(57)【要約】【課題】本発明は、積層セラミック電子部品に関する。【解決手段】本発明は、誘電体層を含むセラミック本体と、上記セラミック本体内において上記誘電体層を介して対向するように配置される複数の内部電極と、上記複数の内部電極と電気的に連結された外部電極と、を含み、上記セラミック本体は、容量形成部である活性層Ｓと上記活性層の上面及び下面のうち少なくとも一面に形成される容量非形成部であるカバー層Ｃとを含み、上記セラミック本体の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向Ｌ−Ｔの断面における上記カバー層Ｃの平均厚さｔｄは１５μｍ以下であり、上記外部電極は導電性金属及びガラスを含み、上記ガラスにおいて上記外部電極の長さ方向の平均長さをＬｓとするとき、Ｌｓ≦１０μｍを満たす積層セラミック電子部品及びその製造方法を提供する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層を含むセラミック本体と、
前記セラミック本体内において前記誘電体層を介して対向するように配置される複数の内部電極と、
前記複数の内部電極と電気的に連結された外部電極と、を含み、
前記セラミック本体は、容量形成部である活性層Ｓと前記活性層の上面及び下面のうち少なくとも一面に形成される容量非形成部であるカバー層Ｃとを含み、前記セラミック本体の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向Ｌ−Ｔの断面における前記カバー層Ｃの平均厚さｔｄは１５μｍ以下であり、前記外部電極は導電性金属及びガラスを含み、前記ガラスにおいて前記外部電極の長さ方向の平均長さをＬｓとするとき、Ｌｓ≦１０μｍを満たす、積層セラミック電子部品。
【請求項２】
前記セラミック本体の厚さ方向の中央部領域における前記外部電極の厚さをＴｃ、前記セラミック本体の厚さ方向の長さＳにおいて前記容量形成部の中央部領域から２５％離れた地点の前記外部電極の厚さをＴ１とするとき、Ｔ１／Ｔｃ≧０．８を満たす、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項３】
前記セラミック本体の厚さ方向の中央部領域における前記外部電極の厚さをＴｃ、前記容量形成部において前記複数の内部電極が形成された最外側地点の前記外部電極の厚さをＴ２とするとき、Ｔ２／Ｔｃ≧０．５を満たす、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項４】
前記ガラスは、平均粒径が２μｍ以下である、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項５】
前記導電性金属は、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）及び銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）からなる群より選択された一つ以上である、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項６】
前記ガラスは、絶縁性を有する、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項７】
誘電体層を含むセラミック本体と、
前記セラミック本体内において前記誘電体層を介して対向するように配置される複数の内部電極と、
前記複数の内部電極と電気的に連結された外部電極と、を含み、
前記セラミック本体は、容量形成部である活性層Ｓと前記活性層の上面及び下面のうち少なくとも一面に形成される容量非形成部であるカバー層Ｃとを含み、前記セラミック本体の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向Ｌ−Ｔの断面における前記カバー層Ｃの平均厚さｔｄは１５μｍ以下であり、前記外部電極は導電性金属及びガラスを含み、前記ガラスが前記外部電極内に占めるそれぞれの領域の面積をＡ１、Ａ２、・・・、Ａｎとするとき、前記面積の累積分布５０％値をＤ５０、また、９０％値をＤ９０とするとき、０．１≦Ｄ５０／Ｄ９０≦０．８を満たす、積層セラミック電子部品。
【請求項８】
前記セラミック本体の厚さ方向の中央部領域における前記外部電極の厚さをＴｃ、前記セラミック本体の厚さ方向の長さＳにおいて前記容量形成部の中央部領域から２５％離れた地点の前記外部電極の厚さをＴ１とするとき、Ｔ１／Ｔｃ≧０．８を満たす、請求項７に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項９】
前記セラミック本体の厚さ方向の中央部領域における前記外部電極の厚さをＴｃ、前記容量形成部において前記複数の内部電極が形成された最外側地点の前記外部電極の厚さをＴ２とするとき、Ｔ２／Ｔｃ≧０．５を満たす、請求項７に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１０】
前記ガラスは、平均粒径が２μｍ以下である、請求項７に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１１】
前記導電性金属は、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）及び銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）からなる群より選択された一つ以上である、請求項７に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１２】
前記ガラスは、絶縁性を有する、請求項７に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１３】
誘電体層を含むセラミック本体と、
