(57)【要約】【課題】絶縁基板上にメッキ法によってバンプとアライメントマークを形成すると、バンプの高さとアライメントマークの高さが不揃いになりやすい。【解決手段】絶縁基板２上に形成された配線３と、配線３のランド７上に形成されたバンプ４と、絶縁基板２上に形成されたアライメントマーク５とを備える配線基板の製造方法であり、絶縁基板２に形成された銅箔１１上に第１のレジストパターン（１３，１４）を形成する工程と、第１のレジストパターンをマスクに用いて銅箔１１をハーフエッチングすることにより、銅箔１１の表面にバンプ４とアライメントマーク５を同時に形成する工程と、銅箔１１上に、配線３の形状とアライメントマーク５の台座部分８の形状に対応する第２のレジストパターン（１７，１８）を形成する工程と、第２のレジストパターンをマスクに用いて銅箔１１をフルエッチングすることにより、絶縁基板２上に配線３を形成する工程と、を有する。【選択図】図１
2014011403.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された配線と、前記配線上に形成されたバンプと、前記絶縁基板上に形成されたアライメントマークと、を備える配線基板の製造方法であって、
前記絶縁基板の少なくとも片面に平坦に形成された導体層上に、前記バンプの形状と前記アライメントマークの形状に対応する第１のレジストパターンを形成する第１のレジストパターン形成工程と、
前記第１のレジストパターンをマスクに用いて前記導体層をハーフエッチングすることにより、前記導体層の表面に前記バンプと前記アライメントマークを同時に形成する第１のエッチング工程と、
前記導体層上に、前記配線の形状と前記アライメントマークの台座部分の形状に対応する第２のレジストパターンを形成する第２のレジストパターン形成工程と、
前記第２のレジストパターンをマスクに用いて前記導体層をフルエッチングすることにより、前記絶縁基板上に前記配線を形成する第２のエッチング工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記第1のエッチング工程においては、エッチング阻害剤を添加したエッチング液を前
記導体層に噴射して前記導体層をハーフエッチングする
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁基板の配線上にバンプを有する配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板の一つの形態として、可撓性を有する絶縁基板上に配線のパターンを形成したものがある。この種の配線基板としては、たとえば、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）用のテープ（以下、「ＴＡＢテープ」という。）が広く知られている。ＴＡＢテープには、その使用目的等の違いにより、幾つかの形態がある。その一つとして、ＢＯＦ（Bump On Film）構造のＴＡＢテープが知られている（たとえば、特許文献１を参照）。
【０００３】
ＢＯＦ構造のＴＡＢテープでは、フィルム状の絶縁基板上に配線を形成するとともに、この配線上にバンプを形成している。このようなＴＡＢテープを、たとえば半導体チップとの電気的接続に用いる場合は、半導体チップに形成されている電極パッドの位置にあわせて絶縁基板上に配線やバンプを形成する必要がある。また、ＴＡＢテープと半導体チップ等との位置合わせのために、ＴＡＢテープにアライメントマークを形成する場合がある。参考までに、特許文献２には、プローブカードとウエハとの位置合わせのために、プローブカードにアライメントマークを形成する技術が記載されている。
【０００４】
ＴＡＢテープにアライメントマークを形成する方法として、たとえば、メッキ法が考えられる。以下に、メッキ法を用いた従来のＴＡＢテープの製造方法を説明する。
まず、絶縁基板上に銅箔を貼り合わせた構造の銅張基材を用意したら、その銅箔を感光性のレジストからなるレジスト層で覆った後、このレジスト層に露光・現像処理を施すことにより、所望の配線パターンにあわせてレジストパターンを形成する。このとき、アライメントマークを形成するための台座部分をレジストパターンで覆うようにする。次に、レジストパターンをマスクに用いて絶縁基板上の銅箔をエッチングする。これにより、絶縁基板上の銅箔がレジストパターンの形状にならって加工される。その後、上記エッチングで使用したレジストパターンを絶縁基板から除去しておく。
