(57)【要約】【課題】セラミック製の熱交換体を有するＥＧＲクーラのデポジットによる性能低下を抑制することができるＥＧＲクーラの制御装置を提供する。【解決手段】ＥＧＲクーラの制御装置（１０）は、ＥＧＲガスが通過するセラミック製の熱交換体（７３）を有するＥＧＲクーラ（７０）の制御装置であって、熱交換体に電流を流したときの熱交換体の電気抵抗値を取得する抵抗値取得部（１１）と、抵抗値取得部により取得された電気抵抗値が所定値より大きい場合に、所定電流値以上の電流を熱交換体に流すことで熱交換体のデポジットを除去するデポジット除去実行部（１１）と、を備えることを特徴とする。【選択図】図３
2014181641.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＧＲガスが通過するセラミック製の熱交換体を有するＥＧＲクーラの制御装置であって、
前記熱交換体に電流を流したときの前記熱交換体の電気抵抗値を取得する抵抗値取得部と、
前記抵抗値取得部により取得された前記電気抵抗値が所定値より大きい場合に、所定電流値以上の電流を前記熱交換体に流すことで前記熱交換体のデポジットを除去するデポジット除去実行部と、を備えることを特徴とするＥＧＲクーラの制御装置。
【請求項２】
前記抵抗値取得部は、前記熱交換体に電流を流したときの前記熱交換体の前記ＥＧＲガスの流動方向で上流側の端部地点における電気抵抗値と、前記熱交換体の前記ＥＧＲガスの流動方向で上流側の端部と下流側の端部との間の所定地点である中間地点における電気抵抗値とを取得し、
前記デポジット除去実行部は、前記抵抗値取得部が取得した前記上流側の端部地点における前記電気抵抗値および前記中間地点における前記電気抵抗値に基づいて、前記熱交換体に流す電流を制御する請求項１記載のＥＧＲクーラの制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＧＲクーラの制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、内燃機関の機関本体から排出された排気の一部を吸気通路へ再循環させるＥＧＲ（Ｅｘｈａｕｓｔ  Ｇａｓ  Ｒｅｃｉｒｃｕｌａｔｉｏｎ）が知られている。また従来、この吸気通路に再循環する排気を冷却する装置として、ＥＧＲクーラが知られている。ＥＧＲクーラは、排気の一部を吸気通路へ再循環させるＥＧＲ通路に配置され、ＥＧＲ通路を通過する排気（以下、ＥＧＲガスと称する場合がある）を冷媒によって冷却している。内燃機関がＥＧＲクーラを備えることで、ＥＧＲガスが高温になり過ぎることを抑制することができる。
【０００３】
特許文献１には、複数のガス通路を有する熱交換体（特許文献１においてはハニカム構造体と称されている）を有する熱交換器が開示されている。特許文献１に係る熱交換体にＥＧＲガスが通過するように特許文献１に係る熱交換器をＥＧＲ通路に配置した場合、特許文献１に係る熱交換器はＥＧＲクーラとしての機能を発揮することができる。また特許文献１には、熱交換体の材質としてセラミックを用いることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１１／０７１１６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
セラミックはステンレス等の金属に比較して、熱伝導率が高く且つ排気に対する耐食性も良好である。特許文献１に係るセラミック製の熱交換体を有する熱交換器をＥＧＲクーラとして用いた場合、ＥＧＲクーラの冷却性能および耐食性を向上させることができると考えられる。
【０００６】
しかしながら、ＥＧＲクーラの熱交換体としてセラミックを用いた場合であっても、熱交換体にデポジットが堆積した場合、熱交換体の性能を十分に発揮することが困難になり、その結果、ＥＧＲクーラの性能が低下する可能性がある。
【０００７】
本発明は、セラミック製の熱交換体を有するＥＧＲクーラのデポジットによる性能低下を抑制することができるＥＧＲクーラの制御装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係るＥＧＲクーラの制御装置は、ＥＧＲガスが通過するセラミック製の熱交換体を有するＥＧＲクーラの制御装置であって、前記熱交換体に電流を流したときの前記熱交換体の電気抵抗値を取得する抵抗値取得部と、前記抵抗値取得部により取得された前記電気抵抗値が所定値より大きい場合に、所定電流値以上の電流を前記熱交換体に流すことで前記熱交換体のデポジットを除去するデポジット除去実行部と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
本発明に係るＥＧＲクーラの制御装置によれば、熱交換体にデポジットが発生し、その結果、抵抗値取得部により取得された熱交換体の電気抵抗値が所定値より大きくなった場合に、所定電流値以上の電流を熱交換体に流すことで、熱交換体を発熱させて、熱交換体のデポジットを除去することができる。それにより、ＥＧＲクーラのデポジットによる性能低下を抑制することができる。
【００１０】
上記構成において、前記抵抗値取得部は、前記熱交換体に電流を流したときの前記熱交換体の前記ＥＧＲガスの流動方向で上流側の端部地点における電気抵抗値と、前記熱交換体の前記ＥＧＲガスの流動方向で上流側の端部と下流側の端部との間の所定地点である中間地点における電気抵抗値とを取得し、前記デポジット除去実行部は、前記抵抗値取得部が取得した前記上流側の端部地点における前記電気抵抗値および前記中間地点における前記電気抵抗値に基づいて、前記熱交換体に流す電流を制御してもよい。
【００１１】
デポジットの成分の一例としてｓｏｏｔ（煤）およびｓｏｆ（可溶性有機成分）が挙げられるが、ｓｏｏｔは熱交換体の上流側の端部に堆積する傾向があり、ｓｏｆは熱交換体の中間地点に堆積する傾向がある。したがって、この構成によれば、熱交換体のデポジットの成分に基づいて熱交換体に流す電流を制御することができる。その結果、熱交換体のデポジットを効率的に除去することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明は、セラミック製の熱交換体を有するＥＧＲクーラのデポジットによる性能低下を抑制することができるＥＧＲクーラの制御装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は実施例１に係る内燃機関を示す模式図である。
