(57)【要約】【課題】正確な結晶方位を持つ単結晶インゴットを短時間で且つ安価に製造するシステムを提供する。【解決手段】アズグロウン８から回折したＸ線をＸ線検出器３ｂで検出して結晶方位を測定する結晶方位測定部３と、アズグロウン８を位置決め保持する結晶保持固定部２と、アズグロウン８を方位検出時の姿勢を保ったまま結晶保持固定部２を移動させる結晶保持固定部移動手段と、移動されたアズグロウン８を円筒形状に加工する結晶加工部４とを備える結晶方位測定加工システムであって、結晶保持固定部２は、等間隔角度で配設された複数のアームを各々の半径方向へスライドさせてアズグロウン８を把持するハンド２ｇと、ハンド２ｇを回転させる回転部と、ハンド２ｇおよび回転部を振り子状にスライドさせアズグロウン８を傾斜させる振り子台座部と、振り子台座部をｙ軸方向およびｚ軸方向へ移動させる振り子台座部移動手段とを備える結晶方位測定加工システム。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線源から発生したＸ線を結晶に照射し、前記結晶から回折したＸ線をＸ線検出器で検出して前記結晶の結晶方位を測定する結晶方位測定部と、
前記結晶を前記結晶方位測定部で方位検出し、前記結晶を位置決め保持する結晶保持固定部と、
前記結晶を方位検出時の姿勢を保ったまま前記結晶保持固定部を移動させる結晶保持固定部移動手段と、
前記結晶保持固定部移動手段により移動された前記結晶を円筒形状に加工する結晶加工部とを備える結晶方位測定加工システムであって、
前記結晶保持固定部は、等間隔角度で配設された複数のアームを各々の半径方向へスライドさせて結晶を把持する結晶把持部と、前記アームの各々の半径方向中心を通り前記アームのスライド面に直交する軸を回転軸として前記結晶および前記結晶把持部を回転させる回転部と、前記結晶把持部および前記回転部を振り子状にスライドさせ結晶を傾斜させる振り子台座部と、前記結晶保持固定部移動手段の移動方向をｘ軸方向としたとき前記振り子台座部をｙ軸方向およびｚ軸方向へ移動させる振り子台座部移動手段とを備えることを特徴とする結晶方位測定加工システム。
【請求項２】
請求項１に記載の結晶方位測定加工システムにおいて、前記結晶把持部は前記結晶を把持するアームに加えて、前記結晶を圧着支持する補助把持部を有する結晶方位測定加工システム。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の結晶方位測定加工システムにおいて、前記結晶方位測定部から前記結晶の方位測定位置までの距離を測定する距離測定センサーを有する結晶方位測定加工システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  単結晶の結晶方位を測定し、加工するシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】  半導体材料はシリコン、サファイア、ガリウム砒素等の単結晶を結晶方位の向きに平行な薄い円板形状のウエハとして供給される。円板形状のウエハを製造するプロセスとして、例えばチョクラルスキー法（Ｃｚ法）等の製造技術を用いて単結晶を成長させ、単結晶塊から、円筒形状（円筒インゴット）に一時加工した後、円板形状のウエハとして薄くスライスされる。【０００３】  前記プロセスの中で単結晶を成長させる過程では、例えばサファイア結晶はａ面あるいはｃ面に平行に積層させる方法が一般的である。サファイアの結晶方位面はａ面、ｃ面、ｒ面、ｍ面等のいずれかが半導体の用途によって選択される。【０００４】  選択した面の結晶方位が正確な向きの単結晶円筒インゴットの製造プロセスを以下に記す。一例として現在の主流のａ面軸方向にＣｚ法にて育成成長させたサファイアインゴット（以下アズグロウンと称す）から、正確な所望の面方位とオリエンテーションフラットを備える円筒インゴットを作製する製造プロセスを記す。