(57)【要約】【課題】ピックアップ安定性に優れた半導体チップの製造方法を提供する。【解決手段】ダイシングテープが貼付された半導体ウエハをダイシングして、個々の半導体チップに分割するダイシング工程と、前記個々の半導体チップを吸引コレットで真空吸着しながら、前記ダイシングテープの粘着剤層に光を照射することによりダイシングテープから半導体チップを剥離する剥離工程と、吸引コレットを上昇させて半導体チップをピックアップするピックアップ工程とを有する半導体チップの製造方法であって、前記ダイシングテープは、ドット状の離型処理が施された基材と、該基材のドット状の離型処理が施された面上に形成された、光を照射することにより気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤層とからなるものであり、前記剥離工程において、光を照射しながら吸引コレットを５０μｍ／秒以上、４００μｍ／秒未満の速度で上昇させる半導体チップの製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイシングテープが貼付された半導体ウエハをダイシングして、個々の半導体チップに分割するダイシング工程と、
前記個々の半導体チップを吸引コレットで真空吸着しながら、前記ダイシングテープの粘着剤層に光を照射することによりダイシングテープから半導体チップを剥離する剥離工程と、
吸引コレットを上昇させて半導体チップをピックアップするピックアップ工程とを有する半導体チップの製造方法であって、
前記ダイシングテープは、ドット状の離型処理が施された基材と、該基材のドット状の離型処理が施された面上に形成された、光を照射することにより気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤層とからなるものであり、
前記剥離工程において、光を照射しながら吸引コレットを５０μｍ／秒以上、４００μｍ／秒未満の速度で上昇させる
ことを特徴とする半導体チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ピックアップ安定性に優れた半導体チップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップは、通常、純度の高い棒状の半導体単結晶等をスライスして半導体ウエハとした後、フォトレジストを利用して半導体ウエハ表面に所定の回路パターンを形成し、次いで半導体ウエハ裏面を研削機により研削して、厚さを１００〜３００μｍ程度まで薄くした後、最後にダイシングしてチップ化することにより、製造されている。
【０００３】
従来から、ダイシングの際には、半導体ウエハ裏面側にダイシングテープを貼付して、半導体ウエハを接着固定した状態で縦方向及び横方向にダイシングし、個々の半導体チップに分離した後、形成された半導体チップをダイシングテープ側からニードル等で突き上げてピックアップし、ダイパッド上に固定させる方法が採られていた。例えば、特許文献１には、複数の砥石軸を有する研削加工装置を用いて、半導体ウエハの裏面側より、少なくとも一つの砥石軸で半導体ウエハ厚を薄く研削する加工と、他の少なくとも一つの砥石軸で半導体ウエハを矩形状に切断分離する加工とを、同時に行う半導体ウエハの研削加工方法が開示されているが、このような方法にあっても半導体ウエハの位置ずれ等を防止する目的でダイシングテープが用いられている。
【０００４】
ダイシングの際に半導体ウエハの位置ずれ等を確実に防止するためには、半導体ウエハを固定するダイシングテープに高い粘着力が求められる。しかしながら、ダイシングテープの粘着力を高く設定すると、ダイシングテープから得られた半導体チップを剥離するのが困難になるという問題がある。
【０００５】
これに対して、特許文献２には、光を照射することにより気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤層を有するダイシングテープを用い、ダイシング後の個々の半導体チップを吸引コレットで真空吸着した状態で、ダイシングテープの粘着剤層に光を照射することによりダイシングテープから半導体チップを剥離してピックアップする半導体チップの製造方法が記載されている。光を照射することにより気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤層は、剥離時に紫外線等の光を照射することにより発生した気体が、粘着剤層と半導体チップとの界面に放出され接着面の少なくとも一部を剥がして接着力を低下させる。このように接着力が低下したダイシングテープからは、吸引コレットを上昇させるだけで容易に半導体チップをピックアップできる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平７−７８７９３号公報
