(57)【要約】【課題】作業性が向上して作業者間のバラツキを低減し、ピック部と被処理体とが干渉する危惧を抑制することが可能な搬送機構の位置決め方法を提供する。【解決手段】被処理体Ｗを保持する保持部Ｍに対して接近及び離間が可能になされると共に上面に被処理体を載置する複数の載置パッド５４、５６が形成されたピック部４８、５０を有する搬送機構の位置決め方法において、保持部に保持された被処理体の下方にピック部の先端を侵入させる第１の工程と、ピック部を上昇させてピック部の先端に設けた載置パッドを被処理体の周辺部の下面に接触させてピック部の高さ位置を求める第２の工程と、高さ位置に基づいて保持部に対するピック部の侵入すべき高さである侵入高さ基準位置を求める第３の工程とを有する。【選択図】図５
2014075397.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体を保持する保持部に対して接近及び離間が可能になされると共に上面に前記被処理体を載置する複数の載置パッドが形成されたピック部を有する搬送機構の位置決め方法において、
前記保持部に保持された前記被処理体の下方に前記ピック部の先端を侵入させる第１の工程と、
前記ピック部を上昇させて前記ピック部の先端に設けた前記載置パッドを前記被処理体の周辺部の下面に接触させて前記ピック部の高さ位置を求める第２の工程と、
前記高さ位置に基づいて前記保持部に対する前記ピック部の侵入すべき高さである侵入高さ基準位置を求める第３の工程と、
を有することを特徴とする搬送機構の位置決め方法。
【請求項２】
前記第３の工程では、前記高さ位置から予め定められた所定の安全距離を減算することにより前記侵入高さ基準位置を求めることを特徴とする請求項１記載の搬送機構の位置決め方法。
【請求項３】
前記保持部は、前記被処理体を複数枚保持するための収納容器内に、高さ方向に沿って所定のピッチで複数段に亘って設けられていることを特徴とする請求項１又は２記載の搬送機構の位置決め方法。
【請求項４】
前記ピック部の先端部には、前記収納容器内の前記複数の保持部に前記被処理体が保持されているか否かを検査するマッピングセンサ部が設けられていることを特徴とする請求項３記載の搬送機構の位置決め方法。
【請求項５】
前記載置パッドが、前記被処理体の下面と接触する位置は、前記マッピングセンサ部のマッピング位置よりも１０〜５０ｃｍの範囲内だけ前記ピック部を前記被処理体側へ進行させた位置であることを特徴とする請求項４記載の搬送機構の位置決め方法。
【請求項６】
前記第１、第２及び第３の工程は、前記複数の保持部の内の少なくとも２つの保持部に対して行って前記複数の各保持部に対する侵入高さ基準位置を求めると共に、前記少なくとも２つの保持部に保持されている被処理体に対するマッピング操作を行って前記複数の各保持部に対する補正用高さ基準位置を求め、
前記収納容器とは異なった新たな収納容器に対するマッピング情報であるマッピング高さ基準位置に基づいて前記侵入高さ基準位置を補正して真正侵入高さ基準位置を求めるための補正式を求めるようにしたことを特徴とする請求項４記載の搬送機構の位置決め方法。
【請求項７】
前記真正侵入高さ基準位置Ｌは、以下の式で表されることを特徴とする請求項６記載の搬送機構の位置決め方法。
Ｌ＝Ｈ＋（ｈ−ｃ）
Ｈ：侵入高さ基準位置
ｈ：マッピング高さ基準位置
ｃ：補正用高さ基準位置
【請求項８】
前記少なくとも２つの保持部は、前記複数の保持部の内の最下段の保持部と最上段の保持部であることを特徴とする請求項６又は７記載の搬送機構の位置決め方法。
【請求項９】
前記載置パッドは全体で４つ設けられており、前記ピック部の先端には２つの載置パッドが設けられていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の搬送機構の位置決め方法。
【請求項１０】
前記保持部に対する前記ピック部の平面方向における位置決めはすでに行われていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の搬送機構の位置決め方法。
【請求項１１】
被処理体を保持する保持部に対して接近及び離間が可能になされたピック部を有すると共に前記被処理体を前記保持部に対して保持させる直前に前記ピック部を斜め下方へ移動させるようにした搬送機構の位置決め方法において、
前記ピック部の仮の高さ位置を決める第１の工程と、
前記ピック部に支持された前記被処理体を前記仮の高さ位置に基づいて前記斜め下方への移動によって前記保持部に置きに行って保持させる第２の工程と、
前記ピック部を水平方向及び垂直方向上方へ順次動作させることによって前記保持部に保持されている前記被処理体を取りに行く第３の工程と、
前記ピック部で取りに行った前記被処理体の偏心量を位置合わせ機構によって求める第４の工程と、
前記偏心量を相殺するように前記仮の高さ位置を修正して真正高さ位置を求める第５の工程と、
を有することを特徴とする搬送機構の位置決め方法。
【請求項１２】
前記斜め下方への移動は、水平方向に対して４５度の角度であることを特徴とする請求項１１記載の搬送機構の位置決め方法。
【請求項１３】
前記斜め下方への移動距離は、水平方向に対して３〜１０ｍｍの範囲内であることを特徴とする請求項１１又は１２記載の搬送機構の位置決め方法。
【請求項１４】
前記保持部に対する前記ピック部の平面方向における位置決めはすでに行われていることを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか一項に記載の搬送機構の位置決め方法。
【請求項１５】
前記保持部は、ロードロック室内、処理室内、又は導入ポートの収納容器内に設けられていることを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれか一項に記載の搬送機構の位置決め方法。
【請求項１６】
前記保持部は、前記被処理体の周辺部の下面に当接して保持する複数の保持ピン又は保持棚を有することを特徴とする請求項１１乃至１５のいずれか一項に記載の搬送機構の位置決め方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の被処理体を搬送する搬送機構の位置決め方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体集積回路を製造するためにはウエハに対して成膜、エッチング、酸化、拡散等の各種の処理が行なわれる。そして、半導体集積回路の微細化及び高集積化によって、スループット及び歩留りを向上させるために、同一処理を行なう複数の処理装置、或いは異なる処理を行なう複数の処理装置を、共通の搬送室を介して結合した処理システムが、例えば特許文献１等に開示されている。
【０００３】
この種の処理システムにあっては、例えば処理システムの前段に設けてある被処理体の導入ポートに設置した収納容器より搬送機構を用いて半導体ウエハを取り出してこれを処理システムの搬送室内へ取り込み、そして、このウエハを、位置合わせ機構にて位置合わせを行った後に、真空引き可能になされたロードロック室内へ搬入し、更にこのウエハを複数の真空処理装置が周囲に連結された真空雰囲気の共通搬送室に他の搬送機構を用いて搬入し、この共通搬送室を中心として上記ウエハを各真空処理装置に対して順次導入して処理を連続的に行うようになっている。そして、処理済みのウエハは、例えば元の経路を通って元の収納容器へ収容される。