【０００５】  下記に例としてａ面軸方向に育成したアズグロウンからｃ軸方向の円筒インゴットを加工する工程を述べる。【０００６】  第１の段階では図８に示すように、所望の向きの方向にアズグロウン１０１からコアドリル１０４等の加工機で円筒形状のｃ軸方向の面方位の円筒インゴット１０２をくり貫く。この時のくり貫く方向によって図８に示すようにｃ軸方向あるいはｒ軸方向あるいは他の所望の結晶面方位を持つ円筒インゴットを取り出す。しかしながらこの時の方向はあらかじめ分かっている種結晶の向きから推定予測される向きであり、尚且つアズグロウン１０１の表面は不規則な凹凸であり、固定基準もとれないことからこの段階で取り出される円筒インゴットの結晶面方位は正確なものではない。【０００７】  第２の段階では図９に示すように、円筒両端面が平面になるよう、ワイヤソー１０５等で、カットする。しかしながら、この段階で作製された円筒形状の円筒インゴット１０６は前述したように最初の種結晶の向きから推定した向きで加工される為、正確な結晶方位の向きを持って作製されたものではない。【０００８】  第３の段階では図１０に示すように、第２の段階で作製された、インゴット１０６の、円筒端面のｃ面の結晶方位を結晶方位測定器１０７で測定し、ｃ面の傾き角度を正確に割り出す。【０００９】  第４の段階では図１１に示すように、上記第３の段階で判明した、ｃ面の角度に平行になるように、ダイヤモンド砥石１０８で、円筒インゴット１０６端面の研削加工をする。この状態になって、研削した端面がｃ軸に対して正確な垂直面となった円筒インゴット１０９が作製される。【００１０】  第５の段階では図１２に示すように、上記第４の段階で作製し得たｃ面の研削面を基準面として、専用保持装置１１１でインゴット１０９を保持して回転させながら、円筒インゴット側面をダイヤモンド砥石１１０等で研削加工を行う。この加工を経て、円筒側面は正確なｃ面端面に垂直な円筒面を持つ、円筒インゴット１１２が作製される。なお、図１２は加工状態を上方から見た図であり、専用保持装置１１１は、図１２の円筒インゴット１０９左側の正確なｃ面端面を基準面とするため、剛性の高い平面を持つ、基準座１１１ａを押し当て、インゴット１０９の右側の面は、インゴット１０９の右側の面に合わせて、自由に揺動するプッシャ１１１ｂを押し当て、基準座１１１ａとプッシャ１１１ｂとでインゴット１０９を把持する形式のものを一例として表したものである。【００１１】  第６の段階では図１３に示すように、第５の段階で作製された円筒インゴット１１２の、円筒側面の結晶方位測定を行い、六方晶系のサファイア結晶の円周方向の向きを特定する。通常、図１３に示すように円筒側面を、Ｘ線回析を利用した結晶方位測定器１１３で計測しながら円筒インゴットを回転させて円周上に６箇所存在するａ面方向の１つの位置を正確に割り出す。【００１２】  第７の段階では図１４に示すように、上記第６の段階で判明したａ面の特定角度位置にオリエンテーションフラットと呼ばれる平面を研削加工する。オリエンテーションフラットは次の段階の加工、あるいは測定での基準面となる。図１４では前記第５の段階、第６の段階では回転していた基準座１１１ａとプッシャ１１１ｂは、停止しているのでオリエンテーションフラットの平面が加工される。【００１３】  上記のような工程を経て、図１５に示すような正確な角度と、基準面のオリエンテーションフラットを持った、サファイア円筒インゴット１１３が作製される。【００１４】  なお、上記工程の説明は一例であり、上記工程の順番を変更したり、加工用の固定プレートに一時的に接着する工程が含まれたり、等の派生的な製造工程を持つものもある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開２００８−０００９７１号公報
