(57)【要約】【課題】アノードの終端部に電流が集中するのが抑制される半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置１では、半導体基板２の一方の主表面の側に、ダイオードのアノード３が形成されている。そのアノード３の外周と距離を隔てられて、アノード３を取り囲むように、ガードリング４が形成されている。アノード３は、ｐ+型拡散領域３ａ、ｐ-型領域１１ａおよびアノード電極８を備えている。ｐ-型領域１１ａは、アノード３の外周側に位置する終端部に形成されている。ｐ-型領域１１ａは、相対的に電気抵抗の高い領域として、ｐ+型拡散領域３ａによって挟まれるように形成されている。【選択図】図１
2014075384.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する第１主表面および第２主表面を有する第１導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の前記第１主表面側に形成されたアノードと、
前記アノードの外周から距離を隔てられ、前記アノードを取り囲むように、前記半導体基板の前記第１主表面側に形成されたガードリングと、
前記半導体基板の前記第２主表面側に形成された第１導電型のカソードと
を有し、
前記アノードは、前記外周側に位置する終端部において、相対的に不純物濃度の高い領域と相対的に不純物濃度の低い領域とを備えた、半導体装置。
【請求項２】
前記アノードにおける前記終端部では、
前記相対的に不純物濃度の高い領域および前記相対的に不純物濃度の低い領域の一方の領域として、前記半導体基板の前記第１主表面から第１の深さにわたり、第１不純物濃度を有する第２導電型の第１不純物領域が形成され、
前記相対的に不純物濃度の高い領域および前記相対的に不純物濃度の低い領域の他方の領域として、前記半導体基板の前記第１主表面から第２の深さにわたり、前記第１不純物濃度とは異なる第２不純物濃度を有する第２導電型の第２不純物領域が形成された、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の深さと前記第２の深さは同じ深さであり、
前記第２不純物領域は、前記第１不純物領域によって挟まれるように形成された、請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２不純物領域は、複数形成され、
複数の前記第２不純物領域は、前記アノードと前記ガードリングとを結ぶ方向に互いに距離を隔てて配置され、
複数の前記第２不純物領域のそれぞれは、前記第１不純物領域によって挟まれるように形成された、請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２の深さは前記第１の深さよりも浅く、
前記第２不純物領域は、前記第１不純物領域によって下方と側方とから取り囲まれるように形成された、請求項２記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２不純物領域は、複数形成され、
複数の前記第２不純物領域は、前記アノードと前記ガードリングとを結ぶ方向に互いに距離を隔てられ、
複数の前記第２不純物領域のそれぞれは、前記第１不純物領域によって下方と側方とから取り囲まれるように形成された、請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２の深さは前記第１の深さよりも深く、
前記第２不純物領域は、前記第１不純物領域よりも下方へ突出するように形成された、請求項２記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第２不純物領域は複数形成され、
複数の前記第２不純物領域は、前記アノードと前記ガードリングとを結ぶ方向に互いに距離を隔てて配置され、
複数の前記第２不純物領域のそれぞれは、前記第１不純物領域よりも下方へ突出するように形成された、請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第２不純物濃度は前記第１不純物濃度よりも低い、請求項２〜８のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第２不純物濃度は前記第１不純物濃度よりも高い、請求項２〜８のいずれかに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置に関し、特に、ダイオードを備えた電力用の高耐圧の半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、産業用電力装置などの分野でインバータ装置が使用されている。インバータ装置には、通常、商用電源（交流電源）が使用される。そのため、インバータ装置は、交流電源を一度直流に変換（順変換）するコンバータ部分と、平滑回路部分と、直流電圧を交流に変換（逆変換）するインバータ部分とから構成される。インバータ部分におけるメインのパワー素子としては、比較的高速でスイッチング動作が可能なゲート絶縁型トランジスタ（Insulated Gate Bipolar Transistor、以下「ＩＧＢＴ」と記す。）が主に適用されている。
【０００３】
インバータ装置の負荷は電動誘導機（誘導性負荷のモータ）の場合が多い。その誘導性負荷は上アーム素子と下アーム素子の中間電位点に接続されて、誘導性負荷に流す電流の方向は正と負の両方向とされる。そのため、誘導性負荷に流れる電流を負荷接続端から高電位の電源側へ戻したり、負荷接続端から接地側に流したりするために、その電流を誘導性負荷とアーム素子の閉回路間とで還流させるためのフリーホイールダイオードが必要とされる。
【０００４】
インバータ装置では、通常、ＩＧＢＴをスイッチング素子として動作させて、オフ状態とオン状態を繰り返すことで電力エネルギーが制御される。誘導性負荷によるインバータ回路のスイッチングでは、ターンオン過程を経てオン状態とされ、一方、ターンオフ過程を経てオフ状態とされる。ターンオン過程とはＩＧＢＴがオフ状態からオン状態へ遷移することをいい、ターンオフ過程とはＩＧＢＴがオン状態からオフ状態へ遷移することをいう。ＩＧＢＴがオンの状態ではダイオードには電流は流れず、ダイオードはオフ状態にある。一方、ＩＧＢＴがオフの状態ではダイオードに電流が流れ、ダイオードはオン状態にある。
