(57)【要約】【課題】配線基板の製造工程において、絶縁基板上に形成されたバンプが受けるダメージを低減する。【解決手段】絶縁基板２と、絶縁基板２の主面に形成された配線３と、配線３上に形成されたバンプ４と、を備える配線基板１の構成として、絶縁基板２上の非配線形成部に、配線形成部を囲む状態で枠状にバンプ保護部５を形成するとともに、絶縁基板２の主面を基準としたバンプ４の突出寸法Ｄ１とバンプ保護部５の突出寸法Ｄ２の関係をＤ１≦Ｄ２とした。【選択図】図１
2014011401.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の主面に形成された配線と、
前記配線上に形成されたバンプと、を備え、
前記絶縁基板の主面において少なくともバンプ形成部を除く部分にバンプ保護部を形成するとともに、前記バンプ保護部の上面を前記バンプの上面以上に突出させて形成した
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記バンプ保護部は、前記絶縁基板の主面において配線形成部の外側に形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記バンプ保護部は、前記絶縁基板の主面において配線形成部に形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項４】
前記バンプ保護部は、前記絶縁基板の主面において配線形成部とその外側に形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項５】
前記バンプ保護部は、前記配線形成部を囲む状態で前記配線形成部の外側に枠状に形成されている
ことを特徴とする請求項２に記載の配線基板。
【請求項６】
前記バンプ保護部は、枠状、ドット状または線状のいずれかに形成されている
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項７】
絶縁基板と、前記絶縁基板の主面に形成された配線と、前記配線上に形成されたバンプと、前記バンプを保護するバンプ保護部と、を備える配線基板の製造方法であって、
前記絶縁基板の主面に形成された導体層上に、前記バンプおよび前記バンプ保護部の形状・寸法に対応する第１のレジストパターンを形成する第１のレジストパターン形成工程と、
前記第１のレジストパターンをマスクに用いて前記導体層をハーフエッチングすることにより、前記導体層の表面に前記バンプと前記バンプ保護部を形成する第１のエッチング工程と、
前記導体層上に、前記配線および前記バンプ保護部の形状・寸法に対応する第２のレジストパターンを形成する第２のレジストパターン形成工程と、
前記第２のレジストパターンをマスクに用いて前記導体層をフルエッチングすることにより、前記絶縁基板上に前記配線を形成する第２のエッチング工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁基板の配線上にバンプを有する配線基板とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板の一つの形態として、可撓性を有する絶縁基板上に配線のパターンを形成したものがある。この種の配線基板としては、たとえば、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）用のテープ（以下、「ＴＡＢテープ」という。）が広く知られている。ＴＡＢテープには、その使用目的等の違いにより、幾つかの形態がある。その一つとして、ＢＯＦ（Bump On Film）構造のＴＡＢテープが知られている（たとえば、特許文献１を参照）。
【０００３】
ＢＯＦ構造のＴＡＢテープでは、フィルム状の絶縁基板上に配線を形成するとともに、この配線上にバンプを形成している。このようなＴＡＢテープを、たとえば半導体チップとの電気的接続に用いる場合は、半導体チップに形成されている電極パッドの位置にあわせて絶縁基板上に配線やバンプを形成する必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２１６６９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年においては、電子機器の小型化に対応するために、半導体チップに形成される電極パッドの微細化、狭ピッチ化が進み、それにあわせて配線基板に形成されるバンプの微細化、狭ピッチ化も進んでいる。しかしながら、バンプの微細化等が進んだ今日においては、半導体チップを実装する前の配線基板において、以下のような問題が生じやすい状況になっている。すなわち、バンプの微細化によってバンプの機械的強度が所定のレベルを下回ると、配線基板の製造工程中にバンプが大きなダメージを受けるおそれがある。特に、フィルム状の絶縁基板を用いたフレキシブル配線基板の製造工程においては、ロール・ツー・ロール方式で基板搬送を行うため、基板搬送中に絶縁基板や他の部分がバンプに接触して大きなダメージを与えるおそれがある。
【０００６】
本発明の主な目的は、配線基板の製造工程において、絶縁基板上に形成されたバンプが受けるダメージを低減することができる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の態様は、
