(57)【要約】【課題】透明電極パターン部の抵抗劣化を改善しつつ、透明電極パターン部と透明絶縁パターン部との間の非視認性を維持する。【解決手段】透明電極パターン部１３及び透明絶縁パターン部１４は、それぞれ少なくとも導電材料部を有するとともに、導電材料部が互いに異なるパターンで形成されているようにする。例えば、透明電極パターン部１３及び透明絶縁パターン部１４は、導電材料部と非導電部が設けられ、透明電極パターン部１３の導電材料部（導電部１３ｂ）と非導電部（孔部１３ａ）のパターンと、透明絶縁パターン部１４の導電材料部（島部１４ａ）と非導電部（間隙部１４ｂ）のパターンが、互いに異なるランダムパターンで形成されているようにする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、
上記基材の表面において、所定方向に向かって交互に敷き詰められて形成された透明電極パターン部及び透明絶縁パターン部と、
を備え、
上記透明電極パターン部及び透明絶縁パターン部は、それぞれ少なくとも導電材料部を有するとともに、上記導電材料部が互いに異なるパターンで形成されている透明導電性素子。
【請求項２】
上記透明電極パターン部及び上記透明絶縁パターン部は、上記導電材料部と非導電部が、互いに異なるランダムパターンで形成されている請求項１に記載の透明導電性素子。
【請求項３】
上記透明電極パターン部は、上記導電材料部の形成面内で、複数の非導電部が離間してランダムに形成され、
上記透明絶縁パターン部は、非導電部の形成面内で、上記導電材料部が離間してランダムに形成されており、
上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部とでは、上記導電材料部と上記非導電部の境界によって形成されるパターンが、互いに異なるランダムパターンとされている請求項１に記載の透明導電性素子。
【請求項４】
上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部とでは、異なる生成条件によって生成したランダムパターンに基づいて、上記導電材料部と上記非導電部を配置することで、互いに異なるランダムパターンとなるようにする請求項２に記載の透明導電性素子。
【請求項５】
上記透明電極パターン部は、上記導電材料部の被覆率が異なる複数の領域により形成されている請求項１に記載の透明導電性素子。
【請求項６】
基材表面に所定方向に向かって交互に敷き詰められて形成された透明電極パターン部及び透明絶縁パターン部とを有する第１の透明導電性素子と、
基材表面に上記所定方向とは直交する方向に向かって交互に敷き詰められて形成された透明電極パターン部及び透明絶縁パターン部とを有し、入力面方向から見て上記第１の透明導電性素子と重ね合わされた位置関係で配置される第２の透明導電性素子と、
を備え、
上記第１，第２の透明導電性素子における、上記透明電極パターン部及び透明絶縁パターン部は、それぞれ少なくとも導電材料部を有するとともに、上記導電材料部が互いに異なるパターンで形成されている入力装置。
【請求項７】
上記第１，第２の透明導電性素子における、上記透明電極パターン部及び上記透明絶縁パターン部は、上記導電材料部と非導電部が、互いに異なるランダムパターンで形成されている請求項６に記載の入力装置。
【請求項８】
上記第１の透明導電性素子と上記第２の透明導電性素子が重ね合わされた状態で入力面方向からみた全ての領域で、上記第１の透明導電性素子の上記導電材料部の被覆率と上記第２の透明導電性素子における導電材料部の被覆率との加算値の差が、０以上６０以下である請求項６に記載の入力装置。
【請求項９】
上記第１の透明導電性素子と上記第２の透明導電性素子が重ね合わされた状態で入力面方向からみた全ての領域で、上記第１の透明導電性素子の上記導電材料部の被覆率と上記第２の透明導電性素子における導電材料部の被覆率との加算値の差が、０以上３０以下である請求項６に記載の入力装置。
【請求項１０】
表示装置と、
上記表示装置の表示面において、所定方向に向かって交互に敷き詰められて形成された透明電極パターン部及び透明絶縁パターン部とを有する第１の透明導電性素子と、
上記表示装置の表示面において、上記所定方向とは直交する方向に向かって交互に敷き詰められて形成された透明電極パターン部及び透明絶縁パターン部とを有し、入力面方向から見て上記第１の透明導電性素子と重ね合わされた位置関係で配置される第２の透明導電性素子と、
を備え、
上記第１，第２の透明導電性素子における、上記透明電極パターン部及び透明絶縁パターン部は、それぞれ少なくとも導電材料部を有するとともに、上記導電材料部が互いに異なるパターンで形成されている電子機器。
【請求項１１】
基材と、上記基材の表面において、所定方向に向かって交互に敷き詰められて形成された透明電極パターン部及び透明絶縁パターン部とを備えた透明導電性素子の製造方法として、
上記透明電極パターン部に用いる第１のランダムパターンを生成する工程と、
上記第１のランダムパターンとは異なる生成条件で上記透明絶縁パターン部に用いる第２のランダムパターンを生成する工程と、
上記第１，第２のランダムパターンに基づいて、上記基材上に、上記透明電極パターン部における導電材料部と上記透明絶縁パターン部における導電材料部を形成する工程と、
を含む透明導電性素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、透明導電性素子およびその製造方法、それを用いる入力装置および電子機器に関する。特に透明導電性素子の電極パターンに関する。
【背景技術】
【０００２】
透明プラスチックフィルムからなる基材上に、透明でかつ抵抗が小さい薄膜を積層した透明導電性フィルムは、その導電性を利用した用途に広く使用されている。例えば、液晶ディスプレイや有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Electroluminescence）ディスプレイなどのようなフラットパネルディスプレイや、抵抗膜式タッチパネルの透明電極などの電気、電子分野の用途がある。
【０００３】
特に近年では、静電容量式のタッチパネルが携帯電話、携帯音楽端末などのモバイル機器に搭載されるケースが増えている。このような静電容量式のタッチパネルでは、基材表面にパターニングされた透明導電層が形成された透明導電性フィルムが用いられる。
しかしながら、従来の透明導電性フィルムを用いた場合、透明導電層を有する部分と除去された部分とでの光学特性の差が大きい。このため、パターニングが強調され、液晶ディスプレイなどの表示装置の前面に透明導電性フィルムを配置した際に、透明導電性フィルム自体が視認されやすく、表示装置の見栄えが悪化するという問題がある。
【０００４】
そこで、透明導電性薄膜層と基材フィルムとの間に、屈折率の異なる誘電体層を積層した積層膜を設け、これらの積層膜の光学干渉を利用して、透明導電性フィルムの非視認性を向上する技術が提案されている（例えば上記特許文献１、２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−２３２８２号公報
【特許文献２】特開２０１０−２７２９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述の技術では、積層膜の光学調整機能に波長依存があるため、透明導電性フィルムの非視認性を十分に向上させることは困難である。このため、近年では、透明導電性フィルムの非視認性を向上する技術として、上述の積層膜に代わる技術が望まれている。
また静電容量タッチパネル等として、応答速度や位置検出精度の安定した入力装置を実現するためには、透明導電層の抵抗値も考慮されなければならない。
【０００７】
本技術では、非視認性に優れ、また透明導電層の抵抗値の低減にも適した透明導電性素子およびその製造方法、それを用いる情報入力装置および電子機器を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本技術の透明導電性素子は、基材と、上記基材の表面において、所定方向に向かって交互に敷き詰められて形成された透明電極パターン部及び透明絶縁パターン部とを備え、上記透明電極パターン部及び透明絶縁パターン部は、それぞれ少なくとも導電材料部を有するとともに、上記導電材料部が互いに異なるパターンで形成されている。
例えば上記透明電極パターン部及び上記透明絶縁パターン部は、上記導電材料部と非導電部が、互いに異なるランダムパターンで形成されている。
その場合、例えば、上記透明電極パターン部は、上記導電材料部の形成面内で、複数の上記非導電部が離間してランダムに形成され、上記透明絶縁パターン部は、上記非導電部の形成面内で、上記導電材料部が離間してランダムに形成されており、上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部とでは、上記導電材料部と上記非導電部の境界によって形成されるパターンが、互いに異なるランダムパターンとされている。
【０００９】
本技術の入力装置は、基材表面に所定方向に向かって交互に敷き詰められて形成された透明電極パターン部及び透明絶縁パターン部とを有する第１の透明導電性素子と、基材表面に上記所定方向とは直交する方向に向かって交互に敷き詰められて形成された透明電極パターン部及び透明絶縁パターン部とを有し、入力面方向から見て上記第１の透明導電性素子と重ね合わされた位置関係で配置される第２の透明導電性素子とを備える。そして上記第１，第２の透明導電性素子における、上記透明電極パターン部及び透明絶縁パターン部は、それぞれ少なくとも導電材料部を有するとともに、上記導電材料部が互いに異なるパターンで形成されている。
例えば上記第１，第２の透明導電性素子における、上記透明電極パターン部及び上記透明絶縁パターン部は、上記導電材料部と非導電部が、互いに異なるランダムパターンで形成されている
【００１０】
本技術の電子機器は、表示装置と第１の透明導電性素子と第２の透明導電性素子とを備える。ここで、第１の透明導電性素子は、表示装置の表示面において、所定方向に向かって交互に敷き詰められて形成された透明電極パターン部及び透明絶縁パターン部を有している。一方、第２の透明導電性素子は、表示装置の表示面において、上記所定方向とは直交する方向に向かって交互に敷き詰められて形成された透明電極パターン部及び透明絶縁パターン部を有している。さらに、第１，第２の透明導電性素子は、入力面方向から見て重ね合わされた位置関係で配置されている。そして、第１，第２の透明導電性素子における、透明電極パターン部及び透明絶縁パターン部は、それぞれ少なくとも導電材料部を有するとともに、導電材料部が互いに異なるパターンで形成されている。
【００１１】
本技術の製造方法は、基材と、上記基材の表面において、所定方向に向かって交互に敷き詰められて形成された透明電極パターン部及び透明絶縁パターン部とを備えた透明導電性素子の製造方法である。そして、上記透明電極パターン部に用いる第１のランダムパターンを生成する工程と、上記第１のランダムパターンとは異なる生成条件で上記透明絶縁パターン部に用いる第２のランダムパターンを生成する工程と、上記第１，第２のランダムパターンに基づいて、上記基材上に、上記透明電極パターン部における導電材料部と上記透明絶縁パターン部における導電材料部を形成する工程とを含む。
【００１２】
上述した本技術では、透明導電性素子は、透明電極パターン部及び透明絶縁パターン部とを備えるが、この透明電極パターン部及び透明絶縁パターン部で、導電材料部と非導電部の形成パターンを、異なるパターンとすることで、実際の電極を形成する導電部となる導電材料部の抵抗値増加を回避しつつ、透明電極パターン部及び透明絶縁パターン部の間の非視認性を向上させる。例えば、それぞれをランダムパターンとすることで非視認性を向上させることができるが、異なるランダムパターンとすることで、透明電極パターン部では導電材料部の被覆率を向上させることができつつ、透明絶縁パターン部の導電材料部の被覆率を、透明電極パターン部の導電材料部の被覆率との差が小さくなるようにすることが可能となる。つまり、透明電極パターン部の抵抗値の低減と、透明電極パターン部と透明絶縁パターン部の間の非視認性向上を同時に実現可能となる。
【発明の効果】
【００１３】
本技術によれば、非視認性に優れ、また透明導電層の抵抗値の低減にも適した透明導電性素子および情報入力装置を実現できるという効果がある。また、この透明導電性素子を用いることで、高精彩な表示が可能な電子機器を実現できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本技術の実施の形態の入力装置の構造の説明図である。
【図２】第１の実施の形態の第１の透明導電性素子の説明図である。
【図３】第１の実施の形態の第１の透明導電性素子のランダムパターン部分の構造の説明図である。
【図４】第１の実施の形態の第２の透明導電性素子の説明図である。
【図５】導電部のパターンと比較例の説明図である。
【図６】導電部の被覆率に対するシート抵抗の説明図である。
【図７】第１の実施の形態における第１，第２の透明導電性素子の重なり領域の説明図である。
【図８】第２の実施の形態の第１，第２の透明導電性素子の説明図である。
【図９】第２の実施の形態における第１，第２の透明導電性素子の重なり領域の説明図である。
【図１０】第２の実施の形態のパターン組み合わせの説明図である。
