(57)【要約】【課題】導電部材から発生する電磁放射を要因とする機器の誤動作を防止する。【解決手段】半導体モジュール５０と冷却器４０とを備える構造体ＳＢと、コンデンサＣと、半導体モジュール５０とコンデンサＣとを電気的に接続するバスバーＢ（導電部材）と、半導体モジュール５０を制御する制御基板１０と、構造体ＳＢ、コンデンサＣ、バスバーＢ、制御基板１０を内部に収納するケース６０とを備える電力変換装置１において、構造体ＳＢと冷却器４０の冷却部位４１とは、制御基板１０から見て同一方向、かつ、横並びに配置され、導電部材（バスバーＢや端子Ｃｔ）と制御基板１０との間には、導電部材からの電磁放射を遮断する遮断部２１が配置される。この構成によれば、制御基板１０との間に備える遮断部２１は導電部材からの電磁放射を遮断するので、電磁放射を要因とする制御基板１０の誤動作を防止することができる。【選択図】図１
2014011943.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体モジュールと冷却器とを備える構造体と、電子部品と、前記半導体モジュールと前記電子部品とを電気的に接続する導電部材と、前記半導体モジュールを制御する制御基板と、前記構造体、前記電子部品、前記導電部材、前記制御基板を内部に収納するケースとを備える電力変換装置において、
前記構造体と前記電子部品とは、前記制御基板から見て同一方向、かつ、横並びに配置され、
前記導電部材と前記制御基板との間には、前記導電部材からの電磁放射を遮断する遮断部（２１，２３）が配置されることを特徴とする電力変換装置。
【請求項２】
前記遮断部は、前記構造体と前記電子部品との間に配置されることを特徴とする請求項１に記載の電力変換装置。
【請求項３】
前記遮断部は、前記構造体と前記電子部品との間を仕切る仕切部材（２２）に形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の電力変換装置。
【請求項４】
前記仕切部材は、前記ケースに収納されるフレーム（２０）に形成されることを特徴とする請求項３に記載の電力変換装置。
【請求項５】
前記構造体は、前記半導体モジュールと前記冷却部位を交互に積層した積層体であり、
前記積層体の積層方向における一方の端部側に前記電子部品が配置され、
前記仕切部材と前記積層体との間に配置され、少なくとも前記積層体を加圧する加圧部材（３０）を有することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電力変換装置。
【請求項６】
前記加圧部材は、前記フレームに固定されることを特徴とする請求項４または５に記載の電力変換装置。
【請求項７】
前記フレームは、前記ケースに固定されることを特徴とする請求項４から６のいずれか一項に記載の電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、構造体、電子部品、導電部材、ケースを備える電力変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来では、発熱部品から発生した熱を冷却接続管へ効果的に逃がすことができると共に、冷却接続管を固定する部品を少なくすることを目的とする電力変換装置に関する技術の一例が開示されている（例えば特許文献１を参照）。この電力変換装置のリアクトルレスインバータでは、リアクトルレスによるデッドスペースにコンデンサを配置させ、半導体モジュールとコンデンサが同一平面上に配置された構成を提案している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１２４５２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、コンデンサと半導体モジュールの上部には、制御基板が配置され、コンデンサと半導体モジュールを繋ぐバスバ締結部からの電磁放射ノイズの伝播による基板誤動作が懸念される。
【０００５】
