(57)【要約】【課題】本発明は、製造時間が短縮でき、且つ良品率が高い多層回路基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の多層回路基板の製造方法は、順次に積層される第一銅箔層と、絶縁層と、第二銅箔層と、を備える３つの両面銅箔基板を提供するステップと、３つの両面銅箔基板を３つの第一回路基板に形成するステップと、その内の２つの第一回路基板の第一導電回路層に誘電体層を圧合した後第二回路基板を獲得し、他の１つの第一回路基板の第一導電回路層に第一金属バンプを形成し、第二導電回路層に少なくとも１つの第二金属バンプを形成し、第三回路基板を獲得するステップと、２つの第二回路基板及び１つの第三回路基板を一回圧合し、第一金属バンプ及び第二金属バンプは、１つの誘電体層をそれぞれ貫いて、第一導電回路層に電気導通され、多層回路基板を獲得するステップと、を備える。本発明は、多層回路基板も提供する。【選択図】図１１
2014011464.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３つの両面銅箔基板を提供し、各両面銅箔基板は、順次に積層される第一銅箔層と、絶縁層と、第二銅箔層と、を備えるステップと、
前記第一銅箔層を製造して第一導電回路層を形成し、前記第二銅箔層を製造して第二導電回路層を形成することによって、３つの両面銅箔基板を製造して３つの第一回路基板を形成するステップと、
３つの内の２つの第一回路基板の第一導電回路層に半固化状態になる誘電体層を圧合した後、２つの第二回路基板を獲得し、他の１つの第一回路基板の第一導電回路層に第一金属バンプを形成し、前記第一回路基板の第二導電回路層に少なくとも１つの第二金属バンプを形成して第三回路基板を獲得するステップと、
２つの第二回路基板及び１つの第三回路基板を積層して、前記第三回路基板を２つの第二回路基板の間に位置させ、各第二回路基板の誘電体層は、前記第三回路基板に接触され、２つの第二回路基板及び１つの第三回路基板を一回圧合し、前記第一金属バンプ及び前記第二金属バンプは、１つの誘電体層をそれぞれ貫いて、前記第二回路基板の第一導電回路層に電気導通され、多層回路基板を獲得するステップと、
を備えることを特徴とする多層回路基板の製造方法。
【請求項２】
（２Ｎ＋３）個の両面銅箔基板を提供し、各両面銅箔基板は、順次に積層される第一銅箔層と、絶縁層と、第二銅箔層と、を備え、ここで、Ｎは１より大きい自然数であるステップと、
前記第一銅箔層を製造して第一導電回路層を形成し、前記第二銅箔層を製造して第二導電回路層を形成することによって、（２Ｎ＋３）個の両面銅箔基板を製造して（２Ｎ＋３）個の第一回路基板を形成するステップと、
その内の２つの第一回路基板の第一導電回路層に半固化状態になる誘電体層を圧合した後、２つの第二回路基板を獲得し、Ｎ個の第一回路基板の第一導電回路層と第二導電回路層に半固化状態になる誘電体層を圧合した後、Ｎ個の第四回路基板を獲得し、他の（Ｎ＋１）個の第一回路基板の第一導電回路層に少なくとも１つの第一金属バンプを形成し、第一回路基板の第二導電回路層に少なくとも１つの第二金属バンプを形成し、（Ｎ＋１）個の第三回路基板を獲得するステップと、
２つの第二回路基板、（Ｎ＋１）個の第三回路基板及びＮ個の第四回路基板を積層して、（Ｎ＋１）個の第三回路基板及びＮ個の第四回路基板を２つの第二回路基板の間に位置させ、隣接した２つの第三回路基板の間には第四回路基板１つのみ設置され、隣接した２つの第四回路基板の間には第三回路基板が１つのみ設置され、各第二回路基板の誘電体層は、前記第三回路基板に接触され、２つの第二回路基板、（Ｎ＋１）個の第三回路基板及びＮ個の第四回路基板を一回圧合し、各第一金属バンプは、それに隣接した第二回路基板の誘電体層又は前記第四回路基板の１つの誘電体層を貫いて第二回路基板又は第四回路基板の第一導電回路層に電気導通され、各第二金属バンプは、それに隣接した第四回路基板の１つの誘電体層を貫いて、前記第四回路基板の第一導電回路層又は第二導電回路層に電気導通され、多層回路基板を獲得するステップと、
を備えることを特徴とする多層回路基板の製造方法。
【請求項３】
誘電体層は、層間絶縁用フィルムからなることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項４】
第一金属バンプは、第一銅層及び第一錫層を備え、第二金属バンプは、第二銅層及び第二錫層を備え、前記第一金属バンプ及び前記第二金属バンプを形成する方法は、
前記第一回路基板の第一導電回路層に第一フォトレジストを形成し、前記第二導電回路層に第二フォトレジストを形成するステップと、
レーザー切断方式によって第一フォトレジストに第一スルーホールを形成して、一部の第一導電回路層を第一スルーホールから露出させ、第二フォトレジスト内に第二スルーホールを形成して、一部の第二導電回路層を第二スルーホールから露出させるステップと、
