(57)【要約】【課題】透明電極と補助電極の品質および信頼性を高めることのできる静電容量式センサーシートおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】光透過性を有する基材２と、基材２の一方の表面に積層された光透過性導電膜１１からなる透明電極３と、透明電極３の上に積層された光透過性を有するレジスト層１２と、透明電極３よりも電気抵抗が低い金属膜により形成され、透明電極３の周縁の少なくとも一部を覆うようにレジスト層１２の上に積層された補助電極４ａと、を備える。【選択図】図２
2014093253.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性を有する基材と、
前記基材の少なくとも一方の表面に積層された光透過性導電膜からなる透明電極と、
前記透明電極の上に積層された光透過性を有するレジスト層と、
前記透明電極よりも電気抵抗が低い薄膜により形成され、前記透明電極の周縁の少なくとも一部を覆うように前記レジスト層の上に積層された補助電極と、
を備えることを特徴とする静電容量式センサーシート。
【請求項２】
前記透明電極が、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳを含有する導電インクによって厚み０．１μｍ〜０．５μｍに形成され、
前記レジスト層が、前記透明電極より厚く且つ３μｍ以下の厚みに形成され、
前記補助電極が銀ペーストによって形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の静電容量式センサーシート。
【請求項３】
光透過性を有する基材の少なくとも一方の表面に光透過性導電膜を成膜する成膜工程と、
透明電極として機能させる電極領域を前記光透過性導電膜の少なくとも一部に設定し、前記電極領域と重なる位置に光透過性を有するレジスト層を積層するレジスト積層工程と、
前記光透過性を有する基材に成膜された前記光透過性導電膜のうち、前記レジスト層と重ならない位置にある光透過性導電膜を除去する導電膜除去工程と、
前記光透過性導電膜よりも電気抵抗が低い補助電極を、前記電極領域の周縁の少なくとも一部を覆うように前記レジスト層の上に積層する補助電極形成工程と、
を備えることを特徴とする静電容量式センサーシートの製造方法。
【請求項４】
前記成膜工程では、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳを含有する導電インクによる厚み０．１μｍ〜０．５μｍの光透過性導電膜を成膜し、
前記レジスト積層工程では、インクジェット印刷により、前記電極領域と重なる位置に光透過性を有する３μｍ以下の厚みのレジスト層を積層し、
前記補助電極形成工程では、銀ペーストにより前記補助電極を形成する
ことを特徴とする請求項３に記載の静電容量式センサーシートの製造方法。
【請求項５】
前記導電膜除去工程では、プラズマエッチングにより前記光透過性導電膜を除去する
ことを特徴とする請求項３または４に記載の静電容量式センサーシートの製造方法。
【請求項６】
前記補助電極に一端が接続される配線を前記光透過性の基材の上に形成する配線形成工程をさらに備える
ことを特徴とする請求項３〜５のいずれか１項に記載の静電容量式センサーシートの製造方法。
【請求項７】
前記レジスト積層工程では、透明電極として機能させる電極領域を前記光透過性導電膜の少なくとも一部に設定すると共に、配線として機能させる配線領域を前記電極領域とは別の位置に設定し、前記電極領域および前記配線領域と重なる位置にそれぞれ光透過性を有するレジスト層を積層し、
前記レジスト積層工程の後に、前記補助電極形成工程を実行すると共に、前記補助電極に一端が接続される配線を前記レジスト層の上に形成する配線形成工程を実行し、
前記補助電極形成工程および前記配線形成工程の前または後に前記導電膜除去工程を実行する
ことを特徴とする請求項３〜５のいずれか１項に記載の静電容量式センサーシートの製造方法。
【請求項８】
前記レジスト積層工程では、透明電極として機能させる電極領域を前記光透過性導電膜の少なくとも一部に設け、前記電極領域と重なる位置に光透過性を有するレジスト層を積層し、
前記レジスト積層工程の後に、前記補助電極形成工程を実行すると共に、配線として機能させる配線領域を前記光透過性を有する基材の上の前記電極領域とは別の位置に設定して、前記配線領域の上に前記補助電極形成工程により形成される補助電極に一端が接続される配線を形成する配線形成工程を実行し、
前記補助電極形成工程および前記配線形成工程の後に、前記導電膜除去工程として、前記光透過性を有する基材に成膜された前記光透過性導電膜のうち、前記レジスト層および前記配線と重ならない位置にある光透過性導電膜を除去する
