(57)【要約】【課題】アンダーフィルのオーバーフロー（ｏｖｅｒ  ｆｌｏｗ）を容易に防止できるとともに、チップパッケージにおける反り抵抗性（ｗａｒｐａｇｅ  ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）を向上できるフラットダム及びこれを用いたチップパッケージング方法を提供する。【解決手段】本発明のフラットダム１４０は、基板１００上に設けられた絶縁層のパッケージ領域に形成されてアンダーフィル２１０の移動を制限するものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた絶縁層のパッケージ領域に形成されてアンダーフィルの移動を制限することを特徴とするフラットダム。
【請求項２】
前記フラットダムは、前記絶縁層のパッケージ領域の周縁に沿って前記絶縁層の表面に形成されることを特徴とする請求項１に記載のフラットダム。
【請求項３】
前記フラットダムは、前記絶縁層のパッケージ領域の周縁に沿って上部面から内部までトレンチ領域で設けられることを特徴とする請求項１に記載のフラットダム。
【請求項４】
前記フラットダムは、前記パッケージ領域に設けられたはんだバンプの間における前記絶縁層の表面にさらに形成されることを特徴とする請求項２に記載のフラットダム。
【請求項５】
前記フラットダムは、疎水性（ｈｙｄｒｏｐｈｏｂｉｃ）材質からなることを特徴とする請求項１に記載のフラットダム。
【請求項６】
前記疎水性材質は、ＰＦＡＣ（Ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｏｃｔｙｌ  ａｃｒｙｌａｔｅ）、ポリプロピレン（Ｐｏｌｙｐｒｏｐｙｌｅｎｅ）、ＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）、及びフッ素化合物のうち何れか１つまたは少なくとも２つを含むことを特徴とする請求項５に記載のフラットダム。
【請求項７】
前記フラットダムは、前記絶縁層の熱膨張率と前記アンダーフィルの熱膨張率との中間値を有することを特徴とする請求項１に記載のフラットダム。
【請求項８】
（Ａ）基板上に多数の回路パターンを形成する段階と、
（Ｂ）前記回路パターンを埋め立てる絶縁層を形成する段階と、
（Ｃ）前記絶縁層のパッケージ領域にフラットダムを形成する段階と、
（Ｄ）前記パッケージ領域にはんだバンプを形成する段階と、
（Ｅ）前記パッケージ領域にアンダーフィル工程でチップを実装する段階と、
を含むことを特徴とするチップパッケージング方法。
【請求項９】
前記（Ａ）段階は、
（Ａ−１）基板の上部面にドライフィルムをラミネーションする段階と、
（Ａ−２）前記ドライフィルムに対してパターニング工程により多数の開口部を有するドライフィルムパターンを形成する段階と、
（Ａ−３）前記ドライフィルムパターンの開口部に銅を充填する段階と、
（Ａ−４）前記ドライフィルムパターンを剥離する段階と、
を含むことを特徴とする請求項８に記載のチップパッケージング方法。
【請求項１０】
前記（Ａ−３）段階は、
ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、サブトラクティブ（Ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）法、無電解銅めっきまたは電解銅めっきを用いたアディティブ（Ａｄｄｉｔｉｖｅ）法、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）、及びＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）のうち何れか１つの方法で行われることを特徴とする請求項９に記載のチップパッケージング方法。
【請求項１１】
前記（Ｃ）段階は、疎水性材質を用いて前記パッケージ領域の周縁に沿って前記絶縁層の表面に対する表面改質を行って前記フラットダムを形成することを特徴とする請求項８に記載のチップパッケージング方法。
【請求項１２】
前記（Ｃ）段階は、ｉＣＶＤ（ｉｎｉｔｉａｔｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＣＶＤ、ＰＶＤ、及びプラズマ重合法のうち何れか１つの方法で前記フラットダムを形成することを特徴とする請求項１１に記載のチップパッケージング方法。
【請求項１３】
前記（Ｃ）段階は、疎水性材質を用いて前記パッケージ領域の周縁に沿って前記絶縁層の上部面から内部までトレンチ形態で前記フラットダムを形成することを特徴とする請求項８に記載のチップパッケージング方法。
【請求項１４】
前記（Ｃ）段階は、前記疎水性材質をイオン化してイオン注入法（ｉｏｎ  ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ）で前記絶縁層の上部面から内部まで注入することを特徴とする請求項１３に記載のチップパッケージング方法。
