(57)【要約】      （修正有）【課題】安定で新規なベンゾ［ｇ］クリセン化合物とそれを有する有機発光素子、表示装置、画像情報処理装置、画像形成装置及び照明装置を提供する。【解決手段】下記式で示されることを特徴とする有機化合物。2014019679.tif 000036式において、Ｒは置換あるいは無置換のアリール基を示す。有機発光素子と、ＴＦＴ素子とを示した表示装置のガラスの如き基板１とその上部にＴＦＴ素子又は有機化合物層を保護するための防湿膜２が設けられている。【選択図】図１
2014019679.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式［１］で示されることを特徴とするベンゾ［ｇ］クリセン化合物。
【化１】
2014019679.tif 000035
［１］
［式［１］において、Ｒは、置換基を有するアリール基又は無置換のアリール基を示す。］
【請求項２】
前記アリール基は、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、フェナントレニル基、ビフェニル基のいずれかであり、
前記アリール基は、ハロゲン原子、炭素原子数１以上４以下のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、フェナントレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、カルバゾリル基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、フェナントロリニル基の少なくともいずれかひとつをさらに有していることを特徴とする請求項１に記載のベンゾ［ｇ］クリセン化合物。
【請求項３】
前記アリール基がビフェニル基の場合は、ビフェニル基の３位または４位と前記ベンゾ［ｇ］クリセン化合物とが結合し、前記アリール基が、ナフチル基の場合はナフチル基の２位と前記ベンゾ［ｇ］クリセン化合物とが結合し、前記アリール基が、フェナントレニル基の場合は、フェナントレニル基の２位または３位と前記ベンゾ［ｇ］クリセン化合物とが結合し、前記アリール基が、フルオレニル基の場合はフルオレニル基の２位または３位と前記ベンゾ［ｇ］クリセン化合物と結合していることを特徴とする請求項２に記載のベンゾ［ｇ］クリセン化合物。
【請求項４】
一対の電極と前記一対の電極の間に配置されている有機化合物層とを有する有機発光素子であって、
前記有機化合物層は、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のベンゾ［ｇ］クリセン化合物を有することを特徴とする有機発光素子。
【請求項５】
前記有機化合物層は、ホストとゲストとを有する発光層であり、
前記ホストが前記ベンゾ［ｇ］クリセン化合物であることを特徴とする請求項４に記載の有機発光素子。
【請求項６】
前記発光層は燐光発光することを特徴とする請求項５に記載の有機発光素子。
【請求項７】
前記ゲストがイリジウム錯体であることを特徴とする請求項５または６に記載の有機発光素子。
【請求項８】
複数の画素を有し、前記複数の画素は、請求項４乃至７のいずれか一項に記載の有機発光素子と前記有機発光素子に接続されている能動素子とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項９】
画像情報を入力する入力部と、画像を表示する表示部とを有し、前記表示部は、請求項８に記載の表示装置であることを特徴とする画像情報処理装置。
【請求項１０】
請求項４乃至７のいずれか一項に記載の有機発光素子と前記有機発光素子に接続されているＡＣ／ＤＣコンバーター回路とを有することを特徴とする照明装置。
【請求項１１】
感光体と、前記感光体の表面を帯電させる帯電手段と、前記感光体を露光して静電潜像を形成するための露光手段と、前記感光体の表面に形成された静電潜像を現像するための現像手段とを有する画像形成装置であって、
前記露光手段は、請求項４乃至７のいずれか一項に記載の有機発光素子を有することを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ベンゾ［ｇ］クリセン化合物、および、それを有する有機発光素子、表示装置、画像情報処理装置、画像形成装置及び照明装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光素子は、陽極と陰極と、それらの間に配置されている有機化合物層とを有する素子である。各電極から電子および正孔を注入することにより、有機化合物層中の発光性有機化合物の励起子を生成させ、該励起子が基底状態に戻る際に光を放出する。
【０００３】
有機発光素子は有機エレクトロルミネッセンス素子あるいは有機ＥＬ素子とも呼ばれる。有機発光素子の最近の進歩は著しく、低印加電圧で高輝度、多様な発光波長、高速応答性、薄型、軽量の発光デバイス化が可能である。
【０００４】
現在では、有機発光素子の発光効率を向上させる試みの１つとして、燐光発光を利用することが提案されている。燐光発光する有機発光素子（燐光発光素子）の内部量子収率は、蛍光発光する有機発光素子の理論上４倍になる。このため、燐光発光素子は、蛍光発光のものよりも約４倍の発光効率向上が期待される。
【０００５】
一方で、有機発光素子は有機物それ自体が発光するため、寿命が短く、更なる長寿命化が求められている。
【０００６】
特許文献１には、下記構造式で示されるベンゾ［ｇ］クリセン誘導体が記載されている。ここでは、下記化合物を、化合物（ａ−１）と称す。
【０００７】
【化１】
2014019679.tif 000003
【０００８】
特許文献１に記載の化合物は、置換基を設ける位置によって、基本骨格それ自体に生じるひずみの大きさが異なる。加えて、置換基を設ける位置によって、基本骨格と置換基を連結する炭素−炭素結合距離が異なるため、結合が開裂しやすく、不安定な化合物である場合がある。
【０００９】
また、ベンゾ［ｇ］クリセンはガラス転移温度（Ｔｇ）が低いため、この化合物が形成するアモルファス薄膜の熱安定性が低い。そのため、有機発光素子に用いる化合物としては好ましくない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】国際公開第２００９／０６６６００号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、化合物それ自体の安定性が高く、膜質と熱安定性に優れるアモルファスな薄膜を形成することができる有機化合物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
よって、本発明の目的の一つは、下記式［１］で示されることを特徴とするベンゾ［ｇ］クリセン化合物を提供する。
【００１３】
本発明の下記式［１］で示されるベンゾ［ｇ］クリセン化合物に関して説明する。
【００１４】
【化２】
2014019679.tif 000004
［１］
【００１５】
式［１］において、
Ｒは、置換基を有するアリール基あるいは無置換のアリール基を示す。
【００１６】
さらに、本発明は、一対の電極と前記一対の電極の間に配置されている有機化合物層とを有する有機発光素子であって、
