(57)【要約】【課題】ビア内にボイドが発生することを抑制できる配線基板を提供する。【解決手段】配線基板１は、１つの金属層のみからなり、上面ＲＢに形成された凹部２０Ｙに充填されたビア４３と接合され、下面ＲＡに形成された凹部２０Ｘに充填されたビア４２と接合された配線層２０Ｃを有している。ビア４２は、絶縁層３３に設けられ、下側の開口端の径Φ７が上側の開口端の径Φ５よりも小径である貫通孔ＶＨ３と、凹部２０Ｙとを充填する。ビア４３は、絶縁層３２に設けられ、上側の開口端の径Φ３が下側の開口端の径Φ１よりも小径である貫通孔ＶＨ２と、凹部２０Ｘとを充填する。また、配線基板１は、配線層２０Ｃよりも薄い金属箔２３を有し、ビア４２を介して配線層２０Ｃと電気的に接続された配線層２０Ｄを有する。金属箔２３には、貫通孔ＶＨ３と連通され、その貫通孔ＶＨ３の上側の開口端の径Φ５よりも大径である開口部２３Ｘが形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と配線層とが交互に複数層積層され、前記配線層同士が前記絶縁層に設けられたビアを介して電気的に接続されてなる配線基板において、
１つの金属層のみからなる第１配線層と、
前記第１配線層の上面に設けられた第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に設けられ、前記第１配線層よりも薄い第１金属箔と第１配線パターンとからなる第２配線層と、
前記第１配線層の下面に設けられた第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上に設けられ、前記第１配線層よりも薄い第２金属箔と第２配線パターンとからなる第３配線層と、
前記第１絶縁層に設けられ、前記第１配線層と前記第２配線層とを電気的に接続する第１ビアと、
前記第２絶縁層に設けられ、前記第１配線層と前記第３配線層とを電気的に接続する第２ビアと、を有し、
前記第１ビアは、前記第１配線層の上面側の第１開口端の径が前記第２配線層側の第２開口端の径よりも小径である第１貫通孔と、前記第１配線層の上面側に設けられ、前記第１貫通孔と連通されるとともに、前記第１開口端の径よりも大径に設けられた第１凹部とを充填してなり、
前記第２ビアは、前記第１配線層の下面側の第３開口端の径が前記第３配線層側の第４開口端の径よりも小径である第２貫通孔と、前記第１配線層の下面側に設けられ、前記第２貫通孔と連通されるとともに、前記第３開口端の径よりも大径に設けられた第２凹部とを充填してなり、
前記第１金属箔は、前記第１貫通孔と連通され、前記第２開口端の径と同じ開口径、もしくは前記第２開口端の径よりも大径である第１開口部を有し、
前記第２金属箔は、前記第２貫通孔と連通され、前記第４開口端の径と同じ開口径、もしくは前記第４開口端の径よりも大径である第２開口部を有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第２配線層を被覆するように前記第１絶縁層の上面に設けられた第３絶縁層と、
前記第３絶縁層上に設けられ、前記第２配線層よりも薄い第３金属箔と第３配線パターンとからなる第４配線層と、
前記第３配線層を被覆するように前記第２絶縁層の下面に設けられた第４絶縁層と、
前記第４絶縁層上に設けられ、前記第３配線層よりも薄い第４金属箔と第４配線パターンとからなる第５配線層と、
前記第３絶縁層に設けられ、前記第２配線層と前記第４配線層とを電気的に接続する第３ビアと、
前記第４絶縁層に設けられ、前記第３配線層と前記第５配線層とを電気的に接続する第４ビアと、を有し、
前記第３ビアは、前記第２配線層側の開口端の径が前記第４配線層側の開口端の径よりも小径である第３貫通孔と、前記第２配線層の上面側に設けられ、前記第３貫通孔と連通されるとともに、前記第２配線層側の前記開口端の径よりも大径に設けられた第３凹部とを充填してなり、
前記第４ビアは、前記第３配線層側の開口端の径が前記第５配線層側の開口端の径よりも小径である第４貫通孔と、前記第３配線層の下面側に設けられ、前記第４貫通孔と連通されるとともに、前記第３配線層側の前記開口端の径よりも大径に設けられた第４凹部とを充填してなることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第１絶縁層と前記第２絶縁層と前記第３絶縁層と前記第４絶縁層は、補強材入りの絶縁性樹脂からなり、
