(57)【要約】      （修正有）【課題】窒化物半導体を用いた半導体装置において、特性及び信頼性の向上を図る。【解決手段】基板１０上に形成された半導体層１２と、半導体層１２の表面に形成された内壁が順テーパ形状からなる電極接触窓３０、２８と、半導体層上に形成されたソース電極３２、ドレイン電極３２と、備え、ドレイン電極３２は、順テーパ形状の電極接触窓３０、２８の内壁に接して設けられてなる半導体装置。ドレイン電極３２における電界集中を緩和し、ドレイン電極の端部における高電界の発生を抑制することで、通電破壊を抑制することができる。【選択図】図１
2014207334.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された半導体層と、
前記半導体層の表面に形成された内壁が順テーパ形状からなる電極接触窓と、
前記半導体層上に形成されたソース電極、ドレイン電極およびゲート電極と、
を備え、
前記ドレイン電極は、前記順テーパ形状の前記電極接触窓の内壁に接して設けられてなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記ドレイン電極は、前記半導体層の上面まで延在して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体層は、電子走行層と、電子供給層と、キャップ層からなり、前記電極接触窓の前記テーパ形状の内壁には、前記電子供給層およびキャップ層が露出してなることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ドレイン電極は、前記内壁に露出した前記キャップ層まで延在して形成されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体層は、窒化物半導体層からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記テーパ形状をなす内壁の基板面に水平な方向の長さは、０．０３μｍ以上、０．１μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
基板上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の表面に、内壁が順テーパ形状からなる電極接触窓を形成する工程と、
前記半導体層上にソース電極、ドレイン電極およびゲート電極を形成する工程と、
を備え、
前記ドレイン電極を形成する工程は、電極接触窓の前記テーパ状の内壁に前記ドレイン電極が接するパターンをもってなされることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記電極接触窓を形成する工程は、
前記半導体層上に、前記電極接触窓に対応する開口パターンを有するレジストを形成する工程と、
前記開口部を介して、前記半導体層を等方性のエッチングを実施する、あるいは異方性のエッチングを実施した後に等方性のエッチングを実施する工程と、
を含むことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記レジストを形成する工程は、前記半導体層上に第１レジスト、第２レジストの順に形成する工程であり、
前記第２レジストの開口部は、前記第１レジストの開口部よりも大きいことを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物半導体を用いた半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化物半導体を用いた半導体装置は、高周波かつ高出力で動作するパワー素子等に用いられている。特に、マイクロ波、準ミリ波、及びミリ波等の高周波帯域での増幅に適した半導体装置として、例えば高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ：High Electron Mobility Transistor）等の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Field Effect Transistor）が知られている。
【０００３】
