(57)【要約】【課題】誘電特性及び電気的特性に優れた誘電体組成物及びこれを用いた積層セラミック電子部品を提供する。【解決手段】本発明に係る誘電体組成物は、ＡＢＯ３で表されるペロブスカイト構造を有する誘電体グレインを含み、上記誘電体グレインは希土類元素（ＲＥ）のうち一つ以上の元素が上記Ａ及びＢ元素のうち少なくとも一つに固溶されている母材と遷移元素（ＴＲ）を含み、上記希土類元素に対する上記遷移元素の比（ＴＲ／ＲＥ）が０．２〜０．８である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡＢＯ３で表されるペロブスカイト構造を有する誘電体グレインを含み、前記誘電体グレインは希土類元素（ＲＥ）のうち一つ以上の元素が前記Ａ及びＢ元素のうち少なくとも一つに固溶されている母材と遷移元素（ＴＲ）を含み、前記希土類元素に対する前記遷移元素の比（ＴＲ／ＲＥ）が０．２〜０．８である、誘電体組成物。
【請求項２】
前記希土類元素（ＲＥ）の含量は、酸化物を基準として前記母材に対して０．１ａｔ％〜１．２ａｔ％である、請求項１に記載の誘電体組成物。
【請求項３】
前記遷移元素（ＴＲ）の含量は、酸化物を基準として前記母材に対して０．０２ａｔ％〜０．８ａｔ％である、請求項１に記載の誘電体組成物。
【請求項４】
前記Ａは、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、鉛（Ｐｂ）及びカルシウム（Ｃａ）からなる群から選択された一つ以上を含む、請求項１に記載の誘電体組成物。
【請求項５】
前記Ｂは、チタニウム（Ｔｉ）及びジルコニウム（Ｚｒ）からなる群から選択された一つ以上を含む、請求項１に記載の誘電体組成物。
【請求項６】
前記希土類元素は、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、アクチニウム（Ａｃ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）及びルテニウム（Ｌｕ）からなる群から選択された一つ以上である、請求項１に記載の誘電体組成物。
【請求項７】
前記誘電体グレインは、ＢａｍＴｉＯ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０）、（Ｂａ１−ＸＣａｘ）ｍ（Ｔｉ１−ｙＺｒｙ）Ｏ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０、０≦ｘ≦０．１０、０＜ｙ≦０．２０）、Ｂａｍ（Ｔｉ１−ｘＺｒｘ）Ｏ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０、ｘ≦０．１０）からなる群から選択された一つ以上を含む、請求項１に記載の誘電体組成物。
【請求項８】
平均厚さが０．６５μｍ以下の誘電体層を含むセラミック本体と、
前記セラミック本体内で前記誘電体層を介して対向するように配置される内部電極と、
を含み、
前記誘電体層はＡＢＯ３で表されるペロブスカイト構造を有する誘電体グレインを含み、前記誘電体グレインは希土類元素（ＲＥ）のうち一つ以上の元素が前記Ａ及びＢ元素のうち少なくとも一つに固溶されている母材と遷移元素（ＴＲ）を含み、前記希土類元素に対する前記遷移元素の比（ＴＲ／ＲＥ）が０．２〜０．８である誘電体組成物を含む、積層セラミック電子部品。
【請求項９】
前記希土類元素（ＲＥ）の含量は、酸化物を基準として前記母材に対して０．１ａｔ％〜１．２ａｔ％である、請求項８に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１０】
前記遷移元素（ＴＲ）の含量は、酸化物を基準として前記母材に対して０．０２ａｔ％〜０．８ａｔ％である、請求項８に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１１】
前記Ａは、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、鉛（Ｐｂ）及びカルシウム（Ｃａ）からなる群から選択された一つ以上を含む、請求項８に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１２】
前記Ｂは、チタニウム（Ｔｉ）及びジルコニウム（Ｚｒ）からなる群から選択された一つ以上を含む、請求項８に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１３】
