(57)【要約】【課題】  本発明の目的は、半導体製造時のダイシング工程において帯電防止効果を有しながら、切り屑や基材ヒゲの発生が少なく、また好適なエキスパンド性を有する半導体ウエハ用ダイシングフィルムを提供することにある。【解決手段】  基材と、前記基材の一方の面側に形成された粘着剤層とを有する半導体ウエハ用ダイシングフィルムであって、前記基材における前記粘着剤層側の面と、前記粘着剤層における前記基材とは反対側の面との距離（Ｌ）が２０μｍ以上、７５μｍ以下であることを特徴とする半導体ウエハ用ダイシングフィルムである。【選択図】図1
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、前記基材の一方の面側に形成された粘着剤層とを有する半導体ウエハ用ダイシングフィルムであって、
前記基材における前記粘着剤層側の面と、前記粘着剤層における前記基材とは反対側の面との距離（Ｌ）が２０μｍ以上、７５μｍ以下であることを特徴とする半導体ウエハ用ダイシングフィルム。
【請求項２】
前記基材の厚さは、５０μｍ以上、３００μｍ以下である請求項１に記載の半導体ウエハ用ダイシングフィルム。
【請求項３】
前記基材は、基材全体に対して、３重量％以上、３０重量％以下の帯電防止剤を含むものである請求項１または２に記載の半導体ウエハ用ダイシングフィルム。
【請求項４】
前記半導体ウエハ用ダイシングフィルムは、前記基材と粘着剤層との間に中間層を有する請求項１ないし３いずれか１項に記載の半導体ウエハ用ダイシングフィルム。
【請求項５】
前記中間層は、８０℃における破断伸度が７５０％以下である請求項４に記載の半導体ウエハ用ダイシングフィルム。
【請求項６】
前記中間層は、実質的に帯電防止剤を含まないものである請求項４または５に記載の半導体ウエハ用ダイシングフィルム。
【請求項７】
前記中間層の厚さは、１０μｍ以上、７０μｍ以下である請求項４ないし６いずれかに記載の半導体ウエハ用ダイシングフィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ用ダイシングフィルムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置を製造する工程において、半導体ウエハやパッケージ等の半導体部材を切断する際にダイシングフィルムが用いられている。ダイシングフィルムとは、半導体部材を貼り付け、ダイシング（切断、個片化）し、さらに当該ダイシングフィルムをエキスパンティング等することにより、前記半導体ウエハ等をピックアップするために用いられるものである。
【０００３】
一般にダイシングフィルムは、基材フィルムと、粘着層とで構成されている。従来、基材フィルムとしてはポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）樹脂フィルムが多く用いられていた。しかしながら、ＰＶＣ樹脂フィルムに含有される可塑剤の付着による半導体部材の汚染防止や、環境問題に対する意識の高まりから、最近ではオレフィン系樹脂並びに、エチレンビニルアルコール系樹脂およびエチレンメタクリル酸アクリレート系樹脂等の非ＰＶＣ樹脂系材料を用いた基材フィルムが開発されている（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
また近年、半導体部材の小型化・薄型化が進むことで、ダイシングフィルムの厚み精度にバラつきがある場合、ダイシング工程において、ダイシングブレードの接触の仕方に差が生じ半導体ウエハ割れが発生しやすくなるという問題を生じさせる。また、フィルム厚み精度にバラつきがあると半導体部材のカット残りやダイシング時の切り屑や基材ヒゲ（基材フィルムのカットラインから伸びたヒゲ状の切り残査）が発生し半導体デバイスに付着するといった問題も発生する。特にウエハのチップ欠けを改良するために、ダイシングブレードの回転速度を上げると、基材ヒゲ発生の問題が顕著に現れる。また、半導体部材を貼り付けてダイシングした後、半導体部材の間隔を広げるために、ダイシングフィルムのエキスパンドを行うが、基材に十分な靭性がないとエキスパンド時にダイシングフィルムが破断するといった問題も発生する。そのため、ダイシング時に基材ヒゲを抑制することができ、かつ、エキスパンディング時に基材が破断しないダイシングフィルムが求められている。
【０００５】
ところで、半導体チップ等の製造工程において、ダイシングテープが帯電すると、製品破壊または作業上の不具合が発生するという問題がある。例えば、セパレータをダイシングテープから剥離するときや、ダイシング時のブレードとダイシングテープとが接触したときにダイシングテープが帯電しやすい。また、ダイシング後にダイシングテープを吸着テーブルから取り外すときや、チップまたはパッケージをピックアップするときにダイシングテープが帯電することもある。