ことを特徴とする請求項３〜５のいずれか１項に記載の請求項静電容量式センサーシートの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明電極を備える静電容量式センサーシートおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、情報端末におけるユーザーインターフェイスを改善する目的で、使用者の指などが触れたことを検出するセンサーシートの様々な構成が検討されている。たとえば、特許文献１には、静電容量方式を用いて人の指などとの間の静電容量の変化を検出するセンサが開示されている。
特許文献１に記載のセンサは、透明電極の外周の少なくとも一部に、透明電極よりも電気抵抗が低い補助電極が設けられており、検出感度のばらつきを抑えることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−１７８１４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、特許文献１に記載のセンサは、透明電極の上に補助電極を形成するときに、透明電極に傷や汚れを付けてしまうおそれがあった。
また、たとえば、水分散ポリチオフェン誘導体であるＰＥＤＯＴ−ＰＳＳで透明電極を構成し、銀ペーストで補助電極を構成した場合、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳに含まれるスルホン酸の影響によって補助電極が腐食する場合がある。この場合、補助電極と透明電極の間の接着力が減少したり接触抵抗が増大したりし、スイッチの信頼性を損なうおそれがある。
【０００５】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、透明電極と補助電極の品質および信頼性を高めることのできる静電容量式センサーシートおよびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
本発明の一態様は、光透過性を有する基材と、前記基材の少なくとも一方の表面に積層された光透過性導電膜からなる透明電極と、前記透明電極の上に積層された光透過性を有するレジスト層と、前記透明電極よりも電気抵抗が低い薄膜により形成され、前記透明電極の周縁の少なくとも一部を覆うように前記レジスト層の上に積層された補助電極と、を備えることを特徴とする静電容量式センサーシートである。
【０００７】
また、前記透明電極が、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳを含有する導電インクによって厚み０．１μｍ〜０．５μｍに形成され、前記レジスト層が、前記透明電極より厚く且つ３μｍ以下の厚みに形成され、前記補助電極が銀ペーストによって形成されていることが好ましい。
【０００８】
本発明の別の態様は、光透過性を有する基材の少なくとも一方の表面に光透過性導電膜を成膜する成膜工程と、透明電極として機能させる電極領域を前記光透過性導電膜の少なくとも一部に設定し、前記電極領域と重なる位置に光透過性を有するレジスト層を積層するレジスト積層工程と、前記光透過性を有する基材に成膜された前記光透過性導電膜のうち、前記レジスト層と重ならない位置にある光透過性導電膜を除去する導電膜除去工程と、前記光透過性導電膜よりも電気抵抗が低い補助電極を、前記電極領域の周縁の少なくとも一部を覆うように前記レジスト層の上に積層する補助電極形成工程と、を備えることを特徴とする静電容量式センサーシートの製造方法である。
【０００９】
また、前記成膜工程では、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳを含有する導電インクによる厚み０．１μｍ〜０．５μｍの光透過性導電膜を成膜し、前記レジスト積層工程では、インクジェット印刷により、前記電極領域と重なる位置に光透過性を有する３μｍ以下の厚みのレジスト層を積層し、前記補助電極形成工程では、銀ペーストにより前記補助電極を形成することが好ましい。
【００１０】
また、前記導電膜除去工程では、プラズマエッチングにより前記光透過性導電膜を除去することが好ましい。
【００１１】
また、前記補助電極に一端が接続される配線を前記光透過性の基材の上に形成する配線形成工程をさらに備えてもよい。
【００１２】
また、前記レジスト積層工程では、透明電極として機能させる電極領域を前記光透過性導電膜の少なくとも一部に設定すると共に、配線として機能させる配線領域を前記電極領域とは別の位置に設定し、前記電極領域および前記配線領域と重なる位置にそれぞれ光透過性を有するレジスト層を積層し、前記レジスト積層工程の後に、前記補助電極形成工程を実行すると共に、前記補助電極に一端が接続される配線を前記レジスト層の上に形成する配線形成工程を実行し、前記補助電極形成工程および前記配線形成工程の前または後に前記導電膜除去工程を実行するようにしてもよい。
【００１３】
