(57)【要約】【課題】外来ノイズの影響を低減すると共に、マイグレーションを抑制すること。【解決手段】部品（５）が配置された集合基板（９）の一面（１１）に絶縁層（３）を積層する工程と、集合基板（９）の各分割ライン（Ｌ）に沿って絶縁層（３）に一対の平行溝（１７）を形成する工程と、一対の平行溝（１７）に充填されるように絶縁層（３）に導電性材料を塗布してシールド層（４）を形成する工程と、集合基板（９）の各分割ライン（Ｌ）に沿って一対の平行溝（１７）の間を分割する工程とを経て、回路モジュール（１）を製造する構成とした。【選択図】図３
2014036087.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
部品が設置された回路基板と、
前記部品が設置された前記回路基板の一面に積層された絶縁層と、
前記部品を覆うように前記絶縁層に設けられたシールド層とを備え、
前記部品の周囲を囲む前記シールド層の側面が前記絶縁層で被覆されることを特徴とする回路モジュール。
【請求項２】
前記回路基板の一面に対向する前記シールド層の一面が前記絶縁層から露出されることを特徴とする請求項１に記載の回路モジュール。
【請求項３】
前記回路基板の側面と前記絶縁層の側面とが面一に形成されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の回路モジュール。
【請求項４】
前記シールド層は、前記回路基板に形成された導体パターンと導通することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の回路モジュール。
【請求項５】
前記回路基板には、外部への露出を防ぐように導体パターンが埋設されることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の回路モジュール。
【請求項６】
部品が配置された集合基板の一面に絶縁層を積層する工程と、
前記集合基板の各分割ラインに沿って前記絶縁層に一対の平行溝を形成する工程と、
前記一対の平行溝に充填されるように前記絶縁層に導電性材料を塗布してシールド層を形成する工程と、
前記集合基板の各分割ラインに沿って前記一対の平行溝の間を分割する工程とを有することを特徴とする回路モジュールの製造方法。
【請求項７】
前記シールド層を形成する工程では、前記一対の平行溝の間をマスクして前記導電性材料を塗布することを特徴とする請求項６に記載の回路モジュールの製造方法。
【請求項８】
前記一対の平行溝を形成する工程では、前記集合基板に達する一対の平行溝を形成し、
前記集合基板に形成された導体パターンと前記シールド層とが導通するように、前記一対の平行溝に導電性材料を充填することを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の回路モジュールの製造方法。
【請求項９】
前記一対の平行溝を形成する工程では、前記一対の平行溝の上端に面取り部を形成することを特徴とする請求項６から請求項８のいずれかに記載の回路モジュールの製造方法。
【請求項１０】
前記一対の平行溝の間を分割する工程では、前記一対の平行溝の間よりも薄幅の切削ブレードを用いて前記一対の平行溝の間を分割することを特徴とする請求項６から請求項９のいずれかに記載の回路モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の回路モジュールに関し、特に、電子部品を覆う絶縁層の表面にシールド層が形成された回路モジュール及び回路モジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、回路モジュールとして、シールド層によって外来ノイズを遮断するものが知られている（例えば、特許文献１、２参照）。特許文献１、２に記載の回路モジュールの製造工程では、複数の回路基板からなる集合基板上に絶縁層が積層され、集合基板の分割ラインに沿って絶縁層側からハーフカットされる。続いて、集合基板の絶縁層側から導電性材料が塗布され、絶縁層の表面及びハーフカット溝内にシールド層が形成される。そして、シールド層が形成されたハーフカット溝の幅方向における中間位置が薄型ブレードでフルカットされることで、絶縁層の上面及び側面がシールド層で被覆された回路モジュールが形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１７２１７６号公報
