(57)【要約】【課題】外部から侵入した水分が半導体素子まで伝わり難く、良好な耐湿性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置２１は、内部接続部２４Ａおよび外部接続部２４Ｂを有するリード端子部２４と、半導体素子２５と、半導体素子２５を上面２３ａに搭載した支持部２３と、封止樹脂２７とを含む。封止樹脂２７は、リード端子部２４の内部接続部２４Ａおよび半導体素子２５を内部に封止するとともに、支持部２３の下面２３ｂおよびリード端子部２４の外部接続部２４Ｂを底面において露出させる。支持部２３は、上面２３ａおよび下面２３ｂの間に形成されたテーパー面２３ｃからなる剥離防止部を有している。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部接続部および外部接続部を有するリード端子部と、
半導体素子と、
上記半導体素子を上面に搭載した支持部と、
上記リード端子部の内部接続部および上記半導体素子を内部に封止するとともに、上記支持部の下面および上記リード端子部の外部接続部を底面において露出させる封止樹脂とを含み、
上記支持部が、上記上面および上記下面の間に形成された第１テーパー面からなる第１剥離防止部を有している、半導体装置。
【請求項２】
上記第１テーパー面の下方に上記封止樹脂が回り込んで存在している、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
上記リード端子部が、上面と下面との間に形成された第２テーパー面からなる第２剥離防止部を有している、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
上記第２テーパー面が、当該半導体装置の内方に向かうに従って、上記リード端子の下面から上記リード端子の上面に向かうように傾斜している、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
上記第２テーパー面が形成される領域上に上記内部接続部が配置されている、請求項３または４に記載の半導体装置。
【請求項６】
上記第２テーパー面の下方に内部接続部封止空間が形成されており、上記封止樹脂が上記内部接続部封止空間に回り込んでいる、請求項３〜５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
上記第１テーパー面が、当該半導体装置の外方に向かうに従って、上記支持部の下面から上記支持部の上面に向かうように傾斜している、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項８】
上記内部接続部と上記半導体素子とを上記封止樹脂内で接続する接続部材をさらに含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項９】
上記半導体素子の表面に、電極が設けられており、
上記接続部材が、上記半導体素子の上記電極と上記リード端子部の上記内部接続部とを接続する金属部材である、請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
上記外部接続部の上面と、上記内部接続部の上面とが、同一平面内にある、請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
上記外部接続部の端面が上記封止樹脂の側面から露出している、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
上記外部接続部の端面が、上記封止樹脂の側面と同一面に配置されている、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
上記リード端子部の上面と上記支持部の上面とが、同一平面内にある、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１４】
当該半導体装置は、上記外部接続部が当該半導体装置の周縁部から張り出していない表面実装型半導体装置である、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１５】
