(57)【要約】      （修正有）【課題】プラズマ処理や化学的エッチング処理などの表面粗化前処理を施すことなく、また、基材の変形を伴う加熱処理を施すことなく、無電解めっき膜のプラスチック基材に対する密着性を向上させる方法を提供する。また、化学的エッチング処理によらず、簡単にめっき膜のパターニングを行う方法を提供する。【解決手段】プラスチック成形品を形成し、その表面上に無電解金属めっきを施し、パルス幅35〜7000μsec、パルス強度0.35〜4.33J/cm2の範囲から選ばれた適切なパルス幅およびパルス強度のパルス光を照射することにより、無電解めっき膜の基材に対する密着性を向上させる。また、上記範囲から選ばれた、上記パルス光よりも強度の高いパルス光を照射することにより、基材上の金属層を除去する。また、遮光マスクを用い、これらのパルス光の照射を行うことにより、基材上の金属膜をパターニングする。【選択図】図８
2014152350.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラスチック成形品を形成し、その表面上に無電解金属めっきを施し、パルス幅35〜7000μsec、パルス強度0.06〜4.33J/cm2のパルス光を照射することを特徴とする、金属層を有するプラスチック成形品の製造方法。
【請求項２】
前記パルス光が、パルス幅35〜7000μsec、パルス強度0.06〜4.33J/cm2の光であり、且つプラスチック成形品の表面と金属層との密着性を向上させることができる高強度パルス光であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記パルス光が、１回の照射あるいは２回以上の照射によってプラスチック成形品の表面と金属層との密着性を向上させることができる高強度パルス光であることを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記パルス光が、パルス幅35〜7000μsec、パルス強度0.06〜4.33J/cm2の光であり、且つプラスチック成形品の表面上の金属層を除去することができる超高強度パルス光であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記パルス光が、１回の照射あるいは２回以上の照射によってプラスチック成形品の表面上の金属層を除去することができる超高強度パルス光であることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
プラスチック成形品を形成し、その表面上に無電解金属めっきを施し、当該無電解めっきを施したプラスチック成形品に対し、遮光するパターンを有するフォトマスクを設置し、請求項２または請求項３に記載の高強度パルス光を照射することにより上記プラスチック成形品の表面と非遮光部分の金属層との密着性を向上させた後、フォトマスクを外し、遮光部分の金属めっき膜を物理的に剥離することを特徴とする、パターン状の金属層を有するプラスチック成形品の製造方法。
【請求項７】
プラスチック成形品を形成し、その表面上に無電解金属めっきを施し、当該無電解めっきを施したプラスチック成形品に対し、遮光するパターンを有するフォトマスクを設置し、請求項４または請求項５に記載の超高強度パルス光を照射することにより上記プラスチック成形品の非遮光部分の金属層を除去した後、フォトマスクを外し、請求項２または請求項３に記載の高強度パルス光を照射することにより上記プラスチック成形品の表面と金属層との密着性を向上させることを特徴とする、パターン状の金属層を有するプラスチック成形品の製造方法。
【請求項８】
プラスチック成形品を形成し、その表面上に無電解金属めっきを施し、請求項２または請求項３に記載の高強度パルス光を照射することにより上記プラスチック成形品の表面と金属層との密着性を向上させた後、当該金属層を有するプラスチック成形品に対し、遮光するパターンを有するフォトマスクを設置し、請求項４または請求項５に記載の超高強度パルス光を照射することにより上記プラスチック成形品の表面上の金属層を除去し、フォトマスクを外すことを特徴とする、パターン状の金属層を有するプラスチック成形品の製造方法。
【請求項９】
プラスチック成形品を形成し、その表面上に金属めっきを施し、当該金属めっきを施したプラスチック成形品に対し、遮光するパターンを有するフォトマスクを設置し、請求項４または請求項５に記載の超高強度パルス光を照射することにより上記プラスチック成形品の表面上の金属層を除去した後、フォトマスクを外すことを特徴とする、パターン状の金属層を有するプラスチック成形品の製造方法。
【請求項１０】
