(57)【要約】【課題】  基板の乾燥時に表面上の液体を瞬時に乾燥させるとともに、基板の生産性を向上すること。【解決手段】  基板Ｗの表面に洗浄液を供給する洗浄液供給部１１４と、洗浄液が供給された基板Ｗの表面に揮発性溶媒を供給し、基板Ｗの表面の洗浄液を揮発性溶媒に置換する溶媒供給部１１５と、揮発性溶媒が供給された基板Ｗを加熱する加熱手段１１７と、加熱手段１１７による加熱作用で基板Ｗの表面に生成された揮発性溶媒の液玉を除去し、基板Ｗの表面を乾燥する乾燥手段１１８とを有してなる基板処理装置１００であって、前記加熱手段１１７と前記乾燥手段１１８を、前記溶媒供給部１１５から搬出された基板Ｗの搬送過程に設けてなるもの。【選択図】  図５
2014207438.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、
洗浄液が供給された基板の表面に揮発性溶媒を供給し、基板の表面の洗浄液を揮発性溶媒に置換する溶媒供給部と、
揮発性溶媒が供給された基板を加熱する加熱手段と、
加熱手段による加熱作用で基板の表面に生成された揮発性溶媒の液玉を除去し、基板の表面を乾燥する乾燥手段とを有してなる基板処理装置であって、
前記加熱手段と前記乾燥手段を、前記溶媒供給部から搬出された基板の搬送過程に設けてなる基板処理装置。
【請求項２】
前記乾燥手段が、基板の表面に生成された揮発性溶媒の液玉を吸引して除去し、基板の表面を乾燥する吸引乾燥手段である請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記乾燥手段が、基板の表面に生成された揮発性溶媒の液玉を吹き飛ばして除去し、基板の表面を乾燥する吹飛ばし乾燥手段である請求項１又は２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記乾燥手段が、搬送ローラによる基板搬送方向に沿う加熱手段の下流側に設けられる請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
基板の表面に洗浄液を供給する工程と、
洗浄液が供給された基板の表面に揮発性溶媒を供給し、基板の表面の洗浄液を揮発性溶媒に置換する工程と、
揮発性溶媒が供給された基板を加熱する工程と、
基板の加熱によって基板の表面に生成された揮発性溶媒の液玉を除去し、基板の表面を乾燥する工程とを有してなる基板処理方法であって、
前記加熱する工程と前記乾燥する工程を、前記揮発性溶媒が供給された後の基板の搬送過程に有してなる基板処理方法。
【請求項６】
前記基板の表面を乾燥する工程が、基板の表面に生成された揮発性溶媒の液玉を吸引して除去し、基板の表面を乾燥する請求項５に記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記基板の表面を乾燥する工程が、基板の表面に生成された揮発性溶媒の液玉を吹き飛ばして除去し、基板の表面を乾燥する請求項５又は６に記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記加熱する工程と前記乾燥する工程を、搬送ローラによる基板の搬送過程に有してなる請求項５〜７のいずれかに記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置は、半導体等の製造工程において、ウェーハや液晶基板等の基板の表面に処理液を供給してその基板表面を処理し、その後、基板表面に超純水等の洗浄液を供給してその基板表面を洗浄し、更にこれを乾燥する装置である。この乾燥工程において、近年の半導体の高集積化や高容量化に伴う微細化によって、例えばメモリセルやゲート周りのパターンが倒壊する問題が発生している。これは、パターン同士の間隔や構造、洗浄液の表面張力等に起因している。
【０００３】
そこで、上述のパターン倒壊を抑制することを目的として、表面張力が超純水よりも小さいＩＰＡ（２−プロパノール：イソプロピルアルコール）を用いた基板乾燥方法が提案されており（例えば、特許文献１参照）、基板表面上の超純水をＩＰＡに置換して基板乾燥を行なう方法が量産工場等で用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開2008-34779号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、半導体の微細化は益々進んでおり、ＩＰＡのように表面張力が小さい有機溶媒等の液体を用いた乾燥であっても、ウェーハの微細パターンがその液体の表面張力等により倒れてしまうことがある。
【０００６】
例えば、液体が乾燥していく過程で基板Ｗの表面の各部の乾燥速度に不均一を生じ、図７（Ｂ）に示す如く、一部のパターンＰ間に液体Ａ１が残ると、その部分の液体Ａ１の表面張力によってパターンが倒壊する。特に、液体が残った部分のパターン同士が液体の表面張力による引き付けによって弾性変形的に倒れ、その液中にわずかに溶けた残渣が凝集し、その後に液体が完全に乾燥すると、倒れたパターン同士が残渣の介在等によって固着してしまう。
【０００７】
また、ウェーハや液晶基板等の基板の大型化に伴い、基板表面を洗浄し、更にこれを乾燥する一連の作業時間は長大化の傾向があり、その生産性の向上が求められている。
【０００８】
本発明の課題は、基板の乾燥時に表面上の液体を瞬時に乾燥させるとともに、基板の生産性を向上することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る基板処理装置は、基板の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、洗浄液が供給された基板の表面に揮発性溶媒を供給し、基板の表面の洗浄液を揮発性溶媒に置換する溶媒供給部と、揮発性溶媒が供給された基板を加熱する加熱手段と、加熱手段による加熱作用で基板の表面に生成された揮発性溶媒の液玉を除去し、基板の表面を乾燥する乾燥手段とを有してなる基板処理装置であって、前記加熱手段と前記乾燥手段を、前記溶媒供給部から搬出された基板の搬送過程に設けてなるようにしたものである。
