(57)【要約】【課題】パワーＭＯＳＦＥＴ等のパワー系半導体装置のゲート絶縁膜形成前の洗浄処理においては、処理能力が大きいことから、蒸気乾燥工程を含むバッチ式洗浄処理が多用されている。しかし、本願発明者らが検討したところによると、トレンチゲート型パワーＭＯＳＦＥＴ等のトレンチゲート型パワー系半導体装置においては、蒸気乾燥工程において、ウォータマークが発生していることが明らかとなった。【解決手段】本願発明は、トレンチゲート型パワー系半導体装置のゲート絶縁膜形成前の洗浄処理において、蒸気乾燥工程を含むバッチ式洗浄の後に、トレンチ内面が親水性の状態で枚葉洗浄を実行するものである。【選択図】図１９
2014103338.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含むトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法：
（ａ）半導体Ｓｉウエハの第１の主面に設けられた多数のトレンチの内面を、犠牲酸化シリコン膜を形成することにより被覆する工程；
（ｂ）前記工程（ａ）の後、各トレンチの内面が前記犠牲酸化シリコン膜によって被覆された状態で、前記半導体Ｓｉウエハに対して、バッチ式エッチング洗浄処理を実行する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、各トレンチの前記内面が前記犠牲酸化シリコン膜によって被覆された前記半導体Ｓｉウエハに対して、枚葉式エッチング洗浄処理を実行し、前記犠牲酸化シリコン膜を除去することによって、各トレンチの前記内面のシリコン表面を露出させる工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、各トレンチの前記内面に、ゲート絶縁膜を成膜する工程。
【請求項２】
請求項１のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法において、前記バッチ式エッチング洗浄処理は、蒸気乾燥工程を有する。
【請求項３】
請求項２のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法において、以下の下位工程を含む：
（ｃ１）回転ステージ上に、前記半導体Ｓｉウエハを、その第１の主面を上に向けて保持して高速自転させた状態で、前記第１の主面に対して、前記犠牲酸化シリコン膜に対してエッチング作用を有する第１の薬液を供給する工程；
（ｃ２）前記工程（ｃ１）の後、前記回転ステージ上に、前記半導体Ｓｉウエハを、その第１の主面を上に向けて保持して高速自転させた状態で、前記半導体Ｓｉウエハの前記第１の主面に対して、リンス処理を実行する工程；
（ｃ３）前記工程（ｃ２）の後、前記回転ステージ上に、前記半導体Ｓｉウエハを、その第１の主面を上に向けて保持して高速自転させた状態で、前記半導体Ｓｉウエハの前記第１の主面に対して、乾燥窒素ガスを供給することにより、乾燥させる工程。
【請求項４】
請求項３のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ｃ１）、（ｃ２）および（ｃ３）は、連続して実行される。
【請求項５】
請求項４のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ｃ１）、（ｃ２）および（ｃ３）の各処理は、前記半導体Ｓｉウエハの第２の主面に対しても、同時に行われる。
【請求項６】
請求項５のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ｃ２）および（ｃ３）の各処理は、前記半導体Ｓｉウエハの前記第１の主面の全体に対して、近接して対向する遮蔽板を前記回転ステージと同様に高速自転させた状態で実行される。
【請求項７】
請求項６のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法において、前記犠牲酸化シリコン膜は、熱酸化膜である。
【請求項８】
請求項７のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法において、前記ゲート絶縁膜は、熱酸化シリコン膜である。
【請求項９】
請求項８のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法において、前記バッチ式エッチング洗浄処理は、以下の下位工程を含む：
（ｂ１）前記半導体Ｓｉウエハをアンモニアと過酸化水素を主要な成分として含む第１の水溶液に浸漬する工程；
（ｂ２）前記工程（ｂ１）の後、前記半導体Ｓｉウエハを前記犠牲酸化シリコン膜に対してエッチング作用を有する第２の水溶液に浸漬する工程。
【請求項１０】
請求項９のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法において、前記トレンチゲート型パワー系半導体装置は、パワーＭＯＳＦＥＴである。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、半導体装置（または半導体集積回路装置）の製造方法に関し、たとえば、トレンチゲート型パワー系半導体装置の製造工程における洗浄プロセスに適用することができるものである。
【背景技術】
【０００２】
日本特開２００７−１７３８４０号公報（特許文献１）または、これに対応する米国特許公開２０１１−２１２６１１号公報（特許文献２）は、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）デバイスに関するものである。そこには、ポリシリコンへのイオン注入マスクとしてのレジスト膜の除去洗浄工程に於いて、バッチ処理による薬液処理の後、枚葉処理により気相ＨＦ処理する技術が開示されている。
【０００３】
日本特開平６−８５１８６号公報（特許文献３）または、これに対応する米国特許第６２５１７４３号公報（特許文献４）は、フィン（Ｆｉｎ）型メモリ容量を有するＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）に関するものである。そこには、フィン形成エッチ、洗浄および乾燥をバッチ処理および枚葉処理で実施する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１７３８４０号公報
【特許文献２】米国特許公開２０１１−２１２６１１号公報
【特許文献３】特開平６−８５１８６号公報
【特許文献４】米国特許第６２５１７４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
たとえば、パワーＭＯＳＦＥＴ等のパワー系半導体装置のゲート絶縁膜形成前の洗浄処理においては、処理能力が大きいことから、蒸気乾燥工程を含むバッチ式洗浄処理が多用されている。しかし、本願発明者らが検討したところによると、トレンチゲート型パワーＭＯＳＦＥＴ等のトレンチゲート型パワー系半導体装置においては、蒸気乾燥工程において、ウォータマークが発生していることが明らかとなった。
【０００６】
このような課題を解決するための手段等を以下に説明するが、その他の課題と新規な特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願において開示される実施の形態のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
【０００８】
すなわち、本願の一実施の形態の概要は、トレンチゲート型パワー系半導体装置のゲート絶縁膜形成前の洗浄処理において、蒸気乾燥工程を含むバッチ式洗浄の後に、トレンチ内面が親水性の状態で枚葉洗浄を実行するものである。
【発明の効果】
【０００９】
本願において開示される実施の形態のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである。
【００１０】
すなわち、前記本願の一実施の形態によれば、ウォータマークの発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本願の一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法における対象デバイスの一例であるトレンチゲート型パワーＭＯＳＦＥＴを説明するためのトレンチゲート型パワーＭＯＳＦＥＴのチップ上面全体図である。
【図２】本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるウエハ工程のアウトラインを説明するための図１のセル領域切り出し部Ｒ１のＸ−Ｘ’断面に対応する製造工程中（フィールド酸化膜成膜工程）のウエハの断面図である。
【図３】本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるウエハ工程のアウトラインを説明するための図１のセル領域切り出し部Ｒ１のＸ−Ｘ’断面に対応する製造工程中（フィールド酸化膜加工工程）のウエハの断面図である。
【図４】本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるウエハ工程のアウトラインを説明するための図１のセル領域切り出し部Ｒ１のＸ−Ｘ’断面に対応する製造工程中（トレンチ形成工程）のウエハの断面図である。
【図５】本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるウエハ工程のアウトラインを説明するための図１のセル領域切り出し部Ｒ１のＸ−Ｘ’断面に対応する製造工程中（ゲート絶縁膜形成工程）のウエハの断面図である。
【図６】本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるウエハ工程のアウトラインを説明するための図１のセル領域切り出し部Ｒ１のＸ−Ｘ’断面に対応する製造工程中（ゲートポリシリコン膜成膜工程）のウエハの断面図である。
