(57)【要約】【課題】シャドーウォールが低くても塗り分け制度が良好な有機ＥＬ表示パネル及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板１０と、基板１０上に設けられる複数の画素と、から構成され、前記画素が、発光色がそれぞれ異なる複数種類の副画素（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）を有し、前記副画素が、複数のシャドーウォール１１を有し、前記複数のシャドーウォール１１が、互いに平行になるように設けられており、前記複数種類の副画素にそれぞれ含まれる有機ＥＬ層（２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂ）が、蒸着法を用いた塗り分けによって形成され、所定の副画素に設けられているシャドーウォール１１の長手方向に対して平行な方向から蒸着することにより、前記塗り分けが行われることを特徴とする、有機ＥＬ表示パネル１。【選択図】図１
2014011082.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられる複数の画素と、から構成され、
前記画素が、発光色がそれぞれ異なる複数種類の副画素を有し、
前記副画素が、複数のシャドーウォールを有し、
前記複数のシャドーウォールが、互いに平行になるように設けられており、
前記複数種類の副画素にそれぞれ含まれる有機ＥＬ層が、蒸着法を用いた塗り分けによって形成され、
所定の副画素に設けられているシャドーウォールの長手方向に対して平行な方向から蒸着することにより、前記塗り分けが行われることを特徴とする、有機ＥＬ表示パネル。
【請求項２】
基板と、
前記基板上に設けられる複数の画素と、から構成され、
前記画素が、発光色がそれぞれ異なる複数種類の副画素と、複数のシャドーウォールと、を有する有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
少なくともシャドーウォールの形成工程と、有機ＥＬ層の形成工程と、を有し、
前記シャドーウォールの形成工程が、前記副画素内に複数のシャドーウォールを互いに平行になるように設ける工程であり、
前記有機ＥＬ層の形成工程が、所定の副画素に設けられているシャドーウォールの長手方向に対して平行な方向から蒸着することにより有機ＥＬ層を塗り分ける工程であることを特徴とする、有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項３】
前記有機ＥＬ層の形成工程において、前記有機ＥＬ層の構成材料の蒸着方向が、前記基板の表面に対して３０°乃至６０°の方向であることを特徴とする、請求項２に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示パネル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示パネル、特に、フルカラー表示の有機ＥＬ表示パネルを作製する際には、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の有機化合物層を所定の領域に選択的に成膜させる必要がある。ここで所定の有機化合物層を所定の領域に選択的に成膜させる方法として、金属製のマスク箔に開口部を所定の領域に設けてなる蒸着マスクを用いた薄膜成膜法が広く用いられている。
【０００３】
しかし近年では、基板の大型化や表示パネルの高解像度化が要求されており、また蒸着マスクの製造コストとメンテナンスにかかるコストが課題となっている。
【０００４】
特許文献１には、画素（サブピクセル）の周辺に三方向のシャドーウォールを設けて、三方向からの蒸着を行うことにより、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の有機化合物層を選択的に塗り分ける方法が提案されている。一般にシャドーウォールは、壁状の構造体であってパネル面に対して斜めに侵入してくる蒸着粒子をパネル面表面に付着するのを防ぐ機能を有する部材である。また特許文献１では、蒸着粒子の蒸着方向を考慮して、パネル面に蒸着膜が所定の領域にのみ選択的に成膜されるようにシャドーウォールの高さが調整されている。
【０００５】
特許文献１の場合、画素電極配置となる有効発光領域を最適化したときに、基板に対するＲＧＢの各蒸着源の相対方向は、９０°以上となる。また画素サイズ及び斜め蒸着の角度を考慮すると、シャドーウォールの高さ及び配置が一概に決めることができる。さらに、シャドーウォールの材料によりアスペクト比が決まるが、このアスペクト比より、シャドーウォールによる遮蔽面積が求まり、これに伴いパネル自体の開口率も求まる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許第０７７１４５０３号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、例えば、約３０μｍのサブピクセルを有する画素の場合、斜め蒸着の角度を４５°に設定すると、高さ３０μｍのシャドーウォールが必要となるが、１０μｍ以上のシャドーウォールをフォトリソグラフィーによって安定的に形成することは困難である。係る場合、塗分け精度を安定化させることは難しい。
