(57)【要約】【課題】ワイヤーの断線や発光素子の剥離を抑制しつつ、高耐熱性・高放熱性を実現可能な光学半導体装置を提供する。【解決手段】  繊維強化材にシリコーン樹脂組成物を含浸させ硬化させた基板と、該基板の上面に形成され、線幅Ｗ１の隙間を介して隣接して配置された第１及び第２の上面パターンと、基板の下面に形成され、線幅Ｗ２の隙間を介して隣接して配置された第１及び第２の下面パターンと、第１の上面パターン上に搭載され、第１及び第２の上面パターンと電気的に接続する発光素子とを具備し、基板は、第１及び第２の上面パターンと第１及び第２の下面パターンをそれぞれ電気的に接続するための貫通孔を有する光学半導体装置であって、上面パターンの隙間と下面パターンの隙間は、線幅Ｗ１以上の基板の幅方向の距離ｄを有して平行に配置されるか、又は、該隙間のそれぞれの中心軸がねじれの位置となるように配置される光学半導体装置。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
繊維強化材にシリコーン樹脂組成物を含浸させ硬化させた基板と、
該基板の上面に形成され、線幅Ｗ１の隙間を介して隣接して配置された第１及び第２の上面パターンと、
前記基板の下面に形成され、線幅Ｗ２の隙間を介して隣接して配置された第１及び第２の下面パターンと、
前記第１の上面パターン上に搭載され、前記第１及び第２の上面パターンと電気的に接続する発光素子とを具備し、
前記基板は、前記第１及び第２の上面パターンと前記第１及び第２の下面パターンをそれぞれ電気的に接続するための貫通孔を有する光学半導体装置であって、
前記上面パターンの隙間と前記下面パターンの隙間は、前記線幅Ｗ１以上の前記基板の幅方向の距離ｄを有して平行に配置されるか、又は、該隙間のそれぞれの中心軸がねじれの位置となるように配置されることを特徴とする光学半導体装置。
【請求項２】
前記線幅Ｗ１が１００μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の光学半導体装置。
【請求項３】
前記発光素子が前記第１の上面パターンの中央に搭載されたものであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光学半導体装置。
【請求項４】
前記繊維強化材は、ガラス繊維であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の光学半導体装置。
【請求項５】
前記貫通孔内に導電性材料が充填されたものであることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の光学半導体装置。
【請求項６】
前記貫通孔の内壁にメッキが施され、該貫通孔内に非導電性材料が充填されたものであることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の光学半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤ等の発光素子を基板上に搭載した光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤ等の発光素子は高効率であり、外部応力および環境的な影響に対する耐性が高いことから産業界において幅広く用いられている。さらに、発光素子は効率が高いことに加えて、寿命が長く、コンパクトであり、多くの異なる構造に構成することができ、比較的低い製造コストで製造できる。
【０００３】
特に、大量の熱を発生する高出力の発光素子を用いた光学半導体装置において、高耐熱性であると同時に、放熱性を高める構造を有することが重要である。
放熱性を高めるために、例えば、回路パターン（電極）を基板の上下それぞれに設けるモジュール構造が知られている（例えば、特許文献１、２参照）。
【０００４】
これら特許文献のモジュール構造において、上下の回路パターンは基板を貫通する貫通孔内に充填された導電性材料を介して電気的に接続される。発光素子は基板の上面パターンに搭載され、ワイヤーボンド方式又はフリップチップ方式で回路パターンと接続される。発光素子から発生した熱は、この貫通孔内の導電性材料を介して反対面側の回路パターンに伝達され、外部に放出される。基板の材質としては、ガラス繊維などの補強材を含有するエポキシ樹脂が用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２５８２６４号公報
