(57)【要約】【課題】磁極が壊れる危険性が低減される一方で高い書込み磁極壁角度を達成する書込み磁極の構造およびその製造を可能にする。【解決手段】ここに開示される書込み磁極構造は、書込み磁極層、傾斜がつけられた表面を含む底部層、および書込み磁極層と底部層との間のキャップ層を含み、キャップ層は、書込み磁極層の硬度未満の硬度を有する材料から形成される。【選択図】図１
2014006954.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
傾斜がつけられた表面を有する底部層と、
前記底部層の前記傾斜がつけられた表面の上に設けられたキャップ層と、
前記キャップ層の上に設けられた書込み磁極層とを含む、装置。
【請求項２】
前記キャップ層は、前記書込み磁極層の硬度未満の硬度を有する材料から形成される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記底部層の厚みは、前記傾斜がつけられた表面に沿って、第１の厚みと第２の厚みとの間で線形に増大する、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記キャップ層は、徐々に下がる厚み輪郭を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記底部層はアルミニウム層である、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記書込み磁極層の上に設けられるマスク層をさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記キャップ層は、銅、銀、金、より軟質のアルミニウム、ルテニウムおよび白金の少なくとも１つから形成される、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記装置の空気軸受面に平行な前記装置の断面において、前記書込み磁極層は台形形状を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記台形形状は、前記キャップ層に近い、より狭い側部を有する、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
空気軸受面に垂直であり、かつディスクに沿った前記装置の移動に接線的に平行な鉛直面と、書込み磁極の表面との間の角度が、１３°より大きいように最適化される、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
書込み磁極層と、
傾斜がつけられた表面を含む底部層と、
前記書込み磁極層と前記底部層との間のキャップ層とを含み、前記キャップ層は、前記書込み磁極層の硬度未満の硬度を有する材料から形成される、装置。
【請求項１２】
前記キャップ層は、銅、銀、金、より軟質のアルミニウム、ルテニウムおよび白金の少なくとも１つから形成される、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
書込み磁極の空気軸受面に平行な前記キャップ層の断面は、ダウントラック方向に沿って、変動する厚みを有する、請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】
前記書込み磁極の空気軸受面に平行な前記キャップ層の前記断面は、前記書込み磁極層に近いほど幅が広い、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
書込み磁極壁角は１３°より大きい、請求項１１に記載の装置。
【請求項１６】
底部層の一方の側に、傾斜がつけられた表面を形成するステップと、
前記底部層の傾斜がつけられた側において軟質層を設けるステップと、
前記傾斜がつけられた表面の角度より低い角度で前記軟質層をミリングするステップとを含むプロセスによって準備される書込み磁極。
【請求項１７】
前記プロセスは、前記ミリングされた軟質層の上に書込み磁極層を設けるステップをさらに含む、請求項１５に記載の書込み磁極。
【請求項１８】
前記軟質層の硬度は、前記書込み磁極層の硬度未満である、請求項１７に記載の書込み磁極。
【請求項１９】
