(57)【要約】【課題】壁部の温度の異なるチャンバを使い分けることができる処理システムを提供することを課題とする。【解決手段】その中に基板を搬送する搬送装置を有する真空に保持された搬送室５と、搬送室５に連結され、基板に対して所定の処理を行う処理ユニット１〜４とを具備し、処理ユニット１〜４は、その中で基板に対して所定の処理が行われる第１のチャンバ５１と、第１のチャンバ５１内に着脱可能とされ、装着時にその中で基板に対して所定の処理が行われる第２のチャンバ８１とを有し、第１のチャンバ５１と第２のチャンバ８１とは、壁部が異なる温度に保持される。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
その中に基板を搬送する搬送装置を有する真空に保持された搬送室と、前記搬送室に連結され、基板に対して所定の処理を行う１または複数の処理ユニットとを具備し、
前記処理ユニットは、
その中で基板に対して所定の処理が行われる第１のチャンバと、
前記第１のチャンバ内に着脱可能とされ、装着時にその中で基板に対して所定の処理が行われる第２のチャンバと
を有し、
前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとは、壁部が異なる温度に保持されることを特徴とする処理システム。
【請求項２】
前記第１のチャンバと前記搬送室のチャンバとは一体に設けられており、前記第１のチャンバは、壁部が前記搬送室に熱影響を与える加熱または冷却がなされない状態とされ、前記第２のチャンバは、壁部が加熱または冷却された状態とされることを特徴とする請求項１に記載の処理システム。
【請求項３】
前記第２のチャンバが装着された際に、前記第１のチャンバと断熱状態となっていることを特徴とする請求項２に記載の処理システム。
【請求項４】
前記第２のチャンバの装着時に、前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとは、空間を介して配置され、空間を真空状態にすることにより真空断熱されることを特徴とする請求項３に記載の処理システム。
【請求項５】
前記所定の処理は真空状態で行われる処理であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の処理システム。
【請求項６】
その中に基板を搬送する搬送装置を有する真空に保持された搬送室と、前記搬送室に連結され、基板に対して所定の処理を行う１または複数の処理ユニットとを具備し、
前記処理ユニットは、
壁部が前記搬送室に熱影響を与える加熱または冷却がなされない状態で、その中で基板に対して所定の処理が行われる第１のチャンバと、
前記第１のチャンバ内に着脱可能とされ、装着時にその中でその壁部が加熱または冷却された状態で基板に対して所定の処理が行われる第２のチャンバと
を有し、
前記第１のチャンバは、前記搬送室のチャンバと一体に設けられ、
前記第２のチャンバは、前記第１のチャンバに装着された際に、前記第１のチャンバに対して断熱状態であることを特徴とする処理システム。
【請求項７】
前記所定の処理は真空状態で行われる処理であり、前記第２のチャンバの装着時に、前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとは、空間を介して配置され、処理を行う際の真空引きにより、前記空間を真空状態にすることにより真空断熱されることを特徴とする請求項６に記載の処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体ウエハ等の被処理体に成膜処理等を施すための処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程においては、被処理基板である半導体ウエハ（以下、単にウエハと記す）に対し、成膜処理やエッチング処理等の真空雰囲気で行われる真空処理が多用されている。最近では、このような真空処理の効率化の観点、および酸化やコンタミネーション等の汚染を抑制する観点から、複数の処理ユニットを真空に保持される搬送室に連結し、この搬送室に設けられた搬送装置により各処理ユニットにウエハを搬送可能としたクラスターツール型のマルチチャンバタイプの真空処理システムが注目されている（例えば特許文献１）。
