(57)【要約】【課題】内部電極層を薄層化しても静電容量及び容量温度特性の悪化を防止できる積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】積層セラミックコンデンサの誘電体層１４を構成するセラミック粒子は、誘電体層１４の最大厚さをＴｍａｘとし、誘電体層１４の最小厚さをＴｍｉｎとしたとき、Ｔｍｉｎ≦Ｄｃｏａ≦Ｔｍａｘの条件を満足する粗大粒子径Ｄｃｏａの粗大セラミック粒子ＳＰｒを含んでいる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互結合した種々粒子径の金属粒子によって構成された内部電極層と、相互結合した種々粒子径のセラミック粒子によって構成された誘電体層が、交互に積層された構造を有する積層セラミックコンデンサであって、
前記内部電極層で挟まれる前記誘電体層の一方側界面と他方側界面は起伏を有していて、前記誘電体層は該起伏に基づく最大厚さと最小厚さを有しており、
前記誘電体層を構成するセラミック粒子は、前記誘電体層の最大厚さをＴｍａｘとし、前記誘電体層の最小厚さをＴｍｉｎとしたとき、Ｔｍｉｎ≦Ｄｃｏａ≦Ｔｍａｘの条件を満足する粗大粒子径Ｄｃｏａの粗大セラミック粒子を含む、
ことを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記誘電体層の一方側界面の起伏の高低差は、該誘電外層の他方側界面の起伏の高低差よりも大きい、
ことを特徴とする請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
前記誘電体層を構成するセラミック粒子に含まれる前記粗大セラミック粒子の割合は、２５〜５０ｖｏｌ％の範囲内にある、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項４】
前記誘電体層を構成するセラミック粒子の平均粒子径Ｄａｂｅは、前記誘電体層の平均厚さをＴａｂｅとしたとき、０．１５×Ｔａｂｅ≦Ｄａｂｅ≦０．３×Ｔａｂｅの条件を満足する、
ことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、内部電極層と誘電体層が交互に積層された構造を有する積層セラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサに対する小型化及び大容量化のニーズは依然として高く、このニーズを満足するには内部電極層と誘電体層を更に薄層化する必要がある（特許文献１を参照）。
【０００３】
積層セラミックコンデンサの内部電極層が相互結合した種々粒子径の金属粒子によって構成されていること、並びに、誘電体層が相互結合した種々粒子径のセラミック粒子によって構成されていることに鑑みれば、原則的には、各々の原料粒子としてより微細な金属粒子とセラミック粒子を用いれば、内部電極層と誘電体層の更なる薄層化が実現できる。
【０００４】
ところで、誘電体層の原料粒子には強誘電体に属するセラミック粒子、例えばチタン酸バリウム粒子が一般に用いられているが、強誘電体に属するセラミック粒子にあってはサイズ効果の影響によって粒子径が小さくなるほど比誘電率が低下する。