(57)【要約】【課題】比較的簡易な構成で被加熱体の温度分布が均一になるように加熱可能な加熱搬送装置を提供する。【解決手段】加熱搬送装置は、被加熱体を加熱する加熱面２ｂｓを有する、互いに間隙を空けて設けられた複数の加熱手段を有する。また、本実施形態では、上面から下面に貫通する複数の貫通孔１１ｈを有し、該貫通孔１１ｈが前記間隙上に位置するように複数の加熱面２ｂｓ上および前記間隙上にわたって配置された熱伝導板１１を有する。また、加熱搬送装置は、前記間隙内および貫通孔１１ｈ内を移動して熱伝導板１１上に配置された前記被加熱体に当接して該被加熱体を搬送する搬送部材９を有する搬送手段を備えている。そして、加熱搬送装置において、熱伝導板１１は、前記間隙上に位置する前記下面に、熱伝導板１１よりも熱伝導率が小さい第１低熱伝導部材２１が設けられている。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加熱体を加熱し搬送する加熱搬送装置であって、
被加熱体を加熱する加熱面を有する、互いに間隙を空けて設けられた複数の加熱手段と、上面から下面に貫通する複数の貫通孔を有し、該貫通孔が前記間隙上に位置するように複数の前記加熱面上および前記間隙上にわたって配置された熱伝導板と、
前記間隙内および前記貫通孔内を移動して前記熱伝導板上に配置された前記被加熱体に当接して該被加熱体を搬送する搬送部材を有する搬送手段とを備え、
前記熱伝導板は、前記下面のうち前記貫通孔の周辺に位置する第１下面部に、前記熱伝導板よりも熱伝導率が小さい第１低熱伝導部材が設けられている、加熱搬送装置。
【請求項２】
前記第１低熱伝導部材は、前記下面のうち前記第１下面部に隣接して前記間隙上に位置する第２下面部にさらに設けられている、請求項１に記載の加熱搬送装置。
【請求項３】
前記複数の加熱手段は、前記間隙に向かって突出する凸部を有し、
該凸部は、平面視して、隣り合う前記複数の貫通孔の間に位置している、請求項１乃至請求項２のいずれかに記載の加熱搬送装置。
【請求項４】
前記間隙の一部に位置するとともに、隣り合う前記複数の加熱手段に接触するように配置された、熱伝導板よりも熱伝導率が大きい高熱伝導部材をさらに備える、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の加熱搬送装置。
【請求項５】
前記熱伝導板の前記加熱面と接触している下面領域の裏面に相当する上面領域に、前記熱伝導板よりも熱伝導率が小さい第２低熱伝導部材が設けられている、請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の加熱搬送装置。
【請求項６】
前記第１低熱伝導部材の熱伝導率は、前記第２低熱伝導部材の熱伝導率よりも小さい、請求項５に記載の加熱搬送装置。
【請求項７】
前記第１低熱伝導部材の下面に、該第１低熱伝導部材よりも熱の放射率が小さい低熱放射部材がさらに設けられている、請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の加熱搬送装置。
【請求項８】
前記熱伝導板の外周部に位置する前記加熱手段は、前記熱伝導板の側面に接触または近接する壁部を有する、請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の加熱搬送装置。
【請求項９】
前記被加熱体が平板状である場合に、前記熱伝導板は、前記上面から突出して前記被加熱体の側面に接触または近接する突出部を有する、請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の加熱搬送装置。
【請求項１０】
前記熱伝導板は、炭化珪素からなる、請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の加熱搬送装置。
【請求項１１】
