(57)【要約】【課題】製品の厚さを減少させ、生産にかかる時間、コストを節約するとともに大量のエッチングによって材料が浪費される問題を回避することで、製品の性能及び価値を向上させ、材料の浪費を減少させ、環境保護効果を兼ねる、前駆基板、フレキシブルプリント基板及びその製造方法を提供すること。【解決手段】基板に設けられた少なくとも１つの積層ユニットを含み、前記積層ユニットは、前記基板の表面に位置する触媒層と、前記触媒層に結合される第１の導電層と、前記第１の導電層上に位置する第２の導電層とを含む。前記触媒層はパラジウム層であり、前記第１の導電層はニッケル層であるのが好ましく、前記基板はポリイミド材質である。この触媒層により、第１の導電層の前記基板への固着に寄与し、フレキシブルプリント基板の材料源のコスト問題を解決することができるとともに、厚さを低減させ、電気回路間のクロストーク問題を改善することができる。【選択図】図２Ｈ
2014152397.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を用意する工程と、
前記基板の表面を触媒で触媒化することにより、前記基板の表面に触媒層を形成する工程と、
前記触媒層と化学的に結合する第１の導電層を形成することにより、前記第１の導電層を前記基板の表面に固着することで、前駆基板を形成する工程と、
前記第１の導電層に一層の耐めっきフォトレジストを設ける工程と、
プリント回路配置パターンに応じて前記耐めっきフォトレジストに対して露光及び現像を行うことで、前記耐めっきフォトレジストを部分的に除去するとともに前記第１の導電層を部分的に露出させ、残余の耐めっきフォトレジストを残す工程と、
金属層を前記第１の導電層における部分的に露出した領域に電気めっきする工程と、
前記残余の耐めっきフォトレジストを除去することで、前記残余の耐めっきフォトレジストの下の第１の導電層を露出させる工程と、
エッチング工程を行うことで、露出された前記第１の導電層及び露出された前記第１の導電層の下の触媒層を除去する工程と、
を少なくとも含むことを特徴とするフレキシブルプリント基板の製造方法。
【請求項２】
前記基板の表面を触媒で触媒化することにより前記基板の表面に触媒層を形成する工程において、前記基板の表面に対して粗化及び触媒化を行う工程を少なくとも含む導電化フローの工程をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルプリント基板の製造方法。
【請求項３】
前記基板の表面に対して粗化を行う工程は化学的粗化であり、
前記化学的粗化は、化学試薬で前記基板の表面に対して侵蝕又は分子内開環により粗化を行う工程を含むことを特徴とする請求項２に記載のフレキシブルプリント基板の製造方法。
【請求項４】
前記基板の表面に対して粗化を行う工程は物理的粗化であり、
前記物理的粗化は、前記基板の表面に対して機械的粗化を行う工程を含むことを特徴とする請求項２に記載のフレキシブルプリント基板の製造方法。
【請求項５】
前記基板の材質は、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレートポリエステル、ポリエチレンナフタレート、ポリテトラフルオロエチレン、液晶高分子、エポキシ樹脂及びアラミドからなる群から選ばれる少なくとも１つであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載のフレキシブルプリント基板の製造方法。
【請求項６】
前記触媒は、パラジウム触媒であることを特徴とする請求項５に記載のフレキシブルプリント基板の製造方法。
【請求項７】
前記触媒は、パラジウム触媒であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載のフレキシブルプリント基板の製造方法。
【請求項８】
基板に設けられた少なくとも１つの積層ユニットを含み、
前記積層ユニットは、
前記基板の表面に位置する触媒層と、
前記触媒層に結合される第１の導電層と、
前記第１の導電層上に位置する第２の導電層と、
を含むことを特徴とするフレキシブルプリント基板。
【請求項９】
前記基板の材質は、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレートポリエステル、ポリエチレンナフタレート、ポリテトラフルオロエチレン、液晶高分子、エポキシ樹脂及びアラミドからなる群から選ばれる少なくとも１つであることを特徴とする請求項８に記載のフレキシブルプリント基板。
【請求項１０】
前記第１の導電層は、厚さが５０ｎｍ〜２００ｎｍであり、銅、ニッケル、クロム、コバルト、ニッケル合金、コバルト合金のうちのいずれかから選択される無電解めっき層であることを特徴とする請求項８に記載のフレキシブルプリント基板。
【請求項１１】
前記基板の表面は、上表面と下表面とを含み、
前記基板には前記上表面及び前記下表面に連通される導通孔が縦向きに開設されており、
前記積層ユニットはそれぞれ前記上表面及び前記下表面に設けられ、かつ前記導通孔の開口上に位置し、
前記積層ユニットの触媒層及び第１の導電層は、さらに前記導通孔の孔壁に沿って塗布延在し、
