(57)【要約】【課題】信頼性の高い有機薄膜トランジスタマトリクス及びその製造方法を提供する。【解決手段】有機薄膜トランジスタマトリクスは、基板と、この基板上に形成された第１電極及びこの第１電極と電気的に接続された第１配線と、第１配線及び第１配線の表面に形成された絶縁層と、第１配線の少なくとも一部及び第１電極を覆う様に形成された有機機能層と、この有機機能層の上面に第１電極と対向する様に形成された第２電極及び第３電極と、第２電極と接続されて第１配線の有機機能層に覆われた部分で有機機能層を介して第１配線と交差する第２配線とを有する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１電極及びこの第１電極と電気的に接続する第１配線を形成し、
前記第１電極及び前記第１配線の表面に絶縁層を形成し、
前記第１配線の少なくとも一部及び前記第１電極を覆う様に有機機能層を形成し、
前記有機機能層の上面に前記第１電極と対向する様に第２電極及び第３電極を形成すると共に、前記第２電極と電気的に接続する第２配線を、前記第１配線の前記有機機能層に覆われた部分で前記有機機能層を介して前記第１配線と交差するように形成する
ことを特徴とする有機薄膜トランジスタマトリクスの製造方法。
【請求項２】
前記第１電極及び第１配線はアルミニウムからなる
ことを特徴とする請求項１記載の有機薄膜トランジスタマトリクスの製造方法。
【請求項３】
前記絶縁層は、前記第１電極及び前記第１配線上に酸化層を形成し、前記酸化層上に自己組織化単分子層を形成することにより形成する
ことを特徴とする請求項１又は２記載の有機薄膜トランジスタマトリクスの製造方法。
【請求項４】
基板と、
この基板上に形成された第１電極及びこの第１電極と電気的に接続された第１配線と、
前記第１電極及び前記第１配線の表面に形成された絶縁層と、
前記第１配線の少なくとも一部及び前記第１電極を覆う様に形成された有機機能層と、
前記有機機能層の上面に前記第１電極と対向する様に形成された第２電極及び第３電極と、
前記第２電極と接続されて前記第１配線の前記有機機能層に覆われた部分で前記有機機能層を介して前記第１配線と交差する第２配線と
を備えたことを特徴とする有機薄膜トランジスタマトリクス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、有機薄膜トランジスタマトリクス及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体層に有機材料を使用した有機薄膜トランジスタは、低温で形成できると言う特徴があるため、ガラスなど硬質な基板だけでなく、ＰＥＴやＰＥＮ等の樹脂基板上にも形成することができる。また、その形成方法も印刷など安価な手法が利用できるので、曲がるディスプレイや体にフィットする皮膚感覚のセンサーなど、種々のフレキシブルデバイスを低コストで実現することが期待されている。
【０００３】
有機薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を低電圧で動作させるには、そのゲート絶縁層を高誘電率に、且つ出来るだけ薄く形成する必要がある。この為の技術として、ゲート電極の表面にプラズマを照射して酸化又は洗浄を行い、更にプラズマの照射されたゲート電極表面に自己組織化単分子層（ＳＡＭ：Ｓｅｌｆ  Ａｓｓｅｍｂｌｅ  Ｍｏｎｏｌａｙｅｒ）を形成してゲート絶縁層を生成する方法が知られている。特許文献１に開示されたＴＦＴは、極薄のＡｌＯｘとＳＡＭをゲート絶縁層としている。このようなＴＦＴは、５Ｖ以下の低電圧で駆動することが可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−９６７８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に開示されたＴＦＴを用いてマトリクスを形成する場合、ワード線とビット線とが交差する部分の絶縁はＡｌＯｘとＳＡＭのみによることになる。