本発明はこのような点に鑑みてなしたものであり、電磁放射源である導電部材から発生する電磁放射を要因とする機器の誤動作を防止できる電力変換装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するためになされた発明は、半導体モジュールと冷却器とを備える構造体と、コンデンサと、前記半導体モジュールと前記コンデンサとを電気的に接続する導電部材と、前記半導体モジュールを制御する制御基板と、前記構造体、前記コンデンサ、前記バスバー、前記制御基板を内部に収納するケースとを備える電力変換装置において、前記構造体と前記冷却器とは、前記制御基板から見て同一方向、かつ、横並びに配置され、前記導電部材と前記制御基板との間には、前記導電部材からの電磁放射（電磁波）を遮断する遮断部（２１）が配置されることを特徴とする。
【０００７】
この構成によれば、制御基板との間に備える遮断部は、導電部材からの電磁放射を遮断する。よって、電磁放射を要因とする制御基板の誤動作を防止することができる。
【０００８】
なお「半導体モジュール」は、制御基板から出力される信号に基づいて制御される半導体部品（例えばスイッチング素子，半導体ダイオード，ＩＣ，ＬＳＩ等）のみで構成してもよく、半導体部品と非半導体部品（例えば抵抗器，コイル，コンデンサ等）とを組み合わせて構成してもよい。「構造体」の構成は、冷却器によって半導体モジュールを冷却する構造であれば任意である。「コンデンサ」は、一部または全部をキャパシタで代用してもよい。「導電部材」は電気的に接続できる部材であれば任意であり、例えばバスバーや銅線等を含む。「制御基板」は制御対象を制御可能に構成され、半導体部品および非半導体部品のうちで一方または双方を備える。制御対象は構造体に含まれる半導体モジュールであるが、他の制御対象（例えば構造体に含まれない半導体モジュールや、ＥＣＵ等の制御装置など）を含めてもよい。「遮断」には遮蔽を含む。
【０００９】
第２の発明は、前記遮断部は前記構造体と前記電子部品との間に配置されることを特徴とする。この構成によれば、導電部材からの電磁放射を遮断して、制御基板の誤動作をより確実に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】電力変換装置の第１構成例を模式的に示す垂直断面図である。
【図２】電力変換装置の第１構成例を模式的に示す水平断面図である。
【図３】遮断部の配置例を模式的に示す平面図である。
【図４】電力変換装置の回路構成例を示す模式図である。
【図５】ケースを含む第１構成例を模式的に示す垂直断面図である。
【図６】電力変換装置の第２構成例を模式的に示す垂直断面図である。
【図７】電力変換装置の第３構成例を模式的に示す垂直断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明を実施するための形態について、図面に基づいて説明する。なお、特に明示しない限り、「接続する」という場合には電気的に接続することを意味する。各図は、本発明を説明するために必要な要素を図示し、実際の全要素を図示しているとは限らない。上下左右等の方向を言う場合には、図面の記載を基準とする。「端子」には、リード、電極、ピン等を適用してもよい。「電子部品」は電気部品とも呼ぶ。
【００１２】
本形態は図１〜図６を参照しながら説明する。図１は図２に示すＩ−Ｉ線の断面図を示す。図２は図１に示すII−II線の断面図を示す。図３は図１に示す矢印Ｄ１方向から見た部分平面図を示す。図４は図１に示すIV−IV線の断面図を示す。図１および図２に示す電力変換装置１は、制御基板１０，加圧部材３０，冷却器４０，半導体モジュール５０，ケース６０，コンデンサＣ，バスバーＢなどを有する。具体的にはケース６０の内部に、構造体ＳＢ，コンデンサＣ，バスバーＢ，制御基板１０などを収納する。図１および図２では遮断部２１の構成を分かり易くするためにケース６０を図示しないが、当該ケース６０の構成例については後述する（図４を参照）。
【００１３】