【請求項１５】
前記パッケージ領域に設けられるはんだバンプの間における前記絶縁層の表面にフラットダムをさらに形成することを特徴とする請求項１１に記載のチップパッケージング方法。
【請求項１６】
前記フラットダムは、前記絶縁層の熱膨張率と前記アンダーフィルの熱膨張率との中間値を有するように形成されることを特徴とする請求項８に記載のチップパッケージング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラットダム及びこれを用いたチップパッケージング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子産業分野は、持続的に微細パターン化が進行されており、そのための様々な技術が開発されつつある。
【０００３】
しかし、パッケージング分野は、シリコンチップと基板との接続に伴う様々な問題により、微細パターン化の発展が最も遅い分野である。過去のワイヤーボンディングの代わりに、フリップチップ技術を適用することによって相当な成果が得られたが、バンプパターンの微細化は、相変わらず難しい問題である。
【０００４】
これに対する解決案を提示するために多くの研究が行われており、最近の研究傾向の一つは、特許文献１に記載されているように、バンプに対応する領域を囲むＳＲダム（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｒｅｓｉｓｔ  ｄａｍ）を形成することである。
【０００５】
従来、ＳＲダムは、アンダーフィル（ｕｎｄｅｒｆｉｌｌ）の流れを防止して、モルディング（Ｍｏｌｄｉｎｇ）時に所望する領域にチップがモルディングされるようにするもので、そのために、チップを載置する部位に２次ＳＲを形成して所定の高さを有するようにする。
【０００６】
しかし、従来の１５μｍ以内の薄い厚さを有する印刷回路基板の仕様で、７０μｍの厚さを有するＳＲダムが必要となるため、従来のＳＲダムを形成する工程では、様々な問題、例えば、製品破損や巻き上げなどの工程欠陥、反り（Ｗａｒｐａｇｅ）、過度なＳＲ現像量による液汚染、ＳＲ残渣などの問題がある。
【０００７】
具体的には、従来、ダムが形成される印刷回路基板の片面にＳＲをラミネーションし、露光と現像を行う。この時、ＳＲダムの厚さが高い場合、超薄膜印刷回路基板に対してＳＲをラミネーションする過程で、超薄膜印刷回路基板そのものが曲がったり、割れたりして工程欠陥を引き起こし、超薄膜印刷回路基板の反りの原因となる。
【０００８】
また、ＳＲダムが溝の形態で設けられる場合、印刷回路基板のデザインに応じて回路の一部の領域が露出し、それによって、ガルバニック腐食（Ｇａｌｖａｎｉｃ  ｃｏｒｒｏｓｉｏｎ）などの問題が発生するおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】韓国登録特許第１０−０８５０７６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の目的は、上記の問題点を解消するために、チップが実装されるパッケージ領域のＳＲ層に形成されたフラットダムを提供することにある。
【００１１】
本発明の他の目的は、前記問題点を解消するために、チップが実装されるパッケージ領域のＳＲ層に形成されたフラットダムを用いてチップを実装するチップパッケージング方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一実施例によるフラットダムは、基板上に設けられた絶縁層のパッケージ領域に形成されてアンダーフィルの移動を制限する。
【００１３】
本発明の一実施例によるフラットダムは、前記絶縁層のパッケージ領域の周縁に沿って前記絶縁層の表面に形成される。
【００１４】
本発明の一実施例によるフラットダムは、前記絶縁層のパッケージ領域の周縁に沿って上部面から内部までトレンチ領域で設けられる。
【００１５】
本発明の一実施例によるフラットダムは、前記パッケージ領域に設けられたはんだバンプの間における前記絶縁層の表面にさらに形成される。
【００１６】
本発明の一実施例によるフラットダムは、ＰＦＡＣ（Ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｏｃｔｙｌ  ａｃｒｙｌａｔｅ）、ポリプロピレン（Ｐｏｌｙｐｒｏｐｙｌｅｎｅ）、ＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）、及びフッ素化合物のうち何れか１つまたは少なくとも２つを含む疎水性（ｈｙｄｒｏｐｈｏｂｉｃ）材質からなる。
【００１７】
本発明の一実施例によるフラットダムは、前記絶縁層の熱膨張率と前記アンダーフィルの熱膨張率との中間値を有する。
