(57)【要約】【課題】第一の切削溝と同一箇所に形成される第二の切削溝のエッジを確実に検出可能とするための新規な技術を提供する。【解決手段】ワークピース上のキーパターンを検出するためのターゲットパターン設定方法であって、ワークピース上のキーパターンを含む撮像してキーパターン撮像画像を取得形成する撮像画像形成ステップと、キーパターン撮像画像をトレースしキーパターンの外周縁を描画してキーパターン図を形成する描画ステップと、描画ステップで形成したキーパターン図をターゲットパターンとして設定するターゲットパターン設定ステップと、を備えたことを特徴とするターゲットパターン設定方法が提供される。【選択図】図６
2014203832.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状の被加工物に貼着され該被加工物を支持するダイシングテープであって、
粘着層と基材層と反射材層とから構成され、
該反射材層は、少なくとも該被加工物が貼着される領域に配設される、
ことを特徴とするダイシングテープ。
【請求項２】
前記反射材層は、塗料又はシート状部材からなる、
ことを特徴とする請求項１に記載のダイシングテープ。
【請求項３】
切削溝の検出方法であって、
前記被加工物の裏面側に請求項１又は請求項２記載のダイシングテープを貼着するダイシングテープ貼着ステップと、
該ダイシングテープ貼着ステップの後に、該ダイシングテープを介してチャックテーブルにて該被加工物を保持する保持ステップと、
該保持ステップの後に、該チャックテーブルに保持された該被加工物の表面に裏面に至らない深さの第一の切削溝を第一の切削ブレードで形成する第一切削ステップと、
該第一切削ステップの後に、該第一の切削溝の底部から該被加工物の裏面に至る第二の切削溝を、該第一の切削ブレードよりも刃厚の薄い第二の切削ブレードで形成する第二切削ステップと、
該第二切削ステップの後に、該被加工物の表面側から光を照射しつつ該表面側から該第一の切削溝及び該第二の切削溝を撮像して該第一、第二の切削溝のエッジを検出する検出ステップと、を備え、
該検出ステップでは、
照射された光によって照らされる該被加工物の表面を撮像して該第一の切削溝のエッジが検出され、
照射された光が該第一の切削溝及び該第二の切削溝を介して前記反射材層で反射し、該反射した光によって裏面側から照らされた該第二の切削溝を該表面側から撮像して、該第二の切削溝のエッジが検出される、
ことを特徴とする切削溝の検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、切削により形成された被加工物の切削溝のエッジの検出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェーハやガラス基板、樹脂基板等をデバイスチップへと分割するための切削装置（ダイシング装置）が知られており、例えば、特許文献１に開示されるように、２つのスピンドルユニットを有する２スピンドル切削装置も知られている。
【０００３】
このような２スピンドル切削装置では、先ず一方のスピンドルユニットの切削ブレードによって所定深さの溝を形成するハーフカットを行い、その後、もう一方のスピンドルユニットの切削ブレードによってハーフカットされた溝を完全切断するフルカットを行う、といったステップカットが実施される。
【０００４】
このようなステップカットは、半導体ウェーハを切削加工する際において、分割予定ラインが設定されたストリートにテストエレメントグループ（ＴＥＧ）と称されるテスト用の金属パターンを除去する場合においても行われる。
【０００５】
即ち、先ず一方のスピンドルユニットの切削ブレードにてＴＥＧを除去（ハーフカット）して第一の切削溝を形成し、次いで、もう一方のスピンドルユニットの切削ブレードにて第一の切削溝の位置に第二の切削溝を形成して半導体ウェーハを完全に切断する（フルカット）、といったものである。
【０００６】
このようなステップカットを実施することによれば、予めハーフカットによってＴＥＧが除去され、ハーフカットで用いた切削ブレードとは別の切削ブレードでフルカットが行われるため、フルカットを行う切削ブレードについてはＴＥＧによる目詰まりが発生することがない。
【０００７】
