(57)【要約】【課題】簡易にフォトマスク製造時の誤差を低減できる露光パターン補正システム等を提供する。【解決手段】露光パターン補正システム１は、検査装置２、補正装置３、データベース４、露光装置５等を有する。補正装置３は、補正対象の露光パターン２０の露光率４５３と、過去のフォトマスク製造時における基板１１の歪解放前後の長寸法変化量４５２と露光パターン２０の露光率４５３との関係を示す関係式４７２から、フォトマスク製造時の基板１１の歪解放前後の長寸法変化量４５２を算出し、推定する。そして、長寸法変化量４５２に対応する露光パターン２０の縮小率を算出する。露光装置５は、露光パターン２０について、この算出した縮小率分パターンを縮小補正し、フォトマスク製造時の露光を行う。【選択図】図１
2014130209.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトマスク製造時の露光に用いる露光パターンを補正するために、基板の歪解放前後の長寸法の変化に対応する値を算出する補正部を有し、
前記補正部は、
補正対象の露光パターンの露光部もしくは非露光部の面積の大小に対応する特徴量と、前記特徴量と前記値との関係を示す関係式とを用いて、前記値を算出することを特徴とする露光パターン補正システム。
【請求項２】
フォトマスク製造時に、前記基板の歪解放前後の長寸法の変化に対応する値を測定する検査部と、
フォトマスク製造時における前記基板の歪解放前後の長寸法の変化に対応する値と前記露光パターンの露光部もしくは非露光部の面積の大小に対応する特徴量とを紐付けて実績データとして格納するデータベースと、を更に有し、
前記補正部は、前記実績データを用いて、前記関係式を算出することを特徴とする請求項１に記載の露光パターン補正システム。
【請求項３】
前記補正部は、前記補正対象の露光パターンの縮小率を算出することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の露光パターン補正システム。
【請求項４】
前記関係式は、１種類の製品を製造する際に用いる一連のフォトマスク毎に作成されたものであり、
前記補正部は、フォトマスクを用いて製造する製品の種類に応じた前記関係式を用いて、前記値を算出することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の露光パターン補正システム。
【請求項５】
フォトマスク製造時の露光に用いる露光パターンを補正するために、基板の歪解放前後の長寸法の変化に対応する値を算出する補正部が、
補正対象の露光パターンの露光部もしくは非露光部の面積の大小に対応する特徴量と、前記特徴量と前記値との関係を示す関係式とを用いて、前記値を算出することを特徴とする露光パターン補正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスクの製造時に用いる露光パターンを補正するための露光パターン補正システムおよび露光パターン補正方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路等の製造時には、複数のフォトマスクを用いて数段階に分けて露光を行うことにより回路等のパターンが形成される。これらのフォトマスクは、エッチングの手法を用いて形成される。
【０００３】
図８は、フォトマスクの製造過程を示す図である。フォトマスクを製造するには、図８（ａ）に示すように、基板１１に形成したクロム等の遮光膜１３の上に、感光性樹脂層１５を塗布する。なお、ここでは感光性樹脂層１５をポジ型のものとする。次いで、この感光性樹脂層１５に対し、フォトマスクの遮光パターンに応じた露光部２０ａと非露光部からなる露光パターン２０に従って露光を行う。この後現像を行うと、露光パターン２０の露光部２０ａに対応する感光性樹脂層１５の部分が除去され、図８（ｂ）に示すように開口部１５ａが形成される。
【０００４】