前記セラミック本体内において前記誘電体層を介して対向するように配置される複数の内部電極と、
前記複数の内部電極と電気的に連結された外部電極と、を含み、
前記セラミック本体は、容量形成部である活性層Ｓと前記活性層の上面及び下面のうち少なくとも一面に形成される容量非形成部であるカバー層Ｃとを含み、前記セラミック本体の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向Ｌ−Ｔの断面における前記カバー層Ｃの平均厚さｔｄは１５μｍ以下であり、前記外部電極は導電性金属及びガラスを含み、前記ガラスにおいて前記外部電極の長さ方向の平均長さをＬｓとするとき、Ｌｓ≦１０μｍであり、前記ガラスが前記外部電極内に占めるそれぞれの領域の面積をＡ１、Ａ２、・・・、Ａｎとするとき、前記面積の累積分布５０％値をＤ５０、また、９０％値をＤ９０とするとき、０．１≦Ｄ５０／Ｄ９０≦０．８を満たす、積層セラミック電子部品。
【請求項１４】
前記セラミック本体の厚さ方向の中央部領域における前記外部電極の厚さをＴｃ、前記セラミック本体の厚さ方向の長さＳにおいて前記容量形成部の中央部領域から２５％離れた地点の前記外部電極の厚さをＴ１とするとき、Ｔ１／Ｔｃ≧０．８を満たす、請求項１３に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１５】
前記セラミック本体の厚さ方向の中央部領域における前記外部電極の厚さをＴｃ、前記容量形成部において前記複数の内部電極が形成された最外側地点の前記外部電極の厚さをＴ２とするとき、Ｔ２／Ｔｃ≧０．５を満たす、請求項１３に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１６】
前記ガラスは、平均粒径が２μｍ以下である、請求項１３に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１７】
前記ガラスは、絶縁性を有する、請求項１３に記載の積層セラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、めっき液浸透を防止することで、信頼性が改善された積層セラミック電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、電子製品の小型化の傾向に伴い、積層セラミック電子部品にも小型化及び大容量化が求められている。
【０００３】
また、積層セラミック電子部品の小型化及び大容量化のニーズに合わせて積層セラミック電子部品の外部電極も薄層化されている。
【０００４】
外部電極ペーストは、主材料として銅（Ｃｕ）のような伝導性金属を用いてチップの密閉性及びチップとの電気的連結性を保障し、補助材料としてガラスを用いて上記金属の焼結収縮時に空き空間を満たすと共に、外部電極とチップとの結合力を与える役割をする。
【０００５】
しかしながら、外部電極ペースト内でガラス含量が不足していると、チップの密閉性に問題が生じる可能性があり、これを補完するために、過剰のガラスを添加すると、金属が焼結した後、ガラスの表面溶出によるめっき不良が発生するという問題がある。
【０００６】
特に、外部電極の薄層化によって、所望の水準の緻密度を具現することが困難となり、ガラスの高温挙動の特性上、ガラスの不足または過剰による不良の発生可能性が増加する。
【０００７】
また、外部電極の形状が均一でない場合、厚さが薄い部位にめっき液が浸透するおそれがさらに高くなって信頼性の確保に問題が生じる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−０７７２５８号公報
【特許文献２】特開２００５−１５０６５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、めっき液浸透を防止することで、信頼性が改善された積層セラミック電子部品に関する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一形態によると、誘電体層を含むセラミック本体と、上記セラミック本体内において上記誘電体層を介して対向するように配置される複数の内部電極と、上記複数の内部電極と電気的に連結された外部電極と、を含み、上記セラミック本体は、容量形成部である活性層と上記活性層の上面及び下面のうち少なくとも一面に形成される容量非形成部であるカバー層Ｃとを含み、上記セラミック本体の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向Ｌ−Ｔの断面における上記カバー層Ｃの平均厚さｔｄは１５μｍ以下であり、上記外部電極は導電性金属及びガラスを含み、上記ガラスにおいて上記外部電極の長さ方向の平均長さをＬｓとするとき、Ｌｓ≦１０μｍを満たす積層セラミック電子部品が提供される。
【００１１】
上記セラミック本体の厚さ方向の中央部領域における上記外部電極の厚さをＴｃ、上記セラミック本体の厚さ方向の長さＳにおいて上記容量形成部の中央部領域から２５％離れた地点の上記外部電極の厚さをＴ１とするとき、Ｔ１／Ｔｃ≧０．８を満たすことができる。
【００１２】
上記セラミック本体の厚さ方向の中央部領域における上記外部電極の厚さをＴｃ、上記容量形成部において上記複数の内部電極が形成された最外側地点の上記外部電極の厚さをＴ２とするとき、Ｔ２／Ｔｃ≧０．５を満たすことができる。
【００１３】
上記ガラスは、平均粒径が２μｍ以下であることができる。
【００１４】
上記導電性金属は、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）及び銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）からなる群より選択された一つ以上であることができる。
【００１５】
上記ガラスは、絶縁性を有することができる。
【００１６】