【００１０】
本発明に係る基板処理方法は、基板の表面に洗浄液を供給する工程と、洗浄液が供給された基板の表面に揮発性溶媒を供給し、基板の表面の洗浄液を揮発性溶媒に置換する工程と、揮発性溶媒が供給された基板を加熱する工程と、基板の加熱によって基板の表面に生成された揮発性溶媒の液玉を除去し、基板の表面を乾燥する工程とを有してなる基板処理方法であって、前記加熱する工程と前記乾燥する工程を、前記揮発性溶媒が供給された後の基板の搬送過程に有してなるようにしたものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の基板処理装置及び基板処理方法によれば、基板の乾燥時に表面上の液体を瞬時に乾燥させるとともに、基板の生産性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は実施例１の基板処理装置を示す模式図である。
【図２】図２は基板処理装置の基板洗浄室の構成を示す模式図である。
【図３】図３は基板処理装置の基板乾燥室の構成を示す模式図である。
【図４】図４は基板処理装置の基板乾燥室の変形例を示す模式図である。
【図５】図５は実施例２の基板処理装置を示す模式図である。
【図６】図６は基板処理装置の変形例を示す模式図である。
【図７】図７は基板表面における揮発性溶媒の乾燥状況を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（実施例１）（図１〜図４）
実施例１の基板処置装置１０は、図１に示す如く、基板給排部２０と、基板保管用バッファ部３０と、複数の基板洗浄室４０と、基板保管用バッファ部３０が有する後述のアウト専用バッファ３２に設けた、複数の基板乾燥室６０とを有し、基板給排部２０と基板保管用バッファ部３０の間に搬送ロボット１１を設け、基板保管用バッファ部３０と基板洗浄室４０の間に搬送ロボット１２を設けている。
【００１４】
基板給排部２０は、複数の基板収納カセット２１を搬入、搬出可能とされる。基板収納カセット２１は、未処理のウェーハや液晶基板等の複数の基板Ｗを収納されて基板給排部２０に搬入されるとともに、基板洗浄室４０及び基板乾燥室６０で処理された基板Ｗを収納されて基板給排部２０から搬出される。未処理の基板Ｗは、搬送ロボット１１により基板給排部２０内の基板収納カセット２１において多段をなす各収納棚から順に取出されて基板保管用バッファ部３０の後述するイン専用バッファ３１（図示せず）に供給され、更に搬送ロボット１２により基板保管用バッファ部３０のイン専用バッファ３１から取出され、基板洗浄室４０に供給されて洗浄処理される。基板洗浄室４０で洗浄処理された基板Ｗは搬送ロボット１２により基板洗浄室４０から取出されて基板保管用バッファ部３０の後述するアウト専用バッファ３２に投入され、基板保管用バッファ部３０のアウト専用バッファ３２内の基板乾燥室６０で乾燥処理された後に搬送ロボット１１により取出され、基板給排部２０内の基板収納カセット２１の空の収納棚に順に排出される。処理済の基板Ｗで満杯になった基板収納カセット２１が基板給排部２０から搬出されるものになる。
【００１５】
基板保管用バッファ部３０は、未処理の基板Ｗを保管する複数のイン専用バッファ３１が多段をなす棚状に設けられるとともに、基板洗浄室４０で洗浄処理された基板Ｗを保管する複数のアウト専用バッファ３２が多段をなす棚状に設けられる。アウト専用バッファ３２の内部には基板乾燥室６０が後述する如くに設けられている。尚、イン専用バッファ３１やアウト専用バッファ３２は多段でなくても良い。
【００１６】
基板洗浄室４０は、図２に示す如く、処理室となる処理ボックス４１と、その処理ボックス４１内に設けられたカップ４２と、そのカップ４２内で基板Ｗを水平状態で支持するテーブル４３と、そのテーブル４３を水平面内で回転させる回転機構４４と、テーブル４３の周囲で昇降する溶媒吸引排出部４５とを備えている。更に、基板洗浄室４０は、テーブル４３上の基板Ｗの表面に薬液を供給する薬液供給部４６と、テーブル４３上の基板Ｗの表面に洗浄液を供給する洗浄液供給部４７と、揮発性溶媒を供給する溶媒供給部４８と、各部を制御する制御部５０を備えている。
【００１７】
処理ボックス４１は基板出し入れ口４１Ａを周壁の一部に開口している。基板出し入れ口４１Ａはシャッタ４１Ｂにより開閉される。
【００１８】
カップ４２は、円筒形状に形成されており、テーブル４３を周囲から囲んで内部に収容する。カップ４２の周壁の上部は斜め上向きに縮径しており、テーブル４３上の基板Ｗが上方に向けて露出するように開口している。このカップ４２は、回転する基板Ｗから流れ落ちた或いは飛散した薬液、洗浄液を受け取る。尚、カップ４２の底部には、受け取った薬液、洗浄液を排出するための排出管（図示せず）が設けられている。
【００１９】
テーブル４３は、カップ４２の中央付近に位置付けられ、水平面内で回転可能に設けられている。このテーブル４３は、ピン等の支持部材４３Ａを複数有しており、これらの支持部材４３Ａにより、ウェーハや液晶基板等の基板Ｗを脱着可能に保持する。
【００２０】
回転機構４４は、テーブル４３に連結された回転軸やその回転軸を回転させる駆動源となるモータ（いずれも図示せず）等を有しており、モータの駆動により回転軸を介してテーブル４３を回転させる。この回転機構４４は制御部５０に電気的に接続されており、その駆動が制御部５０により制御される。
【００２１】