前記有機化合物層は、式［１］のベンゾ［ｇ］クリセン化合物を有することを特徴とする有機発光素子に関する。
【００１７】
さらに、本発明は、複数の画素を有し、前記複数の画素のうち少なくともいずれか一つは、前記有機発光素子と上記有機発光素子に接続されている能動素子とを有することを特徴とする表示装置に関する。
【００１８】
さらに、本発明は、画像情報を入力するための入力部と、画像を表示するための表示部とを有し、前記表示部が、前記表示装置であることを特徴とする画像情報処理装置に関する。
【００１９】
さらに、本発明は、前記有機発光素子と前記有機発光素子に駆動電圧を供給するためのＡＤコンバーター回路を有することを特徴とする照明装置に関する。
【００２０】
さらに、本発明は、感光体と前記感光体の表面を帯電するための帯電手段と、前記感光体を露光して静電潜像を形成するための露光手段と、前記感光体の表面に形成された静電潜像を現像するための現像器とを有する画像形成装置であって、
前記露光手段は、前記有機発光素子を有することを特徴とする画像形成装置に関する。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、化合物それ自体の安定性が高く、膜質と熱安定性に優れるアモルファスな薄膜を形成できる有機化合物を提供できる。そして、本発明の有機化合物を有する有機発光素子は、素子寿命を長くすることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本実施形態に係る有機発光素子とこの有機発光素子に接続されている能動素子とを有する表示装置の一例の断面模式図である。
【図２】本発明の例示化合物Ａ１および比較のための化合物（２）の吸収スペクトルおよび蛍光発光スペクトルである。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明は、下記式［１］で示されることを特徴とするベンゾ［ｇ］クリセン化合物に関する。
【００２４】
【化３】
2014019679.tif 000005
［１］
【００２５】
式［１］において、
Ｒは、置換あるいは無置換のアリール基を示す。
【００２６】
前記アリール基は、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、フェナントレニル基、ビフェニル基のいずれかであることが好ましい。
【００２７】
前記アリール基は、ハロゲン原子、炭素原子数１以上４以下のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、フェナントレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、カルバゾリル基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、フェナントロリニル基の少なくともいずれかひとつをさらに有していてもよい。
【００２８】
本発明のベンゾ［ｇ］クリセン化合物の基本骨格は、無置換のベンゾ［ｇ］クリセンと同じ構造で表される。
【００２９】
本発明のベンゾ［ｇ］クリセン化合物は、式［１］に示す如く、特定な位置にＲ（アリール基）を有する。これにより、分子同士が重なり合う分子パッキングを抑制することができる。
【００３０】
またＲが結合している位置は、基本骨格との立体的な反発が小さいため、置換基を設けた場合でも立体反発が小さいため、ベンゾ［ｇ］クリセン化合物自体の安定性が高い。
【００３１】
さらに、分子間の相互作用が高いため、本発明のベンゾ［ｇ］クリセン化合物は、Ｔｇが高い。これにより、熱安定性の高いアモルファス薄膜を形成することが可能である。そのため、本発明のベンゾ［ｇ］クリセン化合物は、有機発光素子に好適に用いることができる。
【００３２】
（本発明の有機化合物と他の有機化合物との比較）
基本骨格であるベンゾ［ｇ］クリセンの置換位置について説明する。ベンゾ［ｇ］クリセンには、１４か所の置換位置がある。本発明のベンゾ［ｇ］クリセン化合物は、１３位に置換基Ｒを有するので、安定性が高い。
【００３３】
ベンゾ［ｇ］クリセン骨格は、置換基が結合している位置によって、分子構造のひずみが変化し、基本骨格と置換基の結合距離が変化し、バンドギャップが変化する。
【００３４】
このため、置換基の位置の選択は、化合物の物性を考慮する上で重要である。ここでは、１つのフェニル基を置換基として設けた場合の１４か所の置換位置別のこれらの変化を、分子軌道計算により算出する。
【００３５】
本実施形態において分子軌道計算は、密度汎関数法（Ｄｅｎｓｉｔｙ  Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ  Ｔｈｅｏｒｙ）を用いて、Ｂ３ＬＹＰ／６−３１Ｇ＊レベルで行った（表１）。
【００３６】
第一に、分子構造のひずみについて述べる。ベンゾ［ｇ］クリセンは、１０位と１１位の水素原子の立体的反発により分子構造にひずみを有する化合物である。
【００３７】
このひずみは、置換基の種類や置換基が結合する位置によって変化する。このひずみの変化を、下記に示すように、ベンゾ［ｇ］クリセン骨格内の二面角を用いて評価する。
【００３８】
ここで、二面角は、８位と９位と１０位とを有する面と、１１位と１２位と１３位とを有する面と、が成す角を示す。
【００３９】
二面角は、先述した分子軌道計算により算出しており、無置換のベンゾ［ｇ］クリセンにおける二面角は３６．８°である。
【００４０】
すなわち、無置換とフェニル置換のベンゾ［ｇ］クリセンを比較したとき、二面角の変化量が小さいほど、基本骨格に新たに加わるひずみが小さく、化合物への負荷が少ないため、化合物の安定性が高い。
【００４１】
【化４】
2014019679.tif 000006
【００４２】
【表１】
2014019679.tif 000007
【００４３】
表１より、２位、３位、８位、１３位に置換基が導入された場合には、二面角が３６．７°であり、無置換における二面角３６．８°と比較しての変化量が小さい。
【００４４】
これより、これらの置換位置に、置換基を有するベンゾ［ｇ］クリセン誘導体は、他より安定性の高い化合物である。
【００４５】
第二に、基本骨格と置換基の結合距離について述べる。ベンゾ［ｇ］クリセン骨格の置換位置には、隣接する水素原子による立体的な反発が大きい置換位置がある。
【００４６】
このような置換位置に、アリール基の如き嵩高い置換基が設けられた場合、基本骨格の水素原子と置換基の水素原子が立体的に反発するため、基本骨格と置換基の結合距離が長くなり、結合が開裂しやすくなる。
【００４７】
すなわち、このように立体障害の大きい置換位置を避けて置換基が導入されているベンゾ［ｇ］クリセン誘導体は、より安定性に優れるため、有機発光素子に好ましい。
【００４８】
ここで、先述したように分子軌道計算を行い、置換位置別の基本骨格と置換基の結合距離を算出した（表１）。表１より、２位、８位、１３位に置換基が設けた場合は、結合距離が１．４８４Åと最短である。
【００４９】
結合距離が短い結合は、結合する力が強いことを表している。強い結合を分子内に有する化合物は、弱い結合を分子内に有する化合物よりも安定性に優れる。
【００５０】