【図１１】実施の形態の透明導電性素子の製造方法Ｉ、IIのフローチャートである。
【図１２】実施の形態の製造方法Ｉの説明図である。
【図１３】実施の形態の製造方法IIの説明図である。
【図１４】実施の形態の製造方法IIの説明図である。
【図１５】実施の形態のランダムパターン形成過程の説明図である。
【図１６】実施の形態のランダムパターン形成処理のフローチャートである。
【図１７】実施の形態のランダムパターン形成過程の説明図である。
【図１８】実施の形態のランダムパターン形成処理のフローチャートである。
【図１９】実施の形態のランダムパターン形成における円の座標の説明図である。
【図２０】実施の形態のランダムパターン形成過程の説明図である。
【図２１】実施の形態の乱数重み付けの説明図である。
【図２２】実施の形態のメッシュパターン形成の説明図である。
【図２３】実施の形態の金属ナノワイヤーを用いた透明導電性素子の説明図である。
【図２４】実施の形態の位置検出マーカーの説明図である。
【図２５】実施の形態の銀配線領域の説明図である。
【図２６】実施の形態の入力装置の各種構造例の説明図である。
【図２７】表示部を備えたテレビ（電子機器）を示す斜視図である。
【図２８】表示部を備えたデジタルカメラ（電子機器）を示す斜視図である。
【図２９】表示部を備えたノート型パーソナルコンピュータ（電子機器）を示す斜視図である。
【図３０】表示部を備えたビデオカメラ（電子機器）を示す斜視図である。
【図３１】表示部を備えた携帯端末装置（電子機器）の斜視図である。
【図３２】実施例の評価結果の説明図である。
【図３３】実施例の評価結果の説明図である。
【図３４】実施例の評価結果の説明図である。
【図３５】実施例のランダムパターンの説明図である。
【図３６】実施例のランダムパターンの説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、実施の形態を次の順序で説明する。
＜１．入力装置の構造例＞
＜２．第１の実施の形態の透明導電性素子：直線状パターン電極＞
＜３．第２の実施の形態の透明導電性素子：ダイヤモンド状パターン電極＞
＜４．製造方法Ｉ＞
＜５．製造方法II＞
＜６．ランダムパターンの形成方法＞
＜７．金属ナノワイヤーを用いた透明導電性素子＞
＜８．位置検出マーカー＞
＜９．銀配線領域＞
＜１０．入力装置構造の変形例＞
＜１１．電子機器の構造例＞
【００１６】
＜１．入力装置の構造例＞
図１は、本技術の実施の形態に係る入力装置の構成の一例を示す断面図である。
図１に示すように、入力装置１０は、表示装置４の表示面上に設けられる。入力装置１０は、例えば貼合層５により表示装置４の表示面に貼り合わされている。
【００１７】
入力装置１０は、いわゆる投影型静電容量方式タッチパネルであり、第１の透明導電性素子１と、この透明導電性素子１の表面上に設けられた第２の透明導電性素子２とを備える。例えば透明導電性素子１がＸ電極を形成し、透明導電性素子２がＹ電極を形成する。
透明導電性素子１と透明導電性素子２とは貼合層６を介して貼り合わされている。
また、必要に応じて、透明導電性素子２の表面上に、貼合層７を介して、反射防止フィルム等の光学層３をさらに備えるようにしてもよい。光学層３は、ＳｉＯ2などのセラミックコート（オーバーコート）とすることも可能である。
【００１８】
詳しくは後述するが、透明導電性素子１は、基材１１の表面（この例の場合、貼合層５側）に透明導電層１２が形成されて成る。また透明導電性素子２は、基材２１の表面（この例の場合、貼合層６側）に透明導電層２２が形成されて成る。
【００１９】
本技術の電子機器の一例として、入力装置１０を表示面上に備えた表示装置４がある。この表示装置４は特に限定されるものではないが、例示するならば、液晶ディスプレイ、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）ディスプレイ、プラズマディスプレイ（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）ディスプレイ、表面伝導型電子放出素子ディスプレイ（Surface-conduction Electron-emitter Display：ＳＥＤ）などの各種表示装置が挙げられる。
【００２０】
＜２．第１の実施の形態の透明導電性素子：直線状パターン電極＞
第１の実施の形態の透明導電性素子１，２について説明する。
まず図２，図３を用いてＸ電極を形成する透明導電性素子１について説明する。
図２Ａは、透明導電性素子１の構成の一例を示す平面図、図２Ｂは図２Ａに示したａ−ａ線に沿った断面図、図２Ｃは図２Ａに示した領域Ｃ１を拡大して示す平面図である。
【００２１】
図２Ａおよび図２Ｂに示すように、透明導電性素子１は、表面を有する基材１１と、この表面に形成された透明導電層１２とを備える。
透明導電層１２は、透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４とを備える。
透明電極パターン部１３は、Ｘ軸方向に延在されたＸ電極パターン部である。
透明絶縁パターン部１４は、いわゆるダミー電極パターン部であり、Ｘ軸方向に延在されるとともに、透明電極パターン部１３の間に介在されて、隣り合う透明電極パターン部１３の間を絶縁する絶縁パターン部である。
これらの透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４とが、基材１１の表面にＹ軸方向に向かって交互に敷き詰められている。
なお、図２Ａ〜図２Ｃにおいて、領域Ｒ１は透明電極パターン部１３の形成領域を示し、領域Ｒ２は透明絶縁パターン部１４の形成領域を示す。
【００２２】
透明電極パターン部１３、および透明絶縁パターン部１４の形状は、画面形状や駆動回路などに応じて適宜選択することが好ましく、例えば、直線状、複数の菱形状（ダイヤモンド形状）を直線状に連結した形状などが挙げられるが、特にこれらの形状に限定されるものではない。この第１の実施の形態は、透明電極パターン部１３および透明絶縁パターン部１４の形状が直線状のパターンである例としている。ダイヤモンド形状のパターンの例は、第２の実施の形態として後述する。
【００２３】
図２Ｃに示すように、透明電極パターン部１３は、複数の孔部１３ａが離間してランダムに形成された透明導電層であり、隣り合う孔部１３ａの間には導電部１３ｂが介在されている。
導電部１３ｂは導電材料が基材１１の表面に被覆された導電材料部であり、孔部１３ａは、導電材料が被覆されていない部分、つまり非導電部である。
従って、透明電極パターン部１３は、導電材料部（導電部１３ｂ）の形成面内で、複数の非導電部（孔部１３ａ）が、それぞれ離間してランダムに形成されている。
【００２４】
一方、透明絶縁パターン部１４は、離間してランダムに形成された複数の島部１４ａからなる透明導電層であり、隣り合う島部１４ａの間には絶縁部としての間隙部１４ｂが介在される。
島部１４ａは導電材料が基材１１の表面に被覆された導電材料部であり、間隙部１４ｂは、導電材料が被覆されていない部分、つまり非導電部である。
従って透明絶縁パターン部１４は、非導電部（間隙部１４ｂ）の形成面内で、導電材料部（島部１４ａ）が離間してランダムに形成されている。
【００２５】
そして本実施の形態の場合、透明電極パターン部１３及び透明絶縁パターン部１４は、互いに異なるランダムパターンで形成されている。具体的には、導電材料部と非導電部の境界によって形成されるパターンが、互いに異なるランダムパターンとされている。
互いに異なるランダムパターンとは、異なる生成条件によって生成したランダムパターンに基づいて、導電材料部と非導電部を配置することで形成する。
すなわち透明電極パターン部１３用のランダムパターンを形成し、それに基づいて孔部１３ａ、導電部１３ｂを形成する。また透明絶縁パターン部１４用のランダムパターンを形成し、それに基づいて島部１４ａ、間隙部１４ｂを形成する。
【００２６】
なお、透明絶縁パターン部１４の間隙部１４ｂでは、導電材料が完全に除去されていることが好ましいが、間隙部１４ｂが絶縁部として機能する範囲内であれば、導電材料の一部が島状や薄膜状に残留していてもよい。
また、孔部１３ａおよび島部１４ａは周期性のないランダム構造を有することが好ましい。孔部１３ａおよび島部１４ａがミクロンオーダー以下の周期構造によって形成されていると、それ自体で干渉光が発生したり、表示装置４の表示面上に入力装置１０を配置して目視した場合、モアレが発生したりする傾向があるためである。
【００２７】
図３Ａは、透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４との境界線近傍を拡大して示す平面図である。図３Ｂは、図３Ａに示したｂ−ｂ線に沿った断面図である。
図３Ｂに示すように、導電部１３ｂ、島部１４ａが、基材１１上において導電材料が被覆されている部分となり、孔部１３ａ、間隙部１４ｂが、導電材料が除去され基材表面が露出する部分である。
また図３Ａからわかるように、透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４は、互いに異なるランダムパターンで導電材料部と非導電部が形成されており、境界線Ｌ１上は、単に２種類のランダムパターンをそのままカットして貼り合わせたような状態となっている。このため境界線Ｌ１付近での導電材料部と非導電部の境界線は不規則となり、境界線Ｌ１の視認を抑制することができる。
【００２８】
図４は、Ｙ電極を形成する透明導電性素子２を示している。
図４Ａは、透明導電性素子２の構成の一例を示す平面図であり、図４Ｂは図４Ａに示したｃ−ｃ線に沿った断面図である。図４Ｃは、図４Ａに示した領域Ｃ２を拡大して示す平面図である。
【００２９】
図４Ａおよび図４Ｂに示すように、透明導電性素子２は、表面を有する基材２１と、この表面に形成された透明導電層２２とを備える。
透明導電層２２は、透明電極パターン部２３と透明絶縁パターン部２４とを備える。
透明電極パターン部２３は、Ｙ軸方向に延在されたＹ電極パターン部である。
透明絶縁パターン部２４は、いわゆるダミー電極パターン部であり、Ｙ軸方向に延在されるとともに、透明電極パターン部２３の間に介在されて、隣り合う透明電極パターン部２３の間を絶縁する絶縁パターン部である。
これらの透明電極パターン部２３と透明絶縁パターン部２４とが、基材２１の表面にＸ軸方向に向かって交互に敷き詰められている。上述した透明導電性素子１が有する透明電極パターン部１３および透明絶縁パターン部１４と、この透明導電性素子２が有する透明電極パターン部２３および透明絶縁パターン部２４とは、例えば互いに直交する関係にある。
なお、図４Ａ〜図４Ｃにおいて、領域Ｒ１は透明電極パターン部２３の形成領域を示し、領域Ｒ２は透明絶縁パターン部２４の形成領域を示す。
【００３０】
図４Ｃに示すように、透明電極パターン部２３は、複数の孔部２３ａが離間してランダムに形成された透明導電層であり、隣り合う孔部２３ａの間には導電部２３ｂが介在されている。
従って、透明電極パターン部２３は、導電材料部（導電部２３ｂ）の形成面内で、複数の非導電部（孔部２３ａ）が、それぞれ離間してランダムに形成されている。
【００３１】
一方、透明絶縁パターン部２４は、離間してランダムに形成された複数の島部２４ａからなる透明導電層であり、隣り合う島部２４ａの間には絶縁部としての間隙部２４ｂが介在されている。
従って透明絶縁パターン部２４は、非導電部（間隙部２４ｂ）の形成面内で、導電材料部（島部２４ａ）が離間してランダムに形成されている。
【００３２】
そして上述したＸ電極の透明導電性素子１と同様、透明電極パターン部２３及び透明絶縁パターン部２４は、互いに異なるランダムパターンで形成されている。具体的には導電材料部と非導電部の境界によって形成されるパターンが、互いに異なるランダムパターンとされている。
透明電極パターン部２３と透明絶縁パターン部２４との境界線Ｌ２上は、２種類のランダムパターンがそのままカットされて貼り合わせたような状態となっている。
【００３３】
以上の透明導電性素子１，２における基材１１、２１の材料としては、例えば、ガラス、プラスチックを用いることができる。
ガラスとしては、例えば公知のガラスを用いることができる。公知のガラスとしては、具体的には例えば、ソーダライムガラス、鉛ガラス、硬質ガラス、石英ガラス、液晶化ガラスなどが挙げられる。
プラスチックとしては、例えば、公知の高分子材料を用いることができる。公知の高分子材料としては、具体的には例えば、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエステル（ＴＰＥＥ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミド（ＰＡ）、アラミド、ポリエチレン（Ｐ）、ポリアクリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン（ＰＰ）、ジアセチルセルロース、ポリ塩化ビニル、アクリル樹脂（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、エポキシ樹脂、尿素樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、環状オレフィンポリマー（ＣＯＰ）、ノルボルネン系熱可塑性樹脂などが挙げられる。
【００３４】