本発明の他の形態によると、誘電体層を含むセラミック本体と、上記セラミック本体内において上記誘電体層を介して対向するように配置される複数の内部電極と、上記複数の内部電極と電気的に連結された外部電極と、を含み、上記セラミック本体は、容量形成部である活性層と上記活性層の上面及び下面のうち少なくとも一面に形成される容量非形成部であるカバー層Ｃとを含み、上記セラミック本体の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向Ｌ−Ｔの断面における上記カバー層Ｃの平均厚さｔｄは１５μｍ以下であり、上記外部電極は導電性金属及びガラスを含み、上記ガラスが上記外部電極内に占めるそれぞれの領域の面積をＡ１、Ａ２、・・・、Ａｎとするとき、上記面積の累積分布５０％値をＤ５０、また、９０％値をＤ９０とするとき、０．１≦Ｄ５０／Ｄ９０≦０．８を満たす積層セラミック電子部品が提供される。
【００１７】
上記セラミック本体の厚さ方向の中央部領域における上記外部電極の厚さをＴｃ、上記セラミック本体の厚さ方向の長さＳにおいて上記容量形成部の中央部領域から２５％離れた地点の上記外部電極の厚さをＴ１とするとき、Ｔ１／Ｔｃ≧０．８を満たすことができる。
【００１８】
上記セラミック本体の厚さ方向の中央部領域における上記外部電極の厚さをＴｃ、上記容量形成部において上記複数の内部電極が形成された最外側地点の上記外部電極の厚さをＴ２とするとき、Ｔ２／Ｔｃ≧０．５を満たすことができる。
【００１９】
上記ガラスは、平均粒径が２μｍ以下であることができる。
【００２０】
上記導電性金属は、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）及び銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）からなる群より選択された一つ以上であることができる。
【００２１】
上記ガラスは、絶縁性を有することができる。
【００２２】
本発明の他の形態によると、誘電体層を含むセラミック本体と、上記セラミック本体内において上記誘電体層を介して対向するように配置される複数の内部電極と、上記複数の内部電極と電気的に連結された外部電極と、を含み、上記セラミック本体は、容量形成部である活性層と上記活性層の上面及び下面のうち少なくとも一面に形成される容量非形成部であるカバー層Ｃとを含み、上記セラミック本体の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向Ｌ−Ｔの断面における上記カバー層Ｃの平均厚さｔｄは１５μｍ以下であり、上記外部電極は導電性金属及びガラスを含み、上記ガラスにおいて上記外部電極の長さ方向の平均長さをＬｓとするとき、Ｌｓ≦１０μｍであり、上記ガラスが上記外部電極内に占めるそれぞれの領域の面積をＡ１、Ａ２、・・・、Ａｎとするとき、上記面積の累積分布５０％値をＤ５０、また、９０％値をＤ９０とするとき、０．１≦Ｄ５０／Ｄ９０≦０．８を満たす積層セラミック電子部品が提供される。
【００２３】
上記セラミック本体の厚さ方向の中央部領域における上記外部電極の厚さをＴｃ、上記セラミック本体の厚さ方向の長さＳにおいて上記容量形成部の中央部領域から２５％離れた地点の上記外部電極の厚さをＴ１とするとき、Ｔ１／Ｔｃ≧０．８を満たすことができる。
【００２４】
上記セラミック本体の厚さ方向の中央部領域における上記外部電極の厚さをＴｃ、上記容量形成部において上記複数の内部電極が形成された最外側地点の上記外部電極の厚さをＴ２とするとき、Ｔ２／Ｔｃ≧０．５を満たすことができる。
【００２５】
上記ガラスは、平均粒径が２μｍ以下であることができる。
【００２６】
上記ガラスは、絶縁性を有することができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によると、めっき液浸透を防止することで、信頼性が改善された積層セラミック電子部品を具現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の第１から第６実施例による積層セラミックキャパシタを概略的に示す斜視図である。
【図２】図１のＢ−Ｂ’に沿った断面図である。
【図３】本発明の第１実施例による図２のＡ部分の拡大図である。
【図４】本発明の第２実施例による図２のＡ部分の拡大図である。
【図５】本発明の第３実施例による図２のＡ部分の拡大図である。
【図６】本発明の第４実施例による図２のＡ部分の拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
本発明の実施形態は、他の多様な形態に変形されることができ、本発明の範囲が以下で説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、当業界で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。従って、図面上における要素の形状及びサイズなどは、より明確な説明のために誇張されることがあり、図面上に同じ符号で示される要素は同一要素である。
【００３０】
以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。
【００３１】
図１は、本発明の第１から第６実施例による積層セラミックキャパシタを概略的に示す斜視図である。
【００３２】
図２は、図１のＢ−Ｂ’に沿った断面図である。
【００３３】
図３は、本発明の第１実施例による図２のＡ部分の拡大図である。
【００３４】