【０００６】
そこで、例えば、特許文献１にはポリエーテルを含む帯電防止樹脂を１０〜４５質量部含有する樹脂組成物からなる帯電防止層と、分子内に放射線硬化性不飽和炭素結合を有するベースポリマーを含有する粘着剤層とを含む、帯電防止型半導体加工用粘着テープが開示されている。このダイシングテープは、帯電防止層によって帯電を抑制することができる。
しかし、帯電防止剤層にブレードが入ると、ブレードを高速回転した時に基材ヒゲが発生する問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０―０７７８６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、半導体製造時のダイシング工程において帯電防止効果を有しながら、切り屑や基材ヒゲの発生が少なく、また好適なエキスパンド性を有する半導体ウエハ用ダイシングフィルムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような目的は、下記（１）〜（７）に記載の本発明により達成される。
（１）基材と、前記基材の一方の面側に形成された粘着剤層とを有する半導体ウエハ用ダイシングフィルムであって、前記基材における前記粘着剤層側の面と、前記粘着剤層における前記基材とは反対側の面との距離（Ｌ）が２０μｍ以上、７５μｍ以下であることを特徴とする半導体ウエハ用ダイシングフィルム。
（２）前記基材の厚さは、５０μｍ以上、３００μｍ以下である上記（１）に記載の半導体ウエハ用ダイシングフィルム。
（３）前記基材は、基材全体に対して、３重量％以上、３０重量％以下の帯電防止剤を含むものである上記（１）または（２）に記載の半導体ウエハ用ダイシングフィルム。
（４）前記半導体ウエハ用ダイシングフィルムは、前記基材と粘着剤層との間に中間層を有する上記（１）ないし（３）いずれかに記載の半導体ウエハ用ダイシングフィルム。
（５）前記中間層は、８０℃における破断伸度が７５０％以下である上記（４）に記載の半導体ウエハ用ダイシングフィルム。
（６）前記中間層は、実質的に帯電防止剤を含まないものである上記（４）または（５）に記載の半導体ウエハ用ダイシングフィルム。
（７）前記中間層の厚さは、１０μｍ以上、７０μｍ以下である上記（４）ないし（６）いずれかに記載の半導体ウエハ用ダイシングフィルム。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、半導体製造時のダイシング工程において帯電防止性を有し切り屑や基材ヒゲの発生が少なく、また好適なエキスパンド性を有する半導体ウエハ用ダイシングフィルムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明に係る半導体ウエハ用ダイシングフィルムの一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明に係る半導体ウエハ用ダイシングフィルムの一例を示す概略断面図である。
【図３】本発明に係る半導体ウエハ用ダイシングフィルムの一例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の半導体ウエハ用ダイシングフィルムの一例を、図を参照しながら詳細に説明する。
【００１３】
本発明に係る半導体ウエハ用ダイシングフィルム１０は、図１に例示するように基材１と、その一方の面側に形成された粘着剤層２とを有する。
基材１は、ウエハの搬送時に安定させるため、並びにダイシング後のチップ間隔を広げるためのものであり、粘着剤層２は、半導体ウエハ用ダイシングフィルム１０に被着体を保持する役割を有する。
【００１４】
ここで、上述のように、ダイシング工程における切り屑や、基材ヒゲは、ダイシングブレードが基材と接触、または基材を切削することにより、基材から発生するものである。
この点、本発明に係る半導体ウエハ用ダイシングフィルム１０は、基材１における粘着層２側の面と、粘着剤層２における基材とは反対側の面との距離（Ｌ）が２０μｍ以上、７５μｍ以下である。
前記距離（Ｌ）が、２０μｍ以上であることにより、ダイシング工程において、ダイシングブレードが、半導体ウエハ用ダイシングフィルム１０の表面に対して、垂直方向へ切り込んだ際、ダイシングブレードと基材が１が接しないか、または接しても切り込む距離が短いために、
上述のような切り屑や、基材ヒゲの発生を著しく抑制することができるものである。
