(57)【要約】      （修正有）【課題】信号の立ち上がり時間および立ち下がり時間を応答性よく調整可能な温度検出回路、温度補償回路およびバッファ回路を提供する【解決手段】温度検出回路７は、アノードが第１中間ノードに接続されて、カソードが第１基準電圧に設定される第１整流素子と、第１整流素子のアノードと第２基準電圧との間に任意の順序で直列接続される第１インピーダンス素子および第２整流素子と、アノードが第２中間ノードに接続されて、カソードが第１基準電圧に設定される第３整流素子と、第３整流素子のアノードと第２基準電圧との間に任意の順序で直列接続される第２インピーダンス素子および第４整流素子と、第１中間ノードおよび第２中間ノードの電位差に応じた差動信号を出力する差動増幅器と、を備える。差動増幅器から出力される差動信号の一方と他方とは、互いに逆の温度特性を持つ。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノードが第１中間ノードに接続されて、カソードが第１基準電圧に設定される第１整流素子と、
前記第１整流素子のアノードと第２基準電圧との間に任意の順序で直列接続される第１インピーダンス素子および第２整流素子と、
アノードが第２中間ノードに接続されて、カソードが前記第１基準電圧に設定される第３整流素子と、
前記第３整流素子のアノードと前記第２基準電圧との間に任意の順序で直列接続される第２インピーダンス素子および第４整流素子と、
前記第１中間ノードおよび前記第２中間ノードの電位差に応じた差動信号を出力する差動増幅器と、を備え、
前記差動増幅器から出力される前記差動信号の一方と他方とは、互いに逆の温度特性を持つことを特徴とする温度検出回路。
【請求項２】
前記第１整流素子のエリアファクタは、前記第２整流素子のエリアファクタよりも小さく設定され、
前記第３整流素子のエリアファクタは、前記第４整流素子のエリアファクタよりも大きく設定されることを特徴とする請求項１に記載の温度検出回路。
【請求項３】
前記第１インピーダンス素子のインピーダンス値が前記第２インピーダンス素子のインピーダンス値よりも小さい場合に、前記第１中間ノードと前記第２基準電圧との間に接続される第１分圧回路を備え、
前記差動増幅器は、前記第１分圧回路で分圧された第１分圧電圧と前記第２中間ノードの電圧との電位差に応じた前記差動信号を出力することを特徴とする請求項１または２に記載の温度検出回路。
【請求項４】
前記第２インピーダンス素子のインピーダンス値が前記第１インピーダンス素子のインピーダンス値よりも小さい場合に、前記第２中間ノードと前記第２基準電圧との間に接続される第２分圧回路を備え、
前記差動増幅器は、前記第２分圧回路で分圧された第２分圧電圧と前記第２中間ノードの電圧との電位差に応じた前記差動信号を出力することを特徴とする請求項１または２に記載の温度検出回路。
【請求項５】
前記第１中間ノードと前記第２基準電圧との間に接続される第１分圧回路と、
前記第２中間ノードと前記第２基準電圧との間に接続される第２分圧回路と、を備え、
前記差動増幅器は、前記第１分圧回路で分圧された第１分圧電圧と、前記第２分圧回路で分圧された第２分圧電圧との電位差に応じた前記差動信号を出力することを特徴とする請求項１または２に記載の温度検出回路。
【請求項６】
温度依存性を持っており、請求項１乃至５のいずれかに記載の温度検出回路内の前記差動信号の論理により入出力端子間を導通させるか否かを切り替えるトランスファゲートを備えることを特徴とする温度補償回路。
【請求項７】
出力端子から出力すべき信号をバッファリングするバッファ部を備え、
