(57)【要約】【課題】製造プロセスを簡略化する。【解決手段】Ｍｇがドープされたクラッド層１５を有する半導体発光素子の製造方法であって、前記クラッド層１５の表面にＮｉ薄膜が形成される工程と、前記Ｎｉ薄膜が形成されたクラッド層が窒素雰囲気中で熱処理されて、Ｎｉクラスタナノマスク１６が形成される工程とを備え、前記クラッド層のＭｇ活性化アニールとＮｉクラスタナノマスク形成とが同時に行われることを特徴とする。【選択図】図２Ａ
2014060197.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｍｇがドープされたクラッド層を有する半導体発光素子の製造方法であって、
前記クラッド層の表面にＮｉ、及び白金の何れか一方又は双方の薄膜が形成される工程と、
前記薄膜が形成されたクラッド層が窒素雰囲気中で熱処理されて、クラスタマスクが形成される工程とを備え、
前記クラッド層のＭｇ活性化アニールとクラスタマスク形成とが同時に行われることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法であって、
前記熱処理された薄膜、及びクラッド層がエッチング処理される工程をさらに備え、
前記クラッド層の基板反対側表面がテクスチャ構造を有する
ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体発光素子の製造方法であって、
前記エッチング処理において一部残存したクラスタマスクの基板反対側表面にＩＴＯ電極を形成する
ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項４】
請求項２に記載の半導体発光素子の製造方法であって、
前記エッチング処理において一部残存したクラスタマスクが除去される工程をさらに備えることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の半導体発光素子の製造方法であって、
前記クラッド層が積層された直後に、前記薄膜が形成されることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項６】
Ｍｇがドープされたクラッド層を有する半導体発光素子であって、
前記クラッド層の表面に形成されたＮｉ、及び白金の何れか一方又は双方のクラスタマスクと、
前記クラスタマスクの基板反対側表面に形成されたＩＴＯ電極とを備え、
前記クラッド層は、その表面がテクスチャ構造を有することを特徴とする半導体発光素子。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体発光素子であって、
前記クラッド層、及び前記クラスタマスクは、窒素雰囲気中で熱処理され、エッチングにより形成されたことを特徴とする半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子の製造方法、及び発光素子に関し、特にＧａＮ層を用いた半導体発光素子の製造方法、及び半導体発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
青色発光ダイオードは、主に窒化ガリウム（ＧａＮ：Gallium Nitride）を材料としている。ＧａＮを主原料とする半導体ＬＥＤ技術において、発光効率向上は、今後の省エネルギ化社会実現に向けても大変重要である。ＬＥＤの発光効率を向上さるためには、各種の方法が検討されており、その中の一つに、光取り出し効率を向上させる方法がある。
光取り出し効率の向上は、例えば、光取り出し面に形成される電極等による光の吸収を低減させたり、発光素子とその外部の媒体との屈折率の違いによって生じる発光素子内部への光の閉じ込めを低減させたり、することにより行われる。
【０００３】
