(57)【要約】【課題】本発明は、耐硫化特性を維持しつつ抵抗値歩留まりを向上させることができるチップ抵抗器を提供することを目的とするものである。【解決手段】本発明のチップ抵抗器は、絶縁基板１１と、この絶縁基板１１上に形成され銀パラジウムで構成された一対の上面電極１２と、この一対の上面電極１２間に形成された抵抗体１３と、この抵抗体１３に形成された抵抗値修正用のトリミング溝１８と、前記抵抗体１１を覆うように形成された保護層１４と、前記絶縁基板１１の側面に形成された側面電極１５と、この側面電極１５を覆うように形成され前記保護層１４と接するめっき層１６とを備え、前記上面電極１２の上面に銀で構成された再上面電極１７を形成し、この再上面電極１７を前記保護層１４とめっき層の境界位置１４ａから３０μｍ以上離れて位置させたものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、この絶縁基板上に形成され銀パラジウムで構成された一対の上面電極と、この一対の上面電極間に形成された抵抗体と、この抵抗体に形成された抵抗値修正用のトリミング溝と、前記抵抗体を覆うように形成された保護層と、前記絶縁基板の側面に形成された側面電極と、この側面電極を覆うように形成され前記保護層と接するめっき層とを備え、前記一対の上面電極の上面に銀で構成され、かつ前記めっき層と接する再上面電極を形成し、この再上面電極を前記上面電極の上面における前記保護層とめっき層の境界位置から３０μｍ以上離れて位置させたチップ抵抗器。
【請求項２】
上面視にて、上面電極の外周縁よりも３０μｍ以上内側に再上面電極を形成した請求項１記載のチップ抵抗器。
【請求項３】
上面電極のパラジウム含有量を１５重量％以上とした請求項１記載のチップ抵抗器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電子機器に使用される低い抵抗値のチップ抵抗器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のこの種のチップ抵抗器は、図４に示すように、絶縁基板１と、絶縁基板１上に形成され銀で構成された一対の上面電極２と、一対の上面電極２間に形成された抵抗体３と、抵抗体３に形成された抵抗値修正用のトリミング溝４と、一対の上面電極２の一部と抵抗体３を覆うように形成された保護層５と、絶縁基板１の側面に形成された側面電極６と、側面電極６を覆うように形成され保護層５と接するめっき層７とを備えていた。また、一対の上面電極２上に、銀パラジウムで構成された一対の再上面電極８を形成し、この一対の再上面電極８を保護層５とめっき層７の境界位置の下に位置するように構成していた。そして、上記のように再上面電極８を銀パラジウムで構成することによって、上面電極２の硫化を防止し、耐硫化対策を施していた。ここで硫化とは、硫化ガスが保護層５とめっき層７の境界位置の僅かな隙間から侵入し、銀パラジウムで構成された再上面電極８が無い場合は、上面電極２の銀を徐々に深く侵していき、上面電極２の銀が消失して、ひどい場合は断線にまで至る現象である。
【０００３】
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−６４００３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記した従来のチップ抵抗器においては、再上面電極８形成時に再上面電極８に含まれるパラジウムが上面電極２に拡散するため、再上面電極８のパラジウム濃度が低下し、これにより、耐硫化特性が悪化してしまう。また、再上面電極８のパラジウムが拡散するのを防止するために、パラジウム濃度を高くしたり低温で焼成したりすると、耐硫化特性は維持できるが、再上面電極８の抵抗値が高くなる。そして、めっき層７は抵抗値が低いため、再上面電極８の抵抗値が高くなると、めっき層７を形成した後の抵抗体３の測定抵抗値が下がり、これにより、めっき層７形成前において抵抗値修正されたときに測定された抵抗体３の測定抵抗値が、めっき層７形成後では大きく変動（低下）するため、抵抗値歩留まりが悪化するという課題を有していた。特に低い抵抗値のチップ抵抗器の場合は、全体の抵抗値に対する測定抵抗値の変動率は大きくなるため、抵抗値歩留まりがより悪化してしまう。
【０００６】
本発明は上記従来の課題を解決するもので、耐硫化特性を維持しつつ抵抗値歩留まりを向上させることができるチップ抵抗器を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有するものである。
【０００８】
