(57)【要約】【課題】セラミック積層体を精度よくカットすることが可能なセラミック積層体のカット方法、それに用いられるセラミック積層体のカット装置、および積層セラミック電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】セラミック積層体１に形成された基準面１１の、基準面形成時に押し切り刃を進入させた方の主面である押し切り開始主面１ａ側端部から厚み方向１／２までの領域に位置決めガイド５を当接させてセラミック積層体の位置決めを行い、セラミック積層体を所定の位置に保持した状態で、セラミック積層体のいずれか一方の主面から押し切り刃３を進入させて厚み方向に押し切りカットする。  保護用セラミック層２４が、セラミック積層体の有効層部２３の押し切り開始主面１ａ側に配設されている場合において、押し切り開始主面１ａ側に配設されている保護用セラミック層２４（２４ａ）に位置決めガイドを当接させる。【選択図】図５
2014060259.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
未焼成のセラミック層を介して内部電極パターンが積層された有効層部と、前記有効層部の一対の主面のうちの少なくとも一方側に配設された保護用セラミック層とを有し、一対の主面のうちのいずれか一方の主面から押し切り刃を進入させて厚み方向に押し切りカットすることにより形成された基準面を備えたセラミック積層体を所定の位置でカットする方法であって、
前記セラミック積層体に形成された前記基準面の、前記基準面形成時に前記押し切り刃を進入させた方の主面である押し切り開始主面側端部から厚み方向１／２までの領域に位置決めガイドを当接させ、前記セラミック積層体を所定の位置に保持した状態で、前記セラミック積層体の一対の主面のうちのいずれか一方の主面から押し切り刃を進入させて厚み方向に押し切りカットすること
を特徴とするセラミック積層体のカット方法。
【請求項２】
前記保護用セラミック層が、前記基準面形成時の前記押し切り開始主面側に配設されている場合において、該保護用セラミック層に前記位置決めガイドを当接させることを特徴とする請求項１記載のセラミック積層体のカット方法。
【請求項３】
前記位置決めガイドとして、前記セラミック積層体の前記基準面に当接する先端部の厚みが、該先端部が当接する前記保護用セラミック層の厚みよりも薄い位置決めガイドを用いることを特徴とする請求項２記載のセラミック積層体のカット方法。
【請求項４】
未焼成のセラミック層を介して内部電極パターンが積層された有効層部と、前記有効層部の一対の主面のうちの少なくとも一方側に配設された保護用セラミック層とを有し、一対の主面のうちのいずれか一方の主面から押し切り刃を進入させて厚み方向に押し切りカットすることにより形成された基準面を備えたセラミック積層体を所定の位置でカットするのに用いられるセラミック積層体のカット装置であって、
前記セラミック積層体が載置されるテーブルと、
前記セラミック積層体に押し当てられて、前記セラミック積層体を厚み方向に押し切りカットする押し切り刃と、
前記セラミック積層体に形成された前記基準面の、前記基準面形成時に前記押し切り刃を進入させた方の主面である押し切り開始主面側端部から厚み方向１／２までの領域に当接して、前記セラミック積層体の位置決めを行う位置決めガイドと、
前記テーブルを駆動するテーブル駆動手段と、
前記セラミック積層体が押し切りカットされるように、前記押し切り刃を動作させる押し切り刃駆動手段と
を備え、
前記位置決めガイドが前記基準面の前記領域に当接し、前記セラミック積層体が所定の位置に保持された状態で、前記セラミック積層体の一対の主面のうちのいずれか一方の主面から押し切り刃が進入することにより、前記セラミック積層体が所定の位置で押し切りカットされるように構成されていること
を特徴とするセラミック積層体のカット装置。
【請求項５】
前記セラミック積層体を構成する前記保護用セラミック層が、前記基準面形成時の前記押し切り開始主面側に配設されている場合において、前記位置決めガイドとして、前記セラミック積層体の前記基準面に当接する先端部の厚みが、該先端部が当接する前記保護用セラミック層の厚みよりも薄い位置決めガイドが用いられていることを特徴とする請求項４記載のセラミック積層体のカット装置。
【請求項６】
複数の内部電極がセラミック層を介して積層された構造を有する積層セラミック素子を備えた積層セラミック電子部品の製造方法であって、