特許文献１には、窒化物半導体層の一部を除去（リセス）し、その上にゲート電極及びオーミック電極（ソース電極、ドレイン電極）を形成した電界効果トランジスタが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特２０１２−２３２１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
窒化物半導体を用いた半導体装置において高電圧動作を行う場合、オーミック電極の端部に電界集中が生じ、高電界が生成される。このとき、通電破壊が生じて装置の信頼性が低下したり、電流コラプスが発生して装置の特性が変化してしまう場合があった。
【０００６】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、窒化物半導体を用いた半導体装置において、オーミック電極で発生する高電界に伴う不具合を抑制し、装置の特性及び信頼性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、基板上に形成された半導体層と、前記半導体層の表面に形成された内壁が順テーパ形状からなる電極接触窓と、前記半導体層上に形成されたソース電極、ドレイン電極およびゲート電極と、備え、前記ドレイン電極は、前記順テーパ形状の前記電極接触窓の内壁に接して設けられてなることを特徴とする半導体装置である。
【０００８】
上記構成において、前記ドレイン電極は、前記半導体層の上面まで延在して形成されている構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記半導体層は、電子走行層と、電子供給層と、キャップ層からなり、前記電極接触窓の前記テーパ形状の内壁には、前記電子供給層およびキャップ層が露出してなる構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記ドレイン電極は、前記内壁に露出した前記キャップ層まで延在して形成されている構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記半導体層は、窒化物半導体層からなる構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記テーパ形状をなす内壁の基板面に水平な方向の長さは、０．０３μｍ以上、０．１μｍ以下である構成とすることができる。
【００１３】
本発明は、基板上に半導体層を形成する工程と、前記半導体層の表面に、内壁が順テーパ形状からなる電極接触窓を形成する工程と、前記半導体層上にソース電極、ドレイン電極およびゲート電極を形成する工程と、備え、前記ドレイン電極を形成する工程は、電極接触窓の前記テーパ状の内壁に前記ドレイン電極が接するパターンをもってなされることを特徴とする半導体装置の製造方である。
【００１４】
上記構成において、前記電極接触窓を形成する工程は、前記半導体層上に、前記電極接触窓に対応する開口パターンを有するレジストを形成する工程と、前記開口部を介して、前記半導体層を等方性のエッチングを実施する、あるいは異方性のエッチングを実施した後に等方性のエッチングを実施する工程と、を含む構成とすることができる。
【００１５】
上記構成において、前記レジストを形成する工程は、前記半導体層上に第１レジスト、第２レジストの順に形成する工程であり、前記第２レジストの開口部は、前記第１レジストの開口部よりも大きい構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、窒化物半導体を用いた半導体装置において、オーミック電極で発生する高電界による不具合を抑制し、装置の特性及び信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施例１に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１）である。
【図２】実施例１に係る半導体装置の製造工程を示す図（その２）である。
【図３】比較例に係る半導体装置の製造工程の詳細を示す図である。
【図４】実施例１に係る半導体装置の製造工程の詳細を示す図である。
【図５】実施例１の変形例に係る半導体装置の製造工程を示す図である。
【図６】実施例２に係る半導体装置の製造工程を示す図である。
