(57)【要約】【課題】電極間を電気的に接続した場合に、導通信頼性を高めることができる導電性粒子を提供する。【解決手段】本発明に係る導電性粒子１は、基材粒子２と、基材粒子２の表面上に配置された導電層３とを備え、基材粒子２を１０％圧縮したときの圧縮弾性率が１０００Ｎ／ｍｍ２以上であり、導電層３が外表面側にパラジウム層を有し、パラジウム層１００重量％中、パラジウムの含有量が９９．９重量％以上である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電層とを備え、
前記基材粒子を１０％圧縮したときの圧縮弾性率が１０００Ｎ／ｍｍ２以上であり、
前記導電層が外表面側にパラジウム層を有し、
前記パラジウム層１００重量％中、パラジウムの含有量が９９．９重量％以上である、導電性粒子。
【請求項２】
前記パラジウム層の厚みが２０ｎｍ未満である、請求項１に記載の導電性粒子。
【請求項３】
前記基材粒子の表面上に直接前記パラジウム層が配置されている、請求項１又は２に記載の導電性粒子。
【請求項４】
前記基材粒子が、樹脂粒子又はコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項５】
前記基材粒子が、前記有機無機ハイブリッド粒子である、請求項４に記載の導電性粒子。
【請求項６】
前記導電層が外表面に、複数の突起を有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項７】
前記導電層の外表面上に配置された絶縁物質を備える、請求項１〜６のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料。
【請求項９】
第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、
第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、
前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、
前記接続部が、請求項１〜７のいずれか１項に記載の導電性粒子により形成されているか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されており、
前記第１の電極と前記第２の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電層とを有する導電性粒子に関する。また、本発明は、上記導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。上記異方性導電材料では、バインダー樹脂中に導電性粒子が分散されている。
【０００３】
上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ））、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  Ｂｏａｒｄ））等に使用されている。
【０００４】
上記導電性粒子の一例として、下記の特許文献１では、平均粒径が１〜１０μｍの基材粒子の表面に、厚さ１〜２ｎｍの下地めっき層と、厚さ２０〜１００ｎｍの中間めっき層と、厚さ１０〜５０ｎｍの仕上げめっき層とが順次形成された導電性粒子が開示されている。特許文献１では、上記仕上げめっき層の具体例として、金層及びパラジウム層が挙げられている。特許文献１では、上記基材粒子の表面への上記下地めっき層の形成方法として、スパッタリング法が最適であることが記載されており、更にスパッタリング法以外にも、真空蒸着法やＣＶＤ法などの各種めっき法があることが記載される。
【０００５】
下記の特許文献２には、平均粒径が０．１〜１００μｍのシリコーンゴム粒子の表面に、貴金属被覆層が物理蒸着法で形成された導電性粒子が開示されている。特許文献２では、上記物理蒸着法としては、真空蒸着法も採用できるが、スパッタリング法を用いることが好ましいことが記載されている。上記貴金属被覆層を形成するための貴金属としては、金、銀、銅、白金、パラジウム及びニッケル等が挙げられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１０３２２２号公報
【特許文献２】特開２００４−２３８５８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載の導電性粒子では、仕上げめっき層として、パラジウム層を形成して、得られた導電性粒子を用いて電極間を電気的に接続した場合に、導通信頼性が低くなるという問題がある。特許文献２に記載の導電性粒子でも、導通信頼性が充分に高くならないことがある。
【０００８】
本発明の目的は、電極間を電気的に接続した場合に、導通信頼性を高めることができる導電性粒子を提供することである。また、本発明の目的は、上記導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の広い局面によれば、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電層とを備え、前記基材粒子を１０％圧縮したときの圧縮弾性率が１０００Ｎ／ｍｍ２以上であり、前記導電層が外表面側にパラジウム層を有し、前記パラジウム層１００重量％中、パラジウムの含有量が９９．９重量％以上である、導電性粒子が提供される。
【００１０】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記パラジウム層の厚みが２０ｎｍ未満である。
【００１１】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記基材粒子の表面上に直接前記パラジウム層が配置されている。
【００１２】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記基材粒子が、樹脂粒子又はコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子である。
【００１３】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記基材粒子が、前記有機無機ハイブリッド粒子である。
【００１４】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電層が外表面に、複数の突起を有する。
【００１５】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、前記導電層の外表面上に配置された絶縁物質を備える。
【００１６】
本発明の広い局面によれば、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料が提供される。
【００１７】
本発明の広い局面によれば、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部が、上述した導電性粒子により形成されているか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されており、前記第１の電極と前記第２の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体が提供される。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と該基材粒子の表面上に配置された導電層とを備え、上記基材粒子を１０％圧縮したときの圧縮弾性率が１０００Ｎ／ｍｍ２以上であり、上記導電層が外表面側にパラジウム層を有し、上記パラジウム層１００重量％中のパラジウムの含有量が９９．９重量％以上であるので、電極間を電気的に接続した場合に、導通信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の第２の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の第３の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に示す断面図である。
【図５】図５は、比較例１で用いたスパッタリング装置の一側面を示す概略図である。
【図６】図６は、図５のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の詳細を説明する。
【００２１】
（導電性粒子）
本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された導電層とを備える。上記基材粒子を１０％圧縮したときの圧縮弾性率（１０％Ｋ値）は１０００Ｎ／ｍｍ２以上である。上記導電層は、外表面側にパラジウム層を有する。上記パラジウム層１００重量％中、パラジウムの含有量は９９．９重量％以上である。
【００２２】
本発明における上述した構成の採用により、本発明に係る導電性粒子を用いて、電極間を電気的に接続した場合に、導通信頼性を高めることができる。さらに、本発明における上述した構成の採用により、導電性粒子を用いた接続構造体において、冷熱衝撃信頼性を高めることができる。
【００２３】
上記基材粒子を１０％圧縮したときの圧縮弾性率（１０％Ｋ値）は１０００Ｎ／ｍｍ２以上である。上記１０％Ｋ値が高いことは、電極間の導通信頼性の向上に大きく寄与する。導通信頼性をより一層高める観点からは、上記１０％Ｋ値は好ましくは１５００Ｎ／ｍｍ２以上、より好ましくは４０００Ｎ／ｍｍ２以上である。上記１０％Ｋ値の上限は特に限定されない。上記１０％Ｋ値は１５０００Ｎ／ｍｍ２以下であってもよく、１００００Ｎ／ｍｍ２以下であってもよく、６０００Ｎ／ｍｍ２以下であってもよい。
【００２４】
上記基材粒子における上記圧縮弾性率（１０％Ｋ値）は、以下のようにして測定できる。
【００２５】
