(57)【要約】【課題】本発明は、印刷回路基板及びその製造方法に関する。【解決手段】基板上の絶縁層と回路層との間に接着力向上のために介在された接着層と、前記接着層と前記回路層との間に形成された第１金属層と、を含む印刷回路基板は、高分子接着層を含んで低い粗度を有し、樹脂のような絶縁層と回路との間の密着力が高く、低い粗度により微細回路形成が容易であり、信号送信損失が低いと同時に高い密着力で信頼性が高い効果がある。【選択図】図１
2014130997.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の絶縁層と回路層との間に接着力向上のために介在された接着層と、
前記接着層と前記回路層との間に形成された第１金属層と、を含む印刷回路基板。
【請求項２】
前記接着層は、ポリマー及び有機化合物を含み、前記絶縁層は、ソルダーレジスト層を含む請求項１に記載の印刷回路基板。
【請求項３】
前記接着層は、第１ポリマー及び第２ポリマーをさらに含む請求項１に記載の印刷回路基板。
【請求項４】
前記第１ポリマーは、アミン系ポリマー、イミダゾール系ポリマー、及びピリジン系ポリマーのうちいずれか一つ以上を含む請求項３に記載の印刷回路基板。
【請求項５】
前記第２ポリマーは、熱硬化性合成樹脂を含む請求項３に記載の印刷回路基板。
【請求項６】
コアを形成する基板パッドと、
前記基板パッドに積層された絶縁層と、
前記絶縁層上に塗布された接着層と、
前記接着層上に形成された第１金属層と、
前記絶縁層、接着層、及び第１金属層に形成されたホールの側面及び前記第１金属層上に形成された第２金属層と、
前記第２金属層上に形成された所定のパターンを有する回路層と、を含む印刷回路基板。
【請求項７】
前記接着層は、アミン系ポリマー、イミダゾール系ポリマー、及びピリジン系ポリマーのうちいずれか一つ以上を含む請求項６に記載の印刷回路基板。
【請求項８】
前記接着層の厚さは、１０ｎｍ〜１０００ｎｍである請求項６に記載の印刷回路基板。
【請求項９】
前記第１金属層は、１０ｎｍ〜１０００ｎｍの厚さで無電解メッキまたはスパッタリング工法により形成される請求項６に記載の印刷回路基板。
【請求項１０】
前記第２金属層は、無電解メッキで形成されたＣｕか、またはスパッタリング工法によりＴｉ及びＣｕが順次形成される請求項６に記載の印刷回路基板。
【請求項１１】
前記パターンによって前記第１金属層、前記第２金属層がパターン化される請求項６に記載の印刷回路基板。
【請求項１２】
前記パターンによって前記接着層がエッチングされる請求項１１に記載の印刷回路基板。
【請求項１３】
基板パッドに絶縁層を積層する段階と、
前記絶縁層上に接着層を塗布する段階と、
前記接着層上に第１金属層を形成する段階と、
前記絶縁層、接着層、及び第１金属層にホールを形成してデスミアする段階と、
前記ホールの側面及び前記第１金属層上に第２金属層を形成する段階と、
前記第２金属層上に所定のパターンを有する回路層を形成する段階と、を含む印刷回路基板の製造方法。
【請求項１４】
前記第１金属層は、無電解メッキまたはスパッタリング工法により形成される請求項１３に記載の印刷回路基板の製造方法。
【請求項１５】
前記デスミアは、湿式デスミアあるいはプラズマデスミアである請求項１３に記載の印刷回路基板の製造方法。
【請求項１６】
前記第２金属層は、化学銅メッキまたはスパッタリング工法により形成される請求項１３に記載の印刷回路基板の製造方法。
【請求項１７】
前記回路層を形成する段階は、
前記第２金属層にドライフィルムを積層して予め設定されたパターンによって現像する段階と、
前記ドライフィルムのパターンに相応して前記回路層を形成する段階と、
前記ドライフィルムを除去する段階と、を含む請求項１３に記載の印刷回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、印刷回路基板及びその製造方法に関し、より詳しくは、絶縁層と回路層との密着力を高めて信頼性を向上した印刷回路基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
印刷回路基板は、各種熱硬化性合成樹脂からなるボードの一面または両面を銅薄で配線した後、ボード上にＩＣまたは電子部品を配置固定し、これらの間に電気的配線を適用した基板である。
【０００３】
