(57)【要約】【課題】小型化、高密度化が可能であり、クロストークを従来よりも低減できる光モジュールを提供すること。【解決手段】光モジュール１００は、複数の受光素子１０１を有する光デバイス１０２と、光デバイス１０２と信号の授受を行う制御デバイス１０３と、信号を通す複数の線路１０４ａ、１０４ｂを有する基板１０４とを備える。複数の受光素子のそれぞれのアノード端子１０１ａは、第１のワイヤ１０５ａにより、別々の線路に接続される。また、複数の受光素子のそれぞれのカソード端子１０１ｂは、第２のワイヤ１０５ｂにより、別々の線路に接続される。第１のワイヤと第２のワイヤとは、互いに交差しており、かつ互いに接触しないように配置される。各受光素子と制御デバイスとを結ぶ配線、つまり各チャネルの配線は、それぞれ交差した状態になっている。【選択図】図１
2014036102.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノード端子とカソード端子とを有する光素子と、
前記光素子と信号の授受を行う制御デバイスと、
前記アノード端子と前記制御デバイスとを電気的に接続する第１の信号経路であって、少なくとも一部が第１の導線で形成されている第１の信号経路と、
前記カソード端子と前記制御デバイスとを電気的に接続する第２の信号経路であって、少なくとも一部が第２の導線で形成されている第２の信号経路と、
を備え、
前記第１の導線と前記第２の導線とが互いに接触せず、かつ互いに交差している
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
前記第１の導線の高さと前記第２の導線の高さとの差が、前記アノード端子と前記カソード端子の間の間隔の１．５倍以下であることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
前記第１の導線の長さと前記第２の導線の長さとが等しいことを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項４】
前記第１の導線および前記第２の導線のうち高さが大きい方の一方端と他方端との間の距離を、前記第１の導線および前記第２の導線のうち高さが小さい方の一方端と他方端との間の距離よりも小さくすることによって、前記第１の導線の長さと前記第２の導線の長さとを等しくしていることを特徴とする請求項３に記載の光モジュール。
【請求項５】
光素子と、
前記光素子と電気的に接続されている端子と、入力信号を受け取るための入力端子と、出力信号を送り出すための出力端子とを有する制御デバイスと、
前記入力端子への前記入力信号を通す第１の信号経路であって、少なくとも一部が第１の導線で形成されている第１の信号経路と、
前記出力端子からの前記出力信号を通す第２の信号経路であって、少なくとも一部が第２の導線で形成されている第２の信号経路と、
を備え、
前記第１の導線と前記第２の導線とが互いに接触せず、かつ互いに交差している
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項６】
前記第１の導線の高さと前記第２の導線の高さとの差が、前記入力端子と前記出力端子の間の間隔の１．５倍以下であることを特徴とする請求項５に記載の光モジュール。
【請求項７】
前記第１の導線の長さと前記第２の導線の長さとが等しいことを特徴とする請求項５に記載の光モジュール。
【請求項８】
前記第１の導線および前記第２の導線のうち高さが大きい方の一方端と他方端との間の距離を、前記第１の導線および前記第２の導線のうち高さが小さい方の一方端と他方端との間の距離よりも小さくすることによって、前記第１の導線の長さと前記第２の導線の長さとを等しくしていることを特徴とする請求項７に記載の光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の光素子を含む光デバイスと制御デバイスとを配線で接続する構造を備える光モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、光通信の高速化および大容量化が求められており、それを実現するために複数の光ファイバまたは光導波路を用いて光信号を並列に伝送する並列光伝送方式が用いられている。
