(57)【要約】【課題】配線上にハーフエッチングによってバンプを形成する場合に、配線の細りを抑制する。【解決手段】絶縁基板２と、絶縁基板２上に形成された配線３と、配線３上に形成されたバンプ４と、を備える配線基板１の製造工程として、絶縁基板２の片面に形成された銅箔１１をエッチングすることにより、絶縁基板２上に配線パターン３ｐを形成する配線パターン形成工程と、バンプ４の形成予定位置となる配線パターン３ｐの一部を除いて配線パターン３ｐをハーフエッチングすることにより、配線３上にバンプ４を形成するバンプ形成工程と、を有する。バンプ形成工程においては、絶縁基板２上の一部で、かつ、配線パターン３ｐの側面３ｃ，３ｄと対向する位置に、ハーフエッチングによる配線３の側面３ｃ，３ｄのエッチングを抑制し得る程度の隙間を隔ててレジストパターン部１７ｂを形成した後、配線パターン３ｐのハーフエッチングを行う。【選択図】図５
2014011402.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された配線と、前記配線上に形成されたバンプと、を備える配線基板の製造工程として、
前記絶縁基板の少なくとも片面に形成された導体層をエッチングすることにより、前記絶縁基板上に配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、
前記バンプの形成予定位置となる前記配線パターンの一部を除いて前記配線パターンをハーフエッチングすることにより、前記配線を形成するとともに、前記一部を突出させるように前記配線上に前記バンプを形成するバンプ形成工程と、
を有する配線基板の製造方法において、
前記バンプ形成工程においては、前記絶縁基板上の一部で、かつ、前記配線パターンの側面と対向する位置にエッチング障壁を形成した後、前記配線パターンのハーフエッチングを行う
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記バンプ形成工程においては、前記絶縁基板上の一部に、前記配線パターンの側面とこれに対向する前記エッチング障壁との間の隙間が５μｍ以下となるように、前記エッチング障壁を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記バンプ形成工程においては、前記ハーフエッチングを行う際にマスクとして用いるレジストパターンの一部として、前記エッチング障壁を形成する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線上にバンプを有する配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板の一つの形態として、可撓性を有する絶縁基板上に配線のパターンを形成したものがある。この種の配線基板としては、たとえば、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）用のテープ（以下、「ＴＡＢテープ」という。）が広く知られている。ＴＡＢテープには、その使用目的等の違いにより、幾つかの形態がある。その一つとして、ＢＯＦ（Bump On Film）構造のＴＡＢテープが知られている（たとえば、特許文献１を参照）。
【０００３】
ＢＯＦ構造のＴＡＢテープでは、フィルム状の絶縁基板上に配線を形成するとともに、この配線上にバンプを形成している。このようなＴＡＢテープを、たとえば半導体チップとの電気的接続に用いる場合は、半導体チップに形成されている電極パッドの位置にあわせて絶縁基板上に配線やバンプを形成する必要がある。
【０００４】
以下に、従来のＢＯＦ構造のＴＡＢテープの製造方法について説明する。
まず、絶縁基板上に銅箔を貼り合わせた構造の銅張基材を用意したら、その銅箔を感光性のレジストからなるレジスト層で覆った後、このレジスト層に露光・現像処理を施すことにより、所望の配線パターンにあわせてレジストパターンを形成する。次に、レジストパターンをマスクに用いて絶縁基板上の銅箔をエッチングする。これにより、絶縁基板上の銅箔がレジストパターンの形状にならって加工される。その後、上記エッチングで使用したレジストパターンを絶縁基板から除去しておく。
【０００５】
