(57)【要約】【課題】ショットキーバリアダイオードの温度上昇による負の特性を抑制すべく、放熱にすぐれた端子ボックスを得ることを課題とする。【解決手段】ボックス筐体１９内に負極端子板１１、中間端子板１３と正極端子板１５が配設されていて、負極端子板１１上にフレーム陽極ショットキーバリアダイオード１０１のフレーム板が接触して載置され、正極端子板１５上にフレーム陰極ショットキーバリアダイオード２０１のフレーム板が接触して配置されている。フレーム陽極ショットキーバリアダイオードはフレーム板がダイオードのアノードと導通している。フレーム陰極ショットキーバリアダイオードはフレーム板がダイオードのカソードと導通している。【選択図】図２
2014007265.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボックス筐体と
前記ボックス筐体内に配設され、結晶系シリコン太陽電池モジュールの出力電線が各々接続される、負極端子板、中間端子板、正極端子板、
前記負極端子板と前記正極端子板にそれぞれ接続されて、前記ボックス筐体外に引き出された２本の外部接続ケーブル、
前記負極端子板と前記中間端子板に電気的に接続された第一バイパスダイオード、
前記中間端子板と前記正極端子板に電気的に接続された第二バイパスダイオードを備えた結晶系シリコン太陽電池モジュール用端子ボックスにおいて、
第一バイパスダイオードは第一ショットキーバリアダイオードチップを備えたフレーム陽極ショットキーバリアダイオードであり、第二バイパスダイオードは第二ショットキーバリアダイオードチップを備えたフレーム陰極ショットキーバリアダイオードであり、
第一ショットキーバリアダイオードチップは、板状で上面にカソード電極を形成した半導体基板の下面にＮ型半導体層を形成し、前記Ｎ型半導体層の下面に前記Ｎ型半導体層とショットキー接合する金属層を設け、前記金属層の下面にアノード電極を設けたものであり、
前記フレーム陽極ショットキーバリアダイオードは、導電性の第一フレーム板に第一ショットキーバリアダイオードチップが載置され、前記第一フレーム板の上面と第一ショットキーバリアダイオードチップの前記アノード電極が接触しており、第一ショットキーバリアダイオードチップの前記カソード電極に接続された陰極リードを有しているダイオードであり、
第二ショットキーバリアダイオードチップは、板状で下面にカソード電極を形成した半導体基板の上面にＮ型半導体層を形成し、前記Ｎ型半導体層の上面に前記Ｎ型半導体層とショットキー接合する金属層を設け、前記金属層の上面にアノード電極を設けたものであり、
前記フレーム陰極ショットキーバリアダイオードは、導電性の第二フレーム板に第二ショットキーバリアダイオードチップが載置され、前記第二フレーム板の上面と第二ショットキーバリアダイオードチップの前記カソード電極が接触していて、前記第二ショットキーバリアダイオードチップの前記アノード電極に接続された陽極リードを有しているダイオードであって、
前記負極端子板と前記フレーム陽極ショットキーバリアダイオードの第一フレーム板が接触して配置され、前記フレーム陽極ショットキーバリアダイオードの陰極リードと前記中間端子板が電気導通状態に接続され、
前記正極端子板と前記フレーム陰極ショットキーバリアダイオードの第二フレーム板が接触して配置され、前記フレーム陰極ショットキーバリアダイオードの陽極リードと前記中間端子板が電気導通状態に接続されている結晶系シリコン太陽電池モジュール用の端子ボックス。
【請求項２】
前記負極端子板と前記フレーム陽極ショットキーバリアダイオードの第一フレーム板の接触態様が、
第一フレーム板の下面総面積のＸ％が前記負極端子板と接触し、第一フレーム板の下面総面積の（１００−Ｘ）％が前記負極端子板とは遊離状態にある、接触態様であることを特徴とする請求項１に記載した端子ボックス。ここで、８０≦Ｘ≦１００である。
【請求項３】
前記正極端子板と前記フレーム陰極ショットキーバリアダイオードの第二フレーム板の接触態様が、
第二フレーム板の下面総面積のＹ％が前記正極端子板と接触し、第二フレーム板の下面総面積の（１００−Ｙ）％が前記正極端子板とは遊離状態にある、接触態様であることを特徴とする請求項１に記載した端子ボックス。ここで、８０≦Ｙ≦１００である。
【請求項４】
