(57)【要約】【課題】キャビティ４内に設置する吸蔵金属膜７によりキャビティ４内のガスを吸着し、キャビティ４内の圧力変動を低減させ、電子素子５の特性劣化を抑制する。【解決手段】電子デバイス１は、基体２と、基体２に陽極接合される蓋体３と、蓋体３と基体２の間に形成されるキャビティ４に収納される電子素子５と、基体２と蓋体３との接合面に設置される接合膜９と、蓋体３のキャビティ４側の表面に設置されるガス吸蔵性を有する吸蔵金属膜７とを備える。これにより、陽極接合の際に発生するガスは吸蔵金属膜７に吸着され、更に、吸蔵金属膜７は腐食し難いのでガスが発生することもなく、キャビティ４内の圧力変動を低減させ内部に収納される電子素子５の特性劣化を抑制することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体と、
前記基体との間にキャビティを形成して前記基体に陽極接合される蓋体と、
前記キャビティに収納される電子素子と、
前記蓋体と前記基体との接合面に設置される接合膜と、
前記蓋体の前記キャビティの側の表面に設置され、ガス吸蔵性を有する吸蔵金属膜と、を備える電子デバイス。
【請求項２】
前記接合膜は、前記吸蔵金属膜と陽極接合用の接合導電膜とが積層する積層構造を有する請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記接合膜と前記キャビティ側の表面に設置される前記吸蔵金属膜とは電気的に接続される請求項１又は２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記蓋体は中央に凹部を有し、
前記凹部の周囲の上端面に前記接合膜が形成され、
前記凹部の底面に前記吸蔵金属膜が形成される請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記接合導電膜はアルミニウム、クロム又はシリコンのいずれかを含み、前記吸蔵金属膜はチタン、白金、マンガン、ジルコニウム、ニッケル、バナジウム、パラジウム又はマグネシウムのいずれかを含む請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記電子素子はＭＥＭＳである請求項１〜５のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項７】
基体に電子素子を実装する実装工程と、
蓋体に凹部を形成する凹部形成工程と、
前記蓋体の前記凹部が形成される側の表面にガス吸蔵性を有する吸蔵金属膜と陽極接合用の接合導電膜を堆積する導電膜堆積工程と、
前記凹部の周囲の上端面に前記接合導電膜を残し、前記凹部の内表面から前記接合導電膜を除去するパターン形成工程と、
前記凹部に前記電子素子を収納し、前記蓋体を前記基体に陽極接合する接合工程と、を備える電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージに電子素子を収納する電子デバイス及び電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、携帯電話や携帯情報端末機には表面実装型の電子デバイスが多く用いられている。このうち、水晶振動子やＭＥＭＳ、ジャイロ、加速度センサ等は、パッケージの内部に中空のキャビティが形成され、このキャビティに水晶振動子やＭＥＭＳ等の電子素子が封入されている。パッケージとしてガラス材料が用いられる。例えばガラス基板に電子素子が実装され、その上にガラス蓋が陽極接合により接合されて電子素子が密封される。ガラスどうしの陽極接合は気密性が高くしかも安価であるという利点がある。
【０００３】