よって、これらの置換位置に置換基を有するベンゾ［ｇ］クリセン誘導体は、より結合が強く、安定性に優れる化合物である。
【００５１】
すなわち、本発明のベンゾ［ｇ］クリセン化合物は、ベンゾ［ｇ］クリセン誘導体の中において、最も安定性が高い置換位置に置換基を設けた化合物である。
【００５２】
一方、特許文献１には、ベンゾ［ｇ］クリセンの６位に置換基を設けた化合物を記載している。
【００５３】
特許文献１には、ベンゾ［ｇ］クリセン誘導体の置換位置とベンゾ［ｇ］クリセン誘導体の物性についての記載はない。さらに、特許文献１では、下記中間体（１）を経由してベンゾ［ｇ］クリセン誘導体を合成しているため、ベンゾ［ｇ］クリセンの６位に置換基を有する化合物が記載されている。
【００５４】
このため、本発明の化合物のように、１３位にのみ置換基を有するベンゾ［ｇ］クリセン化合物を得ることは困難である。
【００５５】
【化５】
2014019679.tif 000008
【００５６】
次に、本実施形態に係る例示化合物Ａ１と、下記化合物（２）で示される有機化合物の比較を行う。化合物（２）は特許文献１に記載の化合物である。密度汎関数法（Ｄｅｎｓｉｔｙ  Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ  Ｔｈｅｏｒｙ）を用いて、Ｂ３ＬＹＰ／６−３１Ｇ＊レベルでの分子軌道計算を行い、例示化合物Ａ１と化合物（２）について、先述と同様に二面角、結合距離を比較した（表２）。
【００５７】
【表２】
2014019679.tif 000009
【００５８】
表２に示すように、特許文献１に記載の化合物（２）は、基本骨格と置換基の結合距離が１．４８８Åであるのに対して、本発明の例示化合物Ａ１は１．４８３Åであり、基本骨格と置換基の結合距離が短い。
【００５９】
よって、本発明の例示化合物Ａ１は、基本骨格と置換基との結合が強く、置換基の開裂が起こりにくいため、より安定性に優れる化合物である。
【００６０】
また、特許文献１に記載の化合物（２）は、ベンゾ［ｇ］クリセン骨格内の二面角が３８．５°であるのに対して、本発明の例示化合物Ａ１は、３６．３°であり、無置換のベンゾ［ｇ］クリセンの二面角３６．８°と同等である。
【００６１】
すなわち、化合物（２）は、ベンゾ［ｇ］クリセンの６位に置換基を有することで基本骨格に応力が加わっており、本来の基本骨格の構造から大きく変形した構造になっているため、安定性が無置換体に比べて低い。
【００６２】
つまり、ベンゾ［ｇ］クリセンの６位に置換基を有する化合物は、無置換体に比べて安定性が低い。
【００６３】
加えて、特許文献１に記載の化合物（２）は、ベンゾ［ｇ］クリセンの７位の水素原子と置換基のオルト位の水素原子が立体的に反発し合うため、励起状態における構造変化が大きく、化合物への負荷が増大している。
【００６４】
【化６】
2014019679.tif 000010
【００６５】
ここで、励起状態の構造変化をストークスシフトから推定する。ストークスシフトとは、吸収の０−０遷移と蛍光発光の０−０遷移の差を指す。ストークスシフト幅が大きいことは、励起状態の構造変化が大きいことを示す。
【００６６】
ＵＶ吸収測定は、希薄トルエン溶液中、室温で行った。測定装置は、ＪＡＳＣＯ製Ｖ−５６０を用いた。ＰＬ発光測定は、励起波長は３００ｎｍ、蛍光測定モードを用いて測定した。測定装置は、日立製分光光度計Ｆ−４５００を用いた。
【００６７】
図２（ａ）、（ｂ）にそれぞれ、本発明の例示化合物Ａ１および特許文献１に記載の化合物（２）の吸収および蛍光発光スペクトルを示す。
【００６８】
図２（ａ）、（ｂ）ともに点線が吸収スペクトルであり、実線が蛍光発光スペクトルである。図２（ａ）、（ｂ）より、特許文献１に記載の化合物（２）のストークスシフトが８０ｎｍであるのに対して、本発明の例示化合物Ａ１はストークスシフトが４１ｎｍと小さい。
【００６９】
以上より、本発明の例示化合物Ａ１は、基底状態から励起状態への遷移過程においての構造変化が小さいので、安定性に優れる化合物である。
【００７０】
有機化合物は三重項励起状態においては、分子構造の平面性を高める構造変化が誘起される。特許文献１に記載の化合物（２）と比較した場合、本発明の例示化合物Ａ１は、基本骨格のひずみが小さく、基本骨格と置換基との立体的な反発も少ない。
【００７１】
このため、本発明のベンゾ［ｇ］クリセン化合物は、基底状態と励起状態間の遷移により生じる分子構造の変化が小さいため、安定性に優れる。
【００７２】
また、得られた吸収スペクトルの吸収端から、バンドギャップを算出した。結果を表３に示す。バンドギャップは、吸収端の立ち上がり部分における回帰直線とベースラインの交点の値とした。
【００７３】
【表３】
2014019679.tif 000011
【００７４】
有機発光素子のホスト材料は、バンドギャップが狭い有機化合物ほど、好ましい。表３に示すように、特許文献１に記載の化合物（２）のバンドギャップが、３．２２ｅＶであるのに対して、本発明の例示化合物Ａ１は３．１８ｅＶであり、バンドギャップが小さい。
【００７５】
さらに特許文献１には、化合物１４として、下記表４の化合物も記載されている。
【００７６】
【表４】
2014019679.tif 000012
【００７７】
特許文献１に記載の化合物１４と本発明のベンゾ［ｇ］クリセン化合物とを比較する。ここでは、結合距離および二面角を分子軌道計算により比較した。分子軌道計算の計算方法は、前述の方法と同じ方法を用いた。
【００７８】
置換位置が１３位の結合距離は、化合物１４および本発明のベンゾ［ｇ］クリセン化合物ともに１．４８９Åであり、同等であった。
【００７９】
二面角は、化合物１４は、３８．２°であるのに対して、本発明のベンゾ［ｇ］クリセン化合物は３６．７°であった。
【００８０】
化合物１４は、６位に置換基を有しているため、ベンゾ［ｇ］クリセン骨格内の二面角が大きい。それに対して、本発明のベンゾ［ｇ］クリセン化合物は６位に置換基を有していないので、化合物１４に比べてベンゾ［ｇ］クリセン骨格内の二面角が小さい。
【００８１】
ベンゾ［ｇ］クリセン骨格内の二面角は、小さい方が分子は安定である。すなわち、化合物１４に比べて、本発明のベンゾ［ｇ］クリセン化合物は安定性が高い。
【００８２】
よって、本発明の例示化合物Ａ１は、バンドギャップが狭く、有機発光素子のホスト材料に好適に用いることができる。
【００８３】
バンドギャップが広い有機化合物は、有機発光素子の発光層のホスト材料に適さない。バンドギャップ、すなわち最高被占有分子軌道（ＨＯＭＯ）−最低非占有分子軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギーギャップが広いことは、発光層と発光層に隣接する隣接層とのＨＯＭＯ同士の注入障壁あるいはＬＵＭＯ同士の注入障壁が大きくなることを意味している。
【００８４】
これにより、キャリアの注入性が低下し、電荷溜まりによる素子の高電圧化や短寿命化を招く。つまり、バンドギャップが狭い本発明の例示化合物Ａ１の方が、特許文献１に記載の化合物（２）よりも有機発光素子のホスト材料により適している。
【００８５】
そして、本発明のベンゾ［ｇ］クリセン化合物は、ベンゾ［ｇ］クリセンの１３位に置換基を有するため、例示化合物Ａ１と同様の性質を示す。すなわち、本発明のベンゾ［ｇ］クリセン化合物は、安定性に優れ、バンドギャップが他の置換位置のものに比べて狭いので、有機発光素子のホストとしてより好ましい。
