(57)【要約】【課題】溶断したヒューズに起因する不具合を発生することなく回路を適切に保護できる過電流保護装置、過電流保護方法、プログラム及び媒体を提供すること。【解決手段】本発明の過電流保護装置１は、主回路２、３の高電圧部Ｐの電荷を放電する放電手段Ｍ１と、放電手段Ｍ１の通電電流を検出する検出手段４ａと、放電手段Ｍ１を制御する制御手段４ｂと、制御手段４ｂに高電圧部Ｐからの電力に基づいて電源を供給する電源用素子Ｍ３、Ｍ４を含む電源回路５と、放電手段Ｍ１の高圧側に設置される溶断部Ｈ１と、を含み、制御手段４ｂが放電手段Ｍ１をオンとしない場合で検出手段４ａが通電電流を検出する場合には、電源用素子Ｍ３、Ｍ４の主極間に高電圧部Ｐからの電力の印加を行って溶断部Ｈ１を加熱する印加手段４ｃを含むことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主回路の高圧側に設置される溶断部と、前記主回路とは異なる制御をされる副回路と、前記副回路に配設された素子を含み、前記溶断部に流れる電流量は、前記素子の発生する熱により制御されることを特徴とする過電流保護装置。
【請求項２】
前記素子を複数含み、前記溶断部は隣接する前記素子の間に配置されることを特徴とする請求項１に記載の過電流保護装置。
【請求項３】
制御基板を含み、当該制御基板内に前記素子と前記溶断部の背面側を熱的に接続する伝熱板を含むことを特徴とする請求項２に記載の過電流保護装置。
【請求項４】
前記伝熱板は前記素子の相互を接続する接続板を兼ねることを特徴とする請求項３に記載の過電流保護装置。
【請求項５】
主回路の高電圧部の電荷を放電する放電手段と、当該放電手段の通電電流を検出する検出手段と、前記放電手段を制御する制御手段と、当該制御手段に前記高電圧部からの電力に基づいて電源を供給する電源用素子を含む電源回路と、前記放電手段の高圧側に設置される溶断部と、を含み、前記制御手段が前記放電手段をオンとしない場合で前記検出手段が前記通電電流を検出する場合には、前記電源用素子の主極間に前記高電圧部からの電力の印加を行って前記溶断部を加熱する印加手段を含むことを特徴とする過電流保護装置。
【請求項６】
前記印加手段は前記印加の量を漸次増大させることを特徴とする請求項５に記載の過電流保護装置。
【請求項７】
前記印加の後に、前記検出手段が前記通電電流を検出しない場合には、前記印加手段は前記印加を停止することを特徴とする請求項６に記載の過電流保護装置。
【請求項８】
前記印加手段の前記印加の停止に伴わせて、前記印加による前記溶断部の溶断の発生を含む情報を、前記制御手段以外の他制御手段へ通知する通知手段を含むことを特徴とする請求項７に記載の過電流保護装置。
【請求項９】
前記制御手段と前記検出手段と前記印加手段は一の集積回路で構成され、当該集積回路が実装される制御基板内に前記電源用素子と前記溶断部を隣接させて実装配置されることを特徴とする請求項８に記載の過電流保護装置。
【請求項１０】
前記電源用素子を前記電源回路は複数含み、前記溶断部は隣接する前記電源用素子の間に配置されることを特徴とする請求項９に記載の過電流保護装置。
【請求項１１】
前記制御基板内に前記電源用素子と前記溶断部の背面側を熱的に接続する伝熱板を含むことを特徴とする請求項６〜１０のいずれか一項に記載の過電流保護装置。
【請求項１２】
前記伝熱板は前記電源用素子の相互を接続する接続板を兼ねることを特徴とする請求項１１に記載の過電流保護装置。
【請求項１３】
主回路の高電圧部の電荷を放電用抵抗に放電しない場合において当該放電用抵抗における通電電流を検出する検出ステップと、当該検出ステップにおいて前記通電電流を検出する場合には、前記放電ステップを制御する制御手段に前記高電圧部からの電力に基づいて電源を供給する電源用素子の主極間に前記高電圧部からの電力の印加を行って前記放電用抵抗の高圧側に設置される溶断部を加熱する印加ステップを含むことを特徴とする過電流保護方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の過電流保護方法を実行するプログラム。
【請求項１５】
