(57)【要約】【課題】高周波ノイズ試験を行った場合に圧力検知素子の不揮発性メモリに書き込んだ情報の一部、又は全てが消えてしまうことを抑制できる圧力検知ユニット及びその製造方法を提供する。【解決手段】圧力検知ユニット１は、圧力検知素子１４が、圧力検知部、書き換え可能な不揮発性メモリ、並びに、電源端子Ｖ、グランド端子Ｇ、出力端子Ｏ及び不揮発性メモリの書込みに用いられる複数のメモリ書込み制御端子を有し、電源端子Ｖ、グランド端子Ｇ及び出力端子Ｏが、リードピン２２に接続され、メモリ書込み制御端子のうち不揮発性メモリの書込み時において所定のメモリ書込み電圧が入力されるメモリ書込み電圧入力端子Ｖｐｐ及びゲート制御用端子Ｋが、リードピン２２に非接続とされている。【選択図】図２
2014102115.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースと、前記ベースとの間にオイルが封入される受圧空間を形成するように前記ベースと接合されたダイヤフラムと、前記受圧空間内に配設された圧力検知素子と、前記受圧空間内外を連通するように前記ベースに形成された貫通孔に挿通された複数のリードピンと、前記複数のリードピンと前記ベースとの間を絶縁及び封止するように前記貫通孔内に充填された絶縁シール材と、を備えた圧力検知ユニットにおいて、
前記圧力検知素子が、圧力検知部、書き換え可能な不揮発性メモリ、並びに、電源端子、グランド端子、出力端子及び前記不揮発性メモリの書込みに用いられる複数のメモリ書込み制御端子を有し、
前記電源端子、前記グランド端子及び前記出力端子が、前記リードピンに接続され、
前記メモリ書込み制御端子のうち前記不揮発性メモリの書込み時において所定のメモリ書込み電圧が入力される端子の少なくとも１つが、前記リードピンに非接続とされていることを特徴とする圧力検知ユニット。
【請求項２】
ベースと、前記ベースとの間にオイルが封入される受圧空間を形成するように前記ベースと接合されたダイヤフラムと、前記受圧空間内に配設された圧力検知素子と、前記受圧空間内外を連通するように前記ベースに形成された貫通孔に挿通された複数のリードピンと、前記複数のリードピンと前記ベースとの間を絶縁及び封止するように前記貫通孔内に充填された絶縁シール材と、を備え、前記圧力検知素子が、圧力検知部、書き換え可能な不揮発性メモリ、並びに、電源端子、グランド端子、出力端子及び前記不揮発性メモリの書込みに用いられる複数のメモリ書込み制御端子を有する構成とされた圧力検知ユニットの製造方法であって、
前記受圧空間内に前記圧力検知素子を配設する圧力検知素子取付工程と、
前記ベースの前記貫通孔に挿通された前記複数のリードピンと前記電源端子、前記グランド端子、前記出力端子及び前記複数のメモリ書込み制御端子とをワイヤで接続するワイヤ接続工程と、
前記複数のメモリ書込み制御端子が接続された前記リードピンを通じて、前記圧力検知素子の前記不揮発性メモリに情報を書込むメモリ書込み工程と、
前記メモリ書込み制御端子のうち前記不揮発性メモリの書込み時において所定のメモリ書込み電圧が入力される端子と前記リードピンとを接続する前記ワイヤのうち少なくとも１つを切断するワイヤ切断工程と、がこの順で行われる
ことを特徴とする圧力検知ユニットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧力検知ユニットに関し、特に、書き換え可能な不揮発性メモリを内蔵した圧力検知素子を備えた圧力検知ユニット及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、圧力検知ユニットとして、例えば、特許文献１に開示されたものがある。特許文献１に記載された圧力検知ユニットとしての圧力センサ８００は、図３に示すように、それぞれステンレス製のベース８０１とダイヤフラム８０３との間に受圧空間８３１が形成されており、半導体からなる圧力検知素子８４１が、この受圧空間８３１内に配置されるようにしてベース８０１に設けられている。また、圧力センサ８００は、ダイヤフラム８０３と流管接続部材８０２との間に加圧空間８２１が形成されている。
【０００３】
