(57)【要約】【課題】金属パッドが形成され、ヘキ開により形成される光デバイスにおいて、歩留まり良く、低コストで製造することのできる光デバイスを提供することができる。【解決手段】１枚の半導体基板をヘキ開することにより分離されて、形成される光デバイスにおいて、基板に形成された発光部と、前記発光部における電極と電気的に接続された電極パッドと、を有し、前記電極パッドの外側端部は、前記外側端部における厚さが外側に向かって徐々に薄くなるような形状であることを特徴とする光デバイスを提供することにより上記課題を解決する。【選択図】  図１４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１枚の半導体基板をヘキ開することにより分離されて、形成される光デバイスにおいて、
基板に形成された発光部と、
前記発光部における電極と電気的に接続された電極パッドと、
を有し、
前記電極パッドの外側端部は、前記外側端部における厚さが外側に向かって徐々に薄くなるような形状であることを特徴とする光デバイス。
【請求項２】
１枚の半導体基板をヘキ開することにより分離されて、形成される光デバイスにおいて、
基板に形成された発光部と、
前記発光部における電極と電気的に接続された電極パッドと、
を有し、
前記電極パッドの外側端部は、断面形状が丸みのある形状となるように形成されていることを特徴とする光デバイス。
【請求項３】
前記外側端部は、ヘキ開する際のスクライブラインから遠い側にある前記電極パッドの端部であることを特徴とする請求項１または２に記載の光デバイス。
【請求項４】
前記発光部は、面発光レーザであることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の光デバイス。
【請求項５】
前記外側端部は前記電極パッドを形成した後、前記外部端部が形成される領域が薄く形成された膜厚傾斜領域を有するレジストパターンを形成した後、エッチングを行なうことにより形成されるものであることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の光デバイス。
【請求項６】
前記発光部は複数形成されており、
前記電極パッドは、前記発光部に対応して複数形成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の光デバイス。
【請求項７】
光によって被走査面を走査する光走査装置であって、
請求項１から６のいずれかに記載の光デバイスを有する光源と、
前記光源からの光を偏向する光偏向部と、
前記光偏向部により偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と、
を有することを特徴とする光走査装置。
【請求項８】
像担持体と、
前記像担持体に対して画像情報に応じて変調された光を走査する請求項７に記載の光走査装置と、
を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項９】
前記像担持体は複数であって、前記画像情報は、多色のカラー情報であることを特徴とする請求項８に記載の画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光デバイス、光走査装置及び画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザ等の光デバイスは、１枚のウエハ上に同時に複数個のチップが形成されており、これを分離し、パッケージングを行って、個別の光デバイスを形成している。チップの分離は、主にダイシング法やスクライブ法で行われている。ダイシング法は、ダイヤモンド粉を混入させた回転ブレードを高速回転させてダイシングラインに沿って切断する方法である。 スクライブ法は、ダイヤモンドカッターで基板表面にスクライブライン（直線状の傷、分離溝）を形成し、基板裏側からブレーク刃を押し当ててヘキ開する方法である。
【０００３】
ダイシング法を用いる場合、切断時に冷却、及び、切削屑の洗い流しを行うために水を使用することになる。そのため、大量の汚水の発生を避けるために、スクライブ法を用いて、ヘキ開により、チップの分離を行うことが少なくない。
【０００４】
このヘキ開工程について、概略を説明すると以下のようになる。
（１）複数の光デバイスが形成されたウエハの裏面にダイシングフィルムを貼り付ける。
（２）このダイシングフィルムを金属性のリングに貼り付ける。
（３）ウエハの表面にダイヤモンドペンを用いて互いに直交する２方向にスクライブラインを形成する。
（４）ウエハの表面に保護シートを貼り付ける。この保護シートには、帯電防止剤、及び離型剤としてシリコーンが塗布されている。
（５）スクライブラインの間隔（分離ピッチ）の２倍より狭い間隔で配置された受け刃上に、保護シート側を下にしてウエハを載置する。このとき、スクライブラインが受け刃間隔の中央に位置するようにする。
（６）スクライブラインの真後ろから、セラミック製のカッタの刃を押し当て、所定量（以下、「カット深さ」という）押し込んでウエハをヘキ開する。
（７）他のスクライブラインについても同様にしてヘキ開し、ウエハを短冊状の複数のピースに分割する。これは、「一次ヘキ開」と呼ばれている。
（８）複数のピースをそれぞれスクライブラインでヘキ開し、個々の光デバイスに分割する。これは、「二次ヘキ開」と呼ばれている。
（９）保護シートをはがす。
（１０）５０℃程度に暖めた拡張器を用いてダイシングフィルムを３６０度全ての方向に均等に引き伸ばし、複数の光デバイスを互いに分離する。
【０００５】
また、近年、光通信や光記録などの多くの技術分野において、面発光型半導体レーザ（垂直共振器型面発光レーザ；Ｖｅｒｔｉｃａｌ−Ｃａｖｉｔｙ Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｌａｓｅｒ 以下ＶＣＳＥＬという）への関心が高まっている。この理由として、ＶＣＳＥＬは、端面発光型半導体レーザに比べて、しきい値電流が低く消費電力が小さい、円形の光スポットが容易に得られる、ウエハ状態での評価や光源の二次元アレイ化による集積化が容易であるなどの多くの利点を有していることが挙げられる。
【０００６】
例えば、特許文献１には、表面に半導体層を含む基板と、基板上に形成されたポスト構造と、基板上に離間して形成された複数の突出部とを含み、複数の突出部が、ポスト構造と同程度の高さを有するＶＣＳＥＬが開示されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ＶＣＳＥＬでは、その特徴を活かして、３２チャンネルや４０チャンネルといった多チャンネルのレーザ発振部が集積されたレーザアレイを形成しているものもあるが、その場合のチップ外形は１ｍｍ角程度と大きく、また、製造工程でのウエハ割れを防止するために、ウエハの厚さは２００μｍ以上と厚くなっているものも多い。
【０００８】
発明者等は、このＶＣＳＥＬのように、チップ外形が大きく、ウエハ厚さの厚い光デバイスであっても、ヘキ開によって歩留まり良く、そして効率良く分離する方法の開発を進めている。そして、開発を進める中で、１ｍｍ角程度の光デバイスのヘキ開において、保護シート表面のシリコーンが、光デバイスにおける厚さ１μｍ程度の金属パッド（電極パッド）端に付着する現象を見出した。金属パッド端に付着したシリコーンは、その後の工程において、金属パッドの表面や光の射出面に移動し、製造歩留まりを低下させていた。
