(57)【要約】【課題】はんだを用いて被接合部材に半導体部品を接合する構成において、はんだの濡れ広がりを所望の範囲内により確実に抑えることができ、部品搭載に伴う位置ずれを抑制し得る構成を提供する。【解決手段】半導体装置１は半導体部品１０とリードフレーム２０とを備えており、リードフレーム２０には、はんだ３を介して半導体部品１０が接合される接合部２８と、第１の流出抑制部２１と、第２の流出抑制部２２とが形成されている。第１の流出抑制部２１は、接合部２８の周囲全体を連続的に取り囲む環状に形成され、接合部２８の外面よりも深く掘られた溝部２１Ａとして構成されている。第２の流出抑制部２２は、第１の流出抑制部２１の周囲に環状に形成され、接合部２８の外面よりも深く掘られた溝部２２Ａとして構成されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方面側が接合対象部となる半導体部品（１０）と、
前記半導体部品（１０）の前記一方面に対向する対向面（２４）を備え、はんだ（３）を介して当該対向面（２４）側の表面部（２６）が前記半導体部品（１０）に接合される被接合部材（２０）と、
を備え、
前記被接合部材（２０）は、
前記表面部（２６）の所定領域に形成され、前記はんだ（３）を介して前記半導体部品（１０）が接合される接合部（２８）と、
前記表面部（２６）において前記接合部（２８）の周囲全体に亘って連続した環状に形成され、前記接合部（２８）の外面よりも濡れ性が低い領域又は前記接合部（２８）の外面よりも深く掘られた領域の少なくともいずれかとして構成される第１の流出抑制部（２１）と、
前記第１の流出抑制部（２１）の周囲において環状に形成され、前記接合部（２８）の外面よりも濡れ性が低い領域又は前記接合部（２８）の外面よりも深く掘られた領域の少なくともいずれかとして構成される第２の流出抑制部（２２）と、
を有することを特徴とする半導体装置（１）。
【請求項２】
前記第２の流出抑制部（２２）は、前記第１の流出抑制部（２１）の周囲全体を連続的に囲む構成で環状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置（１）。
【請求項３】
前記第１の流出抑制部（２１）及び前記第２の流出抑制部（２２）は、前記接合部（２８）の外面よりも深く掘られた領域として構成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置（１）。
【請求項４】
前記第２の流出抑制部（２２）よりも前記第１の流出抑制部（２１）の方が、深く掘られていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置（１）。
【請求項５】
前記被接合部材（２８）は、母材（３０）と、前記母材（３０）を被覆するめっき層（４０）とを備え、
前記めっき層（４０）が前記表面部（２６）を構成しており、
前記第１の流出抑制部（２１）及び前記第２の流出抑制部（２２）の少なくともいずれかは、前記めっき層（４０）を貫通し且つ前記母材（３０）を掘った溝部として構成されることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の半導体装置（１）。
【請求項６】
前記第１の流出抑制部（２１）及び前記第２の流出抑制部（２２）の少なくともいずれかには、前記被接合部材（２０）を貫通する貫通孔（２３）が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の半導体装置（１）。
【請求項７】
前記第１の流出抑制部（２１）及び前記第２の流出抑制部（２２）は、前記接合部（２８）の外面よりも濡れ性が低い領域として構成されることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の半導体装置（１）。
【請求項８】
前記第１の流出抑制部（２１）の周囲且つ前記第２の流出抑制部（２２）の内側に環状に形成され、前記接合部（２８）の外面よりも深く掘られた領域として構成される第３の流出抑制部（７２３，８２３）を有することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置（１）。
【請求項９】
前記第３の流出抑制部（８２３）には、前記被接合部材（２０）を貫通する貫通孔（２３）が形成されていることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置（１）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
はんだによって半導体素子がリードフレーム等の被接合部材に接合される半導体装置において半導体素子の位置ずれを防止しようとする技術として、例えば特許文献１のような技術が提供されている。この特許文献１で開示される半導体装置は、マウント面１２１を有する実装部材１２０と、はんだによりマウント面１２１に接合された半導体チップ１４０とを備えており、マウント面１２１の半導体チップ１４０の周囲には、第１の領域１４１と、この第１の領域１４１よりもはんだに対する濡れ性が低い第２の領域１６０とが設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２１８２８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の技術は、例えば図１のように、チップ搭載面の直近に位置する第２の領域１６０に流出路１６２が形成されているため、半導体チップ１４０を実装する工程において、ある程度の量のはんだが用いられる接合時には流出路１６２からはんだが流出することになる。そして、第２の領域１６０よりも更に広い範囲に濡れ広がるため、このように濡れ広がったはんだ上で半導体チップ１４０が移動してしまい、予定された正規の実装位置からずれた位置に配置されることになる。一方、特許文献１には、図１２のように濡れ性の低い領域を連続的に構成した例も開示されている。但し、この構成では、はんだが低濡れ性領域を乗り越えて広がった場合にその広がりを抑制できないという問題がある。
【０００５】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、はんだを用いて被接合部材に半導体部品を接合する構成において、はんだの濡れ広がりを所望の範囲内により確実に抑えることができ、部品搭載に伴う位置ずれを抑制し得る構成を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、請求項１の発明は、
少なくとも一方面側が接合対象部となる半導体部品（１０）と、
前記半導体部品（１０）の前記一方面に対向する対向面（２４）を備え、はんだ（３）を介して当該対向面（２４）側の表面部（２６）が前記半導体部品（１０）に接合される被接合部材（２０）と、
を備え、
前記被接合部材（２０）は、
前記表面部（２６）の所定領域に形成され、前記はんだ（３）を介して前記半導体部品（１０）が接合される接合部（２８）と、
前記表面部（２６）において前記接合部（２８）の周囲全体に亘って連続した環状に形成され、前記接合部（２８）の外面よりも濡れ性が低い領域又は前記接合部（２８）の外面よりも深く掘られた領域の少なくともいずれかとして構成される第１の流出抑制部（２１）と、
前記第１の流出抑制部（２１）の周囲において環状に形成され、前記接合部（２８）の外面よりも濡れ性が低い領域又は前記接合部（２８）の外面よりも深く掘られた領域の少なくともいずれかとして構成される第２の流出抑制部（２２）と、
を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
請求項１の発明では、接合部（２８）の周囲全体に亘って第１の流出抑制部（２１）が連続した環状に形成されている。そして、この第１の流出抑制部（２１）は、接合部（２８）の外面よりも濡れ性が低い領域又は接合部（２８）の外面よりも深く掘られた領域の少なくともいずれかとして構成されている。このようにはんだの広がりを抑制し得る領域が接合部の近くに環状且つ連続的に設けられているため、接合部から外側にはんだが濡れ広がることをより効果的に抑制することができ、第１の流出抑制部を乗り越えない限り、はんだは外側に広がらなくなる。
更に、第１の流出抑制部（２１）の周囲には、第２の流出抑制部（２２）が環状に形成されており、この第２の流出抑制部（２２）は、接合部（２８）の外面よりも濡れ性が低い領域又は接合部（２８）の外面よりも深く掘られた領域の少なくともいずれかとして構成されている。このように第１の流出抑制部（２１）の外側に第２の流出抑制部（２２）が環状に形成されているため、仮にはんだが第１の流出抑制部を乗り越えたとしても、その乗り越えた分については第２の流出抑制部（２２）によって堰き止めることができる。従って、はんだの流出が一層確実に抑えられ、ひいては、はんだが濡れ広がることに起因する半導体部品の位置ずれをより確実に防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置を概略的に例示する平面図である。
