(57)【要約】【課題】寸法安定性に優れる封止層被覆光半導体素子の製造方法、それにより得られる封止層被覆光半導体素子、および、それを備える、光学安定性に優れる光半導体装置を提供すること。【解決手段】蛍光体層被覆ＬＥＤ１０の製造方法は、蛍光体層５を支持シート１の上に配置する配置工程、および、配置工程の後に、ＬＥＤ４を、その上面が露出されるように、蛍光体層５によって被覆して、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を得る被覆（埋設）工程を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
封止層を支持台の厚み方向一方側に配置する配置工程、および、
前記配置工程の後に、光半導体素子を、その一方面が露出されるように、前記封止層によって被覆して、封止層被覆光半導体素子を得る被覆工程
を備えることを特徴とする、封止層被覆光半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記封止層は、蛍光体を含有することを特徴とする、請求項１に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記被覆工程では、複数の前記光半導体素子を、各前記光半導体素子の一方面が露出されるように、前記封止層によって被覆し、
前記被覆工程の後に、前記封止層を各前記光半導体素子に対応して切断して、複数の前記封止層被覆光半導体素子を得る切断工程
をさらに備えることを特徴とする、請求項１または２に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法。
【請求項４】
前記封止層は、
前記光半導体素子を被覆する被覆部と、
光反射成分を含有し、前記被覆部を囲むようにして形成されるリフレクタ部と
を備えることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法。
【請求項５】
前記封止層は、硬化性樹脂を含有し、
前記被覆工程では、Ｂステージの前記封止層によって、前記光半導体素子を被覆し、
前記被覆工程の後に、前記封止層を硬化させてＣステージにし、Ｃステージの前記封止層によって前記光半導体素子を封止する封止工程
をさらに備えることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法。
【請求項６】
前記封止層は、封止シートから形成されていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法により得られることを特徴とする、封止層被覆光半導体素子。
【請求項８】
基板と、
前記基板に実装される請求項７に記載の封止層被覆光半導体素子と
を備えることを特徴とする、光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、封止層被覆光半導体素子、その製造方法および光半導体装置、詳しくは、封止層被覆光半導体素子の製造方法、それにより得られる封止層被覆光半導体素子、および、それを備える光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光ダイオード装置（以下、ＬＥＤ装置と略記する。）を含む光半導体装置は、まず、基板に複数の光半導体素子（発光ダイオード素子（以下、ＬＥＤと略記する。）を含む）を実装し、次いで、複数の光半導体素子を被覆するように封止層を設け、その後、各光半導体素子に対応して封止層を切断して、各光半導体素子に個片化することにより、製造されることが知られている。
【０００３】
とりわけ、光半導体素子がＬＥＤであり、光半導体装置がＬＥＤ装置である場合には、複数のＬＥＤの間において、発光波長や発光効率にバラツキを生じるため、そのようなＬＥＤが実装されたＬＥＤ装置では、複数のＬＥＤの間において発光にバラツキを生じる不具合がある。
【０００４】
かかる不具合を解消すべく、例えば、複数のＬＥＤを蛍光体層で被覆して蛍光体層被覆ＬＥＤを作製し、その後、蛍光体層被覆ＬＥＤを発光波長や発光効率に応じて選別した後、基板に実装することが検討されている。
【０００５】
例えば、まず、粘着シートの上にＬＥＤを配置し、次いで、蛍光体が分散混入されたセラミックインクを塗布して、加熱することにより、セラミックを仮硬化させた後、ＬＥＤに対応してセラミックをダイシングし、その後、セラミックを本硬化させてガラス化させることにより得られるＬＥＤが提案されている（例えば、下記特許文献１参照。）。特許文献１のＬＥＤは、その後、基板に実装されて、ＬＥＤ装置が得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１２−３９０１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献１に記載の方法では、仮硬化したセラミックを各ＬＥＤに対応してダイシングするときに、各ＬＥＤの上面および側面は、蛍光体が分散混入されたセラミックによって被覆されているので、その位置を確認することができず、そのため、セラミックを精度よくダイシングすることができない。その結果、得られるＬＥＤの寸法安定性が低く、そのため、ＬＥＤを備えるＬＥＤ装置の光学安定性が低下するという不具合がある。
【０００８】
本発明の目的は、寸法安定性に優れる封止層被覆光半導体素子の製造方法、それにより得られる封止層被覆光半導体素子、および、それを備える、光学安定性に優れる光半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法は、封止層を支持台の厚み方向一方側に配置する配置工程、および、前記配置工程の後に、光半導体素子を、その一方面が露出されるように、前記封止層によって被覆して、封止層被覆光半導体素子を得る被覆工程を備えることを特徴としている。
【００１０】
この封止層被覆光半導体素子の製造方法によれば、被覆工程において、光半導体素子を、その一方面が露出されるように、封止層によって被覆するので、被覆工程後に、一方面が露出される光半導体素子を視認しながら、その光半導体素子に対応して封止層を精度よく切断することができる。そのため、得られる封止層被覆光半導体素子は、寸法安定性に優れる。その結果、かかる封止層被覆光半導体素子を備える光半導体装置は、発光安定性に優れる。
【００１１】
また、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法では、前記封止層は、蛍光体を含有することが好適である。
【００１２】
この封止層被覆光半導体素子の製造方法によれば、封止層によって、光半導体素子から発光される光の波長を変換させることができる。そのため、光半導体装置の発光効率を向上させることができる。
【００１３】
また、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法は、前記被覆工程では、複数の前記光半導体素子を、各前記光半導体素子の一方面が露出されるように、前記封止層によって被覆し、前記被覆工程の後に、前記封止層を各前記光半導体素子に対応して切断して、複数の前記封止層被覆光半導体素子を得る切断工程をさらに備えることが好適である。
【００１４】
この封止層被覆光半導体素子の製造方法によれば、被覆工程では、複数の光半導体素子を、各光半導体素子の一方面が露出されるように、封止層によって被覆し、切断工程では、封止層を各光半導体素子に対応して切断して、複数の封止層被覆光半導体素子を得るので、複数の封止層被覆光半導体素子に対応して封止層を切断するので、寸法安定性に優れる個片化された封止層被覆光半導体素子を得ることができる。
【００１５】
また、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法では、前記封止層は、前記光半導体素子を被覆する被覆部と、光反射成分を含有し、前記被覆部を囲むようにして形成されるリフレクタ部とを備えることが好適である。
【００１６】
この封止層被覆光半導体素子の製造方法によれば、封止層は、光半導体素子を被覆する被覆部と、光反射成分を含有し、被覆部を囲むようにして形成されるリフレクタ部とを備えるので、光半導体素子から発光される光をリフレクタ部によって反射させることができる。そのため、光半導体装置の発光効率を向上させることができる。
【００１７】
また、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法は、前記封止層は、硬化性樹脂を含有し、前記被覆工程では、Ｂステージの前記封止層に、前記光半導体素子を被覆し、前記被覆工程の後に、前記封止層を硬化させてＣステージにし、Ｃステージの前記封止層によって前記光半導体素子を封止する封止工程をさらに備えることが好適である。
【００１８】
この封止層被覆光半導体素子の製造方法によれば、被覆工程において、Ｂステージの封止層によって、光半導体素子を容易かつ確実に被覆することができ、さらに、封止工程において、封止層を硬化させてＣステージにし、Ｃステージの封止層によって光半導体素子を確実に封止することができる。
【００１９】
そのため、信頼性に優れる封止層被覆光半導体素子を得ることができる。
【００２０】
また、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法では、前記封止層は、封止シートから形成されていることが好適である。
【００２１】
この封止層被覆光半導体素子の製造方法によれば、封止層は、封止シートから形成されているので、封止シートによって、複数の光半導体素子を一括して被覆することができる。そのため、封止層被覆光半導体素子の製造効率を向上させることができる。
【００２２】
また、本発明の封止層被覆光半導体素子は、上記した封止層被覆光半導体素子の製造方法により得られることを特徴としている。
【００２３】
この封止層被覆光半導体素子は、寸法安定性に優れる。
【００２４】
また、本発明の光半導体装置は、基板と、前記基板に実装される上記した封止層被覆光半導体素子とを備えることを特徴としている。
【００２５】
この光半導体装置は、寸法安定性に優れる封止層被覆光半導体素子を備えるので、発光安定性に優れる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の光半導体装置は、発光安定性および寸法安定性に優れる本発明の封止層被覆光半導体素子を備えるので、発光安定性に優れる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】図１は、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法の第１実施形態を示す工程図であり、（ａ）は、支持シートを用意する工程、（ｂ）は、蛍光体層を支持シートの上に配置する配置工程、（ｃ）は、ＬＥＤを蛍光体層に埋設する埋設工程、（ｄ）は、蛍光体層を切断する切断工程、（ｅ）は、蛍光体層被覆ＬＥＤを支持シートから剥離する剥離工程、（ｆ）は、蛍光体層被覆ＬＥＤを基板に実装する実装工程を示す。
【図２】図２は、図１（ｄ）に示す蛍光体層被覆ＬＥＤの平面図を示す。
【図３】図３は、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法の第２実施形態を示す工程図であり、（ａ）は、支持シートを用意する工程、（ｂ）は、蛍光体層を支持シートの上に配置する配置工程、（ｃ）は、ＬＥＤを蛍光体層に埋設する埋設工程、（ｄ）は、蛍光体層を切断する切断工程、（ｅ）は、蛍光体層被覆ＬＥＤを支持シートから剥離する剥離工程、（ｅ’）は、（ｅ）の剥離工程において、ピックアップ装置を用いて蛍光体層被覆ＬＥＤを粘着層から剥離する状態を詳説する工程図、（ｆ）は、蛍光体層被覆ＬＥＤを基板に実装する実装工程を示す。
【図４】図４は、図３（ｅ）に示す蛍光体層被覆ＬＥＤの平面図を示す。
【図５】図５は、図３（ｅ）および図３（ｅ’）に示す剥離工程の変形例であって、個片化しない複数の蛍光体層被覆ＬＥＤを剥離する変形例を示す。
【図６】図６は、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法の第３実施形態を示す工程図であり、（ａ）は、支持シートを用意する工程、（ｂ）は、蛍光体層を支持シートの上に配置する配置工程、（ｃ）は、ＬＥＤを蛍光体層に埋設する埋設工程、（ｄ）は、蛍光体層を切断する切断工程、（ｅ）は、支持板を粘着層から剥離する支持板剥離工程、（ｆ）は、蛍光体層被覆ＬＥＤを粘着層から剥離する剥離工程、（ｆ’）は、（ｆ）の剥離工程において、ピックアップ装置を用いて蛍光体層被覆ＬＥＤを粘着層から剥離する状態を詳説する工程図、（ｇ）は、蛍光体層被覆ＬＥＤを基板に実装する実装工程を示す。
【図７】図７は、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法の第４実施形態を示す工程図であり、（ａ）は、支持シートを用意する工程、（ｂ）は、蛍光体層を支持シートの上に配置する配置工程、（ｃ）は、ＬＥＤを蛍光体層に埋設する埋設工程、（ｄ）は、蛍光体層を切断する切断工程、（ｅ）は、蛍光体層被覆ＬＥＤを転写シートに転写する第１転写工程、（ｆ）は、蛍光体層被覆ＬＥＤを延伸支持シートに転写する第２転写工程、（ｇ）は、蛍光体層被覆ＬＥＤを延伸支持シートから剥離する再剥離工程、（ｇ’）は、（ｇ）の再剥離工程において、ピックアップ装置を用いて蛍光体層被覆ＬＥＤを延伸支持シートから剥離する状態を詳説する工程図、（ｈ）は、蛍光体層被覆ＬＥＤを基板に実装する実装工程を示す。
【図８】図８は、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法の第５実施形態を示す工程図であり、（ａ）は、延伸支持シートを用意する工程、（ｂ）は、蛍光体層を延伸支持シートの上に配置する配置工程、（ｃ）は、ＬＥＤを蛍光体層に埋設する埋設工程、および、蛍光体層を切断する切断工程、（ｄ）は、蛍光体層被覆ＬＥＤを延伸支持シートから剥離する剥離工程、（ｄ’）は、（ｄ）の剥離工程において、ピックアップ装置を用いて蛍光体層被覆ＬＥＤを延伸支持シートから剥離する状態を詳説する工程図、（ｅ）は、蛍光体層被覆ＬＥＤを基板に実装する実装工程を示す。
【図９】図９は、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法の第６実施形態を示す工程図であり、（ａ）は、支持シートを用意する工程、（ｂ）は、ＬＥＤを蛍光体層に埋設する埋設工程、（ｃ）は、活性エネルギー線を蛍光体層に照射して蛍光体層を硬化させ、かかる蛍光体層によってＬＥＤを封止する封止工程、（ｄ）は、蛍光体層を切断する切断工程、（ｅ）は、蛍光体層被覆ＬＥＤを支持シートから剥離する剥離工程、（ｅ’）は、（ｅ）の剥離工程において、ピックアップ装置を用いて蛍光体層被覆ＬＥＤを支持シートから剥離する状態を詳説する工程図、（ｆ）は、蛍光体層被覆ＬＥＤを基板に実装する実装工程を示す。
【図１０】図１０は、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法の第７実施形態を示す工程図であり、（ａ）は、支持シートを用意する工程、（ｂ）は、蛍光体層を支持シートの上に貼着する貼着工程、（ｃ）は、ＬＥＤを蛍光体層に埋設する埋設工程、（ｄ）は、蛍光体層被覆ＬＥＤを切断する切断工程、（ｅ）は、蛍光体層被覆ＬＥＤを支持シートから剥離する剥離工程、（ｆ）は、蛍光体層被覆ＬＥＤを基板に実装する実装工程を示す。
【図１１】図１１は、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法の第８実施形態を示す工程図であり、（ａ）は、支持シートを用意する工程、（ｂ）は、埋設−リフレクタシートを支持シートの上に配置する配置工程、（ｃ）は、ＬＥＤを埋設部に埋設する埋設工程、（ｄ）は、リフレクタ部を切断する切断工程、（ｅ）は、リフレクタ部が設けられた蛍光体層被覆ＬＥＤを支持シートから剥離する剥離工程、（ｆ）は、リフレクタ部が設けられた蛍光体層被覆ＬＥＤを基板に実装する実装工程を示す。
【図１２】図１２は、図１１（ｄ）に示す蛍光体層埋設ＬＥＤの平面図を示す。
【図１３】図１３は、図１１（ｂ）に示す埋設−リフレクタシートの製造方法の工程図であり、（ａ）は、プレス装置にリフレクタシートを配置する工程、（ｂ）は、リフレクタシートをプレスして、リフレクタ部を形成する工程、（ｃ）は、蛍光体シートを、リフレクタ部の上に配置する工程、（ｄ）は、蛍光体シートをプレスして、埋設部を形成する工程、（ｅ）は、埋設−リフレクタシートを剥離シートから剥離する工程を示す。
【図１４】図１４は、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法の第９実施形態に用いられる埋設−リフレクタシートの製造方法の工程図であり、（ａ）は、プレス装置にリフレクタシートを配置する工程、（ｂ）は、リフレクタシートをプレスして、リフレクタ部を形成する工程、（ｃ）は、蛍光樹脂組成物のワニスを貫通孔にポッティングする工程、（ｄ）は、埋設−リフレクタシートを剥離シートから剥離する工程を示す。
【図１５】図１５は、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法の第１０実施形態を示す工程図であり、（ａ）は、支持シートを用意する工程、（ｂ）は、埋設−リフレクタシートを支持シートの上に配置する配置工程、（ｃ）は、ＬＥＤを埋設部に埋設する埋設工程、（ｄ）は、リフレクタ部を切断する切断工程、（ｅ）は、リフレクタ部が設けられた蛍光体層被覆ＬＥＤを支持シートから剥離する剥離工程、（ｆ）は、リフレクタ部が設けられた蛍光体層被覆ＬＥＤを基板に実装する実装工程を示す。
【図１６】図１６は、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法の第１１実施形態を示す工程図であり、（ａ）は、支持シートを用意する工程、（ｂ）は、埋設−リフレクタシートを支持シートの上に配置する配置工程、（ｃ）は、ＬＥＤを埋設部に埋設する埋設工程、（ｄ）は、リフレクタ部を切断する切断工程、（ｅ）は、リフレクタ部が設けられた蛍光体層被覆ＬＥＤを支持シートから剥離する剥離工程、（ｆ）は、リフレクタ部が設けられた蛍光体層被覆ＬＥＤを基板に実装する実装工程を示す。
【図１７】図１７は、図１６（ｂ）に示す埋設−リフレクタシートの製造方法の工程図であり、（ａ）は、打抜装置にリフレクタシートを配置する工程、（ｂ）は、リフレクタシートを打ち抜いて、リフレクタ部を形成する工程、（ｃ）は、蛍光体シートを、リフレクタ部の上に配置する工程、（ｄ）は、蛍光体シートをプレスして、埋設部を形成する工程、（ｅ）は、埋設−リフレクタシートを剥離シートから剥離する工程を示す。
【図１８】図１８は、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法の第１２実施形態に用いられる埋設−リフレクタシートの製造方法の工程図であり、（ａ）は、打抜装置にリフレクタシートを配置する工程、（ｂ）は、リフレクタシートを打ち抜いて、リフレクタ部を形成する工程、（ｃ）は、蛍光樹脂組成物のワニスを貫通孔にポッティングする工程、（ｄ）は、埋設−リフレクタシートを剥離シートから剥離する工程を示す。
【図１９】図１９は、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法の第１３実施形態を示す工程図であり、（ａ）は、支持シートを用意する工程、（ｂ）は、被覆−リフレクタシートを支持シートの上に配置する配置工程、（ｃ）は、ＬＥＤを被覆部によって被覆する被覆工程、（ｄ）は、リフレクタ部を切断する切断工程、（ｅ）は、リフレクタ部が設けられた蛍光体層被覆ＬＥＤを支持シートから剥離する剥離工程、（ｆ）は、リフレクタ部が設けられた蛍光体層被覆ＬＥＤを基板に実装する実装工程を示す。
【図２０】図２０は、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法の第１４実施形態を示す工程図であり、（ａ）は、支持シートを用意する工程、（ｂ）は、蛍光体層を支持シートの上に配置する配置工程、（ｃ）は、ＬＥＤを蛍光体層によってする被覆工程、（ｄ）は、蛍光体層を切断する切断工程、（ｅ）は、蛍光体層被覆ＬＥＤを支持シートから剥離する剥離工程、（ｆ）は、蛍光体層被覆ＬＥＤを基板に実装する実装工程を示す。
【図２１】図２１は、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法の第１５実施形態に用いられるディスペンサの斜視図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
＜第１実施形態＞
図１において、紙面上下方向を上下方向（第１方向）、紙面左右方向を左右方向（第２方向、第１方向に直交する方向）、紙面紙厚方向を前後方向（第３方向、第１方向および第２方向に直交する方向）とする。図２以降の各図は、上記した方向および図１の方向矢印に準拠する。
【００２９】
封止層被覆光半導体素子としての蛍光体埋設ＬＥＤ１０の製造方法は、封止層としての蛍光体層５を支持台としての支持シート１の上（厚み方向一方側）に配置する配置工程（図１（ｂ）参照）、配置工程の後に、複数の光半導体素子としてのＬＥＤ４を、その各上面が露出されるように、蛍光体層に埋設する埋設工程（図１（ｃ）参照、被覆工程の一例）、埋設工程の後に、蛍光体層によって複数のＬＥＤ４を封止する封止工程（図１（ｃ）参照）、封止工程の後に、蛍光体層を各ＬＥＤ４に対応して切断して、複数の蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を得る切断工程（図１（ｄ）参照）、および、複数の蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を支持シート１から剥離する剥離工程（図１（ｅ）参照）を備える。
【００３０】
以下、第１実施形態の各工程を詳述する。
【００３１】
［配置工程］
配置工程では、図１（ａ）に示すように、まず、支持シート１を用意する。
【００３２】
支持シート１は、面方向に（厚み方向に対する直交方向。すなわち、左右方向および前後方向）に延びるシート形状をなし、平面視形状（厚み方向に投影したときの形状）は、例えば、矩形状に形成されている。支持シート１の１辺の長さは、例えば、１０ｍｍ以上、３００ｍｍ以下である。
【００３３】
