(57)【要約】【課題】高い接続性、耐熱性を有し、かつ柔軟な熱硬化性樹脂組成物、接着フィルムおよびダイシングテープ一体型接着フィルムを提供する。さらに、前記熱硬化性樹脂組成物、接着フィルムおよびダイシングテープ一体型接着フィルムを用いた信頼性に優れた半導体装置、多層回路および電子部品を提供することができる。【解決手段】第１の部材の半田接合面に用いられる樹脂組成物層を構成する熱硬化性樹脂組成物であって、エポキシ樹脂と、フェノール系硬化剤と、アルキルカルボキシル基と２つ以上のフェノール性水酸基が分子内に配置されたフラックス機能を有する化合物からなる熱硬化性樹脂組成物であることを特徴とする。【選択図】図２
2014019813.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の部材の半田接合面に用いられる樹脂組成物層を構成する熱硬化性樹脂組成物であって、エポキシ樹脂と、フェノール系硬化剤と、アルキルカルボキシル基と２つ以上のフェノール性水酸基が分子内に配置されたフラックス機能を有する化合物からなる熱硬化性樹脂組成物。
【請求項２】
前記フラックス機能を有する化合物において、フェノール性水酸基数をアルキルカルボキシル基数で割った値が１〜３である請求項１に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項３】
前記フラックス機能を有する化合物は、一般式（１）に示されるものである請求項１又は２に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【化１】
2014019813.tif 000006
（Ｒ１〜Ｒ４はＨもしくはＯＨであり、ｎは１〜６の整数である）
【請求項４】
前記フラックス機能を有する化合物の配合量は、溶剤揮発後の前記熱硬化性樹脂組成物のうち０．０１〜３０重量％である請求項１または２に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項５】
前記フェノール系硬化剤は２５℃で固形である請求項１ないし４のいずれかに記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項６】
前記フェノール系硬化剤は重量平均分子量が３００〜１５００である請求項１ないし５に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項７】
未硬化状態の前記樹脂組成物層を平均厚さ３０μｍで設けたとき、波長６００ｎｍの光における前記樹脂組成物層の透過率が５％以上になるよう構成されている請求項１ないし６のいずれかに記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載の熱硬化性樹脂組成物がフィルム状であることを特徴とする接着フィルム。
【請求項９】
請求項８に記載の接着フィルムと、ダイシングテープとが積層されたことを特徴とするダイシングテープ一体型接着フィルム。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の熱硬化性樹脂組成物又は接着フィルムの硬化物により、第１の部材の半田接合面と、第２の部材の半田接合面とが接合された半導体装置。
【請求項１１】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の熱硬化性樹脂組成物又は接着フィルムの硬化物により、第１の部材の半田接合面と、第２の部材の半田接合面とが接合された多層回路基板。
【請求項１２】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の熱硬化性樹脂組成物又は接着フィルムの硬化物により、第１の部材の半田接合面と、第２の部材の半田接合面とが接合された電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱硬化性樹脂組成物、接着フィルム、ダイシングテープ一体型接着フィルム、半導体装置、多層回路基板および電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の高機能化および軽薄短小化の要求に伴い、これらの電子機器に使用される半導体パッケージも、従来にも増して、小型化かつ多ピン化が進んできている。これら電子部品の電気的な接続を得るためには、半田接合が用いられている。この半田接合としては、例えば半導体チップ同士の導通接合部、フリップチップで搭載したパッケージのような半導体チップと回路基板間との導通接合部、回路基板同士の導通接合部等が挙げられる。この半田接合部には、電気的な接続強度および機械的な接続強度を確保するために、一般的にアンダーフィル材と呼ばれる封止樹脂が注入されている（アンダーフィル封止）。
【０００３】
この半田接合部によって生じた空隙（ギャップ）を液状封止樹脂（アンダーフィル材）で補強する場合、半田接合後に液状封止樹脂（アンダーフィル材）を供給し、これを硬化することによって半田接合部を補強している。しかしながら、電子部品の薄化、小型化に伴い、半田接合部は狭ピッチ化／狭ギャップ化しているため、半田接合後に液状封止樹脂（アンダーフィル材）を供給してもギャップ間に液状封止樹脂（アンダーフィル材）が行き渡らなく、完全に充填することが困難になるという問題が生じている。
【０００４】
このような問題に対して、フラックス機能を有する樹脂組成物を介して、半田接合と接着とを一括で行う方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
また昨今、バンプ（球状ハンダ）の作製には、Ｐ ｂ − Ｓ ｎ 共晶合金に代えて、鉛
を含まない錫合金、所謂、鉛フリーハンダを利用するバンプ（球状ハンダ）の利用も検討されている。この鉛フリーハンダ製のバンプ（球状ハンダ）表面の酸化皮膜の除去を行って、バンプ電極と電極間の接合形成（ハンダ付け）とアンダーフィル（封止充填剤）の硬化接着を同時に実施する上では、この鉛フリーハンダの比較的に高い熔融温度においても、十分なフラックス機能が発揮され、また、そのリフロー温度を高くし、その高い温度条件において、適度な熱硬化が進行するアンダーフィル（封止充填剤）が必要となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１０７００６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
したがって、本発明の目的はフリップチップ接続における作業性に優れ、かつ高い接続信頼性を有する熱硬化性樹脂組成物を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的は、下記（１）〜（１２）に記載の本発明により達成される。
（１）第１の部材の半田接合面に用いられる樹脂組成物層を構成する熱硬化性樹脂組成物であって、エポキシ樹脂と、フェノール系硬化剤と、アルキルカルボキシル基と２つ以上のフェノール性水酸基が分子内に配置されたフラックス機能を有する化合物からなる熱硬
化性樹脂組成物。
（２）前記フラックス機能を有する化合物において、フェノール性水酸基数をアルキルカルボキシル基数で割った値が１〜３である上記（１）に記載の熱硬化性樹脂組成物。
（３）  前記フラックス機能を有する化合物は、一般式（１）に示されるものである上記（１）又は（２）に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【０００９】
【化１】
2014019813.tif 000003
【００１０】
一般式（１）において、Ｒ１〜Ｒ４はＨもしくはＯＨであり、ｎは１〜６の整数である。
（４）前記フラックス機能を有する化合物の配合量は、溶剤揮発後の前記熱硬化性樹脂組成物のうち０．０１〜３０重量％である上記（１）または（２）に記載の熱硬化性樹脂組成物。
（５）  前記フェノール系硬化剤は２５℃で固形である上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の熱硬化性樹脂組成物。
（６）前記フェノール系硬化剤は重量平均分子量が３００〜１５００である上記（１）ないし（５）に記載の熱硬化性樹脂組成物。
（７）未硬化状態の前記樹脂組成物層を平均厚さ３０μｍで設けたとき、波長６００ｎｍの光における前記樹脂組成物層の透過率が５％以上になるよう構成されている上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の熱硬化性樹脂組成物。
（８）  上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の熱硬化性樹脂組成物がフィルム状であることを特徴とする接着フィルム。
（９）  上記（８）に記載の接着フィルムと、ダイシングテープとが積層されたことを特徴とするダイシングテープ一体型接着フィルム。
（１０）  上記（１）ないし（９）のいずれか１項に記載の熱硬化性樹脂組成物又は接着フィルムの硬化物により、第１の部材の半田接合面と、第２の部材の半田接合面とが接合された半導体装置。
（１１）  上記（１）ないし（８）のいずれか１項に記載の熱硬化性樹脂組成物又は接着フィルムの硬化物により、第１の部材の半田接合面と、第２の部材の半田接合面とが接合された多層回路基板。
（１２）  上記（１）ないし（９）のいずれか１項に記載の熱硬化性樹脂組成物又は接着フィルムの硬化物により、第１の部材の半田接合面と、第２の部材の半田接合面とが接合された電子部品。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、フラックス機能を有する熱硬化性樹脂組成物の接続性、耐熱性を低下させることなく柔軟な熱硬化性樹脂組成物を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】熱硬化性樹脂組成物の一例を示す断面図である。
