(57)【要約】【課題】基板の傷付きを抑制する。【解決手段】ＣＶＤ装置（基板処理装置）４０は、ガラス基板（基板）ＧＳを収容してそのガラス基板ＧＳに処理を施すための処理室４１と、処理室４１内に配されていてガラス基板ＧＳが載置される載置台４６と、載置台４６上にてガラス基板ＧＳを昇降させるリフトピン４８であって、ガラス基板ＧＳの板面に並行し且つその板面を下側から支持する平坦支持面４９と、当該リフトピン４８の周縁に形成されて丸みを帯びた断面形状の曲面５０とを有するリフトピン４８と、を備える。【選択図】図１０
2014011166.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容してその基板に処理を施すための処理室と、
前記処理室内に配されていて前記基板が載置される載置台と、
前記載置台上にて前記基板を昇降させるリフトピンであって、前記基板の板面に並行し且つその板面を下側から支持する平坦支持面と、当該リフトピンの周縁に形成されて丸みを帯びた断面形状の曲面とを有するリフトピンと、を備える基板処理装置。
【請求項２】
前記処理として前記基板上に膜を成膜するために前記処理室内に前記膜の材料を供給する膜材料供給部と、
前記載置台に設けられる第１電極と、
前記第１電極に対して前記基板を挟んで対向状に配されるとともに前記第１電極との間に電界を発生させることで前記材料を前記基板上に化学蒸着させて前記膜を成膜する第２電極とが備えられている請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記載置台には、前記リフトピンを収容するピン収容凹部が設けられており、
前記曲面は、曲率半径が１ｍｍから２ｍｍの範囲とされている請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記リフトピンは、パイログラファイトからなる請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記リフトピンは、シャフト部と、前記シャフト部に対して着脱可能に取り付けられていて前記平坦支持面及び前記曲面を有するヘッド部とからなる請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記リフトピンは、前記平坦支持面が平面に視て円形状に形成されている請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記リフトピンは、前記基板の板面内に複数本が間欠的に並列して配されている請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶表示装置の主要構成部品である液晶パネルを製造する際には、ガラス製の基板の表面にフォトリソグラフィ法により導電膜や絶縁膜を成膜してパターニングしている。基板上に導電膜や絶縁膜を成膜するに際しては、例えばＣＶＤ装置が用いられる場合がある。ＣＶＤ装置には、成膜処理を行う処理室と、処理室内に配されていて基板が載置される載置台と、載置台上にて基板を昇降させるリフトピンとが備えられており、リフトピンにより基板を載置台から持ち上げることで、処理室内に入った外部のロボットアームによって基板の受け渡しを行うことが可能となっている。このようなリフトピンを備えたＣＶＤ装置の一例として特許文献１に記載されたものが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２１７１０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、基板は、リフトピンによって支持された状態では自重によって撓みが生じる場合があり、サイズが大型化するのに伴って生じる撓みがより大きくなる傾向にある。基板の撓みが大きくなると、基板がリフトピンによって支持された状態で昇降される際に、基板の撓んだ部分がリフトピンに擦れ易くなり、そうなると基板の表面に深い傷が付くおそれがあった。
【０００５】
本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、基板の傷付きを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の基板処理装置は、基板を収容してその基板に処理を施すための処理室と、前記処理室内に配されていて前記基板が載置される載置台と、前記載置台上にて前記基板を昇降させるリフトピンであって、前記基板の板面に並行し且つその板面を下側から支持する平坦支持面と、当該リフトピンの周縁に形成されて丸みを帯びた断面形状の曲面とを有するリフトピンと、を備える。
【０００７】
このようにすれば、処理室内に収容された基板は、載置台上に載置された状態で処理が施される。基板をリフトピンにより載置台上にて昇降させることで、例えば処理室に対する基板の出し入れを行うことができる。そして、リフトピンは、基板の板面を下側から支持する平坦支持面が基板の板面に並行しているので、基板の板面に対して面接触されている。従って、仮にリフトピンを基板の板面に点接触させて基板の支持を図った場合に比べると、基板の板面に作用する荷重が分散されて基板に傷が付き難くなっている。さらには、リフトピンの平坦支持面により下側から支持された基板は、自重により撓み変形する場合があるものの、リフトピンの周縁には丸みを帯びた断面形状の曲面が形成されているので、基板の撓んだ部分がリフトピンに擦れ難くなり、それにより基板を昇降する際に基板に傷が付き難くなっている。
【０００８】
本発明の実施態様として、次の構成が好ましい。
