(57)【要約】【課題】配線板に表面の形状が平滑なキャビティを生産効率良く形成する。【解決手段】キャビティの形成方法は、コア基板となる平板に設定した周長がＬ（μｍ）の閉ループ線に沿って、閉ループ線上に設定した基準位置を開始位置として順次レーザを照射していき、各レーザ照射によってそれぞれ形成された直径φ（μｍ）のレーザ加工孔をＭ個（Ｍ：自然数）連続させて、閉ループ線内に平板を貫通する貫通孔を形成する。ここで、レーザ加工孔を連続させるにあたり、閉ループ線をｎ回（ｎ：２以上の自然数）周回し、かつ、閉ループ線をｉ回（ｉ＝１，２，・・・，ｎ−１）周回したときに開始位置を基準位置からΣｄｉ（μｍ）オフセットした上で、各回の周回毎にレーザ照射の加工ピッチをｐ（μｍ）としてｍ個（ｍ：自然数）のレーザ加工孔を形成する。【選択図】図５
2014130962.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア基板となる平板に対しレーザ照射器から順次レーザを照射して直径φ（μｍ）のレーザ加工孔を形成することと、
前記コア基板に設定した周長がＬ（μｍ）の閉ループ線上の基準位置を開始位置として前記レーザ照射器を前記閉ループ線に沿って周回させることと、を備え、
下記関係式（１）、（２ａ）及び（２ｂ）を満たすように、前記レーザ照射器を前記閉ループ線に沿って加工ピッチをｐ（μｍ）にしてｎ回（ｎ：２以上の自然数）周回させ、前記レーザ照射器からレーザを照射させて周回毎にｍ個（ｍ：自然数）の前記レーザ加工孔を形成するとともに、前記レーザ照射器がｉ回（ｉ＝１，２，・・・，ｎ−１）周回する毎に、前記開始位置を前記基準位置からΣｄｉ（μｍ）オフセットさせることにより、ｎ回の周回でＭ個（Ｍ：自然数）の前記レーザ加工孔を前記閉ループ線に沿って連続させ、前記コア基板を貫通する貫通孔を形成する、キャビティの形成方法。
ｐ＝Σｄｉ  （ｉ＝１〜ｎ）  ・・・（１）
ｍ≒Ｌ／ｐ  ・・・（２ａ）
Ｍ＝ｍ×ｎ  ・・・（２ｂ）
【請求項２】
下記関係式（３）を満たす請求項１に記載のキャビティの形成方法。
φ／３  ≦  ｐ  ＜  φ  ・・・（３）
【請求項３】
下記関係式（４）を満たす請求項１又は２に記載のキャビティの形成方法。
ｄ１＝ｄ２＝・・・＝ｄｎ  ・・・（４）
【請求項４】
前記自然数ｎが３以上８以下である請求項１乃至３のいずれか１項に記載のキャビティの形成方法。
【請求項５】
前記レーザを照射する周波数をｆＨｚ（ｆは１２００Ｈｚ以上１００００Ｈｚ以下）とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のキャビティの形成方法。
【請求項６】
前記レーザの出力エネルギーが１Ｗ以上５０Ｗ以下である請求項１乃至５のいずれか１項に記載のキャビティの形成方法。
【請求項７】
前記コア基板の熱伝導率が０．６０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上１Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下である請求項１乃至６のいずれか１項に記載のキャビティの形成方法。
【請求項８】
前記貫通孔にデスミア処理を施す請求項１乃至７のいずれか１項に記載のキャビティの形成方法。
【請求項９】
前記貫通孔の形状が、矩形状、円形状、突起部を対向するように突出させて矩形の孔を仕切った形状、又はそれらを組み合わせた形状のいずれかである請求項１乃至８のいずれか１項に記載のキャビティの形成方法。
【請求項１０】
コア基板となる平板に対しレーザ照射器から順次レーザを照射して直径φ（μｍ）のレーザ加工孔を形成する照射手段と、
前記コア基板に設定した周長がＬ（μｍ）の閉ループ線上の基準位置を開始位置として前記レーザ照射器を前記閉ループ線に沿って周回させる移動手段と、
下記関係式（１）、（２ａ）及び（２ｂ）を満たすように、前記レーザ照射器を前記閉ループ線に沿って加工ピッチをｐ（μｍ）にしてｎ回（ｎ：２以上の自然数）周回させ、前記レーザ照射器からレーザを照射させて周回毎にｍ個（ｍ：自然数）の前記レーザ加工孔を形成するとともに、前記レーザ照射器がｉ回（ｉ＝１，２，・・・，ｎ−１）周回する毎に、前記開始位置を前記基準位置からΣｄｉ（μｍ）オフセットさせることにより、ｎ回の周回でＭ個（Ｍ：自然数）の前記レーザ加工孔を前記閉ループ線に沿って連続させ、前記コア基板を貫通する貫通孔を形成する制御手段とを備える、キャビティの形成装置。
ｐ＝Σｄｉ  （ｉ＝１〜ｎ）  ・・・（１）
ｍ≒Ｌ／ｐ  ・・・（２ａ）
Ｍ＝ｍ×ｎ  ・・・（２ｂ）
【請求項１１】
コア基板となる平板に対しレーザ照射器から順次レーザを照射して直径φ（μｍ）のレーザ加工孔を形成させる手順と、
前記コア基板に設定した周長がＬ（μｍ）の閉ループ線上の基準位置を開始位置として前記レーザ照射器を前記閉ループ線に沿って周回させる手順と、
下記関係式（１）、（２ａ）及び（２ｂ）を満たすように、前記レーザ照射器を前記閉ループ線に沿って加工ピッチをｐ（μｍ）にしてｎ回（ｎ：２以上の自然数）周回させ、前記レーザ照射器からレーザを照射させて周回毎にｍ個（ｍ：自然数）の前記レーザ加工孔を形成するとともに、前記レーザ照射器がｉ回（ｉ＝１，２，・・・，ｎ−１）周回する毎に、前記開始位置を前記基準位置からΣｄｉ（μｍ）オフセットさせることにより、ｎ回の周回でＭ個（Ｍ：自然数）の前記レーザ加工孔を前記閉ループ線に沿って連続させ、前記コア基板を貫通する貫通孔を形成する手順とを、コンピュータに実行させるプログラム。
ｐ＝Σｄｉ  （ｉ＝１〜ｎ）  ・・・（１）
ｍ≒Ｌ／ｐ  ・・・（２ａ）
Ｍ＝ｍ×ｎ  ・・・（２ｂ）
【請求項１２】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の方法を用いて貫通孔が形成されたコア基板を準備することと、
前記コア基板の第１面及び第２面に、それぞれ第１層間絶縁層と、第２層間絶縁層とを積層することとを含み、
前記貫通孔と、前記第１層間絶縁層と、前記第２層間絶縁層とによって、電子部品を内蔵するためのキャビティを形成する配線板の製造方法。
【請求項１３】
前記貫通孔が形成された前記コア基板を準備するにあたり、
平板に複数の絶縁層を積層した前記コア基板に前記貫通孔を形成する請求項１２に記載の配線板の製造方法。
【請求項１４】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の方法によって貫通孔が形成されたコア基板と、
前記コア基板の第１面及び第２面に、それぞれ積層された第１層間絶縁層及び第２層間絶縁層とを有し、
前記貫通孔と、前記第１層間絶縁層と、前記第２層間絶縁層とによって、電子部品を内蔵するためのキャビティが形成されている配線板。
【請求項１５】
平板に複数の絶縁層を積層した前記コア基板に前記貫通孔を形成する請求項１４に記載の配線板。
【請求項１６】
前記キャビティの側壁に形成された凹凸における凸部の高さが１μｍ以上１０μｍ以下である請求項１４又は１５に記載の配線版。
【請求項１７】
