(57)【要約】【課題】コア基板を変形させることなく電子部品を内蔵する配線基板を製造することができる配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】コア基板４０に開口４６を形成する工程と、コア基板４０の下面に樹脂シート４８を載置する工程と、樹脂シート４８の一部を加熱して、コア基板４０の開口４６以外の一部の領域で、樹脂シート４８を接着する工程と、コア基板４０の開口４６に電子部品５４を収納する工程と、コア基板４０の上面に樹脂シート５６を載置する工程と、樹脂シート４８、５６の全体を加熱してコア基板４０を上面及び下面から樹脂５８により封止する工程とを有する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア基板に開口を形成する工程と、
前記コア基板の下面に前記樹脂シートを載置する工程と、
前記樹脂シートの一部を加熱して、前記コア基板の前記開口以外の一部の領域で、前記樹脂シートを接着する工程と、
前記コア基板の前記開口に電子部品を収納する工程と、
前記コア基板の上面に樹脂シートを載置する工程と、
前記樹脂シートの全体を加熱して前記コア基板を上面及び下面から樹脂により封止する工程と
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の配線基板の製造方法において、
前記電子部品を収納する工程は、
前記コア基板上に複数の前記電子部品を置く工程と、
前記コア基板を振動させて前記開口に前記電子部品を振り込む工程と、
前記コア基板上に残った前記電子部品を除去する工程とを有する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の配線基板の製造方法において、
前記樹脂シートを接着する工程で、前記樹脂シートの前記一部と接着される前記コア基板の前記一部の領域には金属層が形成されている
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の配線基板の製造方法において、
前記樹脂シートを接着する工程では、前記樹脂シートは、配線パターンを避けるように前記コア基板と接着されている
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法により電子部品を内蔵した配線基板を製造する工程と、
前記配線基板上に半導体チップを実装する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から積層セラミックコンデンサを構成するセラミック副コアが収容されたコア基板を備える配線基板が知られている。
【０００３】
このような配線基板を製造するには、例えば、セラミック副コアを収容する副コア収容部の開口を粘着シート材で、粘着剤が内側に露出するように塞ぐ。次に、副コア収容部の開口からセラミック副コアを収容するとともに粘着剤に固着させる。次に、コア本体及びセラミック副コアに樹脂フィルムを圧着することで、コア本体とセラミック副コアの隙間を充填する。その後、コア本体及びセラミック副コアに付されている粘着シート材を剥離する（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１０３７８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、コア本体から粘着シート材を剥離する際に、粘着剤の粘着力により、コア基板が変形することがあった。コア基板が変形すると、その後の樹脂層、配線層等を精度よく形成することができない。
【０００６】
本発明の目的は、コア基板を変形させることなく電子部品を内蔵する配線基板を製造することができる配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態の一観点によれば、コア基板に開口を形成する工程と、前記コア基板の下面に前記樹脂シートを載置する工程と、前記樹脂シートの一部を加熱して、前記コア基板の前記開口以外の一部の領域で、前記樹脂シートを接着する工程と、前記コア基板の前記開口に電子部品を収納する工程と、前記コア基板の上面に樹脂シートを載置する工程と、前記樹脂シートの全体を加熱して前記コア基板を上面及び下面から樹脂により封止する工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
開示の配線基板の製造方法によれば、コア基板を変形させることなく電子部品を内蔵する配線基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、一実施形態による配線基板を示す平面図である。