請求項１４に記載のプログラムを格納した媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、過電流による素子や回路の不具合発生をヒューズの溶断により防止する過電流保護装置、過電流保護方法、プログラム及び媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）や抵抗等の受動素子を含む回路の保護のためにヒューズを用いる技術は例えば下記の特許文献１に開示されるものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１５３９４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところがこのような装置においては、ヒューズを接地するための別個の半導体素子を設けてヒューズそのものを過電流により溶断して素子や回路を保護するため、溶断したヒューズの飛散による不具合が発生するおそれがあった。
【０００５】
そこで本発明は、溶断したヒューズに起因する不具合を発生することなく回路を適切に保護できる過電流保護装置、過電流保護方法、プログラム及び媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の問題を解決するため、本発明に係る過電流保護装置は、主回路の高圧側に設置される溶断部と、前記主回路とは異なる制御をされる副回路と、前記副回路に配設された素子を含み、前記溶断部に流れる電流量は、前記素子の発生する熱により制御されることを特徴とする。ここで、前記素子を複数含み、前記溶断部は隣接する前記素子の間に配置されることとし、制御基板を含み、当該制御基板内に前記素子と前記溶断部の背面側を熱的に接続する伝熱板を含むこととし、前記伝熱板は前記素子の相互を接続する接続板を兼ねることとしてもよい。
【０００７】
上記の問題を解決するため、本発明に係る過電流保護装置は、主回路の高電圧部の電荷を放電する放電手段と、当該放電手段の通電電流を検出する検出手段と、前記放電手段を制御する制御手段と、当該制御手段に前記高電圧部からの電力に基づいて電源を供給する電源用素子を含む電源回路と、前記放電手段の高圧側に設置される溶断部と、を含み、前記制御手段が前記放電手段をオンとしない場合で前記検出手段が前記通電電流を検出する場合には、前記電源用素子の主極間に前記高電圧部からの電力の印加を行って前記溶断部を加熱する印加手段を含むことを特徴とする。
【０００８】
ここで、前記印加手段は前記印加の量を漸次増大させることとしてもよく、前記印加の後に、前記検出手段が前記通電電流を検出しない場合には、前記印加手段は前記印加を停止することとしてもよく、前記印加手段の前記印加の停止に伴わせて、前記印加による前記溶断部の溶断の発生を含む情報を、前記制御手段以外の他制御手段へ通知する通知手段を含むこととしてもよい。
【０００９】
なお、前記制御手段と前記検出手段と前記印加手段は一の集積回路で構成され、当該集積回路が実装される制御基板内に前記電源用素子と前記溶断部を隣接させて実装配置されることとしてもよく、前記電源用素子を前記電源回路は複数含み、前記溶断部は隣接する前記電源用素子の間に配置されることとしてもよく、前記制御基板内に前記電源用素子と前記溶断部の背面側を熱的に接続する伝熱板を含むこととしてもよく、前記伝熱板は前記電源用素子相互を接続する接続板を兼ねることとしてもよい。
【００１０】
また本発明に係る過電流保護方法は、主回路の高電圧部の電荷を放電用抵抗に放電しない場合において当該放電用抵抗における通電電流を検出する検出ステップと、当該検出ステップにおいて前記通電電流を検出する場合には、前記放電ステップを制御する制御手段に前記高電圧部からの電力に基づいて電源を供給する電源用素子の主極間に前記高電圧部からの電力の印加を行って前記放電用抵抗の高圧側に設置される溶断部を加熱する印加ステップを含むことを特徴とする。本発明に係るプログラムは前記過電流保護方法を実行するプログラムであり、本発明に係る媒体は前記プログラムを格納した媒体である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、副回路の含む素子又は制御回路の電源回路の含む電源用素子の電力印加に基づく発熱により、溶断部を加熱して少量の通電電流で溶断に至らしめて、主回路の溶断部よりも接地側に位置する回路を適切に保護することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明による実施例の過電流保護装置１の一実施形態を示す模式図である。
