(57)【要約】【課題】暗電流を補償する半導体受光装置をより小さい面積で提供すること。【解決手段】光を受光する受光フォトダイオード１１と、光を遮る遮光部を有する遮光フォトダイオード１２と、遮光フォトダイオード１２に流れる暗電流ＩＤに対応したミラー電流Ｉを生成し、ミラー電流Ｉに基づいて受光フォトダイオード１１の暗電流を補償するミラー回路１３とを具備する。受光フォトダイオード１１は光が入射されるＮ型半導体層４０を備え、遮光フォトダイオード１２は遮光部によって光が遮られているＮ型半導体層５０を備える。Ｎ型半導体層５０の最上面はＮ型半導体層４０の最上面よりも面積が小さく、且つ、Ｎ型半導体層５０の最上面の周囲長と、Ｎ型半導体層４０の最上面の周囲長とは略等しい長さである。【選択図】図４Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を受光する受光フォトダイオードと、
前記光を遮る遮光部を有する遮光フォトダイオードと、
前記遮光フォトダイオードに流れる第１暗電流に対応したミラー電流を生成し、前記ミラー電流に基づいて前記受光フォトダイオードの第２暗電流を補償するミラー回路と
を具備し、
前記受光フォトダイオードは、
前記光が入射される第１導電型の第１半導体層
を備え、
前記遮光フォトダイオードは、
前記遮光部によって前記光が遮られている前記第１導電型の第２半導体層
を備え、
前記第２半導体層の最上面は前記第１半導体層の最上面よりも面積が小さく、且つ、前記第２半導体層の最上面の周囲長は、前記第１暗電流の許容範囲が前記第２暗電流に対して±ａ％以内（ａは０以上の整数）の電流値であるとき、前記第１半導体層の最上面の周囲長に対して前記±ａ％以内の長さである
半導体受光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体受光装置であって、
前記第２半導体層の最上面の周囲長は、前記第１暗電流の許容範囲が前記第２暗電流に対して±１０％以内の電流値であるとき、前記第１半導体層の最上面の周囲長に対して前記±１０％以内の長さである
半導体受光装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体受光装置であって、
前記第２半導体層の最上面の周囲長と、前記第１半導体層の最上面の周囲長とは等しい長さである
半導体受光装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体受光装置であって、
前記受光フォトダイオードは、
前記第１半導体層の側部と下部を覆うように形成され、前記第１半導体層を透過した前記光が入射される第２導電型の第３半導体層
を更に備え、
前記遮光フォトダイオードは、
前記第２半導体層の側部と下部を覆うように形成された前記第２導電型の第４半導体層と
を更に備え、
前記第１半導体層と前記第２半導体層とは隣接して配置され、前記第２半導体層と前４半導体層とは共通である
半導体受光装置。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体受光装置であって、
前記第１半導体層の最上面の形状は矩形であり、
前記第２半導体層の最上面の形状はＬ字形である
半導体受光装置。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一項に記載の半導体受光装置と、
前記受光フォトダイオードの光電流の大きさを検出する信号処理回路と
を具備する
照度センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体受光装置および照度センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトダイオードは光が入射すると入射光の強度に応じた光電流を発生する。しかし、フォトダイオードは光が照射されない場合でも暗電流が発生しているため、光電流だけを検出するには暗電流の対策が必要となる。
【０００３】
