(57)【要約】【課題】エッチングストップの発生を回避し、良好な形状に被処理対象をエッチングする。【解決手段】処理容器内にフッ化炭素（ＣＦ）系ガスを含むエッチングガスを供給するステップと、シリコン酸化膜に積層された所定パターンのポリシリコンのマスクを介して、単位体積当たりのシリコン含有率、単位体積当たりのフッ素含有率又は体積密度の少なくともいずれかが深さ方向に変化する前記シリコン酸化膜を、前記フッ化炭素系ガスを含むエッチングガスにより生成されたプラズマによってエッチングするステップと、を含むことを特徴とするエッチング方法が提供される。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内にフッ化炭素（ＣＦ）系ガスを含むエッチングガスを供給するステップと、
シリコン酸化膜に積層された所定パターンのポリシリコンのマスクを介して、単位体積当たりのシリコン含有率、単位体積当たりのフッ素含有率又は体積密度の少なくともいずれかが深さ方向に変化する前記シリコン酸化膜を、前記フッ化炭素系ガスを含むエッチングガスにより生成されたプラズマによってエッチングするステップと、
を含むことを特徴とするエッチング方法。
【請求項２】
前記シリコン酸化膜のシリコン含有率又は体積密度が、深さ方向に低くなることを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項３】
前記シリコン酸化膜のフッ素含有率は、深さ方向に高くなることを特徴とする請求項１又は２に記載のエッチング方法。
【請求項４】
前記シリコン酸化膜は、２層から構成され、
前記単位体積当たりのシリコン含有率又は体積密度は、上層のシリコン酸化膜が下層のシリコン酸化膜より高いことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のエッチング方法。
【請求項５】
前記シリコン酸化膜は、２層から構成され、
前記単位体積当たりのフッ素含有率は、下層のシリコン酸化膜が上層のシリコン酸化膜より高いことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のエッチング方法。
【請求項６】
前記シリコン酸化膜は、不純物の含有率が変化することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のエッチング方法。
【請求項７】
前記シリコン酸化膜は、２層から構成され、
前記シリコン酸化膜の上層は、ＴＥＯＳ膜又はＵＳＧ膜であり、下層はＢＰＳＧ膜又はＳｉＯＦ膜又はＦＳＧ膜であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のエッチング方法。
【請求項８】
前記シリコン酸化膜は、前記エッチング方法により形成された穴の開口部の直径に対する穴の深さを示すアスペクト比が５０以下で前記シリコン酸化膜の上層から下層に切り替わるように形成されていることを特徴とする請求項４〜７のいずれか一項に記載のエッチング方法。
【請求項９】
前記シリコン酸化膜は、前記エッチング方法により形成された穴の開口部の直径に対する穴の深さを示すアスペクト比が４０以下で前記シリコン酸化膜の上層から下層に切り替わるように形成されていることを特徴とする請求項８に記載のエッチング方法。
【請求項１０】
前記フッ化炭素系ガスは、ヘキサフルオロ１，３ブタジエンＣ４Ｆ６ガスを含有することを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載のエッチング方法。
【請求項１１】
前記シリコン酸化膜は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）又はＳＯＧ（Ｓｐｉｎ-Ｏｎ-Ｇｌａｓｓ）により成膜されることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載のエッチング方法。
【請求項１２】
処理容器とガス供給源とを備えるエッチング装置であって、
前記処理容器は、単位体積当たりのシリコン含有率、単位体積当たりのフッ素含有率又は体積密度の少なくともいずれかが深さ方向に変化するシリコン酸化膜と該シリコン酸化膜に積層された所定パターンのポリシリコンのマスクが積層された被処理対象を収容し、
前記ガス供給源は、処理容器内に前記フッ化炭素（ＣＦ）系ガスを含むエッチングガスを供給し、
前記所定パターンのポリシリコンのマスクを介して、前記シリコン酸化膜を前記フッ化炭素系ガスを含むエッチングガスにより生成されたプラズマによってエッチングする、
ことを特徴とするエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エッチング方法及びエッチング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
高いアスペクト比を有するコンタクトホールでは、ホール底が深くなるに従いエッチングストップが生じる可能性が高くなる。エッチングストップを抑制する方法として、例えば、特許文献１には、エッチングの進行度合いにしたがって処理室内の圧力を上昇させる方法が開示されている。これによれば、チャンバ内の圧力と形成中のホール内部の各深さにおける圧力差をできるだけ小さくする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−０６３５１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１では、コンタクトホールを形成する被処理対象の絶縁膜の材料が穴の深さ方向で同じ、均一な材料であるため、エッチングの進行度合いにしたがって処理室内の圧力を上げて圧力差を抑制したとしても、コンタクトホールの深さが深くなるほど圧力差をなくすことは困難となる。その結果、最終的にはエッチングストップが発生してしまう。また、圧力などのプロセス条件を変更するとマスクのエッチング状態も変わるので、例えばマスクが変形し、コンタクトホールの穴形状にボーイングが発生するなど、コンタクトホールの形状が悪化してしまう課題がある。
