(57)【要約】【課題】優れた特性（導電性、発光特性、溶剤溶解性など）を有する新規な有機ヘテロ高分子を提供する。【解決手段】本発明の有機ヘテロ高分子は、下記式で表される繰り返し単位を有する。2014172970.tif 000042（式中、Ｒ３及びＲ４は水素原子、ハロゲン原子などを示し、環Ａｒは芳香族性環（ベンゼン環，チオフェン環，フルオレン環など）を示し、Ｒ６は、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基などを示し、ｐは０以上の整数を示す。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）又は（２）
【化１】
2014172970.tif 000034
（式中、Ｍは、周期表１４族元素、１５族元素、及び１６族元素から選択されたヘテロ原子を示し、
Ｒ１は、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、ヘテロアリール基、又はヘテロアリールアルキル基を示し、
Ｒ２は、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、ヘテロアリール基、ヘテロアリールアルキル基、ヘテロ原子、又は錯形成した金属原子を示し、
【化２】
2014172970.tif 000035
は単結合又は二重結合を示し、
ｍ１およびｍ２はそれぞれ０又は１を示し、
Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、又は式−Ｚ−Ｒ５
（Ｚは周期表１４族元素、１５族元素又は１６族元素を示し、Ｒ５はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、ヘテロアリール基、又はヘテロアリールアルキル基を示す）を示し、
環Ａｒは芳香族性環を示し、
Ｒ６は、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、又はアルキルチオ基を示し、
ｐは０以上の整数を示す。）
で表される繰り返し単位を有する有機ヘテロ高分子。
【請求項２】
式（１）において、下記式（Ａ）
【化３】
2014172970.tif 000036
（式中、Ｒ１、Ｒ２、ｍ１、ｍ２は前記に同じ。）
で表されるユニットが、下記式（Ａ１）〜（Ａ５）
【化４】
2014172970.tif 000037
（式中、Ｍ１は周期表１５族元素、Ｍ２は周期表１４族元素、１５族元素又は１６族元素、Ｍ３およびＭ４は同一又は異なって周期表１６族元素を示し、Ｒ１ａ及びＲ１ｂは同一又は異なってハロゲン原子、アルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を示し、Ｒ２ａ及びＲ２ｃは同一又は異なって周期表１６族元素を示し、Ｒ２ｂは、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、錯形成した金属原子を示す。）
で表されるユニットのいずれかである請求項１記載の有機ヘテロ高分子。
【請求項３】
式（Ａ１）〜（Ａ５）において、Ｍ１がＰ、Ａｓ、Ｓｂ、又はＢｉであり、Ｍ２がＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｅ又はＴｅであり、Ｍ３がＳｅ又はＴｅであり、Ｍ４がＳ、Ｓｅ又はＴｅであり、Ｒ１ａがアルキル基又はアリール基であり、Ｒ１ｂがハロゲン原子、アルキル基又はアリール基であり、Ｒ２ａがＳ、Ｓｅ又はＴｅであり、Ｒ２ｂがハロゲン原子、アルキル基、アリール基又は錯形成した周期表１１族元素であり、Ｒ２ｃがＯである請求項２記載の有機ヘテロ高分子。
【請求項４】
式（２）において、下記式（Ｂ）
【化５】
2014172970.tif 000038
（式中、Ｒ３およびＲ４は前記と同じ。）
で表されるユニットが、下記式（Ｂ１）又は（Ｂ２）
【化６】
2014172970.tif 000039
（式中、Ｚ１は、周期表１６族元素を示し、Ｒ５ａは、アルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を示す。）
で表されるユニットである請求項１〜３のいずれかに記載の有機ヘテロ高分子。
【請求項５】
式（２）で表されるユニットが、式（Ｂ１）で表されるユニットであるか、又は式（Ｂ２）において、Ｚ１が硫黄原子、Ｒ５ａがアリール基であるユニットである請求項４記載の有機ヘテロ高分子。
【請求項６】
式（１）および（２）において、環Ａｒが、ベンゼン環、単環式ヘテロアレーン環、又は縮合多環式アレーン環である請求項１〜５のいずれかに記載の有機ヘテロ高分子。
【請求項７】
式（１）および（２）において、下記式（Ｃ）
【化７】
2014172970.tif 000040
（式中、Ａｒ、Ｒ６およびｐは前記と同じ。）
で表されるユニットが、下記式（Ｃ１）〜（Ｃ３）
【化８】
2014172970.tif 000041
［式中、Ｒ６ａ、Ｒ６ｂ、およびＲ６ｃは、それぞれ、アルキル基、アルコキシ基、又はアルキルチオ基を示し、Ｚ２は酸素原子、硫黄原子又はＮＲ６ｄ（式中、Ｒ６ｄは水素原子、アルキル基、又はアシル基を示す。）を示し、ｐ１は０〜４、ｐ２は０〜２、ｐ３は０〜２を示す。］
で表されるユニットのいずれかである請求項１〜６のいずれかに記載の有機ヘテロ高分子。
【請求項８】
式（Ｃ１）において、Ｒ６ａがＣ４−２０アルコキシ基又はＣ４−２０アルキルチオ基、ｐ１が２〜４であり、式（Ｃ２）において、Ｒ６ｂがＣ４−２０アルキル基であり、ｐ２が１〜２であり、式（Ｃ３）においてＲ６ｃがＣ４−２０アルキル基、ｐ３が１〜２である請求項７記載の有機ヘテロ高分子。
【請求項９】
（１）式（１）において、前記式（Ａ）で表されるユニットが、前記式（Ａ１）〜（Ａ５）で表されるユニットのいずれかであり、
（２）式（２）において、前記式（Ｂ）で表されるユニットが、前記式（Ｂ１）又は（Ｂ２）で表されるユニットであり、
（３）式（１）および（２）において、前記式（Ｃ）で表されるユニットが、前記式（Ｃ１）〜（Ｃ３）で表されるユニットのいずれかである、請求項１〜８のいずれかに記載の有機ヘテロ高分子。
【請求項１０】
数平均分子量が１×１０３〜１×１０５である請求項１〜９のいずれかに記載の有機ヘテロ高分子。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかに記載の有機ヘテロ高分子と、有機溶媒とを含む組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フェロセン構造を有する新規な有機ヘテロ高分子（又は有機金属高分子）に関する。
【背景技術】
【０００２】
金属フタロシアニンに代表される有機金属化合物は、その有機分子−金属間の結合により、特異な電子状態や非常に安定な分子構造を形成するものが多い。これらの特徴により、古くから有機顔料などとして用いられてきた。
【０００３】
近年では、熱・光や電場など外部エネルギーに対する応答性から、電子写真方式のプリンターの感光材、ＣＤ−Ｒなどの記録媒体などのエレクトロニクス分野への利用が広まっている。例えば、最近では、有機金属化合物の有機半導体としての機能が注目され、有機トランジスタや有機薄膜太陽電池への利用が検討されている。有機半導体を用いた電子デバイスは、印刷により作製できるため、無機系デバイスに比べて、より安価に大量生産できると期待されている。
【０００４】
しかし、従来の有機金属化合物は溶剤に不溶又は難溶であるものが多く、その成膜は主に真空蒸着法で行っているため、作製した電子デバイスは高価である。
【０００５】
このような中、有機金属化合物由来の構造を有する高分子も開発されつつある。例えば、J.Am.Chem.Soc.2007,129,9842（非特許文献１）には、２，５’−ジブロモ−ビチオフェンおよび１，１’−ビス（ｐ−ブロモフェニル）フェロセンと、９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジボロン酸とを反応させ、９，９−ジヘキシルフルオレン骨格、ビチオフェン骨格およびジフェニルフェロセン骨格を有するポリマーを得たことが記載されている。そして、この文献には、このポリマーのバンドギャップが２．４ｅＶ、λonsetが５２０ｎｍであったことが記載されている。
【０００６】
しかし、この文献のポリマーは、合成に５日間も要し、実用性に乏しい。また、ヘテロ環骨格がチオフェン骨格に限定されるので、バンドギャップや波長の調整（例えば、吸収波長を長波長側にシフトさせる、バンドギャップを小さくするなど）が困難である。さらに、この文献のポリマーは、溶剤溶解性に乏しい。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】J.Am.Chem.Soc.2007,129,9842頁およびSupporting Information