溶媒吸引排出部４５は、テーブル４３の周囲を囲んで環状に開口する溶媒吸引口４５Ａを備える。溶媒吸引排出部４５は溶媒吸引口４５Ａを昇降する昇降機構（図示せず）を有し、テーブル４３のテーブル面より下位に溶媒吸引口４５Ａを位置付ける待機位置と、テーブル４３に保持された基板Ｗの周囲に溶媒吸引口４５Ａを位置付ける作業位置とに、溶媒吸引口４５Ａを昇降する。溶媒吸引口４５Ａは、回転する基板Ｗ上から飛散した揮発性溶媒を吸引して受け取る。尚、溶媒吸引口４５Ａには、揮発性溶媒を吸引するための排気ファン又はバキュームポンプ（図示せず）、及び吸引して受け取った揮発性溶媒を排出するための排出管（図示せず）が接続されている。
【００２２】
薬液供給部４６は、テーブル４３上の基板Ｗの表面に対して斜め方向から薬液を吐出するノズル４６Ａを有しており、このノズル４６Ａからテーブル４３上の基板Ｗの表面に薬液、例えばレジスト剥離処理用のＡＰＭ（アンモニア水及び過酸化水素水の混合液）を供給する。ノズル４６Ａはカップ４２の周壁の上部に装着されており、その角度や吐出流速等は基板Ｗの表面中心付近に薬液が供給されるように調整されている。この薬液供給部４６は制御部５０に電気的に接続されており、その駆動が制御部５０により制御される。尚、薬液供給部４６は、薬液を貯留するタンクや駆動源となるポンプ、供給量を調整する調整弁となるバルブ（いずれも図示せず）等を備えている。
【００２３】
洗浄液供給部４７は、テーブル４３上の基板Ｗの表面に対して斜め方向から洗浄液を吐出するノズル４７Ａを有しており、このノズル４７Ａからテーブル４３上の基板Ｗの表面に洗浄液、例えば洗浄処理用の純水（超純水）を供給する。ノズル４７Ａはカップ４２の周壁の上部に装着されており、その角度や吐出流速等は基板Ｗの表面中心付近に薬液が供給されるように調整されている。この洗浄液供給部４７は制御部５０に電気的に接続されており、その駆動が制御部５０により制御される。尚、洗浄液供給部４７は、洗浄液を貯留するタンクや駆動源となるポンプ、供給量を調整する調整弁となるバルブ（いずれも図示せず）等を備えている。
【００２４】
溶媒供給部４８は、テーブル４３上の基板Ｗの表面に対して斜め方向から揮発性溶媒を吐出するノズル４８Ａを有しており、このノズル４８Ａからテーブル４３上の基板Ｗの表面に揮発性溶媒、例えばＩＰＡを供給する。この溶媒供給部４８は洗浄液供給部４７によって供給された洗浄液で洗浄された基板Ｗの表面に揮発性溶媒を供給し、基板Ｗの表面の洗浄液を揮発性溶媒に置換する。ノズル４８Ａはカップ４２の周壁の上部に装着されており、その角度や吐出流速等は基板Ｗの表面中心付近に揮発性溶媒が供給されるように調整されている。この溶媒供給部４８は制御部５０に電気的に接続されており、その駆動が制御部５０により制御される。尚、溶媒供給部４８は、揮発性溶媒を貯留するタンクや駆動源となるポンプ、供給量を調整する調整弁となるバルブ（いずれも図示せず）等を備えている。
【００２５】
ここで、揮発性溶媒としては、ＩＰＡ以外にも、例えば、エタノール等の１価のアルコール類、また、ジエチルエーテルやエチルメチルエーテル等のエーテル類、更に、炭酸エチレン等を用いることが可能である。尚、揮発性溶媒は、水に可溶であることが好ましい。
【００２６】
制御部５０は、各部を集中的に制御するマイクロコンピュータと、基板処理に関する基板処理情報や各種プログラム等を記憶する記憶部とを備えている。この制御部５０は、基板処理情報や各種プログラムに基づいて回転機構４４や溶媒吸引排出部４５、薬液供給部４６、洗浄液供給部４７、溶媒供給部４８等を制御し、回転中のテーブル４３上の基板Ｗの表面に対し、薬液供給部４６による薬液の供給、洗浄液供給部４７による洗浄液の供給、溶媒供給部４８による揮発性溶媒の供給等の制御を行なう。
【００２７】
基板乾燥室６０は、基板保管用バッファ部３０のアウト専用バッファ３２において多段をなす各棚毎に設けられ、図３に示す如く、処理室となるトンネル状の処理ボックス６１と、その処理ボックス６１内において搬送手段を構成する複数の搬送ローラ６２とを備えている。更に、基板乾燥室６０は、搬送ローラ６２上の基板Ｗの表面にガスを供給するガス供給部６３と、基板洗浄室４０において揮発性溶媒が供給された基板Ｗを加熱する加熱手段６４と、加熱手段６４によって加熱された基板Ｗの表面を乾燥するための吸引乾燥手段６５と、各部を制御する制御部７０とを備えている。尚、吸引乾燥手段６５が配置された位置より下流側にも搬送ローラ６２は設けられるが、図３では省略した。
【００２８】
処理ボックス６１はトンネル状をなし、搬送ロボット１２により基板洗浄室４０から取り出された洗浄処理済の基板Ｗが上流側の開口から投入され、基板乾燥室６０による乾燥処理済の基板Ｗが搬送ロボット１１により処理ボックス６１の下流側の開口から排出される。
【００２９】
搬送ローラ６２はモータ等の駆動手段（図示せず）により回転駆動され、処理ボックス６１の上流側開口から投入された基板Ｗをガス供給部６３、加熱手段６４、吸引乾燥手段６５の下方搬送路に沿って下流側開口の側へと搬送する。この搬送ローラ６２は制御部７０に電気的に接続されており、その駆動が制御部７０により制御される。
【００３０】
ガス供給部６３は、搬送ローラ６２による基板搬送方向に沿う加熱手段６４の上流側にて、搬送ローラ６２の上方に設けられる。ガス供給部６３は、搬送ローラ６２上の基板Ｗの表面の幅方向全域に対して斜め方向からガスを吐出するスリット状のノズル６３Ａを有しており、このノズル６３Ａから搬送ローラ６２上の基板Ｗの表面にガス、例えば窒素ガスを供給し、処理ボックス６１内で基板Ｗの表面上の空間を窒素ガス雰囲気にする。ノズル６３Ａは処理ボックス６１に装着されており、その角度や吐出流速等は基板Ｗの表面の幅方向全域にガスが供給されるように調整されている。このガス供給部６３は制御部７０に電気的に接続されており、その駆動が制御部７０により制御される。尚、ガス供給部６３は、ガスを貯留するタンクや供給量を調整する調整弁となるバルブ（いずれも図示せず）等を備えている。また、基板Ｗの表面に既に供給されている揮発性溶媒が、ノズル６３Ａから吐出するガスで乾燥してしまわないように、その供給量は調整される。
