(57)【要約】【課題】６方向の全ての方向からの外乱磁界の浸入を抑制することができる磁気シールド体を提供する。【解決手段】第１磁気シールド部２０では、第２板部２２の第２側面２８ａ、２８ｂが第１板部２１の第１側面２５ａ、２５ｂに対して垂直に配置されている。これにより、第１磁気シールド部２０は第１上面２４側からの１方向と第１側面２５ａ、２５ｂ及び第２側面２８ａ、２８ｂの４方向の合計５方向からの外乱磁界の浸入を抑制する。一方、第２磁気シールド部３０では、第３板部３１の第３上面３３によって、当該第３上面３３側からの外乱磁界の浸入を抑制する。また、第３側面３４ａ、３４ｂによって第１側面２５ａ、２５ｂと同じ２方向からの外乱磁界を遮蔽する。したがって、磁気シールド体１において、６方向の全ての方向からの外乱磁界の浸入を抑制することができる。【選択図】図３
2014202480.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定対象の電流を検出するための磁気抵抗素子（１２）を備えた電流センサが収容される収容空間（４）を形成する電流センサ用の磁気シールド体であって、
電磁波の浸入を抑制する第１平板状部材（２３）が折り曲げられたことによって第１上面（２４）の両側に互いに対向する一組の第１側面（２５ａ、２５ｂ）が形成された第１板部（２１）と、電磁波の浸入を抑制する第２平板状部材（２６）が折り曲げられたことによって第２上面（２７）の両側に互いに対向する一組の第２側面（２８ａ、２８ｂ）が形成された第２板部（２２）と、を有する第１磁気シールド部（２０）と、
電磁波の浸入を抑制する第３平板状部材（３２）が折り曲げられたことによって第３上面（３３）の両側に互いに対向する一組の第３側面（３４ａ、３４ｂ）が形成された第３板部（３１）を複数有する第２磁気シールド部（３０）と、
を備え、
前記第１磁気シールド部（２０）は、前記第１上面（２４）と前記第２上面（２７）とが互いに接触すると共に、前記第１側面（２５ａ、２５ｂ）と前記第２側面（２８ａ、２８ｂ）とが互いに隣り合うように、前記第１板部（２１）と前記第２板部（２２）とが重ねられており、
前記第２磁気シールド部（３０）は、前記複数の第３板部（３１）の前記第３上面（３３）が互いに接触すると共に前記第３側面（３４ａ、３４ｂ）が互いに接触するように、前記複数の第３板部（３１）が重ねられており、
さらに、前記収容空間（４）は、前記第３上面（３３）が前記第１上面（２４）及び前記第２上面（２７）のうち前記第３上面（３３）側と対向すると共に、前記第３側面（３４ａ、３４ｂ）が前記第１側面（２５ａ、２５ｂ）及び前記第２側面（２８ａ、２８ｂ）のうちのいずれか一方と隣り合うように、前記第１磁気シールド部（２０）と前記第２磁気シールド部（３０）とが組み合わされて形成されることを特徴とする電流センサ用の磁気シールド体。
【請求項２】
前記一組の第１側面（２５ａ、２５ｂ）は、前記第１上面（２４）の両側に互いに平行に対向しており、
前記一組の第２側面（２８ａ、２８ｂ）は、前記第２上面（２７）の両側に互いに平行に対向しており、
前記一組の第３側面（３４ａ、３４ｂ）は、前記第３上面（３３）の両側に互いに平行に対向しており、
前記第１磁気シールド部（２０）は、前記第１上面（２４）と前記第２上面（２７）とが互いに平行に接触すると共に、前記第１側面（２５ａ、２５ｂ）と前記第２側面（２８ａ、２８ｂ）とが互いに垂直になるように、前記第１板部（２１）と前記第２板部（２２）とが重ねられており、
前記第２磁気シールド部（３０）は、前記複数の第３板部（３１）の前記第３上面（３３）が互いに平行に接触すると共に前記第３側面（３４ａ、３４ｂ）が互いに平行に接触するように、前記複数の第３板部（３１）が重ねられており、
さらに、前記収容空間（４）は、前記第３上面（３３）が前記第１上面（２４）及び前記第２上面（２７）と互いに平行になると共に、前記第３側面（３４ａ、３４ｂ）が前記第１側面（２５ａ、２５ｂ）及び前記第２側面（２８ａ、２８ｂ）のうちのいずれか一方と平行になるように、前記第１磁気シールド部（２０）と前記第２磁気シールド部（３０）とが組み合わされて形成されることを特徴とする請求項１に記載の電流センサ用の磁気シールド体。