前記第２の導電層はさらに前記導通孔へ延在することにより、前記上表面の積層ユニット及び下表面の積層ユニットを互いに電気的に接続することを特徴とする請求項８に記載のフレキシブルプリント基板。
【請求項１２】
前記触媒層は、パラジウム触媒を含むことを特徴とする請求項８ないし１１のいずれか１項に記載のフレキシブルプリント基板。
【請求項１３】
触媒化された表面を有し、前記触媒化された表面に触媒層が含まれる基板と、
前記触媒層に結合されることで前記前駆基板の表面に被覆される第１の導電層と、
を含むことを特徴とする前駆基板。
【請求項１４】
前記基板の材質は、ポリイミドであることを特徴とする請求項１３に記載の前駆基板。
【請求項１５】
前記触媒層は、パラジウム触媒を含むことを特徴とする請求項１３に記載の前駆基板。
【請求項１６】
前記第１の導電層は、厚さが５０ｎｍ〜２００ｎｍであり、銅、ニッケル、クロム、コバルト、ニッケル合金、コバルト合金のうちのいずれかから選択される無電解めっき層であることを特徴とする請求項１３に記載の前駆基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、前駆基板、フレキシブルプリント基板及びその製造方法に関し、特に基板に対して無電解メッキを行うことにより前駆材料とする前駆基板、フレキシブルプリント基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、フレキシブルプリント基板は、前駆基板の半製品を加工製造することにより得られたものである。この前駆基板には、後続の加工、製造を容易に行うことができるように、１層の金属導電層を予め被覆する必要がある。一般に、これらの基板の材質表面に金属を付着させることはもともと困難である。このため、従来より、金属溶射法（metal spraying）、スパッタリング法、ＣＶＤ（化学気相成長）法、蒸着法、及びドライメッキ法等という処理方法が知られている。しかしながら、これらの方法は、いずれもその前駆基板の半製品の厚さが厚く、又はメッキし難く、メッキ時間がかかりすぎるという問題が生じる。厚さが厚すぎると、現在の製品微小化の趨勢に鑑みて不利となる。メッキし難く、メッキの所要時間がかかりすぎると、スループットの向上が制限され、コストが嵩むという問題が生じることになる。
【０００３】
上述の従来の方法では、解決できない難点があるほか、その製造された前駆基板の半製品は、技術資源及び材料源がいずれも上流の供給メーカによってコントロールされているため、この半製品を基礎とする製造工程及び最終製品は、生産製造時に与えられたコストを受動的に受け容れるしかなく、材料源を自主的に決めることができず、これにより、製品性能を向上するという前提下でコスト制御管理の問題を根本的に解決することはできなくなる。さらに、上述の従来の製造工程には、回路配置を形成するために、エッチング手段を過剰に使用する必要があり、エッチングに起因するほとんどの材料が浪費され、地球環境に優しくないという問題も生じる。また、この方法による回路配置は、その選択性が良好ではない。
【０００４】
従って、本発明者は、上記の問題点を改善するために、鋭意検討を行った結果、合理的な設計で且つ上記の問題点を有効に改善する本発明を完成するに至った。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、製品の厚さを減少させ、生産にかかる時間及びコストを節約するとともに大量のエッチングによる材料の浪費という問題を回避することで、製品の性能及び価値を向上し、材料の浪費を減少させ、環境保護を兼ねた、前駆基板、フレキシブルプリント基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述の目的を達成するために、本発明は、基板を用意する工程と、前記基板の表面を触媒で触媒化することにより、前記基板の表面に触媒層を形成する工程と、前記触媒層と化学的に結合する第１の導電層を形成することにより、前記第１の導電層を前記基板の表面に固着することで前駆基板を形成する工程と、前記第１の導電層に一層の耐めっきフォトレジストを設ける工程と、プリント回路配置パターンに応じて前記耐めっきフォトレジストに対して露光及び現像を行うことで、前記耐めっきフォトレジストを部分的に除去するとともに前記第１の導電層を部分的に露出させ、残余の耐めっきフォトレジストを残す工程と、金属層を前記第１の導電層における部分的に露出した領域に電気めっきする工程と、前記残余の耐めっきフォトレジストを除去することで、前記残余の耐めっきフォトレジストの下の第１の導電層を露出させる工程と、エッチング工程を行うことで、露出された前記第１の導電層、及び露出された前記第１の導電層の下の触媒層を除去する工程と、を含むことを特徴とするフレキシブルプリント基板の製造方法を提供する。
【０００７】
また、上述の目的を達成するために、本発明は、基板に設けられた少なくとも１つの積層ユニットを含み、前記積層ユニットは、前記基板の表面に位置する触媒層と、前記触媒層の上に結合される第１の導電層と、前記第１の導電層上に位置する第２の導電層と、を含むことを特徴とするフレキシブルプリント基板をさらに提供する。
【０００８】
