(57)【要約】【課題】解像度を高めるとともに、消費電力を低減できる表示装置を得る。【解決手段】複数の画素回路を有する表示機能層を積層方向に複数備える。複数の表示機能層にまたがる所定数の画素回路からなる画素回路群が、単一の表示画素を構成する。【選択図】図４
2014170091.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素回路を有する表示機能層を積層方向に複数備え、
前記複数の表示機能層にまたがる所定数の画素回路からなる画素回路群が、単一の表示画素を構成する
表示装置。
【請求項２】
前記表示装置は、
表示面側に配置された第１の表示機能層と、
前記表示面とは反対の側に配置された第２の表示機能層と
を備えた
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１の表示機能層は、一の基本色光を発する第１の発光層を有し、
前記第２の表示機能層は、前記一の基本色光の補色光を発する第２の発光層を有する
請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１の表示機能層は、第１の発光層を有し、
前記第２の表示機能層は、一の基本色光を発する第２の発光層を有し、
前記第１の発光層は、前記一の基本色光の補色光を発する
請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１の表示機能層は、
第１のトランジスタ層と、
前記第１の発光層と前記第１のトランジスタ層との間に前記画素回路ごとに配置された第１のアノードと、
前記第１の発光層の、前記第１のトランジスタ層とは反対側に配置された第１のカソードと
をさらに有し、
前記第２の表示機能層は、
第２のトランジスタ層と、
前記第２の発光層と前記第２のトランジスタ層との間に前記画素回路ごとに配置された第２のアノードと、
前記第２の発光層の、前記第２のトランジスタ層とは反対側に配置された第２のカソードと
をさらに有する
請求項３に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１のトランジスタ層は、前記第１の表示機能層において、前記第１の発光層の前記表示面側に配置され、
前記第２のトランジスタ層は、前記第２の表示機能層において、前記第２の発光層の前記表示面側とは反対の側に配置された
請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１のカソードと前記第２のカソードの間に、前記第１のカソードと前記第２のカソードを導通させる導電層を備えた
請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１のカソードおよび前記第２のカソードのうちの一方または双方は、一方から他方に向かって突出する突起部分を有する
請求項６に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１のカソードおよび前記第２のカソードのうちの一方は、一方から他方に向かって突出する突起部分を有し、
前記第１のカソードおよび前記第２のカソードのうちの他方は、前記突起部分に嵌合するくぼみ部分を有する
請求項６に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記突起部分により前記第１のカソードおよび前記第２のカソードは互いに接触している
請求項８に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記突起部分は、前記第１のアノードのそれぞれに対応する第１の発光領域、または前記第２のアノードのそれぞれに対応する第２の発光領域を部分的に囲うように形成されている
請求項８に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第２のアノードのそれぞれに対応する第２の発光領域は、前記第１のアノードのそれぞれに対応する第１の発光領域よりも小さい
請求項５に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１の表示機能層は、前記画素回路群のうちの一部をなす１または複数の第１の画素回路を有し、
前記第２の表示機能層は、前記画素回路群のうちの残りの部分をなす複数の第２の画素回路を有し、
前記第１の表示機能層は、前記１または複数の第１の画素回路に接続された、第１の走査線および第１の電源線を有し、
前記第２の表示機能層は、前記複数の第２の画素回路に接続された、第２の走査線および第２の電源線を有し、
前記第１の走査線は前記第２の走査線と接続され、
前記第１の電源線は前記第２の電源線と接続されている
請求項２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１の表示機能層および前記第２の表示機能層の一方に形成され、前記第１の走査線および前記第２の走査線を駆動する走査線駆動部と、
前記第１の表示機能層および前記第２の表示機能層の他方に形成され、前記第１の電源線および前記第２の電源線を駆動する電源線駆動部と
をさらに備えた
請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記表示画素は、基本色光ごとのサブ画素を有し、
各サブ画素は、前記第１の表示機能層および前記第２の表示機能層のいずれか一方に発光領域を有する
請求項２に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記第１の表示機能層および前記第２の表示機能層とは別層として設けられたカラーフィルタ層をさらに備えた
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１７】
第１の表示機能層に設けられた複数の画素回路のうちの１または複数の第１の画素回路と、前記第１の表示機能層の積層方向に配置された第２の表示機能層に設けられた複数の画素回路のうちの複数の第２の画素回路とを、一の表示画素として、複数の表示画素を含む画素ラインごとに走査駆動する
表示駆動方法。
【請求項１８】
第１の走査線を介して、前記１または複数の第１の画素回路に走査信号を供給するとともに、前記第１の走査線と接続された第２の走査線を介して、前記複数の第２の画素回路に前記走査信号を供給し、
第１の電源線を介して、前記１または複数の第１の画素回路に電源信号を供給するとともに、前記第１の走査線と接続された第２の電源線を介して、前記複数の第２の画素回路に前記電源信号を供給する
請求項１７に記載の表示駆動方法。
【請求項１９】
複数の画素回路を有する表示機能層を複数製造し、
前記複数の表示機能層を、その複数の表示機能層にまたがる所定数の画素回路からなる画素回路群が単一の表示画素を構成するように重ね合わせる
表示装置の製造方法。
【請求項２０】
表示装置と
前記表示装置に対して動作制御を行う制御部と
を備え、
前記表示装置は、
複数の画素回路を有する表示機能層を積層方向に複数有し、
前記複数の表示機能層にまたがる所定数の画素回路からなる画素回路群が、単一の表示画素を構成する
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、電流駆動型の表示素子を有する表示装置、および表示駆動方法、そのような表示装置の製造方法、ならびにそのような表示装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、画像表示を行う表示装置の分野では、発光素子として、流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の光学素子、例えば有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子を用いた表示装置（有機ＥＬ表示装置）が開発され、商品化が進められている。発光素子は、液晶素子などと異なり自発光素子であり、別に光源（バックライト）を設ける必要ない。そのため、有機ＥＬ表示装置は、光源を必要とする液晶表示装置と比べて画像の視認性が高く、消費電力が低く、かつ素子の応答速度が速いなどの特徴を有する。
【０００３】
表示装置は、例えば、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、および青色（Ｂ）の光（基本色光）を組み合わせて、任意の色の光を生成する。例えば、特許文献１には、１枚の基板上に、シアンの光を発する発光層とマゼンタの色を発する発光層とを積層し、その２つの発光層から射出した光をカラーフィルタに通すことにより、赤色、緑色、および青色の光を分離する有機ＥＬ表示装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許２０１１―９０８９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、表示装置の画質を表すパラメータの一つに、解像度がある。解像度は、例えば、１インチあたりのピクセル数（ppi）により評価される。解像度が高いほど、表示画像がよりなめらかになり画質が高くなるため、解像度が高い表示装置がしばしば好まれる。特に、例えばスマートフォンなどの携帯型端末では、観察者は表示画面を近い距離で観察するため、解像度が高い表示装置が望まれる。
【０００６】
また、電子機器では一般に、エコロジーなどの観点から、消費電力が低いことが望まれ、表示装置においても、消費電力の低減が期待されている。
【０００７】
本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、解像度を高めるとともに、消費電力を低減できる表示装置、表示駆動方法、表示装置の製造方法、および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示の表示装置は、複数の画素回路を有する表示機能層を積層方向に複数備えている。上記複数の表示機能層にまたがる所定数の画素回路からなる画素回路群が、単一の表示画素を構成する。
【０００９】
本開示の表示駆動方法は、第１の表示機能層に設けられた複数の画素回路のうちの１または複数の第１の画素回路と、第１の表示機能層の積層方向に配置された第２の表示機能層に設けられた複数の画素回路のうちの複数の第２の画素回路とを、一の表示画素として、複数の表示画素を含む画素ラインごとに走査駆動するものである。
【００１０】
本開示の表示装置の製造方法は、複数の画素回路を有する表示機能層を複数製造し、複数の表示機能層を、その複数の表示機能層にまたがる所定数の画素回路からなる画素回路群が単一の表示画素を構成するように重ね合わせるものである。
【００１１】
本開示の電子機器は、上記表示装置を備えたものであり、例えば、テレビジョン装置、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、ビデオカメラあるいは携帯電話等の携帯端末装置などが該当する。
【００１２】
本開示の表示装置、表示駆動方法、表示装置の製造方法、および電子機器では、積層方向に複数配置された表示機能層により画像が表示される。表示画素のそれぞれは、複数の表示機能層にまたがる所定数の画素回路からなる画素回路群により構成される。
【発明の効果】
【００１３】
本開示の表示装置、表示駆動方法、表示装置の製造方法、および電子機器によれば、複数の表示機能層にまたがる所定数の画素回路からなる画素回路群により、単一の表示画素を構成したので、解像度を高めるとともに消費電力を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本開示の実施の形態に係る表示装置の一構成例を表すブロック図である。
【図２】図１に示した表示部の一構成例を表す模式図である。
【図３】図２に示した画素回路の一構成例を表す回路図である。
【図４】第１の実施の形態に係る表示部の一構成例を表す断面図である。
【図５】図１に示した画素の機能を表す模式図である。
【図６Ａ】図５に示した上基板発光領域の機能を表す模式図である。
【図６Ｂ】図５に示した下基板発光領域の機能を表す模式図である。