【図２】熱硬化性樹脂組成物を用いた半田接合の一例を示す断面図である。
【図３】多層回路基板の製造方法の一例を示す断面図である。
【図４】ダイシングテープ一体型接着フィルムの製造方法の一例を示す断面図である。
【図５】ダイシングテープ一体型接着フィルムを用いた電子部品の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明について詳細に説明する。
【００１４】
（熱硬化性樹脂組成物）
まず、本発明の熱硬化性樹脂組成物について説明する。
本発明の熱硬化性樹脂組成物は、フィルム状であっても液状であっても、好適に用いることができる。
【００１５】
本発明の熱硬化性樹脂組成物は、接着性を有する熱硬化性樹脂組成物であり、例えば、半田接合が考えられる第１の部材の半田接合面に用いられる。なお、第１の部材としては、半導体チップ、半導体パッケージ、回路基板等が挙げられる。なお、本明細書中において、回路基板とは、例えば、配線回路が形成された、半導体ウエハ、リジット基板、フレキシブル基板、リジットフレキシブル基板等のことをいう。
【００１６】
図１は、本発明の熱硬化性樹脂組成物を接着フィルムに適用した一実施形態を示す断面図である。
接着フィルム（樹脂組成物層）１は、図１に示す通り未使用時には、カバーフィルム２と、ベースフィルム３との間に設置されていてもよい。このカバーフィルム２およびベースフィルム３は、接着フィルム１を保護する機能を有しており、接着フィルムの使用時には剥離されるフィルムである。カバーフィルムおよびベースフィルムとしては、後述する支持フィルムと同様のものを好適に用いることができる。
【００１７】
このような接着フィルム１を構成する熱硬化性樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、フェノール系硬化剤と、アルキルカルボキシル基と２つ以上のフェノール性水酸基が分子内に配置されたフラックス機能を有する化合物を含んでなるものである。
【００１８】
なお、本実施形態では、熱硬化性樹脂組成物としては、例えば、以下に示すような成分で構成することができる。
本実施形態において、接着フィルムを構成する熱硬化性樹脂組成物は、フラックス機能を有するものであり、たとえば、（Ａ）エポキシ樹脂と（以下、化合物（Ａ）とも記載する。）、（Ｂ）フェノール系硬化剤と（以下、化合物（Ｂ）とも記載する。）および（Ｃ）アルキルカルボキシル基と２つ以上のフェノール性水酸基が分子内に配置されたフラックス機能を有する化合物（以下、化合物（Ｃ）とも記載する。）を含むものである。さらに、必要に応じて、（Ｄ）重量平均分子量が１万〜１００万である成膜性樹脂（以下、化合物（Ｄ）とも記載する。）等のその他の構成要素を適宜用いることができる。
【００１９】
従来のフラックス機能を有する樹脂組成物では、接続性や樹脂の耐熱性が良好である一方、フィルム状の樹脂組成物が脆弱になるという課題があった。
これに対して、本発明の熱硬化性樹脂組成物では、アルキルカルボキシル基と２つ以上のフェノール性水酸基が分子内に配置されたフラックス機能を有する化合物を用い、フィルム状の樹脂組成物を柔軟かつ接続性、耐熱性を良好なものとすることができる。このフラックス機能を有する化合物については後に詳述する。
【００２０】
熱硬化性樹脂組成物（接着フィルム１）が（Ａ）エポキシ樹脂（以下、化合物（Ａ）とも記載する。）を含むことにより、接着フィルムを回路基板と貼り合わせた際に、回路基板上の複数の配線回路等によって生じる凹凸（ギャップ）をより効果的に埋め込むことが
できる。また、これにより、熱硬化性樹脂組成物（接着フィルム１）に柔軟性および屈曲性を付与することができるため、ハンドリング性に優れた熱硬化性樹脂組成物（接着フィルム１）を得ることができる。また、半導体チップ等と回路基板との電気的接続をより良好なものとすることができる。
【００２１】
前記化合物（Ａ）としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でも、上述したような関係を満足する熱硬化性樹脂組成物（接着フィルム１）をより容易に得ることができるとともに、熱硬化性樹脂組成物（接着フィルム１）の、半導体チップ、基板等の支持体または被着体に対する密着性、さらに、熱硬化性樹脂組成物（接着フィルム１）の硬化後の機械特性に優れる、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂が好ましい。
【００２２】
また、前記化合物（Ａ）エポキシ樹脂としては、より好ましくは、２５℃において液状であり、２５℃おける粘度が、５００〜５０，０００ｍＰａ・ｓであるもの、さらに好ましくは、８００〜４０，０００ｍＰａ・ｓであるエポキシ樹脂が挙げられる。２５℃における粘度を上記下限値以上とすることで、熱硬化性樹脂組成物のタック性が強くなり、ハンドリング性が低下することを防止することができる。また、２５℃における粘度を上記上限値以下とすることで、熱硬化性樹脂組成物（接着フィルム１）の柔軟性と屈曲性を確保することができる。また、このような粘度のエポキシ樹脂を用いることにより、上述したような関係を満足する熱硬化性樹脂組成物をより容易に得ることができる。
【００２３】
また、前記化合物（Ａ）エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、１０〜８０重量％であるのが好ましく、１５〜７５重量％であるのがより好ましい。これにより、熱硬化性樹脂組成物（接着フィルム１）の柔軟性と屈曲性をより効果的に発現させることができる。また、これにより、接着フィルムのタック性が強くなり、ハンドリング性が低下することをより効果的に防止することができる。
【００２４】
また、熱硬化性樹脂組成物が化合物（Ｂ）を含むことにより、熱硬化性樹脂組成物（接着フィルム１）の硬化物のガラス転移温度を高めること、および、アウトガスとなるフェノール系ノボラック樹脂の量を低減することができ、さらに、耐イオンマイグレーション性を向上させることが可能となる。また、熱硬化性樹脂組成物（接着フィルム１）に適度な柔軟性を付与することができるため、接着フィルム１の脆性を改善することが可能となる。さらに、熱硬化性樹脂組成物に適度なタック性を付与することができるため、作業性に優れた接着フィルムを得ることができる。また、第１の部材とそれに対向する部材との電気的接続をより良好なものとすることができる。
【００２５】
前記化合物（Ｂ）としては、特に限定されず、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡ型ノボラック樹脂、ビスフェノールＦ型ノボラック樹脂、ビスフェノールＡＦ型ノボラック樹脂等が挙げられる。中でも、上述したような関係をより容易に満足させることができるとともに、また、接着フィルム１の硬化物のガラス転移温度を効果的に高めることができ、アウトガスとなるフェノール系ノボラック樹脂の量を低減することができる、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂を用いるのが好ましい。
【００２６】
熱硬化性樹脂組成物（接着フィルム１）中における前記化合物（Ｂ）の含有量は、特に限定されるわけではないが、３〜３０重量％であるのが好ましく、５〜２５重量％であることがより好ましい。化合物（Ｂ）の含有量を上記範囲とすることで、樹脂組成物（接着フィルム１）を回路基板と貼り合わせた際に、回路基板上の複数の配線回路等によって生じる凹凸（ギャップ）をより効果的に埋め込むことができる。また、樹脂組成物（接着フ
ィルム１）の硬化物のガラス転移温度を高くすること、さらに、アウトガスの原因となる材料、たとえばフェノール系ノボラック樹脂の量を効果的に低減することを両立することができる。
【００２７】
前記化合物（Ｂ）中の１核体から３核体の合計の含有量が３０重量％より多い（４核体以上の合計の含有量が７０重量％以下）ことが好ましい。これにより、（Ａ）エポキシ樹脂との反応性を好適なバランスとすることができ、熱硬化性樹脂組成物（接着フィルム１）の硬化物中に残存する未反応のフェノール系ノボラック樹脂の量を低減し、耐マイグレーション性を向上することができる。さらに、適度な柔軟性を付与されるため、熱硬化性樹脂組成物（接着フィルム１）の作業時において好適なものとすることができる。
【００２８】
さらに、前記化合物（Ｂ）中の１核体から３核体の合計の含有量が７０重量％より小さいことが好ましい。これにより、熱硬化性樹脂組成物（接着フィルム１）を硬化させる際のアウトガス量を低減することができるため、半導体チップ、基板等の支持体または被着体の表面の汚染や、耐マイグレーション性の低下を抑制することができる。さらに、熱硬化性樹脂組成物（接着フィルム１）のタック性を好適なものとし、熱硬化性樹脂組成物（接着フィルム１）の接着時の作業性を向上することができる。
【００２９】
前記化合物（Ｂ）中の２核体と３核体の合計の含有量は、特に限定されないが、３０〜７０％であるのが好ましい。これにより、熱硬化性樹脂組成物（接着フィルム１）を硬化させる際のアウトガス量が増大し、半導体チップ、回路基板等の支持体または被着体の表面を汚染してしまうことをより効果的に防止することができる。また、これにより、熱硬化性樹脂組成物（接着フィルム１）の柔軟性と屈曲性をより効果的に確保することができる。
【００３０】
前記化合物（Ｂ）中の１核体の含有量は、特に限定されないが、１％以下であることが好ましく、０．８％以下であることが特に好ましい。前記１核体の含有量を、上記範囲とすることで、熱硬化性樹脂組成物（接着フィルム１）を硬化する際のアウトガス量を低減することができ、半導体チップ、回路基板等の支持体または被着体の汚染を抑制することができ、さらに、耐マイグレーション性を向上することができる。
