(57)【要約】【課題】信頼性を高くしたベアチップ実装構造及びベアチップ実装プロセスを提供する。【解決手段】ベアチップが基板上に実装された実装構造であって、ベアチップの複数の電極上に形成された弾性バンプと、基板上の弾性バンプと対応する位置に形成された複数の電極との接触が、少なくとも弾性バンプの変位による圧力で維持されるようにした。【選択図】図２
2014060247.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベアチップが基板上に実装された実装構造であって、
前記ベアチップの複数の電極上に形成された弾性バンプと、前記基板上の前記弾性バンプと対応する位置に形成された複数の電極との接触が、少なくとも前記弾性バンプの変位による圧力で維持されるようにしたことを特徴とするベアチップ実装構造。
【請求項２】
前記圧力は、前記ベアチップと前記基板とで接着剤を挟んだ接着部が加圧された後で前記接着剤が硬化収縮し、除圧後の硬化収縮力と加圧保持力とで維持されることを特徴とする請求項１記載のベアチップ実装構造。
【請求項３】
前記弾性バンプは、弾性率が１−１００ＭＰａの導電性樹脂で形成されていることを特徴とする請求項１記載のベアチップ実装構造。
【請求項４】
前記接着部の材料の線膨張係数が前記弾性バンプの線膨張係数と同一であることを特徴とする請求項２記載のベアチップ実装構造。
【請求項５】
前記接着剤は、紫外線硬化樹脂であり、前記ベアチップの端部まで封止されていることを特徴とする請求項２記載のベアチップ実装構造。
【請求項６】
前記弾性バンプと、前記基板上に前記弾性バンプと対応する位置に形成される複数の電極との間に導電物が付加形成されていることを特徴とする請求項１記載のベアチップ実装構造。
【請求項７】
接触圧力が、前記弾性バンプの変位を制限するストッパでコントロールされていることを特徴とする請求項１記載のベアチップ実装構造。
【請求項８】
ベアチップの複数の電極上に導電性樹脂で弾性バンプを形成し、前記ベアチップを実装する基板上の前記弾性バンプと対応する位置に形成された複数の電極との接触を、少なくとも前記弾性バンプの変位による圧力で維持させることを特徴とするベアチップ実装プロセス。
【請求項９】
前記ベアチップと前記基板との間にある接着部を紫外線照射もしくは紫外線照射及び加熱により硬化収縮させ、加圧除去後、硬化収縮力と加圧力保持力とで前記圧力を維持することを特徴とする請求項８記載のベアチップ実装プロセス。
【請求項１０】
前記弾性バンプと、前記基板上に前記弾性バンプと対応する位置に形成される複数の電極との間に液状導電物を用い、加圧維持中に導電化処理により付加形成することを特徴とする請求項８記載のベアチップ実装プロセス。
【請求項１１】
前記弾性バンプと、前記基板上に前記弾性バンプと対応する位置に形成される複数の電極との間に金属星型粒子状の導電物を用い、加圧維持中に導電化処理により付加形成することを特徴とする請求項８記載のベアチップ実装プロセス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ベアチップ実装構造及びベアチップ実装プロセスに関する。
【背景技術】
【０００２】
デバイス・モジュールの実装に関し、柔構造のフリップチップ実装が行われている（例えば、特許文献１参照。）。
特許文献１に記載の発明は、「フリップチップの実装構造」に関するものであり、具体的には「フリップチップが取付けられる多層配線基板の導体パッド部にこの導体パッドと導体パッドが形成されている多層配線基板の最表面の絶縁層とを貫通する穴を設け、この穴にフリップチップのバンプを圧入してフリップチップを多層配線基板に取付ける」ものである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、技術開発に伴い、業界からエレクトロニクスモジュールの薄型化の要求が進み、さらにフレキシブル化も要求されるようになってきた。
エレクトロニクスモジュール・ユニットのフレキシブル化を実現するためには、薄く柔軟な配線基板に薄型ベアチップを高信頼性で実装することが望まれる。
薄型ベアチップを高信頼性で実装するためには下記の問題がある。
【０００４】
