(57)【要約】【課題】ウエハの表面と裏面との両面にレジスト材を塗布する場合において、レジスト材の回り込み付着による凹凸部分の形成を抑制することによって、露光による電極パターンのパターニング精度の低下を抑制できるレジスト塗布装置およびレジスト塗布方法を提供することを目的とする。また、かかるレジスト塗布装置またはレジスト塗布方法を用いて製造される圧電振動片を提供することを目的とする。【解決手段】所定平面に沿ってウエハを保持するステージ装置と、前記所定平面の一方側に設けられ、前記ウエハに対してレジスト材を塗布する塗布部と、前記所定平面の他方側の空間を負圧吸引する吸引装置と、を備えるレジスト塗布装置。【選択図】図１
2014170809.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定平面に沿ってウエハを保持するステージ装置と、
前記所定平面の一方側に設けられ、前記ウエハに対してレジスト材を塗布する塗布部と、
前記所定平面の他方側の空間を負圧吸引する吸引装置と、
を備えるレジスト塗布装置。
【請求項２】
前記ステージ装置には、前記空間に開口し、前記吸引装置に接続された穴部が形成されている、請求項１に記載のレジスト塗布装置。
【請求項３】
前記穴部は、前記塗布部からの距離が離れるに従って、前記空間に臨む開口面積が大きくなる、請求項２に記載のレジスト塗布装置。
【請求項４】
前記吸引装置の吸引力は、前記塗布部からの距離が離れるに従って強くなる、請求項１から３のいずれか１項に記載のレジスト塗布装置。
【請求項５】
ウエハの第１の面を前記所定平面に沿って設ける工程と、
レジスト材を塗布する塗布部によって、前記所定平面の一方側から、前記ウエハの第１の面にレジスト材を塗布する工程と、
前記ウエハを反転させて、前記第１の面と逆側の第２の面を、前記所定平面の一方側とする工程と、
前記塗布部によって、前記所定平面の一方側から、前記ウエハの第２の面にレジスト材を塗布する工程と、
を備え、
少なくとも前記ウエハの第２の面にレジスト材を塗布する工程で、前記所定平面の他方側の空間を負圧吸引する工程を含むレジスト塗布方法。
【請求項６】
前記ウエハの第２の面にレジスト材を塗布する工程の後に、所定時間、前記所定平面の他方側の空間を負圧吸引する、請求項５に記載のレジスト塗布方法。
【請求項７】
前記ウエハには、前記空間に開口する貫通穴部が形成されている、請求項５または６に記載のレジスト塗布方法。
【請求項８】
前記貫通穴部は、前記塗布部からの距離が離れるに従って、前記空間に臨む開口面積が大きくなる、請求項７に記載のレジスト塗布方法。
【請求項９】
前記負圧吸引の吸引力は、前記塗布部からの距離が離れるに従って強くなる、請求項５から８のいずれか１項に記載のレジスト塗布方法。
【請求項１０】
請求項１に記載のレジスト塗布装置または請求項５に記載のレジスト塗布方法を用いて製造された圧電振動片。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水晶やタンタル酸リチウム等の圧電材料によって形成されるウエハに対してレジスト材を塗布するレジスト塗布装置、レジスト塗布方法および圧電振動片に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、電極膜の上に塗布されたレジスト材を、フォトリソグラフィー技術を用いてパターニング化し、該パターニング化されたレジスト層をマスク手段として利用してエッチングを行うことで、ウエハ上に所定の電極パターンを形成する技術が知られている。レジスト材の塗布方法は様々な方法が知られているが、代表的な塗布方法の一つとして、スプレー塗布によってレジスト材を被対象物に塗布するスプレー塗布方法が知られている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１６５６５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来技術には次の課題があった。
スプレー塗布方法を用いて、ウエハの表面と裏面との両面に対してレジスト材を塗布する場合、ウエハの一方側の面にレジスト材を塗布した後に、ウエハの他方側の面に対してレジスト材を噴射する。この際、ウエハの他方側の面に対して噴射されたレジスト材のうち余分なレジスト材の一部が浮遊し、ウエハの一方側の面に回り込む可能性がある。これにより、すでにレジスト材が塗布されたウエハの一方側の面にレジスト材が付着し（回り込み付着）、ウエハの一方側の面上にレジスト材による凹凸部分が形成される。そのため、フォトリソグラフィーの露光工程の際に、レジスト材の回り込み付着によって形成された凹凸部分において露光光が屈折または反射し、電極パターンのパターニング精度が低下するという課題があった。
【０００５】
本願発明は上記課題を解決すべくなされた発明であり、ウエハの表面と裏面との両面にレジスト材を塗布する場合において、レジスト材の回り込み付着による凹凸部分の形成を抑制することによって、露光による電極パターンのパターニング精度の低下を抑制できるレジスト塗布装置およびレジスト塗布方法を提供することを目的とする。また、かかるレジスト塗布装置またはレジスト塗布方法を用いて製造される圧電振動片を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のレジスト塗布装置は、所定平面に沿ってウエハを保持するステージ装置と、前記所定平面の一方側に設けられ、前記ウエハに対してレジスト材を塗布する塗布部と、前記所定平面の他方側の空間を負圧吸引する吸引装置と、を備える。
【０００７】
この構成によれば、吸引装置によって所定平面の他方側の空間を負圧吸引することにより、所定平面の一方側から、ウエハを介して、所定平面の他方側へと流れる空気流を発生させることができる。これにより、塗布部から噴出されたレジスト材は、吸引装置によって発生した空気流によって、所定平面の一方側から、ウエハを介して、所定平面の他方側へと流される。そのため、ウエハの一方側の面に付着しない余分なレジスト材を所定平面の他方側に流して除去でき、レジスト材がウエハの他方側の面に回り込んで付着することを抑制できる。したがって、レジスト材の回り込み付着による凹凸部分の形成を抑制でき、フォトレジスト膜の表面を平滑化できる。その結果、後工程である露光工程において、露光による電極パターンのパターニング精度の低下を抑制できる。
【０００８】
前記ステージ装置には、前記空間に開口し、前記吸引装置に接続された穴部が形成されていてもよい。
この構成によれば、吸引装置によって吸引を行うことによって、所定平面の他方側の空間から、ステージ装置の穴部を介して、吸引装置に流れる空気流が発生する。これにより、余分なレジスト材をステージ装置の穴部を介して除去できる。したがって、吸引装置を、ステージ装置を介して設けることができるため、レジスト塗布装置の製造が容易である。
【０００９】
前記穴部は、前記塗布部からの距離が離れるに従って、前記空間に臨む開口面積が大きくなってもよい。
塗布部から噴出されるレジスト材は、溶媒と共に噴出されるため、レジスト材は溶媒によって湿っている。しかし、レジスト材が噴出されてからウエハに付着するまでの距離が長いと、ウエハの塗布面近傍に到達するまでの間に溶媒が蒸発し、レジスト材は乾いた状態となる。そのため、レジスト材は、軽く、浮遊しやすくなり、ウエハの他方側の面に回り込みやすくなる。したがって、ウエハ上おいて、塗布部からの距離が離れるほど、レジスト材の回り込み付着が発生しやすい。
【００１０】