制御基板１０は、ＥＣＵ８０（外部装置；図５を参照）から伝達されるトルク指令値Ｔ*や回転指令値Ｎ*などの指令に基づいて、制御対象の作動を制御する機能を担う。制御対象は、例えば一以上の半導体モジュール５０に備えるスイッチング素子や、他のＥＣＵ、他の制御装置等が該当する。制御基板１０は主にプリント基板であり、半導体素子１１や所要の実装部品を有する。半導体素子１１は、集積回路（例えばゲート回路，ＩＣ，ＬＳＩ等）やワンチップマイコン等が該当する。所要の実装部品は、例えば抵抗器，コンデンサ，コイル，ダイオード等が該当する。本形態では、フレーム２０の片側端部に制御基板１０を配置する。なお制御基板１０の形態は任意であり、構造（片面基板，両面基板，多層基板等）や、実装法（エッチングレジスト，ソルダーレジスト，永久レジスト，層間接続，スルーホール実装，表面実装等）などを問わない。
【００１４】
フレーム２０は所定形状の構造物であって、コンデンサＣや構造体ＳＢなどを収納する機能を担う。通電に伴って発生する電磁放射（電磁波）を遮断する材料（例えば金属や導電性樹脂等）で形成される。このフレーム２０は、例えば遮断部２１，仕切部材２２，固定部２３，支持部２４などを有する。遮断部２１や仕切部材２２などについては図１と図２に示す。固定部２３や支持部２４などについては図４に示す。
【００１５】
遮断部２１は、後述するバスバーＢや端子Ｃｔへの通電に伴って発生する電磁放射（電磁波）を遮断する機能を担う。そのため、遮断部２１は制御基板１０と導電部材（バスバーＢや端子Ｃｔ）との間に配置される。特に、制御基板１０に備える半導体素子１１に対応する部位に遮断部２１を配置するとよい。言い換えれば、通電に伴って上記導電部材から発生する電磁放射を遮断する位置に配置する。仕切部材２２は、後述する構造体ＳＢ（冷却器４０および半導体モジュール５０）とコンデンサＣとを仕切る機能を担う。遮断部２１および仕切部材２２について、本形態ではそれぞれ平板形状に形成してＬ字状に一体化し、さらにフレーム２０の一部として形成（一体化）する。
【００１６】
遮断部２１は仕切部材２２に対してリブのように作用するので、仕切部材２２の剛性を高めることができる。仕切部材２２の剛性を一定とする場合には、図６に示すように仕切部材２２の厚みを薄くすることができる。よって、図６に示すフレーム２０の幅Ｌ２は、図１に示す幅Ｌ１よりも小さい（Ｌ２＜Ｌ１）。
【００１７】
加圧部材３０は、仕切部材２２と後述する積層体との間に配置されて加圧する部材である。具体的には、板バネ、つるまきバネ、ゴム（樹脂）などを用いる。少なくとも積層体を加圧すればよく（図１の矢印Ｄ３を参照）、反作用で仕切部材２２を加圧してもよい（図１の矢印Ｄ２を参照）。積層体は加圧部材３０で加圧されると、半導体モジュール５０と冷却部位４１との接触が密接になって冷却効率が高まる。また、フレーム２０内における冷却器４０の位置が固定化されて安定する。
【００１８】
冷却器４０は、通電に伴って発熱する半導体モジュール５０を冷却する機能を担う。この冷却器４０は、半導体モジュール５０を冷却する部位である冷却部位４１や、後述する流体が入出流する管路４２などを有する。半導体モジュール５０の数をｎ（ｎ≧１で任意）と仮定すれば、冷却部位４１の数は（ｎ＋１）である。半導体モジュール５０と冷却部位４１は交互に積層するので、「積層体」に相当する。本形態では、半導体モジュール５０の数を「６」とし、冷却部位４１の数を「７」とする。
【００１９】
流体には、例えば自然流体（空気，水，アンモニア等）、不凍液（エチレングリコールを混入した水等）、冷媒（フロリナート等のフッ化炭素冷媒や、メタノール等のアルコール系冷媒、アセトン等のケトン系冷媒など）などが該当する。図２では、流体を流す方向の一例を矢印Ｄ４と矢印Ｄ５で示す。なお周囲環境に応じて半導体モジュール５０の温度が低いとき、冷却部位４１や管路４２に流す流体の温度によっては、半導体モジュール５０を加熱（加温）することができる。
【００２０】
