(57)【要約】【課題】角型基板の裏面に接触することなく、基板の受け渡しおよび液処理を行う液処理装置を提供する。【解決手段】角型の基板Ｇに処理液を供給して所定の液処理を行う液処理装置において、基板Ｇの角部近傍の下側角部を保持する第１の基板保持部３０と、第１の基板保持部３０によって保持された基板Ｇを鉛直軸周りに回転させる回転駆動機構２４と、基板Ｇに処理液を供給するノズル２と、基板Ｇの辺部の下側角部を保持する第２の基板保持部４０と第２の基板保持部４０を昇降する昇降機構４７とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
角型の基板に処理液を供給して所定の液処理を行う液処理装置であって、
基板の角部近傍の下側角部を保持する第１の基板保持部と、
前記第１の基板保持部によって保持された基板を鉛直軸周りに回転させる回転駆動機構と、
基板に処理液を供給する処理液供給機構と、
基板の辺部の下側角部を保持する第２の基板保持部と、
前記第２の基板保持部を昇降する昇降機構と、を備えたことを特徴とする液処理装置。
【請求項２】
前記第１の基板保持部は、第１の基板保持プレートと、該第１の基板保持プレート上に基板の角部位置に対応して設けられた一対の基板保持ピンと、を備えたことを特徴とする請求項１に記載の液処理装置。
【請求項３】
前記基板保持ピンは、円柱形状の基板側端当接部と、該基板側端当接部の下端部から下降する拡径傾斜部と、を備えること特徴とする請求項１または２に記載の液処理装置。
【請求項４】
前記第２の基板保持部は、第２の基板保持プレートと、該第２の基板保持プレート外周部に設けられた複数の保持片と、を備えることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の液処理装置。
【請求項５】
前記保持片は、外周方向に向けて高くなる第１の傾斜面と、該第１の傾斜面と連続し第１の傾斜面の角度より大きい角度を有する第２の傾斜面と、を備えることを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第２の基板保持プレートは、前記第１の基板保持プレートより上方に設けられていることを特徴とする請求項４または５に記載の液処理装置。
【請求項７】
前記第２の基板保持プレートが下降している際、前記第１の基板保持プレートと前記第２の基板保持プレートが回転可能に係合されていることを特徴とする請求項４ないし６のいずれかに記載の液処理装置。
【請求項８】
前記基板保持ピンは少なくとも表面が導電性部材で形成されていることを特徴とする請求項２ないし７のいずれかに記載の液処理装置。
【請求項９】
前記導電性部材は導電性樹脂であることを特徴とする請求項８に記載の液処理装置。
【請求項１０】
前記第１の基板保持プレートの下面に接地された導電性プレートが設けられ、前記導電性プレートと前記基板保持ピンが電気的に接続されていることを特徴とする請求項２ないし９のいずれかに記載の液処理装置。
【請求項１１】
前記導電性プレートは導電性樹脂で形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の液処理装置。
【請求項１２】
前記処理液は、硫酸と過酸化水素水の混合液，有機溶剤、オゾン水、アルカリ水溶液、純水のいずれかであることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれかに記載の液処理装置。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれかに記載の液処理装置を用いて、基板に処理液を供給して所定の液処理を行う液処理方法であって、
基板を保持する搬送機構が前記液処理装置の上方位置に移動する工程と、
前記昇降機構が前記第２の基板保持部を上昇させて、前記搬送機構から基板を受け取る工程と、
前記昇降機構が基板を保持する前記第２の基板保持部を下降させて、前記第１の基板保持部に基板を受け渡す工程と、
前記回転駆動機構が基板を保持する前記第１の基板保持部を回転させながら、前記処理液供給機構から基板に処理液を供給して所定の液処理を行なう工程と、
前記回転駆動機構が回転を停止し、前記処理液供給機構が処理液を停止した後、前記昇降機構が前記第２の基板保持部を上昇させて前記第１の基板保持部から基板を受け取る工程と、
