(57)【要約】【課題】乾燥工程におけるパーティクルの付着を低減可能な薄膜トランジスタの製造方法、ＴＦＴ基板の製造方法および基板の洗浄方法を提供する。【解決手段】基板１１の上方にゲート電極１３ａ、１３ｂを形成する工程と、ゲート電極１３ａ、１３ｂの上方にゲート絶縁層１４を形成する工程と、ゲート絶縁層１４の一部を除去し、コンタクトホール１４Ｈを形成する工程とを含み、コンタクトホール１４Ｈを形成する工程は、ゲート絶縁層１４に対して、露光および現像液で現像を行う工程と、両親媒性の溶媒を主成分とする洗浄液でゲート絶縁層１４の表面を洗浄して現像液を除去する工程と、現像液を除去する工程の後に、ゲート絶縁層１４の表面に対して撥液性を示す撥液性溶液をゲート絶縁層１４上に配置する工程と、撥液性溶液にかかる重力および／もしくは慣性力を利用して、ゲート絶縁層１４の上から撥液性溶液を除去する工程と、を含む。【選択図】図４Ｂ
2014011376.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上方にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極の上方にゲート絶縁層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層の一部を除去し、コンタクトホールを形成する工程と、
前記ゲート電極の上方にソース電極とドレイン電極とを形成する工程と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極とに電気的に接続させて、半導体層を形成する工程と、を含み、
前記コンタクトホールを形成する工程は、
前記ゲート絶縁層に対して、露光および現像液で現像を行う工程と、
両親媒性の溶媒を主成分とする洗浄液で前記ゲート絶縁層の表面を洗浄して前記現像液を除去する工程と、
前記現像液を除去する工程の後に、前記ゲート絶縁層の表面に対して撥液性を示す撥液性溶液を前記ゲート絶縁層上に配置する工程と、
前記撥液性溶液にかかる重力および／もしくは慣性力を利用して、前記ゲート絶縁層の上から前記撥液性溶液を除去する工程と、を含む
薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２】
前記撥液性溶液は純水である
請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項３】
前記現像液を除去する工程では、前記洗浄液を用いて前記基板を洗浄する洗浄工程を複数回実行し、
２回目以降の洗浄工程では、前回の洗浄工程で用いた前記洗浄液よりも前記現像液の濃度が低い前記洗浄液を用いる
請求項１または２に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項４】
前記撥液性溶液を除去する工程では、前記撥液性溶液の水面に対して前記基板を傾斜させて前記撥液性溶液を除去する
請求項１〜３の何れか一項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項５】
前記基板は、前記基板の重心から所定の前記基板の端部までの距離と、前記基板の重心から他の前記基板の端部までの距離とが互いに異なる
請求項１〜４の何れか一項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記撥液性溶液を前記ゲート絶縁層上に配置する工程は、前記撥液性溶液の中に前記ゲート絶縁層の表面を浸漬させる工程を含み、
前記ゲート絶縁層上から前記撥液性溶液を除去する工程は、前記撥液性溶液の中から前記ゲート絶縁層を傾斜させた状態で前記基板を引き上げる工程を含む
請求項１〜５の何れか一項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】
前記ゲート絶縁層を傾斜させた状態で引き上げる工程では、前記基板が可撓性を有する場合に、前記ゲート絶縁層の表面側に谷部が形成されるように前記基板を折り曲げた状態で、かつ、前記谷部の底部を通る直線が前記基板の引き上げ方向と平行になるように、前記撥液性溶液の中から前記基板を引き上げる
請求項６に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項８】
前記撥液性溶液を除去する工程では、前記基板を振動させて前記撥液性溶液を除去する
請求項１〜７の何れか１項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項９】
前記撥液性溶液を除去する工程では、前記基板を回転させて前記撥液性溶液を除去する
請求項１〜３の何れか１項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１０】
前記ソース電極と前記ドレイン電極とを形成する工程の実行後に、前記ソース電極と前記ドレイン電極の上方に、撥液性が前記ゲート絶縁層より高い隔壁材料を塗布して隔壁層を形成する工程と、
前記隔壁層をパターニングして、前記ソース電極の少なくとも一部と前記ドレイン電極の少なくとも一部とを内部に含む開口部を形成する工程と、をさらに有し、
前記半導体層を形成する工程では、前記開口部の内部に前記半導体層を形成する
請求項１〜９の何れか一項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１１】
基板の上方に複数のゲート電極を形成する工程と、
前記複数のゲート電極の上方にゲート絶縁層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層の一部を除去し、コンタクトホールを形成する工程と、
前記複数のゲート電極それぞれの上方にソース電極とドレイン電極とを形成する工程と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極とに電気的に接続させて、半導体層を形成する工程と、
前記基板を複数に分割する工程と、を含み、
前記コンタクトホールを形成する工程は、
前記ゲート絶縁層に対して、露光および現像液で現像を行う工程と、
両親媒性の溶媒を主成分とする洗浄液で前記ゲート絶縁層の表面を洗浄して前記現像液を除去する工程と、
前記現像液を除去する工程の後に、前記ゲート絶縁層の表面に対して撥液性を示す撥液性溶液を前記ゲート絶縁層上に配置する工程と、
前記基板が可撓性を有する場合に、前記ゲート絶縁層の表面側に谷部が形成されるように前記基板を折り曲げた状態で、かつ、前記谷部の底部を通る直線が前記基板の引き上げ方向と平行になるように、前記撥液性溶液の中から前記基板を引き上げることにより、前記ゲート絶縁層の上から前記撥液性溶液を除去する工程とを有し、
前記基板を複数に分割する工程では、前記基板を前記谷部の底部を通る直線上を通って切断する
ＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項１２】
絶縁層が形成された基板の洗浄方法であって、
前記絶縁層に対して、露光および現像液で現像を行う工程と、
両親媒性の溶媒を主成分とする洗浄液で前記絶縁層の表面を洗浄して前記現像液を除去する工程と、
前記現像液を除去する工程の後に、前記絶縁層の表面に対して撥液性を示す撥液性溶液を前記絶縁層上に配置する工程と、
前記撥液性溶液にかかる重力および／もしくは慣性力を利用して、前記絶縁層の上から前記撥液性溶液を除去する工程と、を含む
