(57)【要約】【課題】半導体装置の製造歩留まりを向上することのできる技術を提供する。【解決手段】上金型ＭＤｂでは、隣り合うキャビティＣＶｂを繋ぐ中間ゲートＧＡを、一方のキャビティＣＶｂに繋がる第１中間ゲートＧＡ１と、他方のキャビティＣＶｂに繋がる第２中間ゲートＧＡ２と、第１中間ゲートＧＡ１と第２中間ゲートＧＡ２との間に配置された第３中間ゲートＧＡ３とにより構成する。第３中間ゲートＧＡ３の底面に平坦部を形成し、かつ、上金型ＭＤｂとリードフレームＬＦとの接触面ＦＣｂから第３中間ゲートＧＡ３の平坦部までの高さを、第１中間ゲートＧＡ１および第２中間ゲートＧＡ２の底面から接触面ＦＣｂまでの高さよりも高く形成する。その後、リード切断工程において、第３中間ゲートＧＡ３の平坦部によって形成された部分に切断パンチを押圧して、中間ゲートＧＡに形成された中間封止体を分離する。【選択図】図７Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）第１ダイパッド、第２ダイパッド、前記第１ダイパッドの隣りに配置された複数の第１リード、および前記第２ダイパッドの隣りに配置された複数の第２リードを備えるリードフレームを準備する工程、
（ｂ）前記第１ダイパッドのチップ搭載面に第１半導体チップを搭載し、前記第２ダイパッドのチップ搭載面に第２半導体チップを搭載する工程、
（ｃ）前記第１半導体チップの主面の複数の電極パッドと前記複数の第１リードとを複数の第１導電性部材を介してそれぞれ接続し、前記第２半導体チップの主面の複数の電極パッドと前記複数の第２リードとを複数の第２導電性部材を介してそれぞれ接続する工程、
（ｄ）前記第１半導体チップおよび前記第２半導体チップを樹脂により封止して、前記第１半導体チップを封止する第１封止体、前記第２半導体チップを封止する第２封止体、および前記第１封止体と前記第２封止体との間に位置する中間封止体を形成する工程、
を有し、
前記（ｄ）工程は、
（ｄ１）第１キャビティ、第２キャビティ、および前記第１キャビティと前記第２キャビティとの間に配置された中間ゲートを有する第１金型、ならびに前記第１金型に対向して配置され、第３キャビティおよび第４キャビティを有する第２金型を準備する工程、
（ｄ２）前記第１キャビティおよび前記第３キャビティからなる第１パッケージ領域に前記第１半導体チップが位置し、前記第２キャビティおよび前記第４キャビティからなる第２パッケージ領域に前記第２半導体チップが位置するように、前記リードフレームを前記第１金型と前記第２金型とでクランプする工程、
（ｄ３）前記第１パッケージ領域、前記中間ゲート、前記第２パッケージ領域の順に樹脂を注入して、前記第１封止体、前記中間封止体、および前記第２封止体を形成する工程、
を有し、
前記中間ゲートは、前記第１キャビティに繋がる第１中間ゲートと、前記第２キャビティに繋がる第２中間ゲートと、前記第１中間ゲートと前記第２中間ゲートとの間に配置される第３中間ゲートとを有し、
前記第３中間ゲートの底面は、前記第１金型の前記リードフレームとの接触面と平行な平坦部を有し、かつ、前記接触面から前記第３中間ゲートの底面の前記平坦部までの高さが、前記接触面から前記第１中間ゲートの底面までの高さおよび前記第２中間ゲートの底面までの高さよりも高い、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、さらに、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記リードフレームから前記中間封止体を分離する工程、
を有し、
前記（ｅ）工程では、前記中間封止体において、前記第１金型の前記第３中間ゲートの底面の前記平坦部によって形成された部分を押圧する、半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記中間封止体は、前記第１金型の前記中間ゲートによって形成されたものであり、
前記中間封止体は、前記第１中間ゲートにより形成された第１中間封止体と、前記第２中間ゲートにより形成された第２中間封止体と、前記第３中間ゲートにより形成された第３中間封止体とを有し、
前記第３中間封止体は、前記第３中間ゲートの底面の前記平坦部により形成された平坦面を有し、
前記（ｅ）工程では、前記第３中間封止体の前記平坦面を押圧することにより、前記リードフレームから前記中間封止体を分離する、半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、さらに、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記リードフレームから前記中間封止体を分離する工程、
を有し、
前記中間封止体は、前記リードフレームの第１面に形成されており、
前記（ｅ）工程では、前記第１封止体と前記第２封止体との間を、前記中間封止体が形成されていない前記リードフレームの前記第１面と反対側の第２面から押圧する、半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記中間封止体は、前記第１金型の前記中間ゲートによって形成されたものであり、
前記中間封止体は、前記第１中間ゲートにより形成された第１中間封止体と、前記第２中間ゲートにより形成された第２中間封止体と、前記第３中間ゲートにより形成された第３中間封止体とを有し、
前記第３中間封止体の厚さは、前記第１中間封止体の厚さおよび前記第２中間封止体の厚さよりも厚い、半導体装置の製造方法。
【請求項６】
（ａ）第１ダイパッド、第２ダイパッド、前記第１ダイパッドの隣りに配置された複数の第１リード、および前記第２ダイパッドの隣りに配置された複数の第２リードを備えるリードフレームを準備する工程、
（ｂ）前記第１ダイパッドのチップ搭載面に第１半導体チップを搭載し、前記第２ダイパッドのチップ搭載面に第２半導体チップを搭載する工程、
（ｃ）前記第１半導体チップの主面の複数の電極パッドと前記複数の第１リードとを複数の第１導電性部材を介してそれぞれ接続し、前記第２半導体チップの主面の複数の電極パッドと前記複数の第２リードとを複数の第２導電性部材を介してそれぞれ接続する工程、
（ｄ）前記第１半導体チップおよび前記第２半導体チップを樹脂により封止して、前記第１半導体チップを封止する第１封止体、前記第２半導体チップを封止する第２封止体、および前記第１封止体と前記第２封止体との間に位置する中間封止体を形成する工程、
を有し、
前記（ｄ）工程は、
（ｄ１）第１キャビティ、第２キャビティ、および前記第１キャビティと前記第２キャビティとの間に配置された下部中間ゲートを有する下金型、ならびに前記下金型に対向して配置され、第３キャビティ、第４キャビティ、および前記第３キャビティと前記第４キャビティとの間に配置された上部中間ゲートを有する上金型を準備する工程、
（ｄ２）前記第１キャビティおよび前記第３キャビティからなる第１パッケージ領域に前記第１半導体チップが位置し、前記第２キャビティおよび前記第４キャビティからなる第２パッケージ領域に前記第２半導体チップが位置するように、前記リードフレームを前記下金型と前記上金型とでクランプする工程、
（ｄ３）前記第１パッケージ領域、前記下部中間ゲートと前記上部中間ゲート、前記第２パッケージ領域の順に樹脂を注入して、前記第１封止体、前記中間封止体、および前記第２封止体を形成する工程、
を有し、
前記下部中間ゲートは、前記第１キャビティに繋がる第１中間ゲートと、前記第２キャビティに繋がる第２中間ゲートと、前記第１中間ゲートと前記第２中間ゲートとの間に配置される第３中間ゲートとを有し、
前記第３中間ゲートの底面は、前記下金型の前記リードフレームとの第１接触面と平行な第１平坦部を有し、かつ、前記第１接触面から前記第３中間ゲートの底面の前記第１平坦部までの高さが、前記第１接触面から前記第１中間ゲートの底面までの高さおよび前記第２中間ゲートの底面までの高さよりも高い、半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置の製造方法において、
前記上部中間ゲートは、前記第３キャビティに繋がる第４中間ゲートと、前記第４キャビティに繋がる第５中間ゲートと、前記第４中間ゲートと前記第５中間ゲートとの間に配置される第６中間ゲートとを有し、
前記第６中間ゲートの底面は、前記上金型の前記リードフレームとの第２接触面と平行な第２平坦部を有し、かつ、前記第２接触面から前記第６中間ゲートの底面の前記第２平坦部までの高さが、前記第２接触面から前記第４中間ゲートの底面までの高さおよび前記第５中間ゲートの底面までの高さよりも高い、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、さらに、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記リードフレームから前記中間封止体を分離する工程、
を有し、
前記（ｅ）工程では、前記中間封止体において、前記下金型の前記第３中間ゲートの底面の前記第１平坦部によって形成された部分、または前記上金型の前記第６中間ゲートの底面の前記第２平坦部によって形成された部分を押圧する、半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、
前記中間封止体は、前記下金型の前記下部中間ゲートおよび前記上金型の前記上部中間ゲートにより形成されたものであり、
前記中間封止体は、前記第１中間ゲートおよび前記第４中間ゲートにより形成された第１中間封止体と、前記第２中間ゲートおよび第５中間ゲートにより形成された第２中間封止体と、前記第３中間ゲートおよび前記第６中間ゲートにより形成された第３中間封止体とを有し、
前記第３中間封止体の厚さは、前記第１中間封止体の厚さおよび前記第２中間封止体の厚さよりも厚い、半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項６記載の半導体装置の製造方法において、
前記上部中間ゲートの底面は、前記上金型の前記リードフレームとの第２接触面と平行な第３平坦部を有する、半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の半導体装置の製造方法において、さらに、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記リードフレームから前記中間封止体を分離する工程、
を有し、
前記（ｅ）工程では、前記中間封止体において、前記上金型の前記上部中間ゲートの前記第３平坦部によって形成された部分を押圧する、半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０記載の半導体装置の製造方法において、
前記中間封止体は、前記下金型の前記下部中間ゲートおよび前記上金型の前記上部中間ゲートにより形成されたものであり、
前記中間封止体は、前記第１中間ゲート、および前記上部中間ゲートの前記第１中間ゲートと対向する部分により形成された第１中間封止体と、前記第２中間ゲート、および前記上部中間ゲートの前記第２中間ゲートと対向する部分により形成された第２中間封止体と、前記第３中間ゲート、および前記上部中間ゲートの前記第３中間ゲートと対向する部分により形成された第３中間封止体とを有し、
