(57)【要約】【課題】希土類元素を用いずに青色発光を示す酸化物の発光性化合物を提供する。【解決手段】本発明の発光性化合物は、一般式ＭＳｂ２Ｏ６（ここで、式中、ＭはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＢａからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。）で表される母体酸化物に、少なくともＴｉがドープされたものである。本発明の発光性化合物はたとえば、波長４００ｎｍ以下の光の照射により青色発光を示すことができる。本発明の発光体膜は、上記の本発明の発光性化合物を含むものである。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式ＭＳｂ２Ｏ６（ここで、式中、ＭはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＢａからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。）で表される母体酸化物に、少なくともＴｉがドープされた発光性化合物。
【請求項２】
波長４００ｎｍ以下の光の照射により青色発光を示す請求項１に記載の発光性化合物。
【請求項３】
請求項１または２に記載の発光性化合物を含む発光体膜。
【請求項４】
膜厚が１０ｎｍ〜５μｍである請求項３に記載の発光体膜。
【請求項５】
請求項３または４に記載の発光体膜を備えた発光装置。
【請求項６】
照明装置である請求項５に記載の発光装置。
【請求項７】
前記発光体膜から発光される光の変調により表示を行う表示装置である請求項５に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光性化合物、発光体膜、および発光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
発光性化合物は、ＥＬ装置、ＬＥＤ装置、およびＦＥ装置等の発光装置に用いられる。
本明細書において、ＥＬはエレクトロルミネセンス（Electroluminescence）、ＬＥＤは発光ダイオード（Light Emitting Diode）、ＦＥはフィールドエミッション（Field Emission、電界放射）の略号である。これら発光装置は、照明装置または表示装置等として利用できる。
【０００３】
照明装置および表示装置などの発光装置では、幅広い色を実現するため青色の発光性化合物が望まれている。これは、青色はカラーフィルタあるいは発光体などを介して色変換することができるためである。しかしながら、多くのデバイスで利用可能な青色発光の膜はあまり知られておらず、特にＥＬ素子に適した膜はＢａＡｌ２Ｓ４：Ｅｕなどに限られており、非常に少ない。
Ｅｕは、青色を発光する発光性化合物の発光中心元素として広く用いられるが、希土類であるため、高コストである。また、上記化合物の母体化合物は硫化物である。硫化物は、酸化物に比べて材料コストが高く耐久性にも劣る。また、硫化物は、高温プロセス等でＳ元素が抜けやすく、所望の組成／結晶構造／発光特性を安定的に得ることが難しい。
【０００４】
安定性の高い酸化物で青色発光する発光性化合物の膜はさらに例が少ない。
特許文献１、２には、ＥＬ材料としてＳｒＳｂ２ＯＸ：Ｍｎ（式中、Ｘは４，５，または６）が開示されている（特許文献１の請求項１、特許文献２の請求項２）。
特許文献１、２では、上記化合物は青色発光を示すことが記載されている（特許文献１、２の[実施例]の項）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許4125108号公報
【特許文献２】特開2007-204685号公報
【特許文献３】特開2009-158140号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】J.Luminescence60&61(1994)926
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献３には、赤色発光層の材料として、ＳｒＳｂ２Ｏ６：Ｍｎが挙げられている（段落００９７）。本発明者がＳｒＳｂ２Ｏ６：Ｍｎ膜を実際に成膜し、ＰＬ（フォトルミネセンス）スペクトルを測定したところ、比較例として後述するように特許文献３と同様の結果が得られた。すなわち、ＳｒＳｂ２Ｏ６：Ｍｎは青色発光を全く示さないか発光しても発光強度は微弱であり、基本的には赤色発光であった。ＳｒＳｂ２Ｏ６：Ｍｎを用いても、青色発光を安定的に得ることは難しいと考えられる。