これに対して、この構成によれば、塗布部からの距離が離れるほど、ステージ装置の穴部における、所定平面の他方側の空間に臨む開口面積が大きくなっているため、ステージ装置の穴部の吸気抵抗が小さくなり、ステージ装置の穴部を介して流通する空気流の流量は大きくなる。そのため、ウエハ上におけるレジスト材の回り込み付着が発生しやすい位置の空気流ほど流量が多く、余分なレジスト材を効率よく除去できる。したがって、レジスト材の回り込み付着を効率的に抑制できる。
【００１１】
前記吸引装置の吸引力は、前記塗布部からの距離が離れるに従って強くなってもよい。
この構成によれば、塗布部からの距離が離れるほど、吸引装置の吸引力が強いため、吸引装置によって発生する空気流の流量は多くなる。そのため、ウエハ上におけるレジスト材の回り込み付着が発生しやすい位置の空気流ほど流量が多く、余分なレジスト材を効率よく除去できる。したがって、レジスト材の回り込み付着を効率的に抑制できる。また、吸引装置の出力をウエハの位置によって適切に調整することにより、エネルギー効率を高くできる。
【００１２】
本発明のレジスト塗布方法は、ウエハの第１の面を前記所定平面に沿って設ける工程と、レジスト材を塗布する塗布部によって、前記所定平面の一方側から、前記ウエハの第１の面にレジスト材を塗布する工程と、前記ウエハを反転させて、前記第１の面と逆側の第２の面を、前記所定平面の一方側とする工程と、前記塗布部によって、前記所定平面の一方側から、前記ウエハの第２の面にレジスト材を塗布する工程と、を備え、少なくとも前記ウエハの第２の面にレジスト材を塗布する工程で、前記所定平面の他方側の空間を負圧吸引する工程を含む。
【００１３】
この方法によれば、ウエハを所定平面に沿って設け、所定平面の一方側からウエハの第１の面にレジスト材を塗布した後に、ウエハを反転させて、ウエハの第１の面と逆側の第２の面を所定平面の一方側とする。そして、ウエハの第２の面にレジスト材を塗布する。ウエハの第２の面にレジスト材を塗布する工程においては、所定平面の他方側の空間が負圧吸引される。これにより、所定平面の一方側から、ウエハを介して、所定平面の他方側へ流れる空気流が発生するため、ウエハの第２の面にレジスト材を塗布する際に、余分なレジスト材が空気流によって所定平面の他方側へと除去される。そのため、すでにレジスト材が塗布されたウエハの第１の面にレジスト材が回り込んで付着することを抑制できる。したがって、ウエハの第１の面における、レジスト材の付着による凹凸部分の形成が抑制され、露光による電極パターンのパターニング精度の低下を抑制できる。
【００１４】
前記ウエハの第２の面にレジスト材を塗布する工程の後に、所定時間、前記所定平面の他方側の空間を負圧吸引してもよい。
この方法によれば、ウエハの第２の面にレジスト材を塗布した後に、ウエハの周辺に浮遊するレジスト材が残存しているような場合であっても、吸引によって発生する空気流で、浮遊しているレジスト材を除去することができる。
【００１５】
前記ウエハには、前記空間に開口する貫通穴部が形成されていてもよい。
この方法によれば、所定平面の他方側の空間を吸引することによって、所定平面の一方側から、ウエハの貫通穴部を介して、所定平面の他方側に流れる空気流が発生する。これにより、ウエハ周辺に浮遊するレジスト材を、ウエハを介した空気流によって除去できるため、効率的である。
【００１６】
前記貫通穴部は、前記塗布部からの距離が離れるに従って、前記空間に臨む開口面積が大きくなってもよい。
この方法によれば、塗布部からの距離が離れるほど、ウエハの貫通穴部における、所定平面の他方側の空間に臨む開口面積が大きくなっているため、ウエハの貫通穴部の吸気抵抗が小さくなり、ウエハの貫通穴部を介して流通する空気流の流量は大きくなる。そのため、ウエハ上におけるレジスト材の回り込み付着が発生しやすい位置の空気流ほど流量が多く、余分なレジスト材を効率よく除去できる。したがって、レジスト材の回り込み付着を効率的に抑制できる。
【００１７】
前記負圧吸引の吸引力は、前記塗布部からの距離が離れるに従って強くなってもよい。
この方法によれば、塗布部からの距離が離れるほど、負圧吸引の吸引力が強いため、負圧吸引によって発生する空気流の流量は多くなる。そのため、ウエハ上におけるレジスト材の回り込み付着が発生しやすい位置の空気流ほど流量が多く、余分なレジスト材を効率よく除去できる。したがって、レジスト材の回り込み付着を効率的に抑制できる。また、負圧吸引の吸引力をウエハの位置によって適切に調整することにより、負圧吸引を行うためのエネルギー効率を高くできる。
【００１８】
本発明の圧電振動片は、本発明のレジスト塗布装置またはレジスト塗布方法を用いて製造されている。
この構成によれば、ウエハの面上における、レジスト材の回り込み付着による凹凸部分の形成が抑制され、露光による電極パターンのパターニング精度が向上する。そのため、電極膜のエッチングの精度を向上でき、信頼性に優れた圧電振動片が得られる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、ウエハの表面と裏面との両面にレジスト材を塗布する場合において、レジスト材の回り込み付着による凹凸部分の形成を抑制することによって、露光による電極パターンのパターニング精度の低下を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本実施形態のレジスト塗布装置を示す断面概略図である。
【図２】本実施形態のレジスト塗布装置を示す平面図である。
【図３】本実施形態のレジスト塗布装置のステージを示す平面図である。
【図４】本実施形態のレジスト塗布装置を示す部分拡大断面図である。
【図５】本実施形態のウエハを示す平面図である。
【図６】本実施形態のウエハを示す部分拡大平面図である。
【図７】本実施形態のレジスト塗布方法を示すフローチャートである。
【図８】本実施形態のレジスト塗布方法を示す図であって、（ａ）は図７におけるＳ１３の手順を示す断面図、（ｂ）は図７におけるＳ１４の手順を示す断面図、（ｃ）は図７におけるＳ１５の手順を示す断面図、（ｄ）は図７におけるＳ１６の手順を示す断面図である。
【図９】本実施形態の圧電振動片を示す平面図である。
【図１０】本実施形態の圧電振動片を示す図であって、図９における部分拡大平面図である。
【図１１】本実施形態の圧電振動片を示す図であって、図１０におけるＡ−Ａ断面図である。
【図１２】本実施形態の圧電振動片の製造方法を示すフローチャートである。
【図１３】本実施形態の圧電振動片の製造過程を示す平面図である。
【図１４】レジスト材の回り込み付着が発生した際の露光工程を説明する説明図であって、（ａ）断面図、（ｂ）は（ａ）における拡大断面図である。
【図１５】本実施形態の圧電振動片を用いた一実施形態である圧電振動子を示す外観斜視図である。
【図１６】本実施形態の圧電振動片を用いた一実施形態である圧電振動子の内部構造を示す平面図である。
【図１７】本実施形態の圧電振動片を用いた一実施形態である圧電振動子を示す図であって、図１６におけるＢ−Ｂ断面図である。
【図１８】本実施形態の圧電振動片を用いた一実施形態である圧電振動子を示す図であって、各部を分解した分解外観斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態に係るレジスト塗布装置、レジスト塗布方法および圧電振動片について説明する。
なお、本発明の範囲は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等を異ならせる場合がある。
【００２２】
（レジスト塗布装置）
図１および図２は、本実施形態のレジスト塗布装置１００を示す図である。図１は断面概略図、図２は平面図である。図２においては、後述するスプレーガン４５は省略されている。
レジスト塗布装置１００は、図１に示すように、ステージ装置７０と、保持部材４２と、吸引装置４４と、スプレーガン（塗布部）４５と、を備える。保持部材４２には、ウエハ４３が保持されている。
