(57)【要約】      （修正有）【課題】窒素原子を含む環構造を有する光学活性な芳香族化合物であって修飾基を高収率かつ光学純度を保持したままで除去できるものを、高収率かつ高エナンチオ選択的に得る製造法の提供。【解決手段】ベンゼン環を構成する隣り合う２つの炭素原子における、一方に−ＮＨＲ11（Ｒ11はアレーンスルホニル基である）で表されるアミノ基が、他方に−Ｒ13−ＣＨＲ15−Ｃ（＝Ｏ）−Ｚ（Ｒ13は、置換基を有していてもよいメチレン又はエチレンであり、Ｒ15は、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてよいシクロアルキル基であり、Ｚは、置換基を有していてもよいヘテロアリール基である）が結合している芳香族化合物を基質として用い、該基質を、Ｎ−スピロＣ2軸不斉四級アンモニウムヨージド及び酸化剤が供給されてなる系にて反応させ、前記アミノ基に由来する窒素原子を含む環構造を有する芳香族化合物を得る。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベンゼン環を構成する隣り合う２つの炭素原子における、一方に−ＮＨＲ11（Ｒ11はアレーンスルホニル基である）で表されるアミノ基が、他方に−Ｒ13−ＣＨＲ15−Ｃ（＝Ｏ）−Ｚ（Ｒ13は、置換基を有していてもよいメチレン又はエチレンであり、Ｒ15は、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてよいシクロアルキル基であり、Ｚは、置換基を有していてもよいヘテロアリール基である）が結合している芳香族化合物を基質として用い、該基質を、Ｎ−スピロＣ2軸不斉四級アンモニウムヨージド及び酸化剤が供給されてなる系にて反応させ、前記アミノ基に由来する窒素原子を含む環構造を有する芳香族化合物の製法。
【請求項２】
前記芳香族化合物を製造したあと、更に、−Ｃ（＝Ｏ）−ＺのＣ−Ｚ結合の開裂及び前記窒素原子上のＲ11の脱保護を順不同で行う、請求項１に記載の製法。
【請求項３】
前記Ｒ11は、ｐ−トルエンスルホニル基、４−ニトロベンゼンスルホニル基、２−ニトロベンゼンスルホニル基、ベンゼンスルホニル基又は２，４−ジニトロベンゼンスルホニル基である、請求項１又は２に記載の製法。
【請求項４】
前記Ｒ15は、水素原子である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の製法。
【請求項５】
前記Ｚは、Ｚは１−アリール−イミダゾ−２−イル、１−アリール−ピラゾ−２−イル、２−アリール−１，２，４−トリアゾ−３−イル、１−アリール−テトラゾ−２−イル又はこれらとアリール環との縮合環である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の製法。
【請求項６】
前記基質は、下記式（１）で表される化合物であり、
前記アミノ基に由来する窒素原子を含む環構造を有する化合物は、下記式（２）で表される化合物である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の製法。
【化１】
2014240365.tif 000013
【化２】
2014240365.tif 000014
（式（１），（２）中、Ｒ11，Ｒ13，Ｒ15及びＺは前出の通りであり、Ｒ21〜Ｒ24は、それぞれ独立して、水素原子、電子求引基若しくは電子供与基であるか又は隣接するいずれか２つが１〜５個の炭素を介して結合して環を形成している）
【請求項７】
前記アンモニウムヨージドが下記一般式（３）〜（８）で表されるアンモニウムヨージドである、請求項１〜６のいずれか１項に記載の製法。
【化３】
2014240365.tif 000015
（式（３）〜（８）中、Ｒは水素原子、フェニル基、アルキル基を有するフェニル基、ペルフルオロアルキル基を有するフェニル基、アルコキシ基を有するフェニル基又はアリール基を有するフェニル基である）
【請求項８】
前記Ｒは、３，５−ビス（３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル）フェニル基又は３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル基である、請求項７に記載の製法。
【請求項９】
前記酸化剤は、有機ヒドロペルオキシドである、請求項１〜８のいずれか１項に記載の製法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒素原子を含む環構造を有する光学活性な芳香族化合物の製法に関する。
【背景技術】
【０００２】
生理活性物質、医薬品、農薬、化粧品等を製造する際の中間体として、２−アシルインドリン誘導体などが知られている。こうした中間体は、最終製品の作用等の観点から、光学活性化合物を用いることがある。本発明者らは、特許文献１において、Ｎ−スピロＣ2軸不斉四級アンモニウムヨージドと酸化剤とを用いる分子内酸化的環化反応をケトアニリン誘導体に適用することにより２−アシルインドリン誘導体を良好なエナンチオ選択率（不斉収率）で定量的に得ることに成功した（下記式参照、特許文献１の実施例１−３１）。
【０００３】
【化１】
2014240365.tif 000002
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１２／１１１４４９号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の手法では、高いエナンチオ選択率を得るためには、アニリンの保護基をメシル（Ｍｓ，メタンスルホニル）基にする必要があった。例えば、下記式に示すように、ケトアニリン誘導体のアニリンの保護基をＭｓ基、イミダゾリル基のＮ上の置換基を簡素な構造のフェニル基とし、ＭＴＢＥを溶媒として用いたところ、対応する２−アシルインドリン誘導体がエナンチオ選択率９１％ｅｅ、化学収率９８％で得られた。
【０００６】
しかしながら、得られた２−アシルインドリン誘導体の脱保護では、次のような問題が生じた。まず、イミダゾリル基のアルコキシ基への変換では、エピメリ化が起きて、光学純度が大幅に減少し（４５％ｅｅ）、化学収率も低かった（１７％）。また、Ｍｓ基の脱保護も困難であり、フッ化テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムを用いて種々の条件で検討したが、脱保護された生成物はすぐにアキラルなインドールへ過剰酸化されてしまった。このように、アニリンの保護基がＭｓ基の場合には、酸化的環化反応の化学収率及びエナンチオ選択率が高いものの、カルボニル炭素とイミダゾリル基との開裂やＭｓ基の脱保護に課題があった。
【０００７】
【化２】
2014240365.tif 000003
【０００８】