図６は、この種の電子デバイスの断面図である（特許文献１の図５）。圧電振動子１００は、ガラスからなる基板体１１０と、ガラスからなる蓋体１３０と、基板体１１０と蓋体１３０の凹部１３３との間に形成されるキャビティに収納される圧電振動素子１２０から構成される。基板体１１０には水晶片からなる圧電振動素子１２０が片持ち状に実装される。蓋体１３０には凹部１３３が形成され、この凹部１３３の周囲の上端面及び凹部１３３の内表面の全面にはアルミニウムからなる接合用金属膜１３４が形成される。基板体１１０には貫通電極が形成され、キャビティ側の表面に形成される配線とキャビティ側とは反対側の表面に形成される外部端子１１２とを電気的に接続する。蓋体１３０は基板体１１０に陽極接合により接合される。
【０００４】
接合用金属膜１３４を蓋体１３０に設けるので基板体１１０のキャビティ側の配線とショートすることがなく、また、接合用金属膜１３４を蓋体１３０の凹部１３３の側の全面に、つまり凹部１３３の周囲の枠部の上端面及び凹部１３３の内表面に設けるので接合用金属膜１３４のパターニングが必要なく、容易に製造することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１１１９３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記従来構造では、蓋体１３０に形成した接合用金属膜１３４の断面が外部に露出している。接合用金属膜１３４はアルミニウム膜からなり、その露出部は外気の水分等が付着して腐食する。腐食が進行するとアルミニウム膜は負に帯電する。すると、凹部１３３の内表面に形成されるアルミニウム膜にも負電荷が伝達され、ガラス内部からナトリウムイオンを引き寄せる。内表面のアルミニウム膜は、表面に付着する水分と引き寄せられたナトリウムイオンが反応して腐食する。この腐食に伴ってガスが発生し、キャビティ内に実装される電子素子の特性劣化を引き起こす原因となる。特に凹部１３３の内表面はサンドブラスト法やエッチング処理により、或いは軟化点以上での型成形により形成されるので表面が粗く、水分が付着しやすい。
【０００７】
例えば、電子素子として音叉型の水晶片を用いる場合は、水晶片の振動が空気抵抗によって影響を受ける。これを避けるために、キャビティ内を真空に維持する。しかし、蓋体１３０を基板体１１０に陽極接合すると接合部から酸素ガスが発生する。この酸素ガスがキャビティ内に残留し真空度を低下させる。また、外気に露出するアルミニウム膜の腐食が進行すると凹部１３３の内表面側のアルミニウム膜も腐食し、表面に付着する水分が引き寄せられたナトリウムイオンと反応して水素ガスを発生する。この水素ガスがキャビティ内の真空度を低下させる。これらキャビティ内の圧力変動は水晶片の振動周期を変動させることになり、特性劣化の原因となる。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、キャビティ内の金属の腐食に伴って発生するガスにより内部に収納される電子素子の特性が劣化することを防止した電子デバイス、発信機及び電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の電子デバイスは、基体と、前記基体との間にキャビティを形成して前記基体に陽極接合される蓋体と、前記キャビティに収納される電子素子と、前記蓋体と前記基体との接合面に設置される接合膜と、前記蓋体の前記キャビティの側の表面に設置され、ガス吸蔵性を有する吸蔵金属膜と、を備えることとした。
【００１０】
また、前記接合膜は、前記吸蔵金属膜と陽極接合用の接合導電膜とが積層する積層構造を有することとした。
【００１１】
また、前記接合膜と前記キャビティ側の表面に設置される前記吸蔵金属膜とは電気的に接続されることとした。
【００１２】
また、前記蓋体は中央に凹部を有し、前記凹部の周囲の上端面に前記接合膜が形成され、前記凹部の底面に前記吸蔵金属膜が形成されることとした。
【００１３】
