(57)【要約】【課題】画像の画質を向上する。【解決手段】本実施形態の固体撮像装置の製造方法は、半導体基板１５０の光電変換素子形成領域、フローティングディフュージョン形成領域及び前記フォトダイオード形成領域と前記フローティングディフュージョン形成領域との間の読み出しトランジスタ形成領域内に、光電変換素子１、フローティングディフュージョンとしての拡散層６０、及び、読み出しトランジスタ２を、それぞれ形成する工程と、半導体基板の表面側において、拡散層６０上に、不純物を含む半導体層６１を、形成する工程と、を含む。【選択図】図７
2014060199.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の光電変換素子形成領域、フローティングディフュージョン形成領域及び前記フォトダイオード形成領域と前記フローティングディフュージョン形成領域との間の読み出しトランジスタ形成領域内に、入射した光を電荷に変換する光電変換素子、前記電荷が転送されるフローティングディフュージョンの拡散層、前記電荷の転送を制御する読み出しトランジスタを、それぞれ形成する工程と
前記半導体基板における層間絶縁膜が設けられる第１の面側において、前記拡散層上に、リン、ゲルマニウム及び炭素のうち少なくとも一方を含むシリコンからなり、ゲッタリングサイトを含む半導体層を、形成する工程と、
前記半導体基板に加熱処理を施して、前記半導体基板内の金属不純物を、前記半導体層のゲッタリングサイト内に、捕獲する工程と、
前記読み出しトランジスタのゲート電極上及び前記半導体層上に、シリサイド層を形成する工程と、
前記シリサイド層を介して、前記半導体層及び前記拡散層を含む前記フローティングディフュージョンに接続されるコンタクト部を、形成する工程と、
を具備することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
半導体基板の光電変換素子形成領域、フローティングディフュージョン形成領域及び前記フォトダイオード形成領域と前記フローティングディフュージョン形成領域との間の読み出しトランジスタ形成領域内に、光電変換素子、フローティングディフュージョンとしての拡散層、及び、読み出しトランジスタを、それぞれ形成する工程と、
前記半導体基板における層間絶縁膜が設けられる第１の面側において、前記拡散層上に、不純物を含む半導体層を、形成する工程と、
を具備することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記半導体層を形成した後に、加熱処理を行う工程を、さらに具備することを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記読み出しトランジスタのゲート電極上及び前記半導体層上に、シリサイド層を形成する工程と、
前記シリサイド層を介して、前記半導体層及び前記拡散層を含む前記フローティングディフュージョンに接続されるコンタクト部を、形成する工程と、
さらに具備することを特徴とする請求項２又は３に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
半導体基板内に設けられ、入射した光を電荷に変換する光電変換素子と、
前記半導体基板内に設けられ、前記電荷が転送されるフローティングディフュージョンと、
前記半導体基板内において前記フローティングディフュージョンと前記光電変換素子との間に設けられ、前記電荷の転送を制御する読み出しトランジスタと、
を具備し、
前記フローティングディフュージョンは、前記半導体基板内に設けられる拡散層と、前記拡散層上に設けられる不純物を含む半導体層と、を含む、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＣＤイメージセンサやＣＭＯＳイメージセンサなどの固体撮像装置は、デジタルスチルカメラ、ビデオカメラ、或いは、監視カメラ等、多様な用途で使われている。単一の画素アレイで複数の色情報を取得する単板式イメージセンサが、主流となっている。
【０００３】
近年では、被写体からの光を半導体基板の裏面側から取り込む裏面照射型イメージセンサの開発が推進されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１９２７９４号公報
【特許文献１】特開２０１１−１５５２４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
イメージセンサによって形成される画像の画質を向上する技術を提案する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本実施形態の固体撮像装置は、半導体基板の光電変換素子形成領域、フローティングディフュージョン形成領域及び前記フォトダイオード形成領域と前記フローティングディフュージョン形成領域との間の読み出しトランジスタ形成領域内に、光電変換素子、フローティングディフュージョンとしての拡散層、及び、読み出しトランジスタを、それぞれ形成する工程と、前記半導体基板における層間絶縁膜が設けられる第１の面側において、前記拡散層上に、不純物を含む半導体層を、形成する工程と、を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】実施形態の固体撮像装置のチップレイアウトの一例を示す図。
【図２】実施形態の固体撮像装置の断面構造の一例を示す図。
【図３】実施形態の固体撮像装置の画素アレイ及びその近傍の回路の等価回路図。
【図４】実施形態の固体撮像装置の画素アレイ内のレイアウトの一例を示す平面図。
【図５】実施形態の固体撮像装置が含むセルの構造を示す断面図。
【図６】実施形態の固体撮像装置の製造方法の一工程を示す断面工程図。
【図７】実施形態の固体撮像装置の製造方法の一工程を示す断面工程図。
【図８】実施形態の固体撮像装置の製造方法の一工程を示す断面工程図。
【図９】実施形態の固体撮像装置の製造方法の一工程を示す断面工程図。
【図１０】実施形態の固体撮像装置の変形例を示す図。
【図１１】実施形態の固体撮像装置の変形例を示す図。
【図１２】実施形態の固体撮像装置の変形例を示す図。
【図１３】実施形態の固体撮像装置の変形例を示す図。
【図１４】実施形態の固体撮像装置の適用例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
［実施形態］  
以下、図面を参照しながら、本実施形態について詳細に説明する。以下の説明において、同一の機能及び構成を有する要素については、同一符号を付し、重複する説明は必要に応じて行う。
【０００９】
（１）  第１の実施形態  
図１乃至図９を参照して、第１の実施形態に係る固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法について説明する。
【００１０】
（ａ）  構造  
図１乃至図５を用いて、第１の実施形態に係る固体撮像装置の構造について、説明する。
【００１１】
図１は、本実施形態の固体撮像装置（以下、イメージセンサとよぶ）のチップのレイアウト例を示す模式図である。図２は、本実施形態のイメージセンサの構造を模式的に示す断面図である。
【００１２】
図１及び図２に示されるように、本実施形態のイメージセンサ１００において、画素アレイ１２０及びそれを制御するためのアナログ回路又はロジック回路が形成される周辺回路領域１２５が、１つの半導体基板（チップ）１５０内に設けられている。
【００１３】
半導体基板１５０として、Ｓｉの単結晶基板（バルク基板）、又は、ＳＯＩ基板のエピタキシャル層が用いられている。
【００１４】
画素アレイ１２０は、複数の単位セルＵＣを含む。単位セル（単位セル領域ＵＣは、画素アレイ１２０内に、マトリクス状に配列されている。
【００１５】
各単位セルＵＣは、被写体からの光（外部からの光）を電気信号へ変換するための光電変換素子を含む。１つの単位セルＵＣは、少なくとも１つの光電変換素子を含む。光電変換素子を用いて、画素が形成される。単位セル領域内において画素が形成される領域のことを、画素領域とよぶ。各画素領域は、１つの光電変換素子を含む。
【００１６】
互いに隣り合う単位セルＵＣ、互いに隣り合う画素領域、及び、互いに隣り合う光電変換素子は、素子分離領域９によって、分離されている。各単位セルＵＣ及び各光電変換素子の形成領域は、素子分離領域９に取り囲まれている。
【００１７】
光電変換素子１は、例えば、フォトダイオードを用いて、形成されている。図２に示されるように、フォトダイオード１は、半導体基板１５０内の少なくとも１つの不純物層を用いて、形成される。フォトダイオード１は、被写体からの光を、その光量に応じた電気信号（電荷、電圧）に光電変換する。フォトダイオード１は、不純物層内に発生した電荷を蓄積できる。
【００１８】
単位セルＵＣは、信号検出部としてのフローティングディフュージョンを含む。  
半導体基板１５０内に、フローティングディフュージョン（浮遊拡散層）６としての拡散層（不純物半導体層）６０が、設けられている。フローティングディフュージョン６としての拡散層６０は、後述の電界効果トランジスタ２を経由してフォトダイオード１から出力された電荷を、一時的に保持する。
【００１９】
拡散層６０上に、半導体層６１が設けられている。半導体層６１は、拡散層６０とともに、フローティングディフュージョン６として用いられる。以下では、フローティングディフュージョン６を形成し、且つ、半導体基板１５０上に設けられた半導体層６１のことを、エレベーテッドフローティングディフュージョンともよぶ。
