(57)【要約】【課題】内在する電磁波が、外部へ漏洩するのを防ぐことが可能な、導波管の製造方法を提供する。【解決手段】非金属Ａからなる第一基板１０１の一方の主面１０１ａにおいて、一部に凹部１０５を形成する第一工程と、第一基板の一方の主面１０１ａおよび凹部の内壁面１０５ａに第一金属膜１０２を形成する第二工程と、第一金属膜１０２のうち、凹部の内壁面１０５ａ以外の第一金属膜１０２を除去して、第一基板１０１を露出させる第三工程と、非金属Ｂからなる第二基板１０３の一方の主面１０３ａ側に、第二金属膜１０４を形成する第四工程と、第一基板の一方の主面１０１ａと第二基板の一方の主面１０３ａとを対向させ、陽極接合法により互いに接合する第五工程と、を順に含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非金属Ａからなる第一基板の一方の主面において、一部に凹部を形成する第一工程と、
前記第一基板の一方の主面および前記凹部の内壁面に第一金属膜を形成する第二工程と、
前記第一金属膜のうち、前記凹部の内壁面以外の該第一金属膜を除去して、該第一基板を露出させる第三工程と、
非金属Ｂからなる第二基板の一方の主面側に、第二金属膜を形成する第四工程と、
前記第一基板の一方の主面と前記第二基板の一方の主面とを対向させ、陽極接合法により互いに接合する第五工程と、を順に含む、ことを特徴とする導波管の製造方法。
【請求項２】
前記第四工程と前記第五工程との間に、前記第二金属膜のうち、前記第一基板の一方の主面と前記第二基板の一方の主面とを対向させた際に、前記凹部と重なる部分以外の該第二金属膜を除去する第六工程を含む、ことを特徴とする請求項１に記載の導波管の製造方法。
【請求項３】
前記第四工程において、前記第二金属膜は、前記第二基板の一方の主面上に形成される、ことを特徴とする請求項１に記載の導波管の製造方法。
【請求項４】
前記第四工程において、前記第二金属膜は、前記第一基板の一方の主面と前記第二基板の一方の主面とを対向させた際に前記凹部と重なる領域において、該第二基板に内在して形成される、ことを特徴とする請求項１に記載の導波管の製造方法。
【請求項５】
非金属Ａからなり、一方の主面の一部に凹部を有し、該凹部の内壁面が第一金属膜によって覆われてなる第一基板と、
非金属Ｂからなり、一方の主面側が第二金属膜によって覆われてなる第二基板とを用い、
前記第一基板の一方の主面と前記第二基板の一方の主面とを対向させ、陽極接合法により互いに接合する、ことを特徴とする導波管の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ミリ波信号等による通信に用いられる導波管の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ミリ波帯を利用した数Ｇ［ｂｐｓ］の高速大容量通信が提案され、その一部は実現されつつある。特に、６０［ＧＨｚ］帯で動作する無線通信機器は、より重要性を増している。国内においては、５９［ＧＨｚ］から６６［ＧＨｚ］までの広い周波数帯域を、無免許で利用可能であることから、民生分野への普及が期待されており、安価で小型のミリ波伝送路が求められている。
【０００３】
高い周波数を有するミリ波信号等の電磁波を伝送させる導波管としては、金属の矩形導波管が用いられている。この導波管は、金属部品をねじ止めなどの方法により、接合して製造されるものである。ところが、従来の方法によって導波管を製造した場合、完全に金属部品同士を接合することができないため、導波管内において伝送される電磁波が、相対的に密着度の低い、接合部の隙間から漏洩することが問題となっている。
【０００４】
上述の問題を解決するためには、金属部品同士を隙間無く接合する必要がある。しかしながら、小型で軽量な電子部品を、大量に低コストで製造することが求められる電気民製品の分野では、実現が困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−３３６２９９号公報