【図２】図２は、図１のＡ−Ａ断面を概略的に示す断面図である。
【図３】図３は、図１の半導体装置を製造する工程を説明する説明図であり、図３（Ａ）は、リードフレームにめっき処理を施す工程を説明する説明図であり、図３（Ｂ）は、第１の流出抑制部及び第２の流出抑制部を形成する工程を説明する説明図であり、図３（Ｃ）は、接合部にはんだを塗布する工程を説明する説明図であり、図３（Ｄ）は、リードフレームに半導体部品を接合する工程を説明する説明図である。
【図４】図４は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置を概略的に例示する断面図である。
【図５】図５は、図４の半導体装置を製造する工程を説明する説明図であり、図５（Ａ）は、リードフレームにめっき処理を施す工程を説明する説明図であり、図５（Ｂ）は、第１の流出抑制部及び第２の流出抑制部を形成する工程を説明する説明図であり、図５（Ｃ）は、接合部にはんだを塗布する工程を説明する説明図であり、図５（Ｄ）は、リードフレームに半導体部品を接合する工程を説明する説明図である。
【図６】図６は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置を概略的に例示する断面図である。
【図７】図７は、図６の半導体装置を製造する工程を説明する説明図であり、図７（Ａ）は、リードフレームにめっき処理を施す工程を説明する説明図であり、図７（Ｂ）は、第１の流出抑制部及び第２の流出抑制部を形成する工程を説明する説明図であり、図７（Ｃ）は、接合部にはんだを塗布する工程を説明する説明図であり、図７（Ｄ）は、リードフレームに半導体部品を接合する工程を説明する説明図である。
【図８】図８は、本発明の第４実施形態に係る半導体装置を概略的に例示する断面図である。
【図９】図９は、図８の半導体装置を製造する工程を説明する説明図であり、図９（Ａ）は、リードフレームにめっき処理を施す工程を説明する説明図であり、図９（Ｂ）は、第１の流出抑制部、第２の流出抑制部及び貫通孔を形成する工程を説明する説明図であり、図９（Ｃ）は、接合部にはんだを塗布する工程を説明する説明図であり、図９（Ｄ）は、リードフレームに半導体部品を接合する工程を説明する説明図である。
【図１０】図１０は、本発明の第５実施形態に係る半導体装置を概略的に例示する断面図である。
【図１１】図１１は、図１０の半導体装置を製造する工程を説明する説明図であり、図１１（Ａ）は、リードフレームにめっき処理を施す工程を説明する説明図であり、図１１（Ｂ）は、第１の流出抑制部及び第２の流出抑制部を形成する工程を説明する説明図であり、図１１（Ｃ）は、接合部にはんだを塗布する工程を説明する説明図であり、図１１（Ｄ）は、リードフレームに半導体部品を接合する工程を説明する説明図である。
【図１２】図１２は、本発明の第６実施形態に係る半導体装置を概略的に例示する断面図である。
【図１３】図１３は、図１２の半導体装置を製造する工程を説明する説明図であり、図１３（Ａ）は、リードフレームにめっき処理を施す工程を説明する説明図であり、図１３（Ｂ）は、第１の流出抑制部及び第２の流出抑制部を形成する工程を説明する説明図であり、図１３（Ｃ）は、接合部にはんだを塗布する工程を説明する説明図であり、図１３（Ｄ）は、リードフレームに半導体部品を接合する工程を説明する説明図である。
【図１４】図１４は、本発明の第７実施形態に係る半導体装置を概略的に例示する断面図である。
【図１５】図１５は、図１４の半導体装置を製造する工程を説明する説明図であり、図１５（Ａ）は、リードフレームにめっき処理を施す工程を説明する説明図であり、図１５（Ｂ）は、第１の流出抑制部、第２の流出抑制部、第３の流出抑制部を形成する工程を説明する説明図であり、図１５（Ｃ）は、接合部にはんだを塗布する工程を説明する説明図であり、図１５（Ｄ）は、リードフレームに半導体部品を接合する工程を説明する説明図である。
【図１６】図１６は、本発明の第８実施形態に係る半導体装置を概略的に例示する断面図である。
【図１７】図１７は、図１６の半導体装置を製造する工程を説明する説明図であり、図１７（Ａ）は、リードフレームにめっき処理を施す工程を説明する説明図であり、図１７（Ｂ）は、第１の流出抑制部、第２の流出抑制部、第３の流出抑制部及び貫通孔を形成する工程を説明する説明図であり、図１７（Ｃ）は、接合部にはんだを塗布する工程を説明する説明図であり、図１７（Ｄ）は、リードフレームに半導体部品を接合する工程を説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
[第１実施形態]
以下、本発明を具現化した第１実施形態について、図面を参照して説明する。
まず、図１等を参照し、半導体装置１について説明する。図１に示す半導体装置１は、少なくとも一方面側が接合対象部となる半導体チップ１０と、半導体チップ１０の一方面に対向する対向面２４を備え、はんだ３を介して当該対向面２４側の表面部２６が半導体チップ１０に接合されるリードフレーム２０と、を備えている。なお、半導体チップ１０は、「半導体部品」の一例に相当する。また、リードフレーム２０は、「被接合部材」の一例に相当する。以下、図１及び図２を参照し、半導体装置１を構成する各部品について詳述する。
【００１０】
半導体チップ１０は、例えばＩＣやＬＳＩなどの集積回路からなる電子部品である。この半導体チップ１０は、例えば、図１、図２のように、上面及び下面が矩形状に構成された所定厚さの板状部品として形成されている。図２に示すように、半導体チップ１０は、一方面側（下面側）の外面部（下面部１０Ａ）が接合対象部として構成されており、この下面部１０Ａが、はんだ３によってリードフレーム２０の対向面２４側の表面部２６と接合するように構成されている。
【００１１】
なお、本明細書では、リードフレーム２０の対向面２４（半導体チップ１０が接合される面）と直交する方向を上下方向とし、リードフレーム２０に対して半導体チップ１０が搭載される側を上方、それとは反対側を下方とする。
【００１２】
リードフレーム２０は、半導体チップ１０を支持固定すると共に、半導体チップ１０と外部の配線とを電気的に接続する部品であり、金属板材によって構成されている。このリードフレーム２０は、当該リードフレーム２０の大部分を構成すると共に一部の外面が矩形状に構成された板状の母材３０と、この母材３０を被覆するめっき層４０とを備え、めっき層４０が表面部２６を構成している。母材３０は、特に材質は限定されないが、例えばＣｕ系材料（Ｃｕ、Ｃｕ合金等）やＦｅ系材料（Ｆｅ、Ｆｅ合金等）などの金属材料が用いられる。また、めっき層４０も材質は限定されず、例えば、Ａｇ、Ａｕ，Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕなどである。
【００１３】
リードフレーム２０は、図２に示すように、半導体チップ１０の一方面（下側の面）に対向する対向面２４を備えており、はんだ３を介して当該対向面２４側の表面部２６が半導体チップ１０に接合されるように構成されている。具体的には、図２のように、表面部２６の一部が接合部２８として構成されており、半導体チップ１０は、はんだ３を介在させて接合部２８に接合されるようになっている。この接合部２８は、図１、図２に示すように、表面部２６の所定領域（具体的には、図１に示すように、表面部２６の中心部から広がる矩形状の領域）に形成されており、対向面２４の面方向において第１の流出抑制部２１（後述）の内側領域として構成されている。図１、図２の例では、接合部２８の面形状が、半導体チップ１０の下面と略同一の形状となっている。そして、この接合部２８の表面と半導体チップ１０の下面とが上下に重なり、且つ平面視したときのこれらの面位置（即ち、対向面２４の面方向におけるこれら各面の位置）がほぼ同位置になるように、接合部２８と半導体チップ１０とがはんだ３によって接合されている。
【００１４】
本実施形態では、リードフレーム２０が「被接合部材」の一例に相当し、半導体チップ１０の一方面に対向する対向面２４を備え、はんだ３を介して当該対向面２４側の表面部２６が半導体チップ１０に接合されるように機能する。
【００１５】