前記金属めっき膜の膜厚は、10nm以上2000nm以下であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記プラスチック成形品は、前記高強度パルス光を透過する材料で形成することを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂素材からなる基材と高い密着性を有するめっき膜との積層体の効率的な製造方法と、当該方法を用いた金属パターニング方法に関する。本発明は、エッチング等による基材表面への改質を行わずに、高い密着強度を有する樹脂／めっき積層体を提供する。さらに、めっき膜の任意の部位のみの密着性を向上させ、他の部位を除去することにより、金属パターニングを可能にする方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ポリイミドやPETフィルム、PE板等の樹脂基材はプリント配線基板等に広く利用されている。これらの基材上の配線の作製は、通常、これらの基材上に金属薄膜を作製し、当該薄膜を配線のパターンに加工することにより行われる。
これらの基材上に金属薄膜を作製する方法としては、スパッタリングなど真空装置を用いたプロセスにより銅薄膜を作製し、その後電気めっきにより10μm程度の厚みの膜を作製する方法が一般的である。しかしながら、スパッタリング処理は、高価な真空装置が必要であり、さらに、roll-to-rollなどの大量生産には不向きであるため、このようなスパッタリングに代わる、高価な装置を用いずに金属膜を作製することが可能な技術として、無電解めっきが期待されている。
このような金属膜の作製方法においては、基材と金属膜との密着性を得るため、プラズマ処理や化学的なエッチング処理などの表面処理を予め基材に施すことが一般的であり、特に無電解めっきにおいては、予めこのような表面粗化工程を行わないと、十分な密着性を得ることが難しい。しかしながら、これらの表面粗化処理のうち、プラズマ処理は、スパッタリング処理と同様に、高価な真空装置が必要であり、さらに、roll-to-rollなどの大量生産に不向きである。また、化学的なエッチング処理は、有害な薬品を大量に使用するため、環境負荷が大きく、さらに、基材表面に凹凸が形成されるため、この上に形成される金属膜の平滑性が悪く、電気・光学特性に悪い影響を及ぼすなどの問題がある。
また、配線等の金属パターンの基材上の作製は、基材全面に金属膜を作製後、フォトレジストによりマスクパターンを金属膜上に作製し、エッチングすることにより行われており、上記表面粗化工程と同様に、環境負荷が大きいという問題を有している。
【０００３】
本発明者らは、先に、基材に予めエッチング等の表面処理を行わずに高い密着性を有するめっき膜を作製する方法として、図１に示すような金属コロイドを触媒とする無電解めっき方法を提案した(特許文献１)。この方法では、コロイド触媒を基材表面に固定化し、めっき膜を形成した後に，加熱処理により，密着性を向上させる。しかしながら，この加熱処理工程は、基材の収縮などの変形を引き起こす問題があり、さらに、加熱工程に時間がかかり、プロセスの簡略化が困難であるという欠点があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−０４７８２８  無電解メッキの前処理方法および該基材の無電解メッキ方法。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、従来技術の上記欠点を改善し、プラズマ処理や化学的エッチング処理などの表面粗化前処理を施すことなく、また、基材の変形を伴う加熱処理を施すことなく、無電解めっき膜の基材に対する密着性を向上させる方法を提供することを、第一の課題とし、また、化学的エッチング処理によらず、簡単にめっき膜のパターニングを行う方法を提供することを第二の課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、上記課題を解決すべく、加熱処理に代わる無電解めっき膜の界面強化方法を多角的に種々検討した結果、高強度パルス光の照射が、基材の変形を起こさずにめっき膜との界面のみを短時間で選択的に加熱することができるため、無電解めっき膜の密着性の向上に有効であることを見出し、さらに、これよりも強い超高強度パルス光を照射すれば、めっき膜の溶融・除去も可能であることを見出した。すなわち、キセノンランプやパルスレーザーを光源とするパルス光の照射を行うことにより、瞬間的にサンプルの加熱処理が可能であり、樹脂基材に熱ダメージを与えることなく、金属薄膜が加熱され、金属薄膜の密着性を向上させることができ、あるいは、金属薄膜を溶融・除去することが可能になる。
本手法は、さまざまな種類の金属膜に適用することができ、また、大面積処理が可能である。さらに、本手法によれば、最適なマスクを併用することにより、めっき膜の任意の箇所において、選択的に密着強度の向上または溶融・除去を行うことができ、簡潔なプロセスで金属パターンを樹脂基板上に形成することができる。
