(57)【要約】  【課題】  粗洗浄を行わないで空気中で熱風を噴射しながらシリコンウェハを一枚ずつビーム材から剥離するシリコンウェハ剥離方法が知られている。しかしながら、このような従来のシリコンウェハ剥離方法によっても、シリコンウェハを効率的に一枚ずつビーム材から剥離することは、やはり容易ではなかった。  【解決手段】  複数のシリコンウェハが接着剤を介して接着されたビーム材２を支える断熱材３と、ビーム材２を加熱するための誘導加熱コイル５と、水平方向に、断熱材３を誘導加熱コイル５に対して相対的に送る送り機構４と、シリコンウェハを一枚ずつ剥離する吸着パッド６と、シリコンウェハ、ビーム材２および断熱材３を液体中に浸漬させるための水槽７と、を備えたことを特徴とする、シリコンウェハ剥離装置である。【選択図】  図１
2014007377.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状部材に接着剤を介して接着された複数のシリコンウェハを、液体中で前記板状部材の加熱により前記板状部材から剥離することを特徴とする、シリコンウェハ剥離方法。
【請求項２】
前記シリコンウェハの外周部の一部が平面であり、
前記シリコンウェハの外周部の一部の平面と、前記板状部材の表面と、が接着剤を介して接着されていることを特徴とする、請求項１に記載のシリコンウェハ剥離方法。
【請求項３】
前記板状部材の鉛直上側に前記シリコンウェハを配置した状態で、前記シリコンウェハの剥離を行うことを特徴とする、請求項２に記載のシリコンウェハ剥離方法。
【請求項４】
前記板状部材を、前記加熱を行うための加熱手段に対して相対的に移動させながら、前記シリコンウェハの剥離を繰り返し行うことを特徴とする、請求項３に記載のシリコンウェハ剥離方法。
【請求項５】
前記板状部材は導電性であり、前記液体中での前記板状部材の加熱は誘導加熱により行うことを特徴とする、請求項１から４の何れかに記載のシリコンウェハ剥離方法。
【請求項６】
前記シリコンウェハの剥離を行う際、前記板状部材の外周部の温度が前記板状部材の中心部の温度よりも高いことを特徴とする、請求項５に記載のシリコンウェハ剥離方法。
【請求項７】
複数のシリコンウェハが接着剤を介して接着された板状部材を支える支持部材と、
前記板状部材を加熱するための加熱手段と、
水平方向に、前記支持部材を前記加熱手段に対して相対的に送る送り機構と、
前記シリコンウェハを一枚ずつ剥離する剥離機構と、
前記シリコンウェハ、前記板状部材および前記支持部材を液体中に浸漬させるための水槽と、を備えたことを特徴とする、シリコンウェハ剥離装置。
【請求項８】
前記板状部材は導電性であり、前記加熱手段は誘導加熱コイルであることを特徴とする、請求項７に記載のシリコンウェハ剥離装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、たとえば、スライス加工後のシリコンウェハが接着剤を介して接着されたビーム材から半導体用のシリコンウェハを剥離するシリコンウェハ剥離方法、およびシリコンウェハ剥離装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、石油代替エネルギーとして、太陽光発電が注目されている。
【０００３】
太陽光発電では、大量に使用されるシリコンウェハのコストを低減することが求められるので、シリコンインゴットからシリコンウェハを効率的に製造することが求められている。
【０００４】
シリコンウェハ製造方法は、大まかに言えば、接着工程と、スライス工程と、粗洗浄および剥離工程と、ウェハ分離工程と、洗浄工程と、検査工程と、を備えている。
【０００５】
そこで、図４を参照しながら、従来のシリコンウェハ製造方法についてより具体的に説明する。
【０００６】
ここに、図４は、従来の、シリコンインゴット１、ビーム材２、およびベースプレート１０が接着された構造体の模式的な正面図（ＸＺ平面図）である。
【０００７】
シリコンインゴット１は、円柱形または角柱形の、単結晶または多結晶シリコンである。ビーム材２は、この従来のシリコンウェハ製造方法においては、シリコンインゴット１の加工終端部の欠損を防ぐための保護材であるガラス板である。ベースプレート１０は、薄いシリコンウェハ１ａをシリコンインゴット１からスライス加工によって製造するワイヤーソーと呼ばれる装置に取り付けるための治工具である。接着剤８は、この従来のシリコンウェハ製造方法においては、２液性である。