ガラス基材の厚みは、２０μｍ〜１０ｍｍであることが好ましいが、この範囲に特に限定されるものではない。プラスチック基材の厚さは、２０μｍ〜５００μｍであることが好ましいが、この範囲に特に限定されるものではない。
【００３５】
透明導電層１２、２２を形成する導電材料としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、ガリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛、酸化亜鉛−酸化錫系、酸化インジウム−酸化錫系、酸化亜鉛−酸化インジウム−酸化マグネシウム系などの金属酸化物、もしくは銅、銀、金、白金、パラジウム、ニッケル、錫、コバルト、ロジウム、イリジウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、マンガン、モリブデン、タングステン、ニオブ、タンテル、チタン、ビスマス、アンチモン、鉛などの金属、又はこれらの合金などが挙げられる。
透明導電層１２、２２を形成する導電材料として、カーボンナノチューブをバインダー材料に分散させた複合材料を用いてもよい。置換または無置換のポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、およびこれらから選ばれる１種または２種からなる（共）重合体の導電性ポリマーを使用してもよい。これら２種以上を複合して使用してもよい。
導電材料として金属ナノワイヤーを用いた構成については後に詳述する。
【００３６】
透明導電層１２、２２の形成方法としては、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法などのＰＶＤ法や、ＣＶＤ法、塗工法、印刷法など用いることができる。透明導電層１２、２２の厚みは、パターニング前の状態（基材１１、２１の全面に透明導電層１２、２２が形成されている状態）にて表面抵抗が１０００Ω／□（ohm/square）以下となるように適宜選択することが好ましい。
【００３７】
以上のような構造の透明導電性素子１，２における透明電極パターン部１３，２３と透明絶縁パターン部１４，２４の導電材料被覆について述べる。なお以下では、主にＸ電極側となる透明電極パターン部１３，透明絶縁パターン部１４を用いて説明していくが、Ｙ電極側の透明電極パターン部２３，透明絶縁パターン部２４についても同様である。
【００３８】
図５Ａは、透明電極パターン部１３において全面に導電材料を形成した状態を示している。つまり孔部１３ａを設けず、全面が導電部１３ｂとなっている状態である。従って図示されていない下部の基材１１に対する導電材料（導電部１３ｂ）の被覆率は１００％である。電極幅＝Ｗとする。
【００３９】
これに対し、図５Ｂのように、ランダムパターンで孔部１３ａを形成することを考える。この場合に、導電部１３ｂの被覆率が５０％であったとする。すると、この図５Ｂの場合、平均電極幅はＷ×０．５となる。
従って、導電材料の膜厚を同じとした場合、図５Ｂの透明電極パターン部１３は、図５Ａの被覆率１００％の場合と比較して、電気抵抗は２倍になってしまう。
透明電極パターン部１３の電気抵抗が大きいと、静電容量タッチパネルに使用した場合、応答速度や位置検出精度の低下を招く虞がある。
【００４０】
もちろん、図５Ｂのように孔部１３ａを形成しても、導電材料の膜厚を２倍にすれば、電気抵抗を図５Ａと同等にできる。しかしながらその場合、材料コストの増加、製造ライン速度の低下などの問題が生じ、好ましくない。
【００４１】
一方で、孔部１３ａを設けることは、透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４の間の非視認性を向上させる意味を持つ。
例えば図５Ｃは、各種の径のドットがランダムに配置されるランダムパターンを生成し、それに基づいて透明電極パターン部１３の孔部１３ａと、透明絶縁パターン部１４の島部１４ａを形成したものである。この図５Ｃは、１つのランダムパターンを透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４で共通に用い、それを境界線Ｌ１で反転させているものである。すなわち該ランダムパターンにおけるドット部分を、透明電極パターン部１３では孔部１３ａ（非導電部）とし、透明絶縁パターン部１４では島部１４ａ（導電材料部）とする。
このように透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４にランダムパターンを導入することで、電極ラインが視認できなくなるようにする非視認性を向上できる。
【００４２】
ここで、先の抵抗値の問題が生ずる。
透明電極パターン部１３において図５Ｃのようにランダムパターンを導入すると、電気抵抗が高くなる。
この透明電極パターン部１３の抵抗劣化（抵抗値上昇）の改善のためには、透明電極パターン部１３の導電材料被覆率は大きくしたい。つまり孔部１３ａの面積割合を小さくし、導電部１３ｂの面積割合を大きくしたい。
ところがそのようにした場合、透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４で共通のランダムパターンを用いると、透明絶縁パターン部１４側では、島部１４ａの面積割合が小さくなり、間隙部１４ｂの面積割合が大きくなる。
結果として、透明電極パターン部１３では、導電材料被覆部分である導電部１３ｂが目立ち、透明絶縁パターン部１４では、導電材料が被覆されていない間隙部１４ｂが目立つ状態となる。つまり、透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４とで導電材料の被覆率差が大きくなってしまい、非視認性が阻害される。
【００４３】
導電部１３ｂの被覆率に対するシート抵抗の変化を図６に示す。図６では、それぞれ或る電極幅と或る厚みの導電材料を用い、導電部１３ｂの被覆率を１００％としたときにシート抵抗が１３５Ω／□、１００Ω／□、７５Ω／□、５０Ω／□となるものについて、被覆率を下げたときのシート抵抗の変化を示している。
図示のように、導電部１３ｂの被覆率が小さくなるにつれシート抵抗は高くなる。例えばノートタイプやタブレットタイプのパーソナルコンピュータ等の中型のディスプレイにタッチパネルを採用する場合、１５０Ω／□程度以下が目安となる。すると、被覆率１００％のときにシート抵抗が１００Ω／□となる導電材料、電極幅、膜厚の導電部１３ｂの場合で言えば、図から、導電部１３ｂの被覆率は６７％以上（大まかには６５％程度以上）とすることが好ましいことがわかる。
【００４４】
つまり、ランダムパターンで孔部１３ａ及び島部１４ａを設けることで、非視認性に有利であるが、非視認性の向上のためには、透明電極パターン部１３における孔部１３ａの面積比率と、透明絶縁パターン部１４における島部１４ａの面積比率がほぼ同等であることが好ましい。そのためには、図５Ｂのような導電材料の被覆率が５０％となるようなランダムパターンを形成し、図５Ｃのように、透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４で、１つのランダムパターンが境界線Ｌ１でパターン反転させて導電材料を被覆するようにすることが好適である。
ところがその場合、透明電極パターン部１３における導電部１３ｂの被覆率が５０％程度となり、シート抵抗が高くなる。
そこでこれを考慮して、透明電極パターン部１３における導電部１３ｂの被覆率が例えば６５％程度以上とすると、シート抵抗は抑えられるが、今度は透明絶縁パターン部１４における間隙部１４ｂの面積比率が高まり、非視認性が悪化してしまう。
このように、透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４で共通のランダムパターンを折り返して用いると、電極抵抗と非視認性がトレードオフの関係になる。
【００４５】
そこで本実施の形態では、透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４において、異なるパターンを使用する。
異なるパターンとは、次のような例がある。
【００４６】
まず、透明電極パターン部１３は導電材料の被覆率が１００％となるベタ塗りパターンで、透明絶縁パターン部１４はランダムパターンとすることが考えられる。ベタ塗りパターンは、透明電極パターン部１３の全体が導電部１３ｂであり、孔部１３ａが存在しないものとなる。そして透明絶縁パターン部１４は、島部１４ａと間隙部１４ｂがランダムに配置される。つまり、透明電極パターン部１３及び透明絶縁パターン部１４は、それぞれ少なくとも導電材料部を有しながら、導電材料部が互いに異なるパターンで形成される場合の一例である。
【００４７】
さらに透明電極パターン部１３及び透明絶縁パターン部１４は、導電材料部と非導電部が、互いに異なるランダムパターンで形成されている例がある。例えば透明電極パターン部１３は、導電材料部の形成面内で、複数の孔部１３ａ（非導電部）が離間してランダムに形成され、透明絶縁パターン部１４は、非導電部の形成面内で、導電材料部（島部１４ａ）が離間してランダムに形成されている。そして透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４とでは、導電材料部と非導電部の境界によって形成されるパターンが、互いに異なるランダムパターンとされている例である。
本実施の形態の場合、図２Ｃ、図４Ｃのように、透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４が、このように互いに異なるランダムパターンを用いて形成されているものである。
異なるランダムパターンとは、異なるランダムパターン生成条件（半径範囲、生成した円内への図形描写条件、後述する乱数の重み付け等）にて生成したパターンのことである。
【００４８】
そして異なるランダムパターンを用いることで、透明電極パターン部１３の抵抗値低減と、非視認性を両立できる。
例えば透明電極パターン部１３において、図６のシート抵抗が１００Ω／□となる導電材料、電極幅、膜厚の導電部１３ｂを形成する例の場合で言えば、導電部１３ｂの被覆率を略６５％程度以上とすればよいため、孔部１３ａの面積比率が３５％以下となるようなランダムパターンを用いればよい。
このとき、透明絶縁パターン部１４では、間隙部１４ｂの面積比率が孔部１３ａの面積比率とあまり異ならないようなランダムパターンを用いればよい。それにより非視認性を維持できる。
例えば透明電極パターン部１３における導電材料部（導電部１３ｂ）の被覆率を６５％以上１００以下とする場合、透明絶縁パターン部１４における導電材料部（間隙部１４ｂ）の被覆率も６５％以上１００未満とするとよい。異なるランダムパターンを用いることで、このような状態が実現できる。
【００４９】
さらに非視認化のためには、透明導電性素子１（Ｘ電極）と透明導電性素子２（Ｙ電極）の両方を重ねた状態で考えることも必要である。
まず本実施の形態の入力装置１０を構成する透明導電性素子１，２は、それぞれ透明電極パターン部１３（２３）及び透明絶縁パターン部１４（２４）は、導電材料部と非導電部が、互いに異なるランダムパターンで形成されている。
図７Ａには、図１の状態、つまり透明導電性素子１，２が重ねて配置されている状態を示し、図７Ｂに一部の拡大図を示している。
この場合、領域ＡＲ１は、透明電極パターン部１３、２３が重なる領域である。
領域ＡＲ２は、透明絶縁パターン部１４、２４が重なる領域である。
領域ＡＲ３は、透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部２４が重なるか、もしくは透明絶縁パターン部１４と透明電極パターン部２３が重なる領域である。
ユーザがタッチ操作を行う入力面側から見た場合、透明導電性素子１，２が重なる部分（入力面形成部分）の全ては、これら領域ＡＲ１，ＡＲ２，ＡＲ３に分類される。
ユーザの視覚からの非視認性を考えた場合、これら領域ＡＲ１，ＡＲ２，ＡＲ３の別が視認されることを防がなくてはならない。
【００５０】
結論的には、本実施の形態では、透明導電性素子１と透明導電性素子２が重ね合わされた状態で、入力面方向からみた全ての領域ＡＲ１，ＡＲ２，ＡＲ３で、透明導電性素子１の導電材料部の被覆率と、透明導電性素子２における導電材料部の被覆率との加算値の差が、０以上６０以下であるようにする。さらには、その加算値の差が、０以上３０以下であるとよい。
【００５１】
例えば、透明電極パターン部１３、２３における導電材料部（導電部１３ｂ、２３ｂ）の被覆率を８０％とする。
また透明絶縁パターン部１４、２４における導電材料部（島部１４ａ、２４ａ）の被覆率を５０％とする。
すると、領域ＡＲ１，ＡＲ２，ＡＲ３での透明導電性素子１の導電材料部の被覆率と透明導電性素子２における導電材料部の被覆率との加算値は次のようになる。
領域ＡＲ１：８０＋８０＝１６０
領域ＡＲ２：５０＋５０＝１００
領域ＡＲ３：８０＋５０＝１３０
【００５２】
この場合、加算値は領域ＡＲ１で最も大きく、領域ＡＲ２で最も小さいが、その加算値の差は６０である。
加算値の差が６０以下であれば、非視認性は良好といえる。
加算値を指標とするのは、あくまでもユーザの視覚に沿って非視認性を考えるためである。例えば実際の孔部１３ａや島部１４ａの直径は、例えば１０μｍ〜１００μｍであったり、或いは１００μｍ〜５００μｍであったりと、ランダムパターン生成時のパラメータ設定によって異なるにせよ、人の視覚からすれば極めて微少な孔である。そして透明な電極上で孔部１３ａや島部１４ａの個々をユーザが視認できる場合はほとんど無い。