この圧力センサ８００では、流体導入管８１１を通じて、流体の圧力が加圧空間８２１に導入されてダイヤフラム８０３に伝達される。このダイヤフラム８０３は極めて薄いため、圧力損失をほとんど生ずることなく、受圧空間８３１内のオイルを介して圧力検知素子８４１に圧力が伝達される。そして、圧力検知素子８４１が伝達された圧力を検知して、圧力信号をリードピン８４３、基板８４５、コネクタ８４６及びリード線８４７を通じて外部に出力する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−６８１０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような圧力センサ８００で用いられる圧力検知素子８４１は、ピエゾ抵抗素子などを含んで構成された圧力検知部の他に、例えば、規定範囲の圧力を加えたときに所望の電圧範囲を出力する（一例として、圧力範囲が０〜５ＭＰａのときに０．５Ｖ〜４．５Ｖの電圧を出力する等）ように調整するための調整パラメータを書き込む不揮発性メモリ（例えば、ＥＰＲＯＭ等）を内蔵している。圧力センサ８００の製造（出力調整を含む）は、次のようにして行われる。
【０００６】
圧力センサ８００の製造時において、圧力検知素子８４１は、ベース８０１に取り付けられたのち、電源端子、グランド端子、出力端子及び不揮発性メモリの書込みに用いられる複数のメモリ書込み制御端子がボンディングワイヤ８５０によってリードピン８４３の一端に接続される。これらリードピン８４３は、ベース８０１を貫通して設けられており、ハーメチックシール８４４によってベース８０１に固定されかつベース８０１との間を絶縁及び封止されている。リードピン８４３は、その他端が基板８４５に取り付けられている。そして、リードピン８４３のうち、圧力検知素子８４１の電源端子、グランド端子及び出力端子に電気的に接続されたリードピン８４３が、基板８４５上の配線パターン（図示なし）及びコネクタ８４６を通じて、リード線８４７によって圧力センサ８００の外部に引き出されている。
【０００７】
次に、ベース８０１にダイヤフラム８０３を溶接して互いに接合し、これにより形成された受圧空間８３１にオイルを充填及び封入する。そのあと、ダイヤフラム８０３に規定範囲の圧力を加えて、そのときの圧力検知素子８４１の出力値が所定の出力範囲に収まるように出力調整を行う。そして、圧力検知素子８４１のメモリ書込み制御端子に接続されたリードピン８４３に調整パラメータ書込装置を接続して、不揮発性メモリへの調整パラメータの書き込みを行うことで、圧力検知素子８４１の出力調整を行っていた。
【０００８】
しかしながら、このような圧力センサ８００の評価試験の１つとして、インパルスノイズやバーストノイズなどの高周波ノイズを印加する試験を行ったところ、圧力センサ８００のリード線８４７にこのような高周波ノイズを印加すると、圧力検知素子８４１の不揮発性メモリに書き込んだ調整パラメータ（即ち、情報）の一部、又は全てが消えてしまうことがあるという問題があった。
【０００９】
本発明者らは、上述した問題の原因について鋭意検討したところ、リード線８４７に高周波ノイズを印加すると、この高周波ノイズが、順に（１）リード線８４７からコネクタ８４６、基板８４５（２）リードピン８４３、（３）ボンディングワイヤ８５０、（４）圧力検知素子８４１の電源端子等、（５）圧力検知素子８４１のメモリ書込み制御端子、（６）ボンディングワイヤ８５０、（７）リードピン８４３、と流れ、そして、絶縁体であるハーメチックシール８４４の浮遊容量により、リードピン８４３とベース８０１との間に仮想的なコンデンサが存在して、リードピン８４３からベース８０１に流れてしまい、これにより、不揮発性メモリの電荷が抜けて調整パラメータの一部、又は全てが消えてしまうということを突き止めるに至った。上記高周波ノイズは全ての端子に流れるものであるが、圧力検知素子８４１の複数のメモリ書込み制御端子の中でも、特に、不揮発性メモリの書込み時において所定のメモリ書込み電圧が入力される端子から高周波ノイズが流れ出てしまうことにより、パラメータの一部又は全てが消えてしまうことが判明した。
【００１０】
そこで、本発明は、上記課題を解決することを目的とする。即ち、本発明は、高周波ノイズ試験を行った場合に圧力検知素子の不揮発性メモリに書き込んだ情報の一部、又は全てが消えてしまうことを抑制できる圧力検知ユニット及びその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１に記載された発明は、上記目的を達成するために、ベースと、前記ベースとの間にオイルが封入される受圧空間を形成するように前記ベースと接合されたダイヤフラムと、前記受圧空間内に配設された圧力検知素子と、前記受圧空間内外を連通するように前記ベースに形成された貫通孔に挿通された複数のリードピンと、前記複数のリードピンと前記ベースとの間を絶縁及び封止するように前記貫通孔内に充填された絶縁シール材と、を備えた圧力検知ユニットにおいて、前記圧力検知素子が、圧力検知部、書き換え可能な不揮発性メモリ、並びに、電源端子、グランド端子、出力端子及び前記不揮発性メモリの書込みに用いられる複数のメモリ書込み制御端子を有し、前記電源端子、前記グランド端子及び前記出力端子が、前記リードピンに接続され、前記メモリ書込み制御端子のうち前記不揮発性メモリの書込み時において所定のメモリ書込み電圧が入力される端子の少なくとも１つが、前記リードピンに非接続とされていることを特徴とする圧力検知ユニットである。
