(57)【要約】【課題】実装体積が小さい高集積化に好適な半導体装置を提供する。【解決手段】一実施形態に係る半導体装置は、基板、第１の半導体チップ、第２の半導体チップ、及びディスクリート部品を備える。第１の半導体チップは、前記基板上に配置され、第１の電極群を備える。第２の半導体チップは、前記基板上に配置され、第２の電極群を備える。前記第２の電極群に含まれる少なくとも１つの電極は、少なくとも１つのボンディングワイヤを介して、前記第１の電極群に含まれる少なくとも１つの電極に接続されている。ディスクリート部品は、前記基板上であって、前記ボンディングワイヤの下方に配置されている。【選択図】図１Ａ
2014170805.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置され、第１の電極群を備える第１の半導体チップと、
前記基板上に配置され、第２の電極群を備える第２の半導体チップであって、前記第２の電極群に含まれる少なくとも１つの電極は、少なくとも１つのボンディングワイヤを介して、前記第１の電極群に含まれる少なくとも１つの電極に接続されている、第２の半導体チップと、
前記基板上であって、前記ボンディングワイヤの下方に配置されているディスクリート部品と、
を具備する半導体装置。
【請求項２】
前記ディスクリート部品は、第１の電源配線又はグランド配線に接続されている第１のコンデンサ、及び第２の電源配線又はグランド配線に接続されている第２のコンデンサを含み、
前記少なくとも１つのボンディングワイヤは、第１のボンディングワイヤ及び第２のボンディングワイヤを含み、
前記第１の電極群は、第１の電極、第２の電極、及び第３の電極を含み、前記第１の電極、前記第２の電極、及び前記第３の電極は、この順に前記第１の半導体チップに配置されており、
前記第１の電極は、前記第１のボンディングワイヤの一端に接続され、
前記第２の電極は、前記第１の電源配線又はグランド配線に接続され、
前記第３の電極は、前記第２のボンディングワイヤの一端に接続され、
前記第２の電極群は、第４の電極、第５の電極、及び第６の電極を含み、前記第４の電極、前記第５の電極、及び前記第６の電極は、この順に前記第２の半導体チップに配置されており、
前記第４の電極は、前記第１のボンディングワイヤの他端に接続され、
前記第５の電極は、前記第２の電源配線又はグランド配線に接続され、
前記第６の電極は、前記第２のボンディングワイヤの他端に接続され、
前記第１のコンデンサは前記第１のボンディングワイヤの下方に配置され、前記第２のコンデンサは前記第２のボンディングワイヤの下方に配置されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１のコンデンサ及び前記第２の電極は前記第１の電源配線に接続され、
前記第２のコンデンサ及び前記第５の電極は前記第２の電源配線に接続され、
前記第１の電源配線及び前記第２の電源配線は、前記基板に形成されている共通電源配線に接続されている、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１のコンデンサ及び前記第２の電極は前記第１のグランド配線に接続され、
前記第２のコンデンサ及び前記第５の電極は前記第２のグランド配線に接続され、
前記第１のグランド配線及び前記第２のグランド配線は、前記基板に形成されている共通グランド配線に接続されている、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１の電極群は、第７の電極及び第８の電極をさらに含み、前記第７の電極、前記第１の電極、前記第２の電極、前記第３の電極、及び前記第８の電極は、この順に前記第１の半導体チップに配置されており、
前記第７の電極は、第３の電源配線又はグランド配線に接続され、
前記第８の電極は、第４の電源配線又はグランド配線に接続され、
前記第２の電極群は、第９の電極及び第１０の電極をさらに含み、前記第９の電極、前記第４の電極、前記第５の電極、前記第６の電極、及び前記第１０の電極は、この順に前記第１の半導体チップに配置され、
前記第９の電極は、第５の電源配線又はグランド配線に接続され、
前記第１０の電極は、第６の電源配線又はグランド配線に接続されている、請求項２乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ディスクリート部品は、第１の電源配線又はグランド配線に接続されている第１のコンデンサ、及び第２の電源配線又はグランド配線に接続されている第２のコンデンサを含み、
前記少なくとも１つのボンディングワイヤは、第１の差動信号を伝送するための第１のボンディングワイヤ及び第２のボンディングワイヤ、並びに、第２の差動信号を伝送するための第３のボンディングワイヤ及び第４のボンディングワイヤを含み、
前記第１の電極群は、第１の電極、第２の電極、第３の電極、第４の電極、及び第５の電極を含み、前記第１の電極、前記第２の電極、前記第３の電極、前記第４の電極、及び前記第５の電極は、この順に前記第１の半導体チップに配置されており、
前記第１の電極は、前記第１のボンディングワイヤの一端に接続され、
前記第２の電極は、前記第２のボンディングワイヤの一端に接続され、
前記第３の電極は、前記第１の電源配線又はグランド配線に接続され、
前記第４の電極は、前記第３のボンディングワイヤの一端に接続され、
前記第５の電極は、前記第４のボンディングワイヤの一端に接続され、
前記第２の電極群は、第６の電極、第７の電極、第８の電極、第９の電極、及び第１０の電極を含み、前記第６の電極、前記第７の電極、前記第８の電極、前記第９の電極、及び前記第１０の電極は、この順に前記第２の半導体チップに配置されており、
前記第６の電極は、前記第１のボンディングワイヤの他端に接続され、
前記第７の電極は、前記第２のボンディングワイヤの他端に接続され、
前記第８の電極は、前記第２の電源配線又はグランド配線に接続され、
前記第９の電極は、前記第３のボンディングワイヤの他端に接続され、
前記第１０の電極は、前記第４のボンディングワイヤの他端に接続され、
前記第１のコンデンサは前記第１のボンディングワイヤ及び前記第２のボンディングワイヤの下方に配置され、前記第２のコンデンサは前記第３のボンディングワイヤ及び前記第４のボンディングワイヤの下方に配置されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１のコンデンサ及び前記第３の電極は前記第１の電源配線に接続され、
前記第２のコンデンサ及び前記第８の電極は前記第２の電源配線に接続され、
前記第１の電源配線及び前記第２の電源配線は、前記基板に形成されている共通電源配線に接続されている、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１のコンデンサ及び前記第３の電極は前記第１のグランド配線に接続され、