前記第一スルーホール内に銅を電気めっきして第一銅層を形成し、前記第二スルーホール内に銅を電気めっきして第二銅層を形成するステップと、
電気めっきされた第一銅層の表面に錫を電気めっきして第一錫層を形成し、前記第二銅層の表面に錫を電気めっきして第二錫層を形成するステップと、
前記第一フォトレジストと前記第二フォトレジストを除去するステップと、
を備えることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項５】
圧合した後、圧合した所定の回路基板をリフロー焼成して、前記第一錫層と前記第二錫層を熔かして、それに接触した第二回路基板の第一導電回路層と第三回路基板とを結合させることを特徴とする請求項４に記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項６】
圧合された複数の回路基板をリフロー焼成した後、前記誘電体層を固化するステップをさらに備えることを特徴とする請求項５に記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項７】
圧合した後、前記誘電体層を固化するステップをさらに備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項８】
圧合された２つの第二回路基板及び１つの第三回路基板を備え、第二回路基板は、第一回路基板及び誘電体層を備え、前記第三回路基板は、前記第一回路基板と、少なくとも１つの第一金属バンプと、少なくとも１つの第二金属バンプと、を備え、前記第一回路基板は、絶縁層と、第一導電回路層と、第二導電回路層と、を備え、前記第一導電回路層及び前記第二導電回路層は、前記絶縁層の対向する両面に形成され、前記第二回路基板の誘電体層は、前記第一回路基板の第一導電回路層に形成され、前記第三回路基板の第一金属バンプは、前記第一回路基板の第一導電回路層に形成され、前記第二金属バンプは、前記第一回路基板の第二導電回路層に形成され、前記第三回路基板は、２つの第二回路基板の間に位置し、且つ各第二回路基板の誘電体層は、前記第三回路基板に接触され、前記第一金属バンプと前記第二金属バンプは、前記誘電体層をそれぞれ貫き、前記第二回路基板の第一導電回路層に接触することを特徴とする多層回路基板。
【請求項９】
圧合された２つの第二回路基板と、（Ｎ＋１）個の第三回路基板と、Ｎ個の第四回路基板と、を備え、前記第二回路基板は、第一回路基板及び誘電体層を備え、前記第三回路基板は、第一回路基板と、少なくとも１つの第一金属バンプと、少なくとも１つの第二金属バンプと、を備え、前記第四回路基板は、前記第一回路基板及び２つの誘電体層を備え、前記第一回路基板は、絶縁層と、第一導電回路層と、第二導電回路層と、を備え、前記第一導電回路層及び前記第二導電回路層は、前記絶縁層の対向する両面に形成され、前記第二回路基板の誘電体層は、前記第一回路基板の第一導電回路層に形成され、前記第三回路基板の第一金属バンプは、前記第一回路基板の第一導電回路層に形成され、前記第三回路基板の第二金属バンプは、前記第一回路基板の第二導電回路層に形成され、前記第四回路基板の第一導電回路層と前記第二導電回路層には、誘電体層がそれぞれ形成され、（Ｎ＋１）個の第三回路基板及びＮ個の第四回路基板は、２つの第二回路基板の間に位置し、隣接した２つの第三回路基板の間には第四回路基板が１つのみ設置され、隣接した２つの第四回路基板の間には第三回路基板が１つのみ設置され、各第二回路基板の誘電体層は、第三回路基板に接触され、各第一金属バンプは、それに隣接した第二回路基板の誘電体層又は第四回路基板の１つの誘電体層を貫き、且つ第二回路基板又は第四回路基板の第一導電回路層に電気導通され、各第二金属バンプは、それに隣接した第四回路基板の１つの誘電体層を貫き、且つ前記第四回路基板の第一導電回路層又は第二導電回路層に電気導通されることを特徴とする多層回路基板。
【請求項１０】
前記誘電体層は、層間絶縁用フィルムからなることを特徴とする請求項８又は９に記載の多層回路基板。
【請求項１１】
前記第一金属バンプは、第一銅層及び第一錫層を備え、前記第二金属バンプは、第二銅層及び第二錫層を備え、前記第一錫層及び前記第二錫層は、隣接した回路基板の導電回路層と結合することを特徴とする請求項８又は９に記載の多層回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板の製造技術に関し、特に多層回路基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プリント回路基板は、実装密度が高いという利点を有することから、現在広く利用されている。回路基板の利用に関しては、非特許文献１を参照することができる。
【０００３】