なお、特許文献２には、ＳｒＳｂ２ＯＸ：Ｅｕ（請求項２および段落００２４）について紫外から青紫色の発光が報告されているが、ＳｒＳｂ２Ｏ６：Ｅｕについては、特許文献２および特許文献３のいずれにおいても赤色発光層の材料として挙げられている（特許文献２の段落００４５、特許文献３の段落００９７）。
【０００８】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、希土類元素を用いずに青色発光を示す酸化物の発光性化合物を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の発光性化合物は、
一般式ＭＳｂ２Ｏ６（ここで、式中、ＭはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＢａからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。）で表される母体酸化物に、少なくともＴｉがドープされたものである。
【００１０】
本発明の発光体膜は、上記の本発明の発光性化合物を含むものである。
本発明の発光装置は、上記の発光体膜を備えたものである。
発光装置としては具体的には、照明装置、および前記無機発光体膜から発光される光の変調により表示を行う表示装置が挙げられる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、希土類元素を用いずに青色発光を示す酸化物の発光性化合物を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】従来と本発明の発光性化合物における各元素のイオン半径とイオン価数を示すとともに、本発明の組成設計の思想を説明する図である。
【図２】本発明に係る第１実施形態の発光装置の模式断面図である。
【図３】本発明に係る第２実施形態の発光装置の模式断面図である。
【図４Ａ】本発明に係る第３実施形態の発光装置の全体模式断面図である。
【図４Ｂ】本発明に係る第３実施形態の発光装置の部分拡大模式断面図である。
【図５Ａ】実施例１と実施例２で得られた膜のＸＲＤパターンである。
【図５Ｂ】実施例１と比較例１で得られた膜のＰＬスペクトルである。
【図６Ａ】実施例２で得られた膜のＰＬスペクトルである。
【図６Ｂ】比較例２で得られた膜のＰＬスペクトルである。
【図７】実施例３で得られた膜のＰＬスペクトルである。
【図８】実施例６で得られた焼結体のＰＬスペクトルである。
【図９】実施例７で得られたＥＬ素子における印加電圧と発光輝度との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
「発光性化合物」
特許文献１、２で開示されているＳｒＳｂ２Ｏ６：Ｍｎにおける各元素の価数とイオン半径は、図１に示すとおりである。
図１に示すように、一般に、Ｍｎ２＋は、同価数のＳｒ２＋を置換していると考えられている。しかしながら、本発明者は、Ｍｎ２＋とＳｒ２＋とはイオン半径の差が大きいことから、Ｍｎ２＋はよりイオン半径の近いＳｂ５＋を置換しているのではないかと考えられる。この場合、Ｍｎ２＋とＳｂ５＋とは価数差が大きく、その結果電荷補償による酸素空孔等が生じやすく、酸素空孔等による欠陥発光が赤色発光となっている可能性がある。そこで本発明者は、Ｓｂ５＋に比較的近いイオン半径とイオン価数とを有し、かつ青色発光する添加元素を用いることで、青色発光が安定的に得られると考えた。
Ｓｂ５＋（イオン半径＝０．６０Å、イオン価数＝＋５）に比較的近いイオン半径とイオン価数とを有し、青色発光する元素としてＴｉが挙げられる（例えば非特許文献１）。Ｔｉ４＋はイオン半径０．６１ÅとＳｂ５＋に近いため、Ｓｂ５＋サイトを置換すると考えられ、かつ価数の差がＭｎ２＋の場合と比較して小さいため、酸素空孔等による欠陥発光を生じにくいと考えられる。実際、ＳｒＳｂ２Ｏ６にＴｉ４＋を添加することで、青色発光強度の増大が見られた。
ＳｒＳｂ２Ｏ６中のＳｒ２＋サイトについては、他のアルカリ土類金属でもよい。また、添加元素は、Ｔｉの青色発光を阻害しなければ、他の元素との共ドープでもよい。