また、上述の目的を達成するために、本発明は、触媒化された表面を有し、前記触媒化された表面に触媒層が含まれる基板と、前記触媒層の上に結合されることで前記表面に被覆される第１の導電層と、を含むことを特徴とする前駆基板をさらに提供する。
【発明の効果】
【０００９】
上述のように、本発明は、基板に形成された触媒層を第１の導電層と基板との間の貼り付け媒体とする（特殊な無電解メッキの製造工程に相当する）ことにより、第１の導電層と基板との間に極めて良好な接合効果を提供する。しかも、従来の技術と比較すると、この方法は、第１の導電層の所要の厚さ及びメッキの所要時間を効果的に減少することができ、厚さの低減、コスト削減の要求、材料源自主決定のメリットを達成することができる。また、第２の導電層は、回路形成の際に直接電気めっきされるため、選択性を有するほか、エッチング技術を過剰に使用する必要もなく、材料の浪費を減少させ、環境保護効果を兼ねることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１Ａ】本発明に係る第１の実施形態の工程フロー図を示す。
【図１Ｂ】本発明に係る第１の実施形態の基板導電化フローにおいて運用された化学メカニズムを模式的に説明した図である。
【図１Ｃ】本発明に係る第１の実施形態における導電化フローの工程フロー図を示す。
【図２Ａ】本発明に係る第１の実施形態の工程フロー図を参照した断面構造の変化模式図である。
【図２Ｂ】本発明に係る第１の実施形態の工程フロー図を参照した断面構造の変化模式図である。
【図２Ｃ】本発明に係る第１の実施形態の工程フロー図を参照した断面構造の変化模式図である。
【図２Ｄ】本発明に係る第１の実施形態の工程フロー図を参照した断面構造の変化模式図である。
【図２Ｅ】本発明に係る第１の実施形態の工程フロー図を参照した断面構造の変化模式図である。
【図２Ｆ】本発明に係る第１の実施形態の工程フロー図を参照した断面構造の変化模式図である。
【図２Ｇ】本発明に係る第１の実施形態の工程フロー図を参照した断面構造の変化模式図である。
【図２Ｈ】本発明に係る第１の実施形態の工程フロー図を参照した断面構造の変化模式図である。
【図３】本発明に係る第２の実施形態の工程フロー図を示す。
【図４Ａ】本発明に係る第２の実施形態の工程フロー図を参照した断面構造の変化模式図である。
【図４Ｂ】本発明に係る第２の実施形態の工程フロー図を参照した断面構造の変化模式図である。
【図４Ｃ】本発明に係る第２の実施形態の工程フロー図を参照した断面構造の変化模式図である。
【図４Ｄ】本発明に係る第２の実施形態の工程フロー図を参照した断面構造の変化模式図である。
【図４Ｅ】本発明に係る第２の実施形態の工程フロー図を参照した断面構造の変化模式図である。
【図４Ｆ】本発明に係る第２の実施形態の工程フロー図を参照した断面構造の変化模式図である。
【図４Ｇ】本発明に係る第２の実施形態の工程フロー図を参照した断面構造の変化模式図である。
【図４Ｈ】本発明に係る第２の実施形態の工程フロー図を参照した断面構造の変化模式図である。
【図４Ｉ】本発明に係る第２の実施形態の工程フロー図を参照した断面構造の変化模式図である。
【図４Ｊ】本発明に係る第２の実施形態の工程フロー図を参照した断面構造の変化模式図である。
【図４Ｋ】本発明に係る第２の実施形態の工程フロー図を参照した断面構造の変化模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の技術及び技術的特徴がより容易に理解できるように、以下、本発明について実施の形態及び図面を参照しながら詳しく説明するが、添付図面はあくまでも参考と説明のためのものにすぎず、本発明は、これらに限定されるものではない。
【００１２】
［第１の実施形態］
図１Ａは、本発明に係る第１の実施形態の工程フロー図を示す。本発明は、フレキシブルプリント基板の製造方法を提供し、この方法は、以下の工程を含む。
【００１３】
さらに図２Ａの断面構造の変化模式図に示すように、表面１１を有する基板１０を用意する。基板１０の表面１１には、さらに上表面１１ａと下表面１１ｂとが含まれ、この基板１０は、原材料であり、その材質は、ポリイミド（Polyimide，ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレートポリエステル（Polyethylene Terephthalate Polyester，ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（Polyethylene Naphthalate，ＰＥＮ）、ポリテトラフルオロエチレン（Polytetrafluoroethylene，ＰＴＦＥ）、液晶高分子（Liquid Crystal Polymer，ＬＣＰ）、エポキシ樹脂（Epoxy）及びアラミド（Aramid）等の数種類の高分子重合物であってもよい。さらに図２Ｂに示すように、次に、必要に応じてレーザ加工により、基板１０に対して上表面１１ａ及び下表面１１ｂに連通する導通孔１２を穿設する。導通孔１２は、孔壁１２１を有する（ステップＳ１０１）。また、レーザードリル加工された基板１０に対してプラズマの洗浄を行うことにより、レーザ加工後に伴って基板１０に生じた屑を除去する。