多層回路基板の製造過程においては、先ず、回路基板の内層基板から製造を開始し、内層基板の両面に接着層及び導電回路層を圧合することによって積層する。具体的には、圧合した接着層に止まり穴を設けて、この止まり穴内に導電材料を充填した後導電孔を形成する。続いて、導電層を製造して導電回路層を形成する。従って、このような作業を繰り返して多層回路基板を獲得するために、長時間の製造時間を必要とする。また、各層の導電孔を製造する過程において、導電孔と内層の導電回路層を何度も精密に位置合わせする必要があるため誤差が生じ易く、回路基板の良品率も低くなる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】Ｔａｋａｈａｓｈｉ，Ａ．Ｏｏｋｉ，Ｎ．Ｎａｇａｉ，Ａ．Ａｋａｈｏｓｈｉ，Ｈ．Ｍｕｋｏｈ，Ａ．Ｗａｊｉｍａ，Ｍ．Ｒｅｓ．Ｌａｂ，Ｈｉｇｈ  ｄｅｎｓｉｔｙ  ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ  ｆｏｒ  ＨＩＴＡＣ  Ｍ−８８０，ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓ．ｏｎ  Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ，Ｐａｃｋａｇｉｎｇ，ａｎｄ  Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，１９９２，１５（４）：１４１８−１４２５
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、前記課題を解決し、製造時間を短縮でき、且つ良品率が高い多層回路基板及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る多層回路基板の製造方法は、３つの両面銅箔基板を提供し、各両面銅箔基板は、順次に積層される第一銅箔層と、絶縁層と、第二銅箔層と、を備えるステップと、前記第一銅箔層を製造して第一導電回路層を形成し、前記第二銅箔層を製造して第二導電回路層を形成することによって、３つの両面銅箔基板を製造して３つの第一回路基板を形成するステップと、その内の２つの第一回路基板の第一導電回路層に半固化状態になる誘電体層を圧合した後２つの第二回路基板を獲得し、他の１つの第一回路基板の第一導電回路層に第一金属バンプを形成し、前記第一回路基板の第二導電回路層に少なくとも１つの第二金属バンプを形成して第三回路基板を獲得するステップと、２つの第二回路基板及び１つの第三回路基板を積層して、前記第三回路基板を２つの第二回路基板の間に位置させ、各第二回路基板の誘電体層は、前記第三回路基板に接触し、２つの第二回路基板及び１つの第三回路基板を一回圧合し、前記第一金属バンプ及び前記第二金属バンプは、１つの誘電体層をそれぞれ貫いて、前記第二回路基板の第一導電回路層に電気導通され、多層回路基板を獲得するステップと、を備える。
【０００７】
本発明に係る多層回路基板の製造方法は、（２Ｎ＋３）個の両面銅箔基板を提供し、各両面銅箔基板は、順次に積層される第一銅箔層と、絶縁層と、第二銅箔層と、を備え、ここで、Ｎは１より大きい自然数であるステップと、前記第一銅箔層を製造して第一導電回路層を形成し、前記第二銅箔層を製造して第二導電回路層を形成することによって、（２Ｎ＋３）個の両面銅箔基板を製造して（２Ｎ＋３）個の第一回路基板を形成するステップと、その内の２つの第一回路基板の第一導電回路層に半固化状態になる誘電体層を圧合した後２つの第二回路基板を獲得し、Ｎ個の第一回路基板の第一導電回路層と第二導電回路層に半固化状態になる誘電体層を圧合した後Ｎ個の第四回路基板を獲得し、他の（Ｎ＋１）個の第一回路基板の第一導電回路層に少なくとも１つの第一金属バンプを形成し、第一回路基板の第二導電回路層に少なくとも１つの第二金属バンプを形成し、（Ｎ＋１）個の第三回路基板を獲得するステップと、２つの第二回路基板、（Ｎ＋１）個の第三回路基板及びＮ個の第四回路基板を積層して、（Ｎ＋１）個の第三回路基板及びＮ個の第四回路基板を２つの第二回路基板の間に位置させ、隣接した２つの第三回路基板の間には第四回路基板１つのみ設置され、隣接した２つの第四回路基板の間には第三回路基板１つのみ設置され、各第二回路基板の誘電体層は、前記第三回路基板に接触し、２つの第二回路基板、（Ｎ＋１）個の第三回路基板及びＮ個の第四回路基板を一回圧合し、各第一金属バンプは、それに隣接した第二回路基板の誘電体層又は前記第四回路基板の１つの誘電体層を貫いて第二回路基板又は第四回路基板の第一導電回路層に電気導通され、各第二金属バンプは、それに隣接した第四回路基板の１つの誘電体層を貫いて、前記第四回路基板の第一導電回路層又は第二導電回路層に電気導通され、多層回路基板を獲得するステップと、を備える。
【０００８】