【０００９】
図１には、金属パッドに付着したシリコーンの顕微鏡写真（平面視）を示す。図１に示されるように、シリコーンは、金属パッドの端部で掻き取られたように付着していることがわかる。
【００１０】
また、金属パッドへのシリコーンの付着は、一次ヘキ開及び二次ヘキ開ともに、ヘキ開対象のスクライブラインから離れたほうの端部に発生する傾向があることも確認されている。
【００１１】
ところで、チップ上に保護シートからシリコーンからなる異物が付着することは、次の２つの点で問題がある。１つは、異物がチップ表面を移動して光開口部が覆われると、光出力が低下する点である。もう１つは、シリコーンが金属パッドに付着すると、ワイヤーボンディングが不良となる点である。異物はチップ上を移動する可能性があり、また、ワイヤーボンディングの際には密着不良の原因となるので、金属パッドのみならず、チップ表面にあるのは好ましくない。
【００１２】
よって、本発明は、上記に鑑みなされたものであり、金属パッド等を有する面発光レーザ等の光デバイス、特に複数の発光部を有する面発光レーザアレイにおいて、ヘキ開の際に金属パッドへの異物の付着を低減することにより、歩留まり良く、低コストで製造することのできる光デバイスを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一観点によれば、１枚の半導体基板をヘキ開することにより分離されて、形成される光デバイスにおいて、基板に形成された発光部と、前記発光部における電極と電気的に接続された電極パッドと、を有し、前記電極パッドの外側端部は、前記外側端部における厚さが外側に向かって徐々に薄くなるような形状であることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の他の一観点によれば、１枚の半導体基板をヘキ開することにより分離されて、形成される光デバイスにおいて、基板に形成された発光部と、前記発光部における電極と電気的に接続された電極パッドと、を有し、前記電極パッドの外側端部は、断面形状が丸みのある形状となるように形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、金属パッド等を有する面発光レーザ等の光デバイスにおいて、ヘキ開の際に金属パッドへの異物の付着を低減することにより、歩留まり良く、低コストで製造することのできる光デバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】シリコーンの付着を説明するための説明図
【図２】第１の実施の形態における光デバイスである面発光レーザの構造図
【図３】レーザチップの製造方法の工程図（１）
【図４】レーザチップの製造方法の工程図（２）
【図５】レーザチップの製造方法の工程図（３）
【図６】レーザチップの製造方法の工程図（４）
【図７】レーザチップの製造方法の工程図（５）
【図８】レーザチップの製造方法の工程図（６）
【図９】レーザチップにおける電極パッドの説明図（１）
【図１０】レーザチップにおける電極パッドの説明図（２）
【図１１】レーザチップにおける電極パッドの形状を説明図
【図１２】第１の実施の形態における光デバイスの電極パッドを形成する際に用いられるマスクの説明図
【図１３】第１の実施の形態における光デバイスであるレーザチップの電極パッドの説明図（１）
【図１４】第１の実施の形態における光デバイスであるレーザチップの電極パッドの説明図（２）
【図１５】レーザチップの製造方法の工程図（７）
【図１６】ダイシングフィルム及び金属リングの説明図
【図１７】スクライブラインの説明図
【図１８】保護シートの説明図
【図１９】受け刃の説明図
【図２０】ヘキ開工程における説明図（１）
【図２１】ヘキ開工程における説明図（２）
【図２２】シリコーンの付着メカニズムの説明図（１）
【図２３】シリコーンの付着メカニズムの説明図（２）
【図２４】シリコーンの付着メカニズムの説明図（３）
【図２５】シリコーンの付着メカニズムの説明図（４）
【図２６】チップＡでシリコーンが付着しない理由の説明図
【図２７】図２６における要部拡大図
【図２８】保護シートの移動量Δｌの説明図
【図２９】カット深さと保護シートの移動量Δｌ及び保護シートの密着力との関係の説明図
【図３０】受け刃における間隔Ｌと保護シートの移動量Δｌ及び保護シートの密着力との関係の説明図
【図３１】第１の実施の形態においてシリコーンの付着しない理由の説明図（１）
【図３２】第１の実施の形態においてシリコーンの付着しない理由の説明図（２）
【図３３】第１の実施の形態においてシリコーンの付着しない理由の説明図（３）
【図３４】第１の実施の形態におけるレーザチップを説明図
【図３５】第１の実施の形態におけるレーザチップの複数の発光部の配列を説明図
【図３６】第２の実施の形態におけるレーザプリンタの構成図
【図３７】第２の実施の形態における光走査装置の構成図
【図３８】第３の実施の形態におけるレーザプリンタの構成図
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明を実施するための形態について、以下に説明する。尚、同じ部材等については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００１８】
〔第１の実施の形態〕
（面発光レーザの構造）
本実施の形態における光デバイスである面発光レーザについて説明する。本実施の形態における光デバイスである面発光レーザは、図２に示されるように、基板１０１、バッファ層１０２、下部半導体ＤＢＲ１０３、下部スペーサ層１０４、活性層１０５、上部スペーサ層１０６、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９、保護膜１１１、ｐ側電極１１３、及びｎ側電極１１４などを有している。尚、図２は、本実施の形態における面発光レーザの断面図である。また、本実施の形態における光デバイス、即ち、上述した面発光レーザが形成されているものをレーザチップと記載する場合がある。
【００１９】
基板１０１は、ｎ−ＧａＡｓ単結晶基板である。
【００２０】
バッファ層１０２は、基板１０１の＋Ｚ側の面上に積層され、ｎ−ＧａＡｓからなる層である。
【００２１】
下部半導体ＤＢＲ１０３は、バッファ層１０２の＋Ｚ側に積層され、ｎ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓからなる低屈折率層と、ｎ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる高屈折率層のペアを４０．５ペア有している。各屈折率層の間には、電気抵抗を低減するため、一方の組成から他方の組成へ向かって組成を徐々に変化させた厚さ２０ｎｍの組成傾斜層が設けられている。そして、各屈折率層はいずれも、隣接する組成傾斜層の１／２を含んで、発振波長をλとするとλ／４の光学的厚さとなるように設定されている。尚、光学的厚さがλ／４のとき、その層の実際の厚さＴは、Ｔ＝λ／４ｎ（但し、ｎはその層の媒質の屈折率）である。
