(57)【要約】【課題】各可変容量キャパシタの本来の容量変化を最大限引き出し、全体として容量変化率の大きい可変容量複合部品を提供する。【解決手段】信号用端子１２，１３に、バイアス印加端を交互に向かい合わせに可変容量キャパシタ３１〜３４を直列接続する。電源端子１１を、第１バイアスラインＢＬ１のバイアス抵抗２１を介して可変容量キャパシタ３１，３２のバイアス＋側に、バイアス抵抗２２を介して可変容量キャパシタ３３，３４のバイアス＋側に接続する。接地端子１４を、第２バイアスラインＢＬ２のバイアス抵抗２３を介して可変容量キャパシタ３１のバイアス−側に、バイアス抵抗２４を介して可変容量キャパシタ３２，３３のバイアス−側に、バイアス抵抗２５を介して可変容量キャパシタ３４のバイアス−側に接続する。バイアス抵抗２３，２５に対し、バイアス抵抗２１，２２，２４の値を半分に設定する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１信号端子側の第１電極及び第２信号端子側の第２電極と、これら２つの電極に挟まれた、印加電圧により誘電率が変化する誘電体層とからなる可変容量キャパシタのＮ個（ただし、Ｎ＝２ｎであり、ｎは自然数）が、支持基板上に並べて直列接続された可変容量素子であって、
隣接する一方の前記可変キャパシタの前記第１電極と他方の前記可変容量キャパシタの前記第２電極とが電気的に接続されているとともに、前記第１信号端子側の前記可変容量キャパシタから２ｉ＋１個（ただし、ｉはｎ以下の自然数）目の前記可変容量キャパシタの前記第１電極又は２ｉ個目の前記可変容量キャパシタの前記第２電極にそれぞれ電気的に接続されかつ第１バイアス端子に接続されており、抵抗成分を含む第１バイアスラインと、
前記第１信号端子側の前記可変容量キャパシタから２ｉ個目の前記可変容量キャパシタの前記第１電極又は２ｉ−１個目の前記可変容量キャパシタの前記第２電極にそれぞれ電気的に接続されかつ第２バイアス端子に接続されており、抵抗成分を含む第２バイアスラインとを備えており、
第１信号端子側から第１番目の可変容量キャパシタの第１電極に接続されかつ前記第１バイアス端子に接続されるバイアスラインの抵抗値及び第Ｎ番目の第２電極に接続されかつ前記第１バイアス端子に接続されるバイアスラインの抵抗値に対して、他のバイアスラインの抵抗値を、０．４５倍〜０．５５倍としたことを特徴とする可変容量複合部品。
【請求項２】
前記第２バイアス端子を正の電源と接続し、前記第１バイアス端子を接地してバイアス電圧の制御を行うことを特徴とする請求項１記載の可変容量複合部品。
【請求項３】
前記第１電極及び前記第２電極に接続されたバイアスラインにおける抵抗値が５００kΩ以上であることを特徴とする可変容量複合部品。
【請求項４】
前記第１電極及び前記第２電極に接続されたバイアスラインにおける抵抗値が１GΩ以下であることを特徴とする可変容量複合部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、周波数調整等に用いられる可変容量複合部品に関し、例えば、ＮＦＣ（Near Field Communication：近距離無線通信）で使用されるアンテナ用周波数調整回路に好適な可変容量複合部品の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、携帯電話用FeliCa（登録商標）チップで使用されているＮＦＣモジュールでは、アンテナコイルのばらつきにより、共振周波数が本来の値（13.56MHz）からシフトして受信感度が劣化してしまう。そのため、周波数調整回路を組み込み、事前に出荷時に全ての機器を検査し、アンテナコイルと並列に接続したキャパシタの容量を微調整して、共振周波数のずれを補正する。このような周波数調整回路では、小型化・低コスト化のため、可変容量素子と抵抗素子を一体化した複合部品が望まれている。
