(57)【要約】【課題】エレクトロルミネセンス材料を用いた照明装置の薄型化を図ることを目的の一とする。又は、エレクトロルミネセンス材料を用いた照明装置の構造を簡略化し、低コスト化を図ることを目的の一とする。【解決手段】中央部に開口部を有する基板上に、第１の電極層、ＥＬ層及び第２の電極層の積層構造で構成される発光素子を設け、当該発光素子に電源を供給するための、第１の接続部と第２の接続部を基板上の中央部（基板に設けられた開口部の近傍）に設ける。【選択図】図１
2014032968.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央部に開口部を有する第１の基板と、
前記第１の基板上の第１の電極層と、
前記第１の電極層上のＥＬ層と、
前記ＥＬ層上の第２の電極層と、
前記第１の基板、前記第１の電極層、前記ＥＬ層及び前記第２の電極層を覆い、且つ前記第１の基板の中央部において、前記第１の基板の開口部を囲む開口部を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜上の第２の基板と、を有し、
前記第２の基板は、中央部に開口部を有し、
前記第２の基板は、前記第１の基板の外周部の側面を覆うことを特徴とする照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一形態は、エレクトロルミネセンスを発現する発光部材を含む照明装置に関する
。
【背景技術】
【０００２】
次世代の照明器具としてエレクトロルミネセンス（ＥＬ）材料を用いた照明装置が注目さ
れている。エレクトロルミネセンス材料を用いた光源は、白熱電球や蛍光灯よりも発光効
率が高くなると試算されているためである。また、エレクトロルミネセンス材料を蒸着法
や塗布法により基板上に成膜すれば、薄膜化された面光源を作製することができ大面積化
も可能である。そのため、エレクトロルミネセンス材料を用いた照明装置において、発光
部の面内発光強度を均一にするための構成などが開示されている（例えば、特許文献１）
。
【０００３】
また、エレクトロルミネセンスパネルの荷重負担を減らすために、有機エレクトロルミネ
センスパネルを環状に形成し中央部に開口部を形成した照明装置が開示されている（特許
文献２）。この照明装置は、有機エレクトロルミネセンスパネルの電極層からの端子を中
央の開口部の内側まで引き出し、中央部に取付けた支持部材に設けた駆動回路と、引き出
された端子とを接続した構造を有している。
【０００４】
このような構造の照明装置では、有機エレクトロルミネセンスパネルの薄膜電極の端子を
中央の開口部の内側まで引き出すには、金属板や導線などを薄膜電極に半田付け等して取
り付ける必要がある。しかし、金属板や導線を薄膜電極に取り付けても、薄膜電極は付着
力が弱く基板から剥離しやすいという問題がある。
【０００５】
また、薄膜電極と金属板や導線などの引き出し端子を別途設ける必要があるため、部品点
数が増えて構造が複雑になるという問題がある。その結果、エレクトロルミネセンス素子
が薄膜でありながら、照明装置の薄型化を実現できないという問題がある。また、構造が
複雑化するにつれて、コストが増加するという問題もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−３３２７７３号公報
【特許文献２】特開２００７−１７３４２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の一形態は、エレクトロルミネセンス材料を用いた照明装置の薄型化を図ることを
目的の一とする。又は、本発明の一形態は、エレクトロルミネセンス材料を用いた照明装
置の構造を簡略化し、低コスト化を図ることを目的の一とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様は、中央部に開口部を有する基板上に、第１の電極層、ＥＬ層及び第２の
電極層の積層構造で構成される発光素子を設け、当該発光素子に電源を供給するための、
第１の接続部と第２の接続部を基板上の中央部（基板に設けられた開口部の近傍）に設け
る。
【０００９】
本発明の一態様は、中央部に開口部を有する基板と、基板上に設けられた第１の電極層、
ＥＬ層及び第２の電極層の積層構造で構成される発光素子と、発光素子を覆って設けられ
且つ基板の中央部において開口部を有する絶縁膜と、絶縁膜の開口部に引き出された第１
の電極層により設けられた第１の接続部と、絶縁膜の開口部に引き出された第２の電極層
により設けられる第２の接続部とを有する照明装置を提供する。第１の接続部及び第２の
接続部は基板上に設けられている。なお、絶縁膜の開口部に電極層が引き出されるとは、
絶縁膜の開口部まで電極層の一部分が延伸して設けられることをいう。
【００１０】
本発明の一態様は、中央部に開口部を有する基板と、基板上に設けられた第１の電極層、
ＥＬ層及び第２の電極層の積層構造で構成される発光素子と、第２の電極層と同一の材料
で設けられ且つ第１の電極層と電気的に接続する導電層と、発光素子を覆って設けられ且
つ基板の中央部において開口部を有する絶縁膜と、基板上に設けられ且つ絶縁膜の開口部
に形成された第１の接続部及び第２の接続部とを有し、第１の接続部を絶縁膜の開口部に
形成された導電層により設け、第２の接続部を絶縁膜の開口部に引き出された第２の電極
層により設ける照明装置を提供する。
【００１１】
本発明の一態様は、中央部に開口部を有する基板と、基板上に設けられた第１の電極層及
び導電層と、第１の電極層上に設けられたＥＬ層と、ＥＬ層上に設けられ、且つ導電層と
電気的に接続する第２の電極層と、基板、第１の電極層、ＥＬ層及び第２の電極層を覆っ
て設けられ、且つ基板の中央部において開口部を有する絶縁膜と、基板上に設けられ、且
つ絶縁膜の開口部に形成された第１の接続部及び第２の接続部とを有し、第１の接続部を
絶縁膜の開口部に引き出された第１の電極層により設け、第２の接続部を絶縁膜の開口部
に設けられた導電層により設ける照明装置を提供する。また、第１の電極層と導電層を同
一の材料で設けることができる。
【００１２】
なお、本明細書において、酸化窒化物とは、その組成として、窒素原子よりも酸素原子の
数が多い物質のことを指し、窒化酸化物とは、その組成として、酸素原子より窒素原子の
数が多い物質のことを指す。例えば、酸化窒化珪素膜とは、その組成として、窒素原子よ
りも酸素原子の数が多く、ラザフォード後方散乱法（ＲＢＳ：Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ  Ｂ
ａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）及び水素前方散乱法（ＨＦＳ
：Ｈｙｄｒｏｇｅｎ  Ｆｏｒｗａｒｄ  Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）を用いて測定した場合に
、濃度範囲として酸素が５０〜７０原子％、窒素が０．５〜１５原子％、シリコンが２５
〜３５原子％、水素が０．１〜１０原子％の範囲で含まれるものをいう。また、窒化酸化
珪素膜とは、その組成として、酸素原子より窒素原子の数が多く、ＲＢＳ及びＨＦＳを用
いて測定した場合に、濃度範囲として酸素が５〜３０原子％、窒素が２０〜５５原子％、
シリコンが２５〜３５原子％、水素が１０〜３０原子％の範囲で含まれるものをいう。但
し、酸化窒化シリコンまたは窒化酸化珪素を構成する原子の合計を１００原子％としたと
き、窒素、酸素、シリコン及び水素の含有比率が上記の範囲内に含まれるものとする。
【００１３】
本明細書において、Ａの上にＢが形成されている、あるいは、Ａ上にＢが形成されている
、と明示的に記載する場合は、Ａの上にＢが直接接して形成されていることに限定されな
い。直接接してはいない場合、つまり、ＡとＢと間に別の対象物が介在する場合も含むも
のとする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の一態様によれば、開口部が設けられた基板上に第１の電極層、ＥＬ層及び第２の
電極層の積層構造で構成される発光素子を有する構造において、第１の電極層と電気的に
接続する第１の接続部と第２の電極層と電気的に接続する第２の接続部とを、基板上の中
央部（開口部の近傍領域）に設けるため、照明装置を薄膜化することができる。本発明の
一態様によれば、基板上に設けられる第１の接続部と第２の接続部を、第１の電極層又は
第２の電極層と同じ材料で設けることにより構造を簡略化し、低コスト化を図ることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施の形態１に係る照明装置の一例を説明する図。
【図２】実施の形態１に係る照明装置の一例を説明する図。
【図３】実施の形態１に係る照明装置の一例を説明する図。
【図４】実施の形態１に係る照明装置の一例を説明する図。
【図５】実施の形態２に係る照明装置の一例を説明する図。
【図６】実施の形態２に係る照明装置の一例を説明する図。
【図７】実施の形態３に係る照明装置の一例を説明する図。
【図８】実施の形態３に係る照明装置の一例を説明する図。
【図９】実施の形態３に係る照明装置の一例を説明する図。
【図１０】実施の形態５に係る照明装置の一例を説明する図。
【図１１】実施の形態５に係る照明装置の一例を説明する図。
【図１２】実施の形態５に係る照明装置の一例を説明する図。
【図１３】実施の形態５に係る照明装置の一例を説明する図。
【図１４】照明装置における発光素子の一例を説明する図。
【図１５】実施の形態６に係る照明装置の一例を説明する図。
【図１６】実施の形態６に係る照明装置の一例を説明する図。
【図１７】実施の形態６に係る照明装置の一例を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は
以下に示す実施の形態の記載内容に限定されず、発明の趣旨から逸脱することなくその形
態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者にとって自明である。したがって、本発明は
以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、異なる実施
の形態に係る構成は、適宜組み合わせて実施することができる。また、以下に説明する発
明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を用い、その繰
り返しの説明は省略する。
【００１７】
（実施の形態１）
本実施の形態では、エレクトロルミネセンス（ＥＬ）材料を有する照明装置の一例につい
て、図面を参照して説明する。
【００１８】
本実施の形態で示す照明装置は、中央部に開口部を有する基板上に、第１の電極層と、Ｅ
Ｌ層と、第２の電極層とが積層して設けられ、基板の中央部に第１の接続部及び第２の接
続部を有するものである。
【００１９】
以下、具体的な構成に関して図１、図２を参照して説明する。なお、図１は、照明装置の
平面の模式図を示し、図２（Ａ）は図１におけるＡ−Ｂ間の断面の模式図を示し、図２（
Ｂ）は図１におけるＣ−Ｄ間の断面の模式図を示している。
【００２０】
図１、図２に示す照明装置１３０は、中央部に開口部１０９を有し且つ丸型（ディスク形
状または円盤形状）の基板１０１と、基板１０１上に絶縁膜１０２を介して設けられた発
光素子１３２と、発光素子１３２を覆うように設けられた絶縁膜１１０と、基板１０１上
に設けられた第１の接続部１１２及び第２の接続部１１４とを有している。
【００２１】
発光素子１３２は、第１の電極層１０４、ＥＬ層１０６及び第２の電極層１０８の積層構
造で形成されており、ここでは、基板１０１上に絶縁膜１０２を介して第１の電極層１０
４が形成され、第１の電極層１０４上にＥＬ層１０６が形成され、ＥＬ層１０６上に第２
の電極層１０８が形成される場合を示している。
【００２２】
絶縁膜１１０は、基板１０１の中央部において開口部１１５を有しており、当該開口部１
１５に第１の接続部１１２及び第２の接続部１１４が設けられている。なお、絶縁膜１１
０の開口部１１５は、基板１０１に形成された開口部１０９よりその面積（基板１０１の
表面と平行な面における開口部分の面積）が大きくなるように形成する。
【００２３】
