(57)【要約】【課題】マザー基板を分断する際に、有機ＥＬ素子を覆う封止膜（平坦化層、無機封止層）に新たな欠陥が発生し、封止膜のバリア性の低下を抑制する。【解決手段】表面９と、前記表面９に交差する端面８とを有する素子基板本体１１と、前記表面９に配置された有機ＥＬ素子３０と、前記有機ＥＬ素子３０を覆う平坦化層３４ｂと、前記平坦化層３４ｂの上に配置された第２無機封止層３４ｃと、を備え、前記平坦化層３４ｂの外縁及び前記第２無機封止層３４ｃの外縁は、前記端面８と前記有機ＥＬ素子３０が配置された発光素子領域Ｅとの間に配置されていることを特徴とする。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と、前記第１面に交差する端面とを有する基板と、
前記第１面上に配置された発光素子と、
前記発光素子を覆う平坦化層と、
前記平坦化層の上に配置された第１の無機封止層と、
を備え、
前記第１の無機封止層の外縁は、前記平坦化層の外縁と、前記発光素子が配置された第１の領域との間に配置されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記発光素子と前記平坦化層との間に、前記第１の領域を覆う第２の無機封止層を備え、
前記第２の無機封止層の外縁は、前記平坦化層の外縁と、前記第１の領域との間に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１の無機封止層の外縁は、前記端面から０．１ｍｍ以上離れていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第２の無機封止層の外縁は、前記端面から０．１ｍｍ以上離れていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第１面は、第１辺と、前記第１辺に交差する第２辺及び第３辺と、前記第１辺に対向する第４辺とを有し、
前記第１辺と前記第１の領域との間に、前記第１辺に沿って前記第１面上に配置された端子を備え、
前記平坦化層の外縁は、前記第１辺と前記端子が配置された第２の領域との間、前記第２辺と前記第１の領域との間、前記第３辺と前記第１の領域との間、及び前記第４辺と前記第１の領域との間に配置され、
前記平坦化層は、前記端子を露出させる開口部を有し、
前記第１の無機封止層は、前記第１辺に沿った外縁と、前記第２辺に沿った外縁と、前記第３辺に沿った外縁と、前記第４辺に沿った外縁とを有し、
前記第１の無機封止層の前記第１辺に沿った外縁は、前記第１の領域と前記第２の領域との間に配置され、
前記第１の無機封止層の前記第２辺に沿った外縁、前記第３辺に沿った外縁、及び前記第４辺に沿った外縁は、前記端面と前記第１の領域との間に配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１面は、第１辺と、前記第１辺に交差する第２辺及び第３辺と、前記第１辺に対向する第４辺とを有し、
前記第１辺と前記第１の領域との間に、前記第１辺に沿って前記第１面上に配置された端子を有し、
前記平坦化層の外縁及び前記第１の無機封止層の外縁は、前記端子が配置された第２の領域と前記第１の領域との間、前記第２辺と前記第１の領域との間、前記第３辺と前記第１の領域との間、及び前記第４辺と前記第１の領域との間に配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第１面は、第１辺と、前記第１辺に交差する第２辺及び第３辺と、前記第１辺に対向する第４辺とを有し、
前記第１辺と前記第１の領域との間に、前記第１辺に沿って前記第１面上に配置された端子を備え、
前記第２の無機封止層の外縁は、前記第１辺と前記端子が配置された第２の領域との間、前記第２辺と前記第１の領域との間、前記第３辺と前記第１の領域との間、及び前記第４辺と前記第１の領域との間に配置され、
前記第２の無機封止層は、前記端子を露出させる開口部を有していることを特徴とする請求項２または４に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記第１面は、第１辺と、前記第１辺に交差する第２辺及び第３辺と、前記第１辺に対向する第４辺とを有し、
前記第１辺と前記第１の領域との間に、前記第１辺に沿って前記第１面上に配置された端子を有し、
前記第２の無機封止層の外縁は、前記第１の領域と前記端子が配置された第２の領域との間、前記第２辺と前記第１の領域との間、前記第３辺と前記第１の領域との間、及び前記第４辺と前記第１の領域との間に配置されていることを特徴とする請求項２または４に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記第１の無機封止層の上方に、前記第１の領域を覆うように配置された保護基板と、
前記第１の無機封止層と前記保護基板との間に配置された接着層と、
を備え、
前記第１の無機封止層は、前記接着層で覆われていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記第１の無機封止層の上に、赤の着色層と緑の着色層と青の着色層とを有するカラーフィルターを備え、
前記第１の無機封止層は、前記赤の着色層、前記緑の着色層、及び前記青の着色層のうち少なくとも一つで覆われていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記カラーフィルターの上方に、前記第１の領域を覆うように配置された保護基板と、
前記カラーフィルターと前記保護基板との間に配置された接着層と、
を備えていることを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記平坦化層は、ポリシラザンまたはゾルゲル法で形成された金属酸化物、及びエポキシ樹脂のいずれかで構成されていることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項１３】
前記平坦化層のヤング率は、１００ＧＰａ以下であり、
前記第１の無機封止層のヤング率は、１４０ＧＰａから２００Ｇｐａの範囲にあることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の電気光学装置を有していることを特徴とする電子機器。
【請求項１５】
発光素子と平坦化層と第１の無機封止層とを有する基板、前記基板に対向配置された保護基板、及び前記基板と前記保護基板との間に配置された接着層を備えている電気光学装置の製造方法であって、
前記発光素子が配置された第１の領域を覆う前記平坦化層を形成する工程と、
前記第１の領域と前記平坦化層の外縁との間に外縁が配置されるように、前記平坦化層の少なくとも一部を覆う前記第１の無機封止層を形成する工程と、
前記第１の無機封止層に酸素プラズマ処理を施す工程と、
前記第１の無機封止層と前記保護基板との間に接着材を配置し、前記保護基板を押圧しながら前記接着材を硬化させて前記第１の無機封止層を覆う前記接着層を形成し、前記保護基板と前記基板とを前記接着層を介して貼り合わせる工程と、
を有していることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１６】
発光素子と、平坦化層と、第１の無機封止層とが順に積層された電気光学装置が複数配置されたマザー基板を用いた電気光学装置の製造方法であって、
前記マザー基板から単体の前記電気光学装置を分断する分断線に跨って、前記発光素子を覆う前記平坦化層を前記マザー基板に形成する工程と、
前記分断線から０．１ｍｍ以上離間させて、前記平坦化層を挟んで前記発光素子に対向する前記第１の無機封止層を、前記複数配置された電気光学装置のそれぞれに形成する工程と、
前記分断線に沿って前記マザー基板を分断する工程と、
を有していることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、当該電気光学装置の製造方法、及び当該電電気光学装置を搭載した電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置の一例である有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置は、自発光型表示装置であり、例えば液晶装置などの非発光型表示装置と比べて、光源としてのバックライトが不要となるため薄型化や軽量化の点で有利であり、電子ビューファインダーなどに適用される、マイクロディスプレとしての応用が期待されている。有機ＥＬ装置は、発光素子としての有機ＥＬ素子を備え、当該有機ＥＬ素子は、陽極と、陰極と、これらの電極で挟まれた発光機能層などで構成されている。発光機能層は、酸素や水分（湿気）などによって劣化するので、有機ＥＬ素子は、酸素や水分を遮断するバリア膜で覆われている。
【０００３】
例えば、特許文献１では、無機化合物膜（シリコン酸窒化物、シリコン酸化物など）と熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）とが交互に積層された多層膜で覆われた支持基板（マザー基板）に、複数の有機ＥＬ装置を形成した後、分断線にレーザーを照射することでマザー基板を分断し、単体の有機ＥＬ装置を形成している。有機ＥＬ装置に配置されている有機ＥＬ素子は、無機化合物膜と熱硬化性樹脂とが交互に積層された多層膜、及び無機化合物膜と中間膜とが積層された封止膜で覆われ、当該多層膜や当該封止膜によって、有機ＥＬ素子への水分の影響が遮断され、有機ＥＬ素子の信頼性を大きく向上させることができるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１１９１３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の方法では、水分の影響を完全に遮断することが難しいという課題があった。
詳しくは、無機化合物膜（シリコン酸窒化物、シリコン酸化物など）と熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）とが交互に積層された多層膜や、無機化合物膜（シリコン酸窒化物、シリコン酸化物など）と中間膜とが積層された封止膜は、上述した分断線に跨って形成されているため、分断線に沿ってこれらの多層膜や封止膜を分断する必要がある。無機化合物膜を構成するシリコン酸窒化物やシリコン酸化物は、例えば熱硬化性樹脂を構成するエポキシ樹脂と比べて、柔軟性に劣り、応力やひずみ（変形）によってクラックが発生しやすい。マザー基板を分断線に沿って分断する場合、分断線付近の多層膜や封止膜にどうしても応力やひずみが加わり、多層膜や封止膜を構成する無機化合物膜にクラックが発生しやすくなる。クラックの状態によっては、クラックを介して有機ＥＬ素子に水分が侵入する恐れがあった。
【０００６】
さらに、有機ＥＬ装置の長期間の使用において、有機ＥＬ装置に熱や力などの外的ストレスが加わり、マザー基板の分断時に発生したクラックが大きくなり（成長し）、有機ＥＬ素子に水分が侵入する恐れがあった。すなわち、長期信頼性に劣る恐れがあるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、第１面と、前記第１面に交差する端面とを有する基板と、前記第１面上に配置された発光素子と、前記発光素子を覆う平坦化層と、前記平坦化層の上に配置された第１の無機封止層と、を備え、前記第１の無機封止層の外縁は、前記平坦化層の外縁と前記発光素子が配置された第１の領域との間に配置されていることを特徴とする。
【０００９】
本適用例では、第１の無機封止層の外縁は、平坦化層の外縁と発光素子が配置された第１の領域との間、すなわち基板の端面（分断線）から離れて配置されている。