基板の洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタの製造方法、ＴＦＴ基板の製造方法、および、薄膜トランジスタが形成される基板の洗浄方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置や有機ＥＬ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置等のアクティブマトリクス型の表示装置では、画素を選択するスイッチング素子または表示素子を駆動する駆動素子として、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が用いられている。
【０００３】
このような薄膜トランジスタの製造では、露光工程および現像工程を含む場合、現像工程の実行後に、例えば、現像液および純水の混合液により現像液を除去する工程、純水により混合液を除去する工程、圧縮したガス（空気やＮ２等）を吹き付けるエアナイフや窒素ガン等を用いて、エアブローにより純水を除去する乾燥工程が実行される（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−７７９９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、エアブローにより乾燥工程を行う場合、吹き付けるガス中にパーティクルが含まれるため、当該パーティクルが基板上に付着する場合があるという問題がある。
【０００６】
本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、乾燥工程におけるパーティクルの付着を低減可能な薄膜トランジスタの製造方法およびＴＦＴ基板の製造方法を提供する。また、パーティクルの付着を低減可能な基板の洗浄方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明に係る基板の洗浄方法の一態様は、絶縁層が形成された基板の洗浄方法であって、前記絶縁層に対して、露光および現像液で現像を行う工程と、両親媒性の溶媒を主成分とする洗浄液で前記絶縁層の表面を洗浄して前記現像液を除去する工程と、前記現像液を除去する工程の後に、前記絶縁層の表面に対して撥液性を示す撥液性溶液を前記絶縁層上に配置する工程と、前記撥液性溶液にかかる重力および／もしくは慣性力を利用して、前記絶縁層の上から前記撥液性溶液を除去する工程と、を含む。
【発明の効果】
【０００８】
本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法、ＴＦＴ基板の製造方法、および、基板の洗浄方法によれば、乾燥工程におけるパーティクルの付着が低減可能になる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】有機ＥＬ表示パネルの構成例を示す一部切り欠き斜視図である。
【図２】有機ＥＬ素子の構成例を示す回路図である。
【図３】実施の形態１の有機ＥＬ表示パネルの構成例を示す断面図である。
【図４Ａ】実施の形態１における薄膜トランジスタの製造方法を示すフローチャートである。
【図４Ｂ】実施の形態１におけるコンタクトホール形成工程の処理手順を示すフローチャートである。
【図４Ｃ】実施の形態１の他の例におけるコンタクトホール形成工程の処理手順を示すフローチャートである。
【図５Ａ】実施の形態１における薄膜トランジスタの製造方法の各工程における基板の構成例を示す断面図である。
【図５Ｂ】実施の形態１における薄膜トランジスタの製造方法の各工程における基板の構成例を示す断面図である。
【図５Ｃ】実施の形態１における薄膜トランジスタの製造方法の各工程における基板の構成例を示す断面図である。
【図５Ｄ】実施の形態１における薄膜トランジスタの製造方法の各工程における基板の構成例を示す断面図である。
【図５Ｅ】実施の形態１における薄膜トランジスタの製造方法の各工程における基板の構成例を示す断面図である。
【図５Ｆ】実施の形態１における薄膜トランジスタの製造方法の各工程における基板の構成例を示す断面図である。
【図５Ｇ】実施の形態１における薄膜トランジスタの製造方法の各工程における基板の構成例を示す断面図である。
【図５Ｈ】実施の形態１における薄膜トランジスタの製造方法の各工程における基板の構成例を示す断面図である。
【図５Ｉ】実施の形態１における薄膜トランジスタの製造方法の各工程における基板の構成例を示す断面図である。
【図５Ｊ】実施の形態１における薄膜トランジスタの製造方法の各工程における基板の構成例を示す断面図である。
【図６Ａ】実施の形態１における薄膜トランジスタの製造方法の乾燥工程における基板の状態を示す斜視図である。
【図６Ｂ】実施の形態１の変形例１における薄膜トランジスタの製造方法の乾燥工程における基板の状態を示す斜視図である。
【図６Ｃ】実施の形態１の変形例２における薄膜トランジスタの製造方法の乾燥工程における基板の状態を示す斜視図である。
【図６Ｄ】実施の形態１の変形例３における薄膜トランジスタの製造方法の乾燥工程における基板の状態を示す斜視図である。
【図７】エアブローを用いた場合のリーク発生数（対策前）と、本実施の形態１によるリーク発生数（対策後）との比較結果を示す図である。
【図８Ａ】エアブローを用いた場合における基板の電流と電界との関係を示すグラフである。
【図８Ｂ】本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法を用いた場合における基板の電流と電界との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
上述したように、薄膜トランジスタの製造では、露光／現像工程を含む場合、現像工程後に、洗浄液（例えば、現像液と純水との混合液）を用いて現像液を除去することにより、基板を洗浄する洗浄工程と、エアナイフや窒素ガン等のエアブローにより乾燥させることで、現像液や洗浄液などの溶液を除去する除去工程（乾燥工程）とが実行される。
【００１１】
しかし、除去工程において、エアブローを利用して現像液や洗浄液などの溶液を除去しようとすると、ブローによってゲート絶縁層上に周辺空気中のパーティクル（不純物）が吹き付けられてしまうことがあった。
【００１２】
エアブローにより、ゲート絶縁層の表面にパーティクルが付着すると、ゲート絶縁層を用いてトランジスタを形成した際に、ゲート絶縁層に電流リークが発生したり、ゲート絶縁層上に形成される電極（ソース電極、ドレイン電極）にパターン不良が生じたりする可能性があるという問題がある。
【００１３】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタの製造方法は、基板の上方にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極の上方にゲート絶縁層を形成する工程と、前記ゲート絶縁層の一部を除去し、コンタクトホールを形成する工程と、前記ゲート電極の上方にソース電極とドレイン電極とを形成する工程と、前記ソース電極と前記ドレイン電極とに電気的に接続させて、半導体層を形成する工程と、を含み、前記コンタクトホールを形成する工程は、前記ゲート絶縁層に対して、露光および現像液で現像を行う工程と、両親媒性の溶媒を主成分とする洗浄液で前記ゲート絶縁層の表面を洗浄して前記現像液を除去する工程と、前記現像液を除去する工程の後に、前記ゲート絶縁層の表面に対して撥液性を示す撥液性溶液を前記ゲート絶縁層上に配置する工程と、前記撥液性溶液にかかる重力および／もしくは慣性力を利用して、前記ゲート絶縁層の上から前記撥液性溶液を除去する工程と、を含む。
【００１４】
