(57)【要約】【課題】トレンチの底部のゲート酸化膜の絶縁破壊を防止しつつ、トレンチの開口部の近傍でのゲート絶縁膜の十分な絶縁信頼性を確保する。【解決手段】炭化珪素基板１００に、開口部ＯＰおよび角部ＣＲを有するトレンチＴＲが形成される。角部ＣＲを覆う角絶縁膜２０１Ｒが形成される。開口部ＯＰから角部ＣＲに至る領域を覆うゲート絶縁膜２０１が形成される。ゲート絶縁膜２０１を形成する工程は、角絶縁膜２０１Ｒが設けられたトレンチＴＲを熱酸化する工程を含む。トレンチＴＲを熱酸化する工程は１３００℃以上に炭化珪素基板１００を加熱する工程を含む。【選択図】図３
2014207403.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電型を有する第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に設けられ第２の導電型を有する第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に設けられ前記第２の半導体層によって前記第１の半導体層と分離され前記第１の導電型を有する第３の半導体層とを含む炭化珪素基板を準備する工程と、
前記炭化珪素基板に開口部を有するトレンチを形成する工程とを備え、前記トレンチは、前記第１の半導体層からなる底面と、前記第１〜第３の半導体層のそれぞれからなる第１〜第３の側面を有する側壁面とを含み、前記トレンチは、前記第１の側面と前記底面とが合わさることで構成された角部を有し、さらに
前記角部を覆い、かつ前記開口部から前記第２の側面上に至る領域を露出する角絶縁膜を形成する工程と、
前記開口部から前記角部に至る領域を覆うゲート絶縁膜を形成する工程とを備え、前記ゲート絶縁膜を形成する工程は、前記角絶縁膜が設けられた前記トレンチを熱酸化する工程を含み、前記トレンチを熱酸化する工程は１３００℃以上に前記炭化珪素基板を加熱する工程を含み、さらに
前記ゲート絶縁膜を介して前記トレンチ上にゲート電極を形成する工程を備える、炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記トレンチを熱酸化する工程は、
１３００℃未満の温度から１３００℃以上の温度へ非酸化雰囲気中で前記炭化珪素基板の温度を上げる工程と、
前記炭化珪素基板の温度を１３００℃以上に保持しつつ、前記炭化珪素基板を取り巻く雰囲気を非酸化雰囲気から酸化雰囲気へ切り替える工程とを含む、請求項１に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記トレンチを熱酸化する工程は、
前記炭化珪素基板の温度を１３００℃以上に保持しつつ、前記炭化珪素基板を取り巻く雰囲気を酸化雰囲気から非酸化雰囲気へ切り替える工程と、
前記炭化珪素基板を取り巻く雰囲気を非酸化雰囲気に保持しつつ、１３００℃以上の温度から１０００℃以下の温度へ前記炭化珪素基板を冷却する工程とを含む、請求項２に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記炭化珪素基板を取り巻く雰囲気を非酸化雰囲気から酸化雰囲気へ切り替える工程は、前記炭化珪素基板を取り巻く雰囲気中に酸素ガスを導入する工程を含む、請求項２または３に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記角絶縁膜を形成する工程は、
前記開口部から前記角部に至る領域を覆う被覆絶縁膜を形成する工程と、
前記被覆絶縁膜をパターニングする工程とを含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記被覆絶縁膜を形成する工程は、
前記トレンチ上にシリコン膜を形成する工程と、
前記シリコン膜を熱酸化する工程とを含む、請求項５に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記被覆絶縁膜を形成する工程は、前記シリコン膜を形成する工程の前に、前記トレンチ上に熱酸化膜を形成する工程を含む、請求項６に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記シリコン膜を熱酸化する工程は１３００℃未満で行なわれる、請求項７に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記被覆絶縁膜をパターニングする工程は、
前記被覆絶縁膜を介して前記トレンチを埋めるようにレジスト液を塗布することでレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層をエッチバックすることによって、前記トレンチ内に前記レジスト層が部分的に残るように、前記レジスト層をパターニングする工程と、
前記レジスト層をパターニングする工程の後に、前記レジスト層をマスクとして用いて前記被覆絶縁膜をエッチングする工程とを含む、請求項５〜８のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記被覆絶縁膜をエッチングする工程はウエットエッチングによって行なわれる、請求項９に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、炭化珪素半導体装置の製造方法に関するものであり、特に、トレンチを有する炭化珪素半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