【０００５】
次に、絶縁基板上の配線と上記台座部分をレジスト層で覆った後、このレジスト層に露光・現像処理を施すことにより、バンプの形成予定位置とアライメントマークの形成予定位置にそれぞれ開口部を有するレジストパターンを形成する。このとき、レジストパターンの開口部において配線の一部と上記台座部分の一部が露出した状態となる。次に、上記開口部において露出させた配線上にメッキ法（セミアディティブ法）によって金属を堆積させることによりバンプを形成する。また、それと同時に、上記開口部において露出させた台座部分にメッキ法によって金属を堆積させることによりアライメントマークを形成する。次に、上記メッキ法で使用したレジストパターンを絶縁基板から除去する。次に、絶縁基板上の配線（バンプを含む）およびアライメントマークの表面を保護用のメッキ層で覆う。その後、必要に応じて、絶縁基板上の主要部（配線の一部を含む）を絶縁性の保護膜で覆う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−２１６６９４号公報
【特許文献２】特開平１１−１５４６９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述のようにＴＡＢテープにアライメントマークを形成して、ＴＡＢテープのバンプと半導体チップ（または半導体ウエハ）の電極パッドとを位置合わせする場合は、ＴＡＢテープに形成されるバンプの高さとアライメントマークの高さが揃っている方が好ましい。具体的には、たとえば、バンプの位置とアライメントマークの位置を、それぞれカメラを用いた撮像認識によって検出する場合に、バンプの高さとアライメントマークの高さが揃っていると、焦点合わせを迅速に行えるため、画像認識が容易になる。
【０００８】
上記従来の技術においては、メッキ法によってバンプとアライメントマークを形成しているが、メッキ法を用いた場合は、バンプの高さとアライメントマークの高さを精度良く合わせることが難しいという問題がある。その理由は、メッキ法によって銅等の金属を堆積させる場合に、局所的なメッキ成長速度の違いによって、バンプとアライメントマークの高さに差が生じたり、高さバラツキが生じたりするためである。
【０００９】
本発明の主な目的は、絶縁基板上にメッキ法によってバンプとアライメントマークを形成する場合に比べて、バンプとアライメントマークの高さを精度良く揃えることができる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の態様は、
絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された配線と、前記配線上に形成されたバンプと、前記絶縁基板上に形成されたアライメントマークと、を備える配線基板の製造方法であって、
前記絶縁基板の少なくとも片面に平坦に形成された導体層上に、前記バンプの形状と前記アライメントマークの形状に対応する第１のレジストパターンを形成する第１のレジストパターン形成工程と、
前記第１のレジストパターンをマスクに用いて前記導体層をハーフエッチングすることにより、前記導体層の表面に前記バンプと前記アライメントマークを同時に形成する第１のエッチング工程と、
前記導体層上に、前記配線の形状と前記アライメントマークの台座部分の形状に対応する第２のレジストパターンを形成する第２のレジストパターン形成工程と、
前記第２のレジストパターンをマスクに用いて前記導体層をフルエッチングすることにより、前記絶縁基板上に前記配線を形成する第２のエッチング工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法である。
【００１１】
本発明の第２の態様は、
前記第1のエッチング工程においては、エッチング阻害剤を添加したエッチング液を前
記導体層に噴射して前記導体層をハーフエッチングする
ことを特徴とする上記第１の態様に記載の配線基板の製造方法である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、絶縁基板上にメッキ法によってバンプとアライメントマークを形成する場合に比べて、バンプとアライメントマークの高さを精度良く揃えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施の形態に係る配線基板の一構成例を示す概略平面図である。