前記熱伝導板は、カーボンからなる、請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の加熱搬送装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は加熱搬送装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上に金属層、透明導電層および半導体層等の薄膜を成膜する手法として、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法およびＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等が知られている。これらの手法を用いる装置には、インライン式またはループ式等の搬送機構が設けられている。また、これらの手法を用いて基板上に良質な薄膜を成膜するには、基板を均一に加熱するとよい。そこで、基板を加熱する際には、ヒーターなどの加熱手段上に均熱板を設けている。この均熱板には、搬送時に使用するローラーが通る貫通孔が設けられている。この貫通孔による温度のばらつきを改善すべく、均熱板の貫通孔をヒーター上の補完ブロックに嵌め込んだ後に基板を加熱する加熱搬送装置が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−２４７９６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述の加熱搬送装置は、均熱板の貫通孔を補完ブロックに嵌脱するために、均熱板に煩雑な動作をさせる機構を設ける必要がある。これにより、成膜速度の低下が起こる場合があった。また、補完ブロックと均熱板との摺動が繰り返されることによって、均熱板および補完ブロックが摩耗し、長期的に基板の均熱化が図れなくなるおそれがあった。
【０００５】
本発明の一つの目的は、比較的簡易な構成で被加熱体の温度分布が均一になるように加熱可能な加熱搬送装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態に係る加熱搬送装置は、被加熱体を加熱する加熱面を有する、互いに間隙を空けて設けられた複数の加熱手段を有する。また、本実施形態では、上面から下面に貫通する複数の貫通孔を有し、該貫通孔が前記間隙上に位置するように複数の前記加熱面上および前記間隙上にわたって配置された熱伝導板を有する。また、本実施形態では、前記間隙内および前記貫通孔内を移動して前記熱伝導板上に配置された前記被加熱体に当接して該被加熱体を搬送する搬送部材を有する搬送手段を備えている。そして、本実施形態において、前記熱伝導板は、前記下面のうち前記貫通孔の周辺に位置する第１下面部に、前記熱伝導板よりも熱伝導率が小さい第１低熱伝導部材が設けられている。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の実施形態に係る加熱搬送装置では、基板等の被加熱体が配される熱伝導板の加熱手段の貫通孔の下面に、第１低熱伝導部材が設けられているため、上記貫通孔近傍における熱伝導板の放熱が低減される。これにより、被加熱体の温度分布が略均一になるように被加熱体を加熱することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】一実施形態に係る加熱搬送装置を模式的に示す断面図である。
【図２】（ａ）は、加熱台付近を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は、図２（ａ）のＸ−Ｘにおける断面を模式的に示す断面図である。
【図３】（ａ）は、熱伝導板の上面からみた平面図であり、（ｂ）は、熱伝導板をヒーター上に配置した状態を模式的に示す平面透視図である。
【図４】熱伝導板の下面からみた平面図である。
【図５】本発明の他の実施形態に係る加熱搬送装置の熱伝導板を下面からみた平面図である。
【図６】本発明の他の実施形態に係る加熱搬送装置の加熱台付近を模式的に示す平面図である。
