(57)【要約】【課題】基板上に形成されたショット領域にモールドのパターンを精度よく転写する上で有利なインプリント装置を提供する。【解決手段】モールドと基板上のインプリント材とを接触させた状態で前記インプリント材を硬化させることにより前記基板上のショット領域に前記モールドのパターンを転写するインプリント装置は、前記基板における複数の部分の各々を加熱することにより当該ショット領域の形状を変形させる加熱部と、制御部と、を含み、前記制御部は、前記ショット領域の形状が目標形状に近づくように前記複数の部分の各々における加熱プロファイルを生成し、生成した前記加熱プロファイルに従って前記複数の部分の各々を加熱するように前記加熱部を制御する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
モールドと基板上のインプリント材とを接触させた状態で前記インプリント材を硬化させることにより前記基板上のショット領域に前記モールドのパターンを転写するインプリント装置であって、
前記基板における複数の部分の各々を加熱することにより当該ショット領域の形状を変形させる加熱部と、
制御部と、
を含み、
前記制御部は、前記ショット領域の形状が目標形状に近づくように前記複数の部分の各々における加熱プロファイルを生成し、生成した前記加熱プロファイルに従って前記複数の部分の各々を加熱するように前記加熱部を制御する、ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記ショット領域の形状が目標形状に近づくように前記複数の部分の各々における目標加熱量を決定し、前記複数の部分の各々における加熱量が前記目標加熱量になるように前記部分ごとに前記加熱プロファイルを生成する、ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記部分ごとに生成された前記加熱プロファイルの加熱量は、前記部分ごとに決定された前記目標加熱量より小さい、ことを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記複数の部分の各々について、１つの部分に所定の加熱量を与えた際の前記ショット領域の形状の変形量を取得し、
前記複数の部分の各々について取得された前記ショット領域の形状の変形量を用いることにより求められる前記ショット領域の近似形状が前記目標形状に近づくように前記部分ごとに前記加熱プロファイルを生成する、ことを特徴とする請求項２又は３に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記加熱プロファイルは、前記ショット領域の形状が前記目標形状に近づいた後、当該ショット領域の形状と当該目標形状との差が許容範囲に収まっている状態が維持されるように、前記加熱部が前記部分に加える単位時間当たりの加熱量を時間の経過につれて減少させる範囲を含む、ことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記制御部は、１つの部分における加熱量が当該１つの部分における前記目標加熱量に到達するまでの時間を前記複数の部分について一定として前記加熱プロファイルを生成する、ことを特徴とする請求項２乃至４のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記加熱部が１つの部分に加える単位時間当たりの加熱量を前記複数の部分について一定として前記加熱プロファイルを生成する、ことを特徴とする請求項２乃至４のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記モールドに形成されたパターンの領域の形状を変形する変形部を更に含み、
前記制御部は、前記変形部により変形された前記パターンの領域の形状を前記目標形状とする、ことを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記基板上の各ショット領域の形状に関する形状情報を取得し、前記形状情報に基づいて各ショット領域の前記目標形状を決定する、ことを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
前記制御部は、取得した前記形状情報を複数の基板において共通に使用する、ことを特徴とする請求項９に記載のインプリント装置。
【請求項１１】
前記モールドに形成されたパターンの領域の形状を変形する変形部を更に含み、
前記制御部は、前記目標形状に基づいて前記変形部の制御量および前記加熱プロファイルを生成する、ことを特徴とする請求項９又は１０に記載のインプリント装置。
【請求項１２】
前記基板上の前記ショット領域と前記モールドに形成されたパターンの領域との形状差を計測する計測部を含み、
前記制御部は、前記計測部の計測結果および前記形状情報に基づいて前記目標形状を生成する、ことを特徴とする請求項１１に記載のインプリント装置。
【請求項１３】
前記基板上の前記ショット領域と前記モールドに形成されたパターンの領域との形状差を計測する計測部を含み、
前記制御部は、前記形状情報に基づいて決定された前記目標形状を用いて前記変形部の制御量および前記加熱プロファイルを生成し、前記計測部の計測結果に基づいて前記変形部の制御量を修正する、ことを特徴とする請求項１１に記載のインプリント装置。
【請求項１４】
前記加熱プロファイルは、１つの部分に与える単位時間当たりの加熱量と時刻との関係を示す、ことを特徴とする請求項１乃至１３のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１５】
前記加熱部は、光源を含み、当該光源から射出された光を前記モールドを介して前記基板に照射することにより前記複数の部分の各々に熱を加える、ことを特徴とする請求項１乃至１４のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１６】
前記加熱部は、前記モールドと前記基板上のインプリント材とが接触している状態で前記複数の部分の各々を加熱する、ことを特徴とする請求項１乃至１５のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いてモールドのパターンを基板に形成するステップと、
前記ステップでパターンが形成された前記基板を加工するステップと、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【請求項１８】