微小圧縮試験機を用いて、円柱（直径１００μｍ、ダイヤモンド製）の平滑圧子端面で、２５℃、圧縮速度０．３ｍＮ／秒、及び最大試験荷重２０ｍＮの条件下で基材粒子を圧縮する。このときの荷重値（Ｎ）及び圧縮変位（ｍｍ）を測定する。得られた測定値から、上記圧縮弾性率を下記式により求めることができる。上記微小圧縮試験機として、例えば、フィッシャー社製「フィッシャースコープＨ−１００」等が用いられる。
【００２６】
１０％Ｋ値（Ｎ／ｍｍ２）＝（３／２１／２）・Ｆ・Ｓ−３／２・Ｒ−１／２
Ｆ：基材粒子が１０％圧縮変形したときの荷重値（Ｎ）
Ｓ：基材粒子が１０％圧縮変形したときの圧縮変位（ｍｍ）
Ｒ：基材粒子の半径（ｍｍ）
【００２７】
上記圧縮弾性率は、基材粒子の硬さを普遍的かつ定量的に表す。上記圧縮弾性率の使用により、基材粒子の硬さを定量的かつ一義的に表すことができる。
【００２８】
上記導電層が単層の導電層である場合には、上記導電層はパラジウム層であり、上記基材粒子の表面上に直接上記パラジウム層が配置されている。上記導電層が多層の導電層である場合には、多層の導電層は、外表面側にパラジウム層を有する。
【００２９】
上記パラジウム層１００重量％中、パラジウムの含有量は９９．９重量％以上である。上記パラジウム層におけるパラジウムの含有量はかなり高い。上記パラジウム層におけるパラジウムの含有量がかなり高いことは、電極間の導通信頼性の向上に大きく寄与する。
【００３０】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００３１】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。
【００３２】
図１に示すように、導電性粒子１は、基材粒子２と、導電層３とを備える。導電層３は、パラジウム層である。パラジウム層は最表層である。
【００３３】
導電層３は、基材粒子２の表面上に直接配置されている。導電性粒子１は、基材粒子２の表面が導電層３により被覆された被覆粒子である。
【００３４】
導電性粒子１は、芯物質を有さない。導電性粒子１は表面に突起を有さない。導電性粒子１は球状である。導電層３は外表面に突起を有さない。このように、本発明に係る導電性粒子は突起を有していなくてもよく、球状であってもよい。また、導電性粒子１は、絶縁物質を有さない。但し、導電性粒子１は、導電層３の外表面上に配置された絶縁物質を有していなくてもよい。
【００３５】
図２は、本発明の第２の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。
【００３６】
図２に示す導電性粒子１１は、基材粒子２と、導電層１２とを有する。導電層１２は、内表面側に第１の導電層１２Ａと、外表面側に第２の導電層１２Ｂとを有する。第２の導電層１２Ｂは、パラジウム層である。
【００３７】
導電性粒子１と導電性粒子１１とでは、導電層のみが異なっている。すなわち、導電性粒子１では、単層の導電層３が形成されているのに対し、導電性粒子１１では、多層の導電層１２が形成されており、導電層１２は第１の導電層１２Ａと第２の導電層１２Ｂとを有する。
【００３８】
導電層１２は、基材粒子２の表面上に配置されている。基材粒子２と第２の導電層１２Ｂとの間に、第１の導電層１２Ａが配置されている。従って、基材粒子２の表面上に第１の導電層１２Ａが配置されており、第１の導電層１２Ａの表面上に第２の導電層１２Ｂが配置されている。
【００３９】
図３は、本発明の第３の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。
【００４０】
図３に示す導電性粒子２１は、基材粒子２と、導電層２２、芯物質２３と、絶縁物質２４とを備える。導電層２２は、パラジウム層である。導電層２２は、基材粒子２の表面上に直接配置されている。
【００４１】
導電性粒子２１は、導電性の表面に突起２１ａを有する。突起２１ａは複数である。導電層２２は外表面に、複数の突起２２ａを有する。複数の芯物質２３が、基材粒子２の表面上に配置されている。複数の芯物質２３は導電層２２内に埋め込まれている。芯物質２３は、突起２１ａ，２２ａの内側に配置されている。導電層２２は、複数の芯物質２３を被覆している。複数の芯物質２３により導電層２２の外表面が隆起されており、突起２１ａ，２２ａが形成されている。このように、本発明に係る導電性粒子は導電性の表面に突起を有していてもよい。本発明に係る導電性粒子は、導電層の外表面に突起を有していてもよく、導電層が外表面に突起を有していてもよい。パラジウム層が外表面に突起を有することが好ましい。
【００４２】
導電性粒子２１は、導電層２２の外表面上に配置された絶縁物質２４を有する。導電層２２の外表面の少なくとも一部の領域が、絶縁物質２４により被覆されている。絶縁物質２４は絶縁性を有する材料により形成されており、絶縁性粒子である。このように、本発明に係る導電性粒子は、導電層の外表面上に配置された絶縁物質を有していてもよい。
【００４３】
以下、本発明に係る導電性粒子の他の詳細を説明する。
【００４４】
［基材粒子］
上記基材粒子としては、樹脂粒子、金属を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子及び金属粒子等が挙げられる。上記基材粒子は、金属粒子を除く基材粒子であることが好ましく、樹脂粒子、金属を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることがより好ましい。
【００４５】
上記基材粒子は、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることが更に好ましく、樹脂粒子であってもよく、有機無機ハイブリッド粒子であってもよい。これらの好ましい基材粒子の使用により、電極間の電気的な接続により一層適した導電性粒子が得られる。
【００４６】
上記導電性粒子を用いて電極間を接続する際には、上記導電性粒子を電極間に配置した後、圧着することにより上記導電性粒子を圧縮させる。基材粒子が樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であると、上記圧着の際に上記導電性粒子が変形しやすく、導電性粒子と電極との接触面積が大きくなる。このため、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。
【００４７】
上記樹脂粒子を形成するための樹脂として、種々の有機物が好適に用いられる。上記樹脂粒子を形成するための樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂；ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂；ポリアルキレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、及び、エチレン性不飽和基を有する種々の重合性単量体を１種もしくは２種以上重合させて得られる重合体等が挙げられる。導電材料に適した任意の圧縮時の物性を有する樹脂粒子を設計及び合成することができ、かつ基材粒子の硬度を好適な範囲に容易に制御できるので、上記樹脂粒子を形成するための樹脂は、エチレン性不飽和基を複数有する重合性単量体を１種又は２種以上重合させた重合体であることが好ましい。
【００４８】
上記樹脂粒子を、エチレン性不飽和基を有する単量体を重合させて得る場合、上記エチレン性不飽和基を有する単量体としては、非架橋性の単量体と架橋性の単量体とが挙げられる。
【００４９】
上記非架橋性の単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン等のスチレン系単量体；（メタ）アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体；メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、セチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート等のアルキル（メタ）アクリレート類；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、グリセロール（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレン（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート等の酸素原子含有（メタ）アクリレート類；（メタ）アクリロニトリル等のニトリル含有単量体；メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル等のビニルエーテル類；酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ステアリン酸ビニル等の酸ビニルエステル類；エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン等の不飽和炭化水素；トリフルオロメチル（メタ）アクリレート、ペンタフルオロエチル（メタ）アクリレート、塩化ビニル、フッ化ビニル、クロルスチレン等のハロゲン含有単量体等が挙げられる。
【００５０】
上記架橋性の単量体としては、例えば、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、グリセロールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）テトラメチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等の多官能（メタ）アクリレート類；トリアリル（イソ）シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル、γ−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、ビニルトリメトキシシラン等のシラン含有単量体等が挙げられる。
