(57)【要約】      （修正有）【課題】機械的及び熱的影響に対して耐性を備える、接点間接続を有する基板装置及び当該装置を備えるパワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】本発明は、ボンディング手段（１５）を第１の基板（３）の接点（７）にボンディングして、ループ（１７）を形成し、第２の基板（５）の端部（１４）から伸びる突出部（１３）に形成した接点（１１）をボンディング手段（１５）に電気的に接続する工程を備える、当該接点（７）を当該接点（１１）に電気的に接続する方法であって、第１の基板（３）が第２の基板（５）の下に置かれる、方法を与える。さらに、本発明は、上述の方法及び上述の装置（１）を備えるパワー半導体モジュールに従って、第１の基板（３）の接点（７）が第２の基板（５）の接点（１１）に接続される、第１及び第２の基板（３、５）の装置（１）であって、これにより、第１の基板（３）が第２の基板（５）の下に置かれる、装置を与える。【選択図】図１
2014030017.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板（３）の接点（７）を第２の基板（５）の接点（１１）に電気的に接続するための方法であって、これにより、前記第１の基板（３）が前記第２の基板（５）の下に置かれる、方法において、
前記第１の基板（３）に、前記第２の基板（５）の方を向くその接点（７）を与えることと、
前記第２の基板（５）に、前記第１の基板（３）から離れる方向を向くその接点（１１）を与えることと、
ボンディング手段（１５）を前記第１の基板（３）の前記接点（７）にボンディングすることと、
前記ボンディング手段（１５）を前記第１の基板（３）にボンディングすることによりループ（１７）を形成することと、
前記第２の基板（５）の前記接点（１１）を前記ボンディング手段（１５）に電気的に接続することと、
前記第２の基板（５）に、前記第２の基板（１４）の端部（１４）から伸びる突出部（１３）を与えることと、これにより前記第２の基板（５）の前記接点（１１）が前記突出部（１３）上に与えられる、
工程を備える方法。
【請求項２】
ボンディング手段（１５）を前記第１の基板（３）の前記接点（７）にボンディングすること及び前記ボンディング手段（１５）を前記第１の基板（３）にボンディングすることによりループ（１７）を形成することの前記工程は、前記第２の基板（５）の接点（１１）を前記ボンディング手段（１５）に接続する工程の前に実行され、
前記方法は、前記第２の基板（５）の前記接点（１１）を前記ボンディング手段（１５）に接続する前記工程の前に、前記第２の基板（５）を前記ループ（１７）の中に挿入する更なる工程を含む、
請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記第２の基板（５）の前記接点（１１）を前記ボンディング手段（１５）に電気的に接続する前記工程は、前記ボンディング手段（１５）を前記第１の基板（３）にボンディングすることによりループ（１７）を形成することの前記工程の前に実行され、
前記第２の基板（５）の前記接点（１１）を前記ボンディング手段（１５）に接続する前記工程は、前記ボンディング手段（１５）を前記第２の基板（５）の前記接点にボンディングすることを含む、
請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記第２の基板（５）に、間に舌状部（１９）を形成する２つの切り目（２１）を与えることの更なる工程であって、これにより、前記第２の基板（５）の接点（１１）が前記舌状部（１９）上に与えられる、工程を備える、
任意の先行する請求項に記載の方法。
【請求項５】
前記突出部（１３）または舌状部（１９）に、前記第２の基板（５）に接続されたその端部（２３）において、その自由端（２５）の伸長と比較してより小さい伸長を与えることの更なる工程を備え、
前記ループ（１７）の中に前記第２の基板（５）を挿入する前記工程は、より大きな伸長を備える前記突出部（１３）または前記舌状部（１９）の前記端部（２５）の上に前記ボンディング手段（１５）を通すことと、前記ボンディング手段（１５）を前記突出部（１３）または前記舌状部（１９）の異なる領域に位置させることとを備える、
請求項２と組み合わされる任意の先行する請求項１または４に記載の方法。
【請求項６】
前記突出部（１３）または前記舌状部（１９）に、前記第２の基板（５）に接続されたその端部（２３）において、その自由端（２５）の伸長と比較して、より小さい伸長を与える前記工程は、Ｔ型またはアンカー型を備える前記突出部（１３）または前記舌状部（１９）与えることを含む、