【請求項３】
前記磁気抵抗素子（１２）は、前記測定対象の電流が流れることによって前記収容空間（４）に発生する磁界の変化を検出するための検出面（１２ａ）を有しており、
前記第１磁気シールド部（２０）及び前記第２磁気シールド部（３０）は、前記第１上面（２４）に垂直な方向における前記収容空間（４）の高さをｈとすると、前記磁気抵抗素子（１２）の検出面（１２ａ）が前記第１上面（２４）と平行になると共にｈ／２の高さに配置され、さらに、前記磁気抵抗素子（１２）の検出面（１２ａ）の中心位置（１２ｂ）が前記第１上面（２４）に垂直な方向において前記収容空間（４）のうち前記第１上面（２４）と平行な面の中心位置（４１）と一致するように配置されるように、組み合わされることを特徴とする請求項１または２に記載の電流センサ用の磁気シールド体。
【請求項４】
前記第１平板状部材（２３）、前記第２平板状部材（２６）、及び前記第３平板状部材（３２）はそれぞれ薄板で構成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の電流センサ用の磁気シールド体。
【請求項５】
前記第１側面（２５ａ、２５ｂ）及び前記第２側面（２８ａ、２８ｂ）のうち前記第３上面（３３）に隣り合う側面は、前記第１上面（２４）及び前記第２上面（２７）とは反対側の端部の一部が前記第１上面（２４）及び前記第２上面（２７）から離れる方向に伸びている突出部（２９）を有していることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の電流センサ用の磁気シールド体。
【請求項６】
前記第１磁気シールド部（２０）及び前記第２磁気シールド部（３０）は、空隙（４０）を介して互いに配置されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の電流センサ用の磁気シールド体。
【請求項７】
前記第１側面（２５ａ、２５ｂ）、前記第２側面（２８ａ、２８ｂ）、及び前記第３側面（３４ａ、３４ｂ）は、互いに前記空隙（４０）を介して配置されていることを特徴とする請求項６に記載の電流センサ用の磁気シールド体。
【請求項８】
前記第１磁気シールド部（２０）は、前記磁気抵抗素子（１２）が受ける磁界の強さに応じて前記第１板部（２１）の数が決定されると共に、前記第２板部（２２）の数が決定され、
前記第２磁気シールド部（３０）は、前記磁気抵抗素子（１２）が受ける磁界の強さに応じて前記第３板部（３１）の数が決定されることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１つに記載の電流センサ用の磁気シールド体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電流センサ用の磁気シールド体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、磁気シールド体を備えた電流センサの構成が、例えば特許文献１で提案されている。磁気シールド体は、電流検出部が収納された環状外殻部の外側を囲むと共に、外部からの外乱磁界を遮蔽する部品である。特許文献１では、半四角筒状すなわちコの字型の２個の磁気シールド部材が四角筒状となるように環状外殻部に組み付けられた磁気シールド体が提案されている。
【０００３】