また、非特許文献に記載されている技術は、表面にテクスチャ構造を形成することにより、光取り出し効率を向上させている。具体的に、この技術は、ＧａＮ層の表面にＮｉ(ニッケル)を蒸着により成膜し、熱処理（８５０℃、１分間）を行い、これにより、Ｎｉ金属が均一的なクラスタ状に形成され、このＮｉクラスタをマスクとして、ＧａＮ表面をエッチング（８５％燐酸、２００℃、４分）処理し、Ｎｉクラスタマスクを除去することにより、テクスチャ構造を形成している。
このテクスチャ構造形成方法は、表面テクスチャ構造を形成するためのフォトリソグラフィなどのプロセスを行うことなく、均一的なテクスチャ構造を表面に形成することができる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS,VOL.17,NO.5,MAY 2005,p983-985.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、非特許文献１の技術は、Ｎｉのクラスタマスクを形成するために、高温（８５０℃）での熱処理を施している。この熱処理は、半導体結晶成長基板にダメージを発生させてしまう。また、熱処理工程の追加は、プロセスを複雑にしてしまい、工数も余計にかかってしまう。
【０００６】
通常、ｐ−ＧａＮ層は、ＧａＮ層成長中にアクセプタとしてＭｇ(マグネシウム)が添加されて積層される。このとき、水素原子は、結晶内部に入ると、アクセプタ不純物と結合してアクセプタを不活性化させてしまう問題点がある。このため、ｐ−ＧａＮ層は、高温の熱処理により、水素原子を除去してアクセプタ不純物を活性化させる必要がある。
【０００７】
そこで、本発明は、プロセスを簡略化させることができる半導体発光素子の製造方法、及び半導体発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するため、本発明の一の手段は、Ｍｇがドープされたクラッド層を有する半導体発光素子の製造方法であって、前記クラッド層の表面にＮｉ、及び白金の何れか一方又は双方の薄膜が形成される工程と、前記薄膜が形成されたクラッド層が窒素雰囲気中で熱処理されて、クラスタマスクが形成される工程とを備え、前記クラッド層のＭｇ活性化アニールとクラスタマスク形成とが同時に行われることを特徴とする。
【０００９】
これによれば、クラスタマスク形成と、クラッド層のＭｇ活性化アニールとが同時に実行されるので、プロセスが簡略化される。また、クラスタマスクが形成されたクラッド層をエッチング処理することにより、その表面に微小凹凸（テクスチャ構造）が形成され、光の取り出し効率が向上する。また、このテクスチャ構造を有するクラッド層に透明導電膜を積層することにより、透明導電膜とクラッド層との接触面積が増大するので、コンタクト抵抗が低減する。
【００１０】
また、クラスタマスク、及びクラッド層をエッチング処理する場合、一部残存したクラスタマスク（Ｎｉクラスタナノマスク）の基板反対側表面にＩＴＯ電極を形成することが好ましい。つまり、Ｎｉ膜は、クラッド層との間の仕事関数が高いので、Ｎｉクラスタナノマスクを除去しないで残したまま、ＩＴＯ電極を形成することにより、さらに、コンタクト抵抗の改善が可能となる。
【００１１】
また、本発明の他の手段は、Ｍｇがドープされたクラッド層を有する半導体発光素子であって、前記クラッド層の表面に形成されたＮｉ、及び白金の何れか一方又は双方のクラスタマスクと、前記クラスタマスクの基板反対側表面に形成されたＩＴＯ電極とを備え、前記クラッド層は、その表面がテクスチャ構造を有することを特徴とする。なお、クラスタマスクの基板反対側表面は、クラッド層を成長させた基板と異なる別の基板の基板反対側表面でもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、製造プロセスが簡略化される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態である半導体発光素子の構成図であり、図１（ａ）は、ｐ−ＧａＮクラッド層の表面のＮｉナノクラスタが除去された形態を示し、図１（ｂ）は、ｐ−ＧａＮクラッド層の表面に、Ｎｉナノクラスタが残存している形態を示す。
