(57)【要約】【課題】光半導体素子を光硬化性ポリオルガノシロキサンによって封止する工程において、樹脂の深部硬化性を改善する。【解決手段】光半導体素子の封止方法であって、光を反射することが可能な金属部が露出した基板上に光硬化性ポリオルガノシロキサンを注入し、光照射することを特徴とする光半導体素子の封止方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光半導体素子の封止方法であって、光を反射することが可能な金属部が露出した基板上に光硬化性ポリオルガノシロキサンを注入し、光照射することを特徴とする光半導体素子の封止方法。
【請求項２】
基板上面の露出している光を反射することが可能な金属部の面積が、露出している基板面積の５〜１００％であることを特徴とする請求項１記載の光半導体素子の封止方法。
【請求項３】
光硬化性ポリオルガノシロキサンが、
（Ａ）アルケニル基を分子内に少なくとも２個以上含有したポリオルガノシロキサンと、（Ｂ）ヒドロシリル基を分子内に少なくとも２個以上含有したポリオルガノシロキサンと、（Ｃ）光活性型金属錯体触媒
とを含有するポリオルガノシロキサン組成物である請求項１記載の光半導体素子の封止方法。
【請求項４】
（Ａ）アルケニル基を分子内に少なくとも２個以上含有したポリオルガノシロキサンが、下記一般式（１）
（Ｒ13ＳｉＯ1/2）l（Ｒ12ＳｉＯ2/2）m（Ｒ1ＳｉＯ3/2）n（ＳｉＯ4/2）o  （１）
（Ｒ1は、互いに独立に、水素原子、又は酸素原子、ハロゲン原子、窒素原子若しくは硫黄原子を含んでいてよい炭素数１〜１８の一価炭化水素基であり、ｌは０〜１００００の整数であり、ｍは０〜１００００の数であり、ｎは０〜１００００の数であり、ｏは０〜１００００の数である。）で表され、一分子内においてＲ1の少なくとも２個以上がアルケニル基であるポリオルガノシロキサンであり、
（Ｂ）ヒドロシリル基を分子内に少なくとも２個以上含有したポリオルガノシロキサンが、上記一般式（１）で表され、一分子内においてＲ1の少なくとも２個以上がヒドロシリル基であり、上記（Ａ）成分のアルケニル基１等量に対してヒドロシリル基が０．１〜４．０等量であるポリオルガノシロキサンである請求項３に記載の光半導体素子の封止方法。
【請求項５】
光硬化性ポリオルガノシロキサンの硬化のために照射される光の波長が、発光スペクトルにおける３００〜４００ｎｍ の領域に最大ピーク波長を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の光半導体素子の封止方法。
【請求項６】
光硬化性ポリオルガノシロキサンを光照射と同時及び／又はその後、加熱することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の光半導体素子の封止方法。
【請求項７】
（Ｃ）光活性型金属錯体触媒が、β−ジケトネート白金錯体触媒である請求項１〜６のいずれか１項に記載の光半導体素子の封止方法。
【請求項８】
光硬化性ポリオルガノシロキサンが一種類以上の蛍光体（Ｄ）を含み、その含有量が、光硬化性ポリオルガノシロキサン１００質量部に対し合計０．１〜２０００質量部であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項記載の半導体素子の封止方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体素子の封止方法を含む光半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体素子の封止方法に関する。より詳細には、本発明は、光半導体チップを有する光半導体デバイスを光硬化性シリコーン樹脂によって封止する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日、光半導体チップ（発光もしくは受光機能を有した半導体チップ）を保護する封止材として、透明性や耐熱性、耐光性、耐候性などの優れた性質を有するシリコーン樹脂が広く用いられている。それらの中でも、アルケニル基含有ポリオルガノシロキサンとヒドロシリル基含有ポリオルガノシロキサンからなる付加硬化型のシリコーン樹脂は高い耐熱性や耐光性を示すことから、高出力な発光デバイスにおいて特に好適に用いられている。