【００３１】
ここで、供給するガスとしては、窒素ガス以外の不活性ガス、例えばアルゴンガスや二酸化炭素ガス、ヘリウムガス等を用いることが可能である。この不活性ガスが基板Ｗの表面に供給されるため、基板Ｗの表面上の酸素を除去し、ウォーターマーク（水シミ）の生成を防ぐことが可能となる。
【００３２】
加熱手段６４は、複数のランプ６４Ａを有しており、搬送ローラ６２の上方に設けられ、各ランプ６４Ａの点灯により搬送ローラ６２上の基板Ｗの表面に光を照射する。加熱手段６４は、処理ボックス６１に装着されるランプケース６４Ｂ内に配置したランプ６４Ａの光を透明カバー６４Ｃから基板Ｗの表面の幅方向全域に照射して基板Ｗを加熱する。この加熱手段６４は制御部７０に電気的に接続されており、その駆動が制御部７０により制御される。
【００３３】
ここで、加熱手段６４としては、例えば直管タイプのランプ６４Ａを複数本並列に設けたものや電球タイプのランプ６４Ａを複数個アレイ状に設けたものを用いることが可能である。また、ランプ６４Ａとしては、例えばハロゲンランプやキセノンフラッシュランプ等を用いることが可能である。
【００３４】
加熱手段６４を用いた基板Ｗの加熱工程では、その加熱手段６４による加熱によって、図７（Ａ）に示すように、基板Ｗの表面上のパターンＰに接触している揮発性溶媒の液体Ａ１が他の部分の揮発性溶媒の液体Ａ１よりも早く気化を始める。つまり、基板Ｗの表面に供給された揮発性溶媒の液体Ａ１のうち、基板Ｗの表面に接触している部分のみが気相になるように急速加熱される。これにより、基板Ｗの表面上のパターンＰの周囲には、揮発性溶媒の液体Ａ１の気化（沸騰）によりガスの層（気泡の集合）、即ち、揮発性溶媒の気層Ａ２が薄膜のように形成される。このため、隣り合うパターンＰの間の揮発性溶媒の液体Ａ１はその気層Ａ２によって基板Ｗの表面に押し出されながら自らの表面張力で多数の液玉になる。
【００３５】
吸引乾燥手段６５は搬送ローラ６２による基板搬送方向に沿う加熱手段６４の下流側にて、搬送ローラ６２の上方に設けられる。吸引乾燥手段６５は、処理ボックス６１に装着され、搬送ローラ６２上の基板Ｗの表面の幅方向全域に向けてスリット状に開口する溶媒吸引口６５Ａを備える。吸引乾燥手段６５は溶媒吸引口６５Ａに付与される吸引力を基板Ｗの表面の幅方向全域に及ぼし、加熱手段６４による加熱作用で前述の如くに基板Ｗの表面に生成された揮発性溶媒の液玉を吸引して除去し、基板Ｗの表面を乾燥する。この吸引乾燥手段６５は制御部７０に電気的に接続されており、その駆動が制御部７０により制御される。尚、溶媒吸引口６５Ａには、揮発性溶媒の液玉を吸引するためのバキュームポンプ（図示せず）が接続されている。
【００３６】
基板乾燥室６０では、吸引乾燥手段６５に加えて吹飛ばし乾燥手段を併用しても良い。この吹飛ばし乾燥手段は、基板Ｗの表面に生成された上述の揮発性溶媒の液玉を噴射ガスにより吹飛ばして除去し、基板Ｗの表面を乾燥する。前述のガス供給部６３をこの吹飛ばし乾燥手段として兼用することもできる。
【００３７】
尚、図４は、基板乾燥室６０の変形例を示すものであり、処理ボックス６１内で基板Ｗの表面上の空間が雰囲気形成手段（図示せず）により窒素ガス雰囲気に制御されているとき、搬送ローラ６２における基板搬送方向に沿う加熱手段６４の下流側に窒素ガス等の不活性ガスを噴射する吹飛ばし乾燥手段６７を設け、この吹飛ばし乾燥手段６７によって基板Ｗの表面に生成される揮発性溶媒の液玉を吹飛ばし除去するようにしたものである。
【００３８】
制御部７０は、各部を集中的に制御するマイクロコンピュータと、基板処理に関する基板処理情報や各種プログラム等を記憶する記憶部とを備えている。この制御部７０は、基板処理情報や各種プログラムに基づいてガス供給部６３、加熱手段６４、吸引乾燥手段６５等を制御し、搬送ローラ６２上の基板Ｗの表面に対し、ガス供給部６３によるガスの供給、加熱手段６４による加熱、吸引乾燥手段６５による吸引力等の制御を行なう。
【００３９】
以下、基板処理装置１０による基板Ｗの洗浄及び乾燥処理手順について説明する。
(1)搬送ロボット１１が基板給排部２０の基板収納カセット２１から基板保管用バッファ部３０のイン専用バッファ３１に供給した基板Ｗを搬送ロボット１２により取り出し、この基板Ｗを基板洗浄室４０のテーブル４３上にセットした状態で、基板洗浄室４０の制御部５０は回転機構４４を制御し、テーブル４３を所定の回転数で回転させ、次いで、溶媒吸引排出部４５を待機位置に位置付けた状態で、薬液供給部４６を制御し、回転するテーブル４３上の基板Ｗの表面にノズル４６Ａから薬液、即ちＡＰＭを所定時間供給する。
薬液としてのＡＰＭは、ノズル４６Ａから、回転するテーブル４３上の基板Ｗの中央に向けて吐出され、基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの表面全体に広がっていく。これにより、テーブル４３上の基板Ｗの表面はＡＰＭにより覆われて処理されることになる。
【００４０】
尚、制御部５０はテーブル４３を上述(1)から後述(3)まで継続して回転させる。このとき、テーブル４３の回転数や所定時間等の処理条件は予め設定されているが、操作者によって任意に変更可能である。
【００４１】
(2)次に、制御部５０は、薬液の供給を停止されてから、洗浄液供給部４７を制御し、回転するテーブル４３上の基板Ｗの表面にノズル４７Ａから洗浄液、即ち超純水を所定時間供給する。洗浄液としての超純水は、ノズル４７Ａから、回転するテーブル４３上の基板Ｗの中央に向けて吐出され、基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの表面全体に広がっていく。これにより、テーブル４３上の基板Ｗの表面は超純水により覆われて洗浄されることになる。
【００４２】