【特許文献２】特開２０１２−２２７２９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記したような構造を有する光学半導体装置において、更に耐熱性、耐久性を向上するため、基板として繊維強化材にシリコーン樹脂組成物を含浸させ硬化させたものを用いることが考えられる。
しかし、シリコーン樹脂組成物を基板に用いた光学半導体装置では、低温から高温までの急激な温度変化の繰り返しに晒される温度サイクル試験では光学半導体装置に発生する歪みによりワイヤーボンド方式の場合にはワイヤーが断線したり、フリップチップ方式の場合には発光素子が基板から剥離したりするという問題を生じる。
特に、基板の上下面に金属箔を貼り合わせた金属張積層板において、上下面に同じパターンを形成した場合は、金属より熱の影響を受けやすいシリコーン樹脂のみの部分が形成されてしまうため、歪みが発生しやすく、その結果ワイヤーの断線などが起こりやすくなってしまう。
【０００７】
本発明は前述のような問題に鑑みてなされたもので、ワイヤーの断線や発光素子の剥離を抑制しつつ、高耐熱性・耐熱衝撃性の実現により、長寿命な光学半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明によれば、繊維強化材にシリコーン樹脂組成物を含浸させ硬化させた基板と、該基板の上面に形成され、線幅Ｗ１の隙間を介して隣接して配置された第１及び第２の上面パターンと、前記基板の下面に形成され、線幅Ｗ２の隙間を介して隣接して配置された第１及び第２の下面パターンと、前記第１の上面パターン上に搭載され、前記第１及び第２の上面パターンと電気的に接続する発光素子とを具備し、前記基板は、前記第１及び第２の上面パターンと前記第１及び第２の下面パターンをそれぞれ電気的に接続するための貫通孔を有する光学半導体装置であって、前記上面パターンの隙間と前記下面パターンの隙間は、前記線幅Ｗ１以上の前記基板の幅方向の距離ｄを有して平行に配置されるか、又は、該隙間のそれぞれの中心軸がねじれの位置となるように配置されることを特徴とする光学半導体装置が提供される。
【０００９】
このような光学半導体装置であれば、温度サイクル試験条件に曝されても光学半導体装置に発生する歪みを抑えることができるため、ワイヤーが断線したり、発光素子が上面パターンから剥離したりすることを確実に抑制しつつ、高耐熱性・耐熱衝撃性を実現できるものとなる。
【００１０】
このとき、前記線幅Ｗ１が１００μｍ以上であることが好ましい。
このようなものであれば、隙間を形成する場合、エッチング不足による回路短絡が発生しづらいので品質が安定し、生産性に優れたＬＥＤ搭載基板の製造が可能となる。
【００１１】
また、前記発光素子が前記第１の上面パターンの中央に搭載されたものであることが好ましい。発光素子を上面パターンの中央に搭載することにより、均一で安定な発光光源が得られる。
【００１２】
また、前記繊維強化材は、ガラス繊維であることが好ましい。
シリコーン樹脂とガラス繊維強化材により、良好な耐熱性、耐紫外線性が得られるとともに、寸法変化にも優れた基板となる。さらに、ガラス繊維は、安価で扱いやすい材料であるため、コスト面からも有利である。なお、ガラス繊維の形態に特に制限はない。不織布状、織物状(平織、綾織、二重織)、繊維状などが挙げられるが、好ましくは、不織布状もしくは織物状である。
【００１３】
また、前記貫通孔内に導電性材料が充填されたものとすることができる。
このようなものであれば、前記第１及び第２の上面パターンと前記第１及び第２の下面パターンを容易にそれぞれ電気的に接続することができる。
【００１４】
或いは、前記貫通孔の内壁にメッキが施され、該貫通孔内に非導電性材料が充填されたものとすることもできる。