次に、絶縁基板上の配線をレジスト層で覆った後、このレジスト層に露光・現像処理を施すことにより、バンプの形成予定位置に開口部を有するレジストパターンを形成する。このとき、レジストパターンの開口部において配線の一部が露出した状態となる。次に、上記開口部において露出させた配線上にメッキ法（セミアディティブ法）によって金属を堆積させることによりバンプを形成する。次に、上記メッキ法で使用したレジストパターンを絶縁基板から除去する。次に、絶縁基板上の配線およびバンプの表面を保護用のメッキ層で覆う。その後、必要に応じて、絶縁基板上の主要部（配線の一部を含む）を絶縁性の保護膜で覆う。
【０００６】
上述したＢＯＦ構造のＴＡＢテープの製造方法においては、配線上にメッキ処理によってバンプを形成している。しかし、一般にメッキの成長は放射状に進行するため、メッキ処理によって得られるバンプの全体形状は団子状になる。そうした場合、バンプの上面が平坦にならないため、たとえば、半導体チップとの接合に物理的な接触不良等が生じやすくなる。
【０００７】
そこで、本出願人は、特許文献２において以下のような製造方法を提案している。
まず、絶縁基板上の導体層を、レジストパターンをマスクに用いてエッチングすることにより、配線を形成する。次に、配線の一部（バンプの形成予定位置）をレジストパターンで被覆した後、配線をハーフエッチングすることにより、バンプを形成する。
この製造方法によれば、バンプの上面を平坦に形成することが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−２１６６９４号公報
【特許文献２】特開２００８−１７７４６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献２に記載の技術には、次のような改善すべき点があった。
すなわち、配線上にハーフエッチングによってバンプを形成する場合は、配線の上面だけではなく、配線の側面も同時にエッチング（サイドエッチング）される。特に、ウェットエッチング方式を採用すると、エッチング液との接触によって配線の側面がエッチングされやすくなる。このため、最終的に得られる配線に「細り」が生じてしまう。これにより、配線の強度が低下する。また、配線の側面は均一にエッチングされるわけではないため、配線の形状（直線性等）が崩れてしまう。このため、配線の一部に断線不良が発生したり、エレクトロマイグレーションが発生したりするおそれがある。
【００１０】
本発明の主な目的は、配線上にハーフエッチングによってバンプを形成する場合に、配線の細りを抑制することができる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の第１の態様は、
絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された配線と、前記配線上に形成されたバンプと、を備える配線基板の製造工程として、
前記絶縁基板の少なくとも片面に形成された導体層をエッチングすることにより、前記絶縁基板上に配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、
前記バンプの形成予定位置となる前記配線パターンの一部を除いて前記配線パターンをハーフエッチングすることにより、前記配線を形成するとともに、前記一部を突出させるように前記配線上に前記バンプを形成するバンプ形成工程と、
を有する配線基板の製造方法において、
前記バンプ形成工程においては、前記絶縁基板上の一部で、かつ、前記配線パターンの側面と対向する位置にエッチング障壁を形成した後、前記配線パターンのハーフエッチングを行う
ことを特徴とする配線基板の製造方法である。
【００１２】
本発明の第２の態様は、
前記バンプ形成工程においては、前記絶縁基板上の一部に、前記配線パターンの側面とこれに対向する前記エッチング障壁との間の隙間が５μｍ以下となるように、前記エッチング障壁を形成する
ことを特徴とする上記第１の態様に記載の配線基板の製造方法である。
【００１３】
本発明の第３の態様は、
前記バンプ形成工程においては、前記ハーフエッチングを行う際にマスクとして用いるレジストパターンの一部として、前記エッチング障壁を形成する
ことを特徴とする上記第１または第２の態様に記載の配線基板の製造方法である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、配線上にハーフエッチングによってバンプを形成する場合に、配線の細りを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施の形態に係る配線基板の一構成例を示す概略平面図である。
【図２】図１に示す配線基板の要部断面図である。