上記支持部において、上記封止樹脂内部にある部分の上記底面に沿う方向の長さが、上記封止樹脂から露出している部分の上記底面に沿う方向の長さよりも長い、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体素子とリードフレームの一部とを樹脂で封止した樹脂封止型の半導体装置のうち、主としてリードフレームの半導体素子搭載面を樹脂で封止した片面封止タイプの半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子およびリードフレームの必要部分を樹脂で封止した樹脂封止型の半導体装置が広く用いられている。近年の薄型機器の普及に伴い、これらの機器に搭載される部品についても薄型化が要求されるようになってきている。従来、樹脂封止型の半導体装置は、半導体素子およびその近傍のリードフレームを上下とも樹脂で封止する構造のものであったが、主としてリードフレームの上面（半導体素子搭載面）を樹脂で封止することにより薄型化を図るいわゆる片面封止タイプの半導体装置が開発されている。
【０００３】
図７は、従来の片面封止タイプの半導体装置５０の構造を示す図解的な縦断面図である。
この半導体装置５０は、支持部５２およびリード端子部５３を有するリードフレーム５１と、支持部５２の上に搭載された半導体素子５４と、この半導体素子５４の上面５４ａに形成された電極とリード端子部５３の上面５３ａとを電気的に接続する金属細線５５と、半導体素子５４と金属細線５５とリードフレーム５１の上面の一部とを封止する封止樹脂５６とで構成されている。
【０００４】
リードフレーム５１は、中央部に支持部５２が配置され、その周囲にリード端子部５３が配置された構造を有している。金属細線５５は、リード端子部５３の上面５３ａに電気的に接続されている。支持部５２の下面５２ｂおよびリード端子部５３の下面５３ｂは封止樹脂５６に覆われておらず露出している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、このような構造の半導体装置５０においては、大気中などに含まれる水分は、半導体装置５０底面に露出したリード端子部５３と封止樹脂５６との界面から、半導体装置５０内部へと侵入する。侵入した水分は、この界面に沿って上方に移動する。リード端子部５３と金属細線５５との接続部下方から侵入した水分は、リード端子部５３と金属細線５５との接続部に至る。さらにこのような水分は、金属細線５５と封止樹脂５６との間を移動し、半導体素子５４の上面５４ａに形成された電極であるＡｌパッドに至る。このような水分は、Ｃｌ-，Ｆｅ+，Ｎｉ+などのイオンを含むので、Ａｌとの化学反応により腐食を起こしたり半導体素子５４に悪影響を与えるという問題があった。
【０００６】
したがって、本発明の目的は、外部から侵入した水分が半導体素子まで伝わり難く、良好な耐湿性を示す半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、内部接続部および外部接続部を有するリード端子部と、半導体素子と、上記半導体素子を上面に搭載した支持部と、上記リード端子部の内部接続部および上記半導体素子を内部に封止するとともに、上記支持部の下面および上記リード端子部の外部接続部を底面において露出させる封止樹脂とを含み、上記支持部が、上記上面および上記下面の間に形成された第１テーパー面からなる第１剥離防止部を有している、半導体装置である。
【０００８】
請求項２記載の発明は、上記第１テーパー面の下方に上記封止樹脂が回り込んで存在している、請求項１に記載の半導体装置である。
【０００９】
請求項３記載の発明は、上記リード端子部が、上面と下面との間に形成された第２テーパー面からなる第２剥離防止部を有している、請求項１または２に記載の半導体装置である。
【００１０】
請求項４記載の発明は、上記第２テーパー面が、当該半導体装置の内方に向かうに従って、上記リード端子の下面から上記リード端子の上面に向かうように傾斜している、請求項３に記載の半導体装置である。