【００１４】
さらに、図２Ｂ、図２Ｃに示すように、該基板１０の表面１１を触媒で触媒化することにより、基板１０の表面１１に触媒層２０を形成する。さらに詳しくは、触媒層２０は、基板１０の上表面１１ａ、下表面１１ｂ、及び孔壁１２１のそれぞれの表層に位置する（ステップＳ１０３）。言い換えれば、触媒層２０は、上表面１１ａ、下表面１１ｂ、及び孔壁１２１のそれぞれの表層に部分的に融合又は浸透することができる。触媒は、パラジウム触媒であるのが好ましい。次に、触媒層２０と化学的に結合するための第１の導電層３０を形成し、触媒層２０の補助により、第１の導電層３０を基板１０の上表面１１ａ、下表面１１ｂ及び孔壁１２１に固着することで、前駆基板（図示せず）の製造を完了する（ステップＳ１０５）。
【００１５】
好ましくは、第１の導電層３０は、厚さが５０ｎｍ〜２００ｎｍであり、銅、ニッケル、クロム、コバルト、ニッケル合金、コバルト合金のいずれか１つから選択される。また、第１の導電層３０は、基板１０への固着が無電解メッキにより達成するため、無電解メッキ層でもある。
【００１６】
さらに図２Ｄ、図２Ｆ及び図２Ｆに示すように、一層の耐めっきフォトレジスト４０を基板１０の上表面１１ａ及び下表面１１ｂ上の第１の導電層３０に設ける（ステップＳ１０７）。耐めっきフォトレジストは、何ら限定されないが、ポジ型耐めっきフォトレジスト（positive photoresist）又はネガ型耐めっきフォトレジスト（negative photoresist）であるのが好ましい。耐めっきフォトレジスト４０の設置は、接合又は塗布により行うことができる。プリント回路配置パターンに応じて耐めっきフォトレジスト４０に対して露光及び現像を行うことで、耐めっきフォトレジスト４０を部分的に除去し、第１の導電層３０を露出させ、残余の耐めっきフォトレジスト４０ａを残す（ステップＳ１０９）。金属層を第１の導電層３０が部分的に露出した領域に電気めっきする（ステップＳ１１１）。この金属層は、第２の導電層５０又はその近傍の第２の導電層５０'である。ここでは、第２の導電層５０のみを代表として説明し、また、説明の簡単化のために、第２の導電層５０の下の第１の導電層及び触媒層は、それぞれ符号３０ｂ及び２０ｂに変更した。残余の耐めっきフォトレジスト４０ａの下は、第１の導電層３０ａ及び触媒層２０ａであり、第２の導電層５０は、何ら限定されないが、銅であるのが好ましい。
【００１７】
さらに、図２Ｇ及び図２Ｈに示すように、残余の耐めっきフォトレジスト４０ａを除去することで残余の耐めっきフォトレジスト４０ａの下の第１の導電層３０ａ（ステップＳ１１３）を露出させ、エッチング工程を行うことで露出された第１の導電層３０ａ及びその下の触媒層２０ａを除去する（ステップＳ１１５）。また、説明の簡単化のために、図２Ｈにおいて、さらに図２Ｇにおける第２の導電層５０の下の触媒層２０ｂ及び第１の導電層３０ｂを触媒層２０及び第１の導電層３０に変更し戻した。本発明により基板１０に形成された触媒層２０及び第１の導電層３０は、いずれも従来技術よりも厚さが薄いため、ここでは同様にエッチング工程が含まれているにもかかわらず、本発明は、材料の浪費を効果的に減少するとともに環境保護効果を兼ねることができる。
【００１８】
この実施形態において、図２Ｃに示すように、何ら限定されないが、ポリイミド、パラジウム（Ｐｄ）触媒及びニッケル（Ｎｉ）をそれぞれ基板１０、触媒層２０及び第１の導電層３０の材料選択上の代表として説明すると、図１Ｂ及び図１Ｃに示すように、上述の「前記基板の表面を触媒で触媒化することにより前記基板の表面に触媒層２０を形成する」工程において、導電化フローの工程をさらに含む。その目的は、主に基板１０の表面１１のパラジウム触媒に対する捕獲能力を増加し、さらにパラジウム触媒とニッケルとの組み合わせにより前記第１の導電層３０を形成することである。従って、パラジウム触媒は、ニッケルがどのように基板１０に固着するかという点において、基盤の役割を果たしている。言い換えれば、第１の導電層３０のニッケル及び触媒層のパラジウムは、パラジウムニッケル合金となることができる。
【００１９】
図１Ｂ、図１Ｃ及び図２Ｃに示すように、基板１０の表面のパラジウム触媒に対する捕獲能力を増加するために、上述の導電化フローは、以下の工程を含む。基板１０の表面に対して脱脂工程（ステップＳ２０１）、酸塩基変性工程（ステップＳ２０３）、粗化工程（ステップＳ２０５）、触媒化工程（ステップＳ２０７）、及び触媒活性化工程（ステップＳ２０９）を行う。特に基板表面に対して粗化工程（ステップＳ２０５）を行う場合は、化学的粗化又は物理的粗化の工程をさらに含む。前記化学的粗化工程は、化学試薬により基板１０の表面に対して侵蝕又は分子内開環により粗化を行う工程を含み、前記物理的粗化工程は、基板１０の表面に機械的に粗化を行う工程を含み、いずれの工程も、基板１０の表面のパラジウム触媒に対する捕獲を促進することができる。分子内開環は、ミクロ的にみれば、基板１０の材料の分子構造に対して開環により分子構造上の不均一を生成することで、パラジウム触媒の基板１０に対する結合を促進する。言い換えれば、ポリイミド分子構造上に開環することを例にすると、ミクロ的にみれば、基板１０を粗化させる意味及び目的が存在している。これにより、基板１０の表面にパラジウム触媒イオンを捕獲できるメカニズムを生成させ、パラジウム触媒イオンが基板１０に容易に付着し、触媒層２０が形成される。
