した誘電体フィルムを、シクロペンタノンに１〜５分間浸した場合、この後の、その厚さと物理的な外観が、浸漬工程の前と実質的に同じであることが見出された。本誘電体のこの特性は、これらを溶液−処理を行うボトム−ゲートＯＦＥＴｓ（これらでは、誘電体層が、半導体層の配置、沈澱のための、溶液−処理を行う溶媒中に不溶性であることが必要とされる）にとって、魅力有る候補にする。
【０２１０】
実施例１１：誘電体フィルムの製造
１ｍＬのシクロペンタノンに、１００〜１５０ｍｇの選択したポリマーを溶解させることによって、フォトポリマーの処方物を、製造（調製）した。この処方物を汚れていないシリコン基材の上に、１０００〜２０００ｒｐｍ（加速２０）でスピンコーティングし、厚さが約３５０〜４５０ｎｍの範囲のフィルムを得た。硬度にドープしたシリコンウエハー（Ｍｏｎｔｃｏ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｔｅｃｈ，Ｉｎｃ．，Ｓｐｒｉｎｇ Ｃｉｔｙ，ＰＡ）を、使用する前に、有機溶媒中での高周波音処理によって洗浄した。スピンコーティング工程の後、得られた誘電体フィルムを、紫外線光を使用して放射線処理した。この放射線処理は、ブルーフィルター（Ｈｏｙａ Ｏｐｔｉｃｓ，Ｓａｎ Ｊｏｓｅ，ＣＡ，カットオフ約３２０ｎｍ）でフィルターされた４００Ｗ中間圧力水銀灯から発生した紫外線を使用して、ランプハウジングから約２０ｃｍ離れた距離で行った。ＵＶ強度及びドーズ（線量）を、放射計を使用して測定（約３２０〜３９０ｎｍの間）した。次にこのフィルムを真空オーブン内で、１００℃で１〜１０分間、焼きなまし(anneal)し、残留する溶媒を完全に除去した。
【０２１１】
架橋したフィルムを３０〜６０ｓ、種々の溶媒に浸し、溶解性を試験した。表１に、誘電体フィルムを、種々の溶媒内で、実質的に不溶性にする（即ち、溶媒処理が、架橋したフィルムの厚さを、約１０％を超えて減少させることがない）ために必要とされる最小限の放射線ドーズ（放射線量（Ｊ／ｃｍ2）＝ランプ強度（Ｗ／ｃｍ2）＊時間（ｓ））を示す。ここで、上記溶媒は、アセトン、アニソール、クロロホルム、シクロペンタノン、ジオキサン、水、及びキシレンを含むが、これらに限定されるものではない。スピン−コーティングのために使用した溶媒ですすいだ場合、シャドーマスクを通して紫外線に曝された、スピン被覆したフォトポリマーフィルムは、シャドーマスクのパターンに対してネガティブな、鮮明なパターンを示した。
【０２１２】
本教示の代表的なフォトポリマーのための最小硬化ドーズ。比較の目的で、ポリ（ビニルシナメート）が含められている。
【０２１３】
【表１】
2014240488.tif 000044
【０２１４】
この実施例で使用した水銀灯は、強度が約８ｍＷ／ｃｍ2であるので、例えば、１Ｊ／ｍ2のドーズでは、ＰＶＰ−７ＨＯＣ−Ａｃを十分に架橋するために、約２分間の架橋時間が必要とされ、一方、ＰＶＰ−６ＨＯＣ−Ａｃは、０．５Ｊ／ｃｍ2のドーズ、又は約１分間の架橋時間で十分に架橋された。
【０２１５】
実施例１２：誘電体の特徴付け
実施例４から得られた誘電体フィルムを使用して、金属−絶縁体−半導体（ＭＩＳ）キャパシター構造を製造し、そして誘電体フィルムのキャパシタンス（電気容量）を測定した。ＭＩＳ構造を作成するために、大きくドープしたｎ−タイプＳｉ（ＭＥＭＣ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ａｎｔｉｍｏｎｙ／ｎ−ｄｏｐｅｄ）を金属（該金属の上に、誘電体フィルムがスオピンコーティングされ、絶縁体層を形成する）として使用した。次に頂部Ａｕ電極（面積＝１５００μｍ×１５００μｍ）を、フォトポリマー絶縁体の頂部の上に、＜１×１０-6Ｔｏｒｒで真空沈澱させ、ＭＩＳキャパシター構造を完了させた。シャドーマスクを使用して、特徴サイズが１００μｍ×１００μｍ〜１０００μｍ×１０００μｍの範囲の、長方形−又は正方形−形状のＡｕパッドを沈澱させることができ、異なるサイズのＭＩＳ構造を形成した。他に記載がなければ、本実施例、及び以降の実施例における漏えい電流は、特徴サイズが２００μｍ×２００μｍのＡｕパッドを有するキャパシター構造を使用して測定（決定）した。本教示の誘電体に基くキャパシターのＪ〜Ｅの特徴は、Ａｕパッドの面積から独立しているようである。
