(57)【要約】【課題】体格の増大が抑制された光センサーを提供する。【解決手段】光電変換した電荷を蓄電する光電変換素子（１０）を有し、第１所定時間に光電変換された電荷量に応じた検出信号を出力する光センサー。光電変換された電荷を蓄電するための蓄電ユニット（２０）と、該蓄電ユニットを制御する制御部（３０）と、を有し、蓄電ユニットは、電荷を蓄電する電子素子（２１）とスイッチ（２２）を有し、電子素子とスイッチは、光電変換素子とグランドとの間で直列接続されており、制御部は、ＯＮ状態にするスイッチと、ＯＮ状態にしたスイッチと直列に接続された電子素子と光電変換素子により決定される静電容量との関係が記録された不揮発性メモリ（３１）、及び、不揮発性メモリに記録されたＯＮ状態にするスイッチと静電容量との関係に基づいて、ＯＮ信号を出力する信号生成部（３２）を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光した光を光電変換し、光電変換した電荷を蓄電する光電変換素子（１０）を有し、第１所定時間に光電変換された電荷量に応じた検出信号を出力する光センサーであって、
前記光電変換素子にて変換された電荷を蓄電するための蓄電ユニット（２０）と、該蓄電ユニットを制御する制御部（３０）と、を有し、
前記蓄電ユニットは、電荷を蓄電する電子素子（２１）とスイッチ（２２）を有し、
前記電子素子とスイッチは、前記光電変換素子のグランド側の端子とグランドとの間で直列接続されており、
前記制御部は、ＯＮ状態にする前記スイッチと、ＯＮ状態にした前記スイッチと直列に接続された前記電子素子と前記光電変換素子により決定される静電容量との関係が記録された不揮発性メモリ（３１）、及び、該不揮発性メモリに記録されたＯＮ状態にする前記スイッチと前記静電容量との関係に基づいて、前記スイッチに、前記スイッチをＯＮ状態にするＯＮ信号を出力する信号生成部（３２）を有することを特徴とする光センサー。
【請求項２】
前記蓄電ユニットを複数有し、
複数の前記蓄電ユニットは、前記光電変換素子とグランドとの間で並列接続されていることを特徴とする請求項１に記載の光センサー。
【請求項３】
前記光電変換素子、及び、前記電子素子それぞれに蓄電された電荷を放出するためのリセットスイッチ（４０）を有しており、
該リセットスイッチは、前記光電変換素子と前記蓄電ユニットとの接続点（６０）と、グランドとの間に接続されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光センサー。
【請求項４】
前記リセットスイッチは、隣接するパルス間隔が前記第１所定時間以上である第２所定時間であり、パルス幅が第３所定時間である制御信号によって、前記第３所定時間の間ＯＮ状態とされており、
前記信号生成部は、前記リセットスイッチがＯＦＦ状態の間、前記不揮発性メモリに記録されたＯＮ状態にする前記スイッチと前記静電容量との関係に基づいて、前記ＯＮ信号を出力し、
前記リセットスイッチがＯＮ状態の間、少なくとも、前記不揮発性メモリに記憶されたＯＮ状態にするスイッチに前記ＯＮ信号を出力することを特徴とする請求項３に記載の光センサー。
【請求項５】
前記信号生成部は、前記制御信号を出力することを特徴とする請求項４に記載の光センサー。
【請求項６】
前記電子素子はトランジスタであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の光センサー。
【請求項７】
前記電子素子はコンデンサーであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の光センサー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電変換した電荷を蓄電する光電変換素子を有する光センサーに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば特許文献１に示されるように、光量に応じた光電流を発生する受光素子と、光電流に比例した複数の信号を生成する前処理回路と、生成された信号を制御内容に適応可能な信号形態に変換し出力する複数の処理回路と、を具えた光センサーが提案されている。