【０００５】
次に、従来のダイオードの構造とその動作について説明する。従来のダイオードでは、ｎ型低濃度の半導体基板の一方の主表面側に、ｐ型拡散領域を含むアノードが形成されている。半導体基板の他方の主表面側には、ｎ+型高濃度領域を含むカソードが形成されている。カソードとアノードとの間に電圧が印加された状態でダイオードの耐圧を確保するために、ダイオードとしては、ガードリング（ｐ型領域）を備えたダイオードが一般的に広く用いられている。ガードリングは、アノード（ｐ型拡散領域）の外周から距離を隔ててアノードを取り囲むように形成されることで、アノードの外周側の終端部の電界が緩和されることになる。
【０００６】
アノードとカソードとの間に順方向に高電圧が印加されたオン状態では、半導体基板におけるｎ型の領域（ドリフト層）に、多数のキャリアが蓄積される。一方、アノードとカソードとの間に逆方向に高電圧が印加されたオフ時（リバースリカバリー時）では、ドリフト層に蓄積されたキャリアが排出されることによって逆回復電流（リカバリー電流）が流れる。このとき、ダイオードには大電流で高電圧が印加されるため、大きな電力消費を伴って発熱することになる。このことは、高速スイッチングを妨げる原因の一つとなる。
【０００７】
なお、ダイオードを備えた電力用の半導体装置を開示した文献として、たとえば、特許文献１，２，３，４がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特表２０１１−５１４６７４号公報
【特許文献２】特開２０００−１１４５５０号公報
【特許文献３】特開２００３−１０１０３９号公報
【特許文献４】特開平０７−２２１３２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、従来の半導体装置では次のような問題があった。ダイオードがオン状態では、キャリアは、アノード直下のドリフト層の領域だけではなく、ガードリング直下のドリフト層の領域にも拡散して蓄積されることになる。
【００１０】
一方、オン状態からオフ状態に変わる際には、ドリフト層に蓄積されたキャリアはアノードまたはカソードから排出されるなどして最終的に消滅する。このとき、アノードのｐ型拡散領域には、アノード直下のドリフト層の領域に蓄積されたキャリア（ホール）と、ガードリング直下のドリフト層の領域に蓄積されたキャリア（ホール）との双方のキャリアが流れ込む。特に、アノードの終端部では、ホールが集中的に流れ込むことになる。このため、アノードの終端部では、電界が集中して温度が上昇し、ダイオードが破壊されるおそれがあった。
【００１１】
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、アノードの終端部に電流が集中するのが抑制される半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る半導体装置は、半導体基板とアノードとガードリングとカソードとを有する。半導体基板は、互いに対向する第１主表面および第２主表面を有する。アノードは、半導体基板の第１主表面側に形成されている。ガードリングは、アノードの外周から距離を隔てられ、アノードを取り囲むように、半導体基板の第１主表面側に形成されている。カソードは、半導体基板の第２主表面側に形成されている。アノードは、外周側に位置する終端部において、相対的に不純物濃度の高い領域と相対的に不純物濃度の低い領域とを備えている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る半導体装置によれば、ダイオードにおけるアノードの終端部に電流が集中するのを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施の形態１に係る、ダイオードを備えた電力用の半導体装置の断面図である。
【図２】同実施の形態において、半導体装置のオン動作を説明するためのキャリアの流れを示す断面図である。
【図３】同実施の形態において、半導体装置のオフ動作を説明するためのキャリアの流れを示す断面図である。
【図４】比較例に係る、ダイオードを備えた電力用の半導体装置の断面図である。
【図５】比較例に係る、ダイオードを備えた電力用の半導体装置において、オフ動作を説明するためのキャリアの挙動を示す断面図である。
【図６】比較例に係る、ダイオードを備えた電力用の半導体装置において、オン状態からオフ状態に変わる際の電流、電圧および温度の経時変化を示すグラフである。
【図７】同実施の形態において、作用効果を説明するためのキャリアの流れを示す断面図である。
【図８】本発明の実施の形態２に係る、ダイオードを備えた電力用の半導体装置の断面図である。
【図９】同実施の形態において、作用効果を説明するためのオン状態からオフ状態に変わる際のキャリアの流れを示す断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態３に係る、ダイオードを備えた電力用の半導体装置の断面図である。
【図１１】同実施の形態において、作用効果を説明するためのオン状態からオフ状態に変わる際のキャリアの流れを示す断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態４に係る、ダイオードを備えた電力用の半導体装置の断面図である。
【図１３】同実施の形態において、作用効果を説明するためのオン状態からオフ状態に変わる際のキャリアの流れを示す断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態５に係る、ダイオードを備えた電力用の半導体装置の断面図である。
【図１５】同実施の形態において、作用効果を説明するためのオン状態からオフ状態に変わる際のキャリアの流れを示す断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態６に係る、ダイオードを備えた電力用の半導体装置の断面図である。