前記キャビティの側壁に形成された凹凸における凸部の間隔が１０μｍ以上１００μｍ以下である請求項１４乃至１６のいずれか１項に記載の配線版。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャビティの形成方法、及びその方法を用いた配線板の製造方法、並びにその製造方法を用いて製造した配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、電子部品を内蔵するためのキャビティを形成した配線板が開示されている。この配線板のキャビティは、当該配線板のコア基板にレーザ光を使って貫通孔を形成する方法により形成される。ここでは、貫通孔は、コア基板に設定した閉ループ線に沿うようにレーザを照射してレーザ加工孔を形成し、その複数のレーザ加工孔を連続させることによって閉ループ線の内側をくり抜くことで形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−２４５５３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載された配線板では、レーザを照射して貫通孔を形成するときに、レーザを照射したときにレーザ加工孔の周辺に蓄積された熱の影響により貫通孔の加工形状が粗くなることがある。また、そのような熱の影響を受けないようにレーザ加工孔の間隔を大きくすると形成された貫通孔の形状が不連続となり、これによってもキャビティの壁面の表面形状が粗くなることがある。また、レーザを照射する時間間隔を大きくすると、配線板の生産性が低下してしまう。
【０００５】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、配線板の生産性を低下させることなく、配線板に表面の形状が平滑なキャビティを形成することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の観点に係るキャビティの形成方法は、
コア基板となる平板に対しレーザ照射器から順次レーザを照射して直径φ（μｍ）のレーザ加工孔を形成することと、
前記コア基板に設定した周長がＬ（μｍ）の閉ループ線上の基準位置を開始位置として前記レーザ照射器を前記閉ループ線に沿って周回させることと、を備え、
下記関係式（１）、（２ａ）及び（２ｂ）を満たすように、前記レーザ照射器を前記閉ループ線に沿って加工ピッチをｐ（μｍ）にしてｎ回（ｎ：２以上の自然数）周回させ、前記レーザ照射器からレーザを照射させて周回毎にｍ個（ｍ：自然数）の前記レーザ加工孔を形成するとともに、前記レーザ照射器がｉ回（ｉ＝１，２，・・・，ｎ−１）周回する毎に、前記開始位置を前記基準位置からΣｄｉ（μｍ）オフセットさせることにより、ｎ回の周回でＭ個（Ｍ：自然数）の前記レーザ加工孔を前記閉ループ線に沿って連続させ、前記コア基板を貫通する貫通孔を形成する。
ｐ＝Σｄｉ  （ｉ＝１〜ｎ）  ・・・（１）
ｍ≒Ｌ／ｐ  ・・・（２ａ）
Ｍ＝ｍ×ｎ  ・・・（２ｂ）
【０００７】
また、本発明の第１の観点に係るキャビティの形成方法は、
下記関係式（３）を満たすことが好ましい。
φ／３  ≦  ｐ  ＜  φ  ・・・（３）
【０００８】
また、本発明の第１の観点に係るキャビティの形成方法は、
下記関係式（４）を満たすことが好ましい。
ｄ１＝ｄ２＝・・・＝ｄｎ  ・・・（４）
【０００９】
また、本発明の第１の観点に係るキャビティの形成方法は、
前記自然数ｎが３以上８以下であることが好ましい。
【００１０】
また、本発明の第１の観点に係るキャビティの形成方法は、
前記レーザを照射する周波数をｆＨｚ（ｆは１２００Ｈｚ以上１００００Ｈｚ以下）とすることが好ましい。
【００１１】
また、本発明の第１の観点に係るキャビティの形成方法は、
前記レーザの出力エネルギーが１Ｗ以上５０Ｗ以下であることが好ましい。
【００１２】
また、本発明の第１の観点に係るキャビティの形成方法は、
前記コア基板の熱伝導率が０．６０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上１Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下であることが好ましい。
【００１３】
また、本発明の第１の観点に係るキャビティの形成方法は、
前記貫通孔にデスミア処理を施すことが好ましい。
【００１４】
また、本発明の第１の観点に係るキャビティの形成方法は、
前記貫通孔の形状が、矩形状、円形状、突起部を対向するように突出させて矩形の孔を仕切った形状、又はそれらを組み合わせた形状のいずれかであることが好ましい。
【００１５】
本発明の第２の観点に係るキャビティの形成装置は、
コア基板となる平板に対しレーザ照射器から順次レーザを照射して直径φ（μｍ）のレーザ加工孔を形成する照射手段と、
前記コア基板に設定した周長がＬ（μｍ）の閉ループ線上の基準位置を開始位置として前記レーザ照射器を前記閉ループ線に沿って周回させる移動手段と、
下記関係式（１）、（２ａ）及び（２ｂ）を満たすように、前記レーザ照射器を前記閉ループ線に沿って加工ピッチをｐ（μｍ）にしてｎ回（ｎ：２以上の自然数）周回させ、前記レーザ照射器からレーザを照射させて周回毎にｍ個（ｍ：自然数）の前記レーザ加工孔を形成するとともに、前記レーザ照射器がｉ回（ｉ＝１，２，・・・，ｎ−１）周回する毎に、前記開始位置を前記基準位置からΣｄｉ（μｍ）オフセットさせることにより、ｎ回の周回でＭ個（Ｍ：自然数）の前記レーザ加工孔を前記閉ループ線に沿って連続させ、前記コア基板を貫通する貫通孔を形成する制御手段とを備える。
ｐ＝Σｄｉ  （ｉ＝１〜ｎ）  ・・・（１）
ｍ≒Ｌ／ｐ  ・・・（２ａ）
Ｍ＝ｍ×ｎ  ・・・（２ｂ）
【００１６】
本発明の第３の観点に係るプログラムは、
コア基板となる平板に対しレーザ照射器から順次レーザを照射して直径φ（μｍ）のレーザ加工孔を形成させる手順と、
前記コア基板に設定した周長がＬ（μｍ）の閉ループ線上の基準位置を開始位置として前記レーザ照射器を前記閉ループ線に沿って周回させる手順と、
下記関係式（１）、（２ａ）及び（２ｂ）を満たすように、前記レーザ照射器を前記閉ループ線に沿って加工ピッチをｐ（μｍ）にしてｎ回（ｎ：２以上の自然数）周回させ、前記レーザ照射器からレーザを照射させて周回毎にｍ個（ｍ：自然数）の前記レーザ加工孔を形成するとともに、前記レーザ照射器がｉ回（ｉ＝１，２，・・・，ｎ−１）周回する毎に、前記開始位置を前記基準位置からΣｄｉ（μｍ）オフセットさせることにより、ｎ回の周回でＭ個（Ｍ：自然数）の前記レーザ加工孔を前記閉ループ線に沿って連続させ、前記コア基板を貫通する貫通孔を形成する手順とを、コンピュータに実行させる。
ｐ＝Σｄｉ  （ｉ＝１〜ｎ）  ・・・（１）
ｍ≒Ｌ／ｐ  ・・・（２ａ）
Ｍ＝ｍ×ｎ  ・・・（２ｂ）
【００１７】
本発明の第４の観点に係る配線板の製造方法は、
前記キャビティの形成方法を用いて貫通孔が形成されたコア基板を準備することと、
前記コア基板の第１面及び第２面に、それぞれ第１層間絶縁層と、第２層間絶縁層とを積層することとを含み、
前記貫通孔と、前記第１層間絶縁層と、前記第２層間絶縁層とによって、電子部品を内蔵するためのキャビティを形成することを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の第４の観点に係る配線板の製造方法は、
前記貫通孔が形成された前記コア基板を準備するにあたり、
平板に複数の絶縁層を積層した前記コア基板に前記貫通孔を形成することが好ましい。
【００１９】
本発明の第５の観点に係る配線板は、
前記キャビティの形成方法によって貫通孔が形成されたコア基板と、
前記コア基板の第１面及び第２面に、それぞれ積層された第１層間絶縁層及び第２層間絶縁層とを有し、
前記貫通孔と、前記第１層間絶縁層と、前記第２層間絶縁層とによって、電子部品を内蔵するためのキャビティが形成されていることを特徴とする。
【００２０】
また、本発明の第５の観点に係る配線板は、
平板に複数の絶縁層を積層した前記コア基板に前記貫通孔を形成することが好ましい。
【００２１】
また、本発明の第５の観点に係る配線板は、
前記キャビティの側壁に形成された凹凸における凸部の高さが１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。
【００２２】
また、本発明の第５の観点に係る配線板は、
