(57)【要約】      （修正有）【課題】貫通孔の内周に沿った部分における絶縁層の欠け等の機械的な破壊の発生が抑制された多数個取り配線基板を提供すること。【解決手段】複数の絶縁層が積層され、複数の配線基板領域２が配列された母基板１を備えており、母基板１の上面に、配線基板領域２の境界に沿って分割溝３が設けられており、配線基板領域２の境界において貫通孔が設けられているとともに、一つの絶縁層における貫通孔の内周が、他の絶縁層における貫通孔の内周よりも内側に位置しており、分割溝３が設けられた部分において、一つの絶縁層における貫通孔の内周が、外側に凸状である。一つの絶縁層において貫通孔内への突出部分が、分割溝３の近くでは存在しないため、母基板１破断時の衝撃による絶縁層の内周部分の欠け等が抑制できる。【選択図】図１
2014060354.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁層が積層されてなり、複数の配線基板領域が縦横の並びに配列された母基板を備えており、前記母基板の上面に、前記配線基板領域の境界に沿って分割溝が設けられた多数個取り配線基板であって、
前記配線基板領域の境界において、前記複数の絶縁層を連続して貫通する貫通孔が設けられており、
該貫通孔内において、前記複数の絶縁層のうちいずれか一つの絶縁層の内周が、他の絶縁層の内周よりも内側に位置しているとともに、
平面視で前記母基板に前記分割溝が設けられている部分においては、前記一つの絶縁層の前記内周の一部が外側に凸状となっていることを特徴とする多数個取り配線基板。
【請求項２】
前記一つの絶縁層の前記内周のうち外側に凸状となっている前記一部の先端は、前記他の絶縁層の前記内周と同じ位置であることを特徴とする請求項１に記載の多数個取り配線基板。
【請求項３】
前記一つの絶縁層の前記内周のうち外側に凸状となっている前記一部は、平面視において台形状であることを特徴とする請求項１に記載の多数個取り配線基板。
【請求項４】
平面視において、前記貫通孔が四角形状であるとともに、該四角形状の貫通孔の角部分が円弧状であり、
前記四角形状の貫通孔の互いに対向し合う二つの辺の中央を通る位置に前記分割溝が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の多数個取り配線基板。
【請求項５】
前記一つの絶縁層が、最上層の絶縁層であることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の多数個取り配線基板。
【請求項６】
請求項１に記載の多数個取り配線基板が、前記分割溝に沿って分割されてなる配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子等の電子部品を搭載するための配線基板となる複数の配線基板領域が母基板に縦横の並びに配列されてなる多数個取り配線基板、および個片の配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子および弾性表面波素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板として、酸化アルミニウム質焼結体等からなる四角形板状の絶縁基板の上面に電子部品の搭載部が設けられ、この搭載部またはその周辺から絶縁基板の側面または下面にかけて配線導体が設けられてなるものが多用されている。
【０００３】
配線基板は、一般に、１枚の広面積の母基板から複数個の配線基板を同時集約的に得るようにした、いわゆる多数個取り配線基板の形態で製作されている。多数個取り配線基板は、複数の絶縁層が積層されてなる平板状の母基板に、配線基板となる複数の配線基板領域が縦横の並びに配列形成されて形成されている。このような多数個取り配線基板は、配線基板領域の境界にあらかじめ分割溝が設けられている。この分割溝に沿って母基板が破断されることによって、多数個取り配線基板が個片の配線基板に分割される。
【０００４】
上記多数個取り配線基板および配線基板においては、絶縁基板の側面の一部に、厚み方向に延びる溝状の部分（溝部）が設けられる場合がある。溝部は、例えば電子部品実装用装置等の各種の装置に配線基板をセットする際の、配線基板の位置決め用の部分である。溝部を、装置の所定の凸部にはめ込むことによって、配線基板を装置の所定位置に位置決めしてセットすることができる。多数個取り配線基板においては、例えば隣り合う配線基板領域の境界に跨るように貫通孔が設けられる。この貫通孔が個片の配線基板における溝部となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平８−264946号公報
