(57)【要約】 【課題】  挟額縁化を実現する液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】  互いに対向する第１基板ＡＲおよび第２基板ＣＴと、第１基板ＡＲと第２基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、第１基板ＡＲと第２基板ＣＴとの間において液晶層ＬＱを囲むように配置され基板ＡＲ、ＣＴを固定したシール材ＳＢと、を備え、第１基板ＡＲは、第２基板ＣＴの一端部ＥＣＴよりも外側に延びた延在部を備え、第１基板ＡＲと第２基板ＣＴとは液晶層ＬＱと接触する一対の配向膜ＡＬ１、ＡＬ２を備え、シール材ＳＢの下地の少なくとも一部は配向膜ＡＬ１、ＡＬ２が配置されない領域であって、シール材ＳＢは、第２基板ＣＴの一端部ＥＣＴと略平行な方向の少なくとも一方側において、基板ＡＲ、ＣＴの端に沿って配置された液晶表示装置。【選択図】図１
2014202948.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する第１基板および第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、
前記第１基板と前記第２基板との間において前記液晶層を囲むように配置され前記第１基板と前記第２基板とを固定したシール材と、を備え、
前記第１基板は、前記第２基板の一端部よりも外側に延びた延在部を備え、
前記第１基板と前記第２基板とは液晶層と接触する一対の配向膜を備え、前記シール材の下地の少なくとも一部は配向膜が配置されない領域であって、
前記シール材は、前記第２基板の前記一端部と略平行な方向の少なくとも一方側において、前記第１基板および第２基板の端に沿って配置された液晶表示装置。
【請求項２】
前記シール材は、前記第１基板と前記第２基板とのそれぞれにおいて前記配向膜を囲むように配置されたマスクシールを含む請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
支持基板の上層において第１方向に並んだ開口部を備えたマスクシールを形成し、
前記開口部および前記マスクシール上を覆って前記マスクシールと親和性の低い配向膜材料を塗布して、前記開口部に配向膜を形成し、
前記配向膜を配向処理し、
前記配向膜を囲むようにシール材を描画し、
前記配向膜同士が対向するように一対の基板を配置して前記シール材により固定し、
前記シール材に沿った割断ラインおよび前記シール材よりも外側の割断ラインにおいて前記支持基板を割断する、液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記マスクシールを形成した後に前記マスクシールを焼成して昇華し、
前記マスクシールが除去された部分に前記シール材を描画する、請求項３記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
平面表示装置が盛んに開発されており、中でも液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力等の利点から様々な電子機器の表示装置として採用されている。近年は、例えばモバイル機器に搭載される液晶表示装置について、同じ外形でも画面サイズを大きくするために、挟額縁化の要求が強くなっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−３０４４５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、挟額縁化を実現する液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態によれば、互いに対向する第１基板および第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、前記第１基板と前記第２基板との間において前記液晶層を囲むように配置され前記第１基板と前記第２基板とを固定したシール材と、を備え、前記第１基板は、前記第２基板の一端部よりも外側に延びた延在部を備え、前記第１基板と前記第２基板とは液晶層と接触する一対の配向膜を備え、前記シール材の下地の少なくとも一部は配向膜が配置されない領域であって、前記シール材は、前記第２基板の前記一端部と略平行な方向の少なくとも一方側において、前記第１基板および第２基板の端に沿って配置された液晶表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、本実施形態の液晶表示装置の構成及び等価回路を概略的に示す図である。
