(57)【要約】【課題】本発明は、製造工程において、インナーリードと半導体素子の高さ方向の間隔を所望の寸法で接合することを簡易な構造で可能とする半導体装置、およびインナーリードと半導体素子の高さ方向の間隔を所望の寸法で接合することが可能な半導体装置の製造方法の提供を目的とする。【解決手段】本発明に係る半導体装置は、金属ブロック２と、金属ブロック２上に接合された半導体素子と、半導体素子上面に接合されたインナーリード１ｃとを備え、インナーリード１ｃは、インナーリード１ｃが支持されていたリードフレーム１ａから半導体素子上に延在する第１部分１ｆと、半導体素子上から片持ち状に延在し、平面視で金属ブロック２外側に少なくともインナーリード１ｃの厚み以上突出した第２部分１ｇとを備え、半導体素子およびインナーリード１ｃの半導体素子との接合部分ならびに第２部分１ｇは、樹脂３に封止されていることを特徴とする。【選択図】図１
2014036077.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属ブロックと、
前記金属ブロック上に接合された半導体素子と、
前記半導体素子上面に接合されたインナーリードと、
を備え、
前記インナーリードは、
前記インナーリードが支持されていたリードフレームから前記半導体素子上に延在する第１部分と、
前記半導体素子上から片持ち状に延在し、平面視で前記金属ブロック外側に少なくとも前記インナーリードの厚み以上突出した第２部分と、
を備え、
前記半導体素子および前記インナーリードの前記半導体素子との接合部分ならびに前記第２部分は、樹脂に封止されていることを特徴とする、
半導体装置。
【請求項２】
（ａ）半導体素子が配置された金属ブロックを、下治具上に配置する工程と、
（ｂ）前記工程（ａ）の後に、前記半導体素子上にインナーリードを配置する工程と、
を備え、
前記インナーリードは、前記インナーリードを支持するリードフレームから前記半導体素子上に延在する第１部分と、前記半導体素子上から片持ち状に延在する第２部分とを備え、
前記工程（ｂ）において、前記第２部分を平面視で前記金属ブロック外側に少なくとも前記インナーリードの厚み以上突出させて、当該突出させた部分と前記リードフレームとを前記下治具で支持することにより前記インナーリードを配置し、
（ｃ）前記工程（ｂ）の後に、前記インナーリード下面と前記半導体素子上面を接合する工程と、
（ｄ）前記工程（ｃ）の後に、前記半導体素子および前記インナーリードの前記半導体素子との接合部分ならびに前記第２部分を樹脂で封止する工程と、
を備える、
半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記工程（ｂ）において、前記突出させた部分と前記リードフレームとを上治具と前記下治具とで挟持することにより前記インナーリードを配置する、
請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、大電力を扱う半導体装置、例えば、電気自動車や電車等のモータを制御するインバータや回生用のコンバータに使用する半導体装置は、次の様な工程で製造されていた。
【０００３】
即ち、金属ブロック（又は回路基板）上へ半導体素子を配置・接合する工程、治具上に金属ブロックおよびインナーリードと一体化したリードフレームを配置する工程、加熱によりインナーリードと半導体素子を接合する工程、樹脂封止工程およびリードフレームを切断する工程の順に行われていた。
【０００４】
一般的に、インナーリードはタイバーを介してリードフレームと一体化された状態でプレスまたはエッチングにより製造される。治具にリードフレームを配置することで、リードフレームに支持されるインナーリードを半導体素子上部の所定の位置に配置することができる（例えば、特許文献１参照）。この状態で、例えば半導体素子上部に配置したハンダを溶融させてインナーリード下面と半導体素子上面との接合が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−２２３６３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述の様に、インナーリードはリードフレームに支持されているが、例えば、インナーリードが細長い片持ち形状である場合には、インナーリードの一端はリードフレームに支持されるが、他端は不安定な状態となる。