ここで、ＡｌＯｘとＳＡＭの膜厚は共に数ｎｍ〜数十ｎｍ程度であり、ワード線、ビット線間に５Ｖの電圧を印加するとゲート絶縁層において数ＭＶ／ｃｍの電界強度を有する電界が生じ、絶縁破壊を生じるおそれがある。また、ワード線とビット線とが交差する部分の面積は、ＴＦＴにおいてゲート電極とソース電極、又はドレイン電極が交差する部分の面積よりも極めて大きい。従って、トランジスタ部分と比較して絶縁層に欠陥が生じる可能性が大きい。
【０００６】
この様な問題を解決する為に、ビット線とワード線など、交差する配線間の交点に別途絶縁層を形成することも考えられるが、製造工程の複雑化を招くことになる。また、更に樹脂基板を採用する場合にはその耐熱温度以下でプロセスを行う必要がある。例えば、基板の材料としてポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）やポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等を採用する場合には、絶縁材料の硬化温度を基板の耐熱温度（１２０−１５０℃程度）以下とする必要があった。
【０００７】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであって、信頼性の高い有機薄膜トランジスタマトリクス及びその製造方法を提供する事を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
即ち、本発明に係る有機薄膜トランジスタマトリクスの製造方法においては、基板上に第１電極及びこの第１電極と電気的に接続する第１配線を形成し、第１電極及び第１配線の表面に絶縁層を形成し、第１配線の少なくとも一部及び第１電極を覆う様に有機機能層を形成し、有機機能層の上面に第１電極と対向する様に第２電極及び第３電極を形成すると共に、第２電極と電気的に接続する第２配線を、第１配線の有機機能層に覆われた部分で有機機能層を介して第１配線と交差するように形成する。即ち、本発明においては、上記配線どうしが交差する部分に有機機能層を設けることによって、配線間の絶縁を、より確実なものとする。有機機能層は高い抵抗値を有し、更に膜厚が厚く形成されるため、絶縁破壊を好適に防止する事が期待される。また、基板材料の耐熱温度の問題も生じない。また、この様な方法によれば、有機薄膜トランジスタの半導体層として機能する有機機能層と配線間の絶縁材として機能する有機機能層とを同時に形成すれば良い為、プロセスの増加を招くことなくマスクパターン等を変更するだけで好適に配線間の絶縁性を向上させることが可能である。
【０００９】
また、本発明の一実施形態に係る有機薄膜トランジスタマトリクスの製造方法において、上記第１電極及び第１配線は、例えばアルミニウムから製造することも可能である。この場合、第１絶縁層を形成する際に、紫外線の照射によって第１電極の表面に酸化アルミニウムを形成されるが、酸化アルミニウムは誘電率が高く、薄膜化に有利である。
【００１０】
更に、本発明の一実施形態に係る有機薄膜トランジスタの製造方法において、上記絶縁層は、第１電極及び第１配線上に酸化層を形成し、酸化層上に自己組織化単分子層を形成することにより形成することも可能である。
【００１１】