本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、窒素原子を含む環構造を有する光学活性な芳香族化合物であって修飾基を高収率かつ光学純度を保持したままで除去できるものを、高収率かつ高エナンチオ選択的に得ることを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した目的を達成するために、本発明者らは、ケトアニリン誘導体のイミダゾリル基のＮ上の置換基をフェニル基、アニリンの保護基をトシル（Ｔｓ，ｐ−トルエンスルホニル）基とし、Ｎ−スピロＣ2軸不斉四級アンモニウムヨージドと酸化剤とを用いる分子内酸化的環化反応に適用したところ、対応する２−アシルインドリン誘導体が高い化学収率及びエナンチオ選択率で得られること、更に、これに続くＴｓ基の脱保護やカルボニル炭素とイミダゾリル基との開裂も高い化学収率及び光学純度を保持したままで実施できることを見いだし、本発明を完成するに至った。
【００１０】
即ち、本発明の製法は、ベンゼン環を構成する隣り合う２つの炭素原子における、一方に−ＮＨＲ11（Ｒ11はアレーンスルホニル基である）で表されるアミノ基が、他方に−Ｒ13−ＣＨＲ15−Ｃ（＝Ｏ）−Ｚ（Ｒ13は、置換基を有していてもよいメチレン又はエチレンであり、Ｒ15は、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてよいシクロアルキル基であり、Ｚは、置換基を有していてもよいヘテロアリール基である）が結合している芳香族化合物を基質として用い、該基質を、Ｎ−スピロＣ2軸不斉四級アンモニウムヨージド及び酸化剤が供給されてなる系にて反応させ、前記アミノ基に由来する窒素原子を含む環構造を有する芳香族化合物を製造するものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の製法によれば、分子内酸化的環化反応によりケトアニリン誘導体から対応する２−アシルインドリン誘導体又は２−アシルテトラヒドロキノリン誘導体を高い化学収率及びエナンチオ選択率で得ることができる。しかも、これに続く修飾基の除去、具体的には保護基（Ｒ11）の脱保護や−Ｃ（＝Ｏ）−ＺのＣ−Ｚ結合の開裂、も高い化学収率及び光学純度を保持したままで実施することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の製法では、基質として、ベンゼン環を構成する隣り合う２つの炭素原子における、一方に−ＮＨＲ11（Ｒ11はアレーンスルホニル基である）で表されるアミノ基が、他方に−Ｒ13−ＣＨＲ15−Ｃ（＝Ｏ）−Ｚ（Ｒ13は、置換基を有していてもよいメチレン又はエチレンであり、Ｒ15は、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてよいシクロアルキル基であり、Ｚは、置換基を有していてもよいヘテロアリール基である）が結合している芳香族化合物を用いる。
【００１３】
ここで、Ｒ11は、アレーンスルホニル基であれば特に限定されるものではないが、例えば、ｐ−トルエンスルホニル（Ｔｓ）基、４−ニトロベンゼンスルホニル基、２−ニトロベンゼンスルホニル基、ベンゼンスルホニル基、２，４−ジニトロベンゼンスルホニル基、１−ナフタレンスルホニル基、２−ナフタレンスルホニル基などが挙げられる。
【００１４】
Ｒ13は、置換基を有していてもよいメチレン又はエチレンである。置換基としては、例えば、分岐又は環を有していてもよく、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されていてもよい、炭素原子数１〜２０の炭化水素基などが挙げられる。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基などが挙げられる。
【００１５】
Ｒ15は、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてよいシクロアルキル基である。置換基としては、例えば、ハロゲン原子が挙げられる。アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基などが挙げられ、シクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基などが挙げられる。Ｒ15が水素原子の場合、得られる芳香族化合物のうち環構造中の窒素原子に隣接する炭素原子（カルボニル炭素のα位の炭素原子）は第３級炭素となるため、例えば−Ｃ（＝Ｏ）−ＺのＣ−Ｚ結合を開裂する際にエピメリ化が起きて光学純度が低下しやすい。しかし、本発明の製法によれば、Ｒ15が水素原子であっても、このようなエピメリ化がほとんど起きない。したがって、Ｒ15が水素原子の場合に、本発明の製法を適用する意義が高い。
【００１６】
Ｚは、置換基を有していてもよいヘテロアリール基である。置換基としては、例えば、分岐又は環を有していてもよく、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されていてもよい、炭素原子数１〜２０の炭化水素基などが挙げられる。ヘテロアリール基としては、例えば、炭素原子数３〜２０のヘテロアリール基などが挙げられる。具体的には、１−アリール−イミダゾ−２−イル、２−アリール−１，２，４−トリアゾ−３−イル、１−アリール−テトラゾ−２−イル、１−アリール−ピラゾ−２−イル又はこれらとアリール環との縮合環が挙げられる。このうち、１−アリール−イミダゾ−２−イル、２−アリール−１，２，４−トリアゾ−３−イル、１−アリール−テトラゾ−２−イル又はこれらとアリール環との縮合環であることが好ましい。これらは、脱保護が容易な補助基であるため、得られた窒素原子を含む環構造を有する芳香族化合物をエステル、アミド、アルデヒド、３級アルコールなどへ変換することが可能だからである。ここで、アリールとしては、例えば、フェニル、アルキルを有するフェニル、ペルフルオロアルキルを有するフェニル、アルコキシを有するフェニル、ハロゲン原子を有するフェニル、ナフチル、アルキルを有するナフチル、ペルフルオロアルキルを有するナフチル、アルコキシを有するナフチル、ハロゲン原子を有するナフチルなどが挙げられるが、合成が簡便なことからフェニルが好ましい。アルキルとしては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチルなどの分岐を有していてもよい炭素数１〜４のアルキルが挙げられる。ペルフルオロアルキルとしては、例えば、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチルなどが挙げられる。アルコキシとしては、例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシなどの分岐を有していてもよい炭素数１〜４のアルコキシが挙げられる。ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。また、アリール環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。
【００１７】
