(57)【要約】【課題】  原料ガスを噴出させるノズルを構成する複数のノズル構成用部材の熱変形を抑制することができる熱ＣＶＤ装置を提供する。【解決手段】ノズル10は、互いに隣接して配置された第１の内側ノズル構成用部材11L、第２の内側ノズル構成用部材11R、第１の外側ノズル構成用部材12L及び第２の外側ノズル構成用部材12Rにより構成されている。第１の内側ノズル構成用部材、第２の内側ノズル構成用部材、第１の外側ノズル構成用部材及び第２の外側ノズル構成用部材の各々に熱交換パイプ60が設けられ、各熱交換パイプ内を冷却水が流通している。第１の内側ノズル構成用部材及び第２の内側ノズル構成用部材の内部に第１流体封入部70が設けられ、第１の外側ノズル構成用部材及び第２の外側ノズル構成用部材の内部に第２流体封入部80が設けられ、第１流体封入部と第２流体封入部の内部にナフタレンが封入されている。【選択図】図２
2014201795.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被成膜物上に薄膜を成膜する熱ＣＶＤ装置であって、
互いに隣接して配置された複数のノズル構成用部材を備え、前記複数のノズル構成用部材間の隙間から前記被成膜物に成膜用の原料ガスを噴出させるノズルと、
前記複数のノズル構成用部材の各々に設けられた少なくとも１つの冷却手段と
を備えた、熱ＣＶＤ装置。
【請求項２】
前記少なくとも１つの冷却手段のうちの１つは、
内部を流体が流通可能な熱交換部材と、
前記熱交換部材内を流通する冷却用流体と
を備えた、請求項１に記載の熱ＣＶＤ装置。
【請求項３】
前記少なくとも１つの冷却手段は、さらに冷却補助手段を備え、
前記冷却補助手段は、
前記複数のノズル構成用部材のうちの少なくとも１つに形成された流体封入部と、
前記流体封入部内に封入された気液２相の熱交換流体と
を含み、
前記熱交換流体は、前記冷却用流体で冷却されることにより気相から液相に転移し、前記液相から前記気相に転移することにより前記複数のノズル構成用部材のうちの前記少なくとも１つから潜熱を奪う請求項２に記載の熱ＣＶＤ装置。
【請求項４】
前記複数のノズル構成用部材は、
第１の内側ノズル構成用部材と、
前記第１の内側ノズル構成用部材に隣接して設けられた第２の内側ノズル構成用部材と、
前記第１の内側ノズル構成用部材における前記第２の内側ノズル構成用部材と反対の側に隣接して設けられた第１の外側ノズル構成用部材と、
前記第２の内側ノズル構成用部材における前記第１の内側ノズル構成用部材と反対の側に隣接して設けられた第２の外側ノズル構成用部材と
を含み、
前記第１の内側ノズル構成用部材と前記第２の内側ノズル構成用部材との間の隙間から前記原料ガスが噴出され、
前記第１の外側ノズル構成用部材及び前記第２の外側ノズル構成用部材の各々に設けられた冷却手段の冷却能力は、前記第１の内側ノズル構成用部材及び前記第２の内側ノズル構成用部材の各々に設けられた冷却手段の冷却能力よりも大きい、請求項１から請求項３のうちの１項に記載の熱ＣＶＤ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は熱ＣＶＤ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ガラス基板等の被成膜物上に薄膜を成膜する装置として、熱ＣＶＤ装置が用いられている。熱ＣＶＤ装置は被成膜物の主面に対向するノズルを備えている。
【０００３】
加熱された被成膜物の主面にノズルのガス噴出孔を介して成膜用の原料ガスを噴出させて熱ＣＶＤ反応を起こすことにより被成膜物の主面上に薄膜を成膜する。熱ＣＶＤ反応後に残留した原料ガスや二次生成物はノズルのガス排出孔を介して排出される。
【０００４】
熱ＣＶＤ装置のノズルの製造及びメンテナンスを容易にするために、ノズルを複数のプレート状のノズル構成用部材により構成した熱ＣＶＤ装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この熱ＣＶＤ装置では、複数のノズル構成用部材間の隙間によりガス噴出孔とガス排出孔とが形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−１０７２４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記の熱ＣＶＤ装置において、ノズル構成用部材は被成膜物や被成膜物を加熱するヒータや炉内壁により加熱されて熱変形することがある。ノズル構成用部材が変形すると、ガス噴出孔やガス排出孔が変形し、被成膜物上に成膜される薄膜の膜厚が不均一になる等の不具合が生じる。
【０００７】
本発明は上記課題に鑑みて創案されたものであり、その目的は、原料ガスを噴出及び排出させるノズルを構成する複数のノズル構成用部材の熱変形を抑制することができる熱ＣＶＤ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明は、被成膜物上に薄膜を成膜する熱ＣＶＤ装置であって、互いに隣接して配置された複数のノズル構成用部材を備え、前記複数のノズル構成用部材間の隙間から前記被成膜物に成膜用の原料ガスを噴出させるノズルと、前記複数のノズル構成用部材の各々に設けられた少なくとも１つの冷却手段とを備えたことを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば、複数のノズル構成用部材の各々に冷却手段が設けられている。したがって、複数のノズル構成用部材の各々が冷却手段によって冷却され、被成膜物や被成膜物を加熱するヒータや炉内壁によるノズル構成用部材の熱変形を抑制することができる。その結果、被成膜物上に成膜される薄膜の膜厚むらが減少して製品の品質と歩留まり率が向上する。