第１の接続部１１２は、開口部１１５まで引き出された（延伸した）第１の電極層１０４
により設けられ、第２の接続部１１４は開口部１１５まで引き出された第２の電極層１０
８により設けられている。つまり、第１の電極層１０４の一部が絶縁膜１１０の開口部１
１５まで引き出されて（延伸して）第１の接続部１１２が形成され、第２の電極層１０８
の一部が絶縁膜１１０の開口部１１５まで引き出されて第２の接続部１１４が形成されて
いる。
【００２４】
このように、基板１０１上に形成された第１の電極層１０４及び第２の電極層１０８を引
き出して、基板１０１上に第１の接続部１１２及び第２の接続部１１４を形成することに
より、照明装置を薄膜化することができる。
【００２５】
また、基板１０１上に形成された第１の電極層１０４及び第２の電極層１０８を第１の接
続部１１２及び第２の接続部１１４として用いることにより、照明装置の構造を簡略化し
、低コスト化を図ることができる。
【００２６】
また、開口部１０９を有する基板１０１を用い、当該基板１０１の中央部（より具体的に
は、開口部１０９の近傍領域）に第１の接続部１１２及び第２の接続部１１４を設けるこ
とにより、基板１０１に形成された開口部１０９を介して外部から電源の供給を行うこと
が可能となる。その結果、照明装置において、１箇所（基板の中央部）で発光素子１３２
に電源を供給することができる。
【００２７】
また、図１、図２で示す構成では、第１の電極層１０４、ＥＬ層１０６及び第２の電極層
１０８にも、絶縁膜１１０と同様に基板の中央部に開口部が形成されており、第１の電極
層１０４、ＥＬ層１０６及び絶縁膜１１０の開口部に第２の電極層１０８の一部が引き出
されることにより、基板１０１上に第２の接続部１１４が設けられている。この際、第２
の電極層１０８の一部が、第１の電極層１０４の端部及びＥＬ層１０６の端部を乗り越え
る（横断する）部分においては、第１の電極層１０４と第２の電極層１０８が接触しない
ように、第１の電極層１０４の端部をＥＬ層１０６が覆うように設けることができる。
【００２８】
また、図１、図２に示す構成では、基板１０１の外周部において、ＥＬ層１０６が第１の
電極層１０４より内側に形成され、第２の電極層１０８がＥＬ層１０６の内側に形成され
る場合を示したが、これに限られない。第１の電極層１０４と第２の電極層１０８が絶縁
されるように設ければどのように設けてもよい。
【００２９】
例えば、基板１０１の外周部において、第１の電極層１０４の端部を覆うようにＥＬ層１
０６を形成し、当該ＥＬ層１０６の端部を覆うように第２の電極層１０８を形成してもよ
い。この場合、基板１０１の外周部において、第２の電極層１０８の内側にＥＬ層１０６
が形成され、ＥＬ層１０６の内側に第１の電極層１０４が形成される。
【００３０】
他にも、基板１０１の外周部において、第１の電極層１０４の端部を覆うようにＥＬ層１
０６を形成し、第２の電極層１０８はＥＬ層１０６の端部を乗り越えないように設けても
よい。この場合、基板１０１の外周部において、ＥＬ層１０６の内側に第１の電極層１０
４及び第２の電極層１０８が形成される。
【００３１】
次に、上記図１、図２に示した照明装置を構成する材料等について、具体的に説明する。
【００３２】
＜基板１０１＞
基板１０１は、薄膜を成膜可能な部材、又は薄膜が成膜された部材であって、内部に開口
部１０９を有する丸型（ディスク形状または円盤形状）の部材を用いることができる。具
体的には、ガラス基板、セラミック基板、石英基板などを挙げることができる。また、ポ
リカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン等からなるプラスチック基板
などを用いることができる。また、フィルム（ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、
ポリフッ化ビニル、塩化ビニルなどからなる）、無機蒸着フィルムを用いることもできる
。
【００３３】
また、基板１０１として可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、折り曲げることが
できる（フレキシブル）基板のことである。また、ステンレス合金などの金属基板の表面
に絶縁膜を設けた基板を適用しても良く、照明装置１３０の作製工程において支持体とし
て機能するものであれば、これら以外のものでもよい。
【００３４】
なお、発光素子１３２が発する光を基板１０１側に取り出す場合、基板１０１として可視
光を透過する材料を用いる。
【００３５】
また、基板１０１の大きさは、照明装置１３０の用途によって適宜設定することが可能で
ある。一例として、ＣＤ−Ｒ等の光ディスクデバイスと同程度の大きさとすることができ
、この場合、生産性、又は照明装置の取り扱いの面から好ましい。例えば、直径１０ｃｍ
〜１４ｃｍ、一例として直径１２ｃｍの円盤形状であって、厚みを１．２〜１．５ｍｍ程
度としたプラスチック基板を用いることができる。また、厚み０．５〜０．７ｍｍの支持
体を貼り合わせて基板１０１として用いてもよい。また、基板１０１に設ける開口部１０
９の直径は、５ｍｍ〜２０ｍｍ（例えば、１５ｍｍ）とすることができる。
【００３６】
このような基板を用いることにより、中央部に開口部を有し、直径１０ｃｍ〜１４ｃｍ（
例えば、直径１２ｃｍ）で、厚さが１．２ｍｍ〜２．０ｍｍ程度の円盤状の照明装置を作
製することができる。但し、照明装置のサイズはこれに限定されない。
【００３７】
なお、本実施の形態では、基板１０１の形状を円盤形状とする場合を示しているが、基板
１０１の形状は円盤形状に限られず、楕円状や矩形状としてもよい。また、基板１０１に
設けられる開口部１０９の形状も円形に限られず、楕円状や矩形状としてもよい。
【００３８】
＜絶縁膜１０２＞
絶縁膜１０２は、基板１０１から発光素子１３２への水分や不純物元素の拡散を抑制する
保護膜（下地絶縁膜）として機能する。特に、基板１０１としてプラスチックを用いる場
合、基板１０１から発光素子１３２に拡散する水分を低減することができる。
【００３９】
絶縁膜１０２としては、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、酸
化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化イットリウム、酸化ハフニ
ウム、酸化タンタル膜、硫化亜鉛膜、酸化珪素を含む硫化亜鉛膜等をその例に挙げること
ができる。これらの材料から成る単層または積層構造として絶縁膜１０２を形成して用い
ることができる。これらの膜は、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等を用いて形成すること
ができる。
【００４０】
絶縁膜１０２は単層であっても、絶縁膜を２層または３層以上に積層して形成してもよい
。また、絶縁膜１０２を設けずに、基板１０１上に接して第１の電極層１０４を設けても
よい。
【００４１】
＜第１の電極層１０４・第２の電極層１０８＞
第１の電極層１０４、第２の電極層１０８は、発光素子１３２において電極として機能し
、導電膜で設けることができる。
【００４２】
また、第１の電極層１０４と第２の電極層１０８のうち一方は、発光素子１３２の陽極と
して機能し、他方は陰極として機能する。第１の電極層１０４を陽極として用いると共に
、第２の電極層１０８を陰極として用いてもよいし、第１の電極層１０４を陰極として用
いると共に、第２の電極層１０８を陽極として用いてもよい。
【００４３】
第１の電極層１０４、第２の電極層１０８のうち、陽極として用いる電極は、仕事関数の
大きい物質で形成することが好ましい。具体的には、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、ま
たは酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を含む
酸化インジウム（ＩＺＯ）の他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タング
ステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、
銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）等を単層又は積層させて形成することができる。
【００４４】
第１の電極層１０４、第２の電極層１０８のうち、陰極として用いる電極は、仕事関数の
小さい物質で形成することが好ましい。具体的には、アルミニウム（Ａｌ）やインジウム
（Ｉｎ）の他、リチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、マグネシウム（
Ｍｇ）やカルシウム（Ｃａ）等のアルカリ土類金属、エルビウム（Ｅｒ）やイッテルビウ
ム（Ｙｂ）等の希土類金属を単層又は積層させて形成することができる。また、アルミニ
ウムリチウム合金（ＡｌＬｉ）やマグネシウム銀合金（ＭｇＡｇ）のような合金を電極の
材料として用いることもできる。
【００４５】
また、第１の電極層１０４、第２の電極層１０８は、スパッタ法や蒸着法等の成膜法を用
い、成膜時にシャドーマスクを適用して形成することができる。
【００４６】
本実施の形態では、例えば、第１の電極層１０４としてＩＴＯを用いて陽極として機能さ
せ、第２の電極層１０８としてアルミニウムを用いて陰極として機能させることができる
。
【００４７】
発光素子１３２の発光は、第１の電極層１０４と第２の電極層１０８のいずれか一方また
は両方を通って外部に取り出される。従って、第１の電極層１０４と第２の電極層１０８
のいずれか一方または両方を透光性を有する電極で形成する。第１の電極層１０４のみが
透光性を有する電極である場合、光は第１の電極層１０４を通って基板１０１側から取り
出される。また、第２の電極層１０８のみが透光性を有する電極である場合、光は第２の
電極層１０８を通って絶縁膜１１０側から取り出される。第１の電極層１０４および第２
の電極層１０８がいずれも透光性を有する電極である場合、光は第１の電極層１０４およ
び第２の電極層１０８を通って、基板１０１側および絶縁膜１１０側の両方から取り出さ
れる。
【００４８】
＜ＥＬ層１０６＞
ＥＬ層１０６は、少なくとも発光物質を含む層を有し、単層構造又は複数の膜が積層され
た積層構造で設けることができる。
【００４９】
例えば、第１の電極層１０４を陽極とし、第２の電極層１０８を陰極として、発光素子１
３２に電圧を加えた場合、第１の電極層１０４側から注入した正孔と、第２の電極層１０
８側から注入した電子が輸送される。そして、電子と正孔がＥＬ層１０６にて再結合する
ことにより発光物質を励起し、励起状態の発光物質が基底状態に戻る際に発光して、発光
素子１３２が機能する。本実施の形態で示す照明装置１３０は、このような発光素子１３
２（エレクトロルミネッセンス素子）を用いることができる。
【００５０】
＜絶縁膜１１０＞
絶縁膜１１０は、発光素子１３２を保護すると共に、発光素子１３２への酸素や水分の侵
入を防ぐ封止膜として機能する。絶縁膜１１０は、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪
素膜、窒化酸化珪素膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、酸化マグネシウム膜
、酸化イットリウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化タンタル膜、硫化亜鉛膜、酸化珪素を含
む硫化亜鉛膜等の無機材料を単層又は積層させて形成することができる。また、炭素を主
成分とする薄膜（例えばＤＬＣ膜、ＣＮ膜）を用いてもよい。
【００５１】
他にも、絶縁膜１１０として、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、レジスト又はベンゾ
シクロブテン等の感光性又は非感光性の有機材料や、シロキサン等の耐熱性有機樹脂を用
いてもよい。また、無機材料と有機材料を積層して絶縁膜１１０を形成してもよい。
【００５２】
また、発光素子１３２が発する光を絶縁膜１１０側に取り出す場合、可視光を透過する材
料を用いて絶縁膜１１０を形成する。可視光を透過する材料としては、例えば、ＣａＦ２
、ＭｇＦ２、またはＢａＦ２をその例に挙げることができる。ＣａＦ２、ＭｇＦ２、また