そして、フルカットを行う切削ブレードについてＴＥＧによる目詰まり気味の状況を発生させないことにより、ウェーハの裏面側にチッピングが発生してしまうことを効果的に防止することができる。
【０００８】
他方、切削溝の位置は、ストリートに対する位置合わせや２枚の切削ブレードの溝同士の位置を合わせる都合上、切削装置によって正確に検出され、制御される必要がある。
【０００９】
このため、例えば、特許文献２に開示されるように、ウェーハの上面の撮像画像に基づき位置あわせのためのずれ量を検出し、補正値を加減して、所定の位置を正確に切削するようにしている。この特許文献２では、ウェーハが存在しない領域（ダイシングテープ）に切り込んで切削傷を形成し、この切削傷をもとにずれ量の検出を行っていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００３−１７３９８６号公報
【特許文献２】特開２００５−３１１０３３号公報
【特許文献３】特開２００５−１９７４９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上述したステップカットを実施する際には、ＴＥＧを除去して形成された第一の切削溝の位置に正確に切削ブレードを位置付け、第二の切削溝を形成する必要がある。このため、適宜、第一の切削溝と第二の切削溝の位置関係を確認する必要がある。
【００１２】
ここで、第一の切削溝については、上面から光を当てて撮像することにより、容易に溝のエッジ（境界部分）が認識できる。理由としては、第一の切削溝はエッジがウェーハの表面にあり、光が当り易いためと考えられる。
【００１３】
他方、第一の切削溝の底に形成された第二の切削溝は、エッジが深く掘り込んだ第一の切削溝の底にあることから光が当たりにくく、撮像しても明確に溝のエッジ（境界部分）が認識され難いという問題があった。
【００１４】
ここで、特許文献２の様に、第二の切削溝を形成する切削ブレードで第一の切削溝の底以外のところに切削傷を形成し、この切削傷を検出するといった手法をとることも考えられるが、別途検出用の切削傷を形成する必要があり、追加の工数を要することになる。また、この追加の切削傷の形成によって、切削ブレードに目詰まりが生じることも懸念される。
【００１５】
さらには、特許文献３のように、第一の切削溝を形成した第一の切削ブレードの溝を検出し、第一の切削ブレードの位置を検出するものとは別に、第二の切削溝を形成するための第二の切削ブレードでＴＥＧ（テスト用の金属パターン）のあるストリートを切削して第二の切削ブレードの切削溝を検出して第二の切削ブレードの位置を検出するという手法もあるが、これではＴＥＧを切削させないことで目づまりを抑制していた効果が薄れてしまうという問題が有る。
【００１６】
本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、第一の切削溝と同一箇所に形成される第二の切削溝のエッジを確実に検出可能とするための新規な技術を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
請求項１に記載の発明によると、板状の被加工物に貼着され被加工物を支持するダイシングテープであって、粘着層と基材層と反射材層とから構成され、反射材層は、少なくとも被加工物が貼着される領域に配設される、ことを特徴とするダイシングテープが提供される。
【００１８】
請求項２に記載の発明によると、反射材層は、塗料又はシート状部材からなる、ことを特徴とする請求項１に記載のダイシングテープが提供される。
【００１９】
請求項３に記載の発明によると、切削溝の検出方法であって、被加工物の裏面側に請求項１又は請求項２記載のダイシングテープを貼着するダイシングテープ貼着ステップと、ダイシングテープ貼着ステップの後に、ダイシングテープを介してチャックテーブルにて被加工物を保持する保持ステップと、保持ステップの後に、チャックテーブルに保持された被加工物の表面に裏面に至らない深さの第一の切削溝を第一の切削ブレードで形成する第一切削ステップと、第一切削ステップの後に、第一の切削溝の底部から被加工物の裏面に至る第二の切削溝を、第一の切削ブレードよりも刃厚の薄い第二の切削ブレードで形成する第二切削ステップと、第二切削ステップの後に、被加工物の表面側から光を照射しつつ表面側から第一の切削溝及び第二の切削溝を撮像して第一、第二の切削溝のエッジを検出する検出ステップと、を備え、検出ステップでは、照射された光によって照らされる被加工物の表面を撮像して第一の切削溝のエッジが検出され、照射された光が第一の切削溝及び第二の切削溝を介して反射材層で反射し、反射した光によって裏面側から照らされた第二の切削溝を表面側から撮像して、第二の切削溝のエッジが検出される、ことを特徴とする切削溝の検出方法が提供される。