さらに、前記距離（Ｌ）が７５μｍ以下であることにより、エキスパンドした時の破断を抑制することができる。そのため、ダイシング後のピックアップ工程でチップ間を確保することができ、チップのピックアップが可能になる。
【００１５】
前記距離（Ｌ）は、２０μｍ以上、７５μｍ以下であれば良いが、２５μｍ以上、６０μｍ以下であることが好ましく、２５μｍ以上、５０μｍ以下であることがより好ましい。前記距離（Ｌ）が前記範囲内にあることにより、前記の効果をより顕著なものとすることができる。
【００１６】
(基材１)
基材１を構成する樹脂としては、放射線（可視光線、近赤外線、紫外線、Ｘ線、電子線など）を透過するものであれば特に限定されず、例えば、ポリ塩化ビニル、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン系樹脂、エチレン・酢酸ビニル共重合体、アイオノマー、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体等のオレフィン系共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリスチレン、ポリスチレンとゴムの混合物、ポリブチレンテレフタレート等のポリアルキレンテレフタレート系樹脂、スチレン系熱可塑性エラストマー、オレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリビニルイソプレン、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂や、これらの熱可塑性樹脂の混合物が用いられる。なかでも、エキスパンド性とヒゲ抑制という観点で、アイオノマー、低密度ポリエチレンやポリスチレンとゴムやエラストマーの混合物が好ましい。
【００１７】
また、基材１の厚さは、特に限定されないが、５０μｍ以上、３００μｍ以下であることが好ましく、６０μｍ以上、２５０μｍ以下であることがより好ましく、８０μｍ以上、２２０μｍ以下であることがより一層好ましい。
基材１の厚さが前記下限値以上であることにより、エキスパンド時に基材１がより破断しにくいものとなり、基材１の厚さが前記上限値以下であることにより、ダイシング時のヒゲの発生をより抑制することができる。
【００１８】
さらに、基材１は、本発明の効果を損なわない範囲で、目的に合わせて、各種樹脂や添加剤等を添加することができる。例えば、帯電防止性を付与するために、ポリエーテル/ポリオレフィンブロックポリマーやポリエーテルエステルアミドブロックポリマー等の高分子型帯電防止剤やカーボンブラック等が添加可能な材料として挙げられる。なお、帯電防止効果を付与する場合においては、オレフィン系樹脂との相溶性という観点からは、ポリエーテル/ポリオレフィン共重合体を用いたイオン伝導型帯電防止剤が好ましい。
【００１９】
基材１が帯電防止剤を含む場合、帯電防止剤の含有量は、基材１全体に対して、３重量％以上、３０重量％以下であることが好ましく、より好ましくは５重量％以上、２５重量％以下であり、１０重量％以上、２０重量％以下であることより一層好ましい。
基材１に含まれる帯電防止剤が前記範囲内であることにより、テープから離型フィルムを剥離する際やチップをピックアップする際の帯電を抑制することが出来る。
【００２０】
(粘着剤層２)
また、粘着剤層２に用いられる樹脂組成物としては、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、アクリル系粘着剤、ＵＶ硬化性ウレタンアクリレート樹脂、イソシアネート系架橋剤等があげられる。これらの中でも半導体部材マウント、端材飛び及びチッピングを抑制するためには、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、アクリル系粘着剤のいずれか１つ以上を含むものであることが好ましい。
また、上記アクリル系粘着剤は、極性基を有するものであることがより好ましく、極性基を有するアクリル系粘着剤としては、カルボキシル基含有のアクリル酸ブチル等が挙げられる。
粘着剤層２が極性基を有するアクリル系粘着剤を含むことにより、半導体部材のマウント、端材飛び及びチッピングの抑制が特に好適なものとなる。
【００２１】
粘着剤層２の厚さは、特に限定されないが、３μｍ以上３５μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上２０μｍ以下であることがより好ましい。
【００２２】
(中間層３)
さらに、本発明に係る半導体ウエハ用ダイシングフィルムは、図２に示すように、基材１と粘着剤層２との間に中間層３を有していることが好ましい。これにより、粘着剤層２の厚さを前記範囲内としつつ、且つ前記距離（Ｌ）を前記範囲内に設定することが容易となる。