この光センサーでは、複数の処理回路それぞれにおいて、制御内容に適応可能な検出信号を出力する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０―３０９６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記したように、特許文献１に記載の光センサーでは、１つの受光素子の出力信号を様々に処理することで、制御内容に適応可能な複数の検出信号を出力する。これとは異なり、１つの受光素子（光電変換素子）の出力信号を様々に増幅することで、検出感度の異なる複数の検出信号を出力する光センサーも考えられる。その構成としては、例えば、光電変換素子と、光電変換素子の出力信号を増幅するユニットと、該ユニットを制御する制御部と、を有する光センサーが考えられる。このユニットは、アンプとスイッチを有し、このスイッチが、制御部にてＯＮ・ＯＦＦ制御されることで、検出感度の異なる複数の検出信号の内の１つが出力される。これにより、検出感度が可変とされる。ところで、アンプは、複数の電子素子から成る。そのため、光センサーの体格が増大することが懸念される。
【０００５】
そこで、本発明は上記問題点に鑑み、体格の増大が抑制された光センサーを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記した目的を達成するために、本発明は、受光した光を光電変換し、光電変換した電荷を蓄電する光電変換素子（１０）を有し、第１所定時間に光電変換された電荷量に応じた検出信号を出力する光センサーであって、光電変換素子にて変換された電荷を蓄電するための蓄電ユニット（２０）と、蓄電ユニットを制御する制御部（３０）と、を有し、蓄電ユニットは、電荷を蓄電する電子素子（２１）とスイッチ（２２）を有し、電子素子とスイッチは、光電変換素子のグランド側の端子とグランドとの間で直列接続されており、制御部は、ＯＮ状態にするスイッチと、ＯＮ状態にしたスイッチと直列に接続された電子素子と光電変換素子により決定される静電容量との関係が記録された不揮発性メモリ（３１）、及び、不揮発性メモリに記録されたＯＮ状態にするスイッチと静電容量との関係に基づいて、スイッチに、スイッチをＯＮ状態にするＯＮ信号を出力する信号生成部（３２）を有することを特徴とする。
【０００７】
ＯＮ状態にしたスイッチ（２２）と直列に接続された電子素子（２１）（以下、選択素子（２１ａ）と示す）と光電変換素子（１０）により決定される静電容量が大きいほど、光センサー（１００）から出力される検出信号の電圧（以下、検出電圧と示す）の変化速度は遅くなる。そのため、検出感度が鈍感になる。これとは逆に、静電容量が小さいほど、検出電圧の変化速度は速くなる。そのため、検出感度が敏感になる。
【０００８】
これに対して本発明では、制御部（３０）にてスイッチ（２２）をＯＮ・ＯＦＦ制御して、選択素子（２１ａ）を決定することで、静電容量が決定される。そのため、検出電圧の変化速度を可変とし、検出感度を可変とすることができる。
【０００９】
上記したように、本発明では、検出感度を可変とするのに、電子素子（２１）を用いている。これによれば、検出感度を可変とするために、複数の電子素子から成るアンプを用いた構成と比べて、光センサー（１００）の体格の増大が抑制される。
【００１０】
なお、制御部（３０）は、ＯＮ状態にするスイッチ（２２）と静電容量との関係（以下、単にデータと示す）が記録された不揮発性メモリ（３１）、及び、不揮発性メモリ（３１）に記録されたデータに基づいて、ＯＮ信号を出力する信号生成部（３２）を有する。したがって、ユーザーの用途に応じて、不揮発性メモリ（３１）のデータを決定することで、選択素子（２１ａ）を決定し、検出感度を可変とすることができる。
【００１１】