【００３１】
前記化合物（Ｂ）の重量平均分子量は、特に限定されないが、３００〜１，５００であることが好ましく、４００〜１，４００であることが特に好ましい。これにより、熱硬化性樹脂組成物（接着フィルム１）を硬化させる際のアウトガス量が増大し、半導体チップ、回路基板等の支持体または被着体の表面を汚染してしまうことをより効果的に防止することができる。また、これにより、熱硬化性樹脂組成物（接着フィルム１）の柔軟性と屈曲性をより効果的に確保することができる。ここで、重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラム）により測定することができる。
【００３２】
また、樹脂組成物（接着フィルム１）が（Ｃ）アルキルカルボキシル基と２つ以上のフェノール性水酸基が分子内に配置されたフラックス機能を有する化合物を含むことにより、第１の部材（半導体チップ、基板等）の第一の端子および第２の部材（半導体チップ、基板等）の第二の端子の少なくとも一方の半田表面の酸化膜を除去すること、また、場合によっては、第１の部材の第一の端子および第２の部材の第二の端子表面の酸化膜を除去することができ、前記第一の端子と前記第二の端子を確実に半田接合することができるため、接続信頼性の高い多層回路基板、電子部品、半導体装置等を得ることができる。
【００３３】
しかしながら、従来のこのような樹脂組成物においては、フラックス機能を有する化合物の選択により、接続性や樹脂の耐熱性が良好である一方、フィルム状の樹脂組成物が脆弱になるという問題があった。
本発明の樹脂組成物は、（Ｃ）アルキルカルボキシル基と２つ以上のフェノール性水酸基が分子内に配置されたフラックス機能を有する化合物を含むものである。これにより、加熱によるフラックス機能の低下を防止することができ、半導体チップ等と回路基板との電気的な接続を良好に行うことができる。
【００３４】
このような化合物（Ｃ）は、分子内に存在するアルキルカルボキシル基によって硬化前の接着フィルムに柔軟性を付与することができる。さらに分子内に架橋点を３点以上有しているため。接着フィルムの硬化後の耐熱性を高くすることができる。
【００３５】
化合物（Ｃ）のアルキル鎖長（−ＣＨ２−）ｎとしては、ｎの値が１〜６が好ましく、２〜４がさらに好ましい。これにより架橋点間距離が長くなり架橋密度が低くなることに起因する硬化物の耐熱性の低下を防ぐことができる。
【００３６】
化合物（Ｃ）において、フェノール性水酸基数をアルキルカルボキシル基数で割った値が１〜３であることが好ましく、特に２であることが好ましい。フェノール性水酸基数をアルキルカルボキシル基数で割った値を上述の範囲とすることにより、樹脂の耐熱性および硬化前のフィルム柔軟性を両立して好適な値とすることができる。
【００３７】
またアルキルカルボキシル基と２つ以上のフェノール性水酸基が分子内に配置されたフラックス機能を有する化合物としては、例えば、化学式（１）に示される構造を有するものであることが好ましい。具体的には、２,２ビス（４-ヒドロキシフェニル）プロピオン酸、２,２ビス（４-ヒドロキシフェニル）ペンタン酸、２,２ビス（４-ヒドロキシフェニル）ブタン酸等が挙げられる。
【００３８】
前記化合物（Ｃ）の配合量は、１〜２０重量％であるのが好ましく、３〜１０重量％であるのがより好ましい。化合物（Ｃ）の配合量が、上記範囲であることにより、フラックス活性をより効率よく発揮できる。また、樹脂組成物（接着フィルム１）を硬化した際に、未反応の化合物（Ａ）、化合物（Ｂ）および化合物（Ｃ）が残存するのを防止することができ、耐マイグレーション性を向上することができる。
【００３９】
また、熱硬化性樹脂組成物は接着フィルム１の成膜性を向上する（Ｄ）成膜性樹脂を含んでもよい。これにより、熱硬化性樹脂組成物をフィルム状態にするのが容易となる。また、接着フィルム１の機械的特性にも優れる。
【００４０】
前記（Ｄ）成膜性樹脂としては、例えば、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン、ポリプロピレン、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル、ナイロン等を挙げることができる。これらは、１種で用いても、２種以上を併用してもよい。中でも、（Ｄ）成膜性樹脂としては、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂およびポリイミド樹脂からなる群から選択される少なくとも１種を用いるのが好ましい。
【００４１】
前記（Ｄ）成膜性樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、１万以上が好ましく、より好ましくは２万〜１００万、更に好ましくは３万〜９０万である。重量平均分子量が前記範囲であると、接着フィルム１の成膜性をより向上させることができる。
【００４２】
前記（Ｄ）成膜性樹脂の含有量は、特に限定されないが、熱硬化性樹脂組成物中の１〜
４０重量％であるのが好ましく、２〜２５重量％であるのがより好ましく、３〜１０重量％がさらに好ましい。含有量が前記範囲内であると、熱硬化性樹脂組成物（接着フィルム１）の流動性を抑制することができ、接着フィルム１の取り扱いが容易になる。
【００４３】
また、熱硬化性樹脂組成物（接着フィルム１）は、硬化促進剤をさらに含んでもよい。硬化促進剤は硬化性樹脂の種類等に応じて適宜選択することができる。硬化促進剤としては、例えば融点が１５０℃以上のイミダゾール化合物を使用することができる。使用される硬化促進剤の融点が１５０℃以上であると、接着フィルム１の硬化が完了する前に、半田バンプを構成する半田成分が半導体チップに設けられた内部電極表面に移動することができ、内部電極間の電気的接続を良好なものとすることができる。融点が１５０℃以上のイミダゾール化合物としては、２-フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルヒ
ドロキシイミダゾール、２−フェニル−４−メチルヒドロキシイミダゾール等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４４】
熱硬化性樹脂組成物（接着フィルム１）中の前記硬化促進剤の含有量は、特に限定されないが、０．００５〜１０重量％であるのが好ましく、０．０１〜５重量％であるのがより好ましい。これにより、硬化促進剤としての機能を更に効果的に発揮させて、熱硬化性樹脂組成物の硬化性を向上させることができるとともに、半田バンプを構成する半田成分の溶融温度における樹脂の溶融粘度が高くなりすぎず、良好な半田接合構造が得られる。また、熱硬化性樹脂組成物（接着フィルム１）の保存性を更に向上させることができる。
これらの硬化促進剤は、１種で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００４５】
また、本発明の熱硬化性樹脂組成物は、シランカップリング剤を更に含んでもよい。シランカップリング剤を含むことにより、半導体チップ、基板等の第１の部材または第２の部材に対する熱硬化性樹脂組成物（接着フィルム１）の密着性を高めることができる。シランカップリング剤としては、例えば、エポキシシランカップリング剤、芳香族含有アミノシランカップリング剤等が使用できる。これらは１種で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。シランカップリング剤の配合量は、適宜選択すればよいが、前記樹脂組成物全体に対して、好ましくは０．０１〜１０重量％であり、より好ましくは０．０５〜５重量％であり、更に好ましくは０．１〜２重量％である。
【００４６】
本発明の熱硬化性樹脂組成物（接着フィルム１）は、無機充填材を更に含んでもよい。これにより、接着フィルム１の線膨張係数を低下することができ、それによって信頼性を向上することができる。
【００４７】
前記無機充填材としては、例えば、銀、酸化チタン、シリカ、マイカ等を挙げることができるが、これらの中でもシリカが好ましい。また、シリカフィラーの形状としては、破砕シリカ、球状シリカ等があるが、特に球状シリカが好ましい。
【００４８】
前記無機充填材の平均粒径は、特に限定されないが、０．０１μｍ以上、２０μｍ以下であるのが好ましく、０．１μｍ以上、５μｍ以下であるのがより好ましい。上記範囲とすることで、接着フィルム１内でフィラーの凝集を抑制し、外観を向上させることができる。
【００４９】
前記無機充填材の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体に対して０．１〜８０重量％であるのが好ましく、２０〜７０重量％であるのがより好ましい。上記範囲とすることで、硬化後の接着フィルム１と被接体との間の線膨張係数差が小さくなり、熱衝撃の際に発生する応力を低減させることができるため、被接体の剥離をさらに確実に抑制することができる。さらに、硬化後の接着フィルム１の弾性率が高くなりすぎるのを抑制することができるため、半導体装置、多層回路基板および電子部品等の信頼性が上昇する。
【００５０】
接着フィルム１は、上述したような各樹脂成分を、溶媒中に混合して得られたワニスをポリエステルシート等の剥離処理を施した基材（ベースフィルム３）上に塗布し、所定の温度で、実質的に溶媒を含まない程度にまで乾燥させることにより得ることができる。ここで用いられる溶媒は、使用される成分に対し不活性なものであれば特に限定されないが、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ＤＩＢＫ (ジイソブチルケトン)、シクロヘキサノン、ＤＡＡ（ジアセトンアルコール）等のケトン類、ベンゼン、