【０００３】
並列光伝送方式に用いられる光モジュールにおいて、集積化され、小型化、高密度化された回路においては、近接する配線の間で相互インダクタンスが増大し、信号間にクロストークが発生する。さらに、高周波信号を使用する場合にはクロストークが増大する。そのため、高周波信号を用いる光素子においてはクロストークの発生が特に問題となっており、光モジュールの小型化、高密度化を進めるためにクロストークの低減が求められている。
【０００４】
信号間のクロストークを低減するための手法として、特許文献１に記載の技術では、レーザアレイとプリント基板とを接続する配線において、レーザのｐ形電極に接続された線と、レーザのｎ形電極に接続された線とを交互に配置し、ｎ形電極に接続された線をグランドとして使用している。その結果、信号線がグランド線に挟まれた構造となるため、信号線間のクロストークを低減することができる。
【０００５】
また、特許文献２に記載の技術では、光デバイスと駆動デバイスとを接続する配線において、光デバイスのアノード電極に接続された線と、光デバイスのカソード電極に接続された線とを交互に配置し、カソード電極に接続された線を基準電位線に接続している。信号線がグランド線に挟まれた構造となるため、信号線間のクロストークを低減することができる。
【０００６】
図７は、特許文献１および２に記載された技術のように信号線とグランド線とを交互に配置する構成を有する、並列光伝送方式に用いられる光モジュールの概略図である。光モジュールは、複数の光素子１を有する光デバイス２と、光デバイス２の制御を行う制御デバイス３と、複数の線路４ａ、４ｂを表面に有する基板４を備える。制御デバイス３は、複数の線路４ａ、４ｂに接するように基板４上に配置されている。複数の線路４ａ、４ｂのそれぞれはワイヤ５の一端に接続されており、ワイヤ５の他端は複数の光素子１のそれぞれに付設されるアノード端子６ａ、カソード端子６ｂに接続される。線路４ａおよびアノード端子６ａを結ぶ配線と、線路４ｂおよびカソード端子６ｂを結ぶ配線とは、基板４の表面に沿って交互に配置される。この構成により、線路４ａ、４ｂ、ワイヤ５および端子６ａ、６ｂを介して、複数の光素子１と制御デバイス３との間で信号の授受が行われる。
この光モジュールでは、カソード電極６ｂに接続された線路４ｂは制御デバイス３側でグランドに接続されているため、信号線がグランド線に挟まれた構造となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平５−２５１８２０号公報
【特許文献２】特開２００２−２６１３７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１および２に記載された技術のように信号線とグランド線とを交互に配置する構成では、さらに小型化、高密度化を進めると、クロストーク低減効果が不十分となる場合がある。そのため、クロストークをさらに低減できる技術が求められている。
本発明は、小型化、高密度化が可能であり、クロストークを従来よりも低減できる光モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の態様は、光モジュールであって、アノード端子とカソード端子とを有する光素子と、前記光素子と信号の授受を行う制御デバイスと、前記アノード端子と前記制御デバイスとを電気的に接続する第１の信号経路であって、少なくとも一部が第１の導線で形成されている第１の信号経路と、前記カソード端子と前記制御デバイスとを電気的に接続する第２の信号経路であって、少なくとも一部が第２の導線で形成されている第２の信号経路と、を備え、前記第１の導線と前記第２の導線とが互いに接触せず、かつ互いに交差していることを特徴とする。
【００１０】
