(57)【要約】【課題】  薄膜、高強力で、かつ、広範囲に電磁波遮蔽性を有する導電性不織布を提供する。【解決手段】  ３１０℃での溶融粘度が２０Ｐａ・ｓ以下である溶融液晶形成性全芳香族ポリエステルを主成分とし、以下（１）〜（６）をともに満足することを特徴とするメルトブロー不織布に金属被膜を形成する導電性不織布。（１）平均繊維径が０．１μｍ以上５μｍ以下であること（２）不織布中に存在するフィルム状物が２個未満／１ｍｍ2であること（３）タテ方向の裂断長が１０ｋｍ以上且つ、ヨコ方向の裂断長が６ｋｍ以上であること（４）目付けが１．０ｇ／ｍ２以上１５ｇ／ｍ２以下であること（５）厚みが５μｍ以上５０μｍ以下であること（６）通気度が３００ｃｃ／ｃｍ２／秒以下であること【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
３１０℃での溶融粘度が２０Ｐａ・ｓ以下である溶融液晶形成性全芳香族ポリエステルを主成分とし、以下（１）〜（６）をともに満足することを特徴とするメルトブロー不織布に金属被膜が形成された導電性不織布。
（１）平均繊維径が０．１μｍ以上５μｍ以下であること
（２）不織布中に存在するフィルム状物が２個未満／１ｍｍ2であること
（３）タテ方向の裂断長が１０ｋｍ以上且つ、ヨコ方向の裂断長が６ｋｍ以上であること
（４）目付けが１．０ｇ／ｍ２以上１５ｇ／ｍ２以下であること
（５）厚みが５μｍ以上５０μｍ以下であること
（６）通気度が３００ｃｃ／ｃｍ２／秒以下であること
【請求項２】
金属被膜が銅、ニッケル、金、銀、コバルト、錫、亜鉛のいずれかからなる請求項１記載の導電性不織布。
【請求項３】
金属被膜が銅、ニッケル、金、銀、コバルト、錫、亜鉛のうち、少なくとも２種以上からなる合金あるいは積層被膜からなる請求項１または３記載の導電性不織布。
【請求項４】
溶融液晶形成性全芳香族ポリエステルを溶融紡出すると同時に紡出物を高温高速流体で吹き飛ばして、捕集面上に集積してウェブを形成し、加熱処理を施してメルトブロー不織布を製造するに際し、ノズル孔径０．１〜０．３mmφ、ノズル孔長さとノズル孔径の比（Ｌ／Ｄ）が２０〜５０、ノズル孔同士の間隔が０．２〜１．０ｍｍである紡糸ノズルより溶融紡出して得られた不織布を、＜溶融液晶形成性全芳香族ポリエステルの融点−４０℃＞以上、＜融点温度＋２０℃＞以下の温度で3時間以上加熱処理を行うことを特徴とする請求項１記載のメルトブロー不織布の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の導電性不織布からなる導電性テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
非常に軽量、薄膜であり、広い周波数にわたって電磁波遮蔽性を有し、電磁波シールディングシート、ガスケット、バック等の用途に広く使用でき、特に小型、薄型化が求められる電子機器内部で使用される目的において、有用な導電性不織布および不織布の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器からの電磁波の漏洩や電磁波により通信される情報の漏洩を防止する目的で、電磁波遮蔽材が用いられている。