キシレン、トルエン等の芳香族炭化水素類、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール等のアルコール類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のセロソルブ系、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）、ＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）、ＤＢＥ（ニ塩基酸エステル）、ＥＥＰ（３−エトキシプロピオン酸エチル）、ＤＭＣ（ジメチルカーボネート）等が好適に用いられる。溶媒の使用量は、溶媒に混合した成分の固形分が１０〜６０重量％となる範囲であることが好ましい。
【００５１】
接着フィルム１の厚さは、特に限定されないが、１〜３００μｍであることが好ましく、５〜２００μｍであることがより好ましい。厚さが前記範囲内であると、接合部の間隙に樹脂成分を十分に充填することができ、樹脂成分の硬化後の機械的接着強度を確保することができる。
【００５２】
接着フィルム１を平均厚さ３０μｍで設けたとき、波長６００ｎｍの光における接着フィルム１の透過率が５％以上になるよう構成されているのが好ましい。これにより、接着フィルム付部材を回路基板等に実装する際の位置合わせ認識精度が問題なく行われる事が出来る。
【００５３】
また、接着フィルム１は、２５〜２５０℃における最低溶融粘度が０．０１〜１００，０００Ｐａ・ｓであるのが好ましい。これにより、凹凸への埋め込み性をより優れたものとすることができる。さらに、２５〜２５０℃における最低溶融粘度が０．０５〜７０，０００Ｐａ・ｓであるのがより好ましく、特に０．１〜３０，０００Ｐａ・ｓであることがさらに好ましい。これにより、バンプ部における接着フィルムの排除性と浸み出しの抑制性能に優れたものとすることができる。
【００５４】
上記説明では、熱硬化性樹脂組成物がフィルム状ものに適用した場合について説明したが、液状であってもよい。また、本発明における接着フィルムとは、本発明の熱硬化性樹脂組成物が２５℃においてフィルム状であり、２つの被着体を接着することが可能なフィルムを指す。また、接着フィルムはロール状に巻くことができる程度の柔軟性を有することが好ましい。
【００５５】
（熱硬化性樹脂組成物または接着フィルムの硬化物により、第１の部材の半田接合面と、第２の部材の半田接合面とが接合された半導体装置）
次に、本発明の熱硬化性樹脂組成物または接着フィルムを用いた半導体装置およびその製造方法について説明する。
【００５６】
図２は、半導体装置の製造方法の一例を示す断面図である。
図２に示すように、基材４１、配線回路４２、絶縁部４３、パッド部４４を有する回路基板４（第一の部材）を用意する（図２（ａ））。
【００５７】
回路基板４の配線回路４２の平均厚さは、１〜３０μｍであるのが好ましく、５〜２０μｍであるのがより好ましい。これにより、熱硬化性樹脂組成物１によって、回路基板４
上の複数の配線回路４２によって生じる凹凸（ギャップ）をより確実に埋め込むことができる。
また、隣接する配線回路４２の中心間距離は、１〜５００μｍであるのが好ましく、５〜３００μｍであるのがより好ましい。これにより、熱硬化性樹脂組成物１によって、回路基板４と半導体チップ５（第２の部材）との間に生じる凹凸（ギャップ）を確実に埋め込むことができる。
【００５８】
この回路基板４全面を覆うように、熱硬化性樹脂組成物１を付与する（図２（ｂ））。樹脂組成物１が液状である場合、付与する方法としては、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法、スクリーンコート法、ダイコート法、メタルマスクやメッシュマスクを用いた印刷法、スピンコート法、またはリリースフィルム上にシート化したものを貼り付ける方法等を用いることができる。また、熱硬化性樹脂組成物１がフィルム状（接着フィルム）である場合、付与する方法としては、ロールラミネーター、平板プレス、ウエハラミネーター等が挙げられる。
【００５９】
次に、半田バンプ５１を備えた半導体チップ５（第２の部材）を用意する。
半導体チップ５の半田バンプ５１と、回路基板４のパッド部４４とを位置合わせしながら、半導体チップ５と回路基板４とを熱硬化性樹脂組成物１を介して仮圧着し、回路基板４上に半導体チップ５を固定する（図２（ｃ））。
【００６０】
仮圧着する方法としては、特に限定されないが、圧着機、フリップチップボンダー等を用い行うことができる。仮圧着する条件は、特に限定されないが、温度は６０〜２００℃が好ましく、８０〜１８０℃が特に好ましい。また、時間は０．１〜６０秒が好ましく、１〜６０秒が特に好ましい。さらに、圧力は０．１〜２．０ＭＰａが好ましく、０．３〜１．５ＭＰａが特に好ましい。これにより、半導体チップ５を回路基板４に確実に仮圧着することができる。
【００６１】
次に、半田バンプ５１を溶融してパッド部４４と半田接合する半田接続部５１１を形成する（図２（ｄ））。
半田接続する条件は、使用する半田の種類にもよるが、例えばＳｎ３．５Ａｇの場合、温度は２２０〜２６０℃が好ましく、２３０〜２５０℃が特に好ましい。また、時間は５〜５００秒が好ましく、１０〜１００秒が特に好ましい。さらに、圧力は０．１〜２．０ＭＰａが好ましく、０．３〜１．５ＭＰａが特に好ましい。半田接続する条件は、使用する半田により、適宜選択することができる。
【００６２】
この半田接合は、半田バンプ５１が溶融した後に、熱硬化性樹脂組成物１が硬化するような条件で行うことが好ましい。すなわち、半田接合は、半田バンプ５１を溶融させるが、熱硬化性樹脂組成物１の硬化反応があまり進行しないような条件で実施することが好ましい。これにより、半田接続する際の半田接続部の形状を接続信頼性に優れるような安定した形状とすることができる。
【００６３】
次に、熱硬化性樹脂組成物１を加熱して硬化させる。硬化させる条件は、特に限定されないが、温度は１３０〜２２０℃が好ましく、１５０〜２００℃が特に好ましい。また、時間は３０〜５００分が好ましく、６０〜１８０分が特に好ましい。さらに、加圧雰囲気下で熱硬化性樹脂組成物１を硬化させてもよい。加圧方法としては、特に限定されないが、オーブン中に窒素、アルゴン等の加圧流体を導入することにより行うことができる。前記加圧力は、０．１〜１０ＭＰａが好ましく、０．５〜５ＭＰａが特に好ましい。これにより、熱硬化性樹脂組成物１中のボイドを低減することができる。
このようにして、図２（ｄ）に示すような、回路基板４と半導体チップ５とが熱硬化性
樹脂組成物１の硬化物１’で接着された半導体装置１０を得ることができる。半導体装置１０は、上述したような熱硬化性樹脂組成物１の硬化物１’で接着されているので電気的接続信頼性に優れている。
【００６４】
（熱硬化性樹脂組成物または接着フィルムの硬化物により、第１の部材の半田接合面と、第２の部材の半田接合面とが接合された多層回路基板および電子部品）
次に、本発明の熱硬化性樹脂組成物を用いた多層回路基板、電子部品およびその製造方法について説明する。
【００６５】
図３は、多層回路基板の製造方法の一例を示す断面図である。
まず、基材６１、配線回路６２、絶縁部６３、パッド部６４を有する回路基板６（第１の部材）を用意する（図３（ａ））。
一方、基材７１、配線回路７２、絶縁部７３、半田バンプ７５、パッド部７４を有する回路基板７（第２の部材）を用意し、回路基板７の半田接合面を覆うように、熱硬化性樹脂組成物１を上記と同様にして付与した後（図３（ｂ））、上記回路基板６のパッド部６４と、回路基板７の半田バンプ７５とを位置合わせしながら、回路基板６と回路基板７とを上記と同様の条件にて仮圧着する（図３（ｃ））。
【００６６】
次に、上述した半田接合の条件と同様の条件で、半田バンプ７５を溶融して各パッド部６４と半田接合する半田接合部７１１を形成する（図３（ｄ））。
その後、上述した熱硬化性樹脂組成物１の硬化条件と同様の条件で、熱硬化性樹脂組成物１を硬化させ、図３（ｅ）に示すような、回路基板６、回路基板７とが熱硬化性樹脂組成物１の硬化物１’で接着された多層回路基板１００を得ることができる。多層回路基板１００は、上述したような熱硬化性樹脂組成物１の硬化物１’で接着されているので電気的接続信頼性に優れている。
【００６７】
本実施形態では、回路基板を２層積層する実施形態について記載したが、積層する基板の数は３層以上でも構わない。３層以上積層する場合には、前述の通り、順次積層する方法を用いることができる。また、３層以上を仮圧着した状態の積層体を作製した後に、前記積層体の各半田接合部を一括して半田接合する方法を用いてもよい。
また、上記と同様の方法により、半導体チップと半導体チップとを熱硬化性樹脂組成物１の硬化物１’で接着されている電子部品を得ることができる。
【００６８】
以上、本発明について、好適な実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
例えば、半導体装置、多層回路基板、電子部品の製造方法は、上記方法に限定されない。
【００６９】
（ダイシングテープ一体型接着フィルム）
本発明のダイシングテープ一体型接着フィルムは、前記熱硬化性樹脂組成物をフィルム状とした接着フィルムとダイシングテープとを有するものである。また、この他に、後述する介在層や外層を設けてもよい。本発明のダイシングテープ一体型接着フィルムは、第一の部材の第一の端子と、第二の部材の第二の端子を、電気的に接続し、かつ、該第一の部材と該第二の部材とを接着することができる。
【００７０】