【０２１６】
ＭＩＳ構造の電流（Ｉ）−電圧（Ｖ）応答を、高感度Ｋｅｉｔｈｌｅｙ４２００半導体特徴化システムを使用して測定した。全ての測定を、周囲の雰囲気中で行なった（相対湿度＝３０〜８０％）。Ｉ−Ｖスキャンの間、電気的ノイズを最小限にするために、３軸、キャブリング及び探査システム（Ｓｉｇｎａｔｏｎｅ，Ｇｉｌｒｏｙ，ＣＡ）を、ＭＩＳ構造の探査に使用した。Ｓｉｇｎａｔｏｎｅ３軸探査システムとＫｅｉｔｈｌｅｙ４２００システムを組み合わせて使用することにより、ノイズレベルを１０-15Ａにまで低下させ、及び１０-14Ａの低さの正確な電流測定を得た。測定の間、ボトム電極を装置基礎部（instrument ground)を使用して探査し、及び頂部Ａｕパッドを、Ｋｅｉｔｈｌｅｙソース計に連結された３軸プローブからのソフトチップを使用して探査した。Ｋｅｉｔｈｌｅｙ４２００プログラムによって制御されたように、３軸プローブにバイアスをかけ、及び回路を流れる電流を測定することによってＩ−Ｖスキャンを行った。スキャン速度は、５〜１５ｓ／ステップであり、これは、遅れ時間(delay time)を０．５ｓ〜２ｓの範囲に設定し、及びステップ毎の測定数を１０〜２０の範囲に設定することによって制御した。代表的な漏えい電流密度（Ｊ）と電界（Ｅ）の関係を図１に示す。
【０２１７】
実施例１３：フォトポリマー誘電体層及び溶液−処理されたｐ−タイプ半導体を有するトップ−ゲートＯＦＥＴｓ
この実施例では、ボトム−コンタクトトップ−ゲートＯＦＥＴｓを本教示の誘電体（実施例２からのＰＶＰ0.55-CO-ＰＭＭＡ0.45-６ＨＯＣ-Ａｃ）を、誘電体層として使用して作成した。工程１．基材：ガラススライド１”×１“、厚さ０．４ｍｍ（ＰＧＯ）をエタノール中で３回、高周波音処理によって洗浄し、そして次の工程の前にエタノール中で保持した。工程２．ソース及びドレイン電極：工程２からのガラス基材をＣＶ３０２−ＦＲ金属蒸発器（Ｃｏｏｋｅ Ｖａｃｕｕｍ）上に装着した。金の電極を、溝の寸法が２５×５００、５０×１０００、及び７５×１５００μｍのシャドーマスクを通して、０．６Å／ｓの蒸着速度で、最終的な厚さ３００Åに蒸着させた。工程３．半導体スピンコーティング：ポリ（３−ヘキシルチオフェン）（ＢＡＳＦ）半導体を、ＤＣＢ（Ａｌｄｒｉｃｈ）中の７ｍｇ／ｍＬ溶液として製造し、そして１２０℃の加熱プレート上で、ポリマーが完全に溶解するまで注意深く加熱した。工程２からの基材を、Ｎ2が充填されたグローブボックスの内側のスピンコーターに搭載し、そして強い空気流で注意深く洗浄した。半導体溶液を、０．２μｍＰＴＦＥ注射器フィルター（Ｍｉｌｌｉｐｏｒｅ）を通して基材に施し、そして１５００ｒｐｍでスピンコーティングした（加速度２０）。得られたフィルムを、次の工程で処理すえる前に、１１０℃の真空オーブン内で４時間焼いた。工程４．ゲート誘電体：シクロペンタノン中のＰＶＰ0.55-CO-ＰＭＭＡ0.45-６ＨＯＣ-Ａｃ溶液（１２０ｍｇ／ｍＬ）を１０００ｒｐｍ（加速度２０）で２分間スピンコーティングすることによって、誘電体層を製造した。このフィルムを、ＵＶ−オーブン（Ｄｙｍａｘ）中で、３２０ｎｍのフィルター（Ｈｏｙａ Ｏｐｒｉｃｓ）を通して、１〜７分間硬化させた（約８ｍＷ／ｃｍ2のランプ強度）。この素子を真空オーブン内で１００℃で２０分間焼いた。幾つかのサンプル内で、誘電体ポリマー溶液を沈澱させる前に、内部層材料の溶液を、素子の上にスピン−コーティングし、及び得られた素子を、１００℃の真空オーブン内で１０分間、焼くことによって内部層を形成した。工程５．ゲート電極：ゲート電極を同じ金属蒸発器内で、３００Åの最終的な厚さまで、０．６Å／ｓの速度で蒸着させた。４−ｔｅｒｍｉｎａｌ−ｎ−ＦＥＴモードのＫｅｉｔｈｌｅｙ Ｉｎｔｅｒａｃｔｉｖｅ Ｔｅｓｔ Ｅｎｖｉｒｏｍｅｎｔ ｓｏｆｔｗａｒｅを有するＳｉｇｎａｔｏｎｅ Ｈ１００シリーブプローブステーションを使用して、素子を試験した。６０Ｖドレインバイアス、０Ｖソースバイアス、及びゲートバイアス（−６０Ｖ〜６０Ｖを５Ｖのインターバルでスイープする）を使用して、移動プロットを記録した。０〜６０Ｖドレインバイアス（５ステップ）、及び０〜６０Ｖゲートバイアス（１０Ｖステップ）、（０Ｖでの）ソースバイアスを使用して、出力プロットを記録した。このようなトップゲート素子の出力及び移動プロット、及びＳｉＯ2誘電体の使用を、図２〜５に示す。