図１から図３を参照すると、本発明の第１実施例による積層セラミック電子部品は、誘電体層１を含むセラミック本体１０と、上記セラミック本体１０内において上記誘電体層１を介して対向するように配置される複数の内部電極２１、２２と、上記複数の内部電極２１、２２と電気的に連結された外部電極３１、３２と、を含み、上記セラミック本体１０は、容量形成部である活性層と上記活性層の上面及び下面のうち少なくとも一面に形成される容量非形成部であるカバー層Ｃとを含み、上記セラミック本体１０の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向Ｌ−Ｔの断面における上記カバー層Ｃの平均厚さｔｄは１５μｍ以下であり、上記外部電極３１、３２は導電性金属２及びガラス３を含み、上記外部電極３１、３２の長さ方向における上記ガラス３の平均長さをＬｓとするとき、Ｌｓ≦１０μｍを満たすことができる。
【００３５】
以下では、本発明の第１実施例による積層セラミック電子部品、特に、積層セラミックキャパシタを例に挙げて説明するが、これに制限されるものではない。
【００３６】
本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタにおいて、「長さ方向」は図１の「Ｌ」方向、「幅方向」は「Ｗ」方向、「厚さ方向」は「Ｔ」方向と定義する。ここで、「厚さ方向」は誘電体層を積み重ねる方向、即ち、「積層方向」と同一概念に用いることができる。
【００３７】
本発明の第１実施例によると、上記誘電体層１を形成する原料は十分な静電容量が得られるものであれば、特に制限されない。例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）粉末であってよい。
【００３８】
上記誘電体層１を形成する材料としては、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などのパウダーに、本発明の目的に応じて多様なセラミック添加剤、有機溶剤、可塑剤、結合剤、分散剤などが添加されたものを用いる。
【００３９】
上記複数の内部電極２１、２２を形成する材料は、特に制限されない。例えば、銀（Ａｇ）、鉛（Ｐｂ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）及び銅（Ｃｕ）のうち一つ以上の物質を含む導電性ペーストを用いて形成することができる。
【００４０】
本発明の第１実施例による積層セラミックキャパシタは、上記複数の内部電極２１、２２と電気的に連結された外部電極３１、３２を含むことができる。
【００４１】
本発明の第１実施例によると、上記セラミック本体は、容量形成部である活性層と、上記活性層の上面及び下面のうち少なくとも一面に形成される容量非形成部であるカバー層Ｃと、を含み、上記セラミック本体の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向Ｌ−Ｔの断面における上記カバー層Ｃの平均厚さｔｄは１５μｍ以下であることができる。
【００４２】
上記容量形成部である活性層は、上記セラミック本体１０内において上記複数の内部電極２１、２２が積層された領域を意味することができる。
【００４３】
上記カバー層Ｃの平均厚さｔｄは、図２のように、積層セラミックキャパシタの長さ方向の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージスキャンして測定することができる。
【００４４】
具体的には、図２のように、積層セラミックキャパシタの幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向Ｌ−Ｔの断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でスキャンしたイメージから抽出したカバー層Ｃの領域に対し、カバー層の断面における各地点の厚さを測定して求めることができる。
【００４５】
一般に、上記セラミック本体の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向Ｌ−Ｔの断面における上記カバー層Ｃの平均厚さｔｄが１５μｍ以下であると、上記積層セラミックキャパシタにおいてめっき液浸透の可能性が高くなる。
【００４６】
しかしながら、後述するように、本発明の第１から第３実施例によると、上記カバー層Ｃの平均厚さｔｄが１５μｍ以下であっても、めっき液が浸透しないために信頼性に優れた積層セラミック電子部品を具現することができる。
【００４７】
これに対し、上記カバー層Ｃの平均厚さｔｄが１５μｍを超過すると、上記カバー層Ｃの平均厚さが厚いためにめっき液浸透の問題は発生しない。
【００４８】
また、上記外部電極３１、３２は、導電性金属２及びガラス３を含むことができる。
【００４９】
上記導電性金属２は、特に制限されないが、例えば、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）及び銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）からなる群より選択された一つ以上であることができる。
【００５０】
上記ガラス３は、１種の絶縁性ガラスであることができるが、これに制限されるものではない。
【００５１】
上記外部電極３１、３２は、導電性金属２及びガラス３を含み、上記外部電極３１、３２の長さ方向における上記ガラス３の平均長さをＬｓとするとき、Ｌｓ≦１０μｍを満たすことができる。
【００５２】
上記外部電極３１、３２の長さ方向における上記ガラス３の平均長さＬｓは、図２のように、セラミック本体１０の長さ方向の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージスキャンして測定することができる。
【００５３】
具体的には、図２のように、セラミック本体１０の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向Ｌ−Ｔの断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でスキャンしたイメージから抽出した外部電極の領域に対し、外部電極の断面において上記外部電極３１、３２の長さ方向における上記ガラス３の平均長さを測定して求めることができる。