【０００７】
従って、リードフレームが治具に配置されても、インナーリードの先端は不安定な状態となるため、半導体素子とインナーリードを接合する工程において、半導体素子上面とリードフレーム下面の間隔が所望の寸法で接合されない問題があった。
【０００８】
本発明は以上の問題を解決するためになされたものであり、製造工程において、インナーリードと半導体素子の高さ方向の間隔を所望の寸法で接合することを簡易な構造で可能とする半導体装置、および、インナーリードと半導体素子の高さ方向の間隔を所望の寸法で接合することが可能な半導体装置の製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る半導体装置は、金属ブロックと、金属ブロック上に接合された半導体素子と、半導体素子上面に接合されたインナーリードとを備え、当該インナーリードは、当該インナーリードが支持されていたリードフレームから前記半導体素子上に延在する第１部分と、半導体素子上から片持ち状に延在し、平面視で金属ブロック外側に少なくとも当該インナーリードの厚み以上突出した第２部分とを備え、半導体素子および当該インナーリードの半導体素子との接合部分ならびに第２部分は、樹脂に封止されていることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、（ａ）半導体素子が配置された金属ブロックを、下治具上に配置する工程と、（ｂ）工程（ａ）の後に、半導体素子上にインナーリードを配置する工程とを備え、当該インナーリードは、当該インナーリードを支持するリードフレームから半導体素子上に延在する第１部分と、半導体素子上から片持ち状に延在する第２部分とを備え、工程（ｂ）において、第２部分を平面視で金属ブロック外側に少なくともインナーリードの厚み以上突出させて、当該突出させた部分とリードフレームとを下治具で支持することによりインナーリードを配置し、（ｃ）工程（ｂ）の後に、インナーリード下面と半導体素子上面を接合する工程と、（ｄ）工程（ｃ）の後に、半導体素子およびインナーリードの半導体素子との接合部分ならびに第２部分を樹脂で封止する工程とを備える。
【発明の効果】
【００１１】
半発明に係る半導体装置によれば、インナーリードの第２部分を金属ブロック外側に突出させることで、半導体装置を製造する際に、下治具により第２部分の突出部分を支持することが可能となるため、インナーリードを安定して所望の高さに配置することが可能となる。よって、半導体素子上面とインナーリードの第１部分下面を接合する際に、半導体素子上面と第１部分下面の間隔を所望の寸法で接合することが可能となる。よって、半導体装置の長寿命化が期待できる。
【００１２】
また、インナーリードの第２部分の金属ブロックからの突出量を平面視で、少なくともインナーリードの厚み以上とすることで、半導体装置を製造する際に、第２部分の先端が厚み方向に変形している場合であっても、第２部分の先端の変形の影響を受けることなく、インナーリードを下治具上に精度良く配置することが可能となる。
【００１３】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、インナーリードが半導体素子上から片持ち状に延在する第２部分を備える構成とし、前記工程（ｂ）において、第２部分を平面視で金属ブロック２外側に突出させて、当該突出させた部分を下治具で支持することにより、インナーリードの両端が下治具により支持されるため、インナーリードを安定して所望の高さに配置することが可能となる。よって、半導体素子上面とインナーリードの第１部分下面を接合する際に、半導体素子上面と第１部分下面の間隔を所望の寸法で接合することが可能となる。よって、製造工程において、歩留まりの向上が期待できる。