【０００８】
まず、接着工程では、シリコンインゴット１またはビーム材２に接着剤８を塗布してシリコンインゴット１とビーム材２とを接着し、そしてさらに、ビーム材２またはベースプレート１０に接着剤８を塗布してビーム材２とベースプレート１０とを接着する。
【０００９】
つぎに、スライス工程では、ビーム材２およびベースプレート１０に接着されたシリコンインゴット１に対してワイヤーソーでスライス加工を行う。スライス加工によって千数百枚のシリコンウェハ１ａとなったシリコンインゴット１は、接着剤８を介してビーム材２に接着されている。通常、スライス加工は、隣り合うシリコンウェハ１ａの間の隙間がシリコンインゴット１側から接着剤８およびビーム材２のシリコンインゴット１側の一部に達するように行われる。
【００１０】
つぎに、粗洗浄および剥離工程では、ビーム材２に接着されているシリコンウェハ１ａを洗浄し、接着剤８を熱軟化させるための５０℃の温水、または洗浄剤としての乳酸などの薬剤を使用して千数百枚のシリコンウェハ１ａをビーム材２から一括して剥離する。
【００１１】
つぎに、ウェハ分離工程では、ビーム材２から一括して剥離されて重なり合ったシリコンウェハ１ａを一枚ずつのシリコンウェハ１ａに分離する。
【００１２】
つぎに、洗浄工程では、分離されたシリコンウェハ１ａを洗浄する。
【００１３】
そして、検査工程では、洗浄されたシリコンウェハ１ａを検査する。
【００１４】
ところで、上記の粗洗浄および剥離工程では、千数百枚のシリコンウェハ１ａが前述の通りビーム材２から一括して剥離される。
【００１５】
このため、剥離されたシリコンウェハ１ａが別の剥離されたシリコンウェハ１ａの上に重なったり、剥離されたシリコンウェハ１ａがお互いに倒れ掛かったりする状態がしばしば発生する。
【００１６】
そして、このような状態のシリコンウェハ１ａが割れたり、シリコンウェハ１ａのエッジ部分が欠けたりする場合がある。
【００１７】
なお、粗洗浄および剥離工程で不揃いに集積されたシリコンウェハ１ａを、手作業で均一に集積してから次のウェハ分離工程のために移動させたり、ウェハ分離工程のためのラックに詰め替えたりする作業が必要であるので、製造の効率が低下する恐れがある。
【００１８】
そこで、空気中で熱風を−Ｙ側、つまり最も外側の剥離されるべきシリコンウェハ１ａの表面側から噴射することによって接着剤８を加熱しながらシリコンウェハ１ａを一枚ずつビーム材２から剥離するシリコンウェハ剥離方法が知られている（たとえば、特許文献１参照）。
【００１９】
なお、上述したシリコンウェハ剥離方法においては、粗洗浄は行わないで、スライス加工中に発生する粉状のシリコンスラッジと加工液とが混ざって隣り合うシリコンウェハ１ａの間の隙間に詰まった状態で熱風を噴射する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２０】
【特許文献１】実用新案登録第３１４９７１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
しかしながら、このような従来のシリコンウェハ剥離方法によっても、シリコンウェハ１ａを効率的に一枚ずつビーム材２から剥離することは、やはり容易ではなかった。
【００２２】
そして、上述した従来のシリコンウェハ剥離方法においては、スライス加工後のシリコンインゴット１は噴射される熱風で加熱されるので、シリコンウェハ１ａの表面が空気中の酸素との反応で酸化し、シリコンウェハ１ａの品質が劣化する恐れがある。
【００２３】
本発明は、前述された従来の課題を考慮し、たとえば、シリコンウェハの品質の劣化を抑制しつつシリコンウェハをより効率的に一枚ずつビーム材から剥離することが可能な、シリコンウェハ剥離方法、およびシリコンウェハ剥離装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
第１の本発明は、板状部材に接着剤を介して接着された複数のシリコンウェハを、液体中で前記板状部材の加熱により前記板状部材から剥離することを特徴とする、シリコンウェハ剥離方法である。