【発明の効果】
【００２０】
本発明のダイシングテープ、及び、切削溝の検出方法においては、反射材層を備えたダイシングテープを用いることによって、第二の切削溝を裏面側から反射光によって照らすことができるため、確実に各切削溝をエッジを検出することが可能となる。
【００２１】
また、従来のように、別途、切削ブレードの位置あわせのためだけに利用する検出用の溝を切削する必要もなく、切削ブレードの目詰まりも抑えることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施に適した加工装置（切削装置）の斜視図である。
【図２】（Ａ）はダイシングテープ貼着ステップについて説明する図である。（Ｂ）はダイシングテープにウェーハを貼着した状態について示す図である。
【図３】ダイシングテープの断面について説明する図である。
【図４】第一の切削溝と第二の切削溝の加工について説明する図である。
【図５】（Ａ）はハーフカット後のウェーハの断面図である。（Ｂ）はフルカット後のウェーハの断面図である。
【図６】撮像装置による撮像について説明する図である。
【図７】エッジが顕著に現れる撮像画像の一例について示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。加工装置の一例として、半導体ウェーハの切削装置１の外観斜視図が図１に示されている。
【００２４】
切削装置１は、切削ブレードを有する切削ユニット２０ａ，２０ｂ（切削手段）と、被加工物となるウェーハＷを保持したチャックテーブル１０とを相対移動させることで、ウェーハＷを切削加工するものである。
【００２５】
図２（Ｂ）に示すように、ウェーハＷの表面Ｗａには、複数のデバイス１５が格子状に配設されており、各デバイス１５の間に互いに直交する分割予定ライン１３が形成されるようになっている。この分割予定ライン１３に沿って切削が行われることで、個々のデバイスチップに分割される。
【００２６】
図１に示すように、切削装置１は、２つのスピンドルを有してなる、いわゆるフェイシングデュアルタイプのダイサーであり、制御装置９０によって加工が自動制御される構成としている。装置本体２上には門型の柱部３が設けられており、柱部３には、Ｙ軸方向に移動する２つのＹ軸移動装置３０ａ，３０ｂ（Ｙ軸移動手段）と、Ｙ軸移動装置３０ａ，３０ｂにそれぞれＺ軸方向に移動するＺ軸移動装置４０ａ，４０ｂ（Ｚ軸移動手段）と、が設けられ、各Ｚ軸移動装置４０ａ，４０ｂにそれぞれ切削ユニット２０ａ，２０ｂが設けられている。
【００２７】
Ｙ軸移動装置３０ａは、Ｙ軸パルスモータ３２ａによってボールねじ３１ａを回転させることで、Ｙ軸移動基台６ａをＹ軸方向へと移動させるべく構成される。Ｚ軸移動装置４０ａは、Ｚ軸パルスモータ４２ａによって、切削ユニット２０ａの支持部材５ａをＺ軸方向へと移動させるべく構成される。この構成により、切削ユニット２０ａは、Ｙ軸パルスモータ３２ａの駆動によりＹ軸方向へ移動し、Ｚ軸パルスモータ４２ａの駆動によりＺ軸方向に移動する。
【００２８】
同様に、Ｙ軸移動装置３０ｂは、Ｙ軸パルスモータ３２ｂによってボールねじ３１ｂを回転させることで、Ｙ軸移動基台６ｂをＹ軸方向へと移動させるべく構成される。Ｚ軸移動装置４０ｂは、Ｚ軸パルスモータ４２ｂによって、切削ユニット２０ｂの支持部材５ｂをＺ軸方向へと移動させるべく構成される。この構成により、切削ユニット２０ｂは、Ｙ軸パルスモータ３２ｂの駆動によりＹ軸方向へ移動し、Ｚ軸パルスモータ４２ｂの駆動によりＺ軸方向に移動する。
【００２９】
二つの切削ユニット２０ａ，２０ｂは、Ｙ軸方向において対向するように配置され、平面視において切削ユニット２０ａ，２０ｂの間において、チャックテーブル１０がＸ軸方向に移動する位置関係としている。