【００１８】
また、本発明の他の実施例によるチップパッケージング方法は、（Ａ）基板上に多数の回路パターンを形成する段階と、（Ｂ）前記回路パターンを埋め立てる絶縁層を形成する段階と、（Ｃ）前記絶縁層のパッケージ領域にフラットダムを形成する段階と、（Ｄ）前記パッケージ領域にはんだバンプを形成する段階と、（Ｅ）前記パッケージ領域にアンダーフィル工程でチップを実装する段階と、を含む。
【００１９】
本発明の他の実施例によるチップパッケージング方法において、前記（Ａ）段階は、（Ａ−１）基板の上部面にドライフィルムをラミネーションする段階と、（Ａ−２）前記ドライフィルムに対してパターニング工程で多数の開口部を有するドライフィルムパターンを形成する段階と、（Ａ−３）前記ドライフィルムパターンの開口部に銅を充填する段階と、（Ａ−４）前記ドライフィルムパターンを剥離する段階と、を含む。
【００２０】
本発明の他の実施例によるチップパッケージング方法において、前記（Ａ−３）段階は、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、サブトラクティブ（Ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）法、無電解銅めっきまたは電解銅めっきを用いたアディティブ（Ａｄｄｉｔｉｖｅ）法、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）、及びＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）のうち何れか１つの方法で行われる。
【００２１】
本発明の他の実施例によるチップパッケージング方法において、前記（Ｃ）段階は、疎水性材質を用いて前記パッケージ領域の周縁に沿って前記絶縁層の表面に対する表面改質を行って前記フラットダムを形成する。
【００２２】
本発明の他の実施例によるチップパッケージング方法において、前記（Ｃ）段階は、ｉＣＶＤ（ｉｎｉｔｉａｔｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＣＶＤ、ＰＶＤ、及びプラズマ重合法のうち何れか１つの方法で前記フラットダムを形成する。
【００２３】
本発明の他の実施例によるチップパッケージング方法において、前記（Ｃ）段階は、疎水性材質を用いて前記パッケージ領域の周縁に沿って前記絶縁層の上部面から内部までトレンチ形態で前記フラットダムを形成する。
【００２４】
本発明の他の実施例によるチップパッケージング方法において、前記（Ｃ）段階は、前記疎水性材質をイオン化してイオン注入法（ｉｏｎ  ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ）で前記絶縁層の上部面から内部まで注入する。
【００２５】
本発明の他の実施例によるチップパッケージング方法は、前記パッケージ領域に設けられるはんだバンプの間における前記絶縁層の表面にフラットダムをさらに形成する。
【００２６】
本発明の他の実施例によるチップパッケージング方法において、前記フラットダムは、前記絶縁層の熱膨張率と前記アンダーフィルの熱膨張率との中間値を有するように形成される。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によるチップパッケージは、従来のＳＲダムの代わりにパッケージ領域の上部面に形成されたフラットダムにより全厚さを薄くし、アンダーフィルのオーバーフロー（ｏｖｅｒ  ｆｌｏｗ）を容易に防止できる。
【００２８】
本発明によるチップパッケージは、ＳＲパターン層の熱膨張率とアンダーフィルの熱膨張率との中間値を有するフラットダムを備えるため、チップパッケージにおける反り抵抗性（ｗａｒｐａｇｅ  ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の第１実施例によるチップパッケージの断面図である。
【図２】本発明の他の実施例によるチップパッケージング方法を説明するためのフローチャートである。
【図３】本発明のさらに他の実施例によるフラットダムの形成方法のうちｉＣＶＤ方法を説明するための工程例示図である。
【図４】本発明の第２実施例によるフラットダムの形成方法を説明するための断面例示図である。
【図５】本発明の第３実施例によるフラットダムの形成方法を説明するための断面例示図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
