(57)【要約】【課題】アース体とマスク基板との接触抵抗が低い状態で、描画を行うことができるマスク描画方法及びマスク描画装置を提供すること。【解決手段】マスク基板上の異なる複数の位置に接地用のピンが設けられたアース体を配置して抵抗値を測定する工程と、測定した複数の位置のうち最も抵抗値の低い位置に前記アース体を配置する工程と、マスク基板に電子ビームを照射して、所望のパターンを描画する工程と、を有する。【選択図】図１
2014011374.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接地用のピンが設けられたアース体をマスク基板上の異なる複数の位置に配置して、前記複数の位置における抵抗値を測定する工程と、
測定した複数の位置のうち最も抵抗値の低い位置に前記アース体を配置する工程と、
前記マスク基板に電子ビームを照射して、所望のパターンを描画する工程と、
を有するマスク描画方法。
【請求項２】
測定した抵抗値が所定の範囲内となるまで、接地用のピンが設けられたアース体をマスク基板上の異なる位置に配置して、前記配置した位置における抵抗値を測定することを繰り返す工程と、
測定した抵抗値が前記所定の範囲内となった位置に前記アース体を配置する工程と、
前記マスク基板に電子ビームを照射して、所望のパターンを描画する工程と、
を有するマスク描画方法。
【請求項３】
前記所定の範囲は、
前記マスク基板上の同一位置に前記アース体を配置して抵抗値を測定することを複数回繰り返し、該測定した複数の抵抗値に基づき算出される請求項２に記載のマスク描画方法。
【請求項４】
前記所定の範囲は、
前記複数の抵抗値の平均値に基づき算出される請求項３に記載のマスク描画方法。
【請求項５】
マスク基板を載置するためのステージを有する処理チャンバと、
前記処理チャンバ上部に設けられ、前記ステージ上に載置された前記マスク基板に電子ビームを照射する電子ビーム照射手段を有する電子ビーム鏡筒と、
前記マスク基板を搬入出するためのロードロックチャンバと、
前記処理チャンバと、前記ロードロックチャンバとの間に設けられ、前記ロードロックチャンバから前記ステージ上へ前記マスク基板を搬送する搬送ロボットと、前記マスク基板上に、接地用のピンが設けられたアース体を配置する配置室とを有する搬送チャンバと、
を備え、
前記配置室内に、前記マスク基板を水平に回転させる回転機構が設けられているマスク描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、マスク描画方法及びマスク描画装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
マスク描画装置は、基板（主にガラス基板）及び該基板上に成膜された遮光膜（例えば、クロム（Ｃｒ））からなるマスク基板（ブランク）に電子ビームを照射して所望のパターンを描画する装置である。マスク基板の表面にはレジスト膜が形成されており、このレジスト膜を電子ビームで感光させて所望のパターンを描画する。
【０００３】
ところで、電子ビームによる描画は、マスク基板を接地した状態で行われる。これは、マスク基板を接地していないと、電子ビームによりマスク基板に電荷が蓄積し、電子ビームの軌道が曲がってしまったり、電子ビームが拡散してぼけが生じたりするためである。電子ビームの軌道が曲がったり、電子ビームにぼけが生じたりすると、マスク基板に所望のパターンを描画することができない。
【０００４】
このため、電子描画措置では、接地用のアース体をマスク基板上にセットして電子ビームによる描画を行っている。電子ビームによりマスク基板に蓄積する電荷は、アース体を介して排出されるためマスク基板の帯電を防止することができる。
【０００５】