前記キャビティの側壁に形成された凹凸における凸部の間隔が１０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、配線板の生産性を低下させることなく、配線板に良好な形状のキャビティを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】（Ａ）は、本発明の実施形態に係るキャビティの形成方法において、レーザ照射により貫通孔を形成している状態を示す斜視図であり、（Ｂ）は、その状態でのレーザ加工装置の正面図である。
【図２】レーザ加工装置の構成を示すブロック図である。
【図３】配線板の製造方法を説明するフローチャートである。
【図４】（Ａ）〜（Ｅ）は、配線板の製造方法の各工程を説明する断面図である。
【図５】コア基板に貫通孔を形成する方法を説明するフローチャートである。
【図６】コア基板に貫通孔を形成するための閉ループ線を設定した状態を示す平面図である。
【図７】（Ａ）は、レーザ照射器が一回周回した後のレーザ加工孔によるコア基板の加工状態を示す平面図であり、（Ｂ）は、レーザ加工孔が連続している状態を示す図である。
【図８】（Ａ）は、レーザ照射器が二回周回した後のレーザ加工孔によるコア基板の加工状態を示す平面図であり、（Ｂ）は、レーザ加工孔が連続している状態を示す図である。
【図９】（Ａ）は、レーザ照射器が三回周回した後のレーザ加工孔によるコア基板の加工状態を示す平面図であり、（Ｂ）は、レーザ加工孔が連続している状態を示す図である。
【図１０】（Ａ）は、レーザ照射器が四回周回した後のレーザ加工孔によるコア基板の加工状態を示す平面図であり、（Ｂ）は、レーザ加工孔が連続している状態を示す図である。
【図１１】（Ａ）は、レーザを照射するときに設定する加工ピッチを説明する図であり、（Ｂ）は、周回毎にレーザ照射器の開始位置をオフセットさせる状態を説明する図である。
【図１２】レーザ加工の周回後に開始位置と終了位置との間に余り（レーザが照射されずに残存した部分）が生じた場合について説明する図である。
【図１３】レーザ加工の周回数と加工時間及び加工ピッチとの関係を示す図表である。
【図１４】レーザ加工の周回数と加工時間及び加工ピッチとの関係を示すグラフ図である。
【図１５】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の変形例に係る配線板の製造方法の各工程を説明する断面図である。
【図１６】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の変形例に係るキャビティの形成方法によって形成されるキャビティの形状の例を示す平面図である。
【図１７】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の変形例に係るキャビティの形成方法においてコア基板に設定する閉ループ線の形状の例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００２６】
なお、相反する法線方向を向いた２つの主面を、第１面又は第３面、第２面又は第４面という。積層方向において、コア基板に近い側を下層（又は内層側）、コア基板から遠い側を上層（又は外層側）という。
【００２７】
導体層は、一乃至複数の導体パターンで構成される層である。導体層は、電気回路を構成する導体パターン、例えば配線（グランドも含む）、パッド、又はランドを含む場合もあれば、電気回路を構成しない平面状の導体パターンを含む場合もある。
【００２８】
開口部には、孔や溝のほか、切欠きや切れ目も含まれる。孔には、貫通孔と非貫通の孔とがあり、ビアホール及びスルーホールが含まれる。以下、ビアホール内（壁面又は底面）に形成される導体をビア導体といい、スルーホール内（壁面）に形成される導体をスルーホール導体という。
【００２９】
「準備すること」には、材料や部品を購入して自ら製造することのほかに、完成品を購入して使用することも含まれる。
【００３０】
電子部品が開口部に配置されることには、電子部品の全体が開口部に完全に収容されることのほか、電子部品の一部のみが開口部に配置されることも含まれる。
【００３１】
孔又は柱体（突起）の「幅」は、特に指定がなければ、円の場合には直径を意味し、円以外の場合には２√（断面積／π）を意味する。
【００３２】
均一でない寸法（凹凸がある部分の厚み又はテーパ状の部分の幅）が所定の範囲に含まれるか否かは、原則として、その寸法の平均値（異常値を除いた有効値のみの平均）がその範囲に含まれるか否かによって判断する。ただし、最大値のように、平均値以外の値を用いることを明記している場合は、この限りでない。
【００３３】
「周回」とは、レーザ照射器がコア基板に設定した閉ループ線上の全経路を通過することをいう。例えば、一筆書きのように閉ループ線上の開始位置から閉ループ線に沿って移動し、再度開始位置まで戻るような場合が挙げられる。
【００３４】
以下、本発明を具体化した実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００３５】
まず、本発明の実施形態に係る配線板の製造方法及びキャビティの形成方法に用いる装置について、図１及び図２を参照して説明する。なお、本発明の実施形態に係る配線板の製造方法は、上記キャビティの形成方法を工程の一部に含む。また、本実施形態では、キャビティを形成するにあたり、レーザ加工装置１０を使用する。
【００３６】
本実施形態に係るキャビティの形成方法は、コア基板１００となる平板１００ａに対し、レーザ１１を照射することにより、貫通孔Ｒ１０を形成することを含むものである。具体的には、図１（Ａ）に示すように、コア基板１００上に閉ループ線２１を設定し、レーザ加工装置１０からレーザ１１をパルス状に照射しながら、レーザ１１の照射位置を閉ループ線２１に沿って移動させる。このように、レーザ１１によって形成された複数のレーザ加工孔２０を連続させることにより、閉ループ線２１の内部をくり抜いて、貫通孔Ｒ１０を形成する。なお、閉ループ線２１は、ここでは矩形としたが、例えば円形や多角形のように始端と終端とが繋がった閉じた形状であれば、特に限定されない。
【００３７】
貫通孔Ｒ１０を形成する際に使用するレーザ加工装置１０は、図１（Ｂ）及び図２に示すように、照射手段３０、移動手段４０、制御手段５０を含んで構成される。なお、照射手段３０には、周波数設定手段３１、レーザ発光器３２、出力調整手段３３、レーザ照射器３４が含まれる。移動手段４０には、移動速度設定手段４１、駆動部４２、アーム４３が含まれる。制御手段５０には、制御部５１、記憶部５２、入力部５３、インタフェース５４が含まれる。
【００３８】
周波数設定手段３１は、操作者が操作レバーや操作ボタンから入力した周波数ｆ（Ｈｚ）の値によって、レーザ発光器３２が単位時間（１秒）あたりにレーザ１１を発生させる回数を設定する。例えば、周波数ｆを１２００Ｈｚと設定した場合、レーザ発光器３２から１秒間に１２００回のレーザ１１が照射される。この周波数ｆ（Ｈｚ）を大きくすると、レーザ１１を照射する時間間隔（Δｔ＝１／ｆ）が短くなる。なお、周波数ｆは、貫通孔Ｒ１０の形成効率を考慮すると、１２００Ｈｚ以上、１００００Ｈｚ以下、より好ましくは、２４００Ｈｚ以上、３６００Ｈｚ以下とすることがよい。
【００３９】
レーザ発光器３２は、光を増幅し、周波数設定手段３１で設定された周波数ｆ（Ｈｚ）に応じて、Δｔ（μｓ）の周期でレーザ１１を発生する。レーザ１１としては、例えば、増幅媒質として炭酸ガスを用いるＣＯ２レーザが挙げられる。
【００４０】
出力調整手段３３は、操作者が操作レバーや操作ボタンから入力した出力エネルギーＥ（Ｗ）の値によって、レーザ照射器３４が照射するレーザ１１の出力エネルギーＥ（Ｗ）を設定する。この出力エネルギーＥ（Ｗ）が大きくなると、コア基板１００に形成されるレーザ加工孔２０の直径φ（μｍ）が大きくなる。なお、貫通孔Ｒ１０の形成効率とエネルギー効率を勘案すると、レーザ１１の出力エネルギーＥとしては、１Ｗ以上５０Ｗ以下が好ましい。
