(57)【要約】【課題】より小型化が可能で、熱ストレスによる振動特性の変動がより抑制された振動子を提供する。【解決手段】ＭＥＭＳ振動子１００は、ウェハー基板１と、ウェハー基板１の主面上に設けられた第１の電極１０と、第１の電極１０に対して間隙を介して重なる領域を有する第２の電極２０と、を備え、第２の電極２０が、ウェハー基板１の主面上に設けられた固定部３０を介して、ウェハー基板１の主面上に固定されている。【選択図】図１
2014171000.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の主面上に設けられた第１の電極と、
前記第１の電極に対して間隙を介して重なる領域を有する第２の電極と、を備え、
前記第２の電極が、前記基板の主面上に設けられた固定部を介して、前記基板の主面上に固定されていることを特徴とする振動子。
【請求項２】
前記固定部が、前記第２の電極を構成する材料と同じ材料で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の振動子。
【請求項３】
前記第２の電極が前記固定部と接合する接合領域が、前記固定部の周縁部より内側の領域に設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の振動子。
【請求項４】
前記接合領域の周縁部が、前記固定部の周縁部から１．０μｍ以上３．０μｍ以下の範囲で内側に位置していることを特徴とする請求項３に記載の振動子。
【請求項５】
前記固定部の前記基板の主面と交差する方向の厚みが０．３μｍ以上１．３μｍ以下であることを特徴とする請求項３に記載の振動子。
【請求項６】
前記固定部は、前記基板の主面上に設けられた絶縁層に積層して設けられ、
前記固定部を構成する材料の熱膨張係数をＬ0、前記絶縁層を構成する材料の熱膨張係数をＬ1、前記第２の電極を構成する材料の熱膨張係数をＬ2としたとき、
Ｌ1＜Ｌ0≦Ｌ2または、Ｌ2≦Ｌ0＜Ｌ1
であることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の振動子。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の振動子を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項８】
請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の振動子を備えていることを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、振動子、電子機器および移動体に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体微細加工技術を利用して形成されたＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）デバイスと呼ばれる機械的に可動な構造体を備えた電気機械系構造体（例えば、振動子、フィルター、センサー、モーターなど）が知られている。この中で、ＭＥＭＳ振動子は、これまでの水晶や誘電体を使用した振動子・共振子と比較して、半導体回路を組み込んで製造することが容易であり、微細化、高機能化に対し有利であることから、その利用範囲が広まっている。
【０００３】
従来のＭＥＭＳ振動子の代表例としては、振動子が設けられた基板面と平行な方向に振動する櫛型振動子と、基板の厚さ方向に振動する梁型振動子とが知られている。梁型振動子は、基板上に形成された下部電極（固定電極）と、この下部電極の上方に間隙を介して配置された上部電極（可動電極）などからなる振動子で、上部電極の支持の方法により、片持ち梁型（clamped‐free beam）、両持ち梁型（clamped‐clamped beam）、両端自由梁型（free‐free beam）などが知られている。
【０００４】
両端自由梁型のＭＥＭＳ振動子は、振動する上部電極の振動の節の部分が支持部材によって支持されるため、基板への振動洩れが少なく振動の効率が高い。特許文献１には、この支持部材の長さを振動の周波数に対して適切な長さとすることにより振動特性を改善する技術が提案されている。
また、特許文献２には、表面ＭＥＭＳ構造とは異なるが、プリント基板を用いた耐久性の高い片持ち梁型の振動子の例が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第ＵＳ６９３０５６９Ｂ２号明細書