はＢａＦ２は、蒸着法を用いて成膜することができるため、成膜時に発光素子１３２に与
える損傷を小さくすることができる。
【００５３】
また、絶縁膜１１０の開口部はシャドーマスクを用いて形成することができる。
【００５４】
＜第１の接続部１１２・第２の接続部１１４＞
第１の接続部１１２、第２の接続部１１４は、外部の配線等と電気的な接続を行うための
端子として機能する。つまり、第１の接続部１１２、第２の接続部１１４を介して外部か
ら第１の電極層１０４、第２の電極層１０８に電源が供給されることにより、発光素子１
３２が発光する。
【００５５】
＜変形例＞
上記図１では、第１の電極層１０４で形成される第１の接続部１１２と、第２の電極層１
０８で形成される第２の接続部１１４とを対向して設ける場合を示したが、これに限られ
ない。少なくとも絶縁膜１１０の開口部１１５に、第１の接続部１１２と第２の接続部１
１４を設ける構成とすればよい。
【００５６】
また、第１の接続部１１２と第２の接続部１１４の数をそれぞれ複数設ける構成としても
よい。例えば、図３、図４に示すように、第１の接続部を２つ設け（ここでは、第１の接
続部１１２ａ、１１２ｂ）、且つ第２の接続部を２つ設ける（ここでは、第２の接続部１
１４ａ、１１４ｂ）構成としてもよい。このように、第１の接続部と第２の接続部を複数
設けることにより、第１の接続部、第２の接続部に電気的に接続される配線等との接続を
良好に行うことができる。
【００５７】
なお、図３は、照明装置の平面の模式図を示し、図４（Ａ）は図３におけるＡ−Ｂ間の断
面の模式図を示し、図４（Ｂ）は図３におけるＣ−Ｄ間の断面の模式図を示している。
【００５８】
図３、図４では、第１の接続部１１２ａ、１１２ｂ同士、第２の接続部１１４ａ、１１４
ｂ同士を互いに対向させて設ける場合を示したが、第１の接続部と第２の接続部を互いに
対向する（第１の接続部１１２ａと第２の接続部１１４ａが対向し、第１の接続部１１２
ｂと第２の接続部１１４ｂが対向する）ように設けてもよい。
【００５９】
なお、本実施の形態において、各々の図で述べた内容は、別の実施の形態で述べた内容に
対して、適宜、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことができる。
【００６０】
（実施の形態２）
本実施の形態では、上記実施の形態と異なる照明装置の一例について、図５、図６を参照
して説明する。図５は、照明装置の平面の模式図を示し、図６（Ａ）は図５におけるＡ−
Ｂ間の断面の模式図を示し、図６（Ｂ）は図５におけるＣ−Ｄ間の断面の模式図を示して
いる。
【００６１】
また、本実施の形態で示す作製工程（適用できる材料等）は多くの部分で上記実施の形態
１と共通している。したがって、以下においては、重複する部分の説明は省略し、異なる
点について詳細に説明する。
【００６２】
図５、図６に示す照明装置１３０は、中央部に開口部１０９を有し且つ丸型（ディスク形
状または円盤形状）である基板１０１と、基板１０１上に絶縁膜１０２を介して設けられ
た第１の電極層１０４と、第１の電極層１０４上に設けられたＥＬ層１０６と、ＥＬ層１
０６上に設けられた第２の電極層１０８と、第１の電極層１０４と電気的に接続する導電
層１０５と、第１の電極層１０４、ＥＬ層１０６及び第２の電極層１０８を覆うように設
けられた絶縁膜１１０と、基板１０１上に設けられた第１の接続部１１２及び第２の接続
部１１４とを有している。
【００６３】
絶縁膜１１０は、基板１０１の中央部において開口部１１５を有しており、当該開口部１
１５に第１の接続部１１２及び第２の接続部１１４が設けられている。なお、絶縁膜１１
０の開口部１１５は、基板１０１に形成された開口部１０９よりその面積が大きくなるよ
うに形成する。
【００６４】
第１の接続部１１２は、絶縁膜１１０の開口部１１５に設けられた導電層１０５により形
成され、第２の接続部１１４は、絶縁膜１１０の開口部１１５まで引き出された第２の電
極層１０８により形成される。
【００６５】
このように、基板１０１上に形成された導電層１０５及び第２の電極層１０８を用いて、
基板１０１上に第１の接続部１１２及び第２の接続部１１４を形成することにより、照明
装置を薄膜化することができる。
【００６６】
また、基板１０１上に形成された導電層１０５及び第２の電極層１０８を第１の接続部１
１２及び第２の接続部１１４として用いることにより、照明装置の構造を簡略化し、低コ
スト化を図ることができる。
【００６７】
また、導電層１０５は、第２の電極層１０８と同一の材料を用いて（同一工程で）形成す
ることができる。この場合、第１の接続部１１２と第２の接続部１１４を同一の材料を用
いて設けることができるため、接続配線との電気的な接続において、第１の接続部１１２
と第２の接続部１１４の材料の違いに起因するコンタクト抵抗等のばらつきを低減するこ
とができる。また、第１の接続部１１２及び第２の接続部１１４との電気的な接続に際し
、半田などの接合材の選定が容易となる。
【００６８】
なお、図５、図６では、導電層１０５の一部をＥＬ層１０６上に設けると共に、絶縁膜１
１０の開口部１１５まで引き出された第１の電極層１０４上に接するように設ける場合を
示しているが、これに限られない。他にも、第１の電極層１０４を絶縁膜１１０の開口部
１１５に設けずに、第１の電極層１０４と電気的に接続する導電層１０５のみを絶縁膜１
１０の開口部１１５に設ける構成としてもよい。
【００６９】
また、上記図５、図６では、導電層１０５で形成される第１の接続部１１２と、第２の電
極層１０８で形成される第２の接続部１１４をそれぞれ複数設ける場合を示したが、これ
に限られない。上記図１に示すように、第１の接続部１１２と第２の接続部１１４を一つ
ずつ設ける構成としてもよい。また、導電層１０５で形成される第１の接続部１１２と、
第２の電極層１０８で形成される第２の接続部１１４を複数設ける場合であっても、第１
の接続部１１２と第２の接続部１１４を設ける位置は任意に定めることができる。
【００７０】
なお、本実施の形態において、各々の図で述べた内容は、別の実施の形態で述べた内容に
対して、適宜、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことができる。
【００７１】
（実施の形態３）
本実施の形態では、上記実施の形態と異なる照明装置の一例について、図７、図８を参照
して説明する。図７は、照明装置の平面の模式図を示し、図８（Ａ）は図７におけるＡ−
Ｂ間の断面の模式図を示し、図８（Ｂ）は図７におけるＣ−Ｄ間の断面の模式図を示して
いる。
【００７２】
また、本実施の形態で示す作製工程（適用できる材料等）は多くの部分で上記実施の形態
１と共通している。したがって、以下においては、重複する部分の説明は省略し、異なる
点について詳細に説明する。
【００７３】
図７、図８に示す照明装置１３０は、中央部に開口部１０９を有し且つ丸型（ディスク形
状または円盤形状）である基板１０１と、基板１０１上に絶縁膜１０２を介して設けられ
た第１の電極層１０４及び導電層１０７と、第１の電極層１０４上に設けられたＥＬ層１
０６と、ＥＬ層１０６上に設けられ且つ導電層１０７と電気的に接続する第２の電極層１
０８と、第１の電極層１０４、ＥＬ層１０６及び第２の電極層１０８を覆うように設けら
れた絶縁膜１１０と、基板１０１上に設けられた第１の接続部１１２及び第２の接続部１
１４とを有している。
【００７４】
絶縁膜１１０は、基板１０１の中央部において開口部１１５を有しており、当該開口部１
１５に第１の接続部１１２及び第２の接続部１１４が設けられている。なお、絶縁膜１１
０の開口部１１５は、基板１０１に形成された開口部１０９よりその面積が大きくなるよ
うに形成する。
【００７５】
第１の接続部１１２は、絶縁膜１１０の開口部１１５まで引き出された第１の電極層１０
４により設けられ、第２の接続部１１４は、絶縁膜１１０の開口部１１５に設けられた導
電層１０７により形成される。
【００７６】
このように、基板１０１上に形成された第１の電極層１０４及び導電層１０７を用いて、
基板１０１上に第１の接続部１１２及び第２の接続部１１４を形成することにより、照明
装置を薄膜化することができる。
【００７７】
また、基板１０１上に形成された第１の電極層１０４及び導電層１０７を第１の接続部１
１２及び第２の接続部１１４として用いることにより、照明装置の構造を簡略化し、低コ
スト化を図ることができる。
【００７８】
また、導電層１０７は、第１の電極層１０４と同一の材料を用いて（同一工程で）形成す
ることができる。この場合、第１の接続部１１２と第２の接続部１１４を同一の材料を用
いて設けることができるため、接続配線との電気的な接続において、第１の接続部１１２
と第２の接続部１１４の材料の違いに起因するコンタクト抵抗等のばらつきを低減するこ
とができる。また、第１の接続部１１２及び第２の接続部１１４との電気的な接続に際し
、半田などの接合材の選定が容易となる。
【００７９】
また、図７、図８に示す構成では、第２の電極層１０８の一部はＥＬ層１０６が覆う第１
の電極層１０４の端部を越えて第２の接続部１１４と電気的に接続されている。この場合
、ＥＬ層１０６を、第１の電極層１０４の端部を覆うように設けることにより、第１の電
極層１０４と第２の電極層１０８が直接接触することを防ぐことができる。
【００８０】
なお、図７、図８では、導電層１０７の一部をＥＬ層１０６の下方に設け且つＥＬ層１０
６と接するように設ける場合を示しているが、これに限られない。導電層１０７をＥＬ層
１０６と接しないように設けてもよい。
【００８１】
また、上記図７、図８では、第１の電極層１０４で形成される第１の接続部１１２と、導
電層１０７で形成される第２の接続部１１４を複数設ける場合を示したが、これに限られ
ない。上記図１に示すように、第１の接続部１１２と第２の接続部１１４を一つずつ設け
る構成としてもよい。また、第１の電極層１０４で形成される第１の接続部１１２と、第
２の電極層１０８で形成される第２の接続部１１４を複数設ける場合であっても、第１の
接続部１１２と第２の接続部１１４の設ける位置は任意に定めることができる。
【００８２】
また、図９に示す構成では、発光素子１３２上と絶縁膜１１０の間に乾燥剤層１１９が形
成されている。この場合、絶縁膜１１０に覆われた領域に残った微量な水分を乾燥剤層１
１９が除去するため、発光素子１３２を乾燥した状態に保つことができ、照明装置１３０
の信頼性を高めることができる。
【００８３】
乾燥剤層１１９は酸化カルシウム（ＣａＯ）や酸化バリウム（ＢａＯ）等、アルカリ土類
金属の酸化物のような、化学吸着によって水（Ｈ２Ｏ）を吸着する物質を用いるのが好ま
しい。但し、これに限らずゼオライトやシリカゲル等の物理吸着によって水を吸着する物
質を用いても構わない。なお、乾燥剤層１１９は例えばスパッタ法や蒸着法等の成膜法を
用い、成膜時にシャドーマスクを適用して形成することができる。また、乾燥剤を分散し
た樹脂を塗布して乾燥剤層１１９を形成してもよい。
【００８４】
なお、発光素子１３２と乾燥剤層１１９の厚みの和は、乾燥剤層１１９の厚みにもよるが
、１〜１０μｍである。なお、第２の電極層と乾燥剤層１１９に可視光を透過する材料を
用いる場合、絶縁膜１１０側に光を取り出すことができ、乾燥剤層１１９は反射防止膜を
兼ねることができる。また、不透明な乾燥剤層１１９を用いる場合は、基板１０１と第１
の電極層１０４に可視光を透過する材料を用いて、基板１０１側に光を取り出すことがで
きる。
【００８５】
また、上記図１〜図６に示した構成においても、上記図９に示すように、発光素子１３２
と絶縁膜１１０の間に乾燥剤層１１９を設けてもよい。
【００８６】
なお、本実施の形態において、各々の図で述べた内容は、別の実施の形態で述べた内容に
対して、適宜、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことができる。
【００８７】
（実施の形態４）
本実施の形態では、上記実施の形態で示した照明装置１３０に設けられた発光素子１３２
の素子構造の一例に関して図１４を参照して説明する。
【００８８】
図１４（Ａ）に示す素子構造は、一対の電極（陽極１００１、陰極１００２）間に発光領
域を含むＥＬ層１００３が挟まれた構造を有する。なお、図１４において、陽極１００１