つまり、より微細なセラミック粒子を誘電体層の原料粒子として用いてその薄層化を図ると、誘電体層の誘電率の低下に起因して積層セラミックコンデンサの静電容量及び容量温度特性が悪化する恐れがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２５８５６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、内部電極層を薄層化しても静電容量及び容量温度特性の悪化を防止できる積層セラミックコンデンサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するため、本発明は、相互結合した種々粒子径の金属粒子によって構成された内部電極層と、相互結合した種々粒子径のセラミック粒子によって構成された誘電体層が、交互に積層された構造を有する積層セラミックコンデンサであって、前記誘電体層を構成するセラミック粒子は、前記誘電体層の最大厚さをＴｍａｘとし、前記誘電体層の最小厚さをＴｍｉｎとしたとき、Ｔｍｉｎ≦Ｄｃｏａ≦Ｔｍａｘの条件を満足する粗大粒子径Ｄｃｏａの粗大セラミック粒子を含む、ことをその特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、誘電体層を構成するセラミック粒子が誘電体層の最小厚さＴｍｉｎ≦Ｄｃｏａ≦誘電体層の最大厚さＴｍａｘの条件を満足する粗大粒子径Ｄｃｏａの粗大セラミック粒子を含むため、内部電極層を薄層化しても静電容量及び容量温度特性の悪化を防止できる。
【０００９】
本発明の前記目的とそれ以外の目的と、構成特徴と、作用効果は、以下の説明と添付図面によって明らかとなる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、積層セラミックコンデンサの縦断面図である。
【図２】図２は、図１に示した積層セラミックコンデンサのＡ部拡大図である。
【図３】図３（Ａ）〜図３（Ｆ）は、図１に示した積層セラミックコンデンサの製法説明図である。
【図４】図４は、サンプル１〜１７の仕様及び特性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
《積層セラミックコンデンサの全体構造》
図１は、積層セラミックコンデンサ１０の縦断面図を示す。この積層セラミックコンデンサ１０は、長さ、幅及び高さの基準寸法が長さ＞幅＝高さの関係、或いは、長さ＞幅＞高さの関係を有する略直方体形状のコンデンサ本体１１と、該コンデンサ本体１１の長さ方向両端部に設けられた１対の外部電極１２とを備えている。
【００１２】
コンデンサ本体１１は内部電極層１３と誘電体層１４が高さ方向で交互に積層された構造を有しており、高さ方向の最上位部分と最下位部分には誘電体層１４のみが積層されたマージン（符号無し）が存する。各内部電極層１３はコンデンサ本体１１の長さ及び幅よりも小さな長さ及び幅を有する略矩形状を成しており、図１において上から奇数番目の内部電極層１３の左端縁は左側の外部電極１２に電気的に接続され、且つ、上から偶数番目の内部電極層１３の右端縁は右側の外部電極１２に電気的に接続されている。因みに、図１には図示の便宜上計２６層の内部電極層１３を示したが、小型化及び大容量化に対応した積層セラミックコンデンサ１０における内部電極層１３の層数は１００以上に及ぶ。
【００１３】
各外部電極１２は、図示を省略したが、ニッケル、銅等から成る下地層と、該下地層の表面に形成されたスズ、パラジウム、金、亜鉛等から成る表面層との２層構造、或いは、これら下地層と表面層との間に白金、パラジウム、金、銅、ニッケル等から成る中間層を介装した３層構造を有している。
【００１４】
《内部電極層及び誘電体層の詳細構造》
図２は、図１に示した積層セラミックコンデンサ１０のＡ部拡大図を示す。因みに、この図２は、後記サンプル１の図１対応の縦断面を走査型電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で観察して得た画像に基づいている。
【００１５】
