(57)【要約】【課題】生産効率を向上させると共に、省スペース化された成膜装置を提供すること。【解決手段】本発明の成膜装置は、基板に被膜を形成する成膜室と、前記成膜室と内部空間同士が連通するように、開閉手段を介して配された仕込・取出室と、前記成膜室内に対向配置された少なくとも一対の成膜手段と、前記成膜室及び前記仕込・取出室の内部空間を移動可能とされ、かつ、該成膜室内においては、前記一対の成膜手段の間を通過する際に、前記基板の被成膜面が該一対の成膜手段の方向を向くように該基板を載置する運搬手段と、を含み、前記運搬手段は各々、前記基板を保持する支持手段を少なくとも一組備え、前記運搬手段ごとに設けられた前記一組の前記支持手段は各々、該運搬手段の移動方向において外側に前記基板の被成膜面が向くように、かつ、離間すると共に互いに重なるように該基板を保持する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に被膜を形成する成膜室と、
前記成膜室と内部空間同士が連通するように、開閉手段を介して配された仕込・取出室と、
前記成膜室内に対向配置された少なくとも一対の成膜手段と、
前記成膜室及び前記仕込・取出室の内部空間を移動可能とされ、かつ、該成膜室内においては、前記一対の成膜手段の間を通過する際に、前記基板の被成膜面が該一対の成膜手段の方向を向くように該基板を載置する運搬手段と、を含む成膜装置であって、
前記運搬手段は各々、前記基板を保持する支持手段を少なくとも一組備え、
前記運搬手段ごとに設けられた前記一組の前記支持手段は各々、該運搬手段の移動方向において外側に前記基板の被成膜面が向くように、かつ、離間すると共に互いに重なるように該基板を保持することを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記成膜室の内部空間には、前記一対の支持手段を備えた前記運搬手段が移動する際に、該一対の支持手段の間を通過するように、該成膜室に付設された防着手段が配されていること、を特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記防着手段は、温度調節手段を有すること、を特徴とする請求項２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記温度調節手段は、冷却手段であること、を特徴とする請求項３に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記温度調節手段は、加熱手段であること、を特徴とする請求項３に記載の成膜装置。
【請求項６】
基板に被膜を形成する成膜室と、
前記成膜室と内部空間同士が連通するように、開閉手段を介して配された仕込・取出室と、
前記成膜室内に対向配置された少なくとも一対の成膜手段と、を含む成膜装置において用いられ、
前記成膜室及び前記仕込・取出室の内部空間を移動可能とされ、かつ、該成膜室内においては、前記一対の成膜手段の間を通過する際に、前記基板の被成膜面が該一対の成膜手段の方向を向くように該基板を載置する運搬手段であって、
前記基板を保持する支持手段を少なくとも一組備え、
前記一組の前記支持手段は各々、該運搬手段の移動方向において外側に前記基板の被成膜面が向くように、かつ、離間すると共に互いに重なるように該基板を保持することを特徴とする運搬手段。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、生産効率の向上と省スペース化を図ることが可能な成膜装置及び搬送手段に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体基板などに機能膜を成膜する成膜装置としては、ＰＶＤ（Physical vapor Deposition）装置やＣＶＤ（Chemical vapor Deposition）装置などが挙げられる。
こうしたＰＶＤ装置やＣＶＤ装置などに代表される成膜装置は、基板に対して成膜を行う成膜室と、この成膜室との間で気密性を有する仕切りバルブ（開閉手段）を介して繋がる仕込室（ロードチャンバ）と、取出室（アンロードチャンバ）とを少なくとも備えている。
【０００３】