その後エッチングを行うと、図８（ｃ）に示すように、感光性樹脂層１５の開口部１５ａに対応する遮光膜１３の部分が除去されて開口部１３ａとなる。その後、残った感光性樹脂層１５を洗浄により除去すると、図８（ｄ）に示すように、開口部１３ａと被覆部からなる遮光膜１３のパターンを基板１１上に形成したフォトマスクが製造される。この開口部１３ａは前記の露光部２０ａに対応したものである。
【０００５】
しかしながら、フォトマスクの製造時には、遮光膜形成時の基板１１の配置状態などにより、図８（ａ）等に示すように、基板１１に自重等による撓みや応力等に伴う歪みが生じた状態で遮光膜１３が形成され、この歪みが遮光膜１３によって拘束状態にある。
【０００６】
このようなケースでは、遮光膜１３のパターン形成時に遮光膜１３の一部を除去し開口部１３ａとしたことに伴って拘束力が弱まり、基板１１の歪みが解放されて元の平坦状態に戻ろうとし、図８（ｅ）に示すように基板１１の長寸法(位置精度)の変化が生じる。
【０００７】
すると、基板１１の長寸法変化量に対応する値、例えば基板１１の平面上の幅の変化量に応じて、遮光膜１３のパターンが平面上拡大されたような形となり、開口部１３ａの平面上のサイズや位置が変化して、変化後の開口部１３ａ’と前記の露光部２０ａとの間で誤差が生じてしまう。
【０００８】
なお、ここで長寸法とは２つのパターン間の距離（間隔）を示す。通常、フォトマスク全体におけるパターンの位置精度を評価する場合には、図９に示すように、フォトマスク１００に配置された２つのパターン１１０の中心間の距離を長寸法とし、これを用いる。なお、長寸法の計測に用いる２つのパターン１１０の配置は図９に示すものに限らない。一方で、１つのパターン１１０の両側のエッジ間の距離（線幅）は短寸法と呼ばれ、局所的な仕上がりの評価に用いられる。
【０００９】
基板１１の長寸法の変化は、露光部２０ａの面積が大きい程、すなわち遮光膜１３の開口部１３ａの平面上の面積が大きい程、遮光膜１３の拘束力がより低下するので大きくなり、上記の誤差も大きくなる。誤差が大きいとフォトマスクの品質低下につながるので、この問題を解消するための方法が様々に提案されている。
【００１０】
例えば、特許文献１では、フォトマスク製造時において、エアーブロー装置を用いて気体を吹き付け、基板を平坦に保持する方法について開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００５−１０１２２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、特許文献１の方法は、エアーブロー装置等の高額な装置や、それに伴う設備の改造、付帯設備の設置が必要となる問題がある。
【００１３】
本発明は、前述した問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、簡易にフォトマスク製造時の誤差を低減できる露光パターン補正システム等を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前述した目的を達成するための第１の発明は、フォトマスク製造時の露光に用いる露光パターンを補正するために、基板の歪解放前後の長寸法の変化に対応する値を算出する補正部を有し、前記補正部は、補正対象の露光パターンの露光部もしくは非露光部の面積の大小に対応する特徴量と、前記特徴量と前記値との関係を示す関係式とを用いて、前記値を算出することを特徴とする露光パターン補正システムである。
【００１５】
第１の発明により、フォトマスクの製造時に、基板の歪解放前後の長寸法の変化を見越して露光パターンを補正することができる。これにより、高額な装置や設備改造等を行うことなく、ソフトウエア処理のみにより、基板の歪みとその解放に伴う前記した誤差を低減してフォトマスクを製造することが可能になり、低コストで高品質なフォトマスクを製造できるようになる。
【００１６】
フォトマスク製造時に、前記基板の歪解放前後の長寸法の変化に対応する値を測定する検査部と、フォトマスク製造時における前記基板の歪解放前後の長寸法の変化に対応する値と前記露光パターンの露光部もしくは非露光部の面積の大小に対応する特徴量とを紐付けて実績データとして格納するデータベースと、を更に有し、前記補正部は、前記実績データを用いて、前記関係式を算出することが望ましい。