前記軟質層の硬度は、前記底部層の硬度未満である、請求項１７に記載の書込み磁極。
【請求項２０】
前記プロセスは、前記書込み磁極を空気軸受面に沿って切断して、空気軸受面での前記書込み磁極の断面が、前記軟質層を前記書込み磁極層に近接して含むようにするステップをさらに含む、請求項１７に記載の書込み磁極。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
背景
磁気データ記憶検索システムにおいては、磁気読取り書込みヘッドは、典型的には、磁気ディスク上に記憶された磁気的にコード化された情報を検索するための磁気抵抗（ＭＲ）センサを有するリーダ部分を含む。ディスクの表面からの磁束は、ＭＲセンサの感知層の磁化ベクトルの回転を引起し、それは次いでＭＲセンサの電気抵抗において変化を引起す。ＭＲセンサの抵抗における変化は、ＭＲセンサを通って電流を流しＭＲセンサにかかる電圧を測定することによって検出することが可能である。次いで、外部回路系が、電圧情報を適切なフォーマットに変換し、その情報を必要に応じて操作することにより、ディスク上にコード化された情報を回復する。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００２】
概要
ここに記載され主張される実現例は、書込み磁極層、傾斜がつけられた表面を含む底部層、および書込み磁極層と底部層との間のキャップ層を含み、キャップ層は、書込み磁極層の硬度未満の硬度をともなう材料から形成される、書込み磁極構造を提供する。
【０００３】
この概要は、詳細な記載においてさらに以下に記載される、単純化された形態における概念の選択を導入するように提供される。この概要は、主張される主題の重要な特徴または本質的な特徴を識別するようにも、主張される主題の範囲を限定するために用いられるようにも、意図されない。これらならびにさまざまな他の特徴および利点は、以下の詳細な記載を読むことから明らかになる。
【図面の簡単な説明】
【０００４】
【図１】アクチュエータアセンブリの端部上に実現された例示的な書込み磁極構造を例示する概略的なブロック図である。
【図２】書込み磁極構造の製造中における部分的な書込み磁極構造のブロック図である。
【図３Ａ】書込み磁極構造の製造中における代替的な部分的な書込み磁極構造のブロック図である。
【図３Ｂ】書込み磁極構造の製造中における代替的な部分的な書込み磁極構造のブロック図である。
【図４】書込み磁極構造の製造中における代替的な部分的な書込み磁極構造のブロック図である。
【図５】書込み磁極構造の空気軸受面図および側面図である。
【図６】書込み磁極構造の側面図およびさまざまな断面図である。
【図７】ここに開示された書込み磁極構造を製造するための例示的動作を示す図である。
【図８】ここに開示された書込み磁極の三次元図の例示図である。
【発明を実施するための形態】
【０００５】
詳細な記載
垂直磁気記録は、ビットをそれらのレムナント状態において記録することの改善されたスーパーパラ−磁気学のため、記録産業において用いられる。面積密度の増大がさらに押し進められ、記録ライタは、磁気媒体の記録層において大きな書込み磁界および磁界勾配を生成するよう求められる。しかしながら、記録ライタの主磁極からの書込み磁界は、一般に、ヘッド材料の最大の磁気モーメントおよび磁極外形によって制限される。トラックの寸法がより小さくなるにつれ、書込み磁極および書込み磁極の後縁磁極幅（ＴＰＷＴ）も、より小さくなる傾向がある。
【０００６】
しかしながら、書込み磁極およびＴＷＰＴのサイズが減少するにつれ、大きな書込み磁界および磁界勾配を生成することは困難になる。たとえば、磁気ライタ磁極の有限要素モデリング（ＦＥＭ）は、より厚い書込み磁極パドルはより多くの書込み磁界を生成することを示す。しかしながら、より厚い書込み磁極パドルは、近接するトラック干渉（ＡＴＩ）が増加する結果ともなる。厚い書込みパドルに起因するそのようなＡＴＩは、他の性能仕様とのトレードオフによって書込み磁極壁角度をある最適化された角度に増大することによって低減することが可能である。ここで、書込み磁極壁角度は、書込み磁極の表面と、空気軸受面に平行であり、かつ記憶媒体に沿った書込み磁極の移動に接線的に平行である鉛直面との間の角度である。さらに、書込み磁極壁角度を大きくすることは、結果的に、架橋された磁極をもたらし、それは書込み磁極の機械的な不安定性を結果としてもたらし、しばしば、結果的に、書込み磁極リフトオフまたは書込み磁極化学機械研磨（ＣＭＰ）のような書込み磁極形成プロセス中に壊れた磁極をもたらす。