【図２】図２は、一実施形態による配線基板を示す断面図である。
【図３】図３は、一実施形態による配線基板に内蔵される電子部品を示す図である。
【図４】図４は、一実施形態による配線基板の製造方法を示す平面図である。
【図５】図５は、一実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図６】図６は、一実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図７】図７は、一実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図（その３）である。
【図８】図８は、一実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図（その４）である。
【図９】図９は、一実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図（その５）である。
【図１０】図１０は、一実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図（その６）である。
【図１１】図１１は、一実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図（その７）である。
【図１２】図１２は、一実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図（その８）である。
【図１３】図１３は、一実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図（その９）である。
【図１４】図１４は、変形実施形態による配線基板を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［一実施形態］
（配線基板）
一実施形態による配線基板について図１乃至図３を用いて説明する。図１は本実施形態による配線基板に半導体チップを搭載した状態の平面図である。図２は図１の平面図におけるＡ−Ａ′線断面図である。図３は本実施形態による配線基板に内蔵される電子部品を示す図である。
【００１１】
本実施形態の配線基板１０は、電子部品を内蔵しており、上面に半導体チップを搭載することができる。
【００１２】
本実施形態の配線基板１０は、図２に示すように、例えばガラスエポキシ樹脂により形成されたコア基板１２を有する。コア基板１２は、例えば、約５００μｍ厚である。コア基板１２の厚さとしては、約２００〜１０００μｍであることが好ましい。
【００１３】
コア基板１２には、電子部品１４を収納するための開口１６が形成されている。図１に示すように、例えば、コア基板１２の中央に、３行３列の合計９個の開口１６が形成されている。各開口１６にはそれぞれ電子部品１４がひとつ収納されている。
【００１４】
本実施形態において配線基板１０に内蔵される電子部品１４は、例えば、積層セラミックチップコンデンサである。図３に電子部品１４である積層セラミックチップコンデンサを示す。図３（ａ）は電子部品１４の斜視図であり、図３（ｂ）は電子部品１４の断面図である。
【００１５】
電子部品１４である積層セラミックチップコンデンサは、図３に示すように、直方体形状の本体部１４ａの両端部に電極１４ｂ、１４ｃが形成されている。電子部品１４の外形は、例えば、長さ×幅×厚さが１．０ｍｍ×０．５ｍｍ×０．５ｍｍである。電極１４ｂ、１４ｃの幅、すなわち、電子部品１４の長手方向における電極１４ｂ、１４ｃの寸法は、例えば、それぞれ０．３ｍｍである。
【００１６】
コア基板１２の開口１６の大きさは、電子部品１４の大きさにあわせ、ひとつの電子部品１４のみが収納されるように設計する。コア基板１２の開口１６の大きさは、ひとつの電子部品１４よりも大きく、電子部品１４の２つ分よりも小さくなるように設計する。例えば、コア基板１２の開口１６を、電子部品１４の大きさの約１．１倍の大きさにする。
【００１７】
本実施形態では、コア基板１２の開口１６の大きさ（平面視寸法）は、例えば、長さ×幅が１．２ｍｍ×０．７ｍｍである。コア基板１２の開口１６内の中央に、長さ×幅×厚さが１．０ｍｍ×０．５ｍｍ×０．５ｍｍの電子部品１４が樹脂封止されている。
【００１８】
コア基板１２の上下両面には、配線層１８が形成されている。配線層１８は、例えば、約２０μｍ厚であり、例えば、銅により形成されている。
【００１９】
コア基板１２には複数の貫通電極２０が形成されている。貫通電極２０は、例えば、約５０μｍ径であり、例えば、銅により形成されている。
【００２０】