【特許文献２】特開2003−273526号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、配線基板の位置決めの精度を高める必要が生じている。これに対しては、複数の絶縁層を貫通する貫通孔内において、いずれか一つの絶縁層の内周を他の絶縁層の内周よりも内側にするという手段が考えられる。この場合、複数の絶縁層の積層ずれ等に起因した、溝部の内周位置のばらつきが抑制できる。
【０００７】
しかしながら、この場合、上記一つの絶縁層において、貫通孔内の内周部分が他の絶縁層よりも内側に突出する。そのため、この突出した部分において、分割溝に沿って母基板が破断するときの衝撃で欠け等の機械的な破壊が生じやすいという新たな問題が生じる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一つの態様の多数個取り配線基板は、複数の絶縁層が積層されてなり、複数の配線基板領域が縦横の並びに配列された母基板を備えており、前記母基板の上面に、前記配線基板領域の境界に沿って分割溝が設けられた多数個取り配線基板であって、前記配線基板領域の境界において、前記複数の絶縁層を連続して貫通する貫通孔が設けられており
、該貫通孔内において、前記複数の絶縁層のうちいずれか一つの絶縁層の内周が、他の絶縁層の内周よりも内側に位置しているとともに、平面視で前記母基板に前記分割溝が設けられている部分においては、前記一つの絶縁層の前記内周の一部が外側に凸状となっている。
【０００９】
本発明の一つの態様の配線基板は、上記構成の多数個取り配線基板が、前記分割溝に沿って分割されてなるものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の一つの態様の多数個取り配線基板によれば、貫通孔内に突出したいずれか一つの絶縁層の内周の一部が、分割溝が設けられた部分において外側に凸状であることから、分割溝に沿って母基板が分割される時に、その一つの絶縁層における、貫通孔の内周に沿った部分の欠け等の機械的な破壊が抑制され得る。
【００１１】
上記一つの絶縁層における分割溝が設けられた部分、つまり欠け等が発生しやすい部分において、貫通孔内に突出した部分の突出寸法が小さくなっている。または、突出した部分が存在していない。したがって、貫通孔内の内周部分における絶縁層（絶縁基板）の欠け等の発生が抑制された多数個取り配線基板を提供することができる。
【００１２】
また、本発明の一つの態様の配線基板によれば、上記構成の多数個取り配線基板が個片に分割されてなることから、上記貫通孔が分割されてなる溝部の内周面における、絶縁層の欠け等が抑制された配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態の多数個取り配線基板を示す上面図である。
【図２】（ａ）は図１に示す多数個取り配線基板の要部を拡大して示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。
【図３】本発明の実施形態の配線基板を示す上面図である。
【図４】本発明の実施形態の配線基板を示す斜視図である。
【図５】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ図１に示す多数個取り配線基板が個片に分割される時の要部を示す斜視図である。
【図６】（ａ）は、図１に示す多数個取り配線基板の変形例における要部を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。
【図７】図６（ｂ）に示す多数個取り配線基板の要部における変形例を示す断面図である。
【図８】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ図１に示す多数個取り配線基板の変形例における要部を示す上面図である。
【図９】図１に示す多数個取り配線基板の他の変形例における要部を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の多数個取り配線基板について、添付の図面を参照して説明する。
【００１５】