【図２】図２（ａ）はＥＧＲクーラの模式的断面図である。図２（ｂ）は熱交換体の正面図である。
【図３】図３は、実施例１に係る再生処理のフローチャートの一例を示す図である。
【図４】図４は、実施例１に係る熱交換体のデポジットの堆積量およびＥＧＲクーラの冷却効率と電気抵抗値との関係を示す模式図である。
【図５】図５（ａ）は、実施例２に係る制御装置が適用される内燃機関を説明するための模式図である。図５（ｂ）は実施例２に係る熱交換体の模式図である。
【図６】図６は、実施例２に係る再生処理のフローチャートの一例を示す図である。
【図７】図７は、実施例２に係る分析処理の具体的内容を説明するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明を実施するための形態を説明する。
【実施例１】
【００１５】
本発明の実施例１に係るＥＧＲクーラの制御装置１０について説明する。まず制御装置１０が適用される内燃機関５の全体構成について説明し、次いで制御装置１０の詳細について説明する。図１は内燃機関５の模式図である。図１に示す内燃機関５は車両に搭載されている。内燃機関５の種類は、特に限定されるものではなく、ディーゼルエンジン、ガソリンエンジン等の種々の内燃機関を用いることができる。本実施例においては、内燃機関５の一例としてガソリンエンジンを用いる。
【００１６】
内燃機関５は、制御装置１０と、気筒２１を有する機関本体２０と、気筒２１に接続した吸気通路３０と、気筒２１に接続した排気通路３５と、吸気通路３０に配置されたスロットル４０とを備えている。なお、機関本体２０は、気筒２１が形成されたシリンダブロックと、シリンダブロックの上部に配置されたシリンダヘッドと、気筒２１に配置されたピストンとを備えている。本実施例において、気筒２１の数は複数（具体的には４つ）である。但し気筒２１の数はこれに限定されるものではない。また内燃機関５は、ＥＧＲ（Ｅｘｈａｕｓｔ  Ｇａｓ  Ｒｅｃｉｒｃｕｌａｔｉｏｎ）通路５０と、ＥＧＲ通路５０に配置されたＥＧＲバルブ６０と、ＥＧＲ通路５０に配置されたＥＧＲクーラ７０と、冷媒供給通路８０および冷媒排出通路８５と、バイパス通路９０と、流路切替弁９５と、通電装置１２０と、抵抗センサ１３０とを備えている。
【００１７】
制御装置１０は、機関本体２０、スロットル４０、ＥＧＲバルブ６０、流路切替弁９５および通電装置１２０を制御する。なお、制御装置１０はＥＧＲバルブ６０、流路切替弁９５および通電装置１２０を制御することで、間接的にＥＧＲクーラ７０の運転状態も制御しているため、制御装置１０はＥＧＲクーラ７０の制御装置としての機能も有している。本実施例においては、制御装置１０の一例として、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）１１、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）１２およびＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）１３を備える電子制御装置（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｕｎｉｔ）を用いる。ＣＰＵ１１は、機関本体２０、スロットル４０、ＥＧＲバルブ６０、流路切替弁９５および通電装置１２０を制御する制御部としての機能を有している。ＲＯＭ１２およびＲＡＭ１３は、ＣＰＵ１１の動作に必要な情報を記憶する記憶部としての機能を有している。
【００１８】
ＥＧＲ通路５０は、機関本体２０の気筒２１から排出された排気の一部を吸気通路３０に再循環させる通路である。具体的には本実施例に係るＥＧＲ通路５０は、吸気通路３０の通路途中と排気通路３５の通路途中とを接続している。なお、本実施例においてＥＧＲ通路５０のＥＧＲガス流動方向で上流側の端部は、排気通路３５のうちエキゾーストマニホールドに接続している。また、ＥＧＲ通路５０のＥＧＲクーラ７０が配置されている部分よりも下流側の一部分は、機関本体２０（本実施例においてはシリンダブロック）の内部を通過している。これ以降、ＥＧＲ通路５０を通過する排気をＥＧＲガスと称する場合がある。ＥＧＲバルブ６０は、制御装置１０の指示を受けてＥＧＲ通路５０を開閉する。ＥＧＲバルブ６０がＥＧＲ通路５０を開閉することで、ＥＧＲガスの流量（ｍ３／ｓ）を調整することができる。ＥＧＲバルブ６０が開になった場合（具体的にはＥＧＲバルブ６０の開度が０より大きい値になった場合）、ＥＧＲガスの吸気通路３０への流入が開始され、ＥＧＲバルブ６０が閉になった場合、ＥＧＲガスの吸気通路３０への流入は停止される。また、ＥＧＲバルブ６０の開度が大きくなるほど、吸気通路３０に流入するＥＧＲガスの流量も大きくなる。
【００１９】
ＥＧＲクーラ７０は、冷媒とＥＧＲガスとの間で熱交換をすることで、ＥＧＲガスを冷却する装置である。冷媒供給通路８０は、機関本体２０の内部に形成された冷媒通路（以下、機関本体冷媒通路と称する場合がある）の冷媒をＥＧＲクーラ７０に導く冷媒通路である。冷媒排出通路８５は、ＥＧＲクーラ７０の内部を通過した冷媒を機関本体冷媒通路に戻す冷媒通路である。冷媒は、ウォータポンプから圧送されて機関本体冷媒通路に供給され、機関本体冷媒通路を通過しながら機関本体２０を冷却する。また機関本体冷媒通路の冷媒の一部はＥＧＲクーラ７０に流入して、ＥＧＲガスを冷却する。
【００２０】
図２（ａ）は、ＥＧＲクーラ７０の模式的断面図である。ＥＧＲクーラ７０は、アウターパイプ７１と、アウターパイプ７１の内側に配置されたインナーパイプ７２と、インナーパイプ７２の内部に配置された熱交換体７３とを有している。インナーパイプ７２は、ＥＧＲガスが内部を通過するようにＥＧＲ通路５０に接続されている。図２（ａ）においてＥＧＲガスの流動方向は、右から左に向かう方向である。アウターパイプ７１の端部のうち図２（ａ）において領域Ｓで図示されている部分は、インナーパイプ７２の外周面に接続している。アウターパイプ７１の両端部に存在する領域Ｓによって挟まれた領域とインナーパイプ７２との間には、空間が設けられている。この空間は、冷媒が通過する冷媒通路であるクーラ冷媒通路７４になっている。なお、領域Ｓの部分は、クーラ冷媒通路７４からの冷媒の漏洩を抑制するシール部としての機能を有している。アウターパイプ７１のうちクーラ冷媒通路７４を構成している部分には、冷媒供給口７５および冷媒排出口７６が設けられている。冷媒供給口７５には冷媒供給通路８０が接続され、冷媒排出口７６には冷媒排出通路８５が接続されている。本実施例に係るインナーパイプ７２は、熱交換体７３の外周壁面全体を覆っている。またインナーパイプ７２は、熱交換体７３のＥＧＲガス流動方向で上流側にある端面よりもさらに上流側に延出し、熱交換体７３のＥＧＲガス流動方向で下流側にある端面よりもさらに下流側に延出している。