上記構成の薄膜トランジスタの製造方法によれば、ゲート絶縁層の表面を容易に移動可能な撥液性溶液を用いることにより、慣性力あるいは重力を利用するのみで、撥液性溶液を容易にゲート絶縁層の表面の外側に移動させることができる。これにより、エアブローを用いる必要がなくなる。慣性力あるいは重力による撥液性溶液の除去は、エアーを吹き付ける場合に比べ、パーティクルを付着させる可能性が低いことから、パーティクルの付着を良好に防止できる。
【００１５】
また、現像液および撥液性溶液の両方と親和性を示す両親媒性の洗浄液を用いることで、洗浄液により現像液を良好に除去できると共に、撥液性溶液により洗浄液を良好に除去できる。
【００１６】
また、例えば、前記撥液性溶液は純水としてもよい。
【００１７】
上記構成の薄膜トランジスタの製造方法によれば、撥液性溶液として純水を用いるので、両親媒性の洗浄液と親和性があり、洗浄液を良好に除去可能になる。
【００１８】
また、例えば、前記現像液を除去する工程では、前記洗浄液を用いて前記基板を洗浄する洗浄工程を複数回実行し、２回目以降の洗浄工程では、前回の洗浄工程で用いた前記洗浄液よりも前記現像液の濃度が低い前記洗浄液を用いてもよい。
【００１９】
上記構成の薄膜トランジスタの製造方法によれば、洗浄液中の現像液の濃度を低下させながら、多段階で洗浄工程を行うので、現像液に溶解していた樹脂成分を析出しにくくすることができる。
【００２０】
また、例えば、前記撥液性溶液を除去する工程では、前記撥液性溶液の水面に対して前記基板を傾斜させて前記撥液性溶液を除去してもよい。
【００２１】
上記構成の薄膜トランジスタの製造方法によれば、基板を傾斜させて、重力を利用して撥液性溶液を除去するので、反物状の基板の乾燥に有用である。
【００２２】
また、例えば、前記基板は、前記基板の重心から所定の前記基板の端部までの距離と、前記基板の重心から他の前記基板の端部までの距離とが互いに異なっていてもよい。
【００２３】
また、例えば、前記撥液性溶液を前記ゲート絶縁層上に配置する工程は、前記撥液性溶液の中に前記ゲート絶縁層の表面を浸漬させる工程を含み、前記ゲート絶縁層上から前記撥液性溶液を除去する工程は、前記撥液性溶液の中から前記ゲート絶縁層を傾斜させた状態で前記基板を引き上げる工程を含んでいてもよい。
【００２４】
また、例えば、前記ゲート絶縁層を傾斜させた状態で引き上げる工程では、前記基板が可撓性を有する場合に、前記ゲート絶縁層の表面側に谷部が形成されるように前記基板を折り曲げた状態で、かつ、前記谷部の底部を通る直線が前記基板の引き上げ方向と平行になるように、前記撥液性溶液の中から前記基板を引き上げてもよい。
【００２５】
また、例えば、前記撥液性溶液を除去する工程では、前記基板を振動させて前記撥液性溶液を除去してもよい。
【００２６】
上記構成の薄膜トランジスタの製造方法によれば、基板を振動させて撥液性溶液を除去するので、撥液性溶液をより効果的に除去できる。
【００２７】
また、例えば、前記撥液性溶液を除去する工程では、前記基板を回転させて前記撥液性溶液を除去してもよい。
【００２８】
上記構成の薄膜トランジスタの製造方法によれば、基板を回転させて撥液性溶液を除去するので、円形状の基板の乾燥に有用である。
【００２９】
また、例えば、前記ソース電極と前記ドレイン電極とを形成する工程の実行後に、前記ソース電極と前記ドレイン電極の上方に、撥液性が前記ゲート絶縁層より高い隔壁材料を塗布して隔壁層を形成する工程と、前記隔壁層をパターニングして、前記ソース電極の少なくとも一部と前記ドレイン電極の少なくとも一部とを内部に含む開口部を形成する工程と、をさらに有し、前記半導体層を形成する工程では、前記開口部の内部に前記半導体層を形成してもよい。
【００３０】
本発明の一態様に係るＴＦＴ基板の製造方法は、基板の上方に複数のゲート電極を形成する工程と、前記複数のゲート電極の上方にゲート絶縁層を形成する工程と、前記ゲート絶縁層の一部を除去し、コンタクトホールを形成する工程と、前記複数のゲート電極それぞれの上方にソース電極とドレイン電極とを形成する工程と、前記ソース電極と前記ドレイン電極とに電気的に接続させて、半導体層を形成する工程と、前記基板を複数に分割する工程と、を含み、前記コンタクトホールを形成する工程は、前記ゲート絶縁層に対して、露光および現像液で現像を行う工程と、両親媒性の溶媒を主成分とする洗浄液で前記ゲート絶縁層の表面を洗浄して前記現像液を除去する工程と、前記現像液を除去する工程の後に、前記ゲート絶縁層の表面に対して撥液性を示す撥液性溶液を前記ゲート絶縁層上に配置する工程と、前記基板が可撓性を有する場合に、前記ゲート絶縁層の表面側に谷部が形成されるように前記基板を折り曲げた状態で、かつ、前記谷部の底部を通る直線が前記基板の引き上げ方向と平行になるように、前記撥液性溶液の中から前記基板を引き上げることにより、前記ゲート絶縁層の上から前記撥液性溶液を除去する工程とを有し、前記基板を複数に分割する工程では、前記基板を前記谷部の底部を通る直線上を通って切断する。
【００３１】
基板上に、有機ＥＬ表示パネル等の複数の半導体素子が形成される場合、各半導体素子の境界で基板を折り曲げることが可能である。上記構成のＴＦＴ基板の製造方法では、基板を半導体素子の境界部分でアコーディオン状に折り曲げるので、ゲート絶縁層の表面上の撥液性溶液が、半導体素子の外に流れ出るまでの距離（境界までの距離）が、単に傾斜させる場合の距離（基板の端部までの距離）よりも短くなる。これにより、撥液性溶液が途中で蒸発して、蒸発の跡がゲート絶縁層の表面に残るのを低減することが可能になる。
【００３２】
また、上記構成の薄膜トランジスタの製造方法と同様に、ゲート絶縁層の表面を容易に移動可能な撥液性溶液を用いることにより、慣性力あるいは重力を利用するのみで、撥液性溶液を容易にゲート絶縁層の表面の外側に移動させることができ、エアブローを用いる必要がなくなる。これにより、パーティクルの付着を良好に防止できる。
【００３３】
本発明の一態様に係る基板の洗浄方法は、絶縁層が形成された基板の洗浄方法であって、前記絶縁層に対して、露光および現像液で現像を行う工程と、両親媒性の溶媒を主成分とする洗浄液で前記絶縁層の表面を洗浄して前記現像液を除去する工程と、前記現像液を除去する工程の後に、前記絶縁層の表面に対して撥液性を示す撥液性溶液を前記絶縁層上に配置する工程と、前記撥液性溶液にかかる重力および／もしくは慣性力を利用して、前記絶縁層の上から前記撥液性溶液を除去する工程と、を含む。
【００３４】
上記構成の基板の洗浄方法によれば、上記構成の薄膜トランジスタの製造方法と同様に、ゲート絶縁層の表面を容易に移動可能な撥液性溶液を用いることにより、慣性力あるいは重力を利用するのみで、撥液性溶液を容易にゲート絶縁層の表面の外側に移動させることができ、エアブローを用いる必要がなくなる。これにより、パーティクルの付着を良好に防止できる。
【００３５】
以下、本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法および基板の洗浄方法の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、各図は、説明のための模式図であり、厚さおよび各部の大きさの比などは、必ずしも厳密に表したものではない。また、各図において、実質的に同一の構成部材については同一の符号を付す。
【００３６】