【０２１８】
実施例１４：フォトポリマー誘電体層及び溶液−処理されたｎ−タイプ半導体を有するトップゲートＯＦＥＴｓ
ペリレン−タイプ ｎ−タイプ半導体、Ｎ，Ｎ’−ビス（１−メチルペンチル）−（１，７＆１，６）−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）（ＰＤＩ１ＭＰ−ＣＮ2）を使用し、誘電体層として本教示のフォトポリマーを有する、ｎ−タイプＯＦＥＴ素子を作成した。ＰＤＩ１ＭＰ−ＣＮ2を、国際公開Ｎｏ．ＷＯ２００８／０６３６０９に記載された手順に従って合成した。処理と測定条件は、実施例１０と同様であった。硬化時間を変化させ、及び幾つかのケースで制御として、ＰＭＭＡを使用した。特に、３２０ｎｍフィルター（Ｈｏｙａ Ｏｐｔｉｃｓ）を通してのＵＶ−放射は、半導体の性能に影響を及ぼさなかった。代表的なＯＦＥＴ移動プロットを図６〜７に示す。
【０２１９】
実施例１５：フォトポリマー誘電体層及び溶液−処理されたｐ−タイプ半導体を有するボトム−ゲート、ボトム−コンタクトＰＦＥＴｓ
この実施例では、本教示の誘電体（実施例２からのＰＶＰ0.55-CO-ＰＭＭＡ0.45-６ＨＯＣ-Ａｃ）を、誘電体層として使用して、ボトム−ゲートボトムコンタクトＯＦＥＴｓを作成した。工程１．基材：Ｓｉウエハー（Ｍｏｎｔｃｏ）を、１”×１”ピースとして製造し、そしてＴＨＦ及びエタノールでの高周波音処理によって洗浄した。ウエハーをスピンコーターの上に搭載し、そしてメタノールを使用して２回、５０００ｒｐｍですすいだ。シクロペンタノン中、ＰＶＰ0.55-CO-ＰＭＭＡ0.45-６ＨＯＣ-Ａｃの１００〜１２０ｍｇ／ｍＬ溶液を、０．２２ｕｍ注射フィルターを通して施し、及び１５００〜２０００ｒｐｍで、加速度２０でスピン−コーティングした。このフィルムを、Ｄｙｍａｘ ＵＶ硬化システムに移し、及びＵＶ放射に２〜７分間、３２０ｎｍフィルター下に曝し（約８ｍＷ／ｃｍ2ランプ強度）、そして１１０℃で、真空オーブン内で２０分間焼いた。工程２．ソース及びドレイン電極：金の電極を、最終的な厚さ３００Åまで、蒸着速度０．５Å／ｓで蒸着させた。工程３．半導体：ポリ（３−ヘキシルチオフェン）を、ジクロロベンゼン中８ｍｇ／ｍＬ溶液から、１５００ｒｐｍでスピン−コーティングした。測定の前、この素子（デバイス）を、１１０℃の真空オーブン内で一晩焼いた。測定を実施例１０に記載したように行った。代表的なＯＦＥＴ移動プロットを図８に示す。
【０２２０】
実施例１６：フォトポリマー誘電体層及び溶液−処理されたｎ−タイプ半導体を有するボトムーゲート、ボトム−コンタクトＯＦＥＴｓ
この実施例では、本教示の誘電体（実施例２からのＰＶＰ0.55-CO-ＰＭＭＡ0.45-６ＨＯＣ-Ａｃ）を誘電体層として使用して、ボトム−ゲートボトム−コンタクトＯＦＥＴｓを作成した。工程１．基材：Ｓｉウエハー（Ｍｏｎｔｃｏ）を、１”×１”ピースとして製造し、そしてそしてＴＨＦ及びエタノールでの高周波音処理によって洗浄した。ウエハーを、スピンコーターに乗せ、そしてメタノールを使用して２回、５０００ｒｐｍですすいだ。１２０ｍｇ／ｍＬのシクロペンタノン中ＰＶＰ0.55-CO-ＰＭＭＡ0.45-６ＨＯＣ-Ａｃの溶液を、０．２２ｕｍ注射器フィルターを通して施し、そして１１００ｒｐｍで、加速度２０でスピンコーティングした。フィルムをＤｙｍａｘＵＶ硬化システムに移し、そして３２０ｎｍフィルターの下、ＵＶ放射線に４分間曝し（約８ｍＷ／ｃｍ2ランプ強度）、そして真空オーブン内で１１０℃で２０分間、焼いた。工程２．ソース及びドレイン電極：金の電極を３００Åの最終的な厚さにまで、０．５Å／ｓの蒸着速度で蒸着させた。工程３．半導体：ＰＤＩ２ＥＨ−ＣＮ２半導体をジクロロベンゼン中７ｍｇ／ｍＬ溶液から、１５００ｒｐｍでスピンコーティングした。測定を行なう前に、この素子を１１０℃の真空オーブン内で一晩焼いた。測定を、実施例１０に記載したように行なった。代表的なＯＦＥＴ移動プロットを、図９に示した。