【０００７】
すなわち、この出願は、以下の発明を提供する。
〈１〉プラスチック成形品を形成し、その表面上に無電解金属めっきを施し、パルス幅35〜7000μsec、パルス強度0.06〜4.33J/cm2のパルス光を照射することを特徴とする、金属層を有するプラスチック成形品の製造方法。
〈２〉前記パルス光が、パルス幅35〜7000μsec、パルス強度0.06〜4.33J/cm2の光であり、且つプラスチック成形品の表面と金属層との密着性を向上させることができる高強度パルス光であることを特徴とする、〈１〉の方法。
〈３〉前記パルス光が、１回の照射あるいは２回以上の照射によってプラスチック成形品の表面と金属層との密着性を向上させることができる高強度パルス光であることを特徴とする、〈２〉の方法。
〈４〉前記パルス光が、パルス幅35〜7000μsec、パルス強度0.06〜4.33J/cm2の光であり、且つプラスチック成形品の表面上の金属層を除去することができる超高強度パルス光であることを特徴とする、〈１〉の方法。
〈５〉前記パルス光が、１回の照射あるいは２回以上の照射によってプラスチック成形品の表面上の金属層を除去することができる超高強度パルス光であることを特徴とする、〈４〉の方法。
〈６〉プラスチック成形品を形成し、その表面上に無電解金属めっきを施し、当該無電解金属めっきを施したプラスチック成形品に対し、遮光するパターンを有するフォトマスクを設置し、〈２〉または〈３〉に記載の高強度パルス光を照射することにより上記プラスチック成形品の表面と非遮光部分の金属層との密着性を向上させた後、フォトマスクを外し、遮光部分の金属めっき膜を物理的に剥離することを特徴とする、パターン状の金属層を有するプラスチック成形品の製造方法。
〈７〉プラスチック成形品を形成し、その表面上に無電解金属めっきを施し、当該無電解金属めっきを施したプラスチック成形品に対し、遮光するパターンを有するフォトマスクを設置し、〈４〉または〈５〉に記載の超高強度パルス光を照射することにより上記プラスチック成形品の非遮光部分の金属層を除去した後、フォトマスクを外し、〈２〉または〈３〉に記載の高強度パルス光を照射することにより上記プラスチック成形品の表面と金属層との密着性を向上させることを特徴とする、パターン状の金属層を有するプラスチック成形品の製造方法。
〈８〉プラスチック成形品を形成し、その表面上に無電解金属めっきを施し、〈２〉または〈３〉に記載の高強度パルス光を照射することにより上記プラスチック成形品の表面と金属層との密着性を向上させた後、当該金属層を有するプラスチック成形品に対し、遮光するパターンを有するフォトマスクを設置し、〈４〉または〈５〉に記載の超高強度パルス光を照射することにより上記プラスチック成形品の表面上の金属層を除去し、フォトマスクを外すことを特徴とする、パターン状の金属層を有するプラスチック成形品の製造方法。
〈９〉プラスチック成形品を形成し、その表面上に金属めっきを施し、当該金属めっきを施したプラスチック成形品に対し、遮光するパターンを有するフォトマスクを設置し、〈４〉または〈５〉に記載の超高強度パルス光を照射することにより上記プラスチック成形品の表面上の金属層を除去した後、フォトマスクを外すことを特徴とする、パターン状の金属層を有するプラスチック成形品の製造方法。
〈１０〉前記金属めっき膜の膜厚は、10nm以上2000nm以下であることを特徴とする、〈１〉〜〈８〉に記載の方法。
〈１１〉前記プラスチック成形品は、前記高強度パルス光を透過する材料で形成することを特徴とする、〈１〉〜〈８〉に記載の方法。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、基材上の無電解めっき膜に高強度パルス光を照射することにより、めっき膜の密着性を向上させることができるため、プラズマ処理や化学的エッチングによる表面粗化の前処理を要することなく、また、基材の変形を伴う加熱処理をすることなく、各種のプラスチック基材表面に、密着性が優れためっき膜を簡単に形成させることができ、また、遮光マスクを併用し、遮光によって高強度パルス光の照射による密着性の向上がなされなかった部分のめっき膜を、接着テープを用いてはぎ取るなど、物理的に剥離することにより、めっき膜のパターニングを行うことができる。また、めっき膜に超高強度パルス光を照射することによって、めっき膜の任意の部分を除去することもできるため、遮光マスクを用い、遮光されない部分のめっき膜を超高強度パルス光の照射により除去することで、めっき膜のパターニングを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】従来の無電解めっき膜の加熱による密着方法の概念図。