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従って、本発明の目的は、フェロセン骨格を有する新規なヘテロ高分子（又は有機金属高分子）およびこの高分子を含む組成物（又はコーティング組成物）を提供することにある。
【０００９】
本発明の他の目的は、優れた特性（発光特性、導電性、溶剤溶解性など）を有する新規なヘテロ高分子およびこの高分子を含む組成物を提供することにある。
【００１０】
本発明のさらに他の目的は、分子量が比較的高いにも拘わらず、導電性（キャリア移動度）に優れる有機ヘテロ高分子およびこの高分子を含む組成物を提供することにある。
【００１１】
本発明の別の目的は、有機溶媒に対する溶解性が高い有機ヘテロ高分子およびこの高分子を含む組成物を提供することにある。
【００１２】
本発明のさらに別の目的は、上記のような優れた特性を有しているにもかかわらず、効率よく製造できる有機ヘテロ高分子およびこの高分子を含む組成物を提供することにある。
【００１３】
本発明の他の目的は、コーティングなどの簡便な方法により成膜可能な組成物（コーティング組成物）を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明者らは、前記課題を達成するため鋭意検討した結果、主鎖に、フェロセン単位と、エチニレン単位と、アレーン単位とヘテロ元素核（ヘテロ金属原子など）を含む５員環単位又はジエン単位とを組み合わせて有する高分子（共役系高分子）が、優れた特性（例えば、導電性、発光特性、溶剤溶解性など）を有していること、また、このような高分子は、比較的高分子量であるにもかかわらず、薗頭カップリング反応を利用又は応用した方法などにより、容易に合成できることを見いだし、本発明を完成した。
【００１５】
すなわち、本発明の有機ヘテロ高分子は、下記式（１）又は（２）
【００１６】
【化１】
2014172970.tif 000002
【００１７】
（式中、Ｍは、周期表１４族元素、１５族元素、及び１６族元素から選択されたヘテロ原子を示し、
Ｒ１は、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、ヘテロアリール基、又はヘテロアリールアルキル基を示し、
Ｒ２は、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、ヘテロアリール基、ヘテロアリールアルキル基、ヘテロ原子、又は錯形成した金属原子を示し、
【００１８】
【化２】
2014172970.tif 000003
【００１９】
は単結合又は二重結合を示し、
ｍ１およびｍ２はそれぞれ０又は１を示し、
Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、又は式−Ｚ−Ｒ５
（Ｚは周期表１４族元素、１５族元素又は１６族元素を示し、Ｒ５はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、ヘテロアリール基、又はヘテロアリールアルキル基を示す）を示し、
環Ａｒは芳香族性環を示し、
Ｒ６は、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、又はアルキルチオ基を示し、
ｐは０以上の整数を示す。）
で表される繰り返し単位を有する。
【００２０】
上記式（１）において、下記式（Ａ）
【００２１】
【化３】
2014172970.tif 000004
【００２２】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、ｍ１、ｍ２は前記に同じ。）
で表されるユニット（単位、構造単位）は、例えば、下記式（Ａ１）〜（Ａ５）
【００２３】
【化４】
2014172970.tif 000005
【００２４】
（式中、Ｍ１は周期表１５族元素、Ｍ２は周期表１４族元素、１５族元素又は１６族元素、Ｍ３およびＭ４は同一又は異なって周期表１６族元素を示し、Ｒ１ａ及びＲ１ｂは同一又は異なってハロゲン原子、アルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を示し、Ｒ２ａ及びＲ２ｃは同一又は異なって周期表１６族元素を示し、Ｒ２ｂは、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、錯形成した金属原子を示す。）
で表されるユニットのいずれかであってもよい。
【００２５】
代表的な有機ヘテロ高分子では、前記式（Ａ１）〜（Ａ５）において、Ｍ１がＰ、Ａｓ、Ｓｂ、又はＢｉであり、Ｍ２がＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｅ又はＴｅであり、Ｍ３がＳｅ又はＴｅであり、Ｍ４がＳ、Ｓｅ又はＴｅであり、Ｒ１ａがアルキル基又はアリール基であり、Ｒ１ｂがハロゲン原子、アルキル基又はアリール基であり、Ｒ２ａがＳ、Ｓｅ又はＴｅであり、Ｒ２ｂがハロゲン原子、アルキル基、アリール基又は錯形成した周期表１１族元素であり、Ｒ２ｃがＯであってもよい。
【００２６】
また、前記式（２）において、下記式（Ｂ）
【００２７】
【化５】
2014172970.tif 000006
【００２８】
（式中、Ｒ３およびＲ４は前記と同じ。）
で表されるユニット（単位、構造単位）は、例えば、下記式（Ｂ１）又は（Ｂ２）
【００２９】
【化６】
2014172970.tif 000007
【００３０】
（式中、Ｚ１は、周期表１６族元素を示し、Ｒ５ａは、アルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を示す。）
で表されるユニットであってもよい。
【００３１】
特に、前記式（２）で表されるユニットは、式（Ｂ１）で表されるユニットであるか、又は式（Ｂ２）において、Ｚ１が硫黄原子、Ｒ５ａがアリール基であるユニットであってもよい。
【００３２】
前記式（１）および（２）において、環Ａｒは、例えば、ベンゼン環、単環式ヘテロアレーン環、又は縮合多環式アレーン環であってもよい。代表的には、前記式（１）および（２）において、下記式（Ｃ）
【００３３】
【化７】
2014172970.tif 000008
【００３４】
（式中、Ａｒ、Ｒ６およびｐは前記と同じ。）
で表されるユニットが、下記式（Ｃ１）〜（Ｃ３）
【００３５】
【化８】
2014172970.tif 000009
【００３６】
［式中、Ｒ６ａ、Ｒ６ｂ、およびＲ６ｃは、それぞれ、アルキル基、アルコキシ基、又はアルキルチオ基を示し、Ｚ２は酸素原子、硫黄原子又はＮＲ６ｄ（式中、Ｒ６ｄは水素原子、アルキル基、又はアシル基を示す。）を示し、ｐ１は０〜４、ｐ２は０〜２、ｐ３は０〜２を示す。］
で表されるユニットのいずれかであってもよい。
【００３７】
特に、前記式（Ｃ１）において、Ｒ６ａがＣ４−２０アルコキシ基又はＣ４−２０アルキルチオ基、ｐ１が２〜４であり、式（Ｃ２）において、Ｒ６ｂがＣ４−２０アルキル基であり、ｐ２が１〜２であり、式（Ｃ３）においてＲ６ｃがＣ４−２０アルキル基、ｐ３が１〜２であってもよい。
【００３８】
特に、本発明の有機ヘテロ高分子は、下記（１）〜（３）のすべてを充足するヘテロ高分子であってもよい。
【００３９】
（１）式（１）において、前記式（Ａ）で表されるユニットが、前記式（Ａ１）〜（Ａ５）で表されるユニットのいずれかであり、
（２）式（２）において、前記式（Ｂ）で表されるユニットが、前記式（Ｂ１）又は（Ｂ２）で表されるユニットであり、
（３）式（１）および（２）において、前記式（Ｃ）で表されるユニットが、前記式（Ｃ１）〜（Ｃ３）で表されるユニットのいずれかである。
【００４０】
本発明の有機ヘテロ高分子の数平均分子量は、例えば、１×１０３〜１×１０５程度であってもよい。また、本発明の有機ヘテロ高分子は、特に、有機半導体を形成するための有機ヘテロ高分子であってもよい。
【００４１】
本発明には、前記有機ヘテロ高分子と、有機溶媒とを含む組成物（有機半導体形成用組成物）も含まれる。
【００４２】
また、本発明には、前記有機ヘテロ高分子で形成された有機半導体も含まれる。さらに、本発明には、基材の少なくとも一方の面に前記組成物を塗布して乾燥し、有機半導体を形成する有機半導体の製造方法も含まれる。
【００４３】
また、本発明には、前記有機ヘテロ高分子で形成された有機半導体を含む電子デバイスも含まれる。このような電子デバイスは、例えば、光電変換素子、スイッチング素子及び整流素子から選択された一種であってもよい。
【００４４】
なお、本明細書中、「有機ヘテロ高分子」とは、硫黄、窒素、酸素、リンなどのヘテロ原子だけでなく、ヘテロ金属原子を含む高分子を意味する。そのため、「有機ヘテロ高分子」を有機金属高分子という場合もある。
【発明の効果】
【００４５】
本発明では、フェロセン単位と、エチニレン単位と、所定の芳香族性環と、ヘテロ原子を含む５員芳香族性環又はジエン単位とが結合（共役結合π−電子共役結合）した構造を有する新規な高分子（有機ヘテロ高分子）が得られる。
【００４６】