【００１４】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、前記工程（ｂ）において、第２部分の金属ブロックからの突出量を、平面視で少なくともインナーリードの厚み以上とすることで、第２部分の先端が厚み方向に変形している場合であっても、第２部分の先端の変形の影響を受けることなく、インナーリードを下治具上に精度良く配置することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体装置の構造を示す図である。
【図２】図１に示す半導体装置の製造方法を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る半導体装置の変形例を示す図である。
【図４】図３に示す半導体装置の製造方法を示す図である。
【図５】前提技術に係る半導体装置の構造を示す図である。
【図６】前提技術に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図７】前提技術に係る半導体装置の別の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
＜前提技術＞
図５（ａ），（ｂ）に、前提技術に係る半導体装置の平面図と断面図をそれぞれ示す。図５（ａ）に示すように、金属ブロック２上には、半導体素子として、例えばＩＧＢＴチップ４およびフリーホイールダイオード５が所定の位置に、ハンダ７により接合されている。
【００１７】
図５（ａ）において、フレーム枠体１は、リードフレーム１ａ、タイバー１ｅおよびインナーリード１ｂ，１ｃ，１ｄから構成される。インナーリード１ｂ，１ｃ，１ｄは、タイバー１ｅを介して、リードフレーム１ａにより支持されている。
【００１８】
なお、インナーリード１ｂ，１ｃは主端子であり、インナーリード１ｄは信号端子である。
【００１９】
図５（ａ）において、各インナーリード１ｂ，１ｃ，１ｄは、リードフレーム１ａに支持された状態であるが、完成品としての半導体装置は、タイバー１ｅを切断することにより、インナーリード１ｂ，１ｃ，１ｄはフレーム枠体１から分離される。
【００２０】
主端子としてのインナーリード１ｃは、インナーリード１ｃを支持するリードフレーム１ａから半導体素子上に延在する第１部分１ｆを備える。第１部分１ｆの下面と半導体素子、即ちＩＧＢＴチップ４およびフリーホイールダイオード５の上面はハンダ８により接合されている。また、もう１つの主端子としてのインナーリード１ｂは、リードフレーム１ａから金属ブロック２上に延在し、インナーリード１ｂ下面と金属ブロック２上面はハンダにより接合されている。
【００２１】
また、ＩＧＢＴチップ４上面と、信号端子としてのインナーリード１ｄは、アルミワイヤ６により接続されている。また、半導体素子即ちＩＧＢＴチップ４およびフリーホイールダイオード５と、インナーリード１ｂ，１ｃ，１ｄと半導体素子の接合部分は樹脂３により封止されている。
【００２２】
以上の様にして構成される半導体装置は、信号端子としてのインナーリード１ｄに入力される所定の信号により、主端子としてのインナーリード１ｂ，１ｃ間に流れる電流のオン・オフを行う半導体装置である。
【００２３】
次に、上述した半導体装置の製造方法について説明する。インナーリード１ｂ，１ｃ，１ｄは、タイバー１ｅを介してリードフレーム１ａと一体化されている。一般に、フレーム枠体１は、金型により１ｍｍ以下の板厚の金属板を打ち抜いて製造される。なお、フレーム枠体１は、打ち抜きにより製造されるため、面方向に対して高い精度が得られる反面、板厚方向に対する加工精度は相対的に低くなるのが普通である。
【００２４】
まず、図６に示す様に、下治具９を用意する。下治具９には、金属ブロック２およびフレーム枠体１が適切な位置・高さに配置されるように凹凸（図示せず）が形成されている。