前記第１ビア、前記第２ビア、前記第３ビア及び前記第４ビアはそれぞれ前記第１貫通孔、前記第２貫通孔、前記第３貫通孔及び前記第４貫通孔の側壁から突出された前記補強材の端部全面を被覆するように形成されていることを特徴とする請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記積層される複数の絶縁層のうち一方の最外層の絶縁層が反対側の最外層の絶縁層よりも平坦に形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項５】
支持体を準備する第１工程と、
前記支持体の第１面上に、第１金属箔、第１絶縁層及び前記第１金属箔よりも厚い第２金属箔を順に積層する第２工程と、
前記第２金属箔をパターニングして第１配線層を形成する第３工程と、
前記第１配線層を被覆する第２絶縁層を前記第１絶縁層上に積層するとともに、前記第２絶縁層上に前記第２金属箔よりも薄い第３金属箔を積層する第４工程と、
レーザ加工法により、前記第３金属箔に第１開口部を形成するとともに、前記第１開口部に連通し前記第２絶縁層を貫通して前記第１配線層の第１面を露出する第１貫通孔を形成する第５工程と、
前記第１貫通孔上に突出された前記第３金属箔を除去するとともに、前記第１貫通孔に連通し前記第１貫通孔の前記第１配線層側の開口端の径よりも大径である第１凹部を前記第１配線層の第１面に形成する第６工程と、
前記第１貫通孔及び前記第１凹部を充填する第１ビアを形成するとともに、前記第３金属箔がパターニングされて形成された第４金属箔を含み、前記第１ビアと電気的に接続された第２配線層を前記第２絶縁層上に形成する第７工程と、
前記第７工程よりも後に、前記支持体を除去する第８工程と、
前記第８工程の後に、前記レーザ加工法により、前記第１金属箔に第２開口部を形成するとともに、前記第２開口部に連通し前記第１絶縁層を貫通して前記第１配線層の前記第１面とは反対側の第２面を露出する第２貫通孔を形成する第９工程と、
前記第２貫通孔上に突出された前記第１金属箔を除去するとともに、前記第２貫通孔に連通し前記第２貫通孔の前記第１配線層側の開口端の径よりも大径である第２凹部を前記第１配線層の第２面に形成する第１０工程と、
前記第２貫通孔及び前記第２凹部を充填する第２ビアを形成するとともに、前記第１金属箔がパターニングされて形成された第５金属箔を含み、前記第２ビアと電気的に接続された第３配線層を前記第１絶縁層上に形成する第１１工程と、
を有し、
前記第１貫通孔は、前記第１配線層の第１面側の開口端の径が前記第２配線層側の開口端の径よりも小径であり、
前記第２貫通孔は、前記第１配線層の第２面側の開口端の径が前記第３配線層側の開口端の径よりも小径であることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記第７工程の後であって、前記第８工程の前に、
前記第４工程と、前記第５工程と、前記第６工程と、前記第７工程とを繰り返し、前記第２絶縁層上に所要数の第３絶縁層及び第４配線層を交互に積層する第１２工程と、
前記第１絶縁層と同じ厚さに設定され、最外層の前記第４配線層を被覆する第４絶縁層を最外層の前記第３絶縁層上に積層するとともに、前記第４絶縁層上に前記第１金属箔と同じ厚さに設定された第６金属箔を積層する第１３工程と、を有し、
前記第９工程では、レーザ加工法により、前記第６金属箔に第３開口部を形成するとともに、前記第３開口部に連通し前記第４絶縁層を貫通して前記最外層の第４配線層を露出する第３貫通孔を形成し
前記第１０工程では、前記第３貫通孔上に突出された前記第６金属箔を除去するとともに、前記第３貫通孔に連通し前記第３貫通孔の前記第４配線層側の開口端の径よりも大径である第３凹部を前記最外層の第４配線層に形成し、
前記第１１工程では、前記第３貫通孔及び前記第３凹部を充填する第３ビアを形成するとともに、前記第６金属箔がパターニングされて形成された第７金属箔を含み、前記第３ビアと電気的に接続された第５配線層を前記第４絶縁層上に形成することを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層は、補強材入りの絶縁性樹脂からなる絶縁層であり、