【０００５】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、エッチングストップの発生を回避し、良好な形状に被処理対象をエッチングすることが可能なエッチング方法及びエッチング装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、処理容器内にフッ化炭素（ＣＦ）系ガスを含むエッチングガスを供給するステップと、シリコン酸化膜に積層された所定パターンのポリシリコンのマスクを介して、単位体積当たりのシリコン含有率、単位体積当たりのフッ素含有率又は体積密度の少なくともいずれかが深さ方向に変化する前記シリコン酸化膜を、前記フッ化炭素系ガスを含むエッチングガスにより生成されたプラズマによってエッチングするステップと、を含むことを特徴とするエッチング方法が提供される。
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、処理容器とガス供給源とを備えるエッチング装置であって、前記処理容器は、単位体積当たりのシリコン含有率、単位体積当たりのフッ素含有率又は体積密度の少なくともいずれかが深さ方向に変化するシリコン酸化膜と該シリコン酸化膜に積層された所定パターンのポリシリコンのマスクが積層された被処理対象を収容し、前記ガス供給源は、処理容器内に前記フッ化炭素（ＣＦ）系ガスを含むエッチングガスを供給し、前記所定パターンのポリシリコンのマスクを介して、前記シリコン酸化膜を前記フッ化炭素系ガスを含むエッチングガスにより生成されたプラズマによってエッチングする、ことを特徴とするエッチング装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
以上説明したように、本発明によれば、エッチングストップの発生を回避し、良好な形状に被処理対象をエッチングすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】穴のエッチング深さとエッチングレートとの関係を示した図。
【図２】穴のアスペクト比とエッチングレートとの関係を示した図。
【図３】穴のエッチングの際に生じる物理現象を説明する図。
【図４】一実施形態に係る膜構造を示した図。
【図５】一実施形態に係るシリコン酸化膜をＣＦ系ガスでエッチングする際のＣ／Ｆ比率とエッチングレートとの関係を示した図。
【図６】一実施形態に係るシリコン酸化膜をＣＦ系ガスでエッチングする際の膜の状態を示した図。
【図７】一実施形態に係るシリコン酸化膜の上下層の切り替え部分を説明するための図。
【図８】一実施形態に係るエッチング装置の概略縦断面図。
【図９】一実施形態に係る膜形成装置の概略縦断面図。
【図１０】図９の膜形成装置の平面図。
【図１１】一実施形態に係る成膜装置の概略縦断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１１】
［はじめに］
高いアスペクト比を有するコンタクトホール（穴）では、ホール底が深くなるに従いエッチングレートが低くなる。この現象を図１〜図３を参照しながら説明する。図１は、コンタクトホールのエッチング深さとエッチングレートとの関係を示した図である。図２は、コンタクトホールのアスペクト比とエッチングレートとの関係を示した図である。図３は、コンタクトホールのエッチングの際に生じる物理現象を説明する図である。
【００１２】
これまでのエッチングでは、求められるコンタクトホールのアスペクト比（ＡＲ）は５０程度であった。アスペクト比（ＡＲ）は、図２（ａ）に示したように、穴の開口部（ここではトップ）の直径φに対する穴の深さｈにて示される。よって、穴の深さｈが２μｍ、穴の直径φが４０ｎｍのとき、アスペクト比は５０となる。
【００１３】
近年、更なる微細加工に伴い、直径φ２０ｎｍ程度の穴が要求されるようになっている。つまり、アスペクト比（ＡＲ）にして１００程度が要求される。
【００１４】
直径が小さく、深い穴をエッチングすると、エッチングする穴が深くなるにつれ、エッチングレートが低下する。エッチングレートは、単位時間当たりに削ることができる量である。例えば、１分当たりのエッチング量として（ｎｍ／ｍｉｎ）を単位として使用する。
【００１５】
例えば、図１（ａ）には、エッチングによりシリコン酸化（ＳｉＯ２）膜に穴を形成する際のエッチングタイムに応じた穴形状の断面が示されている。この実験では、平行平板プラズマにおいて下部２周波数印加型の平行平板エッチング装置（図８参照）を用いる。エッチングのプロセス条件は、圧力が２．６６Ｐａ、プラズマ生成用の高周波電力ＨＦの周波数が４０ＭＨｚ、パワーが１．１８（Ｗ／ｃｍ２）、イオン引き込み用の高周波電力ＬＦの周波数が３．２ＭＨｚ、パワーが４．４２（Ｗ／ｃｍ２）、ガス種がＣ４Ｆ６／Ｃ４Ｆ８／Ａｒ／Ｏ２の混合ガスである。この条件でポリシリコンをマスクとしてシリコン酸化膜をエッチングする。図１（ａ）では、エッチングタイム６０ｓ、１８０ｓ・・・６００ｓのときの穴の断面形状と、穴の直径φの数値と、アスペクト比ＡＲの数値が示されている。実験結果によれば、エッチングの深さｈが深くなるにしたがって、穴の直径φが大きくなり、アスペクト比ＡＲが大きくなっている。
【００１６】
図１（ｂ）には、エッチングタイムＥＴ（横軸）に対するエッチング深さ（縦軸）として、シリコン酸化膜のエッチングされた穴の深さｈと、シリコン酸化膜をエッチングする際のパターンが形成されたポリシリコンのマスクの残り量が示されている。図１（ｃ）には、エッチングタイムＥＴ（横軸）に対するエッチングレート（縦軸）として、シリコン酸化膜のエッチングレートとマスクのエッチングレートが示されている。
【００１７】