本発明に係る有機薄膜トランジスタマトリクスは、基板と、この基板上に形成された第１電極及びこの第１電極と電気的に接続された第１配線と、第１配線及び第１配線の表面に形成された絶縁層と、第１配線の少なくとも一部及び第１電極を覆う様に形成された有機機能層と、この有機機能層の上面に第１電極と対向する様に形成された第２電極及び第３電極と、第２電極と接続されて第１配線の有機機能層に覆われた部分で有機機能層を介して第１配線と交差する第２配線とを有する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、信頼性の高い有機薄膜トランジスタマトリクス及びその製造方法を提供する事が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る有機薄膜トランジスタマトリクスの構成を示す平面概略図である。
【図２】同実施形態に係る有機薄膜トランジスタの構成を示す側断面図である。
【図３】ｎ−オクタデシルホスホン酸の構造を示す図である。
【図４】同実施形態に係るビット線及びワード線の交点の構成を示す側断面図である。
【図５】同交点の一例を示す平面図である。
【図６】同実施形態に係る有機薄膜トランジスタマトリクスの製造方法を示すフローチャートである。
【図７】同有機薄膜トランジスタマトリクスと比較例に係る有機薄膜トランジスタマトリクスの静電容量を比較する図である。
【図８】同有機薄膜トランジスタマトリクスと比較例に係る有機薄膜トランジスタマトリクスの耐圧を比較する図である。
【図９】本発明の第２の実施形態に係る有機薄膜トランジスタの構成を示す側断面図である。
【図１０】同実施形態に係る有機薄膜トランジスタマトリクスの製造方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付の図面を参照して、この発明の実施の形態に係る有機薄膜トランジスタの製造方法を詳細に説明する。
【００１５】
［１．第１の実施形態］
［１−１．第１の実施形態に係る有機薄膜トランジスタマトリクスの構成］
図１は、第１の実施形態に係る有機薄膜トランジスタマトリクスの構成を示す平面概略図である。第１の実施形態に係る有機薄膜トランジスタマトリクスは、ワード線（第１配線）ＷＬ及びビット線ＢＬを有し、更に、このビット線ＢＬ及びワード線ＷＬに接続されたトランジスタセルＴＣを有する。また、図中点線で示すように、トランジスタセルＴＣの孤立パッド部分に、独立して接続されるソース線ＳＬ１（図１中点線）や、複数のトランジスタセルＴＣの孤立パッド部分を共通に接続するソース配線ＳＬ２（図１中一点鎖線）が形成されていても良い。またこのソース線ＳＬ１又はＳＬ２は、ビット線ＢＬと同様にワード線ＷＬを跨ぐように形成されていても良い。ビット線ＢＬ及びソース線ＳＬ１又はＳＬ２と、ワード線ＷＬとは、交点ＣＰにおいて交差している。以下、ビット線ＢＬ、ソース線ＳＬ１及びＳＬ２を第２配線と呼ぶ。尚、ソース配線ＳＬ１又はＳＬ２は、例えばソース電極５、ドレイン電極６及びビット線ＢＬ形成後、基板上に保護層を成膜し、ここにビア配線を設けて形成することも可能である。なお、本実施形態においてはビット線ＢＬとワード線ＷＬの交点に半導体層（有機機能層）４を設けているが、ソース配線ＳＬ１又はＳＬ２とワード線ＷＬとの交点についてのみ半導体層（有機機能層）４を設けることも可能である。
【００１６】
図２は、トランジスタセルＴＣを構成する有機薄膜トランジスタの構成を示す側断面図である。本発明の第１の実施形態に係る有機薄膜トランジスタは、基板１と、基板１上に形成されたゲート電極（第１電極）２と、ゲート電極２を覆う様に形成されたゲート絶縁層３と、ゲート絶縁層３を覆う様に形成された半導体層（有機機能層）４と、この半導体層４上に形成されたソース電極（第２電極）５及びドレイン電極（第３電極）６を有する。尚、本実施形態に係る有機薄膜トランジスタは、ゲート電極が半導体層４の下に位置する、いわゆるボトムゲート型の構造を有する。
【００１７】