前記希土類元素は、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、アクチニウム（Ａｃ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）及びルテニウム（Ｌｕ）からなる群から選択された一つ以上である、請求項８に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１４】
前記誘電体グレインは、ＢａｍＴｉＯ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０）、（Ｂａ１−ＸＣａｘ）ｍ（Ｔｉ１−ｙＺｒｙ）Ｏ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０、０≦ｘ≦０．１０、０＜ｙ≦０．２０）、Ｂａｍ（Ｔｉ１−ｘＺｒｘ）Ｏ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０、ｘ≦０．１０）からなる群から選択された一つ以上を含む、請求項８に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１５】
前記誘電体層の誘電率は６５００以上である、請求項８に記載の積層セラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電特性及び電気的特性に優れた誘電体組成物及びこれを用いた積層セラミック電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
ペロブスカイト粉末は、強誘電体セラミック材料であり、積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ）、セラミックフィルター、圧電素子、強誘電体メモリ、サーミスタ（ｔｈｅｒｍｉｓｔｏｒ）、バリスタ（ｖａｒｉｓｔｏｒ）などの電子部品の原料として用いられている。
【０００３】
チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）は、ペロブスカイト構造を有する高誘電率の物質であり、積層セラミックキャパシタの誘電体材料として用いられている。
【０００４】
近年、電子部品産業の軽薄短小化、高容量化、高信頼性化などの傾向につれ、強誘電体の粒子には、小サイズ、優れた誘電率及び信頼性が求められている。
【０００５】
誘電体層の主成分であるチタン酸バリウム粉末の粒径が大きいと、誘電体層の表面粗さが増加してショート率増加及び絶縁抵抗不良の問題が発生する可能性がある。
【０００６】
これにより、主成分であるチタン酸バリウム粉末の微粒化が求められている。
【０００７】
しかしながら、チタン酸バリウム粉末が微粒化され、積層セラミック電子部品の誘電体層の厚さが薄くなるにつれ、容量低下、ショート不良及び信頼性不良などの問題をもたらす可能性がある。
【０００８】
これにより、誘電体層の誘電率を確保すると共に信頼性に優れた積層セラミック電子部品の開発が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００８‐２３９４０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、誘電特性及び電気的特性に優れた誘電体組成物及びこれを用いた積層セラミック電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一実施形態は、ＡＢＯ３で表されるペロブスカイト構造を有する誘電体グレインを含み、上記誘電体グレインは希土類元素（ＲＥ）のうち一つ以上の元素が上記Ａ及びＢ元素のうち少なくとも一つに固溶されている母材と遷移元素（ＴＲ）を含み、上記希土類元素に対する上記遷移元素の比（ＴＲ／ＲＥ）が０．２〜０．８である誘電体組成物を提供する。
【００１２】
上記希土類元素（ＲＥ）の含量は、酸化物を基準として上記母材に対して０．１ａｔ％〜１．２ａｔ％であることができる。
【００１３】
上記遷移元素（ＴＲ）の含量は、酸化物を基準として上記母材に対して０．０２ａｔ％〜０．８ａｔ％であることができる。
【００１４】
上記Ａは、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、鉛（Ｐｂ）及びカルシウム（Ｃａ）からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。