従来の基板製造方法であるＳＡＰ（Ｓｅｍｉ  Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）工法では樹脂に粗化処理をして粗度を上げた後にメッキする方式で樹脂とメッキ層との間の密着力を確保したが、このような方式で製造された基板は、微細回路形成が難しく、信号送信損失が大きいという短所を有している。また、従来の方式で製作された低い粗度を有する基板は、樹脂と回路との間の密着力が低くて基板信頼性がよくないという短所がある。
【０００４】
また、一般的なＳＡＰ工法では、蒸着された高分子接着層（ＡＰ）がビアホールの底面に残留して後でビアのオープン不良を引き起こしたり、これを防止するためにビア形成前に高分子接着層（ＡＰ）を塗布する場合には蒸着された高分子接着層（ＡＰ）がデスミアの際、溶解されてしまう問題点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−２８７８６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、高分子接着層を含んで低い粗度を有し、樹脂のような絶縁層と回路との間の密着力が高い印刷回路基板及びその製造方法を提供する。
【０００７】
また、本発明は、低い粗度により微細回路形成が容易であり、信号送信損失が低いと同時に高い密着力で信頼性が高い印刷回路基板及びその製造方法を提供する。
【０００８】
本発明が提示する以外の技術的課題は、下記の説明を介して容易に理解されるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明による印刷回路基板は、基板上の絶縁層と回路層との間に接着力向上のために介在された接着層と、前記接着層と前記回路層との間に形成された第１金属層と、を含む。
【００１０】
本発明の一態様によると、前記接着層は、ポリマー及び有機化合物を含み、前記絶縁層は、ソルダーレジスト層を含むことができる。
【００１１】
本発明の一態様によると、前記接着層は、第１ポリマー及び第２ポリマーをさらに含むことができる。
【００１２】
本発明の一態様によると、前記第１ポリマーは、アミン系ポリマー、イミダゾール系ポリマー、及びピリジン系ポリマーのうちいずれか一つ以上を含むことができる。
【００１３】
本発明の一態様によると、前記第２ポリマーは、熱硬化性合成樹脂を含むことができる。
【００１４】
本発明による回路基板は、コアを形成する基板パッドと、前記基板パッドに積層された絶縁層と、前記絶縁層上に塗布された接着層と、前記接着層上に形成された第１金属層と、前記絶縁層、接着層、及び第１金属層に形成されたホールの側面及び前記第１金属層上に形成された第２金属層と、前記第２金属層上に形成された所定のパターンを有する回路層と、を含む。
【００１５】
本発明の一態様によると、前記接着層は、アミン系ポリマー、イミダゾール系ポリマー、及びピリジン系ポリマーのうちいずれか一つ以上を含むことができる。
【００１６】
本発明の一態様によると、前記接着層の厚さは、１０ｎｍ〜１０００ｎｍであってもよい。
【００１７】
本発明の一態様によると、前記第１金属層は、１０ｎｍ〜１０００ｎｍの厚さで無電解メッキまたはスパッタリング工法により形成されることができる。
【００１８】
本発明の一態様によると、前記第２金属層は、無電解メッキで形成されたＣｕか、またはスパッタリング工法によりＴｉ及びＣｕが順次形成されることができる。
【００１９】
本発明の一態様によると、前記回路パターンによって前記第１金属層、前記第２金属層がパターン化されることができる。
【００２０】
本発明の一態様によると、前記回路パターンによって前記接着層がエッチングされることができる。
【００２１】
本発明による印刷回路基板の製造方法は、基板パッドに絶縁層を積層する段階と、前記絶縁層上に接着層を塗布する段階と、前記接着層上に第１金属層を形成する段階と、前記絶縁層、接着層、及び第１金属層にホールを形成してデスミア（ｄｅｓｍｅａｒ）する段階と、前記ホールの側面及び前記第１金属層上に第２金属層を形成する段階と、前記第２金属層上に所定のパターンを有する回路層を形成する段階と、を含む。
【００２２】
本発明の一態様によると、前記第１金属層は、無電解メッキまたはスパッタリング工法により形成されることができる。
【００２３】