【図７Ａ】図１に示した上基板と下基板との接続部分の一例を表す断面図である。
【図７Ｂ】図１に示した上基板と下基板との接続部分の他の例を表す断面図である。
【図８】図３に示した画素回路の一動作例を表すタイミング波形図である。
【図９】図４に示した表示部の製造工程を表す流れ図である。
【図１０】第１の実施の形態の比較例に係る画素の機能を表す模式図である。
【図１１】第１の実施の形態の他の比較例に係る画素の概略断面構造を表す断面図である。
【図１２】図１１に示した発光素子の接続を表す回路図である。
【図１３】図４に示した画素の概略断面構造を表す断面図である。
【図１４】図１３に示した発光素子の接続を表す回路図である。
【図１５】第１の実施の形態の変形例に係る表示部の一構成例を表す断面図である。
【図１６】第１の実施の形態の他の変形例に係る表示部の一構成例を表す断面図である。
【図１７】第１の実施の形態の他の変形例に係る表示部の一構成例を表す断面図である。
【図１８】第１の実施の形態の他の変形例に係る表示部の一構成例を表す断面図である。
【図１９】第１の実施の形態の他の変形例に係る表示部の一構成例を表す断面図である。
【図２０】第１の実施の形態の他の変形例に係る表示部の一構成例を表す断面図である。
【図２１】第１の実施の形態の他の変形例に係る表示部の一構成例を表す断面図である。
【図２２】第１の実施の形態の他の変形例に係る表示部の一構成例を表す断面図である。
【図２３】第１の実施の形態の他の変形例に係る表示部の一構成例を表す断面図である。
【図２４】第１の実施の形態の他の変形例に係る表示部の一構成例を表す断面図である。
【図２５】第２の実施の形態に係る表示部の一構成例を表す断面図である。
【図２６Ａ】図２５に示した表示部の一動作例を表す模式図である。
【図２６Ｂ】図２５に示した表示部の他の動作例を表す模式図である。
【図２７Ａ】第２の実施の形態の比較例に係る表示部の一動作例を表す模式図である。
【図２７Ｂ】第２の実施の形態の比較例に係る表示部の他の動作例を表す模式図である。
【図２８】第３の実施の形態に係る表示部の一構成例を表す断面図である。
【図２９】図２８に示した遮光部の配置の一例を表す平面図である。
【図３０】図２８に示した表示部の一動作例を表す模式図である。
【図３１Ａ】第３の実施の形態の変形例に係る遮光部の配置を表す平面図である。
【図３１Ｂ】第３の実施の形態の他の変形例に係る遮光部の配置を表す平面図である。
【図３２】第３の実施の形態の他の変形例に係る表示部の一構成例を表す断面図である。
【図３３】第３の実施の形態の他の変形例に係る表示部の一構成例を表す断面図である。
【図３４】実施の形態に係る表示装置が適用されたテレビジョン装置の外観構成を表す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態
２．第２の実施の形態
３．第３の実施の形態
４．適用例
【００１６】
＜１．第１の実施の形態＞
［構成例］
図１は、第１の実施の形態に係る表示装置の一構成例を表すものである。表示装置１は、有機ＥＬ素子を用いた、アクティブマトリックス方式の表示装置である。なお、本開示の実施の形態に係る表示駆動方法および表示装置の製造方法は、本実施の形態により具現化されるので、併せて説明する。
【００１７】
表示装置１は、表示部１０と、駆動部２０とを備えている。駆動部２０は、映像信号処理部２１と、タイミング生成部２２と、走査線駆動部２３と、電源線駆動部２６と、データ線駆動部２７とを有している。
【００１８】
表示部１０は、複数の画素Ｐixがマトリックス状に配置されたものである。各画素Ｐixは、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）、白色（Ｗ）の４つのサブ画素１１（１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ，１１Ｗ）を有している。この例では、これらの４つのサブ画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ，１１Ｗは、画素Ｐixにおいて２行２列で配置されている。具体的には、画素Ｐixにおいて、左上に赤色（Ｒ）のサブ画素１１Ｒを配置し、右上に緑色（Ｇ）のサブ画素１１Ｇを配置し、左下に青色（Ｂ）のサブ画素１１Ｂを配置し、右下に白色（Ｗ）のサブ画素１１Ｗを配置している。
【００１９】
図２は、表示部１０の一構成例を、走査線駆動部２３および電源線駆動部２６とともに表すものである。表示部１０は、上基板２に形成された画素アレイ１０２、および下基板３に形成された画素アレイ１０３により構成されている。この上基板２と下基板３とは、後述するように、互いに重なり合うように張り合わされている。画素アレイ１０２は、画素回路１２Ｂ，１２Ｗ１を有し、画素アレイ１０３は、画素回路１２Ｗ２，１２Ｒ，１２Ｇを有している。この画素回路１２Ｒと後述する赤色のカラーフィルタ２０６がサブ画素１１Ｒを構成し、この画素回路１２Ｇと後述する緑色のカラーフィルタ２０６がサブ画素１１Ｇを構成し、この画素回路１２Ｂと後述する青色のカラーフィルタ２０６がサブ画素１１Ｂを構成する。また、画素回路１２Ｗ１，１２Ｗ２と後述する白色のカラーフィルタ２０６がサブ画素１１Ｗを構成する。このように、各画素Ｐixは、上基板２に形成された２つの画素回路１２Ｂ，１２Ｗ１、および下基板３に形成された３つの画素回路１２Ｗ２，１２Ｒ，１２Ｇにより構成されている。以下、画素回路１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ，１２Ｗ１，１２Ｗ２のうちの任意の１つを示すものとして、画素回路１２を適宜用いる。
【００２０】
画素アレイ１０２，１０３は、それぞれ、行方向に延伸する複数の走査線ＷＳＬおよび複数の電源線ＰＬと、列方向に延伸する複数のデータ線ＤＴＬとを有している。各画素回路１２は、走査線ＷＳＬ、電源線ＰＬ、およびデータ線ＤＴＬに接続されている。走査線ＷＳＬの一端は走査線駆動部２３に接続され、電源線ＰＬの一端は電源線駆動部２６に接続されている。また、データ線ＤＴＬの一端は、図示していないが、データ線駆動部２７に接続されている。この例では、ある画素Ｐixに属する上基板２の画素回路１２Ｂ，１２Ｗ１に接続された走査線ＷＳＬと、その画素Ｐixに属する下基板３の画素回路１２Ｗ２，１２Ｒ，１２Ｇに接続された走査線ＷＳＬは、互いに接続されている。同様に、ある画素Ｐixに属する上基板２の画素回路１２Ｂ，１２Ｗ１に接続された電源線ＰＬと、その画素Ｐixに属する下基板３の画素回路１２Ｗ２，１２Ｒ，１２Ｇに接続された電源線ＰＬは、互いに接続されている。
【００２１】
図３は、画素回路１２の回路構成の一例を表すものである。画素回路１２は、書込トランジスタＷＳＴｒと、駆動トランジスタＤＲＴｒと、発光素子３０と、容量素子Ｃｓとを備えている。すなわち、この例では、画素回路１２は、２つのトランジスタ（書込トランジスタＷＳＴｒ、駆動トランジスタＤＲＴｒ）および１つの容量素子Ｃｓを用いて構成される、いわゆる「２Ｔｒ１Ｃ」の構成を有するものである。
【００２２】
書込トランジスタＷＳＴｒおよび駆動トランジスタＤＲＴｒは、例えば、ＮチャネルＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）型のＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）により構成されるものである。書込トランジスタＷＳＴｒは、ゲートが走査線ＷＳＬに接続され、ソースがデータ線ＤＴＬに接続され、ドレインが駆動トランジスタＤＲＴｒのゲートおよび容量素子Ｃｓの一端に接続されている。駆動トランジスタＤＲＴｒは、ゲートが書込トランジスタＷＳＴｒのドレインおよび容量素子Ｃｓの一端に接続され、ドレインが電源線ＰＬに接続され、ソースが容量素子Ｃｓの他端および発光素子３０のアノードに接続されている。
【００２３】
容量素子Ｃｓは、一端が駆動トランジスタＤＲＴｒのゲート等に接続され、他端は駆動トランジスタＤＲＴｒのソース等に接続されている。発光素子３０は、有機ＥＬ素子を用いて構成された発光素子であり、アノードが駆動トランジスタＤＲＴｒのソースおよび容量素子Ｃｓの他端に接続され、カソードには、駆動部２０により、所定の直流電圧である電圧Ｖcathが供給されている。後述するように、上基板２の画素回路１２Ｂ，１２Ｗ１における発光素子３０は、青色の光を発するものであり、下基板３の画素回路１２Ｗ２，１２Ｒ，１２Ｇにおける発光素子は、黄色の光を発するものである。
【００２４】
図４は、表示部１０の断面図を表すものである。図４に示すように、上基板２および下基板３は、貼合材９により貼り合わせられている。この貼合材９は、透明または半透明の樹脂で構成されており、この例では、絶縁性を有するものである。
【００２５】
上基板２は、透明基板２００と、ゲート２０１と、ポリシリコン２０３と、カラーフィルタ２０６と、アノード２１２と、青色発光層２１４と、カソード２１５とを有している。透明基板２００は、上基板２の支持基板となるものであり、例えば、ガラスやプラスチックなどにより構成されている。透明基板２００上には、ゲート２０１が形成されている。このゲート２０１は、例えばモリブデン（Ｍｏ）などにより構成される。透明基板２００およびゲート２０１の上には絶縁層２０２が形成されている。この絶縁層２０２は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）などにより構成される。この絶縁層２０２の上には、ゲート２０１に対応する領域にポリシリコン２０３が形成されている。ゲート２０１およびポリシリコン２０３は、駆動トランジスタＤＲＴｒを構成している。ポリシリコン２０３および絶縁層２０２の上には、絶縁層２０４が形成されている。この絶縁層２０４は、例えば絶縁層２０２と同様の材料により構成される。また、ポリシリコン２０３が形成された領域の一部には、絶縁層２０４を貫通するように、コンタクト／配線２０５が形成されている。配線２０５は、例えば、チタン（Ｔｉ）／アルミニウム（Ａｌ）／チタン（Ｔｉ）の３層により構成することができる。この絶縁層２０４の上には、カラーフィルタ２０６が形成されている。具体的には、サブ画素１１Ｒに対応する部分に赤色（Ｒ）のカラーフィルタ２０６が形成され、サブ画素１１Ｇに対応する部分に緑色（Ｇ）のカラーフィルタ２０６が形成され、サブ画素１１Ｂに対応する部分に青色（Ｂ）のカラーフィルタ２０６が形成され、サブ画素１１Ｗに対応する部分に白色（Ｗ）のカラーフィルタ２０６が形成されている。サブ画素１１Ｂにおけるカラーフィルタ２０６は、後述する青色発光層２１４が発する青色（Ｂ）の光の色域を調整するために設けられ、サブ画素１１Ｗにおけるカラーフィルタ２０６は、後述する青色発光層２１４および黄色発光層３１４が合成光として発する白色（Ｗ）の光の色域を調整するために設けられている。
【００２６】
絶縁層２０４およびカラーフィルタ２０６の上には、絶縁層２１１が形成されている。絶縁層２１１は、例えば、ポリイミドやアクリル樹脂などにより構成される。すなわち、絶縁層２１１は、透明性を有する材料により構成されている。絶縁層２１１の上には、サブ画素１１Ｂ，１１Ｗに係る領域にアノード２１２が形成されている。また、このアノード２１２は、絶縁層２１１を貫通して、駆動トランジスタＤＲＴｒのソースに係るコンタクト／配線２０５と接続されている。アノード２１２は、例えば、スズ酸化インジウムスズ（ＩＴＯ；Indium Tin Oxide）により構成されている。すなわち、アノード２１２は、透明または半透明なものである。このアノード２１２は、例えば数十〜数百ｎｍの膜厚で形成されている。アノード２１２および絶縁層２１１の上には、絶縁層２１３が形成されている。絶縁層２１３は、例えば絶縁層２１１と同様の材料により構成される。この絶縁層２１３には、アノード２１２が形成された領域の一部に開口部ＷＩＮ２が設けられている。アノード２１２および絶縁層２１３の上部には、青色発光層２１４が一様に形成されている。青色発光層２１４は、有機ＥＬ層であり、この例では、青色（Ｂ）の光を発するものである。青色発光層２１４の上には、カソード２１５が一様に形成されている。カソード２１５は、透明または半透明の電極であり、例えば、マグネシウム銀（MgAg）や、ＩＺＯ（登録商標）により構成することができる。マグネシウム銀で構成した場合には、膜厚を例えば数ｎｍ程度にすることにより半透明にすることができる。ＩＺＯで構成した場合には、例えば数十ｎｍ〜数千ｎｍの膜厚で形成することが望ましい。すなわち、ＩＺＯは透明な材料であるが電気抵抗率がやや高いため、カソード２１５の抵抗値を下げるためにやや厚く形成することが望ましい。アノード２１２、青色発光層２１４、およびカソード２１５は、発光素子３０を構成している。カソード２１５の上には、絶縁層２１６が形成されている。絶縁層２１６は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮｘ）などにより構成される。この絶縁層２１６は、製造工程において、上基板２が空気にふれて、青色発光層２１４の発光特性等が劣化するおそれを低減するための保護層として機能するものである。