前記第７工程では、前記第１貫通孔の側壁から突出する前記第２絶縁層に含まれる補強材を被覆するように前記第１ビアを形成し、
前記第１１工程では、前記第２貫通孔の側壁から突出する前記第１絶縁層に含まれる補強材を被覆するように前記第２ビアを形成することを特徴とする請求項５又は６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
支持体を準備する第１の工程と、
前記支持体の第１面上に、第１の金属箔、第１の絶縁層及び前記第１の金属箔よりも薄い第２の金属箔を順に積層する第２の工程と、
レーザ加工法により、前記第２の金属箔に第１の開口部を形成するとともに、前記第１の開口部に連通し前記第１の絶縁層を貫通して前記第１の金属箔の第１面を露出する第１の貫通孔を形成する第３の工程と、
前記第１の貫通孔上に突出された前記第２の金属箔を除去するとともに、前記第１の貫通孔に連通し前記第１の貫通孔の前記第１の金属箔側の開口端の径よりも大径である第１の凹部を前記第１の金属箔の第１面に形成する第４の工程と、
前記第１の貫通孔及び前記第１の凹部を充填する第１のビアを形成するとともに、前記第２の金属箔がパターニングされて形成された第３の金属箔を含み、前記第１のビアと電気的に接続された第１の配線層を前記第１の絶縁層の第１面上に形成する第５の工程と、
前記第５の工程よりも後に、前記支持体を除去する第６の工程と、
前記第１の金属箔をパターニングして第２の配線層を形成する第７の工程と、
前記第２の配線層を被覆する第２の絶縁層を前記第１の絶縁層の前記第１面とは反対側の第２面上に積層するとともに、前記第２の絶縁層上に前記第１の金属箔よりも薄い第４の金属箔を積層する第８の工程と、
レーザ加工法により、前記第４の金属箔に第２の開口部を形成するとともに、前記第２の開口部に連通し前記第２の絶縁層を貫通して前記第２の配線層の第１面を露出する第２の貫通孔を形成する第９の工程と、
前記第２の貫通孔上に突出された前記第４の金属箔を除去するとともに、前記第２の貫通孔に連通し前記第２の貫通孔の前記第２の配線層側の開口端の径よりも大径である第２の凹部を前記第２の配線層の第１面に形成する第１０の工程と、
前記第２の貫通孔及び前記第２の凹部を充填する第２のビアを形成するとともに、前記第４の金属箔がパターニングされて形成された第５の金属箔を含み、前記第２のビアと電気的に接続された第３の配線層を前記第２の絶縁層上に形成する第１１の工程と、
を有し、
前記第１の貫通孔は、前記第２の配線層側の開口端の径が前記第１の配線層側の開口端の径よりも小径であり、
前記第２の貫通孔は、前記第２の配線層側の開口端の径が前記第３の配線層側の開口端の径よりも小径であることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記第５の工程の後であって前記第６の工程の前に、
前記第１の配線層を被覆する第３の絶縁層を前記第１の絶縁層の第１面上に積層するとともに、前記第３の絶縁層上に前記第１の金属箔よりも薄い第６の金属箔を積層する第１２の工程と、
前記第３の工程と、前記第４の工程と、前記第５の工程と、前記第１２の工程とを繰り返し、前記第３の絶縁層上に所要数の第４の配線層及び第４の絶縁層を交互に積層する第１３の工程と、
前記第３の工程と、前記第４の工程とを実行し、前記第１３の工程で形成された最外層の前記第４の絶縁層を貫通して最外層の前記第４の配線層を露出する第３の貫通孔を形成し、前記第３の貫通孔に連通し前記第３の貫通孔の前記最外層の第４の配線層側の開口端の径よりも大径である第３の凹部を前記最外層の第４の配線層に形成する第１４の工程と、
前記第３の貫通孔及び前記第３の凹部を充填する第３のビアを形成するとともに、前記最外層の第４の絶縁層の第１面全面を被覆する導電層を形成する第１５の工程と、を有し、
前記第７の工程では、前記導電層と前記最外層の第４の絶縁層上に積層された第７の金属箔とをパターニングして第５の配線層を形成し、