図１及び図２に示すように、リードフレーム２０には、はんだ３の流出を抑制するための第１の流出抑制部２１と、第２の流出抑制部２２とが形成されている。第１の流出抑制部２１は、表面部２６において接合部２８の周囲全体に亘って切れ目無く連続した環状に形成され、接合部２８の外面（即ち対向面２４）よりも深く掘られた領域として構成されている。図２に示すように、この第１の流出抑制部２１は、めっき層４０の表面から母材３０が露出するまで貫通するように掘られた溝部２１Ａによって構成されている。具体的には、溝部２１Ａの内部の側壁（内壁）がめっき層４０の一部（掘り下げられた部分）によって構成されており、溝部２１Ａの内部の底壁は、母材３０の表面部（めっき層４０側の外面部）の一部によって構成される。そして、このように溝状に構成された第１の流出抑制部２１は、図１に示すように、リードフレーム２０の表面部２６において接合部２８の周囲の四方を連続的に囲むように矩形状（具体的には長方形状）且つ環状に構成されている。なお、図１の例では、接合部２８の面形状が、半導体チップ１０の下面と略同一の形状となっているが、接合部２８の面形状が、半導体チップ１０の下面よりもわずかに大きい略相似形状であってもよく、接合部２８の面形状が、半導体チップ１０の下面よりもわずかに小さい略相似形状であってもよい。
【００１６】
第２の流出抑制部２２は、リードフレーム２０の表面部２６において第１の流出抑制部２１の周囲全体に亘って切れ目無く連続した環状に形成され、接合部２８の外面（即ち対向面２４）よりも深く掘られた領域として構成されている。図２に示すように、この第２の流出抑制部２２は、めっき層４０の表面から母材３０が露出するまで貫通するように掘られた溝部２２Ａによって構成されている。具体的には、溝部２２Ａの内部の側壁（内壁）がめっき層４０の一部（掘り下げられた部分）によって構成されており、溝部２２Ａの内部の底壁は、母材３０の表面部（めっき層４０側の外面部）の一部によって構成される。そして、このように溝状に構成された第２の流出抑制部２２は、図１に示すように、リードフレーム２０の表面部２６において第１の流出抑制部２１の周囲の四方を連続的に囲むように矩形状（具体的には長方形状）且つ環状に構成されている。
【００１７】
また、第１の流出抑制部２１と第２の流出抑制部２２とは、表面部２６において所定の距離（例えば、溝部２１Ａの幅と同程度の距離）隔てて形成されている。即ち、第２の流出抑制部２２がめっき層４０を介して第１の流出抑制部２１の周囲を囲む構成となっている。なお、第１の流出抑制部２１と第２の流出抑制部２２の間に介在するめっき層４０の残余部分は、外面の高さ（上下方向の位置）が接合部２８の外面（即ち対向面２４）の高さとほぼ同一となっており、第１の流出抑制部２１を構成する溝部２１Ａ内にはんだ３が流入した場合に、流入したはんだがその残余部分を乗り越えにくい構成となっている。
【００１８】
また、図１の例では、第１の流出抑制部２１と第２の流出抑制部２２の幅がほぼ同一となっており、第１の流出抑制部２１と第２の流出抑制部２２の深さもほぼ同一となっている。但し、幅や深さの関係はこの例に限られるものではない。例えば、第１の流出抑制部２１の幅を第２の流出抑制部２２の幅よりも大きくすることで、第１の流出抑制部２１の蓄積許容量を相対的に高め、逆に第２の流出抑制部２２については相対的に幅を狭くして小サイズ化を図ることが可能となる。また、第１の流出抑制部２１の深さを第２の流出抑制部２２の深さよりも大きくすることで、第１の流出抑制部２１の蓄積許容量を相対的に高めてもよい。
【００１９】
次に、上記構成の半導体装置１を製造する製造方法について説明する。
まず、母材３０をめっき層４０で被覆し、リードフレーム２０を形成する工程を行う。この工程では、母材３０の少なくとも一方面（図３（Ａ）に示す上面）の表面全体に公知のめっき処理を施し、母材３０を被覆するめっき層４０を形成する。この工程により、図３（Ａ）に示すように、母材３０の一方面側に所定の厚さのめっき層４０が形成されたリードフレーム２０が形成される。
【００２０】
図３（Ａ）に示す形成工程の後には、リードフレーム２０に第１の流出抑制部２１及び第２の流出抑制部２２を形成する工程を行う。この工程では、図３（Ｂ）に示すように、リードフレーム２０の表面部２６（具体的には、めっき層４０の表面部）の所定位置に所定深さの溝を形成する加工を行い、リードフレーム２０に第１の流出抑制部２１及び第２の流出抑制部２２を形成する。この工程では、まず、リードフレーム２０の表面部２６において、半導体チップ１０を平面視した外形と同程度のサイズの矩形領域を接合部２８として設定する。なお、図１、図２のように溝部２１Ａの内部に最終的に残される領域が接合部２８となるため、このような矩形領域の位置を定める。そして、その接合部２８となる領域（矩形領域）の周囲全体に亘って連続的且つ環状にレーザーを照射してめっき層４０を除去する。なお、めっき層４０を除去して溝部２１Ａを形成する際には、例えば母材３０の上方側の表面の一部を露出させ、その表面部を溝部２１Ａの底部とする構成で溝部２１Ａを形成する。このようにして、溝部２１Ａとして構成された第１の流出抑制部２１が設けられる。更に、第１の流出抑制部２１の外周から所定の間隔を空けて、第１の流出抑制部２１の周囲全体に亘って連続的且つ環状にレーザーを照射してめっき層４０を除去し、溝部２２Ａを形成する。めっき層４０を除去して溝部２２Ａを形成する場合も同様であり、例えば母材３０の上方側の表面の一部を露出させ、その表面部を溝部２２Ａの底部とする構成で溝部２２Ａを形成する。このようにして、溝部２２Ａとして構成された第２の流出抑制部２２が設けられる。
【００２１】
図３（Ｂ）に示す形成工程の後には、リードフレーム２０の接合部２８にはんだ３を塗布する工程を行う。この工程では、まず図３（Ｂ）に示す工程で中央部に残された領域（接合部２８）に溶融したはんだ３を塗布する。はんだ３の塗布方法は公知の塗布方法（はんだ供給装置を用いた糸はんだによる塗布方法、はんだボールやはんだ箔による塗布方法、リードフレーム２０を加熱することによって、リードフレーム２０上の固化はんだを溶融させる塗布方法等）で行う。そして、公知のスパンカーなどを用いて塗布されたはんだ３を広げ、図３（Ｃ）のように、接合部２８上で均一に分布したはんだ３の層を形成する。
【００２２】
図３（Ｃ）に示すはんだ３の塗布工程の後には、リードフレーム２０に半導体チップ１０を接合する工程を行う。この工程では、図３（Ｄ）に示すように、接合部２８の板面（対向面２４）と平行な平面方向において、半導体チップ１０の下面部１０Ａの位置と接合部２８の位置とが一致して重なるように、接合部２８に塗布されたはんだ３上に半導体チップ１０を配置する。そして、半導体チップ１０の載置後には公知の方法ではんだ３を固化させることで、リードフレーム２０の接合部２８に半導体チップ１０が接合されてなる半導体装置１が形成される。
【００２３】
なお、上記工程によって製造される半導体装置１では、母材３０の厚さが例えば０．１〜２ｍｍ程度であり、めっき層４０の厚さが例えば１〜１０μｍ程度である。また、半導体チップ１０の厚さは例えば０．１〜０．５ｍｍ程度であり、半導体チップ１０の板面の面積が１０ｍｍ×１０ｍｍ程度である。また、はんだ３の塗布時の厚さは例えば０．５〜１．０ｍｍ程度であり、半導体チップ１０の接合時のはんだ３の厚さが０．１〜０．５ｍｍ程度である。なお、これらはいずれも接合部２８の板面（対向面２４）と直交する方向を厚さ方向とする。また、これらはあくまで一例であり、各厚さや各大きさを他のサイズで形成することも可能である。
【００２４】
本構成では、接合部２８の周囲全体に亘って第１の流出抑制部２１が連続した環状に形成されている。そして、この第１の流出抑制部２１は、接合部２８の外面よりも深く掘られた領域として構成されている。このように、はんだ３の広がりを抑制し得る領域が接合部２８の近くに環状且つ連続的に設けられているため、接合部２８から外側にはんだ３が濡れ広がることをより効果的に抑制することができる。特に、第１の流出抑制部２１は、接合部２８を取り囲むように切れ目なく連続しているため、第１の流出抑制部２１を乗り越えない限り、はんだは外側に広がらなくなる。
【００２５】
例えば、図３（Ｃ）の工程又は図３（Ｄ）の工程では、接合部２８に塗布されたはんだ３が、接合予定領域（接合部２８の外面領域）から外側に濡れ広がる可能性があるが、本構成では、接合部２８上からはんだ３が流出するような場合、図３（Ｄ）のように溝部２１Ａ内にはんだ３が流れ込むことになる。つまり、流出したはんだ３が溝部２１Ａ（第１の流出抑制部２１）内に留まることになるため、はんだ３が第１の流出抑制部２１よりも外側に濡れ広がることを抑制することができる。従って、はんだ３が予定領域からの濡れ広がることに起因する半導体チップ１０の位置ズレを効果的に抑えることができる。
【００２６】