このようなものであれば、熱放射性をより一層向上しつつ、貫通孔内に異物が侵入するのを防止できる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明では、基板の上下面に形成される第１及び第２の上面パターンと、第１及び第２の下面パターンとを有する光学半導体装置において、上面パターンの隙間と下面パターンの隙間が、線幅Ｗ１以上の基板の幅方向の距離ｄを有して平行に配置されるか、又は、該隙間のそれぞれの中心軸がねじれの位置となるように配置されるので、温度サイクル試験に暴露されても光学半導体装置に発生する歪みを抑えることができ、ワイヤーが断線したり発光素子が上面パターンから剥離したりすることを確実に抑制しつつ、高耐熱性・耐熱衝撃性を実現できるものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の光学半導体装置の一例を示す概略図である。
【図２】本発明の光学半導体装置の上下面パターンの一例を示す概略図である。
【図３】本発明の光学半導体装置の上下面パターンの別の一例を示す概略図である。
【図４】本発明の光学半導体装置の上下面パターンの別の一例を示す概略図である。
【図５】比較例１、２における光学半導体装置の上下面パターンを示す概略図である。
【図６】本発明の光学半導体装置の上下面パターンの別の一例を示す概略図である。
【図７】比較例１における光学半導体装置にワイヤー断線が発生した様子を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
上記したように、基板の上下面に回路パターンを有する光学半導体装置において、特に基板にシリコーン樹脂組成物を用いた場合、温度サイクル試験に暴露すると光学半導体装置に歪みが発生し、その結果、ワイヤーが断線したり、又は発光素子が基板から剥離したりしてしまう問題がある。
【００１８】
本発明者等はこのような問題を解決すべく鋭意検討を重ねた。その結果、熱による基板の歪み量は、上下面の回路パターンの隙間の相対位置やその線幅に依存することを知見した。特に、上下の回路パターンの隙間が、図５に示すように、それぞれの基板の幅方向の位置が一致するように配置されている場合に歪み量が大きくなり、ワイヤーの断線又は発光素子の剥離が発生しやすくなることが分かった。そして、この問題の発生を抑制するための具体的な条件を実験等により詳細に調査し、本発明を完成させた。
【００１９】
図１に示すように、本発明の光学半導体装置１は、基板２、上面パターン３ａ及び３ｂ、下面パターン４ａ及び４ｂ、発光素子５を有している。
基板２は、繊維強化材にシリコーン樹脂組成物を含浸させ上下面に金属箔を配置して硬化させたものであり、繊維強化材として、例えばガラス繊維を用いることができる。これにより、良好な耐熱性、耐紫外線性が得られるとともに、寸法変化にも優れた基板となる。さらに、ガラス繊維は、安価で扱いやすい材料であるため、コスト面からも有利である。なお、ガラス繊維の形態に特に制限はない。不織布状、織物状(平織、綾織、二重織)、繊維状などが挙げられるが、好ましくは、不織布状もしくは織物状である。
上面パターン３ａ及び３ｂ、並びに下面パターン４ａ及び４ｂのパターンの形状は特に限定されず、例えば正方形、長方形、凸型、凹型、円形などが挙げられ、基板の形状によって最適化することができる。中でも、正方形及び長方形が設計、加工が容易であったり、多数個取りが可能であったりするなどの理由により好ましい。
このような基板であれば、耐熱性が高く、高温環境下においても基板の黄変が抑制され、長時間にわたり高反射率を保持する耐久性に優れた光学半導体装置となる。
【００２０】
上面パターンは、第１の上面パターン３ａと第２の上面パターン３ｂとから成る。第１の上面パターン３ａと第２の上面パターン３ｂは、それぞれ基板２の上面に形成され、線幅Ｗ１の隙間７を介して隣接して配置される。
同様に、下面パターンは、第１の下面パターン４ａと第２の下面パターン４ｂとから成る。第１の下面パターン４ａと第２の下面パターン４ｂは、それぞれ基板２の下面に形成され、線幅Ｗ２の隙間８を介して隣接して配置される。
【００２１】
基板２は、第１の上面パターン３ａと第１の下面パターン４ａを電気的に接続するための貫通孔６ａと、第２の上面パターン３ｂと第２の下面パターン４ｂを電気的に接続するための貫通孔６ｂを有する。ここで、これらパターンを電気的に接続するために、貫通孔６ａ、６ｂ内に導電性材料１０が充填されたものとすることができる。或いは、貫通孔６ａ、６ｂの内壁にメッキを施すことでこれらパターンを電気的に接続しても良い。メッキを施すことにより接続するものであれば、熱放射性をより一層向上できる。この場合、貫通孔６ａ、６ｂ内に異物が侵入するのを防止するために、貫通孔６ａ、６ｂ内に非導電性材料１１を充填することができる。
