(57)【要約】【課題】モールドの洗浄とスループットの低下の抑制とを両立するのに有利なインプリント装置を提供する。【解決手段】基板の上の樹脂とパターンが形成されたモールドとを接触させた状態で当該樹脂を硬化させることで前記基板に前記パターンを転写するインプリント装置であって、前記パターンの転写に用いられる複数のモールドを保管する保管部と、前記複数のモールドを前記保管部に保管された状態で洗浄する洗浄部と、を有することを特徴とするインプリント装置を提供する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上の樹脂とパターンが形成されたモールドとを接触させた状態で当該樹脂を硬化させることで前記基板に前記パターンを転写するインプリント装置であって、
前記パターンの転写に用いられる複数のモールドを保管する保管部と、
前記複数のモールドを前記保管部に保管された状態で洗浄する洗浄部と、
を有することを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記複数のモールドのそれぞれは、前記パターンが形成されたパターン面を含み、
前記洗浄部は、紫外光を発する複数の紫外光源を含み、
前記複数の紫外光源は、前記複数のモールドのそれぞれのパターン面に前記紫外光が照射されるように、前記保管部に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記樹脂を硬化させるための紫外光を発する光源を更に有し、
前記洗浄部は、前記光源からの前記紫外光が前記保管部に保管された前記複数のモールドに照射されるように前記紫外光を前記保管部に導くための導光部を含むことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記保管部は、前記導光部によって導かれる前記紫外光が入射する位置に、前記紫外光を透過する透過部を有することを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記保管部は、前記複数のモールドのそれぞれを収納する空間を規定する隔壁を含み、  前記洗浄部は、前記空間に流体を供給する供給部を含むことを特徴とする請求項２乃至４のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記洗浄部は、前記空間から流体を回収する回収部を含むことを特徴とする請求項５に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記保管部は、前記複数のモールドのそれぞれを収納する空間を規定する隔壁を含み、  前記洗浄部は、前記空間から流体を回収する回収部を含むことを特徴とする請求項２乃至４のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記複数のモールドのそれぞれの温度を前記保管部に保管された状態で調整する温度調整部を更に有することを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記温度調整部は、前記複数のモールドのそれぞれの温度が前記インプリント装置の内部の温度と同じになるように、前記複数のモールドのそれぞれの温度を調整することを特徴とする請求項８に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
パターンが形成されたパターン面を含むモールドを収納する収納ケースであって、
前記モールドの周囲を覆って当該モールドを収納する空間を規定するカバー部と、
前記空間に配置され、前記パターン面に紫外光を照射する紫外光源と、
前記紫外光源に電源を供給する電源部と、
を有することを特徴とする収納ケース。
【請求項１１】
請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板の上にパターンを転写するステップと、
前記パターンが転写された前記基板を加工するステップと、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、収納ケース及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリント技術は、ナノスケールの微細なパターンの転写を可能にする技術であり、半導体デバイスや磁気記憶媒体などの量産用ナノリソグラフィ技術の１つとして注目されている。インプリント技術とは、微細なパターンが形成されたモールドを原版として、シリコンウエハやガラスプレートなどの基板の上にパターンを転写する技術である。
【０００３】