【図２】本発明によるパルス光照射による無電解めっき膜の密着および除去方法の概念図。
【図３】本発明による高強度パルス光を用いた無電解めっき膜のパターニング方法の概念図。
【図４】本発明による超高強度パルス光および高強度パルス光を用いた無電解めっき膜のパターニング方法の概念図。
【図５】本発明による超高強度パルス光を用いた、めっき膜のパターニング方法の概念図。
【図６】本発明の高強度パルス光照射による無電解めっき膜の密着性の向上とテープ剥離により作製した金めっきパターン。
【図７】本発明の超高強度パルス光照射による無電解めっき膜の除去と高強度パルス光照射による密着性の向上により作製した金めっきパターン。
【図８】ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム上の無電解金めっき膜へ各種パルス幅、パルスエネルギーのパルス光を照射したときの結果を示す図。
【図９】シクロオレフィンポリマー(COP)フィルム上の無電解金めっき膜へ各種パルス幅、パルスエネルギーのパルス光を照射したときの結果を示す図。
【図１０】ポリエチレン(PE)板上の無電解金めっき膜へ各種パルス幅、パルスエネルギーのパルス光を照射したときの結果を示す図。
【図１１】ポリメチルメタクリレート(PMMA)フィルム上の無電解金めっき膜へ各種パルス幅、パルスエネルギーのパルス光を照射したときの結果を示す図。
【図１２】ポリフェニレンサルファイド(PPS)フィルム上の無電解金めっき膜へ各種パルス幅、パルスエネルギーのパルス光を照射したときの結果を示す図。
【図１３】ポリスチレン(PS)フィルム上の無電解金めっき膜へ各種パルス幅、パルスエネルギーのパルス光を照射したときの結果を示す図。
【図１４】ポリフェニレンサルファイド(PPS)フィルム上の無電解銅めっき膜へ各種パルス幅、パルスエネルギーのパルス光を照射したときの結果を示す図。
【図１５】ポリカーボネート(PC)フィルム上の無電解金めっき膜へ各種パルス幅、パルスエネルギーのパルス光を照射したときの結果を示す図。
【図１６】ポリカーボネート(PC)フィルム上の無電解金めっき膜へ各種パルス幅、パルスエネルギーのパルス光を２回照射したときの結果を示す図。
【図１７】ポリスチレン(PS)フィルム上の無電解金めっき膜へ各種パルス幅、パルスエネルギーのパルス光をフィルム裏面から照射したときの結果を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明による無電解めっき膜の密着性向上と溶融・除去の方法、および、これを利用しためっき膜のパターニング方法について詳述する。
【００１１】
図２に、本発明のパルス光照射による無電解めっき膜の密着および除去方法の概念図を示す。
無電解めっき後、特に何も処理をしないめっき膜(上段、左から二番目の図、以下、未処理無電解めっき膜という)は、そのままでは密着度が弱く、上段の左から一番目の図に示すように、はがれやすい。
ここで、未処理無電解めっき膜に高強度のパルス光を照射すると、密着度が増す(上段左から三番目の図→下段の左図)。
また、未処理無電解めっき膜または高強度のパルス光照射により密着度が増した無電解めっき膜に超高強度のパルス光を照射すると、無電解めっき膜は溶解・除去される(下段左図→右図)。
【００１２】
本発明に用いるパルス光としては、キセノンランプあるいはレーザーを光源とする、パルス幅35μsec〜7msec、パルス強度0.06〜4.33J/cm2のパルス光がのぞましい。このようなパルス光を発生する装置としては、たとえば、Novacentrix社製Pulseforge3300が好ましい。
【００１３】
本発明の方法が適用される無電解金属めっき膜は、特に限定されないが、たとえば、金、銀、銅、プラチナなどの貴金属や亜鉛、ニッケルなどの無電解金属めっき膜が挙げられる。
基材上の無電解メッキ膜の作製は、例えば、特許文献１に記載された方法(ただし、無電解めっき膜作成後の加熱処理は行わない)により行うことができる。
【００１４】
本発明において、無電解金属めっき膜を設けるプラスチック成形品の素材としては、通常のエンジニアリングプラスチック、例えば、ポリカーボネート、ＡＢＳ樹脂、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、液晶ポリマー等が好ましい。あるいはフッ素樹脂を用いてもよい。
【００１５】
本発明において用いられる高強度パルス光とは、パルス幅35〜7000μsec、パルス強度0.06〜4.33J/cm2の範囲の、基材(プラスチック成形品)の表面と無電解金属めっき層との密着性を向上させることができるパルス光を意味する。
また、本発明において用いられる超高強度パルス光とは、パルス幅35〜7000μsec、パルス強度0.06〜4.33J/cm2の範囲の、基材(プラスチック成形品)の表面上の金属層を除去することができるパルス光を意味する。