また、前記レジスト積層工程では、透明電極として機能させる電極領域を前記光透過性導電膜の少なくとも一部に設し、前記電極領域と重なる位置に光透過性を有するレジスト層を積層し、前記レジスト積層工程の後に、前記補助電極形成工程を実行すると共に、配線として機能させる配線領域を前記光透過性を有する基材の上の前記電極領域とは別の位置に設定して、前記配線領域の上に前記補助電極形成工程により形成される補助電極に一端が接続される配線を形成する配線形成工程を実行し、前記補助電極形成工程および前記配線形成工程の後に、前記導電膜除去工程として、前記光透過性を有する基材に成膜された前記光透過性導電膜のうち、前記レジスト層および前記配線と重ならない位置にある光透過性導電膜を除去するようにしてもよい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明のセンサーシートおよびその製造方法によれば、透明電極や補助電極の品質および信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１実施形態の静電容量式センサーシートの平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線における断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態の静電容量式センサーシートの製造方法を示すフローチャートである。
【図４】同実施形態の製造方法を説明するための図である。
【図５】本発明の第２実施形態の静電容量式センサーシートを示す図で、図１のＡ−Ａ線と同様の断面で示す断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態の静電容量式センサーシートの製造方法を示すフローチャートである。
【図７】同実施形態の製造方法を説明するための図である。
【図８】本発明の第３実施形態の静電容量式センサーシートを示す図で、図１のＡ−Ａ線と同様の断面で示す断面図である。
【図９】本発明の第３実施形態の静電容量式センサーシートの製造方法を示すフローチャートである。
【図１０】同実施形態の製造方法を説明するための図である。
【図１１】（ａ）は、本発明の第１実施形態の静電容量式センサーシートにおける透明電極を示す平面図、（ｂ）は補助電極を示す平面図、（ｃ）は透明電極と補助電極とを組み合わせた状態を示す平面図である。
【図１２】図１１に示す透明電極及び補助電極の他の構成を示す平面図であり、（ａ）は透明電極を示す平面図、（ｂ）は補助電極を示す平面図、（ｃ）は透明電極と補助電極とを組み合わせた状態を示す平面図である。
【図１３】図１１に示す透明電極及び補助電極のさらに他の構成を示す平面図であり、（ａ）は透明電極を示す平面図、（ｂ）は補助電極を示す平面図、（ｃ）は透明電極と補助電極とを組み合わせた状態を示す平面図である。
【図１４】図１１に示す透明電極及び補助電極の他の構成を示す平面図であり、（ａ）は透明電極を示す平面図、（ｂ）は補助電極を示す平面図、（ｃ）は透明電極と補助電極とを組み合わせた状態を示す平面図である。
【図１５】インクジェット法によりレジスト層を形成する際に、インクジェット法を利用してレジスト層による絵柄を描いた場合の例を示す平面図である。
【図１６】透明電極の色とレジスト層の色の重なりによる混色効果について説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態の静電容量式センサーシート１およびその製造方法について説明する。
まず、静電容量式センサーシート１の構成について、図１および図２を参照して説明する。図１は、本実施形態の静電容量式センサーシート１の平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ線における断面図である。なお、図１においては、カバーフイルム８の図示を省略している。
静電容量式センサーシート１は、たとえば液晶ディスプレイのタッチ型入力装置として使用されるものである。
図１および図２に示すように、静電容量式センサーシート１は、基材２と、透明電極３と、レジスト層１２と、信号ライン４と、カバーフイルム８とを備えている。
【００１７】
基材２は、光透過性を有する絶縁性材料によって形成されたフイルム状、シート状、若しくは板状の部材である。基材２の材料としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート、アクリル系樹脂、及びガラスなどの硬質材料や、熱可塑性ポリウレタン、熱硬化性ポリウレタン、シリコーンゴムなどの弾性材料からなるものを好適に用いることができる。
【００１８】
透明電極３は、導電インクを用いて印刷や塗布などにより基材２上に矩形状に形成されており、厚みは０．１μｍ〜０．５μｍに設定されている。透明電極３を構成する導電インクの一例としては、例えば水及びアルコールに分散したＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ（水分散ポリチオフェン誘導体）を用いることができる。
【００１９】