【００２７】
この構成により、上基板２における青色発光層２１４の開口部ＷＩＮ２から射出した光は、上基板２の支持基板である透明基板２００の方向に進む。すなわち、青色発光層２１４から図４の上方向に向かって射出した光は、カラーフィルタ２０６を通過して表示面側に進み、青色発光層２１４から図４の下方向に向かって射出した光は、下基板３のアノード３１２（後述）や反射膜３１２Ｒ（後述）において反射され、カラーフィルタ２０６を通過して表示面側に進む。つまり、この上基板２に形成された発光素子は、いわゆるボトムエミッション型の発光素子である。
【００２８】
下基板３は、基板３００と、ゲート３０１と、ポリシリコン３０３と、アノード３１２と、反射膜３１２Ｒと、黄色発光層３１４と、カソード３１５とを有している。基板３００は、下基板３の支持基板となるものであり、例えば、ガラスやプラスチックなどにより構成されている。なお、この基板３００として、金属基板の表面に絶縁層を形成したものを用いてもよい。すなわち、基板３００は、上基板２における透明基板２００とは異なり、透明でなくてもよい。基板３００の上には、上基板２の場合と同様に、ゲート３０１、絶縁層３０２、ポリシリコン３０３、絶縁層３０４、コンタクト／配線３０５が形成されている。
【００２９】
絶縁層３０４の上には、絶縁層３１１が形成されている。絶縁層３１１は、例えば、ポリイミドやアクリル樹脂などにより構成される。絶縁層３１１の上には、サブ画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｗに係る領域にアノード３１２が形成されるとともに、サブ画素１１Ｂに係る領域に反射膜３１２Ｒが形成されている。アノード３１２は、絶縁層３１１を貫通して、駆動トランジスタＤＲＴｒのソースに係るコンタクト／配線３０５と接続されている。アノード３１２および反射膜３１２Ｒは、例えば、ＩＴＯ／Ａｌ合金や、Ａｌ合金により構成されている。すなわち、アノード３１２および反射膜３１２Ｒは、光を反射する性質を有することが望ましい。アノード３１２、反射膜３１２Ｒ、および絶縁層３１１の上には、絶縁層３１３が形成されている。絶縁層３１３は、例えば絶縁層３１１と同様の材料により構成される。この絶縁層３１３には、アノード３１２が形成された領域の一部に開口部ＷＩＮ３が設けられている。この開口部ＷＩＮ３の大きさは、この例では、上基板２の開口部ＷＩＮ２の大きさとほぼ同じである。アノード３１２および絶縁層３１３の上部には、黄色発光層３１４が一様に形成されている。黄色発光層３１４は、有機ＥＬ層であり、この例では、黄色（Ｙ）の光を発するものである。黄色発光層３１４は、黄色に光る材料により構成してもよいし、または、緑色（Ｇ）に光る材料に赤色（Ｒ）に光る材料をドープして構成してもよい。黄色発光層３１４の上には、カソード３１５が形成されている。カソード３１５は、透明または半透明の電極であり、例えば、マグネシウム銀（MgAg）や、ＩＺＯにより構成することができる。マグネシウム銀で構成した場合には、膜厚を例えば数ｎｍ程度にすることにより半透明にすることができる。ＩＺＯで構成した場合には、例えば数十ｎｍ〜数千ｎｍの膜厚で形成することが望ましい。カソード３１５の上には、絶縁層３１６が形成されている。絶縁層３１６は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮｘ）などにより構成される。この絶縁層３１６は、製造工程において、上基板２が空気にふれて黄色発光層３１４の発光特性等が劣化するおそれを低減するための保護層として機能するものである。
【００３０】
この構成により、下基板３における黄色発光層３１４の開口部ＷＩＮ３から射出した光は、下基板３の支持基板である基板３００とは反対の方向に進む。すなわち、この下基板３に形成された発光素子は、いわゆるトップエミッション型の発光素子である。
【００３１】
このように、表示部１０は、図４の上方向に、光を発することにより表示を行う。具体的には、サブ画素１１Ｒでは、下基板３における黄色発光層３１４の開口部ＷＩＮ３から射出した黄色（Ｙ）の光が、図４の上方向に進み、赤色（Ｒ）のカラーフィルタ２０６を介して表示面より出力される。すなわち、黄色の光は赤色の光成分と緑色の光成分とを含んでいるため、赤色のカラーフィルタ２０６により赤色の光成分が分離され出力される。サブ画素１１Ｇでは、下基板３における黄色発光層３１４の開口部ＷＩＮ３から射出した黄色（Ｙ）の光が、図４の上方向に進み、緑色（Ｇ）のカラーフィルタ２０６を介して表示面より出力される。サブ画素１１Ｂでは、上基板２における青色発光層２１４の開口部ＷＩＮ２から射出した青色（Ｂ）の光は、図４の上方向に進み、青色（Ｂ）のカラーフィルタ２０６を介して表示面より出力される。そして、サブ画素１１Ｗでは、上基板２における青色発光層２１４の開口部ＷＩＮ２からから射出した青色（Ｂ）の光と、下基板３における黄色発光層３１４の開口部ＷＩＮ３から射出した黄色（Ｙ）の光が、図４の上方向に進み、白色（Ｗ）のカラーフィルタ２０６を介して表示面より出力される。すなわち、青色の光と黄色の光とが混ざり合って白色光となり、この白色光が白色のカラーフィルタ２０６を介して出力される。
【００３２】
図５は、画素Ｐixの機能を模式的に表すものである。画素Ｐixにおける４つのサブ画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ，１１Ｗでは、上基板２の発光領域（上基板発光領域Ｒ２）から射出した青色（Ｂ）の光、および下基板３の発光領域（下基板発光領域Ｒ３）から射出した黄色（Ｙ）の光のうちの一方または双方が、カラーフィルタ２０６を通過する。この上基板発光領域Ｒ２は、サブ画素１１Ｂ，１１Ｗに対応する位置に設けられ、下基板発光領域Ｒ３は、サブ画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｗに対応する位置に設けられている。
【００３３】
図６Ａは、上基板発光領域Ｒ２の機能を模式的に表すものであり、図６Ｂは、下基板発光領域Ｒ３の機能を模式的に表すものである。上基板発光領域Ｒ２では、図６Ａに示したように、青色発光層２１４の開口部ＷＩＮ２から光が射出する。また、下基板発光領域Ｒ３では、図６Ｂに示したように、黄色発光層３１４の開口部ＷＩＮ３から光が射出する。下基板３では、３つの画素回路１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｗ２における書込トランジスタＷＳＴｒ、駆動トランジスタＤＲＴｒ、および容量素子Ｃｓは、図６（Ｂ）に示したように、画素Ｐixの領域のうちのどこに配置されてもよい（下基板回路領域ＲＣ３）。すなわち、図４に示したように、下基板３において、これらの素子は基板３００上に形成されるため、これらの素子をどこに配置しても、光の進行の妨げになることはない。一方、上基板２では、図６Ａに示したように、２つの画素回路１２Ｂ，１２Ｗ１における書込トランジスタＷＳＴｒ、駆動トランジスタＤＲＴｒ、および容量素子Ｃｓは、上基板２における開口部ＷＩＮ２の領域以外であり、かつ下基板３における開口部ＷＩＮ３の領域以外の領域（上基板回路領域ＲＣ２）に形成される。すなわち、図４に示したように、上基板２において、これらの素子は透明基板２００上に形成されるため、光の進行の妨げにならないように、上基板回路領域ＲＣ２に配置される。
【００３４】
次に、図２に示した、上基板２の走査線ＷＳＬと、下基板３の走査線ＷＳＬとの接続について説明する。なお、上基板２の電源線ＰＬと、下基板３の電源線ＰＬとの接続についても同様である。
【００３５】
図７Ａは、上基板２の走査線ＷＳＬと下基板２の走査線ＷＳＬの接続部分を表すものである。この接続部分では、上基板２および下基板３には、それぞれパッドＰＡＤが形成される。このパッドＰＡＤは、上基板２および下基板３において、走査線ＷＳＬが露出した部分である。このパッドＰＡＤが形成された領域において、上基板２と下基板３の間には、導電性粒子ＣＢを含む樹脂９８が封入されている。導電性粒子ＣＢとしては、例えば、ニッケル粒子や、金メッキした樹脂の粒子などが利用可能である。このような構成により、上基板２の走査線ＷＳＬと、下基板３の走査線ＷＳＬは、導電性粒子ＣＢを介して電気的に接続されている。
【００３６】
なお、この構成に限定されるものではなく、例えば、図７Ｂに示したような構成も可能である。この例では、上基板２と下基板３の間に導電性の柱ＣＰを形成している。このような柱ＣＰは、例えば、フォトリソグラフィや蒸着などにより形成することが可能である。この例では、柱ＣＰは、絶縁柱３３０および導電膜３３１により形成されている。絶縁柱３３０は、例えば、厚い膜を形成しやすい、ポリイミド、アクリル樹脂、またはノボラック樹脂などにより構成される。導電膜３３１は、絶縁柱３３０を覆うように形成されている。この導電膜３３１は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム銀などにより構成される。
【００３７】
図１において、映像信号処理部２１は、外部から供給される映像信号Ｓdispに対して所定の信号処理を行い、映像信号Ｓdisp2を生成するものである。この所定の信号処理としては、例えば、ガンマ補正や、オーバードライブ補正などが挙げられる。
【００３８】
タイミング生成部２２は、外部から供給される同期信号Ｓsyncに基づいて、走査線駆動部２３、電源線駆動部２６およびデータ線駆動部２７に対してそれぞれ制御信号を供給し、これらがお互いに同期して動作するように制御する回路である。
【００３９】
走査線駆動部２３は、タイミング生成部２２から供給された制御信号に従って、複数の走査線ＷＳＬに対して走査信号ＷＳを順次印加することにより、画素回路１２を順次選択するものである。この例では、走査線駆動部２３は、図２に示したように、上基板２における、画素アレイ１０２の外側の領域（いわゆる額縁領域）に形成されている。
【００４０】
電源線駆動部２６は、タイミング生成部２２から供給された制御信号に従って、複数の電源線ＰＬに対して電源信号ＤＳを順次印加することにより、画素回路１２における発光素子３０の発光動作および消光動作の制御を行うものである。電源信号ＤＳは、電圧Ｖccpと電圧Ｖiniとの間で遷移するものである。後述するように、電圧Ｖiniは、画素回路１２を初期化するための電圧であり、電圧Ｖccpは、駆動トランジスタＤＲＴｒに電流Ｉdsを流して発光素子３０を発光させるための電圧である。この例では、電源線駆動部２６は、図２に示したように、下基板３における、画素アレイ１０３の外側の領域（いわゆる額縁領域）に形成されている。
【００４１】
なお、この例では、上基板２に走査線駆動部２３を形成し、下基板３に電源線駆動部２６を形成したが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、下基板３に走査線駆動部２３を形成し、上基板２に電源線駆動部２６を形成してもよい。
【００４２】
データ線駆動部２７は、映像信号処理部２１から供給された映像信号Ｓdisp2およびタイミング生成部２２から供給された制御信号に従って、各画素回路１２における発光素子３０の発光輝度を指示する画素電圧Ｖsig、および後述するＶth補正を行うための電圧Ｖofsを含む信号Ｓigを生成し、各データ線ＤＴＬに印加するものである。