【特許文献２】特開２００９−２００５９１号公報
【特許文献３】特許第３９９５９２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は以上のような点を考慮してなされたものであり、内在する電磁波が外部へ漏洩するのを防ぐことが可能な導波管の製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の請求項１に係る導波管の製造方法は、非金属Ａからなる第一基板の一方の主面において、一部に凹部を形成する第一工程と、前記第一基板の一方の主面および前記凹部の内壁面に第一金属膜を形成する第二工程と、前記第一金属膜のうち、前記凹部の内壁面以外の該第一金属膜を除去して、該第一基板を露出させる第三工程と、非金属Ｂからなる第二基板の一方の主面側に、第二金属膜を形成する第四工程と、前記第一基板の一方の主面と前記第二基板の一方の主面とを対向させ、陽極接合法により互いに接合する第五工程と、を順に含む、ことを特徴とする。
【０００８】
請求項１に係る導波管の製造方法によれば、第一基板と第二基板とが陽極接合されることによって導波管が形成される。したがって、従来のように、金属同士をねじ止めなどの方法によって接続した場合に比べて、隙間のない接合状態を実現することができ、接合部における電磁波の漏洩を防ぐことができる。
【０００９】
本発明の請求項２に係る導波管の製造方法は、請求項１において、前記第四工程と前記第五工程との間に、前記第二金属膜のうち、前記第一基板の一方の主面と前記第二基板の一方の主面とを対向させた際に、前記凹部と重なる部分以外の該第二金属膜を除去する第六工程を含む、ことを特徴とする。
【００１０】
請求項２に係る導波管の製造方法によれば、第六工程において、第二基板の一方の主面のうち、凹部と重なる部分以外の第二金属膜を除去する。そのため、第五工程において、第一基板と第二基板とが直接陽極接合される。これにより、第一基板を構成する非金属Ａの元素と、第二基板を構成する非金属Ｂの元素とが共有結合されるため、第一基板と第二基板との密着度をより高めた導波管を製造することができる。
【００１１】
本発明の請求項３に係る導波管の製造方法は、請求項１において、前記第四工程において、前記第二金属膜は、前記第二基板の一方の主面上に形成される、ことを特徴とする。
【００１２】
請求項３に係る導波管の製造方法によれば、第四工程において、第二基板の一方の主面全体に対して、一様な厚さの第二金属膜を形成した上で、不要な部分を除去する。この場合、第二金属膜は、その成膜面（第二基板の一方の主面）が平坦な形状となるため、寸法の管理が容易となる。
【００１３】
本発明の請求項４に係る導波管の製造方法は、請求項１において、前記第四工程において、前記第二金属膜は、前記第一基板の一方の主面と前記第二基板の一方の主面とを対向させた際に前記凹部と重なる領域において、該第二基板に内在して形成される、ことを特徴とする。
【００１４】
請求項４に係る導波管の製造方法によれば、第四工程において、第二基板の一方の主面のうち凹部と重なる領域において溝部を形成し、この溝部とともに第二基板の一方の主面を覆うように、第二金属膜を形成した上で、不要な部分を除去する。この場合、第四工程を経た第二基板の一方の主面は平坦となるため、第五工程において、第一基板の一方の主面に対して、より密着性を高めた接合を実現することができる。
【００１５】
本発明の請求項５に係る導波管の製造方法は、非金属Ａからなり、一方の主面の一部に凹部を有し、該凹部の内壁面が第一金属膜によって覆われてなる第一基板と、非金属Ｂからなり、一方の主面側が第二金属膜によって覆われてなる第二基板とを用い、前記第一基板の一方の主面と前記第二基板の一方の主面とを対向させ、陽極接合法により互いに接合する、ことを特徴とする。
【００１６】