【０００３】
このようなマルチチャンバ処理システムにおいては、コスト削減、フットプリント縮小、シール削減等の目的で、搬送室のチャンバと処理ユニットのチャンバとを一体に製造する場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２０８５８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、処理ユニットとしては、デポ抑制や、副生成物付着防止のために、チャンバ壁自体を加熱するホットウォールタイプのものがあり、その場合には、一体チャンバ全体を加熱することになり、搬送室側の断熱機構の増加や、耐熱使用部品の増加等をもたらし、技術面でもコスト面でも問題となる。また、逆に、チャンバ壁自体を極低温に冷却したい場合もあり、そのような場合にも、一体チャンバ全体を冷却することとなり不都合が生じる。
【０００６】
また、一体チャンバを用いる場合に限らず、コールドウォールタイプおよびホットウォールタイプ等、壁部の温度の異なるチャンバを使い分けたい場合があるが、従来のマルチチャンバ処理システムではこのような場合に十分に対応することができない。
【０００７】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、壁部の温度の異なるチャンバを使い分けることができる処理システムを提供することを課題とする。また、処理ユニットのチャンバから搬送室等に対する熱影響を抑制することができる処理システムを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明の第１の観点では、その中に基板を搬送する搬送装置を有する真空に保持された搬送室と、前記搬送室に連結され、基板に対して所定の処理を行う１または複数の処理ユニットとを具備し、前記処理ユニットは、その中で基板に対して所定の処理が行われる第１のチャンバと、前記第１のチャンバ内に着脱可能とされ、装着時にその中で基板に対して所定の処理が行われる第２のチャンバとを有し、前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとは、壁部が異なる温度に保持されることを特徴とする処理システムを提供する。
【０００９】
上記第１の観点において、前記第１のチャンバと前記搬送室のチャンバとは一体に設けられており、前記第１のチャンバは、壁部が前記搬送室に熱影響を与える加熱または冷却がなされない状態とされ、前記第２のチャンバは、壁部が加熱または冷却された状態とされる構成とすることができる。この場合に、前記第２のチャンバが装着された際に、前記第１のチャンバと断熱状態となっていることが好ましい。また、前記第２のチャンバの装着時に、前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとは、空間を介して配置され、空間を真空状態にすることにより真空断熱される構成とすることができる。また、前記所定の処理は真空状態で行われる処理とすることができる。
【００１０】
本発明の第２の観点では、その中に基板を搬送する搬送装置を有する真空に保持された搬送室と、前記搬送室に連結され、基板に対して所定の処理を行う１または複数の処理ユニットとを具備し、前記処理ユニットは、壁部が前記搬送室に熱影響を与える加熱または冷却がなされない状態で、その中で基板に対して所定の処理が行われる第１のチャンバと、前記第１のチャンバ内に着脱可能とされ、装着時にその中でその壁部が加熱または冷却された状態で基板に対して所定の処理が行われる第２のチャンバとを有し、前記第１のチャンバは、前記搬送室のチャンバと一体に設けられ、前記第２のチャンバは、前記第１のチャンバに装着された際に、前記第１のチャンバに対して断熱状態であることを特徴とする処理システムを提供する。