【００４３】
この構成により、駆動部２０は、後述するように、１水平期間内において、駆動トランジスタＤＲＴｒの素子ばらつきが画質に与える影響を抑えるための補正（Ｖth補正およびμ（移動度）補正）を行うとともに、画素回路１２に対して画素電圧Ｖsigの書込みを行う。そして、その後に、画素回路１２の発光素子３０が、書き込まれた画素電圧Ｖsigに応じた輝度で発光するようになっている。
【００４４】
ここで、上基板２は、本開示における「第１の表示機能層」の一具体例に対応し、下基板３は、本開示における「第２の表示機能層」の一具体例に対応する。画素Ｐixは、本開示における「表示画素」の一具体例に対応する。青色発光層２１４は、本開示における「第１の発光層」の一具体例に対応し、黄色発光層３１４は、本開示における「第２の発光層」の一具体例に対応する。ゲート２０１が形成される層およびポリシリコン２０３が形成される層は、本開示における「第１のトランジスタ層」の一具体例に対応し、ゲート３０１が形成される層およびポリシリコン３０３が形成される層は、本開示における「第１のトランジスタ層」の一具体例に対応する。アノード２１２は、本開示における「第１のアノード」の一具体例に対応し、アノード３１２は、本開示における「第２のアノード」の一具体例に対応する。カソード２１５は、本開示における「第１のカソード」の一具体例に対応し、カソード３１５は、本開示における「第２のカソード」の一具体例に対応する。貼合材９の層は、本開示における「絶縁層」の一具体例に対応する。開口部ＷＩＮ２に対応する領域は、本開示における「第１の発光領域」の一具体例に対応し、開口部ＷＩＮ３に対応する領域は、本開示における「第２の発光領域」の一具体例に対応する。
【００４５】
［動作および作用］
続いて、本実施の形態の表示装置１の動作および作用について説明する。
【００４６】
（全体動作概要）
まず、図１を参照して、表示装置１の全体動作概要を説明する。映像信号処理部２１は、外部から供給される映像信号Ｓdispに対して所定の信号処理を行い、映像信号Ｓdisp2を生成する。タイミング生成部２２は、外部から供給される同期信号Ｓsyncに基づいて、走査線駆動部２３、電源線駆動部２６およびデータ線駆動部２７に対してそれぞれ制御信号を供給し、これらがお互いに同期して動作するように制御する。走査線駆動部２３は、タイミング生成部２２から供給された制御信号に従って、複数の走査線ＷＳＬに対して走査信号ＷＳを順次印加することにより、画素回路１２を順次選択する。電源線駆動部２６は、タイミング生成部２２から供給された制御信号に従って、複数の電源線ＰＬに対して電源信号ＤＳを順次印加することにより、画素回路１２における発光素子３０の発光動作および消光動作の制御を行う。データ線駆動部２７は、映像信号処理部２１から供給された映像信号Ｓdisp2およびタイミング生成部２２から供給された制御信号に従って、各画素回路１２における発光素子３０の発光輝度を指示する画素電圧Ｖsig、および後述するＶth補正を行うための電圧Ｖofsを含む信号Ｓigを生成し、各データ線ＤＴＬに印加する。表示部１０は、駆動部２０から供給された走査信号ＷＳ、電源信号ＤＳ、および信号Ｓigに基づいて表示動作を行う。
【００４７】
（詳細動作）
次に、表示装置１の詳細動作を説明する。
【００４８】
図８は、表示装置１における表示動作のタイミング図を表すものであり、（Ａ）は走査信号ＷＳの波形を示し、（Ｂ）は電源信号ＤＳの波形を示し、（Ｃ）は信号Ｓigの波形を示し、（Ｄ）は駆動トランジスタＤＲＴｒのゲート電圧Ｖｇの波形を示し、（Ｅ）は駆動トランジスタＤＲＴｒのソース電圧Ｖｓの波形を示す。
【００４９】
駆動部２０は、１水平期間（１Ｈ）内において、画素回路１２の初期化を行い（初期化期間Ｐ１）、駆動トランジスタＤＲＴｒの素子ばらつきが画質に与える影響を抑えるためのＶth補正を行い（Ｖth補正期間Ｐ２）、画素回路１２に対して画素電圧Ｖsigの書込みを行うとともに、Ｖth補正とは異なるμ（移動度）補正を行う（書込・μ補正期間Ｐ３）。そして、その後に、発光素子３０が、書き込まれた画素電圧Ｖsigに応じた輝度で発光する（発光期間Ｐ４）。以下に、その詳細を説明する。
【００５０】
まず、電源線駆動部２６は、初期化期間Ｐ１に先立つタイミングｔ１において、電源信号ＤＳを電圧Ｖccpから電圧Ｖiniに変化させる（図８（Ｂ））。これにより、駆動トランジスタＤＲＴｒがオン状態になり、駆動トランジスタＤＲＴｒのソース電圧Ｖｓが、電圧Ｖiniに設定される（図８（Ｅ））。
【００５１】
次に、駆動部２０は、タイミングｔ２〜ｔ３の期間（初期化期間Ｐ１）において、画素回路１２を初期化する。具体的には、タイミングｔ２において、データ線駆動部２７が、信号Ｓigを電圧Ｖofsに設定し（図８（Ｃ））、走査線駆動部２３が、走査信号ＷＳの電圧を低レベルから高レベルに変化させる（図８（Ａ））。これにより、書込トランジスタＷＳＴｒがオン状態になり、駆動トランジスタＤＲＴｒのゲート電圧Ｖｇが電圧Ｖofsに設定される（図８（Ｄ））。このようにして、駆動トランジスタＤＲＴｒのゲート・ソース間電圧Ｖgs（＝Ｖofs−Ｖini）は、駆動トランジスタＤＲＴｒの閾値電圧Ｖthよりも大きい電圧に設定され、画素回路１２が初期化される。
【００５２】
次に、駆動部６０は、タイミングｔ３〜ｔ４の期間（Ｖth補正期間Ｐ２）において、Ｖth補正を行う。具体的には、電源線駆動部２６が、タイミングｔ３において、電源信号ＤＳを電圧Ｖiniから電圧Ｖccpに変化させる（図８（Ｂ））。これにより、駆動トランジスタＤＲＴｒは飽和領域で動作するようになり、ドレインからソースに電流Ｉdsが流れ、ソース電圧Ｖｓが上昇する（図８（Ｅ））。その際、この例では、ソース電圧Ｖｓは発光素子３０のカソードの電圧Ｖcathよりも低いため、発光素子３０は逆バイアス状態を維持し、発光素子３０３０には電流は流れない。このようにソース電圧Ｖｓが上昇することにより、ゲート・ソース間電圧Ｖgsが低下するため、電流Ｉdsは低下する。この負帰還動作により、電流Ｉdsは“０”（ゼロ）に向かって収束していく。言い換えれば、駆動トランジスタＤＲＴｒのゲート・ソース間電圧Ｖgsは、駆動トランジスタＤＲＴｒの閾値電圧Ｖthと等しくなる（Ｖgs＝Ｖth）ように収束していく。
【００５３】
次に、走査線駆動部２３は、タイミングｔ４において、走査信号ＷＳの電圧を高レベルから低レベルに変化させる（図８（Ａ））。これにより、書込トランジスタＷＳＴｒはオフ状態になる。そして、データ線駆動部２７は、タイミングｔ５において、信号Ｓigを画素電圧Ｖsigに設定する（図８（Ｃ））。
【００５４】
次に、駆動部２０は、タイミングｔ６〜ｔ７の期間（書込・μ補正期間Ｐ３）において、画素回路１２に対して画素電圧Ｖsigの書込みを行うとともにμ補正を行う。具体的には、走査線駆動部２３が、タイミングｔ６において、走査信号ＷＳの電圧を低レベルから高レベルに変化させる（図８（Ａ））。これにより、書込トランジスタＷＳＴｒはオン状態になり、駆動トランジスタＤＲＴｒのゲート電圧Ｖｇが、電圧Ｖofsから画素電圧Ｖsigに上昇する（図８（Ｄ））。このとき、駆動トランジスタＤＲＴｒのゲート・ソース間電圧Ｖgsが閾値電圧Ｖthより大きくなり（Ｖgs＞Ｖth）、ドレインからソースへ電流Ｉdsが流れるため、駆動トランジスタＤＲＴｒのソース電圧Ｖｓが上昇する（図８（Ｅ））。このような負帰還動作により、駆動トランジスタＤＲＴｒの素子ばらつきの影響が抑えられ（μ補正）、駆動トランジスタＤＲＴｒのゲート・ソース間電圧Ｖgsは、画素電圧Ｖsigに応じた電圧Ｖemiに設定される。
【００５５】
次に、駆動部６０は、タイミングｔ７以降の期間（発光期間Ｐ４）において、発光素子３０を発光させる。具体的には、タイミングｔ７において、走査線駆動部２３は、走査信号ＷＳの電圧を高レベルから低レベルに変化させる（図８（Ａ））。これにより、書込トランジスタＷＳＴｒがオフ状態になり、駆動トランジスタＤＲＴｒのゲートがフローティングとなるため、これ以後、容量素子Ｃｓの端子間電圧、すなわち、駆動トランジスタＤＲＴｒのゲート・ソース間電圧Ｖgsは維持される。そして、駆動トランジスタＤＲＴｒに電流Ｉdsが流れるにつれ、駆動トランジスタＤＲＴｒのソース電圧Ｖｓが上昇し（図８（Ｅ））、これに伴って駆動トランジスタＤＲＴｒのゲート電圧Ｖｇも上昇する（図８（Ｄ））。そして、駆動トランジスタＤＲＴｒのソース電圧Ｖｓが、発光素子３０の閾値電圧Ｖelと電圧Ｖcathの和（Ｖel＋Ｖcath）よりも大きくなると、発光素子３０のアノード・カソード間に電流が流れ、発光素子３０が発光する。すなわち、発光素子３０の素子ばらつきに応じた分だけソース電圧Ｖｓが上昇し、発光素子３０が発光する。
【００５６】
その後、表示装置１では、所定の期間（１フレーム期間）が経過したのち、発光期間Ｐ４から初期化期間Ｐ１に移行する。駆動部２０は、この一連の動作を繰り返すように駆動する。
【００５７】
（製造工程について）
次に、表示装置１の製造方法について説明する。
【００５８】
図９は、表示装置１の製造方法の流れ図を表すものである。この製造工程では、上基板製造工程ＳＡにおいて上基板２を製造するとともに、下基板製造工程ＳＢにおいて下基板３を製造し、これらの工程で製造した上基板２および下基板３を貼り合わせて、表示装置１を製造する。以下に、これらの製造工程について詳細に説明する。
【００５９】
上基板製造工程ＳＡにおいて、まず、ＴＦＴ基板を製造する（ステップＳ１）。具体的には、図４に示したように、透明基板２００上に、ゲート２０１、絶縁層２０２、ポリシリコン２０３、絶縁層２０４、コンタクト／配線２０５を、例えばフォトリソグラフィにより形成する。このＴＦＴ基板の製造では、例えば液晶表示装置などの製造に用いられる、公知の様々な技術を適用することが可能である。
【００６０】
次に、カラーフィルタ２０６を形成する（ステップＳ２）。このカラーフィルタ２０６の形成についても、例えば液晶表示装置などの製造に用いられる、公知の様々な技術を適用することが可能である。
【００６１】
次に、絶縁層２１１を形成する（ステップＳ３）。その際、アノード２１２を配線２０５に接続するためのコンタクトホールを形成する。具体的には、例えば、まず感光性ポリイミドなどで形成された絶縁膜を絶縁層２０４上に配置し、続いてコンタクトホールに対応する部分が開口しているマスクを用いて露光することで、コンタクトホールを形成する。
【００６２】
次に、アノード２１２をパターニングして形成する（ステップＳ４）。このアノード２１２は、上記コンタクトホールを介して、配線２０５に接続される。
【００６３】
次に、開口部ＷＩＮ２以外の領域に絶縁層２１３をパターニングして形成する（ステップＳ５）。
【００６４】
次に、青色発光層２１４を形成する（ステップＳ６）。青色発光層２１４は、青色の光を発する発光材料を蒸着することにより生成される。その蒸着工程では、例えば、画素アレイ１０２に対応する領域（エリア）が開口している、いわゆるエリアマスクを用いて、画素アレイ１０２全体にわたり一様に蒸着する。なお、このようなシンプルな方法に限定されず、例えば、開口部ＷＩＮ２に対応する領域が開口しているスロットマスクを用いて蒸着してもよい。
【００６５】
次に、カソード２１５を形成する（ステップＳ７）。カソード２１５は、エリアマスクを用いて、画素アレイ１０２全体にわたり一様に形成される。
【００６６】
そして、この上基板製造工程ＳＡの最後に、絶縁層２１６を形成する（ステップＳ８）。
【００６７】
下基板製造工程ＳＢにおいても、上基板製造工程ＳＡと同様に、ＴＦＴ基板を製造し（ステップＳ１１）、絶縁層３１１を形成し（ステップＳ１２）、アノード３１２および反射膜３１２Ｒを形成し（ステップＳ１３）、絶縁層３１３を形成し（ステップＳ１４）、黄色発光層３１４を形成し（ステップＳ１５）、カソード３１５を形成し（ステップＳ１６）、絶縁層３１６を形成する（ステップＳ１７）。
【００６８】
