(57)【要約】【課題】フォトリソグラフィーによるパターニング手法を利用しつつ、メタルマスク等を用いた真空一貫で形成した有機ＥＬ素子と同等の素子特性を有する有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】第一電極上に有機化合物層を形成する有機化合物層の形成工程と、前記有機化合物層上に犠牲層を形成する犠牲層の形成工程と、前記犠牲層上に水溶性高分子からなる中間層を形成する中間層の形成工程と、前記犠牲層と前記有機化合物層とをパターニングする加工工程と、前記犠牲層を除去する犠牲層の除去工程と、を有し、前記犠牲層の除去工程が、前記犠牲層と極性溶剤とを接触させる接触工程を複数回行う工程である有機ＥＬ表示装置の製造方法。【選択図】図２
2014011083.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一電極と第二電極と、前記第一電極と前記第二電極との間に配置されている有機化合物層と、からなる有機ＥＬ素子を複数有し、前記有機化合物層が所定の形状にパターニングされている有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
第一電極上に有機化合物層を形成する有機化合物層の形成工程と、
前記有機化合物層上に犠牲層を形成する犠牲層の形成工程と、
前記犠牲層上に水溶性高分子からなる中間層を形成する中間層の形成工程と、
前記犠牲層と前記有機化合物層とをパターニングする加工工程と、
前記犠牲層を除去する犠牲層の除去工程と、を有し、
前記犠牲層の除去工程が、前記犠牲層と極性溶剤とを接触させる接触工程を複数回行う工程であることを特徴とする、有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記犠牲層と前記極性溶剤との一回目の接触により得られる溶液に含まれる前記犠牲層の構成材料の濃度よりも、前記犠牲層と前記極性溶剤との二回目以降の接触により得られる溶液に含まれる前記犠牲層の構成材料の濃度の方が低いことを特徴とする、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項３】
二回目以降の接触工程に使用される前記極性溶媒には前記犠牲層の構成材料が含まれないことを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記極性溶媒が、水と、水と混和する極性を有する化合物と、の混合溶媒であることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記極性溶媒として、異なる組成比の混合溶媒を用いることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項６】
表示装置と、メモリと、ＣＰＵと、操作部と、を備える電子機器であって、
前記表示装置は、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法により製造された有機ＥＬ表示装置であることを特徴とする、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に知られている有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）を搭載した表示装置とは、有機ＥＬ素子を単数あるいは複数有する画素を所定のパターンで配列してなる装置である。またこの画素により、表示装置内の表示領域は二次元的に高精細に分割されている。ここでこの画素に含まれる有機ＥＬ素子は、例えば、赤、緑又は青のいずれかの光を出力する電子素子である。有機ＥＬ素子を搭載した表示装置は、所望の色を出力する有機ＥＬ素子を所望の発光強度で駆動させることでフルカラーの画像を得ている。
【０００３】
このような状況の中、フォトリソプロセスによって高精細化された有機ＥＬ素子を有する表示装置を作製する方法が提案されている。特許文献１では、発光層上にフォトレジストが直接成膜される方法が提案されている。この方法を採用する場合、使用されるフォトレジストには、一般に光開始剤や架橋剤等が多く含まれている。ここで光開始剤や架橋剤等は、少なくとも現像液に対する不溶性を変化させるための材料である。特許文献２では、有機化合物層上に水溶性材料からなる中間層を設け、この中間層上でフォトリソグラフィーを行って有機化合物層のパターニングを行う方法が提案されている。ここで発光層上に形成され中間層を構成する水溶性高分子は一般に絶縁性である。また、特許文献３には、水溶性高分子を剥離層として用いてこの剥離層ごとフォトレジストを剥離する技術が提案されている。また、特許文献４では有機化合物層上に残ったフォトレジスト残渣をＥＬ層（有機化合物層）の表面を溶媒（クロロベンゼン、酢酸エチル等）で洗浄し、基板を回転させて乾燥させるスピン乾燥法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３８３９２７６号公報
【特許文献２】特許第４５０７７５９号公報
【特許文献３】特許第４５４４８１１号公報
【特許文献４】特許第４７３６９２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上述したレジスト、中間層、剥離層等は一般に絶縁性である。このため、これらの層の一部が残渣として有機ＥＬ素子を構成する発光層等の表面に残ったままになると、その残渣が抵抗となって有機ＥＬ表示装置内に含まれる有機ＥＬ素子の素子特性が著しく悪化する。このため、フォトリソグラフィー法を用いた有機化合物層のパターニングを行う際には、上述したレジスト、中間層、剥離層等の残渣が、発光層等の表面に残らないよう除去する必要がある。しかし、レジスト、中間層、剥離層等の構成材料として高分子材料を使用した場合、一般にこれを十分に除去するのは困難であり、除去しきれない高分子材料の残渣が多少なりとも装置内に残存してしまう。これは、高分子材料が非常に多くのモノマーが結合してなるものであるから、一度膜表面に付着するとこの膜表面と高分子鎖との分子間相互作用により、高分子材料の膜表面との吸着が発生することに起因する。この吸着によって高分子鎖の一部が膜表面から離れても、高分子鎖の全てが膜表面から離れない限り膜表面に再付着する確率が高く、高分子材料の残渣は容易に除去できないと考えられる。従って、従来は、フォトリソプロセスを利用したパターニングにより作製された有機ＥＬ表示装置に含まれる有機ＥＬ素子の素子特性は、メタルマスク等を用いて、真空一貫でパターン状に形成された有機ＥＬ素子の素子特性よりも劣るという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものである。本発明の目的は、フォトリソグラフィーによるパターニング手法を利用しつつ、メタルマスク等を用いた真空一貫で形成した有機ＥＬ素子と同等の素子特性を有する有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、第一電極と第二電極と、前記第一電極と前記第二電極との間に配置されている有機化合物層と、からなる有機ＥＬ素子を複数有し、前記有機化合物層が所定の形状にパターニングされている有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
第一電極上に有機化合物層を形成する有機化合物層の形成工程と、
前記有機化合物層上に犠牲層を形成する犠牲層の形成工程と、
前記犠牲層上に水溶性高分子からなる中間層を形成する中間層の形成工程と、
前記犠牲層と前記有機化合物層とをパターニングする加工工程と、
前記犠牲層を除去する犠牲層の除去工程と、を有し、
前記犠牲層の除去工程が、前記犠牲層と極性溶剤とを接触させる接触工程を複数回行う工程であることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、フォトリソグラフィーによるパターニング手法を利用しつつ、メタルマスク等を用いた真空一貫で形成した有機ＥＬ素子と同等の素子特性を有する有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の製造方法で製造される有機ＥＬ表示装置の例を示す断面模式図である。
【図２】本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法における第一の実施形態を示す断面模式図である。
【図３】化合物１と化合物Ａ２とにおけるエッチング時間に対する膜厚変化を示すグラフである。
【図４】所定の芳香族炭化水素化合物と所定の複素環化合物のイソプロピルアルコール水溶液に対する溶解度を示すグラフである
【図５】スピン乾燥法を利用した犠牲層の除去プロセスを示す模式図である。
【図６】スピン乾燥法によるエッチングの通算時間と犠牲層の膜厚との関係を示すグラフである。
【図７】スピン乾燥法実施後における犠牲層表面でのＴＯＦ−ＳＩＭＳ表面分析におけるＣＮＯのシグナル強度の変化を示すグラフである。
【図８】ディッピング法を利用した犠牲層の除去プロセスを示す模式図である。
【図９】ディッピング法によるエッチングの通算時間と犠牲層の膜厚との関係を示すグラフである。
【図１０】本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法における第二の実施形態を示す断面模式図である。
【図１１】デジタルカメラシステムのブロック図を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の製造方法は、第一電極と第二電極と、前記第一電極と前記第二電極との間に配置されている有機化合物層と、からなる有機ＥＬ素子を複数有し、前記有機化合物層が所定の形状にパターニングされている有機ＥＬ表示装置を製造する製造方法である。
【００１１】
また本発明の製造方法は、少なくとも下記に示す工程（Ａ）乃至（Ｅ）を有している。
（Ａ）第一電極上に有機化合物層を形成する有機化合物層の形成工程
（Ｂ）有機化合物層上に犠牲層を形成する犠牲層の形成工程
（Ｃ）犠牲層上に水溶性高分子からなる中間層を形成する中間層の形成工程
（Ｄ）犠牲層と有機化合物層とをパターニングする加工工程
（Ｅ）犠牲層を除去する犠牲層の除去工程
【００１２】
本発明において、犠牲層の除去工程（工程（Ｅ））は、犠牲層と極性溶剤とを接触させる接触工程を複数回行う工程である。
【００１３】