【０００８】
また特許文献１において、有効発光領域（画素電極配置）を最適化しようとすると、基板に対するＲＧＢの各蒸着源の相対方向を９０°以上にしなければならないという制限が生じ、この制限により蒸着装置又は基板搬送装置が大型化することがある。
【０００９】
さらに、画素サイズと斜め蒸着の角度により、シャドーウォールの高さと配置が一概に決まるため、シャドーウォールの高さで決まる遮蔽面積により、最適な開口率の設計が難しいことがある。
【００１０】
そして、シャドーウォールの高さが高いと蒸着粒子の回り込みが生じやすくなり、この回り込みによって着膜時のボケ量も多く、塗分け精度が悪いという問題が生じていた。
【００１１】
本発明は、上述した課題を解決するためになされるものであり、その目的は、シャドーウォールが低くても塗り分け制度が良好な有機ＥＬ表示パネル及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の有機ＥＬ表示パネルは、基板と、
前記基板上に設けられる複数の画素と、から構成され、
前記画素が、発光色がそれぞれ異なる複数種類の副画素を有し、
前記副画素が、複数のシャドーウォールを有し、
前記複数のシャドーウォールが、互いに平行になるように設けられており、
前記複数種類の副画素にそれぞれ含まれる有機ＥＬ層が、蒸着法を用いた塗り分けによって形成され、
所定の副画素に設けられているシャドーウォールの長手方向に対して平行な方向から蒸着することにより、前記塗り分けが行われることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、シャドーウォールが低くても塗り分け精度が良好な有機ＥＬ表示パネル及びその製造方法を提供することができる。
【００１４】
即ち、本発明の製造方法では、基板に対する蒸着源の相対方向の許容範囲が、従来のシャドーウォールを用いた製造方法よりも大きいので、蒸着源の相対方向の角度も狭くすることができるため、有機ＥＬ表示パネルの製造装置全体を小型化することができる。
【００１５】
また本発明の製造方法では、基板サイズや画素サイズに因らず塗分けができる。このため本発明の製造方法を用いれば、マイクロディスプレイから大型ＴＶに至るまで製造することが可能となる。
【００１６】
さらに本発明において、有機ＥＬ表示パネルの構成部材であるシャドーウォールは、フォトリソグラフィー等を用いて形成することができるが、高さを低くして製造することが可能である。このためシャドーウォールを形成する際にかかる露光時間やエッチング時間を短縮することができると共に、材料コストも低減することができる。このことから、本発明の製造方法を用いれば、低コストで有機ＥＬ表示装置を製造することができる。
【００１７】
また本発明の有機ＥＬ表示パネルのように、シャドーウォールの高さを低くすると、シャドーウォールを形成する際に高さ精度が安定し、蒸着粒子の回り込みによる着膜時のボケ量も軽減できる。このため、塗分け精度が向上し、歩留まりが向上する。
【００１８】
本発明の製造方法を用いた有機ＥＬ表示パネルは、塗分け精度向上と高さや配置の制約がないことから最適開口率が得られ、寿命が向上する。
【００１９】
さらに、シャドーウォールが低いため、シャドーウォール自体を薄くすることができると共に、シャドーウォールに吸収される発光成分が減るので、外部への取出し効率が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の有機ＥＬ表示パネルにおける第一の実施形態を示す模式図であり、（ａ）は、平面図であり、（ｂ）は、（ａ）中のＸＸ’断面を示す断面図である。
【図２】本発明の有機ＥＬ表示パネルにおける第二の実施形態を示す平面模式図である。
【図３】本発明の有機ＥＬ表示パネルにおける第三の実施形態を示す平面模式図である。
【図４】比較例１にて作製した有機ＥＬ表示パネルを示す模式図であり、（ａ）は、平面図であり、（ｂ）は、（ａ）中のＹＹ’断面を示す断面図である。
【図５】比較例２にて作製した有機ＥＬ表示パネルを示す平面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明の有機ＥＬ表示パネルは、基板と、この基板上に設けられる複数の画素と、から構成される。本発明において、画素は、発光色がそれぞれ異なる複数種類の副画素を有している。本発明において、副画素には、複数のシャドーウォールが互いに平行になるように設けられている。
【００２２】
本発明において、複数種類の副画素にそれぞれ含まれる有機ＥＬ層は、蒸着法を用いた塗り分けによって形成される。具体的には、所定の副画素に設けられているシャドーウォールの長手方向に対して平行な方向から蒸着することにより行われる。
【００２３】
以下、図面を参照しながら本発明の有機ＥＬ表示パネル及びその製造方法の実施形態について説明する。尚、図面において図示されている部材については、その一部が実際とは異なる縮尺で描かれていることがある。
【００２４】