本発明の目的、特定の長所及び新規の特徴は、添付図面に係る以下の詳細な説明及び好ましい実施例によってさらに明らかになるであろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるに際し、同一の構成要素に限っては、たとえ異なる図面に示されても、できるだけ同一の番号を付けるようにしていることに留意しなければならない。また、「一面」、「他面」、「第１」、「第２」などの用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別するために用いられるものであり、構成要素が前記用語によって限定されるものではない。以下、本発明を説明するにあたり、本発明の要旨を不明瞭にする可能性がある係る公知技術についての詳細な説明は省略する。
【００３１】
以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。
【００３２】
図１は、本発明の第１実施例によるチップパッケージの断面図である。
【００３３】
本発明の第１実施例によるチップパッケージは、基板１００、基板１００上に設けられた多数の回路パターン１１０、回路パターン１１０でそれぞれのパッドに接して形成されてチップ２００に接着連結されたはんだバンプ１３０、はんだバンプ１３０を囲んで回路パターン１１０を埋め立てるＳＲ（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｒｅｓｉｓｔ）パターン層１２０、ＳＲパターン層１２０の上部面とチップ２００の下部面との間ではんだバンプ１３０を囲むアンダーフィル（Ｕｎｄｅｒｆｉｌｌ）２１０、及びはんだバンプ１３０の領域を囲むＳＲパターン層１２０のパッケージ領域に形成されてアンダーフィル２１０の移動を制限するフラットダム（Ｆｌａｔ  ｄａｍ）１４０を含む。
【００３４】
フラットダム１４０は、ＳＲパターン層１２０の上部または一部の領域に沿ってはんだバンプ１３０の領域を囲むパッケージ領域に形成され、それによってチップ２００を実装するためのアンダーフィル工程でアンダーフィル２１０がパッケージ領域から外れて溢れ出すことを防止する。
【００３５】
具体的に、フラットダム１４０は、例えば、ＰＦＡＣ（Ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｏｃｔｙｌ  ａｃｒｙｌａｔｅ）、ポリプロピレン（Ｐｏｌｙｐｒｏｐｙｌｅｎｅ）、ＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）、及びＣ３Ｆ６のようなフッ素化合物などの疎水性（ｈｙｄｒｏｐｈｏｂｉｃ）材質を用いてＳＲパターン層１２０の上部面に沿って形成されてもよく、またはＳＲパターン層１２０の内部に所定深さを有するトレンチ（ｔｒｅｎｃｈ）形態でその領域を形成してもよい。
【００３６】
このようなフラットダム１４０は、ｉＣＶＤ（ｉｎｉｔｉａｔｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）などのＰＶＤ、イオン注入法（ｉｏｎ  ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ）、プラズマ重合法（Ｐｌａｓｍａ  Ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）などの方法で形成される。
【００３７】
このようなフラットダム１４０は、疎水性材質の特性により極性がないため、アンダーフィル２１０に接してもアンダーフィル２１０を形成する材質との親和力がなく、それによって、図１に示すように、アンダーフィル２１０が溢れ出すことなく、フラットダム１４０に接して固まる。
【００３８】
また、フラットダム１４０は、ＳＲパターン層１２０の熱膨脹率値と、アンダーフィル２１０を形成する材質の熱膨脹率値との中間程度の値を有するため、チップパッケージにおける反り抵抗性（ｗａｒｐａｇｅ  ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）を向上させることができる。
【００３９】
したがって、本発明の第１実施例によるチップパッケージは、従来のＳＲダムの代わりに、ＳＲパターン層１２０のパッケージ領域の上部面に形成されたフラットダム１４０により全厚さを薄くすることができ、アンダーフィル２１０のオーバーフロー（ｏｖｅｒ  ｆｌｏｗ）を容易に防止することができる。
【００４０】
以下、本発明の実施例によるチップパッケージング方法について、図２から図５を参照して説明する。
【００４１】
図２は、本発明の他の実施例によるチップパッケージング方法を説明するためのフローチャートであり、図３は、本発明のさらに他の実施例によるフラットダムの形成方法のうちｉＣＶＤ方法を説明するための工程例示図であり、図４は、本発明の第２実施例によるフラットダムの形成方法を説明するための断面例示図であり、図５は、本発明の第３実施例によるフラットダムの形成方法を説明するための断面例示図である。
【００４２】
