(57)【要約】【課題】本発明は、ダイボンディング材が半導体チップの上面に達することを防止する撥水性膜を簡単な方法で形成できる半導体装置とその半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本願の発明に係る半導体装置は、ダイパッド１０と、該ダイパッドの上に設けられたダイボンディング材１２と、下面が該ダイボンディング材に接触することで該ダイパッドに固定された半導体チップ１４と、該半導体チップの側面のみに形成された撥水性膜２４と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図１
2014207256.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイパッドと、
前記ダイパッドの上に設けられたダイボンディング材と、
下面が前記ダイボンディング材に接触することで前記ダイパッドに固定された半導体チップと、
前記半導体チップの側面のみに形成された撥水性膜と、を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記撥水性膜は、ＣＶＤ法又はＰＶＤ法で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
ダイシングラインで区切られた複数の半導体チップを有するウエハの下面をダイシングテープに付着させ、前記ウエハの上面にダイシング保護膜を付着させる工程と、
前記ウエハと前記ダイシング保護膜をダイシングラインに沿ってダイシングするダイシング工程と、
前記ダイシング工程の後に、前記半導体チップの側面、前記ダイシング保護膜の側面、及び前記ダイシング保護膜の上面に撥水性膜を形成する工程と、
前記ダイシング保護膜を除去する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記撥水性膜はＣＶＤ法で形成することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記撥水性膜はＰＶＤ法で形成し、
前記撥水性膜を形成する際は、前記撥水性膜となる成分が前記半導体チップの側面に入射するように前記半導体チップを配置することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばマイクロ波集積回路に用いられる半導体装置とその半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、ダイシングライン（素子分離溝）の底面又は側面に撥水性膜が形成された面発光レーザ素子が開示されている。この面発光レーザ素子の側面を這い上がった接着剤及び有機溶剤は、撥水性膜にはじかれるので面発光レーザ素子の上面に到達できない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−２３１０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ダイパッドの上に形成されたダイボンディング材に半導体チップの下面を接触させ、半導体チップをダイパッドに固定することがある。この場合、半導体チップの上面に形成されたワイヤボンディングパッドにダイボンディング材の溶剤が到達しないように、当該溶剤が拡散する経路に撥水性膜を設けることが望ましい。
【０００５】
しかしながら、特許文献１では、ダイシングラインだけに撥水性膜を形成するために、撥水性膜の形成前にダイシングラインだけを開口するフォトレジストを形成する必要がある。つまり、フォトレジストの塗布、露光、及び現像の処理が必要となる。よって、特許文献１に開示の方法では簡素な工程で撥水性膜を形成できない問題があった。
【０００６】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、ダイボンディング材が半導体チップの上面に達することを防止する撥水性膜を簡単な方法で形成できる半導体装置とその半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願の発明に係る半導体装置は、ダイパッドと、該ダイパッドの上に設けられたダイボンディング材と、下面が該ダイボンディング材に接触することで該ダイパッドに固定された半導体チップと、該半導体チップの側面のみに形成された撥水性膜と、を備えたことを特徴とする。
【０００８】
本願の発明に係る半導体装置の製造方法は、ダイシングラインで区切られた複数の半導体チップを有するウエハの下面をダイシングテープに付着させ、該ウエハの上面にダイシング保護膜を付着させる工程と、該ウエハと該ダイシング保護膜をダイシングラインに沿ってダイシングするダイシング工程と、該ダイシング工程の後に、該半導体チップの側面、該ダイシング保護膜の側面、及び該ダイシング保護膜の上面に撥水性膜を形成する工程と、該ダイシング保護膜を除去する工程と、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、ダイボンディング材が半導体チップの上面に達することを防止する撥水性膜を簡単な方法で形成できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の断面図である。
【図２】図１の平面図である。
【図３】ダイシング前のウエハの断面図である。
【図４】ダイシング後の半導体チップの断面図である。
【図５】撥水性膜を形成したことを示す断面図である。
【図６】ダイシング保護膜を除去したことを示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態２の撥水性膜の形成方法を示す断面図である。
【図８】半導体チップの４つの側面全てに撥水性膜を形成したことを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の実施の形態に係る半導体装置と半導体装置の製造方法について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
