(57)【要約】【課題】露光不良の発生を抑制できる露光装置を提供する。【解決手段】露光装置は、第１液浸空間の第１液体を介して露光光で基板を露光する。露光装置は、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置され、第１液体の第１液浸空間を形成する第１部材と、光路に対して第１部材の外側に配置され、第１液浸空間から離れて、第２液体の第２液浸空間を形成可能な第２部材と、を備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１液浸空間の第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
前記露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置され、前記第１液体の前記第１液浸空間を形成する第１部材と、
前記光路に対して前記第１部材の外側に配置され、前記第１液浸空間から離れて、第２液体の第２液浸空間を形成可能な第２部材と、を備える露光装置。
【請求項２】
前記第２液浸空間は、第１物体と前記第２部材との間に形成可能であり、
前記第２液浸空間は、前記第１物体に間隙を介して隣接する第２物体と前記第２部材との間に形成可能であり、
前記間隙の寸法が変更可能である請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記第２液浸空間が前記第１物体上及び前記第２物体上の一方から他方へ移動するように前記第２部材に対して前記第１物体及び前記第２物体が前記光学部材の光軸と交差する方向に移動する期間の少なくとも一部において、前記間隙の寸法を変更する請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記第２液浸空間が前記間隙上に形成されていない第１状態と、前記第２液浸空間が前記間隙上に形成されている第２状態とで、前記第１物体と前記第２物体との間の前記間隙の寸法が異なる請求項２又は３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記第２状態における前記間隙の寸法は、前記第１状態における前記間隙の寸法よりも小さい請求項４に記載の露光装置。
【請求項６】
前記第２液浸空間が前記第１物体上及び前記第２物体上の一方から他方へ移動するように前記第２部材に対して前記第１物体及び前記第２物体が前記光学部材の光軸と交差する方向に移動するときの、前記第１物体及び前記第２物体の移動条件に基づいて、前記間隙の寸法を変更する請求項２〜５のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記移動条件は、移動速度を含む請求項６に記載の露光装置。
【請求項８】
前記第１物体及び前記第２物体が第１速度で移動するときの前記間隙の寸法は、前記第１物体及び前記第２物体が前記第１速度よりも遅い第２速度で移動するときの前記間隙の寸法よりも小さい請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】
前記移動条件は、加速度を含む請求項６に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記第１物体及び前記第２物体が第１加速度で移動するときの前記間隙の寸法は、前記第１物体及び前記第２物体が前記第１加速度よりも小さい第２加速度で移動するときの前記間隙の寸法よりも小さい請求項９に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記第１液浸空間が前記間隙上に形成されている状態と、前記第２液浸空間が前記間隙上に形成されている状態とで、前記間隙の寸法が異なる請求項２〜１０のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記第２液浸空間が前記間隙上に形成されている状態での前記間隙の寸法は、前記第１液浸空間が前記間隙上に形成されている状態での前記間隙の寸法よりも小さい請求項１１に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記第１液浸空間が前記間隙上に形成されている状態での前記間隙の寸法は、前記第１液浸空間が前記間隙上に形成されていない状態での前記間隙の寸法と異なる請求項１１又は１２に記載の露光装置。
【請求項１４】
前記間隙の下方空間の流体を吸引する吸引口を備える請求項２〜１３のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１５】
前記第２液浸空間が前記間隙上に形成されている状態と、前記第２液浸空間が前記間隙上に形成されていない状態とで、前記吸引口からの吸引条件が異なる請求項１４に記載の露光装置。
【請求項１６】
前記吸引条件は、前記吸引口からの排気量を含む請求項１５に記載の露光装置。
【請求項１７】
前記第２部材は、前記第２液体を供給する第２供給口と、前記第２液体を回収する第２回収口とを有し、
前記第２供給口からの液体供給と並行して前記第２回収口からの液体回収が行われることによって、前記第２液浸空間が形成される請求項２〜１６のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１８】
前記第２液浸空間が前記間隙上に形成されている状態と、前記第２液浸空間が前記間隙上に形成されていない状態とで、前記第２供給口からの供給条件が異なる請求項１７に記載の露光装置。
【請求項１９】
前記供給条件は、前記第２供給口からの前記第２液体の供給量を含む請求項１８に記載の露光装置。
【請求項２０】
前記第２液浸空間が前記間隙上に形成されている状態と、前記第２液浸空間が前記間隙上に形成されていない状態とで、前記第２回収口からの回収条件が異なる請求項１７〜１９のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２１】
前記回収条件は、前記第２回収口からの排気量を含む請求項２０に記載の露光装置。
【請求項２２】
前記第２液浸空間が前記間隙上に形成されている状態と、前記第２液浸空間が前記間隙上に形成されていない状態とで、前記第１物体及び前記第２物体の少なくとも一方と前記第２部材との、前記光学部材の光軸と平行な方向に関する距離が異なる請求項２〜２１のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２３】
前記第２液浸空間が前記間隙上に形成されている状態での前記距離は、前記第２液浸空間が前記間隙上に形成されていない状態での前記距離よりも小さい請求項２２に記載の露光装置。
【請求項２４】
前記第２部材は、前記光軸と平行な方向に移動可能である請求項２２又は２３記載の露光装置。
【請求項２５】
前記第１物体及び前記第２物体の一方又は両方を前記光学部材の光軸と交差する方向に移動可能な駆動装置をさらに備え、
前記駆動装置を用いて、前記第１物体及び前記第２物体の一方又は両方を動かすことによって、前記間隙の寸法が変更可能である請求項２〜２４のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２６】
前記第１物体の上面及び前記第２物体の上面の一方又は両方の少なくとも一部は、前記第１液浸空間の前記第１液体と接触する請求項２〜２５のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２７】
前記第１物体は、前記基板を含み、
前記第２物体は、前記基板の周囲に配置される部材を含む請求項２〜２６のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２８】
前記第１物体は、計測部材を含み、
前記第２物体は、前記間隙を介して前記計測部材に隣接する部材を含む請求項２〜２６のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２９】
前記第１部材は、前記第１液体を供給する第１供給口と、前記第１液体を回収する第１回収口とを有し、
前記第１供給口からの液体供給と並行して前記第１回収口からの液体回収が行われることによって、前記第１液浸空間が形成される請求項１〜２８のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項３０】
前記第１液体及び前記第２液体は、純水である請求項１〜２９のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項３１】
液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
前記基板の下面をリリース可能に保持する基板保持部と、
前記基板が前記基板保持部に保持されている状態において前記基板の上面の周囲の一部に配置される第１上面を有する第１部材と、
前記基板が前記基板保持部に保持されている状態において前記基板の上面の周囲の一部に配置される第２上面を有する第２部材と、
前記光学部材の光軸と交差する方向に前記第１部材を移動して前記基板の上面と前記第１上面との第１間隙の寸法を調整可能な第１調整装置と、
前記光軸と交差する方向に前記第２部材を移動して前記基板の上面と前記第２上面との第２間隙の寸法を調整可能な第２調整装置と、を備える露光装置。
【請求項３２】
前記第１、第２調整装置はそれぞれ、前記第１、第２部材を前記光軸と平行な方向に移動可能である請求項３１に記載の露光装置。
【請求項３３】
前記基板保持部に対する前記基板の搬入及び前記基板保持部からの前記基板の搬出の少なくとも一方における前記第１間隙の寸法が、前記基板保持部に保持されている前記基板の露光における前記第１間隙の寸法よりも大きくなるように、前記第１部材が移動される請求項３１又は３２に記載の露光装置。
【請求項３４】
前記光軸と交差する方向に前記基板を保持した前記基板保持部が移動することによって前記光学部材の射出面側に形成されている前記液体の液浸空間が前記第１間隙上に形成されない第１状態及び前記第１間隙上に形成される第２状態の一方から他方へ変化し、
前記第１状態における前記第１間隙の寸法が、前記第２状態における前記第１間隙の寸法よりも小さくなるように、前記第１部材が移動される請求項３１〜３４のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項３５】
前記第１間隙に隣接する前記基板の第１ショット領域が前記光学部材の射出面側に形成されている液浸空間の液体を介して露光される状態における前記第１間隙の寸法が、前記基板の中心に対して前記第１ショット領域の反対側の前記第２ショット領域が露光される状態における前記第１間隙の寸法よりも小さくなるように、前記第１部材が移動される請求項３１〜３４のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項３６】
前記第２ショット領域は前記第２間隙に隣接し、
前記第２ショット領域が前記液浸空間の液体を介して露光される状態における前記第２間隙の寸法が、前記第１ショット領域が露光される状態における前記第２間隙の寸法よりも小さくなるように、前記第２部材が移動される請求項３５に記載の露光装置。
【請求項３７】
前記第１間隙の上から前記液体が供給される状態における前記第１間隙の寸法が、前記液体が供給されない状態における前記第１間隙の寸法よりも小さくなるように、前記第１部材が移動される請求項３１〜３６のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項３８】
請求項１〜３７のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項３９】
第１液浸空間の第１液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、
光学部材の射出面から射出される前記露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される第１部材で前記第１液体の前記第１液浸空間を形成することと、
前記光路に対して前記第１部材の外側に配置される第２部材で、前記第１液浸空間から離れて、第２液体の第２液浸空間を形成することと、
前記第２部材と第１物体との間に前記第２液浸空間を形成することと、
前記第２部材と前記第１物体に間隙を介して隣接する第２物体との間に前記第２液浸空間を形成することと、
前記間隙の寸法を変更することと、を含む露光方法。
【請求項４０】
液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、
前記露光光が射出される光学部材の射出面側に前記液体で液浸空間を形成することと、
前記基板の下面を基板保持部でリリース可能に保持することと、
前記液浸空間の前記液体を介して前記基板保持部に保持された前記基板を露光することと、
前記基板保持部に保持されている前記基板の上面の周囲の一部に配置される第１上面を有する第１部材を、前記光学部材の光軸と交差する方向に移動して、前記基板の上面と前記第１上面との第１間隙の寸法を調整することと、
前記基板保持部に保持されている前記基板の上面の周囲の一部に配置される第２上面を有する第２部材を、前記光学部材の光軸と交差する方向に移動して、前記基板の上面と前記第２上面との第２間隙の寸法を調整することと、を含む露光方法。
【請求項４１】
請求項３９又は４０に記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、例えば下記特許文献に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００９／００４６２６１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
液浸露光装置において、望まれない空間に液体が流出すると、露光不良が発生する可能性がある。その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。
【０００５】
本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる露光装置、及び露光方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様に従えば、第１液浸空間の第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置され、第１液体の第１液浸空間を形成する第１部材と、光路に対して第１部材の外側に配置され、第１液浸空間から離れて、第２液体の第２液浸空間を形成可能な第２部材と、を備える露光装置が提供される。
【０００７】
本発明の第２の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する基板保持部と、基板が基板保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲の一部に配置される第１上面を有する第１部材と、基板が基板保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲の一部に配置される第２上面を有する第２部材と、光学部材の光軸と交差する方向に第１部材を移動して基板の上面と第１上面との第１間隙の寸法を調整可能な第１調整装置と、光軸と交差する方向に第２部材を移動して基板の上面と第２上面との第２間隙の寸法を調整可能な第２調整装置と、を備える露光装置が提供される。