【図７】実施例２の変形例に係る半導体装置の製造工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【実施例１】
【００１８】
図１（ａ）〜図２（ｄ）は、実施例１に係る半導体装置の製造工程を示す図である。図１（ａ）に示すように、基板１０上にＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法を用い、窒化物半導体層１２を形成する。基板１０には、例えば（０００１）主面を有するＳｉＣ基板を用いることができる。窒化物半導体層１２は、第１窒化物半導体層１４、第２窒化物半導体層１６、及び第３窒化物半導体層を順に積層して形成する。
【００１９】
第１窒化物半導体層１４は、電子走行層を含む層であり、例えば厚さが１０００ｎｍのノンドープ窒化ガリウム（ＧａＮ）を用いて形成することができる。第１窒化物半導体層１４には、電子走行層以外にもバッファ層を含んでいてもよい。典型的なバッファ層としては基板１０との界面に位置する窒化アルミニウム（ＡｌＮ）層が挙げられる。第２窒化物半導体層１６は、電子供給層を含む層であり、例えば厚さが２０ｎｍのｎ型窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）あるいはｎ型インジウム窒化アルミニウム（ＩｎＡｌＮ）を用いて形成することができる。第２窒化物半導体層１６は電子供給層以外にもスペーサ層を含んでいてもよい。典型的なスペーサ層としては、電子走行層との界面に位置するノンドープの窒化アルミニウム層（ＡｌＮ）が挙げられる。第３窒化物半導体層１８は、キャップ層であり、例えば厚さが５ｎｍのｎ型窒化ガリウム（ＧａＮ）を用いて形成することができる。
【００２０】
次に、図１（ａ）に示すように、窒化物半導体層１２上に２層のレジスト（第１レジスト２０、第２レジスト２２）を順に形成する。本実施例では、第１レジスト２０及び第２レジスト２２としてフォトレジストを用いるが、後述のようにこれ以外のマスク材料を用いることも可能である。
【００２１】
次に、図１（ｂ）に示すように、第１レジスト２０及び第２レジスト２２を露光し、第１レジスト２０に第１開口パターン２４を、第２レジスト２２に第２開口パターン２６を、それぞれ形成する。このとき、第１開口パターン２４の大きさは、第２開口パターン２６よりも大きくなるようにする。このようなオーバーハング形状を得るには、例えば、第１レジスト２０に高感度のレジストを用い、第２レジスト２２に低感度のレジストを用いる方法がある。レジストの膜厚としては、第１レジスト２０には、例えば厚み０．３μｍ〜１μｍのフォトレジストを用いることができる。第２レジスト２２には、例えば厚み１μｍのフォトレジストを用いることができる。また、第２レジスト２２が第１レジスト２０から突出した部分の長さ（図中のＬ１）は、例えば０．３μｍ〜１μｍとすることができる。
【００２２】
次に、図１（ｃ）に示すように、第１レジスト２０及び第２レジスト２２をマスクにして、窒化物半導体層１２の一部をエッチングする。エッチングは、第３窒化物半導体層１８を貫通して第２窒化物半導体層１６の途中に至るまで行い、第１窒化物半導体層１４には到達しないように行う。これにより、第３窒化物半導体層１８に開口部２８が、第２窒化物半導体層１６に凹部３０がそれぞれ形成される。開口部２８および凹部３０は、ともに後述するオーミック電極３２を形成するための電極接触窓を構成する。エッチングは、例えば塩素系のプラズマエッチングにより行うことができる。具体的には、エッチングガスとしてＣｌ２、ＢＣｌ３及びＳｉＣｌ４の少なくとも１つを用いることができる。このとき、マスクとなる第１レジスト２０の第１開口パターン２４が、第２レジスト２２の第２開口パターン２６より大きく形成されていることから、凹部３０の形状は表面側に向かって広がるテーパ形状となる。また、開口部２８の形状も、凹部３０と連続して表面側に広がるテーパ形状となる。すなわち電極接触窓の側壁はテーパ形状をなす。なお、第２窒化物半導体層１６と第３窒化物半導体層１８の材料の違いから、テーパ角は開口部２８と凹部３０とでそれぞれで異なる場合がある。なお、電極接触窓の側壁（凹部３０及び開口部２８それぞれの側壁）における傾斜部分の水平方向の長さ（図中のＬ２）は、０．０３μｍ〜０．１μｍであることが好ましい。Ｌ２の距離が０．０３μｍより小さい場合には、オーミック電極間の電界集中を抑制することが困難である。また、０．１μｍよりも大きい場合には、ゲート電極とドレイン電極との距離が近くなるため、両極間での耐圧が低下してしまう。以上から、Ｌ２の距離は、０．０３μｍ〜０．０７μｍが好ましい。