レジスト層１２は、光透過性を有する絶縁性材料を含み、透明電極３より厚く且つ３μｍ以下の厚みを有する層である。また、レジスト層１２は、プラズマエッチングに対して耐性を有している。レジスト層１２は、光透過性を有する絶縁性材料の流動体がインクジェット印刷によって透明電極３上に印刷されることにより形成されている。本実施形態では、レジスト層１２は、紫外線硬化型アクリル樹脂によって形成されている。
また、レジスト層１２の厚さが１μｍ以下であると、静電容量式センサーシート１を薄型化できるとともに、透明電極３と補助電極４ａとの間の電気的な接続（高周波信号の伝送）の安定性が高い。
【００２０】
信号ライン４は、透明電極３にレジスト層１２を介して誘電接続された補助電極４ａと、補助電極４ａに一端が接続された配線４ｂとを有する。なお、本明細書において、誘電接続とは、誘電体を間に挟んで互いに離間して配置された一対の導体による接続である。誘電接続された一対の導体は、キャパシタとして機能し、一対の導体間で高周波信号を伝送する。
補助電極４ａは、透明電極３よりも低い電気抵抗を有し、透明電極３の周縁の一部を覆うようにレジスト層１２の上に設けられた金属薄膜よりなる電極である。補助電極４ａの形状は、基材２の表面と直交する方向から見たときの形状が略矩形状であり、基材２の表面と直交する方向から見た透明電極３の輪郭線上に補助電極４ａの輪郭線の一部が位置している。補助電極４ａは、透明電極３の周縁上にレジスト層１２を介して積層され、透明電極３と誘電接続された状態となっている。補助電極４ａの材料としては、銀ペーストが用いられている。
【００２１】
配線４ｂは、補助電極４ａと同じ材料によって形成されている。図１に示すように、配線４ｂの一端は補助電極４ａに接続されており、配線４ｂの他端は、基材２の周縁部まで延びている。配線４ｂの他端には、金やカーボンなどからなる接続パッド５が設けられている。接続パッド５は、外部に露出されており、図示しない検出回路との接続に使用される。
【００２２】
図２に示すように、カバーフイルム８は、光透過性を有する樹脂フイルム９の片面に粘着剤１０を有するフイルムである。カバーフイルム８の材料としては、たとえば、ポリエチレンテレフタレートを挙げることができる。その他、カバーフイルム８の材料として、感光性ドライフイルム、ＵＶ硬化型レジスト材、加熱硬化型レジスト材などが採用されてもよい。カバーフイルム８は、透明電極３および信号ライン４を覆うように所定の形状（本実施形態では矩形状）に形成されている。
【００２３】
次に、本発明の第１実施形態の静電容量式センサーシートの製造方法について、上述した構成を備える静電容量式センサーシート１を製造する工程を例に説明する。
図３は、本実施形態の静電容量式センサーシート１の製造方法を示すフローチャート、図４（ａ）〜（ｅ）は、本実施形態の製造方法により静電容量式センサーシート１を製造する工程を説明するための図である。
【００２４】
静電容量式センサーシート１を製造するためには、まず、図４（ａ）に示すように、光透過性を有する基材２の一方の表面に、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの薄膜１１（本実施形態における光透過性導電膜）を成膜する（図３に示すステップＳ１（成膜工程））。
ステップＳ１では、基材２の一方の表面にＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの溶液をグラビア印刷やオフセット印刷などにより印刷する。ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの溶液は表面の全面に一様に印刷する。基材２上に印刷されたＰＥＤＯＴ−ＰＳＳは、その後加熱乾燥や紫外線硬化などの硬化処理が行われて薄膜状となる。
これでステップＳ１は終了し、レジスト積層工程へ進む。
【００２５】
レジスト積層工程では、図４（ｂ）に示すように、透明電極３として機能させる電極領域３ａをＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの薄膜１１上の少なくとも一部に設定する（図３に示すステップＳ２）。電極領域３ａは、静電容量式センサーシート１の製造工程の終了後における透明電極３の位置および形状に基づいて設定する。そして、電極領域３ａと重なる位置に、光透過性を有するレジスト層１２をインクジェット印刷により形成する（図３に示すステップＳ２）。この際、インクジェット印刷を利用することで、簡単に１μｍ以下の厚みのレジスト層１２を所定のパターンで形成することができる。
これでレジスト積層工程は終了し、導電膜除去工程（図３に示すステップＳ４）へ進む。
【００２６】
導電膜除去工程は、レジスト層１２をマスクにして、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの薄膜１１の一部を除去する工程である。導電膜除去工程では、図４（ｃ）に示すように、基材２に成膜されたＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの薄膜１１のうち、レジスト層１２と重ならない位置にあるＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの薄膜１１を、プラズマエッチング（ドライエッチング）により除去する。この導電膜除去工程により、電極領域３ａにおけるＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの薄膜１１は透明電極３となり、その透明電極３の部分がレジスト層１２に保護された形になる。