蓄電ユニットを複数有し、複数の蓄電ユニットは、光電変換素子とグランドとの間で並列接続された構成が好適である。これによれば、蓄電ユニット（２０）が単数の構成と比べて、選択素子（２１ａ）と光電変換素子（１０）により決定される静電容量を多様に可変とすることができる。そのため、検出電圧の変化速度を多様に可変とし、検出感度を多様に可変とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施形態に係る光センサーの回路図である。
【図２】図１に示す光センサーの動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図３】図１に示す光センサーの動作を説明するための回路図である。
【図４】図１に示す光センサーの動作を説明するための回路図である。
【図５】光センサーの変形例を示す回路図である。
【図６】光センサーの変形例を示す回路図である。
【図７】光センサーの変形例を示す回路図である。
【図８】光センサーの変形例を示す回路図である。
【図９】光センサーの変形例を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
（第１実施形態）
図１〜図４に基づいて、本実施形態に係る光センサーを説明する。光センサー１００は、図１に示すように、光電変換素子１０と、蓄電ユニット２０と、制御部３０と、を有する。本実施形態に係る光センサー１００は、上記要素１０〜３０に加え、リセットスイッチ４０、及び、アンプ５０を有する。光センサー１００の特徴点は、蓄電ユニット２０、及び、制御部３０である。
【００１４】
図１に示すように、電源とグランドとを電気的に接続する第１配線７１に、光電変換素子１０とリセットスイッチ４０とが、電源からグランドに向かって順に直列接続されている。そして、第１配線７１における光電変換素子１０とリセットスイッチ４０の間にある接続点６０が、第２配線７２を介してアンプ５０と電気的に接続されている。また、第２配線７２とグランドとを接続する第３配線７３に、蓄電ユニット２０が接続されており、この蓄電ユニット２０は、制御部３０により駆動制御される。蓄電ユニット２０が駆動制御されると、光電変換素子１０にて光電変換された電荷を蓄電する容量が可変とされ、アンプ５０によって増幅された検出信号が可変とされる。この結果、光センサー１００の検出感度が可変とされる。以下、光センサー１００について詳説する。
【００１５】
光電変換素子１０は、受光した光を光電変換し、光電変換した電荷を蓄電するものである。本実施形態では、光電変換素子１０として、フォトダイオードを採用している。光電変換される電荷（以下、単に電荷と示す）の量は、光電変換素子１０が受光する光の強さに比例し、その少なくとも一部は、光電変換素子１０へ蓄電される。本実施形態では、電荷の一部が光電変換素子１０に蓄電され、残りの電荷は、後述する蓄電ユニット２０に蓄電される。
【００１６】
光電変換素子１０は、第１配線７１上において、カソード側の端子（以下、カソード端子１０ａと示す）が電源に接続され、アノード側の端子（以下、アノード端子１０ｂと示す）が接続点６０とリセットスイッチ４０を介してグランドに接続されている。これにより、リセットスイッチ４０がＯＦＦ状態になると、光電変換素子１０に電荷が蓄電され、アノード端子１０ｂ側の電圧、すなわち、接続点６０の電圧が変動し、アンプ５０に入力される検出信号の電圧（以下、検出電圧と示す）が変動する。上記したように、電荷の量は、光電変換素子１０が受光する光の強さに比例する。したがって、光電変換素子１０が受光した光の強さに応じた検出信号が、アンプ５０を介して外部に出力される。また、リセットスイッチ４０がＯＮ状態になると、光電変換素子１０が逆接続され、光電変換素子１０の両端電圧が一定となる。この結果、光電変換素子１０に蓄電された電荷がグランドに流れ、蓄電量がゼロになる。
【００１７】
蓄電ユニット２０は、電荷を蓄電するためのものである。蓄電ユニット２０は、電子素子２１、及び、スイッチ２２を有する。電子素子２１は、電荷を蓄電するものであり、本実施形態では、電子素子２１として、コンデンサーを採用している。また、スイッチ２２として、本実施形態では、自身の制御電極にＨｉ信号が入力された際にＯＮ状態、制御電極にＨｉ信号よりも電圧レベルの低いＬｏ信号が入力された際にＯＦＦ状態となる、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴを採用している。