請求項５に係る導波管の製造方法によれば、導波管を構成する第一基板と第二基板とが、陽極接合される。これにより、第一基板を構成する非金属Ａの元素が、第二金属膜を構成する元素と共有結合されるため、第二金属膜を介して、第一基板と第二基板との密着度を高めた導波管を製造することができる。したがって、従来のように、金属同士を溶接やねじ止めなどの方法によって接続した場合に比べて、強固な接合を実現することができ、接合部における電磁波の漏洩を防ぐことができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係る導波管の製造方法においては、導波管を構成する第一基板と第二基板とが、陽極接合されることによって導波管が形成される。したがって、従来のように、金属同士をねじ止めなどの方法によって接続した場合に比べて、隙間のない接合状態を実現することができ、接合部における電磁波の漏洩を防ぐことができる。また、第一基板を構成する非金属Ａの元素が第二金属膜を構成する金属元素と共有結合されるため、第一基板と第二基板とが強固に密着した導波管を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明における導波管の断面の構成を、模式的に示す図である。
【図２】本発明における導波管の製造方法を、段階的に説明する図である。
【図３】本発明における導波管の断面の構成を、模式的に示す図である。
【図４】本発明における導波管の製造方法を、段階的に説明する図である。
【図５】本発明における導波管の断面の構成を、模式的に示す図である。
【図６】本発明における導波管の製造方法を、段階的に説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、好適な実施形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。なお、以下に示す実施形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために、例を挙げて説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。また、以下の説明に用いる図面は、本発明の特徴を分かりやすくするために、便宜上、要部となる部分を拡大している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。
【００２０】
＜第一実施形態＞
［導波管の構成］
本発明の第一実施形態に係る導波管１００の構成について、図１を用いて説明する。図１は、導波管１００を、その軸方向に垂直な面において切断した際の断面図である。導波管１００は、非金属Ａからなる第一基板１０１、第一金属膜１０２、非金属Ｂからなる第二基板１０３、第二金属膜１０４を備えている。
【００２１】
第一基板の一方の主面１０１ａにおいて、一部の領域に凹部１０５が形成され、凹部の内壁面１０５ａを覆うように第一金属膜１０２が形成されている。第二基板の一方の主面１０３ａの全域を覆うように、第二金属膜１０４が形成されている。第一基板１０１と第二基板１０３とは、それぞれの主面１０１ａ、１０３ａ同士が互いに対向するように、第二金属膜を１０４介して接合されている。第一金属膜１０３と第二金属膜１０４とで囲まれた部分１０６は、空洞となっていてもよいし、伝送する電磁波の種類に応じた適切な誘電率を有する誘電体で満たされていてもよい。
【００２２】
非金属Ａと非金属Ｂとは、一方が絶縁性を有する非金属であって、他方が導電性を有する非金属であればよい。第一実施形態においては、第一基板１０１が、絶縁性を有する非金属Ａ（例えば、ＴＥＭＰＡＸ、ＰＹＲＥＸ（登録商標）、ＳＷ−ＹＹ、ＳＤ２等のガラス）からなるとし、第二基板１０３は、シリコンなどの導電性を有する非金属Ｂからなるとする。なお、導電性を有する非金属Ｂは、アルミニウム等の金属に置き換えてもよい。
【００２３】