このように、補正に用いる関係式は、過去の実績を用いて算出することができる。また、製造したフォトマスクについて検査部で長寸法の変化を測定し、上記のように実績データとしてデータベースに蓄積していくことにより、随時関係式を更新し、補正時の精度を高めることが可能である。
【００１７】
前記補正部は、前記補正対象の露光パターンの縮小率を算出することが望ましい。
前記したように、基板の歪解放後には遮光膜に形成されたパターンの幅が拡大するような誤差が生じるので、露光パターンの補正時にはこの誤差をキャンセルすべく予めパターンの幅を縮小するようにしておくと、補正が容易である。
【００１８】
前記関係式は、１種類の製品を製造する際に用いる一連のフォトマスク毎に作成されたものであり、前記補正部は、フォトマスクを用いて製造する製品の種類に応じた前記関係式を用いて、前記値を算出することが望ましい。
フォトマスクの基板のサイズや厚さ、遮光膜の膜質等は、フォトマスクを納入しこれを用いて製造する製品ごとに異なり、これらの要因により基板の歪解放前後の長寸法の変化の様子も異なるので、１種類の製品を製造する際に用いる一連のフォトマスク毎に関係式を作成しておくと補正時の精度が向上する。
【００１９】
第２の発明は、フォトマスク製造時の露光に用いる露光パターンを補正するために、基板の歪解放前後の長寸法の変化に対応する値を算出する補正部が、補正対象の露光パターンの露光部もしくは非露光部の面積の大小に対応する特徴量と、前記特徴量と前記値との関係を示す関係式とを用いて、前記値を算出することを特徴とする露光パターン補正方法である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明により、簡易にフォトマスク製造時の誤差を低減できる露光パターン補正システム等を提供することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】露光パターン補正システム１の構成を示す図
【図２】実績データ４５および関係式データ４７について示す図
【図３】補正装置３のハードウエア構成例を示す図
【図４】関係式４７２の算出処理を示すフローチャート
【図５】長寸法変化量４５２と露光率４５３の関係の例を示す図
【図６】露光パターン２０の補正、露光、検査処理を示すフローチャート
【図７】フォトマスクの製造過程について示す図
【図８】フォトマスクの製造過程について示す図
【図９】長寸法について説明する図
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、添付図面に基づいて、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明および添付図面において、略同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略することにする。
【００２３】
［１．露光パターン補正システム１］
まず、本発明の実施形態に係る露光パターン補正システムの構成について説明する。図１は、本実施形態の露光パターン補正システム１の構成を示す図である。
【００２４】
この露光パターン補正システム１は、前記の図８等で説明した、フォトマスク製造時の基板１１の歪みとその解放による長寸法の変化に伴う、遮光膜１３のパターンのずれを補正するものである。
【００２５】
露光パターン補正システム１は、検査装置２（検査部）、補正装置３（補正部）、データベース４、露光装置５がネットワーク６で接続された構成である。なお、この構成は一例であり、必要に応じて適宜その他の構成を採ることが可能である。例えばこれらのうち複数の装置が一体に構成されるケースもある。
【００２６】
データベース４には、実績データ４５および関係式データ４７が格納される。図２は、実績データ４５および関係式データ４７について示す図である。
【００２７】
図に示すように、実績データ４５は、フォトマスクの納入先４５０および仕様４５１ごとに、過去のフォトマスク製造時における基板１１の歪解放前後の長寸法変化量４５２と、露光パターン２０の露光率４５３と対応付けて格納するものである。