絶縁基板と、
前記絶縁基板の主面に形成された配線と、
前記配線上に形成されたバンプと、を備え、
前記絶縁基板の主面において少なくともバンプ形成部を除く部分にバンプ保護部を形成するとともに、前記バンプ保護部の上面を前記バンプの上面以上に突出させて形成した
ことを特徴とする配線基板である。
【０００８】
本発明の第２の態様は、
前記バンプ保護部は、前記絶縁基板の主面において配線形成部の外側に形成されている
ことを特徴とする上記第１の態様に記載の配線基板である。
【０００９】
本発明の第３の態様は、
前記バンプ保護部は、前記絶縁基板の主面において配線形成部に形成されている
ことを特徴とする上記第１の態様に記載の配線基板である。
【００１０】
本発明の第４の態様は、
前記バンプ保護部は、前記絶縁基板の主面において配線形成部とその外側に形成されている
ことを特徴とする上記第１の態様に記載の配線基板である。
【００１１】
本発明の第５の態様は、
前記バンプ保護部は、前記配線形成部を囲む状態で前記配線形成部の外側に枠状に形成されている
ことを特徴とする上記第２の態様に記載の配線基板である。
【００１２】
本発明の第６の態様は、
前記バンプ保護部は、枠状、ドット状または線状のいずれかに形成されている
ことを特徴とする上記第１〜第４の態様のいずれかに記載の配線基板である。
【００１３】
本発明の第７の態様は、
絶縁基板と、前記絶縁基板の主面に形成された配線と、前記配線上に形成されたバンプと、前記バンプを保護するバンプ保護部と、を備える配線基板の製造方法であって、
前記絶縁基板の主面に形成された導体層上に、前記バンプおよび前記バンプ保護部の形状・寸法に対応する第１のレジストパターンを形成する第１のレジストパターン形成工程と、
前記第１のレジストパターンをマスクに用いて前記導体層をハーフエッチングすることにより、前記導体層の表面に前記バンプと前記バンプ保護部を形成する第１のエッチング工程と、
前記導体層上に、前記配線および前記バンプ保護部の形状・寸法に対応する第２のレジストパターンを形成する第２のレジストパターン形成工程と、
前記第２のレジストパターンをマスクに用いて前記導体層をフルエッチングすることにより、前記絶縁基板上に前記配線を形成する第２のエッチング工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、配線基板の製造工程において、絶縁基板上に形成されたバンプが受けるダメージを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施の形態に係る配線基板の一構成例を示す概略平面図である。
【図２】図１に示す配線基板の要部断面図である。
【図３】図２のＰ部拡大図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す工程図（その１）である。
【図５】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す工程図（その２）である。
【図６】絶縁基板上に第１のレジストパターンを形成した段階の絶縁基板の状態を示す平面図である。
【図７】絶縁基板上に第２のレジストパターンを形成した段階の絶縁基板の状態を示す平面図である。
【図８】本発明の他の形態例を説明する図（その１）である。
【図９】本発明の他の形態例を説明する図（その２）である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
本発明の実施の形態においては、次の順序で説明を行う。
１．配線基板の構成
２．配線基板の製造方法
２−１．第１のレジストパターン形成工程
２−２．第１のエッチング工程
２−３．第２のレジストパターン形成工程
２−４．第２のエッチング工程
２−５．後工程
３．実施の形態に係る効果
４．変形例等
【００１７】
＜１．配線基板の構成＞
図１は本発明の実施の形態に係る配線基板の一構成例を示す概略平面図である。また、図２（Ａ）は図１におけるｘ１−ｘ１断面図であり、同（Ｂ）は図１におけるｙ１−ｙ１断面図である。なお、図１においては、説明の便宜上、配線基板１の一辺と平行な方向を「Ｘ方向」とし、これと直角をなす方向を「Ｙ方向」とし、配線基板１の厚み方向を「Ｚ方向」としている。これら３つの方向は、互いに直交する関係となる。
【００１８】
図示した配線基板１は、絶縁基板２と、この絶縁基板２上に形成された配線３と、この配線３上に形成されたバンプ４と、このバンプ４を保護するバンプ保護部５と、を備えている。
配線基板１は、電気的な絶縁性を有する絶縁基板２をベースに構成されている。絶縁基板２は、たとえば、可撓性を有する樹脂フィルムからなるもので、全体に矩形に形成されている。この場合、配線基板１は、フレキシブル配線基板となる。また、配線基板１の配線３上にはバンプ４が存在している。ここで記述するバンプ４とは、配線３の上面３ａよりも上側に突出する部分であって、配線３を含まない部分をいう。また、配線基板１は、配線３上のバンプ４の存在により、ＢＯＦ構造のフレキシブル配線基板となっている。絶縁基板２には、たとえば、厚み１２．５〜１２５μｍの樹脂フィルムを用いることができる。