支持シート１は、次に説明する蛍光体層５を支持できるように構成されており、例えば、支持板２と、支持板２の上面に積層される粘着層３とを備える。
【００３４】
支持板２は、面方向に延びる板形状をなし、支持シート１における下部に設けられており、支持シート１と平面視略同一形状に形成されている。
【００３５】
支持板２は、面方向に延伸不能な硬質の材料からなり、具体的には、そのような材料として、例えば、酸化ケイ素（石英など）、アルミナなどの酸化物、例えば、ステンレスなどの金属、例えば、シリコンなどが挙げられる。
【００３６】
支持板２の２３℃におけるヤング率は、例えば、１０６Ｐａ以上、好ましくは、１０７Ｐａ以上、より好ましくは、１０８Ｐａ以上であり、また、例えば、１０１２Ｐａ以下である。支持板２のヤング率が上記した下限以上であれば、支持板２の硬質を担保して、後述する蛍光体層５（図１（ｂ）参照）をより一層確実に支持することができる。なお、支持板２のヤング率は、例えば、ＪＩＳ  Ｈ  ７９０２：２００８の圧縮弾性率などから求められる。
【００３７】
支持板２の厚みは、例えば、０．１ｍｍ以上、好ましくは、０．３ｍｍ以上であり、また、例えば、５ｍｍ以下、好ましくは、２ｍｍ以下である。
【００３８】
粘着層３は、支持板２の上面全面に形成されている。
【００３９】
粘着層３を形成する粘着材料としては、例えば、アクリル系感圧接着剤、シリコーン系感圧接着剤などの感圧接着剤が挙げられる。また、粘着層３を、例えば、活性エネルギー線の照射によって粘着力が低下する活性エネルギー線照射剥離シート（具体的には、特開２００５−２８６００３号公報などに記載される活性エネルギー線照射剥離シート）、加熱によって粘着力が低下する熱剥離シート（具体的には、リバアルファ（日東電工社製）などの熱剥離シート）などから形成することができる。具体的には、後述する蛍光体層５（図１（ｂ）参照）の蛍光樹脂組成物が熱硬化性樹脂を含有する場合には、好ましくは、粘着層３を活性エネルギー線照射剥離シートから形成し、一方、後述する蛍光体層５の蛍光樹脂組成物が活性エネルギー線硬化性樹脂を含有する場合には、好ましくは、粘着層３を熱剥離シートから形成する。
【００４０】
粘着層３の厚みは、例えば、０．１ｍｍ以上、好ましくは、０．２ｍｍ以上であり、また、１ｍｍ以下、好ましくは、０．５ｍｍ以下である。
【００４１】
支持シート１を用意するには、例えば、支持板２と粘着層３とを貼り合わせる。なお、まず、支持板２を用意し、次いで、ワニスを支持板２に塗布する塗布方法などによって、粘着層３を支持板２に直接積層することもできる。
【００４２】
支持シート１の厚みは、例えば、０．２ｍｍ以上、好ましくは、０．５ｍｍ以上であり、また、６ｍｍ以下、好ましくは、２．５ｍｍ以下である。
【００４３】
そして、図１（ｂ）に示すように、蛍光体層５を、用意した支持シート１の上に配置する。
【００４４】
蛍光体層５を、例えば、封止シートとしての蛍光体シート２５から形成する。
【００４５】
蛍光体シート２５は、硬化性樹脂および蛍光体を含有する蛍光樹脂組成物から形成されている。
【００４６】
硬化性樹脂としては、例えば、加熱により硬化する熱硬化性樹脂、例えば、活性エネルギー線（例えば、紫外線、電子線など）の照射により硬化する活性エネルギー線硬化性樹脂などが挙げられる。好ましくは、熱硬化性樹脂が挙げられる。
【００４７】
具体的には、硬化性樹脂として、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などの熱硬化性樹脂が挙げられる。好ましくは、シリコーン樹脂が挙げられる。
【００４８】
シリコーン樹脂としては、例えば、２段階硬化型シリコーン樹脂、１段階硬化型シリコーン樹脂などのシリコーン樹脂が挙げられ、好ましくは、２段階硬化型シリコーン樹脂が挙げられる。
【００４９】
２段階硬化型シリコーン樹脂は、２段階の反応機構を有しており、１段階目の反応でＢステージ化（半硬化）し、２段階目の反応でＣステージ化（完全硬化）する熱硬化性シリコーン樹脂である。一方、１段階硬化型シリコーン樹脂は、１段階の反応機構を有しており、１段階目の反応で完全硬化する熱硬化性シリコーン樹脂である。
【００５０】
Ｂステージは、熱硬化性シリコーン樹脂が、液状であるＡステージと、完全硬化したＣステージとの間の状態であって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、圧縮弾性率がＣステージの弾性率よりも小さい状態である。
【００５１】
２段階硬化型シリコーン樹脂としては、例えば、縮合反応と付加反応との２つの反応系を有する縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂などが挙げられる。
【００５２】
硬化性樹脂の配合割合は、蛍光樹脂組成物に対して、例えば、３０質量％以上、好ましくは、５０質量％以上であり、また、例えば、９９質量％以下、好ましくは、９５量％以下である。
【００５３】
蛍光体は、波長変換機能を有しており、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体、青色光を赤色光に変換することのできる赤色蛍光体などが挙げられる。
【００５４】
黄色蛍光体としては、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）、Ｔｂ３Ａｌ３Ｏ１２：Ｃｅ（ＴＡＧ（テルビウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）などのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Ｃａ−α−ＳｉＡｌＯＮなどの酸窒化物蛍光体などが挙げられる。
【００５５】
赤色蛍光体としては、例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ２：Ｅｕなどの窒化物蛍光体などが挙げられる。
【００５６】
好ましくは、黄色蛍光体が挙げられる。
【００５７】
蛍光体の形状としては、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。好ましくは、流動性の観点から、球状が挙げられる。
【００５８】
蛍光体の最大長さの平均値（球状である場合には、平均粒子径）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
【００５９】
蛍光体の配合割合は、硬化性樹脂１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、０．５質量部以上であり、例えば、８０質量部以下、好ましくは、５０質量部以下である。
【００６０】
さらに、蛍光樹脂組成物は、充填剤を含有することもできる。
【００６１】
充填剤は、後述する反射成分を除く、公知の充填剤が挙げられ、具体的には、シリコーン粒子などの有機微粒子、例えば、シリカ、タルク、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素などの無機微粒子が挙げられる。充填剤の配合割合は、硬化性樹脂１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、０．５質量部以上であり、また、例えば、７０質量部以下、好ましくは、５０質量部以下である。
【００６２】
蛍光体シート２５を用意するには、硬化性樹脂および蛍光体ならびに必要により配合される充填剤を配合して、蛍光樹脂組成物を調製する。次いで、蛍光樹脂組成物を、図示しない離型シートの表面に塗布し、その後、加熱する。
【００６３】
硬化性樹脂が２段階硬化型シリコーン樹脂を含有する場合には、上記した加熱によって、硬化性樹脂がＢステージ化（半硬化）する。つまり、Ｂステージの蛍光体シート２５を用意する。
【００６４】
この蛍光体シート２５の２３℃における圧縮弾性率は、例えば、０．０１ＭＰａ以上、好ましくは、０．０４ＭＰａ以上であり、また、例えば、１．０ＭＰａ以下、好ましくは、０．２ＭＰａ以下である。
【００６５】
蛍光体シート２５の圧縮弾性率が上記上限以下であれば、十分な柔軟性を担保して、後述するＬＥＤ４（図１（ｂ）参照）を埋設することができる。蛍光体シート２５の圧縮弾性率が上記下限以上であれば、蛍光体シート２５の外形形状を確実に保持して、蛍光体シート２５の取扱性を向上させることができる。
【００６６】
そして、蛍光体シート２５を、粘着層３の上面に積層する。
【００６７】
これによって、蛍光体層５を、支持シート１の上に配置する。
【００６８】
その後、図示しない剥離シートを蛍光体層５から剥離する。
【００６９】
［埋設工程］
埋設工程では、まず、図１（ｂ）の仮想線で示すように、複数のＬＥＤ４を用意する。
【００７０】
ＬＥＤ４は、電気エネルギーを光エネルギーに変換する光半導体素子であり、例えば、厚みが面方向長さ（最大長さ）より短い断面視略矩形状および平面視略矩形状（図２参照）に形成されている。ＬＥＤ４としては、例えば、青色光を発光する青色ダイオード素子が挙げられる。また、各ＬＥＤ４の上面の一部は、図示しない端子によって形成されている。
【００７１】
ＬＥＤ４の面方向の１辺の長さは、例えば、０．１ｍｍ以上、３ｍｍ以下である。また、ＬＥＤ４の厚みは、例えば、０．０５ｍｍ以上、１ｍｍ以下である。
【００７２】
次いで、図１（ｂ）の矢印で示すように、用意したＬＥＤ４を、蛍光体層５の上面に載置する。
【００７３】
具体的には、複数のＬＥＤ４を、面方向に互いに間隔が隔てられるように、蛍光体層５の上面に載置する。
【００７４】
ＬＥＤ４の蛍光体層５への載置後、引き続いて、ＬＥＤ４を、それらの上面が露出されるように、蛍光体層５に埋設する。具体的には、ＬＥＤ４を、その上面が露出するように、蛍光体層５の上部に埋設する。
【００７５】
ＬＥＤ４を蛍光体層５に埋設するには、具体的には、まず、ＬＥＤ４の上面に離型シート１３を配置する。すなわち、離型シート１３を、厚み方向に投影したときに、複数のＬＥＤ４に重複するように、複数のＬＥＤ４の上面に載置する。より詳しくは、支持シート１と同一寸法あるいはそれより大きい寸法の１つの離型シート１３を、ＬＥＤ４の上面に載置する。
【００７６】
離型シート１３としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム（ＰＥＴなど）などのポリマーフィルム、例えば、セラミクスシート、例えば、金属箔などが挙げられる。好ましくは、ポリマーフィルムが挙げられる。また、離型シート１３の表面には、フッ素処理などの剥離処理を施すこともできる。
【００７７】
次いで、互いに対向配置される２つの平板を備えるプレス装置によって、支持シート１、ＬＥＤ４および離型シート１３からなる積層体をプレスする。
【００７８】
プレスの圧力は、例えば、０．１ＭＰａ以上、好ましくは、０．５ＭＰａ以上であり、また、例えば、５０ＭＰａ以下、好ましくは、１０ＭＰａ以下である。
【００７９】
また、プレスとともに、蛍光体層５を加熱することもできる。つまり、蛍光体層５およびＬＥＤ４を熱プレスすることができる。加熱温度は、例えば、８０℃以上、好ましくは、１００℃以上であり、また、例えば、２００℃以下、好ましくは、１８０℃以下である。
【００８０】
プレスによって、各ＬＥＤ４は、各上面が離型シート１３によって被覆されながら、蛍光体層５の上部に圧入される。各ＬＥＤ４の側面および下面は、蛍光体層５によって被覆される。
【００８１】
また、ＬＥＤ４の周囲の蛍光体層５は、その上面が、ＬＥＤ４の周囲の離型シート１３によって押圧される一方、ＬＥＤ４の上面が離型シート１３によって被覆されているので、ＬＥＤ４の上面に接触しない。
【００８２】
また、蛍光体層５の上面と、ＬＥＤ４の上面とは、面一に形成される。
【００８３】
その後、図１（ｃ）に示すように、離型シート１３を蛍光体層５および複数のＬＥＤ４から剥離する。
【００８４】
［封止工程］
封止工程では、図１（ｄ）に示すように、蛍光体層５を硬化させる。硬化性樹脂が熱硬化性樹脂である場合には、蛍光体層５を熱硬化させる。具体的には、蛍光体層５を、例えば、８０℃以上、好ましくは、１００℃以上、また、例えば、２００℃以下、好ましくは、１８０℃以下に、加熱する。なお、蛍光体層５を熱硬化させる場合には、上記した図１（ｃ）の熱プレスにおいて、複数のＬＥＤ４の蛍光体層５への埋設と併せて実施することもできる。
【００８５】
熱硬化性樹脂が２段階硬化型シリコーン樹脂を含有し、ＬＥＤ４を埋設する蛍光体層５がＢステージである場合には、蛍光体層５は、上記した加熱によって、完全硬化してＣステージとなる。
【００８６】
また、熱硬化性樹脂が１段階硬化型シリコーン樹脂を含有する場合には、蛍光体層５は、上記した加熱によって、完全硬化してＣステージとなる。
【００８７】
あるいは、硬化性樹脂が活性エネルギー線硬化性樹脂である場合には、蛍光体層５に活性エネルギー線を照射する。
【００８８】
硬化（完全硬化）した蛍光体層５は、可撓性を有しており、具体的には、２３℃における圧縮弾性率が、例えば、０．５ＭＰａ以上、好ましくは、１．０ＭＰａ以上であり、また、例えば、１００ＭＰａ以下、好ましくは、１０ＭＰａ以下である。
【００８９】
蛍光体層５の圧縮弾性率が上記上限以下であれば、可撓性を確実に担保することができ、例えば、次の切断工程（図１（ｅ）参照）において、カッティング装置（後述）を用いて、蛍光体層５を切断することもできる。蛍光体層５の圧縮弾性率が上記下限以上であれば、切断後の蛍光体層５の形状を保持することができる。
【００９０】
これにより、ＬＥＤ４の側面および下面が、蛍光体層５によって密着状に被覆される。つまり、Ｃステージの蛍光体層５によってＬＥＤ４が封止される。なお、各ＬＥＤ４の上面は、その周囲の蛍光体層５から露出している。
【００９１】
［切断工程］
図１（ｃ）で示すように、切断工程では、ＬＥＤ４の周囲の可撓性の蛍光体層５を、厚み方向に沿って切断する。例えば、図２の１点破線で示すように、蛍光体層５を、例えば、各ＬＥＤ４を囲む平面視略矩形状に、切断する。
【００９２】
蛍光体層５を切断するには、例えば、図１（ｄ）で示される円盤状のダイシングソー（ダイシングブレード）３１を用いるダイシング装置、カッターを用いるカッティング装置、レーザー照射装置などが用いられる。
【００９３】
また、蛍光体層５の切断は、上側から、ＬＥＤ４の位置を確認しながら、実施する。具体的には、蛍光体層５を、例えば、カメラなどによって、視認しながら、ＬＥＤ４の位置を確認する。また、図２に示すように、平面視において、ＬＥＤ４を囲む領域を区画する切り目８が形成されるように、蛍光体層５を切断する。
【００９４】
なお、図１（ｄ）に示すように、蛍光体層５の切断では、例えば、切り目８が支持シート１を貫通しないように、具体的には、粘着層３を貫通しないように、蛍光体層５の上面から下面に向かって切断する。
【００９５】
図２が参照されるように、左右方向に対向する切り目８間の間隔、および、前後方向に対向する切り目８間の間隔は、例えば、０．１ｍｍ以上、好ましくは、０．３ｍｍ以上であり、また、例えば、５ｍｍ以下、好ましくは、３ｍｍ以下である。
【００９６】
切断工程によって、図１（ｄ）に示すように、１つのＬＥＤ４と、ＬＥＤ４を埋設する蛍光体層５とを備える蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を、支持シート１に密着する状態で得る。
【００９７】
また、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０では、ＬＥＤ４の上面の一部を形成する端子が、露出する一方、ＬＥＤ４の下面および側面が、蛍光体層５によって密着状に被覆されている。
【００９８】
［剥離工程］
図１（ｅ）において、剥離工程では、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を粘着層３の上面から剥離する。つまり、蛍光体層５と粘着層３との間の界面剥離が起こるように、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を支持板２および粘着層３から剥離する。
【００９９】
具体的には、粘着層３が活性エネルギー線照射剥離シートから形成される場合には、活性エネルギー線を粘着層３に照射する。あるいは、粘着層３が熱剥離シートから形成される場合には、粘着層３を加熱する。
【０１００】
これらの処理によって、支持シート１から剥離された蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を得る。
【０１０１】
［実装工程］
その後、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を発光波長や発光効率に応じて選別した後、図１（ｇ）に示すように、選別された蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を基板９に実装する。これによって、ＬＥＤ装置１５を得る。
【０１０２】
具体的には、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を上下反転し、そして、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０の下面の一部を形成する端子（図示せず）を、基板９の上面に設けられる端子（図示せず）と対向するように、基板９と対向配置させる。つまり、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０のＬＥＤ４を基板９にフリップチップ実装する。
【０１０３】
これにより、基板９と、基板９に実装される蛍光体層被覆ＬＥＤ１０とを備えるＬＥＤ装置１５を得る。
【０１０４】
その後、必要により、図１（ｆ）の仮想線で示すように、ＬＥＤ装置１５に、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を封止する封止保護層２０を設ける。
【０１０５】
そして、上記した蛍光体埋設ＬＥＤ１０の製造方法によれば、埋設工程において、ＬＥＤ４を、その一方面が露出されるように、蛍光体層５によって下面および側面が被覆されている、より具体的には、ＬＥＤ４を蛍光体層５に埋設するので、埋設工程後に、上面が露出されるＬＥＤ４を視認しながら、そのＬＥＤ４に対応して蛍光体層５を精度よく切断することができる。そのため、得られる蛍光体層被覆ＬＥＤ１０は、寸法安定性に優れる。その結果、かかる蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を備えるＬＥＤ装置１５は、発光安定性に優れる。
【０１０６】
また、この蛍光体層被覆ＬＥＤ１０の製造方法によれば、蛍光体層５によって、ＬＥＤ４から発光される光の波長を変換させることができる。そのため、ＬＥＤ装置１５の発光効率を向上させることができる。
【０１０７】
また、埋設工程では、複数のＬＥＤ４を、各ＬＥＤ４の一方面が露出されるように、蛍光体層５に埋設し、切断工程では、蛍光体層５を各ＬＥＤ４に対応して切断して、複数の蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を得るので、複数の蛍光体層被覆ＬＥＤ１０に対応して蛍光体層５を切断するので、寸法安定性に優れる個片化された蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を得ることができる。
【０１０８】
また、配置工程において、蛍光体層５を、硬化性樹脂を含有するＢステージの蛍光体シート２５から形成すれば、埋設工程において、Ｂステージの蛍光体層５に、ＬＥＤ４を容易かつ確実に埋設することができ、さらに、封止工程において、蛍光体層５を硬化させてＣステージにし、Ｃステージの蛍光体層５によってＬＥＤ４を確実に封止することができる。
【０１０９】
そのため、信頼性に優れる蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を得ることができる。
【０１１０】
また、蛍光体層５は、蛍光体シート２５から形成されていれば、蛍光体シート２５によって、複数のＬＥＤ４を一括して埋設することができる。そのため、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０の製造効率を向上させることができる。
【０１１１】
また、上記した方法によって得られる蛍光体層被覆ＬＥＤ１０は、寸法安定性に優れる。
【０１１２】
また、このＬＥＤ装置１５は、寸法安定性に優れる蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を備えるので、発光安定性に優れる。
【０１１３】
＜変形例＞  
第１実施形態では、ＬＥＤ４を蛍光体層５に載置した後、離型シート１３をＬＥＤ４に載置しているが、例えば、離型シート１３が整列状に積層された離型シート１３を用意し、その後、それらを上限反転させて、続いて、蛍光体層５に積層することもできる。
【０１１４】
また、第１実施形態では、図１（ｂ）に示すように、離型シート１３をＬＥＤ４の上面に配置しているが、例えば、図示しないが、離型シート１３を、図示しないプレス装置の上板の下面に設けることもできる。好ましくは、図１（ｂ）に示すように、離型シート１３を蛍光体層５に積層されたＬＥＤ４の上面に予め配置する。
【０１１５】
また、第１実施形態では、蛍光体を含有する蛍光樹脂組成物から蛍光体シート２５および蛍光体層５を形成しているが、例えば、蛍光体を含有しない樹脂組成物から封止シート２５および封止層５を形成することもできる。その場合には、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０は、封止層埋設ＬＥＤ１０として得られる。
【０１１６】
また、第１実施形態では、複数のＬＥＤ４を蛍光体層５に埋設しているが、例えば、単数のＬＥＤ４を蛍光体層５に埋設することもできる。
【０１１７】
その場合には、図１（ｄ）に示す切断工程では、ＬＥＤ４の周囲の蛍光体層５を、所望の寸法となるように、外形加工（トリミング）する。
【０１１８】
また、図１の実施形態では、まず、切断工程において、図１（ｄ）の破線で示すように、切断工程を実施して、蛍光体層５を、１つのＬＥＤ４を備える蛍光体層被覆ＬＥＤ１０に個片化しているが、例えば、図示しないが、１つのＬＥＤ４を備える蛍光体層被覆ＬＥＤ１０に個片化することなく、複数のＬＥＤ４を備える蛍光体層被覆ＬＥＤ１０をそのまま得ることもできる。なお、図１（ｄ）に示す切断工程では、複数のＬＥＤ４を埋設する蛍光体層５を、所望の寸法となるように、外形加工（トリミング）する。