【図３】図２のＰ部拡大図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す工程図（その１）である。
【図５】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す工程図（その２）である。
【図６】絶縁基板上に第１のレジストパターンを形成した段階の絶縁基板の状態を示す平面図である。
【図７】絶縁基板上に第２のレジストパターンを形成した段階の絶縁基板の状態を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
本発明の実施の形態においては、次の順序で説明を行う。
１．配線基板の構成
２．配線基板の製造方法
２−１．第１のレジストパターン形成工程
２−２．第１のエッチング工程
２−３．第２のレジストパターン形成工程
２−４．第２のエッチング工程
２−５．後工程
３．実施の形態に係る効果
４．変形例等
【００１７】
＜１．配線基板の構成＞
図１は本発明の実施の形態に係る配線基板の一構成例を示す概略平面図である。また、図２の（Ａ）は図１におけるｘ１−ｘ１断面図であり、（Ｂ）は図１におけるｙ１−ｙ１断面図である。なお、図１においては、説明の便宜上、配線基板１の一辺と平行な方向を「Ｘ方向」とし、これと直角をなす方向を「Ｙ方向」とし、配線基板１の厚み方向を「Ｚ方向」としている。これら３つの方向は、互いに直交する関係となる。
【００１８】
図示した配線基板１は、絶縁基板２と、この絶縁基板２上に形成された配線３と、この配線３上に形成されたバンプ４と、を備えている。ここで記述するバンプ４とは、配線３の上面３ａよりも上側に突出する部分であって、配線３を含まない部分をいう。
配線基板１は、電気的な絶縁性を有する絶縁基板２をベースに構成されている。絶縁基板２は、たとえば、可撓性を有する樹脂フィルムからなるもので、全体に矩形に形成されている。この場合、配線基板１は、フレキシブル配線基板となる。また、配線基板１は、配線３上のバンプ４の存在により、ＢＯＦ構造のフレキシブル配線基板となっている。絶縁基板２には、たとえば、厚み１２．５〜１２５μｍの樹脂フィルムを用いることができる。
【００１９】
絶縁基板２は、好ましくは、ポリイミド樹脂を用いて構成することができる。ただし、この他にも、たとえば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、アラミドのいずれかを、絶縁基板２の主材料とすることができる。また、絶縁基板２の構成材料としては、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）レジン、ＬＣＰ（Liquid Crystal
Plastic）等を用いることもできる。絶縁基板２は、たとえば、長尺のフィルム（テープ）形状をなすベース基材を元にして、そのベース基材を、後述する配線基板１の製造工程において、所望の形状（図例では矩形）および寸法に切り出すことにより、個片に分離されるものである。
ただし、配線基板１は、個片に分離される前の状態を一つの基板製品として流通させてもよいし、個片に分離された後の状態を一つの基板製品として流通させてもよい。
【００２０】
絶縁基板２の片面（以下、「主面」ともいう。）２ａには配線３が形成されている。配線３は、たとえば、銅等の導電材料を用いて構成されている。配線３は、あらかじめ決められたパターンの形状にあわせて形成されている。絶縁基板２上における配線３の位置、形状、寸法等は、この配線３と電気的に接続される対象物（不図示）に応じて、任意に設定または変更が可能である。ちなみに、図１においては、絶縁基板２上に複数の配線３をそれぞれ直線状のパターンで平行に並べて形成してある。このため、配線３の幅方向がＸ方向に対応し、配線３の長さ方向がＹ方向に対応し、配線３の厚み方向がＺ方向に対応している。
【００２１】
絶縁基板２の配線３上にはバンプ４が形成されている。バンプ４は、絶縁基板２上において、あらかじめ決められた位置に形成されている。バンプ４は、配線３の上面３ａよりもＺ方向に突出する状態で形成されている。バンプ４の上面４ａは、絶縁基板２の主面２ａと平行をなすように平坦に形成されている。また、バンプ４は、平面視円形に形成されている。バンプ４は、配線３の形成に用いられている導電性の材料と同じ材料（本形態例では銅）を用いて、配線３と一体に形成されている。すなわち、配線３とバンプ４とは、両者の間に結晶が不連続となる境界（結晶粒界）が存在しない状態で一体的に形成されている。配線３上におけるバンプ４の位置、形状、寸法等は、このバンプ４と物理的に接続（接合）または接触される対象物の電極等の位置に応じて、任意に設定または変更が可能である。