第一金属膜１０２および第二金属膜１０４は、基板側から、チタン（Ｔｉ）またはクロム（Ｃｒ）からなる膜、銅（Ｃｕ）からなる膜を、順に積層してなる。ＴｉまたはＣｒからなる膜は、ミリ波帯の電磁波の表皮効果によって、基板との密着精度が損なわれない範囲において、薄いほど望ましい。例えば、Ｃｕからなる膜が３００［ｎｍ］以上である場合には、ＴｉまたはＣｒからなる膜は４０［ｎｍ］程度であることが望ましい。
【００２４】
第一実施形態に係る導波管は、シリコン、ガラス等によって構成されているため、金属によって構成される従来の導波管に比べて軽くなっている。
【００２５】
第一基板としてガラス基板を用いた場合、モノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）などを備えた半導体部品を実装する際、あるいは各種受動デバイスを形成する際に、高周波損失などの電磁的影響を小さく抑えることができる。また、第一基板としてガラス基板を用いた場合、ガラスが視認性を有するため、後続の工程において、ガラス基板に覆われた部分の検査やデザインを行いやすくなる。
【００２６】
［導波管の製造方法］
図１に示した導波管１００の製造方法について、図２を用いて説明する。図２は、導波管の製造過程における被処理体の要部断面を、製造工程の順に、段階的に示した図である。
【００２７】
まず、第一工程として、エッチングなどの化学的手法、サンドブラストなどの機械的手法を用いて、図２（ａ）に示すように、非金属Ａからなる第一基板１０１の一方の主面１０１ａにおいて、一部に凹部１０５を形成する。
【００２８】
後続の第二工程において、スパッタリング法による成膜を行う場合、金属付着効果を向上させるために、凹部の開口面１０５ｂが底面１０５ｃよりも広くなるように、凹部の側壁面１０５ｄがテーパー形状となっていることが望ましい。
【００２９】
次に、第二工程として、スパッタリング法、蒸着法などを用いて、図２（ｂ）に示すように、第一基板の一方の主面１０１ａおよび凹部の内壁面１０５ａを覆うように、第一基板１０１側から、ＴｉまたはＣｒからなる膜、Ｃｕからなる膜を、順に積層してなる第一金属膜１０２を形成する。
【００３０】
次に、第三工程として、サブトラクティブ法、リフトオフ法などを用いて、図２（ｃ）に示すように、第一金属膜１０２のうち、凹部の内壁面１０５ａを覆う部分以外の部分を除去する。
【００３１】
次に、第四工程として、スパッタリング法、蒸着法などを用いて、図２（ｄ）に示すように、非金属Ｂからなる第二基板１０３の一方の主面１０３ａを覆うように、第二基板１０３側から、ＴｉまたはＣｒからなる膜、Ｃｕからなる膜を、順に積層してなる第二金属膜１０４を形成する。
【００３２】
次に、第五工程として、陽極接合法を用いて、図２（ｅ）に示すように、第一基板の一方の主面１０１ａと第二基板の一方の主面１０３ａとが対向するように、第一基板１０１と第二基板１０３とを接合する。より詳しくは、第一基板１０１ａを、第二金属膜１０４と接触させ、２００〜５００［℃］程度に加熱しながら、第一基板１０１側を陰極、第二基板１０３側を陽極として２００〜１０００［Ｖ］の電圧を印加することにより、第二金属膜１０４を介して第二基板１０３と接合された状態とする。
【００３３】
第一〜第五工程を経ることにより、図１に示した導波管１００が得られる。上述した工程は、いずれもウェハプロセスによって行うことが可能であるため、微細加工ができ、また、同時に多数個の製造を行うことができる。
【００３４】
以上説明したように、第一実施形態に係る導波管の製造方法においては、導波管を構成する第一基板と第二基板とが、陽極接合される。これにより、第一基板を構成する非金属Ａの元素が、第二金属膜を構成する元素と共有結合されるため、第二金属膜を介して、第一基板と第二基板との密着度を高めた導波管を製造することができる。したがって、従来のように、金属同士を溶接やねじ止めなどの方法によって接続した場合に比べて、強固な接合を実現することができ、接合部における電磁波の漏洩を防ぐことができる。
【００３５】
