(57)【要約】【課題】発振器を広帯域化しても、発振器の全同調帯域に渡って低位相雑音化を図る高周波発振源を得る。【解決手段】注入波を生成する基準発振器３と、その基準発振器３の注入波を遅延する遅延処理部４と、その遅延処理部４による遅延後の注入波に同期して発振する注入同期電圧制御発振器１と、注入同期電圧制御発振器１の出力波のうちの注入端子から漏洩する漏洩波と注入波の位相差がゼロになるように移相器７により注入波に与えられる移相量を制御する移相量制御部１１とを備えるように構成した。  よって、位相差検出のために注入同期電圧制御発振器１の出力波のうち、注入端子から漏洩する漏洩波を使用することで、注入同期電圧制御発振器１内で位相が回ることによる誤差の影響を受けずに、発振周波数が可変である注入同期電圧制御発振器１の全同調帯域に渡って低位相雑音化を図ることができる効果を奏する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
注入波を生成する基準発振器と、
上記基準発振器の注入波を遅延する遅延手段と、
上記遅延手段による遅延後の注入波に同期して発振する第一の注入同期発振器と、
上記第一の注入同期発振器の出力波のうちの注入端子から漏洩する漏洩波及び上記遅延手段を介して上記第一の注入同期発振器に入力される注入波の両方を監視し、その監視の結果に応じて上記遅延手段における注入波の移相量を制御する移相量制御手段とを備えた高周波発振源。
【請求項２】
注入波に同期して発振する第一の注入同期発振器と、
上記第一の注入同期発振器の出力波を分配する電力分配器と、
上記電力分配器により分配された出力波を注入波として遅延して、遅延後の注入波を上記第一の注入同期発振器に帰還させる遅延手段と、
上記第一の注入同期発振器の出力波のうちの注入端子から漏洩する漏洩波及び上記遅延手段を介して上記第一の注入同期発振器に帰還される注入波の両方を監視し、その監視の結果に応じて上記遅延手段における注入波の移相量を制御する移相量制御手段とを備えた高周波発振源。
【請求項３】
移相量制御手段は、
漏洩波と注入波の位相差を検出して、その位相差がゼロとなるように遅延手段を通る注入波の移相量を制御することを特徴とする請求項１または請求項２記載の高周波発振源。
【請求項４】
移相量制御手段は、
位相同期回路であることを特徴とする請求項３記載の高周波発振源。
【請求項５】
注入波の周波数が第一の注入同期発振器の発振周波数に等しく、
漏洩波の周波数がその発振周波数の２倍以上の整数倍である高調波であることを特徴とする請求項１から請求項４のうちのいずれか１項記載の高周波発振源。
【請求項６】
移相量制御手段は、
分周器により、漏洩波を第一の注入同期発振器の発振周波数と等しい周波数に変換したのちに、漏洩波と注入波の両方を監視することを特徴とする請求項５記載の高周波発振源。
【請求項７】
遅延手段は、
移相器を用いて注入波の移相量を制御することを特徴とする請求項１から請求項６のうちのいずれか１項記載の高周波発振源。
【請求項８】
遅延手段は、
第二の注入同期発振器を用いて注入波の移相量を制御することを特徴とする請求項１から請求項６のうちのいずれか１項記載の高周波発振源。
【請求項９】
第一の注入同期発振器における注入波の入力経路に増幅器を設けたことを特徴とする請求項１から請求項８のうちのいずれか１項記載の高周波発振源。
【請求項１０】
第一の注入同期発振器における注入波の入力経路にサーキュレータを設け、
上記サーキュレータの入力端子が遅延手段の出力端子側に接続され、
上記サーキュレータの通過端子が上記第一の注入同期発振器の注入端子側に接続され、
上記サーキュレータのアイソレーション端子が無反射終端されていることを特徴とする請求項１から請求項９のうちのいずれか１項記載の高周波発振源。
【請求項１１】
第一の注入同期発振器における注入波の入力経路にサーキュレータを設け、
上記サーキュレータの通過端子が遅延手段の入力端子側に接続され、
上記サーキュレータのアイソレーション端子が無反射終端され、
上記サーキュレータの入力端子から、上記第一の注入同期発振器における注入波が入力されることを特徴とする請求項１から請求項１０のうちのいずれか１項記載の高周波発振源。