【００２２】
更に、貫通孔内を非導電性材料で充填した場合は、基板上下面にもメッキを施してもよい。このようにすれば、貫通孔と充填した材料との僅かな隙間に、未硬化の封止材が浸入したり、充填物そのものが出てしまったりするのをより確実に防止することができる。
【００２３】
基板に使用するシリコーン樹脂組成物としては、特に制限されないが、硬化性のシリコーン樹脂組成物であって、付加硬化型や縮合硬化型のシリコーン樹脂組成物が望ましい。このようなシリコーン樹脂組成物をガラス繊維布に含浸、乾燥後に金属箔を配置して加熱加圧成型により金属張積層板を得るが、従来の成型装置でも容易に成型可能であり、機械的特性に優れた金属張積層板を容易に得ることができる。この場合の金属箔としては特に限定されないが、例えば、銅、ニッケル、金、パラジウム、又は銀などを用いることができ、電気的、経済的な面から銅箔を用いた銅張積層板が好ましく用いられる。
【００２４】
シリコーン樹脂組成物には無機質充填材を添加することができる。具体的にはアルミナ、シリカ、チタン酸バリウム、チタン酸カリウム、チタン酸ストロンチウム、炭酸カルシウム、炭酸アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、炭化ケイ素などが用いられる。これらの無機質充填材は単独でも、二種以上併用して用いても良い。
【００２５】
この無機質充填材の形状及び粒径は特に制限されるものではない。充填材の粒径は、通常、０．０１〜５０ミクロンとすることができ、好ましくは０．１〜２０ミクロンである。無機質充填材の配合量は特に制限されるものではないが、一般的に樹脂成分合計１００質量部に対し、１〜１０００質量部添加することができ、５〜８００質量部添加することが好ましい。
【００２６】
シリコーン樹脂組成物には無機質充填材の他に、目的に応じて１以上の添加物質を添加することができる。このような添加物質としては、例えば、拡散媒体、染料、フィルタ媒体、反射媒体、変換媒体の形をとることができ、例えば、発光染料、中空粒子、あるいは接着促進剤などが挙げられる。このような添加物質によって、特に、基板が反射性、透過性、あるいは吸収性を有するものとなる。このように１つまたは複数の添加物質を使用することによって、基板の設計上のオプションが増える。
【００２７】
上面パターン３ａ、３ｂの隙間７と下面パターン４ａ、４ｂの隙間８は、線幅Ｗ１以上（特に、Ｗ１の２倍以上）の基板の幅方向の距離ｄを有して平行に配置される。或いは、隙間７、８のそれぞれの中心軸がねじれの位置となるように配置される。
【００２８】
図２は、前者のように、隙間７、８が平行に配置される場合の例を示したものである。図２に示すように、上面パターン３ａ、３ｂと下面パターン４ａ、４ｂは、第１のパターンと第２のパターンの幅が互いに略反転するように構成されている。これにより、距離ｄが線幅Ｗ１以上となっている。
同様に、図３も、隙間７、８が平行に配置される場合の例を示したものであるが、図３では、第１の下面パターン４ａと第２の下面パターン４ｂの幅は同じであり、すなわち、隙間８は下面パターンの中央に位置し、隙間７は隙間８の基板の幅方向の位置から距離ｄ離れて位置している。
【００２９】
図４は、上記した隙間７、８のそれぞれの中心軸７ａ、８ａがねじれの位置となるように配置される場合の例を示したものである。ここで、ねじれの位置とは、隙間７、８のそれぞれの中心軸７ａ、８ａが平行でなく、かつ同一平面に乗らない位置関係を意味する。図４では、上下面パターンが、それぞれの中心軸７ａと８ａが互いに垂直方向を向くように配置された例を示している。
【００３０】
このように構成することで、金属製の上下面パターンとシリコーン樹脂組成物を用いた基板の線膨張係数の差が原因で基板が歪むのを確実に抑制できる。
【００３１】
また、上面パターン３ａ、３ｂの隙間７と下面パターン４ａ、４ｂの隙間８が上記のような位置関係を有しつつ、更に、図１に示すように、第１の下面パターン４ａと第２の下面パターン４ｂの間の隙間８の線幅Ｗ２は、第１の上面パターン３ａと第１の上面パターン３ｂの間の隙間７の線幅Ｗ１の２倍以上とすることができる。
