(57)【要約】【課題】基板に内蔵された弾性波フィルタの中空カバーの変形を原因として該弾性波フィルタのフィルタ機能部に機能異常や損傷等を生じることを極力回避できる電子部品内蔵基板を提供する。【解決手段】電子部品内蔵基板は、フィルタ機能部が中空カバー１２ｂによって覆われた構造を備えたＳＡＷフィルタ１２が基板１１に内蔵されており、該ＳＡＷフィルタ１２の中空カバー１２ｂと前記基板１１の絶縁体層１１ｃを介して向き合う応力緩和層１１ｄ３が設けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルタ機能部が中空カバーによって覆われた構造を備えた弾性波フィルタが基板に内蔵された電子部品内蔵基板であって、
前記弾性波フィルタの中空カバーと前記基板の絶縁体層を介して向き合う応力緩和層が設けられている、
ことを特徴とする電子部品内蔵基板。
【請求項２】
前記応力緩和層は、前記弾性波フィルタの中空カバーと略平行である、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項３】
前記応力緩和層のヤング率は、前記絶縁体層のヤング率よりも高値である、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項４】
前記応力緩和層は、前記絶縁体層に設けられた導体層の一部によって構成されている、
ことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項５】
前記応力緩和層は、前記導体層に含まれる配線と連続している、
ことを特徴とする請求項４に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項６】
前記応力緩和層は、前記導体層に含まれる配線と非接触で孤立している、
ことを特徴とする請求項４に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項７】
前記応力緩和層は、前記導体層と材料が異なる層状物によって構成されており、該導体層に含まれる配線と非接触で孤立している、
ことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項８】
前記弾性波フィルタは、前記中空カバーに接続された少なくとも１つの接地端子を有している、
ことを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の電子部品内蔵基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品が基板に内蔵された電子部品内蔵基板、特にフィルタ機能部が中空カバーによって覆われた構造を備えた弾性波フィルタが基板に内蔵された電子部品内蔵基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
高周波フィルタとして着目されている弾性波フィルタ、例えば表面弾性波（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）を利用したＳＡＷフィルタや、バルク弾性波（Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）を利用したＢＡＷフィルタ等は、サイズが大きいことから基板の上面に実装されるのが一般的であったが（下記特許文献１を参照）、ウェハーレベルパッケージ技術の進歩による弾性波フィルタの小型化に伴って、最近ではコンデンサやインダクタやレジスタ等の小型電子部品と同様に弾性波フィルタを基板に内蔵する試みが為されている。
【０００３】
しかしながら、弾性波フィルタは一般にフィルタ機能部が中空カバーによって覆われた構造を備えているため、該弾性波フィルタを基板に内蔵すると以下のような不具合を生じる恐れがある。
【０００４】
例えば、弾性波フィルタをその中空カバーが上を向くようにして基板に内蔵する場合、電子部品内蔵基板は該弾性波フィルタの上側に少なくとも絶縁体層を有する構成となる。