【図１７】同実施の形態において、作用効果を説明するためのオン状態からオフ状態に変わる際のキャリアの流れを示す断面図である。
【図１８】本発明の実施の形態７に係る、ダイオードを備えた電力用の半導体装置の断面図である。
【図１９】同実施の形態において、作用効果を説明するためのオン状態からオフ状態に変わる際のキャリアの流れを示す断面図である。
【図２０】本発明の実施の形態８に係る、ダイオードを備えた電力用の半導体装置の断面図である。
【図２１】同実施の形態において、作用効果を説明するためのオン状態からオフ状態に変わる際のキャリアの流れを示す断面図である。
【図２２】本発明の実施の形態９に係る、ダイオードを備えた電力用の半導体装置の断面図である。
【図２３】同実施の形態において、作用効果を説明するためのオン状態からオフ状態に変わる際のキャリアの流れを示す断面図である。
【図２４】本発明の実施の形態１０に係る、ダイオードを備えた電力用の半導体装置の断面図である。
【図２５】同実施の形態において、作用効果を説明するためのオン状態からオフ状態に変わる際のキャリアの流れを示す断面図である。
【図２６】本発明の実施の形態１１に係る、ダイオードを備えた電力用の半導体装置の断面図である。
【図２７】同実施の形態において、作用効果を説明するためのオン状態からオフ状態に変わる際のキャリアの流れを示す断面図である。
【図２８】本発明の実施の形態１２に係る、ダイオードを備えた電力用の半導体装置の断面図である。
【図２９】同実施の形態において、作用効果を説明するためのオン状態からオフ状態に変わる際のキャリアの流れを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
実施の形態１
本発明の実施の形態１に係る、ダイオードを備えた電力用の半導体装置について説明する。図１に示すように、半導体装置１では、ｎ-型の低濃度の半導体基板２の一方の主表面の側に、ダイオードのアノード３が形成されている。そのアノード３の外周と距離を隔てられて、アノード３を取り囲むように、ガードリング４が形成されている。アノード３は、ｐ+型拡散領域３ａ、ｐ-型領域１１ａおよびアノード電極８を備えている。ガードリング４は、ｐ+型領域４ａを備えている。一方、半導体基板２の他方の主表面の側には、カソード６が形成されている。カソード６は、ｎ+型高濃度領域６ａを備えている。
【００１６】
アノード３の構造について詳しく説明する。ｐ-型領域１１ａは、アノード３の外周側に位置する終端部に形成されている。ｐ-型領域１１ａは、相対的に電気抵抗の高い領域として、ｐ+型拡散領域３ａによって挟まれるように形成されている。ｐ+型拡散領域３ａおよびｐ-型領域１１ａは、一方の主表面からそれぞれ同じ深さにわたり形成されている。同じ深さとは、厳密に同じ深さを意図するものではなく、製造上の誤差を含むものである。また、ｐ-型領域１１ａの表面は絶縁膜７によって覆われている。
【００１７】
ｐ-型領域１１ａの不純物濃度は、ｐ+型拡散領域３ａの不純物濃度よりも低く設定されている。ｐ+型拡散領域３ａの不純物濃度は、たとえば、１×１０16／ｃｍ3〜１×１０18／ｃｍ3程度とされる。ｐ-型領域１１ａの不純物濃度は、たとえば、１×１０14／ｃｍ3〜１×１０16／ｃｍ3程度とされる。なお、ｎ-型の低濃度の半導体基板２の不純物濃度は、たとえば、１×１０13／ｃｍ3〜１×１０14／ｃｍ3程度とされる。また、ｎ+型高濃度領域６ａの不純物濃度は、たとえば、１×１０18／ｃｍ3〜１×１０20／ｃｍ3程度とされる。
【００１８】
次に、上述した半導体装置の動作について説明する。インバータ回路におけるダイオードでは、ＩＧＢＴのスイッチング動作に応じてオン状態とオフ状態とが交互に繰り返される。ＩＧＢＴがオンの状態ではダイオードはオフ状態にあり、ＩＧＢＴがオフの状態ではダイオードはオン状態にある。
【００１９】
ダイオードのアノード４とカソード６との間に順方向に高電圧が印加されたオン状態では、図２に示すように、半導体基板２のｎ-型の領域（ドリフト層）に、多数のキャリアが蓄積される。すなわち、ｐ+型拡散領域３ａから半導体基板２のドリフト層に向かってホールが注入されるとともに、ｎ+型高濃度領域６ａから半導体基板２のドリフト層に向かって電子が注入される。
【００２０】
次に、ダイオードのアノード３とカソード６との間に逆方向に高電圧が印加されると、ダイオードはオン状態からオフ状態に変わる。図３に示すように、オン状態からオフ状態に変わる際には、オン状態においてドリフト層に蓄積されたキャリアのうち、電子はカソード６から排出され、ホールはアノード４から排出される。また、一部の電子とホールは再結合して消滅し、注入されたキャリアが最終的に消滅してオフ状態になる。
【００２１】
上述した半導体装置１のアノード３における終端部では、相対的に不純物濃度の低いｐ-型領域１１ａが形成されている。これにより、アノード３の終端部における電界集中を緩和せることができる。このことについて、比較例に係る半導体装置を交えて説明する。
【００２２】
比較例に係る半導体装置では、アノードとして、ｐ+型拡散領域３の不純物濃度とは異なる不純物濃度を有するｐ-型領域１１ａが形成されていない点を除いて、上述した半導体装置と同様の構造を有している。
【００２３】
図４に示すように、半導体装置１０１では、半導体基板１０２の一方の主表面の側に、ダイオードのアノード１０３が形成されている。そのアノード１０３の外周と距離を隔てられて、アノード１０３を取り囲むように、ガードリング１０４が形成されている。アノード１０３は、ｐ+型拡散領域１０３ａを備えている。ガードリング１０４は、ｐ+型領域１０４ａを備えている。一方、半導体基板１０２の他方の主表面の側には、カソード１０６が形成されている。カソード１０６は、ｎ+型高濃度領域１０６ａを備えている。
【００２４】
次に、比較例に係る半導体装置の動作について説明する。まず、ダイオードのアノード１０３とカソード１０６との間に順方向に高電圧が印加されたオン状態では、ｐ+型拡散領域１０３ａから半導体基板１０２のｎ型の領域（ドリフト層）に向かってホールが注入されるとともに、ｎ+型高濃度領域１０６ａから半導体基板１０２のドリフト層に向かって電子が注入される。
【００２５】