前記第２のコンデンサ及び前記第８の電極は前記第２のグランド配線に接続され、
前記第１のグランド配線及び前記第２のグランド配線は、前記基板に形成されている共通グランド配線に接続されている、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１の電極群は、第１１の電極及び第１２の電極をさらに含み、前記第１１の電極、前記第１の電極、前記第２の電極、前記第３の電極、前記第４の電極、前記第５の電極、及び前記第１２の電極は、この順に前記第１の半導体チップに配置されており、
前記第１１の電極は、第３の電源配線又はグランド配線に接続され、
前記第１２の電極は、第４の電源配線又はグランド配線に接続され、
前記第２の電極群は、第１３の電極及び第１４の電極をさらに含み、前記第１３の電極、前記第６の電極、前記第７の電極、前記第８の電極、前記第９の電極、前記第１０の電極、及び前記第１４の電極は、この順に前記第２の半導体チップに配置されており、
前記第１３の電極は、第５の電源配線又はグランド配線に接続され、
前記第１４の電極は、第６の電源配線又はグランド配線に接続されている、請求項６乃至８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第１の半導体チップ及び前記第２の半導体チップの少なくとも一方が無線通信機能を有する無線チップである、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第１の半導体チップは、マイクロ波帯で通信する無線チップであり、
前記第２の半導体チップは、ミリ波帯で通信する無線チップである、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
請求項１０又は１１に記載の半導体装置と、
前記半導体装置との間でやり取りするデータを処理する制御部と、
前記データを保存するメモリと、
を具備する無線装置。
【請求項１３】
請求項１０又は１１に記載の半導体装置と、
前記半導体装置との間でやり取りするデータを処理する制御部と、
前記データを保存するメモリと、
を具備する記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置、並びに、それを備える無線装置及び記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上に半導体チップ及び電子部品（例えばコンデンサ）が混載されている半導体装置がある。このような半導体装置では、半導体チップと基板との間にスペーサを設け、そのスペーサ部分に電子部品を配置することにより、高集積化している。しかしながら、スペーサを設けるために装置の高さが増すことで実装体積が増大する問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−８０１４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体装置においては、実装体積が小さいこと及び高集積化できることが求められている。
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、実装体積が小さい高集積化に好適な半導体装置、並びに、それを備える無線装置及び記憶装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一実施形態に係る半導体装置は、基板、第１の半導体チップ、第２の半導体チップ、及びディスクリート部品を備える。第１の半導体チップは、前記基板上に配置され、第１の電極群を備える。第２の半導体チップは、前記基板上に配置され、第２の電極群を備える。前記第２の電極群に含まれる少なくとも１つの電極は、少なくとも１つのボンディングワイヤを介して、前記第１の電極群に含まれる少なくとも１つの電極に接続されている。ディスクリート部品は、前記基板上であって、前記ボンディングワイヤの下方に配置されている。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１Ａ】第１の実施形態に係る半導体装置を概略的に示す平面図。
【図１Ｂ】図１Ａに示したＢ−Ｂ’線に沿う半導体装置の断面図。
【図２】第２の実施形態に係る半導体装置を概略的に示す平面図。
【図３】第３の実施形態に係る半導体装置を概略的に示す平面図。
【図４】第４の実施形態に係る半導体装置を概略的に示す平面図。
【図５】第５の実施形態に係る半導体装置を概略的に示す平面図。
【図６】第５の実施形態の変形例に係る半導体装置を概略的に示す平面図。
【図７】図５に示した電極と基板上の配線との接続例を示す図。
【図８】第６の実施形態に係る半導体装置を概略的に示す平面図。
【図９】第６の実施形態の変形例に係る半導体装置を概略的に示す平面図。
【図１０】第７の実施形態に係る半導体装置を概略的に示す平面図。
【図１１】一実施形態に係る半導体装置を搭載した無線装置を概略的に示すブロック図。
【図１２】一実施形態に係る半導体装置を搭載した無線装置の例を示す斜視図。
【図１３】一実施形態に係る半導体装置を搭載したメモリーカードの一例を示すブロック図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、必要に応じて図面を参照しながら種々の実施形態について説明する。
【０００９】
（第１の実施形態）  
図１Ａは、第１の実施形態に係る半導体装置１００を概略的に示す平面図であり、図１Ｂは、図１Ａに示したＢ−Ｂ’線に沿う半導体装置１００の断面図である。半導体装置１００は、図１Ａに示すように、基板１０１、電極群１１１を含む半導体チップ１１０、電極群１２１を含む半導体チップ１２０、及びディスクリート部品１３０を備える。ディスクリート部品１３０は、例えば、コンデンサ、抵抗、コイルなどの１以上の電子部品を含む。
【００１０】
半導体チップ１１０及び１２０の各々は、例えば、半導体材料で形成された半導体基板の内部又は表層に金属パターンが形成されたものである。半導体材料としては、例えば、シリコン、シリコンゲルマニウム、ガリウム砒素などが使用される。金属パターンは、例えば、銅、アルミ、又は金などで形成されている。なお、半導体チップ１１０及び１２０の各々は、上記の例に限らず、いかなる形態のチップであってもよい。例えば、半導体基板に代えて、誘電体基板や磁性体基板が使用されてもよい。
【００１１】
本実施形態では、半導体チップ１１０及び１２０の各々の平面形状は長方形である。半導体チップ１１０の表面には電極群１１１が設けられている。具体的には、半導体チップ１１０の表面には、その外周に沿って複数の電極が形成されている。半導体チップ１２０の表面には電極群１２１が設けられている。具体的には、半導体チップ１２０の表面には、その外周に沿って複数の電極が形成されている。電極群１１１は、電極１１１−１を含み、電極群１２１は、電極１１１−１に対向する電極１２１−１を含む。