【００４１】
レーザ照射器３４は、レーザ発光器３２で発生させたレーザ１１を、出力調整手段３３で設定された出力エネルギーＥ（Ｗ）で照射する。ここでは、上方からコア基板１００に向けてレーザ１１が照射される。なお、レーザ１１は、前回の照射位置で照射を終えてから次回の照射位置に移動するまでは照射されない。
【００４２】
移動速度設定手段４１は、操作者が操作レバーや操作ボタンから入力した移動速度ｖ（μｍ／μｓ）の値によって、駆動部４２が移動させるレーザ照射器３４の速度を設定する。この移動速度ｖ（μｍ／μｓ）を用いて、レーザ照射器３４が移動する距離間隔である加工ピッチｐ（μｍ）が制御部５１で演算される。レーザ１１は周波数ｆ（Ｈｚ）に応じた周期（Δｔ＝１／ｆ）で照射されるので、レーザ加工孔２０の加工ピッチｐ（μｍ）は、時間間隔ごとの移動距離（ｐ＝ｖ×Δｔ）で表される。
【００４３】
駆動部４２は、例えば、モータが含まれ、移動速度設定手段４１で設定した速度でアーム４３を移動させるのに必要な動力を発生する。アーム４３は、レーザ照射器３４をコア基板１００の上方で保持し、駆動部４２の動力により、保持したレーザ照射器３４の位置を移動させる。なお、本実施形態においては、コア基板１００を固定し、駆動部４２がレーザ照射器３４をＸＹ面と平行に水平移動させるが、これに限定されず、例えば、レーザ照射器３４を固定し、駆動部４２がコア基板１００をＸＹ面と平行に水平移動させるようにしてもよい。
【００４４】
入力部５３は、操作者がマウスやタッチパネルを有するＧＵＩ（Graphical User Interface）から入力した設定データを受け付け、その設定データを制御部５１に伝送する。なお、操作者が入力する設定データとしては、閉ループ線の形状、閉ループ線の周長Ｌ（μｍ）、閉ループ線２１上の基準位置、レーザ照射器３４が閉ループ線に沿って周回する周回数ｎ（２以上の自然数）、レーザ照射器３４が周回する毎に開始位置を移動させるシフト量ｄｉ（ｉ＝１〜ｎ−１）が挙げられる。
【００４５】
記憶部５２は、例えば、コンピュータのプログラムやデータを予め記憶しておくＲＯＭ（Read Only Memory）と、作業領域として一時的に設定データや演算後のデータを記憶するＲＡＭ（Random Access Memory）とを含む。
【００４６】
制御部５１は、例えば、マイクロプロセッサ（ＣＰＵ）が含まれ、記憶部５２から読み出したプログラムに基づいて、各種演算を行うとともに、レーザ加工装置１０の各部の制御を行う。まず制御部５１は、入力部５３から伝送された各種の設定データを記憶部５２に格納する。そして、制御部５１は、記憶部５２から読み出した各種の設定データを用いて各種演算を行い、インタフェース５４を介して照射手段３０及び移動手段４０を制御する。
【００４７】
インタフェース５４は、例えば、ケーブルや通信回線、各種変換や伝送を行う部位が含まれ、制御部５１と照射手段３０や移動手段４０との間に介在し、それらの間でデータのやり取りに関与する。
【００４８】
以下、図３及び図４を参照して、配線板の製造方法について説明する。図３のステップＳ１１からステップＳ１４までの処理を実行して、配線板を製造する。
【００４９】
まず、ステップＳ１１では、図４（Ａ）に示すように、コア基板１００を準備する。コア基板１００は、第１面Ｆ１及び第２面Ｆ２上に銅箔が形成された平板である。コア基板１００に対し、レーザを照射することにより、コア基板１００を貫通するスルーホール３００ａを形成する。スルーホール３００ａにめっきを充填することにより、スルーホール導体３００ｂを形成する。コア基板１００の第１面Ｆ１及び第２面Ｆ２に形成された各導体層のパターニングを行うことにより、導体層３０１、３０２を形成する。なお、本実施形態において、コア基板１００の熱伝導率を、０．６０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上、１Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下とすると、レーザ加工によって貫通孔Ｒ１０を形成したときに良好な効果が得られることを確認した。
【００５０】
次に、ステップＳ１２で、図４（Ｂ）に示すように、コア基板１００に対し貫通孔Ｒ１０を形成しようとする形状（閉ループ線）に沿ってレーザを照射する。コア基板１００からレーザを照射した部分の内側を取り除くことにより、貫通孔Ｒ１０が形成される。貫通孔Ｒ１０は、後述するように、電子部品２００を収容するためのキャビティの一部となる。
【００５１】
次に、ステップＳ１３で、溶液を用いて貫通孔Ｒ１０の壁面から残余の樹脂を取り除くデスミア処理を施す。これにより、キャビティに電子部品２００を収納しやすくなる。なお、デスミア処理は、このように湿式で行っても良いし、プラズマを用いてレーザ加工後の貫通孔Ｒ１０の表面形状を平滑化する乾式で行っても良い。
【００５２】
次に、ステップＳ１４で、貫通孔Ｒ１０が形成されたコア基板１００に層間絶縁層を積層し、キャビティを形成する。
【００５３】
まず、図４（Ｃ）に示すように、電子部品２００を、コア基板１００の貫通孔Ｒ１０内に配置する。具体的には、例えばＰＥＴ（ポリ・エチレン・テレフタレート）からなるキャリア１００６を、コア基板１００の片側（例えば第２面Ｆ２）に設ける。これにより、貫通孔Ｒ１０の一方の開口がキャリア１００６で塞がれる。貫通孔Ｒ１０の塞がれた開口とは反対側から、貫通孔Ｒ１０に電子部品２００を入れる。
【００５４】
続けて、図４（Ｄ）に示すように、半硬化の状態で、貫通孔Ｒ１０の塞がれた開口とは反対側の、コア基板１００の第１面Ｆ１上及び電子部品２００の第３面上に、絶縁層１０１（第１層間絶縁層）を配置する。さらに、絶縁層１０１上に、銅箔１１１（第１の銅箔）を配置する。絶縁層１０１を半硬化の状態でプレスすることにより、絶縁層１０１から樹脂を流出させて貫通孔Ｒ１０へ流し込む。これにより、貫通孔Ｒ１０におけるコア基板１００と電子部品２００との隙間に絶縁体１０１ａ（絶縁層１０１を構成する樹脂）が充填される。貫通孔Ｒ１０に絶縁体１０１ａが充填されたら、その充填樹脂（絶縁体１０１ａ）と電子部品２００との仮溶着を行う。その後、キャリア１００６を除去する。次に、コア基板１００の第２面Ｆ２側にビルドアップを行う。具体的には、コア基板１００の第２面Ｆ２上に、絶縁層１０２（第２層間絶縁層）及び銅箔１２１（第２の銅箔）を配置する。そして、例えばプレスにより、絶縁層１０２を半硬化の状態で基板１００及び電子部品２００に接着させた後、加熱して絶縁層１０１、１０２の各々を硬化させる。
【００５５】
次に、図４（Ｅ）に示すように、ビア導体及び導体層を形成する。詳しくは、例えばレーザにより、絶縁層１０１及び銅箔１１１に孔３１１ａ及び３１２ａ（それぞれビアホール）を形成し、絶縁層１０２及び銅箔１２１に孔３２１ａ及び３２２ａ（それぞれビアホール）を形成する。孔３１１ａ及び３１２ａの各々は絶縁層１０１及び銅箔１１１を貫通し、孔３２１ａ及び３２２ａの各々は絶縁層１０２及び銅箔１２１を貫通する。そして、孔３１１ａ及び３２１ａの各々は、電子部品２００の電極２１０又は２２０に至り、孔３１２ａ及び３２２ａの各々は、スルーホール導体３００ｂの直上に至る。こうして、コア基板１００の第１面Ｆ１上に、絶縁層１０１が形成され、コア基板１００の第２面Ｆ２上に、絶縁層１０２が形成される。その後、従来周知の工程を経ることで、本実施形態の配線板が完成する。
【００５６】
配線板の構成、及びその構成要素の種類、性能、寸法、材質、形状、層数、又は配置は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において任意に変更することができる。また、配線板の製造工程は、図３や図４に示した順序や内容に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において任意に順序や内容を変更することができる。また、用途に応じて、必要ない工程を省略してもよい。
