(57)【要約】【課題】射出成形した液晶性ポリエステル樹脂について、表面のスキン層を剥離し難くすると共に、無電解めっきとの密着性と表面の平滑性とを向上させる無電解めっき層の形成方法を提供する。【解決手段】  液晶性ポリエステル樹脂に針状単結晶体からなる酸化亜鉛ウィスカを混合した樹脂組成物を、金型の温度を１８０〜２８０℃に設定して射出成形する。これにより表面のスキン層を剥離し難くすることができる。またアルカリ性水溶液に浸漬等することによって、表層の酸化亜鉛ウィスカを溶解することにより、無電解めっきとの密着性と表面の平滑性とを向上させる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶性ポリエステル樹脂に針状単結晶体からなる酸化亜鉛ウィスカを混合した樹脂組成物を射出成形して基体を成形する第１工程と、
上記基体をアルカリ性水溶液に接触させて、この基体の表層に混在する酸化亜鉛ウィスカを溶解すると共に、この基体の表面を親水性に改質する第２工程と、
上記基体の表面に無電解めっき用の触媒を付与する第３工程と、
上記基体の表面に無電解めっき層を形成する第４工程とを備え、
上記第１工程の射出成形においては、金型の温度を１８０〜２８０℃に設定する
ことを特徴とする無電解めっき層の形成方法。
【請求項２】
上記樹脂組成物は、この樹脂組成物１００重量％に対して上記酸化亜鉛ウィスカを３〜２０重量％混合したものである
ことを特徴とする請求項１に記載の無電解めっき層の形成方法。
【請求項３】
上記液晶性ポリエステル樹脂は、Ｉ型またはII型のいずれかである
ことを特徴とする請求項１または２に記載の無電解めっき層の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、合成樹脂に対する無電解めっき層の形成方法に関し、特に射出成形した液晶性ポリエステル樹脂組成物に対する無電解めっき層の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来からＬＥＤパッケージ、赤外線近接センサーパッケージあるいはＭＥＭＳ半導体パッケージ等には、セラミックスが多用されてきた。しかるに現在、成形性を向上させてコストダウン化を図る等のため、セラミックスに替えて合成樹脂製パッケージの使用が提案されている。この合成樹脂製パッケージは、熱可塑性樹脂を射出成形して基板等を成形し、その表面に無電解めっき等からなる導電性回路等を形成し、この導電性回路に半導体チップ等の電子部品や微小機器等を搭載して構成される。
【０００３】
かかる合成樹脂製パッケージについては、耐熱性、高強度、低熱膨張率、難燃性、高弾性率及び耐薬品性等が要求されるため、これらの特性に優れる液晶性ポリエステル樹脂の使用が期待される。
【０００４】
しかるに液晶性ポリエステル樹脂は、射出成形したままの状態では、表面が疎水性のため、無電解めっきとの密着性が確保できない。
【０００５】
そこで液晶性ポリエステル樹脂にピロリン酸カルシウム等の粉末状の無機充填材を混合した組成物を射出成形し、この組成物をアルカリ性水溶液に浸漬して、表層に混在する無機充填材を溶解する手段が提案されている（特許文献１参照。）。すなわちアルカリ性水溶液によって、表層に混在する無機充填材を溶解した後には、表面に開口する空洞が形成されるため、この空洞に無電解めっきを侵入させれば、アンカー効果によって無電解めっきとの密着性を高めることができる。
【０００６】
ところで近年、針状単結晶体からなる酸化亜鉛ウィスカが開発されており、例えば株式会社アムテックの製品「パナテトラ」（登録商標）が市販されている。この酸化亜鉛ウィスカは、中心部から四方に放射状に成長した多数の針状結晶を有するため、合成樹脂に混合して絶縁性基体を形成し、エッチング液によって絶縁性基体の表層に混在する針状結晶を溶解して除去すれば、無電解めっきとの密着性を確保するためのアンカー効果を得る上で理想的ともいえる。
【０００７】