【００１９】
絶縁基板２は、好ましくは、ポリイミド樹脂を用いて構成することができる。ただし、この他にも、たとえば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、アラミドのいずれかを、絶縁基板２の主材料とすることができる。また、絶縁基板２の構成材料としては、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）レジン、ＬＣＰ（Liquid Crystal
Plastic）等を用いることもできる。絶縁基板２は、たとえば、長尺のフィルム（テープ）形状をなすベース基材を元にして、そのベース基材を、後述する配線基板１の製造工程において、所望の形状（図例では矩形）および寸法に切り出すことにより、個片に分離されるものである。
ただし、配線基板１は、個片に分離される前の状態を一つの基板製品として流通させてもよいし、個片に分離された後の状態を一つの基板製品として流通させてもよい。
【００２０】
絶縁基板２の片面（以下、「主面」ともいう。）２ａには配線３が形成されている。配線３は、たとえば、銅等の導電材料を用いて構成されている。配線３は、あらかじめ決められたパターンの形状にあわせて形成されている。絶縁基板２上における配線３の位置、形状、寸法等は、この配線３と電気的に接続される対象物（不図示）に応じて、任意に設
定または変更が可能である。ちなみに、図１においては、絶縁基板２上に複数の配線３をそれぞれ直線状のパターンで平行に並べて形成してある。このため、配線３の幅方向がＸ方向に対応し、配線３の長さ方向がＹ方向に対応し、配線３の厚み方向がＺ方向に対応している。
【００２１】
絶縁基板２の配線３上にはバンプ４が形成されている。バンプ４は、絶縁基板２上において、あらかじめ決められた位置に形成されている。バンプ４は、配線３の上面３ａよりもＺ方向に突出する状態で形成されている。絶縁基板２上におけるバンプ４の突出寸法Ｄ１は、Ｚ方向で規定される寸法であって、絶縁基板２の主面２ａからバンプ４の上面４ａまでの寸法として定義される。バンプ４の上面４ａは、絶縁基板２の主面２ａと平行をなすように平坦に形成されている。また、バンプ４は、平面視円形に形成されている。バンプ４は、配線３の形成に用いられている導電性の材料と同じ材料（本形態例では銅）を用いて、配線３と一体に形成されている。すなわち、配線３とバンプ４とは、両者の間に結晶が不連続となる境界（結晶粒界）が存在しない状態で一体的に形成されている。配線３上におけるバンプ４の位置、形状、寸法等は、このバンプ４と物理的に接続（接合）または接触される対象物の電極等の位置に応じて、任意に設定または変更が可能である。
【００２２】
また、絶縁基板２上にはバンプ保護部５が形成されている。バンプ保護部５の上面５ａは、絶縁基板２の厚み方向において、バンプ４の上面４ａ以上に突出するように形成されている。バンプ保護部５は、配線形成部および非配線形成部に形成することができる。配線基板１の面内は、大きくは、配線形成部と、非配線形成部と、スプロケットホール形成領域Ｅと、に区分されている。スプロケットホール形成領域Ｅは、スプロケットホール周囲の絶縁基板２の長手方向に亘る一帯を指す。
【００２３】
配線形成部は、配線３が形成される部分であり、非配線形成部は、配線３が形成されない部分である。配線形成部の四方は、非配線形成部によって囲まれている。バンプ４は、配線３とともに、配線形成部に形成されている。配線基板１が個片に分離される前（長尺のフィルム形状をなしている場合）は、配線基板１の長さ方向となるＸ方向に所定のピッチで製品領域毎に複数の配線形成部が一列に並んで区画された状態になる。その場合、配線基板１の長さ方向Ｘにおいては、複数の配線形成部が互いに隣り合う状態に区画されることになる。
【００２４】
非配線形成部は、Ｙ方向においては、配線形成部の外側で、かつ、スプロケットホール形成領域Ｅの内側の部分であり、Ｘ方向においては、配線形成部の外側の部分である。バンプ保護部５は、非配線形成部に枠状に形成されている。また、バンプ保護部５は、配線形成部を囲む状態で形成されている。バンプ保護部５は、配線形成部の形状に沿って矩形に形成されている。バンプ保護部５の枠の太さＷ２は、バンプ４を保護する機能を発揮し得る範囲内で適宜設定することが可能である。図例ではバンプ保護部５の太さＷ２が配線３の幅寸法Ｗ１よりも小さくなっているが、一つの好ましい形態としては、バンプ保護部５の太さＷ２を配線３の幅寸法Ｗ１と同一の寸法またはそれを超える寸法に設定するのがよい。絶縁基板２上におけるバンプ保護部５の突出寸法Ｄ２は、Ｚ方向で定義される寸法であって、絶縁基板２の主面２ａからバンプ保護部５の上面５ａまでの寸法として定義される。バンプ保護部５の突出寸法Ｄ２は、上述したバンプ４の突出寸法Ｄ１と同じ寸法に設定されている。寸法Ｄ１と寸法Ｄ２を同一とするための具体的な製造方法については、後段で詳しく説明する。
【００２５】
スプロケットホール形成領域Ｅは、Ｙ方向において、配線基板１の両端部に確保される帯状の部分である。スプロケットホール形成領域Ｅには、あらかじめ決められたピッチで複数のスプロケットホール６が形成されている。スプロケットホール６は、長尺のフィルム形状をなす（個片化に分離する前の）配線基板１をロール・ツー・ロール方式で搬送す