【００２３】
中間層３を構成する樹脂としては、特に限定されないが、例えば、低密度ポリエチレン、ポリスチレン、ポリスチレンとゴムが挙げられる。なかでも、エキスパンド性とヒゲ抑制という観点で、低密度ポリエチレンやポリスチレンとゴムやエラストマーの混合物が好ましい。
【００２４】
尚、中間層３は、単層構造であっても、多層構造であっても良い。
【００２５】
また、中間層３全体の８０℃における破断伸度は、７５０％以下であることが好ましい。ここで、半導体ウエハ用ダイシングフィルムは、ダイシング工程において、ダイシングブレードとの摩擦熱により、ダイシングブレードとの接触部は、８０℃以上の高温に晒される。このような高温状態においては、ダイシングブレードとの接触部の樹脂層が柔らかく伸びやすい状態となり、切り屑がダイシングブレードの回転に引っ張られ伸長することがダイシング工程でヒゲが発生する一因である。
この点、本発明の半導体ウエハ用ダイシングフィルム１０においては、中間層３全体の８０℃における破断伸度が７５０％以下であれば、高温状態において柔らかく伸びやすい状態にはなりにくいために、ダイシング工程におけるヒゲの発生を抑制することができる。
尚、中間層３全体の８０℃における破断伸度は、７５０％以下であれば特に限定されないが６００％以下であることが好ましく、４００％以下であることがより好ましい。これにより、前記効果をより顕著に発揮することができる。
【００２６】
ここで、中間層３は、中間層３全体として、実質的に帯電防止剤を含まないものであることが好ましい。前記「中間層３が実質的に帯電防止剤を含まない」とは、中間層３全体に対して、帯電防止剤の含有量が３重量％以下のものをいう。つまり、中間層３には、微量の帯電防止剤が含まれていてもよい。前記帯電防止剤の含有量は１重量％以下であることが好ましく、０．５重量％以下であることがより好ましい。これにより、ダイシング時にヒゲの発生を抑制することが出来る。
【００２７】
また、中間層３全体の厚さは、特に限定されないが、例えば１０μｍ以上、７０μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上、６０μｍ以下であることがより好ましく、２５μｍ以上、５０μｍ以下であることがより一層好ましい。これにより、粘着剤層２の厚さを前記範囲内としつつ、且つ基材１における粘着層２側の面と、粘着剤層２における基材とは反対側の面との距離（Ｌ）を前記範囲内に設定することがより一層容易となる。
【００２８】
尚、前記帯電防止剤とは、帯電防止性を有するものであれば、特に限定されないが、例えばポリエーテル/ポリオレフィンブロックポリマーやポリエーテルエステルアミドブロックポリマー等の高分子型帯電防止剤やカーボンブラック等が挙げられる。
【００２９】
また、基材１、粘着剤層２、中間層３は、単層構造であっても、多層構造であっても良い。
例えば基材１が多層構造である場合には、図に示すように、第１基材１１と第２基材１２を有していても良い。
【００３０】
また、半導体ウエハ用ダイシングフィルム１０全体の厚さは、特に限定されないが、例えば６０μｍ以上、２８０μｍ以下であることが好ましく、７０μｍ以上、２３０μｍ以下であることがより好ましく、８０μｍ以上、２２０μｍ以下であることがより一層好ましい。半導体ウエハ用ダイシングフィルム１０全体の厚さが前記範囲内にあることにより、ウエハを取扱時に保持し、またエキスパンドを行うことができる。
【００３１】
尚、半導体ウエハ用ダイシングフィルム１０には、本発明の効果を損なわない範囲で目的に応じて他の樹脂層を設けることができる。
【００３２】
＜半導体ウエハ用ダイシングフィルムの製造方法の一例＞
本発明に係る半導体ウエハ用ダイシングフィルム１０の粘着層２は基材１、または基材１を含む樹脂フィルムに対して粘着層２として用いられる樹脂を適宜溶剤に溶解または分散させて塗工液とし、ロールコーティングやグラビアコーティングなどの公知のコーティング法により塗布し、乾燥することにより形成される。
【実施例】
【００３３】
本発明を実施例により更に詳細に説明するが、これは単なる例示であり、本発明はこれにより限定されるものではない。
【００３４】
（実施例１）
＜ダイシングテープの作製＞
基材を構成する材料として、低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）８５重量部とペレスタット２３０（三洋化成工業製）１５重量部を準備し、両者をドライブレンドしたのち、Φ５０ｍｍ押出機（L／Ｄ＝２５  ユニメルトピンスクリュー  スクリュー圧縮比＝２．９）、３００ｍｍ幅のコートハンガーダイ（リップ間隙＝０．５ｍｍ）、押出温度＝２２０℃（スクリュー先端）の条件で押出製膜し、厚み１００μｍのシートを得た。その後、粘着剤塗工面にコロナ処理を施した。
