(57)【要約】【課題】  均一な厚みの塗布膜を、繰り返し安定して形成する。【解決手段】  塗布装置１は、吐出用スリット２４１Ａｓを有し、吐出用スリット２４１Ａｓから溶液Ｌ１を吐出して塗布対象物４に塗布する吐出部２４Ａと、吸引用スリット２４１Ｂｓを有し、吸引用スリット２４１Ｂｓで塗布対象物４に塗布された溶液Ｌ１の一部を吸引する吸引部２４Ｂとを備えている。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
吐出用スリットを有し、該吐出用スリットから溶液を吐出して塗布対象物に塗布する吐出部と、
吸引用スリットを有し、該吸引用スリットで塗布対象物に塗布された溶液の一部を吸引する吸引部と
を備えている塗布装置。
【請求項２】
前記吐出部と前記吸引部とが一体化している、請求項１に記載の塗布装置。
【請求項３】
前記吸引用スリットの吸引口の幅は前記吐出用スリットの吐出口の幅よりも大きい、請求項１または２に記載の塗布装置。
【請求項４】
前記吸引用スリットの吸引口は、間隔をあけて対向した一対の側壁部によって構成されており、該一対の側壁部のうちの一方が前記塗布対象物側へ移動可能になっている、請求項１乃至３のいずれかに記載の塗布装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、溶液を塗布して塗布膜を形成するための塗布装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
化合物半導体から成る光吸収層を具備した太陽電池パネルがある。この太陽電池パネルでは、例えば、ガラス製の基板上に、Ｍｏから成る下部電極層が配され、この下部電極層の上に化合物半導体から成る光吸収層が配されている。さらに、その光吸収層の上には、硫化亜鉛、硫化カドミウム等から成るバッファ層と、酸化亜鉛等から成る透明の上部電極層とがこの順に積層されている。
【０００３】
そして、例えば、基板上に形成された下部電極層の上から複数の金属元素を含む溶液が塗布されることで皮膜が形成された後に、この皮膜に乾燥および熱処理が施されることで光吸収層が形成され得る（例えば、特許文献１および特許文献２）。
【０００４】
なお、各種溶液の塗布に関しては、均一な膜厚の塗布が指向されている。例えば、特許文献３では、塗布液供給部で基板上に塗布液を供給して塗布膜を形成した後、塗布終了位置である塗布膜の端部において、塗布液供給部で基板上の塗布液を吸引している。これにより、塗布膜の端部が他の部位に比べて厚くなるのを抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−５３３１４号公報
【特許文献２】特開２００１−２７４１７６号公報
【特許文献３】特開２００７−２３７０７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献３の塗布方法では、基板上に塗布した塗布液を吸引する際、ごみ等の異物等が混入し、塗布液供給部が詰まりやすくなる。塗布液供給ノズルに異物が詰まった状態で塗布を繰り返すと、塗布膜を均一な膜厚で形成するのが困難になる。
【０００７】
そこで、均一な厚みの塗布膜を、繰り返し安定して形成することが可能な塗布装置が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態に係る塗布装置は、吐出用スリットを有し、該吐出用スリットから溶液を吐出して塗布対象物に塗布する吐出部と、吸引用スリットを有し、該吸引用スリットで塗布対象物に塗布された溶液の一部を吸引する吸引部とを備えている。
【発明の効果】
【０００９】
上記一実施形態に係る塗布装置によれば、均一な厚みの塗布膜を、繰り返し安定して形成することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】一実施形態に係る塗布装置の概略構成を示す斜視図である。