次に、ダイオードのアノード１０３とカソード１０６との間に逆方向に高電圧が印加されて、ダイオードはオン状態からオフ状態に変わる。この際に、オン状態においてドリフト層に蓄積されたキャリアのうち、電子はカソード１０６から排出され、ホールはアノード１０３から排出されるなどして、注入されたキャリアが最終的に消滅する。
【００２６】
このとき、アノード１０３のｐ+型拡散領域１０３ａには、アノード１０３直下のドリフト層に蓄積されたキャリア（ホール）と、ガードリング１０４直下のドリフト層に蓄積されたキャリア（ホール）との双方のキャリアが流れ込む（逆回復電流）。そのため、特に、ガードリング１０４のｐ+型領域１０４ａ直近の、ｐ+型拡散領域１０３ａの終端部（点線枠１１５）では、電流が集中することになる。
【００２７】
ここで、ダイオードがオン状態からオフ状態に変わる際における、ダイオードに流れる電流、電圧およびダイオードの温度のそれぞれの時間変化を図６に示す。図６に示すように、ダイオードには、オン状態からオフ状態に変わる際に逆回復電流（リカバリー電流）が流れる（実線のグラフ参照）。このとき、ｐ+型拡散領域１０３ａの終端部（点線枠１１５）に集中的にキャリア（ホール）が流れ込むことになる。このため、アノードの終端部では電界が集中し、ダイオードの温度が上昇してしまう（一点鎖線のグラフ参照）。その結果、ダイオードが破壊されるおそれがある。
【００２８】
比較例に係る半導体装置に対して上述した半導体装置では、アノード３の終端部において、ｐ+型拡散領域３ａとｐ-型領域１１ａとが形成されている。ｐ-型領域１１ａの不純物濃度は、ｐ+型拡散領域３ａの不純物濃度よりも低く、ｐ-型領域１１ａは、ｐ+型拡散領域３ａよりも電気抵抗の高い領域として、ｐ+型拡散領域３ａによって挟まれるように形成されている。また、ｐ-型領域１１ａは、一方の主表面からｐ+型拡散領域３ａと同じ深さにわたり形成されている。
【００２９】
これにより、図７に示すように、ダイオードがオン状態からオフ状態に変わる際には、アノード３において電流が集中的に流れ込む箇所（点線枠１５ａ、１５ｂ）が、少なくとも２箇所に分散される。電流が集中的に流れ込む箇所が分散されることで、電界の集中も緩和される。その結果、ダイオードの温度上昇が抑制されて、ダイオードが破壊されるのを防止することができる。
【００３０】
実施の形態２
本発明の実施の形態２に係る、ダイオードを備えた電力用の半導体装置について説明する。
【００３１】
図８に示すように、アノード３は、ｐ+型拡散領域３ａとｐ++型領域１２ａとを備えている。ｐ++型領域１２ａは、相対的に電気抵抗の低い領域として、アノード３の終端部に形成されている。ｐ++型領域１２ａは、ガードリング４が配置されている側と、ガードリング４が配置されている側とは反対側とから、ｐ+型拡散領域３ａによって挟まれるように配置されている。
【００３２】
ｐ+型拡散領域３ａおよびｐ++型領域１２ａは、一方の主表面からそれぞれ同じ深さにわたり形成されている。同じ深さとは、厳密に同じ深さを意図するものではなく、製造上の誤差を含むものである。ｐ++型領域１２ａの不純物濃度は、ｐ+型拡散領域３ａの不純物濃度よりも高く設定されている。ｐ++型領域１２ａの不純物濃度は、たとえば、１×１０18／ｃｍ3〜１×１０20／ｃｍ3程度とされる。なお、これ以外の構成については、図１に示す半導体装置と同様なので、同一部材には同一符号を付しその説明を繰り返さないこととする。
【００３３】
次に、上述した半導体装置の動作について簡単に説明する。まず、ダイオードがオン状態では、ｐ+型拡散領域３ａから半導体基板２のｎ-型の領域（ドリフト層）に向かってホールが注入されるとともに、ｎ+型高濃度領域６ａから半導体基板２のドリフト層に向かって電子が注入される。一方、オン状態からオフ状態に変わる際には、オン状態においてドリフト層に蓄積されたキャリアのうち、電子はカソード６から排出され、ホールはアノード３から排出されて、オフ状態になる。
【００３４】
上述した半導体装置におけるアノード３の終端部では、ｐ+型拡散領域３ａとｐ++型領域１２ａとが形成されている。ｐ++型領域１２ａの不純物濃度は、ｐ+型拡散領域３ａの不純物濃度よりも高く、ｐ++型領域１２ａは、ｐ+型拡散領域３ａよりも電気抵抗の低い領域として、ｐ+型拡散領域３ａによって挟まれるように形成されている。また、ｐ++型領域１２ａとｐ+型拡散領域３ａは、一方の主表面からそれぞれ同じ深さにわたり形成されている。すなわち、ダイオードのアノード３の終端部では、電気抵抗の相対的に低い領域（ｐ++型領域１２ａ）と、高い領域（ｐ+型拡散領域３ａ）とが配置されていることになる。
【００３５】
これにより、図９に示すように、ダイオードがオン状態からオフ状態に変わる際には、アノード３において電流が集中的に流れ込む箇所（点線枠１５ａ、１５ｂ）が、少なくとも２箇所に分散される。電流が集中的に流れ込む箇所が分散されることで、電界の集中も緩和される。その結果、ダイオードの温度上昇が抑制されて、ダイオードが破壊されるのを防止することができる。
【００３６】
実施の形態３
本発明の実施の形態３に係る、ダイオードを備えた電力用の半導体装置について説明する。
【００３７】
図１０に示すように、アノード３は、ｐ+型拡散領域３ａとｐ-型領域１１ｂとを備えている。ｐ-型領域１１ｂは、相対的に電気抵抗の高い領域として、アノード３における終端部に形成されている。ｐ-型領域１１ｂは、ｐ+型拡散領域３ａによって側方と下方とから取り囲まれるように、一方の主表面からｐ+型拡散領域３ａよりも浅い領域にわたって形成されている。なお、これ以外の構成については、図１に示す半導体装置と同様なので、同一部材には同一符号を付しその説明を繰り返さないこととする。
【００３８】
次に、上述した半導体装置の動作について簡単に説明する。まず、ダイオードがオン状態では、ｐ+型拡散領域３ａから半導体基板２のｎ型の領域（ドリフト層）に向かってホールが注入されるとともに、ｎ+型高濃度領域６ａから半導体基板２のドリフト層に向かって電子が注入される。一方、オン状態からオフ状態に変わる際には、オン状態においてドリフト層に蓄積されたキャリアのうち、電子はカソード６から排出され、ホールはアノード３から排出されて、オフ状態になる。