（１）薄く柔軟な配線基板は、柔らかい基板に薄い配線導体が形成されているため、配線導体の電極が実装時の圧力でダメージ（はがれ、断線）を受ける（図１参照）。
尚、図１（ａ）は、一般的なベアチップ実装における配線ダメージについての説明図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）の円Ａ内の拡大図である。
同図において、１はＡｕスタッドバンプ、２は配線破断部、３は樹脂基板、４はバンプと配線との接触部、５はＡｇナノインク配線、６はＮＣＰ樹脂（non conductive paste：非導電性樹脂）、及び７はベアチップを示す。
【０００５】
（２）上記ダメージを避け実装時の圧力を小さくすると接続部の接触面積が小さくなり、実装後の諸ストレスに弱く、信頼性の高い接続が確保されない。
従来の加熱加圧接続では、接続時の加圧力で接続面を平滑にし、接触面積を広くし信頼性を確保している。とくに、ベアチップの場合は接続電極面積が小さく、接触面積を大きく確保することが難しく、所謂コンストリクション抵抗が問題となる（マイクロエレクトロニクスパッケージングハンドブック参照＊）。加えて、柔らかい基板の場合は、接続時の加圧力で接続面を平滑しようとしても、先に電極に亀裂を生じたりするため、接触面積を広くすることが出来ないのである。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、信頼性を高くしたベアチップ実装構造及びベアチップ実装プロセスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本願の請求項１に係る発明は、ベアチップが基板上に実装された実装構造であって、前記ベアチップの複数の電極上に形成された弾性バンプと、前記基板上の前記弾性バンプと対応する位置に形成された複数の電極との接触が、少なくとも前記弾性バンプの変位による圧力で維持されるようにしたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、信頼性を高くしたベアチップ実装構造及びベアチップ実装方法の提供を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】（ａ）は、一般的なベアチップ実装における配線ダメージについての説明図であり、（ｂ）は、（ａ）の円Ａ内の拡大図である。
【図２】一実施の形態を示す断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、他の実施形態を示す工程図である。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は、他の実施形態を示す工程図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、さらに他の実施形態を示す工程図である。
【図６】（ａ）〜（ｅ）は、さらに他の実施形態を示す工程図である。
【図７】（ａ）は、バンプ弾性率と基材電極凹み変位との関係を示す図であり、（ｂ）は、ゴム硬度とヤング率との関係を示す図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、弾性バンプと基板との接触押圧関係を示す図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、他の実施形態を示す工程図である。
【図１０】（ａ）〜（ｅ）は、他の実施形態を示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
次に実施の形態について図面を参照して説明する。
＜実施形態１＞
図２は、一実施の形態を示す断面図である。
同図に示すベアチップ実装構造は、ベアチップ（半導体チップともいう）１１、基板（基材ともいう）１４、及び接着部１２を有し、ベアチップ１１は半導体電極１６を有し、基板１４は配線導体１５を有する。
(ａ)ベアチップ構造について
ベアチップ電極構造の材質としては、通常のＡｌ系電極の上に多層膜処理＊後金の表面処理を施したものが挙げられ、その形状としては、例えば１００μｍ角の正方形が挙げられる。