【特許文献２】特開２００４−３３５２１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１や特許文献２に記載の梁型振動子では、更に小型化、微細化を進めた場合に、安定した振動特性が得られなくなるという課題があった。
具体的には、梁型振動子は、基板上に形成された固定電極と、この固定電極に対して僅かな間隙を介して配置された可動電極からなる振動子であるため、小型化、微細化を進めた場合に、これら電極が配置される下地層との間に生ずる残留応力（熱応力などを含む内部応力）の影響を受けて、振動特性が変動してしまうという課題であった。振動特性の変動は、応力を受けることによって生ずる電極間の間隙の変動や、可動電極のスティフネスの変動などによるものであり、熱履歴によって、振動特性に温度ヒステリシスを示してしまうなどの課題もあった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例または形態として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］  本適用例に係る振動子は、基板と、前記基板の主面上に設けられた第１の電極と、前記第１の電極に対して間隙を介して重なる領域を有する第２の電極と、を備え、前記第２の電極が、前記基板の主面上に設けられた固定部を介して、前記基板の主面上に固定されていることを特徴とする。
【０００９】
本適用例に係る振動子によれば、第２の電極は、固定部を介して基板の主面上に固定されている。つまり、第２の電極が固定される下地層（下層）から第２の電極に伝達される応力（熱応力などを含む内部応力）は、固定部を介して伝達される。この構成によれば、固定部が応力緩和層として機能するため、第２の電極が配置される下地層との間に生ずる残留応力の影響が軽減される。その結果、例えば、応力を受けることによって生ずる電極間の間隙の変動や、第２の電極（可動電極）のスティフネスの変動などが軽減され、熱履歴によって、振動特性に温度ヒステリシスを示してしまうなどの度合いも軽減される。従って、振動特性のより安定した振動子を提供することができる。
【００１０】
［適用例２］  上記適用例に係る振動子において、前記固定部が、前記第２の電極を構成する材料と同じ材料で形成されていることを特徴とする。
【００１１】
本適用例によれば、固定部が、第２の電極を構成する材料と同じ材料で構成されている。従って、固定部の熱膨張係数や内部応力が第２の電極のそれらと等しくなるために、固定部を設けることによって、新たに固定部から第２の電極が受ける応力はより小さくすることができる。その結果、より有効に固定部を応力緩和層として機能させることができる。従って、振動特性のより安定した振動子を提供することができる。
【００１２】
［適用例３］  上記適用例に係る振動子において、前記第２の電極が前記固定部と接合する接合領域が、前記固定部の周縁部より内側の領域に設けられていることを特徴とする。
【００１３】
本適用例によれば、第２の電極が固定部と接合する接合領域が、固定部の周縁部より内側の領域に設けられている。換言すると、固定部は、第２の電極が固定部に接合する領域より広い範囲で下地層を覆う構成となる。
一般に、積層構造において、下層から伝達される応力（熱応力などを含む内部応力）は、下層に積層する積層体の周縁部に対して、より集中して作用する傾向にある。従って、下地層に積層されて設けられた固定部が、下地層から応力を受ける場合には、下地層からの応力が、固定部の周縁部により集中して作用する。本適用例によれば、固定部は、第２の電極が固定部に接合する領域より広い範囲で下地層を覆う構成となるため、下地層から作用する応力は、この固定部の周縁部の領域で吸収され、第２の電極に作用する応力を軽減することができる。従って、振動特性のより安定した振動子を提供することができる。
【００１４】
［適用例４］  上記適用例に係る振動子において、前記接合領域の周縁部が、前記固定部の周縁部から１．０μｍ以上３．０μｍ以下の範囲で内側に位置していることを特徴とする。
【００１５】
本適用例によれば、接合領域の周縁部が、固定部の周縁部から１．０μｍ以上３．０μｍ以下の範囲で内側に位置するように設けられている。固定部を第２の電極が固定部に接合する領域より広い範囲で下地層を覆う構成とする場合に、固定部を接合領域より大きくすることは振動子の小型化に反することになる。また、接合領域を狭くすることは、第２の電極を支える剛性の低下につながり、振動特性の劣化が懸念される。接合領域が、固定部の周縁部から１．０μｍ以上３．０μｍ以下の範囲で内側の領域になるように設けられることで、下地層から作用する応力は、この固定部の周縁部の領域で効果的に吸収され、第２の電極に作用する応力を軽減することができる。従って、振動特性のより安定した振動子をより効果的に提供することができる。