第１の無機封止層の外縁は、分断線から離れて配置されているので、分断線の初期き裂を進展させる応力の影響が小さくなり、当該応力によって第１の無機封止層に欠陥（クラックなど）が生じにくくなる。よって、第１の無機封止層の欠陥を介して発光素子への水分や酸素の侵入が抑制され、水分や酸素による発光素子の劣化が抑制される。従って、電気光学装置の長期信頼性を高めることができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記発光素子と前記平坦化層との間に前記第１の領域を覆う第２の無機封止層を備え、前記第２の無機封止層の外縁は、前記平坦化層の外縁と前記第１の領域との間に配置されていることが好ましい。
【００１１】
第２の無機封止層の外縁は、平坦化層の外縁と発光素子が配置された第１の領域との間に配置されている。すなわち、第２の無機封止層の外縁は、端面（分断線）から離れて配置されている。第２の無機封止層の外縁は、端面（分断線）から離れて配置されているので、分断線の初期き裂を進展させる応力の影響が小さくなり、当該応力によって第２の無機封止層に欠陥（クラックなど）が生じにくくなる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第１の無機封止層の外縁は、前記端面から０．１ｍｍ以上離れていることが好ましい。
【００１３】
マザー基板に工具などで分断線に沿って初期き裂を形成し、当該初期き裂を進展させる応力（引っ張り応力）を作用させて、マザー基板を分断線に沿って分断すると、分断線に対応する端面を基点として、基板の第１面に面欠陥（貝殻形状の欠けなど）や線欠陥（クラックなど）が発生する場合がある。当該面欠陥や線欠陥の多くは、端面を基点として０．１ｍｍまでの範囲に発生する。第１の無機封止層の外縁を端面から０．１ｍｍ以上離れて配置することで、マザー基板を分断する際に基板の第１面に発生する面欠陥や線欠陥によって、第１の無機封止層に欠陥を生じにくくすることができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第２の無機封止層の外縁は、前記端面から０．１ｍｍ以上離れていることが好ましい。
【００１５】
第２の無機封止層の外縁を端面から０．１ｍｍ以上離れて配置することで、マザー基板を分断する際に基板の第１面に発生する面欠陥や線欠陥の影響を抑制することができる。すなわち、マザー基板を分断する際に基板の第１面に発生する面欠陥や線欠陥によって、第２の無機封止層に欠陥を生じにくくすることができる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第１面は、第１辺と、前記第１辺に交差する第２辺及び第３辺と、前記第１辺に対向する第４辺とを有し、前記第１辺と前記第１の領域との間に前記第１辺に沿って前記第１面上に配置された端子を備え、前記平坦化層の外縁は、前記第１辺と前記端子が配置された第２の領域との間、前記第２辺と前記第１の領域との間、前記第３辺と前記第１の領域との間、及び前記第４辺と前記第１の領域との間に配置され、前記平坦化層は、前記端子を露出させる開口部を有し、前記第１の無機封止層は、前記第１辺に沿った外縁と前記第２辺に沿った外縁と前記第３辺に沿った外縁と前記第４辺に沿った外縁とを有し、前記第１の無機封止層の前記第１辺に沿った外縁は、前記第１の領域と前記第２の領域との間に配置され、前記第１の無機封止層の前記第２辺に沿った外縁、前記第３辺に沿った外縁、及び前記第４辺に沿った外縁は、前記端面と前記第１の領域との間に配置されていることが好ましい。
【００１７】
素子基板本体の第１面は、第１辺と、第１辺に交差する第２辺及び第３辺と、第１辺に対向する第４辺とを有している。また、第１辺、第２辺、第３辺及び第４辺は、マザー基板の分断線に対応する。平坦化層の外縁は、第１辺と端子が配置された第２の領域との間、第２辺と第１の領域との間、第３辺と第１の領域との間、及び第４辺と第１の領域との間に配置されている。すなわち、平坦化層の外縁は、分断線から離れて配置されている。第１の無機封止層の第１辺に沿った外縁は、第１の領域と第２の領域との間に配置されている。第１の無機封止層の第２辺に沿った外縁、前記第３辺に沿った外縁、及び第４辺に沿った外縁は、基板本体の端面（第２辺、第３辺、第４辺）と第１の領域との間に配置されている。すなわち、第１の無機封止層の外縁は、分断線から離れて配置されている。
平坦化層の外縁及び第１の無機封止層の外縁は、分断線から離れて配置されているので、マザー基板を分断する際の影響、すなわち分断線の初期き裂を進展させる応力の影響が小さくなり、当該応力によって平坦化層及び第１の無機封止層に欠陥（クラックなど）が生じにくくなる。
【００１８】
［適用例６］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第１面は、第１辺と、前記第１辺に交差する第２辺及び第３辺と、前記第１辺に対向する第４辺とを有し、前記第１辺と前記第１の領域との間に、前記第１辺に沿って前記第１面上に配置された端子を有し、前記平坦化層の外縁及び前記第１の無機封止層の外縁は、前記端子が配置された第２の領域と前記第１の領域との間、前記第２辺と前記第１の領域との間、前記第３辺と前記第１の領域との間、及び前記第４辺と前記第１の領域との間に配置されていることが好ましい。
【００１９】
素子基板本体の第１面は、第１辺と、第１辺に交差する第２辺及び第３辺と、第１辺に対向する第４辺とを有している。また、第１辺、第２辺、第３辺及び第４辺は、マザー基板の分断線に対応する。平坦化層の外縁及び前記第１の無機封止層の外縁は、第１の領域と第２の領域との間、第２辺と第１の領域との間、第３辺と第１の領域との間、及び前記第４辺と前記第１の領域との間に配置されている。すなわち、平坦化層の外縁及び前記第１の無機封止層の外縁は、分断線から離れて配置されている。平坦化層の外縁及び第１の無機封止層の外縁は、分断線から離れて配置されているので、マザー基板を分断する際の影響、すなわち分断線の初期き裂を進展させる応力の影響が小さくなり、当該応力によって平坦化層及び第１の無機封止層に欠陥（クラックなど）が生じにくくなる。
【００２０】
［適用例７］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第１面は、第１辺と、前記第１辺に交差する第２辺及び第３辺と、前記第１辺に対向する第４辺とを有し、前記第１辺と前記第１の領域との間に、前記第１辺に沿って前記第１面上に配置された端子を備え、前記第２の無機封止層の外縁は、前記第１辺と前記端子が配置された第２の領域との間、前記第２辺と前記第１の領域との間、前記第３辺と前記第１の領域との間、及び前記第４辺と前記第１の領域との間に配置され、前記第２の無機封止層は、前記端子を露出させる開口部を有していることが好ましい。
【００２１】
素子基板本体の第１面は、第１辺と、第１辺に交差する第２辺及び第３辺と、第１辺に対向する第４辺とを有している。また、第１辺、第２辺、第３辺及び第４辺は、マザー基板の分断線に対応する。第２の無機封止層の外縁は、第１辺と端子が配置された第２の領域との間、第２辺と第１の領域との間、第３辺と第１の領域との間、及び第４辺と第１の領域との間に配置されている。すなわち、第２の無機封止層の外縁は、分断線から離れて配置されている。第２の無機封止層の外縁は、分断線から離れて配置されているので、マザー基板を分断する際の影響、すなわち分断線の初期き裂を進展させる応力の影響が小さくなり、当該応力によって第２の無機封止層に欠陥（クラックなど）が生じにくくなる。
【００２２】
［適用例８］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第１面は、第１辺と、前記第１辺に交差する第２辺及び第３辺と、前記第１辺に対向する第４辺とを有し、
前記第１辺と前記第１の領域との間に、前記第１辺に沿って前記第１面上に配置された端子を有し、前記第２の無機封止層の外縁は、前記第１の領域と前記端子が配置された第２の領域との間、前記第２辺と前記第１の領域との間、前記第３辺と前記第１の領域との間、及び前記第４辺と前記第１の領域との間に配置されていることが好ましい。
【００２３】
素子基板本体の第１面は、第１辺と、第１辺に交差する第２辺及び第３辺と、第１辺に対向する第４辺とを有している。また、第１辺、第２辺、第３辺及び第４辺は、マザー基板の分断線に対応する。第２の無機封止層の外縁は、第１の領域と第２の領域との間、第２辺と第１の領域との間、第３辺と第１の領域との間、及び前記第４辺と前記第１の領域との間に配置されている。すなわち、第２の無機封止層の外縁は、分断線から離れて配置されている。第２の無機封止層の外縁は、分断線から離れて配置されているので、マザー基板を分断する際の影響、すなわち分断線の初期き裂を進展させる応力の影響が小さくなり、当該応力によって第２の無機封止層に欠陥（クラックなど）が生じにくくなる。
【００２４】
［適用例９］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第１の無機封止層の上方に、前記第１の領域を覆うように配置された保護基板と、前記第１の無機封止層と前記保護基板との間に配置された接着層と、を備え、前記第１の無機封止層は、前記接着層で覆われていることが好ましい。
【００２５】
第１の無機封止層の上方に、第１の領域を覆うように保護基板が配置され、第１の無機封止層と保護基板との間には接着層が配置され、第１の無機封止層は接着層で覆われている。工具でマザー基板の分断線に初期き裂（切り筋）を形成する際に、切り屑（カレット）が発生、飛散する場合がある。この場合でも第１の無機封止層は接着層で覆われているので、当該切り屑（カレット）の飛散によって傷つきにくくなっている。さらに、第１の無機封止層の上方には、第１の領域（発光素子が配置された領域）を覆うように保護基板が配置されているので、保護基板によって第１の無機封止層はより傷つきにくくなり、発光素子への水分や酸素の侵入をより強く抑制することができる。
【００２６】
［適用例１０］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第１の無機封止層の上に、赤の着色層と緑の着色層と青の着色層とを有するカラーフィルターを備え、前記第１の無機封止層は、前記赤の着色層、前記緑の着色層、及び前記青の着色層のうち少なくとも一つで覆われていることが好ましい。
【００２７】
第１の無機封止層は、赤の着色層、緑の着色層、及び青の着色層のうち少なくとも一つで覆われている。工具でマザー基板の分断線に初期き裂（切り筋）を形成する際に、切り屑（カレット）が発生、飛散する場合がある。この場合でも第１の無機封止層は着色層で覆われているので、当該切り屑（カレット）の飛散によって傷つきにくくなっている。
【００２８】
［適用例１１］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記カラーフィルターの上方に、前記第１の領域を覆うように配置された保護基板と、前記カラーフィルターと前記保護基板との間に配置された接着層と、を備えていることが好ましい。
【００２９】
第１の無機封止層を覆う着色層（カラーフィルター）の上方には、第１の領域（発光素子が配置された領域）を覆うように保護基板が配置されているので、保護基板によって第１の領域の第１の無機封止層はより傷つきにくくなり、発光素子への水分や酸素の侵入をより強く抑制することができる。
【００３０】
［適用例１２］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記平坦化層は、ポリシラザンまたはゾルゲル法で形成された金属酸化物、及びエポキシ樹脂のいずれかで構成されていることが好ましい。
【００３１】