【０００３】
しかしながら、付加硬化型シリコーン樹脂を硬化させるためには、一般的に１００℃〜２００℃の加熱を必要とするため、加熱中、シリコーン樹脂の流動による形状の変化や樹脂粘度の低下によるフィラーの沈降などが問題となっている。
【０００４】
上記問題を解決するため、紫外光によって硬化する付加硬化型ポリオルガノシロキサン組成物が提案されている（特許文献１および２）。これは、該組成物に紫外光を照射することによって、アルケニル基とヒドロシリル基の付加反応が室温で進行し、アルケニル基とヒドロシリル基の一部が反応したシリコーンゲルを得ることができるというものである。また、特許文献３には光硬化性付加型ポリオルガノシロキサンをＬＥＤの封止材として用いる方法が記載されている。
【０００５】
しかしながら、上記のような付加硬化型ポリオルガノシロキサンの光による硬化の方法は未だ満足できるものではない。特に、光によって仮硬化させた後、加熱により完全硬化させる場合に、シリコーン樹脂の深部硬化性が度々問題となる。すなわち、深部硬化性が悪いと樹脂表面と深部との硬化の程度に大きな差が生じ、その結果、後の加熱工程において硬化物表面が波打ってしまう。
【０００６】
また、光半導体デバイスには半導体素子から発せされる光をデバイス上面に集光させるための反射材が設けられており、酸化チタンやアルミナを配合したシリコーン樹脂組成物の硬化物が用いられることが知られている。しかしながら、これらの反射材は、素子を封止する光硬化性オルガノポリシロキサンの硬化に有効な紫外光領域の反射率は低いため、封止樹脂の深部硬化性改善にはほとんど寄与していなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−２１３１３２
【特許文献２】特開２０１２−１２１９６０
【特許文献３】特表２００８−５２１２５２
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑み成されたものであり、光半導体素子を光硬化性ポリオルガノシロキサンによって封止する工程において、樹脂の深部硬化性を改善できる光半導体素子の封止方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、光硬化性ポリオルガノシロキサンを光によって硬化させる際に、注入したポリオルガノシロキサンの下部に接する、光半導体デバイスの基板表面に光を反射する金属部を設けることでポリオルガノシロキサンの深部硬化性が改善されることを見出し、本発明を成すに至った。
【００１０】
即ち、本発明は、光半導体素子の封止方法であって、光を反射することが可能な金属部が露出した基板上に光硬化性ポリオルガノシロキサンを注入し、光照射することを特徴とする光半導体素子の封止方法、及びこの封止方法を含む光半導体装置の製造方法を提供するものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の封止方法によれば、ポリオルガノシロキサンの深部硬化性が改善される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明により得られた半導体素子を示す図である。
【図２】フリップチップ型の光半導体デバイスを示す図である。
【図３】本発明において、光を反射することが可能な金属部が露出した基板を示す図である。
【図４】本発明により得られた半導体素子を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明について詳細に説明する。
【００１４】
本発明は、光半導体素子の封止方法であって、光半導体素子を光硬化性ポリオルガノシロキサンによって封止する工程において、光を反射することが可能な金属部が露出した基板を用いることを特徴とする。
【００１５】
図１のワイヤーボンディングタイプの光半導体デバイスを例にすると、ダム材によって囲まれた空孔内の基板表面上に存在する金属配線２に光半導体チップ１が接着され、通電用金属部３と光半導体チップ１が金属ワイヤー４によって接続されており、ダム材６によって囲まれた空孔内には光硬化性のシリコーン樹脂７が注入されている。ここで、本発明の特徴となるのが、光反射用に金属層を露出させている点である。以下、各部材について詳細に説明する。