（１）前記処理として前記基板上に膜を成膜するために前記処理室内に前記膜の材料を供給する膜材料供給部と、前記載置台に設けられる第１電極と、前記第１電極に対して前記基板を挟んで対向状に配されるとともに前記第１電極との間に電界を発生させることで前記材料を前記基板上に化学蒸着させて前記膜を成膜する第２電極とが備えられている。このようにすれば、膜材料供給部により処理室内に膜の材料を供給するとともに、載置台上に基板を載置した状態で第１電極と第２電極との間に電界を発生させると、材料が基板上に化学蒸着されて基板上に膜が成膜される。
【０００９】
（２）前記載置台には、前記リフトピンを収容するピン収容凹部が設けられており、前記曲面は、曲率半径が１ｍｍから２ｍｍの範囲とされている。このようにすれば、載置台のピン収容凹部に収容された状態のリフトピンを上昇させることで、載置台上の基板を持ち上げることができ、逆に基板を持ち上げた状態のリフトピンを下降させてピン収容凹部内に収容することで、基板を載置台上に載置することができる。ここで、仮に曲面の曲率半径を１ｍｍ以上にすると、リフトピンの周縁が基板の撓んだ部分に擦れ易くなってしまい、基板の傷付きを十分に抑制できなくなるおそれがある。逆に、仮に曲面の曲率半径を２ｍｍ以上にすると、載置台におけるピン収容凹部とリフトピンの周縁との間に生じる隙間が大きくなり過ぎるため、第１電極と第２電極との間に生じる電界にムラが生じてしまい、基板上に成膜される膜の膜厚が不均一になるおそれがある。その点、上記したように曲面の曲率半径を１ｍｍから２ｍｍの範囲とすることで、基板の傷付きを好適に抑制しつつも、基板上に成膜される膜の膜厚を均一なものとすることができる。
【００１０】
（３）前記リフトピンは、パイログラファイトからなる。このようにすれば、例えば基板をガラス製とした場合、パイログラファイトは、ガラスよりも柔らかい材料となるので、基板の傷付きをより効果的に防止することができる。
【００１１】
（４）前記リフトピンは、シャフト部と、前記シャフト部に対して着脱可能に取り付けられていて前記平坦支持面及び前記曲面を有するヘッド部とからなる。このようにすれば、基板に対して直接接するヘッド部がシャフト部に対して着脱可能に取り付けられているから、例えば基板との接触に伴ってヘッド部が摩耗した場合でも、ヘッド部を交換することができる。これにより、基板の傷付きを抑制しつつ基板を安定的に支持することができる。
【００１２】
（５）前記リフトピンは、前記平坦支持面が平面に視て円形状に形成されている。このようにすれば、仮に平坦支持面を平面に視て角形とした場合に比べると、リフトピンによって下側から支持された基板の撓んだ部分がリフトピンの周縁（曲面）に対して一層擦れ難くなる。これにより、基板の傷付きをより好適に抑制することができる。
【００１３】
（６）前記リフトピンは、前記基板の板面内に複数本が間欠的に並列して配されている。このようにすれば、複数本のリフトピンによって基板をより安定的に支持しつつ昇降させることができる。特に基板が大型化した場合に有用となる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、基板の傷付きを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施形態１に係るテレビ受信装置の概略構成を示す分解斜視図
【図２】テレビ受信装置が備える液晶表示装置の概略構成を示す分解斜視図
【図３】液晶表示装置の断面構成を概略的に示す断面図
【図４】液晶パネルの断面構成を概略的に示す断面図
【図５】液晶パネルを構成するアレイ基板における表示領域の平面構成を示す平面図
【図６】液晶パネルを構成するＣＦ基板における表示領域の平面構成を示す平面図
【図７】図６のvii-vii線に沿った拡大断面図
【図８】ＣＶＤ装置の断面構成を概略的に示す断面図
【図９】ガラス基板を載置した載置台及びリフトピンの平面図
【図１０】載置台、ガラス基板及びリフトピンの拡大断面図
【図１１】リフトピンの拡大平面図
【図１２】膜の膜厚とガラス基板におけるＸ軸方向についての位置との関係を表すグラフ
【図１３】本発明の実施形態２に係るリフトピンの拡大平面図
【図１４】本発明の実施形態３に係るリフトピンの拡大平面図
【発明を実施するための形態】
【００１６】
＜実施形態１＞
本発明の実施形態１を図１から図１２によって説明する。本実施形態では、液晶表示装置１０を構成する液晶パネル（表示パネル）１１におけるアレイ基板（表示素子）２０の製造に用いられるＣＶＤ装置（基板処理装置）４０について例示する。なお、各図面の一部にはＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。
【００１７】
本実施形態に係るテレビ受信装置ＴＶは、図１に示すように、液晶表示装置（表示装置）１０と、当該液晶表示装置１０を挟むようにして収容する表裏両キャビネットＣａ，Ｃｂと、電源Ｐと、チューナーＴと、スタンドＳとを備えて構成される。液晶表示装置１０は、全体として横長の方形をなし、図２及び図３に示すように、表示パネルである液晶パネル１１と、外部光源であるバックライト装置（照明装置）１２とを備え、これらがベゼル１３などにより一体的に保持されるようになっている。
【００１８】
先にバックライト装置１２の構成の概略について説明する。バックライト装置１２は、図２及び図３に示すように、液晶パネル１１の背面直下に光源を配置してなる、いわゆる直下型とされる。バックライト装置１２は、表側（光出射側、液晶パネル１１側）に開口したシャーシ１４と、シャーシ１４内に敷設される反射シート（反射部材）１５と、シャーシ１４の開口部分に取り付けられる光学部材１６と、光学部材１６を固定するためのフレーム１７と、シャーシ１４内に並列した状態で収容される複数本の冷陰極管（光源）１８と、冷陰極管１８の端部を遮光するとともに自身が光反射性を備えてなるランプホルダ１９と、を有して構成されている。