【００１２】
請求項２に記載された発明は、上記目的を達成するために、ベースと、前記ベースとの間にオイルが封入される受圧空間を形成するように前記ベースと接合されたダイヤフラムと、前記受圧空間内に配設された圧力検知素子と、前記受圧空間内外を連通するように前記ベースに形成された貫通孔に挿通された複数のリードピンと、前記複数のリードピンと前記ベースとの間を絶縁及び封止するように前記貫通孔内に充填された絶縁シール材と、を備え、前記圧力検知素子が、圧力検知部、書き換え可能な不揮発性メモリ、並びに、電源端子、グランド端子、出力端子及び前記不揮発性メモリの書込みに用いられる複数のメモリ書込み制御端子を有する構成とされた圧力検知ユニットの製造方法であって、前記受圧空間内に前記圧力検知素子を配設する圧力検知素子取付工程と、前記ベースの前記貫通孔に挿通された前記複数のリードピンと前記電源端子、前記グランド端子、前記出力端子及び前記複数のメモリ書込み制御端子とをワイヤで接続するワイヤ接続工程と、前記複数のメモリ書込み制御端子が接続された前記リードピンを通じて、前記圧力検知素子の前記不揮発性メモリに情報を書込むメモリ書込み工程と、前記メモリ書込み制御端子のうち前記不揮発性メモリの書込み時において所定のメモリ書込み電圧が入力される端子と前記リードピンとを接続する前記ワイヤのうち少なくとも１つを切断するワイヤ切断工程と、がこの順で行われることを特徴とする圧力検知ユニットの製造方法である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、圧力検知素子のメモリ書込み制御端子のうち不揮発性メモリの書込み時において所定のメモリ書込み電圧が入力される端子のうち少なくとも１つがリードピンに非接続であるので、高周波ノイズを印加した場合でも、この高周波ノイズが上記端子から流れ出てリードピンを経由してベースに流れ込むことを回避することができ、これにより、高周波ノイズ試験を行った場合に圧力検知素子の不揮発性メモリに書き込んだ情報の一部、又は全てが消えてしまうことを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施形態の圧力検知ユニットの縦断面図である。
【図２】図１の圧力検知ユニットが備える圧力検知素子とリードピンとの接続状態を示す図であって、（ａ）は、不揮発性メモリへの調整パラメータ書き込み前の接続状態を示す図であり、（ｂ）は、不揮発性メモリへの調整パラメータ書き込み後の接続状態を示す図である。
【図３】従来の圧力検知ユニットの縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に、本発明の一実施形態の圧力検知センサを、図１、図２を参照して説明する。
【００１６】
図１は、本発明の一実施形態の圧力検知ユニットの縦断面図である。図２は、図１の圧力検知ユニットが備える圧力検知素子とリードピンとの接続状態を示す図であって、（ａ）は、不揮発性メモリへの調整パラメータ書き込み前の接続状態を示す図であり、（ｂ）は、不揮発性メモリへの調整パラメータ書き込み後の接続状態を示す図である。なお、以下の説明における「上下」の概念は、図１における上下に対応しており、各部材の相対的な位置関係を示すものであって、絶対的な位置関係を示すものではない。
【００１７】
図１に示す圧力検知ユニット（図中、符号１で示す）は、ベース１１と、受け部材１２と、ダイヤフラム１３と、圧力検知素子１４と、電気接続部２０と、継手部３０と、カバー４０と、第１接着剤５１と、第２接着剤５２と、を備えている。また、受け部材１２、継手部３０、カバー４０及び第２接着剤５２により、圧力検知ユニット１の外形となる容器１０を構成している。
【００１８】