このような有機ヘテロ高分子は、種々の優れた特性（発光特性、導電性又は半導体特性、溶剤溶解性など）を有しており、種々の用途において適用可能である。例えば、本発明の有機ヘテロ高分子には、発光特性を有するものが含まれる。そのため、発光材料などとして使用可能である。また、本発明の有機ヘテロ高分子には、半導体特性を有するものも含まれ、比較的分子量が大きいにも拘わらず導電性（キャリア移動度）が高い。そのため、高分子有機半導体を形成するのに有用である。なお、側鎖にアルキル鎖などを導入すると、有機溶媒に対する溶解性をさらに向上できる。そのため、有機ヘテロ高分子をコーティング組成物とし、コーティングなどの簡便な方法により有機半導体を成膜可能である。さらに、ヘテロ原子の種類などを代えることで、吸収波長やバンドギャップの調整（例えば、長波長側へシフトさせる、バンドギャップを小さくするなど）を容易に行うことができる。さらにまた、フェロセン単位を有しているため、レドックス特性や触媒能を有している。
【００４７】
しかも、本発明の有機ヘテロ高分子は、上記のような優れた特性を有しているにもかかわらず、容易にかつ効率よく製造（又は合成）でき、極めて実用性に優れている。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】図１は、実施例１で得られた高分子のＮＭＲチャートである。
【図２】図２は、実施例２で得られた高分子のＮＭＲチャートである。
【図３】図３は、実施例３で得られた高分子のＮＭＲチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００４９】
［有機ヘテロ高分子］
本発明の有機ヘテロ高分子は、下記式（１）又は（２）で表される繰り返し単位を有している。
【００５０】
【化９】
2014172970.tif 000010
【００５１】
（式中、Ｍは、周期表１４族元素、１５族元素、及び１６族元素から選択されたヘテロ原子を示し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は置換基を示し、
【００５２】
【化１０】
2014172970.tif 000011
【００５３】
は単結合又は二重結合を示し、ｍ１およびｍ２はそれぞれ０又は１を示し、
環Ａｒは芳香族性環を示し、Ｒ６は置換基を示し、ｐは０以上の整数を示す。）
すなわち、式（１）で表される繰り返し単位は、下記式（Ａ）で表されるユニット（単位、構造単位）、下記式（Ｃ）で表されるユニット（単位、構造単位）、下記式（Ｄ）で表される構造単位（単位、構造単位）と、２つのエチニレン基（−Ｃ≡Ｃ−）とを有する。
【００５４】
【化１１】
2014172970.tif 000012
【００５５】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、ｍ１、ｍ２は前記に同じ。）
【００５６】
【化１２】
2014172970.tif 000013
【００５７】
（式中、Ａｒ、Ｒ６およびｐは前記と同じ。）
【００５８】
【化１３】
2014172970.tif 000014
【００５９】
また、式（２）で表される繰り返し単位は、下記式（Ｂ）で表されるユニット（単位、構造単位）、前記式（Ｃ）で表されるユニット（単位、構造単位）、前記式（Ｄ）で表される構造単位（単位、構造単位）と、２つのエチニレン基（−Ｃ≡Ｃ−）とを有する。
【００６０】
【化１４】
2014172970.tif 000015
【００６１】
（式中、Ｒ３およびＲ４は前記と同じ。）
以下、式（１）、式（２）又はそれぞれのユニットについて詳細に説明する。
【００６２】
式（１）又は式（Ａ）において、Ｍは、周期表１４族元素（例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ）、１５族元素（例えば、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ）、１６族元素（例えば、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ）から選択された元素（ヘテロ原子）である。これらの元素Ｍのうち、周期表１４族元素では、例えば、Ｇｅ、Ｓｎなど（特にＳｎ）が好ましく、１５族元素では、例えば、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉなど（特にＰ）が好ましく、１６族元素では、例えば、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅが好ましい。これらの元素（ヘテロ原子）の原子価は、元素（ヘテロ原子）の種類に応じて、適宜選択でき、例えば、２〜６価、好ましくは３〜５価であってもよい。特に周期表１４族元素（例えば、Ｓｎ）は４価である場合が多く、１５族元素（例えば、Ｐ）は３〜５価である場合が多く、周期表１６族元素（例えば、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ）は３〜５価である場合が多い。なお、ＭがＳ（硫黄原子）であるとき、特に、３価以上（例えば、４価など）であってもよい。
【００６３】
式（１）において、Ｒ１としては、例えば、ハロゲン原子［例えば、Ｆ（フッ素原子）、Ｃｌ（塩素原子）、Ｂｒ（臭素原子）、Ｉ（ヨウ素原子）など］、炭化水素基（例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基など）、ヘテロアリール基を含む基［例えば、ヘテロアリール基、ヘテロアリール基が炭化水素基に置換した基（例えば、ヘテロアリールアルキル基など）など］などが挙げられる。
【００６４】
アルキル基（直鎖状又は分岐鎖状アルキル基）としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基などが挙げられる。アルキル基は、代表的には、Ｃ１−２０アルキル基（例えば、Ｃ１−１２アルキル基）、好ましくはＣ１−１０アルキル基（例えば、Ｃ１−６アルキル基）、さらに好ましくはＣ１−４アルキル基、特にＣ１−２アルキル基であってもよい。
【００６５】
シクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などのＣ３−１０シクロアルキル基などが例示できる。好ましいシクロアルキル基は、Ｃ５−８シクロアルキル基である。
【００６６】
アリール基としては、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基などのアルキル基（例えば、Ｃ１−４アルキル基）が置換していてもよいＣ６−１２アリール基などが例示できる。好ましいアリール基には、フェニル基などのＣ６−１０アリール基が含まれる。
【００６７】
アラルキル基（アリールアルキル基）としては、前記例示のアリール基とアルキル基とを組み合わせた基、例えば、ベンジル基、フェネチル基などのＣ６−１０アリールＣ１−４アルキル基などが例示できる。
【００６８】
ヘテロアリール基としては、例えば、硫黄原子、窒素原子及び酸素原子から選択された少なくとも１つのヘテロ原子を含む５員複素環基（例えば、チエニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、フリル基など）、硫黄原子、窒素原子及び酸素原子から選択された少なくとも１つのヘテロ原子を含む６員複素環基（ピリジル基、ピラジル基など）、これらの５員又は６員複素環と芳香族炭化水素環（ベンゼン環など）との縮合環基（ベンゾチエニル基、インドリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾフリル基、キノリル基、キノキサリニル基など）などが例示できる。
【００６９】
ヘテロアリール基が炭化水素基に置換した基としては、上記ヘテロアリール基が前記例示の炭化水素基に置換した基、例えば、ヘテロアリールアルキル基（例えば、チエニルエチル基、フリルエチル基などの５員又は６員ヘテロアリールＣ１−４アルキル基など）が例示できる。
【００７０】
なお、Ｒ１において、炭化水素基（例えば、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基など）およびヘテロアリール基を含む基は、無置換の基であってもよく、さらに置換基を有する基であってもよい。このような置換基としては、本発明の効果を害しない限り特に限定されないが、例えば、炭化水素基（アルキル基などの前記例示の炭化水素基など）、ハロゲン原子（塩素原子などの前記例示の基）、エーテル基｛例えば、アルコキシ基［例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基などの前記例示のアルキル基が酸素原子に結合したアルコキシ基（例えば、Ｃ１−２０アルコキシ基など）など］など｝、チオエーテル基｛例えば、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基などの前記例示のアルキル基が硫黄原子に結合したアルキルチオ基（例えば、Ｃ１−２０アルキルチオ基など）など］など｝、アシル基［例えば、アルキルカルボニル基（例えば、アセチル基、プロピオニル基などのＣ１−１０アルキルカルボニル基）などの前記例示の炭化水素基とカルボニル基とが結合したアシル基など］、アルコキシカルボニル基（例えば、メトキシカルボニル基などの前記例示のアルコキシ基とカルボニル基とが結合したアルコキシカルボニル基）などが含まれる。なお、置換基の数は、炭化水素基やヘテロアリール基を含む基の種類などに応じて適宜選択でき、例えば、１〜１０（例えば、１〜６）、好ましくは１〜４、さらに好ましくは１〜２などであってもよい。