【００５４】
上記ガラス３において長さ方向の平均長さＬｓは、上記外部電極の断面に分布するガラスそれぞれの長さ方向の長さＬｓ１＋Ｌｓ２＋Ｌｓ３・・・＋Ｌｓｎを測定した後、上記ガラスの長さの全体平均値として求めることができる。
【００５５】
上記長さ方向の長さＬｓ１＋Ｌｓ２＋Ｌｓ３・・・＋Ｌｓｎは、それぞれのガラス３の領域内において長さ方向の最上点と最下点との距離として測定することができる。
【００５６】
上記ガラス３において上記外部電極３１、３２の長さ方向の平均長さＬｓがＬｓ≦１０μｍを満たすことで、めっき液の浸透を防ぐことができ、信頼性に優れた積層セラミックキャパシタを具現することができる。
【００５７】
即ち、上記ガラスの平均長さが１０μｍ以下になるように調節することで、上記ガラスが上記外部電極内に均して分布することができて外部電極の緻密度が改善されることから、めっき液の浸透を防ぐことができる。
【００５８】
上記ガラスの平均長さが１０μｍを超過すると、ガラスの平均長さが大きくなってポア（ｐｏｒｅ）の発生をもたらす可能性があり、上記ポア（ｐｏｒｅ）によってめっき液が浸透されるおそれがある。
【００５９】
本発明の第１実施例によると、上記外部電極３１、３２の長さ方向における上記ガラス３の平均長さＬｓがＬｓ≦１０μｍを満たすようにするために、上記ガラスの平均粒径が２μｍ以下であることができるが、これに制限されるものではない。
【００６０】
即ち、平均粒径が２μｍ以下である微粉のガラスを用いることで、上記外部電極内の上記ガラスの平均長さが１０μｍ以下になるように調節することができ、これにより、外部電極の緻密度に優れるようになるため、めっき液浸透を防ぐことができる。
【００６１】
従って、上記のように平均粒径が２μｍ以下である微粉のガラスを用いて上記外部電極内の上記ガラスの平均長さが１０μｍ以下になるように調節することで、信頼性に優れた積層セラミック電子部品を具現することができる。
【００６２】
上記ガラスの平均粒径が２μｍを超過すると、上記ガラスの平均粒径が大きくなって外部電極内の上記ガラスの平均長さが１０μｍ以下になるように調節することができないため、ポア（ｐｏｒｅ）が発生する可能性があり、上記ポア（ｐｏｒｅ）を通じてめっき液が浸透されるおそれがある。
【００６３】
本発明の第１実施例によると、上記セラミック本体１０の厚さ方向の中央部領域における上記外部電極３１、３２の厚さをＴｃ、上記セラミック本体１０の厚さ方向の長さＳにおいて上記容量形成部の中央部領域から２５％離れた地点の上記外部電極３１、３２の厚さをＴ１とするとき、Ｔ１／Ｔｃ≧０．８を満たすことができる。
【００６４】
上記セラミック本体１０の厚さ方向の中央部領域における上記外部電極３１、３２の厚さＴｃとは、上記セラミック本体１０の厚さ方向の中央部地点から上記セラミック本体１０の長さ方向に仮想線を引いたときに接する外部電極の厚さを意味することができる。
【００６５】
また、上記複数の内部電極２１、２２が積層されて容量形成に寄与する容量形成部の中央部領域とは、上記セラミック本体１０の厚さ方向における上記容量形成部の中央部を意味することができる。
【００６６】
上記容量形成部は、上記セラミック本体１０内において上記複数の内部電極２１、２２が積層された領域を意味することができる。
【００６７】
上記セラミック本体１０の厚さ方向の長さＳにおいて上記容量形成部の中央部領域から２５％離れた地点の上記外部電極３１、３２の厚さＴ１とは、上記地点から上記セラミック本体１０の長さ方向に仮想線を引いたときに接する外部電極の厚さを意味することができる。
【００６８】
本発明の第１実施例によると、上記ＴｃとＴ１との間にＴ１／Ｔｃ≧０．８の関係を満たすことができる。
【００６９】
上記Ｔ１／Ｔｃの比率が０．８以上を満たしており、上記セラミック本体１０の厚さ方向における中央部領域の上記外部電極３１、３２の厚さＴｃと上記内部電極２１、２２が積層されて容量形成に寄与する上記セラミック本体１０の厚さ方向の長さＳにおいて上記容量形成部の中央部領域から２５％離れた地点の上記外部電極３１、３２の厚さＴ１との偏差を減らすことで、信頼性の低下を防止することができる。
【００７０】
上記Ｔ１／Ｔｃの比率が０．８未満の場合、外部電極の厚さ偏差が大きくなるため、厚さが薄い部分にめっき液が浸透する可能性があることから、信頼性が低下するという問題があり得る。
【００７１】
上記外部電極３１、３２の厚さは、図２のように、積層セラミックキャパシタの長さ方向の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージスキャンして測定することができる。
【００７２】
具体的には、図２のように、積層セラミックキャパシタの幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向Ｌ−Ｔの断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でスキャンしたイメージから抽出した外部電極の領域に対し、外部電極の断面における各地点の厚さを測定して求めることができる。
【００７３】
図４は、本発明の第２実施例による図２のＡ部分の拡大図である。
【００７４】
図４を参照すると、本発明の第２実施例による積層セラミック電子部品は、上記セラミック本体１０の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向Ｌ−Ｔの断面における上記カバー層Ｃの平均厚さｔｄが１５μｍ以下であり、上記外部電極３１、３２は導電性金属２及びガラス３を含み、上記外部電極３１、３２の長さ方向における上記ガラス３の平均長さをＬｓとするとき、Ｌｓ≦１０μｍを満たし、上記セラミック本体１０の厚さ方向の中央部領域における上記外部電極３１、３２の厚さをＴｃ、上記容量形成部において上記複数の内部電極２１、２２が形成された最外側地点の上記外部電極３１、３２の厚さをＴ２とするとき、Ｔ２／Ｔｃ≧０．５を満たすことができる。