【００１０】
なお、ある実施形態において、前記少なくとも１つの冷却手段のうちの１つは、内部を流体が流通可能な熱交換部材と、前記熱交換部材内を流通する冷却用流体とを備える。
【００１１】
また、ある実施形態において、前記少なくとも１つの冷却手段は、さらに冷却補助手段を備え、前記冷却補助手段は、前記複数のノズル構成用部材のうちの少なくとも１つに形成された流体封入部と、前記流体封入部内に封入された気液２相の熱交換流体とを含み、前記熱交換流体は、前記冷却用流体で冷却されることにより気相から液相に転移し、前記液相から前記気相に転移することにより前記ノズルから潜熱を奪う。
【００１２】
この場合、冷却用流体によって気相から液相に転移した気液２相の熱交換流体が液相から気相に転移する際にノズル構成用部材から大きな熱量を奪うため、熱ＣＶＤ反応時に生成される反応生成物のノズル構成用部材への付着力を弱めることができる。その結果、ノズル構成用部材に付着した反応生成物の除去が容易になるので、熱ＣＶＤ装置のメンテナンス性が向上する。さらに、ノズル構成用部材の全体に亘って均温化を図ることができるため、ノズル構成用部材の熱変形を抑制できるとともに、被成膜物上に成膜される薄膜の膜厚むらがさらに減少して製品の品質と歩留まり率がさらに向上する。
【００１３】
また、ある実施形態において、前記複数のノズル構成用部材が、第１の内側ノズル構成用部材と、前記第１の内側ノズル構成用部材に隣接して設けられた第２の内側ノズル構成用部材と、前記第１の内側ノズル構成用部材における前記第２の内側ノズル構成用部材と反対の側に隣接して設けられた第１の外側ノズル構成用部材と、前記第２の内側ノズル構成用部材における前記第１の内側ノズル構成用部材と反対の側に隣接して設けられた第２の外側ノズル構成用部材とを含む。そして、前記第１の内側ノズル構成用部材と前記第２の内側ノズル構成用部材との間の隙間から前記原料ガスが噴出される場合には、前記第１の外側ノズル構成用部材及び前記第２の外側ノズル構成用部材の各々に設けられた冷却手段の冷却能力を前記第１の内側ノズル構成用部材及び前記第２の内側ノズル構成用部材の各々に設けられた冷却手段の冷却能力よりも大きくする。
【００１４】
すなわち、第１の外側ノズル構成用部材と第２の外側ノズル構成用部材とは、第１の内側ノズル構成用部材と第２の内側ノズル構成用部材よりも炉内壁に近接して多くの熱を受けるため高温に維持されやすく、第１の外側ノズル構成用部材及び第２の外側ノズル構成用部材の各々に設けられた冷却手段の冷却能力を第１の内側ノズル構成用部材及び第２内側ノズル構成用部材の各々に設けられた冷却手段の冷却能力よりも大きくすることにより、ノズルの全体に亘って温度差を小さくすることができる。その結果、ガス噴出孔及びガス排出孔の変形を抑制することができるので、被成膜物上に成膜される薄膜の膜厚むらがさらに減少して製品の品質と歩留まり率がさらに向上する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、複数のノズル構成用部材の各々に冷却手段が設けられている。したがって、複数のノズル構成用部材の各々が冷却手段によって冷却され、被成膜物や被成膜物を加熱するヒータや炉内壁によるノズル構成用部材の熱変形を抑制することができる。その結果、被成膜物上に成膜される薄膜の膜厚むらが減少して製品の品質と歩留まり率が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明による熱ＣＶＤ装置を備える熱ＣＶＤ設備の概略構成を模式的に示す図である。
【図２】図１に示された熱ＣＶＤ装置の縦断面図である。
【図３】図２に示された熱ＣＶＤ装置のノズルの底面図である。
【図４】図２のIV-IV線断面図である。
【図５】ノズルの流体封入部の内部の状態を模式的に示す図である。
【図６】本発明による熱ＣＶＤ装置の他の実施形態の要部の縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照して本発明による熱ＣＶＤ装置の実施形態を説明する。図１は本発明による実施形態に係る熱ＣＶＤ装置を備える熱ＣＶＤ設備の概略構成を模式的に示す図である。
【００１８】
本実施形態に係る熱ＣＶＤ設備は、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、フィールドエミッションディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ（以下、ＦＰＤという）や太陽電池等に使用されるガラス基板上に薄膜を成膜する熱ＣＶＤを行うために使用される。
【００１９】
図１に示すように、熱ＣＶＤ設備１００は、被成膜物としてのガラス基板Ｇを投入する投入部１１０と、ガラス基板Ｇ上に薄膜を成膜する熱ＣＶＤ装置１を有する加熱・成膜部１２０と、薄膜が成膜されたガラス基板Ｇを冷却する冷却部１３０と、冷却されたガラス基板Ｇを取り出す取出部１４０とを備えている。
【００２０】
熱ＣＶＤ設備１００は、ガラス基板Ｇを載置するセッター１５０を備える。加熱・成膜部１２０と冷却部１３０は、ガラス基板Ｇを加熱する複数のヒータ１６０を備える。投入部１１０、加熱・成膜部１２０、冷却部１３０及び取出部１４０の各々は、セッター１５０を搬送する複数の搬送ローラ１７０を備える。
【００２１】