【０２２１】
実施例１７：フォトポリマー誘電体層及び蒸着したペンタセン半導体を有するボトム−ゲート、トップコンタクトＯＦＥＴｓ
ペンタセンＯＦＥＴｓを、シリコンゲート材料上の誘電体フィルムを使用して作成した。Ｓｉウエハー（Ｍｏｎｔｃｏ）を、１”×１”ピースとして製造し、そしてＴＨＴ及びエタノールを使用して高周波音によって洗浄した。ウエハーをスピンコーターの上に乗せ、そして５０００ｒｐｍで、メタノールを使用して２回すすいだ。シクロペンタノン中、１２０ｍｇ／ｍＬの本教示のポリマー溶液（ＰＶＰ0.55-CO-ＰＭＭＡ0.45-６ＨＯＣ-Ａｃ及びＰＶＰ−７ＨＯＣ−Ａｃ）を、０．２２ｕｍ注射器フィルターを通して施し、そして１８００ｒｐｍで、加速度２０でスピンコーティングした。フィルムをＤｙｍａｘＵＶ硬化システムに移し、そして３２０ｎｍフィルターの下、ＵＶ放射線に４分間曝し（約８ｍＷ／ｃｍ2ランプ強度）、そして真空オーブン内で１１０℃で２０分間、焼いた。ペンタセン（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ，Ｓｔ．Ｌｏｕｉｓ，ＭＯ）を、約２×１０-6Ｔｏｒｒで真空−蒸着させ（５００Å、０．３Å／ｓ）、この間、基材温度を約５０℃〜約７０℃に維持した。金（Ａｕ）電極をシャドーマスクを通して、３〜４×１０-6Ｔｏｒｒで真空蒸着させた（５００Å、０．３Å／ｓ）。チャンネル（溝）長さは、５０μｍ、及びチャンネル幅は５０００μｍであった。測定を、実施例１０に示したように行った。代表的なＯＦＥＴ移動プロットを図１０〜１１に示す。
【０２２２】
実施例１０〜１４に記載したフォトポリマーベースの素子のＯＦＥＴ性能を表２にまとめた。
【０２２３】
本教示の誘電体を使用して作成した素子の性能。ペンタセンが蒸着され、及びポリ（３−ヘキシルチュオフェン）及びＮ，Ｎ−ビス（２−エチルヘキシル）−（１，７＆１，６）−ジシアノペリレン−３，４，９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）（ＰＤＩ２ＥＨ−ＣＮ２）が溶液から処理された。
【０２２４】
【表２】
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【０２２５】
実施例１８：メチルメタクリレートコモノマーの、本フォトポリマーの溶解度、誘電定数、及びガラス転移温度への影響
本フォトポリマーのガラス転移温度を、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）によって特徴付けした。図１２は、本教示のＰＶＰ−６ＨＯＣ−Ａｃ誘電体（Ｔｇ＝１０７℃）のフォトポリマーの代表的なＤＳＣプロットを示す。メチルメタクリレート繰り返し単位のポリマーバックボーンへの導入は、溶解度を改良し、及びガラス転移温度を僅かに低下させた。例えば、ＰＶＰ0.80-CO-ＰＭＭＡ0.20-６ＨＯＣ-Ａｃの誘電定数は、３．８で、ＰＶＰ0.55-CO-ＰＭＭＡ0.45-６ＨＯＣ-Ａｃの誘電定数は、３．９であった。フォトポリマーＰＶＰ0.55-CO-ＰＭＭＡ0.45-６ＨＯＣ-Ａｃは、クロロホルムを含む、広い範囲の種々の溶媒体に対して溶解性が良好であり、これに対して、ＰＶＰ−６ＨＯＣ−Ａｃは、クロロホルム等の溶媒中への溶解度がより低いものであった。
【０２２６】
実施例１９：架橋された誘電体フィルム上での溶媒処理の影響
フォトポリマーＰＶＰ−６ＨＯＣ−Ａｃを、シクロペンタノン中に１００ｍｇ／ｍＬで溶解させ、及びＳｉ基材（Ｍｏｎｔｃｏ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｔｅａｃｈ，Ｉｎｃ．）上で１０００ｒｐｍでスピンコーティングした。このフィルムを、４００Ｗ中位圧力水銀灯から発生した、及びブルーフィルター（Ｈｏｙａ Ｏｐｔｉｃｓ，Ｓａｎ Ｊｏｓｅ，ＣＡ，カットオフ約３２０ｎｍ）を通してろ過した、１．５Ｊ／ｃｍ2の紫外線で照射した。次にこのフィルムを真空オーブン内で１１０℃で１０分間焼いた。フィルムが良好に架橋されたこと、及び溶媒に対する抵抗性をチェックするために、最初に、２個の等しいピースにカットした。半分をシクロペンタノンを使用して３０秒間すすいだ。すすぎを行った後のフィルムの厚さは、約５１７ｎｍであり、これに対してすすぎを行っていないものは、約５２５ｎｍであった。フィルム厚さの変化が最小であるということは、溶媒処理の前、又は後の漏えい特性の影響が最小限であることに対応する。図１３に示したように、溶媒のすすぎは、架橋した誘電体フィルムの漏えい特性の大きな変化を引き起こすことはなかった。