モールドと基板上のインプリント材とを接触させた状態で前記インプリント材を硬化させることにより前記基板上のショット領域に前記モールドのパターンを転写するインプリント装置におけるインプリント方法であって、
前記インプリント装置は、前記基板における複数の部分の各々を加熱することにより当該ショット領域の形状を変形させる加熱部を含み、
前記インプリント方法は、
前記ショット領域の形状が目標形状に近づくように前記複数の部分の各々における加熱プロファイルを生成する生成工程と、
生成した前記加熱プロファイルに従って前記複数の部分の各々を加熱するように前記加熱部を制御する制御工程と、
を含む、ことを特徴とするインプリント方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
モールドに形成されたパターンを基板上のインプリント材に転写するインプリント技術が、磁気記憶媒体や半導体デバイスなどの量産用リソグラフィ技術の１つとして注目されている。このような技術を用いたインプリント装置では、パターンが形成されたモールドと基板上に供給されたインプリント材とを接触させ、その状態でインプリント材を硬化させる。そして、硬化したインプリント材からモールドを剥離することにより、基板上にパターンを形成することができる。
【０００３】
半導体デバイスなどの製造では、複数のパターンを１つの基板上に重ね合わせる工程が必要である。そのため、インプリント装置において、基板上に形成されたショット領域にモールドのパターン領域を精度よく重ね合わせて、転写することが重要である。そこで、基板およびモールドの温度を制御することにより、基板（ショット領域）とモールド（パターン領域）との熱膨張係数の違いを利用して基板とモールドとの間の倍率成分を補正するインプリント装置が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４５１２１６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載されたインプリント装置では、基板およびモールドの温度をそれら全体で制御しているため、基板とモールドとの間の倍率補正しか行うことができない。しかしながら、基板上のショット領域は、一連の半導体デバイスの製造工程などによって、台形成分や弓型成分などの成分を含むように変形している場合がある。このような変形がショット領域に生じている場合であっても、ショット領域にモールドのパターンを精度よく転写することが重要である。
【０００６】
そこで、本発明は、基板上に形成されたショット領域にモールドのパターンを精度よく転写する上で有利なインプリント装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、モールドと基板上のインプリント材とを接触させた状態で前記インプリント材を硬化させることにより前記基板上のショット領域に前記モールドのパターンを転写するインプリント装置であって、前記基板における複数の部分の各々を加熱することにより当該ショット領域の形状を変形させる加熱部と、制御部と、を含み、前記制御部は、前記ショット領域の形状が目標形状に近づくように前記複数の部分の各々における加熱プロファイルを生成し、生成した前記加熱プロファイルに従って前記複数の部分の各々を加熱するように前記加熱部を制御する、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、例えば、基板上に形成されたショット領域にモールドのパターンを精度よく転写する上で有利なインプリント装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態のインプリント装置を示す概略図である。
【図２】インプリント処理における動作シーケンスを示すフローチャートである。
【図３】加熱プロファイルの生成方法を示すフローチャートである。
【図４】基板上のショット領域を示す図である。
【図５】ショット領域の各部分に与えられる所定加熱量と、所定加熱量を各部分に与えた際のショット領域の変形量とを示す図である。
【図６】ショット領域の各部分における目標加熱量を決定する方法について説明するための図である。
【図７】加熱プロファイルを生成する方法の例を示す図である。
【図８】ショット領域の各部分における加熱プロファイルの一例を示す図である。
【図９】ショット領域の各部分における加熱プロファイルの一例を示す図である。
【図１０】第２実施形態における加熱プロファイルを説明するための図である。
【図１１】ショット領域の各部分における加熱プロファイルの一例を示す図である。
【図１２】ショット領域の各部分における加熱プロファイルの一例を示す図である。
【図１３】アライメント計測の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。また、各図において、基板面上で互いに直交する方向をそれぞれＸ方向およびＹ方向とし、基板面に垂直な方向をＺ方向とする。
【００１１】
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態のインプリント装置１００について、図１を参照しながら説明する。インプリント装置１００は、半導体デバイスなどの製造に使用され、パターンが形成されたモールド２１を基板上のインプリント材（樹脂）に接触させた状態でインプリント材を硬化させる。そして、インプリント装置１００は、基板１１とモールド２１との間隔を広げ、硬化したインプリント材からモールド２１を剥離することによって基板上にパターンを転写することができる。インプリント材を硬化する方法には熱を用いる熱サイクル法と光を用いる光硬化法とがあり、第１実施形態のインプリント装置１００は光硬化法を採用している。光硬化法とは、インプリント材として未硬化の紫外線硬化樹脂（以下、樹脂）を基板上に供給し、モールド２１と樹脂とを接触させた状態で樹脂に紫外線を照射することにより当該樹脂を硬化させる方法である。紫外線の照射により樹脂が硬化した後、樹脂からモールド２１を剥離することによって基板上にパターンを形成することができる。
【００１２】
図１は、第１実施形態のインプリント装置１００を示す図である。インプリント装置１００は、基板１１を保持する基板ステージ２と、モールド２１を保持するモールド保持部３と、アライメント計測部４と、照射部５と、樹脂供給部６とを含む。モールド保持部３は、ベース定盤４１により支柱４３を介して支持されたブリッジ定盤４２に固定されており、基板ステージ２は、ベース定盤４１に固定されている。また、インプリント装置１００は、ＣＰＵやメモリを含み、インプリント処理を制御する（インプリント装置１００の各部を制御する）制御部７を含む。