【００２３】
ステージ装置７０は、ステージ４０と、背面板４１と、を備える。
図３は、ステージ４０を示す平面図である。
図１および図３に示すように、ステージ４０は、平板状の部材である。ステージ４０は、中央部６０と、第１円環部６１と、第２円環部６２と、外縁部６３と、橋架部６４と、を備える。ステージ４０の上面４０ａには、鉛直方向に貫通する第１ステージ貫通穴（穴部）４７ａと、第２ステージ貫通穴４７ｂと、第３ステージ貫通穴４７ｃと、がそれぞれ４つずつ形成されている。
【００２４】
中央部６０は、平面視で円形状であり、ステージ４０の中央に設けられている。
第１円環部６１は、平面視でリング形状である。中央部６０と同心で、中央部６０を囲むようにして設けられている。
第２円環部６２は、平面視でリング形状である。中央部６０および第１円環部６１と同心で、第１円環部を囲むようにして設けられている。
外縁部６３は、平面視で枠形状であり、ステージ４０の外縁に設けられている。
橋架部６４は、平面視で矩形状であり、ステージ４０の平面視対角線に沿って、設けられている。橋架部６４は、第１円環部６１および第２円環部６２を介して、中央部６０と、外縁部６３と、を繋いでいる。
【００２５】
第１ステージ貫通穴４７ａは、平面視で円弧状である。中央部６０と、第１円環部６１と、橋架部６４と、で囲まれて形成されている。
第２ステージ貫通穴４７ｂは、平面視で円弧状である。第１円環部６１と、第２円環部６２と、橋架部６４と、で囲まれて形成されている。
第３ステージ貫通穴４７ｃは、平面視で、短辺を含む円弧状の切欠きが形成された台形状である。第２円環部６２と、外縁部６３と、橋架部６４と、で囲まれて形成されている。
【００２６】
第１ステージ貫通穴４７ａの幅Ｗ１、第２ステージ貫通穴４７ｂの幅Ｗ２および第３ステージ貫通穴４７ｃの幅Ｗ３は、第１ステージ貫通穴４７ａ、第２ステージ貫通穴４７ｂおよび第３ステージ貫通穴４７ｃの、中央部６０を中心とした径方向の長さである。第１ステージ貫通穴４７ａの幅Ｗ１は、第２ステージ貫通穴４７ｂの幅Ｗ２よりも狭く、第２ステージ貫通穴４７ｂの幅Ｗ２は、第３ステージ貫通穴４７ｃの幅Ｗ３よりも狭い。
【００２７】
第１ステージ貫通穴４７ａの開口面積は、第２ステージ貫通穴４７ｂの開口面積よりも小さく、第２ステージ貫通穴４７ｂの開口面積は、第３ステージ貫通穴４７ｃの開口面積よりも小さい。
【００２８】
図４は、図１の部分拡大断面図である。図４においては、吸引装置４４は省略されている。
図１および図４に示すように、背面板４１は、略平板状の部材であり、ステージ４０の上面４０ａに設置されている。背面板４１は、基部４１ａと、凸部４１ｂと、を備えている。
凸部４１ｂは、基部４１ａの中央部に設けられており、凸部４１ｂの上面４１ｃには、それぞれが鉛直方向に貫通する、第１背面板貫通穴４８ａと、第２背面板貫通穴４８ｂと、第３背面板貫通穴４８ｃと、が形成されている。
凸部４１ｂの平面視形状は、ステージ４０の中央部６０と、第１円環部６１と、第２円環部６２と、橋架部６４と、を合わせた平面視形状と略同一である。
【００２９】
第１背面板貫通穴４８ａの平面視形状は、第１ステージ貫通穴４７ａと、略同一である。第１背面板貫通穴４８ａおよび第１ステージ貫通穴４７ａは、連通し、連通穴９０ａを形成している。第２背面板貫通穴４８ｂの平面視形状は、第２ステージ貫通穴４７ｂと、略同一である。第２背面板貫通穴４８ｂおよび第２ステージ貫通穴４７ｂは、連通し、連通穴９０ｂを形成している。第３背面板貫通穴４８ｃの平面視形状は、第３ステージ貫通穴４７ｃと、略同一である。第３背面板貫通穴４８ｃおよび第３ステージ貫通穴４７ｃは、連通し、連通穴９０ｃを形成している。
【００３０】
背面板４１の材質は、特に限定されず、たとえば、Ａｌとできる。
【００３１】
保持部材４２は、ウエハ４３の外縁を挟持して保持する枠状の部材である。保持部材４２の中央部には、凹部４２ｃが形成されている。保持部材４２は、凹部４２ｃが背面板４１の凸部４１ｂと嵌合して、背面板４１上に設けられている。
【００３２】
保持部材４２は、ウエハ４３を保持した状態のまま、背面板４１上から取り外し可能となっている。保持部材４２は、ウエハ４３の第１の面４３ａ側の第１の設置面４２ａと、ウエハ４３の第２の面４３ｂ側の第２の設置面４２ｂと、のどちらが鉛直方向下側（他方側）となるようにしても設置することができる。図１および図４においては、第１の設置面４２ａが鉛直方向下側となるようにして設置されており、保持部材４２の第１の設置面４２ａは、背面板４１の基部４１ａの上面４１ｄと当接している。このとき、ウエハ４３は、第２の面４３ｂが鉛直方向上側（一方側）となっている。ウエハ４３の第１の面４３ａには、第１フォトレジスト膜４６が形成されている。第１フォトレジスト膜４６の表面４６ａと、背面板４１の凸部４１ｂの上面４１ｃとの間には、隙間（他方側の空間）５０が形成されている。
【００３３】
保持部材４２の保持高さＨ２と、背面板４１の凸部４１ｂの高さＨ３と、の差は、背面板４１の上面４１ｃと、第１フォトレジスト膜４６の表面４６ａとが当接しない範囲内において、小さい方が好ましい。すなわち、隙間５０の高さＨ１は、小さい方が好ましい。第１フォトレジスト膜４６と背面板４１の上面４１ｃとの間の隙間５０を狭くすることにより、浮遊したレジスト材が隙間５０に入り込みにくくなり、レジスト材の回り込み付着を抑制できるためである。加えて、隙間５０に対する各背面板貫通穴４８からの負圧吸引が効率的になるためである。
なお、保持部材４２の第２の設置面４２ｂを鉛直方向下側にして設置した場合における、保持部材４２の保持高さＨ４についても同様である。
【００３４】
図５および６は、本実施形態のウエハ４３を示す図である。図５は平面図、図６は図５における部分拡大平面図である。本実施形態におけるウエハ４３は、後述する、圧電振動片の製造方法におけるＳ１からＳ４ａまでの工程を経ることで形成されたものである。
ウエハ４３は、図５に示すように、圧電板２が形成されている圧電板形成領域７３と、圧電板形成領域７３以外の領域である、非圧電板形成領域７４と、を備えている。
【００３５】
ウエハ４３の圧電板形成領域７３には、複数の圧電板２が備えられており、圧電板２の周りには、圧電板貫通穴７１が形成されている。
圧電板２は、図６に示すように、音叉型の形状で、２本の振動腕部３，４を備えている。振動腕部３，４には、溝部６が形成されている。各圧電板２は、連結部７９によって、ウエハ４３と連結されている。
【００３６】
ウエハ４３の非圧電板形成領域７４には、図５に示すように、ウエハ４３の厚さ方向（図の紙面垂直方向）に貫通する、ウエハ貫通穴（貫通穴部）４３ｃが形成されている。
ウエハ貫通穴４３ｃは、平面視で台形状であり、上下方向に沿ってウエハ４３の中心に対して対称に２つ、左右方向に沿ってウエハ４３の中心に対して対称に２つ、それぞれ形成されている。
ウエハ貫通穴４３ｃは、台形状の短辺がウエハ４３の中心側、長辺がウエハ４３の外縁側となるようにして、形成されている。
【００３７】
ウエハ４３の厚さとしては、たとえば、１１５μｍである。ウエハ４３の材質としては、たとえば、水晶、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム等の圧電材料を用いることができる。
【００３８】
ウエハ４３の表面上には、不図示の電極膜が形成されている。
電極膜としては、たとえば、クロム（Ｃｒ）と金（Ａｕ）との積層膜とすることができる。たとえば、ウエハ４３の材質として水晶を用いた場合に、水晶と密着性の良いクロム膜を下地として成膜した後に、表面に金の薄膜を施すことができる。この場合において、クロム膜の厚さは、たとえば、６０ｎｍであり、金の薄膜の厚さは、たとえば、５０ｎｍである。
【００３９】