【００１１】
請求項５記載の発明は、上記第２テーパー面が形成される領域上に上記内部接続部が配置されている、請求項３または４に記載の半導体装置である。
【００１２】
請求項６記載の発明は、上記第２テーパー面の下方に内部接続部封止空間が形成されており、上記封止樹脂が上記内部接続部封止空間に回り込んでいる、請求項３〜５のいずれか一項に記載の半導体装置である。
【００１３】
請求項７記載の発明は、上記第１テーパー面が、当該半導体装置の外方に向かうに従って、上記支持部の下面から上記支持部の上面に向かうように傾斜している、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置である。
【００１４】
請求項８記載の発明は、上記内部接続部と上記半導体素子とを上記封止樹脂内で接続する接続部材をさらに含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体装置である。
【００１５】
請求項９記載の発明は、上記半導体素子の表面に、電極が設けられており、上記接続部材が、上記半導体素子の上記電極と上記リード端子部の上記内部接続部とを接続する金属部材である、請求項８に記載の半導体装置である。
【００１６】
請求項１０記載の発明は、上記外部接続部の上面と、上記内部接続部の上面とが、同一平面内にある、請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体装置である。
【００１７】
請求項１１記載の発明は、上記外部接続部の端面が上記封止樹脂の側面から露出している、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の半導体装置である。
【００１８】
請求項１２記載の発明は、上記外部接続部の端面が、上記封止樹脂の側面と同一面に配置されている、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の半導体装置である。
【００１９】
請求項１３記載の発明は、上記リード端子部の上面と上記支持部の上面とが、同一平面内にある、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の半導体装置である。
【００２０】
請求項１４記載の発明は、当該半導体装置は、上記外部接続部が当該半導体装置の周縁部から張り出していない表面実装型半導体装置である、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の半導体装置である。
【００２１】
請求項１５記載の発明は、上記支持部において、上記封止樹脂内部にある部分の上記底面に沿う方向の長さが、上記封止樹脂から露出している部分の上記底面に沿う方向の長さよりも長い、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の半導体装置である。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】参考形態にかかる片面封止タイプの半導体装置の構造を示す図解的な縦断面図である。
【図２】図１のリード端子部と金属細線との接続部近傍を拡大して示す図解的な縦断面図である。
【図３】図１のリード端子部を見下ろす平面図である。
【図４】図３のＣ−Ｃ切断線断面図、およびＤ−Ｄ切断線断面図である。
【図５】本発明の一実施形態にかかる片面封止タイプの半導体装置の構造を示す図解的な縦断面図である。
【図６】図５のリード端子部と金属細線との接続部近傍を拡大して示す図解的な縦断面図である。
【図７】従来の構造の片面封止タイプの半導体装置の構造を示す図解的な縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
図１は、参考形態にかかる半導体装置１１の構造を示す図解的な縦断面図である。
この半導体装置１１は、支持部１３およびリード端子部１４を有するリードフレーム１２と、支持部１３の上に搭載された半導体素子１５と、この半導体素子１５の上面１５ａに形成された電極とリード端子部１４とを電気的に接続する金属細線１６と、半導体素子１５、金属細線１６、支持部１３およびリード端子部１４の上面１４Ａａ，１４Ｂａを封止する封止樹脂１７とを備えている。