前記昇降機構が前記第２の基板保持部を更に上昇させて、前記搬送機構に基板を受け渡す工程と、を備えたことを特徴とする液処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、角型の基板に処理液を供給して、該基板に対し液処理を行う液処理装置及び液処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、フォトマスクを製造するための角型の基板（以下、単に基板とも記載する）に対してレジスト除去などの液処理を行う場合、前記基板を水平に保持すると共に基板の中心軸を回転軸として鉛直軸回りに回転させる基板保持部と、基板に処理液を吐出するノズルとを備えた液処理装置が用いられる。
【０００３】
このような液処理装置においては、角型基板の四隅をそれぞれ下側が拡径した支持ピン上などで保持している。また、この基板保持部上に角型基板を載置する際には、基板の裏面に当接し、昇降可能に構成された複数のリフトピンで基板を受け取った後下降することにより、基板保持部に受け渡すようになっている（例えば、特許文献１）。
【０００４】
また、例えば、EUV（Extreme Ultraviolet）などの近年の露光装置に微細化に伴い、マスクの裏面の清浄度に対する要求度もこれまで以上に高まってきている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０-５７８７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の技術においては、基板の受け渡し時にはリフトピンによって基板の裏面を保持するために、リフトピンに付着していた異物がマスク基板の裏面に付着する虞がある。そして、微細化に伴いマスク基板そのものについてもマスク基板に帯電した電荷が液処理時等に放電してしまいマスクパターンを破壊してしまうリスクが高くなってきている。
【０００７】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、液処理装置において、角型基板の裏面に接触することなく、基板の液処理および基板の受け渡しを行うことができる液処理装置を提供することである。そして、本発明のもう一つの目的は、マスク基板に帯電した電荷を液処理時に速やかに除去することができる液処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の液処理装置は、角型の基板に処理液を供給して所定の液処理を行う液処理装置であって、基板の角部近傍の下側角部を保持する第１の基板保持部と、該第１の基板保持部によって保持された基板を鉛直軸周りに回転させる回転駆動機構と、基板に処理液を供給する処理液供給機構と、基板の辺部の下側角部を保持する第２の基板保持部と、該第２の基板保持部を昇降する昇降機構と、を備えたことを特徴とする（請求項１）。
【０００９】
本発明において、前記第１の基板保持部は、第１の基板保持プレートと、該第１の基板保持プレート上に基板の角部位置に対応して設けられた一対の基板保持ピンと、を備えるのが好ましい（請求項２）。この場合、前記基板保持ピンは、円柱形状の基板側端当接部と、該基板側端当接部の下端部から下降する拡径傾斜部と、を備えるのが好ましい（請求項３）。
【００１０】
また本発明において、前記第２の基板保持部は、第２の基板保持プレートと、該第２の基板保持プレート外周部に設けられた複数の保持片と、を備えるのが好ましい（請求項４）。この場合、前記保持片は、外周方向に向けて高くなる第１の傾斜面と、該第１の傾斜面と連続し第１の傾斜面の角度より大きい角度を有する第２の傾斜面と、を備えるのが好ましい（請求項５）。
【００１１】
また本発明において、前記第２の基板保持プレートは、前記第１の基板保持プレートより上方に設けられているのが好ましい（請求項６）。
【００１２】
また本発明において、前記第２の基板保持プレートが下降している際、前記第１の基板保持プレートと前記第２の基板保持プレートが回転可能に係合されているのが好ましい（請求項７）。
【００１３】
また本発明の液処理装置は、前記基板保持ピンは少なくとも表面が導電性部材で形成されていることを特徴とする（請求項８）。
【００１４】
本発明において、前記導電性部材は導電性樹脂であるのが好ましい（請求項９）。
【００１５】