前記導電層と前記第７の金属箔の合計の厚さは、前記第１の金属箔と同じ厚さに設定されていることを特徴とする請求項８に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第８の工程では、前記第５の配線層を被覆する第５の絶縁層を前記最外層の第４の絶縁層の第１面上に積層するとともに、前記第５の絶縁層上に前記第１の金属箔よりも薄い第８の金属箔を積層し、
前記第９の工程では、レーザ加工法により、前記第８の金属箔に第４の開口部を形成するとともに、前記第４の開口部に連通し前記第５の絶縁層を貫通して前記第５の配線層を露出する第４の貫通孔を形成し、
前記第１０の工程では、前記第４の貫通孔上に突出された前記第８の金属箔を除去するとともに、前記第４の貫通孔に連通し前記第４の貫通孔の前記第５の配線層側の開口端の径よりも大径である第４の凹部を前記第５の配線層に形成し、
前記第１１の工程では、前記第４の貫通孔及び前記第４の凹部を充填する第４のビアを形成するとともに、前記第８の金属箔がパターニングされて形成された第９の金属箔を含み、前記第４のビアと電気的に接続された第６の配線層を前記第５の絶縁層上に形成することを特徴とする請求項９に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及び配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップなどの実装部品を実装するための配線基板は、様々な形状・構造のものが提案されている。近年は、半導体チップの薄型化・小型化に伴い、半導体チップが実装される配線基板も薄型化・小型化の要求が高まっている。このような配線基板を製造する際には、例えば比較的薄い（例えば、厚さが４０〜６０μｍ程度の）コア材を使用してフィルドビアの形成や配線形成などが行われる（例えば、特許文献１参照）。それらフィルドビア及び配線の形成方法の一例を以下に説明する。
【０００３】
図１９（ａ）に示すように、まず、両面に銅箔９１，９２が接着されたコア材９０を準備する。続いて、図１９（ｂ）に示す工程では、レーザ加工法により、銅箔９２に開口部９２Ｘを形成するとともに、その開口部９２Ｘと連通しコア材９０を貫通して下側の銅箔９１を露出する貫通孔９０Ｘを形成する。次いで、図１９（ｃ）に示す工程では、貫通孔９０Ｘの内壁面を含む銅箔９２及びコア材９０の表面全面を覆うようにシード層９３を形成する。次に、シード層９３及び銅箔９１をめっき給電層に利用する電解めっき法により、図１９（ｄ）に示すように、貫通孔９０Ｘを充填するフィルドビア９４を形成し、そのフィルドビア９４及び銅箔９２を被覆する導電層９５を形成するとともに、銅箔９１の下面全面を被覆する導電層９６を形成する。続いて、図１９（ｅ）に示す工程では、サブトラクティブ法などにより、銅箔９２及び導電層９５をパターニングしてコア材９０の上面に配線層９７を形成し、銅箔９１及び導電層９６をパターニングしてコア材９０の下面に配線層９８を形成する。これにより、コア材９０の上下両面に、フィルドビア９４によって電気的に接続された配線層９７，９８を形成することができる。
【０００４】
なお、上記従来技術に関連する先行技術として、特許文献２も知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−０４９６６０号公報
【特許文献２】特開２００９−０８８４２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上述した開口部９２Ｘ及び貫通孔９０Ｘをレーザ加工法によって形成する場合には、銅箔９２よりもコア材９０（樹脂層）の方がレーザ加工されやすい。このため、図１９（ｂ）に示すように、コア材９０に形成された貫通孔９０Ｘが銅箔９２の開口部９２Ｘから外側に食い込むように形成される。すなわち、貫通孔９０Ｘの上部において、銅箔９２の鍔部９２Ａが貫通孔９０Ｘの内側に突出する構造、いわゆるオーバーハング構造が形成される。このようなオーバーハング構造（鍔部９２Ａ）を有する状態でフィルドビア９４を形成すると、銅箔９２の鍔部９２Ａに優先的にめっきが析出されるため、フィルドビア９４内にボイドが発生しやすくなる。例えば、図２０に示すように、銅箔９２の鍔部９２Ａに優先的にめっきが析出されると、貫通孔９０Ｘ内が導電層９４Ａによって完全に充填される前に、開口部９２Ｘ近傍に貫通孔９０Ｘを閉塞する蓋めっき９５Ａが形成されやすい。このため、導電層９４Ａ（フィルドビア９４）内にボイド９９が発生しやすくなる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一観点によれば、絶縁層と配線層とが交互に複数層積層され、前記配線層同士が前記絶縁層に設けられたビアを介して電気的に接続されてなる配線基板において、