このような磁気シールド体を備えた電流センサは、磁気シールド体の中空部に位置する環状外殻部を貫通するように流れる電流を検出する。また、四角筒状の磁気シールド体は、当該磁気シールド体の中空部を貫通する方向に対して垂直な方向に４つの面を有している。このため、磁気シールド体は、これら４つの面に垂直な４方向からの外乱磁界を遮蔽するように機能する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１４４７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来の技術では、磁気シールド体は２個の磁気シールド部材が組み合わされた四角筒状となっているので、磁気シールド体の中空部を貫通する方向に２つの開口部が存在する。このため、外乱磁界が磁気シールド体の２つの開口部を介する２方向から磁気シールド体の中空部に浸入してしまうという問題がある。したがって、電流センサが外乱磁界の影響を受ける方向を加味しなければならず、被測定体に対する電流センサの搭載制約が生じてしまう。あるいは、電流センサは外乱磁界が弱い環境での使用に限定されてしまう。
【０００６】
ここで、強い外乱磁界を受ける環境において磁気シールド体の磁気シールド効果を確保するために、磁気シールド部材を構成する板材を厚くすることが考えられる。しかし、板材の厚みに伴って板材の抵抗値が下がるので、外乱磁界を受けた磁気シールド体に発生する渦電流損による発熱が大きくなってしまうという問題がある。したがって、渦電流損による発熱が電流センサの電流検出特性に悪影響を与えてしまう。よって、磁気シールド部材を構成する板材を厚くすることは好ましくない。
【０００７】
本発明は上記点に鑑み、６方向の全ての方向からの外乱磁界の浸入を抑制することができる磁気シールド体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、測定対象の電流を検出するための磁気抵抗素子（１２）を備えた電流センサが収容される収容空間（４）を形成する電流センサ用の磁気シールド体であって、以下の点を特徴としている。
【０００９】
まず、電磁波の浸入を抑制する第１平板状部材（２３）が折り曲げられたことによって第１上面（２４）の両側に互いに対向する一組の第１側面（２５ａ、２５ｂ）が形成された第１板部（２１）と、電磁波の浸入を抑制する第２平板状部材（２６）が折り曲げられたことによって第２上面（２７）の両側に互いに対向する一組の第２側面（２８ａ、２８ｂ）が形成された第２板部（２２）と、を有する第１磁気シールド部（２０）を備えている。
【００１０】
また、電磁波の浸入を抑制する第３平板状部材（３２）が折り曲げられたことによって第３上面（３３）の両側に互いに対向する一組の第３側面（３４ａ、３４ｂ）が形成された第３板部（３１）を複数有する第２磁気シールド部（３０）を備えている。
【００１１】
そして、第１磁気シールド部（２０）は、第１上面（２４）と第２上面（２７）とが互いに接触すると共に、第１側面（２５ａ、２５ｂ）と第２側面（２８ａ、２８ｂ）とが互いに隣り合うように、第１板部（２１）と第２板部（２２）とが重ねられている。
【００１２】
第２磁気シールド部（３０）は、複数の第３板部（３１）の第３上面（３３）が互いに接触すると共に第３側面（３４ａ、３４ｂ）が互いに接触するように、複数の第３板部（３１）が重ねられている。
【００１３】
さらに、収容空間（４）は、第３上面（３３）が第１上面（２４）及び第２上面（２７）のうち第３上面（３３）側と対向すると共に、第３側面（３４ａ、３４ｂ）が第１側面（２５ａ、２５ｂ）及び第２側面（２８ａ、２８ｂ）のうちのいずれか一方と隣り合うように、第１磁気シールド部（２０）と第２磁気シールド部（３０）とが組み合わされて形成されることを特徴としている。
【００１４】
これによると、第２板部（２２）の第２側面（２８ａ、２８ｂ）が第１板部（２１）の第１側面（２５ａ、２５ｂ）に対して隣り合うように配置されているので、第１磁気シールド部（２０）において５方向からの外乱磁界の浸入を抑制することができる。また、第３板部（３１）の第３上面（３３）によって、第１磁気シールド部（２０）の第１上面（２４）とは反対側からの外乱磁界の浸入を抑制することができる。したがって、磁気シール体において、６方向の全ての方向からの外乱磁界の浸入を抑制することができる。
【００１５】
なお、この欄及び特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態に係る磁気シールド体がバスバーに設置された模式図である。