（ａ）複数の内部電極パターンが、未焼成セラミック層を介して積層された構造を有する未焼成のセラミック積層体を形成する工程と、
（ｂ）前記セラミック積層体を所定の位置でカットして、個々の積層セラミック電子部品に対応する個々の積層セラミック素子に分割する工程と、
（ｃ）分割された個々の積層セラミック素子を焼成する工程と
を備えた積層セラミック電子部品の製造方法であって、
前記（ｂ）の工程において、請求項１〜３のいずれかに記載のセラミック積層体のカット方法を用いて、前記セラミック積層体をカットすることにより、個々の積層セラミック素子に分割すること
を特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、積層セラミックコンデンサや積層バリスタのような積層セラミック電子部品の製造工程において用いられる、セラミック積層体のカット方法、セラミック積層体のカット装置、および積層セラミック電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
代表的なセラミック電子部品の一つに、例えば、図７に示すような構造を有する積層セラミックコンデンサがある。そして、積層セラミックコンデンサは、図７に示すように、誘電体層であるセラミック層４２を介して複数の内部電極４１ａ，４１ｂが積層された積層セラミックコンデンサ素子４３の両端面に、内部電極４１ａ，４１ｂと導通するように外部電極４４ａ，４４ｂが配設された構造を有している。
【０００３】
ところで、このような積層セラミックコンデンサを製造する場合、通常、
（ａ）複数の内部電極パターンが、未焼成セラミック層を介して積層された構造を有する未焼成のセラミック積層体（マザー積層体）を形成する工程、
（ｂ）このセラミック積層体を所定の位置でカットして、個々の積層セラミック電子部品に対応する積層体（個々の積層セラミック素子）に分割する工程、
（ｃ）分割された個々の積層セラミック素子を焼成する工程、
（ｄ）焼成後の積層セラミック素子の所定の位置に外部電極形成用の導電性ペーストを塗布して焼き付けることにより外部電極を形成する工程
などを経て製造される。
【０００４】
ところで、このような積層セラミック電子部品の製造方法として、図８に示すように、負圧室１１１に通じる吸引孔１１２を備えたテーブル１１０上に載置されたセラミック積層体（マザー積層体）１０１の一端面１０２を基準ガイド１０３に当接させ、セラミック積層体１０１の位置決めを行った後、等間隔でカット刃（押し切り刃）１０４を順次移動させながら、カット刃１０４を垂直に下降させて、セラミック積層体１０１を厚み方向に押し切りカットする工程を経て積層セラミック電子部品を製造する方法が提案されている（特許文献１参照）。
【０００５】
しかしながら、上述の特許文献１の方法の場合、位置決め用の基準ガイド１０３が当接するセラミック積層体（マザー積層体）の一端面１０２は、セラミック積層体をカットして個々の積層セラミック電子部品に対応する積層体に分割する前に、セラミック積層体（マザー積層体）を所定の位置で切断することにより形成される切断端面であることから、以下の問題が生じる。
【０００６】
（１）例えば、セラミック積層体（マザー積層体）１０１の端面１０２が、押し切り刃を用いた押し切りカットによる切断端面である場合、押し切り刃の先端の形状精度、押し切り刃がセラミック積層体（マザー積層体）１０１に入る角度、押し切りカットを行う際の力の加わり方などによって、セラミック積層体１０１の端面（切断端面）１０２（図９参照）が、セラミック積層体の主面に対して垂直に形成されず、また、端面の平坦性や直線性も悪くなる。また、押し切り方向（垂直方向）の直線性ばかりでなく、押し切り刃の長手方向と平行な方向の直線性も低下する傾向がある。
特に押し切り開始主面から離れた領域（押し切り深さが深い領域）では、端面の平坦性や直線性が低下する。
【０００７】
（２）また、セラミック積層体（マザー積層体）は、通常、内部電極とセラミックグリーンシートが交互に複数層積層されてなる有効層と、内部電極を介在させずにセラミックグリーンシートを複数積層してなる保護用セラミック層とを備えており、有効層と保護用セラミック層とでは、硬さが異なるため、上述のような押し切りの方法で切断した場合、硬さの位置的な差異により、端面（切断端面）が、セラミック積層体の主面に対して垂直に形成されず、直線性が悪くなる。また、押し切り方向（垂直方向）の直線性ばかりでなく、押し切り刃の長手方向と平行な方向の直線性についても低下する。