【００１５】
上記Ｂは、チタニウム（Ｔｉ）及びジルコニウム（Ｚｒ）からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。
【００１６】
上記希土類元素は、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、アクチニウム（Ａｃ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）及びルテニウム（Ｌｕ）からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。
【００１７】
上記誘電体グレインは、ＢａｍＴｉＯ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０）、（Ｂａ１−ＸＣａｘ）ｍ（Ｔｉ１−ｙＺｒｙ）Ｏ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０、０≦ｘ≦０．１０、０＜ｙ≦０．２０）、Ｂａｍ（Ｔｉ１−ｘＺｒｘ）Ｏ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０、ｘ≦０．１０）からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。
【００１８】
本発明の他の実施形態は、平均厚さが０．６５μｍ以下の誘電体層を含むセラミック本体と、上記セラミック本体内で上記誘電体層を介して対向するように配置される内部電極と、を含み、上記誘電体層はＡＢＯ３で表されるペロブスカイト構造を有する誘電体グレインを含み、上記誘電体グレインは希土類元素（ＲＥ）のうち一つ以上の元素が上記Ａ及びＢ元素のうち少なくとも一つに固溶されている母材と遷移元素（ＴＲ）を含み、上記希土類元素に対する上記遷移元素の比（ＴＲ／ＲＥ）が０．２〜０．８である誘電体組成物を含む積層セラミック電子部品を提供する。
【００１９】
上記希土類元素（ＲＥ）の含量は、酸化物を基準として上記母材に対して０．１ａｔ％〜１．２ａｔ％であることができる。
【００２０】
上記遷移元素（ＴＲ）の含量は、酸化物を基準として上記母材に対して０．０２ａｔ％〜０．８ａｔ％であることができる。
【００２１】
上記Ａは、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、鉛（Ｐｂ）及びカルシウム（Ｃａ）からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。
【００２２】
上記Ｂは、チタニウム（Ｔｉ）及びジルコニウム（Ｚｒ）からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。
【００２３】
上記希土類元素は、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、アクチニウム（Ａｃ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）及びルテニウム（Ｌｕ）からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。
【００２４】
上記誘電体グレインは、ＢａｍＴｉＯ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０）、（Ｂａ１−ＸＣａｘ）ｍ（Ｔｉ１−ｙＺｒｙ）Ｏ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０、０≦ｘ≦０．１０、０＜ｙ≦０．２０）、Ｂａｍ（Ｔｉ１−ｘＺｒｘ）Ｏ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０、ｘ≦０．１０）からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。
【００２５】
上記誘電体層の誘電率は６５００以上であることができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明による誘電体組成物を用いた積層セラミック電子部品は、信頼性に優れ、高い誘電率を確保することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタを概略的に示す斜視図である。