更に、第１の流出抑制部２１の周囲には、第２の流出抑制部２２が環状に形成されており、この第２の流出抑制部２２は、接合部２８の外面よりも深く掘られた領域として構成されている。このように第１の流出抑制部２１の外側に第２の流出抑制部２２が環状に形成されているため、仮にはんだ３が第１の流出抑制部２１を乗り越えたとしても、その乗り越えた分については第２の流出抑制部２２によって堰き止めることができる。例えば、はんだ量が多い等の理由により、はんだ３が溝部２１Ａから溢れ出してさらに外側に流出したとしても、その流出した分については溝部２２Ａ内に入り込ませて留まらせることができる。従って、万が一、第１の流出抑制部２１からの流出があったとしても、このような流出に起因する広がりを確実に抑えることができる。
【００２７】
また、本構成では、第２の流出抑制部２２が、第１の流出抑制部２１の周囲全体に亘って連続した環状に形成されている。このように第１の流出抑制部２１を取り囲むように第２の流出抑制部２２が切れ目なく連続しているため、はんだ３が第２の流出抑制部２２を越えて外側に広がることは確実に抑えられる。従って、接合部２８から流れ出るはんだ量が多い場合であっても、半導体チップ１０の位置ズレをより確実に抑制することができる。
【００２８】
また、本構成では、第１の流出抑制部２１及び第２の流出抑制部２２をいずれも溝部として構成しているため、第１の流出抑制部２１及び第２の流出抑制部２２の領域内で堰き止め得る許容量（接合部２８からはんだ３が流出した場合に、外側に流出させることなく第１の流出抑制部２１及び第２の流出抑制部２２で保持し得る量）を大きくすることができる。
【００２９】
［第２実施形態］
次に、図４及び図５を参照し、第２実施形態について説明する。
図４の半導体装置１は、第２の流出抑制部２２よりも第１の流出抑制部２１の方が深く掘られる領域となっている点（即ち、溝部２２２Ａよりも溝部２２１Ａの方が深く掘られる構成となっている点）、及び溝部２２１Ａと溝部２２２Ａとが近接している点（溝部２２１Ａと溝部２２２Ａとの間に領域が存在しない点）が第１実施形態の半導体装置１（図１及び図２参照）と異なっている。一方、これらの点以外は第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と同様の構成については第１実施形態と同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００３０】
図４に示す半導体装置１は、第１実施形態と同様の構成の半導体チップ１０と、第１実施形態とは異なる構成のリードフレーム２０と、を備えている。
第１実施形態の半導体装置１のリードフレーム２０は、第１の流出抑制部２１と第２の流出抑制部２２のとは同じ深さの構成となっているが、本実施形態の半導体装置１のリードフレーム２０は、第２の流出抑制部２２よりも第１の流出抑制部２１の方が深く掘られる構成となっている。即ち、第１実施形態では、第１の流出抑制部２１の溝部２１Ａの深さと第２の流出抑制部２２の溝部２２Ａの深さとは同一の深さで形成されているが、本実施形態では、第２の流出抑制部２２を構成する溝部２２２Ａよりも第１の流出抑制部２１を構成する溝部２２１Ａの方が深く掘られる構成となっている。また、第１実施形態の半導体装置１では、第１の流出抑制部２１と第２の流出抑制部２２とは、表面部２６において所定の距離隔てて形成されているが、本実施形態の半導体装置１では、第１の流出抑制部２１と第２の流出抑制部２２とは、所定の距離隔てることなく、隣接して形成されている。
【００３１】
図４の構成でも、リードフレーム２０は、第１の流出抑制部２１と第２の流出抑制部２２とを備えている。第１の流出抑制部２１は、表面部２６において接合部２８の周囲全体に亘って連続した環状に形成され、接合部２８の外面よりも深く掘られた領域として構成されている。なお、本構成でも、接合部２８は、平面視した外形が矩形状となっており、第１の流出抑制部２１を構成する溝部２２１Ａは、その接合部２８に隣接する位置に配置されている。そして、溝部２２１Ａを平面視した形状は、接合部２８の各辺に沿った構造の矩形状且つ環状形態となっている。また、溝部２２１Ａは、図４に示すように、表面部２６からめっき層４０を貫通して母材３０を深く掘った構成となっており、このような深さの溝部２２１Ａが接合部２８の周囲に連続して続いている。なお、図４のように、溝部２２１Ａの溝内は、一方の側壁がめっき層４０の壁部及び母材３０の壁部によって構成され、他方の側壁が母材３０の壁部によって構成され、底部が母材３０によって構成されている。
【００３２】
第２の流出抑制部２２は、図４に示すように、第１の流出抑制部２１の周囲に環状に形成され、接合部２８の外面よりも深く掘られた領域（溝部２２２Ａ）として構成されている。この第２の流出抑制部２２は、第１の流出抑制部２１を構成する溝部２２１Ａに隣接する位置に配置され、溝部２２２Ａを平面視した形状は、矩形状の溝部２２１Ａの外縁における各辺に沿った構造の矩形状且つ環状形態となっている。また、溝部２２２Ａは、表面部２６からめっき層４０を貫通する構成で当該めっき層４０のみを掘った構成となっており、このような深さ（めっき層４０の厚さ程度の深さ）の溝部２２２Ａが溝部２２１Ａの周囲に連続して続いている。なお、図４のように、溝部２２２Ａの溝内は、一方の側壁がめっき層４０の壁部によって構成され、他方側は側壁が設けられずに溝部２２１Ａと連通している。そして、底部が母材３０の表面部よって構成されている。また、第２の流出抑制部２２を構成する溝部２２２Ａは、第１の流出抑制部２１を構成する溝部２２１Ａと距離を隔てることなく隣接して形成されている。即ち、半導体装置１を平面視したときの溝部２２１Ａの外周縁の位置と溝部２２２Ａの内周縁の位置が一致している。そして、リードフレーム２０は、これら溝部２２１Ａ及び溝部２２２Ａにより、接合部２８を中心として外側となるにつれて（接合部２８から離れるにつれて）高位置となる段差形状の溝部が構成されている。
【００３３】
次に、第２実施形態に係る半導体装置１を製造する製造方法について説明する。
まず、図５（Ａ）に示すように、第１実施形態と同様の方法で、第１実施形態と同様のリードフレーム２０（母材３０にめっき層４０を形成してなるリードフレーム２０）を製造する。そして、その形成工程の後には、図５（Ｂ）のように、リードフレーム２０に第１の流出抑制部２１及び第２の流出抑制部２２を形成する工程を行う。溝部２２１Ａ及び溝部２２２Ａの形成は、第１実施形態と同様であり、溝部２２１Ａとなるべき位置にレーザーを照射してめっき層４０を除去し、さらに母材３０を表面よりも深く掘ることで溝部２２１Ａを形成する。更に、溝部２２２Ａとなるべき位置にレーザーを照射してめっき層４０を除去することで溝部２２２Ａを形成する。そして、図５（Ｂ）の形成工程の後には、第１実施形態と同様の方法で、リードフレーム２０の接合部２８にはんだ３を塗布する工程を行う。そして、図５（Ｃ）に示すはんだ３の塗布工程の後には、第１実施形態と同様の方法で、リードフレーム２０に半導体チップ１０を接合する工程を行う。この工程では、接合部２８に塗布されたはんだ３上に半導体チップ１０を配置する際に、はんだ３が半導体チップ１０により押し広げられる。そして、接合部２８上からはんだ３が流出する場合には、接合部２８に隣接する溝部２２１Ａ内にはんだ３が流れ込んで蓄積され、はんだ３の外側への流出が抑制される。
【００３４】
本実施形態でも、第１実施形態と同様の効果が得られる。また、本構成では、第１の流出抑制部２１を構成する溝部２２１Ａがより深く掘られているため、溝部２２１Ａに流れ込んだはんだ３が第２の流出抑制部２２を構成する溝部２２２Ａへと流れ込み難くなり、溝部２２１Ａがより深く掘られているため、溝部２２１Ａ及び溝部２２２Ａによる蓄積許容量も大きくなる。また、本構成では、溝部２２１Ａと溝部２２２Ａが間隔をあけずに隣接しているため、流出を抑制するためのスペースをより狭い範囲に限定することができる。特に、最終的な堰き止め位置となる溝部２２２Ａを、より接合部２８に近づけることができるため半導体チップ１０の位置ズレ量をより一層抑えやすく、溝部２２２Ａをよりコンパクトに構成することができるためレイアウト面でも有利になる。
【００３５】
［第３実施形態］
次に、図６及び図７を参照し、第３実施形態について説明する。
図６の半導体装置１は、第１の流出抑制部２１及び第２の流出抑制部２２の構成のみが第１実施形態の半導体装置１（図１及び図２参照）と異なっており、これら以外は第１実施形態と同一である。よって、第１実施形態と同一の構成（第１の流出抑制部２１及び第２の流出抑制部２２以外）については第１実施形態と同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。なお、本実施形態の半導体装置１は、平面視した構造は図１と同一である。
【００３６】
図６に示す半導体装置１は、第１実施形態と同様の構成の半導体チップ１０と、第１実施形態とは異なる構成のリードフレーム２０とを備えている。