例えば図６に示すように、従来の成膜装置１００は、基板Ｗを保持するホルダ（支持手段）を備えたキャリア１６０（搬送手段）、基板Ｗを載置したキャリア１６０を取り込む仕込室１１０、基板を加熱する加熱室１２０、基板に対して成膜を行う成膜室１３０、待機室１４０、基板の真空処理後、キャリアを取り出す取出室１５０、から構成される。加熱室１２０および待機室１４０は、それぞれ、成膜室１３０との間で気密性を有する仕切りバルブ（開閉手段）を介して繋がっている。
【０００４】
このような成膜装置１００は、複数の基板を効率よく出し入れするために、例えば、基板の一面を鉛直方向に沿って立てた状態で保持したキャリア（縦型キャリア）を、水平方向に沿って搬送する搬送機構を備えている（例えば、特許文献参照）。
また、図６に示す成膜装置１００において、仕込室１１０、加熱室１２０、成膜室１３０、待機室１４０及び取出室１５０には、それぞれ真空排気装置１１１，１２１，１３１，１４１，１５１が取り付けられている。
【０００５】
このように、従来の成膜装置では、非常に大きな装置となる。特に、成膜室における成膜処理に加熱工程や冷却工程が入る場合、基板の被成膜面の裏側に加熱手段や冷却手段を配していたため、さらに装置が大きくなってしまうという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第２０１０／１１６７２１号
【特許文献２】再公表ＷＯ２００８／１２９９８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、このような従来の実情に鑑みて考案されたものであり、生産効率を向上させると共に、省スペース化された成膜装置を提供することを第一の目的とする。
また、本発明は、生産効率を向上させると共に、省スペース化された成膜装置において用いられ、基板を効率よく運搬可能な運搬手段を提供することを第二の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の請求項１に記載の成膜装置は、基板に被膜を形成する成膜室と、前記成膜室と内部空間同士が連通するように、開閉手段を介して配された仕込・取出室と、前記成膜室内に対向配置された少なくとも一対の成膜手段と、前記成膜室及び前記仕込・取出室の内部空間を移動可能とされ、かつ、該成膜室内においては、前記一対の成膜手段の間を通過する際に、前記基板の被成膜面が該一対の成膜手段の方向を向くように該基板を載置する運搬手段と、を含む成膜装置であって、前記運搬手段は各々、前記基板を保持する支持手段を少なくとも一組備え、前記運搬手段ごとに設けられた前記一組の前記支持手段は各々、該運搬手段の移動方向において外側に、前記基板の被成膜面が向くように該基板を保持し、かつ、離間すると共に互いに重なる状態で、前記運搬手段に配置されていること、を特徴とする。
本発明の請求項２に記載の成膜装置は、請求項１において、前記成膜室の内部空間には、前記一対の支持手段を備えた前記運搬手段が移動する際に、該一対の支持手段の間を通過するように、該成膜室に付設された防着手段が配されていること、を特徴とする。
本発明の請求項３に記載の成膜装置は、請求項２において、前記防着手段は、温度調節手段を有すること、を特徴とする。
本発明の請求項４に記載の成膜装置は、請求項３において、前記温度調節手段は、冷却手段であること、を特徴とする。
本発明の請求項５に記載の成膜装置は、前記温度調節手段は、加熱手段であること、を特徴とする。
本発明の請求項６に記載の運搬手段は、基板に被膜を形成する成膜室と、前記成膜室と内部空間同士が連通するように、開閉手段を介して配された仕込・取出室と、前記成膜室内に対向配置された少なくとも一対の成膜手段と、を含む成膜装置において用いられ、前記成膜室及び前記仕込・取出室の内部空間を移動可能とされ、かつ、該成膜室内においては、前記一対の成膜手段の間を通過する際に、前記基板の被成膜面が該一対の成膜手段の方向を向くように該基板を載置する運搬手段であって、前記基板を保持する支持手段を少なくとも一組備え、前記一組の前記支持手段は各々、該運搬手段の移動方向において外側に、前記基板の被成膜面が向くように該基板を保持し、かつ、離間すると共に互いに重なる状態で配置されていること、を特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の成膜装置では、前記成膜室内に対向配置された少なくとも一対の成膜手段が配されており、さらに、該成膜室内においては、前記一対の成膜手段の間を通過する際に、前記基板の被成膜面が該一対の成膜手段の方向を向くように該基板を載置する運搬手段と、を含んでいる。前記運搬手段は各々、前記基板を保持する支持手段を少なくとも一組備え、前記運搬手段ごとに設けられた前記一組の前記支持手段は各々、該運搬手段の移動方向において外側に、前記基板の被成膜面が向くように該基板を保持し、かつ、離間すると共に互いに重なる状態で、前記運搬手段に配置されている。
