(57)【要約】【課題】リフトオフを行う際に有機化合物層の特性を低下させずに高精細かつ発光特性の高い有機ＥＬ装置の製造方法を提供する。【解決手段】第一有機化合物層の形成工程と、中間層の形成工程と、第一有機化合物層の加工工程と、第二有機化合物層の形成工程と、第二有機化合物層の保護部材の形成工程と、中間層・保護部材の除去工程と、第二電極の形成工程と、を有し、前記第二有機化合物層の保護部材の形成工程が、第一有機化合物層が除去された領域に形成された第二有機化合物層上に、中間層を溶解するための溶解液に対して可溶な材料で被覆する工程であることを特徴とする。【選択図】図２
2014011084.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第一電極と、有機化合物層と、第二電極と、がこの順に積層されている有機ＥＬ素子を複数有し、前記有機化合物層が、所定の形状にパターニングされている有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記第一電極上に第一有機化合物層を形成する第一有機化合物層の形成工程と、
前記第一有機化合物層上に中間層を形成する中間層の形成工程と、
複数設けられる前記第一電極のうち一部の第一電極の上に形成された前記中間層及び前記第一有機化合物層を選択的に除去する第一有機化合物層の加工工程と、
前記第一有機化合物層が除去された領域に設けられる第一電極の上に、第二有機化合物層を形成する第二有機化合物層の形成工程と、
前記第二有機化合物層の表面を、前記中間層を溶解する溶解液に可溶な材料で被覆する第二有機化合物層の保護部材の形成工程と、
前記溶解液を用いて前記中間層及び前記保護部材を溶解して除去する中間層・保護部材の除去工程と、
前記第一有機化合物層及び前記第二有機化合物層上に第二電極を形成する第二電極の形成工程と、を有することを特徴とする、有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
前記中間層の形成工程と、前記第一有機化合物層の加工工程との間に、前記中間層上にバリア層を形成するバリア層の形成工程をさらに有し、
前記第一有機化合物層の加工工程の前に、前記第一有機化合物層を除去する領域に設けられている前記バリア層を除去するバリア層の加工工程をさらに有することを特徴とする、請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３】
前記第二有機化合物層の保護部材が、前記中間層の構成材料であり、
前記第二有機化合物層の保護部材の形成工程が、基板上に前記溶解液を供給して、第一有機化合物層上に設けられる中間層の一部を溶解・溶出させて得た溶液で前記第二有機化合物層上を被覆する工程であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
前記第二有機化合物層の保護部材を、前記中間層の構成材料とは異なる前記溶解液に可溶な材料で形成することを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法
【請求項５】
前記中間層が水溶性材料であることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ装置は、基板上に複数の有機ＥＬ素子をマトリクス状に配列してなる表示装置である。例えば、赤、緑、青のいずれかの色を発光する有機ＥＬ素子を１組集めたものを１画素として複数配置すれば、フルカラーを表示することができる。
【０００３】
有機ＥＬ装置に含まれる有機ＥＬ素子は、膜厚数十ｎｍ乃至数百ｎｍ程度の有機化合物層を一対の電極間に配置されてなる電子素子であり、有機ＥＬ素子を構成する有機化合物層は少なくとも発光層を含んでいる。また有機ＥＬ素子の発光色は、発光層の構成材料を適宜選択・変更することによって適宜変更することができる。
【０００４】
ところで有機化合物層を形成する際には、真空蒸着法が広く用いられている。多色表示の有機ＥＬ装置の製造工程において、真空蒸着法により有機ＥＬ素子の種類に応じた発光層を塗り分けて形成する場合は、成膜領域に対応する開口を有するメタルマスクを用い、所定の領域に所定の発光層材料が選択的に形成されるようにする。しかし、メタルマスクを用いた真空蒸着法は、メタルマスクと被成膜基板とのアライメント精度の低さやメタルマスクの熱膨張等に起因する成膜精度の低さから、高精細な表示装置を作製するのには適さない方法といえる。
【０００５】
そこで、特許文献１には、高精細なメタルマスクの代わりにフォトリソグラフィ法を用いて有機化合物層を高精度かつ選択的に形成する方法が開示されている。具体的には、基板全面に形成した第一発光層上にレジスト層を設け、公知の手法によりレジスト層のパターニングを行った後、このレジスト層を用いて第一発光層のパターニング（加工）を行う。そして所定の形状に第一発光層を加工した後、第一発光層とは別の発光層を成膜・形成する。そしてレジスト層の溶解液を用いて第一発光層上のレジスト層を溶解させて、レジスト層やレジスト層上に設けられている層を除去（リフトオフ）する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許４５７８０２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで特許文献１では、レジスト層等を剥離液に接触させて溶解させ、溶解したレジスト層の上に形成されている発光層等の層に対して超音波等で物理的な力を加える方法が採用されている。これにより、レジスト層下に設けられる第一発光層の特に発光部を損傷させることなくリフトオフが可能となると記載されている。
【０００８】
ところが、リフトオフをする際に、基体上に成膜された第二発光層は剥き出しになっている。ここでリフトオフの際に加わる物理的な力により、第二発光層の特性が低下する場合があった。さらに、リフトオフによって除去されるレジスト層やレジスト層上に形成された層は水に溶解しないため、リフトオフされた層の膜片が露出している第２発光層の表面を傷つけることがありこれによって発光不良を招く場合がある。
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、その目的は、リフトオフを行う際に有機化合物層の特性を低下させずに高精細かつ発光特性の高い有機ＥＬ装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、基板上に、第一電極と、有機化合物層と、第二電極と、がこの順に積層されている有機ＥＬ素子を複数有し、前記有機化合物層が、所定の形状にパターニングされている有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記第一電極上に第一有機化合物層を形成する第一有機化合物層の形成工程と、
前記第一有機化合物層上に中間層を形成する中間層の形成工程と、
複数設けられる前記第一電極のうち一部の第一電極の上に形成された前記中間層及び前記第一有機化合物層を選択的に除去する第一有機化合物層の加工工程と、
前記第一有機化合物層が除去された領域に設けられる第一電極の上に、第二有機化合物層を形成する第二有機化合物層の形成工程と、
前記第二有機化合物層の表面を、前記中間層を溶解する溶解液に可溶な材料で被覆する第二有機化合物層の保護部材の形成工程と、
前記溶解液を用いて前記中間層及び前記保護部材を溶解して除去する中間層・保護部材の除去工程と、
