(57)【要約】【課題】本発明は、小型の抵抗器であっても抵抗体の相対的な寸法精度を向上させて抵抗値の精度を向上させおよびバラツキを抑え、さらに高抵抗を実現することの両立を図る抵抗器を得ることを目的とする。【解決手段】本発明の抵抗器の製造方法は、フィルムを介して抵抗層を転写用基板上にスピンコート工法により形成する抵抗層形成工程と、前記フィルムよりも前記抵抗層が基板に近く位置するように前記抵抗層を前記フィルムと共に前記基板上へ転写させる転写工程と、前記抵抗層の一部を除去して複数の抵抗体を形成する抵抗体形成工程と、前記抵抗体を焼成するとともに前記フィルムを消失させる焼成工程と、前記焼成工程の後に、前記抵抗体と電気的に接続する一対の上面電極を形成する上面電極形成工程および前記基板を個片の基板に分割する分割工程とを備えたものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルムを介して抵抗層を転写用基板上にスピンコート工法により形成する抵抗層形成工程と、
前記フィルムよりも前記抵抗層が基板に近く位置するように前記抵抗層を前記フィルムと共に前記基板上へ転写させる転写工程と、
前記抵抗層の一部を除去して複数の抵抗体を形成する抵抗体形成工程と、
前記抵抗体を焼成するとともに前記フィルムを消失させる焼成工程と、
前記焼成工程の後に、前記抵抗体と電気的に接続する一対の上面電極を形成する上面電極形成工程および前記基板を個片の基板に分割する分割工程と、
を備えた抵抗器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器などに使用される抵抗器の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化の流れの中、抵抗器の小型化も望まれている。抵抗器は、０６０３（縦０．６ｍｍ、横０．３ｍｍのサイズ）や、０４０２（縦０．４ｍｍ、横０．２ｍｍのサイズ）の外形形状のチップ型抵抗器が開発されているが、さらに小型の０３０１５（縦０．３ｍｍ、横０．１５ｍｍのサイズ）や或いはそれ以下のチップ型抵抗器の出現も期待されている。
【０００３】
これらのチップ型抵抗器の典型的な構成は、アルミナなどの基板上に一対の上面電極と、この一対の上面電極間に抵抗体を形成した構成である。
【０００４】
一般に、チップ型抵抗器は厚膜タイプと薄膜タイプに分類することができる。厚膜タイプのチップ型抵抗器は、抵抗体となる材料を印刷工法により基板上に塗布し、その後焼成したものが広く知られている（特許文献１参照。）。
【０００５】
一方、薄膜タイプのチップ型抵抗器は、薄膜工法により基板上に抵抗体を形成したものである。薄膜工法としては、スパッタ工法が広く知られている（特許文献２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】実開平６−６２５０１号公報
【特許文献２】特開平２−３０９６０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
厚膜タイプのチップ型抵抗器における印刷工法は、メッシュを用いて所定の形状の抵抗体を基板上に形成するものである。メッシュの目は細かい方が抵抗体の形状の精度向上には有利である。従って、抵抗器の小型化に伴い、メッシュの目も細かく、表現を変えるとメッシュの目の大きさも小さくすれば抵抗体の相対的な形状精度も維持できるはずである。
【０００８】
ここで、抵抗材料は、印刷後には所定の形状を維持する必要があるので、その流動性は低い方が好ましい。しかし、流動性が低いとメッシュの目が小さいときに、抵抗材料がメッシュを通過する際の抵抗が増加して、印刷が困難になってくる。従って、メッシュを細かくするのにも制約があり、抵抗器の小型化にメッシュの目の細かさが追従できず、小型の抵抗器においては抵抗体の相対的な寸法精度が低下してしまい、抵抗値の精度の悪化および抵抗値バラツキの増大などを生じることとなってしまう。
【０００９】
一方、薄膜タイプのチップ型抵抗器におけるスパッタ工法は、抵抗体を構成する物質のターゲットを用いてスパッタ工法により抵抗体を形成するものである。しかし、スパッタ工法による抵抗体は金属に限られ、厚膜タイプの抵抗器のように抵抗体を導体とガラスとの混合物にすることができないので、高い抵抗値の抵抗器の製造が困難である。このため、薄膜タイプの抵抗器においては、抵抗値を高くするために抵抗体を蛇行形状にするなどの方法を実施しているが、抵抗器自体が小型化になると、そのスペースを確保することができず、高い抵抗値の抵抗器の製造が困難になる。