【００２２】
ここで、配線基板１における各部の寸法について、図３を用いて説明する。
図３は図２のＰ部拡大図である。図中の符号Ｗは、バンプ４の土台部分の配線３の幅寸法を示している。また、図中の符号Ｔは配線３の厚み寸法、符号Ｈはバンプ４の高さ寸法を示している。また、図中の符号Ｌｔはバンプ４の頂部の寸法、符号Ｌｂはバンプ４の底部の寸法を示している。バンプ４の頂部とは、バンプ４の最上部（絶縁基板２から遠い側の端部）をいい、バンプ４の底部とは、配線３の上面３ａに接するバンプ４の最下部（絶縁基板２に近い側の端部）をいう。本実施の形態においては、バンプ４が平面視円形に形成されていることから、バンプ４の頂部の寸法Ｌｔおよび底部の寸法Ｌｂは、それぞれバンプ４の頂部の直径および底部の直径に相当するものとなっている。また、バンプ４の底部は、全周にわたって配線３の上面３ａに接している。つまり、バンプ４の底部の周囲には、全周にわたって配線３の上面３ａが存在している。なお、図示はしないが、バンプ４が平面視矩形に形成されている場合は、バンプ４の頂部の寸法Ｌｔおよび底部の寸法Ｌｂが、それぞれＸ方向におけるバンプ４の頂部の寸法および底部の寸法に相当するものとなる。
【００２３】
図３から分かるように、バンプ４の頂部の寸法Ｌｔおよび底部の寸法Ｌｂは、いずれも配線３の幅寸法Ｗよりも小さくなっている。また、バンプ４の頂部の寸法Ｌｔと底部の寸法Ｌｂは、互いに同一の寸法に設定されている。ここで記述する寸法Ｌｔと寸法Ｌｂの関係は、完全同一が理想的ではあるが、実際には配線基板１の製造工程において寸法誤差が生じる。本発明においては、この寸法誤差の範囲内であれば、寸法Ｌｔと寸法Ｌｂとが「同一である」とみなす。具体的には、上記の寸法誤差を次のように規定して、寸法Ｌｔと寸法Ｌｂが「同一」であるかどうかを判断する。すなわち、バンプ４の頂部の寸法Ｌｔに対して、バンプ４の底部の寸法Ｌｂが、“Ｌｂ＝Ｌｔ±２μｍ”の条件、さらに好ましくは“Ｌｂ＝Ｌｔ±１μｍ”の条件を満たす場合は、寸法Ｌｔと寸法Ｌｂが「同一である」と判断する。この判断基準によれば、バンプ４の側壁は絶縁基板２の主面２ａに対して高い垂直性をもって形成されることになる。寸法Ｌｔと寸法Ｌｂを同一とするための具体的な製造方法については、後段で詳しく説明する。
【００２４】
また、バンプ４の寸法を規定する他の要素として、バンプ４のアスペクト比は、１以上
に設定されている。ここで記述するバンプ４のアスペクト比は、バンプ４の頂部の寸法Ｌｔに対する、バンプ４の高さ寸法Ｈの比（Ｈ／Ｌｔ）で定義されるものである。アスペクト比の最大側の値は、バンプ４の強度や製造上の限界等にもよるが、おおむね２以下に設定するのがよい。
【００２５】
＜２．配線基板の製造方法＞
続いて、本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法の一例について、図４および図５を用いて説明する。図４および図５においては、図１のｘ１−ｘ１位置における断面を左側に、図１のｙ１−ｙ１位置における断面を右側にそれぞれ示している。以下に、配線基板の製造工程を、「第１のレジストパターン形成工程」、「第１のエッチング工程」、「第２のレジストパターン形成工程」、「第２のエッチング工程」、「後工程」に分けて説明する。このうち、「第１のレジストパターン形成工程」および「第１のエッチング工程」は、「配線形成工程」に属し、「第２のレジストパターン形成工程」および「第２のエッチング工程」は、「バンプ形成工程」に属する。
【００２６】
（２−１．第１のレジストパターン形成工程）
まず、図４（Ａ）に示すように、絶縁基板２の少なくとも片面に、金属箔としての銅箔１１をラミネート等により形成してなる銅張基材を用意する。銅箔１１は、上述した厚み寸法の範囲内で、たとえば、３５μｍの厚みを有する。銅箔１１の厚み寸法は、上記図３に示す配線３の厚み寸法Ｔとバンプ４の高さ寸法Ｈを足し合わせた寸法に相当する。銅張基材における銅箔１１の厚み寸法の精度は、±０．１μｍ以下となっている。銅箔１１は、絶縁基板２の片面に形成された「導体層」に相当する構成要素となる。導体層は、銅以外の金属箔で形成されたものでもよいし、金属箔以外の層で形成されたものでもよい。ただし、絶縁基板２の片面に形成される導体層の表面の平坦性や、導体層の厚み寸法の精度等を考慮すると、金属箔としての銅箔を片面または両面に備える銅張基材を用いることが望ましい。この段階では、銅張基材からなる絶縁基板２が、長尺のフィルム形状をなしているものとする。