ベース１１は、円板状のベース本体１１ａと、ベース本体１１ａの周縁から図中下方に向けて直角に立設された鍔部１１ｂと、を備える蓋状に形成されている。ベース１１は、ベース本体１１ａ及び鍔部１１ｂにより囲われて形成された凹部１１ｇが設けられ、凹部１１ｇの開口が図中下方に向くようにして配置されている。
【００１９】
ベース本体１１ａには、後述する受圧空間１７へのオイル封入用のオイル充填孔１１ｃが、当該ベース本体１１ａを貫通して形成されている。このオイル充填孔１１ｃは、オイル充填後にボール１５によって封じられる。封入されるオイルとして、例えば、シリコーンオイルなどの電気絶縁性を有するオイルが用いられる。また、ベース本体１１ａには、後述する電気接続部２０のリードピン２２が通されるリードピン取出孔１１ｄが、当該ベース本体１１ａを貫通して形成されている。リードピン取出孔１１ｄは、受圧空間１７内外を連通するようにベース１１を貫通して形成されている。
【００２０】
受け部材１２は、円板状の受け部材本体１２ａと、受け部材本体１２ａの周縁にその中心から離れるように図中斜め上方向に向けて立設された鍔部１２ｂと、を備える皿状に形成されている。鍔部１２ｂの先端は、受け部材本体１２ａと略平行な平坦に形成されている。受け部材本体１２ａの中心部分には開口１２ｃが形成されている。ベース１１と受け部材１２とは、ベース１１の鍔部１１ｂの先端と受け部材１２の鍔部１２ｂとの先端が後述するダイヤフラム１３を挟んで重なるように配置されている。
【００２１】
ダイヤフラム１３は、円形の膜状に形成されおり、その外周縁部１３ａが、ベース１１の鍔部１１ｂの先端と受け部材１２の鍔部１２ｂとの先端に挟まれて配置されている。
【００２２】
ベース１１の鍔部１１ｂの先端、受け部材１２の鍔部１２ｂの先端、及び、ダイヤフラム１３の外周縁部１３ａは、それら接合箇所Ｓがレーザー溶接等によって互いに溶接されて、この接合箇所Ｓにおいて互いに一体的かつ密封して連結・固定されている。つまり、ダイヤフラム１３は、ベース１１の凹部１１ｇの開口を塞ぐようにベース１１と接合されている。これにより、ベース１１とダイヤフラム１３との間には、オイルが封入される受圧空間１７が形成され、受け部材１２とダイヤフラム１３との間には加圧空間１８が形成されている。
【００２３】
ベース１１、受け部材１２及びダイヤフラム１３は、ステンレスを材料として構成されていることが好ましい。または、これらの一部又は全部が、例えば、アルミニウム（アルミニウム合金を含む）を材料として構成されていてもよい。
【００２４】
圧力検知素子１４は、（ａ）シリコン基板の裏面中央部をエッチングして形成されたダイヤフラム部（シリコンダイヤフラム）と、（ｂ）複数の検知部（ピエゾ抵抗素子）を含んでダイヤフラム部に形成されたブリッジ回路、並びに、該ブリッジ回路の出力信号を処理する増幅回路、直線補正回路及び温度補正回路などを有する圧力検知部と、（ｃ）圧力検知部での調整（補正）に用いられる調整パラメータ等の情報を保持する不揮発性メモリと、が半導体回路集積化技術により集積化されている。また、圧力検知素子１４は、金属端子部（ボンディングパッド）である電源端子Ｖ、グランド端子Ｇ、出力端子Ｏ及び不揮発性メモリの書込みに用いられる複数のメモリ書込み制御端子を有している。これら金属端子部は、後述するリードピン２２と受圧空間１７内にてワイヤボンディングにより接続されている。圧力検知素子１４は、ダイヤフラム部からなる受圧部１４ａに加えられた圧力に応じた圧力信号を出力する。
【００２５】
圧力検知素子１４の圧力検知部は、受圧部１４ａに加えられた圧力を検知するとともに不揮発性メモリに記憶された調整パラメータに基づいて調整（補正）して、圧力信号として出力端子Ｏから出力する。
【００２６】
圧力検知素子１４の不揮発性メモリは、例えば、電気的書き換えが可能なＥＰＲＯＭで構成されており、圧力検知部によって用いられる調整パラメータが書き込まれて記憶されている。不揮発性メモリは、例えば、フラッシュメモリや紫外線消去型のＥＰＲＯＭなど、本発明の目的に反しない限り、本実施形態のＥＰＲＯＭ以外の種類のもので構成されていてもよい。
【００２７】
圧力検知素子１４の電源端子Ｖ及びグランド端子Ｇは、図示しない電源装置の正端子及び負端子が電気的に接続される。圧力検知素子１４の出力端子Ｏは、図示しない圧力検知装置が接続される。
【００２８】