【００８６】
また、本発明の例示化合物Ａ１は、特許文献１に記載の化合物（２）と比較して、分子間の相互作用が強く、ガラス転移温度（Ｔｇ）が高い。その結果、本発明の例示化合物Ａ１は、熱安定性の高いアモルファスな薄膜を形成することができる。
【００８７】
ガラス転移温度（Ｔｇ）とは、ミクロブラウン運動を開始する温度である。一般に、Ｔｇが低い分子は、ミクロブラウン運動が誘起されやすい。
【００８８】
そのため、Ｔｇが低い分子によって薄膜を形成した場合、薄膜中における分子の再配列が起こりやすい。この再配列は結晶化を促進するため、薄膜のアモルファス性が低い。
【００８９】
すなわち、Ｔｇが低いことは、アモルファス薄膜の熱安定性が低いことを意味する。一般に、有機化合物のＴｇを上昇する方法としては、その有機化合物の分子量を増加させる方法や、分子間の相互作用を高める方法が知られている。
【００９０】
有機発光素子用の有機化合物であることを考慮すると、昇華性の観点から、大幅に分子量を増加させずに、分子間の相互作用を適度に高めることが好ましい。
【００９１】
Ｔｇの測定結果を表４に示す。測定装置は、ＮＥＴＺＳＣＨ製  ＤＳＣ  ２０４  Ｆ１  Ｐｈｏｅｎｉｘを用いた。
【００９２】
表５に示すように、本発明の例示化合物Ａ１は、特許文献１に記載の化合物（２）と比較して、分子量が同じであるのにも関わらず、Ｔｇが１２℃高い。これは、基本骨格のひずみが低減し、基本骨格と置換基の捩れが小さくなったことによって、分子間の相互作用が高まったためと考えられる。
【００９３】
よって、本発明の例示化合物Ａ１は、高Ｔｇを有するため、より熱安定性に優れるアモルファス薄膜を形成することができる。
【００９４】
【表５】
2014019679.tif 000013
【００９５】
以上より、本発明の例示化合物Ａ１は、特許文献１に記載の化合物（２）と比較して、化合物それ自体の安定性が高く、膜質と熱安定性に優れるアモルファスな薄膜を形成することができる有機化合物である。さらに、本発明の例示化合物Ａ１は、バンドギャップが狭いため有機発光素子のホスト材料に好適に用いることができる。
【００９６】
このように、本発明のベンゾ［ｇ］クリセン化合物は、適切な置換位置に置換基を有することで、有機発光素子のホスト材料に適した化合物となる。特に、本発明のベンゾ［ｇ］クリセン化合物は、燐光を発する発光層のホストに用いることが好ましい。
【００９７】
ここで、置換基の構造について説明する。
【００９８】
本発明のベンゾ［ｇ］クリセン化合物が有する基本骨格のＴ１エネルギーは５５０ｎｍ未満であり、本発明のベンゾ［ｇ］クリセン化合物は黄色〜赤発光領域（波長５５０ｎｍ〜６７０ｎｍ）の燐光発光素子のホスト材料に好適に用いることができる。
【００９９】
例えば、置換置としてピレニル基を設けた場合、ピレン骨格自体のＴ１エネルギーが５８９ｎｍと低いため、化合物全体のＴ１エネルギーも５９０ｎｍ程度と低い。ピレニル基を設けることは高いＴ１エネルギーを得るためには好ましくない。
【０１００】
本発明のベンゾ［ｇ］クリセン化合物置換基の構造は、置換基それ自体のＴ１エネルギーが十分に高い。具体的には、表５に示す構造式のうち、波長換算でＴ１エネルギーが５００ｎｍ以下の置換基である。
【０１０１】
そして、これらの置換基を有する場合は、黄色〜赤発光領域（波長５５０ｎｍ〜６７０ｎｍ）の燐光発光素子のホスト材料に好適に用いることができる。
【０１０２】
【表６】
2014019679.tif 000014
【０１０３】
結果として、本発明の有機化合物は、特許文献１に記載の化合物（２）よりも、長寿命な黄色〜赤発光領域（波長５５０ｎｍ〜６７０ｎｍ）の燐光発光素子を提供することができる。
【０１０４】
本発明の例示化合物Ａ１は、燐光発光素子の発光層のホスト材料として好ましく用いられる。
【０１０５】
ここで、ホスト材料とは、発光層を構成する化合物の中で最も重量比が大きい化合物である。ゲスト材料とは、発光層を構成する化合物の中で重量比がホスト材料よりも小さく主たる発光をする化合物である。ゲスト材料はドーパントとも呼ばれる。
【０１０６】
さらに、発光層は、アシスト材料を有してよく、アシスト材料とは、発光層を構成する化合物の中で重量比がホスト材料よりも小さく、ゲスト材料の発光を助ける化合物である。アシスト材料は第二ホストとも呼ばれる。
【０１０７】
本発明のベンゾ［ｇ］クリセン化合物を発光層のホスト材料として用いた有機発光素子は、発光効率が高く、素子寿命が長いので、優れた有機発光素子である。
【０１０８】
本発明ベンゾ［ｇ］クリセン化合物の一例を例示する。しかし、本発明に係る有機化合物はこれらに限定されるものではない。
【０１０９】
【化７】
2014019679.tif 000015
【０１１０】
【化８】
2014019679.tif 000016
【０１１１】
【化９】
2014019679.tif 000017
【０１１２】
例示した化合物のうちＡ群に示す化合物は、分子全体が炭素と水素のみで構成されている。炭素と水素のみで構成される化合物は、ＨＯＭＯのエネルギーレベルが低い。これは、酸化電位が低く、酸化に対して安定であることを意味する。
【０１１３】
ここで、ＨＯＭＯのエネルギーレベルが低いとは、ＨＯＭＯのエネルギーレベルが真空準位からより遠いことを示し、ＨＯＭＯが深いとも表現される。
【０１１４】
したがって、本発明のベンゾ［ｇ］クリセン化合物のうち、炭素と水素のみで構成されているＡ群に示す化合物は、化合物の安定性が高いので好ましい。
【０１１５】
例示した化合物のうちＢ群に示す化合物は、置換基にヘテロ原子を有する化合物である。ヘテロ原子により、分子の酸化電位、分子間相互作用、さらに電荷輸送能が変化する。
【０１１６】
このため、キャリアバランスの調整に優れ、効率良く励起子を生成するホストとして用いることができる。また、ホスト材料以外の電子輸送層や電子注入層の用途にも用いることが可能である。
【０１１７】
本発明のベンゾ［ｇ］クリセン化合物の中でも、前記式［１］において、Ｒはフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フェナントレニル基、フルオレニル基のいずれかが好ましい。
【０１１８】
さらに、ベンゾ［ｇ］クリセン骨格に対する結合位置は、ビフェニル基は３位または４位、ナフチル基が２位の結合し、フェナントレニル基が２位または３位の結合し、フルオレニル基が２位または３位においてベンゾ［ｇ］クリセン骨格に結合する有機化合物が、特に好ましい。
【０１１９】
このような有機化合物は、基本骨格と置換基の接触が少なく、化合物として安定だからである。
【０１２０】
合成ルート
本発明に係る有機化合物の合成方法の一例を下記に示す。
【０１２１】
【化１０】
2014019679.tif 000018
【０１２２】
（その他有機化合物と原料）
上記反応式のうちＤ８をＤ９に変えることで種々の有機化合物を合成することができる。その具体例を表６に合成化合物として示す。表７は、合成化合物を得るための原料であるＤ９と合成された合成化合物が対応する例示化合物をそれぞれ示す。
【０１２３】
【表７】