また本発明において、前記第１の基板保持プレートの下面に接地された導電性プレートが設けられ、前記導電性プレートと前記基板保持ピンが電気的に接続されているのが好ましい（請求項１０）。この場合、前記導電性プレートは導電性樹脂で形成されているのが好まし（請求項１１）。
【００１６】
さらに本発明において、前記処理液は、硫酸と過酸化水素水の混合液、有機溶剤、オゾン水、アルカリ水溶液、純水のいずれかであることが好ましい（請求項１２）。
【００１７】
また本発明の液処理方法は、請求項１ないし１２のいずれかに記載の液処理装置を用いて、基板に処理液を供給して所定の液処理を行う液処理方法であって、基板を保持する搬送機構が前記液処理装置の上方位置に移動する工程と、前記昇降機構が前記第２の基板保持部を上昇させて、前記搬送機構から基板を受け取る工程と、前記昇降機構が基板を保持する前記第２の基板保持部を下降させて、前記第１の基板保持部に基板を受け渡す工程と、前記回転駆動機構が基板を保持する前記第１の基板保持部を回転させながら、前記処理液供給機構から基板に処理液を供給して所定の液処理を行なう工程と、前記回転駆動機構が回転を停止し、前記処理液供給機構が処理液を停止した後、前記昇降機構が前記第２の基板保持部を上昇させて前記第１の基板保持部から基板を受け取る工程と、前記昇降機構が前記第２の基板保持部を更に上昇させて、前記搬送機構に基板を受け渡す工程と、を備えたことを特徴とする（請求項１３）。
【発明の効果】
【００１８】
（１）請求項１〜７，１２に記載の発明によれば、基板の角部近傍の下側角部を保持する第１の基板保持部と、第１の基板保持部によって保持された基板を鉛直軸周りに回転させる回転駆動機構と、基板に処理液を供給する処理液供給機構と、基板の辺部の下側角部を保持する第２の基板保持部と、第２の基板保持部を昇降する昇降機構とを備えることにより、基板の液処理時には第１の基板保持部により基板の角部の下方角端部を保持し、基板の受け渡し時には第２の基板保持部により基板の辺部の下側角端部を保持するようにしているので、処理時にも基板受け渡し時にも角型基板の裏面に接触することがないので、角型基板の裏面を汚染させることがなく、清浄度を高めることができる。
【００１９】
（２）請求項８〜１１に記載の発明によれば、基板保持ピンは少なくとも表面が導電性部材で形成されることで、（１）に加えて更に基板に帯電した電荷を液処理時に速やかに除去することができる。
【００２０】
（３）請求項１３に記載の発明によれば、基板の処理時にも基板受け渡し時にも角型基板の裏面に接触することなく液処理を行うことができるので、角型基板の裏面を汚染させることがなく、清浄度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施の形態に係る液処理装置を構成するマスク洗浄装置の縦断側面図である。
【図２】前記マスク洗浄装置の平面図である。
【図３】前記マスク洗浄装置の基板保持ピンの取付部を示す一部断面側面図である。
【図４】前記マスク洗浄装置のリフタープレートの斜視図である。
【図５】前記洗浄理装置の保持片の要部拡大側面図である。
【図６】前記マスク洗浄装置の基板搬送機構の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明の液処理装置の実施形態であるマスク洗浄装置１について、図１の縦断面図、図２の平面図を夫々参照しながら説明する。このマスク洗浄装置１は、表面にレジスト膜が形成された角型の基板Ｇに図示しない洗浄液供給機構と接続されるノズル２から洗浄液（処理液）としてのＳＰＭ（Sulfuric acid Hydrogen Peroxide Mixture（硫酸と過酸化水素水の混合液）を供給し、当該レジスト膜を剥離して基板Ｇを洗浄する。基板Ｇは、半導体ウエハに形成されたレジストに回路パターンを転写するために用いられるパターンマスクを製造するためのマスク基板である。
【００２３】
マスク洗浄装置１は、基板Ｇの角部近傍の下側角部を保持する第１の基板保持部３０と、第１の基板保持部３０によって保持された基板Ｇを鉛直軸周りに回転させる回転駆動機構２４と、基板Ｇに洗浄液を供給する処理液供給機構であるノズル２と、基板Ｇの辺部の下側角部を保持する第２の基板保持部４０と、第２の基板保持部４０を昇降する昇降機構４７と、を備えている。
【００２４】