【００２８】
フォトマスクの納入先４５０および仕様４５１は、半導体集積回路等の１種類の製品を露光により製造する際に用いる一連のフォトマスクを他と区別するものである。納入先４５０や仕様４５１ごとに基板１１のサイズや厚さ、遮光膜１３の膜質等が異なり、基板１１の歪解放前後の長寸法の変化の様子も異なる。
【００２９】
長寸法変化量４５２は、遮光膜１３のパターンのずれの要因となる、基板１１の歪解放前後の長寸法の変化に対応する値である。長寸法変化量４５２としては、例えば、基板１１の歪解放前後の平面上の幅の差や比などの変化量を用いることができる。ただし、長寸法変化量４５２に替えて、基板１１の歪解放前後の長寸法の変化に対応するその他の値を用いてもよい。
【００３０】
露光パターン２０の露光率４５３は、露光パターン２０全体に対する露光部２０ａの面積比であり、露光部２０ａの面積の大小（すなわちフォトマスクの遮光膜１３の開口部の面積の大小）に対応する特徴量である。
【００３１】
一方、関係式データ４７は、フォトマスクの納入先４５０および仕様４５１毎に、関係式４７２を格納するものである。
【００３２】
関係式４７２は、フォトマスク製造時の露光に用いる露光パターン２０を補正するために、長寸法変化量４５２を算出する際に用いる式である。関係式４７２は、実績データ４５を用いて算出され、過去のフォトマスク製造時における前記の露光率４５３と長寸法変化量４５２との関係を示す。
【００３３】
図１に示す補正装置３は、データベース４に格納された実績データ４５を用いて納入先４５０および仕様４５１ごとの関係式４７２を算出し、関係式データ４７としてデータベース４に格納する。また、フォトマスクを製造する際には、フォトマスクの納入先４５０および仕様４５１、また用いる露光パターン２０の露光率４５３の入力を新たに受付けて、納入先４５０、仕様４５１に対応する関係式４７２をデータベース４から抽出し、露光率４５３と関係式４７２を用いて基板１１の長寸法変化量４５２を推定する。そして、長寸法変化量４５２を用いて、基板１１の長寸法の変化を見越した露光パターン２０の縮小率を求める。
【００３４】
図３は、補正装置３のハードウエア構成例を示すブロック図である。図に示すように、補正装置３は、制御部３１、記憶部３２、メディア入出力部３３、通信制御部３４、入力部３５、表示部３６、周辺機器Ｉ／Ｆ（インタフェース）部３７等がバス３８を介して接続されて構成された一般的なコンピュータで実現できる。
【００３５】
制御部３１は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ等で構成される。
ＣＰＵは、ＲＯＭ、記憶部３２等に格納されるプログラムをＲＡＭ上のワークメモリ領域に呼び出して実行し、バス３８を介して接続された各装置を駆動制御し、コンピュータが行う処理を実現する。
ＲＯＭは、不揮発性メモリであり、コンピュータのブートプログラムやＢＩＯＳ等のプログラム、データ等を恒久的に保持している。
ＲＡＭは、揮発性メモリであり、記憶部３２、ＲＯＭ、記憶媒体等からロードしたプログラム、データ等を一時的に保持するとともに、制御部３１が各種処理を行うために使用するワークエリアを備える。
【００３６】
記憶部３２は、ハードディスクドライブ等であり、制御部３１が実行するプログラム、プログラム実行に必要なデータ、ＯＳ等が格納される。プログラムに関しては、ＯＳに相当する制御プログラムや、アプリケーションプログラム、ファイル等が格納されている。
【００３７】
また、本実施形態において、補正装置３の記憶部３２には、前記したように関係式４７２や長寸法変化量４５２、また露光パターン２０の縮小率等を算出するためのプログラムや各種のデータが格納されており、必要に応じて制御部３１に読み出されて実行される。
【００３８】
メディア入出力部３３は、記録媒体のデータの入出力を行うドライブ装置であり、例えば、ＣＤドライブ、ＤＶＤドライブ等のメディア入出力装置を有する。
通信制御部３４は、通信制御装置、通信ポート等を有し、ネットワーク６を介した通信を媒介する通信インタフェースであり、他の装置との通信制御を行う。
