(57)【要約】【課題】磁気抵抗素子を備えるブリッジ回路からの電圧信号の出力レベルが温度変化に起因して低下することを簡易な回路構成で補正できる磁気センサ装置を提供すること。【解決手段】磁気センサ装置３は、磁気抵抗パターン２１を備えるブリッジ回路２０と、一定電圧Ｖｒｅｆを出力する定電圧回路５０と、環境温度の変化に基づいて増幅率を変化させる増幅回路５１を有する。増幅回路５１は一定電圧Ｖｒｅｆを増幅した増幅電圧ＭＲＶｃｃをブリッジ回路２０に印加する。環境温度の上昇に伴って磁気抵抗パターン２１の抵抗値が増大してブリッジ回路２０から出力される電圧信号のレベルが低下する際に、増幅回路５１は増幅率を増大させて増幅電圧ＭＲＶｃｃを上昇させて、ブリッジ回路２０から出力される電圧信号のレベルを上昇させる。ブリッジ回路２０からの複数の電圧信号のレベルを複数の信号増幅回路で補正する場合と比較して、回路構成が簡易となる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗素子を備えるブリッジ回路と、
前記ブリッジ回路へ印加する電圧を環境温度の変化に基づいて変化させる電圧調整回路と、を有することを特徴とする磁気センサ装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記電圧調整回路は、一定電圧を出力する定電圧回路と、環境温度の変化に基づいて増幅率を変化させる増幅回路とを有し、
前記増幅回路は、前記一定電圧を前記増幅率で増幅した増幅電圧を前記ブリッジ回路に印加することを特徴とする磁気センサ装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記増幅回路は、前記環境温度が予め定めた基準温度のときに前記増幅電圧として予め設定した基準電圧を前記ブリッジ回路に印加するとともに、前記環境温度が前記基準温度よりも上昇した場合に前記増幅率を増大させ、前記環境温度が前記基準温度よりも下降した場合に前記増幅率を減少させることを特徴とする磁気センサ装置。
【請求項４】
請求項２または３において、
前記増幅回路は、前記環境温度によって抵抗値が変化する抵抗素子を備えていることを特徴とする磁気センサ装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記増幅回路は、反転増幅回路であり、オペアンプの出力とマイナス入力とを前記抵抗素子を介して接続したネガティブフィードバックを備えていることを特徴とする磁気センサ装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記増幅回路は、反転増幅回路であり、前記抵抗素子を介してオペアンプのプラス入力とグランドとが接続されていることを特徴とする磁気センサ装置。
【請求項７】
請求項４ないし６のうちのいずれかの項において、
前記抵抗素子は、サーミスタであることを特徴とする磁気センサ装置。
【請求項８】
請求項４ないし７のうちのいずれかの項において、
センサ基板を有し、
前記磁気抵抗素子は、前記センサ基板上に形成された磁気抵抗パターンであり、
前記抵抗素子は、前記センサ基板上において前記磁気抵抗素子の前記磁気抵抗パターンが形成された領域から離間した位置に形成されている磁気抵抗パターンであることを特徴とする磁気センサ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気抵抗素子によって磁界の変化を検出する磁気センサ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
相対移動方向にＮ極とＳ極が交互に並ぶトラックを備える磁気スケールと、磁気スケールの相対移動を検出する磁気センサ装置を備えるエンコーダが知られている。かかるエンコーダの磁気センサ装置は、磁気スケールに対向配置されるセンサ基板にＡ相およびＢ相を検出するための磁気検出回路を備えている。