これにより、本発明の成膜装置では、前記運搬手段に搭載された一対（２枚）の基板に対して、それぞれ成膜を行うことができる。すなわち、生産能力が従来と同じ場合、成膜室の大きさ（内容積）又は長さを約半分にできる。あるいは、成膜室の大きさが従来と同じ場合、生産量を約倍にすることができる。その結果、本発明では、生産効率を向上させると共に、省スペース化された成膜装置を提供することができる。
また、本発明の運搬手段は、前記基板を保持する支持手段を少なくとも一組備え、前記一組の前記支持手段は各々、該運搬手段の移動方向において外側に、前記基板の被成膜面が向くように該基板を保持し、かつ、離間すると共に互いに重なる状態で配置されているので、基板を効率よく運搬することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の成膜装置の一実施形態を示す図であり、上から見た断面図。
【図２】本発明の成膜装置において、成膜室を仕込室側から見た断面図。
【図３】ホルダの一例を示す分解斜視図。
【図４】本発明の成膜装置において別の実施形態を示す図であり、成膜室を仕込室側から見た断面図。
【図５】本発明の成膜装置において別の実施形態を示す図であり、成膜室を仕込室側から見た断面図。
【図６】従来の成膜装置を上から見た断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照して、本発明に係る成膜装置及び搬送手段の一実施形態について説明する。なお、本実施形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。また、以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴をわかりやすくするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。
【００１２】
図１は、本発明の成膜装置の一実施形態であるインライン型ＰＶＤ装置（以下、単に成膜装置と称する）全体を示す概要図である。
本発明の成膜装置１Ａ（１）は、基板Ｗに被膜を形成する成膜室３０と、前記成膜室３０と内部空間同士が連通するように、開閉手段を介して配された仕込室１０・取出室５０と、前記成膜室３０内に対向配置された少なくとも一対（２つ）の成膜手段（カソードユニット３２）と、前記成膜室３０及び前記仕込室１０、取出室５０の内部空間を移動可能とされ、かつ、該成膜室３０内においては、前記一対の成膜手段の間を通過する際に、前記基板Ｗの被成膜面が該一対の成膜手段の方向を向くように該基板Ｗを載置する運搬手段（キャリア６０）と、を含む。
【００１３】
図１に示すように、本実施形態の成膜装置１Ａ（１）は、仕込室１０（ロードチャンバ）と、加熱室２０と、成膜室３０（成膜チャンバ）と、待機室４０と、取出室５０（アンロードチャンバ）とが、直列に設置されている。仕込室１０と加熱室２０との間、加熱室２０と成膜室３０との間、成膜室３０と待機室４０との間、待機室４０と取出室５０との間は、開口によって連通され、基板Ｗを載置したキャリア６０がこれらの間を互いに移動可能にされている。
【００１４】
仕込室１０と加熱室２０との間、加熱室２０と成膜室３０との間、成膜室３０と待機室４０との間、待機室４０と取出室５０との間には、それぞれの空間内を気密に保つ仕切りバルブ８０，８１，８２，８３が形成されている。これら仕切りバルブ８０，８１，８２，８３、は、キャリア６０の移動時には開放され、キャリア６０の移動時以外は閉じられる。
【００１５】
仕込室１０（ロードチャンバ）は、内部を真空状態にするための真空ポンプ１１を備えている。この仕込室１０は、内部を大気圧環境にした状態でキャリア６０を取り入れる。