【００１２】
なお、半導体チップ１１０及び１２０の各々の平面形状は、図１Ａに示すような長方形の例に限らず、正方形などの四角形、多角形、円形、又は他の複雑な形状であってもよい。さらに、基板１０１の平面形状は、図１Ａに示すような長方形の例に限らず、いかなる形状であってもよい。
【００１３】
半導体チップ１１０、半導体チップ１２０、及びディスクリート部品１３０は、基板１０１上に配置されている。より具体的には、図１Ｂに示すように、基板１０１は互いに対向する２つの主面１０２及び１０３を備え、主面１０２上の異なる位置に、半導体チップ１１０、の半導体チップ１２０、及びディスクリート部品１３０が配置されている。ディスクリート部品１３０は半導体チップ１１０と半導体チップ１２０との間に位置している。ここでは、主面１０２側を上、主面１０３側を下として、半導体装置１００の高さ方向（すなわち、主面１０２に垂直な方向）に沿って上下方向を定義する。この場合、主面１０２は上面に相当し、主面１０３は下面に相当する。本実施形態では、半導体チップ１１０、半導体チップ１２０、及びディスクリート部品１３０が基板１０１上に並んで配置されているので、半導体装置１００の高さが低い、すなわち、半導体装置１００の実装体積（サイズ）が小さい。
【００１４】
半導体チップ１１０と半導体チップ１２０はボンディングワイヤ１４０によって電気的に接続されている。具体的には、ボンディングワイヤ１４０の一端が半導体チップ１１０の電極１１１−１に接続され、ボンディングワイヤ１４０の他端が半導体チップ１２０の電極１２１−１に接続されている。ディスクリート部品１３０は、ボンディングワイヤ１４０の下方に配置されている。すなわち、ボンディングワイヤ１４０は、ディスクリート部品１３０に直接的に或いは電気的に接触することがないように、ディスクリート部品１３０の上方を越えて配設されている。本実施形態では、ボンディングワイヤ１４０下にディスクリート部品１３０を配置することにより、半導体チップ１１０と半導体チップ１２０との間にディスクリート部品１３０を配置することが可能になり、高集積化を図ることができる。
【００１５】
なお、半導体チップ１１０と半導体チップ１２０は、後述するように、複数のボンディングワイヤによって電気的に接続されていてもよい。さらに、半導体チップの数は、図１Ａに示すような２つの例に限定されず、３つ以上であってもよい。
【００１６】
一例では、半導体装置１００は、半導体パッケージとして提供される。具体的には、基板１０１の主面１０２上に封止樹脂（図示せず）が形成され、この封止樹脂によって、半導体チップ１１０及び１２０、ディスクリート部品１３０、並びに、ボンディングワイヤ１４０が封止されている。さらに、基板１０１の主面１０３には、複数の端子（図示せず）が設けられている。これらの端子は、例えば、半田ボールで形成される。これらの端子は、基板１０１に形成されている配線（図示せず）を介して、半導体チップ１１０及び１２０並びにディスクリート部品１３０に電気的に接続されている。
【００１７】
以上のように、第１の実施形態に係る半導体装置１００では、半導体チップ１１０及び１２０間を接続するボンディングワイヤ１４０下にディスクリート部品１３０を配置することにより、小さい実装体積及び高集積化を実現することができる。
【００１８】
（第２の実施形態）  
図２は、第２の実施形態に係る半導体装置２００を概略的に示す平面図である。図２において、図１Ａに示した符号と同様の符号を同一部分、同一箇所に付してその説明を省略する。
【００１９】
図２に示す半導体装置２００は、基板１０１、電極群１１１を含む半導体チップ１１０、電極群１２１を含む半導体チップ１２０、並びに、ディスクリート部品としてのコンデンサ２３１及びコンデンサ２３２を備える。半導体チップ１１０及び１２０並びにコンデンサ２３１及び２３２は、基板１０１の主面１０２上の異なる位置に配置されている。コンデンサ２３１及び２３２は半導体チップ１１０と半導体チップ１２０との間に位置している。コンデンサ２３１及び２３２の各々は、例えば、半導体チップの電源とグランドとの間の電位差の揺れ（ノイズ）を軽減するためのデカップリングコンデンサである。
【００２０】
半導体チップ１１０の電極群１１１は電極１１１−１、１１１−２、及び１１１−３を含み、電極１１１−１〜１１１−３は、半導体チップ１１０表面の半導体チップ１２０に対向する部分にこの順に並んで設けられている。半導体チップ１２０の電極群１２１は電極１２１−１、１２１−２、及び１２１−３を含み、電極１２１−１〜１２１−３は、半導体チップ１２０表面の半導体チップ１１０に対向する部分にこの順に並んで設けられている。電極１１１−１〜１１１−３は電極１２１−１〜１２１−３にそれぞれ対向している。電極１１１−１と電極１２１−１はボンディングワイヤ２４０によって電気的に接続され、電極１１１−３と電極１２１−３はボンディングワイヤ２４３によって電気的に接続されている。ボンディングワイヤ２４０及び２４３は、半導体チップ１１０と半導体チップ１２０との間での信号の受け渡しに使用される信号配線である。以下では、半導体チップ１１０及び１２０間を電気的に接続するボンディングワイヤを信号配線とも称する。ボンディングワイヤ２４０の下方にコンデンサ２３１が配置され、ボンディングワイヤ２４３の下方にコンデンサ２３２が配置されている。ボンディングワイヤ２４０及び２４３の下にコンデンサ２３１及び２３２を配置することにより、高集積化を図ることができる。
【００２１】
基板１０１には配線２５１及び２５２が形成されている。配線２５１及び２５２は、電源電圧を供給するための電源配線又は接地電圧を供給するためのグランド配線である。配線２５１には、半導体チップ１１０の電極１１１−２がボンディングワイヤ２４１を介して電気的に接続されているとともに、コンデンサ２３１の一端子が電気的に接続されている。さらに、配線２５２には、半導体チップ１２０の電極１２１−２がボンディングワイヤ２４２を介して電気的に接続されているとともに、コンデンサ２３２の一端子が電気的に接続されている。このように、信号配線２４０及び２４３間に電源配線又はグランド配線を配置することにより、信号配線２４０及び２４３間のクロストークの影響を軽減することができる。その結果、半導体チップ１１０と半導体チップ１２０との間の通信品質を向上することができる。
【００２２】
以上のように、第２の実施形態に係る半導体装置２００では、半導体チップ１１０及び１２０間を接続するボンディングワイヤ２４０及び２４３下にコンデンサ２３１及び２３２をそれぞれ配置することにより、小さい実装体積及び高集積化を実現することができる。さらに、信号配線２４０及び２４３間に電源配線又はグランド配線２５１及び２５２を配置することにより、信号配線２４０及び２４３間のクロストークの影響を軽減することができる。その結果、半導体チップ１１０と半導体チップ１２０との間の通信品質を向上することができる。
【００２３】