【０００３】
Ａ相を検出する磁気検出回路は、一般的に、直接に接続された２つの磁気抵抗素子を２組備えるブリッジ回路である。ブリッジ回路には所定の一定電圧が印加されており、磁気スケールとセンサ基板が相対移動すると、ブリッジ回路の２つの中点位置からは、磁気スケールとセンサ基板との相対移動に対応する＋ａ相と−ａ相の電圧信号が出力される。Ｂ相を検出する磁気検出回路も、Ａ相を検出する磁気検出回路と同様のブリッジ回路である。ブリッジ回路には所定の一定電圧が印加されており、磁気スケールとセンサ基板が相対移動すると、ブリッジ回路の２つの中点位置からは、磁気スケールとセンサ基板との相対移動に対応する＋ｂ相と−ｂ相の電圧信号が出力される。＋ａ相の電圧信号、−ａ相の電圧信号、＋ｂ相の電圧信号および−ｂ相の電圧信号は、それぞれ信号増幅回路に入力され、当該信号増幅回路よって増幅された後に磁気スケールとセンサ基板との相対移動速度を算出するための演算回路に入力される。特許文献１には、磁気抵抗素子を備えるブリッジ回路に電圧を印加して、出力として電圧信号を得る磁気センサ装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−３４０６９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
磁気抵抗素子には環境温度が上昇すると抵抗値が上昇するという温度特性がある。従って、予め設定された基準温度よりも環境温度が上昇するとブリッジ回路の中点位置から出力される電圧信号の振幅が小さくなる。
【０００６】
ここで、ブリッジ回路から出力される電圧信号の振幅が小さくなると、分解能が低下し、電圧信号に基づいて算出される相対移動速度の精度が低下するという問題がある。かかる問題に対して、環境温度の上昇に対応させて＋ａ相の電圧信号、−ａ相の電圧信号、＋ｂ相の電圧信号および−ｂ相の電圧信号が入力されるそれぞれの信号増幅回路の増幅率を増大させて各電圧信号の振幅を大きくし、これにより演算回路に入力される電圧信号のレベルを補正することが考えられる。
【０００７】
しかし、＋ａ相の電圧信号、−ａ相の電圧信号、＋ｂ相の電圧信号および−ｂ相の電圧信号が入力されるそれぞれの信号増幅回路の増幅率を変化させるためには、複数の信号増幅回路に環境温度の変化に応じて増幅率を変化させる増幅率調整回路を構成する必要があるので、回路構成が複雑化し、部品点数の増加および回路基板への部品実装面積の増加を招くという問題がある。
【０００８】
本発明の課題は、このような点に鑑みて、磁気抵抗素子を備えるブリッジ回路から出力される電圧信号のレベルが温度変化に起因して低下することを簡易な回路構成により補正できる磁気センサ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するために、本発明の磁気センサ装置は、
磁気抵抗素子を備えるブリッジ回路と、
前記ブリッジ回路へ印加する電圧を環境温度の変化に基づいて変化させる電圧調整回路と、を有することを特徴とする。
【００１０】
本発明によれば、環境温度の上昇に伴って磁気抵抗素子の抵抗値が増大することによりブリッジ回路から出力される電圧信号のレベルが低下する際に、ブリッジ回路へ印加する電圧を上昇させて、電圧信号のレベルを上昇させることができる。従って、簡易な回路構成により、環境温度の変化によって磁気センサ装置の分解能が低下することを防止或いは抑制できる。
【００１１】
本発明において、前記電圧調整回路は、一定電圧を出力する定電圧回路と、環境温度の変化に基づいて増幅率を変化させる増幅回路とを有し、前記増幅回路は、前記一定電圧を前記増幅率で増幅した増幅電圧を前記ブリッジ回路に印加することが望ましい。このようにすれば、増幅回路の増幅率を設定することによりブリッジ回路へ印加する電圧を任意に設定できる。