このうち、ポリエステルやナイロン、アクリルなどの合成繊維の織物や不織布上に金属被膜を形成させた材料は、繊維材料のもつ柔軟性、可撓性と被覆された金属が有する電磁波遮蔽性を兼ね備えることから、電磁波シールディングシート、ガスケット、テープ、バッグ等として広く利用されており、例えば、綿目付け量が３５〜６００ｇ／ｍ２の不織布に、無電解メッキにより金属成分を付着させたポリエステルないしアクリル繊維をベースとする電磁波遮蔽材が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。また、一方では、ポリアクリロニトリルやアクリロニトリル／塩化ビニル共重合体の繊維に金属を付着させた金属メッキ繊維と熱接着繊維からなる難燃性不織布を電磁波遮蔽材として用いることが提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
【０００３】
しかしながら、これら特許文献１〜２の電磁波遮蔽材は、基材であるポリエステルやナイロン、アクリルなどの合成繊維自体の耐熱性に乏しく、高い耐熱性を要求される用途、例えば、電子回路基板における電子部品の実装工法であるフロー工程やリフロー工程に対応することができず、電子部品実装工程に先立って、これらの電磁波遮蔽材を回路基板上に搭載しておくことは困難であった。また、これらの電磁波遮蔽材はハンダ耐熱性を有しておらず、それ自体は高い電気導通性を有しているものの、他の金属材料と電気的な接続をしたい場合でも、これをハンダ付けで実施することは困難であった。
【０００４】
また、特許文献３には、溶融液晶形成性全芳香族ポリエステルからなる不織布表面に金属被膜が形成された導電性不織布が提案されているが、実質的に平均繊維径が７μｍ以上であるため、１５ｇ／ｍ２未満の低目付け域において、不織布の緻密性が低く、強度面、電磁波遮蔽性の面で不十分であった。
【０００５】
【特許文献１】特開平８−１７０２９５号公報
【特許文献２】特許第４４２９５０１号公報
【特許文献３】特開２００８−２２３１８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、薄膜、高強力で広い周波数帯で優れた電磁波遮蔽性能を有する導電性不織布を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者等は鋭意検討した結果、特定の構造を有する紡糸ノズルを使用して溶融紡出し、さらに特定の熱処理条件にて熱処理することにより製造される溶融液晶形成性全芳香族ポリエステル不織布に金属被膜を形成することで、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。
【０００８】
すなわち、本発明は３１０℃での溶融粘度が２０Ｐａ・ｓ以下である溶融液晶形成性全芳香族ポリエステルを主成分とし、以下（１）〜（６）をともに満足することを特徴とするメルトブロー不織布に金属被膜が形成された導電性不織布である。
（１）平均繊維径が０．１μｍ以上５μｍ以下であること
（２）不織布中に存在するフィルム状物が２個未満／１ｍｍ2であること
（３）タテ方向の裂断長が１０ｋｍ以上且つ、ヨコ方向の裂断長が６ｋｍ以上であること
（４）目付けが１．０ｇ／ｍ２以上１５ｇ／ｍ２以下であること
（５）厚みが５μｍ以上５０μｍ以下であること
（６）通気度が３００ｃｃ／ｃｍ２／秒以下であること
【０００９】
より好ましくは金属被膜が銅、ニッケル、金、銀、コバルト、錫、亜鉛のいずれかからなるか、あるいは金属被膜が銅、ニッケル、金、銀、コバルト、錫、亜鉛のうち、少なくとも２種以上からなる合金あるいは積層被膜からなる上記の導電性不織布である。
【００１０】