【００２３】
次に、図１（ｄ）に示すように、第１レジスト２０及び第２レジスト２２をマスクとして、オーミック電極３２（ソース電極、ドレイン電極）を形成する。このとき、オーミック電極３２は、少なくとも第２窒化物半導体層１６における凹部３０のテーパ形状を形成する斜面の途中まで形成するようにする。オーミック電極３２には、例えば厚み１０ｎｍのチタン（Ｔｉ）上に、厚さ３００ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）が積層された金属層を用いることができる。また、上記チタンの代わりに、厚さ１０ｎｍのタンタル（Ｔａ）を用いてもよい。オーミック電極３２の形成は、例えば蒸着法およびリフトオフ（第１レジスト２０及び第２レジスト２２を除去）することで行うことができる。
【００２４】
次に、図２（ａ）に示すように、第１レジスト２０及び第２レジスト２２をリフトオフし、第３窒化物半導体層１８及びオーミック電極３２上に、絶縁膜３４を形成する。絶縁膜３４には、例えば厚み２０ｎｍの窒化シリコン（ＳｉＮ）を用いることができる。
【００２５】
次に、図２（ｂ）に示すように、絶縁膜３４上に絶縁膜３６を形成し、パターニングを行う。絶縁膜３６には、例えばフォトレジストを用いることができ、パターニング（開口部の形成）は露光により行うことができる。パターニングが完了したら、絶縁膜３６をマスクとして、絶縁膜３４をエッチングし、第３窒化物半導体層１８を露出させる。
【００２６】
次に、図２（ｃ）に示すように、絶縁膜３６を更にパターニングして開口部を広げる。その後、絶縁膜３６をマスクとして、ゲート電極３８を形成する。ゲート電極３８には、例えば厚み５０ｎｍのニッケル（Ｎｉ）上に厚み４００ｎｍの金（Ａｕ）が積層された金属層を用いることができる。
【００２７】
次に、図２（ｄ）に示すように、絶縁膜３６を除去することにより、絶縁膜３６上に堆積したゲート電極３８の材料をリフトオフする。以上の工程により、実施例１に係る半導体装置１００が完成する。半導体装置１００は、基板１０上に、電子走行層を含む第１窒化物半導体層１４、電子供給層を含む第２窒化物半導体層１６、及びキャップ層を含む第３窒化物半導体層１８が、順に積層された構造を有する。第２窒化物半導体層１６には凹部３０が形成され、第３窒化物半導体層１８には凹部３０に対応する位置に開口部２８が形成されている。凹部３０及び開口部２８は連続しており、共に第１窒化物半導体層１４側から反対側に向かって広がるテーパ形状を有している。開口部２８及び凹部３０には、上記テーパ形状を構成する斜面の途中まで、オーミック電極３２が形成されている。
【００２８】
次に、図３及び図４を用い、実施例１に係る半導体装置に特有の効果について説明する。
【００２９】
図３は比較例に係る半導体装置の製造工程の詳細を示す図であり、図４は実施例１に係る半導体装置の製造工程の詳細を示す図である。図３および図４は共に図１（ｂ）〜図１（ｄ）に示したオーミック電極３２のうち、ドレイン電極（ゲート電極の右側）周辺にかかる要部断面図である。図３に示すように、比較例では、第３窒化物半導体層１８及び第２窒化物半導体層１６をエッチングしてリセスを形成するマスクとして、レジスト３９を用い（図３（ａ））、且つ異方性エッチングを行っている。その結果、本実施例のように凹部３０及び開口部２８がテーパ形状とならず、凹部３０及び開口部２８の側壁はほぼ垂直となっている（図３（ｂ））。そして、ドレイン電極３２ａの形成は、レジスト３９の除去後に新たに形成・パターニングされたレジスト４０をマスクとして行われ（図３（ｃ））、その結果ドレイン電極３２ａの端部は、第２窒化物半導体層１６上に位置している。
【００３０】
比較例に係る半導体装置（図３）では、ドレイン電極３２ａの端部に電界が集中しやすい。ここに電界が集中する理由は、ドレイン電極３２ａの端部は、ドレイン電極３２ａに対して電位差を有する電極（ソース電極あるいはゲート電極）に対して最も近く、且つこの電位差を有する電極に対して端部が線状に対向しているためである。電極が、他に比べて電界が集中しやすい部分を持っている場合、その部分の電界が他の部分よりも極端に大きくなる。その結果、高電界に耐え切れずに、ドレイン電極３２ａの端部が位置する部分（符号３３）で通電破壊が生じ、ＨＥＭＴの信頼性が低下してしまう。また、高電界により電流コラプスが発生し、ＨＥＭＴの特性が悪化してしまう場合がある。
