(57)【要約】【課題】小型且つ低背で、耐湿性が良好な弾性波デバイス及びその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明は、基板１０上に設けられた弾性表面波素子１２と、基板１０上に設けられ、弾性表面波素子１２と電気的に接続された第１配線３４と、基板１０上に弾性表面波素子１２を囲んで設けられ、第１配線３４と交差すると共に、第１配線３４と電気的に分離された金属からなる枠体２２と、枠体２２上に、弾性表面波素子１２上に空洞２４を有して設けられた金属からなる蓋２６と、を備える弾性波デバイスである。【選択図】図１
2014011487.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた弾性波素子と、
前記基板上に設けられ、前記弾性波素子と電気的に接続された配線と、
前記基板上に前記弾性波素子を囲んで設けられ、前記配線と交差すると共に、前記配線と電気的に分離された金属からなる枠体と、
前記枠体上に、前記弾性波素子上に空洞を有して設けられた金属からなる蓋と、を備えることを特徴とする弾性波デバイス。
【請求項２】
前記枠体の外側の前記基板上に設けられ、前記配線と電気的に接続された突起電極を備え、
前記突起電極は、下側部分が前記枠体と同じ金属からなり、上側部分が前記蓋と同じ金属からなることを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記基板の上面から前記蓋の上面までの高さと、前記基板の上面から前記突起電極の上面までの高さと、は同じであることを特徴とする請求項２記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記枠体の外側に位置する前記配線を覆う第１絶縁物が設けられていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記枠体と前記蓋との間にロウ材が設けられていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項６】
前記配線と前記枠体との間に第２絶縁物が設けられていることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項７】
基板上に、弾性波素子と、前記弾性波素子に電気的に接続された配線と、を形成する工程と、
前記基板上に、前記弾性波素子を囲み、前記配線と交差すると共に、前記配線と電気的に分離された金属からなる枠体を形成する工程と、
前記枠体上に金属板を接合させる工程と、
前記金属板に対してエッチング処理を施すことによって、前記枠体上に、前記弾性波素子上に空洞を有する金属からなる蓋を形成する工程と、を有することを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記枠体の外側の前記基板上に、前記配線に電気的に接続された突起電極を形成する工程を有し、
前記枠体と前記突起電極の下側部分とは、電解めっき法によって同時に形成され、
前記突起電極の上側部分は、前記金属板を前記枠体上と前記突起電極の下側部分上とに接合させた後、前記金属板に対してエッチング処理を施すことによって、前記蓋と同時に形成されることを特徴とする請求項７記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記基板上には、複数の前記弾性波素子が形成されていて、
前記複数の弾性波素子の個片化と同時に、前記電解めっき法で用いためっき用給電線を切断することによって、個片化された前記弾性波素子に電気的に接続された前記突起電極と、前記個片化された弾性波素子を囲む枠体と、を電気的に分離する工程を有することを特徴とする請求項８記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記枠体を形成した後、前記金属板に対するエッチング処理を施す前に、前記配線を覆うように前記基板の端から絶縁物を流し込む工程を有することを特徴とする請求項７から９のいずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波デバイス及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性波を利用する弾性波デバイスは、例えば携帯電話端末等の無線端末のフィルタ等に用いられている。弾性波デバイスに用いられる弾性波素子には、圧電基板上にＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極が形成された弾性表面波素子や、圧電膜を上下電極で挟んだ圧電薄膜共振素子がある。