【００２７】
次に、図４（Ｂ）に示すように、絶縁基板２の片面に銅箔１１を覆う状態で第１のレジスト層１２を形成する。第１のレジスト層１２の形成は、たとえば、銅箔１１を覆うように絶縁基板２の片面に、たとえば、厚み１５μｍのドライフィルムレジストをラミネートすることにより行う。ドライフィルムレジストの厚みは、後述する第１のエッチング工程で使用するエッチング液の組成や所望するエッチング量等に応じて、適宜変更が可能である。ドライフィルムレジストのラミネートを行う装置（以下、「ラミネータ」という。）には、圧力雰囲気の違いによって２つのタイプがある。一つは、常圧雰囲気でラミネートするタイプであり、もう一つは、常圧よりも低い減圧雰囲気（真空雰囲気を含む）でラミネートするタイプである。このうち、生産効率や製造コスト等の観点では、前者のラミネータを用いることが望ましく、気泡の混入等を防止するという観点では、後者のラミネータを用いることが望ましい。図４（Ｂ）の段階では、銅箔１１の表面が平坦になっているため、前者のラミネータを用いることが好ましい。
【００２８】
次に、図示しない第１のフォトマスクを用いて第１のレジスト層１２を露光した後、現像によって第１のレジスト層１２の不要部分を除去することにより、図４（Ｃ）に示すように、配線３の形状および寸法に対応する第１のレジストパターン１３を銅箔１１上に形成する。第１のレジストパターン１３は、後述する第１のエッチング工程でのエッチングに用いるマスクであるため、耐エッチング性を有している。
【００２９】
図６は絶縁基板２上に第１のレジストパターン１３を形成した段階の絶縁基板２の状態を示す平面図である。図示のように、第１のレジストパターン１３は、上記図１に示す配線３の形成予定位置に、配線３の形状、寸法等にあわせて形成されている。
【００３０】
（２−２．第１のエッチング工程）
次に、図４（Ｄ）に示すように、第１のレジストパターン１３をマスクに用いて、銅箔１１をエッチングすることにより、絶縁基板２上に配線パターン３ｐを形成する。ここでは、第１のレジストパターン１３で覆われていない銅箔１１の部分を残さずにエッチングする「フルエッチング」によって配線パターン３ｐを形成する。以下に、第１のエッチング工程における銅箔１１のエッチング方法について詳しく説明する。
【００３１】
まず、銅箔１１のエッチングは、エッチング液を用いたウェットエッチングで行う。その際、好ましくは、エッチング阻害剤（インヒビタ）を添加したエッチング液を用いて、等方的なエッチングを抑制しつつ銅箔１１をエッチングする。具体的には、たとえばスプレイ方式等を採用して、絶縁基板２上の銅箔１１に対してエッチング液を噴射する。エッチング液としては、たとえば、塩化第二鉄（ＦｅＣｌ３）溶液、塩化第二銅（ＣｕＣｌ２）溶液等を用いることができる。また、エッチング阻害剤としては、たとえば、アミン類、エーテル類、グリコール類、アゾール類等の化合物等を用いることができる。
【００３２】
このようなエッチング阻害剤を添加したエッチング液をスプレイ等により銅箔１１に噴射すると、第１のレジストパターン１３で覆われていない銅箔１１の表面には、エッチング液が直接吹き付けられる。また、エッチング液は銅箔１１に向けて噴射されるため、銅箔１１の表面にはエッチング液の噴射圧力が加わる。これに対して、第１のレジストパターン１３で覆われた銅箔１１の部分は、エッチング液の噴射に対して第１のレジストパターン１３により遮蔽（保護）される。このため、第１のレジストパターン１３で覆われた銅箔１１の部分には、エッチング液が直接吹き付けられることがない。
【００３３】
そうした場合、第１のレジストパターン１３で覆われていない銅箔１１の表面には、エッチング液が打力を伴って吹き付けられる。このため、エッチング阻害剤を添加したエッチング液を用いた場合でも、第１のレジストパターン１３で覆われていない銅箔１１の表面は、垂直にエッチングが進行していく。これに対して、第１のレジストパターン１３で覆われた銅箔１１の部分には、エッチング液の噴射圧力（打力）がほとんど作用しない。また、エッチング液にはエッチング阻害剤が添加されているため、上述した垂直方向へのエッチングの進行と並行して配線３の側面に難溶性化合物が生成される。この難溶性化合物の生成により、配線パターン３ｐの側面にエッチング保護膜が形成される。このため、第１のレジストパターン１３で覆われた銅箔１１の部分には、水平方向のエッチング（サイドエッチング）がほとんど進行しない。したがって、第１のレジストパターン１３で覆われた銅箔１１の部分は、第１のレジストパターン１３の形状、寸法等を忠実に再現するかたちで配線パターン３ｐとして残る。