第１実施形態の半導体装置１のリードフレーム２０は、めっき層４０のみを掘り下げて溝部２１Ａ及び溝部２２Ａを構成していたが、本実施形態の半導体装置１で形成される溝部３２１Ａ及び溝部３２２Ａは、表面部２６からめっき層４０を貫通して母材３０まで掘った構成となっている。なお、これら溝部３２１Ａ及び溝部３２２Ａは、深さのみが第１実施形態の溝部２１Ａ及び溝部２２Ａとそれぞれ異なり、それ以外の特徴（例えば、平面方向の位置等）は溝部２１Ａ及び溝部２２Ａと同一である。
【００３７】
次に、第３実施形態に係る半導体装置１を製造する製造方法について説明する。
まず、図７（Ａ）に示すように、第１実施形態と同様の方法で、第１実施形態と同様のリードフレーム２０（母材３０にめっき層４０を形成してなるリードフレーム２０）を製造する。そして、その形成工程の後には、図７（Ｂ）のように、リードフレーム２０に第１の流出抑制部２１及び第２の流出抑制部２２を形成する工程を行う。溝部３２１Ａ及び溝部３２２Ａの形成は、溝の深さ以外は第１実施形態と同様であり、溝部３２１Ａとなるべき位置にレーザーを照射してめっき層４０を除去し、さらに母材３０を表面よりも深く掘ることで溝部３２１Ａを形成する。同様に、溝部３２２Ａとなるべき位置にレーザーを照射してめっき層４０を除去し、さらに母材３０を表面よりも深く掘ることで溝部３２２Ａを形成する。なお、母材３０を掘る深さは、例えば０．１〜０．５ｍｍ程度とすると良い。そして、図７（Ｂ）の形成工程の後には、第１実施形態と同様の方法で、リードフレーム２０の接合部２８にはんだ３を塗布する工程を行う。そして、図７（Ｃ）に示すはんだ３の塗布工程の後には、第１実施形態と同様の方法で、リードフレーム２０に半導体チップ１０を接合する工程を行う。この工程では、接合部２８に塗布されたはんだ３上に半導体チップ１０を配置する際に、はんだ３が半導体チップ１０により押し広げられる。そして、接合部２８上からはんだ３が流出する場合には、基本的に接合部２８に隣接する溝部３２１Ａ内にはんだ３が流れ込んで蓄積され、はんだ３の外側への流出が抑制される。
【００３８】
以上のような本実施形態の構成でも、第１実施形態と同様の効果が得られる。
また、本実施形態では、第１の流出抑制部２１及び第２の流出抑制部２２のいずれにおいても、はんだ３を母材３０まで流し込んで蓄積することができるため、両流出抑制部において蓄積許容量を一層大きくすることができ、ひいては接合部２８からのはんだ３の濡れ広がりをより確実に抑制し易くなる。
【００３９】
［第４実施形態］
次に、図８及び図９を参照し、第４実施形態について説明する。
図８の半導体装置１は、第１の流出抑制部２１及び第２の流出抑制部２２の構成のみが第１実施形態の半導体装置１（図１及び図２参照）と異なっており、これら以外は第１実施形態と同一である。よって、第１実施形態と同一の構成（第１の流出抑制部２１及び第２の流出抑制部２２以外）については第１実施形態と同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。なお、図８の半導体装置１における第１の流出抑制部２１及び第２の流出抑制部２２は、一部に貫通孔２３が形成されている点のみが第１実施形態と異なり、貫通孔２３以外は第１実施形態の溝部２１Ａ、２２Ａとそれぞれ同一である。また、貫通孔２３以外の平面構造は図１と同一となっている。よって、以下の説明では図１を参照して説明する。
【００４０】
図８に示す半導体装置１は、第１実施形態と同様の構成の半導体チップ１０と、第１実施形態とは異なる構成のリードフレーム２０と、を備えている。
第１実施形態の半導体装置１のリードフレーム２０では、溝部２１Ａ及び溝部２２Ａの底部が母材３０の表面部によって構成され、その底部が全体的に非開口形状（非貫通構造）となっているが、本実施形態では、第１実施形態の溝部２１Ａ及び溝部２２Ａと同様の溝部４２１Ａ及び溝部４２２Ａが形成される一方で、これら溝部４２１Ａ、４２２Ａの底部に貫通孔２３（貫通孔４３１Ａ、４３１Ｂ、４３２Ａ、４３２Ｂ）が設けられた構造となっている。
【００４１】
この構成でも、溝部４２１Ａ（第１の流出抑制部２１）は、図１と同様、リードフレーム２０の表面部２６において接合部２８の周囲の四方を連続的に囲むように矩形状（具体的には長方形状）且つ環状に構成され、接合部２８の外面（対向面２４）よりも深く掘られた領域として構成されている。この溝部４２１Ａも、めっき層４０の表面から母材３０が露出するまで貫通するように掘られた構成となっている。また、溝部４２２Ａ（第２の流出抑制部２２）は、リードフレーム２０の表面部２６において溝部４２１Ａの周囲全体に亘って切れ目無く連続した環状に形成され、接合部２８の外面（対向面２４）よりも深く掘られた領域として構成されている。そして、この溝部４２２Ａも、めっき層４０の表面から母材３０が露出するまで貫通するように掘られた構成となっている。そして、溝部４２１Ａ（第１の流出抑制部２１）と溝部４２２Ａ（第２の流出抑制部２２）とは、表面部２６において所定の距離（例えば、溝部２１Ａの幅と同程度の距離）隔てて形成されている。
【００４２】
そして、溝部４２１Ａの底部には、母材３０の上面から下面まで貫通する貫通孔４３１Ａ，４３１Ｂが形成されている。貫通孔４３１Ａ、４３１Ｂは、溝部４２１Ａの所定位置（図８の例では、図１のＡ−Ａ断面上）に上下方向（リードフレーム２０の厚さ方向）に延びる円筒状に形成されており、溝部４２１Ａからリードフレーム２０の裏面（対向面２４とは反対側の面）まで続く構成となっている。なお、貫通孔４３１Ａ，４３１Ｂは、一方の開口が溝部４２１Ａの底部に形成され、他方の開口がリードフレーム２０の裏面に形成されているため、溝部４２１Ａ内にはんだが蓄積されたときに、そのはんだが貫通孔４３１Ａ，４３１Ｂを通ってリードフレーム２０の裏面側に導かれるようになっている。
【００４３】
また、第２の流出抑制部２２を構成する溝部４２２Ａの底部も同様の構造となっている。この溝部４２２Ａの底部には、母材３０の上面から下面まで貫通する貫通孔４３２Ａ，４３２Ｂが形成されている。貫通孔４３２Ａ、４３２Ｂは、溝部４２２Ａの所定位置（図８の例では、図１のＡ−Ａ断面上）に上下方向（リードフレーム２０の厚さ方向）に延びる円筒状に形成されており、溝部４２２Ａからリードフレーム２０の裏面（対向面２４とは反対側の面）まで続く構成となっている。これら貫通孔４３２Ａ，４３２Ｂも、一方の開口が溝部４２２Ａの底部に形成され、他方の開口がリードフレーム２０の裏面に形成されているため、溝部４２２Ａ内にはんだが蓄積されたときに、そのはんだが貫通孔４３２Ａ，４３２Ｂを通ってリードフレーム２０の裏面側に導かれるようになっている。
【００４４】
なお、貫通孔４３１Ａ, ４３１Ｂはあくまで一例であり、例えば、溝部４２１Ａの底部における他の位置に、貫通孔４３１Ａ, ４３１Ｂと同様の構成で１又は複数の貫通孔を形成してもよい。同様に、溝部４２２Ａの底部における他の位置に、貫通孔４３２Ａ, ４３２Ｂと同様の構成で１又は複数の貫通孔を形成してもよい。また、貫通孔の形状は、円筒状に限られるものではなく、はんだを流下させうる構成であれば他の形状であってもよい。
【００４５】
次に、第４実施形態に係る半導体装置１を製造する製造方法について説明する。
まず、図９（Ａ）に示すように、第１実施形態と同様の方法で、第１実施形態と同様のリードフレーム２０（母材３０にめっき層４０を形成してなるリードフレーム２０）を製造する。そして、その形成工程の後には、図９（Ｂ）のように、リードフレーム２０に第１の流出抑制部２１及び第２の流出抑制部２２を形成する工程を行う。溝部４２１Ａ及び溝部４２２Ａの形成は、第１実施形態と同様であり、溝部４２１Ａとなるべき位置にレーザーを照射してめっき層４０を除去することで溝部４２１Ａを形成する。同様に、溝部４２２Ａとなるべき位置にレーザーを照射してめっき層４０を除去することで溝部４２２Ａを形成する。さらに、溝部４２１Ａの底部の所定位置にレーザーを照射し、上下方向（リードフレーム２０の厚さ方向）に延びる貫通孔４３１Ａ, ４３１Ｂを形成する。同様に、溝部４２２Ａの底部の所定位置にレーザーを照射し、上下方向（リードフレーム２０の厚さ方向）に延びる貫通孔４３２Ａ, ４３２Ｂを形成する。そして、図９（Ｃ）に示すはんだ３の塗布工程の後には、第１実施形態と同様の方法で、リードフレーム２０に半導体チップ１０を接合する工程を行う。この工程では、図９（Ｄ）のように、接合部２８に塗布されたはんだ３上に半導体チップ１０を配置する際に、はんだ３が半導体チップ１０により押し広げられる。そして、接合部２８上からはんだ３が流出する場合には、基本的に接合部２８に隣接する溝部４２１Ａ内にはんだ３が流れ込んで蓄積され、はんだ３の外側への流出が抑制される。また、溝部４２１Ａに流れ込んだはんだ３の一部は貫通孔４３１Ａ, ４３１Ｂを通って裏面側に導出される。