【請求項１２】
第一の注入同期発振器における注入波の入力経路にサーキュレータを設け、
上記サーキュレータの入力端子が遅延手段の出力端子側に接続され、
上記サーキュレータの通過端子が上記第一の注入同期発振器の注入端子側に接続され、
上記サーキュレータのアイソレーション端子が移相量制御手段に接続され、上記第一の注入同期発振器の出力波のうちの注入端子から漏洩する漏洩波をその移相量制御手段に出力することを特徴とする請求項１から請求項１１のうちのいずれか１項記載の高周波発振源。
【請求項１３】
第一の注入同期発振器における注入波の入力経路に３つの端子を持つ周波数分配器を設け、
上記周波数分配器の第１の端子が遅延手段の出力端子側に接続され、
上記周波数分配器の第２の端子が上記第一の注入同期発振器の注入端子側に接続され、
上記周波数分配器の第３の端子が移相量制御手段に接続され、
上記周波数分配器の第１の端子から入力された上記第一の注入同期発振器の発振周波数に等しい電波が選択的にその周波数分配器の第２の端子へと出力され、
上記周波数分配器の第２の端子から入力された発振周波数の２倍以上の整数倍である高調波の少なくとも一つの周波数に対する電波が選択的に上記周波数分配器の第３の端子へと出力され、上記第一の注入同期発振器の出力波のうちの注入端子から漏洩する漏洩波の高調波を上記移相量制御手段に入力することを特徴とする請求項１から請求項１１のうちのいずれか１項記載の高周波発振源。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、発振器の位相雑音を広帯域に渡って低減する高周波発振源に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、下記非特許文献１に開示された高周波発振源は、プッシュプッシュ発振器と、電力分配器と、遅延線と、移相器とから構成されている。
この高周波発振源では、プッシュプッシュ発振器が基本波で発振動作を行い、出力端子において、基本波を逆相合成することで相殺して２倍波を出力するようにしている。
２倍波の大部分は負荷に出力されるが、その一部が電力分配器によって分配され、注入波として、遅延線及び移相器を介して、プッシュプッシュ発振器に帰還される。
このとき、プッシュプッシュ発振器の出力波の位相雑音は、その出力波と注入波の位相に応じて変化するため、遅延線及び移相器による移相量を最適に設定することで（例えば、０°または２πの移相量）、低位相雑音の高周波発振源を得ることができる。
しかし、発振器として、電圧制御発振器などの可変周波数発振器が使用される場合、周波数に応じて帰還の移相量が変化してしまうため、発振器の全同調帯域に渡って低位相雑音化を図ることができない課題があった。
【０００３】
この課題を解決する手段としては、例えば、下記特許文献１に開示された高周波発振源が知られている。
特許文献１では、注入波に同期して発振する注入同期発振器と、その注入同期発振器の出力波を分配する電力分配器と、その電力分配器により分配された出力波を遅延して、遅延後の出力波を注入波として注入同期発振器に帰還させる遅延手段とを設け、移相量制御手段が注入同期発振器の出力波又は遅延手段を介して注入同期発振器に帰還される注入波の少なくとも一方を監視し、その監視の結果に応じて遅延手段における出力波の移相量を制御するようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−２５８５１６号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】Phase-Noise Reduction of X-Band Push-Push Oscillator With Second-Harmonic Self-Injection Techniques, IEEE Trans. MTT, vol. 55 No.1 pp.66-77, Jan. 2007
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の高周波発振源は以上のように構成されているので、特許文献１に開示された構成では、電圧制御発振器などの可変周波数発振器が使用される場合でも、周波数に応じて帰還される注入波の移相量を制御することが可能となる。