入力部３５は、データの入力を行い、例えば、キーボード、マウス等のポインティングデバイス、テンキー等の入力装置を有する。入力部３５を介して、操作指示、動作指示、データ入力等を行うことができる。
【００３９】
表示部３６は、液晶パネル等のディスプレイ装置や、ディスプレイ装置と連携してビデオ機能を実現するための論理回路等を有する。
周辺機器Ｉ／Ｆ部３７は、周辺機器を接続するためのＵＳＢポート等である。
バス３８は、各部間の制御信号、データ信号等の授受を媒介する経路である。
【００４０】
図１に示す露光装置５は、露光機構を始め、制御部や通信部等を有する。露光装置５は、フォトマスク製造時に、基板１１に形成されたクロム等の遮光膜１３の上に塗布した感光性樹脂層１５（図８（ａ）等参照）に対し、露光パターン２０のデータを用いて露光を行う。この際、露光装置５は、補正装置３によって算出された縮小率に応じて露光パターン２０を縮小し、これを用いて露光を行う。なお、本実施形態では、感光性樹脂層１５はポジ型のものとする。
【００４１】
感光性樹脂層１５の露光後は、図示しない現像装置やエッチング装置により前記の図８（ｂ）〜図８（ｄ）で説明した処理を行い、フォトマスクが製造される。このフォトマスクは半導体集積回路等の製造時の露光に用いられる。
【００４２】
検査装置２は、例えば光波測定装置であり、測定機構を始め、制御部や通信部等を有する。検査装置２は、製造されたフォトマスクの長寸法検査を行う。これにより歪解放後の基板１１の長寸法変化量４５２を測定し、フォトマスクの納入先４５０および仕様４５１、フォトマスクの製造時に用いた露光パターン２０の露光率４５３とともに実績データ４５としてデータベース４に格納する。
【００４３】
［２．露光パターン補正システム１の処理］
次に、露光パターン補正システム１が行う処理について説明する。本実施形態において、露光パターン補正システム１は、関係式４７２の算出処理と、露光パターン２０の補正、露光、検査処理等を行う。
【００４４】
［２−１．関係式４７２の算出処理］
ここでは、まず前記した関係式４７２の算出処理について説明する。図４は関係式４７２の算出処理を示すフローチャートである。図４のＳ１０１〜Ｓ１０３は、補正装置３の制御部３１により実行される処理である。
【００４５】
関係式４７２を算出するには、まず、補正装置３の制御部３１が、関係式４７２の算出対象であるフォトマスクの納入先４５０、仕様４５１に対応する実績データ４５をデータベース４から抽出する（Ｓ１０１）。
【００４６】
次に、補正装置３の制御部３１は、実績データ４５を用いて、上記の納入先４５０、仕様４５１に関し、基板１１の歪解放前後の長寸法変化量４５２と露光パターン２０の露光率４５３の関係を示す関係式４７２を算出する（Ｓ１０２）。
【００４７】
この長寸法変化量４５２と露光率４５３の関係を図５に模式的に示す。図は、フォトマスクの納入先４５０、仕様４５１毎に、長寸法変化量４５２の大きさを縦軸、露光率４５３を横軸として実績データ４５をプロットしたものである。
【００４８】
Ｓ１０２では、この実績データ４５を近似して、納入先４５０および仕様４５１毎の関係式４７２を算出する。なお、本実施形態では関係式４７２を直線近似によって求めるが、近似の方法はこれに限らず、既知の近似手法を適宜用いることができる。
【００４９】
こうして関係式４７２を算出すると、補正装置３の制御部３１は、フォトマスクの納入先４５０、仕様４５１と紐付けて、この関係式４７２を関係式データ４７としてデータベース４に格納する（Ｓ１０３）。
【００５０】
［２−２．露光パターン２０の補正、露光、検査処理］
続いて、露光パターン２０の補正、露光、検査処理について説明する。図６はこれらの処理を示すフローチャートである。図のＳ２０１〜Ｓ２０４の処理は補正装置３の制御部３１が実行し、Ｓ２０５〜Ｓ２０６の処理は露光装置５の制御部が実行する。また、Ｓ２０７〜Ｓ２０８は検査装置２の制御部が実行する処理である。
【００５１】