前記第一有機化合物層及び前記第二有機化合物層上に第二電極を形成する第二電極の形成工程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明では、リフトオフを行う前に全ての有機化合物層が中間層を溶解する溶解液に可溶な材料で被覆されている。これにより、リフトオフを行う際に特定の有機化合物層の表面が傷ついたり、当該有機化合物層が物理的な力を受けて特性が劣化したりすることなく、有機化合物層をパターニングすることができる。従って、本発明によれば、リフトオフを行う際に有機化合物層の特性を低下させずに高精細かつ発光特性の高い有機ＥＬ装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬ装置の例を示す断面模式図である。
【図２】本発明の有機ＥＬ装置の製造方法における第一の実施形態を示す断面模式図である。
【図３】本発明の有機ＥＬ装置の製造方法における第二の実施形態を示す断面模式図である。
【図４】本発明の有機ＥＬ装置の製造方法における第三の実施形態を示す断面模式図である。
【図５】本発明の有機ＥＬ装置の製造方法における第四の実施形態を示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の製造方法は、基板上に、第一電極と、有機化合物層と、第二電極と、がこの順に積層されている有機ＥＬ素子を複数有し、前記有機化合物層が、所定の形状にパターニングされている有機ＥＬ装置を製造する方法である。
【００１４】
本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、下記（Ａ）乃至（Ｈ）に示される工程を有している。
（Ａ）第一電極上に第一有機化合物層を形成する第一有機化合物層の形成工程
（Ｂ）第一有機化合物層上に中間層を形成する中間層の形成工程
（Ｃ）複数設けられる前記第一電極のうち一部の第一電極の上に形成された前記中間層及び前記第一有機化合物層を選択的に除去する第一有機化合物層の加工工程
（Ｄ）前記第一有機化合物層が除去された領域に設けられる第一電極の上に、第二有機化合物層を形成する第二有機化合物層の形成工程
（Ｅ）前記第二有機化合物層の表面を、前記中間層を溶解する溶解液に可溶な材料で被覆する第二有機化合物層の保護部材の形成工程
（Ｆ）溶解液を用いて中間層及び保護部材を除去する中間層・保護部材の除去工程
（Ｇ）第一有機化合物層及び第二有機化合物層上に第二電極を形成する第二電極の形成工程
【００１５】
本発明において、工程（Ｅ）において使用される溶解液は、工程（Ｆ）において使用される溶解液と同じであってもよい。
【００１６】
本発明において、好ましくは、中間層の形成工程と、第一有機化合物層の加工工程との間に、中間層上にバリア層を形成するバリア層の形成工程をさらに有する。また本発明において、好ましくは、上記バリア層の形成工程に連動して、第一有機化合物層の加工工程の前に、第一有機化合物層を除去する領域に設けられている前記バリア層を除去するバリア層の加工工程をさらに有する。
【００１７】
本発明の製造方法は、リフトオフ工程、即ち、工程（Ｇ）において二種類の有機化合物層（第一有機化合物層、第二有機化合物層）は、いずれも中間層又は溶解液に可溶な材料からなる保護部材にて保護されている。このため、リフトオフを行う際に加える物理的な力やリフトオフによって生じるマスク層、第二有機化合物層、保護層等に由来する膜片によって二種類の有機化合物層（第一有機化合物層、第二有機化合物層）は損傷することがない。
【００１８】
以下図面を参照しながら、本発明の実施形態について具体的に説明する。尚、図面において特に図示されない、あるいは以下の説明において特段説明されていない部分に関しては、当該技術分野の周知技術あるいは公知技術を適用することができる。ただし、以下に説明する実施形態はあくまでも本発明における実施形態の一例であって、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００１９】
（有機ＥＬ装置）
図１は、本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬ装置の例を示す断面模式図である。また以下に説明する実施形態は、図１の有機ＥＬ装置１又は２の製造プロセスである。
【００２０】
図１（ａ）の有機ＥＬ装置１は、二種類の画素、即ち、第一画素１０Ａと、第二画素１０Ｂと、を有している。図１（ａ）の有機ＥＬ装置１において、第一画素１０Ａには、基板１１上に、第一電極１２（１２ａ）と、第一有機化合物層１３ａと、共通層１４と、第二電極１５と、がこの順に積層されてなる第一有機ＥＬ素子が配置されている。図１（ａ）の有機ＥＬ装置１において、第二画素１０Ｂには、基板１１上に、第一電極１２（１２ｂ）と、第二有機化合物層１３ｂと、共通層１４と、第二電極１５と、がこの順に積層されてなる第二有機ＥＬ素子が配置されている。図１（ａ）の有機ＥＬ装置１において、各画素（１０Ａ、１０Ｂ）からそれぞれ出力される光の色は、有機ＥＬ素子を構成する有機化合物層（１３ａ、１３ｂ）の種類によって異なる。より具体的には、有機化合物層（１３ａ、１３ｂ）にそれぞれ含まれる発光層の種類によって異なる。
【００２１】
図１（ｂ）の有機ＥＬ装置２は、三種類の有機ＥＬ素子、即ち、第一有機ＥＬ素子を含む第一画素１０Ａと、第二有機ＥＬ素子を含む第二画素１０Ｂと、第三有機ＥＬ素子を含む第三画素１０Ｃと、を有している。第一画素、第二画素、第三画素の組は、画像を表示する際の表示単位である。図１（ｂ）の有機ＥＬ装置２において、第一画素１０Ａには、基板１１上に、第一電極１２（１２ａ）と、第一有機化合物層１３ａと、共通層１４と、第二電極１５と、がこの順に積層されてなる第一有機ＥＬ素子が配置されている。図１（ｂ）の有機ＥＬ装置２において、第二画素１０Ｂには、基板１１上に、第一電極１２（１２ｂ）と、第二有機化合物層１３ｂと、共通層１４と、第二電極１５と、がこの順に積層されてなる第二有機ＥＬ素子が配置されている。図１（ｂ）の有機ＥＬ装置２において、第三画素１０Ｃには、基板１１上に、第一電極１２（１２ｃ）と、第三有機化合物層１３ｃと、共通層１４と、第二電極１５と、がこの順に積層されてなる第三有機ＥＬ素子が配置されている。図１（ｂ）の有機ＥＬ装置２において、各画素（１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ）からそれぞれ出力される光の色は、有機ＥＬ素子を構成する有機化合物層（１３ａ、１３ｂ、１３ｃ）の種類によって異なる。より具体的には、有機化合物層（１３ａ、１３ｂ、１３ｃ）にそれぞれ含まれる発光層の種類によって異なる。
【００２２】
尚、実際の有機ＥＬ装置は、基板１１上に、上述した複数種類の画素（第一画素、第二画素又は第一画素、第二画素、第三画素）がそれぞれ特定の規則性を持って２次元に複数配列されている。
【００２３】
（第一の実施形態）
次に、図１（ａ）の有機ＥＬ装置の製造プロセスについて説明する。図２は、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法における第一の実施形態を示す断面模式図である。以下、図２に基づいて図１（ａ）の有機ＥＬ装置１の製造プロセスの具体例について説明する。
【００２４】
（１）基板