【００１３】
基板１１は、例えば、単結晶シリコン基板やＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板などが用いられる。基板１１の上面（被処理面）には、後述する樹脂供給部６によって樹脂（紫外線硬化樹脂）が供給される。また、モールド２１は、通常、石英など紫外線を通過させることが可能な材料で作製されており、基板側の面における一部の領域２１ａ（パターン領域）には、基板１１に転写する凹凸のパターンが形成されている。
【００１４】
基板ステージ２は、基板チャック１２とステージ駆動部１３とを含み、モールド２１と基板上の樹脂とを接触させる際に、基板１１をＸ方向およびＹ方向に移動させて基板１１とモールド２１との位置合わせを行う。基板チャック１２は、例えば、真空吸着力や静電力などによって基板１１を保持する。ステージ駆動部１３は、基板チャック１２を機械的に保持するとともに、基板チャック１２をＸ方向およびＹ方向に駆動する。ここで、ステージ駆動部１３は、例えば、リニアモータが用いられ、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系によって構成されてもよい。また、ステージ駆動部１３は、基板１１をＺ方向に駆動する駆動機能や、基板１１をθ方向（Ｚ軸周りの回転）に回転駆動して基板の位置を調整する位置調整機能、基板１１の傾きを補正するためのチルト機能などを有していてもよい。
【００１５】
モールド保持部３は、例えば真空吸着力や静電力などによりモールド２１を保持するモールドチャック２２と、モールドチャック２２をＺ方向に駆動するモールド駆動部２３とを含む。モールドチャック２２およびモールド駆動部２３は、それぞれの中心部（内側）に開口領域を有しており、照射部５から射出された光がモールド２１を介して基板１１に照射されるように構成されている。ここで、モールド２１には、製造誤差や熱変形などにより、例えば、倍率成分や台形成分、弓型成分、樽型成分などの成分を含む変形が生じている場合がある。そのため、モールド保持部３は、モールド２１の側面における複数の箇所に力を加えてモールド２１を変形させる変形部２４を備えている。このように当該複数の箇所の各々に変形部２４によって力を加えることで、モールド上の領域２１ａにおける変形を補正することができる。
【００１６】
モールド駆動部２３は、例えば、リニアモータやエアシリンダなどのアクチュエータを含み、モールド２１と基板上の樹脂とを接触させたり剥離させたりするようにモールドチャック２２（モールド２１）をＺ方向に駆動する。モールド駆動部２３は、モールド２１と基板上の樹脂とを接触させる際には高精度な位置決めが要求されるため、粗動駆動系と微動駆動系などの複数の駆動系によって構成されてもよい。また、モールド駆動部２３は、Ｚ方向の駆動だけではなく、ＸＹ方向およびθ方向にモールドの位置を調整する位置調整機能や、モールド２１の傾きを補正するためのチルト機能などを有していてもよい。ここで、第１実施形態のインプリント装置１００では、基板１１とモールド２１との間の距離を変える動作はモールド駆動部２３で行っているが、基板ステージ２のステージ駆動部１３で行ってもよいし、双方で相対的に行ってもよい。
【００１７】
アライメント計測部４は、基板上に形成されたショット領域８の形状とモールド上の領域２１ａ（パターン領域）の形状との差異（以下、形状差）を計測する。例えば、形状差を計測する方法として、ショット領域８とモールド上の領域２１ａとに形成された複数のアライメントマークを検出する方法がある。ショット領域とパターン領域のそれぞれ対応した位置にアライメントマークが形成されている。アライメント計測部４が、ショット領域８のアライメントマークとモールド上の領域２１ａのアライメントマークとを重ねて観察する。これにより、アライメント計測部４は、ショット領域８のアライメントマークとモールド上の領域２１ａのアライメントマークとの位置ずれ量を検出し、その位置ずれ量に基づいてショット領域８とモールド上の領域２１ａとの形状差を計測することができる。ここで、基板上のショット領域８には、例えば一連の半導体デバイスの製造工程などの影響により、倍率成分や台形成分、弓型成分、樽型成分などの成分を含む変形が生じている場合がある。そして、この場合、基板上のショット領域８にモールド２１のパターンを精度よく転写するためには、変形部２４によって変形されたモールド上の領域２１ａの形状（目標形状）に合わせてショット領域８を変形させる必要がある。そのため、第１実施形態のインプリント装置１００は、後述するように、基板１１（ショット領域８）に光を照射することによって基板１１を加熱し、ショット領域８を変形させる加熱部３２を含む。
【００１８】
照射部５は、基板上の樹脂を硬化させる光を射出する露光部３１と、基板上のショット領域８を加熱する光を射出する加熱部３２と、露光部３１から射出された光と加熱部３２から射出された光とを基板上に導く光学部材３３とを含む。露光部３１は、基板上の樹脂を硬化させる光（紫外線）を射出する光源と、当該光源から射出された光をインプリント処理において適切な光に調整する複数の光学素子とを含みうる。加熱部３２は、基板上のショット領域８を加熱する光を射出する光源と、当該光源から射出された光をショット領域８を加熱する上で適切な光に調整する光学系とを含みうる。加熱部３２の光源は、基板上に供給された樹脂を硬化させず、かつショット領域８の加熱に適した波長（例えば、４００ｎｍ〜２０００ｎｍ）を有する光を射出する。加熱部３２の光学系は、加熱部３２の光源から射出された光を、ショット領域８における温度分布が所望の温度分布となるように、即ち、ショット領域８の形状が目標形状となるように整形する複数の光学素子を含む。例えば、加熱部の光学系に含まれる光学素子としては、ＤＭＤ（デジタル・マイクロミラー・デバイス）や液晶素子などが用いられる。また、光学部材３３は、例えば、露光部３１から射出された光（紫外線）を透過し、加熱部３２から射出された光（波長４００ｎｍ〜２０００ｎｍ）を反射するビームスプリッタを含みうる。
【００１９】