本発明において、犠牲層は、好ましくは、電荷輸送性の有機化合物からなる蒸着膜であり、かつ極性溶媒に可溶な薄膜層である。一般的に、有機ＥＬ素子を構成する有機化合物層に含まれている材料は極性溶媒に対する溶解度が小さい。従って、工程（Ｅ）において使用される極性溶媒は、有機化合物層をほとんど溶かすことなく、犠牲層を選択的に溶かすことが可能となる。さらに、工程（Ｅ）を行った後に有機化合物層の表面に犠牲層が残存したとしても、犠牲層の構成材料が電荷輸送性の有機化合物であるため、その上に第二電極等の有機ＥＬ素子を構成する層・部材を形成したとしても、電荷の流れを妨げることがない。尚、本発明においては、上記工程（Ｅ）（犠牲層の除去工程）の後に、アルカリ金属を含む層を形成する工程をさらに有するのが好ましい。
【００１４】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。尚、以下の説明において、特に図示又は記載がない部分に関しては、当該技術分野の周知技術又は公知技術を適用することができる。また以下に説明する実施形態は、あくまでも本発明の実施形態の一つにすぎず、本発明はこれらに限定されるものではない。また本発明の趣旨を逸脱しない限り、以下に説明する実施形態を適宜組み合わせてもよい。
【００１５】
［有機ＥＬ表示装置］
図１は、本発明の製造方法で製造される有機ＥＬ表示装置の例を示す断面模式図である。図１の有機ＥＬ表示装置１は、基板１０上に、三種類の副画素、即ち、第一副画素２０ａと、第二副画素２０ｂと、第三副画素２０ｃと、が設けられている。ここで第一副画素２０ａと、第二副画素２０ｂと、第三副画素２０ｃと、により、１組の画素が構成されている。尚、図１の有機ＥＬ表示装置１には、第一副画素２０ａと、第二副画素２０ｂと、第三副画素２０ｃと、からなる１組の画素が示されているが、実際の有機ＥＬ表示装置では、支持基板１０上に複数の画素がマトリックス状に配置されている。
【００１６】
また、図１の有機ＥＬ表示装置１において、各副画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）は、それぞれ第一電極２１と、有機化合物層２２と、電荷輸送層２３と、電荷注入・輸送層２４と、第二電極２５と、を有する。
【００１７】
第一電極２１（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）は、支持基板１０上に設けられる電極層（下部電極）であり、副画素ごとに個別に設けられている。また第一電極２１ａ、２１ｂ、２１ｃは、トランジスタ等のスイッチング素子（不図示）と電気接続されている。
有機化合物層２２（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）は、所定の有機化合物からなる単層あるいは複数層からなる積層体である。尚、有機化合物層２２ａ、２２ｂ、２２ｃには、少なくとも、赤色、緑色、青色等のいずれか一色の光を出力させるための発光層（不図示）を有している。
【００１８】
電荷注入・輸送層２４は、第二電極２５から注入される正孔又は電子を有機化合物層２２に注入・輸送するために設けられる。尚、図１の有機ＥＬ表示装置１では、電荷注入・輸送層２４は、各副画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）に共通する層として設けられているが、本発明はこれに限定されるものではない。つまり、電荷注入・輸送層２４は、副画素ごとに個別に設けてもよい。
【００１９】
図１の有機ＥＬ表示装置１では、第二電極２５（上部電極）は、電荷注入・輸送層２４と同様に各副画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）に共通する層として設けられているが、本発明はこれに限定されるものではない。つまり、第二電極２５は、副画素ごとに個別に設けてもよい。
【００２０】
［有機ＥＬ表示装置の製造方法］
次に、互いに異なる色を表示する３種類の副画素を備える図１の有機ＥＬ表示装置の製造方法を具体例として、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。
【００２１】
上述したように、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、少なくとも下記に示す工程（Ａ）乃至（Ｅ）を有している。
（Ａ）第一電極上に有機化合物層を形成する有機化合物層の形成工程
（Ｂ）有機化合物層上に犠牲層を形成する犠牲層の形成工程
（Ｃ）犠牲層を所定の形状に加工する犠牲層の加工工程
（Ｄ）犠牲層の加工工程において加工された犠牲層に被覆されていない領域の有機化合物層を除去する有機化合物層の加工工程
（Ｅ）犠牲層の除去工程
【００２２】
図２は、図１の有機ＥＬ表示装置の製造プロセスの一例を示す断面概略図である。また図２は、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法における第一の実施形態を示す断面模式図でもある。図１の有機ＥＬ表示装置を製造する際には、例えば、以下の工程により有機ＥＬ表示装置を製造する。
（１）第一電極の形成工程（図２（ａ））
（２）有機化合物層の形成工程（図２（ｂ））
（３）犠牲層の形成工程（図２（ｂ））
（４）第一中間層の形成工程（図２（ｃ））
（５）感光性樹脂層の形成工程（図２（ｄ））
（６）感光性樹脂層の加工工程（図２（ｅ））
（７）犠牲層の加工工程（図２（ｆ））
（８）有機化合物層の加工工程（図２（ｇ））
（９）感光性樹脂層の除去工程（図２（ｍ））
（１０）犠牲層の除去工程（図２（ｎ））
（１１）電荷注入・輸送層の形成工程（図２（ｏ））
（１２）第二電極の形成工程（図２（ｐ））
【００２３】
ただし、上記（１）乃至（１１）の工程はあくまでも具体例であり、本発明は、この態様に限定されるものではない。尚、図１の有機ＥＬ表示装置１は、発光色が異なる３種類の副画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）をそれぞれ作製する必要があるため、（１）の工程を行った後は、（９）の工程を行う前に、（２）乃至（８）の工程を合計で３回行う必要がある。例えば、ます第一副画素２０ａに含まれる有機化合物層２２ａを（２）乃至（８）の工程で形成する（図２（ｇ））。そして、第二副画素２０ｂに含まれる有機化合物層２２ｂを（２）乃至（８）の工程で形成した後（図２（ｈ）〜図２（ｉ））、第三副画素２０ｃに含まれる有機化合物層２２ｃを（２）乃至（８）の工程で形成する（図２（ｊ）〜図２（ｋ））。
【００２４】
次に、上記（１）乃至（１１）の工程についてそれぞれ具体的に説明する。
【００２５】
（１）第一電極の形成工程（図２（ａ））
まず支持基板１０上に第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）を形成する（図２（ａ））。支持基板１０は、ガラス基板等の公知の基板を選択することができる。第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）は、公知の電極材料からなる電極層であり、光の取り出し方向に対応してその構成材料を適宜選択する。トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置を作製する場合は、第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）を反射電極とし、後述する第二電極２５を光透過性電極とする。一方、ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置を作製する場合は、第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）を光透過性電極とし、第二電極２５を反射電極とする。
【００２６】
反射電極として第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）を形成する場合、第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）の構成材料として、好ましくは、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等の金属材料である。これら金属材料の中でも反射率が高い材料は、光取り出し効率をより向上させることができるのでより好ましい。反射電極は、例えば、スパッタリング等の公知の方法で上記金属材料の薄膜を成膜し、フォトリソグラフィー等を用いて所望の形状に加工することで、副画素ごとに別個に形成される。尚、上記金属材料からなる薄膜上には、当該薄膜の保護あるいは仕事関数の調節等の理由により、酸化インジウム錫や酸化インジウム亜鉛等の光透過性を有する酸化物半導体からなる層をさらに設けてもよい。また、第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）を形成する際には、メタルマスクを使用した蒸着を利用してもよい。メタルマスクを使用した蒸着を行った場合でも、第一電極２１ａ、２１ｂ、２１ｃは、副画素ごとに別個に形成される。
【００２７】
光透過性電極として第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）を形成する場合、第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）の構成材料としては、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛等の光透過性を有する酸化物半導体が挙げられる。
【００２８】
（２）有機化合物層の形成工程（図２（ｂ）等）
有機化合物層２２（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）は、有機ＥＬ表示装置の構成部材であって、少なくとも発光層を含む単層又は複数の層からなる積層体である。有機化合物層２２に含まれる発光層以外の層としては、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層が挙げられる。ただし本発明はこれらに限定されるものではない。ここで発光層に接する層は、電荷輸送層（正孔輸送層、電子輸送層）であってもよいし、電荷ブロック層（電子ブロック層、正孔ブロック層）であってもよい。
【００２９】
また第一電極２１に対する有機化合物層２２の具体的構成については、第一電極２１が有機化合物層２２へ向けて注入するキャリアの種類に応じて適宜設定すればよい。即ち、第一電極２１から正孔が注入される場合では、第一電極２１側に正孔を注入・輸送する層（正孔注入層、正孔輸送層）が設けられる一方で、第二電極２５側に電子を注入・輸送する層（電子注入層、電子輸送層）が設けられる。反対に、第一電極２１から電子が注入される場合では、第一電極２１側に電子を注入・輸送する層（電子注入層、電子輸送層）が設けられる一方で、第二電極２５側に正孔を注入・輸送する層（正孔注入層、正孔輸送層）が設けられる。