投入部１１０に投入されるガラス基板Ｇはセッター１５０上に載置される。セッター１５０は搬送ローラ１７０によって案内されて下流方向（図中右方向）に搬送される。加熱・成膜部１２０において、ヒータ１６０がガラス基板Ｇを加熱し、熱ＣＶＤ装置１によってガラス基板Ｇ上に薄膜が成膜される。その後、ガラス基板Ｇは冷却部１３０において冷却エアーによって冷却され、取出部１４０に搬送される。
【００２２】
図２は図１に示された熱ＣＶＤ装置１の縦断面図、図３は図２に示された熱ＣＶＤ装置１のノズル１０の底面図、図４は図２のIV-IV線断面図である。
【００２３】
図２において、熱ＣＶＤ装置１は、ガラス基板Ｇの主面Ｇａに向けて成膜用の原料ガスを噴出させ、未反応ガスや二次生成物を排出させるノズル１０と、ノズル１０に設けられた冷却手段としての熱交換パイプ６０と、ノズル１０に設けられた冷却補助手段としての第１流体封入部７０及び第２流体封入部８０（図４参照）とを備える。
【００２４】
ノズル１０は、ガラス基板Ｇの搬送方向（矢印方向）に互いに隣接するように配置された第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌ及び第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒを備える。
【００２５】
また、ノズル１０は、第１の外側ノズル構成用部材１２Ｌ及び第２の外側ノズル構成用部材１２Ｒを備える。第１の外側ノズル構成用部材１２Ｌは、第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌにおける第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒと反対の側に隣接して設けられ、第２の外側ノズル構成用部材１２Ｒは、第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒにおける第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌと反対の側に隣接して設けられる。本発明において、第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌ、第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒ、第１の外側ノズル構成用部材１２Ｌ及び第２の外側ノズル構成用部材１２Ｒは、ノズル１０を構成するノズル構成用部材として機能する。
【００２６】
図３に示すように、第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌは平面視略矩形のプレート状に形成され、内側の側面に浅い溝１１Ｌａを有している。溝１１Ｌａは第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌの内側の側面の長手方向に延びるように形成されている。
【００２７】
また、第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒは平面視略矩形のプレート状に形成され、内側の側面に浅い溝１１Ｒａを有している。溝１１Ｒａは第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒの内側の側面の長手方向に延びるように形成されている。
【００２８】
第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌの溝１１Ｌａと第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒの溝１１Ｒａとが互いに整合することにより、スリット状の隙間が形成され、この隙間はガス噴出孔１３として機能する。
【００２９】
第１の外側ノズル構成用部材１２Ｌは平面視略コの字形のプレート状に形成され、内側の側面に溝１２Ｌａを有している。溝１２Ｌａは第１の外側ノズル構成用部材１２Ｌの内側の側面の長手方向に延びるように形成されている。溝１２Ｌａは隣接する第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌの外側の側面との間にスリット状の隙間を形成しており、この隙間はガス排出孔１４Ｌとして機能する。
【００３０】
第２の外側ノズル構成用部材１２Ｒは平面視略コの字形のプレート状に形成され、内側の側面に溝１２Ｒａを有している。溝１２Ｒａは第２の外側ノズル構成用部材１２Ｒの内側の側面の長手方向に延びるように形成されている。溝１２Ｒａは隣接する第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒの外側の側面との間にスリット状の隙間を形成しており、この隙間はガス排出孔１４Ｒとして機能する。
【００３１】
第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌ、第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒ、第１の外側ノズル構成用部材１２Ｌ及び第２の外側ノズル構成用部材１２Ｒを形成する素材は特に限定されないが、例えば、素材として、炭素鋼やステンレス鋼を用いることができる。
【００３２】
引き続き、図２を参照して、熱ＣＶＤ装置１の説明を続ける。熱ＣＶＤ装置１は、第１支持台２０と、ガス供給通路３０と、第２支持台４０Ｌと、第３支持台４０Ｒと、ガス排出通路５０Ｌと、ガス排出通路５０Ｒとを備えている。
【００３３】