図２の有機ＥＬ装置の製造プロセスにおいて使用される基板１１としては、有機ＥＬ装置１を安定に製造することができ、かつ駆動できるものであれば特に制限はない。例えば、ガラスやＳｉウェハ等の絶縁性あるいは半導体性の支持基板と、この支持基板上に有機ＥＬ装置を駆動するための駆動回路と、この駆動回路によって生じる凹凸を平坦化するための平坦化層とを有する基板が挙げられる。ここで駆動回路の一部は、配線を介して外部接続端子（不図示）と電気接続されている。尚、有機ＥＬ素子を構成する第一電極１２を素子単位で分離すると共に発光領域を区画することを目的として分離層（不図示）をさらに設けてもよい。
【００２５】
（２）第一電極の形成工程（図２（ａ））
図１の有機ＥＬ装置１を製造する際には、まず基板１１上に、第一電極１２（１２Ａ、１２Ｂ）を、素子単位で形成する（図２（ａ））。第一電極１２の構成材料として、例えば、Ａｌ、Ａｇ等の金属材料やインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物等の透明電極材料が挙げられる。また第一電極１２は、単層で構成されていてもよいし、複数の層で構成されていてもよい。第一電極１２が複数の層で構成ざれる場合、例えば、上記金属材料からなる薄膜と上記透明電極材料からなる薄膜とを積層してなる積層電極膜を用いることができる。
【００２６】
第一電極１２は、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等の公知の方法で導電層を基板１１全体に形成した後、フォトリソグラフィを用いて素子単位のパターニングを行うことによって形成される。これにより、第一有機ＥＬ素子を設ける領域１０ａと第二有機ＥＬ素子を設ける領域１０ｂとにそれぞれ設けられる第一電極（１２ａ、１２ｂ）がそれぞれ複数形成される（図２（ａ））。
【００２７】
（３）第一有機化合物層の形成工程（図２（ｂ））
次に、基板１１の全面にわたって第一有機化合物層１３ａを形成する（図２（ｂ））。第一有機化合物層１３ａは、少なくとも特定の波長の光を出力する第一発光層（不図示）を含む単層あるいは複数の層からなる積層体である。第一有機化合物層１３ａが複数の積層体である場合、第一発光層以外の第一有機化合物層１３ａを構成する層として、ホール輸送層、ホール注入層、電子輸送層、電子注入層等が挙げられる。本発明において、第一有機化合物層１３ａの構成材料としては、公知の低分子系材料あるいは高分子系材料のから適宜選択して用いることができる。
【００２８】
（４）第一有機化合物層の加工工程（図２（ｃ）〜（ｅ））
次に、フォトリソグラフィー法を用いて、第一有機化合物層１３ａを加工する。
【００２９】
具体的には、まず第一有機化合物層１３ａ上に、中間層２１と、レジスト層２２と、をこの順に形成する（図２（ｃ））。中間層２１は、後の工程において第一有機化合物層１３ａにダメージを与えないようにするために設けられる。
【００３０】
中間層２１の構成材料としては、第一有機化合物層１３ａの構成材料への溶解度が低い溶媒に溶解する材料を選択する。ところで、第一有機化合物層１３ａの構成材料は水への溶解度が低いので、中間層２１を溶解する溶媒（溶解液）として水が好適に用いられる。このように溶解液として水が選択される場合、中間層２１の構成材料としては、ＬｉＦ、ＮａＣｌ等の水溶性無機材料あるいはポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）等の水溶性ポリマーを使用することができる。
【００３１】
次に、中間層２１上にレジスト層２２を形成する（図２（ｃ））。レジスト層２２は、フォトリソグラフィーによって所望の形状にパターニングされたあとはマスク層２２ａとして機能する（図２（ｄ））。図２（ｄ）では、第一ＥＬ素子１０Ａを設ける領域（１０ａ）にマスク層２２ａが選択的に残るようにパターニングが行われている。
【００３２】
レジスト層２２を形成する際には、レジスト層２２を現像する際に用いられる現像液に対するレジスト層２２のエッチングレートが中間層２１のそれよりも大きくなるように材料（レジスト材料）を選択する。尚、レジスト層２２の現像液は、第一有機化合物層１３ａを溶解する等の影響を及ぼしたり、中間層２１の溶解や変質を引き起こしたりする場合がある。係る場合には、中間層２１を形成した後、レジスト層２２を形成する前にレジスト液から中間層２１等を保護するための保護層（不図示）を設けておくのが好ましい。この保護層の構成材料としては、窒化シリコンや酸化シリコン等の無機材料が好ましく用いられる。この保護層を設けることで、レジスト層２２の形成の際に中間層２１や第一有機化合物層１３ａの溶解や変質の可能性を抑制することができる。また中間層２１上に形成されるレジスト層２２を形成する際に使用可能な材料の選択肢を増やすことができる。
【００３３】
尚、中間層２１上に所定のパターンを有するマスク層２２ａを形成する方法は、フォトリソグラフィー法に限定されるものではなく、他に、インクジェット法、印刷法等のフォトリソグラフィー法を用いない方法も採用することができる。
【００３４】
マスク層２２ａを形成した後、ドライエッチングあるいはウェットエッチング法を用いて、マスク層２２ａが設けられていない領域に設けられている中間層２１及び第一有機化合物層１３ａを除去する。これにより、中間層２１及び第一有機化合物層１３ａのパターニングを行う（図２（ｅ））。これにより、第二有機ＥＬ素子１０Ｂを設ける領域（１０ｂ）に設けられる下部電極１２ｂが露出される。尚、マスク層２２ａは、図２（ｅ）に示されるように、中間層２１及び第一有機化合物層１３ａの加工を行う際に同時に除去してもよい。またマスク層２２ａは、中間層２１及び第一有機化合物層１３ａの加工を行った後で別工程にて除去してもよい。
【００３５】
（５）第二有機化合物層の形成工程（図２（ｆ））
次に、基板１１の全面にわたって第二有機化合物層１３ｂを形成する（図２（ｆ））。第二有機化合物層１３ｂは、少なくとも第一発光層（不図示）とは異なる波長の光を出力する第二発光層（不図示）を含む単層あるいは複数の層からなる積層体である。また第二有機化合物層１３ｂが複数の積層体である場合、第二発光層以外の第二有機化合物層１３ｂを構成する層として、ホール輸送層、ホール注入層、電子輸送層、電子注入層等が挙げられる。
【００３６】
また第一有機化合物層１３ａと同様に、第二有機化合物層１３ｂの構成材料は、中間層２１を溶解する溶解液に対する溶解度が低い材料にする必要がある。つまり、溶解液に対する中間層２１のエッチングレートが、溶解液に対する第一有機化合物層１３ａや第二有機化合物層１３ｂのエッチングレートよりも十分に大きくなるように溶解液や中間層２１の構成材料を選択する。
【００３７】
（６）保護部材の形成工程（図２（ｇ））
次に、第一有機化合物層１３ａ上に形成された層をリフトオフによって除去する前に、リフトオフ時において第二有機化合物層１３ｂを保護するための保護部材２３を形成する（図２（ｇ））。保護部材２３を設けることにより、リフトオフされたマスク層、第二有機化合物層、保護層等の膜片によって第二有機化合物層１３ｂが損傷を受けることはない。また保護部材２３は、リフトオフを行う際に有機化合物層（１３ａ、１３ｂ）に加える物理的な力による有機化合物層（１３ａ、１３ｂ）の特性の劣化を抑制することができる。
【００３８】
保護部材２３を設ける領域は、リフトオフの際に加えた力による傷が原因となるリークやショート、また、素子特性を劣化させないという観点から、少なくとも発光に寄与する第一電極１２ｂ上に形成された第二有機化合物層１３ｂの表面であればよい。しかし、第二有機化合物層１３ｂの成膜領域の端部より剥がれが生じる場合もあるので、より好ましくは第二有機化合物層１３ｂを形成する領域の全面であることが好ましい。
【００３９】