【００２２】
下部スペーサ層１０４は、下部半導体ＤＢＲ１０３の＋Ｚ側に積層され、ノンドープのＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓからなる層である。
【００２３】
活性層１０５は、下部スペーサ層１０４の＋Ｚ側に積層され、３層のＡｌ０．１２Ｇａ０．８８Ａｓからなる量子井戸層と４層のＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる障壁層とを有する３重量子井戸構造の活性層である。
【００２４】
上部スペーサ層１０６は、活性層１０５の＋Ｚ側に積層され、ノンドープのＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓからなる層である。
【００２５】
下部スペーサ層１０４と活性層１０５と上部スペーサ層１０６とからなる部分は、共振器構造体とも呼ばれており、その厚さが１波長の光学的厚さとなるように設定されている。尚、活性層１０５は、高い誘導放出確率が得られるように、電界の定在波分布における腹に対応する位置である共振器構造体の中央に設けられている。
【００２６】
上部半導体ＤＢＲ１０７は、上部スペーサ層１０６の＋Ｚ側に積層され、ｐ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓからなる低屈折率層とｐ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる高屈折率層のペアを２５ペア有している。各屈折率層の間には、電気抵抗を低減するため、一方の組成から他方の組成へ向かって組成を徐々に変化させた組成傾斜層が設けられている。そして、各屈折率層はいずれも、隣接する組成傾斜層の１／２を含んで、λ／４の光学的厚さとなるように設定されている。
【００２７】
上部半導体ＤＢＲ１０７における低屈折率層の１つには、ｐ−ＡｌＡｓからなる電流狭窄層１０８が設けられている。尚、電流狭窄層１０８は、周辺部において選択的に酸化のされている選択酸化領域１０８ａと、中心部において酸化されていない電流狭窄領域１０８ｂとを有している。
【００２８】
この電流狭窄層１０８の挿入位置は、電界の定在波分布において、活性層１０５から３番目となる節に対応する位置である。
【００２９】
コンタクト層１０９は、上部半導体ＤＢＲ１０７の＋Ｚ側に積層され、ｐ−ＧａＡｓからなる層である。
【００３０】
（面発光レーザの製造方法）
次に、本実施の形態における面発光レーザの製造方法について簡単に説明する。尚、上記のように、基板１０１上に複数の半導体層が積層されたものを、便宜上「積層体」ともいう。
【００３１】
（１）  最初に、図３に示されるように、上記積層体を有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ：Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法あるいは分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ：Molecular Beam Epitaxy）法による結晶成長によって作製する。具体的には、基板１０１の上に、バッファ層１０２、下部半導体ＤＢＲ１０３、下部スペーサ層１０４、活性層１０５、上部スペーサ層１０６、電流狭窄層１０８を含む上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９を積層形成する。ここで、上記積層体をＭＯＣＶＤ法により形成する場合には、ＩＩＩ族の原料には、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）を用い、Ｖ族の原料には、フォスフィン（ＰＨ３）、アルシン（ＡｓＨ３）を用いている。また、ｐ型ドーパントの原料には四臭化炭素（ＣＢｒ４）を用い、ｎ型ドーパントの原料にはセレン化水素（Ｈ２Ｓｅ）を用いている。
【００３２】
（２）  次に、積層体の表面の発光部となる複数の部分を、それぞれ一辺が２５μｍの正方形状のレジストパターンでマスクする。また、各レーザチップにおける周囲領域も、エッチングされないようにレジストパターンでマスクする。
【００３３】
（３）  次に、図４に示されるように、Ｃｌ２ガスを用いたＥＣＲエッチング法により、上記レジストパターンをマスクとして、エッチングを行なうことにより、メサ構造体（便宜上、「メサ」と記載する）を形成する。ここでは、エッチングの底面が下部スペーサ層１０４中に位置するようにエッチングを行なっている。
【００３４】
（４）  次に、フォトマスクを除去する。
【００３５】
（５）  次に、図５に示されるように、積層体を水蒸気中で熱処理する。これにより、電流狭窄層１０８では、電流狭窄層１０８中に含まれるＡｌ（アルミニウム）が、メサの外周部から選択的に酸化されることにより選択酸化領域１０８ａが形成され、中央部において酸化されなかった領域により電流狭窄領域１０８ｂが形成される。これにより、発光部の駆動電流の経路をメサの中央部だけに制限することのできる、いわゆる酸化狭窄構造体が形成され、酸化されていない電流狭窄領域１０８ｂが電流通過領域（電流注入領域）となる。このようにして、例えば、幅４μｍ程度の略正方形状の電流通過領域が形成される。
【００３６】
（６）  次に、図６に示されるように、気相化学堆積（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）法を用いて、ＳｉＮからなる保護層１１１を形成する。
【００３７】
（７）  次に、レーザ光の射出面となるメサ上部にｐ側電極コンタクトの窓開けを行うためのエッチングマスクを作製する。
【００３８】
（８）  次に、図７に示されるように、ＢＨＦにて保護層１１１をエッチングし、ｐ側電極コンタクトの窓開けを行う。
【００３９】
（９）  次に、マスクを除去する。
【００４０】
（１０）  次に、メサ上部の光射出部となる領域（射出領域）に一辺１０μｍの正方形状のレジストパターンを形成し、ｐ側の電極材料の蒸着を行う。ｐ側の電極材料としてはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる多層膜が用いられる。このとき、同時に電極パッド及び配線部材となる部分にもｐ側の電極材料が蒸着される。
【００４１】
（１１）  次に、図８に示されるように、光射出部となる領域に蒸着された電極材料をリフトオフにより除去することにより、ｐ側電極１１３を形成する。メサの上面において、このように形成されたｐ側電極１１３で囲まれた領域が射出領域である。この際、図９及び図１０に示されるように、同時に電極パッド１５０及び配線部材１５５等も形成される。この際形成される電極パッド１５０の厚さは、約１μｍである。尚、図９は、この工程において形成されている電極パッド１５０及び配線部材１５５を含む部分を示すものであり、図１０は、図９に示すものの上面図である。
【００４２】
ところで、図１１に示されるように、リフトオフにより電極パット１５０を形成すると、電極パット１５０の外側端部は、切り立った角のある形状となる。尚、図１１は、図９における一点鎖線９Ａにおいて囲まれた領域の拡大図である。