各内部電極層１３は相互結合した種々粒子径の金属粒子によって構成され、各誘電体層１４は相互結合した種々粒子径のセラミック粒子ＳＰによって構成されている。各内部電極１３を構成する金属粒子は、ニッケル、銅、パラジウム、銀のうちの少なくとも１種の粒子から成り、各誘電体層１４を構成するセラミック粒子ＳＰは、強誘電体に属するチタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、ジルコン酸カルシウム、チタン酸ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸バリウム、酸化チタンのうちの何れかを含む粒子から成る。
【００１６】
また、各誘電体層１４の上側界面ＩＦｕと下側界面ＩＦｄには、上側界面ＩＦｕの起伏（高低差ΔＴｕ）＞下側界面ＩＦｄの起伏（高低差ΔＴｄ）となる略波形の起伏が現れる。このような起伏が現れる理由については、後記《積層セラミックコンデンサの製法》において説明する。
【００１７】
図２から分かるように、各誘電体層１４を構成するセラミック粒子ＳＰは、誘電体層１４の最大厚さをＴｍａｘとし、誘電体層１４の最小厚さをＴｍｉｎとしたとき、Ｔｍｉｎ≦Ｄｃｏａ≦Ｔｍａｘの条件を満足する粗大粒子径Ｄｃｏａの粗大セラミック粒子ＳＰｒを最低でも１個含んでいる。粗大セラミック粒子ＳＰｒの粗大粒子径Ｄｃｏａが最小厚さＴｍｉｎよりも小さいと、所期の課題である静電容量及び容量温度特性の悪化防止を行うことが難しくなる。また、図２の左上の粗大セラミック粒子ＳＰｒのように最大厚さＴｍａｘが粗大粒子径Ｄｃｏａと略同じになる態様があり得ることから、粗大セラミック粒子ＳＰｒの粗大粒子径Ｄｃｏａの上限値は最大厚さＴｍａｘと言うことになる。
【００１８】
また、各誘電体層１４を構成するセラミック粒子ＳＰに含まれる粗大セラミック粒子ＳＰｒの割合は、２５〜５０ｖｏｌ％の範囲内、より好ましくは３０〜４０ｖｏｌ％の範囲内にある。各誘電体層１４を構成するセラミック粒子ＳＰに含まれる粗大セラミック粒子ＳＰｒの割合が２５ｖｏｌ％に満たないと、所期の課題である静電容量及び容量温度特性の悪化防止を行うことが難しくなる。また、各誘電体層１４を構成するセラミック粒子ＳＰに含まれる粗大セラミック粒子ＳＰｒの割合が５０ｖｏｌ％を越えると、ショートの発生を低く抑えることが難しくなる。加えて、各誘電体層１４を構成するセラミック粒子ＳＰに含まれる粗大セラミック粒子ＳＰｒの割合が５０ｖｏｌ％を越えると、各誘電体層１４の薄層化、即ち、（Ｔｍａｘ＋Ｔｍｉｎ）／２の式、或いは、Ｔｍｉｎ＋［（ΔＴｕ＋ΔＴｄ）／２］の式によって求められる平均厚さＴａｂｅを薄くすることが難しくなる。
【００１９】
さらに、各誘電体層１４を構成するセラミック粒子ＳＰ（粗大セラミック粒子ＳＰｒを含む）の平均粒子径Ｄａｂｅは、各誘電体層１４の平均厚さをＴａｂｅとしたとき、０．１５×Ｔａｂｅ≦Ｄａｂｅ≦０．３×Ｔａｂｅの条件、より好ましくは０．１８×Ｔａｂｅ≦Ｄａｂｅ≦０．２５×Ｔａｂｅの条件を満足する。各誘電体層１４を構成するセラミック粒子ＳＰの平均粒子径Ｄａｂｅが０．１５×Ｔａｂｅよりも小さいと、所期の課題である静電容量及び容量温度特性の悪化防止を行うことが難しくなる。また、各誘電体層１４を構成するセラミック粒子ＳＰの平均粒子径Ｄａｂｅが０．３×Ｔａｂｅよりも大きいと、ショートの発生を低く抑えることが難しくなる。
【００２０】
《積層セラミックコンデンサの製法》
図３（Ａ）〜図３（Ｆ）は、図１に示した積層セラミックコンデンサ１０の製法を示す。製造に際しては、先ず、セラミックスラリーと電極ペーストを用意する。セラミックスラリーは、セラミック粒子と溶剤とバインダを少なくとも含み、必要に応じて各種添加剤を含む。また、電極ペーストは、金属粒子と溶剤とバインダを少なくとも含み、必要に応じて各種添加剤を含む。
【００２１】