なお、本発明のダイシングテープ一体型接着フィルムにおいて、半導体装置、多層回路基板および電子部品等の構成要素となるのは接着フィルムのみである。接着フィルムとその他のダイシングテープ一体型接着フィルムにおける部材を組み合わせることにより、本発明のダイシングテープ一体型接着フィルムは作業性に優れる。
【００７１】
（ダイシングテープ）
ダイシングテープは、支持フィルムと粘着剤層で構成されていれば用いることができ、一般的に用いられるどのようなダイシングテープでも用いることが出来る。
ダイシングテープの支持フィルムは放射線透過性を有していることが好ましい。支持フィルムとしては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン・プロピレン共重合体、ポリオレフィン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリウレタン、エチレン・酢酸ビニル共重合体、アイオノマー、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ビニルポリイソプレン、ポリカーボネート、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合体、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、フッ素樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上の混合物を用いることができる。
【００７２】
支持フィルムの表面は粘着剤層との密着性を高めるため、化学的または物理的表面処理を施すことができる。
なお、支持フィルムには、本発明の効果を損なわない範囲で、各種添加剤（充填材、可塑剤、酸化防止剤、難燃剤、帯電防止剤）が含まれていてもよい。
【００７３】
支持フィルムの厚さは、特に限定されないが、５〜２００μｍ程度であるのが好ましく、３０〜１５０μｍ程度であるのがより好ましい。支持フィルムの厚さが前記範囲内であると、支持フィルムは、適度な剛性を有するものとなるため、ダイシングテープおよび接着フィルムを確実に支持して、ダイシングテープ一体型接着フィルムの取扱いを容易にするとともに、ダイシングテープ一体型接着フィルムが適度に湾曲することで、第一の端子を有する第一の部材との密着性を高めることができる。
【００７４】
また、ダイシングテープの粘着剤層としては、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、ビニルアルキルエーテル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤等を含む第一樹脂組成物で構成されているものを用いることができ、これらの中でもアクリル系粘着剤が好ましい。
【００７５】
アクリル系粘着剤としては、例えば（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体（例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等）との共重合体等が用いられる。また、これらの共重合体を２種類以上混合してもよい。
また、これらの中でも（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルヘキシルおよび（メタ）アクリル酸ブチルからなる群から選ばれる１種以上と、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる１種以上との共重合体が好ましい。これにより、ダイシングテープの粘着剤層が粘着する相手（例えば、後述する介在層、支持フィルム等）との密着性や粘着性の制御が容易になる。
【００７６】
また、粘着性（接着性）を制御するためにウレタンアクリレート、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート）等のイソシアネート化合物等のモノマーおよびオリゴマーを添加してもよい。
さらに、ダイシングテープの粘着剤層には、後述する樹脂層に用いられるものと同様の光重合開始剤を添加してもよい。
【００７７】
また、接着強度およびシェア強度を高める目的で、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族
芳香族系石油樹脂等の粘着付与剤等を添加してもよい。
なお、粘着剤層には、本発明の効果を損なわない範囲で、各種添加剤（充填材、可塑剤、酸化防止剤、増粘剤、架橋剤、帯電防止剤）が含まれていてもよい。
【００７８】
ダイシングテープの粘着剤層の厚さは、特に限定されないが、１〜１００μｍ程度であるのが好ましく、特に３〜５０μｍ程度であるのがより好ましい。粘着剤層の厚さが前記範囲内であると、ダイシング時に剥離せず、ピックアップ時には引っ張り荷重に伴って比較的容易に剥離可能であり、さらに、ダイシング時やピックアップ時に変形を生じにくいため、ダイシング性、ピックアップ性に優れる。
【００７９】
ダイシングテープ一体型接着フィルムにおいて、ダイシングテープの粘着剤層と接着フィルムの間に後述する介在層を有する場合、ダイシングテープの粘着剤層は、介在層よりも粘着性が高いものが好ましい。これにより、接着フィルムに対する介在層の密着力よりも、介在層および支持フィルムに対するダイシングテープの粘着剤層の密着力が大きくなる。そのため、後述する半導体装置の製造におけるピックアップ工程において、剥離を生じさせるべき所望の界面（すなわち介在層と接着フィルムとの界面）で剥離を生じさせることができる。
【００８０】
（介在層および外層）
また、本発明のダイシングテープ一体型接着フィルムは、上述した接着フィルム、ダイシングテープの他に、１つ以上の介在層を設けていてもよく、介在層としては以下のような基材フィルムや樹脂層が挙げられる。また、ダイシングテープ一体型接着フィルムの一方の面又は両面に１つ以上の外層を設けてもよく、外層としては以下のような基材フィルムが挙げられる。外層を設けることにより、汚染や衝撃から保護する保護フィルムとしての機能も有する。
【００８１】
（基材フィルム）
基材フィルムとしては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン・プロピレン共重合体、ポリオレフィン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリウレタン、エチレン・酢酸ビニル共重合体、アイオノマー、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ビニルポリイソプレン、ポリカーボネート、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合体、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、フッ素樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上の混合物を用いることができる
基材フィルムの表面は後述の樹脂層との密着性を高めるため、化学的または物理的表面処理を施すことができる。
【００８２】
なお、基材フィルムには、本発明の効果を損なわない範囲で、各種添加剤（充填材、可塑剤、酸化防止剤、難燃剤、帯電防止剤）が含まれていてもよい。
【００８３】
基材フィルムの平均厚さは、特に限定されないが、５〜２００μｍ程度であるのが好ましく、１０〜１５０μｍ程度であるのがより好ましい。これにより、基材フィルムは、適度な剛性を有するものとなるため、ダイシングテープおよび接着フィルムを確実に支持して、ダイシングテープ一体型接着フィルムの取扱いを容易にすることができる。
【００８４】
（樹脂層）
樹脂層は、一般的な粘着剤で構成されており、具体的には、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、ビニルアルキルエーテル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤
等を含む樹脂層用樹脂組成物で構成されているものを用いることができ、これらの中でもアクリル系粘着剤が好ましい。
アクリル系粘着剤としては、例えば（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体（例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等）との共重合体等が挙げられる。また、これらの樹脂を２種類以上混合してもよい。
【００８５】
また、これらの中でも、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルヘキシルおよび（メタ）アクリル酸ブチルからなる群から選ばれる１種以上と、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる１種以上との共重合体が好ましい。これにより、樹脂層が接する部材や基材との密着性や粘着性の制御が容易になる。
【００８６】
また、樹脂層には、粘着性（接着性）を制御するためにウレタンアクリレート、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート）等のイソシアネート化合物等のモノマーおよびオリゴマーを添加してもよい。
【００８７】
さらに、樹脂層には、樹脂層を紫外線等により硬化させる場合、光重合開始剤としてメトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾイン系化合物、ベンゾインイソブチルエーテル系化合物、ベンゾイン安息香酸メチル系化合物、ベンゾイン安息香酸系化合物、ベンゾインメチルエーテル系化合物、ベンジルフィニルサルファイド系化合物、ベンジル系化合物、ジベンジル系化合物、ジアセチル系化合物等を添加してもよい。