【特許文献２】特開２００５−１９１５３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記特許文献２に記載された方法は、半導体チップの製造方法として極めて優れたものである。しかしながら、それでもピックアップミスが発生することがあり、一定の割合で不良品が発生してしまう。現在、半導体チップは熾烈な価格競争にさらされており、よりいっそうの歩留まりの向上が強く求められている。
【０００８】
そこで本発明者は、国際公開第２００９／０７５１９６号パンフレットに記載された半導体加工用両面粘着テープに記載された技術に着目した。
国際公開第２００９／０７５１９６号パンフレットに記載された半導体加工用両面粘着テープは、基材と該基材の両面に形成された粘着剤層とからなり、支持板と接着する側の粘着剤層が、刺激により気体を発生する気体発生剤を含有するものであり、かつ、該支持板と接着する側の粘着剤層に接する側の基材に特定のドット状の離型処理が施されているものである。国際公開第２００９／０７５１９６号パンフレットに記載された半導体加工用両面粘着テープでは、光照射により発生した気体が、粘着剤層と被着体との接着面だけではなく、粘着剤層と基材との間にも放出される。この際、粘着剤層と基材との間に放出された気体は、比較的接着力の低い離型処理部に集中して放出されて粘着剤層と基材との界面を剥離させることから、基材と粘着剤層間との界面の離型処理部に該当する部位に空気溜まりが形成される。この空気溜まりの発生によって該粘着剤層が波打った形状に変化する。即ち、粘着剤層の表面に凹凸が形成される。
【０００９】
本発明者は、国際公開第２００９／０７５１９６号パンフレットに記載された技術をもとに、ドット状の離型処理が施された基材と、該基材のドット状の離型処理が施された面上に形成された光を照射することにより気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤層とからなるダイシングテープを用いて半導体チップを製造することを検討した。このようなダイシングテープを用い、ダイシング後の個々の半導体チップを吸引コレットで真空吸着した状態で、ダイシングテープの粘着剤層に紫外線等の光を照射すれば、発生した気体により粘着剤層と半導体チップとの接着面の少なくとも一部が剥離されるだけでなく、基材と粘着剤層間との界面の離型処理部に該当する部位に空気溜まりが形成されることにより粘着剤層の表面に凹凸が形成される。剥離した半導体チップは、この凹凸の凸部の頂点に支えられて浮き上がった状態になることから、よりいっそうピックアップが容易になり、ピックアップミスによる歩留まりの低下を防止できることが期待された。
しかしながら、実際には、必ずしもピックアップミスは低減せず、かえって歩留まりが低下してしまうことさえあった。
【００１０】
本発明は、上記現状に鑑み、ピックアップ安定性に優れた半導体チップの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、ダイシングテープが貼付された半導体ウエハをダイシングして、個々の半導体チップに分割するダイシング工程と、前記個々の半導体チップを吸引コレットで真空吸着しながら、前記ダイシングテープの粘着剤層に光を照射することによりダイシングテープから半導体チップを剥離する剥離工程と、吸引コレットを上昇させて半導体チップをピックアップするピックアップ工程とを有する半導体チップの製造方法であって、前記ダイシングテープは、ドット状の離型処理が施された基材と、該基材のドット状の離型処理が施された面上に形成された、光を照射することにより気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤層とからなるものであり、前記剥離工程において、光を照射しながら吸引コレットを５０μｍ／秒以上、４００μｍ／秒未満の速度で上昇させる半導体チップの製造方法である。
以下に本発明を詳述する。
【００１２】
本発明者は、ドット状の離型処理が施された基材と、該基材のドット状の離型処理が施された面上に形成された光を照射することにより気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤層とからなるダイシングテープ（以下、「凹凸形成型ダイシングテープ」ともいう。）を用い、ダイシング後の個々の半導体チップを吸引コレットで真空吸着した状態で、ダイシングテープの粘着剤層に紫外線等の光を照射することによりダイシングテープから半導体チップを剥離してピックアップする半導体チップの製造方法において、ピックアップミスが発生するケースについて詳細に検討した。その結果、同じ凹凸形成型ダイシングテープを用い、全く同じ条件で光照射とピックアップとを行った場合であっても、ピックアップミスが頻発するときと、全くピックアップミスが発生しないときがあることに気付いた。そして、更に検討の結果、凹凸形成型ダイシングテープを半導体ウエハに貼付してからの期間と、ピックアップミス発生の条件とが密接に関連していることを見出した。
【００１３】