セラミックスラリーに含まれるセラミック粒子は、強誘電体に属するチタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、ジルコン酸カルシウム、チタン酸ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸バリウム、酸化チタンのうちの何れかを含む粒子から成り、所定のｄ５０（メディアン径）と粒子径分布を有する。また、溶剤は、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、酢酸エチル、酢酸ブチル、トルエン、キシレンのうちの少なくとも１つから成り、バインダは、ポリビニルブチラール、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリビニルアセタールのうちの少なくとも１つから成る。各種添加剤には分散剤、可塑剤、レベリング剤等が使用可能であり、分散剤は、カチオン系分散剤、アニオン系分散剤、ノニオン系分散剤、両性界面活性剤、高分子系分散剤等を利用することができ、可塑剤とレベリング剤は、特に制約は無く、公知のものを利用することができる。
【００２２】
電極ペーストに含まれる金属粒子は、ニッケル、銅、パラジウム、銀のうちの少なくとも１種の粒子から成り、所定のｄ５０（メディアン径）と粒子径分布を有する。また、溶剤は、ターピネオール（α、β、γ及びこれらの混合物）、ジヒドロターピネオール、ジヒドロターピネオールアセテート、オクタノール、デカノール、トリデカノール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、トルエン、エタノールのうちの少なくとも１つから成り、バインダは、エチルセルロース、ニトロセルロース、アクリル樹脂、ポリビニルブチラールのうちの少なくとも１つから成る。各種添加剤には分散剤、可塑剤、レベリング剤等が使用可能であり、分散剤は、カチオン系分散剤、アニオン系分散剤、ノニオン系分散剤、両性界面活性剤、高分子系分散剤等を利用することができ、可塑剤とレベリング剤は、特に制約は無く、公知のものを利用することができる。
【００２３】
次に、図３（Ａ）に示したように、ポリエチレンテレフタレート等から成るベースフィルムＢＦの上面にドクターブレードやスリットダイ等を用いた塗工機によって前記セラミックスラリーを塗布し、該塗布物を乾燥させて、ベースフィルムＢＦ上に所定厚さｔ１のスラリー層ＳＬが形成された第１の積層用シートを作製する。このスラリー層ＳＬ内には種々粒子径のセラミック粒子が不規則に並んでいる。
【００２４】
また、図３（Ｂ）に示したように、第１の積層用シートのスラリー層ＳＬの上面に、スクリーンや凹版を用いた印刷機よって前記電極ペーストを印刷し、該印刷物を乾燥させて、スラリー層ＳＬ上に所定厚さｔ２で所定形状のペースト層ＰＬが所定配列で形成された第２の積層用シートを作製する。このペースト層ＰＬ内には種々粒子径の金属粒子が不規則に並んでいる。
【００２５】
次に、図３（Ｃ）に示したように、第１の積層用シートのスラリー層ＳＬを所定サイズで打ち抜き、打ち抜いたスラリー層ＳＬを吸着ヘッドＡＨの平坦な下面に吸い付けて搬送し、該スラリー層ＳＬを積層テーブルＬＴの平坦な上面に置く。そして、同様に打ち抜いたスラリー層ＳＬを吸着ヘッドＡＨの平坦な下面に吸い付けて搬送し、該スラリー層ＳＬを積層テーブルＬＴ上のスラリー層ＳＬの上面に重ねて熱圧着する作業を所定回数繰り返す。
【００２６】
図３（Ｄ）に示したように、熱圧着された所定層数のスラリー層ＳＬ’の間には同一組成であることもあって視認できるような界面は現れないが、熱圧着前の各スラリー層ＳＬ内に不規則に並んでいる種々粒子径のセラミック粒子が熱圧着過程において変位することから、熱圧着後の仮想の相互接触面（破線を参照）は起伏を有するものとなる。
【００２７】
