(57)【要約】【課題】外来ノイズによる過熱状態の誤検出をより精度良く抑制することが可能な過熱防止装置を提供すること。【解決手段】半導体スイッチ素子１３、１４がオフされているにもかかわらず、対応する感温ダイオード１１、１２により検出された温度が所定の閾値以上の温度まで上昇した場合には、その温度上昇は外来ノイズの影響によるものとみなす。そして、オンされている半導体スイッチ素子１３、１４に内蔵された感温ダイオード１１、１２によって所定の閾値以上の温度が検出された場合であっても、同時期に、オフされている半導体スイッチ素子１３、１４の感温ダイオード１１，１２によっても所定の閾値以上の温度が検出されている場合には、オンされている半導体スイッチ素子１３、１４の動作を停止させず、そのまま通常の動作を継続させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
共通の制御負荷に対する通電制御のために設けられ、一方がオンされるときには、他方がオフされる少なくとも２個の半導体スイッチ素子（１３、１４）と、
前記２個の半導体スイッチ素子にそれぞれ内蔵された温度検出素子（１１、１２）と、
前記温度検出素子により所定の閾値以上の温度が検出されたとき、対応する前記半導体スイッチ素子の動作を制限して、当該半導体スイッチ素子の温度の上昇を抑制する保護手段（１０）と、を備え、
前記保護手段は、オフされている前記半導体スイッチ素子に内蔵された前記温度検出素子によっても前記所定の閾値以上の温度が検出されている場合には、同時期に、オンされている前記半導体スイッチ素子に内蔵された前記温度検出素子によって前記所定の閾値以上の温度が検出された場合であっても、オンされている前記半導体スイッチ素子の過熱状態の検出がノイズによるものとみなして、オンされている前記半導体スイッチ素子の動作を制限しないことを特徴とする過熱防止装置。
【請求項２】
前記温度検出素子は、温度に応じて順方向降下電圧が変化する感温ダイオードからなり、
対応する前記半導体スイッチ素子がオフされているときには、オンされているときよりも前記感温ダイオードに通電される電流を減少させる電流可変手段（１０）を備えることを特徴とする請求項１に記載の過熱防止装置。
【請求項３】
前記保護手段は、オフされている前記半導体スイッチに内蔵された前記温度検出素子により前記所定の閾値以上の温度の検出が開始されてから、再度、閾値以上の温度が検出されることなく、所定の時間が経過するまでの期間をノイズ検出期間とし、そのノイズ検出期間中は、オンされている前記半導体スイッチ素子の動作の制限を行わないことを特徴とする請求項１または２に記載の過熱防止装置。
【請求項４】
前記半導体スイッチ素子に内蔵された温度検出素子を構成する感温ダイオードよりも、当該半導体スイッチ素子から離れた位置に、ノイズ検出用の感温ダイオードを設け、
前記保護手段は、前記ノイズ検出用感温ダイオードによって前記所定の閾値以上の温度が検出されていることを条件として、オンされている前記半導体スイッチ素子の過熱状態の検出がノイズによるものとみなすことを特徴とする請求項１に記載の過熱防止装置。
【請求項５】
前記ノイズ検出用感温ダイオードには、少なくともオンされている前記半導体スイッチ素子に対応する前記感温ダイオードよりも小さい電流を通電することを特徴とする請求項４に記載の過熱防止装置。
【請求項６】
前記半導体スイッチ素子の通電時間及び通電電流に基づいて、当該半導体スイッチ素子の温度を推定する温度推定手段（１０）を備え、
前記保護手段は、前記温度推定手段が推定する温度が前記所定の閾値に対応する温度よりも十分に低いことを条件として、オンされている前記半導体スイッチ素子の過熱状態の検出がノイズによるものとみなすことを特徴とする請求項１に記載の過熱防止装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、制御負荷に対する通電制御のために利用される半導体スイッチ素子が、過熱状態となることを防止するための過熱防止装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１には、温度の変化に対して負の温度電圧特性を有するダイオードを、パワーＭＯＳと同じ半導体チップ上に形成し、当該パワーＭＯＳの温度検出用素子として用いることが記載されている。そして、ダイオードにより、パワーＭＯＳの温度が上昇して過熱状態となったことが検出されると、パワーＭＯＳがダメージを受けることを防止するために、パワーＭＯＳを強制的にオフする。