【００２１】
熱交換体７３は、ＥＧＲガスの熱をクーラ冷媒通路７４に伝導させる媒体である。図２（ｂ）は熱交換体７３の正面図である。具体的には図２（ｂ）は、熱交換体７３を図２（ａ）のＸ方向から見た様子を模式的に図示している。なお図２（ｂ）には、インナーパイプ７２も併せて図示されている。本実施例に係る熱交換体７３は、インナーパイプ７２の内周面に接触するようにインナーパイプ７２の内側に配置されている。具体的には熱交換体７３の外径は、インナーパイプ７２の内径と同じ値または同じ値よりも若干大きな値に設定されている。それにより、本実施例に係る熱交換体７３は、インナーパイプ７２の内周面に嵌合するようにインナーパイプ７２の内側に配置されている。
【００２２】
熱交換体７３は、ＥＧＲガスが通過するガス通路７７を有している。本実施例に係るガス通路７７の個数は複数である。図２（ｂ）において右下に図示されている拡大図が示すように、各々のガス通路７７は、図２（ｂ）において横方向に延伸した第１隔壁７８と、第１隔壁７８に対して所定角度（本実施例では一例として９０度である）のなす角を有する第２隔壁７９とによって区画されている。熱交換体７３のガス通路７７にＥＧＲガスが流入した場合、ＥＧＲガスの熱は、第１隔壁７８および第２隔壁７９をそれぞれ伝導してインナーパイプ７２に伝導し、その後、クーラ冷媒通路７４の冷媒に奪われる。このようにしてＥＧＲクーラ７０は、ＥＧＲガスとクーラ冷媒通路７４の冷媒との間で熱交換を行っている。内燃機関５がＥＧＲクーラ７０を備えることで、ＥＧＲガスが高温になり過ぎることが抑制されている。
【００２３】
本実施例に係るアウターパイプ７１およびインナーパイプ７２の材質は、ステンレスである。但しアウターパイプ７１およびインナーパイプ７２の材質は、これに限定されるものではなく、例えばステンレス以外の金属、あるいはセラミックを用いることもできる。本実施例に係る熱交換体７３の材質は、セラミックである。すなわち、本実施例に係る熱交換体７３はセラミック製の熱交換体である。具体的には、熱交換体７３の第１隔壁７８および第２隔壁７９の材質がセラミックである。セラミックはステンレス等の金属に比較して、熱伝導率が高く且つ排気に対する耐食性も良好である。したがって、本実施例に係るＥＧＲクーラ７０は、熱交換体７３の材質としてステンレス等の金属を用いたＥＧＲクーラに比較して、優れた冷却性能および耐食性を有している。
【００２４】
熱交換体７３の材質であるセラミックの具体的な成分は特に限定されるものではないが、ＳｉＣが好ましい。ＳｉＣは、熱伝導性が良好であり、加工性も良好であり、コストも高価でないため、ＥＧＲクーラ用の熱交換体の素材として特に適しているからである。そこで、本実施例においては、熱交換体７３の材質の一例として、ＳｉＣを成分中に含むセラミックを用いる。このような熱交換体７３の材質の具体例としては、ＳｉＣ（つまりＳｉＣの他に添加物が添加されていないもの）、Ｓｉ含浸ＳｉＣ、（Ｓｉ＋Ａｌ）含浸ＳｉＣ、金属複合ＳｉＣ等、ＳｉＣを主成分とする種々の材質を用いることができる。本実施例においては、一例として、Ｓｉ含浸ＳｉＣを用いることとする。但し、熱交換体７３の材質は、セラミックであればよく、これに限定されるものではない。
【００２５】
図１を参照して、バイパス通路９０は、ＥＧＲガスをＥＧＲクーラ７０をバイパスさせる通路である。本実施例に係るバイパス通路９０の一端は、ＥＧＲ通路５０のＥＧＲクーラ７０よりもＥＧＲガス流動方向で下流側に接続している。バイパス通路９０の他端は、ＥＧＲ通路５０のＥＧＲクーラ７０よりも上流側の部分に配置された流路切替弁９５に接続している。流路切替弁９５は、制御装置１０からの指示を受けてＥＧＲガスの流動先をＥＧＲクーラ７０とバイパス通路９０との間で切替える。このような機能を有するものであれば、流路切替弁９５の具体的構成は特に限定されるものではないが、本実施例においては流路切替弁９５の一例として、電磁三方弁を用いる。
【００２６】
通電装置１２０は、ＥＧＲクーラ７０の熱交換体７３に電流を流す装置である。図１を参照して、通電装置１２０は、電極１００ａと、電極１００ｂと、電気供給装置１１０とを備えている。電極１００ａおよび電極１００ｂは、電気供給装置１１０に電気的に接続されている。具体的には電極１００ａおよび電極１００ｂは、それぞれ導線によって電気供給装置１１０に接続されている。
【００２７】
電気供給装置１１０は、制御装置１０からの指示を受けて、熱交換体７３に電気を供給する装置である。電気供給装置１１０が熱交換体７３に電気を供給することで、熱交換体７３には電流が流れる。本実施例に係る電気供給装置１１０は、電気を電極１００ｂ側から熱交換体７３に供給する。熱交換体７３に供給された電気は、熱交換体７３を通過した後に電極１００ａ側から電気供給装置１１０に戻る。但し、熱交換体７３における電流の通過方向は、これに限定されるものではなく、これとは反対方向であってもよい。本実施例においては、電気供給装置１１０の一例として、電子回路とバッテリとを備えた電気供給装置を用いる。この電気供給装置１１０は、制御装置１０からの指示に基づいて、バッテリから熱交換体７３への電気供給の開始および停止を実行でき、また制御装置１０からの指示に基づいて、バッテリから熱交換体７３への電気供給量を調整できるように構成された電気供給装置である。なお電気供給装置１１０としては、制御装置１０からの指示を受けて熱交換体７３に電気を供給できるものであれば、その具体的構成はこれに限定されるものではなく、公知の電気供給装置を用いることができる。そのため、電気供給装置１１０のこれ以上詳細な説明は省略する。
【００２８】
図２（ａ）を参照して、電極１００ａおよび電極１００ｂは、ＥＧＲクーラ７０の熱交換体７３に配置されている。電極１００ｂが配置されている熱交換体７３の所定箇所は、電極１００ａが配置されている熱交換体７３の所定箇所よりもＥＧＲガス流動方向で上流側である。具体的には本実施例に係る電極１００ｂは、熱交換体７３のＥＧＲガス流動方向で上流側の端部に配置され、電極１００ａは熱交換体７３のＥＧＲガス流動方向で下流側の端部に配置されている。なお、これ以降、上流および下流と称した場合、特段の断りがない限りＥＧＲガスの流動方向で上流および下流を意味することとする。