【０００７】
ここに開示されたプロセスは、書込み磁極の機械的安定性を改善するために書込み磁極を製造することを可能にする。具体的には、ここに開示されたプロセスは、磁極が壊れる危険性が低減される一方で高い書込み磁極壁角度を達成する書込み磁極の製造を可能にする。たとえば、ここに開示されたプロセスは、２９０ｎｍを上回るパドル厚みをともない、高い書込み磁極壁角度を有する書込み磁極を製造するために用いることが可能である。１つの実現例においては、書込み磁極壁角度は１３°より大きい。
【０００８】
図１は、アクチュエータアセンブリの端部上に実現された例示的な書込み磁極構造を例示する概略的なブロック図１００である。具体的には、図１は、トランスデューサヘッド１０４がアクチュエータアセンブリ１０６の端部上に位置するディスク１０２の実現例の平面図を示す。ディスク１０２は動作中においてディスクの回転軸１０８のまわりを回転する。さらに、ディスク１０２は、外径１１０および内径１１２を含み、それらの間には、円形の点線によって示される、多数のデータトラック１１４がある。データトラック１１４は、実質的に円形であり、規則的に間隔を置かれたパターン化されたビットから形成される。
【０００９】
情報は、データトラック１１４シーク動作中にディスク１０２に近接して位置決めされたアクチュエータの回転軸１１６のまわりを回転するアクチュエータアセンブリ１０６の使用を介して、データトラック１１４上のパターン化されたビットから読み書きされてもよい。アクチュエータアセンブリ１０６上においてアクチュエータの回転軸１１６から遠位の端部に取り付けられるトランスデューサヘッド１０４は、ディスク動作中においてディスク１０２の表面より上を、非常に近く浮遊する。トランスデューサヘッド１０４は、トラック１１４からデータを読取るための読取り磁極、およびトラック１１４にデータを書込むための書込み磁極を含む。
【００１０】
トランスデューサヘッドの１つの実現例においては、トランスデューサヘッド１１４の書込み磁極はさまざまな層を含む。断面図１２０は、ディスク１０２の空気軸受面でのトランスデューサヘッドの書込み磁極のそのような層を示す。具体的には、書込み磁極は、マスク層１３０、書込み磁極層１３２、キャップ層１３４、および底部層１３６を含む。断面図１２０は、ディスクが軸１０８のまわりを回転するにつれてマスク層１３０がトラック１１４に沿って底部層１３６を追うように空気軸受面に面する書込み磁極の断面図を示す。言いかえれば、書込み磁極層１３２のより広い端部１５２は、書込み磁極層１３２のより狭い端部１５０を追う。
【００１１】
書込み磁極の１つの実現例においては、マスク層１３０は、Ｔａの層のような硬質マスク材料から形成される。代替的に、マスク層１３０は、Ｂａ２Ｏ３から形成されたより硬質の層にポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）などから形成されたより軟質の層が後に続くような、複数の層から形成される。
【００１２】
書込み磁極の１つの実現例においては、書込み磁極層１３２は、ＮｉＦｅ、ＦｅＣｏ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮなどのような強磁性材料から形成される。トランスデューサ１０６の動作中において、書込み磁極層１３２のまわりで位置決めされたコイルおよびトランスデューサヘッド１０６の一部であるヨークにおける電流は、ディスク１０２のトラック１１４に沿って関連の媒体の磁化に影響するよう用いられる磁界を書込み磁極層１３２において形成する。書込み磁極層１３２は台形の断面を有し、台形は、より狭い側１５０はダウントラック方向に沿って前縁上にあり、対して、より広い側１５２はダウントラック方向に沿って後縁上にある。
【００１３】