【図２】図中の（Ａ）は図１のＰ１部拡大図、（Ｂ）は（Ａ）のＤ１−Ｄ１断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＤ２−Ｄ２断面図である。
【図３】図中の（Ａ）は図１のＰ２部拡大図、（Ｂ）は（Ａ）のＤ３−Ｄ３断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＤ４−Ｄ４断面図、（Ｄ）は（Ａ）のＤ５−Ｄ５断面図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法の一例を説明する図（その１）である。
【図５】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法の一例を説明する図（その２）である。
【図６】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法の一例を説明する図（その３）である。
【図７】第１のレジストパターンを形成した段階の絶縁基板の状態を示す平面図である。
【図８】第２のレジストパターンを形成した段階の絶縁基板の状態を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
本発明の実施の形態においては、次の順序で説明を行う。
１．配線基板の構成
２．配線基板の製造方法
２−１．第１のレジストパターン形成工程
２−２．第１のエッチング工程
２−３．第２のレジストパターン形成工程
２−４．第２のエッチング工程
２−５．後工程
３．実施の形態に係る効果
４．変形例等
【００１５】
＜１．配線基板の構成＞
図１は本発明の実施の形態に係る配線基板の一構成例を示す概略平面図である。また、図２の（Ａ）は図１のＰ１部拡大図、（Ｂ）は（Ａ）のＤ１−Ｄ１断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＤ２−Ｄ２断面図である。図３の（Ａ）は図１のＰ２部拡大図、（Ｂ）は（Ａ）のＤ３−Ｄ３断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＤ４−Ｄ４断面図、（Ｄ）は（Ａ）のＤ５−Ｄ５断面図である。なお、図１においては、配線基板１の一辺と平行な方向を「Ｘ方向」とし、これと直角をなす方向を「Ｙ方向」とし、配線基板１の厚み方向を「Ｚ方向」としている。これら３つの方向は、互いに直交する関係となる。
【００１６】
図示した配線基板１は、たとえば、半導体素子の実装に用いられるものである。配線基板１は、絶縁基板２と、この絶縁基板２上に形成された配線３と、この配線３上に形成されたバンプ４と、絶縁基板２上に形成されたアライメントマーク５と、を備えている。ここで記述するバンプ４とは、配線３の上面３ａよりも上側に突出する部分であって、配線３を含まない部分をいう。
【００１７】
配線基板１は、電気的な絶縁性を有する絶縁基板２をベースに構成されている。絶縁基板２は、たとえば、可撓性を有する樹脂フィルムからなるもので、全体に矩形に形成されている。この場合、配線基板１は、フレキシブル配線基板となる。また、配線基板１は、配線３上のバンプ４の存在により、ＢＯＦ構造のフレキシブル配線基板となっている。配線基板１の両側には、複数のスプロケットホール６が形成されている。スプロケットホール６は、あらかじめ決められたピッチで形成されている。スプロケットホール６は、長尺のフィルム形状をなす（個片化に分離する前の）配線基板１をロール・ツー・ロール方式で搬送するときに用いられるものである。スプロケットホール６の形成部位は、個片化の際に切り離される。
【００１８】
絶縁基板２は、好ましくは、ポリイミド樹脂を用いて構成することができる。ただし、この他にも、たとえば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレ
ート（ＰＥＮ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、アラミドのいずれかを、絶縁基板２の主材料とすることができる。また、絶縁基板２の構成材料としては、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）レジン、ＬＣＰ（Liquid Crystal