平坦化層は、ポリシラザンまたはゾルゲル法で形成された金属酸化物、及びエポキシ樹脂のいずかで構成されている。当該金属酸化物や当該エポキシ樹脂は、例えばポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレンなどの炭化水素系高分子と比べて緻密な膜構造を有し、水や酸素のバリア性に優れている。当該金属酸化物や当該エポキシ樹脂で平坦化層を構成することで、炭化水素系高分子で平坦化層を構成する場合と比べて、水や酸素のバリア性を高めることができる。
【００３２】
［適用例１３］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記平坦化層のヤング率は、１００ＧＰａ以下であり、前記第１の無機封止層のヤング率は、１４０ＧＰａから２００Ｇｐａの範囲にあることが好ましい。
【００３３】
平坦化層（ヤング率１００ＧＰａ以下）は、第１の無機封止層（ヤング率１４０ＧＰａ〜２００Ｇｐａ）よりも柔軟な材料で構成され、クラックが生じにくく厚く形成することができる。平坦化層を厚く形成できるので、基板の反りや異物などの影響を緩和し、平坦な面を形成することができる。例えば、発光素子に異物が付着した場合に、平坦化層で異物を埋め込む（被覆する）ことができる。第１の無機封止層は、ヤング率１４０ＧＰａ〜２００Ｇｐａの硬い（緻密な）膜であり、平坦化層と比べて酸素や水分のバリア性に優れている。基板の反りや異物などの影響が緩和され平坦となった面、すなわち平坦化層の表面に第１の無機封止層を形成することで、第１の無機封止層に欠陥が生じにくくなり、水分や酸素のバリア性を高めることができる。
【００３４】
［適用例１４］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする。
【００３５】
本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備え、当該電気光学装置では、平坦化層及び第１の無機封止層によって発光素子の劣化が抑制され、長期信頼性に優れている。例えば、ヘッドマウントディスプレイ、デジタルカメラ、パーソナルコンピューターや携帯型情報端末、ナビゲーター、ビューワー、ヘッドアップディスプレイなどの電子機器の表示部に上記適用例に記載の電気光学装置を適用することで、長期信頼性に優れた安定した表示を実現することができる。
【００３６】
［適用例１５］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、発光素子と平坦化層と第１の無機封止層とを有する基板、前記基板に対向配置された保護基板、及び前記基板と前記保護基板との間に配置された接着層を備えている電気光学装置の製造方法であって、前記発光素子が配置された第１の領域を覆う前記平坦化層を形成する工程と、前記第１の領域と前記平坦化層の外縁との間に外縁が配置されるように、前記平坦化層の少なくとも一部を覆う前記第１の無機封止層を形成する工程と、前記第１の無機封止層に酸素プラズマ処理を施す工程と、前記第１の無機封止層と前記保護基板との間に接着材を配置し、前記保護基板を押圧しながら前記接着材を硬化させて前記第１の無機封止層を覆う前記接着層を形成し、前記保護基板と前記基板とを前記接着層を介して貼り合わせる工程と、を有していることを特徴とする。
【００３７】
本適用例に係る電気光学装置の製造方法では、発光素子が配置された第１の領域と平坦化層の外縁との間に外縁が配置されるように第１の無機封止層を形成し、第１の無機封止層に酸素プラズマ処理を施した後に、第１の無機封止層と保護基板との間に接着材を配置し、第１の無機封止層を覆う接着層を形成し、保護基板が接着層を介して基板に貼り合わせる。第１の無機封止層の表面は酸素プラズマによって改質されているので、接着層は、安定した接着強度で均一に第１の無機封止層を覆うことできる。さらに、第１の無機封止層は接着層を介して保護基板が配置（接着）されている。従って、第１の無機封止層は、接着層及び保護基板によってより強く保護され、より傷つきにくくなる。
【００３８】
［適用例１６］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、発光素子と、平坦化層と、第１の無機封止層とが順に積層された電気光学装置が複数配置されたマザー基板を用いた電気光学装置の製造方法であって、前記マザー基板から単体の前記電気光学装置を分断する分断線に跨って、前記発光素子を覆う前記平坦化層を前記マザー基板に形成する工程と、前記分断線から０．１ｍｍ以上離間させて、前記平坦化層を挟んで前記発光素子に対向する前記第１の無機封止層を、前記複数配置された電気光学装置のそれぞれに形成する工程と、前記分断線に沿って前記マザー基板を分断する工程と、を有していることを特徴とする。
【００３９】
本適用例に係る電気光学装置の製造方法では、発光素子の劣化を抑制する第１の無機封止層が、分断線から０．１ｍｍ以上離間して、マザー基板に複数配置された電気光学装置のそれぞれに形成された状態で、マザー基板を分断線に沿って分断し、単体の電気光学装置を形成している。第１の無機封止層は、分断線から０．１ｍｍ以上離間しているので、分断線に沿って分断するために作用させる応力の影響が小さくなり、当該応力によって第１の無機封止層に欠陥が生じにくくなる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】実施形態１に係る有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図２】実施形態１に係る有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図。
【図３】図２のＡ−Ａ’線に沿った有機ＥＬパネルの構造を示す概略断面図。
【図４】図２のＢ−Ｂ’線に沿った有機ＥＬパネルの構造を示す概略断面図。
【図５】実施形態１に係る有機ＥＬ装置の端子領域の概略平面図。
【図６】有機ＥＬパネルの製造方法の概要を示す工程フロー。
【図７】図６の主要工程を経た後の有機ＥＬパネルの状態を示す概略平面図。
【図８】図６の主要工程を経た後の有機ＥＬパネルの状態を示す概略平面図。
【図９】図６の主要工程を経た後の有機ＥＬパネルの状態を示す概略平面図。
【図１０】実施形態２に係る有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図。
【図１１】図１０のＡ−Ａ’線に沿った有機ＥＬパネルの概略断面図。
【図１２】図１０のＢ−Ｂ’線に沿った有機ＥＬパネルの概略断面図。
【図１３】実施形態２に係る有機ＥＬ装置の端子領域の概略平面図。
【図１４】実施形態３に係る有機ＥＬ装置の概略平面図。
【図１５】図１４のＢ−Ｂ’線に沿った有機ＥＬパネルの概略断面図。
【図１６】第１無機封止層及び平坦化層の好適例を示す模式平面図。
【図１７】第２無機封止層の好適例を示す模式平面図。
【図１８】（ａ）はヘッドマウントディスプレイの概略図。（ｂ）はデジタルカメラの概略図。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の各図においては、各層や各部位を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部位の縮尺を実際とは異ならせしめてある。
【００４２】
（実施形態１）
「有機ＥＬ装置の概要」
実施形態１に係る有機ＥＬ装置１００は、電気光学装置の一例であり、白黒の画像が表示され、例えば後述するＨＭＤ（Head Mounted Display）やデジタルカメラなどの表示部などに好適に使用することができるものである。
まず、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００の概要について、図１及び図２を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。図２は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図である。
【００４３】
図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、互いに交差する複数の走査線１２及び複数のデータ線１３と、複数のデータ線１３のそれぞれに対して並列する複数の電源線１４とを有している。走査線１２は走査線駆動回路１６に接続され、データ線１３はデータ線駆動回路１５に接続されている。また、複数の走査線１２と複数のデータ線１３との各交差部に対応して、画素１８がマトリクス状に配置されている。
【００４４】
画素１８は、発光素子である有機ＥＬ素子３０と、有機ＥＬ素子３０の駆動（発光）を制御する画素回路２０とを有している。
【００４５】
有機ＥＬ素子３０は、陽極として機能する画素電極３１と、陰極として機能する対向電極３３と、画素電極３１と対向電極３３との間に設けられた有機発光層を含む発光機能層３２とを有している。このような有機ＥＬ素子３０は、電気的にダイオードとして表記することができ、有機ＥＬ素子３０に流れる電流によって、発光機能層３２が発光する。詳しくは、画素電極３１から発光機能層に３２に正孔が供給され、対向電極３３から発光機能層３２に電子が供給され、正孔と電子とが発光機能層３２で結合し、発光機能層３２が白色に発光する。
有機ＥＬ素子３０は、本発明における「発光素子」の一例である。
【００４６】
画素回路２０は、スイッチング用トランジスター２１と、蓄積容量２２と、駆動用トランジスター２３とを含んでいる。２つのトランジスター２１，２３は、例えばｎチャネル型もしくはｐチャネル型の薄膜トランジスター（Thin  Film  transistor、以降ＴＦＴと称す）などを用いて構成することができる。
【００４７】
スイッチング用ＴＦＴ２１のゲートは、走査線１２に接続されている。スイッチング用ＴＦＴ２１のソースまたはドレインのうち一方は、データ線１３に接続されている。スイッチング用ＴＦＴ２１のソースまたはドレインのうち他方は、駆動用ＴＦＴ２３のゲートに接続されている。
【００４８】
駆動用ＴＦＴ２３のソースまたはドレインのうち一方は、有機ＥＬ素子３０の画素電極３１に接続されている。駆動用ＴＦＴ２３のソースまたはドレインのうち他方は、電源線１４に接続されている。駆動用ＴＦＴ２３のゲートと電源線１４との間には、蓄積容量２２が接続されている。
【００４９】
走査線１２が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ２１がオン状態になると、そのときにデータ線１３から供給される画像信号に基づく電位がスイッチング用ＴＦＴ２１を介して蓄積容量２２に保持される。該蓄積容量２２の電位すなわち駆動用ＴＦＴ２３のゲート電位に応じて、駆動用ＴＦＴ２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ２３がオン状態になると、電源線１４から駆動用ＴＦＴ２３を介して、画素電極３１と対向電極３３とで挟まれた発光機能層３２に、ゲート電位に応じた量の電流が流れる。有機ＥＬ素子３０は、発光機能層３２に流れる電流量に応じて発光する。
【００５０】
図２に示すように、有機ＥＬ装置１００は、有機ＥＬパネル１やフレキシブル回路基板（以降、ＦＰＣと称す）１０５などから構成されている。
有機ＥＬパネル１は、素子基板１０（素子基板本体１１）や、素子基板１０に対向配置された保護基板４０などを有している。
【００５１】
素子基板１０は、基材である素子基板本体１１を有している。素子基板本体１１の保護基板４０に対向する側の面９には、上述した画素１８（有機ＥＬ素子３０）、走査線駆動回路１６、データ線駆動回路１５、走査線１２、データ線１３、及び電源線１４などが配置されている。
【００５２】