【特許文献２】特開２００９−１８６１８１号公報
【特許文献３】特開２００５−２４１５７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】  上述した工程では第１の段階において、見当をつけた場所にコアドリル等にて円筒形状にインゴットをくり貫くのであるが、この際に所望の角度から誤差がある場合、上述した工程の第４の段階及び第５の段階でのくり貫いた円筒インゴットを研削加工する際に、形を整える為、大幅な研削加工をしなければならない。サファイア結晶は硬度が高く、脆いため、その加工には時間がかかる研削等の方法によることになり、研削の量が増えると長時間の加工になり、コストの増大を招く。さらに加えて研削加工する工具であるダイヤモンド砥石も摩滅していくため、加工量が大きくなるとダイヤモンド砥石が早く摩滅していき、交換寿命も早くなって、工具にかかるコストが増えてしまう。さらに加えて加工には絶えずオイルをかけ流しながら行い、加工後のオイルは多量の研削加工粉を含み、環境に対する影響も大きい。【００１７】  また、端面の結晶方位を測定する際、くり貫いた円筒インゴットの推定誤差に合わせてスキャン範囲を大きくとらねばならないが、スキャン動作はゆっくりした速度で行われるため、スキャン範囲が大きくなればその分測定時間がかかることになる。【００１８】  本発明の実施形態は、正確な結晶方位を持つ単結晶インゴットを短時間で且つ安価に製造するシステムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】  上記目的を達成するため、実施形態の結晶方位測定加工システムは、Ｘ線源から発生したＸ線を結晶に照射し、前記結晶から回折したＸ線をＸ線検出器で検出して前記結晶の結晶方位を測定する結晶方位測定部と、前記結晶を前記結晶方位測定部で方位検出し、前記結晶を位置決め保持する結晶保持固定部と、前記結晶を方位検出時の姿勢を保ったまま前記結晶保持固定部を移動させる結晶保持固定部移動手段と、前記結晶保持固定部移動手段により移動された前記結晶を円筒形状に加工する結晶加工部とを備える結晶方位測定加工システムであって、前記結晶保持固定部は、等間隔角度で配設された複数のアームを各々の半径方向へスライドさせて結晶を把持する結晶把持部と、前記アームの各々の半径方向中心を通り前記アームのスライド面に直交する軸を回転軸として前記結晶および前記結晶把持部を回転させる回転部と、前記結晶把持部および前記回転部を振り子状にスライドさせ結晶を傾斜させる振り子台座部と、前記結晶保持固定部移動手段の移動方向をｘ軸方向としたとき前記振り子台座部をｙ軸方向およびｚ軸方向へ移動させる振り子台座部移動手段とを備えることを要旨とする。【００２０】  この構成により、アズグロウンから直接精度の良いサファイア円筒インゴットを作製することが出来る。
【発明の効果】
【００２１】  本発明の実施形態によれば、アズグロウンから直接精度の良いサファイア円筒インゴットを作製することができ、その後の整形加工量を抑え、加工時間を短くできる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の第１の実施形態の側面図。
【図２】本発明の第１の実施形態の上面図。
【図３】本発明の第１の実施形態の正面図。
【図４】本発明の第２の実施形態を説明する図。
【図５】本発明の第３の実施形態を説明する図。
【図６】補助把持ブロック１６を用いた例を示す図。
【図７】距離測定センサー１７を用いた例を示す図。
【図８】アズグロウンから円筒インゴットをくり貫く様子を示す図。
【図９】円筒インゴットをワイヤソーでカットする様子を示す図。
【図１０】結晶方位測定器で結晶方位を測定する様子を示す図。