そこで本願発明者は、熱可塑性樹脂に上述した針状単結晶体からなる酸化亜鉛ウィスカを混合した組成物を射出成形して基体を成形し、この基体の表層に混在する酸化亜鉛ウィスカをエッチング液によって除去し、この酸化亜鉛ウィスカが除去された針状の空洞が開口する基体の表面に、無電解めっきを行う手段を提案した（特許文献２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平１−９２２４１号公報
【特許文献２】特開２０１１−９９１５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで液晶性ポリエステル樹脂は、溶融状態においても棒状の剛直な分子鎖からなり、流動性が高く、僅かなせん断力を受けても一方向に配向し易い特性を有している。また結晶性樹脂に較べて、極めて固化する速度が速い。このため液晶性ポリエステル樹脂を射出成形すると、表層には、棒状の剛直な分子鎖が流動方向に沿って強く配向したスキン層が形成される。
【００１０】
しかるに液晶性ポリエステル樹脂を射出成形したときに、表層に形成されるスキン層は、強度及び弾性率等を向上させるものの、剥離し易いため、例えスキン層に対する無電解めっき層の密着性を高めたとしても、無電解めっき層がスキン層と一緒に剥離してしまうという問題がある。
【００１１】
上記特許文献１では、組成物全体に対して無機充填材を含有させることによって、スキン層が容易に剥離しないようにできたと記載してあるが、スキン層をさらに剥離し難くするためには改良すべき余地がある。
【００１２】
また液晶性ポリエステル樹脂に充填材を混合して、通常用いられている金型温度（８０〜１２０℃）において基体を射出成形すると、この基体の表面において、充填材の背後から下流側に向かう筋状の溝が生じて、表面の平滑性が損なわれることが判明した。この筋状の溝が生じるメカニズムは、おおよそ次のように考えられる。
【００１３】
すなわち液晶性ポリエステル樹脂は、融点が比較的低くて、溶融状態における流動性が高く、かつ固化する速度が速いという特性を有している。このため液晶性ポリエステル樹脂を射出成形する場合は、通常、金型温度を低め（８０〜１２０℃）に設定している。ところが溶融した液晶性ポリエステル樹脂が、低めの温度の金型内を流動すると、金型内の壁に接触する表層部分が冷やされて粘性が高くなる。表層部分の粘性が高くなると、表層に分散する充填材によって、液晶性ポリエステル樹脂の流れが堰き止められて、この充填材の背後に回り込み難くなる。このため充填材の背後から下流側に向かって筋状の溝が生じると考えられる。
【００１４】
しかるに無電解めっき層を形成する部分の表面粗さが大きいと、無電解めっき層の表面の粗度も高くなる。このように無電解めっき層の表面の平滑性が低い場合には、無電解めっき層に電子部品等をワイヤーボンディングする際の接続不良率が高くなったり、ＬＥＤパッケージにおける光反射率が低くなったり、あるいは加飾が必要になったりする等の問題が生じる。したがって無電解めっき層を形成する部分は、無電解めっき層との密着性を高めつつ同時に表面の平滑性を高くするという、相反する要求を満足させる必要がある。
【００１５】
そこで本発明の目的は、液晶性ポリエステル樹脂を射出成形したときのスキン層の一方向への配向を抑えることによって、スキン層を剥離し難くすると共に、無電解めっき層との密着性と、無電解めっき層の平滑性とを向上させる無電解めっき層の形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明者は、鋭意研究を重ねた結果、液晶性ポリエステル樹脂に針状単結晶体からなる酸化亜鉛ウィスカを加え、さらに射出成形時における金型温度を高くすることによって、スキン層の一方向への配向をより効果的に抑えてスキン層をより剥離し難くすると共に、無電解めっき層との密着性と無電解めっき層の平滑性とを向上させ得ることを見出した。
【００１７】