本発明の製法で用いる基質としては、例えば、下記式（１）で表される化合物が好ましい。その場合、得られる芳香族化合物は、下記式（２）で表される化合物である。ここで、Ｒ11，Ｒ13，Ｒ15及びＺは前出の通りである。また、Ｒ21〜Ｒ24は、それぞれ独立して、水素原子、電子求引基若しくは電子供与基であるか又は隣接するいずれか２つが１〜５個の炭素を介して結合して環を形成している。電子求引基としては、例えば、ハロゲン原子、ニトリル基、エステル基、ケトン基などが挙げられ、電子供与基としては、例えば、アルコキシ基、シリルオキシ基、アルキルアミノ基、ベンジロキシ基などが挙げられる。Ｒ21〜Ｒ24のうち隣接するいずれか２つが１〜５個の炭素原子を介して結合して環を形成しているとは、例えば、Ｒ23とＲ24が水素原子でありＲ21とＲ22が−ＣＨ＝ＣＨ2−ＣＨ＝ＣＨ2−を介して結合している場合には、ナフチルアミン誘導体となる。また、結合部位の構造を適宜選択することによりフェナントリルアミン誘導体になる。
【００１８】
【化３】
2014240365.tif 000004
【００１９】
【化４】
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【００２０】
本発明の製法で用いるＮ−スピロＣ2軸不斉四級アンモニウムヨージドとしては、例えば、下記式（３）〜（８）で表されるアンモニウムヨージドが好ましい。ここで、Ｒは水素原子、フェニル基、アルキル基を有するフェニル基、ペルフルオロアルキル基を有するフェニル基、アルコキシ基を有するフェニル基又はアリール基を有するフェニル基である。ここで、アルキルとしては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチルなどの分岐を有していてもよい炭素数１〜４のアルキルが挙げられる。ペルフルオロアルキルとしては、例えば、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチルなどが挙げられる。アルコキシとしては、例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシなどの分岐を有していてもよい炭素数１〜４のアルコキシが挙げられる。アリールとしては、例えば、フェニル、ナフチルなどのほか、ペルフルオロアルキルを有するフェニルなどが挙げられる。こうしたＲを、３，５−ビス（３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル）フェニル基又は３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル基とした場合、得られる芳香族化合物のエナンチオ選択率が高くなるため好ましい。
【００２１】
【化５】
2014240365.tif 000006
【００２２】
こうしたＮ−スピロＣ2軸不斉四級アンモニウムヨージドは、基質に対して０．１〜５０ｍｏｌ％使用するのが好ましく、１〜１０ｍｏｌ％使用するのがより好ましい。０．１ｍｏｌ％未満だと、反応の進行が遅く反応時間が長時間になるため好ましくない。また、５０ｍｏｌ％を超えても化学収率やエナンチオ選択率が大きく向上することはないため経済的見地から好ましくない。こうしたアンモニウムヨージドは、酸化剤によって酸化されてアンモニウムヨージドを含む触媒（構造は不明であるが、Ｒ4Ｎ+ＩＯ- 又はＲ4Ｎ+Ｉ（＝Ｏ）Ｏ- と推定している）となると考えられる。そして、酸化剤は、この触媒の存在下に基質を酸化させると同時に分子内環化反応を進行させると考えられる。分子内環化反応は脱水を伴うため、触媒が分解し（還元されて）、アンモニウムヨージドが再生されると考えられる。こうしたことから、反応系に供給されるアンモニウムヨージドを、触媒前駆体又はプレ触媒と称する。
【００２３】
本発明の製法で用いる酸化剤としては、有機ヒドロペルオキシドが好ましい。有機ヒドロペルオキシドとしては、例えば、ｔｅｒｔ−ブチルヒドロペルオキシド、ｔｅｒｔ−アミルヒドロペルオキシド、クメンヒドロペルオキシドなどが挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、２つ以上を組み合わせて用いてもよい。こうした酸化剤は、基質に対してモル比で１〜１０倍用いるのが好ましく、１．５〜３倍用いるのがより好ましい。下限値未満だと、反応が終結しないことがあるため好ましくなく、上限値を超えても化学収率が大きく向上しないため経済的見地から好ましくない。
【００２４】
本発明の製法では、反応溶媒として、エステル系溶媒、エーテル系溶媒、ニトリル系溶媒、ニトロアルカン、炭化水素系溶媒を用いることが好ましい。これらは、単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。エステル系溶媒としては、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ｓｅｃ−ブチル、酢酸ｔｅｒｔ−ブチルなどが挙げられる。エーテル系溶媒としては、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、１，２−ジエトキシエタン、ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテルなどが挙げられる。ニトリル系溶媒としては、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリルなどが挙げられる。ニトロアルカンとしては、ニトロメタン、ニトロエタンなどが挙げられる。炭化水素系溶媒としては、トルエン、ベンゼン、メシチレン、キシレン、ヘキサン、ヘプタンなどが挙げられる。反応溶媒の使用量は、基質の濃度が０．００１〜０．５ｍｏｌ／Ｌとなるように設定するのが好ましく、０．０１〜０．１ｍｏｌ／Ｌとなるように設定するのがより好ましい。
【００２５】
本発明の製法では、反応温度は、−１０℃〜１００℃が好ましく、０〜５０℃がより好ましい。−１０℃未満だと反応速度が遅くなるため好ましくなく、１００℃を超えるとエナンチオ選択率が低下するおそれがあるため好ましくない。反応系の雰囲気は、窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性雰囲気とする必要はなく、大気雰囲気でも支障なく反応は進行する。
【００２６】
本発明の製法では、窒素原子を含む環構造を有する光学活性な芳香族化合物を製造したあと、更に、−Ｃ（＝Ｏ）−ＺのＣ−Ｚ結合の開裂及び前記窒素原子上のＲ11の脱保護を順不同で行ってもよい。このような反応を行ったとしても、Ｒ11がアレーンスルホニル基の場合には、光学純度は高く維持される。なお、Ｃ−Ｚ結合の開裂を行う場合、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｚを他の官能基（例えばエステル、カルボン酸、アルデヒド、アミドなど）へ変換してもよい。また、反応の順序は、Ｃ−Ｚ結合の開裂を行ったあと窒素原子上のＲ11の脱保護を行うのが好ましい。
【００２７】
なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。
【実施例】
【００２８】