このような技術を用いたインプリント装置では、基板の上に供給された樹脂（インプリント材）にモールドを押し付けた状態で樹脂を硬化させる。そして、硬化した樹脂からモールドを剥離（離型）することで、基板の上にモールドのパターンを転写する。但し、インプリント装置では、モールドを剥離する際に、モールドに樹脂が残留することがある。モールドに残留した樹脂は、次回のインプリント処理において、基板に転写されるパターンの欠陥やモールドの破損を招くため、モールドを洗浄する技術が提案されている（特許文献１参照）。また、露光装置では、レチクル（マスク）の搬送中に、かかるレチクルに付着したパーティクル（汚染物質）を洗浄する技術が提案されている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−０８８４８４号公報
【特許文献２】国際公開第０６／０９８２６６号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、モールドの洗浄に要する時間は膨大であるため、例えば、従来技術のように、モールドの搬送中に、かかるモールドを洗浄すること（即ち、インプリント装置の内部でモールドを洗浄すること）は困難である。また、インプリント装置では、モールドを洗浄する機会が多いため、モールドの洗浄がスループットを低下させる要因の１つとなっている。
【０００６】
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、モールドの洗浄とスループットの低下の抑制とを両立するのに有利なインプリント装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、基板の上の樹脂とパターンが形成されたモールドとを接触させた状態で当該樹脂を硬化させることで前記基板に前記パターンを転写するインプリント装置であって、前記パターンの転写に用いられる複数のモールドを保管する保管部と、前記複数のモールドを前記保管部に保管された状態で洗浄する洗浄部と、を有することを特徴とする。
【０００８】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、例えば、モールドの洗浄とスループットの低下の抑制とを両立するのに有利なインプリント装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一側面としてのインプリント装置の構成を示す概略図である。
【図２】図１に示すインプリント装置の動作を示す図である。
【図３】図１に示すインプリント装置のモールド保管部及び洗浄部の具体的な構成の一例を示す図である。
【図４】本発明の一側面としてのインプリント装置の構成を示す概略図である。
【図５】本発明の一側面としての収納ケースの構成を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１２】
＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の一側面としてのインプリント装置１の構成を示す概略図である。インプリント装置１は、半導体デバイスや磁気記憶媒体などの製造工程で使用されるリソグラフィ装置である。インプリント装置１は、基板の上の樹脂（インプリント材）とモールド（型）とを接触させた状態で樹脂を硬化させ、硬化した樹脂からモールドを剥離（離型）することで基板の上にパターンを転写するインプリント処理を行う。インプリント装置１は、本実施形態では、光（紫外光）を照射して樹脂（光硬化型樹脂）を硬化させる光硬化法を採用するが、その他の硬化法、例えば、熱を与えることで樹脂を硬化させる熱硬化法を採用してもよい。
【００１３】
インプリント装置１は、モールドヘッド１０１と、インプリント構造体１０２と、光源１０３と、照明光学系１０４と、ステージ定盤１０５と、基板ステージ１０６と、樹脂供給部１０７と、モールド保管部１０８と、洗浄部１０９と、制御部１１０とを有する。また、モールドヘッド１０１、インプリント構造体１０２、光源１０３、照明光学系１０４、ステージ定盤１０５、基板ステージ１０６、樹脂供給部１０７、モールド保管部１０８及び洗浄部１０９は、チャンバーＣＨに収納されている。
【００１４】
モールドヘッド１０１は、インプリント構造体１０２に取り付けられ、モールドＭを保持して移動する保持部である。モールドヘッド１０１は、モールドＭを真空吸着又は静電吸着するモールドチャックやリニアモータ及びアクチュエータなどの移動機構を含む。モールドヘッド１０１は、基板Ｓの上の樹脂Ｒ（未硬化樹脂）にモールドＭを押し付けたり（接触させたり）、基板Ｓの上の樹脂Ｒ（硬化樹脂）からモールドＭを剥離させたりする機能を実現する。モールドＭは、基板Ｓに転写すべき凹凸のパターンが形成されたパターン面ＰＳを含み、光源１０３及び照明光学系１０４からの光を透過する材料（例えば、石英など）で構成される。
【００１５】
光源１０３及び照明光学系１０４は、基板Ｓの上の樹脂Ｒを硬化させるための紫外光を照射する照射装置を構成する。但し、インプリント装置１が熱硬化法を採用する場合には、光源１０３及び照明光学系１０４は、熱硬化型樹脂に熱を与える加熱装置に置換される。