前記第３中間封止体の厚さは、前記第１中間封止体の厚さおよび前記第２中間封止体の厚さよりも厚い、半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１０記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１中間ゲートの底面および前記第２中間ゲートの底面は、前記第１接触面と平行な第４平坦部を有する、半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１０記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１キャビティと前記第２キャビティとを結ぶ線に沿った断面で見た場合、前記下部中間ゲートは台形の形状を有している、半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
（ａ）第１ダイパッド、第２ダイパッド、前記第１ダイパッドの隣りに配置された複数の第１リード、および前記第２ダイパッドの隣りに配置された複数の第２リードを備えるリードフレームを準備する工程、
（ｂ）前記第１ダイパッドのチップ搭載面に第１半導体チップを搭載し、前記第２ダイパッドのチップ搭載面に第２半導体チップを搭載する工程、
（ｃ）前記第１半導体チップの主面の複数の電極パッドと前記複数の第１リードとを複数の第１導電性部材を介してそれぞれ接続し、前記第２半導体チップの主面の複数の電極パッドと前記複数の第２リードとを複数の第２導電性部材を介してそれぞれ接続する工程、
（ｄ）前記第１半導体チップおよび前記第２半導体チップを樹脂により封止して、前記第１半導体チップを封止する第１封止体、前記第２半導体チップを封止する第２封止体、および前記第１封止体と前記第２封止体との間に位置する中間封止体を形成する工程、
を有し、
前記（ｄ）工程は、
（ｄ１）第１キャビティと、第２キャビティと、前記第１キャビティと前記第２キャビティとの間に配置された下部中間ゲートを有する下金型、および前記下金型に対向して配置され、第３キャビティと、第４キャビティと、前記第３キャビティと前記第４キャビティとの間に配置された上部中間ゲートを有する上金型を準備する工程、
（ｄ２）前記第１キャビティおよび前記第３キャビティからなる第１パッケージ領域に前記第１半導体チップが位置し、前記第２キャビティおよび前記第４キャビティからなる第２パッケージ領域に前記第２半導体チップが位置するように、前記リードフレームを前記下金型および前記上金型とでクランプする工程、
（ｄ３）前記第１パッケージ領域、前記下部中間ゲートと前記上部中間ゲート、および前記第２パッケージ領域の順に樹脂を注入し、前記第１封止体、前記中間封止体、および前記第２封止体を形成する工程、
を有し、
前記下部中間ゲートは、前記第１キャビティに繋がる第１中間ゲートと、前記第２キャビティに繋がる第２中間ゲートとを有し、
前記下金型の前記リードフレームとの第１接触面から前記第１中間ゲートと前記第２中間ゲートの境界部分までの高さが最も高く、前記境界部分から前記第１キャビティまたは前記第２キャビティに向かって、前記第１接触面から前記第１中間ゲートの底面までの高さおよび前記第１接触面から前記第２中間ゲートまでの高さが徐々に低くなっている、半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の半導体装置の製造方法において、
前記上部中間ゲートの底面は、前記上金型の前記リードフレームとの第２接触面と平行な平坦部を有する、半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１６記載の半導体装置の製造方法において、さらに、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記リードフレームから前記中間封止体を分離する工程、
を有し、
前記（ｅ）工程では、前記中間封止体において、前記上金型の前記上部中間ゲートの前記平坦部によって形成された部分を押圧する、半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１５記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１キャビティと前記第２キャビティとを結ぶ線に沿った断面で見た場合、前記下部中間ゲートは三角形の形状を有している、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造技術に関し、例えばトランスファモールド方式によって半導体装置を樹脂封止するパッケージング技術に好適に利用できるものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置のパッケージング技術では、例えばリードフレームの複数のダイパッドにそれぞれ半導体チップを搭載し、半導体チップとリードフレームのリードとをワイヤボンディングにより結線して一体化した後、複数の半導体チップを封止樹脂により封止している。
【０００３】
例えば特開平０２−２４６３４９号公報（特許文献１）には、複数のキャビティがゲートを介して直列に連結され、各ゲートの断面積がランナーから遠いものほど大きくなるように形成した樹脂封止用金型を用いることにより、溶融樹脂が各キャビティの内部に一様に行き渡るようにした樹脂封止技術が開示されている。
【０００４】
また、特許第３６３０１３９号公報（特許文献２）には、キャビティの内壁面のうち複数個の注入ゲートが設けられた内壁面と同一の内壁面であって個々の注入ゲートの間に位置する内壁面に、樹脂の流れを案内する形状をなす凸部が形成された型装置を用いた樹脂封止技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平０２−２４６３４９号公報
【特許文献２】特許第３６３０１３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
半導体装置の実装工程の一つであるモールド工程で使用する成形金型では、半導体パッケージの多列化、小型化、および薄型化に伴い、複数のキャビティを連結する中間ゲートの数が増加し、そのサイズも小さくなっている。そのため、成形金型へ樹脂を注入する際、注入樹脂が硬化して粘度が高くなることによる種々の問題が顕在化していた。そこで、中間ゲートの高さを高くすることにより、注入樹脂を流れやすくして、上記問題を解決することを検討したが、中間ゲートに形成される中間封止体を除去する際に、半導体チップを封止した樹脂封止体が欠ける等の問題が発生した。
【０００７】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
一実施の形態によれば、モールド工程で使用する成形金型において、隣り合うキャビティを繋いで樹脂を流す通路となる中間ゲートを、一のパッケージ領域を構成するキャビティに繋がる第１中間ゲートと、他の一のパッケージ領域を構成するキャビティに繋がる第２中間ゲートと、第１中間ゲートと第２中間ゲートとの間に配置された第３中間ゲートとにより構成する。そして、第３中間ゲートの底面に平坦部を形成し、かつ、成形金型とリードフレームとの接触面から第３中間ゲートの底面の平坦部までの高さを、上記接触面から第１中間ゲートの底面および第２中間ゲートの底面までのそれぞれの高さよりも高く形成する。リード切断工程では、この第３中間ゲートの底面の平坦部によって形成された部分に切断パンチを押圧して、リードフレームから中間封止体を分離する。
【発明の効果】
【０００９】
一実施の形態によれば、半導体装置の製造歩留まりを向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】一実施の形態による半導体装置の製造方法の工程図である。
【図２】一実施の形態によるリードフレームの外形の一例を示す要部平面図である。
【図３】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ一実施の形態によるダイボンディング工程における半導体装置を示す要部平面図および要部断面図である。
【図４】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ一実施の形態によるワイヤボンディング工程における半導体装置を示す要部平面図および要部断面図である。
【図５】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ一実施の形態によるモールド工程における半導体装置を示す要部平面図および要部断面図である。
【図６Ａ】一実施の形態によるモールド工程におけるリードフレームを示す要部平面図である。
【図６Ｂ】一実施の形態によるモールド工程におけるリードフレームを示す要部側面図である。
【図７Ａ】（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）は、それぞれ一実施の形態によるモールド工程におけるモールディング装置に備わる成形金型の上金型の内壁面の一部を拡大して示す要部平面図、下金型の内壁面の一部を拡大して示す要部平面図、およびリードフレームを挟む上金型と下金型との一部を拡大して示す要部断面図である。
【図７Ｂ】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ一実施の形態によるモールド工程における樹脂封止体と中間封止体の要部側面図、およびリードフレームの第１面側から見た樹脂封止体と中間封止体の要部平面図である。
【図８】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ一実施の形態によるマーク工程における半導体装置を示す要部平面図および要部断面図である。
【図９Ａ】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ一実施の形態によるリード切断工程における半導体装置を示す要部平面図および要部断面図である。
【図９Ｂ】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ一実施の形態によるリード切断工程における吊りリードの切断面側から見た半導体装置を示す要部側面図、およびリード切断工程における中間封止体およびリードフレームの切断状態を説明する要部側面図である。
【図１０】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ一実施の形態によるリード成形工程における半導体装置を示す要部平面図および要部断面図である。
【図１１】（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）は、それぞれ一実施の形態の第１変形例によるモールド工程におけるモールディング装置に備わる成形金型の上金型の内壁面の一部を拡大して示す要部平面図、下金型の内壁面の一部を拡大して示す要部平面図、およびリードフレームを挟む上金型と下金型との一部を拡大して示す要部断面図である。