【００８８】
また、樹脂層には、接着強度およびシェア強度を高める目的で、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与剤等を添加してもよい。
【００８９】
なお、樹脂層には、本発明の効果を損なわない範囲で、各種添加剤（充填材、可塑剤、酸化防止剤、増粘剤、架橋剤、帯電防止剤）が含まれていてもよい。
【００９０】
このような樹脂層の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００μｍ程度であるのが好ましく、特に３〜５０μｍ程度であるのがより好ましい。樹脂層の厚さが前記範囲内であると、ダイシング時に剥離せず、ピックアップ時には引っ張り荷重に伴って比較的容易に剥離可能であり、さらに、ダイシング時やピックアップ時に変形を生じにくいため、ダイシング性、ピックアップ性に優れる。
なお、介在層となる前記基材フィルムや前記樹脂層の成膜は、上述の各樹脂組成物を各種塗布法等により塗布し、その後塗布膜を乾燥させる方法や、各樹脂組成物からなるフィルムをラミネートする方法等により行うことができる。また、紫外線等の放射線を照射することにより、塗布膜を硬化させるようにしてもよい。
【００９１】
上記塗布法としては、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法、スクリーンコート法、ダイコート法等が挙げられる。
【００９２】
なお、ダイシングテープ一体型接着フィルムの厚さ（支持フィルムと粘着剤層で構成されるダイシングテープ、接着フィルムおよび介在層等のその他構成層の総厚）としては、特に限定されないが、１０〜１０００μｍ程度であるのが好ましく、２０〜５００μｍ程
度であるのがより好ましい。ダイシングテープ一体型接着フィルムの厚さが前記範囲内であると、ダイシングテープ一体型接着フィルムを半導体装置の製造における半導体ウエハの個片化工程から半導体チップの接合工程にかけての作業性に優れる。さらに、ダイシングテープの粘着剤層の厚さと、接着フィルムの厚さとの比や、ダイシングテープ（支持フィルムと粘着剤層の総厚）の厚さと、接着フィルムの厚さとの比等を調整することにより、ダイシング性、ピックアップ性を向上させることができる。
【００９３】
（ダイシングテープ一体型接着フィルムの製造方法）
本発明のダイシングテープ一体型接着フィルムの製造方法の位置実施形態について、以下に説明する。
まず、図４（ａ）に示す基材３ａを用意し、この基材３ａの一方の面上に介在層２１を成膜し積層体２aを作製する。積層体２ａの作製方法としては、例えば、キャスティング
法、カレンダー法、押し出し法、ドライラミネート法等が挙げられる。
【００９４】
また、積層体２ａと同様にして、図４（ａ）に示すように、用意した基材３ｂの一方の面上に接着フィルム１を成膜し、これにより、基材３ｂと接着フィルム１との積層体２ｂを得る。
さらに、各積層体２ａ、２ｂと同様にして、図４（ａ）に示すように、用意した支持フィルム３の一方の面上にダイシングテープの粘着剤層２２を成膜し、これにより、支持フィルム４とダイシングテープの粘着剤層２２との積層体２ｃを得る。
【００９５】
次いで、図４（ｂ）に示すように、介在層２１と接着フィルム１とが接するように積層体２ａと積層体２ｂとを積層し、積層体２ｄを得る。この積層は、例えばロールラミネート法等により行うことができる。
【００９６】
次いで、図４（ｃ）に示すように、積層体２ｄから基材３ａを剥離する。そして、図４（ｄ）に示すように、前記基材３ａを剥離した積層体２ｄに対して、基材３ｂを残して、前記接着フィルム１および前記介在層２１の有効領域の外側部分を除去する。ここで、有効領域とは、その外周が、半導体ウエハ（第１の部材）５ａの外径よりも一回り小さい、若しくは外径よりも大きく、かつ、ウエハリング９の内径よりも小さい領域を指す。
【００９７】
次いで、図４（ｅ）に示すように、介在層２１の露出面にダイシングテープの粘着層２２が接するように、基材３ａを剥離し有効領域の外側部分をリング状に除去した積層体２ｄと積層体２ｃを積層する。その後、基材３ｂを剥離することにより、図１（ｆ）に示すダイシングテープ一体型接着フィルム２０が得られる。なお、基材３ｂは剥離せず、ダイシングテープ一体型接着フィルムの外層として用いてもよい。
【００９８】
以上、支持フィルムに直接ダイシングテープを成膜してダイシングテープ一体型接着フィルムを製造する方法の一実施形態について上述したが、これ以外に支持フィルム上にダイシングテープの粘着剤層２２、介在層２１、接着フィルム１を所望の順に形成して、ダイシングテープ一体型接着フィルムを作製してもよい。  また、接着フィルム１の基材３ｂをそのまま介在層として適用し、支持フィルム上にダイシングテープの粘着剤層２２、介在層２１（基材３ｂ）、接着フィルム１を所望の順に形成して、ダイシングテープ一体型接着フィルムを作製してもよい。なお、介在層２１を有するダイシングテープ一体型接着フィルムについて説明したが、本発明のダイシングテープ一体型接着フィルムは、介在層２１を有さない実施形態であっても、本発明の課題を達成することができる。
【００９９】
なお、介在層２１、ダイシングテープの粘着剤層２２および接着フィルム１は、それぞれ異なる密着力を有しているが、それらは以下のような特性を有していることが好ましい。
まず、介在層２１の接着フィルム１に対する密着力は、介在層２１のダイシングテープ粘着剤層２２に対する密着力及びダイシングテープの粘着剤層２２の支持フィルム４に対する密着力よりも小さいことが好ましい。これにより、後述する第３の工程において、第二の積層体８３をピックアップした際に、ダイシングテープの粘着剤層２２と支持フィルム４との間は剥離することなく、接着フィルム１と介在層２１との間が選択的に剥離する。そして、ダイシングの際には、ウエハリング９により積層体８を確実に支持し続けることができる。
【０１００】
（ダイシングテープ一体型接着フィルムの接着フィルムの硬化物により、第１の部材の半田接合面と、第２の部材の半田接合面とが接合された半導体装置、多層回路基板および電子部品）
次に、本発明のダイシングテープ一体型接着フィルムを用いて製造した半導体装置、多層回路基板および電子部品について説明する。
【０１０１】
図５（ａ）に示すように、上述したようなダイシングテープ一体型接着フィルム２０における接着フィルム１と、半導体ウエハ５ａとを密着させつつ、ダイシングテープ一体型接着フィルム２０と半導体ウエハ(第一の部材)５ａとを積層する。ここで、半導体ウエハ（第一の部材）５ａにおいて、接着フィルム１と接着する面（半田接合面）は、第１の端子(図示せず)を有するものである。なお、図４に示すダイシングテープ一体型接着フィルム２０では、接着フィルム１の平面視における大きさおよび形状が、半導体ウエハ５ａの外径よりも一回り小さい、若しくは外径よりも大きく、かつ、ウエハリング９の内径よりも小さい形状に、あらかじめ設定されている。このため、半導体ウエハ５ａの下面全体が接着フィルム１の上面全体と密着し、これにより半導体ウエハ５ａがダイシングテープ一体型接着フィルム２０で支持されることとなる。
【０１０２】
この半導体ウエハ５ａの半田接合面（第一の端子を有する面）接着フィルム１で覆うように、ダイシングテープ一体型接着フィルム２０をラミネートする（図５（ａ））。
ダイシングテープ一体型接着フィルム２０を半導体ウエハ５ａに積層する方法としては、例えばロールラミネーター、平板プレス、ウエハラミネーター等が挙げられる。
これらの中でもラミネート時に空気を巻き込まないようにするため、真空下でラミネートする方法（真空ラミネーター）が好ましい。
【０１０３】
また、ラミネートする条件としては、特に限定されず、ボイドなくラミネートできればよいが、具体的には５０〜１５０℃で１秒〜１２０秒間加熱する条件が好ましく、特に６０〜１２０℃で５〜６０秒間加熱する条件が好ましい。ラミネート条件が前記範囲内であると、貼着性と、樹脂のはみ出しの抑制効果と、樹脂の硬化度とのバランスに優れる。
【０１０４】
また、加圧条件も特に限定されないが、０．２〜２．０ＭＰａが好ましく、特に０．５〜１．５ＭＰａが好ましい。
【０１０５】
上記積層の結果、図５（ｂ）に示すように、ダイシングテープ一体型接着フィルム２０と半導体ウエハ５ａとが積層されてなる積層体８が得られる。
【０１０６】
次に、ウエハリング９を用意する。続いて、ダイシングテープの粘着剤層２２の外周部の上面とウエハリング９の下面とが密着するように、積層体８とウエハリング９とを積層する。これにより、積層体８の外周部がウエハリング９により支持される。
ウエハリング９は、一般にステンレス鋼、アルミニウム等の各種金属材料等で構成されるため、剛性が高く、積層体８の変形を確実に防止することができる。
【０１０７】
次に、図５に図示しないダイサーテーブルを用意し、ダイサーテーブルと支持フィルム
３とが接触するように、ダイサーテーブル上に積層体８を載置する。
続いて、図５（ｃ）に示すように、ダイシングブレード８２を用いて積層体８に複数の切り込み８１を形成する（ダイシング）。ダイシングブレード８２は、円盤状のダイヤモンドブレード等で構成されており、これを回転させつつ積層体８の半導体ウエハ５ａ側の面に押し当てることで切り込み８１が形成される。そして、半導体ウエハ５ａに形成された回路パターン同士の間隙に沿って、ダイシングブレード８２を相対的に移動させることにより、半導体ウエハ５ａが複数の半導体チップ５ｂに個片化される（第２の工程）。また、接着フィルム１も同様に、複数の接着フィルム１１に個片化される。このようなダイシングの際には、半導体ウエハ５ａに振動や衝撃が加わるが、半導体ウエハ５ａの下面がダイシングテープ一体型接着フィルム２０で支持されているため、上記の振動や衝撃が緩和されることとなる。その結果、半導体ウエハ５における割れや欠け等の不具合の発生を確実に防止することができる。