コア基板１２の上下両面には、更に、絶縁層２２と配線層２４が交互に積層されている。絶縁層２２は、例えば、約４０μｍ厚であり、例えば、熱硬化性エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂、テフロン（登録商標）系樹脂、等を使用することができる。
【００２１】
配線層２４は、接続のための開口が形成された絶縁層２２上に，例えば、銅をめっきすることにより形成されている。
【００２２】
なお、絶縁層２２と配線層２４は、図２の積層数に限らず、より多く繰り返し積層してもよい。
【００２３】
コア基板１２の上下両面の最外層の絶縁層２２と配線層２４は、ソルダレジスト層２６により被覆されている。ソルダレジスト層２６には、配線層２４に達する開口が形成されている。ソルダレジスト層２６は、例えば、約２０μｍ厚である。
【００２４】
本実施形態の配線基板１０は、上側の面に半導体チップ２８が搭載される。配線基板１０に半導体チップ２８が搭載された半導体装置は、配線基板１０の下側の面を介して他の基板（図示せず）に搭載される。
【００２５】
配線基板１０の上側の面のソルダレジスト層２６の開口には、半導体チップに接続するためのバンプ（接続端子）３０が配置されている。配線基板１０の下側の面のソルダレジスト層２６の開口には、他の基板（図示せず）に接続するためのバンプ（接続端子）３２が配置されている。バンプ（接続端子）３０及びバンプ（接続端子）３２は、例えば、はんだにより形成されている。
【００２６】
配線基板１０の上側の面には半導体チップ２８が搭載され、バンプ（接続端子）３０により電気的に接続されている。配線基板１０と半導体チップ２８との間にはアンダーフィル樹脂３４が充填されている。
【００２７】
なお、図１では、半導体チップ２８が搭載された領域の両側に１個ずつ貫通電極２０を図示したが、実際には貫通電極２０は必要に応じて複数形成されており、貫通電極２０の形成位置、数はこれに限らない。
【００２８】
また、本実施形態では、図１に示すように、電子部品１４を、半導体チップ２８が搭載された領域の下部に形成された３×３の９個の開口１６内に内蔵したが、電子部品２０の内蔵位置、数はこれに限らない。
【００２９】
なお、図１に示す、配線基板１０の四隅にある接着部３６については後述する。本実施形態では、図１に示すように、接着部３６を配線基板１０の四隅に設けたが、接着部３６の形成位置、数についてはこれに限らない。
【００３０】
（配線基板の製造方法）
一実施形態による配線基板の製造方法について図４乃至図１３を用いて説明する。図４は一実施形態による配線基板の製造方法を示す平面図であり、図５乃至図１３は一実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図である。
【００３１】
本実施形態による配線基板の製造方法において、詳細については詳述するが、図４に示すように、コア基板４０の中央には電子部品を収納するため３行３列の開口４６が形成される。半導体チップ７４が搭載される領域の両側に貫通電極４７が形成される。コア基板４０の四隅には接着部４１が設けられる。
【００３２】
図５乃至図１３の断面図は、図４の平面図において、左上部の接着部４１から中央部の貫通電極４７、３つの開口４６、貫通電極４７を経て、右上部の接着部４１に至るＡ−Ａ′線に沿った断面図である。
【００３３】
まず、例えば、ガラスエポキシ樹脂により形成されたコア基板４０を用意する（図５（ａ））。  コア基板４０は、例えば、約５００μｍ厚である。コア基板４０の上下両面には、導電層４２が形成されている。導電層４２は、例えば、約２０μｍ厚であり、例えば、銅により形成されている。
【００３４】
次に、コア基板４０の上下両面の導電層４２をパターンニングして、配線層４４を形成する（図５（ｂ））。このとき、コア基板４０の接着部４１の形成位置には、配線パターンを形成することなく、ベタな導電層４２として残しておく。これは、後述する仮止め工程において、配線パターンを避けるように樹脂シート４８をコア基板４０に接着するようにして良好な接着を行うためである。
【００３５】
次に、コア基板４０に、貫通電極用の開口４５を形成する（図５（ｃ））。
【００３６】
コア基板４０に開口４５を形成する方法としては、レーザ照射による方法、ドリル加工による方法、ルーター加工による方法等があり、どのような方法により形成してもよい。
【００３７】
次に、コア基板４０の貫通電極用の開口４５に、例えば、銅を含む導電材料を埋め込んで貫通電極４７を形成する（図６（ｄ））。
【００３８】
コア基板４０の開口４５に導電材料を埋め込む方法としては、めっきによる方法、充填する方法等があり、どのような方法により埋め込んでもよい。