【０００３】
かかる周波数調整用の可変容量複合部品としては、下記特許文献１記載の可変コンデンサがある。これは、バイアス信号を安定して可変容量素子に印加でき、小型化が図れて取り扱いが容易で、波形歪みや相互変調歪み等が小さく、耐電力性にも優れた、作製が容易な可変コンデンサを提供することを目的とするもので、支持基板上に、第１信号端子が接続された第１電極および第２信号端子が接続された第２電極を備えた可変容量素子と、前記第１電極に接続された、抵抗成分およびインダクタ成分の少なくとも一方を含む第１バイアスラインと、前記第２電極に接続された、抵抗成分およびインダクタ成分の少なくとも一方を含む第２バイアスラインとを形成した構成となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−６４４３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前記特許文献１では、第１バイアスラインおよび第２バイアスラインに含まれる抵抗成分ないしインダクタ成分がすべて同じ値となっている。このため、１個目の可変容量素子と、Ｎ個目の可変容量素子にかかるバイアス電圧が、他の可変容量素子にかかるバイアス電圧よりも高くなってしまう。このように、各可変容量素子にかかるバイアス電圧が均等にならないと、本来得られるはずの容量変化が得られないといった課題がある。
【０００６】
本発明は、以上のような点に着目したもので、その目的は、各可変容量素子が持っている本来の容量変化を最大限引き出し、全体として容量変化率の大きい可変容量複合部品を提供することである。他の目的は、バイアスラインへの信号の混入を防ぐことである。更に他の目的は、バイアス電圧の不均一な印加によるキャパシタの局所的な劣化が要因となる故障を防ぐことである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、第１信号端子側の第１電極及び第２信号端子側の第２電極と、これら２つの電極に挟まれた、印加電圧により誘電率が変化する誘電体層とからなる可変容量キャパシタのＮ個（ただし、Ｎ＝２ｎであり、ｎは自然数）が、支持基板上に並べて直列接続された可変容量素子であって、隣接する一方の前記可変キャパシタの前記第１電極と他方の前記可変容量キャパシタの前記第２電極とが電気的に接続されているとともに、前記第１信号端子側の前記可変容量キャパシタから２ｉ＋１個（ただし、ｉはｎ以下の自然数）目の前記可変容量キャパシタの前記第１電極又は２ｉ個目の前記可変容量キャパシタの前記第２電極にそれぞれ電気的に接続されかつ第１バイアス端子に接続されており、抵抗成分を含む第１バイアスラインと、前記第１信号端子側の前記可変容量キャパシタから２ｉ個目の前記可変容量キャパシタの前記第１電極又は２ｉ−１個目の前記可変容量キャパシタの前記第２電極にそれぞれ電気的に接続されかつ第２バイアス端子に接続されており、抵抗成分を含む第２バイアスラインとを備えており、第１信号端子側から第１番目の可変容量キャパシタの第１電極に接続されかつ前記第１バイアス端子に接続されるバイアスラインの抵抗値及び第Ｎ番目の第２電極に接続されかつ前記第１バイアス端子に接続されるバイアスラインの抵抗値に対して、他のバイアスラインの抵抗値を、０．４５倍〜０．５５倍としたことを特徴とする。
【０００８】