【０００３】
ただし、ダイオードの出力電圧信号に外来ノイズが重畳すると、実際には、パワーＭＯＳの温度は十分に低いにも係わらず、誤って、パワーＭＯＳの温度が上昇して過熱状態にあると判断されてしまう可能性がある。そのため、このような外来ノイズに起因する過熱状態の誤検出を防止すべく、引用文献１では、ダイオードの両端子間にローパスフィルタを接続することが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−３０７４０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載のように、ダイオードの両端子間にローパスフィルタを接続しても、例えば、ダイオードとローパスフィルタとが形成された半導体チップと、ダイオードの出力電圧信号に応じてパワーＭＯＳをオフする駆動回路との接続ラインにノイズが重畳した場合には、ノイズの影響による誤検出を防止できない場合がある。さらに、ローパスフィルタでは、外来ノイズを完全に除去することは困難であり、ノイズ対策が不十分となる虞がある。
【０００６】
本発明は、上述した点にかんがみてなされたものであり、外来ノイズによる過熱状態の誤検出をより精度良く抑制することが可能な過熱防止装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明による過熱防止装置は、
共通の制御負荷に対する通電制御のために設けられ、一方がオンされるときには、他方がオフされる少なくとも２個の半導体スイッチ素子（１３、１４）と、
２個の半導体スイッチ素子にそれぞれ内蔵された温度検出素子（１１、１２）と、
温度検出素子により所定の閾値以上の温度が検出されたとき、対応する半導体スイッチ素子の動作を制限して、当該半導体スイッチ素子の温度の上昇を抑制する保護手段（１０）と、を備え、
保護手段は、オフされている半導体スイッチ素子に内蔵された温度検出素子によって所定の閾値以上の温度が検出されている場合には、同時期に、オンされている半導体スイッチ素子に内蔵された温度検出素子によって所定の閾値以上の温度が検出された場合であっても、オンされている半導体スイッチ素子の過熱状態の検出がノイズによるものとみなして、オンされている半導体スイッチ素子の動作を制限しないことを特徴とする。
【０００８】
共通の制御負荷に対する通電制御を行うために設けられる２個の半導体スイッチ素子にそれぞれ内蔵された温度検出素子は、外来ノイズに対して、ほぼ同様の影響を受ける環境に置かれると考えることができる。本発明は、このような点に着目してなされたものである。具体的には、半導体スイッチ素子がオフされている場合には、通常、その素子温度が上昇することはない。そのため、半導体スイッチ素子がオフされているにもかかわらず、対応する温度検出素子により検出された温度が所定の閾値以上の温度まで上昇した場合には、その温度上昇は外来ノイズの影響によるものとみなすことができる。そして、同様の外来ノイズの影響が、オンされている半導体スイッチ素子に内蔵された温度検出素子にも及んでいるものと考えられる。従って、オフされている半導体スイッチ素子に内蔵された温度検出素子によって所定の閾値以上の温度が検出されている場合には、同時期に、オンされている半導体スイッチ素子に内蔵された温度検出素子によって所定の閾値以上の温度が検出された場合であっても、オンされている半導体スイッチ素子の動作を制限せず、そのまま通常の動作を継続させる。これにより、外来ノイズに起因する過熱状態の誤検出によって、半導体スイッチ素子の動作を停止するなど、半導体スイッチ素子の動作を制限してしまうことを精度良く抑制することができる。
【０００９】
上述した構成において、温度検出素子は、温度に応じて順方向降下電圧が変化する感温ダイオードからなり、対応する半導体スイッチ素子がオフされているときには、オンされているときよりも感温ダイオードに通電される電流を減少させる電流可変手段（１０）を備えることが好ましい。半導体スイッチ素子がオフされているときに、その半導体スイッチ素子に内蔵される感温ダイオードへの通電電流を減少させることにより、その出力電圧信号は、ノイズの影響を受けたとき、より敏感に変化することになる。すなわち、上述した電流可変手段を設けることにより、ノイズの検出性能を向上することが可能となる。