（第３の実施形態）  
図３は、第３の実施形態に係る半導体装置３００を概略的に示す平面図である。図３において、図１Ａに示した符号と同様の符号を同一部分、同一箇所に付してその説明を省略する。第３の実施形態が第２の実施形態と異なる点は、第３の実施形態では半導体チップ１１０及び１２０間の通信を差動伝送で行うことである。
【００２４】
図３に示す半導体装置３００は、基板１０１、電極群１１１を含む半導体チップ１１０、電極群１２１を含む半導体チップ１２０、並びに、ディスクリート部品としてのコンデンサ３３１及び３３２を備える。半導体チップ１１０及び１２０並びにコンデンサ３３１及び３３２は、基板１０１の主面１０２上の異なる位置に配置されている。コンデンサ３３１及び３３２は半導体チップ１１０と半導体チップ１２０との間に位置している。コンデンサ３３１及び３３２の各々は、例えば、半導体チップの電源とグランドとの間の電位差の揺れ（ノイズ）を軽減するためのデカップリングコンデンサである。
【００２５】
半導体チップ１１０の電極群１１１は電極１１１−１、１１１−２、１１１−３、１１１−４、及び１１１−５を含み、電極１１１−１〜１１１−５は、半導体チップ１１０表面の半導体チップ１２０に対向する部分にこの順に並んで設けられている。半導体チップ１２０の電極群１２１は電極１２１−１、１２１−２、１２１−３、１２１−４、及び１２１−５を含み、電極１２１−１〜１２１−５は、半導体チップ１２０表面の半導体チップ１１０に対向する部分にこの順に並んで設けられている。電極１１１−１〜１１１−５はそれぞれ電極１２１−１〜１２１−５に対向している。
【００２６】
電極１１１−１と電極１２１−１はボンディングワイヤ３４０によって電気的に接続され、電極１１１−２と電極１２１−２はボンディングワイヤ３４１によって電気的に接続されている。ボンディングワイヤ３４０及び３４１の対は、例えば、半導体チップ１２０が半導体チップ１１０に差動信号を伝送するための信号配線（差動伝送線路）である。ボンディングワイヤ３４０及び３４１の対の下方にコンデンサ３３１が配置されている。さらに、電極１１１−４と電極１２１−４はボンディングワイヤ３４４によって電気的に接続され、電極１１１−５と電極１２１−５はボンディングワイヤ３４５によって電気的に接続されている。ボンディングワイヤ３４４及び３４５の対は、例えば、半導体チップ１１０が半導体チップ１２０に差動信号を伝送するための信号配線である。ボンディングワイヤ３４４及び３４５の対の下方にコンデンサ３３２が配置されている。ボンディングワイヤ３４０、３４１、３４４、及び３４５下にコンデンサ３３１及び３３２を配置することにより、高集積化を図ることができる。
【００２７】
基板１０１には配線３５１及び３５２が形成されている。配線３５１及び３５２は、電源配線又はグランド配線である。配線３５１には、電極１１１−３がボンディングワイヤ３４２を介して電気的に接続されているとともに、コンデンサ３３１の一端子が電気的に接続されている。さらに、配線３５２には、電極１２１−３がボンディングワイヤ３４３を介して電気的に接続されているとともに、コンデンサ３３２の一端子が半導体チップ１２０の接続されている。このように、信号配線３４０及び３４１の対と信号配線３４４及び３４５の対との間に電源配線又はグランド配線を配置し、且つ、半導体チップ１１０及び１２０間の通信を差動伝送で行うことにより、信号配線３４０及び３４１の対と信号配線３４４及び３４５の対との間のクロストークの影響をより軽減することができる。その結果、半導体チップ１１０と半導体チップ１２０との間の通信品質をより向上することができる。
【００２８】
以上のように、第３の実施形態に係る半導体装置３００では、半導体チップ１１０及び１２０間を接続するボンディングワイヤ３４０、３４１、３４４、及び３４５下にコンデンサ３３１及び３３２を配置することにより、小さい実装体積及び高集積化を実現することができる。さらに、信号配線３４０及び３４１の対と信号配線３４４及び３４５の対との間に電源配線又はグランド配線３５１及び３５２を配置し、且つ、半導体チップ１１０及び１２０間の通信を差動伝送で行うことにより、信号配線３４０及び３４１の対と信号配線３４４及び３４５の対との間のクロストークの影響をより軽減することができる。その結果、半導体チップ１１０と半導体チップ１２０との間の通信品質をより向上することができる。
【００２９】
（第４の実施形態）  
第４の実施形態は、第３の実施形態の変形例に対応する。  
図４は、第４の実施形態に係る半導体装置４００を概略的に示す平面図である。図４において、図３に示した符号と同様の符号を同一部分、同一箇所に付してその説明を省略する。
【００３０】
図４に示す半導体装置４００では、基板１０１に共通配線４５０が形成されている。共通配線４５０は、共通グランド配線又は共通電源配線である。共通配線４５０には、半導体チップ１１０の電極１１１−３がボンディングワイヤ３４２を介して、半導体チップ１２０の電極１２１−３がボンディングワイヤ３４３を介して、電気的に接続されている。すなわち、第４の実施形態は、第３の実施形態で説明した配線３５１及び３５２（図３）が共通配線４５０に接続されている若しくは組み込まれている形態に対応する。
【００３１】
共通配線４５０が共通グランド配線である場合、図３に示したグランド配線３５１及び３５２が共通グランド配線４５０に接続されている。すなわち、半導体チップ１１０の電極１１１−３及び半導体チップ１２０の電極１２１−３はともに共通グランド配線４５０に接続されている。半導体チップ１１０のグランド配線と半導体チップ１２０のグランド配線を共通にすることにより、グランド配線を広くとることができる。これにより、グランド配線のインピーダンスを低くすることができる。その結果、グランドのノイズ耐性を向上することができる。
【００３２】
共通配線４５０が共通電源配線である場合、図３に示した電源配線３５１及び３５２が共通電源配線４５０に接続されている。すなわち、半導体チップ１１０の電極１１１−３及び半導体チップ１２０の電極１２１−３はともに共通電源配線４５０に接続されている。半導体チップ１１０の電源配線と半導体チップ１２０の電源配線を共通にすることにより、電源配線を広くとることができる。これにより、電源配線のインピーダンスを低くすることができる。その結果、電源のノイズ耐性を向上することができる。
【００３３】
以上のように、本実施形態に係る半導体装置４００では、半導体チップ１１０及び１２０のグランド配線又は電源配線を共通にすることにより、基板１０１上の配線領域を広くとることができ、高集積化しながらグランド又は電源のノイズ耐性を向上することができる。
【００３４】
なお、本実施形態は、第３の実施形態の変形例として説明したが、他の実施形態に対しても同様の変形を行うことができる。例えば、第２の実施形態に係る半導体装置２００（図２）において、グランド配線（又は電源配線）２５１及び２５２が共通グランド配線（又は共通電源配線）に接続されていてもよい。