また本発明は、溶融液晶形成性全芳香族ポリエステルを溶融紡出すると同時に紡出物を高温高速流体で吹き飛ばして、捕集面上に集積してウェブを形成し、加熱処理を施してメルトブロー不織布を製造するに際し、ノズル孔径０．１〜０．３mmφ、ノズル孔長さとノズル孔径の比（Ｌ／Ｄ）が２０〜５０、ノズル孔同士の間隔が０．２〜１．０ｍｍである紡糸ノズルより溶融紡出して得られた不織布を、＜溶融液晶形成性全芳香族ポリエステルの融点−４０℃＞以上、＜融点温度＋２０℃＞以下の温度で3時間以上加熱処理を行うことを特徴とする上記のメルトブロー不織布の製造方法に関する。
【００１１】
そして本発明は、上記導電性不織布からなる導電性テープである。
【発明の効果】
【００１２】
非常に軽量、薄膜であり、広い周波数にわたって電磁波遮蔽性を有し、電磁波シールディングシート、ガスケット、バック等の用途に広く使用でき、特に小型、薄型化が求められる電子機器内部で使用される目的において、有用な導電性不織布および不織布の製造方法に関する。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明で使用される溶融液晶形成性全芳香族ポリエステルは、耐熱性、耐薬品性に優れた樹脂である。本発明にいう溶融液晶形成性全芳香族ポリエステルとは、溶融相において光学的異方性（液晶性）を示す芳香族ポリエステルであり、例えば試料をホットステージに載せ窒素雰囲気下で加熱し、試料の透過光を観察することにより認定できる。溶融液晶形成性全芳香族ポリエステルは芳香族ジオール、芳香族ジカルボン酸、芳香族ヒドロキシカルボン酸の反復構成単位を主成分とするものである。例えば、以下に示す反復構成単位群の組合せからなるものが好ましい。
【００１４】
【化１】
2014201862.tif 000002
【００１５】
上記反復構成単位群の組合せの中でも、パラヒドロキシ安息香酸と２−ヒドロキシ−６−ナフトエ酸、又は、パラヒドロキシ安息香酸と２−ヒドロキシ−６−ナフトエ酸とテレフタル酸とビフェノールが主成分となる構成が本発明で使用される溶融液晶形成性全芳香族ポリエステルとしては好ましい。
【００１６】
本発明で使用される溶融液晶形成性全芳香族ポリエステルとしては、３１０℃での溶融粘度が２０Ｐａ・ｓ以下であることが重要である。３１０℃での溶融粘度が２０Ｐａ・ｓを超えると極細繊維化が困難であったり、重合時のオリゴマー発生、重合時や造粒時のトラブル発生などの理由から好ましくない。一方、溶融粘度が低すぎる場合も繊維化が困難であり、３１０℃において５Ｐａ・ｓ以上の溶融粘度を示すことが望ましい。
【００１７】
なお、上記溶融液晶形成性全芳香族ポリエステルには必要に応じて、着色剤、無機フィラー、酸化防止剤、紫外線吸収剤等の通常使用されている添加剤および熱可塑性エラストマーを本発明の機能を阻害しない範囲で加えることができる。
【００１８】
次に本発明の溶融液晶形成性全芳香族ポリエステルのメルトブロー法による不織布の製造方法に関して以下詳細に説明する。
紡糸装置は従来公知のメルトブロー装置を用いることができるが、使用する紡糸ノズルに関しては、ノズル孔径は０．１〜０．３ｍｍφであることが好ましく、０．１５〜０．２ｍｍφであることがさらに好ましい。ノズル孔が０．１ｍｍφ未満の場合、ノズル詰まりが発生しやすく、一方、０．３ｍｍφを超えると吐出圧力が不十分になり、ノズル孔内で溶融した樹脂がゆらぎ、糸切れを起こしやすくなる。
【００１９】