しかしながら、アース体とマスク基板との接触抵抗値（以下、抵抗値と記載）が突発的に高くなる場合があることが知られている。また、マスク基板にアース体をセットした際に、アース体をセットする向きによって抵抗値が異なる場合がある。このような現象が起こる原因として、種々の要因が考えられるが、例えば、アース体がマスク基板の遮光膜まで到達していないこと等が考えられる。このような場合、電子ビームによる描画を行うとマスク基板に電荷が蓄積し、電子ビームの軌道が曲がったり、電子ビームにぼけが生じたりする。その結果、マスク基板に所望のパターンを描画することができなくなる。そこで、従来からアース体とマスク基板との抵抗値を低減できるよう種々の方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平２−１２５６０７号公報
【特許文献２】特開２０１０−１９０９８５号公報
【特許文献３】特開２０１０−７４０４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の実施形態は、アース体とマスク基板との接触抵抗が低い状態で、描画を行うことができるマスク描画方法及びマスク描画装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
実施形態に係るマスク描画方法は、マスク基板上の異なる複数の位置に接地用のピンが設けられたアース体を配置して抵抗値を測定する工程と、測定した複数の位置のうち最も抵抗値の低い位置に前記アース体を配置する工程と、マスク基板に電子ビームを照射して、所望のパターンを描画する工程と、を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施形態に係るマスク描画装置の模式図。
【図２】第１の実施形態に係るアース体収容室の模式図である。
【図３】第１の実施形態に係るアース体の平面図である。
【図４】第１の実施形態に係る測定機構の構成図である。
【図５】第１の実施形態に係るメモリに記憶されたテーブルデータである。
【図６】第１の実施形態の変形例に係るメモリに記憶されたテーブルデータである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。
【００１１】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係るマスク描画装置１０の模式図である。図１（ａ）は、マスク描画装置１０の平面模式図である。図１（ｂ）は、マスク描画装置１０の断面模式図である。以下、図１を参照して、マスク描画装置１０の構成について説明する。なお、図１（ａ）では、電子ビーム鏡筒５００の図示を省略している。
【００１２】
図１に示すように、マスク描画装置１０は、インターフェース（Ｉ／Ｆ）１００と、搬入出（Ｉ／Ｏ）チャンバ２００と、ロボットチャンバ（Ｒチャンバ）３００と、ライティングチャンバ（Ｗチャンバ）４００と、電子ビーム鏡筒５００と、制御機構６００と、ゲートバルブＧ１〜Ｇ３とを備える。なお、ロボットチャンバ（Ｒチャンバ）３００は、搬送チャンバを構成する。また、図１中の鎖線は、制御信号やデータ等の流れを示している。
【００１３】
Ｉ／Ｆ１００は、マスク基板Ｗが収容された容器Ｃ（例えば、ＳＭＩＦＰｏｄ）を載置する載置台１１０と、マスク基板Ｗを搬送する搬送ロボット１２０とを備える。
【００１４】
Ｉ／Ｏチャンバ２００は、Ｒチャンバ３００内を真空（低気圧）に保ったままマスク基板Ｗを搬入出するためのいわゆるロードロックチャンバである。Ｉ／Ｏチャンバ２００には、Ｉ／Ｆ１００との間にゲートバルブＧ１が設けられており、真空ポンプ２１０と、ガス供給系２２０とを備える。真空ポンプ２１０は、例えば、ドライポンプやターボ分子ポンプ等であり、Ｉ／Ｏチャンバ２００内を真空引きする。ガス供給系２２０は、Ｉ／Ｏチャンバ２００を大気圧とする際にＩ／Ｏチャンバ２００内へベント用ガス（例えば、窒素ガスやＣＤＡ）を供給する。