また、圧力検知素子１４の複数のメモリ書込み制御端子は、クロック端子Ｃ、データ端子Ｄ１、Ｄ２、メモリ書込み電圧入力端子Ｖｐｐ、及び、ゲート制御用端子Ｋ、を含んでいる。圧力検知素子１４は、不揮発性メモリの書込み時にこれら各端子に適切な信号等を入力することで不揮発性メモリへの調整パラメータ等の情報の書込みが行われる。メモリ書込み電圧入力端子Ｖｐｐ及びゲート制御用端子Ｋは、それぞれ不揮発性メモリの記憶セルを構成するＭＯＳＦＥＴにおけるドレイン端子及びゲート端子に電気的に接続されている。本実施形態において、これらメモリ書込み電圧入力端子Ｖｐｐ及びゲート制御用端子Ｋには、不揮発性メモリの書き込み時において、電源端子Ｖに入力される電源電圧（例えば、＋５Ｖ）より高い所定のメモリ書込み電圧（例えば、＋１２Ｖ）が入力される。
【００２９】
圧力検知素子１４は、ベース１１の凹部１１ｇ内（具体的には、ベース本体１１ａにおける図中下方を向く面）取り付けられている。これにより、圧力検知素子１４は、受圧空間１７内に配設される。
【００３０】
圧力検知素子１４の電源端子Ｖ、グランド端子Ｇ及び出力端子Ｏは、ベース１１のベース本体１１ａを貫通して形成されているリードピン取出孔１１ｄを通して延びる電気接続部２０のリードピン２２に接続されている。ベース１１のリードピン取出孔１１ｄは、ハーメチックシール１６によってオイル漏れがないように封じられている。また、このハーメチックシール１６によって、ベース１１とリードピン２２とが電気的に絶縁されている。ハーメチックシール１６は絶縁シール材である。
【００３１】
本実施形態において、圧力検知素子１４は、不揮発性メモリへの調整パラメータの書き込み前の時点で、図２（ａ）に示すように、電源端子Ｖ、グランド端子Ｇ、出力端子Ｏ並びに複数のメモリ書込み制御端子のクロック端子Ｃ、データ端子Ｄ１、Ｄ２、メモリ書込み電圧入力端子Ｖｐｐ、及び、ゲート制御用端子Ｋが、ボンディングワイヤ６１によって、リードピン２２の受圧空間１７内に配置された一端に接続されている。また、圧力検知素子１４は、図２（ｂ）に示すように、不揮発性メモリへの調整パラメータの書き込み後の時点で、リードピン２２とメモリ書込み電圧入力端子Ｖｐｐ及びゲート制御用端子Ｋとを接続するボンディングワイヤ６１が切断されてこれら端子はリードピン２２と非接続にされ、電源端子Ｖ、グランド端子Ｇ、出力端子Ｏ並びに複数のメモリ書込み制御端子のクロック端子Ｃ、データ端子Ｄ１、Ｄ２が、ボンディングワイヤ６１によって、リードピン２２の受圧空間１７内に配置された一端に接続されている。図２（ａ）、（ｂ）は、ベース１１を凹部１１ｇの開口側から見た状態を示している。
【００３２】
電気接続部２０は、後述するカバー４０内に配置されており、基板２１と、基板２１と圧力検知素子１４とを電気的に接続するリードピン２２と、基板２１に接続されたコネクタ２３と、コネクタ２３に接続されたリード線２４とを有している。電気接続部２０により、圧力検知素子１４の電源端子Ｖ、グランド端子Ｇ及び出力端子Ｏが外部に引き出されている。これにより、圧力検知素子１４の出力端子Ｏから出力された圧力信号が、リードピン２２、基板２１及びコネクタ２３を通じて、リード線２４から外部へと取り出される。また、外部から圧力検知素子１４の電源端子Ｖ及びグランド端子Ｇを通じた電源供給が行われる。
【００３３】
リードピン２２とリード線２４とは、それらの引き出し方向（図中上下方向）に対して交差する方向（図中左右方向）にずれて配置されており、リードピン２２とリード線２４の接続は基板２１及びコネクタ２３を介して行われている。
【００３４】
継手部３０は、銅（銅合金を含む）を材料として構成されている。または、継手部３０は、真鍮や後述するカバー４０と同一の合成樹脂等を材料として構成されていてもよい。継手部３０は、略筒状でその図中上方の一端部が段階的に縮径する階段状に形成されている。継手部３０は、その一端部の先端３０ａが受け部材１２の開口１２ｃに挿入されることにより、継手部３０の内側の流体導入通路３２と加圧空間１８とが連通される。また、継手部３０は、その一端部の先端３０ａと受け部材１２の開口１２ｃの周縁とがそれら間を密封するようにロウ付けされることにより、受け部材１２に固定して取り付けられている。継手部３０は、受け部材１２にその外表面から突出するように設けられている。
【００３５】
継手部３０の他端部内側には、雌ねじが切られた結合用ねじ部３１が設けられており、図示しない流体導入管を螺合して接続可能とされている。つまり、継手部３０は流管部材を構成し、受け部材１２は、流管部材である継手部３０が接続される流管接続部材を構成する。
【００３６】