結晶系シリコン太陽電池モジュールと請求項１乃至３いずれかに記載した端子ボックスからなる端子ボックス付結晶系シリコン太陽電池モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、結晶系シリコン太陽電池モジュールとその電気出力を取り出す外部接続ケーブルを中継する端子ボックス、及び結晶系シリコン太陽電池モジュールと端子ボックスの接続物に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
結晶系シリコン太陽電池モジュールとその電気出力を取り出す外部接続ケーブルを中継する端子ボックスであって、端子ボックスに中に逆流防止用ダイオードとしてショットキーバリアダイオードを用いた太陽電池パネル用端子ボックスが知られている（例えば、特許文献１参照。）。ショットキーバリアダイオードはジャンクション温度（Ｔｊ）の温度上昇につれて漏れ電流（ＩＲ）が指数関数的に増大するという性質を有する。
【０００３】
一方、アモルファス系シリコン太陽電池パネル用端子ボックスの逆流防止用ダイオードとしてＰＮ接合型ダイオードが使用されている。ＰＮ接合型ダイオードは、ショットキーバリアダイオードと比較してＩＲの値が小さい。加えて、ＰＮ接合型ダイオードはＴｊの温度上昇につれてＩＲが増加するが、その増加度合いは、せいぜいＴｊの２乗に比例して増加する程度である。
【０００４】
従って、ショットキーバリアダイオードを用いる端子ボックスにあって、ショットキーバリアダイオードの放熱対策は、ＰＮ接合型ダイオードを用いる端子ボックスにおけるＰＮ接合型ダイオードの放熱対策と同様に肝要である。
【０００５】
上述した特許文献１では、ショットキーバリアダイオードを具備する端子ボックスにあって放熱対策として、(1)放熱板の設置、(2)拡大された端子板の採用を提案している。しかし、このような端子ボックスが十分な放熱性能を発揮するためには、放熱板又は端子板の寸法を大きくする必要があり、ひいては端子ボックスが大きくなる。また、かような放熱板又は端子板の放熱は最終的に端子ボックス筐体と筐体を取り巻く空気との熱交換に依存するものである。空気の熱容量は小さいから、かような端子ボックスでは筐体内に熱が蓄積されがちである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】ＷＯ２００７／０６０７８７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、本発明は、ショットキーバリアダイオードの温度上昇による負の特性を抑制すべく、当該ダイオードを使用する放熱にすぐれた端子ボックスを得ることを課題とする。
【０００８】
また、本発明は放熱に優れた端子ボックスを用いる端子ボックス付結晶系シリコン太陽電池モジュールを得ることを課題とする。
【０００９】
本発明のその他の課題は、本発明の説明により明らかになる。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
以下に課題を解決する手段を説明する。理解を容易にするために、本発明の実施態様に対応する符号を付けて説明するが、本発明は当該実施態様に限定されるものではない。
【００１１】
本発明の一の態様にかかる端子ボックスは、
ボックス筐体(19)と
前記ボックス筐体内に配設され、結晶系シリコン太陽電池モジュールの出力電線が各々接続される、負極端子板(11)、中間端子板(13)、正極端子板(15)、
前記負極端子板と前記正極端子板にそれぞれ接続されて、前記ボックス筐体外に引き出された２本の外部接続ケーブル(17,18)、
前記負極端子板と前記中間端子板に電気的に接続された第一バイパスダイオード、
前記中間端子板と前記正極端子板に電気的に接続された第二バイパスダイオードを備えた結晶系シリコン太陽電池モジュール用端子ボックスにおいて、
第一バイパスダイオードは第一ショットキーバリアダイオードチップ(106)を備えたフレーム陽極ショットキーバリアダイオード(101)であり、第二バイパスダイオードは第二ショットキーバリアダイオードチップ(206)を備えたフレーム陰極ショットキーバリアダイオード(201)であり、
第一ショットキーバリアダイオードチップ(106)は、板状で上面にカソード電極(122)を形成した半導体基板(125)の下面にＮ型半導体層(121)を形成し、前記Ｎ型半導体層の下面に前記Ｎ型半導体層とショットキー接合する金属層(111)を設け、前記金属層の下面にアノード電極(112)を設けたものであり、