【００５７】
ここで、図３のステップＳ１２及び図４（Ｂ）における貫通孔の形成方法について、図５乃至図１２を参照して、詳細に説明する。
【００５８】
本実施形態においては、下記（式１）、（式２ａ）、（式２ｂ）、（式３）及び（式４）を満たすことで、表面が平滑な貫通孔Ｒ１０が形成される。なお、Ｌは閉ループ線２１の周長（μｍ）、φはレーザ加工孔２０の直径（μｍ）、ｎはレーザ照射器３４が閉ループ線２１に沿って周回移動する周回数（２以上の自然数）、ｐはレーザ照射器３４がレーザ１１を照射する距離間隔となる加工ピッチ（μｍ）、ｍはレーザ照射器３４が一回周回したときに形成されるレーザ加工孔２０の加工数（自然数）、Ｍはレーザ照射器３４がｎ回周回したときに形成されるレーザ加工孔２０の加工数の合計（自然数）、ｄｉはｉ回（ｉ＝１，２，・・・，ｎ−１）周回したときにレーザ照射器３４の開始位置２１ｂを移動させるシフト量（μｍ）、Σｄｉはｉ回（ｉ＝１，２，・・・，ｎ−１）周回したときにレーザ照射器３４の開始位置２１ｂとして設定される基準位置２１ａからのオフセット量（μｍ）である。
ｐ＝Σｄｉ＝ｄ１＋ｄ２＋・・・＋ｄｎ  （ｉ＝１〜ｎ）  （式１）
ｍ≒Ｌ／ｐ  （式２ａ）
Ｍ＝ｍ×ｎ  （式２ｂ）
φ／３  ≦  ｐ  ＜  φ  （式３）
ｄ１＝ｄ２＝・・・＝ｄｎ  （式４）
【００５９】
制御部５１は、上記した条件に基づいたコンピュータプログラムによって、図５に示すステップＳ２１からステップＳ２６までの処理を実行し、コア基板１００に貫通孔Ｒ１０を形成する。
【００６０】
まず、ステップＳ２１では、貫通孔Ｒ１０を形成する上での初期設定を行う。図６に示すように、制御部５１が記憶部５２から閉ループ線２１の形状、閉ループ線２１の周長Ｌ（μｍ）及び基準位置２１ａのデータを取得する。そして、制御部５１は、コア基板１００上の貫通孔を形成しようとする位置に周長Ｌ（μｍ）の閉ループ線２１を設定する。制御部５１は、その閉ループ線２１上の基準位置２１ａを、レーザ照射器３４の開始位置２１ｂとして設定する。なお、図６に示す例では、略矩形状の閉ループ線２１の左上近辺を基準位置２１ａとして設定している。
【００６１】
また、制御部５１は、記憶部５２から周回数ｎのデータを取得し、レーザ照射器３４を閉ループ線２１に沿って周回させる回数を決定する。
【００６２】
さらに、制御部５１は、記憶部５２からシフト量ｄｉ（ｉ＝１〜ｎ）のデータを取得し、レーザ照射器３４が閉ループ線２１に沿ってｉ回周回したときにレーザ照射器３４の開始位置２１ｂとして設定するために基準位置２１ａからのオフセット量Σｄｉ（ｉ＝１〜ｎ）を演算する。
【００６３】
続いて、ステップＳ２２では、制御部５１は、設定された周波数ｆ（Ｈｚ）による時間間隔（Δｔ＝１／ｆ）でレーザ発光器３２からレーザ１１を発生させ、設定された出力エネルギーＥ（Ｗ）でレーザ照射器３４からレーザ１１を照射させる。これにより、コア基板１００に、直径φ（μｍ）のレーザ加工孔２０が形成される。制御部５１は、レーザ照射器３４にレーザ１１を照射させた回数をカウントし、その回数を記憶部５２に記憶させる。
【００６４】
続いて、ステップＳ２３では、制御部５１は、設定された移動速度ｖ（μｍ／μｓ）で閉ループ線２１に沿ってレーザ照射器３４を水平移動させる。ここでは、移動速度ｖ（μｍ／μｓ）と時間間隔Δｔ（μｓ）に応じた加工ピッチｐ（μｍ）（ｐ＝ｖ×Δｔ）でレーザ加工孔２０が形成される。すなわち、一回の加工あたりで、レーザ照射器３４は、前回の位置（最初は開始位置２１ｂ）から、加工ピッチｐ（μｍ）の分だけ進行方向に進んだ位置（次回の位置）に移動する。制御部５１は、レーザ照射器３４が閉ループ線２１に沿って周回し、開始位置２１ｂまで戻ってくる毎に、周回した回数をインクリメントし、その回数を記憶部５２に記憶させる。
【００６５】
続いて、ステップＳ２４では、制御部５１は、レーザ照射器３４が閉ループ線２１に沿って一回周回するまでの間、ステップＳ２２及びステップＳ２３の処理を繰り返す。そして、一回周回する間に行う処理が完了したら、次のステップＳ２５に進む。
【００６６】
ステップＳ２５では、制御部５１は、前回の周回から次回の周回に移行する間に必要な処理を行う。具体的には、当初基準位置２１ａに設定していたレーザ照射器３４の開始位置２１ｂを周回毎に前回の位置から次回の位置へ所定量シフトさせる。
【００６７】
続いて、ステップＳ２６では、制御部５１は、記憶部５２に記憶された周回の回数が、予め設定された周回数ｎに達するまでステップＳ２２からステップＳ２５までの処理を繰り返す。そして、制御部５１は、周回の回数が周回数ｎに達すると、貫通孔Ｒ１０の形成を終える。
【００６８】
レーザ照射器３４が周回するごとの貫通孔Ｒ１０の加工形状については、一回周回した時点の貫通孔Ｒ１０の加工形状は、図７（Ａ）に示すように、加工ピッチｐ（μｍ）の間隔で加工されるため、壁面が粗い状態である。二回周回したときの貫通孔Ｒ１０の加工形状は、図８（Ａ）に示すように、一回周回したときの貫通孔Ｒ１０よりも壁面の凹凸が減少し、表面は滑らかとなる。三回周回したときの貫通孔Ｒ１０の加工形状は、図９（Ａ）に示すように、さらに壁面の凹凸が減少し、表面の滑らかさの度合いが増す。四回周回したときの貫通孔Ｒ１０の加工形状は、図１０（Ａ）に示すように、実用に耐え得る程度に平滑なものとなる。
【００６９】
一回周回したときには、図７（Ｂ）に示すように、レーザ加工孔２０が加工ピッチｐ（μｍ）の距離間隔で形成され、隣接するレーザ加工孔２０同士が一部重なった状態となる。
【００７０】
二回周回したときには、図８（Ｂ）に示すように、破線で示す一回目の周回をしたときのレーザ加工孔２０と、実線で示す二回目の周回をしたときのレーザ加工孔２０とが連続した状態で形成される。なお、二回目の周回では、一回目の周回後のオフセット量Σｄ１＝ｄ１（μｍ）を基準位置２１ａから移動した位置が開始位置２１ｂとなる。
【００７１】
三回周回したときには、図９（Ｂ）に示すように、破線で示す一回目及び二回目の周回をしたときのレーザ加工孔２０と、実線で示す三回目の周回をしたときのレーザ加工孔２０とが連続した状態で形成される。なお、三回目の周回では、二回目の周回後のオフセット量Σｄ２＝ｄ１＋ｄ２（μｍ）を基準位置２１ａから移動した位置が開始位置２１ｂとなる。
【００７２】
四回周回したときには、図１０（Ｂ）に示すように、破線で示す一回目から三回目までの周回をしたときのレーザ加工孔２０と、実線で示す四回目の周回をしたときのレーザ加工孔２０とが連続した状態で形成される。なお、四回目の周回では、三回目の周回後のオフセット量Σｄ３＝ｄ１＋ｄ２＋ｄ３（μｍ）を基準位置２１ａから移動した位置が開始位置２１ｂとなる。
【００７３】
図１１（Ａ）に示すように、レーザ加工孔２０の直径φを８０μｍ、周回数ｎを４回、周回に伴う開始位置２１ｂのシフト量ｄ１〜ｄ４をそれぞれ１５μｍとすると、加工ピッチｐは６０μｍとなり、周回内における前回のレーザ加工孔２０と次回のレーザ加工孔２０ａとの孔の重なり幅ｗは２０μｍとなる。
【００７４】
上記（式３）に示すように、前回のレーザ１１を照射したときにレーザ加工孔２０の周辺に熱が蓄積していたとしても、加工ピッチｐ（μｍ）をレーザ加工孔２０の直径φ（μｍ）の３分の１以上の距離間隔とすることにより、次回のレーザ加工孔２０ａの位置まで熱が影響しにくくなる。すなわち、レーザ加工孔２０の周辺に過度に熱が蓄積してコア基板１００の樹脂が劣化し、デスミア処理時にレーザ加工孔２０の周辺から樹脂が除去されることを防止できる。これにより、貫通孔Ｒ１０の表面の凹凸が減少し、貫通孔Ｒ１０の周囲の配線パターンを保護することもできる。