前記バッファ部の出力信号は、請求項６に記載の温度補償回路内の前記トランスファゲートに入力されることを特徴とするバッファ回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、温度検出回路、温度補償回路およびバッファ回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
１０ＭＨｚ以上のクロック信号に同期したデジタル信号を出力する半導体集積回路には、高速動作に対応した出力インターフェース回路を設けるのが一般的である。例えば、２６ＭＨｚのクロック信号に同期したデジタル信号の立上がり時間（以下ｔｒと呼称）と立下り時間（以下ｔｆと呼称）は、２〜６ｎｓ程度であることが求められる。ｔｒ、ｔｆに下限が設定される理由は、ノイズの発生を防止するためである。
【０００３】
よって、出力インターフェース回路の設計においては、所望のｔｒ、ｔｆが得られるように構成部品の回路定数が調整される。しかしながら、電源電圧変動や温度変動により、ｔｒとｔｆは変動するため、その調整は容易ではない。
【０００４】
従来の技術としては、電源変動や温度変動の影響を受けないバンドギャップリファレンス回路（以下ＢＧＲ回路と呼称）の出力電位を基準電位として、ｔｒ、ｔｆの調整を行う手法がある。ところが、ＢＧＲ回路は応答性があまりよくないことから、電源電圧が低く、かつ、電源投入直後に高速データの出力が要求されるような集積回路の場合、ＢＧＲ回路の応答速度が出力データのタイミングに追いつかないという問題が生じる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−３４７７８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の実施形態は、信号の立ち上がり時間および立ち下がり時間を応答性よく調整可能な温度検出回路、温度補償回路およびバッファ回路を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本実施形態では、アノードが第１中間ノードに接続されて、カソードが第１基準電圧に設定される第１整流素子と、
前記第１整流素子のアノードと第２基準電圧との間に任意の順序で直列接続される第１インピーダンス素子および第２整流素子と、
アノードが第２中間ノードに接続されて、カソードが前記第１基準電圧に設定される第３整流素子と、
前記第３整流素子のアノードと前記第２基準電圧との間に任意の順序で直列接続される第２インピーダンス素子および第４整流素子と、
前記第１中間ノードおよび前記第２中間ノードの電位差に応じた差動信号を出力する差動増幅器と、を備え、
前記差動増幅器から出力される前記差動信号の一方と他方とは、互いに逆の温度特性を持つことを特徴とする温度検出回路が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態に係る温度検出回路、温度補償回路およびバッファ回路を内蔵する半導体集積回路１の概略構成を示すブロック図。
【図２】可変出力抵抗６の内部構成の一例を示す回路図。
【図３】温度検出回路７の第１例を示す回路図。
【図４】図３の温度検出回路７から出力される差動信号cont，cont/の温度依存性を示すグラフ。
【図５】温度検出回路７が図４のような差動信号cont，cont/を出力する場合の半導体集積回路１の出力端子ＯＵＴから出力される出力信号の立ち上がり時間ｔｒと立ち下がり時間ｔｆの温度依存性を示すグラフ。
【図６】抵抗Ｒ３，Ｒ４を省略した温度検出回路７の第２例を示す回路図。
【図７】温度検出部１１の第３例の回路図。
【図８】温度検出部１１の第４例の回路図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。
【００１０】