本発明の一態様によると、前記デスミアは、湿式デスミアあるいはプラズマデスミアであってもよい。
【００２４】
本発明の一態様によると、前記第２金属層は、化学銅メッキまたはスパッタリング工法により形成されることができる。
【００２５】
本発明の一態様によると、前記回路層を形成する段階は、前記第２金属層にドライフィルムを積層して予め設定されたパターンによって現像する段階と、前記ドライフィルムのパターンに相応して前記回路層を形成する段階と、前記ドライフィルムを除去する段階と、を含むことができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明による印刷回路基板及びその製造方法は、高分子接着層を含んで低い粗度を有し、樹脂のような絶縁層と回路との間の密着力が高く、低い粗度により微細回路形成が容易であり、信号送信損失が低くなると同時に高い密着力で信頼性が高まるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の実施形態により製造された印刷回路基板の断面図である。
【図２】本発明の実施形態により製造された印刷回路基板の断面図である。
【図３ａ】本発明の実施形態による印刷回路基板の製作過程を説明するための図面である。
【図３ｂ】本発明の実施形態による印刷回路基板の製作過程を説明するための図面である。
【図３ｃ】本発明の実施形態による印刷回路基板の製作過程を説明するための図面である。
【図３ｄ】本発明の実施形態による印刷回路基板の製作過程を説明するための図面である。
【図３ｅ】本発明の実施形態による印刷回路基板の製作過程を説明するための図面である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
本発明の利点及び特徴、それらを達成する方法は、添付図面と共に詳細に後述されている実施形態を参照すると明らかになるであろう。しかし、本発明は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態に具現されることができる。本実施形態は、本発明の開示が完全になるようにし、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されることができる。明細書の全文における同一の参照符号は、同一の構成要素を示す。
【００２９】
本明細書で使われている用語は、実施形態を説明するためのものであり、本発明を制限するためのものではない。本明細書で、単数形は文章で特別に言及しない限り複数形も含む。明細書で使われている‘含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）’及び／または‘含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）’は言及された構成要素、段階、動作及び／または素子は、一つ以上の他の構成要素、段階、動作及び／または素子の存在または追加を排除しない。
【００３０】
また、本明細書で記述する実施形態は、本発明の理想的な例示図である断面図及び／または平面図を参考して説明する。図面において、膜及び領域の厚さは、技術的内容の効果的な説明のために誇張されたものである。従って、及び／または許容誤差などにより例示図の形態が変形されることができる。従って、本発明の実施形態は、図示された特定形態に制限されるものではなく、製造工程によって生成される形態の変化も含む。例えば、直角に図示された領域は、ラウンド形態であってもよく、所定曲率を有する形態であってもよい。
【００３１】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態による印刷回路基板及びその製造方法に対して詳細に説明する。
【００３２】
図１及び図２は、本発明の実施形態により製造された印刷回路基板の断面図である。図１及び図２を参照すると、基板パッド１０５、絶縁層１１０、高分子接着層１１５、第１金属層１２０、ビアホール１２５、第２金属層１３０、回路層１４０が図示される。
【００３３】
本実施形態は、高分子接着層（ＡＰ：Ａｄｈｅｓｉｖｅ  Ｐｒｏｍｏｔｏｒ）を含んで低い粗度を有し、樹脂のような絶縁層と回路との間の密着力が高い印刷回路基板を製造する方法を提示する。
【００３４】