【００５１】
上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を、公知の方法により重合させることで、上記樹脂粒子を得ることができる。この方法としては、例えば、ラジカル重合開始剤の存在下で懸濁重合する方法、並びに非架橋の種粒子を用いてラジカル重合開始剤とともに単量体を膨潤させて重合する方法等が挙げられる。
【００５２】
上記基材粒子が金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である場合に、上記基材粒子を形成するための無機物としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム、ジルコニア及びカーボンブラック等が挙げられる。上記シリカにより形成された粒子としては特に限定されないが、例えば、加水分解性のアルコキシシリル基を２つ以上持つケイ素化合物を加水分解して架橋重合体粒子を形成した後に、必要に応じて焼成を行うことにより得られる粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、例えば、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。
【００５３】
上記有機無機ハイブリッド粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを有するコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。上記コアが有機コアであることが好ましい。上記シェルが無機シェルであることが好ましい。
【００５４】
上記有機コアを形成するための材料としては、上述した樹脂粒子を形成するための樹脂等が挙げられる。
【００５５】
上記無機シェルを形成するための材料としては、上述した基材粒子を形成するための無機物が挙げられる。この無機物は金属ではないことが好ましい。上記無機シェルを形成するための材料は、シリカであることが好ましい。上記無機シェルは、上記コアの表面上で、金属アルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物とした後、該シェル状物を焼成させることにより形成されていることが好ましい。上記金属アルコキシドはシランアルコキシドであることが好ましい。
【００５６】
上記ゾルゲル法の具体的な方法としては、コア、水やアルコール等の溶媒、界面活性剤、及びアンモニア水溶液等の触媒を含む分散液に、テトラエトキシシラン等の無機モノマーを共存させて界面ゾル反応を行う方法、並びに水やアルコール等の溶媒、及びアンモニア水溶液と共存させたテトラエトキシシラン等の無機モノマーによりゾルゲル反応を行った後、コアにゾルゲル反応物をヘテロ凝集させる方法等が挙げられる。上記ゾルゲル法において、上記金属アルコキシドは、加水分解及び重縮合することが好ましい。
【００５７】
上記コアの粒径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、好ましくは５００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下、更に好ましくは５０μｍ以下、特に好ましくは２０μｍ以下、最も好ましくは１０μｍ以下である。上記コアの粒径が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の電気的な接続により一層適した導電性粒子が得られ、基材粒子を導電性粒子の用途に好適に使用可能になる。例えば、上記コアの粒径が上記下限以上及び上記上限以下であると、上記導電性粒子を用いて電極間を接続した場合に、導電性粒子と電極との接触面積が充分に大きくなり、かつ導電層を形成する際に凝集した導電性粒子が形成されにくくなる。また、導電性粒子を介して接続された電極間の間隔が大きくなりすぎず、かつ導電層が基材粒子の表面から剥離し難くなる。
【００５８】
上記コアの粒径は、上記コアが真球状である場合には直径を意味し、上記コアが真球状以外の形状である場合には、その体積相当の真球と仮定した際の直径を意味する。また、コアの粒径は、コアを任意の粒径測定装置により測定した平均粒径を意味する。例えば、レーザー光散乱、電気抵抗値変化、撮像後の画像解析などの原理を用いた粒度分布測定機が利用できる。
【００５９】
上記シェルの厚みは、好ましくは１００ｎｍ以上、より好ましくは２００ｎｍ以上、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは３μｍ以下である。上記シェルの厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の電気的な接続により一層適した導電性粒子が得られ、基材粒子を導電性粒子の用途に好適に使用可能になる。上記シェルの厚みは、基材粒子１個あたりの平均厚みである。ゾルゲル法の制御によって、上記シェルの厚みを制御可能である。
【００６０】
上記基材粒子が金属粒子である場合に、該金属粒子を形成するための金属としては、銀、銅、ニッケル、ケイ素、金及びチタン等が挙げられる。但し、上記基材粒子は金属粒子ではないことが好ましい。
【００６１】
上記基材粒子の粒子径は、０．１μｍ以上、５μｍ以下であることが特に好ましい。上記基材粒子の粒子径が０．１〜５μｍの範囲内であると、電極間の間隔が小さくなり、かつ導電層の厚みを厚くしても、小さい導電性粒子が得られる。電極間の間隔をより一層小さくしたり、導電層の厚みを厚くしても、より一層小さい導電性粒子を得たりする観点からは、上記基材粒子の平均粒子径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは２μｍ以上、好ましくは３μｍ以下である。上記基材粒子の粒子径は、基材粒子が真球状である場合には、直径を示し、基材粒子が真球状ではない場合には、最大径を示す。
【００６２】
［導電層］
上記導電層は外表面側にパラジウム層を有する。上記導電層は、パラジウム層以外の導電層（第１の導電層）と、パラジウム層（第２の導電層）とを有していてもよい。
【００６３】
上記パラジウム層以外の導電層を形成するための金属は特に限定されない。該金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、タリウム、ゲルマニウム、カドミウム、ケイ素、タングステン、モリブデン、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）及びはんだ等が挙げられる。上記導電層中で、これらの金属は合金であってもよい。なかでも、電極間の接続抵抗をより一層低くすることができるので、錫を含む合金、ニッケル、銅又は金が好ましく、ニッケル又は銅がより好ましく、ニッケルが更に好ましい。
【００６４】
上記パラジウム層以外の導電層を形成する方法は特に限定されない。上記パラジウム層以外の導電層を形成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的蒸着による方法、並びに金属粉末もしくは金属粉末とバインダーとを含むペーストを基材粒子の表面にコーティングする方法等が挙げられる。なかでも、上記パラジウム層以外の導電層の形成が簡便であるので、無電解めっきによる方法が好ましい。上記物理的蒸着による方法としては、真空蒸着、イオンプレーティング及びイオンスパッタリング等の方法が挙げられる。
【００６５】
上記パラジウム層を形成する方法は、パラジウム層１００重量％中のパラジウムの含有量を９９．９重量％以上にすることができれば特に限定されない。上記パラジウム層を形成する方法としては、バレルスパッタ法及びイオンプレーティング法等が挙げられる。上記パラジウム層は、パラジウムの含有量を上記下限以上にするために、バレルスパッタ法により形成されていることが好ましく、バレルスパッタ法により形成することが好ましい。
【００６６】
上記バレルスパッタ法の好ましい条件としては、真空度：１×１０−３Ｔｏｒｒ以下、Ａｒ流量：５ｃｃｍ以下、スパッタリング出力：１０Ｗ／ｃｍ２以上、バレル回転数：１〜１０ｒｐｍ、基材粒子の温度：１００℃以上の条件が好ましい。
【００６７】
なお、特に無電解めっきによりパラジウム層を形成する場合には、パラジウム層を形成する前の粒子の表面に触媒を多く付ける必要がある場合がある。従って、無電解めっき法によってパラジウム層を形成した場合には、一般に上記パラジウム層におけるパラジウムの含有量は９９．９重量％未満になり、９９．９重量％以上にはならない。また、無電解めっき法によってパラジウム層を形成した場合には、パラジウム層中に触媒残渣が多く含まれやすい。
【００６８】
上記パラジウム層の内表面（上記基材粒子側の表面）から厚み方向に外側に向かって厚み５ｎｍの領域において、上記パラジウム層がパラジウム以外の成分を含まないか、又は上記パラジウム層がパラジウム以外の成分を含みかつ上記パラジウム層に含まれるパラジウム以外の成分の含有量は５０ｐｐｍ以下であることが好ましい。この場合に、上記パラジウム以外の成分としては、例えば触媒残渣等が挙げられる。また、上記パラジウム以外の成分としては、硫黄、塩素、及びスズ等が挙げられる。
【００６９】
上記導電層の厚み（導電層が多層である場合には、導電層全体の厚み）は、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、更に好ましくは２０ｎｍ以上、特に好ましくは５０ｎｍ以上、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは８００ｎｍ以下、更に好ましくは５００ｎｍ以下、特に好ましくは４００ｎｍ以下、最も好ましくは３００ｎｍ以下である。上記パラジウム層の厚みは、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、更に好ましくは２０ｎｍ以上、特に好ましくは５０ｎｍ以上、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは８００ｎｍ以下、更に好ましくは５００ｎｍ以下、特に好ましくは４００ｎｍ以下、最も好ましくは３００ｎｍ以下である。上記導電層及び上記パラジウム層の厚みが上記下限以上であると、導電性粒子の導電性がより一層良好になる。上記導電層及びび上記パラジウム層の厚みが上記上限以下であると、基材粒子と導電層との熱膨張率の差が小さくなり、基材粒子から導電層及びパラジウム層が剥離し難くなる。