第１支持台２０は、第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌの上面と第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒの上面とに跨るように固定されており、第１支持台２０上にはガス供給通路３０が設置されている。第１支持台２０の中央部には貫通孔２１が形成されており、貫通孔２１を介してガス供給通路３０とガス噴出孔１３とが連通している。
【００３４】
第２支持台４０Ｌは、第１の外側ノズル構成用部材１２Ｌの上面と第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌの上面とに跨るように固定されており、第２支持台４０Ｌ上にはガス排出通路５０Ｌが設置されている。第２支持台４０Ｌには貫通孔４１が形成されており、貫通孔４１を介してガス排出通路５０Ｌとガス排出孔１４Ｌとが連通している。
【００３５】
第３支持台４０Ｒは、第２の外側ノズル構成用部材１２Ｒの上面と第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒの上面とに跨るように固定されており、第３支持台４０Ｒ上にはガス排出通路５０Ｒが設置されている。第３支持台４０Ｒには貫通孔４１が形成されており、貫通孔４１を介してガス排出通路５０Ｒとガス排出孔１４Ｒとが連通している。
【００３６】
また、熱ＣＶＤ装置１は、熱交換部材としての熱交換パイプ６０を備える。熱交換パイプ６０は、第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌ、第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒ、第１の外側ノズル構成用部材１２Ｌ及び第２の外側ノズル構成用部材１２Ｒの各々の上面に、図２の紙面に直交する方向に延びるように設置されている。
【００３７】
熱交換パイプ６０は炭素鋼やステンレス鋼等の耐熱性に優れた材料により形成され、第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌと第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒの各々の上面に形成された１本の断面半円形状のパイプ収容溝１１ｂと、第１の外側ノズル構成用部材１２Ｌと第２の外側ノズル構成用部材１２Ｒの各々の上面に形成された２本の断面半円形状のパイプ収容溝１２ｂとにそれぞれ嵌着されている。
【００３８】
熱交換パイプ６０内には冷却用流体としての冷却水が流通しており、冷却水は第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌ、第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒ、第１の外側ノズル構成用部材１２Ｌ及び第２の外側ノズル構成用部材１２Ｒと熱交換することにより、第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌ、第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒ、第１の外側ノズル構成用部材１２Ｌ及び第２の外側ノズル構成用部材１２Ｒを冷却する。なお、図示しないが、複数の熱交換パイプ６０の各々を流通する冷却水の流量を個別に調節可能な流量調節手段（例えば、バルブ）が設けられている。
【００３９】
図４に示すように、熱ＣＶＤ装置１は、第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌの内部と第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒの内部とに各々形成された第１流体封入部７０と、第１の外側ノズル構成用部材１２Ｌの内部と第２の外側ノズル構成用部材１２Ｒの内部とに各々形成された第２流体封入部８０とを備えている。
【００４０】
第１流体封入部７０は、第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌ及び第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒの１つの端面１１ｃに直交する３本の直線空間７１と、３本の直線空間７１の各々の両端部を封閉する封蓋部材７２とにより構成されている。
【００４１】
３本の直線空間７１は、第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌ及び第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒを切削して形成された壁面により形成してもよいし、第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌ及び第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒ内に埋め込んだパイプ状部材により形成してもよい。
【００４２】
第２流体封入部８０は、第１の外側ノズル構成用部材１２Ｌ及び第２の外側ノズル構成用部材１２Ｒの１つの端面１２ｃに直交する３本の直線空間８１と、３本の直線空間８１の各々の両端部を封閉する封蓋部材８２とにより構成されている。
【００４３】
３本の直線空間８１は、第１の外側ノズル構成用部材１２Ｌ及び第２の外側ノズル構成用部材１２Ｒを切削して形成された壁面により形成してもよいし、第１の外側ノズル構成用部材１２Ｌ及び第２の外側ノズル構成用部材１２Ｒ内に埋め込んだパイプ状部材により形成してもよい。