【００２９】
図１を参照して、抵抗センサ１３０は、熱交換体７３に電流を流したときの（すなわち、熱交換体７３に通電したときの）熱交換体７３の電気抵抗値を検出するセンサである。具体的には本実施例に係る抵抗センサ１３０は、通電したときの熱交換体７３の電極１００ｂと電極１００ａとの間の電気抵抗値を検出している。なお本実施例に係る電極１００ｂは熱交換体７３の上流側の端部に配置されているため、本実施例に係る抵抗センサ１３０は、少なくとも熱交換体７３の上流側の端部地点における電気抵抗値を検出していることになる。抵抗センサ１３０は、検出した電気抵抗値を制御装置１０に伝える。
【００３０】
なお図２（ａ）において前述したように、本実施例に係る電極１００ａは熱交換体７３の下流側の端部に配置されており、電極１００ｂは熱交換体７３の上流側の端部に配置されているため、本実施例に係る抵抗センサ１３０が検出する電気抵抗値は、熱交換体７３の上流側の端部と下流側の端部との間の電気抵抗値である。但し、抵抗センサ１３０が検出する熱交換体７３の電気抵抗値は、このような熱交換体７３の上流側端部と下流側端部との間の電気抵抗値に限定されるものではない。他の例を挙げると、図２（ａ）を参照して、例えば抵抗センサ１３０は、電極１００ｂよりもさらに下流側と、電極１００ａよりもさらに上流側との間の電気抵抗値を検出してもよい。但し、本実施例のように抵抗センサ１３０が熱交換体７３の上流側の端部と下流側の端部との間の電気抵抗値を検出した方が、熱交換体７３の上流側端部から下流側端部に亘る電気抵抗値（すなわち熱交換体７３の長さ方向の電気抵抗値全体）を検出できる点において好ましい。
【００３１】
続いて制御装置１０の詳細について説明する。本実施例に係る制御装置１０は、ＥＧＲクーラ７０の熱交換体７３に発生したデポジットを除去する再生処理を実行する。この再生処理についてフローチャートを用いて説明すると次のようになる。図３は、本実施例に係る再生処理のフローチャートの一例を示す図である。制御装置１０は、図３のフローチャートを所定の周期で繰り返し実行する。なお図３のフローチャートの各ステップは、制御装置１０の具体的にはＣＰＵ１１が実行する。
【００３２】
まず制御装置１０は、抵抗値検出条件が満たされるか否かを判定する（ステップＳ１０）。抵抗値検出条件は、熱交換体７３の電気抵抗値を検出することを開始するための条件である。本実施例においては抵抗値検出条件の一例として、内燃機関５が急加速時でないとの条件を用いる。但し抵抗値検出条件の具体的内容は、これに限定されるものではない。他の例を挙げると、抵抗値検出条件として、例えば、前回、後述するステップＳ９０を実行してからの経過時間が所定時間を超えたとの条件や、前回ステップＳ９０を実行してからの車両の走行距離が所定値を超えたとの条件等を用いることもできる。
【００３３】
ステップＳ１０でＮｏと判定された場合、制御装置１０はフローチャートの実行を終了する。ステップＳ１０でＹｅｓと判定された場合、制御装置１０は熱交換体７３の電気抵抗値（Ｒ１）を取得する（ステップＳ２０）。具体的には制御装置１０は、電気供給装置１１０から所定量の電気（具体的には所定の電流値を有する電気）が熱交換体７３流れるように電気供給装置１１０を制御する。そして、制御装置１０は、熱交換体７３に電流を流したときの抵抗センサ１３０の検出結果である熱交換体７３の電極１００ｂと電極１００ａとの間の電気抵抗値（Ｒ１）を取得する。なお、ステップＳ２０において熱交換体７３に流す電流値は、熱交換体７３の電気抵抗値を検出することができる程度の値であればよく、その具体的な値は特に限定されるものではない。
【００３４】
ステップＳ２０の後に制御装置１０は、熱交換体７３におけるデポジットの堆積量を推定することで取得する（ステップＳ３０）。ここで、本実施例のように熱交換体７３がセラミック製の場合、デポジットの堆積量と電気抵抗値とが相関を有するという性質がある。この性質を利用して、本実施例に係る制御装置１０は、熱交換体７３の電気抵抗値に基づいてデポジットの堆積量を推定する。これについて図を用いて説明すると次のようになる。
【００３５】
図４は、熱交換体７３のデポジットの堆積量およびＥＧＲクーラ７０の冷却効率と電気抵抗値との関係を示す模式図である。図４の左側の縦軸は熱交換体７３におけるデポジットの堆積量を示し、右側の縦軸はＥＧＲクーラ７０の冷却効率を示し、横軸は熱交換体７３の電気抵抗値（Ω）を示している。曲線２００は熱交換体７３におけるデポジットの堆積量の電気抵抗値に対する変化を示し、曲線２０１はＥＧＲクーラ７０の冷却効率の電気抵抗値に対する変化を示している。なおＥＧＲクーラ７０の冷却効率とは、単位流量当たりの冷媒で冷却できるＥＧＲガスの流量を示し、ＥＧＲクーラ７０の性能を示す指標の一つである。冷却効率が低いほど、ＥＧＲクーラ７０の性能が悪いということになる。図４において、横軸のＲ０は基準となる熱交換体７３の電気抵抗値を示している（以下、これを基準抵抗値と称する）。基準抵抗値（Ｒ０）の具体的な値は特に限定されるものではないが、本実施例においては、熱交換体７３にデポジットが堆積していないときの熱交換体７３の電気抵抗値を用いる。そのため、本実施例において、熱交換体７３の電気抵抗値が基準抵抗値（Ｒ０）の場合におけるデポジットの堆積量（Ｔ０）はゼロである。
【００３６】
曲線２００を参照して、デポジットの堆積量が増大するほど熱交換体７３の電気抵抗値は上昇している。このようにセラミック製の熱交換体７３において、デポジットの堆積量と電気抵抗値とは正の相関を有している。これは、デポジットは絶縁性を有しており、このような絶縁性のデポジットが導電性であるセラミック製の熱交換体７３に付着することで、熱交換体７３全体としての電気抵抗値が増大したものと考えられる。
【００３７】
本実施例に係る制御装置１０は、具体的には次のように図３のステップＳ３０を実行する。まず制御装置１０の記憶部には、図４の曲線２００に示すようなマップ、具体的にはデポジットの堆積量を電気抵抗値に関連付けて規定したマップが予め記憶されている。制御装置１０はステップＳ３０において、ステップＳ２０で取得した電気抵抗値（Ｒ１）に対応するデポジット堆積量（Ｔ１）をマップから抽出することで、デポジット堆積量（Ｔ１）を取得する。このように制御装置１０はステップＳ３０を実行している。
【００３８】