本発明の第２の態様は、光モジュールであって、光素子と、前記光素子と電気的に接続されている端子と、入力信号を受け取るための入力端子と、出力信号を送り出すための出力端子とを有する制御デバイスと、前記入力端子への前記入力信号を通す第１の信号経路であって、少なくとも一部が第１の導線で形成されている第１の信号経路と、前記出力端子からの前記出力信号を通す第２の信号経路であって、少なくとも一部が第２の導線で形成されている第２の信号経路と、を備え、前記第１の導線と前記第２の導線とが互いに接触せず、かつ互いに交差していることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る光モジュールは、小型化、高密度化が可能であり、従来よりもクロストークを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１の実施形態に係る光モジュールの概略図である。
【図２】（ａ）第１の実施形態に係るワイヤの斜視図である。（ｂ）比較例に係るワイヤの斜視図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）実施例に係る出力信号のグラフを示す図である。（ｃ）比較例に係る出力信号のグラフを示す図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）実施例に係るクロストークのグラフを示す図である。（ｃ）比較例に係るクロストークのグラフを示す図である。
【図５】第２の実施形態に係る光モジュールの概略図である。
【図６】第３の実施形態に係る光モジュールの概略図である。
【図７】従来の光モジュールの概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明するが、本発明は本実施形態に限定されるものではない。なお、以下で説明する図面で、同機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略することもある。
【００１４】
（第１の実施形態）
図１は、本実施形態に係る光モジュール１００の概略図である。光モジュール１００は、複数の受光素子１０１を有する光デバイス１０２と、光デバイス１０２と信号の授受を行う制御デバイス１０３と、信号を通す複数の線路１０４ａ、１０４ｂを有する基板１０４とを備える。
【００１５】
光デバイス１０２は複数の受光素子１０１を有しており、受光素子１０１は光を受けると電気信号を発生させるフォトダイオードである。受光素子１０１としては、高周波信号に対応している任意の受光素子を用いることができる。受光素子１０１のそれぞれは、アノード端子１０１ａとカソード端子１０１ｂとを光デバイス１０２の表面に有する。本明細書では、個々の受光素子１０１に係る信号の経路をチャネルと呼ぶ。図１には合計３つのチャネルが示されているが、この数に限定されない。
本実施形態では、光デバイス１０２は基板１０４上に載置されているが、基板１０４に一体化して設けられてもよい。光デバイス１０２としては、並列光伝送方式が実現できるように複数の光素子が並列に配置されているものであれば、任意の構成を用いることできる。
【００１６】
基板１０４は、プリント基板であり、表面に導電性の複数の線路１０４ａ、１０４ｂを有する。アノード端子１０１ａに接続される線路１０４ａをアノード線路１０４ａといい、カソード端子１０１ｂに接続される線路１０４ｂをカソード線路１０４ｂという。アノード線路１０４ａとカソード線路１０４ｂとは並列して配置されており、互いに隣接して交互に設けられている。アノード線路１０４ａは少なくともアノード端子１０１ａと同じ数が設けられており、カソード線路１０４ｂは少なくともカソード端子１０１ｂと同じ数が設けられている。アノード線路１０４ａとカソード線路１０４ｂとの間のピッチ（間隔）は、アノード端子１０１ａとカソード端子１０１ｂとの間のピッチと等しく設定している。
【００１７】
制御デバイス１０３は、受光素子１０１からの電気信号を受信して処理を行う集積回路（ＩＣ）である。制御デバイス１０３は、少なくともアノード端子１０１ａおよびカソード端子１０１ｂの合計の数の端子（不図示）を有する。制御デバイス１０３の端子がそれぞれ別々の線路１０４ａ、１０４ｂに接するように、制御デバイス１０３は基板１０４上に載置される。制御デバイス１０３は、基板１０４に一体化して設けられてもよい。
制御デバイス１０３としては、光素子のアノード端子およびカソード端子に配線で接続されて信号の授受を行うものであれば、任意の構成を用いることができる。
【００１８】