【００４４】
図５は第１流体封入部７０及び第２流体封入部８０の内部の状態を模式的に示す図である。第１流体封入部７０及び第２流体封入部８０の内部には、熱交換流体としてのナフタレンＮが封入されている。ナフタレンＮは気相ＮGと液相ＮLとを含んでいる。
【００４５】
液相ＮLが蒸発することにより液相ＮLは気相ＮGに転移し、第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌ、第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒ、第１の外側ノズル構成用部材１２Ｌ及び第２の外側ノズル構成用部材１２Ｒから潜熱を奪う。また、気相ＮGは熱交換パイプ６０内を流通する冷却水により冷却されて凝縮することにより液相ＮLに転移し、第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌ、第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒ、第１の外側ノズル構成用部材１２Ｌ及び第２の外側ノズル構成用部材１２Ｒから奪った潜熱を放出する。
【００４６】
次に、図１〜図５を参照して、熱ＣＶＤ設備１００によってガラス基板Ｇ上に薄膜を成膜する方法を説明する。
【００４７】
図１において、投入部１１０に投入されたガラス基板Ｇはセッター１５０上に載置され、セッター１５０によって加熱・成膜部１２０に搬入される。ガラス基板Ｇはヒータ１６０によって加熱されて５００℃〜６００℃程度に昇温する。
【００４８】
図２に示すように、ガラス基板Ｇが熱ＣＶＤ装置１の下方を通過する際に、ノズル１０のガス供給通路３０からガス噴出孔１３を介してガラス基板Ｇの主面Ｇａ上に原料ガスが噴出される。原料ガスは１５０℃〜２００℃程度に加熱されており、加熱されたガラス基板Ｇに接することで反応する。反応によって生じた反応生成物がガラス基板Ｇの主面Ｇａ上に堆積して薄膜が成膜される。
【００４９】
反応後に残留した原料ガスは、ガス排出孔１４Ｌ及びガス排出孔１４Ｒを介してガス排出通路５０Ｌ及びガス排出通路５０Ｒ内に流入し、ガス排出通路５０Ｌ及びガス排出通路５０Ｒを介して熱ＣＶＤ装置１の外部に排出される。
【００５０】
第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌ、第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒは、熱交換パイプ６０内を流通する冷却水と、第１流体封入部７０の内部に封入されたナフタレンＮ（図５参照）とによって冷却され、１８０℃〜２００℃程度に保たれている。
【００５１】
同様に、第１の外側ノズル構成用部材１２Ｌ、第２の外側ノズル構成用部材１２Ｒは、熱交換パイプ６０内を流通する冷却水と、第２流体封入部８０の内部に封入されたナフタレンＮ（図５参照）とによって冷却され、１６０℃〜１９０℃程度に保たれている。
【００５２】
したがって、第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌ、第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒ、第１の外側ノズル構成用部材１２Ｌ及び第２の外側ノズル構成用部材１２Ｒ内の熱応力の発生を抑制して、第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌ、第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒ、第１の外側ノズル構成用部材１２Ｌ及び第２の外側ノズル構成用部材１２Ｒの塑性変形を抑制することができる。その結果、ガス噴出孔１３、ガス排出孔１４Ｌ及びガス排出孔１４Ｒの変形を抑制することができる。
【００５３】
また、第１の外側ノズル構成用部材１２Ｌ及び第２の外側ノズル構成用部材１２Ｒは、第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌ及び第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒよりもヒータ１６０や炉内壁から多くの熱を受けるので、第１の外側ノズル構成用部材１２Ｌ及び第２の外側ノズル構成用部材１２Ｒに設置される熱交換パイプ６０の本数を第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌ及び第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒに設置される熱交換パイプ６０の本数よりも１本多くしている。つまり、第１の外側ノズル構成用部材１２Ｌ及び第２の外側ノズル構成用部材１２Ｒに対する熱交換パイプ６０の冷却能力を、第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌ及び第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒに対する熱交換パイプ６０の冷却能力よりも大きくしている。
【００５４】