【００１０】
以上のように、小型化になると、抵抗体の相対的な寸法精度を向上させて抵抗値の精度向上およびバラツキを抑えることと、高抵抗を実現することの両立が困難であるという課題を有していた。
【００１１】
本発明は上記従来の課題を解決するもので、小型の抵抗器であっても抵抗体の相対的な寸法精度を向上させて抵抗値の精度を向上させおよびバラツキを抑え、さらに高抵抗を実現することの両立を図る抵抗器を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するための、本発明は以下の手段を有している。
【００１３】
請求項１に記載の発明は、フィルムを介して抵抗層を転写用基板上にスピンコート工法により形成する抵抗層形成工程と、前記フィルムよりも前記抵抗層が基板に近く位置するように前記抵抗層を前記フィルムと共に前記基板上へ転写させる転写工程と、前記抵抗層の一部を除去して複数の抵抗体を形成する抵抗体形成工程と、前記抵抗体を焼成するとともに前記フィルムを消失させる焼成工程と、前記焼成工程の後に、前記抵抗体と電気的に接続する一対の上面電極を形成する上面電極形成工程および前記基板を個片の基板に分割する分割工程と、を備えた抵抗器の製造方法である。
【００１４】
請求項１に記載の発明は、抵抗体の相対的な寸法精度を向上させて抵抗値の精度を向上させおよびバラツキを抑え、かつ高抵抗を実現することの両立が可能となるという作用効果を有する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の抵抗器の製造方法は、抵抗体の相対的な寸法精度を向上させて抵抗値の精度を向上させおよびバラツキを抑え、かつ高抵抗を実現することの両立が可能となるという優れた効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の工程図
【図２】本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の抵抗材料滴下工程の斜視図
【図３】本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法のスピンコート工程の斜視図
【図４】（ａ）本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の転写工程の斜視図、（ｂ）同断面図
【図５】（ａ）本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の抵抗体形成工程の平面図、（ｂ）同ＡＡ断面図
【図６】本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の焼成工程の断面図
【図７】（ａ）本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法のスクライブ工程の平面図、（ｂ）同ＡＡ断面図
【図８】本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の上面電極形成工程の平面図
【図９】本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の抵抗値修正工程の平面図
【図１０】本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の保護膜形成工程の平面図
【図１１】本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の１次分割工程の平面図
【図１２】（ａ）本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の端面電極形成工程の平面図、（ｂ）同ＡＡ断面図
【図１３】本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の２次分割工程の平面図
【図１４】本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法で得られる抵抗器の断面図
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、一実施の形態を用いて、本発明について説明する。
【００１８】