【００２５】
第２の本発明は、前記シリコンウェハの外周部の一部が平面であり、
前記シリコンウェハの外周部の一部の平面と、前記板状部材の表面と、が接着剤を介して接着されていることを特徴とする、第１の本発明のシリコンウェハ剥離方法である。
【００２６】
第３の本発明は、前記板状部材の鉛直上側に前記シリコンウェハを配置した状態で、前記シリコンウェハの剥離を行うことを特徴とする、第２の本発明のシリコンウェハ剥離方法である。
【００２７】
第４の本発明は、前記板状部材を、前記加熱を行うための加熱手段に対して相対的に移動させながら、前記シリコンウェハの剥離を繰り返し行うことを特徴とする、第３の本発明のシリコンウェハ剥離方法である。
【００２８】
第５の本発明は、前記板状部材は導電性であり、前記液体中での前記板状部材の加熱は誘導加熱により行うことを特徴とする、第１から第４の何れかの本発明のシリコンウェハ剥離方法である。
【００２９】
第６の本発明は、前記シリコンウェハの剥離を行う際、前記板状部材の外周部の温度が前記板状部材の中心部の温度よりも高いことを特徴とする、第５の本発明のシリコンウェハ剥離方法である。
【００３０】
第７の本発明は、複数のシリコンウェハが接着剤を介して接着された板状部材を支える支持部材と、
前記板状部材を加熱するための加熱手段と、
水平方向に、前記支持部材を前記加熱手段に対して相対的に送る送り機構と、
前記シリコンウェハを一枚ずつ剥離する剥離機構と、
前記シリコンウェハ、前記板状部材および前記支持部材を液体中に浸漬させるための水槽と、を備えたことを特徴とする、シリコンウェハ剥離装置である。
【００３１】
第８の本発明は、前記板状部材は導電性であり、前記加熱手段は誘導加熱コイルであることを特徴とする、第７の本発明のシリコンウェハ剥離装置である。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によって、たとえば、シリコンウェハの品質の劣化を抑制しつつシリコンウェハをより効率的に一枚ずつビーム材から剥離することが可能な、シリコンウェハ剥離方法、およびシリコンウェハ剥離装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明における実施の形態のシリコンウェハ剥離装置の模式的な斜視図
【図２】本発明における実施の形態のシリコンウェハ剥離装置の模式的な部分拡大側面図
【図３】本発明における実施の形態のシリコンウェハ剥離装置の模式的な部分正面図
【図４】従来の、シリコンインゴット、ビーム材、およびベースプレートが接着された構造体の模式的な正面図
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、図面を参照しながら、本発明における実施の形態について詳細に説明する。
【００３５】
はじめに、図１を主として参照しながら、本実施の形態のシリコンウェハ剥離装置の構成について説明する。
【００３６】
ここに、図１は、本発明における実施の形態のシリコンウェハ剥離装置の模式的な斜視図である。
【００３７】
本実施の形態のシリコンウェハ剥離装置は、断熱材３と、誘導加熱コイル５と、送り機構４と、吸着パッド６と、水槽７と、を備える。
【００３８】
断熱材３は、複数のシリコンウェハ１ａ（図２および３参照）が接着剤８（図２および３参照）を介して接着された導電性のビーム材２を支えるための手段である。
【００３９】
誘導加熱コイル５は、ビーム材２を加熱するための手段である。
【００４０】
送り機構４は、水平方向に、断熱材３を誘導加熱コイル５に対して相対的に送るための手段である。
【００４１】
吸着パッド６は、シリコンウェハ１ａを一枚ずつ剥離するための手段である。
【００４２】
水槽７は、シリコンウェハ１ａ、ビーム材２および断熱材３を水中に浸漬させるための手段である。
【００４３】
本実施の形態においては、送り機構４は誘導加熱コイル５を移動させずに断熱材３を移動させ、水槽７は誘導加熱コイル５をも水中に浸漬させる。
【００４４】
しかしながら、たとえば、送り機構４は断熱材３を移動させずに誘導加熱コイル５を移動させ、水槽７は誘導加熱コイル５を水中に浸漬させなくてももちろんよい。
【００４５】