【００３９】
次に、コア基板４０に、電子部品収納用の開口４６を形成する（図６（ａ））。
【００４０】
コア基板４０に開口４６を形成する方法としては、レーザ照射による方法、ドリル加工による方法、ルーター加工による方法等があり、どのような方法により形成してもよい。
【００４１】
図５（ｃ）、図６（ａ）では、開口４５、４６の断面形状が、径がほぼ一定であるストレート形状として示したが、加工条件の調整により、他の形状であってもよい。例えば、開口４５、４６の断面形状が、径が中央部分で小さくなる鼓型形状や、径が徐々に狭くなるテーパ形状、径の側面が凹凸である凹凸形状であってもよい。
【００４２】
コア基板４０に形成する貫通電極用の開口４５と電子部品収納用の開口４６の配置について、図４を用いて説明する。
【００４３】
貫通電極用の開口４５は複数設けられているが、図４においては、半導体チップ７４が搭載される領域の両側に１個ずつ図示している。貫通電極用の開口４５の径は、コア基板４０を貫通する貫通電極として適切な径、例えば、５０μｍとする。
【００４４】
電子部品収納用の開口４６としては、図４に示すように、例えば、コア基板４０の中央に、３行３列の合計９個の開口４６を形成する。開口４６の大きさは、電子部品５４の外形寸法に応じて決定される。開口４６の大きさは、ひとつの電子部品５４のみが収納されるように、ひとつの電子部品５４よりも大きく、電子部品５４の２つ分よりも小さくなるように設計する。例えば、コア基板４０の開口４６を、電子部品５４の大きさの約１．１倍の大きさにする。
【００４５】
電子部品５４の外形が、例えば、長さ×幅×厚さが１．０ｍｍ×０．５ｍｍ×０．５ｍｍの直方体であると、開口４６の大きさ（平面視寸法）は、例えば、長さ×幅が１．２ｍｍ×０．７ｍｍの矩形形状である。開口４６の大きさ（平面視寸法）を、長さ×幅が１．１ｍｍ×０．５５ｍｍの矩形形状とすることができる。
【００４６】
次に、コア基板４０の下面に樹脂フィルム（樹脂シート）４８を載置する（図６（ｂ））。樹脂フィルム４８は、例えば、半硬化状態（Ｂステージ状）の熱硬化性樹脂により形成され、その厚さは，例えば、３０μｍである。熱硬化性樹脂としては、例えば、熱硬化性エポキシ樹脂である。
【００４７】
次に、例えば、加熱プローブを用いて、コア基板４０の接着部４１に対応する位置の樹脂フィルム４８の一部を部分的に加熱する（図６（ｃ））。
【００４８】
これにより、樹脂フィルム４８の加熱された部分４８ａがコア基板４０上の配線層４４（導電層４２）に接着される。このようにして、コア基板４０に樹脂フィルム４８が仮止めされ、以降の工程において、樹脂フィルム４８がコア基板４０から剥がれなくなる。
【００４９】
このように本実施形態では、樹脂フィルム４８は、コア基板４０に仮止め、固定されて、開口４６の底部を塞ぐように機能する。これにより、電子部品を開口４６下に落下させることなく、開口４６内に収納することができる。
【００５０】
そして、開口４６の底部を塞いでいる樹脂フィルム４８は、後述する工程において、全体を加熱して開口４６を充填するための樹脂として利用される。従来の粘着シート材のように製造工程の途中で樹脂フィルム４８を剥がす必要がない。
【００５１】
次に、樹脂フィルム４８に仮止めされたコア基板４０を支持板５０上に載置する（図７（ａ））。支持板５０は、例えば、アルミニウム、ステンレスのような金属により形成されている。支持板５０の上面には、後述する工程において支持板５０をコア基板４０から取り除くことを容易化するため、例えば、ＰＥＴフィルム５２が貼り付けられている。
【００５２】
次に、コア基板４０上に、配線基板に内蔵する電子部品５４である積層セラミックチップコンデンサを大量にばらまく（図７（ｂ））。例えば、配線基板に内蔵する電子部品５４の数の約２〜３倍の数の電子部品５４を、コア基板４０上の分布が均一となるようにばらまく。
【００５３】
次に、支持板５０を振動させて、コア基板４０に振動を与えることにより、コア基板４０の開口４６に電子部品５４を振り込む（図７（ｃ））。
【００５４】
支持板５０を振動させてコア基板４０に振動を与えると、図７（ｃ）に示すように、コア基板４０上にばらまかれた電子部品５４がランダムに移動して開口４６内に落下して収納され、樹脂フィルム４８上に載置される。
【００５５】
コア基板４０の開口４６の大きさは、電子部品５４の外形寸法に応じて、ひとつの電子部品５４のみが収納されるように定められているので、各開口４６にひとつの電子部品５４が正しい姿勢で振り込まれる。
【００５６】
コア基板４０に与える振動の振幅及び振動数は、コア基板４０の開口４６の大きさと電子部品５４の外形寸法に応じて決定する。