【００１１】
上記第２の観点において、前記所定の処理は真空状態で行われる処理であり、前記第２のチャンバの装着時に、前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとは、空間を介して配置され、処理を行う際の真空引きにより、前記空間を真空状態にすることにより真空断熱される構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、処理ユニットは、その中で基板に対して所定の処理が行われる第１のチャンバと、第１のチャンバ内に着脱可能とされ、装着時にその中で基板に対して所定の処理が行われる第２のチャンバとを有し、第１のチャンバと第２のチャンバとは、壁部が異なる温度に保持されるので、壁部の温度の異なるチャンバを使い分けることができる。例えば、コールドウォールタイプの処理ユニットで処理したい場合には、第１のチャンバ内で処理を行い、ホットウォールタイプの処理ユニットで処理したい場合には、壁部に加熱機構を設けた第２のチャンバを装着してその中で処理を行うことができ、コールドウォールタイプおよびホットウォールタイプを使い分けることができる。
【００１３】
また、第２のチャンバを一体チャンバを構成する第１のチャンバに対して着脱可能とし、第２のチャンバの壁部が加熱または冷却された状態で基板に対して処理を行う場合に、第１のチャンバとは断熱した状態で第２のチャンバを装着し、その中で処理を行うので、第２のチャンバの熱または冷熱が処理ユニットのチャンバへ伝熱することが抑制され、一体チャンバの全体が加熱または冷却されることがない。このため、搬送室側が加熱されることを抑制する、搬送室側の断熱機構の増加や、耐熱使用部品の増加等をもたらすことがなく、また搬送室側が冷却されることによる不都合も生じない。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施形態に係るマルチチャンバ真空処理システムの概略構造を示す水平断面図である。
【図２】図１のマルチチャンバ真空処理システムにおいて、搬送室のチャンバと処理ユニットのチャンバとを一体に設けた一体チャンバを示す平面図である。
【図３】図１のマルチチャンバ真空処理システムにおいて、搬送室のチャンバと処理室のチャンバとを一体に設けた一体チャンバを示す断面図である。
【図４】処理ユニットのチャンバ内で処理を行う場合の処理ユニットの状態を示す断面図である。
【図５】処理ユニットのチャンバ内に加熱チャンバを装着した状態を示す断面図である。
【図６】加熱チャンバ内で処理を行う場合の処理ユニットの状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について具体的に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係るマルチチャンバ真空処理システムの概略構造を示す水平断面図である。
【００１６】
このマルチチャンバ真空処理システムは、平面形状が六角形をなし、６つの側壁を有するチャンバ５ａを備えた搬送室５を具備しており、そのチャンバ５ａの４つの側壁には、ゲートバルブＧを介して４つの処理ユニット１、２、３、４が接続されている。そして、チャンバ５ａの上に蓋体（図示せず）を載せた状態で搬送室５が構成される。搬送室５のチャンバ５ａの他の２つの側壁にはそれぞれゲートバルブＧ１を介してロードロック室６、７が設けられている。
【００１７】
これらロードロック室６、７の搬送室５側と反対側には搬入出室８が設けられており、搬入出室８のロードロック室６、７と反対側には被処理基板としてのウエハＷを収容可能な３つのフープ（ＦＯＵＰ；Ｆｒｏｎｔ  Ｏｐｅｎｉｎｇ  Ｕｎｉｆｉｅｄ  Ｐｏｄ）を取り付けるポート９、１０、１１が設けられている。ロードロック室６、７と搬入出室８との間には、それぞれゲートバルブＧ２が設けられている。
【００１８】