これで導電膜除去工程は終了し、信号ライン形成去工程（図３に示すステップＳ５、Ｓ６）へ進む。
【００２７】
信号ライン形成工程は、図４（ｄ）に示すように、透明電極３を覆うレジスト層１２の上の少なくとも一部に補助電極４ａを形成すると共に、所定パターンの配線４ｂを形成する工程である。補助電極４ａは、透明電極３の周縁の少なくとも一部を覆うようにレジスト層１２の上に形成される。また、配線４ｂは、基材２の上に直接形成される。これらの信号ライン４は、銀ペーストを材料としたスクリーン印刷によって一工程で形成される。即ち、本実施形態では、信号ライン形成工程において、補助電極４ａを形成する補助電極形成工程（図３に示すステップＳ５）と、配線４ｂを形成する配線形成工程（図３に示すステップＳ６）との両方が同時に行われる。
【００２８】
また、信号ライン形成工程において、接続パッド５（図１参照）がさらに形成される。なお、信号ライン形成工程において、静電容量式センサーシート１の外形形状をトリミングするためのアラインメントマークを配線４ａの材料と同一の材料を用いて形成してもよい。
これで信号ライン形成工程は終了し、カバーフイルム貼り付け工程（図３に示すステップＳ７）へ進む。
【００２９】
カバーフイルム貼り付け工程は、図４（ｅ）に示すように、透明電極３および信号ライン４が形成された基材２に上述のカバーフイルム８を貼り付ける工程である。
カバーフイルム貼り付け工程では、接続パッド５（図１参照）を露出させた状態で透明電極３および信号ライン４をカバーフイルム８で覆うことによって、信号ライン４や透明電極３を保護する。
これでカバーフイルム貼り付け工程は終了し、静電容量式センサーシート１を製造する一連の工程は終了する。
【００３０】
次に、本実施形態の静電容量式センサーシート１の作用について説明する。
この静電容量式センサーシート１では、透明電極３の上をレジスト層１２で覆っており、そのレジスト層１２の上に銀ペーストによる補助電極４ａを形成している。このため、透明電極３を早めの工程でレジスト層１２で覆うことによって、信号ライン形成工程において、透明電極３に傷や汚れが付いて機能不良や外観不良を起こすのを防ぐことができ、品質や信頼性を高めることができる。
【００３１】
また、透明電極３と補助電極４ａの間にレジスト層１２を介在させるので、透明電極３と補助電極４ａの直接接触を避けることができ、透明電極３と補助電極４ａの材料の組み合わせによって、透明電極３と補助電極４ａの境界に悪影響が出るのを防ぐことができる。
例えば、本実施形態では、透明電極３を構成するＰＥＤＯＴ−ＰＳＳにスルホン酸が含まれており、補助電極４ａを構成する銀ペーストに銀が含まれている。透明電極３と補助電極４ａとが直接接触していると、スルホン酸が銀を腐食させる場合があり、補助電極４ａを構成する銀ペーストの信頼性に、硫化、酸化、接着力の低下、あるいは接触抵抗の増大等の悪影響を与える可能性がある。
これに対して、レジスト層１２の介在により透明電極３と補助電極４ａの直接接触が避けられているので、上述の悪影響を防ぐことができる。その結果、製品歩留まりの向上が図れると共に、信頼性の高い静電容量式スイッチの形成が可能となる。また、透明電極３と補助電極４ａの直接接触を避けることができることから、透明電極３と補助電極４ａの材料選定の自由度を増すことができる。
【００３２】
なお、透明電極３と補助電極４ａの間に介在するレジスト層１２が絶縁材料で構成される場合であっても、透明電極３と補助電極４ａとがレジスト層１２を介して誘電接続されることになるため、静電容量式スイッチとしての性能には影響が出ない。すなわち、透明電極３と補助電極４ａとは、誘電体となるレジスト層１２を間に挟んだキャパシタを構成しており、高周波信号を伝送することができる。特に、インクジェット印刷によって形成されたレジスト層１２の厚みは１μｍ以下であるから、透明電極３と補助電極４ａの間が誘電接続される際の感度の顕著な低下がなく、感度の高い静電容量式スイッチが形成可能となる。
また、レジスト層１２は光透過性を有するので、静電容量式センサーシート１の透明電極３上にレジスト層１２が残った状態でも、透明電極３の光透過性を阻害しない。
【００３３】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態の静電容量式センサーシート１Ａおよびその製造方法について説明する。なお、本実施形態では、上述の第１実施形態で説明した静電容量式センサーシート１および静電容量式センサーシート１の製造方法と同様の構成要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００３４】