以下の実施例においては1H NMRスペクトルをJEOL ECS-400 (400 MHz)スペクトロメータで、13C NMRスペクトルをJEOL ECS-400 (100MHz)スペクトロメータ測定した。反応の進行は、薄層クロマトグラフィー（TLC）で、Merck precoated TLCプレート（シリカゲル60 GF254, 0.25 mm）を用いてモニタリングした。反応生成物の光学純度は、高速液体クロマトグラフィー（HPLC）を、4.6 mm × 25 cm Daicel CHIRALCEL IA-3を用いて、Shimadzu LC-10 装置で測定した。
【００２９】
［参考例］
【００３０】
【化６】
2014240365.tif 000007
【００３１】
分子内酸化的環化反応に供する基質の合成例を以下に示す（上記式参照）。１−フェニルイミダゾール（１．２６ｍＬ，１０ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ溶液（５０ｍＬ）にｎ−ＢｕＬｉ（１．６Ｍヘキサン溶液，７．５ｍＬ，１２ｍｍｏｌ）を−７８℃で加え、３０分撹拌した。反応溶液にＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（１．１２ｍＬ，１２ｍｍｏｌ）を−７８℃で滴下し、反応系を室温に調整し、２時間撹拌した。その後、反応生成物を含む反応液に飽和塩化アンモニウム溶液を加え、酢酸エチルで２回抽出した。得られた有機層を食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムを投入した。その後、溶媒を減圧下、留去し、粗生成物を含む濃縮物を得た。得られた固体をクロロホルム／ヘキサン混合溶媒中で再結晶させることで、生成物である２−アセチル−１−フェニルイミダゾールを８７％収率（１．６２ｇ）で白色固体として得た。次に、水素化ナトリウム（２２４ｍｇ，５．６ｍｍｏｌ）と無水トルエン（２ｍＬ）の懸濁液に炭酸ジエチル（０．４８ｍＬ，４ｍｍｏｌ）を加え、５分間加熱還流した。反応溶液に、先の反応で得られた２−アセチル−１−フェニルイミダゾール（３７２ｍｇ，２ｍｍｏｌ）のトルエン（２ｍＬ）溶液を加え、１時間撹拌した。反応系を室温に調整し、飽和塩化アンモニウム溶液を加えて反応を終結させ、酢酸エチルで抽出した。得られた有機層を、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムを投入した。その後、溶媒を減圧下、留去し、粗生成物を含む濃縮物を得た。次いで、この濃縮物をシリカゲルのフラッシュカラムクロマトグラフィーに供して、反応生成物である３−オキソ−３−（１−フェニル−１Ｈ−イミダゾール−２−イル）プロパン酸エチルエステルを７５％収率（３８７ｍｇ）で白色固体として得た。
【００３２】
２−アミノベンジルアルコール（１．２ｇ，１０ｍｍｏｌ）とピリジン（１．６ｍＬ，２０ｍｍｏｌ）のジクロロメタン溶液（４０ｍＬ）にｐ−トルエンスルホニルクロリド（ＴｓＣｌ，２．３ｇ，１２ｍｍｏｌ）を０℃で加えた。反応系を室温に調整して４時間撹拌した後、クロロホルムで希釈した。得られた有機層を１Ｎ塩酸と飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸ナトリウムを投入した。その後、溶媒を減圧下、留去し、粗生成物を含む濃縮物を得た。得られた固体をジクロロエタン（５０ｍＬ）の溶液にし、この反応液に三臭化りん（ＰＢｒ3，０．９５ｍＬ，１０ｍｍｏｌ）を０℃で滴下した。反応系を室温に調整して２時間撹拌した後、反応液に水（２０ｍＬ）を加えて反応を終結させ、酢酸エチルで抽出した。得られた有機層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムを投入した。その後、溶媒を減圧下、留去し、粗生成物を含む濃縮物を得た。得られた固体をジクロロメタン／ヘキサン混合溶媒中で再結晶させることで、生成物であるＮ−（２−（ブロモメチル）フェニル）−４−メチルベンゼンスルホンアミドを６６％収率（２．２６ｇ）で白色固体として得た。水素化ナトリウム（１２０ｍｇ，３ｍｍｏｌ）と無水ＴＨＦ（１０ｍＬ）の懸濁液に３−オキソ−３−（１−フェニル−１Ｈ−イミダゾール−２−イル）プロパン酸エチルエステル（５１７ｍｇ，２ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（２ｍＬ）溶液を０℃で加え、３０分撹拌した。この反応液にＮ−（２−（ブロモメチル）フェニル）−４−メチルベンゼンスルホンアミド（６８０ｍｇ，２ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（４ｍＬ）溶液を０℃で加え、反応系を室温に調整して室温で１時間撹拌した。その後、反応液に飽和塩化アンモニウム溶液を加え、そして、酢酸エチルで抽出した。得られた有機層を食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムを投入した。その後、溶媒を減圧下、留去し、粗生成物を含む濃縮物を得た。得られた粗生成物にエタノール（３ｍＬ）と２Ｍ水酸化ナトリウム（３ｍＬ）を加え、加熱還流しながら１２時間撹拌した。反応系を室温に調整して１Ｎ塩酸を加え、そして、酢酸エチルで抽出した。得られた有機層を食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムを投入した。その後、溶媒を減圧下、留去し、粗生成物を含む濃縮物を得た。次いで、この濃縮物をシリカゲルのフラッシュカラムクロマトグラフィーに供して、反応生成物である４−メチル−Ｎ−（２−（３−オキソ−３−（１−フェニル−１Ｈ−イミダゾール−２−イル）プロピル）フェニル）ベンゼンスルホンアミド（基質ａ）を６０％収率（５３５ｍｇ）で白色固体として得た。
【００３３】
その他の基質ｂ〜ｈ（下記式参照）も同様に合成した。基質ａ〜ｈのデータを以下に示す。なお、「Ｎｓ」は４−ニトロベンゼンスルホニル基、「ＴＢＳ」はｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基を表す。
【００３４】
【化７】
2014240365.tif 000008
【００３５】
基質ａ：白色固体。TLC, Rf = 0.43 (hexane-EtOAc = 1:1); 1H NMR (CDCl3, 400 MHz) δ 2.34 (s, 3H), 2.70-2.79 (m, 2H), 2.92-3.00 (m, 2H), 6.99-7.08 (m, 2H), 7.14 (d, J = 8.2 Hz, 2H), 7.17-7.23 (m, 1H), 7.25 (d, J = 0.88 Hz, 1H), 7.28-7.35 (m, 2H), 7.47-7.53 (m, 3H), 7.59 (d, J = 8.2 Hz, 2H), 7.66-7.70 (m, 2H), 10.26 (s, 1H); 13C NMR (CDCl3, 100 MHz) δ 21.5, 29.1, 42.7, 122.5, 124.6, 125.8 (2C), 126.9 (2C), 127.1, 127.6, 129.1 (3C), 129.4 (2C), 129.9, 130.1, 132.1, 135.7, 137.3, 137.8, 141.4, 143.2, 189.5.