【特許文献２】特開２００８−０４２１５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記した製造方法で形成された回路モジュールでは、回路モジュールからシールド層が露出しているため、シールド層の側面において、シールド層内の金属成分が実装基板側に移動すること（以下マイグレーション）により、回路モジュールのシールド層と実装基板（マザーボード）の導体パターンが短絡等の不具合が生じる可能性がある。このマイグレーション対策としてシールド層を無くすことも考えられるが、シールド層が形成されない分だけ外来ノイズの影響を受け易くなるという問題があった。
【０００５】
本発明はこのような実情に鑑みてなされたものであり、外来ノイズの影響を低減すると共に、マイグレーションを抑制できる回路モジュール及び回路モジュールの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の回路モジュールは、部品が設置された回路基板と、前記部品が設置された前記回路基板の一面に積層された絶縁層と、前記部品を覆うように前記絶縁層に設けられたシールド層とを備え、前記部品の周囲を囲む前記シールド層の側面が前記絶縁層で被覆されることを特徴とする。この構成によれば、シールド層によって外来ノイズを遮断することができ、外来ノイズから部品を保護できる。また、シールド層の側面が絶縁層で被覆されているため、シールド層の側面が回路モジュールから露出せず、回路モジュールの側面におけるマイグレーションが抑制される。よって、回路モジュールが実装基板に実装されても、実装基板で短絡等の不具合を防止できる。
【０００７】
また本発明の上記回路モジュールにおいて、前記回路基板の一面に対向する前記シールド層の一面が前記絶縁層から露出される。この構成によれば、回路モジュールが実装基板に実装される場合に、絶縁層から露出したシールド層の一面から実装基板までの距離を長くとることができる。よって、マイグレーションによって引き起こされる実装基板での不具合を抑制できる。また、シールド層の一面を絶縁層で覆う必要がない分、回路モジュールの製造工程を簡略化できる。
【０００８】
また本発明の上記回路モジュールにおいて、前記回路基板の側面と前記絶縁層の側面とが面一に形成される。この構成によれば、回路基板の側面と絶縁層の側面とが面一になるように１度の加工で分割されるため、回路モジュールの製造工程を簡略化できる。
【０００９】
また本発明の上記回路モジュールにおいて、前記シールド層は、前記回路基板に形成された導体パターンと導通する。この構成によれば、シールド層を介して導体パターンを実装基板のグランドに接続することができる。
【００１０】
また本発明の上記回路モジュールにおいて、前記回路基板には、外部への露出を防ぐように導体パターンが埋設される。この構成によれば、導体パターンが外部に露出することなく回路基板内に埋設されているため、シールド層だけでなく導体パターンでもマイグレーションが抑制される。よって、回路モジュールが実装基板に実装されても、実装基板で短絡等の不具合を防止できる。
【００１１】
本発明の回路モジュールの製造方法は、部品が配置された集合基板の一面に絶縁層を積層する工程と、前記集合基板の各分割ラインに沿って前記絶縁層に一対の平行溝を形成する工程と、前記一対の平行溝に充填されるように前記絶縁層に導電性材料を塗布してシールド層を形成する工程と、前記集合基板の各分割ラインに沿って前記一対の平行溝の間を分割する工程とを有することを特徴とする。この構成によれば、一対の平行溝に導電性材料が充填されることで、部品の周囲を囲むシールド層の側面が形成される。また、一対の平行溝の間で分割されることで、シールド層の側面が絶縁層に被覆された回路モジュールが形成される。このため、シールド層によって外来ノイズを遮断することができると共に、シールド層の側面におけるマイグレーションを抑制できる。よって、回路モジュールが実装基板に実装されても、実装基板で短絡等の不具合を防止できる。
【００１２】