すなわち酸化亜鉛ウィスカを液晶性ポリエステル樹脂に混合して射出成形すると、金型内において溶融した液晶性ポリエステル樹脂の流れが、この酸化亜鉛ウィスカによって妨げられて、分子鎖が流動方向に沿って強く配向することが抑制される。このため表層の内側において、分子鎖の配向方向が、表面に沿う方向からコア部に向かう方向に、徐々に傾斜するようになる。したがってこのコア部に向かって配向する分子鎖によって、樹脂の引張り強度が内部に向かう方向に強くなり、表層部分が剥離し難くなる。
【００１８】
特に針状単結晶体からなる酸化亜鉛ウィスカは、上述したように、中心部から四方に放射状に成長した多数の針状結晶を有するため、充填材として使用すると、金型内を流動する分子鎖が、この針状結晶に妨げられて四方に向かうように配向する。したがって粒子状の充填材を混合した場合に比べて、表層の分子鎖が表面に沿う方向からコア部に向かって配向する傾向が強くなり、表層部分がより剥離し難くなる。
【００１９】
ここで金型温度を１８０〜２８０℃に高くすると、表層における直鎖分子間の相溶性が改善され、さらに表層が剥がれ難くなることを見出した。ここで相溶性とは、ポリマー分子の絡み合いが強まることを意味し、相溶性が改善される理由は、高温では分子運動性が高いためと考えられる。
【００２０】
また金型温度を、通常の温度（８０〜１２０℃）より高い温度（１８０〜２８０℃）に設定して射出成形すると、金型の壁に接触する表層部分が冷やされ難くなり、表層部分の粘性が高くなることを回避できる。したがって表層部分における流動性の低下も少なくなり、表層に分散する酸化亜鉛ウィスカによって流れが堰き止められても、この酸化亜鉛ウィスカの背後に回り込み易くなる。このため酸化亜鉛ウィスカの背後から下流側に向かって筋状の溝が生じることを回避でき、表面の平滑性が低下することを防止することができることを見出した。
【００２１】
以上に加えて、酸化亜鉛ウィスカは、中心部から四方に放射状に成長した多数の針状結晶を有するため、液晶性ポリエステル樹脂に混合して射出成形した基体を、アルカリ性水溶液に浸漬して、表層に混在する針状結晶を溶解すれば、針状結晶が除去された空洞は、四方に放射状に分岐したものとなるため、この空洞に無電解めっきが侵入すれば、極めて優れた密着性が得られる。
【００２２】
また酸化亜鉛ウィスカの針状結晶は、極めて細い（０．２〜３．０μｍ）ため、基体の表面に空洞が開口する開口孔の径も極めて小さなものになり、基体の表面粗さも低くなる。
【００２３】
よって液晶性ポリエステル樹脂に、充填材として針状単結晶体からなる酸化亜鉛ウィスカを用いることによって、無電解めっき層を形成する部分に対して、無電解めっき層との密着性を高めつつ、同時に表面の平滑性を高くするという、相反する要求を満足させることができる。
【００２４】
なお無電解めっき層を形成しない部分も、その表層に混在する酸化亜鉛ウィスカが、アルカリ性水溶液にて除去されているため、イオンマイグレーションの発生を防止できる。
【００２５】
以上により、本発明による無電解めっき層の形成方法は、液晶性ポリエステル樹脂に針状単結晶体からなる酸化亜鉛ウィスカを混合した樹脂組成物を射出成形して基体を成形する第１工程と、この基体をアルカリ性水溶液に接触させて、この基体の表層に混在する酸化亜鉛ウィスカを溶解すると共に、この基体の表面を親水性に改質する第２工程と、この基体の表面に無電解めっき用の触媒を付与する第３工程と、この基体の表面に無電解めっき層を形成する第４工程とを備え、上記第１工程の射出成形においては、金型の温度を１８０〜２８０℃に設定することを特徴としている。
【００２６】
上記樹脂組成物は、この樹脂組成物１００重量％に対して上記酸化亜鉛ウィスカを３〜２０重量％混合したものであることが望ましい。
【００２７】
上記液晶性ポリエステル樹脂は、Ｉ型またはII型のいずれかであることが、より望ましい。
【００２８】
ここで「晶性ポリエステル樹脂のＩ型」とは、主として次の３成分からなるポリエステル樹脂を意味する。
イ．  芳香族ヒドロキシカルボン酸、およびその誘導体の１種または２種以上
ロ．  芳香族ジカルボン酸、脂環族ジカルボン酸、およびその誘導体の１種または２種以上
ハ．  芳香族ジオール、脂環族ジオール、脂肪族ジオールおよびその誘導体の１種または２種以上