【０００８】
本発明の第３の態様に従えば、第１又は第２のいずれか一つの態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【０００９】
本発明の第４の態様に従えば、第１液浸空間の第１液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、光学部材の射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される第１部材で第１液体の第１液浸空間を形成することと、光路に対して第１部材の外側に配置される第２部材で、第１液浸空間から離れて、第２液体の第２液浸空間を形成することと、第２部材と第１物体との間に第２液浸空間を形成することと、第２部材と第１物体に間隙を介して隣接する第２物体との間に第２液浸空間を形成することと、間隙の寸法を変更することと、を含む露光方法が提供される。
【００１０】
本発明の第５の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、露光光が射出される光学部材の射出面側に液体で液浸空間を形成することと、基板の下面を基板保持部でリリース可能に保持することと、液浸空間の液体を介して基板保持部に保持された基板を露光することと、基板保持部に保持されている基板の上面の周囲の一部に配置される第１上面を有する第１部材を、光学部材の光軸と交差する方向に移動して、基板の上面と第１上面との第１間隙の寸法を調整することと、基板保持部に保持されている基板の上面の周囲の一部に配置される第２上面を有する第２部材を、光学部材の光軸と交差する方向に移動して、基板の上面と第２上面との第２間隙の寸法を調整することと、を含む露光方法が提供される。
【００１１】
本発明の第６の態様に従えば、第４又は第５のいずれか一つの態様の露光方法を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１実施形態に係る露光装置の一例を示す図である。
【図２】第１実施形態に係る液浸部材の一例を示す図である。
【図３】第１実施形態に係る液浸部材の一例を示す図である。
【図４】第１実施形態に係る液浸部材の一例を示す図である。
【図５】第１実施形態に係る液浸部材の一例を示す図である。
【図６】第１実施形態に係る液浸部材の一例を示す図である。
【図７】第１実施形態に係る基板ステージ及び計測ステージの一例を示す図である。
【図８】第１実施形態に係る露光方法の一例を説明するための図である。
【図９】第１実施形態に係る基板ステージの一例を示す図である。
【図１０】第１実施形態に係る基板ステージの一例を示す図である。
【図１１】第１実施形態に係る第１、第２物体の一例を示す図である。
【図１２】第１実施形態に係る第１、第２物体の一例を示す図である。
【図１３】第２実施形態に係る第１、第２物体の一例を示す図である。
【図１４】第２実施形態に係る第１、第２物体の一例を示す図である。
【図１５】第３実施形態に係る第１、第２物体の一例を示す図である。
【図１６】第３実施形態に係る第１、第２物体の一例を示す図である。
【図１７】第４実施形態に係る第２部材の一例を示す図である。
【図１８】第４実施形態に係る第２部材の一例を示す図である。
【図１９】第５実施形態に係る基板ステージの一例を示す図である。
【図２０】第５実施形態に係る第１、第２物体の一例を示す図である。
【図２１】第５実施形態に係る第１、第２物体の一例を示す図である。
【図２２】第５実施形態に係る第１、第２物体の一例を示す図である。
【図２３】第６実施形態に係る基板ステージの一例を示す図である。
【図２４】第６実施形態に係る基板ステージの一例を示す図である。
【図２５】第６実施形態に係る露光方法の一例を示す図である。
【図２６】第６実施形態に係る露光方法の一例を示す図である。
【図２７】第６実施形態に係る基板ステージの一例を示す図である。
【図２８】基板ステージの一例を示す図である。
【図２９】デバイス製造方法の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１５】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、本実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、基板Ｐに照射される露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳ１が形成される。液浸空間とは、液体で満たされた部分（空間、領域）をいう。基板Ｐは、液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱを介して露光光ＥＬで露光される。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。
【００１６】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、例えば米国特許第６８９７９６３号、及び欧州特許出願公開第１７１３１１３号等に開示されているような、基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置である。
【００１７】
図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、基板Ｐを保持せずに、露光光ＥＬを計測する計測部材（計測器）Ｃを搭載して移動可能な計測ステージ３と、マスクステージ１、基板ステージ２、及び計測ステージ３の位置を計測する計測システム４と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２を形成する液浸部材５と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置６と、制御装置６に接続され、露光に関する各種の情報を記憶する記憶装置７とを備えている。
【００１８】
露光装置ＥＸは、露光光ＥＬが進行する空間ＣＳの環境（温度、湿度、圧力、及びクリーン度の少なくとも一つ）を調整するチャンバ装置１１を備えている。チャンバ装置１１は、空間ＣＳに、温度及び湿度が調整された気体Ｆｒを供給する気体供給部１１Ｓを有する。空間ＣＳには、少なくとも投影光学系ＰＬ、液浸部材５、基板ステージ２、及び計測ステージ３が配置される。本実施形態においては、マスクステージ１、及び照明系ＩＬの少なくとも一部も、空間ＣＳに配置される。
【００１９】
マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクＭは、例えばガラス板等の透明板と、その透明板上にクロム等の遮光材料を用いて形成されたパターンとを有する透過型マスクを含む。なお、マスクＭとして、反射型マスクを用いることもできる。
【００２０】
基板Ｐは、デバイスを製造するための基板である。基板Ｐは、例えば半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成された感光膜とを含む。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。なお、基板Ｐが、感光膜と、感光膜とは別の膜とを含んでもよい。例えば、基板Ｐが、反射防止膜を含んでもよいし、感光膜を保護する保護膜（トップコート膜）を含んでもよい。
【００２１】
照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲに露光光ＥＬを照射する。照明領域ＩＲは、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。
【００２２】
マスクステージ１は、マスクＭを保持した状態で、照明領域ＩＲを含むベース部材８のガイド面８Ｇ上を移動可能である。本実施形態において、ガイド面８ＧとＸＹ平面とは実質的に平行である。マスクステージ１は、例えば米国特許第６４５２２９２号に開示されているような平面モータを含む駆動システムの作動により移動する。本実施形態において、マスクステージ１は、その駆動システムの作動により、ガイド面８Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。
【００２３】
投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影領域ＰＲは、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態において、投影光学系ＰＬは、縮小系である。投影光学系ＰＬの投影倍率は、例えば１／４でもよいし、１／５でもよいし、１／８でもよい。なお、投影光学系ＰＬは、等倍系でもよいし、拡大系でもよい。本実施形態において、投影光学系ＰＬの光軸は、Ｚ軸と平行である。なお、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系でもよいし、屈折光学素子を含まない反射系でもよいし、反射光学素子及び屈折光学素子の両方を含む反射屈折系でもよい。投影光学系ＰＬは、倒立像を形成してもよいし、正立像を形成してもよい。
【００２４】
投影光学系ＰＬは、露光光ＥＬが射出される射出面１２を有する終端光学素子１３を含む。射出面１２は、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する。終端光学素子１３は、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い光学素子である。投影領域ＰＲは、射出面１２から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。本実施形態において、射出面１２は、−Ｚ方向を向いている。射出面１２は、ＸＹ平面と平行である。なお、−Ｚ方向を向いている射出面１２は、凸面でもよいし、凹面でもよい。なお、射出面１２は、ＸＹ平面に対して傾斜していてもよいし、曲面を含んでもよい。本実施形態において、終端光学素子１３の光軸は、Ｚ軸と平行である。本実施形態において、射出面１２から射出される露光光ＥＬは、−Ｚ方向に進行する。
【００２５】
基板ステージ２は、基板Ｐを保持した状態で、射出面１２からの露光光ＥＬが照射可能な位置（投影領域ＰＲ）を含むＸＹ平面内を移動可能である。計測ステージ３は、計測部材（計測器）Ｃを搭載した状態で、射出面１２からの露光光ＥＬが照射可能な位置（投影領域ＰＲ）を含むＸＹ平面内を移動可能である。基板ステージ２及び計測ステージ３のそれぞれは、ベース部材９のガイド面９Ｇ上を移動可能である。本実施形態において、ガイド面９ＧとＸＹ平面とは実質的に平行である。
【００２６】
基板ステージ２及び計測ステージ３は、例えば米国特許第６４５２２９２号に開示されているような平面モータを含む駆動システムの作動により移動する。基板ステージ２及び計測ステージ３のそれぞれは、駆動システムの作動により、ガイド面９Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。
【００２７】
基板ステージ２は、例えば米国特許出願公開第２００７／０１７７１２５号、米国特許出願公開第２００８／００４９２０９号、及び米国特許出願公開第２００７／０２８８１２１号等に開示されているような、基板Ｐをリリース可能に保持する第１保持部１４と、第１保持部１４に保持された基板Ｐの周囲に配置されるカバー部材Ｔ１及びスケール部材（計測部材）Ｔ２とを有する。
【００２８】
計測システム４は、例えば米国特許出願公開第２００７／０２８８１２１号に開示されているような、基板ステージ２のスケール部材Ｔ２を用いて、その基板ステージ２の位置を計測するエンコーダシステムを含む。また、計測システム４は、干渉計システムを含む。
【００２９】
基板Ｐの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置６は、計測システム４の計測結果に基づいて、マスクステージ１（マスクＭ）、基板ステージ２（基板Ｐ）、及び計測ステージ３(計測部材Ｃ）の位置制御を実行する。
【００３０】
次に、本実施形態に係る液浸部材５について説明する。図２は、本実施形態に係る液浸部材５の一例を示す側面図、図３は、液浸部材５を下側（−Ｚ側）から見た図である。
【００３１】
液浸部材５は、終端光学素子１３の周囲の少なくとも一部に配置される第１部材２１と、射出面１２から射出される露光光ＥＬの光路Ｋ（終端光学素子１３の光軸）に対して第１部材２１の外側に配置される第２部材２２とを備える。第１部材２１は、液体ＬＱの液浸空間ＬＳ１を形成する。第２部材２２は、液浸空間ＬＳ１から離れて、液体ＬＱの液浸空間ＬＳ２を形成可能である。液浸空間ＬＳ１は、第１部材２１の下方の第１空間ＳＰ１の少なくとも一部に形成される。液浸空間ＬＳ２は、第２部材２２の下方の第２空間ＳＰ２の少なくとも一部に形成される。
【００３２】
第１部材２１は、下面２３を有する。第２部材２２は、下面２４を有する。下面２３及び下面２４は、終端光学素子１３の下方で移動可能な物体が対向可能である。終端光学素子１３の下方で移動可能な物体は、射出面１２と対向可能である。その物体は、投影領域ＰＲに配置可能である。その物体は、投影領域ＰＲを含むＸＹ平面内を移動可能である。その物体は、第１部材２１の下方で移動可能である。その物体は、第２部材２２の下方で移動可能である。
【００３３】
本実施形態において、その物体は、基板ステージ２（カバー部材Ｔ１、スケール部材Ｔ２）、基板ステージ２（第１保持部１４）に保持された基板Ｐ、及び計測ステージ３(計測部材Ｃ)の少なくとも一つを含む。
【００３４】
以下の説明においては、終端光学素子１３の下方で移動可能な物体が、基板Ｐであることとする。なお、上述のように、終端光学素子１３の下方で移動可能な物体は、基板ステージ２及び計測ステージ３の少なくとも一方でもよいし、基板Ｐ、基板ステージ２、及び計測ステージ３とは別の物体でもよい。
【００３５】
第１部材２１は、射出面１２側の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液体ＬＱの液浸空間ＬＳ１を形成する。液浸空間ＬＳ１は、射出面１２と基板Ｐ（物体）の上面との間の光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように形成される。
【００３６】
第１部材２１は、射出面１２側の光路Ｋを含む光路空間ＳＰＫ、及び下面２３側の第１空間ＳＰ１の少なくとも一部に、液体ＬＱの液浸空間ＬＳ１を形成する。終端光学素子１３及び第１部材２１は、基板Ｐ（物体）との間で液体ＬＱを保持可能である。液浸空間ＬＳ１は、終端光学素子１３及び第１部材２１と基板Ｐとの間に保持される液体ＬＱによって形成される。一方側の射出面１２及び下面２３と、他方側の基板Ｐ（物体）の上面との間に液体ＬＱが保持されることによって、終端光学素子１３と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳ１が形成される。
【００３７】
基板Ｐの露光においては、基板Ｐに照射される露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳ１が形成される。基板Ｐに露光光ＥＬが照射されているとき、投影領域ＰＲを含む基板Ｐの表面の一部の領域だけが液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳ１が形成される。
【００３８】