特許文献１（特開２００７−４３６８９号公報）には、ダークピクセルによって受光フォトダイオードの暗電流を補償するＣＭＯＳイメージセンサが開示されている。このＣＭＯＳイメージセンサは、受光フォトダイオードを有する受光ピクセルと、外部からの光が遮断されたダークフォトダイオードを有するダークピクセルとを含む。ＣＭＯＳイメージセンサは、ダークフォトダイオードに流れる暗電流と同一の大きさの電流を受光フォトダイオードに提供することで、受光フォトダイオードで発生する暗電流を補償することを特徴としている。
【０００４】
特許文献２（特開２００７−２１４９３２号公報）には、固体撮像素子が出力する撮像信号から、暗電流に起因する固定パターン雑音成分を除去する固定パターン雑音除去装置が開示されている。この固定パターン雑音除去装置は、第１暗電流と、第２暗電流と、第３暗電流とを用いて、撮像時の固体撮像素子の有効画素の出力信号から暗電流に起因する固定パターン雑音成分を除去することを特徴とする。第１暗電流は、予め取得した固体撮像素子の遮光画素の出力信号を元に算出される遮光画素の暗電流である。第２暗電流は、入射光が無い状態で予め取得した固体撮像素子の有効画素の出力信号を元に算出される有効画素の暗電流である。第３暗電流は、撮像時の固体撮像素子の遮光画素の出力信号を元に算出される遮光画素の暗電流である。このような固定パターン雑音除去装置によれば、固体撮像素子の温度に関わらず、暗電流に起因する固定パターン雑音成分を効果的に除去することができるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−４３６８９号公報
【特許文献２】特開２００７−２１４９３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
フォトダイオードを備える半導体受光装置は、遮光状態（周囲が真っ暗な状態）で出力がゼロであるべき場合でも微小な出力を発生する。これはフォトダイオードに暗電流が発生するためであり、特に温度が高い場合に増加する傾向がある。この問題を解決するために、特許文献１のように受光用のフォトダイオードと同一構成の遮光用のフォトダイオードを作り込むことで暗電流を補償する方法が考えられる。しかし、特許文献１ではフォトダイオードの面積が単純に倍増することになるため、半導体受光装置が搭載される半導体チップの面積も大幅に増え、コストが高くなる問題がある。
【０００７】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
一実施の形態による半導体受光装置は、光を受光する受光フォトダイオードと、光を遮る遮光部を有する遮光フォトダイオードと、遮光フォトダイオードに流れる第１暗電流に対応したミラー電流を生成し、ミラー電流に基づいて受光フォトダイオードの第２暗電流を補償するミラー回路とを具備する。受光フォトダイオードは光が入射される第１導電型の第１半導体層を備え、遮光フォトダイオードは遮光部によって光が遮られている第１導電型の第２半導体層を備える。第２半導体層の最上面は第１半導体層の最上面よりも面積が小さく、且つ、第２半導体層の最上面の周囲長と第１半導体層の最上面の周囲長とは略等しい。
【０００９】
一実施の形態による照度センサは、半導体受光装置と受光フォトダイオードの光電流の大きさを検出する信号処理回路とを具備する。
【発明の効果】
【００１０】
一実施の形態に半導体受光装置は、より小さい面積で暗電流を補償することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本実施の形態による照度センサ１の構成を示すブロック図である。
【図２】図２は、本実施の形態による半導体受光装置１０の回路図である。
【図３】図３は、ミラー回路１３がＰｃｈ型のＭＯＳトランジスタである場合の半導体受光装置１０の回路図である。
【図４Ａ】図４Ａは、本実施の形態による半導体受光装置１０の平面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、本実施の形態による半導体受光装置１０の断面図である。