【００１９】
次に液晶パネル１１について説明する。液晶パネル１１は、図４に示すように、一対の基板２０，２１間に、電界印加に伴って光学特性が変化する物質である液晶材料を含む液晶層２２を封入してなる。液晶パネル１１を構成する両基板２０，２１のうち裏側（バックライト装置１２側）に配されるものが、アレイ基板（表示素子、ＴＦＴ基板）２０とされ、表側（光出射側）に配されるものが、ＣＦ基板（対向基板）２１とされている。アレイ基板２０及びＣＦ基板２１は、いずれもほぼ透明な（透光性を有する）ガラス基板ＧＳの内面側に所定の膜（構造物）を既知のフォトリソグラフィ法により順次に積層形成してなるものとされる。アレイ基板２０及びＣＦ基板２１を構成するガラス基板ＧＳは、その板厚が例えば０．２ｍｍから０．８ｍｍの範囲とされている。なお、両基板２０，２１の外面側には、表裏一対の偏光板２３がそれぞれ貼り付けられている。
【００２０】
アレイ基板２０を構成するガラス基板ＧＳの内面側（液晶層２２側、ＣＦ基板２１との対向面側）には、図５に示すように、３つの電極２４ａ〜２４ｃを有するスイッチング素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）２４及び画素電極２５が多数個並んで設けられるとともに、これらＴＦＴ２４及び画素電極２５の周りには、格子状をなすゲート配線（金属膜）２６及びソース配線（金属膜）２７が取り囲むようにして配設されている。画素電極２５は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなる。ゲート配線２６及びソース配線２７は、共に金属材料として銅（Ｃｕ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含有する金属膜からなり、ガラス基板ＧＳ上にパターニングされている。ゲート配線２６は、下層側（ガラス基板ＧＳ側）に配されるのに対し、ソース配線２７は、上層側に配されている。両配線２６，２７の間には、後述するゲート絶縁膜３５が介設されており、それにより両配線２６，２７が交差部において相互に絶縁状態に保たれてリーク（ショート、短絡）が防止されている。ゲート配線２６とソース配線２７とがそれぞれＴＦＴ２４のゲート電極２４ａとソース電極２４ｂとに接続され、画素電極２５がドレイン配線３４を介してＴＦＴ２４のドレイン電極２４ｃに接続されている。ドレイン配線３４は、ソース配線２７と同じく金属材料として銅またはアルミニウムを含有する金属膜からなるとともにソース配線２７と同じ層（レイヤ）に同一工程にてガラス基板ＧＳ上にパターニングされている。
【００２１】
アレイ基板２０には、図５に示すように、ゲート配線２６に並行するとともに画素電極２５に対して平面に視て重畳する容量配線（補助容量配線、蓄積容量配線、Ｃｓ配線、金属膜）３３が設けられている。容量配線３３は、Ｙ軸方向についてゲート配線２６と交互に配されており、ゲート配線２６と同じく金属材料として銅またはアルミニウムを含有する金属膜からなるとともにゲート配線２６と同じ層に同一工程にてガラス基板ＧＳ上にパターニングされている。ゲート配線２６がＹ軸方向に隣り合う画素電極２５の間に配されているのに対し、容量配線３３は、各画素電極２５におけるＹ軸方向のほぼ中央部を横切る位置に配されている。このアレイ基板２０の端部には、ゲート配線２６及び容量配線３３から引き回された端子部及びソース配線２７から引き回された端子部が設けられており、これらの各端子部には、図示しない外部回路から各信号または基準電位が入力されるようになっており、それによりＴＦＴ２４の駆動が制御される。また、アレイ基板２０の内面側には、液晶層２２に含まれる液晶分子を配向させるための配向膜２８が形成されている（図４）。
【００２２】
一方、ＣＦ基板２１を構成するガラス基板ＧＳの内面側（液晶層２２側、アレイ基板２０との対向面側）には、図４及び図６に示すように、アレイ基板２０側の各画素電極２５と平面に視て重畳する位置に多数個のカラーフィルタが並んで設けられている。カラーフィルタは、Ｒ（赤色），Ｇ（緑色），Ｂ（青色）を呈する各着色部２９がＸ軸方向に沿って交互に並ぶ配置とされる。また、各着色部２９の外形は、画素電極２５の外形に倣って平面に視て縦長の方形状をなしている。カラーフィルタを構成する各着色部２９間には、混色を防ぐための格子状をなす遮光部（ブラックマトリクス）３０が形成されている。遮光部３０は、アレイ基板２０側のゲート配線２６、ソース配線２７及び容量配線３３に対して平面視重畳する配置とされる。また、各着色部２９及び遮光部３０の表面には、アレイ基板２０側の画素電極２５と対向する対向電極３１が設けられている。また、ＣＦ基板２１の内面側には、液晶層２２に含まれる液晶分子を配向させるための配向膜３２がそれぞれ形成されている。
【００２３】
ここで、アレイ基板２０のうち特にスイッチング素子であるＴＦＴ２４に関して詳しく説明する。ＴＦＴ２４は、図５及び図７に示すように、アレイ基板２０を構成するガラス基板ＧＳ上に複数の膜を積層した構成とされており、具体的には下層側（ガラス基板ＧＳ側）から順に、ゲート配線２６に接続されたゲート電極（金属膜）２４ａ、ゲート絶縁膜（絶縁膜、ゲートインシュレータ膜）３５、半導体膜３６、ソース配線２７に接続されたソース電極（金属膜）２４ｂ及び画素電極２５に接続されたドレイン電極（金属膜）２４ｃ、層間絶縁膜（絶縁膜、パッシベーション膜）３７、保護膜（絶縁膜）３８が積層されている。