図５は、本実施形態の静電容量式センサーシート１Ａの構成を示す断面図で、図１のＡ一Ａ線と同様の断面指示線における断面図である。
図５に示すように、静電容量式センサーシート１Ａは、配線４ｂの下に光透過性導電膜１１による下層１３が残されており、その上にレジスト層１２を介して配線４ｂが形成されている点で上述の静電容量式センサーシート１と構成が異なっている。
【００３５】
次に、本実施形態の静電容量式センサーシート１Ａの製造方法について説明する。
図６は、本実施形態の静電容量式センサーシート１Ａの製造方法を示すフローチャート、図７（ａ）〜（ｅ）は、本実施形態の製造方法の工程を説明するための図である。
【００３６】
本実施形態の製造方法では、図６に示すように、成膜工程（ステップＳ１）とカバーフイルム貼り付け工程（ステップＳ７）は第１実施形態の静電容量式センサーシート１の製造方法と同じであるが、途中の工程（ステップＳ１２〜ステップＳ１５）が第１実施形態の静電容量式センサーシート１の製造方法と異なる。
【００３７】
図７（ａ）に示す成膜工程（図６のステップＳ１）で、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの薄膜１１を基材２の表面に形成した後のレジスト積層工程において、図７（ｂ）に示すように、透明電極３として機能させる電極領域３ａをＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの薄膜１１上の少なくとも一部に設定すると共に、配線４ｂとして機能させる配線領域１３ａを電極領域３ａとは別の位置に設定する（図６のステップＳ１２）。電極領域３ａ及び配線領域１３ａは、静電容量式センサーシート１Ａの製造工程の終了後における透明電極３および配線４ｂの位置および形状に基づいて設定する。そして、電極領域３ａおよび配線領域１３ａと重なる位置にそれぞれ光透過性を有するレジスト層１２をインクジェット印刷により積層する（図６のステップＳ１３）。
これでレジスト積層工程は終了し、信号ライン形成工程（図６に示すステップＳ１４）へ進む。
【００３８】
信号ライン形成工程では、図７（ｃ）に示すように、透明電極３を覆うレジスト層１２の上の少なくとも一部に補助電極４ａを形成すると共に、配線領域１３ａに印刷したレジスト層１２の上に所定パターンの配線４ｂを形成する。これらの信号ライン４は、銀ペーストを材料としたスクリーン印刷によって一工程で形成される。
信号ライン形成工程が終了したら、導電膜除去工程（図６に示すステップＳ１５）へ進む。
【００３９】
導電膜除去工程では、図７（ｄ）に示すように、レジスト層１２をマスクにしたプラズマエッチングにより、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの薄膜１１の一部を除去する。この導電膜除去工程により、電極領域３ａにおけるＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの薄膜１１は透明電極３となり、その透明電極３の部分がレジスト層１２に保護された形になる。また、配線領域１３ａにおけるＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの薄膜１１は配線４ｂの下層として残る。
【００４０】
これで導電膜除去工程は終了し、その後、図７（ｅ）に示すように、カバーフイルム貼り付け工程（ステップＳ７）にてカバーフイルム８を貼り付けることによって、信号ライン４や透明電極３を保護する。これでカバーフイルム貼り付け工程は終了し、静電容量式センサーシート１を製造する一連の工程は終了する。
【００４１】
なお、本実施形態における導電膜除去工程は、補助電極形成工程および配線形成工程（図６のステップＳ１４）の前に実行してもよい。
【００４２】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態の静電容量式センサーシート１Ｂおよびその製造方法について説明する。なお、本実施形態では、上述の第１実施形態および第２実施形態で説明した静電容量式センサーシート１、１Ａおよび静電容量式センサーシート１、１Ａの製造方法と同様の構成要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００４３】
図８は、本実施形態の静電容量式センサーシート１Ｂの構成を示す断面図で、図１のＡ一Ａ線と同様の断面指示線における断面図である。
図８に示すように、静電容量式センサーシート１Ｂは、配線４ｂの下に光透過性導電膜１１による下層１３が残されている点で第１実施形態の静電容量式センサーシート１と構成が異なり、光透過性導電膜１１による下層１３の上に、第２実施形態におけるレジスト層１２が形成されていない点で第２実施形態の静電容量式センサーシート１Ａと構成が異なっている。
【００４４】
次に、本実施形態の静電容量式センサーシート１Ｂの製造方法について説明する。
図９は、本実施形態の静電容量式センサーシート１Ｂの製造方法を示すフローチャート、図１０（ａ）〜（ｅ）は、本実施形態の製造方法の工程を説明するための図である。