本発明に係る多層回路基板は、圧合された２つの第二回路基板及び１つの第三回路基板を備え、第二回路基板は、第一回路基板及び誘電体層を備え、前記第三回路基板は、前記第一回路基板と、少なくとも１つの第一金属バンプと、少なくとも１つの第二金属バンプと、を備え、前記第一回路基板は、絶縁層と、第一導電回路層と、第二導電回路層と、を備え、前記第一導電回路層及び前記第二導電回路層は、前記絶縁層の対向する両面に形成され、前記第二回路基板の誘電体層は、前記第一回路基板の第一導電回路層に形成され、前記第三回路基板の第一金属バンプは、前記第一回路基板の第一導電回路層に形成され、前記第二金属バンプは、前記第一回路基板の第二導電回路層に形成され、前記第三回路基板は、２つの第二回路基板の間に位置し、且つ各第二回路基板の誘電体層は、前記第三回路基板に接触され、前記第一金属バンプと前記第二金属バンプは、前記誘電体層をそれぞれ貫き、前記第二回路基板の第一導電回路層に接触する。
【０００９】
本発明に係る多層回路基板は、圧合された２つの第二回路基板と、（Ｎ＋１）個の第三回路基板と、Ｎ個の第四回路基板と、を備え、前記第二回路基板は、第一回路基板及び誘電体層を備え、前記第三回路基板は、第一回路基板と、少なくとも１つの第一金属バンプと、少なくとも１つの第二金属バンプと、を備え、前記第四回路基板は、前記第一回路基板及び２つの誘電体層を備え、前記第一回路基板は、絶縁層と、第一導電回路層と、第二導電回路層と、を備え、前記第一導電回路層及び前記第二導電回路層は、前記絶縁層の対向する両面に形成され、前記第二回路基板の誘電体層は、前記第一回路基板の第一導電回路層に形成され、前記第三回路基板の第一金属バンプは、前記第一回路基板の第一導電回路層に形成され、前記第三回路基板の第二金属バンプは、前記第一回路基板の第二導電回路層に形成され、前記第四回路基板の第一導電回路層と前記第二導電回路層には、誘電体層がそれぞれ形成され、（Ｎ＋１）個の第三回路基板及びＮ個の第四回路基板は、２つの第二回路基板の間に位置し、隣接した２つの第三回路基板の間には第四回路基板が１つのみ設置され、隣接した２つの第四回路基板の間には第三回路基板が１つのみ設置され、各第二回路基板の誘電体層は、第三回路基板に接触され、各第一金属バンプは、それに隣接した第二回路基板の誘電体層又は第四回路基板の１つの誘電体層を貫き、且つ第二回路基板又は第四回路基板の第一導電回路層に電気導通され、各第二金属バンプは、それに隣接した第四回路基板の１つの誘電体層を貫き、且つ前記第四回路基板の第一導電回路層又は第二導電回路層に電気導通される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の多層回路基板の製造方法においては、複数の第一回路基板を同時に製造し、一部の第一回路基板を圧合することによって、一部の回路基板の表面に誘電体層が形成され、他の第一回路基板の導電回路層に金属バンプが形成され、必要に応じて誘電体層が形成された回路基板及び金属バンプが形成された回路基板を積層し、一回圧合することによって、金属バンプとそれに隣接した回路基板の導電回路層を互いに接触させる。これにより、多層回路基板を獲得する。また、複数の回路基板を同時に製造することができるため、回路基板の製造時間を短縮させることができるとともに、各回路基板を単独で製造することができるため、従来の技術の各層ごとに圧合し、且つ各層ごとに導通する方式に比べて、回路基板の良品率を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第一実施形態に係る両面銅箔基板の断面図である。
【図２】図１に示す両面銅箔基板に貫通孔を設けた後の断面図である。
【図３】図２に示す両面銅箔基板に導電孔を形成した後の断面図である。
【図４】図３に示す両面銅箔基板を製造して第一回路基板が形成された後の断面図である。
【図５】図４に示す第一回路基板の表面に誘電体層を貼り合わせて第二回路基板を獲得した後の断面図である。
【図６】図４に示す第一回路基板の両面にフォトレジストを形成した後の断面図である。
【図７】図６に示す第一回路基板のフォトレジストにスルーホールを設けた後の断面図である。
【図８】図７に示す第一回路基板のフォトレジストのスルーホールに銅層を形成した後の断面図である。
【図９】図８に示す第一回路基板のスルーホールの銅層に錫層を形成した後の断面図である。
【図１０】図９に示す第一回路基板を製造して第三回路基板を形成した後の断面図である。
【図１１】本発明の第一実施形態に係る多層回路基板の断面図である。
【図１２】図１１に示す多層回路基板の外層導電回路層の表面まで半田マスク層を形成した後の断面図である。
【図１３】本発明の第二実施形態に係る銅箔基板の断面図である。
【図１４】図１３に示す両面銅箔基板を製造して第一回路基板を形成した後の断面図である。
【図１５】図１４に示す第一回路基板の表面に誘電体層を貼り合わせて第二回路基板を獲得した後の断面図である。
【図１６】図１４に示す第一回路基板の２つの対向する表面に誘電体層を貼り合わせて第四回路基板を形成した後の断面図である。
【図１７】図１４に示す第一回路基板を製造して第三回路基板を形成した後の断面図である。
【図１８】本発明の第二実施形態に係る多層回路基板の断面図である。
【図１９】図１８に示す多層回路基板の外層導電回路層の表面に半田マスク層を形成した後の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。