なお、送り機構４が断熱材３を移動させる場合には水槽７のＹ方向の長さはほぼシリコンインゴット１のＹ方向の長さに等しい断熱材３のＹ方向の長さの二倍以上でなければならないが、送り機構４が誘導加熱コイル５を移動させる場合には水槽７のＹ方向の長さは断熱材３のＹ方向の長さ程度であればよい。
【００４６】
なお、断熱材３は本発明の支持部材の一例であり、誘導加熱コイル５は本発明の加熱手段の一例であり、送り機構４は本発明の送り機構の一例であり、吸着パッド６は本発明の剥離機構の一例であり、水槽７は本発明の水槽の一例である。
【００４７】
また、ビーム材２は、本発明の板状部材の一例である。
【００４８】
ここで、本実施の形態のシリコンウェハ剥離装置の構成についてより具体的に説明する。
【００４９】
最初に、ビーム材２について説明する。
【００５０】
ビーム材２の素材は、たとえば、ビーム材の素材として一般的に使用される、ガラス、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ベークライト（登録商標）、またはカーボンなどを利用する素材である。
【００５１】
ビーム材２の素材は、ビーム材２を誘導加熱によって発熱させる必要があるので、必然的に導電性の素材であるが、好ましくは、磁性体を含有する導電性の素材である。
【００５２】
ビーム材２の素材は、より好ましくは、カーボンなどの脆性材料、または磁性体粉（Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、およびフェライトなど）がエポキシ樹脂中に分散された素材である。ビーム材２の素材がカーボンである場合には、コストを下げることが可能である。
【００５３】
なお、ビーム材２の素材が金属などの延性材料である場合には、ワイヤーソーによる加工性が悪化する恐れがある。
【００５４】
本実施の形態においては、ビーム材２のサイズは１１０ｍｍ（Ｘ方向）×４００ｍｍ（Ｙ方向）×１５ｍｍ（Ｚ方向、つまり厚さ方向）である。
【００５５】
つぎに、接着剤８について説明する。
【００５６】
接着剤８は、一般的にしばしば使用される２液性エポキシ樹脂であってもよいし、２液性アクリル樹脂、または熱硬化性の１液性エポキシ樹脂であってもよい。
【００５７】
接着剤８が熱硬化性の１液性エポキシ樹脂であり、誘導加熱コイル５が接着剤８をその硬化温度で加熱することができる場合には、水を水槽７に満たさないで本実施の形態のシリコンウェハ剥離装置を接着剤８の硬化装置としても使用することによって生産性を向上することが可能である。
【００５８】
なお、接着剤８が２液性エポキシ樹脂である場合には硬化時間は約８時間であるが、接着剤８が熱硬化性の１液性エポキシ樹脂であって本実施の形態のシリコンウェハ剥離装置が接着剤８の硬化装置として使用される場合には硬化時間は１時間以内である。
【００５９】
本実施の形態においては、熱硬化性の１液性エポキシ樹脂としてのビスフェノールＡ型エポキシ樹脂およびビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の重量比１：１の混合物に、ポリメルカプタン系マイクロカプセル型の硬化剤が配合された混合物（味の素（株）製、ＸＢＭ−３３００）が使用され、シリコンウェハ剥離装置が接着剤８の硬化装置として使用される。
【００６０】
つぎに、断熱材３について説明する。
【００６１】
断熱材３の素材は、誘導加熱が誘導加熱コイル５を利用して行われる際に発生する磁束を遮断しない任意の素材である。
【００６２】
本実施の形態においては、断熱材３の素材はフソーサーモ（扶桑工業社製）であり、断熱材３のサイズは１８０ｍｍ（Ｘ方向）×５００ｍｍ（Ｙ方向）×２０ｍｍ（Ｚ方向、つまり厚さ方向）である。
【００６３】
つぎに、誘導加熱コイル５について説明する。
【００６４】
本実施の形態においては、誘導加熱コイル５の素材は冷却水がその中心の空洞を流れる構造を持った銅管であり、銅管はビーム材２の底面の形状である長方形１１０ｍｍ（Ｘ方向）×４００ｍｍ（Ｙ方向）の辺に沿うように折り曲げられており、誘導加熱コイル５のサイズは１１０ｍｍ（Ｘ方向）×５０ｍｍ（Ｙ方向）である。
【００６５】
誘導加熱コイル５は水槽７に満たされた水の中で使用されるので、誘導加熱にともなう酸化を抑制しさらに水槽７内での放電を避けるために、誘導加熱コイル５の外周部はシリコンゴムで被覆されている。