図１は、本発明の多数個取り配線基板の実施の形態の一例を示す上面図である。また,
図２（ａ）は図１に示す多数個取り配線基板の要部を拡大して示す上面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ線における断面図であり、図２（ｃ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。また、図３は、本発明の実施形態の配線基板を示す上面図である。配線基板に電子部品（図示せず）が搭載されて、携帯電話、センサー、照明器具および
カメラ等の各種の電子機器において用いられる電子装置が作製される。
【００１６】
図１および図２において、１は母基板、２は配線基板領域である。母基板１に複数の配線基板領域２が縦横の並びに配列され、配線基板領域２の境界に分割溝３が設けられて多数個取り配線基板９が基本的に形成されている。また、例えば図１に示す多数個取り配線基板９が分割されて、図３に示す個片の配線基板19が製作されている。母基板１が配線基板領域２の境界に沿って分割されたものが個片の配線基板19の絶縁基体11である。また、多数個取り配線基板９における貫通孔６が、個片の配線基板19の絶縁基体11の側面における溝部16となっている。
【００１７】
母基板１は、酸化アルミニウム質焼結体，ガラスセラミック焼結体，窒化アルミニウム質焼結体，炭化珪素質焼結体，窒化珪素質焼結体またはムライト質焼結体等のセラミック焼結体からなる複数の絶縁層１ａ、１ｂ、１ｃ（１ａ〜１ｃ）が積層されて形成されている。なお、以下の説明において、特に積層位置を特定することなく、単に絶縁層（符号なし）という場合がある。
【００１８】
母基板１は、例えば各絶縁層１ａ〜１ｃが酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、次のようにして製作することができる。
【００１９】
まず、酸化アルミニウムを主成分とし、酸化ケイ素や酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の粉末を添加した原料粉末を、有機溶剤、バインダと混練するとともに、ドクターブレード法やリップコータ法等の成形方法でシート状に成形して複数のセラミックグリーンシートを作製する。次に、タングステンやモリブデン等の金属材料の粉末を有機溶剤およびバインダとともに混練して、金属ペーストを作製する。次に、配線基板領域２となる領域のそれぞれに、所定の配線導体４のパターンにスクリーン印刷法等の印刷法で金属ペーストを印刷する。そして、複数のセラミックグリーンシートを積層し、たて積層体とした後、母基板１の外形寸法に切断し、この積層体を約1300〜1500℃程度の焼成温度で焼成することによって、母基板１を製作することができる。
【００２０】
図１および図２に示す例において、配線基板領域２に配線導体４が設けられている。配線導体４は、例えば配線基板領域２に電子部品（図示せず）が搭載されるときに、電子部品と電気的に接続されるパッド等の接続用の導体として機能する。
【００２１】
配線導体４は、例えば、タングステン、モリブデン、マンガン、銅、銀、パラジウム、金または白金等の金属材料によって形成されている。配線導体４は、これらの金属材料の合金で形成されていてもよい。配線導体４は、メタライズ層、めっき層または蒸着層等の薄膜層の形態で、母基板１に被着されている。配線導体４が、タングステンのメタライズ層からなる場合であれば、以下のようにして配線導体４を設けることができる。すなわち、タングステンの粉末を有機溶剤およびバインダとともに混練して作製した金属ペースト作製し、次に、この金属ペーストを母基板１となるセラミックグリーンシートの所定位置に印刷し、その後、セラミックグリーンシートと金属ペーストとを同時焼成することによって、母基板１に配線導体４を設けることができる。
【００２２】
母基板１に配列された複数の配線基板領域２は、それぞれが個片の配線基板19となる領域である。分割溝３が設けられた部分において母基板１が破断して分割されることにより、例えば図３に示すような配線基板19が同時集約的に複数製作される。絶縁基板11に配線導体４が被着されて、個片の配線基板19が基本的に形成されている。
【００２３】
個片の配線基板19が電子部品搭載用基板として使用される場合には、配線基板領域２の上面の中央部に電子部品の搭載部（符号なし）が設けられている。搭載部は、例えば図１