しかし、移相量制御のための出力波の監視が、注入同期発振器の出力端子から発生した出力波に対して行われているため、注入同期発振器内で位相が回ってしまうことにより誤差を生じ、十分に広帯域に渡って位相雑音を低減させることが難しいなどの課題があった。
【０００７】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、発振器を広帯域化しても、発振器の全同調帯域に渡って低位相雑音化を図る高周波発振源を得ることを目的とする。
【０００８】
この発明の高周波発振源は、注入波を生成する基準発振器と、その基準発振器の注入波を遅延する遅延手段と、その遅延手段による遅延後の注入波に同期して発振する第一の注入同期発振器と、その第一の注入同期発振器の出力波のうちの注入端子から漏洩する漏洩波及び遅延手段を介して第一の注入同期発振器に入力される注入波の両方を監視し、その監視の結果に応じて遅延手段における注入波の移相量を制御する移相量制御手段とを備えたものである。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、注入波を生成する基準発振器と、その基準発振器の注入波を遅延する遅延手段と、その遅延手段による遅延後の注入波に同期して発振する第一の注入同期発振器と、その第一の注入同期発振器の出力波のうちの注入端子から漏洩する漏洩波及び遅延手段を介して第一の注入同期発振器に入力される注入波の両方を監視し、その監視の結果に応じて遅延手段における注入波の移相量を制御する移相量制御手段とを備えるように構成したので、第一の注入同期発振器内で回る位相の影響を受けずに、発振器を広帯域化しても、発振器の全同調帯域に渡って低位相雑音化を図ることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】この発明の実施の形態１による高周波発振源を示す構成図である。
【図２】この発明の実施の形態２による高周波発振源を示す構成図である。
【図３】この発明の実施の形態３による高周波発振源を示す構成図である。
【図４】この発明の実施の形態４による高周波発振源を示す構成図である。
【図５】この発明の実施の形態５による高周波発振源を示す構成図である。
【図６】この発明の実施の形態６による高周波発振源を示す構成図である。
【図７】この発明の実施の形態７による高周波発振源を示す構成図である。
【図８】この発明の実施の形態８による高周波発振源を示す構成図である。
【図９】この発明の実施の形態９による高周波発振源を示す構成図である。
【図１０】この発明の実施の形態１０による高周波発振源を示す構成図である。
【図１１】この発明の実施の形態１０で用いている周波数分配器の具体例を示す回路図である。
【図１２】この発明の実施の形態１０で用いている周波数分配器の具体例を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１による高周波発振源を示す構成図である。
図１において、注入同期電圧制御発振器（第一の注入同期発振器：ＩＬ−ＶＣＯ）１は電圧により出力波の発振周波数が変化する注入同期発振器であり、注入同期電圧制御発振器１は注入波に同期して発振する。
注入同期電圧制御発振器１は出力波を負荷２に出力する。
【００１２】
基準発振器（ＶＣＯ）３は注入波を生成する。
遅延処理部４は注入同期電圧制御発振器１における注入波の入力経路に挿入されており、基準発振器３により発振された注入波を遅延して、遅延後の注入波を注入同期電圧制御発振器１に注入する。
移相器７は伝送線路５，６と共に、遅延処理部４を構成しており、移相量制御部１１により制御される移相量を注入波に与えることで、遅延処理部４から出力される注入波の位相を変える。
なお、遅延処理部４は遅延手段を構成している。
【００１３】
カプラ８は遅延処理部４を介して注入同期電圧制御発振器１に入力される注入波及び注入同期電圧制御発振器１の出力波のうち、注入端子から漏洩する漏洩波を検出するために、それぞれの電波の一部を検出処理部１０に出力している。
検出処理部１０はカプラ８の出力波を監視して、漏洩波と注入波の位相差を検出する。