【００１５】
Ｉ／Ｏチャンバ２００内を真空引きする際は、Ｉ／Ｏチャンバ２００に接続された真空ポンプ２１０を用いて真空引きする。また、Ｉ／Ｏチャンバ２００内を大気圧に戻す際には、ガス供給系２２０からベント用ガスが供給され、Ｉ／Ｏチャンバ２００内が大気圧となる。なお、Ｉ／Ｏチャンバ２００内を真空引きする際及び大気圧とする際には、ゲートバルブＧ１，Ｇ２はＣｌｏｓｅ（閉）される。
【００１６】
Ｒチャンバ３００は、真空ポンプ３１０と、アライメント室３２０と、アース体収容室３３０と、搬送ロボット３４０とを備える。Ｒチャンバ３００は、ゲートバルブＧ２を介してＩ／Ｏチャンバ２００と接続されている。
【００１７】
真空ポンプ３１０は、例えば、Ｃｒｙｏポンプやターボ分子ポンプ等である。真空ポンプ３１０は、Ｒチャンバ３００に接続されており、Ｒチャンバ３００内を真空引きして高真空を保つ。アライメント室３２０は、マスク基板Ｗを位置決め（アライメント）するためのチャンバである。
【００１８】
アース体収容室３３０は、マスク基板Ｗを接地するためのアース体Ｈを収容する。また、アース体収容室３３０には、アース体Ｈがマスク基板Ｗにセットされた状態でアース体Ｈとマスク基板Ｗとの接触抵抗値（以下、単に抵抗値と記載する）を測定する測定機構４０が設けられている。測定機構４０については、図４を参照して後述する。
【００１９】
搬送ロボット３４０は、アーム３４１と、アーム３４１の末端に設けられたエンドエフェクタ３４２とを備える。搬送ロボット３４０は、Ｉ／Ｏチャンバ２００、アライメント室３２０、アース体収容室３３０及びＷチャンバ４００間で、マスク基板Ｗを搬送する。
【００２０】
Ｗチャンバ４００は、真空ポンプ４１０と、Ｘ−Ｙステージ４２０と、駆動機構４３０Ａ，４３０Ｂと、を備え、ゲートバルブＧ３を介してＲチャンバ３００と接続されている。
【００２１】
真空ポンプ４１０は、例えば、Ｃｒｙｏポンプやターボ分子ポンプ等である。真空ポンプ４１０は、Ｗチャンバ４００に接続されており、Ｗチャンバ４００内を真空引きして高真空を保つ。Ｘ−Ｙステージ４２０は、マスク基板Ｗを載置するための台である。駆動機構４３０Ａは、Ｘ−Ｙステージ４２０をＸ方向に駆動する。駆動機構４３０Ｂは、Ｘ−Ｙステージ４２０をＹ方向に駆動する。
【００２２】
電子ビーム鏡筒５００は、電子銃５１０、アパーチャ５２０、偏向器５３０、レンズ５４０（照明レンズ（ＣＬ）、投影レンズ（ＰＬ）、対物レンズ（ＯＬ））等から構成される電子ビーム照射手段を備え、Ｘ−Ｙステージ４２０上に載置されたマスク基板Ｗに電子ビームを照射する。
【００２３】
制御機構６００は、例えば、コンピュータ等であり、ＭＰＵ６０１、メモリ６０２（例えば、solid state drive(ＳＳＤ)、hard disk drive(ＨＤＤ)）等を備える。制御機構６００は、マスク描画装置１０の動作を制御する。
【００２４】
（アース体Ｈの構成）
図２は、アース体Ｈの模式図である。図２（ａ）は、アース体Ｈの平面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）の線分Ｌ−Ｌでの断面図である。なお、図２には、マスク基板Ｗにセットした状態のアース体Ｈを示している。
【００２５】
図２に示すように、アース体Ｈは、３本のアースピンＨ１ａ〜Ｈ１ｃと、額縁形状の枠体Ｈ２とを備える。なお、アースピンＨ１ｂ又はＨ１ｃは、絶縁体を介して枠体Ｈ２に設けられている。また、マスク基板Ｗは、ガラス基板Ｗａ上に遮光膜Ｗｂ（例えば、クロム（Ｃｒ））と、レジスト膜Ｗｃとが積層された構成を有する。