この電子部品内蔵基板の上面には小型電子部品に加えてＩＣチップ等の大型電子部品が適宜実装されるが、この実装工程や実装前後の工程等において電子部品内蔵基板の上面に下向きの外力が加わり、該外力に基づく下向きの応力が弾性波フィルタの中空カバーに作用すると、該中空カバーが押し潰されるように変形してフィルタ機能部に機能異常や損傷等を生じる恐れがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−１７６０６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、基板に内蔵された弾性波フィルタの中空カバーの変形を原因として該弾性波フィルタのフィルタ機能部に機能異常や損傷等を生じることを極力回避できる電子部品内蔵基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するため、本発明は、フィルタ機能部が中空カバーによって覆われた構造を備えた弾性波フィルタが内蔵された電子部品内蔵基板であって、前記弾性波フィルタの中空カバーと前記基板の絶縁体層を介して向き合う応力緩和層が設けられている、ことをその特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、弾性波フィルタの中空カバーと基板の絶縁体層を介して向き合う応力緩和層が設けられているため、電子部品内蔵基板に電子部品を実装する工程やその前後の工程等において該電子部品内蔵基板に外力が加わり、該外力に基づく応力が弾性波フィルタの中空カバーに作用しようとしても、該応力を応力緩和層で受け止めて緩和することができ、これにより弾性波フィルタの中空カバーが押し潰されるように変形することを確実に抑止して、該変形によってフィルタ機能部に機能異常や損傷等を生じることを確実に防止できる。
【０００９】
本発明の前記目的とそれ以外の目的と、構成特徴と、作用効果は、以下の説明と添付図面によって明らかとなる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１（Ａ）は、本発明の第１実施形態に係る電子部品内蔵基板の要部縦断面図；図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示した電子部品内蔵基板におけるＳＡＷフィルタと応力緩和層との位置関係等を説明するための図である。
【図２】図２（Ａ）は、図１（Ａ）に示したＳＡＷフィルタの上面図；図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示したＳＡＷフィルタのフィルタ機能部の構成を示す図である。
【図３】図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、図１（Ａ）に示したＳＡＷフィルタに代えて用いることができる他のＳＡＷフィルタの上面図である。
【図４】図４（Ａ）は、本発明の第２実施形態に係る電子部品内蔵基板の要部縦断面図；図４（Ｂ）は、図４（Ａ）に示した電子部品内蔵基板におけるＳＡＷフィルタと応力緩和層との位置関係等を説明するための図である。
【図５】図５（Ａ）は、図４（Ａ）に示したＳＡＷフィルタの上面図；図５（Ｂ）は、図５（Ａ）に示したＳＡＷフィルタのフィルタ機能部の構成を示す図である。
【図６】図６（Ａ）は、本発明の第３実施形態に係る電子部品内蔵基板の要部縦断面図；図６（Ｂ）は、図６（Ａ）に示した電子部品内蔵基板におけるＳＡＷフィルタと応力緩和層との位置関係等を説明するための図である。
【図７】図７（Ａ）は、本発明の第４実施形態に係る電子部品内蔵基板の要部縦断面図；図７（Ｂ）は、図７（Ａ）に示した電子部品内蔵基板におけるＳＡＷフィルタと応力緩和層との位置関係等を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
《第１実施形態》
図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は本発明の第１実施形態（電子部品内蔵基板）を示すもので、図中の符号１１は多層構造の基板、符号１２は基板１１に内蔵されたＳＡＷフィルタである。因みに、図１（Ａ）は図１（Ｂ）のＡ−Ａ線に沿う断面を示したものであるが、該図１（Ａ）にはＳＡＷフィルタ１２の断面の図示を省略してある。
【００１２】
基板１１は、図１（Ａ）に示したように、略直方体状の収容部１１ａ１が貫通形成されたコア層１１ａと、収容部１１ａ１内に収納されたＳＡＷフィルタ１２と該収容部１１ａ１の内壁との間隙に設けられた部品固定部１１ｂと、コア層１１ａの上面（第１の主面）に設けられた第１絶縁体層１１ｃと、第１絶縁体層１１ｃの上面に設けられた第１導体層１１ｄと、第１導体層１１ｄの上面に設けられた第２絶縁体層１１ｅと、第２絶縁体層１１ｅの上面に設けられた第２導体層１１ｆと、コア層１１ａの下面（第２の主面）に設けられた第３絶縁体層１１ｇと、第３絶縁体層１１ｇの下面に設けられた第３導体層１１ｈと、第３導体層１１ｈの下面に設けられた第４絶縁体層１１ｉと、第４絶縁体層１１ｉの下面に設けられた第４導体層１１ｊを備えている。