【００１８】
上記したように、蓄電ユニット２０は、第２配線７２とグランドとを接続する第３配線７３に接続され、第２配線７２は、接続点６０にて第１配線７１に接続されている。この接続構成により、蓄電ユニット２０は、第１配線７１に設けられた光電変換素子１０と電気的に接続されている。
【００１９】
また、蓄電ユニット２０が有する電子素子２１とスイッチ２２は、第２配線７２とグランドの間で直列接続されている。本実施形態では、スイッチ２２と電子素子２１は第２配線７２からグランドに向かって順に直列接続されている。この接続構成により、スイッチ２２がＯＦＦ状態の場合、電子素子２１と第２配線７２との電気的な接続が断たれ、スイッチ２２がＯＮ状態の場合、電子素子２１と第２配線７２との電気的な接続が成される。したがって、スイッチ２２がＯＮ状態の場合、電子素子２１と光電変換素子１０が接続され、電荷の一部が、電子素子２１に蓄電される。逆に、スイッチ２２がＯＦＦ状態の場合、電子素子２１と光電変換素子１０との接続が断たれ、電荷が電子素子２１に蓄電されない。
【００２０】
なお、図１に示すように、本実施形態に係る光センサー１００は、第３配線７３を２つ有しており、各第３配線７３それぞれに、蓄電ユニット２０が設けられている。これにより、２つの蓄電ユニット２０が、第２配線７２とグランドとの間で並列接続されている。ちなみに、２つの蓄電ユニット２０それぞれが有する電子素子２１の静電容量は、同一となっている。
【００２１】
制御部３０はスイッチ２２を制御するためのものである。制御部３０は、不揮発性メモリ３１、及び、信号生成部３２を有している。不揮発性メモリ３１は、ＯＮ状態にするスイッチ２２と、ＯＮ状態にしたスイッチ２２と直列接続された電子素子２１と光電変換素子１０により決定される静電容量との関係（以下、単にデータと示す）が記録されたものである。本実施形態では、不揮発性メモリ３１としてＲＯＭを採用している。信号生成部３２は、不揮発性メモリ３１に記録されたデータに基づいて、データに記憶されたスイッチ２２に信号を出力するものである。本実施形態では、信号生成部３２としてＣＰＵを採用している。
【００２２】
上記したように、２つの蓄電ユニット２０が第３配線７３に設けられている。本実施形態では、２つの蓄電ユニット２０の内の一方が有するスイッチ２２が、データに記憶されたスイッチ２２に相当する。以下においては、このデータに記憶されたスイッチ２２を、選択スイッチ２２ａと示し、選択スイッチ２２ａと直列接続された電子素子２１を、選択素子２１ａと示す。また、２つの蓄電ユニット２０の内の他方が有するスイッチ２２を、非選択スイッチ２２ｂと示し、非選択スイッチ２２ｂと直列接続された電子素子２１を、非選択素子２１ｂと示す。
【００２３】
信号生成部３２は、選択スイッチ２２ａの制御電極に選択信号を出力し、非選択スイッチ２２ｂの制御電極に非選択信号を出力するものである。図２に示すように、選択信号は、Ｈｉ信号から成り、非選択信号は、Ｈｉ信号とＬｏ信号から成るパルス信号である。これら２つの信号に含まれるＨｉ信号がスイッチ２２ａ，２２ｂそれぞれに入力されると、スイッチ２２ａ，２２ｂそれぞれがＯＮ状態とされる。そして、Ｌｏ信号が入力されると、非選択スイッチ２２ｂがＯＦＦ状態とされる。なお、選択信号に含まれるＨｉ信号が、特許請求の範囲に記載のＯＮ信号に相当する。
【００２４】
本実施形態に係る信号生成部３２は、リセットスイッチ４０に制御信号を出力する。この制御信号は、図２に示すように、Ｈｉ信号とＬｏ信号から成るパルス信号である。そのパルス周期はＴ、パルス幅はτとなっており、パルス間隔（隣接するパルスの間隔）は、Ｔ−τ（以下、ｓと示す）と成っている。図２に示すように、選択信号は、Ｈｉ信号のみから成り、非選択信号と制御信号とは、同一の信号と成っている。ちなみに、パルス間隔ｓが、特許請求の範囲に記載の第２所定時間に相当し、パルス幅τが、特許請求の範囲に記載の第３所定時間に相当する。