図１（ｂ）（ｃ）によれば、エッチングタイムＥＴが長くなり、エッチングされた穴の深さが深くなるほど、シリコン酸化膜のエッチングレートが下がり、穴底がエッチングされにくくなっていることが分かる。また、エッチングタイムＥＴによらず、マスクのエッチングレートは概ね一定で、ポリシリコンのマスクの減り量は概ね一定である。
【００１８】
以上から、深さ方向で同じ膜質のシリコン酸化膜をエッチングしていくと最終的にはエッチングストップが発生する。また、圧力などのプロセス条件を変更してエッチングレートを上げようとすると、デバイスの形状が悪化してしまう可能性がある。
【００１９】
図２（ｂ）には、アスペクト比（横軸）に対するシリコン酸化膜のエッチングレートとマスクのエッチングレートとが示されている。これによれば、深さに応じたシリコン酸化膜９２のエッチングレートは、アスペクト比と比例（アスペクト比に依存）していることがわかる。この結果から、図１（ａ）のエッチング時間が進行し、アスペクト比が大きくなると、シリコン酸化膜のエッチングレートが低下することがわかる。
【００２０】
また、グラフの予測線では、アスペクト比が５５付近で穴底にてエッチングストップが発生することが予測される。なお、マスク９０は、シリコン酸化膜９２に形成された穴の上部に形成されているため、アスペクト比には依存しない。
【００２１】
ここで、穴が深くなるほどエッチレートが低下する理由について、図３を参照しながら説明する。図３には、フッ化炭素（ＣＦ）系ガスから生成されたエッチングにより深穴を形成する場合、ＣＦ＊ラジカル及びイオンの物理現象が簡略化して示されている。
【００２２】
ラジカルの物理現象としては、ラジカルシャドーイング、ラジカルクヌーセントランスポートがあり、順に説明する。真空中、プラズマ中のＣＦ＊ラジカル（フッ化炭素ラジカル）は所定の入射角のものだけが、形成された穴に入射する（図３（ａ））。所定角度より大きいＣＦ＊ラジカルはホール内に入れない。ここで、所定角度は穴の深さにより定まるから、穴が深くなるほど、穴の底まで到達可能なＣＦ＊ラジカルの角度は限定され、ホール底まで到達するＣＦ＊ラジカルの数は減少する。これをラジカルシャドーイングという。
【００２３】
また、穴の内に入ったＣＦ＊ラジカルの多くは、穴内の壁面に衝突し、そこで吸着するか又は跳ね返って更に穴の奥まで進む。クヌーセントランスポートは、吸着係数に基づき、穴内の壁面に衝突したガスがそこで吸着するか、又は壁面を跳ね返ってホール底に向かって進行し、ホール底まで届くかの確率を定める。
【００２４】
プラズマ中のイオンも同様に、所定の入射角のものだけが穴に入射する（図３（ｂ））。所定角度以上のイオンはホール内に入れない。このときの所定角度は穴の深さにより定まる。ここで、所定角度は穴の深さにより定まるから、穴が深くなるほど、穴の底まで到達可能なイオンの角度は限定され、ホール底まで到達するイオンの数は減少する。これをイオンシャドーイングという。
【００２５】
イオンの場合、プラスの電荷を持っている。このため、穴底にプラスの電荷が溜まっていると、入射したイオンと反発する。その結果、入射されたイオンは穴底で跳ね返される。これを、イオンのチャージ効果という。このように、プラズマ中のラジカル及びイオンのそれぞれの真空中の動作により、穴が深くなるほど穴の底部に到達するラジカルやイオンの数が減り、その結果、エッチングレートが低下する。また、エッチングレートは、ラジカルの種類、穴を形成する被エッチング対象膜の材質、ラジカルと材質との相性、温度等によっても変化する。
【００２６】
エッチングレートは、次式（１）にて表される。式（１）に基づき、エッチングレートを左右する主な要因ついて更に詳しく説明する。
【００２７】
Ｅ／Ｒ＝Ａ×[Ｅi・Γion]×[Γradical]／（[Ｅi・Γion]＋[Γradical]）・・・（１）
ここで、Ａは材料の種類や性質により定まる値であり、Ｅiはイオンエネルギーである。Γionは単位面積当たりのイオン数であり、Γradicalは単位面積当たりのラジカル数である。
【００２８】
一つのイオンが物質に衝突したときにその物質からいくつの分子が飛び出るかを表したスパッタリングイールドはエッチングレートを左右するが、スパッタリングイールドは衝突するイオンエネルギーと相関がある。このため、式（１）ではスパッタリングイールドの替わりにイオンエネルギーＥiを用いてイオンのエッチングレートを示している。一方、ラジカルはイオンと比較してエネルギーが低いので、ラジカルのエッチングレートは式（１）にて考慮していない。
【００２９】
このように、エッチングレートは、式（１）に基づき、主に単位面積当たりのイオン数、ラジカル数及びイオンエネルギーで定まる。そこで、以下に説明する実施形態では、エッチングレートが低下する深さ方向に膜の材質を変えることにより、穴が深くなるほど穴の底部に到達するラジカルやイオンの数が減り、その結果、エッチングレートが低下することを抑制する。
【００３０】
［膜種]
一実施形態に係る膜種の積層構造について、図４を参照しながら説明する。シリコンＳｉにて形成された基板１０上には、第１のシリコン酸化膜１２、第２のシリコン酸化膜１４が順に積層され、第２のシリコン酸化膜１４上にマスク１６が形成されている。マスク１６は、エッチングしたい所定のパターンの形状を有したポリシリコンマスクである。本実施形態では、シリコン酸化膜は、第１のシリコン酸化膜１２と第２のシリコン酸化膜１４の２層構造になっているが、これに限られず、３層以上又は１層であって、単位体積当たりのシリコン含有率又は体積密度が深さ方向に変化する構造であってもよい。
【００３１】
本実施形態では、第２のシリコン酸化膜１４は、緻密なＳｉＯ２膜（ハードＳｉＯ２）にて形成され、第１のシリコン酸化膜１２は、第２のシリコン酸化膜１４より相対的に粗なＳｉＯ２膜（ソフトＳｉＯ２）にて形成されている。これにより、本実施形態のシリコン酸化膜は、上層の第２のシリコン酸化膜１４の単位体積当たりのシリコン含有率及び体積密度が、下層の第１のシリコン酸化膜１２の単位体積当たりのシリコン含有率及び体積密度より相対的に高くなるように成膜されている。