複数の受光素子１０１のそれぞれのアノード端子１０１ａは、第１のワイヤ１０５ａにより、別々のアノード線路１０４ａに接続される。このように接続されたアノード端子１０１ａ、第１のワイヤ１０５ａおよびアノード線路１０４ａは、アノード端子１０１ａへの信号が流れる信号経路として機能する。また、複数の受光素子１０１のそれぞれのカソード端子１０１ｂは、第２のワイヤ１０５ｂにより、別々のカソード線路１０４ｂに接続される。このように接続されたカソード端子１０１ｂ、第２のワイヤ１０５ｂおよびカソード線路１０４ｂは、カソード端子１０１ｂからの信号が流れる信号経路として機能する。
１つの受光素子１０１が有する、つまり同一のチャネルに係るアノード端子１０１ａおよびカソード端子１０１ｂは、互いに隣接する２つの線路１０４ａ、１０４ｂに接続される。
【００１９】
端子と線路とを接続している状態において、第１のワイヤ１０５ａと第２のワイヤ１０５ｂとは、互いに交差しており、かつ互いに接触しないように配置される。図２（ａ）は、本実施形態に係る第１のワイヤ１０５ａおよび第２のワイヤ１０５ｂの立体配置を示す斜視図である。アノード端子１０１ａとアノード線路１０４ａとを結ぶ第１のワイヤ１０５ａは、カソード端子１０１ｂとカソード線路１０４ｂとを結ぶ第２のワイヤ１０５ｂの上側に離間し、かつ横切って配置されている。この構成により、各受光素子１０１と制御デバイス１０３とを結ぶ配線、つまり各チャネルの配線は、それぞれ交差した状態になっている。本明細書においては、このように同一チャネルの配線が接触しないように交差して接続されている構造を、クロス配線という。
【００２０】
本実施形態では第１のワイヤ１０５ａが第２のワイヤ１０５ｂの上側を通っているが、第１のワイヤ１０５ａと第２のワイヤ１０５ｂとが接触せずに交差していれば、第１のワイヤ１０５ａが第２のワイヤ１０５ｂの下側を通ってもよい。
【００２１】
各受光素子１０１と制御デバイス１０３との間の配線にクロス配線を採用することによって、同一チャネルの配線同士が近づくため、同一チャネル内の電磁界の結合が強化される。一方で、隣接する異なるチャネル間の結合は抑制される。その結果、異なるチャネル間のクロストークが大きく低減されると考えられる。
【００２２】
同一チャネル内の電磁界の結合を強化するために、第１のワイヤ１０５ａと第２のワイヤ１０５ｂとは近接していることが望ましい。具体的には、第１のワイヤ１０５ａと第２のワイヤ１０５ｂとの高さの差が、第１のワイヤ１０５ａと第２のワイヤ１０５ｂとの交差部分において第１のワイヤ１０５ａと第２のワイヤ１０５ｂとが離間しつつ、ピッチ（アノード端子とカソード端子との間隔および線路間の間隔）の１．５倍以下であるとよい。さらに好ましくは、第１のワイヤ１０５ａと第２のワイヤ１０５ｂとの高さの差が、ピッチの同程度以下であるとよい。
【００２３】
本実施形態は、全てのアノード端子１０１ａとカソード端子１０１ｂとの間のピッチ、および全てのアノード線路１０４ａとカソード線路１０４ｂとの間のピッチは同一である構成であるが、ピッチが異なる構成であってもよい。その場合には、同一のチャネルに係るアノード端子１０１ａとカソード端子１０１ｂとの間のピッチ（チャネル内ピッチという）を、該チャネルに係るアノード端子１０１ａ（あるいはカソード端子１０１ｂ）と該チャネルに隣接するチャネルに係るカソード端子１０１ｂ（あるいはアノード端子１０１ａ）との間のピッチ（チャネル間ピッチという）以下に設定することが好ましい。
ピッチが異なる構成においては、第１のワイヤ１０５ａと第２のワイヤ１０５ｂとの高さの差が、第１のワイヤ１０５ａと第２のワイヤ１０５ｂとの交差部分において第１のワイヤ１０５ａと第２のワイヤ１０５ｂとが離間しつつ、チャネル間ピッチの１．５倍以下であるとよい。さらに好ましくは、第１のワイヤ１０５ａと第２のワイヤ１０５ｂとの高さの差が、チャネル間ピッチの同程度以下であるとよい。
【００２４】
（実施例）
シミュレーションにより、本発明によるクロストークの低減効果の確認を行った。シミュレーションには、ＡＷＲ  Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ｏｆｆｉｃｅを用いた。
【００２５】