【００３５】
粘着層のベースポリマーとして、アクリル酸２−エチルヘキシルを３０重量部と、酢酸ビニル７０重量部と、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル３重量部とを共重合させて得られた共重合体（重量平均分子量は３０００００）を４２重量％用いた。
【００３６】
粘着層の硬化成分として、重量平均分子量が５０００、重合性官能基が４であるウレタンアクリレートを４７重量％準備した。粘着層の光重合開始剤として、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン（商品名「イルガキュア６５１」）を３重量％準備した。粘着層のイソシアネート系架橋剤として、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」）を８重量％準備した。
【００３７】
上記の粘着層のベースポリマーと、硬化成分と、光重合開始剤と、架橋剤と、その合計の２倍量の酢酸エチルと共に混合し、樹脂溶液を作製した。この樹脂溶液を、乾燥後の粘着層の厚みが６０μｍになるようにして基材に塗工した後、８０℃で１分間乾燥させて、所望のダイシングテープを得た。
（実施例２）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングテープを得た。
中間層として低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）１００重量部、
基材を構成する材料として、低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）８５重量部とペレスタット２３０（三洋化成工業製）１５重量部を準備し、両者をドライブレンドしたのち、中間層、基材ともΦ５０ｍｍ押出機（L／Ｄ＝２５  ユニメルトピンスクリュー  スクリュー圧縮比＝２．９）、３００ｍｍ幅のマルチマニホールドコートハンガーダイ（リップ間隙＝０．５ｍｍ）、押出温度＝２２０℃（スクリュー先端）の条件で押出製膜し、中間層が５０μｍで基材が５０μｍの合計厚み１００μｍのシートを得た。その後、粘着剤塗工面にコロナ処理を施した。上記の粘着層のベースポリマーと、硬化成分と、光重合開始剤と、架橋剤と、その合計の２倍量の酢酸エチルと共に混合し、樹脂溶液を作製した。この樹脂溶液を、乾燥後の粘着層の厚みが１０μｍになるようにして基材に塗工した後、８０℃で１分間乾燥させて、所望のダイシングテープを得た。
【００３８】
（実施例３）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングテープを得た。
中間層として低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）１００重量部、基材を構成する材料として、低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）８５重量部とペレスタット２３０（三洋化成工業製）１５重量部を準備し、両者をドライブレンドしたのち、中間層、基材ともΦ５０ｍｍ押出機（L／Ｄ＝２５  ユニメルトピンスクリュー  スクリュー圧縮比＝２．９）、３００ｍｍ幅のマルチマニホールドコートハンガーダイ（リップ間隙＝０．５ｍｍ）、押出温度＝２２０℃（スクリュー先端）の条件で押出製膜し、中間層が２５μｍで基材が７５μｍの合計厚み１００μｍのシートを得た。その後、粘着剤塗工面にコロナ処理を施した。上記の粘着層のベースポリマーと、硬化成分と、光重合開始剤と、架橋剤と、その合計の２倍量の酢酸エチルと共に混合し、樹脂溶液を作製した。この樹脂溶液を、乾燥後の粘着層の厚みが１０μｍになるようにして基材に塗工した後、８０℃で１分間乾燥させて、所望のダイシングテープを得た
【００３９】
（実施例４）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングテープを得た。
中間層として低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）１００重量部、