【図７】本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるウエハ工程のアウトラインを説明するための図１のセル領域切り出し部Ｒ１のＸ−Ｘ’断面に対応する製造工程中（ゲートポリシリコン膜埋め込み＆エッチバック工程）のウエハの断面図である。
【図８】本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるウエハ工程のアウトラインを説明するための図１のセル領域切り出し部Ｒ１のＸ−Ｘ’断面に対応する製造工程中（ｐ型ボディ領域導入工程）のウエハの断面図である。
【図９】本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるウエハ工程のアウトラインを説明するための図１のセル領域切り出し部Ｒ１のＸ−Ｘ’断面に対応する製造工程中（ｎ＋ソース領域導入工程）のウエハの断面図である。
【図１０】本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるウエハ工程のアウトラインを説明するための図１のセル領域切り出し部Ｒ１のＸ−Ｘ’断面に対応する製造工程中（層間絶縁膜成膜工程）のウエハの断面図である。
【図１１】本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるウエハ工程のアウトラインを説明するための図１のセル領域切り出し部Ｒ１のＸ−Ｘ’断面に対応する製造工程中（ソースコンタクト溝用絶縁膜開口形成工程）のウエハの断面図である。
【図１２】本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるウエハ工程のアウトラインを説明するための図１のセル領域切り出し部Ｒ１のＸ−Ｘ’断面に対応する製造工程中（ソースコンタクト溝形成工程）のウエハの断面図である。
【図１３】本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるウエハ工程のアウトラインを説明するための図１のセル領域切り出し部Ｒ１のＸ−Ｘ’断面に対応する製造工程中（ｐ＋型ボディコンタクト領域導入工程）のウエハの断面図である。
【図１４】本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるウエハ工程のアウトラインを説明するための図１のセル領域切り出し部Ｒ１のＸ−Ｘ’断面に対応する製造工程中（アルミニウム系配線層成膜工程）のウエハの断面図である。
【図１５】本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるウエハ工程のアウトラインを説明するための図１のセル領域切り出し部Ｒ１のＸ−Ｘ’断面に対応する製造工程中（アルミニウム系配線層加工工程）のウエハの断面図である。
【図１６】本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるウエハ工程のアウトラインを説明するための図１のセル領域切り出し部Ｒ１のＸ−Ｘ’断面に対応する製造工程中（ファイナルパッシベーション膜成膜＆加工工程）のウエハの断面図である。
【図１７】本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるウエハ工程のアウトラインを説明するための図１のセル領域切り出し部Ｒ１のＸ−Ｘ’断面に対応する製造工程中（バックグラインディング＆裏面電極成膜工程）のウエハの断面図である。
【図１８】本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法における枚葉洗浄工程に使用する洗浄装置を説明するための装置模式断面図である。
【図１９】本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるゲート絶縁膜成膜前洗浄工程等の詳細を説明するための図４から図５への推移に対応する詳細プロセスブロックフロー図である。
【図２０】本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるゲート絶縁膜成膜前洗浄工程等の詳細を説明するための図４から図５への推移を示すトレンチ周辺部Ｒ２の拡大断面図（トレンチ形成工程完了時点）である。
【図２１】本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるゲート絶縁膜成膜前洗浄工程等の詳細を説明するための図４から図５への推移を示すトレンチ周辺部Ｒ２の拡大断面図（犠牲酸化工程完了時点）である。
【図２２】本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるゲート絶縁膜成膜前洗浄工程等の詳細を説明するための図４から図５への推移を示すトレンチ周辺部Ｒ２の拡大断面図（バッチ式エッチング洗浄工程完了時点）である。
【図２３】本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるゲート絶縁膜成膜前洗浄工程等の詳細を説明するための図４から図５への推移を示すトレンチ周辺部Ｒ２の拡大断面図（枚葉式エッチング洗浄工程完了時点）である。
【図２４】本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるゲート絶縁膜成膜前洗浄工程等の詳細を説明するための図４から図５への推移を示すトレンチ周辺部Ｒ２の拡大断面図（ゲート絶縁膜形成工程完了時点）である。
【図２５】本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法のアウトラインを説明するための図１９および図２２に対応するプロセス要部説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
〔実施の形態の概要〕
先ず、本願において開示される代表的な実施の形態について概要を説明する。
【００１３】
１．以下の工程を含むトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法：
（ａ）半導体Ｓｉウエハの第１の主面に設けられた多数のトレンチの内面を、犠牲酸化シリコン膜を形成することにより被覆する工程；
（ｂ）前記工程（ａ）の後、各トレンチの内面が前記犠牲酸化シリコン膜によって被覆された状態で、前記半導体Ｓｉウエハに対して、バッチ式エッチング洗浄処理を実行する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、各トレンチの前記内面が前記犠牲酸化シリコン膜によって被覆された前記半導体Ｓｉウエハに対して、枚葉式エッチング洗浄処理を実行し、前記犠牲酸化シリコン膜を除去することによって、各トレンチの前記内面のシリコン表面を露出させる工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、各トレンチの前記内面に、ゲート絶縁膜を成膜する工程。
【００１４】
２．前記項１のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法において、前記バッチ式エッチング洗浄処理は、蒸気乾燥工程を有する。
【００１５】
３．前記項１または２のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法において、以下の下位工程を含む：
（ｃ１）回転ステージ上に、前記半導体Ｓｉウエハを、その第１の主面を上に向けて保持して高速自転させた状態で、前記第１の主面に対して、前記犠牲酸化シリコン膜に対してエッチング作用を有する第１の薬液を供給する工程；
（ｃ２）前記工程（ｃ１）の後、前記回転ステージ上に、前記半導体Ｓｉウエハを、その第１の主面を上に向けて保持して高速自転させた状態で、前記半導体Ｓｉウエハの前記第１の主面に対して、リンス処理を実行する工程；
（ｃ３）前記工程（ｃ２）の後、前記回転ステージ上に、前記半導体Ｓｉウエハを、その第１の主面を上に向けて保持して高速自転させた状態で、前記半導体Ｓｉウエハの前記第１の主面に対して、乾燥窒素ガスを供給することにより、乾燥させる工程。
【００１６】
４．前記項３のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ｃ１）、（ｃ２）および（ｃ３）は、連続して実行される。
【００１７】
５．前記項３または４のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ｃ１）、（ｃ２）および（ｃ３）の各処理は、前記半導体Ｓｉウエハの第２の主面に対しても、同時に行われる。
【００１８】
６．前記項３から５のいずれか一つのトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ｃ２）および（ｃ３）の各処理は、前記半導体Ｓｉウエハの前記第１の主面の全体に対して、近接して対向する遮蔽板を前記回転ステージと同様に高速自転させた状態で実行される。
【００１９】
７．前記項１から６のいずれか一つのトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法において、前記犠牲酸化シリコン膜は、熱酸化膜である。
【００２０】
８．前記項１から７のいずれか一つのトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法において、前記ゲート絶縁膜は、熱酸化シリコン膜である。
【００２１】