図１は、本発明の有機ＥＬ表示パネルにおける第一の実施形態を示す模式図であり、（ａ）は、平面図であり、（ｂ）は、（ａ）中のＸＸ’断面を示す断面図である。
【００２５】
図１の有機ＥＬ表示パネル１は、基板１０上に、発光色が異なる三種類の副画素、即ち、赤色副画素２０Ｒ、緑色副画素２０Ｇ及び青色副画素２０Ｂが設けられている。尚、図１の有機ＥＬ表示パネル１は、三種類の副画素（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）を一個ずつ集めることで画素が形成される。また副画素（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）には、下部電極２１、有機ＥＬ層（２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂ）及び上部電極（不図示）が、この順に積層してなる有機ＥＬ素子が、それぞれ設けられている。
【００２６】
図１の有機ＥＬ表示パネル１に含まれる副画素（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）の平面形状は、それぞれ鈍角部が１２０°、鋭角部が６０°の菱形であるが、本発明において、副画素の平面形状は菱形に限定されるものではない。副画素の平面形状として許容されるものとしては、菱形の他に、平行四辺形、長方形、正方形等が挙げられる。ただし、副画素の平面形状は、互いに隣接する副画素の間隔を狭くすることができる形状にするのが望ましい。また各副画素（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）の大きさ（面積）は特に限定されないが、各副画素（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）の大きさ（面積）を統一させるのが好ましい。
【００２７】
各副画素（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）に含まれる有機ＥＬ層（２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂ）をそれぞれ形成する際には、所定の領域に所定の有機ＥＬ層が形成されるようにいわゆる塗り分けが実施される。本発明においては、各有機ＥＬ層（２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂ）をそれぞれ構成する層を蒸着法によって形成する。このため、各有機ＥＬ層（２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂ）の構成材料（蒸着材料）の進行方向、即ち、蒸着方向を適宜制御することにより上記塗り分けを実施することができる。
【００２８】
ただし、本発明の有機ＥＬ表示パネルにおいては、図１に示されるように、各副画素内においてシャドーウォール１１が一定の規則性を持って設けられているため、蒸着方向を過度に限定する必要はない。尚、上記規則性の詳細については、後述する。
【００２９】
図１（ａ）のように平面的に見た場合、蒸着方向（３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂ）、具体的には、各副画素（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）をそれぞれ成膜する際の蒸着材料の進行方向については特に限定されない。ただし、所定の蒸着方向、例えば、蒸着方向３０Ｒに対する他の蒸着方向（３０Ｇ、３０Ｂ）については、蒸着方向３０Ｒに対する相対的な角度があまり小さくならないように調整するのが好ましい。尚、平面的に見た蒸着方向（３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂ）は、シャドーウォール１１の設置態様や各副画素（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）の形状に依存する。
【００３０】
一方、図１（ｂ）のように断面的に見た場合では、上述した塗り分けを実施するために、蒸着方向（３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂ）は、基板１０表面に対して所定の角度を有している。ただし、この角度は９０°（基板１０表面に対して垂直）ではない。具体的には、この角度の範囲は、９０°未満である。また基板１０表面に対する蒸着方向（３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂ）の（相対的な）角度は、シャドーウォール１１の高さ及び平面方向での厚みを考慮して適宜設定することができる。具体的には、３０°乃至６０°の範囲に設定することができる。
【００３１】
次に、有機ＥＬ表示パネルの構成部材について、説明する。
【００３２】
下部電極（アノード電極）２１は、有機ＥＬ層の混色や非成膜部分を考慮して、各副画素における発光領域よりも少し小さい面積で設けるのが好ましい。
【００３３】