次に、図３（Ｄ）に示したように、第２の積層用シートのスラリー層ＳＬを所定サイズで打ち抜き、打ち抜いたスラリー層ＳＬ（多数のペースト層ＰＬを包含）のペースト層ＰＬ側を吸着ヘッドＡＨの平坦な下面に吸い付けて搬送し、該スラリー層ＳＬを熱圧着済みのスラリー層ＳＬ’の上面に重ねて熱圧着する。そして、同様に打ち抜いたスラリー層ＳＬ（多数のペースト層ＰＬを包含）のペースト層ＰＬ側を吸着ヘッドＡＨの平坦な下面に吸い付けて搬送し、該スラリー層ＳＬを熱圧着済みのペースト層ＰＬ’の上面に重ねて熱圧着する作業を所定回数繰り返す。
【００２８】
図３（Ｅ）に示したように、熱圧着された所定層数のスラリー層ＳＬ’及びペースト層ＰＬ’の間には異種組成であることもあって視認可能な界面が現れ、しかも、ペースト層ＰＬ’で挟まれるスラリー層ＳＬ’の上側界面の略波形の起伏は下側界面の略波形の起伏よりも大きくなる。このような起伏が現れる理由には、熱圧着前の各スラリー層ＳＬ内に不規則に並んでいる種々粒子径のセラミック粒子が熱圧着過程において変位することに加え、打ち抜いたスラリー層ＳＬがそのペースト層ＰＬ側を吸着ヘッドＡＨの平坦な下面に吸い付けられた状態で熱圧着されることから熱圧着過程においてスラリー層ＳＬの上側界面に起伏が生じ易いことが挙げられる。
【００２９】
次に、図３（Ｅ）に示したように、第１の積層用シートのスラリー層ＳＬを所定サイズで打ち抜き、打ち抜いたスラリー層ＳＬを吸着ヘッドＡＨの平坦な下面に吸い付けて搬送し、該スラリー層ＳＬを熱圧着済みのペースト層ＰＬ’の上面に重ねて熱圧着する。そして、同様に打ち抜いたスラリー層ＳＬを吸着ヘッドＡＨの平坦な下面に吸い付けて搬送し、該スラリー層ＳＬを熱圧着済みのスラリー層ＳＬ’の上面に重ねて熱圧着する作業を所定回数繰り返す。
【００３０】
図３（Ｆ）に示したように、熱圧着された所定層数のスラリー層ＳＬ’の間には同一組成であることもあって視認できるような界面は現れないが、熱圧着前の各スラリー層ＳＬ内に不規則に並んでいる種々粒子径のセラミック粒子が熱圧着過程において変位することから、熱圧着後の仮想の相互接触面（破線を参照）は起伏を有するものとなる。
【００３１】
次に、前記熱圧着物に対し、熱間静水圧プレス機等のプレス機よって最終的な熱圧着を行って、積層物を作製する。次に、積層物を、ダイシング装置等の切断機によって格子状に切断し、図１に示したコンデンサ本体１１に対応したチップを作製する。次に、多数のチップを焼成炉に投入し、所定条件下で焼成（脱バインダ処理を含む）を行う。
【００３２】
焼成後のチップは図１に示したコンデンサ本体１１に相当するため、図２に示した内部電極層１３及び誘電体層１４を有するものとなる。焼成後のチップの誘電体層１４を構成するセラミック粒子ＳＰが、Ｔｍｉｎ≦Ｄｃｏａ≦Ｔｍａｘの条件（Ｔｍｉｎは誘電体層１４の最小厚さ、Ｔｍａｘは誘電体層１４の最大厚さ）を満足する粗大粒子径Ｄｃｏａの粗大セラミック粒子ＳＰｒを含むようにするには以下の２つの方法が採用できる。
【００３３】
１つ目は、前記セラミックスラリーに含まれるセラミック粒子として、（１）粗大粒子径Ｄｃｏａの粗大セラミック粒子ＳＰｒに近似の粗大セラミック粒子を含む粒子径分布を有するもの、例えばｄ９５前後に粗大粒子径Ｄｃｏａが存する１種類のセラミック粒子、（２）粗大粒子径Ｄｃｏａの粗大セラミック粒子ＳＰｒを含まない粒子径分布を有するセラミック粒子に粗大粒子径Ｄｃｏａの粗大セラミック粒子ＳＰｒを加えた混合物、（３）ｄ５０が小さなセラミック粒子とｄ５０が大きくｄ９５前後に粗大粒子径Ｄｃｏａが存するセラミック粒子の混合物、を用いる方法である。
【００３４】