スプレーガン４５は、図１に示すように、保持部材４２の鉛直方向上側に設けられており、平面視における位置が、ウエハ４３の中央となっている。
スプレーガン４５は、ウエハ４３の第１の面４３ａおよび第２の面４３ｂのうち、鉛直方向上側を向いている面（図１では、第２の面４３ｂ）に、レジスト材を塗布できる範囲において、特に限定されず、いかなる公知のスプレーガンを用いることもできる。
【００４０】
吸引装置４４は、図１に示すように、穴部４４ｃが形成された閉塞部４４ａと、穴部４４ｃに接続される吸引源４４ｂと、を備える。閉塞部４４ａは、穴部４４ｃがステージ貫通穴４７ａ，４７ｂ，４７ｃと連通し、ステージ貫通穴４７ａ，４７ｂ，４７ｃの鉛直方向下側の開口部を閉塞するようにして、ステージ４０の鉛直方向下側に設けられている。吸引源４４ｂによって、穴部４４ｃ内の空間を吸引することで、ウエハ４３の鉛直方向上側から、図４に示す連通穴９０ａ，９０ｂ，９０ｃを介して、鉛直方向下向きに流れる空気流が発生する。
吸引装置４４としては、吸引して空気流を発生させられる範囲内において、特に限定されず、いかなる公知の吸引装置を用いることもできる。
【００４１】
レジスト塗布装置１００にウエハ４３が設置された状態においては、図２に示すように、ウエハ４３のウエハ貫通穴４３ｃと、連通穴９０ａ，９０ｂ，９０ｃとがそれぞれ平面視で重なり、ウエハ４３の鉛直方向上側から、背面板４１を介して、ステージ４０の鉛直方向下側まで貫通する流動空間８０ａ，８０ｂ，８０ｃが形成される。
流動空間８０ａの平面視開口面積は、流動空間８０ｂの平面視開口面積よりも小さく、流動空間８０ｂの平面視開口面積は、流動空間８０ｃの平面視開口面積よりも小さい。
【００４２】
また、圧電板貫通穴７１と、各連通穴９０ａ，９０ｂ，９０ｃが平面視で重なり、ウエハ４３の鉛直方向上側からステージ４０の鉛直方向下側まで貫通する流動空間９１が形成されている。
【００４３】
吸引装置４４によって発生した空気流は、流動空間８０ａ，８０ｂ，８０ｃ，９１に流通している。
流動空間８０ａ，８０ｂ，８０ｃに流通する空気流は、各流動空間の平面視開口面積の違いにより、それぞれ流量が異なっている。すなわち、流動空間の開口面積が広い場合には、吸気抵抗が小さいため、流通する空気流の流量が多くなり、流動空間の開口面積が狭い場合には、吸気抵抗が大きいため、流通する空気流の流量が少なくなる。したがって、流動空間８０ａに流通する空気流の流量は、流動空間８０ｂに流通する空気流の流量よりも少なく、流動空間８０ｂに流通する空気流の流量は、流動空間８０ｃに流通する空気流の流量よりも少ない。
【００４４】
上記と同様の理由により、連通穴９０ａ，９０ｂ，９０ｃを流通する空気流の流量は、連通穴９０ａ，９０ｂ，９０ｃの順に、多くなる。したがって、各連通穴と圧電板貫通穴７１とが平面視で重なって形成されている流動空間９１に流通している空気流の流量は、圧電板貫通穴７１が各連通穴と重なっている位置に応じて異なっている。すなわち、ウエハ４３における、連通穴９０ｃと圧電板貫通穴７１とが平面視で重なっている箇所では、流動空間９１を流通する空気流の流量は多く、連通穴９０ａと圧電板貫通穴７１とが平面視で重なっている箇所においては、流動空間９１を流通する空気流の流量は少なくなっている。
【００４５】
（レジスト塗布方法）
図７は、本実施形態のレジスト塗布方法を示したフローチャートである。
図７に示すように、本実施形態のレジスト塗布方法は、背面板設置工程Ｓ１１と、ウエハ設置工程Ｓ１２と、第１フォトレジスト膜形成工程Ｓ１３と、ウエハ反転工程Ｓ１４と、吸引工程Ｓ１５と、第２フォトレジスト膜形成工程Ｓ１６と、を有する。
【００４６】
図８は、本実施形態のレジスト塗布方法の各工程の手順を示した図であり、図８（ａ）は第１フォトレジスト膜形成工程Ｓ１３を、図８（ｂ）はウエハ反転工程Ｓ１４を、図８（ｃ）は吸引工程Ｓ１５を、図８（ｄ）は第２フォトレジスト膜形成工程Ｓ１６を、それぞれ示した断面図である。
【００４７】
背面板設置工程Ｓ１１は、背面板４１をステージ４０の上面４０ａに設置する工程である。
背面板貫通穴４８ａ，４８ｂ，４８ｃが、ステージ貫通穴４７ａ，４７ｂ，４７ｃとそれぞれ連通するようにして、背面板４１をステージ４０の上面４０ａに設置する。この工程により、連通穴９０ａ，９０ｂ，９０ｃが形成される。
【００４８】
次に、ウエハ設置工程Ｓ１２は、ウエハ４３を設置する工程である。
まず、ウエハ４３を保持部材４２に保持させる。そして、ウエハ４３の第１の面４３ａが鉛直方向上側となるようにして、保持部材４２の凹部４２ｃと、背面板４１の凸部４１ｂと、を嵌合させる。この工程により、保持部材４２の第２の設置面４２ｂと、背面板４１の基部４１ａの上面４１ｄとが当接し、ウエハ４３が背面板４１上に設置される。
【００４９】
次に、第１フォトレジスト膜形成工程Ｓ１３は、図８（ａ）に示すように、ウエハ４３の第１の面４３ａ上に第１フォトレジスト膜４６を形成する工程である。
スプレーガン４５によって、ウエハ４３の鉛直方向上側から、レジスト材を塗布する。
レジスト材としては、たとえば、レジスト剤（レジスト粒子）と、溶媒として、アセトンと、シンナーと、を所定の割合で混合したものを用いることができる。
スプレーガン４５のスプレー圧としては、たとえば、０．２２ＭＰａとすることができる。
【００５０】
上記工程により、ウエハ４３の第１の面４３ａ上に、第１フォトレジスト膜４６が形成される。形成される第１フォトレジスト膜４６の厚さは、たとえば、１μｍ以上、２μｍ以下である。
【００５１】
次に、ウエハ反転工程Ｓ１４は、図８（ｂ）に示すように、ウエハ４３を保持部材４２ごと、上下反転させる工程である。
保持部材４２を、ウエハ４３を保持した状態のまま、背面板４１から取り外す。そして、上下反転させて、保持部材４２が保持するウエハ４３の第２の面４３ｂが鉛直方向上側となるようにして、保持部材４２の凹部４２ｃと、背面板４１の凸部４１ｂと、を嵌合させる。
この工程により、保持部材４２の第１の設置面４２ａと、背面板４１の基部４１ａの上面４１ｄとが当接し、ウエハ４３が背面板４１上に上下反転された状態で再び設置される。
【００５２】
次に、吸引工程Ｓ１５は、図８（ｃ）に示すように、吸引装置４４によって、ステージ４０の鉛直方向下側の空間を負圧吸引する工程である。
ステージ４０の鉛直方向下側に設けられた吸引装置４４によって、ステージ４０の鉛直方向下側の空間を負圧吸引する。この工程により、ウエハ４３の鉛直方向上側から、ステージ４０の鉛直方向下側に向かう（図示矢印方向）空気流が発生する。
【００５３】
吸引装置４４による負圧吸引は、次の第２フォトレジスト膜形成工程Ｓ１６が終わるまで行う。
【００５４】
次に、第２フォトレジスト膜形成工程Ｓ１６は、図８（ｄ）に示すように、スプレーガン４５によって、ウエハ４３の第２の面４３ｂ上に第２フォトレジスト膜４９を形成する工程である。
スプレーガン４５によって、ウエハ４３の鉛直方向上側から、レジスト材を塗布する。レジスト材は、第１フォトレジスト膜形成工程Ｓ１３と同様である。
スプレーガン４５のスプレー圧も、第１フォトレジスト膜形成工程Ｓ１３と同様に、たとえば、０．２２ＭＰａとすることができる。
【００５５】
このとき、スプレーガン４５から噴射されたレジスト材の一部は、ウエハ４３の周辺に浮遊するが、吸引装置４４の作動によって生じる空気流によって移動し、隙間５０から背面板貫通穴４８ａ，４８ｂ，４８ｃに吸引される。
【００５６】
上記工程により、ウエハ４３の第２の面４３ｂ上に、第２フォトレジスト膜４９が形成される。形成される第２フォトレジスト膜４９の厚さは、たとえば、１μｍ以上、２μｍ以下である。
【００５７】
以上の工程により、ウエハ４３の第１の面４３ａおよび第２の面４３ｂの両面にフォトレジスト膜を形成することができる。
【００５８】