【０００８】
このため、図９に示すように、基準ガイド１０３のセラミック積層体１０１の端面１０２に当接する先端部１０３ａの厚みが厚い場合、位置決めガイドがセラミック積層体１０１の端面１０２の垂直でない、傾きのある部分や、直線性が悪い部分に当接することになる。その結果、基準ガイド１０３の位置と、それに当接した状態にあるセラミック積層体１０１の位置が一定にならない場合が生じたり、セラミック積層体１０２を個々の積層セラミック電子部品に対応する積層体（積層セラミック素子）に分割する際（切断中）にセラミック積層体１０１の位置がずれたりして、切断位置精度が低下するという問題点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０００−５８４０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上記課題を解決するものであり、セラミック積層体を意図する位置で精度よくカットすることが可能なセラミック積層体のカット方法、それに用いられるセラミック積層体のカット装置、および信頼性の高い積層セラミック電子部品を効率よく製造することが可能な積層セラミック電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、セラミック積層体のカット方法は、
未焼成のセラミック層を介して内部電極パターンが積層された有効層部と、前記有効層部の一対の主面のうちの少なくとも一方側に配設された保護用セラミック層とを有し、一対の主面のうちのいずれか一方の主面から押し切り刃を進入させて厚み方向に押し切りカットすることにより形成された基準面を備えたセラミック積層体を所定の位置でカットする方法であって、
前記セラミック積層体に形成された前記基準面の、前記基準面形成時に前記押し切り刃を進入させた方の主面である押し切り開始主面側端部から厚み方向１／２までの領域に位置決めガイドを当接させ、前記セラミック積層体を所定の位置に保持した状態で、前記セラミック積層体の一対の主面のうちのいずれか一方の主面から押し切り刃を進入させて厚み方向に押し切りカットすること
を特徴としている。
【００１２】
また、本発明のセラミック積層体のカット方法においては、前記保護用セラミック層が、前記基準面形成時の前記押し切り開始主面側に配設されている場合において、当該保護用セラミック層に前記位置決めガイドを当接させることが好ましい。
【００１３】
保護用セラミック層が、セラミック積層体の有効層部の押し切り開始主面側に配設されている場合において、該保護用セラミック層に位置決めガイドを当接させることにより、位置決めガイドが、上記基準面における、該基準面を形成する際の押し切り開始主面に近く、直線性、平坦性が高く、押し切り開始主面に対する垂直性に優れた領域に当接するため、セラミック積層体を意図する位置で精度よくカットすることが可能になり、本発明をより実効あらしめることができる。
【００１４】
また、前記位置決めガイドとして、前記セラミック積層体の前記基準面に当接する先端部の厚みが、該先端部が当接する前記保護用セラミック層の厚みよりも薄い位置決めガイドを用いることが好ましい。
【００１５】
セラミック積層体の基準面に当接する先端部の厚みが、セラミック積層体の、前記保護用セラミック層の厚みよりも薄い位置決めガイドを用いることにより、上述の直線性、平坦性、垂直性の高い、保護用セラミック層のみに位置決めガイドを確実に当接させることが可能になる。その結果、セラミック積層体の位置決め精度をさらに向上させることが可能になるとともに、押し切りカット中のセラミック積層体の位置ずれを低減することが可能になり、カット位置精度を向上させ、所望のカット形状を得ることができるようになる。
【００１６】
また、本発明のセラミック積層体のカット装置は、
未焼成のセラミック層を介して内部電極パターンが積層された有効層部と、前記有効層部の一対の主面のうちの少なくとも一方側に配設された保護用セラミック層とを有し、一対の主面のうちのいずれか一方の主面から押し切り刃を進入させて厚み方向に押し切りカットすることにより形成された基準面を備えたセラミック積層体を所定の位置でカットするのに用いられるセラミック積層体のカット装置であって、