【００７１】
代表的なＲ１には、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基などが含まれる。
【００７２】
式（１）又は式（Ａ）において、Ｒ２としては、例えば、ハロゲン原子、炭化水素基（アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基など）、ヘテロアリール基を含む基［例えば、ヘテロアリール基、ヘテロアリール基が炭化水素基に置換した基（例えば、ヘテロアリールアルキル基など）など］、ヘテロ原子、配位子と錯体を形成した金属原子などが挙げられる。
【００７３】
Ｒ２において、ハロゲン原子、炭化水素基、ヘテロアリール基を含む基としては、前記Ｒ１で例示した基と同様の基が挙げられる。
【００７４】
ヘテロ原子としては、例えば、周期表１１族元素（例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ）、周期表１６族元素（例えば、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ）などが挙げられる。これらのヘテロ原子（ヘテロ金属原子など）のうち、周期表１６族元素（例えば、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ）などが好ましい。なお、周期表１６族元素などは、Ｍと多重結合を形成して結合し（例えば、＝Ｓ、＝Ｓｅ、＝Ｔｅなどの二重結合）、周期表１１族元素などは、Ｍと単結合を形成して結合していてもよい。
【００７５】
配位子と錯体を形成した金属原子（錯形成した金属原子）において、金属原子としては、例えば、周期表１１族元素（例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕなど）などの遷移金属元素（原子）などが含まれる。これらのうち、周期表１１族元素（例えば、Ａｇ、Ａｕなど、特にＡｕ）などが好ましい。また、配位子としては、例えば、酸素原子、ハロゲン原子（又はハロ、塩素、臭素などの前記例示の基）、ＯＨ（ヒドロキソ）、Ｈ２Ｏ（アコ）、ＣＯ、ＣＮ、メトキシ基などのアルコキシ基、アセチル基、メトキシカルボニル（アセタト）基、アセチルアセトナト基、シクロペンタジエニル基、ピリジン、ホスフィン、ハロゲンなどが挙げられる。なお、錯形成した金属原子は、Ｍと、単結合又は多重結合のいずれで結合していてもよい。代表的な錯形成した金属原子としては、周期表第１１族元素が配位子と錯形成した金属原子［例えば、−ＡｕＸ（式中、Ｘはハロゲン原子）などのハロゲン原子を配位子として有する周期表１１族元素］などが挙げられる。
【００７６】
代表的なＲ２には、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、ヘテロ原子（例えば、Ｓなどの周期表１６族元素）、錯形成した金属原子などが含まれる。
【００７７】
式（１）又は式（Ａ）において、ｍ１およびｍ２は、それぞれ同一又は異なって０又は１である。ｍ１とｍ２との合計は、Ｍの種類などに応じて選択でき、０〜２のいずれであってもよい。すなわち、元素（ヘテロ原子）Ｍの価数に応じて、ｍ１＝０及びｍ２＝０（例えば、ＭがＳｅ、Ｔｅなどの周期表１６族元素である場合など）、ｍ１＝１及びｍ２＝０（例えば、ＭがＰ、Ｂｉなどの周期表１５族元素又は１６族元素、特に周期表１５族元素である場合）、ｍ１＝０及びｍ２＝１（例えば、Ｓなどの周期表１５族元素又は１６族元素、特に周期表１６族元素である場合など）、ｍ１＝１及びｍ２＝１（例えば、Ｓｎ、Ｐ、Ｔｅなどの周期表１４〜１６族元素である場合）のいずれであってもよい。なお、ＭがＳ（硫黄原子）であるとき、ｍ１およびｍ２の少なくとも一方（例えば、ｍ２）が１であってもよい。
【００７８】
式（Ａ）で表されるユニットは、代表的には、下記式（Ａ１）〜（Ａ５）のいずれかで表されるユニットであってもよい。
【００７９】
【化１５】
2014172970.tif 000016
【００８０】
（式中、Ｍ１は周期表１５族元素（特に、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ）、Ｍ２は周期表１４族元素、１５族元素又は１６族元素（特に、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ｔｅなど）、Ｍ３は周期表１６族元素（特にＳｅ、Ｔｅなどの非硫黄元素）、Ｍ４は周期表１６族元素（特に、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅなど）を示し、Ｒ１ａはハロゲン原子、アルキル基、アリール基又はヘテロアリール基（好ましくはアルキル基又はアリール基、特にアリール基）を示し、Ｒ１ｂはハロゲン原子、アルキル基、アリール基又はヘテロアリール基（好ましくはハロゲン原子、アルキル基又はアリール基）を示し、Ｒ２ａは周期表１６族元素（特に、Ｓ、Ｓｅなど）を示し、Ｒ２ｂは、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、又は錯形成した金属原子（好ましくはハロゲン原子、アルキル基、アリール基又は錯形成した金属原子（錯形成した周期表１１族元素など））を示し、Ｒ２ｃは周期表１６族元素（特にＯなど）を示す。）
なお、上記式（Ａ１）〜（Ａ５）において、Ｒ１ａおよびＲ１ｂはＲ１に、Ｒ２ａ、Ｒ２ｂおよびＲ２ｃはＲ２に、それぞれ対応し、好ましい態様もＲ１およびＲ２の項で記載した通りである。
【００８１】
なお、以下の表１に、前記式（Ａ）で表されるユニットにおいて、Ｍ（元素の種類、価数）、Ｒ１、ｍ１、Ｒ２、およびｍ２の組み合わせの一例を示す。
【００８２】
【表１】
2014172970.tif 000017
【００８３】
式（２）又は式（Ｂ）において、Ｒ３及びＲ４としては、例えば、水素原子、ハロゲン原子（例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素など）、−Ｚ−Ｒ５［式中、Ｚは周期表１４族元素、１５族元素又は１６族元素を示し、Ｒ５は炭化水素基（アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基などの前記Ｒ１の項で例示の炭化水素基など）、ヘテロアリール基を含む基（例えば、ヘテロアリール基、ヘテロアリールアルキル基などの前記Ｒ１の項で例示のヘテロアリール基を含む基など）を示す。］などが挙げられる。
【００８４】
Ｚにおいて、周期表１４〜１６族元素としては、前記例示の元素が挙げられる。特に、Ｚは、周期表１６族（又は６Ｂ族）元素、例えば、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ（例えば、Ｓ、Ｓｅ）であってもよい。また、Ｒ５において、炭化水素基、ヘテロアリール基を含む基は、前記Ｒ１の項で例示の炭化水素基などが挙げられる。特に、Ｒ５はアリール基（例えば、フェニル基などのＣ６−１０アリール基）であってもよい。
【００８５】
なお、Ｒ５において、炭化水素基およびヘテロアリール基を含む基は、前記Ｒ１の場合と同様に、無置換であってもよく、さらに置換基を有していてもよい。置換基の種類などは前記と同じ態様である。このようなＲ５としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基を有するアリール基（例えば、アルコキシフェニル基、アルキルチオフェニル基など）などが挙げられる。
【００８６】
代表的なＲ３およびＲ４には、水素原子、−Ｚ−Ｒ５が挙げられる。なお、Ｒ３およびＲ４は、同一の又は異なる基であってもよい。
【００８７】
式（Ｂ）で表されるユニットは、代表的には、下記式（Ｂ１）又は（Ｂ２）のいずれかで表されるユニットであってもよい。
【００８８】
【化１６】
2014172970.tif 000018
【００８９】
（式中、Ｚ１は、周期表１６族元素（好ましくはＳなど）を示し、Ｒ５ａは、アルキル基、アリール基又はヘテロアリール基（好ましくはアリール基）を示す。）
なお、上記式において、Ｚ１はＺに対応し、Ｒ５ａはＲ５に対応し、好ましい態様は、それぞれ、Ｚ、Ｒ５の項で記載した通りである。なお、２つのＺ１、２つのＲ５ａは、それぞれ同一又は異なる基であってもよい。
【００９０】