また、使用する紡糸ノズルに関して、ノズル孔長さとノズル孔径の比（Ｌ／Ｄ）は２０〜５０であることが好ましく、２５〜４５であることが更に好ましい。Ｌ／Ｄが２０未満の場合、ポリマー配向が不十分となり糸切れを起こしやすく、逆にＬ／Ｄが５０を超えるとノズル管内の圧力損失が大きくなり、ノズルに対する負荷が大きく、ノズルの耐久性が低下する。ノズルの耐久性を維持するために、ポリマー吐出量を下げる方法があるが、その場合、生産性が低下する。
【００２０】
さらには、ノズル孔同士の間隔は０．２〜１．０ｍｍであることが好ましく、０．２５〜０．７５ｍｍであることが更に好ましい。ノズル孔同士の間隔が０．２ｍｍ未満の場合、紡糸直下で隣接する繊維同士が融着し、糸塊になりやすく、均質性が損なわれる。逆に１．０ｍｍを超えると、繊維間空隙部が大きくなりすぎ、この場合も均質性が損なわれる。
【００２１】
紡糸条件としては、紡糸温度３１０〜３６０℃、熱風温度（1次エアー温度）３１０〜３８０℃、エアー量（ノズル長１ｍあたり）１０〜３０Ｎｍ３の条件で行うことが好ましい。
【００２２】
このようして製造される本発明の不織布を構成する繊維の平均繊維径は０．１μｍ以上、５μｍ以下であることが必要である。平均繊維径が０．１μｍ未満では風綿が発生し繊維塊になりやすく、５μｍを超えると地合が粗くなり、金属被膜時の電磁波遮蔽効果が不十分となる。より好ましくは０．５μｍ以上４μｍ以下であり、さらに好ましくは１μｍ以上３μｍ以下である。
【００２３】
また、このようして製造されるこの発明の不織布において、フィルム状物が２個未満／１ｍｍ２であることが必要である。フィルム状部が２個以上／１ｍｍ２存在すると欠点となり、後加熱処理後に十分な強力を発現しなくなることに加え、クリーニング性能が低下する。なお、この発明において平均繊維径は、不織布を走査型電子顕微鏡で拡大撮影し、任意の１００本の繊維径を測定した値の平均値を指すものであり、フィルム状物とは、同様に走査型電子顕微鏡で拡大撮影し、０．０２〜２ｍｍ２の大きさを有する繊維収束及び塊の部分を指すものである。
【００２４】
図１は、フィルム状物を走査型電子顕微鏡（日本電子株式会社製：ＪＳＭ-５３００ＬＶ）で１００倍に拡大撮影した図である。
【００２５】
上記のようにして本発明の紡糸ノズルより溶融紡出して得られた不織布を、＜溶融液晶形成性全芳香族ポリエステルの融点−４０℃＞以上、＜融点温度＋２０℃＞以下の温度で3時間以上加熱処理を行う。加熱処理時の加熱媒体として用いる気体は、窒素、酸素、アルゴン、炭酸ガスなど混合気体または空気等が挙げられるが、コスト面から、酸素または空気がより好ましい。熱処理は目的により、緊張下、無緊張下どちらでも良い。
熱処理温度が＜溶融液晶形成性全芳香族ポリエステルの融点−４０℃＞未満の温度で熱処理した場合には、耐熱性が不十分となり、また、熱処理温度が＜溶融液晶形成性全芳香族ポリエステルの融点＋２０℃＞を超えるとポリマーが軟化し、繊維の溶融が始まりシートの一部がフィルム化して不織布の通気性が失われる、空隙部が閉塞する等の問題が発生する。
【００２６】
このように加熱処理される本発明の不織布はタテ方向の裂断長が１０ｋｍ以上且つ、ヨコ方向の裂断長が６ｋｍ以上となり、従来の溶融液晶形成性全芳香族ポリエステルからなる不織布では到底得られない高強力なものとなり、低目付け化が可能となる。
【００２７】
本発明の溶融液晶形成性全芳香族ポリエステルメルトブロー不織布の目付けについては、１．０ｇ／ｍ２以上１５ｇ／ｍ２以下であり、より好ましくは２ｇ／ｍ２以上１２ｇ／ｍ２以下であり、さらに好ましくは３ｇ／ｍ２以上１０ｇ／ｍ２以下である。１．０ｇ／ｍ２未満の場合、不織布の地合が粗くなり、強力が不十分であり、また金属被膜時の電磁波遮蔽効果が不十分となる。１５ｇ／ｍ２を超えると軽量化の点で好ましくない。