本実施形態において、液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）ＬＧ１の少なくとも一部は、下面２３と基板Ｐの上面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。液浸空間ＬＳ１の外側（界面ＬＧ１の外側）は、気体空間である。
【００３９】
本実施形態において、第１部材２１は、環状の部材である。本実施形態において、第１部材２１の一部は、終端光学素子１３の周囲に配置される。また、第１部材２１の一部は、終端光学素子１３と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路Ｋの周囲に配置される。
【００４０】
なお、第１部材２１は、環状の部材でなくてもよい。例えば、第１部材２１が、終端光学素子１３及び光路Ｋの周囲の一部に配置されていてもよい。なお、第１部材２１が、終端光学素子１３の周囲の少なくとも一部に配置されていなくてもよい。例えば、第１部材２１が、射出面１２と基板Ｐとの間の光路Ｋの周囲の少なくとも一部に配置され、終端光学素子１３の周囲に配置されていなくてもよい。なお、第１部材２１が、射出面１２と基板Ｐとの間の光路Ｋの周囲の少なくとも一部に配置されていなくてもよい。例えば、第１部材２１が、終端光学素子１３の周囲の少なくとも一部に配置され、射出面１２と物体との間の光路Ｋの周囲に配置されていなくてもよい。
【００４１】
第１部材２１は、液浸空間ＬＳ１を形成するための液体ＬＱを供給する供給口３１と、液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱの少なくとも一部を回収する回収口３２とを備えている。
【００４２】
図４は、供給口３１の近傍を示す第１部材２１の断面図である。供給口３１は、光路空間ＳＰＫ（光路Ｋ）に面するように配置される。供給口３１は、第１部材２１の内部に形成された供給流路３３を介して、液体ＬＱを供給可能な液体供給装置３４と接続される。供給口３１は、液体供給装置３４からの液体ＬＱを射出面１２側の光路空間ＳＰＫ（光路Ｋ）に供給する。
【００４３】
第１部材２１は、射出面１２が面する孔（開口）２０を有する。射出面１２から射出された露光光ＥＬは、開口２０を通過して基板Ｐに照射可能である。供給口３１から光路空間ＳＰＫに供給された液体ＬＱの少なくとも一部は、開口２０を介して、基板Ｐ上（物体上）に供給される。また、供給口３１から光路空間ＳＰＫに供給された液体ＬＱの少なくとも一部は、開口２０を介して、第１空間ＳＰ１に供給される。本実施形態においては、開口２０から、第１部材２１の下方の第１空間ＳＰ１に液体ＬＱが供給される。
【００４４】
液体供給装置３４は、液体調整システムを含む。液体供給装置３４は、例えば、供給口３１から供給される液体ＬＱの供給量（単位時間当たりの液体供給量）を調整可能な供給量調整部３４Ａと、供給する液体ＬＱの温度を調整する温度調整部３４Ｂと、供給する液体ＬＱの温度を検出する温度センサ３４Ｃとを有する。供給量調整部３４Ａは、マスフローコントローラを有する。温度調整部３４Ｂは、液体ＬＱを加熱可能な加熱装置と、液体ＬＱを冷却可能な冷却装置とを有する。
【００４５】
供給口３１は、光路Ｋの周囲に複数配置されてもよい。図２に示すように、本実施形態おいて、供給口３１は、光路Ｋに対して一側（＋Ｘ側）及び他側（−Ｘ側）に配置される。図２に示すように、本実施形態においては、一側の供給口３１及び他側の供給口３１のそれぞれに液体供給装置３４が接続される。一側の供給口３１から供給される液体ＬＱの温度と、他側の供給口３１から供給される液体ＬＱの温度とは、実質的に等しくてもよいし、異なってもよい。一側の供給口３１から供給される液体ＬＱの供給量と、他側の供給口３１から供給される液体ＬＱの供給量とは、実質的に等しくてもよいし、異なってもよい。
【００４６】
図５は、回収口３２の近傍を示す第１部材２１の断面図である。回収口３２は、第１空間ＳＰ１に面するように配置される。基板Ｐ（物体）は、回収口３２と対向可能である。回収口３２は、第１部材２１の内部に形成された回収流路３５を介して、液体ＬＱを回収（吸引）可能な液体回収装置３６と接続される。回収口３２は、第１部材２１と基板Ｐとの間の第１空間ＳＰ１の液体ＬＱの少なくとも一部を回収（吸引）可能である。回収口３２から回収流路３５に流入した液体ＬＱは、液体回収装置３６に回収される。
【００４７】
液体回収装置３６は、回収口３２を真空システムＢＳに接続可能である。液体回収装置３６は、回収口３２から回収された液体ＬＱが収容される収容部３６Ａと、回収口３２の吸引力を調整可能な圧力調整部３６Ｂとを有する。収容部３６Ａは、タンクを含む。圧力調整部３６Ｂは、圧力調整弁などを含む。
【００４８】
本実施形態において、第１部材２１は、多孔部材３７を備える。多孔部材３７は、液体ＬＱが流通可能な複数の孔(openingsあるいはpores)を有する。多孔部材３７は、例えばメッシュフィルタを含む。メッシュフィルタは、網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材である。
【００４９】
本実施形態において、多孔部材３７は、プレート状の部材である。多孔部材３７は、基板Ｐが対向可能な下面３７Ｂと、第１部材２１に形成された回収流路３５に面する上面３７Ａと、上面３７Ａと下面３７Ｂとを結ぶように形成された複数の孔とを有する。本実施形態において、回収口３２は、多孔部材３７の孔を含む。多孔部材３７の孔（回収口３２）を介して回収された液体ＬＱは、回収流路３５を流れる。
【００５０】
本実施形態においては、多孔部材３７（回収口３２）から、第１空間ＳＰ１の液体ＬＱ及び気体の両方が回収（吸引）される。なお、多孔部材３７を介して実質的に液体ＬＱのみが回収され、気体の回収が制限されてもよい。例えば、基板Ｐ（物体）上の液体ＬＱが多孔部材３７の孔を通過して回収流路３５に流入し、気体は通過しないように、多孔部材３７の下面３７Ｂ側の圧力（第１空間ＳＰ１の圧力）と上面３７Ａ側の圧力（回収流路３５の圧力）との差が調整されてもよい。なお、多孔部材を介して液体のみを回収する技術の一例が、例えば米国特許第７２９２３１３号等に開示されている。
【００５１】
なお、多孔部材３７を設けなくてもよい。
【００５２】
本実施形態においては、供給口３１からの液体ＬＱの供給と並行して、回収口３２からの液体ＬＱの回収が行われることによって、一方側の終端光学素子１３及び第１部材２１と、他方側の基板Ｐとの間に液体ＬＱの液浸空間ＬＳ１が形成される。液浸空間ＬＳ１は、供給口３１から供給された液体ＬＱによって形成される。
【００５３】
下面２３は、開口２０の周囲に配置される。本実施形態において、下面２３の少なくとも一部は、ＸＹ平面とほぼ平行である。なお、下面２３の少なくとも一部が、ＸＹ平面に対して傾斜していてもよいし、曲面を含んでもよい。
【００５４】
下面２３は、開口２０の周囲に配置され、液体ＬＱを回収不可能な下面２３Ｂと、下面２３Ｂの周囲に配置され、液体ＬＱを回収可能な多孔部材３７の下面３７Ｂとを含む。液体ＬＱは、下面２３Ｂを通過できない。下面２３Ｂは、基板Ｐとの間で液体ＬＱを保持可能である。
【００５５】
本実施形態において、液体ＬＱを回収可能な下面３７Ｂは、下面２３の周縁部に配置される。下面２３（基板Ｐの上面）と平行なＸＹ平面内において、下面３７Ｂは、環状である。液体ＬＱを回収不可能な下面２３Ｂは、下面３７Ｂの内側に配置される。本実施形態において、界面ＬＧ１は、下面３７Ｂと基板Ｐの上面との間に配置される。
【００５６】
なお、液体ＬＱを回収可能な下面３７Ｂ（回収口３２）は、光路Ｋ（開口２０）の周囲に複数配置されてもよい。
【００５７】
第２部材２２は、第１部材２１とは異なる部材である。第２部材２２は、第１部材２１から離れている。第２部材２２は、第１部材２１の周囲の一部に配置される。
【００５８】
第２部材２２は、第２部材２２の下方の第２空間ＳＰ２の少なくとも一部に液体ＬＱの液浸空間ＬＳ２を形成可能である。第２空間ＳＰ２は、下面２４側の空間である。液浸空間ＬＳ２は、液浸空間ＬＳ１と離れて形成される。液浸空間ＬＳ２は、下面２４と基板Ｐ（物体）の上面との間に形成される。第２部材２２は、基板Ｐ（物体）との間で液体ＬＱを保持可能である。液浸空間ＬＳ２は、第２部材２２と基板Ｐとの間に保持される液体ＬＱによって形成される。一方側の下面２４と、他方側の基板Ｐ（物体）の上面との間に液体ＬＱが保持されることによって、液浸空間ＬＳ２が形成される。
【００５９】
本実施形態において、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）ＬＧ２の少なくとも一部は、下面２４と基板Ｐの上面との間に形成される。液浸空間ＬＳ２の外側（界面ＬＧ２の外側）は、気体空間である。
【００６０】
液浸空間ＬＳ２は、液浸空間ＬＳ１よりも小さい。液浸空間の大きさとは、液浸空間を形成する液体の体積を含む。また、液浸空間の大きさとは、液浸空間を形成する液体の重量を含む。また、液浸空間の大きさとは、例えば基板Ｐの表面（上面）と平行な面内（ＸＹ平面内）における液浸空間の面積を含む。また、液浸空間の大きさとは、例えば基板Ｐの表面（上面）と平行な面内（ＸＹ平面内）における所定方向（例えばＸ軸方向、又はＹ軸方向）に関する液浸空間の寸法を含む。
【００６１】
すなわち、基板Ｐの表面（上面）と平行な面内（ＸＹ平面内）において、液浸空間ＬＳ２は、液浸空間ＬＳ１よりも小さい。液浸空間ＬＳ２を形成する液体ＬＱの体積（重量）は、液浸空間ＬＳ１を形成する液体ＬＱの体積（重量）よりも小さい。ＸＹ平面内における液浸空間ＬＳ２の寸法は、液浸空間ＬＳ１の寸法よりも小さい。
【００６２】
本実施形態において、第２部材２２は、第１部材２１の周囲の空間において２つ配置される。本実施形態において、第２部材２２は、Ｘ軸方向に関して、第１部材２１の一側（＋Ｘ側）及び他側（−Ｘ側）に配置される。液浸空間ＬＳ２は、Ｘ軸方向に関して、液浸空間ＬＳ１の一側（＋Ｘ側）及び他側（−Ｘ側）に形成される。
【００６３】
以下の説明においては、第１部材２１の＋Ｘ側に配置される第２部材２２を適宜、第２部材２２１、と称し、第１部材２１の−Ｘ側に配置される第２部材２２を適宜、第２部材２２２、と称する。
【００６４】
なお、第２部材２２は、第１部材２１の一側（＋Ｘ側）のみに配置されてもよいし、他側（−Ｘ側）のみに配置されてもよい。液浸空間ＬＳ２は、液浸空間ＬＳ１の一側（＋Ｘ側）のみに配置されてもよいし、他側（−Ｘ側）のみに配置されてもよい。
【００６５】
本実施形態において、下面２４の少なくとも一部は、ＸＹ平面とほぼ平行である。なお、下面２４の少なくとも一部が、ＸＹ平面に対して傾斜していてもよいし、曲面を含んでもよい。
【００６６】
本実施形態において、Ｚ軸方向に関する下面２３の位置（高さ）と下面２４の位置（高さ）とは、実質的に等しい。すなわち、下面２３と基板Ｐ（物体）の上面との距離と、下面２４と基板Ｐ（物体）の上面との距離とは、実質的に等しい。
【００６７】
なお、下面２４が下面２３よりも低い位置に配置されてもよい。すなわち、下面２４と基板Ｐ（物体）の上面との距離が、下面２３と基板Ｐ（物体）の上面との距離よりも小さくてもよい。なお、下面２４が下面２３よりも高い位置に配置されてもよい。すなわち、下面２５と基板Ｐ（物体）の上面との距離が、下面２４と基板Ｐ（物体）の上面との距離よりも大きくてもよい。
【００６８】
図６は、第２部材２２の一例を示す部分断面図である。第２部材２２は、液浸空間ＬＳ２を形成するための液体ＬＱを供給する供給口４１と、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの少なくとも一部を回収する回収口４２とを備えている。
【００６９】
本実施形態において、供給口４１は、第２部材２２の下方の第２空間ＳＰ２に面するように配置される。基板Ｐ（物体）は、供給口４１と対向可能である。供給口４１は、第２部材２２の下面２４の少なくとも一部に配置される。供給口４１は、第２空間ＳＰ２に液体ＬＱを供給可能である。
【００７０】
本実施形態において、回収口４２は、第２部材２２の下方の第２空間ＳＰ２に面するように配置される。基板Ｐ（物体）は、回収口４２と対向可能である。回収口４２は、第２部材２２の下面２４の少なくとも一部に配置される。回収口４２は、第２空間ＳＰ２の液体ＬＱの少なくとも一部を回収可能である。回収口４２は、第２空間ＳＰ２の気体を回収可能である。本実施形態において、回収口４２は、液体ＬＱを、気体とともに回収する。第２空間ＳＰ２の流体（液体ＬＱ及び気体の一方又は両方）の少なくとも一部は、回収口４２から回収される。
【００７１】
本実施形態において、回収口４２の少なくとも一部は、第１部材２１と供給口４１との間に配置される。また、回収口４２の少なくとも一部は、光路Ｋ（第１部材２１）に対して供給口４１の外側に配置される。本実施形態においては、回収口４２は、供給口４１を囲むように配置される。下面２４と平行な面内（ＸＹ平面内）において、回収口４２は、環状である。
【００７２】
なお、回収口４２は、供給口４１の周囲に複数配置されてもよい。すなわち、複数の回収口４２が、供給口４１の周囲において離散的に配置されてもよい。
【００７３】
供給口４１は、第２部材２２の内部に形成された供給流路４３を介して、液体ＬＱを供給可能な液体供給装置４４と接続される。供給口４１は、液体供給装置４４からの液体ＬＱを、第２空間ＳＰ２に供給する。
【００７４】
液体供給装置４４は、液体調整システムを含む。液体供給装置４４は、例えば、供給口４１から供給される液体ＬＱの供給量（単位時間当たりの液体供給量）を調整可能な供給量調整部４４Ａと、供給する液体ＬＱの温度を調整する温度調整部４４Ｂと、供給する液体ＬＱの温度を検出する温度センサ４４Ｃとを有する。供給量調整部４４Ａは、マスフローコントローラを有する。温度調整部４４Ｂは、液体ＬＱを加熱可能な加熱装置と、液体ＬＱを冷却可能な冷却装置とを有する。
【００７５】
図２に示すように、本実施形態においては、一側の第２部材２２１及び他側の第２部材２２２のそれぞれに液体供給装置４４が接続される。本実施形態において、一側の第２部材２２１の供給口４１から供給される液体ＬＱの温度と、他側の第２部材２２２の供給口４１から供給される液体ＬＱの温度とは、実質的に等しくてもよいし、異なってもよい。一側の第２部材２２１の供給口４１から供給される液体ＬＱの供給量と、他側の第２部材２２の供給口４１から供給される液体ＬＱの供給量とは、実質的に等しくてもよいし、異なってもよい。
【００７６】
回収口４２は、第２部材２２の内部に形成された回収流路４５を介して、液体ＬＱ（気体）を回収（吸引）可能な液体回収装置４６と接続される。回収口４２は、第２部材２２と基板Ｐとの間の第２空間ＳＰ２の液体ＬＱの少なくとも一部を回収（吸引）可能である。第２部材２２の下方の第２空間ＳＰ２から回収された液体ＬＱは、回収流路４５を流れる。回収口４２から回収流路４５に流入した液体ＬＱは、液体回収装置４６に回収される。
【００７７】
液体回収装置４６は、回収口４２を真空システムＢＳに接続可能である。液体回収装置４６は、回収口４２から回収された液体ＬＱが収容される収容部４６Ａと、回収口４２の吸引力を調整可能な圧力調整部４６Ｂとを有する。収容部４６Ａは、タンクを含む。圧力調整部４６Ｂは、圧力調整弁などを含む。
【００７８】
回収口４２の吸引力は、回収流路４５の圧力と第２空間ＳＰ２の圧力との差に依存する。回収流路４５と第２空間ＳＰ２との圧力差によって、回収口４２の吸引力が定められる。本実施形態において、圧力調整部４６Ｂが、回収流路４５の圧力を調整可能である。チャンバ装置１１が、第２空間ＳＰ２の圧力を調整可能である。