【０２２７】
本教示は、その観念や本質的な特徴から離れることなく他の特定の形態に具体化することができる。従って、上述した実施の形態は、全ての局面において例示したものとして考えられ、ここに記載した本教示を限定するものではない。従って本教示の範囲は、（前述の記載よりむしろ）請求の範囲に記載されたものであり、及び請求項に記載されているものと等しい意味と範囲内での全ての変化は、ここに含まれることが意図されている。
【図１】
2014240488.tif 000054
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2014240488.tif 000058
【図６】
2014240488.tif 000059
【図７】
2014240488.tif 000060
【図８】
2014240488.tif 000061
【図９】
2014240488.tif 000062
【図１０】
2014240488.tif 000063
【図１１】
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【図１２】
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【図１４】
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【図１３】
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【手続補正書】
【提出日】平成26年7月16日(2014.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１種以上のビニルモノマーから重合されたビニルポリマーであって、
少なくとも１種のビニルモノマーが、ビニルフェノール、又はこれらの誘導体であり、及びビニルポリマーが、任意に置換されたクマリン部分を含むペンダント基を有する繰り返し単位を含むことを特徴とするビニルポリマー。
【請求項２】
任意に置換されるクマリン部分が、式、
【化４】
2014240488.tif 000068
（但し、
Ｒ1及びＲ2が、独立して、ａ）Ｈ、ｂ）ハロゲン、ｃ）−ＣＮ、ｄ）−ＮＯ2、ｅ）−ＯＲ4、ｆ）−Ｎ（Ｒ4）2、ｇ）−ＣＨＯ、ｈ）−Ｃ（Ｏ）Ｒ4、ｉ）−Ｃ（Ｏ）ＯＲ4、ｊ）−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ4）2、ｋ）Ｃ1-20アルキル基、ｌ）Ｃ2-20アルケニル基、ｍ）Ｃ2-20アルキニル基、ｎ）Ｃ1-20アルコキシ基、ｏ）Ｃ1-20アルキルチオ基、ｐ）Ｃ1-20ハロアルキル基、ｑ）−Ｙ−Ｃ3-14シクロアルキル基、ｒ）−Ｙ−Ｃ6-14アリール基、ｓ）−Ｙ−３〜１４員のシクロヘテロアルキル基、及びｔ）−Ｙ−５〜１４員のヘテロアリール基から選ばれ、ここで、各Ｃ1-20アルキル基、Ｃ2-20アルケニル基、Ｃ2-20アルキニル基、Ｃ3-14シクロアルキル基、Ｃ6-14アリール基、３〜１４員のシクロヘテロアルキル基、及び５〜１４員のヘテロアリール基が、任意に１〜５個のＲ5基で置換されても良く；