基材を構成する材料として、低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）８５重量部とペレスタット２３０（三洋化成工業製）１５重量部を準備し、両者をドライブレンドしたのち、中間層、基材ともΦ５０ｍｍ押出機（L／Ｄ＝２５  ユニメルトピンスクリュー  スクリュー圧縮比＝２．９）、３００ｍｍ幅のマルチマニホールドコートハンガーダイ（リップ間隙＝０．５ｍｍ）、押出温度＝２２０℃（スクリュー先端）の条件で押出製膜し、中間層が３５μｍで基材が６５μｍの合計厚み１００μｍのシートを得た。その後、粘着剤塗工面にコロナ処理を施した。上記の粘着層のベースポリマーと、硬化成分と、光重合開始剤と、架橋剤と、その合計の２倍量の酢酸エチルと共に混合し、樹脂溶液を作製した。この樹脂溶液を、乾燥後の粘着層の厚みが１０μｍになるようにして基材に塗工した後、８０℃で１分間乾燥させて、所望のダイシングテープを得た
【００４０】
（実施例５）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングテープを得た。
中間層として低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）１００重量部、
第１基材を構成する材料として、低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）８５重量部とペレスタット２３０（三洋化成工業製）１５重量部をドライブレンドし、
第２基材を構成する材料として低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）１００重量部を準備し、中間層、第１基材、第２基材ともΦ５０ｍｍ押出機（L／Ｄ＝２５  ユニメルトピンスクリュー  スクリュー圧縮比＝２．９）、３００ｍｍ幅のマルチマニホールドコートハンガーダイ（リップ間隙＝０．５ｍｍ）、押出温度＝２２０℃（スクリュー先端）の条件で押出製膜し、中間層が３０μｍ、第１基材が４０μｍ、第２基材が３０μｍの合計厚み１００μｍのシートを得た。その後、粘着剤塗工面にコロナ処理を施した。上記の粘着層のベースポリマーと、硬化成分と、光重合開始剤と、架橋剤と、その合計の２倍量の酢酸エチルと共に混合し、樹脂溶液を作製した。この樹脂溶液を、乾燥後の粘着層の厚みが１０μｍになるようにして基材に塗工した後、８０℃で１分間乾燥させて、所望のダイシングテープを得た
【００４１】
（実施例６）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングテープを得た。
中間層として低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）１００重量部、
第１基材を構成する材料として、低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）８５重量部とペレスタット２３０（三洋化成工業製）１５重量部をドライブレンドし、
第２基材を構成する材料として低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）１００重量部を準備し、中間層、第１基材、第２基材ともΦ５０ｍｍ押出機（L／Ｄ＝２５  ユニメルトピンスクリュー  スクリュー圧縮比＝２．９）、３００ｍｍ幅のマルチマニホールドコートハンガーダイ（リップ間隙＝０．５ｍｍ）、押出温度＝２２０℃（スクリュー先端）の条件で押出製膜し、中間層が５０μｍ、第１基材が２０μｍ、第２基材が３０μｍの合計厚み１００μｍのシートを得た。その後、粘着剤塗工面にコロナ処理を施した。上記の粘着層のベースポリマーと、硬化成分と、光重合開始剤と、架橋剤と、その合計の２倍量の酢酸エチルと共に混合し、樹脂溶液を作製した。この樹脂溶液を、乾燥後の粘着層の厚みが１０μｍになるようにして基材に塗工した後、８０℃で１分間乾燥させて、所望のダイシングテープを得た
【００４２】
（実施例７）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングテープを得た。中間層として低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）１００重量部とし、
基材を構成する材料として、低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）８５重量部とペレスタット２３０（三洋化成工業製）１５重量部を準備し、両者をドライブレンドしたのち、中間層、基材ともΦ５０ｍｍ押出機（L／Ｄ＝２５  ユニメルトピンスクリュー  スクリュー圧縮比＝２．９）、３００ｍｍ幅のマルチマニホールドコートハンガーダイ（リップ間隙＝０．５ｍｍ）、押出温度＝２２０℃（スクリュー先端）の条件で押出製膜し、中間層が１０μｍで基材が９０μｍの合計厚み１００μｍのシートを得た。その後、粘着剤塗工面にコロナ処理を施した。上記の粘着層のベースポリマーと、硬化成分と、光重合開始剤と、架橋剤と、その合計の２倍量の酢酸エチルと共に混合し、樹脂溶液を作製した。この樹脂溶液を、乾燥後の粘着層の厚みが１０μｍになるようにして基材に塗工した後、８０℃で１分間乾燥させて、所望のダイシングテープを得た。