るときに用いられるものである。
【００２６】
ここで、配線基板１における各部の寸法について、図３を用いて説明する。
図３は図２のＰ部拡大図である。図中の符号Ｗ１は、バンプ４の土台部分の配線３の幅寸法を示している。また、図中の符号Ｔは配線３の厚み寸法、符号Ｈはバンプ４の高さ寸法を示している。また、図中の符号Ｌｔはバンプ４の頂部の寸法、符号Ｌｂはバンプ４の底部の寸法を示している。バンプ４の頂部とは、バンプ４の最上部（絶縁基板２から遠い側の端部）をいい、バンプ４の底部とは、配線３の上面３ａに接するバンプ４の最下部（絶縁基板２に近い側の端部）をいう。本実施の形態においては、バンプ４が平面視円形に形成されているため、バンプ４の頂部の寸法Ｌｔおよび底部の寸法Ｌｂは、それぞれバンプ４の頂部の直径および底部の直径に相当するものとなっている。また、バンプ４の底部は、全周にわたって配線３の上面３ａに接している。つまり、バンプ４の底部の周囲には、全周にわたって配線３の上面３ａが存在している。なお、図示はしないが、バンプ４が平面視矩形に形成されている場合は、バンプ４の頂部の寸法Ｌｔおよび底部の寸法Ｌｂが、それぞれＸ方向におけるバンプ４の頂部の寸法および底部の寸法に相当するものとなる。
【００２７】
図３から分かるように、バンプ４の頂部の寸法Ｌｔおよび底部の寸法Ｌｂは、いずれも配線３の幅寸法Ｗ２よりも小さくなっている。また、バンプ４の頂部の寸法Ｌｔと底部の寸法Ｌｂは、互いに同一の寸法に設定されている。ここで記述する寸法Ｌｔと寸法Ｌｂの関係は、完全同一が理想的ではあるが、実際には配線基板１の製造工程において寸法誤差が生じる。本発明においては、この寸法誤差の範囲内であれば、寸法Ｌｔと寸法Ｌｂとが「同一である」とみなす。具体的には、上記の寸法誤差を次のように規定して、寸法Ｌｔと寸法Ｌｂが「同一」であるかどうかを判断する。すなわち、バンプ４の頂部の寸法Ｌｔに対して、バンプ４の底部の寸法Ｌｂが、“Ｌｂ＝Ｌｔ±２μｍ”の条件、さらに好ましくは“Ｌｂ＝Ｌｔ±１μｍ”の条件を満たす場合は、寸法Ｌｔと寸法Ｌｂが「同一である」と判断する。この判断基準によれば、バンプ４の側壁は絶縁基板２の主面２ａに対して高い垂直性をもって形成されることになる。寸法Ｌｔと寸法Ｌｂを同一とするための具体的な製造方法については、後段で詳しく説明する。
【００２８】
また、バンプ４の寸法を規定する他の要素として、バンプ４のアスペクト比は、１以上に設定されている。ここで記述するバンプ４のアスペクト比は、バンプ４の頂部の寸法Ｌｔに対する、バンプ４の高さ寸法Ｈの比（Ｈ／Ｌｔ）で定義されるものである。アスペクト比の最大側の値は、バンプ４の強度や製造上の限界等にもよるが、おおむね２以下に設定するのがよい。バンプ４の突出寸法Ｄ１は、配線３の厚み寸法Ｔとバンプ４の高さ寸法Ｈを足し合わせた寸法（後述する銅箔１１の厚み寸法）になっている。
【００２９】
＜２．配線基板の製造方法＞
続いて、本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法の一例について、図４および図５を用いて説明する。図４および図５においては、図１のｘ１−ｘ１位置における断面を左側に、図１のｙ１−ｙ１位置における断面を右側にそれぞれ示している。以下に、配線基板の製造工程を、「第１のレジストパターン形成工程」、「第１のエッチング工程」、「第２のレジストパターン形成工程」、「第２のエッチング工程」、「後工程」に分けて説明する。
【００３０】
（２−１．第１のレジストパターン形成工程）
まず、図４（Ａ）に示すように、絶縁基板２の少なくとも片面に、金属箔としての銅箔１１をラミネート等により形成してなる銅張基材を用意する。銅箔１１は、上述した厚み寸法の範囲内で、たとえば、３５μｍの厚みを有する。銅箔１１の厚み寸法は、上記図３に示す配線３の厚み寸法Ｔとバンプ４の高さ寸法Ｈを足し合わせた寸法Ｄ１に相当する。
銅張基材における銅箔１１の厚み寸法の精度は非常に高く、たとえば±０．１μｍ以下となっている。銅箔１１は、絶縁基板２の片面に形成された「導体層」に相当する構成要素となる。導体層は、銅以外の金属箔で形成されたものでもよいし、金属箔以外の層で形成されたものでもよい。ただし、絶縁基板２の片面に形成される導体層の表面の平坦性や、導体層の厚み寸法の精度等を考慮すると、金属箔としての銅箔を片面または両面に備える銅張基材を用いることが望ましい。この段階では、銅張基材からなる絶縁基板２が、長尺のフィルム形状をなしているものとする。
【００３１】
次に、図４（Ｂ）に示すように、絶縁基板２の片面に銅箔１１を覆う状態で第１のレジスト層１２を形成する。第１のレジスト層１２の形成は、たとえば、銅箔１１を覆うように絶縁基板２の片面に、たとえば、厚み１５μｍのドライフィルムレジストをラミネートすることにより行う。ドライフィルムレジストの厚みは、後述する第１のエッチング工程で使用するエッチング液の組成や所望するエッチング量等に応じて、適宜変更が可能である。ドライフィルムレジストのラミネートを行う装置（以下、「ラミネータ」という。）には、圧力雰囲気の違いによって２つのタイプがある。一つは、常圧雰囲気でラミネートするタイプであり、もう一つは、常圧よりも低い減圧雰囲気（真空雰囲気を含む）でラミネートするタイプである。このうち、生産効率や製造コスト等の観点では、前者のラミネータを用いることが望ましく、気泡の混入等を防止するという観点では、後者のラミネータを用いることが望ましい。図４（Ｂ）の段階では、銅箔１１の表面が平坦になっているため、前者のラミネータを用いることが好ましい。