【００６６】
なお、誘導加熱コイル５とビーム材２との間のＺ方向の距離は、５ｍｍである。
【００６７】
また、誘導加熱ユニット（Ａｍｅｒｉｔｈｅｒｍ社製、ＥＡＳＹＨＥＡＴ）の使用周波数は、１５０〜４００Ｈｚである。
【００６８】
つぎに、水槽７について説明する。
【００６９】
本実施の形態においては、水槽７はガラス製であり、水槽７のサイズは５００ｍｍ（Ｘ方向）×１０００ｍｍ（Ｙ方向）×５００ｍｍ（Ｚ方向、つまり深さ方向）である。
【００７０】
つぎに、送り機構４について説明する。
【００７１】
送り機構４は、スライス加工によって千数百枚のシリコンウェハ１ａとなったシリコンインゴット１が接着されたビーム材２を、ビーム材２が最初に断熱材３にセットされた初期位置から、吸着パッド６が−Ｙ側、つまり最も外側のシリコンウェハ１ａを吸着することができる位置まで繰り返し移動するための手段である。
【００７２】
最後に、吸着パッド６について説明する。
【００７３】
吸着パッド６は、ベルヌーイチャックを利用してシリコンウェハ１ａを吸着するための手段である。
【００７４】
なお、吸着されたシリコンウェハ１ａは水中から空気中に搬送され搬送ベルトを経てシリコンウェハ専用のラックに収納され、シリコンウェハ１ａの洗浄がラック毎にまたは一枚ずつ枚葉式で行われる。
【００７５】
つぎに、図２および３を主として参照しながら、本実施の形態のシリコンウェハ剥離装置の動作について説明する。
【００７６】
ここに、図２は本発明における実施の形態のシリコンウェハ剥離装置の模式的な部分拡大側面図（ＹＺ平面図）であり、図３は本発明における実施の形態のシリコンウェハ剥離装置の模式的な部分正面図（ＸＺ平面図）である。
【００７７】
なお、本実施の形態のシリコンウェハ剥離装置の動作について説明しながら、シリコンウェハ剥離方法の一実施の形態についても説明する。
【００７８】
さて、本実施の形態における剥離メカニズムは、要するにつぎの通りである。
【００７９】
スライス加工によって千数百枚のシリコンウェハ１ａとなったシリコンインゴット１が接着剤８を介して接着されたビーム材２は、断熱材３にセットされて水で満たされた水槽７に設置されている。
【００８０】
したがって、シリコンインゴット１の周囲は水で満たされており、隣り合うシリコンウェハ１ａの間の隙間にはスライス加工が行われた際に発生したシリコンスラッジ９（図２参照）が水を含んで詰まっている。
【００８１】
交流電流が誘導加熱コイル５に流されると、向きおよび強さの変化する磁力線が誘導加熱コイル５の周囲に発生し、渦電流がこの磁力線の影響を受けてビーム材２に流れ、ジュール熱が発生する。
【００８２】
誘導加熱がこのようにして開始されると、ビーム材２は８０℃程度に加熱され、接着剤８も接触しているビーム材２からの熱伝導によって効率的に８０℃程度に加熱される。
【００８３】
すると、接着剤８の密着強度は速やかに低下するので、シリコンウェハ１ａを物理的な応力の印加によって容易にビーム材２から剥離することができるようになる。
【００８４】
そして、シリコンインゴット１は接着剤８を介したビーム材２からの熱伝導によって間接的にわずかに加熱されるだけであるので、シリコンウェハ１ａの表面が酸素との反応で酸化することは極めて少なく、シリコンウェハ１ａの品質が劣化する恐れはほとんどない。
【００８５】
ここで、剥離メカニズムについてより具体的に説明すると、つぎの通りである。
【００８６】
すなわち、ビーム材２において発生した熱が周囲の水に伝導し、ビーム材２に近い点Ａ（図２参照）付近の水の温度が上昇し始める。
【００８７】
点Ａ付近の水の温度は＋Ｚ方向、つまり鉛直上向き方向に関してより上側にある点Ｂ（図２参照）付近の水の温度よりも高くなるので、点Ａ付近の水の比重が点Ｂ付近の水の比重よりも小さくなり、点Ａ付近の水は＋Ｚ方向に向かって移動する。
【００８８】
すると、隣り合うシリコンウェハ１ａの間の隙間に詰まっているシリコンスラッジ９を巻き込みながら点Ａから点Ｂに向かう＋Ｚ方向の水流が、発生する。
【００８９】
シリコンスラッジ９のほとんどは、各々のシリコンスラッジ９のサイズはそれほど大きくないので、シリコンウェハ１ａに固着せずに上記の水流に巻き込まれて＋Ｚ方向に移動し、あるものは点Ｂ付近を通過して外に出てゆき、あるものは点Ｂ付近に集積する。