【００２５】
リセットスイッチ４０は、光電変換素子１０と、電子素子２１それぞれに蓄電された電荷をグランドへ放出するためのものである。本実施形態では、リセットスイッチ４０として、自身の制御電極にＨｉ信号が入力された際にＯＮ状態、制御電極にＬｏ信号が入力された際にＯＦＦ状態となる、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴを採用している。
【００２６】
図１に示すように、リセットスイッチ４０は、第１配線７１上において、接続点６０とグランドとの間に設けられている。また、リセットスイッチ４０は、接続点６０に接続された第２配線７２を介して蓄電ユニット２０と電気的に接続されている。
【００２７】
リセットスイッチ４０は、信号生成部３２から制御信号に含まれるＨｉ信号が入力されるとＯＮ状態となり、接続点６０とグランドがリセットスイッチ４０を介して電気的に接続される。すると、アノード端子１０ｂと、電子素子２１の第２配線７２側の端子がグランドへ接続され、光電変換素子１０と電子素子２１それぞれに蓄電された電荷が放電される。これとは逆に、リセットスイッチ４０は、信号生成部３２から制御信号に含まれるＬｏ信号が入力されると、ＯＦＦ状態となり、接続点６０とグランドとの接続がリセットスイッチ４０により断たれる。このため、アノード端子１０ｂと電子素子２１の第２配線７２側の端子はグランドへの接続が断たれ、光電変換素子１０と電子素子２１それぞれで電荷が蓄電される。
【００２８】
アンプ５０は、光電変換された電荷に依存する検出電圧を増幅するものである。図１に示すように、アンプ５０は、非反転入力端子、反転入力端子、及び、出力端子を有しており、非反転入力端子に第２配線７２が接続され、反転入力端子が抵抗５１を介して出力端子と接続されている。ちなみに、アンプ５０により増幅される検出電圧の増幅率は、抵抗５１の抵抗値により決定される。
【００２９】
次に、本実施形態における光センサー１００の挙動を図２〜図４に基づいて説明する。上記したように、選択信号はＨｉ信号から成り、非選択信号、及び、制御信号それぞれは同一のパルス信号と成っている。また、スイッチ２０とリセットスイッチ４０として、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴを採用している。したがって、スイッチ２０，４０それぞれは、Ｈｉ信号であるパルスが入力されている間（パルス幅τ）ＯＮ状態となり、パルスが入力されていない間（パルス間隔ｓ）ＯＦＦ状態となる。
【００３０】
図２に示すように、パルス間隔ｓの間、非選択信号と制御信号それぞれがＬｏ信号となっており、選択信号は、Ｈｉ信号となっている。そのため、スイッチ２２ｂ，４０それぞれがＯＦＦ状態となり、選択スイッチ２２ａがＯＮ状態となる。この結果、光電変換素子１０が選択素子２１ａに接続され、図３に破線で示すように、光電変換素子１０にて光電変換された電荷の一部が、選択素子２１ａに蓄電される。この結果、図２の実線で示すように、検出信号の検出電圧が上昇する。
【００３１】
また、図２に示すように、パルス幅τの間、非選択信号と制御信号それぞれがＨｉ信号となっており、選択信号は、Ｈｉ信号となっている。そのため、スイッチ２２ｂ，４０それぞれがＯＮ状態となり、選択スイッチ２２ａがＯＮ状態となる。この結果、光電変換素子１０のアノード端子１０ｂと、電子素子２１ａ，２１ｂそれぞれの第２配線７２側の端子がグランドへ接続され、図４の破線で示すように、光電変換素子１０と電子素子２１ａ，２１ｂそれぞれに蓄電された電荷が放電される。この結果、図２の実線で示すように、検出信号の検出電圧が下降する。
【００３２】
ちなみに、光センサー１００は、図２に示すように、非選択信号及び制御信号に含まれるパルスの立下りエッジから、パルス間隔ｓよりも短い時間であるサンプリング時間ｔｓ後において、アンプ５０を介して外部出力された検出信号を検出する。このサンプリングタイミングは、パルス周期Ｔと同一の周期を有する。サンプリング時間ｔｓは、特許請求の範囲に記載の第１所定時間に相当する。