【００７０】
上記パラジウム層の厚みは２０ｎｍ未満であってもよい。本発明における上述した構成の採用により、上記パラジウム層の厚みが２０ｎｍ未満であっても、電極間の導通信頼性を十分に高めることができる。上記パラジウム層の厚みが薄いと、パラジウムの使用量が少なくなり、環境負荷を低減できる。
【００７１】
上記導電性粒子の粒子径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下、更に好ましくは５μｍ以下である。導電性粒子の粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子を用いて電極間を接続した場合に、導電性粒子と電極との接触面積が充分に大きくなり、かつ導電層を形成する際に凝集した導電性粒子が形成されにくくなる。また、導電性粒子を介して接続された電極間の間隔が大きくなりすぎず、かつ導電層が基材粒子の表面から剥離し難くなる。
【００７２】
上記導電性粒子の粒子径は、導電性粒子が真球状である場合には、直径を示し、導電性粒子が真球状ではない場合には、最大径を示す。
【００７３】
本発明に係る導電性粒子は、導電性の表面に突起を有することが好ましい。上記導電層は、外表面に突起を有することが好ましい。上記パラジウム層は、外表面に突起を有することが好ましい。導電性粒子により接続される電極の表面には、酸化被膜が形成されていることが多い。さらに、導電性粒子の導電層の表面には、酸化被膜が形成されていることが多い。導電性の突起を有する導電性粒子の使用により、電極間に導電性粒子を配置した後、圧着させることにより、突起により酸化被膜が効果的に排除される。このため、電極と導電性粒子とをより一層確実に接触させることができ、電極間の接続抵抗を低くすることができる。さらに、導電性粒子が表面に絶縁物質を有する場合、又は導電性粒子が樹脂中に分散されて導電材料として用いられる場合に、導電性粒子の突起によって、導電性粒子と電極との間の絶縁物質又は樹脂を効果的に排除できる。このため、電極間の導通信頼性を高めることができる。
【００７４】
上記突起は複数であることが好ましい。上記導電性粒子１個当たりの上記導電層の外表面の突起は、好ましくは３個以上、より好ましくは５個以上である。上記突起の数の上限は特に限定されない。突起の数の上限は導電性粒子の粒子径等を考慮して適宜選択できる。
【００７５】
複数の上記突起の平均高さは、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上、好ましくは０．９μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以下である。上記突起の平均高さが上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗が効果的に低くなる。
【００７６】
［芯物質］
上記芯物質が上記導電層中に埋め込まれていることによって、上記導電層が外表面に複数の突起を有するようにすることが容易である。但し、導電性粒子及び導電層の表面に突起を形成するために、芯物質を必ずしも用いなくてもよい。
【００７７】
上記突起を形成する方法としては、基材粒子の表面に芯物質を付着させた後、バレルスパッタ法により導電層を形成する方法、並びに基材粒子の表面にバレルスパッタ法により導電層を形成した後、芯物質を付着させ、更にバレルスパッタ法により導電層を形成する方法等が挙げられる。
【００７８】
上記基材粒子の表面上に芯物質を配置する方法としては、例えば、基材粒子の分散液中に、芯物質を添加し、基材粒子の表面に芯物質を、例えば、ファンデルワールス力により集積させ、乾燥させて付着させる方法、並びに基材粒子を入れた容器に、芯物質を添加し、容器の回転等による機械的な作用により基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法等が挙げられる。なかでも、付着させる芯物質の量を制御しやすいため、分散液中の基材粒子の表面に芯物質を集積させ、乾燥させて付着させる方法が好ましい。
【００７９】
上記芯物質を構成する物質としては、導電性物質及び非導電性物質が挙げられる。上記導電性物質としては、例えば、金属、金属の酸化物、黒鉛等の導電性非金属及び導電性ポリマー等が挙げられる。上記導電性ポリマーとしては、ポリアセチレン等が挙げられる。上記非導電性物質としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム及びジルコニア等が挙げられる。なかでも、導電性を高めることができ、更に接続抵抗を効果的に低くすることができるので、金属が好ましい。上記芯物質は金属粒子であることが好ましい。
【００８０】
上記金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、鉛、錫、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム及びカドミウム等の金属、並びに錫−鉛合金、錫−銅合金、錫−銀合金、錫−鉛−銀合金及び炭化タングステン等の２種類以上の金属で構成される合金等が挙げられる。なかでも、ニッケル、銅、銀又は金が好ましい。上記芯物質を形成するための金属は、上記導電層を形成するための金属と同じであってもよく、異なっていてもよい。上記芯物質を形成するための金属は、上記導電層を形成するための金属を含むことが好ましい。上記芯物質を形成するための金属は、ニッケルを含むことが好ましい。上記芯物質を形成するための金属は、ニッケルを含むことが好ましい。
【００８１】
上記芯物質の形状は特に限定されない。芯物質の形状は塊状であることが好ましい。芯物質としては、例えば、粒子状の塊、複数の微小粒子が凝集した凝集塊、及び不定形の塊等が挙げられる。
【００８２】
上記芯物質の平均径（平均粒子径）は、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上、好ましくは０．９μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以下である。上記芯物質の平均径が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗を効果的に低くすることができる。
【００８３】
上記芯物質の「平均径（平均粒子径）」は、数平均径（数平均粒子径）を示す。芯物質の平均径は、任意の芯物質５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。
【００８４】
［絶縁物質］
本発明に係る導電性粒子は、上記導電層の外表面上に配置された絶縁物質を備えることが好ましい。上記絶縁物質が、パラジウム層の外表面上に配置されていることが好ましい。この場合には、導電性粒子を電極間の接続に用いると、隣接する電極間の短絡を防止できる。具体的には、複数の導電性粒子が接触したときに、複数の電極間に絶縁物質が存在するので、上下の電極間ではなく横方向に隣り合う電極間の短絡を防止できる。なお、電極間の接続の際に、２つの電極で導電性粒子を加圧することにより、導電性粒子の導電層と電極との間の絶縁物質を容易に排除できる。導電性粒子が導電層の外表面に複数の突起を有する場合には、導電性粒子の導電層と電極との間の絶縁物質を容易に排除できる。
【００８５】
電極間の圧着時に上記絶縁物質をより一層容易に排除できることから、上記絶縁物質は、絶縁性粒子であることが好ましい。
【００８６】
上記絶縁物質の材料である絶縁性樹脂の具体例としては、ポリオレフィン類、（メタ）アクリレート重合体、（メタ）アクリレート共重合体、ブロックポリマー、熱可塑性樹脂、熱可塑性樹脂の架橋物、熱硬化性樹脂及び水溶性樹脂等が挙げられる。
【００８７】
上記ポリオレフィン類としては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びエチレン−アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記（メタ）アクリレート重合体としては、ポリメチル（メタ）アクリレート、ポリエチル（メタ）アクリレート及びポリブチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。上記ブロックポリマーとしては、ポリスチレン、スチレン−アクリル酸エステル共重合体、ＳＢ型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、及びＳＢＳ型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、並びにこれらの水素添加物等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、ビニル重合体及びビニル共重合体等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びメラミン樹脂等が挙げられる。上記水溶性樹脂としては、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキシド及びメチルセルロース等が挙げられる。なかでも、水溶性樹脂が好ましく、ポリビニルアルコールがより好ましい。
【００８８】
