(57)【要約】      （修正有）【課題】支持体の切断前後において同一の製造装置を使用可能な配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】支持基板１１０上に接着された剥離層１２０、及び剥離層を覆うように支持基板の外縁部と接着された金属層１９０、２１０、を備えた支持体を準備する工程と、支持体の金属層上に、所定数の絶縁層１２、１４、１６及び配線層１３、１５が積層された第１積層体を作製する工程と、支持基板の外縁部上に位置する金属層及び第１積層体を切断し、剥離層から剥離して、第１積層体が形成された配線部材を作製する工程と、配線部材の側面を囲むように枠部１００ｙを配置し、枠部を含めた配線部材の平面形状の大きさを切断前の支持体の平面形状の大きさと一致させる工程と、配線部材及び枠部の両面に、所定数の絶縁層１８及び配線層１９が積層された第２積層体を作製する工程と、枠部、及び枠部上に位置する第２積層体を切断して除去する工程と、を有する。【選択図】図６
2014075549.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板、支持基板上の外縁部を除く所定領域に接着された剥離層、及び前記剥離層よりも平面形状が大きく前記剥離層を覆うように前記支持基板上に配置されて前記支持基板の外縁部と接着された金属層、を備えた支持体を準備する工程と、
前記支持体の前記金属層上に、所定数の絶縁層及び配線層が積層された第１積層体を作製する工程と、
前記支持基板の外縁部、並びに前記支持基板の外縁部上に位置する前記金属層及び前記第１積層体を切断し、前記金属層を前記剥離層から剥離し、前記金属層上に前記第１積層体が形成された配線部材を作製する工程と、
前記配線部材の側面を囲むように枠部を配置し、前記枠部を含めた前記配線部材の平面形状の大きさを切断前の前記支持体の平面形状の大きさと一致させる工程と、
前記配線部材及び前記枠部の両面に、所定数の絶縁層及び配線層が積層された第２積層体を作製する工程と、
前記枠部、及び前記枠部上に位置する前記第２積層体を切断して除去する工程と、を有する配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記枠部は、前記配線部材を作製する工程で外縁部が切断され、前記金属層が剥離された後の前記支持体から作製される請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記枠部の内側面には凹部が形成され、
前記配線部材の側面に前記枠部を配置する際に、前記凹部が前記配線部材の側面に形成された凸部と嵌合する請求項１又は２記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記凹部の平面形状は楔型である請求項３記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記配線部材の平面形状は矩形状であり、
前記枠部は、平面形状がＬ字型の４個の枠部形成用部材を含み、
各々の前記枠部形成用部材を、各々の前記枠部形成用部材の内側面が前記配線部材の隣接する側面に接するように配置して前記枠部を形成する請求項１乃至４の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記枠部の前記第２積層体の前記絶縁層が形成される面に粗化面を形成する工程を有する請求項１乃至５の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記配線部材を作製する工程の後、前記金属層をパターニングする工程を有する請求項１乃至６の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記配線部材を作製する工程の後、前記金属層を除去する工程を有する請求項１乃至６の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記支持体を準備する工程と前記第１積層体を作製する工程との間に、前記支持体の前記金属層上にエッチング停止層及び第１配線層を順次積層する工程を有し、
前記第１積層体を作製する工程は、前記支持体の前記金属層上に、前記エッチング停止層及び前記第１配線層を覆うように第１絶縁層を積層する工程を含み、
前記金属層を除去する工程の後に、前記エッチング停止層を除去して前記第１配線層を前記第１絶縁層の所定面から露出する工程を有する請求項８記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第２積層体の一方の側の最外絶縁層上に一方の側の最外配線層を覆うように第１ソルダーレジスト層を形成し、前記第２積層体の他方の側の最外絶縁層上に他方の側の最外配線層を覆うように第２ソルダーレジスト層を形成する工程を有する請求項１乃至９の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、支持体上に所定数の絶縁層及び配線層を積層し、その後、支持体を除去する配線基板の製造方法が知られている。この配線基板の製造方法では、例えば、接着剤層の両面に接着剤層より小さい金属剥離層を設置し、金属剥離層の外側の両面に金属剥離層よりも大きい金属支持層を重ねて加熱・加圧することで両面の金属支持層の外周接着部分を接着剤層で接着した支持体を用いる。
【０００３】
そして、支持体上に所定数の絶縁層及び配線層を積層後、支持体の金属支持層の外周接着部分を切断することで支持体から金属支持層付き基板を分離し、金属支持層付き基板から金属支持層を除去することで配線板中間体を形成する。更に、配線板中間体上に所定数の絶縁層及び配線層を積層する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−８８４２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記配線基板の製造方法では、配線板中間体の平面形状が切断前の支持体の平面形状よりも小さくなるため、支持体の切断前と切断後で別々の製造装置を準備する必要があった。