【００２０】
フォトダイオード１とフローティングディフュージョン６との間において、読み出しトランジスタ２が、半導体基板１５０上に設けられている。読み出しトランジスタ２のゲート電極２０は、ゲート絶縁膜２２を挟んで、半導体基板１５０内のチャネル領域上に設けられる。
【００２１】
単位セルＵＣ（画素）を用いて、イメージセンサ１００が構成される。単位セルＵＣは、イメージセンサ１００の回路構成に応じて、少なくとも１つのフォトダイオード１、フローティングディフュージョン６及び読み出しトランジスタ２に加え、他の構成要素を含んでもよい。例えば、単位セルＵＣは、アンプトランジスタやリセットトランジスタを、構成要素として含む。
【００２２】
図１及び図２に示されるように、周辺回路領域１２５は、素子分離領域９を挟んで、画素アレイ１２０に隣り合うように、半導体基板１５０内に設けられる。
【００２３】
周辺回路領域１２５内に、後述の垂直シフトレジスタやＡＤ変換回路のような回路が、設けられている。
【００２４】
周辺回路領域１２５は、素子分離領域９によって、画素アレイ１２０から電気的に分離されている。周辺回路領域１２５を区画するための素子分離領域９内に、例えば、ＳＴＩ構造の素子分離絶縁膜９１が埋め込まれている。
【００２５】
周辺回路領域１２５内の回路は、電界効果トランジスタ７、抵抗素子、容量素子などの複数の素子を用いて、形成される。図２において、図示の簡単化のため、電界効果トランジスタ７のみが、示されている。図２において、１つの電界効果トランジスタのみが図示されているが、半導体基板１５０上に、周辺回路を形成するための複数のトランジスタが設けられている。
【００２６】
例えば、周辺回路領域１２５内において、電界効果トランジスタ７は、半導体基板１５０内のウェル領域１５９内に設けられている。ウェル領域１５９内に、２つの拡散層（不純物層）７３が設けられている。これらの２つの拡散層７３は、トランジスタ７のソース／ドレインとして、機能する。２つの拡散層７３間のウェル領域（チャネル領域）表面に、ゲート絶縁膜７１を介して、ゲート電極７０が設けられる。これによって、ウェル領域１５９内に、電界効果トランジスタ７が、形成される。
【００２７】
トランジスタ２，７のゲート電極２０，７０及びフォトダイオード１の上面を覆うように、複数の層間絶縁膜９２が、半導体基板１５０上に積層されている。層間絶縁膜９２には、例えば、酸化シリコンが用いられる。
【００２８】
本実施形態のイメージセンサ１００は、多層配線技術が用いられている。すなわち、積層された層間絶縁膜９２内に、各配線レベル（基板表面を基準とした高さ）に応じて、複数の配線８０が設けられている。各配線８０は、層間絶縁膜９２内のそれぞれに埋め込まれたプラグ８１，ＣＰ１，ＣＰ２によって、異なる配線レベルに位置する他の配線に、電気的に接続されている。尚、配線８０と同じ材料からなるダミー層や遮光膜が、層間絶縁膜９２内に設けられてもよい。
【００２９】
トランジスタ２，７のゲート電極２０，７０やソース／ドレイン７３、半導体基板１５０上に形成された素子の端子は、コンタクトプラグＣＰ１，ＣＰ２を介して、層間絶縁膜９２内の配線８０に接続される。下層の配線８０と上層の配線８０とは、層間絶縁膜９２内に埋め込まれたビアプラグ８１を介して、半導体基板１５０上に設けられた複数の素子を接続する。このように、多層配線技術によって、イメージセンサ１００内の複数の回路が形成される。
【００３０】
本実施形態において、素子が形成された面、より具体的には、トランジスタ２，７のゲート電極２０，７０が設けられている半導体基板１５０の面を、半導体基板１５０の表面（第１の面）とよぶ。半導体基板１５０の表面上に、多層配線技術によって形成された層間絶縁膜９２及び配線８０が設けられている。以下では、半導体基板１５０の表面に対して垂直方向において、半導体基板１５０の表面に対向する面（表面の反対側の面）を、裏面（第２の面）とよぶ。本実施形態において、半導体基板１５０の表面及び裏面を区別しない場合には、半導体基板１５０の表面／裏面のことを、半導体基板１５０の主面とよぶ。
【００３１】
例えば、ＴＳＶ（Through Substrate Via）技術によって、半導体基板１５０の表面側から裏面側に向かって半導体基板１５０を貫通するように、ビア（以下では、貫通ビア又は貫通電極とよぶ）８８Ａが、半導体基板１５０内に形成される。半導体基板１５０内に形成された貫通孔（開口部）の内側面上に、絶縁層９８Ａが設けられる。
【００３２】
貫通ビア８８Ａは、コンタクトプラグＣＰ２を経由して、層間絶縁膜９２内の配線８０に接続される。貫通ビア８８Ａは、ビアプラグ８８Ｂを経由して、半導体基板１５０の裏面側に設けられたパッド（電極）８９に接続される。パッド８９は、半導体基板１５０の裏面上の絶縁層（平坦化層又は保護膜）９７上に設けられている。
【００３３】
本実施形態において、図２に示されるように、半導体基板１５０の裏面側に、例えば、保護層（図示せず）や接着層（図示せず）を介して、カラーフィルタ１１７が設けられている。
【００３４】
カラーフィルタ１１７は、半導体基板１５０の裏面側において画素アレイ１２０に対応する位置に、設けられている。例えば、本実施形態のイメージセンサ１００は、単板式のイメージセンサ１００である。単板式のイメージセンサに用いられるカラーフィルタ１１７は、被写体からの光が含む複数の色（色情報）にそれぞれ対応する複数の色素膜を有している。
【００３５】
カラーフィルタ１１７は、例えば、ベイヤー配列に基づいた赤、青及び緑に対応した色素膜を含み、１つの色素膜が１つのフォトダイオード（画素）１に対応するように、設けられている。尚、カラーフィルタ１１７は、赤、青及び緑に加えて、白や黄の色素膜を含んでいてもよい。
【００３６】
半導体基板１５０の裏面側において、マイクロレンズアレイ１１８が、カラーフィルタ１１７上に設けられている。マイクロレンズアレイ１１８は、各フォトダイオード１に対応する複数のマイクロレンズを含んでいる。
【００３７】
本実施形態のイメージセンサ１００において、カラーフィルタ１１７及びマイクロレンズアレイ１１８は、トランジスタ２，７のゲート電極２０，７０及び層間絶縁膜９２が設けられた面（表面）とは、反対側の半導体基板１５０の面（裏面）側に設けられている。
【００３８】
被写体からの光は、カラーフィルタ１１７を経由して、半導体基板１５０の裏面側から画素アレイ１２０に照射され、フォトダイオード１に取り込まれる。
【００３９】
支持基板１１９は、層間絶縁膜９２上に設けられている。支持基板１１９は、例えば、保護層（図示せず）及び接着層（図示せず）を介して、層間絶縁膜９２上に積層される。支持基板１１９には、例えば、シリコン基板や絶縁性基板が用いられる。素子が形成された半導体基板１５０は、支持基板１１９とカラーフィルタ１１７とに挟まれている。
【００４０】
本実施形態において、被写体からの光の受光面は、カラーフィルタ１１７及びマイクロレンズアレイ１１８が取り付けられた半導体基板１５０の裏面である。
【００４１】
本実施形態のイメージセンサ１００のように、半導体基板１５０の裏面側からの光がフォトダイオード１に照射される構造のイメージセンサは、裏面照射型イメージセンサとよばれる。
【００４２】
図３を用いて、本実施形態のイメージセンサ１００が含む画素アレイ１２０の回路構成の一例について、説明する。  
図３は、画素アレイ１２０及びその近傍の回路の回路構成例を示す図である。  
図３に示されるように、複数の単位セルＵＣは、画素アレイ１２０内に、配置されている。各単位セルＵＣは、読み出し制御線ＲＤ１，ＲＤ２と垂直信号線ＶＳＬとの交差位置に、設けられている。
【００４３】
図３に示される単位セルＵＣは、１つの単位セルＵＣが２つの画素を含む２画素１セル構造を有している。２画素１セル構造の単位セルＵＣにおいて、１つのフローティングディフュージョン６が、２つのフォトダイオード１Ａ，１Ｂに対して共通化されている。
【００４４】
単位セルＵＣは、例えば、５つのトランジスタ２Ａ，２Ｂ，３，４，５によって形成される。各トランジスタ２Ａ，２Ｂ，３，４，５は、例えば、ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタである。単位セルＵＣに含まれる５つのトランジスタのことを、読み出しトランジスタ２Ａ，２Ｂ、アンプトランジスタ５、アドレストランジスタ４及びリセットトランジスタ３とそれぞれよぶ。２画素１セル構造の単位セルＵＣにおいて、２つの読み出しトランジスタ２Ａ，２Ｂが各フォトダイオード１Ａ，１Ｂにそれぞれ対応するように、設けられている。
【００４５】
フォトダイオード１Ａ，１Ｂのアノードは、固定電源に接続され、例えば、接地されている（グランド端子に接続されている）。フォトダイオード１Ａ，１Ｂのカソードは、読み出しトランジスタ２Ａ，２Ｂの電流経路を介して、フローティングディフュージョン６に、それぞれ接続されている。上述のように、フォトダイオード１Ａ，１Ｂは、マイクロレンズ及びカラーフィルタを通過した光を電気信号（信号電荷）に変換し、その電荷を蓄積する。以下では、フォトダイオード１Ａ，１Ｂを区別しない場合には、フォトダイオード１と表記する。
【００４６】