【図２】電流センサの電流測定原理を説明するための図である。
【図３】磁気シールド体の模式図である。
【図４】図３に示された磁気シールド体の分解図である。
【図５】図１のＸ断面図である。
【図６】図１のＹ断面図である。
【図７】（ａ）は複数の薄板を用いた場合に渦電流損が分割される様子を示した図であり、（ｂ）は１枚の薄板を用いた場合に渦電流損が発生する様子を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。図１及び図２に示されるように、本発明に係る磁気シールド体１は、バスバー２に流れる被測定電流の大きさを検出するための電流センサ１０の周囲に配置される。
【００１８】
バスバー２は、図１に示されるように、保持部材３に固定されている。保持部材３は位置決めのための溝や突起等を有し、バスバー２、電流センサ１０、及び磁気シールド体１がはめ込まれることでそれぞれを自己整合的に位置決めするための部品である。
【００１９】
電流センサ１０は、図２に示されるように、バイアス磁石１１と磁気抵抗素子１２とを備えている。このうちバイアス磁石１１は、バスバー２に測定対象の被測定電流が流れることによって生じる信号磁界に対して垂直方向にバイアス磁界を発生させる磁界発生手段である。すなわち、バイアス磁石１１は、被測定電流が流れる方向すなわちバスバー２の長手方向にＮ極とＳ極とが並ぶようにバスバー２の上方に配置されている。これにより、バイアス磁石１１はバイアス磁界を磁気抵抗素子１２に印加する。
【００２０】
磁気抵抗素子１２は、外部の磁場の影響を受けたときに抵抗値が変化するセンシング部を有している。例えば、磁気抵抗素子１２はバスバー２の近接位置すなわちバスバー２とバイアス磁石１１との間に配置される。
【００２１】
また、電流センサ１０は、バスバー２に流れる被測定電流の電流方向すなわちバスバー２の長手方向とバイアス磁界とが平行になるように、磁気シールド体１の中空部である収容空間に配置される。言い換えると、電流センサ１０は、バスバー２に流れる被測定電流によって生成される信号磁界とバイアス磁界とが垂直になるように、磁気シールド体１に収納される。したがって、磁気抵抗素子１２には、バイアス磁界及び信号磁界で構成される合成磁界が印加されるようになっている。
【００２２】
そして、バスバー２に被測定電流が流れることで信号磁界が発生し、信号磁界及びバイアス磁界で構成される合成磁界が被測定電流の大きさに応じて変化することにより磁気ベクトル角度θが変化する。したがって、磁気抵抗素子１２はその角度変化によりセンシング部の抵抗値が変化したことを検出する。
【００２３】
図３に示された磁気シールド体１は、バスバー２の一部と電流センサ１０を収容する収容空間４を有すると共に、外部からの磁界を遮蔽する役割を果たすものである。磁気シールド体１は、第１磁気シールド部２０と第２磁気シールド部３０とを備えている。
【００２４】
第１磁気シールド部２０は、図４に示されるように、第１板部２１と複数の第２板部２２とが重ねられて構成されている。本実施形態では、第１磁気シールド部２０は第２板部２２を２枚有している。
【００２５】
第１板部２１は、電磁波の浸入を抑制する第１平板状部材２３が折り曲げられたことによって第１上面２４の両側に互いに平行に対向する一組の第１側面２５ａ、２５ｂが形成されて構成されている。また、第２板部２２は、電磁波の浸入を抑制する第２平板状部材２６が折り曲げられたことによって第２上面２７の両側に互いに平行に対向する一組の第２側面２８ａ、２８ｂが形成されて構成されている。２枚の第２板部２２は第２上面２７同士が互いに接触すると共に、一方の第２側面２８ａ同士及び他方の第２側面２８ｂ同士が互いに接触するように重ねられる。
【００２６】
ここで、第２板部２２の第２側面２８ａ、２８ｂは、第２上面２７とは反対側の端部の一部が第２上面２７から離れる方向に伸びた突出部２９を有している。本実施形態では、突出部２９は、第２側面２８ａ、２８ｂのうち当該第２側面２８ａ、２８ｂの延設方向に垂直な方向の両端部がそれぞれ第２上面２７から離れる方向に伸びたことにより設けられている。言い換えると、第２側面２８ａ、２８ｂのうち第２上面２７とは反対側の端部の一部が第２上面２７側に凹んだことにより、当該凹み部を構成する部分が突出部２９となる。この凹み部及び突出部２９により、第２側面２８ａ、２８ｂの表面は第２側面２８ａ、２８ｂの一部が分割された分割面になっていると言える。