図１は、本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の工程図である。本実施の形態は、転写用基板への抵抗層形成工程と、抵抗層を転写基板から基板へ転写する工程と、抵抗層の一部を除去することにより所定形状の抵抗体を形成する工程と、焼成工程と、抵抗体を電気的に接続する上面電極を形成する工程を有している。
【００１９】
以下、図２〜図１４を用いて、本実施の形態について、より詳細に説明をする。
【００２０】
図２は本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の抵抗材料滴下工程の斜視図である。この工程は、転写用基板１上にフィルム２を貼り、その上に抵抗材料３を滴下した状態のものである。転写用基板１としては、表面が平滑なものがよく、例えばガラスが好適である。フィルム２の表面も平滑なものがよく、例えばＰＥＴによるフィルムが好適である。また、後にスピンコート工程があることを考えると、フィルム２は転写用基板１に貼り付く特性を有するものが好適である。また、抵抗材料３は、最終的に抵抗体を形成する物質と有機溶剤等を混ぜてペースト状にしたものを用いることができる。抵抗体の材料としては、厚膜工法で用いられる抵抗材料を用いても良く、例えばＡｇＰｄとガラスとのペーストなどを用いることができる。
【００２１】
図３は本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法のスピンコート工程の斜視図である。図２の状態で転写用基板１を高速で回転させることにより、抵抗材料３を慣性力によりフィルム２を介した転写用基板１上に均一に薄く伸ばし、その後、乾燥させることで、抵抗層４を得ることができる。抵抗層４の厚みは、抵抗材料３の粘性、スピンコート工程における転写用基板１の回転速度および回転時間などにより調整することができる。また、有機溶剤は乾燥により蒸発する。
【００２２】
図２に示す抵抗材料滴下工程と図３に示すスピンコート工程により抵抗層形成工程は構成される。
【００２３】
図４（ａ）は本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の転写工程の斜視図、図４（ｂ）は同断面図である。図３の状態から、抵抗層４と共にフィルム２を転写用基板１から剥離させ、抵抗層４をフィルム２とともに基板５へ転写させることで、図４の状態を得る。このとき、フィルム２よりも抵抗層４が基板５に近く位置するように転写させる。即ち、基板５、抵抗層４およびフィルム２の順に配置されている。基板５としては放熱特性や機械的強度等からアルミナが好適である。
【００２４】
図５（ａ）は本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の抵抗体形成工程の平面図、図５（ｂ）は同ＡＡ断面図である。図４の状態において、レーザ光線を照射することによって、フィルム２および抵抗層４の一部を欠落させている。これは、レーザ光線のエネルギーにより、照射されたフィルム２および抵抗層４を消失させることが出来るからである。図５（ａ）においてレーザ光線を横にスキャンさせながら照射させるとパターン溝７が形成され、縦にスキャンさせながら照射させるとパターン溝８が形成される。このようにパターン溝７とパターン溝８をそれぞれ複数形成して、格子状にすることにより、抵抗層４において端部以外で残った部分を抵抗体６として得ることができる。なお、図５における抵抗層４の４辺の端部に残った部分はダミー部となり抵抗体６としては使用することは出来ない。
【００２５】
図６は本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の焼成工程の断面図である。図５の状態から、全体を高温で熱する焼成工程により抵抗体６を焼成し、フィルム２を消失させる。焼成温度は、抵抗体６を焼成させ、フィルム２を消失させる温度であればよく、それぞれの材質によって異なるが、多くの場合には、樹脂からなるフィルム２の消失温度よりも抵抗体６の焼成温度の方が高いので、抵抗体６の焼成温度で焼成工程を行えばよい。なお、図６は断面図のみを記載して平面図は記載していないが、図５（ａ）におけるフィルム２を抵抗体６に置き換えたものが焼成工程後の平面図になる。
【００２６】