【図２】塗布部の構成を模式的に示す正面図ならびに溶液供給源を模式的に示す図である。
【図３】図２にて一点鎖線III−IIIで示した位置における塗布部のＸＺ断面を模式的に示す図である。
【図４】吐出部によって塗布対象物に溶液が塗布される様子を模式的に示す図である。
【図５】吐出部による塗布が終了した時点の様子を模式的に示す図である。
【図６】吸引部によって塗布対象物上の溶液が吸引される様子を模式的に示す図である。
【図７】塗布装置を用いた薄膜の製造工程を含む太陽電池パネルの製造プロセスの流れの一例を示すフローチャートである。
【図８】塗布部の他の例の概略構成を示す断面図である。
【図９】塗布部の他の例の概略構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、図面においては同様な構成および機能を有する部分については同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。また、図面は模式的に示されたものであり、各図における各種構造のサイズおよび位置関係等は正確に図示されたものではない。なお、図１〜図７には、塗布装置１における各部の配置関係を明示するために、塗布対象物４の一主面に沿った塗布部２４の移動方向をＸ軸方向とし、塗布部２４の長手方向をＹ軸方向とする右手系のＸＹＺ座標系が付されている。但し、溶液供給源２４０については、塗布部２４に対する配置関係が描かれたものではない。
【００１２】
＜(１)塗布装置の概略構成＞
一実施形態に係る塗布装置１は、平板状の塗布対象物４の一主面上に所定の溶液を塗布する装置である。図１で示されるように、塗布装置１は、本体部２と制御部３とを備えている。本体部２は、載物台２１と可動梁機構２２と駆動部２３とを備えている。
【００１３】
載物台２１は、塗布対象物４が載置される台であり、該塗布対象物４を保持する。載物台２１は、略直方体の形状を有する。該載物台２１の上面と下面と側面は何れも略平坦となるように加工されている。また、載物台２１の上部には、塗布対象物４が載置される載置部２１１が配されている。
【００１４】
載置部２１１の上面２１１ｓには、例えば、ストッパーＳｔ１，Ｓｔ２，Ｓｔ３が配されている。２つのストッパーＳｔ１，Ｓｔ２は、上面２１１ｓに固定されている。また、１つのストッパーＳｔ３は、上面２１１ｓに対して移動可能である。例えば、塗布対象物４が略長方形の盤面を有する場合、該塗布対象物４が載置部２１１上に載置される際には、塗布対象物４の隣り合う２つの角部が固定のストッパーＳｔ１，Ｓｔ２によって位置決めされる。そして、該塗布対象物４が、固定のストッパーＳｔ１，Ｓｔ２と可動のストッパーＳｔ３とによって挟持される。なお、載置部２１１に、例えば、多数の吸引口が配され、塗布対象物４が、多数の吸引口によって吸引されることで、載置部２１１上に吸着されても良い。
【００１５】
また、載置部２１１のうち、塗布対象物４が載置される領域を挟むＹ軸方向の両端部近傍には、Ｘ軸方向に延在している一対の走行溝２１２が配されている。走行溝２１２は、可動梁機構２２を支持し、該可動梁機構２２のＸ軸方向に沿った移動を案内する。
【００１６】
可動梁機構２２は、梁部２２１と２つの走行部２２２と塗布部２４とを備えている。梁部２２１は、２つの走行部２２２の間にＹ軸方向に沿って架設されている。つまり、２つの走行部２２２が梁部２２１を介して連結されている。また、梁部２２１の下部には塗布部２４が取り付けられている。
【００１７】
塗布部２４は、所定の溶液を吐出して塗布対象物４の一主面上に該所定の溶液を塗布するノズルとしての機能を有する吐出部２４Ａと、塗布対象物４に塗布された所定の溶液を吸引する機能を有する吸引部２４Ｂとを具備している（図３を参照）。本実施例においては、吐出部２４Ａと吸引部２４Ｂとが一体化して塗布部２４を構成した例を示しているが、吐出部２４Ａと吸引部２４Ｂは別体であってもよい。