【０００３】
弾性波デバイスでは、弾性波素子の特性を維持するために、弾性波素子の機能部分上に空洞が設けられた構造（いわゆる中空構造）が用いられている。弾性波素子の機能部分としては、弾性表面波素子ではＩＤＴ電極の電極指であり、圧電薄膜共振素子では圧電膜を挟む上下電極が重なる領域である。
【０００４】
弾性波素子の機能部分上に空洞を設ける方法として、例えば、弾性波素子が形成された基板をベース基板にフリップチップ接合させる方法や、基板上に弾性波素子を覆って樹脂封止部を形成する方法が知られている（例えば特許文献１及び特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１２９１９３号公報
【特許文献２】特開２００８−１３５９９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
弾性波素子が形成された基板をベース基板にフリップチップ接合させることで、弾性波素子の機能部分上に空洞を設ける方法では、小型化、低背化が難しい。弾性波素子を覆って樹脂封止部を形成することで、弾性波素子の機能部分上に空洞を設ける方法では、弾性波素子が樹脂で封止されるため、耐湿性が悪く、その結果、信頼性が劣化してしまう。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、小型且つ低背で、耐湿性が良好な弾性波デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、基板上に設けられた弾性波素子と、前記基板上に設けられ、前記弾性波素子と電気的に接続された配線と、前記基板上に前記弾性波素子を囲んで設けられ、前記配線と交差すると共に、前記配線と電気的に分離された金属からなる枠体と、前記枠体上に、前記弾性波素子上に空洞を有して設けられた金属からなる蓋と、を備えることを特徴とする弾性波デバイスである。本発明によれば、小型且つ低背で、耐湿性の良好な弾性波デバイスを得ることができる。
【０００９】
上記構成において、前記枠体の外側の前記基板上に設けられ、前記配線と電気的に接続された突起電極を備え、前記突起電極は、下側部分が前記枠体と同じ金属からなり、上側部分が前記蓋と同じ金属からなる構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記基板の上面から前記蓋の上面までの高さと、前記基板の上面から前記突起電極の上面までの高さと、は同じである構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記枠体の外側に位置する前記配線を覆う第１絶縁物が設けられている構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記枠体と前記蓋との間にロウ材が設けられている構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記配線と前記枠体との間に第２絶縁物が設けられている構成とすることができる。
【００１４】
本発明は、基板上に、弾性波素子と、前記弾性波素子に電気的に接続された配線と、を形成する工程と、前記基板上に、前記弾性波素子を囲み、前記配線と交差すると共に、前記配線と電気的に分離された金属からなる枠体を形成する工程と、前記枠体上に金属板を接合させる工程と、前記金属板に対してエッチング処理を施すことによって、前記枠体上に、前記弾性波素子上に空洞を有する金属からなる蓋を形成する工程と、を有することを特徴とする弾性波デバイスの製造方法である。本発明によれば、小型且つ低背で、耐湿性の良好な弾性波デバイスを得ることができる。