(ｂ)ベアチップ電極上のバンプ構造について
バンプ構造を形成する低弾性率バンプの材質としては、例えば、シリコーン系などのゴム系であって、弾性率が概ね１〜１００ＭＰａのもの、導電性付与に関しては、具体的には、Ａｇ粒子などの導電性フィラーが挙げられる。バンプの形状としては、例えば１００μｍ径の円柱／もしくはコーン状で、高さ５０μｍのものが挙げられる。
【００１１】
(ｃ)実装基板について
基板１４の材質としては、例えば、ＰＥＴ（polyethylene terephtalate：ポリエチレンテレフタレート：透明）が挙げられ、その形状としては、厚さが例えば０．１ｍｍの矩形状のものが挙げられる。
電極構造としては、材質が例えばＡｇナノインク配線後焼成したものが挙げられ、その形状としては、例えば膜厚が１μｍの矩形状が挙げられる。
ベアチップ１１と基板１４とを接続する接着部としては、材質が弾性バンプ１３と相性がよく、ベアチップと基材との密着力があり硬化収縮率の大きなＵＶ（ultra violet）硬化樹脂、エポキシ系／アクリル系が用いられる。例えば具体的には協立化学工業社製８０１ＳＥが挙げられる。その形状としては、ベアチップ１１の下面全体と端面の一部とを接着することができる形状であればよい。
【００１２】
ここで、弾性バンプ１３と、基板１４上に弾性バンプ１３と対応する位置に形成される複数の電極１６との間に導電物が付加形成されている。
「導電物」は、加熱が必要な物と不要なものとがあり、加熱が必要なものとしては、導電性接着剤と導電性ナノインクとの混合物またはそれぞれの単独物が挙げられ、加熱が不要なものとしては、シリコーングリスに導電粒子を分散させたものが挙げられる。導電性接着剤としては、例えば、藤倉化成社製のドータイトＸＡ−９１０が挙げられ、導電性ナノインクとしては、例えば、住友電工社製のナノインクが挙げられる。シリコーングリスとしては、信越化学工業社製の放熱グリスが挙げられる。導電粒子としては数μｍ前後の大きさの導電性の粒子であればよい。
【００１３】
＜実施形態２＞
図３（ａ）〜（ｄ）、図４（ａ）〜（ｅ）は、他の実施形態を示す工程図である。
［ベアチップ：金メッキ付け］
図３（ａ）に示す工程において、ベアチップ３０を準備し、電極３１に金メッキを形成する。
Ａｌ系電極では酸化膜が障害になって導電性の弾性バンプ１３との直接電気接続ができない。そのため、Ａｌ系電極の上に公知の技術により多層金表面処理膜を形成する。尚、金のスタッドバンプを用いても良い。
【００１４】
［バンプ形成］
図３（ｂ）に示す工程において、低弾性率の弾性バンプ３２を形成する。「低弾性率」とは、既存の金バンプより柔らかく、かつ樹脂製の基板４０で配線にクラックが生じない程度、電極膜厚や樹脂基材によって違うが、弾性率０．１ＭＰａ〜数ＧＭＰａである。
バンプ３２の材料としては、基板ＰＥＴ（弾性率４７００ＭＰａ）で電極膜厚１．０μｍとすると、弾性バンプ３２の高さ変位を１５μｍ程度（元高さ３０μｍ）とした場合、基材凹みを０．５μｍ以下に抑えるためには、弾性率が４７ＭＰａ以下の材料のものが必要となる。このための、弾性バンプ３２の材料としては、シリコーン系が挙げられる。もちろん基材が変れば、エポキシ系のものでも適合する。
弾性バンプ３２の吐出方法としては、ディスペンス３５を用いる等他各種の手段が可能である。
【００１５】
［レベリング＆バンプ硬化］
図３（ｃ）、（ｄ）に示す工程において、ディスペンス３５からの弾性バンプ３２の吐出後は、弾性バンプ３２の高さのばらつきを低減するため、ブロック３６で加圧し、そのまま樹脂硬化させる。
【００１６】
［チップ接着部形成］
図４（ａ）に示す工程において、チップ接着部形成方法としては、液状接着物の塗布とフィルム転写との２通りがある。液状接着物の塗布形状、塗布量は図４（ｃ）のチップ加圧時に、先にバンプが基板の電極に接し、その後加圧により樹脂がぬれ広がるように設定する。接着剤の種類に関しては、図４（ｄ）の硬化法などと関連するが、熱硬化・紫外線硬化・熱／紫外線併用が考えられる。
「液状導電物」とは、具体的には、導電物と同様である。
【００１７】
［チップと実装基板位置合わせ］