また、前記接合導電膜はアルミニウム、クロム又はシリコンのいずれかを含み、前記吸蔵金属膜はチタン、白金、マンガン、ジルコニウム、ニッケル、バナジウム、パラジウム又はマグネシウムのいずれかを含むこととした。
【００１４】
また、前記電子素子は水晶振動子であることとした。
【００１５】
本発明の電子デバイスの製造方法は、基体に電子素子を実装する実装工程と、蓋体に凹部を形成する凹部形成工程と、前記蓋体の前記凹部が形成される側の表面にガス吸蔵性を有する吸蔵金属膜と陽極接合用の接合導電膜を堆積する導電膜堆積工程と、前記凹部の周囲の上端面に前記接合導電膜を残し、前記凹部の内表面から前記接合導電膜を除去するパターン形成工程と、前記凹部に前記電子素子を収納し、前記蓋体を前記基体に陽極接合する接合工程と、を備えることとした。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の電子デバイスは、基体と、基体との間にキャビティを形成して基体に陽極接合される蓋体と、キャビティに収納される電子素子と、蓋体と基体との接合面に設置される接合膜と、蓋体のキャビティの側の表面に設置され、ガス吸蔵性を有する吸蔵金属膜と、を備える。この構成により、吸蔵金属は陽極接合時に放出されるガスや内部で発生するガスを吸着してキャビティ内の圧力変動を低減し、電子素子の特性を安定させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第一実施形態に係る電子デバイスの断面模式図である。
【図２】本発明の第二実施形態に係る電子デバイスの製造方法を表す工程図である。
【図３】本発明の第二実施形態に係る電子デバイスの製造方法における各工程の説明図である。
【図４】本発明の第三実施形態に係る電子デバイスの製造方法を表す工程図である。
【図５】本発明の第四実施形態に係る発信機の上面模式図である。
【図６】従来公知の電子デバイスの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
＜電子デバイス＞
本発明に係る電子デバイスは、基体と、基体に陽極接合される蓋体と、基体と蓋体の間に形成されるキャビティに収納される電子素子と、蓋体と基体の接合面に設置される接合膜と、蓋体のキャビティ側の表面に設置される吸蔵金属膜とを備える。吸蔵金属膜はガス吸蔵性を有し、ガスを一旦吸着すると脱離し難い性質を有する。
【００１９】
吸蔵金属膜として、チタン、白金、マンガン、ジルコニウム、ニッケル、バナジウム、パラジウム、マグネシウム又はこれら材料のいずれかを含む合金を使用することができる。キャビティ側の表面に吸蔵金属膜を形成することにより、キャビティ内部に残留するガス或いは内部で発生するガスを吸着し、キャビティ内の圧力変動を低減させ、電子素子の特性を安定させることができる。
【００２０】
（第一実施形態）
図１は本発明の第一実施形態に係る電子デバイス１の断面模式図である。蓋体３は中央に凹部８を有し、凹部８の周囲の上端面ＴＳには接合膜９が形成される。凹部８の底面ＢＳ及び内側面ＳＳには吸蔵金属膜７が形成される。接合膜９は、上端面ＴＳ側から順に吸蔵金属膜７と接合導電膜６とが積層する積層構造を有する。このように、凹部８の周囲の上端面ＴＳに吸蔵金属膜７と接合導電膜６を積層する接合膜９を形成し、凹部８の底面ＢＳ及び内側面ＳＳに吸蔵金属膜７を形成すれば、製造方法が容易となる。即ち、蓋体３の凹部８側から最初に吸蔵金属膜７を堆積し次に連続して接合導電膜６を堆積し、次に底面ＢＳ及び内側面ＳＳから接合導電膜６を除去すればよい。
【００２１】
基体２は、蓋体３側の表面に配線１１が形成され、反対側の表面には外部電極１４が形成され、板厚方向に貫通する貫通電極１３により配線１１と貫通電極１３とは電気的に接続される。基体２の蓋体３側の表面には電子素子５が実装される。電子素子５の表面には図示しない電極が形成され、電子素子５の電極と配線１１とはワイヤー１２により電気的に接続される。蓋体３は基体２に接合膜９を介して陽極接合される。基体２と蓋体３の凹部８によりキャビティ４が形成され、キャビティ４に電子素子５が収納される。従って、電子素子５の図示しない電極と外部電極１４とはワイヤー１２、配線１１及び貫通電極１３を介して電気的に接続される。