および図３において配線導体４を取り囲む枠状の破線の内側である。なお、母基板１は、このような電子部品を収容する凹部（いわゆるキャビティ）を複数の配線基板領域２のそれぞれの上面等に有するものでもよい。この場合には、凹部の底面の一部または全部が、電子部品の搭載部となる。
【００２４】
配線基板19（配線基板領域２）に搭載される電子部品（図示せず）としては、ＩＣやＬＳＩ等の半導体集積回路素子、およびＬＥＤ（発光ダイオード）やＰＤ（フォトダイオード），ＣＣＤ（電荷結合素子）等の光半導体素子を含む半導体素子、弾性表面波素子や水晶振動子等の圧電素子、容量素子、抵抗器、半導体基板の表面に微小な電子機械機構が形成されてなるマイクロマシン（いわゆるＭＥＭＳ素子）等の種々の電子部品が挙げられる。
【００２５】
電子部品は、例えばエポキシ系樹脂，ポリイミド系樹脂，アクリル系樹脂，シリコーン系樹脂，ポリエーテルアミド系樹脂等の樹脂接着剤や、Ａｕ−Ｓｎ，Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ，Ｓｎ−Ｃｕ，Ｓｎ−Ｐｂ等のはんだや、ガラス等で配線基板19の搭載部に接合される。
【００２６】
多数個取り配線基板９の母基板１の上面に分割溝３が設けられている。この実施の形態の例においては、複数の絶縁層１ａ〜１ｃのうち最上層の絶縁層１ａに、配線基板領域２の境界に沿って分割溝３が設けられている。分割溝３が設けられた部分で母基板１に曲げ応力を加えることによって、分割溝３に沿って母基板１を破断させる。これにより、多数個取り配線基板９を分割して、複数の配線基板領域２をそれぞれ個片の配線基板19とすることができる。
【００２７】
分割溝３は、母基板１となるセラミックグリーンシートの積層体の上面等の主面に、配線基板領域２の境界に沿ってカッター刃等で切り込みを入れることによって設けることができる。
【００２８】
なお、分割溝３の深さは、最上層の絶縁層１ａを超えて上から２層目の絶縁層１ｂに達するような深さであっても構わない。ただし、近年の電子装置における薄型化に伴い、母基板１の厚みが、例えば約0.3ｍｍ程度以下と薄くなる傾向にあるため、分割溝３が深す
ぎると、母基板１の機械的な強度が低下する可能性がある。この場合、母基板１における不用意な割れ等の不具合を生じやすくなる可能性がある。母基板１の薄型化にともない、絶縁層の積層数が少なくなる。したがって、特に母基板１の薄型化が図られているような場合には、最上層の絶縁層１ａのみに分割溝３が設けられていることが好ましい。
【００２９】
図１に示す例において、母基板１の外周部にダミー領域５が設けられている。ダミー領域５は、多数個取り配線基板９の取り扱いを容易とすること等のために設けられている。分割溝３が設けられている配線基板領域２の境界は、配線基板領域２同士の境界、および配線基板領域２とダミー領域５との境界である。
【００３０】
配線基板領域２の境界において、複数の絶縁層１ａ〜１ｃを連続して貫通する貫通孔６が設けられている。図１に示す例においては、配線基板領域２とダミー領域５との境界にも貫通孔６が設けられている。
【００３１】
貫通孔６は、多数個取り配線基板９または個片の配線基板19を、各種の加工用等の機器に位置決めしてセットするときの位置合わせ用の部位である。個片の配線基板19においては、貫通孔６が分割されてなる溝部16が、絶縁基板11の側面に設けられている。
【００３２】
上記機器は、例えば電子部品実装用の実装機、研磨機または電気特性等の各種の加工用、検査用等の機器またはジグ等である。この貫通孔６（溝部16）を、例えば図４に示すよ
うに、機器またはジグの凸状部にはめ込めば、機器またはジグ等に対して配線基板19を所定位置に位置決めセットすることができる。
【００３３】
貫通孔６は、例えば以下のようにして設けることができる。すなわち、母基板１となる複数のセラミックグリーンシートのそれぞれに、配線基板領域２の境界の所定部位に貫通孔６（部分貫通孔）を設ける。次に、それぞれのセラミックグリーンシートに設けた部分貫通孔同士が上下につながるようにして複数のセラミックグリーンシートを積層し、焼成することによって、母基板１に貫通孔６を設けることができる。セラミックグリーンシートに部分貫通孔を設ける方法としては、金属ピン等を含む打ち抜き加工用の金型を用いた機械的な打ち抜き加工およびレーザ加工等が挙げられる。
【００３４】