【図１２】（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）は、それぞれ一実施の形態の第１変形例によるモールド工程における樹脂封止体と中間封止体の要部側面図、モールド工程におけるリードフレームの第２面側から見た樹脂封止体と中間封止体の要部平面図、およびリード切断工程における吊りリードの切断面側から見た半導体装置を示す要部側面図である。
【図１３】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ成形金型の中間ゲートをリードフレームの第１面側に設けた場合の封止樹脂の充填状態を説明する半導体装置の要部断面図、および成形金型の中間ゲートをリードフレームの第２面側に設けた場合の封止樹脂の充填状態を説明する半導体装置の要部断面図である。
【図１４】（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）は、それぞれ一実施の形態の第２変形例によるモールド工程におけるモールディング装置に備わる成形金型の上金型の内壁面の一部を拡大して示す要部平面図、下金型の内壁面の一部を拡大して示す要部平面図、およびリードフレームを挟む上金型と下金型との一部を拡大して示す要部断面図である。
【図１５Ａ】（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）は、それぞれ一実施の形態の第２変形例によるモールド工程における樹脂封止体と中間封止体の要部側面図、モールド工程におけるリードフレームの第１面側から見た樹脂封止体と中間封止体の要部平面図、およびモールド工程におけるリードフレームの第２面側から見た樹脂封止体と中間封止体の要部平面図である。
【図１５Ｂ】一実施の形態の第２変形例によるリード切断工程における吊りリードの切断面側から見た半導体装置を示す要部側面図である。
【図１６】（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）は、それぞれ一実施の形態の第３変形例によるモールド工程におけるモールディング装置に備わる成形金型の上金型の内壁面の一部を拡大して示す要部平面図、下金型の内壁面の一部を拡大して示す要部平面図、およびリードフレームを挟む上金型と下金型との一部を拡大して示す要部断面図である。
【図１７】（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）は、それぞれ一実施の形態の第３変形例によるモールド工程における樹脂封止体と中間封止体の要部側面図、モールド工程におけるリードフレームの第２面側から見た樹脂封止体と中間封止体の要部平面図、およびリード切断工程における吊りリードの切断面側から見た半導体装置を示す要部側面図である。
【図１８】（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）は、それぞれ一実施の形態の第４変形例によるモールド工程におけるモールディング装置に備わる成形金型の上金型の内壁面の一部を拡大して示す要部平面図、下金型の内壁面の一部を拡大して示す要部平面図、およびリードフレームを挟む上金型と下金型との一部を拡大して示す要部断面図である。
【図１９】（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）は、それぞれ一実施の形態の第４変形例によるモールド工程における樹脂封止体と中間封止体の要部側面図、モールド工程におけるリードフレームの第２面側から見た樹脂封止体と中間封止体の要部平面図、およびリード切断工程における吊りリードの切断面側から見た半導体装置を示す要部側面図である。
【図２０】リード切断工程において、樹脂封止体に欠けが生じやすい場合の中間封止体およびリードフレームのリードの切断状態を説明する断面図である。
【図２１】リード切断工程において、樹脂封止体に欠けが生じにくい場合の中間封止体およびリードフレームのリードの切断状態を説明する断面図である。
【図２２】（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）は、それぞれ一実施の形態の第５変形例によるモールド工程におけるモールディング装置に備わる成形金型の上金型の内壁面の一部を拡大して示す要部平面図、下金型の内壁面の一部を拡大して示す要部平面図、およびリードフレームを挟む上金型と下金型との一部を拡大して示す要部断面図である。
【図２３】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ一実施の形態の第５変形例によるモールド工程における樹脂封止体および中間封止体の要部側面図、およびリード切断工程における吊りリードの切断面側から見た半導体装置を示す要部側面図である。
【図２４】（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）は、それぞれ一実施の形態の第６変形例によるモールド工程におけるモールディング装置に備わる成形金型の上金型の内壁面の一部を拡大して示す要部平面図、下金型の内壁面の一部を拡大して示す要部平面図、およびリードフレームを挟む上金型と下金型との一部を拡大して示す要部断面図である。
【図２５】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ一実施の形態の第６変形例によるモールド工程における樹脂封止体および中間封止体の要部側面図、およびリード切断工程における吊りリードの切断面側から見た半導体装置を示す要部側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下の実施の形態において、便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。
【００１２】
また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００１３】
また、以下の実施の形態で用いる図面においては、平面図であっても図面を見やすくするためにハッチングを付す場合もある。
【００１４】
また、以下の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。以下、実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１５】
本発明者らは、ストレートゲートを採用した成形金型を用いたモールド工程における製造歩留りの向上について検討している。しかし、モールド工程においては、半導体パッケージの多列化、小型化、および薄型化に伴い、複数のキャビティを連結する中間ゲートの数が増加し、そのサイズも小さくなっている。そのため、成形金型へ樹脂を注入する際、注入樹脂が硬化して粘度が高くなることにより、半導体チップに備わるワイヤの変形、注入樹脂の回り込み不足による未注入部分の発生、および注入樹脂の流れの淀みに起因したボイドの発生などの問題が生じていた。
【００１６】
そこで、まず、成形金型の複数のキャビティを連結する中間ゲートの高さを均一に高くする検討を行った。これにより、注入樹脂が複数のキャビティ内を流れやすくなり、ワイヤの変形、未注入部分の発生、およびボイドの発生などを低減することができた。しかし、中間ゲートの高さを均一に高くすると、中間ゲートに形成される中間封止体の厚さが厚くなり、複数の樹脂封止体をリードフレームの本体から切断パンチを用いて打ち抜く際に中間封止体も押圧するため、樹脂封止体に欠けが発生する可能性が高くなる。
【００１７】
また、成形金型の複数のキャビティを連結する中間ゲートの幅を広くする検討を行った。これにより、注入樹脂が複数のキャビティ内を流れやすくなり、ワイヤの変形、未注入部分の発生、およびボイドの発生などを低減することができた。しかし、中間ゲートの幅を広くすると、中間ゲートに形成される中間封止体の幅も広くなり、複数の樹脂封止体をリードフレームの本体から切断パンチを用いて打ち抜く際に中間封止体も押圧するため、樹脂封止体に欠けが発生する可能性が高くなり、さらに、リードフレームにねじれが生じやすくなる。
【００１８】
前述した特許文献１（特開平０２−２４６３４９号公報）および特許文献２（特許第３６３０１３９号公報）のそれぞれは、モールド工程における注入樹脂の流れをスムーズにする方法について開示している。しかし、これらは、複数の樹脂封止体を繋ぐ中間封止体およびリードフレームを切断パンチを用いて打ち抜く際に発生する樹脂封止体の欠けなどを考慮した内容の記載や示唆はない。従って、これら特許文献１および特許文献２においても、樹脂封止体の欠けなどの問題が発生するものと考えられる。
【００１９】
（実施の形態）
実施の形態による半導体装置の製造方法を図１〜図１０を用いて工程順に説明する。
【００２０】
図１は半導体装置の製造方法の工程図である。図２はリードフレームの外形の一例を示す要部平面図である。図３（ａ）および（ｂ）はそれぞれダイボンディング工程における半導体装置を示す要部平面図および要部断面図である。図４（ａ）および（ｂ）はそれぞれワイヤボンディング工程における半導体装置を示す要部平面図および要部断面図である。図５（ａ）および（ｂ）はそれぞれモールド工程における半導体装置を示す要部平面図および要部断面図である。図６Ａおよび図６Ｂはそれぞれモールド工程におけるリードフレームを示す要部平面図および要部側面図である。図７Ａ（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）はそれぞれモールド工程におけるモールディング装置に備わる成形金型の上金型の内壁面の一部を拡大して示す要部平面図、下金型の内壁面の一部を拡大して示す要部平面図、およびリードフレームを挟む上金型と下金型との一部を拡大して示す要部断面図である。図７Ｂ（ａ）および（ｂ）はそれぞれモールド工程における樹脂封止体と中間封止体の要部側面図、およびリードフレームの第１面側から見た樹脂封止体と中間封止体の要部平面図である。図８（ａ）および（ｂ）はそれぞれマーク工程における半導体装置を示す要部平面図および要部断面図である。図９Ａ（ａ）および（ｂ）はそれぞれリード切断工程における半導体装置を示す要部平面図および要部断面図である。図９Ｂ（ａ）および（ｂ）はそれぞれリード切断工程における吊りリードの切断面側から見た半導体装置を示す要部側面図、およびリード切断工程における中間封止体およびリードフレームの切断状態を説明する断面図である。図１０（ａ）および（ｂ）はそれぞれリード成形工程における半導体装置を示す要部平面図および要部断面図である。
【００２１】
≪半導体チップ準備工程≫
半導体ウエハの回路形成面に集積回路を形成する。集積回路は前工程または拡散工程と呼ばれる製造工程において、所定の製造プロセスに従って半導体ウエハにチップ単位で形成される。続いて、半導体ウエハに形成された各半導体チップの良・不良を判定した後、半導体ウエハをダイシングして、各半導体チップに個片化する。
【００２２】
半導体チップは主面（または表面、第１主面とも言う）と、主面と反対側の裏面（または第２主面とも言う）とを有し、半導体チップの主面上に絶縁膜から露出して複数の電極パッド（または導電性パッド、ボンディングパッドとも言う）が形成されている。