この場合、マスク洗浄装置１はチャンバ１１を備えており、チャンバ１１内には、チャンバ１１の内側から外側へ鉛直下方に伸長した第１の回転筒２１と、基板Ｇを支持するための第１の基板保持プレートとしてのチャックベース３１と、チャックベースの上方に設けられ、チャックベースに対して相対的に上下移動する第２の基板保持プレートとしてのリフタープレート４１と、支持プレート３１に支持される基板Ｇの側周を囲む複合カップ体５１と、を備えている。
【００２５】
第１の回転筒２１内には、ノズルシャフト１２が設けられている。ノズルシャフト１２の先端にはＮ２供給ノズル３aと、バックリンスノズル３ｂとを有する裏面ノズル３が形成され、Ｎ２供給ノズル３aはＮ２の供給機構１４と接続され、バックリンスノズル３ｂはＤＩＷ（Deionized Water）供給機構１５と接続されている。裏面ノズル３は 基板Ｇの裏面中央部にＮ2ガスを供給して基板Ｇ表面に供給されたＳＰＭが基板Ｇの裏面へ回り込むことを防ぐと共に、基板裏面にＤＩＷを供給することで基板Ｇの裏面を洗浄する。
【００２６】
続いて、第１の基板保持プレートとしてのチャックベース３１について説明する。チャックベース３１は水平な円形のリング板状に形成されており、このチャックベース３１の下面と第１の回転筒２１の上端部とが接続されており、回転駆動機構２４によって第1の回転筒２１と共にチャックベース３１が鉛直軸回りに回転するようになっている。この場合、回転駆動機構２４は、第１の回転筒２１の下端部に装着される従動スプロケット２５と、駆動モータ２７の駆動軸に装着される駆動スプロケット２７ａと、従動スプロケット２５と駆動スプロケット２７ａに掛け渡されるタイミングベルト２６とで構成されている。なお、チャックベース３１としては、ステンレス、アルミニウムなどの金属を用いる形成することができるが、本実施形態においては、洗浄液としてＳＰＭを用いるため、石英やテフロン系の樹脂など耐薬品性の高い材料を用いることが好ましい。
【００２７】
チャックベース３１の表面には基板Ｇの角部近傍に８つの基板保持ピン１６が設けられている。基板保持ピンは角型基板の角部のそれぞれの隣接する辺に対して一つずつ配置されている。この基板保持ピン１６は、図３に示すように、小径円柱状の基板側端当接部１６ａと、基板側端当接部１６ａの下端部から下降する拡径傾斜部１６ｂと、拡径傾斜部１６ｂの下端部から下降する下部円柱部１６ｃとを具備しており、この基板保持ピン１６の基板側端当接部１６ａにより基板Ｇが側方に移動することを規制するようになっている。また、拡径傾斜部１６ｂ上に基板Ｇの下側角を載置することにより基板Ｇを保持するようになっている。このような構成により、基板保持ピン１６は基板Ｇの裏面に接触することなく、基板Ｇを保持可能となっている。基板保持ピン１６は金属等の導電性材料を用いることができるが、洗浄液としてＳＰＭを用いる場合を考慮して導電性テフロンで形成したり、金属製のピン本体を導電性テフロンで被覆したものなどを用いることができる。
【００２８】
また、チャックベース３１の下方には、例えば、導電性の樹脂などの導電性材料からなる接地されたアースプレート（導電性プレート）１８が設けられている。このアースプレート１８は、基板Ｇの裏面側から金属製のボルト１９によって、チャックベース３１を介して基板保持ピン１６と接続されている。基板保持ピン１６も導電性材料で形成されているため、基板保持ピン１６とボルト１９は、チャックベース３１を挟む形で固定されてことにより、基板保持ピン１６はアースプレート１８と電気的に接続されている。そのため、基板Ｇに帯電した電荷を基板保持ピン１６からボルト１９、アースプレート１８を介して除電することができるようになっている。なお、アースプレート１８の材料としては、金属などの導電性の材料を使うことができるが、この場合にも洗浄液による腐食を考慮して導電性ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）などを用いることが好ましい。
【００２９】
続いて、図１および図２、図４、図５を用いて第２の基板保持機構としてのリフタープレート４１について説明する。図４はリフタープレート４１の斜視図、図５はリフタープレートの基板保持片の要部拡大側面図である。リフタープレート４１は、耐薬品性の高いポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）などのフッ素系樹脂を用いて円形のリング形状に形成され、チャックベース３１の上方に設けられている。このリフタープレート４１は、角型の基板Ｇの一辺の長さと同等の大きい直径を有しており、基板保持ピン１６とは干渉しないようになっている。