【０００４】
ところで、上記したように、この種の処理システムにあっては、内部に単数、或いは複数の搬送機構を有しており、ウエハの受け渡し、及び搬送はこれらの搬送機構により自動的に行われる。
【０００５】
この搬送機構は、例えば屈伸、旋回及び昇降自在になされた１つ又は２つのピック部を有しており、このピック部でウエハを直接的に保持して搬送位置まで移動してウエハを所定の位置まで搬送するようになっている。この場合、搬送機構のピック部がウエハを取りに行ったり、或いはウエハを置きに行ったりする動作中にこのピック部や保持しているウエハが他の部材と干渉乃至衝突することを避けなければならないばかりか、ある一定の場所に置かれているウエハを適正に保持し、且つこのウエハを目的とする位置まで搬送し、適正な場所に精度良く、例えば±０．２０ｍｍ以内の高い位置精度で受け渡す必要がある。
【０００６】
このため、装置の組立の際や大きな装置改造を行った際などには、搬送機構のピック部の移動経路においてウエハＷの受け渡しを行なう場所などの重要な位置を、この搬送機構の動作を制御するコンピュータ等の制御部に搬送位置座標として覚えこませる、いわゆるティーチングという操作が行なわれている。
【０００７】
このティーチングは、例えば搬送機構と収納容器との位置関係、ロードロック室の保持部とピック部との位置関係、ピック部と位置合わせ機構との位置関係、ピック部と各処理装置のサセプタとの位置関係など、ウエハの受け渡しを行なうためのほとんど全ての場所、すなわち、ピック部がアクセスする場所（ポイント）についてピック部毎に行われ、その搬送位置座標が記憶される。尚、全ての駆動系には、その駆動位置を特定するためのエンコーダ等が組み込まれており、駆動系は例えばパルスモータ等を含んでパルス数を制御することにより、その移動量を精度良くコントロールできるようになっている。
【０００８】
ここで、導入ポートに設置された収納容器に対して搬送機構のピック部がアクセスする場合には、収納容器内に多段に収納されているウエハ間の間隙は例えば１０ｍｍ程であって非常に狭く、ピック部が侵入する時の高さ方向の位置決めは高い精度でティーチング、すなわち位置決めしなければならない。
【０００９】
ここで図１０を参照してピック部の高さ方向の従来のティーチング方法、すなわち位置決め方法の一例について説明する。図１０はピック部の高さ方向の従来の位置決め方法の一例を示す図である。図１０中において、被処理体である半導体ウエハＷは、その周辺部の下面が保持部２に当接して水平状態で支持されている。図示例では、１個の保持部２及びウエハＷしか記載していないが、実際には、上下方向に所定のピッチで、例えば１０ｍｍ程度の間隙で多段に、例えば２５段に亘って支持されている。
【００１０】
搬送機構のピック部４の高さ方向（上下方向）、すなわちＺ方向の位置決めを行うには、まず、このピック部４を矢印６に示すように位置決めを行うべき特定の保持部２の真下に目視でもって水平方向から侵入させる。尚、このピック部４の水平方向及び上下方向への移動は、この搬送機構の動作を制御する制御部のテンキー等の入力部から作業者がミリ単位以下の移動精度でもってマニュアルで制御する。また、このピック部４の平面方向、すなわちＸ方向及びＹ方向の位置決めはすでに完了しているものとする。
【００１１】
次に、このピック部４を矢印８に示すように少しずつ上昇させてピック部４の載置パッド１０をウエハＷの下面に接触させる。この場合、上記載置パッド１０はピック部４上に４個（図示例では２個のみ記す）設けられており、目視で観察しつつ４個全ての載置パッド１０がウエハＷの下面に接触するまで上昇させる。この場合、ウエハＷはほぼ水平状態に支持されているので、４個の載置パッド１０はほぼ同時にウエハＷの下面に当接することになる。
【００１２】
そして、この時の高さ位置（Ｚ方向）を求め、この高さ位置から所定の安全距離Δｔだけ減算した位置を、侵入高さ基準位置として求める。この安全距離Δｔは、収納容器自体が許容される寸法誤差、保持部２の取付け許容誤差等を加味して決定される。ここで安全距離Δｔは、例えば１．４ｍｍ程度であり、ウエハＷの厚さは０．８ｍｍ程度である。
【００１３】
以後、当該保持部２に対しては、ピック部４はここで求められた侵入高さ位置の高さレベルで水平方向からアクセスすることになる。また、他の１つの保持部２に対しても上述したと同様な操作を行って、その保持部２に対する侵入高さ基準位置を求め、これにより２つの保持部２の侵入高さ基準位置が定まることになる。実際には、２５段の保持部の内の最上段と最下段の保持部２について上記侵入高さ基準位置を求める。そして、他の保持部２については、上記両侵入高さ基準位置間の段数、すなわち２４等分することにより求められる。以上のようにして、２５段の全ての保持部２に対する侵入高さ基準位置が求められることになる。
【００１４】
また他の位置決め方法としては、特許文献２に記載されているように、搬送アームの先端に設けたマッピングセンサによりティーチング用治具の高さ位置を検出して各部へのアクセス高さを算出するようにしたティーチング方法が知られている。更に、他の位置決め方法としては、特許文献３に記載されているように、可動アームの先端に設けたビーム検出器を用いて構成部品を水平にするのに使用したり、一平面内における基板ステーションの位置及び方向を算出するのに使用することが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開２０００−２０８５８９号公報
【特許文献２】特開２００６−１８５９６０号公報
【特許文献３】特表２００９−５０６５１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
ところで、上述のような高さ方向の位置決め方法にあっては、４個の載置パッドの全てをウエハＷの裏面と接触させるようにしているので、目視での確認が困難であるばかりか、作業者間のバラツキが大きかった。また半導体ウエハＷが水平状態ではなく、収納容器自体の寸法誤差や保持部２自体の取付け誤差等に起因してウエハＷ自体が斜めに支持されている場合には、ピック部２のアクセス時に、ウエハＷの下面との間のクリアランスが狭くてウエハＷと干渉する危惧もあった。この時の状態を図１１に示す。図１１は半導体ウエハが斜めに支持されている時の高さ方向の位置決め方法の一例を示す図である。尚、図１１中の参照符合は図１０に示す場合と同じである。
【００１７】
図１１に示すように、半導体ウエハＷは水平方向に対して僅かに傾斜して斜めに支持されており、左エッジが低く、右エッジが高くなっている。この場合、矢印８に示すようにピック部４を上昇させて４個の載置パッド１０の内の一部に載置パッド１０と当接しても、矢印１２に示すようにピック部４を更に上昇させて４個全ての載置パッド１０がウエハの下面と当接するまで上昇させる。そして、この時のピック部４の高さ位置から上記所定の安全距離Δｔだけ減算した位置が前述したように侵入高さ基準位置となる。
【００１８】