移相量制御部１１は検出処理部１０により検出された位相差がゼロになるように、移相器７により注入波に与えられる移相量を制御する。
なお、検出処理部１０及び移相量制御部１１から移相量制御手段９が構成されている。
【００１４】
次に動作について説明する。
注入同期電圧制御発振器１は、遅延処理部４を介して入力される注入波に同期して発振する。
遅延処理部４の移相器７は、基準発振器３から注入波を受けると、移相量制御部１１により制御される移相量を注入波に与えることで、その注入波を遅延して、遅延後の注入波を注入同期電圧制御発振器１に入力させる。
【００１５】
カプラ８は、遅延処理部４を介して注入同期電圧制御発振器１に入力される注入波及び注入同期電圧制御発振器１の出力波のうち、注入端子から漏洩する漏洩波を検出するために、それぞれの電波の一部を検出処理部１０に出力している。
【００１６】
検出処理部１０は、例えば、ミクサや位相比較器などを用いて、カプラ８の出力波を監視して、注入同期電圧制御発振器１の出力波のうち、注入端子から漏洩する漏洩波と注入同期電圧制御発振器１に注入される注入波の位相差を検出する。
【００１７】
移相量制御部１１は、検出処理部１０が漏洩波と注入波の位相差を検出すると、その位相差がゼロになるように、移相器７により注入波に与えられる移相量を制御する。
これにより、移相量制御部１１が、漏洩波と注入波の位相差がゼロになると、所望波が同相合成される一方、位相雑音が同相合成されずに低減される。
ここでは、移相量制御部１１が、漏洩波と注入波の位相差がゼロになるように、移相器７の移相量を自動制御するものについて示したが、ユーザが検出処理部１０の検出結果を参照して、手動で移相器７の移相量を制御するようにしてもよい。
【００１８】
以上で明らかなように、この実施の形態１によれば、注入波を生成する基準発振器３と、その基準発振器３の注入波を遅延する遅延処理部４と、その遅延処理部４による遅延後の注入波に同期して発振する注入同期電圧制御発振器１と、注入同期電圧制御発振器１の出力波のうちの注入端子から漏洩する漏洩波と注入波の位相差がゼロになるように移相器７により注入波に与えられる移相量を制御する移相量制御部１１とを備えるように構成した。
よって、位相差検出のために注入同期電圧制御発振器１の出力波のうち、注入端子から漏洩する漏洩波を使用することで、注入同期電圧制御発振器１内で位相が回ることによる誤差の影響を受けずに、発振周波数が可変である注入同期電圧制御発振器１の全同調帯域に渡って低位相雑音化を図ることができる効果を奏する。
【００１９】
なお、この実施の形態１では、検出処理部１０が漏洩波と注入波の位相差を検出し、移相量制御部１１が漏洩波と注入波の位相差がゼロになるように、移相器７により注入波に与えられる移相量を制御するものについて示したが、検出処理部１０が漏洩波と注入波における位相雑音のレベルを測定し、移相量制御部１１が検出処理部１０により測定された位相雑音のレベルが低減するように、移相器７により入力波に与えられる移相量を制御するようにしてもよい。
この場合も、注入同期電圧制御発振器１内で位相が回ることによる誤差の影響を受けずに、注入同期電圧制御発振器１の全同調帯域に渡って低位相雑音化を図ることができる効果を奏する。
【００２０】
実施の形態２．
図２はこの発明の実施の形態２による高周波発振源を示す構成図であり、図において、図１と同一符号は同一又は相当部分を示すので説明を省略する。
【００２１】
電力分配器２１は注入同期電圧制御発振器１の出力波を分配して、その出力波の大部分を外部の負荷２に出力するとともに、その出力波の一部を注入波として遅延処理部４に出力する。
遅延処理部４に出力された電波は、当然ながら、注入同期電圧制御発振器１の発振周波数と同一周波数であることから、上記実施の形態１で示した注入波と全く同じ役割を果たす。
【００２２】
よって、この実施の形態２でも、上記実施の形態１と同様に、注入同期電圧制御発振器１内で位相が回ることによる誤差の影響を受けずに、注入同期電圧制御発振器１の全同調帯域に渡って低位相雑音化を図ることができる効果を奏する。
【００２３】
実施の形態３．