９．前記項１から８のいずれか一つのトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法において、前記バッチ式エッチング洗浄処理は、以下の下位工程を含む：
（ｂ１）前記半導体Ｓｉウエハをアンモニアと過酸化水素を主要な成分として含む第１の水溶液に浸漬する工程；
（ｂ２）前記工程（ｂ１）の後、前記半導体Ｓｉウエハを前記犠牲酸化シリコン膜に対してエッチング作用を有する第２の水溶液に浸漬する工程。
【００２２】
１０．前記項１から９のいずれか一つのトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法において、前記トレンチゲート型パワー系半導体装置は、パワーＭＯＳＦＥＴである。
【００２３】
次に、本願において開示される代表的な実施の形態についてその他の概要を説明する。
【００２４】
１１．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）半導体Ｓｉウエハの第１の主面に設けられた多数のトレンチの内面を、犠牲酸化シリコン膜を形成することにより被覆する工程；
（ｂ）前記工程（ａ）の後、各トレンチの内面が前記犠牲酸化シリコン膜によって被覆された状態で、前記半導体Ｓｉウエハに対して、バッチ式エッチング洗浄処理を実行する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、各トレンチの前記内面が前記犠牲酸化シリコン膜によって被覆された前記半導体Ｓｉウエハに対して、枚葉式エッチング洗浄処理を実行し、前記犠牲酸化シリコン膜を除去することによって、各トレンチの前記内面のシリコン表面を露出させる工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、各トレンチの前記内面に、素子の一部となる絶縁膜を成膜する工程。
【００２５】
１２．前記項１１の半導体装置の製造方法において、前記バッチ式エッチング洗浄処理は、蒸気乾燥工程を有する。
【００２６】
１３．前記項１１または１２の半導体装置の製造方法において、以下の下位工程を含む：
（ｃ１）回転ステージ上に、前記半導体Ｓｉウエハを、その第１の主面を上に向けて保持して高速自転させた状態で、前記第１の主面に対して、前記犠牲酸化シリコン膜に対してエッチング作用を有する第１の薬液を供給する工程；
（ｃ２）前記工程（ｃ１）の後、前記回転ステージ上に、前記半導体Ｓｉウエハを、その第１の主面を上に向けて保持して高速自転させた状態で、前記半導体Ｓｉウエハの前記第１の主面に対して、リンス処理を実行する工程；
（ｃ３）前記工程（ｃ２）の後、前記回転ステージ上に、前記半導体Ｓｉウエハを、その第１の主面を上に向けて保持して高速自転させた状態で、前記半導体Ｓｉウエハの前記第１の主面に対して、乾燥窒素ガスを供給することにより、乾燥させる工程。
【００２７】
１４．前記項１３の半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ｃ１）、（ｃ２）および（ｃ３）は、連続して実行される。
【００２８】
１５．前記項１３または１４の半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ｃ１）、（ｃ２）および（ｃ３）の各処理は、前記半導体Ｓｉウエハの第２の主面に対しても、同時に行われる。
【００２９】
１６．前記項１３から１５のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ｃ２）および（ｃ３）の各処理は、前記半導体Ｓｉウエハの前記第１の主面の全体に対して、近接して対向する遮蔽板を前記回転ステージと同様に高速自転させた状態で実行される。
【００３０】
１７．前記項１１から１６のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記犠牲酸化シリコン膜は、熱酸化膜である。
【００３１】
１８．前記項１１から１７のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記素子の一部となる絶縁膜は、熱酸化シリコン膜である。
【００３２】
１９．前記項１１から１８のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記バッチ式エッチング洗浄処理は、以下の下位工程を含む：
（ｂ１）前記半導体Ｓｉウエハをアンモニアと過酸化水素を主要な成分として含む第１の水溶液に浸漬する工程；
（ｂ２）前記工程（ｂ１）の後、前記半導体Ｓｉウエハを前記犠牲酸化シリコン膜に対してエッチング作用を有する第２の水溶液に浸漬する工程。
【００３３】
〔本願における記載形式、基本的用語、用法の説明〕
１．本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクションに分けて記載する場合もあるが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しを省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。
【００３４】
更に、本願において、「半導体装置」というときは、主に、各種トランジスタ（能動素子）単体、またはそれらを中心に、抵抗、コンデンサ等を半導体チップ等（たとえば単結晶シリコン基板）上に集積したものをいう。ここで、各種トランジスタの代表的なものとしては、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）に代表されるＭＩＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を例示することができる。このとき、各種単体トランジスタの代表的なものとしては、パワーＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を例示することができる。これらは、一般にパワー系半導体デバイス（またはパワー系半導体装置）に分類され、その中には、パワーＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴの外、バイポーラパワートランジスタ、サイリスタ（Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ）、パワーダイオード、および、これらを必要に応じて受動素子とともに、チップ上またはパッケージ内に集積したもの等を含む。
【００３５】
パワーＭＯＳＦＥＴの代表的な形態は、表面にソース電極があり、裏面にドレイン電極がある２重拡散型縦型パワーＭＯＳＦＥＴ（Ｄｏｕｂｌｅ  Ｄｕｆｆｕｓｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｐｏｗｅｒ  ＭＯＳＦＥＴ）である。この２重拡散型縦型パワーＭＯＳＦＥＴには、主に２種類に分類でき、第１は実施形態において主に説明するプレーナゲート（Ｐｌａｎａｒ  Ｇａｔｅ）型であり、第２はＵ−ＭＯＳＦＥＴ等のトレンチゲート（Ｔｒｅｎｃｈ  Ｇａｔｅ）型である。
【００３６】
パワーＭＯＳＦＥＴには、その他に、ＬＤ−ＭＯＳＦＥＴ（Ｌａｔｅｒａｌ−Ｄｉｆｆｕｓｅｄ  ＭＯＳＦＥＴ）がある。
【００３７】
２．同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、「ＡからなるＸ」等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかに、そうでない場合を除き、Ａ以外の要素を主要な構成要素のひとつとするものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、「Ａを主要な成分として含むＸ」等の意味である。たとえば、「シリコン部材」等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、ＳｉＧｅ合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。
【００３８】
同様に、「酸化シリコン膜」、「酸化シリコン系絶縁膜」等と言っても、比較的純粋な非ドープ酸化シリコン（Ｕｎｄｏｐｅｄ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｄｉｏｘｉｄｅ）だけでなく、その他の酸化シリコンを主要な成分とする絶縁膜を含む。たとえば、ＴＥＯＳベース酸化シリコン（ＴＥＯＳ−ｂａｓｅｄ  ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）、ＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｐｈｏｓｐｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）等の不純物をドープした酸化シリコン系絶縁膜も酸化シリコン膜である。また、熱酸化膜、ＣＶＤ酸化膜のほか、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）、ナノクラスタリングシリカ（ＮＳＣ：Ｎａｎｏ−Ｃｌｕｓｔｅｒｉｎｇ  Ｓｉｌｉｃａ）等の塗布系膜も酸化シリコン膜または酸化シリコン系絶縁膜である。そのほか、ＦＳＧ（Ｆｌｕｏｒｏｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）、ＳｉＯＣ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｘｉｃａｒｂｉｄｅ）またはカーボンドープ酸化シリコン（Ｃａｒｂｏｎ−ｄｏｐｅｄ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｘｉｄｅ）またはＯＳＧ（Ｏｒｇａｎｏｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）等のＬｏｗ−ｋ絶縁膜も同様に、酸化シリコン膜または酸化シリコン系絶縁膜である。更に、これらと同様な部材に空孔を導入したシリカ系Ｌｏｗ−ｋ絶縁膜（ポーラス系絶縁膜、「ポーラスまたは多孔質」というときは、分子性多孔質を含む）も酸化シリコン膜または酸化シリコン系絶縁膜である。