本発明者は、以上の知見から、本発明を完成した。
【００１４】
本発明の発光性化合物は、
一般式ＭＳｂ２Ｏ６（ここで、式中、ＭはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＢａからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。）で表される母体酸化物に、少なくともＴｉがドープされたものである。
【００１５】
本発明の発光性化合物は、たとえば波長４００ｎｍ以下の光の照射により青色発光を示すことができる。
本発明の発光性化合物は、特許文献１、２で開示されているＳｒＳｂ２Ｏ６：Ｍｎに対して、より大きな青色発光強度を示すことができる。
【００１６】
本発明によれば、Ｅｕ等の希土類元素を用いずに青色発光を示す酸化物の発光性化合物を提供することができる。
本発明の発光性化合物は、酸化物であるので、硫化物に比べて材料コストが低く耐久性にも優れる。また、硫化物は、高温プロセス等でＳ元素が抜けやすく、所望の組成／結晶構造／発光特性を安定的に得ることが難しいが、酸化物ではかかる恐れがなく、所望の組成／結晶構造／発光特性を安定的に得ることができる。
【００１７】
Ｔｉと共ドープ可能な元素は特に制限ない。
共ドープ元素によっては、Ｔｉの青色発光との組み合わせで発光色が変化することもあり、白色等になる場合もある。
【００１８】
本発明の発光性化合物は、バルク体、粉体、および発光体膜等の任意の形態で使用できる。
これら形態においては、本発明の発光性化合物の他に、一般式ＭＳｂ２Ｏ４で表される酸化物、一般式ＭＳｂ２Ｏ５で表される酸化物、またはこれらに上記添加元素がドープされた酸化物が含まれていてもよい。ＭはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＢａからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素であり、２種類以上が含まれていてもよい。また、発光が阻害されなければ、その他の成分が含まれていてもよい。
本発明の発光性化合物を用いたバルク体、粉体、および発光体膜等は、公知方法により製造することができる。製造方法の具体例については、後記[実施例]の項を参照されたい。
【００１９】
発光性化合物の合成に使用される原料は特に制限されるものではなく、材料全体として構成元素であるＭ（ＭはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＢａからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素）とＳｂとＴｉを含む複数種の原料を用いることができる。
原料としては、
酸化物；
塩化物；
金属カルボン酸塩、金属硝酸塩、金属硫酸塩、金属アンモニウム塩、および金属エステル塩等の金属塩；
金属アルコキシド；
酸化物等を酸、塩基、または有機物で修飾したもの；
および有機金属錯体などが挙げられる。
【００２０】
原料組成におけるＭ（ＭはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＢａからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素）とＳｂとの比率は、後工程の成膜等および焼成による組成比率の変化を考慮して決定される。すなわち最終的な発光性化合物においてＳｂ／Ｍ＝２となるように調整することが望ましい。
【００２１】
Ｔｉの添加量は母体化合物となるＭＳｂ２Ｏ６によって異なるが、通常母体化合物に対して０．００１〜１０ｍｏｌ％、好ましくは０．０１〜５ｍｏｌ％である。
【００２２】
構成元素であるＭ（ＭはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＢａからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素）とＳｂとＴｉを含む複数種の原料を混合し、得られた原料混合物を必要に応じて成膜または成形し、その後焼成することで、発光性組成物を得ることができる。
原料を混合する際、その均一性を高めるために、溶媒あるいは分散媒を使用することができる。使用される溶媒または分散媒は特に限定されるものではなく、水等の無機材料と有機材料のいずれも用いることができ、２種以上を用いることも可能である。溶媒／分散媒としては、上記原料を溶解／分散を維持できるものが好ましい。