次に、上基板製造工程ＳＡにより製造した上基板２と、下基板製造工程ＳＢにより製造した下基板３とを貼り合わせる（ステップＳ２１）。具体的には、例えば、まず、真空中において、上基板２および下基板３のうちの一方または両方に、画素アレイ１０２，１０３を囲うようにシールを形成し、貼り合わせ用の樹脂（貼合材９）を滴下する。その後、真空中で、上基板２と下基板３を重ね合わせる。その後、真空度を下げ大気圧に戻す。これにより、滴下した樹脂がシールした領域内で広がり、上基板２および下基板３が貼り合わされる。なお、その際、さらに機械的に圧力をかけてもよい。
【００６９】
（表示装置１の作用について）
表示装置１では、上基板２に青色発光層２１４を一様に形成し、下基板３に黄色発光層３１４を一様に形成するとともに、赤色、緑色、青色、および白色のカラーフィルタ２０６を形成している。これにより、比較例１と対比して後述するように、表示装置１の解像度を高めることができる。
【００７０】
また、表示装置１では、青色の発光素子３０を、上基板２のサブ画素１１Ｂ，１１Ｗに対応する領域に形成し、黄色の発光素子３０を、下基板３のサブ画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｗに対応する領域に形成している。これにより、比較例２と対比して後述するように、例えば、白色の光を発生し、その白色光からカラーフィルタにより４色を生成する場合に比べて、消費電力を低減することができる。
【００７１】
また、表示装置１は、上基板２に青色発光層２１４を設けるとともに、下基板３に黄色発光層３１４を設けるようにしたので、開口率を高くすることができる。すなわち、表示面に近い上基板２では、図６Ａに示したように、画素回路１２のトランジスタ等の素子を、上基板２における開口部ＷＩＮ２の領域以外であり、かつ下基板３における開口部ＷＩＮ３の領域以外の領域（上基板回路領域ＲＣ２）に形成する必要がある。よって、仮に上基板２に黄色発光層を設けた場合には、この上基板２には画素回路１２を３つ（画素回路１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｗ２）形成する必要があるため、上基板回路領域ＲＣ２が広くなってしまい、開口部が狭くなり、開口率が低下するおそれがある。一方、表示装置１では、上基板２に青色発光層２１４を設けるようにしたので、上基板２に形成する画素回路１２を２つ（画素回路１２Ｂ，１２Ｗ１）にすることができ、開口率を高くすることができる。
【００７２】
また、表示装置１では、図２に示したように、上基板２の走査線ＷＳＬと下基板３の走査線ＷＳＬとを互いに接続し、上基板２の額縁領域に形成した走査線駆動部２３がこれらをまとめて駆動するとともに、上基板２の電源線ＰＬと下基板３の電源線ＰＬとを互いに接続し、下基板３の額縁領域に形成した電源線駆動部２６がこれらをまとめて駆動している。これにより、額縁領域の狭い表示装置を実現することができる。すなわち、例えば、走査線ＷＳＬおよび電源線ＰＬを上基板２と下基板３とで別々に駆動する場合には、上基板２と下基板３のそれぞれにおいて、走査線駆動部２３と電源線駆動部２６を形成する必要があるため、額縁領域が広くなってしまうおそれがある。一方、表示装置１では、上基板２と下基板３とで走査線駆動部２３および電源線駆動部２６を共用するとともに、上基板２は走査線駆動部２３を形成し、下基板３には電源線駆動部２６を形成したので、額縁領域を狭くすることができる。
【００７３】
また、表示装置１では、上基板２の信号線ＤＴＬと、下基板３の信号線ＤＴＬとを互いに接続せず、データ線駆動部２７がこれらを別々に駆動できるようにしたので、ホワイトバランスを調整しやすくすることができる。すなわち、例えば、走査線ＷＳＬなどと同様に、上基板２の信号線ＤＴＬと下基板３の信号線ＤＴＬとを接続した場合には、あるサブ画素１１Ｗにおける画素回路１２Ｗ１と画素回路１２Ｗ２には同じ画素電圧Ｖsigが印加される。よって、画素回路１２Ｗ１の発光素子３０が発した青色の光と、画素回路１２Ｗ２の発光素子３０が発した黄色の光との合成光が所望の白色からずれてしまうことも考えられる。この場合には、例えば、サブ画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂにおける発光輝度を調整することによりホワイトバランスを調整することとなり、システムが複雑になるおそれがある。一方、表示装置１では、上基板２の信号線ＤＴＬと、下基板３の信号線ＤＴＬは互いに接続せず、データ線駆動部２７がこれらを別々に駆動できるようにしたので、あるサブ画素１１Ｗにおける画素回路１２Ｗ１と画素回路１２Ｗ２に異なる画素電圧Ｖsigを印加することによりホワイトバランスを調整することができる。この場合には、サブ画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂにおける発光輝度を調整する必要がないため、システムをよりシンプルにすることができる。なお、例えば、色度に対する要求が低く、ホワイトバランスの調整をする必要性が低いアプリケーションなどでは、走査線ＷＳＬなどと同様に、上基板２の信号線ＤＴＬと下基板３の信号線ＤＴＬとを接続してもよい。
【００７４】
次に、比較例１，２と対比して、本実施の形態の作用を説明する。
【００７５】
（比較例１）
比較例１に係る表示装置１Ｒは、１枚の透明基板上に形成されたボトムエミッション型の発光素子を有する表示部１０Ｒを備えた表示装置である。この表示部１０Ｒは、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）、および白色（Ｗ）のサブ画素ＳＰixRのそれぞれにおいて、対応する色の光を発光する発光層ＥＲが設けられたものである。
【００７６】
図１０は、比較例１に係る画素ＰixRを模式的に表すものである。赤色（Ｒ）のサブ画素ＳＰixRでは、赤色（Ｒ）の発光層ＥＲの開口部ＷＩＮＲから赤色の光が射出し、緑色（Ｇ）のサブ画素ＳＰixRでは、緑色（Ｇ）の発光層ＥＲの開口部ＷＩＮＲから緑色の光が射出し、青色（Ｂ）のサブ画素ＳＰixRでは、青色（Ｂ）の発光層ＥＲの開口部ＷＩＮＲから青色の光が射出し、白色（Ｗ）のサブ画素ＳＰixRでは、白色（Ｗ）の発光層ＥＲの開口部ＷＩＮＲから青色の光が射出する。また、４つのサブ画素ＳＰixRに対応する４つの画素回路におけるトランジスタなどの素子は、本実施の形態に係る上基板２と同様に、開口部ＷＩＮＲ以外の領域（回路領域ＲＣＲ）に形成されている。
【００７７】
この比較例１に係る表示装置１Ｒでは、４色のサブ画素ＳＰixRのそれぞれに、互いに異なる色の光を発光する発光層ＥＲを設けているため、これにより、解像度が低くなるおそれがある。すなわち、これらの発光層ＥＲは、例えば、製造工程において、各色の発光層ＥＲに対応する領域が開口している４枚のマスク（スロットマスク）を用いて、蒸着により形成される。その際、各色の発光層ＥＲは、適切に分離して形成されるよう、面内において“所定の間隔”だけ離間して形成される。よって、このデザインルールにより、単位長さあたり（例えば１インチあたり）に形成することができるサブ画素ＳＰixRの数の上限が制約され、解像度を高くできないおそれがある。
【００７８】
また、１つの画素ＰixRにおける４つの画素回路のトランジスタなどの素子を、回路領域ＲＣＲに形成する際、これらの素子を配置する面積を確保するため、サブ画素ＳＰixRを大きくせざるを得ず、これにより、解像度を高くできないおそれもある。
【００７９】
一方、本実施の形態に係る表示装置１では、上基板２に青色発光層２１４を一様に形成し、下基板３に黄色発光層３１４を一様に形成するとともに、赤色、緑色、青色、および白色のカラーフィルタ２０６を形成するようにしている。この青色発光層２１４や黄色発光層３１４は、製造工程において、上述したように、いわゆるエリアマスクを用いて一様に蒸着される。これにより、表示装置１では、比較例１の場合と異なり、発光層に関するデザインルールの制約がない。また、カラーフィルタは、一般に高い解像度でパターニングすることができるものである。よって、表示装置１では、解像度を高めることができる。
【００８０】
また、表示装置１では、画素Ｐixに係る５つの画素回路１２を、上基板２と下基板３に分けて形成している。具体的には、図２に示したように、上基板２に２つの画素回路１２Ｂ，１２Ｗ１を形成し、下基板３に３つの画素回路１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｗ２を形成している。これにより、トランジスタなどの素子の配置面積が制限される上基板２に形成する素子の数を減らすことができるため、解像度を高め、あるいはいわゆる開口率を高めることができる。
【００８１】
（比較例２）
比較例２に係る表示装置１Ｓは、合成光として白色の光を生成する複数の発光層を設け、カラーフィルタによりその白色光から４色を生成する表示部１０Ｓを備えた表示装置である。
【００８２】
図１１は、比較例２に係る表示部１０Ｓにおける画素ＰixSの構成を模式的に表すものである。表示部１０Ｓは、アノード４０１と、黄色発光層４０２と、電荷発生層（Charge Generation Layer）４０３と、青色発光層４０４と、カソード４０５と、カラーフィルタ４０６とを有している。電荷発生層４０３は、黄色発光層４０２と、青色発光層４０４との界面を改善し、正孔の注入効率を高めると共に、黄色発光層４０２で生じる励起子を閉じ込め、発光効率を高めるためのものである。この構成は、黄色発光層４０２および青色発光層４０４をそれぞれ一様に形成するとともに、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）、および白色（Ｗ）のカラーフィルタ４０６を形成しているため、解像度を高くすることができるものである。
【００８３】
各サブ画素ＳＰixSにおいて、アノード４０１、黄色発光層４０２、電荷発生層４０３、青色発光層４０４、カソード４０５がこの順に積層されている。この構成により、各サブ画素ＳＰixSでは、青色の光および黄色の光を発光する２つの発光素子３０Ｓが直列に接続されたような構成になる。そして、各サブ画素ＳＰixSは、２つの発光素子３０Ｓにより白色（Ｗ）の光を発生し、その白色光からカラーフィルタ４０６により、各サブ画素ＳＰixSに対応する色を生成する。
【００８４】
図１２は、画素ＰixSにおける消費電力を表すものである。この例では、説明の便宜上、画素ＰixS内の全ての発光素子３０Ｓの両端間に同じ電位差（Ｖold）が印加され、これにより、各発光素子３０Ｓに同じ電流Ｉoledが流れるとする。このとき、画素ＰixSで消費される電力Ｐowerは、以下の式で表される。
Ｐower＝８×Ｖoled×Ｉoled  ・・・（１）
【００８５】
このように、本比較例に係る表示装置１Ｓでは、黄色発光層４０２および青色発光層４０４を、電荷発生層４０３を介して積層しているため、駆動電圧が（２×Ｖold）になり、高くなってしまう。また、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のサブ画素ＳＰixSにおいて、黄色発光層４０２および青色発光層４０４が、合成色として白色光を発光し、カラーフィルタ４０６が所望の色の光以外を遮断している。つまり、黄色発光層４０２および青色発光層４０４は、所望の色の光に加えて不必要な色の光をも発光しているため、電力的に無駄が生じてしまう。よって、この表示装置１Ｓでは、消費電力が大きくなるおそれがある。
【００８６】
次に、本実施の形態に係る表示装置１における各画素Ｐixにおける消費電力について説明する。
【００８７】
図１３は、画素Ｐixの構成を模式的に表すものである。表示装置１は、青色（Ｂ）の発光素子３０を、上基板２のサブ画素１１Ｂ，１１Ｗに対応する領域に形成し、黄色（Ｙ）の発光素子３０を、下基板３のサブ画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｗに対応する領域に形成している。これにより、各発光素子３０は互いに独立して駆動される。
【００８８】
図１４は、画素Ｐixにおける消費電力を表すものである。この例でも、比較例２の場合と同様に、画素Ｐix内の全ての発光素子３０の両端間に同じ電位差Ｖoldが印加され、これにより、各発光素子３０に同じ電流Ｉoledが流れるとする。このとき、画素Ｐixで消費される電力Ｐowerは、以下の式で表される。