上述のように凹凸形成型ダイシングテープでは、紫外線等の光を照射することにより気体が発生し、該気体が粘着剤層と半導体チップとの界面に放出され接着面の少なくとも一部を剥がすと同時に、基材と粘着剤層間との界面の離型処理部に該当する部位に空気溜まりが形成され、これにより粘着剤層の表面に凹凸が形成される。光を照射してから凹凸が形成されるまでには若干のタイムラグがあることから、通常は数秒〜十数秒にわたって光を照射する。
本発明者は、凹凸形成型ダイシングテープを半導体ウエハに貼付してからの期間によって、光を照射してから凹凸が形成されるまでの時間に差が発生することを見出した。即ち、貼付直後には、比較的短い光照射時間で凹凸が形成されるのに対して、貼付後時間が経過すると、凹凸が形成するまでに長時間の光照射が必要になる。ピックアップミスは、このような事情にもかかわらず、画一的な条件でピックアップを行っていたことに起因すると考えられる。即ち、貼付直後の比較的短い光照射時間で充分に凹凸が形成される場合に、これを超えて光照射を続けると、凹凸の形成によって半導体チップが持ち上げられようとする圧力を吸引コレットで押さえつけてしまうことになり、かえって半導体チップとダイシングテープとを密着させて正常な剥離ができなくなる。一方、貼付後時間が経過して長時間の光照射が必要な場合に短い時間しか光を照射しないと、充分に凹凸が形成されず剥離できていない状態でピックアップしようとすることになり、ピックアップに失敗する。
【００１４】
このように、ピックアップミスを抑制しようとすると、本来は凹凸形成型ダイシングテープを半導体ウエハに貼付してからの期間を考慮して、ピックアップ条件を調整すべきである。しかしながら、このような調整は、極めて煩雑である。
本発明者は、更に鋭意検討の結果、個々の半導体チップを吸引コレットで真空吸着しながら光を照射する間、吸引コレットを５０μｍ／秒以上、４００μｍ／秒未満の速度で上昇させることにより、凹凸形成型ダイシングテープを半導体ウエハに貼付してからの期間によらず同じ条件でも、ピックアップミスを充分に低減できることを見出し、本発明を完成した。
【００１５】
本発明の半導体チップの製造方法は、凹凸形成型ダイシングテープが貼付された半導体ウエハをダイシングして、個々の半導体チップに分割するダイシング工程を有する。
【００１６】
本発明の半導体チップの製造方法では、凹凸形成型ダイシングテープを用いる。
上記凹凸形成型ダイシングテープは、ドット状の離型処理が施された基材と、該基材のドット状の離型処理が施された面上に形成された光を照射することにより気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤層とからなる。
【００１７】
上記基材は特に限定されないが、光を透過又は通過するものであることが好ましく、例えば、アクリル、オレフィン、ポリカーボネート、塩化ビニル、ＡＢＳ、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ナイロン、ウレタン、ポリイミド等の透明な樹脂からなるシート、網目状の構造を有するシート、孔が開けられたシート等が挙げられる。
上記基材は、コロナ処理等の粘着剤層との接着性を向上させるための処理が施されていてもよい。
【００１８】
上記基材の支持板と接着する側の粘着剤層に接する側の面にはドット状の離型処理が施されている。
本明細書において離型処理とは、周囲に対して粘着力又は接着力の低い領域を形成する処理をすべて含む。
また、ドット状とは、離型処理部のドット（点）が基材の略全面に規則的に又はランダムに分布していることを意味する。
図１（ａ）（ｂ）にドット状の離型処理の例を表す模式図を示したが、本発明はこれらの例にのみ限定されるものではない。
ドット（点）の形状は特に限定されず、例えば円形をはじめ、三角形状、四角形状、星型形状等どのような形状であってもよい。
【００１９】
ドット（点）の直径の好ましい下限は０．５ｍｍ、好ましい上限は３．０ｍｍである。ドット（点）の直径が０．５ｍｍ未満であると、刺激を与えても粘着剤層が波打った形状とはならず、凹凸が形成されないことがある。ドット（点）の直径が３．０ｍｍを超えると、形成される空気溜まりが大きく、粘着剤層が波打った形状が緩やかになって、かえって明確な凹凸が形成されなくなることがある。
【００２０】
上記凹凸形成型ダイシングテープにおいて、光を照射したときに凹凸が形成されるという効果は、上記離型処理を施したドット（点）の直径をｘ、１ｃｍ２あたりのドット（点）の個数をｙとしたときに、ｘとｙとが一定の範囲内にある場合に特に発揮される。
【００２１】
例えば、ドット（点）の直径が０．５ｍｍの場合、１ｃｍ２あたりのドット（点）の個数の下限は１個、上限は１２個であることが好ましい。１ｃｍ２あたりのドット（点）の個数が１個未満であると、刺激を与えても粘着剤層が波打った形状とはならず、凹凸を形成できないことがある。１ｃｍ２あたりのドット（点）の個数が１２個を超えると、粘着剤層が波打った形状が緩やかになって、かえって明確な凹凸が形成されなくなることがある。