【００４６】
以上のような本実施形態に係る構成によっても、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。また、本実施形態では、第１の流出抑制部２１及び前記第２の流出抑制部２２のいずれにおいても、貫通孔２３が形成されているため、各流出抑制部に流れ込んだはんだ３をリードフレーム２０の裏面側に導出することができる。従って、各流出抑制部からはんだ３が溢れ出すことを一層確実に抑制することができ、ひいては、半導体チップ１０の位置ズレ防止効果を一層高めることができる。
【００４７】
［第５実施形態］
次に、図１０及び図１１を参照し、第５実施形態について説明する。
図１０の半導体装置１は、第１の流出抑制部２１及び第２の流出抑制部２２の構成のみが第１実施形態の半導体装置１（図１及び図２参照）と異なっており、これら以外は第１実施形態と同一である。よって、第１実施形態と同一の構成（第１の流出抑制部２１及び第２の流出抑制部２２以外）については第１実施形態と同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。また、第１の流出抑制部２１及び第２の流出抑制部２２の内部以外の平面構造は図１と同一となっている。よって、以下の説明では図１を参照して説明する。
【００４８】
図１０に示す半導体装置１は、第１実施形態と同様の構成の半導体チップ１０と、第１実施形態とは異なる構成のリードフレーム２０と、を備えている。
第１実施形態の半導体装置１のリードフレーム２０は、第１の流出抑制部２１及び第２の流出抑制部２２が接合部２８の外面よりも深く掘られた領域として構成されているが、本実施形態の半導体装置１のリードフレーム２０は、第１の流出抑制部２１及び第２の流出抑制部２２が接合部２８の外面よりも濡れ性が低い領域として構成されている。即ち、第１実施形態では、表面部２６からめっき層４０を貫通して母材３０まで掘った溝部２１Ａ及び溝部２２Ａが形成されているが、本実施形態では、溝部２１Ａ及び溝部２２Ａの代わりに、接合部２８の外面（表面部２６）よりも濡れ性が低い領域として低濡れ性部５２１Ａ及び低濡れ性部５２２Ａが形成されている。
【００４９】
第１の流出抑制部２１は、図１と同様、リードフレーム２０の表面部２６において接合部２８の周囲の四方を連続的に囲むように矩形状（具体的には長方形状）且つ環状に構成されている。そして、第１の流出抑制部２１は、外面の表面粗さが、接合部２８の外面（対向面２４）の表面粗さよりも大きい「低濡れ性部５２１Ａ」として構成されている。また、第２の流出抑制部２２は、リードフレーム２０の表面部２６において第１の流出抑制部２１の周囲全体に亘って切れ目無く連続した環状に形成されている。そして、第２の流出抑制部２２は、外面の表面粗さが、接合部２８の外面（対向面２４）の表面粗さよりも大きい「低濡れ性部５２２Ａ」として構成されている。そして、図１と同様、第１の流出抑制部２１と第２の流出抑制部２２とは、表面部２６において所定の距離隔てて形成されている。なお、低濡れ性部５２１Ａ及び低濡れ性部５２２Ａの表面位置は、接合部２８の外面位置と同程度であってもよく、図１０のように、接合部２８の外面よりも低位置（深い位置）であってもよい。
【００５０】
次に、第５実施形態に係る半導体装置１を製造する製造方法について説明する。
まず、第１実施形態と同様の方法で、図１１（Ａ）に示すように、第１実施形態と同様の方法で、第１実施形態と同様のリードフレーム２０（母材３０にめっき層４０を形成してなるリードフレーム２０）を製造する。
【００５１】
そして、その形成工程の後には、図１１（Ｂ）のように、リードフレーム２０に第１の流出抑制部２１及び第２の流出抑制部２２を形成する工程を行う。この工程では、図１１（Ｂ）に示すように、リードフレーム２０の表面部２６（具体的には、めっき層４０の表面）の所定位置に低濡れ性領域を形成して、リードフレーム２０に第１の流出抑制部２１及び第２の流出抑制部２２を設ける。まず、第１実施形態と同様の方法で、リードフレーム２０の表面部２６に接合部２８を設定する（図１参照）。そして、接合部２８の周囲における第１の流出抑制部２１となるべき位置に対し、レーザーを照射してめっき層４０の表面粗さを変化させ、これにより低濡れ性部５２１Ａを形成する。同様に、第２の流出抑制部２２となるべき位置（第１の流出抑制部２１から所定の間隔を空けた位置）に対し、レーザーを照射してめっき層４０の表面粗さを変化させ、これにより低濡れ性部５２２Ａを形成する。
【００５２】
このように第１の流出抑制部２１及び第２の流出抑制部２２を形成した後、第１実施形態と同様の方法ではんだ３の塗布工程を行い（図１１（Ｃ））、その後、第１実施形態と同様の方法で、リードフレーム２０に半導体チップ１０を接合する工程を行う（図１１（Ｄ））。この工程では、図１１（Ｄ）のように、接合部２８に塗布されたはんだ３上に半導体チップ１０を配置する際に、はんだ３が半導体チップ１０により押し広げられる。そして、接合部２８上からはんだ３が流出する場合には、接合部２８に隣接する連続構造の低濡れ性部５２１Ａによって流出が堰き止められる。また、万が一、低濡れ性部５２１Ａの外側に、はんだ３が流出しても、その外側に位置する低濡れ性部５２２Ａによって堰き止められ、それ以上の広がりをより確実に防ぐことができる。
【００５３】
［第６実施形態］
次に、図１２及び図１３を参照し、第６実施形態について説明する。
図１２の半導体装置１は、第１の流出抑制部２１が接合部２８の外面よりも深く掘られる領域となっている点（即ち、第１の流出抑制部２１が、接合部２８の外面よりも深く掘られる溝部６２１Ａによって構成される点）が主に第５実施形態の半導体装置１（図１０及び図１１参照）と異なっている。これらの点以外は第５実施形態と同様であるため、第５実施形態と同様の構成については第５実施形態と同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００５４】
図１２に示す半導体装置１は、第５実施形態と同様の構成の半導体チップ１０と、第５実施形態とは異なる構成のリードフレーム２０と、を備えている。
第５実施形態の半導体装置１のリードフレーム２０は、第１の流出抑制部２１及び第２の流出抑制部２２が接合部２８の外面よりも濡れ性が低い領域として構成されているが、本実施形態の半導体装置１のリードフレーム２０は、さらに第１の流出抑制部２１が接合部２８の外面よりも深く掘られる領域となっている。即ち、本実施形態では、第１の流出抑制部２１に溝部６２１Ａが形成され、さらに当該溝部６２１Ａに、接合部２８の外面よりも濡れ性が低い領域として低濡れ性部６２１Ｂが形成されている。
【００５５】
具体的には、リードフレーム２０は、図１２に示すように、表面部２６において接合部２８の周囲全体に亘って連続した環状に形成され、接合部２８の外面よりも深く掘られる領域であると共に、接合部２８の外面よりも濡れ性が低い領域として構成される第１の流出抑制部２１を備えている。具体的には、第１の流出抑制部２１は、リードフレーム２０の表面部２６において接合部２８を四方から囲むような矩形の環状形態として構成され、図１２に示すように、めっき層４０を表面部２６から母材３０が露出するまで貫通する溝部６２１Ａによって構成されている。そして、溝部６２１Ａの底面（即ち、接合部２８を四方から囲むような矩形の環状形態であって、上方に面する母材３０の上方側の面）から一定の深さ（例えば、低濡れ性部６２１Ｂの深さと同程度の深さ）母材３０の濡れ性を低く変化させた低濡れ性部６２１Ｂが形成されている。
【００５６】
また、リードフレーム２０は、図１２に示すように、第１の流出抑制部２１の周囲に環状に形成され、接合部２８の外面よりも濡れ性が低い領域として構成される第２の流出抑制部２２を備えている。具体的には、第２の流出抑制部２２は、リードフレーム２０の表面部２６において第１の流出抑制部２１を四方から囲むような矩形の環状形態として構成されると共に、図１２に示すように、表面部２６からめっき層４０の一定の深さ（例えば、めっき層４０の厚さの半分程度の深さ）まで濡れ性を低く変化させた低濡れ性部６２２Ａによって構成されている。また、第２の流出抑制部２２の低濡れ性部６２２Ａは、第１の流出抑制部２１の溝部６２１Ａ及び低濡れ性部６２１Ｂと間隔を空けず、隣接して形成されている。即ち、溝部６２１Ａの外周が低濡れ性部６２２Ａの内周を構成しており、リードフレーム２０には、低濡れ性部６２１Ｂと低濡れ性部６２２Ａとによって接合部２８を中心に外側方向に向かって高位置となる段差形状の低濡れ性部が形成されていることになる。
【００５７】
次に、第６実施形態に係る半導体装置１を製造する製造方法について説明する。
まず、第５実施形態と同様の方法で、図１３（Ａ）に示すように、第５実施形態と同様のリードフレーム２０を製造する工程を行う。