例えば、実施例１のPETフィルム上の無電解金めっき膜については、高強度パルス光は、パルス幅  40〜5000μsec、パルスエネルギー  0.49〜4.10J/cm2の範囲内に存在し、超高強度パルス光は、パルス幅  35〜2500μsec、パルスエネルギー  0.68〜4.33J/cm2の範囲内に存在する(図８および表１)。また、実施例２のCOPフィルム上の無電解金めっき膜については、高強度パルス光は、パルス幅  1600あるいは1800μsec、パルスエネルギー  3.05〜3.43J/cm2の範囲内に存在し、超高強度パルス光は、パルス幅  35〜7000μsec、パルスエネルギー  0.124〜4.33J/cm2の範囲内に存在する(図９および表２)。実施例３のPE板上の無電解金めっき膜については、高強度パルス光は、パルス幅  800〜1800μsec、パルスエネルギー  2.78〜4.01J/cm2の範囲内に存在し、超高強度パルス光は、パルス幅  35〜1600μsec、パルスエネルギー  0.873〜4.28J/cm2の範囲内に存在する(図１０および表３)。
【００１６】
上述のように、具体的にどのようなパルス光が高強度パルス光であり、また、どのようなパルス光が超高強度パルス光であるかは、無電解金属膜を構成する金属の種類、膜厚等、および、基材の材質、形状等により異なり、様々である。
しかしながら、本発明において本発明者らにより新たに見出された知見によれば、いずれの無電解金属膜および基材を用いた場合でも、上記範囲内においてパルス光のパルス幅およびパルス強度を変更することにより、基材と無電解めっき膜との密着性を向上させることができるパルス光のパルス幅およびパルス強度の範囲が存在し、また、基材の表面上の金属層を除去することができるパルス光のパルス幅およびパルス強度の範囲が存在する。
したがって、当該知見に基づき、当業者は、必要に応じて適宜試験を行うことにより、上記範囲内において、それぞれの金属膜及び基材に応じた適切な高強度パルス光のパルス幅およびパルス強度の範囲、および、超高強度パルス光のパルス幅およびパルス強度の範囲を見出すことができる。
【００１７】
パルス光の無電解めっき膜への照射回数は通常は１回でよいが、２回以上の照射でもよい。その場合は、無電解めっき膜を密着させ、あるいは金属層を除去するために用いるパルス光のパルス幅、パルス強度の範囲をより広く設定することができる。
【００１８】
パルス光は、プラスチック成形品の表面上に施した無電解金属めっき膜に対して照射してもよいが、透明なプラスチック成形品の場合は、金属膜を施している側とは反対側(裏面)から、プラスチック層をとおして照射することもできる。
【００１９】
本発明は、上記構成に加え、パルス光の光源と無電解めっき膜を設けた基材の間に、遮光パターンを有するフォトマスクを設置し、高強度パルス光を照射することもできる。
【００２０】
上記構成によれば、フォトマスクで遮光される部分の金属膜はプラスチック成形品の表面との密着強度は増強されず、一方、遮光されない部分の金属層は密着性が向上するため、フォトマスクを除去し遮光部分の金属めっき膜を粘着テープなどで剥離することにより、基材上にパターン状の金属層を形成することができる(図３)。
【００２１】
本発明は、上記構成に加え、パルス光の光源と無電解めっき膜を設けた基材の間に、遮光パターンを有するフォトマスクを設置し、超高強度パルス光を照射することもできる。
【００２２】
上記構成によれば、フォトマスクで遮光されない部分の金属膜は融解してその表面張力により微粒子状となりプラスチック表面から除去されてしまうため、フォトマスクを除去し遮光部分の金属めっき膜に再び高強度パルス光を照射することにより密着強度を増強することによって、粘着テープなどでの剥離作業をすることなしに、基材上に容易にパターン状の金属層を形成することができる(図４)。
【００２３】
上記構成に加え、従来法で作製された任意の金属めっき膜についても、フォトマスクで遮光されない部分の金属膜は超高強度パルス光の照射により融解してその表面張力により微粒子状となりプラスチック表面から除去されることから、超高強度パルス光を照射するだけで、容易にパターン状の金属層を形成することができる(図５)。
【００２４】
フォトマスクとしては、カーボンブラックなどの遮光性のあるインクによりパターニングされた透明な合成樹脂あるいはパターニングされた金属等を用いることができる。
透明なプラスチックフィルム、例えばPETフィルムに市販のレーザープリンタを用いて必要なパターンを印刷したものを用いてもよい。
フォトマスク用金属材料としては、主にステンレス鋼、りん青銅等が用いられ、その厚さは通常50〜300μm程度である。