【００１８】
この塗布部２４は、塗布部本体部２４１と２つの側方平板２４２とを備えている。そして、塗布部本体部２４１の両端に、それぞれ側方平板２４２が取り付けられている。
【００１９】
走行部２２２は、梁部２２１を介して塗布部２４を支持している。また、走行部２２２は、昇降機構Ｓｍ１，Ｓｍ２を備えている。昇降機構Ｓｍ１，Ｓｍ２は、例えば、ボールネジとサーボモーターとを有している。また、昇降機構Ｓｍ１，Ｓｍ２は、制御部３から入力される制御信号に応じて、梁部２２１の姿勢を保持したままで、該梁部２２１をＺ軸方向に昇降させ得る。
【００２０】
駆動部２３は、可動梁機構２２をＸ軸方向に移動させる部分である。該駆動部２３は、例えば、一対の移動子２３１と一対の固定子２３２とリニアエンコーダー２３３とを備えている。一対の移動子２３１は、可動梁機構２２の両端部に取り付けられている。一対の固定子２３２は、載物台２１の両側部においてＸ軸方向に沿って配されている。駆動部２３では、一対の移動子２３１と一対の固定子２３２とが、例えば、コアレスリニアモータを構成し、可動梁機構２２をＸ軸方向に移動させ得る。また、リニアエンコーダー２３３は、一対の移動子２３１のＸ軸方向における位置を検出し得る。リニアエンコーダー２３３によって検出された一対の移動子２３１の位置を示す情報は、制御部３に送られる。
【００２１】
制御部３は、本体部２における各種動作を制御する部分である。該制御部３は、プロセッサー部３１と記憶部３２とを備えている。プロセッサー部３１は、記憶部３２に記憶されているプログラムを読み込んで実行することで、各種のデータ処理を行う。記憶部３２は、プログラムおよび各種データを記憶する。なお、制御部３には、例えば、図示を省略する操作部および表示部が配されている。操作部は、オペレーターの操作を受け付ける。表示部は、各種データを可視的に出力し得る。
【００２２】
また、制御部３は、本体部２とデータの送受信が可能に接続されている。制御部３は、操作部から入力される信号およびリニアエンコーダー２３３から入力される一対の移動子２３１の位置を示す情報に基づいて、一対の移動子２３１および一対の固定子２３２の動作を制御する。つまり、制御部３によって、載物台２１上における可動梁機構２２の各種動作が制御され得る。
【００２３】
また、制御部３は、操作部から入力される信号および図示が省略されている各種センサから入力される信号に基づいて、昇降機構Ｓｍ１，Ｓｍ２の動作、吐出部２４Ａからの所定の溶液の吐出、および吸引部２４Ｂでの所定の溶液の吸引を制御する。
【００２４】
＜(２)塗布部の構成＞
図２は、塗布部２４の一構成例を模式的に示す正面図ならびに溶液供給源２４０を模式的に示す図である。図３は、図２にて一点鎖線III−IIIで示した位置における塗布部２４のＸＺ断面の構成を模式的に示す図である。
【００２５】
図２および図３で示されるように、塗布部本体部２４１は、吐出部２４Ａと吸引部２４Ｂとを具備している。吐出部２４Ａの内部には吐出用スリット２４１Ａｓが配されている。吐出用スリット２４１Ａｓは、溶液供給源２４０に接続されている。また、吐出部２４Ａの下端部には、吐出口２４１Ａｏが配されている。吐出口２４１Ａｏは、Ｙ軸方向に延びるスリット状の開口である。吐出部２４Ａでは、溶液供給源２４０から所定の溶液が吐出用スリット２４１Ａｓに供給されると、該所定の溶液が吐出口２４１Ａｏから塗布対象物４に向けて吐出される。すなわち、塗布装置１は、いわゆるスリットコーターとして機能する。
【００２６】
そして、図４で示されるように、例えば、塗布部２４が、Ｘ軸に沿った矢印ＡＲ１で示される−Ｘ方向に移動しながら、吐出部２４Ａから所定の溶液Ｌ１を塗布対象物４に向けて吐出することで、塗布対象物４の上に所定の溶液Ｌ１が塗布され得る。
【００２７】
なお、溶液供給源２４０は、例えば、所定の溶液Ｌ１を貯蔵するタンクおよび所定の溶液Ｌ１を送出するポンプ等を有していれば良い。