実施例１は、第１の実施形態の構成である。シミュレーションの条件は以下のように設定した。実施例１では、第１のワイヤ１０５ａと第２のワイヤ１０５ｂとの高さの差がピッチより小さく設定されている。
平面長さ：０．３７１６ｍｍ
高さ（第１のワイヤ）：０．１７５ｍｍ
高さ（第２のワイヤ）：０．１ｍｍ
ピッチ：０．１２５ｍｍ
【００２６】
実施例２は、実施例１に対して第１のワイヤの高さのみが異なる構成である。シミュレーションの条件は以下のように設定した。実施例２では、第１のワイヤ１０５ａと第２のワイヤ１０５ｂとの高さの差がピッチに等しく設定されている。
平面長さ：０．３７１６ｍｍ
高さ（第１のワイヤ）：０．２２５ｍｍ
高さ（第２のワイヤ）：０．１ｍｍ
ピッチ：０．１２５ｍｍ
【００２７】
実施例３は、実施例１に対して第１のワイヤの高さのみが異なる構成である。シミュレーションの条件は以下のように設定した。実施例３では、第１のワイヤ１０５ａと第２のワイヤ１０５ｂとの高さの差がピッチの約１．５倍に設定されている。
平面長さ：０．３７１６ｍｍ
高さ（第１のワイヤ）：０．２７５ｍｍ
高さ（第２のワイヤ）：０．１ｍｍ
ピッチ：０．１２５ｍｍ
【００２８】
比較例は、第１のワイヤ１０５ａと第２のワイヤ１０５ｂとを交差させていない構成である（これをストレート配線という）。図２（ｂ）は、比較例に係る第１のワイヤ１０５ａおよび第２のワイヤ１０５ｂの立体配置を示す斜視図である。ワイヤの接続方式以外は、実施例の構成と同様である。シミュレーションの条件は以下のように設定した。
平面長さ：０．３５ｍｍ
高さ（第１のワイヤ）：０．１ｍｍ
高さ（第２のワイヤ）：０．１ｍｍ
ピッチ：０．１２５ｍｍ
【００２９】
平面長さとは基板に水平な方向のワイヤの長さであり、高さとは基板に垂直な方向のワイヤの長さである。ピッチとはアノード端子とカソード端子との間隔、およびそれに等しい線路間の間隔である。なお、線路１０４ａ、１０４ｂと端子１０１ａ、１０１ｂとの間の距離は実施例と比較例とで同一に設定しているが、実施例ではクロス配線になっている分、比較例より平面長さが長くなっている。
【００３０】
一般的に、クロストークを与える側のチャネルはアグレッサチャネルと呼ばれ、クロストークを受ける側のチャネルはモニタチャネルと呼ばれる。本シミュレーションにおいては、電圧が印加されている２つのアグレッサチャネル（図２（ａ）、（ｂ）のＡおよびＣ）に、電圧が印加されていない１つのモニタチャネル（図２（ａ）、（ｂ）のＢ）が挟まれて配置されているモデルを作成し、それぞれのチャネルの電圧をシミュレーションにより測定した。
【００３１】
図３（ａ）〜（ｃ）は、アグレッサチャネルにおいて測定された電圧のグラフを示す図である。図３（ａ）は実施例１の結果であり、図３（ｂ）は実施例２の結果であり、図３（ｃ）は比較例の結果である。図３（ａ）〜（ｃ）の横軸は時間であり、縦軸は電圧である。
図３（ａ）〜（ｃ）から、アグレッサチャネルの電圧は、実施例と比較例とでほぼ変化がないことがわかる。実施例および比較例のいずれのアグレッサチャネルにおいても、ピーク間電圧Ｖｐｐは約０．５８Ｖとなっている。したがって、クロス配線を採用しても、ストレート配線に比べて出力信号の劣化は発生しておらず、同等の信号伝送を行うことが可能であることが確認された。
【００３２】
図４（ａ）〜（ｃ）は、モニタチャネルにおいて測定された電圧のグラフを示す図である。図４（ａ）は実施例１の結果であり、図４（ｂ）は実施例２の結果であり、図４（ｂ）は比較例の結果である。図４（ａ）〜（ｃ）の横軸は時間であり、縦軸は電圧である。
モニタチャネルには電圧が印加されていないため、モニタチャネルにおいて測定された電圧はアグレッサチャネルからのクロストーク量を表す。図４（ａ）〜（ｃ）から、実施例のクロストーク量は、比較例のクロストーク量より小さくなっていることがわかる。
具体的には、比較例のＶｐｐは約０．０１９Ｖ（−２９．６ｄＢ）であるのに対して、実施例１のＶｐｐは約０．００８０Ｖ（−３７．１ｄＢ）に、実施例２のＶｐｐは約０．００９７Ｖ（−３５．５ｄＢ）に低減された。また、図示していない実施例３のＶｐｐは約０．０１０Ｖ（−３５．２ｄＢ）に低減された。したがって、シミュレーションで用いたような微小な回路においてクロス配線を採用すると、ストレート配線に比べて顕著にクロストークを低減することが可能であることが確認された。