上記導電層の表面上に絶縁物質を配置する方法としては、化学的方法、及び物理的もしくは機械的方法等が挙げられる。上記化学的方法としては、例えば、界面重合法、粒子存在下での懸濁重合法及び乳化重合法等が挙げられる。上記物理的もしくは機械的方法としては、スプレードライ、ハイブリダイゼーション、静電付着法、噴霧法、ディッピング及び真空蒸着による方法等が挙げられる。なかでも、絶縁物質が脱離し難いことから、上記導電層の表面に、化学結合を介して上記絶縁物質を配置する方法が好ましい。
【００８９】
上記絶縁物質の平均径（平均粒子径）は、導電性粒子の粒子径及び導電性粒子の用途等によって適宜選択できる。上記絶縁物質の平均径（平均粒子径）は好ましくは０．００５μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上、好ましくは１μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ以下である。絶縁物質の平均径が上記下限以上であると、導電性粒子がバインダー樹脂中に分散されたときに、複数の導電性粒子における導電層同士が接触し難くなる。絶縁性粒子の平均径が上記上限以下であると、電極間の接続の際に、電極と導電性粒子との間の絶縁物質を排除するために、圧力を高くしすぎる必要がなくなり、高温に加熱する必要もなくなる。
【００９０】
上記絶縁物質の「平均径（平均粒子径）」は、数平均径（数平均粒子径）を示す。絶縁物質の平均径は、粒度分布測定装置等を用いて求められる。
【００９１】
［防錆処理］
導電性粒子の腐食を抑え、電極間の接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記導電層の外表面は防錆処理されていることが好ましく、上記パラジウム層の外表面は防錆処理されていることが好ましい。
【００９２】
導通信頼性をより一層高める観点からは、上記パラジウム層の外表面は、炭素数６〜２２のアルキル基を有する化合物により、防錆処理されていることが好ましい。導通信頼性をより一層高める観点からは、上記パラジウム層の外表面は、アルキルリン酸化合物又はアルキルチオールにより、防錆処理されていることが好ましい。防錆処理により、パラジウム層の表面に、防錆膜を形成できる。
【００９３】
上記防錆膜は、炭素数６〜２２のアルキル基を有する化合物（以下、化合物Ａともいう）により形成されていることが好ましい。上記パラジウム層の外表面は、上記化合物Ａにより表面処理されていることが好ましい。上記アルキル基の炭素数が６以上であると、銅層の外表面に錆がより一層生じ難くなる。上記アルキル基の炭素数が２２以下であると、導電性粒子の導電性が高くなる。導電性粒子の導電性をより一層高める観点からは、上記化合物Ａにおける上記アルキル基の炭素数は１６以下であることが好ましい。上記アルキル基は直鎖構造を有していてもよく、分岐構造を有していてもよい。上記アルキル基は、直鎖構造を有することが好ましい。
【００９４】
上記化合物Ａは、炭素数６〜２２のアルキル基を有していれば特に限定されない。上記化合物Ａは、炭素数６〜２２のアルキル基を有するリン酸エステル又はその塩、炭素数６〜２２のアルキル基を有する亜リン酸エステル又はその塩、炭素数６〜２２のアルキル基を有するアルコキシシラン、炭素数６〜２２のアルキル基を有するアルキルチオール、及び炭素数６〜２２のアルキル基を有するジアルキルジスルフィドからなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。すなわち、上記炭素数６〜２２のアルキル基を有する化合物Ａは、リン酸エステル又はその塩、亜リン酸エステル又はその塩、アルコキシシラン、アルキルチオール及びジアルキルジスルフィドからなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。これらの好ましい化合物Ａの使用により、パラジウム層に錆をより一層生じ難くすることができる。錆をより一層生じ難くする観点からは、上記化合物Ａは、上記リン酸エステルもしくはその塩、亜リン酸エステルもしくはその塩、又は、アルキルチオールであることが好ましく、上記リン酸エステルもしくはその塩、又は、亜リン酸エステルもしくはその塩であることがより好ましい。上記化合物Ａは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００９５】
上記化合物Ａは、銅層の外表面と反応可能な反応性官能基を有することが好ましい。上記化合物Ａは、上記絶縁物質と反応可能な反応性官能基を有することが好ましい。上記防錆膜は、パラジウム層と化学結合していることが好ましい。上記防錆膜は、上記絶縁物質と化学結合していることが好ましい。上記防錆膜は、上記パラジウム層及び上記絶縁物質の双方と化学結合していることがより好ましい。上記反応性官能基の存在により、及び上記化学結合により、上記防錆膜の剥離が生じ難くなり、この結果、パラジウム層に錆がより一層生じ難くなり、かつ導電性粒子の表面から絶縁物質が意図せずにより一層脱離し難くなる。
【００９６】
上記炭素数６〜２２のアルキル基を有するリン酸エステル又はその塩としては、例えば、リン酸ヘキシルエステル、リン酸ヘプチルエステル、リン酸モノオクチルエステル、リン酸モノノニルエステル、リン酸モノデシルエステル、リン酸モノウンデシルエステル、リン酸モノドデシルエステル、リン酸モノトリデシルエステル、リン酸モノテトラデシルエステル、リン酸モノペンタデシルエステル、リン酸モノヘキシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノヘプチルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノオクチルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノノニルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノウンデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノドデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノトリデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノテトラデシルエステルモノナトリウム塩及びリン酸モノペンタデシルエステルモノナトリウム塩等が挙げられる。上記リン酸エステルのカリウム塩を用いてもよい。
【００９７】
上記炭素数６〜２２のアルキル基を有する亜リン酸エステル又はその塩としては、例えば、亜リン酸ヘキシルエステル、亜リン酸ヘプチルエステル、亜リン酸モノオクチルエステル、亜リン酸モノノニルエステル、亜リン酸モノデシルエステル、亜リン酸モノウンデシルエステル、亜リン酸モノドデシルエステル、亜リン酸モノトリデシルエステル、亜リン酸モノテトラデシルエステル、亜リン酸モノペンタデシルエステル、亜リン酸モノヘキシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノヘプチルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノオクチルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノノニルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノデシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノウンデシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノドデシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノトリデシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノテトラデシルエステルモノナトリウム塩及び亜リン酸モノペンタデシルエステルモノナトリウム塩等が挙げられる。上記亜リン酸エステルのカリウム塩を用いてもよい。
【００９８】
上記炭素数６〜２２のアルキル基を有するアルコキシシランとしては、例えば、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、ヘプチルトリメトキシシラン、ヘプチルトリエトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、ノニルトリメトキシシラン、ノニルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、デシルトリエトキシシラン、ウンデシルトリメトキシシラン、ウンデシルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、トリデシルトリメトキシシラン、トリデシルトリエトキシシラン、テトラデシルトリメトキシシラン、テトラデシルトリエトキシシラン、ペンタデシルトリメトキシシラン及びペンタデシルトリエトキシシラン等が挙げられる。
【００９９】
上記炭素数６〜２２のアルキル基を有するアルキルチオールとしては、例えば、ヘキシルチオール、ヘプチルチオール、オクチルチオール、ノニルチオール、デシルチオール、ウンデシルチオール、ドデシルチオール、トリデシルチオール、テトラデシルチオール、ペンタデシルチオール及びヘキサデシルチオール等が挙げられる。上記アルキルチオールは、アルキル鎖の末端にチオール基を有することが好ましい。
【０１００】
上記炭素数６〜２２のアルキル基を有するジアルキルジスルフィドとしては、例えば、ジヘキシルジスルフィド、ジヘプチルジスルフィド、ジオクチルジスルフィド、ジノニルジスルフィド、ジデシルジスルフィド、ジウンデシルジスルフィド、ジドデシルジスルフィド、ジトリデシルジスルフィド、ジテトラデシルジスルフィド、ジペンタデシルジスルフィド及びジヘキサデシルジスルフィド等が挙げられる。