式（１）、式（２）又は式（Ｃ）において、環Ａｒ１で表される芳香族性環としては、前記と同様のアリール基及びヘテロアリール基に対応する芳香族環（例えば、ベンゼン環、チオフェン環、フラン環など）の他、縮合多環式アレーン環（例えば、フルオレン環など）、環集合芳香族炭化水素環［例えば、ビスアレーン環（例えば、ビフェニル環、ビナフチル環などのビスアレーン環）、ビスヘテロアレーン環（例えば、ビピリジン環など）など］などが例示できる。
【００９１】
代表的な芳香族性環Ａｒは、ベンゼン環、ナフタレン環などのＣ６−１２アレーン環（特に、Ｃ６−１０アレーン環）、ヘテロアレーン環（例えば、チオフェン環、ピリジン環、フラン環などの５員又は６員ヘテロアレーン環）、フルオレン環、ビスアレーン環（ビフェニル環、ビナフチル環など）である。芳香族性環Ａｒは、特に、ベンゼン環、ヘテロアレーン環（例えば、チオフェン環などの単環式ヘテロアレーン環）、縮合多環式アレーン環（又は縮合多環式芳香族炭化水素環、例えば、ナフタレン環、フルオレン環など、特にフルオレン環）であってもよい。
【００９２】
式（１）、式（２）又は式（Ｃ）において、Ｒ６としては、例えば、ハロゲン原子［例えば、Ｆ（フッ素原子）、Ｃｌ（塩素原子）、Ｂｒ（臭素原子）、Ｉ（ヨウ素原子）など］、炭化水素基（例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基など）、エーテル基（例えば、アルコキシ基）、チオエーテル基（例えば、アルキルチオ基など）などが挙げられる。これらの中でも、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基などが好ましい。
【００９３】
炭化水素基、エーテル基、チオエーテル基としては、前記Ｒ１の項で例示の基が挙げられる。特に、Ｒ６の種類に応じて、有機ヘテロ高分子の溶媒溶解性などを向上又は改善できる場合がある。このような観点から、例えば、アルキル基は、前記例示の基から選択できるが、特に、比較的炭素数の大きいアルキル基、例えば、Ｃ４−２０アルキル基（例えば、Ｃ４−１８アルキル基）、好ましくはＣ６−１６アルキル基、さらに好ましくはＣ６−１４アルキル基などであってもよい。
【００９４】
また、アルコキシ基としては、前記例示のアルコキシ基から選択できるが、同様の理由により、特に比較的炭素数の大きいアルコキシ基、例えば、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基などのＣ４−２０アルコキシ基（例えば、Ｃ４−１８アルコキシ基）、好ましくはＣ６−１６アルコキシ基、さらに好ましくはＣ６−１４アルコキシ基などであってもよい。
【００９５】
さらに、アルキルチオ基としては、前記例示のアルキルチオ基から選択できるが、同様の理由により、特に比較的炭素数の大きいアルキルチオ基、例えば、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基などのＣ４−２０アルキルチオ基（例えば、Ｃ４−１８アルキルチオ基）、好ましくはＣ６−１６アルキルチオ基、さらに好ましくはＣ６−１４アルキルチオ基などであってもよい。
【００９６】
式（１）、式（２）又は式（Ｃ）において、なお、ｐは、０以上であれば特に限定されず、Ａｒの種類などに応じて適宜選択できるが、例えば、０〜６、好ましくは０〜４、さらに好ましくは０〜３（例えば、０〜２）程度であってもよく、溶剤溶解性などの観点から、１以上（例えば、１〜４、好ましくは１〜３、さらに好ましくは１〜２）程度であってもよい。特に、Ａｒがベンゼン環、縮合多環式アレーン環であるとき、ｐは２以上（例えば、２〜４、好ましくは２〜３）であってもよい。
【００９７】
環Ａｒに対するＲ６の置換位置は、特に制限されず、環Ａｒの種類及び結合手の位置、Ｒ６の置換数ｐに応じて選択でき、例えば、環Ａｒがベンゼン環であるとき、Ｒ６の置換位置は、２−，３−，４−，５−位のいずれであってもよく、２，３−、２，５−、２，６−位などの複数位置にＲ６が置換していてもよい。単環式ヘテロアレーン環（チオフェン環など）では、３−位、３，４−位であってもよい。また、フルオレン環では９，９−位、１，１’−ビナフチル環では２，２’−位などであってもよく、１，２’−ビナフチル環では２，１’−位などであってもよい。
【００９８】
式（Ｃ）で表されるユニットは、代表的には、下記式（Ｃ１）〜（Ｃ３）のいずれかで表されるユニットであってもよい。
【００９９】
【化１７】
2014172970.tif 000019
【０１００】
［式中、Ｒ６ａ、Ｒ６ｂ、およびＲ６ｃは、それぞれ、アルキル基、アルコキシ基、又はアルキルチオ基を示し、Ｚ２は酸素原子、硫黄原子又はＮＲ６ｄ（式中、Ｒ６ｄは水素原子、炭化水素基（アルキル基などの前記Ｒ１の項で例示の炭化水素基など）、又はアシル基（前記Ｒ１の項で例示のアシル基など）を示す。）を示し、ｐ１は０〜４（好ましくは１〜４、さらに好ましくは２〜３、特に２）、ｐ２は０〜２（好ましくは１〜２、特に１）、ｐ３は０〜２（好ましくは１〜２、特に２）を示す。］
上記式（Ｃ１）〜（Ｃ３）において、Ｒ６ａ〜Ｒ６ｃはＲ６に対応し、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基としては、前記Ｒ６の項で例示の基と好ましい態様を含めて同じである。中でも、Ｒ６ａはアルコキシ基（Ｃ４−２０アルコキシ基など）又はアルキルチオ基（Ｃ４−２０アルキルチオ基など）が好ましく、Ｒ６ｂおよびＲ６ｃはアルキル基（Ｃ４−２０アルキル基など）であるのが好ましい。
【０１０１】
なお、以下の表２に、前記式（Ｃ）で表されるユニットにおいて、Ａｒ、Ｒ６、置換位置、ｐの組み合わせの一例を示す。
【０１０２】
【表２】
2014172970.tif 000020
【０１０３】
本発明の有機ヘテロ高分子は比較的分子量が大きいという特色がある。有機ヘテロ高分子の分子量は特に制限されないが、例えば、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）により測定したとき、ポリスチレン換算で、数平均分子量が１×１０３〜１×１０５、好ましくは２．５×１０３〜５×１０４、さらに好ましくは３×１０３〜２×１０４（例えば、４×１０３〜１×１０４）程度であってもよい。
【０１０４】
なお、有機ヘテロ高分子は直鎖状である場合が多いものの、必要であれば分岐構造を有していてもよい。
【０１０５】
本発明の有機へテロ高分子は、ヘテロ元素核を含む５員環構造又はジエン構造と芳香族性環（アレーン環）と、フェロセン構造と、エチニレン構造とを主鎖に含み、共役系を形成している。また、アルキル基などの側鎖を有する芳香族性環（アレーン環）を導入できるため、溶解性を高めることもでき、溶媒可溶性を有している。そのため、塗布（コーティング）により容易に成膜できる。さらに、本発明の有機ヘテロ高分子は、発光特性を有している。
【０１０６】
しかも、主鎖全体に有機−ヘテロ原子（ヘテロ金属原子）結合による特異な電子状態が維持されるためか、半導体特性を有している場合がある。なお、成膜後、主鎖間でスタッキングするためか、分子間の電子移動も容易な構造膜が得られる。また、高分子中にアルキル鎖などがあったとしても、スタッキング方向（縦方向）に対してアルキル鎖が並行に並ぶためか、スタッキングを阻害することがない。そのためか、得られた膜は有機半導体などとして有効に機能する。
【０１０７】
［有機ヘテロ高分子の製造方法］
このような有機ヘテロ高分子は、特に限定されないが、例えば、薗頭カップリング法、及びSynthetic Metals, 159 (2009), 949-951又は有機合成化学協会誌Vol66 No5 2008に記載の方法に準じて合成できる。すなわち、有機ヘテロ高分子は、以下の反応工程式により前駆体（７）を調製し、さらに、この前駆体（７）と、前記式（Ａ）又は（Ｂ）で表されるユニットの種類に応じた反応基質と反応させることにより、製造できる。
【０１０８】
【化１８】
2014172970.tif 000021
【０１０９】
（式中、Ｘ１はハロゲン原子を示し、Ｒ６、Ａｒ、ｐは前記と同じ。）
【０１１０】
【化１９】
2014172970.tif 000022
【０１１１】
（式中、Ｒ９はアルキル基を示し、Ｒ６、Ａｒ、ｐは前記と同じ。）
一段目の反応（式（５）で表される化合物を得る反応）の式（３）において、Ｘ１で表されるハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが例示でき、特にヨウ素原子であってもよい。
【０１１２】
代表的な式（３）で表される化合物には、１，１’−ジハロフェロセン（例えば、１，１’−ジヨードフェロセンなどの１，１’−ジハロフェロセン）などが挙げられる。
【０１１３】
なお、式（３）で表される化合物は、慣用の方法、例えば、下記式（３ａ）で表される化合物（フェロセン）とアルキルリチウムとを反応させて、下記式（３ｂ）で表されるリチウム化物を調製し、調製したリチウム化物（３ｂ）と、Ｘ１に対応するハロゲン分子（例えば、Ｉ２など）とを反応させることで得ることができる。