【００３５】
（第５の実施形態）  
図５は、第５の実施形態に係る半導体装置５００を概略的に示す平面図である。図５において、図１Ａに示した符号と同様の符号を同一部分、同一箇所に付してその説明を省略する。
【００３６】
図５に示す半導体装置５００は、基板１０１、電極群１１１を含む半導体チップ１１０、電極群１２１を含む半導体チップ１２０、並びに、ディスクリート部品としてのコンデンサ５３１及び５３２を備える。半導体チップ１１０及び１２０並びにコンデンサ５３１及び５３２は、基板１０１の主面１０２上の異なる位置に配置されている。コンデンサ５３１及び５３２は半導体チップ１１０と半導体チップ１２０との間に位置している。コンデンサ５３１及び５３２の各々は、例えば、半導体チップの電源とグランドとの間の電位差の揺れ（ノイズ）を軽減するためのデカップリングコンデンサである。
【００３７】
半導体チップ１１０の電極群１１１は電極１１１−１〜１１１−７を含み、電極１１１−１〜１１１−７は、半導体チップ１１０表面の半導体チップ１２０に対向する部分にこの順に並んで設けられている。半導体チップ１２０の電極群１２１は電極１２１−１〜１２１−７を含み、電極１２１−１〜１２１−７は、半導体チップ１２０表面の半導体チップ１１０に対向する部分にこの順に並んで設けられている。電極１１１−１〜１１１−７はそれぞれ電極１２１−１〜１２１−７に対向している。
【００３８】
電極１１１−２と電極１２１−２はボンディングワイヤ５４２によって電気的に接続され、電極１１１−３と電極１２１−３はボンディングワイヤ５４３によって電気的に接続されている。ボンディングワイヤ５４２及び５４３の対は、例えば、半導体チップ１２０が半導体チップ１１０に差動信号を伝送するための信号配線である。ボンディングワイヤ５４２及び５４３の対の下方にコンデンサ５３１が配置されている。さらに、電極１１１−５と電極１２１−５はボンディングワイヤ５４６によって電気的に接続され、電極１１１−６と電極１２１−６はボンディングワイヤ５４７によって接続されている。ボンディングワイヤ５４６及び５４７の対は、例えば、半導体チップ１１０が半導体チップ１２０に差動信号を送信するための伝送線路である。ボンディングワイヤ５４６及び５４７の対の下方にコンデンサ５３２が配置されている。ボンディングワイヤ５４２、５４３、５４６、及び５４７下にコンデンサ５３１及び５３２を配置することにより、高集積化を図ることができる。
【００３９】
基板１０１にはグランド配線５５１、５５２、５５５、及び５５６、並びに、電源配線５５３及び５５４が形成されている。グランド配線５５１には、電極１１１−１がボンディングワイヤ５４０を介して電気的に接続されているとともに、コンデンサ５３１の一端子が電気的に接続されている。電源配線５５３には、電極１１１−４がボンディングワイヤ５４４を介して電気的に接続されているとともに、コンデンサ５３１の他の端子が電気的に接続されている。グランド配線５５５には、電極１１１−７がボンディングワイヤ５４８を介して電気的に接続されている。
【００４０】
さらに、グランド配線５５２には、電極１２１−１がボンディングワイヤ５４１を介して電気的に接続されている。電源配線５５４には、電極１２１−４がボンディングワイヤ５４５を介して電気的に接続されているとともに、コンデンサ５３２の一端子が電気的に接続されている。グランド配線５５６には、電極１２１−７がボンディングワイヤ５４９を介して電気的に接続されているとともに、コンデンサ５３２の他の端子が電気的に接続されている。
【００４１】
本実施形態では、信号配線５４２及び５４３の対はグランド配線５５１及び５５２と電源配線５５３及び５５４との間に配設されている。より具体的には、信号配線５４２及び５４３の対より内側に（中心側に）電源配線５５３及び５５４が設けられ、信号配線５４２及び５４３の対より外側にグランド配線５５１及び５５２が設けられている。信号配線５４２及び５４３の対の外側にグランド配線５５１及び５５２を設けることにより、外部信号が信号配線５４２及び５４３に与えるノイズを軽減することができ、さらに、信号配線５４２及び５４３が発生するノイズ（ＥＭＩ：electro-magnetic interference）を軽減することができる。
【００４２】
同様にして、信号配線５４６及び５４７の対は電源配線５５３及び５５４とグランド配線５５５及び５５６との間に配設されている。より具体的には、信号配線５４６及び５４７の対より内側に電源配線５５３及び５５４が設けられ、信号配線５４６及び５４７の対より外側にグランド配線５５５及び５５６が設けられている。信号配線５４６及び５４７の対の外側にグランド配線５５５及び５５６を設けることにより、外部信号が信号配線５４６及び５４７に与えるノイズを軽減することができ、さらに、信号配線５４６及び５４７が発生するノイズ（ＥＭＩ）を軽減することができる。
【００４３】
さらに、信号配線５４２及び５４３の対と信号配線５４６及び５４７の対との間に電源配線５５３及び５５４を配置し、且つ、半導体チップ１１０及び１２０間の通信を差動伝送で行うことにより、信号配線５４２及び５４３の対と信号配線５４６及び５４７の対との間のクロストークの影響を軽減することができる。その結果、半導体チップ１１０と半導体チップ１２０との間の通信品質を向上することができる。
【００４４】
以上のように、第５の実施形態に係る半導体装置５００では、第３の実施形態と同様の利点を有する。さらに、信号配線５４２、５４３、５４６、及び５４７の外側にグランド配線５５１、５５２、５５５、及び５５６を設けることにより、外部信号が信号配線５４２、５４３、５４６、及び５４７に与えるノイズを軽減することができ、さらに、信号配線５４２、５４３、５４６、及び５４７が発生するノイズを軽減することができる。
【００４５】
次に、図６及び図７を参照して第５の実施形態の変形例について説明する。  
図６は、第５の実施形態の変形例に係る半導体装置６００を概略的に示す平面図である。図６において、図５に示した符号と同様の符号を同一部分、同一箇所に付してその説明を省略する。
【００４６】
図６に示す半導体装置６００では、半導体チップ１１０の電極１１１−１はボンディングワイヤ５４０を介して、半導体チップ１２０の電極１２１−１はボンディングワイヤ５４１を介して、共通グランド配線６５１に電気的に接続されている。すなわち、図５に示したグランド配線５５１及び５５２が共通グランド配線６５１に接続されている若しくは組み込まれている。さらに、半導体チップ１１０の電極１１１−７はボンディングワイヤ５４８を介して、半導体チップ１２０の電極１２１−７はボンディングワイヤ５４９を介して、共通グランド配線６５２に電気的に接続されている。すなわち、図５に示したグランド配線５５５及び５５６が共通グランド配線６５２に接続されている若しくは組み込まれている。
【００４７】