【００２８】
本発明の溶融液晶形成性全芳香族ポリエステルメルトブロー不織布の厚みについては、５μｍ以上５０μｍ以下であり、より好ましくは７μｍ以上４０μｍ以下であり、さらに好ましくは９μｍ以上３５μｍ以下である。５μｍ未満の場合、テープ状に加工する際に粘着剤が裏抜けしやすくなり、５０μｍを超えると薄型化の点で好ましくない。
【００２９】
本発明の溶融液晶形成性全芳香族ポリエステルメルトブロー不織布の通気度については、３００ｃｃ／ｃｍ２／秒以下であり、より好ましくは２８０ｃｃ／ｃｍ２／秒以下であり、さらに好ましくは２５０ｃｃ／ｃｍ２／秒以下である。３００ｃｃ／ｃｍ２／秒を超えると地合が粗くなり、金属被膜時の電磁波遮蔽効果が不十分となる。
【００３０】
本発明の導電性不織布は、前記した不織布に金属被膜を形成することが必要である。
金属被覆を形成する方法としては、電気メッキ、無電解メッキ、スパッタリング、真空蒸着など、従来公知の方法を用いることができるが、高い導電性が得やすいとの観点から無電解メッキによる方法が好ましい。無電解メッキの方法としては従来公知の方法を用いることができ、特に制限はないが、基材となる不織布の繊維表面に触媒を付与した後、金属塩、還元剤、緩衝剤を溶解した化学メッキ浴に浸漬することによって金属被膜を形成する方法が一般的である。
【００３１】
金属被膜としては、銅、ニッケル、銀、金、コバルト、錫、亜鉛のいずれかからなる積層被膜、あるいはこれらの少なくとも２種以上からなる合金や積層被膜などを挙げることができ、特に限定はないが、導電性の高さ、金属被覆の形成容易性などの点から、銅、ニッケル、金あるいはこれらの少なくとも２種以上からなる積層被膜が特に好ましい。
これらの中でも、導電性が高く電磁波遮蔽性を付与しやすい点において、銅は最も好ましい金属被膜であるが、表面酸化を抑制する目的で更にニッケルを積層したものが特に好ましい。
【００３２】
本発明の導電性不織布で形成する金属被膜の厚みは、０．０５〜１０μｍの範囲にあることが好ましい。金属被膜の厚みが０．０５μｍより小さいと十分な導電性が得られず、一方、１０μｍより大きいと不織布の柔軟性や可撓性が損なわれるので好ましくない。
【００３３】
本発明の導電性不織布は、繊維表面に上記した構成の金属被膜を形成することによって、導電性を有する。その表面抵抗値は、金属被膜の種類や厚みによって変わりうるが、十分な電磁波遮蔽性を確保する観点から、表面抵抗値は１０‐３〜１Ω／□、好ましくは１０−３〜１０−１Ω／□の範囲が好ましい。
【００３４】
以下に実施例により詳細に説明するが、本発明は実施例により何等限定されるものではない。なお本発明における不織布の物性は以下の方法により測定されたものを意味する。
【００３５】
［平均繊維径  μｍ］
不織布中の任意の点に対し、走査型電子顕微鏡にて、１０００倍で拡大撮影し、１００本の繊維径を測定した値の平均値を平均繊維径とした。
【００３６】
［裂断長  ｋｍ］
島津製作所製オートグラフを使用し、ＪＩＳ  Ｌ  １９０６に準じ、タテ方向、ヨコ方向それぞれ３箇所の不織布破断強力を測定し、その平均値から以下式により、裂断長を算出した。
裂断長＝＜強力（Ｎ）／測定幅（ｍｍ）／目付（ｇ／ｍ２）／９．８＞×１０００
【００３７】
[フィルム状物の面積、フィルム状物の個数］