複数の絶縁層１ａ〜１ｃは、貫通孔６内において、いずれか一つの絶縁層の内周が、他の絶縁層の内周よりも内側に位置している。図１に示す例においては、その一つの絶縁層が最上層の絶縁層１ａである。つまり、貫通孔６内において、最上層の絶縁層１ａの内周が、他の絶縁層１ｂ、１ｃの内周よりも内側に位置している。言い換えれば、貫通孔６内において、いずれか一つの絶縁層の内周、例えば最上層の絶縁層１ａの内周が最も内側に位置している。
【００３５】
一つの絶縁層として最上層の絶縁層１ａの内周が最も内側に位置していることから、貫通孔６の内周面の位置は、常に貫通孔６内における最上層の絶縁層１ａの内周位置になる。そのため、例えば複数の絶縁層１ａ〜１ｃの間で積層位置のずれ（積層ずれ）等が生じたとしても、この積層ずれに起因して貫通孔６の内周の位置がばらつくようなことが防止され得る。したがって、貫通孔６の内周位置がばらつくようなことが防止され、個片の配線基板19における溝部16の内周の位置精度が高い。これにより、個片の配線基板19の溝部16の内周位置も個片の配線基板19の機器等に対する位置決めの精度が高く確保できる。
【００３６】
なお、一つの絶縁層を最上層の絶縁層１ａとしたことによる上記位置決めに関する効果は、最上層の絶縁層１ａ以外の他の絶縁層１ｂ、１ｃを上記一つの絶縁層とした場合であっても同様に得ることができる。
【００３７】
上記のような複数の絶縁層１ａ〜１ｃの内周位置の差に応じて、貫通孔６内の最上層の絶縁層１ａの内周が、貫通孔６内に凸状に突出している。また、平面視で母基板１に分割溝３が設けられた部分において、最上層の絶縁層１ａにおける上記内周の一部が、平面視で外側に凸状である。
【００３８】
平面視で母基板１に分割溝３が設けられた部分において、最上層の絶縁層１ａの内周の一部が、外側に凸状であることから、分割溝３に沿って母基板１が分割される時に、貫通孔６内に突出した、最上層の絶縁層１ａの貫通孔６内に突出した部分１ａａにおける欠け等の機械的な破壊が抑制され得る。
【００３９】
つまり、最上層の絶縁層１ａにおける貫通孔６の内周において突出した部分１ａａは、分割溝３が設けられた部分、つまり欠け等が発生しやすい部分では、例えば図５（ａ）に示すように、突出した部分１ａａの突出の寸法が小さくなっているか、または、突出した部分１ａａが存在していない。したがって、例えば図５（ｂ）に示すように母基板１を破断させたとしても、欠け等が発生しにくい。したがって、このような機械的な破壊の発生が抑制された多数個取り配線基板９を提供することができる。なお、図５（ａ）および（ｂ）は、それぞれ図１に示す多数個取り配線基板９が個片に分割される時の要部を示す斜視図である。図５において図１〜図３と同様の部位には同様の符号を付している。
【００４０】
なお、最上層の絶縁層１ａを含むそれぞれの絶縁層の厚みは、例えば約50〜500μｍ程
度である。電子装置としての薄型化に応じた配線基板19の薄型化の例として、絶縁基板11（母基板１）の厚みが約0.5ｍｍ（500μｍ）以下とされる場合がある。この場合、例えば絶縁層の積層数が約３〜10層程度であるときには、各絶縁層の厚みが約50〜100μｍ程度
の範囲に設定される。このような薄型化された配線基板19を作製する多数個取り配線基板19における母基板１は、分割溝３が深すぎると、分割溝３が設けられた部分、およびその周囲の部分における機械的な強度の低下により、不用意な割れ等が生じやすくなる可能性がある。例えばこのような場合に、分割溝３の深さが、最上層の絶縁層１ａの厚み方向の途中までの深さに設定される。
【００４１】
特に、分割溝３の深さが、最上層の絶縁層１ａの途中までの深さである場合に、分割溝３が設けられた部分において、最上層の絶縁層１ａにおける貫通孔６の内周の一部が、平面視で外側に凸状であることによる効果が大きい。すなわち、このような場合には、最上層の絶縁層１ａの突出した部分１ａａのうち分割溝３の直下の薄い部分が破断する時に、この薄い部分において欠け等の不具合が発生しやすい。これに対して、上記のように、分割溝３が設けられた部分では突出した部分１ａａが短くなるか、または存在しないようにされていることによって、欠け等の発生が有効に抑制される。
【００４２】
最上層の絶縁層１ａにおける貫通孔６の内周を上記形態とするには、最上層の絶縁層１ａとなるセラミックグリーンシートに部分貫通孔（符号なし）を設ける時に、その部分貫通孔の形状を、上記のような最上層の絶縁層１ａにおける貫通孔６の形状とすればよい。この場合、例えば金型を用いた加工で貫通孔６を設けるときには、金型による打ち抜き形状を、この最上層の絶縁層１ａにおける貫通孔６（部分貫通孔）の形状とする。