本発明の回路モジュールの製造方法において、前記シールド層を形成する工程では、前記一対の平行溝の間をマスクして前記導電性材料を塗布する。この構成によれば、一対の平行溝の間にシールド層が形成されることがない。よって、一対の平行溝の間で分割された場合に、回路モジュールの側面となる分割面からシールド層が露出することがない。
【００１３】
本発明の回路モジュールの製造方法において、前記一対の平行溝を形成する工程では、前記集合基板に達する一対の平行溝を形成し、前記集合基板に形成された導体パターンと前記シールド層とが導通するように、前記一対の平行溝に導電性材料を塗布する。この構成によれば、一対の平行溝に充填された導電性材料により、シールド層を介して導体パターンを実装基板のグランドに接続させることができる。
【００１４】
本発明の回路モジュールの製造方法において、前記一対の平行溝を形成する工程では、前記一対の平行溝の上端に面取り部を形成する。この構成によれば、回路モジュールの製造途中で、一対の平行溝によって形成される絶縁層の角部が欠けることを防止できる。
【００１５】
本発明の回路モジュールの製造方法において、前記一対の平行溝の間を分割する工程では、前記一対の平行溝の間よりも薄幅の切削ブレードを用いて前記一対の平行溝の間を分割する。この構成によれば、回路モジュールの外側面が絶縁層になるように分割され、シールド層の側面の外側に絶縁層を残すことができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、部品の周囲を囲むシールド層の側面を絶縁層で被覆することで、外来ノイズの影響を低減すると共に、マイグレーションを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本実施の形態に係る回路モジュールの全体図である。
【図２】比較例に係る回路モジュールの製造方法の一例を示す図である。
【図３】本実施の形態に係る回路モジュールの製造方法の一例を示す図である。
【図４】変形例に係る回路モジュールの製造方法の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。図１を参照して回路モジュールについて説明する。図１は、本実施の形態に係る回路モジュールの全体図である。なお、図１Ａは回路モジュールの斜視図であり、図１Ｂは回路モジュールの断面図である。
【００１９】
図１Ａ及び図１Ｂに示すように、回路モジュール１は、回路基板２上に絶縁層３が積層され、絶縁層３の上面からシールド層４を露出させている。回路基板２は、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂で薄板状に形成されている。回路基板２の一面１１には、ＩＣ等の部品５が搭載されており、ワイヤボンディング等によって一面１１に形成された電極６に接続されている。回路基板２の内部には、電極６に接続された導体パターン７が設けられている。導体パターン７は、回路基板２の側面１２から露出しないように回路基板２内に埋設されている。
【００２０】
絶縁層３は、絶縁性樹脂によって回路基板２に搭載された部品５の隙間を固めるように、回路基板２の一面１１に積層されている。絶縁層３の側面１３は、回路基板２の側面１２と面一に形成されている。このように、回路モジュール１の側面は、回路基板２及び絶縁層３の絶縁性樹脂によって形成されている。シールド層４は、銀ペースト等の導電性材料によって絶縁層３内の部品５を覆うように絶縁層３に設けられている。シールド層４は、絶縁層３の上面を覆う一面１４と部品５の周囲を囲む側面１５とにより、下面を開放したボックス状に形成されている。
【００２１】
シールド層４の一面１４は、絶縁層３の上面に導電性材料が積層されることで形成され、シールド層４の側面１５は、絶縁層３に形成された溝内に導電性材料が充填されることで形成される（図３Ｄ参照）。このため、シールド層４の一面１４によって上方からの外来ノイズが遮断され、シールド層４の側面１５によって側方からの外来ノイズが遮断される。また、シールド層４の一面１４は絶縁層３から露出され、シールド層４の側面１５は絶縁層３によって被覆される。この場合、シールド層４の側面１５は回路基板２まで達しており、シールド層４と導体パターン７とが接続されている。