炭化珪素半導体装置として、たとえば特開平７−３２６７５５号公報（特許文献１）は、炭化珪素基板を用いたトレンチゲート型ＭＯＳＦＥＴ（Metal  Oxide  Semiconductor  Field  Effect  Transistor）を開示している。この公報によれば、トレンチの底部のゲート酸化膜の絶縁破壊を防止するために、側部に比して底部でのゲート熱酸化膜の厚さが大きくされている。このような厚さの相違を生じさせる方法として、酸化速度の結晶方位依存性が用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平７−３２６７５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記公報に記載の技術においては、ゲート絶縁膜を形成する際の熱酸化の速度が十分に大きな結晶方位依存性を有する必要がある。このような場合、本発明者らの検討によれば、トレンチの開口部においてゲート絶縁膜の厚さが局所的に薄くなってしまう。この結果、トレンチの開口部の近傍でのゲート絶縁膜の絶縁信頼性が低くなってしまう。
【０００５】
本発明は、上記のような課題を解決するために成されたものであり、この発明の目的は、トレンチの底部のゲート酸化膜の絶縁破壊を防止しつつ、トレンチの開口部の近傍でのゲート絶縁膜の十分な絶縁信頼性を確保することができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、以下の工程を有する。
第１の導電型を有する第１の半導体層と、第１の半導体層上に設けられ第２の導電型を有する第２の半導体層と、第２の半導体層上に設けられ第２の半導体層によって第１の半導体層と分離され第１の導電型を有する第３の半導体層とを含む炭化珪素基板が準備される。
【０００７】
炭化珪素基板に開口部を有するトレンチが形成される。トレンチは、第１の半導体層からなる底面と、第１〜第３の半導体層のそれぞれからなる第１〜第３の側面を有する側壁面とを含む。トレンチは、第１の側面と底面とが合わさることで構成された角部を有する。
【０００８】
角部を覆い、かつ開口部から第２の側面上に至る領域を露出する角絶縁膜が形成される。
【０００９】
開口部から角部に至る領域を覆うゲート絶縁膜が形成される。ゲート絶縁膜を形成する工程は、角絶縁膜が設けられたトレンチを熱酸化する工程を含む。トレンチを熱酸化する工程は１３００℃以上に炭化珪素基板を加熱する工程を含む。
【００１０】
ゲート絶縁膜を介してトレンチ上にゲート電極が形成される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、トレンチの開口部の近傍でのゲート絶縁膜の十分な絶縁信頼性を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施の形態１における炭化珪素半導体装置の構成を概略的に示す部分断面図である。
【図２】図１の炭化珪素半導体装置が有する炭化珪素基板の形状を概略的に示す斜視図であり、図を見やすくするために第２の導電型の領域にハッチングを付した図である。
【図３】図１の拡大図である。
【図４】図１の炭化珪素半導体装置の製造方法の第１工程を概略的に示す部分断面図である。
【図５】図１の炭化珪素半導体装置の製造方法の第２工程を概略的に示す部分断面図である。
【図６】図１の炭化珪素半導体装置の製造方法の第３工程を概略的に示す部分断面図である。
【図７】図１の炭化珪素半導体装置の製造方法の第４工程を概略的に示す部分断面図である。
【図８】図１の炭化珪素半導体装置の製造方法の第５工程を概略的に示す部分断面図である。
【図９】図１の炭化珪素半導体装置の製造方法の第６工程を概略的に示す部分断面図である。
【図１０】図１の炭化珪素半導体装置の製造方法の第７工程を概略的に示す部分断面図である。
【図１１】図１の炭化珪素半導体装置の製造方法の第８工程を概略的に示す部分断面図である。
【図１２】図１の炭化珪素半導体装置の製造方法の第９工程を概略的に示す部分断面図である。
【図１３】図１の炭化珪素半導体装置の製造方法の第１０工程を概略的に示す部分断面図である。
【図１４】図１の炭化珪素半導体装置の製造方法の第１１工程を概略的に示す部分断面図である。
【図１５】図１の炭化珪素半導体装置の製造方法の第１２工程を概略的に示す部分断面図である。
【図１６】図１の炭化珪素半導体装置の製造方法の第１３工程におけるプロセス条件の例を示すグラフ図である。
【図１７】図１の炭化珪素半導体装置の製造方法の第１３工程を概略的に示す部分断面図である。
【図１８】図１の炭化珪素半導体装置の製造方法の第１４工程を概略的に示す部分断面図である。
【図１９】比較例の炭化珪素半導体装置の製造方法の一工程を示す部分断面図である。
【図２０】本発明の実施の形態２における炭化珪素半導体装置の構成を概略的に示す部分断面図である。
【図２１】炭化珪素半導体装置が有する炭化珪素基板の表面の微細構造を概略的に示す部分断面図である。
【図２２】ポリタイプ４Ｈの六方晶における（０００−１）面の結晶構造を示す図である。
【図２３】図２２の線ＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩに沿う（１１−２０）面の結晶構造を示す図である。
【図２４】図２１の複合面の表面近傍における結晶構造を（１１−２０）面内において示す図である。
【図２５】図２１の複合面を（０１−１０）面から見た図である。
【図２６】巨視的に見たチャネル面および（０００−１）面の間の角度と、チャネル移動度との関係の一例を、熱エッチングが行われた場合と行われなかった場合との各々について示すグラフ図である。
【図２７】チャネル方向および＜０−１１−２＞方向の間の角度と、チャネル移動度との関係の一例を示すグラフ図である。
【図２８】図２１の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の図面において、同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰り返さない。本明細書中の結晶学的記載においては、個別方位を［］、集合方位を＜＞、個別面を（）、集合面を｛｝でそれぞれ示している。また結晶学上の指数が負であることは、通常、”−”（バー）を数字の上に付すことによって表現されるが、本明細書中では数字の前に負の符号を付している。