処理ユニット１、２、３、４は、被処理基板であるウエハＷに対し、所定の真空処理、例えば成膜処理やエッチングを行うようになっている。
【００１９】
処理ユニット１〜４は、対応するゲートバルブＧを開放することにより搬送室５と連通され、対応するゲートバルブＧを閉じることにより搬送室５から遮断される。また、ロードロック室６，７は、ゲートバルブＧ１を開放することにより搬送室５に連通され、ゲートバルブＧ１を閉じることにより搬送室５から遮断される。また、ロードロック室６，７は、ゲートバルブＧ２を開放することにより搬入出室８に連通され、ゲートバルブＧ２を閉じることにより搬入出室８から遮断される。
【００２０】
搬送室５のチャンバ５ａ内には、処理ユニット１〜４、ロードロック室６，７に対して、ウエハＷの搬入出を行う搬送装置１２が設けられている。この搬送装置１２は、搬送室５の略中央に配設されており、ベース１２ａと、回転および伸縮可能な回転・伸縮部１３と、その先端に設けられたウエハＷを支持する２つの支持アーム１４ａ，１４ｂとを有しており、これら２つの支持アーム１４ａ，１４ｂは互いに反対方向を向くように回転・伸縮部１３に取り付けられている。この搬送室５内は所定の真空度に保持されるようになっている。
【００２１】
ロードロック室６，７は、冷却機能を有するステージ４１およびその他の必要な機能部材（図示せず）を有しており、その中を大気雰囲気と真空雰囲気との間で短時間で切替可能な小容量空間となっている。
【００２２】
搬入出室８のフープ取り付け用の３つのポート９，１０、１１にはそれぞれ図示しないシャッターが設けられており、これらポート９，１０，１１にウエハＷを収容した、または空のフープＦがステージＳに載置された状態で直接取り付けられ、取り付けられた際にシャッターが外れて外気の侵入を防止しつつ搬入出室８と連通するようになっている。また、搬入出室８の側面にはアライメントチャンバ１５が設けられており、そこでウエハＷのアライメントが行われる。
【００２３】
搬入出室８内には、フープＦに対するウエハＷの搬入出およびロードロック室６，７に対するウエハＷの搬入出を行う搬送装置１６が設けられている。この搬送装置１６は、多関節アーム構造を有しており、フープＦの配列方向に沿ってレール１８上を走行可能となっていて、その先端の支持アーム１７上にウエハＷを載せてその搬送を行う。
【００２４】
このマルチチャンバ真空処理システムは、各構成部を制御するマイクロプロセッサ（コンピュータ）からなる制御部３０を有しており、各構成部がこの制御部３０に接続されて制御される構成となっている。
【００２５】
図２、３に示すように、処理ユニット１〜４（図３では１つのみ図示）は、第１のチャンバ５１を有し、この第１のチャンバ５１は、搬送室５のチャンバ５ａと一体に設けられて一体チャンバ６１を構成している。
【００２６】
搬送室５のチャンバ５ａの底には、搬送装置１２が挿入される円形の孔２２が形成されており、処理ユニット１〜４の第１のチャンバ５１の底には、排気機構が装着される円形の孔５２が形成されている。また、チャンバ５ａおよび第１のチャンバ５１の側壁における、それらの接続部分の互いに対応する位置に、それぞれ搬入出口２３および５６が形成されており、搬入出口２３と５６との間には、ゲートバルブが昇降するための空間５３が形成されている。また、第１のチャンバ５１の底には、後述する第２のチャンバが装着された際にゲートバルブの昇降に用いる孔５４が形成されている。また、第１のチャンバ５１およびチャンバ５ａの上部開口はそれぞれ蓋体５５および２４で塞がれるようになっている。
【００２７】
処理ユニット１〜４の第１のチャンバ５１内は、後述する第２のチャンバ８１が着脱可能となっている。第１のチャンバ５１はコールドウォールタイプの処理ユニットのチャンバとして用いることができ、チャンバ壁を加熱する必要がないときには、第２のチャンバ８１を装着することなく、図４に示すように、第１のチャンバ５１内に載置台７２、シャワーヘッド７５等を装着し、さらに排気機構を装着してチャンバ５１内で所定の処理、例えば成膜処理を行うようにする。なお、第１のチャンバ５１の壁部は、搬送室５に対する熱影響を与える加熱および冷却はなされないようになっている。