【００３３】
（第２の実施形態）
図５は、本実施形態に係る光モジュール２００の概略図である。第１の実施形態に係る光モジュール１００では、第１のワイヤ１０５ａと第２のワイヤ１０５ｂとの間に高さの差があるため、第１のワイヤ１０５ａの長さ（全長）と第２のワイヤ１０５ｂの長さ（全長）とが異なっている。それに対して、本実施形態に係る光モジュール２００は、第１のワイヤ１０５ａの長さと第２のワイヤ１０５ｂの長さとが同一である等長配線になるよう構成されている。等長配線にすることによって、クロストーク低減効果がさらに向上し、また配線間に信号の遅れが発生しないという追加の効果を得ることができる。
【００３４】
光モジュール２００は、第１の実施形態に係る光モジュール１００と共通の構成要素を備えており、構成要素の配置のみが異なっている。
光モジュール２００においては、アノード端子１０１ａとアノード線路１０４ａとを結ぶ第１のワイヤ１０５ａは、カソード端子１０１ｂとカソード線路１０４ｂとを結ぶ第２のワイヤ１０５ｂの上側に離間し、かつ横切って配置されている。このとき、上側に位置する第１のワイヤ１０５ａに接続されるアノード端子１０１ａとアノード線路１０４ａとの間の距離（すなわち、第１のワイヤ１０５ａの一方端と他方端との間の距離）が、下側に位置する第２のワイヤ１０５ｂに接続されるカソード端子１０１ｂとカソード線路１０４ｂとの間の距離（すなわち、第２のワイヤ１０５ｂの一方端と他方端との間の距離）よりも小さくなるように配置することによって、第１のワイヤ１０５ａおよび第２のワイヤ１０５ｂの高さの差を補償している。光モジュール２００では、第１のワイヤ１０５ａおよび第２のワイヤ１０５ｂの長さが同一になるように、端子１０１ａ、１０１ｂと線路１０４ａ、１０４ｂとの相対的な位置を、基板１０４の表面方向にずらして配置している。
【００３５】
また、第１のワイヤ１０５ａが第２のワイヤ１０５ｂの下側を通る場合には、下側に位置する第１のワイヤ１０５ａに接続されるアノード端子１０１ａとアノード線路１０４ａとの間の距離が、上側に位置する第２のワイヤ１０５ｂに接続されるカソード端子１０１ｂとカソード線路１０４ｂとの間の距離よりも大きくなるように配置すればよい。
【００３６】
（第３の実施形態）
図６は、本実施形態に係る光モジュール３００の概略図である。光モジュール３００は、第１の実施形態に係る光モジュールにおいて、制御デバイス１０３に関して光デバイス１０２とは反対側の入出力配線をさらにクロス配線にすることを特徴とする。このような構成により、クロストーク低減効果をさらに高めることができる。ここでは、第１の実施形態とは異なる部分、つまり制御デバイス１０３に関して光デバイス１０２とは反対側の部分のみ説明する。
【００３７】
光モジュール３００の制御デバイス１０３は、入力端子１０３ａおよび出力端子１０３ｂをさらに有する。入力端子１０３ａおよび出力端子１０３ｂは、少なくとも光素子１０１と同じ数が設けられている。互いに隣接する入力端子１０３ａおよび出力端子１０３ｂの１つの組において、１つの光素子１０１（つまり、１つのチャネル）に係る信号の入出力が行われる。
【００３８】
光モジュール３００の基板１０４は、制御デバイス１０３を挟んで光デバイス１０２の反対側に、導電性の複数の線路１０７ａ、１０７ｂを有する。入力端子１０３ａに接続される線路１０７ａを入力線路１０７ａといい、出力端子１０３ｂに接続される線路１０７ｂを出力線路１０７ｂという。入力線路１０７ａと出力線路１０７ｂとは互いに隣接して交互に設けられている。入力線路１０７ａおよび出力線路１０７ｂは、少なくとも光素子１０１と同じ数が設けられている。
本実施形態では、線路１０４ａ、１０４ｂと線路１０７ａ、１０７ｂとは同一の基板上に設けられているが、異なる基板上に設けられてもよい。
【００３９】
それぞれの入力端子１０３ａは、第３のワイヤ１０５ｃにより、別々の入力線路１０７ａに接続される。このように接続された入力端子１０３ａ、第３のワイヤ１０５ｃおよび入力線路１０７ａは、入力端子１０３ａへの信号が流れる信号経路として機能する。また、それぞれの出力端子１０３ｂは、第４のワイヤ１０５ｄにより、別々の出力線路１０７ｂに接続される。このように接続された出力端子１０３ｂ、第４のワイヤ１０５ｄおよび出力線路１０７ｂは、出力端子１０３ｂからの信号が流れる信号経路として機能する。