【００１０】
なお、上記括弧内の参照番号は、本発明の理解を容易にすべく、後述する実施形態における具体的な構成との対応関係の一例を示すものにすぎず、なんら本発明の範囲を制限することを意図したものではない。
【００１１】
また、上述した特徴以外の本発明の特徴に関しては、後述する実施形態の説明及び添付図面から明らかになる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施形態による過熱防止装置の主要な構成を示す構成図である。
【図２】感温ダイオードの温度電圧特性の一例を示すグラフである。
【図３】半導体スイッチ素子の過熱状態の判定のために実行される具体的な処理を示したフローチャートである。
【図４】感温ダイオードの順方向降下電圧にノイズが重畳した場合に、電圧が変動する様子を示した図である。
【図５】第２実施形態において、半導体スイッチ素子の過熱状態の判定のために実行される処理を示したフローチャートである。
【図６】第３実施形態において、感温ダイオードに通電する電流値を切り替えるための処理を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について、図面を参照しつつ説明する。図１は、本実施形態による過熱防止装置の主要な構成を示す構成図である。
【００１４】
図１に示す構成では、制御負荷としての直流モータの回転を制御するために、当該モータのコイル１７へ通電する電流を制御する、４つの半導体スイッチ素子１３〜１６が設けられている。これら半導体スイッチ素子１３〜１６は、例えば、ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴなどの大電流を通電可能なパワー素子からなり、共通の基板に実装される。そして、４つの半導体スイッチ素子１３〜１６は、モータの回転方向を正転方向及び逆転方向に切り替えるために、図示しない制御回路によって駆動状態と非駆動状態とが選択的に切り替えられる。
【００１５】
例えば、半導体スイッチ素子１３と１６とが駆動状態（オン）とされ、半導体スイッチ素子１４と１５とが非駆動状態（オフ）とされたとき、図１に点線矢印に示すように、図１の左側から右側に向かう電流がコイル１７に流れる。逆に、半導体スイッチ素子１４と１５とが駆動状態にされ、半導体スイッチ素子１３と１６とが非駆動状態にされてときには、図１の右側から左側に向かう電流がコイル１７に流れる。このように、４つの半導体スイッチ素子１３〜１６の駆動状態と非駆動状態とを選択的に切り替えることにより、コイル１７に流れる電流の向きを反転させることができ、それにより、モータの回転方向を正転方向と逆転方向のいずれにも切り替えることが可能となる。
【００１６】
ここで、４つの半導体スイッチ素子１３〜１６は、モータのコイル１７に大電流を通電するものである。このため、各半導体スイッチ素子１３〜１６が駆動状態となったときには発熱して、半導体スイッチ素子１３〜１６の温度が上昇する。この素子温度が過度に上昇すると、各半導体スイッチ素子１３〜１６にダメージを与える虞が生じる。そのため、本実施形態では、半導体スイッチ素子１３，１４の温度を検出する感温ダイオード１１、１２が設けられている。
【００１７】
感温ダイオード１１、１２は、例えば、半導体スイッチ素子１３、１４が形成されたそれぞれの半導体基板上に搭載されたポリシリコンに、イオン注入及び拡散を行なってＰ層、Ｎ層を形成して構成される。このような感温ダイオード１１、１２においては、その温度と、ある電流を流した時の順方向降下電圧Ｖｆとが、図２に示すように、負の線形性を示す温度電圧特性を有する。従って、感温ダイオード１１、１２の順方向降下電圧Ｖｆを測定することにより、感温ダイオード１１、１２、すなわち、対応する半導体スイッチ素子１３、１４の温度を検出することができる。
【００１８】
過熱検出回路１０は、感温ダイオード１１、１２に定電流を通電する定電流回路、感温ダイオード１１、１２の順方向降下電圧Ｖｆを測定する測定回路、半導体スイッチ素子１３、１４が過熱状態にあるか否かを判定する判定回路、及び判定回路によって過熱状態と判定されたときに、半導体スイッチ素子１３、１４への駆動信号を遮断する遮断回路などから構成される。