【００９０】
なお、点Ｂ付近に集積したシリコンスラッジ９は、隣り合うシリコンウェハ１ａの間の隙間の大きさをＹ方向に広げシリコンウェハ１ａの剥離を助長する応力の発生に寄与する。
【００９１】
かくして、−Ｙ側、つまり最も外側のシリコンウェハ１ａは、隣り合うシリコンウェハ１ａがより外側に存在しないので、吸着パッド６に向かって自然に倒れかって吸着パッド６に吸着され、水槽７の外に搬送される。
【００９２】
もちろん、ビーム材２が誘導加熱コイル５に対して相対的に移動させられながら、シリコンウェハ１ａの剥離は繰り返し行われる。
【００９３】
シリコンスラッジ９のほとんどはシリコンウェハ１ａが水槽７の外に搬送される時点でシリコンウェハ１ａから遊離して水中に分散するので、剥離されたシリコンウェハ１ａへのシリコンスラッジ９の付着を低減することが可能である。
【００９４】
そして、シリコンウェハ１ａの剥離が行われる際、ビーム材２の外周部の温度がビーム材２の中心部の温度よりも高いことが好ましい。
【００９５】
前述した誘導加熱コイル５の形状によれば、誘導加熱コイル５に近いビーム材２の外周部の点ＣおよびＤ（図３参照）付近の水の温度は誘導加熱コイル５から遠いビーム材２の中心部の点Ｅ（図３参照）付近の水の温度よりも高くなるので、点ＣおよびＤ付近の接着剤８の密着強度は点Ｅ付近の接着剤８の密着強度と比較して低下しやすい。
【００９６】
したがって、剥離されたシリコンウェハ１ａへの接着剤８の付着を低減しつつ、シリコンウェハ１ａを容易にビーム材２から剥離することが可能である。
【００９７】
さらに、シリコンウェハ１ａがビーム材２の鉛直上側に配置された状態で、シリコンウェハ１ａの剥離が行われることが好ましい。シリコンウェハ１ａがビーム材２の鉛直上側に配置される場合には、シリコンスラッジ９を上記の水流を利用して移動させることが可能である。
【００９８】
なお、シリコンウェハ１ａがビーム材２の鉛直下側に配置される場合には、（１）シリコンウェハ１ａの荷重が接着剤８に−Ｚ方向、つまり鉛直下向き方向に作用するので、シリコンウェハ１ａが予期せずビーム材２から脱落してしまったり、（２）接着剤８に作用する力が隣り合うシリコンウェハ１ａの間の隙間に詰まっているシリコンスラッジ９の量、および／または隣り合うシリコンウェハ１ａの密着の仕方によってばらつき、最も外側のシリコンウェハ１ａのみを吸着パッド６に吸着することができなかったりする恐れがある。
【００９９】
水はその中でシリコンウェハ１ａがビーム材２から剥離される本発明の液体の一例であり、他の液体の具体的な例としては、アルコール、エーテル、および乳酸などの洗浄剤がこれらに混合された水溶液などが挙げられ、液体は状況に応じて選択可能である。
【０１００】
そして、前述したように、誘導加熱コイル５は本発明の加熱手段の一例であり、他の加熱手段の具体的な例としては、超音波加熱手段、レーザ加熱手段、およびビーム材２に電極を接触させて直接的に電流を供給して加熱する接触電流供給加熱手段などが挙げられ、加熱手段は状況に応じて選択可能である。
【０１０１】
このように、本実施の形態によれば、シリコンウェハの品質を劣化させることなく、人手を介さずにシリコンウェハの剥離を行うことができるので、半導体用のシリコンウェハの生産性が向上される。
【産業上の利用可能性】
【０１０２】
本発明におけるシリコンウェハ剥離方法、およびシリコンウェハ剥離装置は、たとえば、シリコンウェハの品質の劣化を抑制しつつシリコンウェハをより効率的に一枚ずつビーム材から剥離することが可能であり、スライス加工後のシリコンウェハが接着剤を介して接着されたビーム材から半導体用のシリコンウェハを剥離するシリコンウェハ剥離方法、およびシリコンウェハ剥離装置に利用するために有用である。
【符号の説明】
【０１０３】
１  シリコンインゴット
２  ビーム材
３  断熱材
４  送り機構
５  誘導加熱コイル
６  吸着パッド
７  水槽
【図１】
2014007377.tif 000003
【図２】
2014007377.tif 000004
【図３】
2014007377.tif 000005
【図４】
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