【図５】図５は、フォトダイオードの表面側半導体層の最上面の周囲長が、暗電流の支配的パラメータであることを示す試験結果である。
【図６】図６は、図５の結果に基づいて、周囲長と暗電流との関係を示すグラフである。
【図７】図７は、ミラー回路１３がＮＰＮ型のバイポーラトランジスタの場合の半導体受光装置１０の回路図である。
【図８】図８は、ミラー回路１３がＰｃｈ型のＭＯＳトランジスタである場合の半導体受光装置１０の回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照して実施の形態による半導体受光装置及び照度センサを説明する。
【００１３】
図１は、本実施の形態による照度センサ１の構成を示すブロック図である。図１を参照すると、照度センサ１は、半導体受光装置１０と信号処理装置２０とを具備する。照度センサ１は、受光した光に基づいた信号を生成し、後段のマイコンなどの制御装置２に出力する。詳細には、半導体受光装置１０は入射された光の強度に応じた光電流を発生（出力）する。信号処理装置２０は半導体受光装置１０の光電流の大きさを検出し、光電流の大きさを表す信号を制御装置２に出力する。
【００１４】
図２は、本実施の形態による半導体受光装置１０の回路図である。図２を参照すると、半導体受光装置１０は、受光フォトダイオード１１と、遮光フォトダイオード１２と、ミラー回路１３とを具備する。
【００１５】
受光フォトダイオード１１は、一方の端子がノードｎ１を介してミラー回路１３及び信号処理装置２０に接続し、他方の端子が接地電源（ＧＮＤ）に接続する。受光フォトダイオード１１は光を受光し、受光した光に基づいた光電流を流す。一方で、受光フォトダイオード１１は熱励起に基づいた暗電流も流す。半導体受光装置１０は受光フォトダイオード１１に流れるこの暗電流を補償するように動作しており、以降、受光フォトダイオード１１に流れる暗電流を対象暗電流と称する。
【００１６】
遮光フォトダイオード１２は、一方の端子がノードｎ２を介してミラー回路１３に接続し、他方の端子が接地電源（ＧＮＤ）に接続する。遮光フォトダイオード１２は光を遮る遮光部（詳細は後述）を有する。遮光フォトダイオード１２は遮光部によって光を受光しないため光電流を流さないが、熱励起に基づいた暗電流ＩＤは流す。暗電流ＩＤは受光フォトダイオード１１の対象暗電流を補償するための電流である。従って、暗電流ＩＤは対象暗電流と等しいことが最も好ましいが、誤差があってもよい。対象暗電流に対する暗電流ＩＤの許容範囲は、対象暗電流に対して±ａ％以内（ａは０以上の整数）の電流値と表した場合、暗電流ＩＤの許容範囲は±１０％以内（ａ＝１０）が好ましく、最も好ましくは暗電流ＩＤと対象暗電流とが等しくなることである。換言すると、設計上は暗電流ＩＤと対象暗電流とが等しくなるように設計し、製造誤差等として±１０％以内であることが好ましい。
【００１７】
ミラー回路１３は、受光フォトダイオード１１と遮光フォトダイオード１２と信号処理装置２０とに接続される。ミラー回路１３は、トランジスタ１４と、トランジスタ１５とを備える。トランジスタ１５が基準電流側であり、トランジスタ１４がミラー電流を供給する側である。トランジスタ１４は、エミッタが電圧ＶＤＤの電源に接続され、コレクタがノードｎ１を介して受光フォトダイオード１１の一方の端子に接続され、ベースがノードｎ２に接続される。トランジスタ１５は、エミッタが電圧ＶＤＤの電源に接続され、コレクタがノードｎ２を介して遮光フォトダイオード１２の一方の端子に接続され、ベースがノードｎ２に接続される。ミラー回路１３は、遮光フォトダイオード１２に流れる暗電流ＩＤに対応したミラー電流Ｉを生成し、ミラー電流Ｉに基づいて受光フォトダイオード１１の対象暗電流を補償する。即ち、遮光フォトダイオード１２が受光フォトダイオード１１の対象暗電流と概ね等しい暗電流ＩＤを生成し、ミラー回路１３が暗電流ＩＤをミラー電流Ｉとして対象暗電流を補うように提供することで、受光フォトダイオード１１の光電流だけを信号処理装置２０に提供することができる。