【００１６】
［適用例５］  上記適用例に係る振動子において、前記固定部の前記基板の主面と交差する方向の厚みが０．３μｍ以上１．３μｍ以下であることを特徴とする。
【００１７】
本適用例によれば、第２の電極が、０．３μｍ以上１．３μｍ以下の厚みの固定部を介して、基板の主面上に固定されている。第２の電極を、固定部を介して基板の主面上に固定する場合に、第１の電極との間隙の大きさを考慮に入れると、固定部を無闇に厚くすることはできない。また、固定部の厚さが薄い場合には、所定の応力緩和効果が期待できず、振動特性の劣化が懸念される。固定部の厚みが０．３μｍ以上１．３μｍ以下であることで、下地層から作用する応力は、この固定部で効果的に吸収され、第２の電極に作用する応力を軽減することができる。従って、振動特性のより安定した振動子をより効果的に提供することができる。
【００１８】
［適用例６］  上記適用例に係る振動子において、前記固定部は、前記基板の主面上に設けられた絶縁層に積層して設けられ、前記固定部を構成する材料の熱膨張係数をＬ0、前記絶縁層を構成する材料の熱膨張係数をＬ1、前記第２の電極を構成する材料の熱膨張係数をＬ2としたとき、Ｌ1＜Ｌ0≦Ｌ2または、Ｌ2≦Ｌ0＜Ｌ1であることを特徴とする。
【００１９】
本適用例によれば、固定部を構成する材料の熱膨張係数の大きさが、固定部に積層される第２の電極の熱膨張係数の大きさと同じか、あるいは、第２の電極の熱膨張係数の大きさと固定部が積層する絶縁層の熱膨張係数の大きさとの間の大きさである。その結果、固定部は、熱膨張などにより発生する応力を絶縁層と第２の電極との間で緩和することができる。従って、振動特性のより安定した振動子を提供することができる。
【００２０】
［適用例７］  本適用例に係る電子機器は、上記適用例に係る振動子を備えていることを特徴とする。
【００２１】
本適用例によれば、電子機器として、熱ストレスによる特性の変動がより抑制された振動子が活用されることにより、より高性能な電子機器を提供することができる。
【００２２】
［適用例８］  本適用例に係る移動体は、上記適用例に係る振動子を備えていることを特徴とする。
【００２３】
本適用例によれば、移動体として、熱ストレスによる特性の変動がより抑制された振動子が活用されることにより、より高性能な移動体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】（ａ）実施形態１に係るＭＥＭＳ振動子の断面図、（ｂ）同平面図。
【図２】（ａ）〜（ｅ）実施形態１に係るＭＥＭＳ振動子の製造方法を順に示す工程図。
【図３】（ａ）固定部を拡大した断面図、（ｂ）固定部の変形例を示す断面図。
【図４】（ａ）電子機器の一例としてのモバイル型のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図、（ｂ）電子機器の一例としての携帯電話機の構成を示す斜視図。
【図５】電子機器の一例としてのデジタルスチールカメラの構成を示す斜視図。
【図６】ＭＥＭＳ振動子を備える移動体としての自動車を概略的に示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下に本発明を具体化した実施形態について、図面を参照して説明する。以下は、本発明の一実施形態であって、本発明を限定するものではない。なお、以下の各図においては、説明を分かりやすくするため、実際とは異なる尺度で記載している場合がある。
【００２６】
（実施形態１）
まず、実施形態１に係る振動子としてのＭＥＭＳ振動子１００について説明する。
図１（ａ）は、ＭＥＭＳ振動子１００の断面図、図１（ｂ）は、同平面図である。
ＭＥＭＳ振動子１００は、ウェハー基板の主面上に積層された犠牲層がエッチングされることにより形成される空間に配置された振動体を備える片持ち梁型の振動子である。
ＭＥＭＳ振動子１００は、ウェハー基板１、酸化膜２、絶縁層としての窒化膜３、ＭＥＭＳ構造体９（第１の電極１０、第２の電極２０（振動体）、固定部３０）などから構成されている。
【００２７】
ウェハー基板１は、シリコン基板であり、ＭＥＭＳ構造体９は、ウェハー基板１に順に積層された酸化膜２、窒化膜３の上部に形成されている。