【００１９】
定電流回路により感温ダイオード１１、１２に定電流を通電することにより、通電電流の変動による感温ダイオード１１、１２の順方向降下電圧Ｖｆの変化を防止することができる。従って、感温ダイオード１１、１２の順方向降下電圧Ｖｆに基づく、半導体スイッチ素子１３、１４の温度の検出精度を高めることができる。
【００２０】
判定回路が、測定回路により測定された感温ダイオード１１、１２の順方向降下電圧Ｖｆに基づいて、半導体スイッチ素子１３、１４が過熱状態にあるか否かを判定する。この判定方法については、後に詳細に説明する。そして、判定回路により半導体スイッチ素子１３、１４が過熱状態にあると判定されると、遮断回路が、半導体スイッチ素子１３、１４の素子破壊などのダメージを防止すべく、該当する半導体スイッチ素子１３，１４の駆動信号を遮断して、動作を停止させる。
【００２１】
なお、上述した例では、上流側の半導体スイッチ素子１３、１４に対して感温ダイオード１１、１２を設けている。上流側の半導体スイッチ素子１３，１４と、下流側の半導体スイッチ素子１６，１５は、それぞれ、連動して動作する。そのため、上流側の半導体スイッチ素子１３、１４の温度が上昇した場合には、下流側の半導体スイッチ素子１６，１５も同様に温度が上昇していると推測することができる。そして、所定の閾値以上の温度まで上昇したことが検出されたときには、上流側の半導体スイッチ素子１３、１４への駆動信号を遮断する。それにより、下流側半導体スイッチ素子１５，１６を介しての大電流の通電も停止される。従って、上述側半導体スイッチ素子１３、１４に対して感温ダイオード１１、１２を設けるだけで、上流側及び下流側双方の半導体スイッチ素子１３〜１６の過熱保護を図ることができる。
【００２２】
ただし、感温ダイオードを、全ての半導体スイッチ素子１３〜１６に対してそれぞれ設けても良い。そして、個々の感温ダイオードの順方向降下電圧Ｖｆから、対応する半導体スイッチ素子１３〜１６が過熱状態か否かを判定して、過熱状態であると判定されたときには、該当する半導体スイッチ素子１３〜１６の駆動信号を遮断するように構成しても良い。
【００２３】
次に、本実施形態の特徴に係る、半導体スイッチ素子１３、１４の過熱状態の判定方法について説明する。
【００２４】
上述したように、半導体スイッチ素子１３，１６と、半導体スイッチ素子１４，１５とは、一方が駆動状態となるときには、他方が非駆動状態となる関係にある。本実施形態では、このように、相補的に駆動状態と非駆動状態とに設定される２個の半導体スイッチ素子１３、１４にそれぞれ内蔵された感温ダイオード１１、１２により検出される温度を利用して、外来ノイズに起因する過熱状態の誤判定を防止できるようにした点に特徴がある。
【００２５】
具体的に説明すると、まず、共通の制御負荷であるモータコイル１７に対する通電制御を行うために設けられる２個の半導体スイッチ素子１３，１４にそれぞれ内蔵された感温ダイオード１１、１２は、その配置場所や電気的接続の共通性から、外来ノイズに対して、ほぼ同様の影響を受ける環境にあると考えることができる。
【００２６】
一方、半導体スイッチ素子１３、１４がオフされている場合には、通常、その素子温度が上昇することはない。そのため、例えば半導体スイッチ素子１３がオフされているにも係わらず、感温ダイオード１１の順方向降下電圧Ｖｆが、図２に示す過熱検出閾値以下に低下した場合、つまり、半導体スイッチ素子１３の温度が所定の閾値以上の温度まで上昇した場合、その温度上昇は外来ノイズの影響によるものとみなすことができる。このような場合、上述した理由により、同様の外来ノイズの影響が、オンされている半導体スイッチ素子１４に内蔵された感温ダイオード１２にも及んでいるものと考えられる。
【００２７】
従って、オフされている半導体スイッチ素子１３に内蔵された感温ダイオード１１によって所定の閾値以上の温度が検出されている場合には、たとえ、オンされている半導体スイッチ素子１４に内蔵された感温ダイオード１２によって所定の閾値以上の温度が検出されたとしても、オンされている半導体スイッチ素子１４の駆動信号を停止させない。これにより、外来ノイズに起因する過熱状態の誤検出によって、半導体スイッチ素子１３、１４の動作を停止させてしまうことを精度良く抑制することができる。