不織布中の任意の１０箇所、１ｍｍ２の箇所について、走査型電子顕微鏡にて１００倍で拡大撮影し、繊維収束部、塊部分をフィルム状物としてフィルム状物の面積を算出するとともに個数を測定した。
【００３８】
［目付  ｇ／ｍ２］
ＪＩＳ  Ｌ  １９０６に準じ、接着シート幅１ｍあたりから、縦２０ｃｍ×横２０ｃｍの試料片を３枚採取し、各試料片の質量を電子天秤にて測定し、３点の平均値を試験片面積４００ｃｍ2で除して、単位面積当たりの質量を算出し、目付とした。
【００３９】
［厚み  ｍｍ］
ＪＩＳ  Ｌ  １９０６に準じ、目付け測定と同試料片を用い、各試料片において、φ１６ｍｍ、荷重２０ｇｆ／ｃｍ2のデジタル測厚計（(株)東洋精器製作所製：Ｂ１型）で各５箇所測定し、１５点の平均値をシートの厚みとした。
【００４０】
［通気度  ｃｃ／ｃｍ２／秒］
ＪＩＳ  Ｌ  １０９６の６．２７．１（Ａ法：フラジール法）に準じ、目付け測定と同試料片を用い、各試料片おいて、通気度測定器（ＴＥＸＴＥＳＴ製（スイス）：ＦＸ３３００）を使用し、測定面積３８ｃｍ2、測定圧力１２５Ｐａの条件で測定し、３点の平均値を通気度とした。
【００４１】
［導電性不織布の融点  ℃］
導電性不織布の耐熱性は、示差走査熱量計（島津製作所製「ＤＳＣ−６０」）を使用して、１０℃／ｍｉｎの昇温速度で測定した。
【００４２】
［導電性不織布の電磁波遮蔽性  ｄＢ］
関西電子工業振興センター考案による測定セル（マイクロウェーブファクトリー社製「ＭＷＦ−０６−Ｐ０３１−１」）を用い、ベクトル型ネットワークアナライザ（アジレントテクノロジー社製「ＰＮＡ−Ｅ８３６３Ｂ」）により発生させた１００ＭＨｚ〜１ＧＨｚの電磁波を上記の測定セルで発信し、導電性不織布を介して受信した。その際の透過率を電磁波遮蔽性として測定し、周波数１００ＭＨｚと１ＧＨｚにおける透過率を電磁波遮蔽性として求めた。
【００４３】
［導電性不織布の表面抵抗値 Ω／□］
導電性不織布の表面抵抗値は、抵抗値測定器（ヒューレット・パッカード社製「ＭＵＬＴＩＭＥＴＥＲ３４７８Ａ」）を使用し、ＪＩＳ−Ｋ−７１９４に準拠して四端子四探針法により測定した。
【００４４】
［実施例１］
（１）パラヒドロキシ安息香酸と６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸との共重合物からなり、融点３００℃、３１０℃での溶融粘度が１５Ｐａ・ｓである溶融液晶形成性全芳香族ポリエステルを、二軸押し出し機により押し出し、ノズル孔径０．１５ｍｍφ、Ｌ／Ｄ＝３０、幅１ｍあたり孔数１５００（ノズル孔同士の間隔０．６７ｍｍ）のノズルを有するメルトブローン不織布製造装置に供給し、単孔吐出量０．１０ｇ／分、樹脂温度３３０℃、熱風温度３３０℃、ノズル幅１ｍあたり１８Ｎｍ３で吹き付けて目付が１５ｇ／ｍ２の不織布を得た後、空気中にて３００℃で６時間処理した。得られた不織布の平均繊維径は２．７μｍで、フィルム状物は０個／１ｍｍ２であり、タテ方向の引張り強力は７０Ｎ／１５ｍｍ、裂断長は３２ｋｍ、ヨコ方向の引張り強力は２４Ｎ／１５ｍｍ、裂断長は１１ｋｍであり、厚みは３４μｍ、通気度は２０ｃｃ／ｃｍ２／ｓｅｃと低目付け、低厚みでありながら緻密性が高く、かつ非常に高強力な不織布を得た。