前記フレーム陽極ショットキーバリアダイオード(101)は、導電性の第一フレーム板(131)に第一ショットキーバリアダイオードチップが載置され、前記第一フレーム板の上面と第一ショットキーバリアダイオードチップの前記アノード電極(112)が接触しており、第一ショットキーバリアダイオードチップの前記カソード電極に接続された陰極リード(124)を有しているダイオードであり、
第二ショットキーバリアダイオードチップ(206)は、板状で下面にカソード電極(222)を形成した半導体基板(225)の上面にＮ型半導体層(221)を形成し、前記Ｎ型半導体層の上面に前記Ｎ型半導体層とショットキー接合する金属層(211)を設け、前記金属層の上面にアノード電極(212)を設けたものであり、
前記フレーム陰極ショットキーバリアダイオード(201)は、導電性の第二フレーム板(231)に第二ショットキーバリアダイオードチップが載置され、前記第二フレーム板の上面と第二ショットキーバリアダイオードチップの前記カソード電極(222)が接触していて、前記第二ショットキーバリアダイオードチップの前記アノード電極に接続された陽極リード(214)を有しているダイオードであって、
前記負極端子板(11)と前記フレーム陽極ショットキーバリアダイオードの第一フレーム板(131)が接触して配置され、前記フレーム陽極ショットキーバリアダイオードの陰極リード(124)と前記中間端子板(13)が電気導通状態に接続され、
前記正極端子板(15)と前記フレーム陰極ショットキーバリアダイオードの第二フレーム板(231)が接触して配置され、前記フレーム陰極ショットキーバリアダイオードの陽極リード(214)と前記中間端子板(13)が電気導通状態に接続されている結晶系シリコン太陽電池モジュール用の端子ボックスである。
【００１２】
本発明の好ましい一の実施態様にかかる端子ボックスは、
前記負極端子板と前記フレーム陽極ショットキーバリアダイオードの第一フレーム板の接触態様が、
第一フレーム板の下面総面積のＸ％が前記負極端子板と接触し、第一フレーム板の下面総面積の（１００−Ｘ）％が前記負極端子板とは遊離状態にある、接触態様であってもよい。ここで、８０≦Ｘ≦１００である。
【００１３】
このような接触状態であれば、負極端子板と外部接続ケーブルを通じるフレーム陽極ショットキーバリアダイオードの放熱が一層促進されるとともに、負極端子板上へのフレーム陽極ショットキーバリアダイオード配置の自由度が高まり、当該配置態様にかかる設計が容易となる。
【００１４】
本発明の好ましい他の実施態様にかかる端子ボックスは、
前記正極端子板と前記フレーム陰極ショットキーバリアダイオードの第二フレーム板の接触態様が、
第二フレーム板の下面総面積のＹ％が前記正極端子板と接触し、第二フレーム板の下面総面積の（１００−Ｙ）％が前記正極端子板とは遊離状態にある、接触態様であってもよい。ここで、８０≦Ｙ≦１００である。
【００１５】
このような接触状態であれば、正極端子板と外部接続ケーブルを通じるフレーム陰極ショットキーバリアダイオードの放熱が一層促進されるとともに、正極端子板上へのフレーム陰極ショットキーバリアダイオード配置の自由度が高まり、当該配置態様にかかる設計が容易となる。
【００１６】
本発明の他の態様にかかる端子ボックス付結晶系シリコン太陽電池モジュールは、
結晶系シリコン太陽電池モジュールと本発明にかかる端子ボックスからなる。
【００１７】
以上説明した本発明とこれらに含まれる構成要素は可能な限り組み合わせて実施することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明にかかる端子ボックスにあっては、結晶系シリコン太陽電池モジュールの逆流防止ダイオードとして、フレーム陽極ショットキーバリアダイオードとフレーム陰極ショットキーバリアダイオードを併用したので、従来中間端子板上に載置されていた逆流防止ダイオードが負極端子板と接触して配置されている。当該フレーム陽極ショットキーバリアダイオードの発熱は、負極端子板と負極外部接続ケーブルを伝導して端子ボックスの外に放熱される。すなわち、フレーム陽極ショットキーバリアダイオードの発熱は、良好な熱伝導体を介在して端子ボックスの外に放熱される。
【００１９】
また、フレーム陰極ショットキーバリアダイオードは正極端子板と接触して配置されている。当該フレーム陰極ショットキーバリアダイオードの発熱は、正極端子板と正極外部接続ケーブルを伝導して放熱される。すなわち、上記と同様に、フレーム陰極ショットキーバリアダイオードの発熱は、良好な熱伝導体を介在して端子ボックスの外に放熱される。