【００２２】
このように構成された回路モジュール１は、マザーボード等の実装基板２７上に設置される。このとき、回路モジュール１のシールド層４が実装基板２７のグランドパターンに接続される。よって、シールド層４を介して回路基板２内の導体パターン７も実装基板２７のグランドパターンに導通され、回路基板２内の導体パターン７がグランド電位に設定される。また、回路モジュール１では、シールド層４の側面１５が絶縁層３に被覆され、導体パターン７が回路基板２に埋設されており、回路モジュール１の側面からの金属部分の露出が抑えられている。
【００２３】
本実施の形態の回路モジュール１では、シールド層４の側面１５を絶縁性樹脂で被覆し、導体パターン７を露出しないように回路基板２内に埋設することでマイグレーションを対策している。実装基板２７の設置面から近いシールド層４及び導体パターン７でマイグレーションが抑制されることで、実装基板２７における短絡等の不具合が防止される。なお、シールド層４の一面１４は、絶縁層３の上面から露出しているが、実装基板２７の設置面から十分に離れている。よって、マイグレーションによって引き起こされる実装基板２７での不具合が起こり難くなっている。
【００２４】
図２及び図３を参照して、比較例に係る回路モジュールと比較しつつ回路モジュールの製造方法について説明する。図２は、比較例に係る回路モジュールの製造方法の一例を示す図である。図３は、本実施の形態に係る回路モジュールの製造方法の一例を示す図である。なお、比較例に係る回路モジュールは、シールド層の側面が絶縁性樹脂で覆われず、外部に露出している点で本実施の形態に係る回路モジュールと相違している。
【００２５】
最初に比較例に係る回路モジュールの製造方法について説明する。図２Ａに示すように、先ず、部品設置工程が実施される。部品設置工程では、複数の回路基板６２からなる集合基板６９が用意され、回路基板６２毎に集合基板６９の一面７１に部品６５が設置される。各部品６５は、集合基板６９の一面７１から露出した電極６６にワイヤボンディング等によって接続される。次に、図２Ｂに示すように、絶縁層形成工程が実施される。絶縁層形成工程では、集合基板６９の一面７１に絶縁層６３が積層される。これにより、集合基板６９上の部品６５やワイヤ等が絶縁性樹脂で封止され、衝撃や湿気等から部品６５が保護される。
【００２６】
次に、図２Ｃに示すように、第１のハーフカット工程が実施される。第１のハーフカット工程では、集合基板６９に設定された分割ラインＬに沿って、切削ブレード８１で集合基板６９が絶縁層６３側からハーフカットされる。分割ラインＬは、集合基板６９に格子状に設定された個々の回路基板６２の境界を示している。切削ブレード８１としては、厚幅の切削砥石のブレードが用いられる。この切削ブレード８１で絶縁層６３側から集合基板６９に向けて切り込まれることで、絶縁層６３から集合基板６９に達する太幅の溝７７が形成される。太幅の溝７７内には、集合基板６９の内部に設けられた導体パターン６７が露出される。
【００２７】
次に、図２Ｄに示すように、シールド層形成工程が実施される。シールド層形成工程では、絶縁層６３側から銀ペースト等の導電性材料が塗布される。これにより、絶縁層６３の上面が導電性材料によって被覆され、太幅の溝７７内に導電性材料が充填されることで、絶縁層６３内の部品６５の上方及び側方を覆うようにシールド層６４が形成される。このとき、太幅の溝７７内に導体パターン６７が露出しているため、太幅の溝７７内に充填された導電性材料によって導体パターン６７とシールド層６４とが接続する。
【００２８】
次に、図２Ｅに示すように、第２のハーフカット工程が実施される。第２のハーフカット工程では、集合基板６９側を上向きにして、分割ラインＬに沿って切削ブレード８２で上方からハーフカットされる。この場合、切削ブレード８２としては、切削ブレード８１よりも薄幅である中幅の切削砥石のブレードが用いられる。この中幅の切削ブレード８２で集合基板６９の裏面側から切り込まれることで、集合基板６９に中幅の溝７８が形成される。
【００２９】