素子基板本体１１は、例えば石英やガラスなどの光透過性材料で構成されている。なお、素子基板本体１１は、光透過性を有していなくてもよく、例えばシリコンやセラミックスなどの不透明材料で構成されていてもよい。素子基板１０は、保護基板４０よりも大きく、素子基板本体１１の一辺が、保護基板４０から大きく張り出している。以降、保護基板４０から大きく張り出した素子基板本体１１の一辺を、第１辺９ａと称す。第１辺９ａに交差する（直交する）辺を、第２辺９ｂ及び第３辺９ｃと称し、第１辺９ａに対向する辺を第４辺９ｄと称す。また、第１辺９ａ、第２辺９ｂ、第３辺９ｃ、及び第４辺９ｄで囲まれた領域（面）が、素子基板本体１１の保護基板４０に対向する側の面９となる。
素子基板本体１１は、本発明における「基板」の一例である。素子基板本体１１の保護基板４０に対向する側の面９は、本発明における「第１面」の一例であり、以降表面９と称す。
【００５３】
さらに、第１辺９ａ及び第４辺９ｄに沿った方向をＸ方向、第２辺９ｂ及び第３辺９ｃに沿った方向をＹ方向、Ｘ方向及びＹ方向に直交し素子基板１０から保護基板４０に向かう方向をＺ方向として説明する。
【００５４】
上述したように、有機ＥＬ素子３０は、画素電極３１と、発光機能層３２と、対向電極３３とを有している。
画素電極３１は、Ｘ方向及びＹ方向にマトリクス状に配置され、画素電極領域Ｅ１を形成している。すなわち、画素電極３１は、画素１８毎に島状に配置されている。画素電極３１に対応して、画素回路２０（スイッチング用ＴＦＴ２１、蓄積容量２２、駆動用ＴＦＴ２３など）が、画素１８毎に設けられている。画素回路２０の動作に伴って、画素電極３１に接する発光機能層３２が白色に発光するようになっている。画素電極３１が配置された領域、すなわち画素電極領域Ｅ１は、画像が表示される表示領域となる。
【００５５】
発光機能層３２は、画素電極領域Ｅ１を覆うように配置されている。発光機能層３２が配置された領域が、発光機能層領域Ｅ２となる。Ｚ方向から見たときに、発光機能層領域Ｅ２は、画素電極領域Ｅ１を覆い、画素電極領域Ｅ１よりも広く配置されている。
【００５６】
対向電極３３は、発光機能層領域Ｅ２を覆うように配置されている。対向電極３３が配置された領域が対向電極領域Ｅ３となる。Ｚ方向から見たとき、対向電極領域Ｅ３は、発光機能層領域Ｅ２を覆い、発光機能層領域Ｅ２よりも広く配置されている。
【００５７】
発光素子領域Ｅは、画素電極領域Ｅ１、発光機能層領域Ｅ２、及び対向電極領域Ｅ３によって構成される。Ｚ方向から見たとき、対向電極領域Ｅ３が最も広くなっているので、対向電極領域Ｅ３が発光素子領域Ｅとなる。
なお、発光素子領域Ｅは、本発明における「第１の領域」の一例である。
【００５８】
保護基板４０から大きく張り出した部分の素子基板本体１１の表面９には、複数の端子１０１がＸ方向に配列されている。端子１０１が配置された領域が端子領域Ｔとなる。第２辺９ｂと画素電極領域Ｅ１との間、及び第３辺９ｃと画素電極領域Ｅ１との間には、それぞれ走査線駆動回路１６が配置されている。第４辺９ｄと画素電極領域Ｅ１との間には、検査回路１７が配置されている。
【００５９】
第２辺９ｂと走査線駆動回路１６との間、第３辺９ｃと走査線駆動回路１６との間、及び第４辺９ｄと検査回路１７との間には、配線層２９が配置されている。つまり、配線層２９は、二つの走査線駆動回路１６と検査回路１７とを囲むように配置されている。上述した対向電極領域Ｅ３は、Ｚ方向から見て配線層２９と重なり、配線層２９を覆うように配置されている。対向電極領域Ｅ３と配線層２９とが重なった領域に、配線層２９と対向電極３３とが電気的に接続するためのコンタクトホール４６（図４参照）が設けられている。
【００６０】
上述したように、有機ＥＬ素子３０は、発光機能層３２を流れる電流量に応じて発光する発光素子である。最も大きな電流が流れるのは、複数の画素電極３１に跨って配置されている対向電極３３である。例えば、配線層２９で構成される配線（陰極配線）の配線抵抗が高くなり、対向電極３３に供給される電流が小さくなると、有機ＥＬ素子３０の輝度が小さくなる（暗くなる）という不具合が生じる。このため、配線層２９の陰極配線の配線幅は、他の配線と比べて大きく（広く）なっている。
【００６１】
保護基板４０は、例えば石英やガラスなどの光透過性材料で構成され、素子基板１０よりも小さく、素子基板１０に対向配置されている。保護基板４０は、発光素子領域Ｅを覆うように配置されている。その結果、有機ＥＬ素子３０は、素子基板本体１１と保護基板４０との間に配置され、保護基板４０によって外部雰囲気から隔離されている。つまり、保護基板４０は、有機ＥＬ素子３０が機械的衝撃や外部雰囲気の影響を受けないように保護する役割を有している。
【００６２】
ＦＰＣ１０５には、上述したデータ線駆動回路１５を含む駆動用ＩＣ１１０が実装されている。ＦＰＣ１０５は、駆動用ＩＣ１１０の入力側に配線を介して接続される入力端子１０２と、駆動用ＩＣ１１０の出力側に配線を介して接続される出力端子（図示省略）とを有している。ＦＰＣ１０５は、素子基板１０側の端子領域Ｔ（端子１０１）に接続されている。上述した素子基板１０側のデータ線１３、電源線１４、走査線駆動回路１６、検査回路１７、及び配線層２９（対向電極３３）は、端子１０１及びＦＰＣ１０５を介して駆動用ＩＣ１１０に電気的に接続され、所定の信号が供給されている。
【００６３】
「有機ＥＬパネルの概要」
次に、有機ＥＬパネル１の概要について、図３乃至図５を参照して説明する。
図３は、図２のＡ−Ａ’線に沿った有機ＥＬパネルの構造を示す概略断面図である。図４は、図２のＢ−Ｂ’線に沿った有機ＥＬパネルの構造を示す概略断面図である。図５は、端子領域の概略平面図である。
図３及び図４には、本発明の説明に必要な構成要素（駆動用ＴＦＴ２３、端子１０１、配線層２９）が図示され、本発明の説明に不必要な構成要素（検査回路１７、スイッチング用ＴＦＴ２１、蓄積容量２２など）の図示が省略されている。また、図３及び図４における矢印は、発光機能層３２で発せられた光の射出方向を示している。図５も、本発明の説明に必要な構成要素だけが図示されている。
【００６４】
図３及び図４に示すように、有機ＥＬパネル１は、素子基板１０、保護基板４０、及び素子基板１０と保護基板４０とを接着する透明樹脂層４２などを備えている。透明樹脂層４２は、透光性を有し、例えばエポキシ樹脂で構成され、素子基板１０と保護基板４０とを接着している。上述したように、保護基板４０は、透光性を有し、例えば石英やガラスなどの光透過性材料で構成されている。素子基板１０（有機ＥＬ素子３０）で発せられた光は、透明樹脂層４２及び保護基板４０を通過し、矢印方向（Ｚ方向）に射出される。すなわち、有機ＥＬパネル１は、素子基板１０で発せられた光が、保護基板４０の側から射出されるトップエミッション構造を有している。
【００６５】
素子基板１０の基材である素子基板本体１１の表面９には、画素回路２０、有機ＥＬ素子３０、及び封止層３４が順に積層されている。また、素子基板本体１１は、表面９に交差する端面８を有している。端面８と表面９とが交差した領域（辺）が、第１辺９ａ（図３）、第２辺９ｂ（図示省略）、第３辺９ｃ（図示省略）、及び第４辺９ｄ（図４）となる。
【００６６】
「画素回路」
画素回路２０は、第１絶縁膜１１ａから第２層間絶縁膜２６までに配置された絶縁膜、半導体膜、及び導電膜などで構成されている。これら構成要素によって、配線層１０３、配線層２９、駆動用ＴＦＴ２３、スイッチング用ＴＦＴ２１（図示省略）、蓄積容量２２（図示省略）、検査回路１７（図示省略）、走査線駆動回路１６（図示省略）などが形成されている。
【００６７】
素子基板本体１１の表面９は、第１絶縁膜１１ａで覆われている。第１絶縁膜１１ａの上には、半導体層２３ａが配置されている。半導体層２３ａは、ゲート絶縁膜として機能する第２絶縁膜１１ｂで覆われている。第２絶縁膜１１ｂを介して半導体層２３ａのチャネル領域と対向する位置に、ゲート電極２３ｇが配置されている。駆動用ＴＦＴ２３は、半導体層２３ａ、第２絶縁膜１１ｂ（ゲート絶縁膜）、及びゲート電極２３ｇなどで構成される。ゲート電極２３ｇは、第１層間絶縁膜２４で覆われている。第２絶縁膜１１ｂ及び第１層間絶縁膜２４にはコンタクトホールが配置されている。駆動用ＴＦＴ２３には、当該コンタクトホールを介して電極（ソース電極、ドレイン電極）が電気的に接続されている。当該電極は、例えばアルミニウム、あるいはアルミニム合金などの光反射性材料で構成されている。さらに、当該電極と同層には、当該電極と同じ材料で構成された反射層２５、配線層１０３、及び配線層２９などが、配置されている。
【００６８】
第１層間絶縁膜２４は、第２層間絶縁膜２６で覆われている。第２層間絶縁膜２６には、画素電極３１と駆動用ＴＦＴ２３とを電気的に接続させるためのコンタクトホールが配置されている。第１絶縁膜１１ａ、第２絶縁膜１１ｂ、第１層間絶縁膜２４、第２層間絶縁膜２６を構成する材料としては、例えばシリコン酸化物、シリコン窒化物、及びシリコン酸窒化物などを使用することができる。
【００６９】
「有機ＥＬ素子」
有機ＥＬ素子３０は、第２層間絶縁膜２６の上に順に積層された画素電極３１、発光機能層３２、及び対向電極３３などで構成されている。
【００７０】
画素電極３１は、発光機能層３２に正孔を供給するための電極である。画素電極３１は、光透過性を有し、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの光透過性材料で形成されている。画素電極３１は、反射層２５と平面的に重なって、複数の画素１８のそれぞれに島状に配置されている。画素電極３１は、第２層間絶縁膜２６に形成されたコンタクトホールを介して、駆動用ＴＦＴ２３に電気的に接続されている。画素電極３１が配置された領域が、画素電極領域Ｅ１となる。
【００７１】
発光機能層３２は、画素電極３１を覆うように配置され、画素電極３１の側から順に積層された正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、及び電子輸送層などを有している。画素電極３１から供給される正孔と、対向電極３３から供給される電子とが有機発光層で結合し、発光機能層３２が発光する（光を発する）。発光機能層３２が配置された領域が、発光機能層領域Ｅ２となる。
有機発光層は、赤色、緑色及び青色の光成分を有する光、すなわち白色の光を発する。有機発光層は、単層で構成してもよいし、複数の層（例えば、電流が流れると主に青色で発光する青色発光層と、電流が流れると赤色と緑色を含む光を発する黄色発光層）で構成してもよい。
【００７２】
対向電極３３は、発光機能層３２に電子を供給するための共通電極である。対向電極３３は、発光機能層３２を覆って配置され、例えばＭｇとＡｇとの合金などで構成され、光透過性と光反射性とを有している。対向電極３３を構成する合金を薄膜化することで、光反射性の機能に加えて光透過性の機能を付与することができる。
【００７３】
発光機能層３２で発した光は、図中の矢印で示すようにＺ軸（＋）方向に射出され、表示光となる。発光機能層３２で発したＺ軸（−）方向の光は反射層２５でＺ軸（＋）方向に反射され、表示光の一部となる。
【００７４】
「端子、配線」
配線層２９は、第２層間絶縁膜２６で覆われている。第２層間絶縁膜２６には、配線層２９を露出させるコンタクトホール４６が設けられている。対向電極３３は、コンタクトホール４６を覆うように配置され、コンタクトホール４６を介して配線層２９に電気的に接続され、さらに配線層２９を介して端子１０１に電気的に接続されている。
【００７５】
第２層間絶縁膜２６と第１無機封止層３４ａとの間には、画素電極３１と同じ材料で構成された端子１０１が設けられている。第１無機封止層３４ａ及び後述する平坦化層３４ｂには、端子１０１を露出させる開口部４５が設けられている。端子１０１は、第２層間絶縁膜２６に設けられたコンタクトホールを介して配線層１０３に電気的に接続されている。画素回路２０、走査線駆動回路１６、及び検査回路１７は、配線層１０３を通じて端子１０１に電気的に接続されている。