ユーザの視覚に即してマクロ的に考えた場合、透明導電性素子１，２を重ね合わせたときは、透明導電性素子１での導電材料部の被覆率と、透明導電性素子２での導電材料部の被覆率を加算したものが、その領域の平均的な被覆率と捉えられる。つまり加算値の差が大きいと、ユーザの視覚上、領域ＡＲ１，ＡＲ２，ＡＲ３の別が視認しやすくなる。
発明者らは、視認性検討の結果、入力面方向からみた全ての領域で、上記の加算値の差が、０以上６０以下であるようにすると、非視認性を維持できることを見いだした。
【００５３】
もちろん、加算値の差を小さくすることで、より非視認性には好適となる。
例えば上記の例で言えば、領域ＡＲ２での加算値を大きくすれば、より各領域での加算値の差を小さくすることができる。
そこで、透明絶縁パターン部１４、２４における導電材料部（島部１４ａ、２４ａ）の被覆率を６５％とする。
すると、領域ＡＲ１，ＡＲ２，ＡＲ３での透明導電性素子１の導電材料部の被覆率と透明導電性素子２における導電材料部の被覆率との加算値は次のようになる。
領域ＡＲ１：８０＋８０＝１６０
領域ＡＲ２：６５＋６５＝１３０
領域ＡＲ３：８０＋６５＝１４５
この場合、加算値の差は３０となり、非視認性の点でより好適となる。
【００５４】
但し、透明絶縁パターン部１４、２４における導電材料部（島部１４ａ、２４ａ）の被覆率を高くすることは、例えば後述する印刷形成の場合、それだけ導電材料の使用量が多くなり、材料コストが高くなる。
そこで、各領域間の加算値の差が６０を越えない範囲で、材料コストや透明電極パターン部１３の抵抗値を勘案して、透明絶縁パターン部１４、２４における導電材料部（島部１４ａ、２４ａ）の被覆率を設定するとよい。
【００５５】
以上の本実施の形態では、まず透明電極パターン部１３（２３）と透明絶縁パターン部１４（２４）とで、異なるランダムパターンを用いる。
異なるランダムパターンを用いることで、透明電極パターン部１３（２３）と透明絶縁パターン部１４（２４）とで、導電材料部の被覆率設定の自由度を高めることができる。
それによって透明電極パターン部１３（２３）における抵抗値を適切な値（例えば１５０Ω以下）としたうえで、非視認性や材料コストを鑑みて透明絶縁パターン部１４（２４）側の導電材料部の被覆率を設定できる。
以上により、透明電極パターン部１３（２３）における抵抗値の低減を実現しつつ、入力面側から見た全領域での電極構成の非視認化を実現できる。
そしてこれにより、視認されにくく高性能な入力装置１０が実現できる。
【００５６】
また透明電極パターン部１３（２３）及び透明絶縁パターン部１４（２４）における導電材料部の被覆率は６５％以上１００未満であるとよい。
また、透明導電層パターンの非視認化のため、透明導電性素子１，２を重ねたときのあらゆる領域において、導電材料の被覆率の加算値の差は０以上６０以下とする。さらに良好な非視認化のためには、その加算値の差を０以上３０以上とする。
【００５７】
なお、図３Ａ、図４Ｃの説明の際に述べたが、透明電極パターン部１３（２３）と透明絶縁パターン部１４（２４）との境界線Ｌ１（Ｌ２）上は、２種類のランダムパターンがそのままカットされて貼り合わせたような状態（パターンのブツ切り）となっている。これは、視認されにくい、ランダムな形状の境界線が形成されるという点で好適である。
また、透明電極パターン部１３（２３）には複数の孔部１３ａ（２３ａ）を離間してランダムに形成し、透明絶縁パターン部１４（２４）には複数の島部１４ａ（２４ａ）を離間してランダムに形成しているので、モアレの発生を抑制することができる。
【００５８】
なお、透明電極パターン部１３は、孔部１３ａの被覆率０％、つまり導電部１３ｂの被覆率が１００％でもよい。
また、孔部の被覆率が異なる領域の２種類以上の領域のミックスで透明電極パターン部１３を形成してもよい。
【００５９】
ランダムパターンは多様に考えられる。上記例で孔部１３ａおよび島部１４ａの形状は、円形状としたが、楕円形状、円形状の一部を切り取った形状、楕円形状の一部を切り取った形状、多角形状、角を取った多角形状、不定形状などでもよい。
さらに、それらの複数種類の形状が用いられてもよい。ランダムパターンの生成の容易さの観点からすると、円形状が好ましい。
また、孔部１３ａおよび島部１４ａの形状として、異なる形状を採用するようにしてもよい。
なお、上記の楕円形状には、数学的に定義される完全な楕円のみならず、多少の歪みが付与された楕円（例えば長円、卵型など）も含まれる。円形には、数学的に定義される完全な円（真円）のみならず、多少の歪みが付与された円形も含まれる。多角形には、数学的に定義される完全な多角形のみならず、辺に歪みが付与された多角形、角に丸みが付与された多角形、および辺に歪みが付与され、かつ角に丸みが付与された多角形なども含まれる。辺に付与される歪みとしては、凸状または凹状などの湾曲などが挙げられる。
【００６０】
また透明電極パターン部１３や透明絶縁パターン部１４には、ランダムパターンとして、後述する図１０や図３６に例示するようなランダムメッシュパターンを用いてもよい。
【００６１】
また、複数の孔部１３ａはすべてを離間して形成することが好ましいが、非視認性の低下および導電性の低下を招かない範囲であれば、複数の孔部１３ａの一部を互いに接し合わせる、または重なり合わせるようにしてもよい。また、複数の島部１４ａすべてを離間して形成することが好ましいが、非視認性の低下および絶縁性の低下を招かない範囲であれば、複数の島部１４ａの一部を互いに接し合わせる、または重なり合わせるようにしてもよい。
【００６２】
＜３．第２の実施の形態の透明導電性素子：ダイヤモンド状パターン電極＞
透明導電性素子１，２の第２の実施の形態として、ダイヤモンド状パターン電極を有する場合を説明する。
図８Ａ、図８Ｂは、透明導電性素子１，２における電極パターンを示している。
図８Ａに示すように、この場合も透明導電性素子１は、透明導電層１２に透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４が形成されている。そして透明電極パターン部１３は、ダイヤモンド形状（略菱形状）の部位がＸ軸方向に連なっているような形状とされている。
そしてこの透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４とが、基材１１の表面にＹ軸方向に向かって交互に敷き詰められている。
【００６３】
また図８Ｂに示すように、透明導電性素子２は、透明導電層２２に透明電極パターン部２３と透明絶縁パターン部２４が形成されている。そして透明電極パターン部２３は、ダイヤモンド形状（略菱形状）の部位がＹ軸方向に連なっているような形状とされている。
そしてこの透明電極パターン部２３と透明絶縁パターン部２４とが、基材２１の表面にＸ軸方向に向かって交互に敷き詰められている。
【００６４】
このような第２の実施の形態においても、透明電極パターン部１３（２３）と、透明絶縁パターン部１４（２４）が、異なるランダムパターンを用いて導電材料部が形成されればよいことは、第１の実施の形態と同様である。その点において具体的には、第１の実施の形態で説明した各例と同様の例が考えられる。
ここでは特に、Ｘ電極、Ｙ電極が重なった場合での視認性や、透明電極パターン部１３，２３が、導電材料部の被覆率が異なる複数の領域により形成されている具体例について説明する。
【００６５】
まず図９Ａは、図７Ａと同様に透明導電性素子１，２が重なった状態として、透明電極パターン部１３、２３がダイヤモンド形状の場合を示し、図９Ｂにその一部の拡大図を示している。ここでは透明導電性素子２側を破線で示している。
図７で説明した場合と同様、領域ＡＲ１は透明電極パターン部１３、２３が重なる領域、領域ＡＲ２は透明絶縁パターン部１４、２４が重なる領域である。また領域ＡＲ３は、透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部２４が重なるか、もしくは透明絶縁パターン部１４と透明電極パターン部２３が重なる領域である。
この場合も、ユーザがタッチ操作を行う入力面側から見た場合、透明導電性素子１，２が重なる部分（入力面形成部分）の全ては、これら領域ＡＲ１，ＡＲ２，ＡＲ３に分類される。そしてユーザの視覚からの非視認性を考えた場合、これら領域ＡＲ１，ＡＲ２，ＡＲ３の別が視認できないことが求められる。
【００６６】
図９Ｂのように、電極パターン形状が異なれば、領域ＡＲ１，ＡＲ２，ＡＲ３の形状や範囲も異なってくるが、この場合も、例えば透明電極パターン部１３、２３における導電材料部（導電部１３ｂ、２３ｂ）の被覆率を８０％とし、透明絶縁パターン部１４、２４における導電材料部（島部１４ａ、２４ａ）の被覆率を５０％などとする。そして、領域ＡＲ１，ＡＲ２，ＡＲ３での透明導電性素子１の導電材料部の被覆率と透明導電性素子２における導電材料部の被覆率との加算値の差を６０以下とすると、非視認性は良好となる。さらには、その加算値の差を３０以下とすると、非視認性は極めて良好となる。
【００６７】
また、特にこのダイヤモンド形状のパターンの場合、透明電極パターン部１３において、導電材料部の被覆率が異なる２種類以上の領域をミックスさせることが有効である。
図１０に示すように、ダイヤモンド形状のパターンの透明電極パターン部１３を、領域Ａと領域Ｂに分割する。また透明絶縁パターン部１４に相当する部分を領域Ｃとする。
領域Ａの幅をＷA、長さをＬAとする。
領域Ｂの幅ＷBは、ＷB＝（領域Ｂの面積）／ＬBとする。ＬBは領域Ｂの長さである。
【００６８】
透明電極パターン部１３の形状が、ダイヤモンド形状の場合のように２つ以上の領域に区別できるとき、Ｌ（ｘ）／Ｗ（ｘ）値がより大きな領域にて、孔部１３ａの被覆率をより小さく（＝導電部１３ｂの被覆率をより大きく）設定するのがよい。
これは、Ｌ（ｘ）／Ｗ（ｘ）値がより大きな領域にて、その領域のそもそもの抵抗値が大きく、孔部１３ａの被覆率増に伴う抵抗増のインパクトがより大きいためである。
図１０の場合で言えば、領域Ａは領域Ｂに対してＬ（ｘ）／Ｗ（ｘ）値が大きく、そもそもの抵抗値が大きい。
そこで図示のように、領域Ｂでは例えば導電部１３ｂの被覆率を７９％（孔部１３ａを２１％）とし、領域Ａでは導電部１３ｂの被覆率を１００％（孔部１３ａを０％）とすることなどが考えられる。なお、この被覆率はあくまで一例である。
【００６９】
また領域Ｃ、すなわち透明絶縁パターン部１４については、上記のＸ、Ｙ電極重ね合わせ時の被覆率の加算値の差の条件に合致するように、導電材料部（島部１４ａ）の被覆率を設定すればよい。また図示のように、ランダムドット状ではなくランダムメッシュ状のパターンとしてもよい。
【００７０】
この例のように、導電材料部の被覆率を部分的にコントロールすることで、電極を印刷形成する場合、導電材料の使用量を抑える（＝材料コストを抑える）ことができる。
またパターン非視認化のため、領域Ａ〜Ｃにおける導電材料の被覆率差は、０％以上３０％以下とするのがよい。
【００７１】
＜４．製造方法Ｉ＞
続いて上記第１，第２の実施の形態のような透明導電性素子１の製造方法の例について説明する。なお、透明導電性素子２の製造方法は、透明導電性素子１と同様であるため説明を省略する。
【００７２】
まず製造方法Ｉとしてエッチングを用いた工程を図１１Ａ、図１２で説明する。
図１１Ａに示すように、ステップＦ１０１で、透明電極パターン部１３に用いるランダムパターンを生成する。
またステップＦ１０２で透明絶縁パターン部１４に用いるランダムパターンを生成する。透明電極パターン部用のランダムパターンと透明絶縁パターン部用のランダムパターンは、パターン生成条件（半径範囲、生成した円内への図形描写条件、後述する乱数の重み付け等）が互いに異なる条件となるように設定して生成する。
【００７３】
このステップＦ１０１，Ｆ１０２は逆でもよいし同時並行的に行ってもよい。また、実際の製造ラインとは離れて実行されてもよい。図１１Ａでは説明の便宜上、１つのフローチャートで示しているが、いずれにしろステップＦ１０３以降の製造ラインに入る時点で、ステップＦ１０１，Ｆ１０２の結果として２種類のパターン（ランダムパターン）が用意されていればよいものである。
【００７４】
ステップＦ１０３として透明導電層１２の成膜が行われる。
この工程では、図１２Ａに示すように、基材１１の表面上に透明導電層１２を形成する。透明導電層１２を形成する際に、基材１１を加熱するようにしてもよい。透明導電層１２の形成方法としては、例えば、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤなどのＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition（化学蒸着法）：化学反応を利用して気相から薄膜を析出させる技術）のほか、真空蒸着、プラズマ援用蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどのＰＶＤ法（Physical Vapor Deposition（物理蒸着法）：真空中で物理的に気化させた材料を基板上に凝集させ、薄膜を形成する技術）を用いることができる。
次に、必要に応じて、透明導電層１２に対してアニール処理を施す。これにより、透明導電層１２が、例えばアモルファスと多結晶との混合状態、または多結晶状態となり、透明導電層１２の導電性が向上する。
【００７５】