図７（ａ）は、本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法のスクライブ工程の平面図、図７（ｂ）は同ＡＡ断面図である。図６の状態でレーザ光線を照射させて、基板５に一次分割溝９および二次分割溝１０を形成している。図７（ａ）においてレーザ光線を横にスキャンさせたものが一次分割溝９であり、レーザ光線を縦にスキャンさせたものが二次分割溝１０である。このスクライブ工程におけるレーザ光線は、抵抗体形成工程におけるレーザ光線よりも高出力のものを用いると良い。これは、フィルム２や抵抗材料３を消失させる単位体積当たりのエネルギーよりもアルミナ基板からなる基板５に一次分割溝９や二次分割溝１０を形成する単位体積当たりのエネルギーの方が高いからである。また、レーザ光線の径は、抵抗体形成工程よりもスクライブ工程の方を小さくしている。これによりパターン溝７の幅よりも一次分割溝９の幅の方が狭く、パターン溝８の幅よりも二次分割溝１０の幅の方を狭くしている。この理由については後述する。
【００２７】
図８は本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の上面電極形成工程の平面図である。図７の状態から、マスクスパッタにより上面電極１１を形成している。上面電極１１は抵抗体６の両側に重畳するように一対で形成されており、抵抗体６とは電気的に接続している。また、上面電極１１はパターン溝７および一次分割溝９をまたいで形成されている。上面電極は、マスクスパッタによるＣｒの下地層上にマスクスパッタによりＣｕの薄膜層を形成した構成が好適である。また、マスクスパッタによるＮｉＣｒ層上にＣｕのめっき層を形成した構成にしてもよい。なお、上面電極形成工程と同時に或いは前後して、図１２で言及する裏面電極１７を形成する。裏面電極１７も上面電極１１と同様の製造方法による同様の構成に形成することができる。
【００２８】
図９は本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の抵抗値修正工程の平面図である。抵抗値の修正を行う抵抗体６の両端に位置する一対の上面電極１１に抵抗値測定のためのプローブを接触させて抵抗値を測定しながら、抵抗体６にレーザ光線によりトリミング溝１２を形成することによって抵抗値を修正させて所望の抵抗値を得る。
【００２９】
図１０は本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の保護膜形成工程の平面図である。図９の状態から抵抗体６を全て覆い、かつ上面電極１１の一部も覆うように保護膜１３を形成する。保護膜１３は絶縁性を有し、耐湿性に優れ、機械的強度に優れるものを用いることができる。ポリアミドやポリイミド、フェノール樹脂などが好適である。
【００３０】
図１１は本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の１次分割工程の平面図である。図１０において一次分割溝９が形成された部分で基板５を分割することで、短冊基板１４を得ることができる。
【００３１】
図１２（ａ）は本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の端面電極形成工程の平面図、図１２（ｂ）は同ＡＡ断面図である。図１１の状態において、マスクスパッタにより上面電極１１の全て、保護膜１３の一部、短冊基板１４の端面の全面に端面電極１５を形成する。また、裏面電極１７とは裏面電極１７の端面で電気的に接続するように形成する。端面電極１５はＣｒの下地層上にＣｕ層を形成した構成にすることができる。
【００３２】
図１３は本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の２次分割工程の平面図である。図１２の状態から短冊基板１４を二次分割溝１０で分割することで個片基板１６を得ることができる。
【００３３】
図１４は本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法で得られる抵抗器の断面図である。図１３の状態の個片基板１６にバレルめっきによるめっき層１８を形成すると図１４のような最終的な抵抗器を得ることができる。めっき層１８は、Ｎｉめっき層上にＳｎめっき層を形成した２層構造としている。めっき層１８は露出している導電体の表面に形成されるので、端面電極１５および裏面電極１７の表面に形成される。
【００３４】
以上の工程が本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法である。
【００３５】