【００２６】
アース体Ｈをマスク基板Ｗにセットすると、アース体ＨのアースピンＨ１ａ〜Ｈ１ｃが自重によりレジスト膜Ｗｃを突き破って導電体である遮光膜Ｗｂと接触する。このため、電子ビームの照射によりマスク基板Ｗへ蓄積する電荷は、このアース体Ｈを介して排出される。
【００２７】
（アース体収容室３３０の構成）
図３は、アース体収容室３３０の模式図である。図３（ａ）は、アース体収容室３３０の側面図である。図３（ｂ）は、アース体収容室３３０の平面図である。以下、図３を参照して、アース体収容室３３０の構成について説明する。
【００２８】
図３（ａ）に示すように、アース体収容室３３０内には、アース体Ｈを載置する載置棚２０と、マスク基板Ｗを回転させる回転機構３０とが設けられている。
【００２９】
回転機構３０は、マスク基板Ｗを載置する載置台３１と、一端が載置台３１に接続された回転軸３２とを備えている。載置台３１は、搬送ロボット３４０のエンドエフェクタ３４２を逃すための逃し溝３３が４方向に設けられている。また、回転軸３２は、他端側が図示しないモータに接続されており、載置台３１を９０°ごとに回転させることができるように構成されている。
【００３０】
図４は、測定機構４０の構成図である。図４に示すように、測定機構４０は、アース体収容室３３０の外部に配置されたＤＣ電源４１と、ＤＣ電源４１に接続されたコントローラ４２とを備える。コントローラ４２は、電流制御回路４２ａと、電圧測定回路４２ｂと、抵抗値算出回路４２ｃとを備え、端子４０ａ，４０ｂ間の電気抵抗を測定する。端子４０ａ、４０ｂは、アース体収容室３３０内に設けられ、上述したアース体ＨのアースピンＨ１ｂ，Ｈ１ｃと接続可能となっている。
【００３１】
測定機構４０は、アース体Ｈがマスク基板Ｗにセットされた状態で、アース体Ｈとマスク基板Ｗとの接触抵抗値（抵抗値）を測定する。具体的には、アース体Ｈがマスク基板Ｗにセットされた状態で、電流制御回路４２ａが端子４０ａ，４０ｂ間に一定値の電流を流し、電圧測定回路４２ｂが端子４０ａ，４０ｂ間の電圧を測定する。そして、抵抗値算出回路４２ｃが端子４０ａ，４０ｂ間を流れる電流値と測定される電圧値から端子４０ａ，４０ｂ間の抵抗値を算出する。なお、抵抗値を測定する際は、測定機構４０の端子４０ａ，４０ｂとアース体ＨのアースピンＨ１ｂ，Ｈ１ｃとは接続された状態となっている。
【００３２】
上述したように、アースピンＨ１ｂ又はＨ１ｃは、絶縁体を介して枠体Ｈ２に設けられている。このため、電流制御回路４２ａにより印可される電流は、アースピンＨ１ｂ，Ｈ１ｃ及びマスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂを介して端子４０ａ，４０ｂ間を流れる。ここで、端子４０ａ，４０ｂとアースピンＨ１ｂ，Ｈ１ｃとの接続抵抗値は非常に小さく、ほぼ無視できる。このため、アースピンＨ１ｂ，Ｈ１ｃ間、具体的には、アースピンＨ１ｂ，Ｈ１ｃ及びマスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂ間の抵抗値を測定することができる。
【００３３】
（マスク描画装置１０の動作）.
次に、マスク描画装置１０の動作について説明する。なお、以下に説明するマスク描画装置１０の動作は、制御機構６００により制御される。
【００３４】
初めに、マスク基板Ｗを収容した容器Ｃを載置台１１０に載置する。搬送ロボット１２０は、マスク基板Ｗを容器Ｃから取り出す。次に、Ｉ／Ｏチャンバ２００が大気圧とされ、ゲートバルブＧ１がＯｐｅｎ（開）する。
【００３５】