【００１３】
コア層１１ａは銅や銅合金等の金属から成り、その厚さは例えば１００〜４００μｍの範囲内にある。部品固定部１１ｂはエポキシ樹脂やポリイミドやビスマレイミドトリアジン樹脂やこれらに補強用フィラーを含有させたもの等の熱硬化性プラスチックから成る。各絶縁体層１１ｃ、１１ｅ、１１ｇ及び１１ｉはエポキシ樹脂やポリイミドやビスマレイミドトリアジン樹脂やこれらに補強用フィラーを含有させたもの等の熱硬化性プラスチックから成り、その厚さは例えば１０〜３０μｍの範囲内にある。各導体層１１ｄ、１１ｆ、１１ｈ及び１１ｊは銅や銅合金等の金属から成り、その厚さは例えば５〜２５μｍの範囲内にある。
【００１４】
各導体層１１ｄ、１１ｆ、１１ｈ及び１１ｊには、信号配線又は接地配線として用いられる配線１１ｄ１、１１ｆ１、１１ｈ１及び１１ｊ１が２次元的にパターンニングされている。また、第１導体層１１ｄに含まれる接地用配線１１ｄ１には、後に詳述するように、ＳＡＷフィルタ１２の各中空カバー１２ｂの上面と第１絶縁層１１ｃを間において向き合う応力緩和層１１ｄ３が該接地用配線１１ｄ１と連続して設けられている。
【００１５】
各絶縁体層１１ｃ、１１ｅ、１１ｇ及びは１１ｉには、配線１１ｄ１、１１ｆ１、１１ｈ１及び１１ｊ１と連続する又は連続しない導体ビア１１ｄ２、１１ｆ２及び１１ｈ２（配線１１ｊ１の導体ビアは図示省略）が設けられている。各導体ビア１１ｄ２、１１ｆ２及び１１ｈ２は銅や銅合金等の金属から成り、その最大直径は例えば１０〜３０μｍの範囲内にある。
【００１６】
配線１１ｄ１、１１ｆ１、１１ｈ１又は１１ｊ１の相互間隙と、配線１１ｄ１、１１ｆ１、１１ｈ１又は１１ｊ１と非連続型の導体ビア１１ｄ２、１１ｆ２又は１１ｈ２のパッド部分との間隙には、エポキシ樹脂やポリイミドやビスマレイミドトリアジン樹脂やこれらに補強用フィラーを含有させたもの等の熱硬化性プラスチックが充填されている。
【００１７】
ＳＡＷフィルタ１２は、図１（Ａ）及び図２（Ａ）に示したように、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム等の圧電体から成る略直方体状のフィルタ本体１２ａと、フィルタ本体１２ａの上面に形成されたフィルタ機能部（符号無し）と、フィルタ機能部を覆う３個の中空カバー１２ｂと、入力端子１２ｃ（第１の端子）と、出力端子１２ｄ（第２の端子）と、３個の接地端子１２ｅ（第３の端子）と、フィルタ本体１２ａの上面に設けられた封止部１２ｆを有しており、全体が略直方体状を成している。１つの態様を例示すれば、３個の接地端子１２ｅのうちの少なくとも２個の接地端子１２ｅ（図２（Ａ）中央の２個の接地端子１２ｅ）が中空カバー１２ｂに接続されている。
【００１８】
フィルタ機能部は、図２（Ｂ）に示したように、例えば、直列接続された３個の共振子ＲＥとこれに並列接続された２個の共振子ＲＥとから成るラダー型の構成を有しており、各共振子ＲＥは櫛歯状電極とその両側に配置された反射器とから成る。
【００１９】
各中空カバー１２ｂは、フィルタ本体１２ａの上面に接合された略矩形枠状のシールリング（図示省略）と、該シールリングに接合されてその上面開口を覆うカバープレート（図示省略）とから成り、各々の高さは例えば１０〜３０μｍの範囲内にある。シールリング及びカバープレートは銅やニッケルや金やこれらの合金等の金属から成る。つまり、ＳＡＷフィルタ１２は、フィルタ機能部が各中空カバー１２ｂによって覆われ、該フィルタ機能部が各中空カバー１２ｂによって形成された中空部内に配された構造を有している。
【００２０】
封止部１２ｆは、各中空カバー１２ｂを覆うようにしてフィルタ本体１２ａの上面に設けられており、各端子１２ｃ〜１２ｅは該封止部１２ｆの上面から露出している。封止部１２ｆは液晶ポリマーやシンジオタクチックポリスチレンやポリフェニレンサルファイドやポリエーテルエーテルケトンやポリエーテルニトリル等の耐湿性が高い熱可塑性プラスチックから成り、各中空カバー１２ｂ上における厚さは例えば１０〜５０μｍの範囲内にある。
【００２１】
このＳＡＷフィルタ１２はフィルタ機能部を覆う各中空カバー１２ｂが上を向くように、且つ、その上面がコア層１１ａの上面と略面一となるように収容部１１ａ１内に収納され、封止部１２ｆの上面を第１絶縁体層１１ｃによって覆われている。また、ＳＡＷフィルタ１２の入力端子１２ｃは導体ビア１１ｄ２を介して基板１１の上面で露出する導体ビア１１ｆ２に接続されており、図示を省略したが、出力端子１２ｄも導体ビア１１ｄ２を介して基板１１の上面で露出する導体ビア１１ｆ２に接続されている。さらに、ＳＡＷフィルタ１２の各接地端子１２ｅは、導体ビア１１ｄ２を介して応力緩和層１１ｄ３に接続されている。