主要な形態の一つは、前記第２バイアス端子を正の電源と接続し、前記第１バイアス端子を接地してバイアス電圧の制御を行うことを特徴とする。他の形態の一つは、前記第１電極及び前記第２電極に接続されたバイアスラインにおける抵抗値が５００kΩ以上であることを特徴とする。更に他の形態は、前記第１電極及び前記第２電極に接続されたバイアスラインにおける抵抗値が１GΩ以下であることを特徴とする。本発明の前記及び他の目的，特徴，利点は、以下の詳細な説明及び添付図面から明瞭になろう。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、各可変容量キャパシタが持っている本来の容量変化を最大限引き出し、全体として容量変化率の大きい可変容量複合部品を提供することができる。また、バイアスラインへの信号の混入防止や、バイアス電圧の不均一な印加によるキャパシタの局所的な劣化が要因となる故障防止も図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施例１を示す回路図であり、
【図２】前記実施例１及び前記背景技術における電流の相違を示す回路図である。
【図３】前記実施例１及び前記背景技術における可変容量キャパシタの端子間電圧の一例を示すグラフである。
【図４】主要部の重なりの様子を示す図である。
【図５】図４のＡ−Ａ'線に沿った可変容量キャパシタ部分の断面図である。
【図６】図４のＢ−Ｂ'線に沿った第１バイアスライン部分の断面図である。
【図７】図４のＣ−Ｃ'線に沿った第２バイアスライン部分の断面図である。
【図８】(A)は可変容量キャパシタの電極接続の様子を示す図，(B)は試作品において各可変容量キャパシタ３１〜３４に印加される電圧を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明を実施するための最良の形態を、実施例に基づいて詳細に説明する。
【実施例１】
【００１２】
最初に、図１〜図３を参照しながら、本発明の実施例を説明する。図１(A)は、本発明の可変容量複合部品１０の回路構成を示す図である。同図において、端子１１，１４はバイアス用の端子であり、端子１２，１３は信号用の端子である。端子１１，１４間に印加するバイアス電圧を変化させることで、端子１２，１３間の容量が変化するようになっており、全体として可変容量素子として機能する。
【００１３】
入力側（＋側）の第１信号用端子１２と、出力側（−側）の第２信号用端子１３との間には、４つの可変容量キャパシタ３１〜３４が、バイアス＋側とバイアス−側が交互に向き合うように直列に接続されており、各可変容量キャパシタ３１〜３４のリーク抵抗成分４１〜４４を並列接続された抵抗で表している。第２バイアス端子１１は、バイアス抵抗２１を介して可変容量キャパシタ３１，３２のバイアス＋側にそれぞれ接続されており、バイアス抵抗２２を介して可変容量キャパシタ３３，３４のバイアス＋側にそれぞれ接続されている。これらバイアス抵抗２１，２２によって第２バイアスラインＢＬ２が構成されている。一方、第１バイアス端子１４は、バイアス抵抗２３を介して可変容量キャパシタ３１のバイアス−側に接続されるとともに、バイアス抵抗２４を介して可変容量キャパシタ３２，３３のバイアス−側にそれぞれ接続されており、更に、バイアス抵抗２５を介して可変容量キャパシタ３４のバイアス−側に接続されている。これらバイアス抵抗２３〜２５によって、第１バイアスラインＢＬ１が構成されている。
【００１４】
ところで、本実施例では、第１バイアスラインＢＬ１のバイアス抵抗２３，２５の値をＲとしたとき、第２バイアスラインＢＬ２のバイアス抵抗２１，２２及び第１バイアスラインＢＬ１のバイアス抵抗２４の値が半分の０．５Ｒに設定されている。それは、次のような理由に基づく。
ａ，バイアス抵抗２３，２５は、信号用端子１２，１３にそれぞれ直接接続されているため、通信信号の影響を大きく受けることとなる。従って、第１バイアスラインＢＬ１への通信信号の混入を防ぐためには、信号周波数における可変容量キャパシタ３１〜３４のインピーダンスよりも、極めて高い抵抗値を持つことが望ましい。