【実施例】
【００２５】
以下、実施例によって、本発明を更に詳細に説明する。
【００２６】
実施例１：
0.1重量％のトリメチルステアリルアンモニウムクロライド水溶液に厚さ100μmのPETフィルムを浸漬した後、ポリビニルピロリドンにより安定化された白金コロイドに１分間浸漬し、触媒となる白金ナノ粒子をフィルム表面に吸着させた。つぎに、20mM−塩化金(III)酸水溶液(1ml)と0.1M−過酸化水素水溶液(1ml)を混合して得られる無電解金めっき液中に、白金コロイドを付与したポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムを加え、時々撹拌しながら25℃、30分間浸漬したのち水洗・乾燥して、外観が金色のPETフィルムを得た。金めっき膜の厚みは重量換算で100nmであり、良好な導電性を示した。このめっき膜はテープ剥離試験により容易にはがれ、十分な密着力が得られない。
短パルス光照射装置(Novacentrix社製Pulseforge3300)により、表１のAで示すパルス幅、パルスエネルギーのパルス光(パルス幅  40〜5000μsec、パルスエネルギー  0.49〜4.10J/cm2の範囲内から選択)、たとえば、300μsec、1.21J/cm2のパルス光を１回照射したところ、テープ剥離試験ではく離を起こさない密着力が得られた。表１のEに示すパルス幅、パルスエネルギーのパルス光(パルス幅  35〜2500μsec、パルスエネルギー  0.68〜4.33J/cm2の範囲内から選択)、たとえば、300μsec、2.06J/cm2のパルス光を１回照射したところ、めっき膜は除去された。
表１のPで示すパルス幅、パルスエネルギーのパルス光(パルス幅  35〜7000μsec、パルスエネルギー  0.025〜3.97J/cm2の範囲内から選択)を照射した場合は、めっき膜は残るものの、テープ剥離試験により容易に剥離し、十分な密着力が得られない。
図８にパルス光のパルス幅、パルスエネルギーとパルス光照射後のめっき膜の状態(密着、除去、剥離)を示す。
【００２７】
実施例２：
実施例１と同様の方法で，厚さ100μmのシクロオレフィンポリマー(COP)フィルムに金めっき膜を作製し、表２のAで示すパルス幅、パルスエネルギーのパルス光(パルス幅1600あるいは1800μsec、パルスエネルギー  3.05〜3.43J/cm2の範囲内から選択)、たとえば、1800μsec、3.15J/cm2のパルス光を１回照射したところ，テープ剥離試験ではく離を起こさない密着力が得られた。表２のEに示すパルス幅、パルスエネルギーのパルス光(パルス幅  35〜7000μsec、パルスエネルギー  0.124〜4.33J/cm2の範囲内から選択)、たとえば、300μsec、2.06J/cm2のパルス光を１回照射したところ、めっき膜は除去された。表１のPで示すパルス幅、パルスエネルギーのパルス光(パルス幅  35〜3000μsec、パルスエネルギー  0.025〜4.05J/cm2の範囲内から選択)を照射した場合は、めっき膜は残るものの、テープ剥離試験により容易に剥離し、十分な密着力が得られない。図９にパルス光のパルス幅、パルスエネルギーとパルス光照射後のめっき膜の状態(密着、除去、剥離)を示す。
【００２８】
実施例３：
実施例１と同様の方法で，厚さ2000μmのポリエチレン(PE)板に金めっき膜を作製し、表３のAで示すパルス幅、パルスエネルギーのパルス光(パルス幅  800〜1800μsec、パルスエネルギー  2.78〜4.01J/cm2の範囲内から選択)、たとえば、800μsec、2.78J/cm2のパルス光を１回照射することにより、テープ剥離試験によりはく離を起こさない密着力が得られた。表３のEに示すパルス幅、パルスエネルギーのパルス光(パルス幅  35〜1600μsec、パルスエネルギー  0.873〜4.28J/cm2の範囲内から選択)、たとえば、300μsec、2.23J/cm2のパルス光を１回照射したところ、めっき膜は除去された。表３のPで示すパルス幅、パルスエネルギーのパルス光を照射した場合は、めっき膜は残るものの、テープ剥離試験により容易に剥離し、十分な密着力が得られない。図１０にパルス光のパルス幅、パルスエネルギーとパルス光照射後のめっき膜の状態(密着、除去、剥離)を示す。
【００２９】
実施例４：
実施例１と同様の方法で、厚さ100μmのポリメチルメタクリレート(PMMA)フィルムに金めっき膜を作製し、表４のAで示すパルス幅、パルスエネルギーのパルス光(たとえば、600μsec、1.16J/cm2)を１回照射することにより、テープ剥離試験によりはく離を起こさない密着力が得られた。表４のEに示すパルス幅、パルスエネルギーのパルス光を１回照射したところ、めっき膜は除去された。表４のPで示すパルス幅、パルスエネルギーのパルス光を照射した場合は、めっき膜は残るものの、テープ剥離試験により容易に剥離し、十分な密着力が得られない。図１１にパルス光のパルス幅、パルスエネルギーとパルス光照射後のめっき膜の状態(密着、除去、剥離)を示す。