このように半導体チップ１１０のグランド配線と半導体チップ１２０のグランド配線を共通にすることにより、グランド配線を広くとることができる。これにより、グランド配線のインピーダンスを低くすることができる。その結果、グランドのノイズ耐性を向上することができる。
【００４８】
図７は、図５に示す電極１１１−１、１１１−４、１１１−７、１２１−１、１２１−４、及び１２１−７と基板１０１上の配線との接続例を示している。図７に示す例１は、図５を参照して説明した半導体装置５００に対応する。例２は、図５に示した半導体装置５００において、グランド配線５５１、５５２、５５５、及び５５６を電源配線に変更し、電源配線５５３及び５５４をグランド配線に変更したものに対応する。例１及び例２のように、電極１１１−１、１１１−４、１１１−７、１２１−１、１２１−４、及び１２１−７それぞれに電源配線やグランド配線が割り当てられていてもよい。
【００４９】
例３は、図６を参照して説明した半導体装置６００に対応する。例３のように、一部の配線を共通化してもよい。例４は、図６に示した半導体装置６００において電極１１１−４及び１２１−４が共通電源配線に接続されたものに対応する。例４のように、共通グランド配線及び共通電源配線の両方が設けられてもよい。  
なお、図７はほんの数例を示しているだけであり、これ以外の組み合わせで本実施形態が実施されてもよい。図７に示した組み合わせ及び他の組み合わせを適用した場合にも、半導体チップ１１０と半導体チップ１２０との間の通信品質を向上することができる。
【００５０】
（第６の実施形態）  
第６の実施形態では、２つの半導体チップの一方が無線通信機能を有する無線チップである例について説明する。  
図８は、第６の実施形態に係る半導体装置８００を概略的に示す平面図である。図８において、図１Ａに示した符号と同様の符号を同一部分、同一箇所に付してその説明を省略する。
【００５１】
図８に示す半導体装置８００は、基板１０１、電極群１１１を含む半導体チップ１１０、電極群１２１を含む半導体チップ１２０、並びに、コンデンサ８３１、８３２、８３３、及び８３４を備える。半導体チップ１１０及び１２０並びにコンデンサ８３１、８３２、８３３、及び８３４は、基板１０１の主面１０２上の異なる位置に配置されている。コンデンサ８３１、８３２、８３３、及び８３４は半導体チップ１１０と半導体チップ１２０との間に位置している。コンデンサ８３１、８３２、８３３、及び８３４の各々は、例えば、半導体チップの電源とグランドとの間の電位差の揺れ（ノイズ）を軽減するためのデカップリングコンデンサである。
【００５２】
本実施形態の半導体チップ１２０は、無線通信機能を有する。具体的には、半導体チップ１２０は、基板１０１に形成されているアンテナ（図８の例ではダイポールアンテナ）８０１を介して信号を送信及び受信するための送受信回路を内蔵する。一例では、送受信回路は、直交復調部及び直交変調部を含む。直交復調部は、ダイポールアンテナ８０１で受信された信号に対して直交復調を行い、同相チャネル（Ｉｃｈ：in-phase channel）信号及び直交チャネル（Ｑｃｈ：quadrature channel）信号を生成する。Ｉｃｈ信号及びＱｃｈ信号は半導体チップ１１０へ与えられる。直交変調部は、半導体チップ１１０で生成されたＩｃｈ信号及びＱｃｈ信号に対して直交変調を行い、変調信号を生成する。変調信号はダイポールアンテナ８０１を介して送信される。  
なお、上記送受信回路は単なる一例であり、半導体チップ１２０はこの例に限定されない。また、半導体チップ１２０は、送受信回路を備える例に限らず、送信回路のみ又は受信回路のみを備えるものであってもよい。
【００５３】
半導体チップ１１０の電極群１１１は電極１１１−１〜１１１−１３を含み、電極１１１−１〜１１１−１３は、半導体チップ１１０表面の半導体チップ１２０に対向する部分にこの順に並んで設けられている。半導体チップ１２０の電極群１２１は電極１２１−１〜１２１−１３、１２１−１４、及び１２１−１５を含み、電極１２１−１〜１２１−１３は、半導体チップ１２０表面の半導体チップ１１０に対向する部分にこの順に並んで設けられ、電極１２１−１４及び１２１−１５は半導体チップ１２０表面の他の部分に設けられている。電極１１１−１〜１１１−１３はそれぞれ電極１２１−１〜１２１−１３に対向している。電極１２１−１４及び１２１−１５は、ボンディングワイヤ８５８及び８５９を介してダイポールアンテナ８０１に電気的に接続されている。
【００５４】
なお、アンテナ８０１は、図８に示すようなダイポールアンテナの例に限らず、例えば、ループアンテナ、逆Ｆアンテナ、パッチアンテナ、八木アンテナ、スロットアンテナなどの他のタイプのアンテナであってもよい。さらに、アンテナ８０１は、基板１０１に形成されている例に限らず、半導体チップ１２０に形成されていてもよく、ボンディングワイヤで形成されていてもよく、それらの組み合わせでもよい。さらに、アンテナ８０１は、図８に示すようなボンディングワイヤ８５８及び８５９を介して半導体チップ１２０に接続される例に限らず、バンプ又は基板１０１の配線を介して半導体チップ１２０に接続されていてもよい。また、アンテナ８０１は、基板１０１とコネクタで接続する外付けアンテナであってもよい。
【００５５】
電極１１１−２と電極１２１−２はボンディングワイヤ８４２によって電気的に接続され、電極１１１−３と電極１２１−３はボンディングワイヤ８４３によって電気的に接続されている。ボンディングワイヤ８４２及び８４３の対は、例えば、半導体チップ１２０がＩｃｈ信号に基づく差動信号を半導体チップ１１０に伝送するための信号配線である。ボンディングワイヤ８４２及び８４３の対の下方にコンデンサ８３１が配置されている。さらに、電極１１１−５と電極１２１−５はボンディングワイヤ８４６によって電気的に接続され、電極１１１−６と電極１２１−６はボンディングワイヤ８４７によって電気的に接続されている。ボンディングワイヤ８４６及び８４７の対は、例えば、半導体チップ１２０がＱｃｈ信号に基づく差動信号を半導体チップ１１０に伝送するための信号配線である。ボンディングワイヤ８４６及び８４７の対の下方にコンデンサ８３２が配置されている。
【００５６】
電極１１１−８と電極１２１−８はボンディングワイヤ８５０によって電気的に接続され、電極１１１−９と電極１２１−９はボンディングワイヤ８５１によって電気的に接続されている。ボンディングワイヤ８５０及び８５１の対は、例えば、半導体チップ１１０がＩｃｈ信号に基づく差動信号を半導体チップ１２０に伝送するための信号配線である。ボンディングワイヤ８５０及び８５１の対の下方にコンデンサ８３３が配置されている。さらに、電極１１１−１１と電極１２１−１１はボンディングワイヤ８５４によって電気的に接続され、電極１１１−１２と電極１２１−１２はボンディングワイヤ８５５によって電気的に接続されている。ボンディングワイヤ８５４及び８５５の対は、例えば、半導体チップ１１０がＱｃｈ信号に基づく差動信号を半導体チップ１２０に伝送するための信号配線である。ボンディングワイヤ８５４及び８５５の対の下方にコンデンサ８３４が配置されている。