（２）上記（１）で得られた不織布の繊維表面にパラジウム触媒を付与し、硫酸銅と酒石酸カリウム・ナトリウム（ロッシェル塩）を含む無電解銅メッキ液に浸漬、水洗し、不織布表面に銅被膜を形成させた。続いて、電気ニッケルメッキ液に浸漬し、電解メッキにてニッケルを被膜させた後に水洗、乾燥すると、銅被膜上に更にニッケル被膜が積層形成された導電性不織布が得られた。得られた導電性不織布の融点は３３５℃で、極めて高い耐熱性が得られた。また、電磁波遮蔽性は、周波数１００ＭＨｚでは８１（ｄＢ）、周波数１ＧＨｚでは８０（ｄＢ）の良好な遮蔽性を示した。また、この導電性不織布の表面抵抗値は、０．０３０（Ω／□）であった。
【００４５】
［実施例２］
実施例１と同じ方法にて、目付が６ｇ／ｍ２の不織布を製造した。不織布の平均繊維径は２．６μｍで、フィルム状物は０個／１ｍｍ２であり、タテ方向の引張り強力は２４Ｎ／１５ｍｍ、裂断長は２７ｋｍ、ヨコ方向の引張り強力は８Ｎ／１５ｍｍ、裂断長は９ｋｍであり、厚みは１７μｍ、通気度は８０ｃｃ／ｃｍ２／ｓｅｃと低目付け、低厚みでありながら緻密性が高く、かつ非常に高強力な不織布を得た。また、実施例１と同様にして繊維表面への銅／ニッケルの金属積層被膜の形成を行い、導電性不織布を得た。得られた導電性不織布の融点は３４０℃で、極めて高い耐熱性が得られた。また、電磁波遮蔽性は、周波数１００ＭＨｚでは７５（ｄＢ）、周波数１ＧＨｚでは７２（ｄＢ）の良好な遮蔽性を示した。また、この導電性不織布の表面抵抗値は、０．０９０（Ω／□）であった。
【００４６】
［実施例３］
実施例１と同じ方法にて、目付が３ｇ／ｍ２の不織布を製造した。不織布の平均繊維径は２．６μｍで、フィルム状物は０個／１ｍｍ２であり、タテ方向の引張り強力は１２Ｎ／１５ｍｍ、裂断長は２７ｋｍ、ヨコ方向の引張り強力は３Ｎ／１５ｍｍ、裂断長は７ｋｍであり、厚みは９μｍ、通気度は２４０ｃｃ／ｃｍ２／ｓｅｃと低目付け、低厚みでありながら、高強力な不織布を得た。また、実施例１と同様にして繊維表面への銅／ニッケルの金属積層被膜の形成を行い、導電性不織布を得た。得られた導電性不織布の融点は３４５℃で、極めて高い耐熱性が得られた。また、電磁波遮蔽性は、周波数１００ＭＨｚでは７０（ｄＢ）、周波数１ＧＨｚでは６８（ｄＢ）の良好な遮蔽性を示した。また、この導電性不織布の表面抵抗値は、０．１０（Ω／□）であった。
【００４７】
［比較例１］
実施例１と同じ溶融液晶形成性全芳香族ポリエステルを、二軸押し出し機により押し出し、ノズル孔径０．０８ｍｍφ、Ｌ／Ｄ＝３０、幅１ｍあたり孔数１３００個（ノズル孔同士の間隔０．７７ｍｍ）のノズルを有するメルトブローン不織布製造装置に供給したが、ノズル孔径が小さいため、ノズル詰まりが多発し、目的とする不織布が得られなかった。
【００４８】
［比較例２］
実施例１と同じ溶融液晶形成性全芳香族ポリエステルを、二軸押し出し機により押し出し、ノズル孔径０．４ｍｍφ、Ｌ／Ｄ=３０、幅１ｍあたり孔数１３００個（ノズル孔同士の間隔は０．７７ｍｍ）のノズルを有するメルトブローン不織布製造装置に供給し、単孔吐出量０．１０ｇ／分、樹脂温度３３０℃、熱風温度３３０℃、ノズル幅１ｍあたり１８Ｎｍ３で吹き付けたが、ノズル孔径が大きすぎるため、ノズル直下での糸切れが多発し、風綿飛散が多く、目的とする不織布が得られなかった。
【００４９】
［比較例３］
実施例１と同じ溶融液晶形成性全芳香族ポリエステルを、二軸押し出し機により押し出し、ノズル孔径０．１５ｍｍφ、Ｌ／Ｄ=１５、幅１ｍあたり孔数１３００個（ノズル孔同士の間隔０．７７ｍｍ）のノズルを有するメルトブローン不織布製造装置に供給し、単孔吐出量０．１０ｇ／分、樹脂温度３３０℃、熱風温度３３０℃、ノズル幅１ｍあたり１８Ｎｍ３で吹き付けたが、ノズルのＬ／Ｄが小さすぎるため、ノズル直下での糸切れが多発し、風綿飛散が多く、目的とする不織布が得られなかった。