【００１２】
本発明において、前記増幅回路は、前記環境温度が予め定めた基準温度のときに前記増幅電圧として予め設定した基準電圧を前記ブリッジ回路に印加するとともに、前記環境温度が前記基準温度よりも上昇した場合に前記増幅率を増大させ、前記環境温度が前記基準温度よりも下降した場合に前記増幅率を減少させることが望ましい。このようにすれば、増幅電圧は、環境温度が基準温度よりも上昇した場合に基準電圧よりも高い値となり、環境温度が基準温度よりも下降した場合に基準電圧よりも低い値となる。従って、環境温度が上昇したときに生じる電圧信号のレベルの低下を抑制するとともに、環境温度が下降したときに生じる電圧信号のレベルの過大な上昇を抑制できる。
【００１３】
本発明において、前記増幅回路は、前記環境温度によって抵抗値が変化する抵抗素子を備えていることが望ましい。このようにすれば、環境温度の変化に対応させて増幅回路の増幅率を変化させることが容易となる。
【００１４】
この場合には、前記増幅回路は、反転増幅回路であり、オペアンプの出力とマイナス入力とを前記抵抗素子を介して接続したネガティブフィードバックを備えているものとすれば、環境温度の変化に対応させて増幅回路の増幅率を変化させることができる。
【００１５】
また、この場合には、前記増幅回路は、反転増幅回路であり、前記抵抗素子を介してオペアンプのプラス入力とグランドとが接続されているものとすれば、環境温度の変化に対応させて増幅回路の増幅率を変化させることができる。
【００１６】
本発明において、前記抵抗素子は、サーミスタとすることができる。
【００１７】
本発明において、センサ基板を有し、前記磁気抵抗素子は、前記センサ基板上に形成された磁気抵抗パターンであり、前記抵抗素子は、前記センサ基板上において前記磁気抵抗素子の前記磁気抵抗パターンが形成された領域から離間した位置に形成された磁気抵抗パターンであることが望ましい。すなわち、磁気抵抗パターンには環境温度が上昇すると抵抗値が上昇するという温度特性があるので、環境温度によって抵抗値が変化する抵抗素子として、磁気抵抗パターンを用いることができる。また、このようにすれば、磁界の変化を検出するための磁気抵抗素子の磁気抵抗パターンを形成する工程を利用して、センサ基板上に環境温度によって抵抗値が変化する抵抗素子を形成することができるので、磁気センサ装置の製造コストを抑制できる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、ブリッジ回路から出力される電圧信号のレベルを、ブリッジ回路への印加電圧によって調整するので、簡易な回路構成により、環境温度の変化によって磁気センサ装置の分解能が低下することを防止或いは抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明を適用したリニアエンコーダの説明図である。
【図２】磁気センサ装置の斜視図および内部構造の説明図である。
【図３】磁気センサ装置のブロック図および増幅回路の回路図である。
【図４】温度変化に伴うサーミスタの抵抗値、増幅回路の増幅率および増幅電圧の変化を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下に、図面を参照して、本発明を適用した実施の形態として磁気センサ装置を搭載するリニアエンコーダを説明する。
【００２１】
（全体構成）