なお、ここでは、ウェハー基板１の厚み方向において、ウェハー基板１の主面に順に酸化膜２および窒化膜３が積層される方向を上方向として説明している。
【００２８】
ＭＥＭＳ構造体９は、固定下部電極としての第１の電極１０と、可動上部電極（振動体）としての第２の電極２０、および第２の電極２０をウェハー基板１の主面上に固定する固定部３０とを備えている。第２の電極２０は、ウェハー基板１を平面視したときに、第１の電極１０と重なる領域を有している。また、第２の電極２０が固定部３０と接合する接合領域４０は、固定部３０の周縁部より内側の領域に設けられている。
第１の電極１０は、窒化膜３に積層された第１導電体層をフォトリソグラフィーによりパターニング（成形）することで形成される。固定部３０は、窒化膜３に積層された第２導電体層をフォトリソグラフィーによりパターニングすることで形成される。第２の電極２０は、さらに上層に積層された第３導電体層をフォトリソグラフィーによりパターニングすることで形成される。
【００２９】
第１〜第３導電体層は、それぞれ好適例として導電性のポリシリコンで構成されているが、これに限定するものではない。ただし、ＩＣ回路を含めたワンチップＭＥＭＳ振動子として構成する場合には、ＩＣ回路を構成する導電体層を活用することが好ましい。
第１導電体層と第２導電体層とは、同じ組成の材料で構成する場合に、同じ層として同時に積層しても良い。また、この場合、第１の電極１０と固定部３０とは、フォトリソグラフィーにより同時にパターニングして形成しても良い。
【００３０】
第１の電極１０と第２の電極２０との間には、間隙（空隙部５０）が形成されている。空隙部５０は、第１の電極１０と第２の電極２０との間に形成した犠牲層５（後述する図２（ｃ）に図示）をエッチングにより除去（リリースエッチング）することによって形成されている。
犠牲層５がリリースエッチングされることで、空隙部５０が構成され、第２の電極２０が第１の電極１０から遊離した片持ち構造の可動電極構造（ＭＥＭＳ構造体９）が形成されている。
第１の電極１０および第２の電極２０は、それぞれ配線により、外部回路と接続されている。（配線および外部回路は図示を省略している。）
このような構成において、ＭＥＭＳ振動子１００は静電振動子として構成され、第１の電極１０と第２の電極２０との間に外部回路から交流電圧を印加すると、第１の電極１０と第２の電極２０との間に発生する静電力によって第２の電極２０が振動する。
なお、ＭＥＭＳ構造体９は、上述した片持ち構造の可動電極構造に限定するものではなく、例えば、両持ち梁型や両端自由梁型の構造であっても良い。
【００３１】
図２（ａ）〜（ｅ）は、ＭＥＭＳ振動子１００の製造方法を順に示す工程図である。
図を参照し、ＭＥＭＳ振動子１００の製造方法について説明することで、より具体的にＭＥＭＳ振動子１００を説明する。
図２（ａ）：ウェハー基板１を準備し、主面に酸化膜２を積層する。酸化膜２は、好適例として、半導体プロセスの素子分離層として一般的なＬＯＣＯＳ（Local Oxidation of Silicon）酸化膜で形成しているが、半導体プロセスの世代によって、例えば、ＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）法による酸化膜であっても良い。
次に絶縁層としての窒化膜３を積層する。窒化膜３としては、Ｓｉ3Ｎ4をＬＰＣＶＤ（Low Pressure Chemical Vapor Deposition）により成膜している。窒化膜３は、犠牲層５をリリースエッチングする際に使用するエッチング液としてのバッファードフッ酸に対して耐性があり、エッチングストッパーとして機能する。
【００３２】
図２（ｂ）：次に、窒化膜３に導電体層４を積層する。導電体層４は、第１の電極１０、第１の電極１０を外部回路と接続する配線（図示省略）、固定部３０などを構成するポリシリコン層であり、積層後にイオン注入をして所定の導電性を持たせる。次に、導電体層４をフォトリソグラフィーによりパターニングして、第１の電極１０、配線、固定部３０などを形成する。このように、上述した第１導電体層および第２導電体層は、導電体層４として同時に積層し、第１の電極１０および固定部３０は、フォトリソグラフィーにより同時にパターニングして形成している。
なお、第１の電極１０と固定部３０とを異なる組成の層で構成する場合には、それぞれ別の工程として実施する。すなわち、第１導電体層を積層し第１の電極１０をパターニングした後に、第２導電体層を積層し固定部３０をパターニング形成する方法で行なう。この際、固定部３０は、第１の電極１０と重ならない領域に形成する。