【００４３】
従って、本実施の形態においては、図１２に示されるように、電極パット１５０の端部（ヘキ開対象のスクライブラインから遠い側にある電極パッド１５０の端部）付近において、厚さが徐々に薄くなるような膜厚傾斜領域１６１を有するレジストパターン１６０を形成した後、エッチングを行なう。このような膜厚傾斜領域１６１を有するレジストパターン１６０における膜厚傾斜領域１６１は、階調マスクと呼ばれるフォトマスクを用いて露光装置により露光することにより形成することができる。
【００４４】
ここで用いられる階調マスクとは、フォトマスクにおいて、光の解像限界以下のスケールのパターンからなる階調領域を設けたものであり、パターンがある部分とパターンが無い部分の面積比により、透過する光の光量を調整したものである。階調領域におけるパターンの大きさは光の解像限界以下の大きさであるため、フォトマスクの階調領域におけるパターンの形状はレジストパターンには反映されることはなく、フォトレジストの感光量を調整することができる。従って、形成されるレジストパターンの厚さを調整することができる。このように、フォトマスクとして階調マスクを用いて露光装置による露光、現像により、図１２に示されるような断面形状の膜厚傾斜領域１６１を有するレジストパターン１６０を形成することができる。
【００４５】
このようなレジストパターン１６０を形成した後、スパッタ装置の逆スパッタモードや、ＲＩＥ装置によるアルゴンプラズマでレジストパターン１６０をスパッタエッチングすると、レジストパターン１６０の薄い部分、即ち、膜厚傾斜領域１６１の薄い部分から先に電極パッド１５０の表面が露出し、この後、電極パッド１５０が徐々にスパッタエッチングされる。従って、電極パッド１５０の端部（ヘキ開対象のスクライブラインから遠い側にある電極パッド１５０の端部）において、電極パッド１５０の厚さが徐々に薄くなるような形状、即ち、エッチングされる前の膜厚傾斜領域１６１を有するレジストパターン１６０の断面形状と略同様の断面形状となるように電極パッド１５０を形成することができる。この際、面発光レーザにおける光の出射面等はレジストパターン１６０が厚く形成されており、保護されているため、エッチングによるダメージはない。
【００４６】
また、このようにして形成される電極パッド１５０の断面形状は、電極パッド１５０とレジストパターン１６０との選択比を考慮する必要はあるものの、レジストパターン１６０の断面形状に依存する。従って、この選択比を考慮して、電極パッド１５０の形状が所望の形状となるように、レジストパターン１６０の断面形状を形成することにより、所望の形状の電極パッド１５０を形成することができる。尚、この後、レジストパターン１６０は有機溶剤等により除去する。
【００４７】
この結果、図１３に示されるように、外側端部１５１ａにおける断面形状が角の取れた丸みのある滑らかな形状の電極パット１５０ａや、図１４に示されるように、外側端部１５１ｂにおける厚さが外側に向かって徐々に薄くなるような形状の電極パッド１５０ｂを形成することができる。このように、本実施の形態においては、フォトマスクにおける階調マスクの階調の程度を制御することにより、電極パット１５０の外側端部の形状を所望の形状となるように形成する。
【００４８】
（１２）  次に、図１５に示されるように、基板１０１の裏側を所定の厚さ（例えば、２００μｍ程度）まで研磨した後、ｎ側電極１１４を形成する。ここでは、ｎ側電極１１４はＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなる多層膜である。
【００４９】
（１３）  次に、アニールによって、ｐ側電極１１３とｎ側電極１１４のオーミック導通をとる。これにより、メサは発光部となり、基板１０１上に複数のレーザチップが形成される。尚、基板１０１上に複数のレーザチップが形成されたものを、便宜上「チップ形成基板２００」という。そして、チップ形成基板２００では、ｐ側電極１１３側（＋Ｚ側）の面を表面、ｎ側電極１１４側（−Ｚ側）の面を裏面という。
【００５０】
（１４）  次に、図１６に示されるように、チップ形成基板２００の裏面にダイシングフィルム２１０に貼り付ける。このダイシングフィルム２１０は、厚さが７５μｍの塩化ビニルフィルムであり、その片面にアクリル系粘着剤が１０μｍの厚さで均一に塗布されている。
【００５１】
（１５）  次に、ダイシングフィルム２１０を外径が６インチの金属リング２１２に貼り付ける。
【００５２】
（１６）  次に、図１７に示されるように、チップ形成基板２００の表面に、隣接するレーザチップの間隙にダイヤモンドペンを用い、Ｘ軸方向及びＹ軸方向にスクライブラインを形成する。ここでは、スクライブラインは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向ともに等間隔で形成され、この間隔を分離ピッチｗという。
【００５３】
（１７）  次に、図１８に示されるように、チップ形成基板２００の表面に、保護シート２１４を貼り付ける。この保護シート２１４は、厚さが２５μｍのＰＥＴフィルムである。この保護シート２１４のチップ形成基板２００側の面には、帯電防止剤が塗布され、さらにその上に離型剤としてシリコーンが塗布されている。帯電防止剤が塗布されていないと、２００Ｖ以上の静電気が発生し、レーザチップが静電破壊されるおそれがある。尚、保護シート２１４には粘着性がないため、ダイシングフィルム２１０の粘着面に貼り付けて固定される。
【００５４】
（１８）  次に、図１９に示されるように、チップ形成基板２００を、分離ピッチｗの２倍より狭い溝を有する受け刃２２０に、ヘキ開対象のスクライブラインが受け刃２２０の溝の中央に位置するように載置する。
【００５５】
（１９）  次に、図２０に示されるように、ヘキ開対象のスクライブラインの真後ろから、セラミック製のカッタの刃２３０を押し当てる。ヘキ開対象のスクライブラインの−Ｘ側にあるレーザチップをチップＡとし、ヘキ開対象のスクライブラインの＋Ｘ側にあるレーザチップをチップＢとする。
【００５６】
（２０）  次に、カッタの刃２３０を所定量押し込んでチップ形成基板２００をヘキ開する。尚、以下では、カッタの刃２３０の押し込み量を「カット深さ」という。
【００５７】
（２１）  次に、同様にして、すべてのスクライブラインに対して、一次ヘキ開及び二次ヘキ開を行う。
【００５８】
（２２）  次に、保護シート２１４をはがす。
【００５９】
（２３）  次に、５０℃程度に暖めた拡張器を用いて、ダイシングフィルム２１０を３６０度全ての方向に均等に引き伸ばす。これにより、複数のレーザチップは、互いに分離されることとなる。
【００６０】
（２４）  次に、複数のレーザチップを、個々にダイシングフィルム２１０からはがす。
【００６１】
この後、いくつかの後工程を経ることにより、レーザチップ、即ち、本実施の形態における面発光レーザを作製することができる。
【００６２】
ところで、前述したように、発明者らは、１ｍｍ角程度の光デバイスのヘキ開において、保護シート表面のシリコーンが、光デバイスにおける厚さ１μｍ程度の電極パッド端に付着する現象（以下、「シリコーン付着現象」と略述する）を見出した。そして、発明者らは、シリコーン付着現象の発生メカニズムを、以下のように推測した。