【００３０】
尚、有機化合物層２２は、発光効率の観点からアモルファス膜であることが好ましい。また光学干渉効果を得られるように、発光波長によって、各有機層の膜厚を適切に設計することが好ましい。
【００３１】
正孔注入層あるいは正孔輸送層又はその両方を設ける場合、正孔注入層、正孔輸送層の構成材料である正孔注入・輸送性材料は、特に限定されるものではないが少なくとも発光層の構成材料よりも仕事関数が小さく正孔輸送性が高い材料を用いることが好ましい。また正孔注入層、正孔輸送層は、正孔を輸送する機能に加えて、発光層から流れ込む電子をブロックする機能を付加させてもよい。また正孔注入層や正孔輸送層とは別に、発光層から流れ込む電子をブロックする機能を有する層（電子ブロック層）を正孔輸送層（あるいは正孔注入層）と発光層との間に挿入してもよい。
【００３２】
発光層に含まれる各色（赤色／緑色／青色）の有機発光材料として、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、縮合多環炭化水素化合物、複素環式芳香族化合物、複素環式縮合多環化合物、有機金属錯体化合物等及びこれらの単独オリゴ体あるいは複合オリゴ体を使用することができる。ただし本発明においては、上記材料に限定されるものではない。
【００３３】
尚、図１の有機ＥＬ表示装置を製造する際に、第一電極２１ａ、２１ｂ、２１ｃにそれぞれ設けられる３種類の有機化合物層２２ａ、２２ｂ、２２ｃに含まれる発光層の発光色は、それぞれ青色、赤色、緑色と異なっている。また発光色の組み合わせは特に限定されない。
【００３４】
正孔ブロック層の構成材料としては、発光層から陰極方向へ正孔が漏れるのを防止するためのエネルギー障壁を有し、かつ電子輸送性を有する材料であれば特に限定されるものではない。
【００３５】
本発明では、有機化合物層のパターニング後に行う犠牲層の除去工程で、犠牲層を選択的にエッチングする必要がある。そこで、有機化合物層の形成工程にて形成される有機化合物層２２の全体が、犠牲層よりも極性溶媒に対して溶解度が低い材料からなる層とするのが好ましい。ここで有機化合物層２２とは、少なくとも発光層を有し、さらに正孔ブロック層、電子ブロック層、電荷輸送層（正孔輸送層、電子輸送層）又は電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）から選択される層を含んでいても良い。ここで、極性溶媒に対して溶解度が低い材料とは、具体的には、ｍ−ターフェニル基を有さない縮合多環炭化水素化合物である。
【００３６】
ここで縮合多環炭化水素化合物とは、炭化水素のみで構成された環状不飽和有機化合物である。より具体的には、少なくともベンゼン環等の芳香環の１辺が縮合されてなる縮合環を含む化合物である。縮合多環炭化水素化合物として、具体的には、ナフタレン、フルオレン、フルオランテン、クリセン、アントラセン、テトラセン、フェナントレン、ピレン、トリフェニレン等が挙げられる。
【００３７】
ただし、上記の縮合多環炭化水素化合物は、そのままでは熱安定性が低いため、有機化合物層の構成材料としては利用しにくい。従って、これらの縮合多環炭化水素化合物に置換基が付加された化合物が有機化合物層の構成材料として使用される。
【００３８】
ここで有機化合物層の、特に、その最上層の構成材料である化合物として、好ましくは、上記の縮合多環炭化水素化合物が単結合により複数結合されてなる有機化合物である。この有機化合物には、主骨格である縮合多環炭化水素化合物にメチル基、エチル基等のアルキル基が適宜置換されている化合物も含まれる。このような有機化合物は、主骨格中あるいは置換基中にヘテロ原子（Ｎ、Ｏ等）を有する化合物を含まないため、極性溶媒に対する溶解度が特に低い。
【００３９】
上記芳香族炭化水素化合物からなる層は電荷輸送性を有する。ここで電荷輸送性とは、電流を流すことができる特性をいう。具体的には、電子輸送層や正孔輸送層だけでなく、電子注入層、正孔注入層、ブロック層なども、電荷輸送性を有する層に含まれる。
尚、上記芳香族炭化水素化合物からなる層の成膜方法としては、真空蒸着法、スピンコート法、ディップコート法、インクジェット法等の既存の方法を用いることが可能である。有機ＥＬ表示装置の発光特性を考慮すると、成膜方法は真空蒸着法がより好ましい。
【００４０】
（３）犠牲層の形成工程（図２（ｂ）等）
犠牲層３０は、有機化合物層のパターニング工程から有機化合物層を保護するための層である。有機化合物層２２上に設けられる犠牲層３０は、単一の層であってもよいし、複数の層からなる積層体であってもよい。本発明では、犠牲層３０が単一の層からなる場合、この層は極性溶媒に可溶な材料からなる蒸着膜である。また犠牲層３０が複数の層からなる積層体である場合、当該積層体を構成する層のうち少なくとも最下層は、真空蒸着法によって成膜される低分子材料からなる層である。より具体的には、犠牲層３０の最下層は、極性溶媒に可溶な材料からなる蒸着膜である。これにより、極性溶媒を使用することで犠牲層３０を選択的に除去することが可能になる。また、本発明において犠牲層３０は、アモルファス膜であることが好ましい。
【００４１】
ここで犠牲層３０（又は少なくともその最下層）を、極性溶媒に可溶な材料を真空蒸着法によって形成する蒸着膜とする理由について説明する。
【００４２】
真空蒸着法は昇華性の高い化合物に対して適用される薄膜形成方法であるので、真空蒸着法にて成膜される材料は、自ずと昇華性を有する低分子化合物に限定される。昇華性の高い化合物とは、具体的には、１０-4Ｐａ〜１０-5Ｐａの圧力下で、４００℃以下の温度で昇華する化合物である。また蒸着膜に含まれる化合物の分子量は、高分子材料と比較して小さいため、蒸着膜を構成する分子同士の相互作用（分子間力）が弱く、また、有機化合物層２２への吸着力も弱い。さらにアモルファス状態で形成された蒸着膜中の分子の状態、例えば、分子同士の配向はランダムである。このため、固体状態や結晶状態と比べると分子間距離は大きくなっており、分子がばらけて溶媒分子が入りやすい状態、即ち、溶けやすい状態になっている。よって、このような真空蒸着法によって形成された（有機化合物の）蒸着膜は、極性溶媒を含む溶剤に接触させることによって、表面からほぼ均一にエッチングされ除去することができる。
【００４３】
後述する犠牲層の除去工程において、犠牲層を除去するために使用される極性溶媒を用いることが好ましい。また犠牲層を除去するために使用される極性溶媒は、水と混和する有機溶媒と、水と、を混合した混合溶媒であることがより好ましい。水と混和する有機溶媒は複数種類使用してもよい。
【００４４】
ここで極性溶媒としては、有機系の極性溶媒であり、例えば、アルコール類、多価アルコール類、ケトン類、エステル類、ピリジン類、エーテル類等が挙げられる。ただし、後述の犠牲層の除去工程を行った後でこの除去工程で使用した溶剤を揮発させて除去する必要がある。このため、使用する有機溶媒の沸点は、少なくとも、有機化合物層２２に含まれる有機化合物の分解温度やガラス転位温度よりも低いことが好ましい。アルコール類を具体例とすると、炭素数が少ないアルコール類、例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等は沸点が低いので、好ましい。
【００４５】
極性溶媒に対する種々の化合物からなる膜のエッチングレートの違い、即ち、溶解性の違いが生じる要因としては、以下のように考えることができる。極性溶媒として列挙された化合物には分子中にヘテロ原子が必ず含まれており、このヘテロ原子が対象となる化合物分子の極性部位として機能する。そしてこの極性部位が犠牲層の構成材料に含まれる極性部位と相互作用を起こすことで、犠牲層の構成材料が極性溶媒に溶解される。またこの極性部位同士の相互作用は、種々の化合物の極性溶媒に対する溶解度に影響を与えている。以上を考慮すると、犠牲層３０の構成材料として用いられる化合物の構造を考慮しながら極性溶媒を適宜選択することで、極性溶媒からなる溶剤に対しする有機化合物層の溶解性よりも犠牲層の最下層の溶解性を高めることが可能である。
【００４６】
複素環式化合物では、炭素以外のヘテロ元素（Ｎ、Ｏ、Ｓ等）に電荷が極在化する。例えば、環内に窒素原子を有するピリジンは、当該窒素原子上にマイナスの電荷が局在化することで分子全体として極性を生じている。ここで水酸基（−ＯＨ）等のプラスの電荷が局在化する水素原子を含む（水と混和する）有機溶媒が介在しているとする。そうすると、複素環式化合物が有するマイナスの電荷が局在化する部位（Ｎ原子）と、極性溶媒分子に含まれるプラスの電荷が局在化する水素原子との間で水素結合が形成される。このように水素結合が形成されると、当該複素環式化合物は極性溶媒中に溶解する又は溶解し易くなる。
【００４７】
同様に、少なくともヘテロ原子（Ｎ，Ｏ、Ｓ等）を含むことで極性が生じている化合物は、縮合多環炭化水素化合物と比べて、極性溶媒に対する溶解性が向上する。
【００４８】
例えば、芳香族環に電子吸引性基又は電子供与性基が導入された化合物では、π電子の偏りが生じ分極が生じる。ここで電子吸引基の置換基を導入した場合では、この置換基上にマイナスの電荷が局在化することで極性が生じ、電子供与基の置換基を導入した場合では、この置換基上にプラスの電荷が局在化することで極性が生じる。この極性の発生によって極性溶媒の溶媒分子との相互作用が可能になるのでこの有機溶媒に対する溶解性が向上する。
【００４９】
一方、縮合環を持たない芳香族炭化水素化合物、具体的には、単結合によりベンゼン環同士が連結されている化合物は、分子自体の大きさが縮合多環炭化水素化合物と比較して小さい。このため、縮合多環炭化水素化合物に比べて極性溶媒に対する溶解性が向上する。例として、ｍ−ターフェニル構造を有する分子は、たがいに配向しにくい構造なため、結晶化しにくい構造である。このため、極性溶媒に対する溶解度はより大きくなる。
【００５０】
上記の考察のもと、本発明に用いる犠牲層に適した電荷輸送性を有しかつ溶解性の良好な材料として次のような化合物群のいずれかに属する化合物を用いることが好ましいが、上記考察に従うものであれば下記の例には限定されない。
【００５１】
ここで有機化合物層の構成材料と犠牲層の構成材料との極性溶媒に対する溶解度の差について説明する。具体例として、有機化合物層の構成材料として使用されるｍ−ターフェニル構造を有さない縮合多環炭化水素を有する化合物である下記化合物１と、犠牲層の構成材料として使用される下記化合物Ａ２とのエッチングレートについて説明する。
【００５２】
【化１】
2014011083.tif 000003
【００５３】
本発明では、エッチングレートが大きいということは溶解速度が速いことを意味する。そして、エッチングレートが大きいということは、対象材料を有する層の溶剤（極性溶媒）への溶解度が高いことを意味する。
【００５４】