この場合、ウエハＷの下端とピック部４の上端との間のクリアランスΔｔ１は、先の安全距離Δｔよりもかなり狭くなっており、好ましくない。特に、このウエハＷの下段のウエハが、上記傾斜とは逆向きに傾斜している場合、すなわちウエハの左エッジが高く、右エッジが低くなるように傾斜している場合には、両ウエハ間の間隙は一層狭くなった状態となり、ウエハとピック部４とが干渉する危惧が一層増すことになる。また特許文献２及び３に記載のティーチング方法では、収納容器自体の寸法誤差に対しては何ら考慮されていないので、収納容器自体の寸法誤差等に対応することが困難である。
【００１９】
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明は、ピック部の先端の載置パッドが被処理体の周辺部の下面に接触した高さ位置を基準としてピック部の侵入する高さを決定するようにすることにより、作業性が向上して作業者間のバラツキを低減し、ピック部と被処理体とが干渉する危惧を抑制することが可能な搬送機構の位置決め方法である。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
請求項１に係る発明は、被処理体を保持する保持部に対して接近及び離間が可能になされると共に上面に前記被処理体を載置する複数の載置パッドが形成されたピック部を有する搬送機構の位置決め方法において、前記保持部に保持された前記被処理体の下方に前記ピック部の先端を侵入させる第１の工程と、前記ピック部を上昇させて前記ピック部の先端に設けた前記載置パッドを前記被処理体の周辺部の下面に接触させて前記ピック部の高さ位置を求める第２の工程と、前記高さ位置に基づいて前記保持部に対する前記ピック部の侵入すべき高さである侵入高さ基準位置を求める第３の工程と、を有することを特徴とする搬送機構の位置決め方法である。
【００２１】
このように、被処理体を保持する保持部に対して接近及び離間が可能になされると共に上面に被処理体を載置する複数の載置パッドが形成されたピック部を有する搬送機構の位置決め方法において、ピック部の先端の載置パッドが被処理体の周辺部の下面に接触した高さ位置を基準としてピック部の侵入する高さを決定するようにしたので、作業性が向上して作業者間のバラツキを低減し、ピック部と被処理体とが干渉する危惧を抑制することが可能となる。
【００２２】
請求項１１に係る発明は、被処理体を保持する保持部に対して接近及び離間が可能になされたピック部を有すると共に前記被処理体を前記保持部に対して保持させる直前に前記ピック部を斜め下方へ移動させるようにした搬送機構の位置決め方法において、前記ピック部の仮の高さ位置を決める第１の工程と、前記ピック部に支持された前記被処理体を前記仮の高さ位置に基づいて前記斜め下方への移動によって前記保持部に置きに行って保持させる第２の工程と、前記ピック部を水平方向及び垂直方向上方へ順次動作させることによって前記保持部に保持されている前記被処理体を取りに行く第３の工程と、前記ピック部で取りに行った前記被処理体の偏心量を位置合わせ機構によって求める第４の工程と、前記偏心量を相殺するように前記仮の高さ位置を修正して真正高さ位置を求める第５の工程と、を有することを特徴とする搬送機構の位置決め方法である。
【００２３】
このように、被処理体を保持する保持部に対して接近及び離間が可能になされたピック部を有すると共に被処理体を保持部に対して保持させる直前にピック部を斜め下方へ移動させるようにした搬送機構の位置決め方法において、ピック部の斜め下方の移動によって保持部に保持させた被処理体を、水平移動及び垂直方向上方へのピック部の移動により取りに行ってこの被処理体の偏心量を求めて高さ方向を修正するようにしたので、容易に真正高さ位置を求めることができる共にピック部の侵入する高さを容易に決定でき、作業性を向上して作業者間のバラツキも低減させることが可能となる。
【発明の効果】
【００２４】
請求項１及びこれを引用する請求項に係る発明によれば、被処理体を保持する保持部に対して接近及び離間が可能になされると共に上面に被処理体を載置する複数の載置パッドが形成されたピック部を有する搬送機構の位置決め方法において、ピック部の先端の載置パッドが被処理体の周辺部の下面に接触した高さ位置を基準としてピック部の侵入する高さを決定するようにしたので、作業性が向上して作業者間のバラツキを低減し、ピック部と被処理体とが干渉する危惧を抑制することができる。
【００２５】
請求項１１及びこれを引用する請求項に係る発明によれば、被処理体を保持する保持部に対して接近及び離間が可能になされたピック部を有すると共に被処理体を保持部に対して保持させる直前にピック部を斜め下方へ移動させるようにした搬送機構の位置決め方法において、ピック部の斜め下方の移動によって保持部に保持させた被処理体を、水平移動及び垂直方向上方へのピック部の移動により取りに行ってこの被処理体の偏心量を求めて高さ方向を修正するようにしたので、容易に真正高さ位置を求めることができる共にピック部の侵入する高さを容易に決定でき、作業性を向上して作業者間のバラツキも低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の搬送機構の位置決め方法を実施する処理システムの一例を示す全体構成図である。
【図２】搬送機構のピック部と半導体ウエハとの位置関係を示す図である。
【図３】収納容器の一例を示す斜視図である。
【図４】本発明の搬送機構の位置決め方法を行う時の半導体ウエハとピック部との位置関係を示す図である。
【図５】本発明の搬送機構の位置決め方法の各工程を示すフローチャートである。
【図６】本発明の搬送機構の位置決め方法を行う時のより細かな各工程を示すフローチャートである。
【図７】位置決め方法の変形実施例に用いる処理システムの一例を示す概略構成図である。
【図８】搬送機構のピック部がウエハを置きに行く時の斜め下方移動を示す説明図である。
【図９】搬送機構の位置決め方法の変形実施例を示すフローチャートである。
【図１０】ピック部の高さ方向の従来の位置決め方法の一例を示す図である。
【図１１】半導体ウエハが斜めに支持されている時の高さ方向の位置決め方法の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下に、本発明に係る搬送機構の位置決め方法の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図１は本発明の搬送機構の位置決め方法を実施する処理システムの一例を示す全体構成図、図２は搬送機構のピック部と半導体ウエハとの位置関係を示す図、図３は収納容器の一例を示す斜視図である。まず処理システムの全体構成について説明する。
【００２８】
まず、図１に示すように、この処理システム１４は、複数、例えば３つの大気圧雰囲気で熱処理を行う第１〜第３の大気処理室１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃと、矩形の大気圧雰囲気の大気搬送室１８と、被処理体であるシリコン基板等よりなる半導体ウエハＷを搬送するための搬送機構２０とを主に有している。
【００２９】