【００２０】
このため、本発明にかかる端子ボックスは放熱にすぐれた端子ボックスとなる。ひいては、逆流防止ダイオードであるショットキーバリアダイオードのＩＲを小さい値に保持可能な端子ボックスとなる。
【００２１】
本発明にかかる端子ボックス付結晶系シリコン太陽電池モジュールは、放熱に優れた端子ボックスを用いているので、信頼性にすぐれ、また、長期間の使用が可能なものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】結晶系シリコン太陽電池モジュールの等価回路図である。
【図２】端子ボックス１０の平面図である。
【図３】端子ボックス中に配置された端子板の平面図である。
【図４】端子ボックス１０のＡ−Ｂ線の断面図である。
【図５】フレーム陽極ショットキーバリアダイオード１０１の斜視図である。
【図６】フレーム陽極ショットキーバリアダイオード１０１の説明図である。
【図７】フレーム陰極ショットキーバリアダイオード２０１の斜視図である。
【図８】フレーム陰極ショットキーバリアダイオード２０１の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図面を参照して本発明の実施例にかかる端子ボックスと端子ボックス付結晶系シリコン太陽電池モジュールをさらに説明する。本明細書において参照する各図は、本発明の理解を容易にするため、一部の構成要素を誇張して表すなど模式的に表しているものがある。このため、構成要素間の寸法、比率、などは実物と異なっている場合がある。また、図面縦横の縮小・拡大比率を異にして描いている場合がある。本発明の実施例に記載した部材や部分の寸法、材質、形状、その相対位置などは、とくに特定的な記載のない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではなく、単なる説明例にすぎない。
【００２４】
図１は結晶系シリコン太陽電池モジュールの回路図である。図２は端子ボックス１０の平面図であり、図３は端子板の平面図であり、図４は端子ボックス１０のＡ−Ｂ線の断面図である。図５はフレーム陽極ショットキーバリアダイオード１０１の斜視図であり、図６はフレーム陽極ショットキーバリアダイオード１０１の説明図である。図７はフレーム陰極ショットキーバリアダイオード２０１の斜視図であり、図８はフレーム陰極ショットキーバリアダイオード２０１の説明図である。
【００２５】
結晶系シリコン太陽電池モジュール７１内には、結晶系シリコン太陽電池セル７２が複数直列に接続された第一セルストリング７３と、結晶系シリコン太陽電池セル７２が複数直列に接続された第二セルストリング７６が配設されている。端子ボックス１０内には、負極端子板１１、中間端子板１３、正極端子板１５が配置されている。
【００２６】
第一セルストリング７３の一方の出力線７４は負極端子板１１に接続され、他方の出力線７５は中間端子板１３に接続される。第二セルストリング７６の一方の出力線は、上記出力線７５と共通であり、中間端子板１３と導通している。第二セルストリング７６の他方の出力線７７は正極端子板１５に接続される。
【００２７】
図２、図３と図４などを参照して、端子ボックス１０は、筐体１９内に負極端子板１１、中間端子板１３、正極端子板１５を配設している。筐体１９に蓋２８が付着する。
【００２８】
負極端子板１１、中間端子板１３と正極端子板１５は、例えば、銅、黄銅、錫めっき銅などの導電性材料からなる板である。負極端子板１１は貫通穴２２を有し、中間端子板１３は貫通穴２３を有し、正極端子板１５は貫通穴２４を有している。それぞれの貫通穴に、筐体に設けた突起部を通し当該突起部に菊座止め具を付けることで、それぞれの端子板を筐体１９に固定している。
【００２９】
負極端子板１１はかしめ部２６を有している。負極外部接続ケーブル１７の芯線がかしめ部２６に位置付けられ、かしめ止めによって固定され、負極端子板１１と負極外部接続ケーブル１７が電気接続されている。同時に、負極端子板１１と負極外部接続ケーブル１７が熱的な接触状態に置かれている。負極外部接続ケーブル１７の他端は筐体１９の外に出ている。
【００３０】