、陰極１００２は、上記図１〜図９で示した第１の電極層１０４又は第２の電極層１０８
のいずれかに相当する。
【００８９】
また、ＥＬ層１００３は、少なくとも発光層１０１３を含んで形成されていればよく、発
光層１０１３以外の機能層を含む積層構造であっても良い。発光層１０１３以外の機能層
としては、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、電子
注入性の高い物質、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質等を含む層
を用いることができる。具体的には、正孔注入層１０１１、正孔輸送層１０１２、発光層
１０１３、電子輸送層１０１４、電子注入層１０１５等の機能層を適宜組み合わせて用い
ることができる。
【００９０】
次に、上述した発光素子に用いることができる材料について、具体的に説明する。
【００９１】
陽極１００１としては、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上が好ましい。）金
属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体
的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄ
ｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸
化亜鉛（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜
鉛を含有した酸化インジウム等が挙げられる。
【００９２】
これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル−ゲル法などを
応用して作製しても構わない。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ）は、酸化イ
ンジウムに対し１〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法
により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化イン
ジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．
１〜１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる
。
【００９３】
この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（
Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム
（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン等）、モリブ
デン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化
物、チタン酸化物等が挙げられる。
【００９４】
陰極１００２としては、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下であることが好ま
しい）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる
。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第１族または第２族に属する元素
、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム
（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、および
これらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙ
ｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。なお、アルカリ金属、アル
カリ土類金属、これらを含む合金の膜は、真空蒸着法を用いて形成することができる。ま
た、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む合金はスパッタリング法により形成する
ことも可能である。また、銀ペーストなどをインクジェット法などにより成膜することも
可能である。
【００９５】
この他、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物、または希土類金属の化合物（例
えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、酸化リチウム（ＬｉＯｘ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ
）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化エルビウム（ＥｒＦ３）など）の薄膜と、ア
ルミニウム等の金属膜とを積層することによって、陰極１００２を形成することも可能で
ある。
【００９６】
なお、本実施の形態に示す発光素子において、陽極１００１および陰極１００２のうち、
少なくとも一方が透光性を有すればよい。
【００９７】
次に、ＥＬ層１００３を構成する各層に用いる材料について、以下に具体例を示す。
【００９８】
正孔注入層１０１１は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質と
しては、例えば、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステ
ン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ
２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、４，４’−ビ
ス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：
ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−［ビス（３−メチルフェニル）アミノ］フェニル］−
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＤＮＴ
ＰＤ）等の芳香族アミン化合物、或いはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／
ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層
１０１１を形成することができる。さらに、トリス（ｐ−エナミン置換−アミノフェニル
）アミン化合物、２，７−ジアミノ−９−フルオレニリデン化合物、トリ（ｐ−Ｎ−エナ
ミン置換−アミノフェニル）ベンゼン化合物、アリール基が少なくとも１つ置換したエテ
ニル基が一つ又は２つ置換したピレン化合物、Ｎ，Ｎ’−ジ（ビフェニル−４−イル）−
Ｎ，Ｎ’−ジフェニルビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（
ビフェニル−４−イル）ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ
（ビフェニル−４−イル）−３，３’−ジエチルビフェニル−４，４’−ジアミン、２，
２’−（メチレンジ−４，１−フェニレン）ビス［４，５−ビス（４−メトキシフェニル
）−２Ｈ−１，２，３−トリアゾール］、２，２’−（ビフェニル−４，４’−ジイル）
ビス（４，５−ジフェニル−２Ｈ−１，２，３−トリアゾール）、２，２’−（３，３’
−ジメチルビフェニル−４，４’−ジイル）ビス（４，５−ジフェニル−２Ｈ−１，２，
３−トリアゾール）、ビス［４−（４，５−ジフェニル−２Ｈ−１，２，３−トリアゾー
ル−２−イル）フェニル］（メチル）アミン等を用いて正孔注入層１０１１を形成するこ
とができる。
【００９９】
また、正孔注入層１０１１として、有機化合物と無機化合物（好ましくは、有機化合物に
対して電子受容性を示す無機化合物）とを複合してなる正孔注入性複合材料を用いること
ができる。正孔注入性複合材料は、有機化合物と無機化合物との間で電子の授受が行われ
、キャリア密度が増大するため、正孔注入性、正孔輸送性に優れている。
【０１００】
また、正孔注入層１０１１として正孔注入性複合材料を用いた場合、陽極１００１とオー
ム接触をすることが可能となるため、仕事関数に関わらず陽極１００１を形成する材料を
選ぶことができる。
【０１０１】
正孔注入性複合材料に用いる無機化合物としては、遷移金属の酸化物であることが好まし
い。また元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができ
る。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブ
デン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい
。中でも特に、酸化モリブデンは大気中で安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好
ましい。
【０１０２】
正孔注入性複合材料に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘
導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、
種々の化合物を用いることができる。なお、正孔注入性複合材料に用いる有機化合物とし
ては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、１０−６ｃｍ２
／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸
送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、正孔注入性複合
材料に用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。
【０１０３】
例えば、芳香族アミン化合物としては、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジ
フェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，
Ｎ’−ビス［４−［ビス（３−メチルフェニル）アミノ］フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，
５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（
略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を挙げることができる。
【０１０４】
正孔注入性複合材料に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、具体的には、３
−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニ
ルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾ
ール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰ
ＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）
アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等を挙げることができる
。
【０１０５】
また、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−ト
リス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（
Ｎ−カルバゾリル）］フェニル−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）、１，