請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記第２の基板（５）の前記接点（１１）を前記ボンディング手段（１５）に電気的に接続する前記工程は、糊付け、ボンディング、溶着、はんだ付または蝋着を含む、
任意の先行する請求項に記載の方法。
【請求項８】
前記ボンディング手段（１５）を前記第１の基板（３）にボンディングすることによりループ（１７）を形成する前記工程は、前記ボンディング手段（１５）を前記第１の基板（３）の前記接点（７）に接着することを含む、
任意の先行する請求項に記載の方法。
【請求項９】
銅で作られた前記ボンディング手段（１５）を提供する工程を含む、
任意の先行する請求項に記載の方法。
【請求項１０】
同一材料で作られた前記第１及び前記第２の基板（３、５）の接点（７，９）、及び前記ボンディング手段（１５）を与える工程を含む、
任意の上の請求項に記載の方法。
【請求項１１】
任意の先行する請求項に記載の方法に従って、前記第１の基板（３）の接点（７）が前記第２の基板（５）の接点（１１）に接続される、
前記第１の基板（３）と前記第２の基板（５）の装置（１）であって、これにより、第１の基板（３）が第２の基板（５）の下に置かれる、装置。
【請求項１２】
複数の第１の基板（３）の接点（７）は、１つの第２の基板（５）の接点（１１）に接続される、
先行する請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
請求項１１または１２のいずれかに従う装置（１）を備えるパワー半導体モジュール。
【請求項１４】
パワー半導体は、前記第１の基板（３）上に置かれ、前記第２の基板（５）は、前記パワー半導体モジュールの補助的な接点を与えるための補助的な接続として与えられる、
先行する請求項１３記載のパワー半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１の基板の接点(contact)を第２の基板の接点に電気的に接続する分野であって、これにより第１の基板が第２の基板の下に置かれる分野に関連する。
【背景技術】
【０００２】
垂直方向における２つの基板の装置(arrangement)は、例えば、パワー半導体モジュールで使用される。パワー半導体モジュールは、高電圧及び高電流を切り替えるための高出力用途で使用され、複数のパワー半導体モジュールを備える。単一のパワー半導体それぞれは、最大電圧及び最大電流を有するので、パワー半導体は、しばしば、高出力用途での使用を可能にするために、パワー半導体モジュール内で並列に及び／または直列に組み合わされる。そのようなモジュールの製造を容易にするために、それらは一般に、パワー半導体が実装される複数の第１の基板を備える。第１の基板がパワー半導体モジュール内で容易に接続できるように、これらの基板は、エミッタ、コレクタ及びベースの接点が与えられる。
【０００３】
第１の基板は、概して、パワー半導体モジュールの筐体の一部でありうる、または、パワー半導体モジュールの筐体内に含まれうる共通台板(common base plate)上に実装される。近頃のパワー半導体モジュールでは、概して、４つまたは６つの第１の基板は、組み合わされ、それぞれは、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)または逆導通絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(RC-IGBT)のようなパワートランジスタ、パワーダイオードまたは高出力用途に適した他のパワー半導体を備える４つから６つのパワー半導体が与えられうる。例えば、第１の基板は、４つのIGBT及び２つのパワーダイオードを備えることができる。第１の基板は、パワー半導体モジュール内でメタライゼーション(metallizations)の接続を与える端子と電気的に接続されている。例えば、電気端子は、パワー半導体モジュールの電気接点と接続される。
【０００４】
パワー半導体モジュールは、さらに、補助的な(auxiliary)メタライゼーションに対応する端子をパワー半導体モジュールの電気接点に電気的に接続するための補助的な接続を与える第２の基板を備える。したがって、パワー半導体モジュールは、互いの上に位置する第１の基板と第２の基板の装置を備える。第１の基板から第２の基板への電気接点を与えるために、既知のパワー半導体モジュールでは、接続要素(connection element)が与えられる。接続要素、例えば、補助的なピンは、はじめに、第１の基板のそれぞれの端子にはんだ付けされ、その後、第２の基板は、接続要素上ではんだ付けされる。複数の第１の基板が１つの第２の基板に接続されるケースでは、第２の基板は、第１の基板の補助的なピンに共通にはんだ付けされる。２つの基板を接続するためのこの方法は、複雑であり、時間がかかる。さらに、パワー半導体モジュールは熱ストレス下に置かれているので、２つの基板間の信頼性のある電気接続が必要とされている。