次に、図２Ｆに示すように、分割工程が実施される。分割工程では、絶縁層６３側を上向きにして、分割ラインＬに沿って切削ブレード８３で上方からフルカットされる。この場合、切削ブレード８３としては、最も薄幅の切削砥石のブレードが用いられる。この薄幅の切削ブレード８３で、部品６５の側方を覆うシールド層６４の側壁部分が上方から中幅の溝７８に向けて切り込まれることで、集合基板６９が個々の回路モジュール６１に分割される。
【００３０】
比較例に係る個々の回路モジュール６１は、絶縁層６３の上面及び側面がシールド層６４によって被覆されているため、絶縁層６３内の部品６５に対する外来ノイズを効果的に遮断できる。しかしながら、シールド層６４の側面７５が外部に露出しているため、シールド層６４の側面７５のマイグレーションによって実装基板で短絡等の不具合が生じる可能性がある。このように、比較例に係る回路モジュール６１では、シールド性を高めることができるものの、マイグレーションを抑制することができない。
【００３１】
続いて、本実施の形態に係る回路モジュールの製造方法について説明する。図３Ａに示すように、先ず、部品設置工程が実施される。部品設置工程では、複数の回路基板２からなる集合基板９が用意され、回路基板２毎に集合基板９の一面１１に部品５が設置される。各部品５は、集合基板９の一面１１から露出した電極６にワイヤボンディング等によって接続される。また、集合基板９内には回路基板２に対応して導体パターン７が部分的に設けられている。次に、図３Ｂに示すように、絶縁層形成工程が実施される。絶縁層形成工程では、集合基板９の一面１１に絶縁層３が積層される。これにより、集合基板９上の部品５やワイヤ等が絶縁性樹脂で封止され、衝撃や湿気等から部品５が保護される。
【００３２】
次に、図３Ｃに示すように、ハーフカット工程が実施される。ハーフカット工程では、集合基板９に設定された分割ラインＬに沿って、切削ブレード２１で集合基板９が絶縁層３側からハーフカットされる。分割ラインＬは、集合基板９に格子状に設定された個々の回路基板２の境界を示している。切削ブレード２１としては、一対の切削砥石２２を平行に取り付けたブレードが用いられる。この切削ブレード２１で絶縁層３側から集合基板９に向けて切り込まれることで、絶縁層３から集合基板９に達する一対の平行溝１７が形成される。一対の平行溝１７内には、平行溝１７の側面から導体パターン７の一部が露出される。
【００３３】
次に、図３Ｄに示すように、シールド層形成工程が実施される。シールド層形成工程では、絶縁層３側から銀ペースト等の導電性材料が塗布される。このとき、一対の平行溝１７の間がメタルマスク２６によってマスクされた状態で導電性材料が絶縁層３に塗布される。よって、絶縁層３の上面は一対の平行溝１７の間を除いて導電性材料で被覆される。絶縁層３の上面が導電性材料で被覆され、一対の平行溝１７内に導電性材料が充填されることで、絶縁層３内の部品５の上方及び側方を覆うようにシールド層４が形成される。このとき、一対の平行溝１７内に導体パターン７の一部が露出しているため、一対の平行溝１７内に充填された導電性材料によって導体パターン７とシールド層４とが接続する。
【００３４】
次に、図３Ｅに示すように、分割工程が実施される。分割工程では、分割ラインＬに沿って切削ブレード２３で上方からフルカットされる。切削ブレード２３としては、切削ブレード２１とは異なり、一対の平行溝１７の間よりも薄幅の切削砥石２４のブレードが用いられる。この切削ブレード２３で、一対の平行溝１７の間が絶縁層３側から切り込まれることで、集合基板９が個々の回路モジュール１に分割される。この場合、回路モジュール１の外側面が絶縁層３及び回路基板２で形成されるように、シールド層４の側面１５の外側に絶縁性樹脂を残して分割される。また、一対の平行溝１７の間にシールド層４が形成されていないため、樹脂の切削に適した切削ブレード２１を用いればよい。
【００３５】
このように形成された個々の回路モジュール１は、実装基板２７（図１Ｂ参照）に設置される。回路モジュール１は、実装基板２７において、実装基板２７のグランドパターンにシールド層４が接続される。この構成により、シールド層４を介して導体パターン７とグランドパターンが導通され、導体パターン７がグランド電位に設定される。本実施の形態に係る回路モジュール１では、比較例に係る回路モジュール６１と同様に、絶縁層３の上面及び側面がシールド層４によって被覆されるため、部品５に対する外来ノイズを効果的に遮断できる。
【００３６】