【０１０１】
（導電材料）
本発明に係る導電材料は、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む。上記導電性粒子は、バインダー樹脂中に分散され、導電材料として用いられることが好ましい。上記導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。上記導電材料は、電極の電気的な接続に好適に用いられる。上記導電材料は、回路接続材料であることが好ましい。
【０１０２】
上記バインダー樹脂は特に限定されない。上記バインダー樹脂として、公知の絶縁性の樹脂が用いられる。
【０１０３】
上記バインダー樹脂としては、例えば、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体及びエラストマー等が挙げられる。上記バインダー樹脂は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１０４】
上記ビニル樹脂としては、例えば、酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂及びスチレン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びポリアミド樹脂等が挙げられる。上記硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。なお、上記硬化性樹脂は、常温硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂又は湿気硬化型樹脂であってもよい。上記硬化性樹脂は、硬化剤と併用されてもよい。上記熱可塑性ブロック共重合体としては、例えば、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体の水素添加物、及びスチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体の水素添加物等が挙げられる。上記エラストマーとしては、例えば、スチレン−ブタジエン共重合ゴム、及びアクリロニトリル−スチレンブロック共重合ゴム等が挙げられる。
【０１０５】
上記導電材料は、上記導電性粒子及び上記バインダー樹脂の他に、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。
【０１０６】
本発明に係る導電材料は、導電ペースト及び導電フィルム等として使用され得る。本発明に係る導電材料が、導電フィルムである場合には、導電性粒子を含む導電フィルムに、導電性粒子を含まないフィルムが積層されていてもよい。上記導電ペーストは、異方性導電ペーストであることが好ましい。上記導電フィルムは、異方性導電フィルムであることが好ましい。
【０１０７】
上記導電材料１００重量％中、上記バインダー樹脂の含有量は好ましくは１０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、更に好ましくは５０重量％以上、特に好ましくは７０重量％以上、好ましくは９９．９９重量％以下、より好ましくは９９．９重量％以下である。上記バインダー樹脂の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間に導電性粒子が効率的に配置され、導電材料により接続された接続対象部材の接続信頼性がより一層高くなる。
【０１０８】
上記導電材料１００重量％中、上記導電性粒子の含有量は好ましくは０．０１重量％以上、より好ましくは０．１重量％以上、好ましくは４０重量％以下、より好ましくは２０重量％以下、更に好ましくは１０重量％以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。
【０１０９】
（接続構造体）
上記導電性粒子を用いて、又は上記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料を用いて、接続対象部材を接続することにより、接続構造体を得ることができる。
【０１１０】
上記接続構造体は、第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材と、第１，第２の接続対象部材を接続している接続部とを備え、該接続部が上述した導電性粒子により形成されているか、又は上述した導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されている接続構造体であることが好ましい。導電性粒子が用いられた場合には、接続部自体が導電性粒子である。すなわち、第１，第２の接続対象部材が導電性粒子により接続される。
【０１１１】
図４に、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に断面図で示す。
【０１１２】
図４に示す接続構造体５１は、第１の接続対象部材５２と、第２の接続対象部材５３と、第１，第２の接続対象部材５２，５３を接続している接続部５４とを備える。接続部５４は、導電性粒子１を含む導電材料を硬化させることにより形成されている。なお、図４では、導電性粒子１は、図示の便宜上、略図的に示されている。導電性粒子１にかえて、導電性粒子１１，２１等を用いてもよい。
【０１１３】
第１の接続対象部材５２は表面（上面）に、複数の第１の電極５２ａを有する。第２の接続対象部材５３は表面（下面）に、複数の第２の電極５３ａを有する。第１の電極５２ａと第２の電極５３ａとが、１つ又は複数の導電性粒子１により電気的に接続されている。従って、第１，第２の接続対象部材５２，５３が導電性粒子１により電気的に接続されている。
【０１１４】
上記接続構造体の製造方法は特に限定されない。接続構造体の製造方法の一例としては、第１の接続対象部材と第２の接続対象部材との間に上記導電材料を配置し、積層体を得た後、該積層体を加熱及び加圧する方法等が挙げられる。上記加圧の圧力は９．８×１０４〜４．９×１０６Ｐａ程度である。上記加熱の温度は、１２０〜２２０℃程度である。
【０１１５】
上記接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板などの電子部品等が挙げられる。上記接続対象部材は電子部品であることが好ましい。上記導電性粒子は、電子部品における電極の電気的な接続に用いられることが好ましい。
【０１１６】
上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、銀電極、モリブデン電極及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、３価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び３価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記３価の金属元素としては、Ｓｎ、Ａｌ及びＧａ等が挙げられる。
【０１１７】
以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。
【０１１８】
（実施例１）
粒子径が３．０μｍであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２０３」）の表面を、ゾルゲル反応による縮合反応を用いて無機シェル（厚み２５０ｎｍ）により被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子（基材粒子）を用意した。
【０１１９】
基材粒子として上記有機無機ハイブリッド粒子を用いて、バレルスパッタすることにより、基材粒子の表面上にパラジウム層（厚み２０ｎｍ）を形成した。バレルスパッタの条件は、真空度：５×１０−４Ｔｏｒｒ以下、Ａｒ流量：３ｃｃｍ以下、スパッタリング出力：５０Ｗ／ｃｍ２以上、バレル回転数：６ｒｐｍ、基材粒子の温度：１５０℃に設定した。その後、炭素数６〜２２のアルキル基を有する化合物を用いて、防錆処理することにより、導電性粒子を得た。
【０１２０】
（実施例２）
粒子径が３．０μｍであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２０３」）を用意した。
【０１２１】
基材粒子を上記樹脂粒子に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。
【０１２２】
（実施例３）
パラジウム層を形成する際に、パラジウム層の厚みを５ｎｍに変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。
【０１２３】
（実施例４）
実施例１で得られた有機無機ハイブリッド粒子を用意した。この有機無機ハイブリッド粒子をエッチングし、水洗した。次に、得られた有機無機ハイブリッド粒子及び分散剤を含む分散液と、平均粒径が５０〜２００ｎｍであるニッケルナノ粒子を含む高分散性のニッケルナノペーストとを混合して、上記有機無機ハイブリッド粒子の表面に、ヘテロ凝集によりニッケルナノ粒子を付着させた。次に、固液分離した後、５０℃で５時間真空乾燥を行い、芯物質が付着された有機無機ハイブリッド粒子を得た。
【０１２４】
基材粒子を上記芯物質が付着された有機無機ハイブリッド粒子に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。
【０１２５】
（実施例５）
４ツ口セパラブルカバー、攪拌翼、三方コック、冷却管及び温度プローブが取り付けられた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、メタクリル酸メチル１００ｍｍｏｌと、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−Ｎ−２−メタクリロイルオキシエチルアンモニウムクロライド１ｍｍｏｌと、２，２’−アゾビス（２−アミジノプロパン）二塩酸塩１ｍｍｏｌとを含むモノマー組成物を固形分率が５重量％となるようにイオン交換水に秤取した後、２００ｒｐｍで攪拌し、窒素雰囲気下７０℃で２４時間重合を行った。反応終了後、凍結乾燥して、表面にアンモニウム基を有し、平均粒子径２２０ｎｍ及びＣＶ値１０％の絶縁性粒子を得た。