【００１６】
加熱室２０は、内部を真空状態にするための真空ポンプ２１を備えている。この加熱室２０は、ヒータ２２（加熱手段）を備える。加熱室２０に導入された基板Ｗは、ヒータ２２によって加熱される。こうした加熱手段は、例えば、シースヒータ、赤外線ヒータなどから構成されていればよい。
【００１７】
成膜室３０（成膜チャンバ）は、内部を気密に保つことが可能な耐圧性のチャンバ本体３１と、基板を加熱する加熱手段（ヒータ３３）と、チャンバ本体３１内に対向配置された少なくとも一対（２つ）の成膜手段（カソードユニット３２）を備えている。
【００１８】
図２は、本発明の成膜装置１Ａ（１）において、成膜室３０を仕込室１０側から見た断面図である。
図１及び図２に示すように、一対のカソードユニット３２は、チャンバ内に対向配置され、チャンバ本体３１に導入されたキャリア６０に搭載された一対（２枚）の基板Ｗの一面Ｗａ（被成膜面）に対面するように配される。カソードユニット３２は、ターゲット３２ａと、パッキングプレート３２ｂとを有する。カソードユニット３２は、基板Ｗの一面Ｗａに対して、ターゲットのスパッタリングによって機能膜をそれぞれ成膜する。
【００１９】
ヒータ３３（加熱手段）は、基板Ｗの被成膜面である一面Ｗａ側を加熱する。チャンバ本体３１に導入された基板Ｗは、ヒータ３３によって成膜に最適な温度（成膜温度）まで加熱される。こうした加熱手段は、例えば、シースヒータ、赤外線ヒータなどから構成されていればよい。
【００２０】
チャンバ本体３１の一端側には、基板Ｗが搭載されたキャリア６０が通過可能な開口が形成され、仕切りバルブ８１を介して加熱室２０に連通可能に接続されている。チャンバ本体３１の他端側には、基板Ｗが搭載されたキャリア６０が通過可能な開口が形成され、仕切りバルブ８２を介して待機室４０に連通可能に接続されている。こうしたチャンバ本体３１の内部は、真空ポンプ３４によって減圧可能になっている。
【００２１】
待機室４０は、内部を真空状態にするための真空ポンプ４１を備えている。この待機室４０は、真空ポンプ４１によって内部を真空環境にした状態で、成膜室３０との間でキャリア６０を取り出す。
【００２２】
取出室５０（アンロードチャンバ）は、内部を真空状態にするための真空ポンプ５１を備えている。この取出室５０は、内部を真空環境にした状態で、待機室４０との間でキャリア６０を取り出す。また、この取出室５０は、内部を大気圧環境にした状態で、キャリア６０を取り出す。
【００２３】
基板Ｗを成膜装置１Ａ（１）内で移動させる運搬手段（キャリア６０）は、仕込室１０、加熱室２０、成膜室３０、待機室４０及び取出室５０の内部空間を移動可能とされ、かつ、該成膜室３０内においては、前記一対の成膜手段（カソードユニット３２）の間を通過する際に、前記基板Ｗの被成膜面（一面Ｗａ）が該一対の成膜手段（カソードユニット３２）の方向を向くように該基板Ｗを載置する。
【００２４】
本実施形態において、キャリア６０は、基板Ｗの一面Ｗａが鉛直方向に沿うように基板Ｗを垂直保持する、いわゆる縦型キャリアである。キャリア６０は、例えばシリコンウェーハなどの基板Ｗのエッジ部分を保持して、ほぼ鉛直方向に立てた状態で保持する。
【００２５】
成膜室３０のチャンバ本体３１の底面側には、搬送レール（図示略）が配置されている。この搬送レール上を基板Ｗを保持したキャリア６０が移動する。
また、搬送レールの途上には、キャリア６０を移動させる搬送ローラ６１が適宜配置されている。この搬送ローラ６１は、その回転軸がモータ（図示略）等に接続されている。搬送ローラ６１を回転させることで、搬送レールに沿ってキャリア６０を動かすことができる。
【００２６】
そして、特に本発明の成膜装置１Ａ（１）は、前記キャリア６０（運搬手段）は各々、前記基板Ｗを保持するホルダ７０（支持手段）を少なくとも一組（２つ）備え、前記キャリア６０ごとに設けられた前記一組の前記ホルダ７０は、各々、該キャリア６０の移動方向において外側に前記基板Ｗの被成膜面（一面Ｗａ）が向くように、かつ、離間すると共に互いに重なるように該基板Ｗを保持することを特徴とする。
【００２７】