Ｐower＝５×Ｖoled×Ｉoled  ・・・（２）
【００８９】
すなわち、本実施の形態に係る表示装置１では、比較例２に係る表示装置１Ｓ（式（１））と比べて、この概算方法において消費電力を５／８に低減することができる。
【００９０】
このように、本実施の形態に係る表示装置１では、青色発光層２１４を上基板２に単層の発光層として形成するとともに、黄色発光層３１４を下基板３に単層の発光層として形成している。これにより、それらの発光を独立して制御することができるため、上記比較例２の場合（図１２等）とは異なり、駆動電圧が高くなることはない。また、表示装置１では、例えば、赤色（Ｒ）のサブ画素１１Ｒおよび緑色（Ｇ）のサブ画素１１Ｇにおいては、黄色発光層３１４が黄色の光を発光し、青色（Ｂ）のサブ画素１１Ｂにおいて、青色発光層２１４が青色の光を発光している。これにより、比較例２の場合（図１２等）に比べ、不必要な発光をより抑えることができ、消費電力を低減することができる。
【００９１】
［効果］
以上のように本実施の形態では、青色発光層および黄色発光層３１４を、画素アレイにおいて一様に形成したので、解像度を高めることができる。
【００９２】
また、本実施の形態では、青色発光層を上基板に単層の発光層として形成するとともに、黄色発光層を下基板に単層の発光層として形成したので、消費電力を低減することができる。
【００９３】
また、本実施の形態では、上基板の走査線と下基板の走査線とを接続し、上基板の額縁領域に形成した走査線駆動部がこれらをまとめて駆動するとともに、上基板の電源線と下基板の電源線とを接続し、上基板の額縁領域に形成した電源線駆動部がこれらをまとめて駆動するようにしたので、額縁領域を狭くすることができる。
【００９４】
また、本実施の形態では、上基板の信号線と下基板の信号線とを互いに接続せず、データ線駆動部がこれらを別々に駆動できるようにしたので、ホワイトバランスを調整しやすくすることができる。
【００９５】
［変形例１−１］
上記実施の形態では、上基板２に絶縁層２１６を設けるとともに、下基板３に絶縁層３１６を設けたが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、図１５に示した表示部１０Ａのように、これらを設けずに上基板２Ａおよび下基板３Ａを構成してもよい。すなわち、例えば、絶縁層２１６，３１６は、上基板２および下基板３が空気にふれて青色発光層２１４や黄色発光層３１４の発光特性等が劣化するおそれを抑えるための保護層として機能するものである。よって、例えば、図９に示した製造工程において、上基板製造工程ＳＡにより製造した上基板２と、下基板製造工程ＳＢにおいて製造した下基板３とを、真空中のままでハンドリングし、ステップＳ２１において、そのまま上基板２と下基板３とを貼合材９により貼り合わせる場合には、絶縁層２１６，３１６を形成しなくてもよい。
【００９６】
また、例えば、図１５に示した表示部１０Ｂのように、絶縁性の貼合材９の代わりに導電性の貼合材９Ｂを用いてもよい。これにより、カソード２１５，３１５のインピーダンスを下げることができ、カソード２１５，３１５のインピーダンスが高いことに起因する誤動作が生じるおそれを低減することができる。
【００９７】
［変形例１−２］
上記実施の形態におけるカラーフィルタ２０６は、図４の構成に限定されるものではない。以下に、いくつかの変形例について説明する。
【００９８】
上記実施の形態では、サブ画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ，１１Ｗのそれぞれに、対応する色のカラーフィルタ２０６を設けたが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、図１６に示した表示部１０Ｃのように、サブ画素１１Ｂ，１１Ｗのカラーフィルタ２０６を省いてもよい。すなわち、サブ画素１１Ｂでは、青色発光層２１４が青色の光を発し、サブ画素１１Ｗでは、青色発光層２１４および黄色発光層３１４が合成光として白色光を発するため、例えば、それほど画質（色域）に対する要求が高くないアプリケーションなどにおいては、これらのサブ画素１１Ｂ，１１Ｗにおけるカラーフィルタ２０６を省くことができる。
【００９９】
また、上記実施の形態では、上基板２にのみカラーフィルタ２０６を形成したが、これに限定されるものではない。例えば、図１７，１８に示したように、上基板２Ｄから赤色（Ｒ）および緑色（Ｇ）のカラーフィルタを省くとともに、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、および黄色（Ｙ）のカラーフィルタを下基板３Ｄに設けてもよい。図１７の例（表示部１０Ｄ）では、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、および黄色（Ｙ）のカラーフィルタ３１７を、下基板３Ｄの絶縁層３１６の上に形成している。また、図１８の例（表示部１０Ｅ）では、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、および黄色（Ｙ）のカラーフィルタ３１８を、下基板３Ｅのカソード電極３１５の上に形成している。
【０１００】
また、図１７，１８のように、下基板にカラーフィルタを形成した場合には、上基板２Ｄにおける青色（Ｂ）と白色（Ｗ）のカラーフィルタ２０６を省いてもよい。図１７の構成にこの変形例を適用した表示部１０Ｆを図１９に示す。なお、この例では、下基板３Ｄにおける黄色（Ｙ）のカラーフィルタ３１７も省いている。これにより、上基板２Ｆの製造工程においてカラーフィルタの形成工程を省くことができ、製造工程をよりシンプルにすることができる。
【０１０１】
また、図２０に示した表示部１０Ｇのように、上基板２や下基板３とは別層としてカラーフィルタを設けてもよい。この例では、カラーフィルタ２５１が表面に形成された透明基板２５０を、貼合材２５２により上基板２Ｆの表示面側に貼り合わせている。透明基板２５０は、例えば、ガラスやプラスチックなどにより構成されている。貼合材２５２は、透明の樹脂で構成されている。
【０１０２】
［変形例１−３］
上記実施の形態では、赤色、緑色、青色、および白色の４つのサブ画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ，１１Ｗを用いて画素Ｐixを構成したが、これに限定されるものではない。これに代えて、例えば、図２１に示した表示部１０Ｈのように、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）、黄色（Ｙ）の４つのサブ画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ，１１Ｙを用いて画素Ｐixを構成してもよいし、図２２に示した表示部１０Ｉのように、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３つのサブ画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂを用いて画素Ｐixを構成してもよい。この場合でも、上記実施の形態の場合と同様の効果を得ることができる。
【０１０３】
［変形例１−４］
上記実施の形態では、上基板２に青色発光層２１４を設けるとともに、下基板３に黄色発光層３１４を設けたが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、図２３に示した表示部１０Ｊのように、上基板２Ｊに黄色発光層２１４Ｊを設けるとともに、下基板３Ｊに青色発光層３１４Ｊを設けてもよい。なお、この表示部１０Ｊは、表示部１０Ｇ（図２０）に対して本変形例を適用したものであるが、これに限定されるものではなく、他の表示部に適用してもよい。
【０１０４】
［変形例１−５］
上記実施の形態では、上基板２に青色の光を発する青色発光層２１４を設けるとともに、下基板３にその青色の補色である黄色の光を発する黄色発光層３１４を設けたが、これに限定されるものではない。例えば、上基板２に赤色の光を発する赤色発光層を設けるとともに、下基板３にその赤色の補色であるシアンの光を発光するシアン発光層を設けてもよいし、例えば、上基板２に緑色の光を発する緑色発光層を設けるとともに、下基板３にその緑色の補色であるマゼンタの光を発光するマゼンタ発光層を設けてもよい。
【０１０５】
［変形例１−６］
上記実施の形態では、上基板２にボトムエミッション型の発光素子を形成するとともに、下基板３にトップエミッション型の発光素子を形成したが、これに限定されるものではなく、任意の組み合わせが可能である。例えば、図２４に示した表示部１０Ｋのように、上基板２Ｋにトップエミッション型の発光素子を形成するとともに、下基板３Ｋにボトムエミッション型の発光素子を形成してもよい。また、上基板および下基板の両方にトップエミッション型の発光素子を形成してもよいし、上基板および下基板の両方にボトムエミッション型の発光素子を形成してもよい。
【０１０６】
＜２．第２の実施の形態＞
次に、第２の実施の形態に係る表示装置５について説明する。本実施の形態は、下基板の開口部を上基板の開口部よりも小さく形成したものである。なお、上記第１の実施の形態に係る表示装置１と実質的に同一の構成部分には同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
【０１０７】
図１に示したように、本実施の形態の表示装置５は、表示部５０を備えている。その他の構成は、表示装置１などと同様である。
【０１０８】
図２５は、表示部５０の断面図を表すものである。表示部５０は、上基板２Ｆと、下基板４と、カラーフィルタ４５１と、ブラックマトリクス４５２とを備えている。下基板４は、黄色発光層３１４の開口部ＷＩＮ４が、上基板２Ｆにおける青色発光層２１４の開口部ＷＩＮ２よりも小さく形成されたものである。すなわち、第１の実施の形態に係る表示部１０では、下基板３における開口部ＷＩＮ３の大きさを上基板２における開口部ＷＩＮ２の大きさとほぼ同じにしたが、本実施の形態に係る表示部５０では、下基板４における開口部ＷＩＮ４を上基板２Ｆにおける開口部ＷＩＮ２に比べて小さくしている。なお、この例では、このような開口部ＷＩＮ２，ＷＩＮ４の大きさの違いを考慮して、データ線駆動部２７などがホワイトバランスの調整を行うようになっている。
【０１０９】
ブラックマトリクス４５２は、カラーフィルタ４５１と同じ層において、隣り合うサブ画素１１との間に形成されている。なお、この例では、説明の便宜上、サブ画素１１Ｂ，１１Ｗのカラーフィルタを省き、サブ画素１１Ｒ，１１Ｇにのみカラーフィルタ４５１を形成している。
【０１１０】
このように、表示部５０では、下基板４における開口部ＷＩＮ４を上基板２Ｆにおける開口部ＷＩＮ２に比べて小さくすることにより、以下に示すように、観察者の観察角度により色度が変化するおそれを低減することができ、いわゆる色度視野角を改善することができる。
【０１１１】
図２６Ａは、観察者が表示部５０の正面から観察した場合における、観察者による光の見え方を表すものであり、図２６Ｂは、表示部５０の正面から観察角度θだけずれた方向から観察した場合における、観察者による光の見え方を表すものである。観察者は、白色（Ｗ）のサブ画素１１Ｗにおいて、正面から観察した場合（図２６Ａ）と、観察角度θから観察した場合（図２６Ｂ）のいずれにおいても、開口部ＷＩＮ２に係る青色発光層２１４の全領域と、開口部ＷＩＮ４に係る黄色発光層３１４の全領域を見ることができ、白色を観察することができる。
【０１１２】
次に、比較例を挙げて、本実施の形態の作用を説明する。比較例３に係る表示部５０Ｒは、下基板における開口部ＷＩＮ３の大きさを上基板における開口部ＷＩＮ２の大きさと同じにしたものである。
【０１１３】