【００２４】
ゲート電極２４ａは、ゲート配線２６と同じく金属材料として銅またはアルミニウムを含有する金属膜からなり、ゲート配線２６と同一工程にてガラス基板ＧＳ上にパターニングされている。ゲート絶縁膜３５は、例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）またはシリコン酸化層（ＳｉＯｘ）からなり、ガラス基板ＧＳ、ゲート電極２４ａ及びゲート配線２６上に積層されている、ゲート絶縁膜３５は、ＴＦＴ２４においてはゲート電極２４ａと半導体膜３６とを絶縁状態に保つものとされる。半導体膜３６は、例えばアモルファスシリコン（ａ‐Ｓｉ）または酸化物半導体（ＩＧＺＯ：ＩｎＧａＺｎＯｘ）からなるものとされ、一端側がドレイン電極２４ｃに、他端側がソース電極２４ｂにそれぞれ接続されることで、相互間の導通を図るチャネル領域として機能し得るものとされる。
【００２５】
ソース電極２４ｂ及びドレイン電極２４ｃは、下層側（半導体膜３６側）の第１導電膜２４ｂ１，２４ｃ１と、上層側（層間絶縁膜３７側）の第２導電膜２４ｂ２，２４ｃ２とを積層した構成とされる。下層側の第１導電膜２４ｂ１，２４ｃ１は、例えばリン（Ｐ）等のｎ型不純物を高濃度にドーピングしたアモルファスシリコン（ｎ＋Ｓｉ）からなり、オーミックコンタクト層として機能するものである。上層側の第２導電膜２４ｂ２，２４ｃ２は、ソース配線２７及びドレイン配線３４と同じく金属材料として銅またはアルミニウムを含有する金属膜からなり、ソース配線２７及びドレイン配線３４と同一工程にて第１導電膜２４ｂ１，２４ｃ１上にパターニングされている。ソース電極２４ｂ及びドレイン電極２４ｃにおけるチャネル領域側とは反対側の端部には、それぞれソース配線２７及びドレイン配線３４が連ねられている。
【００２６】
上記したソース電極２４ｂ及びドレイン電極２４ｃは、所定の間隔（開口領域）を挟んで対向状に配されているため、相互が直接的には電気的に接続されていない。しかし、ソース電極２４ｂ及びドレイン電極２４ｃは、その下層側の半導体膜３６を介して間接的に電気的に接続されており、この半導体膜３６における両電極２４ｂ，２４ｃ間のブリッジ部分がドレイン電流が流れるチャネル領域として機能する。
【００２７】
層間絶縁膜３７は、例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）またはシリコン酸化層（ＳｉＯｘ）からなり、上記したゲート絶縁膜３５と同一材料とされる。保護膜３８は、有機材料であるアクリル樹脂（例えばポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ））やポリイミド樹脂からなる。従って、この保護膜３８は、他の無機材料からなるゲート絶縁膜３５、層間絶縁膜３７に比べて膜厚が厚いものとされるとともに、平坦化膜として機能するものである。なお、ＴＦＴ２４に係る各絶縁膜（ゲート絶縁膜３５、層間絶縁膜３７及び保護膜３８）は、それぞれアレイ基板２０においてＴＦＴ２４の形成領域以外の領域を含みつつ概ね全域にわたって均一な膜厚でもって形成されている。
【００２８】
上記した構成のＴＦＴ２４を有するアレイ基板２０は、既知のフォトリソグラフィ法を用いてガラス基板ＧＳ上に各種配線などを構成する各導電膜及び各絶縁膜が順次に成膜されてパターニングされることで製造されている。これら導電膜や絶縁膜などの膜ＦＩの成膜に際しては、化学蒸着（Chemical Vapor Deposition）法によって成膜処理を行うＣＶＤ装置４０が用いられている。続いて、ＣＶＤ装置４０の構成について詳しく説明する。
【００２９】
ＣＶＤ装置４０は、図８に示すように、ガラス基板ＧＳを収容する処理室（チャンバ）４１と、処理室４１内を減圧する減圧部４２と、減圧部４２に接続されていて処理室４１内の圧力を調整する圧力調整弁４３と、膜ＦＩの材料を供給する膜材料供給部４４と、処理室４１内に配されるとともにガラス基板ＧＳ上に膜ＦＩの材料を化学蒸着させるＣＶＤ成膜部４５とを備えている。なお、鉛直方向についての上下の記載は、図８を基準とする。なお、図８では、膜ＦＩの図示を省略しており、膜ＦＩは図１０でのみ図示している。
【００３０】
詳しくは、処理室４１における底側には、処理対象物であるガラス基板ＧＳを載置する載置台４６が設けられている。処理室４１における天井側には、載置台４６と対向する形で配されるとともに膜材料供給部４４から供給される膜ＦＩの材料を処理室４１内に噴出するシャワーヘッド４７が設けられている。このシャワーヘッド４７には、交流電源ＡＣに接続された上部電極（第２電極）４７ａが一体的に設けられている。膜材料供給部４４は、配管４４ａを介してシャワーヘッド４７に対してそれぞれ混合気体及び絶縁膜材料を供給可能な状態に接続されている。また、膜材料供給部４４の配管４４ａの途中には、膜ＦＩの材料の供給量を調整するための膜材料供給量調整弁４４ｂが設けられており、その開度が電気的に制御されることで、処理室４１内に供給する材料の供給量を微調整できるものとされる。一方、載置台４６には、グランドＧＮＤに接続される下部電極（第１電極）４６ａが一体的に設けられており、これら上部電極４７ａと下部電極４６ａとの間に電界を形成することで、ガラス基板ＧＳに対する膜ＦＩの材料の蒸着を促進することができる。これら載置台４６（下部電極４６ａ）及びシャワーヘッド４７（上部電極４７ａ）がＣＶＤ成膜部４５を構成している。また、載置台４６には、ガラス基板ＧＳを加熱するためのヒータ（図示せず）が内蔵されている。減圧部４２は、排気配管４２ａを介して処理室４１に接続されており、処理室４１内の空気を吸引する真空ポンプを有している。圧力調整弁４３は、排気配管４２ａの途中に設けられており、その開度が電気的に制御されることで、処理室４１内の圧力を微調整できるものとされる。