【図２】図１のＢ‐Ｂ’線に沿う断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。なお、図面において同一の符号で表される要素は同一の要素である。
【００２９】
本発明の一実施形態による誘電体組成物は、ＡＢＯ３で表されるペロブスカイト構造を有する誘電体グレインを含み、上記誘電体グレインは希土類元素（ＲＥ）のうち一つ以上の元素が上記Ａ及びＢ元素のうち少なくとも一つに固溶されている母材と遷移元素（ＴＲ）を含み、上記希土類元素に対する上記遷移元素の比（ＴＲ／ＲＥ）が０．２〜０．８であることができる。
【００３０】
以下では、本発明の一実施形態による誘電体組成物について詳細に説明する。
【００３１】
本発明の一実施形態によれば、上記誘電体組成物は、ＡＢＯ３で表されるペロブスカイト構造を有する誘電体グレイン１０を含むことができる。
【００３２】
また、上記Ａ元素は、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、鉛（Ｐｂ）及びカルシウム（Ｃａ）からなる群から選択された一つ以上を含むことができるが、これに制限されるものではない。
【００３３】
上記Ｂ元素は、特に制限されず、上記ペロブスカイト構造においてＢサイトに位置できる物質であれば良く、例えば、チタニウム（Ｔｉ）及びジルコニウム（Ｚｒ）からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。
【００３４】
上記誘電体グレインは、希土類元素（ＲＥ）のうち一つ以上の元素が上記Ａ及びＢ元素のうち少なくとも一つに固溶されている母材と遷移元素（ＴＲ）を含むことができる。
【００３５】
即ち、上記母材は、上述したペロブスカイト構造においてＡサイト及びＢサイトに位置できる元素のうち少なくとも一つに希土類元素（ＲＥ）のうち一つ以上の元素が固溶された形態であることができる。
【００３６】
したがって、上記誘電体グレインは、希土類元素（ＲＥ）のうち一つ以上の元素が上記Ａ及びＢ元素のうち少なくとも一つに固溶されているＢａｍＴｉＯ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０）、（Ｂａ１−ＸＣａｘ）ｍ（Ｔｉ１−ｙＺｒｙ）Ｏ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０、０≦ｘ≦０．１０、０＜ｙ≦０．２０）、Ｂａｍ（Ｔｉ１−ｘＺｒｘ）Ｏ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０、ｘ≦０．１０）からなる群から選択された一つ以上を含むことができるが、これに制限されるものではない。
【００３７】
上記希土類元素（ＲＥ）は、３価イオンを含むことができるが、これに制限されるものではない。
【００３８】
上記希土類元素（ＲＥ）は、特に制限されず、例えば、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、アクチニウム（Ａｃ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）及びルテニウム（Ｌｕ）からなる群から選択された一つ以上であることができる。
【００３９】
また、上記誘電体グレインは、添加剤として遷移元素（ＴＲ）を含むことができるが、これに制限されず、高い誘電率、優れた絶縁特性及び信頼性特性を具現するために多様な添加剤が添加されても良い。
【００４０】
上記遷移元素（ＴＲ）は、特に制限されず、例えば、クロム（Ｃｒ）、モリブテン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）及びニッケル（Ｎｉ）からなる群から選択された一つ以上であり、酸化物の形で上記誘電体グレインに含まれることができる。
【００４１】
一般に、誘電体組成物に含まれる誘電体グレインが微粒化され、これを用いた積層セラミック電子部品の誘電体層の厚さが薄くなるにつれ、ショート不良及び信頼性不良などの問題をもたらす可能性がある。
【００４２】
また、微粒化された誘電体粉末を用いたスラリーの製造時に分散が困難であるという問題があり、これにより、上記誘電体組成物を用いて製造された積層セラミック電子部品の信頼性が低下するという問題がある。
【００４３】