さらに、以下で説明する実施の形態は、いずれも本発明の望ましい一具体例を示すものである。以下の実施の形態で示される構成要素、構成要素の配置位置および接続形態、処理、処理の順序などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、より望ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。
【００３７】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１に係る薄膜トランジスタの製造方法、ＴＦＴ基板の製造方法および基板の洗浄方法について、図１〜図５Ｊを基に説明する。
【００３８】
本実施の形態では、薄膜トランジスタの製造方法および基板の洗浄方法は、自発光型表示素子である有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子の画素回路等が形成されたアクティブマトリクス基板とを備える有機ＥＬ表示パネルに用いられる場合を例に説明する。
【００３９】
なお、本実施の形態では、有機ＥＬ表示パネルの駆動回路を構成する薄膜トランジスタの製造方法に適用する場合を例に説明するが、これに限られるものではなく、露光および現像工程を用いる種々の薄膜トランジスタの製造方法に適用できる。
【００４０】
［１．有機ＥＬ表示パネルの構成］
有機ＥＬ表示パネルの構成について、図１および図２を基に説明する。図１は、有機ＥＬ表示パネル１００の概略構成例を示す一部切り欠き斜視図である。
【００４１】
有機ＥＬ表示パネル１００は、図１に示すように、自発光型表示素子である有機ＥＬ素子２０と、薄膜トランジスタおよび各種配線等を含む画素回路１１２が形成されたアクティブマトリクス基板１０とを備える。
【００４２】
有機ＥＬ素子２０は、下部電極層２１（アノード）、有機発光層２３（ＥＬ層）および上部電極層２４（カソード）を備えて構成され、アクティブマトリクス基板１０上にこの順に積層して形成されている。下部電極層２１および有機発光層２３は、第二隔壁層により、後述する画素１１１毎に分離して形成されている。
【００４３】
アクティブマトリクス基板１０は、複数の画素１１１がマトリクス状（行列状）に配置された画素部と、画素行方向に延伸する複数のゲート配線と、画素列方向に延伸する複数のソース配線とを備えている。複数のソース配線と複数のゲート配線とは直交するように構成されている。
【００４４】
各画素１１１は、薄膜トランジスタなどからなる画素回路１１２と、当該画素回路１１２に対応する有機ＥＬ素子２０とを含んで構成されている。本実施の形態において、各画素１１１は、ＲＧＢの３原色に対応する。また、本実施の形態では、ＲＧＢの３つの画素１１１によって１つの画素群１１０が構成されており、画素群１１０単位で配置されている。なお、同じ色の画素１１１は、行方向に隣接して配置される。
【００４５】
複数のゲート配線の各々は、同一行の複数の画素１１１で構成される画素行毎に設けられている。各ゲート配線に対応する画素行に属する全ての画素１１１は、当該ゲート配線によって制御回路（走査線駆動回路）に接続される。
【００４６】
複数のソース配線の各々は、同一列の複数の画素１１１で構成される画素列毎に設けられている。各ソース配線に対応する画素列に属する全ての画素１１１は、当該ソース配線によって制御回路（データ線駆動回路）に接続される。
【００４７】
このように、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００は、ゲート配線とソース配線とで区画された画素１１１毎に表示制御を行うアクティブマトリクス方式が採用されている。
【００４８】
なお、図１では図示しないが、有機ＥＬ表示パネル１００は、電源配線１２３や補助配線１２４等を備えていてもよい。
【００４９】
図２は、各画素１１１の回路構成を示す回路図である。図２に示すように、各画素１１１は、直交するゲートライン１２１（走査線）とソースライン１２２（映像信号線）とによって区画されており、有機薄膜トランジスタＴＦＴ１で構成されるスイッチングトランジスタと、有機薄膜トランジスタＴＦＴ２で構成される駆動トランジスタと、コンデンサＣと、有機ＥＬ素子２０とを備える。
【００５０】
スイッチングトランジスタは、複数の画素１１１の中から映像信号電圧を供給する画素１１１を選択するためのトランジスタである。スイッチングトランジスタ（有機薄膜トランジスタＴＦＴ１）において、ゲート電極はゲートライン１２１に接続され、ドレイン電極はソースライン１２２に接続され、ソース電極はコンデンサＣの一端および駆動トランジスタのゲート電極に接続されている。
【００５１】
駆動トランジスタは、有機ＥＬ素子２０を駆動するトランジスタである。駆動トランジスタ（有機薄膜トランジスタＴＦＴ２）において、ゲート電極はスイッチングトランジスタのソース電極に接続され、ソース電極は電源配線１２３に接続され、ドレイン電極は有機ＥＬ素子２０のアノードに接続されている。
【００５２】
この構成において、ゲートライン１２１にゲート信号が入力され、スイッチングトランジスタがオン状態になると、ソースライン１２２を介して供給された映像信号電圧がコンデンサＣに書き込まれる。コンデンサＣに書き込まれた映像信号電圧は、１フレーム期間を通じて保持され、この保持された映像信号電圧により、駆動トランジスタのコンダクタンスがアナログ的に変化し、発光階調に対応した駆動電流が有機ＥＬ素子２０のアノードからカソードへと流れて有機ＥＬ素子２０が発光する。
【００５３】
［２．薄膜トランジスタの製造方法および基板の洗浄方法］
本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法、ＴＦＴ基板の製造方法および基板の洗浄方法を含む有機ＥＬ表示パネル１００の製造方法について、図３〜図５Ｊを基に説明する。
【００５４】
先ず、有機ＥＬ表示パネル１００の積層構造について、図３を基に説明する。図３は、有機ＥＬパネルの積層構造の一例を示す断面図である。
【００５５】
図３に示すように、有機ＥＬ表示パネル１００は、自発光型表示素子である有機ＥＬ素子２０と、スイッチングトランジスタとして機能する有機薄膜トランジスタＴＦＴ１、駆動トランジスタとして機能する有機薄膜トランジスタＴＦＴ２および各種配線等を含む画素回路１１２が形成されたアクティブマトリクス基板１０とを備える。有機薄膜トランジスタＴＦＴ１および有機薄膜トランジスタＴＦＴ２は、ボトムゲート型のｐ型（ｐチャネル）ＴＦＴである。
【００５６】
アクティブマトリクス基板１０は、基板１１と、ＵＣ層１２（アンダーコート層）と、ゲート電極（ゲート配線）１３ａ、１３ｂと、ゲート絶縁層１４と、ソース電極１５Ｓａ、１５Ｓｂと、ドレイン電極１５Ｄａ、１５Ｄｂと、第一隔壁層１６と、半導体層１７ａ、１７ｂと、保護層１８と、層間絶縁層１９（平坦化膜）とを備えて構成されている。
【００５７】
基板１１は、本実施の形態では、樹脂フィルム基板や、フレキシブルガラス基板等の可撓性を有するフレキシブル基板である。なお、フレキシブル基板ではなく、石英ガラスまたは無アルカリガラスで構成されるガラス基板等のリジッド基板等を用いても構わない。
【００５８】
ＵＣ層１２は、基板１１上に配置され、膜厚が１００ｎｍ〜２０００ｎｍ程度のＳｉＮ膜で構成されている。なお、ＵＣ層１２を構成する材料は、ＳｉＮに限られるものではなく、シリコン酸化膜（ＳｉＯ）、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ）等を用いてもよい。
【００５９】
なお、図３では図示しないが、ＵＣ層１２とゲート電極１３ａ、１３ｂとの間に、膜厚３００〜３０００ｎｍ程度の平坦化膜を具備していてもよい。平坦化膜を形成すれば、ＵＣ層の表面に凸凹がある場合において、当該凸凹を緩和可能になる。