以上に詳細に説明した、本実施形態のレジスト塗布装置１００によれば、ステージ４０の鉛直方向下側から吸引装置４４によって負圧吸引を行うことで、ウエハ４３の鉛直方向上側からステージ４０の鉛直方向下側に流れる空気流を発生させる。この状態において、スプレーガン４５によってウエハ４３上にレジスト材を塗布することにより、ウエハ４３上に付着しない余分なレジスト材を空気流によってステージ４０の鉛直方向下側に排除できる。そのため、ウエハ４３の塗布面とは逆側の面（鉛直方向下側を向く面）に、レジスト材が回り込んで付着することを抑制できる。したがって、ウエハ４３の表面上におけるレジスト材の回り込み付着による凹凸部分の形成を抑制でき、フォトレジスト膜の表面を平滑化できる。その結果、後述する、後工程である露光工程（Ｓ４ｃ）において、露光による電極パターンのパターニング精度の低下を抑制できる。
【００５９】
また、本実施形態においては、ステージ４０にステージ貫通穴４７ａ，４７ｂ，４７ｃが形成されている。そのため、ステージ４０の鉛直方向下側から吸引を行うことによって、各ステージ貫通穴を空気流が流通し、余分なレジスト材を、各ステージ貫通穴を介してステージ４０の鉛直方向下側に流して排除することができる。したがって、吸引装置４４をステージ４０の鉛直方向下側に設置することができ、レジスト塗布装置の製造が容易である。
【００６０】
レジスト材は、溶媒と共にスプレーガン４５によってウエハ４３上に塗布される。このとき、レジスト材が付着するウエハ４３上の位置が、スプレーガン４５から離れているほど、溶媒は蒸発し、レジスト材は、軽く、浮き上がりやすくなる。そのため、ウエハ４３上において、スプレーガン４５から離れた位置ほど、回り込み付着が発生しやすくなる。
【００６１】
これに対して、本実施形態においては、ステージ貫通穴４７ａ，４７ｂ，４７ｃは、ステージ４０の中央から離れる位置に形成されている順に従って開口面積が大きく形成されている。そのため、各ステージ貫通穴を流通する空気流の流量は、ステージ貫通穴４７ａ，４７ｂ，４７ｃの順に多くなる。したがって、回り込み付着が発生しやすい、スプレーガン４５からの距離が離れた位置ほど、空気流の流量が多く、余分なレジスト材を効率的に排除することができる。
【００６２】
また、ウエハ４３は保持部材４２によって、外縁を挟持された状態で保持されている。そのため、ウエハ４３の中央部はたわみやすい。これに対して、本実施形態によれば、ウエハ４３の外縁部近傍に流通する空気流に比べて、ウエハ４３の中央部近傍に流通する空気流の流量が少ない。そのため、空気流によってウエハ４３の中央部近傍が受ける鉛直方向下向きの吸圧力は、ウエハ４３の外縁部近傍に比べて小さい。したがって、レジスト材を塗布する際にウエハ４３がたわむことを抑制でき、レジスト材の塗布が不均一となることを抑制できる。
【００６３】
本実施形態のレジスト塗布方法によれば、ウエハ４３の第１の面４３ａにレジスト材を塗布して第１フォトレジスト膜４６を形成し、ウエハ４３を保持部材４２ごと上下反転させる。そして、吸引装置４４によって、ウエハ４３の鉛直方向上側から、ステージ４０の鉛直方向下側に流れる空気流を発生させる。これにより、ウエハ４３の第２の面４３ｂにレジスト材を塗布する際に、ウエハ４３の第２の面４３ｂに付着しない余分なレジスト材が空気流によってステージ４０の鉛直方向下側に排除される。そのため、反転して鉛直方向下側を向いている、第１の面４３ａに形成された第１フォトレジスト膜４６の表面４６ａ上に余分なレジスト材が回り込んで付着することを抑制することができる。したがって、レジスト材の回り込み付着による凹凸部分の形成を抑制でき、露光による電極パターンのパターニング精度の低下を抑制できる。
【００６４】
また、本実施形態においては、ウエハ４３上にウエハ貫通穴４３ｃが形成されているため、余分なレジスト材を、ウエハ貫通穴４３ｃを介して排除することができる。したがって、レジスト材の除去を効率的に行うことができる。
【００６５】
また、本実施形態においては、ウエハ貫通穴４３ｃは平面視で台形状であり、短辺がウエハ４３の中心側、長辺がウエハ４３の外縁側となっている。そのため、ウエハ４３の中心から離れるに従って、ウエハ貫通穴４３ｃの面積は大きくなり、前述したのと同様に、空気流の流量が多くなる。これにより、ウエハ４３の平面視中央の鉛直方向上側に設けられたスプレーガン４５からの距離が離れた位置ほど、空気流の流量が多くなり、効率的に余分なレジスト材を除去できる。したがって、レジスト材の回り込み付着による凹凸部分の形成を抑制でき、露光による電極パターンのパターニング精度の低下を抑制できる。
【００６６】
なお、本実施形態においては、下記の構成を採用することもできる。
【００６７】
本実施形態のレジスト塗布装置においては、ステージ貫通穴４７の平面視形状は、矩形状であっても、それ以外の形状（たとえば、円形状）であってもよい。ウエハ４３の圧電板形成領域７３が、ウエハ４３を設置した際に平面視においてすべて含まれるような一つの貫通穴としてもよい。
また、ステージ貫通穴４７の形成されている数は、本実施形態においた示した数より多くても少なくてもよい。２つ以上形成されている場合には、それぞれの平面視形状を同一としてもよい。
【００６８】
また、背面板４１の背面板貫通穴４８の平面視形状が、ウエハ貫通穴４３ｃと圧電板貫通穴７１とのどちらか一方の平面視形状、または両方を合わせた平面視形状と、同一形状としてもよい。この場合において、ステージ貫通穴４７の平面視形状を背面板貫通穴４８の平面視形状と同一形状としてもよい。
【００６９】
また、吸引装置４４の吸引力をウエハ４３の位置によって異ならせてもよい。この場合において、たとえば、スプレーガン４５からの距離が離れるに従って、吸引力を強くすることができる。この構成によれば、スプレーガン４５からの距離が離れた位置の空気流ほど流量が大きくなるため、余分なレジスト材の排除が効率的である。また、吸引装置４４の出力をウエハ４３の位置によって適切に調整することにより、エネルギー効率を高くできる。
【００７０】
また、吸引装置４４は、複数設けられていてもよい。
また、スプレーガン４５の周囲を覆うようにして吸引装置を設け、余分なレジスト材を吸引して除去してもよい。
【００７１】
本実施形態のレジスト塗布方法においては、吸引工程Ｓ１５と第２フォトレジスト膜形成工程Ｓ１６とを同時に行ってもよい。
【００７２】
また、吸引工程Ｓ１５における吸引は、第２フォトレジスト膜形成工程Ｓ１６が終了した後、所定時間行っていてもよい。これにより、第２フォトレジスト膜形成工程Ｓ１６中に吸引されず残存したレジスト材が、ウエハ４３の周辺に浮遊しているような場合であっても、吸引によって生じる空気流によって、残存したレジスト材を除去し、回り込み付着を抑制することができる。
【００７３】
また、ウエハ貫通穴４３ｃの平面視形状は、台形状以外の矩形状であっても、それ以外の形状（たとえば、円形状）であってもよい。ウエハ貫通穴４３ｃの形成されている数は、本実施形態において示した数より多くても少なくてもよい。ウエハ貫通穴４３ｃが複数設けられている場合は、それぞれの平面視形状が異なっていてもよい。
また、ウエハ貫通穴４３ｃは、中央から離れるに従って開口面積が大きくならなくてもよい。
また、ウエハ貫通穴４３ｃは形成されていなくてもよい。
【００７４】
また、ウエハ４３をステージ４０上に複数設置してもよい。この場合において、ウエハ貫通穴４３ｃは、配置されるウエハ４３のステージ４０上の位置に応じて、それぞれ形状が異なっていてもよい。たとえば、スプレーガン４５からの距離が離れた位置に設置されたウエハ４３上のウエハ貫通穴４３ｃほど、開口面積を大きくすることができる。
【００７５】
また、本実施形態においては、ウエハ４３に音叉型の圧電板２が備えられ、圧電板２の振動腕部３，４には溝部６が形成されているが、これに限られない。たとえば、振動腕部３，４に溝部６が形成されていないものであっても、音叉型以外の形状の圧電板であってもよい。
