(57)【要約】【課題】薄膜化したＬＥＤ等の素子を保護し、携帯可能な、あるいは、どこかに貼り付けることが可能な素子を提供することにある。【解決手段】本発明の窒化物半導体構造は、グラファイト型窒化ホウ素薄膜および前記グラファイト型窒化ホウ素薄膜上のＳｉドープＡｌＧａＮ薄膜で構成されたバッファ層と、前記バッファ層上のＳｉドープＧａＮ薄膜と、前記ＳｉドープＧａＮ薄膜上の多重量子井戸と、前記多重量子井戸上のＭｇドープＧａＮ薄膜とを備えることを特徴とし、更に透明で接着可能な２枚のフィルム、シートあるいはテープ等で、ＬＥＤ薄膜をサンドイッチすることを特徴としている。【選択図】図３
2014075527.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
グラファイト型窒化ホウ素薄膜および前記グラファイト型窒化ホウ素薄膜上のＳｉドープＡｌＧａＮ薄膜で構成されたバッファ層と、
前記バッファ層上のＳｉドープＧａＮ薄膜と、
前記ＳｉドープＧａＮ薄膜上の多重量子井戸と、
前記多重量子井戸上のＭｇドープＧａＮ薄膜と
を備えることを特徴とする窒化物半導体構造。
【請求項２】
前記グラファイト型窒化ホウ素薄膜に蒸着された第１の電極と、
前記ＭｇドープＧａＮ薄膜に蒸着された第２の電極と、
前記グラファイト型窒化ホウ素薄膜及び前記第１の電極を覆う第１の透明フィルムと、
前記ＭｇドープＧａＮ薄膜および前記第２の電極を覆う第２の透明フィルムと、
を更に有することを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体構造。
【請求項３】
前記第１および第２の透明フィルムは、ラミネートフィルムであることを特徴とする請求項２に記載の窒化物半導体構造。
【請求項４】
前記第１および第２の透明フィルムは、粘着テープであることを特徴とする請求項２に記載の窒化物半導体構造。
【請求項５】
サファイア基板の上にバッファ層を成長するステップと、
前記バッファ層の上に窒化物半導体構造を成長させるステップであって、
前記バッファ層の上にＳｉドープＧａＮ薄膜を成長させるステップと、
前記ＳｉドープＧａＮ薄膜の上に多重量子井戸を成長させるステップと、
前記多重量子井戸の上にＭｇドープＧａＮ薄膜を成長させるステップと、
を含む、ステップと、
前記バッファ層と前記窒化物半導体構造を前記バッファ層から力学的に分離して、剥離窒化物半導体構造を作製するステップと
を含み、
前記バッファ層は、前記サファイア基板上のグラファイト型窒化ホウ素薄膜および前記窒化ホウ素薄膜上のＳｉドープＡｌＧａＮ薄膜で構成されることを特徴とする窒化物半導体構造の作製方法。
【請求項６】
前記分離の後に前記グラファイト型窒化ホウ素薄膜の上に第１の電極を蒸着するステップと、
前記分離の前に前記ＭｇドープＧａＮ薄膜の上に第２の電極を蒸着するステップと、
前記グラファイト型窒化ホウ素薄膜及び前記第１の電極を第１の透明フィルムで覆うステップと、
前記ＭｇドープＧａＮ薄膜および前記第２の電極を第２の透明フィルムで覆うステップと
を更に有することを特徴とする請求項５に記載の作製方法。
【請求項７】
前記第１および第２の透明フィルムは、ラミネートフィルムであることを特徴とする請求項６に記載の作製方法。
【請求項８】
前記第１および第２の透明フィルムは、粘着テープであることを特徴とする請求項６に記載の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯可能、あるいは、貼り付け可能な半導体素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）は、直接遷移型の半導体のｐ−ｎ接合を用いて作製されている。特に、赤、橙、黄、緑色のＬＥＤでは、燐化ガリウム（ＧａＰ）や砒化ガリウム（ＧａＡｓ）系の材料が、緑、青色、および紫外域でのＬＥＤには、窒化ガリウム（ＧａＮ）系の材料が用いられ、市販されている。これらのＬＥＤは、半導体結晶基板（〜０．５ｍｍ）上に結晶成長した薄膜（〜数μｍ）を基本構造としており、耐久性があり、１０年以上の素子寿命を持つ。