【００２０】
言い換えれば、化学的分子内開環の粗化は、図１Ｂの基板導電化フローにおいて運用された化学メカニズム説明模式図に示すように、その原理は、主にアルカリ性の試薬により基板１０の表面上のポリイミドのイミド官能基（Ｏ＝Ｃ−Ｎ−Ｃ＝０）のうちのいずれかのＣ−Ｎシングルボンドが断裂し、ポリイミドの開環となるのに加えて、パラジウム触媒の使用により、パラジウム触媒を媒体として、ニッケルとポリイミドとの密着性が増加するというものであり、これにより、この無電解メッキの動作が完了する。
【００２１】
図２Ａ、図２Ｂ及び図２Ｃを参照して、図１Ｃに示すように、分子内開環を好ましい粗化例として説明すると、上述導電化フローにおいて、下記の工程を行う。
【００２２】
前記脱脂工程は、摂氏４５度〜５５度で、ｐＨ値１０〜１１であるアミンアルコール系試薬（Ｈ２ＮＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、試薬番号ＥＳ−１００）により、基板１０の表面に対して１〜３分間の洗浄を行い、油脂を除去する。
【００２３】
前記表面酸塩基変性工程は、摂氏３５度〜４５度で、ｐＨ値７．５〜８．５である弱アルカリ、例えば炭酸ナトリウム（試薬番号ＥＳ−ＦＥ）により、基板１０の表面に対して１〜３分間の洗浄を行い、基板１０の表面の一般の酸塩基特性を回復させるとともに、残余のＥＳ−１００を除去する。しかしながら、前の各工程の反応条件に応じて、次にこの工程を省略することでより好ましい効果を達成することができる。
【００２４】
前記表面粗化工程は、化学的なものであり、摂氏４５度〜５５度で、ｐＨ値１１〜１２である無機強アルカリ、例えば、水酸化カリウム（ただし必ずしもこれに限定されない）（試薬番号ＥＳ−２００）により、基板１０に対してアルカリの変性を行い、作用時間は１〜３分間であり、ポリイミドのＯ＝Ｃ−Ｎ−Ｃ＝Ｏのうちのいずれか１つのＣ−Ｎシングルボンドを断裂させ、ポリイミドの開環となる。
【００２５】
上述触媒化工程は、触媒により基板１０の表面に吸着すことにより触媒層２０を形成する工程を含む。より詳しくは、この工程は、パラジウム触媒イオン及び開環されたポリイミドに生じたホルミルグループ（Ｏ＝Ｃ−Ｏ−）により化学的結合を生成する（硫酸パラジウムを含有した錯化合物（complex compound）のＨ２ＳＯ４?Ｐｄ４であるＥＳ−３００試薬を使用し、最終ｐＨ値が５．５〜６．５で、作用温度は摂氏４５度〜５５度で、作用時間は１〜４分間である）。
【００２６】
触媒活性化工程は、金属により触媒層２０に吸着することにより、基板１０の表面に前記第１の導電層３０を形成する。より詳しくは、この工程にはＥＳ−４００の試薬が使用される。ＥＳ−４００は、パラジウム触媒イオンを活性化するために、その主要成分がホウ素（ｐＨ値は６〜８であり、作用温度は摂氏３０度〜４０度であり、作用時間は１〜３分間である）であり、金属（ニッケル）の付着が可能である状態にさせる。次に、さらにＥＳ−５００試薬を使用する。このＥＳ−５００は、主成分がＮｉＳＯ４?６Ｈ２Ｏ及ＮａＨ２ＰＯ２である（ｐＨ値８〜９で、作用温度は摂氏３５度〜４５度であり、作用時間は３〜５分間である）。この場合、ニッケルは、パラジウム触媒を中間媒体としたため、基板１０の表面に付着することが容易となり、容易に脱落することはない。形成されたニッケル層（第１の導電層）は、厚さが上述のように５０〜２００ｎｍ（Nanometer）であり、上述ＥＳ−５００成分の作用により、析出された無電解メッキはリン含有率が低い（２〜３％）特色を有するため、第１の導電層３０の応力が低く、析出速度が約１００ｎｍ／５分間であり、従来の方法より析出速度が速く、長時間にわたる生産に伴う時間、費用のコスト負担が節約されることになる。
【００２７】
因みに、本発明の図面において、触媒層２０、第１の導電層３０、又は上表面１１ａ、下表面１１ｂ、孔壁１２１等は、説明の簡単化のために、いずれも層に分けて明確に示されている。実際には、基板１０の上表面１１ａ、下表面１１ｂ、及び孔壁１２１のそれぞれの表層において、第１の導電層３０、触媒層２０がそれらの表層に結合された接続関係上、互いに融合する融合層（図示せず）をさらに備えてもよい。このことは、本発明に係る製造方法により製造された前駆基板によれば、その表面の各材料層の間に、より緊密な接合効果が生じることが可能であることを意味する。
【００２８】
従って、図２Ｈに示すように、上述の製造方法によれば、本発明は、基板１０に設けられた少なくとも１つの積層ユニット（図示せず）を備え、前記積層ユニットが基板１０に設けられており、触媒層２０、第１の導電層３０、及び第２の導電層５０を含み、前記触媒層２０が基板１０の表面１１に位置し、この表面１１に上表面１１ａと下表面１１ｂとが含まれるフレキシブルプリント基板をさらに提供する。前記第１の導電層３０は、触媒層２０に結合される。前記第２の導電層５０は、第１の導電層３０の上に位置する。
【００２９】