【００１４】
はじめに概要について、以下の(i)〜(x)に記す。
(i)  炭化珪素半導体装置５０１，５０２の製造方法は、以下の工程を有する。
【００１５】
第１の導電型を有する第１の半導体層１２１と、第１の半導体層１２１上に設けられ第２の導電型を有する第２の半導体層１２２と、第２の半導体層１２２上に設けられ第２の半導体層１２２によって第１の半導体層１２１と分離され第１の導電型を有する第３の半導体層１２３とを含む炭化珪素基板１００が準備される。
【００１６】
炭化珪素基板１００に開口部ＯＰを有するトレンチＴＲが形成される。トレンチＴＲは、第１の半導体層１２１からなる底面ＢＴと、第１〜第３の半導体層１２１〜１２３のそれぞれからなる第１〜第３の側面ＳＷ１〜ＳＷ３を有する側壁面ＳＷとを含む。トレンチＴＲは、第１の側面ＳＷ１と底面ＢＴとが合わさることで構成された角部ＣＲを有する。
【００１７】
角部ＣＲを覆い、かつ開口部ＯＰから第２の側面ＳＷ２上に至る領域を露出する角絶縁膜２０１Ｒが形成される。
【００１８】
開口部ＯＰから角部ＣＲに至る領域を覆うゲート絶縁膜２０１が形成される。ゲート絶縁膜２０１を形成する工程は、角絶縁膜２０１Ｒが設けられたトレンチＴＲを熱酸化する工程を含む。トレンチＴＲを熱酸化する工程は１３００℃以上に炭化珪素基板１００を加熱する工程を含む。
【００１９】
ゲート絶縁膜２０１を介してトレンチＴＲ上にゲート電極２３０が形成される。
上記の製造方法によれば、角絶縁膜２０１Ｒが設けられたトレンチＴＲを熱酸化することで形成されるゲート絶縁膜２０１は、トレンチＴＲの角部ＣＲにおいて、角絶縁膜２０１Ｒの厚さに対応する分だけ、より厚くされる。よって角部ＣＲを熱酸化によって厚くさせる必要がない。よって、結晶方位に依存して熱酸化速度が相違する現象を積極的に発生させる必要がない。よってそのような現象がほぼ生じない１３００℃以上の熱酸化を用いることができる。熱酸化の温度がこのように選択されることで、トレンチＴＲの開口部ＯＰの近傍でゲート絶縁膜２０１が薄くなる現象を抑制することができる。よって開口部ＯＰの近傍でのゲート絶縁膜の十分な絶縁信頼性を確保することができる。
【００２０】
(ii)  上記(i)において、トレンチＴＲを熱酸化する工程は、以下の工程を含むことが好ましい。
【００２１】
１３００℃未満の温度から１３００℃以上の温度へ非酸化雰囲気中で炭化珪素基板１００の温度が上げられる。炭化珪素基板１００の温度を１３００℃以上に保持しつつ、炭化珪素基板１００を取り巻く雰囲気が非酸化雰囲気から酸化雰囲気へ切り替えられる。
【００２２】
これにより、１３００℃以上での熱酸化をより十分にに行なうことができる。
(iii)  上記(ii)において、トレンチＴＲを熱酸化する工程は、以下の工程を含むことが好ましい。
【００２３】
炭化珪素基板１００の温度を１３００℃以上に保持しつつ、炭化珪素基板１００を取り巻く雰囲気が酸化雰囲気から非酸化雰囲気へ切り替えられる。炭化珪素基板１００を取り巻く雰囲気を非酸化雰囲気に保持しつつ、１３００℃以上の温度から１０００℃以下の温度へ炭化珪素基板１００が冷却される。
【００２４】
これにより１３００℃以上での熱酸化をより確実に行なうことができる。
(iv)  上記(ii)または(iii)において、炭化珪素基板１００を取り巻く雰囲気を非酸化雰囲気から酸化雰囲気へ切り替える工程は、炭化珪素基板１００を取り巻く雰囲気中に酸素ガスを導入する工程を含むことが好ましい。
【００２５】
これにより非酸化雰囲気から酸化雰囲気への切り換えを容易に行なうことができる。
(v)  上記(i)〜(iv)のいずれかにおいて、角絶縁膜２０１Ｒを形成する工程は、以下の工程を含むことが好ましい。
【００２６】
開口部ＯＰから角部ＣＲに至る領域を覆う被覆絶縁膜２０１Ｑが形成される。被覆絶縁膜２０１Ｑがパターニングされる。
【００２７】
これにより角絶縁膜２０１Ｒを、開口部ＯＰから角部ＣＲに至る領域を覆う膜から形成することができる。
【００２８】
(vi)  上記(v)において、被覆絶縁膜２０１Ｑを形成する工程は、以下の工程を含むことが好ましい。
【００２９】
トレンチＴＲ上にシリコン膜３０２Ｐが形成される。シリコン膜３０２Ｐが熱酸化される。
【００３０】
これにより被覆絶縁膜２０１Ｑをシリコン膜３０２Ｐを用いて形成することができる。
(vii)  上記(vi)において、被覆絶縁膜２０１Ｑを形成する工程は、シリコン膜３０２Ｐを形成する工程の前に、トレンチ上に熱酸化膜２０１Ｐを形成する工程を含むことが好ましい。
【００３１】
これにより被覆絶縁膜２０１Ｑに、熱酸化膜２０１Ｐから形成された部分を含めることができる。よって被覆絶縁膜２０１Ｑをより厚くすることができる。
【００３２】
(viii)  上記(vii)において、シリコン膜３０２Ｐを熱酸化する工程は１３００℃未満で行なわれることが好ましい。
【００３３】
これにより熱酸化膜２０１Ｐとシリコン膜３０２Ｐとの間の反応によるＳｉＯの生成にともなう絶縁性の劣化を抑制することができる。
【００３４】
(ix)  上記(v)〜(viii)において、被覆絶縁膜２０１Ｑをパターニングする工程は、以下の工程を含むことが好ましい。
【００３５】
被覆絶縁膜２０１Ｑを介してトレンチＴＲを埋めるようにレジスト液を塗布することでレジスト層４０２が形成される。
【００３６】
レジスト層４０２をエッチバックすることによって、トレンチＴＲ内にレジスト層４０２が部分的に残るように、レジスト層４０２がパターニングされる。
【００３７】
レジスト層４０２がパターニングされた後に、レジスト層４０２をマスクとして用いて被覆絶縁膜２０１Ｑがエッチングされる。
【００３８】
これにより被覆絶縁膜２０１Ｑのパターニングを容易に行なうことができる。
(x)  上記(ix)において、被覆絶縁膜２０１Ｑをエッチングする工程はウエットエッチングによって行なわれることが好ましい。
【００３９】