【図２】図２は、図１のＡ−Ａ線における液晶表示パネルの断面の一例を概略的に示す図である。
【図３】図３は、本実施形態の液晶表示装置の製造方法の一例を説明するための図である。
【図４】図４は、本実施形態の液晶表示装置の製造過程における図３のＢ−Ｂ線におけるマザーパネルの断面の一例を概略的に示す図である。
【図５】図５は、本実施形態の液晶表示装置の製造過程における図３のＢ−Ｂ線におけるマザーパネルの断面の他の例を概略的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、実施形態の液晶表示装置について、図面を参照して説明する。  
図１は、本実施形態の液晶表示装置の構成及び等価回路を概略的に示す図である。
【０００８】
本実施形態の液晶表示装置は、アクティブマトリクスタイプの液晶表示パネルＬＰＮを備えている。液晶表示パネルＬＰＮは、第１基板であるアレイ基板ＡＲと、アレイ基板ＡＲに対向して配置された第２基板である対向基板ＣＴと、これらのアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、を備えている。
【０００９】
液晶表示パネルＬＰＮは、画像を表示する表示領域（以下、アクティブエリアという）ＡＣＴと、アクティブエリアＡＣＴを囲む額縁領域ＳＬＤとを備えている。このアクティブエリアＡＣＴは、ｍ×ｎ個のマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている（但し、ｍ及びｎは正の整数である）。
【００１０】
アレイ基板ＡＲは、アクティブエリアＡＣＴにおいて、ｎ本のゲート配線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、ｎ本の補助容量線Ｃ（Ｃ１〜Ｃｎ）、ｍ本のソース配線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）などを備えている。ゲート配線Ｇ及び補助容量線Ｃは、例えば、第１方向Ｘに沿って略直線的に延出している。これらのゲート配線Ｇ及び補助容量線Ｃは、第１方向Ｘに交差する第２方向Ｙに沿って交互に並列配置されている。ここでは、第１方向Ｘと第２方向Ｙとは互いに略直交している。ソース配線Ｓは、ゲート配線Ｇ及び補助容量線Ｃと交差している。ソース配線Ｓは、第２方向Ｙに沿って略直線的に延出している。なお、ゲート配線Ｇ、補助容量線Ｃ、及び、ソース配線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくても良く、それらの一部が屈曲していてもよい。
【００１１】
各ゲート配線Ｇは、アクティブエリアＡＣＴの外側に引き出され、ゲートドライバＧＤに接続されている。各ソース配線Ｓは、アクティブエリアＡＣＴの外側に引き出され、ソースドライバＳＤに接続されている。これらのゲートドライバＧＤ及びソースドライバＳＤの少なくとも一部は、例えば、アレイ基板ＡＲに形成され、コントローラを内蔵した駆動ＩＣチップ（図示せず）と接続されている。駆動ＩＣチップは、アレイ基板ＡＲに形成されてもよく、液晶表示パネルＬＰＮの外部に配置されてもよい。
【００１２】
各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、などを備えている。保持容量Ｃｓは、例えば補助容量線Ｃと画素電極ＰＥとの間に形成される。補助容量線Ｃは、補助容量電圧が印加される電圧印加部（図示せず）と電気的に接続されている。
【００１３】
