(57)【要約】      （修正有）【課題】基板の乾燥時に表面上の液体を瞬時に乾燥させることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。【解決手段】洗浄液供給部により基板の表面に洗浄液を供給し、溶媒供給部により洗浄液が供給された基板Ｗの表面に揮発性溶媒を供給して洗浄液を置換し、加熱手段６４による加熱作用で基板Ｗの表面に揮発性溶媒の液玉を生成し、吸引乾燥手段６５により生成された揮発性溶媒の液玉を吸引して除去することで基板Ｗの表面を乾燥する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、
洗浄液が供給された基板の表面に揮発性溶媒を供給し、基板の表面の洗浄液を揮発性溶媒に置換する溶媒供給部と、
揮発性溶媒が供給された基板を加熱する加熱手段とを有してなる基板処理装置であって、
加熱手段による加熱作用で基板の表面に生成された揮発性溶媒の液玉を吸引して除去し、基板の表面を乾燥する吸引乾燥手段を、更に有してなる基板処理装置。
【請求項２】
前記基板の表面に生成された揮発性溶媒の液玉を吹飛ばして除去し、基板の表面を乾燥する吹飛ばし乾燥手段を、更に有してなる請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
基板の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、
洗浄液が供給された基板の表面に揮発性溶媒を供給し、基板の表面の洗浄液を揮発性溶媒に置換する溶媒供給部と、
揮発性溶媒が供給された基板を加熱する加熱手段とを有してなる基板処理装置であって、
加熱手段による加熱作用で基板の表面に生成された揮発性溶媒の液玉を吹飛ばして除去し、基板の表面を乾燥する吹飛ばし乾燥手段を、更に有してなる基板処理装置。
【請求項４】
前記基板の表面に生成された揮発性溶媒の液玉を、基板の回転により振り切って除去し、基板の表面を乾燥する基板回転乾燥手段を、更に有してなる請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
基板の表面に洗浄液を供給する工程と、
洗浄液が供給された基板の表面に揮発性溶媒を供給し、基板の表面の洗浄液を揮発性溶媒に置換する工程と、
揮発性溶媒が供給された基板を加熱する工程とを有してなる基板処理方法であって、
基板の加熱によって基板の表面に生成された揮発性溶媒の液玉を吸引して除去し、基板の表面を乾燥する工程を、更に有してなる基板処理方法。
【請求項６】
前記基板の加熱によって基板の表面に生成された揮発性溶媒の液玉を吹飛ばして除去し、基板の表面を乾燥する工程を、更に有してなる請求項５に記載の基板処理方法。
【請求項７】
基板の表面に洗浄液を供給する工程と、
洗浄液が供給された基板の表面に揮発性溶媒を供給し、基板の表面の洗浄液を揮発性溶媒に置換する工程と、
揮発性溶媒が供給された基板を加熱する工程とを有してなる基板処理方法であって、
基板の加熱によって基板の表面に生成された揮発性溶媒の液玉を吹飛ばして除去し、基板の表面を乾燥する工程を、更に有してなる基板処理方法。
【請求項８】
前記基板の加熱によって基板の表面に生成された揮発性溶媒の液玉を、基板の回転により振り切って除去し、乾燥する工程を、更に有してなる請求項５〜７のいずれかに記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置は、半導体等の製造工程において、ウェーハや液晶基板等の基板の表面に処理液を供給してその基板表面を処理し、その後、基板表面に超純水等の洗浄液を供給してその基板表面を洗浄し、更にこれを乾燥する装置である。この乾燥工程において、近年の半導体の高集積化や高容量化に伴う微細化によって、例えばメモリセルやゲート周りのパターンが倒壊する問題が発生している。これは、パターン同士の間隔や構造、洗浄液の表面張力等に起因している。
【０００３】
そこで、上述のパターン倒壊を抑制することを目的として、表面張力が超純水よりも小さいＩＰＡ（２−プロパノール：イソプロピルアルコール）を用いた基板乾燥方法が提案されており（例えば、特許文献１参照）、基板表面上の超純水をＩＰＡに置換して基板乾燥を行なう方法が量産工場等で用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開2008-34779号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、半導体の微細化は益々進んでおり、ＩＰＡのように表面張力が小さい有機溶媒等の液体を用いた乾燥であっても、ウェーハの微細パターンがその液体の表面張力等により倒れてしまうことがある。
【０００６】
例えば、液体が乾燥していく過程で基板Ｗの表面の各部の乾燥速度に不均一を生じ、図８（Ｂ）に示す如く、一部のパターンＰ間に液体Ａ１が残ると、その部分の液体Ａ１の表面張力によってパターンが倒壊する。特に、液体が残った部分のパターン同士が液体の表面張力による引き付けによって弾性変形的に倒れ、その液中にわずかに溶けた残渣が凝集し、その後に液体が完全に乾燥すると、倒れたパターン同士が残渣の介在等によって固着してしまう。
【０００７】
本発明の課題は、基板の乾燥時に表面上の液体を瞬時に乾燥させることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る基板処理装置は、基板の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、洗浄液が供給された基板の表面に揮発性溶媒を供給し、基板の表面の洗浄液を揮発性溶媒に置換する溶媒供給部と、揮発性溶媒が供給された基板を加熱する加熱手段とを有してなる基板処理装置であって、加熱手段による加熱作用で基板の表面に生成された揮発性溶媒の液玉を吸引して除去し、基板の表面を乾燥する吸引乾燥手段を、更に有してなるようにしたものである。
【０００９】
本発明に係る基板処理方法は、基板の表面に洗浄液を供給する工程と、洗浄液が供給された基板の表面に揮発性溶媒を供給し、基板の表面の洗浄液を揮発性溶媒に置換する工程と、揮発性溶媒が供給された基板を加熱する工程とを有してなる基板処理方法であって、基板の加熱によって基板の表面に生成された揮発性溶媒の液玉を吸引して除去し、基板の表面を乾燥する工程を、更に有してなるようにしたものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の基板処理装置及び基板処理方法によれば、基板の乾燥時に表面上の液体を瞬時に乾燥させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は実施例１の基板処理装置を示す模式図である。
【図２】図２は基板処理装置の基板洗浄室の構成を示す模式図である。