Ｒ3が、各場合において、独立して、ａ）ハロゲン、ｂ）−ＣＮ、ｃ）−ＮＯ2、ｄ）−ＯＲ4、ｅ）−Ｎ（Ｒ4）2、ｆ）−ＣＨＯ、ｇ）−Ｃ（Ｏ）Ｒ4、ｈ）−Ｃ（Ｏ）ＯＲ4、ｉ）−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ4）2、ｊ）Ｃ1-20アルキル基、ｋ）Ｃ2-20アルケニル基、ｌ）Ｃ2-20アルキニル基、ｍ）Ｃ1-20アルコキシ基、ｎ）Ｃ1-20アルキルチオ基、ｏ）Ｃ1-20ハロアルキル基、ｐ）−Ｙ−Ｃ3-14シクロアルキル基、ｑ）−Ｙ−Ｃ6-14アリール基、ｒ）−Ｙ−３〜１４員のシクロヘテロアルキル基、及びｓ）−Ｙ−５〜１４員のヘテロアリール基から選ばれ、ここで、各Ｃ1-20アルキル基、Ｃ2-20アルケニル基、Ｃ2-20アルキニル基、Ｃ3-14シクロアルキル基、Ｃ6-14アリール基、３〜１４員のシクロヘテロアルキル基、及び５〜１４員のヘテロアリール基が、任意に１〜５個のＲ5基で置換されても良く、
（但し、
Ｒ4が、各場合において、独立して、ａ）Ｈ、ｂ）Ｃ1-20アルキル基、ｃ）Ｃ2-20アルケニル基、ｄ）Ｃ2-20アルキニル基、ｅ）Ｃ1-20アルコキシ基、ｆ）Ｃ1-20アルキルチオ基、ｇ）Ｃ1-20ハロアルキル基、ｈ）−Ｙ−Ｃ3-14シクロアルキル基、ｉ）−Ｙ−Ｃ6-14アリール基、ｊ）−Ｙ−３〜１４員のシクロヘテロアルキル基、及びｋ）−Ｙ−５〜１４員のヘテロアリール基から選ばれ、ここで、各Ｃ1-20アルキル基、Ｃ2-20アルケニル基、Ｃ2-20アルキニル基、Ｃ3-14シクロアルキル基、Ｃ6-14アリール基、３〜１４員のシクロヘテロアルキル基、及び５〜１４員のヘテロアリール基が、任意に１〜５個のＲ5基で置換されても良く；
Ｒ5が、各場合において、独立して、ａ）ハロゲン、ｂ）−ＣＮ、ｃ）−ＮＯ2、ｄ）−ＯＨ、ｅ）−Ｏ−Ｃ6-14アリール、ｆ）−ＮＨ2、ｇ）−ＮＨ−Ｃ1-10アルキル、ｈ）−Ｎ（Ｃ1-10アルキル）2、ｉ）−ＮＨ−Ｃ6-14アリール、ｊ）−Ｎ（Ｃ1-10アルキル）−Ｃ6-14アリール、ｋ）−Ｎ（Ｃ6-14アリール）2、ｌ）−ＣＨＯ、ｍ）−Ｃ（Ｏ）−Ｃ1-10アルキル、ｎ）−Ｃ（Ｏ）−Ｃ6-14アリール、ｏ）−Ｃ（Ｏ）ＯＨ、ｐ）−Ｃ（Ｏ）−ＯＣ6-10アルキル、ｑ）−Ｃ（Ｏ）−ＯＣ6-14アリール、ｒ）−Ｃ（Ｏ）ＮＨ2、ｓ）−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−Ｃ6-10アルキル、ｔ）−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ1-10アルキル）2、ｕ）−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−Ｃ6-14アリール、ｖ）−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ1-10アルキル）−Ｃ6-14アリール、ｗ）−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ6-14アリール）2、ｘ）Ｃ1-10アルキル基、ｙ）Ｃ2-10アルケニル基、ｚ）Ｃ2-10アルキニル基、ａａ）Ｃ1-10アルコキシ基、ａｂ）Ｃ1-10アルキルチオ基、ａｃ）Ｃ1-10ハロアルキル基、ａｄ）−Ｙ−Ｃ3-14シクロアルキル基、ａｅ）−Ｙ−Ｃ6-14アリール基、ａｆ）−Ｙ−３〜１４員のシクロヘテロアルキル基、及びａｇ）−Ｙ−５〜１４員のヘテロアリール基から選ばれ、ここで、各Ｃ1-10アルキル基、Ｃ2-10アルケニル基、Ｃ2-10アルキニル基、Ｃ3-14シクロアルキル基、Ｃ6-14アリール基、３〜１４員のシクロヘテロアルキル基、及び５〜１４員のヘテロアリール基が、任意に、ハロゲン、ＣＮ、Ｃ1-6アルキル基、Ｃ1-6ハロアルキル基、Ｃ1-6アルコキシ基、ａ−Ｏ−Ｃ1-6ハロアルキル基、−Ｃ（Ｏ）−Ｃ1-6アルキル基、−Ｃ（Ｏ）−Ｃ1-6ハロアルキル基、及び−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−Ｃ1-6アルキル基から選ばれる１〜５個の置換基で置換されても良く；及び
Ｙが、各場合において、二価のＣ1-6アルキル基、二価のＣ2-6アルケニル基、二価のＣ2-6アルキニル基、又は共有結合である）
及び、
ｂが、０、１、２又は３である）
を有することを特徴とする請求項１に記載のビニルポリマー。
【請求項３】
少なくとも１種のビニルモノマーが、式、
【化５】
2014240488.tif 000069
（但し、
Ｑが、−（Ｌ”）p−Ｌ'''であり、