このようなものであれば、該光半導体装置を下面パターン４ａと４ｂ部分で別基板に半田付けする際に、半田ブリッジによって短絡が起きることを防ぐことができる。
【００３２】
また、線幅Ｗ１は１００μｍ以上であることが好ましい。
このようなものであれば、隙間を形成する場合、エッチング不足による回路短絡が発生しづらいので品質が安定し、生産性に優れたＬＥＤ搭載基板の製造が可能となる。
【００３３】
発光素子５は、第１の上面パターン３ａ上に搭載され、第１の上面パターン３ａと第２の上面パターン３ｂと電気的に接続する。図１に示すように、発光素子５は上面パターンとワイヤー９で接続することができる。或いは、発光素子５をフリップチップ方式で接続しても良い。
このとき、発光素子５を第１の上面パターン３ａの中央に搭載することが好ましい。
発光素子を上面パターンの中央に搭載することにより、均一で安定な発光光源が得られる。
【実施例】
【００３４】
以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３５】
（実施例１−５）
図１に示すような本発明の光学半導体装置に対し温度サイクル試験を実施し、発光素子と上面パターンとの接続状態を評価した。ここで用いた光学半導体装置の構成を以下に示す。
【００３６】
［実施例１］
基板：５×５ｍｍ、シリコーン樹脂とガラス繊維布銅張積層板に上下面パターンを図２に示すような、第１のパターンと第２のパターンの幅が、上面パターンと下面パターンとで互いに略反転、Ｗ１＝１００μｍ、Ｗ２＝３００μｍ、ｄ＝２０００μｍ
発光素子：１×１ｍｍ  ＬＥＤチップ、第１・２上面パターンの中央に載置し、金ワイヤーにて接続後、シリコーン樹脂（信越化学製：商品名ＬＰＳ−５５５５）に蛍光体を添加した樹脂にて封止して光学半導体装置を作成して、評価用試料とした。
【００３７】
［実施例２］(Ｗ２＝２Ｗ１の場合の実施例)
基板：５×５ｍｍ、シリコーン樹脂とガラス繊維布銅張積層板に上下面パターンを図２に示すような、第１のパターンと第２のパターンの幅が、上面パターンと下面パターンとで互いに略反転、Ｗ１＝１００μｍ、Ｗ２＝２００μｍ、ｄ＝１０００μｍ
発光素子：０．５×０．５ｍｍ  ＬＥＤチップ、第１・２上面パターンの中央に載置し、金ワイヤーにて接続後、シリコーン樹脂（信越化学製：商品名ＬＰＳ−５５５５）に蛍光体を添加した樹脂にて封止して光学半導体装置を作成して、評価用試料とした。
【００３８】
［実施例３］(基板のサイズが小さい場合の実施例)
基板：２×２ｍｍ、シリコーン樹脂とガラス繊維布銅張積層板に上下面パターンを図３に示すような、下面パターンにおける隙間が中央に位置、Ｗ１＝１００μｍ、Ｗ２＝２００μｍ、ｄ＝１５０μｍ
発光素子：０．５×０．５ｍｍ  ＬＥＤチップ、第１・２上面パターンの中央に載置し、金ワイヤーにて接続後、シリコーン樹脂（信越化学製：商品名ＬＰＳ−５５５５）に蛍光体を添加した樹脂にて封止して光学半導体装置を作成して、評価用試料とした。
【００３９】
［実施例４］(パターンがねじれの位置にある場合の実施例)
基板：２×２ｍｍ、シリコーン樹脂とガラス繊維布銅張積層板に上下面パターン：図４に示すような、それぞれの隙間の中心軸が互いに垂直方向（ねじれの位置）
発光素子：０．５×０．５ｍｍ  ＬＥＤチップ、第１・２上面パターンの中央に載置し、金ワイヤーにて接続、シリコーン樹脂（信越化学製：商品名ＬＰＳ−５５５５）に蛍光体を添加した樹脂にて封止して光学半導体装置を作成して、評価用試料とした。
【００４０】
[実施例５]（パターンが円形の場合の実施例）
基板：５×５ｍｍ、シリコーン樹脂とガラス繊維布銅張積層板に上下面パターンを図６に示すような、上面パターンが円形状で、下面パターンにおける隙間が中央に位置、Ｗ１＝１００μｍ、Ｗ２＝３００μｍ、ｄ＝２０００μｍ
発光素子：１×１ｍｍ  ＬＥＤチップ、第１・２上面パターンの中央に載置し、金ワイヤーにて接続後、シリコーン樹脂（信越化学製：商品名ＬＰＳ−５５５５）に蛍光体を添加した樹脂にて封止して光学半導体装置を作成して、評価用試料とした。
【００４１】
上記光学半導体装置をそれぞれ５個ずつ準備し、それぞれに対し１０００サイクルの温度試験を実施した。