正極端子板１５はかしめ部２７を有している。正極外部接続ケーブル１８の芯線がかしめ部２７に位置付けられ、かしめ止めによって固定され、正極端子板１５と正極外部接続ケーブル１８が電気接続されている。同時に、正極端子板１５と正極外部接続ケーブル１８が熱的な接触状態に置かれている。正極外部接続ケーブル１８の他端は筐体１９の外に出ている。
【００３１】
負極端子板１１は出力線受容部１２を有し、中間端子板１３は出力線受容部１４を有し、正極端子板１５は出力線受容部１６を有している。それぞれの出力線受容部に結晶系シリコン太陽電池モジュールからの出力線がはんだ付けなどの接続手段で接続される。筐体１９は底板開口部２０を有する。底板開口部２０を経由して、当該出力線が筐体１９内に導かれる。
【００３２】
負極端子板１１の上にフレーム陽極ショットキーバリアダイオード１０１が載置されている。フレーム陽極ショットキーバリアダイオードの貫通穴１３７と負極端子板１１の貫通穴２１にリベットを通し、リベットを座屈させることにより、負極端子板１１とフレーム陽極ショットキーバリアダイオード１０１が固定されている。
【００３３】
負極端子板１１の上面とフレーム陽極ショットキーバリアダイオード１０１における第一フレーム板の下面１３３が接触し、負極端子板１１はフレーム陽極ショットキーバリアダイオード１０１の陽極と電気的に導通状態にされている。同時に負極端子板１１はフレーム陽極ショットキーバリアダイオード１０１と熱的にも導通状態となる。このため、フレーム陽極ショットキーバリアダイオード１０１で発生する熱は、負極端子板１１を伝導し、負極外部接続ケーブル１７を伝導し、外界に放熱される。
【００３４】
フレーム陽極ショットキーバリアダイオード１０１の陰極リード１２４を貫通穴１４２に通し、はんだ付けをしている。これにより、フレーム陽極ショットキーバリアダイオード１０１の陰極リード１２４は中間端子板１３と接続されている。また、フレーム陽極ショットキーバリアダイオード１０１の陽極リード１１４を貫通穴１４１に通し、はんだ付けをしている。これにより、フレーム陽極ショットキーバリアダイオード１０１の陽極と負極端子板１１の電気接続の確実化を図っている。
【００３５】
正極端子板１５の上にフレーム陰極ショットキーバリアダイオード２０１が載置されている。フレーム陰極ショットキーバリアダイオードの貫通穴２３７と正極端子板１５の貫通穴２５にリベットを通し、リベットを座屈させることにより、正極端子板１５とフレーム陰極ショットキーバリアダイオード２０１が固定されている。
【００３６】
正極端子板１５の上面とフレーム陰極ショットキーバリアダイオード２０１における第二フレーム板の下面２３３が接触し、正極端子板１５はフレーム陰極ショットキーバリアダイオード２０１の陰極と電気的に導通状態にされている。同時に正極端子板１５はフレーム陰極ショットキーバリアダイオード２０１と熱的にも導通状態となる。このため、フレーム陰極ショットキーバリアダイオード２０１で発生する熱は、正極端子板１５を伝導し、正極外部接続ケーブル１８を伝導し、外界に放熱される。
【００３７】
フレーム陰極ショットキーバリアダイオード２０１の陽極リード２１４を貫通穴１４３に通し、はんだ付けをしている。これにより、フレーム陰極ショットキーバリアダイオード１０１の陽極リード２１４は中間端子板１３と接続されている。また、フレーム陰極ショットキーバリアダイオード２０１の陰極リード２２４を貫通穴１４４に通し、はんだ付けをしている。これにより、フレーム陰極ショットキーバリアダイオード２０１の陰極と正極端子板１５の電気接続の確実化を図っている。
【００３８】
端子ボックス１０にあっては、結晶系シリコン太陽電池モジュールの逆流防止ダイオードとして、フレーム陽極ショットキーバリアダイオード１０１とフレーム陰極ショットキーバリアダイオード２０１を併用した。このため、従来中間端子板上に載置されていた逆流防止ダイオードを、負極端子板上に載置するという位置付けの変更が可能となった。端子ボックス１０は、負極外部接続ケーブルを伝導する放熱を利用することができ、逆流防止ダイオードが発する熱を、良熱伝導体を通じて筐体外に放熱するという効果を有する。
【００３９】
負極端子板１１とフレーム陽極ショットキーバリアダイオードの第一フレーム板１３１の接触態様に関しては、第一フレーム板の下面総面積のＸ％が負極端子板と接触し、第一フレーム板の下面総面積の（１００−Ｘ）％が負極端子板とは遊離状態にある、接触態様であることが好ましい。ここで、８０≦Ｘ≦１００である。また、遊離状態は離間状態と言い換えることもできる。このような接触状態であれば、負極端子板と外部接続ケーブルを通じるフレーム陽極ショットキーバリアダイオードの放熱が一層促進されるとともに、負極端子板上へのフレーム陽極ショットキーバリアダイオード配置の自由度が高まり、当該配置態様にかかる設計が容易となる。