【図１１】円筒インゴットの端面を研削加工する様子を示す図。
【図１２】円筒インゴットの側面を加工する様子を示す図。
【図１３】円筒インゴットの側面の結晶方位を測定する様子を示す図。
【図１４】オリエンテーションフラットの平面を加工する様子を示す図。
【図１５】オリエンテーションフラットを持った円筒インゴットを示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】  （第１の実施形態）
図１乃至図３を参照して、第１の実施形態の構成を説明する。図１は第１の実施形態の側面の概念図で、図２は第１の実施形態の上面の概念図で、図３は第１の実施形態において結晶を把持するハンドを正面から見た概念図である。
【００２４】  図１及び図２において、本発明の実施の形態として、システム全体のベース１上には水平方向（ｘ軸方向）に長い直動ガイド１ａが設置され、ベース１の上にはガイド１ａに沿って正確に矢印５ａの方向に、直線移動する結晶保持固定部２が設置される。結晶保持固定部２は前述したようにガイド１ａに沿って水平移動するわけであるが、移動する途上の上方には、結晶方位測定部３と、結晶加工部４とが、距離を隔てて図示しない結合部材によって配置されており、結晶保持固定部２は、結晶方位測定部３の下、あるいは結晶加工部４の下へと自在に移動することができる。なお、結晶保持固定部２を駆動するための動力装置及び機構は周知のものを用いるが図示していない。
【００２５】  ここで、結晶保持固定部移動手段とは、ベース、ガイドおよび結晶保持固定部２を駆動するための動力装置及び機構をいう。
【００２６】  以上のように第１の実施形態の基本構成は結晶保持固定部２を左右水平移動させる結晶保持固定部移動手段、結晶保持固定部２、結晶方位測定部３、結晶加工部４、の４つの構成要素によって構築される。
【００２７】  次に各構成要素の詳細な構造と作用について述べる。はじめにベース１と結晶保持固定部２について述べる。
【００２８】  ベース１上には前述したように水平方向（ｘ軸方向）にガイド１ａが設置されており、ガイド１ａは結晶保持固定部２を水平方向に正確に直線移動させるが、結晶保持固定部２を、水平方向へ微動することで、水平方向の結晶方位の測定点または、加工点を微妙に位置決め調整することもできる。
【００２９】  結晶保持固定部２は前記ベース１上のガイド１ａに沿って移動するベース２ａ上に図示しないガイド及び動力機構によって上下（ｚ軸方向）に移動するベース２ｂが設置される。
【００３０】  ベース２ｂ上には前述したガイド１ａと直角（ｙ軸方向）に配置されたガイド２ｃが配置され、ガイド２ｃ上には、ベース２ｄが設置され、図２中の矢印５ｃの方向（ｙ軸方向）に、図示しない動力機構によって、ベース２ｄを移動せしめることができる。
【００３１】  上記のようにベース２ａ、ベース２ｂ、ベース２ｄは互いに直角な立体３方向の直動ガイドによって構成されているので、立体３方向の最終段であるベース２ｄは、左右方向（ｘ軸方向）、奥行方向（ｙ軸方向）、上下方向（ｚ軸方向）の３次元の位置決めを行うことが出来るのが特徴である。
【００３２】  ベース２ｄの側面には図１に示すように、奥行方向に円弧の中心軸がある、円弧ガイド２ｅが設置され、円弧ガイド２ｅにはベース２ｆ（振り子台座部）が取り付けられており、矢印５ｄの方向に、ベース２ｆを図示しない動力機構によって揺動せしめることができる。
【００３３】  ベース２ｆにはアズグロウン８を把持するためのハンド２ｇ（結晶把持部）が設置されており、ハンド２ｇは矢印５ｅの向きに図示しない動力機構及び回転機構によって回転する。
【００３４】  なお、ハンド２ｇの回転中心軸は前述の円弧ガイド２ｅの揺動中心軸と直角をなす構造になっていることが特徴である。したがってハンド２ｇは直角２方向（回転中心軸に対する回転と回転中心軸をｘｚ面内で傾ける回転）に角度を変更することが出来る。すなわち平面的に（自由度２で）自由にハンド２ｇの角度を変更できるのが特徴である。