本発明の他の実施例によるチップパッケージング方法は、先ず、基板１００上に多数の回路パターン１１０を形成し、回路パターン１１０を埋め立てるＳＲ層を形成する（Ｓ２１０）。
【００４３】
具体的に、本発明の他の実施例によるチップパッケージング方法は、先ず、基板１００の上部面にドライフィルムをラミネーションし、ドライフィルムを露光（ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）、エッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）過程などを含むパターニング（ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ）工程で処理して開口部を有するドライフィルムパターンを形成することができる。
【００４４】
このようなドライフィルムパターンに対して、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、サブトラクティブ（Ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）法、無電解銅めっきまたは電解銅めっきを用いたアディティブ（Ａｄｄｉｔｉｖｅ）法、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）、及びＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）などの方法で銅を充填し、ドライフィルムパターンを剥離することができる。
【００４５】
それによって、多数のパッドを含む回路パターン１１０が形成される。
【００４６】
次に、ＳＲ（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｒｅｓｉｓｔ）を用いて回路パターン１１０を埋め立てるＳＲ層を形成する。
【００４７】
ＳＲ層を形成した後、チップ２００が実装されるパッケージ領域に対してフラットダム１４０を形成する（Ｓ２２０）。
【００４８】
具体的に、フラットダム１４０は、例えば、ＰＦＡＣ、ポリプロピレン、ＰＴＦＥ、及びフッ素化合物などの疎水性（ｈｙｄｒｏｐｈｏｂｉｃ）材質を用いてｉＣＶＤ（ｉｎｉｔｉａｔｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ)、ＣＶＤ、スパッタリングなどのＰＶＤ、イオン注入法、プラズマ重合法などの方法でＳＲ層のパッケージ領域の周縁に沿って表面に形成することができる。
【００４９】
特に、ｉＣＶＤ方法は、図３に図示されたように、チャンバ内にフラットダム１４０をなすポリマーのモノマー（Ｍｏｎｏｍｅｒ；Ｍ）を気化してポリマーの重合反応と成膜工程を同時に行う気相重合反応によりフラットダム１４０を形成することができる。このようなｉＣＶＤ方法は、開始剤（Ｉｎｉｔｉａｔｏｒ；Ｉ）とモノマーＭを気化し、気相で自由ラジカル（ｆｒｅｅ  ｒａｄｉｃａｌ；Ｒ）を用いた連鎖重合反応が行われるようにすることで、フラットダム１４０をＳＲ層の表面に蒸着することができる。
【００５０】
開始剤ＩとモノマーＭを単純混合した時には、重合反応が起きないが、ｉＣＶＤチャンバ内に位置した高温のフィラメント２０により開始剤Ｉが分解されてラジカルＲが生成されると、これにより、モノマーＭが活性化されて連鎖重合反応が行われる。
【００５１】
開始剤Ｉとしては、ＴＢＰＯ（ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｅｒｏｘｉｄｅ）またはＴＡＰＯ（ｔｅｒｔ−ａｍｙｌ  ｐｅｒｏｘｉｄｅ）などのような過酸化物（ｐｅｒｏｘｉｄｅ）が主に用いられる。このような開始剤Ｉは、１１０℃程度の沸点を有する揮発性物質であり、約１５０℃前後で熱分解される。
【００５２】
従って、ｉＣＶＤチャンバで用いられる高温フィラメント２０が２００〜２５０℃前後を維持すると、連鎖重合反応を容易に誘導することができる。ここで、フィラメント２０の温度は、過酸化物の開始剤Ｉを熱分解するには充分に高い温度であるが、ｉＣＶＤに用いられるモノマーＭを含むほとんどの有機物がこのような温度では熱分解されない。
【００５３】
開始剤Ｉの分解により形成された自由ラジカルＲは、モノマーＭにラジカルＲを伝達して連鎖反応を起こし、ポリマーＰを形成することができる。このように形成されたポリマーＰは、低温で維持されたステージ１０上のＳＲ層１２０のような対象に蒸着し、フラットダム１４０を形成することができる。
【００５４】
それによって、フラットダム１４０は、ＳＲ層の上部面に対する表面改質（Ｓｕｒｆａｃｅ  ｍｏｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ）によりＳＲ層のパッケージ領域の周縁に沿って設けられる。
【００５５】