【００６３】
チップ形成基板２００は、カッタの刃２３０が裏面から押し込まれると、その押し込み荷重によって変形する。このとき、チップ形成基板２００の裏面に圧縮応力が発生し、チップ形成基板２００の表面に引張り応力が発生する。その引張り応力はヘキ開対象のスクライブラインの底部に集中する。
【００６４】
さらにカッタの刃２３０が押し込まれ、上記底部における引張り応力が、基板１０１の引張り強さ以上になると、この底部に亀裂が発生する。この亀裂は、チップ形成基板２００の裏面まで直ちに進行する。
【００６５】
一例として、図２１に示されるように、ヘキ開対象のスクライブラインの裏側から荷重Ｐがかけられると、保護シート２１４における受け刃直上の部分は、それぞれＰ／２の力でチップ形成基板２００に押し付けられることとなる。即ち、保護シート２１４における受け刃直上の部分は、他のどの部分よりもチップ形成基板２００に強く押し付けられ、密着している。
【００６６】
この状態で、さらにカッタの刃２３０が押し込まれると、図２２に示されるように、保護シート２１４も押し下げられ、保護シート２１４の移動が起こる。
【００６７】
その結果、例えば、チップＢでは、図２３及び図２４に示されるように、ヘキ開対象のスクライブラインから遠い側にある電極パッド１５０の端部（本実施の形態においては、便宜上、「外側端部」と記載する場合がある）が、本実施の形態とは異なり、切り立った角のある形状の場合、保護シート２１４の移動量に対応するシリコーンを掻き取ると考えられる。
【００６８】
その後、保護シート２１４を取り除くと、図２５に示されるように、シリコーンの一部がレーザチップに残ってしまう。
【００６９】
一方、ヘキ開対象のスクライブラインから近い側にある電極パッド１５０の端部、即ち、外側端部とは反対側の内側端部は、図２６及び図２７に示されるように、ヘキ開直後、保護シート２１４に対して自由になり、保護シート２１４の密着力が小さくなる。従って、電極パッド１５０の内側端部においては、シリコーンの付着が起こらないと考えられる。
【００７０】
次に、保護シート２１４とチップ形成基板２００との密着力について、詳しく検討し、この密着力を試算する。
【００７１】
ヘキ開プロセスは、材料力学でいうところの両端単純支持梁における中央集中荷重問題と考えられる。荷重Ｐが加わる物体の断面形状を長方形と仮定すると、その破壊荷重Ｐｍａｘは下記の（１）式で求められる。
Ｐｍａｘ＝（２ｂｈ２／３Ｌ）σ  ……（１）
ここで、ｂはヘキ開面の幅であり、一次ヘキ開の場合には最大で基板１０１の直径、二次ヘキ開の場合にはレーザチップの辺の長さである。ｈはヘキ開面の高さ、Ｌは受け刃２２０における溝の間隔、σはこの物体の引張り強さである。
【００７２】
また、二次ヘキ開の場合は、Ｌ＝２ｂとおけるので、上記における（１）式は、下記の（２）式のように表せる。
Ｐｍａｘ＝（ｈ２／３）σ  ……（２）
ヘキ開時には上記における（１）式あるいは（２）式で求まる破断荷重Ｐｍａｘがチップ形成基板２００に加わり、受け刃２２０上の保護シートには−Ｚ方向にＰｍａｘ／２の力が作用することになる。
【００７３】
一例として、３インチのＧａＡｓウエハ（ｈ＝２４０μｍ）上に、１．２ｍｍ角のレーザチップが複数形成されている場合について、ヘキ開時のチップ形成基板と保護シートとの密着力を試算する。尚、ＧａＡｓの引張り強さσとして、１３８Ｍｐａを用いる。また、受け刃２２０における間隔Ｌを２ｍｍとする。
【００７４】
一次ヘキ開での最大の破断荷重（ｂ＝ウエハ半径の場合）は２００Ｎ（２０．４Ｋｇ）、二次ヘキ開での破断荷重は２．６５Ｎ（２７０ｇ）と見積もられる。つまり、一次ヘキ開時及び２次ヘキ開時には、１個のレーザチップあたり１３５ｇ程度の荷重が加わり、保護シート２１４とチップ形成基板２００とが密着していることになる。
【００７５】
次に、保護シート２１４の移動量を見積もるために、まず、カッタの刃２３０の押し込み量、つまりカット深さＤを検討する。
【００７６】
上記両端単純支持梁に中央荷重Ｐを加えた場合の撓み量ｄは、下記の（３）式で求められる。ここで、Ｅはヤング率である。ＧａＡｓのヤング率Ｅとして８３ＧＰａを用いる。
ｄ＝ＰＬ３／４Ｅｂｈ３    ……（３）
上記における（３）式を変形すると、下記の（４）式が得られる。
【００７７】
Ｐ＝４ｄｂｈ３Ｅ／Ｌ３    ……（４）
一次ヘキ開及び二次ヘキ開での破断加重Ｐｍａｘから、各ヘキ開での撓み量ｄを求めると、一次ヘキ開（ｂ＝７６．２ｍｍ）ではｄ＝４．５μｍ、二次ヘキ開（ｂ＝１．２ｍｍ）ではｄ＝３．８μｍとなる。
【００７８】
３インチのウエハでも、５μｍ程度撓めば、ヘキ開することが予測される。しかし、実際にはスクライブラインに応力集中が起こるため、試算された撓み量よりも小さな撓み量でヘキ開すると思われる。
【００７９】
実際のカット深さＤを設定するには、カッタの刃２３０とチップ形成基板２００の平行度の差、チップ形成基板２００を貼り付けているダイシングフィルム２１０における厚さのばらつき、ウエハにおける厚さの面内でのばらつき、保護シート２１４における厚さの面内でのばらつきなどを考慮する必要がある。
【００８０】
カッタの刃２３０とチップ形成基板２００の平行度を２０μｍ、ダイシングフィルム２１０の厚さを８５μｍ（うち１０μｍ粘着層）、そのばらつきを±１０μｍ、保護シート２１４の厚さを２５μｍ、そのばらつきを±１０％とすると、確実にヘキ開するには、約５０μｍ以上のカット深さが必要となる。さらに、ヘキ開装置の機械精度なども考慮して、カット深さＤとしては８０μｍ程度が選ばれる。
【００８１】
即ち、安定してヘキ開するためには、ヘキ開に必要な撓み量より２０倍以上のオーバードライブが必要になる。その結果、図２８に示されるように、チップ形成基板２００及び保護シート２１４は、ヘキ開後もカッタの刃２３０で押し下げられ、保護シート２１４の移動量Δｌが増加する。
【００８２】
ここで、保護シート２１４の移動量Δｌは、下記の（５）式を用いて算出した。
【００８３】
Δｌ＝２Ｄｈ／Ｌ    ……（５）
上記における（５）式から、図２９に示されるように、保護シート２１４の移動量を少なくするには、カット深さＤを浅くすること、及びチップ形成基板２００の厚さｈを薄くすることが効果的なことがわかる。
【００８４】
チップ形成基板２００の厚さｈが２４０μｍ、カット深さＤが８０μｍ、受け刃における間隔Ｌが２ｍｍの場合、保護シート２１４の移動量Δｌは約１９μｍと予測される。
【００８５】
図３０には、カット深さＤを８０μｍ、チップ形成基板２００の厚さｈを２４０μｍとし、受け刃における間隔Ｌを変化させた場合の保護シート２１４の密着力Ｆとその移動量Δｌを計算した結果が示されている。
【００８６】
以上の考察から、シリコーン付着現象のメカニズムをまとめると、（１）ヘキ開の際に、カット深さＤが大きくなるとともに、保護シート２１４のチップ形成基板２００への密着力Ｆが増加し、保護シート２１４の移動が起こる。そして、（２）ヘキ開直後において、カッタの刃２３０のオーバードライブにより、密着力及び保護シート２１４の移動量ｌが更に増加し、電極パッド１５０の外側端部にシリコーンが掻き取られる。
【００８７】