【０００５】
さらに、JP 2215137は、図１及び図２において、第１の基板の接点を第２の基板の接点に電気的に接続するための既知の方法を開示している。さらに、WO 2011/087485 A2では、第１の基板と第２の基板の装置であって、これにより、第１の基板が第２の基板の下に位置し、第１の基板の接点が第２の基板の接点に接続される装置が開示されている。さらに、US 2007/0102796 A1は、補助的な接続及びボンドワイヤ(bond wire)による接続を備える基板を備えるパワー半導体モジュールを示している。
【発明の概要】
【０００６】
機械的影響及び熱的影響に対して増大する耐性を備える、第１の基板と第２の基板の接点間の信頼性のある電気的接続を容易かつ素早く与えることを可能にする、第１の基板の接点を第２の基板の接点と電気的に接続するための方法を与えることが本発明の目的である。さらに、製造し易く、機械的影響及び熱的影響に対して増大する耐性を備える第１の基板と第２の基板の接点間の信頼性のある電気的接続が与えられる、第１の基板と第２の基板の装置及びそのような装置を備えるパワー半導体モジュールを与えることが本発明の目的である。
【０００７】
この目的は、独立請求項によって達成される。好都合な実施形態は、従属請求項に加えられる。
【０００８】
特に、本発明は、第１の基板に第２の基板の方向を向くその接点を与えることと、第２の基板に第１の基板から離れる方向を向くその接点を与えることと、ボンディング手段(bonding means)を第１の基板の接点にボンディングすることと、ボンディング手段を第１の基板にボンディングすることでループを形成することと、第２の基板の接点をボンディング手段に電気的に接続することのステップを備える、第１の基板の接点を第２の基板の接点に電気的に接続するための方法であって、これにより第１の基板が第２の基板の下に置かれる方法を与える。
【０００９】
本発明は、さらに、第１の基板及び第２の基板の装置であって、これにより第１の基板が第２の基板の下に置かれ、上記方法に従い、第１の基板の接点は、第２の基板の接点に接続される装置を与える。
【００１０】
本発明は、さらに、そのような装置を備えるパワー半導体モジュールを与える。
【００１１】
発明の基本概念は、２つの基板の接点を接続するためのボンディング手段を使用することである。ボンディングワイヤまたはボンディングリボン(bonding ribbon)でありうるボンディング手段は、製造過程が容易に実行されうるように、第２の基板の上を通し、既知の方法で基板に容易に接続されうる。ボンディング手段の接続は、同じ方向で作られうる両基板の接点になされることができ、そしてそれは、２つの基板及びパワー半導体モジュールの装置の製造を容易にする。ボンディング手段で形成されるループでは、２つの基板の接続は柔軟であるので、２つの基板の相対的な動きは可能となる。したがって、２つの基板及びパワー半導体モジュールの装置の熱加工応力抵抗は、改善される。さらに、衝撃及び振動は、２つの基板の間で分断されうる。更なる好ましい例として、ボンディング手段は、第１の基板にボンディングした後、切断される。したがって、第１の基板上のボンディング手段の全長は、ボンディング処理過程の間に適用されうる。ボンディングは、共通のボンディング装置の使用により、容易に実行されうる。ボンディング手段を第１の基板にボンディングした結果ループを形成する工程は、ボンディング手段を第１の基板上の任意の適した場所にボンディングすることを含む。例えば、絶縁されたメタライゼーション、つまり、アイランド(island)は、ループ構成を可能にするボンディング手段の接続の目的のためにのみ第１の基板上に与えられうる。ボンディングは、任意の既知のボンディング技術を使用して実行されうる。
【００１２】
方法工程が特定の順序で並べられるかもしれないが、これは、方法工程が実行されるべき任意の順序を意味していない。工程は、以下にさらに説明されるように、異なる順序で実行されうる。例えば、ボンディング手段を第１の基板の接点にボンディングし、ボンディング手段を第１の基板にボンディングした結果ループを形成する工程は、ボンディング手段が第１の基板の接点にボンディングされるときにループが形成されるように、置き換えられうる。
【００１３】