【０００６】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、支持体の切断前後において同一の製造装置を使用可能な配線基板の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本配線基板の製造方法は、支持基板、支持基板上の外縁部を除く所定領域に接着された剥離層、及び前記剥離層よりも平面形状が大きく前記剥離層を覆うように前記支持基板上に配置されて前記支持基板の外縁部と接着された金属層、を備えた支持体を準備する工程と、前記支持体の前記金属層上に、所定数の絶縁層及び配線層が積層された第１積層体を作製する工程と、前記支持基板の外縁部、並びに前記支持基板の外縁部上に位置する前記金属層及び前記第１積層体を切断し、前記金属層を前記剥離層から剥離し、前記金属層上に前記第１積層体が形成された配線部材を作製する工程と、前記配線部材の側面を囲むように枠部を配置し、前記枠部を含めた前記配線部材の平面形状の大きさを切断前の前記支持体の平面形状の大きさと一致させる工程と、前記配線部材及び前記枠部の両面に、所定数の絶縁層及び配線層が積層された第２積層体を作製する工程と、前記枠部、及び前記枠部上に位置する前記第２積層体を切断して除去する工程と、を有することを要件とする。
【発明の効果】
【０００８】
開示の技術によれば、支持体の切断前後において同一の製造装置を使用可能な配線基板の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。
【図２】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。
【図３】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。
【図４】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。
【図５】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その４）である。
【図６】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その５）である。
【図７】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その６）である。
【図８】第２の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。
【図９】第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。
【図１０】第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。
【図１１】第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。
【図１２】第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その４）である。
【図１３】第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その５）である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【００１１】
〈第１の実施の形態〉
［第１の実施の形態に係る配線基板の構造］
まず、第１の実施の形態に係る配線基板の構造について説明する。図１は、第１の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。
【００１２】
図１を参照するに、配線基板１０は、配線層１１、絶縁層１２、配線層１３、絶縁層１４、配線層１５、絶縁層１６、配線層１７、絶縁層１８、配線層１９、絶縁層２０、配線層２１、ソルダーレジスト層２２及び２３を有する。配線基板１０は、コアレスのビルドアップ配線基板である。
【００１３】
なお、図１では、便宜上、ソルダーレジスト層２２側を上、ソルダーレジスト層２３側を下とする。例えば絶縁層１２の絶縁層１４と接する面は上面であり、絶縁層１２の絶縁層２０と接する面は下面である。
【００１４】
配線基板１０において、配線層１１は、絶縁層１２の下面に形成されている。配線層１１は、例えば、銅（Ｃｕ）等から形成することができる。配線層１１の厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。絶縁層１２は、配線層１１の上面に形成されている。絶縁層１２の材料としては、例えばエポキシ系樹脂を主成分とする熱硬化性の絶縁性樹脂等を用いることができる。絶縁層１２の厚さは、例えば１５〜７０μｍ程度とすることができる。絶縁層１２は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。
【００１５】
配線層１３は、絶縁層１２を貫通し配線層１１の上面を露出するビアホール１２ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１２の上面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール１２ｘは、絶縁層１４側に開口されている開口部の径が配線層１１の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大となる逆円錐台状の凹部とされている。ビアホール１２ｘの開口部の径は、例えば５０μｍ程度とすることができる。
【００１６】
配線層１３は、ビアホール１２ｘの底部に露出した配線層１１と電気的に接続されている。配線層１３の材料は、例えば、配線層１１と同様とすることができる。配線層１３を構成する配線パターンの厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。
【００１７】
絶縁層１４は、絶縁層１２の上面に、配線層１３を覆うように形成されている。絶縁層１４の材料や厚さは、例えば、絶縁層１２と同様とすることができる。絶縁層１４は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。
【００１８】
配線層１５は、絶縁層１４を貫通し配線層１３の上面を露出するビアホール１４ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１４の上面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール１４ｘは、絶縁層１６側に開口されている開口部の径が配線層１３の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大となる逆円錐台状の凹部とされている。ビアホール１４ｘの開口部の径は、例えば５０μｍ程度とすることができる。
【００１９】