【００１５】
上記構成において、前記枠体の外側の前記基板上に、前記配線に電気的に接続された突起電極を形成する工程を有し、前記枠体と前記突起電極の下側部分とは、電解めっき法によって同時に形成され、前記突起電極の上側部分は、前記金属板を前記枠体上と前記突起電極の下側部分上とに接合させた後、前記金属板に対してエッチング処理を施すことによって、前記蓋と同時に形成される構成とすることができる。
【００１６】
上記構成において、前記基板上には、複数の前記弾性波素子が形成されていて、前記複数の弾性波素子の個片化と同時に、前記電解めっき法で用いためっき用給電線を切断することによって、個片化された前記弾性波素子に電気的に接続された前記突起電極と、前記個片化された弾性波素子を囲む枠体と、を電気的に分離する工程を有する構成とすることができる。
【００１７】
上記構成において、前記枠体を形成した後、前記金属板に対するエッチング処理を施す前に、前記配線を覆うように前記基板の端から絶縁物を流し込む工程を有する構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、小型且つ低背で、耐湿性の良好な弾性波デバイスを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１（ａ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの上面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。
【図２】図２は、配線と枠体とが交差する部分の断面図である。
【図３】図３（ａ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの斜視図であり、図３（ｂ）は、第２絶縁物を透視した場合の斜視図である。
【図４】図４（ａ）から図４（ｅ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その１）である。
【図５】図５（ａ）から図５（ｄ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その２）である。
【図６】図６（ａ）から図６（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その３）である。
【図７】図７（ａ）及び図７（ｂ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す上面図（その１）である。
【図８】図８（ａ）及び図８（ｂ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す上面図（その２）である。
【図９】図９は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す上面図（その３）である。
【図１０】図１０は、ウエハ状の基板に形成される切断領域を示す上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００２１】
図１（ａ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの上面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。なお、図１（ａ）においては、蓋２６及び絶縁物３８を透視して図示している。図１（ａ）及び図１（ｂ）のように、ニオブ酸リチウム基板（ＬＮ基板）又はタンタル酸リチウム基板（ＬＴ基板）等の圧電性を有する基板１０上に、２つの弾性表面波素子１２が設けられている。弾性表面波素子１２の一方は、ＩＤＴ電極ＩＤＴ１と、弾性波の伝搬方向でその両側に位置する反射電極Ｒ１と、を有する。他方は、ＩＤＴ電極ＩＤＴ２、ＩＤＴ３と、弾性波の伝搬方向でそれらの両側に位置する反射電極Ｒ２と、を有する。ＩＤＴ電極ＩＤＴ１とＩＤＴ電極ＩＤＴ３とは、配線１４により接続されている。これにより、２つの弾性表面波素子１２は直列に接続されている。また、反射電極Ｒ１と反射電極Ｒ２とは、配線１６により接続されている。ＩＤＴ電極ＩＤＴ１〜ＩＤＴ３と反射電極Ｒ１、Ｒ２とは、アルミニウム（Ａｌ）等の金属で形成されている。