この方法にあっては、前記セラミックスラリーに含まれるセラミック粒子の粒子径分布に近似の粒子径分布が焼成後のチップの誘電体層１４を構成するセラミック粒子ＳＰに現れるため、酸化マグネシウム、炭酸バリウム、炭酸カルシウム、炭酸マンガン、二酸化マンガン、酸化ホルミウム、酸化エルビウム、酸化イッテルビウム等の粒成長抑制剤を前記セラミックスラリーに予め添加しておいて前記焼成過程における粒子径分布の変動を極力抑制することが望ましい。また、前記セラミックスラリーに含まれるセラミック粒子の粒子径分布を予め調整しておけば、焼成後のチップの誘電体層１４を構成するセラミック粒子ＳＰに含まれる粗大セラミック粒子ＳＰｒの割合を２５〜５０ｖｏｌ％の範囲内に収めることができるし、焼成後のチップの誘電体層１４を構成するセラミック粒子ＳＰの平均粒子径Ｄａｂｅが０．１５×Ｔａｂｅ≦Ｄａｂｅ≦０．３×Ｔａｂｅの条件（Ｔａｂｅは誘電体層１４の平均厚さ）を満足するようにもできる。
【００３５】
２つ目は、前記セラミックスラリーに含まれるセラミック粒子として、粗大粒子径Ｄｃｏａの粗大セラミック粒子ＳＰｒを含まない粒子径分布を有するセラミック粒子を用いて、前記焼成過程におけるセラミック粒子の粒成長によって粗大セラミック粒子ＳＰｒを形成する方法である。
【００３６】
この方法にあっては、前記セラミックスラリーに含まれるセラミック粒子の粒子径分布と異なる粒子径分布が焼成後のチップの誘電体層１４を構成するセラミック粒子ＳＰに現れるため、焼成後のチップの誘電体層１４を構成するセラミック粒子ＳＰに含まれる粗大セラミック粒子ＳＰｒの粗大粒子径ＤｃｏａがＴｍｉｎ≦Ｄｃｏａ≦Ｔｍａｘの条件（Ｔｍｉｎは誘電体層１４の最小厚さ、Ｔｍａｘは誘電体層１４の最大厚さ）を満足するようにし、また、焼成後のチップの誘電体層１４を構成するセラミック粒子ＳＰに含まれる粗大セラミック粒子ＳＰｒの割合が２５〜５０ｖｏｌ％の範囲内に収まるようにし、さらに、焼成後のチップの誘電体層１４を構成するセラミック粒子ＳＰに含まれるセラミック粒子ＳＰの平均粒子径Ｄａｂｅが０．１５×Ｔａｂｅ≦Ｄａｂｅ≦０．３×Ｔａｂｅの条件（Ｔａｂｅは誘電体層１４の平均厚さ）を満足するようにするには、粒子径分布の変動を考慮した上で必要に応じて前記同様の粒成長抑制剤を前記セラミックスラリーに予め添加しておくことが望ましい。
【００３７】
次に、焼成後のチップの長さ方向両端部に、ディップ塗布機やローラ塗布機等の塗布機によって前記電極ペーストと同等の電極ペーストを塗布し、該塗布物に焼付け処理を施して、図１に示した外部電極１２の下地層を形成する。そして、下地層の表面に、電解メッキ等のメッキ法によって表面層を形成して、２層構造の外部電極１２を作製する。或いは、下地層の表面に、電解メッキ等のメッキ法によって中間層と表面層を順に形成して、３層構造の外部電極１２を作製する。
【００３８】
《積層セラミックコンデンサによって得られる効果》
図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサ１０によって得られる効果を検証するために、下記サンプル１〜１７（積層セラミックコンデンサ）を前記《積層セラミックコンデンサの製法》に準じて各々１２０個ずつ製造した。
【００３９】
〈サンプル１〉
・コンデンサ本体の基準寸法      ：長さ１．０ｍｍ、幅０．５ｍｍ、高さ０．２ｍｍ
・内部電極層
・平均厚さ                  ：０．７μｍ
・層数                      ：１００
・金属粒子                  ：ニッケル
・平均粒子径              ：０．２μｍ
・誘電体層
・最小厚さＴｍｉｎ          ：０．４μｍ
・最大厚さＴｍａｘ          ：１．０μｍ
・平均厚さＴａｂｅ          ：０．６μｍ
・層数                      ：１００
・セラミック粒子ＳＰ        ：チタン酸バリウム