2014019679.tif 000019
【０１２４】
（本実施形態に係る有機発光素子の説明）
次に本実施形態に係る有機発光素子を説明する。
【０１２５】
本実施形態に係る有機発光素子は一対の電極である陽極と陰極と、それらの間に配置される有機化合物層とを有し、この有機化合物層が一般式［１］で示される有機化合物を有する素子である。
【０１２６】
本実施形態に係る有機発光素子が有する有機化合物層は、単層であっても複数層であっても構わない。
【０１２７】
ここで、複数層とは、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層、エキシトンブロック層から適宜選択される層である。もちろん、前記群の中から複数を選択し、それらを組み合わせて用いることができる。
【０１２８】
本実施形態に係る有機発光素子の構成は、これらに限定されるものではない。例えば、電極と有機化合物層界面に絶縁性層を設ける、接着層あるいは干渉層を設ける、電子輸送層又は正孔輸送層がイオン化ポテンシャルの異なる二層から構成されるなど多様な層構成をとることができる。
【０１２９】
その場合の素子形態は、基板側の電極から光を取り出すトップエミッション方式でも、基板と逆側から光を取り出すボトムエミッション方式でも良く、両面取り出しの構成でも使用することができる。
【０１３０】
本実施形態に係る有機発光素子は、本発明に係る有機化合物を発光層に有することが好ましい。
【０１３１】
本実施形態に係る有機発光素子の発光層のホストの濃度は、発光層の全体量に対して、５０ｗｔ％以上９９．９ｗｔ％以下であり、好ましくは８０ｗｔ％以上９９．５ｗｔ％以下である。
【０１３２】
本実施形態に係る有機発光素子の発光層のホストに対するゲストの濃度は、０．０１ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下であることが好ましく、０．１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下であることがより好ましい。さらに、発光層は単層であっても積層であっても良い。
【０１３３】
また、発光層は積層される形態に限られず、横並びに配置されてもよい。横並びとは、配置された発光層はいずれも正孔輸送層および電子輸送層等の隣接層に接するように配置されることである。
【０１３４】
また、発光層は、ひとつの発光層の中に複数の色を発する発光材料を有する形態でもよい。その場合、発光材料はそれぞれドメインを形成する形態でもよい。
【０１３５】
本実施形態に係る有機発光素子は本発明に係る化合物以外にも、必要に応じて従来公知の正孔注入性材料あるいは輸送性材料あるいはホスト材料あるいはゲスト材料あるいは電子注入性材料あるいは電子輸送性材料を一緒に使用することができる。これら材料は、低分子であっても高分子であってもよい。
【０１３６】
以下にこれらの化合物例を挙げる。
【０１３７】
正孔注入性材料あるいは正孔輸送性材料としては、正孔移動度が高い材料であることが好ましい。正孔注入性能あるいは正孔輸送性能を有する低分子系材料及び高分子系材料としては、トリアリールアミン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、スチルベン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、ポリ（ビニルカルバゾール）、ポリ（チオフェン）、その他導電性高分子が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
【０１３８】
ホスト材料としては、トリアリールアミン誘導体、フェニレン誘導体、縮合環芳香族化合物（例えばナフタレン誘導体、フェナントレン誘導体、フルオレン誘導体、クリセン誘導体、など）、有機金属錯体［例えば、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム等の有機アルミニウム錯体、有機ベリリウム錯体、有機イリジウム錯体、有機プラチナ錯体等］およびポリ（フェニレンビニレン）誘導体、ポリ（フルオレン）誘導体、ポリ（フェニレン）誘導体、ポリ（チエニレンビニレン）誘導体、ポリ（アセチレン）誘導体の如き高分子誘導体が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
【０１３９】
ゲスト化合物としては、具体的な構造式を表８に示す。ゲスト化合物は表８に示す構造式を有する誘導体である化合物であってもよい。
【０１４０】
ゲスト化合物がイリジウム錯体である場合は、フェニルイソキノリンを配位子に有することが好ましい。フェニルイソキノリンは２配位でも３配位でもよい。フェニルイキノリンが２配位の場合は、残りの１配位は、アセチルアセトナートであることが好ましい。
【０１４１】
配位子であるフェニルイソキノリンはアルキル基を置換基として有してよい。
【０１４２】
またそれ以外の構造式を有する燐光発光性のＩｒ錯体やＰｔ錯体が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
【０１４３】
【表８】
2014019679.tif 000020
【０１４４】
電子注入性材料あるいは電子輸送性材料としては、ホール注入性材料あるいはホール輸送性材料のホール移動度とのバランスを考慮し選択される。
【０１４５】
電子注入性能あるいは電子輸送性能を有する材料としては、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ピラジン誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、有機アルミニウム錯体が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
【０１４６】
陽極材料としては、仕事関数がなるべく大きなものがよい。例えば、金、白金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、コバルト、セレン、バナジウム、タングステンの如き金属単体あるいはこれらの合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウムの如き金属酸化物である。また、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェンの如き導電性ポリマーでもよい。
【０１４７】
これらの電極物質は単独で使用してもよいし複数併用して使用してもよい。また、陽極は一層構成でもよく、多層構成でもよい。
【０１４８】
一方、陰極材料としては、仕事関数の小さなものがよい。例えば、リチウムの如きアルカリ金属、カルシウムの如きアルカリ土類金属、アルミニウム、チタニウム、マンガン、銀、鉛、クロムの如き金属単体が挙げられる。あるいはこれら金属単体を組み合わせた合金も使用することができる。例えば、マグネシウム−銀、アルミニウム−リチウム、アルミニウム−マグネシウムが使用できる。酸化錫インジウム（ＩＴＯ）の如き金属酸化物の利用も可能である。これらの電極物質は単独で使用してもよいし、複数併用して使用してもよい。また、陰極は一層構成でもよく、多層構成でもよい。
【０１４９】