各読み出しトランジスタ２Ａ，２Ｂは、各フォトダイオード１Ａ，１Ｂの信号電荷の蓄積及び転送を制御する。読み出しトランジスタ２Ａ，２Ｂのゲートは、読み出し制御線ＲＤ１，ＲＤ２にそれぞれ接続されている。読み出しトランジスタ２Ａ，２Ｂの電流経路の一端は、フォトダイオード１Ａ，１Ｂのカソードに、それぞれ接続される。読み出しトランジスタ２Ａ，２Ｂの電流経路の他端は、フローティングディフュージョン６に接続されている。以下では、読み出しトランジスタ２Ａ，２Ｂを区別しない場合には、読み出しトランジスタ２と示す。
【００４７】
２画素１セル構造の単位セルＵＣにおいて、リセットトランジスタ３、アドレストランジスタ４及びアンプトランジスタ５は、２つのフォトダイオード１Ａ，１Ｂに共有されている。
【００４８】
リセットトランジスタ３は、フローティングディフュージョン６の電位（アンプトランジスタ５のゲート電位）をリセットする。リセットトランジスタ３のゲートは、リセット制御線ＲＳＴに接続されている。リセットトランジスタ３の電流経路の一端は、フローティングディフュージョン６に接続され、リセットトランジスタ３の電流経路の他端は、電源端子（例えば、グランド端子）に接続されている。
【００４９】
アドレストランジスタ４は、単位セルＵＣを選択する（活性化する）ための選択素子として機能する。アドレストランジスタ４のゲートは、アドレス制御線ＡＤＲに接続されている。アドレストランジスタ４の電流経路の一端は、アンプトランジスタ５の電流経路の他端に接続され、アドレストランジスタ４の電流経路の他端は、電源端子（例えば、グランド端子）に接続されている。
【００５０】
アンプトランジスタ５は、フローティングディフュージョン６が保持するフォトダイオード１からの信号を増幅する。アンプトランジスタ５のゲートは、フローティングディフュージョン６に接続されている。アンプトランジスタ５の電流経路の一端は、垂直信号線ＶＳＬに接続され、アンプトランジスタ５の電流経路の他端は、アドレストランジスタ４の電流経路の一端に接続されている。アンプトランジスタ５によって増幅された信号は、単位セル（又は画素）の信号として垂直信号線ＶＳＬに出力される。アンプトランジスタ５は、単位セルＵＣ内において、ソースフォロワとして機能する。
【００５１】
垂直シフトレジスタ１３３は、２本の読み出し制御線ＲＤ１，ＲＤ２、アドレス制御線ＡＤＲ及びリセット制御線ＲＳＴに接続されている。垂直シフトレジスタ１３３は、読み出し制御線ＲＤ１，ＲＤ２、アドレス制御線ＡＤＲ及びリセット制御線ＲＳＴの電位（信号レベル）を制御し、画素アレイ１２０内の複数の単位セルＵＣ（及び画素）をロウ単位で制御及び選択する。垂直シフトレジスタ１３３は、各トランジスタ２，４，５のオン及びオフを制御するための制御信号（電圧パルス）を、各制御線ＲＤ１，ＲＤ２，ＡＤＲ，ＲＳＴに出力する。
【００５２】
ＡＤ変換回路１３１は、垂直信号線ＶＳＬに接続されている。ＡＤ変換回路１３１は、単位セルＵＣからのアナログ信号をデジタル信号に変換したり、単位セルＵＣからの信号をＣＤＳ（Correlated Double Sampling：相関二重サンプリング）処理したりするための処理ユニットＰＵを含む。
【００５３】
負荷トランジスタ１３４は、垂直信号線ＶＳＬに対する電流源として用いられる。負荷トランジスタ１３４の電流経路の一端は、垂直信号線ＶＳＬを介して、アンプトランジスタ３の電流経路の一端に接続される。負荷トランジスタ１３４の電流経路の他端は、電源端子（例えば、グランド端子）に接続されている。負荷トランジスタ１３４のゲートは、負荷トランジスタ１３４の電流経路の他端に接続されている。
【００５４】
尚、各単位セルＵＣは、アドレストランジスタ５を含まなくともよい。この場合、単位セルＵＣにおいて、リセットトランジスタ４の電流経路の他端が、アンプトランジスタ３の電流経路の他端に接続される。単位セルＵＣがアドレストランジスタ５を含まない場合、アドレス信号線ＡＤＲも設けられない。
【００５５】
単位セルＵＣは、１つの画素を含む１画素１セル構造でもよいし、４画素１セル構造或いは８画素１セル構造のように、１つの単位セルが、３以上の画素（フォトダイオード）を含む回路構成（多画素１セル構造）でもよい。複数の画素を含む単位セル内において、３以上のフォトダイオードが、１つのフローティングディフュージョン及びリセットトランジスタ、アンプトランジスタ及びアドレストランジスタを共有する。複数の画素を含む単位セルにおいて、フォトダイオード毎に、１つの読み出しトランジスタが設けられる。
【００５６】
図４及び図５を用いて、本実施形態のイメージセンサ１００の画素アレイ及び単位セルの構造について、説明する。  
図４は、本実施形態のイメージセンサ１００の画素アレイの平面レイアウトの一例を示している。
【００５７】
図４は、画素アレイ１２０内における２画素１セル構造の単位セルＵＣのレイアウトが示されている。
【００５８】
図４に示されるように、単位セルＵＣの形成領域ＵＡ内において、２つのフォトダイオード１Ａ，１Ｂが形成される領域、フォトダイオードの動作を制御するためのトランジスタ２，３，４，５、及びフローティングディフュージョン６が形成される領域、が設けられている。
【００５９】
単位セルＵＣが形成される領域ＵＡのことを、単位セル形成領域ＵＡとよぶ。フォトダイオードが形成される領域ＰＡＡ，ＰＡＢのことを、フォトダイオード形成領域ＰＡＡ，ＰＡＢとよぶ。フォトダイオード形成領域ＰＡＡ，ＰＡＢを区別しない場合には、フォトダイオード形成領域ＰＡと表記する。
【００６０】
読み出しトランジスタが形成される領域のことを、読み出しトランジスタ形成領域とよぶ。フローティングディフュージョン６が形成される領域のことを、フローティングディフュージョン形成領域とよぶ。
【００６１】
アンプトランジスタ５、リセットトランジスタ３及びアドレストランジスタ４が形成される領域ＡＡのことを、トランジスタ形成領域（又はアクティブ領域）ＡＡとよぶ。
【００６２】
単位セル形成領域ＵＡは、画素アレイ１２０内の単位セルＵＣごとに、素子分離領域９０，９５によって区画されている。単位セル形成領域ＵＡは、素子分離領域９０，９５によって、取り囲まれている。
【００６３】
単位セル領域ＵＡにおいて、フォトダイオード形成領域ＰＡ、読み出しトランジスタ形成領域、フローティングディフュージョン形成領域、及びトランジスタ形成域ＡＡは、半導体基板（チップ）１５０内に設けられた半導体領域である。１つの単位セル形成領域ＵＡにおいて、少なくともフォトダイオード形成領域、読み出しトランジスタ形成領域及びフローティングディフュージョン形成領域は、半導体基板１５０内において連続した半導体領域である。
【００６４】
１つの単位セル形成領域ＵＡ内において、２つのフォトダイオード形成領域ＰＡＡ，ＰＡＢの互いに隣接する一角が、読み出しトランジスタ形成領域及びフローティングディフュージョン形成領域を介して、長方形状のトランジスタ形成領域ＡＡの長手方向（延在方向）の一端に、それぞれ接続されている。
【００６５】
１つの単位セル形成領域ＵＡ内の２つのフォトダイオード形成領域ＰＡＡ，ＰＡＢは、素子分離領域（素子分離層）９０を挟んで、ｙ方向に隣接している。例えば、１つの単位セル形成領域ＵＡ内の２つのフォトダイオード形成領域ＰＡＡ，ＰＡＢは、素子分離層９０としての不純物半導体層によって、区画されている。
【００６６】
但し、絶縁体からなる素子分離層９０が、単位セル形成領域ＵＡ内の２つの画素形成領域ＰＡＡ，ＰＡＢを区画してもよい。例えば、互いに異なる単位セル形成領域ＵＡの画素形成領域ＰＡは、素子分離層としての絶縁体によって、電気的に分離されている。
【００６７】
フォトダイオード形成領域ＰＡは、フォトダイオード１を形成するための不純物半導体層（拡散層、不純物半導体領域）１０Ａ，１０Ｂを含む。例えば、フォトダイオード形成領域ＰＡ内のフォトダイオード１の不純物半導体層１０Ａ，１０Ｂが、読み出しトランジスタ２の電流経路の一端（ソース／ドレイン領域）として、用いられている。
【００６８】
読み出しトランジスタ形成領域内において、読み出しトランジスタ２のゲート電極２０は、トランジスタ形成領域ＡＡの延在方向に対して、斜め方向に傾いている。２画素１セル構造において、２つのフォトダイオード１Ａ，１Ｂにそれぞれ対応する読み出しトランジスタ２Ａ，２Ｂのオン／オフによって、連続した半導体領域内に設けられるフォトダイオード１Ａ，１Ｂとフローティングディフュージョン６とが、電気的に接続される、又は、電気的に分離される。
【００６９】
フローティングディフュージョン６は、２つの読み出しトランジスタ２Ａ，２Ｂのゲート電極２０とリセットトランジスタ３のゲート電極３０とに囲まれるように、単位セル形成領域ＵＡ内にレイアウトされる。フローティングディフュージョン６は、読み出しトランジスタ２の電流経路の他端（ソース／ドレイン領域）として、用いられている。
【００７０】
トランジスタ形成領域は、素子分離層９５としての絶縁体によって、区画されている。トランジスタ形成領域内において、リセットトランジスタ３、アンプトランジスタ５及びアドレストランジスタ４が、トランジスタ形成領域ＡＡの延在方向に並んで、配置されている。
【００７１】
リセットトランジスタ３のゲート電極３０は、ゲート絶縁膜を介して、トランジスタ形成領域ＡＡ上に設けられている。リセットトランジスタ３のチャネル長方向は、トランジスタ形成領域ＡＡの延在方向（長手方向）に、一致している。
【００７２】
フローティングディフュージョン６が、実質的にリセットトランジスタ３の電流経路の一端（ソース／ドレイン領域）となる。リセットトランジスタ３の電流経路の他端は、トランジスタ形成領域内に設けられた拡散層（不純物半導体層）である。
【００７３】