【００１６】
[光半導体チップおよび金属配線]
光半導体チップは特に限定されるものではなく、光を受光もしくは発光する機能を有していれば良く、市販のものを用いることができる。上記光半導体チップは基板に備えられた金属配線に電気が通じるように接着される。金属配線の材質は電気を通すものであれば特に限定はないが、電気伝導性の観点から、金、銀、銅を用いることが望ましい。
【００１７】
[通電用金属部および金属ワイヤー]
通電用金属部は光半導体が接着されている金属配線とは電気的に絶縁されており、金属ワイヤーによって光半導体と通電用金属部が互いに接続される。通電用金属および金属ワイヤーの材質については金属配線と同様である。また、図２に示したようなフリップチップ型の光半導体デバイスにおいては金属ワイヤーは不要である。
【００１８】
[光反射用金属露出部]
本発明の特徴である光反射用金属露出部（光を反射することが可能な金属部が露出した部分）について説明する。光反射用金属露出部の金属は光を反射する金属であれば特に限定されるものではない。このような金属の好適な例としては、金、銀、銅、白金、アルミニウム、ロジウム、クロム、ニッケル、鉄またはそれらの合金などの金属が挙げられ、さらに好ましい金属としては紫外光領域においても高い反射率を有する銀、アルミニウム、ロジウムが挙げられる。また、この光反射用金属露出部は、光半導体が接着されている金属配線と通電用金属部が電気的に接続されないよう配置されなければならない。光反射用金属露出部の露出面積は、基板上に露出している全面積（ダイボンド材およびチップの面積を除く）に対して５〜１００％が好ましく、更に２０〜１００％が好ましい（図４参照）。この範囲であれば、光硬化性シリコーン樹脂の深部硬化性が良好となる。
【００１９】
[ダム材]
ダム材の材質および形状は両方とも特に限定されるものではなく、注入されたシリコーン樹脂の形状を保つ機能があれば良い。また、シリコーン樹脂が未硬化状態において単独でその形状を保つことができる場合、例えば、シリコーン樹脂が高チクソ性を持つ場合やシリコーン樹脂が固体状である場合にはダム材はなくても良い。
【００２０】
[シリコーン樹脂封止層]
シリコーン樹脂封止層に用いられる光硬化性ポリオルガノシロキサンとしては、例えば、（Ａ）アルケニル基を分子内に少なくとも２個以上含有したポリオルガノシロキサンと（Ｂ）ヒドロシリル基を分子内に少なくとも２個以上含有したポリオルガノシロキサンと（Ｃ）光活性型白金系触媒を含有し、任意にその他の成分を含んだポリオルガノシロキサン組成物が好ましいものとして挙げられる。以下、各々の成分について説明する。
【００２１】
（Ａ）アルケニル基を分子内に少なくとも２個以上含有したポリオルガノシロキサン
成分（Ａ）としては下記一般式（１）
（Ｒ13ＳｉＯ1/2）l（Ｒ12ＳｉＯ2/2）m（Ｒ1ＳｉＯ3/2）n（ＳｉＯ4/2）o  （１）
（Ｒ1は、互いに独立に、水素原子、又は酸素原子、ハロゲン原子、窒素原子若しくは硫黄原子を含んでいてよい炭素数１〜１８の一価炭化水素基であり、ｌは０〜１００００の整数であり、ｍは０〜１００００の整数であり、ｎは０〜１００００の整数であり、ｏは０〜１００００の整数である。）で表され、一分子内においてＲ1の少なくとも２個以上がアルケニル基であるポリオルガノシロキサンが好ましい。
【００２２】
（Ｂ）ヒドロシリル基を分子内に少なくとも２個以上含有したポリオルガノシロキサン
成分（Ｂ）としては上記一般式（１）で表され、一分子内においてＲ1の少なくとも２個以上がヒドロシリル基であるポリオルガノシロキサンが好ましい。成分（Ｂ）の配合量は、上記（Ａ）成分のアルケニル基１等量に対してヒドロシリル基が０．１〜４．０等量となる量が好ましく、さらに好ましくは０．５〜２．０の範囲となる量である。この範囲であれば十分に硬化したシリコーン樹脂封止層を得ることができる。
【００２３】
（Ｃ）光活性型金属錯体触媒