【００２４】
リードフレーム１２は、中央部に支持部１３が配置され、その周囲にリード端子部１４が配置された構造を有している。リードフレーム１２は、支持部１３がリード端子部１４よりも高い位置に配置されるようにアップセット処理されている。
【００２５】
リード端子部１４は、半導体素子１５側の内部接続部１４Ａと、周縁部側の外部接続部１４Ｂとを有している。金属細線１６は、内部接続部１４Ａの上面１４Ａａに接続されている。内部接続部１４Ａの下面１４Ａｂと外部接続部１４Ｂの下面１４Ｂｂとの間には段差１４Ｓが形成されており、内部接続部１４Ａの下面１４Ａｂが上方にオフセットされている。これにより、内部接続部１４Ａの下方には、内部接続部封止空間１７Ａが形成されている。封止樹脂１７は、この内部接続部封止空間１７Ａに回り込み、内部接続部１４Ａの下面を覆う内部接続部被覆樹脂の役割を果たすことができる。内部接続部１４Ａの上面１４Ａａと外部接続部１４Ｂの上面１４Ｂａとは同一平面内にある。リード端子部１４のこのような形状は、機械的または化学的な処理により形成することが可能である。
【００２６】
外部接続部１４Ｂの下面１４Ｂｂは、封止樹脂１７の下面１７ｂと面一になっており、封止樹脂１７から露出している。すなわち、この半導体装置１１の底面は平坦な面をなす。リード端子部１４の周縁部側の端面は、封止樹脂１７の側面と実質的に同一面に配置されている。
【００２７】
図２は、内部接続部１４Ａと金属細線１６との接続部近傍を拡大して示す図解的な縦断面図である。
【００２８】
金属細線１６は、内部接続部１４Ａの上面１４Ａａにおいて、外部接続部１４Ｂとの境界（段差１４Ｓの位置）から距離Ｌ１だけ半導体装置１１の中央部側（半導体素子１５側）に向かった位置で接続されている。外部接続部１４Ｂの上面１４Ｂａには、リード端子部１４の長手方向と垂直に、溝１４Ｃが設けられている。溝１４Ｃの内部は封止樹脂１７で満たされている。
【００２９】
このような構造の半導体装置１１の底面において、内部接続部１４Ａの下方に存在する封止樹脂１７により、水分は半導体装置１１の内部へと侵入することができない。したがって、水分は、内部接続部１４Ａと金属細線１６との接続部に到達するためには、リード端子部１４と封止樹脂１７との界面が露出している部分から回り込んで侵入しなければならない。そのため、従来の構造の半導体装置５０と比べて、水分は、リード端子部１４の厚み分に加えて、距離Ｌ１の分だけ長い距離を移動しなければならない。したがって、水分の半導体素子１５への到達距離も長くなるので、このような半導体装置１１は良好な耐湿性を有する。
【００３０】
また、このような半導体装置１１は、周縁部からリード端子部1４が張り出しておらず、配線基板に実装した場合、実装面積を小さくすることができる。その際、外部接続部１４Ｂの下面１４Ｂｂの少なくとも一部を外部端子として、クリームはんだなどを用いて、配線基板の接続パッドに実装することができる。
【００３１】
また、このような半導体装置１１では、リードフレーム１２がアップセット処理されていることにより、支持部１３の下部にも封止樹脂１７が存在する。加えて、内部接続部１４Ａにおいて封止樹脂１７が下方に回り込んで存在していることにより、リードフレーム１２が封止樹脂１７から剥離しにくい構造となっている。さらに、溝１４Ｃにより、リード端子部１４は、周縁部側（半導体装置１１の側方方向）に抜けにくい構造となっている。
【００３２】
図３は、リード端子部１４を見下ろす平面図である。リード端子部１４の側辺には段差が設けられており、リード端子部１４の幅はわずかに広い部分とわずかに狭い部分とが存在する。このような形状によっても、リード端子部１４は周縁部側に抜けにくくなっている。
図４は、図３のＣ−Ｃ切断線断面図、およびＤ−Ｄ切断線断面図である。
【００３３】