また、本実施の形態に係る回路モジュール１では、比較例に係る回路モジュール６１とは異なり、シールド層４の側面１５及び導体パターン７の周囲が絶縁樹脂によって外部から遮断されるため、シールド層４の側面１５のマイグレーションを効果的に抑制できる。よって、回路モジュール１が実装基板２７（図１Ｂ参照）に設置されても、実装基板２７での短絡等の不具合を防止できる。なお、シールド層４の一面１４が外部に露出しているが、シールド層４の一面１４から実装基板２７の設置面までの距離が長くとられているため、マイグレーションで引き起こされる実装基板２７での不具合を抑制できる。さらに、本実施の形態では、回路基板２の側面１２と絶縁層３の側面１３とが面一になるように１度の加工で分割されるため、比較例よりも製造工数を減らすことが可能である（図１参照）。
【００３７】
以上のように、本実施の形態に係る回路モジュール１によれば、一対の平行溝１７に導電性材料が充填されることで、部品５の周囲を囲むシールド層４の側面１５が形成される。また、一対の平行溝１７の間で分割されることで、シールド層４の側面１５が絶縁性樹脂に被覆された回路モジュール１が形成される。このため、実装基板２７に近いシールド層４の側面１５におけるマイグレーションを抑制できる。よって、シールド性を高めつつ、マイグレーションを効果的に抑制して、実装基板２７での短絡等の不具合を防止できる。
【００３８】
なお、本発明は上記した本実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状等については、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
【００３９】
例えば、一対の平行溝の上端部を面取りするようにしてもよい。以下、図４を参照して、変形例に係る回路モジュールの製造方法について説明する。なお、変形例に係る回路モジュールの製造方法は、ハーフカット工程において、一対の平行溝の上端部に面取り部を形成する点において、本実施の形態に係る回路モジュールの製造方法と相違する。したがって、相違点以外については詳しい説明は省略する。図４は、変形例に係る回路モジュールの製造方法の一例を示す図である。
【００４０】
図４Ａに示すように、先ず、部品設置工程が実施される。部品設置工程では、集合基板３９上に部品３５が設置され、各部品３５が回路基板３２の一面４１から露出した電極３６にワイヤボンディング等によって接続される。変形例に係る集合基板３９では、導体パターン３７が部分的に設けられている。次に、図４Ｂに示すように、絶縁層形成工程が実施される。絶縁層形成工程では、集合基板３９の一面４１に絶縁層３３が積層され、集合基板３９上の部品３５やワイヤ等が絶縁性樹脂で封止される。
【００４１】
次に、図４Ｃに示すように、ハーフカット工程が実施される。ハーフカット工程では、切削ブレード５１で絶縁層３３側から集合基板３９に向けて切り込まれることで、絶縁層３３から集合基板３９に達する一対の平行溝４７が形成される。一対の平行溝４７内には、集合基板３９の内部に設けられた導体パターン３７の一部が露出される。切削ブレード５１としては、一対の大径砥石５２を平行に取り付け、一対の大径砥石５２の外側に一対の小径砥石５３を設けたブレードが用いられる。この切削ブレード５１を用いることで、一対の大径砥石５２によって一対の平行溝４７が形成されると同時に、一対の小径砥石５３によって一対の平行溝４７の外側の上端に段状の面取り部４８が形成される。このように、一対の平行溝４７によって形成される絶縁層３３の角部が面取りされることで、回路モジュール３１の製造途中での角部の欠けが防止される。なお、面取り部４８は、本実施の形態のように段状に形成されてもよいし、テーパ状に形成されてもよい。
【００４２】
次に、図４Ｄに示すように、シールド層形成工程が実施される。シールド層形成工程では、一対の平行溝４７の間がメタルマスク５９によってマスクされた状態で導電性材料が絶縁層３３に塗布される。絶縁層３３の上面が導電性材料で被覆され、一対の平行溝４７内に導電性材料が充填されることで、絶縁層３３内の部品３５の上方及び側方を覆うようにシールド層３４が形成される。次に、図４Ｅに示すように、分割工程が実施される。分割工程では、薄幅の切削砥石５６のブレード５５で、一対の平行溝４７の間が絶縁層３３側から切り込まれることで、集合基板３９が個々の回路モジュール３１に分割される。この場合、回路モジュール３１の外側面が絶縁層３３及び回路基板３２で形成されるように、シールド層３４の側面４５の外側に絶縁性樹脂を残して分割される。