さらに、複数の熱交換パイプ６０の各々の内部を流通する冷却水の流量や冷却水の温度等を適宜調整することで、第１の外側ノズル構成用部材１２Ｌ及び第２の外側ノズル構成用部材１２Ｒに対する熱交換パイプ６０の冷却能力を第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌ及び第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒに対する熱交換パイプ６０の冷却能力よりも大きくしている。その結果、第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌ、第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒ、第１の外側ノズル構成用部材１２Ｌ及び第２の外側ノズル構成用部材１２Ｒの温度差をガラス基板Ｇの薄膜の品質に悪影響を及ぼさない程度に小さくすることができる。
【００５５】
また、第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌ、第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒ、第１の外側ノズル構成用部材１２Ｌ及び第２の外側ノズル構成用部材１２Ｒを冷却することで、第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌ、第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒ、第１の外側ノズル構成用部材１２Ｌ及び第２の外側ノズル構成用部材１２Ｒに付着堆積し、発塵の原因となる反応生成物の生成が抑制される。その結果、ガラス基板Ｇの品質と歩留まり率が向上する。
【００５６】
また、第１流体封入部７０及び第２流体封入部８０に封入され、熱交換パイプ６０の内部を流通する冷却水によって気相ＮGから液相ＮLに転移したナフタレンＮは、液相ＮLが気相ＮGに転移する際に、第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌ、第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒ、第１の外側ノズル構成用部材１２Ｌ及び第２の外側ノズル構成用部材１２Ｒから多くの熱量を奪う。したがって、熱ＣＶＤ反応時の反応生成物が、第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌ、第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒ、第１の外側ノズル構成用部材１２Ｌ及び第２の外側ノズル構成用部材１２Ｒの表面に強固に固着することを抑制できる。その結果、ノズル１０の表面を軽く拭くだけで反応生成物を除去でき、ノズル１０のメンテナンス性が著しく向上する。
【００５７】
次に、図６を参照して本発明の他の実施形態を説明する。図６は、本発明による熱ＣＶＤ装置の他の実施形態の要部の縦断面図である。
【００５８】
図６（ａ）に示す例において、第１支持台２０の左側の部分はボルトＢ１によって第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌに固定され、第１支持台２０の右側の部分はボルトＢ２によって第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒに固定されている。ボルトＢ１は、第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌの下方から第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌを貫通し、第１支持台２０の左側の部分にねじ込まれている。一方、ボルトＢ２は、第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒの下方から第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒを貫通し、第１支持台２０の右側の部分にねじ込まれている。
【００５９】
また、第２支持台４０ＬはボルトＢ３によって第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌに固定されている。ボルトＢ３は第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌの下方から第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌを貫通し、第２支持台４０Ｌにねじ込まれている。さらに、第３支持台４０ＲはボルトＢ４によって第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒに固定されている。ボルトＢ４は第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒの下方から第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒを貫通し、第３支持台４０Ｒにねじ込まれている。
【００６０】