【００２２】
基体２及び蓋体３はソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラス、その他のガラスからなる板を使用することができる。電子素子５は、水晶振動子、ＭＥＭＳ、発光ダイオード、受光素子、その他を使用することができる。接合導電膜６はアルミニウム、シリコン、クロム、その他の導電材料又はこれら材料のいずれかを含む複合物を使用することができる。
【００２３】
吸蔵金属膜７を蓋体３のキャビティ４側の表面に設置したので内部ガスを吸着するゲッタリング効果を利用することができる。蓋体３に設置した吸蔵金属膜７を陽極とし基体２を陰極として高電圧を印加して陽極接合すると酸素ガスが発生するが、吸蔵金属膜７はこの酸素ガスを吸着する。また、吸蔵金属膜７は、例えば接合導電膜６が水分等により腐食して負に帯電する場合でも、表面に付着する水分やガラス中のナトリウムイオンによって腐食され難く、腐食に伴うガスの発生も少ない。また、仮に腐食に伴って水素ガスが発生した場合でも、水素ガスは吸蔵金属膜７により吸着される。その結果、キャビティ４内の圧力変動が低減し、電子素子５の特性が安定する。
【００２４】
本実施形態においては、蓋体３は中央部に凹部８を有する。凹部８の周囲の上端面ＴＳに接合膜９が形成される。凹部８の底面ＢＳ及び内側面ＳＳに吸蔵金属膜７が形成される。基体２は、板厚方向に貫通する２つの貫通電極１３を有し、キャビティ４側の表面には２つの配線１１が形成され、キャビティ４とは反対側の表面には２つの外部電極１４が形成される。各配線１１は貫通電極１３を介して外部電極１４にそれぞれ電気的に接続される。基体２のキャビティ４側の表面には電子素子５が実装される。電子素子５はその上面に図示しない電極が形成され、ワイヤー１２を介して配線１１に電気的に接続される。これにより、２つの外部電極１４から駆動電力や駆動信号をキャビティ４内の電子素子５に供給することができる。
【００２５】
なお、本実施形態において電子素子５と配線１１との間をワイヤー１２により電気的に接続したが、これに代えて電子素子５を基体２に面実装することができる。例えば電子素子５として音叉型の水晶振動子を使用する場合には、音叉型の基部を配線１１に片持ち状に接合し、キャビティ４内を真空に引いて基体２と蓋体３とを陽極接合する。このとき、吸蔵金属膜７の表面がキャビティ４に露出するので、陽極接合の際に酸素ガスが発生しキャビティ４内に残留しても、その残留酸素ガスは吸蔵金属膜７により吸着され、キャビティ４内は所定の真空度に維持される。そのため音叉型の水晶振動子の振動を劣化させることがない。また、接合導電膜６の断面が外部に露出し、その端面が腐食して吸蔵金属膜７が負に帯電した場合でも、吸蔵金属膜７は腐食され難く、また、ガスが発生したときは吸蔵金属膜７により吸着されるので、キャビティ４内を所定の真空度に長期間維持することができる。
【００２６】
また、本実施形態では蓋体３に凹部８を形成し、この凹部８の底面ＢＳに接合導電膜６と電気的に接続する吸蔵金属膜７を形成したが、これに代えて、基体に凹部を形成し、基体と蓋体の間にキャビティを形成し、蓋体を平坦な板とすることができる。基体の凹部に電子素子を収納し、平坦な板からなる蓋体を凹部の上端面に陽極接合する。この場合も、蓋体のキャビティ側の表面には吸蔵金属膜７を設ける。
【００２７】
＜電子デバイスの製造方法＞
（第二実施形態）
図２及び図３は本発明の第二実施形態に係る電子デバイス１の製造方法を説明するための図である。図２は製造工程を表し、図３は同時に複数個の電子デバイスを製造する各工程の説明図である。同一の部分又は同一の機能を有する部分には同一の符号を付している。