【００３１】
これに対し、実施例１に係る半導体装置（図４）では、オーミック電極３２（ドレイン電極３２ａ）がテーパ形状を備えた電極接触窓の内壁に接して設けられている。この場合、電位差を有する電極（ソース電極あるいはゲート電極）に対して、ドレイン電極３２ａの端部と底面が対向することになる。比較例のような線状の端部ではなく面で対向することから、ドレイン電極３２ａに対する電界集中が緩和される。しかも、ドレイン電極３２ａの底面は、ドレイン電極３２ａの端部から離れるにしたがって、電位差を有する電極から徐々に離間する。このため、ドレイン電極３２ａにかかる電界はドレイン電極３２ａの底面において徐々に緩和されることになり、より電界集中が緩和されることになる。以上の結果、オーミック電極３２（ドレイン電極３２ａ）の端部における高電界の発生が抑制され、通電破壊を抑制することができる。また、高電界の発生を抑制することにより、電流コラプスの発生を抑制することができる。また、第３窒化物半導体層１８に含まれるキャップ層（ＧａＮ）は、第２窒化物半導体層１６に含まれる電子供給層（ＡｌＧａＮ）に比べてトラップの数が少ない。このため、オーミック電極（ドレイン電極）の端部がキャップ層（ＧａＮ）に位置している場合、通電破壊及びコラプスの発生を更に抑制することができる。
【００３２】
以上のように、実施例１に係る半導体装置によれば、オーミック電極（ドレイン電極）の端部における通電破壊及びコラプスの発生を抑制することにより、ＨＥＭＴの特性及び信頼性の向上を図ることができる。
【００３３】
次に、本実施例の変形例について説明する。図５（ａ）〜（ｃ）は、それぞれが実施例１の変形例に係る半導体装置を示す図であり、図１（ｄ）に示すドレイン電極３２ａに対応する部分を示している。
【００３４】
実施例１では、オーミック電極３２（ドレイン電極３２ａ）の端部を電極接触窓のテーパ状の内壁（第３窒化物半導体層１８における開口部２８の斜面の途中）まで形成する例について説明したが、オーミック電極は第３窒化物半導体層１８上に至るまで形成してもよい（図５（ａ））。
【００３５】
また、実施例１では、ＨＥＭＴがキャップ層（第３窒化物半導体層１８）を備える場合を例に説明したが、キャップ層を備えない構造とすることもできる（図５（ｂ））。この場合も、第２窒化物半導体層１６における凹部３０の斜面の少なくとも途中までドレイン電極３２ａを形成することにより、通電破壊及びコラプスの発生を抑制することができる。また、図５（ａ）と同様に、第２窒化物半導体層１６の上までドレイン電極３２ａが乗り上げる構成としてもよい（図５（ｃ））。
【００３６】
また、実施例１では、感度の異なる第１レジスト２０及び第２レジスト２２を同じパターンで露光し、感度の違いにより、オーバーハング形状のマスクを形成していた。下層のレジストの開口を大きく形成する手段としては、他に、現像により上層（第２レジスト２２）よりも下層（第１レジスト２０）を後退させるパターニングを行ってもよい。また、第１レジスト２０の代わりに、下層のマスクとして無機絶縁膜（例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ等）を用い、等方性のウェットエッチングを実施し、サイドエッチングを進行させることにより下層を後退させる方法を採用してもよい。
【実施例２】
【００３７】
実施例２は、第２窒化物半導体層に開口部を形成する工程において、単層のレジストを用いた例である。
【００３８】
図６は、実施例２に係る半導体装置の製造工程を示す図であり、図１（ｂ）〜（ｃ）に示すエッチング工程に対応するものである。その他の工程については、実施例１と同様であるため、説明を省略する。
【００３９】
最初に、図６（ａ）に示すように、第３窒化物半導体層１８上にレジスト４２を形成し、オーミック電極（ソース電極およびドレイン電極）の形状に合わせたパターニングを行う。次に、図６（ｂ）に示すように、レジスト４２をマスクとして、第３窒化物半導体層１８及び第２窒化物半導体層１６を等方エッチングする。当該工程により、第３窒化物半導体層１８に開口部２８が、第２窒化物半導体層１６に凹部３０が、それぞれ形成され、且つ凹部３０と開口部２８は、表面側に向かって広がるテーパ形状となる。