【００３４】
次に、図４（Ｅ）に示すように、上記の第１のレジストパターン１３を絶縁基板２から除去する。第１のレジストパターン１３の除去は、たとえば、レジスト剥離剤を用いて行う。これにより、上述した銅箔１１の厚み寸法をもって絶縁基板２上に配線パターン３ｐが形成された状態となる。
【００３５】
（２−３．第２のレジストパターン形成工程）
次に、図５（Ａ）に示すように、絶縁基板２上に配線パターン３ｐを覆う状態で第２のレジスト層１６を形成する。第２のレジスト層１６の形成は、たとえば上記同様に、銅箔１１を覆うように絶縁基板２の片面にドライフィルムレジストをラミネートすることにより行う。この段階では銅箔１１の表面が配線パターン３ｐの存在によって凹凸状になっている。このため、配線パターン３ｐよりも厚いドライフィルムレジストを用いることが望ましい。たとえば、配線パターン３ｐが３０μｍのとき、ドライフィルムレジストの厚さを３２〜４０μｍにする。ただし、第２のレジストパターン形成工程で使用するドライフ
ィルムレジストの厚みは、後述する第２のエッチング工程で使用するエッチング液の組成や所望するエッチング量等に応じて、適宜変更が可能である。また、使用するラミネータに関しては、上述した２つのタイプのラミネータのうち、気泡の混入等を抑制するのに有効な減圧雰囲気でラミネートするタイプを用いることが好ましい。
【００３６】
次に、図示しない第２のフォトマスクを用いて第２のレジスト層１６を露光した後、現像によって第２のレジスト層１６の不要部分を除去することにより、図５（Ｂ）に示すように、第２のレジストパターン１７（１７ａ，１７ｂ）を形成する。第２のレジストパターン１７は、レジストパターン部１７ａと、レジストパターン部１７ｂとを有している。レジストパターン部１７ａは、配線パターン３ｐの上面３ａの一部を覆う状態で形成されている。レジストパターン部１７ｂは、絶縁基板２の主面２ａの一部を覆う状態で形成されている。レジストパターン部１７ｂは、「エッチング障壁」に相当するものである。レジストパターン部１７ｂは、配線パターン３ｐの側面と対向する位置に、後述する第２のエッチング工程でのハーフエッチングによる配線パターン３ｐの側面のエッチングを抑制し得る程度の隙間を隔てて形成されている。この隙間は、配線パターン３ｐの側面と対向する位置にレジストパターン部１７ｂを形成した場合と形成しない場合で比較したときに、前者のほうが配線パターン３ｐの側面のエッチング量（サイドエッチング量）が少ない、という条件を満たす寸法であればよく、好ましくは５μｍ以下とするのがよい。
【００３７】
ここで「配線パターン３ｐの側面」について記述する。「配線パターン３ｐの側面」とは、広義には最終的に配線３を形作る複数の面のうち上面３ａと下面３ｂを除く面（絶縁基板２の主面２ａから立ち上がる面）３ｃ，３ｄをいい、狭義には配線パターン３ｐの幅寸法Ｗ（図３参照）を規定する２つの面３ｃをいう。配線パターン３ｐの細りを抑制するという観点では、少なくとも配線パターン３ｐの幅寸法Ｗを規定する２つの側面３ｃに近接させてレジストパターン部１７ｂを形成しておけばよい。本実施の形態においては、一例として、配線パターン３ｐの上面３ａと下面３ｂを除く面３ｃ，３ｄにそれぞれレジストパターン部１７ｂを近接させて形成している。
【００３８】
配線パターン３ｐと第２のレジストパターン１７（１７ａ，１７ｂ）の位置合わせに関しては、たとえば、絶縁基板２上にアライメントマークを設け、このアライメントマークを用いて行えばよい。具体的には、アライメントマークの位置を画像処理等により認識し、この認識結果を基に、絶縁基板２に対してフォトマスクを位置決めすればよい。第２のレジストパターン１７（１７ａ，１７ｂ）は、後述する第２のエッチング工程でのハーフエッチングに用いるマスクであるため、耐エッチング性を有している。
【００３９】
図７は絶縁基板２上に第２のレジストパターン１７（１７ａ，１７ｂ）を形成した段階の絶縁基板２の状態を示す平面図である。図示のように、レジストパターン部１７ａは、上記図１に示すバンプ４の形成予定位置に、バンプ４の形状、寸法等にあわせて形成されている。レジストパターン部１７ｂは、配線パターン３ｐの周りを囲むように、配線パターン３ｐの形状、寸法等にあわせて形成されている。なお、図例では配線パターン３ｐの周囲を含めて絶縁基板２の主面２ａを広範囲にレジストパターン部１７ｂで覆っているが、これに限らず、配線パターン３ｐの周囲だけに枠状にレジストパターン部１７ｂを形成してもよい。