【００２２】
ここで、図１（Ａ）に示した電子部品内蔵基板におけるＳＡＷフィルタ１２と応力緩和層１１ｄ３との位置関係等について、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）を引用して説明する。
【００２３】
応力緩和層１１ｄ３は、ＳＡＷフィルタ１２の上面輪郭よりも大きな略矩形状の輪郭を有し、第１導体層１１ｄに含まれる接地用配線１１ｄ１と連続している。この応力緩和層１１ｄ３は第１導体層１１ｄの一部によって構成されているため、該応力緩和層１１ｄ３は配線１１ｄ１（第１導体層１１ｄ）と同じ金属から成り、その厚さも配線１１ｄ１（第１導体層１１ｄ）と略同じである。
【００２４】
つまり、応力緩和層１１ｄ３は配線１１ｄ１（第１導体層１１ｄ）と同じ金属から成るため、該応力緩和層１１ｄ３のヤング率（縦弾性係数）は第１絶縁体層１１ｃ及び第２絶縁体層１１ｅ（何れもプラスチック製）のヤング率よりも高値である。
【００２５】
また、応力緩和層１１ｄ３にはＳＡＷフィルタ１２の入力端子１２ｃ及び出力端子１２ｄそれぞれに接続された導体ビア１１ｄ２及びその周囲の環状間隙が含まれているが、該応力緩和層１１ｄ３は、第１絶縁体層１１ｃの厚さと封止部１２ｆの中空カバー１２ｂ上の部分の厚さの和に略相当する間隔をおいて、ＳＡＷフィルタ１２の３個の中空カバー１２ｂの上面領域の略全てと略平行に向き合っている。
【００２６】
ところで、図１（Ａ）に示した電子部品内蔵基板の上面には、コンデンサやインダクタやレジスタ等の小型電子部品に加えてＩＣチップ等の大型電子部品が適宜実装される。この実装工程やその前後の工程等において電子部品内蔵基板の上面に図１（Ａ）に白抜き矢印で示すような外力が加わると、該外力に基づく下向きの応力がＳＡＷフィルタ１２の各中空カバー１２ｂに作用しようとする。
【００２７】
（効果１）けれども、前記電子部品内蔵基板にあっては、第１絶縁体層１１ｃの上側にＳＡＷフィルタ１２の各中空カバー１２ｂの上面と向き合う応力緩和層１１ｄ３が設けられているため、前記下向きの応力がＳＡＷフィルタ１２の各中空カバー１２ｂに作用しようとしても、該下向きの応力を応力緩和層１１ｄ３で受け止めて緩和することができ、これによりＳＡＷフィルタ１２の各中空カバー１２ｂが押し潰されるように変形することを確実に抑止して、該変形によってフィルタ機能部に機能異常や損傷等を生じることを確実に防止できる。
【００２８】
つまり、応力緩和層１１ｄ３で受け止められた前記応力は該応力緩和層１１ｄ３の面全体に分散され、これにより該応力緩和層１１ｄ３を介してＳＡＷフィルタ１２の各中空カバー１２ｂの上面に加わる単位面積当たりの応力が小さくなるため、該応力によって各中空カバー１２ｂが押し潰されるように変形することが確実に抑止される。
【００２９】
しかも、応力緩和層１１ｄ３を設けることにより前記効果が得られると言うことは、前記電子部品内蔵基板におけるＳＡＷフィルタ１２の配置場所の制約を無くすことができることに繋がるから、該ＳＡＷフィルタ１２の配置に係る設計の自由度を高めることができる恩恵も得られる。
【００３０】
加えて、前記電子部品内蔵基板にあっては、第２絶縁体層１１ｅを「加熱加圧による成形及び加熱による硬化が可能な熱硬化性プラスチックの中間材料」を用いて作製する場合、該作製時にも加圧に基づく下向きの応力がＳＡＷフィルタ１２の各中空カバー１２ｂに作用しようとするが、この場合も該下向きの応力を応力緩和層１１ｄ３で受け止めて緩和することができ、これによりＳＡＷフィルタ１２の各中空カバー１２ｂが押し潰されるように変形することを確実に抑止して、該変形によってフィルタ機能部に機能異常や損傷等を生じることを確実に防止できる。
【００３１】
（効果２）また、応力緩和層１１ｄ３は各中空カバー１２ｂの上面と略平行であり、しかも、該応力緩和層１１ｄ３のヤング率が第１絶縁体層１１ｃのヤング率よりも高値であるため、前記応力緩和作用を的確に発揮して、各中空カバー１２ｂの変形をより確実に抑止して、該変形によってフィルタ機能部に機能異常や損傷等を生じることをより確実に防止できる。
【００３２】
（効果３）さらに、前記電子部品内蔵基板にあっては、応力緩和層１１ｄ３が第１導体層１１ｄの一部によって構成され、しかも、該第１導体層１１ｄに含まれる接地用配線１１ｄ１と連続したものであるため、第１導体層１１ｄに配線をパターニングするときに該応力緩和層１１ｄ３を簡単に作製することができる。
【００３３】