図４（ｂ）に示す工程において、基板４０に透明基板を用いた場合は、透過光で位置合わせすることもできるが、通常は、基板４０とベアチップ３０との間に図示しないハーフミラーを挿入して位置合わせする。
【００１８】
［チップ加圧］」
図４（ｃ）に示す工程において、チップ加圧は、（１）弾性バンプ３２の高さのばらつきを吸収し、（２）柔らかい基板上の薄い電極へのダメージを少なくし、（３）各バンプとも一定の面積以上の接続面積を確保しつつ、（４）接続部の接触圧力を確保し、（５）接着の樹脂広がりをコントロールする、重要なすり合わせ工程である。
【００１９】
［接着部硬化］
図４（ｄ）に示す工程において、加圧状態もしくは加圧ヘッド位置固定状態で、接着部を硬化する。硬化時の硬化収縮で、樹脂の体積がシュリンクし、弾性バンプ３２と電極との間の接触圧力が増加し、実装が終了する（図４（ｅ））。
【００２０】
＜実施形態３＞
図５（ａ）〜（ｄ）、図６（ａ）〜（ｅ）は、さらに他の実施形態を示す工程図である。
実施形態３の実施形態１との相違点は、不定形金属粒子転写を用いた点である。
［ベアチップ：金メッキ付］
図５（ａ）に示す工程において、ベアチップ３０の電極３１に金メッキを施す。
【００２１】
［バンプ形成］」
図５（ｂ）に示す工程において、金メッキを施した電極３１にディスペンス３５を用いてバンプ３２を形成する。
【００２２】
［不定形金属粒子転写］
図５（ｃ）に示す工程において、不定形金属粒子５０を弾性バンプ３２に転写する。
金属星型粒子（不定形粒子ともいう）については、星型不定形ニッケル：例えばフルウチ化学：Ｔ１２３ニッケルパウダーや、星型酸化チタン（粒径０．１〜１μｍ）：例えば、住友大阪セメント社製や、住友電工社製の針状ニッケル粒子が用いられる。塗布方法としては、バンプ先端に液状物塗布することが挙げられる。流動浸漬法により金属星型（不定形）粒子の転写が挙げられる。
【００２３】
［レベリング＆バンプ硬化］
図５（ｄ）に示す工程は、レベリング及びバンプ硬化工程である。ブロック３６でバンプ３２を加圧し、そのまま樹脂硬化させる。この工程は、図５（ｃ）の前に配置する場合もある。
以下、図６（ａ）〜（ｅ）に示す工程は、図４（ａ）〜（ｅ）に示した工程と同様なため、説明を省略する。
【００２４】
＜実施形態４＞
紫外線樹脂硬化収縮による接続部接触圧力向上
・紫外線硬化開始時期の圧力ヘッド挙動には２方式ある。
（i）加圧時定位置で圧力ヘッドを止めその段階で紫外線を当てる方式：位置制御が必要
（ii）常に定圧制御しつつ紫外線を当てる方式：位置制御が必要
【００２５】
紫外線樹脂硬化制御
（１）ＵＶ硬化樹脂の材料を、カチオン系を用いることにより、除圧後も加熱を加え硬化推進し、接触圧力をコントロールすることができる。
ここで、「除圧後も加熱を加え硬化推進し」とは、紫外線硬化樹脂には複数種類があり、一部のエポキシ系の紫外線硬化樹脂では、紫外線だけでは硬化完了せず、その後に熱硬化工程が入ることを意味する。
【００２６】
（２）ＵＶ硬化樹脂の材料にラジカル系を用いることにより、ＵＶ照射光のプロファイルにより、接触圧力をコントロールすることができる。
【００２７】
＜実施形態５＞
図９（ａ）〜（ｃ）、図１０（ａ）〜（ｅ）は、他の実施形態を示す工程図である。
この工程図において、弾性バンプ変位を制限するストッパ構造が示されている。
［バンプ形成］
図９（ａ）に示す工程は、弾性バンプを形成する工程であり、基板４０の電極４１上にディスペンス３５でバンプを形成する。
【００２８】
図９（ｂ）に示す工程は、基板４０の電極４１以外の領域にストッパ６０を他のディスペンス３７で形成する。
ここで、「ストッパ６０」は、弾性バンプの変形を抑え、弾性バンプの接触圧力を所定の値にコントロールしようという目的を達成するためのものであり、この目的に適合していれば、形状や材質は問わない。
実際は、ベアチップ上の接触する面積も限定されており、ストッパが固すぎるとチップ動作異常やチップ破損にもつながり、アンダーフィル剤とのマッチングも必要である。ストッパ６０の硬さは、弾性バンプより固い。
具体的には、ストッパ６０の材質は、スリーボンド社製の光硬化性樹脂スリーボンド３０００番シリーズの樹脂系材質が挙げられる。このストッパ６０は、ＵＶ硬化アクリル樹脂系の高粘度タイプな突起が形成でき、弾性率も数倍程度のものとしている。