(3)次に、制御部５０は、洗浄液供給部４７による基板Ｗの洗浄が終了すると、溶媒吸引排出部４５を作業位置に位置付け、溶媒供給部４８を制御し、回転するテーブル４３上の基板Ｗの表面にノズル４８Ａから揮発性溶媒、即ちＩＰＡを所定時間供給する。尚、ＩＰＡの供給は、上述(2)による超純水が乾燥する前に行なうことが好ましい。揮発性溶媒としてのＩＰＡは、ノズル４８Ａから、回転するテーブル４３上の基板Ｗの中央に向けて吐出され、基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの表面全体に広がっていく。このとき、回転する基板Ｗ上から飛散するＩＰＡは溶媒吸引排出部４５に吸引される。これにより、テーブル４３上の基板Ｗの表面は超純水からＩＰＡに置換されることになる。尚、このときのテーブル４３、即ち基板Ｗの回転数は、基板Ｗの表面が露出しない程度に、揮発性溶媒の膜が基板Ｗの表面上で薄膜となるように設定されている。
【００４３】
また、溶媒供給部４８のノズル４８Ａから吐出されるＩＰＡの温度はその沸点未満とされ、ＩＰＡを確実に液体の状態として基板Ｗの表面に供給するものとすることにより、基板Ｗの表面の全域において超純水が確実にＩＰＡに均等に置換されるようにする。
【００４４】
(4)次に、制御部５０は、基板洗浄室４０のテーブル４３の回転を停止させ、回転停止されたテーブル４３上の基板Ｗを搬送ロボット１２が基板洗浄室４０より取り出し、この基板Ｗを基板保管用バッファ部３０のアウト専用バッファ３２に設けた基板乾燥室６０における処理ボックス６１の上流側開口から搬送ローラ６２上に投入する。基板乾燥室６０の制御部７０は、ガス供給部６３を制御し、搬送ローラ６２上の基板Ｗの表面にノズル６３Ａからガス、即ち窒素ガスを所定時間供給する。窒素ガスは、ノズル６３Ａから、搬送ローラ６２上の基板Ｗの幅方向全域に向けて吐出される。これにより、搬送ローラ６２上の基板Ｗを包む空間は窒素雰囲気となる。この空間を窒素雰囲気にすることで、酸素濃度を減少させて、基板Ｗの表面におけるウォーターマークの発生を抑止することができる。
【００４５】
(5)次に、制御部７０は、加熱手段６４を制御し、加熱手段６４の各ランプ６４Ａを点灯して、搬送ローラ６２上の基板Ｗを所定時間加熱する。このとき、加熱手段６４は、基板Ｗの温度が10秒で100度以上になることを可能にする加熱を行なうことができる。これにより、基板Ｗの表面上のパターンＰに接触している揮発性溶媒の液体Ａ１を瞬時に気化させ、基板Ｗの表面上における他の部分の揮発性溶媒の液体Ａ１を直ちに液玉化させることが可能となる。
【００４６】
ここで、加熱手段６４による加熱乾燥では、基板ＷのパターンＰに接触している揮発性溶媒たるＩＰＡを瞬時に気化させるため、数秒で数百度の高温まで基板Ｗを加熱することが重要である。またＩＰＡは加熱せず、基板Ｗだけを加熱することも必要である。このためには、波長500〜3000nmにピーク強度を有するランプ６４Ａを用いることが望ましい。また、パターン倒壊率を極めて低くできる確実な乾燥のためには、基板Ｗの最終温度（加熱による到達する最終温度）は、処理液や溶媒の大気圧における沸点よりも20℃以上高めの加熱温度であることが望ましく、加えて、最終温度に達する時間が10秒以内、例えば、数10msec〜数秒の範囲内であることが望ましい。
【００４７】
(6)次に、制御部７０は、吸引乾燥手段６５を制御し、搬送ローラ６２上にて加熱手段６４による加熱作用で基板Ｗの表面に生成されたＩＰＡの液玉を吸引して除去し、基板Ｗの表面を乾燥する。
【００４８】
(7)次に、搬送ロボット１１により基板保管用バッファ部３０のアウト専用バッファ３２に設けた基板乾燥室６０における処理ボックス６１の下流側開口から、搬送ローラ６２上にて洗浄及び乾燥済となっている基板Ｗを取り出し、この基板Ｗを基板給排部２０の基板収納カセット２１に排出する。
【００４９】
従って、基板処理装置１０にあっては、基板保管用バッファ部３０のアウト専用バッファ３２において多段をなす各棚に設けた基板乾燥室６０が備える加熱手段６４と吸引乾燥手段６５（吹飛ばし乾燥手段としてのガス供給部６３、又は吹飛ばし乾燥手段６７を併せ用いることもある）を、基板洗浄室４０が備える溶媒供給部４８から搬出された基板Ｗの搬送過程、即ち上記基板乾燥室６０内の搬送ローラ６２による搬送過程に設けた。そして、基板乾燥室６０内で加熱手段６４により基板Ｗを加熱する工程と、吸引乾燥手段６５により基板Ｗの表面を乾燥する工程を、上記搬送工程、即ち上記基板洗浄室４０内の溶媒供給部４８により揮発性溶媒が供給された後の基板Ｗを該基板洗浄室４０から取り出して搬送ローラ６２により搬送する搬送過程にて行なうものにした。
【００５０】
本実施例によれば以下の作用効果を奏する。
(a)加熱手段６４による基板Ｗの加熱作用により、基板Ｗの表面上のパターンＰの周囲で置換済の揮発性溶媒たるＩＰＡの液体が気化し、これにより、基板Ｗの表面上のパターンＰの周囲にはＩＰＡが気化した気層が薄膜のように形成される。このため、基板Ｗの隣り合うパターンＰの間のＩＰＡの液体は気層によって押し出されながら、自らの表面張力で多数の液玉になる。このようにして基板Ｗの表面に生成されたＩＰＡの液玉は、吸引乾燥手段６５によって基板Ｗの表面から直ちに吸引されて除去される。従って、基板Ｗの全表面でＩＰＡの液体を瞬時に乾燥されることができ、基板Ｗの表面の各部の乾燥速度を均一にする結果、一部のパターンＰの間にＩＰＡの残留を生じることがなく、そのような残留ＩＰＡの液体の表面張力によるパターンＰの倒壊を抑止できる。
【００５１】
(b)加熱手段６４と吸引乾燥手段６５を、溶媒供給部４８から搬出された基板Ｗの搬送過程に設けた。従って、後続の基板Ｗに対する洗浄液供給部４７と溶媒供給部４８による洗浄作業と、先行する基板Ｗに対する加熱手段６４と吸引乾燥手段６５による乾燥作業とを、別ポジションにて互いに並列処理でき、基板Ｗの生産性を向上できる。また、基板Ｗの搬送時間中に、加熱手段６４と吸引乾燥手段６５による乾燥作業を行なうものであり、これによっても基板Ｗの生産性を向上できる。従って、基板Ｗが大型化するときにも、その量産性を向上できる。