ｂ，可変容量キャパシタ３１〜３４への印加バイアス電圧を均等にするためには、回路構成上、可変容量キャパシタ３１のみ接続されているバイアス抵抗２３に対し、二つの可変容量キャパシタ３２，３３に接続されているバイアス抵抗２４はその半分程度が望ましい。バイアス抵抗２５についても同様である。
ｃ，回路全体としての抵抗値を、バイアスラインＢＬ１，ＢＬ２上において均等に保つためには、電源側の合成抵抗＝接地側の合成抵抗となることが望ましい。
【００１５】
なお、バイアス抵抗２１，２２，２４の値をバイアス抵抗２３，２５の０．５Ｒとするといっても、実際上はばらつきが生ずる。その程度については、わずかであれば印加バイアス電圧への影響は小さく、ある程度は無視できるため、０．４５Ｒ〜０．５５Ｒの範囲であればよい。これは、可変容量キャパシタの素子数が図示の４直列から６直列，更には８直列に増加した場合においても成立し、バイアスラインに含まれるすべての抵抗の値を同じにした場合、直列素子数が増加するほど各可変容量キャパシタに対する印加バイアス電圧の不均一性が増加する。すなわち、印加バイアス電圧のパターンは、４直列では２種類，６直列では３種類，８直列では４種類となる。印加バイアス電圧の不均一は、容量可変率の安定性を損なうだけではなく、一部の可変容量キャパシタにのみが負荷がかかることになり、故障を招く可能性が高くなる。
【００１６】
次に、本実施例では、第２バイアスラインＢＬ２側の第２バイアス端子１１を、正の電圧を印加する電源端子とし、第１バイアスラインＢＬ１側の第１バイアス端子１４を接地端子として、バイアス電圧の制御を行っている。これにより、各可変容量キャパシタ３１〜３４におけるバイアス＋側が正の電圧値となり、各可変容量キャパシタ３１〜３４に流れる電流がバイアス−側と誘電体界面でのリーク特性によって律則されるため、直流バイアスに対して高耐圧化を図ることができる。
【００１７】
バイアスラインＢＬ１，ＢＬ２に含まれているバイアス抵抗２１〜２５の各値は、好ましくは、５００kΩ以上であるとよい。例えば、ＮＦＣにおける通信周波数の範囲は、１０〜２０MHzの周波数帯域となっている。この帯域において可変容量複合部品としての換算インピーダンス値が、バイアスラインＢＬ１，ＢＬ２に含まれているバイアス抵抗２１〜２５の値以上になると、バイアスラインＢＬ１，ＢＬ２に通信信号が混入し、通信回路として成立しなくなる。このような点から、通信信号の混入を避ける条件として、１０MHz帯の可変容量複合部品のインピーダンス値の１００００倍以上の抵抗値とするのが好ましい。例えば、可変容量複合部品としての容量が４００pFであるとすると、周波数１３．５６MHzでインピーダンスは約３０Ωとなるので、バイアス抵抗２１〜２５の各値は３００kΩ以上とする。
【００１８】
しかし、バイアスラインＢＬ１，ＢＬ２に含まれているバイアス抵抗２１〜２５の各値があまりに大きく、可変容量キャパシタ３１〜３４自身のリーク電流量から換算される抵抗値，すなわちリーク抵抗成分４１〜４４の値と同等になると、それらリーク抵抗成分４１〜４４による電圧降下によって可変容量キャパシタ３１〜３４自身にかかるバイアス電圧が低下してしまう。このような点からすると、可変容量キャパシタ３１〜３４に十分にバイアス電圧が印加されるためには、バイアス抵抗２１〜２５の値を、可変容量キャパシタ３１〜３４のリーク抵抗成分４１〜４４の１／５０以下とするのが好ましい。リーク抵抗成分４１〜４４は約５０GΩ程度であるので、バイアス抵抗２１〜２５の抵抗値は１GΩ以下とする。
【００１９】