（ここで、
Ｌ”が、それぞれの場合において、独立して、−Ｙ”−、−（Ｙ”）m−Ｏ−、−Ｙ”−Ｓｉ（Ｒ4）2−、−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ4）2−、及び共有結合から選ばれ；
Ｌ'''がクマリン部分に結合し、及び−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−Ｙ'''−Ｏ−、−Ｏ−Ｙ'''−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−Ｙ'''−ＮＲ4−、−ＮＲ4−Ｙ'''−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）k−、−Ｏ−Ｙ'''−Ｓ（Ｏ）k−、及び共有結合から選ばれ；
Ｙ”が、各場合において、二価のＣ1-6アルキル基、二価のＣ2-6アルケニル基、及び二価のＣ6-14アリール基から選ばれ、ここで、各Ｃ1-6アルキル基、Ｃ2-6アルケニル基、及びＣ6-14アリール基は、任意に１〜５個のＲ5基で置換されても良く；
Ｙ'''が、二価のＣ1-6アルキル基、二価のＣ2-6アルケニル基、及び二価のＣ6-14アリール基から選ばれ、ここで、各Ｃ1-6アルキル基、Ｃ2-6アルケニル基、及びＣ6-14アリール基は、任意に１〜５個のＲ5基で置換されても良く；
ｋが０、１、又は２であり；
ｍが、１、２、３、４、５又は６であり；
ｐが、０〜１０の範囲の整数である）及び
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、及びｂが、請求項２に定義されたものである）
を有することを特徴とする請求項２に記載のビニルポリマー。
【請求項４】
少なくとも１種のビニルモノマーがアクリレートであることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のビニルポリマー。
【請求項５】
任意に置換されたクマリン部分は、１種以上のビニルモノマーが重合された後に導入されることを特徴とする請求項１又は２の何れかに記載のビニルポリマー。
【請求項６】
式、
【化６】
2014240488.tif 000070
（但し、
Ｑが、−（Ｌ”）p−Ｌ'''であり
（ここで、
Ｌ”が、それぞれの場合において、独立して、−Ｙ”−、−（Ｙ”）m−Ｏ−、−Ｙ”−Ｓｉ（Ｒ4）2−、−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ4）2−、及び共有結合から選ばれ；
Ｌ'''がクマリン部分に結合し、及び−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−Ｙ'''−Ｏ−、−Ｏ−Ｙ'''−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−Ｙ'''−ＮＲ4−、−ＮＲ4−Ｙ'''−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）k−、−Ｏ−Ｙ'''−Ｓ（Ｏ）k−、及び共有結合から選ばれ；
Ｙ”が、各場合において、二価のＣ1-6アルキル基、二価のＣ2-6アルケニル基、及び二価のＣ6-14アリール基から選ばれ、ここで、各Ｃ1-6アルキル基、Ｃ2-6アルケニル基、及びＣ6-14アリール基は、任意に１〜５個のＲ5基で置換されても良く；
Ｙ'''が、二価のＣ1-6アルキル基、二価のＣ2-6アルケニル基、及び二価のＣ6-14アリール基から選ばれ、ここで、各Ｃ1-6アルキル基、Ｃ2-6アルケニル基、及びＣ6-14アリール基は、任意に１〜５個のＲ5基で置換されても良く；
ｋが０、１、又は２であり；
ｍが、１、２、３、４、５又は６であり；
ｐが、０〜１０の範囲の整数である）；