本実施形態においては基板１の材料としてＰＥＴを採用している。この他、基板１として、例えばＰＥＮ、ポリイミド、ガラス、酸化膜を形成したシリコン基板など、用途と目的に応じて任意に選択可能である。また、本実施形態においてはゲート電極２の材料としてアルミニウムを採用している。この他、ゲート電極２としては、安定な酸化膜を形成できる金属であれば他の金属でも採用可能であり、例えばジリコニウム、チタン、タンタル、亜鉛、銅、カルシウム等の希土類金属、アルカリ土類金属、遷移金属や、これらの金属を含んだ合金等を利用することが可能である。更に、安定な酸化膜を形成できる金属でなくても、この金属の表面に緊密な自己組織化単分子層が形成できる金属であれば、ゲート電極２の材料として採用可能である。
【００１８】
本実施形態において、ゲート絶縁層３は、ゲート電極２を酸化してなるゲート電極酸化層３１と、このゲート電極酸化層３１上に形成された自己組織化単分子層３２からなる。尚、本実施形態においてはゲート電極２の材料としてアルミニウムを採用している為、ゲート電極酸化層３１は酸化アルミニウムからなる。また、自己組織化単分子層３２の材料として、本実施形態においては図３に示すｎ−オクタデシルホスホン酸（Ｃ１８Ｈ３９Ｏ３Ｐ）を採用している。この他、自己組織化単分子層３２は、例えばｎ−ヘキサデシルホスホン酸（Ｃ１６Ｈ３５Ｏ３Ｐ）、ｎ−ブタデシルホスホン酸（Ｃ１４Ｈ３１Ｏ３Ｐ）、ｎ−ドデシルホスホン酸（Ｃ１２Ｈ２７Ｏ３Ｐ）、ｎ−オクチルホスホン酸（Ｃ８Ｈ１９Ｏ３Ｐ）等であっても良い。また、自己組織化単分子層３２は、半導体層４を形成する為に表面エネルギーを下げる事と、ゲート絶縁層３の物理的な膜厚を厚くしてリーク電流を低減することを主目的として形成される。従って、上記材料以外でも表面エネルギーを下げる事が可能であり、かつ絶縁性をしめすものであれば採用可能である。また、必要でない場合、例えばゲート電極酸化層３１の絶縁性が充分である場合には、この自己組織化単分子層３２を省略してもよい場合がある。
【００１９】
また、本実施形態においては、半導体層４の材料としてジナフトチエノチオフェン（ＤＮＴＴ）を採用している。しかし、例えばペンタセン（Ｃ２２Ｈ１４）やアントラセン（Ｃ１４Ｈ１０）、ルブレン（Ｃ４２Ｈ２８）、ポリアセチレン等、半導体としての性質を有する有機物であれば、半導体層４として採用可能である。尚、半導体層４の材料としては、ゲート電極２の材料として採用される金属との関係において、最適な材料を選択することも考えられる。更に、本実施形態においてはソース電極５及びドレイン電極６として金（Ａｕ）を採用している。しかし、これらの電極に、他の金属や合金等を採用することも可能であり、更に、導電性高分子や銀インク等の導電性のインクを採用することも可能である。
【００２０】
図４は、上記第２配線及びワード線ＷＬの交点ＣＰの構成を示す側断面図である。ＣＰは、有機薄膜トランジスタと類似の構造を有している。即ち、交点ＣＰは、基板１上にワード線ＷＬと、このワード線ＷＬを覆う様に形成された交点絶縁層１３と、この交点絶縁層１３を覆う様に形成された交点半導体層（有機機能層）１４と、この交点半導体層１４上に形成された第２配線を有する。また、交点絶縁層１３は、ゲート絶縁層３と同様にワード線ＷＬの表面を酸化してなる交点酸化層１３１と、この交点酸化層１３１表面に形成された自己組織化単分子層１３２からなる。また、図５に示すように、交点半導体層１４は交点ＣＰを覆う様に形成されれば良い為、ある程度のマージンを設けて形成される。従って、半導体層１４の一部は、第２配線を形成した時点で露出している。但し、必要な場合にはこのマージン部分を除去することも可能である。
【００２１】
［１−２．第１の実施形態に係る有機薄膜トランジスタマトリクスの製造方法］