【０１１９】
また、第１実施形態では、本発明における光半導体素子、封止層被覆光半導体素子および光半導体装置として、それぞれ、ＬＥＤ４、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０およびＬＥＤ装置１５を一例として説明しているが、例えば、それぞれ、ＬＤ（レーザーダイオード）４、蛍光体層被覆ＬＤ１０およびレーザーダイオード装置１５とすることができる。
【０１２０】
＜第２実施形態＞
第２実施形態の図面において、第１実施形態と同様の部材については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１２１】
第１実施形態では、図１（ａ）および図２に示すように、支持板２を平板状に形成しているが、例えば、図３（ａ）および図４に示すように、支持板２に貫通孔２１を形成することもできる。
【０１２２】
［配置工程］
貫通孔２１は、後述する押圧部材１４（図３（ｅ’）参照）を挿入するための挿入孔であって、図４に示すように、支持板２において、その後に配置されるＬＥＤ４に対応して設けられ、間隔を隔てて複数設けられている。例えば、貫通孔２１は、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を個片化したときにそれぞれの蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を押圧できるように配置されている。
【０１２３】
より具体的には、複数の貫通孔２１が平面視において前後左右に互いに等間隔を隔てるように、支持シート１に整列配置されている。
【０１２４】
貫通孔２１の形状は、例えば、平面視円形状をなし、その大きさは、孔径が、例えば、０．１ｍｍ以上、好ましくは、０．２ｍｍ以上であり、また、例えば、１ｍｍ以下、好ましくは、０．７ｍｍ以下である。
【０１２５】
また、貫通孔２１の大きさ（平面積）は、ＬＥＤ４の大きさ（平面積）に対して、例えば、１０％以上、好ましくは、２０％以上であり、また、例えば、９０％以下であり、好ましくは、８０％以下である。
【０１２６】
また、粘着層３は、支持板２の上面に貫通孔２１を被覆するように積層されている。
【０１２７】
［埋設工程］
図３（ｂ）に示すように、埋設工程では、まず、複数のＬＥＤ４のそれぞれを、貫通孔２１に対応する蛍光体層５の上面に載置する。続いて、各ＬＥＤ４を、各上面が露出するように、蛍光体層５に埋設する。
【０１２８】
［剥離工程］
剥離工程では、図３（ｅ）に示すように、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を粘着層３から剥離する。剥離工程では、図３（ｅ’）に示すように、針などの押圧部材１４と、コレットなどの吸引部材１６とを備えるピックアップ装置１７を用いて、貫通孔２１を介して押圧部材１４により粘着層３を押圧し、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を支持板２および粘着層３から剥離する。
【０１２９】
詳しくは、まず、支持シート１をピックアップ装置１７に設置して、押圧部材１４を剥離したい蛍光体層被覆ＬＥＤ１０に対応する貫通孔２１に対して下側から対向配置させる。
【０１３０】
そして、貫通孔２１に、押圧部材１４を下側から挿入する。
【０１３１】
すると、貫通孔２１に対応する粘着層３が、支持板２に対して相対的に上側に押圧され、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０とともに押し上げられる。
【０１３２】
押し上げられた蛍光体層被覆ＬＥＤ１０は、吸引部材１６によって吸引される。
【０１３３】
そして、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０は、吸引部材１６によって吸引されながら、支持板２に対して相対的に上側へさらに移動し、その後、粘着層３から剥離する。
【０１３４】
なお、必要により、剥離工程の前に、紫外線照射、薬液または加熱によって粘着層３の粘着力を低下させてから、蛍光体層埋設ＬＥＤ１０を容易に剥離することもできる。
【０１３５】
これによって、図３（ｅ）に示すように、支持シート１から剥離された蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を得る。
【０１３６】
＜変形例＞
図２の実施形態では、まず、切断工程において、図３（ｄ）の破線で示すように、蛍光体層５を、１つのＬＥＤ４を備える蛍光体層被覆ＬＥＤ１０に個片化し、次いで、剥離工程において、図３（ｅ）に示すように、複数の蛍光体層被覆ＬＥＤ１０のそれぞれを粘着層３から剥離している。しかし、図５に示すように、切断工程において、複数のＬＥＤ４およびそれに対応する蛍光体層５を個片化せずに、剥離工程において、複数のＬＥＤ４を備える蛍光体層埋設ＬＥＤ１０を粘着層３から剥離することもできる。
【０１３７】
その場合には、ピックアップ装置１７は、図５に示すように、複数のＬＥＤ４に対応して、複数の押圧部材１４と複数の吸引部材１６とを備え、複数の押圧部材１４は連動して同時に上下移動する。
【０１３８】
複数のＬＥＤ４を剥離するには、まず、複数のＬＥＤ４をピックアップ装置１７に設置して、複数の押圧部材１４をそれぞれ複数の貫通孔２１に対して下側から対向配置させる。
【０１３９】
そして、複数の貫通孔２１に、複数の押圧部材１４を下側から同時に挿入する。
【０１４０】
すると、粘着層３全体が、支持板２に対して相対的に上側に押圧され、複数のＬＥＤ４および蛍光体層５とともに押し上げられる。
【０１４１】
押し上げられた複数のＬＥＤ４および蛍光体層５は、複数の吸引部材１６によって吸引される。
【０１４２】
そして、複数のＬＥＤ４および蛍光体層５は、複数の吸引部材１６によって吸引されながら、支持板２に対して相対的に上側さらに移動し、その後、粘着層３から剥離される。
【０１４３】
＜第３実施形態＞
第３実施形態の図面において、第１および第２実施形態と同様の部材については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１４４】
第１実施形態における剥離工程（図１（ｅ）参照）では、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を支持板２および粘着層３から剥離しているが、例えば、図６（ｅ）に示すように、まず、支持板２を粘着層３から剥離し、その後、図６（ｆ）に示すように、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を粘着層３のみから剥離することもできる。
【０１４５】
つまり、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０の製造方法は、第１実施形態と同じ、配置工程（図６（ｂ）参照）、埋設工程（図６（ｃ）参照）、封止工程（図６（ｄ）参照）、切断工程（図６（ｄ）の破線参照）および剥離工程（図６（ｆ）参照）を備え、さらに、切断工程（図６（ｄ）参照）の後で、剥離工程（図６（ｆ）参照）の前に、図６（ｅ）に示すように、支持板２を粘着層３から剥離する支持板剥離工程をさらに備える。
【０１４６】
［支持板剥離工程］
図６（ｅ）に示すように、支持板剥離工程では、支持板２を粘着層３の下面から剥離する。
【０１４７】
支持板２を粘着層３から剥離するには、例えば、粘着層３を、紫外線などの活性エネルギー線を照射することにより粘着力が低下する感圧接着剤から形成し、そして、かかる粘着層３に活性エネルギー線を照射して、粘着層３の粘着力を低下させる。その後、支持板２をかかる粘着層３から剥離する。
【０１４８】
あるいは、粘着層３を、加熱によって粘着力が低下する感圧接着剤から形成し、そして、かかる粘着層３に加熱して、粘着層３の粘着力を低下させる。その後、支持板２をかかる粘着層３から剥離する。
【０１４９】
［剥離工程］
次いで、図６（ｆ）の矢印で示す剥離工程では、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を粘着層３から剥離する。
【０１５０】
具体的には、図６（ｆ’）に示すように、ピックアップ装置１７によって、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を粘着層３から剥離する。ピックアップ装置１７では、押圧部材１４が、剥離したい蛍光体層被覆ＬＥＤ１０に対応する粘着層３を下方から押圧する（押し上げる）ことによって、剥離したい蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を上方に押し上げて、押し上げられた蛍光体層被覆ＬＥＤ１０をコレットなどの吸引部材１６によって吸引しながら粘着層３から剥離する。
【０１５１】
これによって、図６（ｆ）に示すように、支持シート１から剥離された蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を得る。
【０１５２】
そして、第３実施形態によれば、剥離工程では、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を粘着層３から剥離するので、つまり、支持シート１には、硬質の支持板２が粘着層３からすでに剥離されているので、上記したピックアップ装置１７を利用して、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を粘着層３から容易かつ確実に剥離することができる。
【０１５３】
＜第４実施形態＞
第４実施形態の図面において、第１〜第３実施形態と同様の部材については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１５４】
第１実施形態の剥離工程（図１（ｅ）参照）では、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を支持シート１から剥離し、実装工程（図１（ｆ）参照）では、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０をそのまま基板９に実装している。しかし、例えば、図７（ｅ）および図７（ｆ）に示すように、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を転写シート１１および延伸支持シート１２に順次転写し、その後、図７（ｇ）に示すように、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を延伸支持シート１２から剥離することもできる。
【０１５５】
［剥離工程］
剥離工程は、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を延伸支持シート１２に転写する転写工程（図７（ｆ）参照）、および、延伸支持シート１２を面方向に延伸させながら、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を延伸支持シート１２から剥離する再剥離工程（図７（ｇ）および図７（ｇ’）参照）を備える。
【０１５６】
［転写工程］
蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を延伸支持シート１２に転写するには、予め、図７（ｄ）の矢印および図７（ｅ）に示すように、切断工程（図７（ｄ）の破線）後の蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を転写シート１１に転写する（第１転写工程）。
【０１５７】
転写シート１１は、次に説明する延伸支持シート１２と同様の材料および厚みで形成されている。
【０１５８】
蛍光体層被覆ＬＥＤ１０の転写シート１１への転写によって、図示しない端子によって一部が形成されるＬＥＤ４の下面は、転写シート１１の上面に接触（密着）する。
【０１５９】
その後、図７（ｆ）に示すように、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を延伸支持シート１２に転写する（第２転写工程）。
【０１６０】
延伸支持シート１２は、面方向に延伸可能な延伸可能粘着シートであって、例えば、活性エネルギー線の照射によって粘着力が低下する活性エネルギー線照射剥離シート（具体的には、特開２００５−２８６００３号公報などに記載される活性エネルギー線照射剥離シート）、加熱によって粘着力が低下する熱剥離シート（具体的には、リバアルファ（登録商標、日東電工社製）などの熱剥離シート）などが挙げられ、好ましくは、活性エネルギー線照射剥離シートなど挙げられる。
【０１６１】
延伸支持シート１２の２３℃における引張弾性率は、例えば、０．０１ＭＰａ以上、好ましくは、０．１ＭＰａ以上であり、また、例えば、１０ＭＰａ以下、好ましくは、１ＭＰａ以下である。
【０１６２】
延伸支持シート１２の厚みは、例えば、０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下である。
【０１６３】
延伸支持シート１２は、市販品を用いることができ、具体的には、ＵＥシリーズ（日東電工社製）などが用いられる。
【０１６４】
蛍光体層被覆ＬＥＤ１０の延伸支持シート１２への転写によって、図示しない端子によって一部が形成されるＬＥＤ４の上面は、蛍光体層５から露出する。
【０１６５】
［再剥離工程］
転写工程後、図７（ｇ）に示すように、延伸支持シート１２を面方向に延伸させながら、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を延伸支持シート１２から剥離する。
【０１６６】
具体的には、まず、図７（ｆ）の矢印で示すように、延伸支持シート１２を面方向外側に延伸させる。これによって、図７（ｇ）に示すように、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０は、延伸支持シート１２に密着した状態で、切り目８に引張応力が集中するので、切り目８が広がり、そして、各ＬＥＤ４が互いに離間して、隙間１９が形成される。隙間１９は、各ＬＥＤ４を隔てるように、平面視略格子形状（略碁盤目形状）に形成される。
【０１６７】
続いて、図７（ｇ’）に示すように、押圧部材１４によって、剥離したい蛍光体層被覆ＬＥＤ１０に対応する延伸支持シート１２を下方から押し上げながら、かかる蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を上方に押し上げて、押し上げられた蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を吸引部材１６によって吸引しながら延伸支持シート１２から剥離する。
【０１６８】
また、延伸支持シート１２が活性エネルギー線照射剥離シートである場合には、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を延伸支持シート１２から剥離するときに、延伸支持シート１２に活性エネルギー線を照射する。あるいは、延伸支持シート１２が熱剥離シートである場合には、延伸支持シート１２を加熱する。これらの処理によって、延伸支持シート１２の粘着力が低下するので、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を延伸支持シート１２から容易かつ確実に剥離することができる。
【０１６９】
これによって、支持シート１から剥離された蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を得る。
【０１７０】
そして、第４実施形態では、延伸支持シート１２を面方向に延伸させながら、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を延伸支持シート１２から剥離する。
【０１７１】
そのため、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０の周囲には隙間１９が形成されているので、かかる蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を、ピックアップ装置１７を利用して、延伸支持シート１２からより一層容易かつ確実に剥離することができる。
【０１７２】
しかも、剥離したい蛍光体層被覆ＬＥＤ１０と、それに隣接する蛍光体層被覆ＬＥＤ１０との間に隙間１９が形成されるので、吸引部材１６を剥離したい蛍光体層被覆ＬＥＤ１０に近接させたときに、それに隣接する蛍光体層被覆ＬＥＤ１０に吸引部材１６が接触して、かかる蛍光体層被覆ＬＥＤ１０が損傷することを防止することもできる。
【０１７３】
＜第５実施形態＞
第５実施形態の図面において、第１〜第４実施形態と同様の部材については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１７４】
第５実施形態では、図８（ａ）に示すように、まず、支持台としての支持シート１に代えて延伸支持シート１２を用意し、続いて、配置工程（図８（ｂ）参照）、埋設工程（図８（ｃ）参照）、封止工程（図８（ｃ）参照）、切断工程（図８（ｃ）の破線参照）、剥離工程（図８（ｄ）参照）を順次実施する。また、第５実施形態のＬＥＤ装置１５の製造方法は、実装工程（図８（ｅ）参照）を備える。
【０１７５】
［配置工程］
図８（ｂ）に示すように、配置工程では、蛍光体シート２５を延伸支持シート１２の上面に積層することにより、延伸支持シート１２の上面に、蛍光体層５を形成する。
【０１７６】
［切断工程］
図８（ｃ）の破線で示すように、切断工程では、延伸支持シート１２に支持される蛍光体層５を切断する。
【０１７７】
＜第６実施形態＞
第６実施形態の図面において、第１〜第７実施形態と同様の部材については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１７８】
第６実施形態の蛍光体層被覆ＬＥＤ１０の製造方法は、図９（ａ）〜図９（ｅ）に示すように、配置工程（図９（ａ）および図９（ｂ）参照）、埋設工程（図９（ｃ）参照）、活性エネルギー線を蛍光体層５に照射して、蛍光体層５によってＬＥＤ４を封止する封止工程（図９（ｃ）参照）、切断工程（図９（ｄ）参照）、および、剥離工程（図９（ｅ）参照）を備える。また、第６実施形態のＬＥＤ装置１５の製造方法は、実装工程（図９（ｆ）参照）を備える。
【０１７９】
以下、第６実施形態の各工程を詳述する。
【０１８０】
＜配置工程＞
図９（ａ）に示すように、配置工程において、支持シート３２は、面方向（厚み方向に対する直交方向）に延びるシート形状をなし、次に説明する蛍光体層５と同一またはそれより大きい平面視略形状をなし、具体的には、平面視略矩シート形状に形成されている。
【０１８１】
支持シート３２は、後述する蛍光体層５の加熱硬化に対する耐熱性が不要であることから、耐熱性が低いシートから選択されることもできる。また、支持シート３２に透明性を備えさせることもできる。そのような支持シート３２としては、蛍光体層５を支持可能で、かつ、面方向に延伸可能である。また、支持シート３２は、例えば、加熱によって粘着力が低下する熱剥離シート（具体的には、リバアルファ（登録商標、日東電工社製）などの熱剥離シート）、または、活性エネルギー線（例えば、紫外線、電子線など）の照射によって粘着力が低下する活性エネルギー線照射剥離シート（具体的には、特開２００５−２８６００３号公報などに記載される活性エネルギー線照射剥離シート）であってもよい。なお、支持シート３２が活性エネルギー線照射剥離シートである場合には、活性エネルギー線の蛍光体層５への照射によって支持シート３２の粘着力が低下しないように、活性エネルギー線硬化性樹脂や照射条件が選択される。
【０１８２】
支持シート３２の１辺の長さは、例えば、１０ｍｍ以上、３００ｍｍ以下である。
【０１８３】
支持シート３２の２３℃における引張弾性率は、例えば、１×１０４Ｐａ以上、好ましくは、１×１０５Ｐａ以上であり、また、例えば、１×１０９Ｐａ以下である。支持シート３２の引張弾性率が上記した下限以上であれば、支持シート３２の面方向の延伸性を担保して、後述する支持シート３２の面方向の延伸（図９（ｅ）参照）を円滑に実施することができる。
【０１８４】
支持シート３２の厚みは、例えば、０．１ｍｍ以上、好ましくは、０．２ｍｍ以上であり、また、例えば、１ｍｍ以下、好ましくは、０．５ｍｍ以下である。
【０１８５】
図９（ｂ）に示される蛍光体層５は、活性エネルギー線硬化性樹脂および蛍光体を含有する蛍光樹脂組成物から形成されている。
【０１８６】
活性エネルギー線硬化性樹脂は、活性エネルギー線の照射によって硬化する硬化性樹脂であり、具体的には、シリコーン半硬化体が挙げられ、そのようなシリコーン半硬化体は、第１のシリコーン樹脂組成物または第２のシリコーン樹脂組成物を加熱することにより、シートとして得られる。
【０１８７】
以下、第１のシリコーン樹脂組成物および第２のシリコーン樹脂組成物をそれぞれ詳述する。
［第１のシリコーン樹脂組成物］
第１のシリコーン樹脂組成物は、例えば、加熱によって縮合可能な少なくとも１対の縮合可能置換基と、活性エネルギー線によって付加可能な少なくとも１つの付加可能置換基とを含有する第１のポリシロキサンと、活性エネルギー線によって付加可能であり、第１のポリシロキサンの付加可能置換基と１対をなす、少なくとも１つの付加可能置換基を含有する第２のポリシロキサンとを含有する。
【０１８８】
１対の縮合可能置換基としては、例えば、ヒドロキシル基（−ＯＨ）、アルコキシ基、アシルオキシ基、アミノ基（−ＮＨ２）、アルキルアミノ基、アルケニルオキシ基およびハロゲン原子からなる群から選ばれる少なくとも１つの置換基と、ヒドロキシル基との組合せ（第１の組合せ群）が挙げられる。
【０１８９】
アルコキシ基は、−ＯＲ１で示される。Ｒ１は、アルキル基またはシクロアルキル基を示す。アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、ヘキシルチル基などの、直鎖状または分岐状の炭素数１以上２０以下のアルキル基が挙げられる。好ましくは、炭素数１以上のアルキル基、また好ましくは、炭素数１０以下のアルキル基、より好ましくは、炭素数６以下のアルキル基が挙げられる。シクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの、炭素数３以上６以下のシクロアルキル基が挙げられる。