【００２７】
そして、第１板部２１の第１上面２４と一方の第２板部２２の第２上面２７とが互いに平行に接触するように重ねられている。また、一方の第２板部２２の第２上面２７と他方の第２板部２２の第２上面２７とが互いに平行に接触するように重ねられている。これにより、第１板部２１が外側に位置し、一方の第２板部２２が内側すなわち収容空間４側に位置する。
【００２８】
第１板部２１の第１側面２５ａ、２５ｂは、各第２板部２２の第２側面２８ａ、２８ｂに挟まれている。具体的には、第１板部２１の第１側面２５ａ、２５ｂと各第２板部２２の第２側面２８ａ、２８ｂとが互いに垂直になるように、第１板部２１と各第２板部２２とが重ねられている。このようにして第１磁気シールド部２０が構成されている。
【００２９】
一方、第２磁気シールド部３０は、複数の第３板部３１が重ねられて構成されている。本実施形態では、第２磁気シールド部３０は第３板部３１を３枚有している。第３板部３１は、電磁波の浸入を抑制する第３平板状部材３２が折り曲げられたことによって第３上面３３の両側に互いに平行に対向する一組の第３側面３４ａ、３４ｂが形成されて構成されている。そして、複数の第３板部３１の第３上面３３が互いに平行に接触すると共に第３側面３４ａ、３４ｂが互いに平行に接触するように、３枚の第３板部３１が重ねられている。このようにして第２磁気シールド部３０が構成されている。
【００３０】
上記の各平板状部材２３、２６、３２は、それぞれ薄板で構成されている。各平板状部材２３、２６、３２として、例えば０．５ｍｍの電磁鋼板が採用される。電磁鋼板の表面には絶縁膜が形成されている。また、上記の各板部２１、２２、３１は、所定の形状に加工された薄板がプレス加工されることにより図３に示される形状に折り曲げられる。これにより、上述のように概略的には「コの字」の形状になっている。なお、第１板部２１と２枚の第２板部２２とが密着状態で積層されるように第１平板状部材２３と第２平板状部材２６の寸法が設定されている。同様に、３枚の第３平板状部材３２が密着状態で積層されるようにそれぞれの第３平板状部材３２の寸法が設定されている。
【００３１】
そして、図３に示されるように、第２磁気シールド部３０の第３上面３３が第１磁気シールド部２０の第１上面２４及び第２上面２７と互いに平行になるように、第１磁気シールド部２０及び第２磁気シールド部３０が組み合わされる。また、第２磁気シールド部３０の第３側面３４ａ、３４ｂが第１磁気シールド部２０の第１側面２５ａ、２５ｂと平行になるように、第１磁気シールド部２０と第２磁気シールド部３０とが組み合わされる。これにより、第１磁気シールド部２０と第２磁気シールド部３０との間に収容空間４が形成される。第１磁気シールド部２０及び第２磁気シールド部３０は、収容空間４を形成するように保持部材３に組み付けられる。
【００３２】
なお、第１磁気シールド部２０及び第２磁気シールド部３０は、保持部材３に対してネジ締めされたり、磁気シールド体１が樹脂でモールドされたりすることで保持部材３に固定される。
【００３３】
また、上述の第２側面２８ａ、２８ｂの突出部２９は、第３側面３４ａ、３４ｂに垂直に配置された第２側面２８ａ、２８ｂのうち第１上面２４及び第２上面２７とは反対側の端部の一部が第１上面２４及び第２上面２７から離れる方向に伸びた部分であると言える。
【００３４】
さらに、第２磁気シールド部３０の第３上面３３は、当該第３上面３３の一部が突出した突出部３５を有している。この突出部３５は、第１磁気シールド部２０の第２側面２８ａ、２８ｂのうち突出部２９によって構成された凹み部に対応する部分に設けられている。この突出部３５により、第３上面３３の遮蔽面積を増加させることができる。
【００３５】