【００２２】
ＩＤＴ電極ＩＤＴ１に不平衡信号が入力されると、信号は配線１４を介してＩＤＴ電極ＩＤＴ３に伝搬し、ＩＤＴ電極ＩＤＴ２から平衡信号として出力される。このように、実施例１に係る弾性波デバイスは、不平衡入力−平衡出力型の多重モード型弾性表面波デバイスである。
【００２３】
基板１０上に、２つの弾性表面波素子１２を囲んで環状配線１８が設けられている。環状配線１８は、Ａｌ等の金属で形成されている。環状配線１８上には、金属膜２０を介して枠体２２が設けられている。つまり、枠体２２も、２つの弾性表面波素子１２を囲んで設けられている。環状配線１８と枠体２２とは、２つの弾性表面波素子１２の周りを完全に囲んでいることが好ましい。金属膜２０は、チタン（Ｔｉ）上に金（Ａｕ）が積層された積層膜であり、その厚さは０．０５μｍである。枠体２２は、ニッケル（Ｎｉ）上に金（Ａｕ）が積層された積層膜等の金属膜である。
【００２４】
枠体２２上に、弾性表面波素子１２上に空洞２４を有して蓋２６が設けられている。蓋２６は、銅（Ｃｕ）等の金属で形成されている。枠体２２と蓋２６とは、錫（Ｓｎ）からなるロウ材によって接合されている。したがって、枠体２２と蓋２６との間には、ロウ材２８が介在している。弾性表面波素子１２は、枠体２２と蓋２６とによって封止されている。言い換えると、枠体２２と蓋２６とは、弾性表面波素子１２を封止する封止部である。弾性表面波素子１２上に空洞２４が形成されていることで、弾性表面波素子１２の特性を維持することができる。
【００２５】
枠体２２よりも外側（基板１０の端側）の基板１０上に、第１配線３４を介して弾性表面波素子１２に電気的に接続される突起電極３０が設けられている。第１配線３４は、Ａｌ等の金属で形成されていて、その厚さは、環状配線１８と同じである。第１配線３４と枠体２２とが交差する部分は、立体配線構造となっている。図２は、第１配線３４と枠体２２とが交差する部分の断面図である。なお、図２においては、図を明瞭にする目的から、金属膜２０の図示は省略している。図２のように、第１配線３４と枠体２２との間に絶縁物３６が設けられている。絶縁物３６は、感光性樹脂（例えばポリイミド）等の樹脂等で形成されていて、その厚さは１μｍとすることができる。この絶縁物３６によって、第１配線３４と枠体２２とは電気的に分離されている。第１配線３４と枠体２２とを電気的に分離させるために、絶縁物３６は、第１配線３４と枠体２２とが交差する領域を完全に覆うように形成されていることが好ましく、交差する領域よりも大きい領域で形成されていることがより好ましい。
【００２６】
突起電極３０は、基板１０上に、第２配線４０と金属膜２０とを介して設けられている。第２配線４０は、Ａｌ等の金属で形成されていて、その厚さは、環状配線１８及び第１配線３４と同じである。突起電極３０の下側部分３２ａは、枠体２２と同じ金属で形成されている。突起電極３０の上側部分３２ｂは、蓋２６と同じ金属で形成されている。突起電極３０の下側部分３２ａと上側部分３２ｂとは、Ｓｎからなるロウ材２８によって接合されている。
【００２７】
枠体２２の厚さと突起電極３０の下側部分３２ａの厚さとは同じであり、例えば２０μｍである。蓋２６の厚さと突起電極３０の上側部分３２ｂの厚さとは同じであり、例えば３５μｍである。したがって、基板１０の上面から蓋２６の上面までの高さと、基板１０の上面から突起電極３０の上面までの高さと、は同じである。なお、第１配線３４と枠体２２とが交差する部分には、絶縁物３６が設けられているが、絶縁物３６の厚さは、枠体２２と蓋２６との合計の厚さや突起電極３０の厚さに比べて非常に小さい。このため、絶縁物３６の厚さは無視することができる。
【００２８】