【００７５】
上記容量形成部において上記複数の内部電極２１、２２が形成された最外側地点の上記外部電極３１、３２の厚さＴ２とは、上記複数の内部電極２１、２２が形成された最外側地点から上記セラミック本体１０の長さ方向に仮想線を引いたときに接する外部電極の厚さを意味することができる。
【００７６】
上記Ｔ２／Ｔｃの比率が０．５以上を満たすことで、上記セラミック本体１０の厚さ方向の中央部領域における上記外部電極３１、３２の厚さＴｃと上記複数の内部電極２１、２２が形成された最外側地点の上記外部電極３１、３２の厚さＴ２との偏差を減らすことで、信頼性の低下を防止することができる。
【００７７】
上記Ｔ２／Ｔｃの比率が０．５未満の場合、外部電極の厚さ偏差が大きくなるため、厚さが薄い部分にめっき液が浸透する可能性があることから、信頼性が低下するという問題があり得る。
【００７８】
その他、本発明の第２実施例による積層セラミック電子部品に関する特徴は、上記の第１実施例による積層セラミック電子部品の特徴と同一であるため、ここでは省略する。
【００７９】
図５は、本発明の第３実施例による図２のＡ部分の拡大図である。
【００８０】
図５を参照すると、本発明の第３実施例による積層セラミック電子部品は、誘電体層１を含むセラミック本体１０と、上記セラミック本体１０内において上記誘電体層１を介して対向するように配置される複数の内部電極２１、２２と、上記複数の内部電極２１、２２と電気的に連結された外部電極３１、３２と、を含み、上記セラミック本体１０は、容量形成部である活性層と上記活性層の上面及び下面のうち少なくとも一面に形成される容量非形成部であるカバー層Ｃとを含み、上記セラミック本体１０の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向Ｌ−Ｔの断面における上記カバー層Ｃの平均厚さｔｄは１５μｍ以下であり、上記外部電極３１、３２は導電性金属２及びガラス３を含み、上記ガラス３が上記外部電極３１、３２内に占めるそれぞれの領域の面積をＡ１、Ａ２、・・・、Ａｎとするとき、上記面積の累積分布５０％値をＤ５０、また、９０％値をＤ９０とするとき、０．１≦Ｄ５０／Ｄ９０≦０．８を満たすことができる。
【００８１】
本発明の第３実施例による積層セラミック電子部品は、上記ガラス３が上記外部電極３１、３２内に占めるそれぞれの領域の面積をＡ１、Ａ２、・・・、Ａｎとするとき、上記面積の累積分布５０％値をＤ５０、また、９０％値をＤ９０とするとき、０．１≦Ｄ５０／Ｄ９０≦０．８を満たすことができる。
【００８２】
上記ガラス面積の累積分布は、上記ガラス３が上記外部電極３１、３２内に占めるそれぞれの領域を測定して得られた上記ガラスの面積をサイズ順に示す累積関数で、分布曲線に示されることができる。
【００８３】
上記ガラス面積の累積分布において５０％値はＤ５０と示されることができ、９０％値はＤ９０と示されることができる。
【００８４】
上記ガラス３が上記外部電極３１、３２内に占めるそれぞれの領域の面積Ａ１、Ａ２、・・・、Ａｎは、図２のように、セラミック本体１０の長さ方向の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージスキャンして測定することができる。
【００８５】
具体的には、図２のように、セラミック本体１０の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向Ｌ−Ｔの断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でスキャンしたイメージから抽出した外部電極の領域に対し、外部電極の断面のうち上記ガラス３が上記外部電極３１、３２内に占めるそれぞれの領域の面積Ａ１、Ａ２、・・・、Ａｎを測定して求めることができる。
【００８６】
上記ガラス３が上記外部電極３１、３２内に占めるそれぞれの領域の面積Ａ１、Ａ２、・・・、Ａｎは、特に制限されないが、例えば、上記外部電極３１、３２の断面における１５０μｍ×１０μｍ（横×縦）の面積内にガラスが占める面積の比率として測定されることができる。
【００８７】
もちろん、上記のような一領域ではなく外部電極の全体領域に対し、上記ガラス３が上記外部電極３１、３２内に占めるそれぞれの領域の面積Ａ１、Ａ２、・・・、Ａｎを測定して求めることができる。
【００８８】
上記ガラス３の面積の累積分布において、０．１≦Ｄ５０／Ｄ９０≦０．８の関係を満たすように上記ガラス面積を調節することで、めっき液の浸透を防ぐことができるため、信頼性に優れた積層セラミックキャパシタを具現することができる。
【００８９】
上記ガラス３の面積の累積分布において、Ｄ５０／Ｄ９０の値が０．１未満の場合、ガラス面積の累積分布の偏差が大きくてめっき液浸透による信頼性が低下するという問題があり得る。
【００９０】
また、上記ガラス３の面積の累積分布において、Ｄ５０／Ｄ９０の値が０．８超過の場合、内部電極及び外部電極の連結性低下による容量接触性が低下するという問題があり得る。
【００９１】
本発明の第３実施例による積層セラミック電子部品は、上記セラミック本体１０の厚さ方向の中央部領域における上記外部電極３１、３２の厚さをＴｃ、上記セラミック本体１０の厚さ方向の長さＳにおいて上記容量形成部の中央部領域から２５％離れた地点の上記外部電極３１、３２の厚さをＴ１とするとき、Ｔ１／Ｔｃ≧０．８を満たすことができる。
【００９２】
その他、本発明の第３実施例による積層セラミック電子部品に関する特徴は、上記の第１及び第２実施例による積層セラミック電子部品の特徴と同一であるため、ここでは省略する。
【００９３】
図６は、本発明の第４実施例による図２のＡ部分の拡大図である。
【００９４】