また「液晶性ポリエステル樹脂のII型」とは、主として芳香族ヒドロキシカルボン酸、およびその誘導体の１種または２種以上からなるポリエステル樹脂を意味する。
【００２９】
また「針状単結晶体からなる酸化亜鉛ウィスカ」とは、多数の針状結晶が中心部から放射状に成長した、三次元形状であるテトラポット形状を有する単結晶体を意味し、例えば株式会社アムテックの製品「パナテトラ」（登録商標）が該当する。なお針状結晶は、極めて細く（平均径が０．２〜３．０μｍ）、また針状結晶の長さは２〜５０μｍである。「基体」とは、その形状を問わない。板状の二次元形状のものの他、立体的な三次元形状のものも含む。
【００３０】
「アルカリ性水溶液」としては、濃度１０．０〜５０．０重量％の苛性ソーダまたは苛性カリのいずれかの水溶液であって、上記表面の親水性への改質は、上記水溶液の温度を３０〜８０℃に設定し、この水溶液に上記基体を１０〜３０分間浸漬して行うことが望ましい。濃度が１０．０重量％未満では、表面の親水性化が不十分であり、濃度が５０重量％を超えると、樹脂が著しく劣化されて、めっき膜の品質が悪くなるからである。また水溶液の温度が３０℃未満では、表面の親水性化が不十分となり、水溶液の温度が８０℃を超えると、樹脂が著しく劣化されて、めっき膜の品質が低下するからである。
【００３１】
「アルカリ性水溶液に接触させて」における「接触」とは、基体をアルカリ性水溶液に浸漬する他、基体にアルカリ性水溶液スプレーしたり塗布したりする場合も含む。「親水性に改質」とは、親水基（ＯＨ基）を増して濡れ性を付与し、これにより触媒の吸着性を向上させることを意味する。
【００３２】
「無電解めっき用の触媒を付与する」手段は、基体の表層に混在する酸化亜鉛ウィスカの針状単結晶体が、溶解して除去された後の空洞に触媒を侵入させ、この触媒を核として無電解めっきを析出させ得るものであれば、その手段を問わない。通常用いられる、センシタイジング−アクチベーション法や、キャタリスト−アクセレータ法の他、後述するような、パラジウム等の一種類の金属イオンを付与して、この金属イオンを還元剤によって金属に還元して触媒核を形成する公知の手段（例えば、特開２０１２−１１２０２８号公報を参照。）も含まれる。さらには基体を安定剤の存在下で調整された貴金属ゾルに接触させ、次に基体をアルカリ性水溶液若しくは過酸化水素水に浸漬し、さらに基体をシランカップリング剤の溶液に浸漬する公知の手段（例えば、特開２０１０−４７８２８号公報を参照。）を使用することもできる。
【００３３】
「無電解めっき層」は、周知の無電解めっき方法を使用して形成することが可能であり、めっき金属の種類は問わない。例えば、無電解銅めっき層、無電解ニッケルめっき層、無電解金めっき層、あるいは無電解合金めっき層が該当する。また無電解めっき層の表面に、他の金属の無電解めっき層を積層したものも含む。
【００３４】
「金型温度を１８０〜２８０℃」に設定した理由は、１８０℃未満では、表層における分子鎖間の相溶性の改善効果が低く、ポリマー分子の絡み合いを十分強めることが困難となり、２８０℃を超えても分子鎖間の相溶性の改善効果がそれ以上期待できず、金型温度を無駄に高めることになるからである。また１８０℃未満では、上述したように、溶融した液晶性ポリエステル樹脂の流れが、表層に分散する酸化亜鉛ウィスカによって堰き止められて、この酸化亜鉛ウィスカの背後に回り込み難くなり、この酸化亜鉛ウィスカの背後から下流側に向かって筋状の溝が生じ易くなる。逆に２８０℃を超える温度に設定しても、酸化亜鉛ウィスカの背後から下流側に向かって筋状の溝が生じることを回避する効果の向上が、期待できないからである。なお金型の温度は、２２０〜２５０℃に設定することが、より望ましい。
【００３５】
「上記液晶性ポリエステル樹脂に対して酸化亜鉛ウィスカを３〜２０重量％混合した」理由は、３重量％より少ないと、表層の内側部分において分子鎖が流動方向に沿って強く配向することを抑制する効果が低下して、表層部分が剥がれ易くなるからである。逆に２０重量％を超えても、表層の内側部分において分子鎖が流動方向に沿って強く配向することを抑制する効果が、それ以上高まることを期待できないからである。