これによりエッチングが物理的エッチングではなく化学的エッチングにより行なわれる。よってエッチングにおける炭化珪素基板１００への物理的ダメージが生じない。
【００４０】
次により詳細な説明として、以下において、実施の形態１および２と、その補足事項とについて説明する。
【００４１】
（実施の形態１）
図１に示すように、本実施の形態のＭＯＳＦＥＴ５０１（炭化珪素半導体装置）は、エピタキシャル基板１００（炭化珪素基板）と、ゲート絶縁膜２０１と、ゲート電極２３０と、層間絶縁膜２０３と、ソース電極２２１と、ドレイン電極２１１と、ソース配線２２２と、保護電極２１２とを有する。
【００４２】
エピタキシャル基板１００は、炭化珪素から作られており、単結晶基板１１０およびその上に設けられたエピタキシャル層を有する。単結晶基板１１０はｎ型（第１の導電型）を有する。単結晶基板１１０の一方主面（図１における上面）の面方位（ｈｋｌｍ）は、好ましくは負のｍを有し、より好ましくはおおよそ（０００−１）面である。
【００４３】
さらに図２を参照して、エピタキシャル基板１００のエピタキシャル層は、ｎ-層１２１（第１の半導体層）と、ｐ型ボディ層１２２（第２の半導体層）と、ｎ領域１２３（第３の半導体層）と、コンタクト領域１２４とを有する。エピタキシャル基板１００の炭化珪素は、好ましくは六方晶の結晶構造を有し、より好ましくはポリタイプ４Ｈを有する。
【００４４】
ｎ-層１２１は、ドナーが添加されていることでｎ型を有する。ｎ-層１２１へのドナーの添加は、イオン注入によってではなく、ｎ-層１２１のエピタキシャル成長時の不純物添加によって行われていることが好ましい。ｎ-層１２１のドナー濃度は、単結晶基板１１０のドナー濃度よりも低いことが好ましい。ｎ-層１２１のドナー濃度は、好ましくは１×１０15ｃｍ-3以上５×１０16ｃｍ-3以下であり、たとえば８×１０15ｃｍ-3である。
【００４５】
ｐ型ボディ層１２２は、ｎ-層１２１上に設けられており、アクセプタが添加されていることでｐ型（第１の導電型と異なる第２の導電型）を有する。ｐ型ボディ層１２２のアクセプタ濃度は、たとえば１×１０18ｃｍ-3である。
【００４６】
ｎ領域１２３はｎ型を有する。ｎ領域１２３は、ｐ型ボディ層１２２上に設けられており、ｐ型ボディ層１２２によってｎ-層１２１と分離されている。
【００４７】
コンタクト領域１２４はｐ型を有する。コンタクト領域１２４は、ｐ型ボディ層１２２につながるようにｐ型ボディ層１２２の一部の上に形成されている。
【００４８】
図３を参照して、エピタキシャル基板１００のエピタキシャル層には、開口部ＯＰを有するトレンチＴＲが設けられている。トレンチＴＲは、ｎ-層１２１からなる底面ＢＴと、側面ＳＷ１〜ＳＷ３（第１〜第３の側面）を有する側壁面ＳＷとを含む。側面ＳＷ１〜ＳＷ３のそれぞれは、ｎ-層１２１、ｐ型ボディ層１２２およびｎ領域１２３からなる。底面ＢＴは、エピタキシャル基板１００の主面とほぼ平行な平坦面である。トレンチＴＲは、側面ＳＷ１と底面ＢＴとが合わさることで構成された角部ＣＲを有する。側面ＳＷ２は、ＭＯＳＦＥＴのチャネルとしての機能を有する。好ましくは、側壁面ＳＷ、特に側面ＳＷ２は、所定の結晶面（「特殊面」とも称する）を有する。特殊面の詳細については後述する。
【００４９】
エピタキシャル基板１００がトレンチＴＲを有するということは、単結晶基板１１０の上面上においてエピタキシャル層が部分的に除去されていることに対応している。本実施の形態においては、単結晶基板１１０の上面上において多数のメサ構造が形成されている。具体的には、メサ構造は上面および底部が六角形状となっており、その側壁は単結晶基板１１０の上面に対して傾斜している。これによりトレンチＴＲは開口側に向かって拡がっている。
【００５０】
ゲート絶縁膜２０１はトレンチＴＲ上に設けられている。ゲート絶縁膜２０１はトレンチＴＲ内においてエピタキシャル基板１００とゲート電極２３０とを隔てている。ゲート絶縁膜２０１は、酸化膜であることが好ましく、たとえばシリコン酸化膜である。
【００５１】
ゲート絶縁膜２０１は、底面ＢＴを覆う底部２０１Ｂと、底部２０１Ｂにつながっておりかつ側壁面ＳＷを覆う側壁部２０１Ｓとを有する。底部２０１Ｂは厚さｄ0を有する。側壁部２０１Ｓのうち側面ＳＷ２上の部分は最小厚さｄ1を有する。側壁部２０１Ｓのうち側面ＳＷ１上で底部２０１Ｂにつながる部分は厚さｄ2を有する。本実施の形態においては、厚さｄ1を有する部分と、厚さｄ2を有する部分とが、厚さが変化している領域である境界部ＢＰで互いにつながっている。境界部ＢＰは、本実施の形態においては、側面ＳＷ１およびＳＷ２の境界よりも深くに（図中、下方に）位置している。
【００５２】
上述した厚さに関して、ｄ2＞ｄ1が満たされている。好ましくはｄ0＞ｄ1が満たされている。好ましくは、側壁部２０１Ｓは、側面ＳＷ２上において、厚さｄ2よりも小さい厚さを有する部分によってｎ-層１２１およびｎ領域１２３をつないでいる。好ましくは、側壁部２０１Ｓは、側面ＳＷ２上において、厚さｄ1を有する部分によってｎ-層１２１およびｎ領域１２３をつないでいる。
【００５３】
ゲート電極２３０はゲート絶縁膜２０１を介してトレンチＴＲ上に設けられている。ずなわちゲート電極２３０は、ゲート絶縁膜２０１を介して、側面ＳＷ１〜ＳＷ３の各々と、底面ＢＴとに対向している。
【００５４】
ソース電極２２１は、層間絶縁膜２０３を貫通してｎ領域１２３およびコンタクト領域１２４の各々に接している。ソース配線２２２はソース電極２２１に接するようにソース電極２２１および層間絶縁膜２０３上に設けられている。ドレイン電極２１１は、エピタキシャル基板１００の、トレンチＴＲが設けられた面と反対の面の上に設けられている。保護電極２１２はドレイン電極２１１を被覆している。
【００５５】
次にＭＯＳＦＥＴ５０１（図１）の製造方法について説明する。