搬送ロボット１２０は、マスク基板ＷをＩ／Ｏチャンバ２００内に載置した後、Ｉ／Ｏチャンバ２００内から退避する。次に、ゲートバルブＧ１がＣｌｏｓｅする。Ｉ／Ｏチャンバ２００内が所定の圧力まで真空引きされた後、ゲートバルブＧ２がＯｐｅｎする。次に、搬送ロボット３４０は、マスク基板ＷをＩ／Ｏチャンバ２００内から取り出す。その後、ゲートバルブＧ２がＣｌｏｓｅする。  
【００３６】
次に、搬送ロボット３４０は、アース体収容室３３０の載置棚２０に載置されているアース体Ｈをマスク基板Ｗにセットする。アース体収容室３３０の測定機構４０は、アース体Ｈとマスク基板Ｗとの抵抗値を測定する。制御機構６００は、測定機構４０で測定される抵抗値をメモリ６０２に記憶する。次に、搬送ロボット３４０は、アース体Ｈを載置棚２０に戻し、マスク基板Ｗを回転機構３０の載置台３１上に載置する。
【００３７】
次に、回転軸３２が９０°回転し、載置台３１に載置されたマスク基板Ｗの向きを９０°変化させる。搬送ロボット３４０は、向きが９０°変化した載置台３１上のマスク基板Ｗを持ち上げ、さらに、アース体Ｈをマスク基板Ｗにセットする。アース体収容室３３０の測定機構４０は、アース体Ｈとマスク基板Ｗとの抵抗値を測定する。制御機構６００は、測定機構４０で測定される抵抗値をメモリ６０２に記憶する。
【００３８】
測定機構４０及び制御機構６００は、上記動作を繰り返し、アース体Ｈとマスク基板Ｗとの抵抗値を９０°毎に測定し、０°、９０°、１８０°、２７０°におけるアース体Ｈとマスク基板Ｗとの抵抗値をメモリ６０２に記憶する。なお、マスク基板Ｗを回転させる方向はclockwise（ＣＷ）、counter clockwise(ＣＣＷ)のどちらの方向でも構わない。
【００３９】
図５に、測定結果の一例を示す。制御機構６００のメモリ６０２には、図５に示すテーブルデータが記憶される。制御機構６００は、メモリ６０２に記憶されたテーブルデータを参照し、測定した抵抗値が低い角度にマスク基板Ｗを回転させる。図５に示す例では、９０°の向きが最も抵抗値が低い。このため、制御機構６００は、マスク基板Ｗの向きが９０°となるように回転機構３０を回転させる。
【００４０】
次に、搬送ロボット３４０は、マスク基板Ｗにアース体Ｈをセットした後、マスク基板Ｗをアライメント室３２０へ搬送する。アライメント室３２０で、マスク基板Ｗの位置決め（アライメント）が行われる。アライメントが終了すると、ゲートバルブＧ３がＯｐｅｎし、搬送ロボット３４０が、マスク基板ＷをＲチャンバ４００内のＸ−Ｙステージ４２０上に載置する。搬送ロボット３４０はＲチャンバ４００内から退避した後、ゲートバルブＧ３がＣｌｏｓｅする。
【００４１】
駆動機構４３０Ａ，４３０Ｂは、Ｘ−Ｙステージ４２０を所定の位置に移動させる。次に、電子ビーム鏡筒５００から電子ビームがマスク基板Ｗへ照射される。
【００４２】
駆動機構４３０Ａ，４３０Ｂは、Ｘ−Ｙステージ４２０をＸ方向及びＹ方向に移動させて、周端部を除くマスク基板Ｗへ電子ビームＢを照射し、所望のパターンを描画する。
【００４３】
マスク基板Ｗへの描画が終了すると、駆動機構４３０Ａ，４３０Ｂは、Ｘ−Ｙステージ４２０を所定の位置に移動させる。次に、ゲートバルブＧ３がＯｐｅｎする。搬送ロボット３４０は、マスク基板ＷをＲチャンバ４００から取り出す。次に、ゲートバルブＧ３がＣｌｏｓｅする。搬送ロボット３４０は、マスク基板Ｗをアース体収容室３３０内へ搬送し、マスク基板Ｗにアース体Ｈをセットした時とは逆の手順で、アース体Ｈをアース体収容室３３０内へ収容する。
【００４４】
次に、ゲートバルブＧ２がＯｐｅｎし、搬送ロボット３４０は、マスク基板ＷをＩ／Ｏチャンバ２００内へ載置した後、Ｉ／Ｏチャンバ２００内から退避する。次に、ゲートバルブＧ２がＣｌｏｓｅする。ガス供給系２２０からベント用ガスが供給されＩ／Ｏチャンバ２００内が大気圧まで昇圧された後、ゲートバルブＧ１がＯｐｅｎする。
【００４５】