【００７５】
また、上記（式３）に示すように、加工ピッチｐ（μｍ）をレーザ加工孔２０の直径φ（μｍ）未満の距離間隔とすることにより、レーザ加工孔２０の連続性を維持しやすくなる。これにより、貫通孔Ｒ１０の表面の凹凸を減少させることができる。
【００７６】
なお、レーザ加工孔２０の直径φの４分の１が相互に重なる場合、すなわち、加工ピッチｐ（μｍ）をレーザ加工孔２０の直径φの４分の３とした場合に、レーザ加工孔２０の連続性がより良く維持される。
【００７７】
次に、図１１（Ｂ）に示すように、二回目の周回以降では、一回目の周回における前回の照射によるレーザ加工孔２０と、次回の照射によるレーザ加工孔２０ａとの間に、レーザ１１が照射されるように、開始位置を基準位置からオフセットする。
【００７８】
レーザ照射器３４が周回するごとに、前回の周回における開始位置２１ｂから次回の周回における開始位置２１ｂにシフトさせる。なお、上述したように、予め、周回数ｎに応じて、ｉ回周回した後に移動するシフト量ｄｉ（ｉ＝１〜ｎ）が記憶部５２に記憶されている。制御部５１は、シフト量ｄｉからオフセット量Σｄｉ（ｄ１＋・・・＋ｄｉ）を演算し、ｉ回周回した後に基準位置２１ａからΣｄｉ（μｍ）オフセットした位置を次回の周回の開始位置２１ｂに設定する。なお、ｎ回周回したときは、レーザ加工の処理が終了するのでオフセット量の設定は不要となる。
【００７９】
上記（式１）に示すように、ｎ回周回した後のオフセット量Σｄｎ（ｄ１＋・・・＋ｄｎ）を加工ピッチｐ（μｍ）とすると、ｎ回周回後にオフセットした位置が、一回目の周回における二回目の照射によるレーザ加工孔２０ａの位置と一致する。その結果、ｎ回周回する間に形成されたＭ個のレーザ加工孔２０が連続するようになり、その連続したレーザ加工孔２０によって、貫通孔Ｒ１０が形成される。
【００８０】
例えば、周回数ｎが４回のとき、周回ごとのシフト量を、ｄ１＝１５μｍ、ｄ２＝１５μｍ、ｄ３＝１５μｍ、ｄ４＝１５μｍとした場合、基準位置２１ａからのオフセット量は、Σｄ１＝ｄ１＝１５μｍ、Σｄ２＝ｄ１＋ｄ２＝３０μｍ、Σｄ３＝ｄ１＋ｄ２＋ｄ３＝４５μｍ、Σｄ４＝ｄ１＋ｄ２＋ｄ３＋ｄ４＝６０μｍとなる。
【００８１】
図１１の例では、シフト量ｄ１〜ｄ４は１５μｍの一定値としたが、一定の間隔でなくてもよい。例えば、周回ごとのシフト量を、ｄ１＝１６μｍ、ｄ２＝１２μｍ、ｄ３＝１８μｍ、ｄ４＝１４μｍとした場合、基準位置２１ａからのオフセット量は、Σｄ１＝１６μｍ、Σｄ２＝２８μｍ、Σｄ３＝４６μｍ、Σｄ４＝６０μｍとなる。
【００８２】
また、シフト量ｄ１〜ｄ４は、オフセット量がプラス値であれば（前回の照射によるレーザ加工孔２０と次回のレーザ照射孔２０ａとの間の位置にあれば）、マイナス値（逆方向にシフト）になってもよい。例えば、周回ごとのシフト量を、ｄ１＝１５μｍ、ｄ２＝３０μｍ、ｄ３＝−１５μｍ、ｄ４＝３０μｍとした場合、基準位置２１ａからのオフセット量は、Σｄ１＝１５μｍ、Σｄ２＝４５μｍ、Σｄ３＝３０μｍ、Σｄ４＝６０μｍとなる。
【００８３】
すなわち、シフト量ｄ１からｄ４までの合計が加工ピッチｐ（μｍ）となればよい。ただし、既に照射した位置に繰り返して照射されないように、各回の周回において前回までの開始位置と一致しないようにする必要がある。なお、上記（式４）に示すように、周回毎のシフト量を一定（ｄ１＝ｄ２＝・・・＝ｄｎ）にすると、レーザ加工孔２０が等間隔で連続し、表面が平滑な貫通孔Ｒ１０が形成される。
【００８４】
本実施形態における貫通孔Ｒ１０の形成効率について説明すると、一回の周回で形成されるレーザ加工孔２０の加工数ｍは、周回数がｎ回の場合、上記（式２ｂ）からｍ＝Ｍ／ｎである。レーザ１１は、周波数ｆ（Ｈｚ）による時間間隔で照射されるから、１個あたりの加工時間は１／ｆ（秒）である。そのため、一回の周回で形成されるレーザ加工孔２０の加工数ｍから一回の周回に要する加工時間はｍ／ｆ（秒）となる。すなわち、前回の周回後に開始位置をシフトし、次回の周回において、前回の周回で形成したレーザ加工孔２０の隣の位置にレーザ１１を照射するまでにｍ／ｆ（秒）要することとなる。そして、上記（式２ａ）に示すように、加工ピッチｐ（μｍ）を大きくすると、一回の周回で周長Ｌ（μｍ）の閉ループ線上に形成されるレーザ加工孔２０の個数ｍが減少する。そうすると、上述したように、本実施形態においては、レーザ１１の照射周期は周波数ｆ（Ｈｚ）で一定に設定しているので、一回の周回あたりの加工時間（ｔ＝ｍ／ｆ）が短縮される。上記（式２ｂ）に示すように、一回の周回あたりｍ個のレーザ加工孔２０を形成し、ｎ回周回して全部でＭ個のレーザ加工孔２０を形成しても、全体の加工時間（Ｔ＝ｔ×ｎ＝Ｍ／ｆ）は一定となり、配線板の生産効率は維持される。
【００８５】
なお、生産効率を維持するにあたり、熱の影響を受けないようにする必要がある。これについては、レーザ照射器３４をｎ回周回させ、レーザ照射器３４の加工ピッチｐ（μｍ）を大きくして、前回のレーザ加工孔２０に隣接する位置にレーザ１１が照射されるまでに、一回周回する分の時間間隔（ｔ＝ｍ／ｆ）を置くようにする。そうすると、前回のレーザ加工孔２０の周辺に熱が蓄積しても、一回周回する間に放熱され、隣接する位置に過度に熱が蓄積することを抑制することができる。
【００８６】
このようにして、一回目の周回からｎ回目の周回までに形成されたレーザ加工孔２０を連続させることで、生産効率を維持しつつ、貫通孔Ｒ１０の壁面の凹凸も減少する。これにより、この後に実行するデスミア処理も容易となり、デスミア処理後の壁面も一層平滑なものとなる。なお、このような処理により最終的に得られるキャビティの側壁の凹凸における凸部の高さ（突起粗さ）は、１μｍ以上、１０μｍ以下であり、凹凸における凸部の間隔（凹凸間ピッチ）は、１０μｍ以上、１００μｍ以下である。
【００８７】
なお、レーザ照射器３４を周回させている間に、閉ループ線２１の内側の部分は、レーザ加工の途中で脱落して貫通孔Ｒ１０が形成されるが、内部が残存しているうちは内部が存在する状態で加工を行い、脱落した後は内部を欠いた状態で加工を行う。上記（式３）に示すように、加工ピッチｐ（μｍ）をレーザ加工孔２０の直径φ（μｍ）未満とすると、一回目の周回が終わった段階で複数のレーザ加工孔２０は繋がった状態になるが、実際に内部が抜け落ちるのは何回か周回した後となる。これは、以下に説明するように、各回の周回において開始位置２１ｂと終了位置２１ｃとの間に余りΔｅ（レーザが照射されずに残存した部分）が生じる場合があることとも関係する。
【００８８】
すなわち、図１２に示すように、閉ループ線２１の周長Ｌ（μｍ）によっては、レーザ照射器３４を加工ピッチｐ（μｍ）で周回させたときに、開始位置２１ｂにおけるレーザ加工孔２０と終了位置２１ｃにおけるレーザ加工孔２０ｃとの距離間隔が加工ピッチｐ（μｍ）と一致するとは限らず、開始位置２１ｂと終了位置２１ｃとの間に余りΔｅ（μｍ）が生じる場合がある。この余りΔｅ（μｍ）がレーザ加工孔２０の直径φ（μｍ）未満である場合には、余りΔｅ（μｍ）を消滅させるために、開始位置２１ｂにおけるレーザ加工孔２０と、終了位置２１ｃにおけるレーザ加工孔２０ｃとの間に、レーザ加工孔２０ｄを追加する。これにより、各周回において、レーザ加工孔２０を連続させることができ、貫通孔Ｒ１０の表面を平滑にすることができる。
【００８９】
以下、実際に貫通孔Ｒ１０を形成する例を数値を用いて説明する。ここでは、レーザ発光器３２に設定される周波数ｆを２４００Ｈｚとし、閉ループ線２１上に形成されるレーザ加工孔２０の加工数の合計Ｍを２１２個とする。
【００９０】