すなわち、液晶表示パネルＬＰＮは、画素電極ＰＥがアレイ基板ＡＲに形成され、共通電極ＣＥが対向基板ＣＴに形成された構成であり、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に形成される電界を主に利用して液晶層ＬＱの液晶分子をスイッチングする。
【００１４】
スイッチング素子ＳＷは、例えば、ｎチャネル薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成されている。このスイッチング素子ＳＷは、ゲート配線Ｇ及びソース配線Ｓと電気的に接続されている。このようなスイッチング素子ＳＷは、トップゲート型あるいはボトムゲート型のいずれであっても良い。また、スイッチング素子ＳＷの半導体層は、例えば、ポリシリコンによって形成されているが、アモルファスシリコンによって形成されていても良い。
【００１５】
画素電極ＰＥは、各画素ＰＸに配置され、スイッチング素子ＳＷに電気的に接続されている。共通電極ＣＥは、液晶層ＬＱを介して複数の画素ＰＸの画素電極ＰＥに対して共通に配置されている。共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸに渡って配置され、複数の画素電極ＰＥと液晶層ＬＱを介して対向している。画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥは、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成されている。
【００１６】
アレイ基板ＡＲは、共通電極ＣＥに電圧を印加するための給電部（図示せず）を備えている。この給電部は、例えば、アクティブエリアＡＣＴの外側に形成されている。共通電極ＣＥは、アクティブエリアＡＣＴの外側に引き出され、図示しない導電部材を介して、給電部と電気的に接続されている。
【００１７】
スイッチング素子ＳＷは、ゲート配線Ｇとソース配線Ｓの交点近傍に設けられている。スイッチング素子ＳＷのゲート電極は対応するゲート配線Ｇと電気的に接続している（あるいは一体に形成されている）。スイッチング素子ＳＷのソース電極は対応するソース配線Ｓと電気的に接続している（あるいは一体に形成されている）。スイッチング素子ＳＷのドレイン電極は対応する画素電極ＰＥと電気的に接続している（あるいは一体に形成されている）。
【００１８】
アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、シール材ＳＢによって画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとが対向した状態で固定されている。シール材ＳＢはアクティブエリアＡＣＴを囲むように配置されている。より具体的には、アレイ基板ＡＲは、対向基板ＣＴの一端ＥＣＴよりも外側に延びた延在部を備え、シール材ＳＢは、対向基板ＣＴの一端ＥＣＴと略平行な方向の少なくとも一方側において、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの端に沿って配置されている。本実施形態では、シール材ＳＢは、対向基板ＣＴの一端ＥＣＴとアクティブエリアＡＣＴを挟んで対向した位置においてもアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの端に沿って配置されている。さらにシール材ＳＢは、対向基板ＣＴの一端ＥＣＴとアクティブエリアＡＣＴとの間において、一端ＥＣＴが延びた方向と略平行に配置されている。
【００１９】
アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとシール材ＳＢとに囲まれた領域には液晶材料が充填されている。
【００２０】
図２は、図１のＡ−Ａ線における液晶表示パネルの断面の一例を概略的に示す図である。なお、ここでは、説明に必要な箇所のみを図示している。第３方向Ｚは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに直交する方向、あるいは、液晶表示パネルＬＰＮの法線方向である。
【００２１】