書込み磁極層１３２の１つの実現例においては、書込み磁極層１３２の側壁１４２の表面と、ダウントラック方向におけるディスク表面に沿った書込み磁極の移動の方向を示す軸１４４との間の書込み磁極壁角度１４０が、最適化される。具体的には、書込み磁極壁角度１４０は、電気的性能とプロセス製造との折り合いをつけるよう最適化される。具体的には、軸１４４は、空気軸受面に垂直であり、かつディスク表面に沿った書込み磁極の移動方向に接線的に平行な平面にある。
【００１４】
書込み磁極の書込み効率は、書込み磁極の柔らかさに依存し、高透磁率および低保磁力をともなう、より軟質の書込み磁極材料は、より高い書込み効率を与える。したがって、書込み磁極の書込み効率を増大するために、書込み磁極のさまざまな層は、より軟質の材料から選択される。しかしながら、軟質材料を有する書込み磁極は、動作中において書込み磁極に対する機械的安定性の問題を結果として生じる。より高い書込み効率およびより高い機械的安定性を達成するために、書込み磁極の１つの実現例においては、キャップ層１３４は、書込み磁極層１３２の材料より軟質の材料から形成される。したがって、キャップ層１３４の材料の硬度は、書込み磁極層１３２の材料の硬度未満である。代替的な実現例においては、キャップ層１３４は、底部層１３６の材料より軟質の材料から形成される。したがって、キャップ層１３４の材料の硬度は、底部層１３６の材料の硬度未満である。たとえば、キャップ層１３４は、銅、銀、金、より軟質のアルミニウム、ルテニウム、白金などのような、より軟質の材料から形成される。他の、より軟質の材料も用いられてもよい。書込み磁極層１３４および底部層１３６の１つより軟質の材料のキャップ層１３４を用いることは、書込み磁極がより高い書込み効率およびより高い機械的安定性を達成することを可能にする。
【００１５】
書込み磁極の１つの実現例においては、底部層１３６はアルミニウムから形成される。代替的に、Ｂａ２Ｏ３などのような、他の、より硬質の材料が用いられてもよい。書込み磁極の１つの実現例においては、底部層１３６の断面は、より狭い頂部縁から、ダウントラックに、より広い底部縁を有し、より狭い頂部縁は軟質キャップ層１３４の付近にある。
【００１６】
図２は、書込み磁極構造の製造中における部分的な書込み磁極構造２００のブロック図である。具体的には、図２は、アルミニウム層２１２を含む部分的な書込み磁極構造２１０を示す。１つの実現例では、アルミニウム層２１２は、書込み磁極の基板の一部を形成する。代替的な実現例においては、アルミニウム層２１２は書込み磁極の基板層の上に位置決めされる。書込み磁極の縁部の近くのアルミニウム層２１２の厚みが、書込み磁極の中心に向かうアルミニウム層の厚み未満であるように、アルミニウム層２１２はバンパー傾斜２１４を有するように構成される。傾斜２１４は、２つの厚みレベル間の遷移を与える。図２の実現例は線形スロープを有する傾斜２１４を有するよう示されている一方で、代替的な実現例においては、傾斜２１４は、湾曲したスロープ、段差構造などを有するよう設けられる。
【００１７】
図２は、さらに、アルミニウム層２２２および軟質層２２４を含む別の部分的な書込み磁極構造２２０を示す。具体的には、部分的な書込み磁極構造２２０は、アルミニウム層２２２上に軟質層２２４を堆積させることによって形成される。１つの実現例においては、アルミニウム層２２２は傾斜２２６を含み、軟質層２２４は傾斜２２８を含む。軟質層の傾斜２２８はアルミニウム層の傾斜２２６に平行であってもよい。代替的に、傾斜２２６および２２８はわずかに異なる角度を有するように構成されてもよい。軟質層２２４は、アルミニウム層２２２の硬度未満である硬度をともなう任意の材料から形成される。たとえば、軟質層２２４は、銅、銀、金、より軟質のアルミニウム、白金などのいずれかから形成される。１つの実現例においては、軟質層２２４はキャップ層である。軟質層２２４は、めっき、スパッタリング、蒸着などによってアルミニウム層上に堆積されてもよい。
【００１８】