【００６０】
ゲート電極１３ａ、１３ｂは、ＵＣ層１２上に配置されている。ゲート電極１３ａ、１３ｂは、導電性材料またはその合金等の単層構造または多層構造からなり、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、またはモリブデンタングステン（ＭｏＷ）等を用いて形成できる。なお、本実施の形態では、ゲート電極１３ａ、１３ｂは、膜厚５０ｎｍのＭｏＷ（モリブデンタングステン）で構成されている場合を例に説明する。
【００６１】
ゲート絶縁層１４は、ゲート電極１３ａ、１３ｂおよびＵＣ層１２を被覆するように配置されている。また、ゲート絶縁層１４には、有機薄膜トランジスタＴＦＴ２のゲート電極１３ｂと積層方向で重なる領域に、ゲート電極１３ｂに達するコンタクトホール１４Ｈが形成されている。ゲート絶縁層１４は、本実施の形態では、ポリスチレン、ポリイミド、ポリビニルフェノール、ポリプロピレン等の有機絶縁材料を用いて形成することができる。なお、本実施の形態では、ゲート絶縁層１４は、膜厚３００ｎｍのポリスチレン系材料で構成されている場合を例に説明する。
【００６２】
有機薄膜トランジスタＴＦＴ１のソース電極１５Ｓａおよびドレイン電極１５Ｄａ、有機薄膜トランジスタＴＦＴ２のソース電極１５Ｓｂおよびドレイン電極１５Ｄｂは、ゲート絶縁層１４上に配置されている。また、有機薄膜トランジスタＴＦＴ１のソース電極１５Ｓａおよびドレイン電極１５Ｄａは、一部が積層方向でゲート電極１３ａと重なる位置に、所定の間隔を開けて配置されている。有機薄膜トランジスタＴＦＴ１のドレイン電極１５Ｄａは、コンタクトホール１４Ｈを介して、有機薄膜トランジスタＴＦＴ２のゲート電極１３ｂと電気的に接続している。有機薄膜トランジスタＴＦＴ２のソース電極１５Ｓｂおよびドレイン電極１５Ｄｂは、一部が積層方向でゲート電極１３ｂと重なる位置に、所定の間隔を開けて配置されている。
【００６３】
ソース電極１５Ｓａ、ドレイン電極１５Ｄａ、ソース電極１５Ｓｂおよびドレイン電極１５Ｄｂは、導電性材料またはその合金等の単層構造または多層構造からなり、例えば、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ（ニッケル）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、ＭｏＷまたはＭｏＮ（窒化モリブデン）等を用いて形成される。
【００６４】
なお、本実施の形態では、ソース電極１５Ｓａ、ドレイン電極１５Ｄａ、ソース電極１５Ｓｂおよびドレイン電極１５Ｄｂは、Ｍｏ（モリブデン）で構成されている場合を例に説明する。
【００６５】
第一隔壁層１６は、後述する半導体層１７ａ、１７ｂのそれぞれを囲むように形成されている。第一隔壁層１６には、半導体層１７ａ、１７ｂが形成される領域に、矩形状の開口部が形成されている。第一隔壁層１６は、半導体層１７ａ、１７ｂの周囲を規制する隔壁であって、開口部内に塗布された半導体層１７ａ、１７ｂを形成するための有機半導体溶液の流れをせき止める機能を有する。第一隔壁層１６は、ポリスチレン、ポリイミド、ポリビニルフェノール、ポリプロピレン等の材料を用いて形成することができる。
【００６６】
半導体層１７ａ、１７ｂは、ゲート絶縁層１４上において、第一隔壁層１６の開口部内に配置されており、半導体層１７ａ、１７ｂの外周は、第一隔壁層１６の開口部における内壁面によって規制されている。半導体層１７ａ、１７ｂは、例えば、ペンタセン、フタロシアニン系、または、ポルフィリン系の可溶性の有機材料を用いて形成することができる。
【００６７】
保護層１８は、半導体層１７ａ、１７ｂを保護するために、半導体層１７ａ、１７ｂの上部全体を覆うように形成される。保護層１８は、光で架橋する材料を用いて形成することができる。光で架橋する材料は、光照射されることによって分子中に分子結合が形成され、分子構造が緻密になってポリマーの結合が強固になる。光で架橋する材料としては、アクリルポリマー等の高分子材料、または、アクリルモノマー等の低分子材料がある。さらに、保護層１８としては、光で架橋する材料に加えて、熱で架橋する材料を含むことが好ましい。なお、保護層１８は有機材料のみからなるものに限らず、上記の有機材料にシリコンなどの無機材料を添加した材料も使用することができる。このような有機材料にシリコンなどの無機材料を添加した材料を用いることにより、有機材料のみからなる保護層１８よりも、水分や酸素などが半導体層１７ａ、１７ｂへ侵入することを、一層抑制することができる。
【００６８】
上述した構成により、互いに隣接する有機薄膜トランジスタＴＦＴ１およびＴＦＴ２が基板１１上に形成される。有機薄膜トランジスタＴＦＴ１のドレイン電極１５Ｄａは、有機薄膜トランジスタＴＦＴ２のゲート電極１３ｂと、電気的に接続される構成となっている。
【００６９】
層間絶縁層１９（平坦化膜）は、保護層１８上に形成される。本実施の形態において、層間絶縁層１９は、保護層１８を覆って第一隔壁層１６の開口を埋めるように、第一隔壁層１６上に形成される。層間絶縁層１９は、層間のリーク電流の発生を抑制するとともに、有機薄膜トランジスタＴＦＴ１およびＴＦＴ２の表面を平坦化するものである。層間絶縁層１９は、例えば、有機材料やＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）などの無機材料を用いて形成することができる。
【００７０】
有機ＥＬ素子２０は、下部電極層２１（アノード）、有機発光層２３（ＥＬ層）および上部電極層２４（カソード）を備えて構成され、アクティブマトリクス基板１０上にこの順に積層して形成されている。
【００７１】
有機ＥＬ素子２０は、下部電極層２１（アノード）、有機発光層２３（ＥＬ層）および上部電極層２４（カソード）を備えて構成されている。さらに、本実施の形態の有機ＥＬ素子２０は、第二隔壁層２２、樹脂封止層２５、バリア層２６を備えている。
【００７２】
下部電極層２１（ＡＭ層）は、アクティブマトリクス基板１０の層間絶縁層１９上に配置されている。下部電極層２１は、ＡＣＬやＩＺＯ（インジウム／酸化ジルコニウム、Ｉｎｄｉｕｍ／Ｚｉｃｒｏｎｉｕｍ  Ｏｘｉｄｅ）Ａｌ合金、Ａｇ合金、Ｍｏ、ＭｏＷなどを用いて形成できる。また、塗布法での形成も可能である。
【００７３】
有機発光層２３は、下部電極層２１上において、第二隔壁層２２の開口部内に配置されており、有機発光層２３の外周は、第二隔壁層２２の開口部における内壁面によって規制されている。有機発光層２３は、第二隔壁層２２により、後述する画素１１１毎に分離して形成されている。また、有機発光層２３は、図示しないが、下部電極層２１側から、正孔注入層（Ｈｏｌｅ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）、正孔輸送層（Ｈｏｌｅ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）、発光層（ＥＭｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ、ＥＭＬ）、および、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）をこの順に積層して構成されている。
【００７４】
上部電極層２４（ＣＡ層）は、有機発光層２３全体を覆うように配置され、ＬｉＦ（フッ化リチウム）、ＭｇＡｇ（銀・マグネシウム合金）、ＬｉＦ、ＩＴＯ等の透明な金属薄膜の積層構造で構成されている。
【００７５】