上記３つの大気処理室１６Ａ〜１６Ｃ内には、被処理体である半導体ウエハＷを載置する載置台２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃがそれぞれ設けられており、各大気処理室１６Ａ〜１６Ｃ内で、大気圧雰囲気の処理を行うようになっている。また、載置台２２Ａ〜２２Ｃには、ウエハＷを載置する時にウエハの周辺部の下面を支持して上下動する保持部としてのリフタピン２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃがそれぞれ３本ずつ設けられている。この大気圧雰囲気の処理には、常温程度で行う処理や高温で行う熱処理も含まれ、例えば必要なガスを供給しつつアニール処理、酸化拡散処理、改質処理等を行うようになっている。この処理により、半導体ウエハＷの温度は処理態様にもよるが、例えば常温（室温）〜６００℃程度に達することになる。
【００３０】
上記大気搬送室１８は矩形の箱状になされており、長辺の一方の側壁には、３つの開口２６が形成されると共に、この開口２６に上記３つの大気処理室１６Ａ〜１６Ｃがそれぞれ開閉可能になされたゲートバルブＧを介して横並びで接合されている。これにより、この開口２６を介して大気搬送室１８と各大気処理室１６Ａ〜１６Ｃとの間でウエハＷの搬出入ができるようになっている。
【００３１】
また、上記大気搬送室１８の長辺の他方の側壁には、複数、ここでは３つの搬出入口２８が形成されると共に、この搬出入口２８にそれぞれ開閉可能になされた開閉ドア３０がスライド可能に設けられている。そして、この各搬出入口２８に対応させてその外側には導入ポート３２がそれぞれ設けられ、この導入ポート３２にそれぞれ１つずつ収納容器３４を載置できるようになっている。
【００３２】
この収納容器３４の一例は、図３において示されている。この収納容器３４は、一方が開口された容器本体３６とこの開口部を閉じる開閉蓋３８とを有し、この開閉蓋３８を大気搬送室１８側から開閉できるようになっている。この容器本体３６内には、半導体ウエハＷを保持する保持部としての保持棚Ｍが高さ方向に複数段に亘って設けられており、この保持棚ＭにウエハＷの周辺部の下面を当接させてウエハＷを複数枚保持できるようになっている。
【００３３】
この保持棚ＭのピッチＰ０は、例えば１０ｍｍ程度であり、ウエハＷの厚さを０．８ｍｍとすると、ウエハ間の間隙は例えば９．２ｍｍ程度である。また最下段の支持棚Ｍ１（Ｍ）から最上段の支持棚Ｍ２５（Ｍ）まで全体で例えば２５段の保持棚Ｍを設けており、直径が３００ｍｍのウエハＷを２５枚収納できるようになっている。尚、図示例では４個の保持棚Ｍのみを示している。
【００３４】
この収納容器３４内は、例えば密閉状態になされており、内部には清浄空気やＮ２ ガス等の不活性ガスよりなる清浄気体の雰囲気に満たされている。上記開閉ドア３０には収納容器３４の開閉蓋３８を開閉する蓋開閉機構（図示せず）が取り付けられている。
【００３５】
図１に戻って、この大気搬送室１８内は、清浄空気やＮ２ 等の不活性ガスよりなるダウンフローが形成されている。また、大気搬送室１８内の短辺の一方の端部には、半導体ウエハの位置合わせを行なう位置合わせ機構であるオリエンタ４０が設けられる。上記オリエンタ４０は、駆動モータによって回転される回転台４０ＡとウエハＷのエッジを検出する光学センサ４０Ｂを有しており、この回転台４０Ａ上に半導体ウエハＷを載置した状態で回転することにより、半導体ウエハＷのエッジに形成された位置決め切り欠き、例えばノッチやオリエンテーションフラットの位置方向や半導体ウエハＷの中心の位置ずれ量（偏心量）を検出できるようになっている。
【００３６】
また、この大気搬送室１８内の短辺の他方の端には、処理後のウエハＷを冷却するクーリング機構４２が設けられている。そして、この大気搬送室１８内の中央部には、ウエハＷを搬送するための上記搬送機構２０が設けられている。この搬送機構２０は、ここでは個別独立して操作できる２つのピック部を有しており、搬送機構２０の全体は、屈伸及び旋回可能になされている。
【００３７】
具体的には、この搬送機構２０は、第１アーム４４及び第２アーム４６を順次直列的に互いに旋回可能に連結して設けられており、この第２アーム４６の先端部に、２つのピック部４８、５０を同軸状に個別に旋回可能に設けている。また、第１アーム４４の基端部は、２軸機構の回転軸５２に取り付け固定されている。
【００３８】
そして、この回転軸５２を正逆方向へ回転させることにより、この搬送機構２０の方向付けと屈伸（前進後退）と各ピック部４８、５０の個別旋回とを行うようになっている。これにより、水平面内（Ｘ軸方向とＹ軸方向）を移動できることになる。また、この回転軸５２は、上下方向（Ｚ軸方向）へ昇降できるようになっており、搬送機構２０の全体の高さレベルを変化させることができるようになっている。この搬送機構２０により、上記導入ポート３２の収納容器３４、オリエンタ４０、各大気処理室１６Ａ〜１６Ｃ及びクーリング機構４２との間でウエハＷを搬送できるようになっている。
【００３９】
また上記２つのピック部４８、５０は、例えばアルミニウム合金板により２股状に形成され、その上面の先端側に２つの段部状の載置パッド５４を設け、基端側に２つの平板状の載置パッド５６を設けている。そして、図２（Ａ）にも示すように、この載置パッド５４、５６上にウエハＷの周辺部の裏面を当接させて保持するようになっている。尚、図示例では１つのピック部に４つの載置パッドを設けたが、この数量及び形状は特に限定されない。
【００４０】
また、この一方のピック部５０には、前進及び後退が可能になされたプッシャーアーム（図示せず）が設けられており、ウエハＷを上記段部状の載置パッド５４との間で挟んで搬送時の脱落を防止するようになっている。また、上記２つのピック部４８、５０の内のいずれか一方のピック部、ここではピック部５０の先端部には、上記収納容器３４内の複数の保持棚Ｍに半導体ウエハＷが保持されているか否かを検出するマッピングセンサ部５８が設けられている。このマッピングセンサ部５８は、２股状のピック部５０の一方の先端部に設けた発光素子５８Ａと他方の先端部に設けた受光素子５８Ｂとを有している。
【００４１】
そして、図２（Ｂ）に示すように、半導体ウエハＷとピック部５０とが干渉しないで且つ半導体ウエハＷの周辺部が上記発光素子５８Ａから受光素子５８Ｂに至る光路上に位置するポジションにおいて、このピック部５０を上下方向（Ｚ軸方向）へ移動させることによって、上記光路が遮断されたか否かを検出することでウエハＷの存否を検査してその情報、すなわちマッピング情報を得ると共にその時の高さ位置を検出できるようになっている。この時のマッピングセンサ部５８の水平方向における位置をマッピング位置６０と称する。
【００４２】
図１へ戻って、この処理システム１４はシステム全体の動作を制御するために、例えばコンピュータ等よりなるシステム制御部６２を有している。そして、この処理システム全体の動作制御に必要なプログラムはフレキシブルディスクやＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ）やハードディスクやフラッシュメモリ等の記憶媒体６４に記憶されている。具体的には、このシステム制御部６２からの指令により、各ガスの供給の開始、停止や流量制御、プロセス温度（半導体ウエハ温度）及びプロセス圧力（処理室内の圧力）の制御、各ゲートバルブＧの開閉、搬送機構２０の制御による半導体ウエハの搬送作業等が行われる。
【００４３】