【図２Ａ】本実施形態のＬＥＤプロセス図（１）である。
【図２Ｂ】本実施形態のＬＥＤプロセス図（２）である。
【図２Ｃ】本実施形態のＬＥＤプロセス図（３）である。
【図３Ａ】比較例のＬＥＤプロセス図（１）である。
【図３Ｂ】比較例のＬＥＤプロセス図（２）である。
【図３Ｃ】比較例のＬＥＤプロセス図（３）である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態（以下、「本実施形態」と称する）につき詳細に説明する。なお、各図は、本発明を十分に理解できる程度に、概略的に示してあるに過ぎない。よって、本発明は、図示例のみに限定されるものではない。また、各図において、共通する構成要素や同様な構成要素については、同一の符号を付し、それらの重複する説明を省略する。
【００１５】
（第１実施形態）
（構成の説明）
図１は、本実施形態の半導体発光素子の構成図であり、図１（ａ）は、ｐ−ＧａＮクラッド層の表面のＮｉナノクラスタが除去された形態を示し、図１（ｂ）は、ｐ−ＧａＮクラッド層の表面に、Ｎｉナノクラスタが残存している形態を示す。ここで、「ナノクラスタ」とは、数個から数百個の原子・分子が集まってできる集合体であり、その大きさは数ナノメータサイズである。なお、これらは、分子より大きく、ナノ結晶（直径約１０ナノメータ）よりは小さい。
【００１６】
図１（ａ）において、半導体発光素子としてのＬＥＤ素子１０Ａは、支持基板としてのサファイア基板１１の表面にバッファ層１２が積層され、バッファ層１２の基板反対側表面にｎ−ＧａＮクラッド層１３が積層され、ｎ−ＧａＮクラッド層１３の基板反対側表面にＭＱＷ発光層（活性層）１４が積層され、ＭＱＷ発光層１４の基板反対側表面にｐ−ＧａＮクラッド層１５が積層され、ｐ−ＧａＮクラッド層１５の基板反対側表面にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）電極１８が積層されている。ここで、ｐ−ＧａＮクラッド層１５の基板反対側表面は、多数の微小凹凸を有するテクスチャ構造であり、ＩＴＯ電極１８との接触面積が広く、接触抵抗が小さくなっている。
【００１７】
また、ｎ−ＧａＮクラッド層１３とＭＱＷ発光層１４とｐ−ＧａＮクラッド層１５とは、台形状（ＭＥＳＡ構造）に形成されている。ｎ−ＧａＮクラッド層１３は、カソード電極２２が接合されており、ＩＴＯ電極１８には、アノード電極２１が接合されている。カソード電極２２は、例えば、Ｔｉ／Ａｌが使われ、アノード電極２１には、例えば、Ｎｉ／Ａｕが使われる。また、窒化膜１９は、ｐ−ＧａＮクラッド層＆コンタクト層１５、及びＭＱＷ発光層１４と、アノード電極２１、又はカソード電極２２とを絶縁している。なお、ｐ−ＧａＮクラッド層＆コンタクト層１５は、ｐ−ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層を含むことがある。
【００１８】
サファイア基板１１は、窒化ガリウム（ＧａＮ）と同様の六方晶系の基板である。ＧａＮは、通常ウルツ鉱型（Wurtzite）結晶構造をとる、直接遷移型の半導体である。ｎ−ＧａＮ結晶は、シリコン（Ｓｉ）をドープして作成され、ｐ−ＧａＮ結晶や、ｐ−ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）は、マグネシウム（Ｍｇ）をドープして作成される。ｎ−ＧａＮクラッド層１３は、発光層へのキャリアの注入とキャリアの閉じ込め、とを行う層である。なお、ｐ−ＧａＮクラッド層＆コンタクト層１５は、窒素雰囲気中で熱処理が行われ、ドーパント（Ｍｇ）の活性化が行われる。
【００１９】
バッファ層１２は、例えば、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）なる組成で基板に堆積され、サファイア基板１１とｎ−ＧａＮクラッド層１３との格子定数の違い（約２０％）を緩和する。なお、格子定数は、サファイア基板で４．７５８であり、Ｓｉ（１１１）基板で３．８４であり、ＧａＮで３．１８であり、ＡｌＮで３．１１である。