この時、図４に示された第２実施例によるフラットダム３４０のように、フラットダム３４０がＳＲ層のパッケージ領域の周縁に形成されると共に、後で形成されるはんだバンプ３３０の間のＳＲ層の表面にも形成されてもよい。
【００５６】
または、選択的に図５に示された第３実施例によるフラットダム５４０のように、フラットダム５４０がＳＲ層の上部面からＳＲ層内部に向かって所定深さを有するトレンチ形態で領域を形成してもよい。
【００５７】
具体的には、図５に示された第３実施例によるフラットダム５４０を形成するために、ＳＲ層のフラットダム５４０領域をエッチングしてトレンチ形態で除去する。
【００５８】
このように形成されたトレンチに対して、ｉＣＶＤ、ＣＶＤ、ＰＶＤ、プラズマ重合法などの方法で、疎水性材質を充填する。
【００５９】
疎水性材質を充填した後、疎水性材質が充填されたトレンチを含んでＳＲ層に対する平坦化工程を行う。
【００６０】
このようにして、上部面が平坦なフラットダム５４０がＳＲ層に設けられる。
【００６１】
反面、トレンチを形成する方法以外に、ＳＲ層のフラットダム５４０領域に対して疎水性イオンを注入するイオン注入法を用いてフラットダム５４０をさらに容易に形成することができる。
【００６２】
特に、フラットダム１４０、３４０、５４０は、ＳＲ層の熱膨張率と、後で設けられるアンダーフィル材質の熱膨張率との中間程度の熱膨脹率値を有するように形成してチップパッケージにおける反り抵抗性（ｗａｒｐａｇｅ  ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）を向上させることができる。
【００６３】
このように様々な形態のフラットダム１４０、３４０、５４０を形成した後、ＳＲ層のパッケージ領域に対してはんだバンプを多数形成する（Ｓ２３０）。
【００６４】
先ず、はんだバンプを備えるために、ＳＲ層に埋め立てられたパッド１１０、３１０、５１０を露出させるＳＲ層に対するパターニング工程を行う。
【００６５】
ＳＲ層に対するパターニング工程は、露光、エッチング過程などを含み、ＳＲ層を、パッド１１０、３１０、５１０に対応する開口部を有するＳＲパターン層１２０、３２０、５２０として形成する。
【００６６】
次に、はんだバンプ１３０、３３０、５３０がＳＲパターン層１２０、３２０、５２０の開口部にそれぞれ設けられる。
【００６７】
はんだバンプ１３０、３３０、５３０を備えた後、チップ２００がアンダーフィル工程でアンダーフィルとはんだバンプ１３０、３３０、５３０が積層されている基板上に実装される（Ｓ２４０）。
【００６８】
この時、チップ２００の下部面とＳＲパターン層１２０の上部面との間に形成される樹脂材質のアンダーフィルは、フラットダム１４０、３４０、５４０により移動が制限され、パッケージ領域から外れることなく硬化される。
【００６９】
したがって、本発明の他の実施例によるチップパッケージング方法は、従来のＳＲダムの代わりに、疎水性という特徴を有するフラットダムを容易に形成してパッケージの全厚さを薄くし、アンダーフィルのオーバーフロー（ｏｖｅｒ  ｆｌｏｗ）を容易に防止できるパッケージを提供することができる。
【００７０】
以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのものであり、本発明はこれに限定されず、該当分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想内にての変形や改良が可能であることは明白であろう。
【００７１】
本発明の単純な変形乃至変更はいずれも本発明の領域に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は添付の特許請求の範囲により明確になるであろう。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
本発明は、フラットダム及びこれを用いたチップパッケージング方法に適用可能である。
【符号の説明】
【００７３】
１００  基板
１１０、３１０、５１０  回路パターン（パッド）
１２０、３２０、５２０  ＳＲパターン層
１３０、３３０、５３０  はんだバンプ
１４０、３４０、５４０  フラットダム
２００  チップ
２１０  アンダーフィル
【図２】
2014036224.tif 000003
【図３】
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【図１】
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【図４】
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【図５】
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