【００７６】
上述したように、端子１０１は、素子基板本体１１の第１辺９ａに沿って、Ｘ方向に沿って複数配置されている。図５に示すように、開口部４５は、Ｘ方向に沿って複数配置された端子１０１の全体を露出させるように設けられている。端子１０１が配置された領域が、端子領域Ｔとなる。
【００７７】
「封止層」
封止層３４は、発光機能層３２や対向電極３３の劣化を抑制するパッシベーション膜であり、発光機能層３２や対向電極３３への水分や酸素の侵入を抑制している。このため、封止層３４は、発光素子領域Ｅ（対向電極領域Ｅ３）を覆い、発光素子領域Ｅよりも広く配置されている。
【００７８】
封止層３４は、対向電極３３の側から順に積層された第１無機封止層３４ａと、平坦化層３４ｂと、第２無機封止層３４ｃとで構成されている。
なお、第１無機封止層３４ａは、本発明における「第２の無機封止層」の一例である。第２無機封止層３４ｃは、本発明における「第１の無機封止層」の一例である。
【００７９】
第１無機封止層３４ａは、例えば公知技術のプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて形成されたシリコン酸窒化物で構成される。第１無機封止層３４ａの膜厚は、概略０．１μｍ〜１μｍである。第１無機封止層３４ａのヤング率は、概略１６０ＧＰａである。第１無機封止層３４ａは、対向電極３３を覆い、素子基板１０の表面９の全域に亘って配置されている。第１無機封止層３４ａには、端子１０１を露出させる開口部４５が設けられている。第１無機封止層３４ａは、水分や酸素の浸入を抑制する高いバリア性を有し、第１無機封止層３４ａによって有機ＥＬ素子３０（画素電極３１、発光機能層３２、対向電極３３）への水分や酸素の侵入が抑制（遮断）される。
【００８０】
第１無機封止層３４ａの水分や酸素に対するバリア性を高めるためには、第１無機封止層３４ａを緻密で硬い膜で構成することが好ましい。このため、第１無機封止層３４ａを構成する材料は、１４０ＧＰａ〜２００ＧＰａのヤング率を有する材料が適している。第１無機封止層３４ａを構成する材料は、上述したシリコン酸窒化物の他に、シリコン酸化物やシリコン窒化物などを使用することができる。
【００８１】
平坦化層３４ｂは、例えばアルコキシド化合物を原料としてゾルゲル法で形成された金属酸化物で構成されている。具体的には、テトラアルコキシシラン（Ｓｉ（ＯＲ）4）や有機トリアルコキシシラン（Ｒ’Ｓｉ（ＯＲ）3）などを脱水縮合反応させることで形成された、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）結合を主体とするシリコン酸化物である。より詳しくは、スピンコート、印刷、インクジェットなどの方法でアルコキシド化合物を有する溶液を塗布し、脱水縮合反応によって液体（ゾル）から固体（ゲル）に転移させることで、シロキサン結合を主体とするシリコン酸化物（平坦化層３４ｂ）が形成される。例えば、アルコキシド化合物として有機トリアルコキシシラン（Ｒ’Ｓｉ（ＯＲ）3）を使用すると、有機物（Ｒ’）がシリコン酸化物に取り込まれ、平坦化層３４ｂのヤング率を調整することができる。平坦化層３４ｂは、無機物（Ｓｉ）と有機物とが分子レベルで複合化された有機─無機ハイブリット膜を含む。
【００８２】
平坦化層３４ｂの膜厚は、第１無機封止層３４ａの膜厚よりも大きく、概略１μｍ〜２μｍである。平坦化層３４ｂのヤング率は、概略６０ＧＰａである。平坦化層３４ｂは、第１無機封止層３４ａを覆い、素子基板１０の表面９の全域に亘って配置されている。平坦化層３４ｂには、端子１０１を露出させる開口部４５が設けられている。
【００８３】
平坦化層３４ｂは、第１無機封止層３４aよりも柔軟な材料で構成され、クラックが生じにくく、厚く形成することができる。例えば、素子基板本体１１の反りの影響は、平坦化層３４ｂによって緩和される。例えば、第１無機封止層３４ａに欠陥を発生させる異物が存在した場合に、当該異物は平坦化層３４ｂで埋め込まれ（被覆され）、第２無機封止層３４ｃに悪影響を及ばさないようになる。第１無機封止層３４ａにピンホールやクラックなどの凹状の欠陥が発生したとしても、当該凹状の欠陥は平坦化層３４ｂで被覆され、第２無機封止層３４ｃに悪影響を及ばさないようになる。
このように、異物や第１無機封止層３４ａの凹状の欠陥（ピンホール、クラック）などの不具合個所は、平坦化層３４ｂで被覆され、平坦な面が形成される。平坦化層３４ｂで平坦となった面の上に第２無機封止層３４ｃを形成することで、第２無機封止層３４ｃに欠陥が発生しにくくなる。このように、第１無機封止層３４ａと第２無機封止層３４ｃとの間に平坦化層３４ｂを配置することによって、封止層３４の欠陥を抑制し、封止層３４のバリア性を格段に高めることができる。
【００８４】
異物や第１無機封止層３４ａの凹状の欠陥などの不具合個所を平坦化層３４ｂで被覆するためには、平坦化層３４ｂを、溶液（液体）から膜（固体）を形成する湿式法（スピンコート、印刷、インクジェットなど）で形成することが好ましい。例えば、第１無機封止層３４ａを、原料ガス（気体）から膜（固体）を形成する乾式法（例えばプラズマＣＶＤ）では、スピンコートや印刷などの湿式法と比べて段差被覆性に劣り、上記不具合個所を完全に（欠陥無しに）被覆することが難しい。
さらに、異物を被覆するためには、平坦化層３４ｂを厚く形成する必要がある。このため、平坦化層３４ｂは、厚く形成してもクラックが発生しにくい柔軟な材料で構成することが好ましい。具体的には、平坦化層３４ｂは、ヤング率１００ＧＰａ以下の材料で構成することが好ましい。
【００８５】
平坦化層３４ｂを、上述したゾルゲル法で形成された金属酸化物で構成すると、炭化水素系高分子で構成する場合と比べて水分や酸素に対するバリア性に優れている。従って、平坦化層３４ｂとしてゾルゲル法で形成された金属酸化物を使用すると、異物を埋め込む（被覆する）という効果に加えて、水分や酸素の影響を抑制するという効果を得ることができる。
【００８６】
平坦化層３４ｂには、上述したゾルゲル法で形成された金属酸化物の他に、シラザン化合物を含む溶液から形成された金属酸化物や、樹脂溶液から形成されたエポキシ樹脂などを使用することができる。
例えば、シラザン構造（Ｓｉ−Ｎ）を有するシラザン化合物を含む溶液を、スピンコート、印刷、インクジェットなどの方法で塗布し、ポリシラザン膜を形成した後に光や熱を照射し、活性酸素やオゾンなどによってポリシラザン膜中の窒素を酸素に置換することで、緻密性に優れた（水分や酸素に対するバリア性に優れた）シリコン酸化物を形成することができる。さらに、樹脂溶液を印刷などで塗布して形成されたエポキシ樹脂も、炭化水素系高分子と比べて水分や酸素に対するバリア性に優れた緻密な膜である。
【００８７】
第２無機封止層３４ｃは、例えば公知技術のプラズマＣＶＤ法などを用いて形成されたシリコン酸窒化物で構成される。第２無機封止層３４ｃの膜厚は、概略０．１μｍ〜１μｍである。第２無機封止層３４ｃのヤング率は、概略１６０ＧＰａである。すなわち、第２無機封止層３４ｃは、第１無機封止層３４ａと同じ材料で構成され、水分や酸素に対して高いバリア性を有している。
【００８８】
また、水分や酸素に対するバリア性を高めるためには、第２無機封止層３４ｃを緻密で硬い膜で構成することが好ましい。このため、第２無機封止層３４ｃは、１４０ＧＰａ〜２００ＧＰａのヤング率を有する材料で構成することが好ましい。第２無機封止層３４ｃは、上述したシリコン酸窒化物の他に、シリコン酸化物やシリコン窒化物などを使用することができる。
【００８９】
図３に示すように、第２無機封止層３４ｃの外縁は、端子領域Ｔと発光素子領域Ｅとの間に配置され、保護基板４０から張り出している。
【００９０】
図４に示すように、第２無機封止層３４ｃの外縁は、素子基板本体１１の第４辺９ｄ（端面８）と発光素子領域Ｅとの間に配置され、保護基板４０から張り出している。さらに、図示を省略するが、第２無機封止層３４ｃの外縁は、素子基板本体１１の第２辺９ｂ（端面８）と発光素子領域Ｅとの間、及び素子基板本体１１の第３辺９ｃ（端面８）と発光素子領域Ｅとの間に配置され、それぞれ保護基板４０から張り出している。
つまり、第２無機封止層３４ｃの外縁は、平坦化層３４ｂの外縁と発光素子領域Ｅとの間に位置している。
【００９１】
第４辺９ｄと第２無機封止層３４ｃの外縁との間隔Ｄ１は、０．１ｍｍ以上となっている。さらに、第２辺９ｂと第２無機封止層３４ｃの外縁との間隔、及び第３辺９ｃと第２無機封止層３４ｃの外縁との間隔も、同様に０．１ｍｍ以上となっている。
【００９２】
「有機ＥＬパネルの製造方法」
図６は、本発明の特徴部分をなす有機ＥＬパネルの製造方法の概要を示す工程フローである。図７乃至図９は、図６の主要工程を経た後の有機ＥＬパネルの状態を示す概略平面図である。図７では、複数の素子基板１０が多面付けされたマザー基板１１Ｗの状態で図示され、図８及び図９では、図７の領域Ｃが拡大して図示されている。また、図７乃至図９では、各工程の説明に必要な構成要素が図示され、各工程の説明に不要な構成要素の図示が省略されている。
以下、図６乃至図９を参照して、有機ＥＬパネル１の製造方法の概要を説明する。なお、図６に示す工程以外の工程は、公知技術を使用しており、説明を省略する。
【００９３】
図６に示す第１無機封止層３４ａを形成する工程（ステップＳ１）からマザー基板１１Ｗを分断する工程（ステップＳ６）までの工程が、本実施形態に係る有機ＥＬパネル１の製造方法の特徴部分であり、他の工程は公知技術を使用している。
図６のステップＳ１では、画素回路２０や有機ＥＬ素子３０などが形成された素子基板１０の全面に、公知技術のプラズマＣＶＤ法を用いて厚さ０．１μｍ〜１μｍのシリコン酸窒化物を堆積し、第１無機封止層３４ａを形成する。
【００９４】
図６のステップＳ２では、第１無機封止層３４ａが形成された素子基板１０の全面に、テトラメトキシシランやテトラエトキシシランなどのアルコキシシランを用いたゾルゲル法で、厚さ１μｍ〜２μｍのシリコン酸化物（平坦化層３４ｂ）を形成する。ゾルゲル法では、スピンコート、印刷、インクジェットなどの方法で、アルコキシシラン溶液をマザー基板１１Ｗに塗布しているので、例えばマザー基板１１Ｗに異物があっても、異物をシリコン酸化物（平坦化層３４ｂ）で埋め込む（被覆する）ことができる。
【００９５】
続いて、公知技術のドライエッチング法を用いて、フォトレジストをエッチングマスクとして端子領域Ｔの平坦化層３４ｂ及び第１無機封止層３４ａをエッチング除去し、端子１０１を露出する開口部４５（図３、図４参照）を形成する。なお、エッチングマスクのフォトレジストは、平坦化層３４ｂ及び第１無機封止層３４ａをエッチングした後に、除去される。
【００９６】
図７では、ステップＳ２の平坦化層３４ｂを形成した後の状態（開口部４５を形成する前の状態）が図示されている。図中の二点鎖線は、分断線ＳＬを示している。二点鎖線で囲まれた領域が、単体の素子基板１０となる。図中の網掛け領域は、第１無機封止層３４ａ及び平坦化層３４ｂが形成された領域を示している。
【００９７】
図７に示すように、マザー基板１１Ｗは、ウェハー状の例えば石英基板であって、外周の一部が切り欠かれたオリフラを有している。マザー基板１１Ｗには、オリフラを基準として、Ｘ方向とＹ方向とに複数の素子基板１０（画素回路２０及び有機ＥＬ素子３０が形成された素子基板１０）が配置されている。第１無機封止層３４ａ及び平坦化層３４ｂは、分断線ＳＬに跨ってマザー基板１１Ｗの略全面に形成されている。なお、後述するステップＳ６において、マザー基板１１Ｗは分断線ＳＬに沿って分断され、単体の有機ＥＬパネル１（素子基板１０）に分割される。つまり、分断線ＳＬは、後述するステップＳ６において素子基板本体１１の第１辺９ａ、第２辺９ｂ、第３辺９ｃ、及び第４辺９ｄとなる。