図１は本発明の一実施形態に係る温度検出回路、温度補償回路およびバッファ回路を内蔵する半導体集積回路１の概略構成を示すブロック図である。
【００１１】
図１の半導体集積回路１は、内部回路２と、出力バッファ３とを備えている。出力バッファ３は、内部回路２の出力信号をバッファリングして出力端子ＯＵＴから外部に出力する。内部回路２の具体的な回路構成は問わない。例えば、内部回路２は、種々の論理演算を行う論理ゲートやフリップフロップ等の組合せ回路により構成される。内部回路２が複数の出力信号を出力する場合は、各出力信号ごとに出力バッファ３を設ければよい。
【００１２】
出力バッファ３は、バッファ部４と、温度補償回路５とを有する。温度補償回路５はさらに、可変出力抵抗６と、温度検出回路７とを有する。
【００１３】
バッファ部４は、内部回路２の出力信号をバッファリングして可変出力抵抗６の一端に供給する。可変出力抵抗６は、バッファ部４の出力ノードと出力端子ＯＵＴとの間に介装されており、温度検出回路７の出力信号に応じて抵抗値を調整する。本実施形態では、後述するように、出力端子ＯＵＴから出力される出力信号の立ち上がり時間ｔｒと立ち下がり時間ｔｆが温度によらず所定の時間範囲内に収まるように、温度検出回路７により可変出力抵抗６の抵抗値を制御する。
【００１４】
図２は可変出力抵抗６の内部構成の一例を示す回路図である。図２の可変出力抵抗６は、バッファ部４の出力ノードと出力端子ＯＵＴとの間に介装される抵抗Ｒout1と、この抵抗Ｒout1に並列接続されるトランスファゲート８とを有する。トランスファゲート８は、抵抗Ｒout1に並列接続されるＮＭＯＳトランジスタＮ１およびＰＭＯＳトランジスタＰ１を有する。
【００１５】
ＮＭＯＳトランジスタＮ１のゲートには、温度検出回路７からの差動信号の一方contが供給され、ＰＭＯＳトランジスタＰ１のゲートには、差動信号の他方cont/が供給される。
【００１６】
温度検出回路７は、温度に応じて差動信号cont，cont/の信号レベルを調整することにより、可変出力抵抗６の抵抗値を可変させ、これにより、出力端子ＯＵＴから出力される出力信号の立ち上がり時間ｔｒと立ち下がり時間ｔｆが温度によらず所定の時間範囲に収まるようにする。例えば、出力信号の周波数が２６ＭＨｚ程度の場合、出力信号の立ち上がり時間ｔｒと立ち下がり時間ｔｆが２〜６ｎｓの範囲内になるようにする。
【００１７】
図３は温度検出回路７の第１例を示す回路図である。図３の温度検出回路７は、差動信号Ｖ１，Ｖ２を出力する温度検出部１１と、差動信号Ｖ１，Ｖ２を増幅して最終的な差動信号cont，cont/を生成する差動増幅器１２とを有する。
【００１８】
温度検出部１１は、電源電圧（第２基準電圧）Ｖddと接地電圧（第１基準電圧）Ｖssとの間に直列接続される抵抗（第１インピーダンス素子）Ｒ１、ダイオード（第２整流素子）Ｄ１、およびダイオード（第１整流素子）Ｄ２と、同じく電源電圧Ｖddと接地電圧Ｖssとの間に直列接続される抵抗（第２インピーダンス素子）Ｒ２、ダイオード（第４整流素子）Ｄ３、およびダイオード（第３整流素子）Ｄ４と、ダイオードＤ１，Ｄ２の中間ノード（第１中間ノード）Ｖｂと接地電圧Ｖssとの間に直列接続される抵抗Ｒ３およびＲ４（第１分圧回路）とを有する。
【００１９】
抵抗Ｒ１とダイオードＤ１の接続順序は逆にしてもよい。すなわち、ダイオードＤ１のアノードが電源電圧Ｖddに接続されて、カソードが抵抗Ｒ１の一端に接続され、抵抗Ｒ１の他端が中間ノードＶｂに接続されてもよい。同様に、抵抗Ｒ２とダイオードＤ３の接続順序は逆にしてもよい。すなわち、ダイオードＤ３のアノードが電源電圧Ｖddに接続されて、カソードが抵抗Ｒ２の一端に接続され、抵抗Ｒ２の他端がダイオードＤ３，Ｄ４の中間ノードＶ２に接続されてもよい。
【００２０】