図４を参照して、単結晶基板１１０上にｎ-層１２１がエピタキシャル成長により形成される。このエピタキシャル成長は、たとえば原料ガスとしてシラン（ＳｉＨ4）とプロパン（Ｃ3Ｈ8）との混合ガスを用い、キャリアガスとしてたとえば水素ガス（Ｈ2）を用いたＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）法により行うことができる。また、このときドナーとしてたとえば窒素（Ｎ）やリン（Ｐ）を導入することが好ましい。
【００５６】
次に、ｎ-層１２１上のｐ型ボディ層１２２と、ｐ型ボディ層１２２上のｎ領域１２３とが形成される。具体的には、ｎ-層１２１の上面にイオン注入が行われる。ｐ型ボディ層１２２を形成するためのイオン注入においては、たとえばアルミニウム（Ａｌ）などのアクセプタがイオン注入される。またｎ領域１２３を形成するためのイオン注入においては、たとえばリン（Ｐ）などのドナーがイオン注入される。なおイオン注入に代わり、不純物の添加をともなうにエピタキシャル成長が用いられてもよい。次に、イオン注入によってコンタクト領域１２４が形成される。
【００５７】
次に、イオン注入により添加された不純物を活性化するための活性化熱処理が行われる。この熱処理の温度は、好ましくは１５００℃以上１９００℃以下であり、たとえば１７００℃程度である。熱処理の時間は、たとえば３０分程度である。熱処理の雰囲気は、好ましくは不活性ガス雰囲気であり、たとえばＡｒ雰囲気である。以上のようにしてエピタキシャル基板１００が準備される。
【００５８】
図５に示すように、エピタキシャル基板１００上に、ｎ領域１２３を部分的に露出する開口部を有するマスク４０１が形成される。開口部はトレンチＴＲ（図１）の位置に対応して配置される。マスク４０１としては、たとえば、熱酸化によって形成されたシリコン酸化膜を用いることができる。
【００５９】
図６に示すように、マスク４０１の開口部において、ｎ領域１２３と、ｐ型ボディ層１２２と、ｎ-層１２１の一部とがエッチングにより除去される。エッチングの方法としては、たとえば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、特に誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）ＲＩＥを用いることができる。具体的には、たとえば反応ガスとしてＳＦ6またはＳＦ6とＯ2との混合ガスを用いたＩＣＰ−ＲＩＥを用いることができる。このようなエッチングにより、トレンチＴＲ（図１）が形成されるべき領域に、側壁が単結晶基板１１０の主表面に対してほぼ垂直な内面ＳＶを有する凹部ＴＱを形成することができる。
【００６０】
次に、マスク４０１を用いてエピタキシャル基板１００がエッチングされる。具体的には、エピタキシャル基板１００に対して、凹部ＴＱの内面ＳＶにおいて熱エッチングが行われる。熱エッチングは、たとえば、少なくとも１種類以上のハロゲン原子を有する反応性ガスを含む雰囲気中で、エピタキシャル基板１００を加熱することによって行い得る。少なくとも１種類以上のハロゲン原子は、塩素（Ｃｌ）原子およびフッ素（Ｆ）原子の少なくともいずれかを含む。この雰囲気は、たとえば、Ｃｌ2、ＢＣＬ3、ＳＦ6、またはＣＦ4である。たとえば、塩素ガスと酸素ガスとの混合ガスを反応ガスとして用い、熱処理温度を、たとえば７００℃以上１０００℃以下として、熱エッチングが行われる。なお、反応ガスはキャリアガスを含んでいてもよい。キャリアガスとしては、たとえば窒素（Ｎ2）ガス、アルゴンガス、ヘリウムガスなどを用いることができる。そして、上述のように熱処理温度を７００℃以上１０００℃以下とした場合、ＳｉＣのエッチング速度は、たとえば約７０μｍ／時になる。また、この場合に、酸化珪素から作られたマスク４０１は、ＳｉＣに対する選択比が極めて大きいので、ＳｉＣのエッチング中に実質的にエッチングされない。
【００６１】
図７に示すように、上記の熱エッチングにより炭化珪素基板１００のエピタキシャル層にトレンチＴＲが形成される。トレンチＴＲの形成の際、エピタキシャル基板１００は、矢印ＳＥで示すようにマスク４０１の開口部からサイドエッチングされるようにエッチングされる。またこの熱エッチングの際、トレンチＴＲの側壁面ＳＷ上、特に側面ＳＷ２上に、特殊面が自己形成される。次に、たとえばウエットエッチングにより、マスク４０１が除去される（図８）。ウエットエッチングは、たとえばフッ化水素酸を用いて行ない得る。
【００６２】
図９に示すように、エピタキシャル基板１００の熱酸化によって、トレンチ上に熱酸化膜２０１Ｐが形成される。この熱酸化の温度は、１３００℃未満であってもよく、１３００℃以上であってもよい。
【００６３】
図１０に示すように、熱酸化膜２０１Ｐを介してトレンチＴＲ上にシリコン膜３０２Ｐが形成される。シリコン膜３０２Ｐの形成は、たとえば化学気相成長（ＣＶＤ）法により行ない得る。次にシリコン膜３０２Ｐが熱酸化される。これにより、開口部ＯＰから角部ＣＲに至る領域を覆う被覆絶縁膜２０１Ｑ（図１１）が形成される。シリコン膜３０２Ｐは、１３００℃未満で熱酸化されることが好ましく、特に１１００℃未満で熱酸化されることがより好ましい。またシリコン膜３０２Ｐは、９００℃超で熱酸化されることが好ましく、１０００℃超で熱酸化されることがより好ましい。
【００６４】
図１２に示すように、被覆絶縁膜２０１Ｑを介してトレンチＴＲを埋めるようにレジスト液を塗布することでレジスト層４０２が形成される。図１３に示すように、レジスト層４０２をエッチバックすることによって、トレンチＴＲ内にレジスト層４０２が部分的に残るように、レジスト層４０２がパターニングされる。エッチバックはエッチングマスクを用いることなく行なわれ得る。残されたレジスト層４０２は、被覆絶縁膜２０１Ｑを介して角部ＣＲを覆っている。レジスト層４０２がパターニングされた後に、レジスト層４０２をマスクとして用いて被覆絶縁膜２０１Ｑがエッチングされる。このエッチングはウエットエッチングによって行なわれることが好ましい。ウエットエッチングは、たとえばフッ化水素酸を用いて行ない得る。