【０１０８】
なお、ダイシングブレード８２の先端が介在層２１内に留まるように、削り深さを設定してもよい。換言すれば、切り込み８１の先端が支持フィルム４に到達することなく、介在層２１内またはダイシングテープの粘着剤層２２内のいずれかに留まるようにダイシングを行う。このようにすれば、支持フィルム４の削り屑は発生し得ないため、削り屑の発生に伴う問題が確実に解消されることとなる。すなわち、半導体チップ５ｂをピックアップする際には、引っ掛かり等の発生が防止され、ピックアップした半導体チップ５ｂを基板（第２の部材）４ａにマウントする際には、異物の侵入および半田接合の不良が防止される。その結果、半導体装置１００の製造歩留まりが向上するとともに、信頼性の高い半導体装置１００を得ることができる。
【０１０９】
次に、複数の切り込み８１が形成された積層体８を、図示しないエキスパンド装置により、放射状に引き延ばす（エキスパンド）。これにより、図５（ｄ）に示すように、積層体８に形成された切り込み８１の幅が広がり、それに伴って個片化された半導体チップ５ｂ同士の間隔も拡大する。その結果、半導体チップ５ｂ同士が干渉し合うおそれがなくなり、個々の半導体チップ５ｂをピックアップし易くなる。なお、エキスパンド装置は、このようなエキスパンド状態を後述する工程においても維持し得るよう構成されている。
【０１１０】
次に、図５（ｅ）に示すように、ダイボンダー２５０により、個片化された半導体チップ５ｂのうちの１つを、ダイボンダーのコレット（チップ吸着部）２６０で吸着するとともに上方に引き上げる。その結果、図５（ｅ）に示すように、接着フィルム１１と介在層２１との界面が選択的に剥離し、半導体チップ５ｂと接着フィルム１１とが積層されてなる第二の積層体８３がピックアップされる（第３の工程）。
【０１１１】
なお、接着フィルム１１と介在層２１との界面が選択的に剥離する理由は、前述したように、ダイシングテープの粘着剤層２２の粘着性が介在層２１の粘着性より高いため、支持フィルム４とダイシングテープの粘着剤層２２との界面の密着力、および、ダイシングテープの粘着剤層２２の介在層２１との界面の粘着力は、介在層２１と接着フィルム１との密着力より大きいからである。すなわち、半導体チップ５ｂを上方にピックアップした場合、これらの３箇所のうち、最も粘着力の小さい介在層２１と接着フィルム１との界面が選択的に剥離することとなる。
【０１１２】
また、第二の積層体８３をピックアップする際には、ダイシングテープ一体型接着フィルム２０の下方から、突き上げ装置４００により、ピックアップすべき第二の積層体８３を選択的に突き上げるようにしてもよい。これにより、積層体８から第二の積層体８３が突き上げられるため、前述した第二の積層体８３のピックアップをより容易に行うことができるようになる。なお、第二の積層体８３の突き上げには、ダイシングテープ一体型接着フィルム２０を下方から突き上げる針状体（ニードル）等が用いられる（図示せず）。
【０１１３】
次に、半導体チップ５ｂを搭載（マウント）するための基板４ａを用意する。
この基板４ａは、前記接着フィルム１１と接着する面（半田接合面）に第二の端子（図示せず）を有するものである。この基板４ａとしては、半導体チップ５ｂを搭載し、半導体チップ５ｂと外部とを電気的に接続するための配線を有する基板や半導体チップ、半導体ウエハ等が挙げられる。
なお、第一の端子と第二の端子としては、例えば電極パッド、半田バンプ等が挙げられる。また、第一の端子、第二の端子の少なくとも一方に半田が存在することが好ましい。
【０１１４】
次いで、図５（ｆ）に示すように、ピックアップされた第二の積層体８３を、基板４ａ上に載置する。この際、半導体チップ５ｂの第一の端子と、基板４ａの第二の端子とを位置合わせしながら、接着フィルム１１を介して仮圧着する。
次に、基板４ａと半導体チップ５ｂを半田接合する。半田接合は、前述した他の実施形態と同様の半田接合の条件を用いて行うことができる。
【０１１５】
なお、基板４ａとしては、たとえば、半導体ウエハ、半導体チップ、リジット基板、フレキシブル基板、リジットフレキシブル基板等のプリント配線板等が挙げられる。基板４ａとして半導体チップを用いる場合、接着フィルム１１の硬化物で接合されている電子部品を得ることができる。また、基板４ａとして、プリント配線板等を用いる場合、接着フィルム１１の硬化物で接合されている半導体装置を得ることができる。
【０１１６】
以上、本発明のダイシングテープ一体型接着フィルム、半導体装置、多層回路基板および電子部品を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、半導体装置、多層回路基板、電子部品の製造方法は、上記方法に限定されない。
【実施例】
【０１１７】
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
各実施例および各比較例の接着フィルムを、それぞれ、以下のようにして製造した。
【０１１８】
（実施例１）
＜樹脂組成物を含む樹脂ワニスの調製＞
化合物（Ａ）：フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ５５６１７）１９．０重量部と、化合物（Ｂ）：液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＰＩＣＬＯＮ−８４０Ｓ）５８．２重量部と、化合物（Ｃ）：フラックス活性剤  （東京化成工業社製、ジフェノール酸）１２．５重量部と、化合物（Ｄ）：成膜性樹脂としてのビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（東都化成社製、ＹＰ−５０）１６．８量部と、シランカップリング剤としてのβ−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ−４０３）１．０重量部と、レベリング剤としてのアクリル系共重合物（ビッグケミー社製、商品名「ＢＹＫ３６１Ｎ」）０．１２重量部と、硬化促進剤としての２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．０２重量部と、無機充填剤としてシリカ（アドマッテックス株式会社製、SC１０５０）１０８重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度５０．６％の樹脂ワニスを調製した。
【０１１９】
（実施例２）
＜樹脂組成物を含む樹脂ワニスの調製＞
化合物（Ａ）：フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ５５６１７）１９．０重量部と、化合物（Ｂ）：液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＰＩＣＬＯＮ−８４０Ｓ）５８．２重量部と、化合物（Ｃ）：フラックス活性剤  （２,２ビス（４-ヒドロキシフェニル）ペンタン酸）１２．５重量部と、化合物（Ｄ）：成膜性樹脂としてのビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（東都化成社製、ＹＰ−５０）１６．８量部と、シランカップリング剤としてのβ−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ−４０３）１．０重量部と、レベリング剤としてのアクリル系共重合物（ビッグケミー社製、商品名「ＢＹＫ３６１Ｎ」）０．１２重量部と、硬化促進剤としての２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．０２重量部と、無機充填剤としてシリカ（アドマッテックス株式会社製、SC１０５０）１０８重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度５０．６％の樹脂ワニスを調製した。
【０１２０】
（実施例３）
＜樹脂組成物を含む樹脂ワニスの調製＞
化合物（Ａ）：フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ５５６１７）６．５重量部と、化合物（Ｂ）：液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＰＩＣＬＯＮ−８４０Ｓ）５８．２重量部と、化合物（Ｃ）：フラックス活性剤  （東京化成工業社製、ジフェノール酸）２５．０重量部と、化合物（Ｄ）：成膜性樹脂としてのビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（東都化成社製、ＹＰ−５０）１６．８量部と、シランカップリング剤としてのβ−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ−４０３）１．０重量部と、レベリング剤としてのアクリル系共重合物（ビッグケミー社製、商品名「ＢＹＫ３６１Ｎ」）０．１２重量部と、硬化促進剤としての２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．０２重量部と、無機充填剤としてシリカ（アドマッテックス株式会社製、ＳＣ１０５０）１０８重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度５０．６％の樹脂ワニスを調製した。
【０１２１】
（比較例１）
＜樹脂組成物を含む樹脂ワニスの調製＞