本発明の請求項１に記載の発明は、絶縁基板と、この絶縁基板上に形成され銀パラジウムで構成された一対の上面電極と、この一対の上面電極間に形成された抵抗体と、この抵抗体に形成された抵抗値修正用のトリミング溝と、前記抵抗体を覆うように形成された保護層と、前記絶縁基板の側面に形成された側面電極と、この側面電極を覆うように形成され前記保護層と接するめっき層とを備え、前記一対の上面電極の上面に銀で構成され、かつ前記めっき層に接する再上面電極を形成し、この再上面電極を前記上面電極の上面における前記保護層とめっき層の境界位置から３０μｍ以上離れて位置させたもので、この構成によれば、銀で構成された再上面電極の抵抗値は低いため、めっき層を形成しても抵抗体の測定抵抗値がほとんど下がらず、これにより、低い抵抗値のチップ抵抗器の場合でも、めっき層形成前において抵抗値修正されたときの抵抗体の測定抵抗値は、めっき層形成後でもあまり変動しないため、抵抗値歩留まりが向上し、さらに、めっき層と保護層の境界位置の下に位置する上面電極に、再上面電極を構成する銀が拡散するのを防止できるため、この境界位置の下の上面電極のパラジウム含有量がほとんど変化せず、これにより、耐硫化特性を維持することができるという作用効果を有するものである。
【０００９】
本発明の請求項２に記載の発明は、特に、上面視にて、上面電極の外周縁よりも３０μｍ以上内側に再上面電極を形成したもので、この構成によれば、上面電極の外周縁に再上面電極を構成する銀が拡散するのを防止できるため、上面電極の外周縁付近のパラジウム含有量がほとんど変化せず、これにより、耐硫化特性を維持することができるという作用効果を有するものである。
【００１０】
本発明の請求項３に記載の発明は、特に、上面電極のパラジウム含有量を１５重量％以上としたもので、この構成によれば、上面電極が硫化ガスで断線することを確実に防止できるという作用効果を有するものである。
【発明の効果】
【００１１】
以上のように本発明のチップ抵抗器は、上面電極の上面に銀で構成された再上面電極を形成しているため、再上面電極の抵抗値を低くすることができ、これにより、めっき層を形成しても抵抗体の測定抵抗値がほとんど下がらないため、低い抵抗値のチップ抵抗器の場合でも、めっき層形成前において抵抗値修正されたときの抵抗体の測定抵抗値は、めっき層形成後でもあまり変動せず、抵抗値歩留まりが向上し、さらに、再上面電極を上面電極の上面における保護層とめっき層の境界位置から３０μｍ以上離れて位置させているため、めっき層と保護層の境界位置の下の上面電極に、再上面電極を構成する銀が拡散するのを防止でき、これにより、この境界位置の下の上面電極のパラジウム含有量がほとんど変化せず、耐硫化特性を維持することができるという優れた効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器の断面図
【図２】同チップ抵抗器の主要部の上面図
【図３】同チップ抵抗器の、再上面電極の端縁からの距離と、上面電極のパラジウム含有量の関係を示した図
【図４】従来のチップ抵抗器の断面図
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器について、図面を参照しながら説明する。
【００１４】
図１は本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器の断面図である。
【００１５】
本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器は、図１に示すように、絶縁基板１１と、この絶縁基板１１の上面の両端部に設けられ銀パラジウムで構成された一対の上面電極１２と、前記絶縁基板１１の上面に設けられ、かつ前記一対の上面電極１２間に形成された抵抗体１３と、少なくとも前記抵抗体１３を覆うように設けられた保護層１４と、前記一対の上面電極１２と電気的に接続されるように前記絶縁基板１１の両端面に設けられた一対の側面電極１５と、前記上面電極１２の一部と前記一対の側面電極１５の表面に形成されかつ保護層１４と接するめっき層１６とを備えた構成としている。また、上面電極１２の上面に銀で構成され、かつめっき層１６と接する再上面電極１７を形成し、この再上面電極１７を、上面電極１２の上面における保護層１４とめっき層１６との境界位置１４ａから３０μｍ以上離れて位置させている。
【００１６】
上記構成において、前記絶縁基板１１は、Ａｌ2Ｏ3を９６％含有するアルミナで構成され、その形状は矩形状（上面視にて長方形）となっている。
【００１７】
また、前記一対の上面電極１２は、絶縁基板１１上面の両端部に設けられ、銀パラジウムからなる厚膜材料を印刷することによって形成されている。さらに、一対の上面電極１２のパラジウム含有量を１５重量％以上とし、一対の上面電極１２が硫化ガスで断線することを確実に防止できるようにしている。なお、パラジウム含有量が多いと、一対の上面電極１２の抵抗値が高くなるため、パラジウム含有量は２５重量％以下とするのが好ましい。
【００１８】