ここで、高分子接着層１１５は、絶縁層１１０と回路層１４０との間、回路層１４０とソルダーレジスト層（ＳＲ：Ｓｏｌｄｅｒ  Ｒｅｓｉｓｔ）との間などのように、互いに異なる物質間の接着力向上のために介在される接着層であり、一般的に接着層という。このような接着層を利用すると、従来の粗度処理過程を実行しなくても、絶縁層１１０、ソルダーレジスト層、及び回路層１４０の間に対する接着力を向上させることができる。
【００３５】
以下、接着層がポリマーを含む高分子接着層である場合を中心に説明する。
【００３６】
図１を参照すると、基板パッド１０５は、コアを形成し、本実施形態による基板製造工程が基板パッド１０５上で実行される。
【００３７】
基板パッド１０５は、一般的に絶縁材質で構成され、基板の放熱効率を向上させるためにアルミニウムなどのような金属材質で構成されてもよい。金属材質のコアで形成される場合には、回路層の形成前にショート防止のための絶縁層がさらに形成されることができる。
【００３８】
基板パッド１０５がコア層を形成する場合、その内部で半導体チップを形成したり、キャビティーを形成したりして多様な電子部品を挿入することができる。例えば、コア層に形成されたキャビティーの内部には、ＭＬＣＣ、ＬＴＣＣなどの受動素子の外にもＩＣ、半導体チップ、ＣＰＵなどの能動素子のような電子部品が挿入されることができる。この場合、電子部品の高さはコア層の高さと同一に形成されることができる。
【００３９】
絶縁層１１０は、基板パッド１０５に積層される。ここで、絶縁層１１０は、ＡＢＦになることができる。
【００４０】
高分子接着層１１５は、絶縁層１１０上に塗布される。高分子接着層１１５は、互いに異なるポリマー、例えば、第１ポリマー及び第２ポリマーを含むことができ、有機化合物も含むことができる。
【００４１】
例えば、高分子接着層１１５は、第１ポリマーであるアミン系ポリマー、イミダゾール系ポリマー、及びピリジン系ポリマーのうちいずれか一つ以上を含むことができる。第２ポリマーは、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂などのような熱硬化性合成樹脂になることができ、有機化合物は、例えば、ジビニルベンゼン（ｄｉｖｉｎｙｌ−ｂｅｎｚｅｎｅ）、スチレン（ｓｔｙｒｅｎｅ）、エチルビニールベンゼンなどのような芳香族化合物を含むことができる。
【００４２】
各ポリマーは、互いに異なる対象と結合することができ、例えば、高分子接着層１１５の第１ポリマーは、第１金属層１２０に接着されることができ、第２ポリマーと有機化合物は混用されて絶縁層１１０またはソルダーレジストと接着されることで、互いに異なる面の特性を有する複数の層を効果的に接着させることができる。
【００４３】
高分子接着層１１５の厚さは、絶縁層１１０、第１金属層１２０、回路層１４０などを互いに結合する機能をするため、その厚さは大きくなく、例えば、１０ｎｍ〜１０００ｎｍになることができる。
【００４４】
高分子接着層１１５は、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ｉＣＶＤ（ｉｎｉｔｉａｔｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、及びスピンコーティングなどの方法により絶縁層１１０と第１金属層１２０との間に形成されることができる。
【００４５】
このうち、スピンコーティング方式によると、第１ポリマーまたは第２ポリマーを有機化合物と混合し、ベンゼンまたはトルエンなどの揮発性有機溶剤に溶かしたＡＰ溶液を液滴でスピンコーターに装着された基板の表面に噴霧した後、スピンコーターを回転させることによって、絶縁層１１０上に該当溶液を全体的に塗布することができる。以後塗布された溶液に硬化処理をして揮発性有機溶剤が揮発されて除去されると、絶縁層１１０上に高分子接着層１１５が形成されることができる。
【００４６】
また、本実施形態は、ｉＣＶＤ方式で高分子接着層１１５を形成することができる。例えば、所定のチャンバー内に高分子接着層１１５を形成するポリマーのモノマーを気化し、ポリマーの重合反応と成膜工程を進行して気相重合反応を介してポリマー薄膜を形成することができる。
【００４７】
このようなｉＣＶＤ方法は、開始剤とモノマーを気化し、気相でフリーラジカルを利用した連鎖重合反応が行われるようにすることによって、ポリマー薄膜を絶縁層１１０上に蒸着することができる。