【００３１】
そして、載置台４６には、載置台４６上にてガラス基板ＧＳを昇降させるためのリフトピン４８が内蔵されている。載置台４６には、リフトピン４８を収容するピン収容凹部４６ｂが形成されており、リフトピン４８を載置台４６における上面（ガラス基板ＧＳの載置面）から引っ込んだ位置（待機位置）に待機させることができる。リフトピン４８は、図示しないモータに対して機械的に接続されることで、鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿って上下に進退可能とされており、上記した待機位置と載置台４６上に突き出した所定の高さ位置（受け渡し位置）との間を移動することができる。このリフトピン４８は、上記した受け渡し位置ではガラス基板ＧＳを載置台４６から持ち上げた状態で支持することができ、それにより外部のロボットアーム（図示せず）との間でガラス基板ＧＳの受け渡しを図ることが可能とされている。具体的には、ガラス基板ＧＳを処理室４１内に収容する際には、ロボットアームにより処理室４１内にガラス基板ＧＳを搬入したら、そのガラス基板ＧＳを受け渡し位置までせり上がったリフトピン４８上に載せることでリフトピン４８側に受け渡し、そのリフトピン４８を下降させて待機位置に至らせることで載置台４６上にガラス基板ＧＳを載置することができる。ガラス基板ＧＳを処理室４１外に取り出す際には、載置台４６上にガラス基板ＧＳが載置された状態から待機位置のリフトピン４８を上昇させてガラス基板ＧＳを載置台４１から持ち上げて受け渡し位置に達したら、ロボットアームによりそのガラス基板ＧＳを受け取って処理室４１外へと搬出することができる。
【００３２】
詳しくは、載置台４６は、図８及び図９に示すように、平面に視てガラス基板ＧＳに倣って横長な方形状をなしており、ガラス基板ＧＳが載置される上面の面内にリフトピン４８が複数本間欠的に並んで配されている。具体的には、リフトピン４８は、載置台４６においてＸ軸方向及びＹ軸方向に沿って３本ずつ並んで配されており、ガラス基板ＧＳにおける四隅の角部と、中心部と、長辺方向についての２つの中央部と、短辺方向についての２つの中央部との合計９箇所を鉛直方向の下側から支持することが可能とされている。載置台４６には、リフトピン４８を個別に収容できるようピン収容凹部４６ｂが、ガラス基板ＧＳが載置される上面に開口する形で設けられており、上面の面内に３つずつ間欠的に並んで配されている。
【００３３】
リフトピン４８は、図１０及び図１１に示すように、シャフト部４８ａと、シャフト部４８ａに対して着脱可能に取り付けられるヘッド部４８ｂとからなり、全体として断面形状が略Ｔ字型をなしている。シャフト部４８ａは、アルミニウムなどの金属材料またはパイログラファイトなどの無機材料からなるとともに、相対的に細い径の円柱状をなしている。ヘッド部４８ｂは、パイログラファイトなどの無機材料からなり、シャフト部４８ａに取り付けられる取付部４８ｂ１と、取付部４８ｂ１に比べると拡径されて略円盤状をなすとともにガラス基板ＧＳを直接支持する基板支持部４８ｂ２とから構成されている。ヘッド部４８ｂは、平面に視て円形状をなしている。上記したリフトピン４８を収容するピン収容凹部４６ｂは、その断面形状がリフトピン４８に倣って略Ｔ字型をなしており、リフトピン４８の外周面との間に所定の隙間（例えば０．５ｍｍ程度）が空けられるようになっている。ヘッド部４８ｂの材料に用いられるパイログラファイトは、ガラス基板ＧＳよりも柔らかい特性を有していることから、使用に伴って摩耗が生じ得るものの、接触するガラス基板ＧＳへの傷付き防止を図る観点では有用とされる。なお、図１０では、ガラス基板ＧＳをリフトピン４８により持ち上げてガラス基板ＧＳが撓んだ状態を二点鎖線により図示している。
【００３４】
上記したリフトピン４８を構成する基板支持部４８ｂ２は、図１０に示すように、ガラス基板ＧＳの板面に並行し且つその板面を下側から支持する平坦支持面４９と、基板支持部４８ｂ２の周縁に形成されて丸みを帯びた断面形状の曲面５０とを有している。平坦支持面４９は、基板支持部４８ｂ２における頂面を構成しており、ガラス基板ＧＳにおける下側（裏側、非成膜側）の板面を下側から支持することができるものとされる。平坦支持面４９は、ガラス基板ＧＳを載置台４６上に載置し且つリフトピン４８を待機位置に配置した状態では、ガラス基板ＧＳにおける下側の板面との間に所定の隙間を空けて対向状をなしている。この待機位置からリフトピン４８が受け渡し位置へと上昇される際には、平坦支持面４９がガラス基板ＧＳにおける下側の板面に対して面接触されることで、図１０の二点鎖線に示されるように、ガラス基板ＧＳを安定的に支持しつつ載置台４６上に持ち上げることができる。このとき、平坦支持面４９がほぼ全域にわたってガラス基板ＧＳにおける下側の板面に対して面接触されているので、仮にリフトピンをガラス基板ＧＳの板面に対して点接触させて支持を図った場合に比べると、ガラス基板ＧＳの板面に作用する荷重、詳しくは単位面積当たりの応力が分散される。これにより、ガラス基板ＧＳにおける下側の板面のうち、平坦支持面４９が接触する部分に傷が付き難くなっており、仮に傷が付いたとしてもその深さが浅く済むようになっている。
【００３５】