液晶表示パネルＬＰＮを構成するアレイ基板ＡＲの背面側には、バックライト（図示せず）が配置されている。バックライトとしては、種々の形態が適用可能であり、また、光源として発光ダイオード（ＬＥＤ）を利用したものや冷陰極管（ＣＣＦＬ）を利用したものなどのいずれでも適用可能であり、詳細な構造については説明を省略する。
【００２２】
アレイ基板ＡＲは、光透過性を有する第１絶縁基板１０を用いて形成されている。ソース配線Ｓは、第１層間絶縁膜１１の上に形成され、第２層間絶縁膜１２によって覆われている。なお、図示しないゲート配線や補助容量線は、例えば、第１絶縁基板１０と第１層間絶縁膜１１の間に配置されている。画素電極ＰＥは、第２層間絶縁膜１２の上に形成されている。この画素電極ＰＥは、隣接するソース配線Ｓ間に配置されている。
【００２３】
第１配向膜ＡＬ１は、アレイ基板ＡＲの対向基板ＣＴと対向する面に配置され、シール材ＳＢに囲まれた領域の略全体に亘って配置され、アクティブエリアＡＣＴの略全体を覆っている。第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥなどを覆っており、第２層間絶縁膜１２および第１層間絶縁膜１１の上にも配置されている。
【００２４】
対向基板ＣＴは、光透過性を有する第２絶縁基板２０を用いて形成されている。この対向基板ＣＴは、ブラックマトリクスＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、共通電極ＣＥ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。
【００２５】
ブラックマトリクスＢＭは、各画素ＰＸを区画し、画素電極ＰＥと対向する開口部ＡＰを形成する。すなわち、ブラックマトリクスＢＭは、ソース配線Ｓ、ゲート配線、補助容量線、スイッチング素子などの配線部に対向するように配置されている。ここでは、ブラックマトリクスＢＭは、第２方向Ｙに沿って延出した部分のみが図示されているが、第１方向Ｘに沿って延出した部分を備えていても良い。このブラックマトリクスＢＭは、第２絶縁基板２０のアレイ基板ＡＲに対向する内面２０Ａに配置されている。
【００２６】
カラーフィルタＣＦは、各画素ＰＸに対応して配置されている。すなわち、カラーフィルタＣＦは、第２絶縁基板２０の内面２０Ａにおける開口部ＡＰに配置されるとともに、その一部がブラックマトリクスＢＭに乗り上げている。第１方向Ｘに隣接する画素ＰＸにそれぞれ配置されたカラーフィルタＣＦは、互いに色が異なる。例えば、カラーフィルタＣＦは、赤色、青色、緑色といった３原色にそれぞれ着色された樹脂材料によって形成されている。赤色に着色された樹脂材料からなる赤色カラーフィルタＣＦＲは、赤色画素に対応して配置されている。青色に着色された樹脂材料からなる青色カラーフィルタＣＦＢは、青色画素に対応して配置されている。緑色に着色された樹脂材料からなる緑色カラーフィルタＣＦＧは、緑色画素に対応して配置されている。これらのカラーフィルタＣＦ同士の境界は、ブラックマトリクスＢＭと重なる位置にある。
【００２７】
オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦを覆っている。このオーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦの表面の凹凸の影響を緩和する。
【００２８】
共通電極ＣＥは、オーバーコート層ＯＣのアレイ基板ＡＲと対向する側に形成されている。共通電極ＣＥは、第２配向膜ＡＬ２に覆われている。
【００２９】
第２配向膜ＡＬ２は、対向基板ＣＴのアレイ基板ＡＲと対向する面に配置され、アクティブエリアＡＣＴの略全体に亘って延在している。この第２配向膜ＡＬ２は、共通電極ＣＥ及びオーバーコート層ＯＣなどを覆っている。このような第２配向膜ＡＬ２は、水平配向性を示す材料によって形成されている。
【００３０】
これらの第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２には、液晶層ＬＱの液晶分子を初期配向させるための配向処理（例えば、ラビング処理や光配向処理）がなされている。本実施形態では、第１配向膜ＡＬ１および第２配向膜ＡＬ２は光配向膜（ＵＶ照射により液晶配向の配向処理が可能な膜）である。