成分（Ｃ）は、成分（Ａ）と成分（Ｂ）のヒドロシリル化反応を光によって開始させる能力を有した金属錯体であれば特に限定されるものではないが、通常、例えば白金、ロジウム、イリジウム、コバルト、ニッケル、及びパラジウムのような貴金属の錯体を含む。就中、貴金属含有触媒は白金を含有するものが好ましい。また、２種類以上の金属錯体触媒を同時に使用してもよい。好ましい白金錯体の例としては、β − ジケトネート白金錯体、（η５−シクロペンタジエニル）トリ（σ−脂肪族）白金錯体、及びＣ ７〜２０−芳香族置換（η５ − シクロペンタジエニル）トリ（σ−脂肪族）白金錯体などが挙げられる。
成分（Ｃ）の添加量は、ヒドロシリル化反応を促進するのに十分な量であれば良く、ポリオルガノシロキサン組成物１００質量部に対して、好ましくは０．００００１〜１質量部、より好ましくは０．０００１〜０．１質量部、さらに好ましくは０．０００５〜０．０５質量部である。
【００２４】
任意成分
（Ｄ）蛍光体
（Ｄ）成分の蛍光体は、公知の蛍光体であればいずれのものであってもよく、その配合量は、蛍光体含有熱硬化性シリコーン樹脂層を構成する熱硬化性シリコーン樹脂組成物の（Ａ）〜（Ｃ）成分の合計１００質量部に対して、通常０．１〜２０００質量部が好ましく、０．１〜３００質量部がより好ましく、１０〜３００の範囲がさらに好ましい。（Ｄ）成分の蛍光体の平均粒径は、レーザー光回折法による粒度分布測定における質量平均値Ｄ50（又はメジアン径）として求めることができる。通常その平均粒径が１０ｎｍ以上であればよく、好適には１０ｎｍ〜１０μｍ、より好適には１０ｎｍ〜１μｍ程度のものが使用される。
【００２５】
蛍光物質は、窒化物系半導体を発光層とする半導体発光ダイオードからの光を吸収し異なる波長の光に波長変換するものであればよい。蛍光物質としては、例えば、Ｅｕ、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される、窒化物系蛍光体及び酸窒化物系蛍光体、Ｅｕ等のランタノイド系、Ｍｎ等の遷移金属系の元素により主に賦活されるアルカリ土類金属ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類金属ケイ酸塩蛍光体、アルカリ土類金属硫化物蛍光体、アルカリ土類金属チオガレート蛍光体、アルカリ土類金属窒化ケイ素蛍光体、ゲルマン酸塩蛍光体、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体、希土類ケイ酸塩蛍光体又はＥｕ等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体蛍光体、Ｃａ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系オキシ窒化物ガラス蛍光体等が挙げられ、これら蛍光体から選ばれる少なくとも１以上を用いることが好ましい。
【００２６】
具体例として、下記の蛍光体を使用することができるが、これに限定されない。以下において、ＭはＳｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎから選ばれる少なくとも１種の元素であり、ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉから選ばれる少なくとも１種であり、ＲはＥｕ、Ｍｎ、又はＥｕとＭｎとの組合せのいずれかである。
【００２７】
Ｅｕ、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体としては、Ｍ2Ｓｉ5Ｎ8：Ｅｕなどがある。また、Ｍ2Ｓｉ5Ｎ8：ＥｕのほかＭＳｉ7Ｎ10：Ｅｕ、Ｍ1.8Ｓｉ5Ｏ0.2Ｎ8：Ｅｕ、Ｍ0.9Ｓｉ7Ｏ0.1Ｎ10：Ｅｕなどもある。
【００２８】
Ｅｕ、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される酸窒化物系蛍光体としては、ＭＳｉ2Ｏ2Ｎ2：Ｅｕなどがある。
【００２９】
Ｅｕ等のランタノイド系もしくはＭｎ等の遷移金属系の元素により主に賦活されるアルカリ土類金属ハロゲンアパタイト蛍光体としては、Ｍ5（ＰＯ4）3Ｘ：Ｒなどがある。
【００３０】
アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体としては、Ｍ2Ｂ5Ｏ9Ｘ：Ｒ（Ｍは、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎから選ばれる少なくとも１種である。Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉから選ばれる少なくとも１種である。Ｒは、Ｅｕ、Ｍｎ、ＥｕとＭｎ、のいずれか１以上である。）などがある。
【００３１】
アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体としては、ＳｒＡｌ2Ｏ4：Ｒ、Ｓｒ4Ａｌ14Ｏ25：Ｒ、ＣａＡｌ2Ｏ4：Ｒ、ＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ27：Ｒ、ＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ12：Ｒ、ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｒ（Ｒは、Ｅｕ、Ｍｎ、ＥｕとＭｎ、のいずれか１種以上である。）などがある。
【００３２】
アルカリ土類金属硫化物蛍光体としては、Ｌａ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ、Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ、Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕなどがある。
【００３３】
Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体としては、Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ、（Ｙ0.8Ｇｄ0.2）3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ、Ｙ3（Ａｌ0.8Ｇａ0.2）5Ｏ12：Ｃｅ、（Ｙ，Ｇｄ）3（Ａｌ，Ｇａ）5Ｏ12の組成式で表されるＹＡＧ系蛍光体などがある。また、Ｙの一部若しくは全部をＴｂ、Ｌｕ等で置換したＴｂ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ、Ｌｕ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅなどもある。
【００３４】
その他の蛍光体としては、ＺｎＳ：Ｅｕ、Ｚｎ2ＧｅＯ4：Ｍｎ、ＭＧａ2Ｓ4：Ｅｕなどがある。
【００３５】
上述の蛍光体は、所望に応じてＥｕに代えて、又は、Ｅｕに加えてＴｂ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｄｙ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉから選択される１種以上を含有させることもできる。
【００３６】
Ｃａ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系オキシ窒化物ガラス蛍光体とは、モル％表示で、ＣａＣＯ3をＣａＯに換算して２０〜５０モル％、Ａｌ2Ｏ3を０〜３０モル％、ＳｉＯを２５〜６０モル％、ＡｌＮを５〜５０モル％、希土類酸化物または遷移金属酸化物を０．１〜２０モル％とし、５成分の合計が１００モル％となるオキシ窒化物ガラスを母体材料とした蛍光体である。尚、オキシ窒化物ガラスを母体材料とした蛍光体では、窒素含有量が１５質量％以下であることが好ましく、希土類酸化物イオンの他に増感剤となる他の希土類元素イオンを希土類酸化物として蛍光ガラス中に０．１〜１０モル％の範囲の含有量で共賦活剤として含むことが好ましい。
【００３７】
また、上記蛍光体以外の蛍光体であって、同様の性能、効果を有する蛍光体も本発明に使用することができる。
【００３８】
「その他の成分」
シリコーン樹脂封止層は、上記成分の他、光増感剤や接着助剤、反応抑制剤、顔料などのフィラー、溶剤などを含んでいても良い。これらの成分は既知のものを使用して良く、市販のものを利用しても良い。
【００３９】
本発明におけるシリコーン樹脂封止層は、光照射により硬化する。
【００４０】