基板支持部４８ｂ２の周縁に形成された曲面５０は、図１０に示すように、その断面形状が所定の曲率半径を持った略円弧状をなしている。曲面５０は、基板支持部４８ｂ２の周縁における全域にわたって形成されており、その曲率半径が全域にわたってほぼ一定とされている。曲面５０は、ガラス基板ＧＳを載置台４６上に載置し且つリフトピン４８を待機位置に配置した状態では、ガラス基板ＧＳにおける下側の板面との間に隙間を有しており、その隙間が、平坦支持面４９に近づく方向（放射方向の中心側）に向けて小さくなり、逆に平坦支持面４９から遠ざかる方向（放射方向の外端側）に向けて大きくなっている。この待機位置からリフトピン４８が受け渡し位置へと上昇される際に、平坦支持面４９がガラス基板ＧＳにおける下側の板面に対して面接触し且つガラス基板ＧＳが未だ撓んでいない状態では、曲面５０はその全域がガラス基板ＧＳにおける下側の板面とは非接触とされる。ガラス基板ＧＳは、リフトピン４８により載置台４６上に持ち上げられると、図１０の二点鎖線に示されるように、平坦支持面４９との接触箇所を支点として自重により断面形状が略弓形になるよう撓み変形される。このとき、ガラス基板ＧＳの撓んだ部分が基板支持部４８ｂ２の周縁に干渉し、リフトピン４８の昇降動作に伴って擦れることが懸念されるものの、基板支持部４８ｂ２の周縁には曲面５０が形成されており、該曲面５０がガラス基板ＧＳの撓み形状（弓形形状）に倣う断面形状とされていることから、ガラス基板ＧＳの撓んだ部分が基板支持部４８ｂ２の周縁（曲面５０）に擦れ難くなっている。これにより、リフトピン４８を昇降させる際に、ガラス基板ＧＳにおける下側の板面のうち、平坦支持面４９により支持された部分の周囲の撓んだ部分に傷が付き難くなっており、仮に傷が付いたとしてもその深さが浅く済むようになっている。
【００３６】
さらには、曲面５０は、好ましくはその曲率半径が１ｍｍから２ｍｍの範囲とされている。仮に曲面の曲率半径を１ｍｍ以上にすると、基板支持部４８ｂ２の周縁がガラス基板ＧＳの撓んだ部分に擦れ易くなってしまい、ガラス基板ＧＳの傷付きを十分に抑制できなくなるおそれがある。逆に、仮に曲面の曲率半径を２ｍｍ以上にすると、載置台４６におけるピン収容凹部４６ｂと基板支持部４８ｂ２の周縁との間に生じる隙間が大きくなり過ぎるため、下部電極４６ａと上部電極４７ａとの間に生じる電界にムラが生じてしまい、ガラス基板ＧＳ上に成膜される膜ＦＩの膜厚が不均一になるおそれがある。その点、上記したように曲面５０の曲率半径を１ｍｍから２ｍｍの範囲とすることで、ガラス基板ＧＳの傷付きを好適に抑制しつつも、ガラス基板ＧＳ上に成膜される膜ＦＩの膜厚を均一なものとすることができる。
【００３７】
上記した構成のＣＶＤ装置４０を用いてガラス基板ＧＳ上に膜ＦＩを成膜し、その膜厚を測定する実験を行った。この実験では、リフトピン４８の曲面５０における曲率半径を１．５ｍｍとした上で、図１１においてＹ軸方向について異なる位置に配された３本の各線Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３（一点鎖線にて示す）に沿ってガラス基板ＧＳ上の膜ＦＩを切断したときの膜厚を測定し、その膜厚がＸ軸方向についての位置に応じてどのように変化するかを図１２に表している。上記した線Ｌ１はリフトピン４８のうち図１１に示す手前側の端部付近を、線Ｌ２はリフトピン４８の中心を、線Ｌ３はリフトピン４８のうち図１１に示す奥側の端部付近をそれぞれ通っている。なお、図１２では、横軸をガラス基板ＧＳにおけるＸ軸方向についての位置（単位は「ｍｍ」）とし、縦軸を膜ＦＩの膜厚（単位は「Å」）としている。また、図１２に示すＸ軸方向についての位置「−７８６ｍｍ」が、リフトピン４８の中心と概ね一致しており、「−７９２ｍｍ」と「−７８２ｍｍ」とが線Ｌ１及び線Ｌ３上におけるリフトピン４８の基板支持部４８ｂ２と載置台４６のピン収容凹部４６ｂとの間の境界位置（隙間）と概ね一致している。また、図１２では、線Ｌ１に関するグラフを実線にて、線Ｌ２に関するグラフを破線にて、線Ｌ３に関するグラフを一点鎖線にて、それぞれ図示している。
【００３８】
続いて、図１２に示される実験結果について説明する。まず、リフトピン４８の中心を通る線Ｌ２に沿って切断した膜ＦＩの膜厚は、Ｘ軸方向についての位置に応じてそれほど変動せず、変動率が相対的に低いものとなっている。これに対して、リフトピン４８の端部付近を通る線Ｌ１及び線Ｌ３に沿って切断した膜ＦＩの膜厚は、Ｘ軸方向についての位置に応じてやや大きく変動しており、変動率が相対的に高いものとなっている。具体的には、線Ｌ１及び線Ｌ３に沿って切断した膜ＦＩの膜厚は、Ｘ軸方向についての位置が「−７９２ｍｍ」及び「−７８２ｍｍの付近において、局所的に薄くなっている。これは、リフトピン４８の基板支持部４８ｂ２と載置台４６のピン収容凹部４６ｂとの間に有される隙間において、膜ＦＩを成膜する際に下部電極４６ａと上部電極４７ａとの間に生じる電界に比較的大きなムラが生じ、その電界のムラによってプラズマが拡散し易くなることで、膜ＦＩの材料の蒸着量が相対的に少なくなった結果と考えられる。このようにして膜ＦＩに生じる局所的な薄膜箇所の膜厚は、リフトピン４８の基板支持部４８ｂ２と載置台４６のピン収容凹部４６ｂとの間に有される隙間が大きくなるほど薄くなる傾向にあり、基板支持部４８ｂ２の周縁に形成した曲面５０の曲率半径が２ｍｍを超えると、許容できないほどの薄さとなるおそれがある。その点、本実験では、曲面５０の曲率半径を１．５ｍｍとしていることから、膜ＦＩに生じる局所的な薄膜箇所の膜厚がそれほど薄くはなっておらず、膜ＦＩのうちリフトピン４８の付近における膜厚の変動量を全体として約７０Å程度と低く抑えることができている。
【００３９】