図２７Ａは、観察者が表示部５０Ｒの正面から観察した場合における、観察者による光の見え方を表すものであり、図２７Ｂは、表示部５０Ｒの正面から観察角度θだけずれた方向から観察した場合における、観察者による光の見え方を表すものである。図２７Ａに示したように、観察者が正面から観察した場合には、白色（Ｗ）のサブ画素１１Ｗにおいて、開口部ＷＩＮ２に係る青色発光層２１４の全領域と、開口部ＷＩＮ３に係る黄色発光層３１４の全領域を見ることができ、白色を観察することができる。一方、図２７Ｂに示したように、観察者が観察角度θから観察した場合には、開口部ＷＩＮ２に係る青色発光層２１４については全領域をみることができるが、開口部ＷＩＮ３に係る黄色発光層３１４については、その一部の領域がブラックマトリクス４５２により遮断されるため、全領域を見ることができない。よって、この場合には、観察角度θから観察した場合には、正面から観察した場合に比べて、やや青みがかった白色を観察することになる。
【０１１４】
このように、比較例に係る表示部５０Ｒでは、観察角度により色度が変化するおそれがある。言い換えれば、色度が変化しないような観察角度の範囲が狭まり、色度視野角が悪化するおそれがある。
【０１１５】
一方、本実施の形態に係る表示部５０では、下基板４の開口部ＷＩＮ４を上基板２Ｆの開口部ＷＩＮ２に比べて小さくしているため、図２６Ａ，２６Ｂに示したように、観察角度により色度が変化するおそれを低減することができる。言い換えれば、表示部６０では、色度が変化しないような観察角度の範囲を広げることができ、色度視野角を改善することができる。
【０１１６】
なお、この例では、説明の便宜上、サブ画素１１Ｂ，１１Ｗのカラーフィルタを省き、サブ画素１１Ｒ，１１Ｇにのみカラーフィルタ４５１を形成した例で説明したが、サブ画素１１Ｂ，１１Ｗにもカラーフィルタを形成してもよい。この場合でも、同様に色度視野角を改善することができる。
【０１１７】
以上のように本実施の形態では、下基板の開口部を上基板の開口部よりも小さくしたので、色度視野角を広げることができる。その他の効果は、上記第１の実施の形態の場合と同様である。
【０１１８】
［変形例２−１］
本実施の形態の構成は、図２５に示した構成に限定されるものではなく、これに代えて、例えば、上記第１の実施の形態およびその変形例に係るいずれかの構成において、下基板の開口部を上基板の開口部よりも小さくしてもよい。
【０１１９】
＜３．第３の実施の形態＞
次に、第３の実施の形態に係る表示装置８について説明する。本実施の形態は、互いに隣接するサブ画素１１の間に遮光部を設けたものである。なお、上記第１の実施の形態に係る表示装置１と実質的に同一の構成部分には同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
【０１２０】
図１に示したように、本実施の形態の表示装置８は、表示部８０を備えている。その他の構成は、表示装置１などと同様である。
【０１２１】
図２８は、表示部８０の断面図を表すものである。表示部８０は、上基板６と下基板７と、カラーフィルタ４５１を備えている。上基板６は、上基板２Ｆにおいて、絶縁層２１６を省いたものである。すなわち、上基板６では、カソード２１５が露出している。下基板７は、遮光部３２１を有している。遮光部３２１は、絶縁層３１３の上に形成されている。遮光部３２１は、例えば、ポリイミド、アクリル樹脂、またはノボラック樹脂などをより構成される。この遮光部３２１は、後述するように、光の透過率が低くなるようにベークされている。絶縁層３１３および遮光部３２１の上に、黄色発光層３１４が一様に形成され、その上にカソード３１５が形成されている。すなわち、カソード３１５は、この遮光部３２１に対応する部分に突起部分３２２を有している。このカソード３１５は、上基板６と下基板７とが貼り合わされることにより、上基板６のカソード２１５と接触している。これにより、カソード２１５，３１５のインピーダンスを下げることができ、カソード２１５，３１５のインピーダンスが高いことに起因する誤動作が生じるおそれを低減することができる。
【０１２２】
図２９は、画素Ｐixにおける遮光部３２１の配置を表すものである。遮光部３２１は、水平方向（横方向）に隣り合うサブ画素１１の境界付近に形成されるともに、垂直方向（縦方向）に隣り合うサブ画素１１の境界付近に形成される。つまり、遮光部３２１が、発光領域（開口部ＷＩＮ２，ＷＩＮ３）を部分的に囲うように形成されており、各サブ画素１１の４隅付近には形成されない。これにより、上基板６と下基板７を貼り合わせる際、貼合材９が各サブ画素１１の領域を超えて流動できるようにしている。すなわち、例えば、遮光部３２１が、発光領域（開口部ＷＩＮ２，ＷＩＮ３）を全方向において囲うようにした場合には、上基板６と下基板７を貼り合わせる際、貼合材９が各サブ画素１１に停滞してしまい、一部に空隙が生じてしまうおそれがある。このような場合には、貼り合わせ強度が低下し、さらに、光がその空隙で散乱することにより画質が劣化するおそれがある。一方、表示部８０では、遮光部３２１が、発光領域（開口部）を部分的に囲うようにしたので、貼合材９が各サブ画素１１の領域を超えて流動し、貼合材９がサブ画素１１に停滞するおそれを低減することができるため、貼り合わせ強度の低下などを生じにくくすることができる。
【０１２３】
このように、表示部８０では、サブ画素１１間に遮光部３２１を設けることにより、隣接するサブ画素１１による光学混色が生ずるおそれを低減することができる。
【０１２４】
図３０は、観察者が表示部８０の正面から観察角度φだけずれた方向から観察した場合における、観察者による光の見え方を表すものである。観察者は、このような観察角度φから観察した場合でも、隣り合うサブ画素１１による光学混色を観察するおそれを低減することができる。すなわち、仮に遮光部３２１がない場合には、観察者は、例えば、サブ画素１１Ｗにおける青色発光層２１４および黄色発光層３１４が合成光として発する白色の光の代わりに、隣接するサブ画素１１Ｒにおける黄色発光層３１４が発する黄色の光を観察してしまい、光学的に混色が生じてしまう。一方、表示部８０では、遮光部３２１が、隣接するサブ画素１１Ｒにおける黄色発光層３１４が発する黄色の光を遮断するため、このような混色が生ずるおそれを低減することができる。
【０１２５】
このように、遮光部３２１は、隣接するサブ画素１１からの光を遮光するものであるため、光の透過率が低いことが望ましい。よって、遮光部３２１の材料としては、アクリル樹脂よりもポリイミドが望ましく、また、ポリイミドよりもノボラック樹脂が望ましい。ノボラック樹脂を用いた場合には、ベーク条件は、例えば、酸素雰囲気中で、２００℃以上、２０分以上が望ましい。このようなベーク条件により、光の透過性を下げることができる。
【０１２６】
以上のように本実施の形態では、遮光部を設けるようにしたので、光学混色が生じるおそれを低減することができる。
【０１２７】
また、本実施の形態では、この遮光部の上端において、上基板のカソードと下基板のカソードとが互いに接触するようにしたので、カソードのインピーダンスを下げることができる。
【０１２８】
また、本実施の形態では、遮光部３２１が、発光領域（開口部）を部分的に囲うようにしたので、貼合材が各サブ画素の領域を超えて流動するため、貼り合わせ強度の低下などを生じにくくすることができる。
【０１２９】
その他の効果は、上記第１の実施の形態の場合と同様である。
【０１３０】
［変形例３−１］
上記実施の形態では、遮光部３２１を、水平方向（横方向）に隣り合うサブ画素１１の境界付近に設けるともに、垂直方向（縦方向）に隣り合うサブ画素１１の境界付近に設けたが、これに限定されるものではなく、発光領域（開口部）を部分的に囲うような構成であればどのようなものであってもよい。例えば、図３１Ａに示したように、水平方向（横方向）に隣り合うサブ画素１１の境界付近にのみ、遮光部３２１Ａを設けてもよいし、図３１Ｂに示したように、垂直方向（縦方向）に隣り合うサブ画素１１の境界付近にのみ、遮光部３２１Ｂを設けてもよい。
【０１３１】
［変形例３−２］
上記実施の形態では、下基板７に遮光部３２１を形成したが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、上基板６に遮光部を形成してもよい。また、図３２に示した表示部８０Ｃのように、上基板６Ｃに遮光部２２１Ｃを形成するととともに、下基板７Ｃに遮光部３２１Ｃを形成してもよい。遮光部２２１Ｃは、遮光部３２１Ｃと同様の材料により構成することができる。
【０１３２】
また、図３３に示した表示部８０Ｄのように、下基板７Ｄの遮光部３２１Ｄの高さをより高くするとともに、上基板６Ｄにおける、その遮光部３２１Ｄに対応する位置にくぼみ部分２２１Ｄを形成し、突起部分３２２Ｄとくぼみ部分２２１Ｄとが嵌合するようにしてもよい。この場合には、遮光部３２１Ｄの上端をより表示面側に近づけることができるため、光学混色が生じるおそれをさらに低減することができる。
【０１３３】
［変形例３−３］
上記実施の形態では、遮光部３２１の上端において、上基板６のカソード２１５と下基板７のカソード３１５とが互いに接触するようにしたが、これに限定されるものではなく、これに代えて、互いに接触せず離間していてもよい。この場合でも、光学混色が生じるおそれを低減することができる。
【０１３４】
＜４．適用例＞
次に、上記実施の形態および変形例で説明した表示装置の適用例について説明する。
【０１３５】
図３４は、上記実施の形態等の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表すものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル９１１およびフィルターガラス９１２を含む映像表示画面部９１０を有しており、この映像表示画面部９１０は、上記実施の形態等に係る表示装置により構成されている。
【０１３６】
上記実施の形態等の表示装置は、このようなテレビジョン装置の他、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、携帯型ゲーム機、あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、上記実施の形態等の表示装置は、映像を表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【０１３７】
以上、いくつかの実施の形態および変形例、ならびに電子機器への適用例を挙げて本技術を説明したが、本技術はこれらの実施の形態等には限定されず、種々の変形が可能である。
【０１３８】
例えば、上記の各実施の形態等を互いに組み合わせてもよい。具体的には、上記の第１の実施の形態またはその変形例に係る構成と、上記第２の実施の形態に係る構成とを組み合わせてもよいし、さらに、上記第３の実施の形態に係る構成を組み合わせてもよい。
【０１３９】
また、例えば、上記の各実施の形態等では、２枚の基板（上基板および下基板）により表示部を構成したが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、３枚の基板（第１基板、第２基板、第３基板）により表示部を構成してもよい。この場合には、例えば、第１基板は赤色発光層を有し、第２基板は緑色発光層を有し、第３基板は青色発光層を有するように構成することができる。
【０１４０】
また、例えば、上記の各実施の形態等では、画素回路１２は、いわゆる「２Ｔｒ１Ｃ」の構成を有するものとしたが、これに限定されるものではない。これに代えて、例えば、図３において、発光素子３０と並列に容量素子を設けた、いわゆる「２Ｔｒ２Ｃ」の構成であってもよい。また、電源線ＰＬから電源トランジスタＤＲＴｒを介して発光素子３０に流れる駆動電流のオンオフを制御するために、この電流経路上に制御トランジスタを設けた、いわゆる「３Ｔｒ１Ｃ」の構成であってもよい。
【０１４１】
また、例えば、上記の各実施の形態等では、書込トランジスタＷＳＴｒおよび駆動トランジスタＤＲＴｒをＮＭＯＳで構成したが、これに限定されるものではなく、これに代えて、これらのトランジスタのうちの一方または双方をＰＭＯＳで構成してもよい。
【０１４２】
また、例えば、上記の各実施の形態等において、上基板に、画素回路１２以外の回路やセンサを設けてもよい。すなわち、例えば、図２に示したように、上基板２に形成する画素回路１２の数は、下基板３に形成する画素回路１２の数よりも少ないため、上基板２に空きスペースが生じる場合がある。このような空きスペースを利用して、例えば、光センサやその制御回路を形成してもよい。具体的には、有機ＥＬ素子から発する光の輝度の経時変化を計測するための光センサや、光学式のタッチパネル用の光センサ等を設けてもよい。