図３（ａ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの斜視図であり、図３（ｂ）は、絶縁物３８を透視した場合の斜視図である。図１（ａ）から図３（ｂ）のように、枠体２２よりも外側（基板１０の端側）の基板１０上に、第１配線３４等を覆って絶縁物３８が設けられている。絶縁物３８は、エポキシ樹脂等の樹脂で形成されていて、その厚さは例えば１０μｍ程度である。基板１０の上面から絶縁物３８の上面までの高さは、基板１０の上面から蓋２６及び突起電極３０の上面までの高さよりも低い。このため、蓋２６及び突起電極３０は、絶縁物３８の上面から突出している。
【００２９】
突起電極３０下に設けられた第２配線４０は、基板１０の端まで延在している。第２配線４０は、詳しくは後述するが、突起電極３０の下側部分３２ａを電解めっき法で形成する際のめっき用給電線として機能する。また、基板１０の端と枠体２２との間の基板１０上に第３配線４２が設けられている。第３配線４２は、Ａｌ等の金属で形成されていて、その厚さは、環状電極１８、第１配線３４、及び第２配線４０と同じである。第３配線４２は、詳しくは後述するが、枠体２２を電解めっき法で形成する際のめっき用給電線として機能する。
【００３０】
次に、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法について説明する。図４（ａ）から図６（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図７（ａ）から図９は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す上面図である。なお、図４（ａ）から図５（ｄ）は、図１のＡ−Ａ間に相当する箇所の断面図であり、図６（ａ）から図６（ｃ）は、図１のＢ−Ｂ間に相当する箇所の断面図である。また、弾性波デバイスの製造はウエハ状態の圧電基板を用いて行われ、複数の弾性波デバイスとなるべき領域がウエハ上に存在するが、図４（ａ）から図６（ｃ）では、そのうちの１つの弾性波デバイスを、図７（ａ）から図９では、２つの弾性波デバイスを図示して説明する。
【００３１】
図４（ａ）、図６（ａ）、及び図７（ａ）のように、ＬＮ基板又はＬＴ基板等の圧電性を有する基板１０上に、蒸着法及びリフトオフ法を用いて、Ａｌ等からなる金属層を形成する。これにより、ＩＤＴ電極と反射電極とを有し、直列に接続された２つの弾性表面波素子１２を１組とした複数の弾性表面波素子１２が形成される。直列に接続された２つの弾性表面波素子１２を囲む環状配線１８が形成される。弾性波デバイスを個片化する際の切断領域に第４配線４４が形成される。突起電極３０が形成されるべき領域から第４配線４４に延在する第２配線４０が形成される。弾性表面波素子１２と第２配線４０とを接続させる第１配線３４が形成される。環状配線１８と第４配線４４とを接続させる第３配線４２が形成される。
【００３２】
次いで、基板１０上に、スパッタ法を用いて、酸化シリコン等の酸化膜や窒化シリコン等の窒化膜等からなる保護膜４６を堆積させる。その後、エッチング法によって、弾性表面波素子１２が形成された領域及び環状配線１８と第１配線３４とが交差する領域以外の領域の保護膜４６を除去する。なお、図を明瞭にする目的から、図４（ａ）から図４（ｃ）及び図６（ａ）から図６（ｃ）以外の図においては、保護膜４６の図示を省略している。
【００３３】
図４（ｂ）、図６（ｂ）、及び図７（ｂ）のように、基板１０上に、ポリイミド等の感光性樹脂からなる絶縁物３６を塗布した後、露光、現像により、環状配線１８と第１配線３４とが交差する部分にのみ絶縁物３６を残存させる。その後、絶縁物３６に対して加熱処理を施して硬化させる。
【００３４】
図４（ｃ）、図６（ｃ）、及び図８（ａ）のように、基板１０上に、環状配線１８上と突起電極３０を形成すべき領域の第２配線４０上とに開口を有するフォトレジスト（不図示）を形成する。このフォトレジストをマスクとし、蒸着法を用いて、ＴｉとＡｕとを順に堆積させる。これにより、環状電極１８上と、突起電極３０を形成すべき領域の第２配線４０上とに、金属膜２０が形成される。金属膜２０と第１配線３４とは、絶縁物３６によって電気的に分離される。その後、フォトレジストを除去する。
【００３５】
図４（ｄ）のように、基板１０上にフォトレジスト４８を塗布した後、環状電極１８上と突起電極３０が形成されるべき領域の第２配線４０上とのフォトレジスト４８を除去して、開口５０を形成する。