図３Ａおよび図３Ｂは、書込み磁極構造の製造中における代替的な部分的な書込み磁極構造３１０および３２０のブロック図を示す。具体的には、図３Ａは、アルミニウム層３１２および軟質キャップ層３１４を含む部分的な書込み磁極構造３１０を示す。アルミニウム層３１２は傾斜がつけられた縁部３１６を含み、軟質キャップ層３１４は傾斜がつけられた縁部３１８を含む。書込み磁極構造３１０はミリングプロセスを受けるとして示される。具体的には、軟質キャップ層３１４は静的なミリングを受ける。１つの実現例においては、参照符号３２０によって示されるように、静的なミリング動作が、軟質層３１４の少なくとも一部がミリング動作から保護されるような角度で行われる。たとえば、ミリング動作３２０は、（水平面と比較した）傾斜の角度に比較して、（同じく水平面と比較した）より低い角度で行われる。ミリング動作３２０は、傾斜がつけられた縁部３１６の角度のため保護される材料を除いて、軟質層材料の大部分を除去する。
【００１９】
図３Ｂは、アルミニウム層３３２および軟質キャップ層３３４を含む別の部分的な磁極構造３２０を示す。具体的には、磁極構造３２０は、部分的な書込み磁極構造３１０上におけるミリング動作３２０の結果生成される。ミリング動作３２０のミリング角度は傾斜３１６の角度より低いので、軟質層３１４の一部はアルミニウム層３１２上に保存されている。軟質キャップ層３１４のそのような保存された部分は、参照符号３３４によって示される。軟質層３３４は、アルミニウム層３３２に沿った内部の傾斜がつけられた縁部３３６、および外部の傾斜がつけられた縁部３３８を有するように示される。図３に示された磁極構造の実現例は、互いに実質的に平行な内部縁部３３６および外部縁部３３８を有している一方で、代替的な実現例においては、外部縁部３３８は、内部縁部３３６に比較して、より小さいスロープを有することに注目されたい。
【００２０】
アルミニウム層３３２上の軟質キャップ層３３４の位置および形状の結果、書込み磁極構造３２０を用いて製造された書込み磁極の断面レイアウトは、そのような断面が生成される水平位置に依存する。たとえば、磁極構造３２０の断面が３４０によって示された位置でとられる場合、そのような断面は少なくともいくらかの軟質層３３４を断面レイアウトの一部として含む。他方、断面が３４２または３４４によって示された位置でとられる場合、そのような断面レイアウトは軟質層３３４を含まない。さらに、断面レイアウトにおける軟質層３３４の幅は、さらに、断面の水平位置に依存する。したがって、軟質キャップ層３３４の位置および形状は、書込み磁極の製造における柔軟性に、結果として生じる書込み磁極における異なる構成の軟質キャップ層を与える。
【００２１】
図４は、書込み磁極構造の製造中における代替的な部分的な書込み磁極構造４００のブロック図である。具体的には、磁極構造４００は、アルミニウム層４０２、軟質キャップ層４０４、および書込み磁極層４０６を含む。書込み磁極層４０６は、アルミニウム層４０２および軟質キャップ層４０４の組合せ上に堆積され、化学機械研磨（ＣＭＰ）を用いて処理される。１つの実現例においては、書込み磁極層４０６は、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）およびそれらの組合せのような強磁性材料から形成されるが、それらに限定はされない。たとえば、書込み磁極層４０６は、鉄コバルト（ＦｅＣｏ）、鉄ニッケル（ＦｅＮｉ）、コバルト鉄ニッケル（ＣｏＦｅＮｉ）などのような合金を含むことが可能であるが、それらに限定はされない。代替的な実現例においては、軟質キャップ層４０４は、書込み磁極層４０６の硬度未満の硬度をともなう材料から形成される。
【００２２】
図５は、書込み磁極構造の空気軸受面図および側面図である。具体的には、書込み磁極構造の側面図５０２は、アルミニウム層５１２、書込み磁極層５１４、硬質マスク層５１６およびフォトレジスト層５１８を含む磁極構造のさまざまな層を含む。さらに、磁極構造５０２は、軟質キャップ層５２０も含む。１つの実現例においては、軟質キャップ層５２０は、アルミニウム層５１２の硬度未満の硬度をともなう材料から形成される。代替的な実現例においては、軟質キャップ層５２０の硬度は書込み磁極層５１４の硬度未満である。
【００２３】