【００３５】  図３はハンド２ｇを、ハンド２ｇの回転中心軸方向から見た図であり、また結晶保持固定部２が、結晶加工部４の下方に移動した時の図である。ハンド２ｇには図３に示すように、放射状に３本のチャック爪（アーム）２ｈが配置されており、図３の矢印５ｆのように、３本のチャック爪２ｈが回転中心軸に接近または離間する方向（半径方向）に等距離で移動することにより、３本のチャック爪２ｈでアズグロウン８を把持する。
【００３６】  さらに、図１に示すように、ベース２ｆは回転するハンド２ｇと対抗した位置にアズグロウン８の先端をハンド２ｇの方向に押すプッシャ（補助把持部）２ｉがあり、またプッシャ２ｉは図１の矢印５ｈに示すように回転するハンド２ｇと同軸に自由に回転できる。
【００３７】  すなわちアズグロウン８は、３本のチャック爪２ｈで把持されると同時にプッシャ２ｉで先端を支持されるので、強固に第４のベース２ｆに保持されたまま回転される。
【００３８】  なお、本実施形態ではプッシャ２ｉを用いた形で説明したが、３本のチャック爪２ｈでアズグロウン８を堅固に把持できれば、必ずしもプッシャ２ｉは必要ではない。
【００３９】  また、図６に示すように、アズグロウン８の底部に圧着し支持する補助把持ブロック（補助把持部）１６を設けても良い。この構造により、アズグロウン８を強固に固定、把持せしめることができる。
【００４０】  また、プッシャ２ｉと補助把持ブロック１６を組み合わせて使用しても良い。アズクロウン８をより強固に固定、把持せしめることができる。
【００４１】  前述した構成により、結晶保持固定部２はアズグロウン８を把持し、アズグロウン８の角度を平面的に自在に変更でき、且つ変更した角度を保ったまま、アズクロウン８の位置を３次元方向に自在に動かすことができる。
【００４２】  次に結晶方位測定部３について説明する。図１に示すように結晶方位測定部３は、図示しない構造部材によって、上方に設置されており、斜め下向きに、アズグロウン８に向かって、Ｘ線発生器３ａからＸ線が照射され、反射量をＸ線検出器３ｂで測定しており、回析現象を利用して、所望の結晶面が何度傾いているか、傾き角度を割り出す。また、結晶方位測定部３は、図１の矢印６ａのように水平に９０度回転して結晶方位測定スキャンを行い、直角２方向の傾き角度を割り出すことで結晶面の合成傾き角度を計算する。
【００４３】  ところで結晶方位測定部３は、所望の検出面の傾き角度が０度であるときは、所望の検出面は、前述したガイド１ａの設置面に対して正確に平行になるよう、調整、設置されている。
【００４４】  また、図７に示すように、結晶方位測定部３からアズグロウン８の方位測定位置までの距離を測定する距離測定センサー１７を設けても良い。この構想により、アズグロウン８を所望する様々な角度に傾斜させて結晶方位測定する場合でも、結晶方位測定部３のＸ線照射源から照射位置までの距離を常に一定になるようセンサー信号情報を基にアズグロウン８と結晶方位測定部３との間の距離を自動的に調整することで高精度で再現性の高い結晶方位測定を行うことができる。
【００４５】  次に結晶加工部４について説明する。図１に示すように結晶加工部４は、図示しない構造部材によって、前述したように、結晶方位測定部３と距離をおいて、結晶保持固定部２の水平移動軌道上の上方に設置されている。この際、上から見て、結晶加工部４の加工中心点と結晶方位測定部３の測定中心点を結んだ直線は、結晶保持固定部２の水平移動の直線方向と平行であることが望ましい。