【００３９】
また、酸化シリコン系絶縁膜と並んで、半導体分野で常用されているシリコン系絶縁膜としては、窒化シリコン系絶縁膜がある。この系統に属する材料としては、ＳｉＮ，ＳｉＣＮ，ＳｉＮＨ，ＳｉＣＮＨ等がある。ここで、「窒化シリコン」というときは、特にそうでない旨明示したときを除き、ＳｉＮおよびＳｉＮＨの両方を含む。同様に、「ＳｉＣＮ」というときは、特にそうでない旨明示したときを除き、ＳｉＣＮおよびＳｉＣＮＨの両方を含む。
【００４０】
３．「ウエハ」というときは、通常は半導体集積回路装置（半導体装置、電子装置も同じ）をその上に形成する単結晶シリコンウエハを指すが、エピタキシャルウエハ、ＳＯＩ基板、ＬＣＤガラス基板等の絶縁基板と半導体層等の複合ウエハ等も含むことは言うまでもない。
【００４１】
４．図形、位置、属性等に関して、好適な例示をするが、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、厳密にそれに限定されるものではないことは言うまでもない。従って、たとえば、「正方形」とは、ほぼ正方形を含み、「直交」とは、ほぼ直交する場合を含み、「一致」とは、ほぼ一致する場合を含む。このことは、「平行」、「直角」についても同じである。従って、たとえば、完全な平行からの１０度程度のずれは、平行に属する。
【００４２】
また、ある領域について、「全体」、「全般」、「全域」等というときは、「ほぼ全体」、「ほぼ全般」、「ほぼ全域」等の場合を含む。従って、たとえば、ある領域の８０％以上は、「全体」、「全般」、「全域」ということができる。このことは、「全周」、「全長」等についても同じである。
【００４３】
更に、有るものの形状について、「矩形」というときは、「ほぼ矩形」を含む。従って、たとえば、矩形と異なる部分の面積が、全体の２０％程度未満であれば、矩形ということができる。この場合に於いて、このことは、「環状」等についても同じである。この場合に於いて、環状体が、分断されている場合は、その分断された要素部分を内挿または外挿した部分が環状体の一部である。
【００４４】
また、周期性についても、「周期的」は、ほぼ周期的を含み、個々の要素について、たとえば、周期のずれが２０％未満程度であれば、個々の要素は「周期的」ということができる。更に、この範囲から外れるものが、その周期性の対象となる全要素のたとえば２０％未満程度であれば、全体として「周期的」ということができる。
【００４５】
なお、本節の定義は、一般的なものであり、以下の個別の記載で異なる定義があるときは、ここの部分については、個別の記載を優先する。ただし、当該個別の記載部分に規定等されていない部分については、明確に否定されていない限り、本節の定義、規定等がなお有効である。
【００４６】
５．さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。
【００４７】
６．本願に於いて、「エッチング洗浄処理」とは、犠牲酸化膜に対するエッチング作用を伴う処理を含む薬液洗浄工程、純水等によるリンス処理等から構成されたリンス工程、および乾燥処理等から構成されたドライ工程等をこの順に実施するウエハ処理である。なお、これらの工程の前又は間に他の処理（例えば、他の薬液処理、超音波処理、異なる種類のリンス処理）を含んでもよいことはいうまでもない。
【００４８】
また、本願に於いて、「蒸気乾燥」とは、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、パーフロロカーボン/トリフロロエタノール等の蒸気中でウエハ上の水分を置換しながら、ウエハを蒸気温度まで昇温させて乾燥する方法を言う。
【００４９】
更に、スピンテーブル等について、「高速の自転」とは、１００回/分程度以上の自転を指す。同様に、スピンテーブル等の遮蔽板について、「近接」とは、ウエハ厚の５倍程度以内の距離にあることをいう。
【００５０】
〔実施の形態の詳細〕
実施の形態について更に詳述する。各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。
【００５１】
また、添付図面においては、却って、煩雑になる場合または空隙との区別が明確である場合には、断面であってもハッチング等を省略する場合がある。これに関連して、説明等から明らかである場合等には、平面的に閉じた孔であっても、背景の輪郭線を省略する場合がある。更に、断面でなくとも、空隙でないことを明示するために、ハッチングを付すことがある。
【００５２】
なお、二者択一の場合の呼称に関して、一方を「第１」等として、他方を「第２」等と呼ぶ場合に於いて、代表的な実施の形態に沿って、対応付けして例示する場合があるが、たとえば「第１」といっても、例示した当該選択肢に限定されるものではないことは言うまでもない。
【００５３】
１．本願の一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法における対象デバイスの一例であるトレンチゲート型パワーＭＯＳＦＥＴ等の説明（主に図１）
ここでは、トレンチゲート型パワー系半導体装置の一例として、単体のパワーＭＯＳＦＥＴを例に取り具体的に説明するが、単体のＩＧＢＴその他の単体パワー系半導体装置にも適用できることは言うまでもない。また、単体に限らず、これらのデバイスを複数、必要に応じて受動素子等と組み合わせて、チップ上又はパッケージ内に集積した半導体装置にも適用できることは言うまでもない。
【００５４】
なお、パワーＭＯＳＦＥＴは、ＩＧＢＴと比較して、スイッチング特性が優れており、一方、ＩＧＢＴは、パワーＭＯＳＦＥＴと比較して、オン抵抗特性に優れている。
【００５５】
図１は本願の一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法における対象デバイスの一例であるトレンチゲート型パワーＭＯＳＦＥＴを説明するためのトレンチゲート型パワーＭＯＳＦＥＴのチップ上面全体図である。これに基づいて、本願の一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法における対象デバイスの一例であるトレンチゲート型パワーＭＯＳＦＥＴ等を説明する。
【００５６】
先ず、図１にトレンチゲート型パワーＭＯＳＦＥＴの半導体チップ２の上面１ａを示す。図１に示すように、正方形又は長方形（総称して「矩形」）の板状のシリコン系半導体基板上に素子を形成したパワーＭＯＳＦＥＴ素子チップ２（トレンチゲート型パワーＭＯＳ型半導体装置）は中央部にあるソースメタル電極１０が主要な面積を占めている。その下には、それらの幅（またはピッチ）よりも十分長く延びるトレンチ２３がある。トレンチ２３の中には、線状ゲート電極５（たとえば、ポリシリコンゲート電極）が埋め込まれている。そして、ソースメタル電極１０の下には、線状ゲート電極５と線状ソースコンタクト領域が交互に多数形成された帯状繰り返しデバイスパターン領域（リニアセル領域）、すなわち、セル領域１６がある。このセル領域１６の周辺には、ゲート電極を周辺から外部に引き出すゲートメタル配線１１およびゲートメタル電極１９がある。更にその周りには、アルミニウムガードリング３５が設けられている。半導体チップ２の上面１ａは、端部近傍の周辺部を除いて、ファイナルパッシベーション膜２８で覆われており、ソースメタル電極１０上には、ソースパッド開口１４が、ゲートメタル電極１９上には、ゲートパッド開口１５が設けられている。
【００５７】
２．本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるウエハ工程のアウトラインの説明（主に図２から図１７）
ここで説明するウエハプロセスは、一例であって、種々変更できることは言うまでもない。
【００５８】
図２は本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるウエハ工程のアウトラインを説明するための図１のセル領域切り出し部Ｒ１のＸ−Ｘ’断面に対応する製造工程中（フィールド酸化膜成膜工程）のウエハの断面図である。図３は本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるウエハ工程のアウトラインを説明するための図１のセル領域切り出し部Ｒ１のＸ−Ｘ’断面に対応する製造工程中（フィールド酸化膜加工工程）のウエハの断面図である。図４は本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるウエハ工程のアウトラインを説明するための図１のセル領域切り出し部Ｒ１のＸ−Ｘ’断面に対応する製造工程中（トレンチ形成工程）のウエハの断面図である。図５は本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるウエハ工程のアウトラインを説明するための図１のセル領域切り出し部Ｒ１のＸ−Ｘ’断面に対応する製造工程中（ゲート絶縁膜形成工程）のウエハの断面図である。図６は本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるウエハ工程のアウトラインを説明するための図１のセル領域切り出し部Ｒ１のＸ−Ｘ’断面に対応する製造工程中（ゲートポリシリコン膜成膜工程）のウエハの断面図である。