【００５２】
（実施例２）（図５、図６）
実施例２の基板処置装置１００は、基板処理室１１０となるトンネル状の処理ボックス１１１と、その処理ボックス１１１内において搬送手段を構成して基板Ｗを搬送する複数の搬送ローラ１１２とを備えている。更に、基板処理装置１００は、搬送ローラ１１２上の基板Ｗの表面に薬液を供給する薬液供給部１１３と、搬送ローラ１１２上の基板Ｗの表面に洗浄液を供給する洗浄液供給部１１４と、揮発性溶媒を供給する溶媒供給部１１５と、搬送ローラ１１２上の基板Ｗの表面にガスを供給するガス供給部１１６と、揮発性溶媒が供給された基板Ｗを加熱する加熱手段１１７と、加熱手段１１７によって加熱された基板Ｗの表面を乾燥するための吸引乾燥手段１１８と、各部を制御する制御部１２０とを備えている。
【００５３】
処理ボックス１１１はトンネル状をなし、未処理の基板Ｗが上流側の開口から投入され、基板処理室１１０による洗浄及び乾燥処理済の基板Ｗを処理ボックス１１１の下流側の開口から排出する。
【００５４】
搬送ローラ１１２はモータ等の駆動手段（図示せず）により回転駆動され、処理ボックス１１１の上流側開口から投入された基板Ｗを薬液供給部１１３、洗浄液供給部１１４、溶媒供給部１１５、ガス供給部１１６、加熱手段１１７、吸引乾燥手段１１８の下方搬送路に沿って下流側開口の側へと搬送する。この搬送ローラ１１２は制御部１２０に電気的に接続されており、その駆動が制御部１２０により制御される。尚、図５、図６においては、薬液供給部１１３、洗浄液供給部１１４、溶媒供給部１１５が、基板Ｗの搬送方向に沿って順次近接して配置されるように示したが、それらの配置間隔は、搬送される基板Ｗの搬送方向長さより大きなピッチで設定されるとともに、各供給部からの液供給量に応じて適宜設定される。
【００５５】
薬液供給部１１３は、搬送ローラ１１２上の基板Ｗの表面の幅方向全域に対して上方から薬液を吐出するスリット状のノズル１１３Ａを有しており、このノズル１１３Ａから搬送ローラ１１２上の基板Ｗの表面に薬液、例えばレジスト剥離処理用のＡＰＭ（アンモニア水及び過酸化水素水の混合液）を供給する。この薬液供給部１１３は制御部１２０に電気的に接続されており、その駆動が制御部１２０により制御される。尚、薬液供給部１１３は、薬液を貯留するタンクや駆動源となるポンプ、供給量を調整する調整弁となるバルブ（いずれも図示せず）等を備えている。
【００５６】
洗浄液供給部１１４は、搬送ローラ１１２上の基板Ｗの表面の幅方向全域に対して上方から洗浄液を吐出するスリット状のノズル１１４Ａを有しており、このノズル１１４Ａから搬送ローラ１１２上の基板Ｗの表面に洗浄液、例えば洗浄処理用の純水（超純水）を供給する。この洗浄液供給部１１４は制御部１２０に電気的に接続されており、その駆動が制御部１２０により制御される。尚、洗浄液供給部１１４は、洗浄液を貯留するタンクや駆動源となるポンプ、供給量を調整する調整弁となるバルブ（いずれも図示せず）等を備えている。
【００５７】
溶媒供給部１１５は、搬送ローラ１１２上の基板Ｗの表面の幅方向全域に対して上方から揮発性溶媒を吐出するスリット状のノズル１１５Ａを有しており、このノズル１１５Ａから搬送ローラ１１２上の基板Ｗの表面に揮発性溶媒、例えばＩＰＡを供給する。この溶媒供給部１１５は洗浄液供給部１１４によって洗浄液が供給済の基板Ｗの表面に揮発性溶媒を供給し、基板Ｗの表面の洗浄液を揮発性溶媒に置換する。この溶媒供給部１１５は制御部１２０に電気的に接続されており、その駆動が制御部１２０により制御される。尚、溶媒供給部１１５は、揮発性溶媒を貯留するタンクや駆動源となるポンプ、供給量を調整する調整弁となるバルブ（いずれも図示せず）等を備えている。
【００５８】
ガス供給部１１６は、搬送ローラ１１２による基板搬送方向に沿う加熱手段１１７の上流側にて、搬送ローラ１１２の上方に設けられる。ガス供給部１１６は、搬送ローラ１１２上の基板Ｗの表面の幅方向全域に対して斜め方向からガスを吐出するスリット状のノズル１１６Ａを有しており、このノズル１１６Ａから搬送ローラ１１２上の基板Ｗの表面にガス、例えば窒素ガス等の不活性ガスを供給し、処理ボックス１１１内で基板Ｗの表面上の空間を窒素ガス雰囲気にする。ノズル１１６Ａは処理ボックス１１１に装着されており、その角度や吐出流速等は基板Ｗの表面の幅方向全域にガスが供給されるように調整されている。このガス供給部１１６は制御部１２０に電気的に接続されており、その駆動が制御部１２０により制御される。尚、ガス供給部１１６は、ガスを貯留するタンクや供給量を調整する調整弁となるバルブ（いずれも図示せず）等を備えている。
【００５９】
加熱手段１１７は、複数のランプ１１７Ａを有しており、搬送ローラ１１２の上方に設けられ、各ランプ１１７Ａの点灯により搬送ローラ１１２上の基板Ｗの表面に光を照射する。加熱手段１１７は、処理ボックス１１１に装着されるランプケース１１７Ｂ内に配置したランプ１１７Ａの光を透明カバー１１７Ｃから基板Ｗの表面の幅方向全域に照射して基板Ｗを加熱する。この加熱手段１１７は制御部１２０に電気的に接続されており、その駆動が制御部１２０により制御される。
【００６０】
加熱手段１１７を用いた基板Ｗの加熱工程では、その加熱手段１１７による加熱によって、図７（Ａ）に示すように、基板Ｗの表面上のパターンＰに接触している揮発性溶媒の液体Ａ１が他の部分の揮発性溶媒の液体Ａ１よりも早く気化を始める。これにより、基板Ｗの表面上のパターンＰの周囲には、揮発性溶媒の液体Ａ１の気化（沸騰）によりガスの層（気泡の集合）、即ち、揮発性溶媒の気層Ａ２が薄膜のように形成される。このため、隣り合うパターンＰの間の揮発性溶媒の液体Ａ１はその気層Ａ２によって基板Ｗの表面に押し出されながら自らの表面張力で多数の液玉になる。
【００６１】