【００６５】
以上のように図１２および図１３の工程を経て、被覆絶縁膜２０１Ｑがパターニングされる。この結果、図１４に示すように、角部ＣＲを覆い、かつ開口部ＯＰから側面ＳＷ２上に至る領域を露出する角絶縁膜２０１Ｒが形成される。角絶縁膜２０１Ｒは、角部ＣＲを覆っており、かつ側面ＳＷ２上の少なくとも一部を露出している。本実施の形態においては側面ＳＷ２の全体が露出され、また側面ＳＷ１のうち側面ＳＷ２に接する部分も露出される。
【００６６】
図１５に示すように、レジスト層４０２（図１４）が除去される。次に角絶縁膜２０１Ｒが設けられたトレンチＴＲが熱酸化される。熱酸化においてエピタキシャル基板１００は１３００℃以上に加熱される。すなわち１３００℃以上での熱酸化が行われる。具体的には、熱酸化のために、以下の工程が行われることが好ましい。
【００６７】
図１６を参照して、まず、１３００℃未満の温度から１３００℃以上の温度へ非酸化雰囲気中でエピタキシャル基板１００が加熱される。好ましくは１０００℃未満（たとえば室温程度）の温度から１３００℃以上の温度へ非酸化雰囲気中でエピタキシャル基板１００が加熱される。非酸化雰囲気は、たとえばＡｒ雰囲気である。
【００６８】
次に、エピタキシャル基板１００の温度を１３００℃以上に保持しつつ、エピタキシャル基板１００を取り巻く雰囲気が非酸化雰囲気から酸化雰囲気へ切り替えられる。これによりエピタキシャル基板１００の熱酸化が進行する。この切り替えは、エピタキシャル基板１００を取り巻く雰囲気中に酸素ガスを導入することにより行ない得る。たとえば、Ａｒ雰囲気から、ＡｒガスおよびＯ2（酸素）ガスの混合された雰囲気への切り換えが行われる。
【００６９】
次に、エピタキシャル基板１００の温度を１３００℃以上に保持しつつ、エピタキシャル基板１００を取り巻く雰囲気が酸化雰囲気から非酸化雰囲気へ切り替えられる。たとえば、ＡｒガスおよびＯ2ガスの混合された雰囲気からＡｒ雰囲気への切り換えが行われる。次に、エピタキシャル基板１００を取り巻く雰囲気を非酸化雰囲気に保持しつつ、１３００℃以上の温度から１０００℃以下の温度へ（たとえば室温程度へ）エピタキシャル基板１００が冷却される。
【００７０】
以上により、開口部ＯＰから角部ＣＲに至る領域を覆うゲート絶縁膜２０１（図１７）が形成される。
【００７１】
図１８に示すように、トレンチＴＲ上にゲート絶縁膜２０１を介してゲート電極２３０が形成される。ゲート電極２３０の形成方法は、たとえば、導体またはドープトポリシリコンの成膜とＣＭＰ（Chemical  Mechanical  Polishing）とによって行い得る。
【００７２】
再び図１を参照して、ゲート電極２３０の露出面を覆うようにゲート電極２３０およびゲート絶縁膜２０１上に層間絶縁膜２０３が形成される。層間絶縁膜２０３およびゲート絶縁膜２０１に開口部が形成されるようにエッチングが行われる。この開口部により、メサ構造の上面においてｎ領域１２３およびコンタクト領域１２４の各々が露出される。次に、メサ構造の上面においてｎ領域１２３およびコンタクト領域１２４の各々に接するソース電極２２１が形成される。ソース配線２２２、ドレイン電極２１１および保護電極２１２が形成される。これにより、ＭＯＳＦＥＴ５０１が得られる。
【００７３】
本実施の形態によれば、角絶縁膜２０１Ｒ（図１５）が設けられたトレンチＴＲを熱酸化することで形成されるゲート絶縁膜２０１（図１６）は、トレンチＴＲの角部ＣＲにおいて、角絶縁膜２０１Ｒの厚さに対応する分だけ、より厚くされる。よって角部ＣＲを熱酸化によって厚くさせる必要がない。よって、結晶方位に依存して熱酸化速度が相違する現象を積極的に発生させる必要がない。よってそのような現象がほぼ生じない１３００℃以上の熱酸化（図１６）を用いることができる。熱酸化の温度がこのように選択されることで、トレンチＴＲの開口部ＯＰの近傍でゲート絶縁膜２０１が薄くなる現象を抑制することができる。よって開口部ＯＰの近傍でのゲート絶縁膜の十分な絶縁信頼性を確保することができる。
【００７４】
なお仮に、開口部ＯＰ上の絶縁膜が１３００℃未満の熱酸化のみによって形成されると、ゲート絶縁膜２０１Ｚ（図１９）のように、開口部ＯＰの近傍での厚さが小さくなってしまう。
【００７５】
角絶縁膜２０１Ｒが設けられたトレンチＴＲが熱酸化される際には、１３００℃未満の温度から１３００℃以上の温度へ非酸化雰囲気中でエピタキシャル基板１００の温度が上げられ、エピタキシャル基板１００の温度を１３００℃以上に保持されつつ、エピタキシャル基板１００を取り巻く雰囲気が非酸化雰囲気から酸化雰囲気へ切り替えられることが好ましい。より好ましくは、エピタキシャル基板１００の温度を１３００℃以上に保持されつつ、エピタキシャル基板１００を取り巻く雰囲気が酸化雰囲気から非酸化雰囲気へ切り替えられ、エピタキシャル基板１００を取り巻く雰囲気を非酸化雰囲気に保持しつつ、１３００℃以上の温度から１０００℃以下の温度へエピタキシャル基板１００が冷却される。これにより１３００℃以上での熱酸化をより十分に行なうことができる。
【００７６】
エピタキシャル基板１００を取り巻く雰囲気を非酸化雰囲気から酸化雰囲気へ切り替える際には、エピタキシャル基板１００を取り巻く雰囲気中に酸素ガスが導入されることが好ましい。これにより非酸化雰囲気から酸化雰囲気への切り換えを容易に行なうことができる。
【００７７】
角絶縁膜２０１Ｒ（図１５）が形成される際には、開口部ＯＰから角部ＣＲに至る領域を覆う被覆絶縁膜２０１Ｑが形成され（図１１）、この被覆絶縁膜２０１Ｑがパターニングされること（図１２〜図１４）が好ましい。これにより角絶縁膜２０１Ｒを、開口部ＯＰから角部ＣＲに至る領域を覆う膜から形成することができる。
【００７８】