樹脂供給部６は、基板上に樹脂（未硬化樹脂）を供給（塗布）する。上述したように、第１実施形態では、紫外線の照射によって硬化する性質を有する紫外線硬化樹脂（インプリント材）が用いられているが、樹脂供給部６から基板上に供給される樹脂は、半導体デバイスの製造工程における各種条件によって適宜選択されうる。また、樹脂供給部６の吐出ノズルから吐出される樹脂の量は、基板上の樹脂に形成されるパターンの厚さやパターンの密度などを考慮して適宜決定されうる。ここで、基板上に供給された樹脂を、モールド２１に形成されたパターンに十分に充填させるために、モールドと樹脂とを接触させた状態で一定の時間を経過させてもよい。
【００２０】
このように構成された第１実施形態のインプリント装置１００において、モールド２１のパターンを基板上のショット領域８に転写するインプリント処理について図２を参照しながら説明する。図２は、モールド２１のパターンを基板上のショット領域８に転写するインプリント処理における動作シーケンスを示すフローチャートである。
【００２１】
Ｓ１０１では、制御部７は、モールド２１をモールドチャック２２の下に搬送するようにモールド搬送機構（不図示）を制御し、モールド２１を保持するようにモールドチャック２２を制御する。これにより、モールド２１がインプリント装置１００内に配置される。Ｓ１０２では、制御部７は、基板１１を基板チャック１２の上に搬送するように基板搬送機構（不図示）を制御し、基板１１を保持するように基板チャック１２を制御する。これにより、基板１１がインプリント装置１００内に配置される。Ｓ１０３では、制御部７は、基板上のショット領域８（インプリント処理が行われる対象のショット領域８）が樹脂供給部６の下に配置されるようにステージ駆動部１３を制御して、基板１１を移動させる。Ｓ１０４では、制御部７は、基板上のショット領域８に樹脂（未硬化樹脂）を供給するように樹脂供給部６を制御する。Ｓ１０５では、制御部７は、樹脂が供給された基板上のショット領域８がモールド上の領域２１ａの下に配置されるようにステージ駆動部１３を制御して、基板１１を移動させる。Ｓ１０６では、制御部７は、モールド２１のパターンと基板上の樹脂とが接触するように、即ち、基板１１とモールド２１との距離が短くなるようにモールド駆動部２３を制御する。
【００２２】
Ｓ１０７では、制御部７は、ショット領域８に形成されたアライメントマークとモールド２１に形成されたアライメントマークとを計測するようにアライメント計測部４を制御する。これにより、アライメント計測部４は、基板上のショット領域８とモールド上の領域２１ａとの形状差を計測することができる。基板上のショット領域８とモールド上の領域２１ａとの形状差は、基板上のショット領域８およびモールド上の領域２１ａの形状を事前に計測しておき、それを取得してもよい。また、事前の計測値とアライメント計測部４による計測値を併用してもよい。Ｓ１０８では、制御部７は、アライメント計測部４により計測された形状差が許容範囲に収まるように変形部２４と加熱部３２とを制御し、モールド上の領域２１ａおよび基板上のショット領域８をそれぞれ変形させる。上述したように、変形部２４は、モールド２１の側面における複数の箇所に力を加えることにより、モールド上の領域２１ａにおける変形を補正する。そして、加熱部３２は、例えば変形部２４により補正されたモールド上の領域２１ａの形状を目標形状として、基板上のショット領域８の形状が目標形状になるようにショット領域８を変形する。これにより、モールド上の領域２１ａとショット領域８との形状差を許容範囲に収めて、モールド２１のパターンをショット領域８に精度よく転写することができる。加熱部３２によるショット領域８の変形については、後に詳細を説明する。ここで、Ｓ１０７におけるアライメント計測部４による計測工程と、Ｓ１０８におけるモールド２１の変形工程は、モールド２１と基板上の樹脂とを接触させる工程（Ｓ１０６）の前に行われてもよい。また、アライメント計測部４による計測は、Ｓ１０８におけるモールド２１の変形工程とショット領域８の変形工程との間に行われてもよい。
【００２３】
Ｓ１０９では、制御部７は、モールド２１を接触させた樹脂に対して紫外線を照射するように露光部３１を制御し、当該樹脂を硬化させる。Ｓ１１０では、制御部７は、モールド２１を基板上の樹脂から剥離する（離型する）ように、即ち、基板１１とモールド２１との距離が長くなるようにモールド駆動部２３を制御する。Ｓ１１１では、制御部７は、基板上に引き続きモールド２１のパターンを転写するショット領域８（次のショット領域８）があるか否かの判定を行う。次のショット領域８がある場合はＳ１０３に進み、次のショット領域８がない場合はＳ１１２に進む。Ｓ１１２では、制御部７は、基板１１を基板チャック１２から回収するように基板搬送機構（不図示）を制御する。Ｓ１１３では、制御部７は、引き続きインプリント処理を行う基板１１（次の基板１１）があるか否かの判定を行う。次の基板１１がある場合はＳ１０２に進み、次の基板１１がない場合はＳ１１４に進む。Ｓ１１４では、制御部７は、モールド２１をモールドチャック２２から回収するようにモールド搬送機構（不図示）を制御する。
【００２４】
ここで、加熱部３２によるショット領域８の変形について説明する。上述したように、基板上のショット領域８には、例えば一連の半導体デバイスの製造工程などの影響により、倍率成分や台形成分、弓型成分、樽型成分などの成分を含む変形が生じている場合がある。そして、この場合、基板上のショット領域８にモールド２１のパターンを精度よく転写するためには、ショット領域８の形状が目標形状になるようにショット領域８を変形させる必要がある。そのため、第１実施形態のインプリント装置１００は、ショット領域８に含まれる複数の部分の各々に光を照射することにより熱を加え、各部分における熱膨張により当該ショット領域を変形させる加熱部３２を含む。そして、加熱部３２は、制御部７により決定された加熱プロファイルに基づいてショット領域８における各部分に熱を加える。これにより、ショット領域８において温度分布を得ることができ、ショット領域８の形状を目標形状にすることができる。ここで、加熱プロファイルとは、１つの部分に加える単位時間当たりの加熱量（以下、加熱流と称する）と時刻との関係を示すプロファイルである。加熱プロファイルの生成方法については後述する。また、第１実施形態において制御部７は、上述したように、ショット領域８の目標形状として、変形部２４により変形されたモールド上の領域２１ａの形状を用いる。さらに、第１実施形態では、複数の部分は、全てショット領域８に含まれているが、それに限られるものではなく、ショット領域８の外側に配置された部分を含んでもよい。
【００２５】