図３は、化合物１と化合物Ａ２とにおけるエッチング時間に対する膜厚変化を示すグラフである。ここで図３は、極性溶媒からなる溶剤として、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）が６０重量％となるように、ＩＰＡと水とを混合して調製した混合溶媒（以下、ＩＰＡ／水混合溶剤と呼ぶことがある。）を用いた場合の各層のエッチングの結果を示している。
【００５５】
例えば、縮合多環炭化水素化合物である化合物１からなる層（Ａ層）は、エッチング時間を長くしても膜厚がほとんど減少しない。一方、複素環式化合物である化合物Ａ２からなる層（Ｂ層）は、時間を追うごとに膜厚が減少している。エッチング条件を同じにした上で各層のエッチングレートを算出すると、Ａ層では０．００８ｎｍ／ｓｅｃであるのに対して、Ｂ層では０．８７ｎｍ／ｓｅｃであり、その比は約１００倍である。
【００５６】
ここで有機化合物層（Ａ層に相当）と、犠牲層（Ｂ層に相当）と、における極性溶媒によるエッチングレートの比（ｎ）は、下記式のように示すことができる。
【００５７】
【数１】
2014011083.tif 000004
【００５８】
尚、上記式に記載されている有機化合物層には、正孔ブロック層、発光層、電子ブロック層、正孔輸送層等が含まれている。本発明において、ｎは、少なくとも１より大きいことが必要である。ｎは、好ましくは、１０よりも大きい（ｎ＞１０）。ここで上述の化合物１を有機化合物層の最上層に、化合物Ａ２を犠牲層（の最下層）にそれぞれ用いた場合、ｎは、約１００になる。このように、極性溶媒への溶解性を考慮して、有機化合物層の最上層の構成材料と犠牲層の（最下層の）構成材料とをそれぞれ選択すると、両層のエッチングレート比を大きくすることができる。これにより、極性溶媒を用いて犠牲層の選択的な除去が可能となる。従って、有機化合物層２２は、極性溶媒への溶出やこの溶媒の浸透等によるダメージから保護される。また、膜の端部が露出した場合、有機化合物層２２の端部が極性溶媒からなる溶剤により溶出するのを防ぐためにも、有機化合物層２２に含まれる全ての層に対して、少なくとも数１の式においてｎ＞１０となるような関係であることが好ましい。
【００５９】
上述したＩＰＡ／水混合溶剤においては、各層の構成材料となる化合物の溶解度は、混合溶剤に含まれるＩＰＡの重量比によって変化する。図４は、化合物１（縮合多環炭化水素化合物）と化合物Ａ２（複素環式化合物）とのＩＰＡ／水混合溶剤（極性溶媒）に対する溶解度を示したグラフである。ここで図４のグラフにおいて、横軸は、ＩＰＡ／水混合溶剤中のＩＰＡの重量パーセント濃度である。縦軸は、溶媒１グラム中に溶解する縮合多環炭化水素化合物又は複素環式化合物の量である。図４より、化合物１（縮合多環炭化水素化合物）は、ＩＰＡが８０重量％のＩＰＡ／水混合溶剤１ｇに対する溶解量が５μｇである一方で、化合物Ａ２（複素環式化合物）は、溶解量が７３μｇである。
【００６０】
また図４のグラフは、下記（ａ）及び（ｂ）を証明するグラフでもある。
（ａ）ＩＰＡ／水混合溶剤中のＩＰＡの濃度が濃すぎると、犠牲層の構成材料と有機化合物層の構成材料とが、共にＩＰＡ／水混合溶剤に対する溶解速度が速すぎてエッチングレート比（ｎ）が１に近い状況になること
（ｂ）（ａ）の場合において、水を添加してＩＰＡの濃度を薄くすることで各々の溶解速度を低下させつつエッチングレート比（ｎ）を大きくすることが可能であること
【００６１】
以上のように、極性部位の相互作用、水素結合、分子の大きさなど極性溶媒への溶解度を支配する因子を踏まえて犠牲層３０の構成材料を選定する。こうすることで、犠牲層３０の極性溶媒に対する溶解度を、隣接する有機化合物層を構成する層のいずれに対しても大きくすることができる。ただし、水以外の極性溶媒では、その種類・濃度によっては溶解度の差が大差にはならず、エッチングレート比が１に近づいてしまう可能性がある。
【００６２】
係る場合では、水と混合した極性溶媒にして用いるのが好ましい。具体的には、有機化合物層に対して犠牲層のエッチングレートがより大きくなるように水の含有量を適宜調節することが好ましい。よりこのましくは、有機化合物層中の最上層に位置する層と犠牲層のエッチングレート比（ｎ）が１０を超えるように水の含有量を適宜調節することである。これによってより選択的に犠牲層の除去が可能になり、有機ＥＬ表示装置の特性低下を防ぐことができる。
【００６３】
（４）第一中間層の形成工程（図２（ｃ）等）
犠牲層３０の上層には有機化合物層を保護するための層として水溶性高分子からなる第一中間層４０を形成する。
【００６４】
第一中間層４０の構成材料である水溶性材料としては、公知の材料の水溶性高分子、例えば、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、ポリビニルピロリドン、等が挙げられる。また第一中間層４０を形成する際には、公知のスピンコート法、ディップコート法、インクジェット法等の、既存の方法を用いることができる。ここで有機化合物層２２は水に溶解しない材料からなる層であるため、第一中間層４０を形成する際に有機化合物層２２が溶媒でエッチングされることがない。また、第一中間層４０の膜厚を厚く形成することにより、感光性樹脂層５０の溶媒で有機化合物層２２が溶解したり、有機化合物層２２の膜厚が減少したり、発光材料が溶出したりする等の影響をより軽減することができる。
【００６５】
（５）犠牲層の加工工程（図２（ｄ）〜（ｆ）等）
本発明において、犠牲層３０を所望の形状にパターニング（加工）する手段として、フォトリソグラフィー法を利用することができる。ここでフォトリソグラフィー法を利用した犠牲層の加工プロセス（犠牲層の加工工程）について説明する。
【００６６】
（ｉ）感光性樹脂層の形成・加工工程（図２（ｄ）〜（ｅ）等）
フォトリソグラフィー法を利用する場合では、まず犠牲層３０上に感光性樹脂層５０を設ける必要がある。感光性樹脂層５０の構成材料である感光性樹脂は、公知の材料を使用することができる。また感光性樹脂層５０の成膜方法としては、スピンコート法、ディップコート法、インクジェット法等、既存の方法を用いることができる。状況によっては蒸着法を利用することができる。
【００６７】
感光性樹脂層５０を形成した後、感光性樹脂層５０の加工を行う。ここで感光性樹脂層５０の加工工程は、感光性樹脂層への露光（露光工程）と感光性樹脂層の現像（現像工程）と、に分かれる。
【００６８】
ここで露光工程は、既存の光照射装置を用いることができる。尚、露光装置はマスクパターンの精細度に合わせたものを用いればよい。またこの露光工程を行う際には、露光する領域に開口を有するフォトマスク６０を使用する。尚、フォトマスクとしては、一般的に使用されるＣｒ薄膜からなる遮光領域を有するフォトマスクを使用することができる。一方、この露光工程において感光性樹脂層５０に照射する光として、紫外光や可視光を利用することができる。
【００６９】
ところで、露光工程を行う際には、感光性樹脂層５０の構成材料である感光性樹脂の性質を考慮して感光性樹脂層５０の露光領域を決めるのが望ましい。具体的には、ポジ型の感光性樹脂を使用する場合は、次の現像工程で感光性樹脂層５０を除去したい領域を露光領域とする。一方、ネガ型の感光性樹脂を使用する場合は、次の現像工程を行ったときに感光性樹脂層５０を残したい領域を露光領域とする。ここで図２（ｅ）は、ポジ型の感光性樹脂を使用する場合を示している。図２（ｅ）において、感光性樹脂層４０のうち紫外光６１に照射されている領域５２は、次の現像工程で除去される。一方、フォトマスク６０によって紫外光が遮られている領域５１は、後の犠牲層の加工工程や有機化合物層の加工工程において、所定の領域（第一副画素２０ａ）に設けられている有機化合物層２２ａを保護する役割を果たす。
【００７０】
現像工程を行う際には、感光性樹脂層５０の構成材料である感光性樹脂に適した現像液を用いればよい。
【００７１】
（ｉｉ）第一中間層の加工工程（図２（ｆ）等）
第一中間層４０の除去方法は特に限定されるものではないが、具体的には、ウェットエッチング、ドライエッチング等の既存の薄膜加工方法を用いることができる。ただし、溶媒によるサイドエッチングの影響が他よりも小さいドライエッチングが好ましい。
【００７２】
（ｉｉｉ）犠牲層の加工工程（図２（ｆ）等）
次に、犠牲層３０のうち感光性樹脂５０に被覆されていない領域を選択的に除去することで犠牲層３０の加工を行う。犠牲層３０の選択的な除去方法は特に限定されるものではないが、具体的には、ウェットエッチング、ドライエッチング等の既存の薄膜加工方法を用いることができる。ただし、溶媒によるサイドエッチングの影響が他よりも小さい点からドライエッチングが好ましい。
【００７３】
以上の説明では、犠牲層３０の加工手段として、フォトレジストを用いたフォトリソプロセスを利用しているが、犠牲層３０の加工方法はこれに限定されるものではない。例えば、インクジェット方式、印刷、レーザー加工等を利用して、犠牲層を所望の形状にパターニングしても構わない。本発明の製造方法では高精細メタルマスクを使わないので、ピクセルサイズを１０μｍ程度と高精細にすることが可能となる。従って、第５世代以降といった支持基板サイズの大きい有機ＥＬ表示装置の製造を実現することができる。
【００７４】
（６）有機化合物層の加工工程（図２（ｇ）等）
次に、犠牲層の除去工程と同様にして、有機化合物層２２のうち犠牲層３０に被覆されていない領域にある有機化合物層２２を選択的に除去する。尚、感光性樹脂層の形成・加工工程の後、犠牲層３０の加工工程と有機化合物層２２の加工工程とを、一括して行ってもよい。
【００７５】
以上のプロセスにより、有機化合物層を所定の副画素にのみ選択的に設けられるように形成することができる。また以上に説明した有機化合物層の形成工程から有機化合物層の加工工程までを副画素の種類の数だけ繰り返し行うことにより、各副画素において、その副画素にのみ所望の有機化合物層を選択的に形成することができる。
【００７６】
（７）第一中間層の除去工程（図２（ｍ））
次に、第一中間層４０（４１）を選択的に除去する（図２（ｍ））。第一中間層４０は水溶性高分子であるため、水に接触させることにより溶解除去することが可能である。同時に、第一中間層４０の上に残っている感光性樹脂層５０を一緒に除去することができる。前述したように、一旦溶解した第一中間層４０が犠牲層３０の表面に再付着するため、犠牲層３０の表面から高分子材料である第一中間層４０の残渣を完全に除去することは難しい。
【００７７】
（８）犠牲層の除去工程（図２（ｎ））
次に、犠牲層３０を除去する（図２（ｎ））。犠牲層３０の除去工程は、具体的には、上述した有機化合物層の加工工程の後、犠牲層３０が残存している基板１０と極性溶媒とを接触させる工程である。本発明において、極性溶媒は、上述した有機系の極性溶媒が挙げられる。ただし、極性溶媒は、純粋な溶媒に限定されず、水と混合してなる混合溶媒も含まれる。ここで犠牲層３０が残存している基板１０を極性溶媒に接触させると、犠牲層３０は、基板１０の反対側より順に溶解される。