【００２３】
≪リードフレーム準備工程≫
第１面（または表面、上面とも言う）と、第１面とは反対側の第２面（または裏面、下面とも言う）とを有し、例えば銅（Ｃｕ）を主材料とした金属製の枠組みであるリードフレーム（または配線部材、配線板、基板とも言う）を準備する。
【００２４】
図２にリードフレームの一例を示す。リードフレームＬＦの厚さは、例えば０．１５ｍｍである。リードフレームＬＦは、例えば長手方向（図２中の第１方向Ｘ）を列とし、この列に直交する方向（図２中の第２方向Ｙ）を行とすると、半導体製品１つ分に該当する単位フレームＳＦが複数列６行、いわゆるマトリックス状に配置された構成となっている。
【００２５】
各単位フレームＳＦは、半導体チップが搭載される略四角形状のダイパッド（またはタブ、チップ搭載部とも言う）ＤＰを含んでおり、ダイパッドＤＰは吊りリードＨＬを介してリードフレームＬＦと一体として繋がっている。ダイパッドＤＰを支持する吊りリードＨＬは、ダイパッドＤＰの一辺と、上記一辺と反対側の他辺にそれぞれ連結されている。
【００２６】
また、吊りリードＨＬが連結されていないダイパッドＤＰの他の２辺とそれぞれ対向し、その２辺と離間して、複数のリード（または外部端子とも言う）ＬＥが設けられている。複数のリードＬＥはタイバーＴＢにより繋がれている。また、リードフレームＬＦの周辺には、リードフレームＬＦの位置決めのため、あるいは樹脂封止に伴うリードフレームＬＦの歪みを緩和するための複数の孔ＬＨが設けられている。
【００２７】
なお、半導体装置の製造方法の一例の説明に用いる図３、図４、図５、および図８では、１つの単位フレームＳＦに該当する領域のみを記載している。
【００２８】
≪ダイボンディング工程≫
次に、図３（ａ）および（ｂ）に示すように、各単位フレームＳＦのダイパッドＤＰのチップ搭載面（すなわちリードフレームＬＦの第１面）に良品と判定された半導体チップＳＣを搭載する。このとき、ダイパッドＤＰのチップ搭載面と半導体チップＳＣの裏面とをダイボンド材、例えばペースト状の導電性の接着剤（例えば銀（Ａｇ）ペースト）または非導電性の接着剤（例えばエポキシ性接着剤）を用いて接合する。なお、ダイパッドＤＰと半導体チップＳＣとの接合は、これら接着剤に限定されるものではなく、例えば金−錫（Ａｕ−Ｓｎ）共晶を用いた接合などでもよい。
【００２９】
≪ワイヤボンディング工程≫
次に、図４（ａ）および（ｂ）に示すように、例えば熱圧着に超音波振動を併用したネイルヘッドボンディング（ボールボンディング）法により、半導体チップＳＣの主面に形成された複数の電極パッド（図示は省略）と複数のリードＬＥとを複数の導電性部材、例えば導電性ワイヤＣＷを用いてそれぞれ電気的に接続する。具体的には、導電性ワイヤＣＷの先端をアーク放電により溶融して表面張力でボールを形成し、それをキャピラリ（すなわち円筒状の接続治具）により電極パッドおよびリードＬＥの表面に、例えば１２０ｋＨｚの超音波振動を加えながら熱圧着する。
【００３０】
導電性ワイヤＣＷの材料としては、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、およびアルミニウム（Ａｌ）などの金属材料を挙げることができる。金（Ａｕ）の場合、例えば１５〜２０μｍφの金線を用いる場合が多い。
【００３１】
また、主として、正ボンディング方式（すなわち半導体チップＳＣの電極パッドと導電性ワイヤＣＷの一部を接続した後に、リードＬＥと導電性ワイヤＣＷの他部を接続する方式）を用いるが、逆ボンディング方式（すなわちリードＬＥと導電性ワイヤＣＷの一部を接続した後に、半導体チップＳＣの電極パッドと導電性ワイヤＣＷの他部を接続する方式）を用いても良い。
【００３２】
≪モールド工程≫
次に、図５（ａ）および（ｂ）、図６Ａ、ならびに図６Ｂに示すように、リードフレームＬＦに搭載された各半導体チップＳＣを樹脂封止体（または封止体、パッケージとも言う）ＭＯにより樹脂封止する。この際、隣り合う樹脂封止体ＭＯの間には中間封止体ＣＯＡが形成される。
【００３３】
まず、ワイヤボンディングされた複数の半導体チップＳＣが搭載されたリードフレームＬＦをトランスファモールド装置に備わる成形金型にセットする。
【００３４】
図７Ａ（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）に示すように、成形金型は、リードフレームＬＦが配置される下金型ＭＤａと、下金型ＭＤａの上方に位置し、この下金型ＭＤａと係合してリードフレームＬＦを密閉する上金型ＭＤｂとを有している。リードフレームＬＦは下金型ＭＤａと上金型ＭＤｂとの間に配置される。下金型ＭＤａおよび上金型ＭＤｂには、それぞれ半導体チップＳＣを樹脂封止するパッケージ領域（または樹脂封止領域とも言う）となるキャビティＣＶａおよびキャビティＣＶｂが複数形成されている。図７Ａ（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）では、キャビティＣＶａおよびキャビティＣＶｂをそれぞれ２個しか記載していないが、実際にはキャビティＣＶａおよびキャビティＣＶｂはそれぞれ同一方向に複数個、例えば６個配置されている。
【００３５】
さらに、上金型ＭＤｂには、同一方向に配置された複数個のキャビティＣＶｂを直列に接続するように、隣り合うキャビティＣＶｂを繋いで、樹脂を流す通路となる中間ゲートＧＡが形成されている。中間ゲートＧＡは、一のパッケージ領域を構成するキャビティＣＶｂに繋がる第１中間ゲートＧＡ１と、一のパッケージ領域と隣り合う他の一のパッケージ領域を構成するキャビティＣＶｂに繋がる第２中間ゲートＧＡ２と、第１中間ゲートＧＡ１と第２中間ゲートＧＡ２との間に配置され、第１中間ゲートＧＡ１と第２中間ゲートＧＡ２とに繋がった第３中間ゲートＧＡ３とを有している。
【００３６】
また、第１中間ゲートＧＡ１、第２中間ゲートＧＡ２、および第３中間ゲートＧＡ３のそれぞれの底面は平坦部を有しており、上金型ＭＤｂとリードフレームＬＦとの接触面ＦＣｂから第３中間ゲートＧＡ３の底面の平坦部までの高さＨＡ３は、上記接触面ＦＣｂから第１中間ゲートＧＡ１の底面の平坦部までの高さＨＡ１および第２中間ゲートＧＡ２の底面の平坦部までの高さＨＡ２よりも高い。上記高さＨＡ３は、例えば０．２ｍｍ程度であり、上記高さＨＡ１および高さＨＡ２は、例えば０．１ｍｍ程度である。
【００３７】
そして、下金型ＭＤａと上金型ＭＤｂとを閉じることにより、リードフレームＬＦは下金型ＭＤａと上金型ＭＤｂとでクランプされる。このとき、リードフレームＬＦを下金型ＭＤａと上金型ＭＤｂとの間に樹脂が洩れることのないように隙間無く挟み、リードフレームＬＦを固定する。キャビティＣＶａ，ＣＶｂによって形成された１つのパッケージ領域内には、半導体チップＳＣ、導電性ワイヤＣＷ、ダイパッドＤＰ、リードＬＥの一部（またはインナー部とも言う）、および吊りリードＨＬが配置される。
【００３８】
次に、温度を上げて液状化した樹脂を、キャビティＣＶａ，ＣＶｂ内および中間ゲートＧＡ内に圧送して流し込み、キャビティＣＶａ，ＣＶｂ内および中間ゲートＧＡ内を樹脂によって充填させる。
【００３９】
これにより、図７Ｂ（ａ）および（ｂ）に示すように、半導体チップＳＣ、導電性ワイヤＣＷ、ダイパッドＤＰ、リードＬＥの一部、吊りリードＨＬを樹脂で封止して樹脂封止体ＭＯが形成され、隣り合う樹脂封止体ＭＯを繋ぐように中間封止体ＣＯＡが形成される。樹脂封止体ＭＯは、リードフレームＬＦの第１面側と第２面側に形成され、中間封止体ＣＯＡは、リードフレームＬＦの第１面側にのみ形成される。
【００４０】
一つの樹脂封止体ＭＯと、これと隣り合う他の一つの樹脂封止体ＭＯとを繋ぐ中間封止体ＣＯＡは、成形金型の中間ゲートＧＡによって画定された形状を有している。すなわち、中間封止体ＣＯＡは、第１中間ゲートＧＡ１により形成された第１中間封止体ＣＯＡ１、第２中間ゲートＧＡ２により形成された第２中間封止体ＣＯＡ２、および第３中間ゲートＧＡ３により形成された第３中間封止体ＣＯＡ３を有する。
【００４１】
第１中間封止体ＣＯＡ１は、第１中間ゲートＧＡ１の底面の平坦部により形成された平坦面ＦＳ１を有し、第２中間封止体ＣＯＡ２は、第２中間ゲートＧＡ２の底面の平坦部により形成された平坦面ＦＳ２を有する。
【００４２】
さらに、第３中間封止体ＣＯＡ３は、第３中間ゲートＧＡ３の底面の平坦部により形成された平坦面ＦＳ３を有しており、後の工程であるリード切断工程において、この平坦面ＦＳ３に切断装置に備わる切断パンチが押圧されて、リードフレームＬＦの本体から中間封止体ＣＯＡは分離される。
【００４３】
樹脂封止体ＭＯおよび中間封止体ＣＯＡは、低応力化を図ることを目的として、例えばフェノール系硬化剤、シリコーンゴム、および多数のフィラー（例えばシリカ）などが添加されたエポキシ系の熱硬化性絶縁樹脂からなる。
【００４４】
その後、トランスファモールド装置から複数の樹脂封止体ＭＯおよび中間封止体ＣＯＡが形成されたリードフレームＬＦを取り出す。
【００４５】
中間封止体ＣＯＡは、リードフレームＬＦの側面側から見ると、例えば図６Ｂおよび図７Ｂ（ａ）に示すように、凸形状をしており、凸形状の最も高い位置に第３中間封止体ＣＯＡ３の平坦面ＦＳ３がある。すなわち、第３中間封止体ＣＯＡ３の上面である平坦面ＦＳ３は、第１中間封止体ＣＯＡ１の上面である平坦面ＦＳ１および第２中間封止体ＣＯＡ２の上面である平坦面ＦＳ２よりもリードフレームＬＦの第１面から離れた位置にある。言い換えると、リードフレームＬＦの第１面から第３中間封止体ＣＯＡ３の上面である平坦面ＦＳ３までの高さは、リードフレームＬＦの第１面から第１中間封止体ＣＯＡ１の上面である平坦面ＦＳ１までの高さおよびリードフレームＬＦの第１面から第２中間封止体ＣＯＡ２の上面である平坦面ＦＳ２までの高さよりも高い。
【００４６】
また、言い換えると、リードフレームＬＦの第１面と直交する方向における第３中間封止体ＣＯＡ３の第３厚さは、第１中間封止体ＣＯＡ１の第１厚さおよび第２中間封止体ＣＯＡ２の第２厚さよりも厚い。一例として、第３厚さは、例えば０．２ｍｍ程度、第１厚さおよび第２厚さは、例えば０．１ｍｍ程度、樹脂封止体ＭＯの厚さは、例えば１．０ｍｍ程度を示すことができる。
【００４７】
また、第３中間封止体ＣＯＡ３の上面である平坦面ＦＳ３は、リードフレームＬＦの第１面と平行（略平行も含む）である。そして、後の工程であるリード切断工程において、この平坦面ＦＳ３に切断装置に備わる切断パンチで押圧するのに支障のないように、第３中間封止体ＣＯＡ３の上面は、平坦面ＦＳ３が設けられている。
【００４８】
実施の形態において、第３中間封止体ＣＯＡ３の上面に設けられた平坦面ＦＳ３とは、以下に示す平坦面を意図する。なお、後述する第１変形例から第６変形例において説明する第３中間封止体に設けられた平坦面についても同様である。
（１）平坦面の最小面積は、切断パンチの先端面と接触し、押圧した際に十分な圧力を受けることができる面積である。
（２）切断パンチの先端面と平坦面とは、基本的に平行である。ただし、切断パンチで押圧した際に十分な圧力を受けることができる程度の平行度であればよく、それは除外しない。
（３）平坦面の面積は、切断パンチの先端面の面積よりも大きい方が好ましい（平面視において切断面の外周から平坦面の外周がはみ出してもよい）。確実に切断パンチの先端を受けるので、確実に押圧することができる。