４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベン
ゼン等を用いることができる。
【０１０６】
また、正孔注入性複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、２−
ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ
）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビ
ス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブ
チル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）
、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニル
アントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−
ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：Ｄ
ＭＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］ア
ントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，
６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、２，３，６，７−
テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、
１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニ
ルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−
ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ル
ブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン等が挙げら
れる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。さらに、１×１０
−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有し、炭素数１４〜４２である芳香族炭化水素を用
いることがより好ましい。
【０１０７】
なお、正孔注入性複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有して
いてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’−ビス（
２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（
２，２−ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられ
る。
【０１０８】
また、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェニ
ルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を用いることもできる。
【０１０９】
正孔輸送層１０１２は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質と
しては、例えば、芳香族アミン（すなわち、ベンゼン環−窒素の結合を有するもの）の化
合物であることが好ましい。広く用いられている材料として、４，４’−ビス［Ｎ−（３
−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、その誘導体である４，４’−ビ
ス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（以下、ＮＰＢと記す）、
４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）トリフェニルアミン、４，４
’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニル
アミンなどのスターバースト型芳香族アミン化合物が挙げられる。ここに述べた物質は、
主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔
の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送層１０
１２は、単層のものだけでなく、上記物質の混合層、あるいは二層以上積層したものであ
ってもよい。
【０１１０】
また、ＰＭＭＡのような電気的に不活性な高分子化合物に、正孔輸送性材料を添加しても
よい。
【０１１１】
また、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェニ
ルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルア
ミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略
称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（
フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物を用いてもよく
、さらに上記高分子化合物に上記正孔輸送性材料を適宜添加してもよい。さらに、トリス
（ｐ−エナミン置換−アミノフェニル）アミン化合物、２，７−ジアミノ−９−フルオレ
ニリデン化合物、トリ（ｐ−Ｎ−エナミン置換−アミノフェニル）ベンゼン化合物、アリ
ール基が少なくとも１つ置換したエテニル基が一つ又は２つ置換したピレン化合物、Ｎ，
Ｎ’−ジ（ビフェニル−４−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルビフェニル−４，４’−ジア
ミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（ビフェニル−４−イル）ビフェニル−４，４’−ジ
アミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（ビフェニル−４−イル）−３，３’−ジエチルビ
フェニル−４，４’−ジアミン、２，２’−（メチレンジ−４，１−フェニレン）ビス［
４，５−ビス（４−メトキシフェニル）−２Ｈ−１，２，３−トリアゾール］、２，２’
−（ビフェニル−４，４’−ジイル）ビス（４，５−ジフェニル−２Ｈ−１，２，３−ト
リアゾール）、２，２’−（３，３’−ジメチルビフェニル−４，４’−ジイル）ビス（
４，５−ジフェニル−２Ｈ−１，２，３−トリアゾール）、ビス［４−（４，５−ジフェ
ニル−２Ｈ−１，２，３−トリアゾール−２−イル）フェニル］（メチル）アミン等も正
孔輸送層１０１２に用いることができる。
【０１１２】
発光層１０１３は、発光性の物質を含む層であり、種々の材料を用いることができる。例
えば、発光性の物質としては、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合
物を用いることができる。以下に、発光層に用いることのできる有機化合物材料を説明す
る。ただし、発光素子に適用可能な材料はこれらに限定されるものではない。
【０１１３】
青色〜青緑色の発光は、例えば、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔ−ブチルペリ
レン（略称：ＴＢＰ）、９，１０−ジフェニルアントラセンなどをゲスト材料として用い
、適当なホスト材料に分散させることによって得られる。また、４，４’−ビス（２，２
−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）などのスチリルアリーレン誘導体
や、９，１０−ジ−２−ナフチルアントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ビス（２−
ナフチル）−２−ｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）などのアントラセン
誘導体から得ることができる。また、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン）等のポリマ
ーを用いても良い。また、青色発光のゲスト材料としては、スチリルアミン誘導体が好ま
しく、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−
ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）や、Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）スチルベン−４
，４’−ジアミン（略称：ＰＣＡ２Ｓ）などが挙げられる。特にＹＧＡ２Ｓは、４５０ｎ
ｍ付近にピークを有しており好ましい。また、ホスト材料としては、アントラセン誘導体
が好ましく、９，１０−ビス（２−ナフチル）−２−ｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ
−ＢｕＤＮＡ）や、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−
カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）が好適である。特に、ＣｚＰＡは電気化学的に安定であ
るため好ましい。
【０１１４】
青緑色〜緑色の発光は、例えば、クマリン３０、クマリン６などのクマリン系色素や、ビ
ス［２−（２，４−ジフルオロフェニル）ピリジナト］ピコリナトイリジウム（略称：Ｆ
Ｉｒｐｉｃ）、ビス（２−フェニルピリジナト）アセチルアセトナトイリジウム（Ｉｒ（
ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））などをゲスト材料として用い、適当なホスト材料に分散させる
ことによって得られる。また、上述のペリレンやＴＢＰを５ｗｔ％以上の高濃度で適当な
ホスト材料に分散させることによっても得られる。また、ＢＡｌｑ、Ｚｎ（ＢＴＺ）２、
ビス（２−メチル−８−キノリノラト）クロロガリウム（Ｇａ（ｍｑ）２Ｃｌ）などの金
属錯体からも得ることができる。また、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）等のポリマーを
用いても良い。また、青緑色〜緑色の発光層のゲスト材料としては、アントラセン誘導体
が効率の高い発光が得られるため好ましい。例えば、９，１０−ビス｛４−［Ｎ−（４−
ジフェニルアミノ）フェニル−Ｎ−フェニル］アミノフェニル｝−２−ｔｅｒｔ−ブチル
アントラセン（略称：ＤＰＡＢＰＡ）を用いることにより、高効率な青緑色発光が得られ
る。また、２位にアミノ基が置換されたアントラセン誘導体は高効率な緑色発光が得られ
るため好ましく、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル
−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）が特に長寿命であり好適であ
る。これらのホスト材料としてはアントラセン誘導体が好ましく、先に述べたＣｚＰＡが
電気化学的に安定であるため好ましい。また、緑色発光と青色発光を組み合わせ、青色か
ら緑色の波長領域に２つのピークを持つ発光素子を作製する場合、青色発光層のホストに
ＣｚＰＡのような電子輸送性のアントラセン誘導体を用い、緑色発光層のホストにＮＰＢ
のようなホール輸送性の芳香族アミン化合物を用いると、青色発光層と緑色発光層との界
面で発光が得られるため好ましい。すなわちこの場合、２ＰＣＡＰＡのような緑色発光材
料のホストとしては、ＮＰＢの如き芳香族アミン化合物が好ましい。
【０１１５】