保護部材２３を設ける方法としては、第一有機ＥＬ素子を設ける画素領域１０ａに残存する中間層２１の一部を利用する方法と、保護部材２３に相当する層を改めて形成する方法がある。本実施形態では、第一有機ＥＬ素子を設ける画素領域１０ａに残存する中間層２１の一部を利用する方法について説明する。
【００４０】
中間層２１の一部を利用する方法とは、中間層２１に溶解液を接触させて中間層２１を溶解させ、第一有機化合物１３ａ上に設けられた中間層２１のパターンより中間層２１の構成材料を溶出させる方法である。これにより溶解液と混合した中間層２１の構成材料は、第一有機化合物層１３ａから第二有機化合物層１３ｂの表面へと広がり、第二有機化合物層１３ｂの表面を被覆する。
【００４１】
ただし中間層２１に溶解液を接触させる際に、大量の溶解液の入った浴槽に基板１０を浸漬すると、中間層２１の構成材料は有機化合物層（１３ａ、１３ｂ）表面にとどまらずに当該浴槽中に拡散してしまう。このため、本工程を溶解液の満たされた浴槽中に浸漬して行う際には、基板１０を上向き、かつ溶解液を導入する際に流れが発生しないように静かに静置した上で行うのが好ましい。また中間層２１の一部を利用する方法を用いる場合、少なくとも中間層２１の構成材料の比重が溶解液のそれよりも大きくなるように材料を選択する必要がある。
【００４２】
他に、基板１１を、浴槽に満たした溶解液に浸漬するのではなく大気中に保持し、基板１０の表面に適量の溶解液を供給する方法が挙げられる。この方法は、中間層２１と溶解液との比重等を考慮する必要がない点でより好ましい。ただし、シャワー等を用いて溶解液を連続的に供給し続けてしまうと、溶解層２１の構成材料が第二有機化合物層１３ｂの表面にとどまることなく基板１１外に洗い流されることがある。そのため、溶解液に接触した中間層が溶解して得た溶液が第二有機化合物層１３ｂの表面を被覆するのに必要な時間、供給する溶解液の量、等を調査・検討しておく必要がある。好ましくは、第二有機化合物層１３ｂの表面を被覆する保護部材２３の膜厚が最大となるような条件に設定するのが好ましい。
【００４３】
中間層２１の一部を利用して保護部材を形成する方法について、以下に具体的に説明する。
【００４４】
まず基板１１の表面（有機化合物層（１３ａ、１３ｂ）等が設けられている面）を上向きにし、一定量の溶解液を基板１１の表面から供給して中間層２１と接触させる。これにより第一有機化合物層１３ａ上に設けられる中間層２１の少なくとも一部が溶解する。次に、基板を静置したままで所定の時間をおく。そうすると、第一有機化合物層１３ａ上に設けられる中間層２１から中間層２１の構成材料の溶解・溶出が始まり、第二有機化合物層１３ｂの表面へと広がることで、中間層２１の構成材料を含む溶液によって第二有機化合物層１３ｂ上を被覆する。
【００４５】
また、基板１１を静置する代わりにスピンコーター等の回転機構を用いて、基板１１を回転させてもよい。これにより溶解液を効率よく基板に供給することが可能になると共に、溶解液にて溶解された中間層２１の構成材料を遠心力によって強制的かつ効率的に広げることができる。これにより第二有機化合物層１３ｂ上に中間層の構成材料からなる保護部材２３を形成しやすくなる。
【００４６】
本工程（保護部材の形成工程）を行う際に、中間層２１の一部を利用して保護部材を形成する方法を採用する場合、本工程については、次に行われるリフトオフ工程と連続したプロセスとして行ってもよい。
【００４７】
本工程（保護部材の形成工程）を行った後、第一有機化合物層１３ａ上に設けられる中間層２１は、本工程を行う前と比べて中間層２１の一部が溶出した分だけ膜厚が薄くなっている。尚、第一有機化合物層１３ａ上に設けられる中間層２１の膜厚と、第二有機化合物層１３ｂ上に設けられる保護部材２３の膜厚と、は、図２（ｇ）で図示されているように同じであってもよいし異なっていてもよい。
【００４８】
（７）中間層等の除去工程（図２（ｈ））
次に、第一有機化合物１３ａ上に形成された第二有機化合物層１３ｂ等の部材をリフトオフ（剥離）によって除去する（図２（ｈ））。
【００４９】
中間層２１を溶解するための溶解液としては、第一有機化合物層１３ａや第二有機化合物層１３ｂに対する溶解度が低い溶媒が用いられる。
【００５０】
特に溶解液として水を用いると、中間層２１以外の層（第一有機化合物層１３ａ、第二有機化合物層１３ｂ、保護層等）は溶解しないため、中間層２１を選択的に溶解させることができる。
【００５１】
リフトオフ工程を行う際には、第一有機化合物層１３ａ上に設けられる層（第二有機化合物層１３ｂ等）を剥離させるために中間層２１に対して力を加える必要がある。ここで具体的なリフトオフの方法として、基板１１上に液流を作り出してこの液流を利用して中間層２１を押し剥がすようにして剥離する方法が考えられる。また、溶解液に対して物理的な力を付加するような、２流体や超音波、メガソニック、マイクロバブル、高圧スプレー等の既存の方法も好適に用いられ、このような溶解液はノズルを介して供給される。ただし、本発明ではこれらの方法に限定されるものではない。
【００５２】
また上述した方法は、少なくとも第一有機化合物層１３ａ上にある第二有機化合物層１３ｂを除去し、かつ各有機ＥＬ素子がそれぞれ有する有機化合物層（１３ａ、１３ｂ）が基板１１から剥がれない範囲で溶解液に付加する力を調整した上で用いることができる。
【００５３】
さらに、大気中にて基板１１の表面に溶解液を供給してリフトオフを行う場合、ノズルを利用して物理的な力を付加した溶解液を基板１１（の表面）に供給する方法を利用することができる。この方法を利用する場合、溶解液を供給するノズルを、基板１１上に対して相対的にスキャンさせることが好ましい。ノズルをスキャンする方法としては、基板１１を静置させた状態でノズルを動かす方法、ノズルを固定して基板１１を移動させる方法、基板１１を回転させながらノズルを動かす方法等があるが、必要に応じて使い分けることができる。
【００５４】
またノズルを利用したリフトオフ工程を行う場合、中間層２１上に形成され溶解液に溶解しない材料からなる層（第二有機化合物層１３ｂ、保護層２４等）が基板１１上に再付着するのを防ぐ必要がある。この再付着を防ぐ方法としては、ノズルの形状や動作、高さや角度等を適宜調整する方法があり、場合によってはノズルを複数個配置する方法も考えられる。また、ノズルが移動している間に基板１１表面が乾燥してリフトオフされた膜が表面に再付着しないように、ノズルとは別の配管を利用し、基板１１上に剥離液を供給しつつノズルを基板１１上をスキャンするように移動させる方法も利用できる。さらに、リフトオフの際に用いる溶解液は、物理的な力を印加させることの他に、素子特性に影響を与えない範囲で、必要に応じて加温したり、静電気力による再付着を抑制するためにＣＯ2を溶解させたり、界面活性剤を添加したりしてもよい。
【００５５】
ところで本発明においては、第二有機化合物層１３ｂ上に保護部材２３が形成されている。このため、以上に説明した方法によってリフトオフ工程を行う際に、第二有機化合物層１３ｂの表面に傷が発生したり、素子特性が低下したりするのを抑制することができる。尚、リフトオフ工程を行う際に、第一有機化合物層１３ａ上には、中間層２１が存在するため、この中間層２１がリフトオフ時に問題となる第一有機化合物層１３ａの表面における傷の発生や、素子特性の低下を抑制している。またリフトオフの際に溶解液によってリフトオフされた膜片は溶解液に溶解せずに溶解液中を漂うことになるが、本発明の製造方法では各有機化合物層（１３ａ、１３ｂ）上に有機化合物層を保護するための部材（中間層２１、保護部材２３）で被覆されている。このため、上記膜部材によって有機化合物層（１３ａ、１３ｂ）の表面が傷つくことはない。