アドレストランジスタ４は、トランジスタ形成領域ＡＡの長手方向において、フローティングディフュージョン６が設けられている側（一端）とは反対側の端部に、配置されている。
【００７４】
アドレストランジスタ４のゲート電極４０は、ゲート絶縁膜を介して、アクティブ領域ＡＡ上に設けられている。アドレストランジスタ４の電流経路の他端としてのソース／ドレイン領域は、アクティブ領域ＡＡの延在方向の端部（フローティングディフュージョン６が設けられた側と反対側）に設けられている。アドレストランジスタ４の電流経路の他端としてのソース／ドレイン領域は、他のトランジスタと共有されない。アドレストランジスタ４の他のトランジスタと共有されないソース／ドレイン領域上に、例えば、コンタクトプラグ（図示せず）が設けられている。
【００７５】
アンプトランジスタ５は、トランジスタ形成領域ＡＡ内において、リセットトランジスタ３とアドレストランジスタ４との間に、レイアウトされている。
【００７６】
リセットトランジスタ３のゲート電極３０とアドレストランジスタ４のゲート電極４０との間において、アンプトランジスタ５のゲート電極５０が、ゲート絶縁膜を介して、アクティブ領域ＡＡ上に設けられている。
【００７７】
アンプトランジスタ５の電流経路の一端としてのソース／ドレイン領域は、リセットトランジスタ３の電流経路の他端としてのソース／ドレイン領域と、共有されている。アンプトランジスタ５の電流経路の他端としてのソース／ドレイン領域は、アドレストランジスタ４の電流経路の一端としてのソース／ドレイン領域と、共有される。
【００７８】
アンプトランジスタ５のゲート電極５０は、配線及びプラグを介して、フローティングディフュージョン６に接続されている。
【００７９】
このように、隣接するトランジスタ３，４，５が、ソース／ドレイン領域（電流経路の一端及び他端）を共有している。これによって、単位セル形成領域ＵＣの占有面積が縮小され、単位セルＵＣの微細化が図られる。
【００８０】
図５は、図４のＶ−Ｖ線に断面構造を示している。図５において、単位セルＵＣの構成要素として、フォトダイオード１、読み出しトランジスタ２、フローティングディフュージョン６及びリセットトランジスタ４を図示している。尚、図５において、半導体基板１５０の表面側の配線及び支持基板や、半導体基板１５０の裏面側のカラーフィルタ及びマイクロレンズアレイの図示は、省略する。
【００８１】
図５に示されるように、フォトダイオード１、読み出しトランジスタ２、フローティングディフュージョン６及びリセットトランジスタ３は、連続した半導体領域内に設けられている。
【００８２】
フォトダイオード１がＰ型の半導体基板（半導体層）１５０内に形成される場合、フォトダイオード１は、少なくとも１つのＮ型の不純物半導体層１０を含む。  
図５において、図示の簡単化のために、フォトダイオード１の構成要素として１つのＮ型不純物層１０のみが図示されているが、フォトダイオード１の特性（例えば、感度及び光電変換効率）を向上させるために、半導体基板１５０の深さ方向において不純物濃度の異なる複数のＮ型及びＰ型不純物層が、フォトダイオード形成領域内に設けられてもよい。
【００８３】
読み出しトランジスタ２のゲート電極２０は、ゲート絶縁膜２２を介して半導体基板１５０上に設けられている。ゲート電極２０の側面上に、側壁絶縁膜２９が設けられている。
【００８４】
半導体基板１５０内において、２つのＮ型不純物層１０，６０間の半導体領域が、読み出しトランジスタ２のチャネル領域となる。
【００８５】
トランジスタ形成領域内のリセットトランジス３のゲート電極３０は、ゲート絶縁膜３１を介して、半導体基板１５０上に設けられている。ゲート電極３０の側面上に、側壁絶縁膜２９が設けられている。半導体基板１５０内において、２つのＮ型拡散層６０，３５間の半導体領域が、リセットトランジスタ３のチャネル領域となる。
【００８６】
尚、トランジスタ形成領域内のアンプトランジスタ５及びアドレストランジスタ４も、リセットトランジスタ３と実質的に同じ断面構造を有している。
【００８７】
フローティングディフュージョン６は、読み出しトランジスタ２を挟んでフォトダイオード１に対向するように、半導体基板１５０内に設けられている。フォトダイオード１とフローティングディフュージョン６とは、読み出しトランジスタ２のチャネル長方向に配列している。
【００８８】
半導体基板１５０の表面側において、表面シールド層１８が、フォトダイオード１のＮ型不純物層１０内に設けられている。表面シールド層１８は、例えば、Ｐ型不純物層である。表面シールド層１８は、読み出しトランジスタ２のチャネル領域から離間するように、Ｎ型不純物半導体層１０の表層内に形成されている。表面シールド層１８の上面は、層間絶縁膜９２に接触する。
【００８９】
半導体基板１５０の裏面側において、裏面シールド層１９が、半導体基板１５０内に設けられている。裏面シールド層１９は、例えば、Ｐ型不純物層である。
【００９０】
表面／裏面シールド層１８，１９によって、フォトダイオード１に生じる暗電流を抑制できる。
【００９１】
本実施形態において、フローティングディフュージョン６は、拡散層６０と半導体層６１とから形成される。フローティングディフュージョン形成領域内において、拡散層６０は半導体基板１５０内に設けられ、半導体層６１は、半導体基板の表面側において、拡散層６０上に設けられている。
【００９２】
半導体基板の表面側において、エレベーテッドディフュージョンとしての半導体層６１が、拡散層６０に接する。半導体層６１上に、コンタクトプラグＣＰｘが設けられる。配線８０ｘが、コンタクトプラグＣＰｘを介して、フローティングディフュージョン６を形成する拡散層６０及び半導体層６１に、接続される。
【００９３】
フローティングディフュージョンとしての拡散層６０は、リン（Ｐ）又はヒ素（Ａｓ）の少なくとも一方を含むＮ型の半導体領域であり、例えば、１×１０１８ｃｍ−３程度の不純物濃度を有している。尚、拡散層６０は、１×１０１９ｃｍ−３から１×１０２０ｃｍ−３程度の不純物濃度を有していてもよい。
【００９４】
エレベーテッドフローティングディフュージョンとしての半導体層６１は、不純物を含む。半導体層６１は、リン、ゲルマニウム（Ｇｅ）、及び、炭素（Ｃ）のうち１つ以上を不純物として含む。例えば、リンが添加されたシリコン層、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）層、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）層、ゲルマニウムと炭素とを含むシリコン層などから形成される。ＳｉＧｅ層、ＳｉＣ層、又は、ＳｉＧｅＣ層が、リンを含んでいてもよい。尚、半導体層は、ボロン（Ｂ）又はＡｓを含んでいてもよい。半導体層６１は、不純物を含まないシリコン層（例えば、ポリシリコン）でもよい。
【００９５】
このように、半導体層６１は、ｎ型／ｐ型のシリコン層又はシリコンを主成分とする混晶から形成されることが好ましい。
【００９６】
エレベーテッドフローティングディフュージョンとしての半導体層６１は、高濃度の不純物半導体層である。半導体層６１は、例えば、１×１０１８ｃｍ−３から１×１０２０ｃｍ−３以上の不純物濃度（例えば、リンの濃度）を有する。  
例えば、半導体層６１内の不純物濃度は、半導体基板の主面に対して垂直方向において、変化している。半導体層６１の底面側（半導体基板と接する側）の不純物濃度は、半導体層６１の上面側（層間絶縁膜側）の不純物濃度より低い。例えば、半導体層６１と拡散層６０との界面近傍における半導体層６１の底部の不純物濃度は、１×１０１８ｃｍ−３程度である。
【００９７】
例えば、半導体層６１としてのＳｉＧｅ層（又は、ＳｉＣ層、ＳｉＧＣ層）において、半導体層６１の底面側におけるゲルマニウム（又は炭素、ゲルマニウム及び炭素の合計）の濃度は、５ａｔ％（原子％）程度で、半導体層６１の上面側におけるゲルマニウムの濃度は、２０ａｔ％程度である。
【００９８】
半導体層６１は、例えば、エピタキシャル層である。半導体層６１がエピタキシャル成長によって半導体基板１５０上に形成された場合、半導体層６１は、半導体層６１に用いられる材料の結晶構造、及び、半導体層６１が形成される半導体基板１５０の表面の結晶構造に応じた断面形状を有する。
【００９９】
半導体層６１が、Ｓｉの（１００）面を表面に有する半導体基板１５０上に形成されたシリコンを主成分とするエピタキシャル層である場合、半導体層６１は、例えば、台形状の断面形状を有する。シリコンを主成分とする半導体層６１の側面は、Ｓｉ（又はＳｉＧｅ）の（１１１）面及びそれに等価な面に対応し、シリコンを主成分とする半導体層６１の上面は、Ｓｉ（又はＳｉＧｅ）の（１００）面及びそれに等価な面に対応する。シリコンを主成分とする半導体層６１の側面は、半導体基板の表面に対して、５５°程度の角度で傾いている。  
尚、半導体層６１は、ＣＶＤ法によって形成されたポリシリコン層でもよい。
【０１００】
エレベーテッドフローティングディフュージョンとしての半導体層６１は、半導体基板１５０内の金属不純物（例えば、Ｆｅ）を捕獲するためのゲッタリングサイトを含む。半導体層６１内のゲッタリングサイトは、ドーパントの添加や、不純物の添加によって生じた格子歪みに起因する結晶欠陥によって、形成される。
【０１０１】
フローティングディフュージョン形成領域内の半導体層６１は、エレベーテッドフローティングディフュージョンとして機能するとともに、ゲッタリングサイトとして機能する。ゲッタリング層６１としての半導体層６１は、添加された不純物に加えて、Ｆｅなどの金属不純物（金属イオン、金属元素）を含む。  