図１３及び図１４に示すように、周回数ｎが１の場合、加工ピッチｐを１５μｍとして、連続して隣の位置にレーザ１１を照射していくこととなり、一回の周回で２１２個のレーザ加工孔２０を形成することになる。すぐに隣接するレーザ加工孔２０を形成することになるので、隣接する孔を加工するまでの時間は１／ｆ≒０．０００４秒となる。すなわち、このような場合は、レーザ加工孔２０周囲に熱が蓄積した状態で隣接する位置にレーザ１１を照射するので、熱が過度に蓄積する可能性が大きくなる。
【００９１】
周回数ｎが２の場合、加工ピッチｐを３０μｍとして、一回の周回で１０６個のレーザ加工孔２０を形成することになる。隣の位置にレーザ１１を照射するのは二回目の周回であり、隣接する孔を加工するまでの時間は１０６／ｆ≒０．０４４２秒となる。すなわち、この場合は、一回目の周回で形成したレーザ加工孔２０の周囲に熱が蓄積したとしても、一回周回する間に十分な時間が経過する。しかし、加工ピッチｐ（μｍ）が小さく一回目の周回におけるレーザ加工孔２０同士の間隔が狭いため、その間で熱の影響を受ける可能性がある。
【００９２】
周回数ｎが３の場合、加工ピッチｐを４５μｍとして、一回の周回で約７１個のレーザ加工孔２０を形成することになる。隣の位置にレーザ１１を照射するのは二回目の周回であり、隣接する孔を加工するまでの時間は７１／ｆ≒０．０２９６秒となる。この場合、一回目の周回で形成したレーザ加工孔２０の周囲に熱が蓄積したとしても、一回周回する間に十分な時間が経過して熱の影響を受けなくなるので、二回目の周回で隣の位置にレーザ加工孔２０を形成しても加工形状の平滑性を維持するのに問題はない。また、加工ピッチｐ（μｍ）によりレーザ加工孔２０の間隔も確保されているため、その間で熱の影響を受けにくく、加工形状の平滑性を維持できる。
【００９３】
周回数ｎが４の場合、加工ピッチｐを６０μｍとして、一回の周回で５３個のレーザ加工孔２０を形成することになる。隣の位置にレーザ１１を照射するのは二回目の周回であり、隣接する孔を加工するまでの時間は５３／ｆ≒０．０２２１秒となる。この場合、一回目の周回で形成したレーザ加工孔２０の周囲に熱が蓄積したとしても、一回周回する間に十分な時間が経過して熱の影響を受けなくなるので、二回目の周回で隣の位置にレーザ加工孔２０を形成しても加工形状の平滑性を維持するのに問題はない。また、加工ピッチｐ（μｍ）によりレーザ加工孔２０の間隔も確保されているため、その間で熱の影響を受けにくく、加工形状の平滑性を維持できる。加工ピッチｐ（μｍ）及び周回に要する時間のバランスがよく、周回数ｎが３の場合よりも、加工形状の平滑性がさらに良くなる。なお、レーザ照射孔２０の直径φを８０μｍとしたとき、加工ピッチｐ（μｍ）が直径φの４分の３となり、レーザ加工孔２０の連続性も良好となる。
【００９４】
周回数ｎが５の場合、加工ピッチｐを７５μｍとして、一回の周回で約４３個のレーザ加工孔２０を形成することになる。隣の位置にレーザ１１を照射するのは二回目の周回であり、隣接する孔を加工するまでの時間は４３／ｆ≒０．０１７９秒となる。この場合、一回目の周回で形成したレーザ加工孔２０の周囲に熱が蓄積したとしても、一回周回する間に十分な時間が経過して熱の影響を受けなくなるので、二回目の周回で隣の位置にレーザ加工孔２０を形成しても加工形状の平滑性を維持するのに問題はない。また、加工ピッチｐ（μｍ）によりレーザ加工孔２０の間隔も確保されているため、その間で熱の影響を受けにくく、周回数ｎが４の場合に比べてわずかに劣るものの加工形状の平滑性を維持できる。
【００９５】
周回数ｎが６の場合、加工ピッチｐを９０μｍとして、一回の周回で約３６個のレーザ加工孔２０を形成することになる。隣の位置にレーザ１１を照射するのは二回目の周回であり、隣接する孔を加工するまでの時間は３６／ｆ≒０．０１５秒となる。この場合、一回目の周回で形成したレーザ加工孔２０の周囲に熱が蓄積したとしても、一回周回する間に十分な時間が経過して熱の影響を受けなくなるので、二回目の周回で隣の位置にレーザ加工孔２０を形成しても加工形状の平滑性を維持するのに問題はない。また、加工ピッチｐ（μｍ）によりレーザ加工孔２０の間隔も確保されているため、その間で熱の影響を受けにくく、周回数ｎが４の場合に比べてやや劣るものの加工形状の平滑性を維持できる。
【００９６】
周回数ｎが７の場合、加工ピッチｐを１０５μｍとして、一回の周回で約３１個のレーザ加工孔２０を形成することになる。隣の位置にレーザ１１を照射するのは二回目の周回であり、隣接する孔を加工するまでの時間は３１／ｆ≒０．０１２６秒となる。この場合、一回目の周回で形成したレーザ加工孔２０の周囲に熱が蓄積したとしても、一回周回する間に十分な時間が経過して熱の影響を受けなくなるので、二回目の周回で隣の位置にレーザ加工孔２０を形成しても加工形状の平滑性を維持するのに問題はない。また、加工ピッチｐ（μｍ）によりレーザ加工孔２０の間隔も確保されているため、その間で熱の影響を受けにくい。しかし、加工ピッチｐ（μｍ）が１０５μｍと長すぎて、連続性が維持されにくいため、連続性が維持できた場合には、加工形状は平滑となる。
【００９７】
周回数ｎが８の場合、加工ピッチｐを１２０μｍとして、一回の周回で約２７個のレーザ加工孔２０を形成することになる。隣の位置にレーザ１１を照射するのは二回目の周回であり、隣接する孔を加工するまでの時間は２７／ｆ≒０．０１１３秒となる。この場合、一回目の周回で形成したレーザ加工孔２０の周囲に熱が蓄積したとしても、一回周回する間に十分な時間が経過して熱の影響を受けなくなるので、二回目の周回で隣の位置にレーザ加工孔２０を形成しても加工形状の平滑性を維持するのに問題はない。また、加工ピッチｐ（μｍ）によりレーザ加工孔２０の間隔も確保されているため、その間で熱の影響を受けにくい。しかし、加工ピッチｐ（μｍ）が１２０μｍと長すぎて、連続性が維持されにくいため、連続性が維持できた場合には、加工形状は平滑となる。
【００９８】
周回数ｎが９の場合、加工ピッチｐを１３５μｍとして、一回の周回で約２４個のレーザ加工孔２０を形成することになる。隣の位置にレーザ１１を照射するのは二回目の周回であり、隣接する孔を加工するまでの時間は２４／ｆ≒０．０１００秒となる。このように、周回数ｎが大きくなると、一回の周回で形成されるレーザ加工孔２０の加工数ｍが少なくなるため、一回の周回に要する加工時間も短くなる。この場合、加工ピッチｐ（μｍ）によりレーザ加工孔２０の間隔は確保されているが、一回周回する時間が短くなり、一回目の周回で形成したレーザ加工孔２０の周囲にまだ熱が蓄積している可能性がある。
【００９９】
また、加工ピッチｐ（μｍ）を大きくし、周回内のレーザ加工孔２０同士の間隔が離れていると、レーザ加工孔２０を連続させたときに位置ずれが生じて貫通孔Ｒ１０の表面の凹凸が大きくなるおそれがある。そのため、レーザ加工孔２０同士が重なるように、レーザ加工孔２０の直径φ（μｍ）から上記（式３）を満たす範囲で加工ピッチｐ（μｍ）を決定し、決定した加工ピッチｐ（μｍ）から上記（式１）及び（式４）を満たす範囲で周回数ｎに基づいて周回毎のシフト量ｄ１〜ｄｎを決定し、上記（式２ａ）及び（式２ｂ）を満たすように、レーザ加工を行う。
【０１００】
図１４に示すように、周回数ｎは３以上８以下であることが好ましい。周回数ｎを８より大きくすると、周回に要する時間が短くなり、レーザ加工孔２０に周辺に熱が蓄積されている状態でレーザ１１が照射され、熱の影響により貫通孔Ｒ１０の表面の加工形状が劣化することがある。また、周回数ｎを３未満とすると、周回内においてレーザ加工孔２０同士の距離間隔が小さく、熱の影響により貫通孔Ｒ１０の表面の加工形状が劣化することがある。なお、加工ピッチｐ（μｍ）を大きくせず、連続性が維持されるようにするためには、周回数ｎは３以上６以下が好ましい。
【０１０１】
これにより、配線板の生産性を低下させることなく、配線板に良好な形状のキャビティを形成することが可能となる。
【０１０２】
＜変形例１＞