【００２３】
本発明の発光性化合物は、好ましくは発光体膜等の形態で使用できる。
本発明によれば、たとえば、膜厚が１０ｎｍ〜５μｍである発光体膜が提供できる。
【００２４】
発光体膜の成膜方法は特に限定されるものではなく、
スパッタリング法、ＥＢ蒸着法、ＣＶＤ法などの気相法；
および、
スピンコート法、ディップコート法、バーコート法、およびスプレー塗工法などの液相法等が挙げられる。
【００２５】
本発明の発光性化合物を用いた発光体膜は、照明装置、あるいは無機発光体膜から発光される光の変調により表示を行う表示装置等の発光装置に用いることができる。
【００２６】
「第１実施形態の発光装置」
図面を参照して、本発明に係る第１実施形態の発光装置の構造について説明する。
図２は模式断面図である。
【００２７】
図２に示す発光装置１は、無機ＥＬ装置である。
発光装置１は、基板１１０上に、下部電極（第１の電極）１２０と無機発光体膜１４０と上部電極（第２の電極）１６０とを順次備えている。
【００２８】
基板１１０側から光を取り出す場合、基板１１０としては、ガラス基板等の透光性基板が用いられる。
上部電極１６０側から光を取り出す場合、基板１１０としては、ガラス基板等の透光性基板を用いてもよいし、金属基板等の非透光性基板を用いてもよい。
【００２９】
下部電極１２０と上部電極１６０の材料としては公知の導電材料が使用できる。下部電極１２０と上部電極１６０の少なくとも一方（光を取り出す側）は、透光性を有する導電材料からなる。
透光性を有する導電材料としては、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、ＦＴＯ(フッ素添加酸化錫)、ＳｎＯ２、ＰＥＤＯＴ(ポリエチレンジオキシチオフェン)、およびＣＮＴ（カーボンナノチューブ）等が挙げられる。
透光性を有さない導電材料としては、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｓｎ、およびＺｎからなる群より選択された少なくとも１種の金属、およびこれらの組合せが挙げられる。
【００３０】
下部電極１２０と無機発光体膜１４０との間には、バリア層（下部絶縁体層）１３０を設けてもよい。バリア層１３０を設けることで、下部電極１２０の成分が無機発光体膜１４０に拡散し、発光を不活性にすることを抑止できる。
無機発光体膜１４０と上部電極１６０との間には、キャップ層（上部絶縁体層）１５０を設けてもよい。キャップ層１５０を設けることで、無機発光体膜１４０の表面における材料の脱着を抑止し、無機発光体膜１４０の組成を均一にすることができ、発光特性を向上できる。
バリア層１３０およびキャップ層１５０の材料としては、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＢａＴｉＯ３、Ａｌ２Ｏ３などの酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮなどの窒化物、ＳｉＯＮ、ＡｌＯＮなどの酸窒化物、およびこれらの組合わせ等が挙げられる。
無機発光体膜１４０は、上記の本発明の発光性化合物を含む。
【００３１】
本実施形態の発光装置１は、青色発光を示す照明装置（ＥＬ光源）として用いることができる。本発明の発光性化合物を用いることにより、発光強度が高く、低コストな青色発光の発光装置１を提供できる。
【００３２】
本実施形態の発光装置１は、表示ドットのパターンに応じて無機発光体膜１４０をパターン形成し、ドットごとに無機発光体膜１４０から発光される光を変調することで、表示装置（ＥＬディスプレイ）として用いることができる。たとえば、無機発光体膜１４０として、赤色光、緑色光、および青色光を発光する３種の無機発光体膜をパターン形成し、１つの画素を赤、緑、および青の３ドットにより構成することで、カラー表示ができる。この場合、青の表示ドットの無機発光体膜として、上記の本発明の発光性化合物を用いる。
【００３３】
「第２実施形態の発光装置」
図面を参照して、本発明に係る第２実施形態の発光装置の構造について説明する。
図３は、模式断面図である。
【００３４】
図３に示す発光装置２は、ＬＥＤチップを用いた面発光ＬＥＤ光源（ＬＥＤ装置、照明装置）である。