【００３０】
切削装置１は、チャックテーブル１０のテーブルベース１０ａをＸ軸方向に移動させるためのＸ軸移動装置８（Ｘ軸移動手段）を有しており、蛇腹１０ｂの下にＸ軸移動装置８が配設されている。カセットエレベータ６０上のウェーハカセットから仮置き機構７０に搬出されたウェーハＷは、図示せぬ搬送装置によってチャックテーブル１０に載置されてＸ軸方向に移動させることで切削加工がなされる。切削加工がなされたウェーハＷは、洗浄・乾燥手段８０によって洗浄・乾燥された後、再び、カセットエレベータ６０にセットされるウェーハカセットへと搬出される。
【００３１】
切削装置１で加工されるウェーハＷは、シリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とするウェーハや、ガラス、セラミックス、樹脂基板、金属等の板状物である。ウェーハＷは、デバイスが複数形成されているデバイス側の表面と反対側の裏面がダイシングテープＴに貼著され、ウェーハＷを貼着したダイシングテープＴが環状のフレームＦに貼着された状態で、図示せぬウェーハカセット内に収容される。
【００３２】
切削装置１の装置本体２の上面部２ａには、その上面部２ａよりも一段低く構成されるウォーターケース部２ｂが構成されている。このウォーターケース部２ｂは、Ｘ軸方向に伸びるように構成されており、ウォーターケース部２ｂ内でチャックテーブル１０が移動するように構成されている。
【００３３】
切削加工時においてウェーハＷにかけられる切削水は、ウォーターケース部２ｂによって形成される凹状の空間内に流れ、図示せぬ排出口を通って、外部に排出される。
【００３４】
次に、以上のように構成する切削装置１を用いて行う切削溝の検出方法について説明する。
【００３５】
まず、図２（Ａ）に示すように、被加工物となるウェーハＷの裏面Ｗｂ側にダイシングテープＴを貼着するダイシングテープ貼着ステップを実施する。
【００３６】
ダイシングテープＴは、図３に示すように、表側から順に、ウェーハＷの裏面Ｗｂが貼着される粘着層Ｔ１、基材層Ｔ２、反射材層Ｔ３を有して構成されている。
【００３７】
粘着層Ｔ１と基材層Ｔ２は、環状フレームＦの開口部Ｆｃを塞ぐ大きさに構成されており、粘着層Ｔ１が環状フレームＦの裏面Ｆｂ側に貼着される。
【００３８】
粘着層Ｔ１と基材層Ｔ２は、それぞれ透明、半透明、乳白色、黒色などとすることができ、光を透過するものである。
【００３９】
反射材層Ｔ３は、少なくともウェーハＷが貼着される領域に配設される。本実施例では、ウェーハＷが円形であるため、ウェーハＷの径よりも径が大きい円形の反射材層Ｔ３が形成されることとしている。
【００４０】
反射材層Ｔ３は、光を反射する素材にて構成することができ、例えば、基材層Ｔ２の裏面Ｔ２ｂに光反射性を有する塗料を塗布してなる塗膜や、裏面Ｔ２ｂに貼着されるシート状のアルミ箔、などで構成することなどが考えられる。
【００４１】
図２（Ａ）に示すように、ダイシングテープ貼着ステップでは、ウェーハＷの裏面Ｗｂと環状フレームＦの裏面Ｆｂに対し、ダイシングテープＴの粘着層Ｔ１を上から被せるようにして貼着することで、図２（Ｂ）に示すように、粘着層Ｔ１の上側にウェーハＷが配設され、ウェーハＷの表面Ｗａが露出した状態とされる。
【００４２】
この図２（Ｂ）に示すように、ダイシングテープＴにおいてウェーハＷが配設される領域を取り囲むようにして、反射材層Ｔ３がダイシングテープＴの裏側に配設される。
【００４３】
次いで、ダイシングテープ貼着ステップの後に、ダイシングテープＴを介してチャックテーブル１０（図１）にてウェーハＷを保持する保持ステップを実施する。
【００４４】
チャックテーブル１０は、図４に示すように吸引源１０ｄと通じる吸引保持部１０ｃを有して構成されており、この吸引保持部１０ｃの上面において、ダイシングテープＴを介してウェーハＷが吸引保持されるようになっている。
【００４５】
次いで、図４に示すように、保持ステップの後に、チャックテーブル１０に保持されたウェーハＷの表面Ｗａに裏面Ｗｂに至らない深さの第一の切削溝Ｍ１を第一の切削ブレード２１で形成する第一切削ステップを実施する。
【００４６】