例えば、ショット領域８に倍率成分のみを含む変形が生じている場合には、ショット領域内の温度が均一になるように、ショット領域８の部分ごとに加熱プロファイルが生成される。そして、生成された加熱プロファイルに従って加熱部３２がショット領域８の各部分に熱を加えることにより、ショット領域８の形状が目標形状となるようにショット領域８を変形することができる。一方で、ショット領域８に台形成分のみを含む変形が生じている場合には、ショット領域８の温度が一方向に沿って線形に減少するように、ショット領域８の部分ごとに加熱プロファイルが生成される。そして、生成された加熱プロファイルに従って加熱部３２が各部分に熱を加えることにより、ショット領域８の形状が目標形状となるようにショット領域８を変形することができる。また、ショット領域８に倍率成分と台形成分とを含む変形が生じている場合もある。この場合には、倍率成分の変形が補正されるような加熱プロファイルと台形成分の変形が補正されるような加熱プロファイルとが足し合わされた加熱プロファイルがショット領域８の部分ごとに生成される。そして、加熱部３２は、双方が足し合わされた加熱プロファイルに従ってショット領域８の各部分に熱を加える。これにより、倍率成分と台形成分とを含むショット領域８の形状が目標形状となるように、ショット領域８を変形することができる。
【００２６】
ここで、一例として、ショット領域８に台形成分のみを含む変形が生じている場合における加熱プロファイルの生成方法について、図３を参照しながら説明する。図３は、制御部７における加熱プロファイルの生成方法を示すフローチャートである。また、ショット領域８は、加熱部３２により個別に熱が加えられる複数の部分を含む。ここでは、説明を簡単化するため、ショット領域８は、図４に示すように、部分８Ａ〜８Ｄの４つの部分を含むものとする。
【００２７】
Ｓ３０１では、制御部７は、ショット領域８の各部分８Ａ〜８Ｄに所定の加熱量（以下、所定加熱量）を与え、その際のショット領域８の変形量をそれぞれ取得する。図５に、ショット領域８の各部分８Ａ〜８Ｄに与えられる所定加熱量と、所定加熱量を各部分８Ａ〜８Ｄに与えた際のショット領域８の変形量とを示す。図５において、横軸は、図４に示すショット領域８の右辺（線Ｐ１−Ｐ５）の位置Ｐ１〜Ｐ５を示す。図５（ａ）は、ショット領域８の部分８Ａに与えられる所定加熱量（左図）とその際のショット領域８の変形量（右図）とを示し、図５（ｂ）は、ショット領域８の部分８Ｂに与えられる所定加熱量（左図）とその際のショット領域８の変形量（右図）とを示す。同様に、図５（ｃ）は、ショット領域８の部分８Ｃに与えられる所定加熱量（左図）とその際のショット領域８の変形量（右図）とを示す。そして、図５（ｄ）は、ショット領域８の部分８Ｄに与えられる所定加熱量（左図）とその際のショット領域８の変形量（右図）とを示す。このようなショット領域８の変形量は、例えば、実験やシミュレーションなどによって求めることができ、データベースもしくは関数として制御部７によって取得されうる。ここで、ショット領域８の部分８Ａ〜８Ｄに与えられる所定加熱量は、部分８Ａ〜８Ｄにおいて同じにするとよく、その大きさは任意に設定することができる。
【００２８】
Ｓ３０２では、制御部７は、Ｓ３０１で取得したショット領域８の変形量を用いて、ショット領域８の各部分８Ａ〜８Ｄにおける目標加熱量を決定する。例えば、図４に示すショット領域８の線Ｐ１−Ｐ５を、図６（ａ）に示すように、Ｙ方向に進むにつれて変形量が線形的に大きくなるように変化させるとする。即ち、図６（ａ）に示す関数が、図４に示すショット領域８の線Ｐ１−Ｐ５における目標形状となる。このとき、制御部７は、Ｓ３０１で取得したショット領域８の変位量（図５（ａ）〜（ｄ）の右図）のそれぞれに係数を乗じて合成することにより（線形結合）、図６（ｂ）の太線で示すように、ショット領域８の線Ｐ１−Ｐ５の形状を近似する。そして、制御部７は、この近似されたショット領域８の線Ｐ１−Ｐ５の形状（近似形状）が目標形状に近づくように係数を決定し、決定した係数を所定加熱量に乗ずる。これにより、制御部７は、図６（ｃ）に示すように、ショット領域８の各部分８Ａ〜８Ｄにおける目標加熱量を決定することができる。
【００２９】
Ｓ３０３では、制御部７は、Ｓ３０２で決定されたショット領域８の各部分８Ａ〜８Ｄにおける目標加熱量を用いて、ショット領域８の各部分８Ａ〜８Ｄにおける加熱プロファイルをそれぞれ生成する。加熱プロファイルは、上述したように、各部分８Ａ〜８Ｄに加えられる加熱流（単位時間当たりの加熱量）と時刻との関係を示している。そして、加熱部３２がこの加熱プロファイルに従って各部分８Ａ〜８Ｄに熱を加えることにより、各部分８Ａ〜８Ｄにおける加熱量をそれぞれ目標加熱量に近づけることができる。即ち、ショット領域８の形状を目標形状に近づけることができる。ここで、加熱プロファイルを生成する方法の一例としては、例えば、加熱部３２が熱を加えている時間を部分８Ａ〜８Ｄで一定として生成する方法と、加熱部３２が加える加熱流を部分８Ａ〜８Ｄで一定として生成する方法とが挙げられる。以下に、両者の方法について説明する。
【００３０】
まず、加熱部３２が熱を加えている時間を部分８Ａ〜８Ｄで一定として加熱プロファイルを生成する方法について説明する。この方法は、図７（ａ）に示すように、加熱部３２が加熱を開始する時刻ｔ１と加熱量が目標加熱量に到達する時刻ｔ２とを固定し、時刻ｔ１と時刻ｔ２との間において加熱部３２が加える加熱流を変更して加熱プロファイルを生成する方法である。時刻ｔ２は、例えば、基板上の樹脂の硬化を開始する時刻、即ち、当該樹脂への紫外線の照射を開始する時刻である。制御部７は、加熱部３２が部分８Ａに加える加熱流Ｑ１を時刻ｔ１から時刻ｔ２で積分した値（部分８Ａの加熱量）がＳ３０２で決定された目標加熱量になるように、加熱部３２が部分８Ａに加える加熱流Ｑ１を決定する。これにより、制御部７は、図８（ａ）に示すように、ショット領域８の部分８Ａにおける加熱プロファイルを生成することができる。また、制御部７は、加熱部３２が部分８Ｂに加える加熱流Ｑ２を時刻ｔ１から時刻ｔ２で積分した値（部分８Ｂの加熱量）がＳ３０２で決定された目標加熱量になるように、加熱部３２が部分８Ｂに加える加熱流Ｑ２を決定する。これにより、制御部７は、図８（ｂ）に示すように、ショット領域８の部分８Ｂにおける加熱プロファイルを生成することができる。同様に、制御部７は、加熱部３２が部分８Ｃに加える加熱流Ｑ３と、加熱部３２が部分８Ｄに加える加熱流Ｑ４とを決定する。これにより、制御部７は、図８（ｃ）および（ｄ）に示すように、ショット領域８の部分８Ｃおよび８Ｄにおける加熱プロファイルをそれぞれ生成することができる。