【００３６】
基質ｂ：白色固体。TLC, Rf = 0.46 (hexane-EtOAc = 1:1); 1H NMR (CDCl3, 400 MHz) δ 2.66-2.74 (m, 2H), 2.92-3.00 (m, 2H), 7.08 (d, J = 4.6 Hz, 2H), 7.21-7.26 (m, 1H), 7.28 (d, J = 0.92 Hz, 1H), 7.29-7.34 (m, 2H), 7.48-7.54 (m, 3H), 7.67 (s, 1H), 7.70 (d, J = 8.2 Hz, 1H), 7.87 (d, J = 9.0 Hz, 2H), 8.20 (d, J = 9.0 Hz, 2H), 10.66 (s, 1H); 13C NMR (CDCl3, 100 MHz) δ 28.8, 42.8, 122.9, 124.0 (2C), 125.6, 125.8 (2C), 127.3, 127.8, 128.0 (2C), 129.1 (2C), 129.2, 130.1, 130.2, 132.6. 134.6, 137.6, 141.3, 145.9, 149.8, 189.1.
【００３７】
基質ｃ：白色固体。TLC, Rf = 0.56 (hexane-EtOAc = 1:1); 1H NMR (CDCl3, 400 MHz) δ 2.35 (s, 3H), 2.66-2.73 (m, 2H), 2.89-2.96 (m, 2H), 7.15 (d, J = 8.2 Hz, 2H), 7.18 (d, J = 2.3 Hz, 1H), 7.27-7.35 (m, 4H), 7.46-7.53 (m, 3H), 7.58 (d, J = 8.2 Hz, 3H), 7.68 (s, 1H), 10.39 (s, 1H); 13C NMR (CDCl3, 100 MHz) δ 21.5, 28.9, 42.4, 117.5, 124.1, 125.8 (2C), 126.8 (2C), 127.2, 129.1 (2C), 129.2, 129.5 (2C), 130.4, 130.5, 132.5, 134.2, 134.9, 137.0, 137.6, 141.2, 143.4, 188.9.
【００３８】
基質ｄ：白色固体．TLC, Rf = 0.47 (hexane-EtOAc = 1:1); 1H NMR (CDCl3, 400 MHz) δ 2.34 (s, 3H), 2.47-2.54 (m, 2H), 2.93-3.00 (m, 2H), 5.00 (s, 2H), 6.67 (d, J = 2.8 Hz, 1H), 6.84 (dd, J = 2.7, 9.2 Hz, 1H), 7.10 (d, J = 8.2 Hz, 2H), 7.24-7.34 (m, 4H), 7.34-7.46 (m, 4H), 7.46-7.54 (m, 5H), 7.57 (d, J = 9.2 Hz, 1H), 7.63 (d, J = 0.88 Hz, 1H), 9.70 (s, 1H); 13C NMR (CDCl3, 100 MHz) δ 21.4, 28.3, 42.4, 70.0, 113.2, 116.0, 125.7 (2C), 126.5, 126.8 (2C), 127.1, 127.5 (2C), 128.0, 128.3, 128.5 (2C), 129.0 (3C), 129.2 (2C), 130.3, 135.7, 136.7, 137.1, 137.7, 141.4, 143.0, 156.3, 189.4.
【００３９】
基質ｅ：白色固体。TLC, Rf = 0.62 (hexane-EtOAc = 1:1); 1H NMR (CDCl3, 400 MHz) δ 0.16 (s, 6H), 0.95 (s, 9H), 2.33 (s, 3H), 2.43-2.50 (m, 2H), 2.90-2.96 (m, 2H), 6.52 (d, J = 2.7 Hz, 1H), 6.69 (dd, J = 3.2, 8.7 Hz, 1H), 7.08 (d, J = 8.2 Hz, 2H), 7.24 (d, J = 0.88 Hz, 1H), 7.25-7.32 (m, 2H), 7.44 (d, J = 8.2 Hz, 2H), 7.46-7.54 (m, 4H), 7.64 (d, J = 0.92 Hz, 1H), 9.69 (s, 1H).
【００４０】
基質ｆ：白色固体。TLC, Rf = 0.37 (hexane-EtOAc = 1:1); 1H NMR (CDCl3, 400 MHz) δ 2.33 (s, 3H), 2.46-2.53 (m, 2H), 2.93-3.00 (m, 2H), 3.75 (s, 3H), 6.58 (d, J = 2.8 Hz, 1H), 6.76 (dd, J = 2.8, 9.2 Hz, 1H), 7.10 (d, J = 8.2 Hz, 2H), 7.24 (s, 1H), 7.25-7.32 (m, 2H), 7.43-7.52 (m, 5H), 7.57 (d, J = 9.2 Hz, 1H), 7.63 (s, 1H), 9.67 (s, 1H).
【００４１】
基質ｇ：白色固体。TLC, Rf = 0.53 (hexane-EtOAc = 1:1); 1H NMR (CDCl3, 400 MHz) δ 2.31 (s, 3H), 2.91-3.04 (m, 4H), 7.11 (d, J = 7.8 Hz, 2H), 7.27 (d, J = 0.92 Hz, 1H), 7.31-7.54 (m, 8H), 7.62-7.69 (m, 3H), 7.75 (d, J = 0.92 Hz, 1H), 7.80 (d, J = 8.2 Hz, 1H), 8.15 (s, 1H), 10.60 (s, 1H).