【００２０】
ＭＱＷ発光層１４は、量子井戸層を複数持つ多重量子井戸構造の発光層であり、バルク型よりも明るく鮮やかな発光が可能である。ＭＱＷ発光層１４は、通常は、ＩｎＧａＮ井戸層と、ＧａＮ又はＩｎＧａＮ障壁層とした多重量子井戸（ＭＱＷ: multi quantum well）構造とする。なお、量子井戸構造においては、電子やホールが閉じ込められるバンドギャップの小さい材料の層を井戸層と呼び、電子やホールに対して壁の役割をするバンドギャップの大きい材料の層をバリア層と呼ぶ。
【００２１】
また、図１（ｂ）において、ＬＥＤ素子１０Ｂは、ｐ−ＧａＮクラッド層１５の基板反対側表面にＮｉクラスタナノマスク１６が形成され、Ｎｉクラスタナノマスク１６、及びｐ−ＧａＮクラッド層１５を覆うようにＩＴＯ電極１８が形成されている点で、図１（ａ）のＬＥＤ素子１０Ａと相違する。
【００２２】
（製造方法の説明）
図２Ａ，図２Ｂ，図２Ｃは、本実施形態のＬＥＤプロセス図である。
はじめに、図２Ａ（ａ）に示すように、サファイア基板１１の表面上に、有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）法により、バッファ層１２、ｎ−ＧａＮクラッド層１３、ＭＱＷ発光層１４、ｐ−ＧａＮクラッド層＆コンタクト層１５、を形成する。ここで、ＭＯＶＰＥ法の各成長層の成長条件は、所望の構造が成長されるように最適化され、例えば、ＧａＮは、例えば、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、及びアンモニア（ＮＨ３）を原料ガスとし、窒素（Ｎ２）や水素（Ｈ２）をキャリアガスとして、エピタキシャル成長される。
【００２３】
この積層基板は、その表面に蒸着法等（例えば、電子ビーム蒸着装置）により、３〜１０ｎｍ程度の膜厚で、ニッケル（Ｎｉ）薄膜が形成され、その後、窒素雰囲気中にて、１分以上の熱処理が施され、多数の微小な開口部を有したＮｉクラスタナノマスク１６が形成される。
また、この熱処理は、Ｎｉクラスタナノマスク１６の形成と同時に、ｐ−ＧａＮクラッド層＆コンタクト層１５に含まれるアクセプタ不純物（Ｍｇ)を活性化する。つまり、ｐ−ＧａＮクラッド層＆コンタクト層１５の形成の直後に、活性化アニールを行うことなく、Ｎｉ薄膜が蒸着され、Ｎｉ薄膜蒸着後、Ｎｉクラスタナノマスク１６の形成と同時に活性化アニールが行われる。また、この熱処理は、６００〜１０００℃、１〜５分が好ましく、８５０℃、１分でもよい。
【００２４】
ところで、一般的に、結晶成長で使用されるアンモニアは、４００℃で結晶の表面でダングリングボンドを介して原子状水素に分解し、ＧａＮ結晶の表面で水素（Ｈ）の濃度が極端に高くなり、ＧａＮ結晶内部にＨが拡散していく性質がある。水素原子が結晶内部に入ると、アクセプタ不純物（Ｍｇ）と結合してアクセプタを不活性化させてしまう。このため、ｐ−ＧａＮクラッド層１５は、窒素雰囲気中で高温アニール（活性化アニール）され、水素との結合により不活性化されたＭｇを、水素原子が乖離し、アクセプタが活性化される。
【００２５】
次に、図２Ａ（ｂ）に示すように、Ｎｉクラスタナノマスク１６が形成された積層基板は、８０〜２００℃に暖めた燐酸（Ｈ３ＰＯ４）を用いた、１〜６分程度のウェットエッチングにより、表面にテクスチャ構造が形成されると共に、Ｎｉクラスタナノマスク１６が縮小変形する。
【００２６】
次に、図２Ａ（ｃ）に示すように、表面にテクスチャ構造が形成された積層基板は、縮小変形されたＮｉクラスタナノマスク１６が除去され、テクスチャ構造が形成されたｐ−ＧａＮクラッド層１５が現れる。
【００２７】
そして、図２Ａ（ｄ）に示すように、表面にテクスチャ構造が形成されたｐ−ＧａＮクラッド層１５を有する積層基板は、通常のフォトリソ工程によりレジストマスク１７が形成される。
【００２８】