被覆絶縁膜２０１Ｑがパターニングされる際には、エッチバックによってパターニングされたレジスト層４０２（図１３）をマスクとして用いて被覆絶縁膜２０１Ｑがエッチングされることが好ましい。これにより被覆絶縁膜２０１Ｑのパターニングを容易に行なうことができる。被覆絶縁膜２０１Ｑはウエットエッチングによってエッチングされることが好ましい。これによりエッチングが物理的エッチングではなく化学的エッチングにより行なわれる。よってエッチングにおけるエピタキシャル基板１００への物理的ダメージが生じない。
【００７９】
被覆絶縁膜２０１Ｑ（図１１）が形成される際には、トレンチＴＲ上にシリコン膜３０２Ｐが形成され（図９）、このシリコン膜３０２Ｐが熱酸化される（図１０）ことが好ましい。これにより被覆絶縁膜２０１Ｑをシリコン膜３０２Ｐから形成することができる。またシリコン膜３０２Ｐだけでなく熱酸化膜２０１Ｐが形成されることで、被覆絶縁膜２０１Ｑをより厚くすることができる。
【００８０】
シリコン膜３０２Ｐは１３００℃未満で熱酸化されることが好ましく、特に１１００℃未満で熱酸化されることがより好ましい。これにより熱酸化膜２０１Ｐとシリコン膜３０２Ｐとの間の反応によるＳｉＯの生成にともなう絶縁性の劣化を抑制することができる。また熱酸化を実用上十分な速度で進めるには、シリコン膜３０２Ｐは９００℃超で熱酸化されることが好ましい。また熱酸化膜中に蓄積される応力を小さくするには、熱酸化膜を軟化させることができる温度である１０００℃超でシリコン膜３０２Ｐが熱酸化されることが好ましい。
【００８１】
（実施の形態２）
図２０に示すように、本実施の形態のＭＯＳＦＥＴ５０２（炭化珪素半導体装置）においては、実施の形態１（図３）と異なり、境界部ＢＰが側面ＳＷ１およびＳＷ２の境界上に位置している。ここでの「境界上に位置し」とは製造誤差を全く許容しないものではなく、具体的には±０．１μｍ程度の誤差は許容される。境界部ＢＰをこのように位置させるためには、たとえば、実施の形態１におけるエッチバック工程（図１２および図１３）の進行の程度を抑えればよい。なお上記以外の構成については、上述した実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
【００８２】
境界部ＢＰが上記のように位置することで、ゲート絶縁膜２０１の側壁部２０１Ｓは、側面ＳＷ１上において、厚さｄ1よりも大きい厚さを有する部分によってｐ型ボディ層１２２と底部２０１Ｂとの間をつないでいる。これにより、側壁部２０１Ｓのうち側面ＳＷ１上の部分が、厚さｄ1よりも大きい厚さを、より広い範囲において有する。よってトレンチＴＲの角部ＣＲ近傍でのゲート絶縁膜２０１の絶縁破壊をより確実に防止することができる。
【００８３】
ゲート絶縁膜２０１の側壁部２０１Ｓは、側面ＳＷ１上において、厚さｄ2を有する部分によってｐ型ボディ層１２２と底部２０１Ｂとの間をつないでいてもよい。これにより、側壁部２０１Ｓのうち側面ＳＷ１上の部分が、厚さｄ1よりも大きい厚さｄ2を、より広い範囲において有する。よってトレンチＴＲの角部ＣＲ近傍でのゲート絶縁膜２０１の絶縁破壊をより確実に防止することができる。
【００８４】
（特殊面を有する表面）
上述したように、トレンチＴＲの側壁面ＳＷ（図３）、特に側面ＳＷ２は、所定の結晶面（特殊面とも称する）を有することが好ましい。このような側壁面ＳＷは、図２１に示すように、面方位｛０−３３−８｝を有する面Ｓ１（第１の面）を含む。面Ｓ１は好ましくは面方位（０−３３−８）を有する。
【００８５】
より好ましくは、側壁面ＳＷは面Ｓ１を微視的に含み、側壁面ＳＷはさらに、面方位｛０−１１−１｝を有する面Ｓ２（第２の面）を微視的に含む。ここで「微視的」とは、原子間隔の２倍程度の寸法を少なくとも考慮する程度に詳細に、ということを意味する。このように微視的な構造の観察方法としては、たとえばＴＥＭ（Transmission  Electron  Microscope）を用いることができる。面Ｓ２は好ましくは面方位（０−１１−１）を有する。
【００８６】
好ましくは、側壁面ＳＷの面Ｓ１および面Ｓ２は、面方位｛０−１１−２｝を有する複合面ＳＲを構成している。すなわち複合面ＳＲは、面Ｓ１およびＳ２が周期的に繰り返されることによって構成されている。このような周期的構造は、たとえば、ＴＥＭまたはＡＦＭ（Atomic  Force  Microscopy）により観察し得る。この場合、複合面ＳＲは｛０００−１｝面に対して巨視的に６２°のオフ角を有する。ここで「巨視的」とは、原子間隔程度の寸法を有する微細構造を無視することを意味する。このように巨視的なオフ角の測定としては、たとえば、一般的なＸ線回折を用いた方法を用い得る。好ましくは複合面ＳＲは面方位（０−１１−２）を有する。この場合、複合面ＳＲは（０００−１）面に対して巨視的に６２°のオフ角を有する。
【００８７】
好ましくは、チャネル面上においてキャリアが流れる方向であるチャネル方向ＣＤは、上述した周期的繰り返しが行われる方向に沿っている。
【００８８】
次に、複合面ＳＲの詳細な構造について説明する。
一般に、ポリタイプ４Ｈの炭化珪素単結晶を（０００−１）面から見ると、図２２に示すように、Ｓｉ原子（またはＣ原子）は、Ａ層の原子（図中の実線）と、この下に位置するＢ層の原子（図中の破線）と、この下に位置するＣ層の原子（図中の一点鎖線）と、この下に位置するＢ層の原子（図示せず）とが繰り返し設けられている。つまり４つの層ＡＢＣＢを１周期としてＡＢＣＢＡＢＣＢＡＢＣＢ・・・のような周期的な積層構造が設けられている。
【００８９】
図２３に示すように、（１１−２０）面（図２２の線ＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩの断面）において、上述した１周期を構成する４つの層ＡＢＣＢの各層の原子は、（０−１１−２）面に完全に沿うようには配列されていない。図２３においてはＢ層の原子の位置を通るように（０−１１−２）面が示されており、この場合、Ａ層およびＣ層の各々の原子は（０−１１−２）面からずれていることがわかる。このため、炭化珪素単結晶の表面の巨視的な面方位、すなわち原子レベルの構造を無視した場合の面方位が（０−１１−２）に限定されたとしても、この表面は、微視的には様々な構造をとり得る。