また、第一実施形態に係る導波管の製造方法によれば、従来の方法のように、接合部の周囲にチョーク構造を設ける必要がないため、導波管全体の小型化、軽量化、低コスト化を実現することができる。
【００３６】
＜第二実施形態＞
［導波管の構成］
本発明の第二実施形態に係る導波管２００の構成について、図３を用いて説明する。図３は、導波管２００を、その軸方向に垂直な面において切断した際の断面図である。導波管２００は、第一基板２０１、第一金属膜２０２、第二基板２０３、第二金属膜２０４を備えている。
【００３７】
第一基板の一方の主面２０１ａにおいて、一部の領域に凹部２０５が形成され、凹部の内壁面２０５ａを覆うように第一金属膜２０２が形成されている。第二基板の一方の主面２０３ａのうち、凹部２０５と重なる領域を覆うように、第二金属膜２０４が形成されている。第一基板２０１と第二基板２０３とは、それぞれの主面２０１ａ、２０３ａ同士が互いに対向するように、直接接合されている。第一金属膜２０３と第二金属膜２０４とで囲まれた部分２０６は空洞となっていてもよいし、伝送する電磁波の種類に応じた適切な誘電率を有する誘電体で満たされていてもよい。
【００３８】
第一実施形態の導波管１００においては、第二金属膜１０４の形成される領域が、第二基板の一方の主面１０３ａのうち、全域となるように構成されていた。これに対し、第二実施形態の導波管２００においては、第二金属膜２０４の形成される領域が、第二基板の一方の主面２０３ａのうち、凹部２０５と重なる領域のみとなるように構成されている。第二実施形態の第二金属膜２０４以外の構成は、第一実施形態と同様である。また、第二実施形態の各構成要素については、第一実施形態と同様の部材を用いる。
【００３９】
［導波管の製造方法］
図３に示した導波管２００の製造方法について、図４を用いて説明する。図４は、導波管の製造過程における被処理体の要部断面を、製造工程の順（第一工程、第二工程、第三工程、第四工程、第六工程、第五工程）に、段階的に示した図である。
【００４０】
まず、第一工程として、エッチングなどの化学的手法、サンドブラストなどの機械的手法を用いて、図４（ａ）に示すように、非金属Ａからなる第一基板２０１の一方の主面２０１ａにおいて、一部に凹部２０５を形成する。
【００４１】
後続の第二工程において、スパッタリング法による成膜を行う場合、金属付着効果を向上させるために、凹部の開口面２０５ｂが底面２０５ｃよりも広くなるように、凹部の側壁面２０５ｄがテーパー形状となっていることが望ましい。
【００４２】
次に、第二工程として、スパッタリング法、蒸着法などを用いて、図４（ｂ）に示すように、第一基板の一方の主面２０１ａおよび凹部の内壁面２０５ａを覆うように、第一基板２０１側から、ＴｉまたはＣｒからなる膜、Ｃｕからなる膜を、順に積層してなる第一金属膜２０２を形成する。
【００４３】
次に、第三工程として、サブトラクティブ法、リフトオフ法などを用いて、図４（ｃ）に示すように、第一金属膜２０２のうち、凹部の内壁面２０５ａを覆う部分以外の部分を除去する。
【００４４】
次に、第四工程として、スパッタリング法、蒸着法などを用いて、図４（ｄ）に示すように、非金属Ｂからなる第二基板の一方の主面２０３ａを覆うように、第二基板２０３側から、ＴｉまたはＣｒからなる膜、Ｃｕからなる膜を、順に積層してなる第一金属膜２０４を形成する。
【００４５】
次に、第六工程として、サブトラクティブ法、リフトオフ法などを用いて、図４（ｃ）〜（ｅ）に示すように、第二金属膜２０４のうち、第一基板の一方の主面２０１ａと第二基板の一方の主面２０３ａとを対向させた際に、凹部２０５と重なる部分以外の部分を除去する。
【００４６】
次に、第五工程として、陽極接合法を用いて、図４（ｆ）に示すように、第一基板の一方の主面２０１ａと第二基板の一方の主面２０３ａとが対向するように、第一基板２０１と第二基板２０３とを直接接合する。より詳しくは、第一基板の一方の主面２０１ａを、第二基板の一方の主面２０３ａと接触させ、２００〜５００［℃］程度に加熱しながら、第一基板２０１側を陰極、第二基板２０３側を陽極として２００〜１０００［Ｖ］の電圧を印加することにより、第一基板２０１と第二基板２０３とを接合する。