一方で、発光面積を大きくする目的で各画素に含まれる下部電極同志の間隔は狭い方が好ましい。ただし、特に、アクティブマトリックス形式の有機ＥＬ表示パネルを作製する際には、互いに隣接する下部電極同志を接触させてはならない。本発明において、下部電極２１が形成されている電極付基板は、アクティブマトリクス方式でもパッシブマトリクス方式でも利用可能であるが、本発明は、特に、アクティブマトリクス方式に適している。
【００３４】
図１の有機ＥＬ表示パネル１に含まれる副画素（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）は、それぞれ複数のシャドーウォール１１が、下部電極２１上に設けられている。本発明において、シャドーウォール１１の平面形状としては、長手方向（と短手方向）を有する形状であれば特に限定されるものではなく、例えば、矩形形状等のものを挙げることができる。各副画素（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）内に設けられているシャドーウォール１１は、平面的な配置態様に関して下記（１ａ）及び（１ｂ）の特徴を有している。
（１ａ）同一種の副画素内に設けられているシャドーウォールは、互いに平行になるように設けられている。
（１ｂ）所定の副画素内に設けられているシャドーウォールは、種類が異なる副画素内に設けられているシャドーウォールとは平行にならないように設けられている。
【００３５】
（１ａ）の特徴を有していることにより、以下に説明する作用効果を奏する。即ち、有機ＥＬ表示パネルに対する蒸着源の相対方向、即ち、蒸着源から発せられた蒸着材料の進行方向（蒸着方向３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂ）を、特定の画素に含まれるシャドーウォールの長手方向に平行になるように調整する。こうすることで、同一種の副画素内にそれぞれ含まれる有機ＥＬ層を一括して形成することができる。
【００３６】
また（１ｂ）の特徴を有していることにより、以下に説明する作用効果を奏する。即ち、所定の副画素内に（選択的に）含ませるべき有機ＥＬ層を、種類が異なる副画素に形成されないようにすることができる。つまり混色を防止することができる。
【００３７】
尚、本発明においては、シャドーウォール１１に関して（１ａ）及び（１ｂ）の特徴を有していれば、シャドーウォール１１の配置態様を自由に設計することができる。このため、有効発光領域（画素電極配置）を最適化したとしても、基板１０表面に対する蒸着方向を６０°以下に設定することができる。
【００３８】
本発明において、三種類の副画素（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）が所定の方向に沿って直列的に配列される場合、各副画素（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）にそれぞれ設けられるシャドーウォール１１は、以下に説明するように設計することができる。
【００３９】
図１の有機ＥＬ表示パネル１においては、緑色副画素２０Ｇ内に設けられているシャドーウォール１１Ｇは、長手方向が緑色副画素２０Ｇの所定の一辺に対して平行になるように設けられている。また青色副画素２０Ｂ内に設けられているシャドーウォール１１Ｂは、長手方向が青色副画素２０Ｂの長対角線に対して平行になるように設けられている。言い換えると、シャドーウォール１１Ｂは、シャドーウォール１１Ｇの長手方向に対して３０°傾けるようにして設けられている。さらに赤色副画素２０Ｒ内に設けられているシャドーウォール１１Ｒは、長手方向がシャドーウォール１１Ｂの長手方向に対して３０°傾けるようにして設けられている。つまり、設計の段階で、特定のシャドーウォールの設置位置を予め決めさえすれば、最初に設置位置を決めたシャドーウォールの長手方向から特定の角度傾けることにより、他のシャドーウォールの設置位置を決めることができる。
【００４０】
図２は、本発明の有機ＥＬ表示パネルにおける第二の実施形態を示す平面模式図である。図２は、矩形状の副画素（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）にそれぞれシャドーウォール１１が設けられている。
【００４１】
図２の有機ＥＬ表示パネル２においては、青色副画素２０Ｂ内に設けられているシャドーウォール１１Ｂは、長手方向が青色副画素２０Ｂの長辺に対して平行になるように設けられている。また緑色副画素２０Ｇ内に設けられているシャドーウォール１１Ｇは、長手方向がシャドーウォール１１Ｂの長手方向に対して所定の角度（例えば、−４５°）傾けるようにして設けられている。さらに赤色副画素２０Ｒ内に設けられているシャドーウォール１１Ｒは、長手方向がシャドーウォール１１Ｂの長手方向に対して所定の角度（例えば、＋４５°）傾けるようにして設けられている。つまり、設計の段階で、特定のシャドーウォールの設置位置を予め決めさえすれば、最初に設置位置を決めたシャドーウォールの長手方向から特定の角度ずらすことにより、他のシャドーウォールの設置位置を決めることができる。
【００４２】