吸引乾燥手段１１８は搬送ローラ１１２による基板搬送方向に沿う加熱手段１１７の下流側にて、搬送ローラ１１２の上方に設けられる。吸引乾燥手段１１８は、処理ボックス１１１に装着され、搬送ローラ１１２上の基板Ｗの表面の幅方向全域に向けてスリット状に開口する溶媒吸引口１１８Ａを備える。吸引乾燥手段１１８は溶媒吸引口１１８Ａに付与される吸引力を基板Ｗの表面の幅方向全域に及ぼし、加熱手段１１７による加熱作用で前述の如くに基板Ｗの表面に生成された揮発性溶媒の液玉を吸引して除去し、基板Ｗの表面を乾燥する。この吸引乾燥手段１１８は制御部１２０に電気的に接続されており、その駆動が制御部１２０により制御される。尚、溶媒吸引口１１８Ａには、揮発性溶媒の液玉を吸引するためのバキュームポンプ（図示せず）が接続されている。
【００６２】
基板処理室１１０では、吸引乾燥手段１１８に加えて吹飛ばし乾燥手段を併用しても良い。この吹飛ばし乾燥手段は、基板Ｗの表面に生成された上述の揮発性溶媒の液玉を噴射ガスにより吹飛ばして除去し、基板Ｗの表面を乾燥する。前述のガス供給部１１６をこの吹飛ばし乾燥手段として兼用することもできる。
【００６３】
尚、図６は、基板処理室１１０の変形例を示すものであり、処理ボックス１１１内で基板Ｗの表面上の空間が雰囲気形成手段（図示せず）により窒素ガス雰囲気に制御されているとき、搬送ローラ１１２における基板搬送方向に沿う加熱手段１１７の下流側に窒素ガス等の不活性ガスを噴射する吹飛ばし乾燥手段１１９を設け、この吹飛ばし乾燥手段１１９によって基板Ｗの表面に生成される揮発性溶媒の液玉を吹飛ばし除去するようにしたものである。
【００６４】
以下、基板処理装置１００による基板Ｗの洗浄及び乾燥処理手順について説明する。
(1)基板処理室１１０における処理ボックス１１１の上流側開口から搬送ローラ１１２上に液晶基板等の基板Ｗが搬入されると、制御部１２０は、薬液供給部１１３を制御し、搬送ローラ１１２上の基板Ｗの表面の幅方向全域にノズル１１３Ａから薬液、即ちＡＰＭを所定時間供給する。これにより、搬送ローラ１１２上の基板Ｗの表面はＡＰＭにより覆われて処理されることになる。
【００６５】
(2)次に、制御部１２０は、薬液の供給を停止されてから、洗浄液供給部１１４を制御し、搬送ローラ１１２上の基板Ｗの表面の幅方向全域にノズル１１４Ａから洗浄液、即ち超純水を所定時間供給する。これにより、搬送ローラ１１２上の基板Ｗの表面は超純水により覆われて洗浄されることになる。
【００６６】
(3)次に、制御部１２０は、溶媒供給部１１５を制御し、搬送ローラ１１２上の基板Ｗの表面の幅方向全域にノズル１１５Ａから揮発性溶媒、即ちＩＰＡを所定時間供給する。これにより、搬送ローラ１１２上の基板Ｗの表面は超純水からＩＰＡに置換されることになる。
【００６７】
(4)次に、制御部１２０は、ガス供給部１１６を制御し、搬送ローラ１１２上の基板Ｗの表面にノズル１１６Ａからガス、即ち窒素ガスを所定時間供給する。窒素ガスは、ノズル１１６Ａから、搬送ローラ１１２上の基板Ｗの幅方向全域に向けて吐出される。これにより、搬送ローラ１１２上の基板Ｗを包む空間は窒素雰囲気となる。この空間を窒素雰囲気にすることで、酸素濃度を減少させて、基板Ｗの表面におけるウォーターマークの発生を抑止することができる。
【００６８】
(5)次に、制御部１２０は、加熱手段１１７を制御し、加熱手段１１７の各ランプ１１７Ａを点灯して、搬送ローラ１１２上の基板Ｗを所定時間加熱する。このとき、加熱手段１１７は、基板Ｗの温度が10秒で100度以上になることを可能にする加熱を行なうことができる。これにより、基板Ｗの表面上のパターンＰに接触している揮発性溶媒の液体Ａ１を瞬時に気化させ、基板Ｗの表面上における他の部分の揮発性溶媒の液体Ａ１を直ちに液玉化させることが可能となる。
【００６９】
ここで、加熱手段１１７による加熱乾燥では、基板ＷのパターンＰに接触している揮発性溶媒たるＩＰＡを瞬時に気化させるため、数秒で数百度の高温まで基板Ｗを加熱することが重要である。またＩＰＡは加熱せず、基板Ｗだけを加熱することも必要である。このためには、波長500〜3000nmにピーク強度を有するランプ１１７Ａを用いることが望ましい。また、確実な乾燥のためには、基板Ｗの最終温度（加熱による到達する最終温度）は、処理液や溶媒の大気圧における沸点よりも20℃以上高めの加熱温度であることが望ましく、加えて、最終温度に達する時間が10秒以内、例えば、数10msec〜数秒の範囲内であることが望ましい。
【００７０】
(6)次に、制御部１２０は、吸引乾燥手段１１８を制御し、搬送ローラ１１２上にて加熱手段１１７による加熱作用で基板Ｗの表面に生成されたＩＰＡの液玉を吸引して除去し、基板Ｗの表面を乾燥する。
【００７１】
(7)次に、基板処理室１１０における処理ボックス１１１の下流側開口から、搬送ローラ１１２上にて洗浄及び乾燥済となっている基板Ｗを取り出し、この基板Ｗを下流工程に排出する。
【００７２】
従って、基板処理装置１００にあっては、加熱手段１１７と吸引乾燥手段１１８（吹飛ばし乾燥手段としてのガス供給部１１６、又は吹飛ばし乾燥手段１１９を併せ用いることもある）を、溶媒供給部１１５から搬出された基板Ｗの搬送ローラ１１２による搬送過程に設けた。そして、加熱手段１１７により基板Ｗを加熱する工程と、吸引乾燥手段１１８により基板Ｗの表面を乾燥する工程を、溶媒供給部１１５により揮発性溶媒が供給された後の基板Ｗの搬送ローラ１１２による搬送過程にて行なうものにした。
【００７３】
本実施例によれば以下の作用効果を奏する。