【００４０】
正極端子板１５とフレーム陰極ショットキーバリアダイオードの第二フレーム板２３１の接触態様に関しては、第二フレーム板の下面総面積のＹ％が正極端子板と接触し、第二フレーム板の下面総面積の（１００−Ｙ）％が前記正極端子板とは遊離状態にある、接触態様であることが好ましい。ここで、８０≦Ｙ≦１００である。また、遊離状態は離間状態と言い換えることもできる。このような接触状態であれば、正極端子板と外部接続ケーブルを通じるフレーム陰極ショットキーバリアダイオードの放熱が一層促進されるとともに、正極端子板上へのフレーム陰極ショットキーバリアダイオード配置の自由度が高まり、当該配置態様にかかる設計が容易となる。
【００４１】
続いて、フレーム陽極ショットキーバリアダイオード１０１を説明する。図５と図６を参照して、フレーム陽極ショットキーバリアダイオード１０１は、第一フレーム板１３１の上面１３２に第一ショットキーバリアダイオードチップ１０６が載置されている。第一ショットキーバリアダイオードチップ１０６は、板状の半導体基板１２５の下面にＮ型半導体層１２１を層状に形成し、Ｎ型半導体層１２１の下面に金属層１１１を設けたものである。金属層１１１はＮ型半導体層１２１とショットキー接合している。半導体基板１２５の上面にはカソード電極１２２が形成されている。金属層１１１の下面にはアノード電極１１２が形成されている。
【００４２】
カソード電極１２２には、陰極接続子１２３の一方端が接続され、陰極接続子１２３の他方端は陰極リード１２４の一端に接続されている。アノード電極１１２は第一フレーム板１３１の上面１３２に接続されている。第一フレーム板１３１の一部分に陽極接続子１１３の一方端が接続され、陽極接続子１１３の他方端は陽極リード１１４の一端に接続されている。陽極接続子と陽極リード素子からなる陽極リードに置換して、第一フレーム板１３１の一部に突出部を形成し、当該突出部を陽極リードとしてもよい。
【００４３】
このように、第一フレーム板１３１は、アノード電極側と導通している。
【００４４】
第一フレーム板１３１は、例えば、銅製である。陽極リード１１４、陰極リード１２４、陽極接続子１１３と陰極接続子１２３は、例えば、銅製、アルミニウム製である。
【００４５】
アノード電極１１２と第一フレーム板１３１の間は、マウント材により接続する。マウント材は例えば、半田である。半田は高温半田が好ましい。その他、超音波方式のボンディング、ダイボンディングであってもよい。陽極接続子１１３とフレーム板１３１及び陽極リード１１４の接続も同様である。陰極接続子１２３とカソード電極１２２及び陰極リード１２４の接続も同様である。
【００４６】
フレーム板１３１の上面１３２と第一ショットキーバリアダイオードチップ１０６は、樹脂モールド１３６に覆われている。樹脂モールド１３６は、陰極リード１２４と陽極リード１１４側に延長され（図中１３８が当該延長部分である）、陰極リード１２４と陽極リード１１４の一部を被覆している。また、樹脂モールド１３６は、陰極接続子１２３と陽極接続子１１３を被覆している。図１には、樹脂モールド１３６を一点鎖線で示し、また、一部の境界線を省略して図示している。
【００４７】
フレーム板１３１の下面１３３と、樹脂モールド延長部１３８の下面は面一である。フレーム板に貫通穴１３７が形成されている。貫通穴１３７は、リベット、ネジなどを受け入れ、フレーム陽極ショットキーバリアダイオード１０１の固定に使用される。
【００４８】
第一ショットキーバリアダイオードチップの平面形状は特に制限はない。正方形、長方形、正多角形、円形などにすればよい。ダイオードチップの原板から、余白なく切り取れることから、正方形、長方形、正六角形が好ましい。マウント作業の容易性を考慮すれば、正方形が特に好ましい。
【００４９】
つづいて、フレーム陰極ショットキーバリアダイオード２０１を説明する。図７と図８を参照して、フレーム陰極ショットキーバリアダイオード２０１は、第二フレーム板２３１の上面２３２に第二ショットキーバリアダイオードチップ２０６が載置されている。第二ショットキーバリアダイオードチップ２０６は、板状の半導体基板２２５の上面にＮ型半導体層２２１を層状に形成し、Ｎ型半導体層２２１の上面に金属層２１１を設けたものである。金属層２１１はＮ型半導体層２２１とショットキー接合している。半導体基板２２５の下面にはカソード電極２２２が形成されている。金属層２１１の上面にはアノード電極２１２が形成されている。