尚、図１及び図２には、ＳＡＷフィルタ１２として計３個の中空カバー１２ｂを有するものを示したが、計５個の中空カバー１２ｂを有するＳＡＷフィルタ１２-1（図３（Ａ）を参照）や、計１個の中空カバー１２ｂを有するＳＡＷフィルタ１２-2（図３（Ｂ）を参照）をＳＡＷフィルタ１２の代わりに用いた場合でも、要するにフィルタ機能部を覆う少なくとも１つの中空カバー１２ｂを有するＳＡＷフィルタを代わりに用いた場合でも、前記効果１〜３と同様の効果を得ることができる。１つの態様を例示すれば、図３（Ａ）に示したＳＡＷフィルタ１２-1は、３個の接地端子１２ｅのうちの少なくとも２個の接地端子１２ｅ（図３（Ａ）中央の２個の接地端子１２ｅ）が中空カバー１２ｂに接続されている。また、図３（Ａ）に示したＳＡＷフィルタ１２-2は、２個の接地端子１２ｅのうちの少なくとも１個の接地端子１２ｅ（図３（Ｂ）中央の１個の接地端子１２ｅ）が中空カバー１２ｂに接続されている。
【００３４】
また、図１〜図３には、３個の接地端子１２ｅを有するＳＡＷフィルタ１２及び１２-1と２個の接地端子１２ｅを有するＳＡＷフィルタ１２-2を示したが、１個又は４個以上の接地端子１２ｅを有するＳＡＷフィルタを代わりに用いた場合でも、要するに少なくとも１個の接地端子１２ｅが中空カバー１２ｂの上面に在るＳＡＷフィルタを代わりに用いた場合でも、入力端子１２ｃ及び出力端子１２ｄの数に拘わらず前記効果１〜３と同様の効果を得ることができる。
【００３５】
さらに、図１には、応力緩和層１１ｄ３としてその輪郭がＳＡＷフィルタ１２の上面輪郭よりも大きなものを示したが、該応力緩和層１１ｄ３が、中空カバー１２ｂの数に拘わらず該中空カバー１２ｂの上面の総面積の約２／３以上と対向するような輪郭を有していれば、好ましくは約３／４以上と対向するような輪郭を有していれば、その輪郭形状及び配置位置に拘わらず前記効果１〜３と同様の効果を得ることができる。
【００３６】
さらに、図１〜図３には、フィルタ機能部が中空カバーで覆われた構造を備えた弾性波フィルタとしてＳＡＷフィルタ１２、１２-1及び１２-3を示したが、少なくとも１個の中空カバーによってフィルタ機能部が覆われた構造を備えたＢＡＷフィルタや他の弾性波フィルタを代わりに用いた場合でも、前記効果１〜３と同様の効果を得ることができる。
【００３７】
《第２実施形態》
図４（Ａ）、図４（Ｂ）、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は本発明の第２実施形態（電子部品内蔵基板）を示すもので、該第２実施形態に係る電子部品内蔵基板が前記第１実施形態に係る電子部品内蔵基板と異なるところは、
・ＳＡＷフィルタ１２に代えて、計３個の中空カバー１２ｂの上面に接地端子１２ｅを有  しないＳＡＷフィルタ１２-3（図４（Ａ）、図４（Ｂ）及び図５（Ａ）を参照）を用い  た点
にある。因みに、図４（Ａ）は図４（Ｂ）のＡ−Ａ線に沿う断面を示したものであるが、該図４（Ａ）にはＳＡＷフィルタ１２-3の断面の図示を省略してある。
【００３８】
ＳＡＷフィルタ１２-3は、図４（Ａ）及び図５（Ａ）に示したように、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム等の圧電体から成る略直方体状のフィルタ本体１２ａと、フィルタ本体１２ａの上面に形成されたフィルタ機能部（符号無し）と、フィルタ機能部を覆う３個の中空カバー１２ｂと、入力端子１２ｃと、出力端子１２ｄと、接地端子１２ｅと、フィルタ本体１２ａの上面に設けられた封止部１２ｆを有しており、全体が略直方体状を成している。
【００３９】
フィルタ機能部は、図５（Ｂ）に示したように、例えば、直列接続された３個の共振子ＲＥとこれに並列接続された２個の共振子ＲＥとから成るラダー型の構成を有しており、各共振子ＲＥは櫛歯状電極とその両側に配置された反射器とから成る。
【００４０】
各中空カバー１２ｂは、フィルタ本体１２ａの上面に接合された略矩形枠状のシールリング（図示省略）と、該シールリングに接合されてその上面開口を覆うカバープレート（図示省略）とから成り、各々の高さは例えば１０〜３０μｍの範囲内にある。シールリング及びカバープレートは銅やニッケルや金やこれらの合金等の金属から成る。つまり、ＳＡＷフィルタ１２は、フィルタ機能部が各中空カバー１２ｂによって覆われ、該フィルタ機能部が各中空カバー１２ｂによって形成された中空部内に配された構造を有している。
【００４１】