【００５６】
（８）第二電極等の形成工程
最後に、第一有機化合物層１３ａ上及び第二有機化合物層１３ｂ上に、各有機ＥＬ素子（１０Ａ、１０Ｂ）に共通する層として、共通層１４と、第二電極１５と、を順次形成する。これにより、二種類の有機ＥＬ素子（１０Ａ、１０Ｂ）を備える有機ＥＬ装置１が完成する（図２（ｉ））。尚、共通層１４の形成は省略してもよい。
【００５７】
共通層１４あるいは第二電極１５の形成に先だって、第一有機化合物層１３ａ及び第二有機化合物層１３ｂの表面に中間層２１等の残渣が残っている場合には、この残債を除去する工程を追加する。具体的には、希釈したアルコール等を用いて、中間層２１等の材料ごと各有機化合物層（１３ａ、１３ｂ）の表面を数ｎｍ程度エッチングする。
【００５８】
第一有機化合物層１３ａ上及び第二有機化合物層１３ｂ上に共通層１４を形成する場合、その層構成については特に限定されない。例えば、第一電極１２が陽極である場合、共通層としては電子輸送層や電子注入層等が挙げられる。また第一電極１２が陰極である場合、共通層としては正孔輸送層や正孔注入層等が挙げられる。さらに、共通層１４は、一層で構成されてもよいし複数の層で構成されてもよい。
【００５９】
第二電極１５の構成材料としては、Ａｌ、Ａｇ等の金属材料、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物等の透明電極材料等の公知の電極材料が挙げられる。また第二電極１５は、一層で構成されてもよいし複数の層で構成されてもよい。第二電極１５が複数の電極で構成されている場合、第二電極１５は、例えば、上記金属材料からなる層と上記透明導電材料からなる層とを積層してなる積層電極膜としてもよい。
【００６０】
尚、各有機化合物層（１３ａ、１３ｂ）から発生した光を外部に出力させるためには、第一電極１２及び第二電極１５の少なくともいずれかが透明あるいは半透明の電極層とする。ここでいう透明とは、可視光に対して８０％以上の透過率を有するものをいい、また半透明とは、可視光に対して２０％以上８０％未満の透過率を有するものをいう。第二電極１５を形成した後、有機ＥＬ素子に外部から水分が浸入するのを抑制するため、公知の封止部材（不図示）を設けるのが好ましい。
【００６１】
以上より本発明の製造方法の実施形態の一例を説明した。本発明の製造方法では、リフトオフによって中間層２１を除去する際に、第二有機化合物層１３ｂの表面を保護部材２３で覆っている。このため、第一有機化合物層１３ａ上から剥離された第二有機化合物層１３ｂ等のリフトオフされる部材が直接的に第二有機化合物層１３ｂ（の表面）に接触して傷がついたり、傷の発生によってリークやショートが発生したりするのを防止することができる。また第二有機化合物層１３ｂ（の表面）を覆う保護部材２３は、リフトオフ工程において基板１１表面に加わり有機ＥＬ素子の特性を劣化せしめる物理的な力から第二有機化合物層１３ｂを保護している。
【００６２】
（第二の実施形態）
図３は、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法における第一の実施形態を示す断面模式図である。以下、図３に基づいて図１の有機ＥＬ装置の製造プロセスの他の例について説明する。尚、以下に説明においては、第一の実施形態との相違点（図２（ｇ）及び図３（ｇ）に示される保護部材２３の形成工程が相違する。）を中心に説明する。
【００６３】
＜保護部材の形成工程＞
本実施形態においては、保護部材２３は、中間層２１の一部を加工することなく形成される（図３（ｇ））。ここで中間層２１の一部を加工することがないとは、中間層２１を溶解液に接触させる工程がないことを意味するものであり、本工程は、第一有機化合物層１３ａ上に設けられる中間層２１を変形させることなく保護部材２３を形成することを意味する。
【００６４】
本実施形態において、保護部材２３の構成材料は、中間層２１の構成材料と同じであってもよいし異なっていてもよい。ただし、中間層２１の溶解液によって溶解・剥離する材料を選択するのが望ましい。例えば、中間層２１の構成材料が水溶性材料である場合では、溶解液として水を用いることになるため、保護部材２３の構成材料は水溶性材料とする。また中間層２１の場合と同様に、保護部材２３を剥離・除去する際に用いられる溶媒は、第二有機化合物層１３ｂの構成材料を溶解させない溶媒であることが好ましい。
【００６５】
本実施形態において、保護部材２３は、蒸着法、スリットコート、スピンコート、インクジェット等を用いて形成することができる。尚、蒸着法を用いて保護部材を形成する場合、保護部材２３は、第二有機化合物層１３ｂを形成した後に連続して真空中にて形成してもよい。
【００６６】
（第三の実施形態）
図４は、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法における第三の実施形態を示す断面図である。以下、図４に基づいて図１（ｂ）の有機ＥＬ装置２の製造プロセスの具体例について説明する。
【００６７】
＜第一電極の形成工程〜第一有機化合物層の加工工程＞（図４（ａ）〜（ｅ））
有機ＥＬ素子が三種類存在する、図１（ｂ）に示される有機ＥＬ装置２を製造する場合、第一電極１２（１２ａ、１２ｂ、１２ｃ）の形成工程から第一有機化合物層１３ａの加工工程に至るまでの工程は、第一の実施形態と同様の方法で行うことができる。即ち、第一有機化合物層１３ａの形成工程、中間層２１及びレジスト層の形成工程を含む図４（ａ）乃至（ｅ）までの工程については、図２（ａ）乃至（ｅ）に示されるプロセスと同様のプロセスで行うことができる。
【００６８】
＜第二有機化合物層の形成工程〜リフトオフ工程＞（図４（ｆ）〜（ｈ））
次に、第二有機化合物層１３ｂを形成する。このとき少なくとも第二有機ＥＬ素子を設ける領域１０ｂ及び第三有機ＥＬ素子を設ける領域１０ｃにおいて、第二有機化合物層１３ｂは第一電極（１２ｂ、１２ｃ）上に形成されることになる（図４（ｆ））。次に、第一有機化合物層１３ａ上に形成されている中間層２１を利用して保護部材２３を形成する（図４（ｇ））。次に、中間層２１の上に形成された第二有機化合物層１３ｂを、リフトオフを利用して除去する（図４（ｈ））。尚、以上に説明したプロセスにおいて、保護部材２３の形成工程からリフトオフ工程に至るまでの工程については、第一の実施形態にて説明した方法を採用してもよい。
【００６９】
＜第二有機化合物層の加工工程＞（図４（ｉ）〜（ｋ））
一回目のリフトオフ工程を行った後、フォトリソグラフィーを用いた第二有機化合物層１３ｂの加工を行う（図４（ｉ）乃至（ｋ））。本工程は、具体的には、第二有機ＥＬ素子１０ｂが設けられる領域１０ｂ以外の領域に設けられた第二有機化合物層１３ｂを除去する工程である。尚、図４（ｉ）乃至（ｋ）に示されるプロセスは、中間層２１と、レジスト層２２と、からなる積層体を利用した第二有機化合物層１３ｂの加工プロセスであり、その具体的な方法に関しては、第一の実施形態にて説明した方法と同様である。尚、第二有機化合物層１３ｂを加工する際に使用される中間層２１の構成材料は、第一有機化合物層１３ａを加工する際に中間層２１の構成材料として使用される材料と同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【００７０】
＜第三有機化合物層の形成工程〜リフトオフ工程＞（図４（ｌ）〜（ｎ））