【図３】図３は基板処理装置の基板乾燥室の構成を示す模式図である。
【図４】図４は基板処理装置の基板乾燥室の変形例を示す模式図である。
【図５】図５は実施例２の基板処理装置を示す模式図である。
【図６】図６は実施例３の基板処理装置を示す模式図である。
【図７】図７は基板処理装置の変形例を示す模式図である。
【図８】図８は基板表面における揮発性溶媒の乾燥状況を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（実施例１）（図１〜図４）
実施例１の基板処置装置１０は、図１に示す如く、基板給排部２０と、基板保管用バッファ部３０と、複数の基板洗浄室４０と、基板保管用バッファ部３０が有する後述のアウト専用バッファ３２に設けた、複数の基板乾燥室６０とを有し、基板給排部２０と基板保管用バッファ部３０の間に搬送ロボット１１を設け、基板保管用バッファ部３０と基板洗浄室４０の間に搬送ロボット１２を設けている。
【００１３】
基板給排部２０は、複数の基板収納カセット２１を搬入、搬出可能とされる。基板収納カセット２１は、未処理のウェーハや液晶基板等の複数の基板Ｗを収納されて基板給排部２０に搬入されるとともに、基板洗浄室４０及び基板乾燥室６０で処理された基板Ｗを収納されて基板給排部２０から搬出される。未処理の基板Ｗは、搬送ロボット１１により基板給排部２０内の基板収納カセット２１において多段をなす各収納棚から順に取出されて基板保管用バッファ部３０の後述するイン専用バッファ３１（図示せず）に供給され、更に搬送ロボット１２により基板保管用バッファ部３０のイン専用バッファ３１から取出され、基板洗浄室４０に供給されて洗浄処理される。基板洗浄室４０で洗浄処理された基板Ｗは搬送ロボット１２により基板洗浄室４０から取出されて基板保管用バッファ部３０の後述するアウト専用バッファ３２に投入され、基板保管用バッファ部３０のアウト専用バッファ３２内の基板乾燥室６０で乾燥処理された後に搬送ロボット１１により取出され、基板給排部２０内の基板収納カセット２１の空の収納棚に順に排出される。処理済の基板Ｗで満杯になった基板収納カセット２１が基板給排部２０から搬出されるものになる。
【００１４】
基板保管用バッファ部３０は、未処理の基板Ｗを保管する複数のイン専用バッファ３１が多段をなす棚状に設けられるとともに、基板洗浄室４０で洗浄処理された基板Ｗを保管する複数のアウト専用バッファ３２が多段をなす棚状に設けられる。アウト専用バッファ３２の内部には基板乾燥室６０が後述する如くに設けられている。尚、イン専用バッファ３１やアウト専用バッファ３２は多段でなくても良い。
【００１５】
基板洗浄室４０は、図２に示す如く、処理室となる処理ボックス４１と、その処理ボックス４１内に設けられたカップ４２と、そのカップ４２内で基板Ｗを水平状態で支持するテーブル４３と、そのテーブル４３を水平面内で回転させる回転機構４４と、テーブル４３の周囲で昇降する溶媒吸引排出部４５とを備えている。更に、基板洗浄室４０は、テーブル４３上の基板Ｗの表面に薬液を供給する薬液供給部４６と、テーブル４３上の基板Ｗの表面に洗浄液を供給する洗浄液供給部４７と、揮発性溶媒を供給する溶媒供給部４８と、各部を制御する制御部５０を備えている。
【００１６】
処理ボックス４１は基板出し入れ口４１Ａを周壁の一部に開口している。基板出し入れ口４１Ａはシャッタ４１Ｂにより開閉される。
【００１７】
カップ４２は、円筒形状に形成されており、テーブル４３を周囲から囲んで内部に収容する。カップ４２の周壁の上部は斜め上向きに縮径しており、テーブル４３上の基板Ｗが上方に向けて露出するように開口している。このカップ４２は、回転する基板Ｗから流れ落ちた或いは飛散した薬液、洗浄液を受け取る。尚、カップ４２の底部には、受け取った薬液、洗浄液を排出するための排出管（図示せず）が設けられている。
【００１８】
テーブル４３は、カップ４２の中央付近に位置付けられ、水平面内で回転可能に設けられている。このテーブル４３は、ピン等の支持部材４３Ａを複数有しており、これらの支持部材４３Ａにより、ウェーハや液晶基板等の基板Ｗを脱着可能に保持する。
【００１９】
回転機構４４は、テーブル４３に連結された回転軸やその回転軸を回転させる駆動源となるモータ（いずれも図示せず）等を有しており、モータの駆動により回転軸を介してテーブル４３を回転させる。この回転機構４４は制御部５０に電気的に接続されており、その駆動が制御部５０により制御される。
【００２０】
溶媒吸引排出部４５は、テーブル４３の周囲を囲んで環状に開口する溶媒吸引口４５Ａを備える。溶媒吸引排出部４５は溶媒吸引口４５Ａを昇降する昇降機構（図示せず）を有し、テーブル４３のテーブル面より下位に溶媒吸引口４５Ａを位置付ける待機位置と、テーブル４３に保持された基板Ｗの周囲に溶媒吸引口４５Ａを位置付ける作業位置とに、溶媒吸引口４５Ａを昇降する。溶媒吸引口４５Ａは、回転する基板Ｗ上から飛散した揮発性溶媒を吸引して受け取る。尚、溶媒吸引口４５Ａには、揮発性溶媒を吸引するための排気ファン又はバキュームポンプ（図示せず）、及び吸引して受け取った揮発性溶媒を排出するための排出管（図示せず）が接続されている。
【００２１】
薬液供給部４６は、テーブル４３上の基板Ｗの表面に対して斜め方向から薬液を吐出するノズル４６Ａを有しており、このノズル４６Ａからテーブル４３上の基板Ｗの表面に薬液、例えばレジスト剥離処理用のＡＰＭ（アンモニア水及び過酸化水素水の混合液）を供給する。ノズル４６Ａはカップ４２の周壁の上部に装着されており、その角度や吐出流速等は基板Ｗの表面中心付近に薬液が供給されるように調整されている。この薬液供給部４６は制御部５０に電気的に接続されており、その駆動が制御部５０により制御される。尚、薬液供給部４６は、薬液を貯留するタンクや駆動源となるポンプ、供給量を調整する調整弁となるバルブ（いずれも図示せず）等を備えている。
【００２２】
洗浄液供給部４７は、テーブル４３上の基板Ｗの表面に対して斜め方向から洗浄液を吐出するノズル４７Ａを有しており、このノズル４７Ａからテーブル４３上の基板Ｗの表面に洗浄液、例えば洗浄処理用の純水（超純水）を供給する。ノズル４７Ａはカップ４２の周壁の上部に装着されており、その角度や吐出流速等は基板Ｗの表面中心付近に薬液が供給されるように調整されている。この洗浄液供給部４７は制御部５０に電気的に接続されており、その駆動が制御部５０により制御される。尚、洗浄液供給部４７は、洗浄液を貯留するタンクや駆動源となるポンプ、供給量を調整する調整弁となるバルブ（いずれも図示せず）等を備えている。
【００２３】