（４）平坦面の面積は、切断パンチの先端面の面積よりも小さくてもよい。小さくした場合、製品間スペースが詰まるので、リードフレームの取り数を向上することができる。
（５）平面視において、製品の配列方向（第１方向）における平坦面の長さ（Ｌ１３）は、第１方向における第１および第２中間封止体の長さ（Ｌ１１，Ｌ１２）よりも長い。また、第１方向における第１中間封止体の長さ（Ｌ１１）と第２中間封止体の長さ（Ｌ１２）とは等しい（Ｌ１１＝Ｌ１２）。
（６）平面視において、第１方向と直交する第２方向における平坦面の長さ（Ｌ２３）は、第２方向における第１および第２中間封止体の長さ（Ｌ２１，Ｌ２２）よりも短い。また、第２方向における第１中間封止体の長さ（Ｌ２１）と第２中間封止体の長さ（Ｌ２２）とは等しい（Ｌ２１＝Ｌ２２）。
（７）平面視において、平坦面の面積（Ｓ３）は、第１および第２中間封止体の面積（Ｓ１，Ｓ２）よりも大きい。
【００４９】
≪モールド後ベーク工程≫
次に、複数の樹脂封止体ＭＯが形成されたリードフレームＬＦに対して、アニール処理（またはベーク処理、アフターキュアとも言う）を施す。アニール処理は、例えば温度１６０℃〜１９０℃程度の温度で約７時間程度行う。この熱処理により、樹脂封止体ＭＯの更なる硬化促進を行い、リードフレームＬＦへの密着性等を向上させる。
【００５０】
≪タイバーカット工程≫
次に、切断装置を用いて複数のリードの間に設置されたタイバーＴＢを切断する。
【００５１】
≪マーク工程≫
次に、図８（ａ）および（ｂ）に示すように、レーザーを用いて樹脂封止体ＭＯの表面に品名などを捺印する。
【００５２】
≪バリ取り工程≫
次に、樹脂封止体ＭＯから余分な樹脂バリを除去する。モールド工程の際、下金型ＭＤａと上金型ＭＤｂとの間に樹脂が洩れることのないように、リードフレームＬＦを下金型ＭＤａと上金型ＭＤｂでクランプするが、それでも一部に樹脂が洩れて樹脂バリが形成される。そこで、余分な樹脂バリはここで除去される。
【００５３】
≪めっき工程≫
次に、リードフレームＬＦにめっき処理を施す。これにより、樹脂封止されていないリードフレームＬＦの第１面および第２面に、例えば厚さ１０μｍ以下の錫（Ｓｎ）、錫−銀（Ｓｎ−Ａｇ）系合金、錫−銅（Ｓｎ−Ｃｕ）系合金、錫−ビスマス（Ｓｎ−Ｂｉ）系合金、または錫−鉛（Ｓｎ−Ｐｂ）系合金からなるめっき膜を形成する。
【００５４】
≪リード切断工程≫
次に、図９Ａ（ａ）および（ｂ）に示すように、切断装置を用いてリードＬＥ、中間封止体ＣＯＡ、および吊りリードＨＬを切断して、リードフレームＬＦの本体から個々の半導体装置ＳＤに切り分ける。
【００５５】
切断時には、例えば切断装置に備わるダイ（または金型の受け台とも言う）上にリードフレームＬＦを置いて、まず、リードＬＥを切断し、その後、吊りリードＨＬを切断する。吊りリードＨＬは、タブＤＰおよび樹脂封止体ＭＯを吊っているので、リードＬＥを切断した段階では、樹脂封止体ＭＯはリードフレームＬＦの本体から分離されず、吊りリードＨＬを切断した段階で、樹脂封止体ＭＯはリードフレームＬＦの本体から分離される。
【００５６】
このときリードＬＥは、リードフレームＬＦの第２面側から第１面側に向かって切断装置に備わる切断パンチ（または切断刃、切り刃とも言う）を進行させて、切断される。こうすることで、切断時の金属バリがリードＬＥの表面側を向いて形成されるので、半導体装置ＳＤを実装する際に、金属バリが基板パッドとリードＬＥとを浮かしてしまう、いわゆる実装不良の発生を防止することができる。
【００５７】
また、吊りリードＨＬは、リードフレームＬＦの第１面側から第２面側に向かって、切断パンチを進行させて、切断される。この際、リードフレームＬＦの第１面側に形成された中間封止体ＣＯＡの第３中間封止体ＣＯＡ３の平坦面ＦＳ３に切断パンチを打ち下ろすことにより、吊りリードＨＬは切断される。
【００５８】
これにより、樹脂封止体ＭＯの一の側面、および一の側面と反対側の他の側面からそれぞれ複数のリードＬＥが突出する。さらに、図９Ｂ（ａ）に示すように、複数のリードＬＥが突出していない２つの側面には、吊りリードＨＬの切断面が露出する。そして、吊りリードＨＬの切断面の上には、中間封止体ＣＯＡの切断面が露出する。
【００５９】
図９Ｂ（ｂ）に示すように、切断時には、リードフレームＬＦの第１面側に形成された中間封止体ＣＯＡの第３中間封止体ＣＯＡ３の平坦面ＦＳ３に切断パンチＣＰを打ち下ろすことにより、中間封止体ＣＯＡは樹脂封止体ＭＯから切り離される。この際、樹脂封止体ＭＯに繋がる第１中間封止体ＣＯＡ１および第２中間封止体ＣＯＡ２の厚さは、例えば０．１ｍｍ程度と薄いことから、樹脂封止体ＭＯと中間封止体ＣＯＡとの境界近辺に加わる応力が低減されて、樹脂封止体ＭＯに欠けが発生しにくくなる。また、第１中間封止体ＣＯＡ１と第２中間封止体ＣＯＡ２との間に位置し、切断パンチＣＰが押圧される第３中間封止体ＣＯＡ３の上面は平坦面ＦＳ３であるので、切断パンチＣＰの力が安定して均一に第３中間封止体ＣＯＡ３に加わる。これにより、樹脂封止体ＭＯに欠けを発生することなく、再現性良く、中間封止体ＣＯＡおよび吊りリードＨＬを除去することができる。
【００６０】
なお、第３中間封止体ＣＯＡ３の厚さも第１中間封止体ＣＯＡ１および第２中間封止体ＣＯＡ２の厚さと同じにすることにより、樹脂封止体ＭＯの欠けの発生を抑制する考え方もある。しかし、上金型ＭＤｂの中間ゲートＧＡの全体の高さが低くなることにより、樹脂が複数のキャビティＣＶａ，ＣＶｂ内を流れにくくなり、導電性ワイヤＣＷの変形、未注入部分の発生、およびボイドの発生などの問題が生じやすくなる。そのため、中間封止体ＣＯＡの全体の厚さを薄くするのではなく、中間封止体ＣＯＡの第１中間封止体ＣＯＡ１および第２中間封止体ＣＯＡ２の厚さを第３中間封止体ＣＯＡ３の厚さよりも薄くなるように形成することが大事な点である。
【００６１】
≪リード成形工程≫
次に、図１０（ａ）および（ｂ）に示すように、成形金型により樹脂封止体ＭＯから露出しているリードＬＥを所定の形状、例えばガルウイング形状に成形する。
【００６２】
上記説明では、めっき工程、リード切断工程、リード成形工程の順に半導体装置ＳＤの製造を行っているが、リード切断工程の後に、めっき工程およびリード成形工程を順に行ってもよい。
【００６３】
≪検査工程≫
次に、半導体装置ＳＤを、製品規格に応じた電気的検査や外観検査などのテスト工程を経て良品と不良品とに選別する。
【００６４】
≪出荷工程≫
次に、良品と判定された半導体装置ＳＤを製品規格に沿って選別し、さらに最終外観検査を行った後、出荷される。
【００６５】
このように、一実施の形態によれば、樹脂封止体ＭＯに繋がる中間封止体ＣＯＡの両端部である第１中間封止体ＣＯＡ１および第２中間封止体ＣＯＡ２の厚さを第３中間封止体ＣＯＡ３の厚さよりも薄くすることにより、リード切断工程において、樹脂封止体ＭＯと中間封止体ＣＯＡの境界近辺に加わる応力が低減されて、樹脂封止体ＭＯに欠けが発生しにくくなる。また、第１中間封止体ＣＯＡ１と第２中間封止体ＣＯＡ２との間に位置し、切断パンチが押圧される第３中間封止体ＣＯＡ３の上面は平坦面ＦＳ３であるので、切断パンチの力が安定して均一に第３中間封止体ＣＯＡ３に加わる。これにより、樹脂封止体ＭＯに欠けを発生させることなく、再現性良く、中間封止体ＣＯＡを除去することができる。
【００６６】
（第１変形例）
第１変形例による成形金型を用いた実施の形態について図１１〜図１３を用いて説明する。図１１（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）はそれぞれモールド工程におけるモールディング装置に備わる成形金型の上金型の内壁面の一部を拡大して示す要部平面図、下金型の内壁面の一部を拡大して示す要部平面図、およびリードフレームを挟む上金型と下金型との一部を拡大して示す要部断面図である。図１２（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）はそれぞれモールド工程における樹脂封止体と中間封止体の要部側面図、モールド工程におけるリードフレームの第２面側から見た樹脂封止体と中間封止体の要部平面図、およびリード切断工程における吊りリードの切断面側から見た半導体装置を示す要部側面図である。図１３（ａ）および（ｂ）はそれぞれ成形金型の中間ゲートをリードフレームの第１面側に設けた場合の封止樹脂の充填状態を説明する半導体装置の要部断面図、および成形金型の中間ゲートをリードフレームの第２面側に設けた場合の封止樹脂の充填状態を説明する半導体装置の要部断面図である。
【００６７】
図１１（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）に示すように、前述した実施の形態と同様に、第１変形例による成形金型は、下金型ＭＤａと上金型ＭＤｂとを有しており、下金型ＭＤａおよび上金型ＭＤｂには、それぞれキャビティＣＶａおよびキャビティＣＶｂが複数形成されている。
【００６８】
第１変形例による成形金型では、下金型ＭＤａに、同一方向に配置された複数個のキャビティＣＶａを直列に接続するように、隣り合うキャビティＣＶａを繋いで、樹脂を流す通路となる中間ゲートＧＢが形成されている。そして、中間ゲートＧＢは、一のパッケージ領域を構成するキャビティＣＶａに繋がる第１中間ゲートＧＢ１と、一のパッケージ領域と隣り合う他のパッケージ領域を構成するキャビティＣＶａに繋がる第２中間ゲートＧＢ２と、第１中間ゲートＧＢ１と第２中間ゲートＧＢ２との間に配置された第３中間ゲートＧＢ３とを有している。
【００６９】
また、第１中間ゲートＧＢ１、第２中間ゲートＧＢ２、および第３中間ゲートＧＢ３のそれぞれの底面は平坦部を有しており、下金型ＭＤａとリードフレームＬＦとの接触面ＦＣａから第３中間ゲートＧＢ３の底面の平坦部までの高さＨＢ３は、上記接触面ＦＣａから第１中間ゲートＧＢ１の底面の平坦部までの高さＨＢ１および第２中間ゲートＧＢ２の底面の平坦部までの高さＨＢ２よりも高い。上記高さＨＢ３は、例えば０．２ｍｍ程度であり、上記高さＨＢ１および高さＨＢ２は、例えば０．１ｍｍ程度である。
【００７０】
従って、図１２（ａ）および（ｂ）に示すように、成形金型に樹脂を流し込むことにより、樹脂封止体ＭＯおよび中間封止体ＣＯＢが形成されるが、樹脂封止体ＭＯは、リードフレームＬＦの第１面側と第２面側に形成され、中間封止体ＣＯＢは、リードフレームＬＦの第２面側に形成される。そして、中間封止体ＣＯＢは、第１中間ゲートＧＢ１により形成された第１中間封止体ＣＯＢ１、第２中間ゲートＧＢ２により形成された第２中間封止体ＣＯＢ２、および第３中間ゲートＧＢ３により形成された第３中間封止体ＣＯＢ３を有する。
【００７１】
その後、リード切断工程において、リードフレームＬＦおよび中間封止体ＣＯＢに切断装置に備わる切断パンチが押圧されて、リードフレームＬＦの本体から各半導体装置が切り離される。
【００７２】
切断時には、まず、リードＬＥを切断し、その後、吊りリードＨＬを切断する。このときリードＬＥは、リードフレームＬＦの第２面側から第１面側に向かって切断装置に備わる切断パンチを進行させて、切断される。
【００７３】