発光装置２は、図示下方より、反射板２１０と、紫外光または青色光を発光する複数のＬＥＤチップ２２１が搭載されたＬＥＤユニット２２０と、無機発光体膜２３０と、拡散板２４０とを順次備えている。
【００３５】
個々のＬＥＤチップ２２１は、ｎ型電極と、ｎ型半導体膜およびｐ型半導体膜を含む発光体膜と、ｐ型電極との接合構造を有している（図示略）。ｎ型半導体膜とｐ型半導体膜との接合界面（ｐｎ界面）で発光が起こる。
ＬＥＤチップ２２１としてはたとえば、ＧａＮにＩｎが添加されたＩｎＧａＮを発光体膜とする量子井戸構造のＬＥＤチップ（ＩｎＧａＮ系ＬＥＤチップ）等が挙げられる。
各ＬＥＤチップ２２１は、好ましくはドーム状に成型された被覆材２２２で被覆されている。本実施形態において、被覆材２２２は光の色変換を行う必要はなく、材料はＬＥＤチップ２２１を保護し、ＬＥＤチップ２２１から発光される光に対して透光性を有していればよい。被覆材２２２の材料としては、シリコーン樹脂およびエポキシ樹脂等の透光性樹脂が挙げられる。
【００３６】
反射板２１０の材料としては、アルミニウム基板等が挙げられる。
拡散板２４０の材料としては、（メタ）アクリル樹脂等が挙げられる。
無機発光体膜２３０は、上記の本発明の発光性化合物を含み、ＬＥＤチップ２２１から発光された紫外光等を青色光に変換する。
無機発光体膜２３０から出射された青色光は拡散板２４０で拡散されて、使用者側に出射される。本発明の発光性化合物を用いることにより、発光強度が高く、色純度が高く、低コストな青色発光の発光装置２を提供できる。
【００３７】
本実施形態では照明装置を例として説明したが、本実施形態の発光装置２において、表示ドットのパターンに応じて無機発光体膜２３０をパターン形成し、ドットごとに無機発光体膜２３０から発光される光を変調することで、表示装置（ＬＥＤディスプレイ）として用いることができる。たとえば、無機発光体膜２３０として、赤色光、緑色光、および青色光を発光する３種の無機発光体膜をパターン形成し、１つの画素を赤、緑、および青の３ドットにより構成することで、カラー表示ができる。この場合、青の表示ドットの無機発光体膜として、上記の本発明の発光性化合物を用いる。
【００３８】
「第３実施形態の発光装置」
図面を参照して、本発明に係る第３実施形態の発光装置の構造について説明する。
図４Ａは全体模式断面図であり、図４Ｂは部分拡大模式断面図である。図４Ａでは、図４Ｂで示されている一部の構成部材の図示を省略または簡素化してある。また、これらの図においては、視認しやすくするため、各構成部材の縮尺等は図ごとに適宜異ならせてある。
【００３９】
図４に示す発光装置３は、ＦＥＤ（ＦＥ装置、表示装置）である。
本明細書において、「ＦＥ」はフィールドエミッション（Field Emission、電界電子放出）の略号であり、ＦＥＤはフィールドエミッションディスプレイ（Field Emission Display、電界電子放出ディスプレイ）の略号である。
【００４０】
発光装置３は、
基板本体３１０とカソード電極とを有するカソード基板３００と、
基板本体４１０とアノード電極とを有するアノード基板４００とを備えている。
基板本体３１０、４１０としては、ガラス基板等が用いられる。
【００４１】
本実施形態において、カソード電極は、基板本体３１０の内面に形成され、導電体からなる複数の平面カソード電極３２１と、その上に形成されたエミッタ３２２により構成されている。本実施形態において、エミッタは、基板面に対して交差方向に立って形成された複数のカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）からなるＣＮＴ電極である。
ＣＮＴ電極は、複数のＣＮＴと溶媒とを含むＣＮＴ溶液を塗布し、溶媒を除去することで、簡易に作製できる。
エミッタ３２２としては、略円錐状電極を用いることもできる。
【００４２】
平面カソード電極３２１の上には複数の絶縁性凸部３３１からなる絶縁体層３３０が形成されており、上記複数のＣＮＴは複数の絶縁性凸部３３１の間隙に形成されている。
複数の絶縁性凸部３３１からなる絶縁体層３３０の上には、複数の絶縁性凸部３３１の間隙の対向部分に開口部を有する複数の導電性のゲート電極３４０が形成されている。
平面カソード電極３２１およびゲート電極３４０はモリブデン等の導電体からなり、絶縁体層３３０は酸化ケイ素等の絶縁体からなる。