【００４０】
（２−４．第２のエッチング工程）
次に、図５（Ｃ）に示すように、第２のレジストパターン１７（１７ａ，１７ｂ）をマスクに用いて、配線パターン３ｐをハーフエッチングする。ここで記述する「ハーフエッチング」とは、絶縁基板２の厚み方向において、配線パターン３ｐの一部（下部）を残すようにエッチングすることをいう。ハーフエッチングを適用すると、第２のレジストパターン１７（１７ａ，１７ｂ）で覆われた部分はエッチングされず、第２のレジストパター
ン１７（１７ａ，１７ｂ）で覆われていない部分（露出部分）が所定の深さでエッチングされる。このときのエッチングの深さ寸法は、エッチング前の銅箔１１の厚み寸法よりも小さい寸法となる。このため、ハーフエッチングした後に得られる配線３上には、レジストパターン部１７ａで覆われた部分だけが、配線３の上面３ａから突出した状態でバンプ４として残る。
【００４１】
上記第２のエッチング工程においては、配線パターン３ｐのハーフエッチングをウェットエッチングで行う。ウェットエッチングでは、エッチング液との接触によって配線パターン３ｐがエッチングされる。ただし、配線パターン３ｐに接触するエッチング液が、局所的に入れ替わらずに滞留したままの状態になると、その部分ではエッチングがほとんど進行しなくなる。そこで、本実施の形態においては、配線パターン３ｐとレジストパターン部１７ｂとの間の隙間を、配線パターン３ｐの側面のエッチングを抑制し得る程度の隙間、具体的には、当該隙間部分でエッチング液の入れ替わりができない程度の隙間にしている。
【００４２】
なお、配線パターン３ｐのハーフエッチングには、エッチング阻害剤を添加しないエッチング液を用いた通常のウェットエッチングを適用してもよい。ただし、バンプ４の寸法や形状などを高精度化したい場合や、バンプ４のアスペクト比を高くしたい場合などは、上述した第１のエッチング工程と同様にエッチング阻害剤を添加したエッチング液を用いて、等方的なエッチングを抑制しつつ配線３をハーフエッチングすることが望ましい。
【００４３】
次に、図５（Ｄ）に示すように、上記の第２のレジストパターン１７（１７ａ，１７ｂ）を絶縁基板２から除去する。第２のレジストパターン１７（１７ａ，１７ｂ）の除去は、たとえば、レジスト剥離剤を用いて行う。これにより、絶縁基板２上に配線３が形成されるとともに、この配線３上にバンプ４が形成された構造が得られる。
【００４４】
（２−５．後工程）
その後、図示はしないが、配線３およびバンプ４の表面に保護用のメッキ層を形成する。このメッキ層の形成は、たとえば、金メッキによって行う。
次に、バンプ４の部分を除いて配線３の主要部を覆うように、絶縁基板２上に樹脂の保護膜を形成する。この保護膜の形成は、必要に応じて行えばよい。
次に、絶縁基板２をパンチング等によって個片化する。
以上の製造工程により、本発明の実施の形態に係る配線基板１が得られる。
【００４５】
＜３．実施の形態に係る効果＞
本実施の形態に係る配線基板１の製造方法においては、配線パターン３ｐをハーフエッチングするのに先立って、絶縁基板２の一部でかつ配線パターン３ｐの側面と対向する位置に、所定の隙間を隔ててレジストパターン部（エッチング障壁）１７ｂを形成している。このため、配線パターン３ｐのハーフエッチングによってバンプ４を形成する場合に、配線パターン３ｐの側面とこれに対向するレジストパターン部１７ｂとの間の隙間部分でエッチング液の入れ替わりが起こりにくくなる。これにより、配線パターン３ｐの側面のエッチングとこれに伴う配線パターン３ｐの細りを抑制することができる。
【００４６】
特に、一つの好ましい形態として、配線パターン３ｐの側面とレジストパターン部１７ｂとの間の隙間を５μｍ以下とすれば、当該隙間部分でエッチング液の入れ替わりを効果的に抑制することができる。
【００４７】
また、上記実施の形態においては、配線パターン３ｐのハーフエッチングを行う際にマスクとして用いる第２のレジストパターン１７の一部として、エッチング障壁となるレジストパターン部１７ｂを形成している。このため、配線基板１の生産性を低下させること
なく、配線パターン３ｐの細りを抑制することができる。
【００４８】
また、バンプ４のアスペクト比が１以上となるように配線パターン３ｐをハーフエッチングすると、配線パターン３ｐの細りが顕著化するおそれがあるが、そのような場合でも、配線パターン３ｐの側面のエッチングをレジストパターン部１７ｂの存在によって抑制すれば、配線パターン３ｐの細りを抑制しつつ、バンプ４の高アスペクト化を実現することができる。