配線層１５は、ビアホール１４ｘの底部に露出した配線層１３と電気的に接続されている。配線層１５の材料は、例えば、配線層１１と同様とすることができる。配線層１５を構成する配線パターンの厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。
【００２０】
絶縁層１６は、絶縁層１４の上面に、配線層１５を覆うように形成されている。絶縁層１６の材料や厚さは、例えば、絶縁層１２と同様とすることができる。絶縁層１６は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。
【００２１】
配線層１７は、絶縁層１６を貫通し配線層１５の上面を露出するビアホール１６ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１６の上面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール１６ｘは、絶縁層１８側に開口されている開口部の径が配線層１５の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大となる逆円錐台状の凹部とされている。ビアホール１６ｘの開口部の径は、例えば５０μｍ程度とすることができる。
【００２２】
配線層１７は、ビアホール１６ｘの底部に露出した配線層１５と電気的に接続されている。配線層１７の材料は、例えば、配線層１１と同様とすることができる。配線層１７を構成する配線パターンの厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。
【００２３】
絶縁層１８は、絶縁層１６の上面に、配線層１７を覆うように形成されている。絶縁層１８の材料や厚さは、例えば、絶縁層１２と同様とすることができる。絶縁層１８は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。
【００２４】
配線層１９は、絶縁層１８を貫通し配線層１７の上面を露出するビアホール１８ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１８の上面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール１８ｘは、ソルダーレジスト層２２側に開口されている開口部の径が配線層１７の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大となる逆円錐台状の凹部とされている。ビアホール１８ｘの開口部の径は、例えば５０μｍ程度とすることができる。
【００２５】
配線層１９は、ビアホール１８ｘの底部に露出した配線層１７と電気的に接続されている。配線層１９の材料は、例えば、配線層１１と同様とすることができる。配線層１９を構成する配線パターンの厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。
【００２６】
ソルダーレジスト層２２は、絶縁層１８の上面に、配線層１９を覆うように形成されている。ソルダーレジスト層２２は開口部２２ｘを有し、開口部２２ｘの底部には配線層１９の一部が露出している。開口部２２ｘの底部に露出する配線層１９は、例えば、マザーボード等の実装基板や半導体チップ等と電気的に接続される電極パッドとして機能する。
【００２７】
開口部２２ｘの底部に露出する配線層１９の上面に表面処理層（図示せず）を形成してもよい。表面処理層の例としては、Ａｕ層や、Ｎｉ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）等を挙げることができる。又、開口部２２ｘの底部に露出する配線層１９の上面に、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理等の酸化防止処理を施して表面処理層を形成してもよい。
【００２８】
なお、配線基板１０において、配線層１９を構成する配線パターンを絶縁層１８の上面に引き出して形成し、絶縁層１８の上面に引き出された配線パターンをソルダーレジスト層２２の開口部２２ｘから露出させ電極パッドとしてもよい。つまり、配線層１９のビアホール１８ｘ上以外の部分を電極パッドとしてもよい。
【００２９】
絶縁層２０は、絶縁層１２の下面に、配線層１１を覆うように形成されている。絶縁層２０の上面と配線層１１の上面とは、略面一とすることができる。絶縁層２０の材料や厚さは、例えば、絶縁層１２と同様とすることができる。絶縁層２０は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。
【００３０】
配線層２１は、絶縁層２０を貫通し配線層１１の下面を露出するビアホール２０ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層２０の下面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール２０ｘは、ソルダーレジスト層２３側に開口されている開口部の径が配線層１１の下面を露出して形成された開口部の底面の径よりも大となる円錐台状の凹部とされている。ビアホール２０ｘの開口部の径は、例えば５０μｍ程度とすることができる。
【００３１】
配線層２１は、ビアホール２０ｘの底部に露出した配線層１１と電気的に接続されている。配線層２１の材料は、例えば、配線層１１と同様とすることができる。配線層２１を構成する配線パターンの厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。
【００３２】
ソルダーレジスト層２３は、絶縁層２０の下面に、配線層２１を覆うように形成されている。ソルダーレジスト層２３は開口部２３ｘを有し、開口部２３ｘの底部には配線層２１の一部が露出している。開口部２３ｘの底部に露出する配線層２１は、例えば、マザーボード等の実装基板や半導体チップ等と電気的に接続される電極パッドとして機能する。開口部２３ｘの底部に露出する配線層２１の下面に表面処理層（図示せず）を形成してもよい。表面処理層の例としては、前述の通りである。
【００３３】
なお、配線基板１０において、配線層２１を構成する配線パターンを絶縁層２０の下面に引き出して形成し、絶縁層２０の下面に引き出された配線パターンをソルダーレジスト層２３の開口部２３ｘから露出させ電極パッドとしてもよい。つまり、配線層２１のビアホール２０ｘ上以外の部分を電極パッドとしてもよい。
【００３４】