黄色〜橙色の発光は、例えば、ルブレン、４−（ジシアノメチレン）−２−［ｐ−（ジメ
チルアミノ）スチリル］−６−メチル−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＭ１）、４−（ジシア
ノメチレン）−２−メチル−６−（９−ジュロリジル）エテニル−４Ｈ−ピラン（略称：
ＤＣＭ２）、ビス［２−（２−チエニル）ピリジナト］アセチルアセトナトイリジウム（
Ｉｒ（ｔｈｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルキノリナト）アセチルアセトナト
イリジウム（Ｉｒ（ｐｑ）２（ａｃａｃ））などをゲスト材料として用い、適当なホスト
材料に分散させることによって得られる。特に、ゲスト材料としてルブレンのようなテト
ラセン誘導体が、高効率かつ化学的に安定であるため好ましい。この場合のホスト材料と
しては、ＮＰＢのような芳香族アミン化合物が好ましい。他のホスト材料としては、ビス
（８−キノリノラト）亜鉛（略称：Ｚｎｑ２）やビス［２−シンナモイル−８−キノリノ
ラト］亜鉛（略称：Ｚｎｓｑ２）などの金属錯体を用いることができる。また、ポリ（２
，５−ジアルコキシ−１，４−フェニレンビニレン）等のポリマーを用いても良い。
【０１１６】
橙色〜赤色の発光は、例えば、４−（ジシアノメチレン）−２，６−ビス［ｐ−（ジメチ
ルアミノ）スチリル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、４−（ジシアノメチレン
）−２，６−ビス［２−（ジュロリジン−９−イル）エチニル］−４Ｈ−ピラン（略称：
ＤＣＭ１）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（９−ジュロリジル）エテニ
ル−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＭ２）、ビス［２−（２−チエニル）ピリジナト］アセチ
ルアセトナトイリジウム（略称：Ｉｒ（ｔｈｐ）２（ａｃａｃ））、などをゲスト材料と
して用い、適当なホスト材料に分散させることによって得られる。ビス（８−キノリノラ
ト）亜鉛（略称：Ｚｎｑ２）やビス［２−シンナモイル−８−キノリノラト］亜鉛（略称
：Ｚｎｓｑ２）などの金属錯体からも得ることができる。また、ポリ（３−アルキルチオ
フェン）等のポリマーを用いても良い。赤色発光を示すゲスト材料としては、４−（ジシ
アノメチレン）−２，６−ビス［ｐ−（ジメチルアミノ）スチリル］−４Ｈ−ピラン（略
称：ＢｉｓＤＣＭ）、４−（ジシアノメチレン）−２，６−ビス［２−（ジュロリジン−
９−イル）エチニル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＭ１）、４−（ジシアノメチレン）−
２−メチル−６−（９−ジュロリジル）エテニル−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＭ２）、｛
２−イソプロピル−６−［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１，１，７，７−テト
ラメチル−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラ
ン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、｛２，６−ビス［２−（
２，３，６，７−テトラヒドロ−８−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチル−１Ｈ，
５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン
｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）のような４Ｈ−ピラン誘導体が高効率
であり、好ましい。特に、ＤＣＪＴＩ、ＢｉｓＤＣＪＴＭは、６２０ｎｍ付近に発光ピー
クを有するため好ましい。
【０１１７】
なお、発光層１０１３としては、上述した発光性の物質（ゲスト材料）を他の物質（ホス
ト材料）に分散させた構成としてもよい。発光性の高い物質を分散させるための物質とし
ては、各種のものを用いることができ、発光性の高い物質よりも最低空軌道準位（ＬＵＭ
Ｏ準位）が高く、最高被占有軌道準位（ＨＯＭＯ準位）が低い物質を用いることが好まし
い。
【０１１８】
発光性の物質を分散させるための物質としては、具体的には、トリス（８−キノリノラト
）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）
アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キ
ノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノ
ラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（
８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリ
ル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリ
ル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体、２−（４−ビフェ
ニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略
称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オ
キサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）
−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（
略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フ
ェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、バソフェナントロリン（略称
：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）などの複素環化合物や、９−［４−
（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ
）、３，６−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−
９Ｈ−カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェ
ニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（
略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（
略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’−（ス
チルベン−３，３’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’−（スチ
ルベン−４，４’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、３，３’，３’’
−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリピレン（略称：ＴＰＢ３）、９，１０−ジフ
ェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、６，１２−ジメトキシ−５，１１−ジフェ
ニルクリセンなどの縮合芳香族化合物、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニ
ル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＣｚＡ１Ｐ
Ａ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ
）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−
９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４
−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾー
ル−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル
）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ
ＰＢ、ＴＰＤ、ＤＦＬＤＰＢｉ、ＢＳＰＢなどの芳香族アミン化合物などを用いることが
できる。
【０１１９】
また、発光性の物質を分散させるための物質は複数種用いることができる。例えば、結晶
化を抑制するためにルブレン等の結晶化を抑制する物質をさらに添加してもよい。また、
発光性の物質へのエネルギー移動をより効率良く行うためにＮＰＢ、あるいはＡｌｑ等を
さらに添加してもよい。
【０１２０】
発光性の物質を他の物質に分散させた構成とすることにより、発光層１０１３の結晶化を
抑制することができる。また、発光性の物質の濃度が高いことによる濃度消光を抑制する
ことができる。
【０１２１】
電子輸送層１０１４は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送性の高い物質と
しては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（
４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒド
ロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−
８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、
キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。また
、この他ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ
（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称
：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体など
も用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（
４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、
１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール
−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル
−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）
、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、ビ
ス［３−（１Ｈ−ベンゾイミダゾール−２−イル）フルオレン−２−オラト］亜鉛（ＩＩ
）、ビス［３−（１Ｈ−ベンゾイミダゾール−２−イル）フルオレン−２−オラト］ベリ
リウム（ＩＩ）、ビス［２−（１Ｈ−ベンゾイミダゾール−２−イル）ジベンゾ［ｂ、ｄ
］フラン−３−オラト］（フェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）、ビス［２−（ベンゾオ
キサゾール−２−イル）−７，８−メチレンジオキシジベンゾ［ｂ、ｄ］フラン−３−オ
ラト］（２−ナフトラト）アルミニウム（ＩＩＩ）なども用いることができる。ここに述
べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正
孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層１０１４として
用いても構わない。また、電子輸送層１０１４は、単層のものだけでなく、上記物質から
なる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【０１２２】
電子注入層１０１５は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入性の高い物質
としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（
ＣａＦ２）等のアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物が挙げられる。
また、有機化合物（好ましくは、電子輸送性を有する有機化合物）と無機化合物（好まし
くは、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、またはそれらの化合物）とを複合
してなる電子注入性複合材料を用いることもできる。電子注入性複合材料としては、例え
ばＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの等を用いることができる。この様な
構造とすることにより、陰極１００２からの電子注入効率をより高めることができる。
【０１２３】
なお、電子注入層１０１５として、上述した電子注入性複合材料を用いた場合には、仕事
関数に関わらずＡｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、珪素若しくは酸化珪素を含有したＩＴＯ等様々な導
電性材料を陰極１００２の材料として用いることができる。
【０１２４】
以上の層を適宜組み合わせて積層することにより、ＥＬ層１００３を形成することができ
る。なお、発光層１０１３を２層以上の積層構造としても良い。発光層１０１３を２層以
上の積層構造とし、各々の発光層に用いる発光物質の種類を変えることにより様々な発光
色を得ることができる。また、発光物質として発光色の異なる複数の発光物質を用いるこ
とにより、ブロードなスペクトルの発光や白色発光を得ることもできる。特に、高輝度が
必要とされる照明用途には、発光層を積層させた構造が好適である。
【０１２５】
また、ＥＬ層１００３の形成方法としては、用いる材料に応じて種々の方法（例えば、乾
式法や湿式法等）適宜選択することができる。例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、
インクジェット法、スピンコート法、等を用いることができる。また、各層で異なる方法
を用いて形成してもよい。
【０１２６】
また、本実施の形態に示す発光素子の作製方法としては、ドライプロセス（例えば、真空
蒸着法、スパッタリング法）、ウェットプロセス（例えば、インクジェット法、スピンコ
ート法等）を問わず、種々の方法を用いて形成することができる。
【０１２７】
なお、本実施の形態に示す発光素子の構成は、図１４（Ｂ）に示すように一対の電極間に
ＥＬ層１００３が複数積層された構造、所謂、積層型素子の構成であってもよい。但し、
ＥＬ層１００３が、例えばｎ（ｎは２以上の自然数）層の積層構造を有する場合には、ｍ
（ｍは１以上、ｎ−１以下の自然数、（１≦ｍ≦ｎ−１））番目のＥＬ層と、（ｍ＋１）
番目のＥＬ層との間には、それぞれ中間層１００４が挟まれた構造を有する。
【０１２８】
なお、中間層１００４とは、陽極１００１と陰極１００２に電圧を印加したときに、中間
層１００４に接して形成される陽極１００１側の一方のＥＬ層１００３に対して電子を注
入する機能を有し、陰極１００２側の他方のＥＬ層１００３に正孔を注入する機能を有す
る。
【０１２９】
中間層１００４は、上述した有機化合物と無機化合物との複合材料（正孔注入性複合材料
や電子注入性複合材料）の他、金属酸化物等の材料を適宜組み合わせて形成することがで
きる。なお、正孔注入性複合材料とその他の材料とを組み合わせて用いることがより好ま
しい。中間層１００４に用いるこれらの材料は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れ
ているため、発光素子の低電流駆動、および低電圧駆動を実現することができる。
【０１３０】
積層型素子の構成において、ＥＬ層が２層積層された構成を有する場合において、第１の
ＥＬ層から得られる発光の発光色と第２のＥＬ層から得られる発光の発光色を補色の関係
にすることによって、白色発光を外部に取り出すことができる。なお、第１のＥＬ層およ
び第２のＥＬ層のそれぞれが補色の関係にある複数の発光層を有する構成としても、白色
発光が得られる。補色の関係としては、青色と黄色、あるいは青緑色と赤色などが挙げら
れる。青色、黄色、青緑色、赤色に発光する物質としては、例えば、先に列挙した発光物
質の中から適宜選択すればよい。
【０１３１】
以下に、第１のＥＬ層および第２のＥＬ層のそれぞれが補色の関係にある複数の発光層を
有し、白色発光が得られる構成の一例を示す。
【０１３２】
例えば、第１のＥＬ層は、青色〜青緑色の波長領域にピークを有する発光スペクトルを示
す第１の発光層と、黄色〜橙色の波長領域にピークを有する発光スペクトルを示す第２の
発光層とを有し、第２のＥＬ層は、青緑色〜緑色の波長領域にピークを有する発光スペク
トルを示す第３の発光層と、橙色〜赤色の波長領域にピークを有する発光スペクトルを示
す第４の発光層とを有するものとする。
【０１３３】
この場合、第１のＥＬ層からの発光は、第１の発光層および第２の発光層の両方からの発
光を合わせたものであるので、青色〜青緑色の波長領域および黄色〜橙色の波長領域の両
方にピークを有する発光スペクトルを示す。すなわち、第１のＥＬ層は２波長型の白色ま
たは白色に近い色の発光を呈する。
【０１３４】
また、第２のＥＬ層からの発光は、第３の発光層および第４の発光層の両方からの発光を
合わせたものであるので、青緑色〜緑色の波長領域および橙色〜赤色の波長領域の両方に
ピークを有する発光スペクトルを示す。すなわち、第２のＥＬ層は、第１のＥＬ層とは異
なる２波長型の白色または白色に近い色の発光を呈する。
【０１３５】
したがって、第１のＥＬ層からの発光および第２のＥＬ層からの発光を重ね合わせること
により、青色〜青緑色の波長領域、青緑色〜緑色の波長領域、黄色〜橙色の波長領域、橙
色〜赤色の波長領域をカバーする白色発光を得ることができる。
【０１３６】
なお、上述した積層型素子の構成において、積層されるＥＬ層の間に中間層を配置するこ
とにより、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域での長寿命素子を実現することができ
る。また、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一発光が可
能となる。
【０１３７】
なお、本実施の形態において、各々の図で述べた内容は、別の実施の形態で述べた内容に
対して、適宜、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことができる。
【０１３８】
（実施の形態５）
本実施の形態では、照明装置の使用形態の一例として、上記実施の形態で示した照明装置
１３０に接続部材１５０を設ける構成について図１０を参照して説明する。なお、接続部
材１５０は、口金と呼ばれることもある。また、照明装置１３０と接続部材１５０をあわ
せて照明装置と呼ぶ場合もある。
【０１３９】
接続部材１５０は、制御回路１５２と、当該制御回路１５２と電気的に接続された第１の
接続配線１５４、第２の接続配線１５６、第１の取り出し配線１５８及び第２の取り出し
配線１６０を有している。
【０１４０】
制御回路１５２は、外部電源から供給される電源電圧を元に、発光素子１３２を一定の輝
度で点灯させるための機能を有する回路である。制御回路１５２は、一例として、整流平
滑回路、定電圧回路、定電流回路を有する構成とすることができる。整流平滑回路は、外
部の交流電源より供給される交流電圧を直流電圧にするための回路である。整流平滑回路
は、一例として、ダイオードブリッジ回路、平滑容量等を組み合わせて構成すればよい。
定電圧回路は、整流平滑回路から出力されるリップルを含んだ直流電圧を、安定化した定
電圧の信号として出力する回路である。定電圧回路は、スイッチングレギュレータ、また
はシリーズレギュレータ等を用いて構成すればよい。定電流回路は、定電圧回路の電圧に
応じて定電流を発光素子１３２に出力する回路である。定電流回路は、トランジスタ等を
用いて構成すればよい。なお、ここでは外部の電源として商用交流電源を想定し、整流平
滑回路を設ける構成を示したが、外部の電源が直流電源の場合、整流平滑回路を設けなく
てもよい。また、制御回路１５２には、必要に応じて、輝度を調整するための回路、サー
ジ対策として保護回路等を設けてもよい。
【０１４１】
第１の接続配線１５４、第２の接続配線１５６は、照明装置１３０に設けられた発光素子
１３２と制御回路１５２を電気的に接続する配線として機能する。具体的には、第１の接
続配線１５４は、基板１０１上に設けられた第１の接続部１１２と電気的に接続され、第
２の接続配線１５６は、基板１０１上に設けられた第２の接続部１１４と電気的に接続さ
れる（図１２参照）。
【０１４２】
第１の接続配線１５４と第１の接続部１１２との電気的な接続、第２の接続配線１５６と
第２の接続部１１４との電気的な接続は、図１２に示すように異方性導電性ペースト１５
７を用いて行うことができる。なお、電気的な接続は、異方導電性ペースト（ＡＣＰ（Ａ
ｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ））に限られず、異方導電性
フィルム（ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ））等で
圧着させることにより電気的に接続することが出来る。また、他にも、銀ペースト、銅ペ
ーストまたはカーボンペースト等の導電性接着剤や半田接合等を用いて接続を行うことも
可能である。
【０１４３】
第１の取り出し配線１５８、第２の取り出し配線１６０は、制御回路１５２と電気的に接
続され、外部から照明装置１３０へ電源を供給するための配線として機能する。
【０１４４】
図１０（Ａ）では、基板１０１が設けられた面（絶縁膜１１０が設けられた面と反対側の
面）側から当該基板１０１を介して光を取り出す構成（ボトムエミッション構造）を示し
ており、この場合、接続部材１５０の制御回路１５２は、絶縁膜１１０の上方に設ける構
成とすることができる。
【０１４５】
また、発光素子１３２からの光の取り出しは、図１０（Ａ）に示した構成に限られない。
図１０（Ｂ）に示すように、絶縁膜１１０が設けられた面（基板１０１と反対側の面）側
から光を取り出す構成（トップエミッション構造）としてもよい。この場合、基板１０１
の裏面（発光素子１３２が設けられた面と反対側の面）側に制御回路１５２が設けられ、
基板１０１に設けられた開口部を介して第１の接続配線１５４及び第２の接続配線１５６
が発光素子１３２と電気的に接続される構成とすることができる。
【０１４６】
また、図１０（Ａ）、（Ｂ）の構成において、光の取り出される面と反対側の面上（図１
０（Ａ）では絶縁膜１１０上、図１０（Ｂ）では基板１０１の裏面上）に乾燥剤を設けて
おくことが好ましい。乾燥剤は、スパッタ等を用いて形成することができる。特に、基板
１０１の裏面側に設ける場合には、スパッタにより全面に設けることができる。
【０１４７】
また、図１０（Ａ）、（Ｂ）では、接続部材１５０の勘合部が第１の取り出し配線１５８
を兼ね、接続部材１５０の接点が第２の取り出し配線１６０に接続する構成としたが、こ
れに限られない。他の構成としては、例えば、図１０（Ｃ）、（Ｄ）に示すように、接続
部材１５０の二つの勘合部がそれぞれ、第１の取り出し配線１５８または第２の取り出し
配線１６０を兼ねる構成としてもよい。
【０１４８】
なお、図１０（Ｃ）は図１０（Ａ）の構成における接続部材１５０の構成を置き換えたも
のであり、図１０（Ｄ）は図１０（Ｂ）の構成における接続部材１５０の構成を置き換え
たものである。
【０１４９】
また、照明装置１３０に封止基板１３６を設ける構成としてもよい（図１１参照）。基板