【００２８】
具体的には、図示するように、第１のチャンバ５１の下の孔５２の周囲に、排気室７１を装着し、排気室７１に接続された配管７４にバルブや真空ポンプを接続して排気機構を構成し、排気室７１の底部から第１のチャンバ５１内に向かって垂直に延びる支持部材７３に支持されるようにヒーターを備えた載置台７２を設け、蓋体５５の裏面側に処理ガスを第１のチャンバ５１内へ導入するためのシャワーヘッド７５を設ける。そして、蓋体５５上面に設けられたガス導入口（図示せず）からシャワーヘッド７５を介して第１のチャンバ５１内に処理ガスが導入されるようにする。搬入出口５６は、空間５３内を昇降するゲートバルブＧにより開閉するようにし、ゲートバルブＧの昇降ロッド７６と空間５３を形成する底壁（図示せず）は真空シールされ、また孔５４も真空シールされる。
【００２９】
これにより、例えば、第１のチャンバ５１内で載置台７２上のウエハＷを加熱しつつ、シャワーヘッド７５から所定の処理ガスを第１のチャンバ５１内に導入して、ウエハＷに対してＣＶＤ成膜処理を行うことができる。
【００３０】
第１のチャンバ５１は、その内部に、壁部を加熱する機構を有する第２のチャンバ８１を装着することができる構造となっており、第２のチャンバ８１を装着した状態でホットウォールタイプの処理ユニットが構成される。したがって、チャンバ壁を加熱しながら処理する必要がある場合には、図５に示すように、第１のチャンバ５１内に第２のチャンバ８１を装着する。第２のチャンバ８１の壁部には、壁部を加熱する機構であるヒーター９１が埋設されている。第２のチャンバ８１は、第１のチャンバ５１に対して断熱状態で装着できるように、形状、大きさが決められている。
【００３１】
第２のチャンバ８１は、上部にフランジ８１ａが形成されており、フランジ８１ａがウルテム（登録商標）のような断熱部材８６を介して第１のチャンバ５１の上端に係合されるようになっており、これにより第２のチャンバ８１が第１のチャンバ５１内で位置決めされる。フランジ８１ａと断熱部材８６との間、および断熱部材８６と第１のチャンバ５１の上端との間にはシール部材８８が設けられており、真空シールされるようになっている。
【００３２】
第２のチャンバ８１を装着した際に、第１のチャンバ５１と第２のチャンバ８１との間には空間８５が形成されるようになっている。これにより、真空引きした際に、これらの間が真空となってこれらの間が真空断熱される。また、第１のチャンバ５１の底部と第２のチャンバ８１の底部との間にも、断熱部材８６がシール部材８８を介して設けられている。
【００３３】
第２のチャンバ８１の底の、孔５２に対応する位置には、孔８２が形成されている。また、第２のチャンバ８１の側壁の搬入出口５６に対応する部分には搬入出口８３が設けられている。蓋体５５は、第２のチャンバ８１の上部開口を塞ぐように装着され、第２のチャンバ８１内に処理空間が形成され、ホットウォールタイプの処理ユニットのチャンバとして用いることができる。
【００３４】
そして、図６に示すように、第２のチャンバ８１内に載置台７２、シャワーヘッド７５等を装着し、蓋体５５上面に設けられたガス導入口（図示せず）からシャワーヘッド７５を介して第２のチャンバ８１内に処理ガスが導入されるようにする。さらに排気機構を装着して第２のチャンバ８１内でチャンバ壁を加熱しつつ所定の処理、例えば成膜処理を行うようにする。
【００３５】
具体的には、図示するように、第１のチャンバ５１の下の孔５２の周囲に、排気室７１を装着し、排気室７１に接続された配管７４にバルブや真空ポンプを接続して排気機構を構成し、排気室７１の底部から孔８２を介して第２のチャンバ８１内に垂直に延びる支持部材７３に支持されるようにヒーターを備えた載置台７２を設け、蓋体５５の裏面側に処理ガスを第２のチャンバ８１内へ導入するためのシャワーヘッド７５を設ける。そして、蓋体５５上面に設けられたガス導入口（図示せず）からシャワーヘッド７５を介して第２のチャンバ８１内に処理ガスが導入されるようにする。搬入出口８３は、ゲートバルブＧにより開閉可能となっている。このときのゲートバルブＧの昇降ロッド８７は、第１のチャンバ５１の底部に設けられた孔５４を介して昇降される。昇降ロッド８７と第１のチャンバ５１の底壁との間は真空シールされ、また、空間５３を形成する底壁（図示せず）も真空シールされる。