上記のような磁気シールド体１の構成によると、第１磁気シールド部２０の第１上面２４はバスバー２のうちの第１上面２４側の１方向からの外乱磁界を遮蔽する。また、第１磁気シールド部２０の第１側面２５ａ、２５ｂは、バスバー２の平面部に平行な平面においてバスバー２の長手方向に垂直な２方向からの外乱磁界を遮蔽する。さらに、第２磁気シールド部３０の第２側面２８ａ、２８ｂは、バスバー２の平面部に平行な平面においてバスバー２の長手方向に平行な２方向からの外乱磁界を遮蔽する。
【００３６】
一方、第２磁気シールド部３０の第３上面３３はバスバー２のうちの第３上面３３側の１方向からの外乱磁界を遮蔽する。また、第２磁気シールド部３０の第３側面３４ａ、３４ｂは、第１側面２５ａ、２５ｂと同様に、バスバー２の平面部に平行な平面においてバスバー２の長手方向に垂直な２方向からの外乱磁界を遮蔽する。したがって、磁気シールド体１は６方向の全ての方向からの外乱磁界を遮蔽する面または面の一部を有している。
【００３７】
次に、磁気シールド体１の収容空間４に配置される電流センサ１０について説明する。図５及び図６の各断面図に示されるように、電流センサ１０は、上述のバイアス磁石１１及び磁気抵抗素子１２の他に、リード１３、回路チップ１４、及び樹脂パッケージ１５を備えている。なお、図５及び図６では、保持部材３を省略している。
【００３８】
リード１３は、バイアス磁石１１が実装された一面１３ａと、磁気抵抗素子１２及び回路チップ１４が実装された他面１３ｂを有している。また、回路チップ１４は、磁気抵抗素子１２から入力した信号に対して予め設定された演算を行うことにより被測定電流に対応した信号を外部に出力する。磁気抵抗素子１２と回路チップ１４との間、及び回路チップ１４とリード１３との間はボンディングワイヤ１６で電気的に接続されている。樹脂パッケージ１５は、リード１３の一部が露出するように、バイアス磁石１１、磁気抵抗素子１２、リード１３、回路チップ１４、及びリード１３の一部を封止した封止部材である。
【００３９】
ここで、上記の電流センサ１０が磁気シールド体１の収容空間４に収容されるに際し、第１磁気シールド部２０及び第２磁気シールド部３０は空隙４０を介して互いに配置されている。本実施形態では、第１側面２５ａ、２５ｂ、第２側面２８ａ、２８ｂ、及び第３側面３４ａ、３４ｂが互いに空隙４０を介して配置されている。この空隙４０は、バスバー２を通す役割と、磁気シールド体１の収容空間４から信号を取り出す役割と、空隙４０に位置する空気によって外乱磁界を弱める抵抗としての役割を果たす。なお、空隙４０は、第１磁気シールド部２０及び第２磁気シールド部３０が保持部材３に組み付けられることで自己整合的に形成される。
【００４０】
また、磁気抵抗素子１２は、バスバー２に被測定電流が流れることによって収容空間４に発生する磁界の変化を検出するための検出面１２ａを有している。この検出面１２ａに磁界の変化を検出するための上述のセンシング部が設けられている。
【００４１】
そして、図６に示されるように、バスバー２から発生する信号磁界が収容空間４で発生し、第１磁気シールド部２０及び第２磁気シールド部３０の空隙４０で再放出される。このとき、磁気抵抗素子１２の検出面１２ａへの影響を抑制する必要がある。そこで、磁気シールド体１では収容空間４の中央部分が最も外乱磁界の影響を受けにくくなるので、磁気抵抗素子１２の検出面１２ａは磁気シールド体１の中央部分に配置される。
【００４２】
具体的には、第１上面２４に垂直な方向における収容空間４の高さをｈと定義すると、磁気抵抗素子１２の検出面１２ａは第１磁気シールド部２０の第１上面２４と平行になると共にｈ／２の高さに配置されている。さらに、磁気抵抗素子１２の検出面１２ａの中心位置１２ｂは、第１磁気シールド部２０の第１上面２４に垂直な方向において収容空間４のうち第１上面２４と平行な面の中心位置４１と一致するように配置されるように、第１磁気シールド部２０及び第２磁気シールド部３０が組み合わされる。すなわち、磁気シールド体１の収容空間４においてｈ／２の位置で検出面１２ａがシンメトリカルになるように磁気抵抗素子１２が配置されている。