【０１１４】
【化２０】
2014172970.tif 000023
【０１１５】
また、代表的な式（４）で表される化合物（ジエチニルアレーン化合物）としては、例えば、１，４−ジエチニル−２，５−ジオクチルオキシベンゼン、１，４−ジエチニル−２，５−ジ（２−エチルヘキシルオキシ）ベンゼンなどのジエチニルジアルコキシベンゼン；２，５−ジエチニル−３−ドデシルチオフェンなどのジエチニルアルキルチオフェン；２，７−ジエチニル−９，９−ジオクチルフルオレンなどのジエチニルジアルキルフルオレン；６，６’−ジエチニル−２，２’−ジオクチルオキシ−１，１’−ビナフチルなどのジエチニルジアルコキシビナフチル；６，６’−ジエチニル−２，２’−ジオクチル−１，１’−ビナフチルなどのジエチニルジアルキルビナフチルなどが例示できる。
【０１１６】
反応において、式（３）で表される化合物と式（４）で表される化合物との割合は、例えば、式（３）で表される化合物１モルに対して、式（４）で表される化合物が２モル以上であればよく、例えば、２〜１０モル、好ましくは３〜１０モル、さらに好ましくは４〜８モル程度であってもよく、特に３モル以上（例えば、３〜１０モル、好ましくは３．５〜９モル、さらに好ましくは４〜８モル）程度であってもよい。式（４）で表される化合物を比較的多く用いることで、効率よく副反応（化合物（３）と化合物（４）との重合反応（高分子量化）など）を抑えることができる。
【０１１７】
なお、反応は、通常、触媒の存在下で行ってもよい。触媒としては、薗頭カップリング反応において公知の触媒を使用できる。例えば、反応は、パラジウム化合物（例えば、塩化パラジウム（ＰｄＣｌ２）などのＰｄ（ＩＩ）化合物）と、ホスフィン化合物（例えば、トリフェニルホスフィンなど）と、銅化合物［例えば、銅ハロゲン化物（例えば、ヨウ化銅（Ｉ）などのハロゲン化銅（Ｉ））など］とを組み合わせた触媒の存在下で行ってもよい。なお、パラジウム化合物とホスフィン化合物は、予め錯形成させた化合物（例えば、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムなど）として用いてもよい。
【０１１８】
また、薗頭カップリング反応は、塩基の存在下で行ってもよい。塩基としては、例えば、アミン［例えば、ジ又はトリアルキルアミン（例えば、ジエチルアミン、ジイソプロピルアミン、トリエチルアミン、ジエチルメチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、トリｎ−プロピルアミンなど）などの脂肪族アミン］などが挙げられる。
【０１１９】
なお、薗頭カップリング反応は、溶媒中で行ってもよい。溶媒としては、反応において不活性な溶媒であればよく、例えば、エーテル系溶媒（例えば、ジエチルエーテルなどの鎖状エーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどの環状エーテルなど）などが挙げられる。
【０１２０】
薗頭カップリング反応において、反応温度は、０〜１８０℃（例えば、１０〜１６０℃）程度の範囲から選択でき、通常常温（例えば、２５℃）以上、例えば、常温〜１５０℃、好ましくは常温〜８０℃程度であってもよい。また、反応は、還流させながら行ってもよい。
【０１２１】
なお、不活性雰囲気（窒素、希ガスなど）中で行ってもよく、減圧下、常圧下又は加圧下で行ってもよい。
【０１２２】
二段目の反応（式（７）で表される化合物を得る反応）の式（６）において、Ｒ９で表されるアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基などの直鎖状又は分岐鎖状Ｃ１−６アルキル基が例示できる。アルキル基Ｒ９としては、分岐アルキル基、例えば、イソプロピル基などである場合が多い。
【０１２３】
そして、二段階目の反応では、式（５）で表される化合物と、低原子価チタン錯体（６）とを反応させ、式（７）で表される前駆体（チタナシクロペンタジエン骨格を有する高分子）を生成する。なお、低原子価チタン錯体（６）は、テトラアルコキシチタン（テトライソプロポキシチタン（Ｔｉ（ＯＰｒｉ）４）など）とアルキルマグネシウムハライド（イソプロピルマグネシウムクロリド（ｉＰｒＭｇＣｌ）など）とを反応させることにより生成できる。そのため、高分子（７）は式（５）で表される化合物とテトラアルコキシチタンとアルキルマグネシウムハライドとを反応させることにより生成させてもよい。なお、アルキルマグネシウムハライドの使用量は、テトラアルコキシチタンに対して、１．５〜２．５当量程度である。
【０１２４】
式（５）で表される化合物と低原子価チタン錯体（６）との反応は、通常、不活性溶媒［エーテル系溶媒（例えば、ジエチルエーテルなどの鎖状エーテル、テトラヒドロフランなどの環状エーテル）など］中、不活性雰囲気（アルゴン気流など）下、−１００℃〜−２０℃（例えば、−８０℃〜−４０℃）程度の温度で行うことができる。
【０１２５】
以上のようにして前駆体（７）が得られる。そして、本発明の有機ヘテロ高分子は、公知の方法を利用して、この前駆体（７）と、前記式（Ａ）又は（Ｂ）で表されるユニットの種類に応じた反応基質と反応させたり、前駆体（７）を分解することなどにより得ることができる。
【０１２６】
例えば、前記式（１）において、ｍ１＝１、ｍ２＝０である有機ヘテロ高分子（例えば、前記式（Ａ１）で表されるユニットを有する有機ヘテロ高分子）は、下記式のように、前駆体（７）と、ヘテロ原子Ｍ（例えば、Ｍ１）およびＲ１（例えば、Ｒ１ａ）を有するハロゲン化物とを反応させることで得ることができる。
【０１２７】
【化２１】
2014172970.tif 000024
【０１２８】
（式中、Ｘ、Ｍ、Ｒ１、Ｒ６、Ａｒは前記と同じ。）
上記式において、Ｘは、前記と同じハロゲン原子（塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子など、特に塩素原子又は臭素原子）である。代表的なハロゲン化物（８）としては、例えば、周期表１５族元素のジハロゲン化物｛例えば、ジハロホスフィン化合物［例えば、アルキルジハロホスフィン、アリールジハロホスフィン（フェニルジクロロホスフィンなど）など］、ジハロビスマス化合物［例えば、アリールジハロビスマス（ジクロロフェニルビスムチン（ＰｈＢｉＣｌ２）、ジブロモフェニルビスムチン（ＰｈＢｉＢｒ２）など）など］など｝、周期表１６族元素のジハロゲン化物（例えば、アルキルジクロロセレン、アルキルジクロロテルルなど）などのジハロゲン化物：周期表１５族元素のトリハロゲン化物（例えば、三塩化ビスマス、三臭化ビスマスなど）などのトリハロゲン化物などが挙げられる。なお、トリハロゲン化物を用いると、Ｒ１がハロゲン原子である有機へテロ高分子が得られる。
【０１２９】
また、前記式（１）において、ｍ１＝１、ｍ２＝１であり、Ｒ２が単結合でＭに結合している有機ヘテロ高分子（例えば、前記式（Ａ３）で表されるユニットを有する有機ヘテロ高分子）は、例えば、下記式のように、前駆体（７）とヘテロ原子Ｍ（例えば、Ｍ２）、Ｒ１（例えば、Ｒ１ｂ）およびＲ２（例えば、Ｒ２ｂ）を有するハロゲン化物とを反応させるか、前記式（９）で表される有機ヘテロ高分子とＲ２（例えば、Ｒ２ｂ）および脱離基を有する化合物とを反応させることで得られる。
【０１３０】
【化２２】
2014172970.tif 000025
【０１３１】
（式中、Ｌは脱離基を示し、Ｘ、Ｍ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ６、Ａｒ、ｐは前記と同じ。）
上記式において、化合物（１１）の脱離基としては、特に限定されないが、錯形成した配位子（テトラヒドロチオフェンなど）などであってもよい。
【０１３２】
代表的な化合物（１０）としては、例えば、周期表１４族元素のジハロゲン化物｛例えば、ジハロホスフィン化合物［例えば、アルキルスズジハライドなど］などが挙げられる。また、代表的な化合物（１１）としては、例えば、ハロゲン化金錯体（例えば、塩化金テトラヒドロチオフェン錯体など）などが挙げられる。
【０１３３】
なお、前記式（１）において、ｍ１＝１、ｍ２＝１であり、Ｒ２が単結合でＭに結合している有機ヘテロ高分子（例えば、前記式（Ａ３）で表されるユニットを有する有機ヘテロ高分子）のうち、Ｒ１およびＲ２がいずれもハロゲン原子である有機ヘテロ高分子は、後述の前記式（１）においてｍ１＝ｍ２＝０である有機ヘテロ高分子（例えば、前記式（Ａ４）で表されるユニットを有する有機ヘテロ高分子）と、Ｒ１およびＲ２に対応するハロゲン分子（例えば、臭素分子など）とを反応させることにより得ることもできる。
【０１３４】
また、前記式（１）において、ｍ１＝１、ｍ２＝１であり、Ｒ２（Ｒ２ａなど）が二重結合でＭ（Ｍ１など）に結合している有機ヘテロ高分子（例えば、前記式（Ａ２）で表されるユニットを有する有機ヘテロ高分子）は、例えば、前駆体（９）と、Ｒ２に対応する単体（例えば、硫黄、セレン、酸素分子など）とを反応させることで得ることができる。