これにより、本発明の成膜装置１Ａ（１）では、前記キャリア６０に搭載された一対の基板Ｗに対して、それぞれ成膜を行うことができる。すなわち、生産能力が従来と同じ場合、成膜室３０の大きさ（内容積）又は長さを約半分にできる。あるいは、成膜室３０の大きさが従来と同じ場合、生産量を約倍にすることができる。その結果、本発明の成膜装置１Ａ（１）は、生産効率を向上させると共に、省スペース化されたものとなる。
【００２８】
また、本発明の成膜装置１Ａ（１）では、成膜室３０の内容積が小さくなることで、成膜室３０の雰囲気中に存在するダストも少なくなる。これによりダストが膜中に混入することが抑えられる。さらに、成膜室３０の内容積が小さくなることで、成膜室３０内の真空度を制御しやすくなる。すなわち、圧力を一定に保ちやすい。これにより本発明の成膜装置１Ａ（１）では、高品質の膜を成膜することができる。
【００２９】
図３は、ホルダ７０の一例を示す分解斜視図である。
ホルダ７０は、例えばＳＵＳ等から構成される略長方形の枠状の支持部材７１を備える。支持部材７１は、四方を囲う側壁部７２と、基板Ｗの被処理面を露出するように形成された開口部７３とを備える。
【００３０】
また、基板ホルダ７０は、基板Ｗと同一形状の（本実施形態では略長方形状の）バックプレート７４を備える。バックプレート７４は、例えばＳＵＳ等から構成される板状部材である。これらの支持部材７１とバックプレート７４とにより、基板Ｗを収容する収容部７５が画成されている。
【００３１】
ホルダ７０に基板を保持させる場合には、支持部材７１、基板Ｗ、バックプレート７４の順で収容される。これにより、支持部材７１とバックプレート７４との間に被処理基板Ｗが支持される。この状態で、支持部材７１の開口部７３からは、基板Ｗの被処理面（一面Ｗａ）が露出する。
【００３２】
さらに、図１及び図２に示すように本実施形態の成膜装置１Ａ（１）では、前記成膜室３０の内部空間には、前記一対のホルダ７０（支持手段）を備えた前記キャリア６０（運搬手段）が移動する際に、該一対のホルダ７０の間を通過するように、該成膜室３０に付設された防着手段３７が配されている。
図２に示す例では、防着手段３７は、チャンバ本体３１の天井部から吊り下げられた状態で、成膜室３０の内部空間に配されている。
【００３３】
防着手段３７が配されていることで、一方の基板Ｗへ被着すべき成膜粒子の回り込みが抑えられ、その結果、他方の基板Ｗに成膜粒子が付着するなど、不要な部分への成膜を防止することができる。
また、防着手段３７が配されていることで、成膜室３０内の温度分布が、防着手段３７を中心に対照的になるため温度の偏りがなく、双方の基板Ｗに対して均一に成膜することが可能である。
【００３４】
防着手段３７は、接地電位とされていることが好ましい。プラズマ空間からの荷電粒子や電子等による電荷の蓄積が防着手段３７において回避できることから、防着手段３７に起因するプラズマの状態の不安定化を抑えることもできる。
【００３５】
なお、前記防着手段３７は、温度調節手段を有していてもよい。図４は、本発明の成膜装置の別の実施形態を示す図であり、成膜室３０を仕込室１０側から見た断面図である。
例えば、図４に示す例では、成膜装置１Ｂ（１）は、成膜室３０において、防着手段３７は、温度調節手段として、加熱手段３８を備えている。防着手段３７が加熱手段３８を備えていることで、装置の省スペース化に貢献する。
加熱手段３８は、基板Ｗの温度を一定に保温するために、基板Ｗの他面Ｗｂ側を加熱する裏面ヒータである。このとき、基板Ｗを両面から加熱することができるので、効率よく基板温度を上昇させることができる。こうした加熱手段３８は、例えば、シースヒータ、赤外線ヒータなどから構成されていればよい。
【００３６】
図５は、本発明の成膜装置の別の実施形態を示す図であり、成膜室３０を仕込室１０側から見た断面図である。
この実施形態の成膜装置１Ｃ（１）は、成膜室３０において、前記防着手段３７が有する温度調節手段として、冷却手段３９を備えている。この場合においても、防着手段３７が冷却手段３９を備えていることで、装置の省スペース化に貢献する。
【００３７】
以上のような構成の成膜装置１Ａ（１）の作用を説明する。
まず、仕込室１０（ロードチャンバ）の内部を大気圧状態とする。そして、外部（スタッカ）から成膜前の基板Ｗを支持したキャリア６０を仕込室１０内に導入する。
【００３８】