【０１９０】
アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基など、炭素数１以上２０以下の直鎖状または分岐状のアルキル基を有するアルコキシ基などが挙げられる。
【０１９１】
また、アルコキシ基として、例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基などの、炭素数３以上６以下のシクロアルキル基を有するアルコキシ基なども挙げられる。
【０１９２】
アルコキシ基として、好ましくは、調製のし易さや熱安定性の観点から、炭素数１以上のアルキル基を有するアルコキシ基が挙げられ、また、好ましくは、炭素数１０以下のアルキル基を有するアルコキシ基が挙げられ、より好ましくは、炭素数６以下のアルキル基を有するアルコキシ基、さらに好ましくは、メトキシ基が挙げられる。
【０１９３】
アシルオキシ基は、−ＯＣＯＲ１で示される。Ｒ１は、上記したアルキル基またはシクロアルキル基を示す。Ｒ１として、好ましくは、アルキル基が挙げられる。
【０１９４】
アシルオキシ基としては、例えば、アセトキシ基（−ＯＣＯＣＨ３）、−ＯＣＯＣ２Ｈ５、−ＯＣＯＣ３Ｈ７などが挙げられる。好ましくは、アセトキシ基が挙げられる。
【０１９５】
アルキルアミノ基は、モノアルキルアミノ基およびジアルキルアミノ基を含む。
【０１９６】
モノアルキルアミノ基は、−ＮＲ２Ｈで示される。Ｒ２は、アルキル基またはシクロアルキル基を示す。Ｒ２として、好ましくは、アルキル基が挙げられる。モノアルキルアミノ基としては、例えば、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基など、Ｎ置換アルキル基の炭素数が１以上１０以下のモノアルキルアミノ基が挙げられる。
【０１９７】
ジアルキルアミノ基は、−ＮＲ２２で示される。Ｒ２は、同一または相異していてもよいアルキル基またはシクロアルキル基を示す。Ｒ２は、上記と同義である。ジアルキルアミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジｎ−プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、エチルメチルアミノ基、メチルｎ−プロピルアミノ基、メチルイソプロピルアミノ基など、Ｎ，Ｎ置換アルキルの炭素数が１以上１０以下のジアルキルアミノ基が挙げられる。
【０１９８】
アルキルアミノ基として、好ましくは、ジアルキルアミノ基、より好ましくは、Ｎ，Ｎ置換アルキルの炭素数が同数のジアルキルアミノ基、さらに好ましくは、ジメチルアミノ基が挙げられる。
【０１９９】
アルケニルオキシ基は、−ＯＣＯＲ３で示される。Ｒ３は、アルケニル基、シクロアルケニルを示す。アルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基などの炭素数３以上１０以下のアルケニル基が挙げられる。シクロアルケニル基としては、例えば、シクロヘキセニル基、シクロオクテニル基、ノルボルネニル基などの炭素数３以上１０以下のシクロアルケニル基が挙げられる。
【０２００】
アルケニルオキシ基として、好ましくは、炭素数２以上１０以下のアルケニル基を含有するアルケニルオキシ基が挙げられ、より好ましくは、イソプロペニル基が挙げられる。
【０２０１】
ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。好ましくは、塩素原子が挙げられる。
【０２０２】
第１の組合せ群として、具体的には、例えば、ヒドロキシル基同士の組合せ、アルコキシ基とヒドロキシル基との組合せ、アシルオキシ基とヒドロキシル基との組合せ、アミノ基とヒドロキシル基との組合せ、アルキルアミノ基とヒドロキシル基との組合せ、アルケニルオキシ基とヒドロキシル基との組合せ、ハロゲン原子とヒドロキシル基との組合せなど、１対の組合せが挙げられる。
【０２０３】
さらに、例えば、アルコキシ基と、アシルオキシ基と、ヒドロキシル基との組合せなど、２対（具体的には、アルコキシ基とヒドロキシル基との１対と、アシルオキシ基とヒドロキシル基との１対との合計２対）以上の組合せも挙げられる。
【０２０４】
第１の組合せ群として、好ましくは、ヒドロキシル基同士の組合せ、アルコキシ基とヒドロキシル基との組合せ、より好ましくは、アルコキシ基とヒドロキシル基との組合せ、さらに好ましくは、炭素数１以上１０以下のアルキル基を有するアルコキシ基とヒドロキシル基との組合せ、とりわけ好ましくは、メトキシ基とヒドロキシル基との組合せが挙げられる。
【０２０５】
そして、第１の組合せ群からなる１対の縮合可能置換基は、下記式（１）で示される縮合、つまり、シラノール縮合によって、２つのケイ素原子が酸素原子を介して結合する。
式（１）：
【０２０６】
【化１】
2014130918.tif 000003
【０２０７】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３は、上記同義である。）
１対の縮合可能置換基として、例えば、ヒドロキシル基およびアルコキシ基から選ばれる少なくとも１つの置換基と、水素原子との組合せ（第２の組合せ群）も挙げられる。
【０２０８】
アルコキシ基としては、第１の組合せ群で挙げたアルコキシ基が挙げられる。
【０２０９】
第２の組合せ群として、具体的には、例えば、ヒドロキシル基と水素原子との組合せ、アルコキシ基と水素原子との組合せなど、１対の組合せが挙げられる。
【０２１０】
さらに、例えば、ヒドロキシル基と、アルコキシ基と、水素原子との組合せなど、２対（具体的には、ヒドロキシル基と水素原子との１対と、アルコキシ基と水素原子との１対との合計２対）以上の組合せも挙げられる。
【０２１１】
そして、第２の組合せ群からなる１対の縮合可能置換基は、下記式（２）で示される縮合、つまり、ヒドロシラン縮合によって、２つのケイ素原子が酸素原子を介して結合する。
式（２）：
【０２１２】
【化２】
2014130918.tif 000004
【０２１３】
（式中、Ｒ１は、上記と同義である。）
上記した第１の組合せ群および第２の組合せ群を、第１のポリシロキサンに、単独の群で、または、複数の群を併用して、含有することができる。
【０２１４】
各縮合可能置換基は、第１のポリシロキサンの分子を構成する主鎖の末端、主鎖の途中、および／または、主鎖から分岐する側鎖におけるケイ素原子に結合する。好ましくは、一方の縮合可能置換基（好ましくは、ヒドロキシル基）が、主鎖の両末端のケイ素原子に結合し、他方の縮合可能置換基（好ましくは、アルコキシ基）が、主鎖の途中のケイ素原子に結合する（後述の式（１６）参照）。
【０２１５】
１対の付加可能置換基において、一方の付加可能置換基は、第１のポリシロキサンに少なくとも１つ含有され、他方の付加可能置換基は、第２のポリシロキサンに少なくとも１つ含有されている。
【０２１６】
１対の付加可能置換基としては、例えば、ヒドロシリル基とエチレン性不飽和基含有基との組合せ、（メタ）アクリロイル基含有基同士の組合せ、エポキシ基含有基同士の組合せ、チオール基含有基とエチレン性不飽和基含有基との組合せなどが挙げられる。
【０２１７】
ヒドロシリル基は、−ＳｉＨで示され、ケイ素原子に水素原子が直接結合する基である。
【０２１８】
エチレン性不飽和基含有基は、分子内にエチレン性不飽和基を含有しており、エチレン性不飽和基含有基として、例えば、上記したアルケニル基、シクロアルケニル基が挙げられる。好ましくは、アルケニル基、より好ましくは、ビニル基が挙げられる。
【０２１９】
（メタ）アクリロイル基含有基は、分子内にメタクリロイル基（ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）ＣＯＯ−）および／またはアクリロイル基（ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯ−）を含有し、具体的には、下記式（３）で示される。
式（３）：
【０２２０】
【化３】
2014130918.tif 000005
【０２２１】
（式中、Ｙは、水素原子またはメチル基、Ｒ４は、飽和炭化水素基および芳香族炭化水素基から選択される２価の炭化水素基を示す。）
２価の飽和炭化水素基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基などの炭素数１以上６以下のアルキレン基、例えば、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基などの炭素数３以上８以下のシクロアルキレン基などが挙げられる。
【０２２２】
２価の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニレン基、ナフチレン基などの炭素数６以上１０以下のアリーレン基などが挙げられる。
【０２２３】
２価の炭化水素基として、好ましくは、２価の飽和炭化水素基、より好ましくは、アルキレン基、さらに好ましくは、プロピレン基が挙げられる。
【０２２４】
（メタ）アクリロイル基含有基として、具体的には、３−（メタ）アクリロキシプロピル基などが挙げられる。
【０２２５】
エポキシ基含有基は、分子内にエポキシ基を含有しており、エポキシ基含有基としては、例えば、エポキシ基、グリシジルエーテル基、エポキシシクロアルキル基などが挙げられる。好ましくは、グリシジルエーテル基、エポキシシクロアルキル基などが挙げられる。
【０２２６】
グリシジルエーテル基は、例えば、式（４）で示されるグリシドキシアルキル基である。
式（４）：
【０２２７】
【化４】
2014130918.tif 000006
【０２２８】
（式（４）中、Ｒ４は、飽和炭化水素基および芳香族炭化水素基から選択される２価の炭化水素基を示す。）
Ｒ４で示される２価の炭化水素基は、上記式（３）の２価の炭化水素基と同義である。
【０２２９】
グリシジルエーテル基としては、例えば、３−グリシドキシプロピル基などが挙げられる。
【０２３０】
エポキシシクロアルキル基としては、例えば、下記式（５）で示されるエポキシシクロヘキシル基などが挙げられる。
式（５）：
【０２３１】
【化５】
2014130918.tif 000007
【０２３２】
（式中、Ｒ４は、飽和炭化水素基および芳香族炭化水素基から選択される２価の炭化水素基を示す。）
２価の飽和炭化水素基としては、上記式（３）の２価の炭化水素基が挙げられ、好ましくは、上記した炭素数１以上６以下のアルキレン基が挙げられ、より好ましくは、エチレン基が挙げられる。
【０２３３】
エポキシシクロアルキル基として、具体的には、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル基などが挙げられる。
【０２３４】
チオール基含有基は、分子内にチオール基（−ＳＨ）を含有しており、例えば、チオール基、例えば、メルカプトメチル、メルカプトエチル、メルカプトプロピルなどのメルカプトアルキル基などが挙げられる。
【０２３５】
一方の付加可能置換基は、第１のポリシロキサンの主鎖の末端、途中および／または側鎖に置換している。他方の付加可能置換基は、第２のポリシロキサンの主鎖の末端、途中、および／または、側鎖に置換または位置している。
【０２３６】
付加可能置換基として、上記した各１対または２対以上の組合せが挙げられる。
【０２３７】
１対の付加可能置換基として、耐熱性および透明性の観点から、好ましくは、ヒドロシリル基とアルケニル基との組合せが挙げられる。
【０２３８】
そして、１対の付加可能置換基は、下記式（６）〜式（９）で示されるように、付加する。
式（６）：
【０２３９】
【化６】
2014130918.tif 000008
【０２４０】
式（７）：
【０２４１】
【化７】
2014130918.tif 000009
【０２４２】
（式中、Ｚは、水素原子またはメチル基を示す。）
式（８）：
【０２４３】
【化８】
2014130918.tif 000010
【０２４４】
式（９）：
【０２４５】
【化９】
2014130918.tif 000011
【０２４６】
具体的には、１対の付加可能置換基が、ヒドロシリル基とアルケニル基（具体的には、ビニル基）との組合せである場合には、上記式（６）で示すように、ヒドロシリル化（ヒドロシリル付加する。
【０２４７】
また、１対の付加可能置換基が、（メタ）アクリロイル基同士の組合せである場合には、上記式（７）で示すように、重合（付加重合）する。
【０２４８】
また、１対の付加可能置換基が、グリシジルエーテル基同士の組合せである場合には、上記式（８）で示すように、エポキシ基の開環に基づいて、開環付加する。
【０２４９】
また、１対の付加可能置換基が、チオール基とアルケニル基（具体的には、ビニル基）との組合せである場合には、上記式（９）で示すエン・チオール反応（付加）する。
【０２５０】
第１のポリシロキサンは、具体的には、下記式（１０）で示される。
式（１０）：
【０２５１】
【化１０】
2014130918.tif 000012
【０２５２】
（式中、Ｒ６は、飽和炭化水素基および芳香族炭化水素基から選択される１価の炭化水素基、縮合可能置換基および／または付加可能置換基を示す。また、ＳｉＲ６は、付加可能置換基を示してもよい。Ａ〜Ｅは構成単位、ＡおよびＥが末端単位、Ｂ〜Ｄが繰返単位を示す。Ｑは、Ｂ〜Ｅのうちいずれかの構成単位を示す。ａ＋ｂ＋ｃは１以上の整数である。複数のＲ６のうち、少なくとも１対のＲ６は、縮合可能置換基を示し、かつ、少なくとも１つのＲ６または少なくとも１つのＳｉＲ６は、付加可能置換基を示す。）
式（１０）中、Ｒ６で示される１価の炭化水素基のうち、１価の飽和炭化水素基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基などが挙げられる。アルキル基およびシクロアルキル基としては、それぞれ、上記Ｒ１で挙げたアルキル基およびシクロアルキル基と同様である。
【０２５３】
式（１０）中、Ｒ６で示される１価の炭化水素基のうち、１価の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基などの、炭素数６以上１０以下のアリール基などが挙げられる。
【０２５４】
１価の炭化水素基として、好ましくは、メチル、フェニルが挙げられる。
【０２５５】
ａは、例えば、０以上の整数、好ましくは、１以上の整数、より好ましくは、２以上の整数であり、また、例えば、１０００００以下の整数、好ましくは、１００００以下の整数、より好ましくは、１００００以下の整数である。
【０２５６】
ｂは、例えば、０以上１０００００以下の整数、好ましくは、０以上１００００以下の整数である。
【０２５７】
ｃは、例えば、０以上１０００００以下の整数、好ましくは、０以上１００００以下の整数である。
【０２５８】
ａ＋ｂ＋ｃは、好ましくは、１以上１０００００以下の整数、より好ましくは、１以上１００００以下の整数である。つまり、ａ〜ｃのうち、少なくともいずれか１つは、１以上の整数である。
【０２５９】
Ｒ６で示される縮合可能置換基、および、Ｒ６またはＳｉＲ６で示される付加可能置換基としては、それぞれ、上記した縮合可能置換基および付加可能置換基が挙げられる。
【０２６０】
第１のポリシロキサンは、例えば、少なくとも１つの縮合可能置換基および少なくとも１つの付加可能置換基を併有する第１のケイ素化合物と、少なくとも１つの縮合可能置換基を含有する第２のケイ素化合物とを部分的に縮合させることにより、調製される（後述する式（１６）参照）。
【０２６１】
第１のケイ素化合物は、例えば、下記式（１１）で示される。
式（１１）：
【０２６２】
【化１１】
2014130918.tif 000013
【０２６３】
（式中、Ｒ７またはＳｉＲ７は、付加可能置換基、Ｂは、飽和炭化水素基および芳香族炭化水素基から選択される１価の炭化水素基、Ｘ１は、縮合可能置換基を示す。ｎは、０または１を示す。）
Ｒ７またはＳｉＲ７で示される付加可能置換基として、例えば、上記した付加可能置換基、好ましくは、１対の付加可能置換基を構成する置換基のうちの一方であり、より好ましくは、エチレン性不飽和基含有基、（メタ）アクリロイル基含有基、エポキシ基含有基が挙げられ、さらに好ましくは、エチレン性不飽和基含有基、とりわけ好ましくは、アルケニル基、最も好ましくは、ビニル基が挙げられる。
【０２６４】
Ｘ１で示される縮合可能置換基として、例えば、上記した縮合可能置換基、好ましくは、１対の縮合可能置換基を構成する置換基のうちの一方であり、より好ましくは、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルケニルオキシ基、ハロゲン原子が挙げられ、より好ましくは、アルコキシ基が挙げられる。
【０２６５】
Ｘ１で示されるアルコキシ基として、例えば、反応性の観点から、好ましくは、炭素数１以上１０以下のアルキル基を有するアルコキシ基、より好ましくは、炭素数１以上６以下のアルキル基を有するアルコキシ基が挙げられる。具体的には、メトキシ基が挙げられる。
【０２６６】
Ｂで示される１価の炭化水素基は、式（１０）のＲ６で例示した１価の炭化水素基と同義である。
【０２６７】
ｎが０である場合には、第１のケイ素化合物は、下記式（１２）で示され、３つの縮合可能置換基を含有する３官能型ケイ素化合物とされる。
式（１２）：
【０２６８】
【化１２】
2014130918.tif 000014
【０２６９】
（式中、Ｒ７またはＳｉＲ７は、付加可能置換基、Ｘ１は、縮合可能置換基を示す。）
そのような３官能型ケイ素化合物としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、プロペニルトリメトキシシラン、ノルボルネニルトリメトキシシラン、オクテニルトリメトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシランなどが挙げられる。
【０２７０】
これら３官能型ケイ素化合物は、単独使用または２種以上併用することができる。
【０２７１】
３官能型ケイ素化合物として、好ましくは、上記式（１２）において、Ｒ７がビニル基、Ｘ１が全てメトキシ基であるビニルトリメトキシシランが挙げられる。
【０２７２】
一方、上記式（１１）において、ｎが１である場合には、第１のケイ素化合物は、下記式（１３）で示され、２つの縮合可能置換基を含有する２官能型ケイ素化合物とされる。
式（１３）：
【０２７３】
【化１３】
2014130918.tif 000015
【０２７４】
（式中、Ｒ７またはＳｉＲ７は、付加可能置換基、Ｂは、飽和炭化水素基および芳香族炭化水素基から選択される１価の炭化水素基、Ｘ１は、縮合可能置換基を示す。）
Ｒ７、ＳｉＲ７、ＢおよびＸ１は、上記と同義である。
【０２７５】
２官能型ケイ素化合物としては、例えば、ビニルジメトキシメチルシラン、ビニルジエトキシメチルシラン、アリルジメトキシメチルシラン、プロペニルジメトキシメチルシラン、ノルボルネニルジメトキシメチルシラン、オクテニルジメトキシメチルシラン、オクテニルジエトキシメチルシラン、３−アクリロキシプロピルジメトキシメチルシラン、３−メタクリロキシプロピルジメトキシメチルシラン、３−メタクリロキシプロピルジメトキシメチルシラン、３−グリシドキシプロピルジエトキシメチルシラン、３−グリシドキシプロピルジメトキシメチルシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルジメトキシメチルシランなどが挙げられる。
【０２７６】
これら２官能型ケイ素化合物は、単独使用または２種以上併用することができる。
【０２７７】
２官能型ケイ素化合物として、好ましくは、上記式（１３）において、Ｒ７がビニル基、Ｂがメチル基、Ｘ１がすべてメトキシ基であるビニルジメトキシメチルシランが挙げられる。
【０２７８】
第１のケイ素化合物は、市販品を用いることができ、また、公知の方法に従って合成したものを用いることもできる。
【０２７９】
第１のケイ素化合物は、単独使用または２種以上併用することができる。
【０２８０】
具体的には、３官能型ケイ素化合物の単独使用、２官能型ケイ素化合物の単独使用、３官能型ケイ素化合物と２官能型ケイ素化合物との併用などが挙げられる。好ましくは、３官能型ケイ素化合物の単独使用、３官能型ケイ素化合物と２官能型ケイ素化合物との併用が挙げられる。
【０２８１】
第２のケイ素化合物は、例えば、少なくとも２つの縮合可能置換基を含有するポリシロキサンが挙げられ、具体的には、主鎖の末端のケイ素原子に結合する縮合可能置換基、および／または、主鎖から分岐する側鎖のケイ素原子に結合する縮合可能置換基を含有する。
【０２８２】
第２のケイ素化合物は、好ましくは、主鎖の両末端のケイ素原子に結合する縮合可能置換基を含有する（２官能型ケイ素化合物）。
【０２８３】
そのような第２のケイ素化合物は、下記式（１４）で示される両末端型ポリシロキサン（２官能型ポリシロキサン）である。
式（１４）：
【０２８４】
【化１４】
2014130918.tif 000016
【０２８５】
（式中、Ｒ８は、飽和炭化水素基および芳香族炭化水素基から選択される１価の炭化水素基、Ｘ２は、縮合可能置換基を示す。また、ｎは、１以上の整数を示す。）
式（１４）において、Ｒ８で示される１価の炭化水素基としては、上記式（１０）のＲ６で例示される１価の炭化水素基が挙げられ、好ましくは、メチル、フェニルが挙げられる。
【０２８６】
式（１４）において、Ｘ２で示される縮合可能置換基としては、上記式（１０）のＲ６で例示される縮合可能置換基が挙げられ、好ましくは、ヒドロキシル基、水素原子、より好ましくは、ヒドロキシル基が挙げられる。
【０２８７】
両末端型ポリシロキサンは、縮合可能置換基がヒドロキシル基である場合には、下記式（１５）で示されるシラノール基両末端ポリシロキサン（両末端シラノール型シリコーンオイル）とされる。
式（１５）：
【０２８８】
【化１５】
2014130918.tif 000017
【０２８９】
（式中、Ｒ８は、飽和炭化水素基および芳香族炭化水素基から選択される１価の炭化水素基を示す。また、ｎは、１以上の整数を示す。）
Ｒ８は、上記と同義である。
【０２９０】
上記式（１４）および上記式（１５）おいて、ｎは、好ましくは、安定性および／または取り扱い性の観点から、１以上１００００以下の整数、さらに好ましくは、１以上１０００以下の整数である。
【０２９１】
両末端型ポリシロキサンとして、具体的には、シラノール基両末端ポリジメチルシロキサン、シラノール基両末端ポリメチルフェニルシロキサン、シラノール基両末端ポリジフェニルシロキサンなどが挙げられる。