以下では、説明の明確化のため、半導体層６１のことを、ゲッタリング層ともよぶ場合もある。
【０１０２】
例えば、図４の斜線で示される領域のように、トランジスタ形成領域内の各トランジスタ３，４，５のソース／ドレイン領域上に、エレベーテッドフローティングディフュージョン６１と同じ材料の半導体層６５が、設けられる。
【０１０３】
図５に示されるように、トランジスタ形成領域ＡＡ内において、半導体層６５は、トランジスタ３，４，５のソース／ドレイン拡散層３５上に設けられ、ソース／ドレイン拡散層３５に接する。半導体層６５は、拡散層３５とともに、トランジスタのソース／ドレインとして機能する。半導体層６５上に、コンタクトプラグＣＰｚが設けられ、配線８０ｚとトランジスタ３のソース／ドレイン領域とが接続される。
【０１０４】
トランジスタ形成領域ＡＡ内の半導体層６５は、フローティングディフュージョン形成領域内の半導体層６１と同様に、ゲッタリング層として機能する。以下では、トランジスタ３，４，５のソース／ドレイン拡散層３５上の半導体層６５も、ゲッタリング層とよぶ場合がある。
【０１０５】
ゲッタリング層６１，６５は、ゲート電極２０，３０に隣接するように、半導体基板１５０の表面上に設けられている。ゲッタリング層６１，６５とゲート電極２０，３０との間に、側壁絶縁膜２９が設けられている。ゲート電極２０，３０の側面上に側壁絶縁膜２９が設けられていることによって、ゲッタリング層６１，６５とゲート電極２０，３０とが直接接触するのを防止されている。
【０１０６】
尚、ゲッタリング層６１，６５とフォトダイオード形成領域との間隔は、読み出しトランジスタ２のゲート電極２０の寸法及び側壁絶縁膜２９の厚さによって、調整できる。
【０１０７】
尚、周辺領域１２５内のトランジスタ７のソース／ドレイン拡散層７３上に、半導体層６１，６５と同じ材料からなる層が設けられ、その層を周辺領域１２５内におけるゲッタリング層として用いてもよい。
【０１０８】
フローティングディフュージョン形成領域及びトランジスタ形成領域内の半導体層（ゲッタリング層）６１，６５と拡散層６０，３５との界面近傍において、拡散層６０，３５内に、金属イオンが偏析した領域（以下では、金属不純物領域とよぶ）６９が、設けられる場合がある。例えば、フローティングディフュージョン形成領域内及びトランジスタ形成領域内の拡散層６０，３５の金属不純物の濃度は、フォトダイオード１の不純物層１０内の金属不純物の濃度より高い。
【０１０９】
尚、フローティングディフュージョンとしての拡散層６０が、半導体層６１に起因する不純物（例えば、Ｇｅ又はＣ）を含んでいてもよい。
【０１１０】
フォトダイオード１の不純物半導体層１０内における金属不純物に起因する欠陥は、電荷と実質的に同じに振る舞い、金属汚染による再結合電流による欠陥が、白キズ（白点）として、イメージセンサを用いて形成される画像内に現れる。
【０１１１】
例えば、一般的なイメージセンサの製造工程において、ＢＭＤ（Bulk Micro Defect）やＰＢＳ（Polysilicon Back Seal）などによって、半導体基板内の金属不純物が、ゲッタリングされている。
【０１１２】
ＢＭＤは、フォトダイオード形成領域の直下の領域（フォトダイオード形成領域に接する領域）内に形成されるため、フォトダイオードの不純物半導体層内及びその近傍の領域に、金属不純物が残留する可能性がある。このため、ＢＭＤは、イメージセンサにおける白キズが発生するリスクとなる可能性がある。
【０１１３】
ＰＢＳは、金属不純物を半導体基板の裏面に到達させるために、ゲッタリングのための基板の加熱温度を比較的高い温度（６００℃以上）まで上昇させ、比較的長い期間にわたってその高い温度を基板に印加する。このＰＢＳによるゲッタリングのための加熱処理によって、半導体基板、半導体基板内の不純物領域、及び、層間絶縁膜内の配線に対して熱負荷が生じ、イメージセンサの特性が劣化する可能性がある。
【０１１４】
また、拡散層からなるフローティングディフュージョンを、ゲッタリング層として用いる場合、ゲッタリングのために拡散層の不純物濃度（例えば、１０２０ｃｍ−３以上）を高くすると、拡散層と半導体基板との接合深さが深くなり、リーク電流が発生する可能性がある。
【０１１５】
本実施形態のイメージセンサにおいて、エレベーテッドフローティングディフュージョンとしての半導体層６１が、ゲッタリング層として用いられる。
【０１１６】
後述の製造方法において、高濃度の不純物を含む半導体層６１が、拡散層６０に接するように、半導体基板１５０の表面側に形成された後、半導体基板１５０に対してゲッタリングのための加熱処理が施される。
【０１１７】
加熱処理によって、半導体基板１５０内のＦｅのような金属不純物が、半導体基板１５０内からゲッタリング層としての半導体層６１内へ、拡散（移動）する。フォトダイオード１の不純物層１０内の金属不純物、例えば、鉄（Ｆｅ）イオンが、ゲッタリング層６１内に捕獲され、フォトダイオード１の不純物層１０内の金属不純物の濃度が、低減する。
【０１１８】
本実施形態のように、エレベーテッドフローティングディフュージョン及びゲッタリング層としての半導体層６１が、フォトダイオード形成領域に比較的近い領域内に設けられることによって、比較的低い温度範囲（例えば、３００℃〜６００℃）の加熱処理のような、基板に対して過大な熱負荷が生じない加熱処理で、高い効率のゲッタリングを実行できる。
【０１１９】
また、ゲッタリング層としての半導体層６１が設けられるフローティングディフュージョン形成領域は、フォトダイオード形成領域に直接隣接しない。それゆえ、ゲッタリング層６１が、半導体基板１５０に接するように、半導体基板の表面に対して平行方向においてフォトダイオード形成領域に直接隣り合う領域や半導体基板の表面に対して垂直方向においてフォトダイオード形成領域と上下に重なる領域に設けられる場合に比較して、ゲッタリング後において、ゲッタリング層に引き寄せられた金属不純物がフォトダイオード形成領域内（又はその近傍）に残留するのを低減でき、残存した金属不純物の悪影響も抑制できる。
【０１２０】
上述のように、金属不純物の捕獲作用を有するリンなどが半導体層内に添加されることによって、半導体層６１内に金属不純物が偏析（析出）しやすくなり、半導体層６１のゲッタリングサイトとしての機能が向上する。  
また、ゲルマニウムや炭素をシリコン層内に添加した場合、ゲッタリング層としての層内に格子歪み（結晶欠陥）が発生する。この格子歪みよって、シリコン層内にゲッタリングサイトがさらに形成され、ゲッタリングの効率が向上する。
【０１２１】
本実施形態のイメージセンサによれば、ゲッタリングの高効率化に伴って、ゲッタリングための加熱温度を低くでき、ゲッタリングのための時間を短縮できる。この結果として、イメージセンサの構成要素に印加される熱負荷を低減でき、熱に起因した素子特性の劣化を抑制できる。
【０１２２】
エレベーテッドフローティングディフュージョンとしての半導体層が用いられることによって、フローティングディフュージョンとしての拡散層６０の不純物濃度を低減できる。これによって、拡散層６０の接合深さが深くなるのを抑制でき、リーク電流の発生を抑制できる。
【０１２３】
また、本実施形態において、トランジスタ２，３，４，５のソース／ドレイン拡散層３５上に、エレベーテッドディフュージョンとしての半導体層６１と同じ材料の層が、形成される。トランジスタ２，３，４，５のソース／ドレイン拡散層３５上にゲッタリング層として機能する半導体層６５が、設けられることによって、トランジスタ３，４，５のチャネル領域内の金属不純物が、ゲッタリング層６５内に捕獲される。これによって、チャネル領域内の欠陥に起因したトランジスタの特性劣化が、抑制される。
【０１２４】
以上のように、本実施形態において、比較的高効率なゲッタリングによって、フォトダイオード１の不純物層１０内の残留した金属不純物（例えば、Ｆｅイオン）に起因する欠陥を、低減できる。その結果として、金属不純物に起因した再結合電流を抑制でき、イメージセンサによって形成される画像内に白キズが発生するのを、抑制できる。
【０１２５】
したがって、本実施形態のイメージセンサによれば、イメージセンサによって形成される画像の画質を向上できる。
【０１２６】
上述において、裏面照射型イメージセンサを例として、実施形態のイメージセンサについて説明した。但し、実施形態のイメージセンサは、被写体からの光を半導体基板の表面側から取り込むイメージセンサ（以下、表面照射型イメージセンサとよぶ）でもよい。また、上述において、ＣＭＯＳイメージセンサを例示したが、本実施形態のイメージセンサは、ＣＣＤイメージセンサでもよい。本実施形態が、表面照射型イメージセンサ或いはＣＣＤイメージセンサに適用された場合であっても、上述の効果が得られる。
【０１２７】
（ｂ）  製造方法  
図６乃至図９を用いて、第１の実施形態の固体撮像装置（例えば、イメージセンサ）の製造方法について、説明する。  
図６乃至図９は、本実施形態のイメージセンサの製造方法の各工程における画素アレイ１２０の断面工程図を示している。ここでは、図６乃至図９に加えて、図２、図４及び図５も適宜用いて、本実施形態のイメージセンサの製造方法の各工程について、説明する。  
尚、本実施形態のイメージセンサの製造方法において、後述の各構成要素の形成順序は、プロセスの整合性が確保されていれば、適宜変更されてもよい。