前記セラミック積層体が載置されるテーブルと、
前記セラミック積層体に押し当てられて、前記セラミック積層体を厚み方向に押し切りカットする押し切り刃と、
前記セラミック積層体に形成された前記基準面の、前記基準面形成時に前記押し切り刃を進入させた方の主面である押し切り開始主面側端部から厚み方向１／２までの領域に当接して、前記セラミック積層体の位置決めを行う位置決めガイドと、
前記テーブルを駆動するテーブル駆動手段と、
前記セラミック積層体が押し切りカットされるように、前記押し切り刃を動作させる押し切り刃駆動手段と
を備え、
前記位置決めガイドが前記基準面の前記領域に当接し、前記セラミック積層体が所定の位置に保持された状態で、前記セラミック積層体の一対の主面のうちのいずれか一方の主面から押し切り刃が進入することにより、前記セラミック積層体が所定の位置で押し切りカットされるように構成されていること
を特徴としている。
【００１７】
本発明のセラミック積層体のカット装置においては、前記セラミック積層体を構成する前記保護用セラミック層が、前記基準面形成時の前記押し切り開始主面側に配設されている場合において、前記位置決めガイドとして、前記セラミック積層体の前記基準面に当接する先端部の厚みが、該先端部が当接する前記保護用セラミック層の厚みよりも薄い位置決めガイドが用いられていることが好ましい。
【００１８】
上記構成を備えることにより、前記基準面における、直線性、平坦性、垂直性に大きな乱れが生じていない確率のより高い領域に位置決めガイドを当接させて、セラミック積層体を意図する位置でより精度よくカットすることが可能になり、本発明をさらに実効あらしめることができる。
【００１９】
また、本発明の積層セラミック電子部品の製造方法は、
前記セラミック積層体を構成する前記保護用セラミック層が、前記基準面形成時の前記押し切り開始主面側に配設されている場合において、前記位置決めガイドとして、前記セラミック積層体の前記基準面に当接する先端部の厚みが、該先端部が当接する前記保護用セラミック層の厚みよりも薄い位置決めガイドが用いられていることを特徴としている。
また、本発明の積層セラミック電子部品の製造方法は、
複数の内部電極がセラミック層を介して積層された構造を有する積層セラミック素子を備えた積層セラミック電子部品の製造方法であって、
（ａ）複数の内部電極パターンが、未焼成セラミック層を介して積層された構造を有する未焼成のセラミック積層体を形成する工程と、
（ｂ）前記セラミック積層体を所定の位置でカットして、個々の積層セラミック電子部品に対応する個々の積層セラミック素子に分割する工程と、
（ｃ）分割された個々の積層セラミック素子を焼成する工程と
を備えた積層セラミック電子部品の製造方法であって、
前記（ｂ）の工程において、請求項１〜３のいずれかに記載のセラミック積層体のカット方法を用いて、前記セラミック積層体をカットすることにより、個々の積層セラミック素子に分割すること
を特徴としている。
【発明の効果】
【００２０】
本発明のセラミック積層体のカット方法は、セラミック積層体に形成された基準面の、基準面形成時に押し切り刃を進入させた方の主面である押し切り開始主面側端部から厚み方向１／２までの領域に位置決めガイドを当接させ、セラミック積層体を所定の位置に保持した状態で、前記セラミック積層体の一対の主面のうちのいずれか一方の主面から押し切り刃を進入させて厚み方向に押し切りカットするようにしているので、位置決めガイドが、上記基準面における、該基準面を形成する際の押し切り開始主面に近く、直線性、平坦性が高く、押し切り開始主面に対する垂直性に優れた領域に当接するため、セラミック積層体を意図する位置で精度よくカットすることが可能になる。
なお、基準面を形成する際の押し切り開始主面に近くは、押し切り方向（垂直方向）の直線性ばかりでなく、押し切り刃の長手方向の直線性も高いため、押し切り刃の長手方向に平行な方向の直線性も高くなることから、その点でもセラミック積層体を精度よくカットすることが可能になる。
【００２１】
すなわち、基準面形成時に押し切り刃が入る押し切り開始主面に近い部分では、刃先の形状精度、刃の入る角度、切断時の力のかかり方の違いによる直線性、平坦性、垂直性の悪化が生じにくく、位置決めガイドが当接する領域の直線性、平坦性、垂直性が良好で、押し切りカット中のセラミック積層体の位置ずれを低減して、カット位置精度を向上させることが可能になるとともに、所望のカット形状を得ることが可能になる。