図６を参照すると、本発明の第４実施例による積層セラミック電子部品は、上記セラミック本体１０の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向Ｌ−Ｔの断面における上記カバー層Ｃの平均厚さｔｄが１５μｍ以下であり、上記外部電極３１、３２は導電性金属２及びガラス３を含み、上記ガラス３が上記外部電極３１、３２内に占めるそれぞれの領域の面積をＡ１、Ａ２、・・・、Ａｎとするとき、上記面積の累積分布５０％値をＤ５０、また、９０％値をＤ９０とするとき、０．１≦Ｄ５０／Ｄ９０≦０．８を満たし、上記セラミック本体１０の厚さ方向の中央部領域における上記外部電極３１、３２の厚さをＴｃ、上記容量形成部において上記複数の内部電極２１、２２が形成された最外側地点の上記外部電極３１、３２の厚さをＴ２とするとき、Ｔ２／Ｔｃ≧０．５を満たすことができる。
【００９５】
本発明の第４実施例による積層セラミック電子部品に関する特徴は、上記の第１から第３実施例による積層セラミック電子部品の特徴と同一であるため、ここでは省略する。
【００９６】
また、本発明の第５実施例による積層セラミック電子部品は、誘電体層１を含むセラミック本体１０と、上記セラミック本体１０内において上記誘電体層１を介して対向するように配置される複数の内部電極２１、２２と、上記複数の内部電極２１、２２と電気的に連結された外部電極３１、３２と、を含み、上記セラミック本体１０は、容量形成部である活性層と上記活性層の上面及び下面のうち少なくとも一面に形成される容量非形成部であるカバー層Ｃとを含み、上記セラミック本体１０の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向Ｌ−Ｔの断面における上記カバー層Ｃの平均厚さｔｄは１５μｍ以下であり、上記外部電極３１、３２は導電性金属２及びガラス３を含み、上記外部電極３１、３２の長さ方向における上記ガラス３の平均長さをＬｓとするとき、Ｌｓ≦１０μｍであり、上記ガラス３が上記外部電極３１、３２内に占めるそれぞれの領域の面積をＡ１、Ａ２、・・・、Ａｎとするとき、上記面積の累積分布５０％値をＤ５０、また、９０％値をＤ９０とするとき、０．１≦Ｄ５０／Ｄ９０≦０．８を満たすことができる。
【００９７】
また、本発明の第５実施例による積層セラミック電子部品は、上記セラミック本体１０の厚さ方向の中央部領域における上記外部電極３１、３２の厚さをＴｃ、上記セラミック本体１０の厚さ方向の長さＳにおいて上記容量形成部の中央部領域から２５％離れた地点の上記外部電極３１、３２の厚さをＴ１とするとき、Ｔ１／Ｔｃ≧０．８を満たすことができる。
【００９８】
本発明の第６実施例による積層セラミック電子部品は、上記セラミック本体１０の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向Ｌ−Ｔの断面における上記カバー層Ｃの平均厚さｔｄは１５μｍ以下であり、上記外部電極３１、３２は導電性金属２及びガラス３を含み、上記ガラス３において上記外部電極３１、３２の長さ方向の平均長さをＬｓとするとき、Ｌｓ≦１０μｍであり、上記ガラス３が上記外部電極３１、３２内に占めるそれぞれの領域の面積をＡ１、Ａ２、・・・、Ａｎとするとき、上記面積の累積分布５０％値をＤ５０、また、９０％値をＤ９０とするとき、０．１≦Ｄ５０／Ｄ９０≦０．８を満たし、上記セラミック本体１０の厚さ方向の中央部領域における上記外部電極３１、３２の厚さをＴｃ、上記容量形成部において上記複数の内部電極２１、２２が形成された最外側地点の上記外部電極３１、３２の厚さをＴ２とするとき、Ｔ２／Ｔｃ≧０．５を満たすことができる。
【００９９】
本発明の第５及び第６実施例による積層セラミック電子部品に関する特徴は、上記の第１から第４実施例による積層セラミック電子部品の特徴と同一であるため、ここでは省略する。
【０１００】
以下では、本発明の第１から第６実施例による積層セラミック電子部品の製造方法、特に、積層セラミックキャパシタを例に挙げて説明するが、これに制限されるものではない。
【０１０１】
まず、誘電体層１及び上記誘電体層１を介して対向するように配置される複数の内部電極２１、２２を含むセラミック本体１０を用意する。
【０１０２】
上記誘電体層１は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などのパウダーをセラミック添加剤、有機溶剤、可塑剤、結合剤、分散剤と配合した後にバスケットミル（Ｂａｓｋｅｔ  Ｍｉｌｌ）を用いて形成したスラリーをキャリアフィルム（ｃａｒｒｉｅｒ  ｆｉｌｍ）上に塗布及び乾燥して数μｍの厚さで製造されたセラミックグリーンシートによって形成されることができる。
【０１０３】
その後、グリーンシート上に導電性ペーストをディスペンシング（ｄｉｓｐｅｎｓｉｎｇ）し、スキージー（ｓｑｕｅｅｇｅｅ）を一側方向に進行させながら導電性ペーストによる内部電極層を形成することができる。
【０１０４】
この際、導電性ペーストは、銀（Ａｇ）、鉛（Ｐｂ）、白金（Ｐｔ）などの貴金属材料及びニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）のうち一つの物質で形成されるか、少なくとも２つの物質を混合して形成されることができる。
【０１０５】
このように内部電極層が形成された後、グリーンシートをキャリアフィルムから分離した後、複数のグリーンシートそれぞれを重畳積層して積層体を形成することができる。
【０１０６】
次いで、グリーンシート積層体を高温及び高圧で圧着させた後、圧着されたシート積層体を所定のサイズに切断してセラミック本体を製造することができる。
【０１０７】
次に、導電性金属及びガラスを含む外部電極ペーストを用意する。
【０１０８】
上記導電性金属は、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）及び銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）からなる群より選択された一つ以上であることができる。
【０１０９】