化合物（Ａ）：フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ５５６１７）１９．０重量部と、化合物（Ｂ）：液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＰＩＣＬＯＮ−８４０Ｓ）５８．２重量部と、化合物（Ｃ）：フラックス活性剤  （東京化成工業社製、セバシン酸）４．４重量部と、化合物（Ｄ）：成膜性樹脂としてのビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（東都化成社製、ＹＰ−５０）１６．８重量部と、シランカップリング剤としてのβ−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ−４０３）１．０重量部と、レベリング剤としてのアクリル系共重合物（ビッグケミー社製、商品名「ＢＹＫ３６１Ｎ」）０．１２重量部と、硬化促進剤としての２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．０２重量部と、無機充填剤としてシリカ（アドマッテックス株式会社製、SC１０５０）１０８重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度５０．９％の樹脂ワニスを調製した。
【０１２２】
（比較例２）
＜樹脂組成物を含む樹脂ワニスの調製＞
化合物（Ａ）：フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ５５６１７）３２．５重量部と、化合物（Ｂ）：液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＰＩＣＬＯＮ−８４０Ｓ）５８．２重量部と、化合物（Ｄ）：成膜性樹脂としてのビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（東都化成社製、ＹＰ−５０）１６．８重量部と、シランカップリング剤としてのβ−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルト
リメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ−４０３）１．０重量部と、レベリング剤としてのアクリル系共重合物（ビッグケミー社製、商品名「ＢＹＫ３６１Ｎ」）０．１２重量部と、硬化促進剤としての２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．０２重量部と、無機充填剤としてシリカ（アドマッテックス株式会社製、ＳＣ１０５０）１０８重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度５０．９％の樹脂ワニスを調製した。
【０１２３】
実施例１〜５および比較例１〜２における樹脂組成物の配合比を表１に示す。
【０１２４】
【表１】
2014019813.tif 000004
【０１２５】
＜接着フィルムの製造＞
得られた樹脂ワニスを、基材ポリエステルフィルム（ベースフィルム、東レ株式会社製、商品名ルミラー）に厚さ５０μｍとなるように塗布して、１００℃、５分間乾燥して、厚さ２５μｍのフラックス機能を有する樹脂組成物（接着フィルム）を得た。
【０１２６】
各実施例および比較例の樹脂組成物の組成を表１に示した。表１中、ジフェノール酸をＣ１、２,２ビス（４-ヒドロキシフェニル）ペンタン酸をＣ２、セバシン酸をＣ３と示した。
【０１２７】
＜樹脂柔軟性の評価＞
接着フィルムを長さ１０ｃｍ、幅３ｃｍに切り出し、樹脂面を外側にむけて１８０°折り曲げた。樹脂面に割れが生じたかを目視で確認した。各水準毎に繰り返し数をＮ＝３とし、Ｎ＝３とも樹脂割れが発生しない場合を○、樹脂割れが１以上発生した場合を×とした。この結果を表２に示した。
【０１２８】
＜樹脂耐熱性の評価＞
樹脂耐熱性評価の指標として硬化物のガラス転移点Ｔｇを測定した。測定方法を以下に示す。フィルムを約１００μｍとなるようラミネートし、１８０℃／１２０分熱硬化する。
このフィルムを  ２５ｍｍ×３ｍｍに切って試験片とした。試験片の測定面の平行を出すために、♯１５００またはそれ以上の粒子の小さいサンドペーパーで研磨した。セイコーインスツルメンツ社製，Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ、ＴＭＡ／ＳＳ  ６０００を用いTMA／引張法にて測定した。測定条件は昇温５℃／分で３０
℃から３００℃まで昇温し、荷重  ５０ｍＮで測定した。ガラス転移温度の算出は、最終昇温時のデータより求め、５０℃と１５０℃の、最小二乗法より求めた接線の交点より算出する。この結果を表２に示した。
【０１２９】
＜半導体装置の製造＞
複数の配線回路とパッド部とを有する回路基板（サイズ２０ｍｍ×２０ｍｍ、配線回路の平均厚さ１２μｍ、隣接する配線回路の間隔５０μｍ）を用意した。
次に、配線回路を覆うように、回路基板に得られた樹脂組成物（接着フィルム）を真空式ウエハラミネーターで、８０℃でラミネートして、接着フィルム付きの回路基板を得た。なお、ラミネート時の圧力Ｐは０．３ＭＰａ、雰囲気圧は４００Ｐａであった。
次に、半田バンプを有する半導体チップ（サイズ１０ｍｍ×１０ｍｍ、厚さ０．３ｍｍ）を用意し、上記回路基板のパッド部と、半田バンプとが当接するように位置あわせを行いながら回路基板に半導体チップを１００℃、３０秒間で仮圧着した。
次に、２３５℃、３０秒間加熱して、半田バンプを溶融させて半田接続を行った。
そして、１８０℃、６０分間加熱して、接着フィルムを硬化させて、半導体チップと、回路基板とが樹脂組成物（接着フィルム）の硬化物で接着された半導体装置を得た。
【０１３０】
＜接続信頼性＞
各実施例および比較例の樹脂組成物（接着フィルム）を用いて得られた半導体装置それぞれ２０個ずつ（各貼り付け温度毎）について、−５５℃の条件下に３０分、１２５℃の条件下に３０分ずつ交互に晒すことを１サイクルとする、温度サイクル試験を１００サイクル行い、試験後の半導体装置について、半導体チップと回路基板の接続抵抗値をデジタルマルチメーターで測定し、接続信頼性を評価した。接続抵抗値が１０Ω以下である半導体装置の数を表２に示す。
【０１３１】
【表２】
2014019813.tif 000005
【０１３２】
表２から明らかのように、実施例１〜５では樹脂組成物（接着フィルム）の柔軟性、耐熱性および半導体装置の接続信頼性に優れるものであった。一方、比較例１および２では十分な結果が得られなかった。
【符号の説明】
【０１３３】
１，１１                熱硬化性樹脂組成物、樹脂組成物層、接着フィルム
１’                    硬化物
１０、１０‘            半導体装置
１００                  多層回路基板
２                      カバーフィルム
２０                    ダイシングテープ一体型接着フィルム
２１                    介在層
２２                    ダイシングテープの粘着層
２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ  積層体
２５０                  ダイボンダー
２６０                  コレット
２７０                  台（ヒーター）
２８０                  装置本体
３                      支持フィルム、ベースフィルム
３ａ、３ｂ              基材
４                      回路基板（第１の部材）
４ａ                    基板（第２の部材）
４１                    基材
４２                    配線回路
４３                    絶縁部
４４                    パッド部
４５                    半田バンプ
４００                  台（突き上げ装置）
５、５ｂ                半導体チップ
５ａ                    半導体ウェハ（第１の部材）
５１１                  半田接続部
６                      回路基板（第１の部材）
６１                    基材
６２                    配線回路
６３                    絶縁部
６４                    パッド部
７                      回路基板（第２の部材）
７１                    基材
７２                    配線回路
７３                    絶縁部
７４                    パッド部
７５                    半田バンプ
７１１                  半田接合部
８                      第一の積層体
８１                    切り込み
８２                    ダイシングブレード
８３                    第二の積層体
９                      ウエハリング
【図１】
2014019813.tif 000007
【図２】
2014019813.tif 000008
【図３】
2014019813.tif 000009
【図４】
2014019813.tif 000010
【図５】
2014019813.tif 000011