【００５０】
アノード電極２１２には、陽極接続子２１３の一方端が接続され、陽極接続子２１３の他方端は陽極リード２１４の一端に接続されている。カソード電極２２２は第二フレーム板２３１の上面２３２に接続されている。第二フレーム板２３１の一部分に陰極接続子２２３の一方端が接続され、陰極接続子２２３の他方端は陰極リード２２４の一端に接続されている。陰極接続子と陰極リード素子からなる陰極リードに置換して、第二フレーム板２３１の一部に突出部を形成し、当該突出部を陰極リードとしてもよい。
【００５１】
このように、第二フレーム板２３１は、カソード電極側と導通している。
【００５２】
第二フレーム板２３１は、例えば、銅製である。陰極リード２２４、陽極リード２１４、陰極接続子２２３と陽極接続子２１３は、例えば、銅製、アルミニウム製である。
【００５３】
カソード電極２２２と第二フレーム板２３１の間は、マウント材により接続する。マウント材は例えば、半田である。半田は高温半田が好ましい。その他、超音波方式のボンディング、ダイボンディングであってもよい。陰極接続子２２３と第二フレーム板２３１及び陰極リード２２４の接続も同様である。陽極接続子２１３とアノード電極２１２及び陽極リード２１４の接続も同様である。
【００５４】
第二フレーム板２３１の上面２３２と第二ショットキーバリアダイオードチップ２０６は、樹脂モールド２３６に覆われている。樹脂モールド２３６は、陽極リード２１４と陰極リード２２４側に延長され、陽極リード２１４と陰極リード２２４の一部を被覆している。また、樹脂モールド２３６は、陽極接続子２１３と陰極接続子２２３を被覆している。図７には、樹脂モールド２３６を一点鎖線で示し、また、一部の境界線を省略して図示している。
【００５５】
第二フレーム板２３１の下面２３３と、樹脂モールド延長部の下面は面一である。第二フレーム板に貫通穴２３７が形成されている。貫通穴２３７は、リベット、ネジなどを受け入れ、フレーム陰極ショットキーバリアダイオード２０１の固定に使用される。
【００５６】
第二ショットキーバリアダイオードチップ２０６の平面形状は特に制限はない。正方形、長方形、正多角形、円形などにすればよい。ダイオードチップの原板から、余白なく切り取れることから、正方形、長方形、正六角形が好ましい。マウント作業の容易性を考慮すれば、正方形が特に好ましい。
【００５７】
Ｎ型半導体層１２１、２２１は、例えばエピタキシャル成長で形成する。金属層１１１、２１１は、例えばニッケル層、クロム層、モリブデン層である。
【００５８】
以上説明した端子ボックスは、端子板の数が３、すなわち中間端子板の数が１の端子ボックスに限られず、中間端子板の数が２以上であっても同様な態様で実施することができ、本発明の技術範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５９】
１０  端子ボックス
１１  負極端子板
１３  中間端子板
１５  正極端子板
１７  負極外部接続ケーブル
１８  正極外部接続ケーブル
１９  筐体
７１  結晶系シリコン太陽電池モジュール
１０１  フレーム陽極ショットキーバリアダイオード
１０６  第一ショットキーバリアダイオードチップ
１１１  金属層
１１２  アノード電極
１１３  陽極接続子
１１４  陽極リード
１２１  Ｎ型半導体層
１２２  カソード電極
１２３  陰極接続子
１２４  陰極リード
１２５  半導体基板
１３１  第一フレーム板
１３６  樹脂モールド
２０１  フレーム陰極ショットキーバリアダイオード
２０６  第二ショットキーバリアダイオードチップ
２１１  金属層
２１２  アノード電極
２１３  陽極接続子
２１４  陽極リード
２２１  Ｎ型半導体層
２２２  カソード電極
２２３  陰極接続子
２２４  陰極リード
２２５  半導体基板
２３１  第二フレーム板
２３６  樹脂モールド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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