図１は本発明を適用したリニアエンコーダの構成を示す説明図である。図２（ａ）はリニアエンコーダの磁気センサ装置をセンサ面の側から見た斜視図であり、図２（ｂ）は磁気センサ装置の内部構造を示す斜視図である。図１に示すように、リニアエンコーダ１は、長手方向に沿ってＮ極とＳ極が交互に並ぶトラックを備える磁気スケール２と、磁気スケール２の相対移動を検出する磁気センサ装置３を備えている。磁気スケール２の長手方向は、磁気スケール２と磁気センサ装置３の相対移動方向である。
【００２２】
磁気センサ装置３は、直方体形状のセンサ本体４と、センサ本体４から延びるケーブル５を有している。センサ本体４において、磁気スケール２に対向配置される面はセンサ面６となっている。図２（ａ）に示すように、センサ面６には開口部７が形成されており、開口部７には、センサ面６と平行にシリコン基板やセラミックグレース基板などのセンサ基板８が配置されている。センサ基板８上には磁気検出回路９が形成されている。磁気検出回路９は、センサ基板８において磁気スケール２と対向する面に半導体プロセスによって形成された強磁性体ＮｉＦｅ等の磁性体膜からなる磁気抵抗パターン（磁気抵抗素子）１０を備えている。
【００２３】
センサ本体４内には、センサ基板８と平行に剛性の回路基板１１が配置されている。回路基板１１には磁気検出回路９へ電圧を印加するための電圧調整回路１２、磁気検出回路９から出力される電圧信号を増幅して増幅電圧信号として出力する信号増幅回路１３などが搭載されている（図３参照）。回路基板１１とセンサ基板８とはフレキシブルプリント基板１４を介して接続されている。電圧調整回路１２への電力の供給はケーブル５を介して外部から行われる。また、信号増幅回路１３から出力される増幅電圧信号はケーブル５を介して外部の演算装置(不図示）に入力される。演算装置はＡ／Ｄ変換回路を備えており、増幅電圧信号に基づいて磁気スケール２と磁気センサ装置３の相対移動速度および相対移動方向を算出する。
【００２４】
（回路構成）
図３（ａ）は磁気センサ装置３の回路構成を示す概略ブロック図であり、図３（ｂ）は増幅回路の回路図である。図３に示すように磁気センサ装置３は、磁気検出回路９、電圧調整回路１２、信号増幅回路１３を備えている。
【００２５】
磁気検出回路９は、磁気スケール２と磁気センサ装置３の相対移動に対応したＡ相（ＳＩＮ相）、Ｂ相（ＣＯＳ相）およびＺ相の電圧信号を出力するＡ相検出用ブリッジ回路２０、Ｂ相検出用ブリッジ回路３０、およびＺ相検出用ブリッジ回路４０を備えている。Ａ相検出用ブリッジ回路２０およびＢ相検出用ブリッジ回路３０は互いに９０°の位相差で相対移動する磁気スケール２の磁界を検出することが可能な位置に形成されている。Ｚ相検出用ブリッジ回路４０はリファレンス電圧信号を得るためのものであり、Ａ相検出用ブリッジ回路２０およびＢ相検出用ブリッジ回路３０とは異なる位置に形成されている。
【００２６】
Ａ相検出用ブリッジ回路２０は、直列に接続された２つの磁気抵抗パターン２１、２２からなる＋ａ相検出用パターン２３と、直列に接続された２つの磁気抵抗パターン２４、２５からなる−ａ相検出用パターン２６を備えている。また、これら＋ａ相検出用パターン２３と−ａ相検出用パターン２６が並列に接続されてブリッジ回路を構成しており、ブリッジ回路の一方端が電源端子Ｖｃｃに接続され、他方端がグランド端子ＧＮＤに接続されている。＋ａ相の磁気抵抗パターン２１、２２の中点位置には、＋ａ相が出力される端子２７が設けられ、−ａ相の磁気抵抗パターン２４、２５の中点位置には、−ａ相が出力される端子２８が設けられている。
【００２７】
Ｂ相検出用ブリッジ回路３０は、直列に接続された２つの磁気抵抗パターン３１、３２からなる＋ｂ相検出用パターン３３と、直列に接続された２つの磁気抵抗パターン３４、３５からなる−ｂ相検出用パターン３６を備えている。また、これら＋ｂ相検出用パターン３３と−ｂ相検出用パターン３６が並列に接続されてブリッジ回路を構成しており、ブリッジ回路の一方端が電源端子Ｖｃｃに接続され、他方端がグランド端子ＧＮＤに接続されている。また、＋ｂ相の磁気抵抗パターン３１、３２の中点位置には、＋ｂ相が出力される端子３７が設けられ、−ｂ相の磁気抵抗パターン３４、３５中点位置には、−ｂ相が出力される端子３８が設けられている。