樹脂封止層２５は、上部電極層２４全体を被覆するように配置されている。
【００７６】
バリア層２６は、樹脂封止層２５と対向基板３０との間に配置され、ＳｉＮ（シリコン窒化膜）で構成されている。
【００７７】
次に、薄膜トランジスタの製造方法および基板の洗浄方法について、図４Ａ、図４Ｂ、図５Ａ〜図５Ｊを基に説明する。
【００７８】
図４Ａは、本実施の形態の薄膜トランジスタの製造方法の処理工程を示すフローチャートである。図４Ｂは、図４Ａのコンタクトホール形成工程の処理手順を示すフローチャートである。図５Ａ〜図５Ｊは、図４ＡのステップＳ１０に含まれる各工程における断面を示す断面図である。
【００７９】
先ず、図４Ａに示すように、基板１１を準備し、基板１１上にＵＣ層１２を形成する（ステップＳ１１）。基板１１は、本実施の形態では、フレキシブル基板である場合を例に説明する。ＵＣ層１２は、ＵＣ層１２の材料（ＳｉＮ）を、１００ｎｍ〜２０００ｎｍの厚さに堆積させて形成する。
【００８０】
次に、図４Ａに示すように、ＵＣ層１２上に、ゲート電極１３ａ、１３ｂを形成する（ステップＳ１２）。
【００８１】
詳細には、図５Ａに示すように、先ず、ＵＣ層１２上に、ゲート電極１３ａ、１３ｂの材料を５０ｎｍの厚さに堆積させて、ゲート金属膜１３Ｍを形成する。ゲート金属膜１３Ｍは、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔｉ、ＣｒまたはＭｏＷ等を用いて、スパッタまたは蒸着によって成膜することができる。その後、図５Ｂに示すように、フォトリソグラフィおよびエッチングによって、ゲート金属膜１３Ｍをパターニングして、基板１１上に所定形状のゲート電極１３ａ、１３ｂを形成する。なお、ゲート金属膜１３Ｍのエッチングは、ウェットエッチングまたはドライエッチングを用いることができる。なお、ゲート金属膜１３Ｍのパターニングでは、ゲート電極１３ａ、１３ｂだけではなく、ゲートライン１２１等の同層に配置される配線も同時に形成することができる。
【００８２】
次に、図４Ａに示すように、ゲート電極１３ａ、１３ｂ上に、ゲート絶縁層１４を形成する（ステップＳ１３）。
【００８３】
詳細には、図５Ｃに示すように、ゲート電極１３ａ、１３ｂ上に、ゲート絶縁層１４の材料を３００ｎｍ程度の厚さに堆積させて、ゲート絶縁層１４を形成する。本実施の形態において、ゲート絶縁層１４は、ゲート電極１３ａ、１３ｂを覆うように、基板１１上の全面に形成する。ゲート絶縁層１４は、本実施の形態では、ポリスチレン、ポリイミド、ポリビニルフェノールまたはポリプロピレン等の有機絶縁材料を用い、塗布法によって成膜する。なお、本実施の形態では、ゲート絶縁層１４が、ネガ型の感光剤を含有するポリスチレン系材料を用いて成膜される場合を例に説明する。
【００８４】
次に、図４Ａに示すように、ゲート絶縁層１４にコンタクトホール１４Ｈを形成する（ステップＳ１４）。
【００８５】
詳細には、コンタクトホール１４Ｈの形成は、本実施の形態では、有機薄膜トランジスタＴＦＴ１のドレイン電極１５Ｄａと、有機薄膜トランジスタＴＦＴ２のゲート電極１３ｂとを電気的に接続するために行う。コンタクトホール１４Ｈは、図５Ｄに示すように、ゲート電極１３ｂ上に形成される。本実施の形態において、コンタクトホール１４Ｈは、ゲート絶縁層１４が感光剤を含有するものであって塗布法によって形成された場合は、フォトリソグラフィ法によるパターニングによって形成することができる。
【００８６】
ここで、図４Ｂは、コンタクトホール形成工程（ステップＳ１４）の詳細な処理工程を示すフローチャートである。
【００８７】
図４Ｂに示すように、コンタクトホール１４Ｈの形成は、先ず、ゲート絶縁層１４を所望のマスクを用いて露光し、現像液に浸して、コンタクトホール１４Ｈ内のゲート絶縁層１４の材料（有機絶縁材料）を除去する（ステップＳ１４１）。
【００８８】
さらに、洗浄液でゲート絶縁層１４の表面を洗浄して、現像液を除去する（ステップＳ１４２、ステップＳ１４３）。本実施の形態では、洗浄液として、両親媒性の溶媒を主成分とする溶液を用いている。このような洗浄液は、現像液と親和性（親油性）を示すことから、現像液を洗い流すのに適している。
【００８９】
詳細には、本実施の形態では、含まれる現像液の濃度が異なる第一洗浄液と第二洗浄液とを用いて、２段階での洗浄を行う。第二洗浄液おける現像液の濃度は、第一洗浄液における現像液の濃度よりも高い。先ず、現像液の濃度の高い第二洗浄液でゲート絶縁層１４の表面を洗浄する第二洗浄工程を実行する（ステップＳ１４２）。例えば、基板１１を、所定の容器内に入れられた第二洗浄液の中に入れ、引き上げることが考えられる。
【００９０】
その後、第二洗浄液よりも現像液の濃度の低い第一洗浄液でゲート絶縁層１４の表面を洗浄する第一洗浄工程を実行する（ステップＳ１４３）。例えば、基板１１を、所定の容器内に入れられた第一洗浄液の中に入れ、引き上げることが考えられる。
【００９１】
洗浄工程を、洗浄液における現像液の濃度を段階的に下げながら、段階的に行うことで、現像液に溶解していた樹脂成分を析出しにくくすることができる。なお、洗浄工程は、２段階に限られるものではなく、１段階としても良い。ここで、図４Ｃは、洗浄工程が１段階の場合におけるコンタクトホール形成工程の処理手順を示すフローチャートである。また、洗浄工程は、図示しないが、３段階以上であってもよい。複数段階の洗浄工程を実行する場合は、洗浄液における現像液の濃度を段階的に下げる。すなわち、２回目以降の洗浄工程を、前回の洗浄工程における洗浄液よりも、現在の洗浄工程のおける洗浄液に含まれる現像液の濃度を下げるように構成する。
【００９２】
さらに、ゲート絶縁層１４の表面に対して撥液性を示す撥液性溶液を、ゲート絶縁層１４上に配置する（ステップＳ１４４）。具体的には、ゲート絶縁層１４が形成された基板１１を、所定の容器内に入れられた純水の中に浸すことで、ゲート絶縁層１４の表面を純水に浸漬させる。
【００９３】
撥液性溶液は、接触角が５０度程度以上の溶液であることが好ましい。接触角が６０度程度以上の溶液であれば、より好ましい。本実施の形態では、撥液性溶液として、純水（接触角約６０度）を用いる。ここで、上述したように、本実施の形態では、洗浄液として、両親媒性の溶液を主成分とする溶液を用いている。このような洗浄液は、撥液性溶液である純水と親和性（親水性）を示すことから、純水に馴染み易く、ゲート絶縁層１４から離脱して純水内に取り込まれ易い。
【００９４】
さらに、基板１１を撥液性溶液（ここでは、純水）から、純水の表面に対し傾斜させた状態で引き上げて、撥液性溶液を除去する（ステップＳ１４５）。ここで、図６Ａは、基板１１を傾斜させた状態で引き上げた場合における基板１１の状態と撥液性溶液２００の状態とを示す図である。なお、図６Ａ中の線Ａは、撥液性溶液２００の水面と平行な線を示し、線Ａから伸びる矢印は、基板１１が線Ａに対して傾斜していることを示している。撥液性溶液２００は、ゲート絶縁層１４に対して撥液性を示すことから、傾斜させた状態で引き上げれば、撥液性溶液２００が重力に従ってゲート絶縁層１４の表面から滑り落ちる。これにより、基板１１（ゲート絶縁層１４）上から、撥液性溶液２００を良好に除去できる。なお、上述したように、第一洗浄液および第二洗浄液は、両親媒性の溶液であることから、親水性を示す。第一洗浄液および第二洗浄液は、現像液を取り込んだ状態で、撥液性溶液である純水に取り込まれ、純水と一緒に、ゲート絶縁層１４の表面から除去される。
【００９５】
コンタクトホール１４Ｈの形成後（ステップＳ１４）、図４Ａに示すように、ゲート絶縁層１４上に、ソース電極１５Ｓａ、１５Ｓｂ及びドレイン電極１５Ｄａ、１５Ｄｂを形成する（ステップＳ１５）。