Plastic）等を用いることもできる。絶縁基板２は、たとえば、長尺のフィルム（テープ）形状をなすベース基材を元にして、そのベース基材を、後述する配線基板１の製造工程において、所望の形状（図例では矩形）および寸法に切り出すことにより、個片に分離されるものである。
ただし、配線基板１は、個片に分離される前の状態を一つの基板製品として流通させてもよいし、個片に分離された後の状態を一つの基板製品として流通させてもよい。
【００１９】
絶縁基板２の片面（以下、「主面」ともいう。）２ａには配線３が形成されている。配線３は、たとえば、銅等の導電材料を用いて構成されている。配線３は、あらかじめ決められたパターンの形状にあわせて形成されている。ただし、図１および図２においては、配線３の一部分だけを簡略的に示している。絶縁基板２上における配線３の位置、形状、寸法等は、この配線３と電気的に接続される対象物（不図示）に応じて、任意に設定または変更が可能である。ちなみに、図１においては、配線３の幅方向がＸ方向に対応し、配線３の長さ方向がＹ方向に対応し、配線３の厚み方向がＺ方向に対応している。
【００２０】
バンプ４は、たとえば半導体素子の実装に際して、半導体素子の電極部と電気的かつ機械的に接続される接続端子として機能する。バンプ４は、絶縁基板２上において、あらかじめ決められた位置に形成されている。具体的には、バンプ４は、配線３の端部に配線３の一部として形成された円形のランド７上に形成されている。バンプ４は、配線３のランド７と同心状の配置で平面視円形に形成されている。バンプ４は、ランド７の上面７ａからＺ方向に突出する状態で形成されている。このため、バンプ４は、配線３の上面３ａよりもＺ方向に突出している。
【００２１】
バンプ４の上面４ａは、絶縁基板２の主面２ａと平行をなすように平坦に形成されている。バンプ４は、配線３の形成に用いられている導電性の材料と同じ材料（本形態例では銅）を用いて、配線３のランド７と一体に形成されている。すなわち、配線３のランド７とバンプ４とは、両者の間に結晶が不連続となる境界（結晶粒界）が存在しない状態で一体的に形成されている。配線３のランド７上におけるバンプ４の位置、形状、寸法等は、このバンプ４と物理的に接続（接合）または接触される対象物の電極等の位置に応じて、任意に設定または変更が可能である。
【００２２】
アライメントマーク５は、たとえば半導体素子の実装に際して、この半導体素子が多数形成されたウエハとの位置合わせのために用いられるものである。アライメントマーク５は、絶縁基板２上において、あらかじめ決められた位置に形成されている。具体的には、アライメントマーク５は、バンプ４が形成されている領域から少し離れた位置に形成されている。アライメントマーク５は、平面視矩形の台座部分８に十字形に形成されている。アライメントマーク５は、台座部分８の上面８ａからＺ方向に突出する状態で形成されている。アライメントマーク５の上面５ａは、絶縁基板２の主面２ａと平行をなすように平坦に形成されている。アライメントマーク５とその台座部分８は、配線３の形成に用いられている導電性の材料と同じ材料（本形態例では銅）を用いて、互いに一体に形成されている。すなわち、アライメントマーク５と台座部分８とは、両者の間に結晶が不連続となる境界が存在しない状態で一体的に形成されている。アライメントマーク５の高さは、後述する製造方法によって、バンプ４の高さと同一の高さになっている。
【００２３】
＜２．配線基板の製造方法＞
続いて、本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法の一例について、図４〜図６を用いて説明する。図４〜図６においては、上記図１のＤｘ−Ｄｘ断面位置の構造を示して
いる。
以下に、配線基板の製造工程を、「第１のレジストパターン形成工程」、「第１のエッチング工程」、「第２のレジストパターン形成工程」、「第２のエッチング工程」、「後工程」に分けて説明する。
【００２４】
（２−１．第１のレジストパターン形成工程）
まず、第１のレジストパターン形成工程を行う。第１のレジストパターン形成工程では、図４（Ａ）に示すように、絶縁基板２の少なくとも片面に、金属箔としての銅箔１１をラミネート等により形成してなる銅張基材を用意する。銅箔１１は、絶縁基板２の片面に平坦に形成された「導体層」に相当する構成要素となる。導体層は、銅以外の金属箔で形成されたものでもよいし、金属箔以外の層で形成されたものでもよい。ただし、絶縁基板２の片面に形成される導体層の表面の平坦性や、導体層の厚み寸法の精度等を考慮すると、金属箔としての銅箔を片面または両面に備える銅張基材を用いることが望ましい。この段階では、銅張基材からなる絶縁基板２が、長尺のフィルム形状をなしているものとする。