【００３６】
図４（ｅ）及び図８（ｂ）のように、電解めっき法を用いて、環状配線１８上と突起電極３０を形成すべき領域の第２配線４０上とに、ＮｉとＡｕとを順に成長させる。これにより、直列に接続された２つの弾性表面波素子１２を囲む枠体２２と、弾性表面波素子１２に電気的に接続される突起電極３０の下側部分３２ａとが、同時に形成される。その後、フォトレジスト４８を除去する。枠体２２と突起電極３０の下側部分３２ａとは、電解めっき法によって同時に形成されることから、同じ金属からなり、その厚さも同じになる。
【００３７】
図１０は、ウエハ状の基板１０に形成される切断領域を示す上面図である。図１０のように、ウエハ状の基板１０の表面には、第４配線４４が形成された切断領域が網目状に形成されている。図８（ｂ）のように、突起電極３０を形成すべき領域に形成された第２配線４０は第４配線４４に電気的に接続され、環状配線１８は第３配線４２を介して第４配線４４に電気的に接続されている。このため、ウエハ状の基板１０の外周部に電解めっき用の電極を接続することで、ウエハ全面に渡って、第４配線４４を介して環状配線１８と第２配線４０とに電流を流すことができ、枠体２２と突起電極３０の下側部分３２ａとを同時に形成することができる。このように、第２配線４０と第３配線４２と第４配線４４とは、電解めっき法で使用されるめっき用給電線として用いられる。
【００３８】
図５（ａ）のように、表面にＳｎが形成されたＣｕからなる金属板５２を予め用意する。この金属板５２を、支持板５４を用いて、枠体２２の上面と突起電極３０の下側部分３２ａの上面とに押し当てながら、金属板５２の表面に形成されたＳｎが溶ける温度（例えば２００℃）で加熱する。これにより、金属板５２の表面に形成されたＳｎが溶けて、金属板５２と枠体２２及び突起電極３０の下側部分３２ａとが接合される。つまり、金属板５２と枠体２２及び突起電極３０の下側部分３２ａとの間には、Ｓｎからなるロウ材２８が形成される。なお、枠体２２と突起電極３０の下側部分３２ａとは、ＮｉとＡｕとの積層膜であるが、このＡｕはＳｎとの密着性を良好にするために設けられたものである。よって、枠体２２と突起電極３０の下側部分３２ａとは、Ｎｉ上にＡｕが積層されている場合が好ましいが、Ａｕが積層されてなくＮｉの単層からなる場合でもよい。金属板５２が枠体２２の上面に接合されることで、弾性表面波素子１２上に空洞２４を有して、弾性表面波素子１２を封止することができる。
【００３９】
図５（ｂ）のように、支持板５４を取り除いた後、ウエハ状の基板１０の端から、エポキシ樹脂等の樹脂を流し込んで、第１配線３４等を覆う絶縁物３８を形成する。この際、弾性表面波素子１２を囲んで枠体２２が設けられているため、エポキシ樹脂等の樹脂が弾性表面波素子１２に流れ込むことが抑えられる。
【００４０】
図５（ｃ）のように、金属板５２上にフォトレジスト５６を塗布した後、蓋２６及び突起電極３０が形成されるべき領域以外の領域のフォトレジスト５６を除去して、開口５８を形成する。フォトレジスト５６をマスクとして、開口５８で露出している金属板５２をエッチングする。エッチングは、ウエットエッチング及びドライエッチングのどちらを用いてもよい。これにより、枠体２２上の蓋２６と、突起電極３０の上側部分３２ｂとが、同時に形成される。
【００４１】
図５（ｄ）及び図９のように、フォトレジスト５６を除去した後、第４配線４４が形成された切断領域を、例えばダイシングを用いて切断して、複数の弾性波デバイスを個片化する。なお、図９は、絶縁物３８を透視して図示している。この個片化によって、第４配線４４が除去されるため、第４配線４４にそれぞれ接続されていた第２配線４０と第３配線４２とを電気的に分離させることができる。第１配線３４と枠体２２との間に絶縁物３６が設けられていることから、第２配線４０と第３配線４２とを電気的に分離させることで、枠体２２及び蓋２６と突起電極３０とを電気的に分離させることができる。これにより、実施例１に係る弾性波デバイスが完成する。
【００４２】