以上説明したように本実施形態のＣＶＤ装置（基板処理装置）４０は、ガラス基板（基板）ＧＳを収容してそのガラス基板ＧＳに処理を施すための処理室４１と、処理室４１内に配されていてガラス基板ＧＳが載置される載置台４６と、載置台４６上にてガラス基板ＧＳを昇降させるリフトピン４８であって、ガラス基板ＧＳの板面に並行し且つその板面を下側から支持する平坦支持面４９と、当該リフトピン４８の周縁に形成されて丸みを帯びた断面形状の曲面５０とを有するリフトピン４８と、を備える。
【００４０】
このようにすれば、処理室４１内に収容されたガラス基板ＧＳは、載置台４６上に載置された状態で処理が施される。ガラス基板ＧＳをリフトピン４８により載置台４６上にて昇降させることで、例えば処理室４１に対するガラス基板ＧＳの出し入れを行うことができる。そして、リフトピン４８は、ガラス基板ＧＳの板面を下側から支持する平坦支持面４９がガラス基板ＧＳの板面に並行しているので、ガラス基板ＧＳの板面に対して面接触されている。従って、仮にリフトピンをガラス基板ＧＳの板面に点接触させてガラス基板ＧＳの支持を図った場合に比べると、ガラス基板ＧＳの板面に作用する荷重が分散されてガラス基板ＧＳに傷が付き難くなっている。さらには、リフトピン４８の平坦支持面４９により下側から支持されたガラス基板ＧＳは、自重により撓み変形する場合があるものの、リフトピン４８の周縁には丸みを帯びた断面形状の曲面５０が形成されているので、ガラス基板ＧＳの撓んだ部分がリフトピン４８に擦れ難くなり、それによりガラス基板ＧＳを昇降する際にガラス基板ＧＳに傷が付き難くなっている。本実施形態によれば、ガラス基板ＧＳの傷付きを抑制することができる。
【００４１】
また、処理としてガラス基板ＧＳ上に膜ＦＩを成膜するために処理室４１内に膜ＦＩの材料を供給する膜材料供給部４４と、載置台４６に設けられる下部電極（第１電極）４６ａと、下部電極４６ａに対してガラス基板ＧＳを挟んで対向状に配されるとともに下部電極４６ａとの間に電界を発生させることで材料をガラス基板ＧＳ上に化学蒸着させて膜ＦＩを成膜する上部電極（第２電極）４７ａとが備えられている。このようにすれば、膜材料供給部により処理室４１内に膜ＦＩの材料を供給するとともに、載置台４６上にガラス基板ＧＳを載置した状態で下部電極４６ａと上部電極４７ａとの間に電界を発生させると、材料がガラス基板ＧＳ上に化学蒸着されてガラス基板ＧＳ上に膜ＦＩが成膜される。
【００４２】
また、載置台４６には、リフトピン４８を収容するピン収容凹部４６ｂが設けられており、曲面５０は、曲率半径が１ｍｍから２ｍｍの範囲とされている。このようにすれば、載置台４６のピン収容凹部４６ｂに収容された状態のリフトピン４８を上昇させることで、載置台４６上のガラス基板ＧＳを持ち上げることができ、逆にガラス基板ＧＳを持ち上げた状態のリフトピン４８を下降させてピン収容凹部４６ｂ内に収容することで、ガラス基板ＧＳを載置台４６上に載置することができる。ここで、仮に曲面の曲率半径を１ｍｍ以上にすると、リフトピン４８の周縁がガラス基板ＧＳの撓んだ部分に擦れ易くなってしまい、ガラス基板ＧＳの傷付きを十分に抑制できなくなるおそれがある。逆に、仮に曲面の曲率半径を２ｍｍ以上にすると、載置台４６におけるピン収容凹部４６ｂとリフトピン４８の周縁との間に生じる隙間が大きくなり過ぎるため、下部電極４６ａと上部電極４７ａとの間に生じる電界にムラが生じてしまい、ガラス基板ＧＳ上に成膜される膜ＦＩの膜厚が不均一になるおそれがある。その点、上記したように曲面５０の曲率半径を１ｍｍから２ｍｍの範囲とすることで、ガラス基板ＧＳの傷付きを好適に抑制しつつも、ガラス基板ＧＳ上に成膜される膜ＦＩの膜厚を均一なものとすることができる。
【００４３】
また、リフトピン４８は、パイログラファイトからなる。このようにすれば、パイログラファイトは、ガラス基板ＧＳをなすガラスよりも柔らかい材料となるので、ガラス基板ＧＳの傷付きをより効果的に防止することができる。
【００４４】
また、リフトピン４８は、シャフト部４８ａと、シャフト部４８ａに対して着脱可能に取り付けられていて平坦支持面４９及び曲面５０を有するヘッド部４８ｂとからなる。このようにすれば、ガラス基板ＧＳに対して直接接するヘッド部４８ｂがシャフト部４８ａに対して着脱可能に取り付けられているから、例えばガラス基板ＧＳとの接触に伴ってヘッド部４８ｂが摩耗した場合でも、ヘッド部４８ｂを交換することができる。これにより、ガラス基板ＧＳの傷付きを抑制しつつガラス基板ＧＳを安定的に支持することができる。
【００４５】
また、リフトピン４８は、平坦支持面４９が平面に視て円形状に形成されている。このようにすれば、仮に平坦支持面を平面に視て角形とした場合に比べると、リフトピン４８によって下側から支持されたガラス基板ＧＳの撓んだ部分がリフトピン４８の周縁（曲面５０）に対して一層擦れ難くなる。これにより、ガラス基板ＧＳの傷付きをより好適に抑制することができる。
【００４６】
また、リフトピン４８は、ガラス基板ＧＳの板面内に複数本が間欠的に並列して配されている。このようにすれば、複数本のリフトピン４８によってガラス基板ＧＳをより安定的に支持しつつ昇降させることができる。特にガラス基板ＧＳが大型化した場合に有用となる。
【００４７】
＜実施形態２＞
本発明の実施形態２を図１３によって説明する。この実施形態２では、リフトピン１４８の平面形状を変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
【００４８】