【００２２】
ドット（点）の直径が１．０ｍｍの場合、１ｃｍ２あたりのドット（点）の個数の好ましい下限は１個、好ましい上限は６個である。
ドット（点）の直径が１．５ｍｍの場合、１ｃｍ２あたりのドット（点）の個数の好ましい下限は１個、好ましい上限は４個である。
ドット（点）の直径が２．０ｍｍの場合、１ｃｍ２あたりのドット（点）の個数の好ましい下限は１個、好ましい上限は３個である。
ドット（点）の直径が２．５ｍｍの場合、１ｃｍ２あたりのドット（点）の個数の好ましい下限は１個、好ましい上限は２個である。
ドット（点）の直径が３．０ｍｍの場合、１ｃｍ２あたりのドット（点）の個数の好ましい下限は１個、好ましい上限は１個である。
【００２３】
図２に、離型処理を施したドットの直径ｘと１ｃｍ２あたりのドットの個数ｙとの関係を示した。図２においては、光を照射したときに確実に凹凸が形成される点を「○」で、明確な凹凸が形成されないことがある点を「×」でプロットしている。これらより、ｘとｙとが図２の破線Ａ、破線Ｂ及び破線Ｃで囲まれた範囲内であるときに、確実に凹凸が形成されることが判る。
上記破線Ａ、破線Ｂ及び破線Ｃで囲まれた範囲内、０．５≦ｘ≦３．０、ｙ≧１であり、かつ、下記式を満たす範囲内である。
ｙ＝１８−１２ｘ  （０．５≦ｘ≦１．０）
ｙ＝１０−４ｘ  （１．０≦ｘ≦１．５）
ｙ＝７−２ｘ  （１．５≦ｘ≦３．０）
【００２４】
上記ドット状の離型処理を施す方法は特に限定されないが、離型剤をグラビア印刷等の印刷方法により処理する方法が簡便であり好ましい。
上記離型剤は特に限定されず、例えば、シリコン系、長鎖アルキル系、フッ素系の離型剤等を用いることができる。
上記長鎖アルキル系離型剤は、例えば、一方社油脂工業社製のピーロイル１０５０、ピーロイル４０６等が挙げられる。
上記シリコン系離型剤は、例えば、信越化学工業社製のＫＭ７２２Ｔ、ＫＦ４１２ＳＰ等が挙げられる。
上記フッ素系離型剤は、例えば、スリーエム社製のＥＧＣ−１７２０、日進化成社製のダイフリー等が挙げられる。
また、離型剤を用いる方法以外にも、ＰＥＴ基材等にコロナ処理等の接着性向上処理を施す際に、ドット状にマスクしたうえでコロナ処理を行う方法等が挙げられる。
【００２５】
上記基材の厚さとしては特に限定されないが、好ましい下限は３０μｍ、好ましい上限は２００μｍである。３０μｍ未満であると、上記凹凸形成型ダイシングテープの自立性が不足しハンドリングが困難になることがあり、２００μｍを超えると、上記凹凸形成型ダイシングテープを剥離する際に不具合が生じることがある。
【００２６】
上記粘着剤層は、光を照射することにより気体を発生する気体発生剤を含有する。
上記気体発生剤は、例えば、アゾ化合物、アジド化合物、アゾジカルボンアミド化合物、ジニトロソペンタメチレンテトラミン化合物、テトラゾール化合物等が挙げられる。
【００２７】
上記気体発生剤は、上記粘着剤層中に溶解していることが好ましい。上記気体発生剤が粘着剤層中に溶解していることにより、光を照射したときに気体発生剤から発生した気体が効率よく粘着剤層の外に放出される。上記粘着剤層中に気体発生剤が粒子として存在すると、局所的に発生した気体が粘着剤層を発泡させてしまい、気体が粘着剤層外に放出されにくくなることがある。更に、光を照射したときに粒子の界面で光が散乱して気体発生効率が低くなってしまったり、粘着剤層の表面平滑性が悪くなったりすることがある。なお、上記気体発生剤が粘着剤層中に溶解していることは、電子顕微鏡により粘着剤層を観察したときに気体発生剤の粒子が見あたらないことにより確認することができる。
【００２８】
上記気体発生剤を粘着剤層中に溶解させるためには、上記粘着剤層を構成する粘着剤に溶解する気体発生剤を選択すればよい。なお、粘着剤に溶解しない気体発生剤を選択する場合には、例えば、分散機を用いたり、分散剤を併用したりすることにより粘着剤層中に気体発生剤をできるかぎり微分散させることが好ましい。粘着剤層中に気体発生剤を微分散させるためには、気体発生剤は、微小な粒子であることが好ましく、更に、これらの微粒子は、例えば、分散機や混練装置等を用いて必要に応じてより細かい微粒子とすることが好ましい。即ち、電子顕微鏡により上記粘着剤層を観察したときに気体発生剤を確認することができない状態まで分散させることがより好ましい。
【００２９】
上記粘着剤層中の上記気体発生剤の配合量は、粘着剤１００重量部に対して好ましい下限が３重量部、好ましい上限が４０重量部である。上記気体発生剤の配合量が３重量部未満であると、充分な剥離圧力が得られないことがあり、４０重量部を超えると、粘着剤への相溶性が悪化して、製品安定性に欠けることがある。上記気体発生剤の配合量のより好ましい下限は５重量部、より好ましい上限は３０重量部である。
【００３０】