上記の信頼性低下問題を改善するためには、希土類元素（ＲＥ）が完全固溶されたペロブスカイト構造を有する酸化物を母材とする誘電体グレインを用いることがより好ましい。
【００４４】
また、上記の信頼性低下問題を改善するためには、一定量の遷移元素（ＴＲ）を含む誘電体グレインを用いることがさらに好ましい。
【００４５】
即ち、積層セラミック電子部品の誘電体層の厚さが薄くなるにつれて生じるショート不良及び信頼性不良などの問題を解決するためには、ペロブスカイト構造を有する誘電体グレインの内部の希土類元素（ＲＥ）及び遷移元素（ＴＲ）の含量分布を調節することが求められる。
【００４６】
本発明の一実施形態によれば、上記誘電体グレインに含まれる上記希土類元素に対する上記遷移元素の比（ＴＲ／ＲＥ）が０．２〜０．８であることができるが、必ずしもこれに制限されるものではない。
【００４７】
上記誘電体グレインは、一般的なコア‐シェル（Ｃｏｒｅ‐ｓｈｅｌｌ）構造ではなく、シェルメジャーグレイン（Ｓｈｅｌｌ  ｍａｊｏｒ  ｇｒａｉｎ）又はシェルグレイン（Ｓｈｅｌｌ  ｇｒａｉｎ）構造を有することができる。
【００４８】
上記シェルメジャーグレイン（Ｓｈｅｌｌ  ｍａｊｏｒ  ｇｒａｉｎ）又はシェルグレイン（Ｓｈｅｌｌ  ｇｒａｉｎ）構造とは、添加剤として含まれる多様な元素がコア‐シェル（Ｃｏｒｅ‐Ｓｈｅｌｌ）構造を有するのではなく、ほとんどがシェル（Ｓｈｅｌｌ）組成からなるグレイン（ｇｒａｉｎ）を意味する。
【００４９】
本発明の一実施形態によれば、上記誘電体グレインに含まれる上記希土類元素に対する上記遷移元素の比（ＴＲ／ＲＥ）が０．２〜０．８となるように調節することにより、高い誘電率を有し且つ優れた絶縁特性及び優れた信頼性特性を具現することができる。
【００５０】
上記希土類元素に対する上記遷移元素の比（ＴＲ／ＲＥ）が０．２未満の場合は、誘電率は非常に高いが、所望の絶縁抵抗特性及び優れた信頼性特性の具現は困難な可能性がある。
【００５１】
上記希土類元素に対する上記遷移元素の比（ＴＲ／ＲＥ）が０．８を超える場合は、所望の誘電率が得られず、信頼性特性も低下する可能性がある。
【００５２】
上記希土類元素（ＲＥ）の含量は、酸化物を基準として上記母材に対して０．１ａｔ％〜１．２ａｔ％であることができるが、必ずしもこれに制限されるものではない。
【００５３】
上記希土類元素（ＲＥ）の含量が酸化物を基準として上記母材に対して０．１ａｔ％〜１．２ａｔ％を満たすように調節することにより、上記誘電体グレインを含む誘電体組成物を用いた積層セラミック電子部品の誘電率低下及び信頼性不良などの問題を解決することができる。
【００５４】
上記希土類元素（ＲＥ）の含量が酸化物を基準として上記母材に対して０．１ａｔ％未満の場合は、信頼性改善効果がないこともある。
【００５５】
上記希土類元素（ＲＥ）の含量が酸化物を基準として上記母材に対して１．２ａｔ％を超える場合は、所望の高い誘電率が得られないという問題がある。
【００５６】
上記希土類元素（ＲＥ）の含量は、酸化物を基準として上記母材に対して０．１ａｔ％〜１．２ａｔ％であることができるが、必ずしもこれに制限されるものではない。
【００５７】
上記遷移元素（ＴＲ）の含量が酸化物を基準として上記母材に対して０．０２ａｔ％〜０．８ａｔ％を満たすように調節することにより、上記誘電体グレインを含む誘電体組成物を用いた積層セラミック電子部品の誘電率低下及び信頼性不良などの問題を解決することができる。
【００５８】
上記遷移元素（ＴＲ）の含量が酸化物を基準として上記母材に対して０．０２ａｔ％未満の場合は、信頼性改善効果がないこともある。
【００５９】
上記遷移元素（ＴＲ）の含量が酸化物を基準として上記母材に対して０．８ａｔ％を超える場合は、所望の高い誘電率が得られないという問題がある。
【００６０】
上記希土類元素（ＲＥ）及び遷移元素（ＴＲ）の含量とは、酸化物を基準として母材に対して含まれる原子の比％（ａｔ％）を意味することができる。
【００６１】
例えば、希土類元素のうちジスプロシウム酸化物（Ｄｙ２Ｏ３）の場合は、ジスプロシウム酸化物（Ｄｙ２Ｏ３）のモル数の２倍の数を添加された希土類元素の値と計算し、遷移元素のうちマンガン酸化物（Ｍｎ３Ｏ４）の場合は、モル数の３倍の数を添加された遷移元素の値と計算することができる。
【００６２】
即ち、１００ｍｏl％の母材に対するジスプロシウム（Ｄｙ）のａｔ％は、ジスプロシウム酸化物（Ｄｙ２Ｏ３）のモル数を２で割った後に再度１／１００を掛けた数で計算されることができる。