【００５７】
次に、支持板５０の振動を停止させて、コア基板４０上を、例えば、ブラシのような掃き部材５５により掃く（図８（ａ））。
【００５８】
これにより、開口４６に電子部品５４が収納された状態で、コア基板５０上に残った電子部品５４が掃きとられる（図８（ｂ））。
【００５９】
次に、コア基板４０上面に樹脂フィルム（樹脂シート）５６を貼り付ける（図９（ａ））。
【００６０】
樹脂フィルム５６は、例えば、半硬化状態の熱硬化性樹脂により形成され、その厚さは，例えば、３０μｍである。熱硬化性樹脂としては、例えば、熱硬化性エポキシ樹脂である。
【００６１】
次に、真空ラミネータの真空チャンバー（図示せず）内において、全体を加熱しながら、ダイアフラム（図示せず）により圧力をかける。
【００６２】
図９（ｂ）に示すように、樹脂フィルム４８がコア基板４０の下面に密着し、樹脂フィルム５６がコア基板４０の上面に密着すると共に、上下両方向から開口４６内に樹脂が充填される（図９（ｂ））。開口４６内の樹脂フィルム４８上に載置されていた電子部品５４は、上下両方向から充填される樹脂により、開口４６の中央に位置することとなる。
【００６３】
この後、加熱により樹脂フィルム４８、５６を完全に硬化させて絶縁層５８とする。その結果、図９（ｂ）に示すように、コア基板４０の上下両面の絶縁層５８が開口４６内で繋がりあい、一体化された絶縁層５８が形成される。電子部品５４は電子部品収納用の開口４６の中央で絶縁層５８内に埋め込まれる。
【００６４】
次に、コア基板４０を支持していた支持板５０を取り除く（図１０（ａ））。支持板５０上にはＰＥＴフィルム５２が貼り付けられているので、スムーズに支持板５０を取り除くことができる。
【００６５】
次に、コア基板４０の両面に形成されている絶縁層５８に、配線層４４及び電子部品５４両端部の電極に達する開口５８ａを形成する（図１０（ｂ））。絶縁層５８に開口５８ａを形成する方法としては、例えば、レーザを用いて加工する。
【００６６】
次に、コア基板４０の両面の絶縁層５８上に、例えば、銅を含む配線層６０を形成する（図１０（ｃ））。例えば、絶縁層５８上にシード層（図示せず）を形成し、シード層上にフォトレジスト層（図示せず）を形成し、フォトレジスト層を所定パターンにパターンニングして、電解めっき法により所定パターンの配線層６０を形成する。その後、フォトレジスト層を除去し、シード層を除去する。
【００６７】
次に、コア基板４０の両面の配線層６０上に、例えば、半硬化状態の熱硬化性樹脂により形成された樹脂フィルム（図示せず）を積層し、加熱により硬化させることにより、絶縁層６２を形成する（図１１（ａ））。熱硬化性樹脂としては、例えば、熱硬化性エポキシ樹脂である。
【００６８】
次に、コア基板４０の両面の絶縁層６２に、配線層６０に達する開口を形成する。絶縁層６２に開口を形成する方法としては、例えば、レーザを用いて加工する。
【００６９】
次に、コア基板４０の両面の絶縁層６２上に、例えば、銅を含む配線層６４を形成する（図１１（ａ））。配線層６４は、例えば、配線層６０と同様の方法で形成する。
【００７０】
次に、コア基板４０の両面の配線層４８上に、例えば、エポキシ系樹脂や、アクリル系樹脂、等により形成される感光性のソルダレジストフィルム（図示せず）を貼り付けることにより、ソルダレジスト層６６を形成する（図１１（ｂ））。
【００７１】
次に、コア基板４０の両面のソルダレジスト層６６を所定のパターンで露光し、現像することにより、配線層６４に達する開口６６ａを形成する（図１１（ｂ））。
【００７２】
次に、コア基板４０の上面側のソルダレジスト層６６の開口６６ａから露出している配線層（電極パッド）６４に、半導体チップに接続するためのバンプ（接続端子）６８を形成する（図１２（ａ））。バンプ（接続端子）６８は、例えば、はんだにより形成されている。
【００７３】
次に、コア基板４０の下面側のソルダレジスト層６６の開口６６ａから露出している配線層（電極パッド）６４に、他の基板に接続するためのバンプ（接続端子）７０を形成する（図１２（ｂ））。バンプ（接続端子）７０は、例えば、はんだにより形成されている。
【００７４】
このようにして、電子部品５４を内蔵した配線基板７２が形成される。
【００７５】
次に、配線基板７２の上側の面に半導体チップ７４を搭載し、配線基板７２と半導体チップ７４との間にアンダーフィル樹脂７６を充填する（図１３）。半導体チップ７４は、バンプ（接続端子）６８を介して配線基板７２に電気的に接続される。
【００７６】
このようにして、電子部品５４を内蔵した配線基板７２に半導体チップ７４が搭載された半導体装置が形成される。
【００７７】