また、上記ガラスは１種の絶縁性ガラスであることができるが、これに制限されるものではない。
【０１１０】
続いて、上記複数の内部電極２１、２２と電気的に連結されるように外部電極ペーストを上記セラミック本体１０上に塗布することができる。
【０１１１】
最後に、上記セラミック本体１０を焼成して外部電極３１、３２を形成することができる。
【０１１２】
以下では、実施例を挙げて本発明について詳細に説明するが、本発明がこれに制限されるものではない。
【０１１３】
本実施例は、セラミック本体の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向Ｌ−Ｔの断面におけるカバー層Ｃの平均厚さｔｄ、ガラスにおいて外部電極の長さ方向の平均長さＬｓ、ガラス面積の累積分布50%値（Ｄ５０）と９０％値（Ｄ９０）との比率による信頼性を実験するために行われた。
【０１１４】
本実施例による積層セラミックキャパシタは、以下のような段階で製作された。
【０１１５】
まず、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などのパウダーを含んで形成されたスラリーをキャリアフィルム（ｃａｒｒｉｅｒ  ｆｉｌｍ）上に塗布及び乾燥して複数個のセラミックグリーンシートを用意する。これにより、誘電体層が形成される。
【０１１６】
次に、ニッケル粒子の平均サイズが０．０５から０．２μｍである内部電極用導電性ペーストを用意する。
【０１１７】
上記グリーンシート上に上記内部電極用導電性ペーストをスクリーン印刷工法によって塗布して内部電極を形成した後、５０層積層して積層体を製作した。
【０１１８】
その後、圧着及び切断して０６０３規格のサイズ（Ｓｉｚｅ）のチップを製作し、上記チップをＨ２０．１％以下の還元雰囲気下において、温度１０５０〜１２００℃で焼成した。
【０１１９】
続いて、上記外部電極を形成し、上記外部電極上にめっきなどの工程を経て積層セラミックキャパシタを製作した。
【０１２０】
下記表１は、セラミック本体の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向Ｌ−Ｔの断面におけるカバー層Ｃの平均厚さｔｄによる信頼性を比較した表である。
【０１２１】
下記表１は、ガラス面積の累積分布５０％値（Ｄ５０）と９０％値（Ｄ９０）との比率（Ｄ５０／Ｄ９０）が本発明の数値範囲を外れる場合で、Ｄ５０／Ｄ９０を０．０２になるように製作して上記実験を行った。
【０１２２】
また、上記信頼性は高温加速寿命試験によって行われており、１３０℃、１．５Ｖｒ（９．４５Ｖ）、６時間の条件下で不良が発生した個数で評価した。
【０１２３】
【表１】
2014011449.tif 000003
【０１２４】
上記表１を参照すると、試料１から３は、カバー層の平均厚さがそれぞれ５０、３０及び１６μｍの場合で、カバー層の厚さが厚くて信頼性不良が問題にならないことが分かる。
【０１２５】
これに対し、試料４及び５は、カバー層の平均厚さが１５μｍ以下の場合で、カバー層の厚さが薄くて本発明のガラス面積の累積分布５０％値（Ｄ５０）と９０％値（Ｄ９０）との比率（Ｄ５０／Ｄ９０）が本発明の数値範囲を外れると、信頼性に問題があることが分かる。
【０１２６】
従って、後述するように、本発明の実施例による積層セラミック電子部品は、カバー層の平均厚さが１５μｍ以下である場合で、ガラス面積の累積分布５０％値（Ｄ５０）と９０％値（Ｄ９０）との比率（Ｄ５０／Ｄ９０）が本発明の数値範囲を満たさなければ信頼性向上に効果がないことが分かる。
【０１２７】
下記表２は、積層セラミックキャパシタのガラスにおいて外部電極の長さ方向の平均長さＬｓ、ガラス面積の累積分布５０％値（Ｄ５０）と９０％値（Ｄ９０）との比率（Ｄ５０／Ｄ９０）によるめっき液浸透の有無を比較した表である。
【０１２８】
また、カバー層の平均厚さは、１５μｍである条件下で上記テストが行われた。
【０１２９】
【表２】
2014011449.tif 000004
【０１３０】
上記表２を参照すると、比較例１から３は、ガラスにおいて外部電極の長さ方向の平均長さＬｓ、ガラス面積の累積分布５０％値（Ｄ５０）と９０％値（Ｄ９０）との比率（Ｄ５０／Ｄ９０）が本発明の数値範囲を外れる場合で、めっき液浸透による信頼性に問題があることが分かる。
【０１３１】
これに対し、実施例１から６は、ガラスにおいて外部電極の長さ方向の平均長さＬｓ、ガラス面積の累積分布５０％値（Ｄ５０）と９０％値（Ｄ９０）との比率（Ｄ５０／Ｄ９０）が本発明の数値範囲を満たす場合で、めっき液浸透の不良がなく、信頼性テストで全て良好な結果を示すことが分かる。
【０１３２】
結論的に、本発明の実施例によると、カバー層の平均厚さが１５μｍ以下で、ガラスにおいて外部電極の長さ方向の平均長さＬｓ、ガラス面積の累積分布５０％値（Ｄ５０）と９０％値（Ｄ９０）との比率（Ｄ５０／Ｄ９０）が本発明の数値範囲を満たすと、めっき液浸透を防止して信頼性に優れた積層セラミック電子部品を具現することができる。
【０１３３】
本発明は、上述した実施形態及び添付の図面により限定されず、添付の請求の範囲により限定される。従って、請求の範囲に記載された本発明の技術的思想を外れない範囲内で当該技術分野における通常の知識を有する者による多様な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これもまた、本発明の範囲に属する。
【符号の説明】
【０１３４】
１  誘電体層
２  導電性金属
３  ガラス
１０  セラミック本体
２１、２２  内部電極
３１、３２  外部電極
【図１】
2014011449.tif 000005
【図２】
2014011449.tif 000006
【図３】
2014011449.tif 000007
【図４】
2014011449.tif 000008
【図５】
2014011449.tif 000009
【図６】
2014011449.tif 000010