本実施形態に係る有機発光素子において、本実施形態に係る有機化合物を含有する層及びその他の有機化合物からなる層は、以下に示す方法により形成される。
【０１５０】
例えば、真空蒸着法、イオン化蒸着法、スパッタリング法、プラズマあるいは、適当な溶媒に溶解させてスピンコーティング、ディッピング、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法の如き公知の塗布法により層を形成する。
【０１５１】
ここで真空蒸着法や溶液塗布法によって層を形成すると、結晶化が起こりにくく経時安定性に優れる。また塗布法で形成する場合は、適当なバインダー樹脂と組み合わせて膜を形成することもできる。
【０１５２】
上記バインダー樹脂としては、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ＡＢＳ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、尿素樹脂が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１５３】
また、これらバインダー樹脂は、ホモポリマー又は共重合体として１種単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。さらに必要に応じて、公知の可塑剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤の如き添加剤を併用してもよい。
【０１５４】
（本実施形態に係る有機発光素子の用途）
本実施形態に係る有機発光素子は、表示装置や照明装置の構成部材として用いることができる。他にも電子写真方式の画像形成装置の露光光源や液晶表示装置のバックライト、照明の如き用途がある。有機発光素子はさらにカラーフィルターを有していてよい。
【０１５５】
本実施形態に係る表示装置は、本実施形態に係る有機発光素子を複数の画素を有する表示部に有する。
【０１５６】
そして、この画素は本実施形態に係る有機発光素子と能動素子とを有している。能動素子の一例として発光輝度を制御するためのスイッチング素子が挙げられ、スイッチング素子の一例としてＴＦＴ素子が挙げられる。
【０１５７】
この有機発光素子の陽極または陰極とＴＦＴ素子のドレイン電極またはソース電極とが接続されている。表示装置はパーソナルコンピュータ（ＰＣ）の画像表示装置として用いることができる。ＴＦＴ素子は基板の絶縁性表面に設けられている。
【０１５８】
表示装置は、エリアＣＣＤ、リニアＣＣＤ、メモリーカードからの画像情報を入力する入力部を有し、入力された画像を表示部に表示する画像情報処理装置でもよい。
【０１５９】
また、画像情報処理装置や画像形成装置が有する表示部は、タッチパネル機能を有していてもよい。また表示装置はマルチファンクションプリンタの表示部に用いられてもよい。
【０１６０】
照明装置は例えば室内を照明する装置である。照明装置は白色、昼白色、その他青から赤のいずれの色を発光するものであってよい。
【０１６１】
本実施形態に係る照明装置は、本実施形態に係る有機発光素子とそれに接続されているＡＣ／ＤＣコンバーター回路を有している。照明装置はカラーフィルターを有してもよい。
【０１６２】
本実施形態に係るＡＣ／ＤＣコンバーター回路は、交流電圧を直流電圧に変換する回路である。
【０１６３】
本実施形態に係る画像形成装置は、感光体とこの感光体の表面を帯電させる帯電手段と、感光体を露光して靜電潜像を形成するための露光手段と、感光体の表面に形成された静電潜像を現像するための現像器とを有する画像形成装置であって、露光手段は、本実施形態の有機発光素子を有する。
【０１６４】
次に、本実施形態に係る有機発光素子を使用した表示装置について図１を用いて説明する。
【０１６５】
図１は、本実施形態に係る有機発光素子と、有機発光素子に接続するスイッチング素子の一例であるＴＦＴ素子とを示した表示装置の断面模式図である。図１では有機発光素子とＴＦＴ素子との組が２組図示されている。構造の詳細を以下に説明する。
【０１６６】
この表示装置は、ガラスの如き基板１とその上部にＴＦＴ素子又は有機化合物層を保護するための防湿膜２が設けられている。また、符号３は金属のゲート電極３である。符号４はゲート絶縁膜４であり、符号５は半導体層である。
【０１６７】
ＴＦＴ素子８は、半導体層５とドレイン電極６とソース電極７とを有している。ＴＦＴ素子８の上部には絶縁膜９が設けられている。コンタクトホール１０を介して有機発光素子の陽極１１とソース電極７とが接続されている。表示装置はこの構成に限られず、陽極または陰極のうちいずれか一方とＴＦＴ素子ソース電極またはドレイン電極のいずれか一方とが接続されていればよい。
【０１６８】
有機化合物層１２は図１では多層の有機化合物層を１つの層の如く図示をしている。陰極１３の上には有機発光素子の劣化を抑制するための第一の保護層１４や第二の保護層１５が設けられている。
【０１６９】
本実施形態に係る表示装置はトランジスタに代えてスイッチング素子としてＭＩＭ素子を用いることもできる。
【０１７０】
本実施形態に係る有機発光素子が有する能動素子は、Ｓｉ基板の如き基板に直接形成されていてもよい。基板に直接とは、Ｓｉ基板の如き基板自体を加工してトランジスタを有することである。
【０１７１】
これらの構成は精細度によって選択され、たとえば１インチでＱＶＧＡ程度の精細度の場合は、Ｓｉ基板に直接能動素子を設けることが好ましい。直接設ける能動素子は、トランジスタが好ましい。
【０１７２】
本実施形態に係る有機発光素子を用いた表示装置を駆動することにより、良好な画質で、長時間表示にも安定な表示が可能になる。
【０１７３】
また、本発明のベンゾ［ｇ］クリセン化合物は、有機発光素子だけでなく、生体内部標識やフィルターフィルムに使用することができる。
【実施例】
【０１７４】
（実施例１）
［例示化合物Ａ１の合成］
【０１７５】
【化１１】
2014019679.tif 000021
【０１７６】
Ｆ１を６．００ｇ（３８．２ｍｍｏｌ）、マグネシウムを１．３７ｇ（５７．３ｍｍｏｌ）、ジエチルエーテルを３０ｍｌ、それぞれ３００ｍｌ二口ナスフラスコに仕込み、窒素気流下、１時間攪拌を行った。
【０１７７】
その後、Ｆ２を９．０４ｇ（２５．５ｍｍｏｌ）、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン−パラジウム（ＩＩ）ジクロリド−ジクロロメタン錯体を８３２ｍｇ（１．０２ｍｍｏｌ）、ジエチルエーテルを５０ｍｌ、塩化リチウムを１．０７ｇ（２５．５ｍｍｏｌ）、それぞれ上記３００ｍｌ二口ナスフラスコに仕込み、窒素気流下、温度５０℃で８時間攪拌を行った。
【０１７８】
反応終了後、この反応溶液中に水及びトルエンを加えた。次に、溶媒抽出操作により有機層を回収した後、硫酸ナトリウムを用いて回収した有機層の乾燥を行った。
【０１７９】
次に、有機層に含まれている溶媒を減圧留去することで得られる残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相；クロロホルム：ヘプタン＝１：５）で精製することにより、無色透明の液体として化合物Ｆ３を６．２８ｇ（収率８７％）得た。
【０１８０】
【化１２】