【００２８】
ここで、所定の溶液Ｌ１は、例えば、Ｉ−Ｂ族金属、III−Ｂ族金属および有機カルコ
ゲン化合物が一つの分子内に含まれた単一源錯体（米国特許第６９９２２０２号明細書参照）と、有機溶媒とを混合させることで作製され得る。所定の溶液Ｌ１では、例えば、単一源錯体の濃度が１０ｗｔ％以上となり得る。なお、有機カルコゲン化合物とは、カルコゲン元素を含む有機化合物であり、炭素元素とカルコゲン元素との共有結合を有する有機化合物である。また、VI−Ｂ族元素のうちの硫黄、セレンおよびテルルである。有機カルコゲン化合物としては、例えば、チオール、スルフィド、ジスルフィド、セレノール、セレニドおよびジセレニド等が採用され得る。また、有機溶媒としては、例えば、メタノール等のアルコールおよびピリジン等が採用され得る。
【００２９】
また、吸引部２４Ｂの内部には吸引用スリット２４１Ｂｓが配されている。吸引用スリット２４１Ｂｓは、吸引ポンプ（図示せず）に接続されている。また、吸引部２４Ｂの下端部には、吸引口２４１Ｂｏが配されている。吸引口２４１Ｂｏは、Ｙ軸方向に延びるスリット状の開口である。吐出部２４Ａから所定の溶液Ｌ１が吐出されることによって塗布膜が形成された後、図５で示されるように、塗布部２４が塗布対象物４から遠ざけられて塗布工程が終了する。このとき、塗布膜の端部Ｌ１１（塗布終了位置）において、所定の溶液Ｌ１が過剰に被着して膜厚が厚くなる。そこで、図６で示されるように、吸引部２４Ｂがこの塗布膜の端部Ｌ１１に接触され、吸引口２４１Ｂｏから過剰に被着した溶液Ｌ１が吸引される。
【００３０】
以上のように吐出部２４Ａとは別に設けた吸引部２４Ｂが用いられることによって、塗布対象物４上に塗布された塗布液の吸引の際、ごみ等の異物等が混入したとしても、吐出部２４Ａへの影響は少なく、塗布工程を多数回繰り返しても安定して均一な厚みの塗布膜を形成することが可能となる。
【００３１】
ところで、側方平板２４２は、塗布部本体部２４１のＹ軸方向の両端部に取り付けられている（吐出部２４Ａの両端部および吸引部２４Ｂの両端部をともに覆うように取り付けられている）。このため、吐出用スリット２４１ＡｓのＹ軸方向の両端部が側方平板２４２によって規定されている。また、塗布部本体部２４１は、吐出用スリット２４１Ａｓの−Ｘ側に位置する前方の部分（吐出前方部とも言う）２４１Ａｆと、吐出用スリット２４１Ａｓの＋Ｘ側に位置する後方の部分（吐出後方部とも言う）２４１Ａｂとを有している。そして、吐出前方部２４１Ａｆおよび吐出後方部２４１Ａｂは、それぞれＹ軸方向に延在している。このため、吐出用スリット２４１ＡｓのＸ軸方向の両端部が吐出前方部２４１Ａｆと吐出後方部２４１Ａｂとによって規定されている。つまり、この吐出前方部２４１Ａｆ、吐出後方部２４１Ａｂおよび側方平板２４２によって吐出部２４Ａが構成されている。
【００３２】
また、吸引用スリット２４１ＢｓのＹ軸方向の両端部も側方平板２４２によって規定されている。このため、吸引用スリット２４１ＢｓのＹ軸方向の両端部が側方平板２４２によって規定されている。また、塗布部本体部２４１は、吸引用スリット２４１Ｂｓの−Ｘ側に位置する前方の部分（吸引前方部とも言う）２４１Ｂｆと、吸引用スリット２４１Ｂｓの＋Ｘ側に位置する後方の部分（吸引後方部とも言う）２４１Ｂｂとを有している。そして、吸引前方部２４１Ｂｆおよび吸引後方部２４１Ｂｂは、それぞれＹ軸方向に延在している。このため、吸引用スリット２４１ＢｓのＸ軸方向の両端部が吸引前方部２４１Ｂｆと吸引後方部２４１Ｂｂとによって規定されている。つまり、この吸引前方部２４１Ｂｆ、吸引後方部２４１Ｂｂおよび側方平板２４２によって吸引部２４Ｂが構成されている。
【００３３】