次に、第三有機化合物層１３ｃを形成する。このとき少なくとも第三有機ＥＬ素子を設ける領域１０ｃにおいて、第三有機化合物層１３ｂは形成されることになる（図４（ｌ））。次に、第一有機化合物層１３ａ上及び第二有機化合物層１３ｂ上に形成されている中間層２１を利用して保護部材２３を形成する（図４（ｍ））。次に、中間層２１の上に形成された第三有機化合物層１３ｃを、リフトオフを利用して除去する（図４（ｎ））。尚、以上に説明したプロセスにおいて、保護部材２３の形成工程からリフトオフ工程に至るまでの工程については、第一の実施形態にて説明した方法を採用してもよい。
【００７１】
＜共通層の形成工程＞（図４（ｏ））
最後に、各有機ＥＬ素子（１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ）において共通する層である共通層１４及び第二電極１５をこの順に形成する。これにより図１（ｂ）に示される有機ＥＬ装置２が完成する。尚、共通層１４や第二電極１５を形成する具体的方法については、第一の実施形態と同様の方法を利用することができる。
【００７２】
（第四の実施形態）
図５は、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法における第四の実施形態を示す断面模式図である。以下、図５に基づいて図１（ｂ）の有機ＥＬ装置２の製造プロセスの他の例について説明する。尚、以下に説明においては、第三の実施形態との相違点（図４（ｃ）〜（ｅ）及び図４（ｉ）〜（ｋ）にそれぞれ示される各有機化合物層（１３ａ、１３ｂ）の加工工程が相違する。）を中心に説明する。
【００７３】
＜第一有機化合物層の加工工程（図５（ｃ）〜（ｅ））、第二有機化合物層の加工工程（図５（ｉ）〜（ｋ））＞
本実施形態では、第一有機化合物層１３ａや第二有機化合物層１３ｂを加工するために用いる部材として、中間層２１と、バリア層２４と、レジスト層２２（マスク層（２２ａ、２２ｂ）とからなる積層体が使用されている。中間層２１を形成した後でレジスト層２２を形成する前にバリア層２４を形成する。これにより、中間層２１や有機化合物層を、レジスト層を形成するレジスト材料に含まれる溶媒から保護することができ、レジスト層２２の材料選択が容易になる。
【００７４】
尚、本実施形態（第四の実施形態）の詳細については、以下に説明する実施例にて説明する。また本発明は、四種類以上の画素を有する有機ＥＬ装置を製造する場合においても適用することができる。係る場合、画素の種類に応じて有機化合物層の加工工程、有機化合物層の形成工程、リフトオフ工程からなる一連のプロセスを繰り返し行えばよい。
【実施例】
【００７５】
以下、実施例により、本発明を具体的に説明する。
【００７６】
［実施例１］
図５に示される製造プロセスに従って、図１（ｂ）に示される有機ＥＬ装置を作製した。本実施例（実施例１）で使用した基板１１は、基材であるガラス基板（不図示）と、基材上に設けられ各有機ＥＬ素子を個別に駆動するための回路（不図示）と、この回路を被覆する絶縁層と、を備えている。また図１（ｂ）には図示されていないが、各第一電極（１２ａ、１２ｂ、１２ｃ）は、上記絶縁層内に設けられたコンタクトホール（不図示）を介して上記回路と電気的に接続されている。
【００７７】
（１）第一電極の形成工程
まずスパッタリング法により、基板１１表面全体に、ＡｌＮｄを成膜し反射電極層を形成した。このとき反射電極層の膜厚を１００ｎｍとした。次に、スパッタリング法により、反射電極層上にＩＴＯ成膜して透明電極層を形成した。このとき透明電極層の膜厚を１０ｎｍとした。次に、公知のフォトリソグラフィー法を用いて、反射電極層と透明電極層とからなる積層電極膜のパターニングを行った。これにより、反射電極層と透明電極層とからなる第一電極（１２ａ、１２ｂ、１２ｃ）を、各有機ＥＬ素子を設ける領域（１０ａ、１０ｂ、１０ｃ）につき１個ずつ設けられるようにそれぞれ形成した（図５（ａ））。
【００７８】
（２）第一有機化合物層の形成工程
次に、真空蒸着法を用いた連続成膜により、第一電極（１２ａ、１２ｂ、１２ｃ）上及び基板１１上に、青色を発する第一発光層を含み複数の層からなる第一有機化合物層１３ａを形成した。
【００７９】
まず、第一電極（１２ａ、１２ｂ、１２ｃ）上及び基板１１上に、正孔輸送層を形成した。このとき正孔輸送層の膜厚を１２０ｎｍとした。次に、正孔輸送層上に、青色発光材料を含む第一発光層を形成した。このとき第一発光層の膜厚を３０ｎｍとした。次に、第一発光層上に正孔ブロック層を形成した。このとき正孔ブロック層の膜厚を１０ｎｍとした。以上により、第一有機化合物層１３ａを形成した（図５（ｂ））。
【００８０】
（３）中間層の形成工程
次に、水溶性高分子材料であるポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）と水とを混合してＰＶＰ水溶液を調製した。次に、調製したＰＶＰ水溶液を第一有機化合物層１３ａ上に塗布してスピンコート法にて成膜した後、乾燥させることで中間層２１を形成した。このとき中間層２１の膜厚は２μｍであった。
【００８１】
（４）バリア層の形成工程
次に、中間層２１上に、窒化シリコンを成膜してバリア層２４を形成した。このときバリア層２４の膜厚を２μｍとした。
【００８２】
（５）レジスト層の形成工程
次に、スピンコート法により、バリア層２４上に、市販のフォトレジスト材料（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ製、製品名「ＡＺ１５００」）を成膜した後、フォトレジスト材料中の溶剤を飛ばしてレジスト層２２を形成した（図５（ｃ））。このときレジスト層２３の膜厚は１μｍであった。
【００８３】
（６）第一有機化合物層の加工工程
次に、レジスト層２３まで形成した基板１１を露光装置にセットし、第一有機ＥＬ素子を設ける領域１０ａ以外の領域に開口を有するフォトマスクを介して４０秒間露光を行った。露光後、レジスト層の現像液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ製、製品名「３１２ＭＩＦ」を水で希釈し濃度を５０％としたもの）を用いて１分間現像した。この現像処理により第二有機ＥＬ素子を設ける領域１０ｂ及び第三有機ＥＬ素子を設ける領域１０ｃに形成されたレジスト層２２を除去した（図５（ｄ））。
【００８４】
次に、残存したレジスト層２２ａをマスクとして、以下の条件でドライエッチングを１７分間行い、第二有機ＥＬ素子を設ける領域１０ｂ及び第三有機ＥＬ素子を設ける領域１０ｃに形成されたバリア層２４を除去した。
反応ガス：ＣＦ4
反応ガスの流量：３０ｓｃｃｍ
圧力：１０Ｐａ
出力：１５０Ｗ
【００８５】
次に、以下の条件でドライエッチングを５分間行い、第二有機ＥＬ素子を設ける領域１０ｂ及び第三有機ＥＬ素子を設ける領域１０ｃに形成された中間層２１を除去した。
反応ガス：Ｏ2
反応ガスの流量：２０ｓｃｃｍ
圧力：１０Ｐａ
出力：１５０Ｗ
【００８６】
次に、上述した中間層２１の除去の際のエッチング条件と同じ条件でドライエッチングを行った。これにより、第二有機ＥＬ素子を設ける領域１０ｂ及び第三有機ＥＬ素子を設ける領域１０ｃに形成された第一有機化合物層１３ａを除去した。（図５（ｅ））。
【００８７】
以上の工程により、第一有機ＥＬ素子を設ける領域１０ａに選択的に第一有機化合物層１３ａを形成した。尚、第一有機化合物層の加工の際に行ったドライエッチングが完了した時点で、第一有機ＥＬ素子を設ける領域１０ａにおいて、バリア層２４上に形成されていたレジスト層２２ａは、図５（ｅ）に示すように消失していた。
【００８８】
（７）第二有機化合物層の形成工程
次に、真空蒸着法を用いた連続成膜により、少なくとも第一電極（１２ｂ、１２ｃ）上に、赤色を発する第二発光層を含み複数の層からなる第二有機化合物層１３ｂを形成した。