図３を参照して、ステップＳ３０の後に制御装置１０は、ＥＧＲクーラ７０の冷却効率（Ｗ１）を推定することで取得する（ステップＳ４０）。ここで、セラミック製の熱交換体７３を有するＥＧＲクーラ７０の場合、ＥＧＲクーラ７０の冷却効率も、熱交換体７３の電気抵抗値と相関を有している。これについて図４を用いて説明すると次のようになる。図４の右側の縦軸でＷ０は、電気抵抗値が基準抵抗値Ｒ０のときのＥＧＲクーラ７０の冷却効率を示している。曲線２０１を参照して、熱交換体７３の電気抵抗値が増大するほどＥＧＲクーラ７０の冷却効率は低下している。このようにＥＧＲクーラ７０の冷却効率は電気抵抗値と負の相関を有している。これは、デポジットの堆積量が増えるほど、セラミック製の熱交換体７３の熱伝導率が低下し、その結果、ＥＧＲクーラ７０の冷却効率が低下したものと考えられる。この性質を利用して、本実施例に係る制御装置１０はステップＳ４０において、熱交換体７３の電気抵抗値に基づいてＥＧＲクーラ７０の冷却効率を推定する。
【００３９】
具体的には、制御装置１０の記憶部には、図４の曲線２０１に示すようなマップ、より具体的にはＥＧＲクーラ７０の冷却効率を電気抵抗値に関連付けて規定したマップが予め記憶されている。制御装置１０はステップＳ４０において、ステップＳ２０で取得した電気抵抗値（Ｒ１）に対応するＥＧＲクーラ７０の冷却効率（Ｗ１）をマップから抽出することで、ＥＧＲクーラ７０の冷却効率（Ｗ１）を取得する。このように制御装置１０はステップＳ４０を実行している。
【００４０】
図３を参照して、ステップＳ４０の後に制御装置１０は、ステップＳ４０で取得した冷却効率（Ｗ１）が所定の基準冷却効率（Ｗｌｏｗ）よりも低いか否かを判定する（ステップＳ５０）。基準冷却効率の具体的な値は特に限定されるものではないが、例えばＥＧＲクーラ７０の冷却効率がこの基準冷却効率よりも低くなった場合に、ＥＧＲクーラ７０としての機能を果たすことが困難になると考えられる値を用いることができる。この基準冷却効率は予め適切な値を求めておき、記憶部に記憶させておく。
【００４１】
ステップＳ５０でＮｏと判定された場合、制御装置１０はフローチャートの実行を終了する。ステップＳ５０でＹｅｓと判定された場合、制御装置１０はステップＳ２０で取得した電気抵抗値（Ｒ１）が基準抵抗値（Ｒ０）よりも大きいか否かを判定する（ステップＳ６０）。ステップＳ６０でＮｏと判定された場合、制御装置１０はフローチャートの実行を終了する。ステップＳ６０でＹｅｓと判定された場合、制御装置１０は熱交換体７３に所定電流値以上の電流が流れるように、通電装置１２０の電気供給装置１１０を制御する（ステップＳ７０）。これ以降、ステップＳ７０に係る制御を通電処理と称する場合がある。
【００４２】
ここで、セラミック製の熱交換体７３は電流が流れた場合に発熱する性質を有している。したがって、ステップＳ７０に係る通電処理の実行によって、熱交換体７３を発熱させることができる。熱交換体７３が発熱することで、熱交換体７３のデポジットを除去することができる。なお、ステップＳ７０において熱交換体７３に流す電流値は、デポジットが燃焼する程度に熱交換体７３が発熱するような値であれば、特に限定されるものではない。すなわち、本実施例に係る制御装置１０の具体的にはＣＰＵ１１は、熱交換体７３に電流を流したときの熱交換体７３の電気抵抗値が所定値（具体的には基準抵抗値（Ｒ０））よりも大きい場合に、熱交換体７３に所定電流値以上の電流を流すことで熱交換体７３のデポジットを除去している。
【００４３】
さらに本実施例に係る制御装置１０はステップＳ７０において、ＥＧＲガスがＥＧＲクーラ７０をバイパスするように流路切替弁９５を制御する（以下、この制御をバイパス制御と称する）。すなわち本実施例に係る制御装置１０はステップＳ７０において、通電処理およびバイパス制御を同時に実行している。なお、制御装置１０は、このバイパス制御を実行しなくてもよい。但し、バイパス制御が実行されることで、通電処理が実行されることで発熱した熱交換体７３によってＥＧＲガスが加熱されることを抑制することができる。そのため、本実施例のようにバイパス制御が実行される方が好ましい。
【００４４】
ステップＳ７０の後に制御装置１０はステップＳ８０を実行する。ステップＳ８０において制御装置１０は、熱交換体７３のデポジットの堆積量を推定によって取得し、この取得されたデポジットの堆積量が、ステップＳ３０で取得されたデポジットの堆積量（Ｔ１）から所定値αを差し引いた値（すなわちＴ１−α）より小さいか否かを判定する。なお、ステップＳ８０において制御装置１０は熱交換体７３のデポジットの堆積量を推定によって取得するに当たり、具体的には、ステップＳ２０と同様の手法によって、抵抗センサ１３０の検出結果に基づいて熱交換体７３の電極１００ｂと電極１００ａとの間の電気抵抗値を取得し、取得された電気抵抗値に基づいて、ステップＳ３０と同様の手法によって図４のマップからデポジット堆積量を取得する。
【００４５】
ステップＳ８０でＮｏと判定された場合、制御装置１０はステップＳ５０を実行する。ステップＳ８０でＹｅｓと判定された場合、制御装置１０は通電処理の実行を終了する（ステップＳ９０）。具体的には制御装置１０はステップＳ９０において、熱交換体７３への電気の供給が停止されるように電気供給装置１１０を制御する。また制御装置１０は、ステップＳ９０において、バイパス制御を終了する。具体的には制御装置１０は、バイパス通路９０が閉になるように流路切替弁９５を制御する。その結果、ＥＧＲガスはＥＧＲクーラ７０を通過するようになる。ステップＳ９０の後に制御装置１０は、フローチャートの実行を終了する。
【００４６】
このように本実施例に係る通電処理は、ステップＳ８０でＹｅｓと判定されるまで実行されている。この場合、通電処理が実行されることによるデポジットの除去量が所定値αということになる。つまり、本実施例によれば、通電処理によってデポジットを所定値αの量、除去していることなる。所定値αの具体的な値は特に限定されるものではない。なお、所定値αを大きくするほどデポジットの除去量を多くすることができるが、通電処理の実行期間（通電されている期間）も増大するため、所定値αとしては、この点を考慮して適切な値を設定することが好ましい。
【００４７】
なお、本実施例において、図３のステップＳ２０を実行するＣＰＵ１１は、熱交換体７３に電流を流したときの熱交換体７３の電気抵抗値を取得する電気抵抗値取得部に相当する。また図３のステップＳ７０を実行するＣＰＵ１１は、抵抗値取得部により取得された熱交換体７３の電気抵抗値が所定値（具体的には基準抵抗値（Ｒ０））よりも大きい場合に、所定電流値以上の電流を熱交換体７３に流すことで熱交換体７３のデポジットを除去するデポジット除去実行部に相当する。