このようなメリットを有する一方、硬い結晶基板を使用していることから、フレキシブルデバイスや超薄型のシステムにＬＥＤを組み込むためには、基板部分を研磨するなどして薄膜化したり、基板自体を剥離する必要があり、実用化の障壁となっている。一方、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）は、有機発光体や有機半導体などの柔らかい材料を用いた素子であり、身に着けて持ち運べることやディスプレー応用を想定して注目を浴びている。実際に、小型ではあるが有機ＥＬディスプレーは実用化されている。しかし、この材料は、文字通り、有機物を使用しているため、耐久性に問題がある。特に湿気や酸素などの外気に触れるような環境下では、劣化を起こす問題があるため、材料保護の観点から封止する必要がある。
【０００３】
フレキシブルデバイスや超薄型のシステムに薄膜状のＬＥＤなどの薄膜素子を組み込むための手法として、成長用基板上で成長させた薄膜素子を剥離し、第２の基板に貼り付けることが提案され、研究されている。
【０００４】
例えば、ウルツ鉱型ＡｌＧａＩｎＢＮ薄膜は、気相成長法（ＶＰＥ）や有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）により、サファイア基板またはシリコンカーバイト基板上へ成長することが可能である。サファイア基板またはシリコンカーバイト基板から、ＶＰＥ法またはＭＯＣＶＤ法により成長したウルツ鉱型ＡｌＧａＩｎＢＮ薄膜を分離して第２の基板に転写する方法として、２つの方法が提案されている。１つは、サファイア基板上の低温成長ＧａＮバッファ層上に成長したウルツ鉱型ＡｌＧａＩｎＢＮ薄膜に波長２４８ｎｍのエキシマレーザー等を照射してサファイア基板との界面のＧａＮを熱的に溶融し、サファイア基板からウルツ鉱型ＡｌＧａＩｎＢＮ薄膜を分離する方法である。分離したウルツ鉱型ＡｌＧａＩｎＢＮ薄膜は、第２の基板に転写される。この方法を「レーザーリフトオフ」と呼ぶ（非特許文献１参照）。もう１つは、化学的にエッチング可能なＣｒＮバッファ層をサファイア基板上に成長し、そのバッファ層上にウルツ鉱型ＡｌＧａＩｎＢＮ薄膜を成長し、成長後の過塩素酸等による化学的なエッチングにより界面に存在するバッファ層をエッチングしてサファイア基板からウルツ鉱型ＡｌＧａＩｎＢＮ薄膜を分離する方法である。分離したウルツ鉱型ＡｌＧａＩｎＢＮ薄膜は、第２の基板に転写される。この方法を「ケミカルリフトオフ」と呼ぶ（非特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】W. S. Wong, T. Sands, and N. W. Cheung, "Damage-free separation of GaN thin films from sapphire substrates" Applied Physics Letters, Vol. 72, pp. 599, 1998.
【非特許文献２】S. W. Lee, Jun-Seok Ha, Hyun-Jae Lee, Hyo-Jong Lee, H. Goto, T. Hanada, T. Goto, K. Fujii, M. W. Cho, and T. Yao, "Lattice strain in bulk GaN epilayers grown on CrN/sapphire template" Applied Physics Letters, Vol. 94, pp.082105-1, 2009.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、レーザーリフトオフには、レーザーリフトオフ用装置が高価である点、基板１枚ずつのプロセスであるため生産性が低い点、ウルツ鉱型ＡｌＧａＩｎＢＮ薄膜にダメージを与え欠陥等が増加する点等の問題がある。
【０００７】
また、ケミカルリフトオフには、ＣｒＮバッファ層を成長させるためのＲＦスパッタ装置が必要であり、またＣｒＮバッファ層の堆積プロセスが複雑である点、過塩素酸のＣｒＮエッチングプロセスが必要である点等の問題がある。