【０１２８】
図２に示されるように、フォトリソグラフィ及びＲＩＥ（Reactive Ion Etching）によって形成されたマスク（図示せず）を用いて、素子分離領域及び素子分離層９１が、半導体基板１５０内の所定の領域（例えば、周辺回路領域）内に形成される。  
例えば、図２に示されるように、ＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）構造の素子分離溝が、マスクに基づいて、半導体基板１５０内に形成され、絶縁体がＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法又は塗布法によって、素子分離溝内に埋め込まれる。これによって、ＳＴＩ構造の素子分離絶縁膜９１が、半導体基板１５０内の所定の位置に形成される。
【０１２９】
これによって、画素アレイ１２０、画素アレイ１２０内の単位セル領域ＵＣ、及び周辺回路領域１２５が、半導体基板１５０内に区画される。
【０１３０】
素子分離層を形成するためのマスクとは異なるマスクを用いて、Ｎ型又はＰ型のウェル領域１５９が、半導体基板１５０内の所定の領域に形成される。
【０１３１】
図５に示されるように、画素アレイ１２０の単位セル領域ＵＣ内に、単位セル（画素）の構成素子が形成される。また、図２に示されるように、周辺回路領域１２５のウェル領域１５９内に、周辺回路の構成素子（例えば、トランジスタ）が、形成される。
【０１３２】
トランジスタ２，７のゲート絶縁膜２１，７１が、例えば、半導体基板１５０に対する熱酸化処理によって、半導体基板１５０の露出面（表面）上に形成される。  
形成されたゲート絶縁膜２１，７１上に、ポリシリコン層が、ＣＶＤ法により、堆積される。そして、フォトリソグラフィ及びＲＩＥ法によって、ポリシリコン層が加工され、所定のゲート長及び所定のゲート幅を有するゲート電極２０，７０が、ゲート絶縁膜２２，７２を挟んで、半導体基板１５０の表面（第１の面）上に形成される。
【０１３３】
図２及び図６に示されるように、画素アレイ１２０内において、形成されたゲート電極２２及びレジスト膜（図示せず）がマスクとして用いられ、フォトダイオード１のＮ型不純物層１０が、イオン注入法によって、単位セル形成領域内のフォトダイオード形成領域内に形成される。  
単位セル形成領域ＵＣのフローティングディフュージョン形成領域内において、フローティングディフュージョン６としての拡散層６０が、１０１８ｃｍ−３程度の不純物濃度のリンを含むように、イオン注入によって、半導体基板１５０内に形成される。尚、拡散層６０は、高濃度（例えば、１０２０ｃｍ−３以上）不純物を含むように、形成されてもよい。
【０１３４】
また、リセットトランジスタのような、画素アレイ１２０内の各トランジスタのソース／ドレインとしての拡散層３５が、イオン注入によって、それぞれ形成される。
【０１３５】
フォトダイオード１のＮ型不純物層１０の表層（露出面）において、表面シールド層１８としてのＰ型不純物層１８が、イオン注入によってＮ型不純物層１０内に形成される。
【０１３６】
例えば、画素アレイ１２０内に、フォトダイオード１及びフローティングディフュージョン６を形成するためのイオン注入が実行されている期間において、周辺回路領域１２５は、レジスト膜（図示せず）に覆われている。
【０１３７】
イオン注入によって、拡散層（不純物半導体層）が形成された場合、基板の結晶性が劣化する可能性がある。それゆえ、後の工程のエピタキシャル層の形成を考慮して、基板の結晶性を回復させるためのアニールが、イオン注入が実行されてからエピタキシャル層が形成される前までの間に、実行されることが好ましい。
【０１３８】
図２の周辺回路領域１２５内のトランジスタ７が形成される領域（Ｎ型又はＰ型ウェル領域）１５９において、ゲート電極７０をマスクに用いたイオン注入によって、トランジスタ７のソース／ドレインとしてのＰ型又はＮ型の不純物層７３が、半導体基板１５０内に形成される。尚、周辺回路領域１２５内のトランジスタ７の形成工程は、画素アレイ１２０内のトランジスタの形成工程と共通化されてもよい。
【０１３９】
図７に示されるように、読み出しトランジスタ２及び他のトランジスタ３，４，５のゲート電極２０，３０の側面上に、側壁絶縁膜２９が、自己整合的に形成される。
【０１４０】
各トランジスタ２，３，４，５のゲート電極２０，３０の側面上に側壁絶縁膜２９が形成された後、半導体基板１５０の表面側において、半導体層６１が、フローティングディフュージョン６としての拡散層６０上に、例えば、選択的エピタキシャル成長によって、形成される。これと同時に、半導体層６５が、トランジスタのソース／ドレイン拡散層３５上に、形成される。
【０１４１】
形成された半導体層６１は、拡散層６０に直接接する。半導体層６１が、選択的エピタキシャル成長によって形成された場合、半導体基板の表面の結晶面に依存して、結晶配向し、半導体層６１は、その結晶配向に応じた断面形状を有する。
【０１４２】
半導体層６１，６５は、例えば、シリコンを主成分とした半導体層によって形成される。フローティングディフュージョン形成領域内に形成された半導体層６１は、エレベーテッドフローティングディフュージョンとして用いられるとともに、ゲッタリング層として用いられる。また、トランジスタ形成領域内に設けられた半導体層６５は、ソース／ドレインとして用いられるとともに、ゲッタリング層として用いられる。
【０１４３】
例えば、ゲルマニウム（Ｇｅ）、リン（Ｐ）又は炭素（Ｃ）の少なくとも１つの不純物が、ゲッタリング層としてのシリコン層６１，６５内に添加される。例えば、シリコンの堆積中にドーピングガスが導入される（Ｉｎ−ｓｉｔｕドーピングとよぶ）ことによって、Ｇｅ、Ｐ及びＣなどの不純物がシリコン層６１，６５内に添加される。シリコン層６１，６５内に不純物が添加されることによって、ゲッタリングサイトとしての機能が向上される。
【０１４４】
例えば、半導体層６１，６５内におけるＮ型（又はＰ型）ドーパントの濃度が、１×１０１８ｃｍ−３から１×１０２０ｃｍ−３以上になるように、不純物（例えば、リン）が添加される。この場合、半導体層６１は、半導体基板の表面に対して垂直方向に変化する濃度プロファイルを有し、半導体層６１の底部側（拡散層６０と接する側）の不純物濃度は、半導体基板の上部側の不純物濃度より低い。半導体層６１，６５がシリコン層である場合、Ｐ型又はＮ型のドーパントがシリコン層内に添加されることによって、ゲッタリング時において金属不純物がシリコン層６１，６５内に偏析しやすくなる。
【０１４５】
シリコン層内に添加されるＧｅ又はＣは、シリコン層内のＳｉ元素と格子置換し、ＳｉＧｅ又はＳｉＣ又はＳｉＧｅＣの混晶を形成する。シリコン層内におけるＧｅ又はＣの濃度は、５ａｔ％〜２０ａｔ％程度である。Ｇｅ及びＣにおいても、半導体基板の表面に対して垂直方向に変化する濃度プロファイルを有し、半導体層６１，６５の底部側の濃度が、半導体基板層の上部側の濃度より低い。シリコン層内に、Ｇｅ及びＣの少なくとも一方が添加されることによって、半導体基板とエピタキシャル層６１，６５との格子不整合に起因した格子歪み（格子欠陥）が発生する。この格子欠陥によって、半導体層６１，６５のゲッタリングサイトとしての機能が、向上する。
【０１４６】
尚、フローティングディフュージョン形成領域内の拡散層６０内に、半導体層６１に起因するＧｅ又はＣが、拡散していてもよい。半導体層６１，６５は、ＣＶＤ法によって、形成されてもよい。
【０１４７】
フォトダイオード形成領域内に、半導体層が形成されないように、フォトダイオードの不純物半導体層１０及び表面シールド層１８上に、例えば、絶縁膜（図示せず）が形成される。または、半導体層の形成後に、半導体層が、フォトダイオード形成領域内から選択的に除去される。
【０１４８】
図８に示されるように、半導体層６１，６５が半導体基板１５０の表面上に形成された状態で、ゲッタリングのために、例えば、６００℃程度の加熱処理と、それに続く３００℃〜５００℃程度の温度範囲の加熱処理が、半導体基板１５０に対して施される。ゲッタリングのための加熱処理は、上記の温度範囲の異なる２段階の加熱処理によって実行されてもよいし、例えば、６００℃程度から３００℃程度までゆっくり降温させた加熱処理（温度の変化の勾配の小さい加熱処理）によって実行されてもよい。
【０１４９】
これによって、半導体基板１５０内の金属不純物２００が、ゲッタリング層６１，６５内又はゲッタリング層６１，６５に接する拡散層６０，３５内に拡散（移動）し、金属不純物２００は、ゲッタリング層６１，６５内に捕獲される。
【０１５０】
この結果として、Ｆｅなどの金属不純物２００が、フォトダイオード形成領域内の不純物半導体層１０内及びその近傍から、フローティングディフュージョン形成領域側へ移動し、フォトダイオード形成領域内の不純物半導体層１０内の金属不純物の濃度は、低下する、又は、実質的にゼロになる。尚、フローティングディフュージョン形成領域側の金属不純物の濃度は、フォトダイオード形成領域内の金属不純物の濃度に比較して、高くなる。
【０１５１】
また、トランジスタのチャネル領域内の金属不純物２００が、ソース／ドレイン拡散層３５上のゲッタリング層６５内に捕獲される。
【０１５２】
ゲッタリングが実行された場合、ゲッタリング層としての半導体層６１，６５と拡散層６０との界面近傍に、金属不純物領域６９が形成される場合がある。
【０１５３】