【００４３】
また、上記した本実施の形態及び変形例のハーフカット工程では、一対の研削砥石を平行に取り付けた切削ブレードで一対の平行溝を同時に形成する構成としたが、この構成に限定されない。ハーフカット工程では、単一の研削砥石を有する切削ブレードで一対の平行溝を個々に形成してもよい。
【００４４】
また、上記した本実施の形態及び変形例のハーフカット工程では、切削ブレードを用いたメカニカルダイシングにより一対の平行溝を形成する構成としたが、この構成に限定されない。ハーフカット工程では、一対の平行溝を形成可能であればよく、例えば、絶縁層や集合基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光を用いたレーザーダイシング（アブレーション加工）により一対の平行溝を形成してもよい。
【００４５】
また、上記した本実施の形態及び変形例のシールド層形成工程では、導電性材料として銀ペーストを塗布してシールド層を形成したが、この構成に限定されない。シールド層形成工程では、導電性材料として金属ペーストに限らず、導電性樹脂を用いてもよい。
【００４６】
また、上記した本実施の形態及び変形例のシールド層形成工程では、一対の平行溝の間がマスクされた状態で導電性材料が塗布されたが、この構成に限定されない。シールド層形成工程では、一対の平行溝の間がマスクされない状態で導電性材料が塗布されてもよい。この場合、集合基板を分割した回路モジュールの上面全域でシールド層が露出される。しかしながら、回路モジュールの上面において露出したシールド層が実装基板から十分に離れているため、マイグレーションによる不具合が起こり難い。
【００４７】
また、上記した本実施の形態及び変形例のシールド層形成工程では、導電性材料を塗布方法は、特に限定されない。シールド層形成工程では、導電性材料は印刷によって絶縁層に塗布されてもよいし、スプレー法やスピンコート法で絶縁層に塗布されてもよい。
【００４８】
また、上記した本実施の形態及び変形例の分割工程では、１度のフルカットにより集合基板を分割する構成としたが、この構成に限定されない。分割工程では、２回に分けて集合基板に切り込みを入れて分割してもよい。
【００４９】
また、上記した本実施の形態及び変形例の分割工程では、切削ブレードを用いたメカニカルダイシングにより分割する構成としたが、この構成に限定されない。分割工程では、分割可能であればよく、例えば、絶縁層や集合基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光を用いたレーザーダイシング（アブレーション加工）により分割してもよい。
【００５０】
また、上記した本実施の形態及び変形例では、部品と電極がワイヤボンディングで接続される構成としたが、この構成に限定されない。部品は、回路基板に対して、どのように回路基板に実装されてもよく、例えば、部品がＢＧＡ（Ball  Grid  Array）やＬＧＡ（Land  Grid  Array）のパッケージであり、回路基板に面実装されてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
以上説明したように、本発明は、外来ノイズの影響を低減すると共に、マイグレーションを抑制できるという効果を有し、特に、電子部品の回路モジュール及び回路モジュールの製造方法に有用である。
【符号の説明】
【００５２】
１、３１  回路モジュール
２、３２  回路基板
３、３３  絶縁層
４、３４  シールド層
５、３５  部品
７、３７  導体パターン
９、３９  集合基板
１５、４５  シールド層の側面
１７、４７  平行溝
２６、５９  メタルマスク
２７  実装基板
４８  面取り部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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