図３は、本発明の有機ＥＬ表示パネルにおける第三の実施形態を示す平面模式図である。図３は、菱形状の副画素（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）が１個ずつ集まって六角形状の画素が構成されている。また各副画素（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）にはそれぞれシャドーウォール１１が設けられている。
【００４３】
図３の有機ＥＬ表示パネル３においては、各副画素（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）内に設けられているシャドーウォール１１は、それぞれ長手方向が副画素の所定の一辺に対して平行になるように設けられている。ただし、図３の有機ＥＬ表示パネル３において、所定の副画素内に設けられるシャドーウォール１１は、長手方向が、他の副画素内に設けられるシャドーウォールの長手方向と平行にならないように配置される。
【００４４】
シャドーウォール１１の高さは、有機ＥＬ層２２を形成する際に、基板表面に垂直の方向に対する蒸着源の設置角度（蒸着角度）を考慮して適宜設定することができる。ただし各副画素（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）において、有機ＥＬ層２２を形成する際に設定する蒸着角度は、特に限定されるものではない。通常、３０°乃至６０°の範囲にある。
【００４５】
ここで蒸着角度をθ（例えば、θ＝４５°）としたときに、シャドー部分の長さ分、具体的には、ｓｉｎθだけシャドーウォールの高さが必要となる。
【００４６】
また各副画素（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）にそれぞれ設けられるシャドーウォール（１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂ）は、高さに対応して一定の幅を持って形成されることが要求される。シャドーウォール（１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂ）の構成材料であるレジスト材料にもよるが、アスペクト比が２：１で場合、要求されるシャドーウォール（１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂ）の幅は、高さの半分程度である。ただしシャドーウォール１１の幅の部分は非発光領域となり、開口率に影響する。従って、シャドーウォール１１の幅を極力小さくすべくできるだけ高いアスペクト比を有する材料を用いることが望ましい。
【００４７】
各副画素（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）にそれぞれ設けられるシャドーウォール（１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂ）の構成材料としては、絶縁性材料を用いられる。例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＮ等の無機絶縁材料が用いられる。また無機絶縁材料に換えてレジスト材料を用いてもよい。μｍ単位の厚さ（高さ）が必要な場合は例えばｉ線用フォトレジストＳＵ８（日本化薬社製）やｎｍ単位の厚さ（高さ）が必要な場合は例えばＡｒＦ用フォトレジスト（ＪＳＲ社製）を用いることができる。
【００４８】
シャドーウォール１１は、例えば、上記絶縁性材料をスパッタ法やＣＶＤ法で成膜した後、フォトリソプロセスを利用して形成することができる。また各副画素のサイズに因らず、シャドーウォールの高さ（幅）を任意に設計できる為、シャドーウォールの形成方法や材料は、自由に選択することができる。また、副画素内に含ませるシャドーウォールの本数も、シャドーウォール自体の高さ（幅）と蒸着角度により自由に設計できる。
【００４９】
各副画素にそれぞれ含まれる有機ＥＬ層２２は、少なくとも副画素の種類に対応した発光色を出力する発光層を有する単層あるいは複数の層からなる積層体である。つまり、赤色副画素２０Ｒには赤色発光層が、緑色副画素２０Ｇには緑色発光層が、青色副画素２０Ｂには青色発光層が、少なくとも含まれている。有機ＥＬ層が複数の層からなる積層体である場合、発光層以外の有機ＥＬ層を構成する層としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等が挙げられる。有機ＥＬ層の構成材料（有機発光材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、電子注入材料等）は、特に限定はなく、一般的に知られている材料を用いることができる。また、複数の材料で１つの層を構成してもよい。ただし、赤色副画素２０Ｒに含まれる赤色発光層には赤色発光材料が、緑色副画素２０Ｇに含まれる緑色発光層には緑色発光材料が、青色副画素２０Ｂに含まれる青色発光層には青色発光材料が、それぞれ含まれている。
【００５０】
発光層に含まれる有機発光材料として、例えばトリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、芳香族縮合多環化合物、芳香族複素環化合物、芳香族複素縮合環化合物、金属錯体化合物等及びこれらの単独オリゴ体あるいは複合オリゴ体を使用することができる。