【００１８】
尚、ミラー回路１３は、図２ではＰＮＰ型のバイポーラトランジスタとして図示しているが、Ｐｃｈ型のＭＯＳトランジスタであってもよい。図３は、ミラー回路１３がＰｃｈ型のＭＯＳトランジスタである場合の半導体受光装置１０の回路図である。
【００１９】
図４Ａ、図４Ｂは、本実施の形態による半導体受光装置１０の平面図と断面図である。図４Ｂは図４ＡのＡ−Ａに対応した断面図である。ここでは、受光フォトダイオード１１と、遮光フォトダイオード１２との詳細な構成を説明する。尚、図４Ａ及び図４Ｂではミラー回路１３に関する構成は省略されている。
【００２０】
受光フォトダイオード１１は、Ｐ型半導体層３０と、Ｎ型半導体層４０と、Ｐ＋拡散層３１と、Ｎ＋拡散層４１と、配線層６１と、配線層６２と、層間膜７０と、遮光配線層８０とを備える。
【００２１】
Ｐ型半導体層３０はＮ型半導体層４０の側部と下部を覆うように形成される。Ｎ型半導体層４０はＰ型半導体層３０の上部に形成され、Ｐ型半導体層３０と接合してダイオードを構成する。Ｐ＋拡散層３１はＰ型半導体層３０よりも不純物濃度の高いＰ型の半導体層である。Ｎ＋拡散層４１はＮ型半導体層４０よりも不純物濃度の高いＮ型の半導体層である。配線層６１はＰ＋拡散層３１と電気的に接続された受光フォトダイオード１１の電極であって、接地電源（ＧＮＤ）に接続される。配線層６２はＮ＋拡散層４１と電気的に接続された受光フォトダイオード１１の電極であって、電圧ＶＤＤの電源に基づいた所定の電圧が印加される。層間膜７０は、Ｐ型半導体層３０、Ｎ型半導体層４０の一部、Ｎ＋拡散層４１、Ｐ＋拡散層３１、配線層６１、及び、配線層６２の上部を覆うように形成される。遮光配線層８０は、層間膜７０の上に形成された配線層であって、Ｐ型半導体層３０の上方の全てを覆い、且つ、Ｎ型半導体層４０の上方の一部分を開口する開口部８１を有する。光はこの開口部８１から入射する。
【００２２】
Ｎ型半導体層４０について更に詳細に説明する。Ｎ型半導体層４０を平面視したとき、Ｎ型半導体層４０の最上面の周囲１００の形状は矩形である。周囲１００はＮ型半導体層４０の最上面の端部であって、Ｐ型半導体層３０との境界である。また、周囲１００を製造工程から既定すると、Ｐ型半導体層３０にＮ型半導体層４０を形成するためのイオン注入工程において、Ｐ型半導体層３０の上に形成されたフォトレジストの開口部の周囲である。
【００２３】
受光フォトダイオード１１は、開口部８１からＮ型半導体層４０に光が入射され、Ｎ型半導体層４０を透過した光はＰ型半導体層３０に入射される。受光フォトダイオード１１は、開口部８１から入射された光に基づいて光電流を発生する。詳細には、開口部８１から光が入射されると、Ｎ型半導体層４０とＰ型半導体層３０とが構成するダイオードにおいて光に基づいた電子と正孔とが生成される。電子はＮ型半導体層４０に、正孔はＰ型半導体層３０に集まり、Ｐ型半導体層３０層（Ｐ＋拡散層３１）から正孔が流れ、Ｎ型半導体層４０層（Ｎ＋拡散層４１）からは電子が流れ、光電流が発生する。但し、このとき受光フォトダイオード１１は熱励起に基づいた暗電流も併せて流れている。
【００２４】
遮光フォトダイオード１２は、Ｐ型半導体層３０と、Ｎ型半導体層５０と、Ｐ＋拡散層３２と、Ｎ＋拡散層５１と、配線層６３、配線層６４と、層間膜７０と、遮光配線層８０とを備える。
【００２５】
Ｐ型半導体層３０はＮ型半導体層５０の側部と下部を覆うように形成される。Ｎ型半導体層５０はＰ型半導体層３０の上部に形成され、Ｐ型半導体層３０と接合してダイオードを構成する。Ｎ型半導体層５０は遮光配線層８０（遮光部）によって光が遮られている。Ｎ型半導体層４０とＮ型半導体層５０とは周囲環境が同じになるように隣接して配置され、Ｐ型半導体層３０は共通である。Ｐ型半導体層３０は製造工程を簡潔にするために受光フォトダイオード１１と共通であることが好ましいが、各々独立した半導体層であってもよい。Ｐ＋拡散層３２はＰ型半導体層３０よりも不純物濃度の高いＰ型の半導体層である。Ｎ＋拡散層５１はＮ型半導体層５０よりも不純物濃度の高いＮ型の半導体層である。配線層６３はＰ＋拡散層３２と電気的に接続された遮光フォトダイオード１２の電極であって、接地電源（ＧＮＤ）に接続される。配線層６４はＮ＋拡散層５１と電気的に接続された遮光フォトダイオード１２の電極であって、電圧ＶＤＤの電源に基づいた所定の電圧が印加される。層間膜７０は、前述の受光フォトダイオード１１と同様である。遮光配線層８０は、層間膜７０の上に形成された配線層であって、遮光部としてＮ型半導体層５０の上方とＰ型半導体層３０の上方の全てを覆うように形成される。