【００２５】
次に、図４（Ｂ）に示すように、絶縁基板２の片面に銅箔１１を覆う状態で第１のレジスト層１２を形成する。第１のレジスト層１２の形成は、たとえば、銅箔１１を覆うように絶縁基板２の片面にドライフィルムレジストをラミネートすることにより行う。ドライフィルムレジストの厚みは、後述する第１のエッチング工程で使用するエッチング液の組成や所望するエッチング量等に応じて、適宜変更が可能である。ドライフィルムレジストのラミネートを行う装置（以下、「ラミネータ」という。）には、圧力雰囲気の違いによって２つのタイプがある。一つは、常圧雰囲気でラミネートするタイプであり、もう一つは、常圧よりも低い減圧雰囲気（真空雰囲気を含む）でラミネートするタイプである。このうち、生産効率や製造コスト等の観点では、前者のラミネータを用いることが望ましく、気泡の混入等を防止するという観点では、後者のラミネータを用いることが望ましい。図４（Ａ）の段階では、銅箔１１の表面が平坦になっているため、前者のラミネータを用いることが好ましい。
【００２６】
次に、第１のレジスト層１２を露光・現像することにより、図４（Ｃ）に示すように、銅箔１１上にレジストパターン１３，１４を形成する。さらに詳述すると、まず、上述したバンプ４の形状・寸法およびアライメントマーク５の形状・寸法に適合するフォトマスク（不図示）を用いて第１のレジスト層１２を露光する。次に、第１のレジスト層１２を現像することにより、第１のレジスト層１２の不要部分を除去する。これにより、図４（Ｃ）に示すように、バンプ４の形状・寸法に対応するレジストパターン１３と、アライメントマーク５の形状・寸法に対応するレジストパターン１４とを銅箔１１上に形成する。これらのレジストパターン１３，１４は、「第１のレジストパターン」に相当する。レジストパターン１３，１４は、後述する第１のエッチング工程でのエッチングに用いるマスクとなるため、耐エッチング性を有している。
【００２７】
図７は絶縁基板２上に第１のレジストパターン（１３，１４）を形成した段階の絶縁基板２の状態を示す平面図である。図示のように、レジストパターン１３は、上記図１に示すバンプ４の形成予定位置に、バンプ４の形状・寸法にあわせて形成され、レジストパターン１４は、アライメントマーク５の形成予定位置に、アライメントマーク５の形状・寸法にあわせて形成されている。
【００２８】
（２−２．第１のエッチング工程）
次に、第１のエッチング工程を行う。この第１のエッチング工程では、図５（Ａ）に示すように、レジストパターン１３，１４をマスクに用いて、銅箔１１をエッチングする。ただし、この段階では、絶縁基板２の厚み方向において、銅箔１１の一部（下部）を残す
ようにエッチングする「ハーフエッチング」を適用する。ハーフエッチングを適用すると、レジストパターン１３，１４で覆われた部分はエッチングされず、レジストパターン１３，１４で覆われていない部分（露出部分）がエッチングされる。また、エッチングによる深さ寸法は、エッチング前の銅箔１１の厚み寸法よりも小さい寸法となる。このため、ハーフエッチングした後の銅箔１１の表面状態は、レジストパターン１３，１４で覆われた部分だけが突出した状態となる。また、レジストパターン１３で覆われた突出部分はバンプ４となり、レジストパターン１４で覆われた突出部分はアライメントマーク５となる。
【００２９】
次に、図５（Ｂ）に示すように、上記レジストパターン１３，１４を絶縁基板２から除去する。レジストパターン１３，１４の除去は、たとえば、レジスト剥離剤を用いて行う。これにより、銅箔１１の表面にバンプ４とアライメントマーク５が突状に形成された構造が得られる。
【００３０】
ここで、第１のエッチング工程における銅箔１１のエッチング方法について詳しく説明する。
第１のエッチング工程においては、エッチング液を用いたウェットエッチングにより、銅箔１１をハーフエッチングする。その際、エッチング阻害剤（インヒビタ）を添加したエッチング液を用いて、等方的なエッチングを抑制しつつ銅箔１１をエッチングする。具体的には、たとえばスプレイ方式等を採用して、絶縁基板２上の銅箔１１に対してエッチング液を噴射する。エッチング液としては、たとえば、塩化第二鉄（ＦｅＣｌ３）溶液、塩化第二銅（ＣｕＣｌ２）溶液等を用いることができる。また、エッチング阻害剤としては、たとえば、アミン類、エーテル類、グリコール類、アゾール類等の化合物等を用いることができる。