次に、図２及び図３も参照しながら、本実施例の作用を説明する。なお、図２中、リーク抵抗成分４１〜４４は省略している。図２(A)には、本実施例における電流の流れを示しており、上述したバイアス抵抗値の設定により、可変容量キャパシタ３１〜３４に流れる電流はすべて一致している。詳述すると、第２バイアスラインＢＬ２の第２バイアス端子１１に流れる電流をｉとすると、バイアス抵抗２１，２２に流れる電流は(1/2)ｉとなり、各可変容量キャパシタ３１〜３４に流れる電流は(1/4)ｉとなる。一方、第１バイアスラインＢＬ１のバイアス抵抗２３，２５に流れる電流は(1/4)ｉであるのに対し、バイアス抵抗２４に流れる電流は(1/2)ｉとなり、第１バイアス端子１４に流れる電流はｉとなる。
【００２０】
これに対し、上述した背景技術のように、バイアス抵抗２１〜２５を全て同一の値とすると、図２(B)に示すように、可変容量キャパシタ３１〜３４に流れる電流は一致せず、容量の可変量が不均一となる。すなわち、可変容量キャパシタ３１，３４に流れる電流は(1/3)ｉ，可変容量キャパシタ３２，３３に流れる電流は(1/6)ｉとなる。また、第２バイアスラインＢＬ２のバイアス抵抗２１，２２に流れる電流は(1/2)ｉで同じであるが、第１バイアスラインＢＬ１のバイアス抵抗２３〜２５に流れる電流はどれも同じで、(1/3)ｉとなる。
【００２１】
図３には、可変容量キャパシタ３１〜３４の両端の電圧（電位差）Ｖ41〜Ｖ44の一例を示している。同図(A)は、バイアス抵抗２１，２２，２４の値が２５GΩ，バイアス抵抗２３，２５が５０GΩ，リーク抵抗成分４１〜４４が５０GΩの場合に、バイアス電圧として３Vを電源端子１１に印加した本実施例の場合を示しており、各可変容量キャパシタ３１〜３４の両端の電圧Ｖ41〜Ｖ44はよく一致している。
【００２２】
図３(B)は、同図(A)の場合と比較して、バイアス抵抗２１，２２，２４の値を２５GΩから２２．５GΩとした場合を示している。各可変容量キャパシタ３１〜３４の両端の電圧Ｖ41〜Ｖ44にはわずかに違いが見られるが、いずれも許容できる誤差の範囲にある。すなわち、電圧Ｖ41〜Ｖ44間の誤差は０．０５Vで、図３(A)の場合と比較して約５%であり、容量変化量換算では０．７%の誤差である。
【００２３】
図３(C)は、前記図２(B)の場合を示しており、バイアス抵抗２１〜２５の値が５０GΩ，リーク抵抗成分４１〜４４が５０GΩの場合に、バイアス電圧として３Vを電源端子１１に印加した場合を示している。同図のように、Ｖ41,Ｖ44＞Ｖ42,Ｖ43となっており、差が大きい。
【００２４】
以上のように、本実施例によれば、バイアスラインＢＬ１，ＢＬ２に含まれているバイアス抵抗２１〜２５の値を調整して、可変容量キャパシタ３１〜３４における電圧・電流が均一となるようにしたので、各素子が持っている本来の容量変化を最大限引き出すことができ、全体として容量変化率の大きい可変容量複合部品を提供することができる。また、可変容量複合部品のインピーダンスを考慮してバイアス抵抗２１〜２５の値を設定することとしたので、バイアスラインＢＬ１，ＢＬ２への信号の混入が防止される。更に、バイアス抵抗２１〜２５の値を、可変容量キャパシタ３１〜３４のリーク抵抗成分４１〜４４の値を考慮して設定することとしたので、各可変容量キャパシタ３１〜３４間におけるバイアス電圧の不均一な印加による故障が防止される。
【００２５】
次に、図４〜図７を参照しながら、前記実施例１の具体的な部品構造の一例を説明する。図４は、主要部の重なりの様子を示されており、二点鎖線は下側の電極パターン，点線は上側の電極パターンを示している。また、同図のＡ−Ａ'線に沿った可変容量キャパシタ部分の断面を図５に、Ｂ−Ｂ'線に沿った第１バイアスライン部分の断面を図６に、Ｃ−Ｃ'線に沿った第２バイアスライン部分の断面を図７に、それぞれ示している。
【００２６】