その結果、いずれの光学半導体装置にもワイヤーの断線は発生せず、光学半導体装置は正常に点灯した。一方、後述する比較例１〜３では、温度サイクル試験中にワイヤーの断線が発生する場合があった。
【００４２】
以上のように、基板にシリコーン樹脂組成物を用いて耐熱性、耐久性を実現しつつ、シリコーン樹脂組成物の高い線膨張係数に起因する基板の歪みを大幅に抑制し、ワイヤーの断線を確実に抑制できることが確認できた。
【００４３】
（比較例１）(ｄ＝０の場合の比較例)
図５に示すような、上下面パターンの隙間が平行に配置され、それらの基板の幅方向の位置が部分的に一致する、すなわち、隙間の距離ｄが０である光学半導体装置を用いた以外、実施例１と同様に温度サイクル試験を実施し、同様に評価した。
その結果、５個の光学半導体装置のうち３個にワイヤー断線が発生してしまい、それら光学半導体装置は正常に点灯しなかった。図７はそのうちの１個の光学半導体装置におけるワイヤー断線の様子を示したものである。
【００４４】
（比較例２）(基板がシリコーン樹脂ではない場合の比較例)
基板として、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸させ硬化させたものを用いた以外、比較例１と同様に温度サイクル試験を実施し、同様に評価した。
その結果、５個の光学半導体装置のうち２個にワイヤー断線が発生してしまい、それら光学半導体装置は正常に点灯しなかった。
【００４５】
（比較例３−５）
以下に示すような光学半導体装置を用いた以外、実施例１と同様に温度サイクル試験を実施し、同様に評価した。
【００４６】
［比較例３］(ｄ＜Ｗ１の場合の比較例)
基板：２×２ｍｍ、シリコーン樹脂のガラス繊維布銅張積層板に上下面パターンを図２に示すような、第１のパターンと第２のパターンの幅が、上面パターンと下面パターンとで互いに略反転、Ｗ１＝１００μｍ、Ｗ２＝２００μｍ、ｄ＝８０μｍ
発光素子：０．５×０．５ｍｍ  ＬＥＤチップ、第１・２上面パターンの中央に載置し、金ワイヤーにて接続後、シリコーン樹脂（信越化学製：商品名ＬＰＳ−５５５５）に蛍光体を添加した樹脂にて封止して光学半導体装置を作成して、評価用試料とした。
その結果、５個の光学半導体装置のうち２個にワイヤー断線が発生してしまい、それら光学半導体装置は正常に点灯しなかった。
【００４７】
［比較例４］（Ｗ２＜２Ｗ１の場合の比較例）
基板：５×５ｍｍ、シリコーン樹脂とガラス繊維布銅張積層板に上下面パターンを図２に示すような、第１のパターンと第２のパターンの幅が、上面パターンと下面パターンとで互いに略反転、Ｗ１＝１００μｍ、Ｗ２＝１５０μｍ、ｄ＝２４００μｍ
発光素子：１×１ｍｍ  ＬＥＤチップ、第１・２上面パターンの中央に載置し、金ワイヤーにて接続後、シリコーン樹脂（信越化学製：商品名ＬＰＳ−５５５５）に蛍光体を添加した樹脂にて封止して光学半導体装置を作成して、評価用試料とした。
上記、光学半導体装置の下面パターンを半田付けによりサポート板に接続したところ、半田ブリッジ発生による５個中１個の不灯発生があった。
【００４８】
［比較例５］（Ｗ１＜１００μｍ未満の比較例）
基板：２×２ｍｍ、シリコーン樹脂のガラス繊維布銅張積層板に上下面パターンを図２に示すような、第１のパターンと第２のパターンの幅が、上面パターンと下面パターンとで互いに略反転、Ｗ１＝８０μｍ、Ｗ２＝２００μｍ、ｄ＝１００μｍになるようにエッチングによってパターンを形成しようとしたが、５枚中２枚でエッチング不良による短絡が発生したため、以後の評価を断念した。
【００４９】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００５０】
１…光学半導体装置、  ２…基板、  ３ａ…第１の上面パターン、
３ｂ…第２の上面パターン、  ４ａ…第１の下面パターン、
４ｂ…第２の下面パターン、  ５…発光素子、  ６ａ、６ｂ…貫通孔、
７、８…隙間、  ７ａ、８ａ…隙間の中心軸、  ９…ワイヤー、
１０…導電性材料、  １１…非導電性材料。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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