【００２２】
また、本発明のセラミック積層体のカット装置は、セラミック積層体が載置されるテーブルと、セラミック積層体を厚み方向にカットする押し切り刃と、セラミック積層体に形成された基準面の、基準面形成時に前記押し切り刃を進入させた方の主面側端部から厚み方向１／２までの領域に当接して、セラミック積層体の位置決めを行う位置決めガイドと、テーブル駆動手段と、押し切り刃を動作させる押し切り刃駆動手段とを備え、位置決めガイドが基準面の上記領域に当接し、セラミック積層体が所定の位置に保持された状態で、セラミック積層体の一対の主面のうちのいずれか一方の主面から押し切り刃が進入することにより、セラミック積層体が所定の位置で押し切りカットされるように構成されているので、押し切りカット中のセラミック積層体の位置ずれを低減して、カット位置精度を向上させることが可能になるとともに、所望のカット形状を得ることが可能になる。
【００２３】
また、本発明の積層セラミック電子部品の製造方法は、複数の内部電極がセラミック層を介して積層された構造を有する積層セラミック素子を備えた積層セラミック電子部品を製造方法するにあたって、（ａ）未焼成のセラミック積層体を形成する工程、（ｂ）セラミック積層体を所定の位置でカットして、個々の積層セラミック素子に分割する工程、（ｃ）得られた個々の積層セラミック素子を焼成する工程、を備えており、かつ、上記（ｂ）の工程において、本発明のセラミック積層体のカット方法を用いて、前記セラミック積層体をカットすることにより、個々の積層セラミック素子に分割するようにしているので、カット位置精度やカット形状精度が高く、個々の積層セラミック素子における内部電極が所望の位置に配設された信頼性の高い積層セラミック電子部品を効率よく製造することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実施形態にかかるセラミック積層体のカット装置の構成を模式的に示す斜視図である。
【図２】本発明のカット装置によりカットされるセラミック積層体の構成を模式的に示す図である。
【図３】セラミック積層体の基準面の形成方法を説明する図であり、（ａ）は押し切り刃によりセラミック積層体の一辺をカットしている状態を示す図、（ｂ）はカットすることにより基準面を形成した後のセラミック積層体の基準面を示す図である。
【図４】本発明の実施形態にかかるセラミック積層体のカット方法を説明するための図であって、セラミック積層体の基準面に位置決めガイドを当接させた状態を示す図である。
【図５】本発明の実施形態にかかるセラミック積層体のカット方法の一工程において、セラミック積層体を押し切りカットしている状態を示す図である。
【図６】本発明の実施形態にかかるセラミック積層体のカット方法を用いてセラミック積層体を押し切りカットすることにより得られる積層セラミック素子を示す図である。
【図７】本発明の積層セラミック電子部品の製造方法により製造される積層セラミック電子部品（積層セラミックコンデンサ）の構成を示す断面図である。
【図８】従来の積層セラミック電子部品の製造方法の一工程でセラミック積層体をカットする方法を示す図である。
【図９】従来の積層セラミック電子部品の製造方法の問題点を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下に本発明の実施形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【００２６】
図１は本発明の実施形態にかかるセラミック積層体のカット装置の構成を模式的に示す斜視図、図２は本発明の実施形態にかかるカット装置によりカットされるセラミック積層体の構成を示す断面図、図３は本発明の実施形態においてセラミック積層体の基準面を形成する方法を示す図であり、（ａ）は押し切り刃によりセラミック積層体の一辺をカットしている状態を示す図、（ｂ）はカットすることにより基準面を形成した後のセラミック積層体の基準面を示す図である。
【００２７】