上記粘着剤層を構成する粘着剤は、刺激により架橋して弾性率が上昇するものであることが好ましい。このような粘着剤を用いれば、剥離時に刺激を与えて弾性率を上昇させることにより、粘着力が低下して剥離をより容易にすることができる。更に、剥離の際に気体を発生させるのに先立って架橋させれば粘着剤層全体の弾性率が上昇し、弾性率が上昇した硬い硬化物中で気体発生剤から気体を発生させると、発生した気体の大半は外部に放出され、放出された気体は、半導体チップから粘着剤層の接着面の少なくとも一部を剥がし接着力を低下させる。
上記粘着剤を架橋させる刺激は、上記気体発生剤から気体を発生させる刺激と同一であってもよいし、異なっていてもよい。刺激が異なる場合には、剥離の際、気体発生剤から気体を発生させる刺激を与える前に架橋成分を架橋させる刺激を与える。
【００３１】
このような粘着剤としては、例えば、分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有してなるアクリル酸アルキルエステル系及び／又はメタクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリマーを主成分とし、必要に応じて光重合開始剤を含んでなる光硬化型粘着剤や、分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有してなるアクリル酸アルキルエステル系及び／又はメタクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリマーを主成分とし、熱重合開始剤を含んでなる熱硬化型粘着剤等からなるものが挙げられる。
【００３２】
このような光硬化型粘着剤又は熱硬化型粘着剤等の後硬化型粘着剤からなる粘着剤層は、光の照射又は加熱により粘着剤層の全体が均一にかつ速やかに重合架橋して一体化するため、重合硬化による弾性率の上昇が著しくなり、粘着力が大きく低下する。また、弾性率の上昇した硬い硬化物中で気体発生剤から気体を発生させると、発生した気体の大半は外部に放出され、放出された気体は、半導体チップから粘着剤の接着面の少なくとも一部を剥がし接着力を低下させる。
【００３３】
上記重合性ポリマーは、例えば、分子内に官能基を持った（メタ）アクリル系ポリマー（以下、官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーという）をあらかじめ合成し、分子内に上記の官能基と反応する官能基とラジカル重合性の不飽和結合とを有する化合物（以下、官能基含有不飽和化合物という）と反応させることにより得ることができる。
【００３４】
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーは、常温で粘着性を有するポリマーとして、一般の（メタ）アクリル系ポリマーの場合と同様に、アルキル基の炭素数が通常２〜１８の範囲にあるアクリル酸アルキルエステル及び／又はメタクリル酸アルキルエステルを主モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させることにより得られるものである。上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの重量平均分子量は通常２０万〜２００万程度である。
【００３５】
上記官能基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含有モノマーや、アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等のヒドロキシル基含有モノマーや、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポキシ基含有モノマーや、アクリル酸イソシアネートエチル、メタクリル酸イソシアネートエチル等のイソシアネート基含有モノマーや、アクリル酸アミノエチル、メタクリル酸アミノエチル等のアミノ基含有モノマー等が挙げられる。
上記共重合可能な他の改質用モノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の一般の（メタ）アクリル系ポリマーに用いられている各種のモノマーが挙げられる。
【００３６】
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーに反応させる官能基含有不飽和化合物としては、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基に応じて上述した官能基含有モノマーと同様のものを使用できる。例えば、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基がカルボキシル基の場合はエポキシ基含有モノマーやイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がヒドロキシル基の場合はイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がエポキシ基の場合はカルボキシル基含有モノマーやアクリルアミド等のアミド基含有モノマーが用いられ、同官能基がアミノ基の場合はエポキシ基含有モノマーが用いられる。