本実施形態に係るリフトピン１４８は、図１３に示すように、平面に視て略楕円形状に形成されている。詳しくは、リフトピン１４８を構成する基板支持部１４８ｂ２は、Ｘ軸方向（ガラス基板の長辺方向）を長軸方向とし、Ｙ軸方向（ガラス基板の短辺方向）を短軸方向とした略楕円形状をなしている。このようなリフトピン１４８を用いてガラス基板を支持することで、Ｘ軸方向について隣り合うリフトピン１４８間において、ガラス基板のうちリフトピン１４８によって支持されない非支持部分の長さを短くすることができる。これにより、リフトピン１４８により支持されたガラス基板に生じる撓みが緩やかなものとなるので、リフトピン１４８がガラス基板の板面により擦れ難くなって傷付きの抑制に一層好適となる。また、ピン収容凹部１４６ｂは、基板支持部１４８ｂ２の平面形状に倣って平面に視て略楕円形状とされている。なお、図１３では、ガラス基板の図示を省略している。
【００４９】
＜実施形態３＞
本発明の実施形態３を図１４によって説明する。この実施形態３では、リフトピン２４８の平面形状を変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
【００５０】
本実施形態に係るリフトピン２４８は、図１４に示すように、平面に視て略方形状に形成されている。詳しくは、リフトピン２４８を構成する基板支持部２４８ｂ２は、Ｘ軸方向（ガラス基板の長辺方向）を長辺方向とし、Ｙ軸方向（ガラス基板の短辺方向）を短辺方向とした横長な略長方形状をなしている。基板支持部２４８ｂ２における四隅の角部については、平面に視て略円弧状をなすよう丸みを帯びた平面形状とされている。このようなリフトピン２４８を用いてガラス基板を支持することで、上記した実施形態２に記載したリフトピン１４８と同様の効果を得ることができる。また、ピン収容凹部２４６ｂは、基板支持部２４８ｂ２の平面形状に倣って平面に視て横長な略長方形状とされている。
【００５１】
＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
（１）上記した各実施形態では、リフトピンのうち平坦支持面及び曲面を有するヘッド部に用いる材料をパイログラファイトとした場合を示したが、それ以外にも、ヘッド部に用いる材料を例えばアルミニウムとアルミナとの複合材とすることも可能である。さらには、ヘッド部の構成を、アルミニウムの表面にアルマイトをコーティングした構成とすることも可能である。
【００５２】
（２）上記した各実施形態では、リフトピンの平面形状を円形、楕円形または長方形とした場合を示したが、リフトピンの具体的な平面形状は適宜に変更可能であり、例えば正方形、三角形、台形、五角形以上の多角形などとすることも可能である。
【００５３】
（３）上記した各実施形態では、リフトピンを載置台に９本配置した場合を示したが、リフトピンの具体的な設置本数は９本以外に適宜に変更可能である。また、リフトピンの具体的な配置（載置台における配置やガラス基板に対する配置）についても同様に適宜に変更可能である。
【００５４】
（４）上記した各実施形態では、リフトピンがシャフト部とヘッド部とから構成される場合を示したが、シャフト部とヘッド部とが一体部品となった構成のリフトピンにも本発明は適用可能である。
【００５５】
（５）上記した各実施形態では、曲面の曲率半径を１ｍｍから２ｍｍの範囲とした場合を示したが、曲面の曲率半径を１ｍｍ以下としたり、２ｍｍ以上とすることも可能である。
【００５６】
（６）上記した各実施形態では、曲面の断面形状が円弧状となるものを示したが、曲面の断面形状を波形などの非円弧状とすることも可能である。
【００５７】
（７）上記した各実施形態では、ガラス基板に膜を成膜するためのＣＶＤ装置について例示したが、アレイ基板またはＣＦ基板の成膜工程で使用される他の基板処理装置（例えばエッチング装置など）にも本発明は適用可能である。
【００５８】
（８）上記した各実施形態では、液晶表示装置を構成するバックライト装置の光源として冷陰極管を用いた場合を示したが、熱陰極管やＬＥＤなど他の光源を用いたものも本発明に含まれる。
【００５９】
（９）上記した各実施形態では、液晶表示装置が備えるバックライト装置として直下型のものを例示したが、エッジライト型のバックライト装置を用いるようにしたものも本発明に含まれる。
【００６０】
（１０）上記した各実施形態では、外部光源であるバックライト装置を備えた透過型の液晶表示装置を例示したが、本発明は、外光を利用して表示を行う反射型液晶表示装置にも適用可能であり、その場合はバックライト装置を省略することができる。
【００６１】
（１１）上記した各実施形態では、液晶表示装置のスイッチング素子としてＴＦＴを用いたが、ＴＦＴ以外のスイッチング素子（例えば薄膜ダイオード（ＴＦＤ））を用いた液晶表示装置にも適用可能であり、カラー表示する液晶表示装置以外にも、白黒表示する液晶表示装置にも適用可能である。
【００６２】
（１２）上記した各実施形態では、表示パネルとして液晶パネルを用いた液晶表示装置を例示したが、他の種類の表示パネル（ＰＤＰや有機ＥＬパネルなど）を用いた表示装置にも本発明は適用可能である。その場合、バックライト装置を省略することも可能である。
【符号の説明】
【００６３】
４０…ＣＶＤ装置（基板処理装置）、４１…処理室、４４…膜材料供給部、４６…載置台、４６ａ…下部電極（第１電極）、４６ｂ，１４６ｂ，２４６ｂ…ピン収容凹部、４７ａ…上部電極（第２電極）、４８，１４８，２４８…リフトピン、４８ａ…シャフト部、４８ｂ…ヘッド部、４９…平坦支持面、５０…曲面、ＦＩ…膜、ＧＳ…ガラス基板（基板）
【図１】
2014011166.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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