発明の改良された実施形態に従うと、ボンディング手段を第１の基板の接点にボンディングし、ボンディング手段を第１の基板にボンディングした結果ループを形成する工程は、第２の基板の接点をボンディング手段に接続する工程の前に実行され、方法は、第２の基板の接点をボンディング手段に接続する工程の前に、第２の基板をループの中に挿入する更なる工程を含む。言い換えれば、はじめに、ボンディング手段は、ループが形成され、それに接続されるように第１の基板にボンディングされ、その後、第２の基板は、続く工程において、それを電気的に接続するために、ループが第２の基板の接点を通過するように、ループ内に少なくとも部分的に挿入される。したがって、ボンディング手段は、第２の基板上で第２の基板の接点に導かれうる。第２の基板の接点に対するボンディング手段の接続の前に形成されるループでは、ボンディング手段のボンディングは、容易に実施されうる。さらに、ループのどの端部がはじめに第１の基板にボンディングされるかは、問題ではない。
【００１４】
したがって、発明の改良された実施形態に従うと、第２の基板の接点をボンディング手段に電気的に接続する工程は、ボンディング手段を第１の基板にボンディングした結果ループを形成する工程の前に実行され、第２の基板の接点をボンディング手段に電気的に接続する工程は、ボンディング手段を第２の基板の接点にボンディングすることを含む。言い換えると、連続するボンディング過程は、２つの基板の接点を電気的に接続するために実行される。はじめに、ボンディング手段は、第１の基板にボンディングされ、その後、ボンディング手段は、第２の基板の接点にボンディングされ、ループは、ボンディング手段を第１の基板にボンディングすることにより、完成される。好ましくは、ボンディング手段は、接続強度を強くするために、第２の基板の接点にボンディングされた後に、さらに固定される。さらに、ループのどの端部がはじめに第１の基板にボンディングされるかは、問題ではない。
【００１５】
発明の改良された実施形態は、第２の基板に、第２の基板の端部から伸びる突出部(nose)を与える更なる工程であって、これにより、第２の基板の接点が突出部上に与えられる、工程を備える。第２の基板の突出部は、ボンディング手段の装置及び基板に対するその接続を容易にする。突出部は、ループ内に容易に挿入されうる。さらに、第１の基板が既に第２の基板の下に位置するときに、突出部は、ボンディング手段をボンディングするために第１の基板への単純なアクセスを可能にする。突出部は、好ましくは、第２の基板の面に位置する。
【００１６】
発明の改良された実施形態は、第２の基板に、間に舌状部(tongue)を形成する２つの切り目(notches)を与える追加の工程であって、これにより、第２の基板の接点が舌状部上に与えられる、工程を備える。第２の基板の舌状部は、ボンディング手段の装置及び基板に対するその接続を容易にする。舌状部は、ボンディング手段を切り目内に挿入することで、ループ内に容易に挿入されうる。ボンディング手段は、切り目内に位置し、その結果、接続処理過程の間に、その位置で支持される。舌状部は、好ましくは、第２の基板の面に位置する。さらに、好ましくは、舌状部は、第２の基板の外周の内側で与えられる。
【００１７】
発明の改良された実施形態は、突出部及び舌状部に、第２の基板に接続されたその端部において、その自由端の伸長(extension)と比較してより小さい伸長を与える追加の工程を備え、ループ内に第２の基板を挿入する工程は、より大きな伸長を備える突出部または舌状部の端部の上にボンディング手段を通すことを備える。ボンディング手段がより大きな伸長を備える端部の上を通されるとき、それは、製造過程をさらに容易にし、突出部または舌状部上で自動的に安定される。製造過程の間の互いに関連する２つの基板の意図的でない動きは、第２の基板の接点上でのボンディング手段の繰り返される位置決めを自動的には必要としない。
【００１８】
発明の改良された実施形態に従うと、突出部及び舌状部に、第２の基板に接続されたその端部において、その自由端の伸長と比較してより小さい伸長を与える工程は、突出部または舌状部に、Ｔ型またはアンカー型(anchor-shape)を与える工程を備える。これらの型は、容易に形成され、ループ内への突出部または舌状部の簡単な挿入を可能にし、ループを通じた突出部または舌状部の偶然の移動は、選択された型によって避けられる。
【００１９】
発明の改良された実施形態に従うと、第２の基板の接点をボンディング手段に電気的に接続する工程は、糊付け、ボンディング、溶着、はんだ付け、または蝋着を備える。これらの工程は、ボンディング手段と第２の基板の接点との間の機械的及び電気的な接続を与えるように実行されうる。さらに、異なる接続工程は、組み合わせられうる。特に、ボンディング手段は、はじめに接点にボンディングされることができ、その後、接続は、更なる接続工程、例えば、はんだ付けまたは溶着を適用することにより、強固にされうる。同様の接続技術は、ボンディング工程に加えて第１の基板に対するボンディング手段の接続に適用されうる。