また、吊りリードＨＬは、リードフレームＬＦの第２面側から第１面側に向かって、切断パンチを進行させて、切断される。この際、リードフレームＬＦの第２面側に形成された中間封止体ＣＯＢの第３中間封止体ＣＯＢ３の平坦面に切断パンチの先端面を打ち下ろすことにより、吊りリードＨＬは切断される。
【００７４】
図１２（ｃ）に示すように、切断後の個々の樹脂封止体ＭＯでは、複数のリードＬＥが突出していない２つの側面に吊りリードＨＬの切断面が露出する。そして、吊りリードＨＬの切断面の下には、中間封止体ＣＯＢの切断面が露出する。
【００７５】
樹脂封止体ＭＯに繋がる第１中間封止体ＣＯＢ１および第２中間封止体ＣＯＢ２の厚さは、例えば０．１ｍｍ程度と薄いことから、切断時には、樹脂封止体ＭＯと中間封止体ＣＯＡの境界近辺に加わる応力が低減されて、樹脂封止体ＭＯに欠けが発生しにくくなる。
【００７６】
さらに、第１変形例による成形金型を用いた効果としては、樹脂封止体ＭＯに欠けの発生の低減に加えて、樹脂封止体ＭＯ内のボイドの発生を抑制できる効果がある。
【００７７】
図１３（ａ）に示すように、上金型ＭＤｂに中間ゲートＧＡを形成した場合は、リードフレームＬＦの第１面側から樹脂がキャビティＣＶａ，ＣＶｂに注入される。そのため、ダイパッドＤＰがリードＬＥよりも低い位置にあるリードフレームＬＦでは、ダイパッドＤＰのチップ搭載面と反対側の裏面側に樹脂を十分に充填することができずに、ボイドＢＯが発生することがある。しかし、図１３（ｂ）に示すように、下金型ＭＤａに中間ゲートＧＢを形成した場合は、リードフレームＬＦの第２面側から樹脂がキャビティＣＶａ，ＣＶｂに注入されるため、ダイパッドＤＰのチップ搭載面と反対側の裏面側にも樹脂を充填しやすくなる。
【００７８】
（第２変形例）
第２変形例による成形金型を用いた実施の形態について図１４〜図１５Ｂを用いて説明する。図１４（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）はそれぞれモールド工程におけるモールディング装置に備わる成形金型の上金型の内壁面の一部を拡大して示す要部平面図、下金型の内壁面の一部を拡大して示す要部平面図、およびリードフレームを挟む上金型と下金型との一部を拡大して示す要部断面図である。図１５Ａ（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）はそれぞれモールド工程における樹脂封止体と中間封止体の要部側面図、モールド工程におけるリードフレームの第１面側から見た樹脂封止体と中間封止体の要部平面図、およびモールド工程におけるリードフレームの第２面側から見た樹脂封止体と中間封止体の要部平面図である。図１５Ｂはリード切断工程における吊りリードの切断面側から見た半導体装置を示す要部側面図である。
【００７９】
図１４（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）に示すように、前述した実施の形態と同様に、第２変形例による成形金型は、下金型ＭＤａと上金型ＭＤｂとを有しており、下金型ＭＤａおよび上金型ＭＤｂには、それぞれキャビティＣＶａおよびキャビティＣＶｂが複数形成されている。
【００８０】
第２変形例による成形金型では、下金型ＭＤａに、同一方向に配置された複数個のキャビティＣＶａを直列に接続するように、隣り合うキャビティＣＶａを繋いで、樹脂を流す通路となる中間ゲートＧＣａが形成されている。同様に、上金型ＭＤｂに、同一方向に配置された複数個のキャビティＣＶｂを直列に接続するように、隣り合うキャビティＣＶｂを繋いで、樹脂を流す通路となる中間ゲートＧＣｂが形成されている。
【００８１】
そして、下金型ＭＤａの中間ゲートＧＣａは、一のパッケージ領域を構成するキャビティＣＶａに繋がる第１中間ゲートＧＣａ１と、一のパッケージ領域と隣り合う他のパッケージ領域を構成するキャビティＣＶａに繋がる第２中間ゲートＧＣａ２と、第１中間ゲートＧＣａ１と第２中間ゲートＧＣａ２との間に配置された第３中間ゲートＧＣａ３とを有している。同様に、上金型ＭＤｂの中間ゲートＧＣｂは、一のパッケージ領域を構成するキャビティＣＶｂに繋がる第１中間ゲートＧＣｂ１と、一のパッケージ領域と隣り合う他のパッケージ領域を構成するキャビティＣＶｂに繋がる第２中間ゲートＧＣｂ２と、第１中間ゲートＧＣｂ１と第２中間ゲートＧＣｂ２との間に配置された第３中間ゲートＧＣｂ３とを有している。
【００８２】
また、下金型ＭＤａの第１中間ゲートＧＣａ１、第２中間ゲートＧＣａ２、および第３中間ゲートＧＣａ３のそれぞれの底面は平坦部を有しており、下金型ＭＤａとリードフレームＬＦとの接触面ＦＣａから第３中間ゲートＧＣａ３の底面の平坦部までの高さＨＣａ３は、上記接触面ＦＣａから第１中間ゲートＧＣａ１の底面の平坦部までの高さＨＣａ１および第２中間ゲートＧＣａ２の底面の平坦部での高さＨＣａ２よりも高い。上記高さＨＣａ３は、例えば０．２ｍｍ程度であり、上記高さＨＣａ１および高さＨＣａ２は、例えば０．１ｍｍ程度である。
【００８３】
同様に、上金型ＭＤｂの第１中間ゲートＧＣｂ１、第２中間ゲートＧＣｂ２、および第３中間ゲートＧＣｂ３のそれぞれの底面は平坦部を有しており、上金型ＭＤｂとリードフレームＬＦとの接触面ＦＣｂから第３中間ゲートＧＣｂ３の底面の平坦部までの高さＨＣｂ３は、上記接触面から第１中間ゲートＧＣｂ１の底面の平坦部までの高さＨＣｂ１および第２中間ゲートＧＣｂ２の底面の平坦部までの高さＨＣｂ２よりも高い。上記高さＨＣｂ３は、例えば０．２ｍｍ程度であり、上記高さＨＣｂ１および高さＨＣｂ２は、例えば０．１ｍｍ程度である。
【００８４】
従って、図１５Ａ（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）に示すように、成形金型に樹脂を流し込むことにより、中間封止体ＣＯＣは、リードフレームＬＦの第１面側と第２面側に形成される。そして、中間封止体ＣＯＣは、第１中間ゲートＧＣａ１，ＧＣｂ１により形成された第１中間封止体ＣＯＣ１、第２中間ゲートＧＣａ２，ＧＣｂ２により形成された第２中間封止体ＣＯＣ２、および第３中間ゲートＧＣａ３，ＧＣｂ３により形成された第３中間封止体ＣＯＣ３を有する。
【００８５】
その後、リード切断工程において、リードフレームＬＦおよび中間封止体ＣＯＣに切断装置に備わる切断パンチが押圧されて、リードフレームＬＦの本体から各半導体装置が切り離される。
【００８６】
切断時には、まず、リードＬＥを切断し、その後、吊りリードＨＬを切断する。このときリードＬＥは、リードフレームＬＦの第２面側から第１面側に向かって切断装置に備わる切断パンチを進行させて、切断される。
【００８７】
また、吊りリードＨＬは、リードフレームＬＦの第１面側から第２面側に向かって、またはリードフレームＬＦの第２面側から第１面側に向かって、切断パンチを進行させて、切断される。この際、リードフレームＬＦの第１面側または第２面側に形成された中間封止体ＣＯＣの第３中間封止体ＣＯＣ３の平坦面に切断パンチの先端面を打ち下ろすことにより、吊りリードＨＬは切断される。
【００８８】
図１５Ｂに示すように、切断後の個々の樹脂封止体ＭＯでは、複数のリードＬＥが突出していない２つの側面に吊りリードＨＬの切断面が露出する。そして、吊りリードＨＬの切断面の周囲には、中間封止体ＣＯＣの切断面が露出する。
【００８９】
樹脂封止体ＭＯに繋がる第１中間封止体ＣＯＣ１および第２中間封止体ＣＯＣ２の厚さは、切断パンチが押圧される第３中間封止体ＣＯＣ３の厚さの約半分となることから、切断時における樹脂封止体ＭＯの欠けの発生を低減することができる。また、第２変形例による成形金型では、下金型ＭＤａと上金型ＭＤｂとに、それぞれ樹脂を流す通路となる中間ゲートＧＣａ，ＧＣｂが形成されているので、前述した第１変形例に比べて、樹脂充填性が向上する。
【００９０】
（第３変形例）
第３変形例による成形金型を用いた実施の形態について図１６および図１７を用いて説明する。図１６（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）はそれぞれモールド工程におけるモールディング装置に備わる成形金型の上金型の内壁面の一部を拡大して示す要部平面図、下金型の内壁面の一部を拡大して示す要部平面図、およびリードフレームを挟む上金型と下金型との一部を拡大して示す要部断面図である。図１７（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）はそれぞれモールド工程における樹脂封止体と中間封止体の要部側面図、モールド工程におけるリードフレームの第２面側から見た樹脂封止体と中間封止体の要部平面図、およびリード切断工程における吊りリードの切断面側から見た半導体装置を示す要部側面図である。
【００９１】
図１６（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）に示すように、前述した実施の形態と同様に、第３変形例による成形金型は、下金型ＭＤａと上金型ＭＤｂとを有しており、下金型ＭＤａおよび上金型ＭＤｂには、それぞれキャビティＣＶａおよびキャビティＣＶｂが複数形成されている。
【００９２】
第３変形例による成形金型では、下金型ＭＤａに、同一方向に配置された複数個のキャビティＣＶａを直列に接続するように、隣り合うキャビティＣＶａを繋いで、樹脂を流す通路となる中間ゲートＧＤａが形成されている。さらに、上金型ＭＤｂに、同一方向に配置された複数個のキャビティＣＶｂを直列に接続するように、隣り合うキャビティＣＶｂを繋いで、樹脂を流す通路となる中間ゲートＧＤｂが形成されている。
【００９３】
そして、下金型ＭＤａの中間ゲートＧＤａは、一のパッケージ領域を構成するキャビティＣＶａに繋がる第１中間ゲートＧＤａ１と、一のパッケージ領域と隣り合う他のパッケージ領域を構成するキャビティＣＶａに繋がる第２中間ゲートＧＤａ２と、第１中間ゲートＧＤａ１と第２中間ゲートＧＤａ２との間に配置された第３中間ゲートＧＤａ３とを有している。
【００９４】
また、下金型ＭＤａの第１中間ゲートＧＤａ１、第２中間ゲートＧＤａ２、および第３中間ゲートＧＤａ３のそれぞれの底面は平坦部を有しており、下金型ＭＤａとリードフレームＬＦとの接触面ＦＣａから第３中間ゲートＧＤａ３の底面の平坦部までの高さＨＤａ３は、上記接触面から第１中間ゲートＧＤａ１の底面の平坦部までの高さＨＤａ１および第２中間ゲートＧＤａ２の底面の平坦部までの高さＨＤａ２よりも高い。上記高さＨＤａ３は、例えば０．２ｍｍ程度であり、上記高さＨＤａ１および高さＨＤａ２は、例えば０．１ｍｍ程度である。
【００９５】
一方、上金型ＭＤｂの中間ゲートＧＤｂの底面は平坦部を有しており、上金型ＭＤｂとリードフレームＬＦとの接触面ＦＣｂから中間ゲートＧＤｂの底面の平坦部までの高さＨＤｂは一定である。上金型ＭＤｂとリードフレームＬＦとの接触面ＦＣｂから中間ゲートＧＤｂの底面の平坦部までの高さＨＤｂは、例えば０．１ｍｍ程度である。
【００９６】
従って、図１７（ａ）および（ｂ）に示すように、成形金型に樹脂を流し込むことにより、中間封止体ＣＯＤは、リードフレームＬＦの第１面側と第２面側に形成される。そして、中間封止体ＣＯＤは、第１中間ゲートＧＤａ１および中間ゲートＧＤｂにより形成された第１中間封止体ＣＯＤ１、第２中間ゲートＧＤａ２および中間ゲートＧＤｂにより形成された第２中間封止体ＣＯＤ２、ならびに第３中間ゲートＧＤａ３および中間ゲートＧＤｂにより形成された第３中間封止体ＣＯＤ３を有する。