【００２６】
Ｎ型半導体層５０について更に詳細に説明する。Ｎ型半導体層５０を平面視したとき、Ｎ型半導体層５０の最上面の周囲１１０の形状はＬ字形である。周囲１１０は前述の周囲１００と同様に、Ｎ型半導体層５０の最上面の端部であって、Ｐ型半導体層３０との境界である。また、周囲１１０を製造工程から既定すると、Ｐ型半導体層３０にＮ型半導体層５０を形成するためのイオン注入工程において、Ｐ型半導体層３０の上に形成されたフォトレジストの開口部の周囲である。
【００２７】
Ｎ型半導体層５０の最上面はＮ型半導体層４０の最上面よりも面積が小さく、且つ、周囲１１０で表されるＮ型半導体層５０の最上面の周囲長と、周囲１００で表されるＮ型半導体層４０の最上面の周囲長とは等しい長さである。但し、Ｎ型半導体層５０の最上面の周囲長と、Ｎ型半導体層４０最上面の周囲長とは、その長さが等しいことが最も好ましいが、誤差があってもよい。Ｎ型半導体層５０の最上面の周囲長と、Ｎ型半導体層４０最上面の周囲長とは略等しい長さとも言える。Ｎ型半導体層４０の周囲長に対するＮ型半導体層５０の周囲長の許容範囲は、受光フォトダイオード１１の対象暗電流に対する遮光フォトダイオード１２の暗電流ＩＤの許容範囲と同じである。前述したように、暗電流ＩＤの許容範囲が受光フォトダイオード１１の対象暗電流に対して±ａ％以内（ａは０以上の整数）の電流値と表した場合、暗電流ＩＤの許容範囲は±１０％以内（ａ＝１０）が好ましく、最も好ましくは暗電流ＩＤと対象暗電流とが等しい場合である。従って、Ｎ型半導体層５０の周囲長をＮ型半導体層４０の周囲長に対して±ａ％以内（ａは０以上の整数）と表した場合、±１０％以内（ａ＝１０）であることが好ましく、最も好ましくはＮ型半導体層４０の周囲長と等しい場合である。このように、Ｎ型半導体層５０の最上面はＮ型半導体層４０の最上面よりも面積が小さく、且つ、Ｎ型半導体層５０の最上面の周囲長は、暗電流ＩＤの許容範囲が対象暗電流に対して±ａ％以内（ａは０以上の整数）の電流値であるとき、Ｎ型半導体層４０の最上面の周囲長に対して±ａ％以内の長さである。設計上はＮ型半導体層４０の周囲長とＮ型半導体層５０の周囲長とが等しくなるように設計し、製造誤差等として±１０％以内であることが好ましい。
【００２８】
このように、半導体受光装置１０は受光フォトダイオード１１の対象暗電流を補償するための遮光フォトダイオード１２の面積が小さいため、半導体受光装置１０が搭載される半導体チップの面積を小さくできる効果を奏している。
【００２９】
半導体受光装置１０は、遮光フォトダイオード１２のＮ型半導体層５０の最上面が、受光フォトダイオード１１のＮ型半導体層４０の最上面よりも面積が小さいが、受光フォトダイオード１１の対象暗電流を補償することができる。これは本発明者が、フォトダイオードの暗電流の大きさは、光が入射される側に位置する半導体層の最上面の周囲長に関係していることを見出したことに基づいている。ここでは、フォトダイオードにおいて、光が入射される側に位置する半導体層を表面側半導体層と称する。これまでフォトダイオードの暗電流値を主に決めるパラメータは、表面側半導体層の最上面の面積であると考えられてきた。具体的には、図４ＡのＮ型半導体層４０の最上面の周囲１００で表される面積や、Ｎ型半導体層５０の最上面の周囲１１０で表される面積が支配的であると考えられてきた。しかし、本発明者は表面側半導体層の最上面の面積ではなく、表面側半導体層の最上面の周囲長が暗電流値を決める支配的パラメータであることを見出した。具体的には、図４ＡのＮ型半導体層４０の最上面の周囲１００で表される周囲長や、Ｎ型半導体層５０の最上面の周囲１１０で表される周囲長が暗電流に関係していることを見出した。そこで、Ｎ型半導体層４０の最上面の周囲長と、Ｎ型半導体層５０の周囲長とを概ね一致させつつ、Ｎ型半導体層５０の面積をＮ型半導体層４０の面積より小さくすることで、受光フォトダイオード１１の対象暗電流を小面積な構成で作ることが可能となった。