【００３２】
次に、上述したバンプ４およびバンプ保護部５の形状・寸法に適合するフォトマスクを用いて第１のレジスト層１２を露光した後、現像によって第１のレジスト層１２の不要部分を除去することにより、図４（Ｃ）に示すように、バンプ４およびバンプ保護部５の形状・寸法に対応する第１のレジストパターン１３ａ，１３ｂを銅箔１１上に形成する。第１のレジストパターン１３ａ，１３ｂは、後述する第１のエッチング工程でのエッチングに用いるマスクであるため、耐エッチング性を有している。
【００３３】
図６は絶縁基板２上に第１のレジストパターン１３ａ，１３ｂを形成した段階の絶縁基板２の状態を示す平面図である。図示のように、第１のレジストパターン１３ａは、上記図１に示すバンプ４の形成予定位置に、バンプ４の形状・寸法にあわせて形成されている。また、第１のレジストパターン１３ｂは、上記図１に示すバンプ保護部５の形成予定位置に、バンプ保護部５の形状・寸法にあわせて形成されている。
【００３４】
（２−２．第１のエッチング工程）
次に、図４（Ｄ）に示すように、第１のレジストパターン１３ａ，１３ｂをマスクに用いて、銅箔１１をエッチングする。ただし、この段階では、絶縁基板２の厚み方向において、銅箔１１の一部（下部）を残すようにエッチングする「ハーフエッチング」を適用する。ハーフエッチングを適用すると、第１のレジストパターン１３ａ，１３ｂで覆われた部分はエッチングされず、第１のレジストパターン１３ａ，１３ｂで覆われていない部分（露出部分）がエッチングされる。ただし、エッチングによる深さ寸法は、エッチング前の銅箔１１の厚み寸法よりも小さい寸法となる。このため、ハーフエッチングした後の銅箔１１の表面状態は、第１のレジストパターン１３ａ，１３ｂで覆われた部分だけが突出した状態となる。そして、この突出した部分のうち、上述した配線形成部内で突出した部分がバンプ４になるとともに、上述した非配線形成部内で突出した部分がバンプ保護部５になる。
【００３５】
次に、図４（Ｅ）に示すように、上記の第１のレジストパターン１３ａ，１３ｂを絶縁基板２から除去する。第１のレジストパターン１３ａ，１３ｂの除去は、たとえば、レジスト剥離剤を用いて行う。これにより、銅箔１１の表面に複数のバンプ４とバンプ保護部
５が突状に形成された構造が得られる。
【００３６】
ここで、第１のエッチング工程に適用して好適な銅箔１１のエッチング方法について詳しく説明する。
第１のエッチング工程においては、以下に記述する方法により、バンプ４の頂部の寸法Ｌｔと底部の寸法Ｌｂが、同一の寸法となるように、銅箔１１をハーフエッチングする。また、第１のエッチング工程では、バンプ４のアスペクト比（Ｈ／Ｌｔ）が１以上となるように、銅箔１１をハーフエッチングする。
【００３７】
まず、銅箔１１のエッチングは、エッチング液を用いたウェットエッチングで行う。その際、エッチング阻害剤（インヒビタ）を添加したエッチング液を用いて、等方的なエッチングを抑制しつつ銅箔１１をエッチングする。具体的には、たとえばスプレイ方式等を採用して、絶縁基板２上の銅箔１１に対してエッチング液を噴射する。エッチング液としては、たとえば、塩化第二鉄（ＦｅＣｌ３）溶液、塩化第二銅（ＣｕＣｌ２）溶液等を用いることができる。また、エッチング阻害剤としては、たとえば、アミン類、エーテル類、グリコール類、アゾール類等の化合物等を用いることができる。
【００３８】
このようなエッチング阻害剤を添加したエッチング液をスプレイ等により銅箔１１に噴射すると、第１のレジストパターン１３ａ，１３ｂで覆われていない銅箔１１の表面には、エッチング液が直接吹き付けられる。また、エッチング液は銅箔１１に向けて噴射されるため、銅箔１１の表面にはエッチング液の噴射圧力が加わる。これに対して、第１のレジストパターン１３ａ，１３ｂで覆われた銅箔１１の部分は、エッチング液の噴射に対して第１のレジストパターン１３ａ，１３ｂにより遮蔽（保護）される。このため、第１のレジストパターン１３で覆われた銅箔１１の部分には、エッチング液が直接吹き付けられることがない。
【００３９】
そうした場合、第１のレジストパターン１３ａ，１３ｂで覆われていない銅箔１１の表面には、エッチング液が打力を伴って吹き付けられる。このため、エッチング阻害剤を添加したエッチング液を用いた場合でも、第１のレジストパターン１３ａ，１３ｂで覆われていない銅箔１１の表面は、垂直にエッチングが進行していく。これに対して、第１のレジストパターン１３ａ，１３ｂで覆われた銅箔１１の部分には、エッチング液の噴射圧力（打力）がほとんど作用しない。また、エッチング液にはエッチング阻害剤が添加されているため、上述した垂直方向へのエッチングの進行と並行してバンプ４の側壁に難溶性化合物が生成される。この難溶性化合物の生成により、バンプ４の側壁にエッチング保護膜が形成される。このため、第１のレジストパターン１３ａ，１３ｂで覆われた銅箔１１の部分には、水平方向のエッチング（サイドエッチング）がほとんど進行しない。したがって、第１のレジストパターン１３ａ，１３ｂで覆われた銅箔１１の部分は、第１のレジストパターン１３ａ，１３ｂの形状、寸法等を忠実に再現するかたちでバンプ４として残る。このため、エッチング後に得られるバンプ４の頂部の寸法Ｌｔと底部の寸法Ｌｂが同一となる。寸法Ｌｔ，Ｌｂが同一であるかどうかの判断基準については、前述したとおりである。