【００３３】
ここで、サンプリング時間ｔｓでは、電荷が、光電変換素子１０、及び、選択素子２１ａそれぞれに蓄電されるため、選択素子２１ａと光電変換素子１０により、電荷の蓄電容量である静電容量が決定される。この静電容量が大きいほど、検出電圧の変化速度は遅くなり、サンプリング時間ｔｓにて検出される検出電圧が小さくなる。つまり、検出感度が鈍感になる。これとは逆に、静電容量が小さいほど、検出電圧の変化速度は早くなり、サンプリング時間ｔｓにて検出される検出電圧が大きくなる。つまり、検出感度が敏感になる。
【００３４】
上記したように、静電容量は、選択素子２１ａと光電変換素子１０により、決定される。そのため、選択素子２１ａの数が変わると、検出電圧の変化速度は変化し、サンプリング時間ｔｓにて検出される検出電圧が変化する。つまり、検出感度が変化する。
【００３５】
本実施形態では、２つの蓄電ユニット２０の内の一方の蓄電ユニット２０が有する電子素子２１が、選択素子２１ａとなっている。この場合における検出信号の検出電圧は、図２の実線にて示される。これに対して、２つの蓄電ユニット２０それぞれが有する電子素子２１が、選択素子２１ａの場合における検出電圧は、図２の破線にて示される。これによれば、破線で示される検出電圧は、実線で示される検出電圧よりも、変化速度が遅く、サンプリング時間ｔｓにおける検出電圧の値が小さくなっている。また、２つの蓄電ユニット２０それぞれが有する電子素子２１が、非選択素子２１ｂの場合における検出電圧は、図２の一点鎖線にて示される。これによれば、一点鎖線で示される検出電圧は、実線で示される検出電圧よりも、変化速度が速く、サンプリング時間ｔｓにおける検出電圧の値が大きくなっている。以上、具体的に示したように、選択素子２１ａの数が変わると、検出感度が変化する。
【００３６】
次に、本実施形態に係る光センサー１００の作用効果を説明する。上記したように、検出感度を可変とするのに、電子素子２１を用いている。そのため、検出感度を可変とするために、複数の電子素子から成るアンプを用いた構成と比べて、光センサー１００の体格の増大が抑制される。
【００３７】
なお、制御部３０は、選択スイッチ２２ａと静電容量との関係（データ）が記録された不揮発性メモリ３１、及び、不揮発性メモリ３１に記録されたデータに基づいて、選択信号を出力する信号生成部３２を有する。したがって、ユーザーの用途に応じて、不揮発性メモリ３１のデータを決定することで、選択素子２１ａを決定し、検出感度を可変とすることができる。
【００３８】
光センサー１００は、第３配線７３を２つ有しており、各第３配線７３それぞれに、蓄電ユニット２０が設けられている。これによれば、蓄電ユニット２０が単数の構成と比べて、選択素子２１ａと光電変換素子１０により決定される静電容量を多様に可変とすることができる。そのため、検出電圧の変化速度を多様に可変とし、検出感度を多様に可変とすることができる。
【００３９】
リセットスイッチ４０は、配線７１，７２の交点である接続点６０とグランドとの間に接続されている。そして、電子素子２１とスイッチ２２は、第２配線７２とグランドの間で直列接続されている。これによれば、スイッチ４０，２２それぞれがＯＮ状態となった際に、光電変換素子１０と電子素子２１それぞれに蓄電された電荷がグランドへ流れ、それぞれの蓄電量が０の初期状態にすることができる。
【００４０】
リセットスイッチ４０は、パルス間隔ｓにてＯＦＦ状態、パルス幅τにてＯＮ状態とされており、選択スイッチ２２ａは常時ＯＮ状態とされている。これによれば、各パルス間隔ｓにおける検出電圧の変化速度を一様とすることができる。したがって、各サンプリング時間ｔｓにて、光電変換素子１０及び選択素子２１ａそれぞれに蓄電される電荷量が一定となり、各サンプリング時間ｔｓにおける検出感度を一定とすることができる。
【００４１】
信号生成部３２は、制御信号を出力している。これにより、制御信号、選択信号、及び、非選択信号それぞれが信号生成部３２から出力される。そのため、各信号が異なる信号源から出力される構成と比べて、スイッチ４０，２２ａ，２２ｂそれぞれに入力されるタイミングがすれることが抑制される。したがって、蓄電量の過不足のために、検出感度が変化することが抑制される。