【００４７】
以上説明したように、第二実施形態に係る導波管の製造方法においては、導波管を構成する第一基板と第二基板とが、直接、陽極接合される。これにより、第一基板を構成する非金属Ａの元素が、第二基板を構成する非金属Ｂの元素と共有結合されるため、第一基板と第二基板との密着度を高めた導波管を製造することができる。したがって、従来のように、金属同士を溶接やねじ止めなどの方法によって接続した場合に比べて、強固な接合を実現することができ、接合部における電磁波の漏洩を防ぐことができる。
【００４８】
また、第二実施形態に係る導波管の製造方法によれば、従来の方法のように、接合部の周囲にチョーク構造を設ける必要がないため、導波管全体の小型化、軽量化、低コスト化を実現することができる。
【００４９】
また、第二実施形態に係る導波管の製造方法によれば、第四工程において、第二基板の一方の主面全体に対して、一様な厚さの第二金属膜を形成した上で、不要な部分を除去する。この場合、第二金属膜は、その成膜面（第二基板の一方の主面）が平坦な形状となるため、寸法の管理が容易となる。
【００５０】
＜第三実施形態＞
［導波管の構成］
本発明の第三実施形態に係る導波管３００の構成について、図５を用いて説明する。図５は、導波管３００を、その軸方向に垂直な面において切断した際の断面図である。導波管３００は、第一基板３０１、第一金属膜３０２、第二基板３０３、第二金属膜３０４を備えている。
【００５１】
第一基板の一方の主面３０１ａにおいて、一部の領域に凹部３０５が形成され、凹部の内壁面３０５ａを覆うように第一金属膜３０２が形成されている。第二基板の一方の主面３０３ａのうち、凹部３０５と重なる領域を覆うように、第二金属膜３０４が形成されている。第一基板３０１と第二基板３０３とは、それぞれの主面３０１ａ、３０３ａ同士が互いに対向するように、直接接合されている。第一金属膜３０３と第二金属膜３０４とで囲まれた部分３０６は空洞となっていてもよいし、伝送する電磁波の種類に応じた適切な誘電率を有する誘電体で満たされていてもよい。
【００５２】
第一実施形態、第二実施形態の導波管１００、２００においては、第二金属膜１０４、２０４の形成される位置が、第二基板の一方の主面１０３ａ、２０３ａにおいて、第二基板１０３、２０３の外側となるように構成されていた。これに対し、第三実施形態の導波管３００においては、第二金属膜３０４の形成される位置が、第二基板の一方の主面３０３ａにおいて、第二基板３０３の外側となるように構成されている。第三実施形態の第二金属膜３０４以外の構成は、第一実施形態、第二実施形態と同様である。また、第三実施形態の各構成要素については、第一実施形態、第二実施形態と同様の部材を用いる。
【００５３】
［導波管の製造方法］
図５に示した導波管３００の製造方法について、図６を用いて説明する。図６は、導波管の製造過程における被処理体の要部断面を、製造工程の順（第一工程、第二工程、第三工程、第七工程、第四工程、第六工程、第五工程）に、段階的に示した図である。
【００５４】
まず、第一工程として、エッチングなどの化学的手法、サンドブラストなどの機械的手法を用いて、図６（ａ）に示すように、非金属Ａからなる第一基板３０１の一方の主面３０１ａにおいて、一部に凹部３０５Ａを形成する。
【００５５】
後続の第二工程において、スパッタリング法による成膜を行う場合、金属付着効果を向上させるために、凹部の開口面３０５ｂが底面３０５ｃよりも広くなるように、凹部の側壁面３０５ｄがテーパー形状となっていることが望ましい。
【００５６】
次に、第二工程として、スパッタリング法、蒸着法などを用いて、図６（ｂ）に示すように、第一基板の一方の主面３０１ａおよび凹部の内壁面３０５ａを覆うように、第一基板３０１側から、ＴｉまたはＣｒからなる膜、Ｃｕからなる膜を、順に積層してなる第一金属膜３０２を形成する。