【０００８】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、サファイア基板上に成長したＬＥＤ構造を当該サファイア基板から分離してできる薄膜化したＬＥＤ等の素子をフィルムやテープに貼り付けることで、素子を保護し、携帯可能な、あるいは、どこかに貼り付けることが可能な素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の窒化物半導体構造は、グラファイト型窒化ホウ素薄膜および前記グラファイト型窒化ホウ素薄膜上のＳｉドープＡｌＧａＮ薄膜で構成されたバッファ層と、前記バッファ層上のＳｉドープＧａＮ薄膜と、前記ＳｉドープＧａＮ薄膜上の多重量子井戸と、前記多重量子井戸上のＭｇドープＧａＮ薄膜とを備えることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の窒化物半導体構造は、前記グラファイト型窒化ホウ素薄膜に蒸着された第１の電極と、前記ＭｇドープＧａＮ薄膜に蒸着された第２の電極と、前記グラファイト型窒化ホウ素薄膜及び前記第１の電極を覆う第１の透明フィルムと、前記ＭｇドープＧａＮ薄膜および前記第２の電極を覆う第２の透明フィルムとを更に有する。
【００１１】
また、本発明の窒化物半導体構造の、前記第１および第２の透明フィルムは、ラミネートフィルムであることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の窒化物半導体構造の、前記第１および第２の透明フィルムは、粘着テープであることを特徴とする。
【００１３】
本発明の窒化物半導体構造の作製方法は、サファイア基板の上にバッファ層を成長するステップと、前記バッファ層の上に窒化物半導体構造を成長させるステップであって、前記バッファ層の上にＳｉドープＧａＮ薄膜を成長させるステップと、前記ＳｉドープＧａＮ薄膜の上に多重量子井戸を成長させるステップと、前記多重量子井戸の上にＭｇドープＧａＮ薄膜を成長させるステップと、を含む、ステップと、前記バッファ層と前記窒化物半導体構造を前記バッファ層から力学的に分離して、剥離窒化物半導体構造を作製するステップとを含み、前記バッファ層は、前記サファイア基板上のグラファイト型窒化ホウ素薄膜および前記窒化ホウ素薄膜上のＳｉドープＡｌＧａＮ薄膜で構成されることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の窒化物半導体構造の作製方法は、前記分離の後に前記グラファイト型窒化ホウ素薄膜に第１の電極を蒸着するステップと、前記分離の前に前記ＭｇドープＧａＮ薄膜に第２の電極を蒸着するステップと、前記グラファイト型窒化ホウ素薄膜及び前記第１の電極を第１の透明フィルムで覆うステップと、前記ＭｇドープＧａＮ薄膜および前記第２の電極を第２の透明フィルムで覆うステップとを更に有することを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の窒化物半導体構造の作製方法の、前記第１および第２の透明フィルムは、ラミネートフィルムであることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の窒化物半導体構造の作製方法の、前記第１および第２の透明フィルムは、粘着テープであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
基板から剥離したＬＥＤをラミネートフィルムやセロファンテープ等の粘着テープなどで覆うことにより、非常に薄い（数μｍ程度の）剥離ＬＥＤを保護することができる。このことにより、軽くてフレキシブル、携帯可能、どこにでも貼って使用できる光源として使用することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明に係る実施例１の窒化物半導体によるＬＥＤ構造の成長の層構造を示す図である。
【図２】図１のＬＥＤ構造に電極を取り付けたＬＥＤ構造を示す図である。
【図３】図２のＬＥＤ構造をラミネートフィルムではさんだＬＥＤ構造を示す図である。
【図４】実施例１のＬＥＤ構造の電流電圧特性を示す図である。
【図５】本発明に係る実施例２の窒化物半導体によるＬＥＤ構造の剥離ＬＥＤ構造の作製の手順を示す図である。
【図６】実施例２のＬＥＤ構造のｐ型電極のエッチングパターンを示す図である。