【００９６】
詳細には、先ず、図５Ｅに示すように、ゲート絶縁層１４の全面に、ソース電極１５Ｓａ、１５Ｓｂ及びドレイン電極１５Ｄａ、１５Ｄｂの材料を堆積させて、ソースドレイン金属膜１５Ｍを形成する。このとき、コンタクトホール１４Ｈには、ソースドレイン金属膜１５Ｍが充填されてコンタクト部が形成される。ソースドレイン金属膜１５Ｍは、例えば、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、ＭｏＷ又はＭｏＮ等を用いて、スパッタ又は蒸着によって形成する。本実施の形態では、Ｍｏの単層膜を成膜した。
【００９７】
さらに、図５Ｆに示すように、フォトリソグラフィ及びエッチングを用いて、ソースドレイン金属膜１５Ｍをパターニングすることにより、対向する所定形状の一対のソース電極１５Ｓａ及びドレイン電極１５Ｄａと、対向する所定形状の一対のソース電極１５Ｓｂ及びドレイン電極１５Ｄｂとを形成する。このとき、ソースドレイン金属膜１５Ｍのエッチング除去によって、ゲート絶縁層１４の表面が露出する。ソースドレイン金属膜１５Ｍのエッチングは、ウェットエッチング又はドライエッチングを用いて行うことができる。
【００９８】
なお、ソース電極１５Ｓａ、１５Ｓｂ、ドレイン電極１５Ｄａ、１５Ｄｂは、塗布法によって形成してもよい。
【００９９】
また、ソースドレイン金属膜１５Ｍをパターニングする際、ソース電極１５Ｓａ及びドレイン電極１５Ｄａとソース電極１５Ｓｂ及びドレイン電極１５Ｄｂとをパターン形成すると同時に、基板１１上における他の配線もパターン形成することができる。すなわち、基板１１上の他の配線と、ソース電極１５Ｓａ、１５Ｓｂ、ドレイン電極１５Ｄａ、１５Ｄｂとを同じ材料を用いて同時に形成することができる。
【０１００】
次に、図４Ａに示すように、ソース電極１５Ｓａ、１５Ｓｂ、ドレイン電極１５Ｄａ、１５Ｄｂおよびゲート絶縁層１４上に、第一隔壁層１６および半導体層１７ａ、１７ｂを形成する（ステップＳ１６）。
【０１０１】
詳細には、図５Ｇに示すように、先ず、基板１１の上方の全面に、第一隔壁層１６の所定の材料を塗布することによって第一隔壁材料層１６Ｍを形成する。これにより、ソース電極１５Ｓａ、１５Ｓｂ、ドレイン電極１５Ｄａ、１５Ｄｂ及び露出させたゲート絶縁層１４等を覆うように、第一隔壁材料層１６Ｍが形成される。なお、本実施の形態において、第一隔壁材料層１６Ｍは、感光性樹脂を用いて、１μｍの膜厚で形成した。
【０１０２】
さらに、図５Ｈに示すように、第一隔壁材料層１６Ｍをパターニングすることにより、ソース電極１５Ｓａとドレイン電極１５Ｄａとの間のゲート絶縁層１４の表面を露出させて、ゲート電極１３ａの上方を開口させると共に、ソース電極１５Ｓｂとドレイン電極１５Ｄｂとの間のゲート絶縁層１４の表面を露出させて、ゲート電極１３ｂの上方を開口させる。これにより、開口部と隔壁部（バンク）とを有する所定形状の第一隔壁層１６を形成することができる。第一隔壁層１６の開口部１６ａは、半導体層１７ａを形成する部分に対応して形成され、平面視したときにソース電極１５Ｓａ及びドレイン電極１５Ｄａの各端部が当該開口内に露出するように形成される。第一隔壁層１６の開口部１６ｂは、半導体層１７ｂを形成する部分に対応して形成され、平面視したときにソース電極１５Ｓｂ及びドレイン電極１５Ｄｂの各端部が当該開口内に露出するように形成される。第一隔壁材料層１６Ｍのパターニングは、第一隔壁材料層１６Ｍを露光及び現像することによって行うことができる。なお、第一隔壁材料層１６Ｍに開口を形成した後（第一隔壁層１６を形成したの値）、第一隔壁層１６の表面に撥水性あるいは撥油性あるいはその両方を持たせるために、フッ素等を用いて第一隔壁層１６に対して所定の表面処理を行っても構わない。
【０１０３】
さらに、図５Ｉに示すように、第一隔壁層１６の開口部１６ａ内および開口部１６ｂ内に、有機半導体材料を含む溶液（有機半導体溶液）をインクジェット法にて塗布する。開口内に塗布された有機半導体材料を含む溶液は、第一隔壁層１６の隔壁部分（開口部１６ａおよび１６ｂの内壁面）にガードされて、有機半導体材料を含む溶液の塗布領域が規制される。これにより、有機半導体材料を含む溶液が第一隔壁層１６の開口部１６ａおよび１６ｂの外側に流れ出してしまうことを防止することができる。なお、上記のインクジェット法による有機半導体材料溶液の塗布は、第一隔壁層１６の開口部１６ａおよび開口部１６ｂそれぞれの中央付近に滴下して行うことが好ましい。また、有機半導体材料としては、ペンタセン、フタロシアニン系、又は、ポルフィリン系の可溶性の有機材料を用いることができる。
【０１０４】
その後、所定の熱処理を行うことによって、有機半導体材料を含む溶液を乾燥させて固化し、有機半導体材料の結晶化を行う。なお、上記の所定の熱処理は、溶液に含まれる有機半導体材料が熱分解せずかつ結晶化する温度であって、溶液の溶媒を蒸発させることができる温度であることが好ましい。本実施の形態では、２００℃前後の温度によって熱処理を行った。これにより、図５Ｉに示すように、第一隔壁層１６の開口部１６ａおよび開口部１６ｂ内において、外周が規制された半導体層１７ａ、１７ｂを形成することができる。本実施の形態において、半導体層１７ａは、露出するゲート絶縁層１４の上面を覆うように、ソース電極１５Ｓａの端部の上面からドレイン電極１５Ｄａの端部の上面にわたって形成される。半導体層１７ｂは、露出するゲート絶縁層１４の上面を覆うように、ソース電極１５Ｓｂの端部の上面からドレイン電極１５Ｄｂの端部の上面にわたって形成される。
【０１０５】
次に、図４Ａに示すように、保護層１８およびパッシベーション層を形成する（ステップＳ１７）。
【０１０６】
詳細には、図５Ｊに示すように、第一隔壁層１６および半導体層１７ａ、１７ｂの上方から、保護層１８の材料であるオーバーコート材を含む溶液を塗布し、所定の熱処理（乾燥および硬化処理）を行うことにより、保護層１８を形成する。このとき、溶液に含まれるオーバーコート材が熱で架橋する材料を含んでいる場合は、熱処理によって保護層１８の保護機能を向上させることができる。また、オーバーコート材が光で架橋する材料を含んでいる場合は、別途ＵＶ光等の光照射処理を施すことにより、オーバーコート材の分子中に分子結合が形成され、分子構造が緻密になってポリマーの結合が強固になる。これにより、酸素や水分、あるいは不純物に対する保護層１８の遮蔽効果を高めることができる。なお、オーバーコート材は、塗布法に限らず、スピンコート法による全面塗布を行っても、有機半導体上に必要膜厚が確保できていれば保護膜として同様の効果が得られる。
【０１０７】
さらに、図５Ｊに示すように、保護層１８を含む基板１１上の全面に、層間絶縁層１９を形成する。層間絶縁層１９は、表面が平坦化するように所望の厚さで形成する。なお、層間絶縁層１９は、ＳＯＧ等の所定の材料を塗布することによって形成することができる。
【０１０８】
以上のようにして、本実施の形態に係る有機薄膜トランジスタＴＦＴ１およびＴＦＴ２を形成することができる。
【０１０９】
（実施の形態１の変形例）
以下、実施の形態１の変形例１〜変形例３について、図６Ｂ〜図６Ｄを基に説明する。
【０１１０】
（変形例１）
図４Ｂに示す撥液性溶液除去工程では、基板１１が円形のリジッド基板の場合は、基板１１の中心を回転中心として、基板１１を回転させることにより、慣性力（遠心力）を利用して撥液性溶液を除去するように構成してもよい。
【０１１１】