【０１２６】
絶縁性粒子を超音波照射下でイオン交換水に分散させ、絶縁性粒子の１０重量％水分散液を得た。
【０１２７】
実施例４で得られた導電性粒子１０ｇをイオン交換水５００ｍＬに分散させ、絶縁性粒子の水分散液４ｇを添加し、室温で６時間攪拌した。３μｍのメッシュフィルターでろ過した後、更にメタノールで洗浄し、乾燥し、絶縁性粒子が付着した導電性粒子を得た。
【０１２８】
走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察したところ、導電性粒子の表面に絶縁性粒子による被覆層が１層のみ形成されていた。画像解析により導電性粒子の中心より２．５μｍの面積に対する絶縁性粒子の被覆面積（即ち絶縁性粒子の粒子径の投影面積）を算出したところ、被覆率は３０％であった。
【０１２９】
（比較例１）
粒子径が３．０μｍであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２０３」）３ｇに対し、アルカリ脱脂を施した後、酸で中和した。ｐＨ６．０に調整したカチオン性高分子液１００ｍＬに、上記樹脂粒子を添加し、６０℃で１時間攪拌した。その後、直径３μｍのメンブレンフィルタ（ミリポア社製）で濾過し、水洗を行った。パラジウム触媒（アトテックジャパン社製「アトテックネネオガント８３４」）８重量％を含むパラジウム触媒化液１００ｍＬに、水洗後の樹脂粒子を添加し、３５℃で３０分攪拌した。その後、直径３μｍのメンブレンフィルタ（ミリポア社製）で濾過し、水洗した。パラジウム触媒液へ繰り返し樹脂粒子を添加して、樹脂粒子の表面に十分な量のパラジウム触媒を付与した。次に、水洗後の樹脂粒子をｐＨ６．０に調整した次亜リン酸ナトリウム液３ｇ／Ｌに添加し、表面が活性化された樹脂粒子（コア粒子）を得た。その後、表面が活性化された樹脂粒子を蒸留水に浸漬し、超音波分散させた。上記の液を直径３μｍのメンブレンフィルタ（ミリポア社製）で濾過し、無電解パラジウムめっき液（小島化学薬品社製「パレット」）に、７０℃の条件で、表面が活性化された樹脂粒子を浸漬し、無電解パラジウムめっきを行い、樹脂粒子の表面に上、厚み２０ｎｍのパラジウム層を形成した。その後、直径３μｍのメンブレンフィルタ（ミリポア社製）で濾過し、水洗を３回行った。４０℃で７時間真空乾燥した後、解砕により凝集を解して、樹脂粒子の表面上に、厚み２０ｎｍのパラジウム層を有する導電性粒子を作製した。
【０１３０】
（比較例２）
シリコーンゴム粒子の調製
下記式（１）で表されるメチルビニルシロキサン（粘度６００ｃＰ）５００ｇと、下記式（２）で表されるメチルビニルシロキサン（粘度３０ｃＰ）２０ｇとを用意した。
【０１３１】
【化１】
2014241278.tif 000003
【０１３２】
【化２】
2014241278.tif 000004
【０１３３】
上記式（１）で表されるメチルビニルシロキサン（粘度６００ｃＰ）５００ｇと、上記式（２）で表されるメチルビニルシロキサン（粘度３０ｃＰ）２０ｇとを、１Ｌのガラスビーカーに入れ、ホモミキサーを用いて、２０００ｒｐｍで撹拌混合した。その後、ポリオキシエチレン（付加モル数＝９モル）オクチルフェニルエーテル１ｇ、及び水１５０ｇを加えて、６０００ｒｐｍで撹拌を継続した。この結果、転相が起り、増粘が認められたが、更にそのまま２０００ｒｐｍで撹拌を行ないながら、水３２９ｇを加えて、Ｏ／Ｗ型エマルジョンを得た。
【０１３４】
次いで、得られたエマルジョンを、錨型撹拌翼による撹拌装置の付いたガラスフラスコに移し、室温（２５℃）で撹拌下に、塩化白金酸−オレフィン錯体のトルエン溶液（白金含有量０．０５重量％）１ｇとポリオキシエチレン（付加モル数＝９モル）オクチルフェニルエーテル５ｇとの混合物を添加し、１２時間反応を行い、分散液Ａを得た。
【０１３５】
得られた分散液Ａ中の粒子の平均粒径をコールターカウンター（コールターエレクトロニクス社製）を用いて測定したところ、３μｍであった。またこの分散液Ａ数ｇを風乾して、弾性のある白色のゴム粉末（ゴム粒子（１））を得た。
【０１３６】
さらに、３Ｌのガラスフラスコに、水２２９０ｇ、上記分散液Ａ５８０ｇ、及びアンモニア水（濃度２８重量％）６０ｇを入れ、水温を１０℃とし、翼回転数２００ｒｐｍの条件で、錨型撹拌翼により撹拌を行った。このときの液のｐＨは１１．２であった。この液にメチルトリメトキシシラン６５ｇを２０分かけて滴下し、滴下中に液温を５〜１５℃に保ち、更に４時間撹拌を行った。その後、５５〜６０℃まで加熱し、引き続き１時間撹拌を行い、得られた液を、加圧ろ過器を用いて水の含有量が約３０重量％であるケーキ状物とした。次いで、このケーキ状物を、熱風循環乾燥機中で１０５℃の温度で乾燥し、乾燥物をジェットミルで解砕した。得られた粒子（ゴム粒子（２））を光学顕微鏡で観察したところ、この粒子は球状粒子であった。また、界面活性剤を用いて水に分散させて、粒子の平均粒径をコールターカウンターを用いて測定したところ、粒子の平均粒径は３μｍであった。なお、このゴム粒子（２）を構成するシロキサン単位中の８８モル％が、ジメチルシロキサン単位であった。
【０１３７】
比較例１では、上記ゴム粉末（２）の表面をパラジウムで被覆した。パラジウムによる被覆は、特許第２９０９７４４号公報に記載の装置を用いて行った。
【０１３８】
この装置の略図を図５に示す。また、図６は図５のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【０１３９】
装置の要部は、減圧加熱処理室１、回転式バレル型スパッタリング室２、流体ジェットミル３及び粉末フィルター付捕集器４により構成されている。減圧加熱処理室１は、電気抵抗加熱される容器であって、フィルター５を介して主排気系６及び高度排気系７に連通する。減圧加熱処理室１は減圧加熱処理した微粉末８を回転式バレル型スパッタリング室２に送入する導管１０へ落下させるためのスクリューフィーダー９と、これを回転するモーター４０とを備える。回転式バレル型スパッタリング室２は、図６に示すように、ボールミルのような構造の回転円筒体であって、支持ロール１３と回転モーター１４とベルト１５とによって回転させられ、制御される。その一方の側壁には、回転軸として機能する軸受機構３０を介してシャフト１２が挿入され、その先端にターゲット５０が対峙して保持されている。また、反対側の側壁からは、回転軸として機能する同様の軸受機構３０を介して減圧加熱処理室１に連通する導管１０が挿入されている。導管１０は、不活性ガス送入パイプ１９、排気系６，７に連通している。なお、減圧加熱処理室１と流体ジェットミル３とは、回転式バレル型スパッタリング室２を介して連結する。導管１０，１１はそれぞれ、弁１２１及び１２２を備える。流体ジェットミル３は、モーター２０によって高速回転するプロペラ２１を備える。流体ジェットミル３の排出側は、弁２２を備えた微粉末循環パイプ２３に連通し、更に減圧加熱処理室１に連通する。この微粉末循環パイプ２３の弁２２の下部側から弁２４を備えた分岐管により粉末フィルター付捕集器４に連通する。この粉末フィルター付捕集器４は円筒形フィルター２５を介して排気系２６に連なっている。
【０１４０】
先ず、ゴム粒子（２）５００ｇを回転式バレル型スパッタリング室２に入れ、次いで減圧加熱処理室１を２×１０−２Ｔｏｒｒに減圧し、弁１２１を閉じ、弁１２２を解放して、減圧加熱処理室１とスパッタリング室２との連絡を遮断した。その後、アルゴンガスを不活性ガス送入パイプ１９より徐々に送入することによって流体ジェットミル３に搬送し、流体ジェットミル３を使用してゴム粒子（２）を一次粒子に分散し、これを減圧加熱処理室１に捕集した。捕集した微粉末を２×１０−２Ｔｏｒｒに減圧しつつ、ヒーターで２００℃に加熱して、乾燥及び脱ガスを３０分間行った。次に、あらかじめアルゴンガスで置換された後に脱気された回転式バレル型スパッタリング室２に微粉末を移送した。移送後、回転式バレル型スパッタリング室２を回転数５ｒｐｍで回転しつつ、パラジウムターゲットを使用し、２×１０−２Ｔｏｒｒの減圧下で二極方式マグネトロン方式によるスパッタリング（電力３ｋＷ×２個、周波数１３．５６ＭＨｚ）を開始した。１時間でスパッタリング処理後のシリコーンゴム粒子全体の約１０重量％のパラジウムが、被覆により形成された。スパッタリングを中止して、前述の流体ジェットミル３により分散及び減圧加熱処理を行った後、再び回転式バレル型スパッタリング室２に移送し、パラジウムのスパッタリングを１時間行った。この工程を５回繰り返してパラジウムを被覆した。スパッタリングによる被覆作業終了後は、不活性ガス送入パイプ１９を通して回転式バレル型スパッタリング室２にアルゴンガスを導入しつつ、微粉末を含むアルゴンガス流を粉末フィルター付捕集器４に送り込んで、パラジウム被覆済みのシリコーンゴム粉末（導電性粒子）を得た。
【０１４１】
（実施例６）
樹脂粒子を１０％圧縮したときの圧縮弾性率が１４００Ｎ／ｍｍ２である樹脂粒子に変更したこと以外は実施例２と同様にして、導電性粒子を得た。
【０１４２】
（参考例Ａ）
比較例１の導電性粒子１ｇを蒸留水１０００ｍＬ（比抵抗１８ＭΩ）に分散させ、撹拌機付オートクレーブに入れて０．１ＭＰａの加圧下、１２１℃で１０時間攪拌洗浄した。その後、濾別乾燥させて、導電性粒子を得た。
【０１４３】
（実施例７）
攪拌機及び温度計が取り付けられた５００ｍＬの反応容器内に、０．１３重量％のアンモニア水溶液３００ｇを入れた。次に、反応容器内のアンモニア水溶液中に、メチルトリメトキシシラン４．１ｇと、ビニルトリメトキシシラン１９．２ｇと、シリコーンアルコキシオリゴマー（信越化学工業社製「Ｘ−４１−１０５３」、メトキシ基とエトキシ基とエポキシ基と珪素原子に直接結合したアルキル基とを有する、重量平均分子量：約１６００）０．７ｇとの混合物をゆっくりと添加した。撹拌しながら、加水分解及び縮合反応を進行させた後、２５重量％アンモニア水溶液２．４ｍＬ添加した後、アンモニア水溶液中から粒子を単離して、得られた粒子を酸素分圧１０−１７ａｔｍ、４００℃で２時間焼成して、有機無機ハイブリッド粒子を得た。得られた有機無機ハイブリッド粒子の粒子径は３．５μｍであった。