【００４３】
このような収容空間４における磁気抵抗素子１２の検出面１２ａの位置は、電流センサ１０が保持部材３に配置されると共に磁気シールド体１が保持部材３に組み付けられることで自己整合的に決まるように予め設計されている。このように磁気抵抗素子１２の検出面１２ａの位置を規定することにより、磁気抵抗素子１２の検出面１２ａを磁気シールド体の外部から最も遠い場所に位置させることができる。このため、磁気抵抗素子１２が磁気シールド体１の外部の影響を受けにくくなり、磁気抵抗素子１２の検出特性への影響を低減することができる。
【００４４】
一方、図５に示されるように、バスバー２の長手方向においてはバスバー２の信号磁界を考慮しないで済む。このため、外部から磁気シールド体１の収容空間４に浸入する外乱磁界の抑制に重きをおいて、外乱磁界が磁気抵抗素子１２に直接印加されないように、磁気抵抗素子１２から離れた位置に空隙４０が設けられている。
【００４５】
次に、本実施形態に係る磁気シールド体１の効果について説明する。本実施形態では、図３及び図４に示された磁気シールド体１が構成されていることが特徴となっている。特に、第１磁気シールド部２０では、第２板部２２の第２側面２８ａ、２８ｂが第１板部２１の第１側面２５ａ、２５ｂに対して垂直に配置されている。このため、第１磁気シールド部２０によって第２側面２８ａ、２８ｂの２方向を含めた５方向からの外乱磁界の浸入を抑制することができる。
【００４６】
また、第２磁気シールド部３０では、第３板部３１の第３上面３３によって、第１磁気シールド部２０では遮蔽することができない方向すなわち第１磁気シールド部２０の第１上面２４とは反対側からの外乱磁界の浸入を抑制することができる。もちろん、第３側面３４ａ、３４ｂによって第１側面２５ａ、２５ｂと同じ２方向からの外乱磁界を遮蔽することができる。したがって、磁気シールド体１において、６方向の全ての方向からの外乱磁界の浸入を抑制することができる。本実施形態では、実用上、１０ｍＴの磁界中での使用が可能となる。
【００４７】
特に、バスバー２が強い外乱磁界及び高周波交流電流を扱う場合、例えばバスバー２が３相交流モータを駆動する電流を流すものである場合、電流センサ１０が隣のバスバー２で発生した外乱磁界の影響を受けることが考えられる。しかしながら、本実施形態に係る磁気シールド体１によって６方向の全てからの外乱磁界を遮蔽できるので、高周波交流電流を扱う状況においても外乱磁界に対するシールド効果を発揮することができる。
【００４８】
また、本実施形態では、第１側面２５ａ、２５ｂと第２側面２８ａ、２８ｂとを垂直に配置し、第１側面２５ａ、２５ｂと第３側面３４ａ、３４ｂとを平行に配置しているので、磁気シールド体１の全体形状を立方体形状にすることができる。このため、磁気シールド体１の全体の大きさを最小にすることができる。
【００４９】
ここで、本実施形態では、第２側面２８ａ、２８ｂには当該第２側面２８ａ、２８ｂの一部が突出した突出部２９が設けられているので、当該第２側面２８ａ、２８ｂにおいて外乱磁界を遮蔽するための遮蔽部分を増やすことができる。したがって、外乱磁界に対する磁気シールド効果を向上させることができる。
【００５０】
また、磁気シールド体１は、各側面の間等に空隙４０を有している。信号取り出し等の理由により空隙４０を完全に無くすことはできないが、上述のように空隙４０に位置する空気が外乱磁界を弱める抵抗として機能する。このため、第１磁気シールド部２０及び第２磁気シールド部３０を構成する第１平板状部材２３、第２平板状部材２６、及び第３平板状部材３２の板厚をそれぞれ薄くすることができるというメリットがある。
【００５１】
さらに、本実施形態では、第１磁気シールド部２０及び第２磁気シールド部３０は複数の薄板（平板状部材２３、２６、３２）が互いに絶縁されて積層されていることが特徴となっている。これにより、図７（ａ）に示されるように、各平板状部材２３、２６、３２の板厚の二乗に比例して発生する渦電流損が薄板毎に小さく分割される。したがって、図７（ｂ）に示されるように、３枚分の板厚を有する１枚の平板状部材を用いるよりも第１磁気シールド部２０及び第２磁気シールド部３０の発熱を抑制することができる。