好ましくは、上述製造方法と同様に、基板１０の材質は、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレートポリエステル、ポリエチレンナフタレート、ポリテトラフルオロエチレン、液晶高分子、エポキシ樹脂及びアラミドからなる群から選ばれる少なくとも１つである。前記第１の導電層３０は、厚さが５０〜２００ｎｍであり、銅、ニッケル、クロム、コバルト、ニッケル合金、コバルト合金のいずれか１つから選択される無電解メッキである。前記触媒層は、パラジウム触媒を含む。
【００３０】
また、図２Ｂ、図２Ｃ及び図２Ｈを同時に参照して示したように、前記基板１０には上表面１１ａ及び下表面１１ｂに連通される導通孔１２が縦向きに開設され、積層ユニットは、それぞれ上表面１１ａ及び下表面１１ｂに設けられ、かつ導通孔１２の開口上に位置し、積層ユニットの触媒層２０及び第１の導電層３０は、さらに導通孔１２の孔壁１２１にそって塗布延在し、第２の導電層５０も導通孔１２に向けて延在し、これにより、上表面１１ａの積層ユニット及び下表面１１ｂの積層ユニットを互いに電気的に接続する。図２Ｈの一方の側にある触媒層２０'、第１の導電層３０'、第２の導電層５０'からなる積層ユニットは、導通孔１２に延入しない態様である。
【００３１】
さらに、第２の導電層５０は、導通孔１２に向けて延在した場合、導通孔１２の孔壁１２１上の第１の導電層３０に沿って塗布することにより、上表面１１ａ及び下表面１１ｂの積層ユニットに電気的に接続することができる。若しくは、第２の導電層５０は、導通孔１２に向けて延在した場合、導通孔１２を直接充填することにより、上表面１１ａ及び下表面１１ｂの積層ユニットに電気的に接続することができる。上述の触媒層２０は、パラジウム触媒であるのが好ましい。ここでは、積層ユニットは、全体的には第１の電気回路ユニットＥ１として構成することができ、積層ユニットの間は、電気的に接続してもしなくてもよい。
【００３２】
［第２の実施形態］
他の実施形態において、図４Ａ、図４Ｂ及び図４Ｃに示す断面構造の変化模式図を同時に参照すると、図３の工程フロー図に示すように、本発明は、多層式のフレキシブルプリント基板の製造方法をさらに提供する。この製造方法は、以下の工程を含む。フレキシブルプリント基板Ｐを用意する。その表面１１は、上記第１の実施形態と同様に上表面１１ａ及び下表面１１ｂを有する。表面１１には、その表面１１に対して突出する電気回路ユニットＥ１、及びこの電気回路ユニットＥ１が設けられていない切り欠き部１１ｃ（ステップＳ３０１）が形成される。電気絶縁層をフレキシブルプリント基板Ｐの表面１１に塗布し、電気絶縁層を上記切り欠き部１１ｃに充填させることにより、横向き間隔層１０ａが形成され、電気絶縁層が電気回路ユニットＥ１の頂部に被覆され、電気回路ユニットＥ１よりも高い頂部の上方に縦向き間隔層１１ｄが別途形成される（ステップＳ３０３）ことで、電気絶縁層が少なくとも電気回路ユニットＥ１の両側に被覆される（ステップＳ３０５）。
【００３３】
好ましくは、上述電気絶縁層は、ポリイミドカバーレイ（polyimide coverlay）、ポリアミド酸（polyamic acid，  ＰＡＡ）、エチレンテレフタレート（ethylene Terephthalate）、ポリエチレン、液晶高分子、エポキシ樹脂、ポリフェニレン・サルファイド（polyphenylene sulfide）、及び感光性カバーフィルム（photosensitive cover film）からなる群から選ばれる少なくとも１つである。
【００３４】
ポリアミド酸を電気絶縁層の好ましい例として説明すると、上述のように、ポリアミド酸を塗布することにより横向き間隔層１０ａ及び縦向き間隔層１１ｄを形成した後、次に横向き間隔層１０ａ及び縦向き間隔層１１ｄをキュアリング（curing）することで、それに含まれたポリアミド酸をポリイミドに転化（環化）させる。このキュアリングの作用環境条件は、摂氏３００度で、窒素が充満した環境下で、さらに赤外線でポリアミド酸を照射することである。ポリアミド酸がポリイミドに転化された後、製造の必要に応じて縦向き間隔層１１ｄに対して孔壁１２１ａを有する導通孔１２ａを縦向きに穿設することで、導通孔１２ａが電気回路ユニットＥ１に連通される。
【００３５】
次に、図４Ｄ、図４Ｅ、図４Ｆに示す断面構造の変化模式図を同時に参照すると、本製造方法は、さらに以下の工程を含む。
【００３６】
縦向き間隔層１１ｄの表面を触媒で触媒化することにより、縦向き間隔層１１ｄの表面に触媒層２０ｃを形成する。触媒層２０ｃと化学的に結合するための第１の導電層３０ｃを形成することにより、第１の導電層３０ｃの縦向き間隔層１１ｄの表面への固着に寄与する。
【００３７】
一層の耐めっきフォトレジスト４０ｃを第１の導電層３０ｃ上の表面に設ける。
【００３８】
プリント回路配置パターンに応じて耐めっきフォトレジスト４０ｃに対して露光及び現像を行うことで、耐めっきフォトレジスト４０ｃを部分的に除去し、第１の導電層３０ｃを部分的に露出させ、残余の耐めっきフォトレジスト４０ｄを残す。
【００３９】