また上記システム制御部６２は、テンキー等の入力部を有し、ティーチング時には作業者が上記入力部を用いてピック部４８、５０等をミリ単位以下の移動精度で水平方向及び上下方向へマニュアルで移動制御することができる。
【００４４】
＜処理システムの説明＞
まず、本発明の位置決め方法（ティーチング方法）を説明する前に、この処理システムの動作について説明する。まず、導入ポート３２に設置された収納容器３４の開閉蓋３８は、開閉ドア３０を開くときに取り外され、この収納容器３４からは、未処理の例えばシリコン基板よりなる半導体ウエハＷが搬送機構２０の一方のピック部５０を用いて大気搬送室１８内に取り込まれる。この取り込まれた半導体ウエハＷは大気搬送室１８の一端に設けたオリエンタ４０へ搬送されて、ここで位置決めがなされる。
【００４５】
位置決めがなされた半導体ウエハＷは、上記ピック部５０により取り上げられ、第１〜第３の大気処理室１６Ａ〜１６Ｃの内のいずれか１つの大気処理室内へ搬入される。この大気処理室内では、ゲートバルブＧを閉じて大気処理室内を密閉した後に、大気圧雰囲気下で所定の熱処理、例えばアニール処理や改質処理等が行われる。処理後のウエハＷは高温状態、例えば熱処理の種類にもよるが、最大６００℃程度になっており、この高温状態のウエハＷは搬送機構２０の地方のピック部４８を用いて取り上げられる。
【００４６】
そして、この高温状態のウエハＷは、更に連続して熱処理を行う必要がある場合には、他の大気処理室内へ搬送される。また、この処理システム１４での熱処理が完了した場合には、上記高温状態のウエハＷは、ピック部４８を用いて取り上げられ、大気搬送室１８内の他端に設けたクーリング機構４２へアクセスされ、このクーリング機構４２においては、大気搬送室１８内に形成されている清浄気体のダウンフローにより例えば１００℃程度まで冷却される。
【００４７】
そして、このように冷却されたウエハＷは、次に搬送機構２０のピック部４８を用いて取り上げて保持され、導入ポート３２に載置されている処理済みのウエハＷを収容する収納容器３４内へ搬入されることになる。このようにして、１ロット２５枚のウエハＷが処理される毎に、未処理のウエハＷを収容した新しい別個の収納容器３４が導入ポート３２上の処理済みのウエハＷを収容する収納容器３４と置き替えられて、上記したような処理が順次繰り返し行われることになる。
【００４８】
＜位置決め方法＞
次に、上述したような一連の処理を行う前に行われる搬送機構の位置決め方法について説明する。この位置決め方法は、処理システム１４を新たに組み上げた場合や、メンテナンス等により搬送機構２０の構成部品を交換したり、導入ポート３２や大気処理室１６Ａ〜１６Ｃ等の着脱を行ったりした場合のように、位置ずれが生ずる恐れのあるメンテナンス等を行った後に行われる。
【００４９】
ここでは、搬送機構２０の位置決めが最も精度を必要とされる導入ポート３２の収納容器３４に対する位置決め方法を図４乃至図６も参照して主に説明する。図４は本発明の搬送機構の位置決め方法を行う時の半導体ウエハとピック部との位置関係を示す図、図５は本発明の搬送機構の位置決め方法の各工程を示すフローチャート、図６は本発明の搬送機構の位置決め方法を行う時のより細かな各工程を示すフローチャートである。
【００５０】
ここでは、主に収納容器３４の保持部である保持棚Ｍの高さ方向（Ｚ軸方向）における位置決め方法について説明するが、この高さ方向の位置決め方法を実施する前に、保持棚Ｍに対する水平方向（Ｘ軸及びＹ軸方向）の位置決めを行う。尚、実際には、平面方向の座標は、ピック部の回転中心の角度と、この回転中心からのピック部の長さ（半径）により決まる極座標で制御されるが、この極座標はＸＹ座標と変換可能なので、ここではＸＹ座標を主に用いて説明する。この平面方向の位置決め方法は、例えば以下のようにして行う。
【００５１】
まず、作業者は、位置決めを行うべき複数の保持棚Ｍの内の特定の保持棚、例えば最下段の保持棚Ｍ１（図３参照）に半導体ウエハＷを注視しつつこれを精度良く適正な位置に正確にマニュアルで保持させる。この際、ウエハＷのノッチを予め定めた所定の方向に正確に方向付けしておく。
【００５２】
このように、保持棚Ｍ１にウエハＷを保持させたならば、予め仮の平面基準位置（ＸＹ座標）を定めておき、作業者はマニュアルで一方のピック部、例えばピック部５０を前進させて、このピック部５０を上記ウエハＷの直下に侵入させる。この際、ピック部５０の中心（ウエハＷを保持するための中心）は、高さは異なるが仮の平面基準位置上に位置することになる。次に、上記ピック部５０をマニュアルで上昇させて保持部Ｍ１に保持させていた上記ウエハＷをピック部５０で受け取る。
【００５３】
このように、ピック部５０への受け渡しが完了したならば、この搬送機構２０を駆動させて、ピック部５０により上記ウエハＷをオリエンタ４０まで搬送する。そして、このウエハＷをオリエンタ４０の回転台４０Ａに載置して回転することによりウエハＷの偏心量（偏心方向を含む）を検出する。尚、オリエンタ４０に対する搬送機構２０のピック部４８、５０の位置決めはすでに完了しているものとする。そして、上記検出した偏心量を相殺するように上記仮の平面基準位置を修正することにより、真の平面基準位置が定まることになる。
【００５４】
以後は、ピック部４８、５０が保持棚Ｍ１にアクセスする時は、高さ方向は別にしてこの真の平面基準位置に基づいて水平方向へ自動でピック部を前進させることが可能となる。また、ここでは保持棚Ｍ１に対する真の平面基準位置を求めたが、この真の平面基準位置（ＸＹ座標）は２５段の各保持棚Ｍに対して共通に用いられる。また、２つのピック部４８、５０は、互いに精度良く調整されているので、他方のピック部４８に対しても、上記真の平面基準位置が適用されることになる。
【００５５】
このような真の平面基準位置を定める位置決め方法は、他の残りの２つの導入ポート３２の収納容器３４に対しても同様に行い、その真の平面基準位置を求めることになる。尚、上述した真の平面基準位置を定める位置決め方法は、第１〜第３の大気処理室１６Ａ〜１６Ｃにおける載置台２２Ａ〜２２Ｃの各リフタピン２４Ａ〜２４Ｃに対する位置決めを行う場合にもそのまま適用することができる。以上のようにして、ピック部４８、５０の平面方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向）における位置決めが行われて完了することになる。
【００５６】
このように、平面方向における位置決めが完了していることを前提として、次に高さ方向（Ｚ軸方向）における位置決めを行う。まず、本発明に係る高さ方向における搬送機構の位置決め方法は、保持部（保持棚）Ｍに保持された被処理体である半導体ウエハＷの下方にピック部、例えばピック部５０の先端を侵入させる第１の工程と、上記ピック部を上昇させてピック部の先端に設けた載置パッド５４を被処理体の周辺部の下面に接触させてピック部の高さ位置を求める第２の工程と、上記高さ位置に基づいて上記保持部に対するピック部の侵入すべき高さである侵入高さ基準位置を求める第３の工程とを有する。
【００５７】