【００３１】
上述したようなアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、それぞれの第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２が対向するように配置されている。このとき、アレイ基板ＡＲの第１配向膜ＡＬ１と対向基板ＣＴの第２配向膜ＡＬ２との間には、例えば、樹脂材料によって一方の基板に一体的に形成された柱状スペーサが配置され、これにより、所定のセルギャップが形成される。
【００３２】
アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、所定のセルギャップが形成された状態で、アクティブエリアＡＣＴの外側のシール材ＳＢによって貼り合わせられている。本実施形態では、シール材ＳＢは、アレイ基板ＡＲおよび対向基板ＣＴの端に沿って配置されている。
【００３３】
液晶層ＬＱは、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に形成されたセルギャップに保持され、第１配向膜ＡＬ１と第２配向膜ＡＬ２との間に配置されている。このような液晶層ＬＱは、誘電率異方性が正（ポジ型）或いは誘電率異方性が負（ネガ型）の液晶材料によって構成されている。
【００３４】
アレイ基板ＡＲの外面、つまり、アレイ基板ＡＲを構成する第１絶縁基板１０の外面１０Ｂには、第１光学素子ＯＤ１が接着剤などにより貼付されている。この第１光学素子ＯＤ１は、液晶表示パネルＬＰＮのバックライトと対向する側に位置しており、バックライトから液晶表示パネルＬＰＮに入射する入射光の偏光状態を制御する。この第１光学素子ＯＤ１は、第１偏光軸（あるいは第１吸収軸）を有する第１偏光板ＰＬ１を含んでいる。
【００３５】
対向基板ＣＴの外面、つまり、対向基板ＣＴを構成する第２絶縁基板２０の外面２０Ｂには、第２光学素子ＯＤ２が接着剤などにより貼付されている。この第２光学素子ＯＤ２は、液晶表示パネルＬＰＮの表示面側に位置しており、液晶表示パネルＬＰＮから出射した出射光の偏光状態を制御する。この第２光学素子ＯＤ２は、第２偏光軸（あるいは第２吸収軸）を有する第２偏光板ＰＬ２を含んでいる。
【００３６】
第１偏光板ＰＬ１の第１偏光軸と、第２偏光板ＰＬ２の第２偏光軸とは、例えば、直交する位置関係（クロスニコル）にある。このとき、一方の偏光板は、例えば、その偏光軸が液晶分子の初期配向方向つまり第１配向処理方向あるいは第２配向処理方向と平行または直交するように配置されている。初期配向方向が第２方向Ｙと平行である場合、一方の偏光板の偏光軸は、第２方向Ｘと平行、あるいは、第１方向Ｘと平行である。
【００３７】
上記液晶表示装置では、シール材ＳＢがアレイ基板ＡＲおよび対向基板ＣＴと接触した下地部分において、第１配向膜ＡＬ１および第２配向膜ＡＬ２は一部のみに配置されている。このような液晶表示装置の製造方法について以下に説明する。
【００３８】
図３は、本実施形態の液晶表示装置の製造方法の一例を説明するための図である。ここでは、説明に必要な構成のみを記載し、他の構成については省略している。
【００３９】
液晶表示パネルＬＰＮは、マザーパネルＭＰから切り出される。マザーパネルＭＰは、複数のアレイ基板ＡＲとなる第１マザー基板と、複数の対向基板ＣＴとなる第２マザー基板とを備えている。第１マザー基板と第２マザー基板とは、第１配向膜ＡＬ１と第２配向膜ＡＬ２とが対向するようにシール材ＳＢにより固定されている。
【００４０】
シール材ＳＢは、少なくとも第１方向ＸにおけるアクティブエリアＡＣＴの両側において、第１マザー基板あるいは第２マザー基板の割断ラインＣＬＡ上に配置されている。また、シール材ＳＢは、第２方向ＹにおけるアクティブエリアＡＣＴの両側において、第１マザー基板あるいは第２マザー基板の割断ラインＣＬＡおよび第２マザー基板の割断ラインＣＬＢの内側に配置されている。具体的には、シール材ＳＢは、各アクティブエリアＡＣＴを囲むように描画され、割断ラインＣＬＡでは隣り合うアクティブエリアＡＣＴを囲むように描画したシール材ＳＢ同士が第１方向Ｘに並んで一体となっている。換言すると、シール材ＳＢは、アクティブエリアＡＣＴの位置に対応した開口部ＳＢＯを有する。この開口部ＳＢＯは第１方向Ｘに並んで配置される。