継手部３０の結合用ねじ部３１に流体導入管が接続されると、継手部３０の流体導入通路３２を通じて、流体の圧力が加圧空間１８に導入されてダイヤフラム１３に伝達される。ダイヤフラム１３は極めて薄いため、圧力損失がほとんど生ずることなく、受圧空間１７のオイルを介して圧力検知素子１４に圧力が伝達される。この圧力は、圧力検知素子１４の受圧部１４ａに入力され、圧力検知部で処理されて、圧力信号としてリードピン２２に出力される。
【００３７】
カバー４０は、例えば、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）等の合成樹脂を材料として構成されている。または、カバー４０は、銅又は真鍮を材料として構成されていてもよい。カバー４０は、電気接続部２０のコネクタ２３を収容する図中上方の端部が、リード線２４を取り囲むように縮径されて小径端部４１として形成されており、ベース１１及び受け部材１２を収容する図中下方の端部が、内径を大きくして且つ筒状スカート状に延びる大径端部４２として形成されている。
【００３８】
小径端部４１の内周面には、その全周にわたり突出した突出部４１ａが形成されている。この突出部４１ａは、カバー４０内の後述する第１空間４７に充填された第１接着剤５１の抜け止めとして機能する。
【００３９】
大径端部４２の内周側には、ベース１１の外径とほぼ同径の環状段部４２ａが形成されている。この環状段部４２ａには、ベース１１がその外径角部である環状角部１１ｅにおいて嵌合し且つ座着するように載置されている。これにより、大径端部４２の図中下方の開口を塞ぐようにベース１１に一体に固定された受け部材１２が配置される。この状態において、カバー４０が、受け部材１２の周囲を囲むように当該受け部材１２に隣接して設けられている。また、継手部３０が、受け部材１２の中央部分に設けられた開口１２ｃに一端を挿入した状態で固定されている。
【００４０】
カバー４０の内側は、カバー４０に収容されたベース１１で区切られており、ベース１１のベース本体１１ａから小径端部４１側に第１空間４７が形成されている。この第１空間４７には、電気接続部２０（具体的には、基板２１、リードピン２２、コネクタ２３及びリード線２４）が収容されている。
【００４１】
第１空間４７には、第１接着剤５１が充填、硬化されている。第１接着剤５１は、カバー４０やリード線２４との接着性が高く、且つ弾性が高い、例えば、エポキシ系接着剤が用いられる。第１接着剤５１は、第１空間４７に充填後硬化されることにより、基板２１、リードピン２２、コネクタ２３及びリード線２４が埋設状態になり、これらのパーツをカバー４０内に封入する。
【００４２】
カバー４０の大径端部４２の図中下方の開口付近には、第２空間４８が形成されている。この第２空間４８は、環状隙間４５及び開き空間４６を含んで構成されている。
【００４３】
環状隙間４５は、ベース１１の鍔部１１ｂの外周面１１ｆ及びベース１１に溶接された受け部材１２の鍔部１２ｂの周面１２ｄとこれらの外周面１１ｆ及び周面１２ｄに対向する大径端部４２の筒状内周面４２ｂとの間に形成されている比較的幅の狭い環状空間である。
【００４４】
開き空間４６は、環状隙間４５に連なる空間であって、受け部材１２の鍔部１２ｂの周面１２ｄに連なる環状下面１２ｅ、この環状下面１２ｅに連なる外側テーパ周面１２ｆ、及び、この外側テーパ周面１２ｆに連なる受け部材１２の受け部材本体１２ａの環状下面１２ｇと、大径端部４２の筒状内周面４２ｂの開口端側部分及びそれに連なる傾斜端面４２ｃと、継手部３０の一端部の端面３０ｂと、によって囲まれる空間である。
【００４５】
第２空間４８には、第２接着剤５２が充填される。即ち、図１において第２接着剤５２が充填されている空間が第２空間４８である。この第２接着剤５２は、ステンレス製のベース１１や受け部材１２、銅製の継手部３０及び合成樹脂製のカバー４０との接着性が高く且つ弾性の高い、エポキシ系接着剤が用いられている。または、第２接着剤５２は、ウレタン系接着剤又はシリコーン系接着剤でもよい。
【００４６】
第２接着剤５２は、第２空間４８に充填後硬化されることにより、カバー４０の大径端部４２の筒状内周面４２ｂとベース１１の外周面１１ｆ及び受け部材１２の周面１２ｄとの間を封止するように接着するので、ベース１１及び受け部材１２とカバー４０との固定強度やそれら間の密封性が更に高められる。
【００４７】
次に、上述した圧力検知ユニット１の製造方法（出力調整を含む）の一例について説明する。
【００４８】
（１）リードピン取付工程