図５（Ａ）は、ウェーハＷの表面Ｗａに裏面Ｗｂに至らない深さの第一の切削溝Ｍ１が形成された様子を示す断面図である。ここで、第一の切削溝Ｍ１は、分割予定ライン１３に沿って形成されるものである。
【００４７】
また、この分割予定ライン１３上に、ＴＥＧ（テストエレメントグループ）と称されるテスト用の金属パターンが存在する場合においては、このＴＥＧが第一の切削ブレード２１による切削加工によって除去される。
【００４８】
以上のようにして、第一の切削ブレード２１によって、ウェーハＷの裏面Ｗｂに至らない深さの第一の切削溝Ｍ１を形成するハーフカットが実施され、この形成の際にＴＥＧの除去も行うことが可能となる。
【００４９】
次いで、図４及び図５（Ｂ）に示すように、第一切削ステップの後に、第一の切削溝Ｍ１の底部ＭａからウェーハＷの裏面Ｗｂに至る第二の切削溝Ｍ２を、第一の切削ブレード２１よりも刃厚の薄い第二の切削ブレード２２で形成する第二切削ステップを実施する。
【００５０】
図５（Ｂ）は、ウェーハＷの裏面Ｗｂに至る第二の切削溝Ｍ２が形成された様子を示す断面図である。ここで、第二の切削溝Ｍ２は、第一の切削溝Ｍ１の底部Ｍａに切り込まれて形成されるものであり、第一の切削溝Ｍ１と同様に分割予定ライン１３に沿って形成されるものである。
【００５１】
第二の切削溝Ｍ２は、ウェーハＷ、及び、粘着層Ｔ１に完全に切り込むことでウェーハＷがフルカットされる。また、基材層Ｔ２の一部に切り込まれるようになっている。
【００５２】
次いで、図６に示すように、第二切削ステップの後に、ウェーハＷの表面Ｗａ側から光Ｈ１を照射しつつ表面Ｗａ側から第一の切削溝Ｍ１及び第二の切削溝Ｍ２を撮像して切削溝Ｍ１，Ｍ２のエッジＥ１，Ｅ２を検出する検出ステップを実施する。
【００５３】
本実施形態では、図１に示すように切削ユニット２０ａに撮像装置２３が付設され、切削ユニット２０ａとともに撮像装置２３をＹ軸方向に移動させるとともに、チャックテーブル１０をＸ軸方向に移動させることで、ウェーハＷの所望の位置を撮像できるようになっている。
【００５４】
撮像装置２３は、撮像対象位置を照らす照明装置２４と、照らされた領域の像を結像させる顕微鏡２５と、ＣＣＤ等の撮像素子２６とを有して構成される。
【００５５】
照明装置２４は、ＬＥＤ、ハロゲンランプ等の発光体を備えており、照明装置２４からウェーハＷに向けて光Ｈ１が照射される。
【００５６】
顕微鏡２５は、対物レンズとハーフミラーとを備えており、ハーフミラーと照明装置２４とはグラスファイバーによって接続されている。ハーフミラーの上方には、顕微鏡２５に対して光軸が一致する撮像素子２６が位置している。撮像素子２６は、モニタ２７及び画像処理手段２８に接続されており、撮像素子２６によって取得された画像情報は、モニタ２７及び画像処理手段２８に転送され、適宜表示及び画像処理される。
【００５７】
そして、検出ステップでは、図６及び図７に示すように、照射された光Ｈ１によって照らされるウェーハＷの表面Ｗａを撮像して第一の切削溝Ｍ１のエッジＥ１が検出され、照射された光Ｈ１が第一の切削溝Ｍ１及び第二の切削溝Ｍ２を介して反射材層Ｔ３で反射し、反射した光Ｈ２によって裏面Ｗｂ側から照らされた第二の切削溝Ｍ２を表面Ｗａ側から撮像して、第二の切削溝Ｍ２のエッジＥ２が検出される。
【００５８】
反射材層Ｔ３が存在することによって、照射された光Ｈ１が反射材層Ｔ３によって反射するため、図７に示す撮像画像２９のように、反射した光Ｈ２（反射光）が第一の切削溝Ｍ１と第二の切削溝Ｍ２の境界部分となるエッジＥ２が顕著に現れる。換言すれば、第二の切削溝Ｍ２が暗くならず反射した光Ｈ２によって明るい領域となり、これにより、第一の切削溝Ｍ１と第二の切削溝Ｍ２の境界部分となるエッジＥ２がはっきりと現れる撮像画像２９を取得することができる。
【００５９】
そして、撮像画像２９を利用し、例えば、画像処理手段２８によって第一の切削溝Ｍ１、第二の切削溝Ｍ２の明度の差異などを認識して各領域の境界部の座標を取得するなどの画像解析することで、自動でエッジＥ１，Ｅ２を検出することができる。なお、エッジＥ１，Ｅ２を検出するための画像解析の方法については、特に限定されるものではない。
【００６０】