【００７９】
図２に示すように、本実施形態においては、一側の第２部材２２１及び他側の第２部材２２２のそれぞれに液体回収装置４６が接続される。本実施形態において、一側の第２部材２２１の回収口４１の回収力（吸引力）と、他側の第２部材２２２の回収口４２の回収力（吸引力）とは、実質的に等しくてもよいし、異なってもよい。
【００８０】
本実施形態においては、供給口４１からの液体ＬＱの供給と並行して、回収口４２からの液体ＬＱの回収が行われることによって、一方側の第２部材２２と、他方側の基板Ｐとの間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳ２が形成される。液浸空間ＬＳ２は、供給口４１から供給された液体ＬＱによって形成される。
【００８１】
図７は、基板ステージ２及び計測ステージ３の一例を示す平面図である。基板Ｐの表面（上面）とＸＹ平面とが実質的に平行となるように、基板Ｐは、第１保持部１４に保持される。カバー部材Ｔ１の上面及びスケール部材Ｔ２の上面は、ＸＹ平面と実質的に平行である。本実施形態において、第１保持部１４に保持された基板Ｐの上面と、カバー部材Ｔ１の上面及びスケール部材Ｔ２の上面とは、実質的に同一平面内に配置される。なお、第１保持部１４に保持された基板Ｐの上面と、カバー部材Ｔ１の上面及びスケール部材Ｔ２の一方又は両方とは、同一平面内に配置されなくてもよい。なお、基板Ｐの上面に対してカバー部材Ｔ１の上面及びスケール部材Ｔ２の上面の一方又は両方が傾斜してもよいし、カバー部材Ｔ１の上面及びスケール部材Ｔ２の上面の一方又は両方が曲面を含んでもよい。
【００８２】
カバー部材Ｔ１は、基板Ｐの周囲に配置される。カバー部材Ｔ１は、間隙Ｇａを介して基板Ｐに隣接する。基板Ｐとカバー部材Ｔ１との間に間隙Ｇａが設けられる。
【００８３】
スケール部材Ｔ２は、カバー部材Ｔ１の周囲に配置される。スケール部材Ｔ２は、間隙Ｇｂを介してカバー部材Ｔ１に隣接する。カバー部材Ｔ１とスケール部材Ｔ２との間に間隙Ｇｂが形成される。
【００８４】
本実施形態においては、例えば米国特許出願公開第２００６／００２３１８６号、及び米国特許出願公開第２００７／０１２７００６号などに開示されているように、終端光学素子１３及び第１部材２１の下方に形成される液浸空間ＬＳ１が基板ステージ２上及び計測ステージ３上の一方から他方へ移動するように、基板ステージ２の上面（スケール部材Ｔ２の上面）と計測ステージ３の上面とが接近又は接触された状態で、基板ステージ２及び計測ステージ３が、終端光学素子１３及び第１部材２１に対して、ＸＹ平面内において移動可能である。
【００８５】
以下の説明においては、基板ステージ２の上面と計測ステージ３の上面とを接近又は接触させた状態で、終端光学素子１３及び第１部材２１に対して、基板ステージ２及び計測ステージ３をＸＹ平面内において同期移動させる動作を適宜、スクラム移動動作、と称する。
【００８６】
本実施形態においては、図７に示すように、スクラム移動動作において、基板ステージ２の上面の＋Ｙ側の辺と、計測ステージ３の上面の＋Ｙ側の辺とが接近又は接触する。
【００８７】
スクラム移動動作により、終端光学素子１３及び第１部材２１の下方に形成される液浸空間ＬＳ１が、基板ステージ２上及び計測ステージ３上の一方から他方へ移動する。第２部材２２の下方に形成される液浸空間ＬＳ２が、基板ステージ２上及び計測ステージ３上の一方から他方へ移動する。
【００８８】
スクラム移動動作において、基板ステージ２は、間隙Ｇｃを介して計測ステージ３に隣接する。スクラム移動動作において、基板ステージ２と計測ステージ３との間に間隙Ｇｃが設けられる。
【００８９】
計測ステージ３の上面は、計測部材Ｃの周囲に配置される。計測ステージ３の上面は、間隙Ｇｄを介して計測部材Ｃに隣接する。計測ステージ３と計測部材Ｃとの間に間隙Ｇｄが形成される。
【００９０】
次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸを用いて基板Ｐを露光する方法について説明する。
【００９１】
液浸部材５から離れた基板交換位置において、露光前の基板Ｐを基板ステージ２（第１保持部１４）に搬入（ロード）する処理が行われる。なお、第１保持部１４に基板Ｐが保持されている場合、その第１保持部１４から基板Ｐが搬出（アンロード）された後、露光前の基板Ｐが第１保持部１４に搬入（ロード）される。また、基板ステージ２が液浸部材５から離れている期間の少なくとも一部において、計測ステージ３が終端光学素子１３及び液浸部材５と対向するように配置される。制御装置６は、供給口３１からの液体ＬＱの供給と回収口３２からの液体ＬＱの回収とを行って、計測ステージ３上に液浸空間ＬＳ１を形成する。また、制御装置６は、供給口４１からの液体ＬＱの供給と回収口４２からの液体ＬＱの回収とを行って、計測ステージ３上に液浸空間ＬＳ２を形成する。
【００９２】
計測ステージ３の上面及び計測部材Ｃの上面の一方又は両方の少なくとも一部は、液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱと接触する。また、計測ステージ３の上面及び計測部材Ｃの上面の一方又は両方の少なくとも一部は、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱと接触する。
【００９３】
露光前の基板Ｐが基板ステージ２にロードされ、計測ステージ３を用いる計測処理が終了した後、制御装置６は、終端光学素子１３及び液浸部材５と基板ステージ２（基板Ｐ）とが対向するように、基板ステージ２を移動する。終端光学素子１３及び液浸部材５と計測ステージ３とが対向する状態から、終端光学素子１３及び液浸部材５と基板ステージ２とが対向する状態へ変化するように、スクラム移動動作が実行される。終端光学素子１３及び液浸部材５と基板ステージ２（基板Ｐ）とが対向する状態で、供給口３１からの液体ＬＱの供給と並行して回収口３２からの液体ＬＱの回収が行われることによって、射出面１２側の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように、終端光学素子１３及び第１部材２１と基板ステージ２（基板Ｐ）との間に液浸空間ＬＳ１が形成される。また、供給口４１からの液体ＬＱの供給と並行して回収口４２からの液体ＬＱの回収が行われることによって、第２部材２２と基板ステージ２（基板Ｐ）との間に液浸空間ＬＳ２が形成される。
【００９４】
基板ステージ２の上面及び基板Ｐの上面の一方又は両方の少なくとも一部は、液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱと接触する。また、基板ステージ２の上面及び基板Ｐの上面の一方又は両方の少なくとも一部は、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱと接触する。基板ステージ２の上面は、スケール部材Ｔ１の上面及びカバー部材Ｔ２の上面を含む。
【００９５】
制御装置６は、基板Ｐの露光処理を開始する。制御装置６は、基板Ｐ上に液浸空間ＬＳ１が形成され、基板Ｐ上及び基板ステージ２上の少なくとも一方に液浸空間ＬＳ２が形成されている状態で、照明系ＩＬから露光光ＥＬを射出する。照明系ＩＬはマスクＭを露光光ＥＬで照明する。マスクＭからの露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬ及び射出面１２と基板Ｐとの間の液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱを介して基板Ｐに照射される。これにより、基板Ｐは、液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱを介して射出面１２から射出された露光光ＥＬで露光され、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影される。
【００９６】
本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。制御装置６は、基板Ｐを投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱとを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射する。
【００９７】
液浸空間ＬＳ１が形成されている状態で、基板Ｐ(物体)がＸＹ平面内において移動することによって、液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱの一部が、液浸空間ＬＳ１から離れて、第１空間ＳＰ１の外側に移動（流出）する可能性がある。本実施形態においては、第１空間ＳＰ１の周囲の一部に、液浸空間ＬＳ２が形成される。そのため、第１空間ＳＰ１の外側に移動した液体ＬＱは、液浸空間ＬＳ２に捕捉される。液浸空間ＬＳ２に捕捉された液体ＬＱは、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱとともに、回収口４２から回収される。
【００９８】
本実施形態においては、液浸空間ＬＳ２は、液浸空間ＬＳ１よりも小さい。そのため、液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２が形成されている状態で基板Ｐ（物体）が移動した場合において、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの一部が液浸空間ＬＳ２から離れて第２空間ＳＰ２の外側に移動（流出）することが抑制される。換言すれば、液浸空間ＬＳ２は液浸空間ＬＳ１よりも小さいため、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの一部が第２空間ＳＰ２から流出することが、液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱの一部が第１空間ＳＰ１から流出することよりも抑制される。
【００９９】
図８は、基板ステージ２に保持された基板Ｐの一例を示す図である。本実施形態においては、基板Ｐに露光対象領域であるショット領域Ｓがマトリクス状に複数配置されている。制御装置６は、基板ステージ２（第１保持部１４）に保持されている基板Ｐの複数のショット領域Ｓを液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱを介して露光光ＥＬで順次露光する。複数のショット領域Ｓのそれぞれは、露光光ＥＬ（投影領域ＰＲ）に対して基板ＰをＹ軸方向に移動しながら露光される。
【０１００】
例えば基板Ｐの第１のショット領域Ｓを露光するために、制御装置６は、液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２が形成された状態で、基板Ｐ（第１のショット領域Ｓ）を投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱとを介して第１のショット領域Ｓに露光光ＥＬを照射する。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐの第１のショット領域Ｓに投影され、その第１のショット領域Ｓが射出面１２から射出された露光光ＥＬで露光される。第１のショット領域Ｓの露光が終了した後、制御装置６は、次の第２のショット領域Ｓの露光を開始するために、液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２が形成されている状態で、基板ＰをＸＹ平面内においてＸ軸と交差する方向（例えばＸ軸方向、あるいはＸＹ平面内においてＸ軸及びＹ軸方向に対して傾斜する方向等）に移動し、第２のショット領域Ｓを露光開始位置に移動する。その後、制御装置６は、第２のショット領域Ｓの露光を開始する。
【０１０１】
制御装置６は、基板Ｐ（基板ステージ２）上に液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２が形成されている状態で、射出面１２からの露光光ＥＬが照射される位置（投影領域ＰＲ）に対してショット領域をＹ軸方向に移動しながらそのショット領域を露光する動作と、そのショット領域の露光後、基板Ｐ（基板ステージ２）上に液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２が形成された状態で、次のショット領域が露光開始位置に配置されるように、ＸＹ平面内においてＹ軸方向と交差する方向（Ｘ軸方向、ＸＹ平面内においてＸ軸及びＹ軸方向に対して傾斜する方向など）に基板Ｐを移動する動作と、を繰り返して、基板Ｐの複数のショット領域を順次露光する。
【０１０２】
以下の説明において、ショット領域を露光するために、基板Ｐ（基板ステージ２）上に液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２が形成されている状態で、射出面１２からの露光光ＥＬが照射される位置（投影領域ＰＲ）に対して基板Ｐ（ショット領域）をＹ軸方向に移動させる動作を適宜、スキャン移動動作、と称する。また、あるショット領域の露光後、次のショット領域を露光するために、基板Ｐ（基板ステージ２）上に液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２が形成されている状態で、次のショット領域が露光開始位置に配置されるように、ＸＹ平面内においてＹ軸方向と交差する方向に基板Ｐを移動させる動作を適宜、ステップ移動動作、と称する。
【０１０３】
スキャン移動動作とステップ移動動作とを繰り返して、基板Ｐの複数のショット領域Ｓが順次露光される。
【０１０４】
なお、スキャン移動動作は、専らＹ軸方向の等速移動である。ステップ移動動作は、非等速移動（加減速度移動）を含む。例えば、Ｘ軸方向に隣接する２つのショット領域間のステップ移動動作は、Ｙ軸方向の非等速移動（加減速移動）、及びＸ軸方向の非等速移動（加減速移動）を含む。
【０１０５】
本実施形態において、制御装置６は、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲと基板Ｐとが、図８中、例えば矢印Ｓｒに示す移動軌跡に沿って相対的に移動するように、基板ステージ２を移動しつつ投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射して、液体ＬＱを介して基板Ｐの複数のショット領域Ｓを露光光ＥＬで順次露光する。
【０１０６】
基板Ｐの複数のショット領域Ｓの露光が終了した後、その露光後の基板Ｐを保持した基板ステージ２は、基板交換位置に移動する。計測ステージ３は、終端光学素子１３及び液浸部材５と対向するように配置される。終端光学素子１３及び液浸部材５と基板ステージ２とが対向する状態から、終端光学素子１３及び液浸部材５と計測ステージ３とが対向する状態へ変化するように、スクラム移動動作が実行される。
【０１０７】
以下、同様の処理が繰り返されることによって、複数の基板Ｐが順次露光される。
【０１０８】