【００３７】
上記光硬化型粘着剤又は熱硬化型粘着剤等の後硬化型粘着剤は、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーを含有してもよい。
上記多官能オリゴマー又はモノマーとしては、分子量が１万以下であるものが好ましく、より好ましくは加熱又は光の照射による粘着剤層の三次元網状化が効率よくなされるように、その分子量が５，０００以下でかつ分子内のラジカル重合性の不飽和結合の数が２〜２０個のものである。このようなより好ましい多官能オリゴマー又はモノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート又は上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。その他、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレート、上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。これらの多官能オリゴマー又はモノマーは、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００３８】
上記光重合開始剤としては、例えば、２５０〜８００ｎｍの波長の光を照射することにより活性化されるものが挙げられ、このような光重合開始剤としては、例えば、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物や、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物や、ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物や、フォスフィンオキシド誘導体化合物；ビス（η５−シクロペンタジエニル）チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。これらの光重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
上記光重合開始剤を用いる場合には、酸素による上記後硬化型粘着剤の硬化阻害を防止するために、２ｐｈｒ以上配合することが好ましい。
【００３９】
上記熱重合開始剤としては、熱により分解し、重合硬化を開始する活性ラジカルを発生するものが挙げられ、例えば、ジクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、ベンゾイルパ
ーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド等が挙げられる。なかでも、熱分解温度が高いことから、クメンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド等が好適である。これらの熱重合開始剤のうち市販されているものとしては特に限定されないが、例えば、パーブチルＤ、パーブチルＨ、パーブチルＰ、パーメンタＨ（以上いずれも日油社製）等が好適である。これら熱重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００４０】
上記後硬化型粘着剤には、以上の成分のほか、粘着剤としての凝集力の調節を図る目的で、所望によりイソシアネート化合物、メラミン化合物、エポキシ化合物等の一般の粘着剤に配合される各種の多官能性化合物を適宜配合してもよい。また、可塑剤、樹脂、界面活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を加えることもできる。
【００４１】
上記粘着剤層の厚さとしては特に限定されないが、好ましい下限は３μｍ、好ましい上限は５０μｍである。３μｍ未満であると、接着力が不足しダイシング時にチップとびが発生することがあり、５０μｍを超えると、接着力が高すぎるために剥離性が低下し、良好に剥離することができないことがある。
【００４２】
上記凹凸形成型ダイシングテープを製造する方法としては特に限定されず、例えば、上記基材のドット状の離型処理が施された面に、上記気体発生剤等を含有する粘着剤等をドクターナイフやスピンコーター等を用いて塗工する方法等が挙げられる。
【００４３】
上記半導体ウエハとしては、従来公知の方法により調製されたものを用いることができ、例えば、半導体単結晶等をスライスして得たウエハの表面にフォトレジストを利用して回路パターンを形成した後、所定の厚さにまで研削したもの等が挙げられる。
【００４４】
本発明の半導体チップの製造方法では、上記凹凸形成型ダイシングテープが貼付された半導体ウエハをダイシングして、個々の半導体チップに分割する。
上記ダイシングの方法としては特に限定されず、例えば、従来公知の砥石等を用いて切断分離する方法等を用いることができる。
【００４５】