【００２８】
Ｚ相検出用ブリッジ回路４０は、直列に接続された２つの磁気抵抗パターン４１、４２からなる＋ｚ相検出用パターン４３と、直列に接続された２つの磁気抵抗パターン４４、４５からなる−ｚ相検出用パターン４６を備えている。また、これら＋ｚ相検出用パターン４３と−ｚ相検出用パターン４６が並列に接続されてブリッジ回路を構成しており、ブリッジ回路の一方端が電源端子Ｖｃｃに接続され、他方端がグランド端子ＧＮＤに接続されている。また、＋ｚ相の磁気抵抗パターン４１、４２の中点位置には、＋ｚ相が出力される端子４７が設けられ、−ｚ相の磁気抵抗パターン４４、４５の中点位置には、−ｚ相が出力される端子４８が設けられている。
【００２９】
電圧調整回路１２は、所定電圧の電力の供給を受けて一定電圧Ｖｒｅｆの電力を出力する定電圧回路５０と、環境温度の変化に基づいて増幅率を変化させる増幅回路５１を有している。定電圧回路５０は、例えば、３端子レギュレータを備える一般的なものであり、本例では、５Ｖの電力の供給を受けて２．５Ｖの一定電圧Ｖｒｅｆを出力する。増幅回路５１は定電圧回路５０からの一定電圧Ｖｒｅｆを増幅した増幅電圧ＭＲＶｃｃを磁気検出回路９の電源端子Ｖｃｃに供給する。すなわち、増幅回路５１は増幅電圧ＭＲＶｃｃを各ブリッジ回路２０、３０、４０に印加する。
【００３０】
増幅回路５１は、図３（ｂ）に示すように、オペアンプ５２を中心に構成された反転増幅回路である。オペアンプ５２のマイナス入力は抵抗素子５３を介してグランド端子ＧＮＤに接続されている。増幅回路５１の出力端子５４とオペアンプ５２の出力との間には抵抗素子５５が接続されている。また、オペアンプ５２の出力側には、オペアンプ５２の出力とマイナス入力をサーミスタ５６（抵抗素子）を介して接続したネガティブフィードバックが設けられている。オペアンプ５２のプラス入力とグランド端子ＧＮＤは抵抗素子５７を介して接続されている。定電圧回路５０からの一定電圧Ｖｒｅｆは抵抗素子５８を介してオペアンプ５２のプラス入力に供給され、出力端子５４からは増幅電圧ＭＲＶｃｃが出力される。ここで、増幅回路５１の増幅率は、サーミスタ５６の抵抗値が変化することにより変化する。なお、増幅回路５１の増幅率は、抵抗素子５７を抵抗値の異なる他の抵抗素子とすることによっても変更することができる。
【００３１】
図４（ａ）は環境温度の変化に伴うサーミスタ５６の抵抗値の変化を示すグラフであり、図４（ｂ）は環境温度の変化に伴う増幅回路５１の増幅率の変化を示すグラフであり、図４（ｃ）は環境温度の変化に伴う増幅電圧の変化を示すグラフである。図４（ａ）に示すようにサーミスタ５６は、温度係数が正の値のものであり、環境温度の上昇に伴ってその抵抗値が増大する。サーミスタ５６の温度係数は３５００ｐｐｍ／℃である
【００３２】
本例では、リニアエンコーダ１が使用される環境の基準温度Ｔが２５℃に設定されており、環境温度が基準温度Ｔのときに増幅回路５１からは増幅電圧ＭＲＶｃｃとして基準電圧ＶＴの３Ｖが出力されるように構成されている（図４（ｃ）参照）。環境温度が基準温度Ｔから上昇すると、図４（ａ）に示すように、サーミスタ５６は環境温度の上昇に伴ってその抵抗値を線形的に増大させる。サーミスタ５６の抵抗値が増大すると、図４（ｂ）に示すように、増幅回路５１の増幅率が線形的に増大するので、増幅回路５１から出力される増幅電圧ＭＲＶｃｃは、図４（ｃ）に示すように、線形的に上昇して、基準電圧ＶＴよりも高い値となる。従って、各ブリッジ回路２０、３０、４０には基準電圧ＶＴよりも大きな増幅電圧ＭＲＶｃｃが印加される。