同一のチャネルに係る入力端子１０３ａおよび出力端子１０３ｂは、互いに隣接する２つの線路１０７ａ、１０７ｂに接続される。
【００４０】
端子と線路とを接続している状態において、第３のワイヤ１０５ｃと第４のワイヤ１０５ｄとは、互いに交差しており、かつ互いに接触しないように配置される。第３のワイヤ１０５ｃおよび第４のワイヤ１０５ｄの配置は、図２（ａ）に示される第１のワイヤ１０５ａおよび第２のワイヤ１０５ｂの立体配置と同様である。入力端子１０３ａと入力線路１０７ａとを結ぶ第３のワイヤ１０５ｃが、出力端子１０３ｂと出力線路１０７ｂとを結ぶ第４のワイヤ１０５ｄの上側に離間し、かつ横切って配置されている。この構成により、端子１０３ａ、１０３ｂと線路１０７ａ、１０７ｂとを結ぶ配線、つまり各チャネルの配線は、それぞれ交差した状態になっている。
【００４１】
本実施形態では第３のワイヤ１０５ｃが第４のワイヤ１０５ｄの上側を通っているが、第３のワイヤ１０５ｃと第４のワイヤ１０５ｄとが接触せずに交差していれば、第３のワイヤ１０５ｃが第４のワイヤ１０５ｄの下側を通ってもよい。
【００４２】
制御デバイス１０３と入力線路１０７ａおよび出力線路１０７ｂとの間の配線にクロス配線を採用することによって、同一チャネルの配線同士が近接するため、同一チャネル内の電磁界の結合が強化される。一方で、隣接する異なるチャネル間の結合は抑制される。その結果、異なるチャネル間のクロストークが大きく低減されると考えられる。
【００４３】
本実施形態では、光デバイスと制御デバイス間をクロス配線にすると同時に、光デバイスとは反対側における制御デバイスの入出力配線をクロス配線にしている。１つのチャネルに係る配線のいずれかの部分でクロス配線を採用すればクロストーク低減効果が得られるため、例えば、光デバイスと制御デバイス間をストレート配線にし、光デバイスとは反対側における制御デバイスの入出力配線のみをクロス配線にしても、クロストークを低減することができる。
【００４４】
本発明は、上述の実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
【００４５】
端子と線路とを結ぶ配線は、クロス配線を形成できる接続方法であれば、ワイヤに限られず、任意の導線を用いることができる。端子および線路の上にバンプを形成し、該バンプ間を導電体で結んでクロス配線を形成してもよい。交差部分の下側を通る配線をプリント基板上の配線パターンとし、交差部分の上側を通る配線をワイヤまたはバンプとすることによって、クロス配線を形成してもよい。
基板上の線路を介さずに、受光素子の端子と制御デバイスの端子とを直接配線で接続し、その配線をクロス配線にしてもよい。
【００４６】
光モジュールを発光モジュールとして機能させる場合には、受光素子の代わりに端面発光レーザ、面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）などの発光素子を用いればよい。その場合には、制御デバイスは、ワイヤおよび端子を介して、発光素子を発光させるための電圧を印加する。
本発明の本質は、光モジュールに用いる配線をクロス配線にすることにある。そのため、本発明に係る光モジュールには、アノード端子およびカソード端子を介した信号の授受により発光または受光の少なくとも一方を行う光素子であれば、任意のものを用いることができる。
【符号の説明】
【００４７】
１００、２００、３００  光モジュール
１０１  受光素子
１０１ａ、１０１ｂ  受光素子の端子
１０２  光デバイス
１０３  制御デバイス
１０３ａ、１０３ｂ  制御デバイスの端子
１０４  基板
１０４ａ、１０４ｂ、１０７ａ、１０７ｂ  線路
１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄ  ワイヤ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図４】
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