【００９８】
図６のステップＳ３では、公知技術のプラズマＣＶＤ法を用いて厚さ０．１μｍ〜１μｍのシリコン酸窒化物を堆積し、第２無機封止層３４ｃを形成する。
【００９９】
図８（ａ）は、ステップＳ３を経た後の状態を示している。ステップＳ３におけるプラズマＣＶＤでは、メタルマスクを用いてシリコン酸窒化物を所定の領域に堆積し、第２無機封止層３４ｃが形成されている。第２無機封止層３４ｃの外縁は、端子領域Ｔと発光素子領域Ｅとの間、及び分断線ＳＬと発光素子領域Ｅとの間に配置されている。第２無機封止層３４ｃは、マザー基板１１Ｗに配置された複数の素子基板１０のそれぞれに、島状に形成されている。第２無機封止層３４ｃが形成されていない領域のＸ方向寸法、及びＹ方向寸法は、０．２ｍｍ以上である。分断線ＳＬは、この第２無機封止層３４ｃで覆われていない領域の中心に配置されている。すなわち、端子領域Ｔが配置された側を除き、分断線ＳＬと第２無機封止層３４ｃとの間隔は、０．１ｍｍ以上になっている。換言すれば、第２無機封止層３４ｃの外縁は、分断線ＳＬから０．１ｍｍ以上離れて配置されている。
【０１００】
図６のステップＳ４では、第２無機封止層３４ｃ及び第２無機封止層３４ｃで覆われていない平坦化層３４ｂに酸素プラズマ処理を施す。酸素プラズマ処理によって、第２無機封止層３４ｃ及び第２無機封止層３４ｃで覆われていない平坦化層３４ｂの表面を改質し（活性化し）、ステップＳ５で使用する接着剤（エポキシ樹脂）の濡れ性を改善する。例えば、第２無機封止層３４ｃが有機物で汚染されていたとしても、汚染物（有機物）を酸素プラズマ処理で除去することができる。
なお、ステップＳ４では酸素プラズマ処理に代えて、ＵＶ処理やオゾン処理を施してもよい。
【０１０１】
図６のステップＳ５では、第２無機封止層３４ｃに接着材（エポキシ樹脂）を塗布し、いわゆるチップマウント方式でマザー基板１１Ｗに複数配置された素子基板１０のそれぞれに、単体の保護基板４０を貼り合せる。
【０１０２】
図８（ｂ）は、ステップＳ５を経た後の状態を示している。ステップＳ５によって、保護基板４０は、所定の位置に貼り合わされる。すなわち、保護基板４０の外縁と分断線ＳＬとの間に第２無機封止層３４ｃの外縁が配置されるように、保護基板４０は、マザー基板１１Ｗに複数配置された素子基板１０のそれぞれに貼り合わされている。
ステップＳ５で、保護基板４０を押圧しながらＵＶや熱を照射し、エポキシ樹脂を硬化させ、素子基板１０と保護基板４０とを接着する透明樹脂層４２を形成する。ステップＳ４で、第２無機封止層３４ｃや平坦化層３４ｂに対する接着剤（エポキシ樹脂）の濡れ性が改善されているので、透明樹脂層４２は第２無機封止層３４ｃを覆って形成される。そして、素子基板１０と透明樹脂層４２と保護基板４０とで構成された有機ＥＬパネル１が、マザー基板１１Ｗに複数形成される。
【０１０３】
図６のステップＳ６では、複数の有機ＥＬパネル１が形成されたマザー基板１１Ｗを、分断線ＳＬに沿って分断し、単体の有機ＥＬパネル１を形成する。具体的には、カッターホイールを使用して分断線ＳＬに初期き裂（切り筋）を形成した後に、マザー基板１１Ｗを曲げて（引っ張り応力を作用させて）、マザー基板１１Ｗを分断する。カッターホイールを使用して分断する方法（スクライブ加工）の他に、例えば分断線ＳＬにレーザー光を照射した後に（局所加熱した後に）急冷することで、分断線ＳＬに応力を作用させて分断する方法（レーザー加工）や、ダイシングブレードを使用して分断線ＳＬに沿ってマザー基板１１Ｗを分断（切断）する方法（ダイシング加工）であってもよい。
【０１０４】
図９は、ステップＳ６を経た後の状態を示す単体の有機ＥＬパネル１の概略平面図である。上述したように、素子基板本体１１の第１辺９ａ、第２辺９ｂ、第３辺９ｃ、及び第４辺９ｄ（素子基板本体１１の端面８）は、マザー基板１１Ｗにおける分断線ＳＬに対応する。同図に示すように、第１無機封止層３４ａ及び平坦化層３４ｂは、素子基板本体１１の全域に順に配置（積層）されている。平坦化層３４ｂの上には、第２無機封止層３４ｃが配置されている。第２無機封止層３４ｃの外縁は、素子基板本体１１の端面８（マザー基板１１Ｗの分断線ＳＬ）から離れて配置されている。第２無機封止層３４ｃの上方には、保護基板４０が配置されている。保護基板４０の端面は、第２無機封止層３４ｃの外縁と発光素子領域Ｅとの間に配置されている。すなわち、第２無機封止層３４ｃの外縁は、保護基板４０の端面から張り出している。さらに、第２無機封止層３４ｃと保護基板４０との間には透明樹脂層４２が配置され、第２無機封止層３４ｃは、透明樹脂層４２で覆われている（図３、図４参照）。
【０１０５】
図３及び図４に示すように、素子基板本体１１の端面８（マザー基板１１Ｗの分断線ＳＬに対応する領域）には、素子基板本体１１、第１絶縁膜１１ａ、第２絶縁膜１１ｂ、第１層間絶縁膜２４、第２層間絶縁膜２６、第１無機封止層３４ａ、及び平坦化層３４ｂが順に積層されている。素子基板本体１１は、硬脆性材料（石英）で構成されている。第１絶縁膜１１ａ、第２絶縁膜１１ｂ、第１層間絶縁膜２４、第２層間絶縁膜２６、及び第１無機封止層３４ａも、硬脆性材料（シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物など）で構成されている。一方、平坦化層３４ｂは、第１無機封止層３４ａと比べて柔軟な材料、すなわちヤング率１００ＧＰａ以下の材料で構成されている。さらに、平坦化層３４ｂの上に配置されている第２無機封止層３４ｃは、第１無機封止層３４ａと同じ材料、すなわち硬脆性材料で構成されている。
【０１０６】
上述した、スクライブ加工やダイシング加工では、刃先工具を直接マザー基板１１Ｗに押し付け、マザー基板１１Ｗを機械的に加工するため、微小な切断屑（カレット）が発生する（飛散する）。さらに、分断線ＳＬに沿って応力（引っ張り応力）を作用させ、分断線ＳＬに沿って単体の有機ＥＬパネル１に分断する。
【０１０７】
レーザー加工においても、き裂進展の基点となる初期き裂を機械的加工で設ける必要があり、当該機械的加工でカレットが発生する（飛散する）。さらに、初期き裂を基点としてき裂を進展させる応力（引っ張り応力）を作用させ、分断線ＳＬに沿って単体の有機ＥＬパネル１に分断する。
【０１０８】
このように、スクライブ加工、ダイシング加工、及びレーザー加工などの方法では、程度の差はあるが、マザー基板１１Ｗや、マザー基板１１Ｗの表面９に配置された構成要素（画素回路２０、有機ＥＬ素子３０、封止層３４）は、分断線ＳＬに沿った応力の影響を受けることになる。
例えば、硬脆性材料で構成された構成要素に初期き裂（分断線ＳＬ）を設け、初期き裂を進展させる応力（引っ張り応力）を加えると、硬脆性材料で構成された構成要素は塑性変形し、分断線ＳＬに沿って脆性破壊（分断）される。一方、１０ＧＰａ以下のヤング率の材料で構成された平坦化層３４ｂに、初期き裂を進展させる方向の応力（引っ張り応力）を加えると、平坦化層３４ｂは弾性変形した後に塑性変形し、分断線ＳＬに沿って延性破壊（分断）される。すなわち、平坦化層３４ｂにき裂が進展する過程で、平坦化層３４ｂが変形することになる。
【０１０９】
仮に、第２無機封止層３４ｃが分断線ＳＬを跨いで配置されていると、分断線ＳＬに沿った応力によって第２無機封止層３４ｃの下に配置されている平坦化層３４ｂが変形するので、第２無機封止層３４ｃも同様の変形することになる。ところが、第２無機封止層３４ｃは硬脆性材料で構成されているので、第２無機封止層３４ｃは塑性変形し、第２無機封止層３４ｃにき裂（クラック）が生じる。第２無機封止層３４ｃに生じるクラックによっては、封止層３４のバリア性が著しく低下する恐れがある。
【０１１０】
本実施形態では、第２無機封止層３４ｃは、分断線ＳＬから離れて配置されているので、分断線ＳＬに沿った平坦化層３４ｂの変形の影響を受けにくくなっている。すなわち、当該平坦化層３４ｂの変形によって第２無機封止層３４ｃにクラックが生じにくくなっている。従って、ステップＳ６のマザー基板１１Ｗを分断する工程で、封止層３４のバリア性の低下を抑制することができる。
【０１１１】
上述したように、マザー基板１１Ｗに分断線ＳＬ（初期き裂）を形成すると、微小な切り屑（カレット）が飛散する。第２無機封止層３４ｃは、透明樹脂層４２で覆われているので、当該カレットによって第２無機封止層３４ｃが傷つくことが抑制される。
【０１１２】
上述したスクライブ加工では、石英やガラスなどの硬脆性材料で構成された対象物（マザー基板１１Ｗ）を分断線ＳＬに沿って分断すると、例えば貝殻状の欠け（面欠陥）やクラック（線欠陥）などが、素子基板本体１１の端面８（分断線ＳＬ）を基点とて、素子基板本体１１の表面９に発生する。このような、面欠陥や線欠陥は、分断線ＳＬから０．１ｍｍ未満の範囲に発生する。第２無機封止層３４ｃは、分断線ＳＬから０．１ｍｍ以上離れているので、素子基板本体１１の表面９に発生する面欠陥や線欠陥の影響が抑制される。
【０１１３】
以上述べたように、本実施形態では下記に示す効果を得ることができる。
（１）第２無機封止層３４ｃの外縁は、分断線ＳＬから０．１ｍｍ以上離れて配置されているので、分断線ＳＬに沿ってマザー基板１１Ｗを単体の有機ＥＬパネル１に分断する際に、分断線ＳＬ付近に発生する応力の影響（平坦化層３４ｂの変形の影響）が抑制され、第２無機封止層３４ｃに新たな欠陥が発生することが抑制される。
【０１１４】
（２）第２無機封止層３４ｃの外縁は、分断線ＳＬから０．１ｍｍ以上離れて配置されているので、素子基板本体１１の端面８（分断線ＳＬ）を基点とて素子基板本体１１の表面９に発生する面欠陥（貝殻状の欠けなど）や線欠陥（クラックなど）によって、第２無機封止層３４ｃに新たな欠陥が発生することが抑制される。
【０１１５】
（３）第２無機封止層３４ｃは透明樹脂層４２で覆われているので、マザー基板１１Ｗに分断線ＳＬ（切り筋）を形成する際に発生する微小な切断屑（カレット）の飛散によって、第２無機封止層３４ｃが傷つくことが抑制される。
【０１１６】
（４）平坦化層３４ｂは、溶液（液体）から膜（固体）を形成する湿式法で、厚く形成されているので、素子基板本体１１の反り、異物、及び第１無機封止層３４ａの凹状の欠陥（ピンホール、クラック）など不具合個所の影響を緩和することができる。すなわち、これら不具合個所は平坦化層３４ｂで被覆され、平坦な面が形成される。平坦化層３４ｂで平坦となった面の上に第２無機封止層３４ｃを形成することで、第２無機封止層３４ｃに欠陥が発生しにくくなる。
【０１１７】
（５）平坦化層３４ｂは、第１無機封止層３４ａよりも柔軟な材料（ヤング率１００ＧＰａ以下の材料）で構成されているので、平坦化層３４ｂを厚く形成しても、平坦化層３４ｂにクラックが発生しにくい。
【０１１８】
（６）平坦化層３４ｂは、ゾルゲル法で形成された金属酸化物、シラザン化合物を含む溶液から形成された金属酸化物、及び樹脂溶液から形成されたエポキシ樹脂などの緻密な膜で構成されているので、水分や酸素などの透過を抑制することができる。
【０１１９】
（７）上記（１）〜（５）によって、封止層３４のバリア性が向上し、水分や酸素などによる有機ＥＬ素子３０の劣化が抑制され、高信頼性の有機ＥＬ装置１００を提供することができる。
【０１２０】
なお、本実施形態は、有機ＥＬパネル１が複数配置されたマザー基板１１Ｗから単体の有機ＥＬパネル１を分断することに加えて、素子基板１０が複数配置されたマザー基板１１Ｗから単体の素子基板１０を分断することに適用することができる。
【０１２１】
（実施形態２）
「有機ＥＬ装置の概要」
図１０は、実施形態２に係る有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図である。図１１は、図１０のＡ−Ａ’線（緑（Ｇ）の着色層）に沿った有機ＥＬパネルの構造を示す概略断面図である。図１２は、図１０のＢ−Ｂ’線（緑の着色層が配置された領域）に沿った有機ＥＬパネルの構造を示す概略断面図である。図１３は、端子領域の概略平面図である。