Ｗ”が、ａ）Ｈ、ｂ）ハロゲン、ｃ）Ｃ1-20アルキル基、ｄ）Ｃ2-20アルケニル基、ｅ）Ｃ1-20ハロアルキル基、ｆ）Ｃ3-14シクロアルキル基、ｇ）Ｃ6-14アリール基、ｈ）３〜１４員のシクロアルキル基、及びｉ）５〜１４員のヘテロアリール基から選ばれ、ここで、各Ｃ1-20アルキル基、Ｃ2-20アルケニル基、Ｃ1-20ハロアルキニル基、Ｃ3-14シクロアルキル基、Ｃ6-14アリール基、３〜１４員のシクロヘテロアルキル基、及び５〜１４員のヘテロアリール基が、任意に、ハロゲン、−ＣＮ、オキソ基、Ｃ1-6アルキル基、Ｃ1-6ハロアルキル基、Ｃ1-6アルコキシ基、−Ｃ（Ｏ）−Ｃ1-6アルキル基、−Ｃ（Ｏ）−Ｃ1-6ハロアルキル基、及び−Ｃ（Ｏ）−Ｃ1-6アルキル基から独立して選ばれる１〜５個の置換基で置換されても良く；
ｘ、ｘ’、ｘ”、及びｙが、独立して、実数であり、ここで、０＜ｘ≦１、０≦ｘ’＜１、０≦ｘ”＜１、０＜ｙ＜１、及びｘ＋ｘ’＋ｘ”＋ｙ＝１であり；
ｎが、１０〜１０００の範囲の整数であり；及び
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、及びＲ5が、請求項１２に定義されたものである）
を有する請求項１〜５の何れか１項に記載のビニルポリマー。
【請求項７】
以下の式、
【化７】
2014240488.tif 000071
（但し、ｎが、１０〜１０００の範囲の整数である）
から選ばれることを特徴とする請求項１に記載のビニルポリマー。
【請求項８】
ポリマーが、以下の、
誘電定数が１．１〜５．０の範囲であること；
ガラス転移温度（Ｔg）が約１００℃〜約２００℃の範囲であること；
アニソール、キシレン、シクロペンタノン、シクロヘキサン、及びシクロヘキサノンから選ばれる溶媒中の溶解度が、約０．１ｍｇ／ｍＬを超えること；
最大吸光の波長が、約２５０ｎｍ〜約４５０ｎｍの範囲であること；
及び分子量が、約１００００Ｄａ〜約１０００００Ｄａの範囲であること；
から選ばれる１種以上の特性によって特徴付けられることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載のビニルポリマー。
【請求項９】
請求項１〜８の何れか１項に記載のビニルポリマーを含む溶液を製造する工程；
基材上に溶液を配置、堆積させ、被覆物を得る工程；及び
該被覆物を放射に曝し、架橋を行い、及び架橋された誘電体を製造する工程；
を含むことを特徴とする誘電体を製造するための方法。
【請求項１０】
漏えい電流密度が、約１×１０-8Ａ／ｃｍ2ａｔ２ＭＶ／ｃｍ以下であることを特徴とする請求項９に記載の方法によって製造された誘電体。
【外国語明細書】
2014240488.tif 000072
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Abstract: Disclosed are polymer-based dielectric compositions (e.g., formulations) and materials (e.g. films) and associated devices. The polymers generally include photocrosslinkable pendant groups; for example, the polymers can include one or more coumarin-containing pendant groups.
【図１】
2014240488.tif 000140
【図２】
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【図３】
2014240488.tif 000142
【図４】
2014240488.tif 000143
【図５】
2014240488.tif 000144
【図６】
2014240488.tif 000145
【図７】
2014240488.tif 000146
【図８】
2014240488.tif 000147
【図９】
2014240488.tif 000148
【図１０】
2014240488.tif 000149
【図１１】
2014240488.tif 000150
【図１２】
2014240488.tif 000151
【図１３】
2014240488.tif 000152
【図１４】
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