【００５７】
このように、信号配線８４２、８４３、８４６、８４７、８５０、８５１、８５４、及び８５５下にコンデンサ８３１、８３２、８３３、及び８３４を配置することにより、高集積化を図ることができる。
【００５８】
基板１０１には、グランド配線８６１、８６２、８６５、８６６、８６９、及び８７０、並びに、電源配線８６３、８６４、８６７、及び８６８が形成されている。グランド配線８６１には、電極１１１−１がボンディングワイヤ８４０を介して電気的に接続されているとともに、コンデンサ８３１の一端子が半導体チップ１１０の接続されている。電源配線８６３には、電極１１１−４がボンディングワイヤ８４４を介して電気的に接続されているとともに、コンデンサ８３１の他の端子が電気的に接続されている。グランド配線８６５には、電極１１１−７がボンディングワイヤ８４８を介して電気的に接続されているとともに、コンデンサ８３３の一端子が電気的に接続されている。電源配線８６７には、電極１１１−１０がボンディングワイヤ８５２を介して電気的に接続されているとともに、コンデンサ８３１の他の端子が電気的に接続されている。グランド配線８６９には、電極１１１−１３がボンディングワイヤ８５６を介して電気的に接続されている。
【００５９】
さらに、グランド配線８６２には、電極１２１−１がボンディングワイヤ８４１を介して電気的に接続されている。電源配線８６４には、電極１２１−４がボンディングワイヤ８４５を介して電気的に接続されているとともに、コンデンサ８３２の一端子が電気的に接続されている。グランド配線８６６には、電極１２１−７がボンディングワイヤ８４９を介して電気的に接続されているとともに、コンデンサ８３２の他の端子が電気的に接続されている。電源配線８６８には、電極１２１−１０がボンディングワイヤ８５３を介して電気的に接続されているとともに、コンデンサ８３４の一端子が電気的に接続されている。グランド配線８７０には、電極１２１−１３がボンディングワイヤ８５７を介して電気的に接続されているとともに、コンデンサ８３４の他の端子が電気的に接続されている。
【００６０】
このような配線構造により、第５の実施形態と同様に、半導体チップ１１０と半導体チップ１２０との間の通信品質を向上することができる。
【００６１】
以上のように、第６の実施形態に係る半導体装置８００では、無線通信機能を有する半導体チップ１２０にアンテナ８０１が接続されている。これにより、半導体装置８００はアンテナ付き無線機として機能する。
【００６２】
次に、図９を参照して第６の実施形態の変形例について説明する。  
図９は、第６の実施形態の変形例に係る半導体装置９００を概略的に示す平面図である。図９において、図８に示した符号と同様の符号を同一部分、同一箇所に付してその説明を省略する。
【００６３】
図９に示す半導体装置９００では、半導体チップ１１０は、デジタル信号処理回路（単にデジタル回路ともいう）９０１、アナログデジタル変換回路（ＡＤＣ：analog-to-digital converter circuit）９０２、及びデジタルアナログ変換回路（ＤＡＣ：digital-to- analog converter circuit）９０３を含む。半導体チップ１２０は、アナログ信号処理回路（単にアナログ回路ともいう）９０４を含む。半導体チップ１２０には、ダイポールアンテナ８０１が接続されている。
【００６４】
半導体チップ１２０のアナログ回路９０４は、アンテナ８０１で受信された信号を復調し、アナログ信号を生成する。このアナログ信号は、信号配線８４２、８４３、８４６、及び８４７を通じて、半導体チップ１１０のＡＤＣ９０２へ伝送される。ＡＤＣ９０２は、受け取ったアナログ信号をデジタル信号に変換してデジタル回路９０１に与える。
【００６５】
半導体チップ１２０のデジタル回路９０１は、送信すべきデータをＤＡＣ９０３に与える。このデータは、ＤＡＣ９０３でアナログ信号に変換され、信号配線８５０、８５１、８５４、及び８５５を通じて半導体チップ１２０のアナログ回路９０４へ伝送される。アナログ回路９０４は、受け取ったアナログ信号を変調して、アンテナ８０１を介して送信する。
【００６６】
このように、半導体チップ１１０及び１２０間の信号の授受はボンディングワイヤ８４２、８４３、８４６、８４７、８５０、８５１、８５４、及び８５５を介して実行される。また、ボンディングワイヤ８４４及び８５２を介して半導体チップ１１０に電源が供給され、ボンディングワイヤ８４５及び８５３を介して半導体チップ１２０に電源が供給される。
【００６７】
本実施形態では、デジタル回路９０１及びアナログ回路９０４が２つの半導体チップ１１０及び１２０に分離されている。デジタル回路９０１を有する半導体チップ１１０では、微細化技術が進んだプロセスを用いることにより、小面積化及び低消費電力化が実現される。アナログ回路９０４を有する半導体チップ１２０は、微細化技術が進んだプロセスを用いると、電源電圧の低下のために十分な性能を出せない可能性がある。２チップ構成とすることにより、半導体チップ１１０とは異なるプロセスを用いて半導体チップ１２０を作ることが可能となり、半導体チップ１２０の性能向上を図れる。
【００６８】
（第７の実施形態）  
第７の実施形態では、２つの半導体チップが無線通信機能を有する無線チップである例について説明する。  
図１０は、第７の実施形態に係る半導体装置１０００を概略的に示す平面図である。図１０において、図８に示した符号と同様の符号を同一部分、同一箇所に付してその説明を省略する。
【００６９】
図１０に示す半導体装置１０００では、半導体チップ１１０の電極群１１１は電極１１１−１４をさらに含み、この電極１１１−１４は、ボンディングワイヤ１０４０を介して、基板１０１に形成されているアンテナ１００１に電気的に接続されている。アンテナ１００１は、ダイポールアンテナ、ループアンテナ、逆Ｆアンテナ、パッチアンテナ、八木アンテナ、スロットアンテナなどのいかなるタイプのアンテナであってもよい。さらに、アンテナ１００１は、基板１０１に形成されている例に限らず、半導体チップ１１０に形成されていてもよく、ボンディングワイヤで形成されていてもよく、それらの組み合わせでもよい。さらに、アンテナ１００１は、図１０に示すようなボンディングワイヤ１０４０を介して半導体チップ１１０に接続される例に限らず、バンプ又は基板１０１の配線を介して半導体チップ１１０に接続されていてもよい。また、アンテナ１００１は、基板１０１とコネクタで接続する外付けアンテナであってもよい。
【００７０】
半導体チップ１１０及び１２０はともに無線通信機能を有する無線チップである。一例では、半導体チップ１１０は、搬送波周波数がマイクロ波帯（例えば２．４ＧＨｚ帯）の無線システム（例えばＩＥＥＥ８０２．１１ｎ）のチップであり、半導体チップ１２０は、搬送波周波数がミリ波帯（例えば６０ＧＨｚ）の無線システム（例えばＩＥＥＥ８０２．１１ａｄ）のチップである。