【００２８】
以下、過熱検出回路１０において、半導体スイッチ素子１３、１４の過熱状態の判定のために実行される具体的な処理について、図３のフローチャートを参照しつつ説明する。
【００２９】
まず、ステップＳ１００において、過熱検出回路１０は、感温ダイオード１１、１２の順方向降下電圧Ｖｆ及び半導体スイッチ素子１３、１４に対する駆動信号を測定する。続くステップＳ１１０では、測定した駆動信号に基づき、オンされている半導体スイッチ素子１３、１４の感温ダイオード１１、１２を特定する。さらに、その特定した感温ダイオード１１、１２の順方向降下電圧Ｖｆが過熱検出閾値以下に低下したか、すなわち、オンされている半導体スイッチ素子１３、１４の温度が所定の閾値以上の温度まで上昇したかを判定する。
【００３０】
ステップＳ１１０の判定処理において、オンされている半導体スイッチ素子１３、１４の温度が所定の閾値未満と判定されたときには、半導体スイッチ素子１３、１４は過熱された状態ではないので、その動作を停止させる必要はない。そのため、ステップＳ１４０の処理に進み、半導体スイッチ素子１３、１４に通常の動作を継続させる。一方、ステップＳ１１０において、半導体スイッチ素子１３、１４の温度が所定の閾値以上であると判定されたときには、その温度上昇がノイズの影響によるものかを確かめるため、ステップＳ１２０の処理に進む。
【００３１】
ステップＳ１２０では、オフされている半導体スイッチ素子１３、１４に対応する感温ダイオード１１、１２の順方向降下電圧Ｖｆが過熱検出閾値以下に低下したか、すなわち、オフされている半導体スイッチ素子１３、１４の温度が所定の閾値以上の温度まで上昇したかを判定する。このステップＳ１２０の判定処理において、オフされている半導体スイッチ素子１３、１４の温度が所定の閾値以上の温度まで上昇したと判定された場合、オンされている半導体スイッチ素子及びオフされている半導体スイッチ素子の温度上昇は、ノイズによる誤検出とみなすことができる。そのため、ステップＳ１４０に進んで、半導体スイッチ素子１３、１４に通常の動作を継続させる。
【００３２】
一方、ステップＳ１２０において、オフされている半導体スイッチ素子１３、１４の温度が所定の閾値未満と判定された場合には、ノイズの影響は生じておらず、オンされている半導体スイッチ素子１３，１４の温度が実際に上昇して、過熱状態に陥っていると考えられる。そのため、ステップＳ１３０に進んで、オンされている半導体スイッチ素子１３、１４への駆動信号を遮断して、動作を停止させる。
【００３３】
なお、上述した例では、まず、オンされている半導体スイッチ素子１３、１４の温度を判定し、次にオフされている半導体スイッチ素子１３、１４の温度を判定したが、その順番は逆であっても良い。
【００３４】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。なお、第２実施形態の過熱防止装置の構成は、第１実施形態の過熱防止装置の構成と同様であるため、説明を省略する。
【００３５】
上述した第１実施形態では、オンされている半導体スイッチ素子１３、１４の感温ダイオード１１、１２の順方向降下電圧Ｖｆが過熱検出閾値以下に低下したとき、オフされている半導体スイッチ素子１３、１４の感温ダイオード１１、１２の順方向降下電圧Ｖｆの大きさにより、ノイズの影響が生じているか否かを判定した。
【００３６】
しかしながら、図４に示すように、ノイズは、ある期間、感温ダイオード１１、１２の出力電圧に影響を及ぼすものである。そのノイズによる影響が生じている期間は、過熱検出閾値以下に低下していない状況であっても、感温ダイオード１１，１２が出力する順方向降下電圧Ｖｆから正しい温度を検出することはできない。そこで、本実施形態においては、オフされている半導体スイッチ素子１３、１４の感温ダイオード１１、１２が出力する順方向降下電圧Ｖｆから、ノイズの影響が生じているノイズ検出期間を定める。そして、このノイズ検出期間中は、オンされている半導体スイッチ素子１３、１４の感温ダイオード１１、１２の順方向降下電圧Ｖｆの大きさによらず、通常の動作を継続することとした。これにより、過熱状態を誤検出する可能性をより低減することができる。