【００４１】
割断ラインＣＬＡは、液晶表示パネルＬＰＮの端の位置に対応する。割断ラインＣＬＢは、アレイ基板ＡＲと対向した対向基板ＣＴの端ＥＣＴの位置に対応する。第１マザー基板と第２マザー基板とは割断ラインＣＬＡにおいて割断され、さらに、第２マザー基板は割断ラインＣＬＢにおいて割断される。
【００４２】
図４は、本実施形態の液晶表示装置の製造過程における図３のＢ−Ｂ線におけるマザーパネルの断面の一例を概略的に示す図である。
【００４３】
第１マザー基板Ｍ１は、複数の第１絶縁基板１０となる支持基板を備えている。第１マザー基板Ｍ１の支持基板上に、導電材料および絶縁材料の製膜およびパタンニングを繰り返して、例えば半導体層としてポリシリコンを用いた薄膜トランジスタを含むスイッチング素子ＳＷ、補助容量線Ｃ、ゲート配線、ソース配線、画素電極ＰＥ等を形成する。
【００４４】
ここで、第１配向膜ＡＬ１の材料を塗布する前に、シール材ＳＢの下地となる位置にマスクシールＭＳを形成する。マスクシールＭＳは、その材料を塗布した後にパタンニングされ、複数の画素電極ＰＥを囲むようにシール材ＳＢが配置される位置に配置される。換言すると、マスクシールＭＳは、アクティブエリアＡＣＴの位置に対応した開口部を有する。マスクシールＭＳの開口部は第１方向Ｘに並んで配置される。
【００４５】
すなわち、少なくとも第１方向ＸにおけるアクティブエリアＡＣＴの両側において、マスクシールＭＳは、第１マザー基板あるいは第２マザー基板の割断ラインＣＬＡ上に配置されている。また、マスクシールＭＳは、第２方向ＹにおけるアクティブエリアＡＣＴの両側において、第１マザー基板Ｍ１の割断ラインＣＬＡおよび第２マザー基板の割断ラインＣＬＢの内側に配置されている。
【００４６】
続いて、アクティブエリアＡＣＴおよび額縁領域ＳＬＤに第１配向膜ＡＬ１の材料を印刷により塗布する。ここで、本実施形態では、マスクシールＭＳと第１配向膜ＡＬ１とは互いに親和性の低い材料により形成されている。したがって、第１配向膜ＡＬ１は、マスクシールＭＳ上において弾かれて、マスクシールＭＳの開口部に形成される。第１配向膜ＡＬ１は例えばポリイミドにより形成される。
【００４７】
続いて、仮乾燥および焼成を行って第１配向膜ＡＬ１を硬化するとともに、マスクシールＭＳを昇華する。したがって、第１マザー基板にはマスクシールＭＳが配置されていた部分により区画された島状の第１配向膜ＡＬ１が形成される。
【００４８】
第２マザー基板Ｍ２も上述のように島状の第２配向膜ＡＬ２を形成する。すなわち、第２マザー基板Ｍ２の複数の第２絶縁基板２０となる支持基板上に、樹脂材料、導電材料および絶縁材料の製膜およびパタンニングを繰り返して、ブラックマトリクスＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、および、共通電極ＣＥを形成する。
【００４９】
続いて、第２配向膜ＡＬ２の材料を塗布する前に、シール材ＳＢの下地となる位置にマスクシールＭＳを形成する。マスクシールＭＳは、その材料を塗布した後にパタンニングされ、シール材ＳＢが配置される位置に配置される。換言すると、マスクシールＭＳは、アクティブエリアＡＣＴの位置に対応した開口部を有する。マスクシールＭＳの開口部は第１方向Ｘに並んで配置される。
【００５０】
すなわち、少なくとも第１方向ＸにおけるアクティブエリアＡＣＴの両側において、マスクシールＭＳは、第２マザー基板の割断ラインＣＬＡ上に配置されている。また、マスクシールＭＳは、第２方向ＹにおけるアクティブエリアＡＣＴの両側において、第１マザー基板あるいは第２マザー基板の割断ラインＣＬＡおよび第２マザー基板の割断ラインＣＬＢの内側に配置されている。
【００５１】
続いて、アクティブエリアＡＣＴおよび額縁領域ＳＬＤに第２配向膜ＡＬ２の材料を印刷により塗布する。第２配向膜ＡＬ２は、マスクシールＭＳ上において弾かれて、マスクシールＭＳの開口部に形成される。第２配向膜ＡＬ２は例えばポリイミドにより形成される。