基板Ｐの露光（スキャン移動動作及びステップ移動動作を含む）、スクラム移動動作、及び計測処理の少なくとも一部の期間において、液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２は、基板Ｐの上面に（基板Ｐの上面のみに）形成される場合がある。また、液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２は、基板Ｐとカバー部材Ｔ１との間隙Ｇａ上に（基板Ｐとカバー部材Ｔ１とを跨ぐように）形成される場合がある。また、液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２は、カバー部材Ｔ１の上面に（カバー部材Ｔ１の上面のみに）形成される場合がある。また、液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２は、カバー部材Ｔ１とスケール部材Ｔ２との間隙Ｇｂ上に（カバー部材Ｔ１とスケール部材Ｔ２とを跨ぐように）形成される場合がある。また、液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２は、スケール部材Ｔ２の上面に（スケール部材Ｔ２の上面のみに）形成される場合がある。また、液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２は、基板ステージ２と計測ステージ３との間隙Ｇｃ上に（基板ステージ２と計測ステージ３とを跨ぐように）形成される場合がある。また、液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２は、計測ステージ３の上面に（計測ステージ３の上面のみに）形成される場合がある。また、液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２は、計測部材Ｃの上面に（計測部材Ｃの上面のみに）形成される場合がある。また、液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２は、計測ステージ３と計測部材Ｃとの間隙Ｇｄ上に（計測ステージ３と計測部材Ｃとを跨ぐように）形成される場合がある。
【０１０９】
以下の説明において、間隙Ｇａ、Ｇｂ、Ｇｃ、Ｇｄを総称して適宜、間隙Ｇ、と称する。また、間隙Ｇを形成する２つの物体のうち一方の物体を適宜、第１物体Ｂ１、と称し、他方の物体を適宜、第２物体Ｂ２、と称する。第２物体Ｂ２は、間隙Ｇを介して第１物体Ｂ１に隣接する。間隙Ｇは、第１物体Ｂ１と第２物体Ｂ２との間に形成される。
【０１１０】
本実施形態において、第１物体Ｂ１が基板Ｐ（又はカバー部材Ｔ１）である場合、第２物体Ｂ２はカバー部材Ｔ１（又は基板Ｐ）である。第１物体Ｂ１がカバー部材Ｔ１（又はスケール部材Ｔ２）である場合、第２物体Ｂ２はスケール部材Ｔ２（又はカバー部材Ｔ１）である。第１物体Ｂ１が基板ステージ２（又は計測ステージ３）である場合、第２物体Ｂ２は計測ステージ３（又は基板ステージ２）である。第１物体Ｂ１が計測部材Ｃ（又は計測ステージ３）である場合、第２物体Ｂ２は計測ステージ３（又は計測部材Ｃ）である。
【０１１１】
なお、以下の説明においては、カバー部材Ｔ１及びスケール部材Ｔ２を合わせて適宜、上面部材Ｔ、と称する。間隙Ｇａは、基板Ｐと上面部材Ｔとの間に形成される。
【０１１２】
本実施形態において、液浸空間ＬＳ２は、第１物体Ｂ１と第２部材２２との間に形成可能である。また、液浸空間ＬＳ２は、第１物体Ｂ１に間隙Ｇを介して隣接する第２物体Ｂ２と第２部材２２との間に形成可能である。本実施形態において、間隙Ｇの寸法が変更可能である。
【０１１３】
図９は、間隙Ｇ（Ｇａ、Ｇｂ、Ｇｃ、Ｇｄ）のうち、間隙Ｇａの寸法が変更される状態の一例を示す。図９（Ａ）、図９（Ｂ）、及び図９（Ｃ）に示すように、本実施形態において、上面部材Ｔは、終端光学素子１３の光軸と交差する方向に移動可能である。すなわち、上面部材Ｔは、ＸＹ平面内において移動可能である。上面部材ＴがＸＹ平面内において移動することにより、基板Ｐと上面部材Ｔとの間の間隙Ｇａの寸法が変化する。上面部材Ｔは、基板Ｐに接触しないように、ＸＹ平面内において移動する。
【０１１４】
本実施形態において、基板ステージ２は、上面部材ＴをＸＹ平面内において移動可能な駆動装置５０を備えている。図１０は、駆動装置５０の一例を示す。駆動装置５０は、上面部材Ｔの下面を支持する支持部材５１と、支持部材５１をＸ軸方向に移動可能な第１アクチュエータ５０Ｘと、支持部材５１をＹ軸方向に移動可能な第２アクチュエータ５０Ｙと、支持部材５１をＺ軸方向に移動可能な第３アクチュエータ５０Ｚとを有する。第１、第２、第３アクチュエータ５０Ｘ、５０Ｙ、５０Ｚは、例えばピエゾ素子を含む。
【０１１５】
本実施形態においては、駆動装置５０は、上面部材Ｔの下面の複数の部分（例えば３箇所）のそれぞれに接続されるように、複数の支持部材５１を有する。複数の支持部材５１のそれぞれに、第１、第２、第３アクチュエータ５０Ｘ、５０Ｙ、５０Ｚが接続される。制御装置６は、第１、第２、第３アクチュエータ５０Ｘ、５０Ｙ、５０Ｚを制御して、少なくともＸＹ平面内において上面部材Ｔを移動可能である。本実施形態においては、駆動装置５０は、上面部材Ｔを、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺの６つの方向に移動可能である。
【０１１６】
図１１及び図１２は、第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２の動作の一例を示す。図１１及び図１２は、第１物体Ｂ１が上面部材Ｔであり、第２物体Ｂ２が基板Ｐである例を示す。
【０１１７】
液浸空間ＬＳ２が第１物体Ｂ１（上面部材Ｔ）上から第２物体Ｂ２（基板Ｐ）上へ移動するように、第２部材２２に対して第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２がＸＹ平面内において移動する期間の少なくとも一部において、制御装置６は、駆動装置５０を制御して、間隙Ｇ(間隙Ｇａ)の寸法を変更する。
【０１１８】
本実施形態においては、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されていない第１状態と、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されている第２状態とで、第１物体Ｂ１と第２物体Ｂ２との間の間隙Ｇの寸法が異なる。
【０１１９】
例えば、図１１に示すように、液浸空間ＬＳ２の全部が第１物体Ｂ１上に形成され、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されていない第１状態においては、間隙Ｇの寸法は、第１の値ｇ１である。
【０１２０】
図１２に示すように、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されている第２状態においては、間隙Ｇの寸法は、第２の値ｇ２である。第２状態における間隙Ｇの寸法ｇ２は、第１状態における間隙Ｇの寸法ｇ１よりも小さい。
【０１２１】
なお、図１１及び図１２に示す例では、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されていない第１状態が、液浸空間ＬＳ２の全部が第１物体Ｂ１上に形成されている状態であることとした。第１状態は、第２空間ＳＰ２に液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱがない状態を含む。また、第１状態は、間隙Ｇを形成しない物体上に液浸空間ＬＳ２が形成されている状態を含む。例えば、カバー部材Ｔ１と基板Ｐとの間に間隙Ｇ（間隙Ｇａ）が形成されている場合、第１状態は、スケール部材Ｔ２（あるいは計測ステージ３）上に液浸空間ＬＳ２が形成されている状態を含む。
【０１２２】
本実施形態においては、制御装置６は、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上を通過するとき、間隙Ｇの寸法を小さくする。間隙Ｇ上を液浸空間ＬＳ２が通過し、その液浸空間ＬＳ２が第２物体Ｂ２上に配置されたとき、制御装置６は、間隙Ｇの寸法を大きくしてもよい。例えば、間隙Ｇの寸法が第２の値ｇ２から第１の値ｇ１に変更されてもよい。
【０１２３】
なお、液浸空間ＬＳ２が第２物体Ｂ２（基板Ｐ）上から第１物体Ｂ１（上面部材Ｔ）上へ移動するように、第２部材２２に対して第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２がＸＹ平面内において移動する期間の少なくとも一部においても、制御装置６は、駆動装置５０を制御して、間隙Ｇ(間隙Ｇａ)の寸法を変更してもよい。
【０１２４】
なお、図１１及び図１２を用いて、第１物体Ｂ１が上面部材Ｔであり、第２物体Ｂ２が基板Ｐである場合を例にして説明した。上述のように、第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２は、カバー部材Ｔ１及びスケール部材Ｔ２でもよいし、基板ステージ２及び計測ステージ３でもよいし、計測ステージ３及び計測部材Ｃでもよい。
【０１２５】
本実施形態においては、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されている第２状態における間隙Ｇの寸法が、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されていない第１状態における間隙Ｇの寸法よりも小さいため、間隙Ｇ上の液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱが、間隙Ｇの下方空間に流れることが抑制される。また、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱが、間隙Ｇを形成するエッジ部分に引っかかり、液浸空間ＬＳ２が引き延ばされる現象（所謂、ピンニング現象）が発生することが抑制される。そのため、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱが間隙Ｇ上をスムースに通過することができる。
【０１２６】
なお、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されている第２状態における間隙Ｇの寸法を、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されていない第１状態における間隙Ｇの寸法よりも大きくしてもよい。これにより、間隙Ｇ上の液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱは、間隙Ｇの下方空間に円滑に流れる。例えば、間隙Ｇの下方空間に液体ＬＱが流れることにより、間隙Ｇの下方空間に存在する部材と液体ＬＱとが接触する。これにより、その部材の温度が液体ＬＱで調整される。また、部材と液体ＬＱとが接触することにより、その部材が液体ＬＱでクリーニングされる。
【０１２７】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１２８】
図１３及び図１４は、第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２の動作の一例を示す。図１３及び図１４は、第１物体Ｂ１が上面部材Ｔであり、第２物体Ｂ２が基板Ｐである例を示す。
【０１２９】
液浸空間ＬＳ２が第１物体Ｂ１（上面部材Ｔ）上から第２物体Ｂ２（基板Ｐ）上へ移動するように、第２部材２２に対して第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２がＸＹ平面内において移動するときの、第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２の移動条件に基づいて、制御装置６は、駆動装置５０を制御して、間隙Ｇ(間隙Ｇａ)の寸法を変更する。
【０１３０】
移動条件は、移動速度を含む。例えば、間隙Ｇ（間隙Ｇａ）上を液浸空間ＬＳ２が通過するように、第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２がＸＹ平面内における所定方向（図１３及び図１４に示す例では−Ｘ方向）に第１速度Ｖ１で移動するときと、第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２が所定方向に第１速度Ｖ１よりも遅い第２速度Ｖ２で移動するときとで、第１物体Ｂ１と第２物体Ｂ２との間の間隙Ｇの寸法が異なる。
【０１３１】
例えば、図１３に示すように、第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２が第１速度Ｖ１で移動するときの間隙Ｇの寸法は、第３の値ｇ３である。
【０１３２】
図１４に示すように、第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２が第１速度Ｖ１よりも遅い第２速度Ｖ２で移動するときの間隙Ｇの寸法は、第４の値ｇ４である。第１速度Ｖ１における間隙Ｇの寸法ｇ３は、第２速度Ｖ２における間隙Ｇの寸法ｇ４よりも小さい。
【０１３３】
本実施形態においては、第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２が第１速度Ｖ１で移動するときの間隙Ｇの寸法が、第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２が第２速度Ｖ２で移動するときの間隙Ｇの寸法よりも小さいため、間隙Ｇ上の液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱが、間隙Ｇの下方空間に流れることが抑制される。すなわち、第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２が高速で移動するとき、間隙Ｇの寸法を小さくすることによって、液体ＬＱが間隙Ｇの下方空間に流れることが抑制される。また、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱが、間隙Ｇを形成するエッジ部分に引っかかり、液浸空間ＬＳ２が引き延ばされる現象（所謂、ピンニング現象）が発生することが抑制される。そのため、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱが間隙Ｇ上をスムースに通過することができる。
【０１３４】
なお、第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２が第１速度Ｖ１で移動するときの間隙Ｇの寸法を、第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２が第２速度Ｖ２で移動するときの間隙Ｇの寸法よりも大きくしてもよい。これにより、間隙Ｇ上の液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱは、間隙Ｇの下方空間に円滑に流れる。例えば、間隙Ｇの下方空間に液体ＬＱが流れることにより、間隙Ｇの下方空間に存在する部材と液体ＬＱとが接触する。これにより、その部材の温度が液体ＬＱで調整される。また、部材と液体ＬＱとが接触することにより、その部材が液体ＬＱでクリーニングされる。
【０１３５】
なお、上述の移動条件が、加速度を含んでもよい。すなわち、第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２の加速度に基づいて、間隙Ｇ(間隙Ｇａ)の寸法が変更されてもよい。
【０１３６】