【００４８】
以上説明したように、本実施例に係る制御装置１０は、ＥＧＲガスが通過するセラミック製の熱交換体７３にデポジットが発生し、その結果、抵抗値取得部により取得された熱交換体７３の電気抵抗値が所定値より大きくなった場合に、所定電流値以上の電流を熱交換体７３に流すことで、熱交換体７３を発熱させて、熱交換体７３のデポジットを除去することができる。それにより、ＥＧＲクーラ７０のデポジットによる性能低下を抑制することができる。
【実施例２】
【００４９】
続いて本発明の実施例２に係るＥＧＲクーラの制御装置１０ａについて説明する。図５（ａ）は、本実施例に係る制御装置１０ａが適用される内燃機関５ａを説明するための模式図である。本実施例に係る内燃機関５ａは、通電装置１２０に代えて通電装置１２０ａを備えている点と、制御装置１０に代えて制御装置１０ａを備えている点とにおいて、実施例１に係る内燃機関５と異なっている。内燃機関５ａのその他の構成は、実施例１に係る内燃機関５と同様である。なお図５ａにおいて、機関本体２０、スロットル４０、吸気通路３０、排気通路３５、ＥＧＲバルブ６０、バイパス通路９０、流路切替弁９５等の図示は省略されている。
【００５０】
通電装置１２０ａは、電極１００ｃをさらに備えている点において、実施例１に係る通電装置１２０と異なっている。電極１００ｃは、電気供給装置１１０に電気的に接続されている（具体的には導線によって電気供給装置１１０に接続されている）。図５（ｂ）は、本実施例に係る熱交換体７３の模式図である。電極１００ｃは、熱交換体７３の上流側の端部と熱交換体７３の下流側の端部との間の所定地点である中間地点に配置されている。その結果、本実施例に係る抵抗センサ１３０は、熱交換体７３の電極１００ｂと電極１００ａとの間の電気抵抗値に加えて、熱交換体７３の電極１００ｃと電極１００ａとの間の電気抵抗値も検出している。すなわち本実施例に係る抵抗センサ１３０は、熱交換体７３に電流を流したときの熱交換体７３のＥＧＲガスの流動方向で上流側の端部地点における電気抵抗値を検出するとともに中間地点における電気抵抗値も検出している。
【００５１】
図５（ａ）を参照して、本実施例に係る制御装置１０ａは、そのハードウエア構成は実施例１に係る制御装置１０と同じく、ＣＰＵ１１、ＲＯＭ１２およびＲＡＭ１３を備える電子制御装置であるが、再生処理の内容が実施例１と異なっている。図６は、本実施例に係る再生処理のフローチャートの一例を示す図である。制御装置１０ａは、図６のフローチャートを所定の周期で繰り返し実行する。なお図６のフローチャートの各ステップは、制御装置１０ａの具体的にはＣＰＵ１１が実行する。図６のフローチャートは、ステップＳ３５をさらに備えている点と、ステップＳ２０に代えてステップＳ２０ａを備えている点と、ステップＳ３０に代えてステップＳ３０ａを備えている点と、ステップＳ６０に代えてステップＳ６０ａを備えている点と、ステップＳ７０に代えてステップＳ７０ａおよびステップＳ７０ｂを備えている点と、ステップＳ８０に代えてステップＳ８０ａを備えている点とにおいて、図３のフローチャートと異なっている。
【００５２】
制御装置１０ａは、ステップＳ１０でＹｅｓと判定された場合にステップＳ２０ａを実行する。ステップＳ２０ａにおいて制御装置１０ａは、抵抗センサ１３０の検出結果に基づいて、熱交換体７３の電極１００ｂと電極１００ａとの間の電気抵抗値（Ｒ１）を取得するとともに、熱交換体７３の電極１００ｃと電極１００ａとの間の電気抵抗値（Ｒ２）も取得する。すなわち制御装置１０ａは、熱交換体７３に電流を流したときの熱交換体７３のＥＧＲガスの流動方向で上流側の端部地点における電気抵抗値と中間地点における電気抵抗値とを取得している。なお制御装置１０ａは、熱交換体７３の電極１００ｂと電極１００ａとの間の電気抵抗値（Ｒ１）を検出する場合は、電極１００ｂから熱交換体７３に所定量の電流が流れ、熱交換体７３を流れた電流が電極１００ａから電気供給装置１１０に戻るように、電気供給装置１１０を制御し、このときの抵抗センサ１３０の検出結果を取得する。また制御装置１０ａは、熱交換体７３の電極１００ｃと電極１００ａとの間の電気抵抗値（Ｒ２）を検出する場合は、電極１００ｃから熱交換体７３に所定量の電流が流れ、熱交換体７３を流れた電流が電極１００ａから電気供給装置１１０に戻るように電気供給装置１１０を制御し、このときの抵抗センサ１３０の検出結果を取得する。
【００５３】
次いで制御装置１０ａはステップＳ３０ａを実行する。ステップＳ３０ａにおいて制御装置１０ａは、電気抵抗値（Ｒ１）に基づいてデポジットの堆積量（Ｔ１）を推定によって取得するとともに、電気抵抗値（Ｒ２）に基づいてデポジットの堆積量（Ｔ２）を推定によって取得する。なお制御装置１０ａは、実施例１で説明したデポジットの堆積量（Ｔ１）の推定手法と同じ方法で、電気抵抗値（Ｒ２）に基づいてデポジットの堆積量（Ｔ２）を推定する。具体的には制御装置１０ａは、デポジット堆積量を電気抵抗値に関連付けて規定したマップを用いて、デポジットの堆積量（Ｔ２）を推定する。
【００５４】
ステップＳ３０ａの後に制御装置１０ａはステップＳ３５を実行する。ステップＳ３５において制御装置１０ａはデポジットの成分を分析する分析処理を実行する。図７は、本実施例に係る分析処理の具体的内容を説明するための模式図である。具体的には図７は、図４と同様に、熱交換体７３のデポジットの堆積量およびＥＧＲクーラ７０の冷却効率と電気抵抗値との関係を模式的に示している。
【００５５】
ここで、本実施例において、電極１００ｃと電極１００ａとの距離は、電極１００ｂと電極１００ａとの距離よりも小さくなっている。そのため、仮にデポジットが熱交換体７３に全く堆積していない状態であっても、熱交換体７３の電極１００ｃと電極１００ａとの間の電気抵抗値は、熱交換体７３の電極１００ｂと電極１００ａとの間の電気抵抗値よりも小さくなる。そこで、図７において、熱交換体７３の電極間の電気抵抗値（横軸）は、電極１００ｃおよび電極１００ｂの電極１００ａからの距離の相違による電気抵抗値の相違が無くなるように、補正されて図示されている。具体的には、図５（ｂ）に示すように、電極１００ｂと電極１００ａとの距離を１とし、電極１００ｃと電極１００ａとの距離をγ（＜１）とした場合、図７に図示されている熱交換体７３の電極１００ｂと電極１００ａとの間の電気抵抗値はγ倍されている。なお、電極１００ｂおよび電極１００ｃの電極１００ａからの距離の相違による電気抵抗値の相違を無くす手法は、これに限定されるものではなく、例えば、図７は、熱交換体７３の電極１００ｃと電極１００ａとの間の電気抵抗値が１／γ倍して図示されていてもよい。