【００３７】
図５は、本実施形態における、半導体スイッチ素子１３、１４の過熱状態の判定のために実行される処理を示すフローチャートであり、以下、このフローチャートを参照しつつ説明する。
【００３８】
まず、ステップＳ２００において、感温ダイオード１１、１２の順方向降下電圧Ｖｆ及び半導体スイッチ素子１３、１４に対する駆動信号を測定する。続くステップＳ２１０では、測定した駆動信号に基づき、オフされている半導体スイッチ素子１３、１４の感温ダイオード１１、１２を特定する。さらに、その特定した感温ダイオード１１、１２の順方向降下電圧Ｖｆが過熱検出閾値以下に低下したか、すなわち、オフされている半導体スイッチ素子１３、１４の温度が所定の閾値以上の温度まで上昇したかを判定する。
【００３９】
ステップＳ２１０の判定処理において、オフされている半導体スイッチ素子１３、１４の温度が所定の閾値以上と判定されたときには、ノイズの影響が生じているとみなし、ステップＳ２２０に進んで、ノイズ検出期間であると設定する。これにより、ノイズ検出期間が開始される。そして、ステップＳ２６０において、オンされている半導体スイッチ素子１３、１４の感温ダイオード１１、１２の順方向降下電圧Ｖｆが過熱検出閾値以下か否か判定するが、この判定結果が「ＹＥＳ」であっても、次のステップＳ２７０において、ノイズ検出期間であると判定されると、ステップＳ２９０において、通常の動作を継続させる。
【００４０】
ステップＳ２２０においてノイズ検出期間との設定がなされた場合、その設定は、再度、オフされている半導体スイッチ素子１３、１４の感温ダイオード１１、１２の順方向降下電圧Ｖｆが過熱検出閾値を下回らずに、所定時間が経過したときに解除される。具体的には、ステップＳ２１０にて「ＮＯ」と判定されると、ステップＳ２３０にてノイズ検出期間であるか否かを判定する。そして、ノイズ検出期間であると判定された場合、ステップＳ２４０の処理に進み、感温ダイオード１１、１２の順方向降下電圧Ｖｆが過熱検出閾値よりも高い状態のまま、所定時間が経過したか否かを判定する。この判定処理において、所定時間が経過したと判定されると、ステップＳ２５０において、ノイズ検出期間との設定を解除する。これにより、ノイズ検出期間が終了する。
【００４１】
このように、本実施形態によれば、感温ダイオード１１、１２の順方向降下電圧Ｖｆが、ノイズの影響を受けている期間を、ノイズ検出期間と定める。そして、そのノイズ検出期間において、オンされている半導体スイッチ素子１３、１４の温度が所定の閾値以上の温度であることが検出されたとしても、それによって、半導体スイッチ素子１３，１４の動作を停止させず、通常の動作を継続させる。従って、ノイズに起因する過熱状態の誤検出によって、半導体スイッチ素子１３、１４の動作を停止させてしまうことをより精度良く抑制することができる。
【００４２】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態について説明する。なお、第３実施形態の過熱防止装置の構成は、第１、第２実施形態の過熱防止装置の構成と同様であるため、説明を省略する。
【００４３】
上述した第１及び第２実施形態では、過熱検出回路１０が、半導体スイッチ素子１３、１４がオンされているか、オフされているかによらず、感温ダイオード１１，１２に常に一定の電流を通電していた。
【００４４】
本実施形態では、対応する半導体スイッチ素子１３、１４がオフされているときには、オンされているときよりも感温ダイオード１１、１２に通電される電流を減少させるようにした。そのため、過熱検出回路１０は、例えば、発生する電流値が異なる２個の定電流回路と、その２個の定電流回路のいずれを感温ダイオード１１，１２に接続するかを切り替えるスイッチとを有するように構成される。
【００４５】
そして、半導体スイッチ素子１３，１４がオフされているときに、その半導体スイッチ素子１３、１４に内蔵される感温ダイオード１１、１２への通電電流を減少させることにより、感温ダイオード１１、１２の順方向降下電圧Ｖｆは、ノイズの影響を受けたとき、より敏感に変化することになる。従って、ノイズの検出性能を向上することが可能となる。
【００４６】
本実施形態において、感温ダイオード１１、１２に通電する電流値を切り替えるための処理を、図６のフローチャートを参照しつつ説明する。