【００３０】
また、リフタープレート４１には、上面の最外周部に基板Ｇを保持するための保持片４２が９０度間隔に４個設けられている。この保持片４２は、図５に示すように、リフタープレート４１の外側に行くに従い高くなる第１の傾斜面４２aと第１の傾斜面４２aと連続して形成され、第１の傾斜面４２aの角度θ１よりも大きい角度のθ２の角度を有する第２の傾斜面４２ｂを有する。一般的にマスク基板の端部は４５度の角度で面取り加工してあるため、第２の傾斜面θ２はこの角型基板Ｇの端部角度に合わせて４５度として基板Ｇが傾斜面上で安定となるようにするとともに、第１の傾斜面θ１は第２の傾斜面θ２の角度より小さい角度として基板Ｇの下側端部が第２の傾斜面４２ｂから第１の傾斜面４２aにすべり落ちにくくなっている（図５中点線参照）。なお、この保持片４２は本実施形態では、２つの傾斜面を有していたが、この傾斜面は２つに限らず、１つまたは３つ以上などで形成してもよい。
【００３１】
そして、このリフタープレート４１は図１に示すように、リフタープレート４１の下端部で第２の回転筒４３と接続されている。この第２の回転筒４３は第１の回転筒２１とノズルシャフト１２の間に第１の回転筒２１とノズルシャフト１２と同心円状に形成されている。これらの第１の回転筒２１と第２の回転筒４３は回転摺動機構４４を介して接続されており、第１の回転筒２１の回転する力を第２の回転筒４３に伝達すると共に、第１の回転筒２１と第２の回転筒４３が相対的に軸方向に移動するようになっている。この場合、回転摺動機構４４は、第２の回転筒４３と共に回転する回転筒４４ａと、回転筒４４ａの外周に設けられた軸方向に沿う凹溝４４ｂと第１の回転筒２１の内周との間に摺動可能に介在されるキー４４ｃとで構成されている。このような構成により、リフタープレート４１が下降位置にある際にはチャックベース３１とリフタープレート４１は鉛直軸周りの回転方向に対して係合され、チャックベース３１が鉛直軸周りに回転する場合にはリフタープレート４１と連動して回転するようになっている。
【００３２】
さらに、第２の回転筒４３はシャフトケース４５と接続されて、このシャフトケース４５は例えば、シリンダーなどの昇降機構４７と接続されている。そのため、昇降機構４７を駆動させることでリフタープレート４１は、チャックベース３１に対して昇降可能となっている。なお、第２の回転筒４３とシャフトケース４５はベアリング４６を介して接続されているため、チャックベース３１及びリフタープレート４１が回転している際も回転することはない。
【００３３】
続いて、図６を用いて、液処理装置１内に基板Ｇを搬送し、リフタープレート４１との間で基板Ｇの受け渡しを行う搬送機構６１について説明する。搬送機構６１はその先端が角型基板Ｇの対角長より若干長い直径の略円形にくり貫かれ、基板Ｇの角部に対応する位置に４つの保持爪６２を有し、保持爪６２上に基板Ｇの角部を載置することで基板Ｇを保持するようになっている。リフタープレート４１は基板Ｇの一辺の長さと略同一の直径となっているため、リフタープレート４１が下側から昇降してきても搬送機構６１に干渉することはないようになっている。なお、本実施形態においては、搬送機構６１の先端は略円形にくり貫かれているが、このような形状に限らず、リフタープレート４１及び第２の回転筒４３と干渉しない形状であればよい。
【００３４】
続いて、複合カップ体５１について説明する。複合カップ体５１は、回転カップ５７と、外側カップ５８とにより構成されている。回転カップ５７は、図１に示すように、基板Ｇの周縁の上方から外方へ下り傾斜状に延在する下カップ体５７ａと、下カップ体５７ａの中間部の上方から下カップ体５７ａの外方へ延在し、その先端が垂下する上カップ体５７ｂとで構成され、下カップ体５７ａと上カップ体５７ｂとがチャックベース３１に突設される固定部材５７ｃによって固定されている。このようにしてチャックベース３１に固定される回転カップ５７は、チャックベース３１の回転に連動して回転するようになっている。このような構成によって、基板Ｇ上に供給された洗浄液および排気は回転カップ５７と外側カップ５８により捕集され、排気口５５から排液される。回転カップ５７、外側カップは、基板Ｇの処理時に回転カップ５７、外側カップ５８に付着するミスト化した処理液を弾いて効率良く除去するために、疎水性の高い材質、例えばＰＣＴＦＥにより構成されている。