・粗大粒子径Ｄｃｏａ      ：０．７５μｍ
・平均粒子径Ｄａｂｅ      ：０．１１μｍ
・粗大セラミック粒子の割合：３０ｖｏｌ％
〈サンプル２〉
粗大粒子径Ｄｃｏａが０．９０μｍである以外は、サンプル１と同じ。
【００４０】
〈サンプル３〉
粗大粒子径Ｄｃｏａが０．４５μｍである以外は、サンプル１と同じ。
【００４１】
〈サンプル４〉
粗大粒子径Ｄｃｏａが０．３５μｍである以外は、サンプル１と同じ。
【００４２】
〈サンプル５〉
粗大セラミック粒子の割合が２５ｖｏｌ％である以外は、サンプル１と同じ。
【００４３】
〈サンプル６〉
粗大セラミック粒子の割合が３５ｖｏｌ％である以外は、サンプル１と同じ。
【００４４】
〈サンプル７〉
粗大セラミック粒子の割合が４０ｖｏｌ％である以外は、サンプル１と同じ。
【００４５】
〈サンプル８〉
粗大セラミック粒子の割合が４５ｖｏｌ％である以外は、サンプル１と同じ。
【００４６】
〈サンプル９〉
粗大セラミック粒子の割合が５０ｖｏｌ％である以外は、サンプル１と同じ。
【００４７】
〈サンプル１０〉
粗大セラミック粒子の割合が２０ｖｏｌ％である以外は、サンプル１と同じ。
【００４８】
〈サンプル１１〉
粗大セラミック粒子の割合が５５ｖｏｌ％である以外は、サンプル１と同じ。
【００４９】
〈サンプル１２〉
平均粒子径Ｄａｂｅが０．０９μｍである以外は、サンプル１と同じ。
【００５０】
〈サンプル１３〉
平均粒子径Ｄａｂｅが０．１３μｍである以外は、サンプル１と同じ。
【００５１】
〈サンプル１４〉
平均粒子径Ｄａｂｅが０．１５μｍである以外は、サンプル１と同じ。
【００５２】
〈サンプル１５〉
平均粒子径Ｄａｂｅが０．１７μｍである以外は、サンプル１と同じ。
【００５３】
〈サンプル１６〉
平均粒子径Ｄａｂｅが０．０７μｍである以外は、サンプル１と同じ。
【００５４】
〈サンプル１７〉
平均粒子径Ｄａｂｅが０．２１μｍである以外は、サンプル１と同じ。
【００５５】
図４は、前記サンプル１〜１７の仕様及び特性を示すもので、以下に同図に示した仕様及び特性の測定方法について説明する。
【００５６】
各サンプル１〜１７における誘電体層のＴｍｉｎ（最小厚さ）、Ｔｍａｘ（最大厚さ）及びＴａｂｅ（平均厚さ）は、サンプル１〜１７を各々１０個用意し、それぞれの図１対応の縦断面を走査型電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）にて３０００倍の倍率で観察し、観察範囲内にある誘電体層のＴｍｉｎ（最小厚さ）とＴｍａｘ（最大厚さ）をそれぞれ測定して、１０個のＴｍｉｎ（最小厚さ）の平均値と１０個のＴｍａｘ（最大厚さ）の平均値をサンプル１〜１７それぞれのＴｍｉｎ（最小厚さ）及びＴｍａｘ（最大厚さ）とすると共に、該Ｔｍｉｎ（最小厚さ）及びＴｍａｘ（最大厚さ）を利用して求めた平均厚さをサンプル１〜１７それぞれのＴａｂｅ（平均厚さ）とした。
【００５７】
また、各サンプル１〜１７におけるセラミック粒子のＤｃｏａ（粗大粒子径）、割合及びＤａｂｅ（平均粒子径）は、前記観察範囲内にあるセラミック粒子全ての粒子径を測定し、前記観察範囲内のセラミック粒子の数が３００個に満たない場合には別の観察範囲内にあるセラミック粒子全ての粒子径を続いて測定して測定数が３００以上となるようにした上で、Ｄｃｏａ（粗大粒子径）とその断面積に基づく粗大粒子の体積割合とＤａｂｅ（平均粒子径）をそれぞれ測定し、１０個のＤｃｏａ（粗大粒子径）の平均値と１０個の体積割合の平均値と１０個のＤａｂｅ（平均粒子径）の平均値をサンプル１〜１７それぞれのＤｃｏａ（粗大粒子径）、割合及びＤａｂｅ（平均粒子径）とした。
【００５８】