例えば、間隙Ｇ（間隙Ｇａ）上を液浸空間ＬＳ２が通過するように、第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２がＸＹ平面内における所定方向（図１３及び図１４に示す例では−Ｘ方向）に第１加速度Ａｃ１で移動するときと、第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２が所定方向に第２加速度Ａｃ１よりも小さい第２加速度Ａｃ２で移動するときとで、第１物体Ｂ１と第２物体Ｂ２との間の間隙Ｇの寸法が異なってもよい。
【０１３７】
図１３に示すように、第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２が第１加速度Ａｃ１で移動するときの間隙Ｇの寸法が、第３の値ｇ３でもよい。
【０１３８】
図１４に示すように、第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２が第１加速度Ａｃ１よりも小さい第２加速度Ａｃ２で移動するときの間隙Ｇの寸法が、第３の値ｇ３よりも大きい第４の値ｇ４である。
【０１３９】
第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２が第１加速度Ａｃ１で移動するときの間隙Ｇの寸法が、第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２が第２加速度Ａｃ２で移動するときの間隙Ｇの寸法よりも小さいため、間隙Ｇ上の液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱが、間隙Ｇの下方空間に流れることが抑制される。すなわち、第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２が高加速度で移動するとき、間隙Ｇの寸法を小さくすることによって、液体ＬＱが間隙Ｇの下方空間に流れることが抑制される。また、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱが、間隙Ｇを形成するエッジ部分に引っかかり、液浸空間ＬＳ２が引き延ばされる現象（所謂、ピンニング現象）が発生することが抑制される。そのため、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱが間隙Ｇ上をスムースに通過することができる。
【０１４０】
なお、第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２が第１加速度Ａｃ１で移動するときの間隙Ｇの寸法を、第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２が第２加速度Ａｃ２で移動するときの間隙Ｇの寸法よりも大きくしてもよい。これにより、間隙Ｇ上の液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱは、間隙Ｇの下方空間に円滑に流れる。例えば、間隙Ｇの下方空間に液体ＬＱが流れることにより、間隙Ｇの下方空間に存在する部材と液体ＬＱとが接触する。これにより、その部材の温度が液体ＬＱで調整される。また、部材と液体ＬＱとが接触することにより、その部材が液体ＬＱでクリーニングされる。
【０１４１】
なお、液浸空間ＬＳ２が第２物体Ｂ２（基板Ｐ）上から第１物体Ｂ１（上面部材Ｔ）上へ移動するように、第２部材２２に対して第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２がＸＹ平面内において移動する期間の少なくとも一部においても、制御装置６は、駆動装置５０を制御して、間隙Ｇ(間隙Ｇａ)の寸法を変更してもよい。
【０１４２】
なお、図１３及び図１４を用いて、第１物体Ｂ１が上面部材Ｔであり、第２物体Ｂ２が基板Ｐである場合を例にして説明した。上述のように、第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２は、カバー部材Ｔ１及びスケール部材Ｔ２でもよいし、基板ステージ２及び計測ステージ３でもよいし、計測ステージ３及び計測部材Ｃでもよい。
【０１４３】
なお、本実施形態と、上述の第１実施形態とを組み合わせることができる。例えば、間隙Ｇ上に液浸空間ＬＳ２が形成されるときと形成されないときとで間隙Ｇの寸法を変更するとともに、第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２の移動条件に基づいて、間隙Ｇの寸法を変更してもよい。
【０１４４】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１４５】
図１５及び図１６は、第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２の動作の一例を示す。図１５及び図１６は、第１物体Ｂ１が上面部材Ｔであり、第２物体Ｂ２が基板Ｐである例を示す。
【０１４６】
本実施形態においては、液浸空間ＬＳ１が間隙Ｇ（間隙Ｇａ）上に形成されている状態と、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ（間隙Ｇａ）上に形成されている状態とで、間隙Ｇ（間隙Ｇａ）の寸法が異なる。
【０１４７】
例えば、液浸空間ＬＳ１が第１物体Ｂ１（上面部材Ｔ）上から第２物体Ｂ２（基板Ｐ）上へ移動し、液浸空間ＬＳ２が第１物体Ｂ１（上面部材Ｔ）上から第２物体Ｂ２（基板Ｐ）上へ移動するように、第１、第２部材２１、２２に対して第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２がＸＹ平面内において移動する期間において、液浸空間ＬＳ１が間隙Ｇ（間隙Ｇａ）上に形成されている状態と、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ（間隙Ｇａ）上に形成されている状態とで、間隙Ｇ（間隙Ｇａ）の寸法が異なる。
【０１４８】
例えば、図１５に示すように、液浸空間ＬＳ１が間隙Ｇ上に形成されている状態での間隙Ｇの寸法は、第５の値ｇ５である。
【０１４９】
図１６に示すように、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されている状態での間隙Ｇの寸法は、第６の値ｇ６である。液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されている状態での間隙Ｇの寸法ｇ６は、液浸空間ＬＳ１が間隙Ｇ上に形成されている状態での間隙Ｇの寸法ｇ５よりも小さい。
【０１５０】
また、液浸空間ＬＳ１が間隙Ｇ上に形成されている状態での間隙Ｇの寸法ｇ５は、液浸空間ＬＳ１が間隙Ｇ上に形成されていない状態での間隙Ｇの寸法ｇ７と異なる。液浸空間ＬＳ１が間隙Ｇ上に形成されていない状態は、第１、第２部材２１、２２に対して第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２がＸＹ平面内において移動する期間において、液浸空間ＬＳ１が間隙Ｇ上を通過後、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に配置されるまでの状態を含む。
【０１５１】
すなわち、液浸空間ＬＳ１が間隙Ｇ上に形成される状態から、液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されない状態を経て、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成される状態に変化するように、第１、第２部材２１、２２に対して第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２がＸＹ平面内において移動する場合、間隙Ｇの寸法は、第５の値ｇ５、第７の値ｇ７、及び第６の値ｇ６の順に変化する。寸法ｇ５、ｇ６、ｇ７のうち、寸法ｇ５が最も大きく、寸法ｇ５に次いで寸法ｇ７が大きく、寸法ｇ６が最も小さい。なお、寸法ｇ５が最も大きく、寸法ｇ５に次いで寸法ｇ６が大きく、寸法ｇ７が最も小さくてもよい。なお、寸法ｇ７が最も大きく、寸法ｇ７に次いで寸法ｇ５が大きく、寸法ｇ６が最も小さくてもよい。
【０１５２】
本実施形態においては、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されている状態での間隙Ｇの寸法ｇ６は、液浸空間ＬＳ１が間隙Ｇ上に形成されている状態での間隙Ｇの寸法ｇ５よりも小さいため、間隙Ｇ上の液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱが、間隙Ｇの下方空間に流れることが抑制される。また、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱが、間隙Ｇを形成するエッジ部分に引っかかり、液浸空間ＬＳ２が引き延ばされる現象（所謂、ピンニング現象）が発生することが抑制される。そのため、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱが間隙Ｇ上をスムースに通過することができる。
【０１５３】
なお、液浸空間ＬＳ１が第２物体Ｂ２（基板Ｐ）上から第１物体Ｂ１（上面部材Ｔ）上へ移動し、液浸空間ＬＳ２が第２物体Ｂ２（基板Ｐ）上から第１物体Ｂ１（上面部材Ｔ）上へ移動するように、第１、第２部材２１、２２に対して第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２がＸＹ平面内において移動する期間において、液浸空間ＬＳ１が間隙Ｇ（間隙Ｇａ）上に形成されている状態と、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ（間隙Ｇａ）上に形成されている状態とで、間隙Ｇ（間隙Ｇａ）の寸法が異なってもよい。
【０１５４】
なお、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されている状態での間隙Ｇの寸法が、液浸空間ＬＳ１が間隙Ｇ上に形成されている状態での間隙Ｇの寸法よりも大きくてもよい。
【０１５５】
なお、図１５及び図１６を用いて、第１物体Ｂ１が上面部材Ｔであり、第２物体Ｂ２が基板Ｐである場合を例にして説明した。上述のように、第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２は、カバー部材Ｔ１及びスケール部材Ｔ２でもよいし、基板ステージ２及び計測ステージ３でもよいし、計測ステージ３及び計測部材Ｃでもよい。
【０１５６】
なお、上述の各実施形態において、第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２のいずれか一方が基板Ｐである場合、上面部材Ｔを動かさずに、基板Ｐを動かして、間隙Ｇ（間隙Ｇａ）の寸法を変更してもよいし、上面部材Ｔ及び基板Ｐの両方を動かして、間隙Ｇ（間隙Ｇａ）の寸法を変更してもよい。
【０１５７】
なお、本実施形態と、上述の第１、第２実施形態とを組み合わせることができる。例えば、間隙Ｇ上に液浸空間ＬＳ２が形成されるときと形成されないときとで間隙Ｇの寸法を変更するとともに、第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２の移動条件に基づいて、間隙Ｇの寸法を変更し、かつ、間隙Ｇ上に液浸空間ＬＳ１が形成されるときと液浸空間ＬＳ２が形成されるときとで、間隙Ｇの寸法を変更してもよい。
【０１５８】
＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１５９】
図１７及び図１８は、第２部材２２の動作の一例を示す。本実施形態においては、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されている状態と、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されていない状態とで、第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２の少なくとも一方と第２部材２２との、終端光学素子１３の光軸と平行な方向（Ｚ軸方向）に関する距離が異なる。
【０１６０】
例えば、図１７に示すように、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されていない状態での、第１物体Ｂ１（第２物体Ｂ２）と第２部材２２との、Ｚ軸方向に関する距離は、値ｗ１である。
【０１６１】
図１８に示すように、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されている状態での、第１物体Ｂ１（第２物体Ｂ２）と第２部材２２との、Ｚ軸方向に関する距離は、値ｗ２である。液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されている状態での距離ｗ２は、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されていない状態での距離ｗ１よりも小さい。
【０１６２】
本実施形態において、第２部材２２は、Ｚ軸方向に移動可能である。本実施形態においては、第２部材２２を、少なくともＺ軸方向に移動可能な駆動装置５２が設けられている。駆動装置５２は、第２部材２２を、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺの６つの方向に移動可能である。
【０１６３】
本実施形態においては、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されている状態での距離ｗ２は、液浸空間ＬＳ１が間隙Ｇ上に形成されていない状態での距離ｗ１よりも小さいため、液浸空間ＬＳ２からの液体ＬＱ漏れが抑制され、第１物体Ｂ１あるいは第２物体Ｂ２に液体ＬＱの滴などが残留することが抑制される。
【０１６４】
なお、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されている状態での第２部材２２と第１物体Ｂ１（第２物体Ｂ２）とのＺ軸方向に関する距離は、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されていない状態での第２部材２２と第１物体Ｂ１（第２物体Ｂ２）とのＺ軸方向に関する距離よりも大きくてもよい。
【０１６５】
なお、液浸空間ＬＳ１が第２物体Ｂ２（基板Ｐ）上から第１物体Ｂ１（上面部材Ｔ）上へ移動し、液浸空間ＬＳ２が第２物体Ｂ２（基板Ｐ）上から第１物体Ｂ１（上面部材Ｔ）上へ移動するように、第１、第２部材２１、２２に対して第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２がＸＹ平面内において移動する期間において、液浸空間ＬＳ１が間隙Ｇ（間隙Ｇａ）上に形成されている状態と、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ（間隙Ｇａ）上に形成されている状態とで、間隙Ｇ（間隙Ｇａ）の寸法が異なってもよい。
【０１６６】
なお、本実施形態と、上述の第１〜第３実施形態とは適宜組み合わせることができる。例えば、第１実施形態と第４実施形態とを組み合わせて、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されるとき、間隙Ｇの寸法を変更するとともに、Ｚ軸方向に関する第２部材２２と第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２の少なくとも一方との距離を変更してもよい。
【０１６７】