また、図６（ａ）に示す例において、第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌはザグリ孔１１Ｌｂを有している。ザグリ孔１１ＬｂはボルトＢ１の頭部Ｂ１ａを収容しており、ボルトＢ１の頭部Ｂ１ａの端面は第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌの下面と略面一となっている。この場合、ボルトＢ１の頭部Ｂ１ａが第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌの下面から突出している場合と比べて、原料ガスに乱流が生じにくいため、ガラス基板Ｇ上に形成される薄膜の膜厚むらが小さくなる。同様の理由により、第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌはザグリ孔１１Ｌｃを有している。ザグリ孔１１ＬｃはボルトＢ３の頭部Ｂ３ａを収容している。また、第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒはザグリ孔１１Ｒｂとザグリ孔１１Ｒｃとを有している。ザグリ孔１１ＲｂはボルトＢ２の頭部Ｂ２ａを収容し、ザグリ孔１１ＲｃはボルトＢ４の頭部Ｂ４ａを収容している。
【００６１】
一方、図６（ｂ）に示す例において、第１支持台２０の左側の部分はボルトＢ５によって第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌに固定され、第１支持台２０の右側の部分はボルトＢ６によって第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒに固定されている。ボルトＢ５は、第１支持台２０の上方から第１支持台２０の左側の部分を貫通し、第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌにねじ込まれている。一方、ボルトＢ６は、第１支持台２０の上方から第１支持台２０の右側の部分を貫通し、第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒにねじ込まれている。
【００６２】
また、第２支持台４０ＬはボルトＢ７によって第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌに固定されている。ボルトＢ７は第２支持台４０Ｌの上方から第２支持台４０Ｌを貫通し、第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌにねじ込まれている。また、第３支持台４０ＲはボルトＢ８によって第１の外側ノズル構成用部材１１Ｒに固定されている。ボルトＢ８は第３支持台４０Ｒの上方から第３支持台４０Ｒを貫通し、第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒにねじ込まれている。
【００６３】
図６（ｂ）に示す構造では、第１の内側ノズル構成用部材１１Ｌの下面及び第２の内側ノズル構成用部材１１Ｒの下面がザグリ孔を有していないため、図６（ａ）に示す構造に比べて原料ガスの乱流がより生じにくい。したがって、図６（ｂ）に示す構造は、図６（ａ）に示す構造よりも、ガラス基板Ｇ上に形成される薄膜の膜厚むらがより小さくなる。
【００６４】
以上、本発明の具体的な実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、上記実施形態に種々の改変を施すことができる。
【００６５】
例えば、複数のノズル構成用部材の各々の流体封入部に封入する気液２相の熱交換流体はナフタレン以外でもよい。一例として、アルコール、有機熱媒体、純水等を用いることができる。
【００６６】
また、上記実施形態では、冷却用流体が流通する熱交換部材と気液２相の熱交換流体による冷却補助手段とを併用した実施例について説明したが、冷却用流体が流通する熱交換部材のみを使用してもよい。
【００６７】
また、流体封入部を形成する直線空間の本数は、上記実施形態で示した本数以外の本数であってもよい。
【００６８】
また、上記実施形態では、複数のノズル構成用部材の各々に流体封入部を設けた実施例について説明したが、一部のノズル構成用部材にのみ流体封入部を設けてもよい。
【００６９】
また、上記実施形態では、ガス噴出孔及びガス排出孔を２個のノズル構成用部材間の隙間により形成しているが、ガス噴出孔及びガス排出孔を３個以上のノズル構成用部材間の隙間により形成してもよい。
【００７０】
また、複数のノズル構成用部材の形状は、複数のノズル構成用部材の間の隙間から原料ガスを噴出させることができ、複数のノズル構成用部材の間の隙間から原料ガスを排出させることができる形状であれば、矩形プレート状以外の形状であってもよい。
【００７１】
また、本発明は、ガラス基板以外の被成膜物に対して成膜を行う熱ＣＶＤ装置にも適用可能である。例えば、被成膜物として、半導体基板が挙げられる。
【００７２】
その他にも、本発明の要旨を逸脱しない範囲で上記実施形態に種々の改変を施すことができる。
【符号の説明】
【００７３】
１  熱ＣＶＤ装置
１０  ノズル
１１Ｌ  第１の内側ノズル構成用部材（ノズル構成用部材）
１１Ｒ  第２の内側ノズル構成用部材（ノズル構成用部材）
１２Ｌ  第１の外側ノズル構成用部材（ノズル構成用部材）
１２Ｒ  第２の外側ノズル構成用部材（ノズル構成用部材）
１３  ガス噴出孔
１４Ｌ  ガス排出孔
１４Ｒ  ガス排出孔
６０  熱交換パイプ（冷却手段、熱交換部材）
７０  第１流体封入部（冷却補助手段）
８０  第２流体封入部（冷却補助手段）
７１  直線空間
８１  直線空間
７２  封蓋部材
８２  封蓋部材
Ｇ  ガラス基板（被成膜物）
Ｎ  ナフタレン（冷却補助手段、熱交換流体）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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