【発明の効果】
【００３６】
液晶性ポリエステル樹脂に針状単結晶体からなる酸化亜鉛ウィスカを混合し、金型温度を高温にして射出成形することにより、液晶性ポリエステル樹脂を射出成形したときのスキン層の一方向への配向を抑えて、スキン層をより剥離し難くすることができる。また酸化亜鉛ウィスカの背後から下流側に向かって筋状の溝が生じることを回避して、表面の平滑性が低下することを防止することができる。
【００３７】
さらに液晶性ポリエステル樹脂に針状単結晶体からなる酸化亜鉛ウィスカ混合して射出成形した基体を、アルカリ性水溶液に接触させることによって、無電解めっき層との密着性を高めつつ、同時に無電解めっき層の表面の平滑性を高くするという、相反する要求を満足させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】無電解めっき層を形成する工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
図１に示す工程図を参照しつつ、本発明による成形回路部品の製造方法を説明する。なお図１に示す工程は、射出成形した樹脂組成物の表面に、選択的に無電解めっき層を形成して導電性回路を設けるものであって、触媒付与の工程（Ｅ）の前工程において、マスキングによって非回路となる部分を覆う工程（Ｄ）、及び触媒付与の工程（Ｅ）の後工程において、このマスキングを除去する工程（Ｆ）を設けている。ただし射出成形した樹脂組成物の全表面に、無電解めっき層を形成する場合には、樹脂組成物の表面をマスキングで選択的に覆う工程、及びこのマスキングを除去する工程は、いずれも省くことができる。
【００４０】
さて最初の工程（Ａ）において、射出成形によってブロック形状の基体１を形成する。ここで基体１の素材は、液晶性ポリエステル樹脂のII型（例えば上野製薬株式会社の製品「＃２０００」）に、針状単結晶体からなる酸化亜鉛ウィスカ（例えば株式会社アムテックの製品「パナテトラ（登録商標）＃０５５１」）を混練した樹脂組成物であって、この樹脂組成物１００重量％に対して、酸化亜鉛ウィスカを７重量％混合する。
【００４１】
射出成形は、シリンダー温度を３４０〜３５２℃、金型温度を２２０℃、射出圧力を５１．５ＭＰａ、射出速度を１００ｍｍ／秒、及び冷却時間を１５秒に設定して行う。
【００４２】
次に工程（Ｂ）において基体１を脱脂洗浄した後に、工程（Ｃ）において、この基体１を、温度７０℃の苛性ソーダの水溶液に２５分間浸漬して、表層に混在する酸化亜鉛ウィスカを溶解すると共に、表面を親水性に改質する。なおこの水溶液は、苛性ソーダ４００ｇを１リットルの水に溶解させたものを使用する。次いで基体を、２５℃の塩酸水溶液に３〜５分間浸漬して中和処理を行う。なおこの塩酸水溶液は、濃度５重量％の塩酸を使用する。
【００４３】
次に基体１を中和洗浄した後、工程（Ｄ）において、この基体の表面であって回路となる部分１ａを残して、非回路部となる部分１ｂをマスキング２にて被覆する。マスキング２は、水溶性であって温水で容易に溶解する、オキシアルキレン基含有ポリビニルアルコール系樹脂（例えば日本合成化学工業株式会社の商品「エコマティＡＸ」）を射出して成形する。なおマスキング２として、耐酸性であってアルカリ水溶液に容易に加水分解する、ポリ乳酸（例えば三井化学株式会社製「レイシア＃Ｈ-100Ｊ/Ｆ」）、あるいはポリグリコール酸（例えば株式会社クレハ製「＃ＫＳＫ０８」）等を使用してもよい。
【００４４】
次の工程（Ｅ）において、マスキング２で被覆された基体１に触媒３を付与して、無電解めっきを析出させるための核を形成する。すなわち基体１を水洗洗浄して乾燥させた上で、パラジウムイオン触媒３（例えば荏原ユージライト株式会社の製品「＃ＡＣＴ−Ｓ」）を、濃度０．０６％の塩酸の水溶液（ｐＨ２．０）によって１０〜１８０ｐｐｍのイオン濃度に希釈して、温度を２５℃に設定したイオン触媒液に、基体１を２分間浸漬する。
【００４５】