【００４２】
基質ｈ：白色固体。TLC, Rf = 0.37 (hexane-EtOAc = 1:1); 1H NMR (CDCl3, 400 MHz) δ 1.67-1.76 (m, 2H), 2.14-2.22 (m, 2H), 2.32 (s, 3H), 3.07 (t, J = 6.0 Hz, 2H), 7.07-7.11, (m, 4H), 7.13-7.19 (m, 1H), 7.23 (s, 1H), 7.34-7.42 (m, 4H), 7.48-7.58 (m, 4H), 8.02 (s, 1H); 13C NMR (CDCl3, 100 MHz) δ 21.5, 24.7, 30.0, 37.7, 124.8, 125.7, 126.0 (2C), 126.9 (2C), 127.0, 127.4, 128.9, 129.0 (2C), 129.2 (2C), 129.6, 129.8, 134.7, 134.8, 137.1, 138.0, 142.6, 143.1, 191.6.
【００４３】
［実施例１］
【００４４】
【化８】
2014240365.tif 000009
【００４５】
基質の分子内酸化的環化反応により窒素原子を含む環構造を有する芳香族化合物を合成する例を以下に示す（上記式参照）。反応容器に、４−メチル−Ｎ−（２−（３−オキソ−３−（１−フェニル−１Ｈ−イミダゾール−２−イル）プロピル）フェニル）ベンゼンスルホンアミド（基質ａ，４４．６ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ）、触媒前駆体（１７．０ｍｇ，０．０１ｍｍｏｌ）、及び、溶媒としてｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル（ＭＴＢＥ，５ｍＬ）を収容して溶液を得た。その後、酸化剤として５．５Ｍｔｅｒｔ−ブチルヒドロペルオキシド  デカン溶液（ＴＢＨＰ）を、基質に対して２当量に相当する量（３６μＬ，０．２ｍｍｏｌ）を添加した。なお、触媒前駆体の構造は、上記式の化合物（９）である。次いで、反応系を室温に調整し、４時間攪拌して反応を行った。その後、反応生成物を含む反応液を飽和のチオ硫酸ナトリウム水溶液に入れ、そして、酢酸エチルで２回抽出した。得られた有機層を水及び食塩水により順次洗浄した後、無水硫酸ナトリウムを投入した。その後、溶媒を減圧下留去し、粗生成物を含む濃縮物を得た。次いで、この濃縮物をシリカゲルのフラッシュカラムクロマトグラフィーに供して、生成物である（Ｒ）−（１−フェニル−１Ｈ−イミダゾール−２−イル）（１−トシルインドリン−２−イル）メタノン（生成物Ａ）を９９％収率（４４．３ｍｇ）で白色固体として得た。
【００４６】
得られた生成物Ａの分析データを以下に示す。生成物Ａ：白色固体。TLC, Rf = 0.29 (hexane-EtOAc = 1:1); 1H NMR (CDCl3, 400 MHz) δ 2.38 (s, 3H), 3.07 (dd, J = 6.0, 16.5 Hz, 1H), 3.46 (dd, J = 11.0, 16.5 Hz, 1H), 6.06 (dd, J = 6.0, 11.0 Hz, 1H), 6.90-6.97 (m, 1H), 6.98-7.02 (m, 1H), 7.13-7.20 (m, 1H), 7.24 (d, J = 8.3 Hz, 2H), 7.29 (s, 1H), 7.32-7.40 (m, 3H), 7.41-7.50 (m, 3H), 7.59 (d, J = 7.8 Hz, 1H), 7.74 (d, J = 8.3 Hz, 2H).HPLC測定（キラルカラム：「DAICEL CHIRALPAK IA-3」、溶離液：ヘキサン／エタノール（４／１）、流速：1.0 mL/min、t1=19分、t2=23分）の結果から、エナンチオ選択率は９５％ｅｅであった。
【００４７】
［実施例２］
実施例２では、触媒前駆体の使用量を１ｍｏｌ％とし、反応時間を８５時間とした以外は、実施例１と同様にして基質ａから生成物Ａを得た。実施例２の結果を、実施例１の結果と共に表１に示す。なお、表１中、「Ｚ」は１−フェニル−イミダゾ−２−イル基である。
【００４８】
［実施例３〜９］
実施例３〜９では、表１に記載した反応条件で基質ｂ〜ｈから生成物Ｂ〜Ｈを得た。合成手順は実施例１に準じた。その結果を表１に示す。得られた生成物Ｂ〜Ｈの分析データを以下に示す。
【００４９】
【表１】
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【００５０】
生成物Ｂ：白色固体。TLC, Rf = 0.37 (hexane-EtOAc = 1:1); 1H NMR (CDCl3, 400 MHz) δ 3.12 (dd, J = 5.5, 16.5 Hz, 1H), 3.52 (dd, J = 11.0, 16.5 Hz, 1H), 6.12 (dd, J = 5.5, 11.0 Hz, 1H), 6.97-7.06 (m, 2H), 7.17-7.23 (m, 1H), 7.31 (d, J = 0.92 Hz, 1H), 7.32-7.36 (m, 2H), 7.37 (d, J = 0.92 Hz, 1H), 7.43-7.49 (m, 3 H), 7.57 (d, J = 8.2 Hz, 1H), 8.06 (d, J = 8.7 Hz, 2H), 8.30 (d, J = 8.7 Hz, 2H); 13C NMR (CDCl3, 100 MHz) δ 33.8, 64.4, 114.5, 124.3 (2C), 124.6, 125.3, 125.7 (2C), 128.0, 128.2, 128.6 (2C), 129.0, 129.1 (2C), 129.3, 130.4, 137.5, 140.6, 141.1, 143.4, 150.3, 184.5.HPLC測定（キラルカラム：「DAICEL CHIRALPAK IA-3」、溶離液：ヘキサン／エタノール（４／１）、流速：1.0 mL/min、t1=23分、t2=42分）の結果から、エナンチオ選択率は８４％ｅｅであった。