【００１３】
本発明の第一実施形態に係る多層回路基板の製造方法は、以下のステップを備える。本実施形態において、多層回路基板は六層回路基板である。
【００１４】
第一ステップ：図１に示したように、３つの両面銅箔基板１１０を提供する。
【００１５】
両面銅箔基板１１０は、順次に積層された第一銅箔層１１１と、絶縁層１１２と、第二銅箔層１１３と、を備える。両面銅箔基板１１０は、軟性銅箔基板又は硬性銅箔基板であり得る。
【００１６】
第二ステップ：図２乃至図４を参照すると、各両面銅箔基板１１０内には、導電孔１１４が設けられ、且つ第一銅箔層１１１を製造して第一導電回路層１１５を形成し、第二銅箔層１１３を製造して第二導電回路層１１６を形成し、第一導電回路層１１５及び第二導電回路層１１６は、導電孔１１４によって互いに電気導通される。これにより、３つの第一回路基板１０を獲得する。
【００１７】
導電孔１１４は以下の方法を採用して形成される。先ず、紫外レーザー及び炭酸ガスレーザーを採用して焼灼するという方法によって、各両面銅箔基板１１０内に第一銅箔層１１１、絶縁層１１２及び第二銅箔層１１３を貫く貫通孔１１０１を設ける。次に、貫通孔１１０１の内部に金属を電気めっきして導電孔１１４を形成する。電気めっきする過程において、電気めっきされる金属は、貫通孔１１０１の全てに充填されることが好ましい。
【００１８】
第一導電回路層１１５及び第二導電回路層１１６は、画像転送（ｉｍａｇｅ  ｔｒａｎｓｆｅｒ）工程及びエッチング工程によって形成される。
【００１９】
本実施形態において、３つの第一回路基板１０の中の第一導電回路層１１５及び第二導電回路層１１６は、製造したい回路基板に応じて設定することができる。第一導電回路層１１５及び第二導電回路層１１６の内部構造は同じか又は異なっても良い。
【００２０】
第三ステップ：図５を参照すると、３つの内の２つの第一回路基板１０の第一導電回路層１１５に誘電体層４０を圧合して、２つの第二回路基板２０を獲得する。
【００２１】
本実施形態において、誘電体層４０は層間絶縁用フィルム（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ  Ｆｉｌｍ；ＡＢＦ）からなる。真空圧合機を使用して、２つの第一回路基板１０の第一導電回路層１１５に層間絶縁用フィルムを圧合して誘電体層４０を形成する。圧合すると、誘電体層４０は、半固化（Ｂ−ｓｔａｇｅ）状態になる。即ち、誘電体層４０は、加熱して加圧されると軟化して、その後冷却されて固化される。
【００２２】
第四ステップ：図６乃至図１０を参照すると、他の１つの第一回路基板１０の第一導電回路層１１５上に第一金属バンプ１１５１を形成し、第二導電回路層１１６上に第二金属バンプ１１６１を形成する。これにより、第三回路基板３０を獲得する。
【００２３】
本実施形態において、第一金属バンプ１１５１及び第二金属バンプ１１６１の形成方法は、以下のステップを備える。
【００２４】
先ず、第一回路基板１０の第一導電回路層１１５に第一フォトレジスト１１７を形成し、第二導電回路層１１６に第二フォトレジスト１１８を形成する。
【００２５】
第一フォトレジスト１１７と第二フォトレジスト１１８は、現像可能なフォトレジスト材料（ｄｅｖｅｌｏｐａｂｌｅ  Ｐｈｏｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔ）からなり、印刷するか又はフィルム材料を貼り合せることによって形成される。第一フォトレジスト１１７の厚さと第二フォトレジスト１１８の厚さはそれぞれ、誘電体層４０の厚さにほぼ等しい。
【００２６】
次に、レーザー切断方式によって、第一フォトレジスト１１７に第一スルーホール１１７１を形成して、一部の第一導電回路層１１５を第一スルーホール１１７１から露出させる。また、第二フォトレジスト１１８内に第二スルーホール１１８１を形成して、一部の第二導電回路層１１６を第二スルーホール１１８１から露出させる。
【００２７】
このステップにおいて、レーザーを使用しているエネルギーを制御することによって、第一スルーホール１１７１は第一フォトレジスト１１７を貫くのみであり、第二スルーホール１１８１は第二フォトレジスト１１８を貫くのみである。
【００２８】
次に、第一スルーホール１１７１内に第一金属バンプ１１５１を形成し、第二スルーホール１１８１内に第二金属バンプ１１６１を形成する。
【００２９】
具体的には、第一スルーホール１１７１内に銅を電気めっきして第一銅層１１５２を形成して、電気めっきされた第一銅層１１５２を第一スルーホール１１７１の一部に充填させる。また、第二スルーホール１１８１内に銅を電気めっきして第二銅層１１６２を形成して、電気めっきされた第二銅層１１６２を第一スルーホール１１８１の一部に充填させる。電気めっきされた第一銅層１１５２の表面に錫を電気めっきして第一錫層１１５３を形成し、第二銅層１１６２の表面に錫を電気めっきして第二錫層１１６３を形成する。
【００３０】