【００４２】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。
【００４３】
本実施形態では、光電変換素子１０に、フォトダイオードを採用している例を示した。しかしながら、光電変換素子１０としては、上記例に限定されず、例えば、図５に示すようにフォトトランジスタを採用することもできる。
【００４４】
本実施形態では、２つの蓄電ユニット２０の内の一方の蓄電ユニット２０が有する電子素子２１が、選択素子２１ａとなっている例を示した。しかしながら、全ての蓄電ユニット２０が有する電子素子２１が、非選択素子２１ｂである構成を採用することもできる。この場合、電荷は全て光電変換素子１０へ蓄電される。更に言えば、全ての蓄電ユニット２０が有する電子素子２１が、選択素子２１ａである構成を採用することもできる。
【００４５】
本実施形態では、電子素子２１として、コンデンサーを採用している例を示した。しかしながら、電子素子２１としては、上記例に限定されず、例えば、図６に示すように、トランジスタを採用することもできる。この場合、電荷は、トランジスタの寄生容量に蓄電される。
【００４６】
本実施形態では、スイッチ２２，４０として、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴを採用している例を示した。しかしながら、スイッチ２２，４０としては、上記例に限定されず、例えば、Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴを採用することもできる。この場合、スイッチ２２，４０それぞれは、Ｌｏ信号が入力されるとＯＮ状態とされ、Ｈｉ信号が入力されるとＯＦＦ状態とされる。そのため、本実施形態で示した選択信号、非選択信号、及び、制御信号それぞれの信号レベルは、反転される。
【００４７】
本実施形態では、スイッチ２２と電子素子２１は第２配線７２からグランドに向かって順に直列接続された構成の例を示した。しかしながら、図７に示すように、電子素子２１とスイッチ２２が第２配線７２からグランドに向かって順に直列接続されている構成を採用することもできる。
【００４８】
本実施形態では、蓄電ユニット２０の数が２つである例を示した。しかしながら、図８に示すように、蓄電ユニット２０の数が１つである構成、及び、図９に示すように、蓄電ユニット２０の数が３つ以上である構成を採用することもできる。
【００４９】
本実施形態では、不揮発性メモリ３１として、ＲＯＭを採用している例を示した。しかしながら、不揮発性メモリ３１としては、上記例に限定されず、例えば、ハードディスクを採用することもできる。
【００５０】
本実施形態では、２つの蓄電ユニット２０それぞれが有する電子素子２１の静電容量が同一である例を示した。しかしながら、複数の蓄電ユニットのそれぞれが有する電子素子２１の静電容量が異なる構成を採用することもできる。
【００５１】
本実施形態では、非選択信号が、Ｈｉ信号とＬｏ信号から成るパルス信号である例を示した。しかしながら、非選択信号がＬｏ信号のみから成る信号の構成を採用することもできる。
【００５２】
本実施形態では、信号生成部３２が、リセットスイッチ４０に制御信号を出力する構成の例を示した。しかしながら、信号生成部３２とは異なる外部装置が、リセットスイッチ４０に制御信号を出力する構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【００５３】
１０・・・光電変換素子
２０・・・蓄電ユニット
２１・・・電子素子
２２・・・スイッチ
３０・・・制御部
３１・・・不揮発性メモリ
３２・・・信号生成部
１００・・・光センサー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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