【００３１】
図８（ｅ）は、ショット領域８の各部分８Ａ〜８Ｄにおける加熱プロファイルの合計、即ち、加熱部３２がショット領域８の全体に加える加熱流と時刻との関係を表す加熱プロファイルを示す。図８（ｅ）におけるＱｔｏｔａｌは、各部分８Ａ〜８Ｄに加える加熱流Ｑ１〜Ｑ４の合計値である。図８（ｅ）に示す加熱プロファイルに従って加熱部３２がショット領域８に熱を加える場合、ショット領域８における温度の平均値（以下、平均温度）は、図８（ｆ）に示すように、時刻ｔ１から上昇し始める。そして、ショット領域８の平均温度は、平均温度の変化の時定数よりも加熱時間（時刻ｔ１から時刻ｔ２までの間）が短ければ、線形に変化する。図８（ｆ）に示すようにショット領域８の平均温度が上昇する場合、ショット領域８（線Ｐ１−Ｐ５）は、図８（ｇ）に示すように、時刻ｔ１から変形し始める。時刻ｔ１の直後では、図８（ｇ）に示すように、ショット領域８の温度変化に応じて生じる熱応力が基板１１と基板チャック１２との間に発生する摩擦力より小さいため、ショット領域８は緩やかに変形することとなる。そして、時刻ｔ３の後になると、ショット領域８に生じる熱応力が摩擦力より大きくなるため、ショット領域８は大きく変形し始める。即ち、時刻ｔ３はショット領域８に生じる熱応力と摩擦力とが同じになる時刻であり、時刻ｔ３の前と後とでは、ショット領域８の変形量の変化率が異なる。第１実施形態のインプリント装置１００では、Ｓ３０１において取得されたショット領域８の変形量を用いて各部分８Ａ〜８Ｄにおける加熱プロファイルが決定されており、当該変形量は実験などによって求められる。そのため、制御部７は、時刻ｔ３の前後においてショット領域の変形量の変化率が異なっている場合であっても、ショット領域８の形状が目標形状Ａになるように各部分８Ａ〜８Ｄの加熱プロファイルを決定することができる。
【００３２】
次に、加熱部３２が加える加熱流を部分８Ａ〜８Ｄで一定として加熱プロファイルを生成する方法について説明する。この方法は、図７（ｂ）に示すように、加熱部３２が加える加熱流Ｑを固定し、加熱部３２が加熱を開始する時刻ｔ１を変更して加熱プロファイルを生成する方法である。時刻ｔ２は、上述したように、例えば、基板上の樹脂の硬化を開始する（紫外線の照射を開始する）時刻である。制御部７は、加熱部３２が部分８Ａに加える加熱流Ｑ１を設定し、加熱流Ｑ１を時刻ｔ１Ａから時刻ｔ２で積分した値（部分８Ａの加熱量）がＳ３０２で決定された目標加熱量になるように時刻ｔ１Ａを決定する。これにより、制御部７は、図９（ａ）に示すように、ショット領域８の部分８Ａにおける加熱プロファイルを生成することができる。また、制御部７は、加熱部３２が部分８Ｂに加える加熱流Ｑ２を設定し、加熱流Ｑ２を時刻ｔ１Ｂから時刻ｔ２で積分した値（部分８Ｂの加熱量）がＳ３０２で決定された目標加熱量になるように時刻ｔ１Ｂを決定する。これにより、制御部７は、図９（ｂ）に示すように、ショット領域８の部分８Ｂにおける加熱プロファイルを生成することができる。同様に、制御部７は、加熱部３２が部分８Ｃに加える加熱流Ｑ３と部分８Ｄに加える加熱流Ｑ４をそれぞれ設定し、時刻ｔ１Ｃと時刻ｔ１Ｄとを決定する。これにより、制御部７は、図９（ｃ）および（ｄ）に示すように、ショット領域８の部分８Ｃおよび８Ｄにおける加熱プロファイルをそれぞれ生成することができる。図９（ｅ）は、ショット領域８の各部分８Ａ〜８Ｄにおける加熱プロファイルの合計、即ち、加熱部３２がショット領域８の全体に加える加熱流と時刻との関係を表す加熱プロファイルを示す。図９（ｅ）におけるＱｔｏｔａｌは、各部分８Ａ〜８Ｄに加える加熱流Ｑ１〜Ｑ４の合計値である。そして、図８（ｅ）に示す加熱プロファイルでは、ショット領域８に加える加熱流が時刻ｔ１Ａ〜ｔ１Ｄにおいて階段状に変わる。ここで、加熱部３２が部分８Ａ〜８Ｄに加える加熱流Ｑ１〜Ｑ４は、それらが互いに異なる大きさになるように設定されてもよいし、それらが同じ大きさになるように設定されてもよい。
【００３３】
上述したように、第１実施形態のインプリント装置１００は、ショット領域８に含まれる複数の部分の各々に熱を加えることによってショット領域８を変形させる加熱部３２を含む。そして、制御部７が各部分における加熱プロファイルを生成し、生成された加熱プロファイルに従って加熱部３２がショット領域８の各部分に熱を加えることで、ショット領域８の形状を目標形状に近づけることができる。したがって、第１実施形態のインプリント装置１００は、ショット領域８の形状とモールド上の領域２１ａの形状との差を許容範囲に収めることができ、ショット領域８にモールドのパターンを精度よく転写することができる。ここで、加熱プロファイルは、例えば、図７（ｃ）に示すように、加熱部３２による各部分への加熱がＰＷＭ（Ｐｕｌｓｅ  Ｗｉｄｔｈ  Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）制御されるように生成されてもよい。
【００３４】
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態のインプリント装置について説明する。第１実施形態のインプリント装置１００では、基板上の樹脂の硬化を開始する時刻ｔ２までに加熱部３２によるショット領域８の変形が行われるように、加熱プロファイルが制御部７によって生成されている。一方で、第２実施形態のインプリント装置では、加熱部３２によるショット領域８の変形が時刻ｔ２の前までに完了し、変形したショット領域８の形状が時刻ｔ２まで維持されるように加熱プロファイルが制御部７によって生成される。即ち、第２実施形態のインプリント装置において、制御部７により生成される加熱プロファイルには、変形したショット領域８の形状と目標形状との差が許容範囲内に収まっている状態を維持するようにショット領域８に熱を加えている範囲が含まれている。このように、ショット領域８の変形を維持することにより、モールド２１のパターンと基板上の樹脂との接触状態が安定したときに、基板上の樹脂を硬化させることができる。以下では、加熱部３２によるショット領域８の変形が完了する時刻を時刻ｔ４とし、時刻ｔ１から時刻ｔ４まで範囲ではショット領域８の変形が行われており、時刻ｔ４から時刻ｔ２までの範囲ではショット領域８の形状が維持されているものとする。ここで、第２実施形態のインプリント装置は、第１実施形態のインプリント装置１００と装置構成が同じであるため、ここでは装置構成に関する説明を省略する。