【００９７】
その後、リード切断工程において、リードフレームＬＦおよび中間封止体ＣＯＤに切断装置に備わる切断パンチが押圧されて、リードフレームＬＦの本体から各半導体装置が切り離される。
【００９８】
切断時には、まず、リードＬＥを切断し、その後、吊りリードＨＬを切断する。このときリードＬＥは、リードフレームＬＦの第２面側から第１面側に向かって切断装置に備わる切断パンチを進行させて、切断される。
【００９９】
また、吊りリードＨＬは、リードフレームＬＦの第１面側から第２面側に向かって、またはリードフレームＬＦの第２面側から第１面側に向かって、切断パンチを進行させて、切断される。このうち、リードフレームＬＦの第２面側から第１面側に向かって、切断パンチを進行させる際には、リードフレームＬＦの第２面側に形成された中間封止体ＣＯＤの第３中間封止体ＣＯＤ３の平坦面に切断パンチの先端面を打ち下ろすことにより、吊りリードＨＬは切断される。
【０１００】
図１７（ｃ）に示すように、切断後の個々の樹脂封止体ＭＯでは、複数のリードＬＥが突出していない２つの側面に吊りリードＨＬの切断面が露出する。そして、吊りリードＨＬの切断面の周囲には、中間封止体ＣＯＤの切断面が露出する。
【０１０１】
第１中間封止体ＣＯＤ１および第２中間封止体ＣＯＤ２の厚さは、切断パンチが押圧される第３中間封止体ＣＯＤ３の厚さよりも薄くなることから、切断時における樹脂封止体ＭＯの欠けの発生を低減することができる。また、上金型ＭＤｂの中間ゲートＧＤｂを流れる樹脂の速度が、下金型ＭＤａの中間ゲートＧＤａを流れる樹脂の速度よりも遅くなるので、導電性ワイヤを細線化したときの導電性ワイヤの流れを抑制することができる。
【０１０２】
（第４変形例）
第４変形例による成形金型を用いた実施の形態について図１８〜図２１を用いて説明する。図１８（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）はそれぞれモールド工程におけるモールディング装置に備わる成形金型の上金型の内壁面の一部を拡大して示す要部平面図、下金型の内壁面の一部を拡大して示す要部平面図、およびリードフレームを挟む上金型と下金型との一部を拡大して示す要部断面図である。図１９（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）はそれぞれモールド工程における樹脂封止体と中間封止体の要部側面図、モールド工程におけるリードフレームの第２面側から見た樹脂封止体と中間封止体の要部平面図、およびリード切断工程における吊りリードの切断面側から見た半導体装置を示す要部側面図である。
【０１０３】
図２０はリード切断工程において、樹脂封止体に欠けが生じやすい場合の中間封止体およびリードフレームのリードの切断状態を説明する断面図である。図２１はリード切断工程において、樹脂封止体に欠けが生じにくい場合の中間封止体およびリードフレームのリードの切断状態を説明する断面図である。
【０１０４】
図１８（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）に示すように、前述した実施の形態と同様に、第４変形例による成形金型は、下金型ＭＤａと上金型ＭＤｂとを有しており、下金型ＭＤａおよび上金型ＭＤｂには、それぞれキャビティＣＶａおよびキャビティＣＶｂが複数形成されている。
【０１０５】
第４変形例による成形金型では、前述した第３変形例と同様に、下金型ＭＤａに、同一方向に配置された複数個のキャビティＣＶａを直列に接続するように、隣り合うキャビティＣＶａを繋いで、樹脂を流す通路となる中間ゲートＧＥａが形成されている。さらに、上金型ＭＤｂに、同一方向に配置された複数個のキャビティＣＶｂを直列に接続するように、隣り合うキャビティＣＶｂを繋いで、樹脂を流す通路となる中間ゲートＧＥｂが形成されている。
【０１０６】
そして、中間ゲートＧＥａは、一のパッケージ領域を構成するキャビティＣＶａに繋がる第１中間ゲートＧＥａ１と、一のパッケージ領域と隣り合う他のパッケージ領域を構成するキャビティＣＶａに繋がる第２中間ゲートＧＥａ２と、第１中間ゲートＧＥａ１と第２中間ゲートＧＥａ２との間に配置された第３中間ゲートＧＥａ３とを有している。
【０１０７】
前述した第３変形例との相違点は、上金型ＭＤｂの中間ゲートＧＥｂの形状であり、上金型ＭＤｂとリードフレームＬＦとの接触面ＦＣｂから第３中間ゲートＧＥｂの底面の平坦部までの高さＨＥｂである。すなわち、前述した第３変形例では、上金型ＭＤｂとリードフレームＬＦとの接触面ＦＣｂから第３中間ゲートＧＤｂの底面の平坦部までの高さＨＤｂは、例えば０．１ｍｍとしたが、第４変形例では、上金型ＭＤｂとリードフレームＬＦとの接触面ＦＣｂから第３中間ゲートＧＥｂの底面の平坦部までの高さＨＥｂは、上記高さＨＤｂより高く、例えば０．２ｍｍである。
【０１０８】
従って、図１９（ａ）および（ｂ）に示すように、成形金型に樹脂を流し込むことにより、中間封止体ＣＯＥは、リードフレームＬＦの第１面側と第２面側に形成される。そして、中間封止体ＣＯＥは、第１中間ゲートＧＥａ１および中間ゲートＧＥｂにより形成された第１中間封止体ＣＯＥ１、第２中間ゲートＧＥａ２および中間ゲートＧＥｂにより形成された第２中間封止体ＣＯＥ２、ならびに第３中間ゲートＧＥａ３および中間ゲートＧＥｂにより形成された第３中間封止体ＣＯＥ３を有する。
【０１０９】
その後、リード切断工程において、リードフレームＬＦおよび中間封止体ＣＯＥに切断装置に備わる切断パンチが押圧されて、リードフレームＬＦの本体から各半導体装置が切り離される。
【０１１０】
切断時には、まず、リードＬＥを切断し、その後、吊りリードＨＬを切断する。このときリードＬＥは、リードフレームＬＦの第２面側から第１面側に向かって切断装置に備わる切断パンチを進行させて、切断される。
【０１１１】
また、吊りリードＨＬは、リードフレームＬＦの第１面側から第２面側に向かって、切断パンチを進行させて、切断される。この際、リードフレームＬＦの第１面側に形成された中間封止体ＣＯＥの平坦面に切断パンチの先端面を打ち下ろすことにより、吊りリードＨＬは切断される。
【０１１２】
図１９（ｃ）に示すように、切断後の個々の樹脂封止体ＭＯでは、複数のリードＬＥが突出していない２つの側面に吊りリードＨＬの切断面が露出する。そして、吊りリードＨＬの切断面の周囲には、中間封止体ＣＯＥの切断面が露出する。
【０１１３】
成形金型の中間ゲートの高さが低くなると、樹脂の注入効率が低減して、樹脂が充填されない部分が発生することが懸念される。そこで、第４変形例では、上金型ＭＤｂに形成される中間ゲートＧＥｂの高さを高くしている。中間ゲートＧＥｂの高さが高くなると、中間封止体ＣＯＥの厚さが厚くなるため、樹脂封止体ＭＯに欠けが生じやすくなるが、第４変形例では、リードフレームＬＦの第１面側の中間封止体ＣＯＥの厚さを厚くして、第２面側の中間封止体ＣＯＥの樹脂封止体ＭＯに繋がる第１中間封止体ＣＯＥ１および第２中間封止体ＣＯＥ２の厚さを薄くしているので、樹脂封止体ＣＯＥに欠けは生じにくい。以下に、その理由について具体的に説明する。
【０１１４】
図２０に、リードフレームＬＦの第１面側および第２面側の中間封止体の厚さをそれぞれ０．２ｍｍとした場合のリード切断の模式図を示す。リードフレームＬＦの第１面側から切断パンチが押圧される。リードフレームＬＦの第１面側に形成された中間封止体（以下、上面中間封止体と言う）ＵＣＯを打ち抜く際は、リードフレームＬＦおよびリードフレームＬＦの第２面側に形成された中間封止体（以下、下面中間封止体と言う）ＤＣＯに支えられるので、樹脂封止体ＭＯは欠けにくい。しかし、下面中間封止体ＤＣＯを打ち抜く際は、支えがないので、下面中間封止体ＤＣＯの厚さが厚いと樹脂封止体ＭＯが欠けやすい。
【０１１５】
しかし、第４変形例では、図２１に示すように、樹脂封止体ＭＯに繋がる下面中間封止体ＤＣＯの部分を薄くしているので、下面中間封止体ＤＣＯを打ち抜く際でも、樹脂封止体ＭＯに欠けが生じにくくなる。
【０１１６】
第１中間封止体ＣＯＥ１および第２中間封止体ＣＯＥ２の厚さは、切断パンチが押圧される第３中間封止体ＣＯＥ３の厚さよりも薄くなることから、切断時における樹脂封止体ＭＯの欠けの発生を低減することができる。
【０１１７】
（第５変形例）
第５変形例による成形金型を用いた実施の形態について図２２および図２３を用いて説明する。図２２（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）はそれぞれモールド工程におけるモールディング装置に備わる成形金型の上金型の内壁面の一部を拡大して示す要部平面図、下金型の内壁面の一部を拡大して示す要部平面図、およびリードフレームを挟む上金型と下金型との一部を拡大して示す要部断面図である。図２３（ａ）および（ｂ）はそれぞれモールド工程における樹脂封止体および中間封止体の要部側面図、およびリード切断工程における吊りリードの切断面側から見た半導体装置を示す要部側面図である。
【０１１８】
図２２（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）に示すように、前述した実施の形態と同様に、第５変形例による成形金型は、下金型ＭＤａと上金型ＭＤｂとを有しており、下金型ＭＤａおよび上金型ＭＤｂには、それぞれキャビティＣＶａおよびキャビティＣＶｂが複数形成されている。
【０１１９】
第５変形例による成形金型では、前述した第３変形例と同様に、下金型ＭＤａに、同一方向に配置された複数個のキャビティＣＶａを直列に接続するように、隣り合うキャビティＣＶａを繋いで、樹脂を流す通路となる中間ゲートＧＦａが形成されている。さらに、上金型ＭＤｂに、同一方向に配置された複数個のキャビティＣＶｂを直列に接続するように、隣り合うキャビティＣＶｂを繋いで、樹脂を流す通路となる中間ゲートＧＦｂが形成されている。
【０１２０】
そして、中間ゲートＧＦａは、一のパッケージ領域を構成するキャビティＣＶａに繋がる第１中間ゲートＧＦａ１と、一のパッケージ領域と隣り合う他のパッケージ領域を構成するキャビティＣＶａに繋がる第２中間ゲートＧＦａ２と、第１中間ゲートＧＦａ１と第２中間ゲートＧＦａ２との間に配置された第３中間ゲートＧＦａ３とを有している。
【０１２１】
前述した第３変形例との相違点は、下金型ＭＤａの中間ゲートＧＦａの形状である。すなわち、前述した第３変形例では、樹脂封止体ＭＯに繋がる第１中間ゲートＧＤａ１および第２中間ゲートＧＤａ２の底面に平坦部を有している。これに対して、第５変形例では、第１中間ゲートＧＦａ１および第２中間ゲートＧＦａ２の底面は傾斜しており、平坦部を有していない。すなわち、第３中間ゲートＧＦａ３の底面の平坦部からキャビティＣＶａに向かって、下金型ＭＤａとリードフレームＬＦとの接触面ＦＣａから第１中間ゲートＧＦａ１の底面までの高さ、および下金型ＭＤａとリードフレームＬＦとの接触面ＦＣａから第２中間ゲートＧＦａ２の底面までの高さが徐々に低くなっている。言い換えると、第１中間ゲートＧＦａ１および第２中間ゲートＧＦａ２の底面は、テーパ形状であり、隣り合うキャビティＣＶａを結ぶ線に沿った断面で中間ゲートＧＦａを見ると、中間ゲートＧＦａの底面は台形の形状を有している。