封止部１２ｆは、各中空カバー１２ｂを覆うようにしてフィルタ本体１２ａの上面に設けられており、各端子１２ｃ〜１２ｅは該封止部１２ｆの上面から露出している。封止部１２ｆは液晶ポリマーやシンジオタクチックポリスチレンやポリフェニレンサルファイドやポリエーテルエーテルケトンやポリエーテルニトリル等の耐湿性が高い熱可塑性プラスチックから成り、各中空カバー１２ｂ上における厚さは例えば１０〜２０μｍの範囲内にある。
【００４２】
このＳＡＷフィルタ１２はフィルタ機能部を覆う各中空カバー１２ｂが上を向くように、且つ、その上面がコア層１１ａの上面と略面一となるように収容部１１ａ１内に収納され、封止部１２ｆの上面を第１絶縁体層１１ｃによって覆われている。また、ＳＡＷフィルタ１２の入力端子１２ｃは導体ビア１１ｄ２を介して基板１１の上面で露出する導体ビア１１ｆ２に接続されており、図示を省略したが、出力端子１２ｄも導体ビア１１ｄ２を介して基板１１の上面で露出する導体ビア１１ｆ２に接続されている。さらに、ＳＡＷフィルタ１２の接地端子１２ｅは、導体ビア１１ｄ２を介して応力緩和層１１ｄ３に接続されている。
【００４３】
この第２実施形態に係る電子部品内蔵基板でも、前記《第１実施形態》で説明した効果１〜３と同様の効果を得ることができる。
【００４４】
尚、図４及び図５には、ＳＡＷフィルタ１２-3として計３個の中空カバー１２ｂを有するものを示したが、図３（Ａ）に示したような計５個の中空カバー１２ｂ（但し、接地端子無し）を有するものや、図３（Ｂ）に示したような計１個の中空カバー１２ｂ（但し、接地端子無し）を有するものをＳＡＷフィルタ１２-3の代わりに用いた場合でも、要するにフィルタ機能部を覆う少なくとも１つの中空カバー１２ｂ（但し、接地端子無し）を有するＳＡＷフィルタを代わりに用いた場合でも、前記効果１〜３と同様の効果を得ることができる。
【００４５】
また、図４及び図５には、１個の接地端子１２ｅを有するＳＡＷフィルタ１２-3を示したが、中空カバー１２ｂの上面以外の位置に２個以上の接地端子１２ｅを有するＳＡＷフィルタを代わりに用いた場合でも、入力端子１２ｃ及び出力端子１２ｄの数に拘わらず前記効果１〜３と同様の効果を得ることができる。
【００４６】
さらに、図４には、応力緩和層１１ｄ３としてその輪郭がＳＡＷフィルタ１２-3の上面輪郭よりも大きなものを示したが、該応力緩和層１１ｄ３が、中空カバー１２ｂの数に拘わらず該中空カバー１２ｂの上面の総面積の約２／３以上と対向するような輪郭を有していれば、好ましくは約３／４以上と対向するような輪郭を有していれば、その輪郭形状及び配置位置に拘わらず、前記効果１〜３と同様の効果を得ることができる。
【００４７】
さらに、図４及び図５と前々段落には、フィルタ機能部が中空カバーで覆われた構造を備えた弾性波フィルタとしてＳＡＷフィルタ１２-3他を示したが、少なくとも１個の中空カバーによってフィルタ機能部が覆われた構造を備えたＢＡＷフィルタや他の弾性波フィルタを代わりに用いた場合でも、前記効果１〜３と同様の効果を得ることができる。
【００４８】
《第３実施形態》
図６（Ａ）及び図６（Ｂ）は本発明の第３実施形態（電子部品内蔵基板）を示すもので、該第３実施形態に係る電子部品内蔵基板が前記第１実施形態に係る電子部品内蔵基板と異なるところは、
・応力緩和層１１ｄ３に代えて、前記第１導体層１１ｄに含まれる接地用配線１１ｄ１と  非接触で孤立している応力緩和層１１ｄ４を用いた点
にある。因みに、図６（Ａ）は図６（Ｂ）のＡ−Ａ線に沿う断面を示したものであるが、該図６（Ａ）にはＳＡＷフィルタ１２の断面の図示を省略してある。
【００４９】
この応力緩和層１１ｄ４は、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示したように、ＳＡＷフィルタ１２の上面輪郭よりも小さな略矩形状の輪郭を有し、第１導体層１１ｄに含まれる接地用配線１１ｄ１と連続しておらず、該接地用配線１１ｄ１と非接触で孤立している。この応力緩和層１１ｄ４は、接地用配線１１ｄ１と連続していないものの、第１導体層１１ｄの一部によって構成されているため、該応力緩和層１１ｄ４は配線１１ｄ１（第１導体層１１ｄ）と同じ金属から成り、その厚さも配線１１ｄ１（第１導体層１１ｄ）と略同じである。つまり、応力緩和層１１ｄ４は配線１１ｄ１（第１導体層１１ｄ）と同じ金属から成るため、該応力緩和層１１ｄ４のヤング率は第１絶縁体層１１ｃ及び第２絶縁体層１１ｅ（何れもプラスチック製）のヤング率よりも高値である。また、応力緩和層１１ｄ４は、第１絶縁体層１１ｃの厚さと封止部１２ｆの中空カバー１２ｂ上の部分の厚さの和に略相当する間隔をおいて、ＳＡＷフィルタ１２の３個の中空カバー１２ｂの上面領域の約５／６と略平行に向き合っている。
【００５０】