以上の点は、ハーフエッチングによってバンプ４と同時に形成されるバンプ保護部５についても同様である。すなわち、バンプ保護部５は、その頂部から底部に向かって同一の太さＷ２で形成されるとともに、その側壁が高い垂直性をもって形成される。
【００４０】
（２−３．第２のレジストパターン形成工程）
次に、図５（Ａ）に示すように、絶縁基板２上に銅箔１１、バンプ４およびバンプ保護部５を覆う状態で第２のレジスト層１６を形成する。第２のレジスト層１６の形成は、たとえば上記同様に、銅箔１１を覆うように絶縁基板２の片面にドライフィルムレジストをラミネートすることにより行う。この段階では銅箔１１の表面がバンプ４およびバンプ保
護部５の存在によって凹凸状になっている。このため、配線３の厚さとその上のバンプ４の高さとを足し合わせた厚さよりも厚いドライフィルムレジストを用いることが望ましい。たとえば、第１のレジストパターン形成工程で使用するドライフィルムレジストの厚さが１５μｍであるとすると、第２のレジストパターン形成工程では、それよりも厚い２５〜３０μｍのドライフィルムレジストを用いることが望ましい。ただし、第２のレジストパターン形成工程で使用するドライフィルムレジストの厚みは、後述する第２のエッチング工程で使用するエッチング液の組成や所望するエッチング量等に応じて、適宜変更が可能である。また、使用するラミネータに関しては、上述した２つのタイプのラミネータのうち、気泡の混入等を抑制するのに有効な減圧雰囲気でラミネートするタイプを用いることが好ましい。
【００４１】
次に、上述した配線３およびバンプ保護部５の形状・寸法に適合するフォトマスクを用いて第２のレジスト層１６を露光した後、現像によって第２のレジスト層１６の不要部分を除去することにより、図５（Ｂ）に示すように、第２のレジストパターン１７ａ，１７ｂを形成する。第２のレジストパターン１７ａは、銅箔１１上でかつバンプ４と重なる位置に、配線３の形状・寸法に対応するように形成する。第２のレジストパターン１７ｂは、バンプ保護部５を覆うように形成する。その際、バンプ４およびバンプ保護部５と、第２のレジストパターン１７との位置合わせに関しては、たとえば、絶縁基板２上にアライメントマークを設け、このアライメントマークを用いて行えばよい。具体的には、アライメントマークの位置を画像処理等により認識し、この認識結果を基に、絶縁基板２に対してフォトマスクを位置決めすればよい。第２のレジストパターン１７ａ，１７ｂは、後述する第２のエッチング工程でのエッチングに用いるマスクであるため、耐エッチング性を有している。
【００４２】
図７は絶縁基板２上に第２のレジストパターン１７ａ，１７ｂを形成した段階の絶縁基板２の状態を示す平面図である。図示のように、第２のレジストパターン１７ａは、上記図１に示す配線３の形成予定位置に、配線３の形状・寸法にあわせて形成されている。また、配線３の形成予定位置においては、上記の第１のエッチング工程において銅箔１１の表面に形成されたバンプ４の全面を覆う状態で第２のレジストパターン１７ａが形成されている。また、第２のレジストパターン１７ｂは、上記図１に示すバンプ保護部５の形成予定位置に、バンプ保護部５の形状・寸法にあわせて形成されている。なお、先に形成したバンプ保護部５の位置とその上に形成する第２のレジストパターン１７ｂの位置は、厳密に一致していなくてもよい。また、バンプ保護部５の全面を覆うように、これよりも幅広に第２のレジストパターン１７ｂを形成してもよい。
【００４３】
（２−４．第２のエッチング工程）
次に、図５（Ｃ）に示すように、第２のレジストパターン１７ａ，１７ｂをマスクに用いて、銅箔１１をエッチングする。この段階では、絶縁基板２の厚み方向において、第２のレジストパターン１７ａ，１７ｂで覆われていない銅箔１１の部分を残さずにエッチングする「フルエッチング」を適用する。つまり、第２のレジストパターン１７ａ，１７ｂで覆った部分を除いて、上記の第１のエッチング工程のハーフエッチング後に残った銅箔１１をフルエッチングによって完全に除去する。これにより、絶縁基板２上に配線３とバンプ保護部５が独立（分離）して形成される。上記のフルエッチングの際は、上記図３に示すように、配線３の幅寸法Ｗ１がバンプ４の頂部の寸法Ｌｔよりも大きくなるように、銅箔１１をエッチングする。このとき、バンプ４の全面を覆うように第２のレジストパターン１７ａを形成しておくと、銅箔１１をエッチングした際に、バンプ４の底部が、全周にわたって配線３の上面３ａに接した構造が得られる。
【００４４】
上記第２のエッチング工程においては、エッチング阻害剤を添加しないエッチング液を用いた通常のウェットエッチングを適用してもよい。ただし、配線３の寸法や形状などを