【００３６】
これにより、例えば、ヒーター９１により第２のチャンバ８１の壁部を加熱し、その中で載置台７２上のウエハＷを加熱しながら、シャワーヘッド７５から所定の処理ガスを第２のチャンバ８１内に導入して、ウエハＷに対してＣＶＤ成膜処理を行うことができる。
【００３７】
次に、以上のように構成されるマルチチャンバ真空処理システムの動作について説明する。
【００３８】
まず、搬送装置１６により搬入出室８に接続されたフープＦからウエハＷを取り出し、ロードロック室６（または７）に搬入する。このとき、ロードロック室６（または７）内を大気雰囲気にした後、ゲートバルブＧ２を開放してウエハＷをその中に搬入し、ステージ４１上に載置する。
【００３９】
そして、そのロードロック室内を搬送室５に対応する圧力になるまで真空排気し、ゲートバルブＧ１を開放して搬送装置１２の支持アーム１４ａまたは１４ｂによりウエハＷを受け取って、いずれかの処理ユニットのゲートバルブＧを開いてその中にウエハＷを搬入し、ウエハＷに対して所定の真空処理を行う。
【００４０】
真空処理が終了した時点で、ゲートバルブＧを開放し、搬送装置１２の支持アーム１４ａまたは１４ｂが対応する処理ユニットからウエハＷを搬出し、ロードロック室６または７のゲートバルブＧ１を開放し、そのロードロック室内にウエハＷを搬入し、冷却機能を有するステージ４１上に載置してウエハＷを冷却する。
【００４１】
冷却終了後、搬出する際には、そのロードロック室にパージガスを流してその中を大気圧にし、ゲートバルブＧ２を開けてウエハＷを搬送装置１６の支持アーム１７により大気雰囲気の搬入出室８に取り出し、フープＦに収納する。
【００４２】
本実施形態では、コスト削減、フットプリント縮小、シール削減等の目的で、搬送室５のチャンバ５ａと処理ユニット１〜４の第１のチャンバ５１とを一体に設けて一体チャンバ６１を構成している。
【００４３】
このような構成において、処理ユニット１〜４を、チャンバ壁自体を加熱するホットウォールタイプのものとして第１のチャンバ５１の壁部を加熱しようとすると、一体チャンバ６１の全体を加熱せざるを得ず、搬送室５側の断熱機構の増加や、耐熱使用部品の増加等をもたらしてしまう。また、従来では、処理ユニット１〜４はコールドウォールタイプおよびホットウォールタイプのいずれかのタイプに限られ、これらを使い分けることはできない。
【００４４】
これに対し、本実施形態では、一体チャンバ６１を構成する第１のチャンバ５１の壁部にはヒーターが設けられておらず、コールドウォールタイプの処理ユニットとして成膜処理等の所定の処理を行えるようになっており、ホットウォールタイプの処理ユニットとして使用したい場合には、第１のチャンバ５１内に第２のチャンバ８１を断熱状態で装着する。
【００４５】
すなわち、コールドウォールタイプの処理ユニットで処理を行いたい場合には、第１のチャンバ５１内に載置台７２、シャワーヘッド７５等を配置し、さらに排気機構を装着する。そして、載置台７２上にウエハＷを載置し、排気機構により真空引きを行うことによりチャンバ５１内を所定の真空雰囲気にして、載置台７２内のヒーター（図示せず）によりウエハＷを加熱しつつウエハＷに対して成膜等の所定の処理を行う。
【００４６】
一方、ホットウォールタイプの処理ユニットでの処理を行いたい場合には、壁部にヒーター９１を内蔵した第２のチャンバ８１を第１のチャンバ５１内に装着し、第２のチャンバ８１内に載置台７２、シャワーヘッド７５等を配置し、さらに排気機構を装着する。そして、載置台７２上にウエハＷを載置し、排気機構により真空引きを行うことにより第２のチャンバ８１内を所定の真空雰囲気にするとともに、第１のチャンバ５１と第２のチャンバ８１との間の空間８５も真空にしてこれらの間を真空断熱状態とし、チャンバ壁を加熱し、かつ載置台７２内のヒーター（図示せず）によりウエハＷを加熱しつつウエハＷに対して成膜等の所定の処理を行う。