図１および２に示すように、このセラミック積層体のカット装置２０は、セラミック積層体１を保持するテーブル２と、セラミック積層体１に押し当てられて、セラミック積層体１を厚み方向に押し切りカットする押し切り刃３と、押し切り刃３を把持するクランプ部４と、セラミック積層体１に形成された基準面１１に当接して、セラミック積層体１が押し切り工程で位置ずれを生じないようにする位置決めガイド５と、テーブル１を駆動するテーブル駆動手段６と、セラミック積層体１が押し切りカットされるように、クランプ部４を介して押し切り刃３を上下に動作させる押し切り刃駆動手段７と、セラミック積層体１が有する内部電極パターン２２（図２参照）の間隔、すなわち、分割後に個々の積層セラミック素子３１（図２参照）となる領域のそれぞれに含まれる内部電極パターン２２の間隔を検出して、セラミック積層体１を押し切りカットする位置を決定するためのセンサ（この実施形態ではＣＣＤカメラ）８ａ，８ｂを備えている。
【００２８】
また、このカット装置２０を用いてカットされるセラミック積層体１は、積層セラミック電子部品（この実施形態では積層セラミックコンデンサ）の製造工程において形成されるものであり、例えば、図２に模式的に示すように、未焼成のセラミック層２１を介して内部電極パターン２２が積層された有効層部２３と、有効層部２３を両主面側から挟み込むように配設された保護用セラミック層２４とを有している。なお、内部電極パターン２２は、分割後に個々の積層セラミック素子３１となる領域のそれぞれに、未焼成のセラミック層２２を介して配設されている。
【００２９】
なお、セラミック積層体１の有効層部２３の厚みは１６００μｍ、その上下の保護用セラミック層２４の厚みはそれぞれ１００μｍとされている。
【００３０】
また、セラミック積層体１の上述の基準面１１は、図３（ａ）に示すように、一対の主面のうちのいずれか一方の主面（この実施形態では上側主面）１ａから押し切り刃１３を進入させて厚み方向に押し切りカットすることにより形成されている。
【００３１】
なお、この実施形態では、基準面１１を形成する際の押し切り刃１３として、セラミック積層体をカットするために用いられる押し切り刃３と同じものを用いている。ただし、異なる押し切り刃を用いることも可能である。
【００３２】
また、図３（ｂ）に、模式的に示すように、基準面１１は、押し切り刃１３を進入させた方の主面（押し切り開始主面）１ａに近い領域、すなわち、押し切り開始主面１ａから、厚み方向１／２付近までの領域は、直線性、平坦性が高く、押し切り開始主面１ａに対する垂直性に優れているが、厚み方向１／２付近を越えた領域は、直線性、平坦性が低く、押し切り開始主面１ａに対する垂直性に劣る領域となっている。
【００３３】
また、この実施形態において用いられている位置決めガイド５は、セラミック積層体１の基準面１１に当接する先端部５ａの厚みＴ（図４，図５参照）が、セラミック積層体１の、保護用セラミック層２４（２４ａ）の厚みよりも薄く形成されている（先端部５ａの厚みＴ＝５０μｍ）。
【００３４】
次に、上述のカット装置２０を用いてセラミック積層体１を押し切りカットする方法、および、押し切りカットすることにより得られる個々の積層セラミック素子３１を用いて、積層セラミック電子部品（積層セラミックコンデンサを製造する方法について説明する。
【００３５】
（１）まず、未焼成のセラミック積層体１を、カット装置２０のテーブル２上に載置する。
【００３６】
セラミック積層体１を作製する方法としては、例えば、内部電極パターンが印刷されたセラミックグリーンシートを複数枚積層し、上下に適宜の枚数の内部電極パターンが印刷されていない保護層用のセラミックグリーンシートを積層する方法が挙げられる。
【００３７】
ただし、セラミックペーストを印刷し、乾燥した後に、内部電極ペーストを印刷する工程を繰り返すことにより、未焼成のセラミック積層体（未焼成マザーセラミック積層体）を作製する方法を採用することもできる。
【００３８】
（２）それから、セラミック積層体１の４辺を、上述のように、押し切り刃１３（３）により押し切りカットして、基準面１１を形成する。なお、この実施形態では、基準面形成用の押し切り刃１３として、セラミック積層体を、個々の積層セラミック素子３１に分割するために用いる押し切り刃３と同じものを用いている。ただし、別のテーブル上で、別の押し切り刃を用いてセラミック積層体をカットして、基準面を形成することも可能である。
【００３９】
（３）それから、図４に示すように、セラミック積層体１の所定の基準面１１の、上側の保護用セラミック層２４（２４ａ）に、位置決めガイド５の先端部５ａを当接させ、セラミック積層体１の位置決めを行う。
なお、この実施形態では、位置決めガイド５のセラミック積層体１の基準面１１への当接位置は、セラミック積層体１の上側主面１ａから０〜５０μｍ下の位置に、位置決めガイド５の先端部５ａの上端が位置するように設定される。
