(57)【要約】【課題】  ウエーハに加工品質の悪化を引き起こすことなくＤＡＦ付きチップを形成可能なウエーハの加工方法を提供することである。【解決手段】  交差する複数の分割予定ラインが設定されたウエーハの加工方法であって、ウエーハの裏面に紫外線の照射によって硬化する接着シートを貼着し、該接着シート上に粘着シートを貼着するシート貼着ステップと、該シート貼着ステップを実施した後、ウエーハの表面側からウエーハを完全切断する深さに切削ブレードを切り込ませるとともに該切削ブレードで該分割予定ラインに沿ってウエーハのみを完全切断しウエーハを個々のチップへと分割する切削ステップと、該切削ステップを実施した後、ウエーハの表面側から紫外線を照射して隣接するチップ間の該接着シートを硬化させて該チップに沿って破断させる紫外線照射ステップと、を備えたことを特徴とする。【選択図】図５
2014007332.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交差する複数の分割予定ラインが設定されたウエーハの加工方法であって、
ウエーハの裏面に紫外線の照射によって硬化する接着シートを貼着し、該接着シート上に粘着シートを貼着するシート貼着ステップと、
該シート貼着ステップを実施した後、ウエーハの表面側からウエーハを完全切断する深さに切削ブレードを切り込ませるとともに該切削ブレードで該分割予定ラインに沿ってウエーハのみを完全切断しウエーハを個々のチップへと分割する切削ステップと、
該切削ステップを実施した後、ウエーハの表面側から紫外線を照射して隣接するチップ間の該接着シートを硬化させて該チップに沿って破断させる紫外線照射ステップと、
を備えたことを特徴とするウエーハの加工方法。
【請求項２】
前記紫外線照射ステップを実施した後、裏面に前記接着シートが貼着された前記チップを前記粘着シート上からピックアップするピックアップステップを更に備える請求項１記載のウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハの加工方法に関し、特に裏面に接着シートが貼着されたチップを形成するウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造プロセスにおいては、複数のＩＣやＬＳＩ等の半導体デバイスが表面に形成された半導体ウエーハを個々のチップへと分割することで半導体デバイスが形成される。
【０００３】
分割された半導体デバイスは、金属製基板（リードフレーム）やテープ基板等にダイボンディングされ、これらの金属製基板やテープ基板が分割されることで個々の半導体チップが製造される。こうして製造された半導体チップは、携帯電話やパソコン等の各種電気機器に広く使用されている。
【０００４】
半導体デバイスを基板上にダイボンディングするには、基板上の半導体デバイス搭載位置に半田やＡｕ‐Ｓｉ共晶、樹脂ペースト等の接着剤を供給してその上に半導体デバイスを載置して接着する方法が用いられている。
【０００５】
近年では、例えば特開２０００−１８２９９５号公報に開示されているように、予め半導体ウエーハの裏面にＤＡＦ（ダイアタッチフィルム）と称される接着シートを接着しておく方法が広く採用されている。
【０００６】
即ち、ＤＡＦが接着された半導体ウエーハを個々のチップへと分割することで、接着シートが裏面に装着された半導体チップを形成する。その後、半導体チップ裏面のＤＡＦを介して基板上にダイボンディングすることで、使用する接着剤を最小限とし、また半導体チップの搭載エリアを最小にできるというメリットがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−１８２９９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところが、ＤＡＦを切削ブレードで切削すると、切削ブレードに目詰まりが生じて切削不良が発生し、ウエーハにクラックが発生したり、チッピングが大きく多量に発生する等の加工品質の悪化を引き起こす。