また、例えば、第２実施形態と第４実施形態とを組み合わせて、第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２の移動条件に基づいて、間隙Ｇの寸法を変更するとともに、間隙Ｇ上に液浸空間ＬＳ２が形成される状態で、Ｚ軸方向に関する第２部材２２と第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２の少なくとも一方との距離を変更してもよい。
【０１６８】
また、例えば、第３実施形態と第４実施形態とを組み合わせて、間隙Ｇ上に液浸空間ＬＳ１が形成されるときと液浸空間ＬＳ２が形成されるときとで、間隙Ｇの寸法を変更するとともに、間隙Ｇ上に液浸空間ＬＳ２が形成される状態で、Ｚ軸方向に関する第２部材２２と第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２の少なくとも一方との距離を変更してもよい。
【０１６９】
もちろん、第１〜第４実施形態の全部を組み合わせることができるし、第１〜第４実施形態の一部を組み合わせることもできる。
【０１７０】
＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１７１】
図１９は、本実施形態に係る基板ステージ２５０の一例を示す。基板ステージ２５０は、基板Ｐをリリース可能に保持する第１保持部１４と、上面部材Ｔをリリース可能に保持する第２保持部１５とを有する。
【０１７２】
本実施形態において、第２保持部１５は、基板ステージ２５０のベース部材２５０Ｂ上において、ＸＹ平面内において移動可能である。基板ステージ２５０は、ベース部材２５０Ｂに対して第２保持部１５を移動可能な駆動装置５３を有する。駆動装置５３は、例えばボイルコイルモータを含み、第２保持部１５をＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺの６つの方向に移動可能である。第２保持部１５が移動することによって、第２保持部１５に保持されている上面部材Ｔも、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺの６つの方向に移動する。
【０１７３】
制御装置６は、駆動装置５３を制御して、第２保持部１５に保持されている上面部材ＴをＸＹ平面内において移動することによって、上面部材Ｔと基板Ｐとの間隙Ｇａ（間隙Ｇ）の寸法を変更することができる。
【０１７４】
第１保持部１４は、基板Ｐの下面が対向可能な上面を有する周壁部と、周壁部の内側に配置される複数のピン状の支持部と、周壁部の内側に配置される吸引口とを有する。第１保持部１４は、所謂、ピンチャック機構（真空チャック機構）を含む。
【０１７５】
第２保持部１５は、上面部材Ｔの下面が対向可能な上面を有する周壁部と、周壁部の内側に配置される複数のピン状の支持部と、周壁部の内側に配置される吸引口とを有する。第２保持部１５は、所謂、ピンチャック機構（真空チャック機構）を含む。
【０１７６】
本実施形態において、基板ステージ２５０は、間隙Ｇの下方空間ＵＳの流体を吸引する吸引口５４を有する。本実施形態において、下方空間ＵＳは、第１保持部１４の周壁部と、第２保持部１５の周壁部と、基板ステージ２５０のベース部材２５０Ｂとで囲まれる空間を含む。吸引口５４は、吸引流路５５を介して、真空システムを含む吸引装置５６と接続される。吸引口５４は、下方空間ＵＳの流体（液体及び気体の一方又は両方）を吸引可能である。
【０１７７】
図２０及び図２１は、第２部材２２の供給口４１、回収口４２、及び吸引口５４の動作の一例を模式的に示す。本実施形態においては、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されている状態と、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されていない状態とで、吸引口５４からの吸引条件が異なる。
【０１７８】
吸引条件は、吸引口５４からの排気量を含む。また、吸引条件は、吸引口５４の吸引力を含む。吸引口５４の吸引力は、吸引流路５５の圧力と下方空間ＵＳの圧力との差に依存する。吸引流路５５と下方空間ＵＳとの圧力差によって、吸引口５４の吸引力が定められる。本実施形態において、吸引装置５６が有する圧力調整部が、吸引流路５５の圧力を調整可能である。下方空間ＵＳは、間隙Ｇを介して第２空間ＳＰ２と接続される。チャンバ装置１１が、第２空間ＳＰ２の圧力を調整可能である。
【０１７９】
例えば、図２０に示すように、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されていない状態で、吸引口５４は、第１の吸引力（第１の排気量）Ｆ１で、下方空間ＵＳの流体を吸引する。
【０１８０】
図２１に示すように、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されている状態で、吸引口５４は、第２の吸引力（第２の排気量）Ｆ２で、下方空間ＵＳの流体を吸引する。第２の吸引力Ｆ２は、第１の吸引力Ｆ１よりも強い。第２の排気量は、第１の排気量よりも大きい。
【０１８１】
本実施形態においては、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されている状態での吸引口５４の吸引力は、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されていない状態での吸引口５４の吸引力よりも強い。これにより、間隙Ｇ上に形成された液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上から退いても、第１物体Ｂ１と第２物体Ｂ２との間に液体ＬＱが残留することが抑制される。また、液体ＬＱの流出も抑制される。
【０１８２】
なお、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されている状態での吸引口５４の吸引力が、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されていない状態での吸引口５４の吸引力よりも弱くてもよい。なお、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されている状態での吸引口５４からの排気量が、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されていない状態での吸引口５４からの排気量よりも小さくてもよい。
【０１８３】
なお、吸引条件が、吸引口５４からの吸引時間を含んでもよい。例えば、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されている状態での吸引口５４からの吸引時間が、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されていない状態での吸引口５４からの吸引時間と異なってもよい。また、下方空間ＵＳに吸引口５４を複数設け、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されている状態で、複数の吸引口５４のうち第１の数の吸引口５４から流体を吸引し、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されていない状態で、複数の吸引口５４のうち第１の数とは異なる第２の数の吸引口５４から流体を吸引してもよい。
【０１８４】
なお、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されている状態と、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されていない状態とで、第２部材２２の供給口４１からの液体ＬＱの供給条件が異なってもよい。
【０１８５】
供給口４１からの液体ＬＱの供給条件は、供給口４１からの液体ＬＱの供給量を含む。本実施形態においては、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されている状態での供給口４１からの液体ＬＱの供給量は、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されていない状態での供給口４１からの液体ＬＱの供給量よりも少ない。
【０１８６】
なお、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されている状態での供給口４１からの液体ＬＱの供給量は、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されていない状態での供給口４１からの液体ＬＱの供給量よりも多くてもよい。
【０１８７】
なお、供給口４１からの液体ＬＱの供給条件は、供給口４１からの液体ＬＱの供給時間を含んでもよい。液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されている状態での供給口４１からの液体ＬＱの供給時間が、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されていない状態での供給口４１からの液体ＬＱの供給時間と異なってもよい。
【０１８８】
なお、供給口４１が複数設けられている場合、供給口４１からの液体ＬＱの供給条件は、液体ＬＱを供給する供給口４１の位置及び数の一方又は両方を含んでもよい。液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されている状態で、複数の供給口４１のうち、第１の数の供給口４１から液体ＬＱを供給し、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されていない状態で、複数の供給口４１のうち、第１の数とは異なる第２の数の供給口４１から液体ＬＱを供給してもよい。
【０１８９】
なお、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されている状態と、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されていない状態とで、第２部材２２の回収口４２からの流体（液体及び気体の一方又は両方）の回収条件（吸引条件）が異なってもよい。
【０１９０】
回収口４２からの流体の回収条件（吸引条件）は、回収口４２からの排気量を含む。また、回収口４２からの流体の回収条件（吸引条件）は、回収口４２の回収力（吸引力）を含む。
【０１９１】
本実施形態においては、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されている状態での回収口４２からの吸引力は、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されていない状態での回収口４２からの吸引力よりも弱い。
【０１９２】
なお、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されている状態での回収口４２からの吸引力は、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されていない状態での回収口４２からの吸引力よりも強くてもよい。
【０１９３】
なお、上述したように、回収口４２の吸引力は、回収流路４５の圧力と第２空間ＳＰ２の圧力との差に依存する。
【０１９４】
なお、回収口４２からの回収条件は、回収口４２からの回収時間を含んでもよい。液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されている状態での回収口４２からの回収時間が、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されていない状態での回収口４２からの回収時間と異なってもよい。
【０１９５】
なお、回収口４２が複数設けられている場合、回収口４２からの回収条件は、流体を回収する回収口４２の位置及び数の一方又は両方を含んでもよい。液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されている状態で、複数の回収口４２のうち、第１の数の回収口４２から流体を回収し、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されていない状態で、複数の回収口４２のうち、第１の数とは異なる第２の数の回収口４２から流体を回収してもよい。
【０１９６】
なお、本実施形態と、上述の第１〜第４実施形態の少なくとも一つとは、組み合わせることができる。本実施形態において、駆動装置５３により、間隙Ｇａ（間隙Ｇ）の寸法が調整可能であるため、上述の第１〜第４実施形態の少なくとも一つと組み合わせることができる。また、本実施形態においても、第２部材２２をＺ軸方向に移動することができる。
【０１９７】
なお、本実施形態において、上面部材Ｔは、ＸＹ平面内において移動しなくてもよい。駆動装置５３は、省略されてもよい。
【０１９８】
なお、図２０及び図２１を用いて、第１物体Ｂ１が上面部材Ｔであり、第２物体Ｂ２が基板Ｐである場合を例にして説明した。上述のように、第１物体Ｂ１及び第２物体Ｂ２は、カバー部材Ｔ１及びスケール部材Ｔ２でもよいし、基板ステージ２及び計測ステージ３でもよいし、計測ステージ３及び計測部材Ｃでもよい。カバー部材Ｔ１とスケール部材Ｔ２との間隙Ｇｂの下方空間の流体を吸引する吸引口を設けてもよい。基板ステージ２と計測ステージ３との間隙Ｇｃの下方空間の流体を吸引する吸引口を設けてもよい。計測ステージ３と計測部材Ｃとの間隙Ｇｄの下方空間の流体を吸引する吸引口を設けてもよい。
【０１９９】
なお、本実施形態において、間隙の下方空間の流体を吸引する吸引口は、無くてもよい。液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ２上に形成されている状態と形成されていない状態とで、供給口４１からの液体ＬＱの供給条件が異なることによっても、液体ＬＱの流出、残留などが抑制される。また、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ２上に形成されている状態と形成されていない状態とで、回収口４２からの流体の回収条件が異なることによっても、液体ＬＱの流出、残留などが抑制される。
【０２００】
なお、図２２に示すように、間隙Ｇの下方空間に液体ＬＱを供給可能な供給口５７が設けられてもよい。供給口５７は、第１物体Ｂ１の少なくとも一部に配置されてもよいし、第２物体Ｂ２の少なくとも一部に配置されてもよい。
【０２０１】
＜第６実施形態＞
次に、第６実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０２０２】
なお、本実施形態においては、第２部材２２は無くてもよい。液浸空間ＬＳ２は形成されなくてもよい。
【０２０３】
図２３及び図２４は、本実施形態に係る基板ステージ２６０の一例を示す模式図である。基板ステージ２６０は、基板Ｐの下面をリリース可能に保持する第１保持部１４と、基板Ｐが第１保持部１４に保持されている状態において、基板Ｐの上面の周囲の一部に配置される上面をそれぞれ有する複数の部材Ｔａ、Ｔｂ、Ｔｃ、Ｔｄ、Ｔｅ、Ｔｆ、Ｔｇ、Ｔｈと、終端光学素子１３の光軸と交差するＸＹ平面内において、複数の部材Ｔａ〜Ｔｈのそれぞれを移動して、基板Ｐの上面と部材Ｔａ〜Ｔｈのそれぞれの上面との間隙の寸法を調整可能な調整装置５８とを備えている。