【００４０】
（４）次に、センサ８ａ，８ｂによりセラミック積層体１の所定のカット位置が検出され、位置決めガイド５によりセラミック積層体１が所定の位置に位置決めされた状態で、押し切り刃駆動手段７により、クランプ部４を介して押し切り刃３を動作させることにより、図５に示すように、押し切り刃３をセラミック積層体１に進入させ、厚み方向に押し切りカットする。
【００４１】
その後、テーブル駆動手段６によりテーブル２を移動させ、先のカットラインと平行な複数の所定位置で、同様の方法でセラミック積層体１を押し切りカットした後、テーブル２を９０°回転させる。そして、先と同様の方法でセラミック積層体１を平行な複数の所定位置で押し切りカットして、セラミック積層体１を個々の積層セラミック素子３１（図６参照）に分割する。
【００４２】
なお、この実施形態では、位置決めガイド４の先端部５ａの厚みＴ（５０μｍと）が、セラミック積層体１の、該先端部５ａが当接する保護用セラミック層２４（２４ａ）の厚み（１００μｍ）よりも薄く形成されており、基準面１１の、直線性、平坦性が高く、押し切り開始主面１ａに対する垂直性に優れた領域（押し切り開始主面１ａ側の保護用セラミック層２４（２４ａ）の端面に当接するため、セラミック積層体１の位置ズレによるカットずれ不良を改善して、セラミック積層体１を、所定の位置で確実に分割して、形状精度や、内部電極パターンの位置精度などに優れた個々の積層セラミック素子３１を得ることができる。
なお、基準面１１の、押し切り開始主面１ａに近い領域は、押し切り方向（垂直方向）の直線性ばかりでなく、押し切り刃３の長手方向の直線性も高いため、基準面１１の、押し切り刃３に平行な方向の直線性も高くなり、その点でもセラミック積層体１を精度よくカットすることが可能になる。
【００４３】
また、この実施形態では、セラミック積層体１の基準面１１に当接する先端部の厚みが５０μｍの位置決めガイドを用いた本発明の実施形態にかかるカット方法でセラミック積層体１をカットした場合と、セラミック積層体１の基準面１１に当接する先端部の厚みが１０００μｍで、セラミック積層体の厚みの１／２を超える位置決めガイドを用いた比較例のカット方法でセラミック積層体をカットした場合の、カット位置ずれ不良の発生率を調べた。
【００４４】
ここでは、セラミック積層体１をカットすることにより得られる個々の積層セラミック素子３１（図６参照）における、内部電極２２の端部と、積層セラミック素子３１の端面３１ａとの間隔（サイドギャップ）Ｇの目標値を２２０μｍとした場合において、サイドギャップＧが７０μｍ未満になった試料をカット位置ずれ不良が生じた試料と判定し、試験に供した試料数に対する不良発生試料数の割合を調べ、上記実施形態の場合と比較例の場合でその発生率を比較した。
【００４５】
その結果、本発明の実施形態にかかるカット方法の場合、カット位置ずれ不良の発生率を、比較例のカット方法の場合の約２割にまで減少させることができた。
【００４６】
（５）それから、個々の積層セラミック素子３１を、カット装置２０から排出し、所定の温度に加熱して脱脂した後、焼成し、焼結済みの積層セラミック素子を得る。
【００４７】
（６）次に、この焼結済みの積層セラミック素子の両端面に外部電極形成用の導電性ペーストを塗布して焼き付けることにより外部電極を形成する。
【００４８】
なお、外部電極の形成は、個々の積層セラミック電子部品単位の積層セラミック素子を焼成する前に、その両端部に外部電極形成用の導電ペーストを積層体に塗布し、積層セラミック素子の焼成工程において同時に外部電極形成用の導電性ペーストを焼き付けることによって形成することも可能である。
【００４９】
これにより、図７に示すように、複数の内部電極４１ａ，４１ｂがセラミック層４２を介して積層された構造を有する、焼結済みの積層セラミック素子４３（セラミックコンデンサ素子）の両端に、内部電極４１ａ，４１ｂと導通する外部電極４４ａ，４４ｂが配設されたチップ型の積層セラミックコンデンサ４０が得られる。なお、この実施形態で作製した積層セラミックコンデンサは、長さ：３．２ｍｍ、幅：１．６ｍｍ、厚み：１．６ｍｍの寸法を有するものである。
【００５０】
なお、上記実施形態では、積層セラミックコンデンサを製造する場合を例にとって説明したが、本発明は、インダクタ、圧電部品、サーミスタ、バリスタなどの製造にも適用することが可能である。