溶媒供給部４８は、テーブル４３上の基板Ｗの表面に対して斜め方向から揮発性溶媒を吐出するノズル４８Ａを有しており、このノズル４８Ａからテーブル４３上の基板Ｗの表面に揮発性溶媒、例えばＩＰＡを供給する。この溶媒供給部４８は洗浄液供給部４７によって供給された洗浄液で洗浄された基板Ｗの表面に揮発性溶媒を供給し、基板Ｗの表面の洗浄液を揮発性溶媒に置換する。ノズル４８Ａはカップ４２の周壁の上部に装着されており、その角度や吐出流速等は基板Ｗの表面中心付近に揮発性溶媒が供給されるように調整されている。この溶媒供給部４８は制御部５０に電気的に接続されており、その駆動が制御部５０により制御される。尚、溶媒供給部４８は、揮発性溶媒を貯留するタンクや駆動源となるポンプ、供給量を調整する調整弁となるバルブ（いずれも図示せず）等を備えている。
【００２４】
ここで、揮発性溶媒としては、ＩＰＡ以外にも、例えば、エタノール等の１価のアルコール類、また、ジエチルエーテルやエチルメチルエーテル等のエーテル類、更に、炭酸エチレン等を用いることが可能である。尚、揮発性溶媒は、水に可溶であることが好ましい。
【００２５】
制御部５０は、各部を集中的に制御するマイクロコンピュータと、基板処理に関する基板処理情報や各種プログラム等を記憶する記憶部とを備えている。この制御部５０は、基板処理情報や各種プログラムに基づいて回転機構４４や溶媒吸引排出部４５、薬液供給部４６、洗浄液供給部４７、溶媒供給部４８等を制御し、回転中のテーブル４３上の基板Ｗの表面に対し、薬液供給部４６による薬液の供給、洗浄液供給部４７による洗浄液の供給、溶媒供給部４８による揮発性溶媒の供給等の制御を行なう。
【００２６】
基板乾燥室６０は、基板保管用バッファ部３０のアウト専用バッファ３２において多段をなす各棚毎に設けられ、図３に示す如く、処理室となるトンネル状の処理ボックス６１と、その処理ボックス６１内において搬送手段を構成する複数の搬送ローラ６２とを備えている。更に、基板乾燥室６０は、搬送ローラ６２上の基板Ｗの表面にガスを供給するガス供給部６３と、基板洗浄室４０において揮発性溶媒が供給された基板Ｗを加熱する加熱手段６４と、加熱手段６４によって加熱された基板Ｗの表面を乾燥するための吸引乾燥手段６５と、各部を制御する制御部７０とを備えている。尚、吸引乾燥手段６５が配置された位置より下流側にも搬送ローラ６２は設けられるが、図３では省略した。
【００２７】
処理ボックス６１はトンネル状をなし、搬送ロボット１２により基板洗浄室４０から取り出された洗浄処理済の基板Ｗが上流側の開口から投入され、基板乾燥室６０による乾燥処理済の基板Ｗが搬送ロボット１１により処理ボックス６１の下流側の開口から排出される。
【００２８】
搬送ローラ６２はモータ等の駆動手段（図示せず）により回転駆動され、処理ボックス６１の上流側開口から投入された基板Ｗをガス供給部６３、加熱手段６４、吸引乾燥手段６５の下方搬送路に沿って下流側開口の側へと搬送する。この搬送ローラ６２は制御部７０に電気的に接続されており、その駆動が制御部７０により制御される。
【００２９】
ガス供給部６３は、搬送ローラ６２による基板搬送方向に沿う加熱手段６４の上流側にて、搬送ローラ６２の上方に設けられる。ガス供給部６３は、搬送ローラ６２上の基板Ｗの表面の幅方向全域に対して斜め方向からガスを吐出するスリット状のノズル６３Ａを有しており、このノズル６３Ａから搬送ローラ６２上の基板Ｗの表面にガス、例えば窒素ガスを供給し、処理ボックス６１内で基板Ｗの表面上の空間を窒素ガス雰囲気にする。ノズル６３Ａは処理ボックス６１に装着されており、その角度や吐出流速等は基板Ｗの表面の幅方向全域にガスが供給されるように調整されている。このガス供給部６３は制御部７０に電気的に接続されており、その駆動が制御部７０により制御される。尚、ガス供給部６３は、ガスを貯留するタンクや供給量を調整する調整弁となるバルブ（いずれも図示せず）等を備えている。また、基板Ｗの表面に既に供給されている揮発性溶媒が、ノズル６３Ａから吐出するガスで乾燥してしまわないように、その供給量は調整される。
【００３０】
ここで、供給するガスとしては、窒素ガス以外の不活性ガス、例えばアルゴンガスや二酸化炭素ガス、ヘリウムガス等を用いることが可能である。この不活性ガスが基板Ｗの表面に供給されるため、基板Ｗの表面上の酸素を除去し、ウォーターマーク（水シミ）の生成を防ぐことが可能となる。
【００３１】
加熱手段６４は、複数のランプ６４Ａを有しており、搬送ローラ６２の上方に設けられ、各ランプ６４Ａの点灯により搬送ローラ６２上の基板Ｗの表面に光を照射する。加熱手段６４は、処理ボックス６１に装着されるランプケース６４Ｂ内に配置したランプ６４Ａの光を透明カバー６４Ｃから基板Ｗの表面の幅方向全域に照射して基板Ｗを加熱する。この加熱手段６４は制御部７０に電気的に接続されており、その駆動が制御部７０により制御される。
【００３２】
ここで、加熱手段６４としては、例えば直管タイプのランプ６４Ａを複数本並列に設けたものや電球タイプのランプ６４Ａを複数個アレイ状に設けたものを用いることが可能である。また、ランプ６４Ａとしては、例えばハロゲンランプやキセノンフラッシュランプ等を用いることが可能である。
【００３３】
加熱手段６４を用いた基板Ｗの加熱工程では、その加熱手段６４による加熱によって、図８（Ａ）に示すように、基板Ｗの表面上のパターンＰに接触している揮発性溶媒の液体Ａ１が他の部分の揮発性溶媒の液体Ａ１よりも早く気化を始める。つまり、基板Ｗの表面に供給された揮発性溶媒の液体Ａ１のうち、基板Ｗの表面に接触している部分のみが気相になるように急速加熱される。これにより、基板Ｗの表面上のパターンＰの周囲には、揮発性溶媒の液体Ａ１の気化（沸騰）によりガスの層（気泡の集合）、即ち、揮発性溶媒の気層Ａ２が薄膜のように形成される。このため、隣り合うパターンＰの間の揮発性溶媒の液体Ａ１はその気層Ａ２によって基板Ｗの表面に押し出されながら自らの表面張力で多数の液玉になる。
【００３４】
吸引乾燥手段６５は搬送ローラ６２による基板搬送方向に沿う加熱手段６４の下流側にて、搬送ローラ６２の上方に設けられる。吸引乾燥手段６５は、処理ボックス６１に装着され、搬送ローラ６２上の基板Ｗの表面の幅方向全域に向けてスリット状に開口する溶媒吸引口６５Ａを備える。吸引乾燥手段６５は溶媒吸引口６５Ａに付与される吸引力を基板Ｗの表面の幅方向全域に及ぼし、加熱手段６４による加熱作用で前述の如くに基板Ｗの表面に生成された揮発性溶媒の液玉を吸引して除去し、基板Ｗの表面を乾燥する。この吸引乾燥手段６５は制御部７０に電気的に接続されており、その駆動が制御部７０により制御される。尚、溶媒吸引口６５Ａには、揮発性溶媒の液玉を吸引するためのバキュームポンプ（図示せず）が接続されている。
【００３５】
基板乾燥室６０では、吸引乾燥手段６５に加えて吹飛ばし乾燥手段を併用しても良い。この吹飛ばし乾燥手段は、基板Ｗの表面に生成された上述の揮発性溶媒の液玉を噴射ガスにより吹飛ばして除去し、基板Ｗの表面を乾燥する。前述のガス供給部６３をこの吹飛ばし乾燥手段として兼用することもできる。
【００３６】