【０１４４】
上記基材粒子を用いたこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。
【０１４５】
（実施例８）
粒子径が２．０μｍであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製）の表面を、ゾルゲル反応による縮合反応を用いて無機シェル（厚み２５０ｎｍ）により被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子（基材粒子）を用意した。この基材粒子を用いたこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。
【０１４６】
（実施例９）
冷却管、温度計、滴下口を備えた四つ口フラスコに、イオン交換水８０４重量部と、２５％アンモニア水１．２重量部と、メタノール３３６．６重量部とを入れ、攪拌下、滴下口から３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業社製「ＫＢＭ５０３」）８０重量部及びメタノール５９．４重量部の混合液を添加して、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランの加水分解、縮合反応を行って、メタクリロイル基を有するポリシロキサン粒子（重合性ポリシロキサン粒子）の乳濁液を調製した。反応開始から２時間後、得られたポリシロキサン粒子の乳濁液をサンプリングし、粒子径を測定したところ、粒子径は２．２５μｍであった。
【０１４７】
次いで、乳化剤としてポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル硫酸エステルアンモニウム塩（第一工業製薬社製「ハイテノール（登録商標）ＮＦ−０８」）の２０％水溶液２重量部をイオン交換水８０重量部で溶解した溶液に、シアヌル酸トリアリル（ＴＡＣ）８０重量部、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）（和光純薬工業社製：「Ｖ−６５」）１．６重量部を溶解した溶液を加え、乳化分散させて単量体成分の乳化液を調製した。
【０１４８】
得られた乳化液を、重合性ポリシロキサン粒子の乳濁液中に添加して、さらに攪拌を行った。乳化液の添加から１時間後、混合液をサンプリングして顕微鏡で観察を行ったところ、重合性ポリシロキサン粒子が単量体を吸収して肥大化していることが確認された。
【０１４９】
次いで、ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル硫酸エステルアンモニウム塩の２０％水溶液８重量部、イオン交換水２０．６重量部を加え、窒素雰囲気下で反応液を６５℃まで昇温させて、６５℃で２時間保持し、単量体成分のラジカル重合を行った。ラジカル重合後の乳濁液を固液分離し、得られたケーキをイオン交換水、メタノールで洗浄した後、１２０℃で２時間真空乾燥させて重合体粒子である基材粒子を得た。得られた重合体粒子の粒子径は３．１μｍであった。
【０１５０】
上記基材粒子を用いたこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。
【０１５１】
（評価）
（１）基材粒子の上記圧縮弾性率（１０％Ｋ値）
基材粒子の上記圧縮弾性率（１０％Ｋ値）を、上述した方法により、微小圧縮試験機（フィッシャー社製「フィッシャースコープＨ−１００」）を用いて測定した。
【０１５２】
（２）パラジウム層１００重量％中のパラジウムの含有量
６０％硝酸５ｍＬと３７％塩酸１０ｍＬとの混合液に、導電性粒子５ｇを加え、パラジウム層を完全に溶解させ、溶液を得た。得られた溶液を用いて、パラジウムの含有量をＩＣＰ−ＭＳ分析器（日立製作所社製）により分析した。
【０１５３】
（３）パラジウム層の内表面（基材粒子側の表面）から厚み方向に外側に向かって厚み５ｎｍの領域Ｒのパラジウム以外の成分の含有量
パラジウム層の厚み方向における各成分の含有量の分布を測定した。パラジウム層の内表面（基材粒子側の表面）から厚み方向に外側に向かって厚み５ｎｍの領域Ｒにおいて、パラジウム以外の成分の含有量を評価した。
【０１５４】
集束イオンビームを用いて、得られた導電性粒子の薄膜切片を作製した。透過型電子顕微鏡ＦＥ−ＴＥＭ（日本電子社製「ＪＥＭ−２０１０ＦＥＦ」）を用いて、エネルギー分散型Ｘ線分析装置（ＥＤＳ）により、パラジウム層におけるパラジウム層以外の成分の含有量を測定した。
【０１５５】
（４）導通信頼性
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学社製「エピコート１００９」）１０重量部と、アクリルゴム（重量平均分子量約８０万）４０重量部と、メチルエチルケトン２００重量部と、マイクロカプセル型硬化剤（旭化成ケミカルズ社製「ＨＸ３９４１ＨＰ」）５０重量部と、シランカップリング剤（東レダウコーニングシリコーン社製「ＳＨ６０４０」）２重量部とを混合し、導電性粒子を含有量が３重量％となるように添加し、分散させ、樹脂組成物を得た。
【０１５６】
得られた樹脂組成物を、片面が離型処理された厚さ５０μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムに塗布し、７０℃の熱風で５分間乾燥し、異方性導電フィルムを作製した。得られた異方性導電フィルムの厚さは１２μｍであった。
【０１５７】
得られた異方性導電フィルムを５ｍｍ×５ｍｍの大きさに切断した。切断された異方性導電フィルムを、一方に抵抗測定用の引き回し線を有するアルミニウム電極（高さ０．２μｍ、Ｌ／Ｓ＝２０μｍ／２０μｍ）を有するガラス基板（幅３ｃｍ、長さ３ｃｍ）のアルミニウム電極側のほぼ中央に貼り付けた。次いで、同じアルミニウム電極を有する２層フレキシブルプリント基板（幅２ｃｍ、長さ１ｃｍ）を、電極同士が重なるように位置合わせをしてから貼り合わせた。このガラス基板と２層フレキシブルプリント基板との積層体を、１０Ｎ、１８０℃、及び２０秒間の圧着条件で熱圧着し、接続構造体を得た。なお、ポリイミドフィルムにアルミニウム電極が直接形成されている２層フレキシブルプリント基板を用いた。得られた接続構造体を８５℃及び８５％の高温高湿環境に、かつ接続箇所に１０ｍＡの直流電流を通電した状態で５００時間放置した後の接続抵抗を測定した。
【０１５８】
接続抵抗の測定：
得られた接続構造体の対向する電極間の接続抵抗を４端子法により測定した。また、接続抵抗から導通信頼性を下記の基準で判定した。
【０１５９】
［導通信頼性の評価基準］
○○：接続抵抗が２．０Ω以下
○：接続抵抗が２．０Ωを超え、３．０Ω以下
△：接続抵抗が３．０Ωを超え、５．０Ω以下
×：接続抵抗が５．０Ωを超える
【０１６０】
（５）環境負荷（コスト）
実施例１〜９、比較例１及び参考例Ａの手順で導電性粒子を得た場合には、比較例２の手順で導電性粒子を得た場合と比べて、環境負荷をかなり小さくすることができ、かつ製造コストが低かった。
【０１６１】
結果を下記の表１に示す。
【０１６２】
【表１】
2014241278.tif 000005
【０１６３】
（６）冷熱衝撃信頼性：接続抵抗
得られた接続構造体を冷熱衝撃試験機（エスペック社製「ＴＳＡ−７２ＥＳ」）に放置し、−４０℃，３０分／１００℃，３０分を交互に繰り返す条件に、接続構造体を１０００サイクルさらした後、対向する電極間の接続抵抗を４端子法により測定した。接続抵抗から、冷熱衝撃信頼性を下記の基準で判定した。
【０１６４】
［冷熱衝撃信頼性の判定基準］
○○○：接続抵抗が５．５Ω以下
○○：接続抵抗が５．５Ωを超え、６．０Ω以下
○：接続抵抗が６．０Ωを超え、１０．０Ω以下
△：接続抵抗が１０．０Ωを超え、１５．０Ω以下
×：接続抵抗が１５．０Ωを超える
【０１６５】
結果を下記の表２に示す。
【０１６６】
【表２】
2014241278.tif 000006
【０１６７】
上記表１，２に示す結果から、パラジウム層の厚みが２０ｎｍ以下であって、パラジウム層が薄くても、実施例１〜９の導電性粒子では、導通信頼性及び冷熱衝撃信頼性に優れることがわかる。なお、実施例１〜９では、導通信頼性の評価結果はいずれも「○○」であるが、実施例１〜５及び７〜９の導電性粒子よりも実施例６の導電性粒子の方が、接続抵抗は高かった。基材粒子の１０％Ｋ値が比較的低いためであると考えられる。また、実施例１，４，５では、導通信頼性の評価結果はいずれも「○○」であるが、実施例１の導電性粒子よりも実施例４，５の導電性粒子の方が、接続抵抗が低かった。導電層の外表面に突起があるためである。また、実施例５の導電性粒子では、接続されてはならない電極間が接続され難く、絶縁信頼性に優れていた。導電層の外表面に絶縁物質が配置されているためである。
【符号の説明】
【０１６８】
１…導電性粒子
２…基材粒子
３…導電層（パラジウム層）
１１…導電性粒子
１２…導電層
１２Ａ…第１の導電層
１２Ｂ…第２の導電層（パラジウム層）
２１…導電性粒子
２１ａ…突起
２２…導電層（パラジウム層）
２２ａ…突起
２３…芯物質
２４…絶縁物質
５１…接続構造体
５２…第１の接続対象部材
５２ａ…第１の電極
５３…第２の接続対象部材
５３ａ…第２の電極
５４…接続部
【図１】
2014241278.tif 000007
【図２】
2014241278.tif 000008
【図３】
2014241278.tif 000009
【図４】
2014241278.tif 000010
【図５】
2014241278.tif 000011
【図６】
2014241278.tif 000012