本実施例では吐出部２４Ａの吐出後方部２４１Ａｂと、吸引部２４Ｂの吸引前方部２４１Ｂｆとが一体的に構成された例を示している。これによって吐出部２４Ａと吸引部２４Ｂとが一体化されている。このような構成であれば、吐出工程から吸引工程へ高速操作することが可能となり、塗布膜をより安定した膜厚で作製することが可能となる。なお、吐出部２４Ａおよび吸引部２４Ｂは別々に構成されたものが合体して一体化したものでもよい。あるいは、吐出部２４Ａおよび吸引部２４Ｂは、別体としてそれぞれが独立して可動するように塗布装置１に設けられていてもよい。
【００３４】
また、図３に示すように、吸引用スリット２４１Ｂｓの吸引口２４１Ｂｏの幅ＬＢ（吸引前方部２４１Ｂｆの下端部と吸引後方部２４１Ｂｂの下端部との間隔）は吐出用スリット２４１Ａｓの吐出口２４１Ａｏの幅ＬＡ（吐出前方部２４１Ａｆの下端部と吐出後方部２４１Ａｂの下端部との間隔）よりも大きくてもよい。このような構成であれば、吸引用スリット２４１Ｂｓ内に異物が詰まるのをより低減でき、吸引機能を安定して持続することができる。
【００３５】
＜(３)薄膜の製造工程を含む太陽電池パネルの製造プロセス＞
ここで、上記構成を有する塗布装置１を用いた薄膜の製造工程を含む太陽電池パネルの製造プロセスの一例について説明する。
【００３６】
ここでは、塗布装置１を用いて太陽電池パネルの光吸収層が形成される。光吸収層は、例えば、第１導電型（ここではｐ型の導電型）を有するＩ−III−VI族化合物半導体の層
であれば良い。Ｉ−III−VI族化合物半導体とは、Ｉ−III−VI族化合物を主に含む半導体である。なお、Ｉ−III−VI族化合物を主に含む半導体とは、Ｉ−III−VI族化合物を７０ｍｏｌ％以上含む半導体のことを言う。以下の記載においても、「主に含む」は「７０ｍｏｌ％以上含む」ことを意味する。
【００３７】
Ｉ−III−VI族化合物は、Ｉ−Ｂ族元素（１１族元素とも言う）とIII−Ｂ族元素（１３族元素とも言う）とVI−Ｂ族元素（１６族元素とも言う）とを主に含む化合物である。Ｉ−III−VI族化合物としては、例えば、ＣｕＩｎＳｅ2（ＣＩＳとも言う）、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2（ＣＩＧＳとも言う）およびＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）2（ＣＩＧＳＳとも言う）等が採用され得る。本一例では、光吸収層が、ＣＩＧＳを主に含む。
【００３８】
図８は、塗布装置１を用いた薄膜の製造工程を含む太陽電池パネルの製造プロセスの一例の流れを示すフローチャートである。
【００３９】
まず、図８のステップＳｐ１では、略矩形の盤面を有する平板状の基板が準備される。基板は、複数の光電変換セルを支持するものである。基板に含まれる主な材料としては、例えば、ガラス、セラミックスおよび樹脂等が採用され得る。また、基板の厚さは、例えば、１ｍｍ以上で且つ３ｍｍ以下程度であれば良い。
【００４０】
ステップＳｐ２では、洗浄された基板の一主面の略全面に、スパッタリング法または蒸着法等が用いられて、導電層としての下部電極層が形成される。下部電極層に含まれる主な材料としては、例えば、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔｉ、ＴａおよびＡｕ等の導電性を有する各種金属等が採用され得る。また、下部電極層の厚さは、例えば、０．２μｍ以上で且つ１μｍ以下程度であれば良い。下部電極層はレーザースクライビング等で所望のパターン形状に加工される。
【００４１】
このステップＳｐ１〜Ｓｐ２の処理により、基板と、該基板上に設けられている下部電極層とを有する塗布対象物４が形成され得る。
【００４２】
ステップＳｐ３では、塗布装置１を用いた所定の溶液Ｌ１の塗布工程が行われる。ここでは、塗布対象物４の上に吐出部２４Ａから吐出されている所定の溶液Ｌ１が略均一に塗布されて、塗布対象物４の上に所定の溶液Ｌ１の塗布膜が形成される。なお、この塗布膜の厚みは、例えば１０〜１００μｍである。
【００４３】