光硬化性ポリオルガノシロキサンの硬化のために照射される光の波長は成分（Ｃ）を活性化することができる波長の範囲を有していれば特に限定されるものではないが、好適な光活性型金属錯体触媒の例として挙げた白金錯体を用いる場合は、２００〜７００ｎｍの波長範囲に最大ピークを有する光が好ましく、３００〜４００ｎｍの波長範囲に最大ピークを有する光がより好ましい。これらの波長を有する光の供給源の例としては、タングステンハロゲンランプ、キセノンアークランプ、水銀アークランプ、白熱ランプ、殺菌ランプ、及び蛍光ランプ、ＬＥＤランプなどが挙げられる。また、波長の最大ピークが所望の波長となるように、バンドパスフィルターなどを用いて他の波長をカットしてもよい。特に特開２０１２−１２１９６０号公報に記載されている、発光スペクトルにおける３００ｎｍから４００ｎｍの領域に最大ピーク波長を有し、かつ該光の３００ｎｍより短い波長領域にある各波長の放射照度が前記最大ピーク波長の放射照度の５％以下であるような光を用いると、短時間で硬化することができるため特に好ましい。
【００４１】
光の照射量は光硬化性ポリオルガノシロキサン組成物がゲル状となり、流動性が失われる状態となるのに十分な照射量であることが好ましい。具体的には、成分（Ａ）のアルケニル基の少なくとも５モル％がヒドロシリル化反応によって消費されることが好ましく、より好ましくは少なくとも２０モル％がヒドロシリル化反応によって消費されることが好ましい。
【００４２】
光硬化性ポリオルガノシロキサン組成物の硬化を促進するために、光照射と同時に加熱することが好ましい。但し、加熱によるポリオルガノシロキサン組成物の流動による形状の変化や樹脂粘度の低下によるフィラーの沈降などを防ぐために、加熱温度は１５０℃以下が好ましく、１００℃以下がより好ましく、７０℃以下がさらに好ましい。また、加熱温度の下限は４０℃が好ましく、特に６０℃が好ましい。
【００４３】
ポリオルガノシロキサン組成物を完全に硬化させる目的で、光照射により硬化した後に加熱することが好ましい。加熱温度と加熱時間はヒドロシリル化反応が十分に進行する温度と時間であれば特に限定はなく、通常は８０〜２００℃の温度、１〜２４時間とすることが好ましい。また、この加熱硬化は樹脂の応力緩和などの目的で多段階加熱を行ってもよい。具体的な加熱条件の例としては、６０℃、１時間加熱後に１５０℃、４時間加熱する、などが挙げられる。
【実施例】
【００４４】
以下、実施例を示し、本発明をより詳細に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
【００４５】
[実施例１]
図２に示すように、鏡面加工されたアルミニウム板（３６５ｎｍの光反射率＝９２％）の上に、ダム材として熱硬化性白色シリコーン樹脂（ＬＰＳ−２４２８ＴＷ、信越化学工業株式会社製）を直径３０ｍｍ、高さ２ｍｍの円形となるよう自動ディスペンス装置（ＳＨＯＴＭＡＳＴＥＲ３００、武蔵エンジニアリング株式会社製）により、塗布した。この結果、ダム材で囲われた部分の容積は１４１３ｍｍ3となった。次に円中央部に熱硬化性ダイボンド材（ＬＰＳ−８４４５ＷＴＦ、信越化学工業株式会社製）を少量塗布し、その上に光半導体チップ（３×３×３ｍｍ3）を１つ載せた。１５０℃で４時間加熱し、ダム材とダイボンド材を硬化させることにより、ダイボンド材およびチップの面積を除いたダム材で囲った円中の面積（基板上に露出している全面積）の内、光反射用金属露出部の面積が１００％である試験基板を作製した。この円中に光硬化性シリコーン樹脂封止材（ＬＰＳ−２４２９ＵＶ、信越化学工業株式会社製）を注入し、３６５ｎｍのバンドパスフィルターで上面を覆った後、ベルトコンベア式紫外光照射装置（水銀ランプ、出力８４０ｍＷ／ｃｍ2）を用いて１００００ｍＪ／ｃｍ2の紫外光を照射した。
【００４６】
[実施例２]
アルミニウム基板の代わりに、表面に銀メッキを施した銅板［３６５ｎｍの光反射率＝９０％、ダイボンド剤およびチップの面積を除いたダム材で囲った円中の面積（基板上に露出している全面積）の内、光反射用金属露出部の面積が１００％］を用いたこと以外は実施例１と同様にして封止を行った。
【００４７】
[実施例３]
アルミニウム基板の代わりに、表面に金メッキを施した銅板（３６５ｎｍの光反射率＝４４％、ダイボンド剤およびチップの面積を除いたダム材で囲った円中の面積（基板上に露出している全面積）の内、光反射用金属露出部の面積が１００％）を用いたこと以外は実施例１と同様にして封止を行った。