【００９０】
図２４に示すように、複合面ＳＲは、面方位（０−３３−８）を有する面Ｓ１と、面Ｓ１につながりかつ面Ｓ１の面方位と異なる面方位を有する面Ｓ２とが交互に設けられることによって構成されている。面Ｓ１および面Ｓ２の各々の長さは、Ｓｉ原子（またはＣ原子）の原子間隔の２倍である。なお面Ｓ１および面Ｓ２が平均化された面は、（０−１１−２）面（図２３）に対応する。
【００９１】
図２５に示すように、複合面ＳＲを（０１−１０）面から見て単結晶構造は、部分的に見て立方晶と等価な構造（面Ｓ１の部分）を周期的に含んでいる。具体的には複合面ＳＲは、上述した立方晶と等価な構造における面方位（００１）を有する面Ｓ１と、面Ｓ１につながりかつ面Ｓ１の面方位と異なる面方位を有する面Ｓ２とが交互に設けられることによって構成されている。このように、立方晶と等価な構造における面方位（００１）を有する面（図２５においては面Ｓ１）と、この面につながりかつこの面方位と異なる面方位を有する面（図２５においては面Ｓ２）とによって表面を構成することは４Ｈ以外のポリタイプにおいても可能である。ポリタイプは、たとえば６Ｈまたは１５Ｒであってもよい。
【００９２】
次に図２６を参照して、側壁面ＳＷの結晶面と、チャネル面の移動度ＭＢとの関係について説明する。図２６のグラフにおいて、横軸は、チャネル面を有する側壁面ＳＷの巨視的な面方位と（０００−１）面とのなす角度Ｄ１を示し、縦軸は移動度ＭＢを示す。プロット群ＣＭは側壁面ＳＷが熱エッチングによる特殊面として仕上げられた場合に対応し、プロット群ＭＣはそのような熱エッチングがなされない場合に対応する。
【００９３】
プロット群ＭＣにおける移動度ＭＢは、チャネル面の表面の巨視的な面方位が（０−３３−８）のときに最大となった。この理由は、熱エッチングが行われない場合、すなわち、チャネル表面の微視的な構造が特に制御されない場合においては、巨視的な面方位が（０−３３−８）とされることによって、微視的な面方位（０−３３−８）、つまり原子レベルまで考慮した場合の面方位（０−３３−８）が形成される割合が確率的に高くなったためと考えられる。
【００９４】
一方、プロット群ＣＭにおける移動度ＭＢは、チャネル面の表面の巨視的な面方位が（０−１１−２）のとき（矢印ＥＸ）に最大となった。この理由は、図２４および図２５に示すように、面方位（０−３３−８）を有する多数の面Ｓ１が面Ｓ２を介して規則正しく稠密に配置されることで、チャネル面の表面において微視的な面方位（０−３３−８）が占める割合が高くなったためと考えられる。
【００９５】
なお移動度ＭＢは複合面ＳＲ上において方位依存性を有する。図２７に示すグラフにおいて、横軸はチャネル方向と＜０−１１−２＞方向との間の角度Ｄ２を示し、縦軸はチャネル面の移動度ＭＢ（任意単位）を示す。破線はグラフを見やすくするために補助的に付してある。このグラフから、チャネル移動度ＭＢを大きくするには、チャネル方向ＣＤ（図２１）が有する角度Ｄ２は、０°以上６０°以下であることが好ましく、ほぼ０°であることがより好ましいことがわかった。
【００９６】
図２８に示すように、側壁面ＳＷは複合面ＳＲに加えてさらに面Ｓ３（第３の面）を含んでもよい。より具体的には、面Ｓ３および複合面ＳＲが周期的に繰り返されることによって構成された複合面ＳＱを側壁面ＳＷが含んでもよい。この場合、側壁面ＳＷの｛０００−１｝面に対するオフ角は、理想的な複合面ＳＲのオフ角である６２°からずれる。このずれは小さいことが好ましく、±１０°の範囲内であることが好ましい。このような角度範囲に含まれる表面としては、たとえば、巨視的な面方位が{０−３３−８}面となる表面がある。より好ましくは、側壁面ＳＷの（０００−１）面に対するオフ角は、理想的な複合面ＳＲのオフ角である６２°からずれる。このずれは小さいことが好ましく、±１０°の範囲内であることが好ましい。このような角度範囲に含まれる表面としては、たとえば、巨視的な面方位が（０−３３−８）面となる表面がある。
【００９７】
このような周期的構造は、たとえば、ＴＥＭまたはＡＦＭにより観察し得る。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。たとえば、炭化珪素半導体装置は、ＭＯＳＦＥＴ以外のＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）であってもよい。また炭化珪素半導体装置はＭＩＳＦＥＴに限定されず、たとえばＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）であってもよい。また第１および第２の導電型のそれぞれはｎ型およびｐ型に限定されず、これらが入れ替えられてもよい。
【符号の説明】
【００９８】
１００  エピタキシャル基板（炭化珪素基板）
１１０  単結晶基板
１２１  ｎ-層（第１の半導体層）
１２２  ｐ型ボディ層（第２の半導体層）
１２３  ｎ領域（第３の半導体層）
１２４  コンタクト領域
２０１  ゲート絶縁膜
２０１Ｂ  底部
２０１Ｐ  熱酸化膜
２０１Ｑ  被覆絶縁膜
２０１Ｒ  角絶縁膜
２０１Ｓ  側壁部
２０３  層間絶縁膜
２１１  ドレイン電極
２１２  保護電極
２２１  ソース電極
２２２  ソース配線
２３０  ゲート電極
３０２Ｐ  シリコン膜
４０１  マスク
４０２  レジスト層
５０１，５０２  ＭＯＳＦＥＴ（炭化珪素半導体装置）
ＢＰ  境界部
ＢＴ  底面
ＣＲ  角部
ＯＰ  開口部
ＳＷ  側壁面
ＳＷ１〜ＳＷ３  側面（第１〜第３の側面）
ＴＲ  トレンチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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