【０１４３】
また、例えば、上記の各実施の形態等では、表示装置は、有機ＥＬ表示素子を有するものとしたが、これに限定されるものではなく、電流駆動型の表示素子を有するものであれば、どのような表示装置であってもよい。
【０１４４】
なお、本技術は以下のような構成とすることができる。
【０１４５】
（１）複数の画素回路を有する表示機能層を積層方向に複数備え、
前記複数の表示機能層にまたがる所定数の画素回路からなる画素回路群が、単一の表示画素を構成する
表示装置。
【０１４６】
（２）前記表示装置は、
表示面側に配置された第１の表示機能層と、
前記表示面とは反対の側に配置された第２の表示機能層と
を備えた
前記（１）に記載の表示装置。
【０１４７】
（３）前記第１の表示機能層は、一の基本色光を発する第１の発光層を有し、
前記第２の表示機能層は、前記一の基本色光の補色光を発する第２の発光層を有する
前記（２）に記載の表示装置。
【０１４８】
（４）前記第１の表示機能層は、第１の発光層を有し、
前記第２の表示機能層は、一の基本色光を発する第２の発光層を有し、
前記第１の発光層は、前記一の基本色光の補色光を発する
前記（２）に記載の表示装置。
【０１４９】
（５）前記第１の表示機能層は、
第１のトランジスタ層と、
前記第１の発光層と前記第１のトランジスタ層との間に前記画素回路ごとに配置された第１のアノードと、
前記第１の発光層の、前記第１のトランジスタ層とは反対側に配置された第１のカソードと
をさらに有し、
前記第２の表示機能層は、
第２のトランジスタ層と、
前記第２の発光層と前記第２のトランジスタ層との間に前記画素回路ごとに配置された第２のアノードと、
前記第２の発光層の、前記第２のトランジスタ層とは反対側に配置された第２のカソードと
をさらに有する
前記（３）または（４）に記載の表示装置。
【０１５０】
（６）前記第１のトランジスタ層は、前記第１の表示機能層において、前記第１の発光層の前記表示面側に配置され、
前記第２のトランジスタ層は、前記第２の表示機能層において、前記第２の発光層の前記表示面側とは反対の側に配置された
前記（５）に記載の表示装置。
【０１５１】
（７）前記第１のカソードと前記第２のカソードの間に、前記第１のカソードと前記第２のカソードを導通させる導電層を備えた
前記（６）に記載の表示装置。
【０１５２】
（８）前記第１のカソードと前記第２のカソードの間に配置された絶縁層を備えた
前記（６）に記載の表示装置。
【０１５３】
（９）前記第１のカソードおよび前記第２のカソードのうちの一方または双方は、一方から他方に向かって突出する突起部分を有する
前記（６）または（７）に記載の表示装置。
【０１５４】
（１０）前記第１のカソードおよび前記第２のカソードのうちの一方は、一方から他方に向かって突出する突起部分を有し、
前記第１のカソードおよび前記第２のカソードのうちの他方は、前記突起部分に嵌合するくぼみ部分を有する
前記（６）または（７）に記載の表示装置。
【０１５５】
（１１）前記突起部分により前記第１のカソードおよび前記第２のカソードは互いに接触している
前記（９）または（１０）に記載の表示装置。
【０１５６】
（１２）前記突起部分は、前記第１のアノードのそれぞれに対応する第１の発光領域、または前記第２のアノードのそれぞれに対応する第２の発光領域を部分的に囲うように形成されている
前記（９）から（１１）のいずれかに記載の表示装置。
【０１５７】
（１３）前記第２のアノードのそれぞれに対応する第２の発光領域は、前記第１のアノードのそれぞれに対応する第１の発光領域よりも小さい
前記（５）から（１２）のいずれかに記載の表示装置。
【０１５８】
（１４）前記第１の表示機能層は、前記画素回路群のうちの一部をなす１または複数の第１の画素回路を有し、
前記第２の表示機能層は、前記画素回路群のうちの残りの部分をなす複数の第２の画素回路を有し、
前記第１の表示機能層は、前記１または複数の第１の画素回路に接続された、第１の走査線および第１の電源線を有し、
前記第２の表示機能層は、前記複数の第２の画素回路に接続された、第２の走査線および第２の電源線を有し、
前記第１の走査線は前記第２の走査線と接続され、
前記第１の電源線は前記第２の電源線と接続されている
前記（２）から（１３）のいずれかに記載の表示装置。
【０１５９】
（１５）前記第１の表示機能層および前記第２の表示機能層の一方に形成され、前記第１の走査線および前記第２の走査線を駆動する走査線駆動部と、
前記第１の表示機能層および前記第２の表示機能層の他方に形成され、前記第１の電源線および前記第２の電源線を駆動する電源線駆動部と
をさらに備えた
前記（１４）に記載の表示装置。
【０１６０】
（１６）前記表示画素は、基本色光ごとのサブ画素を有し、
各サブ画素は、前記第１の表示機能層および前記第２の表示機能層のいずれか一方に発光領域を有する
前記（２）から（１５）のいずれかに記載の表示装置。
【０１６１】
（１７）前記第１の表示機能層および前記第２の表示機能層のうちの一方または双方は、カラーフィルタを有する
前記（２）から（１６）のいずれかに記載の表示装置。
【０１６２】
（１８）前記第１の表示機能層および前記第２の表示機能層とは別層として設けられたカラーフィルタ層をさらに備えた
前記（１）から（１６）のいずれかに記載の表示装置。
【０１６３】
（１９）第１の表示機能層に設けられた複数の画素回路のうちの１または複数の第１の画素回路と、前記第１の表示機能層の積層方向に配置された第２の表示機能層に設けられた複数の画素回路のうちの複数の第２の画素回路とを、一の表示画素として、複数の表示画素を含む画素ラインごとに走査駆動する
表示駆動方法。
【０１６４】
（２０）第１の走査線を介して、前記１または複数の第１の画素回路に走査信号を供給するとともに、前記第１の走査線と接続された第２の走査線を介して、前記複数の第２の画素回路に前記走査信号を供給し、
第１の電源線を介して、前記１または複数の第１の画素回路に電源信号を供給するとともに、前記第１の走査線と接続された第２の電源線を介して、前記複数の第２の画素回路に前記電源信号を供給する
前記（１９）に記載の表示駆動方法。
【０１６５】
（２１）複数の画素回路を有する表示機能層を複数製造し、
前記複数の表示機能層を、その複数の表示機能層にまたがる所定数の画素回路からなる画素回路群が単一の表示画素を構成するように重ね合わせる
表示装置の製造方法。
【０１６６】
（２２）表示装置と
前記表示装置に対して動作制御を行う制御部と
を備え、
前記表示装置は、
複数の画素回路を有する表示機能層を積層方向に複数有し、
前記複数の表示機能層にまたがる所定数の画素回路からなる画素回路群が、単一の表示画素を構成する
電子機器。
【符号の説明】
【０１６７】
１，５，８…表示装置、２，２Ａ，２Ｃ，２Ｄ，２Ｆ，２Ｈ，２Ｉ，２Ｊ，２Ｋ，６，６Ｃ，６Ｄ…上基板、３，３Ａ，３Ｄ，３Ｅ，３Ｆ，３Ｉ，３Ｊ，３Ｋ，４，７，７Ｃ，７Ｄ…下基板、９，９Ｂ…貼合材、１０，１０Ａ〜１０Ｋ，５０，８０，８０Ａ〜８０Ｄ…表示部、１１，１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ，１１Ｗ，１１Ｙ…サブ画素、１２，１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ，１２Ｗ１，１２Ｗ２…画素回路、２０…駆動部、２１…映像信号処理部、２２…タイミング生成部、２３…走査線駆動部、２６…電源線駆動部、２７…データ線駆動部、９８，９９…樹脂、１０２，１０３…画素アレイ、２００…透明基板、２０１…ゲート、２０２…絶縁層、２０３…ポリシリコン、２０４…絶縁層、２０５…コンタクト／配線、２０６…カラーフィルタ、２１１…絶縁層、２１２…アノード、２１３…絶縁層、２１４…青色発光層、２１４Ｊ…黄色発光層、２１５…カソード、２１６…絶縁層、２２１Ｃ…遮光部、２２１Ｄ…くぼみ部、２５０…透明基板、２５１…カラーフィルタ、２５２…貼合材、３００…基板、３０１…ゲート、３０２…絶縁層、３０３…ポリシリコン、３０４…絶縁層、３０５…コンタクト／配線、３１１…絶縁層、３１２…アノード、３１３…絶縁層、３１４…黄色発光層、３１４Ｊ…青色発光層、３１５…カソード、３１６…絶縁層、３１７，３１８…カラーフィルタ、３２１，３２１Ｃ，３２１Ｄ…遮光部、４５０…透明基板、４５１…カラーフィルタ、４５２…ブラックマトリクス、４５３…貼合材、
５００…透明基板、５０１…ゲート、５０２…絶縁層、５０３…ポリシリコン、５０４…絶縁層、５０５…コンタクト／配線、５１１…絶縁層、５１２…アノード、５１３…絶縁層、５１４…青色発光層、５１５…カソード、５１６…絶縁層、５１７…透明基板、６００…透明基板、６０１…ゲート、６０２…絶縁層、６０３…ポリシリコン、６０４…絶縁層、６０５…コンタクト／配線、６１１…絶縁層、６１２…アノード、６１３…絶縁層、６１４…黄色発光層、６１５…カソード、６１６…絶縁層、６１７…基板、ＣＢ…導電性粒子、ＣＰ…柱、ＤＳ…電源信号、ＤＳＴｒ…駆動トランジスタ、ＤＴＬ…データ線、ＰＡＤ…パッド、Ｐix…画素、ＰＬ…電源線、Ｐ１…初期化期間、Ｐ２…Ｖth補正期間、Ｐ３…書込・μ補正期間、Ｐ４…発光期間、ＲＣ２…上基板回路領域、Ｒ２…上基板発光領域、ＲＣ３…下基板回路領域、Ｒ３…下基板発光領域、Ｓdisp，Ｓdisp2…映像信号、ＳＡ…上基板製造工程、ＳＢ…下基板製造工程、Ｓig…信号、Ｓsync…同期信号、Ｖcath，Ｖccp，Ｖini，Ｖofs…電圧、ＷＩＮ２，ＷＩＮ３，ＷＩＮ４…開口部、ＷＳＬ…走査線、ＷＳ…走査信号、ＷＳＴｒ…書込トランジスタ。
【図１】
2014170091.tif 000003
【図２】
2014170091.tif 000004
【図３】
2014170091.tif 000005
【図４】
2014170091.tif 000006
【図５】
2014170091.tif 000007
【図６Ａ】
2014170091.tif 000008
【図６Ｂ】
2014170091.tif 000009
【図７Ａ】
2014170091.tif 000010
【図７Ｂ】
2014170091.tif 000011
【図８】
2014170091.tif 000012
【図９】
2014170091.tif 000013
【図１０】
2014170091.tif 000014
【図１１】
2014170091.tif 000015
【図１２】
2014170091.tif 000016
【図１３】
2014170091.tif 000017
【図１４】
2014170091.tif 000018
【図１５】
2014170091.tif 000019
【図１６】
2014170091.tif 000020
【図１７】
2014170091.tif 000021
【図１８】
2014170091.tif 000022
【図１９】
2014170091.tif 000023
【図２０】
2014170091.tif 000024
【図２１】
2014170091.tif 000025
【図２２】
2014170091.tif 000026
【図２３】
2014170091.tif 000027
【図２４】
2014170091.tif 000028
【図２５】
2014170091.tif 000029
【図２６Ａ】
2014170091.tif 000030
【図２６Ｂ】
2014170091.tif 000031
【図２７Ａ】
2014170091.tif 000032
【図２７Ｂ】
2014170091.tif 000033
【図２８】
2014170091.tif 000034
【図２９】
2014170091.tif 000035
【図３０】
2014170091.tif 000036
【図３１Ａ】
2014170091.tif 000037
【図３１Ｂ】
2014170091.tif 000038
【図３２】
2014170091.tif 000039
【図３３】
2014170091.tif 000040
【図３４】
2014170091.tif 000041