【００４５】
本実施形態の製造方法では、図１０（ａ）に示すように、成膜工程（ステップＳ１）とカバーフイルム貼り付け工程（ステップＳ７）は第１実施形態の静電容量式センサーシート１の製造方法と同じであるが、途中の工程（ステップＳ１２、Ｓ２３、Ｓ２４、Ｓ２５、Ｓ１５）が第１実施形態の静電容量式センサーシート１の製造方法と異なる。
【００４６】
図１０（ａ）に示す成膜工程（図９のステップＳ１）で、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの薄膜１１を基材２の表面に形成したら、次のレジスト積層工程において、図１０（ｂ）に示すように、透明電極３として機能させる電極領域３ａをＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの薄膜１１上の少なくとも一部に設定する（図９のステップＳ１２）。電極領域３ａは、静電容量式センサーシート１Ａの製造工程の終了後における透明電極３の位置および形状に基づいて設定する。そして、電極領域３ａと重なる位置に光透過性を有するレジスト層１２をインクジェット印刷により積層する（図９のステップＳ２３）。
これでレジスト積層工程は終了し、信号ライン形成工程（図９に示すステップＳ２４、Ｓ２５）へ進む。
【００４７】
信号ライン形成工程では、図１０（ｃ）に示すように、透明電極３を覆うレジスト層１２の上の少なくとも一部に補助電極４ａを形成する（図９のステップＳ２４）。また、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの薄膜１１上に、配線４ｂとして機能させる配線領域１３ａを電極領域３ａとは別の位置に設定して、配線領域１３ａと重なる位置に所定パターンの配線４ｂを形成する（図９のステップＳ２５）。これらの信号ライン４は、銀ペーストを材料としたスクリーン印刷によって一工程で形成される。
信号ライン形成工程が終了したら、導電膜除去工程（図９に示すステップＳ１５）へ進む。
【００４８】
導電膜除去工程では、図１０（ｄ）に示すように、レジスト層１２をマスクにしたプラズマエッチングにより、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの薄膜１１の一部を除去する。この導電膜除去工程により、電極領域３ａにおけるＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの薄膜１１は透明電極３となり、その透明電極３の部分がレジスト層１２に保護された形になる。また、配線領域１３ａにおけるＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの薄膜１１は、配線４ｂの下層として残る。
【００４９】
これで導電膜除去工程は終了し、その後、図１０（ｅ）に示すように、カバーフイルム貼り付け工程（図９のステップＳ７）にてカバーフイルム８を貼り付けることによって、信号ライン４や透明電極３を保護する。これでカバーフイルム貼り付け工程は終了し、静電容量式センサーシート１Ｂを製造する一連の工程は終了する。
【００５０】
前記第２実施形態および第３実施形態の静電容量式センサーシート１Ａ、１Ｂの場合も、透明電極３の上をレジスト層１２で覆っており、そのレジスト層１２の上に銀ペーストによる補助電極４ａを形成しているので、第１実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００５１】
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
【００５２】
たとえば、上述の各実施形態で説明した透明電極の側壁に、補助電極と導通する電極をさらに設けてもよい。このような電極は、たとえば光透過性導電膜を除去する工程が終了した後に、透明電極の側壁に銀ペーストを塗布することによって形成することができる。
【００５３】
また、上記実施形態では、透明電極３を構成する材料がＰＥＤＯＴ−ＰＳＳである場合を説明したが、それ以外に、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＦＴＯ（フッ素ドープ酸化スズ）、ポリチオフェン、ポリアニリンなどの光透過性を有する導電性材料を用いることもできる。
また、ポリチオフェン系導電性インクの具体例としては、たとえば、信越ポリマー（株）製、製品名ＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）などを好適に用いることができる。このほか、ＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）に比して透明性は劣るが、金、銀、銅、ＩＴＯなどの金属材料や金属酸化物を含む薄膜、金属ナノワイヤ、カーボンナノチューブを含有した導電性インクなどを採用することもできる。
【００５４】