最後に、第一フォトレジスト１１７と第二フォトレジスト１１８を除去して、第一導電回路層１１５から突出した第一金属バンプ１１５１と第二導電回路層１１６から突出した第二金属バンプ１１６１を獲得する。第一金属バンプ１１５１は、第一導電回路層１１５に接続されている第一銅層１１５２と、第一銅層１１５２の第一導電回路層１１５から離間した一端に形成されている第一錫層１１５３から構成される。第二金属バンプ１１６１は、第二導電回路層１１６に接続されている第二銅層１１６２と、第二銅層１１６２の第二導電回路層１１６から離間した一端に形成されている第二錫層１１６３から構成される。
【００３１】
第一金属バンプ１１５１及び第二金属バンプ１１６１の数量は、必要に応じて設定することができる。具体的には、第一金属バンプ１１５１及び第二金属バンプ１１６１の数量は、それぞれ２個以上であることができる。本実施形態においては、１つの第一金属バンプ１１５１及び１つの第二金属バンプ１１６１である。
【００３２】
第五ステップ：図１１を参照すると、２つの第二回路基板２０と１つの第三回路基板３０を積層する。この時、第三回路基板３０を２つの第二回路基板２０の間に位置させて、各第二回路基板２０の誘電体層４０を第三回路基板３０に接触させる。２つの第二回路基板２０及び１つの第三回路基板３０を一回圧合すると、第一金属バンプ１１５１と第二金属バンプ１１６１は、誘電体層４０をそれぞれ貫いて第二回路基板２０の第一導電回路層１１５に接触する。これにより、所定の回路基板を獲得することができる。
【００３３】
本ステップにおいて、真空圧合機を使用して一回圧合して、誘電体層４０を半固化状態にする。この時、第一金属バンプ１１５１と第二金属バンプ１１６１は、誘電体層４０をそれぞれ貫いて第二回路基板２０の第一導電回路層１１５に接触する。
【００３４】
第六ステップ：所定の回路基板をリフロー焼成して、第一錫層１１５３及び第二錫層１１６３を、第一錫層１１５３及び第二錫層１１６３に接触した第二回路基板２０の第一導電回路層１１５と結合させる。
【００３５】
本ステップにおいて、所定の回路基板をリフロー炉に置いて加熱する。加熱のピーク温度は、２１０℃〜２３０℃であり、第一錫層１１５３と第二錫層１１６３を熔かして、第一錫層１１５３と第二錫層１１６３に接触された第二回路基板２０の第一導電回路層１１５と第三回路基板３０とを結合させる。これにより、２つの第二回路基板２０の第一導電回路層１１５を第三回路基板３０に互いに電気導通させる。
【００３６】
第七ステップ：固化してリフロー焼成された所定の回路基板の誘電体層４０によって多層回路基板１００を獲得する。
【００３７】
リフロー焼成された所定の回路基板を焼成することによって、誘電体層４０を固化させる。焼成温度は１００℃〜１５０℃であり、焼成時間は３０分〜９０分である。
【００３８】
次に、図１２に示したように、外層に位置する第二回路基板２０の第二導電回路層１１６の表面に、半田マスク層１０１を形成するステップをさらに含むことができる。
【００３９】
図１１及び図１２を参照すると、本実施形態の多層回路基板１００は、圧合された２つの第二回路基板２０及び１つの第三回路基板３０を備える。第二回路基板２０は、第一回路基板１０及び誘電体層４０を備える。第三回路基板３０は、第一回路基板１０と、第一金属バンプ１１５１と、第二金属バンプ１１６１と、を備える。第一回路基板１０は、絶縁層１１２と、絶縁層１１２の１つの表面に形成された第一導電回路層１１５と、絶縁層１１２の他の表面に形成された第二導電回路層１１６と、を備える。誘電体層４０は、第一回路基板１０の第一導電回路層１１５に形成される。第一金属バンプ１１５１は、第一回路基板１０の第一導電回路層１１５に形成される。第二金属バンプ１１６１は、第一回路基板１０の第二導電回路層１１６に形成される。第三回路基板３０は、２つの第二回路基板２０の間に位置し、且つ各第二回路基板２０の誘電体層４０は、第三回路基板３０に接触する。第一金属バンプ１１５１と第二金属バンプ１１６１は、誘電体層４０をそれぞれ貫いて、第二回路基板２０の第一導電回路層１１５に接触される。
【００４０】
誘電体層４０の材料は層間絶縁用フィルムである。第一金属バンプ１１５１は、第一銅層１１５２及び第一錫層１１５３を備える。第二金属バンプ１１６１は、第二銅層１１６２及び第二錫層１１６３を備える。第一錫層１１５３及び第二錫層１１６３は、隣接した回路基板の導電回路層と結合される。
【００４１】
本発明の第二実施形態に係る多層回路基板の製造方法は、以下のステップを備える。
【００４２】
第一ステップ：図１３に示したように、５つの両面銅箔基板２１０を提供する。
【００４３】
両面銅箔基板２１０は、順次に積層された第一銅箔層２１１と、絶縁層２１２と、第二銅箔層２１３と、を備える。両面銅箔基板２１０は、軟性銅箔基板又は硬性銅箔基板であり得る。
【００４４】