【００３５】
例えば、図１０（ａ）に示すように、時刻ｔ４から時刻ｔ２までの範囲において加熱部３２がショット領域８に加える加熱流（単位時間当たりの加熱量）が一定になるように、加熱プロファイルが生成されたとする。そして、加熱部３２が、図１０（ａ）に示す加熱プロファイルに従ってショット領域８に熱を加えたとすると、ショット領域８の温度（平均温度）は、図１０（ｂ）に示すように、時刻ｔ４から時刻ｔ２までの範囲において一定になる。ここで、時刻ｔ４から時刻ｔ２までの範囲において加熱部３２がショット領域８に加える加熱流は、例えば、ショット領域８から流出される熱の大きさと同じになるように設定されうる。ショット領域８から流出される熱は、例えば、基板１１内での熱拡散、基板１１から空気などの流体に伝達される熱、基板１１から樹脂を介してモールド２１に伝達される熱、基板１１から基板チャック１２に伝達される熱などを含む。したがって、ショット領域８から流出される熱は、これらの熱やショット領域８の温度（時刻ｔ４までの加熱量）などを考慮して算出される。
【００３６】
しかしながら、ショット領域８の温度を一定にすることができても、ショット領域８から流出される熱によって、基板１１内におけるショット領域８の周辺の温度が上昇してしまう。このようにショット領域８の周辺の温度が上昇してしまうと、ショット領域８の周辺における熱応力が変化し、図１０（ｃ）に示すように、ショット領域８の形状が時刻の経過につれて変化してしまいうる。そこで、第２実施形態のインプリント装置では、図１０（ｄ）に示すように、時刻ｔ４から時刻ｔ２までの範囲において、加熱部３２がショット領域８に加える加熱流Ｑが時刻の経過につれて減少するように、加熱プロファイルが制御部７によって生成される。このように生成された加熱プロファイル（図１０（ｄ））に従って、加熱部３２がショット領域８に熱を加えると、ショット領域８の温度（平均温度）は、図１０（ｅ）に示すように、時刻ｔ４から時刻ｔ２までの範囲において時刻の経過につれて低下する。一方で、ショット領域８の形状は、図１０（ｆ）に示すように、時刻ｔ４から時刻ｔ２までの範囲において一定とすることができる。即ち、ショット領域８の形状を維持することができる。時刻ｔ４から時刻ｔ２までの範囲における加熱流Ｑの減少率は、例えば、実験やシミュレーションなどによって取得されうる。
【００３７】
ここで、ショット領域８の各部分８Ａ〜８Ｄにおける加熱プロファイルを生成する方法の一例について説明する。第２実施形態のインプリント装置では、第１実施形態のインプリント装置１００と同様に、制御部７が図３に示すフローチャートに従って各部分８Ａ〜８Ｄにおける加熱プロファイルを生成する。第２実施形態では、ショット領域８の各部分８Ａ〜８Ｄにおける加熱プロファイルを生成する方法（図４のＳ３０３）が第１実施形態と異なるため、ここでは当該方法について説明する。また、ここでは、加熱部３２が加える加熱流を部分８Ａ〜８Ｄで一定として加熱プロファイルを生成する方法について説明する。
【００３８】
制御部７は、加熱部３２が加える加熱流Ｑを固定し、加熱部３２が加熱を開始する時刻ｔ１を変更することにより加熱プロファイルを生成する。時刻ｔ４は、上述したように、加熱部３２によるショット領域８の変形が完了する時刻であり、任意に設定することができる。制御部７は、加熱部３２が部分８Ａに加える加熱流Ｑ１を設定し、加熱流Ｑ１を時刻ｔ１Ａから時刻ｔ４で積分した値がＳ３０２で決定された目標加熱量になるように時刻ｔ１Ａを決定する。そして、制御部７は、時刻ｔ４から時刻ｔ２までの範囲におけるプロファイルを決定する。当該プロファイルは、例えば、時刻ｔ４において加熱部３２が加える加熱流Ｑ１ｍとしてショット領域８から流出される加熱流を算出し、予め取得された減少率で加熱流Ｑ１ｍを減少させることにより決定されうる。これにより、制御部７は、図１１（ａ）に示すように、ショット領域８の部分８Ａにおける加熱プロファイルを生成することができる。また、制御部７は、加熱部３２が部分８Ｂに加える加熱流Ｑ１を設定し、加熱流Ｑ１を時刻ｔ１Ｂから時刻ｔ４で積分した値がＳ３０２ｄ決定された目標加熱量になるように時刻ｔ１Ｂを決定する。そして、制御部７は、時刻ｔ４から時刻ｔ２までの範囲におけるプロファイルを決定する。これにより、制御部７は、図１１（ｂ）に示すように、ショット領域８の部分８Ｂにおける加熱プロファイルを生成することができる。同様に、制御部７は、加熱部３２が部分８Ｃに加える加熱流Ｑ３と部分８Ｄに加える加熱流Ｑ４をそれぞれ設定し、時刻ｔ１Ｃと時刻ｔ１Ｄとを決定する。そして、制御部７は、時刻ｔ４から時刻ｔ２までの範囲におけるプロファイルを決定する。これにより、制御部７は、図１１（ｃ）および（ｄ）に示すように、ショット領域８の部分８Ｃおよび８Ｄにおける加熱プロファイルをそれぞれ生成することができる。図１１（ｅ）は、ショット領域８の各部分８Ａ〜８Ｄにおける加熱プロファイルの合計、即ち、加熱プロファイルがショット領域８の全体に加える加熱流と時刻との関係を表す加熱プロファイルを示す。図１１（ｅ）におけるＱｔｏｔａｌは、各部分８Ａ〜８Ｄに加える加熱流Ｑ１〜Ｑ４の合計値である。そして、図８（ｅ）に示す加熱プロファイルでは、ショット領域８に加える加熱流が時刻ｔ１Ａ〜ｔ１Ｄにおいて階段状に変わる。ここで、加熱部３２が部分８Ａ〜８Ｄに加える加熱流Ｑ１〜Ｑ４は、それらが互いに異なる大きさになるように設定されてもよいし、それらが同じ大きさになるように設定されてもよい。
【００３９】
また、制御部７は、加熱部３２が加える加熱流Ｑを固定し、加熱部３２によるショット領域８の変形が完了する時刻ｔ４を変更することにより加熱プロファイルを生成してもよい。この場合、制御部７は、図１２（ａ）〜（ｄ）に示すように、ショット領域８の部分８Ａ〜８Ｄにおける加熱プロファイルをそれぞれ生成することができる。また、図１１（ｅ）は、ショット領域８の各部分８Ａ〜８Ｄにおける加熱プロファイルの合計、即ち、加熱プロファイルがショット領域８の全体に加える加熱流と時刻との関係を示す加熱プロファイルを示す。
【００４０】
上述したように、第２実施形態のインプリント装置では、制御部７によって生成された加熱プロファイルに、変形したショット領域の形状を維持するようにショット領域８に熱を加えている範囲が含まれている。そして、加熱プロファイルは、当該範囲おいてショット領域８に加える加熱流が時刻の経過につれて減少するよう生成されている。このように生成された加熱プロファイルに従って加熱部３２がショット領域８に熱を加えることで、ショット領域８の形状と目形状との差が許容範囲に収まっている状態を維持することができる。これにより、モールド２１のパターンと基板上の樹脂との接触状態が安定したときに基板上の樹脂を硬化させることができる。