【００３９】
上述した半導体装置におけるアノード３の終端部では、ｐ+型拡散領域３ａとｐ-型領域１１ｂとが形成されている。ｐ-型領域１１ｂの不純物濃度は、ｐ+型拡散領域３ａの不純物濃度よりも低く、ｐ-型領域１１ｂは、ｐ+型拡散領域３ａよりも電気抵抗の高い領域として、ｐ+型拡散領域３ａによって下方と側方とから取り囲まれるように、一方の主表面からｐ+型拡散領域３ａよりも浅い領域にわたって形成されている。すなわち、ダイオードのアノード３の終端部では、電気抵抗の相対的に低い領域（ｐ+型拡散領域３ａ）と、高い領域（ｐ-型領域１１ｂ）とが配置されていることになる。
【００４０】
これにより、図１１に示すように、ダイオードがオン状態からオフ状態に変わる際には、アノード３において電流が集中的に流れ込む箇所（点線枠１５ａ、１５ｂ）が少なくとも２箇所に分散される。電流が集中的に流れ込む箇所が分散されることで、電界の集中も緩和される。その結果、ダイオードの温度上昇が抑制されて、ダイオードが破壊されるのを防止することができる。
【００４１】
実施の形態４
本発明の実施の形態４に係る、ダイオードを備えた電力用の半導体装置について説明する。
【００４２】
図１２に示すように、アノード３は、ｐ+型拡散領域３ａとｐ++型領域１２ｂとを備えている。ｐ++型領域１２ｂは、相対的に電気抵抗の低い領域として、アノード３の終端部に形成されている。ｐ++型領域１２ｂは、ｐ+型拡散領域３ａによって側方と下方とから取り囲まれるように、一方の主表面からｐ+型拡散領域３ａよりも浅い領域にわたって形成されている。なお、これ以外の構成については、図１に示す半導体装置と同様なので、同一部材には同一符号を付しその説明を繰り返さないこととする。
【００４３】
次に、上述した半導体装置の動作について簡単に説明する。まず、ダイオードがオン状態では、ｐ+型拡散領域３ａから半導体基板２のｎ型の領域（ドリフト層）に向かってホールが注入されるとともに、ｎ+型高濃度領域６ａから半導体基板２のドリフト層に向かって電子が注入される。一方、オン状態からオフ状態に変わる際には、オン状態においてドリフト層に蓄積されたキャリアのうち、電子はカソード６から排出され、ホールはアノード３から排出されて、オフ状態になる。
【００４４】
上述した半導体装置におけるアノード３の終端部では、ｐ+型拡散領域３ａとｐ++型領域１２ｂとが形成されている。ｐ++型領域１２ｂの不純物濃度は、ｐ+型拡散領域３ａの不純物濃度よりも高く、ｐ++型領域１２ｂは、ｐ+型拡散領域３ａよりも電気抵抗の低い領域として、ｐ+型拡散領域３ａによって下方と側方とから取り囲まれるように、一方の主表面からｐ+型拡散領域３ａよりも浅い領域にわたって形成されている。すなわち、ダイオードのアノード３の終端部では、電気抵抗の相対的に低い領域（ｐ++型領域１２ｂ）と、高い領域（ｐ+型拡散領域３ａ）とが配置されていることになる。
【００４５】
これにより、図１３に示すように、ダイオードがオン状態からオフ状態に変わる際には、アノード３において電流が集中的に流れ込む箇所（点線枠１５ａ、１５ｂ）が、少なくとも２箇所に分散される。電流が集中的に流れ込む箇所が分散されることで、電界の集中も緩和される。その結果、ダイオードの温度上昇が抑制されて、ダイオードが破壊されるのを防止することができる。
【００４６】
実施の形態５
本発明の実施の形態５に係る、ダイオードを備えた電力用の半導体装置について説明する。
【００４７】
図１４に示すように、アノード３は、ｐ+型拡散領域３ａとｐ-型領域１１ｃとを備えている。ｐ-型領域１１ｃは、相対的に電気抵抗の高い領域として、アノード３の終端部に形成されている。ｐ-型領域１１ｃは、ガードリング４が配置されている側と、ガードリング４が配置されている側とは反対側とから、ｐ+型拡散領域３ａによって挟まれるように配置されている。
【００４８】
また、ｐ-型領域１１ｃは、ｐ+型拡散領域３ａよりも下方へ突出するように、一方の主表面からｐ+型拡散領域３ａよりも深い領域にわたって形成されている。なお、これ以外の構成については、図１に示す半導体装置と同様なので、同一部材には同一符号を付しその説明を繰り返さないこととする。
【００４９】
次に、上述した半導体装置の動作について簡単に説明する。まず、ダイオードがオン状態では、ｐ+型拡散領域３ａから半導体基板２のｎ型の領域（ドリフト層）に向かってホールが注入されるとともに、ｎ+型高濃度領域６ａから半導体基板２のドリフト層に向かって電子が注入される。一方、オン状態からオフ状態に変わる際には、オン状態においてドリフト層に蓄積されたキャリアのうち、電子はカソード６から排出され、ホールはアノード３から排出されて、オフ状態になる。
【００５０】
上述した半導体装置におけるアノード３の終端部では、ｐ+型拡散領域３ａとｐ-型領域１１ｃとが形成されている。ｐ-型領域１１ｃの不純物濃度は、ｐ+型拡散領域３ａの不純物濃度よりも低く、ｐ-型領域１１ｃは、ｐ+型拡散領域３ａよりも電気抵抗の高い領域として、ｐ+型拡散領域３ａよりも下方に突出するように形成されている。すなわち、ダイオードのアノード３の終端部では、電気抵抗の相対的に低い領域（ｐ+型拡散領域３ａ）と、高い領域（ｐ-型領域１１ｃ）とが配置されていることになる。
【００５１】
これにより、図１５に示すように、ダイオードがオン状態からオフ状態に変わる際には、アノード３において電流が集中的に流れ込む箇所（点線枠１５ａ、１５ｂ）が、少なくとも２箇所に分散される。電流が集中的に流れ込む箇所が分散されることで、電界の集中も緩和される。その結果、ダイオードの温度上昇が抑制されて、ダイオードが破壊されるのを防止することができる。
【００５２】
また、上述したアノード３における終端部では、ｐ-型領域１１ｃが形成されているところ、ｐ-型領域１１ｃは、ダイオードの順電圧（ＶＦ）に影響を与える。順電圧とは、順方向電流を流したときのダイオードのアノードとカソード間の電圧降下をいい、ｐ-型領域１１ｃの不純物濃度を低くすると、順電圧は上がる傾向にある。
【００５３】
上述した半導体装置では、ｐ-型領域１１ｃの不純物濃度を過度に下げなくても、ｐ-型領域１１ｃが、一方の主表面からｐ+型拡散領域３ａよりも深い領域にわたって形成されていることで、オフ時の電流の分散を図りながら、順電圧が高くなるのを抑制することができる。