【００３１】
このようなエッチング阻害剤を添加したエッチング液をスプレイ等により銅箔１１に噴射すると、レジストパターン１３，１４で覆われていない銅箔１１の表面には、エッチング液が直接吹き付けられる。また、エッチング液は銅箔１１に向けて噴射されるため、銅箔１１の表面にはエッチング液の噴射圧力が加わる。これに対して、レジストパターン１３，１４で覆われた銅箔１１の部分は、エッチング液の噴射に対してレジストパターン１３，１４により遮蔽（保護）される。このため、レジストパターン１３，１４で覆われた銅箔１１の部分には、エッチング液が直接吹き付けられることがない。
【００３２】
そうした場合、レジストパターン１３，１４で覆われていない銅箔１１の表面には、エッチング液が打力を伴って吹き付けられる。このため、エッチング阻害剤を添加したエッチング液を用いた場合でも、レジストパターン１３，１４で覆われていない銅箔１１の表面は、垂直にエッチングが進行していく。これに対して、レジストパターン１３，１４で覆われた銅箔１１の部分には、エッチング液の噴射圧力（打力）がほとんど作用しない。また、エッチング液にはエッチング阻害剤が添加されているため、上述した垂直方向へのエッチングの進行と並行して、バンプ４の側壁やアライメントマーク５の側壁に難溶性化合物が生成される。この難溶性化合物の生成により、バンプ４の側壁やアライメントマーク５の側壁にエッチング保護膜が形成される。このため、レジストパターン１３，１４で覆われた銅箔１１の部分には、水平方向のエッチング（サイドエッチング）がほとんど進行しない。したがって、レジストパターン１３で覆われた銅箔１１の部分は、レジストパターン１３の形状・寸法を忠実に再現するかたちでバンプ４として残る。同様に、レジストパターン１４で覆われた銅箔１１の部分は、レジストパターン１４の形状・寸法を忠実に再現するかたちでアライメントマーク５として残る。
【００３３】
（２−３．第２のレジストパターン形成工程）
次に、第２のレジストパターン形成工程を行う。第２のレジストパターン形成工程では
、図５（Ｃ）に示すように、絶縁基板２上に銅箔１１、バンプ４およびアライメントマーク５を覆う状態で第２のレジスト層１６を形成する。第２のレジスト層１６の形成は、たとえば上記同様に、銅箔１１を覆うように絶縁基板２の片面にドライフィルムレジストをラミネートすることにより行う。この段階では銅箔１１の表面がバンプ４やアライメントマーク５の存在によって凹凸状になっている。このため、第２のレジストパターン形成工程においては、先述した第１のレジストパターン形成工程で使用するドライフィルムレジストよりも厚いドライフィルムレジストを用いることが望ましい。たとえば、第１のレジストパターン形成工程で使用するドライフィルムレジストの厚さが１５μｍであるとすると、第２のレジストパターン形成工程では、それよりも厚い２５〜３０μｍのドライフィルムレジストを用いることが望ましい。ただし、第２のレジストパターン形成工程で使用するドライフィルムレジストの厚みは、後述する第２のエッチング工程で使用するエッチング液の組成や所望するエッチング量等に応じて、適宜変更が可能である。また、使用するラミネータに関しては、上述した２つのタイプのラミネータのうち、気泡の混入等を抑制するのに有効な減圧雰囲気でラミネートするタイプを用いることが好ましい。
【００３４】
次に、第２のレジスト層１６を露光・現像することにより、図６（Ａ）に示すように、銅箔１１上にレジストパターン１７，１８を形成する。さらに詳述すると、まず、上述した配線３（ランド７を含む）の形状・寸法および台座部分８の形状・寸法に適合するフォトマスク（不図示）を用いて第２のレジスト層１６を露光する。次に、第２のレジスト層１６を現像することにより、第２のレジスト層１６の不要部分を除去する。これにより、図６（Ａ）に示すように、銅箔１１上でかつバンプ４と重なる位置に、配線３（ランド７を含む）の形状・寸法に対応するレジストパターン１７を形成する。またそれと同時に、銅箔１１上でかつアライメントマーク５と重なる位置に、台座部分８の形状・寸法に対応するレジストパターン１８を形成する。レジストパターン１７，１８は、「第２のレジストパターン」に相当する。レジストパターン１７，１８は、後述する第２のエッチング工程でのエッチングに用いるマスクとなるため、耐エッチング性を有している。