図７は本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるウエハ工程のアウトラインを説明するための図１のセル領域切り出し部Ｒ１のＸ−Ｘ’断面に対応する製造工程中（ゲートポリシリコン膜埋め込み＆エッチバック工程）のウエハの断面図である。図８は本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるウエハ工程のアウトラインを説明するための図１のセル領域切り出し部Ｒ１のＸ−Ｘ’断面に対応する製造工程中（ｐ型ボディ領域導入工程）のウエハの断面図である。図９は本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるウエハ工程のアウトラインを説明するための図１のセル領域切り出し部Ｒ１のＸ−Ｘ’断面に対応する製造工程中（ｎ＋ソース領域導入工程）のウエハの断面図である。図１０は本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるウエハ工程のアウトラインを説明するための図１のセル領域切り出し部Ｒ１のＸ−Ｘ’断面に対応する製造工程中（層間絶縁膜成膜工程）のウエハの断面図である。図１１は本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるウエハ工程のアウトラインを説明するための図１のセル領域切り出し部Ｒ１のＸ−Ｘ’断面に対応する製造工程中（ソースコンタクト溝用絶縁膜開口形成工程）のウエハの断面図である。図１２は本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるウエハ工程のアウトラインを説明するための図１のセル領域切り出し部Ｒ１のＸ−Ｘ’断面に対応する製造工程中（ソースコンタクト溝形成工程）のウエハの断面図である。図１３は本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるウエハ工程のアウトラインを説明するための図１のセル領域切り出し部Ｒ１のＸ−Ｘ’断面に対応する製造工程中（ｐ＋型ボディコンタクト領域導入工程）のウエハの断面図である。図１４は本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるウエハ工程のアウトラインを説明するための図１のセル領域切り出し部Ｒ１のＸ−Ｘ’断面に対応する製造工程中（アルミニウム系配線層成膜工程）のウエハの断面図である。図１５は本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるウエハ工程のアウトラインを説明するための図１のセル領域切り出し部Ｒ１のＸ−Ｘ’断面に対応する製造工程中（アルミニウム系配線層加工工程）のウエハの断面図である。図１６は本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるウエハ工程のアウトラインを説明するための図１のセル領域切り出し部Ｒ１のＸ−Ｘ’断面に対応する製造工程中（ファイナルパッシベーション膜成膜＆加工工程）のウエハの断面図である。図１７は本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるウエハ工程のアウトラインを説明するための図１のセル領域切り出し部Ｒ１のＸ−Ｘ’断面に対応する製造工程中（バックグラインディング＆裏面電極成膜工程）のウエハの断面図である。これらに基づいて、本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるウエハ工程のアウトラインを説明する。
【００５９】
まず、たとえば、２００ファイのｎ＋型基板領域１ｓ上にｎ型エピタキシャルシリコン層１ｅを有するｎ型単結晶シリコンウエハ１を準備する。もちろん、ウエハの直径は３００φでも４５０ファイでも、それ以外でもよい。
【００６０】
次に、図２に示すように、たとえば、ｎ型エピタキシャルシリコン層１ｅの表面１ａ（裏面１ｂの反対側の主面）を熱酸化して、たとえば、厚さ４３０ｎｍ程度の熱酸化シリコン膜２１（フィールド絶縁膜）を形成する。なお、フィールド絶縁膜は、たとえば、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）による酸化シリコン系絶縁膜でもよい。
【００６１】
次に図３に示すように、通常のリソグラフィにより、トレンチ形成のためのレジストパターン２２を形成し、それをマスクとして、たとえば、異方性ドライエッチングにより、フィールド熱酸化膜２１に開口３０を形成する。その後、不要なレジストパターン２２を、例えば、アッシング等により、除去する。
【００６２】
次に、図４に示すように、シリコン酸化膜パターン２１をマスクとして、異方性ドライエッチングにより（ハロゲン系のエッチングガスを含むガス、たとえばＣｌ２，ＨＢｒ，Ａｒ，Ｏ２等の混合ガスを使用）、トレンチ２３を形成する。なお、トレンチの寸法の一例を示すとすれば、以下のごとくである。すなわち、トレンチの幅：たとえば、０．３マイクロメートル程度（実用的な範囲としては、たとえば、０．１５から１．５マイクロメートル程度）、トレンチの長さ：たとえば、０．５から数ミリメートル程度、トレンチの深さ：たとえば、１．３マイクロメートル程度（実用的な範囲としては、たとえば、０．７５から６マイクロメートル程度）である。
【００６３】
次に、図５に示すように、トレンチ２３の内面を熱酸化して、ゲート酸化膜４を形成する。なお、この図４から図５にいたる詳細プロセスは、セクション４に於いて詳細に説明する。
【００６４】
次に、図６に示すように、ウエハ１のデバイス面１ａ上、すなわち、トレンチ２３内とフィールド絶縁膜２１上に、ｎ型ドープトポリシリコン膜５をＣＶＤ法により形成する。
【００６５】
次に、図７に示すように、たとえば、ポリシリコン膜５をエッチバックして、トレンチ２３外のポリシリコン膜５を除去する。
【００６６】
次に、図８に示すように、セル領域１６外の不純物を導入しない部分をレジスト膜で被覆した状態で、イオン注入により、ｐ型不純物（たとえば、ボロンイオン）を導入して、ｐ型チャネル不純物ドープ層３（ｐ型ボディ領域）を形成する。
【００６７】
次に、図９に示すように、通常のリソグラフィにより、セル領域１６以外のフィールド酸化膜２１上をレジスト膜で被覆した状態で、シリコン酸化膜エッチングにより、セル領域１６のフィールド酸化膜２１を除去する。次に、セル領域１６外の不純物を導入しない部分をレジスト膜で被覆した状態で、イオン注入（たとえば砒素イオン。なお、燐イオン等でもよい。以下同じ）により、ソース不純物ドープ領域６（ｎ＋ソース領域）をエピタキシャル層１ｅの表面（ウエハ１のデバイス面１ａ）に形成する。
【００６８】
次に図１０に示すように、ウエハ１のデバイス面１ａ上の全面に、たとえば７００ｎｍ程度の厚さの層間絶縁膜２４（たとえばＰＳＧ膜）をＣＶＤ法により成膜する。
【００６９】
次に、図１１に示すように、この層間絶縁膜２４上に、通常のリソグラフィにより、レジストパターン２５を形成し、それをマスクとして、異方性ドライエッチング（フルオロカーボン系のエッチングガスを含むガス、たとえばＡｒ，Ｃ４Ｆ８，Ｃ４Ｆ６，Ｏ２等の混合ガスを使用）により、ソースコンタクトホール８ａ等を開口する。
【００７０】
次に、図１２に示すように、たとえば、そのまま下地のシリコン基板およびポリシリコン部材をエッチングして（たとえばＣｌ２，ＨＢｒ，Ａｒ，Ｏ２等の混合ガスを使用して異方性ドライエッチングする）、両側のソース領域６を分離するように、ソースコンタクト溝８等を形成する。その後、不要なレジストパターン２５を、例えば、アッシング等により、除去する。
【００７１】
次に図１３に示すように、ソースコンタクト溝８を通してｐ型不純物（たとえばＢ＋）をイオン注入することにより、ｐ＋型ボディコンタクト領域１７を形成する。
【００７２】
次に図１４に示すように、ウエハ１のデバイス面１ａ上に、アルミニウム系電極層２６をスパッタリング等により成膜する。
【００７３】
次に、図１５に示すように、アルミニウム系電極層２６上にレジストパターン２７を形成して、それをマスクとして、ウエットエッチングすることにより（ドライエッチングまたはウエットエッチングとドライエッチングの組み合わせでもよい）、ソース電極１２、ゲート電極１１（図１）、ガードリング３５（図１）を分離するように、パターニングする。ここで用いるエッチング液は、例えば、酢酸、硝酸、水および、燐酸を混合した混酸薬液である。
【００７４】
その後、図１６に示すように、不要なレジストパターン２７を、例えば、アッシング等により、除去する。次に、たとえば２マイクロメートル程度の厚さのポリイミド膜等のファイナルパッシベーション膜２８（図１）を塗布等により成膜する。続いて、そのファイナルパッシベーション膜２８（図１）に通常のリソグラフィにより、ソースパッド１４およびゲートパッド１５（図１）を開口する。
【００７５】
次に、図１７に示すように、必要に応じて、ウエハ１の裏面１ｂに対して、バックグラインディングを実行する。次に、スパッタリング成膜等により、たとえば、ウエハ１の裏面１ｂの全面に、裏面ドレインメタル電極３６を成膜する。その後、必要に応じて、ダイシング等により、ウエハ１を個々のチップ２に分割すると、図１に示すような半導体チップ２が得られる。これを更に必要に応じて、パッケージングすると、パッケージされた製品デバイスとなる。
【００７６】
３．本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法における枚葉洗浄工程に使用する洗浄装置の説明（主に図１８）
このセクションで説明する洗浄装置の構成は、一例であり、種々変更できることは言うまでもない。
【００７７】