【００３３】
一方、環境温度が基準温度Ｔから下降すると、図４（ａ）に示すように、サーミスタ５６は環境温度の下降に伴ってその抵抗値を線形的に減少させる。サーミスタ５６の抵抗値が減少すると、図４（ｂ）に示すように増幅回路５１の増幅率が線形的に減少するので、増幅回路５１から出力される増幅電圧ＭＲＶｃｃは、図４（ｃ）に示すように、線形的に下降して、基準電圧ＶＴよりも低い値となる。従って、各ブリッジ回路２０、３０、４０には基準電圧ＶＴよりも小さな増幅電圧ＭＲＶｃｃが印加される。
【００３４】
ここで、磁気検出回路９の各ブリッジ回路２０、３０、４０を構成している各磁気抵抗パターン２１、２２、２４、２５、３１、３２、３４、３５、４１、４２、４４、４５には環境温度が上昇すると抵抗値が上昇するという温度特性がある。このため、基準温度Ｔよりも環境温度が上昇すると各ブリッジ回路２０、３０、４０の中点位置の端子２７、２８、３７、３８、４７、４８から出力される電圧信号の振幅が小さくなる。磁気検出回路９から出力される電圧信号の振幅が小さくなると、分解能が低下して、電圧信号に基づいて算出される相対移動速度の精度が低下するという問題が発生する。
【００３５】
かかる問題に対して、電圧調整回路１２は、環境温度の上昇に伴って各ブリッジ回路２０、３０、４０から出力される電圧信号のレベルが低下する際に、電圧調整回路１２から各ブリッジ回路２０、３０、４０へ印加する電圧を上昇させ、これにより、各ブリッジ回路２０、３０、４０から出力される電圧信号のレベルを上昇させる。すなわち、環境温度が変化した場合には、各ブリッジ回路２０、３０、４０へ印加する電圧を調整して、各ブリッジ回路２０、３０、４０から出力される電圧信号のレベルを補正する。従って、環境温度の変化によって磁気センサ装置３の分解能が低下することを防止或いは抑制できる。また、環境温度が基準温度Ｔから下降する際には、電圧調整回路１２は、各ブリッジ回路２０、３０、４０へ印加する電圧を下降させる。従って、各ブリッジ回路２０、３０、４０から出力される電圧信号のレベルの過大な上昇を抑制することができる。
【００３６】
次に、信号増幅回路１３は、図３（ａ）に示すように、磁気検出回路９のＡ相検出用ブリッジ回路２０の端子２７、２８から出力される＋ａ相の電圧信号および−ａ相の電圧信号を増幅して＋ａ相の増幅電圧信号および−ａ相の増幅電圧信号を出力するＡ相用信号増幅回路６１、Ｂ相検出用ブリッジ回路３０の端子３７、３８から出力される＋ｂ相の電圧信号および−ｂ相の電圧信号を増幅して＋ｂ相の増幅電圧信号および−ｂ相の増幅電圧信号を出力するＢ相用信号増幅回路６２、Ｚ相検出用ブリッジ回路４０の端子４７、４８から出力される＋ｚ相の電圧信号および−ｚ相の電圧信号を増幅して＋ｚ相の増幅電圧信号および−ｚ相の増幅電圧信号を出力するＺ相用信号増幅回路６３を備えている。Ａ相用信号増幅回路６１、Ｂ相用信号増幅回路６２およびＺ相用信号増幅回路６３のそれぞれは、一般的な構成であり、例えば、各＋相の電圧信号を増幅するための第１のオペアンプと各−相の電圧信号を増幅するための第２のオペアンプを備えるものとすることができる。
【００３７】
（作用効果）
本例によれば、電圧調整回路１２が各ブリッジ回路２０、３０、４０（磁気検出回路９）へ印加する電圧を変化させることによって各ブリッジ回路２０、３０、４０から出力される電圧信号のレベルを補正するので、各ブリッジ回路２０、３０、４０から出力される各＋相および各−相の電圧信号のそれぞれを増幅する信号増幅回路１３に電圧信号のレベルを補正する電圧補正回路を設ける場合と比較して、回路構成を簡易なものとすることができる。また、磁気センサ装置３がＡ相、Ｂ相、或いはＺ相を検出するための複数の各ブリッジ回路２０、３０、４０を備えている場合でも、各ブリッジ回路２０、３０、４０へ電圧を印加する電圧調整回路１２を共通のものとすることができるので、Ａ相、Ｂ相およびＣ相の電圧信号のレベルをそれぞれの信号増幅回路の側で補正する場合と比較して、回路構成をより簡易なものとすることができる。従って、部品点数の増加を抑制することができ、回路基板１１における部品の実装面積の増加を抑制できる。