【００３５】
図８は絶縁基板２上にレジストパターン１７，１８を形成した段階の絶縁基板２の状態を示す平面図である。図示のように、レジストパターン１７は、上記図１に示す配線３（ランド７を含む）の形成予定位置に、配線３の形状・寸法にあわせて形成され、レジストパターン１８は、台座部分８の形成予定位置に、台座部分８の形状・寸法にあわせて形成されている。また、レジストパターン１７は、銅箔１１の表面に突状に形成されたバンプ４の全面を覆う状態に形成され、レジストパターン１８は、銅箔１１の表面に突状に形成されたアライメントマーク５の全面を覆う状態に形成されている。
【００３６】
（２−４．第２のエッチング工程）
次に、第２のエッチング工程を行う。第２のエッチング工程では、図６（Ｂ）に示すように、レジストパターン１７，１８をマスクに用いて、銅箔１１をエッチングする。この段階では、絶縁基板２の厚み方向において、第２のレジストパターン１７，１８で覆われていない銅箔１１の部分を残さずにエッチングする「フルエッチング」を適用する。つまり、レジストパターン１７，１８で覆った部分を除いて、上記第１のエッチング工程（ハーフエッチング）の後に残った銅箔１１をフルエッチングによって完全に除去する。このとき、バンプ４の全面を覆うようにレジストパターン１７を形成しておくと、銅箔１１をエッチングした際に、バンプ４の底部が、全周にわたって配線３のランド７の上面７ａに接した構造が得られる。同様に、アライメントマーク５の全面を覆うようにレジストパターン１８を形成しておくと、銅箔１１をエッチングした際に、アライメントマーク５の底部が、全周にわたって台座部分８の上面８ａに接した構造が得られる。
【００３７】
第２のエッチング工程においては、エッチング阻害剤を添加しないエッチング液を用いた通常のウェットエッチングを適用してもよい。ただし、配線３や台座部分８の寸法・形
状などを高精度に維持したい場合などは、必要に応じて、上記第１のエッチング工程と同様にエッチング阻害剤を添加したエッチング液を用いて、等方的なエッチングを抑制しつつ銅箔１１をエッチングすることが望ましい。
【００３８】
次に、図６（Ｃ）に示すように、上記レジストパターン１７，１８を絶縁基板２から除去する。レジストパターン１７，１８の除去は、たとえば、レジスト剥離剤を用いて行う。これにより、絶縁基板２上に配線３（ランド７を含む）と台座部分８が形成されるとともに、この配線３のランド７上にバンプ４が形成され、かつ台座部分８上にアライメントマーク５が形成された構造が得られる。また、バンプ４とアライメントマーク５とは、同じ高さになる。
【００３９】
（２−５．後工程）
その後、後工程を行う。この後工程では、図示はしないが、配線３、バンプ４、アライメントマーク５、台座部分８等の各表面に保護用のメッキ層を形成する。このメッキ層の形成は、たとえば、金メッキによって行う。
次に、バンプ４の部分を除いて配線３の主要部を覆うように、絶縁基板２上に樹脂の保護膜を形成する。この保護膜の形成は、必要に応じて行えばよい。
次に、絶縁基板２をパンチング等によって個片化する。
以上の製造工程により、本発明の実施の形態に係る配線基板１が得られる。
【００４０】
＜３．実施の形態に係る効果＞
本発明の実施の形態においては、絶縁基板２の片面に形成された銅箔１１の表面がバンプ４の上面４ａおよびアライメントマーク５の上面５ａとして部分的に残る。このため、バンプ４の上面４ａの高さとアライメントマーク５の上面５ａの高さを均一に揃えることができる。したがって、絶縁基板２上にメッキ法によってバンプ４とアライメントマーク５を形成する場合に比べて、バンプ４とアライメントマーク５の高さを精度良く揃えることができる。その結果、バンプ４の位置とアライメントマーク５の位置を、図示しないカメラを用いた撮像画像によって認識する場合の焦点合わせを素早く行うことができる。その理由は、たとえば、カメラの焦点をバンプ４の上面４ａに合わせるだけで、その焦点をほとんどずらすことなく、アライメントマーク５の上面５ａにも焦点を合わせることができるためである。これにより、カメラを用いた画像認識が容易になる。
【００４１】
ちなみに、バンプ４とランド７は互いに同じ材料（銅）で形成されているものの、バンプ４の上面４ａとランド７の上面７ａとは、バンプ４の高さ寸法に応じた高低差を有している。このため、バンプ４の上面４ａにカメラの焦点を合わせると、その周囲がピンボケした画像になる。したがって、バンプ４の画像だけを鮮明に撮像することができる。この点は、アライメントマーク５と台座部分８の関係についても同様である。