【００５６】
また、デポジットの成分の一例としてｓｏｏｔ（煤）およびｓｏｆ（ｓｏｌｕｂｌｅ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｆｒａｃｔｉｏｎ  ｅｌｅｍｅｎｔ：可溶性有機成分）が挙げられる。ｓｏｏｔは熱交換体７３の上流側の端部に堆積する傾向があり、ｓｏｆは熱交換体７３の上流側の端部よりも下流側の部分（具体的には熱交換体７３の上流側端部と下流側端部との間の部分）に堆積する傾向がある。これは、ｓｏｏｔが固体状でありｓｏｆが液状であることに起因していると考えられる。そこで、制御装置１０ａは、このｓｏｏｔとｓｏｆとの熱交換体７３における堆積箇所の相違を利用してデポジットの成分を分析している。
【００５７】
具体的には、図７を参照して、電気抵抗値Ｒ１に対応するデポジット堆積量Ｔ１（これは熱交換体７３の電極１００ｂと電極１００ａとの間の電気抵抗値に基づいて取得されたデポジット堆積量である）は、熱交換体７３に堆積したデポジット全体の堆積量（全堆積量）に相当する。これに対して電気抵抗値Ｒ２に対応するデポジット堆積量Ｔ２（これは熱交換体７３の電極１００ｃと電極１００ｃとの間の電気抵抗値に基づいて取得されたデポジット堆積量である）は、熱交換体７３に堆積した全デポジット中のｓｏｆ量に相当する。また、デポジット堆積量Ｔ１とデポジット堆積量Ｔ２との差分は、全デポジット中のｓｏｏｔ量に相当する。そこで、本実施例に係る制御装置１０ａはステップＳ３５において、ステップＳ３０ａで取得されたデポジット堆積量（Ｔ１）とデポジット堆積量（Ｔ２）との差分を算出し、この差分の値を全デポジット中のｓｏｏｔ量として、記憶部に一時的に記憶させる。また制御装置１０ａは、ステップＳ３０ａで取得されたデポジット堆積量（Ｔ２）を、全デポジット中のｓｏｆ量として、記憶部に一時的に記憶させる。このようにして本実施例に係る制御装置１０ａはステップＳ３５において、デポジットの成分をｓｏｏｔとｓｏｆとに分離している。
【００５８】
図６を参照して、ステップＳ３５の後に制御装置１０ａはステップＳ４０を実行し、次いでステップＳ５０を実行する。本実施例に係るステップＳ４０およびステップＳ５０の具体的内容は実施例１のステップＳ４０およびステップＳ５０と同じため、説明を省略する。ステップＳ５０でＹｅｓと判定された場合、本実施例に係る制御装置１０ａは、ステップＳ６０ａを実行する。ステップＳ６０ａにおいて制御装置１０ａは、ステップＳ３５に係る分析処理の結果得られたｓｏｆ量がｓｏｏｔ量よりも大きいか否かを判定する。ステップＳ６０ａでＹｅｓと判定された場合（すなわちｓｏｆ＞ｓｏｏｔの場合）、制御装置１０ａは、ステップＳ７０ａに係る通電処理を実行する。ステップＳ６０ａでＮｏと判定された場合（すなわちｓｏｆ≦ｓｏｏｔの場合）、制御装置１０ａは、ステップＳ７０ｂに係る通電処理を実行する。
【００５９】
ステップＳ７０ａに係る通電処理において制御装置１０ａは、ステップＳ７０ｂに係る通電処理の場合よりも熱交換体７３に流す電流の目標値を低くする。そして制御装置１０ａは、この目標値に相当する電流が熱交換体７３に流れるように、電気供給装置１１０を制御する。このように本実施例に係る制御装置１０ａは、抵抗センサ１３０の検出結果に基づいて取得した上流側の端部地点における電気抵抗値および中間地点における電気抵抗値に基づいて、ステップＳ３５においてデポジットの成分をｓｏｆとｓｏｏｔとに分離し、この分析結果に基づいてステップＳ７０ａおよびステップＳ７０ｂにおいて熱交換体７３に流す電流を制御している。すなわち、本実施例に係る制御装置１０ａは、上流側の端部地点における電気抵抗値および中間地点における電気抵抗値に基づいて、熱交換体７３に流す電流を制御している。本実施例のように、ステップＳ７０ａにおいて熱交換体７３に流れる電流の値がステップＳ７０ｂにおいて熱交換体７３に流れる電流の値よりも小さくなることで、ステップＳ７０ａが実行された場合の熱交換体７３の発熱量は、ステップＳ７０ｂが実行された場合の熱交換体７３の発熱量よりも低くなる。これはｓｏｆを除去するのに必要な熱交換体７３の発熱量はｓｏｏｔを除去するのに必要な熱交換体７３の発熱量に比較して少なくて済むため、このようにしたものである。
【００６０】
なお、本実施例に係るステップＳ７０ａおよびステップＳ７０ｂは、ステップＳ５０でＹｅｓと判定されることが実行の必要条件となっているが、ステップＳ５０でＹｅｓと判定される場合（つまり、ステップＳ４０で推定した冷却効率（Ｗ１）が所定の基準冷却効率（Ｗｌｏｗ）よりも低い場合）、図７を参照して、熱交換体７３の電気抵抗値（Ｒ１またはＲ２）は基準抵抗値（Ｒ０）よりも大きくなっている。また本実施例において、ステップＳ６０ａでＹｅｓと判定される場合およびＮｏと判定される場合のいずれの場合においても、図７を参照して、熱交換体７３の電気抵抗値（Ｒ１またはＲ２）は基準抵抗値（Ｒ０）よりも大きくなっている。したがって本実施例に係る制御装置１０ａも、実施例１と同様に、熱交換体７３の電気抵抗値が所定値（具体的には基準抵抗値（Ｒ０））よりも大きい場合に、ステップＳ７０ａまたはステップＳ７０ｂにおいて熱交換体７３に所定電流値以上の電流を流すことで熱交換体７３のデポジットを除去している。
【００６１】
なお、ステップＳ７０ａが実行される場合の電流の目標値は、ｓｏｆを除去するのに必要な発熱量が得られるような値であれば、特に限定されるものではない。ステップＳ７０ｂが実行される場合の電流の目標値も、ｓｏｏｔを除去するのに必要な発熱量が得られるような値であれば、特に限定されるものではない。これらの目標値は、予め実験、シミュレーション等によって求めておき、記憶部に記憶させておく。一例を挙げると、熱交換体７３が２００℃〜２５０℃の温度であればｓｏｆを十分に除去できると考えられ、熱交換体７３が５００℃〜６００℃の温度であればｓｏｏｔを十分に除去できると考えられる。そのため、ステップＳ７０ａの場合は、熱交換体７３が２００℃〜２５０℃の温度になるような電流の値を目標値として設定し、ステップＳ７０ｂの場合は、熱交換体７３が５００℃〜６００℃の温度になるような電流の値を目標値として設定すればよい。但し、この電流の値の具体例は、あくまでも一例に過ぎず、これに限定されるものではない。