図３はこの発明の実施の形態３による高周波発振源を示す構成図であり、図において、図３と同一符号は同一又は相当部分を示すので説明を省略する。
【００２４】
位相同期回路３１はＰＬＬ（Ｐｈａｓｅ  Ｌｏｃｋｅｄ  Ｌｏｏｐ）であり、注入同期電圧制御発振器１の漏洩波と注入同期電圧制御発振器１に注入される注入波の位相がゼロになるように、移相器７により注入波に与えられる移相量を制御する。
なお、位相同期回路３１は移相量制御手段を構成している。
【００２５】
位相同期回路３１の位相比較器３２はカプラ８を介した漏洩波と注入波の位相を比較して、その漏洩波と注入波の位相差を検出する。
位相同期回路３１のループフィルタ３３は位相比較器３２により検出された位相差に応じた電圧の高周波成分を除去して移相器７に印加し、移相器７の移相量を制御する。
【００２６】
次に動作について説明する。
注入同期電圧制御発振器１は、遅延処理部４を介して注入される注入波に同期して発振する。
遅延処理部４の移相器７は、位相同期回路３１から出力される電圧によって制御される移相量が設定され、注入波を受けると、その移相量を注入波に与えることで、その注入波を遅延して、遅延後の注入波を注入同期電圧制御発振器１に入力させる。
【００２７】
カプラ８は、遅延処理部４を介して注入同期電圧制御発振器１に入力される注入波及び注入同期電圧制御発振器１の出力波のうち、注入端子から漏洩する漏洩波を検出するために、それぞれの電波の一部を位相同期回路１２に出力している。
【００２８】
位相同期回路３１の位相比較器３２は、カプラ８を介した漏洩波と注入波の位相を比較することで、その漏洩波と注入波の位相差を検出する。
なお、位相同期回路３１において、漏洩波と注入波の位相を比較するために、プリスケーラや分周器などを用いて、周波数の変換を行うことは自明である。
位相同期回路３１のループフィルタ３３は、位相比較器３２が漏洩波と注入波の位相差を検出すると、その位相差に応じた電圧の高周波成分を除去して移相器７に印加することで、その位相差がゼロになるように移相器７の移相量を制御する。
これにより、漏洩波と注入波の位相差がゼロになると、所望波が同相合成される一方、位相雑音が同相合成されずに低減する。
【００２９】
よって、この実施の形態３でも、上記実施の形態１と同様に、注入同期電圧制御発振器１内で位相が回ることによる誤差の影響を受けずに、注入同期電圧制御発振器１の全同調帯域に渡って低位相雑音化を図ることができる効果を奏する。
【００３０】
実施の形態４．
図４はこの発明の実施の形態４による高周波発振源を示す構成図であり、図において、図３と同一符号は同一又は相当部分を示すので説明を省略する。
【００３１】
位相同期回路３１のミクサ４１は、カプラ８を介した漏洩波と注入波の位相を比較することで、その漏洩波と注入波の位相差を検出する。
ミクサの場合、その位相差に応じた電圧は、位相差が９０°になったときにゼロとなるため、漏洩波と注入波の位相差をゼロにするための制御方法として、ミクサ４１に入力する電波の少なくとも一方に移相器４２を用いて、比較を行う周波数において９０°の位相差を持たせる必要がある。
【００３２】
これにより、ミクサ４１を用いた実施の形態４でも、上記実施の形態３と同様に、注入同期電圧制御発振器１内で位相が回ることによる誤差の影響を受けずに、注入同期電圧制御発振器１の全同調帯域に渡って低位相雑音化を図ることができる効果を奏する。
なお、ミクサ４１を用いた位相同期回路３１において、移相器４２ではなく伝送線路を用いて９０°の位相差を持たせてもよい。
また、移相器４２もしくは伝送線路は漏洩波の伝送経路及び注入波の伝送経路のどちらに配置してもよい。
【００３３】
実施の形態５．
図５はこの発明の実施の形態５による高周波発振源を示す構成図であり、図において、図１と同一符号は同一又は相当部分を示すので説明を省略する。
【００３４】
遅延処理部４の注入同期電圧制御発振器（第二の注入同期発振器）５１は、注入同期電圧制御発振器１の注入波の入力経路に挿入されており、その出力波を注入波として注入同期電圧制御発振器１に注入させる。
注入同期電圧制御発振器１の漏洩波と注入波の位相差を検出し、移相量制御部１１からの出力電圧が注入同期電圧制御発振器５１の制御電圧端子に接続されている。