磁極構造の側面図５０４は書込み磁極の層を空気軸受面（ＡＢＳ）から示す。たとえば、側面図５０４は、断面５２２に沿った図を示す。具体的には、側面図５０４は、アルミニウム層５３２、書込み磁極層５３４、硬質マスク層５３６およびフォトレジスト層５３８を含む。側面図５０４は、さらに、アルミニウム層５３２と書込み磁極層５３４との間に位置決めされた軟質キャップ層５４０を含む。側面図５０４において見える軟質キャップ層５４０の幅は、側面図５０２に沿った断面５２２の位置に依存する。したがって、例えば、断面５２２の位置が軟質キャップ層５２０の中心から離れている場合、側面図における軟質キャップ層５４０の幅は、５０４において示された幅と比較して、より小さい。断面５２２が軟質キャップ層５２０から軟質キャップ層５２０の右または左に離れている場合、軟質キャップ層５４０はＡＢＳ図５０４において現れない。
【００２４】
アルミニウム層５１２の傾斜に沿った軟質キャップ層５２０の位置は、軟質キャップ層５４０の厚みが、書込み磁極５０４のＡＢＳを規定する断面５２２の位置を用いて制御されることを可能にする。書込み磁極５０２の側部に沿った軟質キャップ層５２０のこの構造は、図６においてさらに詳細に記載される。
【００２５】
図６は、書込み磁極構造の側面図およびさまざまな断面図を示す。具体的には、図６は、書込み磁極のさまざまな層を示す側面図６０２を示す。さらに、図６は、書込み磁極のさまざまな断面に沿ってとられた書込み磁極のさまざまなＡＢＳ図６０４、６０６および６０８も示す。側面図６０２は、アルミニウム層６１２、書込み磁極層６１４、硬質マスク層６１６および軟質キャップ層６１８を有する書込み磁極を示す。軟質キャップ層６１８は、書込み磁極層６１４の材料の硬度未満である硬度をともなう材料から形成される。代替的な実現例においては、軟質キャップ層材料の硬度は、さらに、アルミニウム層６１２の材料の硬度未満である。軟質キャップ層６１８は頂部表面６２０および底面６２２によって規定される。頂部表面６２０は軟質キャップ層６１８の静的なミリングプロセスによって規定されてもよい。１つの実現例においては、軟質キャップ層６１８はアルミニウム層６１２上に堆積され、軟質キャップ層６１８の表面に対するある角度での静的なミリングによって処理される。そのようなミリングプロセスにおいては、傾斜がつけられた下側表面６２２は、軟質キャップ層６１８の幅が徐々に先細りになるような態様で、軟質キャップ層６１８が形成されることを可能にする。具体的には、側面図６０２に沿った書込み磁極の右への軟質キャップ層６１８の幅は、側面図６０２に沿った書込み磁極の左への幅に比較して、より大きい。
【００２６】
ＡＢＳ図６０４、６０６および６０８の各々は、それぞれ、断面６１４、６１６および６１８に沿ったＡＢＳ図を示す。その結果、書込み磁極のＡＢＳ図輪郭は、ＡＢＳ図６０４、６０６および６０８の各々に対して異なる。具体的には、書込み磁極のＡＢＳ図６０４は、アルミニウム層６２０、軟質キャップ層６２２、書込み磁極層６２４、および硬質マスク層６２６を含む。軟質キャップ層６２２は、書込み磁極層６２４の硬度未満の硬度をともなう材料から形成される。代替的な実現例においては、軟質キャップ層６２２は、アルミニウム層６２０の硬度未満の硬度をともなう材料から形成される。
【００２７】
書込み磁極のＡＢＳ図６０６も、アルミニウム層６３０、軟質キャップ層６３２、書込み磁極層６３４、および硬質マスク層６３６を含む。軟質キャップ層６３２は、書込み磁極層６３４の硬度未満の硬度をともなう材料から形成される。代替的な実現例においては、軟質キャップ層６３２は、アルミニウム層６３０の硬度未満の硬度をともなう材料から形成される。図６において示されるように、軟質キャップ層６１８のスロープのため、断面６１６では、軟質キャップ層６３２の高さは軟質キャップ層６２２の高さより高い。図６の実現例は凹状に湾曲したスロープを有する軟質キャップ層６１８を有するよう示されている一方で、代替的な実現例においては、軟質キャップ層６１８は線形スロープ、段差構造などを有してもよい。さらに、代替的な実現例においては、頂部表面６２０および底面６２２は互いに平行であってもよく、軟質キャップ層６１８にそのスロープの全体にわたって一様な幅を与える。他方、断面６１８では、軟質キャップ層６１８は、ミリングプロセスのため、除去される。その結果、ＡＢＳ図６０８は、アルミニウム層６４０、書込み磁極層６４４および硬質マスク層６４６を示すだけである。
【００２８】