【００２５】
下治具９上に、半導体素子が配置された金属ブロック２を配置する。このとき、金属ブロック２上面と半導体素子下面は、予めハンダ７により接合されているか、または接合部分にハンダペーストが配置されている。
【００２６】
次に、下治具９上に、フレーム枠体１を、下治具９に形成された位置決め用の凹凸に合わせて配置する。このとき、フレーム枠体１の各インナーリード１ｂ，１ｃ，１ｄは、所定の位置・高さに配置される。また、インナーリード１ｂ下面と半導体素子上面の間およびインナーリード１ｃ下面と金属ブロック２上面の間には、ハンダペーストが配置される。
【００２７】
なお、図６に示す様に、フレーム枠体１の上に上治具１０を配置すれば、フレーム枠体１は、下治具９と上治具１０に挟持されるため、より正確な位置決めが可能となる。
【００２８】
次に、下治具９および上治具１０を装着した状態で、半導体装置全体を所定の温度まで加熱することにより、接合部分に配置したハンダペーストを溶融させて、ハンダ７，８を形成する。
【００２９】
次に、必要に応じて、例えばボンディング法により、ＩＧＢＴチップ４上面と信号端子としてのインナーリード１ｄをアルミワイヤにより接続する。
【００３０】
さらに、半導体素子および半導体素子と各インナーリード１ｂ，１ｃ，１ｄの接続部分を樹脂３により封止する。
【００３１】
最後に、タイバー１ｅを切断することにより、各インナーリード１ｂ，１ｃ，１ｄをリードフレーム１ａから分離して、半導体装置を得る。
【００３２】
上述した製造工程において、フレーム枠体１を下治具９上に配置する際、インナーリード１ｃの第１部分１ｆは、下治具９によって支持されていないため、高さ方向に不安定である。従って、インナーリード１ｃの第１部分１ｆ下面と半導体素子上面の間隔が所定の寸法でハンダ接合されず、例えば図５（ｂ）のように、第１部分１ｆと半導体素子上面がある角度を持って曲がって接合されてしまう問題があった。
【００３３】
この問題は、インナーリード１ｃが不安定であるために、例えば、ハンダ接合の際にハンダの硬化、収縮により、インナーリード１ｃが高さ方向に動いて生じる。
【００３４】
インナーリード１ｃの第１部分１ｆ下面と半導体素子上面との間隔が、所定の寸法よりも小さくなった場合、長期使用における接合部の信頼性低下、接合部からのハンダ８の流失、短絡不良などの問題が起こる。
【００３５】
また、インナーリード１ｃの第１部分１ｆ下面と半導体素子上面との間隔が、所定の寸法よりも大きくなった場合、インダクタンスの上昇や、ハンダ接合を行う際の濡れ不足などの問題が起こる。
【００３６】
以上の問題を避けるために、インナーリード１ｃの構造を以下の様に工夫した半導体装置が提案されている。
【００３７】
即ち、図７に示す様に、インナーリード１ｃが、リードフレーム１ａから半導体素子上に延在する第１部分１ｆに加えて、第１部分１ｆからさらに延在して、インナーリード１ｄを支持するタイバー１ｅにつながる第２部分１ｇをさらに備える構成とする。
【００３８】
インナーリード１ｃをこの様な構成とすることにより、第２部分１ｇがタイバー１ｅを介してリードフレーム１ａにより支持されるため、第１部分１ｆの両端が支持される構造となる。よって、第１部分１ｆは、半導体素子上面に対して所望の高さに安定した状態で配置される。
【００３９】
なお、第１部分１ｆは第２部分１ｇを介してタイバー１ｅとつながっているため、樹脂封止後に第２部分１ｇとタイバー１ｅの接続部分を切断する必要がある。切断後に、第２部分１ｇの先端は、樹脂３表面に露出してしまう。
【００４０】
インナーリード１ｃの本来樹脂封止されるべき部分が樹脂３表面に露出してしまうため、絶縁性の観点から好ましくない。特に、隣接するインナーリード１ｄとの絶縁が問題となる。
【００４１】