本発明の半導体チップの製造方法では、次いで、ダイシング後の個々の半導体チップを吸引コレットで真空吸着しながら、上記ダイシングテープの粘着剤層に光を照射することによりダイシングテープから半導体チップを剥離する剥離工程を行う。
【００４６】
上記光照射は、スポット照射でもよく、全面照射でもよい。
上記光として紫外線を用いる場合、該紫外線の照射強度の好ましい下限は５００ｍＷ／ｃｍ２、好ましい上限は１００００ｍＷ／ｃｍ２である。紫外線の照射強度が５００ｍＷ／ｃｍ２未満であると、照射時間を延長しても確実な剥離を行えないことがあり、１００００ｍＷ／ｃｍ２を超えると、照射装置等にようする費用が著しく増大し、現実的ではない。コスト等を勘案すれば、実際の生産現場においては、５０００ｍＷ／ｃｍ２程度が事実上の上限であると考えられる。
上記光の照射時間は、照射強度によって異なるが、好ましい下限は０．１秒、好ましい上限は１０秒である。
【００４７】
上記剥離工程においては、光を照射しながら吸引コレットを５０μｍ／秒以上、４００μｍ／秒未満の速度で上昇させる。これにより凹凸形成型ダイシングテープを半導体ウエハに貼付してからの期間によらず同じ条件でも、ピックアップミスを充分に低減できる。
上述のように貼付直後の比較的短い光照射時間で充分に凹凸が形成される場合に、これを超えて光照射を続けると、凹凸の形成によって半導体チップが持ち上げられようとする圧力を、吸引コレットで押さえつけてしまうことにより、かえって半導体チップとダイシングテープとを密着させて正常な剥離ができなくなる。光を照射する間、吸引コレットをゆっくりとした速度で上昇させることにより、凹凸の形成によって半導体チップが持ち上げられようとする圧力を逃がして、半導体チップとダイシングテープとが密着するのを防止することができる。
一方、貼付後時間が経過して凹凸の形成に長時間の光照射が必要な場合であっても、吸引コレットの上昇速度が充分に小さければ、凹凸が形成される前にピックアップしてしまうことにはならず、ピックアップに失敗することもない。
【００４８】
上記剥離工程における吸引コレットの上昇速度の下限は５０μｍ／秒、上限は４００μｍ／秒未満である。上昇速度が５０μｍ／秒未満であると、押さえつけ防止効果が充分には得られず、半導体チップとダイシングテープとの密着を防止できずにピックアップミスが発生することがある。上昇速度が４００μｍ／秒以上であると、充分に剥離していない状態でピックアップしようとすることになりピックアップに失敗する場合がある。上記剥離工程における吸引コレットの上昇速度の好ましい下限は１００μｍ／秒、好ましい上限は３００μｍ／秒である。
【００４９】
本発明の半導体チップの製造方法では、次いで、吸引コレットを上昇させて半導体チップをピックアップするピックアップ工程を行う。上記剥離工程において剥離した半導体チップは、粘着剤層上に形成された凹凸の凸部の頂点に支えられて浮き上がった状態になっていることから、極めて容易にピックアップできる。
【００５０】
上記ピックアップ工程における吸引コレットの上昇速度は特に限定はされないが、実用上、剥離工程における吸引コレットの上層速度以上であることが好ましい。
【発明の効果】
【００５１】
本発明によれば、ピックアップ安定性に優れた半導体チップの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】ドット状の離型処理の例を表す模式図である。
【図２】離型処理を施したドットの直径ｘと１ｃｍ２あたりのドットの個数ｙとの関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００５３】
以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。
【００５４】
（実施例１〜３）
（１）離型処理基材の調製
両面にコロナ処理を施した厚さ５０μｍの透明なポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムの一方の面に、全面に易接着処理した後、グラビア方式で図１で黒として示したドットの模様同様、長鎖アルキル系離型剤ピーロイル１０５０を印刷した。これにより一方の面の全体に、離型剤が処理された直径０．５ｍｍ以下の円形のドットが８０〜１５０個／ｃｍ２の密度で均一に設けられた基材を得た。
【００５５】
（２）凹凸形成型ダイシングテープの製造
下記の化合物を酢酸エチルに溶解させ、紫外線を照射して重合を行い、重量平均分子量７０万のアクリル共重合体を得た。
得られたアクリル共重合体を含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレート３．５重量部を加えて反応させ、更に、反応後の酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、Ｕ３２４Ａ（新中村化学社製）４０重量部、光重合開始剤（イルガキュア６５１）５重量部、ポリイソシアネート０．５重量部を混合し粘着剤の酢酸エチル溶液を調製した。