平面視において、複数の平面カソード電極３２１および複数のゲート電極３４０は互いに交差する方向に延びたストライプ状パターンで形成されている。平面カソード電極３２１とゲート電極３４０とは駆動回路を介して電気的に接続されている。
【００４３】
アノード電極は、基板本体４１０の内面のほぼ全面に形成され、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透光性導電体からなる平面アノード電極４２０により構成されている。
カソード電極とアノード電極との間には電圧が印加されるようになっている。
【００４４】
平面アノード電極４２０の内面には、表示ドットのパターンに応じてパターン形成された蛍光体層４３０が形成されている。本実施形態においては、蛍光体層４３０として、赤色光を発光する蛍光体層４３０Ｒ、緑色光を発光する蛍光体層４３０Ｇ、および青色光を発光する蛍光体層４３０Ｂが、パターン形成されている。
【００４５】
蛍光体層４３０Ｂは、上記の本発明の発光性化合物を含む。
従来、ＦＥＤ用の青色発光性化合物は数が少なく、特に酸化物は希少である。
【００４６】
その他の蛍光体層４３０Ｒ、４３０Ｇの材料としては、公知材料を用いることができる。
蛍光体層４３０Ｒの材料としては、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ、およびＳｒＴｉＯ３Ｓ：Ｐｒ等が挙げられる。
蛍光体層４３０Ｇの材料としては、ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、Ｙ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、およびＹ２ＳｉＯ５：Ｔｂ等が挙げられる。
【００４７】
図４Ｂ中、符号４４０は蛍光体層４３０が形成されていない領域を遮光するブラックマトリクス（ＢＭ）である。
【００４８】
カソード基板３００とアノード基板４００との間にはスペーサ５００が設けられ、カソード基板３００とアノード基板４００との間の空間は高真空になっている。
【００４９】
カソード基板３００のエミッタ３２２から放射される電子線により蛍光体層４３０が励起され、各ドットから、赤色光、緑色光、または青色光が出射される。ドットごとに蛍光体層４３０から発光される光が変調され、表示が行われる。１つの画素は、赤、緑、および青の３ドットからなり、カラー表示がなされる。
【００５０】
本発明の発光性化合物を用いることにより、青色の発光強度が高く、表示品質が良好で、低コストな発光装置３を提供することができる。
【００５１】
本実施形態ではＦＥＤを例として説明したが、蛍光体層４３０をパターニングせず、ドットごとの光変調をしない構成とすれば、ＦＥＬ（Field Emission Lump、電界電子放出ランプ）（照明装置）とすることができる。そのデバイス構造は、図４Ｂに示したものと同様である。
【実施例】
【００５２】
以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をさらに説明するが、本発明はこれらに限定されない。
【００５３】
以下の実施例および比較例で用いた試薬は以下の通りである。
（試薬）
Ｓｂ ＥＭＯＤ試薬：有機物が修飾されたＳｂ２Ｏ３をキシレン等に分散させた液、高純度化学研究所社製、
Ｓｒ ＥＭＯＤ試薬：有機物が修飾されたＳｒＯをキシレン等に分散させた液、高純度化学研究所社製、
Ｔｉ ＥＭＯＤ試薬：有機物が修飾されたＴｉＯ２をキシレン等に分散させた液、高純度化学研究所社製、
Ｃａ ＥＭＯＤ試薬：有機物が修飾されたＣａＯをキシレン等に分散させた液、高純度化学研究所社製、
Ｍｎ  ２−エチルヘキサン酸マンガンミネラルスピリット：２−エチルヘキサン酸マンガンを塗料用溶剤ミネラルスピリットで希釈した液、和光純薬社製。
【００５４】
（実施例１）
１．６７ｍＬ（Ｓｂ：０．３ｍｏｌ／ｌ）のＳｂ ＥＭＯＤ試薬、０．５ｍＬ（Ｓｒ：０．５ｍｏｌ／ｌ）のＳｒ ＥＭＯＤ試薬、および０．００２ｍＬ（Ｔｉ：０．５ｍｏｌ／ｌ）のＴｉ ＥＭＯＤ試薬を混合して、塗布剤を得た。
次に、石英基板上に上記塗布剤をディップコートし、１３０℃で３分間の加熱乾燥により溶媒を除去して、塗布膜を得た。
上記塗布膜を大気中１１００℃で焼成し、３μｍ厚のＳｒＳｂ２Ｏ６：Ｔｉ膜を得た。Ｔｉの添加量は０．４ｍｏｌ％とした。