【００３２】
第２のシリコン酸化膜１４は、ＴＥＯＳ（オルトケイ酸テトラエチル：Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ  ｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ）膜又はＵＳＧ（Ｕｎｄｏｐｅｄ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）膜であることができる。その成膜方法としては幾つかの方法があり、後ほど詳述するが、ＴＥＯＳ膜は、ＴＥＯＳガス、ＵＳＧ膜は、ＴＥＯＳガスと酸素ガスによるプラズマＣＶＤにより形成することができる。第１のシリコン酸化膜１２は、Ｂ（ボロン）とＰ（リン）がドーピングされているシリコン酸化膜であるＢＰＳＧ膜であってもよい。これにより、本実施形態のシリコン酸化膜の構成では、上層の第２のシリコン酸化膜１４には、Ｂ（ボロン）とＰ（リン）がドーピングされていないため、単位体積当たりのシリコン含有率は、上層の第２のシリコン酸化膜１４が下層の第１のシリコン酸化膜１２より相対的に高くなるように成膜されている。
【００３３】
また、第１のシリコン酸化膜１２は、フッ素添加シリコン酸化膜（ＳｉＯＦ）であってもよい。これにより、本実施形態のシリコン酸化膜の構成では、上層の第２のシリコン酸化膜１４には、フッ素が含有されていないため、単位体積当たりのシリコン含有率は、上層の第２のシリコン酸化膜１４が下層の第１のシリコン酸化膜１２より相対的に高くなるように成膜されている。また、この場合、単位体積当たりのフッ素含有率は、下層の第１のシリコン酸化膜１２が上層の第２のシリコン酸化膜１４よりも相対的に高いともいえる。
【００３４】
図４に示したように、本実施形態では、フッ化炭素（ＣＦ）系ガスを含むエッチングガスからプラズマを生成し、生成されたプラズマによりエッチング対象膜であるシリコン酸化膜（１２，１４）に積層されたポリシリコンのマスクをマスク（１６）として所定パターンのエッチングが行われる。
【００３５】
エッチング時、以下の化学式（２）で示したように、シリコン酸化膜とフッ化炭素が反応して、フッ化ケイ素と二酸化炭素が形成される。四フッ化ケイ素と二酸化炭素は気体であり、外部に排気され、これにより、シリコン酸化膜がエッチングされる。
ＳｉＯ２＋ＣＦ４→ＳｉＦ４↑（ガス）＋ＣＯ２↑（ガス）・・・（２）
プラズマ中に含有される炭素Ｃとフッ素Ｆの比率とシリコン酸化膜のエッチングレートＥ／Ｒの関係について図５の概念図を参照して説明する。プラズマ中の炭素Ｃ含有率とフッ素Ｆ含有率の比率のバランスがよいグラフの中央部分では、シリコン酸化膜中のＳｉ、Ｏに対して、上記ＳｉＦ４↑＋ＣＯ２↑の反応が促進され、上記反応が促進されるため、シリコン酸化膜のエッチングレートＥ／Ｒは高くなる。一方、プラズマ中の炭素Ｃ含有率がフッ素含有率より低くなっているグラフの左部分では、炭素Ｃが少ないため、上記ＳｉＦ４↑＋ＣＯ２↑の反応のうち、図６に示したＣＯ２↑のガス化が促進されないため、シリコン酸化膜がエッチングされにくくなってシリコン酸化膜のエッチングレートＥ／Ｒは下がる。同様に、プラズマ中のフッ素含有率が炭素Ｃ含有率より低いグラフの右部分では、上記ＳｉＦ４↑＋ＣＯ２↑の反応のうち、図６に示したＳｉＦ４↑のガス化が促進されないため、シリコン酸化膜がエッチングされにくくなってシリコン酸化膜のエッチングレートＥ／Ｒは下がる。よって、シリコン酸化膜のＥ／Ｒはプラズマ中の構成要素に左右され、例えば、フッ素Ｆラジカルが少ないとエッチングレートＥ／Ｒは下がる。
【００３６】
ここで、図６を見ると、シリコン酸化膜中のシリコン含有率が低いほど、少ないフッ素ラジカルでエッチングが可能であることがわかる。前述したとおり、シリコン酸化膜の穴が深くなるにしたがって穴底まで到達するフッ素ラジカルは低下する。よって、穴底まで到達するフッ素ラジカルが低下すると、エッチングレートが下がる。本実施形態では、シリコン酸化膜の組成を深さ方向で変化させる。つまり、本実施形態では、穴が深くなるにしたがってシリコン含有率又は体積密度が少なくなるシリコン酸化膜を使用している。よって、本実施形態に係るシリコン酸化膜の構造によれば、シリコン酸化膜の穴が深くなるにしたがって穴底まで到達するフッ素ラジカルが低下しても、エッチングレートの低下を抑制し、エッチングストップを回避できる。
【００３７】
上記実施形態では、上層の第２のシリコン酸化膜１４のシリコン含有率又は体積密度が下層の第１のシリコン酸化膜１２のシリコン含有率又は体積密度より相対的に高くなるようにシリコン酸化膜を使用する。これにより、下層の第１のシリコン酸化膜１２において、深穴の穴底を形成しても、上層の第２のシリコン酸化膜１４に比べて粗なシリコン酸化膜となるので、エッチングレートの低下を抑制できる。
【００３８】
例えば、上層の第２のシリコン酸化膜１４が緻密な膜であり、下層の第１のシリコン酸化膜１２が相対的に粗な膜であるシリコン酸化膜の成膜方法を説明する。この場合、緻密な膜は、相対的に粗な膜に比べて、シリコン含有率又は体積密度が高くなる。成膜方法としては、基板１０上に第１のシリコン酸化膜１２としてＳＯＧ（Ｓｐｉｎ−Ｏｎ−Ｇｌａｓｓ）膜を塗布技術により成膜する。次に、第２のシリコン酸化膜１４としてＵＳＧをプラズマＣＶＤ法で成膜する。その後、ポリシリコン層を同様にＣＶＤ法により堆積し、パターニングされたフォトレジストを形成し、ドライエッチングによりポリシリコンのマスク１６を形成する。その後、Ｏ２プラズマによるドライエッチングにてフォトレジストが除去される。
【００３９】
［変形例１]