【０１３５】
前記式（１）においてｍ１＝ｍ２＝０である有機ヘテロ高分子（例えば、前記式（Ａ４）で表されるユニットを有する有機ヘテロ高分子）は、例えば、前駆体（７）と、ヘテロ原子Ｍ（Ｍ３など）のハロゲン化物｛例えば、周期表１６族元素のハロゲン化物［例えば、ハロゲン化硫黄（Ｓ２Ｃｌ２など）、ハロゲン化セレン（二塩化セレン（ＳｅＣｌ２）、四塩化セレン（ＳｅＣｌ４）など）、ハロゲン化テルル（例えば、二塩化テルル（ＴｅＣｌ２）、四塩化テルル（ＴｅＣｌ４）など）など］など｝とを反応させることで得ることができる。
【０１３６】
また、前記式（１）において、ｍ１＝０、ｍ２＝１である有機ヘテロ高分子（例えば、前記式（Ａ５）で表されるユニットを有する有機ヘテロ高分子）は、前駆体（７）と、ヘテロ原子Ｍ（Ｍ４など）およびＲ２を有する化合物［例えば、塩化チオニル（ＳＯＣｌ２）など］とを反応させることで得ることができる。
【０１３７】
さらに、前記式（２）において、Ｒ３およびＲ４が水素原子である有機ヘテロ高分子（例えば、前記式（Ｂ１）で表されるユニットを有する有機ヘテロ高分子）は、下記式のように、前駆体（７）を分解（酸を用いた分解など）することで得ることができる。
【０１３８】
【化２３】
2014172970.tif 000026
【０１３９】
（式中、Ｒ６、Ａｒ、ｐは前記と同じ。）
また、前記式（２）において、Ｒ３およびＲ４が−Ｚ−Ｒ５である有機ヘテロ高分子（例えば、前記式（Ｂ２）で表されるユニットを有する有機ヘテロ高分子）は、下記式のように、前駆体（７）と、基−Ｚ−Ｒ５に対応するハロゲン化物とを反応させることで得ることが得きる。
【０１４０】
【化２４】
2014172970.tif 000027
【０１４１】
（式中、Ｘ、Ｚ、Ｒ５、Ｒ６、Ａｒ、ｐは前記と同じ。）
上記式において、代表的な化合物（１４）としては、例えば、アレーンスルフェニルハライド（例えば、ベンゼンスルフェニルクロライド（Ｃ６Ｈ５−Ｓ−Ｃｌ）など）などのＺが周期表１６族元素である化合物などが含まれる。
【０１４２】
なお、前駆体（７）と、ハロゲン化物（例えば、化合物（８）、（１０）、（１４）など）とを反応させる場合、ハロゲン化物の使用量は、特に限定されないが、例えば、前駆体（７）のチタン原子（Ｔｉ）に対して１〜２当量（例えば、１．１〜１．５当量）程度であってもよい。
【０１４３】
また、前記反応は、いずれも、通常、不活性溶媒（ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、シクロペンチルメチルエーテルなど）中で行ってもよく、不活性雰囲気（アルゴン気流など）下で行ってもよい。また、反応温度は、例えば、−８０℃〜３０℃（例えば、−６０℃〜室温）程度であってもよい。
【０１４４】
反応終了後、慣用の分離精製方法、例えば、濃縮、デカント、再沈殿、クロマトグラフィなどにより所定の有機ヘテロ高分子を得ることができる。
【０１４５】
［有機ヘテロ高分子の用途］
有機ヘテロ高分子は、芳香族性環と、ヘテロ原子を含む５員環又はジエン単位と、フェロセン骨格と、エチニレン骨格とを有しており、種々の特性を有している。例えば、本発明の有機ヘテロ高分子は、発光特性を有しており、発光材料などとして使用できる。また、本発明の有機ヘテロ高分子は、極めて電子移動度が高く、通常、半導体特性を有しており、有機半導体として使用することもできる。
【０１４６】
さらに、本発明の有機ヘテロ高分子は、上記のような骨格を有するポリマーであるにもかかわらず、通常、有機溶媒に対して可溶であり、取扱性や実用性に優れている。そのため、本発明は有機へテロ高分子と有機溶媒とを含む組成物も包含する。このような組成物は、例えば、有機半導体（特にコーティング（塗布）などにより有機半導体の薄膜）を形成するための組成物などとして有用である。
【０１４７】
有機溶媒としては、例えば、炭化水素類（例えば、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素類、シクロヘキサンなどの脂環族炭化水素類、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類）、ハロゲン化炭化水素類（クロロホルム、ジクロロメタン、トリクロロエタンなど）、エーテル類（ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテルなどの鎖状エーテル、ジオキサン、テトラヒドロフランなどの環状エーテル）、ケトン類（アセトン、メチルエチルケトンなど）、エステル類（酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなど）、アミド類（例えば、ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなど）、ニトリル類（例えば、アセトニトリル、プロピオニトリルなど）、スルホキシド類（例えば、ジメチルスルホキシドなど）、ピロリドン類（例えば、２−ピロリドン、３−ピロリドン、Ｎ−メチル−２−ピロリドンなど）などが例示できる。これらの有機溶媒は、単独で又は混合溶媒として使用できる。
【０１４８】
溶媒の使用量は、塗布性及び成膜性を損なわない範囲から選択でき、例えば、有機へテロ高分子の濃度は、０．０１〜３０重量％、好ましくは０．０５〜２０重量％（例えば、０．１〜１０重量％）程度であってもよい。
【０１４９】
本発明の組成物は、慣用の方法、例えば、有機へテロ高分子と有機溶媒とを混合して有機へテロ高分子を溶解し、必要によりろ過して調製してもよい。
【０１５０】
有機半導体は、基材又は基板（ガラス板、シリコンウエハー、耐熱プラスチックフィルムなど）に前記組成物を塗布する工程と、塗膜を乾燥して溶媒を除去する工程とを経て製造してもよい。なお、塗布方法としては、慣用の塗布方法、例えば、エアーナイフコート法、ロールコート法、グラビアコート法、ブレードコート法、ディップコート法、スプレー法、スピンコート法、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法などが例示できる。
【０１５１】
塗膜（有機半導体など）の厚みは、用途に応じて適宜選択され、例えば、１〜５０００ｎｍ、好ましくは３０〜１０００ｎｍ、さらに好ましくは５０〜５００ｎｍ程度であってもよい。
【０１５２】
なお、有機半導体はｎ型半導体、ｐ型半導体であってもよく、真性半導体であってもよい。本発明の有機ヘテロ高分子（有機半導体）は、光電変換能を有し、例えば、光吸収により発生した電子及びホールの移動度を高め、光電変換率を向上できる。そのため、本発明の有機半導体は、光電変換デバイス又は光電変換素子（太陽電池素子、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子など）、整流素子（ダイオード）、スイッチング素子又はトランジスタ［トップゲート型、ボトムゲート型（トップコンタクト型、ボトムコンタクト型）など］などの用途に適する。
【０１５３】
代表的なデバイスとして、太陽電池は、ｐｎ接合型半導体に表面電極が積層された構造を有している。例えば、ｐ型シリコン半導体に有機半導体膜を積層して、この有機半導体膜に透明電極（ＩＴＯ電極など）を積層することにより、太陽電池を形成できる。このような太陽電池では、高い開放電圧及び短絡電流を得ることができる。
【０１５４】
また、有機ELは、透明電極（ITO電極など）に、有機ヘテロ高分子（発光性高分子）に必要に応じて電子輸送性材料、ホール輸送性材料を分散させた発光層を形成し、この発光層に電極（金属電極など）を積層した構造が例示できる。
【０１５５】
さらに、有機薄膜トランジスタは、ゲート電極層と、ゲート絶縁層と、ソース／ドレイン電極層と、有機半導体層とで構成されている。これらの層の積層構造によって、有機薄膜トランジスタは、トップゲート型、ボトムゲート型（トップコンタクト型、ボトムコンタクト型）に分類できる。例えば、ゲート電極（酸化膜が形成されたｐ型シリコンウエハーなど）に有機半導体膜を形成して、この有機半導体膜上にソース・ドレイン電極（金電極）を形成することにより、トップコンタクト型電界効果トランジスタを製造できる。
【実施例】
【０１５６】
以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。
【０１５７】
（合成例）
窒素雰囲気下、フェロセン（５．０ｇ，２７ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ、２０ｍｌ）に溶解し、０℃で攪拌しつつ、そこへｎ−ブチルリチウム（１．６２Ｎ，４０ｍｌ，６０ｍｍｏｌ）とＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン（ＴＭＥＤＡ，９．２ｍｌ，６０ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル溶液（１．０Ｎ，５０ｍｌ）を加え５時間攪拌した。その後、−７８℃まで徐々に冷却し、ヨウ素（２１ｇ，６０ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液（５０ｍｌ）を加え、０℃までゆっくりと昇温し１時間攪拌した。反応終了後、水を５０ｍｌ加え、ヘキサンで抽出しアルミナカラムクロマトグラフィーにて単離し、１，１’−ジヨードフェロセンを収率４２％（４．９６ｇ，１１．３ｍｍｏｌ）で得た。