【００１６】
ステージ定盤１０５には、基板Ｓを保持して移動する基板ステージ１０６が載置されている。基板ステージ１０６は、基板Ｓを真空吸着する基板チャックやリニアモータ及びアクチュエータなどの移動機構を含む。基板Ｓは、モールドＭのパターンが転写される基板であって、例えば、単結晶シリコンウエハやＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエハなどを含む。
【００１７】
樹脂供給部１０７は、樹脂Ｒを吐出するノズルを含むディスペンサヘッドで構成され、基板Ｓの上に樹脂Ｒを供給する。樹脂供給部１０７から樹脂Ｒを供給しながら基板ステージ１０６を移動（スキャン移動やステップ移動）させることで、基板Ｓ（ショット領域）に樹脂Ｒを塗布することが可能となる。
【００１８】
モールド保管部１０８は、インプリント装置１の外部から搬入され、インプリント処理に交換可能に用いられる複数のモールドＭ、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４を保管するストッカである。モールド保管部１０８は、本実施形態では、複数のモールドＭ、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４のそれぞれを収納する空間（密閉空間）ＳＰ、ＳＰ２、ＳＰ３及びＳＰ４に分かれており、それぞれの空間を規定する隔壁（棚）１０８ａを含む。
【００１９】
洗浄部１０９は、複数のモールドＭ、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４のそれぞれをモールド保管部１０８に保管された状態で洗浄する。ここで、モールドの洗浄とは、インプリント処理の際にモールド（特に、パターン面）に残留した樹脂の除去やモールドに付着したパーティクル（汚染物質）の除去などを含む。
【００２０】
制御部１１０は、ＣＰＵやメモリなどを含み、インプリント装置１の全体を制御する。制御部１１０は、本実施形態では、インプリント装置１の各部を統括的に制御して、インプリント処理を制御する。例えば、制御部１１０は、モールドヘッド１０１を移動させ、基板Ｓの上の樹脂ＲにモールドＭを押し付けて樹脂ＲとモールドＭとを接触させる。この際、制御部１１０は、レーザー干渉計（不図示）やアライメント計測系（不図示）などの計測結果に基づいて、モールドＭと基板Ｓとの位置合わせ（アライメント）を行う。半導体デバイスを製造する場合のアライメントには、数ナノメートル以下の精度を必要とすることがある。次いで、制御部１１０は、基板Ｓの上の樹脂ＲとモールドＭとを接触させた状態で、光源１０３及び照明光学系１０４からの紫外光を照射して樹脂Ｒを硬化させる。そして、制御部１１０は、モールドヘッド１０１を移動させ、基板Ｓの上の硬化した樹脂ＲからモールドＭを剥離することで、基板ＳにモールドＭのパターンが転写される。また、制御部１１０は、後述するように、モールドＭ、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４を洗浄するモールド洗浄処理も制御する。
【００２１】
図２は、インプリント装置１の動作、具体的には、上述したインプリント処理における各状態を示す図である。図２（ａ）は、基板Ｓの上に樹脂Ｒが塗布された状態、即ち、基板Ｓの上の樹脂ＲにモールドＭを押し付ける前の状態を示している。図２（ｂ）は、基板Ｓの上の樹脂ＲにモールドＭを押し付け、樹脂ＲとモールドＭとを接触させた状態で紫外光を照射して樹脂Ｒを硬化させた状態を示している。図２（ｃ）は、基板Ｓの上の硬化した樹脂ＲからモールドＭを剥離した状態を示している。図２（ｃ）では、モールドＭに樹脂が残留することなく、基板ＳにモールドＭのパターンが正確に転写されている。但し、基板Ｓの上の硬化した樹脂ＲからモールドＭを剥離する際には、図２（ｄ）に示すように、モールドＭの剥離が不完全となり、モールドＭに樹脂（残留樹脂）ＰＲが残留することがある。このような場合、基板Ｓに転写されたパターンに欠陥が生じる。また、本実施形態では、図２（ａ）乃至図２（ｃ）に示す動作を繰り返すことで基板Ｓの上にパターンを転写するインプリント処理を行う。そのため、次回のインプリント処理においても、基板Ｓに転写されるパターンの欠陥やモールドＭの破損を招くことになる。また、モールドＭにパーティクルが付着した場合も同様に、基板Ｓに転写されるパターンの欠陥やモールドＭの破損を招くことになる。
【００２２】
モールドの洗浄に関する技術については、従来から幾つか提案されている。例えば、モールドに紫外光を照射する光洗浄は、容易に実施可能であり、且つ、洗浄効果が高い洗浄方法である。但し、光洗浄は、一般的に、洗浄に要する時間が数十分から数時間と長くなってしまう。また、洗浄後のモールドに対しては、常に、パーティクルの付着を抑制することが必要となる。
【００２３】