図７は、ここに開示された書込み磁極構造を製造するための例示的動作を示す図である。具体的には、設ける動作７０２によって、アルミニウム層に傾斜を設ける。その後、堆積する動作７０４によって、傾斜がつけられたアルミニウム層上に軟質層を堆積させる。ミリング動作７０６によって、軟質層をミリングする。１つの実現例においては、ミリング動作７０６は、アルミニウム層の傾斜上の軟質層を除いて、軟質層のほとんどが除去されるように、ある角度で軟質層をミリングする、静的なミリング動作である。したがって、静的なミリングの結果、可変厚みの軟質層がアルミニウム層の傾斜の上に残される。その後、堆積する動作７０８によって、書込み磁極層を堆積させる。１つの実現例においては、書込み磁極に対して用いられる材料の硬度は、アルミニウム層傾斜の上に堆積される軟質層の硬度より高い。
【００２９】
その後、研磨する動作７１０によって書込み磁極層を研磨する。１つの実現例においては、化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセスを用いて書込み磁極層を研磨する。その後、堆積する動作７１２によって、書込み磁極層の上に硬質マスク層を堆積させ、別の堆積する動作７１４によって、硬質マスク層の上にフォトレジスト層を堆積させる。その後、ミリング動作７１６によって書込み磁極構造をミリングする。ミリング動作７１６はイオンミリングプロセスを用いて実施されてもよく、ミリング装置が、書込み磁極構造の表面で、ある角度からイオンを放ち、したがって書込み磁極構造の表面から材料をスパッタリングして除去する。書込み磁極構造のさまざまな層は、イオンビームによって打たれたとき、ある層が他の層より速く除去されるように、異なるミリング速度を有してもよいので、書込み磁極構造のさまざまな層の各々は異なる速度のイオンミリングでミリングされてもよい。１つの実現例においては、異なる角度のイオンミリングが、マスク層、書込み磁極層およびキャップ層の各々をミリングするために用いられるように書込み磁極トリミングミリングを含む、３層書込み磁極ミリングプロセスが用いられる。たとえば、１つの実現例においては、特別の高いミリング角度を用いて、高い書込み磁極壁角度を達成する。
【００３０】
図８は、ここに開示された書込み磁極８００の三次元図の例を示す。具体的には、書込み磁極８００は空気軸受面８０２を前に有して示される。書込み磁極８００は記録媒体に関して後縁８０６および前縁８０８を有するよう示される。書込み磁極８００の示された実現例は、マスク層８１０、書込み磁極層８１２、底部層８１４およびキャップ層８１６を含む。キャップ層８１６はスロープ状の形状を有し、ＡＢＳ８０２に近い端部８１８はＡＢＳ８０２から遠い端部８２０より大きな高さを有するように示される。図８の実現例は線形スロープを有するキャップ層８１６を有するように示されている一方で、代替的な実現例においては、キャップ層８１６は湾曲したスロープ、段差構造などを有してもよい。さらに、代替的な実現例においてはキャップ層８１６の頂部表面および底面は互いに平行であり、キャップ層８１６にそのスロープの全体にわたって一様な幅を与えてもよい。キャップ層８１６の断面の高さは、ＡＢＳ８０２からの距離に関する断面の位置に依存する。断面がＡＢＳ８０２に接近しているほど、断面でのキャップ層８１６の高さはより大きい。さらに、図８は、遠端８２４に比較して前端８２２がより狭い、マスク層８１０、書込み磁極層８１２、および底部層８１４の幅を示している一方で、代替的な実現例においては、そのような幅は両端で同様であってもよく、または、それは前端８２２と遠端８２４との間で非線形に変動してもよい。
【００３１】
上記の明細書、例およびデータは、構造の完全な説明、およびこの発明の例示的な実現例の使用を提供する。この発明の多くの実現例は、この発明の精神および範囲から逸脱せずに形成することが可能であるため、この発明は以下の特許請求の範囲にある。さらに、異なる実現例の構造上の特徴は、記載された特許請求の範囲内から逸脱せずに、さらに別の実現例に組み合わせられてもよい。上に記載された実現例および他の実現例は、特許請求の範囲内にある。
【符号の説明】
【００３２】
１３２  書込み磁極層、１３４  キャップ層、１３６  底部層。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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