このように、フローティングディフュージョン形成領域内に形成されたゲッタリング層（ゲッタリングサイト）としての半導体層６１を用いたゲッタリング処理によって、Ｆｅなどの金属不純物がフォトダイオード形成領域内の不純物半導体層１０内及びその近傍領域内から除去される。
【０１５４】
図９に示されるように、金属不純物がゲッタリングによってフォトダイオード形成領域内から除去された後、ゲッタリング層６１，６５に対してエッチング処理が選択的に施される。これによって、ゲッタリング層６１，６５の大部分が除去される。例えば、図９に示されるように、薄いゲッタリング層６１，６５が、拡散層６０，３５上に残存していてもよい。  
例えば、ゲッタリング層６１，６５における不純物濃度が高い領域が除去され、不純物濃度の低い領域（例えば、１×１０１８ｃｍ−３程度の不純物を含む領域）が拡散層６０，３５上に残存する。
【０１５５】
このように、ゲッタリング後にゲッタリング層の大部分が除去されることによって、ゲッタリング層としての半導体層６１，６５内に捕獲された金属不純物が、イメージセンサ１００の製造工程内のゲッタリング後の加熱処理によって、半導体基板１５０内に再び拡散するのを、防止できる。
【０１５６】
図２及び図５に示されるように、トランジスタ２のゲート電極２０が形成された半導体基板１５０の表面上に、多層配線技術によって、複数の層間絶縁膜９２及び複数の配線８０を含む多層配線構造が形成される。層間絶縁膜９２は、半導体基板１５０の表面側を覆い、例えば、トランジスタ２のゲート電極２０を覆っている。
【０１５７】
多層配線構造の各配線レベルの形成工程において、例えば、シリコン酸化膜の層間絶縁膜９２が、ＣＶＤ法を用いて堆積される。各配線レベルにおいて、層間絶縁膜９２に対してＣＭＰ法による平坦化処理が施された後、層間絶縁膜９２内にフォトリソグラフィ及びＲＩＥ法によって形成されたコンタクトホール内に、コンタクトプラグＣＰ１又はビアプラグ８１が、埋め込まれる。
【０１５８】
フローティングディフュージョン形成領域内に残存した半導体層６１に接続されるように、コンタクトプラグＣＰｘが層間絶縁膜９２内に埋め込まれる。これによって、ゲッタリング層６１として用いられた半導体層６１が、エレベーテッドフローティングディフュージョンとして再利用される。
【０１５９】
また、トランジスタ形成領域内に残存した半導体層６５に接続されるように、コンタクトプラグＣＰｚが層間絶縁膜９２内に埋め込まれる。これによって、ゲッタリング層６１として用いられた半導体層６１が、トランジスタのソース／ドレインとして再利用される。
【０１６０】
例えば、アルミニウムなどの導電層が、スパッタ法によって層間絶縁膜９２上及びプラグＣＰ１，ＣＰｘ，ＣＰＺ，８１上に堆積される。堆積された導電層は、フォトリソグラフィ及びＲＩＥ法によって、プラグＣＰ１，ＣＰｘ，ＣＰＺ，８１に接続されるように、所定の形状に加工される。これによって、配線としての導電層８０，８０ｘ，８０ｚが、形成される。ダマシン法を用いて、銅又は銅合金からなる配線が、層間絶縁膜内に形成された溝（ダマシン溝）内に、自己整合的に形成されてもよい。
【０１６１】
このように、半導体基板１５０の複数の素子１，２，７が、多層配線技術の配線によって接続され、イメージセンサの各回路が形成される。
【０１６２】
裏面照射型イメージセンサが形成される場合、図２及び図５に示されるように、半導体基板１５０の表面側における最上層の層間絶縁膜９２（及び導電層）に対して平坦化処理が施された後、最上層の層間絶縁膜９２の平坦化された面上に、接着層（図示せず）が形成される。そして、支持基板１１９が、層間絶縁膜９２上の接着層に貼り付けられる。これによって、支持基板１１９が、半導体基板の表面を覆う層間絶縁膜９２に接合する。
【０１６３】
例えば、支持基板１１９が層間絶縁膜９２に貼り付けられる前に、再配線技術による再配線が、層間絶縁膜９２内の配線に接続されるように、最上層の層間絶縁膜９２上に形成されてもよい。
【０１６４】
支持基板１１９が層間絶縁膜９２に貼り付けられた後、半導体基板１５０の裏面が、ＣＭＰ法、ＨＦ溶液を用いたウェットエッチングなどを用いて、選択的にエッチングされる。これによって、半導体基板１５０の厚さが、薄くされる。
【０１６５】
図２及び図５に示されるように、半導体基板１５０が薄くされた後、半導体基板１５０の裏面側において、裏面シールド層１９としてのＰ型不純物半導体層１９が、イオン注入によって、画素アレイ１２０内の半導体基板１５０内に形成される。
【０１６６】
半導体基板の裏面上に保護膜９７などが形成された後、カラーフィルタ１１７が、画素アレイ１２０に対応する位置の保護膜９７上に、形成される。
【０１６７】
形成されたカラーフィルタ１１７上に、保護膜としての絶縁膜（図示せず）が形成される。カラーフィルタ１１７を覆う保護膜上に、マイクロレンズアレイ１１８が形成される。
【０１６８】
カラーフィルタ１１７及びマイクロレンズアレイ１１８が形成される前又は形成された後に、半導体基板１５０の裏面側における配線、パッド又は金属の遮光層が形成されてもよい。
【０１６９】
例えば、カラーフィルタ１１７及びマイクロレンズアレイ１１８が形成された後、図２に示されるように、貫通ビア８８Ａが、半導体基板１５０内に形成された貫通孔内に、埋め込まれる。カラーフィルタ１１７及びマイクロレンズアレイ１１８が形成される前に、貫通ビア８８Ａが形成されてもよい。
【０１７０】
以上の工程によって、本実施形態のイメージセンサが、形成される。
【０１７１】
フローティングディフュージョン形成領域内における半導体基板の表面側において、ゲッタリング層としての半導体層６１，６５が、半導体基板１５０上に形成される。ゲッタリング層６１，６５は、フローティングディフュージョンＦＤとしての拡散層６０の上面に接するように、形成される。
【０１７２】
ゲッタリングによって、フォトダイオード形成領域内の金属不純物（例えば、Ｆｅ）は、ゲッタリング層６１，６５内に高濃度に添加されたリンの作用及びゲッタリング層（シリコンを主成分とする層）内に添加されたＧｅ又はＣに起因する格子欠陥の作用によって、ゲッタリング層６１，６５内に捕獲される。
【０１７３】
本実施形態のように、フォトダイオード形成領域の近傍に、ゲッタリング層６１を形成することによって、フォトダイオード形成領域の不純物半導体層１０内及びその近傍の領域内の金属不純物の濃度は、低減する。また、本実施形態において、ゲッタリング層６１がフォトダイオード形成領域に直接接しない領域内に形成されるため、ゲッタリング層６１に引き寄せられた金属不純物がフォトダイオード形成領域内又はその近傍に残留することが低減され、その金属不純物がフォトダイオードの特性に悪影響を及ぼすのを、抑制できる。
【０１７４】
このように、本実施形態のイメージセンサの製造方法は、ゲッタリング層をフォトダイオード形成領域の近傍に形成することによって、金属不純物の残留に起因する悪影響を抑制しつつ、ゲッタリングを比較的効率よく実行できる。これに伴って、本実施形態によれば、ゲッタリングのための加熱温度を低くでき、ゲッタリングのための時間を短縮できるため、イメージセンサの構成要素に印加される熱負荷を低減できる。これによって、本実施形態によれば、熱による配線／絶縁膜の劣化及び不純物（又はドーパント）の意図しない拡散（散乱）のような、熱に起因したイメージセンサが含む素子の劣化を抑制できる。
【０１７５】
また、トランジスタ形成領域内において、トランジスタのチャネル領域内の金属不純物は、ソース／ドレイン領域内に形成されたゲッタリング層６５内に、捕獲される。この結果として、チャネル領域内の金属不純物が低減し、特性が向上したトランジスタが形成される。
【０１７６】
尚、フローティングディフュージョン形成領域内に設けられた半導体層を用いたゲッタリングに加えて、ＢＭＤ及びＰＢＳなどの周知のゲッタリング技術が併用されてもよい。
【０１７７】
以上のように、第１の実施形態の固体撮像装置及びその製造方法によれば、画質を向上できるイメージセンサを提供できる。
【０１７８】
（２）  変形例  
図１０乃至図１３を参照して、実施形態の固体撮像装置の変形例について、説明する。  
尚、本変形例において、第１の実施形態で述べた構成と実質的に同じ構成に関する説明は、必要に応じて行う。また、図１０乃至図１３においても、上述の実施形態と同様に、層間絶縁膜やカラーフィルタの図示は簡略化又は省略する。
【０１７９】
＜例１＞
図１０を用いて、実施形態のイメージセンサの製造方法の変形例を説明する。  
図１０は、実施形態のイメージセンサの製造方法の変形例を説明するための断面工程図である。
【０１８０】
図５乃至図９を用いて説明した実施形態のイメージセンサの製造方法において、ゲッタリング層としての半導体層６１，６５を形成する工程において、Ｓｉ層（Ｐ、Ｇｅ又はＣの少なくとも一つを含むＳｉ層）の堆積時に、Ｓｉの形成ガスとともに、ＰやＧｅを含むガスを封入することによって、不純物が添加されたゲッタリング層６１，６５が形成されている。
【０１８１】
但し、ゲッタリング層６１，６５内の不純物は、半導体基板１５０上に堆積されたゲッタリング層６１，６５内に、イオン注入によって添加されてもよい。
【０１８２】
図１０に示されるように、ノンドープのＳｉ層（又は、ＳｉＧｅ層）６１Ｚが、フローティングディフュージョン形成領域及びトランジスタ形成領域内において、半導体基板１５０上に、例えば、選択的エピタキシャル成長によって、形成される。
【０１８３】
レジスト膜が、半導体基板１５０上に塗布される。Ｓｉ層６１Ｚが露出するように、リソグラフィ及びＲＩＥによってレジスト膜内に開口部が形成され、マスク層２０９が形成される。