【００４７】
このように、第２のチャンバ８１を一体チャンバ６１の構成要素である第１のチャンバ５１に対して着脱可能とし、ホットウォールタイプの処理ユニットとして処理を行う場合に、第１のチャンバ５１とは断熱した状態で第２のチャンバ８１を装着し、その中で処理を行うので、第２のチャンバ８１の熱が第１のチャンバ５１へ伝熱することが抑制され、一体チャンバ６１の全体が加熱されることがない。このため、搬送室５側の断熱機構の増加や、耐熱使用部品の増加等をもたらすことがない。
【００４８】
また、コールドウォールタイプの処理ユニットで処理したい場合には、第２のチャンバ８１を装着することなく第１のチャンバ５１内で処理を行い、ホットウォールタイプの処理ユニットで処理したい場合には、第２のチャンバ８１を装着してその中で処理を行うことができるので、コールドウォールタイプおよびホットウォールタイプを使い分けることができる。
【００４９】
なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態では、第２のチャンバを、壁部を加熱するホットウォールチャンバとして構成したが、これに限らず、壁部を冷却して、例えば壁部からのガス放出量を低減する場合等に適用可能である。このような冷却が必要な場合と、冷却が不要な場合とでチャンバ壁部の温度が異なるが、このような使い分けの場合にも本発明が有効である。また、このように冷却する場合は、例えば−３０℃程度の低い温度になると、一体チャンバでは搬送室に対して悪影響を及ぼすが、本発明のように第２のチャンバを冷却するようにすれば、そのような不都合が生じない。
【００５０】
また、上記実施形態では、処理ユニットを４つ設けたマルチチャンバ真空処理システムを例にとって説明したが、これらの数に限定されるものではない。また、本発明の処理システムは真空処理システムに限るものでもない。
【００５１】
また、上記実施形態では、搬送室のチャンバ５ａと処理ユニットの第１のチャンバ５１とを一体チャンバ６１として構成した例について示したが、コールドウォールタイプおよびホットウォールタイプを使い分けるという観点からは、このような一体チャンバとする場合に限定されるものでないことはいうまでもない。
【００５２】
さらに、上記実施形態では、第１のチャンバ５１や第２のチャンバ８１内に載置台７２、シャワーヘッド７５を設け、さらに排気室７１を装着した処理ユニットを例示したが、これは単なる例示に過ぎず、これに限定されず種々の装置に適用可能であり、例えば、プラズマ生成機構を備えたものであってもよい。
【００５３】
さらにまた、第１のチャンバ５１と第２のチャンバ８１との断熱を真空断熱とした例について示したが、これらの間に断熱材を介在させて断熱してもよい。また、搬送室のチャンバ５ａと処理ユニットの第１のチャンバ５１とを一体に設けない場合には、必ずしも断熱は必要ではない。
【００５４】
さらにまた、被処理基板についても、半導体ウエハに限らず、ＦＰＤ用ガラス基板などの他のものを対象にすることができる。
【符号の説明】
【００５５】
１〜４；処理ユニット
５；搬送室
５ａ；チャンバ
６，７；ロードロック室
８；搬入出室
１２，１６；搬送装置
５１；第１のチャンバ
６１；一体チャンバ
８１；第２のチャンバ
８５；空間
８６；断熱部材
９１；ヒーター
Ｇ，Ｇ１，Ｇ２；ゲートバルブ
Ｗ；ウエハ
【図１】
2014060256.tif 000003
【図２】
2014060256.tif 000004
【図３】
2014060256.tif 000005
【図４】
2014060256.tif 000006
【図５】
2014060256.tif 000007
【図６】
2014060256.tif 000008