【００７６】
（圧電振動片）
以下、本発明に係る圧電振動片の一実施形態を、図９から図１４を参照して説明する。
本実施形態の圧電振動片１は、たとえば、表面実装型のセラミックパッケージタイプの圧電振動子や、シリンダーパッケージタイプの圧電振動子等に組み込まれるものであって、図９および図１０に示すように、水晶、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム等の圧電材料から形成された音叉型の圧電板２を備えている。
なお、図９は、圧電振動片１の表面側の平面図である。図１０は、図９に示す振動腕部３，４の基端部を中心に拡大した図である。
【００７７】
圧電板２は、平行に配置された一対の振動腕部３，４と、該一対の振動腕部３，４の基端部側を一体的に固定する基部５と、を備えている。また、これら一対の振動腕部３，４の主面（表裏面）上には、振動腕部３，４の基端部から先端部に向かって、一定幅で縦長の溝部６が形成されている。この溝部６は、振動腕部３，４の基端部側から中間部を越える範囲に亘って形成されている。これにより、一対の振動腕部３，４は、それぞれ図１１に示すように断面Ｈ型となっている。
なお、図１１は、図１０に示すＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【００７８】
このように形成された圧電板２の外表面上には、図９および図１０に示すように、一対の励振電極１０，１１および一対のマウント電極１２，１３が、叉部１５を挟んで形成されている。このうち、一対の励振電極１０，１１は、電圧が印加されときに一対の振動腕部３，４を互いに接近または離間する方向に所定の共振周波数で振動させる電極であり、主に一対の振動腕部３，４の外表面にそれぞれ電気的に切り離された状態でパターニングされて形成されている。
具体的には、図１１に示すように、一方の励振電極１０が、主に一方の振動腕部３の溝部６内と他方の振動腕部４の側面上とに形成され、他方の励振電極１１が、主に一方の振動腕部３の側面上と他方の振動腕部４の溝部６内とに形成されている。
【００７９】
ここで、この励振電極１０，１１についてより詳細に説明する。
本実施形態の励振電極１０，１１は、図９から図１１に示すように、それぞれ主面電極部２０と、側面電極部２１と、接続電極部２２と、で構成されている。
【００８０】
主面電極部２０は、溝部６内と、該溝部６を囲む振動腕部３，４の主面上とに形成された電極である。側面電極部２１は、振動腕部３，４の側面上と、該側面に連続する振動腕部３，４の主面上に形成された電極である。この際、振動腕部３，４の内方（叉部１５側）の側面に形成された側面電極部２１と、振動腕部３，４の外方に向いた側面に形成された側面電極部２１とは、図９に示すように、溝部６よりも先端部側に形成された接続電極部２２を介して導通するようになっている。
【００８１】
主面電極部２０と側面電極部２１とは、図１１に示すように、一定の間隔である短絡防止用の隙間Ｗ０を設けて相互に離して配置されている。この隙間Ｗ０は、たとえば１５μｍという極めて狭い間隔となっている。このように隙間Ｗ０が正確に形成されていることにより、主面電極部２０と側面電極部２１との短絡等が防止されることになる。一方、叉部１５の近傍では、図１０に示すように、一方の振動腕部３の内側面に形成された側面電極部２１と、他方の振動腕部４の内側面に形成された側面電極部２１とが、叉部１５の幅に相当する隙間Ｕ０を設けて相互に離して配置されている。
【００８２】
接続電極部２２は、図９および図１０に示すように、側面電極部２１に接続されるように一方の振動腕部３の主面上に形成されると共に、表面側で、基部５の主面上を経由して他方の振動腕部４側に引き回された後、該振動腕部４側の主面電極部２０に接続されるように形成された電極である。
この接続電極部２２によって、表面側で、一方の振動腕部３側の主面電極部２０と他方の振動腕部４側の側面電極部２１とが接続されていると共に、裏面側で、一方の振動腕部３側の側面電極部２１と他方の振動腕部４側の主面電極部２０とが接続されている。
なお、図９および図１０は、圧電振動片１の表面側を図示しているが、裏面側の電極パターンは表面側の電極パターンに対して左右対称とされている。
【００８３】
一対のマウント電極１２，１３は、図９および図１０に示すように、基部５の主面および側面を含む外表面上に形成されており、引き出し電極１６を介して一対の励振電極１０，１１にそれぞれ電気的に接続されている。よって、一対の励振電極１０，１１は、このマウント電極１２，１３を介して電圧が印加されるようになっている。
【００８４】
なお、前述した励振電極１０，１１、マウント電極１２，１３および引き出し電極１６は、たとえば、クロム（Ｃｒ）と金（Ａｕ）との積層膜であり、水晶と密着性の良いクロム膜を下地として成膜した後に、表面に金の薄膜を施したものである。ただし、この場合に限られず、たとえば、クロムとニクロム（ＮｉＣｒ）の積層膜の表面にさらに金の薄膜を積層しても構わないし、クロム、ニッケル、アルミニウム（Ａｌ）やチタン（Ｔｉ）等の単層膜でも構わない。
【００８５】
また、一対の振動腕部３，４の先端部には、図９に示すように、自身の振動状態を所定の周波数の範囲内で振動するように調整（周波数調整）を行うための重り金属膜１７（粗調膜１７ａおよび微調膜１７ｂからなる）が形成されている。この重り金属膜１７を利用して周波数調整を行うことで、一対の振動腕部３，４の周波数をデバイスの公称周波数の範囲内に収めることができるようになっている。
【００８６】
このように構成された圧電振動片１を作動させる場合には、一対の励振電極１０，１１間に所定の駆動電圧を印加して電流を流すことで、一対の振動腕部３，４を接近・離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。そして、この振動を、時刻源、制御信号のタイミング源やリファレンス信号源等として利用することができる。
【００８７】
（圧電振動片の製造方法）
次に、前述した圧電振動片１を、圧電材料からなるウエハを利用して製造する方法について、図１２，１３を参照しながら以下に説明する。
図１２は、圧電振動片１の製造方法を示すフローチャートである。
図１３は、圧電振動片１の製造方法を説明するための工程図であって、ウエハＳの平面図である。
【００８８】
図１２，１３に示すように、まずポリッシングが終了し、所定の厚みに高精度に仕上げられたウエハＳを準備する（Ｓ１）。次いで、このウエハＳをフォトリソグラフィー技術によってエッチングして、該ウエハＳに複数の圧電板２の外形形状を形成する外形形成工程を行う（Ｓ２）。この工程について、具体的に説明する。
【００８９】
まず、ウエハＳの両面にエッチング保護膜をそれぞれ成膜する（Ｓ２ａ）。このエッチング保護膜としては、たとえば、クロム（Ｃｒ）を数μｍ成膜する。次いで、エッチング保護膜上にフォトレジスト膜を、フォトリソグラフィー技術によってパターニングする。この際、図９に示す、一対の振動腕部３，４と、基部５とで構成される圧電板２の周囲を囲むような形状にパターニングする。そして、このフォトレジスト膜をマスクとしてエッチング加工を行い、マスクされていないエッチング保護膜を選択的に除去する。そして、エッチング加工後にフォトレジスト膜を除去する。
【００９０】
これにより、図１３に示すように、圧電板２の外形形状、すなわち、一対の振動腕部３，４および基部５の外形形状に沿ってパターニングされた、エッチング保護膜３０が形成される（Ｓ２ｂ）。この際、複数の圧電板２の数だけパターニングを行う。
【００９１】