得られた膜について、ＸＲＤ（Ｘ線回折）分析を実施したところ、主成分としてＳｒＳｂ２Ｏ６の回折ピークが見られ、微量成分としてＳｒＳｂ２Ｏ５の回折ピークが見られた。ＸＲＤパターンを図５Ａに示す。図中、「ＥＭＯＤ膜」が本実施例のＸＲＤパターンである。
得られた膜に２５４ｎｍの紫外光を照射すると、青色の発光（蛍光）が確認された。励起波長２５４ｎｍにおけるＰＬ（フォトルミネセンス）スペクトル測定結果を図５Ｂに示す。測定装置としては、日本分光社製「ＦＰ−８５００」を用いた（他の実施例・比較例でも同様）。発光ピーク波長は４５０ｎｍ（青色光）であった。
図５Ｂに示すように、ＳｒＳｂ２Ｏ６に対してＭｎを添加した後記比較例１に対して、ＳｒＳｂ２Ｏ６に対してＴｉを添加した実施例１では、青色の発光強度が大幅に増大した。
【００５５】
（比較例１）
１．６７ｍＬ（Ｓｂ：０．３ｍｏｌ／ｌ）のＳｂ ＥＭＯＤ試薬、０．５ｍＬ（Ｓｒ：０．５ｍｏｌ／ｌ）のＳｒ ＥＭＯＤ試薬、および１．７２ｍＬ（Ｍｎ：０．００８％）のＭｎ  ２−エチルヘキサン酸マンガンミネラルスピリットを混合して、塗布剤を得た。
上記塗布膜を窒素中９００℃で１時間焼成し、３μｍ厚のＳｒＳｂ２Ｏ６：Ｍｎ膜を得た。Ｍｎの添加量は１．０ｍｏｌ％とした。
得られた膜のＸＲＤパターンは実施例１と同様であった。
得られた膜に２５４ｎｍの紫外光を照射したところ、青色の発光（蛍光）は見られず、赤色の発光（蛍光）が確認された。
励起波長２５４ｎｍにおけるＰＬスペクトルを図５Ｂに示す。発光ピーク波長は７００ｎｍ（赤色光）と４８０ｎｍ（青色光）であった。７００ｎｍ（赤色光）のピークが４８０ｎｍ（青色光）よりも顕著に大きく、得られた膜は主に赤色の発光（蛍光）を示し、わずかに青色の発光（蛍光）を示すものであった。
【００５６】
（実施例２）
ＳｒＯとＳｂ２Ｏ５の混合物（元素比Ｓｂ／Ｓｒ＝１．２５）とＴｉＯ２を蒸着源として用い、石英基板上に２源ＥＢ（電子ビーム）蒸着法により４００ｎｍ厚の膜を成膜した。この膜を大気中１１００℃で１時間焼成して、ＳｒＳｂ２Ｏ６：Ｔｉ膜を得た。Ｔｉの添加量は０．７ｍｏｌ％とした。
得られた膜について、ＸＲＤ分析を実施したところ、ＳｒＳｂ２Ｏ６の回折ピークが見られた。ＸＲＤパターンを図５Ａに示す。図中、「ＥＢ膜」が本実施例のＸＲＤパターンである。
得られた膜に２５４ｎｍの紫外光を照射すると、青色の発光（蛍光）が確認された。励起波長２５４ｎｍにおけるＰＬスペクトルを図６Ａに示す。発光ピーク波長は４５０ｎｍ（青色光）であった。
【００５７】
（比較例２）
ＳｒＯとＳｂ２Ｏ５とＭｎＯの混合物を蒸着源として用い、石英基板上にＥＢ蒸着法により４００ｎｍ厚の膜を成膜した。この膜を大気中１１００℃で１時間焼成して、ＳｒＳｂ２Ｏ６：Ｍｎ膜を得た。Ｍｎの添加量は１．０ｍｏｌ％とした。
得られた膜のＸＲＤパターンは実施例２と同様であった。
得られた膜に２５４ｎｍの紫外光を照射したところ、青色の発光（蛍光）は見られず、赤色の発光（蛍光）が確認された。
励起波長２５４ｎｍにおけるＰＬスペクトルを図６Ｂに示す。
発光ピーク波長は７００ｎｍ（赤色光）であり、ＰＬ強度は２０（相対値）であった。
なお、スペクトル中、４００ｎｍ付近に大きなピークが見られているが、励起光散乱によるものであり、発光（蛍光）によるものではない。この比較例では、赤色の発光（蛍光）のみが検出され、青色の発光（蛍光）は検出されなかった。
【００５８】
（実施例３）
１．６７ｍＬ（Ｓｂ：０．３ｍｏｌ／ｌ）のＳｂ ＥＭＯＤ試薬、０．５ｍＬ（Ｃａ：０．５ｍｏｌ／ｌ）のＣａ ＥＭＯＤ試薬、および０．００２ｍＬ（Ｔｉ：０．５ｍｏｌ／ｌ）のＴｉ ＥＭＯＤ試薬を混合して、塗布剤を得た。
次に、石英基板上に上記塗布剤をディップコートし、１３０℃で３分間の加熱乾燥により溶媒を除去して、塗布膜を得た。
上記塗布膜を大気中１１００℃で焼成し、３μｍ厚のＣａＳｂ２Ｏ６：Ｔｉ膜を得た。Ｃａの添加量は０．４ｍｏｌ％とした。
得られた膜について、ＸＲＤ分析を実施したところ、ＣａＳｂ２Ｏ６の回折ピークが見られた。実施例１と同様、得られた膜に２５４ｎｍの紫外光を照射したところ、青色の発光（蛍光）が確認された。励起波長２５４ｎｍにおけるＰＬスペクトルを図７に示す。
【００５９】
（実施例４）
ＳｒＯ／ＴｉＯ２ターゲットおよびＳｂ２Ｏ５ターゲットを用い、石英基板上に２源スパッタ法により、４５０ｎｍ厚の膜を成膜した。この膜を大気中１１００℃で１時間焼成して、ＳｒＳｂ２Ｏ６：Ｔｉ膜を得た。Ｔｉの添加量は０．７ｍｏｌ％とした。