第二ステップ：図１４を参照すると、各両面銅箔基板２１０内には、導電孔２１４が設けられ、且つ第一銅箔層２１１を製造して第一導電回路層２１５を形成し、第二銅箔層２１３を製造して第二導電回路層２１６を形成し、第一導電回路層２１５及び第二導電回路層２１６は、導電孔２１４によって互いに電気導通される。これにより、５つの第一回路基板５０を獲得する。
【００４５】
導電孔２１４は以下の方法を採用して形成される。先ず、紫外レーザー及び炭酸ガスレーザーを採用して焼灼するという方法によって各両面銅箔基板２１０の第一銅箔層２１１、絶縁層２１２及び第二銅箔層２１３に貫通孔を設ける。次に、貫通孔の内部に金属を電気めっきする方式によって導電孔２１４を形成する。電気めっきする過程において、電気めっきされる金属は、貫通孔の全部に充填されることが好ましい。
【００４６】
第一導電回路層２１５及び第二導電回路層２１６は、画像転送工程及びエッチング工程によって形成される。
【００４７】
本実施形態において、５つの第一回路基板５０の中の第一導電回路層２１５及び第二導電回路層２１６は、製造したい回路基板に応じて設定することができる。各第一回路基板５０における第一導電回路層２１５及び第二導電回路層２１６の内部構造は同じか又は異なっても良い。
【００４８】
第三ステップ：図１５及び図１６を参照すると、その中の２つの第一回路基板５０の第一導電回路層２１５に誘電体層６０を圧合して、２つの第二回路基板７０を獲得する。その中の他の１つの第一回路基板５０の第一導電回路層２１５及び第二導電回路層２１６に誘電体層６０を圧合して、第四回路基板８０を形成する。
【００４９】
本実施形態において、誘電体層６０は層間絶縁用フィルムからなる。真空圧合機を使用し、２つの第一回路基板５０の第一導電回路層２１５に層間絶縁用フィルムを圧合して誘電体層６０を形成する。圧合すると、誘電体層６０は半固化状態になる。
【００５０】
第四ステップ：図１７を参照すると、他の２つの第一回路基板５０の第一導電回路層２１５に第一金属バンプ２１５１を形成し、第二導電回路層２１６に第二金属バンプ２１６１する。これにより、第三回路基板９０を獲得する。
【００５１】
本実施形態において、第一金属バンプ２１５１と第二金属バンプ２１６１の形成方法は、第一実施形態の第一金属バンプ１１５１と第二金属バンプ１１６１の形成方法と同じである。第一金属バンプ２１５１は、第一導電回路層２１５に接続される第一銅層２１５２及び第一銅層２１５２の第一導電回路層２１５から離間した一端に形成される第一錫層２１５３から構成される。第二金属バンプ２１６１は、第二導電回路層２１６に接続される第二銅層２１６２及び第二銅層２１６２の第二導電回路層２１６から離間した一端に形成される第二錫層２１６３から構成される。
【００５２】
第五ステップ：図１８を参照すると、２つの第二回路基板７０、２つの第三回路基板９０及び１つの第四回路基板８０を積層し、２つの第三回路基板９０を２つの第二回路基板７０の間に位置させて、第四回路基板８０を２つの第三回路基板９０の間に位置させる。各第二回路基板７０の誘電体層６０を第三回路基板９０に接触させ、第四回路基板８０の２つの誘電体層６０を１つの第三回路基板９０にそれぞれ接触させ、２つの第二回路基板７０、２つの第三回路基板９０及び１つの第四回路基板８０を一回圧合して、第一金属バンプ２１５１と第二金属バンプ２１６１を、第一金属バンプ２１５１と第二金属バンプ２１６１に隣接した誘電体層６０にそれぞれ貫かせて、第二回路基板７０の第二導電回路層２１６、第四回路基板８０の第一導電回路層２１５及び第四回路基板８０の第二導電回路層２１６に接触させて、所定の回路基板を獲得する。
【００５３】
本ステップにおいて、真空圧合機を使用して一回圧合し、且つ誘電体層６０が半固化状態にある際、第一金属バンプ２１５１と第二金属バンプ２１６１は、それに接触した誘電体層６０をそれぞれ貫いて、第二回路基板７０の第二導電回路層２１６、第四回路基板８０の第一導電回路層２１５及び第四回路基板８０の第二導電回路層２１６に接触する。
【００５４】
第六ステップ：所定の回路基板をリフロー焼成して、第一錫層２１５３及び第二錫層２１６３は、第二回路基板７０の第二導電回路層２１６、第四回路基板８０の第一導電回路層２１５及び第四回路基板８０の第二導電回路層２１６と結合する。
【００５５】
本ステップにおいて、所定の回路基板をリフロー炉に置いて加熱する。加熱のピーク温度は２１０℃〜２３０℃であり、第一錫層２１５３と第二錫層２１６３を熔かして、接触した第二回路基板７０の第二導電回路層２１６、第四回路基板８０の第一導電回路層２１５及び第四回路基板８０の第二導電回路層２１６と結合させる。これにより、２つの第二回路基板７０、２つの第三回路基板９０及び１つの第四回路基板８０に互いに電気導通させる。
【００５６】
第七ステップ：固化してリフロー焼成された所定の回路基板の誘電体層６０によって多層回路基板１００を獲得する。本ステップにおいて、リフロー焼成された所定の回路基板を焼成することによって、誘電体層６０を固化させる。焼成温度は１００℃〜１５０℃であり、焼成時間は３０分〜９０分である。
【００５７】