そこで、本実施形態では、上述したように、洗浄部１０９によって、複数のモールドＭ、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４のそれぞれをモールド保管部１０８に保管された状態で洗浄する。図３は、モールド保管部１０８及び洗浄部１０９の具体的な構成の一例を示す図である。モールド保管部１０８は、モールドを保管する棚構造を有し、複数のモールドＭ、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４を保管する。モールド保管部１０８は、空間ＳＰ、ＳＰ２、ＳＰ３及びＳＰ４を規定する隔壁１０８ａの他に、モールドのパターン面が下向きとなるように、モールドＭ、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４を保持するための保持部材１０８ｂを含む。更に、モールド保管部１０８は、空間ＳＰ、ＳＰ２、ＳＰ３及びＳＰ４のそれぞれに対して、各モールドＭ、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４を出し入れするための機構（不図示）も含む。
【００２４】
各空間ＳＰ、ＳＰ２、ＳＰ３及びＳＰ４の規定には、露光装置などのクリーン化システムで利用されている標準機構インターフェース（ＳＭＩＦ）などを適用してもよい。また、モールド保管部１０８（隔壁１０８ａ）の一部の材質を石英ガラスなどに置き換え、形状などはＳＭＩＦの規格に準拠させてもよい。
【００２５】
洗浄部１０９は、例えば、モールドＭの光洗浄を実現するために、図３に示すように、紫外光を発する複数の紫外光源１０９ａを含む。かかる紫外光源１０９ａは、各モールドＭ、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４のパターン面に紫外光が照射されるように、モールド保管部１０８に配置されている。例えば、図３では、紫外光源１０９ａは、各モールドＭ、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４のパターン面に対向するように、各空間ＳＰ、ＳＰ２、ＳＰ３及びＳＰ４に配置されている。また、洗浄部１０９は、光洗浄に必要となる酸素などのガス（流体）を各空間ＳＰ、ＳＰ２、ＳＰ３及びＳＰ４に供給する供給部１０９ｂや光洗浄で生じたオゾンなどの反応ガス（流体）を回収（排気）する回収部１０９ｃなどを含む。また、供給部１０９ｃには、ガスを供給する際にモールドが帯電することを防止するために、イオナイザ（即ち、除電可能な構成）を配置しておくとよい。一方、回収部１０９ｃには、回収される反応ガス（特に、オゾン）が外部に漏れ出すことを防止するために、かかる反応ガスの濃度を計測するセンサを配置しておくとよい。
【００２６】
インプリント処理に用いられ、モールド保管部１０８の各空間ＳＰ、ＳＰ２、ＳＰ３及びＳＰ４に保管（搬送）された各モールドＭ、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４は、各紫外光源１０９ａから紫外光を照射される。紫外光源１０９ａからの紫外光は、空気中の酸素に吸収され、酸素ラジカルやオゾンを発生させる。酸素又はオゾンから発生した酸素ラジカルは、各モールドＭ、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４に残留した樹脂や各モールドＭ、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４に付着したパーティクルなどの有機物を分解する。従って、各モールドＭ、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４に残留した樹脂及び各モールドＭ、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４に付着したパーティクルは、二酸化炭素や水となって揮発除去される。
【００２７】
このように、各モールドＭ、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４がモールド保管部１０８に保管された状態において、紫外光源１０９ａから紫外光を一定時間照射することで、有機物である樹脂やパーティクルが除去され、次回のインプリント処理に用いることが可能となる。また、紫外光を一定時間照射するのではなく、各モールドＭ、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４がモールド保管部１０８に保管されている間は常に紫外光を照射してもよい。これにより、各モールドＭ、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４を洗浄した後に（即ち、時間の経過によって）、インプリント装置内や保管部内のパーティクルが各モールドＭ、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４に付着するようなことがあっても、かかるパーティクルを除去することができる。