【００４３】
図６（ａ）〜（ｃ）は、図１に示す多数個取り配線基板９の変形例における要部を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。図６において図１および図２と同様の部位には同様の符号を付している。図６（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ図２（ａ）〜（ｃ）と対応していて、多数個取配線基板９における同様の部位を拡大して示している。
【００４４】
図６に示す例においては、母基板１の厚み方向の中央部に位置する絶縁層１ｂの内周が、他の絶縁層１ａ、１ｃの内周よりも内側に位置している。このような場合でも、前述したように、個片の配線基板19等の位置決め精度を高めることが可能である。
【００４５】
また、いずれか一つの絶縁層としての中央部の絶縁層１ｂの貫通孔６内の内周の一部が、平面視で母基板１に分割溝３が設けられた部分において外側に凸状であることから、分割溝３に沿って母基板１が分割される時に、その中央部の絶縁層１ｂにおける、貫通孔６内に突出した部分１ｂｂにおける欠け等の機械的な破壊が抑制され得る。
【００４６】
なお、上記中央部の絶縁層１ｂ等の、最上層の絶縁層１ａ以外の絶縁層の内周が上記のように貫通孔６内に突出している場合には、その中央部の絶縁層１ｂ等まで達する深さで分割溝３が設けられていることが望ましい。
【００４７】
すなわち、例えば図７に示すように分割溝３が最上層の絶縁層１ａのみに設けられているときに、中央部の絶縁層１ｂの内周が、他の絶縁層１ａ、１ｃの内周よりも内側であると、その中央部の絶縁層１ｂの内周の一部を上記のように外側に凸状としたとしても、中央部の絶縁層１ｂｂの突出した部分１ｂｂにおける欠け等を抑制する効果が低くなる可能性がある。これは、分割溝３の底部を起点として進む母基板１の破断の進行が突出した部分に向かう可能性があることによる。なお、図７は、図６（ｂ）の変形例（図１に示す多数個取り配線基板の他の変形例における要部）を示す断面図である。
【００４８】
最上層の絶縁層１ａを上記一つの絶縁層とした麗において、最上層の絶縁層１ａにおける貫通孔６の内周のうち、外側に凸状とされた一部の先端（突出した部分１ａａのうち最も外側に位置する部位）は、他の絶縁層１ｂ、１ｃにおける貫通孔６の内周と同じ位置であることが好ましい。この場合には、分割溝３が設けられた部分において、突出した部分１ａａが存在しないものとなる。したがって、上記のように、最上層の絶縁層１ａにおける欠け等の不具合が、より効果的に抑制される。なお、この場合、分割溝３が、凸状の部分の先端を通ることが前提になる。
【００４９】
最上層の絶縁層１ａの貫通孔６内の内周が外側に凸状とされた一部において、他の絶縁層１ｂ、１ｃにおける貫通孔６の内周と同じ位置であるというのは、正確に同じ位置である場合の他に、両者の位置に若干のずれがある場合も含む。最上層の絶縁層１ａの内周が、他の絶縁層１ｂ、１ｃの内周よりも外側に位置していてもよい。両者の位置のずれが、例えば平面視において20μｍ程度以下であれば、突出した部分１ａａが存在しないものとみなすことは可能であり、上記欠け等を抑制する効果を得ることができる。
【００５０】
図１および図２に示す例において、最上層の絶縁層１ａにおける貫通孔６の内周の凸状とされた一部は、平面視において台形状である。このような場合には、貫通孔６の内周を凸状とする加工が容易である。また、最上層の絶縁層１ａのうち貫通孔６内に突出した部分１ａａは、分割溝３に沿って母基板１が破断するときにより大きな衝撃が加わりやすい内周に近い部位ほど、隣り合う絶縁層間の距離が大きい。そのため、最上層の絶縁層１ａにおける欠け等の不具合がより効果的に抑制され得る。
【００５１】
なお、最上層の絶縁層１ａの貫通孔６の内において凸状とされた一部は、平面視において、必ずしも台形状である必要はなく、長方形状、円弧状（扇形状）または楕円弧状等の他の形状、またはこれらの形状を組み合わせた形状等であっても構わない。
【００５２】