【００３８】
また、本例では、電圧調整回路１２が定電圧回路５０からの一定電圧Ｖｒｅｆを増幅する増幅回路５１を備えているので、増幅回路５１の増幅率を設定することにより磁気検出回路９へ印加する電圧を任意に設定できる。より具体的には、抵抗素子５３の抵抗値とサーミスタ５６の抵抗値を所望の比率に設定することによって磁気検出回路９へ印加する電圧を任意に設定できる。
【００３９】
（その他の実施の形態）
上記の例では、増幅回路５１においてサーミスタ５６がオペアンプ５２の出力とマイナス入力の間に配置されているが、当該サーミスタ５６を抵抗値が固定の抵抗素子とし、オペアンプ５２のプラス入力とグランドとの間に配置されている抵抗素子５７をサーミスタ５６としてもよい。このようにしても、環境温度の変化に対応させて増幅回路５１の増幅率を変化させることができる。すなわち、増幅回路５１から出力される増幅電圧ＭＲＶｃｃを、環境温度が予め定めた基準温度よりも上昇した場合に基準電圧よりも高い値とし、環境温度が基準温度よりも下降した場合に基準電圧よりも低い値とすることができる。
【００４０】
また、上記の例では、電圧調整回路１２の増幅回路５１はサーミスタ５６を用いてその増幅率を変化させているが、サーミスタ５６の代わりに回路基板１１或いはセンサ基板８に形成された磁気抵抗パターンを用いることもできる。すなわち、磁気抵抗パターンはサーミスタ５６と同様に、環境温度の上昇に伴ってその抵抗値を増大させる温度特性を備えている。また、各磁気抵抗パターン２１、２２、２４、２５、３１、３２、３４、３５、４１、４２、４４、４５は、サーミスタ５６の温度係数と同等の温度係数を備えている。従って、磁気抵抗パターンをサーミスタ５６に代替できる。
【００４１】
ここで、サーミスタ５６の代替とする磁気抵抗パターンを、各磁気抵抗パターン２１、２２、２４、２５、３１、３２、３４、３５、４１、４２、４４、４５と同様にセンサ基板８上に形成すれば、各磁気抵抗パターン２１、２２、２４、２５、３１、３２、３４、３５、４１、４２、４４、４５をセンサ基板８上に形成する工程を利用して、サーミスタ５６の代替とする磁気抵抗パターンを形成できる。従って、磁気センサ装置３の製造コストを抑制することができる。なお、センサ基板８上にサーミスタ５６の代替とする磁気抵抗パターンを形成する場合には、その形成位置を磁気スケール２の磁界を検出しない位置としておくことが望ましい。すなわち、サーミスタ５６の代替とする磁気抵抗パターンは、磁気検出回路９（各磁気抵抗パターン２１、２２、２４、２５、３１、３２、３４、３５、４１、４２、４４、４５）の形成領域から離間した位置に形成することが望ましい。
【符号の説明】
【００４２】
３・・・磁気センサ装置
８・・・センサ基板
９・・・磁気検出回路
１２・・・電圧調整回路
２１・・・磁気抵抗パターン（磁気抵抗素子）
２０・・・Ａ相検出用ブリッジ回路
３０・・・Ｂ相検出用ブリッジ回路
４０・・・Ｚ相検出用ブリッジ回路
５０・・・定電圧回路
５１・・・増幅回路
５２・・・オペアンプ
５６・・・サーミスタ（抵抗素子）
Ｔ・・・基準温度
ＶＴ・・基準電圧
【図１】
2014095656.tif 000003
【図２】
2014095656.tif 000004
【図３】
2014095656.tif 000005
【図４】
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