【００１２】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置の断面図である。この半導体装置はダイパッド１０を備えている。ダイパッド１０の上にはダイボンディング材１２が設けられている。ダイボンディング材１２は半導体チップ１４をダイパッド１０に固定している。つまり、半導体チップ１４の下面がダイボンディング材１２に接触することで、半導体チップ１４はダイパッド１０に固定されている。
【００１３】
半導体チップ１４は、例えばＳｉ、ＧａＡｓ、又はＧａＮなどの半導体材料で形成された基板１６を備えている。基板１６の上にＭＭＩＣ１８が形成されている。ＭＭＩＣ１８は例えばトランジスタ、抵抗素子、インダクタ、又はキャパシタで形成されている。ＭＭＩＣ１８の上にはワイヤボンディングパッド２０が複数形成されている。ワイヤボンディングパッド２０は例えばＡｕで形成される。ワイヤボンディングパッド２０にはワイヤ２１が接続されている。基板１６の上にはＭＭＩＣ１８の左右に位置するようにダイシングライン２２が形成されている。
【００１４】
半導体チップ１４の側面には撥水性膜２４が形成されている。撥水性膜２４は、例えばＦＤＴＳ（ペルフルオロデシルトリクロロシラン）で形成される。撥水性膜２４は半導体チップ１４の側面にのみ形成されている。つまり、撥水性膜２４は、ダイシングライン２２の側面と基板１６の側面だけに形成されている。図２は、図１の平面図である。ダイシングライン２２は平面視でＭＭＩＣ１８を囲むように形成されている。撥水性膜２４は平面視でダイシングライン２２を囲むように形成されている。なお、この半導体装置は例えばマイクロ波集積回路である。
【００１５】
本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を説明する。図３は、ダイシング前のウエハの断面図である。ウエハ５０は、ダイシングライン２２で区切られた複数の半導体チップ１４を有している。まず、ウエハ５０の下面をダイシングテープ５２に付着させる。そして、ウエハ５０の上面にダイシング保護膜５４Ａを付着させる。
【００１６】
次いで、ダイシングラインに沿ってダイシングする。図４は、ダイシング後の半導体チップの断面図である。ダイシング工程では、ウエハ５０とダイシング保護膜５４Ａをダイシングライン２２に沿ってダイシングする。ダイシング保護膜５４Ａがダイシングされて複数のダイシング保護膜５４となる。
【００１７】
ダイシング工程の後に、撥水性膜を形成する。図５は、撥水性膜を形成したことを示す断面図である。撥水性膜２４Ａは、ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法で形成する。これにより、半導体チップ１４の側面、ダイシング保護膜５４の側面、及びダイシング保護膜５４の上面に撥水性膜２４Ａが形成される。
【００１８】
次いで、ダイシング保護膜を除去する。図６は、ダイシング保護膜を除去したことを示す断面図である。ダイシング保護膜５４を除去することで、ダイシング保護膜５４の側面と上面に形成された撥水性膜も除去される。こうして、側面にのみ撥水性膜２４が形成された半導体チップ１４を形成する。その後半導体チップ１４をダイパッド１０に固定する。そして、ワイヤボンディングパッド２０にワイヤボンディングを施すことで図１に示す半導体装置が完成する。
【００１９】
このように、半導体チップの側面が露出し、かつ半導体チップの上にダイシング保護膜５４が付いた状態で撥水性膜２４Ａを形成しその後にダイシング保護膜５４を除去することで、半導体チップ１４の側面だけに撥水性膜２４を形成することができる。この撥水性膜２４により、ダイボンドの際にダイボンディング材１２の溶剤がワイヤボンディングパッド２０まで這い上がること（ブリードアウト）を防止できる。よって、溶剤の這い上がりによるワイヤ２１とワイヤボンディングパッド２０の未接合を防止できる。さらに、本発明の実施の形態１に係る撥水性膜２４は、フォトレジストの形成、露光、及び現像の処理は不要であるので簡素な工程で撥水性膜２４を形成できる。
【００２０】
本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法では、ＣＶＤ法により撥水性膜を形成したが、撥水性膜の形成方法は特に限定されない。例えばＰＶＤ(Physical Vapor Deposition)法で撥水性膜を形成してもよい。また、半導体装置の各部の材料は上記の材料に限定されない。
【００２１】
実施の形態２．
本発明の実施の形態２に係る半導体装置と半導体装置の製造方法は、実施の形態１との共通点が多いので実施の形態１との相違点を中心に説明する。本発明の実施の形態２に係る撥水性膜はＰＶＤ法で形成する。そして、撥水性膜を形成する際は、撥水性膜となる成分が半導体チップの側面に入射するように半導体チップを配置する。このことについて図７、８を参照して説明する。
【００２２】
図７は、本発明の実施の形態２の撥水性膜の形成方法を示す断面図である。ダイシング工程後のダイシング保護膜５４が付いた半導体チップ１４を、撥水性膜の入射方向（図７で矢印で示す方向）に対して４５°傾ける。この状態で半導体チップ１４の一側面及び上面に撥水性膜２４Ａを形成する。半導体チップ１４は４つの側面を有しているので、他の３つの側面についても同様にして撥水性膜を形成する。
【００２３】
図８は、半導体チップの４つの側面全てに撥水性膜を形成したことを示す断面図である。このように、半導体チップの各側面に撥水性膜が形成されるように半導体チップの位置を変えることで、ＰＶＤ法により半導体チップの各側面に撥水性膜を形成できる。その後、ダイシング保護膜５４を除去することで実施の形態１と同様の半導体チップを製造できる。
【符号の説明】
【００２４】
１０  ダイパッド、  １２  ダイボンディング材、  １４  半導体チップ、  １６  基板、  １８  ＭＭＩＣ、  ２０  ワイヤボンディングパッド、  ２１  ワイヤ、  ２２  ダイシングライン、  ２４,  ２４Ａ  撥水性膜、  ５０  ウエハ、  ５２  ダイシングテープ、  ５４,５４Ａ  ダイシング保護膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2014207256.tif 000008
【図７】
2014207256.tif 000009
【図８】
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