尚、図４は、基板乾燥室６０の変形例を示すものであり、処理ボックス６１内で基板Ｗの表面上の空間が雰囲気形成手段（図示せず）により窒素ガス雰囲気に制御されているとき、搬送ローラ６２における基板搬送方向に沿う加熱手段６４の下流側に窒素ガス等の不活性ガスを噴射する吹飛ばし乾燥手段６７を設け、この吹飛ばし乾燥手段６７によって基板Ｗの表面に生成される揮発性溶媒の液玉を吹飛ばし除去するようにしたものである。
【００３７】
制御部７０は、各部を集中的に制御するマイクロコンピュータと、基板処理に関する基板処理情報や各種プログラム等を記憶する記憶部とを備えている。この制御部７０は、基板処理情報や各種プログラムに基づいてガス供給部６３、加熱手段６４、吸引乾燥手段６５等を制御し、搬送ローラ６２上の基板Ｗの表面に対し、ガス供給部６３によるガスの供給、加熱手段６４による加熱、吸引乾燥手段６５による吸引力等の制御を行なう。
【００３８】
以下、基板処理装置１０による基板Ｗの洗浄及び乾燥処理手順について説明する。
(1)搬送ロボット１１が基板給排部２０の基板収納カセット２１から基板保管用バッファ部３０のイン専用バッファ３１に供給した基板Ｗを搬送ロボット１２により取り出し、この基板Ｗを基板洗浄室４０のテーブル４３上にセットした状態で、基板洗浄室４０の制御部５０は回転機構４４を制御し、テーブル４３を所定の回転数で回転させ、次いで、溶媒吸引排出部４５を待機位置に位置付けた状態で、薬液供給部４６を制御し、回転するテーブル４３上の基板Ｗの表面にノズル４６Ａから薬液、即ちＡＰＭを所定時間供給する。
薬液としてのＡＰＭは、ノズル４６Ａから、回転するテーブル４３上の基板Ｗの中央に向けて吐出され、基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの表面全体に広がっていく。これにより、テーブル４３上の基板Ｗの表面はＡＰＭにより覆われて処理されることになる。
【００３９】
尚、制御部５０はテーブル４３を上述(1)から後述(3)まで継続して回転させる。このとき、テーブル４３の回転数や所定時間等の処理条件は予め設定されているが、操作者によって任意に変更可能である。
【００４０】
(2)次に、制御部５０は、薬液の供給を停止されてから、洗浄液供給部４７を制御し、回転するテーブル４３上の基板Ｗの表面にノズル４７Ａから洗浄液、即ち超純水を所定時間供給する。洗浄液としての超純水は、ノズル４７Ａから、回転するテーブル４３上の基板Ｗの中央に向けて吐出され、基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの表面全体に広がっていく。これにより、テーブル４３上の基板Ｗの表面は超純水により覆われて洗浄されることになる。
【００４１】
(3)次に、制御部５０は、洗浄液供給部４７による基板Ｗの洗浄が終了すると、溶媒吸引排出部４５を作業位置に位置付け、溶媒供給部４８を制御し、回転するテーブル４３上の基板Ｗの表面にノズル４８Ａから揮発性溶媒、即ちＩＰＡを所定時間供給する。尚、ＩＰＡの供給は、上述(2)による超純水が乾燥する前に行なうことが好ましい。揮発性溶媒としてのＩＰＡは、ノズル４８Ａから、回転するテーブル４３上の基板Ｗの中央に向けて吐出され、基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの表面全体に広がっていく。このとき、回転する基板Ｗ上から飛散するＩＰＡは溶媒吸引排出部４５に吸引される。これにより、テーブル４３上の基板Ｗの表面は超純水からＩＰＡに置換されることになる。尚、このときのテーブル４３、即ち基板Ｗの回転数は、基板Ｗの表面が露出しない程度に、揮発性溶媒の膜が基板Ｗの表面上で薄膜となるように設定されている。
【００４２】
また、溶媒供給部４８のノズル４８Ａから吐出されるＩＰＡの温度はその沸点未満とされ、ＩＰＡを確実に液体の状態として基板Ｗの表面に供給するものとすることにより、基板Ｗの表面の全域において超純水が確実にＩＰＡに均等に置換されるようにする。
【００４３】
(4)次に、制御部５０は、基板洗浄室４０のテーブル４３の回転を停止させ、回転停止されたテーブル４３上の基板Ｗを搬送ロボット１２が基板洗浄室４０より取り出し、この基板Ｗを基板保管用バッファ部３０のアウト専用バッファ３２に設けた基板乾燥室６０における処理ボックス６１の上流側開口から搬送ローラ６２上に投入する。基板乾燥室６０の制御部７０は、ガス供給部６３を制御し、搬送ローラ６２上の基板Ｗの表面にノズル６３Ａからガス、即ち窒素ガスを所定時間供給する。窒素ガスは、ノズル６３Ａから、搬送ローラ６２上の基板Ｗの幅方向全域に向けて吐出される。これにより、搬送ローラ６２上の基板Ｗを包む空間は窒素雰囲気となる。この空間を窒素雰囲気にすることで、酸素濃度を減少させて、基板Ｗの表面におけるウォーターマークの発生を抑止することができる。
【００４４】
(5)次に、制御部７０は、加熱手段６４を制御し、加熱手段６４の各ランプ６４Ａを点灯して、搬送ローラ６２上の基板Ｗを所定時間加熱する。このとき、加熱手段６４は、基板Ｗの温度が10秒で100度以上になることを可能にする加熱を行なうことができる。これにより、基板Ｗの表面上のパターンＰに接触している揮発性溶媒の液体Ａ１を瞬時に気化させ、基板Ｗの表面上における他の部分の揮発性溶媒の液体Ａ１を直ちに液玉化させることが可能となる。
【００４５】
ここで、加熱手段６４による加熱乾燥では、基板ＷのパターンＰに接触している揮発性溶媒たるＩＰＡを瞬時に気化させるため、数秒で数百度の高温まで基板Ｗを加熱することが重要である。またＩＰＡは加熱せず、基板Ｗだけを加熱することも必要である。このためには、波長500〜3000nmにピーク強度を有するランプ６４Ａを用いることが望ましい。また、パターン倒壊率を極めて低くできる確実な乾燥のためには、基板Ｗの最終温度（加熱による到達する最終温度）は、処理液や溶媒の大気圧における沸点よりも20℃以上高めの加熱温度であることが望ましく、加えて、最終温度に達する時間が10秒以内、例えば、数10msec〜数秒の範囲内であることが望ましい。
【００４６】
(6)次に、制御部７０は、吸引乾燥手段６５を制御し、搬送ローラ６２上にて加熱手段６４による加熱作用で基板Ｗの表面に生成されたＩＰＡの液玉を吸引して除去し、基板Ｗの表面を乾燥する。
【００４７】
(7)次に、搬送ロボット１１により基板保管用バッファ部３０のアウト専用バッファ３２に設けた基板乾燥室６０における処理ボックス６１の下流側開口から、搬送ローラ６２上にて洗浄及び乾燥済となっている基板Ｗを取り出し、この基板Ｗを基板給排部２０の基板収納カセット２１に排出する。
【００４８】
本実施例によれば以下の作用効果を奏する。