さらに、二本のエッジＥ１の中心線と、二本のエッジＥ２の中心線を求めるとともに、両中心線が一致しない場合には、第一の切削溝Ｍ１と第二の切削溝Ｍ２の中心線が一致しないことになるため、両者を一致させるための補正が実施される。
【００６１】
この補正は、例えば、二本のエッジＥ１の中心線と、二本のエッジＥ２の中心線のズレ量を求めるとともに、当該ズレ量を補正値として、第一の切削ブレード２１、又は、第二の切削ブレード２２のいずれか一方を、他方に対して相対移動させる位置補正をすることで行うことができる。
【００６２】
以上のようにして本発明を実施することができる。
即ち、図２及び図３に示すように、板状の被加工物であるウェーハＷに貼着されウェーハＷを支持するダイシングテープＴであって、粘着層Ｔ１と基材層Ｔ２と反射材層Ｔ３とから構成され、反射材層Ｔ３は、少なくともウェーハＷが貼着される領域に配設されることとする。
【００６３】
また、ダイシングテープＴの反射材層Ｔ３は、塗料又はシート状部材からなることとする。
【００６４】
そして、以上のダイシングテープＴを用い、被加工物となるウェーハＷの裏面Ｗｂ側にダイシングテープＴを貼着するダイシングテープ貼着ステップと、ダイシングテープ貼着ステップの後に、ダイシングテープＴを介してチャックテーブル１０（図１）にてウェーハＷを保持する保持ステップと、保持ステップの後に、チャックテーブル１０に保持されたウェーハＷの表面Ｗａに裏面Ｗｂに至らない深さの第一の切削溝Ｍ１を第一の切削ブレード２１で形成する第一切削ステップと、第一切削ステップの後に、第一の切削溝Ｍ１の底部ＭａからウェーハＷの裏面Ｗｂに至る第二の切削溝Ｍ２を、第一の切削ブレード２１よりも刃厚の薄い第二の切削ブレード２２で形成する第二切削ステップと、第二切削ステップの後に、ウェーハＷの表面Ｗａ側から光Ｈ１を照射しつつ表面Ｗａ側から第一の切削溝Ｍ１及び第二の切削溝Ｍ２を撮像して切削溝Ｍ１，Ｍ２のエッジＥ１，Ｅ２を検出する検出ステップと、を備え、検出ステップでは、図６及び図７に示すように、照射された光Ｈ１によって照らされるウェーハＷの表面Ｗａを撮像して第一の切削溝Ｍ１のエッジＥ１が検出され、照射された光Ｈ１が第一の切削溝Ｍ１及び第二の切削溝Ｍ２を介して反射材層Ｔ３で反射し、反射した光Ｈ２によって裏面Ｗｂ側から照らされた第二の切削溝Ｍ２を表面Ｗａ側から撮像して、第二の切削溝Ｍ２のエッジＥ２が検出されることとするものである。
【００６５】
この検出方法によれば、反射材層Ｔ３を備えたダイシングテープＴを用いることによって、第二の切削溝Ｍ２を裏面Ｗｂ側から反射した光Ｈ２によって照らすことができるため、確実に各切削溝Ｍ１，Ｍ２のエッジＥ１，Ｅ２を検出することが可能となる。
【００６６】
また、従来のように、別途、切削ブレードの位置あわせのためだけに利用する検出用の溝を切削する必要もなく、切削ブレードの目詰まりも抑えることが可能となる。
【００６７】
なお、以上に述べた実施形態のほか、図５（Ａ）に示すように、反射材層Ｔ３を、粘着層Ｔ１と基材層Ｔ２の間に設けることとしてもよい。この場合、第二の切削溝Ｍ２を形成する場合には、反射材層Ｔ３によって光が反射するようにするため、反射材層Ｔ３には切り込ませず、粘着層Ｔ１にのみ切り込んでフルカットを行うこととする。また、粘着層Ｔ１については、反射材層Ｔ３よりも被加工物に近い側にあるため、光を透過しない素材にて構成することとしてもよい。
【符号の説明】
【００６８】
１    切削装置
１０    チャックテーブル
１３    分割予定ライン
２１    切削ブレード
２２    切削ブレード
２３    撮像装置
２４    照明装置
２９    撮像画像
Ｅ１    エッジ
Ｅ２    エッジ
Ｈ１    光
Ｈ２    光
Ｍ１    切削溝
Ｍ２    切削溝
Ｔ    ダイシングテープ
Ｔ１    粘着層
Ｔ２    基材層
Ｔ３    反射材層
Ｗ    ウェーハ
【図１】
2014203832.tif 000003
【図２】
2014203832.tif 000004
【図３】
2014203832.tif 000005
【図４】
2014203832.tif 000006
【図５】
2014203832.tif 000007
【図６】
2014203832.tif 000008
【図７】
2014203832.tif 000009