【００７８】
犠牲層３０は、有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）の加工（パターニング）が完了した後で、かつ犠牲層３０より上の層が除去された後に除去するのが特に好ましい。プロセス中に、犠牲層３０より上に設けられるレジスト層５１等の層やレジスト現像液や剥離液等に含まれる不純物が、有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）に混入し、素子特性が低下するのを回避できるからである。
【００７９】
犠牲層３０と極性溶媒とが接触すると、犠牲層３０が溶解するとともに犠牲層３０上に残存する第一中間層４０の残渣が一緒に溶出する。この後基板１０に接触する極性溶媒を基板１０から離すことにより極性溶媒に溶解した犠牲層３０（の少なくとも一部）や第一中間層４０の残渣等が極性溶媒と共に基板１０から離れることになる。しかし、犠牲層３０と極性溶媒との接触工程を一回行っただけでは、第一中間層４０の残渣は残された犠牲層３０上に再付着することがある。よって第一中間層４０の残渣を十分に取り除くためには、犠牲層３０と極性溶媒との接触工程を少なくとも２回以上行うことが必要になる。これによって犠牲層３０を基板１０上から除去しつつ、段階的に第一中間層４０の構成材料である水溶性高分子の残渣を減らすことができる。
【００８０】
犠牲層３０と極性溶媒とを接触させる方法としては、例えば、下記（ｉ）及び（ｉｉ）に示す方法がある。
（ｉ）極性溶媒を、犠牲層３０が残存している基板１０上に滴下した後、基板１０を回転させて犠牲層３０の構成材料を溶解した極性溶媒を飛ばす方法（スピン乾燥法）
（ｉｉ）犠牲層３０が残存している基板１０を、極性溶媒が収容されている容器内に投入し、一定時間基板１０を極性溶媒内に浸漬して基板１０上に残存する犠牲層３０（の少なくとも一部）を溶解・除去する方法（ディッピング法）
【００８１】
図５は、スピン乾燥法を利用した犠牲層３０の除去プロセスを示す模式図である。
【００８２】
スピン乾燥法は、まず犠牲層３０上に極性溶媒８１を滴下（図５（ｂ））し、所定時間保持（図５（ｃ））した後、基板１０を回転させて極性溶媒８１を飛ばし、またこの回転を利用して基板１０を乾燥させる（図５（ｄ））。スピン乾燥法は、図５（ａ）乃至（ｄ）に示されるプロセスを１つのサイクルとして、通常複数回行われる。そして、このサイクルを犠牲層３０が基板１０上から完全に除去されるまで繰り返す。尚、複数回行われるサイクルにおいて使用される極性溶媒８１は、毎回同じであってもよいし、一部又は毎回異なる組成比の混合溶媒を用いてもよい。
【００８３】
図６は、スピン乾燥法によるエッチングの通算時間と犠牲層の膜厚との関係を示すグラフである。尚、図６のグラフにおいて、犠牲層３０の構成材料として化合物Ａ２が用いられており、極性溶媒としてＩＰＡ６０重量％水溶液が用いられている。また、図６中に示される４点のプロットは、左から、スピン乾燥法によるプロセスを０回、２回、４回、６回繰り返したデータを示している。図６から、スピン乾燥法によるプロセスを繰り返し行うことにより犠牲層３０の膜厚は一定量ずつ減少し、６回以上サイクルを繰り返すことで膜厚４０ｎｍの犠牲層３０が除去できることが分かる。図６に示されるグラフは、あくまでも具体例ではあるが、図６に示される定量的な犠牲層３０の減少傾向を利用して、スピン乾燥法によるプロセスの繰り返し回数を決定することができる。
【００８４】
スピン乾燥法を利用する場合は、極性溶媒を基板に滴下する吐出部を有する装置を用意する必要がある。ここで吐出部の形状については特に限定するものではないが、ノズル、スプレーノズル、スリットノズル、シャワーノズル等が好ましい。またスピン乾燥法を利用する場合において、吐出部から極性溶媒を吐出する際に、基板１０は、静止させてもよいし回転させてもよい。
【００８５】
ところで、スピン乾燥法を利用する場合は、使用する極性溶媒に犠牲層３０の構成材料等が溶解していないのが好ましい。これにより、スピン乾燥法による犠牲層３０の除去プロセスを繰り返すことで犠牲層３０上に存在し得る残渣が減少していく。
【００８６】
図７は、スピン乾燥法実施後における犠牲層表面でのＴＯＦ−ＳＩＭＳ表面分析におけるＣＮＯのシグナル強度の変化を示すグラフである。図７は、犠牲層３０上に水溶性高分子であるポリビニルピロリドンの残渣が存在する場合における測定結果である。ポリビニルピロリドンにはピロリドン由来のＣＮＯフラグメントのイオン強度がＴＯＦ−ＳＩＭＳ分析によって特異的に検出できるので、これを指標にして犠牲層３０の表面に残留するポリビニルピロリドンの残渣の減少挙動を確認することが可能である。図７で示すように、スピン乾燥法による犠牲層３０のエッチングを複数回繰り返していくことで、ポリビニルピロリドンの特異ピークであるＣＮＯフラグメントのイオン強度が段階的に減少していくことが分かる。図７によれば、エッチングを５回乃至６回で比較サンプルの蒸着膜表面と同レベルまで減少させることができる。この結果から、犠牲層３０上に設けられる第一中間層４０の残渣は、エッチングを繰り返すことで定量的に減少していくものの、少なくとも１回では残渣を十分に除去できないことが分かる。
【００８７】
図８は、ディッピング法を利用した犠牲層３０の除去プロセスを示す模式図である。
【００８８】
ディッピング法とは、極性溶媒を収容した容器内に基板１０を投入して、一定時間基板１０を極性溶媒内に浸漬した後、基板１０を容器から取り出す方法である。基板１０が極性溶媒に浸漬される際に、犠牲層３０（の少なくとも一部）が溶出する。このとき極性溶媒に含まれる犠牲層３０と共に溶解し得る第一中間層４０を構成する水溶性高分子材料の濃度が有機ＥＬ表示装置の特性を悪化させない濃度であれば、ディッピング法に使用される極性溶媒は再利用することが可能である。
【００８９】
ディッピング法は、例えば、以下に説明する方法で行われる。即ち、犠牲層３０が残存する基板１０を、極性溶媒８５が収容されている第一容器８４上にセッティングした（図８（ａ））後、第一容器８４内に収容されている極性溶媒８５に基板１０を浸漬させる（図８（ｂ））。次に、基板１０を第一容器８４から取り出した後、第二容器８６内に収容されている極性溶媒８５に基板１０を投入する（図８（ｃ））。次に、基板１０を第二容器８６から取り出した後、第三容器８７内に収容されている極性溶媒８５に基板１０を投入する（図８（ｄ））。本発明において、図８に示されるディッピング法は、基板の浸漬・取り出しからなるプロセスを少なくとも２回行う必要がある。尚、容器（８４、８６、８７）内に収納される極性溶媒８５は、それぞれ組成比が同じ混合溶媒であってもよいし、組成比が一部又は全て異なる混合溶媒を用いてもよい。
【００９０】
図９は、ディッピング法によるエッチングの通算時間と犠牲層の膜厚との関係を示すグラフである。尚、図９のグラフにおいて、犠牲層３０の構成材料として化合物Ａ２が用いられており、極性溶媒としてＩＰＡ６０重量％水溶液が用いられている。また、図９中に示される６点のプロットは、左から、ディッピング法によるプロセスを０回、１回、２回、３回、４回、６回繰り返したデータを示している。図９から、ディッピング法によるプロセスを繰り返し行うことにより犠牲層３０の膜厚は一定量ずつ減少し、１１回以上プロセスを繰り返すことで膜厚４０ｎｍの犠牲層３０が除去できることが分かる。図９に示されるグラフは、あくまでも具体例ではあるが、図９に示される定量的な犠牲層３０の減少傾向を利用して、ディッピング法によるプロセスの繰り返し回数を決定することができる。尚、ディッピング法を用いて犠牲層３０を除去した場合では、後の工程で基板１０を回転させたり、窒素ブローを行ったりして基板１０の乾燥を行うのが好ましい。
【００９１】
また上述したスピン乾燥法やディッピング法に代わる方法として、極性溶媒を犠牲層３０に対して連続的に供給し続ける方法（連続供給法）がある。例えば、極性溶媒を、ノズル、スリット、シャワー等の一般的な連続的液体供給方式により基板１０上から供給して、基板１０を洗浄しながら犠牲層３０を除去する方法がある。尚、この連続供給法を採用する場合、基板１０は静止した状態でもよいし、回転させてもよい。
【００９２】
以上説明した方法によるエッチングを少なくとも２回以上行うことで着実に取るべき残渣が減っていき、犠牲層３０と共に犠牲層３０の上層に設けられた水溶性高分子層の残渣を有機ＥＬ表示装置から除去することができる。また本工程において、犠牲層３０と極性溶剤との一回目の接触により得られる溶液に含まれる犠牲層３０の構成材料の濃度よりも、二回目以降の接触により得られる溶液に含まれる犠牲層３０の構成材料の濃度の方が低いことが好ましい。さらに、二回目以降の接触工程に使用される極性溶媒は、犠牲層の構成材料が含まれていないことが好ましい。
【００９３】
この犠牲層の除去工程において、使用される極性溶媒は、有機化合物層に対するエッチングレートよりも犠牲層に対するエッチングレートの方が速ければ溶媒種類や混合溶媒の組成等は限定されない。例えば、有機化合物層に対して犠牲層のエッチングレートを速めるために、例えば、水とＩＰＡとの混合比を調整しておいてもよい。こうすることで、有機化合物の加工工程後に各副画素単位で生じる有機化合物層２２（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）の端部は当該溶剤によって溶解されにくくなっている。また本発明において、極性溶媒として、少なくとも二種類以上の水と混和する極性を有する化合物が含まれる溶媒も好適に使用することができる。
【００９４】
以上に説明した方法で犠牲層３０を除去した後で、極性溶媒中から基板１０を引き上げると、有機化合物層２２（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）の形状を維持しつつ、犠牲層３０のみを除去することができる。
【００９５】
尚、犠牲層３０を除去した後は、有機化合物層２２が設けられている基板１０を加熱して、基板１０上あるいは有機化合物層２２上に残存する溶剤を除去することが好ましい。より好ましくは、真空条件下で、例えば、１１０℃程度で基板１０を加熱する。このように、基板１０を加熱して溶媒を除去することにより、当該溶媒の影響を受けない状態で次の工程において電荷注入層又は電荷輸送層を形成することができる。尚、次の工程を行う前に、事前に基板１０を真空加熱してもよい。この真空加熱によっても大気中の水、酸素や異物の付着等の影響を低減させることができる。
【００９６】
（９）電荷注入層・電荷輸送層の形成工程（図２（ｏ））