リード端子部１４の幅の広い部分の断面であるＣ−Ｃ切断線断面は、上底の長さがｔ１、下底の長さがｔ２（ｔ１＞ｔ２）である逆台形の形状を示す（図４（ａ））。リード端子部１４の幅の狭い部分の断面であるＤ−Ｄ切断線断面は、幅がｔ２である長方形の形状を示す（図４（ｂ））。すなわち、リード端子部１４は、上面では幅がｔ１の部分とｔ２の部分が存在するが、底面では幅はｔ２で一定している。
【００３４】
Ｃ−Ｃ切断線断面（図４（ａ））の形状を有する部分では、リード端子部１４は、封止樹脂１７内部の方が幅が広く、封止樹脂１７の下面１７ｂ側に対向するテーパー面を有しているので、このような構造によっても、リード端子部１４は封止樹脂１７から剥離しにくくなっている。
図５は、本発明の一実施形態にかかる半導体装置２１の構造を示す図解的な縦断面図である。
【００３５】
この半導体装置２１は、支持部２３およびリード端子部２４を有するリードフレーム２２と、支持部２３の上に搭載された半導体素子２５と、この半導体素子２５の上面２５ａに形成された電極とリード端子部２４とを電気的に接続する接続部材としての金属細線２６（金属部材）と、半導体素子２５と金属細線２６と支持部２３の上面２３ａとリード端子部２４の上面２４Ａａ，２４Ｂａとを封止する封止樹脂２７とで構成されている。
【００３６】
リードフレーム２２は、中央部に支持部２３が配置され、その周囲にリード端子部２４が配置された構造を有している。支持部２３とリード端子部２４とは同じ高さにある。したがって、リード端子部２４の上面と支持部２３の上面とが同一平面内にある。
リード端子部２４は、半導体素子２５側の内部接続部２４Ａと、周縁部側の外部接続部２４Ｂとを有している。金属細線２６は、半導体素子２５の上面２５ａに形成された電極と内部接続部２４Ａとを封止樹脂２７内で接続している。金属細線２６は、内部接続部２４Ａの上面２４Ａａに接続されている。外部接続部２４Ｂの下面２４Ｂｂと内部接続部２４Ａの下面２４Ａｂとの間にはテーパー面２４Ｔが形成されており、内部接続部２４Ａの下面２４Ａｂは上方にオフセットされている。これにより、内部接続部２４Ａの下方には、内部接続部封止空間２７Ａが形成されている。この実施形態では、下面２４Ａｂはテーパー面２４Ｔに連続するテーパー面になっている。
【００３７】
封止樹脂２７は、この内部接続部封止空間２７Ａに回り込んでいる。内部接続部２４Ａの上面２４Ａａと外部接続部２４Ｂの上面２４Ｂａとは同一平面内にある。リード端子部２４のこのような形状は、機械的、または化学的な処理により形成することが可能である。
外部接続部２４Ｂの下面２４Ｂｂは、封止樹脂２７の下面２７ｂと面一になっており、封止樹脂２７から露出している。すなわち、この半導体２１の底面は平坦な面をなす。リード端子部２４の周縁部側の端面は封止樹脂２７の側面と実質的に同一面に配置されており、封止樹脂２７の側面から露出している。
【００３８】
図６は、内部接続部２４Ａと金属細線２６との接続部近傍を拡大して示す図解的な縦断面図である。
金属細線２６は、内部接続部２４Ａの上面２４Ａａにおいて、外部接続部２４Ｂとの境界から距離Ｌ２だけ半導体装置２１中央部側（半導体素子２５側）に向かった位置で接続されている。
【００３９】
このような構造の半導体装置２１において、外部の水分が金属細線２６と内部接続部２４との接続部に到達するためには、従来の構造の半導体装置５０と比べて、距離Ｌ２がある分、長い距離を移動しなければならない。したがって、このような半導体装置２１は良好な耐湿性を有する。
このような半導体装置２１は、封止樹脂２７から露出している外部接続部２４Ｂの下面２４Ｂｂや、同じく封止樹脂２７から露出している支持部２３の下面２３ｂの少なくとも一部を外部端子とすることにより、配線基板の接続パッドに実装することができる。
【００４０】