１つの金属層のみからなる第１配線層と、前記第１配線層の上面に設けられた第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に設けられ、前記第１配線層よりも薄い第１金属箔と第１配線パターンとからなる第２配線層と、前記第１配線層の下面に設けられた第２絶縁層と、前記第２絶縁層上に設けられ、前記第１配線層よりも薄い第２金属箔と第２配線パターンとからなる第３配線層と、前記第１絶縁層に設けられ、前記第１配線層と前記第２配線層とを電気的に接続する第１ビアと、前記第２絶縁層に設けられ、前記第１配線層と前記第３配線層とを電気的に接続する第２ビアと、を有し、前記第１ビアは、前記第１配線層の上面側の第１開口端の径が前記第２配線層側の第２開口端の径よりも小径である第１貫通孔と、前記第１配線層の上面側に設けられ、前記第１貫通孔と連通されるとともに、前記第１開口端の径よりも大径に設けられた第１凹部とを充填してなり、前記第２ビアは、前記第１配線層の下面側の第３開口端の径が前記第３配線層側の第４開口端の径よりも小径である第２貫通孔と、前記第１配線層の下面側に設けられ、前記第２貫通孔と連通されるとともに、前記第３開口端の径よりも大径に設けられた第２凹部とを充填してなり、前記第１金属箔は、前記第１貫通孔と連通され、前記第２開口端の径と同じ開口径、もしくは前記第２開口端の径よりも大径である第１開口部を有し、前記第２金属箔は、前記第２貫通孔と連通され、前記第４開口端の径と同じ開口径、もしくは前記第４開口端の径よりも大径である第２開口部を有する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一観点によれば、ビア内にボイドが発生することを抑制できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】（ａ）は、第１実施形態の配線基板を示す概略断面図、（ｂ）は、（ａ）に示した配線基板の一部を拡大した拡大断面図。
【図２】半導体装置を示す概略断面図。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図４】（ａ）、（ｃ）、（ｄ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図、（ｂ）は、（ａ）の要部を拡大した拡大断面図。
【図５】（ａ）、（ｃ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図、（ｂ）は、（ａ）の要部を拡大した拡大断面図。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図７】（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図８】（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図９】（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１０】第１実施形態の半導体装置の製造方法を示す概略断面図。
【図１１】（ａ）〜（ｅ）は、第２実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１２】（ａ）〜（ｅ）は、第２実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１３】（ａ）〜（ｃ）は、第２実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１４】（ａ）〜（ｃ）は、第２実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１５】（ａ）、（ｂ）は、第２実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１６】（ａ）、（ｂ）は、第２実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１７】変形例の配線基板を示す概略断面図。