【００２８】
洗浄部１０９によるモールドの洗浄は、光洗浄に限定されるものではない。例えば、洗浄部１０９は、超純水やオゾン水などの機能水、酸性やアルカリ性の液体などを各空間ＳＰ、ＳＰ２、ＳＰ３及びＳＰ４に充填して、各モールドＭ、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４を洗浄してもよい。また、洗浄部１０９は、プラズマやレーザー光などで各モールドＭ、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４を洗浄してもよい。更には、洗浄部１０９は、各モールドＭ、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４を洗浄するだけではなく、洗浄後の各モールドＭ、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４に離型剤を塗布又は蒸着させる機構を含んでいてもよい。
【００２９】
洗浄部１０９は、インプリント処理に用いられる前のモールドを洗浄することも可能である。例えば、インプリント装置１の外部からモールドがモールド保管部１０８に搬入されると、モールドヘッド１０１でモールドＭを保持する前に、紫外光源１０９ａから紫外光を一定時間照射して、かかるモールドを洗浄するようにしてもよい。また、モールド保管部１０８に保管されたモールドを一定時間間隔ごとに洗浄するようにしてもよい。
【００３０】
洗浄部１０９による光洗浄を実施していないときには、供給部１０９ｂを介して、窒素やヘリウムなどの清浄な空気などを各空間ＳＰ、ＳＰ２、ＳＰ３及びＳＰ４に供給してもよい（即ち、パージしてもよい）。また、回収部１０９ｃを介して、空間の気体（流体）を排気することで各空間ＳＰ、ＳＰ２、ＳＰ３及びＳＰ４を真空にしてもよい。この場合、回収部１０９ｃは、排気部として機能する。なお、供給部１０９ｂの供給経路と回収部１０９ｃの回収経路とは、同じ経路であってもよい。
【００３１】
また、紫外光源１０９ａから紫外線を照射することで、各モールドＭ、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４の温度が上昇する場合がある。従って、インプリント装置１は、モールド保管部１０８に保管された状態において、各モールドＭ、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４の温度を調整（制御）する温度調整部１１１を有するとよい。例えば、温度調整部１１１は、各モールドＭ、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４を保持するための保持部材１０８ｂに冷却水を流す機構や各空間ＳＰ、ＳＰ２、ＳＰ３及びＳＰ４に冷媒を供給する機構などを含む。また、温度調整部１１１は、各モールドＭ、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４の温度がインプリント装置１の内部の温度と同じになるように、各モールドＭ、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４の温度を調整するとよい。これにより、各モールドＭ、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４を洗浄した直後であっても、各モールドＭ、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４をインプリント処理に用いることが可能となる。
【００３２】
本実施形態によれば、インプリント装置１の内部（モールド保管部１０８）において、インプリント処理の終了時、モールドの交換時、モールドの搬入時などにモールドを洗浄することができる。あるモールドの洗浄中には、モールド保管部１０８に保管されていた別のモールドを用いてインプリント処理を行うことができるため、モールドの洗浄に時間を要しても、インプリント装置１はインプリント処理を継続することができる。このように、インプリント装置１は、モールドの洗浄を容易に実施することを可能にしながらも、モールドの洗浄によるスループットの低下を抑制することができる。従って、インプリント装置１は、高いスループットで経済性よく高品位な半導体デバイスなどの物品を提供することができる。物品としてのデバイス（半導体デバイス、磁気記憶媒体、液晶表示素子等）の製造方法について説明する。かかる製造方法は、インプリント装置１を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等）にパターンを転写（形成）するステップを含む。かかる製造方法は、パターンが転写された基板をエッチングするステップを更に含む。なお、かかる製造方法は、パターンドットメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、エッチングステップの代わりに、パターンが転写された基板を加工する他の加工ステップを含む。