【図７】（ａ）は、本発明の他の実施形態に係る加熱搬送装置の加熱台付近を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は、図７（ａ）のＹ−Ｙにおける断面を模式的に示す断面図である。
【図８】（ａ）は、本発明の他の実施形態に係る加熱搬送装置の熱伝導板の上面からみた平面図であり、（ｂ）は、図８（ａ）のＹ−Ｙにおける断面を模式的に示す断面図である。
【図９】（ａ）は、本発明の他の実施形態に係る加熱搬送装置の熱伝導板の下面からみた平面図であり、（ｂ）は、図９（ａ）のＹ−Ｙにおける断面を模式的に示す断面図である。
【図１０】（ａ）は、本発明の他の実施形態に係る加熱搬送装置の加熱付近を模式的に示す平面透視図であり、（ｂ）は、図１０（ａ）のＹ−Ｙにおける断面を模式的に示す断面図である。
【図１１】（ａ）は、本発明の他の実施形態に係る加熱搬送装置の加熱付近を模式的に示す平面透視図であり、（ｂ）は、図１１（ａ）のＹ−Ｙにおける断面を模式的に示す断面図である。
【図１２】基板の搬送する状態を模式的に示す断面図である。
【図１３】２枚の基板を並列で処理した場合の基板の搬送する状態を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の加熱搬送装置の実施形態について図面を参照しつつ説明する。
【００１０】
加熱搬送装置ＡＰは、図１に示すように、一直線上に配置された第１チャンバー１ａ、第２チャンバー１ｂおよび第３チャンバー１ｃを有している。第１〜第３チャンバー１ａ〜１ｃは、原料ガスなどに対して耐食性に優れた金属、例えばステンレス等で構成されている。第１チャンバー１ａおよび第２チャンバー１ｂ内には、被加熱体を加熱する加熱台２ａおよび加熱台２ｂがそれぞれ配置されている。第１〜第３チャンバー１ａ〜１ｃ内には、チャンバー内の圧力を調整するための真空ポンプ４ａ、４ｂ、４ｃおよび排気管３ａ、３ｂ、３ｃがそれぞれ配置されている。加熱搬送装置ＡＰでは、原料ガスが導入される導入管５、６が第２チャンバー１ｂに設けられている。それゆえ、本実施形態に係る加熱搬送装置ＡＰでは、第２チャンバー１ｂが成膜室としての機能を担う。また、第１〜第３チャンバー１ａ〜１ｃには、図１に示すように、ゲートバルブ７ａ〜７ｄが設けられている。これにより、各チャンバー内の圧力が各々別に調整可能となっている。また、第１チャンバー１ａおよび第３チャンバー１ｃには、チャンバー内の圧力を大気圧程度まで戻すために窒素などを供給する給気配管８ａ、８ｂがそれぞれ設けられている。また、第１〜第３チャンバー１ａ〜１ｃには、被加熱体である基板１０を第１チャンバー１ａから第３チャンバー１ｃに向けて搬送する搬送部材９が配されている。なお、以下では、縦方向の長さが約０．５〜１ｍ、横方向の長さが約１〜２ｍ、厚み方向の長さ約１〜５ｍｍ程度のソーダーライムガラス等からなるガラスの基板１０を例として説明する。また、加熱台２ａ、２ｂ上には、熱伝導板１１が配置されている。
【００１１】
次に、加熱搬送装置ＡＰの加熱手段に相当する加熱台２ａ、２ｂ、搬送手段に相当する
搬送部材９および熱伝導板１１の構造について詳細に説明する。
【００１２】
図２（ａ）は、熱伝導板１１が配置されていない状態の第２チャンバー１ｂ内に設けられた加熱台２ｂ付近の平面模式図である。加熱台２ｂは、間隙１２ａ〜１２ｄを空けて設けられた複数のヒーター２ｂ１〜２ｂ５を有している。ヒーター２ｂ１は、図２（ｂ）に示すように、上面に熱伝導板１１を介して基板１０を加熱する加熱面２ｂｓを有している。なお、ヒーター２ｂ２〜２ｂ５もそれぞれ加熱面２ｂｓを有している。ヒーター２ｂ１〜２ｂ５は、例えば、直方体状のステンレス基材の内部にシースヒーター等などの発熱体を具備して構成されたものが利用できる。ヒーター２ｂ１〜２ｂ５の厚みは、例えば、５〜１５ｃｍ程度であればよい。また、間隙１２ａ〜１２ｄの幅は、例えば、縦方向の長さが１ｍ、横方向の長さが１．５ｍ、厚み方向の長さが３ｍｍ程度のガラス基板を加熱する場合には、約１０〜５０ｍｍ程度であればよい。なお、上述の説明では、加熱台２ｂの例を挙げているが、加熱台２ａも同様の構成を備えている。また、加熱台２ａ、２ｂは、熱伝導板１１の大きさよりも４〜２０ｃｍ程度大きく形成してもよい。