【０２９２】
第２のケイ素化合物は、市販品を用いることができ、また、公知の方法に従って合成したものを用いることもできる。
【０２９３】
第２のケイ素化合物の数平均分子量は、安定性および／または取り扱い性の観点から、例えば、１００以上、好ましくは、２００以上であり、また、例えば、１００００００以下、好ましくは、１０００００以下である。数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより、標準ポリスチレンで換算されて算出される。第２のケイ素化合物以外の原料の数平均分子量についても、上記と同様にして算出される。
【０２９４】
第１のケイ素化合物と第２のケイ素化合物とを部分的に縮合させるには、それらからなる縮合原料を縮合触媒とともに配合する。
【０２９５】
第２のケイ素化合物の配合割合は、第１のケイ素化合物および第２のケイ素化合物の総量（つまり、縮合原料の総量）１００質量部に対して、例えば、１質量部以上、好ましくは、５０質量部以上、さらに好ましくは、８０質量部以上であり、また、例えば、９９．９９質量部以下、好ましくは、９９．９質量部以下、より好ましくは、９９．５質量部以下である。
【０２９６】
また、第１のケイ素化合物の縮合可能置換基（上記式（１１）におけるＸ１、具体的には、アルコキシ基）に対する、第２のケイ素化合物の縮合可能置換基（上記式（１４）におけるＸ２、具体的には、ヒドロキシル基）のモル比（Ｘ２／Ｘ１）は、例えば、２０／１以下、好ましくは、１０／１以下であり、また、例えば、１／５以上、好ましくは、１／２以上でもあり、もっとも好ましくは、実質的に１／１である。
【０２９７】
モル比が上記上限を超える場合には、第１および第２のケイ素化合物を部分的に縮合させて第１のポリシロキサンを得、その後、第１および第２のポリシロキサンとを完全に縮合させるときに、適度な靭性を有するシリコーン半硬化体が得られない場合があり、一方、モル比が上記下限に満たない場合には、第１のケイ素化合物の配合割合が過度に多く、そのため、得られるシリコーン硬化体の耐熱性が低下する場合がある。
【０２９８】
また、モル比が上記範囲内（好ましくは、実質的に１／１）であれば、第１のケイ素化合物の縮合可能置換基（具体的には、アルコキシ基）と、第２のケイ素化合物の縮合可能置換基（具体的には、ヒドロキシル基）とを過不足なく完全に縮合させることができる。
【０２９９】
また、３官能型ケイ素化合物と２官能型ケイ素化合物とが併用される場合には、２官能型ケイ素化合物の、３官能型ケイ素化合物に対する比（２官能型ケイ素化合物の質量部数／３官能型ケイ素化合物の質量部数）は、質量基準で、例えば、７０／３０以下、好ましくは、５０／５０以下であり、また、例えば、１／９９以上、好ましくは、５／９５以上である。また、３官能型ケイ素化合物と２官能型ケイ素化合物とが併用される場合には、３官能型ケイ素化合物の縮合可能置換基（上記式（１２）におけるＸ１、具体的には、アルコキシ基）に対する、第２のケイ素化合物の縮合可能置換基（上記式（１４）におけるＸ２、具体的には、ヒドロキシル基）のモル比（Ｘ２／Ｘ１）は、例えば、２０／１以下、好ましくは、１０／１以下であり、また、例えば、１／５以上、好ましくは、１／２以上でもあり、もっとも好ましくは、実質的に１／１である。一方、３官能型ケイ素化合物と２官能型ケイ素化合物とが併用される場合において、２官能型ケイ素化合物の縮合可能置換基（上記式（１３）におけるＸ１、具体的には、アルコキシ基）に対する、第２のケイ素化合物の縮合可能置換基（上記式（１４）におけるＸ２、具体的には、ヒドロキシル基）のモル比（Ｘ２／Ｘ１）は、例えば、２０／１以下、好ましくは、１０／１以下であり、また、例えば、１／５以上、好ましくは、１／２以上でもあり、また、もっとも好ましくは、実質的に１／１である。
【０３００】
縮合触媒としては、第１のケイ素化合物および第２のケイ素化合物の縮合を促進する触媒であれば特に限定されない。縮合触媒としては、例えば、酸、塩基、金属系触媒などが挙げられる。
【０３０１】
酸としては、例えば、塩酸、酢酸、ギ酸、硫酸などの無機酸（ブレーンステッド酸）などが挙げられる。また、酸は、ルイス酸を含み、そのようなルイス酸として、例えば、ペンタフルオロフェニルホウ素、スカンジウムトリフラート、ビスマストリフラート、スカンジウムトリフリルイミド、オキソバナジウムトリフラート、スカンジウムトリフリルメチド、トリメチルシリルトリフリルイミドなどの有機ルイス酸が挙げられる。
【０３０２】
塩基としては、例えば、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸カリウムなどの無機塩基、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウムなどが挙げられる。好ましくは、水酸化テトラメチルアンモニウムなどの有機塩基が挙げられる。
【０３０３】
金属系触媒としては、例えば、アルミニウム系触媒、チタン系触媒、亜鉛系触媒、スズ系触媒などが挙げられる。好ましくは、スズ系触媒が挙げられる。
【０３０４】
スズ系触媒としては、例えば、ジ（２−エチルヘキサン酸）スズ（ＩＩ）、ジオクタン酸スズ（ＩＩ）（ジカプリル酸スズ（ＩＩ））、ビス（２−エチルヘキサノエート）スズ、ビス（ネオデカノエート）スズ、スズオレエートなどの、炭素数１以上２０以下の直鎖状または分岐状のカルボン酸を含有するジ（またはビス）（カルボン酸）スズ（ＩＩ）などのカルボン酸スズ塩、例えば、ジブチルビス（２，４−ペンタンジオネート）スズ、ジメチルスズジバーサテート、ジブチルスズジバーサテート、ジブチルスズジアセテート（ジブチルジアセトキシスズ）、ジブチルスズジオクトエート、ジブチルビス（２−エチルヘキシルマレエート）スズ、ジオクチルジラウリルスズ、ジメチルジネオデカノエートスズ、ジブチルスズジオレエート、ジブチルスズジラウレート、ジオクチルスズジラウレート、ジオクチルスズジバーサテート、ジオクチルスズビス（メルカプト酢酸イソオクチルエステル）塩、テトラメチル−１，３−ジアセトキシジスタノキサン、ビス（トリエチルスズ）オキサイド、テトラメチル−１，３−ジフェノキシジスタノキサン、ビス（トリプロピルスズ）オキサイド、ビス（トリブチルスズ）オキサイド、ビス（トリブチルスズ）オキサイド、ビス（トリフェニルスズ）オキサイド、ポリ（マレイン酸ジブチルスズ）、ジフェニルスズジアセテート、酸化ジブチルスズ、ジブチルスズジメトキシド、ジブチルビス（トリエトキシ）スズなどの有機スズ化合物などが挙げられる。
【０３０５】
スズ系触媒として、好ましくは、カルボン酸スズ塩、より好ましくは、炭素数１以上２０以下の直鎖状または分岐状のカルボン酸を有するジ（カルボン酸）スズ（ＩＩ）、さらに好ましくは、炭素数４以上１４以下の直鎖状または分岐状のカルボン酸を有するジ（カルボン酸）スズ（ＩＩ）、とりわけ好ましくは、炭素数６以上１０以下の分岐状のカルボン酸を有するジ（カルボン酸）スズ（ＩＩ）が挙げられる。
【０３０６】
縮合触媒は、単独使用または併用することができる。
【０３０７】
縮合触媒は、市販品を用いることができ、また、公知の方法に従って合成したものを用いることもできる。
【０３０８】
また、縮合触媒は、例えば、溶媒に溶解して縮合触媒溶液として調製することができる。縮合触媒溶液における縮合触媒の濃度は、例えば、１質量％以上９９質量％以下に調整される。
【０３０９】
縮合触媒の配合割合は、第２のケイ素化合物１００モルに対して、例えば、０．００１モル以上、好ましくは、０．０１モル以上であり、また、例えば、５０モル以下、好ましくは、５モル以下である。
【０３１０】
次いで、この方法では、第１のケイ素化合物、第２のケイ素化合物および縮合触媒を配合した後、例えば、温度０℃以上、好ましくは、１０℃以上であり、また、例えば、８０℃以下、好ましくは、７５℃以下で、例えば、１分間以上、好ましくは、２時間以上、また、例えば、２４時間以下、好ましくは、１０時間以下、攪拌混合する。
【０３１１】
そして、上記した混合によって、第１および第２のケイ素化合物が、縮合触媒の存在下で、部分的に縮合する。
【０３１２】
具体的には、第１のケイ素化合物の縮合可能置換基（上記式（１１）におけるＸ１）と、第２のケイ素化合物の縮合可能置換基（上記式（１４）におけるＸ２）とが、部分的に縮合する。
【０３１３】
詳しくは、第１のケイ素化合物の縮合可能置換基がアルコキシ基であり、第２のケイ素化合物の縮合可能置換基がヒドロキシル基である場合には、下記式（１６）で示すように、それらが部分的に縮合する。
式（１６）：
【０３１４】
【化１６】
2014130918.tif 000018
【０３１５】
なお、第２のケイ素化合物の一部は、縮合せず、残存しており、次のさらなる縮合（完全硬化工程）によって、第１のポリシロキサンの縮合可能置換基と縮合する。
【０３１６】
このようにして得られる第１のポリシロキサンは、液状（オイル状）であって、Ａステージである。
【０３１７】
第２のポリシロキサンとしては、例えば、下記式（１７）で示され、少なくとも１つの縮合可能置換基を側鎖に含有する側鎖型ポリシロキサンが挙げられる。
式（１７）：
【０３１８】
【化１７】
2014130918.tif 000019
【０３１９】
（式中、Ｆ〜Ｉは構成単位であり、ＦおよびＩが末端単位、ＧおよびＨが繰返単位を示す。Ｒ８は、飽和炭化水素基および芳香族炭化水素基から選択される１価の炭化水素基、Ｒ９またはＳｉＲ９は、付加可能置換基を示す。ｄは、０または１、ｅは０以上の整数、ｆは１以上の整数を示す。但し、全てのＲ８またはＲ９は、同一でも相異してもよい。）
式（１７）において、Ｒ８で示される１価の炭化水素基としては、上記式（１０）のＲ６で例示した１価の炭化水素基が挙げられ、好ましくは、メチル、フェニルが挙げられる。
【０３２０】
式（１７）において、Ｒ９またはＳｉＲ９で示される付加可能置換基としては、例えば、上記した付加可能置換基、好ましくは、１対の付加可能置換基を構成する置換基のうちの他方であり、より好ましくは、ヒドロシリル基、エチレン性不飽和基含有基（具体的には、ビニル基）が挙げられ、より好ましくは、ヒドロシリル基が挙げられる。
【０３２１】
ｄが１である場合には、側鎖型ポリシロキサンは直鎖状ポリシロキサンであり、ｄが０である場合には、側鎖型ポリシロキサンは環状ポリシロキサンである。
【０３２２】
ｄは、好ましくは、１である。
【０３２３】
ｅは、構成単位Ｇの繰返単位数を示し、反応性の観点から、好ましくは、０以上の整数、より好ましくは、１以上の整数であり、また、好ましくは、１０００００以下の整数、より好ましくは、１００００以下の整数ある。
【０３２４】
ｆは、構成単位Ｈの繰返単位数を示し、反応性の観点から、好ましくは、１以上の整数、より好ましくは、２以上の整数であり、また、好ましくは、１０００００以下の整数、より好ましくは、１００００以下の整数である。
【０３２５】
側鎖型ポリシロキサンの数平均分子量は、例えば、安定性や取り扱い性の観点から、１００以上１００００００以下、好ましくは、１００以上１０００００以下である。
【０３２６】
側鎖型ポリシロキサンとして、具体的には、メチルハイドロジェンポリシロキサン、メチルビニルポリシロキサン、ジメチルポリシロキサン−ＣＯ−メチルハイドロジェンポリシロキサン、ジメチルポリシロキサン−ＣＯ−ビニルメチルポリシロキサン、エチルハイドロジェンポリシロキサン、メチルハイドロジェンポリシロキサン−ＣＯ−メチルフェニルポリシロキサン、メチルビニルポリシロキサン−ＣＯ−メチルフェニルポリシロキサン、２，４，６，８−テトラメチル−２，４，６，８−テトラビニルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンなどが挙げられる。
【０３２７】
これら側鎖型ポリシロキサンは、単独使用または２種以上併用することができる。
【０３２８】
好ましくは、Ｒ８がメチル基、Ｒ９が水素原子（つまり、ＳｉＲ９がヒドロシリル基）またはビニル基、ｄが１、ｅが１以上の整数、ｈが２以上の整数である直鎖状の側鎖型ポリシロキサンが挙げられる。
【０３２９】
また、第２のポリシロキサンとして、例えば、下記式（１８）で示され、縮合可能置換基を分子の両末端に含有する両末端型ポリシロキサン（付加可能置換基両末端含有ポリシロキサン）が挙げられる。
式（１８）：
【０３３０】
【化１８】
2014130918.tif 000020
【０３３１】
（式中、Ｒ８は、飽和炭化水素基および芳香族炭化水素基から選択される１価の炭化水素基、Ｒ９またはＳｉＲ９は、付加可能置換基、ｇは１以上の整数を示す。但し、全てのＲ８またはＲ９は、同一でも相異してもよい。）
Ｒ８で示される１価の炭化水素基としては、上記式（１０）のＲ６で示される１価の炭化水素基が挙げられ、好ましくは、メチル、フェニルが挙げられる。
【０３３２】
Ｒ９またはＳｉＲ９で示される付加可能置換基としては、例えば、上記した付加可能置換基、好ましくは、１対の付加可能置換基を構成する置換基のうちの他方であり、より好ましくは、ヒドロシリル基、エチレン性不飽和基含有基（具体的には、ビニル基）が挙げられ、より好ましくは、ヒドロシリル基が挙げられる。
【０３３３】
ｇは、反応性の観点から、好ましくは、１以上の整数、より好ましくは、２以上の整数であり、また、好ましくは、１０００００以下の整数、より好ましくは、１００００以下の整数である。
【０３３４】
両末端型ポリシロキサンの数平均分子量は、安定性や取り扱い性の観点から、例えば、１００以上１００００００以下、好ましくは、１００以上１０００００以下である。
【０３３５】
両末端型ポリシロキサンとしては、例えば、両末端ヒドロシリル型ポリジメチルシロキサン、両末端ビニル型ポリジメチルシロキサン、両末端ヒドロシリル型ポリメチルフェニルシロキサン、両末端ビニル型ポリメチルフェニルシロキサン、両末端ヒドロシリル型ポリジフェニルシロキサン、両末端ビニル基含有ポリジメチルシロキサン、両末端ビニル基含有ポリジフェニルシロキサンなどが挙げられる。
【０３３６】
これら両末端型ポリシロキサンは、単独使用または２種以上併用することができる。
【０３３７】
好ましくは、Ｒ８が全てメチル基、Ｒ９が水素原子（つまり、ＳｉＲ９がヒドロシリル基）またはビニル基、ｇが２以上１００００以下の整数である、両末端ヒドロシリル型ポリジメチルシロキサン（オルガノハイドロジェンポリシロキサン）または両末端ビニル基含有ポリジメチルシロキサンが挙げられる。
【０３３８】
上記した側鎖型ポリシロキサンおよび両末端型ポリシロキサンのうち、第２のポリシロキサンとして、好ましくは、両末端型ポリシロキサンが挙げられる。
【０３３９】
第２のポリシロキサンは、市販品を用いることができ、また、公知の方法に従って合成したものを用いることもできる。
【０３４０】
そして、第１のシリコーン樹脂組成物を調製するには、第１のポリシロキサンと第２のポリシロキサンとを、配合する。好ましくは、第１のポリシロキサンと第２のポリシロキサンとを、付加触媒とともに、配合する。
【０３４１】
また、第２のポリシロキサンの付加可能置換基（他方側、好ましくは、ヒドロシリル基（式（１８）のＳｉＲ９））に対する、第１のポリシロキサンの付加可能置換基（一方側、好ましくは、ビニル基（式（１１）のＲ７））のモル比（Ｒ７／ＳｉＲ９）は、例えば、２０／１以下、好ましくは、１０／１以下、より好ましくは、５／１以下であり、また、例えば、１／２０以上、好ましくは、１／１０以上、より好ましくは、１／５以上である。
【０３４２】
また、第２のポリシロキサンの配合割合は、第１のポリシロキサンおよび第２のポリシロキサンの総量１００質量部に対して、例えば、１質量部以上、好ましくは、５０質量部以上、さらに好ましくは、８０質量部以上であり、また、例えば、９９．９９質量部以下、好ましくは、９９．９質量部以下、より好ましくは、９９．５質量部以下である。
【０３４３】
付加触媒としては、第１のポリシロキサンの付加可能置換基と、第１のポリシロキサンの付加可能置換基との付加、具体的には、上記式（６）〜式（９）の付加を促進する触媒であれば特に限定されない。好ましくは、活性エネルギー線による縮合を促進する観点から、活性エネルギー線に対して活性を有する光触媒が挙げられる。
【０３４４】
光触媒として、例えば、ヒドロシリル化触媒などが挙げられる。
【０３４５】
ヒドロシリル化触媒は、ヒドロシランシリル基とアルケニル基とのヒドロシリル化付加を促進する。そのようなヒドロシリル化触媒として、例えば、遷移元素系触媒が挙げられ、具体的には、白金系触媒、クロム系触媒（ヘキサカルボニルクロム（Ｃｒ（ＣＯ）６）など）、鉄系触媒（カルボニルトリフェニルホスフィン鉄（Ｆｅ（ＣＯ）ＰＰｈ３など）、トリカルボニルビスフェニルホスフィン鉄（ｔｒａｎｓ−Ｆｅ（ＣＯ）３（ＰＰｈ３）２）、ポリマー基質−（アリール−ジフェニルホスフィン）５−ｎ［カルボニル鉄］（ｐｏｌｙｍｅｒ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ−（Ａｒ−ＰＰｈ２）５−ｎ［Ｆｅ（ＣＯ）ｎ］）、ペンタカルボニル鉄（Ｆｅ（ＣＯ）５）など）、コバルト系触媒（トリカルボニルトリエチルシリルコバルト（Ｅｔ３ＳｉＣｏ（ＣＯ）３）、テトラカルボニルトリフェニルシリルコバルト（Ｐｈ３ＳｉＣｏ（ＣＯ）４）、オクタカルボニルコバルト（Ｃｏ２（ＣＯ）８）など）、モリブデン系触媒（ヘキサカルボニルモリブデン（Ｍｏ（ＣＯ）６）など）、パラジウム系触媒、ロジウム触媒系などが挙げられる。
【０３４６】
ヒドロシリル化触媒として、好ましくは、白金系触媒が挙げられる。白金系触媒としては、例えば、白金黒、塩化白金、塩化白金酸などの無機系白金、例えば、白金−オレフィン錯体、白金−カルボニル錯体、白金−シクロペンタジエニル錯体、白金−アセチルアセトナート錯体などの白金錯体などが挙げられる。
【０３４７】
好ましくは、反応性の観点から、白金錯体が挙げられ、より好ましくは、白金−シクロペンタジエニル錯体、白金−アセチルアセトナート錯体が挙げられる。
【０３４８】
白金−シクロペンタジエニル錯体としては、例えば、トリメチル（メチルシクロペンタジエニル）白金（ＩＶ）、トリメチル（シクロペンタジエニル）白金（ＩＶ）錯体などが挙げられる。
【０３４９】
白金−アセチルアセトナート錯体としては、例えば、２，４−ペンタンジオナト白金（ＩＩ）（白金（ＩＩ）アセチルアセトナート）などが挙げられる。
【０３５０】
なお、遷移元素系触媒は、例えば、下記文献などに記載されたものを挙げることもできる。
【０３５１】
文献：ＩＳＳＮ  １０７０−３６３２，  Ｒｕｓｓｉａｎ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｇｅｎｅｒａｌ  ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，２０１１，Ｖｏｌ．８１，Ｎｏ．７，  ｐｐ．  １４８０−１４９２  「Ｈｙｄｒｏｓｉｌｙａｔｉｏｎ  ｏｎ  Ｐｈｏｔｏａｃｔｉｖａｔｅｄ  Ｃａｔａｌｙｓｔｓ」Ｄ．Ａ．ｄｅ  Ｖｅｋｋｉ
付加触媒は、単独使用または併用することができる。
【０３５２】
付加触媒は、市販品を用いることができ、また、公知の方法に従って合成したものを用いることもできる。
【０３５３】
付加触媒は、例えば、溶媒に溶解して付加触媒溶液として調製することができる。付加触媒溶液における付加触媒の濃度は、例えば、１質量％以上９９質量％以下であり、また、付加触媒が遷移元素系触媒である場合には、例えば、遷移元素の濃度が、０．１質量％以上５０質量％以下に調整される。
【０３５４】
付加触媒の配合割合は、第１のシリコーン樹脂組成物全体１００質量部に対して、例えば、１．０×１０−１１質量部以上、好ましくは、１．０×１０−９質量部以上であり、また、例えば、０．５質量部以下、好ましくは、０．１質量部以下である。
【０３５５】
また、付加触媒は、必要に応じて、適宜の量の、光活性剤、光酸発生剤、光塩基発生剤などの光助剤と併用することもできる。
【０３５６】
そして、第１のポリシロキサンと第２のポリシロキサンとを含む各成分を上記した配合割合で配合し、攪拌混合することにより、第１のシリコーン樹脂組成物を得ることができる。
【０３５７】
なお、第１のシリコーン樹脂組成物は、第１のポリシロキサンの調製において残存する第２のケイ素化合物の一部を含んでいる。
【０３５８】
そして、上記のようにして得られた第１のシリコーン樹脂組成物は、例えば、液状、好ましくは、オイル状（粘調な液状）であり、２５℃、１気圧の条件下における粘度は、例えば、１００ｍＰａ・ｓ以下、好ましくは、１０００ｍＰａ・ｓ以下であり、また、例えば、１０００００ｍＰａ・ｓ、好ましくは、５００００ｍＰａ・ｓ以下である。なお、粘度は、１気圧の条件下でレオメータを用いて測定した。なお、粘度は、第１のシリコーン樹脂組成物を２５℃に温度調節し、Ｅ型コーンを用いて、回転数９９ｓ−１で測定される。
【０３５９】
具体的に、第１のシリコーン樹脂組成物を得るには、まず、シラノール基両末端ポリジメチルシロキサンと、ビニルトリメトキシシランと、ジ（２−エチルヘキサン酸）スズ（ＩＩ）（縮合触媒）とを配合して、オイル状の第１のポリシロキサンを調製し、その後、両末端ヒドロシリル型ポリジメチルシロキサン（第２のポリシロキサン）と、トリメチル（メチルシクロペンタジエニル）白金（ＩＶ）溶液または白金（ＩＩ）アセチルアセトナート（付加触媒）とを加える。
【０３６０】
あるいは、まず、シラノール基両末端ポリジメチルシロキサンと、ビニルトリメトキシシランおよびビニルトリメトキシシランと、ジ（２−エチルヘキサン酸）スズ（ＩＩ）（縮合触媒）とを配合して、オイル状の第１のポリシロキサンを調製し、その後、両末端ヒドロシリル型ポリジメチルシロキサン（第２のポリシロキサン）と、トリメチル（メチルシクロペンタジエニル）白金（ＩＶ）錯体溶液または白金（ＩＩ）アセチルアセトナート（付加触媒）とを加える。
［第２のシリコーン樹脂組成物］
第２のシリコーン樹脂組成物は、例えば、加熱によって縮合可能な少なくとも１対の縮合可能置換基と、活性エネルギー線によって付加可能な少なくとも１対の付加可能置換基とを含有する第３のポリシロキサンを含有する。
【０３６１】
１対の縮合可能置換基は、第１のシリコーン樹脂組成物の第１のポリシロキサンにおける１対の縮合可能置換基と同様である。１対の縮合可能置換基は、第３のポリシロキサンの主鎖の末端、途中および／または側鎖に置換している。
【０３６２】
１対の付加可能置換基は、第１のシリコーン樹脂組成物の第１および第２のポリシロキサンの付加可能置換基と同様である。１対の付加可能置換基は、第３のポリシロキサンの主鎖の末端、途中および／または側鎖に置換している。