図５は保持部が１つの場合のフローを示しており、具体的には図４（Ａ）及び図５のステップＳ１に示すように保持部である保持棚Ｍに支持されたウエハＷの下方（真下）にピック部５０の先端を侵入させる第１の工程を行う。ここでは、複数の保持棚Ｍとして最下段の保持棚Ｍ１に対して位置決めを行う。また、ウエハＷは、支持棚Ｍ１の取り付け誤差等に起因して保持棚Ｍ１に水平状態から僅かに傾斜した状態で保持されているものとする。
【００５８】
この時の水平方向に対する傾斜量Δｍの許容される最大値は±０．５ｍｍ程度である。このウエハＷは、先の平面基準位置を求めた場合と同様に、保持棚Ｍ１上に精度良く適正な位置に正確にマニュアルで保持させておく。また上記ピック部５０の進入（前進）は、作業者が注視しつつマニュアルで保持棚Ｍ等と干渉しないように行う。
【００５９】
次に、図４（Ｂ）及び図５のステップＳ２に示すように、ピック部５０を上昇させて先端の載置パッド５４をウエハＷの周辺部の下面に接触させてピック部５０の高さ位置を求める第２の工程を行う。この場合にも、作業者が注視しつつマニュアルでピック部５０を上昇させる。この時の載置パッド５４の接触位置は、図２（Ｃ）に示すように、ピック部５０のマッピング位置６０よりも所定の距離ＫだけウエハＷの中心側へ前進させた位置である。
【００６０】
この所定の距離Ｋは、１０〜５０ｍｍ程度の範囲内であり、１０ｍｍよりも少な過ぎると載置パッド５４がウエハＷの下面に当接できない。また、５０ｍｍよりも大き過ぎると載置パッド５４がウエハＷの下面に当接した時点を視認することが困難になるので好ましくない。この場合、先端の載置パッド５４は、１対で２つの載置パッド５４が設けられているが、少なくともいずれか一方の載置パッド５４がウエハＷの下面に当接した時点を高さ位置とする。
【００６１】
このように、載置パッド５４のウエハＷの下面との接触を確認してこの時のピック部５０の高さ位置を求めたならば、次に、図４（Ｃ）及び図５のステップＳ３に示すように、上記高さ位置から所定の安全距離Δｔ（図１０参照）を減算することにより侵入高さ基準位置Ｈ（＝”高さ位置”−”所定の安全距離Δｔ”）を求める第３の工程を行う。この所定の安全距離Δｔは、先に説明したように、収納容器３４自体が許容される寸法誤差、保持棚Ｍの取り付け許容誤差、保持されているウエハＷの最大許容傾斜量等を加味して決定される。この所定の安全距離Δｔは例えば１．４ｍｍ程度であり、ウエハＷの厚さは０．８ｍｍ程度である。
【００６２】
以上のように、上述のように求めた侵入高さ基準位置Ｈに対してピック部５０を侵入させる限り、この収納容器３４の保持棚Ｍ１に対しては干渉しないことが保証されたことになる。従って、保持部Ｍが固定的であって他に変更されないような場合、例えば載置台２２Ａ〜２２Ｃの各リフタピン（保持部）２４Ａ〜２４Ｃは、上下動はするが、一般的には同一の部品が固定的に長期間使用されるので、これらのリフタピン２４Ａ〜２４Ｃに対するＺ軸方向の位置決めには、上述した第１〜第３の各工程を行って侵入高さ基準位置Ｈに基づいてピック部５０をアクセスさせるようにすれば、両者が干渉することはない。尚、ピック部４８についても上記侵入高さ基準位置Ｈが同様に適用される。
【００６３】
これに対して、前述したように収納容器３４は、１ロット２５枚のウエハの処理が完了すれば、導入ポート３２における収納容器は別の収納容器と頻繁に取り替えられる。この収納容器３４は、同一寸法の設計の下で製造されているとはいえ、僅かに種々の寸法誤差が生じて寸法に固体差が生ずることは免れない。
【００６４】
しかも、保持棚Ｍのウエハ間の間隙は１０ｍｍ程度であって非常に狭く、上述のようにして得られた侵入高さ基準位置Ｈを基準として異なる収納容器の各保持棚に対するピック部４８、５０の侵入高さレベルを決定した場合には、ピック部４８、５０とウエハとの干渉が生ずる危惧を生じてしまう。
【００６５】
そこで、ここでは図６に示すように上記侵入高さ基準位置Ｈをマッピング情報に基づいて補正して侵入高さレベルを決定するようにしている。図６は上述のように保持部が複数の場合のフローを表す。具体的には、図６に示すように、まず上記図５において説明した第１〜第３の各工程を少なくとも２つの支持棚に対して行う（Ｓ１）。ここでは、最下段の保持棚Ｍ１と最上段の保持棚Ｍ２５（図３参照）に対して行う。これにより、最下段の保持棚Ｍ１の侵入高さ基準位置Ｈ１と、最上段の保持棚Ｍ２５の侵入高さ基準位置Ｈ２５とが求められることになる。尚、ここで”Ｈ”や”Ｍ”の後の数字は、保持棚の段数に対応させている。この点は以下、同様である。
【００６６】
次に、上記２つの侵入高さ基準位置Ｈ１、Ｈ２５から２５段の全ての支持棚Ｍ１〜Ｍ２５の侵入高さ基準位置Ｈ１〜Ｈ２５を求める（Ｓ１２）。この求め方は、侵入高さ基準位置Ｈ２５と侵入高さ基準位置Ｈ１との間の高さを、その間の”保持棚の数＋１”、すなわち”２４”で割ることによって求めることができる。上記侵入高さ基準位置Ｈ１から侵入高さ基準位置Ｈ２５までは、保持棚Ｍのほぼ１ピッチに相当する幅ずつ増加して行くことになる。
【００６７】
次に、少なくとも上記２つの保持棚Ｍ１、Ｍ２５に保持されているウエハに対してマッピング操作を行って２つの保持棚Ｍ１、Ｍ２５のマッピング情報、すなわち補正用高さ基準位置Ｃ１、Ｃ２５を求める（Ｓ１３）。このマッピング操作は、前述したように図２（Ｂ）に示すマッピング位置６０にて、ピック部５０を上下方向へ移動させた時にマッピングセンサ部５８によりウエハＷの存否及びその高さレベルを確認することにより行われる。従って、上記マッピング情報は、高さレベルを表している。
【００６８】
次に、上記マッピング情報Ｃ１、Ｃ２５から２５段の全ての保持棚Ｍ１〜Ｍ２５の補正用高さ基準位置Ｃ１、Ｃ２…Ｃ２４、Ｃ２５を求める（Ｓ１４）。この場合も、先の侵入高さ基準位置Ｈと同様に上記２つのマッピング情報Ｃ１、Ｃ２５の間の高さを”２４”で割ることにより求めることができる。この場合も、補正用高さ基準位置Ｃ１から補正用高さ基準位置Ｃ２５までは、保持棚Ｍのほぼ１ピッチに相当する幅ずつ増加して行くことになる。
【００６９】
このようにして、侵入高さ基準位置Ｈ１〜Ｈ２５と補正用高さ基準位置Ｃ１〜Ｃ２５が求められたならば、当該収納容器３４とは異なった別の新たな収納容器に対するマッピング情報であるマッピング高さ基準位置ｈに基づいて上記侵入高さ基準位置Ｈ１〜Ｈ２５を補正して真正侵入高さ基準位置Ｌを求めるための下記のような式を得る（Ｓ１５）。
Ｌ＝Ｈ＋（ｈ−Ｃ）
Ｈ：侵入高さ基準位置
ｈ：マッピング高さ基準位置
Ｃ：補正用高さ基準位置
【００７０】
ここで、”Ｈ”はＨ１〜Ｈ２５を代表して示しており、”Ｃ”はＣ１〜Ｃ２５を代表して示しており、これらの値は固定である。また”ｈ”は、上述のように、新たな収納容器３４が導入ポート３２に置き替えられる毎にこの新たな収納容器３４に対して前述したようなマッピング操作を行うことにより求められる。従って、保持棚Ｍの数に相当するマッピング高さ基準位置（高さ情報）Ｃ１〜Ｃ２５が得られることになる。これにより、収納容器３４が次々と置き替えられても、各保持棚Ｍに対する真正侵入高さ基準位置Ｌ（Ｌ１〜Ｌ２５）を求めることができることになる。尚、”ｈ−Ｃ”は高さ方向の補正量となる。
【００７１】
そして、ピック部４８、５０は、この真正侵入高さ基準位置Ｌ１〜Ｌ２５に基づいて水平方向へ前進及び後退させることにより、保持棚Ｍへ接近及び離間されることになる。具体的には、例えば下から５番目の保持棚Ｍ５に対する真正侵入高さ基準位置Ｌ５は以下のようになる。