【００５１】
正孔輸送層や正孔注入層に含まれる正孔注入・輸送材料として、例えばフタロシアニン化合物、トリアリールアミン化合物、導電性高分子、ペリレン系化合物、Ｅｕ錯体等を使用することができる。
【００５２】
電子輸送層や電子注入層に含まれる電子注入・輸送材料として、例えばアルミに８−ヒドロキシキノリンの三量体が配位したＡｌｑ3、アゾメチン亜鉛錯体、ジスチリルビフェニル誘導体系等を使用することができる。
【００５３】
有機ＥＬ層の膜厚は、好ましくは、０．０１μｍ〜０．３μｍ程度である。
【００５４】
上部電極（カソード層）は、具体的には、透明導電材料からなる電極層、あるいはアルミニウム、銀、マグネシウム、カルシウム等の金属単体やそれらの合金からなる薄膜を膜厚０．００２μｍ〜０．０５μｍの範囲で成膜してなる半透明層等が挙げられる。
【００５５】
主に、各副画素（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）に含まれる発光層を形成する際に用いられる斜め蒸着源は、通常使用される蒸着源に制限板を用いて蒸着方向や角度を制限した蒸着源が用いられる。また斜め蒸着源は、制限板の開口部から出た蒸着材料をシャドーウォールの設計に合わせて、斜めに設置する。また斜め蒸着源は、基板の流れ方向に対して垂直になるように配置する。
【００５６】
斜め蒸着源に対してシャドーウォールの角度分だけ基板を傾けて搬送することができれば、斜め蒸着源を有する蒸着装置は、最小の装置サイズで設計できる。尚、基板と蒸着源は相対的に動くことが必要で、どちらか一方または両方が動いてもよい。
【００５７】
上部電極を形成した後、大気中の水分や酸素から有機ＥＬ素子を保護するために封止を行うのが望ましい。
【００５８】
有機ＥＬ素子の封止を行う際には、ドライ窒素で置換し露点−７０℃以下に維持されたグローブボックス内において、予め紫外線硬化樹脂を塗布したガラス封止キャップと、上部電極まで形成した基板と、を画素領域の外周部で貼り合せる。そして、紫外線硬化樹脂塗布部分に紫外線を照射し、樹脂を硬化させることで有機ＥＬ素子の封止が実施される。
【００５９】
また別法として、ＳｉＮ等からなる無機保護膜、無機層と有機層とを積層した保護膜等の大気中の水分や酸素を遮断する薄膜を形成することにより有機ＥＬ素子を封止するという方法がある。
【実施例１】
【００６０】
（１）電極付基板の形成工程
以下、実施例により本発明を詳細に説明する。まず８ｉｎウェハーを用意して、１面のサイズが約１９ｍｍ×約１５ｍｍ（０．７７ｉｎ）のパネルが約８０面レイアウトされているＴＦＴ付アノード基板を作成した。尚、パネル１面において、画素は、サブピクセルを同じ方向に３つ細密に並べたものであって、パネル１面当たり縦１２８０個横１０２４個並べられている。
【００６１】
まず長対角線の長さが約１２．８９μｍ、短対角線の長さが約７．４４μｍ、鋭角が６０°鈍角が１２０°の菱形の副画素を基準にして、基板１０上に下部電極１１（アノード電極）を形成した。尚、下部電極の形状は、長対角線の長さが約１２μｍ、短対角線の長さが約７μｍ、鋭角が６０°、鈍角が１２０°の菱形であった。
【００６２】
下部電極は、まずＡｇを成膜してＡｇ膜を形成した後、Ａｇ膜の上にＩＴＯからなる透明導電膜を積層した。次に、フォトリソプロセスを用いて、所望の形状（菱形）に加工した。
【００６３】
（２）シャドーウォールの形成工程
先の工程にて作製した電極付電極上に、スピンコート法により、ＡｒＦ用フォトレジスト（ＪＳＲ社製）を塗布成膜して、レジスト層を形成した。このときレジスト層の膜厚は０．５μｍであった。次に、ＡｒＦレーザー（波長：１９３ｎｍ）を用いて、露光現像し、厚さ０．２５μｍ、高さ０．５μｍ（アスペクト比１：２）のシャドーウォールを各サブピクセル内に形成した。
【００６４】
尚、本実施例（実施例１）では、図１に示されるように、青色副画素２０Ｂ内に設けられるシャドーウォール１１Ｂは、長手方向が青色副画素２０Ｂの長対角線と平行になるように設けられている。また赤色副画素２０Ｒ内に設けられるシャドーウォール１１Ｒ及び緑色副画素２０Ｇ内に設けられるシャドーウォール１１Ｇは、それぞれ長手方向が副画素（２０Ｒ、２０Ｇ）の所定の一辺と平行になるように設けられている。言い換えると、シャドーウォール１１Ｒの長手方向は、シャドーウォール１１Ｂの長手方向に対して−３０°傾いている。また緑色副画素２０Ｇ内に設けられるシャドーウォール１１Ｇは、長手方向がシャドーウォール１１Ｂの長手方向に対して３０°傾いている。
【００６５】
ここで各副画素（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）に設けられているシャドーウォールは厚さ０．２５μｍとシャドー部０．５μｍが合わさったユニットである。そして青色副画素２０Ｂは短対角線に沿って配置され、赤色副画素２０Ｒ及び緑色副画素２０Ｇは、長対角線方向に沿って配置される。従って、各副画素（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）に設けられているシャドーウォールの本数は、青色副画素２０Ｂについては１０本、赤色副画素２０Ｒ及び緑色副画素２０Ｇについては１８本設けた。尚、図１ではシャドーウォールの一部を省略している。