【００４６】  結晶加工部４は、コップを逆さにしたような底面が開いた円筒形状をした、加工工具４ａを下向きに備えている。結晶加工部４は、結晶保持固定部２が、図１の位置２ｘに移動したあと、図示しない動力機構によって、加工工具４ａを高速回転しながら下方向に直線移動させ、アズグロウン８から円筒インゴット９を取り出す。
【００４７】  また、加工工具４ａは下側の縁にダイヤモンド砥石が固着された工具であり、縁を結晶にあてて高速回転しながら削り進み、結晶の反対側まで進んで穴を貫通させると、加工工具４ａの内側に、円筒状の円筒インゴット９が取り出せる。なお、工具技術の進歩により、前述した構造でない加工工具を用いるとしても、本発明の要旨を妨げるものではない。
【００４８】  ところで加工工具４ａの上下方向（ｚ軸方向）に直線移動する角度方向は、前述したガイド１ａの設置面に対して正確に垂直になるよう、調整、設置されている。
【００４９】  すなわち前述した結晶方位測定部３の測定方向軸と加工工具４ａの加工方向軸は正確に平行になるよう設置されている。また加工工具４ａはアズグロウン８の反対側まで抜けるように加工するとくり貫かれた円筒インゴットが落ちてしまうので落ちてくる円筒インゴット９を受けるための台座４ｂがアズグロウン８を間に挟んで加工工具４ａの直下に配置されている。
【００５０】  （第１の実施形態の効果）
したがって、図１に示されるような構成の、結晶方位測定加工システムを用いれば、結晶方位測定部３での測定傾斜角度が０度になるように、結晶保持固定部２のハンド２ｇの角度を調整すれば、結晶保持固定部２を位置２ｘまでガイド１ａに沿って移動させるのみで正確な方位軸を持った円筒インゴット９をくり貫くことができる。
【００５１】  さらにこの場合、以下のような手順で測定、加工動作を行うとより精密な結晶方位軸をもった円筒インゴット９を取り出すことができる。
【００５２】  第１段階として特定した円筒インゴット９のくり貫き加工位置での結晶面の傾斜角度を測定する。第２段階として、第１段階で判明したアズグロウン８の結晶面の傾斜角度を、結晶保持固定部２のハンド２ｇの角度を修正して傾斜角度を０度にする。第３段階として、確認のための結晶方位測定を行い所望の面の傾斜角度が正しい状態でアズグロウン８を把持固定してあることを確認する。第４段階として、結晶保持固定部２を、ガイド１ａ上を加工位置である位置２ｘまで移動させ、結晶加工部４にて、円筒インゴット９のくり貫き加工を行う。
【００５３】  前述の手順では、アズグロウン８の角度を正確に位置決めしてから、円筒インゴット９のくり貫き加工位置までの結晶方位測定加工システムの動作軸は左右水平移動のみの１軸のみであるため、制御系、機械系においての誤差要因も１軸のみとなるので、ずれのない、高精度な加工をするのに大変有益である。
【００５４】  このようにして作製された円筒インゴット９は、はじめから正確な結晶方位軸角度を持っているので、この後の、半導体材料としての整形工程では整形の為の研削加工を最小限に抑えることができ、加工時間及び測定時間の大幅な短縮が出来る上、加工工具の交換周期も伸ばすことができるので、コストの面で大変有利である。
【００５５】  また、修正のための加工量を抑えることができるので加工に伴う廃棄物あるいはリサイクル対象物の削減ができ、環境保護の観点からも大変有利なシステムを提供できる。
【００５６】  （第２の実施形態）
図４は本発明の第２の実施形態を説明する図である。図４においては、ベース１の上には、前述したように直線上を水平に移動できる結晶保持固定部２があり、結晶方位測定部３があり、結晶加工部４があるが、第２の実施形態においては、平面研削加工部１１が、結晶方位測定部３と、結晶加工部４との間に配置されている。すなわち結晶保持固定部２に把持されるアズグロウン８は、晶方位測定部３と、平面研削加工部１１と、結晶加工部４との間を自由に移動できる。