【００１３】
また、加熱台２ｂを平面視したときに、図２（ａ）に示すように、搬送部材９の一部は、間隙１２ａ〜１２ｄの位置に配置されている。また、搬送部材９は、図２（ｂ）に示すように、ローラー９ａ〜９ｃ、回転シャフト１３、シャフト支持台１４およびベースプレート１５を有する。ローラー９ａ〜９ｃは、回転シャフト１３に固定されている。回転シャフト１３は、シャフト支持台１４にベアリングなどを介して支持されている。この回転シャフト１３は、ベルトまたはチェーン等を介して、シーケンサー等によって制御されたモーター等で駆動されて回転する。これにより、ローラー９ａ〜９ｃが回転して基板１０が隣接するチャンバーに向けて搬送される。シャフト支持台１４は、ベースプレート１５にネジなどで固定されている。ベースプレート１５は、例えば、エアーシリンダー１６で上下方向に駆動する。なお、ベースプレート１５および加熱台２ｂは、第２チャンバー１ｂの底部Ｂに配置されている。ローラー９ａ〜９ｃ、回転シャフト１３およびシャフト支持台１４などは、ステンレスなどの金属材料で構成される。また、ローラー９ａ〜９ｃの外周面には、粗面加工を施してもよい。これにより、基板１０との摩擦力が高まり、基板１０を効率良く搬送できる。なお、粗面加工に代えて、ローラー９ａ〜９ｃの外周面に上記摩擦力を高める樹脂等を設けてもよい。ローラー９ａ〜９ｃの大きさは、基板１０の大きさ、重量、搬送速度およびヒーターの厚みなどを考慮して決定すればよい。ローラー９ａ〜９ｃの大きさの一例としては、半径が２０〜５０ｍｍ程度、基板１０と接する部分の幅が２〜１０ｍｍ程度である。
【００１４】
熱伝導板１１は、図３および図４に示すように、上面１１ａおよび下面１１ｂを有している。熱伝導板１１の上面１１ａの上には、基板１０が載置される。また、熱伝導板１１は、下面１１ｂがヒーター２ｂ１〜２ｂ５の加熱面２ｂｓと接触するように配置される。さらに、熱伝導板１１は、図３および図４に示すように、熱伝導板１１の上面１１ａから下面１１ｂに貫通する複数の貫通孔１１ｈを有している。貫通孔１１ｈは、例えば、矩形状、円形状または楕円形状などで構成される。貫通孔１１ｈの大きさは、例えば、矩形状の場合には、短辺の長さが約３〜１１ｍｍ、長辺の長さが約２０〜５０ｍｍ程度である。
【００１５】
熱伝導板１１は、例えば、１００〜４００Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度の熱伝導率を有した材料で構成されればよい。このような材料としては、炭化珪素の他、窒化アルミニウムなどのセラミックスが挙げられる。また、他の材料としては、銅、アルミニウムなどの金属またはカーボンなどであってもよい。とりわけ、炭化珪素は、高い熱伝導率に加えて耐薬品性に優れているため、仮に基板１０に成膜されなかった膜が熱伝導板１１に堆積しても、エッチングなどで容易に除去できる。また、カーボンは、高い熱伝導率に加えて、ジエチル亜鉛などのガスに対し耐腐食性に優れている。
【００１６】
熱伝導板１１は、図３（ｂ）に示すように、ヒーター２ｂ１〜２ｂ５の複数の加熱面２ｂｓ上および間隙１２ａ〜１２ｄ上にわたって配置される。このとき、熱伝導板１１は、貫通孔１１ｈがヒーター２ｂ１〜２ｂ５の間隙１２ａ〜１２ｄ上および搬送部材９の直上に位置するように配置されている。そのため、搬送部材９が間隙１２ａ〜１２ｄ内および該間隙１２ａ〜１２ｄ上に位置する貫通孔１１ｈ内を移動して熱伝導板１１上に配置された基板１０に部分的に当接可能となる。これにより、基板１０は、ローラー９ａ〜９ｃによって持ち上げられた後に、ローラー９ａ〜９ｃが回転することによって、所定方向に搬送される。また、熱伝導板１１の下面１１ｂには、ヒーター２ｂ１〜２ｂ５の加熱面２ｂｓとそれぞれ当接する複数の当接面１１ｔａ〜１１ｔｅと、間隙１２ａ〜１２ｄの上に位置して加熱面２ｂｓに当接しない非当接面１１ｓａ〜１１ｓｄとができる。
【００１７】