【００４７】
まず、ステップＳ３００において、各半導体スイッチ素子１３、１４に対する駆動信号を測定する。続くステップＳ３１０では、測定した駆動信号に基づき、駆動信号が切り替えられ、各半導体スイッチ素子１３、１４の駆動状態、非駆動状態が変化したか否かを判定する。そして、駆動信号が切り替えられたと判定された場合には、ステップＳ３２０の処理に進む。
【００４８】
ステップＳ３２０では、半導体スイッチ素子１３、１４が駆動状態であるか否かを判定する。そして、ステップＳ３３０において、ステップＳ３２０の判定処理において、駆動状態であると判定された半導体スイッチ素子１３、１４に対応する感温ダイオード１１、１２に対して、相対的に大電流が流されるように、過熱検出回路１０内の定電流回路を設定する。
【００４９】
一方、ステップＳ３４０では、半導体スイッチ素子１３、１４が非駆動状態であるか否かを判定する。そして、ステップＳ３５０において、ステップＳ３３０の判定処理において、非駆動状態であると判定された半導体スイッチ素子１３、１４に対応する感温ダイオード１１、１２に対して、相対的に小電流が流されるように過熱検出回路１０内の定電流回路を設定する。
【００５０】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上述した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することができる。
【００５１】
例えば、上述した各実施形態では、オンされている半導体スイッチ素子１３，１４の過熱状態が検出されたとき、その半導体スイッチ素子１３，１４への駆動信号を遮断することにより、動作を停止させた。しかしながら、半導体スイッチ素子１３，１４の動作を制限する態様としては、半導体スイッチ素子１３，１４の動作を停止することに限られず、例えば、半導体スイッチ素子１３，１４の駆動信号（駆動電圧）を低下するようにしても良い。駆動電圧を低下させることによって、半導体スイッチ素子１３，１４の通電電流値が小さくなり、それにより、半導体スイッチ素子１３，１４の温度を低下させることができるためである。
【００５２】
また、上述した各実施形態では、相補的に駆動状態と非駆動状態とに設定される２個の半導体スイッチ素子１３、１４にそれぞれ内蔵された感温ダイオード１１、１２により検出される温度を利用して、外来ノイズに起因する過熱状態の誤判定を防止した。
【００５３】
しかしながら、半導体スイッチ素子１３、１４に内蔵された感温ダイオード１１、１２よりも、半導体スイッチ素子１３、１４から離れた位置に、少なくとも１つのノイズ検出用の感温ダイオードを設け、オフされている半導体スイッチ素子１３、１４の感温ダイオード１１、１２によって所定の閾値以上の温度が検出されていることに加え、ノイズ検出用感温ダイオードによって所定の閾値以上の温度が検出されていることを条件として、オンされている半導体スイッチ素子１３、１４の過熱状態の検出がノイズによるものとみなすようにしても良い。これにより、さらにノイズの検出精度を向上することができる。
【００５４】
ノイズ検出用感温ダイオードを設ける場合、そのノイズ検出用感温ダイオードに通電する電流値は、少なくともオンされている半導体スイッチ素子１３、１４の感温ダイオード１１、１２へ通電する電流値よりも小さいことが好ましい。それにより、ノイズ検出用感温ダイオードのノイズ検出性能を高めることができるためである。
【００５５】
また、過熱検出回路１０に、半導体スイッチ素子１３、１４の通電時間及び通電電流に基づいて、当該半導体スイッチ素子１３、１４の温度を推定する温度推定手段を設け、過熱検出回路１０の判定回路は、温度推定手段が推定する温度が所定の閾値に対応する温度よりも十分に低いことも条件として、オンされている半導体スイッチ素子１３、１４の過熱状態の検出がノイズによるものとみなすようにしても良い。
【符号の説明】
【００５６】
１０  過熱検出回路
１１、１２  感温ダイオード
１３〜１６  半導体スイッチ素子
１７  モータコイル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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