【００３３】
また、図１では、モールドの光洗浄を実現するために、紫外光源１０９ａをモールド保管部１０８の各空間ＳＰ、ＳＰ２、ＳＰ３及びＳＰ４に配置しているが、これに限定されるものではない。例えば、図４に示すように、基板Ｓの上の樹脂Ｒを硬化させるための紫外線を照射する光源１０３を、各モールドＭ、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４を洗浄するための紫外線を照射する光源（即ち、紫外光源１０９ａ）として用いてもよい。この場合、光源１０３からの紫外光をモールド保管部１０８、詳細には、モールド保管部１０８に保管された各モールドＭ、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４のパターン面に導くための導光部１１２が必要となる。導光部１１２は、例えば、光源１０３が発する紫外光をミラーなどで分離し、分離した紫外光を折り曲げミラーやファイバーなどを介してモールド保管部１０８まで導く。また、モールド保管部１０８には、導光部１１２によって導かれる紫外光が入射する位置に、紫外光を透過し、且つ、紫外光によって損傷を受けないガラス部材（透過部）１０８ｄが配置されている。これにより、各モールドＭ、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４に対して、モールド保管部１０８の外部から紫外光を照射することができる。
【００３４】
＜第２の実施形態＞
図５は、本発明の一側面としての収納ケース２の構成を示す概略図である。収納ケース２は、パターンが形成されたパターン面ＰＳを含むモールドＭを収納する。収納ケース２は、モールドＭの周囲を覆ってモールドＭを収納する空間ＳＰ６を規定するカバー部２０１と、空間ＳＰ６に配置され、モールドＭ（パターン面ＰＳ）に紫外光を照射する紫外光源２０２と、紫外光源２０２に電源を供給する電源部２０３とを有する。また、収納ケース２は、モールドＭのパターン面ＰＳが下向きとなるように、モールドＭを保持するための保持部材２０４を有してもよい。
【００３５】
収納ケース２は、モールドＭを搬送しながら（即ち、モールドＭを収納ケース２に収納した状態で）、モールドＭを光洗浄することができる。また、収納ケース２は、インプリント装置１のモールド保管部１０８の各空間ＳＰ、ＳＰ２、ＳＰ３及びＳＰ４に搬入することも可能である。
【００３６】
収納ケース２によれば、インプリント装置１の内部でモールドＭの洗浄を実施することができるだけではなく、インプリント装置１の外部であっても、収納ケース２にモールドＭが収納されている状態であれば、モールドＭの洗浄を実施することができる。このように、本実施形態の収納ケース２は、モールドＭの保管中であってもモールドＭの搬送中であっても、モールドＭに常に紫外線を照射してモールドＭの洗浄を実施することが可能である。従って、モールドＭに残留した樹脂やモールドＭに付着したパーティクルが常に除去され、モールドＭの洗浄によるインプリント装置１のスループットの低下を抑制することができる。
【００３７】
上述したように、各実施形態では、洗浄部としての紫外光源がモールドＭのパターン面ＰＳを照射するように設けている。但し、モールドＭのパターン面ＰＳに加えて、モールドＭの裏面（パターン面ＰＳの裏面、モールドヘッド１０１によって保持される面）を洗浄する洗浄部を設けてもよい。モールドＭとモールドヘッド１０１との間にパーティクルが存在すると、モールドＭが破損する恐れがある。また、モールドヘッド１０１でモールドＭを真空吸着する場合は、パーティクルが存在すると、モールドＭを真空吸着するための気体がリークする恐れがある。そのため、モールドＭをモールドヘッド１０１に取り付ける前に、モールドＭの裏面を洗浄することで、モールドＭとモールドヘッド１０１との間にパーティクルが挟まれないようにすることができる。
【００３８】
また、各実施形態では、モールド保管部１０８に保管されたモールドＭは、いずれもパターン面が下向きとなるように保管されているが、これに限定されるものではない。例えば、モールド保管部１０８は、パターン面が上向きになるようにモールドＭを保管してもよい。但し、パターン面を下向きにしてモールドＭを保管することで、インプリント装置の内部において、モールドＭの上下を反転させることなく、モールドＭを搬送することができる。
【００３９】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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