ベース１１のベース本体１１ａに形成されたリードピン取出孔１１ｄに、圧力検知素子１４の各端子に対応する複数のリードピン２２を挿通し、リードピン取出孔１１ｄにハーメチックシール１６を充填する。これにより、リードピン２２が、ベース１１に固定されるとともに、リードピン２２とベース１１との間が絶縁及び封止される。
【００４９】
（２）圧力検知素子取付工程
ベース１１の凹部１１ｇ内（具体的には、ベース本体１１ａの図中下方を向く面）に接着剤で圧力検知素子１４を取り付ける。
【００５０】
（３）ワイヤ接続工程
圧力検知素子１４の電源端子Ｖ、グランド端子Ｇ、出力端子Ｏ、クロック端子Ｃ、データ端子Ｄ１、Ｄ２、メモリ書込み電圧入力端子Ｖｐｐ、及び、ゲート制御用端子Ｋと、複数のリードピン２２における凹部１１ｇ内に配置された一端と、をボンディングワイヤ６１によって接続する。図２（ａ）に、ボンディングワイヤ６１接続後の状態を示す。
【００５１】
（４）出力調整工程
出力調整用の装置を用いて圧力検知素子１４に規定範囲の圧力を直接加えるとともに、当該圧力を加えたときの出力端子Ｏから出力される電圧値が所望の電圧範囲となる（例えば、圧力範囲が０〜５ＭＰａのときに０．５Ｖ〜４．５Ｖの電圧を出力、又は、圧力範囲が０〜１ＭＰａのときに０．５Ｖ〜３．５Ｖの電圧を出力する等）ように出力調整を行い、不揮発性メモリに格納される調整パラメータを決定する。
【００５２】
（５）メモリ書込み工程
メモリ書込み制御端子が接続されたリードピン２２を通じて、圧力検知素子１４の不揮発性メモリに上記出力調整工程で決定した調整パラメータを書き込む。
【００５３】
（６）ワイヤ切断工程
メモリ書込み電圧入力端子Ｖｐｐ及びゲート制御用端子Ｋとリードピン２２とを接続しているボンディングワイヤ６１を切断する。図２（ｂ）に、ボンディングワイヤ６１切断後の状態を示す。
【００５４】
（７）接合工程
ベース１１の凹部１１ｇを塞ぐように鍔部１１ｂの先端にダイヤフラム１３の外周縁部１３ａを重ね、さらに、ダイヤフラム１３の外周縁部１３ａに受け部材１２の鍔部１２ｂの先端を重ねて、これらをレーザー溶接によって互いに接合する。
【００５５】
（８）オイル充填工程
ベース１１のベース本体１１ａのオイル充填孔１１ｃから受圧空間１７にオイルを充填したのち、ボール１５によってオイル充填孔１１ｃを封止する。
【００５６】
そして、上記工程（１）〜（８）を順に行った後、基板２１、リードピン２２、コネクタ２３及びリード線２４をそれぞれ接続して電気接続部２０を組み立て、そして、受け部材１２に継手部３０をロウ付けしたのち、ベース１１、受け部材１２、ダイヤフラム１３、圧力検知素子１４及び電気接続部２０をカバー４０内に収容して、第１接着剤５１及び第２接着剤５２をそれぞれ第１空間４７及び第２空間４８に充填し硬化させて、圧力検知ユニット１が完成する。
【００５７】
これにより、圧力検知素子１４の電源端子Ｖ、グランド端子Ｇ及び出力端子Ｏがリードピン２２に接続され、かつ、圧力検知素子１４のメモリ書込み電圧が入力されるメモリ書込み電圧入力端子Ｖｐｐ及びゲート制御用端子Ｋがリードピン２２に非接続の圧力検知ユニット１が得られる。
【００５８】
以上、説明したように、本実施形態の圧力検知ユニット１は、凹部１１ｇが設けられたベース１１と、凹部１１ｇの開口を塞いでベース１１との間にオイルが封入される受圧空間１７を形成するようにベース１１と接合されたダイヤフラム１３と、ベース１１における凹部１１ｇ内に取り付けられた圧力検知素子１４と、受圧空間１７内外を連通するようにベース１１に形成されたリードピン取出孔１１ｄに挿通された複数のリードピン２２と、複数のリードピン２２とベース１１との間を絶縁及び封止するようにリードピン取出孔１１ｄ内に充填されたハーメチックシール１６と、を備えている。そして、圧力検知ユニット１は、圧力検知素子１４が、圧力検知部、書き換え可能な不揮発性メモリ、並びに、電源端子Ｖ、グランド端子Ｇ、出力端子Ｏ及び不揮発性メモリの書込みに用いられる複数のメモリ書込み制御端子を有し、電源端子Ｖ、グランド端子Ｇ及び出力端子Ｏが、リードピン２２に接続され、メモリ書込み制御端子のうち不揮発性メモリの書込み時において所定のメモリ書込み電圧が入力されるメモリ書込み電圧入力端子Ｖｐｐ及びゲート制御用端子Ｋが、リードピン２２に非接続とされている。
【００５９】