半導体モジュール５０は、スイッチング素子や還流用のダイオード等を予め接続した部品（パッケージ）であって、接続用の端子を有する（図１〜図５を参照）。必要に応じて、スイッチング素子を駆動するための駆動回路を含めてもよい。本形態では、６つの半導体モジュール５０をフレーム２０の所定部位に収納する。すなわち三相（例えばＵ相，Ｖ相，Ｗ相）で電力変換を行い、回転電機７０に出力する（図５を参照）。本形態の回転電機７０には、電動機と発電機の機能を持ち合わせる電動発電機（図５では「ＭＧ」で示す）を適用する。半導体モジュール５０と冷却器４０とは「構造体ＳＢ」に相当する。
【００２１】
コンデンサＣは「電子部品」に相当し、電圧変動（脈動）を抑制して電圧を安定化する機能を担う。本形態では、コンデンサＣを上記積層体の積層方向における一方の端部側（図１と図２では左側）に配置する。バスバーＢは、コンデンサＣ（具体的にはコンデンサＣの端子Ｃｔ）と半導体モジュール５０との接続に用いる。バスバーＢや端子Ｃｔは「導電部材」に相当する。
【００２２】
上述したコンデンサＣと構造体ＳＢ（すなわち半導体モジュール５０および冷却器４０）は、制御基板１０から見て同一方向、かつ、横並びに配置される（図２および図３を参照）。コンデンサＣと構造体ＳＢとの間には、コンデンサＣの端子ＣｔとバスバーＢとの接続（接合や固定等）を行うための空間を確保する必要がある。接合による接続は、接合機（例えば超音波溶接機やスポット溶接機等）や、ハンダ付け機などにより行う。固定による接続は、固定部材（例えばボルトやネジ等のような締結部材）を用いて行う。この空間ではバスバーＢや端子Ｃｔへの通電に伴って電磁放射が発生するものの、図３に示すように当該電磁放射を遮断するように遮断部２１を配置する。言い換えれば、バスバーＢや端子Ｃｔ等の導電部材から発生する電磁放射は、フレーム２０の一部分、遮断部２１、仕切部材２２、コンデンサＣ、ケース６０の一部分で囲まれる空間内に封じ込められる。
【００２３】
図４に示すケース６０は、制御基板１０、フレーム２０、冷却器４０、半導体モジュール５０、コンデンサＣ、バスバーＢなどを内部に収納する機能を担う。電磁放射による内外への影響を抑制するために、電磁放射を吸収しやすい材料（金属等）で形成される。ケース６０の形態は任意であるが、本形態では蓋体６１とケース本体６２とで構成する。蓋体６１とケース本体６２との接触面はシールするとよい。
【００２４】
ケース本体６２は一面が開口する箱状の部材であり、開口部を蓋体６１で閉塞する。閉塞方法は任意であるが、本形態では固定部材６３（例えばボルトとナット等）で固定することで閉塞する。ケース本体６２は、フレーム２０を固定するための台座部６２ａ，６２ｂなどを有する。フレーム２０は、固定部２３や支持部２４などを有する。固定部２３には制御基板１０を固定し、支持部２４には端子台６５を固定する。バスバーＢは、アッセンブリ６４を介して固定される。アッセンブリ６４はフレーム２０に固定される。
【００２５】
上述のように構成された電力変換装置１は、図５の回路図に示すような接続が行われる。電力変換装置１は、電力源Ｅｂ（例えばバッテリや燃料電池等）から供給される電力を変換して回転電機７０に出力する機能を担う。６つの半導体モジュール５０に含まれるスイッチング素子（Ｑ）およびダイオード（Ｄ）については区別し易くするために「１」から「６」までの添字符号（番号）を付加している。６つの半導体モジュール５０は、相（Ｕ相，Ｖ相，Ｗ相）ごとに２つずつ用いられる。
【００２６】
Ｕ相は、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ４やダイオードＤ１，Ｄ４などで構成される。Ｖ相は、スイッチング素子Ｑ２，Ｑ５やダイオードＤ２，Ｄ５などで構成される。Ｗ相は、スイッチング素子Ｑ３，Ｑ６やダイオードＤ３，Ｄ６などで構成される。Ｕ相のスイッチング素子Ｑ１，Ｑ４、Ｖ相のスイッチング素子Ｑ２，Ｑ５、Ｗ相のスイッチング素子Ｑ３，Ｑ６は、それぞれ直列接続されてハーフブリッジを構成する。ハーフブリッジの各接続点と回転電機７０とは、接続線によって相ごとに接続される。ダイオードＤ１〜Ｄ６は、それぞれ対応するスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ６の入力端子（例えばドレイン端子等）と出力端子（例えばソース端子等）との間に並列接続される。これらのダイオードＤ１〜Ｄ６は、いずれもフリーホイールダイオードとして機能する。制御基板１０は、対応するスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ６の制御端子（例えばゲート端子等）に制御信号Ｓｃを出力する。この制御信号ＳｃにはＰＷＭ（パルス幅変調）信号等を含む。