図１９に示したように、外層に位置する第二回路基板７０の第二導電回路層２１６の表面に半田マスク層２０１を形成するステップをさらに含むことができる。
【００５８】
この多層回路基板の製造方法は、より多くの多層回路基板を製造することができる。２つの第二回路基板７０の間には、（Ｎ＋１）個の第三回路基板９０及びＮ個の第四回路基板８０が設置され、且つ隣接した２つの第三回路基板９０の間には、第四回路基板８０が１つのみ設置され、隣接した２つの第四回路基板８０の間には、第三回路基板９０が１つのみ設置されている。ここで、Ｎは１以上の自然数である。一回圧合して、多層の所定の回路基板を獲得し、次に第六ステップ及び第七ステップを行って所定の回路基板に対して処理することで、多層回路基板を獲得することができる。
【００５９】
本実施形態の多層回路基板製造方法を採用して獲得した多層回路基板は、圧合された２つの第二回路基板７０と、（Ｎ＋１）個の第三回路基板９０と、Ｎ個の第四回路基板８０と、を備える。第二回路基板７０は、第一回路基板５０及び誘電体層６０を備える。第三回路基板９０は、第一回路基板５０と、第一金属バンプ２１５１と、第二金属バンプ２１６１と、を備える。第四回路基板８０は、第一回路基板５０及び２つの誘電体層６０を備える。第一回路基板５０は、絶縁層２１２と、絶縁層２１２の１つの表面に形成された第一導電回路層２１５と、絶縁層２１２の他の表面に形成された第二導電回路層２１６と、を備える。第二回路基板７０の誘電体層６０は、第一回路基板５０の第一導電回路層２１５に形成される。第三回路基板９０の第一金属バンプ２１５１は、第一回路基板５０の第一導電回路層２１５に形成される。第二金属バンプ２１６１は、第一回路基板５０の第二導電回路層２１６に形成される。第四回路基板８０の第一導電回路層２１５及び第二導電回路層２１６には、誘電体層６０がそれぞれ形成されている。（Ｎ＋１）個の第三回路基板９０及びＮ個の第四回路基板８０は、２つの第二回路基板７０の間に位置し、隣接した２つの第三回路基板９０の間には、第四回路基板８０が１つのみ配置される。隣接した２つの第四回路基板８０の間には、第三回路基板９０が１つのみ配置される。各第二回路基板７０の誘電体層６０は、第三回路基板９０に接触される。第一金属バンプ２１５１と第二金属バンプ２１６１は、誘電体層６０をそれぞれ貫き、隣接した回路基板の導電回路層に電気導通する。第二回路基板２０の第一導電回路層１１５に接触される。
【００６０】
誘電体層６０の材料は層間絶縁用フィルムである。第一金属バンプ２１５１は、第一銅層２１５２及び第一錫層２１５３を備える。第二金属バンプ２１６１は、第二銅層２１６２及び第二錫層２１６３を備える。第一錫層２１５３及び第二錫層２１６３は、隣接した回路基板の導電回路層と結合する。
【００６１】
本発明の多層回路基板の製造方法においては、複数の第一回路基板を同時に製造し、一部の第一回路基板を圧合することによって、一部の回路基板の表面に誘電体層が形成され、他の第一回路基板の導電回路層に金属バンプが形成され、必要に応じて誘電体層が形成された回路基板及び金属バンプが形成された回路基板を積層し、一回圧合することによって、金属バンプとそれに隣接した回路基板の導電回路層を互いに接触させる。これにより、多層回路基板を獲得する。また、複数の回路基板を同時に製造することができるため、回路基板の製造時間を短縮させることができるとともに、各回路基板を単独で製造することができるため、従来の技術の各層ごとに圧合し、且つ各層ごとに導通する方式に比べて、回路基板の良品率を高めることができる。
【００６２】
以上、本発明を実施例に基づいて具体的に説明したが、本発明は、上述の実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々の変更が可能であることは勿論であって、本発明の技術的範囲は、以下の特許請求の範囲から決まる。
【符号の説明】
【００６３】
１０、５０  第一回路基板
２０、７０  第二回路基板
３０、９０  第三回路基板
４０、６０  誘電体層
８０  第四回路基板
１００、２００  多層回路基板
１０１、２０１  半田マスク層
１１０、２１０  両面銅箔基板
１１１、２１１  第一銅箔層
１１２、２１２  絶縁層
１１３、２１３  第二銅箔層
１１４、２１４  導電孔
１１５、２１５  第一導電回路層
１１６、２１６  第二導電回路層
１１７  第一フォトレジスト
１１８  第二フォトレジスト
１１０１  貫通孔
１１５１、２１５１  第一金属バンプ
１１５２、２１５２  第一銅層
１１５３、２１５３  第一錫層
１１６１、２１６１  第二金属バンプ
１１６２、２１６２  第二銅層
１１６３、２１６３  第二錫層
１１７１  第一スルーホール
１１８１  第二スルーホール
【図１】
2014011464.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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