樹脂３表面から露出するインナーリード１ｃの第２部分１ｇと、これに隣接する信号端子としてのインナーリード１ｄとの絶縁性を高めるために、第２部分１ｇとインナーリード１ｄをある程度離して配置する、またはこれらの間の樹脂３に絶縁用溝３ａを形成するなどの対策を行う必要がある。絶縁用溝３ａを形成することにより、第２部分１ｇと、これに隣接するインナーリード１ｄの間の沿面距離が長くなるため、絶縁性を高めることが可能である。
【００４２】
しかし、インナーリード１ｃの第２部分１ｇとインナーリード１ｄを離して配置すると、半導体装置が大型化する問題がある。また、絶縁用溝３ａを形成するためには、第２部分１ｇとインナーリード１ｄの間にスペースを設ける必要があり、やはり半導体装置が大型化してしまう問題があった。また、製造工程において、絶縁用溝３ａを形成するための工程が増える問題があった。
【００４３】
＜実施の形態＞
＜構成＞
図１（ａ），（ｂ）に本実施の形態における半導体装置の平面図と断面図をそれぞれ示す。図１（ａ），（ｂ）において、インナーリード１ｃは、第１部分１ｆと第２部分１ｇから構成され、第１部分１ｆは、前提技術と同様に、インナーリード１ｃを支持するリードフレーム１ａから半導体素子、即ちＩＧＢＴチップ４およびフリーホイールダイオード５上に延在している。
【００４４】
また、第２部分１ｇは、半導体素子上から片持ち状に延在し、平面視で金属ブロック２外側に少なくともインナーリード１ｃの厚み以上突出している。また、第２部分１ｇは樹脂３により封止されている。つまり、インナーリード１ｃに備わる第２部分１ｇの構造が前述の前提技術（図７）と異なる。これ以外の構成は前提技術と同じであるため、説明を省略する。
【００４５】
＜製造方法＞
図２を用いて、本実施の形態における半導体装置の製造方法を説明する。まず、下治具９を用意する。下治具９には、金属ブロック２およびフレーム枠体１が適切な位置・高さに配置されるように凹凸が形成されている。
【００４６】
下治具９上に、半導体素子、即ちＩＧＢＴチップ４およびフリーホイールダイオード５が配置された金属ブロック２を配置する。このとき、金属ブロック２上面と各半導体素子の下面は、予めハンダ接合されているか、またはハンダペーストが配置されている。
【００４７】
次に、下治具９上に、フレーム枠体１を、下治具９に形成された凹凸（図示せず）に合わせて配置する。このとき、フレーム枠体１に備わるインナーリード１ｂ，１ｄは、前提技術同様、半導体素子もしくは金属ブロック２上部に、所定の高さに配置される。
【００４８】
また、本実施の形態において、インナーリード１ｃの第２部分１ｇの先端が、下治具９によって支持される。これは、第２部分１ｇの先端が、平面視で金属ブロック２外側に突出しているためである。
【００４９】
また、金属板を金型により打ち抜いてインナーリード１ｃを製造する際に、第２部分１ｇの先端は、Ｒ形状や面取り形状となる場合がある。このように、第２部分１ｇの先端が厚み方向に変形している場合であっても、平面視で金属ブロック２外側への第２部分１ｇの突出量を少なくともインナーリード１ｃの厚み以上とすることで、第２部分１ｇの厚み方向の変形の影響を受けずに、下治具９上にインナーリード１ｃを精度良く配置することが可能となる。
【００５０】
なお、フレーム枠体１の上に、さらに上治具１０を配置することにより、フレーム枠体１およびインナーリード１ｃの第２部分１ｇの先端は、下治具９と上治具１０の間に挟持されるため、より精度の高い位置決めが可能となる。
【００５１】
また、前提技術と同様に、インナーリード１ｃの第１部分１ｆの下面およびインナーリード１ｂの下面には、ハンダペーストが配置されている。
【００５２】
以降の加熱工程およびワイヤボンディング工程は前提技術と同じであるため、説明を省略する。また、続く樹脂封止工程において、インナーリード１ｃの第２部分１ｇは、前提技術（図７）と異なり、タイバー１ｅとつながっていないため、樹脂封止される。
【００５３】
樹脂封止の後、タイバー１ｅが切断されることにより、各インナーリード１ｂ，１ｃ，１ｄがフレーム枠体１から分離されて、半導体装置を得る。
【００５４】