ステップＦ１０４として、レジスト層の成膜が行われる。
図１２Ｂに示すように、透明導電層１２の表面上に、上述の孔部１３ａおよび間隙部１４ｂに対応する部分に開口部３３を有するレジスト層４１をリソグラフィー技術によってパターン形成する。
孔部１３ａに対応するレジスト層４１は、ステップＦ１０１で形成した透明電極パターン部用のランダムパターンに基づいて形成される。また間隙部１４ｂに対応するレジスト層４１は、ステップＦ１０２で形成した透明絶縁パターン部用のランダムパターンに基づいて形成される。
レジスト層４１の材料としては、例えば有機系レジスト、および無機系レジストのいずれを用いてもよい。有機系レジストとしては、例えばノボラック系レジストや化学増幅型レジストを用いることができる。また、無機系レジストとしては、例えば、１種または２種以上の遷移金属からなる金属化合物を用いることができる。
【００７６】
ステップＦ１０５として現像が行われる。
図１２Ｃに示すように、複数の開口部３３が形成されたレジスト層４１をエッチングマスクとして、透明導電層１２に対してエッチング処理を施す。
これにより、領域Ｒ1の透明導電層１２には孔部１３ａおよび導電部１３ｂが形成されるとともに、領域Ｒ2の透明導電層１２には島部１４ａおよび間隙部１４ｂが形成される。エッチングとしては、例えば、ドライエッチングおよびウエットエッチングのいずれも用いることができるが、設備が簡易である点からすると、ウエットエッチングを用いることが好ましい。
【００７７】
ステップＦ１０６としてレジスト層の剥離が行われる。
図１２Ｄに示すように、アッシングなどにより、透明導電層１２上に形成されたレジスト層４１を剥離する。
以上により、目的とする透明導電性素子１が得られる。
【００７８】
＜５．製造方法II＞
続いて印刷手法を用いた透明導電性素子１，２の製造方法IIを図１１Ｂ、図１３、図１４で説明する。
【００７９】
図１１Ｂに示すように、ステップＦ２０１で、透明電極パターン部１３に用いるランダムパターンを生成する。
またステップＦ２０２で透明絶縁パターン部１４に用いるランダムパターンを生成する。透明電極パターン部用のランダムパターンと透明絶縁パターン部用のランダムパターンは、パターン生成条件（半径範囲、生成した円内への図形描写条件、後述する乱数の重み付け等）が互いに異なる条件となるように設定して生成する。
このステップＦ２０１，Ｆ２０２に関する点は、図１１ＡのステップＦ１０１，Ｆ１０２と同様である。
【００８０】
ステップＦ２０３で原盤形成を行う。
図１３Ａは、原盤の形状の一例を示す斜視図である。図１３Ｂは、図１３Ａに示した領域Ｒ１および領域Ｒ２の一部を拡大して示す平面図である。原盤１００は、例えば、転写面としての円柱面を有するロール原盤であり、その円柱面には領域Ｒ１および領域Ｒ２が交互に敷き詰められている。
【００８１】
領域Ｒ１には、凹状を有する複数の孔部１１３ａが離間して形成されており、この孔部１１３ａ間は凸部１１３ｂにより離間されている。孔部１１３ａは透明電極パターン部１３の孔部１３ａを印刷により形成するためのものであり、凸部１１３ｂは透明電極パターン部１３の導電部１３ｂを印刷により形成するためのものである。
この場合の孔部１１３ａと凸部１１３ｂの配置は、ステップＦ２０１で生成したランダムパターンに基づいたものとなる。
【００８２】
領域Ｒ２には、凸状を有する複数の島部１１４ａが離間して形成されており、この島部１１４ａ間は凹部１１４ｂにより離間されている。島部１１４ａは透明絶縁パターン部１４の島部１４ａを印刷により形成するためのものであり、凹部１１４ｂは透明絶縁パターン部１４の間隙部１４ｂを印刷により形成するためのものである。
この場合の島部１１４ａと凹部１１４ｂの配置は、ステップＦ２０２で生成したランダムパターンに基づいたものとなる。
【００８３】
ステップＦ２０４で、上記の原盤１００を用いた導電性インクの印刷が行われる。
まず、図１４Ａに示すように、原盤１００の転写面に導電性インクを塗布し、塗布した導電性インクを基材１１の表面に印刷する。
印刷法としては、例えば、スクリーン印刷、水なし平板印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、グラビアオフセット印刷、反転オフセット印刷などを用いることができる。
【００８４】
次にステップＦ２０５で乾燥又は焼成が行われる。
図１４Ｂに示すように、必要に応じて、基材１１の表面に印刷された導電性インクを加熱することにより、導電性インクを乾燥および／または焼成する。
以上により、目的とする透明導電性素子１を得ることができる。
【００８５】
＜６．ランダムパターンの形成方法＞
以上のように本実施の形態の透明導電性素子１，２は、透明電極パターン部１３，２３と透明絶縁パターン部１４、２４とで異なるランダムパターンに基づいて導電材料部が形成されている。
ここでは、このような導電材料部を形成するための元となるランダムパターン自体の形成方法の例を述べる。例として、円形状の孔部１３ａ、２３ａ、および島部１４ａ、２４ａを形成するためのランダムパターンの生成方法について説明するが、ランダムパターンの形状はこれに限定されるものではない。
【００８６】
先ず、円の半径を設定範囲内でランダムに変化させて配置する際、隣接した円が常に接するように円の中心座標を計算し配置することで、配置のランダム性と高密度充填とを両立したランダムパターンを生成する。この場合、以下のような（１）、（２）のアルゴリズムにより、少ない計算量で高密度、かつ一様にランダム配置されたランダムパターンが得られる。
【００８７】
（１）Ｘ軸上に「半径をある範囲でランダム」とした円を接するように並べる。以下に、必要なパラメータを示す。
Ｘmax：円を生成する領域のＸ座標最大値
Ｙw：Ｘ軸上に円を配置する時に、円の中心が取り得るＹ座標の最大値の設定
Ｒmin：生成する円の最小半径
Ｒmax：生成する円の最大半径
Ｒｎｄ：０．０〜１．０の範囲で得られる乱数値
Ｐn：Ｘ座標値ｘn、Ｙ座標値ｙn、半径ｒnで定義される円
【００８８】
図１５には、上記（１）のアルゴリズムを説明する略線図を示す。この図に示すように、Ｙ座標値をＸ軸上である０．０から概ねＲminの値の範囲でランダムに決定し、また半径をＲminからＲmaxの範囲でランダムに決定した円を、既存の円に接するように並べることを繰り返し、Ｘ軸上にランダムに1列の円を並べる。
【００８９】
以下、図１６に示したフローチャートを用いて（１）のアルゴリズムについて説明する。
まず、ステップＳ１において、上述した（１）で必要なパラメータを設定する。次に、ステップＳ２において、円Ｐ0（ｘ0，ｙ0，ｒ0）を以下のように設定する。
ｘ0＝０．０
ｙ0＝０．０
ｒ0＝Ｒmin＋（Ｒmax−Ｒmin）×Ｒｎｄ
乱数値Ｒｎｄを係数とすることで、円Ｐ０の半径がランダムに設定される。
【００９０】
その後、ステップＳ２’において、ｎ＝１に設定する。
【００９１】
次に、ステップＳ３において、円Ｐn（ｘn，ｙn，ｒn）を以下の式により決定する。
ｒn＝Ｒmin＋(Ｒmax−Ｒmin)×Ｒｎｄ
ｙn＝Ｙw×Ｒｎｄ
ｘn＝ｘn-1＋（ｒn−ｒn-1）×ｃｏｓ（ａｓｉｎ（ｙn−ｙn-1）／（ｒn−ｒn-1））
円Ｐnの半径も乱数値Ｒｎｄを係数とすることでランダムに設定される。また中心のＹ座標値ｙnも、Ｙwの範囲内でランダムに設定される。
【００９２】
次に、ステップＳ４において、Ｘn＞Ｘmaxであるか否かを判別する。ステップＳ４にてＸn＞Ｘmaxであると判別された場合には、処理は終了する。ステップＳ４にてＸn＞Ｘmaxでないと判別された場合には、処理はステップＳ５に進む。ステップＳ５において、円Ｐn（ｘn，ｙn，ｒn）を記憶する。次に、ステップＳ６において、ｎの値をインクリメントし、ステップＳ３に処理を移行する。つまり次の円Ｐn（ｘn，ｙn，ｒn）を決定する。
【００９３】
（２）「ランダムな半径の円」を決定し、既存の２つの円に接し、他の円に重ならないよう下から順に積上げる。以下に、必要なパラメータを示す。
Ｙmax：円を生成する領域のＹ座標最大値
Ｒmin：生成する円の最小半径
Ｒmax：生成する円の最大半径
Ｒfill：充填率を上げるため、補助的に円を設定する場合の最小半径
Ｒｎｄ：０．０〜１．０の範囲で得られる乱数値
Ｐn：Ｘ座標値ｘn、Ｙ座標値ｙn、半径ｒnで定義される円
【００９４】
図１７には、上記（２）のアルゴリズムを説明する略線図を示す。この図に示すように、（１）で決定したＸ軸上に1列に並んだ円（破線で図示）を元に、ＲminからＲmaxの範囲でランダムな半径の円を決定し、Ｙ座標が小さい方から他の円に接するように円を配置し重ねて行く。また、Ｒminより小さいＲfillを設定し、決定した円では埋まらない隙間ができた場合にのみ、隙間を埋めることで充填率を向上させる。Ｒminより小さい円を用いない場合は、Ｒfill＝Ｒminと設定する。
【００９５】
以下、図１８に示したフローチャートを用いて（２）のアルゴリズムについて説明する。
まず、ステップＳ１１において、上述した（２）で必要なパラメータを設定する。
次に、ステップＳ１２において、（１）で生成した円Ｐ0から円ＰnのうちＹ座標値ｙiが最小な円Ｐiを求める。
次に、ステップＳ１３において、ｙi＜Ｙmaxである否かを判別する。ステップＳ１３にてｙi＜Ｙmaxではない（Ｎｏ）と判別された場合には、処理は終了となる。つまり、Ｙ座標最大値まで円の積み重ねが終了したと判定され、処理は終了する。ステップＳ１３において、ｙi＜Ｙmaxである（Ｙｅｓ）と判別された場合には、ステップＳ１４以降に進み、円を重ねるように追加していく処理を行う。
ステップＳ１４において追加する円Ｐkの半径ｒkをｒk＝Ｒmin＋（Ｒmax−Ｒmin）×Ｒｎｄとする。乱数値Ｒｎｄを係数とすることで、円Ｐkの半径ｒkがランダムに設定される。次に、ステップＳ１５において、円Ｐi近傍で円Ｐiを除きＹ座標値ｙiが最小な円Ｐjを求める。
【００９６】
次に、ステップＳ１６において、最小な円Ｐiが存在するか否かを判別する。ステップＳ１６にて最小な円Ｐiが存在しないと判別した場合には、ステップＳ１７において、以降Ｐiは無効とする。ステップＳ１６にて最小な円Ｐiが存在すると判別した場合には、ステップＳ１８において、円Ｐiと円Ｐjとに接する半径ｒkの円Ｐkが存在するかを求める。
【００９７】
図１９には、ステップＳ１８において、接する２つの円に、任意の半径の円が接するように配置するときの座標の求め方を示す。
すなわち、図示する式により、円Ｐiの座標（ｘi，ｙi）と半径ｒi、及び円Ｐjの座標（ｘｊ，ｙj）と半径ｒj、及び追加する円Ｐkの半径ｒkを用いてｃｏｓθiを求め、さらにθiを用いて、追加する円Ｐkの座標（ｘk，ｙk）を算出する。
【００９８】
次に、ステップＳ１９において、円Ｐiと円Ｐjとに接する半径ｒkの円Ｐkが存在するか否かを判別する。ステップＳ１９において円Ｐkが存在しないと判別した場合には、ステップＳ２０において、以降円Ｐi、円Ｐjの組み合わせは除外する。ステップＳ１９において円Ｐkが存在すると判別した場合には、ステップＳ２１において、円Ｐ0から円Ｐnに円Ｐkと重なる円が存在するか否かを判別する。ステップＳ２１にて重なる円が存在しないと判別した場合には、ステップＳ２４において、円Ｐk（ｘk，ｙk，ｒk）を記憶する。次に、ステップＳ２５においてｎの値をインクリメントし、ステップＳ２６においてＰｎ＝Ｐｋとし、さらにステップＳ２７においてｋの値をインクリメントしてステップＳ１２に処理を移行する。
【００９９】
ステップＳ２１にて重なる円が存在すると判別した場合には、ステップＳ２２にて円Ｐkの半径ｒkをＲfill以上の範囲で小さくすれば重なりを回避できるか否かを判別する。ステップＳ２２にて重なりを回避できないと判別した場合には、ステップＳ２０において、以降円Ｐi、円Ｐjの組み合わせは除外する。ステップＳ２２にて重なりを回避できると判別した場合には、ステップＳ２３において、半径ｒkを重なりを回避できる最大の値にする。次に、ステップＳ２４において、円Ｐk（ｘk，ｙk，ｒk）を記憶する。次に、ステップＳ２５において、ｎの値をインクリメントし、ステップＳ２６においてＰｎ＝Ｐｋとし、さらにステップＳ２７においてｋの値をインクリメントしてステップＳ１２に処理を移行する。
【０１００】
以上の処理により、例えば図２０に示すように平面上にランダムに円が配置される。
このようなランダムな円のパターンから、各円を縮小していくことで、孔部１３ａや島部１４ａの配置に相当するランダムパターンを形成できる。例えば図２０の右上の数個の円について、或る縮小率で縮小した円Ｔを波線で示している。全ての円について、このように縮小することで、互いに離間した孔部１３ａや島部１４ａに相当するランダムパターンが得られる。
なお、もちろん円を単に縮小するだけでなく、生成した円内に円より小さい図形を描くことで、それぞれが孤立した或る形状のパターンを形成することができる。円内に描く図形の形状例としては、円、楕円、多角形、角を取った多角形、不定形などが想定され、それによって円以外の孔部１３ａや島部１４ａを形成するランダムパターンを生成できる。
【０１０１】
透明電極パターン部１３に用いるランダムパターンも、透明絶縁パターン部１４に用いるランダムパターンも、基本的には以上の手法で生成する。本例では、透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４では互いに異なるランダムパターンを用いるが、これは各ランダムパターンの生成時に生成条件を異なるものとする。