［第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法］
次に、第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図２〜図７は、第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。本実施の形態では、支持体の両面に複数の配線基板となる部分を作製する工程の例を示すが、支持体の両面に１個ずつ配線基板を作製する工程としてもよい。
【００３５】
まず、図２（ａ）に示す工程では、支持体１００を準備する。支持体１００は、支持基板１１０の両面に各々剥離層１２０と金属層１３０とが順次積層された構造である。支持基板１１０としては、例えば、ガラスクロス（織布）やガラス不織布又はアラミド繊維等にエポキシ系樹脂等の樹脂を含侵させた部材等を用いることができる。支持基板１１０の平面形状は、例えば、縦（紙面奥行き方向）５００ｍｍ×横（紙面横方向）４００ｍｍ程度の矩形状とすることができる。支持基板１１０の厚さは、例えば、２００〜８００μｍ程度とすることができる。
【００３６】
各剥離層１２０は、支持基板１１０の各面の外縁部を除く所定領域に埋め込まれており、支持基板１１０と接着されている。但し、各剥離層１２０の表面と支持基板１１０の表面とは面一であってもよいし、各剥離層１２０が支持基板１１０の表面から多少窪んでいたり、突起したりしてもよい。
【００３７】
剥離層１２０としては、例えば、銅箔、アルミ箔、ニッケル箔、亜鉛箔等の金属箔、セラミック板、アクリルやポリイミド等の樹脂を主成分とする樹脂シート等を用いることができる。剥離層１２０の平面形状は、例えば、支持基板１１０の平面形状よりも小さい矩形状とすることができる。剥離層１２０の厚さは、例えば、１０〜１００μｍ程度とすることができる。
【００３８】
各金属層１３０は、剥離層１２０よりも平面形状が大きく支持基板１１０よりも平面形状が小さな層であり、支持基板１１０の各面に各剥離層１２０を覆うように配置されている。各金属層１３０の外縁部（剥離層１２０からはみ出している部分）は支持基板１１０の外縁部の少なくとも一部と接しており、支持基板１１０の外縁部と接着されている。各金属層１３０の外縁部を除く部分は、各剥離層１２０と接しているだけであり、接着はされていない。従って、各金属層１３０の外縁部の支持基板１１０と接着されている部分を除去すれば、各金属層１３０と各剥離層１２０とは、容易に剥離可能である。
【００３９】
金属層１３０としては、例えば、銅箔等を用いることができる。金属層１３０の平面形状は、例えば、剥離層１２０の平面形状よりも大きい矩形状とすることができる。金属層１３０の厚さは、例えば、１０〜２０μｍ程度とすることができる。
【００４０】
支持体１００を作製するには、例えば、ガラスクロス（織布）やガラス不織布又はアラミド繊維等にエポキシ系樹脂等の樹脂を含侵させたプリプレグを準備する。プリプレグは、Ｂ−ステージ（半硬化状態）である。そして、プリプレグの両面の所定領域に各々剥離層１２０及び金属層１３０を配置し、例えば、真空雰囲気で１９０〜２００℃程度の温度で加熱しながら各金属層１３０をプリプレグ側に押圧する。これにより、プリプレグが硬化し、プリプレグから支持基板１１０が得られると共に、支持基板１１０の各面の外縁部を除く所定領域に剥離層１２０が埋め込まれ、支持基板１１０の各面の外縁部と金属層１３０が接着されて、支持体１００が作製される。
【００４１】
次に、図２（ｂ）及び図２（ｃ）に示す工程では、支持体１００の両面の各金属層１３０上に、所定数の絶縁層及び配線層が積層された第１積層体を作製する。まず、図２（ｂ）に示す工程では、支持体１００の両面に、各金属層１３０を覆うようにフィルム状のエポキシ系樹脂等をラミネートし、硬化させて絶縁層１２を形成する。なお、絶縁層１２を真空雰囲気中でラミネートすることにより、ボイドの巻き込みを防止できる。
【００４２】
或いは、フィルム状のエポキシ系樹脂等のラミネートに代えて、液状又はペースト状のエポキシ系樹脂等を塗布後、硬化させて絶縁層１２を形成してもよい。絶縁層１２の厚さは、例えば、１５〜７０μｍ程度とすることができる。絶縁層１２は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。
【００４３】
次に、各絶縁層１２に、各絶縁層１２を貫通し各金属層１３０の表面を露出するビアホール１２ｘを形成する。ビアホール１２ｘは、例えば、ＣＯ２レーザ等を用いたレーザ加工法により形成できる。ビアホール１２ｘを形成後、デスミア処理を行い、ビアホール１２ｘの底部に露出する金属層１３０の表面に付着した樹脂残渣を除去することが好ましい。
【００４４】
次に、図２（ｃ）に示す工程では、各絶縁層１２上に、配線層１３、絶縁層１４、配線層１５、絶縁層１６、及び配線層１７０を順次積層する。但し、配線層と絶縁層は任意の積層数とすることができる。なお、配線層１７０は、後工程でパターニングされて配線層１７となる層である。
【００４５】
具体的には、まず、各絶縁層１２上に配線層１３を形成する。配線層１３は、セミアディティブ法やサブトラクティブ法等の各種の配線形成方法を用いて形成できる。配線層１３は、ビアホール１２ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１２上に形成された配線パターンを含んで構成される。配線層１３は、ビアホール１２ｘの底部に露出した金属層１３０と電気的に接続される。配線層１３の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層１３を構成する配線パターンの厚さは、例えば、１０〜２０μｍ程度とすることができる。
【００４６】
次に、各絶縁層１２上に配線層１３を覆うように絶縁層１４を形成する。絶縁層１４は、例えば、絶縁層１２と同様な方法により形成できる。そして、絶縁層１４を貫通し配線層１３の表面を露出するビアホール１４ｘを形成する。絶縁層１４の材料や厚さは、例えば、絶縁層１２と同様とすることができる。絶縁層１４は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。
【００４７】
更に、各絶縁層１４上に配線層１５を形成する。配線層１５は、例えば、配線層１３と同様な方法により形成できる。配線層１５は、ビアホール１４ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１４上に形成された配線パターンを含んで構成される。配線層１５は、ビアホール１４ｘの底部に露出した配線層１３と電気的に接続される。配線層１５の材料等は、例えば、配線層１３と同様とすることができる。