上層の第２のシリコン酸化膜１４のシリコン含有率が下層の第１のシリコン酸化膜１２のシリコン含有率より低いシリコン酸化膜を生成する他の例としては、シリコン酸化膜の成膜時、第１のシリコン酸化膜１２にボロンＢやリンＰ等の不純物を混入させる方法が考えられる。不純物を混入させた第１のシリコン酸化膜１２は、不純物を混入させていない第２のシリコン酸化膜１４よりシリコン含有率が低い。よって、下層にてシリコン含有率が低下するため、下層の第１のシリコン酸化膜１２に形成された深穴の穴底に到達するフッ素Ｆラジカルの数が低下してもエッチングレートの低下を抑制できる。
【００４０】
例えば、不純物を混入させた下層のシリコン酸化膜の成膜方法としては、基板１０上に第１のシリコン酸化膜１２としてＢＰＳＧなどのシリケードガラスを高密度プラズマＣＶＤ法で成膜する。次に、第２のシリコン酸化膜１４としてＴＥＯＳ膜を常圧よりも少し低い圧力状態である低圧力状態（低真空状態よりも圧力は高い。）において、ＣＶＤ法で成膜する。この場合、下層のシリコン酸化膜には不純物が混入されている分、上層のシリコン酸化膜に比べてシリコン含有率が低くなっている。その後、ポリシリコン層を同様にＣＶＤ法により堆積し、パターニングされたフォトレジストを形成し、ドライエッチングによりポリシリコンのマスクを形成する。その後、Ｏ２プラズマによるドライエッチングにてフォトレジストが除去される。
【００４１】
［変形例２]
単位体積当たりのシリコン含有率を深さ方向に変化させる方法のうち、単位体積当たりのフッ素含有率を深さ方向に変化させてもよい。つまり、シリコン酸化膜が２層から構成されている場合、下層の第１のシリコン酸化膜１２のフッ素含有率が上層の第２のシリコン酸化膜１４のフッ素含有率より高いシリコン酸化膜を使用してもよい。これによっても、下層のシリコン酸化膜中にフッ素Ｆを含有することにより、フッ素Ｆラジカルの到達数が低下した深穴の穴底であっても膜からフッ素Ｆが供給されるのでエッチングレートの低下を抑制できる。シリコン酸化膜を一層で構成し、Ｆ含有率が深さ方向に高くなるように変化させた多層膜により形成されてもよい。これによれば、下層の第１のシリコン酸化膜１２は、上層の第２のシリコン酸化膜１４よりフッ素含有率が相対的に高い分、下層の第１のシリコン酸化膜１２は、上層の第２のシリコン酸化膜１４よりシリコン含有率が相対的に低くなっている。
【００４２】
さらに、上記実施形態と変形例１とを組み合わせたシリコン酸化膜や、上記実施形態と変形例２とを組み合わせたシリコン酸化膜、変形例１と変形例２とを組み合わせたシリコン酸化膜であってもよい。
【００４３】
なお、２層の各層内におけるシリコン含有率又はフッ素含有率は、均一であってもよく、深さ方向に含有比率が変化する膜であってもよい。例えば、上層の第２のシリコン酸化膜１４は下層の第１のシリコン酸化膜１２よりシリコン含有率が高く、かつ、下層の第１のシリコン酸化膜１２は上層の第２のシリコン酸化膜１４よりフッ素含有率が高くてもよい。
【００４４】
また、シリコン酸化膜は、不純物の含有率が深さ方向に変化する膜であってもよい。例えば、下層の第１のシリコン酸化膜１２が上層の第２のシリコン酸化膜１４より不純物の含有率が低いが、各層内における不純物は均一であってもよいし、各層内においても深さ方向に不純物の含有率が高くなる膜であってもよい。
【００４５】
［酸化膜の切り替え部分]
第１のシリコン酸化膜１２と第２のシリコン酸化膜１４との切り替え部分について、図７を参照しながら説明する。ここでは、上層の第２のシリコン酸化膜１４の成膜時にはフッ化炭素（ＣＦ）系ガスを含むエッチングガスが供給され、下層の第１のシリコン酸化膜１２の成膜時にはフッ化炭素（ＣＦ）系ガスを含むエッチングガスとともにフッ素Ｆガスが供給される。
【００４６】
図７のグラフでは、横軸にアスペクト比、縦軸にシリコン酸化膜のエッチングレートが示されている。第１のシリコン酸化膜１２（ハードＳｉＯ２）をエッチングする際のエッチングレートを第１のエッチングレートで示し、第２のシリコン酸化膜１４（フッ素含有膜又はＳＯＧ等の粗なシリコン酸化膜）をエッチングする際のエッチングレートを第２のエッチングレートで示す。
【００４７】
エッチストップの問題から第１のエッチングレートが０になることを回避する必要がある。そのために、本実施形態のエッチング方法により形成された穴のアスペクト比が第１のエッチングレートが０になる５５より小さい値の５０以降の部分から、第２のエッチングレートとなるように下層の第１のシリコン酸化膜１２の構成にする。つまり、アスペクト比が５０までの部分は上層の第２のシリコン酸化膜１４とし、それ以降を下層の第１のシリコン酸化膜１２とするように構成する。
【００４８】
ただし、生産性の問題からエッチングレートが１００ｎｍ／ｍｉｎ以下にならないようにアスペクト比が４０以降の部分を、下層の第１のシリコン酸化膜１２への切り替え部分とすることが好ましい。
【００４９】
［エッチング装置］
次に、一実施形態に係る図４に示した積層膜の穴部を形成するために使用されるエッチング装置の一例を、図８に基づき説明する。
【００５０】
エッチング装置１３０は、内部が気密に保持され、電気的に接地されたチャンバＣを有している。エッチング装置１３０は、ガス供給源１２０に接続されている。ガス供給源１２０はエッチングガスとして、フッ化炭素（ＣＦ）系ガスを含むエッチングガスを供給する。フッ化炭素系ガスは、ヘキサフルオロ１，３ブタジエンＣ４Ｆ６ガスを含有してもよい。
【００５１】
チャンバＣは、円筒状であり、例えば表面を陽極酸化処理されたアルミニウム等から構成され、内部にはシリコン基板Ｗを支持する載置台１０２が設けられている。載置台１０２は、下部電極としても機能する。載置台１０２は、導体の支持台１０４に支持されており、絶縁板１０３を介して昇降機構１０７により昇降可能となっている。昇降機構１０７は、チャンバＣに配設され、ステンレス鋼よりなるベローズ１０８により覆われている。ベローズ１０８の外側にはベローズカバー１０９が設けられている。載置台１０２の上方の外周には、例えば単結晶シリコンで形成されたフォーカスリング１０５が設けられている。更に、載置台１０２及び支持台１０４の周囲を囲むように、例えば石英等からなる円筒状の内壁部材１０３ａが設けられている。