搬送ロボット１２０は、Ｉ／Ｏチャンバ２００内からマスク基板Ｗを取り出して、Ｉ／Ｏチャンバ２００内から退避する。次に、ゲートバルブＧ１がＣｌｏｓｅする。次に、搬送ロボット１２０は、マスク基板Ｗを容器Ｃ内へ収容する。
【００４６】
以上のように、この第１の実施形態では、マスク基板Ｗを回転させる回転機構３０をアース体収容室３３０内に設け、アース体Ｈをマスク基板Ｗにセットした状態での抵抗値を９０°毎に測定している。そして、最も抵抗値が低くなる向き（角度）でマスク基板Ｗにアース体をセットして電子ビームによる描画を行う。
【００４７】
このため、マスク基板Ｗに電荷が蓄積することを小さくして、電子ビームの軌道が曲がったり、電子ビームが拡散してぼけが生じたりすることを効果的に軽減することができる。その結果、マスク基板Ｗに所望のパターンをより正確に描画することができる。
【００４８】
（第２の実施形態）
マスク描画装置では、マスク基板とアース体との抵抗値が突発的に高くなることがある。このような現象が生じる原因として、アース体が、傾いた状態でマスク基板にセットされている場合や、アース体のアースピンがマスク基板のレジスト層を突き破らずに遮光膜まで到達していない場合等、種々の要因が考えられる。
【００４９】
そして、この現象は、マスク基板の同一の場所にアース体をセットしても生じる虞があるため、第１の実施形態のように、マスク基板Ｗを９０°毎に回転させて抵抗値を測定し、最も抵抗値が低くなる向き（角度）でマスク基板上にアース体をセットする方法では、防ぐことが難しい。例えば、４つの方向（０°、９０°、１８０°、２７０°）の全ての方向で、抵抗値が突発的に高くなる確率は非常に低い。しかし、このようなことが生じた場合には、最も抵抗値の低い向きでアース体をセットしてもマスク基板に電荷が蓄積する可能性がある。
【００５０】
この第２の実施形態では、同一の方向（角度）で複数回、抵抗値を測定し、この抵抗値から閾値を算出する。そして、算出した閾値に基づいて、マスク基板にアース体をセットする向きを決める実施形態について説明する。以下、第２の実施形態について説明するが、マスク描画装置の構成は、図１〜図４を参照して説明した第１の実施形態に係るマスク描画装置１０と同じである。このため、図１〜図４を参照して、第２の実施形態に係るマスク描画装置１０の動作について説明する。
【００５１】
（マスク描画装置１０の動作）
次に、マスク描画装置１０の動作について説明する。なお、以下に説明するマスク描画装置１０の動作は、制御機構６００により制御される。
【００５２】
初めに、マスク基板Ｗを収容した容器Ｃを載置台１１０に載置する。搬送ロボット１２０は、マスク基板Ｗを容器Ｃから取り出す。次に、Ｉ／Ｏチャンバ２００が大気圧とされ、ゲートバルブＧ１がＯｐｅｎ（開）する。
【００５３】
搬送ロボット１２０は、マスク基板ＷをＩ／Ｏチャンバ２００内に載置した後、Ｉ／Ｏチャンバ２００内から退避する。次に、ゲートバルブＧ１がＣｌｏｓｅする。Ｉ／Ｏチャンバ２００内が所定の圧力まで真空引きされた後、ゲートバルブＧ２がＯｐｅｎする。次に、搬送ロボット３４０は、マスク基板ＷをＩ／Ｏチャンバ２００内から取り出す。その後、ゲートバルブＧ２がＣｌｏｓｅする。
【００５４】
次に、搬送ロボット３４０は、マスク基板Ｗをアース体収容室３３０内へ搬送し、アース体収容室３３０の載置棚２０に載置されているアース体Ｈをマスク基板Ｗにセットする。アース体収容室３３０の測定機構４０は、アース体Ｈとマスク基板Ｗとの抵抗値を測定する。制御機構６００は、測定機構４０で測定される抵抗値をメモリ６０２に記憶する。
【００５５】