【０１８４】
マスク層２０９が半導体基板１５０上に形成された状態で、イオン注入が実行される。イオン注入によって、ノンドープのＳｉ層６１Ｚ内に、Ｐ、Ｇｅ及びＣのうち少なくとも１つが、添加される。これによって、ゲッタリングサイトを含むゲッタリング層６１Ｚが形成される。
【０１８５】
そして、マスク層２０９が除去された後、図８に示されるように、ゲッタリングが実行され、半導体基板１５０内の金属不純物が、ゲッタリング層６１Ｚ内に捕獲される。
【０１８６】
この後、図９、図２及び図５を用いて説明した製造工程が、順次実行され、本実施形態のイメージセンサが形成される。
【０１８７】
＜例２＞
図１１を用いて、実施形態のイメージセンサ及びその製造方法の変形例について、説明する。  
図１１は、実施形態のイメージセンサの製造方法の変形例を説明するための断面工程図である。
【０１８８】
図１１に示されるように、ゲッタリング層は、ゲッタリング後に、半導体基板１５０上から除去されてもよい。  
ゲッタリング層が除去された場合、フローティングディフュージョン６に接続されるコンタクトプラグＣＰｘは、フローティングディフュージョン６としての拡散層６０に直接接触する。
【０１８９】
ゲッタリング層がエッチングによって除去された場合、半導体基板１５０の表面が、オーバーエッチングされる場合がある。この場合、半導体基板１５０の表面側におけるフローティングディフュージョンとしての拡散層６０の面が、半導体基板１５０の表面側におけるフォトダイオード１の不純物半導体層１０及び表面シールド層１８の面よりも、半導体基板１５０の裏面側に後退する。
【０１９０】
また、拡散層６０内の金属不純物層が、ゲッタリング層とともに、除去されている。
【０１９１】
ゲッタリング層が除去される場合、例えば、図１０と同様に、ゲッタリング層を選択的に露出させるマスク層が、ゲッタリングの後、半導体基板１５０上に形成される。
【０１９２】
半導体基板１５０上に形成されたマスク層に基づいて、ゲッタリング層が、エッチング（例えば、ＲＩＥ）によって、選択的に除去される。
【０１９３】
これによって、図１１に示される構造を有する本実施形態のイメージセンサが、形成される。
【０１９４】
図１１に示される例のように、ゲッタリング層（及び金属不純物領域）が、ゲッタリング処理の後に完全に除去されることによって、ゲッタリング層内の金属不純物が半導体基板１５０内に拡散するのを、防止できる。
【０１９５】
＜例３＞  
図１２及び図１３を用いて、実施形態のイメージセンサ及びその製造方法の変形例について、説明する。
【０１９６】
図１２は、実施形態のイメージセンサの変形例を説明するための断面図である。  
図１２に示されるように、シリサイド層６７が、ゲッタリング層６１上に設けられてもよい。
【０１９７】
ゲッタリング層６１上のシリサイド層６７は、ゲッタリング層６１にシリサイド処理を施すことによって、形成される。例えば、ゲッタリング層６１がＰ、Ｇｅ又はＢを含む層である場合、シリサイド層６７が、シリコン元素及びシリコン元素とシリサイドを形成する金属元素（例えば、ニッケル又はコバルト）とともに、ゲッタリング層６１内の不純物を含む場合もある。
【０１９８】
図１３を用いて、ゲッタリング層６１上にシリサイド層６７を形成する工程について、説明する。図１３は、実施形態のイメージセンサの製造方法の変形例を説明するための断面工程図である。
【０１９９】
例えば、ゲッタリング層に対するシリサイド処理は、画素アレイ内及び周辺回路領域内のトランジスタのゲート電極やソース／ドレイン拡散層に対するシリサイド処理と、同時に実行される。
【０２００】
半導体基板１５０上に、絶縁層２０１が堆積された後、シリサイド層が形成される領域を覆う絶縁層が、リソグラフィ及びＲＩＥによって選択的に除去される。トランジスタ２，３のゲート電極２０，３０及びソース／ドレイン領域が露出され、フォトダイオード１の不純物半導体層１０の上面は、絶縁層２０１によって覆われる。このとき、ゲッタリング層６１，６５を覆う絶縁層２０１は、除去され、ゲッタリング層６１，６５は、露出している。
【０２０１】
シリサイド層を形成するための金属膜２０２が、ゲート電極２０，３０上、ソース／ドレイン拡散層上及びゲッタリング層６１，６５上、及び絶縁層２０１，２９上に、形成される。
【０２０２】
金属膜２０２が堆積された後、半導体基板１５０に対して加熱処理が施される。ゲート電極２０，３０、ソース／ドレイン拡散層及びゲッタリング層６１，６５が含むシリコンが、金属膜２０２を形成する元素と反応（シリサイド反応とよぶ）する。
【０２０３】
これによって、図１２に示されるように、ゲート電極２０，３０と金属膜２０２との接触部、ソース／ドレイン拡散層と金属膜２０２との接触部、及び、ゲッタリング層６１，６５と金属膜２０２との接触部において、シリサイド層２７，３７，６７が自己整合的に形成される。絶縁層２０１，２９に覆われたシリコン層は、金属膜２０２と直接接触しないため、シリサイド化しない。
【０２０４】
シリサイド層２７，３７，６７が形成された後、シリコンと反応しなかった金属膜が、選択的に除去される。
【０２０５】
そして、上述のように、層間絶縁膜、コンタクトプラグ及び配線が順次形成され、本実施形態のイメージセンサが、形成される。コンタクトプラグＣＰｘ，ＣＰｚは、ゲッタリング層６１，６５上のシリサイド層６７に、接続される。
【０２０６】
尚、ゲッタリング後にシリサイド層が形成されるのであれば、ゲッタリング層６１，６５の全体がシリサイド化されてもよい。
【０２０７】
シリサイド層６７が、ゲッタリング層６１上に設けられることによって、コンタクトプラグＣＰｘ、ＣＰｚとフローティングディフュージョンとして機能する層６１との間の接触抵抗を低減できる。
【０２０８】
また、ゲッタリング層６１上のシリサイド層６７（又は、シリサイドからなるゲッタリング層）を形成する工程は、トランジスタのゲート電極及びソース／ドレイン拡散層上にシリサイド層を形成する工程と、実質的に同じ工程によって実行される。そのため、ゲッタリング層６１，６５上にシリサイド層６７を形成する工程によって、イメージセンサの製造工程が増加することはない。
【０２０９】
それゆえ、図１３に示される例のイメージセンサによれば、イメージセンサの製造工程の増加無しに、イメージセンサの電気的特性を向上できる。
【０２１０】
以上のように、図１０乃至図１３示される変形例においても、第１の実施形態と実質的に同様の効果が得られる。
【０２１１】
（３）  適用例  
図１４を参照して、各実施形態の固体撮像装置の適用例について、説明する。
【０２１２】
実施形態の固体撮像装置（イメージセンサ）は、モジュール化され、デジタルカメラやカメラ付携帯電話に適用される。
【０２１３】
図１４は、本実施形態のイメージセンサの適用例を示すブロック図である。
【０２１４】
本実施形態のイメージセンサ１００を含むカメラ（又はカメラ付携帯電話）９００は、イメージセンサ１００の他に、例えば、光学レンズ部（レンズユニット）１０１、信号処理部（例えば、ＤＳＰ：Digital Signal Processor）１０２、記憶部（メモリ）１０３、表示部（ディスプレイ）１０４、及び、制御部（コントローラ）１０５を含んでいる。
【０２１５】
イメージセンサ１００は、上述のように、被写体からの光を、電気信号に変換する。
【０２１６】
レンズユニット１０１は、被写体からの光をイメージセンサ１００に集光し、被写体からの光に対応する像をイメージセンサ１００上に結像させる。レンズユニット１０１は、複数のレンズを含み、各レンズによって機械的又は電気的にレンズユニット１０１の光学特性（例えば、焦点距離）を制御できる。
【０２１７】
ＤＳＰ１０２は、イメージセンサ１００から出力された信号を処理する。ＤＳＰ１０２はイメージセンサ１００からの信号に基づいて、被写体に対応する画像（画像データ）を形成する。
【０２１８】
メモリ１０３は、ＤＳＰ１０２からの画像データを記憶する。メモリ１０３は、外部から与えられた信号及びデータや、イメージセンサ１００から直接供給される信号及びデータを、記憶することもできる。メモリ１０３は、カメラ９００内に搭載されたＤＲＡＭやフラッシュメモリなどのメモリチップでもよいし、カメラ９００本体から着脱可能なメモリカードやＵＳＢメモリでもよい。
【０２１９】
ディスプレイ１０４は、ＤＳＰ１０２又メモリ１０３からの画像データを、表示する。ＤＳＰ１０２又はメモリ１０３からのデータは、静止画データ又は動画データであり、静止画又は動画がディスプレイ１０４上に表示される。
【０２２０】
コントローラ１０５は、カメラ９００内の各構成１００〜１０４の動作を制御する。
【０２２１】
以上のように、本実施形態のイメージセンサ１００は、カメラ９００に適用できる。  
本実施形態のイメージセンサ１００を含むカメラ９００は、形成される画像の画質を改善できる。
【０２２２】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０２２３】
１２０：画素アレイ、ＵＣ：単位セル、９：素子分離領域、１：フォトダイオード、２：トランジスタ（読み出しトランジスタ）、６：フローティングディフュージョン、６０：拡散層、６１，６５：ゲッタリング層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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