【０１０２】
異なる生成条件としては、まず上記のパラメータ設定が想定される。例えばＲmin、Ｒmax、Ｒfillを異なる設定とすることで、図２０のように生成されるランダムな円の半径範囲が異なるものとなる。
また図２０のような状態からの円Ｔ（或いは円内配置される他の図形）への縮小率を異なるものとしてもよい。
またランダム配置される図形を異なるようにしてもよい。例えば一方は円、他方は正方形などとする。また、一方はランダムドットのパターン、他方はランダムメッシュパターンなどとしてもよい。
さらに、乱数値Ｒｎｄとして、０．０〜１．０の範囲で得られる乱数値が用いられるが、これに対して重み付けを異なるようにすることも考えられる。
またこれらを組み合わせてもよいことは当然である。
【０１０３】
これらの生成条件が異なることで、透明電極パターン部１３に用いるランダムパターンと透明絶縁パターン部１４に用いるランダムパターンを異なるパターンとし、それによって、それぞれで所望の導電材料部の被覆率を実現できる。
【０１０４】
乱数の重み付けについて説明する。
図２０のように生成される円の半径は、
円の半径＝最小半径Ｒmin＋（最大半径Ｒmax−最小半径Ｒmin）×乱数値Ｒｎｄ
である。
そして乱数値Ｒｎｄは０．０〜１．０の範囲で得られる乱数である。
この乱数を、計算結果が０〜１の範囲になるような計算式に代入することにより生成される円半径の分布に重み付けが可能となる。
【０１０５】
例えば、乱数値［Ｒｎｄ］３とすることで、小さい円半径の分布を増やすことができる。
また乱数値［Ｒｎｄ］１/３とすることで、大きい円半径の分布を増やすことができ、円（ドット）の充填率を上げることができる。
図２１Ａに、ｙ＝ｘ１/３、ｙ＝ｘ３として重み付け後の乱数を示している。
【０１０６】
このように乱数の重み付けを行なった場合の円（ドット）の直径の頻度を図２１Ｂに示す。
これは生成するランダムパターンとして、以下の条件で円状のランダムパターンを生成した場合である。
・半径範囲：３５〜５６μｍ
・半径縮小値：１０μｍ
図２１Ｂにおいて、線ＮＷは重み付けを行わなかった場合、線ＡＷはｙ＝ｘ１/３の重み付けを行った場合での頻度分布を、直径１μmピッチで示している。
乱数の重み付けにより、大きな直径の円の発生頻度を増やし、ドット充填率を上げることが可能であることがわかる。
逆に、小さな直径の頻度を増やし、ドット充填率を下げることも可能である。但し、任意直径の頻度を増やしすぎるとランダム性が低下し、モアレや回折光が発生する虞がある。直径１μｍピッチの頻度分布にて、任意直径の頻度は３５％以下であることが好ましい。
【０１０７】
ところで、ここまではドット状、或いは円内の多角形状等のランダムパターンの生成について説明したが、図２２Ａのようなランダムメッシュパターンの生成についても述べておく。
【０１０８】
ランダムメッシュパターンの生成の際も、上述したアルゴリズムで、例えば図２０のようなランダムな円配置のパターンをまず生成すればよい。
図２２Ｂは、このランダムな円のパターンに対して、ランダムな角度でラインを引くことでメッシュパターンを形成するものである。
すなわち、各円の中心座標をそのまま利用し、各円の中心を通る直線を引く。このとき各直線の回転角度を０度〜１８０度の範囲でランダムに決定することで、図示のようにランダムな傾きの線を形成していく。
このようにすることで、ランダムメッシュパターンが生成できる。
【０１０９】
また図２２Ｃの手法でもよい。
図２２Ｃの場合も、図２０のように生成したランダムな円配置のパターンを利用する。そして、この場合は、各円の中心座標から、近接する円の中心座標を結ぶ線分を引いていく。つまり近傍の円の中心同士を結んでいく。このようにすることでもランダムメッシュパターンが生成できる。
【０１１０】
なお、図２２Ｂ、図２２Ｃのいずれの手法の場合も、パラメータ設定を異なるものとすることや、乱数値の重み付けを変えることなどで、２種類の異なるランダムパターンを生成できる。
またランダムに形成する直線の太さを変化させるようにして、導電材料部の被覆率の異なるランダムパターンを簡単に形成するようにもできる。
【０１１１】
＜７．金属ナノワイヤーを用いた透明導電性素子＞
透明導電層１２が金属ナノワイヤーで形成される場合、透明電極パターン部１３にランダムパターン処理を施すと、金属ナノワイヤー被覆面積が減少することで、導電部の反射Ｌ値の値が小さくなる。
その結果、導電材料部の画面の黒表示がより沈み、直線状パターンやダイヤモンドパターンなどを使用した場合と比べてディスプレイの表示特性（コントラスト）が向上する。また、所定の表面処理を組み合わせることにより、導電材料部と非導電部ともに反射Ｌ値をより低く抑えることが可能となり、コントラストがさらに向上する。
【０１１２】
導電材料に金属ナノワイヤーを用いる透明導電膜は、ＩＴＯを用いた透明導電膜のようなスパッタではなく塗布プロセスを用いて成膜が可能である。塗布プロセスは、スパッタと異なり真空環境が必要ないため、製造コストの削減が期待できる。また、この金属ナノワイヤーを用いた透明導電膜はレアメタルであるインジウムを使わない次世代透明導電膜としても注目されている。
【０１１３】
図２３Ａは金属ナノワイヤーを用いた透明導電性素子の構造例を示している。基材８０上に金属ナノワイヤーを用いた透明導電膜８１が形成される。透明導電膜８１では金属ナノワイヤーに加えて表面処理染料、分散剤、バインダー等も用いられる。
【０１１４】
基材８０は、例えば、透明性を有する無機基材或いはプラスチック基材である。基材の形状としては、例えば、透明性を有するフィルム、シート、基板などを用いることができる。無機基材の材料としては、例えば、石英、サファイア、ガラスなどが挙げられる。プラスチック基材の材料としては、例えば、公知の高分子材料を用いることができる。公知の高分子材料としては、具体的には例えば、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエステル（ＴＰＥＥ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミド（ＰＡ）、アラミド、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリアクリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン（ＰＰ）、ジアセチルセルロース、ポリ塩化ビニル、アクリル樹脂（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、エポキシ樹脂、尿素樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）などが挙げられる。プラスチック基材の厚さは、生産性の観点から３８〜５００μｍであることが好ましいが、この範囲に特に限定されるものではない。
【０１１５】
金属ナノワイヤーの構成元素としてはＡｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｓｎより選択される１種類以上で構成される。
ナノワイヤーの平均短軸径は、好ましくは１ｎｍよりも大きく５００ｎｍ以下、また平均長軸長は、好ましくは１μｍよりも大きく１０００μｍ以下である。
平均短軸径が１ｎｍよりも小さい場合、ワイヤーの導電率が劣化して塗布後に導電膜として機能しにくい。
また、平均短軸径が５００ｎｍよりも大きい場合、全光線透過率が劣化してしまう。平均長軸長が１μｍよりも短い場合、ワイヤー同士がつながりにくく、塗布後に導電膜として機能しにくい。
また、平均長軸長が１０００μｍよりも長い場合、全光線透過率が劣化してしまう。或いは、塗料化した際のナノワイヤーの分散性が劣化する傾向にある。
【０１１６】
塗料中での金属ナノワイヤーの分散性向上のため、金属ナノワイヤーは、ＰＶＰ、ポリエチレンイミン等のアミノ基含有化合物で表面処理されていてもよい。
塗膜化した際に導電性が劣化しない程度の添加量にすることが好ましい。その他、スルホ基(スルホン酸塩含む)、スルホニル基、スルホンアミド基、カルボン酸基(カルボン酸塩含む)、アミド基、リン酸基(リン酸塩、リン酸エステル含む)、フォスフィノ基、シラノール基、エポキシ基、イソシアネート基、シアノ基、ビニル基、チオール基、カルビノール基などの官能基を有する化合物で金属に吸着可能なものを分散剤として用いてもよい。
【０１１７】
溶媒としては、金属ナノワイヤーが分散するものを使用する。例えば、水、アルコール（メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｉ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール等）、アノン（シクロヘキサノン、シクロペンタノン）、アミド（ＤＭＦ）、スルフィド（ＤＭＳＯ）等から選択される少なくとも１種類以上が使用される。塗布面状の乾燥ムラやクラックを抑えるため、高沸点溶媒をさらに添加して、溶剤の蒸発速度をコントロールすることもできる。例えば、ブチルセロソルブ、ジアセトンアルコール、ブチルトリグリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテルジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールイソプロピルエーテル、ジプロピレングリコールイソプロピルエーテル、トリプロピレングリコールイソプロピルエーテル、メチルグリコールが挙げられる。これらの溶媒は単独で用いられてもよく、また複数を組み合わせてもよい。
【０１１８】
適用可能なバインダー材料としては、既知の透明な天然高分子樹脂または合成高分子樹脂から広く選択して使用することができる。
例えば、透明な熱可塑性樹脂（例えば、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリメチルメタクリレート、ニトロセルロース、塩素化ポリエチレン、塩素化ポリプロピレン、フッ化ビニリデン、エチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース）や、熱・光・電子線・放射線で硬化する透明硬化性樹脂（例えば、メラミンアクリレート、ウレタンアクリレート、イソシアネート、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル変性シリケート等のシリコン樹脂）を使用することができる。
さらに添加剤としては、界面活性剤、粘度調整剤、分散剤、硬化促進触媒、可塑剤、酸化防止剤や硫化防止剤などの安定剤などが挙げられる。
【０１１９】
また、耐久性向上のために、図２３Ｂのように金属ナノワイヤーを塗布後に別途オーバーコート層８２を設けてもよい。
オーバーコート層８２には、ポリアクリル系、ポリアミド系、ポリエステル系、セルロース系や金属アルコキシド等の加水分解・脱水縮合物などを使用できる。また、このオーバーコート層８２の厚みは光学特性を著しく低下させない厚みとすることが望ましい。
【０１２０】
また、密着性向上のために、図２３Ｃのように、金属ナノワイヤーを塗布する前にアンカー層８３を別途基材８０上に設けてもよい。
アンカー層８３には、ポリアクリル系、ポリアミド系、ポリエステル系、セルロース系や金属アルコキシド等の加水分解・脱水縮合物などを使用できる。また、このアンカー層８３の厚みは光学特性を著しく低下させない厚みとすることが望ましい。
オーバーコート層及びアンカー層を両方併用しても構わない。
【０１２１】
金属ナノワイヤーを用いた透明導電膜８１は以下の工程を経て製造される。
（工程１）金属ナノワイヤーを溶剤に分散させる。
分散手法としては、攪拌、超音波分散、ビーズ分散、混錬、ホモジナイザー処理等が好ましく適用できる。ナノワイヤーの配合量は塗料重量を１００重量部とした場合、０．０１〜１０重量部とする。０．０１重量部未満である場合、塗布で膜形成した場合に十分な目付量が得られない。一方、１０重量部よりも大きい場合、ナノワイヤーの分散性が劣化する傾向にある。
金属ナノワイヤーの分散性向上のため、金属ナノワイヤー分散液にＰＶＰ、ポリエチレンイミン等のアミノ基含有化合物を分散剤として添加してもよい。分散剤を添加する場合は、塗膜化した際に導電性が劣化しない程度の添加量にすることが好ましい。その他、スルホ基(スルホン酸塩含む)、スルホニル基、スルホンアミド基、カルボン酸基(カルボン酸塩含む)、アミド基、リン酸基(リン酸塩、リン酸エステル含む)、フォスフィノ基、シラノール基、エポキシ基、イソシアネート基、シアノ基、ビニル基、チオール基、カルビノール基などの官能基を有する化合物で金属に吸着可能なものを分散剤として用いてもよい。
基材８０への塗布性、密着性や耐久性を向上させるため、バインダーや添加剤等を混合してもよい。
【０１２２】
（工程２）基材上への金属ナノワイヤーによる透明導電膜を作製する。
この方法として特に制限はないが、物性、利便性、製造コストなどを考慮すると湿式製膜法が好ましく、公知の方法としては、例えば、塗布、スプレー法、印刷などが挙げられる。塗布方法は、特に限定されるものではなく、公知の塗布方法を用いることができる。公知の塗布方法としては、例えば、マイクログラビアコート法、ワイヤーバーコート法、ダイレクトグラビアコート法、ダイコート法、ディップ法、スプレーコート法、リバースロールコート法、カーテンコート法、コンマコート法、ナイフコート法、スピンコート法などが挙げられる。