【００３３】
図２（ｃ）：次に、第１の電極１０および固定部３０を覆うように犠牲層５を積層する。犠牲層５は、第１の電極１０と第２の電極２０とのギャップを形成するための犠牲層であり、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）酸化膜で形成している。
次に、犠牲層５をフォトリソグラフィーによりパターニングし、固定部３０の一部が露出する開口部６を形成する。つまり、開口部６を固定部３０の周縁部より内側に形成する。開口部６は、第２の電極２０が固定部３０と接合する接合領域４０（図１（ａ），（ｂ））を形成する。接合領域４０は、第２の電極２０がウェハー基板１に固定される領域であるため、必要なスティフネスが得られる面積を開口する。
なお、犠牲層５は、半導体プロセスで用いられる層間膜（ＩＭＤ（Inter Metal Dielectric））としてのＴＥＯＳ（Tetraethoxysilane）を用い平坦化しても良い。半導体プロセスの世代によっては、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）などによる平坦化を行なっても良い。
【００３４】
図３（ａ）は、固定部３０の周辺を拡大した断面図である。
ＭＥＭＳ振動子１００は、図に示すように、例えば、固定部３０を薄い正方形の板状体として、また接合領域４０（開口部６）を略正方形に形成し、固定部３０の厚さＨを０．５μｍ、幅Ｗ１を５０μｍ、接合領域４０の幅Ｗ２を４５μｍとして構成している。つまり、接合領域４０の周縁部が、固定部３０の周縁部から２．５μｍ内側に位置するように形成している。
なお、固定部３０の厚さＨや、接合領域４０を固定部３０の周縁部より内側に配置する長さＬなどは、求めるＭＥＭＳ振動子１００の振動特性（振動の精度に対応した必要な応力緩和の度合いなど）に対応させて適宜設定することが望ましい。
【００３５】
図２（ｄ）：次に、犠牲層５および開口部６を覆うように第３導電体層７を積層する。第３導電体層７は、第２導電体層（導電体層４）と同じポリシリコン層であり、積層後にフォトリソグラフィーによりパターニングして、第２の電極２０、第２の電極２０を外部回路と接続する配線（図示省略）などを形成する。第２の電極２０は、図１（ｂ）に示すように、ウェハー基板１を平面視したときに第１の電極１０および固定部３０と重なる領域を有する電極として形成する。また、積層後にイオン注入をして所定の導電性を持たせる。
なお、第２の電極２０を外部回路と接続する配線は、図２（ｃ）に示す段階で、固定部３０に接続する配線として形成しても良い。
【００３６】
図２（ｅ）：次に、ウェハー基板１をエッチング液に晒し、犠牲層５をリリースエッチングすることで、第１の電極１０と第２の電極２０とのギャップを形成する。
以上によりＭＥＭＳ振動子１００が形成される。
【００３７】
なお、ＭＥＭＳ振動子１００は、減圧状態に封止された空洞部に設置されることが好ましい。そのため、ＭＥＭＳ振動子１００の製造に当たっては、空洞部を形成するための犠牲層や、この犠牲層を囲む側壁部、空洞部の蓋を形成する封止層などを合わせて形成しているが、ここでは説明を省略している。
【００３８】
以上述べたように、本実施形態による振動子によれば、以下の効果を得ることができる。
第２の電極２０は、固定部３０を介してウェハー基板１の主面上に固定される。つまり、第２の電極２０が固定される下地層（窒化膜３）から第２の電極２０に伝達される応力（熱応力などを含む内部応力）は、固定部３０を介して伝達される構成となる。この構成によれば、固定部３０を応力緩和層として機能させることが可能となり、第２の電極２０が配置される窒化膜３との間に生ずる残留応力の影響が軽減される。その結果、例えば、応力を受けることによって生ずる電極間の間隙の変動や、第２の電極２０（可動電極）のスティフネスの変動などが軽減され、熱履歴によって、振動特性に温度ヒステリシスを示してしまうなどの度合いも軽減される。従って、振動特性のより安定した振動子を提供することができる。
【００３９】
また、固定部３０が、第２の電極２０を構成する材料と同じポリシリコン層で構成されている。従って、固定部３０の熱膨張係数や内部応力が第２の電極２０のそれらと等しくなるために、固定部３０を設けることによって、新たに固定部３０から第２の電極２０が受ける応力はより小さくすることができる。その結果、より有効に固定部３０を応力緩和層として機能させることができる。従って、振動特性のより安定した振動子を提供することができる。