【００５４】
実施の形態６
本発明の実施の形態６に係る、ダイオードを備えた電力用の半導体装置について説明する。
【００５５】
図１６に示すように、アノード３は、ｐ+型拡散領域３ａとｐ++型領域１２ｃとを備えている。ｐ++型領域１２ｃは、相対的に電気抵抗の低い領域として、アノード３の終端部に形成されている。ｐ++型領域１２ｃは、ｐ+型拡散領域３ａよりも下方へ突出するように、一方の主表面からｐ+型拡散領域３ａよりも深い領域にわたって形成されている。なお、これ以外の構成については、図１に示す半導体装置と同様なので、同一部材には同一符号を付しその説明を繰り返さないこととする。
【００５６】
次に、上述した半導体装置の動作について簡単に説明する。まず、ダイオードがオン状態では、ｐ+型拡散領域３ａから半導体基板２のｎ型の領域（ドリフト層）に向かってホールが注入されるとともに、ｎ+型高濃度領域６ａから半導体基板２のドリフト層に向かって電子が注入される。一方、オン状態からオフ状態に変わる際には、オン状態においてドリフト層に蓄積されたキャリアのうち、電子はカソード６から排出され、ホールはアノード３から排出されて、オフ状態になる。
【００５７】
上述した半導体装置におけるアノード３の終端部では、ｐ+型拡散領域３ａとｐ++型領域１２ｃとが形成されている。ｐ++型領域１２ｃの不純物濃度は、ｐ+型拡散領域３ａの不純物濃度よりも高く、ｐ++型領域１２ｂは、ｐ+型拡散領域３ａよりも電気抵抗の低い領域として、ｐ+型拡散領域３ａよりも下方に突出するように、一方の主表面からｐ+型拡散領域３ａよりも深い領域にわたって形成されている。すなわち、ダイオードのアノード３の終端部では、電気抵抗の相対的に低い領域（ｐ++型領域１２ｃ）と、高い領域（ｐ+型拡散領域３ａ）とが配置されていることになる。
【００５８】
これにより、図１７に示すように、ダイオードがオン状態からオフ状態に変わる際には、アノード３において電流が集中的に流れ込む箇所（点線枠１５ａ、１５ｂ）が、少なくとも２箇所に分散される。電流が集中的に流れ込む箇所が分散されることで、電界の集中も緩和される。その結果、ダイオードの温度上昇が抑制されて、ダイオードが破壊されるのを防止することができる。
【００５９】
また、上述したアノードにおける終端部では、ｐ++型領域１２ｃが形成されているところ、ｐ++型領域１２ｃは、逆回復電流に起因する逆回復損失（リカバリーロス）に影響を与える。ｐ++型領域１２ｃの不純物濃度を高くすると、リカバリーロスは増える傾向にある。
【００６０】
上述した半導体装置では、ｐ++型領域１２ｃの不純物濃度を過度に上げなくても、ｐ++型領域１２ｃは、一方の主表面からｐ+型拡散領域３ａよりも深い領域にわたって形成されていることで、オフ時の電流の分散を図りながら、リカバリーロスが増加するのを抑制することができる。
【００６１】
実施の形態７
本発明の実施の形態７に係る、ダイオードを備えた電力用の半導体装置について説明する。
【００６２】
図１８に示すように、アノード３は、ｐ+型拡散領域３ａとｐ-型領域１１ｄとを備えている。ｐ-型領域１１ｄは、相対的に電気抵抗の高い領域として、アノード３の終端部に複数形成されている。複数のｐ-型領域１１ｄのそれぞれは、ガードリング４が配置されている側と、ガードリング４が配置されている側とは反対側とから、ｐ+型拡散領域３ａによって挟まれるように配置されている。なお、これ以外の構成については、図１に示す半導体装置と同様なので、同一部材には同一符号を付しその説明を繰り返さないこととする。
【００６３】
次に、上述した半導体装置の動作について簡単に説明する。まず、ダイオードがオン状態では、ｐ+型拡散領域３ａから半導体基板２のｎ型の領域（ドリフト層）に向かってホールが注入されるとともに、ｎ+型高濃度領域６ａから半導体基板２のドリフト層に向かって電子が注入される。一方、オン状態からオフ状態に変わる際には、オン状態においてドリフト層に蓄積されたキャリアのうち、電子はカソード６から排出され、ホールはアノード３から排出されて、オフ状態になる。
【００６４】
上述した半導体装置におけるアノード３の終端部では、ｐ+型拡散領域３ａと複数のｐ-型領域１１ｄが形成されている。ｐ-型領域１１ｄの不純物濃度は、ｐ+型拡散領域３ａの不純物濃度よりも低く、複数のｐ-型領域１１ｄのそれぞれは、ｐ+型拡散領域３ａよりも電気抵抗の高い領域として、ｐ+型拡散領域３ａによって挟まれるように形成されている。すなわち、ダイオードのアノード３の終端部では、電気抵抗の相対的に低い領域（ｐ+型拡散領域３ａ）と、高い複数の領域（ｐ-型領域１１ｄ）とが配置されていることになる。
【００６５】
これにより、図１９に示すように、ダイオードがオン状態からオフ状態に変わる際には、アノード３において電流が集中的に流れ込む箇所（点線枠１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）が、少なくとも３箇所に分散される。電流が集中的に流れ込む箇所がさらに分散されることで、電界の集中もさらに緩和される。その結果、ダイオードの温度上昇が抑制されて、ダイオードが破壊されるのを防止することができる。
【００６６】
実施の形態８
本発明の実施の形態８に係る、ダイオードを備えた電力用の半導体装置について説明する。
【００６７】
図２０に示すように、アノード３は、ｐ+型拡散領域３ａとｐ++型領域１２ｄとを備えている。ｐ++型領域１２ｄは、相対的に電気抵抗の低い領域として、アノード３の終端部に複数形成されている。複数のｐ++型領域１２ｄのそれぞれは、ガードリング４が配置されている側と、ガードリング４が配置されている側とは反対側とから、ｐ+型拡散領域３ａによって挟まれるように配置されている。なお、これ以外の構成については、図１に示す半導体装置と同様なので、同一部材には同一符号を付しその説明を繰り返さないこととする。
【００６８】
次に、上述した半導体装置の動作について簡単に説明する。まず、ダイオードがオン状態では、ｐ+型拡散領域３ａから半導体基板２のｎ型の領域（ドリフト層）に向かってホールが注入されるとともに、ｎ+型高濃度領域６ａから半導体基板２のドリフト層に向かって電子が注入される。一方、オン状態からオフ状態に変わる際には、オン状態においてドリフト層に蓄積されたキャリアのうち、電子はカソード６から排出され、ホールはアノード３から排出されて、オフ状態になる。