ここではまず、補正装置３の制御部３１が、フォトマスクの製造に際し、製造するフォトマスクの納入先４５０、仕様４５１と、フォトマスクの製造に用いる露光パターン２０の露光率４５３の入力を受付ける（Ｓ２０１）。フォトマスクの納入先４５０、仕様４５１は、前記した通り、フォトマスクを用いて製造する製品の種類に対応する。また、Ｓ２０１において、補正装置３への入力はユーザが行ってもよいし、フォトマスクの製造に際し露光装置５等から自動的に入力されるようにしてもよい。
【００５２】
すると、補正装置３の制御部３１は、入力されたフォトマスクの納入先４５０、仕様４５１に応じた関係式４７２をデータベース４から抽出する（Ｓ２０２）。
【００５３】
次に、補正装置３の制御部３１は、Ｓ２０２で抽出した関係式４７２とＳ２０１で入力された露光率４５３を用いて基板１１の歪解放前後の長寸法変化量４５２を算出し、推定する（Ｓ２０３）。ここでは、関係式４７２に露光率４５３を代入して解き、長寸法変化量４５２を算出する。
【００５４】
そして、補正装置３の制御部３１は、この長寸法変化量４５２に対応する、露光パターン２０の縮小率を算出し、露光装置５に入力する（Ｓ２０４）。露光装置５の制御部は、フォトマスクの製造に用いる露光パターン２０を、縮小率に応じて縮小し補正して（Ｓ２０５）、これを用いて露光を行う（Ｓ２０６）。
【００５５】
図７は上記した露光パターン２０の補正と露光を含めたフォトマスクの製造過程について示す図である。すなわち、フォトマスクの製造時に図７（ａ）にある当初の露光パターン２０をそのまま用いると、前記の図８等で説明したように、基板１１の歪解放前後の長寸法の変化に伴って、遮光膜１３の開口部と露光パターン２０の露光部２０ａの誤差が生じる場合がある。従って、本実施形態では、上記の通り、長寸法の変化による誤差を見越して、基板１１の長寸法変化量４５２に応じた縮小率で露光パターン２０を予め縮小し、図７（ａ）の露光パターン２０’に示すように補正する。
【００５６】
そして、図７（ｂ）に示すように、補正後の露光パターン２０’を用い、露光パターン２０’の露光部２０ａ’に対応する部分にて基板１１の遮光膜１３上の感光性樹脂層１５を露光する。
【００５７】
その後現像を行うと、この部分の感光性樹脂層１５が除去されるので、前記と同様エッチングを行い、その後、残った感光性樹脂層１５の除去を行う。すると、図７（ｃ）に示すように、露光部２０ａ’に対応する開口部１３ｂを有する遮光膜１３のパターンが基板１１上に形成される。
【００５８】
その後、図７（ｄ）に示すように基板１１の歪みが解放されると、これにより基板１１上の遮光膜１３のパターンは平面上拡大した形となり、その開口部１３ｂ’の平面上のサイズと位置が、元の露光パターン２０の露光部２０ａにほぼ対応するものとなる。
【００５９】
本実施形態では、基板１１の歪解放前後の長寸法の変化が大きい程、露光パターン２０はより小さく縮小しておく必要があるが、前記のＳ２０４では、例えば長寸法変化量４５２の大きさと縮小率の関係を示す式を予め記憶部３２に格納しておき、これを用いて縮小率を算出することができる。あるいは、前記の関係式４７２自体を、露光率４５３から、基板１１の歪解放前後の長寸法の変化に対応する値として長寸法変化量４５２の代わりに縮小率を直接求めるものとし、前記のＳ２０３にて縮小率を算出することも可能である。
【００６０】
なお、前記のＳ２０１で入力される露光率４５３は補正前の露光パターン２０のものである一方、実際の露光は縮小して補正した後の露光パターン２０’を用いて行われるので、Ｓ２０１で入力される露光率４５３に基づいてＳ２０３で推定される長寸法変化量４５２と、実際の歪解放に伴う基板１１の長寸法変化量は厳密には同一でない。しかし、これによる誤差はほとんどなく、上記のように、歪解放後の遮光膜１３の開口部１３ｂ’の平面上のサイズと位置が、元の露光パターン２０の露光部２０ａに対応するとみなせる程度である。
【００６１】
図６の説明に戻る。このようにして製造されたフォトマスクは、検査装置２に送られる。検査装置２の制御部は、フォトマスクの基板１１の歪解放後の長寸法変化量４５２を測定する（Ｓ２０７）。例えば、基板１１の歪解放後の平面上の幅を測定し、事前に記録した理想の平面上の幅を歪解放前の幅とし、歪解放前後の差や比などの変化量を算出する。
【００６２】