本実施形態では、図４に示すように、熱伝導板の下面１１ｂの非当接面１１ｓａ〜１１ｓｄのうち、貫通孔１１ｈの周辺に位置する第１下面部１１ｂａに、熱伝導板１１よりも熱伝導率が小さい第１低熱伝導部材２１が設けられている。この第１下面部１１ｂａおよびその周辺部は、貫通孔１１ｈ近傍からの放熱によって、温度が低下しやすい。そのため、本実施形態では、第１下面部１１ｂａ上に第１低熱伝導部材２１を設けることによって、第１下面部１１ｂａからの放熱を低減している。これにより、基板１０の温度分布が略均一になるように基板１０を加熱することができる。その結果、金属または半導体等の薄膜を基板１０上に精度よく形成することができる。なお、第１下面部１１ｂａとは、熱伝導板１１の下面１１ｂを平面視したときに、貫通孔１１ｈの外周部から５〜６０ｍｍ程度の部分である。
【００１８】
また、第１低熱伝導部材２１の熱伝導率は、例えば、２〜８０Ｗ／（ｍ・Ｋ）であればよい。第１低熱伝導部材２１の熱伝導率は、熱伝導板１１の熱伝導率よりも２０〜３５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度小さければよい。第１低熱伝導部材２１の材質としては、熱伝導板１１を上述した炭化珪素などの材料で形成する場合には、例えば、ジルコニアまたはイットリアなどのセラミックス、ステンレスなどの金属が挙げられる。第１低熱伝導部材２１は、例えば、上記セラミックスであれば、蒸着法またはスパッタリング法などの薄膜形成方法を用いて０．１〜１μｍ程度に成膜してもよい。また、上記セラミックスであれば、溶射法を用いて０．１〜５ｍｍ程度に成膜してもよい。また、上記した材料以外に、例えば、ガラスウールを１〜５ｍｍ程度の厚さに成形した後に、セラミック系接着剤を用いて取り付けたものを用いてもよい。また、第１低熱伝導部材２１に上記した金属もしくはセラミックスを用いる場合は、例えば、０．５〜５ｍｍ程度の金属板またはセラミック板をネジなどで熱伝導板１１の所定の位置に固定すればよい。
【００１９】
また、第１低熱伝導部材２１は、図５に示すように、熱伝導板１１の下面１１ｂのうち、第１下面部１１ｂａに隣接して間隙１２ａ〜１２ｄ上に位置する第２下面部１１ｂｂ上にさらに設けてもよい。これにより、第１低熱伝導部材２１は、熱伝導板１１の非当接面１１ｓａ〜１１ｓｄの略全面上に設けられるようになる。このような形態であれば、ヒーター２ｂ１〜２ｂ５が配置されていない間隙１２ａ〜１２ｄ近傍における放熱による第２下面部１１ｂｂおよびその周辺部の温度低下を低減できる。その結果、本実施形態では、基板１０の温度をより均一にすることができる。このとき、第１低熱伝導部材２１は、１種類に限定されるものではなく、第１下面部１１ｂａに設けられる第１低熱伝導部材２１を、第２下面部１１ｂｂに設けられる第１低熱伝導部材２１に比べて、熱伝導率が小さいものにしてもよい。
【００２０】
また、複数の加熱手段に相当するヒーター２ｂ１〜２ｂ５の平面形状は、図６に示すように、間隙１２ａ〜１２ｄに向かって突出し、隣り合う複数の貫通孔１１ｈの間に位置している凸部１２ｂｔを有している形状としてもよい。これにより、ヒーター２ｂ１〜２ｂ５を平面視したときに、図２に示した形態に比べて、間隙１２ａ〜１２ｄの面積を部分的
に小さくすることができる。具体的には、凸部１２ｂｔが形成されている部位に位置する間隙の幅が、凸部１２ｂｔが形成されていない部位に位置する間隙の幅よりも小さくなっている。そのため、本実施形態では、熱伝導板１１の非当接面１１ｓａ〜１１ｓｄの面積を小さくすることができる。その結果、本実施形態では、基板１０の温度をより均一にすることができる。
【００２１】