【００２７】
一方のバスバーＢは、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３の各入力端子とコンデンサＣ（例えばプラス側の端子Ｃｔ）との接続に用いられる。他方のバスバーＢは、スイッチング素子Ｑ４，Ｑ５，Ｑ６の各出力端子とコンデンサＣ（例えばマイナス側の端子Ｃｔ）との接続に用いられる。バスバーＢや端子Ｃｔへの通電に伴って発生する電磁放射は、遮断部２１や仕切部材２２によって遮蔽される。
【００２８】
上述した実施の形態によれば、以下に示す各効果を得ることができる。
【００２９】
（１）電力変換装置１において、構造体ＳＢとコンデンサＣとは、制御基板１０から見て同一方向、かつ、横並びに配置され、バスバーＢ（導電部材）と制御基板１０との間には、バスバーＢからの電磁放射を遮断する遮断部２１が配置される構成とした（図１，図２を参照）。この構成によれば、制御基板１０との間に備える遮断部２１は、バスバーＢからの電磁放射を遮断する。よって、電磁放射を要因とする制御基板１０（特に半導体素子１１のような制御素子）の誤動作を防止することができる。
【００３０】
（２）遮断部２１は、構造体ＳＢとコンデンサＣ（電子部品）との間に配置される構成とした（図１，図２を参照）。構造体ＳＢとコンデンサＣとの間には、コンデンサＣの端子ＣｔとバスバーＢとの接続（接合）を行うための空間を確保する必要がある。この構成によれば、当該空間に遮断部２１が配置されるので、バスバーＢからの電磁放射を遮断して、制御基板１０の誤動作をより確実に防止することができる。
【００３１】
（３）遮断部２１は、構造体ＳＢとコンデンサＣとの間を仕切る仕切部材２２に形成される構成とした（図１，図２を参照）。この構成によれば、遮断部２１は仕切部材２２のリブとして作用するので、仕切部材２２の剛性を高めることができる。剛性が一定ならば仕切部材２２の厚みを薄くすることができ、フレーム２０（ひいては電力変換装置１全体）の体格を小さく抑えることができる。
【００３２】
（４）仕切部材２２は、ケース６０に収納されるフレーム２０に形成される構成とした（図１，図２を参照）。この構成によれば、仕切部材２２はフレーム２０の一部であり、当該フレーム２０の橋梁のように形成されるので、フレーム２０全体の剛性を高めることができる。剛性が一定ならば２２を含めたフレーム２０の厚みを薄くすることができ、電力変換装置１全体の体格を小さく抑えることができる。
【００３３】
（５）構造体ＳＢは、半導体モジュール５０と冷却部位４１を交互に積層した積層体であり、積層体の積層方向における一方の端部側にコンデンサＣが配置され、仕切部材２２と積層体との間に配置され、少なくとも積層体を加圧する加圧部材３０を有する構成とした（図１，図２を参照）。この構成によれば、加圧部材３０は積層体を加圧して、半導体モジュール５０と冷却部位４１との接触を密接にして冷却効率を高めることができる。
【００３４】
（６）加圧部材３０は、フレーム２０に固定される構成とした（図１，図２を参照）。この構成によれば、積層体や遮断部２１への加圧を確実に行うことができる。
【００３５】
（７）フレーム２０は、ケース６０に固定される構成とした（図４を参照）。この構成によれば、フレーム２０がケース６０に固定されることで、遮断部２１や仕切部材２２の剛性を高めることができる。
【００３６】
〔他の実施の形態〕
以上では本発明を実施するための形態について説明したが、本発明は当該形態に何ら限定されるものではない。言い換えれば、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において、種々なる形態で実施することもできる。例えば、次に示す各形態を実現してもよい。