次いで、検査装置２の制御部は、この長寸法変化量４５２を、フォトマスクの納入先４５０、仕様４５１、露光パターン２０の露光率４５３と紐付けて実績データ４５としてデータベース４に格納する（Ｓ２０８）。この実績データ４５は、前記で説明した関係式４７２の作成時のデータとして用いられる。
【００６３】
以上説明したように、本実施形態によれば、フォトマスクの製造時に、基板１１の歪解放前後の長寸法の変化を見越して露光パターン２０を補正することができる。これにより、高額な装置や設備改造等を行うことなく、ソフトウエア処理のみにより、基板１１の歪みとその解放に伴う前記した誤差を低減してフォトマスクを製造することが可能になり、低コストで高品質なフォトマスクを製造できるようになる。
【００６４】
また、本実施形態の露光パターン補正システム１では、補正に用いる関係式４７２を、過去の実績データ４５を用いて算出することができる。製造したフォトマスクについて検査装置２で長寸法変化量４５２を測定し、露光パターン２０の露光率４５３と紐付けて実績データ４５としてデータベース４に蓄積していくことにより、随時関係式４７２を更新し、補正時の精度を高めることが可能である。
【００６５】
さらに、基板１１の歪解放後には遮光膜１３のパターンが拡大するような誤差が生じるので、本実施形態では長寸法変化量４５２を用いて露光パターン２０の縮小率を算出し、上記の誤差をキャンセルするように予め露光パターン２０を縮小することで、補正を容易に行うことができる。
【００６６】
また、フォトマスクの基板１１のサイズや厚さ、遮光膜１３の膜質等は、フォトマスクを納入しこれを用いて製造する製品ごとに異なり、これらの要因により基板１１の歪解放前後の長寸法の変化の様子も異なるので、本実施形態のように、１種類の製品を製造する際に用いる一連のフォトマスク毎に関係式４７２を作成することにより、補正時の精度を向上させることができる。
【００６７】
しかしながら、本発明はこれに限ることはない。別の例として、例えば感光性樹脂層１５としてネガ型のものを用いる場合は、露光時の非露光部が遮光膜１３の開口部に対応することから、前記の露光率４５３の代わりに、露光パターン２０の非露光率（露光パターン２０全体に対する非露光部の面積比）など非露光部の面積の大小に対応する特徴量を用いればよい。
【００６８】
さらに、本実施形態では、露光パターン２０の露光部あるいは非露光部の面積の大小に対応する特徴量を、上記の露光率４５３あるいは非露光率としたが、別の値を用いることも可能である。
【００６９】
また、露光装置５や補正装置３において、必要に応じて補正後の露光パターン２０’の外周部に非露光部あるいは露光部を付加するなどしてそのサイズを補正前の露光パターン２０と同じにすることも可能である。
【００７０】
さらに、本実施形態では露光パターン２０の補正に際し縮小率を用いて縮小しているが、これに限ることはない。例えば、基板１１の歪解放前後の長寸法の変化に伴う前記の誤差をより詳細に検討するなどして、その結果から異なる補正方法を用いる可能性もある。
【００７１】
以上、添付図を参照しながら、本発明の実施形態を説明したが、本発明の技術的範囲は、前述した実施の形態に左右されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【００７２】
１………露光パターン補正システム
２………検査装置
３………補正装置
４………データベース
５………露光装置
１１………基板
１３………遮光膜
１５………感光性樹脂層
２０、２０’………露光パターン
２０ａ、２０ａ’………露光部
４５………実績データ
４７………関係式
【図１】
2014130209.tif 000003
【図２】
2014130209.tif 000004
【図３】
2014130209.tif 000005
【図４】
2014130209.tif 000006
【図５】
2014130209.tif 000007
【図６】
2014130209.tif 000008
【図７】
2014130209.tif 000009
【図８】
2014130209.tif 000010
【図９】
2014130209.tif 000011