(比較例１）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングテープを得た。上記の粘着層のベースポリマーと、硬化成分と、光重合開始剤と、架橋剤と、その合計の２倍量の酢酸エチルと共に混合し、樹脂溶液を作製した。この樹脂溶液を、乾燥後の粘着層の厚みが１０μｍになるようにして基材に塗工した後、８０℃で１分間乾燥させて、所望のダイシングテープを得た。
【００４３】
（比較例２）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングテープを得た。中間層として低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）１００重量部とした。
また基材を構成する材料として、低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）８５重量部とペレスタット２３０（三洋化成工業製）15重量部を準備し、両者をドライブレンドしたのち、中間層、基材ともΦ５０ｍｍ押出機（L／Ｄ＝２５  ユニメルトピンスクリュー  スクリュー圧縮比＝２．９）、３００ｍｍ幅のマルチマニホールドコートハンガーダイ（リップ間隙＝０．５ｍｍ）、押出温度＝２２０℃（スクリュー先端）の条件で押出製膜し、中間層が９５μｍで基材が５μｍの合計厚み１００μｍのシートを得た。その後、粘着剤塗工面にコロナ処理を施した。上記の粘着層のベースポリマーと、硬化成分と、光重合開始剤と、架橋剤と、その合計の２倍量の酢酸エチルと共に混合し、樹脂溶液を作製した。この樹脂溶液を、乾燥後の粘着層の厚みが１０μｍになるようにして基材に塗工した後、８０℃で１分間乾燥させて、所望のダイシングテープを得た。
【００４４】
＜評価試験＞
（１）ダイシング後の基材屑評価
作製したダイシングテープに、バックグラインド加工（ディスコ社製ＤＡＧ８１０）したウエハ（厚み０．１ｍｍ）を貼り付け、下記条件でダイシングを行った後、チップを取り除いてテープ表面の観察を行い、カットラインから出てくる長さ１００μ以上の基材屑の数をカウントした。
◎  ：  ０〜５本
○  ：  ６−１０本
×  ：  １１本以上
【００４５】
＜ダイシング条件＞
ダイサー          「ＤＡＤ―３３５０」、ＤＩＳＣＯ製
ブレード          「ＺＨ２０５０  ２７ＨＥＤＤ」、ＤＩＳＣＯ製
ブレード回転数    ３００００ｒｐｍ、６００００ｒｐｍ
カット速度        ５０ｍｍ／ｓｅｃ
切込量            粘着シート表面から３０μｍ
カットサイズ      １０ｍｍ×１０ｍｍ
ブレードクーラー  ２Ｌ／ｍｉｎ
＜１％減衰時間の測定＞
得られたダイシングテープについて、ＭＩＬ−Ｂ−８１７０５Ｃに準拠して、１％減衰時間の測定を行った。具体的には、静電気減衰時間測定器（electro-tech system社製、品名：STATIC DECAY METER MODEL406C）を用いて、ダイシングテープに５０００Ｖの電圧を印加し、ダイシングテープ１００の電圧が５０００Ｖから５０Ｖまで減衰するのにかかる時間の測定を行った。この測定を、ダイシングテープ粘着側からについて行い、以下のように判定した。
◎  ：０．１ｓｅｃ未満
○  ：０．１−０．５ｓｅｃ未満
△  ：０．５−１０ｓｅｃ未満
×  ：１０ｓｅｃ以上
＜中間層の破断伸度＞
（１）引っ張り試験
８０℃環境下での引っ張り伸度
中間層をΦ５０ｍｍ押出機（L／Ｄ＝２５  ユニメルトピンスクリュー  スクリ      ュー圧縮比＝２．９）、３００ｍｍ幅のハンガーダイ（リップ間隙＝０．５ｍｍ）、押出      温度＝２２０℃（スクリュー先端）の条件で押出製膜し、厚み１００μｍのシートを得た      。６ｍｍ幅、５０ｍｍ長さの短冊を準備し、ＭＤ方向に２００ｍｍ／ｍｉｎで引張って破      断するまで引っ張って、破断伸度を求めた。
【００４６】
【表１】
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【符号の説明】
【００４７】
１・・・基材
２・・・粘着剤層
３・・・中間層
１０・・半導体ウエハ用ダイシングフィルム
１１・・第１基材
１２・・第２基材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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