ＳＡＷフィルタ１２の入力端子１２ｃは導体ビア１１ｄ２を介して基板１１の表面で露出する導体ビア１１ｆ２に接続されており、図示を省略したが、出力端子１２ｄも導体ビア１１ｄ２を介して基板１１の表面で露出する導体ビア１１ｆ２に接続されている。また、ＳＡＷフィルタ１２の３個の接地端子１２ｅのうちの１つは導体ビア１１ｄ２を介して接地用配線１１ｄ１に接続され、残りの２つは導体ビア１１ｄ２を介して応力緩和層１１ｄ４に接続されている。
【００５１】
この第３実施形態に係る電子部品内蔵基板でも、前記《第１実施形態》で説明した効果１〜３と同様の効果を得ることができる。因みに、この電子部品内蔵基板の応力緩和層１１ｄ４は接地用配線１１ｄ１と非接触で孤立しているため、該応力緩和層１１ｄ４に導体ビア１１ｄ２を介して接続されたＳＡＷフィルタ１２の２つの接地端子１２ｅに実質的な接地を得る場合には、接地用配線１１ｄ１に接続された接地端子１２ｅにこれら２つの接地端子１２ｅを接続するような回路構成をフィルタ機能部として構築しておく必要がある。
【００５２】
尚、図６には、ＳＡＷフィルタ１２として計３個の中空カバー１２ｂを有するものを示したが、計５個の中空カバー１２ｂを有するＳＡＷフィルタ１２-1（図３（Ａ）を参照）や、計１個の中空カバー１２ｂを有するＳＡＷフィルタ１２-2（図３（Ｂ）を参照）をＳＡＷフィルタ１２に代わりに用いた場合でも、要するにフィルタ機能部を覆う少なくとも１つの中空カバー１２ｂを有するＳＡＷフィルタを代わりに用いた場合でも、前記効果１〜３と同様の効果を得ることができる。応力緩和層１１ｄ４に導体ビア１１ｄ２を介して接続されたＳＡＷフィルタ１２-1及び１２-3の接地端子１２ｅに実質的な接地を得る場合については先に述べた通りである。
【００５３】
また、図６には、３個の接地端子１２ｅを有するＳＡＷフィルタ１２を示したが、前記《第１実施形態》で説明したように、該接地端子１２ｅの数が１個、２個又は４個以上のＳＡＷフィルタを代わりに用いた場合でも、要するに少なくとも１個の接地端子１２ｅが中空カバー１２ｂの上面に在るＳＡＷフィルタを代わりに用いた場合でも、入力端子１２ｃ及び出力端子１２ｄの数に拘わらず前記効果１〜３と同様の効果を得ることができる。
【００５４】
さらに、図６には、応力緩和層１１ｄ４としてその輪郭がＳＡＷフィルタ１２の上面輪郭よりも小さなものを示したが、該応力緩和層１１ｄ４が、中空カバー１２ｂの数に拘わらず該中空カバー１２ｂの上面の総面積の約２／３以上と対向するような輪郭を有していれば、好ましくは約３／４以上と対向するような輪郭を有していれば、その輪郭形状及び配置位置に拘わらず前記効果１〜３と同様の効果を得ることができる。
【００５５】
さらに、図６には、フィルタ機能部が中空カバーで覆われた構造を備えた弾性波フィルタとしてＳＡＷフィルタ１２を示したが、少なくとも１個の中空カバーによってフィルタ機能部が覆われた構造を備えたＢＡＷフィルタや他の弾性波フィルタをＳＡＷフィルタに代わりに用いた場合でも、前記効果１〜３と同様の効果を得ることができる。
【００５６】
《第４実施形態》
図７（Ａ）及び図７（Ｂ）は本発明の第４実施形態（電子部品内蔵基板）を示すもので、該第４実施形態に係る電子部品内蔵基板が前記第３実施形態に係る電子部品内蔵基板と異なるところは、
・ＳＡＷフィルタ１２に代えて、計３個の中空カバー１２ｂの上面に接地端子１２ｅを有  しないＳＡＷフィルタ１２-3（図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に加えて図４（Ａ）、図４（  Ｂ）及び図５（Ａ）を参照）を用いた点
にある。因みに、図７（Ａ）は図７（Ｂ）のＡ−Ａ線に沿う断面を示したものであるが、該図７（Ａ）にはＳＡＷフィルタ１２-3の断面の図示を省略してある。また、ＳＡＷフィルタ１２-3の構成等は前記《第２実施形態》で説明した通りであるため、ここでの説明を省略する。
【００５７】
この第４実施形態に係る電子部品内蔵基板でも、前記《第１実施形態》で説明した効果１〜３と同様の効果を得ることができる。
【００５８】
尚、図７には、ＳＡＷフィルタ１２-3として計３個の中空カバー１２ｂを有するものを示したが、図３（Ａ）に示したような計５個の中空カバー１２ｂ（但し、接地端子無し）を有するものや、図３（Ｂ）に示したような計１個の中空カバー１２ｂ（但し、接地端子無し）を有するものをＳＡＷフィルタ１２-3に代わりに用いた場合でも、要するにフィルタ機能部を覆う少なくとも１つの中空カバー１２ｂ（但し、接地端子無し）を有するＳＡＷフィルタを代わりに用いた場合でも、前記効果１〜３と同様の効果を得ることができる。