【００４２】
また、上記第１のエッチング工程においては、第１のレジストパターン（１３，１４）をマスクに用いて銅箔１１をハーフエッチングすることにより、バンプ４とアライメントマーク５を同時に形成している。このため、バンプ４とアライメントマーク５を異なるマスクを用いて形成する場合に比べて、両者の相対的な位置精度を高めることができる。したがって、ウエハに形成された半導体素子との位置合わせ精度が向上する。
【００４３】
また、上記第１のエッチング工程においては、エッチング阻害剤を添加したエッチング液を銅箔１１に垂直に噴射して銅箔１１をハーフエッチングしている。このため、バンプ４の上面４ａとアライメントマーク５の上面５ａの平坦性とそれらの側壁の垂直性を維持しつつ、それぞれの輪郭部分を鮮鋭に残すことができる。したがって、カメラを用いた画像認識において、たとえばバンプ４を撮像する場合に、バンプ４の上面４ａ全体に焦点を合わせることができる。これにより、バンプ４を撮像するにあたって明瞭な画像を取得す
ることができる。この点は、アライメントマーク５を撮像する場合も同様である。その結果、たとえば、バンプ４とアライメントマーク５の位置をパターンマッチング技術により検出する場合に、そのマッチング精度を高めることができる。
【００４４】
＜４．変形例等＞
本発明の技術的範囲は上述した実施の形態に限定されるものではなく、発明の構成要件やその組み合わせによって得られる特定の効果を導き出せる範囲において、種々の変更や改良を加えた形態も含む。
【００４５】
たとえば、上記実施の形態においては、十字形のアライメントマーク５を例示したが、アライメントマーク５の形状は十字形に限らず、たとえば、三角形、四角形などの多角形、円形、楕円形、Ｖ字形、Ｌ字形など、他の形状であってもよい。また、絶縁基板２上において、アライメントマーク５を形成する位置や個数は、任意に変更可能である。
【００４６】
また、配線３上に形成するバンプ４の形状は、円形に限らず、多角形、楕円形等であってもよい。また、配線３上に形成されるバンプ４の位置は、配線３の端部（ランド７）ではなく、配線３の途中であってもよい。
【００４７】
また、第１のレジストパターン形成工程や第２のレジストパターン形成工程では、ドライフィルムレジストに代えてフォトレジストを用いてもよく、レジストのタイプについても、ポジ型およびネガ型のいずれを用いてもよい。
【００４８】
また、本発明に係る配線基板の製造方法は、半導体素子の実装に用いられる配線基板（ＴＡＢテープ）を製造する場合だけでなく、他の用途の配線基板、たとえば、ウエハ上にマトリクス状の配列で形成された各々の半導体素子の電気的特性を検査する場合に用いられるプローブカードを製造する場合にも好適に適用可能である。この製造方法をプローブカードの製造に適用した場合は、検査時におけるプローブカードとウエハとの位置合わせ精度が向上するという効果が期待できる。
【００４９】
また、上記実施の形態においては、配線基板１の製造方法として、銅箔１１が片面に形成された絶縁基板２を用いた場合を例示しているが、銅箔１１が両面に形成された絶縁基板２を用いてもよい。その場合は、上記第２のレジストパターン形成工程において、絶縁基板２の両面にそれぞれ所望の配線パターンに応じて第２のレジストパターンを形成し、その後に行われる第２のエッチング工程において、絶縁基板２の両面の銅箔１１を同時進行でエッチング（フルエッチング）すればよい。これにより、絶縁基板２の両面に同時に配線形成を行うことができる。
【００５０】
また、本発明に係る配線基板の製造方法は、絶縁基板２が可撓性を有するか否かにより、フレキシブル配線基板およびリジット配線基板のいずれの製造方法にも適用することが可能である。
【符号の説明】
【００５１】
１…配線基板
２…絶縁基板
３…配線
４…バンプ
５…アライメントマーク
７…ランド
８…台座部分
１１…銅箔
１２…第１のレジスト層
１３，１４…レジストパターン（第１のレジストパターン）
１６…第２のレジスト層
１７，１８…レジストパターン（第２のレジストパターン）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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