図５〜図７において、支持基板１００としては、ＳｉＯ２の熱酸化膜付のＳｉ基板を使用している。これに限らず、石英，アルミナ，サファイア，ガラス等の絶縁性基板を使用してもよいし、Ｓｉ等の導電性基板（できれば高抵抗基板）上に絶縁層を成膜したものであってもよい。更に、ＳｉＯ２膜上に、水素侵入の保護を目的とするＡｌ２Ｏ３膜を形成してもよい。Ａｌ２Ｏ３膜の代わりに、ＳｉＮ，Ｔａ２Ｏ５，ＳｒＴｉＯ３等を単層もしくは積層してもよい。膜厚の一例を示すと、Ｓｉ基板が４００μm，ＳｉＯ２膜が１μm，Ａｌ２Ｏ３膜が１００nmである。
【００２７】
次に、図５の可変容量キャパシタ部分を参照すると、支持基板１００の主面上に、例えばＰｔによって下部電極を形成する。Ｐｔの下部に、支持基板１００に対する密着層として、Ｔｉ層あるいはＴｉＯ２層を成膜してもよい。また、なお、電極材料としては、前記Ｐｔ，Ｉｒ，Ｒｕなどの貴金属の他に、ＳｒＲｕＯ３，ＲｕＯ２，ＩｒＯ２などの導電性酸化物等を用いてもよい。下部電極上には、可変容量特性を有する誘電体層を形成する。例えば、ＢＳＴ（ＢａＳｒＴｉＯ３），ＢＳＴにＭｎを微量添加したもの，ＰＺＴ（ＰｂＺｒＴｉＯ３）や、その他のペロブスカイト構造酸化物等を用いてよい。誘電体層上には、Ｐｔによる上部電極を形成する。Ｐｔ以外に、Ｉｒ，Ｒｕなどの貴金属や、ＳｒＲｕＯ３，ＲｕＯ２，ＩｒＯ２などの導電性酸化物を用いてもよい。厚さの一例を示すと、２５０nmの下部電極Ｐｔ／１００nmのＢＳＴ／２５０nmの下部電極Ｐｔである。なお、可変容量キャパシタ３１と可変容量キャパシタ３２の下部電極、可変容量キャパシタ３３と可変容量キャパシタ３４の下部電極はそれぞれ共通になっている。可変容量キャパシタ３１と可変容量キャパシタ３２の下部電極は、可変容量キャパシタ３１については第２信号端子１３側なので第２電極となり、可変容量キャパシタ３２については第１信号端子１２側なので第１電極となる。同様に、可変容量キャパシタ３３と可変容量キャパシタ３４の下部電極は、可変容量キャパシタ３３については第２信号端子１３側なので第２電極となり、可変容量キャパシタ３４については第１信号端子１２側なので第１電極となる。
【００２８】
例えば、携帯電話用FeliCa（登録商標）の場合、周波数調整用としての最良の容量値は１３．５６MHzにおいて１００pFである。このため、可変容量キャパシタ３１〜３４を４直列とする場合、各キャパシタの容量値は４００pFとする。
【００２９】
なお、図８(A)に示すように、４つの可変容量キャパシタ３１〜３４は、交互に極性が逆となるようにするとよい。すなわち、第１信号用端子１２→可変容量キャパシタ３１の上部電極３１ａ→誘電体層→下部電極３１ｂ→可変容量キャパシタ３２の下部電極３２ｂ→誘電体層→上部電極３２ａ→可変容量キャパシタ３３の上部電極３３ａ→誘電体層→下部電極３３ｂ→可変容量キャパシタ３４の下部電極３４ｂ→誘電体層→上部電極３４ａ→第２信号用端子１３という具合に、信号の進行方向に対して可変容量キャパシタ３１〜３４の向きが交互に反対方向となるように接続するとよい。これにより、比較的滑らかな面（支持基板１００）上に形成される下部電極３１ｂ〜３４ｂと、比較的粗い面（誘電体層）上に形成される上部電極３１ａ〜３４ａとで、リーク電流特性が異なるために生じる極性を打ち消すために有効である。
【００３０】
次に、図６，図７のバイアスライン部分を参照すると、バイアス抵抗２１〜２５の抵抗層としてＴａ−ＳｉＮ膜を形成し、その両端に引き出し電極を形成している。他に、Ｎｉ−Ｃｒ合金，Ｆ柄−Ｃｒ−Ａｌ合金などの高抵抗膜を用いてもよい。ところで、上述したように、本実施例では、バイアス抵抗２１，２２，２４の値を、バイアス抵抗２３，２５の０．４５倍〜０．５５倍に設定している。抵抗膜の抵抗値を調整する要素としては、膜の幅，長さ，厚み，素材が考えられるが、本実施例では抵抗膜の中央部分の幅を調整している。図４に示す例では、バイアス抵抗２１，２２，２４の中央部分の幅Ｗに対して、バイアス抵抗２３，２５の中央部分の幅をＷ／２としている。