各サンプル１〜１７における特性の誘電率と静電容量と容量変化率は、サンプル１〜１７を各々１０個別に用意し、周波数１ＫＨｚ、電圧１Ｖにて２５℃雰囲気下で誘電体層の誘電率と全体の静電容量をそれぞれ測定すると共に、これらを８５℃雰囲気下で再度全体の静電容量をそれぞれ測定して２５℃から８５℃の温度変化に対する容量変化率（容量減少率）を百分率でそれぞれ求め、１０個の誘電率の平均値と１０個の静電容量の平均値と１０個の容量変化率の平均値をサンプル１〜１７それぞれの誘電率と静電容量と容量変化率とした。
【００５９】
各サンプル１〜１７における特性のショート率は、サンプル１〜１７を各々１００個別に用意し、ＤＣ電圧１Ｖにて抵抗値が１ＫΩに満たないものをショートとし、１００個のうちでショートが発生した数を百分率で表したものをサンプル１〜１７それぞれのショート率とした。
【００６０】
図４から分かるように、誘電体層１４を構成するセラミック粒子ＳＰに含まれる粗大セラミック粒子ＳＰｒの粗大粒子径ＤｃｏａがＴｍｉｎ≦Ｄｃｏａ≦Ｔｍａｘの条件を満足するサンプル１〜３の静電容量は、粗大粒子径Ｄｃｏａが同条件を満足しないサンプル４の静電容量よりも高いと共に、同サンプル１〜３の容量変化率（容量温度特性）は、粗大粒子径Ｄｃｏａが同条件を満足しないサンプル４の容量変化率（容量温度特性）よりも優れている（±１８％以内）。
【００６１】
また、図４から分かるように、誘電体層１４を構成するセラミック粒子ＳＰに含まれる粗大セラミック粒子ＳＰｒの割合が２５〜５０ｖｏｌ％の範囲内にあるサンプル１及び５〜９の静電容量は、粗大セラミック粒子ＳＰｒの割合が同範囲を外れるサンプル１０の静電容量よりも高いと共に、同サンプル１及び５〜９のショート率は、粗大セラミック粒子ＳＰｒの割合が同範囲を外れるサンプル１１のショート率よりも低い（１５％以下）。
【００６２】
しかも、サンプル１及び５〜９の中でも粗大セラミック粒子ＳＰｒの割合が３０〜４０ｖｏｌ％の範囲内にあるサンプル１、６及び７の容量変化率（容量温度特性）は、粗大セラミック粒子ＳＰｒの割合が同範囲を外れるサンプル５の容量変化率（容量温度特性）よりも優れている（±１５％以内）と共に、同サンプル１、６及び７のショート率は、粗大セラミック粒子ＳＰｒの割合が同範囲を外れるサンプル８及び９のショート率よりも低い（８％以下）。
【００６３】
さらに、図４から分かるように、誘電体層１４を構成するセラミック粒子ＳＰの平均粒子径Ｄａｂｅが０．１５×Ｔａｂｅ≦Ｄａｂｅ≦０．３×Ｔａｂｅの条件（ここでは０．０９μｍ≦Ｄａｂｅ≦０．１８μｍ）を満足するサンプル１及び１２〜１５の静電容量は、平均粒子径Ｄａｂｅが同条件を満足しないサンプル１６の静電容量よりも高いと共に、同サンプル１及び１２〜１５のショート率は、平均粒子径Ｄａｂｅが同条件を満足しないサンプル１７のショート率よりも低い（１２％以下）。
【００６４】
しかも、サンプル１及び１２〜１５の中でも平均粒子径Ｄａｂｅが０．１８×Ｔａｂｅ≦Ｄａｂｅ≦０．２５×Ｔａｂｅの条件（ここでは０．１０８μｍ≦Ｄａｂｅ≦０．１５μｍ）を満足するサンプル１、１３及び１４の容量変化率（容量温度特性）は、平均粒子径Ｄａｂｅが同条件を満足しないサンプル１２の容量変化率（容量温度特性）よりも優れている（±１５％以内）と共に、同サンプル１、１３及び１４のショート率は、平均粒子径Ｄａｂｅが同条件を満足しないサンプル１５のショート率よりも低い（１０％以下）。
【符号の説明】
【００６５】
１０…積層セラミックコンデンサ、１１…コンデンサ本体、１２…外部電極、１３…内部電極層、１４…誘電体層、ＳＰ…セラミック粒子、ＳＰｒ…粗大セラミック粒子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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