そして、電極パッド１５０の外側端部へのシリコーンの付着を低減するには、（Ａ）カッタの刃２３０のオーバードライブ量を小さくする、（Ｂ）ヘキ開時の保護シート２１４の密着力Ｆを小さくする、ことが考えられる。
【００８８】
上記（Ａ）のオーバードライブ量を小さくする方法、及び保護シート２１４の移動量を減少させる方法としては、チップ形成基板２００の厚さｈを薄くする方法が効果的であるが、ハンドリング時にわれが発生する割合が増えるという不都合がある。
【００８９】
そこで、本実施の形態においては、上記（Ｂ）の密着力Ｆを小さくする方法として、電極パッド１５０の外側端部において、断面形状が角の取れた丸みのある滑らかな形状や、外側端部における厚さが外側に向かって徐々に薄くなるような形状となるように形成したものである。電極パッド１５０をこのような形状となるように形成することにより、電極パッド１５０の外側端部にシリコーンが密着することはなく、掻き取られるような現象が生じることを減らすことができる。
【００９０】
次に、本実施の形態における光デバイスにおいて、ヘキ開時に、電極パッド１５０の外側端部に、保護シート２１４の一部であるシリコーン等が付着しない理由について説明する。
【００９１】
前述した説明のように、保護シート２１４に受け刃２２０からの力が加わると、本実施の形態とは異なり、電極パッド１５０の外側端部が切り立った形状をしている場合には、保護シート２１４の移動に伴って、外側端部にシリコーンが押し付けられ、その結果として、シリコーンを掻き取ると考えられる。
【００９２】
しかしながら、本実施の形態のように、電極パッド１５０の外側端部１５１において、断面形状が角の取れた丸みのある形状や、外側端部１５１における厚さが外側に向かって従い徐々に薄くなるような形状である場合、図３１から図３２に示されるように、電極パット１５０の外側端部１５１に保護シート２１４が移動してきても、シリコーンは滑るように流れるため、外側端部１５１がシリコーンを掻き取るようなことはなく、従って、図３３に示されるように保護シート２１４を取り外した際に、シリコーンの一部がレーザチップに残ってしまうことはない。
【００９３】
尚、電極パッド１５０の外側端部１５１において、断面形状が角の取れた丸みのある滑らかな形状や、外側端部１５１における厚さが外側に向かって徐々に薄くなるような形状に限定されるものではなく、要するに、電極パッド１５０の外側端部１５１の形状が、保護シート２１４が押し付けられた際にシリコーンが引っかからずに滑るような形状であればよく、シリコーンを掻き取るような切り立った形状をしていなければよい。
【００９４】
（面発光レーザアレイ）
次に、本実施の形態における光デバイスである面発光レーザアレイが形成されているレーザチップについて説明する。図３４に示されるように、レーザチップ３００には複数の面発光レーザアレイが形成されており、２次元的に配列されている３２個の発光部１４０、及びこの３２個の発光部１４０の周囲に設けられ、各発光部１４０に対応した３２個の電極パッド１５０を有している。また、各電極パッド１５０は、対応する発光部１４０と配線部材１５５によって電気的に接続されている。尚、発光部１４０は、前述した面発光レーザに対応するものである。
【００９５】
本明細書では、各発光部からの光の射出方向をＺ軸方向、このＺ軸方向に垂直な平面内で互いに直交する２つの方向をＸ軸方向及びＹ軸方向として説明する。
【００９６】
３２個の発光部１４０は、図３５に示されるように、Ｙ軸方向においては、間隔ｄ２で配置されているが、全ての発光部１４０をＹ軸方向に平行な仮想線上に正射影したときに、発光部間隔が等しく（図３５では「ｄ１」）なるように配置されている。尚、本明細書では、「発光部間隔」とは２つの発光部の中心間距離をいう。
【００９７】
ここでは、各発光部は、発振波長が７８０ｎｍ帯の垂直共振器型のＶＣＳＥＬである。即ち、図３４に示されるレーザチップ３００が、いわゆるＶＣＳＥＬアレイチップである。尚、前述した図２は、図３５における発光部１４０をＸＺ面に平行な面で切断した断面図である。
【００９８】
以上説明したように、本実施の形態に係るレーザチップ３００によると、１つの基板上に形成された３２個の発光部１４０と、この３２個の発光部１４０におけるｐ側電極１１３と電気的に接続されている３２個の電極パッド１５０とを備えている。
【００９９】
そして、ヘキ開工程で、シリコーン付着現象を生じるおそれがある電極パッド１５０は、平面視において、図１０に示されるように、ヘキ開された部分に近い辺の長さが、このヘキ開された部分に平行な方向の寸法ｗ１よりも長くなるように設定されている。
【０１００】
この場合は、チップ形成基板２００の厚さｈが従来よりも厚い場合であっても、保護シート２１４の密着力を低下させることができ、ヘキ開工程で、各電極パッドにシリコーンが付着するのを低減することができる。その結果、製造歩留まりを向上させることができる。即ち、レーザチップ３００の単価を下げることができる。
【０１０１】
尚、上記においては、レーザチップ３００が３２個の発光部を有する場合について説明しているが、これに限定されるものではない。例えば、レーザチップ３００が４０個の発光部を有していてもよい。
【０１０２】
また、上記においては、発光部の発振波長が７８０ｎｍ帯の場合について説明したが、これに限定されるものではない。感光体の特性に応じて、発光部の発振波長を変更してもよい。
【０１０３】
また、本実施の形態における光デバイスであるレーザチップ３００は、画像形成装置以外の用途にも用いることができる。その場合には、発振波長は、その用途に応じて、６５０ｎｍ帯、８５０ｎｍ帯、９８０ｎｍ帯、１．３μｍ帯、１．５μｍ帯等の波長帯であってもよい。この場合に、活性層を構成する半導体材料は、発振波長に応じた混晶半導体材料を用いることができる。例えば、６５０ｎｍ帯ではＡｌＧａＩｎＰ系混晶半導体材料、９８０ｎｍ帯ではＩｎＧａＡｓ系混晶半導体材料、１．３μｍ帯及び１．５μｍ帯ではＧａＩｎＮＡｓ（Ｓｂ）系混晶半導体材料を用いることができる。
【０１０４】
〔第２の実施の形態〕
次に、第２の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第１の実施の形態における光デバイスを用いた画像形成装置であるレーザプリンタ１０００である。図３６に基づき、本実施の形態におけるレーザプリンタ１０００について説明する。本実施の形態におけるレーザプリンタ１０００は、光走査装置１０１０、感光体ドラム１０３０、帯電装置１０３１、現像ローラ１０３２、転写チャージャ１０３３、除電ユニット１０３４、クリーニングユニット１０３５、トナーカートリッジ１０３６、給紙コロ１０３７、給紙トレイ１０３８、レジストローラ対１０３９、定着ローラ１０４１、排紙ローラ１０４２、排紙トレイ１０４３、通信制御装置１０５０、及び上記各部を統括的に制御するプリンタ制御装置１０６０などを備えている。尚、これらは、プリンタ筐体１０４４の中の所定位置に収容されている。
【０１０５】
通信制御装置１０５０は、ネットワークなどを介した上位装置（例えばパソコン）との双方向の通信を制御する。
【０１０６】