なお、本実施形態において、樹脂フィルム５６を加熱・加圧して開口部４６の充填及びコア基板４０表面を被覆する際に樹脂量が不足して絶縁層５８の開口部４６の対応箇所に凹部が形成されてしまう場合がある。そのような場合には、例えば、２５μｍ厚の樹脂フィルム（図示せず）を追加積層し、加熱・加圧することで絶縁層５８表面を平坦とすることができる。
【００７８】
このように本実施形態によれば、電子部品を収納するためにコア基板に形成した開口の底部を塞ぐために、後工程で絶縁層となる樹脂シートを利用して、コア基板に仮止め、固定するようにしている。これより、従来の粘着シート材をコア基板に接着した場合のように、製造工程の途中で不要となった粘着シート材を剥がす必要がないので、コア基板を変形させることなく電子部品を内蔵した配線基板を製造することができる。
【００７９】
［変形実施形態］
上記実施形態は一例であって、必要に応じて種々の変形が可能である。
【００８０】
例えば、上記実施形態では、図４に示すように、接着部４１をコア基板４０の四隅に設けたが、接着部４１の形成位置、数についてはこれに限らない。
【００８１】
例えば、図１４（ａ）に示すように、配線基板４０の右側の辺に沿って接着部４１を設けてもよい。
【００８２】
また、接着部４１の形成箇所は、電子部品収納用開口の周囲を囲うような領域であってもよい。
【００８３】
また、本発明は、個片化された配線基板の製造方法にも適用可能であるが、個片化される前の複数の配線基板用のコア基板を用いた製造方法にも適用可能である。
【００８４】
例えば、図１４（ｂ）に示すように、３×３の９個の配線基板用の大判のコア基板８０の場合である。各配線基板に対応してコア基板８０には電子部品収納用の開口８２が形成される。このような大判のコア基板８０に対して、右側の辺及び下側の辺に沿って接着部８４を設けてもよい。
【００８５】
また、上記実施形態では、樹脂シートの一部を加熱することにより、コア基板に樹脂シートを固定したが、それに限らない。例えば、樹脂シートの一部を接着剤によりコア基板に樹脂シートを接着してもよい。
【００８６】
また、上記実施形態では、電子部品として積層セラミックチップコンデンサを配線基板に内蔵したが、半導体素子等の他の電子部品を内蔵してもよい。
【００８７】
また、上記実施形態では、内蔵する電子部品は直方体形状であったが、立方体形状、円筒形形状等の他の形状であってもよい。
【００８８】
また、上記実施形態では、コア基板の開口に電子部品を振り込みにより収納したが、他の方法で収納してもよい。例えば、電子部品を実装するチップマウンターのような表面実装装置により、コア基板の開口に電子部品を収納してもよい。
【００８９】
なお、チップマウンターを使用する場合は、底面となる樹脂フィルムに凹みや割れが生じないように押圧力を調整する必要がある。
【００９０】
また、上記実施形態では、コア基板の両面に絶縁層と配線層とを積層して配線基板としたが、コア基板の片面のみに絶縁層と配線層とを積層してもよい。また、配線基板における絶縁層と配線層とを積層する数は、上記実施形態に記載された数に限らず、いくつであってもよい。
【００９１】
また、上記実施形態では、配線基板にバンプ（接続端子）を形成したが、必要に応じて、バンプを形成しなくてもよい。
【００９２】
以上、好適な実施形態について詳述したが、これら特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された要旨の範囲内において、種々の変形や変更が可能である。
【符号の説明】
【００９３】
１０…配線基板
１２…コア基板
１４…電子部品
１４ａ…本体部
１４ｂ、１４ｃ…電極
１６…開口
１８…配線層
２０…貫通電極
２２…絶縁層
２４…配線層
２６…ソルダレジスト層
２８…半導体チップ２８
３０…バンプ（接続端子）
３２…バンプ（接続端子）
３４…アンダーフィル樹脂
３６…接着部
４０…コア基板
４１…接着部
４２…導電層
４４…配線層
４５…貫通電極用の開口
４６…電子部品収納用の開口
４７…貫通電極
４８…樹脂フィルム
５０…支持板
５２…ＰＥＴフィルム
５４…電子部品
５５…掃き部材
５６…樹脂フィルム
５８…絶縁層
５８ａ…開口
６０…配線層
６２…絶縁層
６４…配線層
６６…ソルダレジスト層
６６ａ…開口
６８…バンプ（接続端子）
７０…バンプ（接続端子）
７２…配線基板
７４…半導体チップ
７６…アンダーフィル樹脂
８０…コア基板
８２…開口
８４…接着部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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