また、本実施形態では、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、間隙１２ａ〜１２ｄの一部に位置するとともに、隣り合うヒーター２ｂ１〜２ｂ５に接触するように配置された高熱伝導部材２０を備えていてもよい。この高熱伝導部材２０は、熱伝導板１１よりも熱伝導率が大きい材質で構成されている。これにより、ヒーター２ｂ１〜２ｂ５によって高熱伝導部材２０を加熱できるため、高熱伝導部材２０の温度が上昇する。昇温された高熱伝導部材２０は、間隙１２ａ〜１２ｄ上の熱伝導板１１の温度の低下を低減しやすくできる。さらに、高熱伝導部材２０の熱を熱伝導板１１に伝導することによって高熱伝導部材２０の温度が低下した場合でも、熱伝導板１１よりも熱伝導率が大きいため、間隙１２ａ〜１２ｄ上の熱伝導板１１の温度を略一定に維持することができる。
【００２２】
このような高熱伝導部材２０は、例えば、図７（ｂ）に示すように、上面部２０ａおよび側面部２０ｂを含むコの字状を成しているものを利用できる。高熱伝導部材２０の上面部２０ａは、その上面（表面）がヒーター２ｂの加熱面２ｂｓと段差が無いように配置される。また、上面部２０ａは、ヒーター２ｂの加熱面２ｂｓから０．１〜０．５ｍｍ程度低くになるように配置されてもよい。側面部２０ｂは、隣り合うヒーター２ｂの側面に接触させた状態でネジなどで固定される。高熱伝導部材２０の材質は、熱伝導板１１よりも熱伝導率が大きいもので、例えば熱伝導板１１を炭化珪素（熱伝導率２７０Ｗ／（ｍ・Ｋ））で形成する場合には、これよりも熱伝導率が大きい材質である、銅（熱伝導率４００Ｗ／（ｍ・Ｋ））などで作製することができる。また、高熱伝導部材２０の上面部２０ａの裏面側の部分または側面部２０ｂのヒーターと接触している面の反対面側の部分に熱伝導板１１よりも熱伝導率が小さい低熱伝導部材を取り付けてもよい。これにより、上記した各部分からの放熱が低減される。
【００２３】
また、熱伝導板１１には、図８（ａ）に示すように、加熱面２ｂｓと接触している下面領域に相当する当接面１１ｔａ〜１１ｔｅの裏面に相当する上面領域１１ｆａ〜１１ｆｅに、熱伝導板１１よりも熱伝導率が小さい第２低熱伝導部材２２が設けられていてもよい。すなわち、熱伝導板１１は、図８（ｂ）に示すように、熱伝導板１１の下面１１ｂの当接面１１ｔａ〜１１ｔｅに第１低熱伝導部材２１が設けられており、熱伝導板１１の上面１１ａの上面領域１１ｆａ〜１１ｆｅに第２低熱伝導部材２２が設けられている。このような熱伝導板１１では、ヒーター２ｂ１〜２ｂ５からの熱を優先的に間隙１２ａ〜１２ｄ上に位置する上面１１ａの領域に熱を優先的に移動させやすくなる。これにより、基板１０の温度分布がより均一になるように基板１０を加熱することができる。なお、第２低熱伝導部材２２の熱伝導率は、１０〜９０Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度であればよい。
【００２４】
また、熱伝導板１１において、第１低熱伝導部材２１の熱伝導率は、第２低熱伝導部材２２の熱伝導率よりも小さくなるようにしてもよい。このような熱伝導板１１では、第１低熱伝導部材２１の近傍における放熱が低減され、第２低熱伝導部材２２の近傍におけるヒーター２ｂ１〜２ｂ５による過度な温度上昇が低減される。これにより、基板１０の温度分布がより均一になるように調整しやすくなる。このとき、第１低熱伝導部材２１の熱伝導率は、第２低熱伝導部材２２の熱伝導率よりも５〜５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度小さくなるように設定すればよい。なお、このような熱伝導板１１において、第１低熱伝導部材２に例えばジルコニアを用いた場合では、第２低熱伝導部材２２にはアルミナ、窒化珪素またはステンレスなどを用いればよい。
【００２５】
また、熱伝導板１１は、図９（ａ）、（ｂ）に示すように、第１低熱伝導部材２１の下面に、第１低熱伝導部材２１よりも熱の放射率が小さい低熱放射部材２３が設けられていてもよい。このような熱伝導板１１では、下面１１ｂの非当接面１１ｓａ〜１１ｓｄからの熱放射による放熱も低減できる。その結果、基板１０の温度分布をより均一にすることができる。このような熱伝導板１１において、第１低熱伝導部材２１にジルコニアまたはイットリアなどのセラミックスを用いた場合では、低熱放射部材２３には、例えば、アルミニウム、金、ニッケル、銀または銅などの金属を用いることができる。このような低熱放射部材２３は、例えば、第１低熱伝導部材２１の表面にスパッタリング法または蒸着法などを用いて形成できる。低熱放射部材２３の厚みは、例えば、０．１〜３μｍ程度であればよい。