差動信号の一方Ｖ１は、直列接続された抵抗Ｒ３，Ｒ４により分圧された信号であり、差動信号の他方Ｖ２は、ダイオードＤ３，Ｄ４の中間ノード（第２中間ノード）の信号である。
【００２１】
温度検出部１１の抵抗Ｒ１，Ｒ２の抵抗値とダイオードＤ１〜Ｄ４のエリアファクタは、以下の関係に設定される。
【００２２】
Ｒ１＜Ｒ２    …（１）
ダイオードＤ１のエリアファクタＭ１＞ダイオードＤ２のエリアファクタＭ２  …（２）
ダイオードＤ３のエリアファクタＭ３＜ダイオードＤ４のエリアファクタＭ４  …（３）
ここで、エリアファクタとは、ダイオードの相対サイズであり、エリアファクタが大きいほど、ダイオードに電流が流れやすくなる。
【００２３】
温度検出部１１の抵抗Ｒ１，Ｒ２の抵抗値とダイオードＤ１〜Ｄ４のエリアファクタＭ１〜Ｍ４を上述した（１）〜（３）のように定める理由については、後述する。
【００２４】
一例として、抵抗Ｒ１〜Ｒ４とダイオードＤ１〜Ｄ４のエリアファクタＭ１〜Ｍ４は、以下のような値に設定される。
【００２５】
Ｒ１＝５ｋΩ、Ｒ２＝Ｒ３＝４６０ｋΩ、Ｒ４＝１８５０ｋΩ
ダイオードＤ１、Ｄ４のエリアファクタＭ１、Ｍ４＝２０
ダイオードＤ２、Ｄ３のエリアファクタＭ２、Ｍ３＝１
温度検出部１１から出力される差動信号Ｖ１，Ｖ２は、差動増幅器１２に入力されて増幅されて、差動信号cont，cont/が生成される。差動信号cont，cont/は、互いに逆の温度特性を持っている。すなわち、温度検出部１１は、差動増幅器１２から出力される差動信号cont，cont/が互いに逆の温度特性を持つように、差動増幅器１２に入力される差動信号Ｖ１，Ｖ２を生成する。
【００２６】
図４は図３の温度検出回路７から出力される差動信号cont，cont/の温度依存性を示すグラフである。図４の横軸は温度［℃］、縦軸は差動信号cont，cont/の電圧レベル［Ｖ］である。図示のように、差動信号の一方contは、温度が上がるにつれて電圧レベルが上昇するような温度特性を持ち、差動信号の他方cont/は、温度が上がるにつれて電圧レベルが低下するような温度特性を持つ。この結果、これら差動信号cont，cont/の信号波形は、０〜２０℃の間で交差する。
【００２７】
このように、差動信号cont，cont/は、互いに逆の温度特性を持っている。同様に、差動信号Ｖ１，Ｖ２も、互いに逆の温度特性を持っている。
【００２８】
図５は温度検出回路７が図４のような差動信号cont，cont/を出力する場合の半導体集積回路１の出力端子ＯＵＴから出力される出力信号の立ち上がり時間ｔｒと立ち下がり時間ｔｆの温度依存性を示すグラフである。図５の横軸は温度［℃］、縦軸はｔｒ、ｔｆ［ｎｓ］である。図５の実線波形ｗ１は、本実施形態によるｔｒ、ｔｆを示し、破線波形ｗ２は、図１の温度補償回路５を設けない場合のｔｒ、ｔｆを示している。
【００２９】
本実施形態による温度補償回路５を設けない場合は、図５の破線波形ｗ２に示すように、温度上昇に応じてｔｒ、ｔｆがともに増大し、温度が高くなると、信号の立ち上がりも立ち下がりもなまってしまい、性能を保証できなくなる。これに対して、本実施形態による温度補償回路５を設けた場合は、図５の実線波形ｗ１に示すように、所定温度まではｔｒ、ｔｆが増大するものの、それ以上に温度が上昇すると、ｔｒ、ｔｆが減少する。これにより、ｔｒ、ｔｆは、所定の時間範囲を超えなくなり、立ち上がり時間と立ち下がり時間の温度依存性を抑制でき、性能を保証可能な温度範囲を広げることができる。
【００３０】
次に、温度検出回路７内の温度検出部１１の抵抗Ｒ１，Ｒ２の抵抗値とダイオードＤ１〜Ｄ４のエリアファクタを上述した（１）〜（３）のように定める理由について説明する。
【００３１】