プリンタ制御装置１０６０は、ＣＰＵ、このＣＰＵにて解読可能なコードで記述されたプログラム及び、このプログラムを実行する際に用いられる各種データが格納されているＲＯＭ、作業用のメモリであるＲＡＭ、アナログデータをデジタルデータに変換するＡＤ変換回路などを有している。そして、プリンタ制御装置１０６０は、上位装置からの要求に応じて各部を制御するとともに、上位装置からの画像情報を光走査装置１０１０に送る。
【０１０７】
感光体ドラム１０３０は、円柱状の部材であり、その表面には感光層が形成されている。即ち、感光体ドラム１０３０の表面が被走査面である。そして、感光体ドラム１０３０は、図３６における矢印Ｘに示す方向に回転するようになっている。
【０１０８】
帯電装置１０３１、現像ローラ１０３２、転写チャージャ１０３３、除電ユニット１０３４及びクリーニングユニット１０３５は、それぞれ感光体ドラム１０３０の表面近傍に配置されている。そして、感光体ドラム１０３０の回転方向に沿って、帯電装置１０３１→現像ローラ１０３２→転写チャージャ１０３３→除電ユニット１０３４→クリーニングユニット１０３５の順に配置されている。
【０１０９】
帯電装置１０３１は、感光体ドラム１０３０の表面を均一に帯電させる。
【０１１０】
光走査装置１０１０は、帯電装置１０３１で帯電された感光体ドラム１０３０の表面を、上位装置からの画像情報に基づいて変調された光束により走査し、感光体ドラム１０３０の表面に画像情報に対応した潜像を形成する。ここで形成された潜像は、感光体ドラム１０３０の回転に伴って現像ローラ１０３２の方向に移動する。尚、この光走査装置１０１０の構成については後述する。
【０１１１】
トナーカートリッジ１０３６にはトナーが格納されており、このトナーは現像ローラ１０３２に供給される。
【０１１２】
現像ローラ１０３２は、感光体ドラム１０３０の表面に形成された潜像にトナーカートリッジ１０３６から供給されたトナーを付着させて画像情報を顕像化させる。ここでトナーが付着した像（以下では、便宜上「トナー像」ともいう）は、感光体ドラム１０３０の回転に伴って転写チャージャ１０３３の方向に移動する。
【０１１３】
給紙トレイ１０３８には記録紙１０４０が格納されている。この給紙トレイ１０３８の近傍には給紙コロ１０３７が配置されており、この給紙コロ１０３７は、記録紙１０４０を給紙トレイ１０３８から１枚ずつ取り出し、レジストローラ対１０３９に搬送する。このレジストローラ対１０３９は、給紙コロ１０３７によって取り出された記録紙１０４０を一旦保持するとともに、この記録紙１０４０を感光体ドラム１０３０の回転に合わせて感光体ドラム１０３０と転写チャージャ１０３３との間隙に向けて送り出す。
【０１１４】
転写チャージャ１０３３には、感光体ドラム１０３０の表面のトナーを電気的に記録紙１０４０に引きつけるために、トナーとは逆極性の電圧が印加されている。この電圧により、感光体ドラム１０３０の表面のトナー像が記録紙１０４０に転写される。ここで転写された記録紙１０４０は、定着ローラ１０４１に送られる。
【０１１５】
定着ローラ１０４１では、熱と圧力とが記録紙１０４０に加えられ、これによってトナーが記録紙１０４０上に定着される。ここで定着された記録紙１０４０は、排紙ローラ１０４２を介して排紙トレイ１０４３に送られ、排紙トレイ１０４３上に順次、積み重ねられる。
【０１１６】
除電ユニット１０３４は、感光体ドラム１０３０の表面を除電する。
【０１１７】
クリーニングユニット１０３５は、感光体ドラム１０３０の表面に残ったトナー（残留トナー）を除去する。残留トナーが除去された感光体ドラム１０３０の表面は、再度帯電装置１０３１に対向する位置に戻る。
【０１１８】
次に、図３７に基づき光走査装置１０１０について説明する。この光走査装置１０１０は、図３７に示されるように、光源１１１４、カップリングレンズ１１１５、開口板１１１６、シリンドリカルレンズ１１１７、反射ミラー１１１８、ポリゴンミラー１１１３、第１走査レンズ１１１１ａ、第２走査レンズ１１１１ｂ、及び不図示の走査制御装置等を備えている。そして、これらは、光学ハウジング１１３０の所定位置に組み付けられている。尚、光源１１１４は、第１の実施の形態における光デバイスを含んでいるものである。
【０１１９】
尚、便宜上、主走査方向に対応する方向を「主走査対応方向」と略述し、副走査方向に対応する方向を「副走査対応方向」と略述する。
【０１２０】
カップリングレンズ１１１５は、光源１１１４から射出された光束を略平行光とする。
【０１２１】
開口板１１１６は、開口部を有し、カップリングレンズ１１１５を介した光束のビーム径を規定する。
【０１２２】
シリンドリカルレンズ１１１７は、開口板１１１６の開口部を通過した光束を、反射ミラー１１１８を介してポリゴンミラー１１１３の偏向反射面近傍に副走査対応方向に関して結像する。
【０１２３】
光源１１１４とポリゴンミラー１１１３との間の光路上に配置される光学系は、偏向器前光学系とも呼ばれている。本実施の形態では、偏向器前光学系は、カップリングレンズ１１１５と開口板１１１６とシリンドリカルレンズ１１１７と反射ミラー１１１８とから構成されている。
【０１２４】
ポリゴンミラー１１１３は、高さの低い正六角柱状部材からなり、側面に６面の偏向反射面が形成されている。このポリゴンミラー１１１３は、副走査対応方向に平行な軸のまわりを等速回転しながら、反射ミラー１１１８からの光束を偏向する。
【０１２５】
第１走査レンズ１１１１ａは、ポリゴンミラー１１１３で偏向された光束の光路上に配置されている。
【０１２６】
第２走査レンズ１１１１ｂは、第１走査レンズ１１１１ａを介した光束の光路上に配置されている。そして、この第２走査レンズ１１１１ｂを介した光束が、感光体ドラム１０３０の表面に照射され、光スポットが形成される。この光スポットは、ポリゴンミラー１１１３の回転に伴って感光体ドラム１０３０の長手方向に移動する。即ち、感光体ドラム１０３０上を走査する。このときの光スポットの移動方向が「主走査方向」である。また、感光体ドラム１０３０の回転方向が「副走査方向」である。
【０１２７】
ポリゴンミラー１１１３と感光体ドラム１０３０との間の光路上に配置される光学系は、走査光学系とも呼ばれている。本実施の形態では、走査光学系は、第１走査レンズ１１１１ａと第２走査レンズ１１１１ｂとから構成されている。尚、第１走査レンズ１１１１ａと第２走査レンズ１１１１ｂの間の光路上、及び第２走査レンズ１１１１ｂと感光体ドラム１０３０の間の光路上の少なくとも一方に、少なくとも１つの折り返しミラーが配置されてもよい。
【０１２８】
本実施の形態においては、光走査装置１０１０は、光源１１１４が第１の実施の形態における光デバイスを有しているため、光走査の精度を低下させることなく、低コスト化を図ることができる。
【０１２９】
また、レーザプリンタ１０００は、光走査装置１０１０を備えているため、その結果として、画像品質を低下させることなく、低コスト化を図ることができる。
【０１３０】
また、上記実施の形態においては、画像形成装置としてレーザプリンタ１０００の場合について説明したが、これに限定されるものではない。
【０１３１】
例えば、レーザ光によって発色する媒体（例えば、用紙）に直接、レーザ光を照射する画像形成装置であってもよい。
【０１３２】
例えば、媒体が、ＣＴＰ（Ｃｏｍｐｕｔｅｒ  ｔｏ  Ｐｌａｔｅ）として知られている印刷版であってもよい。つまり、光走査装置１０１０は、印刷版材料にレーザアブレーションによって直接画像形成を行い、印刷版を形成する画像形成装置にも好適である。