【００６３】
また、１００ｍｏl％の母材に対するマンガン（Ｍｎ）のａｔ％は、マンガン酸化物（Ｍｎ３Ｏ４）のモル数を３で割った後に再度１／１００を掛けた数で計算されることができる。
【００６４】
本発明の一実施形態による誘電体組成物には、焼成温度の低下を防止したり特性をより向上させたりするために、添加剤がさらに添加されることができる。
【００６５】
上記添加剤は、特に制限されず、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、バリウム（Ｂａ）、珪素（Ｓｉ）、バナジウム（Ｖ）、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）などの酸化物であることができる。
【００６６】
本発明の一実施形態による誘電体組成物に含まれる誘電体グレインは、下記の方法で製造されることができる。
【００６７】
ペロブスカイト粉末は、ＡＢＯ３の構造を有する粉末であり、本発明の一実施形態では、上記金属酸化物がＢサイト（ｓｉｔｅ）に該当する元素供給源であり、上記金属塩がＡサイト（ｓｉｔｅ）に該当する元素の供給源である。
【００６８】
まず、金属塩と金属酸化物を混合してペロブスカイト粒子核を形成させることができる。
【００６９】
上記金属酸化物は、チタニウム（Ｔｉ）又はジルコニウム（Ｚｒ）からなる群から選択された一つ以上であることができる。
【００７０】
チタニアとジルコニアの場合、加水分解が非常に容易であることから、別途の添加剤なしに純水と混合すると、含水チタニウム、含水ジルコニウムがゲル状に沈殿されることができる。
【００７１】
上記含水形態の金属酸化物を洗浄して不純物を除去することができる。
【００７２】
より具体的には、上記含水金属酸化物を加圧でフィルターして残留溶液を除去し、純水を注ぎながらフィルタリングして粒子の表面に存在する不純物を除去することができる。
【００７３】
次に、上記含水金属酸化物に純水と酸又は塩基を添加することができる。
【００７４】
フィルターの後に得られた含水金属酸化物の粉末に純水を入れて高粘度攪拌機で攪拌し、０℃〜６０℃で０．１〜７２時間維持して含水金属酸化物スラリーを製造することができる。
【００７５】
製造したスラリーに酸や塩基を加えることができる。上記酸や塩基は、解こう剤として用いられ、含水金属酸化物の含量に対して０．００００１〜０．２モル添加することができる。
【００７６】
上記酸としては、一般的なものであれば特に制限されず、例えば、塩酸、硝酸、硫酸、燐酸、蟻酸、酢酸、ポリカルボキシル酸などがあり、これらを単独又は２種以上混合して用いることができる。
【００７７】
上記塩基としては、一般的なものであれば特に制限されず、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド又はテトラエチルアンモニウムヒドロキシドなどがあり、これらを単独又は混合して用いることができる。
【００７８】
上記金属塩は、水酸化バリウム又は水酸化バリウムと希土類塩の混合物であることができる。
【００７９】
上記希土類塩としては、特に制限されず、例えば、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、アクチニウム（Ａｃ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）又はルテニウム（Ｌｕ）などを用いることができる。
【００８０】
また、上記混合物に加え、クロム（Ｃｒ）、モリブテン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）及びニッケル（Ｎｉ）からなる群から選択された一つ以上の遷移元素をさらに含むことができる。
【００８１】
上記ペロブスカイト粒子核を形成させる段階は６０℃〜１５０℃で行われることができる。
【００８２】
次に、上記ペロブスカイト粒子核を水熱反応器に投入して水熱処理して水熱反応器内で粒成長させることができる。
【００８３】
次に、上記水熱反応器内に金属塩水溶液を高圧ポンプを用いて投入して混合液を製造し、上記混合液を加熱してＡＢＯ３で表されるペロブスカイト構造を有する誘電体グレインを得る。
【００８４】
上記金属塩水溶液は、特に制限されず、例えば、硝酸塩及び酢酸塩からなる群から選択された一つ以上であることができる。
【００８５】