【００３０】
図５は、フォトダイオードの表面側半導体層の最上面の周囲長が、暗電流の支配的パラメータであることを示す試験結果である。図５では、表面側半導体層の最上面の形状と、最上面の面積と、最上面の周囲長と、暗電流値との関係を示している。ここでは、表面側半導体層の最上面の形状を正方形又は長方形とし、正方形、長方形それぞれの形状で異なる３つの大きさを作製した。図６は、図５の結果に基づいて、周囲長と暗電流との関係を示すグラフである。横軸が周囲長（ｃｍ）を表し、縦軸が暗電流（Ａ）を表している。尚、図５の暗電流は図６にプロットしたデータの平均値を示している。図６より、表面側半導体層の最上面の周囲長と暗電流とが比例し、表面側半導体層の最上面の面積と暗電流との相関が低いことが判明した。つまり、遮光フォトダイオード１２のＮ型半導体層５０の最上面の周囲長を、受光フォトダイオード１１のＮ型半導体層４０の最上面の周囲長に一致させることで、受光フォトダイオード１１の対象暗電流を補償できることが判明した。その結果、遮光フォトダイオード１２のＮ型半導体層５０の最上面の面積は、受光フォトダイオード１１のＮ型半導体層４０の最上面の面積よりも大幅に小さくできることになる。このように、本実施の形態による半導体受光装置１０は、より小さい面積で暗電流を補償することができ、コストを低減できる効果を奏している。
【００３１】
尚、図４ＡではＮ型半導体層４０の最上面の形状は矩形であり、Ｎ型半導体層５０の最上面の形状はＬ字形であるとしているがこれらに限定するものではない。例えば、円形や三角形など種々の形状であってもよい。但し、レイアウト設計上、Ｎ型半導体層４０の最上面の形状は矩形が好ましく、Ｎ型半導体層５０の最上面の形状は矩形、又は矩形を組合せてなるＬ字形や十字形などの形状が好ましい。また、図４Ｂのダイオードを構成するＰ型半導体層３０、Ｎ型半導体層４０、及びＮ型半導体層５０は、それぞれＰ型とＮ型とが逆であってもよい。
【００３２】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。例えば、半導体受光装置１０のミラー回路１３がＮＰＮ型のバイポーラトランジスタやＮｃｈ型のＭＯＳトランジスタであってもよい。図７は、ミラー回路１３がＮＰＮ型のバイポーラトランジスタの場合の半導体受光装置１０の回路図である。また、図８は、ミラー回路１３がＰｃｈ型のＭＯＳトランジスタである場合の半導体受光装置１０の回路図である。
【符号の説明】
【００３３】
１        ：照度センサ
２        ：制御装置
１０      ：半導体受光装置
１１      ：受光フォトダイオード
１２      ：遮光フォトダイオード
１３      ：ミラー回路
１４      ：トランジスタ
１５      ：トランジスタ
２０      ：信号処理装置
３０      ：Ｐ型半導体層
３１      ：Ｐ＋拡散層
３２      ：Ｐ＋拡散層
４０      ：Ｎ型半導体層
４１      ：Ｎ＋拡散層
５０      ：Ｎ型半導体層
５１      ：Ｎ＋拡散層
６１      ：配線層
６２      ：配線層
６３      ：配線層
６４      ：配線層
７０      ：層間膜
８０      ：遮光配線層
８１      ：開口部
Ｉ        ：ミラー電流
ＩＤ      ：暗電流
ｎ１      ：ノード
ｎ２      ：ノード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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