【００４８】
[実施例４]
アルミニウム基板の代わりに、図３のような、基板上表面の一部に３×３ｍｍ2の金メッキを４箇所施した黒色エポキシ基板（ダイボンド剤およびチップの面積を除いたダム材で囲った円中の面積（基板上に露出している全面積）の内、光反射用金属露出部の面積が５％）を用いたこと以外は実施例１と同様にして封止を行った。
【００４９】
[実施例５]
アルミニウム基板の代わりに、図３のような、基板上表面の一部に６×６ｍｍ2の金メッキを４箇所施した黒色エポキシ基板（ダイボンド剤およびチップの面積を除いたダム材で囲った円中の面積（基板上に露出している全面積）の内、光反射用金属露出部の面積が２０％）を用いたこと以外は実施例１と同様にして封止を行った。
【００５０】
[実施例６]
アルミニウム基板の代わりに、図３のような、基板上表面の一部に９×９ｍｍ2の金メッキを４箇所施した黒色エポキシ基板（ダイボンド剤およびチップの面積を除いたダム材で囲った円中の面積（基板上に露出している全面積）の内、光反射用金属露出部の面積が４５％）を用いたこと以外は実施例１と同様にして封止を行った。
【００５１】
[実施例７]
アルミニウム基板の代わりに、図３のような、基板上表面の一部に６×６ｍｍ2の銀メッキを４箇所施した黒色エポキシ基板（ダイボンド剤およびチップの面積を除いたダム材で囲った円中の面積（基板上に露出している全面積）の内、光反射用金属露出部の面積が２０％）を用いたこと以外は実施例１と同様にして封止を行った。
【００５２】
[実施例８]
ＬＥＤパッケージ（ＴＧＲ―２２１７ＳＴ、信越化学工業株式会社製）に熱硬化性ダイボンド剤（ＬＰＳ−８４４５ＷＴＦ、信越化学工業株式会社製）を用いて光半導体チップ（３×３×３ｍｍ3）を実装し、１５０℃、４時間でダイボンド材を硬化させ、ダイボンド剤およびチップの面積を除き、ダム材で囲われた面積（基板上に露出している全面積）の内、表面銀メッキ銅の露出面積が約７０％である試験用パッケージを作製した。次いで、この試験用パッケージに光硬化性シリコーン樹脂封止材（ＬＰＳ−２４２９ＵＶ、信越化学工業株式会社製）を注入し、３６５ｎｍのバンドパスフィルターで上面を覆った後、ベルトコンベア式紫外光照射装置（水銀ランプ、出力８４０ｍＷ／ｃｍ2）を用いて１００００ｍＪ／ｃｍ2の紫外光を照射した。
【００５３】
[比較例１]
アルミニウム基板の代わりに、酸化チタン粉末を５０質量％含有した白色エポキシ基板（３６５ｎｍの光反射率＝１２％、ダイボンド剤およびチップの面積を除いたダム材で囲った円中の面積（基板上に露出している全面積）の内、光反射用金属露出部の面積が０％）を用いたこと以外は実施例１と同様にして封止を行った。
【００５４】
[比較例２]
アルミニウム基板の代わりに、アルミナ粉末を４５質量％および酸化チタン粉末を５質量％含有した白色エポキシ基板（３６５ｎｍの光反射率＝２１％、ダイボンド剤およびチップの面積を除いたダム材で囲った円中の面積（基板上に露出している全面積）の内、光反射用金属露出部の面積が０％）を用いたこと以外は実施例１と同様にして封止を行った。
【００５５】
評価
実施例および比較例で、紫外光を照射した後のシリコーン樹脂封止層上面の硬化の程度を触診することにより判断した。タック性がなく硬化が良好な物を○、タック性が残っており半硬化状態な物を△、液体状態であり未硬化な物を×として判定した。また、シリコーン樹脂封止層を基板から慎重に剥離した後、基板側のシリコーン樹脂封止層の表面タック性も同様に確認した。
【００５６】
【表１】
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【符号の説明】
【００５７】
１：光半導体チップ
２：金属配線
３：通電用金属部
４：金属ワイヤー
５：光反射用金属露出部
６：ダム材
７：シリコーン樹脂封止層
８：ダイボンド材およびチップの面積を除いたダム材で囲った部分
９：基板露出部
１０：基板
１１：封止材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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