【００４８】
更に、各絶縁層１４上に配線層１５を覆うように絶縁層１６を形成する。絶縁層１６は、例えば、絶縁層１２と同様な方法により形成できる。そして、絶縁層１６を貫通し配線層１５の表面を露出するビアホール１６ｘを形成する。絶縁層１６の材料や厚さは、例えば、絶縁層１２と同様とすることができる。絶縁層１６は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。
【００４９】
更に、各絶縁層１６上に配線層１７０を形成する。配線層１７０は、例えば、配線層１３と同様な方法により形成できる。配線層１７０は、ビアホール１６ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１６上の全面に形成された金属層を含んで構成される。配線層１７０は、ビアホール１６ｘの底部に露出した配線層１５と電気的に接続される。配線層１７０の材料等は、例えば、配線層１３と同様とすることができる。これにより、支持体１００の両面に、各々絶縁層１２、配線層１３、絶縁層１４、配線層１５、絶縁層１６、及び配線層１７０が順次積層された第１積層体が形成される。
【００５０】
次に、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示す工程では、支持体１００の各金属層１３０の外縁部の支持基板１１０と接着されている部分を切断位置Ｃで切断して除去し、各金属層１３０を各剥離層１２０から剥離する。換言すれば、支持基板１１０の外縁部、支持基板１１０の外縁部上に位置する各金属層１３０、及び支持基板１１０の外縁部上に位置する各第１積層体を切断位置Ｃで切断して除去し、第１積層体が形成された各金属層１３０を各剥離層１２０から剥離する。
【００５１】
前述のように、各金属層１３０と各剥離層１２０とは接着されずに接している構造であるため、支持体１００の各金属層１３０の外縁部を切断位置Ｃで切断することにより各金属層１３０と各剥離層１２０とを容易に剥離できる。これにより、金属層１３０上に第１積層体が形成された配線部材（図３（ａ）矢印下方に示す配線部材）が２個作製される。
【００５２】
なお、図３（ｂ）は、図３（ａ）矢印下方に示す配線部材の平面図である。図３（ａ）矢印下方に示す配線部材には、図３（ｂ）に示すように、最終的に配線基板１０となる６個の領域１０ｘが形成されている。但し、最終的に配線基板１０となる領域は６個には限定されず、任意の個数として構わない。以降の工程は、図３（ａ）矢印下方に示す配線部材の１個についてのみ説明するが、他の１個についても同様の工程が実行される。
【００５３】
図３（ａ）及び図３（ｂ）に示す工程の後、図３（ａ）矢印下方に示す配線部材の配線層１７０の一部である絶縁層１６上の全面に形成された金属層を例えばサブトラクティブ法等によりパターニングして、配線層１７を形成する。配線層１７は、ビアホール１６ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１６上に形成された配線パターンを含んで構成される。又、図３（ａ）矢印下方に示す配線部材の金属層１３０を例えばサブトラクティブ法等によりパターニングして、配線層１１を形成する。
【００５４】
次に、図４に示す工程では、後工程で使用する枠部形成用部材１００ｙを作製する。なお、図４等では、便宜上、枠部形成用部材１００ｙを梨地模様で示している。枠部形成用部材１００ｙは、例えば、図３（ａ）に示す工程で外縁部が切断され金属層１３０が剥離された支持体１００の切断位置Ｃの内側部分を用いて作製できる。この支持体１００の切断位置Ｃの内側部分は、支持基板１１０の両面に剥離層１２０が形成された構造であり、この部分を支持体１００ｘと称するものとする。具体的には、例えば、支持体１００ｘから図４に示すような平面形状がＬ字型の枠部形成用部材１００ｙをルーター加工等により８個作製する。
【００５５】
このように、切断後に不要となった支持体１００ｘを利用して枠部形成用部材１００ｙを作製することにより、新たな材料を準備する必要がないため、配線基板１０の製造コストを低減することが可能となる。
【００５６】
次に、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示す工程では、配線層１１及び１７を形成後の配線部材の側面を囲むように枠部となる４個の枠部形成用部材１００ｙを配置する。これにより、枠部を含めた配線部材の平面形状の大きさを切断前の支持体１００の平面形状の大きさと一致させる。換言すれば、各枠部形成用部材１００ｙを、各枠部形成用部材１００ｙの内側面が配線層１１及び１７を形成後の配線部材の隣接する側面に接するように配置して、４個の枠部形成用部材１００ｙを含む枠部を形成する。隣接する枠部形成用部材１００ｙの端面同士は、接していてもよいし、接していなくてもよい。残りの４個の枠部形成用部材１００ｙは、他の配線部材に用いる。なお、図５（ｂ）は、図５（ａ）に示す構造体の平面図である。
【００５７】
次に、図６（ａ）に示す工程では、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示す構造体の上面にシート状のプリプレグ１８０及び金属層１９０を順次積層する。又、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示す構造体の下面にシート状のプリプレグ２００及び金属層２１０を順次積層する。プリプレグ１８０及び２００は、Ｂ−ステージ（半硬化状態）のエポキシ系樹脂等である。プリプレグ１８０及び２００の厚さは、例えば、各々１５〜７０μｍ程度とすることができる。金属層１９０及び２１０としては、例えば、各々銅箔等を用いることができる。金属層１９０及び２１０の厚さは、例えば、各々１０〜２０μｍ程度とすることができる。
【００５８】
次に、上面にプリプレグ１８０及び金属層１９０が下面にプリプレグ２００及び金属層２１０が順次積層された構造体を、例えば、真空雰囲気で１９０〜２００℃程度の温度で加熱しながら金属層１９０及び２１０を各々プリプレグ１８０及び２００側に押圧する。
【００５９】
これにより、図６（ａ）の太矢印の下方に示すように、プリプレグ１８０及び２００が硬化して絶縁層１８及び２０が得られる。又、絶縁層１８と枠部形成用部材１００ｙの上面及び絶縁層１６の上面、並びに、絶縁層２０と枠部形成用部材１００ｙの下面及び絶縁層１２の下面が接着される。なお、図４に示す工程で枠部形成用部材１００ｙを作製する際に、枠部形成用部材１００ｙの両面（絶縁層１８及び２０が形成される面）を粗化しておくと（粗化面を形成しておくと）、枠部形成用部材１００ｙと絶縁層１８及び２０との密着性が向上し、好適である。