犠牲層３０を除去した後、有機化合物層２２上に、電荷注入・輸送層２４を形成する（図２（ｏ））。尚、この電荷注入・輸送層２４は、各副画素に共通する層として形成するのが好ましい。また、本発明の製造方法は、電荷注入層として、アルカリ金属成分あるいはアルカリ土類金属成分を含む層を形成する際に好適な方法である。
【００９７】
電荷注入・輸送層２４として電子注入層を形成する場合、電子注入層の構成材料である電子注入材料は仕事関数の高いものがよい。例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、電子輸送材料にアルカリ金属をドープしたもの、アルカリ金属化合物（酸化物、炭酸塩、ハロゲン化塩）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、炭酸塩、ハロゲン化塩）等が挙げられる。ここで、アルカリ金属として、具体的には、セシウム、カリウム、リチウム等を挙げることができる。またアルカリ土類金属として、具体的には、カルシウム、バリウム等が挙げられる。
【００９８】
（１０）第二電極の形成工程（図２（ｐ））
トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置を作製する場合、上部電極に相当する第二電極２５は、透明導電材料からなる透明電極とする。光透過性を有する透明導電材料は、光の透過率の高い材料が好ましい。例えば、ＩＴＯ、酸化インジウム亜鉛、ＺｎＯ等の透明導電材料や、ポリアセチレン等の有機導電材料が挙げられる。尚、Ａｇ、Ａｌ等の金属材料を１０ｎｍ〜３０ｎｍ程度に形成した半透過膜を第二電極２５としてもよい。ここでＩＴＯ、酸化インジウム亜鉛、ＺｎＯ等の透明導電材料で光透過性の電極を形成する場合、低消費電力化を目的として、電極として用いるのに必要な低抵抗特性と、光の取り出し効率を高めるのに必要な高透過率特性と、の両方を満足する組成が好ましい。光透過性の電極になる薄膜は、スパッタリング等の公知の方法で成膜することができる。上述した低抵抗特性と高透過率特性とを兼ね備える透明導電膜を作製する場合は、成膜装置の容量、ターゲット、装置内の圧力、成膜時の出力電圧を適宜調整する必要がある。尚、第二電極２５は、トランジスタ（不図示）等のスイッチング素子に電気接続されている。以上に説明したように、本発明の製造方法は、高精細メタルマスクを使わない製造方法である。このため、ピクセルサイズが１０μｍ程度と高精細であり、第５世代以降といった支持基板サイズの大きい有機ＥＬ表示装置の製造を実現することができる。
【００９９】
［有機ＥＬ表示装置の駆動方法］
本発明の製造方法で製造された有機ＥＬ表示装置は、各副画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）が有する第一電極２１と第二電極２５との間に電圧を印加することによって駆動することができる。ここで電圧を印加する場合は、例えば、トランジスタを介して各電極と電気接続される電源手段（不図示）を使用する。
【０１００】
［第二の実施形態］
図１０は、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法における第二の実施形態を示す断面模式図である。ここで第二の実施形態は、第一の実施形態と比較して、犠牲層３０の形成工程、第一中間層４０の形成の後、第一中間層４０上に中間層７０が形成されている点で相違する（図１０（ａ））。以下、第一の実施形態との相違点を中心に第二の実施形態について説明する。
【０１０１】
（第二中間層の形成工程）
本発明の製造方法においては、犠牲層３０の形成工程の後、図１０（ａ）に示されるように、この第一中間層４０上に第二中間層７０を形成してもよい。ここで第一中間層４０上に形成する第二中間層７０は、水や有機溶媒に対して不溶の膜であり、防湿性、ガスバリア性を有する膜であることが好ましい。ここで第二中間層７０は、フォトリソグラフィー時に照射される光を吸収する特性があることがより好ましい。本発明の製造方法において形成される第二中間層７０としては、窒化珪素（ＳｉＮ）を主材料とする無機化合物の薄膜層であることが好ましい。
【０１０２】
ところで、第一中間層４０上に第二中間層７０を形成することにより、次の工程で感光性樹脂４０を形成する際に使用される溶媒が犠牲層３０を浸透して有機化合物層２２に接することがなくなる。よって、感光性樹脂層４０の溶媒を選択するにあたって、有機化合物層２２を溶解しない等の制約がなくなり、より安価な材料を選択することもできる。
第二中間層７０を形成する場合、第一中間層４０を省略する構成も考えられるが、後の工程で第二中間層７０を除去するためには、第一中間層４０を設けておくのが好ましい。第二中間層７０は水や有機溶媒に対して不溶の膜であるため、ドライエッチングして除去、あるいは、第二中間層よりも下に形成された層を溶解して除去する際にリフトオフして除去する。犠牲層３０は蒸着法にて形成される。このため、第二中間層７０をドライエッチングにより除去する際にドライエッチングのダメージを有機化合物層２２に与えない膜厚、あるいは、第一中間層４０を溶解して第二中間層７０をリフトオフするのに適した膜厚まで形成するには、時間がかかりすぎる。そこで、塗布法により厚く形成可能な水溶性高分子材料からなる第一中間層４０と第二中間層７０の積層構成にすることにより、プロセスのタクトタイムを大幅に延長することなく第二中間層の除去が可能となる。
【０１０３】
（第二中間層の加工工程）
感光性樹脂層５０と第一中間層４０との間に第二中間層７０が設けられている場合は、犠牲層３０の加工を行う前に、第二中間層７０の加工を行う必要がある。ここで第二中間層７０の加工とは、具体的には、第二中間層７０のうち感光性樹脂層６１（露光工程において露光されなかった感光性樹脂）に被覆されていない領域を選択的に除去することである（図１０（ｂ））。第二中間層７０の選択的な除去方法は特に限定されるものではないが、公知の技術、例えば、ウェットエッチング、ドライエッチングを利用することができる。例えば、中間層７０の構成材料がＳｉＮの場合では、ＣＦ4を反応ガスとしたドライエッチングが利用可能である。
【０１０４】
（第二中間層の除去工程等）
以上に説明した第二中間層７０の加工工程を行った後、第一の実施形態と同様に、第一中間層６０、犠牲層３０および有機化合物層２２ａの加工を行う（図１０（ｃ））。尚、第一中間層６０、犠牲層３０、および有機化合物層２２ａの加工を行う際に、感光性樹脂層５１が一緒に除去されてもよい。
【０１０５】
この後、有機化合物層（２２ｂ、２２ｃ）の形成から有機化合物層の加工までの工程を各副画素において行い（図１０（ｄ））、第二中間層７０、第一中間層４０及び犠牲層３０を順次除去する（図１０（ｅ））。本実施形態のように、犠牲層３０と感光性樹脂層５０との間に第二中間層７０を設けた場合は、感光性樹脂層５０を除去した後に、まずドライエッチングで第二中間層７０を除去する。その後、水を用いて第一中間層４０を除去し、ついで極性溶媒を用いて犠牲層３０を除去する。あるいは、第一中間層４０を水に接触させて溶解して除去すると同時に第二中間層７０をリフトオフして除去したのちに、犠牲層３０を選択的に除去してもよい。
【０１０６】
［有機ＥＬ表示装置の用途］
以上、説明したように、本発明にかかる製造方法にて形成された有機ＥＬ表示装置は、電流効率、駆動寿命、精細度に優れるため、様々な電子機器の表示部として用いることができる。電子機器としては、デジタルカメラ、携帯情報端末などの携帯機器や、パーソナルコンピュータ、テレビ、各種プリンタ等が挙げられる。
【０１０７】
電子機器の一例として、デジタルカメラについて説明する。図１１は、デジタルカメラシステムのブロック図を示す図である。デジタルカメラシステム９１は、９２は撮影部９２、映像信号処理回路９３、本発明にかかる表示装置９４、メモリ９５、ＣＰＵ９６、操作部９７を備えている。撮影部９２で撮影した映像又はメモリ９５に記録された映像情報を、映像信号処理回路１３で信号処理して映像信号を生成し、表示装置９４に表示することができる。コントローラーは、操作部９７からの入力によって撮影部９２、メモリ９５、映像信号処理回路９３等を制御するＣＰＵ９６を有し、状況に適した撮影、記録、再生、表示を行う。
【実施例】
【０１０８】
次に、実施例により本発明を説明するが、本発明は以下に説明する実施例に限定されるものではない。例えば、発光色から見た副画素の形成順序は、青、緑、赤の順に限定されるものではない。例えば、有機化合物層の構成や膜厚は、実施例にて記載された内容に限定されるものではない。例えば、第一電極から電子が注入される場合は、これに合わせた有機化合物層の積層順序をとればよい。また、以下に説明する実施例を組み合わせた事例も、当然に本発明に含まれるものとする。尚、図面にて特に図示されなかったり以下の説明において特段記載されなかったりした部分については、当該技術分野の周知技術又は公知技術を適用することができる。
【０１０９】
［実施例１］
図１に示される有機ＥＬ表示装置を、図２に示されるプロセスに従って作製した。
【０１１０】
（１）第一電極の形成工程（図２（ａ））
まずスパッタリング法により、基板１０上に、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）を成膜しＡｌＮｄ膜（反射電極）を形成した。このときＡｌＮｄ膜の膜厚を１００ｎｍとした。次に、スパッタリング法により、ＡｌＮｄ膜上にＩＴＯを成膜しＩＴＯ膜を成膜した。このときＩＴＯ膜の膜厚を１０ｎｍとした。尚、上記ＡｌＮｄ膜とＩＴＯ膜とからなる積層体は、第一電極２１として機能する。次に、フォトリソプロセスによる第一電極２１のパターニングを行うことにより、第一副画素２０ａ、第二副画素２０ｂ及び第三副画素２０ｃにそれぞれ含まれる第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）をそれぞれ形成した（図２（ａ））。
【０１１１】
（２）青色有機化合物層の形成工程（図２（ｂ））
次に、真空蒸着法を用いた連続成膜により、第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）上及び基板１０上に、青色有機化合物層２２ａを形成した。
【０１１２】
まず正孔輸送層を膜厚１２０ｎｍで形成した後、青色発光材料を含む青色発光層を膜厚３０ｎｍで形成した。次に、下記式［１］に示される縮合多環炭化水素化合物を成膜し正孔ブロック層を形成した。このとき正孔ブロック層の膜厚を１０ｎｍとした。以上により、青色有機化合物層２２ａを形成した（図２（ｂ））。
【０１１３】
【化２】
2014011083.tif 000005
【０１１４】
（３）犠牲層の形成工程（図２（ｂ））
次に、真空蒸着法により、下記式［２］に示されるフェナントロリン誘導体を成膜し犠牲層３０を形成した。このとき犠牲層３０の膜厚を４０ｎｍとした（図２（ｂ））。