【００７２】
Ｌ５＝Ｈ５＋（ｈ５−Ｃ５）
また例えば下から２０番目の保持棚Ｍ２０に対する真正侵入高さ基準位置Ｌ２０は以下のようになる。
Ｌ２０＝Ｈ２０＋（ｈ２０−Ｃ２０）
上述のステップＳ１１〜Ｓ１５に示す各工程は、３個全ての導入ポート３２に載置した収納容器３４に対して個別に行われる。
【００７３】
また、保持棚Ｍとピック部４８、５０との間のウエハＷの受け渡しは、保持棚Ｍに支持させたウエハＷを取りに行く時は、その下方にピック部４８、５０を接近させて侵入させた後に保持棚Ｍの水平レベルよりも上方へピック部４８、５０を上昇させてウエハＷを受け取り、その後、ピック部４８、５０を離間（退避）させればよい。またウエハＷを保持棚Ｍに置きに行く場合は、上記と逆の操作を行えばよい。
【００７４】
このように、操作者は、ピック部５０の先端の載置パッド５４のウエハＷの周辺部の下面に当接した状態を容易に視認することができるので、操作者によるバラツキを低減することができるのみならず、作業性も向上させることができる。
【００７５】
また、収納容器３４毎に固体差によって寸法が僅かに異なっていても、また被処理体である半導体ウエハＷが保持棚Ｍに水平方向に対して傾斜して支持されていた場合にも、ピック部４８、５０と半導体ウエハが干渉することを防止することができる。
【００７６】
以上のように、被処理体を保持する保持部Ｍに対して接近及び離間が可能になされると共に上面に被処理体を載置する複数の載置パッド５４、５６が形成されたピック部５０を有する搬送機構の位置決め方法において、ピック部５０の先端の載置パッド５４が被処理体の周辺部の下面に接触した高さ位置を基準としてピック部５０の侵入する高さを決定するようにしたので、作業性が向上して作業者間のバラツキを低減し、ピック部と被処理体とが干渉する危惧を抑制することができる。
【００７７】
＜変形実施例＞
先に説明した実施例にあっては、搬送機構のピック部の動きは、水平移動及び上下方向への移動（垂直移動）を順次繰り返す動きであるが、搬送機構の中には、水平移動や垂直移動を順次行いつつ半導体ウエハを保持部に対して保持させる直前に、水平移動と垂直移動（下方への移動）とを同時に行ってピック部を斜め下方へ僅かな距離だけ移動させるようにした搬送機構もある。
【００７８】
このようにウエハを保持部に置きに行く直前にピック部を斜め下方向へ僅かな距離だけ移動させる理由は、ピック部の先端側の断面段部状の載置パッドとウエハエッジが擦れないようにするためである。
【００７９】
そして、このようなウエハ斜め置き動作をするピック部の高さ方向におけるティーチングを行う場合には、保持部の適正な場合にウエハをマニュアルで支持させておき、このウエハに対して作業者がピック部をマニュアルで接近させてウエハの下面（裏面）に載置パッドが当接したことを目視しつつ高さ位置を決定している。
【００８０】
しかしながら、この場合にも作業者の目視によるティーチング操作のため、作業者に依存してバラツキが生じ、また作業性が劣る、という欠点があった。そこで、この変形実施例では、搬送機構の高さ方向の位置決めに位置合わせ機構であるオリエンタを用いて作業者に依存するバラツキをなくすと共に作業性を向上させるようにしている。このような位置決め方法の変形実施例について説明する。図７は位置決め方法の変形実施例に用いる処理システムの一例を示す概略構成図、図８は搬送機構のピック部がウエハを置きに行く時の斜め下方移動を示す説明図である。尚、図７において図１及び図２に示す構成部分と同一構成部分については同一の参照符合を付して説明を省略する。
【００８１】
図７に示すように、この処理システム６４の横長の大気搬送室１８内には搬送機構６６が設けられており、この搬送機構６６は案内レール６８に沿って位置合わせ機構であるオリエンタ４０側まで、長手方向へ移動できるようになっている。
【００８２】
この搬送機構６６は、２つの搬送アーム７０、７２を有しており、その先端にはウエハＷを直接的に載置するための２股状になされたピック部７４、７６がそれぞれ設けられている。これらの各搬送アーム７０、７２は、それぞれ旋回及び屈曲して前進及び後退が可能になされて平面方向（ＸＹ方向）へ移動できることの他に、上下方向（Ｚ軸方向）へも移動できるようになっている。上記ピック部７４、７６の上面には、ウエハＷの下面（裏面）に当接する複数、例えば４個の載置パッド７８が設けられている。
【００８３】
また大気搬送室１８の長手方向の一側には、２つのロードロック室８０、８２を介して真空雰囲気になされた共通搬送室８４が連結されている。この共通搬送室８４は６角形状に形成されており、その周囲にゲートバルブＧを介して４つの処理室８６Ａ、８６Ｂ、８６Ｃ、８６Ｄが連結されている。各処理室８６Ａ〜８６Ｄは、ウエハＷに対して真空下で所定の処理を施す装置であり、各処理室８６Ａ〜８６Ｄ内には、ウエハＷを載置する載置台８８が設けられると共に、各載置台８８にはウエハＷの移載時にウエハＷを昇降させる複数、例えば３本のリフタピン９０が設けられている。
【００８４】
また、この共通搬送室８４には、２つのピック部９２を有して旋回及び屈伸可能になされた搬送機構９４が設けられており、上記各処理室８６Ａ〜８６Ｄ及びロードロック室８０、８２間でウエハＷの受け渡しをできるようになっている。また、上記２つのロードロック室８０、８２の両端は、それぞれゲートバルブＧを介して大気搬送室１８及び共通搬送室８４に連結されている。
【００８５】
このロードロック室８０、８２内は、真空雰囲気と大気圧雰囲気とに選択的になされ、共通搬送室８４内の真空雰囲気を破ることなくウエハＷを搬入及び搬出できるようになっている。各ロードロック室８０、８２内には、ウエハＷを保持する保持部９８がそれぞれ設けられる。図８（Ａ）にも示すように、この保持部９８は、保持台１００上に設けた、複数、例えば正三角状に配置された３本の保持ピン１０２を有し、この３本の保持ピン１０２でウエハＷの周辺部の下面に当接して支持するようになっている。
【００８６】
このような構成において、ロードロック室８０、８２の保持部９８の保持ピン１０２に対して接近及び離間が可能になされている大気搬送室１８内の搬送機構６６の高さ方向の位置決め方法について図９も参照して説明する。
【００８７】
図９は搬送機構の位置決め方法の変形実施例を示すフローチャートである。この搬送機構６６の高さ方向の位置決め方法を行う前に、先の実施例と同様にして保持ピン１０２に対する平面方向（Ｘ軸及びＹ軸方向）の位置決めを行う。すなわち、この平面方向の位置決め方法は、作業者が保持ピン１０２上に半導体ウエハＷを注視しつつこれを精度良く適正な位置に正確にマニュアルで保持させる。この際、ウエハＷのノッチを予め定めた所定の方向に正確に方向付けしておく。そして、予め定めた仮の平面基準位置に基づいて一方のピック部、例えばピック部７４で上記ウエハＷを取りに行き、このウエハＷをオリエンタ４０まで運んで行く。そして、このオリエンタ４０でウエハＷの偏心量を検出し、この偏心量を相殺するように上記仮の平面基準位置を修正することにより、真の平面基準位置が定まることになる。
【００８８】
このように、真の平面基準位置が定まって、平面方向における位置決めが完了したならば、次に高さ方向の位置決め方法を行う。まず、ピック部７４の仮の高さ位置を決定する第１の工程を行う（Ｓ２１）。この仮の高さ位置は、設計寸法等からピック部７４が保持ピン１０２と干渉しないような範囲で余裕を持たせて定める。