【００５９】
また、図７には、１個の接地端子１２ｅを有するＳＡＷフィルタ１２を示したが、前記《第２実施形態》で説明したように、中空カバー１２ｂの上面以外の位置に２個以上の接地端子１２ｅを有するＳＡＷフィルタ１２を代わりに用いた場合でも、入力端子１２ｃ及び出力端子１２ｄの数に拘わらず前記効果１〜３と同様の効果を得ることができる。
【００６０】
さらに、図７には、応力緩和層１１ｄ４としてその輪郭がＳＡＷフィルタ１２-3の上面輪郭よりも小さなものを示したが、該応力緩和層１１ｄ４が、中空カバー１２ｂの数に拘わらず該中空カバー１２ｂの上面の総面積の約２／３以上と対向するような輪郭を有していれば、好ましくは約３／４以上と対向するような輪郭を有していれば、その輪郭形状及び配置位置に拘わらず前記効果１〜３と同様の効果を得ることができる。
【００６１】
さらに、図７と前々段落には、フィルタ機能部が中空カバーで覆われた構造を備えた弾性波フィルタとしてＳＡＷフィルタ１２-3他を示したが、少なくとも１個の中空カバーによってフィルタ機能部が覆われた構造を備えたＢＡＷフィルタや他の弾性波フィルタをＳＡＷフィルタに代わりに用いた場合でも、前記効果１〜３と同様の効果を得ることができる。
【００６２】
《他の実施形態》
（１）前記《第３実施形態》及び《第４実施形態》では、応力緩和層１１ｄ４が第１導体層１１ｄに含まれる接地用配線１１ｄ１と非接触で孤立しているものを示したが、これら電子部品内蔵基板にあっては、応力緩和層１１ｄ４を第１導体層１１ｄと異なる材料から形成することも可能である。例えば、第１絶縁体層１１ｃ及び第２絶縁体層１１ｅのヤング率よりもヤング率が高値であるセラミックスやガラス等の絶縁体から応力緩和層１１ｄ４に略相当する輪郭及び厚さを有する層状物を予め作製しておき、第１絶縁体層１１ｃの所定位置に該層状物を置いてから第２絶縁体層１１ｅを作製するか、或いは、第１絶縁体層１１ｃの所定位置に該層状物をペースト塗布及び焼付け等の手法によって直接作製してから第２絶縁体層１１ｅを作製すれば、応力緩和層１１ｄ４を第１導体層１１ｄと異なる材料から形成した上で前記効果１及び２と同様の効果を得ることができる。
【００６３】
（２）前記《第１実施形態》〜《第４実施形態》では、基板１１のコア層１１ａに略直方体状の収容部１１ａ１を貫通形成したものを示したが、該収容部１１ａ１の形状は所期の弾性波フィルタを収容できるものであれば略直方体状に限定されるものではない。しかも、貫通型の収容部１１ａ１の代わりに、凹状の収容部をコア層１１ａに形成して該収容部に弾性波フィルタを収納しても、前記効果１〜３と同様の効果を得ることができる。
【００６４】
（３）前記《第１実施形態》〜《第４実施形態》では、基板１１として、コア層１１ａの上側に各２つの絶縁体層１１ｃ及び１１ｅと導体層１１ｄ及び１１ｆを設け、且つ、下側に各２つの絶縁体層１１ｇ及び１１ｉと導体層１１ｈ及び１１ｊを設けたものを示したが、コア層１１ａの上側から第２絶縁層１１ｅと第２導体層１１ｆを除外した層構成を採用しても、或いは、コア層１１ａの上側の第２導体層１１ｆ上にさらに絶縁体層及び導体層を設けた構成を採用しても、前記効果１〜３と同様の効果を得ることができる。一方、コア層１１ａの下側の絶縁体層と導体層については、その層数を適宜増減しても前記効果１〜３と同様の効果を得られることは言うまでもない。
【００６５】
（４）前記《第１実施形態》〜《第４実施形態》では、基板１１のコア層１１ａが金属から成るものを示したが、該コア層１１ａの代わりに、プラスチック等の絶縁体から成りコア層１１ａと同じ厚さを有するコア層を用いても、或いは、各絶縁体層１１ｃ、１１ｅ、１１ｇ及び１１ｉと同じ絶縁体層を積層して構成されたコア層を用いても、前記効果１〜３と同様の効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００６６】
１１…基板、１１ａ…コア層、１１ａ１…収容部、１１ｂ…部品固定部、１１ｃ，１１ｅ，１１ｇ，１１ｉ…絶縁体層、１１ｄ，１１ｆ，１１ｈ，１１ｊ…導体層、１１ｄ１，１１ｆ１，１１ｈ１，１１ｊ１…配線、１１ｄ２，１１ｆ２，１１ｈ２…導体ビア、１１ｄ３，１１ｄ４…応力緩和層、１２，１２-1，１２-2，１２-3…ＳＡＷフィルタ、１２ａ…フィルタ本体、１２ｂ…中空カバー、１２ｃ〜１２ｅ…端子、１２ｆ…封止部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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