ステップＳｐ４では、ステップＳｐ３で形成された略均一な所定の溶液Ｌ１の塗布膜が乾燥される。このステップＳｐ４では、例えば、塗布対象物４の上に形成された塗布膜に不活性気体中もしくは還元雰囲気で熱処理が施される。熱処理の温度は、５０℃以上で且つ３００℃以下であれば良い。このとき、塗布膜が乾燥されるとともに塗布膜中の有機物が熱分解されてもよい。
【００４４】
ステップＳｐ５では、ステップＳｐ４で乾燥された所定の溶液Ｌ１の略均一な塗布膜が焼成されることで、塗布対象物４の上に略均一な薄膜が形成される。この薄膜が、太陽電池パネルの光吸収層に相当する。このステップＳｐ５では、塗布対象物４の上に形成された塗布膜に対する加熱処理が行われる。該加熱処理は、例えば、カルコゲン元素としてのＳｅの気体と非酸化性気体とを含む雰囲気中で行われれば良い。非酸化性気体は、例えば、窒素等の不活性の気体および還元性の気体の少なくとも一方の気体であれば良い。この薄膜は、例えば０．５〜３μｍの厚みを有している。なお、このような薄膜は、例えば、ステップＳｐ３およびステップＳｐ４が複数回繰り返されることにより、所望の厚みを有する塗布膜の積層体が形成された後に、ステップＳｐ５による加熱処理が行われることで形成されてもよい。
【００４５】
ステップＳｐ６では、太陽電池パネルの製造プロセスにおけるその後の工程が行われる。ここで、その後の工程の一例について説明する。
【００４６】
まず、ステップＳｐ５で形成された光吸収層の上に、バッファ層が形成される。バッファ層は、光吸収層の第１導電型とは異なる第２導電型（ここではｎ型の導電型）を有する半導体を主に含む。このバッファ層は、化学浴槽堆積法(ＣＢＤ法)によって形成され得る。例えば、酢酸カドミウムとチオ尿素とがアンモニアに溶解させられることで作製された溶液に光吸収層が浸漬されることで、ＣｄＳを主に含むバッファ層が形成される。これにより、光吸収層とバッファ層とが積層されている光電変換層が形成され得る。
【００４７】
次に、バッファ層の上に上部電極層が形成される。上部電極層は、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長（ＣＶＤ）法等で形成される。上部電極層は、例えば、スズがドープされた酸化インジウム（ＩＴＯ）やアルミニウムがドープされた酸化亜鉛（ＡＺＯ）等が用いられ得る。
【００４８】
次に、上部電極層の上面のうちの所定の形成対象位置から下部電極層の上面に至る領域に、一方向に直線状に延在する接続導体用溝部が形成される。接続導体用溝部は、スクラ
イブ針が用いられたメカニカルスクライビング等によって形成され得る。
【００４９】
次に、上記接続導体用溝部の内部に接続導体が形成される。接続導体は、例えば、銀等の金属粉が樹脂製のバインダー等に分散させられた金属ペーストが接続導体用溝部内に充填され、加熱によって固化されることで形成され得る。
【００５０】
そして、接続導体が形成された後、上部電極層の上面のうちの所定の形成対象位置から下部電極層の上面に至る領域に、メカニカルスクライビング等によって一方向に直線状に延在するセル分割用溝部が形成される。これにより、基板上に複数の光電変換セルが配されている太陽電池パネルが得られる。
【００５１】
なお、この太陽電池パネルでは、例えば、隣接する光電変換セルのうち一方の光電変換セルの上部電極層が、接続導体によって隣の光電変換セルから延伸されている下部電極層に電気的に接続されている。つまり、太陽電池パネルでは、基板上に配されている複数の光電変換セルが電気的に直列に接続されている。
【００５２】
＜(４)塗布部の構成の第２例＞
本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良などが可能である。
【００５３】