【００５０】
［比較例４］
実施例１と同じ溶融液晶形成性全芳香族ポリエステルを、二軸押し出し機により押し出し、ノズル孔径０．１５ｍｍφ、Ｌ／Ｄ=３０、幅１ｍあたり孔数６５０個（ノズル孔同士の間隔１．５４ｍｍ）のノズルを有するメルトブローン不織布製造装置に供給し、単孔吐出量０．１０ｇ／分、樹脂温度３３０℃、熱風温度３３０℃、ノズル幅１ｍあたり１８Ｎｍ３で吹き付け、目付が１５ｇ／ｍ２の不織布を得た後、空気中にて３００℃で６時間処理した。得られた不織布の平均繊維径は４．５μｍで、フィルム状物は１個／１ｍｍ２であったが、ノズル孔同士の間隔が大きいため、通気度は３５０ｃｃ／ｃｍ２／ｓｅｃであり、均質性が低かった。また、タテ方向の引張り強力は１５Ｎ／１５ｍｍ、ヨコ方向の引張り強力は９Ｎ／１５ｍｍであったが、タテ方向の裂断長は７ｋｍ、ヨコ方向の裂断長は４ｋｍと低いものであった。
【００５１】
［比較例５］
実施例１と同じ溶融液晶形成性全芳香族ポリエステルを、二軸押し出し機により押し出し、ノズル孔径０．１５ｍｍφ、Ｌ／Ｄ=１５、幅１ｍあたり孔数１０００個（ノズル孔同士の間隔１．０ｍｍ）のノズルを有するメルトブローン不織布製造装置に供給し、単孔吐出量０．３０ｇ／分、樹脂温度３１５℃、熱風温度３１５℃、ノズル幅１ｍあたり１８Ｎｍ３で吹き付け、目付が２２ｇ／ｍ２の不織布を得た。この不織布を窒素気流中で２６０℃にて１５時間、さらに２６０℃の空気中で５時間、発生する副生ガスをモレキュラーシーブで吸着しつつ熱処理を行った。得られた不織布の平均繊維径は９．５μｍで、通気度は１９０ｃｃ／ｃｍ２／ｓｅｃ、フィルム状部は４個／１ｍｍ２であった。また、厚みは７３μｍと厚いものであり、タテ方向の引張り強力は２９Ｎ／１５ｍｍ、ヨコ方向の引張り強力は１５Ｎ／１５ｍｍであったが、タテ方向の裂断長は９ｋｍ、ヨコ方向の裂断長は５ｋｍと低いものであった。
【００５２】
［比較例６］
不織布の目付けを６ｇ／ｍ２とする以外は、比較例４と同じ方法にて、不織布を得た。得られた不織布の平均繊維径は６．９μｍで、フィルム状部は３個／１ｍｍ２であり、タテ方向の引張り強力は６Ｎ／１５ｍｍ、裂断長は７ｋｍ、ヨコ方向の引張り強力は３Ｎ／１５ｍｍ、裂断長は３ｋｍであり、厚みは３５μｍと薄いものであったが、通気度は４００ｃｃ／ｃｍ２／ｓｅｃと高いものであった。得られた不織布を用いて実施例１と同様の方法により導電性不織布とした。得られた導電性不織布の電磁波遮蔽性は、周波数１００ＭＨｚでは４６（ｄＢ）、周波数１ＧＨｚでは３６（ｄＢ）で同じ目付けの実施例１〜３と比較すると遮蔽性は不十分であった。
【００５３】
【表１】
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【産業上の利用可能性】
【００５４】
非常に軽量、薄膜であり、広い周波数にわたって電磁波遮蔽性を有し、電磁波シールディングシート、ガスケット、バック等の用途に広く使用でき、特に小型、薄型化が求められる電子機器内部で使用される目的において、有用な導電性不織布および不織布の製造方法に関する。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】従来のフィルム状物が散在している不織布の表面状態の一例を示す走査型電子顕微鏡写真。
【図１】
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