【００５７】
次に、第三工程として、サブトラクティブ法、リフトオフ法などを用いて、図６（ｃ）に示すように、第一金属膜３０２のうち、凹部の内壁面３０５ａを覆う部分以外の部分を除去する。
【００５８】
次に、第七工程として、エッチングなどの化学的手法、サンドブラストなどの機械的手法を用いて、図６（ｄ）に示すように、非金属Ｂからなる第二基板３０３の一方の主面３０３ａにおいて、一部に凹部３０５Ｂを形成する。
【００５９】
次に、第四工程として、スパッタリング法、蒸着法などを用いて、図６（ｅ）に示すように、第二基板の一方の主面３０３ａを覆い、かつ凹部３０５Ｂ内を埋めるように、第二基板３０３側から、ＴｉまたはＣｒからなる膜、Ｃｕからなる膜を、順に積層してなる第一金属膜３０４を形成する。
【００６０】
次に、第六工程として、サブトラクティブ法、リフトオフ法などを用いて、図６（ｃ）、（ｅ）、（ｆ）に示すように、第二金属膜３０４のうち、凹部３０５Ｂを埋める部分以外の部分を除去する。
【００６１】
次に、第五工程として、陽極接合法を用いて、図６（ｇ）に示すように、第一基板の一方の主面３０１ａと第二基板の一方の主面３０３ａとが対向するように、第一基板３０１と第二基板３０３とを直接接合する。より詳しくは、第一基板の一方の主面３０１ａを、第二基板の一方の主面３０３ａと接触させ、２００〜５００［℃］程度に加熱しながら、第一基板３０１側を陰極、第二基板３０３側を陽極として２００〜１０００［Ｖ］の電圧を印加することにより、第一基板３０１と第二基板３０３とを接合する。
【００６２】
以上説明したように、第三実施形態に係る導波管の製造方法においては、導波管を構成する第一基板と第二基板とが、直接、陽極接合される。これにより、第一基板を構成する非金属Ａの元素が、第二基板を構成する非金属Ｂの元素と共有結合されるため、第一基板と第二基板との密着度を高めた導波管を製造することができる。したがって、従来のように、金属同士を溶接やねじ止めなどの方法によって接続した場合に比べて、強固な接合を実現することができ、接合部における電磁波の漏洩を防ぐことができる。
【００６３】
また、第二実施形態に係る導波管の製造方法によれば、従来の方法のように、接合部の周囲にチョーク構造を設ける必要がないため、導波管全体の小型化、軽量化、低コスト化を実現することができる。
【００６４】
また、第三実施形態に係る導波管の製造方法によれば、第四工程において、第二基板の一方の主面のうち凹部と重なる領域において溝部を形成し、この溝部とともに第二基板の一方の主面を覆うように、第二金属膜を形成した上で、不要な部分を除去する。この場合、第四工程を経た第二基板の一方の主面は平坦となるため、第五工程において、第一基板の一方の主面に対して、より密着性を高めた接合を実現することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明は、ミリ波帯を利用した数Ｇｂｐｓの高速大容量通信用のデバイスとして、広く適用することができる。
【符号の説明】
【００６６】
１００、２００、３００・・・導波管、１０１、２０１、３０１・・・第一基板、
１０１ａ、１０３ａ、２０１ａ、２０３ａ、３０１ａ、３０３ａ・・・主面、
１０２、２０２、３０２・・・第一金属膜、１０３、２０３、３０３・・・第二基板、
１０４、２０４、３０４・・・第二金属膜、１０５、２０５、３０５・・・凹部、
１０５ａ、２０５ａ、３０５ａ・・・内壁面、
１０５ｂ、２０５ｂ、３０５ｂ・・・開口面、
１０５ｃ、２０５ｃ、３０５ｃ・・・内壁面、
１０５ｄ、２０５ｄ、３０５ｄ・・・側壁面、１０６、２０６、３０６・・・空洞。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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