１０１と対向して発光素子１３２を挟むように封止基板１３６を設けることにより、発光
素子１３２に水分等が浸入することを抑制することができる。
【０１５０】
封止基板１３６としては、中心部に開口部を有する丸型（ディスク形状または円盤形状）
の基板を用いることができる。具体的には、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、金
属基板などを挙げることができる。また、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエー
テルスルフォン等からなるプラスチック基板などを用いることができる。また、フィルム
（ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、塩化ビニルなどからなる
）、無機蒸着フィルムを用いることもできる。
【０１５１】
また、封止基板１３６として可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、折り曲げるこ
とができる（フレキシブル）基板のことである。また、ステンレス合金などの導電性を有
する基板を用いることもできるが、第１の接続配線１５４、第２の接続配線１５６、第１
の取り出し配線１５８及び第２の取り出し配線１６０とは絶縁された構成にする。なお、
封止基板として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。
【０１５２】
また、図１１（Ｂ）及び図１１（Ｄ）は、可視光を透過する封止基板１３６を用いた構成
を示している。
【０１５３】
封止基板１３６は、絶縁膜１１０上に設ければよく、例えば絶縁膜１１０に貼り合わせて
設けることができる。また、図１１では、基板１０１の側面も覆うように封止基板１３６
を設ける場合を示したが、これに限られない。
【０１５４】
なお、図１１（Ａ）〜（Ｄ）は、それぞれ図１０（Ａ）〜（Ｄ）の構成に封止基板１３６
を設ける構成を示している。
【０１５５】
次に、接続部材１５０が設けられた照明装置１３０の使用形態の一例を示す（図１３参照
）。
【０１５６】
図１３（Ａ）、（Ｂ）では、照明装置１３０に取り付けられた接続部材１５０を、天井１
７０に設ける場合を示している。天井１７０には、第１の外部電極１７２と第２の外部電
極１７４が設けられており、当該第１の外部電極１７２と接続部材１５０に設けられた第
１の取り出し配線１５８が電気的に接続し、且つ第２の外部電極１７４と第２の取り出し
配線１６０が電気的に接続することにより、外部から制御回路１５２を介して発光素子１
３２に電源が供給され、照明装置として利用することができる。
【０１５７】
また、図１３（Ａ）に示す構成において、接続部材１５０の直径（基板１０１表面に平行
な方向の長さ）は、天井１７０の取り付け部分のサイズに合わせて決めればよく、１０ｍ
ｍ〜４０ｍｍ（例えば、２６ｍｍ）とすることができる。
【０１５８】
なお、図１３（Ａ）は、図１１（Ａ）に示した構成を天井１７０に取り付け、図１３（Ｂ
）は、図１１（Ｃ）に示した構成を天井１７０に取り付ける場合を示したが、これに限ら
れず、他の構成も同様に取り付けることができる。
【０１５９】
また、図１３では、照明装置１３０を天井１７０に取り付ける場合を示したが、本実施の
形態で示す照明装置１３０は薄いため、天井１７０に限られず壁面や床に埋設することが
可能である。
【０１６０】
なお、本実施の形態において、各々の図で述べた内容は、別の実施の形態で述べた内容に
対して、適宜、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことができる。
【０１６１】
（実施の形態６）
本実施の形態では、照明装置の応用例を示す。
【０１６２】
図１５は、本発明の一態様である照明装置を室内の照明装置として用いた一例を示してい
る。本発明の一態様である照明装置は、天井用照明装置８２０２としてのみならず、壁用
照明装置８２０４としても用いることが可能である。また、当該照明装置は、卓上照明装
置８２０６としても用いることが可能である。また本発明の一態様である照明装置は、面
光源の光源を有するため、点光源の光源を用いた場合に比べ、光反射板等の部材を削減す
ることができ、または熱の発生が白熱電球に比べて小さい点等、室内の照明装置として好
ましい。
【０１６３】
また、本発明の一態様である照明装置は、自動車、自転車などのヘッドライトとして用い
ることが可能である。図１６（Ａ）〜図１６（Ｃ）は、本発明の一態様である照明装置を
自動車のヘッドライトとして用いた一例を示している。図１６（Ａ）は、本発明の一態様
である照明装置をヘッドライト８２１２として用いた自動車の外観図である。また図１６
（Ｂ）、図１６（Ｃ）は、図１６（Ａ）のヘッドライト８２１２の断面図である。図１６
（Ｂ）、図１６（Ｃ）において、電源供給用コネクタ８２１６に接続された照明装置８２
１４は、光源として用いられている。図１６（Ｂ）では、複数の照明装置８２１４が用い
られているため高輝度の光を外部に取り出すことができる。一方、図１６（Ｃ）では、反
射板８２１８によって照明装置からの光が集光されており、指向性を有する高輝度の光を
外部に取り出すことができる。
【０１６４】
次に、本発明の一態様である照明装置を、信号機、誘導灯等の照明装置として適用した例
について図１７（Ａ）に示す。
【０１６５】
図１７（Ａ）は、一例として、信号機の外観について示した図である。信号機８２２８は
、青の照明部８２２２、黄色の照明部８２２４、赤の照明部８２２６を有する。信号機８
２２８は、各照明部における照明装置として、青、黄、赤の三色に対応する本発明の一態
様である照明装置を有する。
【０１６６】
本発明の一態様である照明装置を避難口誘導灯に適用した例について図１７（Ｂ）に示す
。
【０１６７】
図１７（Ｂ）は、一例として、避難口誘導灯の外観について示した図である。避難口誘導
灯８２３２は、照明装置と、蛍光部が設けられた蛍光板とを組み合わせて構成することが
できる。また、特定の色を発光する照明装置と、図面のような形状の透過部が設けられた
遮光板とを組み合わせて構成することもできる。本発明の一態様である照明装置は、一定
の輝度で点灯することができるため、常時点灯が求められる避難口誘導灯として好ましい
。
【０１６８】
本発明の一態様である照明装置を屋外用照明に適用した例について図１７（Ｃ）に示す。
【０１６９】
屋外用照明の一つとして例えば街灯が挙げられる。街灯は、例えば図１７（Ｃ）に示すよ
うに、筐体８２４２と、照明部８２４４と、を有する構成とすることができる。本発明の
一態様である照明装置は、照明部８２４４に複数配置して用いることができる。図１７（
Ｃ）に示すように、街灯は、例えば道路沿いに設置して照明部８２４４により周囲を照ら
すことができるため、道路を含め周囲の視認性を向上させることができる。
【０１７０】
なお、街灯に電源電圧を供給する場合には、例えば図１７（Ｃ）に示すように、電柱８２
４６の送電線８２４８を介して電源電圧を供給することができる。ただしこれに限定され
ず、例えば光電変換装置を筐体８２４２に設け、光電変換装置により得られた電圧を電源
電圧として利用することもできる。
【０１７１】
また、本発明の一態様である照明装置を携帯用照明に適用した例について図１７（Ｄ）及
び図１７（Ｅ）に示す。図１７（Ｄ）は、装着型ライトの構成を示す図であり、図１７（
Ｅ）は手持ち型ライトの構成を示す図である。
【０１７２】
図１７（Ｄ）に示す装着型ライトは、装着部８２５２と、照明部８２５４を有し、照明部
８２５４は装着部８２５２に固定されている。本発明の一態様である照明装置は、照明部
８２５４に用いることができる。図１７（Ｄ）に示す装着型ライトは、装着部８２５２を
頭部に装着し、照明部８２５４を発光させることができる。また、照明部８２５４として
面光源の光源を用いることにより、周囲の視認性を向上させることができる。また、照明
部８２５４は軽量であるため、頭部に装着して使用する際の負担を軽減することができる
。
【０１７３】
なお、図１７（Ｄ）に示す装着型ライトの構成に限定されず、例えば装着部８２５２をリ
ング状にした平紐やゴム紐のベルトにし、該ベルトに照明部８２５４を固定し、該ベルト
を頭部に直接巻きつける構成とすることもできる。
【０１７４】
図１７（Ｅ）に示す手持ち型ライトは、筐体８２６２と、照明部８２６６と、スイッチ８
２６４と、を有する。本発明の一態様である照明装置は、照明部８２６６に用いることが
できる。本発明の一態様である照明装置を照明部８２６６に用いることにより、照明部８
２６６の厚さを薄くすることができ、小型にすることができるため、携帯しやすくするこ
とができる。
【０１７５】
スイッチ８２６４は、照明部８２６６の発光または非発光を制御する機能を有する。また
、スイッチ８２６４は、例えば発光時の照明部８２６６の輝度を調節する機能を有するこ
ともできる。
【０１７６】
図１７（Ｅ）に示す手持ち型ライトは、スイッチ８２６４により照明部８２６６を発光さ
せることにより、周囲を照らすことができるため、周囲の視認性を向上させることができ
る。また本発明の一態様である照明装置は、面光源の光源を有するため、点光源の光源を
用いた場合に比べ、光反射板等の部材を削減することも可能である。
【０１７７】
なお、本実施の形態において、各々の図で述べた内容は、別の実施の形態で述べた内容に
対して、適宜、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことができる。
【符号の説明】
【０１７８】
１０１    基板
１０２    絶縁膜
１０４    電極層
１０５    導電層
１０６    ＥＬ層
１０７    導電層
１０８    電極層
１０９    開口部
１１０    絶縁膜
１１２    接続部
１１４    接続部
１１５    開口部
１１９    乾燥剤層
１３０    照明装置
１３２    発光素子
１３６    封止基板
１５０    接続部材
１５２    制御回路
１５４    接続配線
１５６    接続配線
１５７    異方性導電性ペースト
１５８    配線
１６０    配線
１７０    天井
１７２    外部電極
１７４    外部電極
１１２ａ    接続部
１１２ｂ    接続部
１１４ａ    接続部
１１４ｂ    接続部
１００１    陽極
１００２    陰極
１００３    ＥＬ層
１００４    中間層
１０１１    正孔注入層
１０１２    正孔輸送層
１０１３    発光層
１０１４    電子輸送層
１０１５    電子注入層
８２０２    天井用照明装置
８２０４    壁用照明装置
８２０６    卓上照明装置
８２１２    ヘッドライト
８２１４    照明装置
８２１６    電源供給用コネクタ
８２１８    反射板
８２２２    照明部
８２２４    照明部
８２２６    照明部
８２２８    信号機
８２３２    避難口誘導灯
８２４２    筐体
８２４４    照明部
８２４６    電柱
８２４８    送電線
８２５２    装着部
８２５４    照明部
８２６２    筐体
８２６４    スイッチ
８２６６    照明部
【図１】
2014032968.tif 000003
【図２】
2014032968.tif 000004
【図３】
2014032968.tif 000005
【図４】
2014032968.tif 000006
【図５】
2014032968.tif 000007
【図６】
2014032968.tif 000008
【図７】
2014032968.tif 000009
【図８】
2014032968.tif 000010
【図９】
2014032968.tif 000011
【図１０】
2014032968.tif 000012
【図１１】
2014032968.tif 000013
【図１２】
2014032968.tif 000014
【図１３】
2014032968.tif 000015
【図１４】
2014032968.tif 000016
【図１５】
2014032968.tif 000017
【図１６】
2014032968.tif 000018
【図１７】
2014032968.tif 000019