【００４０】
また、第２の電極２０が固定部３０と接合する接合領域４０が、固定部３０の周縁部より内側の領域（片側２．５μｍ内側の領域）に設けられている。換言すると、固定部３０は、第２の電極２０が固定部３０に接合する接合領域４０より広い範囲で窒化膜３を覆う構成となる。
一般に、積層構造において、下層から伝達される応力（熱応力などを含む内部応力）は、下層に積層する積層体の周縁部に対して、より集中して作用する傾向にある。従って、窒化膜３に積層されて設けられた固定部３０が、窒化膜３から応力を受ける場合には、窒化膜３からの応力が、固定部３０の周縁部により集中して作用する。本実施形態によれば、固定部３０は、第２の電極２０が固定部３０に接合する領域より広い範囲で窒化膜３を覆う構成となるため、窒化膜３から作用する応力は、この固定部３０の周縁部の領域で吸収され、第２の電極２０に作用する応力を軽減することができる。従って、振動特性のより安定した振動子を提供することができる。
【００４１】
また、第２の電極２０が、０．５μｍの厚みの固定部３０を介して、ウェハー基板１の主面上に固定されている。固定部３０の厚みが０．５μｍであることで、窒化膜３から作用する応力は、この固定部３０で効果的に吸収され、第２の電極２０に作用する応力を軽減することができる。従って、振動特性のより安定した振動子をより効果的に提供することができる。
【００４２】
［電子機器］
次いで、本発明の一実施形態に係る振動子としてのＭＥＭＳ振動子１００を適用した電子機器について、図４（ａ），（ｂ）、図５に基づき説明する。
【００４３】
図４（ａ）は、本発明の一実施形態に係る電子部品を備える電子機器としてのモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成の概略を示す斜視図である。この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１０００を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター１１００には、フィルター、共振器、基準クロック等として機能する電子部品としてのＭＥＭＳ振動子１００が内蔵されている。
【００４４】
図４（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る電子部品を備える電子機器としての携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成の概略を示す斜視図である。この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１０００が配置されている。このような携帯電話機１２００には、フィルター、共振器、角速度センサー等として機能する電子部品（タイミングデバイス）としてのＭＥＭＳ振動子１００が内蔵されている。
【００４５】
図５は、本発明の一実施形態に係る電子部品を備える電子機器としてのデジタルスチールカメラの構成の概略を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。デジタルスチールカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）等の撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
デジタルスチールカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部１０００が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行なう構成になっており、表示部１０００は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤ等を含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部１０００に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。また、このデジタルスチールカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニター１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。このようなデジタルスチールカメラ１３００には、フィルター、共振器、角速度センサー等として機能する電子部品としてのＭＥＭＳ振動子１００が内蔵されている。