【００５２】
載置台１０２には、第１の整合器１１１ａを介して第１の高周波電源１１０ａが接続され、第１の高周波電源１１０ａから所定周波数（例えば４０ＭＨｚ）のプラズマ生成用の高周波電力が供給されるようになっている。また、載置台１０２には、第２の整合器１１１ｂを介して第２の高周波電源１１０ｂが接続され、第２の高周波電源１１０ｂから所定周波数（例えば３．２ＭＨｚ）のバイアス用の高周波電力が供給されるようになっている。一方、載置台１０２の上方には、載置台１０２と平行に対向するように上部電極として機能するシャワーヘッド１１６が設けられており、シャワーヘッド１１６と載置台１０２とは一対の電極として機能するようになっている。
【００５３】
載置台１０２の上面には、基板Ｗを静電吸着するための静電チャック１０６が設けられている。静電チャック１０６は、絶縁体１０６ｂの間に電極１０６ａを介在している。電極１０６ａには直流電圧源１１２が接続され、直流電圧源１１２から電極１０６ａに直流電圧が印加されることにより、クーロン力によって基板Ｗが吸着される。
【００５４】
支持体１０４の内部には、冷媒流路１０４ａが形成されている。冷媒流路１０４ａには、冷媒入口配管１０４ｂ、冷媒出口配管１０４ｃが接続されている。冷媒流路１０４ａ中に適宜冷媒として例えば冷却水等を循環させることにより、基板Ｗを所定の温度に制御する。基板Ｗの裏面側にヘリウムガス（Ｈｅ）等の冷熱伝達用ガス（バックサイドガス）を供給するための配管１３０が設けられている。
【００５５】
シャワーヘッド１１６は、チャンバＣの天井部分に設けられている。シャワーヘッド１１６は、本体部１１６ａと電極板をなす上部天板１１６ｂとを有している。シャワーヘッド１１６は、絶縁性部材１４５を介してチャンバＣの上部に支持されている。本体部１１６ａは、導電性材料、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウムからなり、その下部に上部天板１１６ｂを着脱可能に支持する。
【００５６】
本体部１１６ａの内部には、ガスの拡散室１２６ａが設けられ、拡散室１２６ａの下部に位置するように、本体部１１６ａの底部には多数のガス通流孔１１６ｄが形成されている。上部天板１１６ｂには、上部天板１１６ｂを厚さ方向に貫通するようにガス導入孔１１６ｅがガス通流孔１１６ｄと連通するように設けられている。このような構成により、拡散室１２６ａに供給されたガスは、ガス通流孔１１６ｄ及びガス導入孔１１６ｅを介してチャンバＣ内のプラズマ処理空間にシャワー状に導入される。なお、本体部１１６ａ等には、冷媒を循環させるための図示しない配管が設けられ、シャワーヘッド１１６を冷却して所望の温度に調整する。
【００５７】
本体部１１６ａには、拡散室１２６ａへガスを導入するためのガス導入口１１６ｇが形成されている。ガス導入口１１６ｇには、ガス供給源１２０が接続されている。
【００５８】
シャワーヘッド１１６には、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）１５１を介して可変直流電圧源１５２が電気的に接続されている。可変直流電圧源１５２は、オン・オフスイッチ１５３により給電のオン・オフが可能となっている。第１の高周波電源１１０ａ及び第２の高周波電源１１０ｂから高周波が載置台１０２に印加され、プラズマ処理空間にプラズマが発生する際には、必要に応じてオン・オフスイッチ１５３をオンに制御する。これにより、シャワーヘッド１１６に所定の直流電圧が印加される。
【００５９】
チャンバＣの側壁からシャワーヘッド１１６の高さ位置よりも上方に延びるように円筒状の接地導体１０１ａが設けられている。この円筒状の接地導体１０１ａは、その上部に天板を有している。チャンバＣの底部には、排気口１７１が形成されている。排気口１７１には、排気装置１７３が接続されている。排気装置１７３は、真空ポンプを有し、真空ポンプを作動させることによりチャンバＣ内を所定の真空度まで減圧する。一方、チャンバＣの側壁には、開閉により搬入出口１７４から基板Ｗを搬入又は搬出するためのゲートバルブ１７５が設けられている。
【００６０】
載置台１０２の処理時における上下方向の位置に対応するチャンバＣの周囲には、環状又は同心状に延在するダイポールリング磁石１２４が配置されている。
【００６１】
係る構成により、載置台１０２とシャワーヘッド１１６との間の空間には、第１の高周波電源１１０ａにより鉛直方向のＲＦ電界が形成されるとともに、ダイポールリング磁石１２４により水平磁界が形成される。これらの直交電磁界を用いるマグネトロン放電により、載置台１０２の表面近傍に高密度のプラズマを生成することができる。
【００６２】
このようにして生成された２層のシリコン酸化膜に対して、例えば、平行平板プラズマにおいて下部２周波数印加型の平行平板エッチング装置（図８）で、圧力２．６６Ｐａ、４０ＭＨｚ／３．２ＭＨｚの高周波電力をそれぞれ１．１８／４．４２（Ｗ／ｃｍ２）で印加してＣ４Ｆ６／Ｃ４Ｆ８／Ａｒ／Ｏ２でポリシリコンをマスクとしてシリコン酸化膜をエッチングする。この場合、エッチングの深さが深くなり、図７で説明したアスペクト比が、エッチングレートが低下し、エッチングストップする値になる手前の部分で、第２の酸化膜（ＵＳＧ膜）よりも相対的にシリコン含有率が低い第１の酸化膜（ＳＯＧ膜）となる。これにより、エッチングレートの低下が抑制され、高いアスペクト比、例えば、６０以上のコンタクトホールを形成することができる。
【００６３】
［成膜装置］
次に、一実施形態に係る図４に示した第１のシリコン酸化膜１２及び第２のシリコン酸化膜１４の積層膜の成膜を形成するために使用される成膜装置の一例を、実施例１〜実施例３の順に説明する。
（実施例１）
実施例１では、第１のシリコン酸化膜１２としてＳＯＧ膜を成膜し、第２のシリコン酸化膜１４としてＵＳＧ膜をプラズマＣＶＤで成膜する。図９は、実施例１のＳＯＧ膜で使用する膜形成装置の一例を概略的に示した縦断面図である。図１０は、図９の膜形成装置の平面図である。