【００６２】
また本実施例に係る制御装置１０ａは、ステップＳ７０ａおよびステップＳ７０ｂに係る通電制御において、実施例１と同様に、バイパス制御を実行する。具体的には制御装置１０ａは、ステップＳ７０ａおよびステップＳ７０ｂにおいて、ＥＧＲガスがバイパス通路９０を通過するように流路切替弁９５を制御する。なお、制御装置１０ａは、このバイパス制御を実行しなくてもよい。但し、バイパス制御が実行されることで、通電処理が実行されることで発熱した熱交換体７３によってＥＧＲガスが加熱されることを抑制することができる点で好ましい。
【００６３】
ステップＳ７０ａの後に制御装置１０ａはステップＳ８０ａを実行する。ステップＳ７０ｂの後にも制御装置１０ａはステップＳ８０ａを実行する。具体的には制御装置１０ａは、ステップＳ７０ｂが実行された場合には、ステップＳ８０ａにおいて、実施例１に係るステップＳ８０と同様に、電気抵抗値Ｒ１に基づいて取得したデポジット堆積量が（Ｔ１−α）よりも小さいか否かを判定する。具体的にはこの場合、制御装置１０ａは、ステップＳ２０ａと同様の手法によって、抵抗センサ１３０の検出結果に基づいて熱交換体７３の電極１００ｂと電極１００ａとの間の電気抵抗値（Ｒ１）を取得する。制御装置１０ａは、取得された電気抵抗値（Ｒ１）に基づいて、ステップＳ３０ａと同様の手法によって図７に示すようなマップからデポジット堆積量（Ｔ１）を推定によって取得する。そして制御装置１０ａは、この取得されたデポジット堆積量が、ステップＳ３０ａで取得されたデポジット堆積量Ｔ１から所定値αを差し引いた値（Ｔ１−α）よりも小さいか否かを判定する。ステップＳ８０において、電気抵抗値Ｒ１に基づいて取得されたデポジット堆積量が（Ｔ１−α）よりも小さいと判定された場合（Ｙｅｓの場合）、制御装置１０ａはステップＳ９０において通電処理の実行を終了し、次いでフローチャートの実行を終了する。なお、本実施例に係るステップＳ９０の具体的内容は、実施例１に係るステップＳ９０と同じであるため、詳細な説明は省略する。ステップＳ８０において電気抵抗値Ｒ１に基づいて取得したデポジット堆積量が（Ｔ１−α）よりも小さいと判定されなかった場合（Ｎｏの場合）、制御装置１０ａはステップＳ５０を実行する。
【００６４】
一方、制御装置１０ａは、ステップＳ７０ａが実行された場合には、ステップＳ８０ａにおいて、電気抵抗値Ｒ２に基づいて取得したデポジット堆積量が（Ｔ２−β）よりも小さいか否かを判定する。具体的にはこの場合、制御装置１０ａは、ステップＳ２０ａと同様の手法によって、抵抗センサ１３０の検出結果に基づいて熱交換体７３の電極１００ｃと電極１００ａとの間の電気抵抗値（Ｒ２）を取得する。制御装置１０ａは、取得された電気抵抗値（Ｒ２）に基づいて、ステップＳ３０ａと同様の手法によって図７に示すようなマップからデポジット堆積量（Ｔ２）を推定によって取得する。そして制御装置１０ａは、この取得されたデポジット堆積量が、ステップＳ３０ａで取得されたデポジット堆積量Ｔ２から所定値βを差し引いた値（Ｔ２−β）よりも小さいか否かを判定する。ステップＳ８０ａにおいて、電気抵抗値Ｒ２に基づいて取得されたデポジット堆積量が（Ｔ２−β）よりも小さいと判定された場合（Ｙｅｓの場合）、制御装置１０ａはステップＳ９０において通電処理の実行を終了し、次いでフローチャートの実行を終了する。ステップＳ８０ａにおいて電気抵抗値Ｒ２に基づいて取得したデポジット堆積量が（Ｔ２−β）よりも小さいと判定されなかった場合（Ｎｏの場合）、制御装置１０ａはステップＳ５０を実行する。
【００６５】
このように本実施例によれば、ステップＳ７０ｂが実行されることで、熱交換体７３のデポジットを所定値αの量、除去することができ、ステップＳ７０ａが実行されることで、熱交換体７３のデポジットを所定値βの量、除去することができる。所定値αおよび所定値βの具体的な値は特に限定されるものではないが、所定値αおよび所定値βを大きくするほどデポジットの除去量を多くすることができるが、通電処理の実行期間（通電されている期間）も増大するため、所定値αおよび所定値βとしては、この点を考慮して適切な値を設定することが好ましい。
【００６６】
なお本実施例において、図６のステップＳ２０ａを実行する制御装置１０ａのＣＰＵ１１は、熱交換体７３に電流を流したときの熱交換体７３のＥＧＲガスの流動方向で上流側の端部地点における電気抵抗値と中間地点における電気抵抗値とを取得する抵抗値取得部に相当する。図６のステップＳ７０ａおよびステップＳ７０ｂを実行する制御装置１０ａのＣＰＵ１１は、抵抗値取得部が取得した上流側の端部地点における電気抵抗値および中間地点における電気抵抗値に基づいて、熱交換体７３に流す電流を制御するデポジット除去実行部に相当する。
【００６７】
以上説明したように、本実施例に係る制御装置１０ａによれば、熱交換体７３のデポジットの成分に基づいて熱交換体７３に流す電流を制御することができる。その結果、熱交換体７３のデポジットを効率的に除去することができる。具体的には本実施例に係る制御装置１０ａによれば、デポジットの成分をｓｏｏｔとｓｏｆとに分離し、ｓｏｆ量がｓｏｏｔ量よりも多い場合には、ｓｏｆ量がｓｏｏｔ量よりも多くない場合に比較して、通電処理において熱交換体７３に流す電流の値を減少させていることから（ステップＳ７０ａ）、効率的にｓｏｆおよびｓｏｏｔを除去することができる。具体的には制御装置１０ａによれば、ｓｏｆ量がｓｏｏｔ量よりも多いにもかかわらず、ステップＳ７０ａにおいてｓｏｏｔを除去するのに必要な電流を流す場合に比較して、消費電力を抑えつつｓｏｆを除去することができる。
【００６８】
以上本発明の好ましい実施形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００６９】
５  内燃機関
１０  制御装置
１１  ＣＰＵ
５０  ＥＧＲ通路
６０  ＥＧＲバルブ
７０  ＥＧＲクーラ
７３  熱交換体
１００ａ，１００ｂ，１００ｃ  電極
１１０  電気供給装置
１２０  通電装置
１３０  抵抗センサ
【図１】
2014181641.tif 000003
【図２】
2014181641.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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