このとき、キャリア６０は各々、前記基板Ｗを保持するホルダ７０を少なくとも一組（２つ）備え、前記キャリア６０ごとに設けられた前記一組の前記ホルダ７０は、各々、該キャリア６０の移動方向において外側に、前記基板Ｗの被成膜面（一面Ｗａ）が向くように該基板Ｗを保持し、かつ、離間すると共に互いに重なる状態で、前記キャリア６０に配置されている。
【００３９】
キャリア６０が仕込室１０に収容されたら、真空ポンプ１１を動作させて仕込室１０の内部を真空状態にする。
そして、仕込室１０と加熱室２０との間の仕切りバルブ８０を開放し、仕込室１０と加熱室２０とを真空状態で連通させる。
成膜前の基板Ｗが載置されたキャリア６０を加熱室２０に移動させる。
【００４０】
キャリア６０が加熱室２０に収容されたら、真空ポンプ２１を動作させて加熱室２０の内部を真空状態にする。
一方、キャリア６０が加熱室２０に導入された後、仕切りバルブ８０を閉鎖してから、仕込室１０を再び大気圧環境にする。
キャリア６０が加熱室２０に収容されたら、加熱室２０に導入されたキャリア６０に載置された、成膜前の基板Ｗをヒータ２３（加熱手段）によって加熱する。
【００４１】
そして、加熱室２０と成膜室３０との間の仕切りバルブ８１を開放し、加熱室２０と成膜室３０とを真空状態で連通させる。なお、成膜室３０は、成膜装置１Ａ（１）の動作中は真空ポンプ３４によってチャンバ本体３１の内部が常に真空状態にされている。
成膜室３０に導入されたキャリア６０は、成膜室３０の搬送レールに沿って移動する。
【００４２】
成膜室３０に導入されたキャリア６０に載置された、成膜前の基板Ｗをヒータ３３（加熱手段）によって成膜に最適な温度（成膜温度）まで加熱する。
【００４３】
成膜前の基板Ｗが所定の成膜温度まで加熱されたら、カソードユニット３２によって成膜前の基板Ｗの一面Ｗａ（被成膜面）に対してターゲットのスパッタリングによって機能膜を成膜する。このとき、前記キャリア６０に搭載された一対の基板Ｗに対して、それぞれ成膜が行われる。
これによって、キャリア６０には成膜後の基板Ｗが載置された状態となる。
【００４４】
仕切りバルブ８２を開放し、成膜後の基板Ｗが載置されたキャリア６０を真空状態で待機室４０に移動させる。
また、仕切りバルブ８２を閉鎖してから仕切りバルブ８３を開放し、待機室４０にあるキャリア６０を真空状態で取出室５０に移動させる。
キャリア６０を取出室５０に移動させた後、仕切りバルブ８３を閉鎖してから取出室５０を大気圧環境にする。
【００４５】
以上のように、本発明の成膜装置では、キャリアに搭載された一対の基板Ｗに対して、それぞれ成膜を行うことができる。すなわち、生産能力が従来と同じ場合、成膜室３０の大きさ（内容積）又は長さを約半分にできる。あるいは、成膜室の大きさが従来と同じ場合、生産量を約倍にすることができる。その結果、本発明の成膜装置は、生産効率を向上させると共に、省スペース化されたものとなる。
【００４６】
また、本発明の成膜装置では、成膜室の内容積が小さくなることで、成膜室３０の雰囲気中に存在するダストも少なくなる。これによりダストが膜中に混入することが抑えられる。さらに、成膜室の内容積が小さくなることで、成膜室内の真空度を制御しやすくなる。すなわち、圧力を一定に保ちやすい。これにより本発明の成膜装置では、高品質の膜を成膜することができる。
【００４７】
上述した実施形態では、インライン方式の成膜装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、インターバック方式の成膜装置についても適用可能である。
【００４８】
以上、本発明の成膜装置について説明してきたが、本発明は上述した例に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明は、成膜装置及び搬送手段に広く適用可能である。
【符号の説明】
【００５０】
１Ａ、１Ｂ、１Ｃ（１）  成膜装置、１０  仕込室、２０  加熱室、３０  成膜室、３２  カソードユニット（成膜手段）、３７  防着手段、３８  加熱手段、４０  待機室、５０  取出室、６０  キャリア（運搬手段）、７０  ホルダ（支持手段）、Ｗ  基板。
【図１】
2014036132.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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