【０００９】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウエーハに加工品質の悪化を引き起こすことなくＤＡＦ付きチップを形成可能なウエーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明によると、交差する複数の分割予定ラインが設定されたウエーハの加工方法であって、ウエーハの裏面に紫外線の照射によって硬化する接着シートを貼着し、該接着シート上に粘着シートを貼着するシート貼着ステップと、該シート貼着ステップを実施した後、ウエーハの表面側からウエーハを完全切断する深さに切削ブレードを切り込ませるとともに該切削ブレードで該分割予定ラインに沿ってウエーハのみを完全切断しウエーハを個々のチップへと分割する切削ステップと、該切削ステップを実施した後、ウエーハの表面側から紫外線を照射して隣接するチップ間の該接着シートを硬化させて該チップに沿って破断させる紫外線照射ステップと、を備えたことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
【００１１】
好ましくは、ウエーハの加工方法は、紫外線照射ステップを実施した後、裏面に接着シートが貼着されたチップを粘着シート上からピックアップするピックアップステップを更に備えている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のウエーハの加工方法によると、紫外線照射によって硬化する接着シートを用い、切削ステップでは切削ブレードで接着シートまで切り込まずウエーハのみを切削して個々のチップに分割し、切削溝を介して紫外線を照射して接着シートを硬化して破断させるため、切削ブレードに目詰まりが生じることがなく、ウエーハにクラックが発生したり、チッピングが大きく多量に発生する等の加工品質の悪化を引き起こすことが防止される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】半導体ウエーハの表面に表面保護テープを貼着する様子を示す斜視図である。
【図２】研削ステップを示す斜視図である。
【図３】シート貼着ステップを示す断面図である。
【図４】切削ステップを示す一部断面側面図である。
【図５】紫外線照射ステップを示す断面図である。
【図６】ピックアップステップを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、本発明の加工方法の加工対象となる半導体ウエーハ１１の表面側斜視図が示されている。半導体ウエーハ（以下ウエーハと略称することがある）１１は、例えば厚さが７００μｍのシリコンウエーハから成っており、表面１１ａに複数の分割予定ライン（ストリート）１３が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン１３によって区画された各領域にそれぞれＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１５が形成されている。
【００１５】
このように構成されたウエーハ１１は、デバイス１５が形成されているデバイス領域１７と、デバイス領域１７を囲繞する外周余剰領域１９をその表面１１ａに備えている。また、ウエーハ１１の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ２１が形成されている。
【００１６】
本発明のウエーハの加工方法では、半導体ウエーハ１１の表面１１ａに形成されたデバイス１５を保護するために、図１に示すように、ウエーハ１１の表面１１ａに表面保護テープ２３が貼着される。表面保護テープ２３に替えて、ガラス又はシリコンウエーハ等からなる保護部材をウエーハ１１の表面１１ａに配設するようにしてもよい。
【００１７】
ウエーハ１１の表面１１ａに表面保護テープ２３を貼着した後、ウエーハ１１の裏面１１ｂを研削してウエーハ１１を所定の厚み（例えば１００μｍ）に薄化する研削ステップを実施する。
【００１８】
この研削ステップでは、図２に示すように、研削装置のチャックテーブル３２でウエーハ１１の表面１１ａに貼着された表面保護テープ２３側を吸引保持し、ウエーハ１１の裏面１１ｂを露出させる。
【００１９】
図２において、研削ユニット３４は、回転駆動されるスピンドル３６と、スピンドル３６の先端に固定されたホイールマウント３８と、ホイールマウント３８に複数のねじ４２により着脱可能に装着された研削ホイール４０とを含んでいる。研削ホイール４０は、環状基台４４の自由端部に複数の研削砥石４６が固着されて構成されている。
【００２０】
この研削ステップでは、チャックテーブル３２を矢印ａ方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削ホイール４０をチャックテーブル３２と同一方向に、即ち矢印ｂ方向に例えば６０００ｒｐｍで回転させるとともに、図示しない研削ユニット送り機構を作動して研削砥石４６をウエーハ１１の裏面１１ｂに圧接させる。
【００２１】