【図７】実施例２の粘着テープＬＥＤの作製の手順を示す図である。
【図８】実施例２の粘着テープＬＥＤの発光の様子を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
［実施例１］
図１に、本発明の窒化物半導体によるＬＥＤ構造の実施例１の成長の層構造を示す。まず、（０００１）サファイア基板１１を、ＭＯＣＶＤ装置内に導入し、反応炉圧力３００Ｔｏｒｒ、水素ガス雰囲気において、基板温度１０８０℃でサーマルクリーニングを行った。次に、トリエチルボロンとアンモニアを供給することにより、（０００１）ｈ−ＢＮ薄膜１２を、基板温度１０８０℃で成長させた。ｈ−ＢＮ薄膜１２の膜厚は３ｎｍである。次に、ｈ−ＢＮ薄膜１２の上に、トリメチルアルミニウム、トリメチルガリウム、アンモニア、シランを供給することにより、ｎ型ＡｌＧａＮ薄膜として、基板温度１０５０℃でＳｉドープウルツ鉱型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ１３薄膜を成長させた。Ｓｉドープウルツ鉱型ＡｌＧａＮ薄膜１３の膜厚は０．３μｍである。このように、サファイア基板１１にｈ−ＢＮ薄膜１２及びＳｉドープＡｌＧａＮ薄膜１３で構成されるバッファ層を成長し、その上にＬＥＤ構造１０を成長させる。Ｓｉドープウルツ鉱型ＡｌＧａＮ薄膜１３上に、トリメチルガリウム、アンモニア、シランを供給することにより、ｎ型ＧａＮ薄膜として、Ｓｉドープウルツ鉱型ＧａＮ薄膜１４を、基板温度１０５０℃で成長させた。Ｓｉドープウルツ鉱型ＧａＮ薄膜１４の膜厚は２．０μｍである。次に、基板温度を７３０℃に下げ、トリメチルインジウム、トリエチルガリウム、アンモニアを用いて、Ｓｉドープウルツ鉱型ＧａＮ薄膜１４上に、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸１５を成長させた。ＩｎＧａＮ井戸層の厚さは１．８ｎｍであり、１０周期の量子井戸を成長させた。その後、基板温度を再び１０５０℃に上げて、トリメチルガリウム、アンモニア、シクロペンタジエニルマグネシウムを用いて、ｐ型ＧａＮ薄膜として、Ｍｇドープウルツ鉱型ＧａＮ薄膜１６を基板温度１０５０℃で成長させ、ＬＥＤ構造を作製した。その後、Ｍｇアクセプタの活性化のために、窒素雰囲気中、７００℃において１０分間アニールを行った。
【００２０】
Ｓｉのドーピング濃度は２×１０１８ｃｍ−３、Ｍｇのドーピング濃度は３×１０１９ｃｍ−３である。また、多重量子井戸のＩｎＧａＮのＩｎ組成は０．１５である。さらにＧａＮ障壁層の膜厚は３．７ｎｍである。
【００２１】
ｈ−ＢＮ薄膜１２の厚さは一原子層以上であれば、ｈ−ＢＮ薄膜１２およびＡｌＧａＮ薄膜１３で構成されるバッファ層上に、上記ＬＥＤ構造を成長させることができる。同様に、ｈ−ＢＮ薄膜１２の代わりにｔ−ＢＮ薄膜を用いたバッファ層上にも、上記ＬＥＤ構造を成長させることができる。ＳｉドープＡｌＧａＮ薄膜１３のＡｌ組成は、１０％以上であれば、ｈ−ＢＮ薄膜１２およびＳｉドープＡｌＧａＮ薄膜１３で構成されるバッファ層上に上記ＬＥＤ構造を成長させることができる。また、ＳｉドープＡｌＧａＮ薄膜１３の膜厚は０．１μｍ以上であれば、上記ＬＥＤ構造を成長させことができる。また、バッファ層を構成するＳｉドープＡｌＧａＮ薄膜１３のＡｌ組成は、ｈ−ＢＮ薄膜１２上からＳｉドープウルツ鉱型ＧａＮ薄膜１４に向けて、１０％から０％と傾斜組成構造にしても良い。
【００２２】
ホール効果測定から、Ｓｉドープウルツ鉱型ＧａＮ薄膜１４は、ｎ型を示し、キャリア濃度は２×１０１８ｃｍ−３、移動度は１６０ｃｍ２／Ｖｓであり、Ｍｇドープウルツ鉱型ＧａＮ薄膜１６は、ｐ型を示し、キャリア濃度は１×１０１７ｃｍ−３、移動度は８ｃｍ２／Ｖｓであった。
【００２３】
次に、成長させたＬＥＤ構造１０に電極を取り付ける。図２は本発明の１実施例の電極を取り付けたＬＥＤ構造２０を示す図である。まず、ＬＥＤ構造１０の試料全面（ＭｇドープＧａＮ１６上）にｐ型用の電極となるＰｄ／Ａｕ１７を５ｎｍ／５ｎｍ蒸着した。このような膜厚の電極にした理由は、配線との良好な接触を保ちつつ、ＬＥＤからの発光を透過するためである。表面側より光を取り出さない場合は、ｐ型用の電極となるＰｄ／Ａｕ１７を必ずしも透明あるいは半透明電極にする必要はない。その場合は、裏面より光を取り出すため、裏面電極は、透明あるいは半透明電極にしたほうが、光取り出しの観点からは良い。次に、フォトリソグラフィとウェットエッチングによって、ｐ型用電極Ｐｄ／Ａｕ１７を円形の電極となるようにパターニングした。