【００３５】
図中５２は、チャックベース３１の下方空間を内側領域５３と外側領域５４に区画する壁部であり、壁部５２はチャックベース３１の下面とわずかに離間している。外側領域５４には排気口５５が開口しており、排気口５５は真空ポンプなどにより構成される排気機構５６に接続されている。排気口５５には排気と排液とが共に流入し、排気機構５６に至るまでの流路中に設けられた不図示の分離機構により排液が分離されるようになっている。
【００３６】
次に、このマスク洗浄装置１による基板Ｇの処理工程について説明する。図６に示す搬送機構６１により、基板Ｇがチャンバ１１の開口８を介してチャンバ１１内に搬送される。その後リフタープレート４１が上昇して、リフタープレートの各保持片４２が基板Ｇの各辺の下側端部を保持する。搬送機構６１はチャンバ１１の外側に向けて移動した後に、リフタープレート４１が下降し、チャックベース３１の基板保持ピン１６に基板Ｇを受け渡す。
【００３７】
その後、ノズル２が複合カップ体５１の外側から基板Ｇの回転中心上に移動すると共に、予め設定された排気量で排気口５５から排気が行われる。続いてチャックベース３１、回転カップ５７が回転し、ノズル２から前記回転中心に洗浄液としてのＳＰＭが吐出され、基板Ｇの回転中心から遠心力により基板Ｇの周縁部へと広げられる。また、ノズルシャフト１２からは基板Ｇの裏面に向けてＮ2ガスが吐出される。
【００３８】
処理液の供給開始から予め設定された時間が経過した後にＳＰＭの供給が停止し、ノズル２からＤＩＷを供給して基板Ｇ上のレジスト残渣並びにＳＰＭ液を除去する。その後、リフタープレート４１が上昇して基板Ｇがチャックベース３１から押し上げられ、チャンバ１１内に進入した搬送機構６１に受け渡されると、搬送機構６１が基板Ｇをマスク洗浄装置１の外部へと搬送する。
【００３９】
このマスク洗浄装置１によれば、基板Ｇを液処理する際には、チャックベース３１に設けられた基板保持ピン１６により基板Ｇの角部近傍の下側端部を保持し、基板Ｇを搬送機構６１との間で受け渡す際には、リフタープレート４１に設けられた保持片４２により基板Ｇの辺部の下側端部を保持するために基板Ｇの裏面に接触することがないので、基板Ｇの清浄度をこれまで以上に高めることができる。
【００４０】
また、このマスク洗浄装置１では、基板保持ピン１６が導電性材料で形成され、チャックベース３１の裏面に設けられた導電性のアースプレート１８と電気的に接続されているため、基板Ｇに帯電した電荷を、基板Ｇ保持時に速やかに除去することができる。
【００４１】
なお、本実施形態において基板に供給する処理液は、ＳＰＭに限られない。例えば、上記の実施形態のようにレジストを除去する目的でマスク洗浄装置１を使用する場合、有機溶剤、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、アセトン、アルコールを用いてもよいし、アンモニアと過酸化水素との混合液体（ＳＣ１）などアルカリ水溶液を用いてもよいし、オゾン水などの酸化力を有する薬液あるいは純水（ＤＩＷ）など種々の薬液が利用可能である。
【００４２】
また、本実施形態において角型基板Ｇは一辺の長さが正方形のものの場合において説明したがこれに限定されない。例えば、長方形の場合、リフタープレート４１の直径を角型基板Ｇの長辺と略同一として、基板Ｇの短辺を保持する保持片４２はリフタープレート４１の最外周部に配置して、長辺を保持するする保持片４２はリフタープレート４１の最外周部から内側に配置すればよい。
【符号の説明】
【００４３】
Ｇ   基板
１   液処理装置
２   ノズル（処理液供給機構）
１６   基板保持ピン
１６ａ  基板側端当接部
１６ｂ  拡径傾斜部
１８   アースプレート（導電性プレート）
１９  ボルト
２４  回転駆動機構
３０  第１の基板保持部
３１   チャックベース（第１の基板保持プレート）
４０  第２の基板保持部
４１   リフタープレート（第２の基板保持プレート）
４２   保持片
４２a   第１の傾斜面
４２ｂ   第２の傾斜面
４４   回転摺動機構
４７  昇降機構
【図１】
2014130901.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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