【００２９】
図９（ｃ）に示す工程は、レベリング及びバンプ硬化工程であり、ブロック３６で弾性バンプ３２をストッパ６０に当たる位置まで押圧する。
【００３０】
図１０（ａ）〜図１０（ｅ）に示す工程は、ストッパ６０に当たる位置まで押圧する点以外は図４（ａ）〜図４（ｅ）に示す工程と基本的に同様のため、説明を省略する。
【００３１】
・紫外線硬化開始時期の圧力ヘッド挙動
以下の２方式が挙げられる。
（１）加圧時定位置で圧力ヘッドを止めその段階で紫外線を当てる方式：位置制御が必要
（２）常に定圧制御しつつ紫外線を当てる方式：位置制御が必要
【００３２】
・紫外線樹脂硬化制御
（１）ＵＶ硬化樹脂の材料を、カチオン系を用いることにより、除圧後も加熱を加え硬化推進し、接触圧力をコントロールすることができる。
（２）ＵＶ硬化樹脂の材料にラジカル系を用いることにより、ＵＶ照射光のプロファイルにより、接触圧力をコントロールすることができる。
【００３３】
＜作用効果＞
ここで、接触圧力をコントロールするために
（ａ）製造時
１）全体として
１．装置による接続時の圧力を調整する。
２．ＵＶ硬化樹脂の硬化収縮を考慮する。
３．ＵＶ硬化樹脂の弾性率を考慮する。
４．ＵＶ硬化樹脂とチップや基板との密着力を考慮する。
５．スペーサ高さ及び材質を考慮する。
２）とくに、
・装置による接続時圧力で弾性バンプを変形させ反力で接触圧力を確保する。
・ＵＶ硬化樹脂硬化収縮力を大きくする。ＵＶ硬化樹脂硬化収縮力とは、収縮率と弾性率とを含む。
【００３４】
（ｂ）温度変化時
とくに、
・ＵＶ硬化樹脂の弾性率の温度変化を考慮する。
使用温度範囲が、ガラス転移点を超えると弾性率も小さくなる材料が多い。とくにアクリル系樹脂が顕著である。硬化収縮率は大きくないが、エポキシ系の樹脂の方が望ましい。
・ＵＶ硬化樹脂の弾性率の温度変化
バンプの膨張係数との関連が重要であり、バンプがシリコーンで膨張係数は実使用温度範囲では熱機械特性は殆ど変化がないので、単純に低膨張係数の樹脂が望ましい。エポキシ系のＵＶ硬化樹脂を選定することが望ましい。
【００３５】
以上において、
本実施形態によれば、ベアチップの各電極上には弾性バンプが形成されているので、低圧加圧でも弾性バンプ自体が変形し、弾性バンプの高さばらつきだけでなく、電極への圧力も、低圧で、均一に制御される。その状態を保って所定の圧力値以下にすれば、基板電極のクラックは防止できる。加圧除去後の接触圧力を構造的に常時圧力保持させ、接続信頼性を確保することができる。
【００３６】
本実施形態によれば、構造的に常時圧力保持させる方法として、ベアチップ端部までぬれ広がった接着部を硬化させれば、形状維持だけでなく硬化収縮による加圧力も追加され、両加圧力の合計が加圧除去後の接触圧力となり接続部の接続信頼性は確保できる。
【００３７】
本実施形態によれば、基板の弾性率と配線抵抗の膜厚とにあわせて、弾性バンプの弾性率／形状を選択することにより１〜１００ＭＰａの導電性樹脂の中から接続部の接触圧力が所定の値になるように選択することができる。
【００３８】
図７（ａ）は、バンプ弾性率と基材電極凹み変位との関係を示す図であり、図７（ｂ）は、ゴム硬度とヤング率との関係を示す図である。図８（ａ）〜（ｃ）は、弾性バンプと基板との接触押圧関係を示す図である。
ここで、ヤング率とは力／ひずみであり、ものを引っ張ったときの伸びと力の関係から求められる定数であり、曲げ剛性、たわみ剛性ともいう。図７（ａ）、（ｂ）に示す樹脂Ａ〜Ｃは汎用のシリコーンゴムであり、限定されるものではない。
バンプ（Ｅ１）に力Ｆがかかった場合（図８（ａ））、Ｅ１＜＜Ｅ２の場合（弾性バンプ：１〜１００ＭＰａＰＥＴ４０００ＭＰａ）にはバンプが収縮し（図８（ｂ））、Ｅ１＞＞Ｅ２の場合（Ａｕ：７８０００ＭＰａ、ＰＥＴ４０００ＭＰａ）には基板が凹むことを表す。
【００３９】
ここで、バンプ弾性率と基材電極凹みについて、さらに述べる。
１）式σ＝Eｓ＊Δｄｓ/ｄｓ＝Eｂ＊Δｄｂ/ｄｂを用いる。
但し、Eｓ＊Δｄｓ/ｄｓ＝Eｂ＊Δｄｂ/ｄｂ
基材印加圧力      σｓ  N/mm2
基材弾性率        E      Mpa
基材変位  Δｄｓ  mm
基材板厚  ｄｓ  mm
基材印加圧力    σｂ    N/mm2