以下、図１０乃至図１３を参照して、本実施形態に係る有機ＥＬ装置２００を、実施形態１との相違点を中心に説明する。また、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明を省略する。
【０１２２】
本実施形態に係る有機ＥＬ装置２００（有機ＥＬパネル２）は、赤（Ｒ）、緑（Ｂ）、青（Ｂ）の着色層で構成されたカラーフィルター３６を有し、フルカラー表示が可能な点が実施形態１との主な相違点である。
【０１２３】
図１０に示すように、画素１８（画素電極３１）には、赤（Ｒ）、緑（Ｂ）、青（Ｂ）の光を発する画素１８が配置されている。赤色（Ｒ）の着色層が配置され、赤（Ｒ）の光を発する画素１８が画素１８Ｒとなる。緑色（Ｇ）の着色層３６Ｇ（図１１）が配置され、緑色（Ｇ）の光を発する画素１８が画素１８Ｇとなる。青色（Ｂ）の着色層が配置され、青色（Ｂ）の光を発する画素１８が画素１８Ｂとなる。画素１８Ｒ、画素１８Ｇ、及び画素１８Ｂは、それぞれＹ方向に沿って配列されている。すなわち、有機ＥＬパネル２は、Ｙ方向に同じ色配列（ストライプ状の色配列）を有している。有機ＥＬパネル２では、Ｘ方向に配列された３つの画素１８（画素１８Ｒ、画素１８Ｇ、画素１８Ｂ）が表示単位Ｐとなって、フルカラーの表示が提供される。
なお、着色層の配列は、上述したストライプ状の色配列に限定されず、例えばＹ方向において異なる色配列（モザイク配列、デルタ配列）であってもよい。
【０１２４】
図１１及び図１２に示すように、第２無機封止層３４ｃの上に、緑（Ｇ）の着色層３６Ｇが配置されている。緑（Ｇ）の着色層３６Ｇは、画素電極３１と平面的に重なり、画素電極３１よりも広く配置されている。その結果、緑（Ｇ）の着色層３６Ｇが配置された画素電極３１（有機ＥＬ素子３０）では、緑（Ｇ）の光が表示光として射出される。図示を省略するが、第２無機封止層３４ｃの上には、緑（Ｇ）の着色層３６Ｇの他に、赤（Ｒ）の着色層及び青（Ｂ）の着色層が配置されている。赤（Ｒ）の着色層が配置された画素電極３１（有機ＥＬ素子３０）では、赤（Ｇ）の光が表示光として射出され、青（Ｂ）の着色層が配置された画素電極３１（有機ＥＬ素子３０）では、青（Ｂ）の光が表示光として射出される。このように、第２無機封止層３４ｃの上には、緑（Ｇ）の着色層３６Ｇ、赤（Ｒ）の着色層、青（Ｂ）の着色層のうちのいずれかが配置されている。
緑の着色層３６Ｇ（カラーフィルター３６）の上方には、発光素子領域Ｅを覆う保護基板４０が配置されている。緑の着色層３６Ｇ（カラーフィルター３６）と保護基板４０との間には、透明樹脂層４２が配置されている。緑の着色層３６Ｇ（カラーフィルター３６）と保護基板４０とは、透明樹脂層４２で接着されている。
【０１２５】
上述したように、カラーフィルター３６は、緑（Ｇ）の着色層３６Ｇ、赤色の着色層、及び青色の着色層で構成されている。Ｚ方向から見たときに、第２無機封止層３４ｃは、緑（Ｇ）の着色層３６Ｇ、赤（Ｒ）の着色層、及び青（Ｂ）のうちの少なくとも一つで覆われている。すなわち、カラーフィルター３６は、第２無機封止層３４ｃを覆い、端子領域Ｔを除く素子基板本体１１の表面９の全面に配置されている。また、端子領域Ｔでは、カラーフィルター３６に端子１０１を露出させる開口部４４が設けられている。
【０１２６】
第２無機封止層３４ｃは、カラーフィルター３６で覆われているので、マザー基板１１Ｗを単体の有機ＥＬパネル１に分断する際に発生する切断屑（カレット）の飛散によって、第２無機封止層３４ｃが傷つくことが抑制される。
このようなカラーフィルター３６は、例えば、色材を含む感光性樹脂材料を塗布して感光性樹脂層を形成し、これをフォトリソグラフィー法で露光・現像することで形成することができる。
【０１２７】
図１１に示すように、第１無機封止層３４ａの外縁は、端子領域Ｔと発光素子領域Ｅ（保護基板４０）との間、すなわち平坦化層３４ｂの外縁よりも内側（平坦化層３４ｂの外縁と発光素子領域Ｅとの間）に配置されている。図１２に示すように、第１無機封止層３４ａの外縁は、素子基板本体１１の第４辺９ｄ（端面８）と発光素子領域Ｅとの間に配置されている。図示を省略するが、第１無機封止層３４ａの外縁は、素子基板本体１１の第２辺９ｂ（端面８）と発光素子領域Ｅとの間、及び素子基板本体１１の第３辺９ｃ（端面８）と発光素子領域Ｅとの間に配置されている。第１無機封止層３４ａの外縁と素子基板本体１１の第４辺９ｄとの間隔Ｄ２は、０．１ｍｍ以上となっている。図示を省略するが、第１無機封止層３４ａの外縁と素子基板本体１１の第２辺９ｂとの間隔、及び第１無機封止層３４ａの外縁と素子基板本体１１の第３辺９ｃとの間隔も、同様に０．１ｍｍ以上となっている。すなわち、第１無機封止層３４ａは、第２無機封止層３４ｃと同様に、マザー基板１１Ｗにおける分断線ＳＬから０．１ｍｍ以上離れて配置されている。
【０１２８】
一方、実施形態１に係る第１無機封止層３４ａは、分断線ＳＬを跨ぎ、端子領域Ｔを除く素子基板本体１１の表面９の全面に配置されている。すなわち、第１無機封止層３４ａの配置領域も、実施形態１と本実施形態とで異なる。
【０１２９】
本実施形態では、第２無機封止層３４ｃと同様に第１無機封止層３４ａも、分断線ＳＬから離れて配置されている。よって、第２無機封止層３４ｃと同様に第１無機封止層３４ａも、分断線ＳＬ付近に発生する応力の影響が抑制され、第２無機封止層３４ｃ及び第１無機封止層３４ａにおける新たな欠陥の発生が抑制される。さらに、マザー基板１１Ｗを分断する際に、素子基板本体１１の端面８を基点として表面９に発生する面欠陥（貝殻状の欠けなど）や線欠陥（クラックなど）の影響も抑制され、第２無機封止層３４ｃ及び第１無機封止層３４ａにおける新たな欠陥の発生が抑制される。
【０１３０】
図１１に示すように、端子１０１の周縁部には、平坦化層３４ｂ及び着色層３６Ｇ（カラーフィルター３６）が積層されている。平坦化層３４ｂ及び着色層３６Ｇ（カラーフィルター３６）には、端子１０１を露出させる開口部４４が設けられている。端子１０１を露出させる開口部４４を、着色層３６Ｇ（カラーフィルター３６）をエッチングマスクとして、平坦化層３４ｂをエッチングすることで形成している。一方、実施形態１では、端子１０１を露出させる開口部４５を、フォトレジストをエッチングマスクとして平坦化層３４ｂをエッチングすることで形成した。よって、本実施形態では、実施形態１における開口部４５のエッチングマスクを形成するフォトリソ工程が、簡略化されている。
【０１３１】
端子１０１を露出させる開口部の形状も、実施形態１と本実施形態とで異なる。図１３に示すように、Ｘ方向に配置された複数の端子１０１のそれぞれに、端子１０１を露出させる開口部４４が設けられている。開口部４４で露出された端子１０１が配置された領域、すなわち開口部４４が配置された領域が端子領域Ｔとなる。開口部４４で露出された端子１０１は、ＦＰＣ１０５（図２参照）に電気的に接続されている。
一方、実施形態１では、複数の端子１０１を一括で露出させる開口部４５が設けられている。
【０１３２】
素子基板本体１１の端面８と発光素子領域Ｅとの間には、緑（Ｇ）の着色層３６Ｇに加えて、赤（Ｒ）の着色層や青（Ｂ）などが配置（積層）されていてもよい。すなわち、素子基板本体１１の端面８と発光素子領域Ｅとの間には、緑（Ｇ）の着色層３６Ｇ、赤（Ｒ）の着色層、及び青（Ｂ）のうちの少なくとも一つが配置されていればよい。
【０１３３】
（実施形態３）
図１４は、図２に対応し、実施形態３に係る有機ＥＬ装置の概略平面図である。図１５は、図４（ｂ）に対応し、図１４のＢ−Ｂ’線に沿った有機ＥＬパネルの構造を示す概略断面図である。
以下、図１４及び図１５を参照して、本実施形態に係る有機ＥＬ装置３００を、実施形態１との相違点を中心に説明する。また、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明を省略する。
【０１３４】
本実施形態に係る有機ＥＬ装置３００では、保護基板４０の形状（大きさ）が実施形態１と異なり、他の構成は実施形態１と同じである。
実施形態１では、複数の素子基板１０が形成されたマザー基板１１Ｗに単体の保護基板４０を貼り合せるという方法、すなわちチップマウント方式で、複数の素子基板１０のそれぞれに保護基板４０を貼り合せていた。本実施形態では、複数の素子基板１０が形成されたマザー基板と、保護基板４０となるマザー基板とを貼り合せる方法、すなわち大板貼り合せ方式で素子基板１０と保護基板４０とを貼り合わせて、有機ＥＬパネル３が複数配置されたマザー基板１１Ｗを形成する。そして、マザー基板１１Ｗを分断線ＳＬに沿って分断することで、図１４及び図１５に示す単体の有機ＥＬパネル３を形成する。
【０１３５】
図１４に示すように、保護基板４０の外縁の一部は、端子領域Ｔと発光素子領域Ｅとの間に配置され、実施形態１と同じ構成を有している。
【０１３６】
図１５に示すように、保護基板４０の外縁と素子基板本体１１の第４辺９ｄとは、略同じ位置に配置されている。図示を省略するが、保護基板４０の外縁と素子基板本体１１の第２辺９ｂ、及び保護基板４０の外縁と素子基板本体１１の第３辺９ｃとは、それぞれ略同じ位置に配置されている。実施形態１では、保護基板４０の外縁は、素子基板本体１１の第４辺９ｄと発光素子領域Ｅとの間、第２辺９ｂと発光素子領域Ｅとの間、及び第３辺９ｃと発光素子領域Ｅとの間に配置されている。このように、本実施形態に係る保護基板４０は、実施形態１に係る保護基板４０よりも大きくなっているため、保護基板４０の外縁の配置位置が、本実施形態と実施形態１とで異なる。
【０１３７】
本実施形態では、複数の素子基板１０が形成されたマザー基板と、複数の保護基板４０が配置されたマザー基板とを貼り合せる方法（大板貼り合せ方式）で、素子基板１０と保護基板４０とが貼り合わされているので、複数の素子基板１０が形成されたマザー基板１１Ｗに単体の保護基板４０を貼り合せるという方法（チップマウント方式）と比べて、素子基板１０と保護基板４０とを貼り合わせる処理速度を大きくすることができる（生産性を向上させることができる）。
【０１３８】
上述したように、保護基板４０は、有機ＥＬ素子３０が機械的衝撃や外部雰囲気の影響を受けないように保護する役割を有しているので、発光素子領域Ｅを覆うように保護基板４０を配置すればよい。このため、保護基板４０の外縁が素子基板１０から張り出していてもよく、逆に素子基板の外縁が保護基板４０から張り出していてもよい。
さらに、素子基板１０と保護基板４０とを貼り合わせる方法は、単体の素子基板１０に単体の保護基板４０を貼り合せる方法であってもよい。
【０１３９】
（実施形態４）
図１６は、第１無機封止層及び平坦化層の好適例を示す模式平面図である。図１７は、第２無機封止層の好適例を示す模式平面図である。図１６では、素子基板本体１１、第１無機封止層３４ａ、及び平坦化層３４ｂが図示され、他の構成要素の図示が省略されている。図１７では、素子基板本体１１及び第２無機封止層３４ｃが図示され、他の構成要素の図示が省略されている。
図中に示す素子基板本体１１の第１辺９ａ、第２辺９ｂ、第３辺９ｃ、及び第４辺９ｄは、マザー基板１１Ｗにおける分断線ＳＬに対応する。また、第１無機封止層３４ａ、平坦化層３４ｂ、及び第２無機封止層３４ｃにおいて、第１辺９ａに沿った外縁は符号７ａで、第２辺９ｂに沿った外縁は符号７ｂで、第３辺９ｃに沿った外縁は符号７ｃで、第４辺に沿った外縁は符号７ｄで示されている。
【０１４０】
本発明は、マザー基板１１Ｗを分断する際に、分断線ＳＬに沿って作用する応力や、分断された面を基点として発生する欠陥（貝殻状の欠け、クラックなど）などによって、封止層３４に新たな欠陥が発生することを抑制するために有効な構成を有している。以下、図１６及び図１７を参照して、その詳細を説明する。