【００６０】
なお、図６（ａ）において、配線層１１及び１７を形成後の配線部材の厚さと枠部形成用部材１００ｙの厚さが略同一となるように描かれているが、必ずしも略同一としなくてもよい。配線部材の厚さと枠部形成用部材１００ｙの厚さが異なっていても、Ｂ−ステージ（半硬化状態）のプリプレグ１８０及び２００により段差が吸収されるからである。換言すれば、配線部材の厚さと枠部形成用部材１００ｙの厚さの差（段差）が、プリプレグ１８０及び２００により吸収できる程度に収まるように各絶縁層の厚さ等を設計しておけばよい。
【００６１】
次に、図６（ｂ）に示す工程では、配線層１９及び２１を形成する。具体的には、例えば、絶縁層１８及び２０に各々金属層１９０及び２１０を介してＣＯ２レーザ等を照射して逆円錐台形状のビアホール１８ｘ及び円錐台形状のビアホール２０ｘを形成する。そして、ビアホール１８ｘ及び２０ｘを銅（Ｃｕ）等で充填後、金属層１９０及び２１０を、例えばサブトラクティブ法等によりパターニングして、配線層１９及び２１を形成する。
【００６２】
配線層１９は、ビアホール１８ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１８上に形成された配線パターンを含んで構成される。又、配線層２１は、ビアホール２０ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層２０上に形成された配線パターンを含んで構成される。なお、配線層１９及び２１上に、更に、所定数の絶縁層及び配線層を積層してもよい。
【００６３】
このように、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示す工程により、図３（ａ）矢印下方に示す配線部材上及び枠部上（各枠部形成用部材１００ｙ上）に、所定数の絶縁層及び配線層が積層された第２積層体が作製される。具体的には、図３（ａ）矢印下方に示す配線部材及び枠部（各枠部形成用部材１００ｙ）の一方の面に絶縁層１８及び配線層１９が積層され、他方の面に絶縁層２０及び配線層２１が積層された第２積層体が作製される。絶縁層１８及び配線層１９は、第２積層体の一方の側の最外絶縁層及び一方の側の最外配線層の代表的な一例である。又、絶縁層２０及び配線層２１は、第２積層体の他方の側の最外絶縁層及び他方の側の最外配線層の代表的な一例である。
【００６４】
次に、図７（ａ）に示す工程では、絶縁層１８上に配線層１９を覆うようにソルダーレジスト層２２（第１ソルダーレジスト層）を形成する。又、絶縁層２０上に配線層２１を覆うようにソルダーレジスト層２３（第２ソルダーレジスト層）を形成する。ソルダーレジスト層２２及び２３は、例えば、液状又はペースト状の感光性のエポキシ系樹脂を、配線層１９及び２１を被覆するように絶縁層１８及び２０上にスクリーン印刷法、ロールコート法、又は、スピンコート法等で塗布することにより形成できる。或いは、例えば、フィルム状の感光性のエポキシ系樹脂を、配線層１９及び２１を被覆するように絶縁層１８及び２０上にラミネートすることにより形成してもよい。
【００６５】
そして、塗布又はラミネートした絶縁性樹脂を露光及び現像することでソルダーレジスト層２２及び２３に各々開口部２２ｘ及び２３ｘを形成する（フォトリソグラフィ法）。なお、開口部２２ｘ及び２３ｘは、レーザ加工法やブラスト処理等により形成してもよい。
【００６６】
必要に応じ、開口部２２ｘ及び２３ｘ内に各々露出する配線層１９及び２１上に、例えば無電解めっき法等により表面処理層（図示せず）を形成してもよい。表面処理層の例としては、前述の通りである。
【００６７】
開口部２２ｘ内に露出する配線層１９、及び開口部２３ｘ内に露出する配線層２１は、各々マザーボード等の実装基板や半導体チップ等と電気的に接続されるパッドとして機能する。なお、図７（ａ）では、便宜上、開口部２２ｘ内に露出する配線層１９と、開口部２３ｘ内に露出する配線層２１を同程度の大きさやピッチで描いている。しかし、実際には、半導体チップと電気的に接続される電極パッドは、マザーボード等の実装基板と電気的に接続される電極パッドよりも狭ピッチで小径となる。
【００６８】
半導体チップと電気的に接続される電極パッドの平面形状は例えば円形とすることができ、その直径は例えば４０〜１２０μｍ程度とすることができる。半導体チップと電気的に接続される電極パッドのピッチは、例えば１００〜２００μｍ程度とすることができる。
【００６９】
マザーボード等の実装基板と電気的に接続される電極パッドの平面形状は例えば円形とすることができ、その直径は例えば２００〜１０００μｍ程度とすることができる。マザーボード等の実装基板と電気的に接続される電極パッドのピッチは、例えば５００〜１２００μｍ程度とすることができる。
【００７０】
次に、図７（ｂ）に示す工程では、図７（ａ）に示す構造体の枠部（各枠部形成用部材１００ｙ）、枠部上に位置する第２積層体、枠部上に位置するソルダーレジスト層２２及び２３をダイシング等により切断位置Ｄで切断して除去する。又、配線基板１０となる各領域の境界部である切断位置Ｅをダイシング等により切断する。これにより、複数の配線基板１０が完成する。
【００７１】
このように、第１の実施の形態では、支持体等を切断して金属層上に第１積層体が形成された配線部材を作製する工程の後に、配線部材の側面を囲むように枠部を配置して枠部を含めた配線部材の平面形状を切断前の支持体の平面形状と一致させる工程を有する。これにより、支持体等を切断した後の工程でも、支持体等を切断する前の工程と同一の製造装置を用いることができる。
【００７２】
〈第２の実施の形態〉
第２の実施の形態では、第１の実施の形態とは異なる枠部を用いる例を示す。なお、第２の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
【００７３】
図８は、第２の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。図８を参照するに、第２の実施の形態に係る配線基板１０Ａは、配線層１１が絶縁層１２に形成された凹部１２ｙ内に配置されている点が、第１の実施の形態に係る配線基板１０（図１参照）と相違する。
【００７４】