【００６９】
上述した半導体装置におけるアノードの終端部では、ｐ+型拡散領域３ａと複数のｐ++型領域１２ｄが形成されている。ｐ++型領域１２ｄの不純物濃度は、ｐ+型拡散領域３ａの不純物濃度よりも高く、複数のｐ++型領域１２ｃのそれぞれは、ｐ+型拡散領域３ａよりも電気抵抗の低い領域として、ｐ+型拡散領域３ａによって挟まれるように形成されている。すなわち、ダイオードのアノード３の終端部では、電気抵抗の相対的に高い領域（ｐ+型拡散領域３ａ）と、低い複数の領域（ｐ-型領域１２ｄ）とが配置されていることになる。
【００７０】
これにより、図２１に示すように、ダイオードがオン状態からオフ状態に変わる際には、アノード３において電流が集中的に流れ込む箇所（点線枠１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）が、少なくとも３箇所に分散される。電流が集中的に流れ込む箇所がさらに分散されることで、電界の集中もさらに緩和される。その結果、ダイオードの温度上昇が抑制されて、ダイオードが破壊されるのを防止することができる。
【００７１】
実施の形態９
本発明の実施の形態９に係る、ダイオードを備えた電力用の半導体装置について説明する。
【００７２】
図２２に示すように、アノード３は、ｐ+型拡散領域３ａとｐ-型領域１１ｅとを備えている。ｐ-型領域１１ｅは、相対的に電気抵抗の高い領域として、アノード３における終端部に複数形成されている。複数のｐ-型領域１１ｅのそれぞれは、ｐ+型拡散領域３ａによって側方と下方とから取り囲まれるように、一方の主表面からｐ+型拡散領域３ａよりも浅い領域にわたって形成されている。なお、これ以外の構成については、図１に示す半導体装置と同様なので、同一部材には同一符号を付しその説明を繰り返さないこととする。
【００７３】
次に、上述した半導体装置の動作について簡単に説明する。まず、ダイオードがオン状態では、ｐ+型拡散領域３ａから半導体基板２のｎ型の領域（ドリフト層）に向かってホールが注入されるとともに、ｎ+型高濃度領域６ａから半導体基板２のドリフト層に向かって電子が注入される。一方、オン状態からオフ状態に変わる際には、オン状態においてドリフト層に蓄積されたキャリアのうち、電子はカソード６から排出され、ホールはアノード３から排出されて、オフ状態になる。
【００７４】
上述した半導体装置におけるアノード３の終端部では、ｐ+型拡散領域３ａと複数のｐ-型領域１１ｅが形成されている。ｐ-型領域１１ｅの不純物濃度は、ｐ+型拡散領域３ａの不純物濃度よりも低く、複数のｐ-型領域１１ｅのそれぞれは、ｐ+型拡散領域３ａよりも電気抵抗の高い領域として、ｐ+型拡散領域３ａによって下方と側方とから取り囲まれるように形成されている。すなわち、ダイオードのアノード３の終端部では、電気抵抗の相対的に低い領域（ｐ+型拡散領域３ａ）と、高い複数の領域（ｐ-型領域１１ｅ）とが配置されていることになる。
【００７５】
これにより、図２３に示すように、ダイオードがオン状態からオフ状態に変わる際には、アノード３において電流が集中的に流れ込む箇所（点線枠１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）が、少なくとも３箇所に分散される。電流が集中的に流れ込む箇所がさらに分散されることで、電界の集中もさらに緩和される。その結果、ダイオードの温度上昇が抑制されて、ダイオードが破壊されるのを防止することができる。
【００７６】
実施の形態１０
本発明の実施の形態１０に係る、ダイオードを備えた電力用の半導体装置について説明する。
【００７７】
図２４に示すように、アノード３は、ｐ+型拡散領域３ａとｐ++型領域１２ｅとを備えている。ｐ++型領域１２ｅは、相対的に電気抵抗の低い領域として、アノード３における終端部に複数形成されている。複数のｐ++型領域１２ｅのそれぞれは、ｐ+型拡散領域３ａによって側方と下方とから取り囲まれるように、一方の主表面からｐ+型拡散領域３ａよりも浅い領域にわたって形成されている。なお、これ以外の構成については、図１に示す半導体装置と同様なので、同一部材には同一符号を付しその説明を繰り返さないこととする。
【００７８】
次に、上述した半導体装置の動作について簡単に説明する。まず、ダイオードがオン状態では、ｐ+型拡散領域３ａから半導体基板２のｎ型の領域（ドリフト層）に向かってホールが注入されるとともに、ｎ+型高濃度領域６ａから半導体基板２のドリフト層に向かって電子が注入される。一方、オン状態からオフ状態に変わる際には、オン状態においてドリフト層に蓄積されたキャリアのうち、電子はカソード６から排出され、ホールはアノード３から排出されて、オフ状態になる。
【００７９】
上述した半導体装置におけるアノード３の終端部では、ｐ+型拡散領域３ａと複数のｐ++型領域１２ｅが形成されている。ｐ++型領域１２ｅの不純物濃度は、ｐ+型拡散領域３ａの不純物濃度よりも高く、複数のｐ++型領域１２ｅのそれぞれは、ｐ+型拡散領域３ａよりも電気抵抗の低い領域として、ｐ+型拡散領域３ａによって下方と側方とから取り囲まれるように形成されている。すなわち、ダイオードのアノード３の終端部では、相対的に抵抗の低い複数の領域（ｐ++型領域１２ｅ）と、高い領域（ｐ+型拡散領域３ａ）とが配置されていることになる。
【００８０】
これにより、図２５に示すように、ダイオードがオン状態からオフ状態に変わる際には、アノード３において電流が集中的に流れ込む箇所（点線枠１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）が、少なくとも３箇所に分散される。電流が集中的に流れ込む箇所がさらに分散されることで、電界の集中もさらに緩和される。その結果、ダイオードの温度上昇が抑制されて、ダイオードが破壊されるのを防止することができる。
【００８１】
実施の形態１１
本発明の実施の形態１１に係る、ダイオードを備えた電力用の半導体装置について説明する。
【００８２】