高精度に維持したい場合や、配線３およびバンプ保護部５のサイドエッチングによる細りを抑制したい場合などは、必要に応じて、上記の第１のエッチング工程と同様にエッチング阻害剤を添加したエッチング液を用いて、等方的なエッチングを抑制しつつ銅箔１１をエッチングすることが望ましい。
【００４５】
次に、図５（Ｄ）に示すように、上記の第２のレジストパターン１７ａ，１７ｂを絶縁基板２から除去する。第２のレジストパターン１７ａ，１７ｂの除去は、たとえば、レジスト剥離剤を用いて行う。これにより、絶縁基板２上にバンプ４付きで配線３が形成されるとともに、この配線３とは独立してバンプ保護部５が形成された構造が得られる。また、バンプ４およびバンプ保護部５は、いずれも共通の銅箔１１をエッチング加工して形成されるため、両者の突出寸法Ｄ１，Ｄ２は同一の寸法となる。
【００４６】
（２−５．後工程）
その後、図示はしないが、配線３、バンプ４およびバンプ保護部５の表面に保護用のメッキ層を形成する。このメッキ層の形成は、たとえば、金メッキによって行う。
次に、バンプ４の部分を除いて配線３の主要部を覆うように、絶縁基板２上に樹脂の保護膜を形成する。この保護膜の形成は、必要に応じて行えばよい。
次に、絶縁基板２をパンチング等によって個片化する。
以上の製造工程により、本発明の実施の形態に係る配線基板１が得られる。
【００４７】
＜３．実施の形態に係る効果＞
本発明の実施の形態においては、絶縁基板２上にバンプ４と同じ高さでバンプ保護部５が設けられているため、バンプ保護部５が設けられていない構成と比べて、バンプ４がダメージを受けにくくなる。具体的には、たとえば、配線基板１をロール・ツー・ロール方式で搬送する場合に、絶縁基板２や他の部分がバンプ４に接触しにくくなり、仮に接触したとしても、その接触による衝撃等がバンプ保護部５の存在によって軽減される。このため、ロール・ツー・ロール方式の基板搬送時にバンプ４がダメージを受けにくくなる。
したがって、配線基板１の製造工程において、絶縁基板２の配線３上に形成されたバンプ４が受けるダメージを低減することができる。
【００４８】
また、絶縁基板２上にバンプ保護部５を設けた場合は、上記の効果に加えて、以下のような効果が得られる。
すなわち、上記第２のレジストパターン形成工程において、ドライフィルムレジストのラミネートにより第２のレジスト層１６を形成する場合に、ドライフィルムレジストで埋め込むべき容積がバンプ保護部５の存在によって小さくなる。このため、同じ厚さのドライフィルムレジストをラミネートする場合に、バンプ保護部５の存在により、バンプ４上に残る第２のレジスト層１６の厚さを稼ぐことができる。したがって、配線基板１の機能上、許容される範囲内で、バンプ保護部５の面積を最大限に広く確保してもよい。また、絶縁基板２として、非常に薄いフィルム状の基板を用いた場合は、配線基板１の過剰な変形をバンプ保護部５で抑制し、プロセスマージンを増やすことができる。
【００４９】
また、上記実施の形態においては、配線形成部を囲む状態で非配線形成部に枠状にバンプ保護部５を形成している。このため、配線３のレイアウトの自由度を損なうことなく、配線形成部内の各バンプ４を枠状のバンプ保護部５により一括して保護することができる。
【００５０】
また、上記実施の形態においては、絶縁基板２上に配線３とバンプ４を形成する工程の中で、バンプ保護部５を同時に形成している。このため、上述のように絶縁基板２上に配線３とバンプ４をエッチングにより形成する場合に、工程数の増加を伴うことなく、バンプ保護部５を形成することができる。
【００５１】
また、上記実施の形態においては、バンプ保護部５の突出寸法Ｄ２をバンプ４の突出寸法Ｄ１と同じ寸法に設定している。このため、たとえば、ロール・ツー・ロール方式の基板搬送において、配線基板１をロール状に巻いた場合に、バンプ保護部５の存在によって安定した巻き形状が得られる。特に、上記実施の形態においては、絶縁基板２に形成された銅箔１１をエッチング加工することにより、絶縁基板２上に配線３、バンプ４およびバンプ保護部５を形成している。このため、たとえば、バンプ４およびバンプ保護部５のうちの少なくとも一方をメッキ処理などによって形成する場合に比べて、バンプ４とバンプ保護部５の突出寸法Ｄ１，Ｄ２を高精度に揃えることができる。このため、ロール・ツー・ロール方式の基板搬送に際して、配線基板１の巻き形状が、より安定したものとなる。
【００５２】
＜４．変形例等＞
本発明の技術的範囲は上述した実施の形態に限定されるものではなく、発明の構成要件やその組み合わせによって得られる特定の効果を導き出せる範囲において、種々の変更や改良を加えた形態も含む。
【００５３】
たとえば、配線３上に形成するバンプ４の形状は、円形に限らず、多角形、楕円形等であってもよい。また、配線３上に形成されるバンプ４の位置は、配線３の途中ではなく、配線３の端部またはその近傍であってもよい。
【００５４】
また、絶縁基板２上に形成するバンプ保護部５の形態についても、上述した形態に限らず、たとえば、以下のような形態を採用することが可能である。