【０２０４】
調整装置５８は、図１０を参照して説明した駆動装置５０を有する。複数の部材Ｔａ〜Ｔｈの下面のそれぞれに、駆動装置５０が配置される。制御装置６は、複数の部材Ｔａ〜Ｔｈのそれぞれの下面に配置されている駆動装置５０を制御して、複数の部材Ｔａ〜ＴｈのそれぞれをＸＹ平面内において移動可能である。
【０２０５】
図２３は、部材Ｔａ〜Ｔｈが基板Ｐ（第１保持部１４）から離れている状態を示す。図２３に示す状態で、第１保持部１４に対する基板Ｐの搬入（ロード）及び第１保持部１４からの基板Ｐの搬出（アンロード）の少なくとも一方が行われる。
【０２０６】
図２４は、部材Ｔａ〜Ｔｈが基板Ｐ（第１保持部１４）に近づいている状態を示す。図２４に示す状態で、例えば液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱを介して第１保持部１４に保持されている基板Ｐの露光が行われる。
【０２０７】
図２３及び図２４に示すように、第１保持部１４に対する基板Ｐの搬入（ロード）及び第１保持部１４からの基板Ｐの搬出（アンロード）の少なくとも一方における、基板Ｐと部材Ｔａ〜Ｔｈとの間隙の寸法が、第１保持部１４に保持されている基板Ｐの露光における基板Ｐと部材Ｔａ〜Ｔｈとの間隙の寸法よりも大きくなるように、部材Ｔａ〜Ｔｈが移動される。
【０２０８】
本実施形態においては、第１保持部１４に対する基板Ｐの搬入（ロード）及び第１保持部１４からの基板Ｐの搬出（アンロード）の少なくとも一方において、基板Ｐと部材Ｔａ〜Ｔｈとの間隙の寸法が大きくなるため、基板Ｐの搬入（ロード）及び搬出（アンロード）が円滑に行われる。また、基板Ｐの露光において、基板Ｐと部材Ｔａ〜Ｔｈとの間隙の寸法が小さくなるため、液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱが、間隙の下方空間に流れることが抑制される。
【０２０９】
なお、上述の実施形態で説明したように、ＸＹ平面内において基板Ｐを保持した第１保持部１４（基板ステージ２６０）が移動することによって、終端光学素子１３の射出面１２側に形成されている液体ＬＱの液浸空間ＬＳ１が、基板Ｐと部材Ｔａ〜Ｔｈとの間隙上に形成されない第１状態及び間隙上に形成される第２状態の一方から他方へ変化する場合において、第２状態における間隙の寸法が、第１状態における間隙の寸法よりも小さくなるように、部材Ｔａ〜Ｔｈが移動されてもよい。
【０２１０】
なお、図２５（Ａ）及び図２５（Ｂ）に示すように、基板Ｐと部材Ｔｆとの間隙Ｇ１に隣接する基板Ｐのショット領域Ｓａが終端光学素子１３の射出面１２側に形成されている液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱを介して露光される状態における間隙Ｇ１の寸法が、基板Ｐの中心に対してショット領域Ｓａの反対側のショット領域Ｓｂが露光される状態における間隙Ｇ１の寸法よりも小さくなるように、部材Ｔｆが移動されてもよい。ショット領域Ｓｂは、間隙Ｇ２に隣接する。ショット領域Ｓｂが液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱを介して露光される状態における間隙Ｇ２の寸法が、ショット領域Ｓａが露光される状態における間隙Ｇ２の寸法よりも小さくなるように、部材Ｔｂが移動されてもよい。
【０２１１】
また、基板Ｐと部材Ｔｂとの間隙Ｇ２に隣接する基板Ｐのショット領域Ｓｂが終端光学素子１３の射出面１２側に形成されている液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱを介して露光される状態における間隙Ｇ２の寸法が、基板Ｐの中心に対してショット領域Ｓｂの反対側のショット領域Ｓａが露光される状態における間隙Ｇ２の寸法よりも小さくなるように、部材Ｔｂが移動されてもよい。ショット領域Ｓａは、間隙Ｇ１に隣接する。ショット領域Ｓａが液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱを介して露光される状態における間隙Ｇ１の寸法が、ショット領域Ｓｂが露光される状態における間隙Ｇ１の寸法よりも小さくなるように、部材Ｔｆが移動されてもよい。
【０２１２】
なお、図２５（Ａ）は、ショット領域Ｓａが液体ＬＱを介して露光されている状態を示す。図２５（Ｂ）は、ショット領域Ｓｂが液体ＬＱを介して露光されている状態を示す。
【０２１３】
なお、図２６（Ａ）及び図２６（Ｂ）に示すように、基板Ｐと部材Ｔａ（Ｔｂ〜Ｔｈ）との間隙の上から液体ＬＱが供給される状態における間隙の寸法が、液体ＬＱが供給されない状態における間隙の寸法よりも小さくなるように、部材Ｔａ（Ｔｂ〜Ｔｈ）が移動されてもよい。図２６（Ａ）は、間隙の上から液体ＬＱが供給されない状態を示す。図２６（Ｂ）は、間隙の上から液体ＬＱが供給される状態を示す。
【０２１４】
なお、図２７に示す基板ステージ２７０のように、部材Ｔｂ、Ｔｄ、Ｔｆ、Ｔｈが移動可能であり、部材Ｔａ、Ｔｃ、Ｔｅ、Ｔｇの位置が実質的に固定されてもよい。
【０２１５】
なお、上述の各実施形態において、液浸空間ＬＳ１を形成するための液体ＬＱと、液浸空間ＬＳ２を形成するための液体ＬＱとは、同じ種類（物性）でもよい。例えば、液浸空間ＬＳ１を形成するための液体ＬＱ及び液浸空間ＬＳ２を形成するための液体ＬＱの両方が、純水でもよい。なお、液浸空間ＬＳ１を形成するための液体ＬＱと、液浸空間ＬＳ２を形成するための液体ＬＱとが、異なる種類（物性）でもよい。
【０２１６】
なお、本実施形態において、液浸空間ＬＳ１を形成するための液体ＬＱと、液浸空間ＬＳ２を形成するための液体ＬＱとは、同じクリーン度でもよいし、異なるクリーン度でもよい。
【０２１７】
なお、上述したように、制御装置６は、ＣＰＵ等を含むコンピュータシステムを含む。また、制御装置６は、コンピュータシステムと外部装置との通信を実行可能なインターフェースを含む。記憶装置７は、例えばＲＡＭ等のメモリ、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体を含む。記憶装置７には、コンピュータシステムを制御するオペレーティングシステム（ＯＳ）がインストールされ、露光装置ＥＸを制御するためのプログラムが記憶されている。
【０２１８】
なお、制御装置６に、入力信号を入力可能な入力装置が接続されていてもよい。入力装置は、キーボード、マウス等の入力機器、あるいは外部装置からのデータを入力可能な通信装置等を含む。また、液晶表示ディスプレイ等の表示装置が設けられていてもよい。
【０２１９】
記憶装置７に記録されているプログラムを含む各種情報は、制御装置（コンピュータシステム）６が読み取り可能である。記憶装置７には、制御装置６に、露光光が射出される光学部材の射出面と基板との間の露光光の光路に満たされた第１液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置の制御を実行させるプログラムが記録されている。
【０２２０】
記憶装置７に記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置６に、光学部材の射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される第１部材で第１液体の第１液浸空間を形成することと、光路に対して第１部材の外側に配置される第２部材で、第１液浸空間から離れて、第２液体の第２液浸空間を形成することと、第２部材と第１物体との間に第２液浸空間を形成することと、第２部材と第１物体に間隙を介して隣接する第２物体との間に第２液浸空間を形成することと、間隙の寸法を変更することと、を実行させてもよい。
【０２２１】
また、記憶装置７に記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置６に、露光光が射出される光学部材の射出面側に液体で液浸空間を形成することと、基板の下面を基板保持部でリリース可能に保持することと、液浸空間の液体を介して基板保持部に保持された基板を露光することと、基板保持部に保持されている基板の上面の周囲の一部に配置される第１上面を有する第１部材を、光学部材の光軸と交差する方向に移動して、基板の上面と第１上面との第１間隙の寸法を調整することと、基板保持部に保持されている基板の上面の周囲の一部に配置される第２上面を有する第２部材を、光学部材の光軸と交差する方向に移動して、基板の上面と第２上面との第２間隙の寸法を調整することと、を実行させてもよい。
【０２２２】
記憶装置７に記憶されているプログラムが制御装置６に読み込まれることにより、基板ステージ２、計測ステージ３、及び液浸部材５等、露光装置ＥＸの各種の装置が協働して、液浸空間が形成された状態で、基板Ｐの液浸露光等、各種の処理を実行する。
【０２２３】
なお、上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬの終端光学素子１３の射出面１２側（像面側）の光路Ｋが液体ＬＱで満たされているが、投影光学系ＰＬが、例えば国際公開第２００４／０１９１２８号に開示されているような、終端光学素子１３の入射側（物体面側）の光路も液体ＬＱで満たされる投影光学系でもよい。
【０２２４】
なお、上述の各実施形態においては、液体ＬＱが水であることとしたが、水以外の液体でもよい。液体ＬＱは、露光光ＥＬに対して透過性であり、露光光ＥＬに対して高い屈折率を有し、投影光学系ＰＬあるいは基板Ｐの表面を形成する感光材（フォトレジスト）等の膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱが、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル等のフッ素系液体でもよい。また、液体ＬＱが、種々の流体、例えば、超臨界流体でもよい。
【０２２５】
なお、上述の各実施形態においては、基板Ｐが、半導体デバイス製造用の半導体ウエハを含むこととしたが、例えばディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等を含んでもよい。
【０２２６】
なお、上述の各実施形態においては、露光装置ＥＸが、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）であることとしたが、例えばマスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）でもよい。
【０２２７】
また、露光装置ＥＸが、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光する露光装置（スティッチ方式の一括露光装置）でもよい。また、スティッチ方式の露光装置が、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置でもよい。
【０２２８】
また、露光装置ＥＸが、例えば米国特許第６６１１３１６号に開示されているような、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置でもよい。また、露光装置ＥＸが、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナー等でもよい。
【０２２９】
また、上述の各実施形態において、露光装置ＥＸが、米国特許第６３４１００７号、米国特許第６２０８４０７号、米国特許第６２６２７９６号等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置でもよい。例えば、図２８に示すように、露光装置ＥＸが２つの基板ステージ２００１、２００２を備えている場合、射出面１２と対向するように配置可能な物体は、一方の基板ステージ、その一方の基板ステージの第１保持部に保持された基板、他方の基板ステージ、及びその他方の基板ステージの第１保持部に保持された基板の少なくとも一つを含む。間隙は、一方の基板ステージ２００１と他方の基板ステージ２００２との間に形成される。間隙の下方空間の流体を吸引する吸引口が配置されてもよい。
【０２３０】
また、露光装置ＥＸが、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置でもよい。
【０２３１】
なお、露光装置ＥＸが、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置でもよいし、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置でもよいし、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置でもよい。
【０２３２】
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号に開示されているような、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしてもよい。
【０２３３】
上述の各実施形態においては、露光装置ＥＸが投影光学系ＰＬを備えることとしたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に、上述の各実施形態で説明した構成要素を適用してもよい。例えば、レンズ等の光学部材と基板との間に液浸空間を形成し、その光学部材を介して、基板に露光光を照射する露光装置及び露光方法に、上述の各実施形態で説明した構成要素を適用してもよい。
【０２３４】
また、露光装置ＥＸが、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号に開示されているような、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）でもよい。
【０２３５】
上述の実施形態の露光装置ＥＸは、上述の各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了した後、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０２３６】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図２９に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンからの露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【０２３７】
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置等に関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【符号の説明】
【０２３８】
２…基板ステージ、３…計測ステージ、５…液浸部材、６…制御装置、７…記憶装置、１２…射出面、１３…終端光学素子、２１…第１部材、２２…第２部材、５０…駆動装置、Ｃ…計測部材、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＩＬ…照明系、Ｋ…光路、ＬＱ…液体、ＬＳ１…液浸空間、ＬＳ２…液浸空間、Ｐ…基板、Ｓ…ショット領域、ＳＰ１…第１空間、ＳＰ２…第２空間、Ｔ１…カバー部材、Ｔ２…スケール部材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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