【００５１】
生成物Ｃ：白色固体。TLC, Rf = 0.38 (hexane-EtOAc = 1:1); 1H NMR (CDCl3, 400 MHz) δ 2.40 (s, 3H), 3.05 (dd, J = 5.5, 16.5 Hz, 1H), 3.42 (dd, J = 11.1, 16.5 Hz, 1H), 6.04 (dd, J = 5.5, 11.1 Hz, 1H), 7.10-7.13 (m, 1H), 7.24-7.32 (m, 4H), 7.33-7.39 (m, 3H), 7.43-7.50 (m, 4H), 7.72 (d, J = 8.2 Hz, 2H); 13C NMR (CDCl3, 100 MHz) δ 21.6, 33.4, 64.4, 116.3, 116.5, 125.7 (2C), 127.4 (2C), 127.8, 127.9, 128.9, 129.1 (2C), 129.9 (2C), 130.3, 130.9, 131.8, 134.3, 137.6, 140.8, 141.3, 144.4, 185.2.HPLC測定（キラルカラム：「DAICEL CHIRALPAK IA-3」、溶離液：ヘキサン／エタノール（１／４）、流速：0.4 mL/min、t1=20分、t2=25分）の結果から、エナンチオ選択率は９３％ｅｅであった。
【００５２】
生成物Ｄ：白色固体。TLC, Rf = 0.40 (hexane-EtOAc = 1:1); 1H NMR (CDCl3, 400 MHz) δ 2.38 (s, 3H), 2.99 (dd, J = 5.5, 16.5 Hz, 1H), 3.33 (dd, J = 11.0, 16.5 Hz, 1H), 4.95 (s, 2H), 6.01 (dd, J = 5.5, 11.0 Hz, 1H), 6.62 (d, J = 2.3 Hz, 1H), 6.77-6.82 (m, 1H), 7.20-7.29 (m, 4H), 7.30-7.40 (m, 7H), 7.40-7.48 (m, 3H), 7.53 (d, J = 9.2 Hz, 1H), 7.68 (d, J = 8.2 Hz, 2H); 13C NMR (CDCl3, 100 MHz) δ 21.5, 33.9, 64.5, 70.4, 111.7, 113.9, 116.4, 125.7 (2C), 127.4 (4C), 127.7, 127.9, 128.5 (2C), 128.8, 129.0 (2C), 129.7 (2C), 130.2, 131.4, 134.3, 135.7, 136.8, 137.6, 140.9, 144.0, 156.1, 185.6HPLC測定（キラルカラム：「DAICEL CHIRALPAK IA-3」、溶離液：ヘキサン／エタノール（１／４）、流速：0.4 mL/min、t1=26分、t2=34分）の結果から、エナンチオ選択率は９０％ｅｅであった。
【００５３】
生成物Ｅ：白色固体。TLC, Rf = 0.49 (hexane-EtOAc = 1:1); 1H NMR (CDCl3, 400 MHz) δ 0.12 (d, J = 5.0 Hz, 6H), 0.93 (s, 9H), 2.38 (s, 3H), 2.96 (dd, J = 5.5, 16.5 Hz, 1H), 3.30 (dd, J = 11.0, 16.5 Hz, 1H), 5.99 (dd, J = 5.5, 11.0 Hz, 1H), 6.46 (d, J = 2.3 Hz, 1H), 6.64 (dd, J = 2.3, 8.7 Hz, 1H), 7.21 (d, J = 8.2 Hz, 2H), 7.28 (s, 1H), 7.33-7.38 (m, 3H), 7.42-7.50 (m, 4H), 7.66 (d, J = 8.2 Hz, 2H).HPLC測定（キラルカラム：「DAICEL CHIRALPAK IA-3」、溶離液：ヘキサン／エタノール（４／１）、流速：1.0 mL/min、t1=10分、t2=11分）の結果から、エナンチオ選択率は９３％ｅｅであった。
【００５４】
生成物Ｆ：白色固体。TLC, Rf = 0.26 (hexane-EtOAc = 1:1); 1H NMR (CDCl3, 400 MHz) δ 2.38 (s, 3H), 2.99 (dd, J = 5.5, 16.5 Hz, 1H), 3.32 (dd, J = 11.0, 16.5 Hz, 1H), 3.71 (s, 3H), 6.00 (dd, J = 5.5, 11.0 Hz, 1H), 6.54 (d, J = 2.8 Hz, 1H), 6.71 (dd, J = 2.8, 9.2 Hz, 1H), 7.23 (d, J = 7.8 Hz, 2H), 7.28 (d, J = 0.92 Hz, 1H), 7.32-7.38 (m, 3H), 7.41-7.48 (m, 3H), 7.54 (d, J = 9.2 Hz, 1H), 7.68 (d, J = 8.3 Hz, 2H).HPLC測定（キラルカラム：「DAICEL CHIRALPAK IA-3」、溶離液：ヘキサン／エタノール（１／４）の結果から、流速：0.4 mL/min、t1=20分、t2=25分）、エナンチオ選択率は７７％ｅｅであった。
【００５５】
生成物Ｇ：白色固体。TLC, Rf = 0.44 (hexane-EtOAc = 1:1); 1H NMR (CDCl3, 400 MHz) δ 2.35 (s, 3H), 3.24 (dd, J = 5.5, 17.0 Hz, 1H), 3.60 (dd, J = 11.0, 17.0 Hz, 1H), 6.15 (dd, J = 5.5, 11.0 Hz, 1H), 7.21 (d, J = 8.2 Hz, 2H), 7.28-7.50 (m, 10H), 7.62 (d, J = 7.8 Hz, 1H), 7.76-7.83 (m, 3H), 7.94 (s, 1H).HPLC測定（キラルカラム：「DAICEL CHIRALPAK IA-3」、溶離液：ヘキサン／エタノール（１／４）、流速：0.4 mL/min、t1=24分、t2=33分）の結果から、エナンチオ選択率は９５％ｅｅであった。