次に、図４Ｇ、図４Ｈ、図４Ｉ及び図４Ｊに示すように、金属層を第１の導電層における部分的に露出した領域の上方（即ち第１の導電層３０ｅ）に電気めっきすることで第２の電気回路ユニットＥ２を形成する。ここで、さらに第２の電気回路ユニットＥ２を上記導通孔（図示せず）に延在させることで上記第１の電気回路ユニット（横向き間隔層１０ａに位置する。図示せず）に電気的に接続させることができる。前記残余の耐めっきフォトレジスト４０ｄを除去することで残余の耐めっきフォトレジスト４０ｄの下の第１の導電層３０ｄを露出させる。第１の導電層３０ｄの下は、触媒層２０ｄである。エッチング工程を行うことで露出された第１の導電層３０ｄ及びその下の触媒層２０ｄを除去する。このように、縦向き間隔層１１ｄ上に、触媒層２０ｅ、第１の導電層３０ｅと第２の導電層５０ｅとからなる積層ユニット（図示せず）を形成することができる。また、一方の側にある触媒層２０ｅ'と、第１の導電層３０ｅ'と、第２の導電層５０ｅ'とからなる他の積層ユニットもまた同様である。２つの積層ユニットは、同一層の縦向き間隔層１１ｄに位置するため、同じ第２の電気回路ユニットＥ２に属する。しかしながら、２つの積層ユニットの間は、互いに独立した回路であってもよい。積層ユニットにおける第２の導電層５０ｅは、独立した回路であるが、他の積層ユニットにおける第２の導電層５０ｅ'、第１の導電層３０ｅ'、及び触媒層２０ｅ'は、第１の実施形態に述べたように、導通孔（図示せず）により縦向き間隔層１１ｄを通すことで、さらに電気回路ユニットＥ１の第２の導電層５０ｂ'に電気的に接続することができる。これにより、電気回路の配置は自由度がより高くなっている。
【００４０】
また、図４Ｊに示すように、第２の電気回路ユニットＥ２は、さらに横向き間隔層１０ａ'及び縦向き間隔層１１ｄ'によって被覆される。横向き間隔層１０ａ'及び縦向き間隔層１１ｄ'も、ポリアミド酸がキュアリングによってポリイミドに転化されてなるものである。従って、図４Ａを図４Ｊと比較すれば分かるように、ポリアミド酸のキュアリングにより、フレキシブルプリント基板Ｐの上表面１１ａ又は下表面１１ｂに多重の電気回路ユニットを続けて増加することができる。
【００４１】
当然ながら、図４Ａに示すフレキシブルプリント基板Ｐに積層ユニットを形成することで電気回路ユニットを形成した場合は、上記第１の実施形態と同様に導電化フローを含んでもよい。その完全な工程は、第１の実施形態で述べたように、電気回路ユニットＥ１、第２の電気回路ユニットＥ２又はその他いずれの電気回路ユニットの積層ユニットにも触媒層（図示せず）が含まれるように、特に縦向き間隔層１１ｄの表面に対して表面粗化及び触媒化の工程を行うため、ここでは詳しい説明を省略する。
【００４２】
上述第２の実施形態は、第１の実施形態のさらなる延伸、応用に加えて、ポリアミド酸からの積層がさらにポリイミドに転化される多層構造と見なすことができる。従って、図４Ｊ及び４Ｋに示すように、本発明は、多層式のフレキシブルプリント基板をさらに提供する。このプリント基板は、多層式の電気回路配置であり、図４Ｊに示す縦向き間隔層１１ｄに設けられた少なくとも１つの電気回路ユニット（図示せず）を備え、前記電気回路ユニットは、図４Ｊに示すように、縦向き間隔層１１ｄ、触媒層２０ｅ（又は触媒層２０ｅ'）、第１の導電層３０ｅ（又は第１の導電層３０ｅ'）、及び第２の導電層５０ｅ（又は第２の導電層５０ｅ'）を含む。触媒層２０ｅは、縦向き間隔層１１ｄの表面に形成され、第１の導電層３０ｅは、触媒層２０ｅの上に形成され、第２の導電層５０ｅは、第１の導電層３０ｅの上に形成される。第１の導電層３０ｅ及び第２の導電層５０ｅは、ともに縦向き間隔層１１ｄに上述第２の電気回路ユニットＥ２が構成される。
【００４３】
図４Ｊにおいて、一方の側にある第２の導電層５０ｅ'、第１の導電層３０ｅ'、及び触媒層２０ｅ'は、ともに第２の電気回路ユニットＥ２に属するが、互いに電気的に接続しなくてもよい。しかしながら、回路設計の自由度のために、第２の導電層５０ｅ'を例にすると、さらに縦向き間隔層１１ｄに跨って一部の電気回路ユニットＥ１と電気的に接続することができる。上述のいずれの電気回路ユニットは、図面における電気回路ユニットＥ１及び第２の電気回路ユニットＥ２を例にすると、それぞれがポリアミド酸からポリイミドに転化されてなる横向き間隔層（１０ａ、１０ａ'）及び縦向き間隔層（１１ｄ、１１ｄ'）によって囲まれるため、少なくともこのフレキシブルプリント基板における電気回路の左右両側は、ともに被覆されることによってポリイミドに直接接触される。このようにして、同様に第３の電気回路ユニットＥ３を続けて構築することができることはいうまでもない。
【００４４】
従って、図４Ｋから、図示の１０層の多層式フレキシブルプリント基板Ｐには電気回路ユニットＥ１の２層の回路が含まれていることが分かる。上述の方法によれば、上又は下へ複数層の回路を積層することができる。この実施形態においては、多層式フレキシブルプリント基板Ｐの２層をそれぞれ上下に４層ずつ積層することで（２＋４＋４の）１０層の回路層を形成することを例にするが、第１の実施形態の図２Ｈに示すように、この実施形態において縦向き間隔層の概念が派生したため、その基板１０は、広義的に縦向き間隔層でもあり、第２の実施形態の図４Ａ、図４Ｂに示す基板１０と同様に縦向き間隔層と見なすことができる。