注入同期電圧制御発振器５１の出力波には制御電圧による自励発振周波数と注入波周波数の差に比例する位相差を生じることから、漏洩波と注入波の位相差に対応した移相量制御部１１からの出力電圧が注入同期電圧制御発振器５１の制御電圧として印加されることで、注入波の位相を遅延させて出力する遅延処理部４としての役割を、上記実施の形態１に示す移相器７の代わりに果たしている。
【００３５】
したがって、この実施の形態５においても、注入同期電圧制御発振器１内で位相が回ることによる誤差の影響を受けずに、注入同期電圧制御発振器１の全同調帯域に渡って低位相雑音化を図ることができる効果を奏する。
【００３６】
実施の形態６．
図６はこの発明の実施の形態６による高周波発振源を示す構成図であり、図において、図１と同一符号は同一又は相当部分を示すので説明を省略する。
【００３７】
増幅器６１は注入同期電圧制御発振器１における注入波の入力経路に挿入されており、注入波の電力を増幅する。
この実施の形態６では、増幅器６１が遅延処理部４から出力された注入波の電力を増幅して、注入同期電圧制御発振器１に与える注入波の電力を高めているので、上記実施の形態１よりも、注入同期電圧制御発振器１における同期が容易になる効果が得られる。
【００３８】
実施の形態７．
図７はこの発明の実施の形態７による高周波発振源を示す構成図であり、図において、図１と同一符号は同一又は相当部分を示すので、説明を省略する。
【００３９】
サーキュレータ７１は注入同期電圧制御発振器１における注入波の入力経路に挿入されており、サーキュレータ７１の入力端子は遅延処理部４の出力端子と接続され、サーキュレータ７１の通過端子が注入同期電圧制御発振器１の注入端子側に接続され、サーキュレータ７１のアイソレーション端子が終端抵抗７２と接続されて、無反射終端されている。
このため、遅延処理部４における反射を抑制することで、スプリアスを抑制することができる効果を奏する。
【００４０】
実施の形態８．
図８はこの発明の実施の形態８による高周波発振源を示す構成図であり、図において、図２と同一符号は同一又は相当部分を示すので、説明を省略する。
【００４１】
図は実施の形態２と同様に、電力分配器２により注入同期電圧制御発振器１の出力波の一部を遅延処理部４に出力する。
サーキュレータ８１は注入同期電圧制御発振器１における注入波の入力経路に挿入されており、サーキュレータ８１の入力端子は電力分配器２の出力端子と接続され、サーキュレータ８１の通過端子は遅延処理部４の入力端子と接続され、サーキュレータ８１のアイソレーション端子は終端抵抗８２と接続されて、無反射終端されている。
このため、遅延処理部４における反射を抑制することで、スプリアスを抑制することができる効果を奏する。
なお、この実施の形態８では、図２を対象にして、電力分配器２と遅延処理部４の間にサーキュレータ８１及び終端抵抗８２を設けたが、図１を対象にして、基準発振器３と遅延処理部４の間にサーキュレータ８１及び終端抵抗８２を設けてもよい。
【００４２】
実施の形態９．
図９はこの発明の実施の形態９による高周波発振源を示す構成図であり、図において、図１と同一符号は同一又は相当部分を示すので、説明を省略する。
【００４３】
サーキュレータ９１は注入同期電圧制御発振器１における注入波の入力経路に挿入されており、サーキュレータ９１の入力端子は遅延処理部４の出力端子側に接続され、サーキュレータ９１の通過端子が注入同期電圧制御発振器１の注入端子に接続され、サーキュレータ９１のアイソレーション端子が、検出処理部１０に接続され、注入同期電圧制御発振器１の漏洩波を検出処理部１０に出力している。
カプラ９２は、注入波に相当する電波のみを検出処理部１０に出力している。
【００４４】
上記実施の形態１と比較して、漏洩波を検出処理部１０に出力する方法としてカプラ８の代わりにサーキュレータ９１を用いた回路であり、注入波に関しては上記実施の形態１におけるカプラ８と実施の形態９におけるカプラ９２の役割は同一である。
したがって、その他基本動作において違いがないことから、実施の形態９においても、注入同期電圧制御発振器１内で位相が回ることによる誤差の影響を受けずに、注入同期電圧制御発振器１の全同調帯域に渡って低位相雑音化を図ることができる効果を奏する。