【００５６】
生成物Ｈ：白色固体。TLC, Rf = 0.46 (hexane-EtOAc = 1:1); 1H NMR (CDCl3, 400 MHz) δ 1.63-1.72 (m, 1H), 1.76-1.85 (m, 1H), 2.33-2.37 (m, 1H), 2.38 (s, 3H), 2.60-2.69 (m, 1H), 5.91 (dd, J = 6.9, 10.5 Hz, 1H), 6.93 (d, J = 7.3 Hz, 1H), 7.05 (dt, J = 0.70, 7.3 Hz, 1H), 7.16-7.26 (m, 4H), 7.28-7.36 (m, 3H), 740-7.48 (m, 5H), 7.85 (d, J = 8.3 Hz, 1H).HPLC測定（キラルカラム：「DAICEL CHIRALPAK IA-3」、溶離液：ヘキサン／エタノール（４／１）、流速：1.0 mL/min、t1=13分、t2=15分）の結果から、エナンチオ選択率は８４％ｅｅであった。
【００５７】
なお、基質ａのアミノ基をＢｏｃ基やＣｂｚ基で保護したものを用いて実施例１と同様に反応を行ったところ、対応する２−アシルインドリン誘導体の化学収率はそれぞれ９１％、９９％と高かったものの、エナンチオ選択率はそれぞれ１０％ｅｅ，１４％ｅｅとかなり低い値になった。
【００５８】
［実施例１０］
【００５９】
【化９】
2014240365.tif 000011
【００６０】
生成物Ａのカルボニル炭素とイミダゾリル基との開裂及びＴｓ基の脱保護を以下の手順で行った（上記式参照）。反応容器に、生成物Ａ（９５％ｅｅ，２４．４ｍｇ，０．０５５ｍｍｏｌ）とモレキュラーシーブ４Å（５０ｍｇ）及び溶媒であるジクロロメタン（１ｍＬ）を収容し、そこにメチルトリフラート（ＭｅＯＴｆ，６２μＬ，０．５５ｍｍｏｌ）を室温で滴下し、そのまま室温で２４時間攪拌した。原料がなくなったことをＴＬＣで確認し、減圧下において溶媒や過剰反応剤の留去を行い、粗生成物を含む濃縮物を得た。これに、ＭｅＯＨ（１ｍＬ）及びジアザビシクロウンデセン（ＤＢＵ，１６μＬ，０．１１ｍｍｏｌ）を加え、室温で２時間撹拌した。反応容器に水を加え、反応を終了した。得られた反応液に含まれる反応生成物をクロロホルムで抽出した。回収した有機層に過剰量の無水硫酸ナトリウムを投入し、減圧下における溶媒の留去を行い、粗生成物を含む濃縮物を得た。次いで、この濃縮物を、シリカゲルのフラッシュカラムクロマトグラフィーに供して、（Ｒ）−１−トシルインドリン−２−カルボン酸メチルエステルを９９％収率（生成物Ａ１，１８．２ｍｇ）で白色固体として得た。生成物Ａ１のデータを以下に示す。
【００６１】
生成物Ａ１：TLC, Rf = 0.46 (hexane-EtOAc = 1:1); 1H NMR (CDCl3, 400 MHz) δ 2.37 (s, 3H), 3.09 (dd, J = 5.0, 16.0 Hz, 1H), 3.19 (dd, J = 10.6, 16.0 Hz, 1H), 3.80 (s, 3H), 4.79 (dd, J = 5.0, 16.0 Hz, 1H), 6.97-7.08 (m, 2H), 7.17-7.26 (m, 3H), 7.58 (d, J = 7.8 Hz, 1H), 7.68 (d, J = 8.7 Hz, 2H); 13C NMR (CDCl3, 100 MHz) δ 21.5, 33.0, 52.9, 62.2, 115.6, 124.3, 124.8, 127.3 (2C), 128.1, 129.6, 129.7 (2C), 134.5, 141.3, 144.4, 171.6.  HPLC測定（キラルカラム：「DAICEL CHIRALPAK IA-3」、溶離液：ヘキサン／エタノール（４／１）、流速：1.0 mL/min、t1=12分、t2=15分）の結果から、エナンチオ選択率は９４％ｅｅであった。
【００６２】
続いて、反応容器に、生成物Ａ１（９４％ｅｅ，１８．２ｍｇ，０．０５５ｍｍｏｌ）とＭｅＯＨ（１ｍＬ）を収容し、そこにマグネシウム（１３．４ｍｇ，０．５５ｍｍｏｌ）を加えて室温で３時間撹拌した。反応終了後、反応液をクロロホルムで希釈し、飽和食塩水で洗浄した。得られた有機層に過剰量の無水硫酸ナトリウムを投入し、減圧下における溶媒の留去を行い、粗生成物を含む濃縮物を得た。次いで、この濃縮物を、シリカゲルのフラッシュカラムクロマトグラフィーに供して、（Ｒ）−インドリン−２−カルボン酸メチルエステルを９４％収率（生成物Ａ２，９．２ｍｇ）で黄色液体として得た。ＨＰＬＣ測定（キラルカラム：「DAICEL CHIRALPAK IA-3」、溶離液：ヘキサン／エタノール（４／１）、流速：1.0 mL/min、t1=11分、t2=12分）の結果から、エナンチオ選択率は９４％ｅｅであった。TLC, Rf = 0.51 (hexane-EtOAc = 2:1); 1H NMR データは文献（Cativiela, C. et al Tetrahedron Asymmetry 2008, 19, 1714）と合致した。
【００６３】
なお、生成物Ｂ〜Ｈも、実施例１０に準じてカルボニル炭素とイミダゾリル基との開裂及びＴｓ基（又はＮｓ基）の脱保護を行うことができる。Ｎｓ基の脱保護は、例えば、炭酸カリウムやトリエチルアミンなどの弱塩基存在下、チオール（チオフェノールなど）を作用させることで脱離できる。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本発明の製法によって得られる化合物は、生理活性物質、医薬品、農薬、化粧品等の合成中間体として好適であり、例えば、下記に示すような天然物や生理活性物質を合成するのに有用である。
【００６５】
【化１０】
2014240365.tif 000012