【０３６３】
第３のポリシロキサンは、例えば、下記式（１９）で示される。
式（１９）：
【０３６４】
【化１９】
2014130918.tif 000021
【０３６５】
（式中、Ｒ６は、飽和炭化水素基および芳香族炭化水素基から選択される１価の炭化水素基、縮合可能置換基および／または付加可能置換基を示す。Ｊ〜Ｎは構成単位であり、ＪおよびＮは末端単位、Ｋ〜Ｍは繰返単位を示す。Ｐは、Ｋ〜Ｍのうちいずれかの構成単位を示す。ｋ＋ｌ＋ｍは１以上の整数を示す。但し、Ｒ６は、少なくとも１対の縮合可能置換基と、少なくとも１対の付加可能置換基とを含む。）
Ｒ６で示される１価の炭化水素基、縮合可能置換基および付加可能置換基は、上記した上記式（１０）で例示される１価の炭化水素基、縮合可能置換基および付加可能置換基が挙げられる。
【０３６６】
ｋ＋ｌ＋ｍは、安定性や取り扱い性の観点から、好ましくは、１以上１０００００以下の整数、より好ましくは、１以上１００００以下の整数である。
【０３６７】
ｋは、例えば、０以上の整数、好ましくは、１以上の整数であり、また、例えば、１０００００以下の整数、好ましくは、１００００以下の整数である。
【０３６８】
ｌは、例えば、０以上１０００００以下の整数、好ましくは、０以上１００００以下の整数である。
【０３６９】
ｍは、例えば、０以上１０００００以下の整数、好ましくは、０以上１００００以下の整数である。
【０３７０】
第３のポリシロキサンの数平均分子量は、例えば、１００以上、好ましくは、２００以上であり、また、例えば、１００００００以下、好ましくは、１０００００以下である。
【０３７１】
第３のポリシロキサンは、市販品を用いることができ、また、公知の方法に従って合成したものを用いることもできる。
【０３７２】
第３のポリシロキサンの含有割合は、第２のシリコーン樹脂組成物に対して、例えば、６０質量％以上、好ましくは、９０質量％以上であり、また、例えば、１００質量％以下である。
【０３７３】
第２のシリコーン樹脂組成物からシリコーン半硬化体を得るには、第１のシリコーン樹脂組成物と同様の条件で、第３のポリシロキサンを、縮合触媒とともに加熱し、その後、付加触媒を加える。
［蛍光体］
蛍光体としては、第１実施形態で挙げた蛍光体と同様の蛍光体が挙げられる。蛍光体の配合割合は、活性エネルギー硬化性樹脂１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、０．５質量部以上であり、例えば、８０質量部以下、好ましくは、５０質量部以下である。
［充填剤］
さらに、蛍光樹脂組成物は、充填剤を含有することもできる。充填剤としては、第１実施形態で挙げた充填剤と同様の充填剤が挙げられる。充填剤の配合割合は、活性エネルギー硬化性樹脂１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、０．５質量部以上であり、また、例えば、７０質量部以下、好ましくは、５０質量部以下である。
［蛍光体層５の作製］
蛍光体層５を作製するには、Ａステージの第１のシリコーン樹脂組成物または第２のシリコーン樹脂組成物および蛍光体ならびに必要により配合される充填剤を配合して、それらの混合物を、離型シート１３の表面に塗布し、その後、加熱して、蛍光樹脂組成物をシート状に調製する。なお、蛍光体および必要により配合される充填剤を、Ａステージの第１のシリコーン樹脂組成物または第２のシリコーン樹脂組成物の調製において、各成分の配合時、反応前、反応中、反応後のいずれにおいても加えることができる。
【０３７４】
離型シート１３としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム（ＰＥＴなど）などのポリマーフィルム、例えば、セラミクスシート、例えば、金属箔などが挙げられる。好ましくは、ポリマーフィルムが挙げられる。また、離型シートの表面には、フッ素処理などの剥離処理を施すこともできる。
【０３７５】
混合物の塗布では、例えば、キャスティング、スピンコーティング、ロールコーティングなどが用いられる。
【０３７６】
加熱条件として、加熱温度は、例えば、４０℃以上、好ましくは、６０℃以上であり、また、例えば、１８０℃以下、好ましくは、１５０℃以下でもあり、加熱時間は、例えば、０．１分間以上であり、また、例えば、１８０分間以下、好ましくは、６０分間以下である。
【０３７７】
加熱条件が上記範囲内にあれば、低分子成分（例えば、水を含む溶媒など）を確実に除去して、縮合を完結させて、第１または第２のシリコーン樹脂組成物を半硬化（Ｂステージ化）することができる。
【０３７８】
そして、混合物が第１のシリコーン樹脂組成物から調製される場合には、上記した加熱によって、第１のポリシロキサンが含有する少なくとも１対の縮合可能置換が縮合する。これによって、第１のケイ素化合物の縮合可能置換基がアルコキシ基であり、第２のケイ素化合物の縮合可能置換基がヒドロキシル基である場合には、下記式（２０）に示すように、第１のポリシロキサンの分子量が増大して、それによって、第１のシリコーン樹脂組成物がゲル化する。つまり、第１のシリコーン樹脂組成物が半硬化（Ｂステージ化）して、シリコーン半硬化体が得られる。
式（２０）：
【０３７９】
【化２０】
2014130918.tif 000022
【０３８０】
あるいは、混合物が第２のシリコーン樹脂組成物から調製される場合には、上記した加熱によって、第３のポリシロキサンが含有する少なくとも１対の縮合可能置換が縮合する。これによって、第３のポリシロキサンの分子量が増大して、それによって、第２のシリコーン樹脂組成物がゲル化する。つまり、第２のシリコーン樹脂組成物が半硬化（Ｂステージ化）して、シリコーン半硬化体が得られる。
【０３８１】
これにより、シリコーン半硬化体および蛍光体（ならびに必要により配合される充填剤）を含有する蛍光樹脂組成物から形成される蛍光体シート２５から蛍光体層５が得られる。
【０３８２】
蛍光体層５（蛍光体シート２５）の２３℃における圧縮弾性率は、例えば、０．０１ＭＰａ以上、好ましく、０．０４ＭＰａ以上であり、また、例えば、１．０ＭＰａ以下である。
【０３８３】
蛍光体層５の圧縮弾性率が上記上限以下であれば、十分な柔軟性を担保することができる。一方、蛍光体層５の圧縮弾性率が上記下限以上であれば、ＬＥＤ４に過剰な応力がかかることを防止しながら、ＬＥＤ４を埋設することができる。
【０３８４】
また、蛍光体層５の波長４００ｎｍ以下における光透過率は、例えば、５０％以上、好ましくは、６０％以上である。
【０３８５】
また、蛍光体層５の光透過率が上記下限以上であれば、光透過性を確実に担保することができ、輝度に優れるＬＥＤ装置１５（後述）を得ることができる。
【０３８６】
蛍光体層５の厚みは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、１００μｍ以上であり、また、例えば、５０００μｍ以下、好ましくは、２０００μｍ以下である。
【０３８７】
これによって、図９（ａ）の上側図に示すように、離型シート１３に積層される蛍光体層５を作製（用意）する。
【０３８８】
＜埋設工程＞
図９（ｂ）に示すように、埋設工程では、まず、複数のＬＥＤ４を蛍光体層５の上面に載置する。その後、複数のＬＥＤ４を、それらの上面が露出されるように、蛍光体層５に埋設する。
【０３８９】
＜封止工程＞
図９（ｃ）の矢印で示すように、封止工程では、活性エネルギー線を蛍光体層５に照射する。
【０３９０】
活性エネルギー線は、例えば、紫外線、電子線などを含み、例えば、波長１８０ｎｍ以上領域、好ましくは、２００ｎｍ以上、また、例えば、４６０ｎｍ以下、好ましくは、４００ｎｍ以下の領域にスペクトル分布を持つ活性エネルギー線が挙げられる。
【０３９１】
活性エネルギー線の照射には、例えば、ケミカルランプ、エキシマレーザ、ブラックライト、水銀アーク、炭素アーク、低圧水銀ランプ、中圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、メタルハライドランプなどの照射装置が用いられる。なお、上記波長領域より長波長側あるいは短波長側の活性エネルギー線を発生させることができる照射装置を用いることもできる。
【０３９２】
照射量は、例えば、０．００１Ｊ／ｃｍ２以上、また、例えば、１００Ｊ／ｃｍ２以下、好ましくは、１０Ｊ／ｃｍ２以下である。
【０３９３】
照射時間は、例えば、１０分間以下、好ましくは、１分間以下であり、また、５秒間以上である。
【０３９４】
また、活性エネルギー線を、例えば、上方および／または下方から蛍光体層５に向けて照射し、好ましくは、図９（ｃ）の矢印で示すように、下方から蛍光体層５に向けて照射する。具体的には、活性エネルギー線を、下方から支持シート３２を透過するように、蛍光体層５に照射する
なお、活性エネルギー線の蛍光体層５への照射において、支持シート３２が活性エネルギー線照射剥離シートである場合には、活性エネルギー線の蛍光体層５への照射によって支持シート３２の粘着力が低下しないように、活性エネルギー線照射剥離シートや照射条件が選択される。
【０３９５】
上記した活性エネルギー線の照射とともに、加熱することもできる。
【０３９６】
加熱の時期は、活性エネルギー線の照射とともに、あるいは、活性エネルギー線の照射の前または後に実施でもよく、好ましくは、活性エネルギー線の照射後に実施する。
【０３９７】
加熱条件では、温度が、例えば、５０℃以上、好ましくは、１００℃以上であり、また、例えば、２５０℃以下、また、２００℃以下でもあり、また、加熱時間は、例えば、０．１分間以上、また、例えば、１４４０分間以下、好ましくは、１８０分間以下である。
【０３９８】
上記した活性エネルギー線の照射（および必要により実施される加熱）によって、蛍光体層５が完全硬化してＣステージとなる。
【０３９９】
具体的には、シリコーン半硬化体が第１のシリコーン樹脂組成物から調製される場合には、活性エネルギー線の照射（および必要により実施される加熱）によって、下記式（２１）に示すように、第１のポリシロキサンの付加可能置換基が、ビニル基であり、第２のポリシロキサンの付加可能置換基がヒドロシリル基である場合には、それらが付加（ヒドロシリル付加）する。
式（２１）：
【０４００】
【化２１】
2014130918.tif 000023
【０４０１】
あるいは、シリコーン半硬化体が第２のシリコーン樹脂組成物から調製される場合には、活性エネルギー線の照射（および必要により実施される加熱）によって、第３のポリシロキサンの付加可能置換基が、ビニル基およびヒドロシリル基である場合には、それらが付加（ヒドロシリル付加）する。
【０４０２】
これによって、シリコーン半硬化体が完全硬化する。つまり、蛍光体層５が完全硬化（Ｃステージ化）する。
【０４０３】
なお、完全硬化における、縮合の進行度は、例えば、固体ＮＭＲ測定によって、縮合可能置換基に由来するピーク強度で確認できる。
【０４０４】
Ｃステージ化（完全硬化）した蛍光体層５は、可撓性を有しており、具体的には、２３℃における圧縮弾性率が、例えば、０．５ＭＰａ以上、好ましくは、１．０ＭＰａ以上であり、また、例えば、１００ＭＰａ以下、好ましくは、１０ＭＰａ以下である。
【０４０５】
蛍光体層５の圧縮弾性率が上記上限以下であれば、可撓性を確実に担保することができ、例えば、次の切断工程（図９（ｄ）の破線参照）において、比較的安価なカッティング装置を用いて、蛍光体層５を、上側から確認しながら、切断することもできる。蛍光体層５の圧縮弾性率が上記下限以上であれば、切断後の蛍光体層５の形状を保持することができる。
【０４０６】
これにより、ＬＥＤ４の側面および下面が、蛍光体層５によって密着状に被覆される。つまり、Ｃステージの蛍光体層５によってＬＥＤ４が封止される。
【０４０７】
＜切断工程＞
封止工程後、図９（ｄ）の破線で示すように、切断工程では、ＬＥＤ４の周囲の可撓性の蛍光体層５を、厚み方向に沿って、上側から確認しながら、切断する。例えば、蛍光体層５を、例えば、各ＬＥＤ４を囲む平面視略矩形状に切断する。
【０４０８】
これによって、ＬＥＤ４と、ＬＥＤ４を封止する蛍光体層５とを備える蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を、支持シート３２に密着する状態で得る。
【０４０９】
＜剥離工程＞
切断工程後、図９（ｅ）に示すように、支持シート３２を面方向に延伸させながら、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を支持シート３２から剥離する。
【０４１０】
具体的には、まず、図９（ｄ）の矢印で示すように、支持シート３２を面方向外側に延伸させる。これによって、図９（ｅ）に示すように、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０は、支持シート３２に密着した状態で、切り目８に引張応力が集中するので、切り目８が広がり、そして、各ＬＥＤ４が互いに離間して、隙間１９が形成される。隙間１９は、各ＬＥＤ４を隔てるように、平面視略格子形状に形成される。
【０４１１】
その後、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を支持シート３２の上面から剥離する。
【０４１２】
具体的には、図９（ｅ’）に示すように、例えば、針などの押圧部材１４と、コレットなどの吸引部材１６とを備えるピックアップ装置１７によって、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を支持シート３２から剥離する。ピックアップ装置１７では、押圧部材１４が、剥離したい蛍光体層被覆ＬＥＤ１０に対応する支持シート３２を下方から押圧する（押し上げる）ことによって、剥離したい蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を上方に押し上げて、押し上げられた蛍光体層被覆ＬＥＤ１０をコレットなどの吸引部材１６によって吸引しながら支持シート３２から剥離する。
【０４１３】
そして、支持シート３２を面方向に延伸すれば、剥離したい蛍光体層被覆ＬＥＤ１０と、それに隣接する蛍光体層被覆ＬＥＤ１０との間に隙間１９が形成されるので、吸引部材１６を剥離したい蛍光体層被覆ＬＥＤ１０に近接させたときに、それに隣接する蛍光体層被覆ＬＥＤ１０に吸引部材１６が接触して、かかる蛍光体層被覆ＬＥＤ１０が損傷することを防止することもできる。
【０４１４】
また、上記した支持シート３２の延伸に代えて、または、支持シート３２の延伸に加えて、上記した支持シート３２が、熱剥離シートでもある場合には、支持シート３２を、例えば、５０℃以上、好ましくは、７０℃以上、また、例えば、２００℃以下、好ましくは、１５０℃以下に加熱することもできる。
【０４１５】
また、上記した支持シート３２の延伸に代えて、または、支持シート３２の延伸に加えて、上記した支持シート３２が、活性エネルギー線照射剥離シートでもある場合には、支持シート３２に活性エネルギー線を照射することもできる。
【０４１６】
これらの処理によって、支持シート３２の粘着力が低下して、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を支持シート３２からより一層容易に剥離することができる。
【０４１７】
これによって、図９（ｅ）に示すように、支持シート３２から剥離された蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を得る。
【０４１８】
＜実装工程＞
剥離工程後、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を発光波長や発光効率に応じて選別した後、図９（ｆ）に示すように、選別された蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を基板９に実装する。これによって、ＬＥＤ装置１５を得る。
【０４１９】
その後、必要により、図９（ｆ）の仮想線で示すように、ＬＥＤ装置１５に、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を封止する封止保護層２０を設ける。
【０４２０】
そして、第６実施形態の蛍光体層被覆ＬＥＤ１０の製造方法では、活性エネルギー線の照射によって硬化する活性エネルギー線硬化性樹脂および蛍光体を含有する蛍光樹脂組成物から形成される蛍光体層５に、ＬＥＤ４を埋設し、その後、活性エネルギー線を蛍光体層５に照射して、蛍光体層５によってＬＥＤ４を封止する。そのため、支持シート３２の損傷を抑制しながら、ＬＥＤ４を封止して、ＬＥＤ４の周囲に蛍光体を均一に分散させることができる。
【０４２１】
つまり、蛍光体層５を、加熱せずとも、または、加熱を低減しつつ、蛍光体層５を活性エネルギー線の照射によって、かかる蛍光体層５を硬化させることにより、ＬＥＤ４を封止できるので、蛍光体層５を支持する支持シート３２が耐熱性を有する必要がなく、すなわち、耐熱性が低い支持シート３２を利用することができる。
【０４２２】
しかも、蛍光体層５を完全硬化させる場合に、活性エネルギー線を照射する照射時間は、加熱のみによって蛍光体層５を完全硬化させる場合に比べて、短時間に設定することができる。
【０４２３】
また、蛍光体層５を、ＬＥＤ４に対応して、上側から確認しながら切断することにより、ＬＥＤ４と、ＬＥＤ４を埋設する蛍光体層５とを備える蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を得、その後、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を支持シート３２から剥離する。そのため、損傷が抑制された支持シート３２に支持される蛍光体層５を、優れた寸法安定性で切断して、寸法安定性に優れる蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を得ることができる。
【０４２４】
また、切断工程において、蛍光体層５を支持シート３２によって支持しながら切断し、その後、剥離工程において、支持シート３２を加熱すれば、すでに切断工程において蛍光体層５を支持してその役割を終えた支持シート３２を、加熱して、それから蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を剥離するので、効率的に、寸法安定性に優れる蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を得ることができる。
【０４２５】
従って、この蛍光体層被覆ＬＥＤ１０は、寸法安定性に優れる。
【０４２６】
また、ＬＥＤ装置１５は、寸法安定性に優れる蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を備えるので、信頼性に優れ、そのため、発光効率が向上されている。
【０４２７】
＜変形例＞
上記した第６実施形態では、支持シート３２を１層から形成しているが、例えば、図示しないが、面方向に延伸不能な硬質の支持板と、支持板の上に積層される粘着層との２層から形成することもできる。
【０４２８】
支持板を形成する硬質材料として、例えば、酸化ケイ素（石英など）などの酸化物、例えば、ステンレスなどの金属などが挙げられる。支持板の厚みは、例えば、０．１ｍｍ以上、好ましくは、０．３ｍｍ以上であり、また、例えば、５ｍｍ以下、好ましくは、２ｍｍ以下である。
【０４２９】
粘着層は、支持板の上面全面に形成されている。粘着層を形成する粘着材料としては、例えば、アクリル系感圧接着剤などの感圧接着剤が挙げられる。粘着層の厚みは、例えば、０．１ｍｍ以上、好ましくは、０．２ｍｍ以上であり、また、例えば、１ｍｍ以下、好ましくは、０．５ｍｍ以下である。
【０４３０】
好ましくは、図９（ａ）の上側図に示すように、面方向に延伸可能な支持シート３２を１層から形成する。
【０４３１】
これによれば、図９（ｅ）に示す剥離工程では、支持シート３２を面方向に延伸させながら、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を支持シート３２から剥離できるので、図９（ｅ’）に示すように、上記したピックアップ装置１７を利用して、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を支持シート３２から容易かつ確実に剥離することができる。
【０４３２】
なお、支持シート３２には、硬質の支持板が設けられていないので、図９（ｅ’）が参照されるように、ピックアップ装置１７の押圧部材１４によって、下方から支持シート３２およびそれに対応する蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を押し上げることができる。
【０４３３】
しかも、硬質の支持板を粘着層に積層する必要がないので、プロセスの簡便化を図ることができる。
【０４３４】
＜第７実施形態＞
第７実施形態の図面において、第１〜第６実施形態と同様の部材については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０４３５】
第７実施形態の蛍光体層被覆ＬＥＤ１０の製造方法は、支持シート１を用意する工程（図１０（ａ）参照）、蛍光体層５を、支持板２に粘着層３を介して貼着する貼着工程（図１０（ｂ）参照、配置工程の一例）、埋設工程（図１０（ｃ）参照、）、封止工程（図１０（ｄ）参照）、切断工程（図１０（ｄ）の破線参照）、および、剥離工程（図１０（ｅ）参照）を備える。また、第７実施形態のＬＥＤ装置１５の製造方法は、実装工程（図１０（ｆ）参照）を備える。
【０４３６】
以下、第７実施形態の各工程について詳述する。
【０４３７】
＜支持シート１を用意する工程＞
図１０（ａ）に示すように、支持シート１は、支持板２と、支持板２の上面に積層される粘着層３とを備える。
【０４３８】
支持板２としては、第１実施形態の支持板２と同様の支持板２が挙げられる。
【０４３９】
粘着層３は、活性エネルギー線の照射によって粘着力が低下する材料から、活性エネルギー線照射剥離層（シート）として形成されており、具体的には、例えば、アクリル系感圧接着剤層などの感圧接着剤層が挙げられる。また、粘着層３は、例えば、特開２００１−３０８１１６号公報に記載の活性エネルギー線照射剥離層（シート）から形成することもできる。
【０４４０】
粘着層３の厚みは、例えば、０．０１ｍｍ以上、好ましくは、０．０２ｍｍ以上であり、また、１ｍｍ以下、好ましくは、０．５ｍｍ以下である。
【０４４１】