【００３７】
上述した実施の形態では、遮断部２１および仕切部材２２について、本形態ではそれぞれ平板形状に形成してＬ字状に一体化し、さらにフレーム２０の一部として形成する構成とした（図１，図２，図３，図５，図６を参照）。この形態に代えて、図７に示すように遮断部２１をフレーム２０の壁面まで延伸する構成としてもよい。Ｌ字状以外の形状（例えばＪ字状やコ字状等）で一体化してもよい。遮断部２１および仕切部材２２のうちで一方または双方の形状を、平板形状以外の非平板形状（例えば湾曲形状を含む曲面形状や、凹凸形状等）に形成する構成としてもよい。遮断部２１と仕切部材２２とを別体に形成してもよい。遮断部２１および仕切部材２２のうちで一方または双方を、フレーム２０とは別体に形成してもよい。遮断部２１を制御基板１０（半導体素子１１とは反対側の面）に固定する構成としてもよい。いずれの構成にせよ、遮断部２１は導電部材と制御基板１０との間に備えられるので、上述した実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００３８】
上述した実施の形態では、コンデンサＣ（端子Ｃｔ）と半導体モジュール５０との接続に用いる導電部材として、バスバーＢを用いる構成とした（図１，図２，図３，図５，図６を参照）。この形態に代えて、電気伝導率（導電率）の高い材料で形成される導線（銅線やアルミニウム線等）を用いてもよい。いずれも電気伝導体であり、通電に伴って電磁放射が発生する。この電磁放射は遮断部２１によって遮断されるので、上述した実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００３９】
上述した実施の形態では、遮断部２１はバスバーＢや端子Ｃｔ（導電部材）と制御基板１０との間に配置する構成とした（図１，図２を参照）。この形態に代えて、構造体ＳＢとコンデンサＣ（電子部品）との間であって、バスバーＢや端子Ｃｔの一部または全部を覆うように配置する構成としてもよい。バスバーＢや端子Ｃｔを「覆う」形態は任意である。すなわち、制御基板１０に対する電磁放射の伝播が不能（誤動作しない程度の低減を含む）であれば、材料・形状・構造等を問わない。この構成であっても、電磁放射を要因とする制御基板１０（特に半導体素子１１のような制御素子）の誤動作を防止できる。
【００４０】
上述した実施の形態では、電圧変動（脈動）を抑制して電圧を安定化する部品としてコンデンサＣを用いる構成とした（図１，図２，図３，図５，図６を参照）。この形態に代えて、コンデンサＣの一部または全部をキャパシタで代用してもよい。キャパシタを用いても電圧変動を抑制して電圧を安定化することができるので、上述した実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００４１】
上述した実施の形態では、フレーム２０（ケース６０）に収納する電子部品として、コンデンサＣを適用する構成とした（図１，図２，図３，図５，図６を参照）。この形態に代えて（あるいは併用して）、リアクトル（コイル）を適用する構成としてもよい。体格が大きく、バスバーＢとの接続は構造体ＳＢとの間で行う点は、上述した実施の形態と同じである。よって、上述した実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００４２】
上述した実施の形態では、フレーム２０とケース６０とを別体で形成する構成とした（図１，図２，図３，図５，図６を参照）。この形態に代えて、フレーム２０とケース６０とを一体成形する構成としてもよい。例えば、図４に示すフレーム２０とケース本体６２とを一体成形する。すなわち、ケース本体６２に対して、フレーム２０の一部または全部を一体成形する。部品点数が少なくなって電力変換装置１の製造工程を簡略化できるとともに、上述した実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００４３】