【００５２】
上述のように、バスバー２が高周波交流電流を扱う場合には隣のバスバー２からの外乱磁界の影響が大きいが、磁気シールド体１が複数の薄板で構成されることで渦電流損による発熱を抑制することができる。このため、磁気シールド体１の発熱によって電流センサ１０や磁気抵抗素子１２の特性変動に影響を及ぼさないようにすることができる。
【００５３】
（他の実施形態）
上記各実施形態で示された磁気シールド体１の構成は一例であり、上記で示した構成に限定されることなく、本発明を実現できる他の構成とすることもできる。例えば、上記の実施形態では、磁気シールド体１は立方体をなしていたが、これは磁気シールド体１の形状の一例である。したがって、各面が互いに平行であったり、垂直になっていなくても良い。
【００５４】
具体的には、第１側面２５ａ、２５ｂは互いに対向していれば良い。第２側面２８ａ、２８ｂ及び第３側面３４ａ、３４ｂについても同様である。また、第１磁気シールド部２０については、第１上面２４と第２上面２７とが互いに接触すると共に、第１側面２５ａ、２５ｂと第２側面２８ａ、２８ｂとが互いに隣り合うように、第１板部２１と第２板部２２とが重ねられていれば良い。第２磁気シールド部３０については、複数の第３板部３１の第３上面３３が互いに接触すると共に第３側面３４ａ、３４ｂが互いに接触するように、複数の第３板部３１が重ねられていれば良い。この場合、収容空間４については、第３上面３３が第１上面２４及び第２上面２７のうち第３上面３３側と対向すると共に、第３側面３４ａ、３４ｂが第１側面２５ａ、２５ｂ及び第２側面２８ａ、２８ｂのうちのいずれか一方と隣り合うように、第１磁気シールド部２０と第２磁気シールド部３０とが組み合わされて形成されることとなる。
【００５５】
ここで、第１磁気シールド部２０と第２磁気シールド部３０とを組み合わせる際には、第１側面２５ａ、２５ｂと第３側面３４ａ、３４ｂとを隣り合わせるだけでなく、第２側面２８ａ、２８ｂと第３側面３４ａ、３４ｂとを隣り合わせても良い。
【００５６】
また、第２側面２８ａ、２８ｂに設けられた突出部２９や第３上面３３に設けられた突出部３５の形状は、図３及び図４に示された形状に限られず適宜設定できる。すなわち、第２側面２８ａ、２８ｂの一部や第３上面３３の一部を突出させれば、当該突出させた部分に外乱磁界に対する遮蔽効果を生じさせることができる。
【００５７】
空隙４０については、どのように設定されても構わない。上記の実施形態では、各側面の間に空隙４０が設けられていたが、これは空隙４０を設けた一例である。例えば第１側面２５ａ、２５ｂと第２側面２８ａ、２８ｂは接触していても良いし、第３側面３４ａ、３４ｂは第１側面２５ａ、２５ｂ及び第２側面２８ａ、２８ｂのうちいずれか一方と接触していても良い。
【００５８】
さらに、上記の実施形態では、第１磁気シールド部２０及び第２磁気シールド部３０はそれぞれ３枚の薄板でそれぞれ構成されていたが、第１磁気シールド部２０及び第２磁気シールド部３０で薄板の枚数を同じにする必要はない。また、磁気抵抗素子１２が受ける磁界の強さに応じて第１磁気シールド部２０の第１板部２１及び第２板部２２の枚数及び第２磁気シールド部３０の第３板部３１の枚数を決定しても良い。
【符号の説明】
【００５９】
４                収容空間
１２              磁気抵抗素子
２０、３０        第１、第２磁気シールド部
２１、２２、３１  第１〜第３板部
２３、２６、３２  第１〜第３平板状部材
２４、２７、３３  第１〜第３上面
２５ａ、２５ｂ    第１側面
２８ａ、２８ｂ    第２側面
３４ａ、３４ｂ    第３側面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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