【００３０】
実施例５：
実施例１と同様の方法で、厚さ100μmのポリフェニレンサルファイド(PPS)フィルムに金めっき膜を作製し、表５のAで示すパルス幅、パルスエネルギーのパルス光を１回照射することにより、テープ剥離試験によりはく離を起こさない密着力が得られた。表５のEに示すパルス幅、パルスエネルギーのパルス光を１回照射したところ、めっき膜は除去された。表５のPで示すパルス幅、パルスエネルギーのパルス光を照射した場合は、めっき膜は残るものの、テープ剥離試験により容易に剥離し、十分な密着力が得られない。図１２にパルス光のパルス幅、パルスエネルギーとパルス光照射後のめっき膜の状態(密着、除去、剥離)を示す。
【００３１】
実施例６：
実施例１と同様の方法で、厚さ100μmのポリスチレン(PS)フィルムに金めっき膜を作製し、表６のAで示すパルス幅、パルスエネルギーのパルス光を１回照射することにより、テープ剥離試験によりはく離を起こさない密着力が得られた。表６のEに示すパルス幅、パルスエネルギーのパルス光を１回照射したところ、めっき膜は除去された。表６のPで示すパルス幅、パルスエネルギーのパルス光を照射した場合は、めっき膜は残るものの、テープ剥離試験により容易に剥離し、十分な密着力が得られない。図１３にパルス光のパルス幅、パルスエネルギーとパルス光照射後のめっき膜の状態(密着、除去、剥離)を示す。
【００３２】
実施例７：
実施例１と同様の方法で、厚さ100μmのポリフェニレンサルファイド(PPS)フィルム上に作製した銅めっき膜では、表７のAで示すパルス幅、パルスエネルギーのパルス光を１回照射することにより、テープ剥離試験によりはく離を起こさない密着力が得られた。表７のEに示すパルス幅、パルスエネルギーのパルス光を１回照射したところ、めっき膜は除去された。表７のPで示すパルス幅、パルスエネルギーのパルス光を照射した場合は、めっき膜は残るものの、テープ剥離試験により容易に剥離し、十分な密着力が得られない。図１４にパルス光のパルス幅、パルスエネルギーとパルス光照射後のめっき膜の状態(密着、除去、剥離)を示す。
【００３３】
実施例８：
実施例１と同様の方法で、厚さ100μmのポリカーボネート(PC)フィルムに金めっき膜を作製し、表８のAで示すパルス幅、パルスエネルギーのパルス光を１回照射することにより、テープ剥離試験によりはく離を起こさない密着力が得られた。表８のEに示すパルス幅、パルスエネルギーのパルス光を１回照射したところ、めっき膜は除去された。表８のPで示すパルス幅、パルスエネルギーのパルス光を照射した場合は、めっき膜は残るものの、テープ剥離試験により容易に剥離し、十分な密着力が得られない。図１５にパルス光のパルス幅、パルスエネルギーとパルス光照射後のめっき膜の状態(密着、除去、剥離)を示す。
【００３４】
実施例９：
実施例１と同様の方法で、厚さ100μmのポリカーボネート(PC)フィルムに金めっき膜を作製し、表９のAで示すパルス幅、パルスエネルギーのパルス光を２回照射することにより、テープ剥離試験によりはく離を起こさない密着力が得られた。表９のEに示すパルス幅、パルスエネルギーのパルス光を２回照射したところ、めっき膜は除去された。表９のPで示すパルス幅、パルスエネルギーのパルス光を２回照射した場合は、めっき膜は残るものの、テープ剥離試験により容易に剥離し、十分な密着力が得られない。図１６にパルス光のパルス幅、パルスエネルギーとパルス光照射後のめっき膜の状態(密着、除去、剥離)を示す。
【００３５】
実施例１０：
実施例１と同様の方法で、厚さ100μmのポリスチレン(PS)フィルムに金めっき膜を作製し、表１０のAで示すパルス幅、パルスエネルギーのパルス光を裏面から１回照射することにより、テープ剥離試験によりはく離を起こさない密着力が得られた。表１０のEに示すパルス幅、パルスエネルギーのパルス光を１回照射したところ、めっき膜は除去された。表１０のPで示すパルス幅、パルスエネルギーのパルス光を照射した場合は、めっき膜は残るものの、テープ剥離試験により容易に剥離し、十分な密着力が得られない。図１７にパルス光のパルス幅、パルスエネルギーとパルス光照射後のめっき膜の状態(密着、除去、剥離)を示す。
【００３６】
実施例１１：
PETフィルムに実施例１の方法で金めっき膜を作製し、所定パターンをレーザープリンタで印刷したPETフィルムをめっき膜上に載せ、実施例１と同様の条件で、300μsec、1.21J/cm2のパルス光を１回照射したところ、上記パターンによりマスクされパルス光が照射されなかった部分の密着力は低く、マスクを外した後、テープ剥離により、容易にはがすことができ、図６に示す金めっきパターンを得ることができた。