図１８は本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法における枚葉洗浄工程に使用する洗浄装置を説明するための装置模式断面図である。これに基づいて、本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法における枚葉洗浄工程に使用する洗浄装置を説明する。
【００７８】
（１）バッチ式エッチング洗浄工程７２（図１９）に使用するバッチ式洗浄装置の構成（図１９を参照）：
バッチ式洗浄装置としては、どのようなものでも良いが、具体的には、たとえば、以下のようなものを好適な例として示すことができる。すなわち、複数の薬液、純水、乾燥用蒸気等の処理流体を満たした槽が複数配列されており、その間を複数のウエハ１を収容したウエハカセットを、たとえば、自動で移動できるようになっている。この場合、一般に、各処理（エッチ、リンス、乾燥）は、ウエハ１をカセットごと、処理流体に浸漬（被処理体の周囲を処理流体で満たすこと）することによって実行される。各槽の構成は、処理順に、たとえば、ＡＰＭ（Ａｍｍｏｎｉａ−Ｈｙｄｒｏｇｅｎ  Ｐｅｒｏｘｉｄｅ  Ｍｉｘｔｕｒｅ）槽、リンス用純水槽、酸化シリコン膜エッチング用弗酸含有水溶液槽、リンス用純水槽、蒸気乾燥用ＩＰＡ蒸気リンス用純水槽等を好適なものとして例示することができる。
【００７９】
（２）枚葉式エッチング洗浄工程７３（図１９）に使用する枚葉式洗浄装置の構成（主に図１８により、図１９を参照）：
枚葉式洗浄装置５１の一例を示すとすれば、たとえば、以下のようになっている。図１８の左側５１ａが図１９の酸化シリコン膜除去工程９１における状態であり、図１８の右側５１ｂが、図１９の酸化シリコン膜除去後リンス工程９２の主要部以降における状態である。すなわち、図１８に示すように、処理時（図１９の酸化シリコン膜除去工程９１、酸化シリコン膜除去後リンス工程９２およびスピン乾燥工程９３）に於いては、回転ステージ５２上に被処理ウエハ１が、複数のウエハ保持ピン５３（通常３本から８本）によって保持されている。この例では、ウエハ１の表面１ａが上を向き、ウエハ１の裏面１ｂと回転ステージ５２の上面との間に間隔を置いて保持されている。この間隔としては、たとえば、１．５ミリメートル程度、範囲としては、ウエハの厚さ程度から、ウエハの厚さの５倍程度までを好適なものとして例示することができる。なお、このウエハの厚さは、たとえば、７２５マイクロメートル程度（実用的な範囲としては、４００から１５００マイクロメートル程度）である。
【００８０】
一方、ウエハ１の表面１ａには、その全面を覆うように、遮蔽板５６が近接して対向している。図１９の酸化シリコン膜除去後リンス工程９２およびスピン乾燥工程９３の際のウエハ１の表面１ａと遮蔽板５６の間隔としては、たとえば、１．５ミリメートル程度、範囲としては、ウエハの厚さ程度から、ウエハの厚さの５倍程度までを好適なものとして例示することができる。一方、図１９の酸化シリコン膜除去工程９１の際のウエハ１の表面１ａと遮蔽板５６の間隔としては、たとえば、３００ミリメートル程度、範囲としては、ウエハの直径程度から、ウエハの直径の２倍程度までを好適なものとして例示することができる。遮蔽板５６は、上方の遮蔽板スピンドル５５に固定されており、遮蔽板スピンドル５５は、モータによって自由に回転できるように、遮蔽板保持アーム５４によって移動可能なように保持されている。なお、図１９の酸化シリコン膜除去後リンス工程９２およびスピン乾燥工程９３の際のこのような遮蔽板の存在、および、近接条件は、必須ではないが、このようにすることによって、洗浄特性は向上する。ここで、回転ステージ５２と遮蔽板５６は、たとえば、同一方向に、ほぼ同一速度で回転可能なようにされている。ここで、「ほぼ同一速度」というのは、同一の回転軸に接続されているわけではないので、完全同一とはいえないからである。従って、ここでは、「ほぼ同一速度に設定されている」という程度の意味である。
【００８１】
回転ステージ５２には、下側流体供給管５７ｂが設けられており、遮蔽板５６には、上側流体供給管５７ａが設けられている。下側流体供給管５７ｂには、下側供給流体５８ｂが供給されるようになっており、上側流体供給管５７ａには、上側供給流体５８ａが供給されるようになっている。上側流体供給管５７ａおよび下側流体供給管５７ｂから供給された処理流体は、それぞれ、ウエハ１の表面１ａおよび裏面１ｂに沿って、その外方へ流れてゆくようになっている。この例では、たとえば、上下から、同一の処理流体が、ほぼ同一の条件で供給されるようになっている。ここで、「ほぼ同一の条件」というのは、供給元での処理流体の供給条件を同一にしても、上下では、その他の条件が同一ではないので、射出時には、必ずしも、完全同一とはならないからである。従って、ここでは、「ほぼ同一の供給条件に設定されている」という程度の意味である。また、上下の処理流体の供給は、種々の理由で微調整される場合も有るので、ここで、たとえば、流量については、一方が他方の５０％から２００％の間にあるとき、ほぼ同一流量とする（このことは、サイドノズルについてもいえる）。なお、このような処理流体のウエハの裏面への供給は、必須ではないが、供給することによって、洗浄特性は向上する（同一流体の供給および同一条件での供給についても同じ）。また、回転ステージ５２の上側の側方には、図１９の酸化シリコン膜除去工程９１において、薬液を供給するサイド薬液ノズル５９ｈおよび、純水を供給するサイド純水ノズル５９ｗが設けられている。
【００８２】
なお、上側供給流体５８ａ（サイド薬液ノズル５９ｈから供給される場合を含む）および下側供給流体５８ｂ等の処理流体としては、この例では、たとえば、弗酸を含むエッチング液、純水、乾燥窒素ガス等がある。
【００８３】
更に、この例の図１９の酸化シリコン膜除去後リンス工程９２およびスピン乾燥工程９３に於いては、ウエハステージ５２および遮蔽板５６は、基本的に同一方向に高速で自転している。このような構成は、必須ではないが、そのようにすることによって、洗浄特性は向上する。
【００８４】
また、この例では、同一のウエハに対する一連の処理は、同一の回転ステージ上で連続的に行われる。すなわち、ウエハ１の表面１ａ側に、常に、薬液、純水または窒素ガスが供給された状態で行われる。言い換えれば、ウエハ１の表面１ａ側を酸素に触れさせないようにして処理される。これは、必須ではないが、各処理が連続的に行うことができるので、外部の酸素の影響を回避できるメリットがある。すなわち、ウォータマークの発生防止に有効である。
【００８５】
（２−１）図１９の酸化シリコン膜除去工程９１の説明（主に図１８の左側）：
図１９の酸化シリコン膜除去工程９１においては、サイド薬液ノズル５９ｈから上側供給流体５８ａが供給され、下側流体供給管５７ｂから下側供給流体５８ｂが供給される。この例では、上側供給流体５８ａと下側供給流体５８ｂは、同一の処理流体であり、供給条件はほぼ同一である。ここでの処理流体は、たとえば、酸化シリコン膜エッチング液である。
【００８６】
なお、図１９の酸化シリコン膜除去工程９１から酸化シリコン膜除去後リンス工程９２への以降の際には、たとえば、以下のようなシーケンスをたどる。すなわち、まず、サイド薬液ノズル５９ｈから酸化シリコン膜エッチング液の供給が停止する少し前から（例えば、１秒前）、サイド純水ノズル５９ｗからの純水の供給（流量は、たとえば、１．５リットル／分程度）が開始される。続いて、サイド薬液ノズル５９ｈから酸化シリコン膜エッチング液の供給が停止すると、遮蔽板５６が回転を開始して、回転速度を回転ステージ５２の回転速度に近づけながら、降下を開始する。遮蔽板５６とウエハ１の表面１ａの距離が、たとえば、５０ミリメートル程度まで近づくと、すでに、遮蔽板５６の回転速度は、回転ステージ５２の回転速度とほぼ一致しており、この時点で、上側流体供給管５７ａからの上側供給流体５８ａ（純水、流量は、たとえば、１．５リットル／分程度）が開始される。その後、サイド純水ノズル５９ｗからの純水の供給が停止する。更にその後、遮蔽板５６は、図１９の酸化シリコン膜除去後リンス工程９に適合した所定の高さまで降下する。
【００８７】
（２−２）図１９の酸化シリコン膜除去後リンス工程９２の説明（主に図１８の右側）：
図１９の酸化シリコン膜除去後リンス工程９２においては、上側流体供給管５７ａから上側供給流体５８ａが供給され、下側流体供給管５７ｂから下側供給流体５８ｂが供給される。この例では、上側供給流体５８ａと下側供給流体５８ｂは、同一の処理流体であり、供給条件はほぼ同一である。ここでの処理流体は、たとえば、純水である。
【００８８】
（２−３）図１９のスピン乾燥工程９３の説明（主に図１８の右側）：
図１９のスピン乾燥工程９３においては、上側流体供給管５７ａから上側供給流体５８ａが供給され、下側流体供給管５７ｂから下側供給流体５８ｂが供給される。この例では、上側供給流体５８ａと下側供給流体５８ｂは、同一の処理流体であり、供給条件はほぼ同一である。ここでの処理流体は、たとえば、乾燥窒素ガスである。なお、図１９の酸化シリコン膜除去後リンス工程９２から図１９のスピン乾燥工程９３への切り替えは、連続的に行われる。すなわち、上側流体供給管５７ａおよび下側流体供給管５７ｂからの処理流体供給の純水から乾燥窒素ガスへの切り替えは、連続的に行われる。
【００８９】
４．本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるゲート絶縁膜成膜前洗浄工程等の詳細の説明（主に図１９から図２４）
このセクションでは、セクション２で説明した図４から図５に至る過程の詳細を説明する。
【００９０】