【図２】実施例の過電流保護装置１の電源用素子とヒューズの実装態様（ａ）（ｂ）と加熱態様（ｃ）を示す模式図である。
【図３】実施例の過電流保護装置１のヒューズの周囲温度と定格電流比の相関を示す模式図である。
【図４】実施例の過電流保護装置１の制御内容を示すフローチャートである。
【図５】比較例の過電流保護装置１０１の回路構成を示す模式図である。
【図６】実施例の過電流保護装置１の他実施形態を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明を実施するための形態について、添付図面を参照しながら説明する。
【実施例】
【００１４】
本実施例の過電流保護装置１は、図１に示すように、主回路を構成するコンバータ２、インバータ３の高電圧部Ｐの電荷を放電する放電専用ＩＧＢＴＭ１（放電手段）と、放電用抵抗Ｒ１と、放電専用ＩＧＢＴＭ１のリーク電流（通電電流）を放電検出用抵抗Ｒ２により検出する検出手段４ａと、放電専用ＩＧＢＴＭ１のオンオフを制御する制御手段４ｂとを含む。
【００１５】
さらに過電流保護装置１は、制御手段４ｂに高電圧部Ｐからの電力に基づいて電源を供給する電源用素子Ｍ３、Ｍ４（素子）と、ツェナーダイオードＴＤ、発熱制御用抵抗Ｒ３を含む電源回路５（副回路）と、放電専用ＩＧＢＴＭ１、放電用抵抗Ｒ１の高圧側に設置されるヒューズＨ１（溶断部）と、を含む。
【００１６】
また、過電流保護回路１は、制御手段４ｂが放電専用ＩＧＢＴＭ１をオンとしない場合で検出手段４ａがリーク電流（通電電流）を検出する場合には、放電専用ＩＧＢＴＭ１がオン故障しているとみなして、電源用素子Ｍ３、Ｍ４の主極間に高電圧部Ｐからの電力の印加を行ってヒューズＨ１を加熱する印加手段４ｃを含む。
【００１７】
図１に示すコンバータ２、インバータ３を含む主回路は例えばハイブリッド車用の図示しないＭＧＥＣＵ（他制御手段：ＨＶＥＣＵでもよい）の制御に基づいてモータジェネレーターＭＧ１、ＭＧ２を制御するものである。主回路は高圧バッテリＨＢの電圧をフィルタコンデンサＣ１とリアクトルＬを含む平滑回路及びコンバータ２の含む二のＩＧＢＴにより昇圧して、昇圧した電圧を平滑コンデンサＣ２からインバータ３の含む六つのＩＧＢＴによりそれぞれＵ相Ｖ相Ｗ相に変換した電力をモータジェネレーターＭＧ１、ＭＧ２に供給して駆動制御を行う。主回路は回生制動時には逆方向の電力の変換を行って高圧バッテリＨＢを充電する。なお、高圧バッテリＨＢの接地側にはシステムメインリレーＳＭＲが配置されている。
【００１８】
ここで、検出手段４ａと制御手段４ｂと印加手段４ｃは一のＡＳＩＣ４（集積回路）で構成される。なお、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）は電子部品の種別の一つを指し、特定の用途向けに複数機能の回路を一つにまとめた集積回路の総称である。ＡＳＩＣ４はデジタル回路が一般的であるが、アナログ回路を含んでいてもよい。印加手段４ｃの出力最終段の発熱制御用スイッチＳＷ１はここではデジタル回路上の半導体素子で構成するが、アナログ回路のリレーで構成してもよい。発熱制御用抵抗Ｒ３については本実施例ではＡＳＩＣ４に対して外付けタイプとして調整を容易なものとしている。
【００１９】
電源回路５は、電源用素子Ｍ３のエミッタと電源用素子Ｍ４のコレクタを直列接続しさらに電源用素子Ｍ４のエミッタを発熱制御用スイッチＳＷ１及び発熱制御用抵抗Ｒ３を直列接続して、それぞれの制御端子であるベースに二段の降圧用抵抗で降圧した電圧を印加するとともに、この二段の降圧用抵抗にツェナーダイオードＴＤを直列に接続して、構成される。電源回路５は、高電圧部Ｐの高電圧をＡＳＩＣ４の動作に適した低電圧に変換して出力する所謂シリーズ電源である。なお電源用素子の段数は降圧の程度に応じて決まる素子毎の熱容量により定まるものであり、二段以外の数であってもよい。