【００６６】
（３）有機ＥＬ層の形成工程
次に、蒸着法により、電極付基板上に、各副画素（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）に共通する正孔輸送層を形成した。尚、正孔輸送層を形成する際に、蒸着源として、通常のポイント蒸着源を用いた。
【００６７】
次に、青色副画素２０Ｂに含まれるシャドーウォール１１Ｂの長手方向を青色有機ＥＬ層の蒸着方向（±０°方向）に合わせるようにして基板１０を移動させた。次に、４５°の斜め蒸着源を用いて、青色副画素２０Ｂにて形成されている正孔輸送層上に、青色発光材料と、電子輸送材料と、を順次必要な膜厚だけ成膜して、青色発光層と電子輸送層とからなる積層体を形成した。尚、４５°の斜め蒸着源とは、通常のポイント蒸着源に対して４５°傾いている蒸着源をいう。
【００６８】
次に、緑色副画素２０Ｇに含まれるシャドーウォール１１Ｇの長手方向を緑色有機ＥＬ層の蒸着方向（−３０°方向）に合わせるようにして基板１０を移動させた。次に、４５°の斜め蒸着源を用いて、緑色副画素２０Ｇにて形成されている正孔輸送層上に、緑色発光材料と、電子輸送材料と、を順次必要な膜厚だけ成膜して、緑色発光層と電子輸送層とからなる積層体を形成した。
【００６９】
次に、赤色副画素２０Ｒに含まれるシャドーウォール１１Ｒの長手方向を赤色有機ＥＬ層の蒸着方向（＋３０°方向）に合わせるようにして基板１０を移動させた。次に、４５°の斜め蒸着源を用いて、赤色副画素２０Ｒにて形成されている正孔輸送層上に、赤色発光材料と、電子輸送材料と、を順次必要な膜厚だけ成膜して、赤色発光層と電子輸送層とからなる積層体を形成した。
【００７０】
次に、蒸着法により、電子輸送層上に、各副画素（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）に共通する電子注入層を形成した。尚、電子注入層を形成する際に、蒸着源として、通常のポイント蒸着源を用いた。
【００７１】
次に、スパッタ成膜法により、Ａｇ薄膜層とＩＺＯ層とからなる積層電極膜を形成して各副画素（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）に共通する上部電極（カソード）を形成した。
【００７２】
最後に、紫外線硬化性樹脂及びガラス板を用いて封止を行うことにより有機ＥＬ表示パネルを得た。
【００７３】
（４）評価
得られた有機ＥＬ表示パネルにおいて、各副画素の塗り分け精度は良好であった。
【００７４】
［比較例１］
図４に示されるように副画素及びシャドーウォールが設けられている基板について、実施例１（３）と同様の方法により有機ＥＬ層を形成した。尚、各副画素（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）を形成する際において、蒸着方向（３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂ）は、平面方向においては図４（ａ）、断面方向においては図４（ｂ）に示される通りである。尚、実施例１と同様に有機ＥＬ層の形成する際には、４５°の斜め蒸着源を用いた。
【００７５】
得られた有機ＥＬ表示パネルについて、各副画素の塗り分け精度は、実施例１と比較して良好とはいえなかった。
【実施例２】
【００７６】
（１）電極付基板の形成工程
まずガラス基板を用意して、１面のサイズが約６８．５ｍｍ×約４６．０ｍｍ（３．２ｉｎ）のパネルが約３０面レイアウトされているＴＦＴ付アノード基板を作成した。尚、パネル１面において、画素は、図３に示されるように、菱形状である三種類の副画素（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）の鈍角部をそれぞれ合わせることによって形成される六角形状であって、パネル１面当たり縦６４０個横４８０個並べられている。
【００７７】
まず長対角線の長さが約９７μｍ、短対角線の長さが約５６μｍ、鋭角が６０°鈍角が１２０°の菱形の副画素を基準にして、基板１０上に下部電極１１（アノード電極）を形成した。尚、下部電極の形状は、長対角線の長さが約９５μｍ、短対角線の長さが約５４μｍ、鋭角が６０°、鈍角が１２０°の菱形であった。
【００７８】
下部電極は、まずＡｇを成膜してＡｇ膜を形成した後、Ａｇ膜の上にＩＴＯからなる透明導電膜を積層した。次に、フォトリソプロセスを用いて、所望の形状（菱形）に加工した。
【００７９】
（２）シャドーウォールの形成工程
先の工程にて作製した電極付電極上に、スピンコート法により、ＳＵ８（日本化薬社製）を塗布成膜して、レジスト層を形成した。このときレジスト層の膜厚は２μｍであった。次に、紫外線（３６５ｎｍ）を用いて、露光現像し、厚さ１μｍ、高さ２μｍ（アスペクト比１：２）のシャドーウォールを各サブピクセル内に形成した。
【００８０】