【００２８】
図３（ａ）は実装工程Ｓ１を表し、基体２に電子素子５を実装した断面模式図である。ここで、基体２はソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラス、又はその他のガラスからなるウエハーを使用し、電子素子５として水晶振動子を用いる。まず、基体２の各電子デバイス１に対応する領域に２つの貫通孔を形成する。基体２を軟化点以上の温度に加熱し型に押圧する型成形により複数の貫通孔を同時に形成することができる。また、基体２の表面にマスクを設置し、ガラスエッチング法やサンドブラスト法により複数の貫通孔を同時に形成することができる。次に、貫通孔に電極を埋め込んで貫通電極１３を形成する。例えば貫通孔に金属棒を埋め込み接着剤により固定する、また、貫通孔に印刷法等により導電性接着剤を充填し固化する、或いは、貫通孔に無電解メッキ法により金属材料を堆積し充填する、などの方法により貫通電極１３を形成することができる。次に、基体２の実装側の表面を研磨して平坦面とする。
【００２９】
次に蒸着法やスパッタリング法等により基体２の表面に導電膜を形成し、フォトリソグラフィ及びエッチング法により配線１１を形成する。導電膜としてアルミニウム、金、クロム等の材料を使用することができる。次に、配線１１の上に導電性接着剤１５を設置し、その上に電子素子５としての水晶振動子を実装する。導電性接着剤１５に代えて金属バンプを設置し、水晶振動子の表面に形成したマウント電極に接合してもよい。水晶振動子が音叉型である場合は音叉型の基部が導電性接着剤１５により固定され、水晶振動子は片持ち状に支持される。
【００３０】
図３（ｂ）は凹部形成工程Ｓ２を表し、蓋体３に凹部８を形成する。蓋体３はソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラス、又はその他のガラスからなるウエハーを使用する。凹部８は蓋体３を軟化点以上の温度に加熱し型成形により複数同時に形成することができる。あるいは、ウエハーの表面に凹部形成領域が開口するマスクを設置し、ガラスエッチング法やサンドブラスト法等により凹部形成領域のガラスを除去して凹部８を複数同時に形成することができる。なお、凹部８の内側面ＳＳを傾斜面とし、型成形の際の離型性を向上させている。
【００３１】
図３（ｃ）は導電膜堆積工程Ｓ３を表す。まず、凹部８の周囲の上端面ＴＳを鏡面に研磨する。この場合、凹部８の底面ＢＳは研磨されないので粗面の状態が維持される。次に、蓋体３の凹部８が形成される側の表面に吸蔵金属膜７と接合導電膜６を連続して堆積する。吸蔵金属膜７としてチタン膜を、接合導電膜６としてアルミニウム膜をそれぞれスパッタリング法や蒸着法により連続して堆積する。吸蔵金属膜７の材料として、チタンの他に白金、マンガン、ジルコニウム、ニッケル、バナジウム、パラジウム、マグネシウム又はこれら材料のいずれかを含む合金を使用することができる。接合導電膜６の材料として、アルミニウムの他にシリコン、クロム、その他の導電材料又はこれら材料のいずれかを含む複合物を使用することができる。吸蔵金属膜７と接合導電膜６は各凹部の周囲の上端面ＴＳや底面ＢＳ、及び上端面ＴＳと底面ＢＳの間の内側面ＳＳの全面に堆積する。例えばチタン膜とアルミニウム膜をそれぞれ５０ｎｍ〜１５０ｎｍ形成する。
【００３２】
図３（ｄ）はパターン形成工程Ｓ４を表し、各凹部８の底面ＢＳと内側面ＳＳ、つまり凹部８の内表面に堆積した接合導電膜６を除去し、吸蔵金属膜７の表面を露出させる。フォトリソグラフィ及びエッチング法により接合導電膜６を底面ＢＳと内側面ＳＳから除去し、凹部８の周囲の上端面ＴＳに接合導電膜６を残す。
【００３３】