【００２０】
ここで、印加手段４ｃは発熱制御スイッチＳＷ１のデューティ比を徐々に上げて電源用素子Ｍ３、Ｍ４の主極間への電力の印加の量を漸次増大させるものとする。また、印加手段４ｃは、印加の後に、検出手段４ａがリーク電流を検出しない場合には、ヒューズＨ１が溶断に至ったものと判断して、印加を停止することとする。さらに、ＡＳＩＣ４は、印加手段４ｃの印加の停止に伴わせて、印加によるヒューズＨ１の溶断の発生と放電専用ＩＧＢＴＭ１による放電が不可となった旨を含む情報を、制御手段４ｂ以外の他制御手段であるＭＧＥＣＵへ通知する通知手段４ｄを含む。
【００２１】
なお、本実施例では、図２（ａ）の制御基板６の正面視に示すように、ＡＳＩＣ４が実装される図示しない例えばガラスエポキシ基板よりなる制御基板６内に電源用素子Ｍ３、Ｍ４とヒューズＨ１を隣接させて実装配置されることとしている。この場合ヒューズＨ１は表面実装タイプを選択する。また、本実施例では電源用素子Ｍ３、Ｍ４を電源回路５は二つつまり複数含んでおり、図２（ａ）のＡＡ断面である図２（ｂ）に示すように、ヒューズＨ１は隣接する電源用素子Ｍ３、Ｍ４の間に挟まれる形態にて配置されることとしている。
【００２２】
図２（ｂ）に示すように、高電圧部Ｐ側の電源用素子Ｍ３のコレクタＣは銅配線７に半田接合部８を介して電気的に接続される。電源用素子Ｍ３のエミッタＥは銅配線９の高電圧部Ｐ側の正面側に半田接合部１０を介して電気的、熱的に接続され、電源用素子Ｍ４のコレクタＣは銅配線９の発熱制御用スイッチＳＷ１側の正面側に半田接合部１１を介して電気的、熱的に接続される。発熱制御用スイッチＳＷ１側の電源用素子Ｍ４のエミッタＥは銅配線１２に半田接合部１３を介して電気的に接続される。
【００２３】
すなわち、本実施例では、制御基板６内の銅配線９は、電源用素子Ｍ３、Ｍ４とヒューズＨ１の背面側を熱的に接続する伝熱板を構成するとともに、電源用素子Ｍ３、Ｍ４相互を電気的に接続する接続板を兼ねる。銅配線７と銅配線９は制御基板６内にて相互に間隔を置いて配置され絶縁され、銅配線９と銅配線１２も相互に間隔を置いて配置され絶縁される。電源用素子Ｍ３、Ｍ４の図２（ｂ）の左右方向の間隙にヒューズＨ１が配置されることから、銅配線９を介しての背面からの熱伝導に加えて、電源用素子Ｍ３の側面及び電源用素子Ｍ４の側面からの輻射熱によってもヒューズＨ１は加熱される。
【００２４】
つまり図２（ｃ）に示すように、図２（ｂ）のＡＡ断面内における電源用素子Ｍ３の熱分布と電源用素子Ｍ４の熱分布は上に凸の破線曲線状となり、この双方の熱分布を合成した合成熱分布は左右方向において電源用素子Ｍ３と電源用素子Ｍ４の中間をピークとする実線曲線状となる。ここで合成熱分布によりヒューズＨ１が実際に加熱されて発生するヒューズＨ１の熱分布は合成熱分布に対して伝熱比Ｙ（＜１）だけ小さいものとなる。
【００２５】
ここでヒューズＨ１を加熱して溶断に至らしめる必要条件について述べる。図３に示すように、ヒューズＨ１は横軸に周囲温度（Ambient temperature:℃）、縦軸に定格電流比（Percent rated current:％）を取ると、周囲温度Ｔ０からＴ１（＞Ｔ０）までは定格電流比は１００％を保ち、Ｔ１からＴ２（＞Ｔ１）に至るまで徐々に定格電流比が０％に低下する性質を有している。
【００２６】
すなわち定格電流比が０％となる周囲温度Ｔ２までヒューズＨ１を電源用素子Ｍ３、Ｍ４により加熱することにより、放電専用ＩＧＢＴＭ１がオン故障することによる微弱なリーク電流によってヒューズＨ１を溶断に至らしめることができる。
【００２７】
また、電源用素子Ｍ３、Ｍ４の熱抵抗をＸ（℃／Ｗ）とし、上述したように、熱源である電源用素子Ｍ３、Ｍ４から伝熱と輻射によりヒューズＨ１に伝達される伝達比をＹとすると、必要な消費電力Ｚ＝（Ｔ２−Ｔ１）／Ｘ／Ｙ（Ｗ）となる。消費電力Ｚを電源用素子Ｍ３、Ｍ４の電圧で除した電流にＡＳＩＣ４の電圧を乗じたＡＳＩＣ４の消費電力が熱によりＡＳＩＣとしての機能が損なわれない範囲となるようにＡＳＩＣ４の電圧と発熱制御用抵抗Ｒ３と伝達比Ｙを設定する。