尚、本実施例（実施例２）では、図３に示されるように、各副画素（２０Ｂ、２０Ｇ、２０Ｒ）内に設けられるシャドーウォール（１１Ｂ、１１Ｇ、１１Ｂ）は、それぞれ長手方向が所定の副画素の所定の一辺と平行になるように設けられている。具体的には、シャドーウォール１１Ｒの長手方向は、シャドーウォール１１Ｂの長手方向に対して−６０°傾いている。また緑色副画素２０Ｇ内に設けられるシャドーウォール１１Ｇは、長手方向がシャドーウォール１１Ｂの長手方向に対して６０°傾いている。
【００８１】
ここで各副画素（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）に設けられているシャドーウォールは厚さ１μｍとシャドー部２μｍが合わさったユニットである。そして、各副画素（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）に間隔を均等に設けられているシャドーウォールの本数は、各副画素（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）において同一（３３本）である。尚、図３ではシャドーウォールの一部を省略している。
【００８２】
（３）有機ＥＬ層の形成工程
次に、蒸着法により、電極付基板上に、各副画素（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）に共通する正孔輸送層を形成した。尚、正孔輸送層を形成する際に、蒸着源として、通常のポイント蒸着源を用いた。
【００８３】
次に、青色副画素２０Ｂに含まれるシャドーウォール１１Ｂの長手方向を青色有機ＥＬ層の蒸着方向（±０°方向）に合わせるようにして基板１０を移動させた。次に、４５°の斜め蒸着源を用いて、青色副画素２０Ｂにて形成されている正孔輸送層上に、青色発光材料と、電子輸送材料と、を順次必要な膜厚だけ成膜して、青色発光層と電子輸送層とからなる積層体を形成した。尚、４５°の斜め蒸着源とは、通常のポイント蒸着源に対して４５°傾いている蒸着源をいう。
【００８４】
次に、緑色副画素２０Ｇに含まれるシャドーウォール１１Ｇの長手方向を緑色有機ＥＬ層の蒸着方向（−６０°方向）に合わせるようにして基板１０を移動させた。次に、４５°の斜め蒸着源を用いて、緑色副画素２０Ｇにて形成されている正孔輸送層上に、緑色発光材料と、電子輸送材料と、を順次必要な膜厚だけ成膜して、緑色発光層と電子輸送層とからなる積層体を形成した。
【００８５】
次に、赤色副画素２０Ｒに含まれるシャドーウォール１１Ｒの長手方向を赤色有機ＥＬ層の蒸着方向（＋６０°方向）に合わせるようにして基板１０を移動させた。次に、４５°の斜め蒸着源を用いて、赤色副画素２０Ｒにて形成されている正孔輸送層上に、赤色発光材料と、電子輸送材料と、を順次必要な膜厚だけ成膜して、赤色発光層と電子輸送層とからなる積層体を形成した。
【００８６】
次に、蒸着法により、電子輸送層上に、各副画素（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）に共通する電子注入層を形成した。尚、電子注入層を形成する際に、蒸着源として、通常のポイント蒸着源を用いた。
【００８７】
次に、スパッタ成膜法により、Ａｇ薄膜層とＩＺＯ層とからなる積層電極膜を形成して各副画素（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）に共通する上部電極（カソード）を形成した。
【００８８】
最後に、紫外線硬化性樹脂及びガラス板を用いて封止を行うことにより有機ＥＬ表示パネルを得た。
【００８９】
（４）評価
得られた有機ＥＬ表示パネルにおいて、各副画素の塗り分け精度は良好であった。
【００９０】
［比較例２］
図５に示されるように副画素及びシャドーウォールが設けられている基板について、実施例２（３）と同様の方法により有機ＥＬ層を形成した。
【００９１】
より具体的には、図５に示されるように副画素及びシャドーウォールが設けられている基板について、実施例２（３）と同様の方法により有機ＥＬ層を形成した。尚、各副画素（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）を形成する際において、平面方向における蒸着方向（３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂ）は、図４に示される通りである。尚、実施例１と同様に有機ＥＬ層の形成する際には、４５°の斜め蒸着源を用いた。
【００９２】
得られた有機ＥＬ表示パネルについて、各副画素の塗り分け精度は、実施例２と比較して良好とはいえなかった。
【符号の説明】
【００９３】
１（２，３）：有機ＥＬ表示パネル、１０：基板、１１（１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂ）：シャドーウォール、２０Ｒ：赤色副画素、２０Ｇ：緑色副画素、２０Ｂ：青色副画素、２１：下部電極（アノード）、２２（２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂ）：有機ＥＬ層、３０Ｒ（３０Ｇ、３０Ｂ）：蒸着方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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