実施例１によれば、図１（ａ）及び図１（ｂ）のように、弾性表面波素子１２を囲んで金属からなる枠体２２が設けられている。枠体２２上には、弾性表面波素子１２上に空洞２４を有して金属からなる蓋２６が設けられている。これにより、弾性表面波素子１２は金属製の封止部（枠体２２及び蓋２６）で封止されるため、耐湿性が良好になる。また、封止部（枠体２２及び蓋２６）が基板１０上に設けられたウエハレベルパッケージであるため、小型化、低背化を実現できる。したがって、実施例１によれば、小型且つ低背で、耐湿性の良好な弾性波デバイスが得られる。
【００４３】
図５（ｃ）のように、枠体２２上に金属板５２を接合させ、この金属板５２に対してエッチング処理を施して除去することによって、枠体２２上に、弾性表面波素子１２上に空洞２４を有する蓋２６を形成する。これにより、枠体２２と蓋２６との間の位置ずれを抑制できる。したがって、枠体２２と蓋２６との線膨張係数の差によって発生する位置ずれによる耐湿性の劣化を抑制できる。
【００４４】
図４（ｅ）及び図８（ｂ）のように、枠体２２と突起電極３０の下側部分３２ａとを、電解めっき法によって同時に形成する。図５（ｃ）のように、枠体２２上と突起電極３０の下側部分３２ａ上とに接合させた金属板５２に対してエッチング処理を施すことによって、蓋２６と同時に突起電極３０の上側部分３２ｂを形成する。これにより、複数の弾性波デバイスそれぞれに対して、弾性表面波素子１２を封止する封止部（枠体２２及び蓋２６）を同時に形成することができるため、製造コストを低減できる。
【００４５】
また、枠体２２と突起電極３０の下側部分３２ａとは、電解めっき法によって同時に形成されるため、同じ金属で形成され、その厚さは同じになる。同様に、蓋２６と突起電極３０の上側部分３２ｂとは、金属板５２に対してエッチング処理を施すことによって同時に形成されるため、同じ金属で形成され、その厚さは同じになる。つまり、基板１０から蓋２６の上面までの高さと、基板１０から突起電極３０の上面までの高さとは同じになる。基板１０から蓋２６の上面及び突起電極３０の上面までの高さが同じであることで、突起電極３０を、プリント基板等の実装部の電極に安定して接続させることができる。また、突起電極３０を実装部の電極に接続させるのと同時に、蓋２６を実装部のグランド電位部に接続させることができる。したがって、枠体２２及び蓋２６をグランド電位にすることができる。
【００４６】
また、枠体２２と突起電極３０の下側部分３２ａとが、同じ金属で形成されることで、金属板５２を同じ条件で枠体２２上と突起電極３０の下側部分３２ａ上とに接合できると共に、高さが同じであるため、金属板５２の接合を容易にできる。枠体２２と突起電極３０の下側部分３２ａとは、Ｎｉを含む場合の他に、Ｃｕを含む場合でもよい。Ｎｉを含む場合は、耐腐食性を向上させることができ、Ｃｕを含む場合は、抵抗率を改善できる。なお、金属板５２の表面にＳｎが形成されてなく、ＮｉやＣｕの表面にＳｎが形成されている場合でもよい。この場合でも、金属板５２と枠体２２及び突起電極３０の下側部分３２ａとを接合させることができる。
【００４７】
図５（ａ）のように、Ｓｎが表面に形成されたＣｕからなる金属板５２を枠体２２上と突起電極３０の下側部分３２ａ上とに接合させている。このため、図１（ｂ）のように、枠体２２と蓋２６との間、及び、突起電極３０の下側部分３２ａと上側部分３２ｂとの間に、Ｓｎからなるロウ材２８が形成される。なお、金属板５２の表面に形成される金属は、Ｓｎの場合に限られず、枠体２２、突起電極３０の下側部分３２ａ、及び金属板５２よりも融点の低い金属であれば、その他の金属を用いてもよい。つまり、枠体２２と蓋２６との間、及び、突起電極３０の下側部分３２ａと上側部分３２ｂとの間に設けられるロウ材２８は、Ｓｎ以外の場合でもよい。
【００４８】
図５（ｂ）のように、枠体２２を形成した後、金属板５２に対するエッチング処理を施す前に、基板１０の端から樹脂等の絶縁物を流し込んで、枠体２２の外側に位置する第１配線３４等を覆う絶縁物３８を形成する。これにより、図５（ｃ）のように、金属板５２に対してエッチング処理を施す工程において、第１配線３４等を保護することができる。また、枠体２２の外側に絶縁物３８が形成されるため、枠体２２の側方から枠体２２の内側に水分等が浸入することを抑制でき、耐湿性をより向上させることができる。