【図１８】変形例の配線基板を示す概略断面図。
【図１９】（ａ）〜（ｅ）は、従来の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図２０】従来の配線基板の製造方法の問題点を示す説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して各実施形態を説明する。なお、添付図面は、特徴を分かりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材（絶縁層）のハッチングを梨地模様に代えて示している。
【００１１】
（第１実施形態）
以下、第１実施形態を図１〜図１０に従って説明する。
（第１実施形態に係る配線基板の製造方法）
図１に示すように、配線基板１では、配線層と絶縁層とが交互に多数積層され、絶縁層に設けられビアによって配線層同士が電気的に接続されている。本例の配線基板１では、７層の配線層２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄ，２０Ｅ，２０Ｆ，２０Ｇ，２０Ｈと７層の絶縁層３１〜３７とが交互に積層され、絶縁層３１〜３７にそれぞれ設けられたビア４１〜４７によって配線層２０Ａ〜２０Ｈが電気的に接続されている。
【００１２】
詳述すると、最外層（ここでは、最下層）の絶縁層３１の下面に最下層の配線層２０Ａが積層され、上記絶縁層３１の上面に積層された絶縁層３２の下面３２Ａに配線層２０Ｂが積層されている。これら配線層２０Ａと配線層２０Ｂとは、絶縁層３１に設けられた貫通孔ＶＨ１に充填されたビア４１によって電気的に接続されている。絶縁層３２の上面３２Ｂに配線層２０Ｃが形成され、絶縁層３２に設けられた貫通孔ＶＨ２に充填されたビア４２によって配線層２０Ｂと配線層２０Ｃとが電気的に接続されている。絶縁層３２の上面３２Ｂ上に積層された絶縁層３３の上面に配線層２０Ｄが積層され、絶縁層３３に設けられた貫通孔ＶＨ３に充填されたビア４３によって配線層２０Ｃと配線層２０Ｄとが電気的に接続されている。絶縁層３４の上面に配線層２０Ｅが積層され、絶縁層３４に設けられた貫通孔ＶＨ４に充填されたビア４４によって配線層２０Ｄと配線層２０Ｅとが電気的に接続されている。絶縁層３５の上面に配線層２０Ｆが積層され、絶縁層３５に設けられた貫通孔ＶＨ５に充填されたビア４５によって配線層２０Ｅと配線層２０Ｆとが電気的に接続されている。絶縁層３６の上面に配線層２０Ｇが積層され、絶縁層３６に設けられた貫通孔ＶＨ６に充填されたビア４６によって配線層２０Ｆと配線層２０Ｇとが電気的に接続されている。最外層（ここでは、最上層）の絶縁層３７の上面に最上層の配線層２０Ｈが積層され、絶縁層３７に設けられた貫通孔ＶＨ７に充填されたビア４７によって配線層２０Ｇと配線層２０Ｈとが電気的に接続されている。
【００１３】
なお、絶縁層３１〜３７としては、例えば補強材であるガラスクロス（ガラス織布）にエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性の絶縁性樹脂を含浸させ硬化させた、いわゆるガラスエポキシ樹脂を用いることができる。熱硬化性の絶縁性樹脂としてはエポキシ樹脂に限らず、例えばポリイミド樹脂やシアネート樹脂などの樹脂材を用いることができる。各絶縁層３１〜３７は、所要数（図１（ｂ）では、１個）のガラスクロス３８を有している。例えば、ガラスクロス３８は、第１方向に並設されたガラス繊維束と、第１方向と平面視で直交する第２方向に並設されたガラス繊維束とが格子状に平織りされた形態を有している。各ガラス繊維束は、１本当たりの繊維径が例えば１〜２μｍ程度のガラス繊維を複数本束ねたものである。各ガラス繊維束の厚さは、例えば５〜１０μｍ程度とすることができる。なお、ガラス繊維束を用いたガラスクロス３８以外に、炭素繊維束、ポリエステル繊維束、ナイロン繊維束、アラミド繊維束、液晶ポリマ（Liquid Crystal Polymer：ＬＣＰ）繊維束等を用いた織布や不織布を補強材として用いてもよい。また、繊維束の織り方は平織りに限定されず、朱子織り、綾織り等であってもよい。