【００２６】
また、熱伝導板１１の外周部に位置する加熱手段に相当するヒーター２ｂ１〜２ｂ５の端部には、図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、熱伝導板１１の側面に接触または近接する壁部２ｂｗが設けられていてもよい。このようなヒーター２ｂ１〜２ｂ５を用いれば、熱伝導板１１の側面からの放熱が低減されやすくなる。その結果、熱伝導板１１の均熱性を維持することができるため、基板１０の温度分布をより均一にすることができる。なお、壁部２ｂｗは、例えば、ヒーター２ｂ１〜２ｂ５の外周部の一部を屈曲させて一体的に形成してもよい。一方で、壁部２ｂｗは、ヒーター２ｂ１〜２ｂ５の加熱面２ｂｓと同じ材質の板状部材を、ヒーター２ｂ１〜２ｂ５の外周部にネジまたは溶接等で取り付けてもよい。なお、壁部２ｂｗの高さは、熱伝導板１１と基板１０との積層体の高さよりも大きくすれば、より上記放熱を低減できる。一方で、壁部２ｂｗの最大高さは、基板１０の搬送を妨げない程度に設定すればよい。
【００２７】
また、熱伝導板１１は、図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、上面１１ａから突出して基板１０の側面に接触または近接する突出部１１ｃを有する構造としてもよい。このような熱伝導板１１を用いれば、突出部１１ｃによって基板１０の側面部からの放熱が低減されやすくなる。その結果、基板１０の温度分布をより均一にすることができる。このような突出部１１ｃは、例えば、炭化珪素またはカーボンなどからなる板状部材を形成した後、該板状部材の中央部を機械加工またはサンドブラスト加工などで削り取ることによって板状部材の周囲に突出部１１ｃができるようにすればよい。また、突出部１１ｃは、上記板状部材の周辺部に、該板状部材と同材質の枠状の部材を取り付けることで形成してもよい。また、突出部１１ｃの高さは、基板１０の厚みよりも大きくすれば、上記放熱をより低減できる。なお、図１１（ａ）において、突出部１１ｃは、熱伝導板１１の外周部を全て囲うように設けられているが、この形態に限られない。例えば、基板１０の搬送時に通過する熱伝導板１１の外周部には突出部１１ｃを設けないようにしてもよい。
【００２８】
次に、加熱搬送装置ＡＰの動作について、透明導電膜の一種である酸化亜鉛（ＺｎＯ）の形成を例に説明する。
【００２９】
まず、図１に示すゲートバルブ７ａを開けて、搬送部材９を動かすことにより、基板１０を第１チャンバー１ａ内の熱伝導板１１上に載置する。次いで、ゲートバルブ７ａを閉じた後、真空ポンプ４ａを作動させて排気管３ａから余分な気体を排気し、第１チャンバー１ａの内部の圧力を１００〜５００Ｐａ程度に減圧する。次に、ヒーター２ａに通電して、基板１０を加熱する。このときの基板１０の温度は、酸化亜鉛の成膜時の温度よりも１０〜５０℃程度高い温度とすればよい。
【００３０】
次いで、真空ポンプ４ｂを作動させて排気管３ｂから第２チャンバー１ｂ内の余分な気体を排気する。これにより、第１チャンバー１ａおよび第２チャンバー１ｂの内部の圧力がほぼ等しくなる。次に、ゲートバルブ７ｂを開けて、基板１０を第２チャンバー１ｂ内部に搬送する。
【００３１】