また、本実施形態の圧力検知ユニット１は、ベース１１の凹部１１ｇ内に圧力検知素子１４を取り付ける圧力検知素子取付工程と、ベース１１のリードピン取出孔１１ｄに挿通された複数のリードピン２２と電源端子Ｖ、グランド端子Ｇ、出力端子Ｏ及び複数のメモリ書込み制御端子（クロック端子Ｃ、データ端子Ｄ１、Ｄ２、メモリ書込み電圧入力端子Ｖｐｐ及びゲート制御用端子Ｋ）とをボンディングワイヤ６１で接続するワイヤ接続工程と、複数のメモリ書込み制御端子が接続されたリードピン２２を通じて、圧力検知素子１４の不揮発性メモリに情報を書込むメモリ書込み工程と、メモリ書込み制御端子のうち不揮発性メモリの書込み時において所定のメモリ書込み電圧が入力されるメモリ書込み電圧入力端子Ｖｐｐ及びゲート制御用端子Ｋとリードピン２２とを接続するボンディングワイヤ６１を切断するワイヤ切断工程と、がこの順で行われて製造される。
【００６０】
本実施形態によれば、圧力検知素子１４のメモリ書込み制御端子のうち不揮発性メモリの書込み時において所定のメモリ書込み電圧が入力されるメモリ書込み電圧入力端子Ｖｐｐ及びゲート制御用端子Ｋがリードピン２２に非接続であるので、高周波ノイズを印加した場合でも、この高周波ノイズが上記端子Ｖｐｐ及び端子Ｋから流れ出てリードピン２２を経由してベース１１に流れ込むことを回避して、これにより、高周波ノイズ試験を行った場合に圧力検知素子１４の不揮発性メモリに書き込んだ情報の一部、又は全てが消えてしまうことを抑制できる。
【００６１】
以上、本発明について、好ましい実施形態を挙げて説明したが、本発明の圧力検知ユニット及びその製造方法は上記実施形態の構成に限定されるものではない。
【００６２】
例えば、上述した圧力検知ユニット１は、メモリ書込み電圧入力端子Ｖｐｐ及びゲート制御用端子Ｋがともにリードピン２２に非接続とされていたが、これに限定されるものではない。これらメモリ書込み電圧入力端子Ｖｐｐ及びゲート制御用端子Ｋのうち一方の端子のみがリードピン２２と非接続とされた構成においても、これら端子が共にリードピン２２に接続された構成に比べて、高周波ノイズ印加時に不揮発性メモリに書き込んだ情報の一部、又は全てが消えてしまうことを抑制できる。すなわち、本発明は、その目的に反しない限り、メモリ書込み制御端子のうち不揮発性メモリの書込み時において所定のメモリ書込み電圧が入力される端子の少なくとも１つが、リードピンに非接続とされている構成であればよい。または、所定のメモリ書込み電圧が入力される端子に限らず、メモリ書込み制御端子の全てを非接続とした構成としてもよい。
【００６３】
また、上述した圧力検知ユニット１の製造方法は一例であって、例えば、上述した（２）圧力検知素子取付工程と（３）ワイヤ接続工程との間で（１）リードピン取付工程を行ったり、又は、調整パラメータが予め決定している場合には（４）出力調整工程を省略したりするなど、本発明の目的に反しない限り、（２）圧力検知素子取付工程、（３）ワイヤ接続工程、（５）メモリ書込み工程、及び、（６）ワイヤ切断工程の順序関係が維持されるのであれば、本発明の目的に反しない限り、これら工程（２）〜（６）の間で他の工程を行ってもよい。
【００６４】
なお、前述した実施形態は本発明の代表的な形態を示したに過ぎず、本発明は、実施形態に限定されるものではない。即ち、当業者は、従来公知の知見に従い、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。かかる変形によってもなお本発明の圧力検知ユニット及びその製造方法の構成を具備する限り、勿論、本発明の範疇に含まれるものである。
【符号の説明】
【００６５】
１      圧力検知ユニット
１０    容器
１１    ベース
１１ｄ  リードピン取出孔（貫通孔）
１１ｇ  凹部
１２    受け部材
１３    ダイヤフラム
１４    圧力検知素子
１６    ハーメチックシール（絶縁シール材）
１７    受圧空間
１８    加圧空間
２０    電気接続部
２１    基板
２２    リードピン
２３    コネクタ
２４    リード線
３０    継手部
４０    カバー
４７    第１空間
４８    第２空間
５１    第１接着剤
５２    第２接着剤
Ｖ      電源端子
Ｇ      グランド端子
Ｏ      出力端子
Ｃ      クロック端子（メモリ書込み制御端子）
Ｄ１、Ｄ２    データ端子（メモリ書込み制御端子）
Ｖｐｐ  メモリ書込み電圧入力端子（メモリ書込み制御端子、メモリ書込み電圧が入力される端子）
Ｋ      ゲート制御用端子（メモリ書込み制御端子、メモリ書込み電圧が入力される端子）
【図１】
2014102115.tif 000003
【図２】
2014102115.tif 000004
【図３】
2014102115.tif 000005