【００２８】
上述した本実施例の過電流保護装置１のＡＳＩＣ４の制御内容について図４に示すフローチャートを用いて詳述する。ステップＳ１に示すように、ＡＳＩＣ４の制御手段４ｂは放電専用ＩＧＢＴＭ１のベースに対してオン信号は印加せず、オフ制御が保持されている状態で、ＡＳＩＣ４の検出手段４ａが放電検出用抵抗Ｒ２の端子間電圧を監視することにより、放電専用ＩＧＢＴＭ１のコレクタとエミッタの間にリーク電流が流れるか否かつまり「リーク有り」であるか否かについて判定する。
【００２９】
ステップＳ１において肯定である場合にはステップＳ２にすすみ、否定である場合にはステップＳ１の手前に戻る。ステップＳ２において、ＡＳＩＣ４の印加手段４ｃは高電圧部Ｐ側からの電力を電源用素子Ｍ３のコレクタと電源用素子Ｍ４のエミッタ間に印加して発熱させるように、発熱制御用スイッチＳＷ１をオンとする。ステップＳ２の発熱処理の後、ＡＳＩＣ４はステップＳ１と同様の「リーク有り」であるか否かの判定を行い、判定が肯定である間はステップＳ２を継続し、判定が否定となるとステップＳ４にすすむ。
【００３０】
ステップＳ４において、ＡＳＩＣ４の印加手段４ｃは発熱制御用スイッチＳＷ１をオフとして、電源用素子Ｍ３、Ｍ４への電力の印加を停止して発熱を停止させる。続いてステップＳ４において、ＡＳＩＣ４の通知手段４ｄは、上述したＭＧＥＣＵに「ヒューズＨ１が溶断した（飛ばした）旨と放電不可である旨を含む情報」を送信する。
【００３１】
なお図４に示すフローチャートはＳＴＡＲＴからＥＮＤまで繰り返し実行され本発明の過電流防止方法は繰り返し実行される。また、ＡＳＩＣ４は本発明のプログラムを格納した媒体を予め含む。
【００３２】
以上述べた本実施例の過電流保護装置１及び過電流保護方法によれば、以下の作用効果を得ることができる。つまり、放電専用ＩＧＢＴＭ１がオン故障を起こしている場合に発生するリーク電流を検出して、電源用素子Ｍ３、Ｍ４に電力を印加することにより、ヒューズＨ１の周囲温度を図３に示すＴ２まで徐々に上昇させ、少量のリーク電流によりヒューズＨ１を溶断に至らしめることができる。つまりヒューズに流すことが可能な電流量、換言すれば、ヒューズを溶断に至らしめるために必要な電流量は、素子の発熱により変化する。すなわち、前述した電流量は、素子の発生する熱量に基づいて制御される。これにより、放電専用ＩＧＢＴＭ１や放電用抵抗Ｒ１を適切に保護することができる。
【００３３】
また、上述した別途のヒューズ切断用ＩＧＢＴＭ２を用いる回路形態は図５に示すような形態となるが、この場合は別途のＩＧＢＴが必要となり部品点数の増大を招き、かつ、表面実装タイプでないヒューズＨ２を直接接地するため大電流が流れて溶断後の部材が散乱することを招く。
【００３４】
これに対し本実施例では、ヒューズＨ１を溶断するにあたって上述した少量のリーク電流を流すこととしているので、ヒューズＨ１が溶断後に散乱して種々の不都合を招くことを防止することができる。また、ヒューズＨ１を加熱するにあたっても電源用素子Ｍ３、Ｍ４への電力の印加を漸次増大させるので周囲温度Ｔ２への到達をより緩やかなものとし、これによってもヒューズＨ１の急激な溶断を防止して、溶断後の散乱を防止できる。
【００３５】
また図５に示す形態においては放電専用ＩＧＢＴＭ１の制御方式はパルス放電方式とベタオン制御方式（ＰＷＭによるデューティ比制御を用いない）の二種類があり、前者であればオン故障が発生してもデューティ比制御により放電用抵抗Ｒ１の損失を抑えることができるが、放電専用ＩＧＢＴＭ１自身はパルス駆動が必要となる為、ＩＧＢＴゲート容量に対して充放電を繰り返すこととなり、消費電流が大きくなるデメリットがある。
【００３６】
特に、主回路の電流値が大きい場合には、後者のベタオン制御方式を採用して消費電流を抑えている。後者を採用する場合には、連続通電しても放電専用ＩＧＢＴＭ１やヒューズＨ２が溶断しないよう放電用抵抗Ｒ１を高めに設定する必要が生じるため、オン故障してもヒューズＨ２を溶断させる電流を確保することができず、この場合には放電用抵抗Ｒ１の損失を抑えるためシステムメインリレーＳＭＲをオフとする必要が生じて退避走行が困難となる。これに対しても本実施例によれば、ヒューズＨ１を溶断するにあたり放電専用ＩＧＢＴＭ１の制御を必要とせず、従って放電用抵抗Ｒ１の損失増大を考慮してシステムメインリレーＳＭＲをオフとすることも必要としないため、退避走行が不能となる事態も回避することができる。