さらに、前記抵抗体１３は、一対の上面電極１２の一部を覆い、かつ一対の上面電極１２間を電気的に接続するように絶縁基板１１の上面に方形状に設けられている。また、抵抗体１３は、ＡｇＰｄ、ＲｕＯ2等を印刷することによって形成されている。なお、この抵抗体１３の上面をプリコートガラス（図示せず）で覆ってもよい。そしてまた、抵抗体１３にレーザ照射することによりＬ字状、あるいは直線状、Ｕ字状に形成されたトリミング溝１８を形成し、これにより、抵抗体１３の抵抗値が修正される。
【００１９】
そして、前記保護層１４は、少なくとも一対の上面電極１２の一部、再上面電極１７の全てが露出し、かつ抵抗体１３を覆うように、ガラスまたはエポキシ樹脂により形成されている。
【００２０】
また、前記一対の側面電極１５は、絶縁基板１１の両端部に露出した一対の上面電極１２または再上面電極１７と電気的に接続されるように、Ａｇと樹脂からなる材料を印刷によって形成される。なお、金属材料をスパッタすることにより形成してもよい。また、図１では、再上面電極１７の端面に側面電極１５が接続されているが、側面電極１５が再上面電極１７に乗り上げるように形成してもよく、再上面電極１７と側面電極１５とが直接接続しなくてもよい。
【００２１】
さらに、この一対の側面電極１５の表面には、Ｃｕめっき層、Ｎｉめっき層、Ｓｎめっき層からなるめっき層１６が形成されている。このとき、めっき層１６は保護層１４、再上面電極１７と接している。そして、保護層１４とめっき層１６の境界位置１４ａの下面には一対の上面電極１２が必ず位置するようにする。
【００２２】
さらにまた、前記再上面電極１７は、一対の上面電極１２それぞれの上面のみに銀からなる厚膜材料を印刷することによって形成されている。
【００２３】
そして、この再上面電極１７は、上面電極１２の上面における保護層１４とめっき層１６の境界位置１４ａとの距離ｔが３０μｍ以上となる位置に形成されている。また、再上面電極１７は、側面電極１５、めっき層１６と接するようになっている。
【００２４】
さらに、再上面電極１７は、図２に示すように、上面視で一対の上面電極１２の外周縁１２ａの内側に形成し、かつ一対の上面電極１２の外周縁１２ａとの距離ｌが３０μｍ以上となる位置に設けられている。なお、図２では、一対の側面電極１５、めっき層１６は省略している。
【００２５】
次に、本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器の製造方法について、図１を参照しながら説明する。
【００２６】
なお、一般に、生産性を向上させるために、複数のチップ抵抗器に相当する領域を有するシート状の絶縁基板を用いるが、ここでは説明を簡単にするために１つのチップ抵抗器について説明する。
【００２７】
まず、絶縁基板１１の上面の両端部において、銀パラジウムからなる厚膜材料を印刷、焼成して一対の上面電極１２を設ける。
【００２８】
次に、一対の上面電極１２間を電気的に接続するように、ＡｇＰｄ等にガラスフリットを含有させたペーストを印刷、焼成することにより抵抗体１３を形成し、規定の抵抗値より低い抵抗値になるようにする。なお、抵抗体１３として、ＲｕＯ2等を用いてもよく、さらに、上面電極１２と抵抗体１３の形成順序は逆でもよい。
【００２９】
次に、一対の上面電極１２の上面において、一対の上面電極１２の外周縁１２ａの内側に、銀で構成された再上面電極１７を印刷、硬化する。このとき、再上面電極１７は、一対の上面電極１２の外周縁１２ａから３０μｍ以上離れるようにする。
【００３０】
次に、一対の再上面電極１７に抵抗値測定用のプローブを当接し、抵抗体１３の抵抗値を測定しながら、２０μｍ〜７０μｍの径のレーザを照射してトリミング溝１８を形成し、抵抗体１３が所定の抵抗値になるように抵抗値修正する。
【００３１】
次に、少なくとも一対の上面電極１２の一部、再上面電極１７の全てが露出し、かつ抵抗体１３およびトリミング溝１８を覆うようにガラスまたはエポキシ樹脂ペーストをスクリーン印刷、焼成することにより保護層１４を形成する。このとき、めっき層１６形成後に、上面電極１２の上面における保護層１４とめっき層１６との境界位置１４ａと、再上面電極１７とが３０μｍ以上離れるように調整する。
【００３２】
次に、絶縁基板１１の両端部に、露出した一対の上面電極１２または再上面電極１７と電気的に接続されるようにＡｇからなる材料を塗布、印刷して一対の側面電極１５を形成する。
【００３３】
最後に、露出した一対の上面電極１２、再上面電極１７および一対の側面電極１５の表面に、Ｃｕめっき層、Ｎｉめっき層、Ｓｎめっき層を形成することによりめっき層１６を構成する。このとき、めっき層１６は保護層１４と接する。
【００３４】