次に、本実施形態に係る有機薄膜トランジスタマトリクスの製造方法について説明する。図６は、本実施形態に係る有機薄膜トランジスタの製造方法を示すフローチャートである。本実施形態に係る有機薄膜トランジスタの製造方法においては、まず基板１上にゲート電極２及びワード線ＷＬ（第１配線）を形成し（ステップＳ１）、ゲート電極２表面にゲート絶縁層３を、ワード線ＷＬの、少なくとも交点ＣＰに該当する部分の表面に交点絶縁層１３を形成する（ステップＳ２，Ｓ３）。続いて、ゲート絶縁層３を覆う様に半導体層（有機機能層）４を、交点絶縁層１３を覆う様に交点半導体層（有機機能層）１４を形成し（ステップＳ４）、半導体層４上にソース電極５及びドレイン電極６を形成し、同時に交点半導体層１４を介してワード線ＷＬと交差するようにビット線ＢＬを形成する（ステップＳ５）。また、本実施形態において、ゲート絶縁層３及び交点絶縁層１３の形成は、ゲート電極２及びワード線ＷＬ表面の酸化によるゲート電極酸化層３１及び交点酸化層１３１の形成と（ステップＳ２）、ゲート電極酸化層３１及び交点酸化層１３１上への自己組織化単分子層３２，１３２の形成（ステップＳ３）によって行われる。
【００２２】
ステップＳ１においては、基板１上にゲート電極２及びワード線ＷＬを形成する。ゲート電極２及びワード線ＷＬの形成方法としては種々の方法が適用可能であり、例えばマスクを用いてスパッタや蒸着を行ってもよいし、フォトリソグラフィーとエッチングを組み合わせて行っても良い。
【００２３】
ステップＳ２においては、ゲート電極酸化層３１及び交点酸化層１３１を生成する。酸化の為の方法としては種々の方法が適用可能であり、例えばＯ２プラズマ等、プラズマの照射による方法、低圧水銀ランプ等を用いた紫外線の照射による方法、陽極酸化による方法、薬液による方法等、種々の方法等が考え得る。また、例えばプラズマの照射による方法、陽極酸化による方法、薬液による方法を使用した場合、ゲート電極酸化層３１表面が汚染される可能性があるが、この場合には紫外線の照射等の手段によって洗浄することも可能である。
【００２４】
尚、本実施形態においては、ゲート電極２及びワード線ＷＬ表面の酸化の方法として、低圧水銀ランプを用いた紫外線の照射による方法を採用している。低圧水銀ランプからは１８５ｎｍと２５４ｎｍの二つの波長をもつ紫外線光が生じる。１８５ｎｍの波長を有する紫外線光は、大気中の酸素を分解してオゾン（Ｏ３）を発生させ、これによって上記ゲート電極の酸化を行う。２５４ｎｍの波長を有する紫外線光はこのオゾンを分解して酸素ラジカルを生成させ、これによって上記ゲート電極２及びワード線ＷＬ表面の酸化を更に進行させる。また、２５４ｎｍの波長を有する紫外線光はゲート電極２、ワード線ＷＬ表面及び基板に直接到達し、これらの表面に存在する有機物を分解することによって、洗浄を行う。
【００２５】
本実施形態においては、３００Ｗの低圧水銀灯（例えば江東電気(株)製 KOL-300）を用いており、この低圧水銀灯から１ｃｍ程度離れた場所に基板１を設置し、ゲート電極２ワード線ＷＬに５分間紫外線光を照射する。尚、低圧水銀灯の種類、低圧水銀灯と基板１との距離、紫外線光の照射時間等は一例として示したのみに過ぎず、これら条件は適宜調整可能である。
【００２６】
ステップＳ３においては、ゲート電極酸化層３１上及び交点酸化層１３１上に、それぞれ自己組織化単分子層３２、１３２を形成する。本実施形態においては、上記ゲート電極酸化層３１等の形成された基板１を、ｎ−オクタデシルホスホン酸の２−プロパノール溶液（５ｍｍｏｌ／Ｌ）に、常温下にて３０分間浸漬する。尚、溶液や浸漬時間等は適宜調整可能であり、例えばゲート電極酸化層３１及び交点酸化層１３１の形成された基板１を一昼夜又は数日間ｎ−オクタデシルホスホン酸の溶液に浸漬しておくことも可能である。尚、この様なプロセスは全て１００℃以下の低温において行われる。
【００２７】
尚、自己組織化単分子層３２、１３２の形成は、必ずしも２−プロパノール溶液への浸漬によって行う必要は無く、異なる方法によっても実現可能である。例えば、気相成長法によって自己組織化単分子層３２、１３２を生成することも可能である。
【００２８】