【００４６】
上述したように、電子機器として、温度特性など、より特性の変動が抑制されたＭＥＭＳ振動子１００が活用されることにより、より高性能な電子機器を提供することができる。
【００４７】
なお、本発明の一実施形態に係る電子部品としてのＭＥＭＳ振動子１００は、図４（ａ）のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図４（ｂ）の携帯電話機、図５のデジタルスチールカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等の電子機器に適用することができる。
【００４８】
［移動体］
次いで、本発明の一実施形態に係る振動子としてのＭＥＭＳ振動子１００を適用した移動体について、図６に基づき説明する。
図６は、ＭＥＭＳ振動子１００を備える移動体としての自動車１４００を概略的に示す斜視図である。自動車１４００には本発明に係るＭＥＭＳ振動子１００を含んで構成されたジャイロセンサーが搭載されている。例えば、同図に示すように、移動体としての自動車１４００には、タイヤ１４０１を制御する該ジャイロセンサーを内蔵した電子制御ユニット１４０２が搭載されている。また、他の例としては、ＭＥＭＳ振動子１００は、キーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム(ＴＰＭＳ：Tire Pressure Monitoring System)、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター、車体姿勢制御システム、等の電子制御ユニット（ＥＣＵ：electronic control unit）に広く適用できる。
移動体として、特性の変動がより抑制された良好なＭＥＭＳ振動子１００が活用されることにより、より高性能な移動体を提供することができる。
【００４９】
（変形例１）
実施形態１では、第３導電体層７は、第２導電体層（導電体層４）と同じポリシリコン層であり、同じ組成の材料で構成しているとして説明したが、この構成に限定するものではなく、異なる組成の材料により構成しても良い。具体的には、第２導電体層を構成する材料の熱膨張係数をＬ0、絶縁層を構成する材料の熱膨張係数をＬ1、第３導電体層７を構成する材料の熱膨張係数をＬ2としたとき、Ｌ1＜Ｌ0≦Ｌ2または、Ｌ2≦Ｌ0＜Ｌ1となる構成の材料で構成しても良い。例えば、Ｌ1＜Ｌ0≦Ｌ2の例としては、第３導電体層７にガリウム砒素（ＧａＡｓ）、絶縁層にチッ化アルミニウム（ＡｌＮ）などを用いることができる。
【００５０】
つまり、固定部３０を構成する材料の熱膨張係数の大きさが、固定部３０に積層される第２の電極２０の熱膨張係数の大きさと同じか、あるいは、第２の電極２０の熱膨張係数の大きさと固定部３０が積層する絶縁層の熱膨張係数の大きさとの間の大きさである。このようにすることで、第３導電体層７と第２導電体層（導電体層４）とで異なる組成の材料を使用した場合であっても、固定部３０は、熱膨張などにより発生する応力を絶縁層と第２の電極２０との間で緩和することができる。従って、振動特性のより安定した振動子を提供することができる。
【００５１】
（変形例２）
図３（ｂ）は、変形例２に係る固定部の変形例を示す断面図である。
実施形態１では、固定部３０を薄い正方形の板状体として（図３（ａ）に示すＡ部のように、その断面が矩形を呈しているように）説明したが、この構成に限定するものではない。例えば、図３（ｂ）に示す固定部３１のように、その側面が、窒化膜３との接合領域の周縁部から第２の電極２０との接合領域４０の周縁部までなだらかに連続する曲面で構成されても良い。
このような構成であっても、固定部３１を応力緩和層として機能させることが可能であり、上述した実施形態における効果と同様の効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００５２】
１…ウェハー基板、２…酸化膜、３…窒化膜、４…導電体層、５…犠牲層、６…開口部、７…第３導電体層、９…ＭＥＭＳ構造体、１０…第１の電極、２０…第２の電極、３０…固定部、４０…接合領域、５０…空隙部、１００…ＭＥＭＳ振動子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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