次に、温度が２５℃、濃度が１．５ｇ／リットルの水素化ホウ素ナトリウムの水溶液に、基体１を浸漬して、吸着させたパラジウムイオン触媒３を、パラジウム金属に還元する。なおパラジウム金属が吸着した基体１を、界面活性剤の水溶液に浸漬してもよい。吸着したパラジウム金属の表面を、酸化層等を除去して活性化し、次の無電解めっき層の析出を促進するためである。
【００４６】
次の工程（Ｆ）において、基体１を被覆するマスキング２を除去する。マスキング２が、オキシアルキレン基含有ポリビニルアルコール系樹脂の場合には、マスキング２で被覆された基体１を、８０℃の温水中に１０分間程度浸漬して、このマスキングを湯中に溶出させる。またマスキング２が、ポリ乳酸やポリグリコール酸の場合には、濃度２〜１５重量％、温度２５〜７０℃の苛性アルカリ（ＮａＯＨ、ＫＯＨなど）水溶液中に、１〜１２０分程度浸漬して、マスキング２を除去する。
【００４７】
次の工程（Ｇ）において、基体１を無電解銅めっき液に浸漬して、この基体の表面であって、マスキング２で被覆されていなかった回路となる部分１ａに、無電解銅めっき層４を形成する。すなわち回路となる部分１ａには、針状結晶粒体からなる酸化亜鉛ウィスカが除去された空洞が開口し、かつ触媒３が付与されているため、無電解銅めっき層４が表面と空洞内に析出し、この基体に強固に固着する。具体的には、液温を５０℃に設定した無電解銅めっき液（例えば荏原ユージライト株式会社の製品「ＡＩＳＬ−５２０」）に、基体１を１５分間程度浸漬する。これにより、厚さ０．５〜０．６μの無電解銅めっき層４が成形される。最後に基体を１７５℃に雰囲気において６０分間加熱処理して、無電解銅めっき層４を基体の表面に密着させる。
【００４８】
なお非回路となる部分１ｂに、析出反応初期段階の無電解銅めっきの残滓が残存する場合には、温度４０℃に設定した、濃度１０ｇ／リットルの過硫酸の水溶液に、基体１を２０秒前後浸漬すれば、この残存する無電解銅めっきの残滓を、確実に除去することができる。
【実施例１】
【００４９】
上述した無電解めっき層の形成方法と同等な方法によって、平板状の基体（幅１０ｍｍ、長さ８０ｍｍ、厚さ２ｍｍ）を射出成形し、この基体の表面に厚さ０．５〜０．８μｍの無電解めっき層を形成した。
【００５０】
基体のスキン層の内側部分の断面を偏光顕微鏡で観察した結果、スキン層の内側部分では、分子鎖の配向方向が、表面に沿う方向から徐々にコア部に向かう方向に変化することが確認できた。また基体のスキン層の表面を電子顕微鏡で観察した結果、酸化亜鉛ウィスカの背後から下流側に向かう筋状の溝は認められなかった。
【００５１】
ＪＩＳ  Ｈ８５０４に基づく無電解銅めっき層のピール強度を測定した結果、０．５〜０．８Ｎ／ｍｍであり、実用的な密着強度としては十分であることが確認できた。
【００５２】
無電解銅めっき層の表面粗さを、レーザー顕微鏡（株式会社キーエンス製の「＃ＶＫ−９７１０」）によって計測した。ＪＩＳＢ０６０１：２００１に基づく表面粗さは、Ｒａ：１．３３μｍであり、実用的な表面の平滑性としては十分であることが確認できた。
【００５３】
光反射濃度計（日本電色工業株式会社製の「＃Color Mate」）によって、無電解銅めっき層の表面反射濃度を測定した結果、０．８１８であり、実用的な表面反射濃度としては十分であることが確認できた。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
射出成形した液晶性ポリエステル樹脂について、スキン層が剥離し難くなると共に、無電解めっき層の密着性と平滑性とが向上するため、電子機器等に関する産業に広く利用可能である。
【符号の説明】
【００５５】
１          基体
１ａ        回路となる部分
１ｂ        非回路部となる部分
２          マスキング
３          パラジウムイオン触媒（触媒）
４          無電解銅めっき層（無電解めっき層）
【図１】
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