このレジストマスク１７は、大きさが所望のサイズ及び形状に設計されている。そして、図２Ｂ（ｅ）に示すように、レジストマスク１７が形成された積層基板は、通常のドライエッチング法により、レジストマスク１７以外の領域が０．４μｍ程度エッチング除去され、ＭＥＳＡ構造が形成される。ドライエッチングは、例えば、塩素（Ｃｌ２）や三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）のガスによる誘導結合型反応性イオンエッチング法がある。なお、エッチング深さは、今回０．４μｍ程度としたが、所望の深さになるように設計することができる。
【００２９】
さらに、図２Ｂ（ｆ）に示すように、エッチング除去された積層基板は、透明導電膜であるＩＴＯ電極１８が通常のフォトリソ技術を用いたリフトオフ法やエッチングにより形成される。このときの、ＩＴＯ膜は、所望の特性が得られるように、成膜方法や条件が設計される。次に、図２Ｂ（ｇ）に示すように、ＩＴＯ電極１８が形成された積層基板は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等により、窒化（ＳｉＮ）膜１９が２００ｎｍ程度堆積される。そして、図２Ｂ（ｈ）に示すように、窒化膜１９が堆積した積層基板は、フォトリソ技術を用いて、ＳｉＮ開口２０が形成される。
【００３０】
最後に、図２Ｃ（ｉ）に示すように、ＳｉＮ開口２０が形成された積層基板は、所望の設計になるようにフォトリソ技術によって、アノード電極２１とカソード電極２２との双方が、ｎ−ＧａＮクラッド層１３とコンタクト可能な材料で蒸着法などにより形成される。
【００３１】
本実施形態によれば、ＬＥＤ素子１０Ａは、光取り出し効率が改善し、ＬＥＤ素子１０Ａの発光効率が向上する。また、ＬＥＤ素子１０Ａは、ｐ−ＧａＮクラッド層１５の表面積が増加するので、ＩＴＯ電極１８とｐ−ＧａＮクラッド層１５との間のコンタクト抵抗が低減する。これにより、ＬＥＤ素子１０Ａは、駆動電圧を低減させ、発光素子の駆動時にかかる電力消費を低減させることができる。
【００３２】
また、Ｍｇ活性化アニールとＮｉクラスタナノマスク１６の形成との同時実行は、プロセスの簡略化を可能とする。また、ｐ−ＧａＮクラッド層１５とのコンタクト電極材料として仕事関数の高いＮｉ膜(クラスタナノマスク１６)を除去しないで残したまま、ＩＴＯ電極１８等を形成することにより、図１（ｂ）に示されるＬＥＤ１０Ｂが作成される。ＬＥＤ１０Ｂの構造は、さらに、コンタクト抵抗の改善を可能とし、プロセスの簡略化も可能とする。
【００３３】
(駆動動作の説明)
図１（ａ）を用いて、駆動動作について説明する。
駆動方法は、通常のＬＥＤ駆動と同じで、アノード電極２１とカソード電極２２との間に、順方向電圧を印加し、素子に適切な電流を流す。そして、ＭＱＷ発光層１４からの発光をＩＴＯ電極１８側から取り出す。
【００３４】
（効果の説明）
ＬＥＤ表面のテクスチャ構造形成方法に関して、結晶成長後のＭｇ活性化アニールとＮｉクラスタナノマスク形成との同時実行は、プロセスの簡略化を可能とする。また、図１（ｂ）のＬＥＤ素子１０Ｂは、Ｎｉクラスタナノマスク１６を用いてテクスチャ構造形成後、Ｎｉクラスタナノマスク１６を除去せず、そのまま、ＩＴＯ電極１８を形成している。これにより、ＬＥＤ素子１０Ｂは、コンタクト抵抗の改善、及びプロセスの簡略化が可能となっている。
【００３５】
また、このときのＮｉクラスタナノマスク１６の透過率は、熱処理前の薄膜状態より改善される。例えば、９００℃、３分の熱処理時間により、５ｎｍ−Ｎｉ薄膜の透過率は、波長５３０ｎｍの値に関して、約９４％から約９７％までに向上した。
【００３６】
（比較例）
図３Ａ，図３Ｂ，図３Ｃは、比較例のＬＥＤプロセス図である。このプロセス図は、実施形態のテクスチャ構造の形成方法を説明するための比較として、ＧａＮ系テクスチャ構造ＬＥＤ作成方法を模式的に示したものである。このプロセス図は、説明用であり、実際の材料や構造は、これと異なる場合がある。
【００３７】