印刷方法としては、例えば、凸版、オフセット、グラビア、凹版、ゴム版、スクリーン、インクジェット印刷などが挙げられる。
【０１２３】
（工程３）塗布後、溶剤を乾燥させる。
自然乾燥、加熱乾燥のいずれでもよい。さらにバインダーを硬化させる場合はＵＶや熱等によって硬化させる。また、シート抵抗値を下げるためにカレンダーによる加圧処理を施してもよい。
【０１２４】
図２３Ａにおける金属ナノワイヤー層中の金属ナノワイヤーの目付量（ｇ／ｍ2）は、０．００１ｇ〜１ｇにすることが望ましい。０．００１ｇ未満である場合、金属ナノワイヤーが十分に塗膜中に存在せず、透明導電膜としての性能が劣化する。目付量が多いとシート抵抗値は下がるが、１ｇより多い場合、金属ナノワイヤーが塗膜中に存在しすぎるため全光線透過率が劣化する。
【０１２５】
＜８．位置検出マーカー＞
本実施の形態の入力装置１０の製造工程の効率化のための位置検出マーカーについて説明する。
本実施の形態の入力装置１０では、透明導電性素子１，２の非視認性が向上される。これに応じて、銀配線の印刷形成工程、Ｘ電極とＹ電極の貼合工程等での位置合わせが困難になる。
そこで基材上に、例えば１〜３０ｍｍφくらいの大きさの位置検出マーカーを形成しておくのが好ましい。このマーカーを光学的方法等により検出すれば、基材上の所定の位置への銀配線の形成や、貼合工程が可能となるからである。
【０１２６】
図２４は、カット前の基材１１のシート上に透明導電層１２が多数形成されている状態を示している。
このシート上の所定位置に、位置検出マーカーＭＰを形成する。
位置検出マーカーＭＰは、例えば、透明導電層１２のパターンが形成される領域の外側に配置するのが好ましい。
位置検出マーカーＭＰは、入力装置１０（タッチパネル）の組立て完成後は不要となるため、上記の位置に配置しておくと、タッチパネル組立て完成後に容易に切除することが可能となる。
但し、位置検出マーカーＭＰは、必ずしも透明導電層１２のパターンの外側でなくてもよい。入力装置１０においてフレームで隠れる部分、つまり透明導電層１２の周縁部分等に形成しておいてもよい。
【０１２７】
＜９．銀配線領域＞
透明導電性素子１，２においては、銀配線が形成される領域（透明絶縁パターン部の一部）には、島部１４ａを配置しなくてもよい。
図２５Ａは透明導電性素子１を示し、図２５Ｂはその一部を拡大して示しており、領域ＡＲ１０は銀配線１８が形成される領域である。
図２５Ｃは、該領域ＡＲ１０の一部を、この領域ＡＲ１０に島部１４ａが配置されたものとして、拡大している。
【０１２８】
この図２５Ｃのように、銀配線が形成される領域ＡＲ１０に島部１４ａを配置すると、銀配線間の間隔が狭い場合には、破線ＰSTの部分のように、隣り合った銀配線１８同士が島部１４ａによって短絡してしまうおそれがある。
また、この領域ＡＲ１０は、入力装置１０（タッチパネル）のフレームで隠れる領域であり、非視認性効果に影響はない。
そこで、このような銀配線領域ＡＲ１０や、さらには、銀配線の有無に関わらずフレームで隠れる領域には、ランダムパターンを配置しなくてもよい。
【０１２９】
＜１０．入力装置構造の変形例＞
ここでは図１に示した入力装置１０における透明導電性素子１，２の構造の変形例について説明する。
図２６Ａに示すように、透明導電性素子２の基材２１の一方の表面に透明導電層１２を形成し、他の表面に透明導電層２２を形成するようにしてもよい。
この場合、図１に示した入力装置１０において、基材１１の形成は省略することができる。
【０１３０】
図２６Ｂに示すように、透明導電性素子１の両表面のうち、少なくとも一方の表面にハードコート層６１を形成するようにしてもよい。
これにより、基材１１にプラスチック基材を用いる場合、工程上での基材１１の傷付き防止、耐薬品性付与、オリゴマーなどの低分子量物の析出を抑制することができる。ハードコート材料には、光または電子線などにより硬化する電離放射線硬化型樹脂、または熱により硬化する熱硬化型樹脂を用いることが好ましく、紫外線により硬化する感光性樹脂が最も好ましい。このような感光性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート、ポリオールアクリレート、ポリエーテルアクリレート、メラミンアクリレートなどのアクリレート系樹脂を用いることができる。例えば、ウレタンアクリレート樹脂は、ポリエステルポリオールにイソシアネートモノマー、あるいはプレポリマーを反応させ、得られた生成物に、水酸基を有するアクリレートまたはメタクリレート系のモノマーを反応させることによって得られる。ハードコート層６１の厚みは、１μｍ〜２０μｍであることが好ましいが、この範囲に特に限定されるものではない。
【０１３１】
ハードコート層６１は、ハードコート塗料を基材１１に塗工することにより形成される。塗工方法は、特に限定されるものではなく公知の塗工方法を用いることができる。公知の塗工方法としては、例えば、マイクログラビアコート法、ワイヤーバーコート法、ダイレクトグラビアコート法、ダイコート法、ディップ法、スプレーコート法、リバースロールコート法、カーテンコート法、コンマコート法、ナイフコート法、スピンコート法などが挙げられる。ハードコート塗料は、例えば、二官能以上のモノマーおよび／またはオリゴマーなどの樹脂原料、光重合開始剤、および溶剤を含有する。基材１１上に塗工されたハードコート塗料を乾燥させることにより、溶剤を揮発させる。その後、例えば電離放射線照射または加熱により、基材１１上にて乾燥されたハードコート塗料を硬化させる。
なお、以上の透明導電性素子１と同様に、透明導電性素子２の両表面のうち、少なくとも一方の表面にハードコート層６１を形成するようにしてもよい。
【０１３２】
図２６Ｃに示すように、透明導電性素子１の基材１１と透明導電層１２との間に光学調整層６２を介在させることが好ましい。これにより、透明電極パターン部１３のパターン形状の非視認性をアシストすることができる。
光学調整層６２は、例えば屈折率が異なる２層以上の積層体から構成され、低屈折率層側に透明導電層１２が形成される。より具体的には、光学調整層６２としては、たとえば、従来公知の光学調整層を用いることができる。このような光学調整層としては、例えば、特開２００８−９８１６９号公報、特開２０１０−１５８６１号公報、特開２０１０−２３２８２号公報、特開２０１０−２７２９４号公報に記載されているものを用いることができる。なお、以上の透明導電性素子１と同様に、透明導電性素子２の基材２１と透明導電層２２との間に光学調整層６２を介在させるようにしてもよい。
【０１３３】
図２６Ｄに示すように、透明導電性素子１の透明導電層１２の下地層として密着補助層６３を設けることが好ましい。これにより、基材１１に対する透明導電層１２の密着性を向上することができる。
密着補助層６３の材料としては、例えば、ポリアクリル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、および金属元素の塩化物や過酸化物やアルコキシドなどの加水分解・脱水縮合生成物などを用いることができる。
【０１３４】
密着補助層６３を用いるのではなく、透明導電層１２を設ける表面にグロー放電またはコロナ放電を照射する放電処理を用いるようにしてもよい。また、透明導電層１２を設ける表面に、酸またはアルカリで処理する化学薬品処理法を用いてもよい。
また、透明導電層１２を設けた後、カレンダー処理により密着を向上させるようにしてもよい。なお、透明導電性素子２においても、この透明導電性素子１と同様に密着補助層６３を設けるようにしてもよい。また、上述の密着性向上のための処理を施すようにしてもよい。
【０１３５】
図２６Ｅに示すように、透明導電性素子１にシールド層６４を形成することが好ましい。例えば、シールド層６４が設けられたフィルムを第１の透明導電性素子１に透明粘着剤層を介して貼り合わせるようにしてもよい。また、Ｘ電極パターンおよびＹ電極パターンが１枚の基材１１の同じ面側に形成されている場合、それとは反対側にシールド層６４を直接形成してもよい。
シールド層６４の材料としては、透明導電層１２と同様の材料を用いることができる。シールド層６４の形成方法としても、透明導電層１２と同様の方法を用いることができる。但し、シールド層６４はパターニングせず基材１１の表面全体に形成された状態で使用される。
透明導電性素子１にシールド層６４を形成することで、表示装置４から発せられる電磁波などに起因するノイズを低減し、入力装置１０の位置検出の精度を向上させることができる。なお、透明導電性素子１と同様に、透明導電性素子２にシールド層６４を形成するようにしてもよい。
【０１３６】
＜１１．電子機器の構造例＞
図２７〜図３１には、図１を用いて説明した本実施形態の入力装置を表示面上備えた表示装置を、表示部に適用した電子機器の一例を示す。以下に、本技術の電子機器の適用例について説明する。
【０１３７】
図２７は、本技術が適用されるテレビを示す斜視図である。本適用例に係るテレビ２００は、フロントパネル２０２やフィルターガラス２０３等から構成される表示部２０１を含み、その表示部２０１として先に説明した表示装置を適用する。
【０１３８】
図２８は、本技術が適用されるデジタルカメラを示す図であり、図２８Ａは表側から見た斜視図、図２８Ｂは裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラ２１０は、フラッシュ用の発光部２１１、表示部２１２、メニュースイッチ２１３、シャッターボタン２１４等を含み、その表示部２１２として先に説明した表示装置を適用する。
【０１３９】
図２９は、本技術が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータ２２０は、本体２２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード２２２、画像を表示する表示部２２３等を含み、その表示部２２３として先に説明した表示装置を適用する。
【０１４０】
図３０は、本技術が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラ２３０は、本体部２３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ２３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ２３３、表示部２３４等を含み、その表示部２３４として先に説明した表示装置を適用する。
【０１４１】
図３１は、本技術が適用される携帯端末装置を示す斜視図である。本適用例に係る携帯端末装置２４０は、前面パネルの中央に設けた表示部２４１、その周囲に設けたセンサー２４２、スピーカー２４３、操作スイッチ２４４を含み、その表示部２４１として先に説明した表示装置を適用する。
【０１４２】
以上説明した本実施形態の各電子機器では、本実施形態の入力装置を表示面上に備えた表示装置を表示部に用いているため、入力装置を有しつつも、表示装置の表示が入力装置に妨げられることはなく、高精彩な表示を行うことが可能になる。
【実施例】
【０１４３】
以下の実施例１〜３０のようにして、透明電極パターン部および透明絶縁パターン部を有する透明導電性素子（Ｘ電極およびＹ電極）を２枚作製し、作製した２枚の透明導電性素子を重ねた積層体（Ｘ電極＋Ｙ電極）を作製した。作製した各透明導電性素子およびこれらの積層体について、透明電極パターン部の非視認性、モアレ・干渉光、およびギラツキを評価した。各実施例のパラメータと評価結果は、それぞれ図３２〜３４にまとめて示した。
【０１４４】
尚、透明電極パターン部の非視認性、モアレ・干渉光、およびギラツキの評価は次のように行った。まず、対角３．５インチの液晶ディスプレイ上に、粘着シートを介して透明導電性素子またはこれらの積層体における透明導電層の形成の面が画面と対向するように貼り合わせた。次に、透明導電性素子またはこれらの積層体における基材側に、粘着シートを介してＡＲフィルムを貼り合わせた。その後、液晶ディスプレイを黒表示または緑色表示し、表示面を目視により観察して、非視認性、モアレ・干渉光、ならびにギラツキを評価した。各項目の評価基準は次のようである。
【０１４５】
−  非視認性  −
◎：どの角度から見てもパターンを全く視認できない
○：パターンが非常に視認しにくいが、角度によっては視認可能
×：視認可能
−  モアレ・干渉光  −
◎：あらゆる角度から観察してモアレおよび干渉光が感じられない
○：正面から観察してモアレおよび干渉光がないが、斜めから観察してモアレおよび干渉光が少し感じられる
×：正面から観察してモアレおよび干渉光が感じられる
−  ギラツキ  −
◎：あらゆる角度から観察してギラツキが感じられない
○：正面から観察してギラツキがないが、斜めから観察してギラツキが少し感じられる
×：正面から観察してギラツキが感じられる
【０１４６】
＜実施例＃１〜＃１２：ＩＴＯ層＞
厚み１２５μｍのＰＥＴフィルムを基材とし、この基材上にスパッタリング法によってＩＴＯからなる透明導電層を形成して透明導電性フィルムを得た。この透明導電性フィルムのシート抵抗は１５０Ω／□であった。
【０１４７】
次に、ＩＴＯからなる透明導電層上にレジスト層を形成し、ランダムパターンの形成されたＣｒフォトマスクを用いてレジスト層を露光した。この際、Ｃｒフォトマスクのランダムパターンとしては、円形状のランダムパターンを採用した。