【００５２】
続いて、仮乾燥および焼成を行い、マスクシールＭＳを昇華する。したがって、第２マザー基板にはマスクシールＭＳが配置されていた部分により区画された島状の第２配向膜ＡＬ２が形成される。
【００５３】
続いて、第１配向膜ＡＬ１および第２配向膜ＡＬ２について配向処理を行った後、洗浄し、第１マザー基板あるいは第２マザー基板にシール材ＳＢを描画して、第１マザー基板Ｍ１と第２マザー基板Ｍ２とを貼り合せる。このとき、シール材ＳＢは、マスクシールＭＳが除去された部分に描画される。換言すると、シール材ＳＢをマスクシールＭＳが除去された部分に描画することにより、マスクシールＭＢの開口部に対応する開口部ＳＢＯが形成される。したがって、シール材ＳＢは第１配向膜ＡＬ１あるいは第２配向膜ＡＬ２を囲むように配置される。この状態で、第１マザー基板Ｍ１と第２マザー基板Ｍ２とを貼り合せると、シール材ＳＢは割断ラインＣＬＡから離れる方向に広がって一部が第１配向膜ＡＬ１および第２配向膜ＡＬ２上に乗り上げる状態で固定される。
【００５４】
続いて、第１マザー基板Ｍ１および第２マザー基板Ｍ２を割断ラインＣＬＡおよび割断ラインＣＬＢで割断して、複数の液晶表示パネルＬＰＮを取り出す。
【００５５】
ここで、液晶表示装置の狭額縁化を実現するための要件はいくつかあるが、その１つに配向膜の印刷精度があげられる。挟額縁化を実現するためにはシール材の描画幅も小さくなり、額縁領域も狭くなる。また、配向膜とシール材との界面を伝わってシール材の内側に水分などが進入することを防ぐために、シール材の下地となる領域のすくなくとも一部には配向膜が無い構造とすることが望ましい。
【００５６】
したがって、額縁領域が狭くなると、配向膜の端部と基板端部との間の幅も狭くなり、配向膜の印刷位置に一段と高い精度が要求されることとなる。例えば、配向膜の端部から基板端部までの幅を１ｍｍ以下とする場合、配向膜の印刷精度およびシール材の描画制度が高くなり、製造歩留りが低下する可能性があった。
【００５７】
そこで本実施形態では、配向膜の塗布前に配向膜と親和性の低い材料で形成されたマスクシールを基板上に形成することにより、配向膜を塗布した後にパターニングすることを不要としている。配向膜のパタンニングが不要となるため、配向膜の印刷に高い精度が必要なくなり、液晶表示装置の挟額縁化が容易となる。
【００５８】
さらに、本実施形態では、アクティブエリアＡＣＴの第１方向Ｘにおける両側においてシール材ＳＢが割断ラインＣＬＡ上に配置されるため、液晶表示パネルＬＰＮのシール材ＳＢの外側の領域を小さくすることができ、額縁領域ＳＬＤを小さくすることができる。
【００５９】
また、上記のように液晶表示装置を形成すると、シール材ＳＢは第１配向膜ＡＬ１および第２配向膜ＡＬ２が配置されない領域に描画され、第１配向膜ＡＬ１および第２配向膜ＡＬ２が配置されない部分で第１マザー基板Ｍ１および第２マザー基板Ｍ２が割断されるため、液晶表示パネルＬＰＮの端部に第１配向膜ＡＬ１および第２配向膜ＡＬ２が露出することが無くなり、シール材ＳＢと第１配向膜ＡＬ１および第２配向膜ＡＬ２との界面を伝わってシール材ＳＢの内側に水分が混入することを回避することができる。
【００６０】
次に、本実施形態の液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法の他の例について図面を参照して説明する。なお、以下の説明において上述の実施形態と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。
【００６１】
図５は、本実施形態の液晶表示装置の製造過程における図３のＢ−Ｂ線におけるマザーパネルの断面の他の例を概略的に示す図である。
【００６２】
この例では、配向膜印刷後の焼成工程にてマスクシールＭＳが昇華せず、シール材ＳＢの下地となっている。
【００６３】