図１は、本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタを概略的に示す斜視図である。
【００８６】
図２は、図１のＢ‐Ｂ’線に沿う断面図である。
【００８７】
図１及び図２を参照すると、本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品は、平均厚さが０．６５μｍ以下の誘電体層１１を含むセラミック本体１１０と、上記セラミック本体１１０内で上記誘電体層１１を介して対向するように配置される内部電極２１、２２と、を含み、上記誘電体層１１はＡＢＯ３で表されるペロブスカイト構造を有する誘電体グレインを含み、上記誘電体グレインは希土類元素（ＲＥ）のうち一つ以上の元素が上記Ａ及びＢ元素のうち少なくとも一つに固溶されている母材と遷移元素（ＴＲ）を含み、上記希土類元素に対する上記遷移元素の比（ＴＲ／ＲＥ）が０．２〜０．８である誘電体組成物を含むことができる。
【００８８】
以下、本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品について説明するにあたり、特に、積層セラミックキャパシタ１００を例に挙げて説明するが、これに制限されるものではない。
【００８９】
本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタ１００において、「長さ方向」は図１の「Ｌ方向」、「幅方向」は「Ｗ方向」、「厚さ方向」は「Ｔ方向」と定義する。ここで、「厚さ方向」とは、誘電体層を積み上げる方向、即ち、「積層方向」と同じ概念として用いることができる。
【００９０】
本発明の一実施形態によれば、上記誘電体層１１を形成する原料は、十分な静電容量が得られるものであれば特に制限されず、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）粉末であることができる。
【００９１】
上記チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）粉末を用いて製造された積層セラミックキャパシタは、常温における誘電率が高く、絶縁抵抗及び耐電圧特性に非常に優れて信頼性が向上することができる。
【００９２】
本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタ１００は、ＡＢＯ３で表されるペロブスカイト構造を有する誘電体グレインを含み、上記誘電体グレインは希土類元素（ＲＥ）のうち一つ以上の元素が上記Ａ及びＢ元素のうち少なくとも一つに固溶されている母材と遷移元素（ＴＲ）を含み、上記希土類元素に対する上記遷移元素の比（ＴＲ／ＲＥ）が０．２〜０．８である誘電体組成物を含むことにより、常温における誘電率が高く、絶縁抵抗及び耐電圧特性に非常に優れて信頼性が向上することができる。
【００９３】
上記誘電体層１１を形成する材料としては、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などの粉末に、本発明の目的に応じて多様なセラミック添加剤、有機溶剤、可塑剤、結合剤、分散剤などが添加されたものを用いることができる。
【００９４】
上記誘電体層１１の平均厚さは、特に制限されず、例えば、０．６５μｍ以下であることができる。
【００９５】
本発明の一実施形態による誘電体組成物は、上記のように誘電体層１１の平均厚さが０．６５μｍ以下の場合に、より優れた効果を示す。即ち、上記誘電体組成物を用いた積層セラミックキャパシタの誘電体層の平均厚さが０．６５μｍ以下の場合に信頼性に優れるという効果がある。
【００９６】
また、上記誘電体層１１の誘電率は、特に制限されず、例えば、６５００以上であることができる。
【００９７】
他の特徴は、上述した本発明の一実施形態による誘電体組成物の特徴と重複するため、ここでは省略する。
【００９８】
上記第１及び第２の内部電極２１、２２を形成する材料は、特に制限されず、例えば、銀（Ａｇ）、鉛（Ｐｂ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）及び銅（Ｃｕ）のうちの一つ以上の物質からなる導電性ペーストを用いて形成されることができる。
【００９９】
本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタは、上記第１の内部電極２１と電気的に連結された第１の外部電極３１及び上記第２の内部電極２２と電気的に連結された第２の外部電極３２をさらに含むことができる。