ここで、図６Ｂは、円形の基板１１を回転させる場合における基板１１の状態と、撥液性溶液の状態とを示す図である。図６Ｂに示すように、基板１１を回転させると、遠心力により、撥液性溶液２００が外側に移動し、乾燥させることができる。
【０１１２】
（変形例２）
図４Ｂに示す撥液性溶液除去工程では、基板１１を振動させて、撥液性溶液をふるい落とすように構成しても良い。
【０１１３】
ここで、図６Ｃは、基板１１を振動させる場合における基板１１の状態を示している。なお、基板１１を傾けた状態で、さらに基板１１を振動させるように構成しても良い。
【０１１４】
（変形例３）
図４Ｂに示す撥液性溶液除去工程では、基板１１がフレキシブル基板の場合、基板１１を各有機ＥＬ表示パネル１００の境界で屈曲させ、アコーディオン状にした状態で、谷部を通る直線が引き上げ方向と平行になるように、基板１１を傾斜させるように構成しても良い。
【０１１５】
図６Ｄは、屈曲方法の一例を示す図である。破線で囲んだ部分のそれぞれが、各有機ＥＬ表示パネル１００に相当する。図６Ｄでは、長手方向に複数の有機ＥＬ表示パネル１００が配置され、長手方向と直交する方向（幅方向）に２枚の有機ＥＬ表示パネル１００が配置されている。図６Ｄに示すように、幅方向の境界を、交互に異なる方向に屈曲させている（山折りと谷折りとを交互に繰り返す）。
【０１１６】
このように構成すれば、有機ＥＬ表示パネル１００上の撥液性溶液２００が、有機ＥＬ表示パネル１００外に流れ出るまでの距離（境界までの距離）が、単に傾斜させる場合の距離（フレキシブル基板の端部までの距離）よりも短くなる。撥液性溶液２００が有機ＥＬ表示パネル１００外に流れ出るまでの距離を短くすることで、有機ＥＬ表示パネル１００外に流れ出るまでに撥液性溶液２００が蒸発し、蒸発の跡がゲート絶縁層１４上に残るのを低減することが可能になる。また、撥液性の粒が、谷部でより大きい粒となって、有機ＥＬ表示パネル１００外部に流れ出ることから、撥液性溶液２００がよりゲート絶縁層１４の表面を滑りやすくなり、撥液性溶液２００をより容易に除去可能になる。
【０１１７】
なお、当該変形例３では、有機ＥＬ表示パネル１００を形成した後、基板１１を複数に分割する工程を実行する（図示せず）。このとき、基板１１は、谷部の底部を通る直線上を通って、すなわち、２つの有機ＥＬ表示パネル１００の間を通って切断する。
【０１１８】
（エアブローによる乾燥との比較）
図７は、エアブローを用いた場合のリーク発生数（対策前）と、本実施の形態１によるリーク発生数（対策後）との比較結果を示す図である。図７に示すように、従来の乾燥方法では、ガラス基板（リジッド基板）の絶縁率が４０％、フレキシブル基板の絶縁率が１５％であるのに対し、本発明の乾燥方法では、ガラス基板（リジッド基板）の絶縁率が９５％、フレキシブル基板の絶縁率が７５％となり、絶縁率が大幅に改善されていることが分かる。
【０１１９】
図８Ａおよび図８Ｂは、電流と電界との関係を示すグラフである。図８Ａは、エアブローを行い、基板１１内の任意の５点について観測した結果を、図８Ｂは、変形例３の回転による乾燥を行い、基板１１内の任意の１０点について観測した結果を示している。図８Ａでは、電界が１．５ＭＶ／ｃｍを超える領域において、他の観測点と比べて電流値が大幅に増加している箇所があり、絶縁破壊が生じている箇所があることが分かる。これに対し、図８Ｂでは、電界が１．５ＭＶ／ｃｍを超える領域においても、他の観測点と比べて電流値が大幅に増加している箇所がなく、絶縁破壊が生じておらず、パーティクルの付着が低減されていることが分かる。
【０１２０】
（別実施の形態）
上記実施の形態１では、ゲート絶縁層１４が有機系材料で構成され、露光および現像によりコンタクトホール１４Ｈを形成する場合について説明したが、ゲート絶縁層１４が無機系材料である場合に、ウェットエッチによりコンタクトホール１４Ｈを形成する場合でも、上記薄膜トランジスタの製造方法、ＴＦＴ基板の製造方法および基板１１の洗浄方法を適用できる。
【０１２１】
なお、本実施の形態では、有機ＥＬ素子２０を用いた有機ＥＬ表示装置について説明したが、アクティブマトリクス基板１０が用いられる他の表示装置にも適用することができる。また、このように構成される表示装置については、フラットパネルディスプレイとして利用することができ、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ、携帯電話などのあらゆる表示パネルを有する電子機器に適用することができる。
【０１２２】
以上、本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法、ＴＦＴ基板の製造方法および基板の洗浄方法について、実施形態および実施例に基づいて説明したが、本発明はこれらの実施形態および実施例に限定されるものではない。各実施形態および実施例に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施形態および実施例における構成要素および機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１２３】
本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法およびＴＦＴ基板の製造方法は、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ、携帯電話などの電子機器等で用いられる半導体装置等の製造に適用することができる。また、基板の洗浄方法は、上述した半導体装置等の製造工程に適用することができる。
【符号の説明】
【０１２４】
１０      アクティブマトリクス基板
１１      基板
１２      ＵＣ層
１３ａ、１３ｂ  ゲート電極
１３Ｍ    ゲート金属膜
１４      ゲート絶縁層
１４Ｈ    コンタクトホール
１５Ｓａ、１５Ｓｂ  ソース電極
１５Ｄａ、１５Ｄｂ  ドレイン電極
１５Ｍ    ソースドレイン金属膜
１６      第一隔壁層
１６Ｍ    第一隔壁材料層
１７ａ、１７ｂ  半導体層
１８      保護層
１９      層間絶縁層
２０      有機ＥＬ素子
２１      下部電極層
２２      第二隔壁層
２３      有機発光層
２４      上部電極層
２５      樹脂封止層
２６      バリア層
３０      対向基板
１００    有機ＥＬ表示パネル
１１０    画素群
１１１    画素
１１２    画素回路
１２１    ゲートライン
１２２    ソースライン
１２３    電源配線
１２４    補助配線
２００    撥液性溶液
ＴＦＴ１  有機薄膜トランジスタ
ＴＦＴ２  有機薄膜トランジスタ
Ｃ        コンデンサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図５Ｆ】
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【図５Ｇ】
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【図５Ｈ】
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【図５Ｉ】
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【図５Ｊ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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