【０１３３】
また、例えば、媒体が、いわゆるリライタブルペーパーであってもよい。これは、例えば紙や樹脂フィルム等の支持体上に、以下に説明するような材料が記録層として塗布されている。そして、レーザ光による熱エネルギー制御によって発色に可逆性を与え、表示／消去を可逆的に行うものである。
【０１３４】
透明白濁型リライタブルマーキング法とロイコ染料を用いた発消色型リライタブルマーキング法があり、いずれも適用できる。
【０１３５】
透明白濁型は、高分子薄膜の中に脂肪酸の微粒子を分散したもので、１１０℃以上に加熱すると脂肪酸の溶融により樹脂が膨張する。その後、冷却すると脂肪酸は過冷却状態になり液体のまま存在し、膨張した樹脂が固化する。その後、脂肪酸が固化収縮して多結晶の微粒子となり樹脂と微粒子間に空隙が生まれる。この空隙により光が散乱されて白色に見える。次に、８０℃から１１０℃の消去温度範囲に加熱すると、脂肪酸は一部溶融し、樹脂は熱膨張して空隙を埋める。この状態で冷却すると透明状態となり画像の消去が行われる。
【０１３６】
ロイコ染料を用いたリライタブルマーキング法は、無色のロイコ型染料と長鎖アルキル基を有する顕消色剤との可逆的な発色及び消色反応を利用している。レーザ光により加熱されるとロイコ染料と顕消色剤が反応して発色し、そのまま急冷すると発色状態が保持される。そして、加熱後、ゆっくり冷却すると顕消色剤の長鎖アルキル基の自己凝集作用により相分離が起こり、ロイコ染料と顕消色剤が物理的に分離されて消色する。
【０１３７】
また、媒体が、紫外光を当てるとＣ（シアン）に発色し、可視光のＲ（レッド）の光で消色するフォトクロミック化合物、紫外光を当てるとＭ（マゼンタ）に発色し、可視光のＧ（グリーン）の光で消色するフォトクロミック化合物、紫外光を当てるとＹ（イエロー）に発色し、可視光のＢ（ブルー）の光で消色するフォトクロミック化合物が、紙や樹脂フィルム等の支持体上に設けられた、いわゆるカラーリライタブルペーパーであってもよい。
【０１３８】
これは、一旦紫外光を当てて真っ黒にし、Ｒ・Ｇ・Ｂの光を当てる時間や強さで、Ｙ・Ｍ・Ｃに発色する３種類の材料の発色濃度を制御してフルカラーを表現し、仮に、Ｒ・Ｇ・Ｂの強力な光を当て続ければ３種類とも消色して真っ白にすることもできる。
【０１３９】
このような、光エネルギー制御によって発色に可逆性を与えるものも上記実施の形態と同様な光走査装置を備える画像形成装置として実現できる。
【０１４０】
また、像担持体として銀塩フィルムを用いた画像形成装置であってもよい。この場合には、光走査により銀塩フィルム上に潜像が形成され、この潜像は通常の銀塩写真プロセスにおける現像処理と同等の処理で可視化することができる。そして、通常の銀塩写真プロセスにおける焼付け処理と同等の処理で印画紙に転写することができる。このような画像形成装置は光製版装置や、ＣＴスキャン画像等を描画する光描画装置として実施できる。
【０１４１】
〔第３の実施の形態〕
次に、第３の実施の形態について説明する。本実施の形態は、複数の感光体ドラムを備えるカラープリンタ２０００である。
【０１４２】
図３８に基づき、本実施の形態におけるカラープリンタ２０００について説明する。本実施の形態におけるカラープリンタ２０００は、４色（ブラック、シアン、マゼンタ、イエロー）を重ね合わせてフルカラーの画像を形成するタンデム方式の多色カラープリンタであり、ブラック用のステーション（感光体ドラムＫ１、帯電装置Ｋ２、現像装置Ｋ４、クリーニングユニットＫ５、及び転写装置Ｋ６）と、シアン用のステーション（感光体ドラムＣ１、帯電装置Ｃ２、現像装置Ｃ４、クリーニングユニットＣ５、及び転写装置Ｃ６）と、マゼンタ用のステーション（感光体ドラムＭ１、帯電装置Ｍ２、現像装置Ｍ４、クリーニングユニットＭ５、及び転写装置Ｍ６）と、イエロー用のステーション（感光体ドラムＹ１、帯電装置Ｙ２、現像装置Ｙ４、クリーニングユニットＹ５、及び転写装置Ｙ６）と、光走査装置２０１０と、転写ベルト２０８０と、定着ユニット２０３０などを備えている。
【０１４３】
各感光体ドラムは、図３８中の矢印の方向に回転し、各感光体ドラムの周囲には、回転方向に沿って、それぞれ帯電装置、現像装置、転写装置、クリーニングユニットが配置されている。各帯電装置は、対応する感光体ドラムの表面を均一に帯電する。帯電装置によって帯電された各感光体ドラム表面に光走査装置２０１０により光が照射され、各感光体ドラムに潜像が形成されるようになっている。そして、対応する現像装置により各感光体ドラム表面にトナー像が形成される。さらに、対応する転写装置により、転写ベルト２０８０上の記録紙に各色のトナー像が転写され、最終的に定着ユニット２０３０により記録紙に画像が定着される。
【０１４４】
光走査装置２０１０は、第１の実施の形態における光デバイスを備えた光源を、色毎に有している。そこで、第２の実施の形態における光走査装置１０１０と同様の効果を得ることができる。また、カラープリンタ２０００は、この光走査装置２０１０を備えているため、第２の実施の形態におけるレーザプリンタ１０００と同様の効果を得ることができる。
【０１４５】
尚、カラープリンタ２０００では、各部品の製造誤差や位置誤差等によって色ずれが発生する場合がある。このような場合であっても、点灯させる発光部を選択することで色ずれを低減することができる。
【０１４６】
以上、本発明の実施に係る形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではない。
【符号の説明】
【０１４７】
１０１      基板
１０２      バッファ層
１０３      下部半導体ＤＢＲ
１０４      下部スペーサ層
１０５      活性層
１０６      上部スペーサ層
１０７      上部半導体ＤＢＲ
１０８      電流狭窄層
１０８ａ    選択酸化領域
１０８ｂ    電流狭窄領域
１０９      コンタクト層
１１１      保護膜
１１３      ｐ側電極
１１４      ｎ側電極
１４０      発光部
１５０      電極パッド
１５０ａ、１５０ｂ      電極パッド
１５１      外側端部
１５１ａ、１５１ｂ      外側端部
１５５      配線部材
１６０      レジストパターン
１６１      膜厚傾斜領域
２００      チップ形成基板
２１０      ダイシングフィルム
２１２      金属リング
２１４      保護シート
２２０      受け刃
２３０      カッタの刃
１０００    レーザプリンタ（画像形成装置）
１０１０    光走査装置
２０００    カラープリンタ（画像形成装置）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０１４８】
【特許文献１】特開２００４−３１９５５３号公報
【特許文献２】特開平１１−４０８８４号公報
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図１】
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