次いで、パターニングされたエッチング保護膜３０をマスクとして、ウエハＳの両面をそれぞれエッチング加工する（Ｓ２ｃ）。これにより、エッチング保護膜３０でマスクされていない領域を選択的に除去して、圧電板２の外形形状を形作ることができる。この時点で、外形形成工程（Ｓ２）が終了する。
【００９２】
続いて、図９に示す一対の振動腕部３，４の主面上に溝部６を形成する溝部形成工程を行う（Ｓ３）。具体的には、前述した外形形成時と同様に、パターニングされたエッチング保護膜３０上にフォトレジスト膜を成膜する。そして、フォトリソグラフィー技術によって、溝部６の領域を空けるようにフォトレジスト膜をパターニングする。そして、パターニングされたフォトレジスト膜をマスクとしてエッチング加工を行い、エッチング保護膜３０を選択的に除去する。その後、フォトレジスト膜を除去することで、既にパターニングされたエッチング保護膜３０を、溝部６の領域を空けた状態でさらにパターニングすることができる。
【００９３】
次いで、この再度パターニングされたエッチング保護膜３０をマスクとして、ウエハＳをエッチング加工した後、マスクとしていたエッチング保護膜３０を除去する。これにより、一対の振動腕部３，４の両主面上に溝部６をそれぞれ形成することができる（図６参照）。
なお、複数の圧電板２は、後に行う切断工程を行うまで、図６に示すように、連結部７９を介してウエハＳに連結された状態となっている。
【００９４】
次いで、マスクを通した露光を行うことで、複数の圧電板２の外表面上に電極膜をパターニングして、励振電極１０，１１、引き出し電極１６、マウント電極１２，１３をそれぞれ形成する電極形成工程を行う（Ｓ４）。この工程について、詳細に説明する。
【００９５】
電極形成工程では、まず、溝部６が形成された圧電板２の外表面に電極膜を、蒸着やスパッタリング等により成膜する（Ｓ４ａ）。成膜する電極膜としては、たとえば、前述した、クロムと金の積層構造とすることができる。
【００９６】
次に、電極膜上にフォトレジスト膜を成膜するフォトレジスト膜形成工程を行う（Ｓ４ｂ）。このフォトレジストは紫外光に感光感度を持つ樹脂をベースとした化合物であり、本実施形態ではポジ型のフォトレジストを採用している。フォトレジスト膜の形成方法は、前述した実施形態に示した、レジスト塗布装置１００を用いたレジスト塗布方法を用いる。
この工程により、電極膜上にフォトレジスト膜が形成される。
【００９７】
続いて、励振電極１０，１１、引き出し電極１６、およびマウント電極１２，１３の形成領域以外の領域が開口したフォトマスクにより、フォトレジスト膜に対して紫外光を露光する露光工程を行う（Ｓ４ｃ）。この工程により、電極膜を残しておきたい部分が、フォトレジスト膜によって被膜されるように、フォトレジスト膜がパターニングされる。
露光条件としては、たとえば、露光量が積算量で９００Ｊｍ／ｃｍ2とできる。
【００９８】
露光後、現像液により不要部分を除去して加熱工程等を経てフォトレジスト膜を固化させる（Ｓ４ｄ）。そして、メタルエッチング（Ｓ４ｅ）により、電極形成部分に対応する形状のフォトレジスト膜によるフォトレジストパターンを形成する。こうして、フォトレジスト膜を除去することによって（Ｓ４ｆ）、励振電極１０，１１、引き出し電極１６、マウント電極１２，１３を形成して電極形成工程（Ｓ４）を終了する。
【００９９】
最後に、ウエハＳと圧電板２とを連結していた連結部７９を切断して、複数の圧電板２をウエハＳから切り離して小片化する切断工程を行う（Ｓ５）。これにより、１枚のウエハＳから、音叉型の圧電振動片１を一度に複数製造することができる。この時点で、圧電振動片１の製造工程が終了し、図９に示す圧電振動片１を得る。
【０１００】
図１４は、レジスト材の回り込み付着が発生している場合における、露光工程（Ｓ４ｃ）を示す図である。図１４（ａ）は断面図、図１４（ｂ）は図１４（ａ）における拡大断面図である。
図１４に示すように、ウエハ３００上に、電極膜３１０と、フォトレジスト膜３２０と、が形成されている。フォトレジスト膜３２０上には、余分なレジスト材が回り込み、レジスト材３３０が付着している。図１４（ａ）に示すように、フォトレジスト膜３２０を残したい部分（電極膜３１０を残したい部分）に、マスク３４０が設けられている。
【０１０１】
マスク３４０の上側からフォトレジスト膜３２０に露光光を照射する。
このとき、図１４（ｂ）に示すように、フォトレジスト膜３２０上に、回り込み付着によって付着したレジスト材３３０があると、露光光が屈折され、本来の露光により除去したい位置Ｅ１よりも、マスク３４０の内側の位置Ｅ２までフォトレジスト膜３２０が露光により除去されてしまう。そのため、メタルエッチングの際に、本来除去すべきでない箇所の電極膜３１０が除去されてしまい、形成される電極のパターニング精度が低下してしまう。
【０１０２】
これに対して、本実施形態の圧電振動片１では、レジストの塗布方法として、前述した本実施形態のレジスト塗布方法およびレジスト塗布装置１００を用いているため、レジスト材の回り込み付着が抑制される。そのため、メタルエッチングにおける電極のパターニング精度を向上することができる。したがって、信頼性に優れた圧電振動片が得られる。
【０１０３】
なお、本実施形態の圧電振動片１は、振動腕部３，４に溝部６が形成されているが、溝部が形成されていない圧電振動片に対しても、本実施形態のレジスト塗布装置１００およびレジスト塗布方法を適用できる。
【０１０４】
（圧電振動子）
本実施形態の圧電振動片１を用いた圧電振動子の一実施形態として、セラミックパッケージタイプの表面実装型振動子について説明する。
図１５から１８は、本実施形態の圧電振動子５００を示す図であり、図１５は外観斜視図、図１６は圧電振動子の内部構成を示す、封口板を取り外した状態の平面図、図１７は図１６におけるＢ−Ｂ断面図、図１８は圧電振動子５００の分解斜視図である。
【０１０５】
本実施形態の圧電振動子５００は、図１５から図１８に示すように、内部に気密封止されたキャビティＣを有するパッケージ５１０と、キャビティＣ内に収容された前述した圧電振動片１と、を備える。
【０１０６】
この圧電振動子５００は、略直方体状に形成されており、本実施形態では平面視において圧電振動子５００の長手方向を長さ方向といい、短手方向を幅方向といい、これら長さ方向および幅方向に対して直交する方向を厚さ方向という。
【０１０７】
パッケージ５１０は、パッケージ本体（ベース部材）５３０と、このパッケージ本体５３０に対して接合されるとともに、パッケージ本体５３０との間にキャビティＣを形成する封口板（リッド部材）５４０と、を備えている。
【０１０８】
パッケージ本体５３０は、互いに重ね合わされた状態で接合された第１ベース基板５５０および第２ベース基板５６０と、第２ベース基板５６０上に接合されたシールリング５７０と、を備えている。
第１ベース基板５５０は、平面視略長方形状に形成されたセラミックス製の基板とされている。第２ベース基板５６０は、第１ベース基板５５０と同じ外形形状である平面視略長方形状に形成されたセラミックス製の基板とされており、第１ベース基板５５０上に重ねられた状態で焼結等によって一体的に接合されている。
【０１０９】
第１ベース基板５５０および第２ベース基板５６０の四隅には、平面視１／４円弧状の切欠部５８０が、両基板５５０，５６０の厚さ方向の全体に亘って形成されている。これら第１ベース基板５５０および第２ベース基板５６０は、たとえば、ウエハ状のセラミック基板を２枚重ねて接合した後、両セラミック基板を貫通する複数のスルーホールを行列状に形成し、その後、各スルーホールを基準としながら両セラミック基板を格子状に切断することで作製される。その際、スルーホールが４分割されることで、前述した切欠部５８０となる。
また、第２ベース基板５６０の上面は、圧電振動片１がマウントされる実装面５６０ａとされている。
【０１１０】