図３（ｅ）は接合工程Ｓ５を表し、凹部８に電子素子５を収納するように蓋体３を基体２の表面に載置し、真空中において蓋体３を基体２に陽極接合する。陽極接合は、基体２及び蓋体３を２００℃以上の温度に加熱し、蓋体３に堆積した接合導電膜６を陽極に基体２を陰極にして数百Ｖの電圧を印加し、接合導電膜６及び吸蔵金属膜７を介して基体２の電子素子５側の表面と蓋体３の上端面ＴＳとを接合する。この陽極接合の際に発生する酸素ガスがキャビティ４内に残留する場合でも、吸蔵金属膜７のゲッタリング効果により酸素ガスが吸蔵金属膜７に吸着され、所定の真空度に維持される。次に、基体２の蓋体３とは反対側の表面に印刷法により外部電極１４を形成する。外部電極１４は貫通電極１３に電気的に接続する。また、印刷法に代えてメッキ法、蒸着法又はスパッタリング法等により外部電極１４を形成することができる。
【００３４】
図３（ｆ）は切断工程Ｓ６を表し、ダイシングブレードやダイシングソー等を用いて、或いはガラス表面にスクライブ線を刻印し、スクライブ線に沿って割断して個々の電子デバイス１ａ、１ｂに分離する。この分離した電子デバイス１ａ、１ｂの接合導電膜６は外部に露出する。外気の水分が接合導電膜６に付着して腐食が始まると、接合導電膜６には負電荷が帯電する。しかし、吸蔵金属膜７は腐食し難く、表面に付着する水分や引き寄せられるナトリウムイオンと反応せず、これに伴うガスの発生もない。また、仮に吸蔵金属膜７の腐食に伴って水素ガスが発生した場合でも、水素ガスは吸蔵金属膜７により吸着されるので、キャビティ４内は所定の真空度に長期間維持される。
【００３５】
（第三実施形態）
図４は、本発明の第三実施形態に係る電子デバイス１の製造方法を説明するための工程図であり、上記第二実施形態の具体例である。同一の工程には同一の符号を付している。
【００３６】
基体２に実装する電子素子５は水晶振動子などからなる圧電振動片である。蓋体形成工程Ｓ２０を説明する。ソーダ石灰ガラスからなる板状のガラスウエハーを準備する。まず、研磨、洗浄、エッチング工程Ｓ２１においてガラスウエハーを所定の厚さまで研磨し、洗浄した後にエッチング処理を行って最表面の加工変質層を除去する。次に、凹部形成工程Ｓ２において、各電子デバイス１が形成される領域の中央部に加熱プレスの型成形により凹部８を形成する。次に、研磨工程Ｓ２２において、凹部８の周囲の上端面を平坦な鏡面に研磨加工する。次に、導電膜堆積工程Ｓ３において、蓋体３の凹部８を形成した表面にスパッタリング法又は蒸着法により例えばチタンからなる吸蔵金属膜７とアルミニウムからなる接合導電膜６をそれぞれ５０ｎｍ〜１５０ｎｍの厚さで連続して堆積する。次に、パターン形成工程Ｓ４において、フォトリソグラフィ及びエッチング法により、凹部８の底面ＢＳ及び内側面ＳＳから接合導電膜６を除去する。このようにしてガラスウエハーからなる蓋体３を形成する。
【００３７】
圧電振動片作成工程Ｓ３０を説明する。水晶の原石を所定角度でスライスし、水晶ウエハーを形成し、次に、水晶ウエハーを研削及び研磨加工して一定の厚みとする。次に、水晶ウエハーの加工変質層をエッチング除去する。次に、水晶ウエハーの両表面に金属膜を堆積し、フォトリソグラフィ及びエッチング法により金属膜をパターニングし、所定形状の励振電極、配線電極、マウント電極に加工する。次にフォトリソグラフィ及びエッチング法あるいはダイシングにより水晶ウエハーを圧電振動片の外形形状に加工する。
【００３８】
基体形成工程Ｓ４０を説明する。ソーダ石灰ガラスからなる板状のガラスウエハーを準備する。まず、研磨、洗浄、エッチング工程Ｓ４１においてガラスウエハーを所定の厚さまで研磨し、洗浄した後にエッチング処理を行って最表面の加工変質層を除去する。次に、貫通電極形成工程Ｓ４２において加熱プレスの型成形により、或いは表面にマスクを設置後にエッチング処理あるいはサンドブラスにより研削してガラスウエハーの板厚方向に貫通孔を形成する。次に、この貫通孔に導電体を充填して貫通電極１３を形成し、貫通電極１３の両端部及びガラスウエハーの両面を研磨して平坦化する。次に、配線電極形成工程Ｓ４３において、スパッタリング法あるいは蒸着法により基体２の表面に金属膜を堆積し、フォトリソグラフィ及びエッチング法により配線１１にパターニングする。