以上のように本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法は、抵抗体６の厚みはスピンコート工法により、抵抗体６の縦横の外形はレーザ照射により規定されるので、抵抗値を高精度にし、バラツキの小さいものとすることができ、また抵抗体６はスピンコート工法で抵抗層４を形成し、これを基板５に転写したものであるので抵抗材料３は純金属である必要はなく、厚膜工法で用いられる材料を使用することができるので、高抵抗のものを含む幅広い抵抗値の抵抗器を得ることができる。勿論、本実施の形態において低抵抗の抵抗器の製造も可能である。
【００３６】
ここで、抵抗体形成工程とスクライブ工程のレーザ光線について説明する。抵抗体形成工程のレーザ光線の径をスクライブ工程のレーザ光線の径より大きくすると、パターン溝７の幅よりも一次分割溝９の幅の方が狭く、パターン溝８の幅よりも二次分割溝１０の幅の方を狭く形成される。ここで、パターン溝７およびパターン溝８によって抵抗体６の外形が規定され、また、基板５は一次分割溝９および二次分割溝１０により分割されて個片基板１６となるので、個片基板１６の外形は一次分割溝９および二次分割溝１０によって規定される。従って、抵抗体形成工程のレーザ光線の径をスクライブ工程のレーザ光線の径より大きくすると、平面視した際に抵抗体６は個片基板１６の内側に位置することになる。これにより、抵抗体６における二次分割溝１０に平行な側面は、保護膜１３に覆われて露出することがなく、抵抗体６の品質が向上する。
【００３７】
抵抗体形成工程のレーザ光線の径をスクライブ工程のレーザ光線の径と同じにした場合には、パターン溝７と一次分割溝９の幅およびパターン溝８と二次分割溝１０の幅がそれぞれ等しくなる。しかし、抵抗体形成工程のレーザ光線の照射位置とスクライブ工程のレーザ光線の照射位置とを完全に合わせることは困難であり、照射の度に何らかの位置ズレが生じることを考えるとパターン溝７と一次分割溝９の幅およびパターン溝８と二次分割溝１０の幅が一定せずにばらついてしまう。即ち、抵抗体６の外形寸法がばらついてしまい、抵抗値のバラツキが大きくなってしまう。
【００３８】
これに対し、本実施の形態のように抵抗体形成工程のレーザ光線の径をスクライブ工程のレーザ光線の径より大きくすると、抵抗体６の形状は、抵抗体形成工程によるレーザ照射により規定されるので、抵抗体６の形状が安定し抵抗値のバラツキを小さくすることができる。
【００３９】
本実施の形態においては、焼成工程の後にスクライブ工程を実施している。このような工程の順番にしている理由は、以下の通りである。スクライブ工程により基板５にスクライブを形成する際に基板５から削りくずが飛散する場合があり、この飛散物が抵抗体６に付着した後に焼成を行うと、飛散物と一体化した抵抗体６となってしまい、特性が悪化するおそれがある。従って、エアーを吹き付けるなどにより飛散物を除去すればよいのであるが、未焼成の抵抗体６は飛散物が付着しやすくエアーにより除去できないことがある。これに対し、焼成後の抵抗体６においては、エアーの吹き付けにより比較的容易に飛散物を除去することができる。また、仮に飛散物が付着していても、抵抗体６が飛散物と一体化する恐れは極めて小さく、特性が悪化するおそれも極めて少ない。以上の作用効果を有するので、本実施の形態においては焼成工程の後にスクライブ工程を実施している。
【００４０】
なお、上記の課題を解決できるのであれば、スクライブ工程のあとに焼成工程を行うこともできる。例えば、スクライブ工程において、飛散物が生じないような基板５を用いるなどの場合が挙げられる。
【００４１】
本実施の形態において、転写用基板１上にフィルム２を介して抵抗層４を形成している。スピンコート工程で高速に回転させることを考えると転写用基板１は剛体であることが求められる。スピンコート工程の高速回転により撓みが生じたり、振動が生じると均一の厚みの抵抗層４を得ることができないので、転写用基板１はスピンコート工程の高速回転においては実用上剛体とみなせることが必要である。一方、抵抗層４は乾燥はさせているが未焼成であるので十分な硬度がなく、支持するものがない状態で単独で基板５へ転写させることは困難であるので、支持するものが必要である。しかし、支持するものが剛体であると、抵抗層４を基板５へ転写させ難い。従って、抵抗層４を直接転写用基板１上に形成するのではなく、フィルム２上に形成している。これにより、スピンコート工程においては剛体である転写用基板１により抵抗層４は均一に形成され、転写工程においては抵抗層４を変形可能なフィルム２で支持することにより容易に転写を可能としている。
【００４２】