【００５７】  ところで平面研削加工部１１の働きについて詳述すると、図４に示すように、先端にダイヤモンド砥粒が埋め込まれた円筒状の工具１１ａを矢印１２ｂのように回転させながら、矢印１２ａのように垂直に下げてアズグロウン８の上部に仮測定のための小さな平面部を作成する。アズグロウン８に作成された平面部を測定部３で測定することにより、安定した検出精度をえることができ、より精密な円筒インゴットを作製することができる。
【００５８】  （第３の実施形態）
図５は本発明の第３の実施形態を説明する図である。図５では、ベース１の上には、前述したように直線上を水平に移動できる結晶保持固定部２があり、結晶方位測定部３があり、結晶加工部４があり、平面研削加工部１１があるが、第３の実施形態においては、第２の実施形態に加えて、ベース１の上に円筒インゴット保持固定部１３があり、円筒インゴット保持固定部１３は、結晶保持固定部２と直線を移動するガイド１ａを共有しており、したがって、結晶保持固定部２が、結晶方位測定部３の真下の位置から移動していれば、円筒インゴット保持固定部１３は、結晶方位測定部３の真下の位置に移動できる。また、図５の右端上部にはオリエンテーションフラット加工用の、結晶加工部１４がある。
【００５９】  ところで円筒インゴット保持固定部１３の働きについて詳述すると、図５に示すように、円筒インゴット保持固定部１３は、円筒インゴット１５の両端をハンド１３ｃおよびハンド１３ｄにて挟み込んで把持しており、ハンド１３ｃおよびハンド１３ｄを矢印１３ｂのように回転させて、円筒インゴット１５を、円周方向に回転させることができる。円筒インゴット保持固定部１３は、結晶方位測定部３の真下の位置１３ｘでは、矢印１３ａのように把持部を上下させて、結晶方位測定部３の測定点まで円筒インゴット１５を持ち上げ、円筒インゴット１５を回転させることにより、オリエンテーションフラット加工位置を、結晶方位測定部３によって特定することができる。その後円筒インゴット保持固定部１３は、結晶加工部１４の真下に移動して、結晶加工部１４によってオリエンテーションフラット面を正確な位置に加工することができる。
【００６０】  また、図５に示すように結晶保持固定部２と、円筒インゴット保持固定部１３で同時に加工又は測定を行うことにより、製造にかかる時間を節約することができる。
【００６１】  すなわち、図５のような構成の結晶方位測定加工システムにおいては、ガイド１ａおよび結晶方位測定部３を共有する円筒インゴット保持固定部１３と、結晶加工部１４が追加されることにより、通常では別装置で構成されるはずの結晶方位測定加工システムが１台の装置に統合されるので、安価且つコンパクトで、製造能力の高い装置を提供できる。
【００６２】  なお、ベース１の上にさらに別種の加工部や結晶把持、移載部を組み合わせることにより、所望の能力を兼ね備えた装置をビルドアップしていくこともできる。
【符号の説明】
【００６３】１、２ａ、２ｂ、２ｄ、２ｆ…ベース
１ａ、２ｃ…ガイド
２…結晶保持固定部
２ｅ…円弧ガイド
２ｇ…ハンド
２ｈ…チャック爪
２ｉ…プッシャ
３…結晶方位測定部
３ａ…Ｘ線発生器
３ｂ…Ｘ線検出器
４…結晶加工部
４ａ…加工工具
４ｂ…台座
８、１０１…アズグロウン
９、１５、１０２、１０３、１０６、１０９、１１２、１１３…円筒インゴット
１１…平面研削加工部
１１ａ…工具
１３…円筒インゴット保持固定部
１３ｃ、１３ｄ…ハンド
１４…結晶加工部
１６…補助把持ブロック
１７…距離測定センサー
１０４…コアドリル
１０５…ワイヤソー
１０７、１１３…結晶方位測定器
１０８、１１０…ダイヤモンド砥石
１１１…専用保持装置
１１１ａ…基準座
１１１ｂ…プッシャ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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