【００３９】
次に、実装工程Ｓ１において、圧電振動片を基体２の表面に実装する。実装の際に、基体２の配線１１に導電性接着剤１５や金属バンプを設置し、その上に圧電振動片のマウント電極を接合して基体２上に圧電振動片を片持ち状に固定する。これにより、貫通電極１３と圧電振動片の励振電極とを電気的に接続する。このように多数の圧電振動片が実装されるガラスウエハーからなる基体２を形成する。
【００４０】
次に、重ね合わせ工程Ｓ１１において、蓋体３の各凹部８に各圧電振動片が収納されるように蓋体３を基体２の上に載置し、上下方向から押圧する。次に、接合工程Ｓ５において、基体２及び蓋体３を２００℃以上の温度に加熱し、蓋体３の吸蔵金属膜７及び接合導電膜６を陽極に基体２を陰極にして数百Ｖの電圧を印加し、接合導電膜６を介して基体２と蓋体３とを接合する。接合の際には周囲を真空に保持する。次に、外部電極形成工程Ｓ１２において、基体２の蓋体３とは反対側の表面に印刷法により外部電極１４を形成する。次に、切断工程Ｓ６において、接合体の表面にスクライブ線を設け、切断刃を押し当てて割断する、あるいはダイシングブレードやダイシングソーを用いて分割し、個々の電子デバイス１を得る。次に、電気特性検査工程Ｓ１３において、電子デバイス１の共振周波数や共振抵抗値等を測定して検査する。
【００４１】
＜発信機＞
（第四実施形態）
図５は、本発明の第四実施形態に係る発信機４０の上面模式図であり、上記第二又は第三実施形態において説明した製造方法により製造した電子デバイス１を組み込んでいる。図５に示すように、発振器４０は、基板４３、この基板上に設置した電子デバイス１、集積回路４１及び電子部品４２を備えている。電子デバイス１は、外部電極１４に与えられる駆動信号に基づいて一定周波数の信号を生成し、集積回路４１及び電子部品４２は、電子デバイス１から供給される一定周波数の信号を処理して、クロック信号等の基準信号を生成する。本発明による電子デバイス１は、高信頼性でかつ小型に形成することができるので、発振器４０の全体をコンパクトに構成することができる。
【００４２】
＜ＭＥＭＳセンサ＞
本発明の第五実施形態に係るＭＥＭＳセンサについて説明する。ＭＥＭＳセンサは、例えば、加速度又は振動を検出する。ＭＥＭＳセンサは、電子素子としてＭＥＭＳを使用し、第四実施形態と同様に上記第二又は第三実施形態において説明した製造方法により製造した電子デバイスを組み込んでいる。ＭＥＭＳセンサは、基板と、この基板上に設置した電子デバイスと、信号処理回路とを備えている。電子デバイスは、加速度を検出し、検出した加速度を電気信号に変換し、電気信号を信号処理回路に送る。信号処理回路は、電気信号を増幅、調整など信号処理して出力する。本発明の電子デバイスは、高信頼性でかつ小型に形成することができるので、ＭＥＭＳセンサの全体をコンパクトに構成することができる。
【符号の説明】
【００４３】
１、１ａ、１ｂ  電子デバイス
２  基体
３  蓋体
４  キャビティ
５  電子素子
６  接合導電膜
７  吸蔵金属膜
８  凹部
９  接合膜
１１  配線
１２  ワイヤー
１３  貫通電極
１４  外部電極
１５  導電性接着剤
ＴＳ  上端面
ＢＳ  底面
ＳＳ  内側面
【図１】
2014060699.tif 000003
【図２】
2014060699.tif 000004
【図３】
2014060699.tif 000005
【図４】
2014060699.tif 000006
【図５】
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【図６】
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