【００６４】
第１のシリコン酸化膜１２の一例として、ＳＯＧ膜を成膜する場合に使用する本実施例の膜形成装置１４０は、スピンコート法によりウエハＷの表面にＳＯＧ溶液を塗布する。図９及び図１０に示すように、モータＭによりカップ４６内で回転されるスピンチャック４８と、処理液供給管５０Ａの先端部に設けられた処理液供給ノズル５０と、リンス液供給管５２Ａの先端部に設けられたリンス液供給ノズル５２と、これらノズル５０、５２を把持してガイド棒５４に沿ってウエハの半径方向にスキャンする可動アーム５６と、処理液供給ノズル５０を待機させる処理液ノズル待機部５６Ａ及びダミーディスペンス部５６Ｂと、リンス液供給ノズル５２を待機させるリンス液ノズル待機部６０と、排気管６２とを備えている。
【００６５】
この膜形成装置１４０における塗布処理について説明すると、スピンチャック４８上に載置されたウエハＷがスピンチャック４８と共に回転すると、処理液供給ノズル５０が可動アーム５６により把持されてウエハＷ上に移動して処理液であるＳＯＧ溶液を滴下する。このＳＯＧ溶液は、膜となる成分例えばシラノール化合物と溶媒例えばエチルアルコールとを混合してなる。この時ウエハＷは高速回転（２０００〜６０００ｒｐｍ）しているので、遠心力によってＳＯＧ溶液はウエハＷの中心部から周縁部に向かって拡散してウエハＷ上にＳＯＧ膜が形成される。そしてＳＯＧ膜が形成された後ウエハＷ上にリンス液供給ノズル５２が移動して、ウエハＷの周縁部のＳＯＧ膜がリンス液例えばエチルアルコールによって溶解除去される。次に、これをプレヒート工程で１００℃〜１４０℃の温度下で熱処理することによって溶媒を蒸発させた後、加熱装置内（図示しない）にウエハを搬入して、これを約４００℃〜４５０℃の温度下で熱処理することによりＳＯＧ膜をシロキサン結合させている。このようにしてシリコン酸化膜であるＳＯＧ膜を形成する。尚、所定の膜厚にＳＯＧ膜を形成する場合には、ウエハ上にＳＯＧ溶液を塗布して溶媒を蒸発する工程を繰り返し行った後に、塗布後のウエハを加熱装置内に搬入して熱処理等する。
【００６６】
このようにして生成された２層のシリコン酸化膜に対して、例えば、平行平板プラズマにおいて下部２周波数印加型の平行平板エッチング装置（図８）で、圧力２．６６Ｐａ、４０ＭＨｚ／３．２ＭＨｚの高周波電力をそれぞれ１．１８／４．４２（Ｗ／ｃｍ２）で印加してＣ４Ｆ６／Ｃ４Ｆ８／Ａｒ／Ｏ２でポリシリコンをマスクとしてシリコン酸化膜をエッチングする。この場合、エッチングの深さが深くなった箇所で、第２の酸化膜（ＵＳＧ膜）よりも相対的にシリコン含有率が低い第１の酸化膜（ＳＯＧ膜）となるのでエッチングレートの低下が抑制され、高いアスペクト比、例えば、６０以上のコンタクトホールを形成することができる。
（実施例２）
実施例２では、第１のシリコン酸化膜１２としてＢＰＳＧ膜などのシリケードガラスを高密プラズマＣＶＤ法で成膜し、第２のシリコン酸化膜１４としてＴＥＯＳ膜を常圧よりも少し低い圧力状態である低圧力状態（低真空状態よりも圧力は高い。）において、ＣＶＤ法で成膜する。図１１は、実施例２のＢＰＳＧ膜で使用する成膜装置の一例を概略的に示した縦断面図である。
【００６７】
第１のシリコン酸化膜１２の一例として、ＢＰＳＧ膜を成膜する場合に使用する本実施例の成膜装置３０１は、図３に示すように、チャンバ２０１内に平行平板型の上部電極２０３と下部電極２０２とを有し、上部電極２０３と下部電極２０２の間に成膜ガスをプラズマ化するための周波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電力を供給するＲＦ電源２０７が接続されている。チャンバ２０１内は排気口２０５に接続された排気装置により排気されて適当な圧力に減圧される。また、下部電極２０２は基板３１０を載置する基板載置台を兼ねており、下部電極２０２側には被堆積基板３１０を加熱する加熱手段２０６が設けられている。
【００６８】
さらに、リン含有化合物ソース３３としてＳｉＯＰ−１１（ｂ）の供給源２１を、シリコン含有化合物ソース３６としてSｉＨ４の供給源２２を、酸化性ガスとしてＯ２の供給源を、希釈ガスソースとしてＡｒ又はＮ２の供給源を有し、これらの供給源はまとめて配管２４ｅにより成膜装置３０１のチャンバ２０１のガス導入口２０４に接続されている。
【００６９】
なお、ＲＦ電源２０７はマッチング回路２０８を通して上部電極２０３に接続されている。また、図１１中、配管２４ａ〜２４ｄは各ガスを導く配管であり、流量計２５ａ〜２５ｄに接続されている。バルブ２６ａ〜２６ｄは各配管２４ａ〜２４ｄに設けられたソースガスの流通路を開閉する。ソースの温度を調節する手段３２，３５は、具体的にはヒータや冷却器等から構成されている。
【００７０】
まず、このような成膜装置３０１のチャンバ２０１内に基板３１０を入れる。次いで、基板加熱を行い、前記成膜条件の基板温度の範囲に保持する。なお、基板３１０は、シリコン基板上に、例えばシリコン酸化膜等の下地絶縁膜が形成されている。
【００７１】
次に、成膜条件の範囲内に調整された成膜ガスをチャンバ２０１内に導入し、成膜条件のＲＦ電力で成膜ガスをプラズマ化する。
【００７２】
この状態を所定の時間保持することにより、高濃度のリンを含む所定の膜厚のＰＳＧ膜（リン含有絶縁膜）が形成される。ＰＳＧ膜は成膜中に基板温度程度で流動化する場合があり、この場合は成膜と同時に平坦化も達成される。
【００７３】
そうでない場合は、基板３１０にＰＳＧ膜（リン含有絶縁膜）を成膜した後に別に平坦化のための加熱処理を行い、ＰＳＧ膜を流動化し、平坦化する。これにより、平坦化されたＰＳＧ膜が形成される。
【００７４】
上記実施の形態１によれば、シリコン含有化合物としてＳｉＨ４を用い、リン含有化合物としてＳｉＯＰ−１１（ｂ）を用い、かつ酸化性ガスを適量、例えば酸素（Ｏ２）を加えている。従って、平坦化のための流動化温度を飛躍的に低下させることができる。