【０１２２】
下金型ＭＤａとリードフレームＬＦとの接触面ＦＣａから第３中間ゲートＧＦａ３の底面の平坦部までの高さＨＦａ３は、例えば０．２ｍｍである。下金型ＭＤａとリードフレームＬＦとの接触面ＦＣａから、第１中間ゲートＧＦａ１とキャビティＣＶａとの境部分までの高さＨＦａ１および第２中間ゲートＧＦａ２とキャビティＣＶａとの境界部分までの高さＨＦａ２は、例えば０．１ｍｍである。
【０１２３】
従って、図２３（ａ）に示すように、成形金型に樹脂を流し込むことにより、中間封止体ＣＯＦは、リードフレームＬＦの第１面側と第２面側に形成される。そして、中間封止体ＣＯＦは、第１中間ゲートＧＦａ１および中間ゲートＧＦｂにより形成された第１中間封止体ＣＯＦ１、第２中間ゲートＧＦａ２および中間ゲートＧＦｂにより形成された第２中間封止体ＣＯＦ２、ならびに第３中間ゲートＧＦａ３および中間ゲートＧＦｂにより形成された第３中間封止体ＣＯＦ３を有する。
【０１２４】
その後、リード切断工程において、リードフレームＬＦおよび中間封止体ＣＯＦに切断装置に備わる切断パンチが押圧されて、リードフレームＬＦの本体から各半導体装置が切り離される。
【０１２５】
切断時には、まず、リードＬＥを切断し、その後、吊りリードＨＬを切断する。このときリードＬＥは、リードフレームＬＦの第２面側から第１面側に向かって切断装置に備わる切断パンチを進行させて、切断される。
【０１２６】
また、吊りリードＨＬは、リードフレームＬＦの第１面側から第２面側に向かって、またはリードフレームＬＦの第２面側から第１面側に向かって、切断パンチを進行させて、切断される。このうち、リードフレームＬＦの第２面側から第１面側に向かって、切断パンチを進行させる際には、リードフレームＬＦの第２面側に形成された中間封止体ＣＯＦの第３中間封止体ＣＯＦ３の平坦面に切断パンチの先端面を打ち下ろすことにより、吊りリードＨＬは切断される。
【０１２７】
図２３（ｂ）に示すように、切断後の個々の樹脂封止体ＭＯでは、複数のリードＬＥが突出していない２つの側面に吊りリードＨＬの切断面が露出する。そして、吊りリードＨＬの切断面の周囲には、中間封止体ＣＯＦの切断面が露出する。
【０１２８】
樹脂封止体ＭＯと繋がる部分の第１中間封止体ＣＯＦ１および第２中間封止体ＣＯＦ２の厚さは、切断パンチが押圧される第３中間封止体ＣＯＦ３の厚さよりも薄くなることから、切断時における樹脂封止体ＭＯの欠けの発生を低減することができる。
【０１２９】
（第６変形例）
第６変形例による成形金型を用いた実施の形態について図２４および図２５を用いて説明する。図２４（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）はそれぞれモールド工程におけるモールディング装置に備わる成形金型の上金型の内壁面の一部を拡大して示す要部平面図、下金型の内壁面の一部を拡大して示す要部平面図、およびリードフレームを挟む上金型と下金型との一部を拡大して示す要部断面図である。図２５（ａ）および（ｂ）はそれぞれモールド工程における樹脂封止体および中間封止体の要部側面図、およびリード切断工程における吊りリードの切断面側から見た半導体装置を示す要部側面図である。
【０１３０】
図２４（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）に示すように、前述した実施の形態と同様に、第６変形例による成形金型は、下金型ＭＤａと上金型ＭＤｂとを有しており、下金型ＭＤａおよび上金型ＭＤｂには、それぞれキャビティＣＶａおよびキャビティＣＶｂが複数形成されている。
【０１３１】
第６変形例による成形金型では、前述した第３変形例と同様に、下金型ＭＤａに、同一方向に配置された複数個のキャビティＣＶａを直列に接続するように、隣り合うキャビティＣＶａを繋いで、樹脂を流す通路となる中間ゲートＧＧａが形成されている。さらに、上金型ＭＤｂに、同一方向に配置された複数個のキャビティＣＶｂを直列に接続するように、隣り合うキャビティＣＶｂを繋いで、樹脂を流す通路となる中間ゲートＧＧｂが形成されている。
【０１３２】
前述した第３変形例との相違点は、下金型ＭＤａの中間ゲートＧＧａの形状である。すなわち、前述した第３変形例では、下金型ＭＤａに、底面に平坦部を有する第３中間ゲートＧＤａ３が配置されていたが、第６変形例の下金型ＭＤａの中間ゲートＧＧａの底面は、上記第３中間ゲートＧＤａ３のような平坦部を有しておらず、傾斜している。すなわち、下金型ＭＤａの中間ゲートＧＧａは、隣り合うキャビティＣＶａの間の真ん中部分において、下金型ＭＤａとリードフレームＬＦとの接触面ＦＣａからその底面までの高さを最も高くしている。そして、この真ん中部分からキャビティＣＶａに向かって、下金型ＭＤａとリードフレームＬＦとの接触面ＦＣａから第１中間ゲートＧＧａ１の底面までの高さ、および下金型ＭＤａとリードフレームＬＦとの接触面ＦＣａから第２中間ゲートＧＧａ２の底面までの高さが徐々に低くなるっている。言い換えると、第１中間ゲートＧＧａ１および第２中間ゲートＧＧａ２の底面は、テーパ形状であり、隣り合うキャビティＣＶａを結ぶ線に沿った断面で中間ゲートＧＧａを見ると、中間ゲートＧＧａの底面は三角形の形状を有している。
【０１３３】
下金型ＭＤａとリードフレームＬＦとの接触面ＦＣａからから、隣り合うキャビティＣＶａの間の真ん中部分の底面までの高さＨＧａ３は、例えば０．２ｍｍである。下金型ＭＤａとリードフレームＬＦとの接触面ＦＣａから、第１中間ゲートＧＧａ１とキャビティＣＶａとの境部分までの高さＨＧａ１および第２中間ゲートＧＧａ２とキャビティＣＶａとの境界部分までの高さＨＧａ２は、例えば０．１ｍｍである。
【０１３４】
従って、図２５（ａ）に示すように、成形金型に樹脂を流し込むことにより、中間封止体ＣＯＧは、リードフレームＬＦの第１面側と第２面側に形成される。そして、中間封止体ＣＯＧは、第１中間ゲートＧＧａ１により形成された第１中間封止体ＣＯＧ１および第２中間ゲートＧＧａ２により形成された第２中間封止体ＣＯＧ２を有する。
【０１３５】
その後、リード切断工程において、リードフレームＬＦおよび中間封止体ＣＯＧに切断装置に備わる切断パンチが押圧されて、リードフレームＬＦの本体から各半導体装置が切り離される。
【０１３６】
切断時には、まず、リードＬＥを切断し、その後、吊りリードＨＬを切断する。このときリードＬＥは、リードフレームＬＦの第２面側から第１面側に向かって切断装置に備わる切断パンチを進行させて、切断される。
【０１３７】
また、吊りリードＨＬは、リードフレームＬＦの第１面側から第２面側に向かって、切断パンチを進行させて、切断される。この際、リードフレームＬＦの第１面側に形成された中間封止体ＣＯＧの平坦面に切断パンチの先端面を打ち下ろすことにより、吊りリードＨＬは切断される。
【０１３８】
図２５（ｂ）に示すように、切断後の個々の樹脂封止体ＭＯでは、複数のリードＬＥが突出していない２つの側面に吊りリードＨＬの切断面が露出する。そして、吊りリードＨＬの切断面の上および側面には、中間封止体ＣＯＧの切断面が露出する。
【０１３９】
樹脂封止体ＭＯと繋がる部分の中間封止体ＣＯＧの厚さは、切断パンチが押圧される中間封止体ＣＯＧの厚さよりも薄くなることから、切断時における樹脂封止体ＭＯの欠けの発生を低減することができる。
【０１４０】
なお、前述の特許文献（特開平０２−２４６３４９号公報）にも、樹脂の流れを案内するテーパ形状を有する中間ゲートが記載されている。しかし、このテーパー形状を有する中間ゲートが設けられた型装置を用いると、切断パンチが押圧するリードフレームＬＦの第１面側にテーパ形状の中間封止体が形成されることになる。従って、このテーパ形状の中間封止体に切断パンチが押圧されることになるため、切断パンチの中間封止体への当たりが不安定となり、中間封止体を再現性良く切断できない可能性がある。
【０１４１】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【符号の説明】
【０１４２】
ＢＯ  ボイド
ＣＶａ，ＣＶｂ  キャビティ
ＣＯＡ  中間封止体
ＣＯＡ１  第１中間封止体、ＣＯＡ２  第２中間封止体、ＣＯＡ３  第３中間封止体
ＣＯＢ  中間封止体
ＣＯＢ１  第１中間封止体、ＣＯＢ２  第２中間封止体、ＣＯＢ３  第３中間封止体
ＣＯＣ  中間封止体
ＣＯＣ１  第１中間封止体、ＣＯＣ２  第２中間封止体、ＣＯＣ３  第３中間封止体
ＣＯＤ  中間封止体
ＣＯＤ１  第１中間封止体、ＣＯＤ２  第２中間封止体、ＣＯＤ３  第３中間封止体
ＣＯＥ  中間封止体
ＣＯＥ１  第１中間封止体、ＣＯＥ２  第２中間封止体、ＣＯＥ３  第３中間封止体
ＣＯＦ  中間封止体
ＣＯＦ１  第１中間封止体、ＣＯＦ２  第２中間封止体、ＣＯＦ３  第３中間封止体
ＣＯＧ  中間封止体
ＣＯＧ１  第１中間封止体、ＣＯＧ２  第２中間封止体
ＣＰ  切断パンチ（切断刃、切り歯）
ＣＷ  導電性ワイヤ
ＤＣＯ  下面中間封止体
ＤＰ  ダイパッド（タブ、チップ搭載部）
ＦＣａ  下金型とリードフレームとの接触面
ＦＣｂ  上金型とリードフレームとの接触面
ＦＳ１，ＦＳ２，ＦＳ３  平坦面
ＧＡ  中間ゲート
ＧＡ１  第１中間ゲート、ＧＡ２  第２中間ゲート、ＧＡ３  第３中間ゲート
ＧＢ  中間ゲート
ＧＢ１  第１中間ゲート、ＧＢ２  第２中間ゲート、ＧＢ３  第３中間ゲート
ＧＣａ  中間ゲート
ＧＣａ１  第１中間ゲート、ＧＣａ２  第２中間ゲート、ＧＣａ３  第３中間ゲート
ＧＣｂ  中間ゲート
ＧＣｂ１  第１中間ゲート、ＧＣｂ２  第２中間ゲート、ＧＣｂ３  第３中間ゲート
ＧＤａ  中間ゲート
ＧＤａ１  第１中間ゲート、ＧＤａ２  第２中間ゲート、ＧＤａ３  第３中間ゲート
ＧＤｂ  中間ゲート
ＧＥａ  中間ゲート
ＧＥａ１  第１中間ゲート、ＧＥａ２  第２中間ゲート、ＧＥａ３  第３中間ゲート
ＧＥｂ  中間ゲート
ＧＦａ  中間ゲート
ＧＦａ１  第１中間ゲート、ＧＦａ２  第２中間ゲート、ＧＦａ３  第３中間ゲート
ＧＦｂ  中間ゲート
ＧＧａ  中間ゲート
ＧＧａ１  第１中間ゲート、ＧＧａ２  第２中間ゲート
ＧＧｂ  中間ゲート
ＨＡ１，ＨＡ２，ＨＡ３  高さ
ＨＢ１，ＨＢ２，ＨＢ３  高さ
ＨＣａ１，ＨＣａ２，ＨＣａ３，ＨＣｂ１，ＨＣｂ２，ＨＣｂ３  高さ
ＨＤａ１，ＨＤａ２，ＨＤａ３，ＨＤｂ  高さ
ＨＥｂ  高さ
ＨＦａ１，ＨＦａ２，ＨＦａ３  高さ
ＨＧａ１，ＨＧａ２，ＨＧａ３  高さ
ＨＬ  吊りリード
ＬＥ  リード（外部端子）
ＬＦ  リードフレーム（配線部材、配線板、基板）
ＬＨ  孔
ＭＤａ  下金型
ＭＤｂ  上金型
ＭＯ  樹脂封止体（封止体、パッケージ）
ＳＣ  半導体チップ
ＳＤ  半導体装置
ＳＦ  単位フレーム
ＴＢ  タイバー
ＵＣＯ  上面中間封止体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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