(a)加熱手段６４による基板Ｗの加熱作用により、基板Ｗの表面上のパターンＰの周囲で置換済の揮発性溶媒たるＩＰＡの液体が気化し、これにより、基板Ｗの表面上のパターンＰの周囲にはＩＰＡが気化した気層が薄膜のように形成される。このため、基板Ｗの隣り合うパターンＰの間のＩＰＡの液体は気層によって押し出されながら、自らの表面張力で多数の液玉になる。このようにして基板Ｗの表面に生成されたＩＰＡの液玉は、吸引乾燥手段６５によって基板Ｗの表面から直ちに吸引されて除去される。従って、基板Ｗの全表面でＩＰＡの液体を瞬時に乾燥されることができ、基板Ｗの表面の各部の乾燥速度を均一にする結果、一部のパターンＰの間にＩＰＡの残留を生じることがなく、そのような残留ＩＰＡの液体の表面張力によるパターンＰの倒壊を抑止できる。
【００４９】
(b)吸引乾燥手段６５により揮発性溶媒たるＩＰＡを確実かつ容易に特定の専用排出先に吸引して除去できる。従って、揮発性溶媒が排出先で他の薬液と接触する等を回避し、揮発性溶媒の不測の発火等を防止できる。
【００５０】
(c)上述(a)の吸引乾燥手段６５に加えて、吹飛ばし乾燥手段（ガス供給部６３又は吹飛ばし乾燥手段６７）を用いることにより、基板Ｗの表面に生成された揮発性溶媒の液玉を吹飛ばして除去できる。基板Ｗの表面上の揮発性溶媒の液体を一層瞬時に乾燥させ、基板表面の各部の乾燥速度を一層均一にし、基板表面上のパターンＰの倒壊を一層確実に抑止できる。
【００５１】
（実施例２）（図５）
実施例２の基板処理装置１００は、実施例１の基板処理装置１０における基板洗浄室４０を基板処理室１１０とし、実施例１の基板保管用バッファ部３０のアウト専用バッファ３２から基板乾燥室６０を撤去し、実施例１の基板洗浄室４０と基板乾燥室６０の機能を基板処理室１１０に集約したことにある。以下、基板処理室１１０について説明する。
【００５２】
基板洗浄室１１０は、図５に示す如く、処理室となる処理ボックス１１１と、その処理ボックス１１１内に設けられたカップ１１２と、そのカップ１１２内で基板Ｗを水平状態で支持するテーブル１１３と、そのテーブル１１３を水平面内で回転させる回転機構１１４と、テーブル１１３の周囲で昇降する溶媒吸引排出部１１５とを備えている。更に、基板洗浄室１１０は、テーブル１１３上の基板Ｗの表面に薬液を供給する薬液供給部１１６と、テーブル１１３上の基板Ｗの表面に洗浄液供給部１１７と、揮発性溶媒を供給する溶媒供給部１１８と、ガスを供給するガス供給部１１９と、揮発性溶媒が供給された基板Ｗを加熱する加熱手段１２１と、各部を制御する制御部１３０とを備えている。
【００５３】
基板処理室１１０において、処理ボックス１１１、カップ１１２、テーブル１１３、回転機構１１４、溶媒吸引排出部１１５、薬液供給部１１６、洗浄液供給部１１７、溶媒供給部１１８の各部の具体的構成は、実施例１の基板洗浄室４０に設けた処理ボックス４１、カップ４２、テーブル４３、回転機構４４、溶媒吸引排出部４５、薬液供給部４６、洗浄液供給部４７、溶媒供給部４８におけると同様である。
【００５４】
但し、基板処理室１１０において、溶媒吸引排出部１１５は、回転する基板Ｗ上から飛散した揮発性溶媒を吸引して受け取るだけでなく、加熱手段１２１による加熱作用で基板Ｗの表面に生成された揮発性溶媒の液玉を基板Ｗの表面上から吸引除去する点で溶媒吸引排出部４５にない機能ももつ。従って、溶媒吸引排出部１１５は、基板Ｗの表面に存在するＩＰＡなどの揮発性溶媒の液玉を吸引する程度の吸引力を有するものとされる。
【００５５】
ガス供給部１１９は、テーブル１１３上の基板Ｗの表面に対して斜め方向からガスを吐出するノズル１１９Ａを有しており、このノズル１１９Ａからテーブル１１３上の基板Ｗの表面に不活性ガス、例えば窒素ガスを供給し、処理ボックス１１１内で基板Ｗの表面上の空間を窒素ガス雰囲気にする。ガス供給部１１９の具体的構成は、実施例１の基板乾燥室６０に設けたガス供給部６３におけると同様である。尚、ノズル１１９Ａはスリット状である必要はなく、円形ノズルであっても良い。
【００５６】
加熱手段１２１は、複数のランプ１２１Ａを有しており、テーブル１１３の上方に設けられ、各ランプ１２１Ａの点灯によりテーブル１１３上の基板Ｗの表面に光を照射する。この加熱手段１２１は移動機構１２１Ｂにより上下方向（昇降方向）に移動可能に構成されており、カップ１１２に近接した照射位置（図５中の実線で示すように、基板Ｗの表面に近接した位置）とカップ１１２から所定距離だけ離間した待機位置（図５中の一点鎖線で示すように、基板Ｗの表面から離間した位置）とに移動する。基板Ｗに薬液や洗浄液を供給するとき、加熱手段１２１を待機位置に位置付けておくことで、処理に用いる液体が加熱手段１２１に付着することが防止される。また、基板処理室１１０のテーブル１１３に基板Ｗがセットされるとき、加熱手段１２１を待機位置に位置付けておくことで、加熱手段１２１が基板Ｗの搬入の邪魔になることが回避される。加熱手段１２１は、ランプ点灯後下降、下降後ランプ点灯のどちらでも良い。加熱手段１２１の具体的構成は、実施例１の基板乾燥室６０に設けた加熱手段６４におけると同様である。
【００５７】
加熱手段１２１を用いた基板Ｗの加熱工程では、その加熱手段１２１による加熱によって、実施例１の加熱手段６４におけると同様にして図８（Ａ）に示すように、基板Ｗの表面上のパターンＰに接触している揮発性溶媒の液体Ａ１が他の部分の揮発性溶媒の液体Ａ１よりも早く気化を始める。つまり、基板Ｗの表面に供給された揮発性溶媒の液体Ａ１のうち、基板Ｗの表面に接触している部分のみが気相になるように急速加熱される。これにより、基板Ｗの表面上のパターンＰの周囲には、揮発性溶媒の液体Ａ１の気化（沸騰）によりガスの層（気泡の集合）、即ち、揮発性溶媒の気層Ａ２が薄膜のように形成される。このため、隣り合うパターンＰの間の揮発性溶媒の液体Ａ１はその気層Ａ２によって基板Ｗの表面に押し出されながら自らの表面張力で多数の液玉になる。
【００５８】
以下、基板処理装置１００による基板Ｗの洗浄及び乾燥処理手順について説明する。
(1)搬送ロボット１１が基板給排部２０の基板収納カセット２１から基板保管用バッファ部３０のイン専用バッファ３１に供給した基板Ｗを搬送ロボット１２により取り出し、この基板Ｗを基板処理室１１０のテーブル１１３上にピン等の支持部材１１３Ａにより保持してセットした状態で、実施例１の基板処理装置１０におけると同様にして、基板処理室１１０の制御部１３０は回転機構１１４を制御し、テーブル１１３を所定の回転数で回転させ、次いで、溶媒吸引排出部１１５を待機位置に位置付けた状態で、薬液供給部１１６を制御し、回転するテーブル１１３上の基板Ｗの表面にノズル１１６Ａから薬液、即ちＡＰＭを所定時間供給する。
【００５９】
(2)次に、制御部１３０は、実施例１の基板処理装置１０におけると同様にして、薬液の供給を停止されてから、洗浄液供給部１１７を制御し、回転するテーブル１１３上の基板Ｗの表面にノズル１１７Ａから洗浄液、即ち超純水を所定時間供給する。
【００６０】