ｎ−オクタデシルホスホン酸の分子端部にはＯＨ基が存在し、このＯＨ基と、ＡｌＯｘ表面を覆っているＯＨ基が脱水縮合することによって、自己組織化単分子層３２、１３２とゲート電極酸化層３１、交点酸化層１３１とがそれぞれ結合する。また、ｎ−オクタデシルホスホン酸はＡｌＯｘ表面に一分子のみ結合して、２−４ｎｍの厚さを有する自己組織化単分子層３２を形成する。
【００２９】
次に、上記溶液から基板１を取り出し、例えば２−プロパノール（Ｃ３Ｈ８Ｏ）によるリンスを行う。次に、例えば１００℃〜１２０℃程度の温度で５〜３０分程度ベイクを行い、残留溶媒を除去する。本実施形態においては、１００℃の温度で１０分間ベイクを行う。
【００３０】
ステップＳ４においては、半導体層４及び交点半導体層１４を形成する。半導体層４及び交点半導体層１４の形成方法としては種々の方法が適用可能であり、例えばレジストやマスク等と蒸着やスパッタリング等とを組み合わせてもよいし、印刷による方法、半導体溶液のスピン塗布、フォトリソグラフィーとエッチングの組合せ等も考えられる。更に、例えばインクジェット法を使用する場合等には、有機薄膜トランジスタの半導体層４の膜厚を比較的薄く、交点半導体層１４の膜厚を比較的厚く形成することも可能である。即ち、有機薄膜トランジスタの半導体層４は面積が小さいため欠陥が生じる可能性が比較的低く、更に動作速度や動作電圧の観点からは膜厚を薄くする事が望ましい。一方、交点ＣＰはトランジスタセルの半導体層４と比較して面積が大きいため欠陥が生じる可能性が比較的高く、更に動作速度の観点からも配線間の寄生容量を低減することが望ましいため、膜厚を厚くする事が望ましいのである。従って、有機薄膜トランジスタの半導体層４の膜厚を比較的薄く、交点半導体層１４の膜厚を比較的厚く形成することによって、動作の低消費電力化及び高速化と信頼性の向上とを同時に実現することが可能である。
【００３１】
ステップＳ５においては、ソース電極５、ドレイン電極６及びビット線ＢＬを作成する。ソース電極５及びドレイン電極６の作成にも公知の方法が採用可能であり、本実施形態で用いたＡｕの真空蒸着の他にも、例えばフォトリソグラフィーとエッチングの組合せ、導電性高分子のペースト、銀インク等、導電性インクの印刷法による塗布等が考えられる。
【００３２】
［１−３．第１の実施形態に係る有機薄膜トランジスタマトリクスの検証］
次に、上記方法によって作成した有機薄膜トランジスタマトリクスについて検証した結果を説明する。今回は、交点半導体層１４を有しない比較用の有機薄膜トランジスタマトリクス（以下、マトリクスＡと呼ぶ。）と、本実施形態に係る方法によって作成した有機薄膜トランジスタマトリクス（以下、マトリクスＢと呼ぶ。）とを作成し、静電容量値及び交点ＣＰにおける耐圧について検証した。
【００３３】
図７は、マトリクスＡ，Ｂにおける静電容量値を比較したものである。マトリクスＢのビット線ＢＬとワード線ＷＬとの間に生じる静電容量は、マトリクスＡと比較して低減されている事がわかる。これは、マトリクスＢにおいてはビット線ＢＬとワード線ＷＬとの間に半導体層１４を設けたため、配線間の距離を遠ざける事が出来たからである。ビット線ＢＬ−ワード線ＷＬ間の寄生容量の低減は、動作の高速化に寄与する。
【００３４】
図８は、マトリクスＡ，Ｂの耐圧を比較する為のグラフである。具体的には、マトリクスＡ，Ｂ中の任意のビット線ＢＬ及びワード線ＷＬに電圧を印加し、この印加電圧を徐々に増大させつつそれぞれに流れるリーク電流を測定した。尚、図８において、横軸は印加電圧を、縦軸はリーク電流を表しており、また、縦軸は対数軸としてある。図８より、マトリクスＡの耐圧は、マトリクスＢの約２倍になっている事がわかる。
【００３５】
［２．第２の実施形態］