【００７１】
一般に、高い周波数を扱う無線システムの半導体チップを製造した場合の歩留りは、低い周波数を扱う無線システムの半導体チップと比べて低い。そこで、例えば、マイクロ波用無線チップのような歩留りのよいチップとミリ波用無線チップのような歩留りの悪いチップを別チップとすることにより、歩留りを向上することができる。
【００７２】
第６及び第７の実施形態では、図８から図１０に示した半導体装置において半導体チップの少なくとも１つが無線通信機能を有するチップである例を説明したが、図１Ａから図６に示した半導体装置においても半導体チップの少なくとも１つが無線通信機能を有するチップであってもよい。
【００７３】
（第８の実施形態）  
第８の実施形態は、第１から第７の実施形態において説明した半導体装置のうちの１つを搭載した無線装置及び記憶装置について説明する。本実施形態に係る無線装置及び記憶装置は、例えば、半導体装置を無線機として使用する。無線装置は、データまたは画像や動画をやりとりする機器に上述した半導体装置を搭載した機器である。
【００７４】
本実施形態に係る無線装置について図１０及び図１１を参照して説明する。  
図１１に示す無線装置１１００は、半導体装置１１０１、プロセッサ１１０２、及びメモリ１１０３を含む。  
半導体装置１１０１は、外部とデータの送受信を行う。なお、半導体装置１１０１は、上述した第１から第７の実施形態において説明した半導体装置のうちの１つの半導体装置である。  
プロセッサ（制御部ともいう）１１０２は、半導体装置１１０１から受け取ったデータ若しくは半導体装置１１０１へ送信するデータを処理する。  
メモリ１１０３は、データを保存する。具体的には、メモリ１１０３は、プロセッサ１１０２からデータを受け取って保存したり、プロセッサ１１０２へデータを提供する。
【００７５】
次に、図１２を参照して半導体装置１１０１を搭載した無線装置の例について説明する。  
無線装置は、ここでは例えばノートＰＣ（personal computer）１２０１及び携帯端末１２０２である。これらのノートＰＣ１２０１及び携帯端末１２０２はそれぞれ、表示部１２０３、１２０４を有し、静止画像、動画像を閲覧することができる。他にこれらのノートＰＣ１２０１及び携帯端末１２０２は、ＣＰＵ（central processing unit）（制御部ともいう）、メモリ等も含んでいる。ノートＰＣ１２０１及び携帯端末１２０２はそれぞれ、内部又は外部に半導体装置１１０１を搭載し、例えば、半導体装置１１０１を介したデータ通信を行う。ここでは、ノートＰＣ１２０１及び携帯端末１２０２に上述したどの半導体装置を搭載してもよい。
【００７６】
また、ノートＰＣ１２０１に搭載された無線装置と携帯端末１２０２に搭載された無線装置とは、アンテナの指向性が強い方向が対向するように配置することで、データのやりとりを効率よく行うことができる。
【００７７】
図１２の例では、ノートＰＣ１２０１及び携帯端末１２０２を示すが、これに限らず、ＴＶ、デジタルカメラ、メモリーカードなどの他の機器に半導体装置１１０１を搭載してもよい。
【００７８】
次に、図１３を参照して半導体装置を記憶装置に搭載した場合について説明する。図１３の例では、記憶装置としてメモリーカード１３００の場合について示している。  
図１３に示すように、メモリーカード１３００は、半導体装置１１０１とメモリーカード本体１３０１とを含み、ノートＰＣや携帯端末、デジタルカメラなどと半導体装置１１０１を介して無線通信を行うことができる。メモリーカード本体１３０１は、情報を記憶するメモリ１３０２と、全体を制御するコントローラ（制御部ともいう）１３０３を含む。
【００７９】
以上に示した第８の実施形態によれば、半導体装置をノートＰＣ又は携帯端末等の無線によりデータ通信を行う無線装置及び記憶装置に搭載することで、データ等の送受信を効率よく行うことができる。第１から第７の実施形態の各々で説明した半導体装置は実装体積が小さいので、無線装置及び記憶装置に実装することが容易である。
【００８０】
以上述べた少なくとも１つの実施形態によれば、半導体チップ間を接続するボンディングワイヤの下方にディスクリート部品を配置することにより、小さい実装体積及び高集積化を実現することができる。
【００８１】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００８２】
１００…半導体装置、１０１…基板、１１０，１２０…半導体チップ、１１１，１２１…電極群、１１１−１〜１４，１２１−１〜１５…電極、１３０…ディスクリート部品、１４０…ボンディングワイヤ、２００…半導体装置、２３１，２３２…コンデンサ、２４０〜２４３…ボンディングワイヤ、２５１，２５２…電源配線又はグランド配線、３００…半導体装置、３３１，３３２…コンデンサ、３４０〜３４５…ボンディングワイヤ、３５１，３５２…電源配線又はグランド配線、４００…半導体装置、４５０…共通電源配線又は共通グランド配線、５００…半導体装置、５３１，５３２…コンデンサ、５４０〜５４９…ボンディングワイヤ、５５１，５５２，５５５，５５６…グランド配線、５５３，５５４…電源配線、６００…半導体装置、６５１，６５２…共通グランド配線、８００…半導体装置、８０１…ダイポールアンテナ、８３１〜８３４…コンデンサ、８４０〜８５９…ボンディングワイヤ、８６１，８６２，８６５，８６６，８６９，８７０…グランド配線、８６３，８６４，８６７，８６８…電源配線、９００…半導体装置、９０１…デジタル回路、９０２…アナログデジタル変換回路、９０３…デジタルアナログ変換回路、９０４…アナログ回路、１０００…半導体装置、１００１…アンテナ、１０４０…ボンディングワイヤ、１１００…無線装置、１１０１…半導体装置、１１０２…プロセッサ、１１０３…メモリ、１２０１…ノートＰＣ、１２０２…携帯端末、１２０３，１２０４…表示部、１３００…メモリーカード、１３０１…メモリーカード本体、１３０２…メモリ、１３０３…コントローラ。
【図１Ａ】
2014170805.tif 000003
【図１Ｂ】
2014170805.tif 000004
【図２】
2014170805.tif 000005
【図３】
2014170805.tif 000006
【図４】
2014170805.tif 000007
【図５】
2014170805.tif 000008
【図６】
2014170805.tif 000009
【図７】
2014170805.tif 000010
【図８】
2014170805.tif 000011
【図９】
2014170805.tif 000012
【図１０】
2014170805.tif 000013
【図１１】
2014170805.tif 000014
【図１２】
2014170805.tif 000015
【図１３】
2014170805.tif 000016