図３の温度検出部１１は、ダイオードＤ１，Ｄ２の中間ノードの電圧Ｖb1を抵抗分圧した電圧を差動信号の一方Ｖ１とし、ダイオードＤ３，Ｄ４の中間ノードの電圧Ｖb2を差動信号の他方Ｖ２としている。差動信号の一方Ｖ１は、抵抗Ｒ３，Ｒ４で抵抗分圧して生成されるため、中間ノードの電圧Ｖb1は電圧Ｖb2よりも高く設定する必要がある。そこで、Ｒ１＜Ｒ２とすることで、抵抗Ｒ１での電圧降下を抵抗Ｒ２での電圧降下よりも小さくしている。
【００３２】
なお、図３に示した直列接続された抵抗Ｒ３，Ｒ４は必須の構成部品ではなく、省略することが可能である。図６は抵抗Ｒ３，Ｒ４を省略した温度検出回路７の第２例を示す回路図である。図６において、ダイオードＤ１〜Ｄ４の電流電圧特性は、以下の（４）式で表される。
【００３３】
Ｉ＝Ｍ（Ｖ−ＶＦ）／Ｒｓ    …（４）
上記（４）において、Ｍはダイオードのエリアファクタ、ＶＦはダイオードの順方向降下電圧、ＲｓはＶ＝ＶＦ近傍における微分抵抗である。
【００３４】
抵抗Ｒ１の電流電圧特性は、以下の（５）式で表される。
【００３５】
Ｉ＝｛Ｖdd−（Ｖb1＋Ｖdid1）｝／Ｒ    …（５）
上記（５）式において、Ｖdid1はダイオードＤ１の順方向電圧である。
【００３６】
上述した（４）式より、ダイオードＤ１の電流電圧特性は、以下の（６）式で表される。
【００３７】
Ｉ＝Ｍ１（Ｖdid1−ＶＦ）／Ｒｓ    …（６）
上記（６）式を変形すると、以下の（７）式が得られる。
【００３８】
Ｖdid1＝Ｉ×Ｒｓ／Ｍ１＋ＶＦ    …（７）
上記（７）式において、Ｍ１はダイオードＤ１のエリアファクタである。
【００３９】
同様に、ダイオードＤ２の電流電圧特性は、以下の（８）式で表される。
【００４０】
Ｉ＝Ｍ２（Ｖb1−ＶＦ）／Ｒｓ    …（８）
上記（８）式を変形すると、以下の（９）式が得られる。
【００４１】
Ｖb1＝Ｉ×Ｒｓ／Ｍ２＋ＶＦ    …（９）
（７）式と（９）式を（５）式に代入して、Ｉについて解くと、以下の（１０）式が得られる。
【００４２】
Ｉ＝（Ｖdd−２ＶＦ）／｛Ｒ＋Ｒｓ（１／Ｍ１＋１／Ｍ２）｝    …（１０）
（１０）式を（９）式に代入すると、以下の（１１）式が得られる。
【００４３】
Ｖb1＝［Ｖdd＋ＶＦ｛Ｍ２（Ｒ／Ｒｓ）＋（Ｍ２／Ｍ１）−１｝］
／｛Ｍ２（Ｒ／Ｒｓ）＋１＋（Ｍ２／Ｍ１）｝            …（１１）
ここで、Ｒは十分に小さく、Ｍ２（Ｒ／Ｒｓ）＜＜１であるとすると、（１１）式は以下の（１２）式で近似される。
【００４４】
Ｖｂ≒［Ｖdd＋ＶＦ｛（Ｍ２／Ｍ１）−１｝］／｛（Ｍ２／Ｍ１）＋１｝  …（１２）
ダイオードの順方向降下電圧ＶＦは温度依存性を持っており、その温度係数は負である。よって、上記（１２）式から、下記のように結論される。
【００４５】
Ｍ２＞Ｍ１のときにはＶb1は負の温度係数を持ち、Ｍ２＜Ｍ１のときにはＶb1は正の温度係数を持つ。
【００４６】
上述した（５）〜（１２）式は、直列接続された抵抗Ｒ２、ダイオードＤ３およびダイオードＤ４についても同様の関係が成り立つ。すなわち、Ｍ４＞Ｍ３のときにはＶb2は負の温度係数を持ち、Ｍ４＜Ｍ３のときにはＶb2は正の温度係数を持つ。
【００４７】
本実施形態では、温度検出部１１から出力される差動信号Ｖb1＝Ｖ１，Ｖb2＝Ｖ２のうち一方については正の温度係数を持たせ、他方については負の温度係数を持たせる。これにより、温度依存性を補償させる。
【００４８】
従来は、温度依存性のない基準電位をＢＧＲ回路で生成して、この基準電位と比較することで温度補償を行っていたが、ＢＧＲ回路自体が応答性がよくないことから、本実施形態では、温度依存性のない基準電位を用いる代わりに、互いに逆の温度特性を持つ差動信号Ｖ１，Ｖ２を用いて温度補償を行う。差動信号Ｖ１，Ｖ２のそれぞれは、信号振幅が微小であるため、差動信号Ｖ１，Ｖ２の一方だけで精度よく温度補償を行うのは困難である。そこで、本実施形態では、互いに逆の温度特性を持つ差動信号Ｖ１，Ｖ２を用いて、さらに差動増幅器１２で増幅させた差動信号cont，cont/を可変出力抵抗６に供給して、可変出力抵抗６の抵抗値の温度補償を行う。