(a)加熱手段１１７による基板Ｗの加熱作用により、基板Ｗの表面上のパターンＰの周囲で置換済の揮発性溶媒たるＩＰＡの液体が気化し、これにより、基板Ｗの表面上のパターンＰの周囲にはＩＰＡが気化した気層が薄膜のように形成される。このため、基板Ｗの隣り合うパターンＰの間のＩＰＡの液体は気層によって押し出されながら、自らの表面張力で多数の液玉になる。このようにして基板Ｗの表面に生成されたＩＰＡの液玉は、吸引乾燥手段１１８（吹飛ばし乾燥手段としてのガス供給部１１６、又は吹飛ばし乾燥手段１１９を併せ用いることもある）によって基板Ｗの表面から直ちに吸引されて除去される。従って、基板Ｗの全表面でＩＰＡの液体を瞬時に乾燥されることができ、基板Ｗの表面の各部の乾燥速度を均一にする結果、一部のパターンＰの間にＩＰＡの残留を生じることがなく、そのような残留ＩＰＡの液体の表面張力によるパターンＰの倒壊を抑止できる。
【００７４】
(b)加熱手段１１７と吸引乾燥手段１１８を、溶媒供給部１１５から搬出された基板Ｗの搬送過程に設けた。従って、後続の基板Ｗに対する洗浄液供給部１１４と溶媒供給部１１５による洗浄作業と、先行する基板Ｗに対する加熱手段１１７と吸引乾燥手段１１８による乾燥作業とを、別ポジションにて互いに並列処理でき、基板Ｗの生産性を向上できる。また、基板Ｗの搬送時間中に、加熱手段１１７と吸引乾燥手段１１８による乾燥作業を行なうものであり、これによっても基板Ｗの生産性を向上できる。従って、基板Ｗが大型化するときにも、その量産性を向上できる。
【００７５】
以上、本発明の実施例を図面により詳述したが、本発明の具体的な構成はこの実施例に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があっても本発明に含まれる。
【００７６】
例えば、実施例１においては、基板Ｗが基板洗浄室４０から基板乾燥室６０まで搬送される間に基板上の揮発性溶媒が乾燥する恐れもある。そのため、図３、図４に示した基板乾燥室６０における処理ボックス６１の上流側開口に揮発性溶媒の供給装置を設けておき、基板洗浄室４０では洗浄液の供給まで行なった後の基板Ｗを基板乾燥室６０に搬送するとともに、この基板Ｗを基板乾燥室６０に投入するときに、基板Ｗ面上に揮発性溶媒を供給するようにしても良い。
【００７７】
また、実施例では、基板Ｗを搬送ローラ６２、１１２で搬送するようにしたが、ローラに代えて基板Ｗをクランパで挟んで搬送するものであっても良い。
【００７８】
また、乾燥手段としては、吸引乾燥手段６５や１１８を設けることなく、吹飛ばし乾燥手段（ガス供給部６３、１１６又は吹飛ばし乾燥手段６７、１１９）だけを設け、加熱手段６４、１１７による基板Ｗの加熱作用により生じたＩＰＡの液玉を基板上から吹き飛ばすことでＩＰＡの液玉を基板上から排出して基板Ｗを乾燥させるようにしても良い。この場合、吹飛ばしたＩＰＡを受ける受け部材等の回収手段を処理ボックス６１、１１１の下方に配置させておくと好ましい。更には、基板Ｗの加熱作用により生じたＩＰＡの液玉を、基板Ｗを傾けることにより除去するようにしても良い。
【００７９】
例えば、実施例２においては、基板Ｗを搬送させながら、その基板Ｗに対し、薬液、洗浄液、揮発性溶媒などを順次供給するようにしたが、搬送ローラ１１２等を用いて基板Ｗを搬送するとともに、基板の例えば搬送方向中央部が、薬液を吐出するノズル１１３Ａ、洗浄液を吐出するノズル１１４Ａ、そして揮発性溶媒を吐出するノズル１１５Ａに対向したところで基板Ｗの搬送を順次停止させ、この停止している基板Ｗに対して、各ノズルから薬液などの処理液を供給するようにしても良い。加熱手段１１７による基板Ｗの加熱においても同様で、基板Ｗを停止させた状態で加熱するようにしても良い。
【００８０】
実施例１のように、アウト専用バッファ３２を多段にし、各段に基板乾燥室６０を設ければ、各段での乾燥処理を並行して進めることができるので、基板の処理能力を向上させることができるが、アウト専用バッファ３２を多段とせずに１段とし、この段に基板乾燥室を設けるようにしても良い。
【００８１】
ガス供給部６３、１１６による窒素ガス等の不活性ガスの供給動作は、基板Ｗがそれぞれの供給位置に位置付けられた後に開始されるようにしたが、位置付けられる前から供給が開始されるようにしても良い。
【００８２】
例えば実施例１において、加熱手段６４による基板Ｗの加熱は、処理ボックス６１内を減圧した状態で行なうようにしても良い。処理ボックス６１内におけるＩＰＡなど揮発性溶媒の沸点が下がり、大気圧下に比べて低い温度で沸騰するので、基板に与える熱ダメージを軽減することができる。
【００８３】
各実施例において、基板Ｗに対する洗浄液の供給が停止してからＩＰＡなどの揮発性溶媒の供給を開始したが、洗浄液による洗浄の終期で、まだ洗浄液が基板Ｗに対して供給されているときから揮発性溶媒の供給を開始させるようにしても良い。この場合、実施例２においては、洗浄液供給部１１４と溶媒供給部１１５の配置間隔を、搬送される基板Ｗの搬送方向長さより小さな間隔に設定することで実施できる。
【００８４】
各実施例において、供給される気体は、加熱された気体とすることもできる。
【００８５】
各実施例において、ＩＰＡなどの揮発性溶媒を基板Ｗに供給する前に、処理ボックス４１、１１１内に乾燥空気又は窒素などの不活性ガスを供給するようにすると好ましい。
【産業上の利用可能性】
【００８６】
本発明によれば、基板の乾燥時に表面上の液体を瞬時に乾燥させるとともに、基板の生産性を向上させる基板処理装置及び基板処理方法を提供することができる。
【符号の説明】
【００８７】
１０、１００  基板処理装置
４７、１１４  洗浄液供給部
４８、１１５  溶媒供給部
６２、１１２  搬送ローラ
６４、１１７  加熱手段
６５、１１８  吸引乾燥手段（乾燥手段）
６７、１１９  吹飛ばし乾燥手段（乾燥手段）
Ｗ  基板
【図１】
2014207438.tif 000003
【図２】
2014207438.tif 000004
【図３】
2014207438.tif 000005
【図４】
2014207438.tif 000006
【図５】
2014207438.tif 000007
【図６】
2014207438.tif 000008
【図７】
2014207438.tif 000009