【００４８】
開始剤とモノマーは、単純混合する場合、重合反応が起こらないが、ｉＣＶＤチャンバー内に位置した高温のフィラメントにより開始剤が分解されてラジカルが生成されると、これによりモノマーが活性化されて連鎖重合反応が発生する。
【００４９】
開始剤は、ＴＢＰＯ（ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌ  ｐｅｒｏｘｉｄｅ）またはＴＡＰＯ（ｔｅｒｔ−ａｍｙｌ  ｐｅｒｏｘｉｄｅ）などのような過酸化物（ｐｅｒｏｘｉｄｅ）が主に使われることができる。このような開始剤は、１１０度（℃）程度の沸騰点を有する揮発性物質であり、ほぼ１５０度前後で熱分解されることができる。
【００５０】
この場合、ｉＣＶＤチャンバーで使われる高温フィラメントが２００度〜２５０度前後に維持されると、容易に連鎖重合反応を誘導することができる。ここで、高温フィラメントの温度は、過酸化物の開始剤を熱分解するには十分に高い温度であり、ｉＣＶＤに使われるモノマーを含む大部分の有機物は、このような温度では熱分解されないこともある。
【００５１】
開始剤の分解を介して形成されたフリーラジカルは、モノマーにラジカルを伝達して連鎖反応を起こしてポリマーを形成することができる。このように形成されたポリマーは、低温に維持された基板上に蒸着されて高分子接着層１１５を形成することができる。
【００５２】
第１金属層１２０は、高分子接着層１１５上に形成される。第１金属層１２０は、１０ｎｍ〜１０００ｎｍの厚さで無電解メッキまたはスパッタリング工法により形成されることができる。第１金属層１２０は、Ｃｕになることができる。
【００５３】
第２金属層１３０は、絶縁層１１０、高分子接着層１１５、及び第１金属層１２０に形成されたホールの側面及び第１金属層１２０上に形成される。第２金属層１３０は、無電解メッキで形成されたＣｕか、またはスパッタリング工法によりＴｉ及びＣｕが順次形成された金属層になることができる。
【００５４】
回路層１４０は、第２金属層１３０上に形成される。ここで、回路層１４０が形成する回路パターンによって第１金属層１２０及び第２金属層１３０がパターン化されることができる。
【００５５】
回路層１４０は、絶縁層１１０、高分子接着層１１５、第１金属層１２０、及び第２金属層１３０に形成されたビアホール１２５の内部にも充填されることができる。ここで、ビアホール１２５は、スールーホールを含む概念になることができる。ビアホール１２５は、レーザー加工またはＣＮＣを利用したドリリング加工を介して形成されることができる。ビアホール１２５は、互いに異なる層に形成された回路層を互いに電気的に連結するために、導電物質が充填されたり、内側面が塗布されたりすることができる。
【００５６】
図２を参照すると、第１金属層１２０及び第２金属層１３０だけでなく、高分子接着層１１５も回路層１４０が形成する回路パターンによってパターン化されることができる。
【００５７】
このような構造によると、ビアホール１２５の内側には、高分子接着層１１５が塗布されずに絶縁層１１０の表面に高分子接着層１１５を厚さ０．２μｍ以下に薄くて均一に塗布された基板を製造することができる。従って、本実施形態によると、ビアホール信頼性（ｖｉａ  ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ）が確保され、粗度（Ｒａ）が０.１μｍ以下に低く、且つ密着力が０．５ｋｇｆ／ｃｍ（４．９Ｎ／ｃｍ）以上である基板を製作することができる。本実施形態による印刷回路基板は、低い粗度により微細回路形成が容易であり、信号送信損失が低いと同時に高い密着力でＨＡＳＴ、ＴＳＤなどの信頼性試験で高い信頼性を示す。
【００５８】
以下で説明する各段階は、印刷回路基板の製作装置が主体となって実行することができる。各段階別に記述される過程は、必ず時系列順に実行される必要はなく、各段階の実行順序が変わっても本発明の要旨を満たす場合、このような過程は、本発明の権利範囲に属することができる。
【００５９】
図３ａ乃至図３ｅは、本発明の実施形態による印刷回路基板の製作過程を説明するための図面である。
【００６０】
図３ａを参照すると、基板パッド１０５に絶縁層１１０を積層する。ここで、基板パッド１０５は、絶縁材質または金属材質で形成され、基板のコアを形成することができる。