なお、図９では、サーキュレータ９１の入力端子側にカプラ９２を示したが、カプラ９３がサーキュレータ９１の通過端子側にあっても同じ効果が得られることは自明である。
【００４５】
実施の形態１０．
図１０はこの発明の実施の形態１０による高周波発振源を示す構成図であり、図において、図１と同一符号は同一又は相当部分を示すので、説明を省略する。
【００４６】
周波数分配器１０１は、３つの端子を持ち、周波数分配器１０１の第１の端子が遅延処理部４の出力端子側に接続され、周波数分配器１０１の第２の端子が注入同期電圧制御発振器１の注入端子に接続され、周波数分配器１０１の第３の端子が検出処理部１０に接続されている。
【００４７】
周波数分配器１０１の第１の端子から入力された発振周波数に等しい電波が選択的に周波数分配器１０１の第２の端子へと出力され、周波数分配器１０１の第２の端子から入力された発振周波数の２倍以上の整数倍である高調波の少なくとも一つの周波数に対する電波が選択的に周波数分配器１０１の第３の端子へと出力されることにより、漏洩波の高調波を選択的に検出処理部１０に出力することができる。
なお、検出処理部１０では、例えば、内蔵する分周器（図示せず）により、漏洩波の高調波を発振周波数と等しい周波数に変換したのちに、注入波との位相差を検出する。
【００４８】
実施の形態１０に示す回路は、漏洩波の高調波を用いる点に限定すれば、上記実施の形態９に示す回路と同じ動作を示すことから、実施の形態１０においても、注入同期電圧制御発振器１内で位相が回ることによる誤差の影響を受けずに、注入同期電圧制御発振器１の全同調帯域に渡って低位相雑音化を図ることができる効果を奏する。
【００４９】
なお、実施の形態１０に示す周波数分配器として、高調波が発振周波数の２倍である場合の、具体的な回路例を、図１１及び図１２に示す。
図１１は集中定数素子を用いた回路例である。
図１１において、第１の端子、第２の端子間には発振周波数の２倍の周波数でオープンとなるような並列共振回路１１１を、第２の端子、第３の端子間には発振周波数においてオープンとなるような並列共振回路１１２を設けている。
この回路により、第１の端子から入力された発振周波数に等しい電波は選択的に第２の端子へと出力され、第２の端子から入力された発振周波数の２倍の電波波は選択的に第３の端子へと出力される。
【００５０】
図１２は伝送線路、オープンスタブ、ショートスタブを用いた回路例である。
図１２において、第１の端子、第２の端子間は、２倍波に対するλ／４伝送線路１２１及びλ／４長オープンスタブ１２２により２倍波を選択的に遮断し、λ／４長ショートスタブ１２３により基本波の整合をとり、基本波を選択的に通過させている。
一方で、第２の端子、第３の端子間は基本波に対するλ／４伝送線路１２４及びλ／４長オープンスタブ１２５により基本波を選択的に遮断し、２倍波を選択的に通過させている。
この回路により、第１の端子から入力された発振周波数に等しい電波は選択的に第２の端子へと出力され、第２の端子から入力された発振周波数の２倍の電波は選択的に第３の端子へと出力される。
【００５１】
なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。
【符号の説明】
【００５２】
１  注入同期電圧制御発振器（第一の注入同期発振器）、２  負荷、３  基準発振器、４  遅延処理部、５，６  伝送線路、７，４２  移相器、８，９２  カプラ、９  移相量制御手段、１０  検出処理部、１１  移相量制御部、２１  電力分配器、３１  位相同期回路、３２  位相比較器、３３  ループフィルタ、４１  ミクサ、５１  注入同期電圧制御発振器（第二の注入同期発振器）、６１  増幅器、７１，８１，９１サーキュレータ、７２，８２  終端抵抗、１０１  周波数分配器、１１１，１１２  並列共振回路、１２１，１２４  λ／４伝送線路、１２２，１２５  λ／４長オープンスタブ、１２３  λ／４長ショートスタブ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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