抵抗膜の長さによって抵抗値を調整する方法では、抵抗膜中央部分の配線が極端に短くなり、加工精度の問題が生じる恐れがある。ただし、信号線両端の抵抗層が十分な長さを持っている場合であれば、中央部分の抵抗膜の長さを０．４５倍〜０．５５倍とする調整でもよい。一例を示すと、バイアス抵抗２１，２２，２４の抵抗値を２０MΩ，バイアス抵抗２３，２５の抵抗値を４０MΩとする場合、長さ０．０２mmで作成された抵抗線の幅を、バイアス抵抗２１，２２，２４では０．０２mmとし、バイアス抵抗２３，２５では０．０１mmとするという具合である。
【００３１】
次に、支持基板１００上の電極引き出しのために形成された絶縁層１０２，１０４は、例えば３μmのポリイミドによって形成する。他に、ＳｉＯ２，ＳｉＮ等の無機絶縁膜や、ポリイミド樹脂，ＢＣＢ樹脂等の有機絶縁膜を用いてもよい。電極引き出し部を成長形成するためのシード層／バリア層（密着層）としては、Ｃｕ／ＴａＮ(Ｔａ)を用いている。シード層は、引き出す端子電極材料に適したものを選ぶ必要がある。バリア層（密着層）は、他に、Ｔｉ，ＴｉＮ，ＴａＮ，ＴｉＳｉＮ，ＴａＳｉＮその他の窒化物や、ＳｒＲｕＯ３，ＩｒＯ２などの酸化物等を用いてもよい。電極引き出し部に接続する引き出し電極は３μmのＣｕとしたが、Ａｌ等の各種導電性材料が利用できる。また、引き出し電極上の端子電極としては、５μmのＳｎ−Ａｇを使用している。しかし、実装方法に応じて、Ａｌ−Ｃｕ合金，Ａｕ，半田材料等を用いてよい。
【００３２】
次に、以上のような構造の可変容量複合部品について、各可変容量キャパシタ３１〜３４に印加される電圧のグラフを示すと、図８(B)に示すようになる。このグラフは、バイアス抵抗２１，２２，２４の抵抗値を２０MΩ，バイアス抵抗２３，２５の抵抗値を４０MΩ，リーク抵抗成分４１〜４４の抵抗値を５０GΩとした場合に、第２バイアス端子１１にバイアス電圧として３Vを印加したときの各可変容量キャパシタ３１〜３４の両端の電位差を示すもので、すべての可変容量キャパシタ３１〜３４において均等に３Vの電圧が印加されていることが分かる。
【００３３】
なお、本発明は、上述した実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることができる。例えば、以下のものも含まれる。
(1)前記実施例は、可変容量キャパシタが４つの場合を示したが、一般的に偶数（自然数をｎとしたときＮ＝２ｎ）個であれば、同様に適用できる。
(2)前記実施例は、本発明を周波数調整に用いる場合を主として説明したが、可変容量を必要とする各種の回路に適用してよい。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
本発明によれば、各可変容量素子が持っている本来の容量変化を最大限引き出し、全体として容量変化率の大きい可変容量複合部品を得ることができるので、周波数調整回路などに好適である。
【符号の説明】
【００３５】
１０：可変容量複合部品
１１：第２バイアス端子
１２：第１信号用端子
１３：第２信号用端子
１４：第１バイアス端子
２１〜２５：バイアス抵抗
３１〜３４：可変容量キャパシタ
３１ａ〜３４ａ：上部電極
３１ｂ〜３４ｂ：下部電極
４１〜４４：リーク抵抗成分
ＢＬ１：第１バイアスライン
ＢＬ２：第２バイアスライン
１００：支持基板
１０２，１０４：絶縁層
Ｗ：抵抗膜の幅
【図１】
2014103181.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図８】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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