本実施の形態においては、転写工程の後に抵抗体形成工程を実施している。これを抵抗体形成工程の後に転写工程を行うと、抵抗体形成工程で抵抗層４のみならずフィルム２の一部を欠落させてパターン溝７とパターン溝８による格子状の溝を形成してしまい、フィルム２が分断されてしまうので、抵抗体６を転写用基板１から剥離させる際に、分断された個々の抵抗体６ごとに剥離することが必要となり、生産効率が極めて低下してしまう。これに対し、本実施の形態のように、転写工程の後に抵抗体形成工程を実施すると、転写工程においてはフィルム２および抵抗体６は分断されないので転写が容易になるという作用効果を有する。転写工程の前に抵抗体形成工程を行う場合には、この工程のレーザ照射でフィルム２を分断しないように抵抗層４のみを分断して抵抗体６を形成するようにすればよいが、その際には、フィルム２には耐熱性に優れるものを使用する必要がある。
【００４３】
本実施の形態においては、転写工程の際に抵抗層４のみならずフィルム２も転写させ、後の焼成工程においてフィルム２を消失させている。これにより、抵抗層４を基板５へ転写させた後にフィルム２を抵抗層４から剥離させる必要がなく製造工程の効率化を図ることができる。なお、抵抗層４を基板５へ転写させた後にフィルム２を抵抗層４から剥離させる工程を設けても抵抗器の製造は可能ではある。この場合には、剥離させたフィルム２を再使用する方法もある。但し、フィルム２の洗浄が必要になる可能性があること、および再び転写用基板１上に貼り付ける際の取り扱い性を考慮すると、一般的にフィルム２の再使用より未使用のフィルム２を都度使用する方が効率的および経済的である。勿論、フィルム２が再使用に優れるものであるならば、再使用してもよい。
【００４４】
本実施の形態において、スクライブ工程はレーザ光線の照射により行っているが、ダイシングなどの方法を取ることもできる。但し、小型化の流れの中では、微細な加工性に優れるレーザ光線によるスクライブ工程の方が適している。
【００４５】
本実施の形態において、上面電極形成工程はスパッタ工法あるいはスパッタ工法で下地層を形成したのちにめっき工法によりめっき層を形成する工程としている。上面電極１１を厚膜印刷工程で形成する方法もあるが、抵抗器の小型化の中、印刷工法の場合にはメッシュの目の大きさにより上面電極１１の外形形状を高精度に製造することが難しい。平面視した際に、上面電極１１の一部は抵抗体６と重畳するが、この重畳部における上面電極１１の形状は抵抗値に影響を与えるため、上面電極１１は高精度に形成されることが望ましく、その点でスパッタ工法が優れている。スパッタ工法による下地層を形成した後にめっき層を形成する場合には、スパッタ工法によりめっき工法の方が上面電極１１を厚くすることが容易であるので、上面電極１１の抵抗値を容易に低下させることができる。
【００４６】
本実施の形態において、抵抗値修正工程を設けているが、本実施の形態においては、抵抗値の高精度化およびバラツキの低減を可能にするものであり、抵抗器に求められる仕様次第では抵抗値修正工程を設けないことも可能になる。
【００４７】
本実施の形態における端面電極形成工程は、スパッタ工法により、上面電極１１から短冊基板１４の側面にかけて形成した一層の薄膜としているが、さらに裏面電極１７から短冊基板１４の側面にかけて形成した電極層との２層にしてもよい。また、この場合、裏面電極１７を設けず、裏面においては基板５に直接端面電極１５を形成するようにしてもよい。
【００４８】
本実施の形態における裏面電極１７は、抵抗層４を転写する前に基板５に形成してもよい。また、裏面電極１７の寸法精度は、上面電極１１とは異なり抵抗値に与える影響が小さいので厚膜印刷工法により形成してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明に係る抵抗器の製造方法は、電子機器などに使用される抵抗器の製造方法に使用され有用である。
【符号の説明】
【００５０】
１  転写用基板
２  フィルム
３  抵抗材料
４  抵抗層
５  基板
６  抵抗体
７  パターン溝
８  パターン溝
９  一次分割溝
１０  二次分割溝
１１  上面電極
１２  トリミング溝
１３  保護膜
１４  短冊基板
１５  端面電極
１６  個片基板
１７  裏面電極
１８  めっき層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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