【００６１】
図３ｂを参照すると、絶縁層１１０に高分子接着層１１５を塗布する。例えば、スピンコーティング方式を利用したり、ｉＣＶＤなどの乾式工程を利用したりしてポリマーを含むＡＰ（ａｄｈｅｓｉｏｎ  ｐｒｏｍｏｔｅｒ）を絶縁層１１０に塗布することによって、低粗度でも絶縁層１１０と第１金属層１２０の層間密着力を高めることができる。
【００６２】
図３ｃを参照すると、高分子接着層１１５上に第１金属層１２０を形成する。ここで、第１金属層１２０は、無電解メッキまたはスパッタリング工法により形成されることができる。第１金属層１２０は、前述したように、オープン不良や高分子接着層１１５が粗度形成のためのデスミアの際溶解される問題を解決することができる。
【００６３】
即ち、ビアホール１２５の形成後に高分子接着層１１５を塗布すると、高分子接着層１１５がビアホール１２５の底面に残ってオープン不良を引き起こし、ビアホール１２５の形成前に高分子接着層１１５を塗布すると、デスミアの際高分子接着層１１５が溶解されるため、本実施形態は、高分子接着層１１５上に第１金属層１２０を形成することで、デスミアの際にも高分子接着層１１５が溶解されないようにする。
【００６４】
図３ｄを参照すると、絶縁層１１０、高分子接着層１１５、及び第１金属層１２０にビアホール１２５を形成してデスミア（ｄｅｓｍｅａｒ）する。ここで、デスミアは、湿式デスミアあるいはプラズマデスミアになることができる。具体的に、前者のデスミア工程は、膨潤−過マンガン酸塩−還元（ｓｗｅｌｌｅｒ−ｐｅｒｍａｎｇａｎａｔｅ−ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ）の湿式デスミア工程になることができる。
【００６５】
図３ｅを参照すると、ビアホール１２５の側面及び第１金属層１２０上にシード層（ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒ）として第２金属層１３０を形成する。第２金属層１３０は、化学銅メッキまたはスパッタリング工法により形成されることができる。
【００６６】
以後、第２金属層１３０上に所定のパターンを有する回路層１４０を形成する。ここで、回路層を次のような工程により形成されることができる。まず、第２金属層１３０にドライフィルムを積層して予め設定されたパターンによって現像し、ドライフィルムのパターンに相応して回路層を形成した後、ドライフィルムを除去して回路層を形成することができる。
【００６７】
このような本実施形態の工程によると、オープン不良や高分子接着層（ＡＰ）１１５がデスミアの際溶解される問題がない基板を製作することができる。また、本実施形態は、第１金属層１２０を形成した後、除去せずに後工程を進行することで、工程費用を節減することもできる。
【００６８】
以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の好ましい実施形態を示して説明するものに過ぎず、本発明は、本明細書に開示された発明の概念の範囲、著述した開示内容と均等な範囲及び／または当業界の技術または知識の範囲内で変更または修正が可能である。前述した実施形態は、本発明を実施するにあたり最良の状態を説明するためのものであり、本発明のような他の発明を利用するにおいて、当業界に知られた他の状態への実施、そして、発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。従って、以上の発明の詳細な説明は、開示された実施形態に本発明を制限するものではない。また、添付された特許請求の範囲は、他の実施形態も含むと解釈されなければならない。
【符号の説明】
【００６９】
１０５  基板パッド
１１０  絶縁層
１１５  高分子接着層
１２０  第１金属層
１２５  ビアホール
１３０  第２金属層
１４０  回路層
【図１】
2014130997.tif 000003
【図２】
2014130997.tif 000004
【図３ａ】
2014130997.tif 000005
【図３ｂ】
2014130997.tif 000006
【図３ｃ】
2014130997.tif 000007
【図３ｄ】
2014130997.tif 000008
【図３ｅ】
2014130997.tif 000009