【００３７】
実施例１２：
PETフィルムに実施例１の方法で金めっき膜を作製し、実施例１１と同様に所定のパターンを印刷したPETフィルムを金めっき膜上に載せ、300μsec、2.79J/cm2のパルス光を１回照射したところ、上記パターンによりマスクされずパルス光が照射された部位のめっき膜は除去された。マスクを外した後、これに、更に300μsec、1.21J/cm2のパルス光を１回照射することにより残っためっき膜の密着性を向上させ、図７に示すパターンを得ることができた。
【００３８】
比較例１：
PETフィルムにスパッタリングにより金薄膜を作製し、実施例１と同様の条件でパルス光を照射したところ、密着性の向上は見られなかった。
【００３９】
比較例２：
実施例１と同様の方法により、PSフィルムに金めっき膜を作製し、100℃、10分間加熱処理した。これにより、金めっき膜の密着強度は向上するが、PSフィルムは変形した。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明は、上述のプリント配線基板の技術分野のみならず、福祉医療機器の製造分野や、太陽電池、リチウムイオン電池等のエネルギー機器の製造分野に広く応用可能である。
【００４１】
［表１］
ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム上の無電解金めっき膜への各種パルス幅、パルスエネルギーのパルス光の照射とその結果
【表１】
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【００４２】
［表２］
シクロオレフィンポリマー(COP)フィルム上の無電解金めっき膜への各種パルス幅、パルスエネルギーのパルス光の照射とその結果
【表２】
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【００４３】
［表３］
ポリエチレン(PE)板上の無電解金めっき膜への各種パルス幅、パルスエネルギーのパルス光の照射とその結果
【表３】
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【００４４】
［表４］
ポリメチルメタクリレート(PMMA)フィルム上の無電解金めっき膜への各種パルス幅、パルスエネルギーのパルス光の照射とその結果
【表４】
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【００４５】
［表５］
ポリフェニレンサルファイド(PPS)フィルム上の無電解金めっき膜への各種パルス幅、パルスエネルギーのパルス光の照射とその結果
【表５】
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【００４６】
［表６］
ポリスチレン(PS)フィルム上の無電解金めっき膜への各種パルス幅、パルスエネルギーのパルス光の照射とその結果
【表６】
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【００４７】
［表７］
ポリフェニレンサルファイド(PPS)フィルム上の無電解銅めっき膜への各種パルス幅、パルスエネルギーのパルス光の照射とその結果
【表７】
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【００４８】
［表８］
ポリカーボネート(PC)フィルム上の無電解金めっき膜への各種パルス幅、パルスエネルギーのパルス光の照射とその結果
【表８】
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【００４９】
［表９］
ポリカーボネート(PC)フィルム上の無電解金めっき膜への各種パルス幅、パルスエネルギーのパルス光の２回照射とその結果
【表９】
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【００５０】
［表１０］
ポリスチレン(PS)フィルム上の無電解金めっき膜への各種パルス幅、パルスエネルギーのパルス光のフィルム裏面からの照射とその結果
【表１０】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2014152350.tif 000141
【図１１】
2014152350.tif 000142
【図１２】
2014152350.tif 000143
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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