上記実施形態においては、一層のコア基板１００に貫通孔Ｒ１０を形成したが、図１５（Ａ）に示すように、コア基板１００となる平板１００ａの厚さが薄い場合は、図１５（Ｂ）に示すように、平板１００ａの両面に複数の絶縁層１００ｂ、１００ｃを積層した構造のコア基板１００にして、図１５（Ｃ）に示すように、貫通孔Ｒ１０を形成することができる。
【０１０３】
電子部品２００を収納するキャビティを形成する際、コア基板１００の厚さが電子部品２００の高さよりも薄い場合には、平板１００ａに絶縁層１００ａ、１００ｂを積層して電子部品２００と同じ高さにしたコア基板１００に対して、貫通孔Ｒ１０を形成する。なお、絶縁層１００ａ、１００ｂには、強度を向上させるために強化繊維が含まれてもよい。
【０１０４】
図１５（Ｄ）に示すように、積層したコア基板１００に形成した貫通孔Ｒ１０に対し、電子部品２００を収納し、コア基板１００の両面に層間絶縁層１０１、１０２を積層することにより、貫通孔Ｒ１０は電子部品２００を収納するキャビティとなる。
【０１０５】
積層したコア基板１００の場合、各層が薄いため熱で溶解しやすくなり、各層間で凹凸が生じやすい。しかし、本実施形態に係るキャビティの形成方法により貫通孔Ｒ１０を形成すれば、コア基板１００にレーザ１１で貫通孔Ｒ１０を形成する位置の周辺において、熱の蓄積の影響を受けにくくなるので、各層間の凹凸を抑え、貫通孔Ｒ１０の表面の加工形状を平滑化することができる。そして、形成した貫通孔Ｒ１０に電子部品２００を収納する。
【０１０６】
＜変形例２＞
上記実施形態においては、図１６（Ａ）に示すように、コア基板１００に矩形状又は角を丸めた略矩形状の貫通孔Ｒ１０を形成することにより、キャビティを形成したが、キャビティの形状は、収納する電子部品２００のサイズに応じて適宜に変更可能である。
【０１０７】
例えば、図１６（Ｂ）に示すように、円形状又は楕円形状の貫通孔Ｒ１１によりキャビティを形成してもよい。
【０１０８】
また、図１６（Ｃ）に示すように、突起部１００ｄを対向するように突出させて矩形の孔を仕切った形状の貫通孔Ｒ１２によりキャビティを形成してもよい。ここで、突起部１００ｄは、キャビティの内部に向けて突出させた部分であり、キャビティを複数の空間に区画している。これにより、複数の空間それぞれに電子部品２００を収納することが可能となり、各電子部品２００が接触するのを防止することもできる。
【０１０９】
さらに、図１６（Ｄ）に示すように、２つ以上の貫通孔Ｒ１３、Ｒ１４を組み合わせてキャビティを形成してもよい。例えば、横長の矩形状の貫通孔Ｒ１３と、縦長の矩形状の貫通孔Ｒ１４とを連通させることで、キャビティの空間が拡張される。そして、形成された空間に電子部品２００を収納する。
【０１１０】
＜変形例３＞
上記実施形態においては、図１７（Ａ）に示すように、コア基板１００に設定した閉ループ線２１に沿ってレーザ照射器３４を移動させたが、そのレーザ照射器３４を移動させる加工ルートについて、設定する値や範囲に、多少の誤差、不規則性を持たせても良い。
【０１１１】
例えば、図１７（Ｂ）に示すように、左上の開始位置２１ｂから加工ルート２２により半周分移動した後、開始位置２１ｂに戻って加工ルート２２ａにより残りの半周分移動してもよい。また、図１７（Ｃ）に示すように、左上の開始位置２１ｂから加工ルート２２ｂにより右方向に移動し、左下の開始位置２１ｄから加工ルート２２ｃにより右方向に移動した後、左上の開始位置２１ｂから加工ルート２２ｄにより下方向に移動し、右上の開始位置２１ｅから加工ルート２２ｅにより下方向に移動してもよい。なお、加工ルート２２、２２ａ、及び加工ルート２２ｂ〜２２ｅは、閉ループ線２１に沿った経路である。
【０１１２】
以上のように閉ループ線２１に沿ってレーザ照射器３４を移動させることも、レーザ照射器３４が閉ループ線２１上の全ての経路を移動することになるので、本実施形態及び変形例でいう「周回」に含まれる。すなわち、閉ループ線２１に沿って複数のレーザ加工孔２０を連続させ、貫通孔Ｒ１０を形成することが可能である。
【０１１３】
上記実施形態に係るレーザ加工装置１０の機能は、専用のハードウェアによっても、また、通常のコンピュータシステムによっても実現することができる。
【０１１４】
例えば、記憶部５２に記憶されているプログラムを、フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ（Compact Disk Read-Only Memory）、ＤＶＤ（Digital Versatile Disk）、ＭＯ（Magneto-Optical disk）等のコンピュータ読み取り可能な記録媒体に格納して配布し、そのプログラムをコンピュータにインストールすることにより、上述の処理を実行する装置を構成することができる。
【０１１５】
また、プログラムをインターネット等の通信ネットワーク上の所定のサーバ装置が有するディスク装置等に格納しておき、例えば、搬送波に重畳させて、コンピュータにダウンロード等するようにしてもよい。
【０１１６】
また、通信ネットワークを介してプログラムを転送しながら起動実行することによっても、上述の処理を達成することができる。
【０１１７】
更に、プログラムの全部又は一部をサーバ装置上で実行させ、その処理に関する情報をコンピュータが通信ネットワークを介して送受信しながらプログラムを実行することによっても、上述の処理を達成することができる。
【０１１８】
なお、上述の機能を、ＯＳ（Operating System）が分担して実現する場合又はＯＳとアプリケーションとの協働により実現する場合等には、ＯＳ以外の部分のみを媒体に格納して配布してもよく、また、コンピュータにダウンロード等してもよい。
【０１１９】
また、制御部５１の機能を実現する手段は、ソフトウェアに限られず、その一部又は全部を専用のハードウェア（回路等）によって実現してもよい。
【０１２０】
以上、本発明の実施形態について説明したが、設計上の都合やその他の要因によって必要となる様々な修正や組み合わせは、「請求項」に記載されている発明や「発明を実施するための形態」に記載されている具体例に対応する発明の範囲に含まれる。そして、実施形態及びその変形例は、任意に組み合わせることができる。
【符号の説明】
【０１２１】
１０  レーザ加工装置
１１  レーザ
２０，２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ  レーザ加工孔
２１  閉ループ線
２１ａ  基準位置
２１ｂ，２１ｄ，２１ｅ  開始位置
２１ｃ  終了位置
２２，２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ，２２ｅ  加工ルート
３０  照射手段
３１  周波数設定手段
３２  レーザ発光器
３３  出力調整手段
３４  レーザ照射器
４０  移動手段
４１  移動速度設定手段
４２  駆動部
４３  アーム
５０  制御手段
５１  制御部
５２  記憶部
５３  入力部
５４  インタフェース
１００  コア基板
１００ａ  平板
１００ｂ，１００ｃ  絶縁層
１００ｄ  突起部
１０１，１０２  絶縁層
１０１ａ  絶縁体
１１１，１２１  銅箔
２００  電子部品
２１０，２２０  電極
３００ａ  スルーホール
３００ｂ  スルーホール導体
３０１，３０２  導体層
３１１ａ，３１２ａ，３２１ａ，３２２ａ  孔
１００６  キャリア
Ｆ１  第１面
Ｆ２  第２面
Ｆ３  第３面
Ｆ４  第４面
Ｒ１０，Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ１４  貫通孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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