ブチルアクリレート  ７９重量部
エチルアクリレート  １５重量部
アクリル酸  １重量部
２−ヒドロキシエチルアクリレート  ５重量部
光重合開始剤  ０．２重量部
（イルガキュア６５１、５０％酢酸エチル溶液）
ラウリルメルカプタン  ０．０１重量部
得られた粘着剤の酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、２，２’−アゾビス−（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）３０重量部、及び、２，４−ジエチルチオキサントン３．６重量部を混合して、気体発生剤を含有する粘着剤の酢酸エチル溶液を調製した。
【００５６】
得られた気体発生剤を含有する粘着剤の酢酸エチル溶液を、得られた離型処理基材の離型処理面上に乾燥皮膜の厚さが約３０μｍとなるようにドクターナイフで塗工し、１１０℃、５分間加熱して溶剤を揮発させ塗工溶液を乾燥させた。乾燥後の粘着剤層は乾燥状態で粘着性を示した。その後、４０℃、３日間静置して養生を行い、凹凸形成型ダイシングテープを得た。
【００５７】
（３）半導体チップの製造
常温常圧のもと、得られた凹凸形成型ダイシングテープに厚さ５０μｍのシリコンウエハを貼付した。貼付直後に、シリコンウエハを５．０ｍｍ×５．０ｍｍにダイシングして個々の半導体チップに分割した。
得られた凹凸形成型ダイシングテープが貼付された半導体チップを半導体チップが上面になるように置き、その１つを吸引コレットで真空吸着しながら、ダイシングテープ側から強度２０００ｍｗ／ｃｍ２の紫外線を１秒間照射した。この紫外線照射の間、吸引コレットを１００μｍ／秒（実施例１）、２００μｍ／秒（実施例２）、３００μｍ／秒（実施例３）の３水準の速度で上昇させた。
その後、吸引コレットを５００μｍ／秒の速度で上昇させて半導体チップをピックアップした。
【００５８】
以上の操作を、１０個のダイシングテープが貼付された半導体チップに対して行い、ピックアップできなかったり、ピックアップ時に破損したりした半導体チップの割合を調べた。その結果、全ての半導体チップを破損することなくピックアップできた場合を「○」、ピックアップ時に１個又は２個の半導体チップが破損した場合を「△」、ピックアップ時に３個以上の半導体チップが破損した場合を「×」と評価した。
【００５９】
同様の実験を、ダイシングテープにシリコンウエハを貼付した直後の他、常温常圧で１週間保管後、及び、常温常圧で１ヶ月保管後にも行った。
更に、同様の実験を、紫外線を１秒の他、２、３、４、５、６及び１０秒の照射条件でも行った。
実施例１の結果を表１に、実施例２の結果を表２に、実施例３の結果を表３に示した。
【００６０】
【表１】
2014036209.tif 000002
【００６１】
【表２】
2014036209.tif 000003
【００６２】
【表３】
2014036209.tif 000004
【００６３】
表１〜３より、実施例１、２においては紫外線照射時間が４秒以上、実施例３においては紫外線照射時間が５秒以上にすると、ダイシングテープにシリコンウエハを貼付した後の保管時間にかかわらず、全ての半導体チップを破損することなくピックアップできた。即ち、貼付直後、１週間保管後、及び、１ヶ月保管後の全てにおいて、全ての半導体チップを破損することなくピックアップできる条件を見いだすことができた。
【００６４】
（比較例１）
吸引コレットの上昇速度を４００μｍ／秒とした以外は、実施例１〜３と同様に半導体チップを製造し、同様の評価を行った。結果を表４に示した。
【００６５】
【表４】
2014036209.tif 000005
表４より、吸引コレットの上昇速度を４００μｍ／秒とした場合には、紫外線照射時間をいかに調整しても、１ヶ月保管後には半導体チップを破損することなくピックアップすることはできなかった。即ち、貼付直後、１週間保管後、及び、１ヶ月保管後の全てにおいて、全ての半導体チップを破損することなくピックアップできる条件を見いだすことはできなかった。
【００６６】
（比較例２）
紫外線照射の間、吸引コレットを上昇させなかった以外は、実験例１〜３と同様に半導体チップを製造し、同様の評価を行った。結果を表５に示した。
【００６７】
【表５】
2014036209.tif 000006
【００６８】
表５より、ダイシングテープにシリコンウエハを貼付した後の保管時間により、全ての半導体チップを破損することなくピックアップできる紫外線照射時間が異なり、貼付直後、１週間保管後、及び、１ヶ月保管後の全てにおいて、全ての半導体チップを破損することなくピックアップできる条件は見いだせなかった。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
本発明によれば、ピックアップ安定性に優れた半導体チップの製造方法を提供することができる。
【図１】
2014036209.tif 000007
【図２】
2014036209.tif 000008