【０１５８】
【化２５】
2014172970.tif 000028
【０１５９】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，ｐｐｍ）：４．１５（４Ｈ，Ｉ−Ｃ−ＣＨ−ＣＨ−）、４．４（４Ｈ，Ｉ−Ｃ−ＣＨ−ＣＨ−）
そして、アルゴン雰囲気下、得られた１，１’−ジヨード−フェロセン（０．４３７ｇ，１．０ｍｍｏｌ）、１，４−ジエチニル−２，５−ビス（２−エチルヘキシルオキシ）ベンゼン（２．２９ｇ，６．０ｍｍｏｌ）、塩化パラジウム（ＩＩ）（０．０１７ｇ，０．１ｍｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（０．０５３ｇ，０．２ｍｍｏｌ）およびヨウ化銅（Ｉ）（０．０１９ｇ，０．１ｍｍｏｌ）を混合し、これにイソプロピルアミン（５０ｍｌ）を加え、常温で８時間攪拌した。反応終了後、塩化アンモニウム水溶液を加え、ヘキサンで抽出し、アルミナカラムクロマトグラフィーで単離することで含フェロセンモノマー｛トランス−［１，４−ジエチニル−２，５−ビス（２−エチルヘキシルオキシ）ベンゼン］２フェロセン（化合物（Ｉ））｝を収率７２％（０．６８ｇ，０．７２ｍｍｏｌ）で得た。
【０１６０】
【化２６】
2014172970.tif 000029
【０１６１】
（式中、Ｒは２−エチルヘキシル基を示す。）
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，ｐｐｍ）：０．８２−０．９３（２４Ｈ，−ＣＨ３），１．３８−１．６９（３６Ｈ，−ＯＣＨ２ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３），３．２５（２Ｈ，−Ｃ≡Ｃ−Ｈ），３．７７（８Ｈ，−Ｏ−ＣＨ２−），４．１５（８Ｈ，Ｃｆｅｒｒｏｃｅｎｅ−Ｈ），６．９２（４Ｈ，Ｃｐｈｅｎｙｌ−Ｈ）
（実施例１）
アルゴン雰囲気下で、合成例で得られた化合物（Ｉ）（０．２３７ｇ，０．２５ｍｍｏｌ）をジエチルエーテル（２５ｍｌ）に溶解し、−７８℃で攪拌しつつ、前記式（６）においてＲ９がイソプロピル基であるチタン錯体（０．１０ｇ，０．３５ｍｍｏｌ）を加えた。その後、−５０℃まで昇温して１２時間攪拌し、チタナシクロペンタジエン部位を主鎖骨格に有する含フェロセンポリマー（下記式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を有する高分子）を合成した。
【０１６２】
【化２７】
2014172970.tif 000030
【０１６３】
（式中、Ｒは前記と同じ。）
そして、得られたポリマー（式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を有する高分子）に、ジクロロフェニルホスフィン（０．０４７ｍｌ，０．３５ｍｍｏｌ）をそれぞれ加え、室温まで昇温し、さらに３時間攪拌した。反応終了後、希塩酸を加え、分液操作を行い、チタン塩を除去し、塩化メチレンで抽出し、ヘキサンに再沈殿することで目的の高分子（下記（１−１）で表される繰り返し単位を有する高分子）を、収率７２％で得た。
【０１６４】
【化２８】
2014172970.tif 000031
【０１６５】
（式中、Ｒは前記と同じ。）
得られた高分子のＮＭＲチャートを図１に示す。
【０１６６】
高分子の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）（溶媒：クロロホルム）により測定したところ、数平均分子量は、ポリスチレン換算で、５９８０であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．５７であった。また、所定濃度（８ｍｇ／ｍｌ）のクロロホルム溶液の最大吸光波長λmaxは４１６ｎｍ、λonsetは５２０ｎｍであり、バンドギャップは２．３８ｅＶであった。
【０１６７】
また、得られた高分子について、フォトエレクトロルミネッセンス（ＰＬ）スペクトルを測定したところ、発光特性を示し、Ｅmaxは５２５ｎｍ、量子収率は５．８％であった。
【０１６８】
さらに、得られた高分子を、テトラヒドロフランに混合したところ、容易に溶解した。そして、得られた溶液を孔径０．２μｍのフィルターでろ過して調製した塗布液（０．１重量％）を、シリコンウェハにスピンコートしたところ、問題なく薄膜を形成できた。
【０１６９】
（実施例２）
実施例１において、ジクロロフェニルホスフィンに代えて、塩酸−メタノール溶液（１．０Ｎ，０．５ｍｌ）を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、目的の高分子（下記（１−２）で表される繰り返し単位を有する高分子）を、収率７８％で得た。
【０１７０】
【化２９】
2014172970.tif 000032
【０１７１】
（式中、Ｒは前記と同じ。）
得られた高分子のＮＭＲチャートを図２に示す。
【０１７２】
高分子の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）（溶媒：クロロホルム）により測定したところ、数平均分子量は、ポリスチレン換算で、８２６０であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．６５であった。また、所定濃度（８ｍｇ／ｍｌ）のクロロホルム溶液の最大吸光波長λmaxは４１６ｎｍ、λonsetは４８９ｎｍであり、バンドギャップは２．５３ｅＶであった。
【０１７３】
また、得られた高分子について、フォトエレクトロルミネッセンス（ＰＬ）スペクトルを測定したところ、発光特性を示し、Ｅmaxは４９２ｎｍ、量子収率は５．６％であった。
【０１７４】
さらに、得られた高分子を、テトラヒドロフランに混合したところ、容易に溶解した。そして、得られた溶液を孔径０．２μｍのフィルターでろ過して調製した塗布液（０．１重量％）を、シリコンウェハにスピンコートしたところ、問題なく薄膜を形成できた。
【０１７５】
（実施例３）
実施例１において、フェニルジクロロホスフィンに代えて、二塩化二硫黄（Ｓ２Ｃｌ２）（０．０２８ｍｌ，０．３５ｍｍｏｌ）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、目的の高分子（下記（１−３）で表される繰り返し単位を有する高分子）を、収率６８％で得た。
【０１７６】
【化３０】
2014172970.tif 000033
【０１７７】
（式中、Ｒは前記と同じ。）
得られた高分子のＮＭＲチャートを図３に示す。
【０１７８】
高分子の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）（溶媒：クロロホルム）により測定したところ、数平均分子量は、ポリスチレン換算で、４５９０であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は３．０６であった。
【０１７９】
また、所定濃度（８ｍｇ／ｍｌ）のクロロホルム溶液の最大吸光波長λmaxは３８８ｎｍ、λonsetは５００ｎｍであり、バンドギャップは２．４８ｅＶであった。
【０１８０】
さらに、得られた高分子を、テトラヒドロフランに混合したところ、容易に溶解した。そして、得られた溶液を孔径０．２μｍのフィルターでろ過して調製した塗布液（０．１重量％）を、シリコンウェハにスピンコートしたところ、問題なく薄膜を形成できた。
【産業上の利用可能性】
【０１８１】
本発明の有機へテロ高分子は、芳香族性環と、ヘテロ原子を含む５員環又はジエン単位と、フェロセン骨格と、エチニレン骨格とを有しており、発光特性、導電性などの特性を有している。また、上記のような骨格を有するポリマーであるにもかかわらず、溶剤溶解性や成形性（成膜性など）にも優れ、合成も容易である。そのため、極めて実用性又は有用性が高い。このような有機ヘテロ高分子は、種々の用途（例えば、発光材料、触媒、半導体（有機半導体）など）に適用できる。特に、有機半導体（高分子型有機半導体）は、様々なデバイス、例えば、整流素子（ダイオード）、スイッチング素子又はトランジスタ［接合型トランジスタ（バイポーラトランジスタ）、電界効果型トランジスタ（ユニポーラトランジスタ）など］、光電変換素子（太陽電池素子、有機ＥＬ素子など）などに利用できる。また、本発明の有機ヘテロ高分子には、電子受容ドーパントをドープして用いることもできる。
【図１】
2014172970.tif 000043
【図２】
2014172970.tif 000044
【図３】
2014172970.tif 000045