【００５８】
図１３（Ａ）に示す形成工程の後には、リードフレーム２０に第１の流出抑制部２１及び第２の流出抑制部２２を形成する工程を行う。この工程では、図１３（Ｂ）に示すように、リードフレーム２０の表面部２６（具体的には、めっき層４０の表面）の所定位置に溝及び低濡れ性領域を形成して、リードフレーム２０に第１の流出抑制部２１及び第２の流出抑制部２２を設ける。まず、第５実施形態と同様の方法で、リードフレーム２０の表面部２６に接合部２８を設定する（図１参照）。次に、接合部２８の周囲全体に亘って連続した環状部分に沿ってレーザーを照射してめっき層４０を除去し、母材３０の上方側の表面の一部を露出させることで、溝部６２１Ａを形成する。そして、接合部２８の周囲全体に亘って連続した環状（具体的には、接合部２８を四方から囲むような矩形の環状）に沿って（即ち、溝部６２１Ａの底面上に）レーザーを照射して、母材３０の表面粗さを変化させることで溝部６２１Ａの底面に低濡れ性部６２１Ｂを形成し、リードフレーム２０に第１の流出抑制部２１を設ける。次に、第１の流出抑制部２１の外周（即ち、溝部６２１Ａの外周）から間隔を空けずに、第１の流出抑制部２１の周囲（即ち、溝部６２１Ａの周囲）全体に亘って連続した環状部分に沿ってレーザーを照射してめっき層４０の表面粗さを変化させることで低濡れ性部６２２Ａを形成し、リードフレーム２０に第２の流出抑制部２２を設ける。
【００５９】
図１３（Ｂ）に示す形成工程の後には、第５実施形態と同様の方法で、リードフレーム２０の接合部２８にはんだ３を塗布する工程を行う。
【００６０】
図１３（Ｃ）に示すはんだ３の塗布工程の後には、第５実施形態と同様の方法で、リードフレーム２０に半導体チップ１０を接合する工程を行う。ここで、接合部２８に塗布されたはんだ３上に半導体チップ１０を配置する際に、はんだ３が半導体チップ１０により押し広げられることによってはんだ３が濡れ広がり、図１３（Ｄ）に示すように、接合部２８上からはんだ３が流出するような場合、溝部６２１Ａ、さらには低濡れ性部６２１Ｂ上にはんだ３が流れ込むことになる。そこで、はんだ３が溝部６２１Ａ及び低濡れ性部６２１Ｂ上に流れ込むことによって、溝部６２１Ａ又は低濡れ性部６２１Ｂにはんだ３を留まらせて、第１の流出抑制部２１よりも外側に濡れ広がることを抑制する。
【００６１】
本実施形態では、リードフレーム２０と半導体チップ１０とを接合するはんだ３を、第１の流出抑制部２１を構成する接合部２８の外面よりも深く掘られた領域（即ち、溝部６２１Ａ）に流れ込ませると共に、第１の流出抑制部２１を構成する濡れ性が低い領域（即ち、低濡れ性部６２１Ｂ）で濡れ広がることを抑制することができる。また、第１の流出抑制部２１を越えて外側へと濡れ広がろうとするはんだ３を、第２の流出抑制部２２を構成する濡れ性が低い領域（即ち、低濡れ性部６２２Ａ）で濡れ広がることを抑制することができる。特に、第１の流出抑制部２１に流れ込んだはんだ３が、第１の流出抑制部２１よりも浅い領域である第２の流出抑制部２２へと流れ込み難くなるため、第２の流出抑制部２２よりも第１の流出抑制部２１で濡れ広がりを抑制し易くなる。そのため、半導体チップ１０は、第１の流出抑制部２１を越えて外側へと流され難く、接合する位置を正確に制御することができる。
【００６２】
［第７実施形態］
次に、図１４及び図１５を参照し、第７実施形態について説明する。
図１４の半導体装置１は、第３の流出抑制部７２３が設けられている点が主に第５実施形態の半導体装置１（図１０及び図１１参照）と異なっている。これらの点以外は第５実施形態と同様であるため、第５実施形態と同様の構成については第５実施形態と同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００６３】
図１４に示す半導体装置１は、第５実施形態と同様の構成の半導体チップ１０と、第５実施形態とは異なる構成のリードフレーム２０と、を備えている。
第５実施形態の半導体装置１のリードフレーム２０は、接合部２８の外面よりも濡れ性が低い領域として第１の流出抑制部２１及び第２の流出抑制部２２が設けられているが、本実施形態の半導体装置１のリードフレーム２０は、さらに第１の流出抑制部２１の周囲且つ第２の流出抑制部２２の内周の内側に環状に形成され、接合部２８の外面よりも深く掘られた領域として構成される第３の流出抑制部７２３が設けられている。
【００６４】
具体的には、リードフレーム２０は、図１４に示すように、第５実施形態の低濡れ性部５２１Ａと同様の構成の低濡れ性部７２１Ａによって構成される第１の流出抑制部２１を備えると共に、第５実施形態の低濡れ性部５２２Ａと同様の構成の低濡れ性部７２２Ａによって構成される第２の流出抑制部２２を備えている。
【００６５】
また、リードフレーム２０は、図１４に示すように、第１の流出抑制部２１の周囲且つ第２の流出抑制部２２の内周の内側に環状に形成され、接合部２８の外面よりも深く掘られた領域として構成される第３の流出抑制部７２３を備えている。具体的には、第３の流出抑制部７２３は、リードフレーム２０の表面部２６において、第１の流出抑制部２１を四方から囲まれるような矩形の環状形態であり、且つ第２の流出抑制部２２によって四方から囲まれるように構成されると共に、図１４に示すように、めっき層４０を表面部２６から母材３０が露出するまで貫通する溝部７２３Ａによって構成される。また、第３の流出抑制部７２３の溝部７２３Ａは、第１の流出抑制部２１の低濡れ性部７２１Ａと間隔を空けず、隣接して形成されていると共に、第２の流出抑制部２２の低濡れ性部７２２Ａと間隔を空けず、隣接して形成されている。即ち、低濡れ性部７２１Ａの外周が溝部７２３Ａの内周を構成すると共に、溝部７２３Ａの外周が低濡れ性部７２２Ａの内周を構成している。このような構成によって、リードフレーム２０には、低濡れ性部７２１Ａと溝部７２３Ａとによって接合部２８を中心に外側方向に向かって低位置となる段差形状が形成されていると共に、溝部７２３Ａと低濡れ性部７２２Ａとによって接合部２８を中心に外側方向に向かって高位置となる段差形状が形成されている。
【００６６】
次に、第７実施形態に係る半導体装置１を製造する製造方法について説明する。
まず、第５実施形態と同様の方法で、図１５（Ａ）に示すように、第５実施形態と同様のリードフレーム２０を製造する工程を行う。
【００６７】
図１５（Ａ）に示す形成工程の後には、リードフレーム２０に第１の流出抑制部２１、第２の流出抑制部２２、第３の流出抑制部７２３及び貫通孔２３を形成する工程を行う。この工程では、図１５（Ｂ）に示すように、リードフレーム２０の表面部２６（具体的には、めっき層４０の表面）の所定位置に溝及び低濡れ性領域を形成して、リードフレーム２０に第１の流出抑制部２１、第２の流出抑制部２２及び第３の流出抑制部７２３を設ける。まず、第５実施形態と同様の方法で、リードフレーム２０の表面部２６に接合部２８を設定する（図１参照）。次に、接合部２８の周囲全体に亘って連続した環状部分に沿ってレーザーを照射してめっき層４０の表面粗さを変化させることで低濡れ性部７２１Ａを形成し、リードフレーム２０に第１の流出抑制部２１を設ける。また、第１の流出抑制部２１の外周から所定の間隔を空けて（例えば、低濡れ性部７２１Ａの幅と同程度の距離を隔てて）、第１の流出抑制部２１の周囲全体に亘って連続した環状部分に沿ってレーザーを照射してめっき層４０の表面粗さを変化させることで低濡れ性部７２２Ａを形成し、リードフレーム２０に第２の流出抑制部２２を設ける。さらに、第１の流出抑制部２１の周囲と第２の流出抑制部２２の内周とによって囲まれる環状部分に沿ってレーザーを照射してめっき層４０を除去し、母材３０の上方側の表面の一部を露出させることで、溝部７２３Ａを形成し、リードフレーム２０に第３の流出抑制部７２３を設ける。
【００６８】
図１５（Ｂ）に示す形成工程の後には、第５実施形態と同様の方法で、リードフレーム２０の接合部２８にはんだ３を塗布する工程を行う。
【００６９】
図１５（Ｃ）に示すはんだ３の塗布工程の後には、第５実施形態と同様の方法で、リードフレーム２０に半導体チップ１０を接合する工程を行う。ここで、接合部２８に塗布されたはんだ３上に半導体チップ１０を配置する際に、はんだ３が半導体チップ１０により押し広げられることによってはんだ３が濡れ広がり、図１５（Ｄ）に示すように、接合部２８上からはんだ３が流出するような場合、低濡れ性部７２１Ａ上にはんだ３が流れ込むことになる。そこで、はんだ３が低濡れ性部７２１Ａ上に流れ込むことによって、低濡れ性部７２１Ａ上にはんだ３を留まらせて、第１の流出抑制部２１よりも外側に濡れ広がることを抑制する。
【００７０】