【０１１５】
【化３】
2014011083.tif 000006
【０１１６】
（４）第一中間層の形成工程（図２（ｃ））
次に、犠牲層３０上に、水溶性高分子材料のポリビニルピロリドン（ＰＶＰ、分子量３６万）と水と、をＰＶＰの重量濃度が５重量％になるように混合してＰＶＰ水溶液を調製した。次に、スピンコート法により、犠牲層３０上に、調製したＰＶＰ水溶液を塗布し、乾燥することで第一中間層４０を形成した。このとき第一中間層４０の膜厚は５００ｎｍであった（図２（ｃ））。
【０１１７】
（５）感光性樹脂層の形成・加工工程
次に、スピンコート法により、ポジ型のフォトレジスト（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ製、製品名「ＡＺ１５００」）を成膜し、感光性樹脂層５０を形成した（図２（ｄ））。このとき感光性樹脂層５０の膜厚は１０００ｎｍであった。次に、露光装置（キヤノン製、マスクアライナーＭＰＡ６００）を使用し、第一副画素２０ａを設ける領域以外の領域に開口を有するフォトマスク６０を用いて紫外光６１による露光を行った（図２（ｅ）））。このとき露光時間は４０秒であった。露光後、現像液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ製、製品名「３１２ＭＩＦ」を水で希釈し濃度を５０％としたもの）を用いて１分間現像した。この現像処理により紫外光６１に露光された感光性樹脂層５２を除去した。
【０１１８】
（６）第一中間層、犠牲層及び青色有機化合物層の加工工程
次に、残存した感光性樹脂層５１をマスクとして、酸素を反応ガスとし流量２０ｓｃｃｍ、圧力８Ｐａ、出力１５０Ｗ、５分の条件下で、感光性樹脂層５１にて被覆されていない領域に設けられる第一中間層４０を除去した。
【０１１９】
次に、感光性樹脂層５１及び第一中間層４１をマスクとして、酸素を反応ガスとし流量２０ｓｃｃｍ、圧力８Ｐａ、出力１５０Ｗ、反応時間２分の条件下で、感光性樹脂層５１及び第一中間層４１にて被覆されていない犠牲層３０を除去した。以上により、第一副画素２０ａを設ける領域にパターニングされた犠牲層３０を形成した（図２（ｆ））。次に、犠牲層３０と同じ条件で青色有機化合物層２２ａをドライエッチングすることにより、第一副画素２０ａの領域以外の領域に設けられている青色有機化合物層２２ａを選択的に除去した。このようにして第一副画素２０ａの領域に選択的に青色有機化合物層２２ａを形成した（図２（ｇ））。
【０１２０】
（７）赤色有機化合物層の形成・加工工程
次に、真空蒸着法を用いた連続成膜により、赤色有機化合物層２２ｂを形成した。まず正孔輸送層を膜厚２００ｎｍで形成した後、赤色発光材料を含む赤色発光層を膜厚３０ｎｍで形成した。次に、式［１］の縮合多環炭化水素化合物を成膜し正孔ブロック層を形成した。このとき正孔ブロック層の膜厚を１０ｎｍとした。以上により、赤色有機化合物層２２ｂを形成した。
【０１２１】
次に、工程（３）と同様の方法で式［２］のフェナントロリン誘導体を成膜し犠牲層３０を膜厚４０ｎｍで形成した。次に、工程（４）と同様の方法で、第一中間層４０を膜厚５００ｎｍで形成した。次に、工程（５）と同様の方法で、工程（５）で使用したポジ型のフォトレジストを成膜し感光性樹脂層５０を形成した（図２（ｈ））。このとき感光性樹脂層の膜厚は１０００ｎｍであった。次に、工程（５）と同様の方法で、感光性樹脂層５０の加工を行った。次に、工程（６）と同様の方法で、第一中間層４０、犠牲層３０及び赤色有機化合物層２２ｂをこの順で加工することにより、第二副画素２０ｂを設ける領域に選択的に赤色有機化合物層２２ｂを形成した（図２（ｉ））。
【０１２２】
（８）緑色有機化合物層の形成・加工工程
次に、真空蒸着法を用いた連続成膜により、緑色有機化合物層２２ｃを形成した。まず正孔輸送層を膜厚１６０ｎｍで形成した後、緑色発光材料を含む緑色発光層を膜厚３０ｎｍで形成した。次に、式［１］の縮合多環炭化水素化合物を成膜し正孔ブロック層を形成した。このとき正孔ブロック層の膜厚を１０ｎｍとした。以上により、緑色有機化合物層２２ｃを形成した。
【０１２３】
次に、工程（３）と同様の方法で式［２］のフェナントロリン誘導体を成膜し犠牲層３０を膜厚４０ｎｍで形成した。次に、工程（４）と同様の方法で、第一中間層４０を膜厚５００ｎｍで形成した。次に、工程（５）と同様の方法で、工程（５）で使用したポジ型のフォトレジストを成膜し感光性樹脂層５０を形成した（図２（ｊ））。このとき感光性樹脂層の膜厚は１０００ｎｍであった。次に、工程（５）と同様の方法で、感光性樹脂層５０の加工を行った。次に、工程（６）と同様の方法で、第一中間層４０、犠牲層３０及び緑色有機化合物層２２ｃをこの順で加工することにより、第三副画素２０ｂを設ける領域に選択的に緑色有機化合物層２２ｃを形成した（図２（ｋ））。
【０１２４】
（９）感光性樹脂層、第一中間層の除去工程
次に、酸素を反応ガスとし、流量２０ｓｃｃｍ、圧力８Ｐａ、出力１５０Ｗの条件下で、ドライエッチングを行い、感光性樹脂層５１を除去した（図２（ｌ））。次に、流水を用いて第一中間層４１を除去した（図２（ｍ））。
【０１２５】
（１０）犠牲層の除去工程
尚、犠牲層３０を、ＩＰＡ濃度６０重量％の水溶液を用いて除去した。具体的には、まず６０重量％のＩＰＡ水溶液を犠牲層３０上に滴下し１０秒間保持したのち基板１０を回転させＩＰＡ水溶液を振り切り捨てると共に基板１０を乾燥させるプロセス（スピン除去・スピン乾燥）を一つのサイクルとしてこのサイクルを７回繰り返した。これにより犠牲層３０を除去した（図２（ｎ））。次に、基板１０を水で洗ってリンスした後、基板１０を回転させて乾燥（スピン乾燥）を行った。次に、基板１０を８０℃にて真空加熱して有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）上に残存する溶剤を除去した。尚、各副画素に配置された有機化合物層の最上層（正孔ブロック層）の構成材料である式［１］の化合物は、犠牲層３０の除去の際に用いた極性溶媒に対するエッチングレートが、犠牲層３０の構成材料エッチングレートよりも十分小さい。
【０１２６】
（１１）第二電極の作製工程等
次に、式［２］の化合物（化合物Ａ２）を成膜して電荷輸送層（電子輸送層）を形成した。このとき電荷輸送層の膜厚を２０ｎｍとした。次に、式［２］の化合物と炭酸セシウム（Ｃｓ2ＣＯ3）とを共蒸着して電子注入層を形成した。このとき電子注入層の膜厚を２０ｎｍとした。尚、電子輸送層と電子注入層とからなる積層体は、共通層２４として機能する（図２（ｏ））。
【０１２７】
次に、スパッタリングにより、Ａｇを成膜し、半透明の第二電極２５を形成した（図２（ｐ））。尚、第二電極２５の膜厚を１６ｎｍとした。
【０１２８】
次に、窒素雰囲気下において封止ガラス（不図示）を基板に接着することにより素子劣化を防ぐ構造とした。以上のようにして図１の有機ＥＬ表示装置１を作製した。
【０１２９】
また、犠牲層３０としてＰＶＰからなる薄膜を形成した点を除き、本実施例と同様にフォトリソグラフィーを用いて作製した有機ＥＬ表示装置（以下、比較例１の有機ＥＬ表示装置という。）を作製した。さらに、メタルマスクを用いた真空一貫成膜により各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）のパターンを形成した点を除き、同様に作製した有機ＥＬ表示装置（以下、比較例２の有機ＥＬ表示装置という。）も作製した。
【０１３０】
本実施例にて得られた有機ＥＬ表示装置１について、比較例１及び比較例２の有機ＥＬ表示装置と共に性能を評価した。
【０１３１】
電流効率及び駆動耐久寿命は、比較例１の有機ＥＬ表示装置よりも優れ、比較例２の有機ＥＬ表示装置と同等の値が得られた。これは真空蒸着法によって形成される蒸着膜を犠牲層３０に用いることで、ＰＶＰに比べて残渣なく除去でき、効率低下や寿命悪化を回避できた結果と考えられる。
【０１３２】
高精細化に関しては、比較例２の有機ＥＬ表示装置の画素サイズが１００μｍ角程度が限界であったのに対し、本実施例の有機ＥＬ表示装置の場合は、９μｍ角の画素サイズまで小さくすることができた。
【０１３３】
［実施例２］
実施例１の工程（１０）において、以下に示す方法で犠牲層３０を除去したこと以外は、実施例１と同様の方法により有機ＥＬ表示装置を得た。
【０１３４】
ＩＰＡ濃度６０重量％のＩＰＡ水溶液を犠牲層３０上に滴下し５秒保持した後、基板１０を回転させてＩＰＡ水溶液を振り切って捨てつつ基板１０を乾燥させる工程を２回繰り返して犠牲層３０の表層部を除去した。次に、同濃度のＩＰＡ水溶液を犠牲層３０上に滴下して１０秒間保持した後、基板１０を回転させてＩＰＡ水溶液を振り切って捨てつつ基板１０を乾燥させる工程を６回繰り返し行うことにより、犠牲層３０を除去した。
【０１３５】
得られた有機ＥＬ表示装置について実施例１と同様の方法で評価したところ、実施例１と同程度の電流効率、駆動寿命、精細度を有する有機ＥＬ表示装置であることがわかった。
【０１３６】
［実施例３］
実施例１の工程（１０）において、以下に示す方法で犠牲層３０を除去したこと以外は、実施例１と同様の方法により有機ＥＬ表示装置を得た。
【０１３７】
ＩＰＡ濃度４０重量％のＩＰＡ水溶液を犠牲層３０上に滴下し１０秒保持した後、基板１０を回転させてＩＰＡ水溶液を振り切って捨てつつ基板１０を乾燥させる工程を２回繰り返して犠牲層３０の表面を洗浄した。次に、ＩＰＡ濃度６０重量％のＩＰＡ水溶液を犠牲層３０上に滴下して１０秒間保持した後、基板１０を回転させてＩＰＡ水溶液を振り切って捨てつつ基板１０を乾燥させる工程を７回繰り返し行うことにより、犠牲層３０を除去した。
【０１３８】
得られた有機ＥＬ表示装置について実施例１と同様の方法で評価したところ、実施例１と同程度の電流効率、駆動寿命、精細度を有する有機ＥＬ表示装置であることがわかった。
【０１３９】
［実施例４］
実施例１の工程（１０）において、以下に示す方法で犠牲層３０を除去したこと以外は、実施例１と同様の方法により有機ＥＬ表示装置を得た。
【０１４０】
ＩＰＡ濃度４０重量％のＩＰＡ水溶液を犠牲層３０上に滴下し１０秒保持した後、基板１０を回転させてＩＰＡ水溶液を振り切って捨てつつ基板１０を乾燥させる工程を１回行って犠牲層３０の表面を洗浄した。次に、ＩＰＡ濃度６０重量％のＩＰＡ水溶液を犠牲層３０上に滴下し５秒保持した後、基板１０を回転させてＩＰＡ水溶液を振り切って捨てつつ基板１０を乾燥させる工程を２回繰り返して犠牲層３０の表層部を除去した。次に、同濃度のＩＰＡ水溶液を犠牲層３０上に滴下して１０秒間保持した後、基板１０を回転させてＩＰＡ水溶液を振り切って捨てつつ基板１０を乾燥させる工程を６回繰り返し行うことにより、犠牲層３０を除去した。
【０１４１】