2014019679.tif 000022
【０１８１】
Ｆ３を２．６０ｇ（９．１８ｍｍｏｌ）、Ｆ４を３．５３ｇ（２７．５ｍｍｏｌ）、トリエチルアミンを２．７９ｍｇ（２７．５ｍｍｏｌ）、［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ニッケル（ＩＩ）ジクロリドを４９８ｍｇ、トルエンを３０ｍｌそれぞれ２００ｍｌナスフラスコに仕込み、窒素気流下、温度９５℃で５時間攪拌を行った。
【０１８２】
反応終了後、この反応溶液中に水及びトルエンを加えた。次に、溶媒抽出操作により有機層を回収した後、硫酸ナトリウムを用いて回収した有機層の乾燥を行った。
【０１８３】
次に、有機層に含まれている溶媒を減圧留去することで得られる残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相；トルエン：ヘプタン＝１：１）で精製することにより、無色透明な粘体として化合物Ｆ５を１．７０ｇ（収率５６％）得た。
【０１８４】
【化１３】
2014019679.tif 000023
【０１８５】
Ｆ５を１．５０ｇ（４．５３ｍｍｏｌ）、Ｆ６を１．５８ｇ（５．０１ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルフォスフィンパラジウム（０）を５４ｍｇ（０．０４ｍｍｏｌ）、炭酸セシウムを７３７９ｍｇ（２２．７ｍｍｏｌ）、１，４−ジオキサンを１０ｍｌ、純水を２ｍｌ、それぞれ１００ｍｌナスフラスコに仕込み、窒素気流下、温度１２０℃で８時間攪拌を行った。
【０１８６】
反応終了後、この反応溶液中に水及びトルエンを加えた。次に、溶媒抽出操作により有機層を回収した後、硫酸ナトリウムを用いて回収した有機層の乾燥を行った。
【０１８７】
次に、有機層に含まれている溶媒を減圧留去することで得られる残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相；クロロホルム：ヘプタン＝１：３）で精製することにより、無色透明な粘体として化合物Ｅ７を７２０ｍｇ（収率４０％）得た。
行った。
【０１８８】
【化１４】
2014019679.tif 000024
【０１８９】
Ｆ７を４８０ｇ（１．２２ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウムを３２ｍｇ（０．１４ｍｍｏｌ）、トリシクロヘキシルホスホニウムテトラフルオロホウ酸塩を１０２ｍｇ（０．２８ｍｍｏｌ）、炭酸カリウムを４２０ｍｇ（３．０２ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドを１０ｍｌそれぞれ５０ｍｌナスフラスコに仕込み、窒素気流下、温度１４０℃で４時間攪拌を行った。
【０１９０】
反応終了後、この反応溶液中に水及びトルエンを加えた。次に、溶媒抽出操作により有機層を回収した後、硫酸ナトリウムを用いて回収した有機層の乾燥を行った。
【０１９１】
次に、有機層に含まれている溶媒を減圧留去することで得られる残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相；クロロホルム：ヘプタン＝１：３）で精製することにより、白色固体として化合物Ｆ８を２８０ｍｇ（収率７３％）得た。
【０１９２】
【化１５】
2014019679.tif 000025
【０１９３】
Ｅ５を２２０ｍｇ（０．７０ｍｍｏｌ）、Ｅ９を２６８ｍｇ（０．７０ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニルを５６ｍｇ（０．１４ｍｍｏｌ）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）を２４ｍｇ（０．０４ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウムを２２２ｍｇ（１．０６ｍｍｏｌ）、トルエンを１０ｍｌ、それぞれ５０ｍｌナスフラスコに仕込み、窒素気流下、温度１００℃で６時間攪拌を行った。
【０１９４】
反応終了後、この反応溶液中に水及びトルエンを加えた。次に、溶媒抽出操作により有機層を回収した後、硫酸ナトリウムを用いて回収した有機層の乾燥を行った。
【０１９５】
次に、有機層に含まれている溶媒を減圧留去することで得られる残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相；クロロホルム：ヘプタン＝１：３）で精製することにより、うす黄色固体として例示化合物Ａ１を３４６ｍｇ（収率９４％）得た。
【０１９６】
また、得られた例示化合物Ａ１のうち、３００ｍｇをアルバック機構社製の昇華精製装置にて真空度７．０×１０−１Ｐａ、アルゴンガス１０ｍｌ／ｍｉｎ、昇華温度３２０℃にて昇華精製を行い、高純度の例示化合物Ａ１を３７０ｍｇ得た。
【０１９７】
得られた化合物の同定は、質量分析によって行った。
【０１９８】
［ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ（マトリックス支援イオン化−飛行時間型質量分析）］
実測値：ｍ／ｚ＝５３０．５２  計算値：Ｃ４２Ｈ２６Ｏ＝５３０．６６
次に、例示化合物Ａ１について、以下の方法でＴ１のエネルギー測定を行った。希薄トルエン溶液中、温度７７ｋで行い、励起波長は３５０ｎｍ、燐光測定モードを用いて測定し、発光スペクトルの立ち上がりの値をＴ１とした。測定装置は日立製分光光度計Ｆ−４５００を用いた。例示化合物Ａ１のＴ１は５２４ｎｍであった。
【０１９９】
（実施例２）
［例示化合物Ａ３の合成］
実施例１で用いられる有機化合物Ｆ９を下記Ｆ１０に変更する以外は実施例１と同様の反応、精製で例示化合物Ａ３を得た。
【０２００】
【化１６】
2014019679.tif 000026
【０２０１】
得られた化合物の同定は、質量分析によって行った。
【０２０２】
［ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ］
実測値：ｍ／ｚ＝５９６．７１    計算値：Ｃ５８Ｈ５８＝５９６．７６
次に例示化合物Ａ３について、実施例１と同様の方法でＴ１エネルギーの測定を行った。
例示化合物Ａ３のＴ１エネルギーは５２１ｎｍであった。
【０２０３】
（実施例３）
［例示化合物Ａ５の合成］
実施例１で用いられる有機化合物Ｆ９を下記Ｆ１１に変更する以外は実施例１と同様の反応、精製で例示化合物Ａ５を得た。
【０２０４】
【化１７】
2014019679.tif 000027
【０２０５】
得られた化合物の同定は、質量分析によって行った。
【０２０６】
［ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ］
実測値：ｍ／ｚ＝５８０．７７    計算値：Ｃ５０Ｈ３０＝５８０．７１
次に例示化合物Ａ５について、実施例１と同様の方法でＴ１エネルギーの測定を行った。
例示化合物Ａ５のＴ１エネルギーは５２９ｎｍであった。
【０２０７】
（実施例４）
［例示化合物Ａ６の合成］
実施例１で用いられる有機化合物Ｆ９を下記Ｆ１２に変更する以外は実施例１と同様の反応、精製で例示化合物Ａ６を得た。
【０２０８】
【化１８】
2014019679.tif 000028
【０２０９】