以上のような本実施形態に係る構成によっても、第５実施形態と同様の効果を奏することができる。また、本実施形態では、第１の流出抑制部２１を越えて外側へと濡れ広がろうとするはんだ３を、第３の流出抑制部７２３を構成する深く掘られた領域（即ち、溝部７２３Ａ）に流れ込ませることで、第２の流出抑制部２２へと濡れ広がることを抑制することができる。特に、大量のはんだが第１の流出抑制部２１を越えて外側へと濡れ広がる場合でも、はんだ３を留まらせることが可能な部分の容量を第３の流出抑制部７２３によって大きく確保できるため、十分に濡れ広がりを抑制することができる。
【００７１】
［第８実施形態］
次に、図１６及び図１７を参照し、第８実施形態について説明する。
図１６の半導体装置１は、第３の流出抑制部８２３に、リードフレーム２０を貫通する貫通孔２３が形成されている点（即ち、溝部８２３Ａに、リードフレーム２０を貫通する貫通孔２３が形成されている点）が主に第７実施形態の半導体装置１（図１４及び図１５参照）と異なっている。これらの点以外は第７実施形態と同様であるため、第７実施形態と同様の構成については第７実施形態と同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００７２】
図１６に示す半導体装置１は、第７実施形態と同様の構成の半導体チップ１０と、第７実施形態とは異なる構成のリードフレーム２０と、を備えている。
第７実施形態の半導体装置１のリードフレーム２０は、溝部７２３Ａが、めっき層４０を表面部２６から母材３０が露出するまで貫通する構成となっているが、本実施形態の半導体装置１のリードフレーム２０は、第７実施形態の溝部７２３Ａと同様の構成の溝部８２３Ａに、貫通孔２３が設けられている。
【００７３】
具体的には、リードフレーム２０は、図１６に示すように、第７実施形態と同様の構成の第１の流出抑制部２１及び第２の流出抑制部２２を備えている。
【００７４】
また、リードフレーム２０は、図１６に示すように、第７実施形態の溝部７２３Ａと同様の構成の溝部８２３Ａによって構成される第３の流出抑制部８２３が備えられている。さらに、溝部８２３Ａには、母材３０の上面から下面まで貫通する貫通孔８３０Ａ，８３０Ｂが形成されている。貫通孔８３０Ａは、溝部８２３Ａの所定位置（例えば、図１６に示すリードフレーム２０の断面によって溝部８２３Ａの壁部が露出する位置）に上下方向に延びる円筒状に形成され、貫通孔８３０Ｂは、溝部８２３Ａの所定位置（例えば、図１６に示すように、接合部２８の中心位置を介して貫通孔８３０Ａに対向する位置）に上下方向に延びる円筒状に形成されている。なお、第３の流出抑制部８２３の溝部８２３Ａに形成された貫通孔８３０Ａ, ８３０Ｂの他に、溝部８２３Ａに貫通孔８３０Ａ, ８３０Ｂと同様の構成で１又は複数の貫通孔を形成してもよい。また、上記貫通孔８３０Ａ, ８３０Ｂは、上下方向に延びる円筒状に形成される構成を示したが、例えば、上下方向に延びる直方体状に形成される構成としてもよい。
【００７５】
次に、第８実施形態に係る半導体装置１を製造する製造方法について説明する。
まず、第７実施形態と同様の方法で、図１７（Ａ）に示すように、第７実施形態と同様のリードフレーム２０を製造する工程を行う。
【００７６】
図１７（Ａ）に示す形成工程の後には、第７実施形態と同様の方法で、図１７（Ｂ）に示すように、リードフレーム２０に第１の流出抑制部２１、第２の流出抑制部２２、第３の流出抑制部８２３及び貫通孔２３を形成する工程を行う。第１の流出抑制部２１及び第２の流出抑制部２２を設けた後、第７実施形態の溝部７２３Ａと同様の形成工程を行うことによって、溝部８２３Ａによって構成される第３の流出抑制部８２３を設ける。さらに、溝部８２３Ａの所定位置（例えば、図１６に示すリードフレーム２０の断面によって溝部８２３Ａの壁部が露出する位置）にレーザーを照射し、上下方向に延びる円筒状となるように貫通孔８３０Ａを形成する。同様に、溝部８２３Ａの所定位置（例えば、図１６に示すように、接合部２８の中心位置を介して貫通孔８３０Ａに対向する位置）にレーザーを照射し、上下方向に延びる円筒状となるように貫通孔８３０Ｂを形成する。
【００７７】
図１７（Ｂ）に示す形成工程の後には、第７実施形態と同様の方法で、リードフレーム２０の接合部２８にはんだ３を塗布する工程を行う。
【００７８】
図１７（Ｃ）に示すはんだ３の塗布工程の後には、第７実施形態と同様の方法で、リードフレーム２０に半導体チップ１０を接合する工程を行う。ここで、接合部２８に塗布されたはんだ３上に半導体チップ１０を配置する際に、はんだ３が半導体チップ１０により押し広げられることによってはんだ３が濡れ広がり、図１７（Ｄ）に示すように、接合部２８上からはんだ３が流出するような場合、低濡れ性部８２１Ａ上にはんだ３が流れ込むことになる。そこで、はんだ３が低濡れ性部８２１Ａ上に流れ込むことによって、低濡れ性部８２１Ａ上にはんだ３を留まらせて、第１の流出抑制部２１よりも外側に濡れ広がることを抑制する。
【００７９】
以上のような本実施形態に係る構成によっても、第７実施形態と同様の効果を奏することができる。また、本実施形態では、第１の流出抑制部２１を越えて第３の流出抑制部８２３へと濡れ広がるはんだ３を、第３の流出抑制部８２３に形成された貫通孔２３に流れ込ませることで、第２の流出抑制部２２へと濡れ広がることを抑制し易くなる。特に、大量のはんだ３が第１の流出抑制部２１を越えて外側へと濡れ広がる場合でも、はんだ３を留まらせることが可能な部分の容量を貫通孔２３によって大きく確保できるため、十分に濡れ広がりを抑制することができる。
【００８０】
［他の実施形態]
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
【００８１】
上記第１〜第８実施形態では、リードフレーム２０において、第１の流出抑制部２１の周囲に第２の流出抑制部２２を形成する構成を示したが、さらに第２の流出抑制部２２の周囲に、環状の１又は複数の流出抑制部（溝部又は低濡れ性部）を形成する構成としてもよい。例えば、リードフレーム２０には、第２の流出抑制部２２の周囲を囲む環状の第４の流出抑制部（溝部又は低濡れ性部）が形成され、第４の流出抑制部の周囲を囲む環状の第５の流出抑制部（溝部又は低濡れ性部）が形成される構成としてもよい。
【００８２】
また、上記第５〜第８実施形態では、低濡れ性領域をレーザー照射によって形成する工程を例示したが、接合部２８の外面との濡れ性に差を生じさせる表面加工であれば、プラズマ加工やショットピーニング加工などその他の加工で低濡れ性領域を形成してもよい。同様に、溝部及び貫通孔を形成する工程でも、レーザー照射以外の加工技術を用いてもよい。
【００８３】
また、上記第１〜第８実施形態の半導体装置１の製造方法では、第１の流出抑制部２１を設けた後に第２の流出抑制部２２を設ける構成を示したが、第２の流出抑制部２２を設けた後に、第１の流出抑制部を設ける構成としてもよい。同様に、上記第７、第８実施形態の半導体装置１の製造方法では、第１の流出抑制部２１及び第２の流出抑制部２２を設けた後に第３の流出抑制部を設ける構成を示したが、第３の流出抑制部を順番として１番目又は２番目に設ける構成としてもよい。
【００８４】
また、上記第１〜第８実施形態では、第２の流出抑制部２２が連続した環状に形成される構成を示したが、第２の流出抑制部２２が不連続な環状やその他の形状によって第１の流出抑制部２１の周囲を囲む構成としてもよい。例えば、ドット形状に連なる環状の第２の流出抑制部２２によって第１の流出抑制部２１の周囲を囲む構成や、第２の流出抑制部２２が第１の流出抑制部２１の周囲の一部又は複数の部分を囲む構成であってもよい。また、第１の流出抑制部２１及び第２の流出抑制部２２の形状は、円環状に形成されてもよいし、半導体チップ１０よりも範囲が狭くなるように形成されてもよい。
【００８５】
また、上記第１実施形態、第２実施形態、第４実施形態及び第６〜第８実施形態では、第１の流出抑制部２１及び第２の流出抑制部２２を構成する溝部の形態を、母材３０が露出するまでめっき層４０を掘り下げた貫通構造としたが、めっき層４０を貫通しない構成（母材３０まで掘り下げずに、めっき層４０の所定深さまで掘り下げた構成）としてもよい。
【００８６】
上記実施形態では、めっき層や母材を除去する方法としてレーザ照射による加工方法を例示したが、この加工方法には限定されず、めっき層や母材を除去可能な加工方法であれば公知の様々な加工方法を用いることができる。
【符号の説明】
【００８７】
１…半導体装置
３…はんだ
１０…半導体チップ（半導体部品）
２０…リードフレーム（被接合部材）
２１…第１の流出抑制部
２２…第２の流出抑制部
２４…対向面
２６…表面部
２８…接合部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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