【００３７】
また本実施例では、ＡＳＩＣ４がヒューズＨ１を溶断した後、溶断して放電不能である旨をＭＧＥＣＵに通知する通知手段４ｄを含むため、車両のユーザはＭＧＥＣＵに接続されたディスプレイ等によりいち早くヒューズＨ１の溶断を知ることができ、ユーザが故障修繕のためにディーラーに寄ることを促すことができる。
【００３８】
また、上述した発熱制御用スイッチＳＷ１の接地側のＡＳＩＣ４の電圧と発熱制御用抵抗Ｒ３と伝達比Ｙを適切に設定することにより、ＡＳＩＣ４の発熱量も抑制することができる。
【００３９】
さらに電源用素子Ｍ３、Ｍ４とヒューズＨ１をＡＳＩＣ４が実装される制御基板６に図２に示した形態にて設置するため、電源用素子Ｍ３、Ｍ４のヒューズＨ１との間隔の調整や銅配線９の熱伝導率の設定によっての伝達比Ｙの設定をより容易なものとすることができるとともに、伝達比Ｙをより高い値に設定して、熱の伝達効率を高めることができる。これにより、電源用素子Ｍ３、Ｍ４に発生させる熱量をなるべく小さなものとして、電源用素子Ｍ３、Ｍ４の保護をも図るとともに、過電流保護装置１としての効率を高めることもできる。
【００４０】
以上本発明の一実施例について詳細に説明したが、本発明は上述した実施例に制限されることなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形および置換を加えることができる。
【００４１】
例えば、本実施例は放電手段として放電専用ＩＧＢＴＭ１を用いたが、図６に示すように放電専用ＭＯＳに置換することも可能である。また電源用素子Ｍ３、Ｍ４については実施例ではＦＥＴとしているが図６に示すようにＩＧＢＴを用いることもできる。この場合は図２（ｂ）のカッコ内に示すようにコレクタＣはドレインＤに、エミッタＥはソースＳに置換される。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明は、ハイブリッド車や電気自動車等の高電圧部を有する主回路の放電を司る過電流保護装置に関するものであり、放電専用素子にリーク電流が発生した場合でも別個の放電素子を設けることなく電源用素子への電力の印加に基づいてヒューズを溶断に至らしめて、放電専用素子や放電用抵抗を保護することができる。このため、上述した種々の自動車に適用可能であるとともに有用なものである。
【符号の説明】
【００４３】
１      過電流保護装置
Ｐ      高電圧部
Ｈ１    ヒューズ（溶断部）
Ｒ１    放電用抵抗
Ｍ１    放電専用ＩＧＢＴ（放電手段）
Ｍ２    ヒューズ切断用ＩＧＢＴ
Ｒ２    放電検出用抵抗
２      コンバータ
３      インバータ
４      ＡＳＩＣ（集積回路）
４ａ    検出手段
４ｂ    制御手段
４ｃ    印加手段
４ｄ    通知手段
ＳＷ１  発熱制御用スイッチ
Ｒ３    発熱制御用抵抗
Ｍ３    電源用素子（素子）
Ｍ４    電源用素子（素子）
ＴＤ    ツェナーダイオード
５      電源回路（副回路）
ＨＢ    高圧バッテリ
Ｌ      リアクトル
Ｃ１    フィルタコンデンサ
ＳＭＲ  システムメインリレー
ＭＧ１  モータジェネレーター
ＭＧ２  モータジェネレーター
Ｃ２    平滑コンデンサ
６      制御基板
７      銅配線
８      半田接合部
９      銅配線（伝熱板、接続板）
１０      半田接合部
１１      半田接合部
１２      銅配線
１３      半田接合部
【図１】
2014128076.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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