【００２４】
その後、機械的な力を加えることにより、ＬＥＤ構造をサファイア基板１１から剥離する（剥離ＬＥＤ）。サファイア基板１１上の上記ＬＥＤ構造は、サファイア基板１１上とＳｉドープＡｌＧａＮとの層間が、ファンデアワールス力で結合しているｈ−ＢＮ薄膜１２で接合されている。したがって、ファンデルワールス力の結合力以上の機械的な力を加えることにより、ＬＥＤ構造を簡単にサファイア基板１１から剥離することが可能となる。
【００２５】
剥離ＬＥＤ構造の裏面のｎ型層とコンタクトをとるために、１７０℃程度に熱して溶かしたＩｎの表面をなぞるようにすることで、剥離ＬＥＤのｎ型の面に溶かしたＩｎ１８を付ける。このようにすることで、ｎ型層へのコンタクトが改善される。
【００２６】
次に、市販のラミネートフィルムにより剥離ＬＥＤ２０をはさんでＬＥＤを作製する。図３は、剥離ＬＥＤ２０をラミネートフィルムではさんだＬＥＤの構造図である。まず、第１のラミネートフィルム（１００μｍ厚）に第１の配線となるＰｄ／Ａｕ２１を蒸着した。第１の配線を施した面及び第２の配線を施した面を表とする。第１の配線を施した第１のラミネートフィルム２３表面に、電極１７及び１８を作製した剥離ＬＥＤ２０を配置する。この時、剥離ＬＥＤ２０裏面のＩｎ１８と第１のラミネートフィルム２３上の第１の配線Ｐｄ／Ａｕ２１が接触するように配置する。次に、もう一枚の配線である第２のＰｄ／Ａｕ配線２２を施した第２のラミネートフィルム２４を表面同士が張り合わされるように、静かに重ね合わせる。この時、第１及び第２のラミネートフィルム２３、２４上に蒸着された第１及び第２の配線２１、２２が接触しないようにし、上から重ね合わせた第２の配線２２が剥離ＬＥＤ２０の表側のＰｄ／Ａｕ電極１７に接触するよう重ねなければならない。このように剥離ＬＥＤ２０を、配線２１、２２を施したラミネートフィルム２３、２４ではさんだ後に、約１１０℃程度で熱圧着する。２枚のラミネートフィルム２３、２４上の配線２１、２２が完全に覆われてしまうようなサイズのフィルムを使用すると、熱圧着後、配線２１、２２とコンタクトが取れなくなる。従って、フィルムは、２枚を重ね合わせた際に、両配線２１、２２の一部分が露出するようなサイズにしなければならない。
【００２７】
上記ＬＥＤ構造の電流電圧特性を、図４に示す。明瞭な整流特性を示しており、良好なダイオード構造が形成されていることが確認できた。また、青紫色発光が目視で観測された。本発明の転写されたＬＥＤの電流注入発光スペクトルから、波長４３０ｎｍにピークを有する青紫色の電流注入発光スペクトルが明瞭に得られた。
【００２８】
［実施例２］
図１に示す成長の層構造と同様の層構造を有するＬＥＤ構造をＭＯＣＶＤ法により作製した。剥離ＬＥＤ３０の作製の手順を図５に示す。Ｍｇアクセプタの活性化のために、窒素雰囲気中、７００℃において１０分間アニールを行った。次に、試料全面（ＭｇドープＧａＮ１６上）にｐ型用の電極となるＰｄ／Ａｕ３１を５ｎｍ／５ｎｍ蒸着した。このような膜厚の電極にした理由は、配線との良好な接触を保ちつつ、ＬＥＤからの発光を透過するためである。表面側より光を取り出さない場合は、ｐ型用の電極３１は、必ずしも透明あるいは半透明電極にする必要はない。その場合は、裏面より光を取り出すため、裏面電極は、透明あるいは半透明電極にしたほうが、光取り出しの観点からは良い。次に、フォトリソグラフィとウェットエッチングにより、図６のようなパターンを作製した。続いてＣｌ２系のＥＣＲプラズマエッチング装置により、上記パターンをＰｄ／Ａｕ３１のマスクとしてｎ型層（ＳｉドープＧａＮ１４層）に達するまでエッチングし、メサ構造を作製した。ここで、エッチングに関しては、必ずしも、ｎ型層に達する必要はなく、エッチングにより残ったｐ型層が十分空乏し高抵抗化するようなエッチング深さでもよい。また、メサ構造の作製は、素子に流れる電流が電極部分から広がらず、効率的に発光層（活性層）に流れることを主な目的としているため、必ずしもメサ構造にする必要はない。