バンプ弾性率    Eｂ      Mpa
バンプ変位      Δｄｂ    mm
バンプ高さ      ｄｂ      mm
２）計算例を以下に述べる。
基材弾性率        Es    ４７００Mpa  ：東レPET  フィルム
基材変位  Δｄｓ  mm          ：X
基材板厚  ｄｓ    mm            ：０．１
バンプ弾性率      Eｂ  Mpa          ：Y
バンプ変位        Δｄｂ  mm          ：０．０１５
バンプ高さ        ｄｂ  mm          ：０．０３０
Y＝９４＊Xとなる。
以上において、実装時の許容基材電極変位（凹み）は、配線膜厚の１／２と考え、
バンプ変位（変形）はバンプ高さの１／２が中心値とすると、
配線膜厚1μの場合  上記計算例）の「Y＝９４＊X」から、Y＝４９MPaの弾性率の
バンプとなる。
【００４０】
本実施形態によれば、半導体チップと他の構造部分との間に発生する熱歪は避けられないものであるが、接合部に加わるストレスを少なくするために、接着部全面で受け、かつ接着部の材料のＺ軸方向の線膨張係数が弾性バンプと同一での方が、接続部に余分なストレスがかからないようにすることができる。
【００４１】
本実施形態によれば、接着部の材料を紫外線硬化樹脂にすることにより、加熱の影響による不要な熱歪を回避するだけでなく、接触圧力をえるための「硬化収縮力」をコントロールできる。
【００４２】
本実施形態によれば、接着部の塗布は、塗布後ベアチップ端部まで封止することにより、弾性バンプに均等な加圧力が加わり、かつ耐外力強度が増す。
【００４３】
本実施形態によれば、ＵＶ硬化樹脂の材料を、カチオン系を用いることにより、除圧後も加熱を加え硬化推進し、接触圧力をコントロールすることができる。また、ＵＶ硬化樹脂の材料にラジカル系を用いることにより、ＵＶ照射光のプロファイルにより、接触圧力をコントロールすることができる。
【００４４】
本実施形態によれば、弾性バンプと、基板上の弾性バンプと対応する位置に形成される複数の電極との間に導電物が付加形成することにより、より接続抵抗を小さくしたり、接続信頼性を高めたりすることができる。
【００４５】
本実施形態によれば、導電物として液状導電物、例えば導電性接着剤や導電性ナノインクを用い、弾性バンプが変形している加圧維持中に、加熱導電化処理をすることにより、接続部を電気的・力学的に補強し、接続抵抗低減と信頼性向上とを実現できる。
【００４６】
本実施形態によれば、導電物として金属星型（不定形ともいう）粒子を用い、弾性バンプに予め塗布することにより、弾性バンプの食い込み、アンカー効果により、接続部を電気的・力学的に補強し、接続抵抗低減と信頼性向上を実現できる。
【００４７】
本実施形態によれば、弾性バンプ変位がストッパで制限できるので、接触圧力はコントロールされる。
【００４８】
なお、上述した実施の形態は、本発明の好適な実施の形態の一例を示すものであり、本発明はそれに限定されることなく、その要旨を逸脱しない範囲内において、種々変形実施が可能である。
【符号の説明】
【００４９】
１１、３０    ベアチップ
１２    接着部
１３、３２    弾性バンプ
１４、４０    基板（基材ともいう）
１５    配線導体
１６    半導体電極
３１、４１    電極
３５、３７    ディスペンス
３６    ブロック
５０    不定形金属粒子
６０    ストッパ
【先行技術文献】
【特許文献】
【００５０】
【特許文献１】特開２０００−０９１３８０号公報
【図１】
2014060247.tif 000003
【図２】
2014060247.tif 000004
【図３】
2014060247.tif 000005
【図４】
2014060247.tif 000006
【図５】
2014060247.tif 000007
【図６】
2014060247.tif 000008
【図７】
2014060247.tif 000009
【図８】
2014060247.tif 000010
【図９】
2014060247.tif 000011
【図１０】
2014060247.tif 000012