(3)次に、制御部１３０は、洗浄液供給部１１７による基板Ｗの洗浄が終了すると、溶媒吸引排出部１１５を作業位置に位置付け、実施例１の基板処理装置１０におけると同様にして、溶媒供給部１１８を制御し、回転するテーブル１１３上の基板Ｗの表面にノズル１１８Ａから揮発性溶媒、即ちＩＰＡを所定時間供給するとともに、回転する基板Ｗ上から飛散するＩＰＡが溶媒吸引排出部１１５に吸引される。これにより、テーブル１１３上の基板Ｗの表面は超純水からＩＰＡに置換されることになる。
【００６１】
(4)次に、制御部１３０は、ガス供給部１１９を制御し、回転するテーブル１１３上の基板Ｗの表面にノズル１１９Ａからガス、即ち窒素ガス等の不活性ガスを所定時間供給する。
【００６２】
(5)次に、制御部１３０は、上述(3)によるＩＰＡへの置換が終了すると、加熱手段１２１を制御し、今まで待機位置にあった加熱手段１２１を照射位置に位置付け、加熱手段１２１の各ランプ１２１Ａを点灯して、回転するテーブル１１３上の基板Ｗを所定時間加熱する。
【００６３】
ここで、加熱手段１２１による加熱乾燥では、基板ＷのパターンＰに接触している揮発性溶媒たるＩＰＡを瞬時に気化させるため、数秒で数百度の高温まで基板Ｗを加熱することが重要である。またＩＰＡは加熱せず、基板Ｗだけを加熱することも必要である。このためには、波長500〜3000nmにピーク強度を有するランプ１２１Ａを用いることが望ましい。また、確実な乾燥のためには、基板Ｗの最終温度（加熱による到達する最終温度）は、処理液や溶媒の大気圧における沸点よりも20℃以上高めの加熱温度であることが望ましく、加えて、最終温度に達する時間が10秒以内、例えば、数10msec〜数秒の範囲内であることが望ましい。
【００６４】
(6)加熱手段１２１による加熱作用で、基板Ｗの表面にはＩＰＡの液玉が生成される。このとき溶媒吸引口１１５Ａには、前述のように基板Ｗの表面に存在するＩＰＡの液玉を吸引し得る程度の吸引力が付与されているから、生成されたＩＰＡの液玉は、溶媒吸引口１１５Ａを経由して吸引され除去される。これにより乾燥が終了する。尚、この加熱手段１２１によって基板Ｗを加熱する時、基板を回転させたが、回転させなくても良い。基板を回転させた場合、基板Ｗの表面に生成された液玉の一部は、基板Ｗの回転による遠心力で溶媒吸引排出部１１５に到達し、溶媒吸引排出部１１５に吸引されて除去される。従って、本実施例では、回転テーブル１１３、回転機構１１４は、加熱手段１２１による加熱作用で基板の表面に生成された揮発性溶媒の液玉を基板Ｗの回転により振り切って除去し、基板Ｗの表面を乾燥する基板回転乾燥手段を構成する。また、溶媒吸引排出部１１５は、加熱手段１２１による加熱作用で基板の表面に生成された揮発性溶媒の液玉を吸引して除去し、基板の表面を乾燥する、吸引乾燥手段を構成する。
【００６５】
(7)次に、制御部１３０は、テーブル１１３の回転を停止させ、回転停止されたテーブル１１３上にて洗浄及び乾燥済となっている基板Ｗを搬送ロボット１２が基板処理室１１０より取り出し、この基板Ｗを基板保管用バッファ部３０のアウト専用バッファ３２に投入する。搬送ロボット１１は、この基板Ｗを基板保管用バッファ部３０のアウト専用バッファ３２から取り出し、基板給排部２０の基板収納カセット２１に排出する。
【００６６】
尚、上述(7)の基板Ｗの取り出し前に、制御部１３０は、加熱手段１２１のランプ１２１Ａを消灯させ、かつ待機位置に位置付ける。これにより、基板Ｗの取り出し時に加熱手段１２１が邪魔にならない。
【００６７】
従って、実施例２の基板処理装置１００にあっても、実施例１の基板処理装置１０におけると実質的に同様の作用効果を奏する。尚、この実施例２において、上述した手順(4)と(5)は順番を逆にしても良い。
【００６８】
（実施例３）（図６、図７）
実施例３の基板処置装置２００は、基板処理室２１０となるトンネル状の処理ボックス２１１と、その処理ボックス２１１内において搬送手段を構成して基板Ｗを搬送する複数の搬送ローラ２１２とを備えている。更に、基板処理装置２００は、搬送ローラ２１２上の基板Ｗの表面に薬液を供給する薬液供給部２１３と、搬送ローラ２１２上の基板Ｗの表面に洗浄液を供給する洗浄液供給部２１４と、揮発性溶媒を供給する溶媒供給部２１５と、搬送ローラ２１２上の基板Ｗの表面にガスを供給するガス供給部２１６と、揮発性溶媒が供給された基板Ｗを加熱する加熱手段２１７と、加熱手段２１７によって加熱された基板Ｗの表面を乾燥するための吸引乾燥手段２１８と、各部を制御する制御部２２０とを備えている。
【００６９】
処理ボックス２１１はトンネル状をなし、未処理の基板Ｗが上流側の開口から投入され、基板処理室２１０による洗浄及び乾燥処理済の基板Ｗを処理ボックス２１１の下流側の開口から排出する。
【００７０】
搬送ローラ２１２はモータ等の駆動手段（図示せず）により回転駆動され、処理ボックス２１１の上流側開口から投入された基板Ｗを薬液供給部２１３、洗浄液供給部２１４、溶媒供給部２１５、ガス供給部２１６、加熱手段２１７、吸引乾燥手段２１８の下方搬送路に沿って下流側開口の側へと搬送する。この搬送ローラ２１２は制御部２２０に電気的に接続されており、その駆動が制御部２２０により制御される。尚、図６、図７においては、薬液供給部２１３、洗浄液供給部２１４、溶媒供給部２１５が、基板Ｗの搬送方向に沿って順次近接して配置されるように示したが、それらの配置間隔は、搬送される基板Ｗの搬送方向長さより大きなピッチで設定されるとともに、各供給部からの液供給量に応じて適宜設定される。
【００７１】
薬液供給部２１３は、搬送ローラ２１２上の基板Ｗの表面の幅方向全域に対して上方から薬液を吐出するスリット状のノズル２１３Ａを有しており、このノズル２１３Ａから搬送ローラ２１２上の基板Ｗの表面に薬液、例えばレジスト剥離処理用のＡＰＭ（アンモニア水及び過酸化水素水の混合液）を供給する。この薬液供給部２１３は制御部２２０に電気的に接続されており、その駆動が制御部２２０により制御される。尚、薬液供給部２１３は、薬液を貯留するタンクや駆動源となるポンプ、供給量を調整する調整弁となるバルブ（いずれも図示せず）等を備えている。
【００７２】
洗浄液供給部２１４は、搬送ローラ２１２上の基板Ｗの表面の幅方向全域に対して上方から洗浄液を吐出するスリット状のノズル２１４Ａを有しており、このノズル２１４Ａから搬送ローラ２１２上の基板Ｗの表面に洗浄液、例えば洗浄処理用の純水（超純水）を供給する。この洗浄液供給部２１４は制御部２２０に電気的に接続されており、その駆動が制御部２２０により制御される。尚、洗浄液供給部２１４は、洗浄液を貯留するタンクや駆動源となるポンプ、供給量を調整する調整弁となるバルブ（いずれも図示せず）等を備えている。
【００７３】