すなわち、上述の実施形態と同様にマスクシールＭＳを第１マザー基板Ｍ１および第２マザー基板Ｍ２上に形成した後、第１配向膜ＡＬ１および第２配向膜ＡＬ２を塗布する。ここで、マスクシールＭＳと第１配向膜ＡＬ１とは互いに親和性の低い材料により形成されている。したがって、第１配向膜ＡＬ１は、マスクシールＭＳ上において弾かれて、マスクシールＭＳの開口部に形成される。第１配向膜ＡＬ１は例えばポリイミドにより形成される。マスクシールＭＳの材料は、例えば協立化学産業（株）製のＷｏｒｌｄ  Ｒｏｃｋシリーズである。
【００６４】
続いて、仮乾燥および焼成を行う。このとき、マスクシールＭＳが昇華されないため、第１マザー基板Ｍ１および第２マザー基板Ｍ２にはマスクシールＭＳにより区画された島状の第１配向膜ＡＬ１が形成される。
【００６５】
続いて、第１配向膜ＡＬ１および第２配向膜ＡＬ２について配向処理を行った後、洗浄し、第１マザー基板Ｍ１あるいは第２マザー基板Ｍ２にシール材ＳＢを描画して、第１マザー基板Ｍ１と第２マザー基板Ｍ２とを貼り合せる。このとき、シール材ＳＢは、マスクシールＭＳ上に描画される。換言すると、シール材ＳＢをマスクシールＭＳ上に描画することにより、マスクシールＭＢの開口部に対応する開口部ＳＢＯが形成される。この状態で、第１マザー基板Ｍ１と第２マザー基板Ｍ２とを貼り合せると、シール材ＳＢは割断ラインＣＬＡから離れる方向に広がって一部が第１配向膜ＡＬ１および第２配向膜ＡＬ２上に乗り上げる状態で固定される。すなわち、この例においては、マスクシールＭＳとシール材ＳＢとが第１マザー基板Ｍ１および第２マザー基板Ｍ２とを固定するためのシール材となる。
【００６６】
続いて、第１マザー基板Ｍ１および第２マザー基板Ｍ２を割断ラインＣＬＡおよび割断ラインＣＬＢで割断して、複数の液晶表示パネルＬＰＮを取り出す。
【００６７】
上記のように、配向膜の塗布前に配向膜と親和性の低い材料で形成されたマスクシールを基板上に形成することにより、配向膜を塗布した後にパターニングすることを不要としている。配向膜のパタンニングが不要となるため、配向膜の印刷に高い精度が必要なくなり、液晶表示装置の挟額縁化が容易となる。
【００６８】
さらに、本実施形態では、アクティブエリアＡＣＴの第１方向Ｘにおける両側においてシール材ＳＢが割断ラインＣＬＡ上に配置されるため、液晶表示パネルＬＰＮのシール材ＳＢの外側の領域を小さくすることができ、額縁領域ＳＬＤを小さくすることができる。
【００６９】
また、上記のように液晶表示装置を形成すると、シール材ＳＢは第１配向膜ＡＬ１および第２配向膜ＡＬ２が配置されない領域（マスクシールＭＳ上）に描画され、第１配向膜ＡＬ１および第２配向膜ＡＬ２が配置されない部分で第１マザー基板Ｍ１および第２マザー基板Ｍ２が割断されるため、液晶表示パネルＬＰＮの端部に第１配向膜ＡＬ１および第２配向膜ＡＬ２が露出することが無くなり、シール材ＳＢと第１配向膜ＡＬ１および第２配向膜ＡＬ２との界面を伝わってシール材ＳＢの内側に水分が混入することを回避することができる。
【００７０】
すなわち、本実施形態の液晶表示装置によれば、挟額縁化を実現する液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法を提供することができる。
【００７１】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００７２】
ＬＰＮ…液晶表示パネル、ＡＲ…アレイ基板、ＣＴ…対向基板、ＬＱ…液晶層、ＡＣＴ…アクティブエリア、ＳＬＤ…額縁領域、ＰＸ…画素、Ｓ…ソース配線、Ｇ…ゲート配線、Ｃ…補助容量線、Ｘ…第１方向、Ｙ…第２方向、Ｚ…第３方向、ＧＤ…ゲートドライバ、ＳＤ…ソースドライバ、ＳＷ…スイッチング素子、ＰＥ…画素電極、ＣＥ…共通電極、ＳＢ…シール材、ＣＦ…カラーフィルタ、ＯＣ…オーバーコート層、ＭＰ…マザーパネル、ＣＬＡ、ＣＬＢ…割断ライン、Ｍ１…第１マザー基板、Ｍ２…第２マザー基板、ＭＳ…マスクシール、ＡＬ１…第１配向膜、ＡＬ２…第２配向膜、１０…第１絶縁基板、２０…第２絶縁基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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