【００４９】
図５（ｄ）及び図９のように、直列に接続された弾性表面波素子１２の個片化と同時に、めっき用給電線を切断して、個片化された弾性表面波素子１２に電気的に接続される突起電極３０と、個片化された弾性表面波素子１２を囲む枠体２２とを、電気的に分離させることが好ましい。これにより、別途、突起電極３０と枠体２２とを電気的に分離させる工程が不要となり、製造工数を削減できる。めっき用給電線としては、図８（ｂ）のように、切断領域に形成される第４配線４４と、第４配線４４から突起電極３０が形成されるべき領域に延在する第２配線４０と、第４配線４４から枠体２２が形成されるべき領域に延在する第３配線４２と、を含むことが好ましい。このように、突起電極３０が形成されるべき領域に延在する第２配線４０と、枠体２２が形成されるべき領域に延在する第３配線４２とは、共通に接続する第４配線４４から別々の配線として形成されていることが好ましい。これにより、弾性表面波素子１２の個片化と同時に第４配線４４を切断することで、突起電極３０と枠体２２とを電気的に分離させることができる。
【００５０】
実施例１では、図１（ａ）のように、第１配線３４と枠体２２とが交差する複数の部分全てを立体配線構造として、第１配線３４と枠体２２とを電気的に分離する場合を例に示したが、これに限られる訳ではない。信号入出力用の突起電極３０に接続される第１配線３４と枠体２２とが電気的に接続される場合は満足な電気特性を得ることが難しいが、グランド用の突起電極３０に接続される第１配線３４と枠体２２とが電気的に接続されていても満足な電気特性を得ることができる。したがって、信号入出力用の突起電極３０に接続される第１配線３４と枠体２２とが交差する部分が立体配線構造であれば、グランド用の突起電極３０に接続される第１配線３４と枠体２２とが交差する部分は立体配線構造ではない場合でもよい。この場合は、枠体２２及び蓋２６をグランド電位にすることができる。
【００５１】
また、図２のように、立体配線構造として、第１配線３４と枠体２２との間に絶縁物３６が設けられている場合を例に示したが、第１配線３４と枠体２２とが電気的に分離されれば、その他の立体配線構造の場合でもよい。例えば、第１配線３４と枠体２２との間に空気を挟んで立体的に交差する立体配線構造の場合でもよい。
【００５２】
第１配線３４と枠体２２とが交差する部分に設けられた絶縁物３６は、ポリイミド等の感光性樹脂からなる場合の他に、感光性ではない樹脂や酸化シリコンや窒化シリコン等の無機系の絶縁物を用いてもよい。しかしながら、感光性樹脂を用いることで、塗布、露光、現像によって、第１配線３４と枠体２２とが交差する部分に容易に絶縁物３６を形成することができる。
【００５３】
実施例１では、２つの弾性表面波素子１２が直列に接続された弾性波デバイスの場合を例に示したが、複数の弾性表面波素子がラダー型に接続された弾性波デバイスの場合等、その他の構成の弾性波デバイスの場合でもよい。したがって、枠体２２は、直列に接続された２つの弾性表面波素子１２を囲む場合に限られず、複数の弾性表面波素子を囲む場合でも良く、また、１つの弾性表面波素子を囲む場合でもよい。
【００５４】
弾性波素子としては、弾性表面波素子１２の他に、圧電薄膜共振素子を用いてもよい。圧電薄膜共振素子の場合、基板１０は、例えばシリコン基板、ガラス基板、石英基板等の圧電性を有さない基板を用いてもよい。
【００５５】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００５６】
１０  基板
１２  弾性表面波素子
１８  環状配線
２０  金属膜
２２  枠体
２４  空洞
２６  蓋
２８  ロウ材
３０  突起電極
３２ａ  突起電極の下側部分
３２ｂ  突起電極の上側部分
３４  第１配線
３６  絶縁物
３８  絶縁物
４０  第２配線
４２  第３配線
４４  第４配線
５２  金属板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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