図１９は本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるゲート絶縁膜成膜前洗浄工程等の詳細を説明するための図４から図５への推移に対応する詳細プロセスブロックフロー図である。図２０は本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるゲート絶縁膜成膜前洗浄工程等の詳細を説明するための図４から図５への推移を示すトレンチ周辺部Ｒ２の拡大断面図（トレンチ形成工程完了時点）である。図２１は本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるゲート絶縁膜成膜前洗浄工程等の詳細を説明するための図４から図５への推移を示すトレンチ周辺部Ｒ２の拡大断面図（犠牲酸化工程完了時点）である。図２２は本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるゲート絶縁膜成膜前洗浄工程等の詳細を説明するための図４から図５への推移を示すトレンチ周辺部Ｒ２の拡大断面図（バッチ式エッチング洗浄工程完了時点）である。図２３は本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるゲート絶縁膜成膜前洗浄工程等の詳細を説明するための図４から図５への推移を示すトレンチ周辺部Ｒ２の拡大断面図（枚葉式エッチング洗浄工程完了時点）である。図２４は本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるゲート絶縁膜成膜前洗浄工程等の詳細を説明するための図４から図５への推移を示すトレンチ周辺部Ｒ２の拡大断面図（ゲート絶縁膜形成工程完了時点）である。これらに基づいて、本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法におけるゲート絶縁膜成膜前洗浄工程等の詳細を説明する。
【００９１】
図２０（図４）の状態のウエハ１の表面１ａ側（トレンチ内面を含む）に対して（この例では、裏面１ｂ側に対しても同一処理がされる）、たとえば、熱酸化処理を実行することにより、図２１に示すように、トレンチ２３の内面等に、犠牲酸化シリコン膜２９を成膜することによって、トレンチ２３の内面の全面を被覆する（図１９の犠牲酸化工程７１）。ここで、成膜条件としては、膜厚：たとえば、４０ｎｍ程度、処理温度：たとえば、摂氏９５０度程度、処理雰囲気：たとえば、常圧ドライ酸素雰囲気、処理時間：たとえば、１０分程度を好適なものとして例示することができる。
【００９２】
次の処理から図１９のバッチ式エッチング洗浄工程７２となる。すなわち、まず、ウエハが図２１の状態で、ウエハ１の表面１ａ側（トレンチ内面を含む）に対して（この例では、裏面１ｂ側に対しても同一処理がされる）、ＡＰＭ洗浄工程８１を実行する。ここで、処理条件としては、処理液組成（体積比）：たとえば、ＮＨ４ＯＨ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１：５：５０程度、処理温度：たとえば、摂氏８０度程度、処理時間：たとえば、１０分程度を好適なものとして例示することができる。なお、この時点におけるフィールド熱酸化膜２１の厚さは、たとえば、４３０ｎｍ程度である。
【００９３】
次に、ウエハが図２１の状態で、ウエハ１の表面１ａ側（トレンチ内面を含む）に対して（この例では、裏面１ｂ側に対しても同一処理がされる）、図１９のＡＰＭ洗浄後リンス工程８２を実行する。ここで、処理条件としては、処理流体：例えば、純水（流量：たとえば、１５リットル／分程度）、処理温度：例えば、摂氏２３度程度、処理時間：たとえば、１０分程度、繰り返し回数：２回程度（このれいでは、別の槽を用いている）を好適なものとして例示することができる。なお、各リンス工程は、別の槽を用いた方が、洗浄効果は向上するが、必須ではない。従って、リンスの繰り返しない数は、１回（繰り返しなし）でも、２回でも、３回以上でも良い。
【００９４】
次に、ウエハが図２１の状態で、ウエハ１の表面１ａ側（トレンチ内面を含む）に対して（この例では、裏面１ｂ側に対しても同一処理がされる）、図１９の酸化シリコン膜エッチング工程８３が実行されると、ウエハ１は、図２２のような状態となる。すなわち、犠牲酸化シリコン膜２９ｔは薄くなったものの、依然として、トレンチ２３の内面の全面を被覆している。ここで、処理条件としては、処理液組成（体積比）：たとえば、ＨＦ（弗酸）：Ｈ２Ｏ＝１：１９程度、処理温度：たとえば、摂氏２３度程度、処理時間：たとえば、１分４５秒程度、エッチング量：たとえば、３０ｎｍ程度（薄くなった犠牲酸化シリコン膜２９ｔは、たとえば、１０ｎｍ程度、範囲としては、５から１５ｎｍ程度）を好適なものとして例示することができる。犠牲酸化シリコン膜２９の残し厚さを１０ｎｍ程度とするのは、あまり薄くすると、処理むら等により、シリコン面が露出する部分が出るからである。また、逆に、エッチ量を抑えすぎると、洗浄効果が劣化する。なお、この時点におけるフィールド熱酸化膜２１の厚さは、たとえば、４００ｎｍ程度である。
【００９５】
次に、ウエハが図２２の状態で、ウエハ１の表面１ａ側（トレンチ内面を含む）に対して（この例では、裏面１ｂ側に対しても同一処理がされる）、図１９の酸化シリコン膜エッチング後リンス工程８４を実行する。ここで、処理条件としては、処理流体：例えば、純水（流量：たとえば、１５リットル／分程度）、処理温度：例えば、摂氏２３度程度、処理時間：たとえば、１０分程度、繰り返し回数：２回程度（このれいでは、別の槽を用いている）を好適なものとして例示することができる。なお、各リンス工程は、別の槽を用いた方が、洗浄効果は向上するが、必須ではない。従って、リンスの繰り返しない数は、１回（繰り返しなし）でも、２回でも、３回以上でも良い。
【００９６】
次に、ウエハが図２２の状態で、ウエハ１の表面１ａ側（トレンチ内面を含む）に対して（この例では、裏面１ｂ側に対しても同一処理がされる）、図１９の蒸気乾燥工程８５を実行する。ここで、処理条件としては、処理流体：たとえば、ＩＰＡ蒸気、蒸気温度：たとえば、摂氏８２度程度、処理時間：たとえば、１０分程度を好適なものとして例示することができる。この段階に於いても、犠牲酸化シリコン膜２９ｔは薄くなったものの、依然として、トレンチ２３の内面の全面を被覆している。ここまでが、図１９のバッチ式エッチング洗浄工程７２である。この例に於いては、バッチ式エッチング洗浄工程７２の各処理は、全て、バッチ処理で実行される。
【００９７】
ここから図１９の枚葉式エッチング洗浄工程７３に入る。すなわち、まず、ウエハが図２２の状態で、ウエハ１の表面１ａ側（トレンチ内面を含む）に対して（この例では、裏面１ｂ側に対しても同一処理がされる）、図１９の酸化シリコン膜除去工程９１を実行すると、ウエハ１は、図２３のような状態となる。ここで、処理条件としては、処理液体組成（体積比）：たとえば、ＨＦ（弗酸）：Ｈ２Ｏ＝１：９程度、回転ステージ５２および遮蔽板５６の回転速度：たとえば、８００回／分程度、上側供給流体５８ａおよび下側流体供給管５８ｂのそれぞれの供給量：たとえば、１．５リットル／分程度（摂氏２３度程度）、処理時間：たとえば、３分程度を好適なものとして例示することができる。なお、この時点におけるフィールド熱酸化膜２１の厚さは、たとえば、２９０ｎｍ程度である。
【００９８】
次に、ウエハが図２３の状態で、ウエハ１の表面１ａ側（トレンチ内面を含む）に対して（この例では、裏面１ｂ側に対しても同一処理がされる）、図１９の酸化シリコン膜除去後リンス工程９２が実行される。ここで、処理条件としては、処理流体：たとえば、純水（たとえば、摂氏２３度程度）、回転ステージ５２および遮蔽板５６の回転速度：たとえば、８００回／分程度、上側供給流体５８ａおよび下側流体供給管５８ｂのそれぞれの供給量：たとえば、１．５リットル／分程度、処理時間：たとえば、７５秒程度を好適なものとして例示することができる。なお、回転ステージ５２および遮蔽板５６の回転速度の実用的な範囲としては、たとえば、３００から１５００回／分程度を例示することができる。
【００９９】
次に、ウエハが図２３の状態で、ウエハ１の表面１ａ側（トレンチ内面を含む）に対して（この例では、裏面１ｂ側に対しても同一処理がされる）、図１９のスピン乾燥工程９３が実行される。ここで、処理条件としては、処理流体：たとえば、乾燥窒素ガス（たとえば、摂氏２３度程度）、回転ステージ５２および遮蔽板５６の回転速度：たとえば、３０００回／分程度、上側供給流体５８ａの供給量：たとえば、５０リットル／分程度、下側流体供給管５８ｂの供給量：たとえば、９０リットル／分程度、処理時間：たとえば、４５秒程度を好適なものとして例示することができる。ウエハ１の裏面１ｂ側のガス流量を多めに設定するのは、裏面１ｂ側の方が乾燥しにくいからである。
ここまでは、図１９の枚葉式エッチング洗浄工程７３である。
【０１００】
次に、ウエハが図２３の状態で、ウエハ１の表面１ａ側（トレンチ内面を含む）に対して（この例では、裏面１ｂ側に対しても同一処理がされる）、図１９のゲート絶縁膜成膜工程７４を実行すると、図２４（図５）に示すように、ウエハ１のトレンチ２３の内面等にゲート絶縁膜４（素子の一部となる絶縁膜）が成膜される。ここで、成膜条件としては、膜厚：たとえば、１２０ｎｍ程度、処理温度：たとえば、摂氏８５０度程度、処理雰囲気：たとえば、常圧ドライ酸素雰囲気、処理時間：たとえば、３５分程度を好適なものとして例示することができる。なお、ゲート絶縁膜４としては、ＣＶＤ絶縁膜（酸化シリコン膜）、下層の熱酸化膜と上層のＣＶＤ絶縁膜（酸化シリコン膜）からなる複合膜等でもよいが、熱酸化膜の単層膜の場合は、膜特性が良好であり、信頼性が高い。
【０１０１】
５．前記実施の形態（変形例を含む）に関する補足的説明並びに全般についての考察（主に図２５）
図２５は本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法のアウトラインを説明するための図１９および図２２に対応するプロセス要部説明図である。これに基づいて、前記実施の形態（変形例を含む）に関する補足的説明並びに全般についての考察を行う。