なお、本実施の形態では、インナーリード１ｃの第２部分１ｇの先端は、樹脂封止されるため、樹脂３表面に露出しない。よって、前提技術で述べた絶縁性の問題は生じない。
【００５５】
＜効果＞
本実施の形態における半導体装置は、金属ブロック２と、金属ブロック２上に接合された半導体素子即ちＩＧＢＴチップ４およびフリーホイールダイオード５と、半導体素子上面に接合されたインナーリード１ｃとを備え、インナーリード１ｃは、インナーリード１ｃが支持されていたリードフレーム１ａから半導体素子上に延在する第１部分１ｆと、半導体素子上から片持ち状に延在し、平面視で金属ブロック２外側に少なくともインナーリード１ｃの厚み以上突出した第２部分１ｇとを備え、半導体素子およびインナーリード１ｃの半導体素子との接合部分ならびに第２部分１ｇは、樹脂３に封止されていることを特徴とする。
【００５６】
従って、インナーリード１ｃの第２部分１ｇを金属ブロック２外側に突出させることで、本実施の形態における半導体装置を製造する際に、下治具９により第２部分１ｇの突出部分を支持することが可能となるため、インナーリード１ｃを安定して所望の高さに配置することが可能となる。よって、半導体素子上面とインナーリード１ｃの第１部分１ｆ下面を接合する際に、半導体素子上面と第１部分１ｆ下面の間隔を所望の寸法で接合することが可能となる。よって、半導体装置の長寿命化が期待できる。
【００５７】
また、インナーリード１ｃの第２部分１ｇの金属ブロック２からの突出量を平面視で、少なくともインナーリード１ｃの厚み以上とすることで、本実施の形態における半導体装置を製造する際に、第２部分１ｇの先端が厚み方向に変形している場合であっても、第２部分１ｇの変形の影響を受けることなく、インナーリード１ｃを下治具９上に精度良く配置することが可能となる。
【００５８】
また、前提技術（図７）の様に、インナーリード１ｃの第２部分１ｇと、インナーリード１ｄとの絶縁を考慮する必要が無いため、前提技術よりも半導体装置の小型化が可能である。
【００５９】
また、本実施の形態における半導体装置の製造方法は、（ａ）半導体素子が配置された金属ブロック２を、下治具９上に配置する工程と、（ｂ）工程（ａ）の後に、半導体素子上にインナーリード１ｃを配置する工程とを備え、インナーリード１ｃは、インナーリード１ｃを支持するリードフレーム１ａから半導体素子上に延在する第１部分１ｆと、半導体素子上から片持ち状に延在する第２部分１ｇとを備え、工程（ｂ）において、第２部分１ｇを平面視で金属ブロック２外側に少なくともインナーリード１ｃの厚み以上突出させて、当該突出させた部分とリードフレーム１ａとを下治具９で支持することによりインナーリード１ｃを配置し、（ｃ）工程（ｂ）の後に、インナーリード１ｃ下面と半導体素子上面を接合する工程と、（ｄ）工程（ｃ）の後に、半導体素子およびインナーリード１ｃの半導体素子との接合部分ならびに第２部分１ｇを樹脂３で封止する工程とを備える。
【００６０】
従って、インナーリード１ｃが半導体素子上から片持ち状に延在する第２部分１ｇを備える構成とし、工程（ｂ）において、第２部分１ｇを平面視で金属ブロック２外側に突出させて、当該突出させた部分を下治具９で支持することにより、インナーリード１ｃの両端が下治具９により支持されるため、インナーリード１ｃを安定して所望の高さに配置することが可能となる。よって、半導体素子上面とインナーリード１ｃの第１部分１ｆ下面を接合する際に、半導体素子上面と第１部分１ｆ下面の間隔を所望の寸法で接合することが可能となる。よって、製造工程において、歩留まりの向上が期待できる。
【００６１】
また、工程（ｂ）において、第２部分１ｇの金属ブロックからの突出量を、平面視で少なくともインナーリード１ｃの厚み以上とすることで、第２部分１ｇの先端が厚み方向に変形している場合であっても、第２部分１ｇの変形の影響を受けることなく、インナーリード１ｃを下治具９に精度良く配置することが可能となる。
【００６２】