次に、プラズマエッチングによって露出した面には、露出面の保護（パッシベーション）の目的と、ｎ型の面が出ている場合は、配線時にｐ型層と短絡してしまうため、アイソレーションのために絶縁膜を堆積する。今回は、ＥＣＲプラズマスパッタによってＳｉＯ２３２を５０ｎｍ堆積した。次に、機械的な力を加えることにより、ＬＥＤ構造３０をサファイア基板から剥離する。剥離したＬＥＤ構造３０の裏面のｎ型層にＡｌ／Ａｕ３３を５ｎｍ／５ｎｍ蒸着する。この膜厚にする理由は、表面に作製した電極と同じ理由である。裏面からの光取り出しを考えない場合は、Ａｌ／Ａｕ３３を５ｎｍ／５ｎｍより厚くしても問題ない。
【００２９】
次に、剥離ＬＥＤ３０をセロファンテープ等の粘着テープ（５０μｍ厚）でサンドイッチしたＬＥＤの作製法を述べる。図７は、実施例２の粘着テープＬＥＤ４０の作製の手順を示す図である。透明な第１の粘着テープ４１を、粘着面を上にして机等に固定する。粘着面上に５０φの第１の金線４３を配置する。次に、適当な大きさに切った第１のアルミフォイル４５を２枚、第１の金線４３の上から第１の粘着テープ４１に貼り付ける。こうすることで、第１の金線４３と第１のアルミフォイル４５が接触するため、第１のアルミフォイル４５を電極として使用することができる。続いて、第１の金線４３の上に剥離ＬＥＤ３０を配置する。この時、剥離ＬＥＤ３０の裏面のＡｌ／Ａｕ３３と第１の金線４３が接触するようにして配置し、剥離ＬＥＤ３０を第１の金線４３越しに粘着テープ４１に貼り付ける。剥離ＬＥＤ３０を貼り付けた後、剥離ＬＥＤ３０の表面側にパターニングされたＰｄ／Ａｕ３１上に第２の金線４４を配置する。この時、裏面と接触している第１の金線４３と直接接触しないようにする。第２の金線４４の上には、第１の金線４３と同様に、適当な大きさに切った第２のアルミフォイル４６を第１の粘着テープ４１に貼り付ける。このようにして、剥離ＬＥＤ３０の表面側の電極３１と第２のアルミフォイル４６をコンタクトする。最後に、机に固定した第１の粘着テープ４１の粘着面と新たな第２の粘着テープ４２の粘着面が貼り合わさるような向きで、粘着テープ同士を貼り付ける。第１及び第２のアルミフォイル４５、４６は全部テープで覆わず、一部分を露出したままにする。
【００３０】
このようにして作製した第１及び第２の粘着テープ４１、４２ではさんだ剥離ＬＥＤ３０の発光の様子を図８に示す。剥離プロセスやテープに貼り付けるプロセスを通しても、ＬＥＤとして機能していることが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００３１】
基板から剥離したＬＥＤをラミネートフィルムや粘着テープなどで覆うことにより、非常に薄い（数μｍ程度の）剥離ＬＥＤを保護することができる。このことにより、軽くてフレキシブル、携帯可能、どこにでも貼って使用できる光源として使用することができるようになる。
【００３２】
透明で接着可能な２枚のフィルム、シートあるいはテープ等で、ＬＥＤ薄膜をサンドイッチすることを特徴としている。
【符号の説明】
【００３３】
１０  ＬＥＤ成長の層構造
１１  サファイア基板
１２  ｈ−ＢＮ
１３  ＳｉドープＡｌＧａＮ
１４  ＳｉドープＧａＮ
１５  ＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸
１６  ＭｇドープＧａＮ
１７  Ｐｄ／Ａｕ電極
１８  Ｉｎ電極
２０  剥離ＬＥＤ構造
２１、２２  Ｐｄ／Ａｕ導線
２３、２４  ラミネートフィルム
３１、３３  半透明Ｐｄ／Ａｕ電極
３２  ＳｉＯ
４１、４２  粘着テープ
４３、４４  金線
４５、４６  アルミフォイル
【図１】
2014075527.tif 000003
【図２】
2014075527.tif 000004
【図３】
2014075527.tif 000005
【図４】
2014075527.tif 000006
【図５】
2014075527.tif 000007
【図６】
2014075527.tif 000008
【図７】
2014075527.tif 000009
【図８】
2014075527.tif 000010