得られた化合物の同定は、質量分析によって行った。
【０２１０】
［ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ］
実測値：ｍ／ｚ＝６６２．８２    計算値：Ｃ４６Ｈ３４＝６６２．８６
次に例示化合物Ａ６について、実施例１と同様の方法でＴ１エネルギーの測定を行った。
例示化合物Ａ６のＴ１エネルギーは５３０ｎｍであった。
【０２１１】
（実施例５）
［例示化合物Ａ２４の合成］
実施例１で用いられる有機化合物Ｆ９を下記Ｆ１３に変更する以外は実施例１と同様の反応、精製で例示化合物Ａ２４を得た。
【０２１２】
【化１９】
2014019679.tif 000029
【０２１３】
得られた化合物の同定は、質量分析によって行った。
【０２１４】
［ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ］
実測値：ｍ／ｚ＝６３０．９２    計算値：Ｃ５４Ｈ３４＝６３０．７７
次に例示化合物Ａ２４について、実施例１と同様の方法でＴ１エネルギーの測定を行った。例示化合物Ａ２４のＴ１エネルギーは５２３ｎｍであった。
【０２１５】
（実施例６）
［例示化合物Ａ２８の合成］
実施例１で用いられる有機化合物Ｆ９を下記Ｆ１４に変更する以外は実施例１と同様の反応、精製で例示化合物Ａ２８を得た。
【０２１６】
【化２０】
2014019679.tif 000030
【０２１７】
得られた化合物の同定は、質量分析によって行った。
【０２１８】
［ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ］
実測値：ｍ／ｚ＝５５６．９２    計算値：Ｃ５４Ｈ３４＝５５６．６９
次に例示化合物Ａ２８について、実施例１と同様の方法でＴ１エネルギーの測定を行った。例示化合物Ａ２８のＴ１エネルギーは５２３ｎｍであった。
【０２１９】
（実施例６）
［例示化合物Ｂ２の合成］
実施例１で用いられる有機化合物Ｆ９を下記Ｆ１５に変更する以外は実施例１と同様の反応、精製で例示化合物Ｂ２を得た。
【０２２０】
【化２１】
2014019679.tif 000031
【０２２１】
得られた化合物の同定は、質量分析によって行った。
【０２２２】
［ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ］
実測値：ｍ／ｚ＝５６９．７２    計算値：Ｃ５４Ｈ３４＝５６９．６９
次に例示化合物Ｂ２について、実施例１と同様の方法でＴ１エネルギーの測定を行った。
例示化合物Ｂ２のＴ１エネルギーは５２５ｎｍであった。
【０２２３】
（比較例１）
実施例１で用いられる有機化合物Ｆ６を下記Ｆ１６に変更し、実施例１と同様の反応および精製を４工程目まで行い、ベンゾ［ｇ］クリセンを得た。
【０２２４】
【化２２】
2014019679.tif 000032
【０２２５】
その後、特許文献１に記載のスキームに従い、中間体（１）を経由し、化合物（２）を得た。得られた特許文献１に記載の化合物（２）は、本発明と同様に昇華精製により、高純度にまで精製し、化合物の同定は、質量分析によって行った。
【０２２６】
［ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ］
実測値：ｍ／ｚ＝５３０．３２  計算値：Ｃ４２Ｈ２６Ｏ＝５３０．６６
次に、化合物（２）について、実施例１と同様の方法でＴ１エネルギーの測定を行った。化合物（２）のＴ１エネルギーは５２５ｎｍであった。
【０２２７】
（実施例７）
本実施例では、順次陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極の構成の有機発光素子を作製した。ガラス基板上に１００ｎｍのＩＴＯをパターニングした。
【０２２８】
そのＩＴＯ基板上に、以下の有機化合物と電極を１０−５Ｐａの真空チャンバー内で抵抗加熱による真空蒸着して連続製膜し、対向する電極面積が３ｍｍ２になるようにした。化合物Ｄ１は表４内に構造を示した。
正孔注入層（４０ｎｍ）  Ｇ１
正孔輸送層（１０ｎｍ）  Ｇ２
発光層（３０ｎｍ）ホスト：Ａ１（重量比９６％）、ゲスト：Ｄ１（重量比４％）
電子輸送層（５０ｎｍ）  Ｇ４
電子注入層（１ｎｍ）  ＬｉＦ
金属電極層（１００ｎｍ）  Ａｌ
【０２２９】
【化２３】
2014019679.tif 000033
【０２３０】
得られた有機発光素子について、ＩＴＯ電極を正極、Ａｌ電極を負極にして印加電圧５．３Ｖをかけたところ、発光効率が１１．６ｃｄ／Ａで、輝度２０００ｃｄ／ｍ２の赤色発光が観測された。またこの素子においてＣＩＥ色度座標は、（ｘ，ｙ）＝（０．６７，０．３２）であった
また、得られた素子の安定性を評価するために、７０００ｃｄ／ｍ２の初期輝度で駆動させた時の輝度が２０％減少する寿命を測定したところ、４５０時間を越えた。
【０２３１】
（実施例８乃至１２）
実施例７において、発光層のホスト材料およびゲスト材料を代えた他は、実施例７と同様の方法で素子を作製した。また得られた素子について実施例７と同様に評価を行った。結果を表９に示す。
【０２３２】
【表９】
2014019679.tif 000034
【０２３３】
（実施例１８）
本実施例では、共振構造を有する有機発光素子を以下に示す方法で作製した。
支持体としてのガラス基板上に反射性陽極としてのアルミニウム合金（ＡｌＮｄ）を１００ｎｍの膜厚でスパッタリング法にて成膜した。
【０２３４】
さらに、透明性陽極としてＩＴＯをスパッタリング法にて８０ｎｍの膜厚で形成する。次に、この陽極周辺部にポリイミド製の素子分離膜を厚さ１．５μｍで形成し、半径３ｍｍの開口部を設けた。
【０２３５】
これを、アセトン、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で順次超音波洗浄した後、ＩＰＡで煮沸洗浄して乾燥した。さらに、この基板表面に対してＵＶ洗浄を施した。
【０２３６】
更に、以下の有機層を１０−５Ｐａの真空チャンバー内で抵抗加熱による真空蒸着して連続製膜した後に、陰極としてＩＺＯをスパッタリング法にて成膜して膜厚３０ｎｍの透明性電極を形成した。形成した後に、窒素雰囲気中において、封止する。以上により、有機発光素子を形成した。
ホール注入層（１８５ｎｍ）  Ｇ１
ホール輸送層（１０ｎｍ）  Ｇ２
発光層（３５ｎｍ）ホスト：Ａ１（重量比９６％）、ゲスト：Ｄ１（重量比４％）
電子輸送層（１０ｎｍ）  Ｇ３
電子注入層（７０ｎｍ）  Ｇ４（重量比  ８０％）、Ｌｉ（重量比  ２０％）
得られた有機発光素子について、ＩＴＯ電極を正極、ＩＺＯ電極を負極にして印加電圧４．６Ｖをかけたところ、発光効率が１８．６ｃｄ／Ａで、輝度２０００ｃｄ／ｍ２の赤色発光が観測された。
【０２３７】
（結果と考察）
以上のように、本発明に係わる有機化合物は、黄色〜赤燐光発光素子に適した高いＴ１エネルギーを有し、また、熱安定性に優れるアモルファス薄膜を形成できるため、高い発光効率で長寿命の有機発光素子を提供することができる。
【符号の説明】
【０２３８】
８  ＴＦＴ素子
１１  陽極
１２  有機化合物層
１３  陰極
【図１】
2014019679.tif 000037
【図２】
2014019679.tif 000038