支持シート１を用意するには、例えば、支持板２と粘着層３とを貼り合わせる。なお、まず、支持板２を用意し、次いで、ワニスを支持板２に塗布する塗布方法などによって、粘着層３を支持板２に直接積層することもできる。
【０４４２】
支持シート１の厚みは、例えば、０．２ｍｍ以上、好ましくは、０．５ｍｍ以上であり、また、６ｍｍ以下、好ましくは、２．５ｍｍ以下である。
【０４４３】
＜貼着工程＞
貼着工程は、支持シート１を用意する工程の後に、実施する。
【０４４４】
貼着工程では、図１０（ｂ）に示すように、例えば、蛍光体シート２５を粘着層３の上面に貼着する。これにより、蛍光体層５を粘着層３に貼着された状態で形成する。
【０４４５】
図１０（ｂ）において、蛍光体層５は、第１実施形態の蛍光樹脂組成物と同様の蛍光樹脂組成物から、面方向に延びるシート状に形成されている。
【０４４６】
＜埋設工程＞
埋設工程は、貼着工程の後に、実施する。
【０４４７】
図１０（ｃ）で示すように、蛍光体層５によってＬＥＤ４を封止するには、まず、図１０（ｂ）の仮想線に示すように、複数のＬＥＤ４を用意する。
【０４４８】
次いで、図１０（ｃ）に示すように、離型シート１３をＬＥＤ４の上に載置し、次いで、ＬＥＤ４を蛍光体層５に埋設する。
【０４４９】
その後、図１０（ｃ）の仮想線で示すように、離型シート１３を蛍光体層５の上面から剥離する。
【０４５０】
＜封止工程＞
封止工程は、埋設工程の後に、実施する。
【０４５１】
その後、図１０（ｄ）に示すように、蛍光体層５を硬化させる。硬化性樹脂が熱硬化性樹脂である場合には、蛍光体層５を熱硬化させる。具体的には、蛍光体層５を、例えば、８０℃以上、好ましくは、１００℃以上、また、例えば、２００℃以下、好ましくは、１８０℃以下に、加熱する。
【０４５２】
熱硬化性樹脂が２段階硬化型シリコーン樹脂を含有し、ＬＥＤ４を埋設する蛍光体層５がＢステージである場合には、蛍光体層５は、上記した加熱によって、完全硬化してＣステージとなる。
【０４５３】
また、熱硬化性樹脂が１段階硬化型シリコーン樹脂を含有する場合には、蛍光体層５は、上記した加熱によって、完全硬化してＣステージとなる。
【０４５４】
あるいは、硬化性樹脂が活性エネルギー線硬化性樹脂である場合には、蛍光体層５に活性エネルギー線を上方から照射する。なお、活性エネルギー線を上方から照射する場合には、それによって粘着層３の粘着力が低下しないように、硬化性樹脂や照射条件が選択される。
【０４５５】
硬化（完全硬化）した蛍光体層５は、可撓性を有しており、また、蛍光体層５の波長４００ｎｍ以下における光透過率は、例えば、５０％以上、好ましくは、６０％以上である。蛍光体層５の光透過率が上記した下限以上であれば、蛍光体層５における活性エネルギー線の透過性を担保して、活性エネルギー線が蛍光体層５を透過して粘着層３に到達することができる。同時に、輝度に優れるＬＥＤ装置１５（後述）を得ることができる。
【０４５６】
これにより、ＬＥＤ４の側面および下面が、蛍光体層５によって密着状に被覆される。つまり、Ｃステージの蛍光体層５によってＬＥＤ４が封止される。
【０４５７】
＜切断工程＞
封止工程後、図１０（ｄ）の破線で示すように、切断工程では、ＬＥＤ４の周囲の蛍光体層５を、厚み方向に沿って切断する。例えば、図２の１点鎖線で示すように、蛍光体層５を、例えば、各ＬＥＤ４を囲む平面視略矩形状に、上側から確認しながら、切断する。
【０４５８】
切断工程によって、ＬＥＤ４と、ＬＥＤ４を埋設する蛍光体層５とを備える蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を、蛍光体層５が支持シート１に密着する状態で得る。つまり、蛍光体層５を、ＬＥＤ４に対応して個片化する。
【０４５９】
＜剥離工程＞
切断工程後、図１０（ｅ）において、剥離工程では、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を粘着層３の上面から剥離する。
【０４６０】
蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を粘着層３の上面から剥離するには、まず、図１０（ｅ）の下向き矢印で示すように、活性エネルギー線を上方から蛍光体層５を介して粘着層３に照射する。
【０４６１】
活性エネルギー線は、例えば、紫外線、電子線などを含み、例えば、波長１８０ｎｍ以上領域、好ましくは、２００ｎｍ以上、また、例えば、４６０ｎｍ以下、好ましくは、４００ｎｍ以下の領域にスペクトル分布を持つ活性エネルギー線が挙げられる。
【０４６２】
活性エネルギー線の照射には、例えば、ケミカルランプ、エキシマレーザ、ブラックライト、水銀アーク、炭素アーク、低圧水銀ランプ、中圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、メタルハライドランプなどの照射装置が用いられる。なお、上記波長領域より長波長側あるいは短波長側の活性エネルギー線を発生させることができる照射装置を用いることもできる。
【０４６３】
照射量は、例えば、０．００１Ｊ／ｃｍ２以上、好ましくは、０．０１Ｊ／ｃｍ２以上であり、また、例えば、１００Ｊ／ｃｍ２以下、好ましくは、１０Ｊ／ｃｍ２以下である。照射量が上記下限以上であれば、粘着層３の粘着力を確実に効率よく低下させることができる。一方、照射量が上記上限以下であれば、コスト増大を抑制して、機器の損傷を有効に防止することができる。
【０４６４】
照射時間は、例えば、１０分間以下、好ましくは、１分間以下であり、また、例えば、５秒間以上である。照射時間の上限が上記した上限以下であれば、剥離工程にかかる時間を短縮することができる。
【０４６５】
そして、活性エネルギー線の全部または一部は、上方から蛍光体層５を透過して粘着層３に照射される。
【０４６６】
この活性エネルギー線の照射によって、粘着層３の粘着力が低下する。
【０４６７】
この状態で、図１０（ｅ）の上向き矢印で示すように、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を粘着層３から剥離する。なお、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を粘着層３から剥離するには、必要により、図示しないが、コレットなどの吸引部材を備えるピックアップ装置を用いることができる。具体的には、吸引部材によって蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を吸引しながら粘着層３から剥離することができる。
【０４６８】
蛍光体層被覆ＬＥＤ１０の粘着層３からの剥離では、蛍光体層５の下面が、粘着層３の上面から剥離される。
【０４６９】
これによって、粘着層３から剥離された蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を得る。
【０４７０】
［実装工程］
剥離工程後、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を発光波長や発光効率に応じて選別した後、図１０（ｆ）に示すように、選別された蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を基板９に実装する。これによって、ＬＥＤ装置１５を得る。
【０４７１】
これにより、基板９と、基板９に実装される蛍光体層被覆ＬＥＤ１０とを備えるＬＥＤ装置１５を得る。
【０４７２】
その後、必要により、図１０（ｆ）の仮想線で示すように、ＬＥＤ装置１５に、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を封止する封止保護層２０を設ける。
【０４７３】
そして、第７実施形態によれば、剥離工程では、活性エネルギー線を上方から蛍光体層５を介して粘着層３に照射する。すると、活性エネルギー線が蛍光体層５を透過して粘着層３に照射される。そのため、支持板２を、活性エネルギー線を透過させる基板材料から形成して、その支持板２に活性エネルギー線を透過させる必要がない。その結果、支持板２として、活性エネルギー線透過性の支持板に限らず、活性エネルギー線遮断性の支持板からも選択することができる。
【０４７４】
また、切断工程後に、剥離工程を実施する。つまり、切断工程では、硬質の支持板２を備える支持シート１により、蛍光体層５を支持しながら、蛍光体層５を切断することができる。そのため、寸法安定性に優れる蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を得ることができる。
【０４７５】
さらに、この方法では、剥離工程において、活性エネルギー線を粘着層３に照射するので、粘着層３の加熱によって粘着層３の粘着力を低減する方法に比べると、加熱に起因する支持シート１の変形を防止して、寸法安定性をより一層向上させることができる。
【０４７６】
従って、この蛍光体層被覆ＬＥＤ１０は、寸法安定性に優れる。
【０４７７】
また、ＬＥＤ装置１５は、寸法安定性に優れる蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を備えるので、信頼性に優れ、そのため、発光効率が向上されている。
【０４７８】
＜変形例＞
図１０（ｅ）の実施形態の剥離工程では、活性エネルギー線を上方のみから粘着層３に照射しているが、第７実施形態において、活性エネルギー線を少なくとも上方から照射すればよく、例えば、支持板２が活性エネルギー線透過性材料または活性エネルギー線半透過性材料から形成される場合には、活性エネルギー線を上下両方から粘着層３に照射することもできる。その場合には、支持シート１の下方から照射される活性エネルギー線は、全部または一部が、支持板２を透過して粘着層３に到達する。
【０４７９】
このような変形例によれば、剥離工程において、粘着層３の粘着力を低下させるために要する時間、つまり、活性エネルギー線の照射時間をより一層短縮することができ、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０の製造効率を向上させることができる。
【０４８０】
＜第８実施形態＞
第１実施形態では、図１（ｂ）に示すように、蛍光体層５を、蛍光体が均一に（少なくとも面方向に均一に）分散される蛍光体シート２５から形成しているが、例えば、図１１（ｂ）および図１２に示すように、封止シートとして、蛍光体を含有する被覆部としての埋設部３３と、埋設部３３を囲むリフレクタ部３４とを備える埋設−リフレクタシート２４を例示することもできる。
【０４８１】
図１２に示すように、埋設部３３は、埋設−リフレクタシート２４において、複数のＬＥＤ４を埋設する部分として間隔を隔てて複数設けられており、各埋設部３３は、平面視略円形状に形成されている。具体的には、図１１（ｂ）に示すように、各埋設部３３は、上方に向かって次第に細くなる略円錐台形状に形成されている。
【０４８２】
埋設部３３の上端部の直径（最大長さ）は、ＬＥＤ４の面方向の最大長さより大きく、具体的には、ＬＥＤ４の面方向の最大長さに対して、例えば、２００％以上、好ましくは、３００％以上、より好ましくは、５００％以上であり、例えば、３０００％以下である。具体的には、埋設部３３の上端部の直径（最大長さ）は、例えば、５ｍｍ以上、好ましくは、７ｍｍ以上であり、また、例えば、３００ｍｍ以下、好ましくは、２００ｍｍ以下である。
【０４８３】
また、埋設部３３の下端部の直径（最大長さ）は、上端部の直径（最大長さ）より大きく、具体的には、例えば、７ｍｍ以上、好ましくは、１０ｍｍ以上であり、また、例えば、４００ｍｍ以下、好ましくは、２５０ｍｍ以下である。
【０４８４】
さらに、各埋設部３３間の間隔（最小間隔、具体的には、埋設部３３の下端部間の間隔）は、例えば、２０ｍｍ以上、好ましくは、５０ｍｍ以上であり、また、例えば、１０００ｍｍ以下、好ましくは、２００ｍｍ以下である。
【０４８５】
埋設部３３は、上記した蛍光樹脂組成物から形成されている。埋設部３３は、蛍光樹脂組成物が熱硬化性樹脂を含有する場合には、Ｂステージで形成されている。
【０４８６】
図１２に示すように、リフレクタ部３４は、埋設−リフレクタシート２４の周端部において連続するとともに、各埋設部３３の間に配置され、各埋設部３３を囲む平面視略格子状に形成されている。
【０４８７】
また、リフレクタ部３４は、後述する光反射成分を含有する反射樹脂組成物から形成されている。
【０４８８】
次に、この埋設−リフレクタシート２４の製造方法について、図１２および図１３を参照して説明する。
【０４８９】
この方法では、まず、図１３（ａ）に示すように、プレス装置３５を用意する。
【０４９０】
プレス装置３５は、支持板３６と、支持板３６の上側に対向配置される型３７とを備えている。
【０４９１】
支持板３６は、例えば、ステンレスなどの金属から、略矩形平板形状に形成されている。
【０４９２】
型３７は、平板部３８と、平板部３８から下側に突出するように形成される突出部３９とを一体的に備えている。
【０４９３】
平板部３８は、平面視において、支持板３６と同一形状に形成されている。
【０４９４】
突出部３９は、型３７において、埋設部３３に対応するように、面方向に互いに間隔を隔てて複数設けられている。すなわち、突出部３９は、平板部３８の下面から下方に向かって次第に細くなる略円錐台形状に形成されており、具体的には、正断面視および側断面視において、下方に向かって次第に細くなるテーパ形状に形成されている。つまり、突出部３９は、埋設部３３と同一形状に形成されている。
【０４９５】
また、図１３（ａ）に示すように、支持板３６の周端部の上面には、スペーサ４０が設けられている。スペーサ４０は、例えば、ステンレスなどの金属からなり、厚み方向に投影したときに、複数の埋設部３３を囲むように、配置されている。また、スペーサ４０は、厚み方向に投影したときに、型３７に含まれ、具体的には、平板部３８の周端部と重なるように、支持板３６に配置されている。
【０４９６】
スペーサ４０は、後述する剥離シート４９の厚みと、突出部３９の厚みとの合計厚みとなるように、設定されている。スペーサ４０の厚みは、例えば、０．３ｍｍ以上、好ましくは、０．５ｍｍ以上であり、また、例えば、５ｍｍ以下、好ましくは、３ｍｍ以下である。
【０４９７】
なお、プレス装置３５は、形状の異なる型３７が交換可能に構成されており、具体的には、図１３（ａ）に示す突出部３９を有する型３７と、図１３（ｃ）に示す後述する、突出部３９を有しない平板状の型３７とが交換可能に構成されている。
【０４９８】
また、図１３（ａ）に示すように、支持板３６の上面において、スペーサ４０の内側には、剥離シート４９が載置されている。剥離シート４９の周端面は、支持板３６の上面において、スペーサ４０の内側面に接触するように、形成されている。剥離シート４９の厚みは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１５０μｍ以下である。
【０４９９】
次いで、図１３（ｃ）に示すプレス装置３５に、リフレクタシート４２を、剥離シート４９の上面に配置する。
【０５００】
リフレクタシート４２を剥離シート４９の上面に配置するには、例えば、反射樹脂組成物から形成されるリフレクタシート４２を剥離シート４９の上面に積層する積層方法、例えば、液状の反射樹脂組成物を剥離シート４９の上面に塗布する塗布方法などが用いられる。
【０５０１】
反射樹脂組成物は、例えば、樹脂と光反射成分とを含有する。
【０５０２】
樹脂としては、例えば、熱硬化性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、熱硬化性ウレタン樹脂などの熱硬化性樹脂が挙げられ、好ましくは、熱硬化性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂が挙げられる。
【０５０３】
光反射成分は、例えば、白色の化合物であって、そのような白色の化合物としては、具体的には、白色顔料が挙げられる。
【０５０４】
白色顔料としては、例えば、白色無機顔料が挙げられ、そのような白色無機顔料としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウムなどの酸化物、例えば、鉛白（炭酸鉛）、炭酸カルシウムなどの炭酸塩、例えば、カオリン（カオリナイト）などの粘土鉱物などが挙げられる。
【０５０５】
白色無機顔料として、好ましくは、酸化物、さらに好ましくは、酸化チタンが挙げられる。
【０５０６】
そのような酸化チタンは、具体的には、ＴｉＯ２、（酸化チタン（ＩＶ）、二酸化チタン）である。
【０５０７】
酸化チタンの結晶構造は、特に限定されず、例えば、ルチル、ブルッカイト（板チタン石）、アナターゼ（鋭錐石）などであり、好ましくは、ルチルである。
【０５０８】
また、酸化チタンの結晶系は、特に限定されず、例えば、正方晶系、斜方晶系などであり、好ましくは、正方晶系である。
【０５０９】
酸化チタンの結晶構造および結晶系が、ルチルおよび正方晶系であれば、リフレクタ部３４が長期間高温に曝される場合でも、光（具体的には、可視光、とりわけ、波長４５０ｎｍ付近の光）に対する反射率が低下することを有効に防止することができる。
【０５１０】
光反射成分は、粒子状であり、その形状は限定されず、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。光反射成分の最大長さの平均値（球状である場合には、その平均粒子径）は、例えば、１ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。最大長さの平均値は、レーザー回折散乱式粒度分布計を用いて測定される。
【０５１１】
光反射成分の配合割合は、樹脂１００質量部に対して、例えば、０．５質量部以上、好ましくは、１．５質量部以上であり、また、例えば、９０質量部以上、好ましくは、７０質量部以上である。
【０５１２】
上記した光反射成分は、樹脂中に均一に分散混合される。
【０５１３】
また、反射樹脂組成物には、さらに、上記した充填剤を添加することもできる。つまり、充填剤を、光反射成分（具体的には、白色顔料）と併用することができる。
【０５１４】
充填剤は、上記した白色顔料を除く、公知の充填剤が挙げられ、具体的には、シリコーン粒子などの有機微粒子、例えば、シリカ、タルク、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素などの無機微粒子が挙げられる。
【０５１５】
充填剤の添加割合は、充填剤および光反射成分の総量が、樹脂１００質量部に対して、例えば、１０質量部以上、好ましくは、２５質量部以上、より好ましくは、４０質量部以上となるように、また、例えば、８０質量部以下、好ましくは、７５質量部以下、より好ましくは、６０質量部以下となるように、調整される。
【０５１６】
積層方法では、反射樹脂組成物は、上記した樹脂と、光反射成分と、必要により添加される充填剤とを配合して、均一混合することにより、Ａステージとして調製される。
【０５１７】
続いて、積層方法では、Ａステージの反射樹脂組成物を、図示しない離型シートの表面に、例えば、キャスティング、スピンコーティング、ロールコーティングなどの塗布方法によって塗布し、その後、加熱してＢステージあるいはＣステージとする。離型シートとしては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム（ＰＥＴなど）などのポリマーフィルム、例えば、セラミクスシート、例えば、金属箔などが挙げられる。好ましくは、ポリマーフィルムが挙げられる。また、離型シートの表面には、フッ素処理などの剥離処理を施すこともできる。
【０５１８】
あるいは、Ａステージの反射樹脂組成物を、例えば、図示しない離型シートの表面に、スクリーン印刷などによって上記した塗布方法によって塗布し、その後、加熱することにより、ＢステージあるいはＣステージのリフレクタシート４２を形成する。
【０５１９】
その後、リフレクタシート４２を剥離シート４９に転写する。続いて、図示しない離型シートを剥離する。
【０５２０】
一方、塗布方法では、上記したＡステージの反射樹脂組成物を、剥離シート４９の上面に、スクリーン印刷などによって塗布し、その後、加熱することにより、Ｂステージのリフレクタシート４２を形成する。
【０５２１】
リフレクタシート４２の厚みは、例えば、０．３ｍｍ以上、好ましくは、０．５ｍｍ以上であり、また、例えば、５ｍｍ以下、好ましくは、３ｍｍ以下である。
【０５２２】
続いて、図１３（ａ）の矢印および図１３（ｂ）に示すように、プレス装置３５によってリフレクタシート４２をプレスする。
【０５２３】
具体的には、型３７を支持板３６に対して押し下げる。詳しくは、突出部３９が、リフレクタシート４２を厚み方向に貫通するように、型３７を下側に押し下げる。併せて、型３７の平板部３８の周端部を、スペーサ４０の上面に当接させる。
【０５２４】
これにより、リフレクタシート４２には、図１３（ｂ）に示すように、厚み方向を貫通し、突出部３９に対応する形状の貫通孔４１が形成される。
【０５２５】
型３７の押し下げにおいて、反射樹脂組成物がＢステージの熱硬化性樹脂を含有する場合には、型３７に予めヒータ（図示せず）を内蔵させて、かかるヒータによって、リフレクタシート４２を加熱することもできる。これによって、反射樹脂組成物を完全硬化（Ｃステージ化）させる。
【０５２６】
加熱温度は、例えば、８０℃以上、好ましくは、１００℃以上であり、また、例えば、２００℃以下、好ましくは、１８０℃以下である。
【０５２７】
これによって、剥離シート４９の上に、リフレクタ部３４が形成される。
【０５２８】
その後、図１３（ｃ）に示すように、プレス装置３５のプレス状態を解放する。具体的には、型３７を引き上げる。
【０５２９】
続いて、平板部３８および突出部３９を備える型３７を、平板部３８のみを備える型３７と交換する。
【０５３０】
これとともに、蛍光体シート２５を、リフレクタ部３４の上に配置する。
【０５３１】
具体的には、蛍光体シート２５を、リフレクタ部３４の上面に、貫通孔４１を被覆するように、載置する。
【０５３２】
蛍光樹脂組成物が熱硬化性樹脂を含有する場合には、Ｂステージの蛍光体シート２５をリフレクタ部３４の上に配置する。蛍光体シート２５は、Ｂステージである場合には、その平板形状がある程度維持されるので、貫通孔４１内に落ち込むことなく、貫通孔４１を被覆するように、リフレクタ部３４の上面に載置される。
【０５３３】