配線基板１０Ａは、以下のようにして作製できる。図９〜図１３は、第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。まず、図９（ａ）に示す工程では、図２（ａ）と同様の支持体１００を準備し、支持体１００の各金属層１３０上にエッチング停止層３１及び配線層１１（第１配線層）を順次積層する。エッチング停止層３１及び配線層１１の平面形状は、例えば、各々円形等とすることができる。エッチング停止層３１の材料としては、例えば、ニッケル（Ｎｉ）等を用いることができる。
【００７５】
エッチング停止層３１及び配線層１１を形成するには、例えば、支持体１００の各金属層１３０上にエッチング停止層３１及び配線層１１に対応する開口部を有するレジスト層を形成する。次に、各金属層１３０をめっき給電層に利用する電解めっき法等により、各開口部内に露出する各金属層１３０上に、ニッケル（Ｎｉ）等からなるエッチング停止層３１を形成する。更に、各金属層１３０をめっき給電層に利用する電解めっき法等により、エッチング停止層３１上に銅（Ｃｕ）等からなる配線層１１を形成する。そして、レジスト層を除去する。
【００７６】
次に、図９（ｂ）及び図９（ｃ）に示す工程では、支持体１００の両面に所定数の絶縁層及び配線層が積層された第１積層体を作製する。まず、図９（ｂ）に示す工程では、支持体１００の両面の各金属層１３０上に、エッチング停止層３１及び配線層１１を覆うようにフィルム状のエポキシ系樹脂等をラミネートし、硬化させて絶縁層１２（第１絶縁層）を積層する。
【００７７】
或いは、フィルム状のエポキシ系樹脂等のラミネートに代えて、液状又はペースト状のエポキシ系樹脂等を塗布後、硬化させて絶縁層１２を形成してもよい。絶縁層１２の厚さは、例えば、１５〜７０μｍ程度とすることができる。絶縁層１２は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。なお、絶縁層１２を真空雰囲気中でラミネートすることにより、ボイドの巻き込みを防止できる。
【００７８】
次に、各絶縁層１２に、各絶縁層１２を貫通し各配線層１１の表面を露出するビアホール１２ｘを形成する。ビアホール１２ｘは、例えば、ＣＯ２レーザ等を用いたレーザ加工法により形成できる。ビアホール１２ｘを形成後、デスミア処理を行い、ビアホール１２ｘの底部に露出する配線層１１の表面に付着した樹脂残渣を除去することが好ましい。
【００７９】
次に、図９（ｃ）に示す工程では、図２（ｃ）に示す工程と同様にして、各絶縁層１２上に、配線層１３、絶縁層１４、配線層１５、絶縁層１６、及び配線層１７を順次積層する。但し、配線層と絶縁層は任意の積層数とすることができる。
【００８０】
次に、図１０（ａ）に示す工程では、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示す工程と同様にして、支持体１００の各金属層１３０の外縁部の支持基板１１０と接着されている部分を切断位置Ｃで切断して除去し、各金属層１３０と各剥離層１２０とを剥離する。換言すれば、支持基板１１０の外縁部、支持基板１１０の外縁部上に位置する各金属層１３０、及び支持基板１１０の外縁部上に位置する各第１積層体を切断位置Ｃで切断して除去し、第１積層体が形成された各金属層１３０を各剥離層１２０から剥離する。
【００８１】
これにより、金属層１３０上に第１積層体が形成された配線部材（図１０（ａ）矢印下方に示す配線部材）が２個作製される。図１０（ａ）矢印下方に示す配線部材には、図３（ｂ）と同様に、最終的に配線基板１０Ａとなる６個の領域１０ｘが形成されている。但し、最終的に配線基板１０Ａとなる領域は６個には限定されず、任意の個数として構わない。以降の工程は、図１０（ａ）矢印下方に示す配線部材の１個についてのみ説明するが、他の１個についても同様の工程が実行される。
【００８２】
図１０（ａ）に示す工程の後、金属層１３０を例えばエッチングによって除去する。金属層１３０が銅箔である場合には、例えば、塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウェットエッチングにより除去できる。この際、絶縁層１２から露出するエッチング停止層３１がニッケル（Ｎｉ）層である場合には上記エッチング液では除去されないため、金属層１３０のみを選択的にエッチングできる。但し、配線層１７が銅（Ｃｕ）から構成されている場合には、配線層１７が金属層１３０とともにエッチングされることを防止するため、配線層１７をマスクする必要がある。
【００８３】
そして、図１０（ｂ）に示す工程では、絶縁層１２から露出するエッチング停止層３１（図１０（ａ）参照）を除去する。エッチング停止層３１がニッケル（Ｎｉ）層である場合には、例えば、過酸化水素・硝酸系のウェットエッチングにより除去できる。エッチング停止層３１を除去することにより、絶縁層１２の一方の面に凹部１２ｙが形成され、凹部１２ｙ内に配線層１１が露出する。凹部１２ｙの深さ（絶縁層１２の下面から配線層１１の下面までの距離）は、例えば、１０〜２０μｍ程度とすることができる。
【００８４】
次に、図１１に示す工程では、後工程で使用する枠部形成用部材１００ｚを作製する。なお、図１１等では、便宜上、枠部形成用部材１００ｚを梨地模様で示している。枠部形成用部材１００ｚは、例えば、図４に示す工程と同様に、支持体１００ｘから作製することができる。
【００８５】
枠部形成用部材１００ｚは、枠部形成用部材１００ｙ（図４参照）と同様な平面形状がＬ字型の部材であるが、枠部形成用部材１００ｙ（図４参照）とは異なり、各内側面に凹部１５０が形成されている。凹部１５０を含む枠部形成用部材１００ｚは、例えば、ルーター加工等により作製できる。凹部１５０の平面形状は、例えば、楔状（逆テーパ状）とすることができる。なお、図１１の例では、各枠部形成用部材１００ｚに凹部１５０を２個ずつ形成しているが、これには限定されない。例えば、各枠部形成用部材１００ｚに凹部１５０を１個ずつ形成してもよいし、３個以上形成してもよい。
【００８６】
次に、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示す工程では、金属層１３０及びエッチング停止層３１を除去後の配線部材の側面を囲むように枠部となる４個の枠部形成用部材１００ｚを配置する。そして、枠部を含めた配線部材の平面形状の大きさを切断前の支持体１００の平面形状の大きさと一致させる。換言すれば、各枠部形成用部材１００ｚを、各枠部形成用部材１００ｚの内側面がエッチング停止層３１を除去後の配線部材の隣接する側面に接するように配置して、４個の枠部形成用部材１００ｚを含む枠部を形成する。隣接する枠部形成用部材１００ｚの端面同士は、接していてもよいし、接していなくてもよい。残りの４個の枠部形成用部材１００ｚは、他の配線部材に用いる。なお、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）に示す構造体の平面図である。