【００８９】
次に、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に示すように、ピック部７４に保持させたウエハＷを上記仮の高さ位置に基づいて前進させて斜め下方移動によって上記保持ピン１０２に置きに行って保持させる第２の工程を行う（Ｓ２２）。尚、図８（Ｂ）〜図８（Ｄ）は、ピック部７４のウエハ載置中心点Ｐ１の軌跡を線図で表したものである。
【００９０】
ここでピック部７４にはウエハＷは所定の方向に正確に方向付けされ、且つピック部７４のウエハ載置中心点Ｐ１にウエハＷの中心を正確に合わせて保持させる。このようなウエハＷの正確な保持は、ピック部７４にウエハＷを粗い位置合わせで保持させた後に、これをオリエンタ４０に搬送して偏心量を相殺するようにこのウエハＷをピック部７４で再度取り上げることにより行うことができる。
【００９１】
図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に示すように、ピック部７４は仮の高さ位置の高さレベルで水平方向に前進し、ウエハＷを置く直前に矢印１０４に示すように斜め下方向へ移動するように動作してウエハＷを保持ピン１０２に受け渡す。そして、その後は、ピック部７４を水平方向へ後退させて保持ピン１０２から離間させる。
【００９２】
この際のピック部７４の斜め下方への傾斜角度θは特に限定されないが、例えば４５度である。またピック部７４の斜め下方向へ移動する水平距離ｄ及び垂直距離ｅはそれぞれ共に６ｍｍ程度である。従って、ピック部７４はウエハＷを置く直前の僅か６ｍｍ程度だけ斜め下方移動をすることになる。
【００９３】
上記水平距離ｄは、６ｍｍに限定されず、３〜１０ｍｍ程度の範囲内であり、３ｍｍよりも小さい場合にはウエハＷの受け渡しが困難になる恐れがあり、また、１０ｍｍよりも大きい場合には構造物の設計寸法が大きくなり過ぎるので好ましくない。ここでピック部７４の斜め下方移動時の中心点ｆは、水平方向において”ｄ／２”の位置となり、高さ方向において”ｅ／２”の位置となる。具体的には、上記”ｄ／２＝ｅ／２＝３ｍｍ”となっている。
【００９４】
次に、上記ステップＳ２２で保持ピン１０２に置いたウエハＷをピック部７４の水平移動及び垂直方向上方移動を順次行ってピック部７４で取りに行く（Ｓ２３）。具体的には、図８（Ｃ）に示す軌跡に従って、ピック部７４を水平移動で前進させ、次に垂直方向上方移動によってウエハＷをピック部７４で受け取り、次にウエハＷを受け取った後にピック部７４を後退させて保持ピン１０２から離間させる。この場合、ピック部７４は、その中心が先の中心点ｆを通るように垂直方向上方移動する。
【００９５】
次に、上述のようにピック部７４で受け取ったウエハＷの偏心量をオリエンタによって求める第４の工程を行う（Ｓ２４）。この場合、ウエハＷの水平方向の位置決めは完了しているので、偏心方向はピック部７４の前進方向及び後退方向だけとなっている。ここで図８（Ｄ）に示すように、ウエハＷを保持ピン１０２の上端と接してこのウエハＷを保持ピン１０２上に置いた接触点を”ｆ２”としたならば、この接触点ｆ２と中心点ｆとの間の水平方向の距離Δｘがオリエンタ４０により偏心量として求まることになる。
【００９６】
次に、この求めた偏心量Δｘとを相殺するように上記仮の高さ位置を修正して真正高さ位置を求める第５の工程を行う（Ｓ５）。具体的には、図８（Ｄ）に示すように、オリエンタ４０により上記偏心量Δｘが求まったならば、この時の接触点ｆ２と中心点ｆとの間の垂直方向（高さ方向）の距離が誤差Δｙとして定まる。すなわち、現在行っているティーチング位置の仮の高さ位置に対して上記誤差Δｙを相殺するように修正を加えることによって真正高さ位置（高さ方向のティーチングポジション）を求めることができる。図８（Ｄ）の場合には、仮の高さ位置よりも誤差Δｙだけ高くなった位置が真正高さ位置となり、以後、ピック部７４はこの真正高さ位置を基準として保持ピン１０２に対してアクセスを行うことになる。
【００９７】
上記ティーチング操作は、他方のピック部７６に対しても同様に行うようにすればよい。また、このティーチング操作は、両ロードロック室８０、８２の各保持部９８の保持ピン１０２に対しても行うようにする。
【００９８】
上記した変形実施例では、ロードロック室８０、８２の保持部９８の保持ピン１０２に対するティーチング操作を例にとって説明したが、搬送機構が斜め下方移動によってウエハを保持部に置きに行くようにした構造であれば、この変形実施例はロードロック室のみならず、処理室、導入ポート等に対してアクセスする時のティーチング操作にも適用し得る。また、保持部の構造も保持ピンに限定されず、収納容器のような保持棚の場合にも本発明を適用することができる。
【００９９】
このように、この変形実施例によれば、被処理体を保持する保持部に対して接近及び離間が可能になされたピック部を有すると共に被処理体を保持部に対して保持させる直前にピック部を斜め下方へ移動させるようにした搬送機構の位置決め方法において、ピック部の斜め下方の移動によって保持部に保持させた被処理体を、水平移動及び垂直方向上方へのピック部の移動により取りに行ってこの被処理体の偏心量を求めて高さ方向を修正するようにしたので、容易に真正高さ位置を求めることができると共にピック部の侵入する高さを容易に決定でき、作業性を向上して作業者間のバラツキも低減させることができる。
【０１００】
尚、ここで説明した処理システム１４、６４の構成は単に一例を示したに過ぎず、これらの構成に限定されないのは勿論である。また、ここでは被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、この半導体ウエハにはシリコン基板やＧａＡｓ、ＳｉＣ、ＧａＮなどの化合物半導体基板も含まれ、更にはこれらの基板に限定されず、液晶表示装置に用いるガラス基板やセラミック基板等にも本発明を適用することができる。
【符号の説明】
【０１０１】
１４  処理システム
１６Ａ〜１６Ｃ  大気処理室
１８  大気搬送室
２０  搬送機構
３２  導入ポート
３４  収納容器
４０  オリエンタ（位置合わせ機構）
４４  第１のアーム
４６  第２のアーム
４８，５０  ピック部
５４，５６  載置パッド
５８  マッピングセンサ部
５８Ａ  発光素子
５８Ｂ  受光素子
６０  マッピング位置
６４  処理システム
６６  搬送機構
７４，７６  ピック部
８０，８２  ロードロック室
Ｍ  保持部
Δｔ  所定の安全距離
Δｘ  偏心量
Δｙ  誤差
Ｗ  半導体ウエハ（被処理体）
【図１】
2014075397.tif 000003
【図２】
2014075397.tif 000004
【図３】
2014075397.tif 000005
【図４】
2014075397.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2014075397.tif 000010
【図９】
2014075397.tif 000011
【図１０】
2014075397.tif 000012
【図１１】
2014075397.tif 000013