次に、本発明の第２の実施形態に係る有機薄膜トランジスタマトリクス及びその製造方法について説明する。図９は、本実施形態に係る有機薄膜トランジスタのトランジスタセルＴＣの構成を示す側断面図である。上記第１の実施形態においては、有機薄膜トランジスタの構造としてフローティングゲートを有しない、いわゆるシングルゲート型の構造を採用していたが、本実施形態においては、図９に示す通りダブルゲート型の構造を採用しており、ゲート電極２の上に、ゲート電極酸化層３１を介してフローティングゲート２２が形成されている。従って、本実施形態に係る有機薄膜トランジスタは、単体でメモリ素子として使用することが可能である。また、フローティングゲート電極に電荷を溜めることによってトランジスタの閾値を制御することも可能である。
【００３６】
フローティングゲート２２には種々の材料が適用可能であるが、例えばゲート電極２と同様の材料を適用することが考えられる。従って、本実施形態においてはフローティングゲート１２の材料としてアルミを適用する。フローティングゲート２２の表面には、フローティングゲート絶縁層２３が形成される。フローティングゲート絶縁層２３は、フローティングゲート２２表面に紫外線を照射して形成されるフローティングゲート酸化層２３１と、自己組織化単分子層２３２からなる。尚、本実施形態に係る自己組織化単分子層２３２は、第１及び第２の実施形態に係る自己組織化単分子層３２と同様の材料から形成することが可能である。
【００３７】
次に、本実施形態に係る有機薄膜トランジスタの製造方法について説明する。図１０は、本実施形態に係る有機薄膜トランジスタの製造方法を示すフローチャートである。本実施形態に係る有機薄膜トランジスタの製造方法は第１の実施形態とほぼ同様であるが、本実施形態に係る有機薄膜トランジスタはダブルゲート構造を採用している為、ステップＳ２においてゲート電極酸化層３１及び交点酸化層１３１を形成した後に、ステップＳ６においてフローティングゲート２２を形成し、更にステップＳ７及びステップＳ３においてフローティングゲート絶縁層１３を形成する。
【００３８】
本実施形態のステップＳ２ではゲート電極２表面に紫外線を照射してゲート電極酸化層３１の形成を行う。ここで、紫外線は洗浄効果を有する為、形成されるゲート電極酸化層３１の表面の不純物は除去される。従って、ステップＳ６において、フローティングゲート１２となるアルミニウムもゲート電極酸化層３１上に好適に形成されるものと考えられる。ステップＳ７における紫外線照射の条件は適宜調整可能であるが、本実施形態においては第１の実施形態と同様の方法を採用している。ステップＳ３においては自己組織化単分子層１３２を形成するが、この工程も第１の実施形態におけるステップＳ３とほぼ同様に行う事が可能である。
【００３９】
尚、本実施形態においては、ワード線ＷＬとビット線ＢＬとの交点ＣＰ又はワード線ＷＬとソース線との交点は、第１の実施形態と同様に、図４に示す構造を形成することが考えられる。この場合には、フローティングゲート２２及びフローティングゲート絶縁層２３に該当する部分を、交点ＣＰ等の製造については省略すれば良い。また、電気的特性に支障が出ない場合には交点ＣＰにフローティングゲート２２及びフローティングゲート絶縁層２３に該当する部分が形成されてもよい。
【符号の説明】
【００４０】
１…基板、  ２…ゲート電極、  ３…ゲート絶縁層、  ４…半導体層（有機機能層）、  ５…ソース電極、  ６…ドレイン電極、  １３…交点絶縁層、  １４…交点半導体層（有機機能層）、  ３１…ゲート電極酸化層、  ３２，１３２…自己組織化単分子層、  １３１…交点酸化層、  ＢＬ…ビット線、  ＷＬ…ワード線、  ＣＰ…交差する配線の交点。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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