【００８７】
図１０（ｂ）に示した配線部材の側面に凹部１５０と嵌合可能な形状の凸部１６０を形成しておくことにより、各凸部１６０が各凹部１５０に嵌め込まれ、配線部材の側面に枠部形成用部材１００ｚが固定される。凸部１６０の平面形状は、例えば、楔状（逆テーパ状）とすることができる。なお、凹部１５０と凸部１６０とを嵌合させることにより配線部材の側面に４個の枠部形成用部材１００ｚが固定できるが、この際、接着を併用してもよい（凹部１５０と凸部１６０との間等に接着剤を塗布してもよい）。
【００８８】
次に、図１３（ａ）に示す工程では、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示す工程と同様にして、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示す配線部材上及び枠部形成用部材１００ｚ上に、所定数の絶縁層及び配線層が積層された第２積層体を作製する。具体的には、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示す配線部材及び枠部形成用部材１００ｚの一方の面に絶縁層１８及び配線層１９が積層され、他方の面に絶縁層２０及び配線層２１が積層された第２積層体を作製する。
【００８９】
この際、図１１に示す工程で枠部形成用部材１００ｚを作製する際に、枠部形成用部材１００ｚの両面（絶縁層１８及び２０が形成される面）を粗化しておくと（粗化面を形成しておくと）、枠部形成用部材１００ｚと絶縁層１８及び２０との密着性が向上し、好適である。なお、本実施の形態では、配線部材の側面に４個の枠部形成用部材１００ｚが固定されており、配線部材に対して枠部形成用部材１００ｚがずれるおそれがない。そのため、絶縁層１８及び２０を形成する際に、図６（ａ）に示したシート状のプリプレグに代えて、ロール状のプリプレグを用いてもよい。
【００９０】
続いて、図７（ａ）に示す工程と同様にして、絶縁層１８上に配線層１９を覆うようにソルダーレジスト層２２（第１ソルダーレジスト層）を形成する。又、絶縁層２０上に配線層２１を覆うようにソルダーレジスト層２３（第２ソルダーレジスト層）を形成する。必要に応じ、開口部２２ｘ及び２３ｘ内に各々露出する配線層１９及び２１上に、例えば無電解めっき法等により表面処理層（図示せず）を形成してもよい。表面処理層の例としては、前述の通りである。
【００９１】
次に、図１３（ｂ）に示す工程では、図１３（ａ）に示す構造体の枠部（枠部形成用部材１００ｚ）、枠部上に位置する第２積層体、枠部上に位置するソルダーレジスト層２２及び２３をダイシング等により切断位置Ｄで切断して除去する。又、配線基板１０Ａとなる各領域の境界部である切断位置Ｅをダイシング等により切断する。これにより、複数の配線基板１０Ａが完成する。
【００９２】
このように、配線部材の側面に凸部を設け、枠部の内側面に凹部を設け、両者を嵌合させて、配線部材の側面に枠部を固定してもよい。これにより、第１の実施の形態の効果に加えて以下の効果を奏する。すなわち、配線部材の側面に枠部が固定されており、配線部材に対して枠部がずれるおそれがないため、配線部材上及び枠部上に絶縁層を形成する際に、シート状のプリプレグに代えて、ロール状のプリプレグを用いることができる。その結果、製造工程の効率化が図れる。
【００９３】
以上、好ましい実施の形態について詳説したが、上述した実施の形態に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態に種々の変形及び置換を加えることができる。
【００９４】
例えば、各実施の形態に係る配線基板の製造方法では、切断後に不要となった支持体の一部を利用して枠部を作製する例を示したが、切断後に不要となった支持体以外の部材（樹脂や金属等）から枠部を作製してもよい。この場合、切断後に不要となった支持体の一部を利用することによる配線基板の製造コストの低減は実現できないが、枠部の形状の設計自由度を向上できる。例えば、コの字型の２つの枠部を配線部材の側面を囲むように配置することができるし、額縁状の１つの枠部を配線部材の側面を囲むように配置することもできる。
【００９５】
又、第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程において、枠部形成用部材１００ｚを用いてもよいし、第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程において、枠部形成用部材１００ｙを用いてもよい。
【００９６】
又、各実施の形態に係る配線基板の製造方法では、支持体の両側に絶縁層及び配線層が積層された配線部材を作製したが、支持体の片側のみに絶縁層及び配線層が積層された配線部材を作製してもよい。この場合には、支持基板の片側のみに剥離層及び金属層を配置した支持体を用いることができる。
【符号の説明】
【００９７】
１０、１０Ａ  配線基板
１０ｘ  領域
１１、１３、１５、１７、１９、２１、１７０  配線層
１２、１４、１６、１８、２０  絶縁層
１２ｘ、１４ｘ、１６ｘ、１８ｘ、２０ｘ  ビアホール
１２ｙ、１５０  凹部
２２、２３  ソルダーレジスト層
２２ｘ、２３ｘ  開口部
３１  エッチング停止層
１００、１００ｘ  支持体
１００ｙ、１００ｚ  枠部
１１０  支持基板
１２０  剥離層
１３０  金属層
１６０  凸部
１８０、２００  プリプレグ
１９０、２１０  金属層
Ｃ、Ｄ、Ｅ  切断位置
【図１】
2014075549.tif 000003
【図２】
2014075549.tif 000004
【図３】
2014075549.tif 000005
【図４】
2014075549.tif 000006
【図５】
2014075549.tif 000007
【図６】
2014075549.tif 000008
【図７】
2014075549.tif 000009
【図８】
2014075549.tif 000010
【図９】
2014075549.tif 000011
【図１０】
2014075549.tif 000012
【図１１】
2014075549.tif 000013
【図１２】
2014075549.tif 000014
【図１３】
2014075549.tif 000015