また、蛍光体シート２５は、リフレクタ部３４（具体的には、リフレクタシート４２の反射樹脂組成物が熱硬化性樹脂を含有する場合には、Ｃステージのリフレクタ部３４）に比べて柔軟に形成されている。具体的には、蛍光体シート２５は、次のプレス（図１３（ｄ））によって、変形可能な柔らかさである一方、リフレクタ部３４は、次のプレスによって、変形不可能な硬さに形成されている。
【０５３４】
次いで、図１３（ｄ）に示すように、プレス装置３５によって、蛍光体シート２５をプレスする。具体的には、平板部３８からなる型３７を、支持板３６に向けて押し下げる。併せて、平板部３８の周端部を、スペーサ４０の上面に当接させる。また、平板部３８の下面が、リフレクタ部３４の上面に接触する。
【０５３５】
これによって、比較的柔軟な蛍光体シート２５は、平板部３８によって上側から押圧されて、貫通孔４１内に充填される。一方、比較的硬いリフレクタ部３４は、変形することなく、その貫通孔４１に埋設部３３を収容する。
【０５３６】
また、平板部３８に内蔵されるヒータによって、蛍光体シート２５を加熱することもできる。
【０５３７】
これによって、埋設部３３が、リフレクタ部３４の貫通孔４１内に形成される。
【０５３８】
これによって、支持板３６および型３７の間において、埋設部３３およびリフレクタ部３４を備える埋設−リフレクタシート２４が得られる。
【０５３９】
図１３（ｅ）に示すように、その後、型３７を引き上げ、続いて、埋設−リフレクタシート２４を剥離シート４９から剥離する。
【０５４０】
次に、図１３（ｃ）に示す埋設−リフレクタシート２４を用いて、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０およびＬＥＤ装置１５を製造する方法について、図１１を参照して、上記実施形態と異なる工程を詳述する。
［配置工程］
図１１（ｂ）に示すように、埋設−リフレクタシート２４を、埋設部３３が上方に向かって次第に細くなるテーパ形状となるように、支持シート１の上に配置する。
［埋設工程］
埋設工程では、まず、図１１（ｂ）に示すように、複数のＬＥＤ４のそれぞれを、埋設部３３に対して対向配置させる。具体的には、各ＬＥＤ４を、平面視において、埋設部３３の中心と対向するとともに、リフレクタ部３４の上端部の内側に間隔が隔てられるように、配置する。
【０５４１】
図１１（ｃ）に示すように、その後、離型シート１３を、ＬＥＤ４の上面に配置し、続いて、積層体をプレスする。これにより、ＬＥＤ４を、上面が露出されるように、埋設部３３に埋設する。
［封止工程］
封止工程では、蛍光樹脂組成物が熱硬化性樹脂を含有する場合には、蛍光体層５を加熱により熱硬化させる。これによって、埋設部３３が完全硬化する。これによって、ＬＥＤ４が埋設部３３によって封止される。
［切断工程］
図１３（ｄ）に示すように、切断工程では、リフレクタ部３４を、厚み方向に沿って切断する。例えば、図１２の１点破線が参照されるように、リフレクタ部３４を、例えば、各埋設部３３を囲む平面視略矩形状に、蛍光体層５を切断する。また、蛍光体層５を、上面が露出されるＬＥＤ４を視認しながら、切断する。
【０５４２】
図１３（ｄ）に示すように、切断工程によって、１つのＬＥＤ４と、ＬＥＤ４を埋設する埋設部３３と、埋設部３３の周りに設けられるリフレクタ部３４とを備える蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を、支持シート１に密着する状態で得る。つまり、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０には、リフレクタ部３４が設けられている。つまり、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０は、リフレクタ部付蛍光体層被覆ＬＥＤである。
［剥離工程］
剥離工程において、図１１（ｅ）に示すように、リフレクタ部３４が設けられた蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を、支持シート１から剥離する。
［実装工程］
実装工程において、リフレクタ部３４が設けられた蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を発光波長や発光効率に応じて選別した後、図１１（ｆ）に示すように、選別された蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を基板９に実装する。これによって、ＬＥＤ装置１５を得る。
【０５４３】
これにより、基板９と、基板９に実装され、リフレクタ部３４が設けられる蛍光体層被覆ＬＥＤ１０とを備えるＬＥＤ装置１５を得る。
【０５４４】
そして、この第８実施形態によれば、埋設−リフレクタシート２４は、ＬＥＤ４を埋設する埋設部３３と、光反射成分を含有し、埋設部３３を囲むようにして形成されるリフレクタ部３４とを備えるので、ＬＥＤ４から発光される光をリフレクタ部３４によって反射させることができる。そのため、ＬＥＤ装置１５の発光効率を向上させることができる。
【０５４５】
＜変形例＞
第８実施形態では、埋設部３３を、蛍光体を含有する蛍光樹脂組成物から形成しているが、例えば、蛍光体を含有しない樹脂組成物から形成することもできる。
【０５４６】
＜第９実施形態＞
第９実施形態の図面において、第８実施形態と同様の部材については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０５４７】
第８実施形態の埋設−リフレクタシート２４の製造方法において、図１３（ｃ）および図１３（ｄ）に示すように、蛍光体シート２５から埋設部３３を形成しているが、図１４（ｃ）に示すように、蛍光体シート２５を用いることなく、蛍光樹脂組成物のワニスを、貫通孔４１にポッティングすることによって、埋設部３３を形成することもできる。
【０５４８】
具体的には、まず、蛍光樹脂組成物をワニスとして調製する。具体的には、蛍光樹脂組成物が熱硬化性樹脂を含有する場合には、Ａステージのワニスを調製する。これによって、Ａステージの蛍光樹脂組成物が貫通孔４１内に充填される。
【０５４９】
その後、蛍光樹脂組成物が熱硬化性樹脂を含有する場合には、Ａステージの蛍光樹脂組成物を加熱して、Ｂステージ化する。
【０５５０】
第９実施形態によっても、第８実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
【０５５１】
＜第１０実施形態＞
第１０実施形態の図面において、第８実施形態および第９実施形態と同様の部材については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０５５２】
第８実施形態において、図１１（ｂ）および図１２に示すように、平面視において、埋設部３３の上端部を、ＬＥＤ４より大きく形成しているが、例えば、図１５（ｂ）に示すように、埋設部３３の上端部と、ＬＥＤ４とを、同一寸法に形成することもできる。
【０５５３】
［埋設工程］
例えば、埋設部３３は、上方に向かって次第に細くなる略四角錐台形状に形成されている。
【０５５４】
図１５（ｂ）に示す埋設部３３を形成するには、図１３および図１４が参照される突出部３９を、平板部３８の下面から下方に向かって次第に細くなる略四角錐台形状に形成する。
【０５５５】
また、図１５（ｂ）に示すように、厚み方向に投影したときに、埋設部３３の上端部と、ＬＥＤ４とは、互いに重複し、具体的には、平面視において、埋設部３３の上端部の周端縁と、ＬＥＤ４の周端縁とが、同一位置に形成されるように、ＬＥＤ４を埋設部３３の上面に載置する。
【０５５６】
第１０実施形態によっても、第７および８実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
【０５５７】
＜第１１実施形態＞
第１１実施形態の図面において、第８実施形態と同様の部材については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０５５８】
第８実施形態において、図１１に示すように、埋設−リフレクタシート２４における埋設部３３を、上方に向かって次第に細くなる略円錐台形状に形成しているが、例えば、図１６（ｂ）に示すように、上下方向（厚み方向）に延びる略円柱形状に形成することもできる。
【０５５９】
このような埋設部３３を形成するには、図１７（ａ）および図１７（ｂ）に示す打抜装置５５を用いる。
【０５６０】
打抜装置５５は、支持板５６と、支持板５６の上側に対向配置される型５７とを備えている。
【０５６１】
支持板５６は、例えば、ステンレスなどの金属から、略矩形平板形状に形成されており、また、支持板５６には、厚み方向を貫通する貫通孔５３が形成されている。
【０５６２】
貫通孔５３は、平面視略円形状に形成されている。
【０５６３】
型５７は、平板部５８と、平板部５８から下側に突出するように形成される突出部５９とを一体的に備えている。
【０５６４】
平板部５８は、図１３（ａ）に示す平板部３８と同一形状に形成される。
突出部５９は、型５７において、埋設部３３（図１７（ｃ）参照）に対応するように、面方向に互いに間隔を隔てて複数設けられている。突出部５９は、平面視において、貫通孔５３と同一形状および同一寸法に形成されており、具体的には、略円柱形状に形成されている。突出部５９は、埋設部３３（図１７（ｃ）参照）と同一形状に形成されている。つまり、突出部５９は、正断面視および側断面視において、略矩形状に形成されている。
【０５６５】
これによって、打抜装置５５は、型５７の押し下げによって、突出部５９が貫通孔５３に挿入可能に構成されている。
【０５６６】
貫通孔５３の孔径および突出部５９の直径は、例えば、５ｍｍ以上、好ましくは、７ｍｍ以上であり、また、例えば、３００ｍｍ以下、好ましくは、２００ｍｍ以下である。
【０５６７】
また、支持板５６の周端部の上面には、スペーサ４０が設けられている。スペーサ４０は、平面視において、貫通孔５３を囲むように、支持板５６の周端部に、平面視略枠形状に配置されている。
【０５６８】
そして、図１７に示す打抜装置５５によって埋設−リフレクタシート２４を形成するには、まず、図１７（ａ）に示すように、リフレクタシート４２を、支持板５６の上に配置する。具体的には、リフレクタシート４２を、複数の貫通孔５３を被覆するように、支持板５６の上面に載置する。
【０５６９】
次いで、図１７（ｂ）に示すように、打抜装置５５を用いて、リフレクタシート４２を打ち抜く。
【０５７０】
具体的には、型３７を押し下げることによって、突出部５９がリフレクタシート４２を打ち抜く。
【０５７１】
これによって、リフレクタシート４２には、突出部５９に対応する形状の貫通孔４１が形成される。
【０５７２】
これによって、支持板５６の上に、リフレクタ部３４が形成される。
【０５７３】
次いで、図１７（ｃ）に示すように、型５７を引き上げる。
【０５７４】
その後、形成されたリフレクタ部３４を、支持板３６と、平板部３８からなる型３７とを備え、剥離シート４９が設けられるプレス装置３５に設置する。
【０５７５】
次いで、蛍光体シート２５を、リフレクタ部３４の上に配置する。
【０５７６】
次いで、図１７（ｃ）の矢印および図１７（ｄ）に示すように、プレス装置３５によって、蛍光体シート２５をプレスする。これによって、埋設部３３を、リフレクタ部３４の貫通孔４１内に形成する。
【０５７７】
これによって、支持板３６および型３７の間において、埋設部３３およびリフレクタ部３４を備える埋設−リフレクタシート２４が得られる。
【０５７８】
その後、型３７を引き上げ、続いて、図１７（ｅ）に示すように、埋設−リフレクタシート２４を剥離シート４９から剥離する。
【０５７９】
第１１実施形態によっても、第８実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
【０５８０】
＜第１２実施形態＞
第１２実施形態の図面において、第１１実施形態と同様の部材については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０５８１】
第１１実施形態の埋設−リフレクタシート２４の製造方法において、図１７（ｃ）および図１７（ｄ）に示すように、蛍光体シート２５から埋設部３３を形成しているが、図１８（ｃ）に示すように、蛍光体シート２５を用いることなく、蛍光樹脂組成物のワニスを、貫通孔４１にポッティングすることによって、埋設部３３を形成することもできる。
【０５８２】
具体的には、図１８に示すリフレクタ部３４を打抜装置５５から取り出し、続いて、図１８（ｃ）に示すように、剥離シート４９の上面に配置する。続いて、蛍光樹脂組成物のワニスを、貫通孔４１内にポッティングする。
【０５８３】
第１２実施形態によっても、第１１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
【０５８４】
＜第１３実施形態＞
第１３実施形態の図面において、第１１実施形態と同様の部材については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０５８５】
第１１実施形態において、図１７（ｂ）に示すように、被覆部として、ＬＥＤ４を埋設する埋設部３３を例示しているが、例えば、図１９（ｃ）に示すように、ＬＥＤ４の下面を被覆する被覆部４３を例示することもできる。
【０５８６】
被覆部４３は、被覆−リフレクタシート４４において、リフレクタ部３４に囲まれるように設けられている。被覆−リフレクタシート４４において、被覆部４３は、図１６（ｂ）に示す埋設部３３と同一形状をなし、さらにｐ、ＬＥＤ４と同一寸法に形成されている。
【０５８７】
例えば、図１９（ｂ）に示すように、被覆部４３は、厚み方向に投影したときに、ＬＥＤ４と、互いに重複し、具体的には、平面視において、被覆部４３の周端縁と、ＬＥＤ４の周端縁とが、同一位置に形成されるように、ＬＥＤ４を被覆部４３の上面に載置する。
【０５８８】
［被覆工程］
第１３実施形態では、図１６（ｃ）に示す埋設工程に代えて、図１９に示す被覆工程を実施する。被覆工程の条件については、埋設工程のそれと同様である。
【０５８９】
なお、図１９（ｃ）に示す埋設工程において、被覆部４３は、ＬＥＤ４の下面を被覆する。被覆部４３は、ＬＥＤ４のプレスによって、ＬＥＤ４が圧入されて、面方向外側にわずかに膨出するが、その膨出の程度は、微小であることから、図１９（ｃ）において、プレス後の被覆部４３とＬＥＤ４との左右方向長さを同一長さで示している。
【０５９０】
第１３実施形態によっても、第１１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
【０５９１】
＜第１４実施形態＞
第１４実施形態の図面において、第１実施形態と同様の部材については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０５９２】
第１実施形態において、図１（ｃ）に示すように、ＬＥＤ４を側面および下面を蛍光体層５によって被覆する埋設工程を実施しているが、例えば、埋設工程に代えて、図２０（ｃ）に示すように、ＬＥＤ４の側面のみを蛍光体層５によって被覆する被覆工程を実施することもできる。
［配置工程］
図２０（ｂ）に示すように、支持シート１に配置される蛍光体層５の厚みを、ＬＥＤ４の厚みより薄く設定し、ＬＥＤ４の厚みに対して、例えば、９５％以下、好ましくは、９０％以下に、また、例えば、１０％以上に設定する。支持シート１に配置される蛍光体層５の厚みを、具体的には、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、８００μｍ以下に、また、例えば、３０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上に設定する。
［被覆工程］
図２０（ｃ）に示すように、プレスによって、各ＬＥＤ４を、各上面が離型シート１３によって被覆されながら、各ＬＥＤ４の下面が粘着層３の上面に接触するように、蛍光体層５に圧入する。
【０５９３】
また、複数のＬＥＤ４が圧入された蛍光体層５は、その上面が、各ＬＥＤ４の上面と面一に形成される。また、蛍光体層５の下面も、各ＬＥＤ４の下面と面一に形成される。つまり、複数のＬＥＤ４が圧入された蛍光体層５の厚みと、各ＬＥＤ４の厚みとが、同一になる。
［剥離工程］
図２０（ｅ）において、剥離工程では、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を粘着層３の上面から剥離する。つまり、蛍光体層５およびＬＥＤ４と、粘着層３との間の界面剥離が起こるように、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を支持板２および粘着層３から剥離する。
【０５９４】
この蛍光体層被覆ＬＥＤ１０では、ＬＥＤ４の上面の一部を形成する端子と、ＬＥＤ４の下面が、ともに露出する一方、ＬＥＤ４の側面が、蛍光体層５によって被覆されている。
【０５９５】
第１４実施形態によっても、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
【０５９６】
＜第１５実施形態＞
第１５実施形態の図面において、第１実施形態と同様の部材については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０５９７】
第１実施形態では、図１（ｂ）に示すように、蛍光体層５を、予め成形された蛍光体シート２５から形成している。しかし、例えば、蛍光樹脂組成物をワニスとして調製し、ワニスを支持シート１の上（具体的には、粘着層３の上面）に直接塗布することもできる。
【０５９８】
ワニスを塗布するには、例えば、ディスペンサ、アプリケータ、スリットダイコータなどの塗布機が用いられる。好ましくは、図２１に示すディスペンサ２６が用いられる。
【０５９９】
図２１に示すように、ディスペンサ２６は、導入部２７と、塗布部２８とを一体的に備える。
【０６００】
導入部２７は、上下方向に延びる略円筒形状に形成されており、その下端部は、塗布部２８に接続されている。
【０６０１】
塗布部２８は、左右方向および上下方向に延びる平板形状に形成され、また、上下方向に延びる側面視略矩形状に形成されている。塗布部２８の上端部には、導入部２７が接続されている。塗布部２８の下端部は、その前端部および後端部が切り欠かれた、側断面視先細り形状（テーパ）に形成されている。また、塗布部２８の下端面は、粘着層３の上面に対して、押付可能に構成されている。さらに、塗布部２８の内部には、導入部２７から導入されるワニスが下流側（下側）に向かうに従って左右方向に広がる幅広の流路（図示せず）が設けられている。
【０６０２】
また、ディスペンサ２６は、面方向に延びる支持シート１に対して、相対的に前後方向に移動可能に構成されている。
【０６０３】
このディスペンサ２６を用いて、ワニスを支持シート１に塗布するには、塗布部２８を支持シート１の上面に対向配置し（押付け）ながら、ワニスを導入部２７に供給する。これとともに、ディスペンサ２６を支持シート１に対して相対的に後側に移動させる。これによって、ワニスは、導入部２７から塗布部２８に導入され、続いて、塗布部２８の下端部から支持シート１に幅広状に供給される。また、ディスペンサ２６の支持シート１に対する相対的に後側への移動によって、ワニスは、支持シート１の上面において、前後方向に延びる帯形状に塗布される。
【０６０４】
なお、ワニスは、蛍光樹脂組成物が熱硬化性樹脂を含有する場合には、Ａステージ状態として調製されており、また、例えば、塗布部２８から支持シート１に供給されたときに、その箇所から、面方向外側に流れ出さない、つまり、その箇所に留まるような粘性を有する。具体的には、ワニスの２５℃、１気圧の条件下における粘度は、例えば、１，０００ｍＰａ・ｓ以上、好ましくは、４，０００ｍＰａ・ｓ以上であり、また、例えば、１，０００，０００ｍＰａ・ｓ以下、好ましくは、１００，０００ｍＰａ・ｓ以下である。なお、粘度は、ワニスを２５℃に温度調節し、Ｅ型コーンを用いて、回転数９９ｓ−１で測定される。
【０６０５】
ワニスの粘度が上記下限以上であれば、ワニスを面方向外側に流れ出すことを有効に防止できる。そのため、ダム部材などを支持シート１に別途設ける必要がなくなるので、プロセスの簡便化を図ることができ、ワニスを、ディスペンサ２６によって支持シート１に簡易かつ確実に所望の厚みおよび所望の形状で塗布することができる。
【０６０６】
一方、ワニスの粘度が上記上限以下であれば、塗布性（ハンドリング性）を向上させることができる。
【０６０７】
その後、蛍光樹脂組成物が熱硬化性樹脂を含有する場合には、塗布されたワニスを加熱して、Ｂステージ化（半硬化）する。これによって、Ｂステージの蛍光体層５を、支持シート１の上（粘着層３の上面）に形成する。
【０６０８】
第１５実施形態によっても、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
【符号の説明】
【０６０９】
１  支持シート
４  ＬＥＤ（ＬＤ）
５  蛍光体層
９  基板
１０蛍光体層被覆ＬＥＤ（蛍光体層被覆ＬＤ）
１２延伸支持シート
１５ＬＥＤ装置（レーザーダイオード装置）
２４埋設−リフレクタシート
２５蛍光体シート
３３埋設部
３４リフレクタ部
４３被覆部
４４被覆−リフレクタシート
【図１】
2014130918.tif 000024
【図２】
2014130918.tif 000025
【図３】
2014130918.tif 000026
【図４】
2014130918.tif 000027
【図５】
2014130918.tif 000028
【図６】
2014130918.tif 000029
【図７】
2014130918.tif 000030
【図８】
2014130918.tif 000031
【図９】
2014130918.tif 000032
【図１０】
2014130918.tif 000033
【図１１】
2014130918.tif 000034
【図１２】
2014130918.tif 000035
【図１３】
2014130918.tif 000036
【図１４】
2014130918.tif 000037
【図１５】
2014130918.tif 000038
【図１６】
2014130918.tif 000039
【図１７】
2014130918.tif 000040
【図１８】
2014130918.tif 000041
【図１９】
2014130918.tif 000042
【図２０】
2014130918.tif 000043
【図２１】
2014130918.tif 000044