そして、切削ホイール４０を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りして、ウエーハ１１の裏面１１ｂの研削を実施する。接触式又は非接触式の厚み測定ゲージでウエーハ１１の厚みを測定しながら、ウエーハ１１を所定の厚みに仕上げる。
【００２２】
研削ステップを実施した後、ウエーハ１１の裏面１１ｂにＤＡＦ（ダイアタッチフィルム）と称される接着シートを貼着し、更にその上に粘着シートを貼着するシート貼着ステップを実施する。
【００２３】
即ち、図３に示すように、ウエーハ１１の裏面１１ｂに紫外線の照射によって硬化するＤＡＦ２９を貼着し、更にその上に粘着シート（ダイシングテープ）Ｔを貼着する。そして、粘着シートＴの外周部を環状フレームＦに貼着する。粘着シートＴは紫外線の照射によって硬化しない粘着シートが好ましい。
【００２４】
シート貼着ステップを実施した後、図４に示すように、ウエーハ１１の表面１１ａ側からウエーハ１１を完全切断する深さに切削ブレード５６を切り込ませるとともに、切削ブレード５６で分割予定ライン１３に沿ってウエーハ１１のみを完全切断しウエーハ１１を個々のデバイスチップ２７へと分割する分割ステップを実施する。
【００２５】
図４において、切削装置の切削ユニット５２はモータにより高速回転（例えば３００００ｒｐｍ）されるスピンドル５４と、スピンドル５４の先端に装着された切削ブレード５６を含んでいる。
【００２６】
この切削ステップを実施する前に、切削ブレード５６と分割予定ライン１３とを整列させるアライメントステップを実施するが、アライメントステップはよく知られたステップであるので本明細書ではその説明を省略する。
【００２７】
図４では、ウエーハ１１を保持するチャックテーブルが省略されている。切削ステップでは、切削ブレード５６を矢印Ａ方向に高速回転させながらウエーハ１１を完全切断する深さに切り込ませるとともに、図示しないチャックテーブルを紙面に垂直方向に加工送りすることにより、切削ブレード５６で分割予定ライン１３に沿ってウエーハ１１のみを完全切断し、ウエーハ１１を個々のデバイスチップ２７へと分割する。ここで、「ウエーハのみ」には、ＤＡＦ２９を僅かに切削する形態も含むものとする。
【００２８】
チャックテーブルを割り出し送りしながら、第１の方向に伸長する分割予定ライン１３に沿って次々と切削溝３５を形成する。次いで、チャックテーブルを９０度回転してから、第１の方向に直交する第２の方向に伸長する分割予定ライン１３に沿ってウエーハ１１を切削して切削溝３５を形成する。
【００２９】
切削ステップを実施した後、図５に示すように、紫外線ランプ４８からウエーハ１１の表面１１ａに紫外線を照射する紫外線照射ステップを実施する。紫外線ランプ４８はＬＥＤから構成されるのが好ましい。ＬＥＤは発熱が少ないため、加熱によるＤＡＦ２９の変質を防ぐことができる。
【００３０】
この紫外線照射ステップを実施すると、デバイスチップ２７間の切削溝３５を通して紫外線が紫外線硬化型ＤＡＦ２９に照射され、照射された部分３３が硬化して収縮することでＤＡＦ２９がデバイスチップ２７に沿って破断される。切削溝３５は十分広いので、紫外線を切削溝３５を通して紫外線硬化型ＤＡＦ２９に確実に照射することができる。
【００３１】
紫外線照射ステップを実施した後、図６に示すように、裏面にＤＡＦ２９が貼着されたデバイスチップ２７をピックアップコレット５０により粘着シートＴ上からピックアップするピックアップステップを実施する。
【００３２】
上述した実施形態のウエーハの加工方法によると、切削ブレード５６でウエーハ１１のみを完全切断し、切削溝３５を通して紫外線をＤＡＦ２９に照射して硬化させることよりデバイスチップ２７に沿って破断させるため、切削ブレード５６に目詰まりが生じることが防止される。また、ウエーハ１１にクラックが発生したり、チッピングが大きく多量に発生する等の加工品質の悪化を引き起こすことが防止される。
【符号の説明】
【００３３】
１１    半導体ウエーハ
１１ａ    表面
１１ｂ    裏面
２３    表面保護テープ
２７    デバイスチップ
２９    ＤＡＦ（接着シート）
３４    研削ユニット
４０    研削ホイール
４８    紫外線ランプ
５０    ピックアップコレット
５６    切削ブレード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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