また、上記実施形態では、光透光性導電膜を除去する方法として、プラズマエッチングを採用したが、ケミカルエッチングやレーザーエッチングなども採用することができる。
【００５５】
また、上記実施形態では、レジスト積層工程でレジスト層１２を形成する方法として、インクジェット印刷を採用したが、誘電接続に適した厚さのレジスト層１２を形成することができれば、スクリーン印刷等のその他の印刷法も採用可能である。なお、レジスト層１２の厚さは５０μｍ程度としてもよい。
【００５６】
また、上記実施形態では、補助電極４ａの材料として銀ペーストを採用した場合を説明したが、銅、あるいは金などの金属粒子を含有するインクや、カーボンまたはグラファイトを含有するインク、金属箔などを採用することもできる。上記実施形態では、補助電極４ａは、透明電極３に含まれるスルホン酸の影響を受けないので、金属を含んでいてよい。
【００５７】
また、上記実施形態では、図１１に分解して示すように、透明電極３を矩形状に形成し、その透明電極３の一辺に沿った輪郭線上に直線帯状の補助電極４ａを重ねる場合について説明したが、その他の形状の補助電極を矩形状の透明電極３の上に重ねてもよい。
【００５８】
たとえば、図１２（ａ）ないし図１２（ｃ）に示す例では、矩形状の透明電極３の四辺に沿って補助電極１４ａを矩形枠状に形成し、その補助電極１４ａを矩形状の透明電極３の上に重ねている。また、図１３（ａ）ないし図１３（ｃ）に示す例では、補助電極２４ａの外側輪郭線は、矩形状の透明電極３に揃えた矩形状に形成し、補助電極２４ａの内側輪郭線は、円形または楕円形に形成している。
【００５９】
また、図１４（ａ）ないし図１４（ｃ）に示す例では、透明電極３３を円形または楕円形に形成し、補助電極３４ａも透明電極３３の形状に合わせた円形枠状または楕円形枠状に形成している。
このように、透明電極３、３３の形状と補助電極４ａ、１４ａ、２４ａ、３４ａの形状の組み合わせは任意に選ぶことができる。
【００６０】
また、レジスト層をインクジェット印刷などの印刷法により形成する場合は、透明電極３３の上に、たとえば図１５に示すような模様（数字の「５」の絵柄）を描くことも容易にできる。
【００６１】
また、透明電極３、３３は、光透過性を有していれば着色されていても構わず、その透明電極３、３３の色とインクジェット印刷等により形成するレジスト層１２の色との混色効果をもたらすこともできる。混色効果としては、図１６に示すように、Ｇ（グリーン）、Ｂ（ブルー）、Ｒ（レッド）の透明材料の３原色の任意の組み合わせにより、Ｃ（シアン）、Ｙ（イエロー）、Ｍ（マゼンタ）、Ｗ（ホワイト）を作ることができる。
【００６２】
従って、たとえばインクジェット印刷により形成した色付きのレジスト層１２を透明基板３、３３の上に重ねることによって、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ等による透明電極３、３３の着色に対する補色効果により色調を変えることも可能である。
【００６３】
なお、透明電極と補助電極とが直接接触することが好ましくない組み合わせとなる場合に、透明電極と補助電極との間に隙間が空けられた状態で透明電極と補助電極とを保持するスペーサー状の部材（上記実施形態ではレジスト層）が設けられていると、透明電極と補助電極との材質の組み合わせの自由度を高めることができる。すなわち、透明電極と補助電極との材質その他の物性は、上述の実施形態及びその設計変更として具体的に例示されたものには限られない。
例えば、透明電極と補助電極とが直接接触することが好ましくない組み合わせの一例としては、透明電極と補助電極とが直接接触することによりガルバニック腐食（異種金属接触腐食）等の所謂電食が生じる可能性がある組み合わせを挙げることができる。このような組み合わせの一例としては、ＩＴＯとアルミニウム合金とが直接接触する例がある。
【符号の説明】
【００６４】
１、１Ａ、１Ｂ  静電容量式センサーシート
２  基材
３  透明電極
３ａ  電極領域
４ａ  補助電極
４ｂ  配線
１１  光透過性導電膜
１２  レジスト層
１３ａ  配線領域
【図１】
2014093253.tif 000003
【図２】
2014093253.tif 000004
【図３】
2014093253.tif 000005
【図４】
2014093253.tif 000006
【図５】
2014093253.tif 000007
【図６】
2014093253.tif 000008
【図７】
2014093253.tif 000009
【図８】
2014093253.tif 000010
【図９】
2014093253.tif 000011
【図１０】
2014093253.tif 000012
【図１１】
2014093253.tif 000013
【図１２】
2014093253.tif 000014
【図１３】
2014093253.tif 000015
【図１４】
2014093253.tif 000016
【図１５】
2014093253.tif 000017
【図１６】
2014093253.tif 000018