なお、第１ベース基板５５０および第２ベース基板５６０はセラミックス製としたが、その具体的なセラミックス材料としては、たとえばアルミナ製のＨＴＣＣ（Ｈｉｇｈ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏ−Ｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃ）や、ガラスセラミックス製のＬＴＣＣ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏ−Ｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃ）等が挙げられる。
【０１１１】
シールリング５７０は、第１ベース基板５５０および第２ベース基板５６０の外形よりも一回り小さい導電性の枠状部材であり、第２ベース基板５６０の実装面５６０ａに接合されている。
具体的には、シールリング５７０は、銀ロウ等のロウ材や半田材等による焼付けによって実装面５６０ａ上に接合、あるいは、実装面５６０ａ上に形成（たとえば、電解メッキや無電解メッキの他、蒸着やスパッタ等により）された金属接合層に対する溶着等によって接合されている。
【０１１２】
なお、シールリング５７０の材料としては、たとえばニッケル基合金等が挙げられ、具体的にはコバール、エリンバー、インバー、４２−アロイ等から選択すれば良い。特に、シールリング５７０の材料としては、セラミック製とされている第１ベース基板５５０および第２ベース基板５６０に対して熱膨張係数が近いものを選択することが好ましい。たとえば、第１ベース基板５５０および第２ベース基板５６０として、熱膨張係数６．８×１０-6／℃のアルミナを用いる場合には、シールリング５７０としては、熱膨張係数５．２×１０-6／℃のコバールや、熱膨張係数４．５×１０-6／℃以上、６．５×１０-6／℃以下の４２−アロイを用いることが好ましい。
【０１１３】
封口板５４０は、シールリング５７０上に重ねられた導電性基板であり、銀ロウ等のロウ材や半田材等による焼付け等によって、シールリング５７０と気密に接合されている。シールリング５７０に対する接合は、そして、この封口板５４０とシールリング５７０と第２ベース基板５６０の実装面５６０ａとで画成された空間が、気密に封止された前述したキャビティＣとして機能する。
【０１１４】
なお、封口板５４０の溶接方法としては、たとえばローラ電極を接触させることによるシーム溶接や、レーザ溶接、超音波溶接等が挙げられる。また、封口板５４０とシールリング５７０との溶接をより確実なものとするため、互いになじみの良いニッケルや金等の接合層を、少なくとも封口板５４０の下面と、シールリング５７０の上面とにそれぞれ形成することが好ましい。
【０１１５】
ところで、第２ベース基板５６０の実装面５６０ａには、圧電振動片１との接続電極である一対の電極パッド６１０Ａ，６１０Ｂが幅方向に間隔をあけて形成されているとともに、第１ベース基板５５０の下面には、一対の外部電極６２０Ａ，６２０Ｂが長さ方向に間隔をあけて形成されている。
これら電極パッド６１０Ａ，６１０Ｂおよび外部電極６２０Ａ，６２０Ｂは、たとえば、蒸着やスパッタ等で形成された単一金属による単層膜、または異なる金属が積層された積層膜であり、互いにそれぞれ導通している。
【０１１６】
この点詳細に説明する。
図１７に示すように、第１ベース基板５５０には一方の外部電極６２０Ａに導通し、第１ベース基板５５０を厚さ方向に貫通する一方の第１貫通電極６３０Ａが形成されているとともに、第２ベース基板５６０には一方の電極パッド６１０Ａに導通し、第２ベース基板５６０を厚さ方向に貫通する一方の第２貫通電極６４０Ａが形成されている。そして、第１ベース基板５５０と第２ベース基板５６０との間には、一方の第１貫通電極６３０Ａと一方の第２貫通電極６４０Ａとを接続する一方の接続電極６５０Ａが形成されている。これにより、一方の電極パッド６１０Ａと一方の外部電極６２０Ａとは、互いに導通している。
【０１１７】
また、第１ベース基板５５０には他方の外部電極６２０Ｂに導通し、第１ベース基板５５０を厚さ方向に貫通する他方の第１貫通電極６３０Ｂが形成されているとともに、第２ベース基板５６０には他方の電極パッド６１０Ｂに導通し、第２ベース基板５６０を厚さ方向に貫通する他方の第２貫通電極６４０Ｂが形成されている。そして、第１ベース基板５５０と第２ベース基板５６０との間には、他方の第１貫通電極６３０Ｂと他方の第２貫通電極６４０Ｂとを接続する他方の接続電極６５０Ｂが形成されている。これにより、他方の電極パッド６１０Ｂと他方の外部電極６２０Ｂとは、互いに導通している。
なお、他方の接続電極６５０Ｂは、後述する凹部６６０を回避するように、たとえばシールリング５７０の下方をシールリング５７０に沿って延在するようにパターニングされている。
【０１１８】
第２ベース基板５６０の実装面５６０ａには、図１６および図１７に示すように、振動腕部３，４の先端部に対向する部分に、落下等による衝撃の影響によって振動腕部３，４が厚さ方向に変位（撓み変形）した際に、振動腕部３，４との接触を回避する凹部６６０が形成されている。この凹部６６０は、第２ベース基板５６０を貫通する貫通孔とされているとともに、シールリング５７０の内側において四隅が丸み帯びた平面視正方形状に形成されている。
【０１１９】
そして、圧電振動片１は、図示しない金属バンプや導電性接着剤等を介して、マウント電極１２，１３が、電極パッド６１０Ａ，６１０Ｂに接触するようにマウントされる。これにより、圧電振動片１は、第２ベース基板５６０の実装面５６０ａ上から浮いた状態で支持されると共に、一対の電極パッド６１０Ａ，６１０Ｂにそれぞれ電気的に接続された状態とされている。
特に、圧電振動片１における基部５は、実装面５６０ａに対して各別にマウントされた状態とされている。
【０１２０】
このように構成された圧電振動子５００を作動させる場合には、外部電極６２０Ａ，６２０Ｂに対して、所定の駆動電圧を印加する。これにより、圧電振動片１の励振電極１０，１１に電流を流すことができ、一方の振動腕３と他方の振動腕４とを圧電振動片の面に沿って所定の周波数で振動させることができる。そして、この振動を利用して、時刻源、制御信号のタイミング源やリファレンス信号源等として圧電振動子５００を利用することができる。
【０１２１】
なお、本実施形態においては、圧電振動片１を用いた圧電振動子として、セラミックパッケージタイプの表面実装型振動子について説明したが、圧電振動片１を、ガラス材によって形成されるベース基板およびリッド基板が陽極接合によって接合されるガラスパッケージタイプの圧電振動子に適用することも可能である。
【０１２２】
また、本実施形態においては、圧電振動片として、振動腕部３，４に溝部６が形成されているものを用いたが、溝部が形成されていない圧電振動片を用いてもよい。
【０１２３】
また、本実施形態における圧電振動片１を、発振器、電子機器、または電波時計に搭載される圧電振動子に対して適用することも可能である。
【符号の説明】
【０１２４】
１…圧電振動片、４３…ウエハ、４３ａ…ウエハの第１の面、４３ｂ…ウエハの第２の面、４３ｃ…ウエハ貫通穴（貫通穴部）、４４…吸引装置、４５…スプレーガン（塗布部）、４７ａ，４７ｂ，４７ｃ…ステージ貫通穴（穴部）、５０…隙間（空間）、７０…ステージ装置、１００…レジスト塗布装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【手続補正書】
【提出日】平成25年9月25日(2013.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
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