【００５１】
具体的には、
（ａ）インダクタの場合、例えば、フェライトなどの磁性体セラミック材料を用いた未焼成のセラミック積層体を個々の積層セラミック素子に分割する工程、
（ｂ）圧電部品の場合、例えば、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）系セラミックスなどの圧電セラミック材料を用いた未焼成のセラミック積層体を個々の積層セラミック素子に分割する工程、
（ｃ）サーミスタの場合、例えば、半導体セラミック材料（スピネル系セラミックなど）を用いた未焼成のセラミック積層体を個々の積層セラミック素子に分割する工程、
（ｄ）バリスタの場合、例えば、電圧非直線性セラミック材料（酸化亜鉛、チタン酸ストロンチウムなど）を用いた未焼成のセラミック積層体を個々の積層セラミック素子に分割する工程
などに本発明のセラミック積層体のカット方法およびカット装置を用いることが可能であり、また、本発明の積層セラミック電子部品の製造方法を適用することができる。
【００５２】
なお、上記実施形態では、セラミック積層体の基準面の形成と、その後のセラミック積層体の押し切りカットを同じテーブル上で、同じ押し切り刃を用いて行うようにしているが、別のテーブル上で、別の押し切り刃を用いてセラミック積層体をカットして、基準面を形成し、その個々の積層セラミック素子に分割するためのテーブルにセラミック積層体を載置して押し切りカットを行うように構成することも可能である。
【００５３】
また、別のテーブルで、基準面を形成したセラミック積層体を、裏返して（すなわち、基準面形成時の押し切り開始主面が下側になるようにして）、個々の積層セラミック素子に分割するためのカットが行われるテーブルに載置し、基準ガイドを基準面形成時の押し切り開始主面側の保護用セラミック層（下側の保護用セラミック層）に当接させて位置決めを行うように構成することも可能である。
【００５４】
また、本発明は、セラミック積層体が保護用セラミック層を備えていないものである場合にも適用することが可能である。
【００５５】
本発明は、さらにその他の点においても、上記実施形態に限定されるものではなく、セラミック積層体の具体的な構成（未焼成のセラミック層を介して内部電極パターンが積層された有効層部の厚み、有効層部を構成する内部電極パターンの積層数、保護用セラミック層の厚みなど）、セラミック積層体のカット装置を構成する押し切り刃、テーブル、位置決めガイド、テーブル駆動手段、押し切り刃駆動手段などの構成その他に関し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【符号の説明】
【００５６】
１              セラミック積層体
１ａ            押し切り開始主面
２              テーブル
３              押し切り刃
４              クランプ部
５              位置決めガイド
５ａ            位置決めガイドの先端部
６              テーブル駆動手段
７              押し切り刃駆動手段
８ａ，８ｂ      センサ（ＣＣＤカメラ）
１１            基準面
２０            セラミック積層体のカット装置
２１            未焼成のセラミック層
２２            内部電極パターン
２３            有効層部
２４            保護用セラミック層
２４ａ          押し切り開始主面側の保護用セラミック層
３１            分割後に得られる積層セラミック素子
３１ａ          積層セラミック素子の端面
４０            積層セラミックコンデンサ
４１ａ，４１ｂ  内部電極
４２            セラミック層（誘電体セラミック層）
４３            積層セラミック素子（セラミックコンデンサ素子）
４４ａ，４４ｂ  外部電極
Ｇ              サイドギャップ
Ｔ              位置決めガイドの先端部の厚み
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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