【００４１】
＜第３実施形態＞
本発明の第３実施形態のインプリント装置について説明する。第１実施形態のインプリント装置１００では、加熱部３２によって変形されたショット領域８の形状がモールド上の領域２１ａの形状（目標形状）に一致するように加熱プロファイルが生成される。一方で、第３実施形態のインプリント装置では、加熱部３２および変形部２４を併用してモールド２１と基板１１との位置合わせが行われる。ここで、第３実施形態のインプリント装置は、第１実施形態のインプリント装置１００と装置構成が同じであるため、ここでは装置構成に関する説明を省略する。
【００４２】
制御部７は、Ｓ１０２における基板の搭載と同時、もしくはそれよりも前に、基板１１における各ショット領域とモールド上の領域２１ａとの形状差に関する基板内のパターン形状情報（低次の成分および可能な限り高次の成分を含む）を取得する。例えば、パターン形状情報は、実際にパターンを形成する基板とは異なるテスト基板に対してインプリント装置でインプリント処理を行い、重ね合わせ検査を行った結果を含みうる。テスト基板のショット領域上に、モールド上の領域２１ａがインプリント（転写）されるので、重ね合わせ検査の結果を用いれば、テスト基板のショット領域とモールド上の領域２１ａの形状差を取得できるからである。また、パターン形状情報は、複数の基板に対して同一としてもよい。例えば、１ロットを２５枚の基板で管理する場合、１ロット分の基板に対して共通のパターン形状情報を使用してもよい。すべての基板において重ね合わせ検査を行うことは、コストや生産性の観点で好ましくないからである。
【００４３】
制御部７は、取得したパターン形状情報に基づいて、加熱部３２の加熱プロファイルと変形部２４の制御量を生成する。変形部２４の制御量は、例えば、変形部２４にピエゾ素子が用いられる場合には、駆動量や駆動力、電圧、電流などを含みうる。加熱プロファイルの生成方法は、第１実施形態の方法とほぼ同じであるが、第３実施形態では加熱部３２の加熱プロファイルと変形部２４の制御量とが同時に生成される。そのため、制御部７は、図５に示した各加熱領域の加熱によるショット領域８の変形量に加えて、変形部２４に含まれる各変形機構の単位制御量に対するモールド上の領域２１ａの変形量を示すデータベースもしくは関数を更に取得する。制御部７は、パターン形状情報を目標形状として、形状差が低減されるように、各加熱領域の目標加熱量および変形部２４の各変形機構の制御量を決定する。目標加熱量が決定された後の加熱プロファイルの生成方法は、第１実施形態と同様である。例えば、図７（ａ）に示すように、加熱部３２による基板の加熱量が目標加熱量となるように、加熱部３２が基板を加熱する加熱流Ｑの大きさを決定する。制御部７は、生成された加熱プロファイルに基づいて、加熱部３２によって基板を加熱する。また、制御部７は、決定された制御量に基づいて変形部２４を制御する。変形部２４を駆動するタイミングは、モールド２１と基板１１上の樹脂が接触する前でもよいし、接触した後でもよいし、加熱部３２による加熱中であってもよい。
【００４４】
アライメント計測部４は、ショット領域８とモールド上の領域２１ａとの形状差を取得する。以下、アライメント計測部４によって計測されたショット領域８とモールド上の領域２１ａとの形状差をアライメント計測結果と呼ぶ。ただし、アライメント計測部４による計測は、ショット領域の２点〜９点程度である。例えば、図１３に示すように、アライメント計測を行う箇所（アライメント計測点）は、ショット領域８の角の４点である。そのため、実線で示される実際のショット領域８の形状に対し、アライメント計測部４によって計測されたショット領域８の形状は、一点鎖線で示されるように、シフト、ローテーションなどの低次の成分しか含まない。即ち、アライメント計測部４では、ショット領域８における高次の成分を計測することが困難である。
【００４５】
加熱部３２の加熱プロファイルおよび変形部２４の制御量は、すでにパターン形状情報に基づいて決定されているが、制御部７は、アライメント計測結果を用いて変形部２４の制御量を修正する。また、制御部７は、アライメント計測結果に基づいて加熱部３２の加熱プロファイルも修正してもよいが、アライメント計測結果は低次の形状のみを含むため、変形部２４のみでモールド上の領域２１ａを補正することが好ましい。変形部２４による機械的な変形の方が加熱部３２による熱的な変形よりも応答性がよく、変形部２４による補正の方がアライメント計測結果に追従させやすいからである。
【００４６】
パターン形状情報を複数枚の基板で同一とした場合には、各基板間のショット領域の形状の差（誤差）によって転写制度が低下しうる。アライメント計測部４によるアライメント計測は全ショット領域で行われるため、各基板間のショット領域の形状の差を補正することが可能である。ただし、前述したように、アライメント計測結果は低次の変形のみを含むので、高次の情報を含むパターン形状情報よりも形状の情報が少ない。パターン形状情報は、重ね合わせ検査に基づくため、一般的に、計測点数が１０点以上あり、アライメント計測部４による計測よりも計測点数を多くすることができる。つまり、パターン形状情報を用いて、複数枚の基板で共通している高次成分を含む大まかな形状を補正し、それに加えて、アライメント計測結果を用いて、各ショット領域の低次のばらつき成分を補正している。以上により、重ね合わせ精度および生産性のうち少なくとも一方を向上させることができる。
【００４７】
＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された樹脂に上記のインプリント装置を用いてパターンを形成する工程（基板にインプリント処理を行う工程）と、かかる工程でパターンが形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００４８】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００４９】
１００：インプリント装置、７：制御部、１１：基板、２１：モールド、２４：変形部、３２：加熱部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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