溶媒供給部２１５は、搬送ローラ２１２上の基板Ｗの表面の幅方向全域に対して上方から揮発性溶媒を吐出するスリット状のノズル２１５Ａを有しており、このノズル２１５Ａから搬送ローラ２１２上の基板Ｗの表面に揮発性溶媒、例えばＩＰＡを供給する。この溶媒供給部２１５は洗浄液供給部２１４によって洗浄液が供給済の基板Ｗの表面に揮発性溶媒を供給し、基板Ｗの表面の洗浄液を揮発性溶媒に置換する。この溶媒供給部２１５は制御部２２０に電気的に接続されており、その駆動が制御部２２０により制御される。尚、溶媒供給部２１５は、揮発性溶媒を貯留するタンクや駆動源となるポンプ、供給量を調整する調整弁となるバルブ（いずれも図示せず）等を備えている。
【００７４】
ガス供給部２１６は、搬送ローラ２１２による基板搬送方向に沿う加熱手段２１７の上流側にて、搬送ローラ２１２の上方に設けられる。ガス供給部２１６は、搬送ローラ２１２上の基板Ｗの表面の幅方向全域に対して斜め方向からガスを吐出するスリット状のノズル２１６Ａを有しており、このノズル２１６Ａから搬送ローラ２１２上の基板Ｗの表面にガス、例えば窒素ガス等の不活性ガスを供給し、処理ボックス２１１内で基板Ｗの表面上の空間を窒素ガス雰囲気にする。ノズル２１６Ａは処理ボックス２１１に装着されており、その角度や吐出流速等は基板Ｗの表面の幅方向全域にガスが供給されるように調整されている。このガス供給部２１６は制御部２２０に電気的に接続されており、その駆動が制御部２２０により制御される。尚、ガス供給部２１６は、ガスを貯留するタンクや供給量を調整する調整弁となるバルブ（いずれも図示せず）等を備えている。
【００７５】
加熱手段２１７は、複数のランプ２１７Ａを有しており、搬送ローラ２１２の上方に設けられ、各ランプ２１７Ａの点灯により搬送ローラ２１２上の基板Ｗの表面に光を照射する。加熱手段２１７は、処理ボックス２１１に装着されるランプケース２１７Ｂ内に配置したランプ２１７Ａの光を透明カバー２１７Ｃから基板Ｗの表面の幅方向全域に照射して基板Ｗを加熱する。この加熱手段２１７は制御部２２０に電気的に接続されており、その駆動が制御部２２０により制御される。
【００７６】
加熱手段２１７を用いた基板Ｗの加熱工程では、その加熱手段２１７による加熱によって、図８（Ａ）に示すように、基板Ｗの表面上のパターンＰに接触している揮発性溶媒の液体Ａ１が他の部分の揮発性溶媒の液体Ａ１よりも早く気化を始める。これにより、基板Ｗの表面上のパターンＰの周囲には、揮発性溶媒の液体Ａ１の気化（沸騰）によりガスの層（気泡の集合）、即ち、揮発性溶媒の気層Ａ２が薄膜のように形成される。このため、隣り合うパターンＰの間の揮発性溶媒の液体Ａ１はその気層Ａ２によって基板Ｗの表面に押し出されながら自らの表面張力で多数の液玉になる。
【００７７】
吸引乾燥手段２１８は搬送ローラ２１２による基板搬送方向に沿う加熱手段２１７の下流側にて、搬送ローラ２１２の上方に設けられる。吸引乾燥手段２１８は、処理ボックス２１１に装着され、搬送ローラ２１２上の基板Ｗの表面の幅方向全域に向けてスリット状に開口する溶媒吸引口２１８Ａを備える。吸引乾燥手段２１８は溶媒吸引口２１８Ａに付与される吸引力を基板Ｗの表面の幅方向全域に及ぼし、加熱手段２１７による加熱作用で前述の如くに基板Ｗの表面に生成された揮発性溶媒の液玉を吸引して除去し、基板Ｗの表面を乾燥する。この吸引乾燥手段２１８は制御部２２０に電気的に接続されており、その駆動が制御部２２０により制御される。尚、溶媒吸引口２１８Ａには、揮発性溶媒の液玉を吸引するためのバキュームポンプ（図示せず）が接続されている。
【００７８】
基板処理室２１０では、吸引乾燥手段２１８に加えて吹飛ばし乾燥手段を併用しても良い。この吹飛ばし乾燥手段は、基板Ｗの表面に生成された上述の揮発性溶媒の液玉を噴射ガスにより吹飛ばして除去し、基板Ｗの表面を乾燥する。前述のガス供給部２１６をこの吹飛ばし乾燥手段として兼用することもできる。
【００７９】
尚、図７は、基板処理室２１０の変形例を示すものであり、処理ボックス２１１内で基板Ｗの表面上の空間が雰囲気形成手段（図示せず）により窒素ガス雰囲気に制御されているとき、搬送ローラ２１２における基板搬送方向に沿う加熱手段２１７の下流側に窒素ガス等の不活性ガスを噴射する吹飛ばし乾燥手段２１９を設け、この吹飛ばし乾燥手段２１９によって基板Ｗの表面に生成される揮発性溶媒の液玉を吹飛ばし除去するようにしたものである。
【００８０】
以下、基板処理装置２００による基板Ｗの洗浄及び乾燥処理手順について説明する。
(1)基板処理室２１０における処理ボックス２１１の上流側開口から搬送ローラ２１２上に液晶基板等の基板Ｗが搬入されると、制御部２２０は、薬液供給部２１３を制御し、搬送ローラ２１２上の基板Ｗの表面の幅方向全域にノズル２１３Ａから薬液、即ちＡＰＭを所定時間供給する。これにより、搬送ローラ２１２上の基板Ｗの表面はＡＰＭにより覆われて処理されることになる。
【００８１】
(2)次に、制御部２２０は、薬液の供給を停止されてから、洗浄液供給部２１４を制御し、搬送ローラ２１２上の基板Ｗの表面の幅方向全域にノズル２１４Ａから洗浄液、即ち超純水を所定時間供給する。これにより、搬送ローラ２１２上の基板Ｗの表面は超純水により覆われて洗浄されることになる。
【００８２】
(3)次に、制御部２２０は、溶媒供給部２１５を制御し、搬送ローラ２１２上の基板Ｗの表面の幅方向全域にノズル２１５Ａから揮発性溶媒、即ちＩＰＡを所定時間供給する。これにより、搬送ローラ２１２上の基板Ｗの表面は超純水からＩＰＡに置換されることになる。
【００８３】
(4)次に、制御部２２０は、ガス供給部２１６を制御し、搬送ローラ２１２上の基板Ｗの表面にノズル２１６Ａからガス、即ち窒素ガスを所定時間供給する。窒素ガスは、ノズル２１６Ａから、搬送ローラ２１２上の基板Ｗの幅方向全域に向けて吐出される。これにより、搬送ローラ２１２上の基板Ｗを包む空間は窒素雰囲気となる。この空間を窒素雰囲気にすることで、酸素濃度を減少させて、基板Ｗの表面におけるウォーターマークの発生を抑止することができる。
【００８４】
(5)次に、制御部２２０は、加熱手段２１７を制御し、加熱手段２１７の各ランプ２１７Ａを点灯して、搬送ローラ２１２上の基板Ｗを所定時間加熱する。このとき、加熱手段２１７は、基板Ｗの温度が10秒で100度以上になることを可能にする加熱を行なうことができる。これにより、基板Ｗの表面上のパターンＰに接触している揮発性溶媒の液体Ａ１を瞬時に気化させ、基板Ｗの表面上における他の部分の揮発性溶媒の液体Ａ１を直ちに液玉化させることが可能となる。
【００８５】
ここで、加熱手段２１７による加熱乾燥では、基板ＷのパターンＰに接触している揮発性溶媒たるＩＰＡを瞬時に気化させるため、数秒で数百度の高温まで基板Ｗを加熱することが重要である。またＩＰＡは加熱せず、基板Ｗだけを加熱することも必要である。このためには、波長500〜3000nmにピーク強度を有するランプ２１７Ａを用いることが望ましい。また、確実な乾燥のためには、基板Ｗの最終温度（加熱による到達する最終温度）は、処理液や溶媒の大気圧における沸点よりも20℃以上高めの加熱温度であることが望ましく、加えて、最終温度に達する時間が10秒以内、例えば、数10msec〜数秒の範囲内であることが望ましい。