【００７５】
この成膜装置３０１の製造方法として、プラズマ励起ＣＶＤ法によりリンを含むＢＰＳＧ膜を形成する方法を挙げる。
【００７６】
成膜ガスとしてＳｉＨ４＋ＳＯＰ−１１（ｂ）＋ＴＭＢ又はＴＥＢ＋Ｎ２Ｏの混合ガスを用いた。成膜条件は以下の通りである。
【００７７】
基板温度：１５０〜４００℃
ガス圧力：０．５〜３．０Ｔｏｒｒ（６６．６６〜３９９．９Ｐａ）
ＳＯＰ−１１（ｂ）バブリングガス（Ｎ２又はＡｒ）、流量：３００〜１５００ｓｃｃｍ（ＳＯＰ−１１（ｂ）、ソース温度：４５℃
ＳｉＨ４、流量：１００〜２０００ｓｃｃｍ
ＴＭＰ、流量：１５〜６００ｓｃｃｍ
ＴＭＢ又はＴＥＢ、流量：１０〜３００ｓｃｃｍ
酸化性ガス（Ｏ２）、流量：３００ｓｃｃｍ以下
ＲＦ電力：０．１４７〜１．１８Ｗ／ｃｍ２
周波数：１００ｋＨｚ〜２．５ＧＨｚ
上記により、基板３１０上にＳｉＯ２＋リンＰ＋ボロンＢの混合物からなるＢＰＳＧ膜（リン含有絶縁膜）が形成される。
【００７８】
このようにして生成された２層のシリコン酸化膜に対して、例えば、平行平板プラズマにおいて下部２周波数印加型の平行平板エッチング装置（図８）で、圧力２．６６Ｐａ、４０ＭＨｚ／３．２ＭＨｚの高周波電力をそれぞれ１．１８／４．４２（Ｗ／ｃｍ２）で印加してＣ４Ｆ６／Ｃ４Ｆ８／Ａｒ／Ｏ２でポリシリコンをマスクとしてシリコン酸化膜をエッチングする。この場合、エッチングの深さが深くなった箇所で、第２の酸化膜（ＵＳＧ膜）よりも相対的にシリコン含有率が低い第１の酸化膜（ＢＰＳＧ膜）となるのでエッチングレートの低下が抑制され、高いアスペクト比、例えば、６０以上のコンタクトホールを形成することができる。
【００７９】
上記の実施例１では第１のシリコン酸化膜１２をＳＯＧ膜、第２のシリコン酸化膜１４をＵＳＧ膜で形成し、実施例２では第１のシリコン酸化膜１２をＢＰＳＧ、第２のシリコン酸化膜１４をＴＥＯＳ膜で形成したが第１のシリコン酸化膜１２と第２のシリコン酸化膜１４は２層の組み合わせを変えたものでも良い。なお、ＴＥＯＳ膜はＴＥＯＳガスによるプラズマＣＶＤにより生成され、ＵＳＧ膜は、ＴＥＯＳガスと酸素ガスによるプラズマＣＶＤにより生成される。
（実施例３）
実施例３では、実施例２の第１のシリコン酸化膜を変更した実施例である。第１のシリコン酸化膜１２としてＦＳＧ膜を、ＢＰＳＧ膜を形成するための成膜装置（図１１）を用いて下記のようなプロセス条件で成膜する。
ＦＳＧ膜条件は以下の通りである。
【００８０】
基板温度：１５０〜４００℃
ガス圧力：５３３．２８８×１０−３Ｐａ
ＳｉＦ４ガスの流量：２６ｓｃｃｍ
ＳｉＨ４ガスの流量：３８ｓｃｃｍ
Ｏ２ガスの流量：１１１ｓｃｃｍ
Ａｒガスの流量：６０ｓｃｃｍ
ＲＦ電力：２．１６Ｗ／ｃｍ２
上記により、基板にＦＳＧ膜が形成される。ＦＳＧ膜のフッ素含有率を変更するにはＳｉＦ４ガスとＳｉＨ４ガスのガス比を変更すればよい。つまり、深さ方向にフッ素含有率が高くなるように、ＳｉＨ４ガスに対するＳｉＦ４ガスの流量を多くする。
【００８１】
なお、第１のシリコン酸化膜１２としてＳｉＯＦ膜を、ＩＣＰプラズマ装置を用いて下記のようなプロセス条件で実行することも可能である。
成長炉内の圧力：５３３．２８８×１０−３Ｐａ（４ｍＴｏｒｒ）
導入するフッ化シリコン（ＳｉＦ４）ガスの流量：２０〜２６ｓｃｃｍ
導入するＳｉＨ４ガスの流量：３８ｓｃｃｍ
導入するＯ２ガスの流量：１１１ｓｃｃｍ
導入するＡｒガスの流量：６０ｓｃｃｍ
高周波電力（ＩＣＰ  ｐｏｗｅｒ）：３．９３Ｗ／ｃｍ２
バイアス電力（Ｂｉａｓ  ｐｏｗｅｒ）：２．１６Ｗ／ｃｍ２
このように第１のシリコン酸化膜１２としてフッ素含有膜を形成することで、エッチングの深さが深くなった箇所で、第２のシリコン酸化膜１４（ＵＳＧ膜やＴＥＯＳ膜）よりもフッ素含有率が高い第１の酸化膜（ＦＳＧ）となる。よって、深いホールの底のエッチングに際に、フッ素ラジカルが供給されやすくなるためエッチングレートの低下が抑制され、高いアスペクト比、例えば、６０以上のコンタクトホールを形成することができる。
（実施例４）
第１のシリコン酸化膜１２及び第２のシリコン酸化膜１４のように２層ではなく、実施例３の成膜方法によって、例えば、最初はＳｉＦ４ガスの流量をＳｉＨ４ガスの流量に対して上昇させフッ素含有率が高いシリコン酸化膜をホールの深い部分で形成し、少しずつＳｉＦ４ガスの流量をＳｉＨ４ガスの流量に対して減少させていく複数のステップで多層膜を形成する方法を採用することも可能である。
【００８２】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００８３】
例えば、上記実施形態では、ＢＰＳＧ膜及びＦＳＧ膜は、図１１に示したプラズマＣＶＤの成膜装置に限られず、図９に示したＳＯＧ膜を形成する膜形成装置を用いてもよい。また、ＳｉＯＦ膜の成膜には、ＳＯＧ膜を形成した膜形成装置及びプラズマＣＶＤ成膜装置のいずれも用いることができる。
【符号の説明】
【００８４】
１０        基板
１２        第１のシリコン酸化膜
１４        第２のシリコン酸化膜
１６        マスク
１３０      エッチング装置
１４０      膜形成装置
２０１      チャンバ
３０１      成膜装置
【図１】
2014007270.tif 000003
【図２】
2014007270.tif 000004
【図３】
2014007270.tif 000005
【図４】
2014007270.tif 000006
【図５】
2014007270.tif 000007
【図６】
2014007270.tif 000008
【図７】
2014007270.tif 000009
【図８】
2014007270.tif 000010
【図９】
2014007270.tif 000011
【図１０】
2014007270.tif 000012
【図１１】
2014007270.tif 000013