次に、搬送ロボット３４０は、アース体Ｈを載置棚２０に戻し、再度アース体Ｈをマスク基板Ｗにセットする。測定機構４０は、アース体Ｈとマスク基板Ｗとの抵抗値を測定する。つまり、この実施形態では、マスク基板Ｗを回転させずに、同じ向きで抵抗値を測定する。測定機構４０及び制御機構６００は、上記動作を複数回行い、測定された抵抗値をメモリ６０２に記憶する。
【００５６】
図６に、測定結果の一例を示す。制御機構６００のメモリ６０２には、図６に示すテーブルデータが記憶される。図６に示す例では、抵抗値を５回測定しており、２回目と５回目の抵抗値が突発的に異常な値となっている。制御機構６００は、メモリ６０２に記憶されたテーブルデータを参照し、測定した抵抗値の平均値（閾値）を算出する。
【００５７】
次に、制御機構６００は、回転機構３０を９０°回転させて抵抗値を測定する。制御機構６００は、測定した抵抗値が、平均値（閾値）に対して所定の範囲（例えば、平均値から＋５％以下）の値であるかどうかを判定する。
【００５８】
なお、抵抗値の測定回数は、５〜１０回程度とすることが好ましい。測定回数が５回未満であると測定数（ｎ数）が少なすぎ、算出される平均値の精度が低いものとなる。一方。測定回数が１０回を超えると、アースピンＨ１ａ〜Ｈ１ｃによりマスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂが傷つく虞がある。
【００５９】
測定した抵抗値が、平均値（閾値）に対して所定の範囲（例えば、平均値から＋５％以下）の値である場合、制御機構６００は、ゲートバルブＧ３をＯｐｅｎし、搬送ロボット３４０により、マスク基板ＷをＲチャンバ４００内のＸ−Ｙステージ４２０上に載置する。
【００６０】
また、測定した抵抗値が、算出した平均値（閾値）に対して所定の範囲（例えば、平均値から＋５％以下）でない場合、制御機構６００は、抵抗値が平均値（閾値）に対して所定の範囲（例えば、平均値から＋５％以下）の値となるまで、マスク基板Ｗを９０°ずつ回転させながら抵抗値を測定する。
【００６１】
そして、測定した抵抗値が平均値（閾値）に対して所定の範囲（例えば、平均値から＋５％以下）の値となったところで、搬送ロボット３４０は、マスク基板Ｗをアライメント室３２０へ搬送する。アライメント室３２０では、マスク基板Ｗの位置決め（アライメント）が行われる。
【００６２】
なお、平均値から＋５％以下は、所定の範囲を決定するための一例である。電子ビームの軌跡が曲がったり、電子ビームが拡散したりしなければ、平均値からの幅を任意に変更することができる。例えば。所定の範囲を平均値から＋１０％以下としてもよいし、＋３σ以下としてもよい。また、マスク基板Ｗを回転させる方向はclockwise（ＣＷ）、counter clockwise(ＣＣＷ)のどちらの方向でも構わない。
【００６３】
アライメント終了後、ゲートバルブＧ３がＯｐｅｎし、搬送ロボット３４０は、マスク基板ＷをＲチャンバ４００内のＸ−Ｙステージ４２０上に載置する。搬送ロボット３４０はＲチャンバ４００内から退避した後、ゲートバルブＧ３がＣｌｏｓｅする。
【００６４】
駆動機構４３０Ａ，４３０Ｂは、Ｘ−Ｙステージ４２０を所定の位置に移動させる。次に、電子ビーム鏡筒５００から電子ビームがマスク基板Ｗへ照射される。駆動機構４３０Ａ，４３０Ｂは、Ｘ−Ｙステージ４２０をＸ方向及びＹ方向に移動させて、周端部を除くマスク基板Ｗへ電子ビームＢを照射し、所望のパターンを描画する。
【００６５】
マスク基板Ｗへの描画が終了すると、駆動機構４３０Ａ，４３０Ｂは、Ｘ−Ｙステージ４２０を所定の位置に移動させる。次に、ゲートバルブＧ３がＯｐｅｎする。搬送ロボット３４０は、マスク基板ＷをＲチャンバ４００から取り出す。次に、ゲートバルブＧ３がＣｌｏｓｅする。搬送ロボット３４０は、マスク基板Ｗをアース体収容室３３０内へ搬送し、マスク基板Ｗにアース体Ｈをセットした時とは逆の手順で、アース体Ｈをアース体収容室３３０内へ収容する。