上記したように本発明の一実施の形態においては、上面電極１２の上面に銀で構成された再上面電極１７を形成しているため、再上面電極１７の抵抗値を低くすることができ、これにより、めっき層１６を形成しても抵抗体１３の測定抵抗値がほとんど下がらないため、低い抵抗値のチップ抵抗器の場合でも、めっき層１６形成前において抵抗値修正されたときの抵抗体１３の測定抵抗値は、めっき層１６形成後でもあまり変動せず、抵抗値歩留まりが向上し、さらに、再上面電極１７を、上面電極１２の上面における保護層１４とめっき層１６の境界位置１４ａから３０μｍ以上離れて位置させているため、保護層１４とめっき層１６の境界位置１４ａの下の上面電極１２に、再上面電極１７を構成する銀が拡散するのを防止でき、これにより、この境界位置１４ａの下の上面電極１２のパラジウム含有量がほとんど変化せず、耐硫化特性を維持することができるという効果が得られるものである。
【００３５】
すなわち、耐硫化特性を維持するために、保護層１４とめっき層１６の境界位置１４ａの下面に、銀パラジウムで構成した一対の上面電極１２を形成し、さらに、この一対の上面電極１２の抵抗値が高いため、その上面に抵抗値の低い銀で構成された再上面電極１７を設けて、めっき層１６を形成しても抵抗体１３の測定抵抗値がほとんど下がらないようにしている。この際、再上面電極１７を構成する銀が上面電極１２に拡散するが、再上面電極１７の銀が一対の上面電極１２の上面における保護層１４とめっき層１６の境界位置１４ａの下面まで拡散しないように、再上面電極１７を保護層１４とめっき層１６の境界位置１４ａから３０μｍ以上離れるようにしている。
【００３６】
ここで、硫化ガスは、保護層１４とめっき層１６の界面から侵入し、上面電極１２に達するため、保護層１４とめっき層１６の境界位置１４ａの下面に接する上面電極１２へ再上面電極１７の銀が拡散しないようにする必要があり、このために、上面電極１２の上面に接する保護層１４とめっき層１６の境界位置１４ａから３０μｍ以上離れるように再上面電極１７を形成する必要がある。
【００３７】
さらに、高価なパラジウムの濃度を高くする必要はないため、コストが高くなることもない。
【００３８】
図３は、再上面電極１７の端縁１７ａからの距離と、上面電極１２中のパラジウム含有量の関係を示した図である。図３において、再上面電極１７を焼成することによって、再上面電極１７中の銀が再上面電極１７近傍の上面電極１２内に拡散していき、再上面電極１７に近いほど銀の拡散量が多くなる。そして、再上面電極１７の端縁１７ａから一定の距離があれば、銀の拡散はなく、パラジウム含有量が初期の状態で一定になる。
【００３９】
図３から明らかなように、端縁１７ａから３０μｍ以上の場合、パラジウム含有量が一定になり、再上面電極１７を構成する銀が拡散しないことが分かる。したがって、上面電極１２の上面における保護層１４とめっき層１６の境界位置１４ａを端縁１７ａから３０μｍ以上離れた位置に設定、すなわち、境界位置１４ａと再上面電極１７との距離ｔを３０μｍ以上にすれば、この境界位置１４ａの下の上面電極１２への銀の拡散はなく、パラジウムを一定量含有させることができるため、境界位置１４ａから硫化ガスが侵入しても、上面電極１２が断線等することを防止できる。
【００４０】
なお、上面電極１２の上面における境界位置１４ａと再上面電極１７との距離ｔの上限は、製品サイズや抵抗値歩留まりの許容範囲、抵抗値測定用のプローブの当接面積によって決まる。
【００４１】
さらに、上面視での一対の上面電極１２の外周縁１２ａと再上面電極１７との関係についても上記と同様に、上面電極１２の外周縁１２ａから３０μｍ以上離れた箇所に再上面電極１７を形成すれば、上面電極１２への銀の拡散はなく、一対の上面電極１２の外周縁１２ａでのパラジウム含有量が一定になる。このように、一対の上面電極１２の外周縁１２ａのパラジウムが一定量含有されていれば、絶縁基板１１とめっき層１６の間から硫化ガスが侵入しても、上面電極１２が断線等することを防止できる。
【００４２】
なお、再上面電極１７と上面電極１２の外周縁１２ａとの距離ｌの上限は、製品サイズや抵抗値測定用のプローブの当接面積によって決まる。
【００４３】
また、保護層１４、再上面電極１７の印刷ずれを考慮し、境界位置１４ａからの距離ｔ、上面電極１２の外周縁１２ａからの距離ｌを５０μｍ以上とするのがより好ましい。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明に係るチップ抵抗器は、耐硫化特性を維持しつつ抵抗値歩留まりを向上させることができるという効果を有するものであり、特に、各種電子機器に使用される低い抵抗値のチップ抵抗器等において有用となるものである。
【符号の説明】
【００４５】
１１  絶縁基板
１２  上面電極
１３  抵抗体
１４  保護層
１５  側面電極
１６  めっき層
１７  再上面電極
１８  トリミング溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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