得られた膜について、ＸＲＤ分析を実施したところ、実施例２と同様、ＳｒＳｂ２Ｏ６の回折ピークが見られた。実施例２と同様、得られた膜に２５４ｎｍの紫外光を照射したところ、青色の発光（蛍光）が確認された。励起波長２５４ｎｍにおけるＰＬスペクトルは実施例２と同様であった。
【００６０】
（実施例５）
ＳｒＳｂ２Ｏ６：ＴｉターゲットおよびＳｒＳｂ２Ｏ６ターゲットを用い、石英基板上に２源スパッタ法により、４５０ｎｍ厚の膜を成膜した。この膜を大気中１１００℃で１時間焼成して、ＳｒＳｂ２Ｏ６：Ｔｉ膜を得た。Ｔｉの添加量は０．７ｍｏｌ％とした。
得られた膜について、ＸＲＤ分析を実施したところ、実施例２と同様、ＳｒＳｂ２Ｏ６の回折ピークが見られた。実施例２と同様、得られた膜に２５４ｎｍの紫外光を照射したところ、青色の発光（蛍光）が確認された。励起波長２５４ｎｍにおけるＰＬスペクトルは実施例２と同様であった。
【００６１】
（実施例６）
ＳｒＯ粉末、Ｓｂ２Ｏ５粉末、およびＴｉＯ２粉末を、エタノール溶媒を用いて湿式混合した。溶媒を乾燥除去した後、混合粉末を金型に充填し、一軸プレス機を用いて３５ＭＰａで５分間圧縮成型して、成型体（ペレット）を得た。これを大気中１３００℃で５時間焼成して、ＳｒＳｂ２Ｏ６：Ｔｉセラミック焼結体を得た。Ｔｉの添加量は０．７ｍｏｌ％とした。
得られた焼結体について、ＸＲＤ分析を実施したところ、実施例１と同様、主成分としてＳｒＳｂ２Ｏ６の回折ピークが見られ、微量成分としてＳｒＳｂ２Ｏ５の回折ピークが見られた。
実施例１と同様、得られた焼結体に２５４ｎｍの紫外光を照射したところ、青色の発光（蛍光）が確認された。励起波長２５４ｎｍにおけるＰＬスペクトルを図８に示す。ＰＬスペクトルは実施例１と同様であった。
【００６２】
（実施例７）
スパッタ法により、１２５μｍ厚の焼結ＢａＴｉＯ３セラミック基板（絶縁体層を兼ねる）上にバリア層として２００ｎｍ厚のＳｉＯＮ層を成膜した。
上記基板上に、ＳｒＯとＳｂ２Ｏ５の混合物とＴｉＯ２とを蒸着源として用い、２源ＥＢ蒸着法により６８０ｎｍ厚の膜を成膜した。得られた膜を大気中１１００℃で焼成して、ＳｒＳｂ２Ｏ６：Ｔｉ発光体膜を得た。Ｔｉの添加量は０．７ｍｏｌ％とした。
次に、スパッタ法により、上記発光体膜上に、絶縁体層として１００ｎｍ厚のＳｉＯＮ層を成膜し、さらにＩＴＯ上部電極を成膜した。また、基板の反対側の面に、真空蒸着法により金属Ａｌ下部電極を成膜した。
以上のようにして、ＥＬ素子を作製した。
発光体膜を形成したＢａＴｉＯ３セラミック基板についてＸＲＤ分析を実施したところ、基板のＢａＴｉＯ３のピークと共に、実施例２と同様、ＳｒＳｂ２Ｏ６の回折ピークが見られた。
実施例１と同様、発光体膜に２５４ｎｍの紫外光を照射したところ、青色の発光（蛍光）が確認された。励起波長２５４ｎｍにおけるＰＬスペクトルは実施例１と同様であった。
得られたＥＬ素子を２ｋＨｚの正弦波交流電圧で駆動した。印加電圧と発光輝度との関係を図９に示す。電圧約２４０Ｖから青色のＥＬ発光が開始し、電圧の増加に伴い輝度の急激な上昇が見られた。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明の発光性化合物は、照明装置または表示装置等の発光装置に用いられる無機発光体膜等に好ましく適用することができる。
【符号の説明】
【００６４】
１  発光装置（ＥＬ装置）
２  発光装置（面発光ＬＥＤ光源）
３  発光装置（ＦＥＤ）
１１０    基板
１２０    下部電極
１３０    バリア層
１４０    無機発光体膜
１５０    キャップ層
１６０    上部電極
２１０    反射板
２２０    ＬＥＤユニット
２２１    ＬＥＤチップ
２２２    被覆材
２３０    無機発光体膜
２４０    拡散板
３００    カソード基板
３１０    基板本体
３２１    平面カソード電極
３２２    エミッタ
３３０    絶縁体層
３３１    絶縁性凸部
３４０    ゲート電極
４００    アノード基板
４１０    基板本体
４２０    平面アノード電極
４３０、４３０Ｒ、４３０Ｇ、４３０Ｂ  蛍光体層
４４０  ブラックマトリクス
５００  スペーサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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