【００４５】
しかしながら、図示において触媒層（２０ｅ、２０ｅ'）が含まれているが、これは好ましい図示例にすぎず、触媒層は、必ずしも必要ではない。また、電気絶縁層は、何ら限定されず、必ずしもポリアミド酸からポリイミドに転化されてなるものである必要はない。しかしながら、電気絶縁層にポリアミド酸を使用すると、電気回路ユニット（又は積層ユニット）が従来のものであって触媒層を含まない場合には、本実施形態は、依然としてポリアミド酸を一般の従来のフレキシブルプリント基板に直接形成することにより一般の電気回路ユニットに被覆し、次にポリイミドにキュアリングすることで多層式フレキシブルプリント基板の製造過程を簡単化することができるため、製造が容易となる。また、ポリイミド及び上述その他の電気絶縁層材料の被覆により、多層式フレキシブルプリント基板における電気回路間のクロストーク（cross-talk）の各種の問題を効果的に減少することができるため、伝送品質がより良好となる。
【００４６】
［第３の実施形態］
再び図２Ａ、図２Ｂ及び２Ｃを参照すると、本発明は、プリント基板の半製品として、その後のプリント基板製品の加工製造に用いられる前駆基板（図示せず）をさらに提供する。この前駆基板は、少なくとも基板１０及び第１の導電層３０を含む。前記基板１０は、触媒化された表面１１を有し、前記触媒化された表面は、触媒層２０を有する。前記第１の導電層３０は、触媒層２０に結合され、これにより、第１の導電層３０は、表面１１に被覆される。
【００４７】
好ましくは、基板１０の材質は、ポリイミドであり、触媒層２０は、パラジウム触媒をさらに含み、第１の導電層３０は、厚さ５０ｎｍ〜２００ｎｍであり、銅、ニッケル、クロム、コバルト、ニッケル合金、コバルト合金のいずれか１つから選択される無電解メッキ層である。
【００４８】
好ましくは、上述表面１１は、少なくとも上表面１１ａ及び下表面１１ｂを有し、基板１０には上表面１１ａ及び下表面１１ｂに連通される導通孔１２が開設されており、導通孔１２は、孔壁１２１を有する。広義的に言えば、基板１０の表面１１には上表面１１ａ、下表面１１ｂ、及び孔壁１２１が含まれており、いずれも触媒化することができるため、上述の触媒層２０が含まれている。従って、第１の導電層３０も、触媒層２０の分布により上表面１１ａ、下表面１１ｂ及び孔壁１２１を有する基板１０の表面１１に被覆されることができる。
【００４９】
上述のように、本発明は、厚さを低減させ、電気回路を選択的に形成し、電気回路間のクロストークの問題を改善し、材料を自主的に決定することができ、コストを削減し、材料の浪費を減少し、環境保護を兼ねる効果を達成することができる。
【００５０】
上述したものは、本発明の好ましい実施形態にすぎず、本発明の特許請求の範囲に基づいてなされた均等の変化及び修飾は、本発明の特許請求の範囲に入るものである。
【符号の説明】
【００５１】
１０  基板
１０ａ、１０ａ'  横向き間隔層
１１  表面
１１ａ  上表面
１１ｂ  下表面
１１ｃ  切り欠き部
１１ｄ、１１ｄ'  縦向き間隔層
１２、１２ａ  導通孔
１２１、１２１ａ  孔壁
２０、２０'、２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ、２０ｅ、２０ｅ'  触媒層
３０、４０'、３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、３０ｄ、３０ｅ、３０ｅ'第１の導電層
４０、４０ａ、４０ｃ、４０ｄ  耐めっきフォトレジスト
５０、５０'、５０ａ、５０ｅ、５０ｅ'第２の導電層
Ｅ１  第１の電気回路ユニット
Ｅ２  第２の電気回路ユニット
Ｅ３  第３の電気回路ユニット
Ｐ  フレキシブルプリント基板
【図１Ａ】
2014152397.tif 000003
【図１Ｂ】
2014152397.tif 000004
【図１Ｃ】
2014152397.tif 000005
【図２Ａ】
2014152397.tif 000006
【図２Ｂ】
2014152397.tif 000007
【図２Ｃ】
2014152397.tif 000008
【図２Ｄ】
2014152397.tif 000009
【図２Ｅ】
2014152397.tif 000010
【図２Ｆ】
2014152397.tif 000011
【図２Ｇ】
2014152397.tif 000012
【図２Ｈ】
2014152397.tif 000013
【図３】
2014152397.tif 000014
【図４Ａ】
2014152397.tif 000015
【図４Ｂ】
2014152397.tif 000016
【図４Ｃ】
2014152397.tif 000017
【図４Ｄ】
2014152397.tif 000018
【図４Ｅ】
2014152397.tif 000019
【図４Ｆ】
2014152397.tif 000020
【図４Ｇ】
2014152397.tif 000021
【図４Ｈ】
2014152397.tif 000022
【図４Ｉ】
2014152397.tif 000023
【図４Ｊ】
2014152397.tif 000024
【図４Ｋ】
2014152397.tif 000025