得られた有機ＥＬ表示装置について実施例１と同様の方法で評価したところ、実施例１と同程度の電流効率、駆動寿命、精細度を有する有機ＥＬ表示装置であることがわかった。
【０１４２】
［実施例５］
実施例１の工程（１０）において、以下に示す方法で犠牲層３０を除去したこと以外は、実施例１と同様の方法により有機ＥＬ表示装置を得た。
【０１４３】
ＩＰＡ濃度４０重量％のＩＰＡ水溶液を犠牲層３０上に滴下し１０秒保持した後、基板１０を回転させてＩＰＡ水溶液を振り切って捨てつつ基板１０を乾燥させる工程を１回行って犠牲層３０の表面を洗浄した。次に、ＩＰＡ濃度６０重量％のＩＰＡ水溶液を犠牲層３０上に滴下し５秒保持した後、基板１０を回転させてＩＰＡ水溶液を振り切って捨てつつ基板１０を乾燥させる工程を２回繰り返して犠牲層３０の表層部を除去した。次に、同濃度のＩＰＡ水溶液を犠牲層３０上に滴下して１０秒間保持した後、基板１０を回転させてＩＰＡ水溶液を振り切って捨てつつ基板１０を乾燥させる工程を６回繰り返し行うことにより、犠牲層３０を除去した。さらに、ＩＰＡ濃度３０重量％のＩＰＡ水溶液を基板１０の表面に滴下して、基板表面をリンスした。
【０１４４】
得られた有機ＥＬ表示装置について実施例１と同様の方法で評価したところ、実施例１と同程度の電流効率、駆動寿命、精細度を有する有機ＥＬ表示装置であることがわかった。
【０１４５】
［実施例６］
実施例１の工程（１０）において、以下に示す方法で犠牲層３０を除去したこと以外は、実施例１と同様の方法により有機ＥＬ表示装置を得た。
【０１４６】
ＩＰＡ及び水のみを混合してなるＩＰＡ濃度６０重量％のＩＰＡ水溶液中に、基板１０を１０秒間ディップ（浸漬）する工程を、図９に示されるエッチング時間と犠牲層の膜厚との関係を元に１１回繰り返して犠牲層３０を除去した。尚、犠牲層３０を除去した後、基板１０を水槽に移してディップし水でリンスを行った後、Ｎ2ブローで基板１０上の水を除去して乾燥させた。
【０１４７】
得られた有機ＥＬ表示装置について実施例１と同様の方法で評価したところ、実施例１と同程度の電流効率、駆動寿命、精細度を有する有機ＥＬ表示装置であることがわかった。
【０１４８】
［実施例７］
実施例６において、以下に示す方法で犠牲層３０を除去したこと以外は、実施例１と同様の方法により有機ＥＬ表示装置を得た。
【０１４９】
ＩＰＡ及び水のみを混合してなるＩＰＡ濃度６０重量％のＩＰＡ水溶液中に、基板１０を５秒間ディップ（浸漬）する工程を２回行った。次に、ＩＰＡ及び水のみを混合してなるＩＰＡ濃度６０重量％のＩＰＡ水溶液中に、基板１０を１０秒間ディップ（浸漬）する工程を、図９に示されるエッチング時間と犠牲層の膜厚との関係を元に１０回繰り返して犠牲層３０を除去した。以下、実施例６と同様の方法で基板のリンス・乾燥を行った。
【０１５０】
得られた有機ＥＬ表示装置について実施例１と同様の方法で評価したところ、実施例１と同程度の電流効率、駆動寿命、精細度を有する有機ＥＬ表示装置であることがわかった。
【０１５１】
［実施例８］
実施例６において、以下に示す方法で犠牲層３０を除去したこと以外は、実施例１と同様の方法により有機ＥＬ表示装置を得た。
【０１５２】
ＩＰＡ及び水のみを混合してなるＩＰＡ濃度４０重量％のＩＰＡ水溶液中に、基板１０を１０秒間ディップ（浸漬）する工程を行い犠牲層３０の表層部分を洗浄した。次に、ＩＰＡ及び水のみを混合してなるＩＰＡ濃度６０重量％のＩＰＡ水溶液中に、基板１０を１０秒間ディップ（浸漬）する工程を、図９に示されるエッチング時間と犠牲層の膜厚との関係を元に１１回繰り返して犠牲層３０を除去した。以下、実施例６と同様の方法で基板のリンス・乾燥を行った。
【０１５３】
得られた有機ＥＬ表示装置について実施例１と同様の方法で評価したところ、実施例１と同程度の電流効率、駆動寿命、精細度を有する有機ＥＬ表示装置であることがわかった。
【０１５４】
［実施例９］
実施例６において、以下に示す方法で犠牲層３０を除去したこと以外は、実施例１と同様の方法により有機ＥＬ表示装置を得た。
【０１５５】
ＩＰＡ及び水のみを混合してなるＩＰＡ濃度４０重量％のＩＰＡ水溶液中に、基板１０を１０秒間ディップ（浸漬）する工程を行い犠牲層３０の表層部分を洗浄した。次に、ＩＰＡ及び水のみを混合してなるＩＰＡ濃度６０重量％のＩＰＡ水溶液中に、基板１０を５秒間ディップ（浸漬）する工程を２回行った。次に、ＩＰＡ及び水のみを混合してなるＩＰＡ濃度６０重量％のＩＰＡ水溶液中に、基板１０を１０秒間ディップ（浸漬）する工程を、図９に示されるエッチング時間と犠牲層の膜厚との関係を元に１０回繰り返して犠牲層３０を除去した。以下、実施例６と同様の方法で基板のリンス・乾燥を行った。
【０１５６】
得られた有機ＥＬ表示装置について実施例１と同様の方法で評価したところ、実施例１と同程度の電流効率、駆動寿命、精細度を有する有機ＥＬ表示装置であることがわかった。
【０１５７】
［実施例１０］
実施例６において、以下に示す方法で犠牲層３０を除去したこと以外は、実施例１と同様の方法により有機ＥＬ表示装置を得た。
【０１５８】
ＩＰＡ及び水のみを混合してなるＩＰＡ濃度４０重量％のＩＰＡ水溶液中に、基板１０を１０秒間ディップ（浸漬）する工程を行い犠牲層３０の表層部分を洗浄した。次に、ＩＰＡ及び水のみを混合してなるＩＰＡ濃度６０重量％のＩＰＡ水溶液中に、基板１０を５秒間ディップ（浸漬）する工程を２回行い、犠牲層３０の表層部分を除去した。次に、ＩＰＡ及び水のみを混合してなるＩＰＡ濃度６０重量％のＩＰＡ水溶液中に、基板１０を１０秒間ディップ（浸漬）する工程を、図９に示されるエッチング時間と犠牲層の膜厚との関係を元に１０回繰り返して犠牲層３０を除去した。尚、犠牲層３０を除去した後、基板１０を、ＩＰＡ及び水のみを混合してなるＩＰＡ濃度３０重量％のＩＰＡ水溶液槽に移してディップし水でリンスを行った後、Ｎ2ブローで基板１０上の水を除去して乾燥させた。
【０１５９】
得られた有機ＥＬ表示装置について実施例１と同様の方法で評価したところ、実施例１と同程度の電流効率、駆動寿命、精細度を有する有機ＥＬ表示装置であることがわかった。
【０１６０】
［実施例１１］
図１に示される有機ＥＬ表示装置を、図２（ａ）乃至（ｃ）、及び図１０に示されるプロセスに従って作製した。
【０１６１】
（１）第一電極の形成工程（図２（ａ））
実施例１（１）と同様の方法により、三種類の副画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）を設ける領域に、それぞれ独立に第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）を形成した（図２（ａ））。
【０１６２】
（２）青色有機化合物層の形成工程（図２（ｂ））
実施例１（２）と同様の方法により、青色有機化合物層２２ａを形成した（図２（ｂ））。
【０１６３】
（３）犠牲層の形成工程（図２（ｂ））
実施例１（３）と同様の方法により、犠牲層３０を形成した（図２（ｂ））。
【０１６４】
（４）第一中間層の形成工程（図２（ｃ））
実施例１（４）と同様の方法により、第一中間層４０を形成した（図２（ｃ））。
【０１６５】
（５）第二中間層の形成工程等（図１０（ａ））
次に、ＣＶＤ法により、第一中間層４０上に、窒化珪素（ＳｉＮ）を成膜して第二中間層７０を形成した。このとき第二中間層７０の膜厚を１０００ｎｍとした。次に、第二中間層７０上に、実施例１（５）と同様の方法により、感光性樹脂層５０を形成した（図１０（ａ））。
【０１６６】
（６）第二中間層の加工工程
次に、実施例１（５）と同様の方法により感光性樹脂層５０のパターニングを行った。次に、第二中間層７０を、ＣＦ4を反応ガスとし、流量３０ｓｃｃｍ、出力１５０ｗ、圧力１０Ｐａ、処理時間７分の条件下で、感光性樹脂層５１で被覆されていない第二中間層７０を除去した（図１０（ｂ））。これにより、青色副画素２０ａを設ける領域に選択的に第二中間層７０が残るように第二中間層７０を加工した。
【０１６７】
（７）第一中間層、有機化合物層の加工工程
次に、実施例１（６）と同様の方法により、第一中間層４０と、犠牲層３０と、青色有機化合物層２２ａと、を順次加工した（図１０（ｃ））。
【０１６８】
次に、実施例１（７）に説明されているプロセスを基に、第二副画素２０ｂを設ける領域に赤色有機化合物層２２ｂを形成した。尚、赤色有機化合物層２２ｂの加工プロセスにおいて、第一中間層４０を形成した後、本実施例の（５）と同様のプロセスにより第二中間層７０を形成した。
【０１６９】
次に、実施例１（８）に説明されているプロセスを基に、第三副画素２０ｃを設ける領域に緑色有機化合物層２２ｃを形成した。尚、緑色有機化合物層２２ｃの加工プロセスにおいて、第一中間層４０を形成した後、本実施例の（５）と同様のプロセスにより第二中間層７０を形成した（図１０（ｄ））。
【０１７０】
（８）第二中間層、第一中間層、犠牲層の除去工程
次に、実施例１（９）と同様の方法により、感光性樹脂層４１を除去した。次に、ＣＦ4を反応ガスとし、流量３０ｓｃｃｍ、出力１５０ｗ、圧力１０Ｐａ、処理時間７分の条件下で第二中間層７０を除去した。次に、実施例１（９）と同様の方法により、第一中間層４０を除去した。次に、実施例１（１０）と同様の方法により、犠牲層３０を除去した（図１０（ｅ）））。
【０１７１】
（９）第二電極の作製工程等
次に、実施例１（１１）と同様の方法により、共通層２４（電荷注入・輸送層）と、第二電極２４と、をこの順で形成し、最後に、実施例１（１１）と同様の方法により、封止を行った。以上により、有機ＥＬ表示装置を得た。
【０１７２】
得られた有機ＥＬ表示装置について実施例１と同様の方法で評価したところ、実施例１と同程度の電流効率、駆動寿命、精細度を有する有機ＥＬ表示装置であることがわかった。
【符号の説明】
【０１７３】
１：有機ＥＬ表示装置、１０：支持基板、２０ａ：第一副画素、２０ｂ：第二副画素、２０ｃ：第三副画素、２１（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）：第一電極、２２（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）：有機化合物層、２４：電荷注入・輸送層、２５：第二電極、３０：犠牲層、４０（４１）：第一中間層、５０（５１、５２）：感光性樹脂、６０：フォトマスク、６１：紫外線、７０：第二中間層、８０：スピン試料台、８１（８５）：極性溶媒（ＩＰＡ水溶液）、８２：吐出部、８４、８６〜８８：エッチング槽、９１：デジタルカメラシステム、９２：撮影部、９３：映像信号処理回路、９４：表示装置、９５：メモリ、９６：ＣＰＵ、９７：操作部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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