【００４０】
上記の等方エッチングの方法としては、等方性のドライエッチングを採用することができる。具体的には、実施例１と同じく、塩素系のプラズマエッチングを採用することができる。このとき、等方性を高めるために、ガス圧を高く（例えば、１Ｐａ以上）し、バイアス電圧を低く（例えば、１０Ｖ以下）する制御を実施する。エッチング工程が完了した後は、そのままレジスト４２をマスクとしてオーミック電極の形成を行ってもよいし、一度レジストを剥離してから新たなマスクによりオーミック電極を形成してもよい。
【００４１】
図７は、実施例２の変形例に係る半導体装置の製造方法を示す図であり、図６（ａ）〜（ｂ）に示すオーミック電極の形成工程に対応するものである。最初に、図７（ａ）に示すように、第３窒化物半導体層１８上にレジスト４２を形成し、オーミック電極の形状に合わせたフォトリソグラフィ工程を実施する。次に、図７（ｂ）に示すように、レジスト４２をマスクとして、第３窒化物半導体層１８及び第２窒化物半導体層１６をエッチングし、開口部２８及び凹部３０を形成する。このとき、実施例２（図６）と異なり、エッチングは異方性のドライエッチングにより行う。その結果、開口部２８及び凹部３０の側壁は、第２窒化物半導体層１６の表面に垂直となる。
【００４２】
次に、図７（ｃ）に示すように、２回目のエッチングを行い、開口部２８及び凹部３０をテーパ形状とする。テーパ形状を形成するための２回目のエッチングには、例えばウェットエッチングを採用することができる。エッチング液としては、例えば、水酸化カリウムあるいは水酸化ナトリウムを用いることができる。このように、単層のレジストを用いた場合でも、実施例１と同様に、テーパ形状の電極接触窓（開口部２８及び凹部３０）を形成することができる。
【００４３】
実施例２及びその変形例に係る半導体装置によれば、ドレイン電極が電極接触窓のテーパ状の内壁に接して設けられることから、通電破壊及びコラプスの発生を抑制することができる。その結果、ＨＥＭＴの特性及び信頼性の向上を図ることができる。また、実施例２においても、実施例１と同様に、オーミック電極３２が第３窒化物半導体層１８の上まで乗り上げた構成（図５（ａ）参照）や、キャップ層を備えない構成（図５（ｂ）、（ｃ）参照）を採用することができる。
【００４４】
実施例１〜２では、基板１０としてＳｉＣを用いたが、他にもＳｉ、ＧａＮ、サファイア等を用いることができる。また、第２窒化物半導体層１６（電子供給層）としてＡｌＧａＮを用いたが、他にもＡｌＩｎＮ等を用いることができる。また、窒化物半導体層１２に含まれる半導体層としては、求められる機能に応じて、他にもＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ等を用いることができる。また、実施例１〜２では、ドレイン電極３２ａについてテーパ形状を備えた電極接触窓の内壁に接する旨の構成としたが、ソース電極については、ドレイン電極と同様の構成としてもよいし、異なる構成としてもよい。
【００４５】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００４６】
１０    基板
１２    窒化物半導体層
１４    第１窒化物半導体層（電子走行層）
１６    第２窒化物半導体層（電子供給層）
１８    第３窒化物半導体層（キャップ層）
２０    第１レジスト
２２    第２レジスト
２４    第１開口パターン
２６    第２開口パターン
２８    開口部
３０    凹部
３２    オーミック電極
３４    絶縁膜
３６    第３レジスト
３８    ゲート電極
３９    レジスト
４０    レジスト
４１    レジスト
１００  半導体装置
【図１】
2014207334.tif 000003
【図２】
2014207334.tif 000004
【図３】
2014207334.tif 000005
【図４】
2014207334.tif 000006
【図５】
2014207334.tif 000007
【図６】
2014207334.tif 000008
【図７】
2014207334.tif 000009