また、支持部２３の端部やリード端子部２４の半導体素子２５側の端部では、封止樹脂２７が下部に回り込んで存在していることにより、リードフレーム２２が封止樹脂２７から剥離しにくい構造となっている。すなわち、支持部２３は、上面２３ａおよび下面２３ｂの間に形成された第１テーパー面２３ｃからなる第１剥離防止部を有しており、第１テーパー面２３ｃの下方に封止樹脂２７が回り込んでいる。第１テーパー面２３ｃは、半導体装置２１の外方に向かうに従って、支持部２３の下面２３ｂから上面２３ａに向かうように傾斜している。一方、リード端子部２４は、上面（２４Ａａ，２４Ｂａ）と下面（２４Ｂｂ）との間に形成された第２テーパー面（２４Ａｂ，２４Ｔ）からなる第２剥離防止部を有しており、第２テーパー面（２４Ａｂ，２４Ｔ）の下方に内部接続部封止空間２７Ａが形成され、この内部接続部封止空間２７Ａに封止樹脂２７が回り込んでいる。第２テーパー面（２４Ａｂ，２４Ｔ）は、半導体装置２１の内方に向かうに従って、リード端子部２４の下面（２４Ｂｂ）からその上面（２４Ａａ，２４Ｂａ）に向かうように傾斜している。すなわち、支持部２３は、封止樹脂２７の内部にある部分の下面２３ｂ（底面）に沿う方向の長さが、封止樹脂２７から露出している部分の下面２３ｂ（底面）に沿う方向の長さよりも長い。そして、第２テーパー面（２４Ａｂ，２４Ｔ）が形成される領域上に内部接続部２４Ａが配置されている。
半導体装置２１は、外部接続部２４Ｂが当該半導体装置２１の周縁部から張り出していない表面実装型半導体装置である。
以上の実施形態は、内部接続部の下面のみを上方にオフセットさせた場合であるが、内部接続部の上面と下面とをともに上方にオフセットさせた構造であってもよい。すなわち、リード端子部の一方（たとえば半導体装置中央部側）の端部を、折り曲げ加工などによりアップセット処理して内部接続部として、この部分の上面を金属細線との接続部とすることができる。このような構造の半導体装置においても、内部接続部の下方に形成される内部接続部封止空間に封止樹脂を満たすことにより、半導体装置の耐湿性を向上させることができる。
【００４１】
また、以上の実施形態は、内部接続部の下面を封止樹脂の内方にオフセットさせ、半導体装置の底面をほぼ平坦な面とした場合であるが、内部接続部の下面をオフセットさせず、半導体装置の底面からわずかに突出するように内部接続部被覆樹脂によって内部接続部の下面を覆ってもよい。すなわち、内部接続部と金属細線との接続部の下方で、リード端子部と封止樹脂との界面が露出しないように内部接続部被覆樹脂でコートした構造とすることができる。内部接続部被覆樹脂は封止樹脂と同種のものであってもよいし、異種のものであってもよい。このような構造の半導体装置においても、従来の構造の半導体装置と比べて水分の到達距離は長くなるので、耐湿性が向上する。
【００４２】
以上は本発明の実施形態の例であり、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【００４３】
この明細書および添付図面の記載から抽出され得る特徴を以下に記す。
Ａ１．内部接続部および外部接続部を有するリードフレームと、
半導体素子と、
少なくとも、上記リードフレームの内部接続部、および半導体素子を内部に封止するとともに、上記リードフレームの外部接続部を底面において露出させる封止樹脂とを含み、
上記リードフレームが、上記リードフレームの上記底面とは反対側の上面であって、上記封止樹脂によって封止された上面において、他の部分より幅が広くされた内側幅広部および外側幅広部と、上記内側幅広部と上記外側幅広部との間に位置し、上記リードフレームの上面において、上記内側幅広部および上記外側幅広部より幅が狭くされた幅狭部とを含み、
上記内側幅広部、上記幅狭部、および上記外側幅広部は、上記リードフレームの長手方向に沿って並んでおり、上記外側幅広部の上記長手方向を横切る断面において、下面側の辺の長さより上面側の辺の長さが長いことを特徴とする半導体装置。
【００４４】
Ａ２．上記リードフレームは、上記外部接続部において、上記半導体素子に対して、上記外側幅広部より遠い位置に形成された外側幅狭部であって、上記外側幅広部より幅が狭くされた外側幅狭部を含む、Ａ１に記載の半導体装置。
【００４５】
Ａ３．内部接続部および外部接続部を有するリードフレームと、
半導体素子と、
少なくとも、上記リードフレームの内部接続部、および半導体素子を内部に封止するとともに、上記リードフレームの外部接続部を底面において露出させる封止樹脂とを含み、