【００６６】
次に、ゲートバルブＧ２がＯｐｅｎし、搬送ロボット３４０は、マスク基板ＷをＩ／Ｏチャンバ２００内へ載置した後、Ｉ／Ｏチャンバ２００内から退避する。次に、ゲートバルブＧ２がＣｌｏｓｅする。ガス供給系２２０からベント用ガスが供給されＩ／Ｏチャンバ２００内が大気圧まで昇圧された後、ゲートバルブＧ１がＯｐｅｎする。
【００６７】
搬送ロボット１２０は、Ｉ／Ｏチャンバ２００内からマスク基板Ｗを取り出して、Ｉ／Ｏチャンバ２００内から退避する。次に、ゲートバルブＧ１がＣｌｏｓｅする。次に、搬送ロボット１２０は、マスク基板Ｗを容器Ｃ内へ収容する。
【００６８】
以上のように、この第２の実施形態では、マスク基板Ｗの同じにして抵抗値を複数回測定し、この測定された抵抗値から閾値（平均値）を算出している。そして、マスク基板Ｗの向きを変えて抵抗値を測定し、算出した閾値に対して所定の範囲（例えば、閾値＋５％以下）にある場合に、マスク基板Ｗへの描画を行うようにしている。
【００６９】
このため、マスク基板Ｗとアース体Ｈとの抵抗値が突発的に高くなった状態で、マスク基板Ｗへ描画することを防止することができる。その他の効果は、第１の実施形態に係るマスク描画装置１０の効果と同じである。
【００７０】
（第２の実施形態の変形例）
なお、第２の実施形態では、マスク基板Ｗの同じにして抵抗値を複数回測定し、この測定された抵抗値から閾値（平均値）を算出したが、予め閾値を制御機構６００のメモリ６０２へ記憶しておいてもよい。
【００７１】
マスク基板Ｗのシート抵抗は、３０ｋΩ以下であることが望ましい。このため、マスク基板Ｗの抵抗値を測定して３０ｋΩ（シート抵抗換算時）以下であれば、そのままマスク基板Ｗへの描画を開始し、抵抗値が３０ｋΩ（シート抵抗換算時）を超えていれば、回転機構３０によりマスク基板Ｗを９０°ずつ回転させて、マスク基板Ｗの抵抗値を測定し、３０ｋΩ以下となる向き（角度）でマスク基板Ｗへの描画を行えばよい。
【００７２】
なお、マスク基板Ｗの種類により、シート抵抗が異なることが考えられる。例えば、マスク基板Ｗの種類（機種）により遮光膜の厚みが異なる場合が考えられる。この場合、マスク基板Ｗの種類ごとに閾値を記憶させるようにしてもよい。
【００７３】
（その他の実施形態）
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、上記実施形態は、例示であり、本発明を上記実施形態に限定することを意図するものではない。上記実施形態は、その他の様々な形態で実施することが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。
【符号の説明】
【００７４】
１０…マスク描画装置、２０…載置棚、３０…回転機構、３１…載置台、３２…回転軸、３３…逃し溝、４０…測定機構、１１０…載置台、１２０…搬送ロボット、２００…チャンバ、２１０…真空ポンプ、２２０…ガス供給系、３００…チャンバ、３１０…真空ポンプ、３２０…アライメント室、３３０…アース体収容室、３４０…搬送ロボット、４００…チャンバ、４１０…真空ポンプ、４２０…ステージ、４３０Ａ，４３０Ｂ…駆動機構、５００…電子ビーム鏡筒、５１０…電子銃、５２０…アパーチャ、５３０…偏向器、５４０…レンズ６００…制御機構、Ｇ１-Ｇ３…ゲートバルブ、Ｈ…アース体、Ｈ１ａ〜Ｈ１ｃ…アースピン、Ｈ２…枠体、Ｗ…マスク基板。
【図１】
2014011374.tif 000003
【図２】
2014011374.tif 000004
【図３】
2014011374.tif 000005
【図４】
2014011374.tif 000006
【図５】
2014011374.tif 000007
【図６】
2014011374.tif 000008