基板１０を搬送するときには、図１２に示すように、まずベースプレート１５を上方向に移動させる。これにより、搬送部材９が間隙１２ａ〜１２ｄ内および熱伝導板１１の貫通孔１１ｈ内を移動するようになる。これに伴い、搬送部材９のローラー９ａ〜９ｃの上端部分が熱伝導板１１の上面よりも高い位置に配置される。次に、回転シャフト１３を回転させることによってローラー９ａ〜９ｃを回転させ、基板１０を熱伝導板１１の上面１１ａの上に搬送する。このとき、基板１０が所定の位置まで移動したら、ローラー９ａ〜９ｃの回転を停止させるとともに、ベースプレート１５を元の位置に戻す。以上の動作によって、基板１０は、熱伝導板１１の所定の位置に載置される。なお、基板１０の位置決めは、機械式または光学式のセンサーなどを用いて制御すればよい。このような搬送機構では、基板１０をローラー９ａ〜９ｃで持ち上げた後、ローラー９ａ〜９ｃを回転させることになるため、迅速に基板１０を移動させることができる。さらに、図２（ａ）で示したように、複数の間隙１２ａ〜１２ｄを設けたことによって、基板１０は、両端部だけでなく中央部などでもローラー９ａ〜９ｃによって保持しつつ、駆動させることが可能となる。これにより、被加熱体として比較的大型の基板１０を用いても、自重で凹状にたわみにくくなり、安定して搬送させることができる。
【００３２】
次いで、ゲートバルブ７ｂを閉じた後に、ヒーター２ｂに通電して、基板１０を成膜時の所定の温度、例えば１５０〜２３０℃程度まで加熱し、維持する。次に、原料ガスの導入管５から水蒸気を基板１０上に供給するとともに、別の原料ガスの導入管６からアルキル亜鉛含有化合物ガスおよびドーパント含有化合物ガスの混合ガスを第２チャンバー１ｂ内に供給することによって、酸化亜鉛膜を成膜する。
【００３３】
次いで、所定の厚みに酸化亜鉛膜を成膜後、原料ガスの供給を止めるとともに、第２チャンバー１ｂ内の残留ガスを排気する。次に、真空ポンプ４ｃを作動させて排気管３ｃから第３チャンバー１ｃ内の余分な気体を排気する。これにより、第２チャンバー１ｂおよび第３チャンバー１ｃの内部の圧力がほぼ等しくなる。次いで、ゲートバルブ７ｃを開けて、基板１０を第３チャンバー１ｃ内に移動する。次に、ゲートバルブ７ｃを閉じて排気を止め、次いで、給気配管８ｂから窒素などを供給して第３チャンバー１ｃの内部の圧力をほぼ大気圧まで戻す。最後に、基板１０が十分に冷却された後に、ゲートバルブ７ｄを開けて、基板１０を加熱搬送装置ＡＰから取り出す。
【００３４】
このように、加熱搬送装置ＡＰでは、基板１０の加熱搬送装置ＡＰ内部への導入、加熱工程および成膜、取り出しを異なるチャンバーで行なっているため、連続して成膜することができ、タクトタイムを短縮でき、効率良く成膜できる。また、上述したように、熱伝導板１１の所定の位置に第１低熱伝導部材２２が設けられているため、間隙１２ａ〜１２ｄ近傍における熱伝導板１１の非当接面１１ｓａ〜１１ｓｄの放熱が低減される。これにより、基板１０の温度分布が略均一になるように基板１０を加熱することができる。
【００３５】
なお、上記実施形態及びその変形例をそれぞれ構成する全部または一部を適宜矛盾しない範囲で組み合わせることは可能であり、さらに、図１３に示すように１本の回転シャフト１３に基板１０の２枚分のローラー９ａ〜９ｆを取り付けて、同時に２枚の基板１０を並行に流して処理するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００３６】
ＡＰ；加熱搬送装置
１ａ〜１ｃ；チャンバー
２ａ、２ｂ；加熱台
２ｂ１〜２ｂ５；ヒーター
２ｂｓ；加熱面
２ｂｗ；壁部
２ｂｔ；凸部
３ａ、３ｂ、３ｃ；排気管
４ａ、４ｂ、４ｃ；真空ポンプ
５、６；導入管
７ａ〜７ｄ；ゲートバルブ
８ａ、８ｂ；給気配管
９；搬送部材
９ａ〜９ｆ：ローラー
１０；基板
１１；熱伝導板
１１ａ；熱伝導板の上面
１１ｂ；熱伝導板の下面
１１ｂａ；第１下面部
１１ｃ；突出部
１１ｈ；貫通孔
１１ｔａ〜１１ｔｅ；当接面
１１ｓａ〜１１ｓｄ；非当接面
１１ｆａ〜１１ｆｅ；上面領域
１２ａ〜１２ｄ；間隙
１３；回転シャフト
１４；シャフト支持台
１５；ベースプレート
１６；エアーシリンダー
２０；高熱伝導部材
２０ａ；上面部
２０ｂ；側面部
２１；第１低熱伝導部材
２２；第２低熱伝導部材
２３；低熱放射部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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