【００８９】
まず、少なくとも第一電極（１２ｂ、１２ｃ）上に、正孔輸送層を形成した。このとき正孔輸送層の膜厚を２００ｎｍとした。次に、正孔輸送層上に、赤色発光材料を含む第二発光層を形成した。このとき第二発光層の膜厚を３０ｎｍとした。次に、第二発光層上に正孔ブロック層を形成した。このとき正孔ブロック層の膜厚を１０ｎｍとした。以上により、第二有機化合物層１３ｂを形成した（図５（ｆ））。
【００９０】
（８）保護部材の形成工程
次に、第二有機化合物層１３ｂまで形成された基板１１を、回転機構と、溶解液の供給配管及び２流体ノズルからなる機構と、を有する装置に投入した後、基板１１を上記回転機構に備えるステージに吸着させた。次に、２流体ノズルを用いて中間層２１の溶解液である水を流量１Ｌ／分で５秒間供給した後に供給を一旦停止し、回転機構を用いて基板１１を回転数５００ｒｐｍで回転させた。これにより、第二有機化合物層１３ｂを、溶出した中間層の構成材料からなる膜（保護部材２３）で被覆した（図５（ｇ））。このとき第二有機化合物層１３ｂを被覆する膜の膜厚は０．５μｍであった。
【００９１】
（９）リフトオフ工程
次に、前工程（保護部材の形成工程）に引き続き、基板１１を回転数５００ｒｐｍで回転させながら、純水及び窒素ガスをそれぞれ投入した２流体ノズル（ノズルの直径：５μｍ）を用いて、中心から端部まで２０ｍｍ／ｓの速度でノズルをスキャンさせながら基板１１上に純水を勢いよく噴きつけた。これにより、中間層２１及び保護部材２３が溶解・除去されると共に中間層２１上に形成されていたバリア層２４及び第二有機化合物層１３ｂも中間層２１と一緒に除去された（図５（ｈ））。このとき２流体ノズルから投入された純水の流量は０．５Ｌ／分であり、窒素の流量は３０Ｌ／分であった。
【００９２】
（１０）中間層の形成工程
次に、水溶性高分子材料であるポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）と水とを混合してＰＶＰ水溶液を調製した。次に、調製したＰＶＰ水溶液を第一有機化合物層１３ａ上及び第二有機化合物層１３ｂ上に塗布してスピンコート法にて成膜した後、乾燥させることで中間層２１を形成した。このとき中間層２１の膜厚は２μｍであった。
【００９３】
（１１）バリア層の形成工程
次に、中間層２１上に、窒化シリコンを成膜してバリア層２４を形成した。このときバリア層２４の膜厚を２μｍとした。
【００９４】
（１２）レジスト層の形成工程
次に、スピンコート法により、バリア層２４上に、市販のフォトレジスト材料（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ製、製品名「ＡＺ１５００」）を成膜した後、フォトレジスト材料中の溶剤を飛ばしてレジスト層２２を形成した（図５（ｉ））。このときレジスト層２３の膜厚は１μｍであった。
【００９５】
（１３）第二有機化合物層の加工工程
次に、レジスト層２３まで形成した基板１１を露光装置にセットし、第一有機ＥＬ素子を設ける領域１０ａ及び第二有機ＥＬ素子を設ける領域１０ｂ以外の領域に開口を有するフォトマスクを介して４０秒間露光を行った。露光後、レジスト層の現像液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ製、製品名「３１２ＭＩＦ」を水で希釈し濃度を５０％としたもの）を用いて１分間現像した。この現像処理により第三有機ＥＬ素子を設ける領域１０ｃに形成されたレジスト層２２を除去した（図５（ｊ））。
【００９６】
次に、残存したレジスト層２２ｂをマスクとして、以下の条件でドライエッチングを１７分間行い、第三有機ＥＬ素子を設ける領域１０ｃに形成されたバリア層２４を除去した。
反応ガス：ＣＦ4
反応ガスの流量：３０ｓｃｃｍ
圧力：１０Ｐａ
出力：１５０Ｗ
【００９７】
次に、以下の条件でドライエッチングを５分間行い、第三有機ＥＬ素子を設ける領域１０ｃに形成された中間層２１を除去した。
反応ガス：Ｏ2
反応ガスの流量：２０ｓｃｃｍ
圧力：１０Ｐａ
出力：１５０Ｗ
【００９８】
次に、以下の条件でドライエッチングを行い、第三有機ＥＬ素子を設ける領域１０ｃに形成された第二有機化合物層１３ａを除去した。（図５（ｋ））。
【００９９】
以上の工程により、第二有機ＥＬ素子を設ける領域１０ｂに選択的に第二有機化合物層１３ｂを形成した。尚、３回目のドライエッチング（第二有機化合物層の加工の際に行ったドライエッチング）が完了した時点で、第一有機ＥＬ素子を設ける領域１０ａ及び第二有機ＥＬ素子を設ける領域１０ｂにおいて、バリア層２４上に形成されていたレジスト層２２ｂは、図５（ｋ）に示すように消失していた。
【０１００】
（１４）第三有機化合物層の形成工程
次に、真空蒸着法を用いた連続成膜により、少なくとも第一電極（１２ｃ）上に、緑色を発する第三発光層を含み複数の層からなる第三有機化合物層１３ｃを形成した。
【０１０１】
まず、少なくとも第一電極（１２ｃ）上に、正孔輸送層を形成した。このとき正孔輸送層の膜厚を１６０ｎｍとした。次に、正孔輸送層上に、緑色発光材料を含む第三発光層を形成した。このとき第三発光層の膜厚を３０ｎｍとした。次に、第三発光層上に正孔ブロック層を形成した。このとき正孔ブロック層の膜厚を１０ｎｍとした。以上により、第二有機化合物層１３ｃを形成した（図５（ｌ））。
【０１０２】
（１５）保護部材の形成工程
次に、第三有機化合物層１３ｃまで形成された基板１１を、回転機構と、溶解液の供給配管及び２流体ノズルからなる機構と、を有する装置に投入した後、基板１１を上記回転機構に備えるステージに吸着させた。次に、２流体ノズルを用いて中間層２１の溶解液である水を流量１Ｌ／分で５秒間供給した後、回転機構を用いて基板１１を回転数５００ｒｐｍで回転させた。これにより、第三有機化合物層１３ｃを、溶出した中間層の構成材料からなる膜（保護部材２３）で被覆した（図５（ｍ））。このとき第三有機化合物層１３ｃを被覆する膜の膜厚は０．５μｍであった。
【０１０３】
（１６）リフトオフ工程
次に、前工程（保護部材の形成工程）に引き続き、基板１１を回転数５００ｒｐｍで回転させながら、２流体ノズル（ノズルの直径：５μｍ）を用いて、中心から端部まで２０ｍｍ／ｓの速度でノズルをスキャンさせながら基板１１上に水及び窒素ガスをそれぞれ投入した。これにより、中間層２１及び保護部材２３が溶解・除去されると共に中間層２１上に形成されていたバリア層２４及び第二有機化合物層１３ｂも中間層２１と一緒に除去された（図５（ｎ））。このとき２流体ノズルから投入された純水の流量は０．５Ｌ／分であり、窒素の流量は３０Ｌ／分であった。
【０１０４】
（１７）共通層の形成工程
次に、各有機化合物層（１３ａ、１３ｂ、１３ｃ）上に電子輸送層を各有機ＥＬ素子に共通する層として形成した。このとき電子輸送層の膜厚を１０ｎｍとした。次に、炭酸セシウム（Ｃｓ2ＣＯ3）と電子輸送層の構成材料とを共蒸着して電子輸送層を形成した。このとき電子輸送層の膜厚を２０ｎｍとした。尚、本実施例では、電子輸送層と電子注入層とからなる積層体が共通層１４として機能する。
【０１０５】
（１８）第二電極の形成工程
次に、スパッタリング法により、共通層１４上に、Ａｇを成膜して半透明の第二電極１５を形成した。このとき第二電極１５の膜厚を１６ｎｍとした（図５（ｏ））。
【０１０６】
（１９）封止工程
最後に、窒素雰囲気下において、ＵＶ硬化樹脂からなる接着剤を用いて封止ガラス（不図示）と基板１１とを接着して封止を行った。以上により有機ＥＬ装置を得た。
【０１０７】
［比較例１］