上述した実施の形態では、半導体モジュール５０はスイッチング素子と半導体ダイオードのみで構成した（図５を参照）。この形態に代えて、半導体部品（例えばスイッチング素子，半導体ダイオード，ＩＣ，ＬＳＩ等）と非半導体部品（例えば抵抗器，コイル，コンデンサ等）とを組み合わせて構成してもよい。半導体部品と非半導体部品とを組み合わせた半導体モジュールであっても電力変換を行えるので、上述した実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００４４】
上述した実施の形態では、半導体モジュール５０に含まれるスイッチング素子を制御対象として制御基板１０を用いる構成とした（図１，図２，図３，図５，図６を参照）。この形態に代えて、他の制御対象（例えば構造体に含まれない半導体モジュールや、ＥＣＵ等の制御装置など）を含めてもよい。バスバーＢや端子Ｃｔ（導電部材）と制御基板１０との間に遮断部２１を配置するので、バスバーＢや端子Ｃｔからの電磁放射を遮断する。よって、上述した実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００４５】
上述した実施の形態では、電磁放射源であるバスバーＢや端子Ｃｔ（導電部材）から発生する電磁放射の影響を受け得る機器として、制御基板１０を適用する構成とした（図１，図２，図３，図５，図６を参照）。この形態に代えて、ケース６０に収納可能な他の機器を適用する構成としてもよい。他の機器は、例えばワンチップマイコン、半導体モジュール、制御機器などが該当する。他の機器を適用する構成であっても、バスバーＢや端子Ｃｔからの電磁放射を遮断部２１が遮断する。よって、上述した実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００４６】
上述した実施の形態では、制御基板１０が指令を受ける外部装置として、ＥＣＵ８０を適用する構成とした（図４を参照）。この形態に代えて、ＥＣＵ以外の他の制御装置を適用する構成としてもよい。他の制御装置は、例えばコンピュータや、制御基板１０と通信（有線・無線を問わない）可能に接続される通信機器（制御機器）などが該当する。指令を出力する外部装置が相違するに過ぎないので、上述した実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００４７】
上述した実施の形態では、電力変換装置１の出力対象を回転電機７０としたが（図５を参照）、電動機や電力系統等を出力対象としてもよい。また図５の回路構成では、複数（６つ）の半導体モジュール５０によってインバータを構成したが、さらに一以上の半導体モジュール５０を追加してコンバータを備える構成としてもよい。一以上の半導体モジュール５０からなるコンバータのみを備える構成としてもよい。単に出力対象や回路構成が相違するに過ぎないので、上述した実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００４８】
上述した実施の形態では、半導体モジュール５０を冷却するにあたって流体を流す冷却器４０を備える構成とした（図１，図２，図３，図５，図６を参照）。この形態に代えて（あるいは併用して）、他の冷却器（例えば空冷を行う冷却フィンを有する冷却器等）を備える構成としてもよい。冷却方法の相違に過ぎないので、上述した実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００４９】
１  電力変換装置
１０  制御基板
２０  フレーム
２１  遮断部
２２  仕切部材
４０  冷却器（構造体）
４１  冷却部位
５０  半導体モジュール（構造体）
６０  ケース
Ｂ  バスバー（導電部材）
Ｃ  コンデンサ（電子部品）
Ｃｔ  端子（導電部材）
【図１】
2014011943.tif 000003
【図２】
2014011943.tif 000004
【図３】
2014011943.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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