【０１４８】
次に、レジスト層を現像してレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして、ＩＴＯをウエットエッチングした後、レジスト層をアッシング処理により除去した。ここでのレジストパターンは、図２７に示した各実施例のパラメータに基づいたものを使用した。
【０１４９】
ここで、本実施例における透明導電性素子の一例を図３５に図示した。円形状のランダムパターンを採用した透明導電性素子の一例として、図３５ＡにＸ電極の透明導電性素子を示し、図３５ＢにＹ電極の透明導電性素子を示した。
【０１５０】
以上により、図３２に示す各実施例のパラメータに基づいて、互いに異なるランダムパターンが形成された透明電極パターン部および透明絶縁パターン部を有する２枚の透明導電性素子、すなわち、Ｘ電極の透明導電性素子およびＹ電極の透明導電性素子を作製した。これらの作製した２枚の透明導電性素子を、それぞれの透明電極パターン部を交差させるようにして重ねた積層体（Ｘ電極＋Ｙ電極）を作製した。さらに図３２に、透明電極パターン部の非視認性、モアレ・干渉光、およびギラツキの評価結果を合わせて示した。
【０１５１】
図３２に示す評価結果から、透明導電性素子および積層体の両方について、透明電極パターン部と透明絶縁パターン部とが互いに異なるランダムパターンにより形成されていても、良好な非視認性を得られることが確認された。特に、導電材料による被覆率差が３０％以下の場合には、極めて良好な非視認性が得られることが確認された。また、モアレ・干渉光、およびギラツキについても、極めて良好なことが確認された。
【０１５２】
＜実施例＃１３〜＃３０：銀（Ａｇ）ナノワイヤー層＞
厚み１２５μｍのＰＥＴフィルムを基材とし、この基材上に塗布法によって銀（Ａｇ）ナノワイヤー層からなる透明導電層を形成して透明導電性フィルムを得た。この透明導電性フィルムのシート抵抗は１００Ω／□であった。その後は、図３３，３４に示す各実施例のパラメータに基づいて、実施例＃１〜＃１２と同様の手順を行なった。
【０１５３】
ただし、実施例＃１９および＃２０における透明絶縁パターン部では、Ｃｒフォトマスクのランダムパターンとして、ランダムメッシュパターンを採用した。また実施例＃１４、＃１９、および＃２０における透明電極パターン部では、ランダムパターンを設けず、導電材料被覆率１００％のベタ塗りパターンとした。
【０１５４】
ここで、ランダムメッシュパターンを採用した透明導電性素子の一例を図３６に示した。図３６に示した透明導電性素子は、透明電極パターン部１３が導電材料被覆率１００％のベタ塗りパターンであり、透明絶縁パターン部１４がランダムメッシュパターンである。
【０１５５】
以上により、図３３，３４に示す各実施例のパラメータに基づいて、互いに異なるランダムパターンが形成された透明電極パターン部および透明絶縁パターン部を有する２枚の透明導電性素子、すなわち、Ｘ電極の透明導電性素子およびＹ電極の透明導電性素子を作製した。これらの作製した２枚の透明導電性素子を、それぞれの透明電極パターン部を交差させるようにして重ねた積層体（Ｘ電極＋Ｙ電極）を作製した。さらに図３３，３４に、透明電極パターン部の非視認性、モアレ・干渉光、およびギラツキの評価結果を合わせて示した。
【０１５６】
図３３，３４に示す評価結果から、透明導電層として銀ナノワイヤー層を用いた場合であっても、実施例＃１〜１２と同様の効果が確認された。すなわち、透明導電性素子および積層体の両方について、透明電極パターン部と透明絶縁パターン部とが互いに異なるランダムパターンにより形成されていても、良好な非視認性を得られることが確認された。特に、導電材料による被覆率差が６０％以下の場合では、良好な非視認性が得られ、さらには、導電材料による被覆率差が３０％以下の場合では、極めて良好な非視認性が得られることが確認された。また、モアレ・干渉光、およびギラツキについても、極めて良好なことが確認された。
【０１５７】
さらには、銀ナノワイヤー層からなる透明導電性フィルムの場合、透明電極パターン部にランダムパターン処理が施されたことにより、導電材料の被覆率は下がり、銀ナノワイヤー層による被覆面積が減少した。そのため、銀ナノワイヤー表面での外光の乱反射が抑えられ、透明電極パターン部における導電部の反射Ｌ値の値が小さくなっていた。これにより、透明電極素子を表示装置の表示面上に配置した構成において、例えば、透明電極パターン部がベタ塗りパターンである実施例＃１４（被覆率１００％）との比較において、透明電極パターン部にランダムパターン処理を施した実施例＃１３（被覆率７９．２％）の透明導電性素子を使用した場合では、表示画面の黒表示が沈む効果が見られた。
その結果、銀ナノワイヤー層からなる透明導電性フィルムを用いて、これにランダムパターン処理を施した透明導電性素子をタッチパネルとして用いることにより、表示画面上にタッチパネルを設けた表示装置において、表示特性が向上する効果が確認された。
【０１５８】
さらに追加の実施例として、ランダムパターン処理が施され銀ナノワイヤー層からなる透明導電性フィルムを、有色化合物を溶解した溶液に浸漬することにより、有色化合物を銀ナノワイヤー表面に選択的に吸着させる処理を行なった。この処理により、透明電極パターン部と透明絶縁パターン部ともに反射Ｌ値がより小さくなることが確認された。
その結果、金属ナノワイヤーに有色化合物を吸着させた透明導電性フィルムを用いて、これにランダムパターン処理を施した透明導電性素子をタッチパネルとして用いることにより、表面上にタッチパネルを設けながらも表示パネルにおいての表示特性を維持可能であることが確認された。
【０１５９】
以上、本技術の実施の形態及び実施例について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態に限定されるものではなく各種の変形が可能である。
例えば、上述の実施の形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。
また、上述の実施の形態の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
【０１６０】
また、上述の実施の形態において、パターニングにより形成された導電性材料が存在しない領域において、基材表面が露出していてもよいし、基材表面上に形成された中間層（例えば、ハードコート層、光学調整層、密着補助層）が露出していていてもよい。また、透明導電層が導電性材料とバインダー材料とで形成される場合、該バインダー材料が残っていてもよい。
【０１６１】
また、上述の実施の形態において、Ｘ電極パターン部とＹ電極パターン部との両方を、一枚の基材の第１の表面および第２の表面の一方に形成するようにしてもよい。この場合、Ｘ電極パターン部およびＹ電極パターン部の一方を、両者の交差部分において中継電極を介して電気的に接続する構成を採用することが好ましい。このような中継電極を用いたＸ電極パターン部とＹ電極パターン部の構成としては、例えば、特開２００８−３１０５５０号公報などに開示されている従来公知の構成を採用することができる。
【０１６２】
なお本技術は以下のような構成も、とることができる。
【０１６３】
（１）
基材と、
上記基材の表面において、所定方向に向かって交互に敷き詰められて形成された透明電極パターン部及び透明絶縁パターン部と、
を備え、
上記透明電極パターン部及び透明絶縁パターン部は、それぞれ少なくとも導電材料部を有するとともに、上記導電材料部が互いに異なるパターンで形成されている透明導電性素子。
【０１６４】
（２）
上記透明電極パターン部及び上記透明絶縁パターン部は、上記導電材料部と非導電部が、互いに異なるランダムパターンで形成されている（１）記載の透明導電性素子。
【０１６５】
（３）
上記透明電極パターン部は、上記導電材料部の形成面内で、複数の非導電部が離間してランダムに形成され、
上記透明絶縁パターン部は、非導電部の形成面内で、上記導電材料部が離間してランダムに形成されており、
上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部とでは、上記導電材料部と上記非導電部の境界によって形成されるパターンが、互いに異なるランダムパターンとされている（１）または（２）記載の透明導電性素子。
【０１６６】
（４）
上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部とでは、異なる生成条件によって生成したランダムパターンに基づいて、上記導電材料部と上記非導電部を配置することで、互いに異なるランダムパターンとなるようにする（１）〜（３）の何れかに記載の透明導電性素子。
【０１６７】
（５）
上記透明電極パターン部は、上記導電材料部の被覆率が異なる複数の領域により形成されている（１）〜（４）の何れかに記載の透明導電性素子。
【０１６８】
（６）
基材表面に所定方向に向かって交互に敷き詰められて形成された透明電極パターン部及び透明絶縁パターン部とを有する第１の透明導電性素子と、
基材表面に上記所定方向とは直交する方向に向かって交互に敷き詰められて形成された透明電極パターン部及び透明絶縁パターン部とを有し、入力面方向から見て上記第１の透明導電性素子と重ね合わされた位置関係で配置される第２の透明導電性素子と、
を備え、
上記第１，第２の透明導電性素子における、上記透明電極パターン部及び透明絶縁パターン部は、それぞれ少なくとも導電材料部を有するとともに、上記導電材料部が互いに異なるパターンで形成されている入力装置。
【０１６９】
（７）
上記第１，第２の透明導電性素子における、上記透明電極パターン部及び上記透明絶縁パターン部は、上記導電材料部と非導電部が、互いに異なるランダムパターンで形成されている（６）記載の入力装置。
【０１７０】
（８）
上記第１の透明導電性素子と上記第２の透明導電性素子が重ね合わされた状態で入力面方向からみた全ての領域で、上記第１の透明導電性素子の上記導電材料部の被覆率と上記第２の透明導電性素子における導電材料部の被覆率との加算値の差が、０以上６０以下である（６）または（７）記載の入力装置。
【０１７１】
（９）
上記第１の透明導電性素子と上記第２の透明導電性素子が重ね合わされた状態で入力面方向からみた全ての領域で、上記第１の透明導電性素子の上記導電材料部の被覆率と上記第２の透明導電性素子における導電材料部の被覆率との加算値の差が、０以上３０以下である（６）または（７）記載の入力装置。
【０１７２】
（１０）
表示装置と、
上記表示装置の表示面において、所定方向に向かって交互に敷き詰められて形成された透明電極パターン部及び透明絶縁パターン部とを有する第１の透明導電性素子と、
上記表示装置の表示面において、上記所定方向とは直交する方向に向かって交互に敷き詰められて形成された透明電極パターン部及び透明絶縁パターン部とを有し、入力面方向から見て上記第１の透明導電性素子と重ね合わされた位置関係で配置される第２の透明導電性素子と、
を備え、
上記第１，第２の透明導電性素子における、上記透明電極パターン部及び透明絶縁パターン部は、それぞれ少なくとも導電材料部を有するとともに、上記導電材料部が互いに異なるパターンで形成されている電子機器。
【０１７３】
（１１）
基材と、上記基材の表面において、所定方向に向かって交互に敷き詰められて形成された透明電極パターン部及び透明絶縁パターン部とを備えた透明導電性素子の製造方法として、
上記透明電極パターン部に用いる第１のランダムパターンを生成する工程と、
上記第１のランダムパターンとは異なる生成条件で上記透明絶縁パターン部に用いる第２のランダムパターンを生成する工程と、
上記第１，第２のランダムパターンに基づいて、上記基材上に、上記透明電極パターン部における導電材料部と上記透明絶縁パターン部における導電材料部を形成する工程と、
を備えた透明導電性素子の製造方法。
【符号の説明】
【０１７４】
１，２  透明導電性素子、３  光学層、４  表示装置、１０  入力装置、１１，２１  基材、１２，２２  透明導電層、１３，２３  透明電極パターン部、１４，２４  透明絶縁パターン部、１３ａ，２３ａ  孔部、１３ｂ，２３ｂ  導電部、１４ａ，２４ａ  島部、１４ｂ，２４ｂ  間隙部
【図１】
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【図２】
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【図３】
2014130383.tif 000005
【図４】
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【図５】
2014130383.tif 000007
【図６】
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【図７】
2014130383.tif 000009
【図８】
2014130383.tif 000010
【図９】
2014130383.tif 000011
【図１０】
2014130383.tif 000012
【図１１】
2014130383.tif 000013
【図１２】
2014130383.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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