上記リードフレームが、上記リードフレームの上記底面とは反対側の上面であって、上記封止樹脂によって封止された上面において、他の部分より幅が広くされた内側幅広部および外側幅広部と、上記内側幅広部と上記外側幅広部との間に位置し、上記リードフレームの上面において、上記内側幅広部および上記外側幅広部より幅が狭くされた幅狭部と、上記外側幅広部に隣接し、上記半導体素子に対して、上記外側幅広部より遠い位置に形成された外側幅狭部であって、上記外側幅広部より幅が狭くされた外側幅狭部とを含み、
上記内側幅広部、上記幅狭部、上記外側幅広部、および上記外側幅狭部は、上記リードフレームの長手方向に沿って並んでおり、
上記リードフレームにおいて、上記外側幅狭部の上記長手方向を横切る断面の上面側の辺の長さが、上記外側幅広部の上記長手方向を横切る断面の上面側の辺の長さより短いことを特徴とする半導体装置。
【００４６】
Ａ４．内部接続部および外部接続部を有するリードフレームと、
半導体素子と、
少なくとも、上記リードフレームの内部接続部、および半導体素子を内部に封止するとともに、上記リードフレームの外部接続部を底面において露出させる封止樹脂とを含み、
上記リードフレームが、上記リードフレームの上記底面とは反対側の上面であって、上記封止樹脂によって封止された上面において、他の部分より幅が広くされた内側幅広部および外側幅広部と、上記内側幅広部と上記外側幅広部との間に位置し、上記リードフレームの上面において、上記内側幅広部および上記外側幅広部より幅が狭くされた幅狭部と、上記外側幅広部に隣接し、上記半導体素子に対して、上記外側幅広部より遠い位置に形成された外側幅狭部であって、上記外側幅広部より幅が狭くされた外側幅狭部とを含み、
上記内側幅広部、上記幅狭部、上記外側幅広部、および上記外側幅狭部は、上記リードフレームの長手方向に沿って並んでおり、
上記リードフレームにおいて、上記外側幅狭部の上記長手方向を横切る断面の下面側の辺の長さが、上記外側幅広部の上記長手方向を横切る断面の上面側の辺の長さより短いことを特徴とする半導体装置。
【００４７】
Ａ５．上記半導体素子の表面に、電極が設けられている、Ａ１〜Ａ４のいずれか一つに記載の半導体装置。
Ａ６．上記半導体素子の上記電極と上記リードフレームの内部接続部とを接続する金属細線をさらに含む、Ａ５に記載の半導体装置。
Ａ７．上記内部接続部の上記封止樹脂の底面側を覆う内部接続部被覆樹脂をさらに含む、Ａ１〜Ａ６のいずれか一つに記載の半導体装置。
【００４８】
リードフレームは、内部接続部の下方が内部接続部被覆樹脂で覆われている場合、この部分にはリードフレームと封止樹脂との界面は露出していないので、水分はこの部分から半導体装置内部へと侵入することができない。水分が金属細線と内部接続部との接続部へ到達するには、より長い距離を経なければならず、それに応じて半導体素子への到達距離も長くなる。したがって、このような半導体装置は耐湿性が良好である。
【００４９】
リードフレームは、半導体素子を搭載する支持部と、金属細線を接続するリード端子部とを含んでいてもよい。この場合、支持部とリード端子部とは同一高さに形成されていてもよいし、支持部がリード端子部より高くアップセット処理されていてもよい。アップセット処理されている場合、支持部の下にも封止樹脂が存在する構造とすることができ、支持部を強固に封止樹脂に保持させることができる。
【００５０】
リードフレームの支持部の面積は、半導体素子の底面積と同等以上でもよく、小さくてもよい。リードフレームの支持部が半導体素子よりも小さい場合は、半導体素子は封止樹脂と直接接する面積が多くなり、半導体素子と支持部との界面に沿った剥離を軽減することができる。
また、リードフレームは、内部接続部の下方以外の部分で封止樹脂から露出しており外部接続部をなしている。この外部接続部によって半導体装置を配線基板等に実装することが可能である。
【００５１】
リードフレームの外周側の端面は、封止樹脂の側面と実質的に同一面に形成されていてもよい。この場合、外部接続部は封止樹脂から突き出してのびないので、半導体装置の大きさを小さくすることができ、配線基板に実装した際の占有面積を小さくすることができる。