【００８６】
(6)次に、制御部２２０は、吸引乾燥手段２１８を制御し、搬送ローラ２１２上にて加熱手段２１７による加熱作用で基板Ｗの表面に生成されたＩＰＡの液玉を吸引して除去し、基板Ｗの表面を乾燥する。
【００８７】
(7)次に、基板処理室２１０における処理ボックス２１１の下流側開口から、搬送ローラ２１２上にて洗浄及び乾燥済となっている基板Ｗを取り出し、この基板Ｗを下流工程に排出する。
【００８８】
本実施例によれば以下の作用効果を奏する。
(a)加熱手段２１７による基板Ｗの加熱作用により、基板Ｗの表面上のパターンＰの周囲で置換済の揮発性溶媒たるＩＰＡの液体が気化し、これにより、基板Ｗの表面上のパターンＰの周囲にはＩＰＡが気化した気層が薄膜のように形成される。このため、基板Ｗの隣り合うパターンＰの間のＩＰＡの液体は気層によって押し出されながら、自らの表面張力で多数の液玉になる。このようにして基板Ｗの表面に生成されたＩＰＡの液玉は、吸引乾燥手段２１８（吹飛ばし乾燥手段としてのガス供給部２１６、又は吹飛ばし乾燥手段２１９を併せ用いることもある）によって基板Ｗの表面から直ちに吸引されて除去される。従って、基板Ｗの全表面でＩＰＡの液体を瞬時に乾燥されることができ、基板Ｗの表面の各部の乾燥速度を均一にする結果、一部のパターンＰの間にＩＰＡの残留を生じることがなく、そのような残留ＩＰＡの液体の表面張力によるパターンＰの倒壊を抑止できる。
【００８９】
(b)吸引乾燥手段２１８により揮発性溶媒たるＩＰＡを確実かつ容易に特定の専用排出先に吸引して除去できる。従って、揮発性溶媒が排出先で他の薬液と接触する等を回避し、揮発性溶媒の不測の発火等を防止できる。
【００９０】
(c)上述(a)の吸引乾燥手段２１８に加えて、吹飛ばし乾燥手段（ガス供給部２１６又は吹飛ばし乾燥手段２１９）を用いることにより、基板Ｗの表面に生成された揮発性溶媒の液玉を吹飛ばして除去できる。基板Ｗの表面上の揮発性溶媒の液体を一層瞬時に乾燥させ、基板表面の各部の乾燥速度を一層均一にし、基板表面上のパターンＰの倒壊を一層確実に抑止できる。尚、吸引乾燥手段２１８を設けることなく、吹飛ばし乾燥手段（ガス供給部２１６又は吹飛ばし乾燥手段２１９）を設け、加熱手段２１７による基板Ｗの加熱作用により生じたＩＰＡの液玉を基板上から吹き飛ばすことでＩＰＡの液玉を基板上から排出して基板Ｗを乾燥させるようにしても良い。この点は、例えば実施例１においても同じことが言える。即ち、図３、図４において、吸引乾燥手段６５を設けることなく、吹飛ばし乾燥手段（ガス供給部６３又は吹飛ばし乾燥手段６７）を設け、加熱手段６４による基板Ｗの加熱作用により生じた揮発性溶媒（ＩＰＡ等）の液玉を基板上から吹き飛ばすことで、揮発性溶媒の液玉を基板上から排出して基板Ｗを乾燥させるようにしても良い。尚、吹き飛ばされたＩＰＡの液玉は、処理ボックス６１、２１１の下方に設けた排出部より外部に排出されるようにしておくと良い。
【００９１】
以上、本発明の実施例を図面により詳述したが、本発明の具体的な構成はこの実施例に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があっても本発明に含まれる。
【００９２】
例えば、実施例１においては、基板Ｗが基板洗浄室４０から基板乾燥室６０まで搬送される間に基板上の揮発性溶媒が乾燥する恐れもある。そのため、図３、図４に示した基板乾燥室６０における処理ボックス６１の上流側開口に揮発性溶媒の供給装置を設けておき、基板洗浄室４０では洗浄液の供給まで行なった後の基板Ｗを基板乾燥室６０に搬送するとともに、この基板Ｗを基板乾燥室６０に投入するときに、基板Ｗ面上に揮発性溶媒を供給するようにしても良い。
【００９３】
また、実施例１や実施例３では、基板Ｗを搬送ローラ６２、２１２で搬送するようにしたが、ローラに代えて基板Ｗをクランパで挟んで搬送するものであっても良い。
【００９４】
例えば、実施例３においては、基板Ｗを搬送させながら、その基板Ｗに対し、薬液、洗浄液、揮発性溶媒などを順次供給するようにしたが、搬送ローラ２１２等を用いて基板Ｗを搬送するとともに、基板の例えば搬送方向中央部が、薬液を吐出するノズル２１３Ａ、洗浄液を吐出するノズル２１４Ａ、そして揮発性溶媒を吐出するノズル２１５Ａに対向したところで基板Ｗの搬送を順次停止させ、この停止している基板Ｗに対して、各ノズルから薬液などの処理液を供給するようにしても良い。加熱手段２１７による基板Ｗの加熱においても同様で、基板Ｗを停止させた状態で加熱するようにしても良い。
【００９５】
実施例１のように、アウト専用バッファ３２を多段にし、各段に基板乾燥室６０を設ければ、各段での乾燥処理を並行して進めることができるので、基板の処理能力を向上させることができるが、アウト専用バッファ３２を多段とせずに１段とし、この段に基板乾燥室を設けるようにしても良い。
【００９６】
ガス供給部６３、１１９、２１６による窒素ガス等の不活性ガスの供給動作は、基板Ｗがそれぞれの供給位置に位置付けられた後に開始されるようにしたが、位置付けられる前から供給が開始されるようにしても良い。
【００９７】
例えば実施例２において、加熱手段１２１による基板Ｗの加熱は、処理ボックス１１１内を減圧した状態で行なうようにしても良い。処理ボックス１１１内におけるＩＰＡなど揮発性溶媒の沸点が下がり、大気圧下に比べて低い温度で沸騰するので、基板に与える熱ダメージを軽減することができる。
【００９８】
各実施例において、基板Ｗに対する洗浄液の供給が停止してからＩＰＡなどの揮発性溶媒の供給を開始したが、洗浄液による洗浄の終期で、まだ洗浄液が基板Ｗに対して供給されているときから揮発性溶媒の供給を開始させるようにしても良い。この場合、実施例３においては、洗浄液供給部２１４と溶媒供給部２１５の配置間隔を、搬送される基板Ｗの搬送方向長さより小さな間隔に設定することで実施できる。
【００９９】
各実施例において、供給される気体は、加熱された気体とすることもできる。
【０１００】
各実施例において、ＩＰＡなどの揮発性溶媒を基板Ｗに供給する前に、処理ボックス４１、１１１、２１１内に乾燥空気又は窒素などの不活性ガスを供給するようにすると好ましい。
【産業上の利用可能性】
【０１０１】
本発明によれば、基板の乾燥時に表面上の液体を瞬時に乾燥させる基板処理装置及び基板処理方法を提供することができる。
【符号の説明】
【０１０２】
１０、１００、２００  基板処理装置
４７、１１７、２１４  洗浄液供給部
４８、１１８、２１５  溶媒供給部
６４、１２１、２１７  加熱手段
６５、２１８  吸引乾燥手段
６７、２１９  吹飛ばし乾燥手段
１１３  テーブル（基板回転乾燥手段）
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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