【００２０】
発明の改良された実施形態に従うと、ループを形成するためにボンディング手段を第１の基板にボンディングする工程は、ボンディング手段を第１の基板の接点にボンディングすることを備える。言い換えれば、ボンディング手段は、第１の基板の同じ接点に２回ボンディングされ、その結果、重複する電気経路は、２つの基板の接点間に設けられる。１つの経路の故障、すなわち、ボンディング手段が任意の理由により切断されたケースでは、残りの経路が、２つの接点の電気接続を与える。好ましくは、第１の基板の接点は、第２の基板の接点よりも大きなサイズを有し、その結果、ループは、容易に形成されうる。
【００２１】
発明の改良された実施形態は、銅で作られたボンディング手段を与える工程を備える。銅は、一般的に異なる材料にボンディングされうるので、ボンディングに適した材料である。とはいえ、他の材料、例えば、アルミニウムも、ボンディング手段に用いられうる。
【００２２】
発明の改良された実施形態は、同一材料で作られた、第１の基板及び第２の基板の接点、及びボンディング手段を与える工程を備える。接点とボンディング手段との間の接続は、容易に形成されることができ、同一材料が使用されるときは、高い頑丈さを有する。さらに好ましくは、存在するならば、第１の基板上のアイランドも、同一材料で作られる。
【００２３】
発明の改良された実施形態は、４００μｍ以下の直径を有する細いボンディングワイヤをボンディング手段として与える工程を備える。細いボンディングワイヤは、ボンディング工程でループを形成することを促進する。
【００２４】
発明の改良された実施形態に従うと、複数の第１の基板の接点は、１つの第２の基板の接点に接続される。
【００２５】
発明の改良された実施形態に従うと、パワー半導体は、第１の基板上に置かれ、第２の基板は、パワー半導体モジュールの補助的な接点を与えるための補助的な接続として与えられる。
【００２６】
発明のこれらの及び他の態様は、以下に記載される実施形態を参照して、明らかかつ明瞭になるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】図１は、第１の実施形態に従う、ボンディングワイヤによって接続された接点を備える２つの基板の装置を示す。
【図２】図２は、第２の実施形態に従う、ボンディングワイヤによって接続された接点を備える２つの基板の装置を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
図１は、第１の実施形態に従う、第１及び第２の基板３、５の装置１を示す。第１の基板３は、第２の基板の下に置かれ、装置１は、パワー半導体モジュールでの使用のために作られる。したがって、パワー半導体モジュールは、第１の基板３上に置かれ、第２の基板５は、パワー半導体モジュールの補助的な接点を与えるための補助的な接続として与えられる。
【００２９】
第１の基板３は、２つのメタライゼーション７、９を有し、１つ目のメタライゼーション７は、第１の基板３の接点７として参照される。２つ目のメタライゼーション９は、電気的機能を備えることなく、第１の基板３上のアイランドとして与えられる。
【００３０】
図１で見られうるように、第２の基板５は、第２の基板５の端部から伸びる突出部１３上に位置する１つの接点１１を有する。したがって、第１の基板３の接点７は、第２の基板５の方向を向き、第２の基板５の接点１１は、第１の基板３から離れる方向を向く。
【００３１】
第１の基板の接点７、アイランド９及び第２の基板５の接点１１は、この実施形態においてボンディングワイヤ１５であるボンディング手段１５によって接続される。この実施形態におけるボンディングワイヤ１５は、３７５μｍの直径を有する。第１及び第２の基板３、５の接点７、１１、アイランド９及びボンディングワイヤ１５は、この実施形態では銅である同一材料で作られる。
【００３２】
第１の実施形態に従う２つの基板３、５の接点７、１１は、ここで記載されるであろう。
【００３３】
はじめに、第１の基板３及び第２の基板５が与えられ、これにより、第１の基板３の接点７及びアイランド９は、第２の基板５の方向を向き、第２の基板５の接点１１は、第１の基板３から離れる方向を向く。
【００３４】
続いて、ボンディングワイヤ１５は、第１の基板３の接点７に接続される。次に、ボンディングワイヤ１５は、ボンディング手段により、第２の基板５の接点１１に電気的に接続される。続く工程では、ループ１７は、ボンディングワイヤ１５を第１の基板３のアイランド９にボンディングすることにより、ボンディングワイヤ１５内に形成される。ボンディングワイヤ１５を第１の基板３のアイランド９にボンディングした後、ボンディングワイヤ１５は、ボンディングワイヤ１５をボンディングするために使用されるボンディング道具がボンディングワイヤ１５を更にボンディングするために使用されうるように、切り落とされ(cut off)うる。