例えば、塗布装置１では、上述した図３〜図６に示すような塗布部本体部２４１に替えて図８に示すような塗布部本体部３４１を具備する塗布部が用いられてもよい。図８の塗布部本体部３４１は、吐出部３４Ａと吸引部３４Ｂとを具備している。吐出部３４Ａは、図３〜図６に示した吐出部２４Ａと同様の構成であり、吐出前方部３４１Ａｆと吐出後方部３４１Ａｂとを具備しており、これらの部材（側壁部）が間隔をあけて対向することによって吐出用スリット３４１Ａｓおよび吐出口３４１Ａｏが構成されている。
【００５４】
また、吸引部３４Ｂは、図３〜図６に示した吸引部２４Ｂと同様の構成であり、吸引前方部３４１Ｂｆと吸引後方部３４１Ｂｂとを具備しており、これらの部材（側壁部）が間隔をあけて対向することによって吸引用スリット３４１Ｂｓおよび吸引口３４１Ｂｏが構成されている。
【００５５】
そして、吐出部３４Ａおよび吸引部３４Ｂは一体化しており、吐出部３４Ａの下面と吸引部３４Ｂの下面との境界（吐出口３４１Ａｏと吸引口３４１Ｂｏとの間）に窪みＲを有している。この窪みＲはＹ軸方向に延びた線状の窪みである。
【００５６】
このような構成により、吐出部３４Ａで所定の溶液Ｌ１を吐出して塗布対象物４上に塗布膜を形成する際、所定の溶液Ｌ１が吸引用スリット３４１Ｂｓ内に流入するのを窪みＲで有効に低減できる。その結果、所定の溶液Ｌ１の供給量を安定化でき、塗布膜をより安定して良好に作製することができる。
【００５７】
＜(５)塗布部の構成の第３例＞
また、塗布装置１では、上述した図３〜図６に示すような塗布部本体部２４１に替えて図９に示すような塗布部本体部４４１を具備する塗布部が用いられてもよい。図９の塗布部本体部４４１は、吐出部４４Ａと吸引部４４Ｂとを具備している。吐出部４４Ａは、図３〜図６に示した吐出部２４Ａと同様の構成であり、吐出前方部４４１Ａｆと吐出後方部４４１Ａｂとを具備しており、これらの部材（側壁部）が間隔をあけて対向することによって吐出用スリット４４１Ａｓおよび吐出口４４１Ａｏが構成されている。
【００５８】
一方、吸引部４４Ｂは、吸引前方部４４１Ｂｆと吸引後方部４４１Ｂｂとを具備してお
り、これらの部材（側壁部）が間隔をあけて対向することによって吸引用スリット４４１Ｂｓおよび吸引口４４１Ｂｏが構成されている。そして、吸引後方部４４１Ｂｂは下方（塗布対象物４側）へ移動可能になっている。図９は、吸引後方部４４１Ｂｂが点線で示した位置から下方へ移動した後の状態を示している。このような構成により、塗布対象物４上に形成した溶液Ｌ１から成る塗布膜の端部（塗布終了位置）において、過剰に被着した溶液Ｌ１を吸引部４４Ｂで吸引する際、図９に示されるように、吸引後方部４４１Ｂｂの下端部４４１Ｂｐが塗布膜の内部まで入り込んだ状態で吸引が行なわれることとなる。そのため、吸引後方部４４１Ｂｂの下端部４４１Ｂｐが壁となって、吸引時に吸引後方部４４１Ｂｂよりも＋Ｘ軸側に位置する部位からの溶液Ｌ１の流れを堰き止めることができる。よって、より均一な厚みの塗布膜をより安定して作製することができる。
【００５９】
吸引部４４Ｂによる吸引が完了した後に、吸引部４４Ｂを塗布膜から遠ざける際、下端部４４１Ｂｐに溶液Ｌが過剰に付着するのを低減するという観点からは、図９に示すように、下端部４４１Ｂｐの断面形状が鋭角状に尖っていてもよい。これにより、塗布膜の膜厚がばらつくのをより低減できる。
【００６０】
なお、上記一実施形態および各種変形例をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。
【符号の説明】
【００６１】
１：塗布装置
４：塗布対象物
２４Ａ、３４Ａ：吐出部
２４Ｂ、３４Ｂ：吸引部
２４１Ａｓ、３４１Ａｓ：吐出用スリット
２４１Ｂｓ、３４１Ｂｓ：吸引用スリット
２４１Ａｏ、３４１Ａｏ：吐出口
２４１Ｂｏ、３４１Ｂｏ：吸引口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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