図３Ａ（ａ）に示すように、サファイア基板１１は、その表面上に、有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）法により、バッファ層１２、ｎ−ＧａＮクラッド層１３、ＭＱＷ発光層１４、ｐ−ＧａＮクラッド層＆コンタクト層１５が形成される。ここで、ｎ−ＧａＮクラッド層１３は、１０５０℃の結晶成長により構成され、ＭＱＷ発光層１４は、例えば、Ｉｎ０．２１Ｇａ０．７９Ｎ―ＧａＮを７５０℃で、５周期の成長により構成されている。また、コンタクト層は、Ｍｇドープのｐ−ＡｌＧａＮが１０５０℃で５０ｎｍの成長により構成され、ｐ−ＧａＮクラッド層１５は、１０５０℃で０．１μｍ成長させて構成されている。なお、これらの組成や加熱条件は、前記実施形態でも使用することができる。
【００３８】
そして、ｐ−ＧａＮクラッド層＆コンタクト層１５が形成された積層基板は、例えば、ＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）により、窒素雰囲気中にて４００℃以上の高温で熱処理（活性化アニール）が行われる。なお、ＲＴＡとは、加熱・冷却が急速に行われる方法である。
【００３９】
図３Ａ（ｂ）に示すように、この積層基板は、その表面に電子ビーム蒸着装置により、真空中で３〜１０ｎｍ程度の膜厚でニッケル（Ｎｉ）薄膜が形成される。そして、ニッケル薄膜が蒸着された積層基板は、再び、ＲＴＡを用いて、８５０℃の高温で１分間の熱処理が行われ、その表面にＮｉクラスタナノマスク１６が形成される。
【００４０】
図３Ａ（ｃ）に示すように、Ｎｉクラスタナノマスク１６が、表面に形成された積層基板は、８０〜２００℃に暖めた燐酸（Ｈ３ＰＯ４）で、１〜６分程度ウェットエッチング処理されることにより、ｐ−ＧａＮクラッド層１５の表面に微小凹凸（テクスチャ構造）が形成される。
そして、図３（ｄ）に示すように、表面に残存したＮｉクラスタナノマスク１６が除去される。
【００４１】
そして、図３Ｂ（ｅ）に示すように、Ｎｉクラスタナノマスクが除去された積層基板は、レジストマスク１７が形成され（図３Ｂ（ｆ））、ＭＥＳＡエッチングされ（図３Ｂ（ｇ））、ＩＴＯ電極１８が形成され（図３Ｂ（ｇ））、ＳｉＮ膜が形成され（図３Ｂ（ｈ））、ＳｉＮ膜の開口がエッチングされ（図３Ｃ（ｉ））、電極が形成される（図３Ｃ（ｊ））。
【００４２】
（変形例）
本発明は前記した実施形態に限定されるものではなく、例えば以下のような種々の変形が可能である。
（１）前記実施形態は、ＬＥＤの主原料としては、ＧａＮ以外に、ＧａＡｓ、ＩｎＰなどが挙げられる。また、前記実施形態は、クラスタナノマスクの材料としてＮｉを用いたが、Ｐｔ（白金)等の他の材料系でも適応可能である。つまり、ＬＥＤ素子は、ｐ−ＧａＮクラッド層の表面にＮｉ、及び白金の何れか一方又は双方の薄膜を形成することができる。なお、Ｎｉ、及び白金は、第１０族元素に分類される。
（２）前記実施形態は、支持基板として（０００１）面サファイア基板１１を用いたが、バッファ層１２を適切に選択すれば、（１１１）面Ｓｉ基板、又は（０００１）面ＳｉＣ基板を用いることもできる。
（３）前記実施形態は、ＬＥＤ素子単体について説明したが、サファイア基板１１に複数のＬＥＤ素子１０Ａ，１０Ｂを二次元配列して、表示装置とすることができる。
【符号の説明】
【００４３】
１０Ａ，１０Ｂ  ＬＥＤ素子（半導体発光素子）
１１  サファイア基板
１２  バッファ層
１３  ｎ−ＧａＮクラッド層
１４  ＭＱＷ発光層
１５  ｐ−ＧａＮクラッド層＆コンタクト層
１６  Ｎｉクラスタナノマスク（クラスタマスク）
１７  レジストマスク
１８  ＩＴＯ電極
１９  窒化膜（ＳｉＮ）
２０  Ｓｉ開口
２１  アノード電極
２２  カソード電極
【図１】
2014060197.tif 000003
【図２Ａ】
2014060197.tif 000004
【図２Ｂ】
2014060197.tif 000005
【図２Ｃ】
2014060197.tif 000006
【図３Ａ】
2014060197.tif 000007
【図３Ｂ】
2014060197.tif 000008
【図３Ｃ】
2014060197.tif 000009