上記内部接続部の上面に上記金属細線が接合されていてもよく、この場合、上記内部接続部の下面が、上記封止樹脂の底面に対して当該封止樹脂の内方にオフセットされていてもよく、この場合、上記封止樹脂の一部が上記内部接続部の下方に回り込んで上記内部接続部被覆樹脂を形成していてもよい。
【００５２】
この場合、内部接続部被覆樹脂は、内部接続部の下面が封止樹脂の内方にオフセットされて形成された空間に存在する。したがって、半導体装置の底面をほぼ平坦な面とすることができる。このような半導体装置は好適に表面実装することができる。
また、内部接続部被覆樹脂は封止樹脂が内部接続部下方に回り込んだものであるので、これらは同一種類のものである。したがって、これらを一括で形成することができるので生産性が良好である。
【００５３】
内部接続部は上面が平坦で下面のみがオフセットされていてもよく、上面と下面とがともにオフセットされていてもよい。
Ａ８．上記外部接続部の下面と上記内部接続部の下面との間に段差が形成されている、Ａ１〜Ａ７のいずれか一つに記載の半導体装置。
【００５４】
Ａ９．上記外部接続部の下面と上記内部接続部の下面との間に、上記封止樹脂の内方に向かうテーパー面が形成されている、Ａ１〜Ａ８のいずれか一つに記載の半導体装置。
内部接続部のこのような構造は、たとえば、リード端子部の一方の端部の先端を加工するだけで得られる。したがって、構造が単純であり製造コストを安価に抑えることができる。
【００５５】
Ａ１０．上記外部接続部の上面と、上記内部接続部の上面とが、同一平面内にある、Ａ１〜Ａ９のいずれか一つに記載の半導体装置。
【００５６】
Ａ１１．上記外部接続部の端面が、上記封止樹脂の側面と同一面に配置されている、Ａ１〜Ａ１０のいずれか一つに記載の半導体装置。
Ａ１２．上記リードフレームにおいて、上記内部接続部の上面および下面が、上記封止樹脂の内方にオフセットされている、Ａ１〜Ａ９のいずれか一つに記載の半導体装置。
【００５７】
Ａ１３．上記内部接続部は、上記外部接続部よりも、上記リードフレームの上記長手方向における長さが短い、Ａ１〜Ａ１２のいずれか一つに記載の半導体装置。
Ａ１４．上記リードフレームは、上記半導体素子を支持する支持部をさらに有し、上記支持部が上記内部接続部および上記外部接続部より高い位置に配置されるように、上記リードフレームがアップセット処理されている、Ａ１〜Ａ１３のいずれか一つに記載の半導体装置。
【００５８】
Ａ１５．上記リードフレームは、上記半導体素子を支持する支持部をさらに有し、上記支持部において、上記半導体素子を支持する面とは反対側の面が、上記封止樹脂から露出している、Ａ１〜Ａ１４のいずれか一つに記載の半導体装置。
Ａ１６．上記内部接続部の下面の幅と、上記外部接続部の下面の幅とが等しい、Ａ１〜Ａ１５のいずれか一つに記載の半導体装置。
【００５９】
Ａ１７．当該半導体装置は、上記外部接続部が当該半導体装置の周縁部から張り出していない表面実装型半導体装置である、Ａ１〜Ａ１６のいずれか一つに記載の半導体装置。
Ａ１８．上記外部接続部に溝が設けられている、Ａ１〜Ａ１７のいずれか一つに記載の半導体装置。
【００６０】
Ａ１９．上記内部接続部において、上記半導体素子に最も近い部分には、上記内側幅広部が形成されている、Ａ１〜Ａ１８のいずれか一つに記載の半導体装置。
Ａ２０．上記支持部において、上記封止樹脂内部にある部分の上記底面に沿う方向の長さが、上記封止樹脂から露出している部分の上記底面に沿う方向の長さよりも長い、Ａ１５に記載の半導体装置。
【００６１】
Ａ２１．当該半導体装置の縦断面において、上記外部接続部が露出された上記半導体装置の下面に対応する辺の長さよりも、上記下面と反対側の面である上面に対応する辺の長さが短い、Ａ１〜Ａ２０のいずれか一つに記載の半導体装置。
【符号の説明】
【００６２】
１２，２２ リードフレーム
１３，２３ 支持部
１４，２４ リード端子部
１４Ａ，２４Ａ 内部接続部
１４Ｂ，２４Ｂ 外部接続部
１５，２５ 半導体素子
１６，２６ 金属細線
１７，２７ 封止樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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