図２６に示すように、アノード３は、ｐ+型拡散領域３ａとｐ-型領域１１ｆとを備えている。ｐ-型領域１１ｆは、相対的に電気抵抗の高い領域として、アノード３の終端部に複数形成されている。複数のｐ-型領域１１ｃのそれぞれは、ｐ+型拡散領域３ａよりも下方へ突出するように、一方の主表面からｐ+型拡散領域３ａよりも深い領域にわたって形成されている。なお、これ以外の構成については、図１に示す半導体装置と同様なので、同一部材には同一符号を付しその説明を繰り返さないこととする。
【００８３】
次に、上述した半導体装置の動作について簡単に説明する。まず、ダイオードがオン状態では、ｐ+型拡散領域３ａから半導体基板２のｎ型の領域（ドリフト層）に向かってホールが注入されるとともに、ｎ+型高濃度領域６ａから半導体基板２のドリフト層に向かって電子が注入される。一方、オン状態からオフ状態に変わる際には、オン状態においてドリフト層に蓄積されたキャリアのうち、電子はカソード６から排出され、ホールはアノード３から排出されて、オフ状態になる。
【００８４】
上述した半導体装置におけるアノード３の終端部では、ｐ+型拡散領域３ａと複数のｐ-型領域１１ｆが形成されている。ｐ-型領域１１ｆの不純物濃度は、ｐ+型拡散領域３ａの不純物濃度よりも低く、複数のｐ-型領域１１ｃのそれぞれは、ｐ+型拡散領域３ａよりも電気抵抗の高い領域として、ｐ+型拡散領域３ａよりも下方に突出するように形成されている。すなわち、ダイオードのアノード３の終端部では、電気抵抗の相対的に抵抗の低い領域（ｐ+型拡散領域３ａ）と、高い複数の領域（ｐ-型領域１１ｆ）とが配置されていることになる。
【００８５】
これにより、図２７に示すように、ダイオードがオン状態からオフ状態に変わる際には、アノード３において電流が集中的に流れ込む箇所（点線枠１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）が少なくとも３箇所に分散される。電流が集中的に流れ込む箇所がさらに分散されることで、電界の集中もさらに緩和される。その結果、ダイオードの温度上昇が抑制されて、ダイオードが破壊されるのを防止することができる。
【００８６】
実施の形態１２
本発明の実施の形態１２に係る、ダイオードを備えた電力用の半導体装置について説明する。
【００８７】
図２８に示すように、アノード３は、ｐ+型拡散領域３ａとｐ++型領域１２ｆとを備えている。ｐ++型領域１２ｆは、相対的に電気抵抗の低い領域として、アノード３の終端部に複数形成されている。複数のｐ++型領域１２ｆのそれぞれは、ｐ+型拡散領域３ａよりも下方へ突出するように、一方の主表面からｐ+型拡散領域３ａよりも深い領域にわたって形成されている。なお、これ以外の構成については、図１に示す半導体装置と同様なので、同一部材には同一符号を付しその説明を繰り返さないこととする。
【００８８】
次に、上述した半導体装置の動作について簡単に説明する。まず、ダイオードがオン状態では、ｐ+型拡散領域３ａから半導体基板２のｎ型の領域（ドリフト層）に向かってホールが注入されるとともに、ｎ+型高濃度領域６ａから半導体基板２のドリフト層に向かって電子が注入される。一方、オン状態からオフ状態に変わる際には、オン状態においてドリフト層に蓄積されたキャリアのうち、電子はカソード６から排出され、ホールはアノード３から排出されて、オフ状態になる。
【００８９】
上述した半導体装置におけるアノード３の終端部では、ｐ+型拡散領域３ａと複数のｐ++型領域１２ｆが形成されている。ｐ++型領域１２ｆの不純物濃度は、ｐ+型拡散領域３ａの不純物濃度よりも高く、複数のｐ++型領域１２ｆのそれぞれは、ｐ+型拡散領域３ａよりも下方に突出するように形成されている。すなわち、ダイオードのアノード３の終端部では、電気抵抗の相対的に低い複数の領域（ｐ++型領域１２ｆ）と、高い領域（ｐ+型拡散領域３ａ）とが配置されていることになる。
【００９０】
これにより、図２９に示すように、ダイオードがオン状態からオフ状態に変わる際には、アノード３において電流が集中的に流れ込む箇所（点線枠１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）が少なくとも３箇所に分散される。電流が集中的に流れ込む箇所がさらに分散されることで、電界の集中もさらに緩和される。その結果、ダイオードの温度上昇が抑制されて、ダイオードが破壊されるのを防止することができる。
【００９１】
なお、上述した各実施の形態では、アノード３における終端部において、ｐ-型領域１１ａ〜１１ｆまたはｐ++型領域１２ａ〜１２ｆが半導体基板の主表面から所定の深さにわたり形成された場合について説明したが、ダイオードをオン状態からオフ状態に変わる際に、電流が集中的に流れ込む箇所を分散させることができれば、上述した各配置に限られない。
【００９２】
今回開示された実施の形態は例示であってこれに制限されるものではない。本発明は上記で説明した範囲ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００９３】
本発明は、ダイオードを備えた電力用の半導体装置に有効に利用される。
【符号の説明】
【００９４】
１  半導体装置、２  半導体基板、３  アノード、３ａ  ｐ+型拡散領域、４  ガードリング、４ａ  ｐ+型領域、６  カソード、６ａ  ｎ型高濃度領域、７  絶縁膜、８  アノード電極、１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆ  ｐ-型領域、１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ  ｐ++型領域、１５ａ、１５ｂ、１５ｃ  点線枠。
【図１】
2014075384.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2014075384.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
2014075384.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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