【００４９】
このような差動信号cont，cont/により、図２に示すトランスファゲート８を制御することで、例えば、温度が上がると、トランスファゲート８のオン抵抗を低くすることが可能となり、図５に示すように、温度が上昇したときのｔｒとｔｆをいずれも短縮させることができるようになる。
【００５０】
図６の回路構成で、温度検出部１１から出力される差動信号Ｖ１，Ｖ２が図４のような温度特性を持つためには、抵抗Ｒ１，Ｒ２の大小関係には特に制限はなく、Ｒ１＜Ｒ２でもよいし、Ｒ１＞Ｒ２でもよいし、Ｒ１＝Ｒ２でもよい。ただし、ダイオードＤ１〜Ｄ４のエリアファクタＭ１〜Ｍ４は、Ｍ２＜Ｍ１かつＭ３＜Ｍ４の条件を満たす必要がある。
【００５１】
なお、温度検出部１１の回路構成は、図３と図６に示したものに限定されない。図７は温度検出部１１の第３例の回路図である。図７の温度検出部１１は、図３の温度検出部１１の構成に加えて、ダイオードＤ３，Ｄ４の中間ノードと接地電圧Ｖssとの間にも、抵抗Ｒ５，Ｒ６（第２分圧回路）が直列接続されており、これら抵抗Ｒ５，Ｒ６による分圧電圧が温度検出部１１の出力電圧Ｖ２となる。
【００５２】
図７の場合は、差動信号Ｖ１，Ｖ２がともに、ダイオードＤ１，Ｄ２またはダイオードＤ３，Ｄ４の中間ノードの電圧Ｖb1、Ｖb2を抵抗分圧した電圧になり、差動信号Ｖ１，Ｖ２は電圧Ｖb1、Ｖb2よりも低い電圧になる。よって、抵抗Ｒ１，Ｒ２の大小関係には特に制限はなく、Ｒ１＜Ｒ２でもよいし、Ｒ１＞Ｒ２でもよいし、Ｒ１＝Ｒ２でもよい。ただし、ダイオードＤ１〜Ｄ４のエリアファクタＭ１〜Ｍ４は、Ｍ２＜Ｍ１かつＭ３＜Ｍ４の条件を満たす必要がある。
【００５３】
また、図８に示す温度検出部１１の第４例のように、図７の回路から、抵抗Ｒ３，Ｒ４を省略してもよい。この場合は、中間ノードＶb2はＶb1よりも高い方が望ましいため、Ｒ１＞Ｒ２に設定される。
【００５４】
このように、本実施形態では、温度検出部１１から出力される差動信号Ｖ１，Ｖ２が互いに逆の温度特性を持つようにして、この差動信号Ｖ１，Ｖ２に基づいてバッファ部４の出力ノードと出力端子ＯＵＴとの間に介装される可変出力抵抗６の抵抗値を調整するため、出力端子ＯＵＴの立ち上がり時間ｔｒと立ち下がり時間ｔｆを温度によらず所定の時間範囲内に収めることができる。
【００５５】
本実施形態によれば、温度に影響されない基準電位を生成するＢＧＲ回路を用いずに温度補償ができるため、ＢＧＲ回路を設けた場合と比べて、出力信号の応答性を改善できるとともに、回路構成も簡略化できる。
【００５６】
本発明の態様は、上述した個々の実施形態に限定されるものではなく、当業者が想到しうる種々の変形も含むものであり、本発明の効果も上述した内容に限定されない。すなわち、特許請求の範囲に規定された内容およびその均等物から導き出される本発明の概念的な思想と趣旨を逸脱しない範囲で種々の追加、変更および部分的削除が可能である。
【符号の説明】
【００５７】
１  半導体集積回路、２  内部回路、３  出力バッファ、４  バッファ部、５  温度補償回路、６  可変出力抵抗、７  温度検出回路、１１  温度検出部、１２  差動増幅器
【図１】
2014130099.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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