【０１４１】
「第１無機封止層及び平坦化層の好適例」
図１６（ａ）に示すように、第１無機封止層３４ａ及び平坦化層３４ｂの外縁７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄと素子基板本体１１の外縁（第１辺９ａ、第２辺９ｂ、第３辺９ｃ、第４辺９ｄ）とが一致するように、第１無機封止層３４ａ及び平坦化層３４ｂは、素子基板本体１１に配置されている。すなわち、第１無機封止層３４ａ及び平坦化層３４ｂは、マザー基板１１Ｗにおける分断線ＳＬに跨って、端子領域Ｔを除く素子基板本体１１の全面に配置されている。
さらに、第１無機封止層３４ａ及び平坦化層３４ｂには、端子領域Ｔにおいて端子１０１を露出する開口部４４（または開口部４５）が設けられている。
【０１４２】
図１６（ｂ）に示すように、第１無機封止層３４ａの外縁及び平坦化層３４ｂの外縁の第１辺９ａに沿った辺７ａは、第１辺９ａと端子領域Ｔとの間に配置されている。第１無機封止層３４ａの外縁及び平坦化層３４ｂの外縁の第２辺９ｂに沿った辺７ｂは、第２辺９ｂと発光素子領域Ｅとの間に配置されている。第１無機封止層３４ａの外縁及び平坦化層３４ｂの外縁の第３辺９ｃに沿った辺７ｃは、第３辺９ｃと発光素子領域Ｅとの間に配置されている。第１無機封止層３４ａの外縁及び平坦化層３４ｂの外縁の第４辺９ｄに沿った辺７ｄは、第４辺９ｄと発光素子領域Ｅとの間に配置されている。
さらに、第１無機封止層３４ａ及び平坦化層３４ｂには、端子領域Ｔにおいて端子１０１を露出する開口部４４（または開口部４５）が設けられている。
【０１４３】
図１６（ｃ）に示すように、第１無機封止層３４ａの外縁及び平坦化層３４ｂの外縁の第１辺９ａに沿った辺７ａは、端子領域Ｔを跨って（横断して）配置されている。第１無機封止層３４ａの外縁及び平坦化層３４ｂの外縁の第２辺９ｂに沿った辺７ｂは、第２辺９ｂと発光素子領域Ｅとの間に配置されている。第１無機封止層３４ａの外縁及び平坦化層３４ｂの外縁の第３辺９ｃに沿った辺７ｃは、第３辺９ｃと発光素子領域Ｅとの間に配置されている。第１無機封止層３４ａの外縁及び平坦化層３４ｂの外縁の第４辺９ｄに沿った辺７ｄは、第４辺９ｄと発光素子領域Ｅとの間に配置されている。
なお、第１無機封止層３４ａの外縁及び平坦化層３４ｂの外縁の第１辺９ａに沿った辺７ａは、端子１０１を露出するために、端子領域Ｔで窪んでいる。
【０１４４】
図１６（ｄ）に示すように、第１無機封止層３４ａの外縁及び平坦化層３４ｂの外縁の第１辺９ａに沿った辺７ａは、端子領域Ｔと発光素子領域Ｅとの間に配置されている。第１無機封止層３４ａの外縁及び平坦化層３４ｂの外縁の第２辺９ｂに沿った辺７ｂは、第２辺９ｂと同じ位置に配置されている。第１無機封止層３４ａの外縁及び平坦化層３４ｂの外縁の第３辺９ｃに沿った辺７ｃは、第３辺９ｃと同じ位置に配置されている。第１無機封止層３４ａの外縁及び平坦化層３４ｂの外縁の第４辺９ｄに沿った辺７ｄは、第４辺９ｄと同じ位置に配置されている。
【０１４５】
図１６（ｅ）に示すように、第１無機封止層３４ａの外縁及び平坦化層３４ｂの外縁の第１辺９ａに沿った辺７ａは、端子領域Ｔと発光素子領域Ｅとの間に配置されている。第１無機封止層３４ａの外縁及び平坦化層３４ｂの外縁の第２辺９ｂに沿った辺７ｂは、第２辺９ｂと発光素子領域Ｅとの間に配置されている。第１無機封止層３４ａの外縁及び平坦化層３４ｂの外縁の第３辺９ｃに沿った辺７ｃは、第３辺９ｃと発光素子領域Ｅとの間に配置されている。第１無機封止層３４ａの外縁及び平坦化層３４ｂの外縁の第４辺９ｄに沿った辺７ｄは、第４辺９ｄと発光素子領域Ｅとの間に配置されている。
【０１４６】
第１無機封止層３４ａ及び平坦化層３４ｂは、上述した図１６（ａ）乃至図１６（ｅ）の形状を有していればよい。また、第１無機封止層３４ａは、平坦化層３４ｂよりも大きくてもよいし、小さくてもよい。例えば、第１無機封止層３４ａは図１６（ａ）の形状であり、平坦化層３４ｂは図１６（ｅ）の形状であってもよい。要は、第１無機封止層３４ａ及び平坦化層３４ｂは、発光素子領域Ｅを覆い、発光素子領域Ｅよりも広く配置することが重要である。
【０１４７】
第１無機封止層３４ａ及び平坦化層３４ｂは、図１４（ａ）に示すようにマザー基板１１Ｗの分断線ＳＬに跨って配置されていてもよいが、図１４（ｂ）や図１４（ｅ）に示すように、第１無機封止層３４ａ及び平坦化層３４ｂの外縁は、マザー基板１１Ｗの分断線ＳＬから離れているほうがより好ましい。すなわち、第１無機封止層３４ａ及び平坦化層３４ｂの外縁を、マザー基板１１Ｗの分断線ＳＬから離れて配置することで、マザー基板１１Ｗの分断する際に第１無機封止層３４ａ及び平坦化層３４ｂに新たな欠陥を発生しにくくすることができるので、より好ましい。
【０１４８】
「第２無機封止層の好適例」
図１７（ａ）に示すように、第２無機封止層３４ｃの外縁の第１辺９ａに沿った辺７ａは、第１辺９ａと端子領域Ｔとの間に配置されている。第２無機封止層３４ｃの外縁の第２辺９ｂに沿った辺７ｂは、第２辺９ｂと発光素子領域Ｅとの間に配置されている。第２無機封止層３４ｃの外縁の第３辺９ｃに沿った辺７ｃは、第３辺９ｃと発光素子領域Ｅとの間に配置されている。第２無機封止層３４ｃの外縁の第４辺９ｄに沿った辺７ｄは、第４辺９ｄと発光素子領域Ｅとの間に配置されている。
さらに、第２無機封止層３４ｃには、端子領域Ｔにおいて端子１０１を露出する開口部４４（または開口部４５）が設けられている。
【０１４９】
図１７（ｂ）に示すように、第２無機封止層３４ｃの外縁の第１辺９ａに沿った辺７ａは、端子領域Ｔ跨って（横断して）配置されている。第２無機封止層３４ｃの外縁の第２辺９ｂに沿った辺７ｂは、第２辺９ｂと発光素子領域Ｅとの間に配置されている。第２無機封止層３４ｃの外縁の第３辺９ｃに沿った辺７ｃは、第３辺９ｃと発光素子領域Ｅとの間に配置されている。第２無機封止層３４ｃの外縁の第４辺９ｄに沿った辺７ｄは、第４辺９ｄと発光素子領域Ｅとの間に配置されている。
なお、第２無機封止層３４ｃの外縁の第１辺９ａに沿った辺７ａは、端子１０１を露出するために、端子領域Ｔで窪んでいる。
【０１５０】
図１７（ｃ）に示すように、第２無機封止層３４ｃの外縁の第１辺９ａに沿った辺７ａは、端子領域Ｔと発光素子領域Ｅとの間に配置されている。第２無機封止層３４ｃの外縁の第２辺９ｂに沿った辺７ｂは、第２辺９ｂと発光素子領域Ｅとの間に配置されている。第２無機封止層３４ｃの外縁の第３辺９ｃに沿った辺７ｃは、第３辺９ｃと発光素子領域Ｅとの間に配置されている。第２無機封止層３４ｃの外縁の第４辺９ｄに沿った辺７ｄは、第４辺９ｄと発光素子領域Ｅとの間に配置されている。
【０１５１】
第２無機封止層３４ｃは、上述した図１７（ａ）乃至図１７（ｃ）の形状を有していればよい。また、第２無機封止層３４ｃは、第１無機封止層３４ａよりも大きくてもよいし、小さくてもよい。また、第２無機封止層３４ｃは、平坦化層３４ｂよりもその形成範囲が小さければよい。ただし、図１７（ｂ）、（ｃ）に示されるように、平坦化層３４ｂの外縁７ａと素子基板本体１１の外縁９ａとの間、第２無機封止層３４ｃの外縁７ａと素子基板本体１１の外縁９ａとの間に端子領域Ｔが配置されるなどして、平坦化層３４ｂの外縁及び第２無機封止層３４ｃの外縁と、分断線ＳＬとの間の距離が十分確保できる場合は、平坦化層３４ｂの外縁と第２無機封止層３４ｃの外縁とが揃っていてもよい。あるいは、第２無機封止層３４ｃの外縁７ａが、平坦化層３４ｂの外縁７ａと素子基板本体１１の外縁９ａとの間に位置していてもよい。要は、第１無機封止層３４ａ及び平坦化層３４ｂと同様に、第２無機封止層３４ｃは、発光素子領域Ｅよりも広く配置すること、第２無機封止層３４ｃの外縁と分断線ＳＬとの間の距離が十分確保できない場合は、第２無機封止層３４ｃの外縁が平坦化層３４ｂの外縁よりも内側（発光素子領域Ｅ側）に配置することが重要である。
【０１５２】
（実施形態５）
「電子機器」
図１８（ａ）は、電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）を示す概略図である。図１８（ｂ）は、電子機器としてのデジタルカメラを示す概略図である。以下、図１８（ａ）及び図１８（ｂ）を参照して、上記実施形態のいずれかに係る有機ＥＬ装置を搭載した電子機器を説明する。
【０１５３】
図１８（ａ）に示すように、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）１０００は、左右の目に対応して設けられた２つの表示部１００１を有している。観察者Ｍはヘッドマウントディスプレイ１０００を眼鏡のように頭部に装着することにより、表示部１００１に表示された文字や画像などを見ることができる。例えば、左右の表示部１００１に視差を考慮した画像を表示すれば、立体的な映像を見て楽しむこともできる。
【０１５４】
表示部１００１には、実施形態１の有機ＥＬ装置１００、実施形態２の有機ＥＬ装置２００、または実施形態３の有機ＥＬ装置３００が搭載されている。実施形態１の有機ＥＬ装置１００、実施形態２の有機ＥＬ装置２００、または実施形態３の有機ＥＬ装置３００は、水分や酸素などの外部雰囲気の影響が抑制され、高い信頼性を有しているので、高い信頼性のヘッドマウントディスプレイ１０００を提供することができる。
【０１５５】
図１８（ｂ）に示すように、デジタルカメラ２０００は、撮像素子などの光学系を有する本体２００１を有している。本体２００１には、撮像した画像などを表示するモニター２００２と、被写体を視認するための電子ビューファインダー２００３とが設けられている。モニター２００２及び電子ビューファインダーには、実施形態１の有機ＥＬ装置１００、実施形態２の有機ＥＬ装置２００、または実施形態３の有機ＥＬ装置３００が搭載されている。実施形態１の有機ＥＬ装置１００、実施形態２の有機ＥＬ装置２００、または実施形態３の有機ＥＬ装置３００は、水分や酸素などの外部雰囲気の影響が抑制され、高い信頼性を有しているので、高い信頼性のデジタルカメラ２０００を提供することができる。
【０１５６】
なお、上記有機ＥＬ装置１００、上記有機ＥＬ装置２００または上記有機ＥＬ装置３００が搭載される電子機器は、上述したヘッドマウントディスプレイ１０００やデジタルカメラ２０００に限定されない。例えば、パーソナルコンピューターや携帯型情報端末、ナビゲーター、ビューワー、ヘッドアップディスプレイなどの表示部を有する電子機器が挙げられる。
【符号の説明】
【０１５７】
１…有機ＥＬパネル、８…端面、９…表面、９ａ…第１辺、９ｂ…第２辺、９ｃ…第３辺、９ｄ…第４辺、１０…素子基板、１１…素子基板本体、１１Ｗ…マザー基板、１１ａ…第１絶縁膜、１１ｂ…第２絶縁膜、１２…走査線、１３…データ線、１４…電源線、１５…データ線駆動回路、１６…走査線駆動回路、１７…検査回路、１８…画素、２０…画素回路、２１…スイッチング用ＴＦＴ、２２…蓄積容量、２３…駆動用ＴＦＴ、２３ａ…半導体層、２３ｇ…ゲート電極、２４…第１層間絶縁膜、２５…反射層、２６…第２層間絶縁膜、２９…配線層、３０…有機ＥＬ素子、３１…画素電極、３２…発光機能層、３３…対向電極、３４…封止層、３４ａ…第１無機封止層、３４ｂ…平坦化層、３４ｃ…第２無機封止層、３６…カラーフィルター、３６Ｒ、３６Ｇ，３６Ｂ…着色層、３７…オーバーコート層、４０…対向基板、４２…透明樹脂層、４４，４５…開口部、４６…コンタクトホール、１００，２００…有機ＥＬ装置、１０１…端子、１０３…配線層、１０５…ＦＰＣ、１１０…駆動用ＩＣ。
【図１】
2014241241.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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