（１）絶縁基板２上の非配線形成部にドット状のバンプ保護部５を複数形成した形態を採用可能である（図８）。ただし、ドット状のバンプ保護部５の平面形状は、矩形に限らず、円形、楕円形、矩形以外の多角形など、任意に変更可能である。また、バンプ保護部５の形状はドット状や枠状に限らず、線状であってもよい。ここで記述する「線状」とは、直線状、曲線状、さらには直線と曲線を組み合わせたものを含む概念である。
（２）絶縁基板２に形成された製品領域内の複数の配線パターン（製品パターン）の外周の対角線に沿って直線状のバンプ保護部５を形成することもできる（図９）。ただし、バンプ保護部５の形状は図例のような線状に限らず、ドット状や枠状であってもよい。また、図例では矩形に区画された配線形成部の対角線に沿って直線状のバンプ保護部５を４つ形成しているが、変形例の一つとして、配線形成部の四隅に、内向き又は外向きで、Ｌ字形にバンプ保護部５を形成してもよい。また、ここで記述する「配線形成部と非配線形成部の両方」とは、図例のように配線形成部と非配線形成部とに跨ってバンプ保護部５を形成した形態の他に、配線形成部と非配線形成部に別々にバンプ保護部５を形成した形態を含む概念である。
【００５５】
また、本発明においては、バンプ保護部５を形成する方法に特に制限はない。このため、たとえば、バンプ４およびバンプ保護部５のうちの少なくとも一方をメッキ処理で形成することも技術的範囲として含むものである。ただし、その場合は、以下の点を考慮することが好ましい。
すなわち、バンプ４およびバンプ保護部５をメッキ処理で同時に形成する場合は、メッキの成長速度がメッキ対象部位の面積に依存して変わる。具体的には、メッキ対象部位の面積が広いほどメッキの成長速度が遅くなる。このため、バンプ４およびバンプ保護部５をメッキ処理で同時に形成しようとすると、それらの突出寸法Ｄ１，Ｄ２が同一とならず、Ｄ１＞Ｄ２の関係になる可能性がある。しかし、Ｄ１＞Ｄ２の関係では、バンプ４を保護する機能をバンプ保護部５が十分に発揮し得ないため、製造工程の最終段階でＤ１≦Ｄ２の条件を満たす必要がある。したがって、バンプ４およびバンプ保護部５をメッキ処理で同時に形成する場合は、最終的にＤ１≦Ｄ２の条件を満たすように別途、バンプ保護部５のメッキ処理を行うことが望ましい。
ただし、バンプ保護部５は、必ずしも金属で形成する必要はなく、樹脂で形成されていてもよい。たとえば、配線３およびバンプ４を形成した後に、所定の形状及び厚さを有する樹脂を貼り付けるなどの方法でバンプ保護部を形成してもよい。
【００５６】
また、本発明を実施するにあたり、絶縁基板２上でバンプ保護部５を形成する位置は、バンプ４が形成された部分を除く部分であればよい。このため、絶縁基板２上の配線形成部内にバンプ保護部５を形成する場合は、バンプ４が形成された部分と位置をずらして、配線３と一体にバンプ保護部５を形成してもかまわない。ただし、その場合は、電気的な接続状態に不具合が生じないように配慮する必要がある。
【００５７】
また、第１のレジストパターン形成工程および第２のレジストパターン形成工程では、ドライフィルムレジストに代えてフォトレジストを用いてもよく、レジストのタイプについても、ポジ型およびネガ型のいずれを用いてもよい。
【００５８】
また、本発明に係る配線基板１は、たとえば、ＣＯＦ（Chip On Film）構造の半導体装置を製造する場合に、樹脂フィルムを基材とした配線基板１に半導体素子を直接実装する用途で使用する以外にも、種々の用途で使用可能である。具体的には、たとえば、ウエハ上にマトリクス状の配列で形成された各々の半導体素子の電気的特性を検査する場合に用いられる検査用プローブ基板として好適に使用することが可能である。
【００５９】
また、上記実施の形態においては、配線基板１の製造方法として、銅箔１１が片面に形成された絶縁基板２を用いた場合を例示しているが、銅箔１１が両面に形成された絶縁基板２を用いてもよい。その場合は、上述した第２のレジストパターン形成工程において、絶縁基板２の両面にそれぞれ所望の配線パターンに応じて第２のレジストパターンを形成し、その後の第２のエッチング工程において、絶縁基板２の両面の銅箔１１を同時進行でエッチング（フルエッチング）すればよい。これにより、絶縁基板２の両面に同時に配線形成を行うことができる。
【００６０】
また、本発明に係る配線基板の製造方法は、絶縁基板２が可撓性を有するか否かにより、フレキシブル配線基板およびリジット配線基板のいずれの製造方法にも適用することが可能である。
【符号の説明】
【００６１】
１…配線基板
２…絶縁基板
２ａ…主面
３…配線
４…バンプ
５…バンプ保護部
６…スプロケットホール
１１…銅箔
１２…第１のレジスト層
１３…第１のレジストパターン
１６…第２のレジスト層
１７…第２のレジストパターン
Ｅ…スプロケットホール形成領域
【図１】
2014011401.tif 000003
【図２】
2014011401.tif 000004
【図３】
2014011401.tif 000005
【図４】
2014011401.tif 000006
【図５】
2014011401.tif 000007
【図６】
2014011401.tif 000008
【図７】
2014011401.tif 000009
【図８】
2014011401.tif 000010
【図９】
2014011401.tif 000011