【０１００】
上記第１及び第２の外部電極３１、３２は、静電容量の形成のために上記第１及び第２の内部電極２１、２２と電気的に連結されることができ、上記第２の外部電極３２は、上記第１の外部電極３１と異なる電位に連結されることができる。
【０１０１】
上記第１及び第２の外部電極３１、３２は、静電容量の形成のために上記第１及び第２の内部電極２１、２２と電気的に連結されることができる材質であれば特に制限されず、例えば、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）及び銀‐パラジウム（Ａｇ‐Ｐｄ）からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。
【０１０２】
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれによって制限されるものではない。
【０１０３】
本発明の実施例は、ＡＢＯ３で表されるペロブスカイト構造を有する誘電体グレインを含み、上記誘電体グレインは希土類元素（ＲＥ）のうち一つ以上の元素が上記Ａ及びＢ元素のうち少なくとも一つに固溶されている母材と遷移元素（ＴＲ）を含み、上記希土類元素に対する上記遷移元素の比（ＴＲ／ＲＥ）が０．２〜０．８である誘電体組成物を含んで製作したものである。
【０１０４】
比較例は、同一組成の誘電体グレインを含む誘電体組成物を含んで製作したものであって、上記の本発明の数値範囲を外れるように製作した以外は上記実施例と同一に製作したものである。
【０１０５】
下記表１は、上記誘電体グレインに含まれる上記希土類元素に対する上記遷移元素の比（ＴＲ／ＲＥ）による絶縁抵抗、静電容量及び信頼性を比較したものである。
【０１０６】
上記絶縁抵抗（Ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ、ＩＲ）の測定は６．３Ｖ、６０秒の条件で行われ、２０個の試料に対して測定された値のログ（Ｌｏｇ）平均値に換算した。
【０１０７】
上記静電容量は、ＬＣＲ  ｍｅｔｅｒを用いて上記誘電体組成物を２４時間熱処理し、１時間経過後に１ｋＨｚ、０．５Ｖの条件で測定し、信頼性評価は、１３０℃、９．４５Ｖ、４時間の条件で４０個の試料に対して不良の数を測定する方式で行った。
【０１０８】
上記静電容量においては、最小容量である２．８５を基準として０３Ａ３３５規格の試料の容量を測定した。
【０１０９】
上記信頼性評価においては、４０個の試料のうち不良の数が２０個以上の試料を不良と判定した。
【０１１０】
【表１】
2014152098.tif 000003
＊：比較例
【０１１１】
上記表１を参照すると、試料１及び２は、誘電体グレインに含まれる上記希土類元素に対する上記遷移元素の比（ＴＲ／ＲＥ）が０．２未満のものであり、所望の絶縁抵抗が得られず、信頼性において問題があることが分かる。
【０１１２】
試料６〜８は、誘電体グレインに含まれる上記希土類元素に対する上記遷移元素の比（ＴＲ／ＲＥ）が０．８を超えるものであり、所望の静電容量が得られず、信頼性において問題があることが分かる。
【０１１３】
これに対し、試料３〜５は、本発明の数値範囲を満たす誘電体グレインを用いて製作した積層セラミックキャパシタであり、所望の絶縁抵抗が得られ、静電容量も高く、信頼性にも優れることが分かる。
【０１１４】
以上のことから、本発明の他の実施形態による積層セラミックキャパシタは、ＡＢＯ３で表されるペロブスカイト構造を有する誘電体グレインを含み、上記誘電体グレインは希土類元素（ＲＥ）のうち一つ以上の元素が上記Ａ及びＢ元素のうち少なくとも一つに固溶されている母材と遷移元素（ＴＲ）を含み、上記希土類元素に対する上記遷移元素の比（ＴＲ／ＲＥ）が０．２〜０．８である誘電体組成物を含むことにより、常温における誘電率が高く、高容量及び信頼性に非常に優れることが分かる。
【０１１５】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。
【符号の説明】
【０１１６】
１１  誘電体層
２１  第１の内部電極
２２  第２の内部電極
３１、３２  第１及び第２の外部電極
１００  積層セラミックキャパシタ
１１０  セラミック本体
【図１】
2014152098.tif 000004
【図２】
2014152098.tif 000005