【００４９】
また、仮にレジストパターン部１７ｂの一部を配線パターン３ｐの上面３ａに少し乗り上げた状態で形成すると、その乗り上げた部分が、エッチング後にバリとなって残ってしまうおそれがあるが、本実施の形態のように両者の間に隙間を介在させることにより、そうしたバリの発生を回避することができる。
【００５０】
＜４．変形例等＞
本発明の技術的範囲は上述した実施の形態に限定されるものではなく、発明の構成要件やその組み合わせによって得られる特定の効果を導き出せる範囲において、種々の変更や改良を加えた形態も含む。
【００５１】
たとえば、配線３上に形成するバンプ４の形状は、円形に限らず、多角形、楕円形等であってもよい。また、配線３上に形成されるバンプ４の位置は、配線３の途中ではなく、配線３の端部またはその近傍であってもよい。
【００５２】
また、第１のレジストパターン形成工程および第２のレジストパターン形成工程では、ドライフィルムレジストに代えてフォトレジストを用いてもよく、レジストのタイプについても、ポジ型およびネガ型のいずれを用いてもよい。
【００５３】
また、本発明に係る配線基板１は、半導体チップの実装に用いるチップ実装用基板、たとえば、ＣＯＦ（Chip On Film）構造の半導体装置を製造する場合に、樹脂フィルムを基材とした配線基板１に半導体チップを直接実装する用途で使用することが可能である。特に、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）やＰＤＰ（Plasma Display Panel）に代表されるＦＰＤ（Flat Panel Display）用のドライバＩＣ（Integrated Circuit）をＣＯＦ方式で実装する用途で配線基板１を使用する場合は、ドライバＩＣの電極パッドの微細化および狭ピッチ化に適切に対応することが可能となる。
【００５４】
また、本発明に係る配線基板１は、たとえば、ウエハ上にマトリクス状の配列で形成された各々の半導体素子の電気的特性を検査するための「検査用プローブ基板」としても使用することが可能である。特に、バンプ４のアスペクト比が高くなると、「検査用プローブ基板」として配線基板１を用いる場合に、異物の影響を受けにくくなる。その理由は、次のとおりである。まず、バンプ４のアスペクト比が高くなると、平面的にみて同じ寸法のバンプ４であっても、バンプ４の高さ（突出寸法）が高くなる。このため、仮に半導体素子上に異物があっても、この異物の寸法に比べてバンプ４の突出寸法が大きければ、異物を跨ぐようにして半導体素子の電極パッドにバンプ４を接触させることができる。このため、異物の影響を受けにくくなる。したがって、検査用プローブ基板として用いる場合に好適なものとなる。また、前述したチップ実装用基板として用いる場合にも、ＴＳＶ（Through Silicon Via）を使った実装技術においては、シリコン貫通電極部分が少し突状
に形成される場合があるため、この電極部分を避けて半導体チップ上の電極にバンプ４を接続させる場合に本発明は有効である。
【００５５】
また、上記実施の形態においては、配線基板１の製造方法として、銅箔１１が片面に形成された絶縁基板２を用いた場合を例示しているが、銅箔１１が両面に形成された絶縁基
板２を用いてもよい。その場合は、上述した第１のレジストパターン形成工程において、絶縁基板２の両面にそれぞれ所望の配線パターンに応じて第１のレジストパターンを形成し、その後に行われる第１のエッチング工程において、絶縁基板２の両面の銅箔１１を同時進行でエッチング（フルエッチング）すればよい。これにより、絶縁基板２の両面に同時に配線を形成することができる。
【００５６】
また、本発明に係る配線基板の製造方法は、絶縁基板２が可撓性を有するか否かにより、フレキシブル配線基板およびリジット配線基板のいずれの製造方法にも適用することが可能である。
【符号の説明】
【００５７】
１…配線基板
２…絶縁基板
３…配線
３ｐ…配線パターン
４…バンプ
１１…銅箔
１２…第１のレジスト層
１３…第１のレジストパターン
１６…第２のレジスト層
１７…第２のレジストパターン
１７ａ…レジストパターン部
１７ｂ…レジストパターン部（エッチング障壁）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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