実施例１（３）の工程（中間層の形成工程）において、実施例１（１１）の工程（保護部材の形成工程）を省略した。さらに、実施例１（１２）の工程（リフトオフ工程）において、超音波浴槽中に基板１を浸漬させ、中間層２１上に設けられる第二有機化合物層１３ｂをリフトオフした。これらを除いては、実施例１と同様の方法により、有機ＥＬ装置を作製した。
【０１０８】
［実施例２］
基本的に、図５に示される製造プロセスに基づいて有機ＥＬ装置を作製した。
【０１０９】
（１）第一電極の形成工程
実施例１（１）と同様の方法により、各有機ＥＬ素子を設ける領域（１０ａ、１０ｂ、１０ｃ）に下部電極（１２ａ、１２ｂ、１２ｃ）を、それぞれ所望のパターン形状により形成した（図５（ａ））。
【０１１０】
（２）第一有機化合物層の形成工程
実施例１（２）と同様の方法により、第一有機化合物層１３ａを形成した（図５（ｂ））。
【０１１１】
（３）中間層の形成工程
実施例１（３）と同様の方法により、中間層２１を形成した。
【０１１２】
（４）バリア層の形成工程
実施例１（４）と同様の方法により、バリア層２４を形成した。
【０１１３】
（５）レジスト層の形成工程
実施例１（５）と同様の方法により、レジスト層２２を形成した（図５（ｃ））。
【０１１４】
（６）第一有機化合物層の加工工程
実施例１（６）と同様の方法により、第一有機化合物層１３ａを加工した（図５（ｄ）乃至（ｅ））。
【０１１５】
（７）第二有機化合物層の形成工程
実施例１（７）と同様の方法により、第二有機化合物層１３ｂを形成した（図５（ｆ））。
【０１１６】
（８）保護部材の形成工程
ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）と水とを混合して調製したＰＶＡ水溶液を第二有機化合物層１３ｂ上に塗布した。次に、スピンコート法により塗布液（ＰＶＡ水溶液）を成膜することで、第二有機化合物層１３ｂ上に保護部材２３を形成した。このとき保護部材の膜厚は１μｍとした。
【０１１７】
（９）リフトオフ工程
次に、基板１１を、溶解液の供給配管及び複数の２流体ノズル（ノズルの直径：５μｍ）からなる機構を有する装置に投入した。次に、複数個配置した２流体ノズルを横切るように基板１１を搬送速度１０ｍｍ／ｓで移動させながら、２流体ノズルから基板１１上へ８５℃に加温した熱水及び窒素ガスをそれぞれ投入した。これにより、中間層２１及び保護部材２３が溶解・除去されると共に中間層２１上に形成されていたバリア層２４及び第二有機化合物層１３ｂも中間層２１と一緒に除去された（図５（ｈ））。このとき２流体ノズルから投入された熱水の流量は１．０Ｌ／分であり、窒素の流量は１５Ｌ／分であった。
【０１１８】
（１０）中間層の形成工程
実施例１（１０）と同様の方法により、中間層２１を形成した。
【０１１９】
（１１）バリア層の形成工程
実施例１（１１）と同様の方法により、バリア層２４を形成した。
【０１２０】
（１２）レジスト層の形成工程
実施例１（１２）と同様の方法により、レジスト層２２を形成した（図５（ｉ））。
【０１２１】
（１３）第二有機化合物層の加工工程
実施例１（１３）と同様の方法により、第二有機化合物層１３ｂを加工した（図５（ｊ）乃至（ｋ））。
【０１２２】
（１４）第三有機化合物層の形成工程
実施例１（１４）と同様の方法により、第二有機化合物層１３ｂを形成した（図５（ｌ））。
【０１２３】
（１５）保護部材の形成工程
第三有機ＥＬ素子を設ける領域１０ｃに開口を有するマスクを用いて、蒸着法により、第三有機化合物層１３ｃ上に、ＬｉＦを成膜して保護部材２３を形成した。このとき保護部材２３の膜厚を５００ｎｍとした。
【０１２４】
（１６）リフトオフ工程
次に、基板１１を、溶解液の供給配管及び複数の２流体ノズル（ノズルの直径：５μｍ）からなる機構を有する装置に投入した。次に、複数個配置した２流体ノズルを横切るように基板１１を搬送速度１０ｍｍ／ｓで移動させながら、２流体ノズルから基板１１上へ８５℃に加温した熱水及び窒素ガスをそれぞれ投入した。これにより、中間層２１及び保護部材２３が溶解・除去されると共に中間層２１上に形成されていたバリア層２４及び第三有機化合物層１３ｃも中間層２１と一緒に除去された（図５（ｎ））。このとき２流体ノズルから投入された熱水の流量は１．０Ｌ／分であり、窒素の流量は１５Ｌ／分であった。
【０１２５】
（１７）共通層の形成工程
実施例１（１７）と同様の方法により、電子輸送層と、電子注入層と、からなる共通層１４を形成した。
【０１２６】
（１８）第二電極の形成工程
実施例１（１８）と同様の方法により、第二電極１５を形成した（図５（ｏ））。
【０１２７】
（１９）封止工程
実施例１（１９）と同様の方法により、有機ＥＬ装置の封止を行った。以上により、有機ＥＬ素子を得た。
【０１２８】
本実施例にかかる有機ＥＬ装置と比較例にかかる有機ＥＬ装置をそれぞれ１０枚ずつ作製し、その表面を顕微鏡で観察したところ、比較例にかかる有機ＥＬ装置には、表面に傷のある素子が見られた。
【０１２９】
［有機ＥＬ装置の評価］
得られた有機ＥＬ装置のうち、１０基について測定を行い、その測定結果の平均を基準特性として評価した。
【０１３０】
得られた有機ＥＬ装置について白を表示させたところ、実施例（実施例１、２）に係る有機ＥＬ装置においては、発光していない画素が平均で０．５箇所見られた。一方、比較例１に係る有機ＥＬ装置においては、発光していない画素が平均で３０箇所見られた。また比較例１に係る有機ＥＬ装置において、発光しない箇所の約８割は、素子表面に発生した傷の箇所と対応していた。
【０１３１】
また実施例及び比較例に係る有機ＥＬ装置について、赤、緑、青のうち特定の色を発する有機ＥＬ素子のみを発光させることにより、その時の電圧−電流特性（駆動電圧）と、連続通電時の経時的な電流−輝度特性（電流効率）の変化とを比較した。
【０１３２】
実施例に係る１０基の有機ＥＬ装置において、電圧−電流特性を測定・評価したところ、その全てが駆動電圧の基準特性の誤差５％以内の範囲にあった。これに対して、比較例１に係る１０基の有機ＥＬ装置において、電圧−電流特性を測定・評価したところ、同様にのうち８枚は、基準特性に対して１５％〜２５％程度駆動電圧が高くなっていることがわかった。
【０１３３】
実施例に係る１０基の有機ＥＬ装置において、連続通電時の経時的な電流−輝度特性の変化を測定・評価したところ、１００時間経過時における１０基の平均が基準特性の誤差５％以内の範囲にあった。これに対して、比較例１に係る１０基の有機ＥＬ装置において、実施例と同様に測定・評価したところ、１００時間経過時における１０基の平均が基準特性よりも２０％〜３０％程度劣化していた。
【０１３４】
以上の結果から、本発明の製造方法によれば、収率良く、安定した特性の有機ＥＬ装置を得ることができる。つまり、本発明に係る製造方法を利用すると、有機化合物層が受けえるプロセス中の物理的ダメージを低減することができ、リフトオフ工程の影響を抑制して特性の高い有機ＥＬ装置を安定して作製することができる。
【符号の説明】
【０１３５】
１（２）：有機ＥＬ装置、１０Ａ：第一有機ＥＬ素子、１０Ｂ：第二有機ＥＬ素子、１１：基板、１２（１２ａ、１２ｂ）：第一電極、１３ａ：第一有機化合物層、１３ｂ：第二有機化合物層、１４：共通層、１５：第二電極、２１：中間層、２２（２２ａ、２２ｂ）：レジスト層、２３：保護部材、２４：バリア層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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