また、図１および図２に示す例において、貫通孔６の平面視における形状は、四角形状である。また、貫通孔６の互いに対向し合う二つの辺の中央を通る位置に分割溝３が設けられている。また、貫通孔６の角部分が円弧状に成形されている。平面視における貫通孔６の形状が上記形状である場合には、例えば、貫通孔６を設けることが容易であること、貫通孔６に隣接した部分における母基板１のクラック等の破壊がより効果的に防止され得ること等の効果が得られる。また、個片の配線基板19の側面に設けられる溝部16の幅が広く確保されやすいため、溝部16に機器等の凸状部をはめ込んで位置決めする作業も容易である。つまり、電子部品の搭載時の作業性がより高い配線基板19を作製することが可能な多数個取り配線基板９となる。
【００５３】
この場合、それぞれの配線基板19における溝部16の寸法、形状および位置を同じように揃えるために、貫通孔６の互いに対向し合う二つの辺の中央を通る位置に分割溝３が設けられている。
【００５４】
前述したように、上記いずれかの構成の多数個取り配線基板９が、分割溝３に沿って分割されて、本発明の実施形態の配線基板である、個片の配線基板19が作製される。配線基板19は、絶縁基板11の上面に配線導体４が設けられ、絶縁基板11の側面に溝部16が設けられている。
【００５５】
このような実施形態の配線基板19によれば、上記構成の多数個取り配線基板９が個片に分割されてなることから、上記貫通孔６が分割されてなる溝部16の内周面における、絶縁層１ａの欠け等が抑制された配線基板19を提供することができる。
【００５６】
配線基板19は、上面に電子部品が搭載される電子部品搭載用の基板として使用される。
搭載される電子部品は、例えば前述した半導体素子等を含む各種の電子部品である。配線基板19に電子部品が搭載され、電子部品と配線導体４とがボンディングワイヤまたははんだ等の導電性接続際を介して電気的に接続される。必要に応じてこの電子部品が蓋体または封止用樹脂等で気密封止されて、半導体装置、センサー装置または撮像装置等の電子装置が作製される。作製された電子装置は、上記各種電子機器に部品として実装される。
【００５７】
これらの、配線基板19に対する電子部品の搭載、搭載した電子部品の気密封止、または電子装置の実装等の際に、溝部16が、位置決め用の部位として使用される。溝部16に、前述したように加工用の機器またはジグの凸状部がはめ込まれて、配線基板19または電子装置の位置決めが行なわれる。この場合、溝部16が平面視で四角形状（長辺が絶縁基板11の外辺の長さ方向に沿う長方形状）であれば、溝部16の幅が広いので、凸状部のはめ込みが容易である。また、平面視で四角形状の溝部16の角部分が円弧状であれば、この角部分から絶縁基板11の内部に向かってクラック等の機械的な破壊が生じる可能性が低減される。
【００５８】
なお、本発明の多数個取り配線基板および配線基板は、上記実施の形態の多数個取り配線基板９および配線基板19に限定されるものではなく、種々の変形は可能である。例えば図８（ａ）および（ｂ）に示すように、貫通孔６は、平面視で円形状または楕円形状等の形状であってもよい。なお、図８（ａ）および（ｂ）は、それぞれ図１に示す多数個取り配線基板９の変形例における要部を示す平面図である。図８において図１と同様の部位には同様の符号を付している。貫通孔６が円形状または楕円形状であれば、母基板１におけるクラック等の機械的な破壊の起点になりやすい角部分が無いので、このようなクラック等の可能性を低減する上で有効である。
【００５９】
また、例えば図９に示すように、最上層の絶縁層１ａの内周が貫通孔３内に突出した形態において、分割溝３の深さが、最上層の絶縁層１ａの厚みよりも大きくてもよい。つまり、分割溝３が、上から２層目の絶縁層１ｂまたはそれよりも下側まで入り込んでいてもよい。母基板１の厚みが厚い場合に、このような深さで分割溝３を設けることは、母基板１の分割性を確保する上では有効である。この場合にも、貫通孔６内に突出している最上層の絶縁層１ａの貫通孔６内に突出した部分１ａａにおける欠け等の機械的な破壊を抑制できる。なお、図９は、図１に示す多数個取り配線基板９の他の変形例における要部を示す斜視図である。図９において図１と同様の部位には同様の符号を付している。
【符号の説明】
【００６０】
１・・・母基板
１ａ〜１ｃ・・絶縁層
１ａａ・突出した部分
１ｂｂ・突出した部分
２・・・配線基板領域
３・・・分割溝
４・・・配線導体
５・・・ダミー領域
６・・・貫通孔
９・・・多数個取り配線基板
11・・・絶縁基板
16・・・溝部
19・・・配線基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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