また、本実施の形態における半導体装置の製造方法は、前記工程（ｂ）において、突出させた部分、即ち第２部分１ｇの突出部分とリードフレーム１ａとを上治具１０と下治具９とで挟持することによりインナーリード１ｃを配置する。
【００６３】
従って、下治具９と上治具１０によりリードフレーム１ａおよびインナーリード１ｃの第２部分１ｇの突出部分を挟持することが可能となるため、インナーリード１ｃをより安定した状態で所望の高さに配置することが可能となる。
【００６４】
なお、本実施の形態においては、金属ブロック２と半導体素子または、半導体素子とインナーリード１ｂ，１ｃの接合をハンダにより行ったが、ロウ材を用いて、ロウ付けにより行ってもよい。
【００６５】
＜変形例＞
図３に、本実施の形態における半導体装置の別の例の平面図を示す。図３に示す様に、複数の金属ブロック２上に半導体素子（例えば、ＩＧＢＴチップ４およびフリーホイールダイオード）が接合されており、これらの半導体素子上面は、インナーリード１ｃの第１部分１ｆ下面と接合されている。図１（ａ）と同様、インナーリード１ｃは、第１部分１ｆと第２部分１ｇを備える。
【００６６】
また、本変形例における半導体装置において、図１（ａ）と同様、半導体素子および半導体素子とインナーリード１ｃの接合部ならびに第２部分１ｇは、樹脂３により封止されている。
【００６７】
なお、図３において、フレーム枠体１に備わるインナーリード１ｃは、タイバー１ｅを介してリードフレーム１ａに支持されているが、完成製品においては、インナーリード１ｃからタイバー１ｅが切断されて、インナーリード１ｃとリードフレーム１ａは分離される。
【００６８】
図４を用いて、本変形例における半導体装置の製造方法を説明する。下治具９には、凸部９ａが形成されており、この凸部９ａをガイドとして、複数の金属ブロック２が下治具９上に配置される。なお、金属ブロック２上面には半導体素子がハンダ７により接合されている。
【００６９】
次に、下治具９上にフレーム枠体１を配置する。このとき、下治具９によりリードフレーム１ａおよびインナーリード１ｃの第２部分１ｇが支持される。
【００７０】
次に、上治具１０を配置する。リードフレーム１ａおよびインナーリード１ｃの第２部分１ｇは、下治具９と上治具１０の間に挟持される。
【００７１】
なお、本変形例において、下治具９の凸部９ａの高さを、インナーリード１ｃの第１部分１ｆ下面の高さにすることで、下治具９により第１部分１ｆを支持することが可能となるため、より好ましい。
【００７２】
また、インナーリード１ｃの第１部分１ｆ下部と半導体素子上部の間には、ハンダペーストが配置されており、加熱処理を行うことで、インナーリード１ｃの第１部分１ｆ下部と半導体素子上部がハンダ８により接合される。続いて、樹脂封止工程、タイバー１ｅ切断を行い、半導体装置を得る。
【００７３】
本変形例の様に、インナーリード１ｃが大型化した場合であっても、インナーリード１ｃに第２部分１ｇを複数設けることにより、第２部分１ｇを治具で支持して、インナーリード１ｃを所望の高さに安定した状態で配置することが可能である。
【００７４】
なお、本発明は、その発明の範囲内において、実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【符号の説明】
【００７５】
１  フレーム枠体、１ａ  リードフレーム、１ｂ，１ｃ，１ｄ  インナーリード、１ｅ  タイバー、１ｆ  第１部分、１ｇ  第２部分、２  金属ブロック、３  樹脂、３ａ  絶縁用溝、４  ＩＧＢＴチップ、５  フリーホイールダイオード、６  アルミワイヤ、７，８  ハンダ、９  下治具、９ａ  凸部、１０  上治具。
【図１】
2014036077.tif 000003
【図２】
2014036077.tif 000004
【図３】
2014036077.tif 000005
【図４】
2014036077.tif 000006
【図５】
2014036077.tif 000007
【図６】
2014036077.tif 000008
【図７】
2014036077.tif 000009