【００３５】
その後、ボンディングワイヤ１５に対する第２の基板５の接点１１の接続は、この接続に適用される更なるはんだ付け工程によって、強固にされる。
【００３６】
図２は、第２の実施形態に従う、第１及び第２の基板３、５の装置１を示す。第２の実施形態の装置１は、第１の実施形態の装置に類似しているため、それは、類似の要素について同一の参照番号を使用して記載される。
【００３７】
第１の基板３は、第２の基板５の下に位置し、装置１は、パワー半導体モジュールでの使用のために作られる。したがって、パワー半導体モジュールは、第１の基板３上に置かれ、第２の基板５は、パワー半導体モジュールの補助的な接点を与えるための補助的な接続として与えられる。
【００３８】
第１の基板３は、第１の基板３の接点７として参照される１つのメタライゼーション７を有する。図１で見られうるように、第２の基板５は、第２の基板５の舌状部１９上に位置する１つの接点１１を有する。舌状部１９は、第２の基板５の外周の内側にある２つの切り目２１の間に形成される。舌状部１９は、それが、第２の基板５に接続されたその端部２３において、その自由端２５の伸長と比較してより小さい伸長を有するように、Ｔ型で与えられる。
【００３９】
図２で見られうるように、第１の基板３の接点７は、第２の基板５の方を向き、第２の基板５の接点１１は、第１の基板３から離れる方向を向く。
【００４０】
この実施形態では、ボンディングワイヤ１５であるボンディング手段１５は、その端部２７において、第１の基板３の接点７に接続されることにより、ループ１７を形成する。さらに、ボンディングワイヤ１５は、第２の基板５の接点１１に接続される。この実施形態におけるボンディングワイヤ１５は、３７５μｍの直径を有する。第１及び第２の基板３、５の接点７、１１及びボンディングワイヤ１５は、この実施形態では銅である同一材料で作られる。
【００４１】
第２の実施形態に従う第１及び第２の基板３、５の接点７、１１を電気的に接続する方法は、ここに記載されるであろう。
【００４２】
はじめに、第１の基板３及び第２の基板５が与えられることにより、第１の基板３の接点７は、第２の基板５の方を向き、第２の基板５の接点１１は、第１の基板３から離れる方向を向く。
【００４３】
続いて、ボンディングワイヤ１５は、第１の基板３の接点７に接続され、ループ１７は、ボンディングワイヤ１５を第１の基板３のアイランド９に再びボンディングすることにより、ボンディングワイヤ１５内に形成される。続いて、ボンディングワイヤ１５は、ボンディング道具がボンディングワイヤ１５を更にボンディングするために使用されうるように、切り落とされる(cut off)。
【００４４】
続く工程では、第２の基板５の舌状部１９は、ボンディングワイヤ１５が第２の基板５の接点１１上を通されるように、ループ１７内に挿入する。したがって、ボンディングワイヤ１５は、舌状部１９の自由端２５を越えて通され、ボンディングワイヤ１５は、第２の基板５に接続されるその端部２３において、舌状部１９の異なる領域に位置する接点１１上に位置される。
【００４５】
次に、ボンディングワイヤ１５は、はんだ付けまたは別の接続工程の手段により、第２の基板５の接点１１に電気的に接続される。
【００４６】
発明は、図面および先の記載に詳細に示され、記載されているが、そのような図示及び記載は、例示または実例であり、限定されないと考慮されるべきであり、発明は、開示された実施形態に限定されない。開示される実施形態となる他のバリエーションは、図面、開示及び添付の請求項の検討から、請求された発明を実行する当業者によって理解され、もたらされうる。請求項において、用語「備える」は、他の要素または工程を除外せず、不定冠詞「ａ」または「ａｎ」は、複数を除外しない。ある計量法が互いに異なる従属請求項に記載されているという単なる事実は、これらの計量法の組み合わせが有利に使用されえないことを示していない。請求項における任意の参照記号は、範囲を限定するものとして構成されるべきではない。
【符号の説明】
【００４７】
１…装置、３…第１の基板、５…第２の基板、７…第１のメタライゼーション、第１の基板の接点、９…第２のメタライゼーション、アイランド、１１…第２の基板の接点、１３…突出部、１４…第２の基板の端部、１５…ボンディング手段、ボンディングワイヤ、１７…ループ、１９…舌状部、２１…切り目、２３…第２の基板に接続された舌状部の端部、２５…舌状部の自由端、２７…、ボンディングワイヤの端部。
【図１】
2014030017.tif 000003
【図２】
2014030017.tif 000004
【外国語明細書】
2014030017000001.pdf