【０１０２】
（１）微細なトレンチを有する洗浄におけるバッチ蒸気乾燥の問題点の考察：
トレンチゲート型パワー系半導体装置等の微細トレンチを有するパワー系半導体装置のゲート絶縁膜成膜前洗浄では、処理能力が大きいことから、バッチ式洗浄が多用されている。しかし、本願発明者らが、汎用のバッチ式洗浄を検討した結果、バッチ式洗浄の乾燥工程として、ＩＰＡ等による蒸気乾燥を適用すると、微細トレンチ内に、ウォータマークが発生することが明らかとなった。この点は、マラゴニ乾燥（Ｍａｒａｎｇｏｎｉ  Ｄｒｙｉｎｇ）等についても、ＩＰＡ等による蒸気乾燥と同様の傾向がある。
【０１０３】
一般に、通常の比較的平坦なウエハの洗浄に於いては、蒸気乾燥は、ウォータマークが発生しにくい乾燥方法と考えられている。しかし、表面曲率が大きい微細トレンチ内においては、比較的平坦なウエハの上面とは性質が異なり、更に、トレンチ内面が疎水性となる状況では、特に、ウォータマークが発生しやすいことが明らかとなった。
【０１０４】
（２）本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法のアウトライン等並びに、前記実施の形態（変形例を含む）に関する補足的説明の説明
（主に図２５）：
そこで、本願の前記一実施の形態のトレンチゲート型パワー系半導体装置の製造方法においては、図２５に示すように、洗浄工程を処理順に、バッチ式エッチング洗浄工程７２（乾燥工程は、蒸気乾燥）および枚葉式エッチング洗浄工程７３を有するものとしたものである。更に、バッチ式エッチング洗浄工程７２が完了するまで、トレンチ２３内面の全体を犠牲酸化シリコン膜２９ｔ（２９）で被覆しておくことによって、蒸気乾燥が適用される際に、トレンチ２３内面を親水性として、ウォータマークが発生しないようにしたものである。そうしておいて、後の枚葉式エッチング洗浄工程７３においては、残存する犠牲酸化シリコン膜２９ｔを除去するのである。このようにすることによって、ゲート絶縁膜成膜前の洗浄に於いて、トレンチ２３内面に、ウォータマークが発生することを有効に防止することができる。
【０１０５】
また、付加的な効果として、いずれも汎用のバッチ式洗浄装置と枚葉式洗浄装置を用いて、容易に洗浄工程を構築することができる。
【０１０６】
更に、前半の洗浄の乾燥工程を、蒸気乾燥とした場合には、ウエハのデバイス面表面（トレンチ以外の部分）に於いては、本来の蒸気乾燥の効果により、ウォータマークの発生を有効に防止することができる。
【０１０７】
また、バッチ式洗浄と枚葉式洗浄の両方が実施されるので、枚葉式洗浄で残存しやすいウエハ端面の異物除去特性も向上する。これは、バッチ式洗浄は、一般に、ウエハ端面の異物除去特性が高いと考えられているためである。すなわち、端面の異物は、先行するバッチ式洗浄で除去されているからである。
【０１０８】
また、後半の枚葉洗浄に於いて、ウエハを高速で回転（自転）させながら、酸化膜エッチ除去、リンス、窒素ガス吹き付け乾燥を行う場合には、ウエハ間およびウエハ内ばらつきが少ない処理が可能である。
【０１０９】
また、後半の枚葉洗浄に於いて、酸化膜エッチ除去、リンス、窒素ガス吹き付け乾燥を実施し、これらを連続的に実施する場合は、周辺の酸素の影響を最小限にすることができる。すなわち、酸素の影響によるウォータマークの発生を防止することができる。
【０１１０】
また、後半の枚葉洗浄の各工程に於いて、上下の処理流体を同一として、ほぼ同一の条件で供給する場合は、ウエハ１の裏面１ｂの異物や金属コンタミネーションを除去するのに有効である。
【０１１１】
また、後半の枚葉洗浄の酸化シリコン膜除去後リンス工程９２（図１９）およびスピン乾燥工程９３における近接した遮蔽板５６（図１８）を適用する場合は、周辺の酸素の導入を阻止する効果を有する。
【０１１２】
また、犠牲酸化膜を熱酸化膜とする場合は、熱酸化の際に表面の異物や金属コンタミネーションを犠牲酸化膜の中に固定し、その後の犠牲酸化膜エッチ工程（図１９の酸化シリコン膜エッチング工程８３および酸化シリコン膜除去工程９１）の際に、犠牲酸化膜ごと除去する効果を有する。
【０１１３】
また、後半の枚葉洗浄に於いては、犠牲酸化膜に除去をスピンエッチによって実行する場合は、異物やコンタミネーションの再付着を防止する効果が大きい。
【０１１４】
また、前半のバッチ洗浄において、アンモニアと過酸化水素を主要な成分とする水溶液で洗浄す場合は、異物や有機系コンタミネーションの除去に有効である。
【０１１５】
（３）トレンチキャパシタ（Ｔｒｅｎｃｈ  Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）型ＤＲＡＭ（汎用ＤＲＡＭおよび埋め込みＤＲＡＭ）への適用についての考察：
汎用ＤＲＡＭおよび埋め込みＤＲＡＭにおいて、トレンチキャパシタ（Ｔｒｅｎｃｈ  Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）を記憶容量として用いる場合にも、前記実施の形態（変形例を含む）は有効に適用可能である。これは、トレンチキャパシタは、一般に、シリコン基板のデバイス面内に深いトレンチを掘り、その表面に、容量絶縁膜（素子の一部となる絶縁膜）を形成することで製造されるからである。この場合の容量絶縁膜は、熱酸化シリコン膜（酸窒化シリコン膜を含む）、ＣＶＤ酸化シリコン膜（酸窒化シリコン膜を含む）、ＣＶＤおよびプラズマ窒化シリコン膜、ＣＶＤ（ＡＬＤを含む）高誘電率絶縁膜、または、これらの複合膜等から構成される。
【０１１６】
６．サマリ
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
【０１１７】
例えば、前記実施の形態では、トレンチゲート型ゲート構造のパワーＭＯＳＦＥＴ構造を例にとり具体的に説明したが、本願の発明はそれに限定されるものではなく、プレーナー型構造等にも全く同様に適用できることは言うまでもない。
【０１１８】
なお、前記実施の形態では、Ｎ＋シリコン単結晶基板上のＮエピタキシャル層上面に主にＮチャネルデバイスを形成するものを具体的に説明したが、本願の発明はそれに限定されるものではなく、Ｐ＋シリコン単結晶基板上のＮエピタキシャル層上面にＰチャネルデバイスを形成するものでもよい。
【０１１９】
また、前記実施の形態では、Ｎチャネル系パワーＭＯＳＦＥＴを中心に説明したが、Ｐチャネル系パワーＭＯＳＦＥＴについては、構造的には、全ての領域のＰＮを置き換える操作（ＰＮ反転）を実行したものとなる。
【０１２０】
また、前記実施の形態では、単一の導電型領域からなるドリフト領域を有するデバイスを中心に説明したが、ドリフト領域をスーパジャンクション構造としたものでも良いことは、言うまでもない。
【０１２１】
更に、前記実施の形態では、シリコン単結晶ウエハ（エピタキシャルウエハを含む）上に、デバイスを形成するものについて具体的に説明したが、シリコン系ウエハのほか、ＳｉＣ系ウエハ、ＧａＮ系ウエハ等にも適用できることは言うまでもない。
【符号の説明】
【０１２２】
１  半導体基板（またはウエハ）
１ａ  （半導体基板、チップ又はウエハの）デバイス面（表面または第１の主面）
１ｂ  （半導体基板、チップ又はウエハの）裏面（第２の主面）
１ｅ  （半導体基板、チップ又はウエハの）エピタキシ領域
１ｓ  （半導体基板、チップ又はウエハの）基板領域
２  チップまたはチップ領域
３  ｐ型チャネル領域（ｐ型ボディ領域）
４  ゲート絶縁膜または素子の一部となる絶縁膜（ＤＲＡＭの場合は、容量絶縁膜）
５  ポリシリコンゲート電極（トレンチゲート、ゲートポリシリコン膜）
６  ｎ＋ソース領域
８  （半導体基板内の）ソースコンタクト溝（ソースコンタクト部）
８ａ  ソースコンタクト溝用絶縁膜開口（ソースコンタクトホール）
１０  ソースメタル電極
１１  ゲートメタル配線
１２  ソースメタル電極
１４  ソースパッド開口
１５  ゲートパッド開口
１６  セル領域
１７  ｐ＋型ボディコンタクト領域
１９  ゲートメタル電極
２１  フィールド熱酸化膜
２２  トレンチ加工用レジスト膜
２３  トレンチ
２４  ＰＳＧ膜（層間絶縁膜）
２５  ボディコンタクト溝加工用レジスト膜
２６  アルミニウム系配線層
２７  ソースメタル電極等加工用レジスト膜
２８  ファイナルパッシベーション膜
２９  犠牲酸化シリコン膜
２９ｔ  薄くなった犠牲酸化シリコン膜
３０  フィールド熱酸化膜の開口
３５  ガードリング
３６  裏面ドレインメタル電極
５１  枚葉式洗浄装置
５１ａ  酸化シリコン膜除去工程における枚葉式洗浄装置
５１ｂ  酸化シリコン膜除去後リンス工程の主要部における枚葉式洗浄装置
５２  回転ステージ
５３  ウエハ保持ピン
５４  遮蔽板保持アーム
５５  遮蔽板スピンドル
５６  遮蔽板
５７ａ  上側流体供給管
５７ｂ  下側流体供給管
５８ａ  上側供給流体
５８ｂ  下側供給流体
５９ｈ  サイド薬液ノズル
５９ｗ  サイド純水ノズル
７０  ゲート絶縁膜成膜前洗浄工程
７１  犠牲酸化工程
７２  バッチ式エッチング洗浄工程
７３  枚葉式エッチング洗浄工程
７４  ゲート絶縁膜成膜工程
８１  ＡＰＭ洗浄工程
８２  ＡＰＭ洗浄後リンス工程
８３  酸化シリコン膜エッチング工程
８４  酸化シリコン膜エッチング後リンス工程
８５  蒸気乾燥工程
９１  酸化シリコン膜除去工程
９２  酸化シリコン膜除去後リンス工程
９３  スピン乾燥工程
Ｒ１  セル領域切り出し部
Ｒ２  トレンチ周辺部
【図１】
2014103338.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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