【００１４】
また、絶縁層３１〜３７にそれぞれ設けられた貫通孔ＶＨ１〜ＶＨ７の側壁からは、絶縁層３１〜３７に含まれるガラスクロス３８の端部が貫通孔ＶＨ１〜ＶＨ７内に突出している（図１（ｂ）参照）。
【００１５】
ここで、図１（ａ）に示すように、配線層２０Ｃを境にして、その配線層２０Ｃの上側と配線層２０Ｃの下側とでは配線層と絶縁層との積層構造及びビア（貫通孔）の構造が異なっている。そこで、まず、配線層２０Ｃ及びその周辺の構造について説明する。
【００１６】
図１（ｂ）に示すように、配線層２０Ｃは絶縁層３２の上面３２Ｂ上に積層され、その絶縁層３２の上面３２Ｂ上に配線層２０Ｃを被覆する絶縁層３３が積層されている。すなわち、配線層２０Ｃの下面ＲＡが絶縁層３２によって被覆され、配線層２０Ｃの上面ＲＢ及び側面が絶縁層３３によって被覆されている。
【００１７】
また、配線層２０Ｃよりも下方に形成された絶縁層３２の下面３２Ａには、配線層２０Ｂが積層されている。この配線層２０Ｂは、絶縁層３２の下面３２Ａに形成された金属箔２１と、金属箔２１を覆うようにビア４２の下面に形成された配線パターン２２とを有している。金属箔２１には、貫通孔ＶＨ２の下側（例えば、金属箔２１側）における開口端の開口径（ビア４２の下面の直径）Φ１よりも広い開口径Φ２の開口部２１Ｘが形成されている。この開口部２１Ｘは、貫通孔ＶＨ２と連通するように形成されるとともに、貫通孔ＶＨ２の側壁に接する絶縁層３２の下面３２Ａを露出するように形成されている。なお、金属箔２１の開口部２１Ｘの開口径Φ２を、上記開口径Φ１と同じ大きさに設定してもよい。
【００１８】
ここで、配線層２０Ｃよりも下方に形成された配線層２０Ｂが金属箔２１及び配線パターン２２の２層の金属層から構成されるのに対し、配線層２０Ｃは１層の金属層のみから構成されている。この配線層２０Ｃの材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。また、金属箔２１及び配線パターン２２の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。これら金属箔２１の材料と配線パターン２２の材料とは、同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。
【００１９】
また、配線層２０Ｃの厚さは、上記金属箔２１よりも厚く設定されている。例えば、配線層２０Ｃの厚さは、金属箔２１の上面から配線パターン２２の下面までの厚さと略同じ厚さに設定されている。具体的には、配線層２０Ｃの厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。また、金属箔２１の厚さは例えば６〜１２μｍ程度とすることができ、金属箔２１の下面から配線パターン２２の下面までの厚さは例えば９〜２９μｍ程度とすることができる。絶縁層３２の厚さは、例えば４０〜６０μｍ程度とすることができる。貫通孔ＶＨ２の開口径Φ１を例えば７５〜９０μｍ程度とすることができ、開口部２１Ｘの開口径Φ２を例えば７５〜１００μｍ程度とすることができる。
【００２０】
また、絶縁層３２に形成された貫通孔ＶＨ２は、図１（ｂ）において下側（配線層２０Ｂ側）から上側（配線層２０Ｃ側）に向かうに連れて径が小さくなるテーパ状に形成されている。具体的には、貫通孔ＶＨ２は、上側の開口端の開口径（底部の直径）Φ３が下側の開口端の開口径（開口部の直径）Φ１よりも小径となる円錐台形状に形成されている。すなわち、貫通孔ＶＨ２は、配線層２０Ｃ側が小径となる円錐台形状に形成されている。貫通孔ＶＨ２の底部（上部）には、配線層２０Ｃの下面ＲＡに形成された凹部２０Ｘが露出されている。
【００２１】
ここで、凹部２０Ｘは、貫通孔ＶＨ２と連通するように形成されている。この凹部２０Ｘは、配線層２０Ｃの下面ＲＡから該配線層２０Ｃの厚さ方向の中途位置まで形成されている。すなわち、凹部２０Ｘは、その底面が配線層２０Ｃの厚さ方向の中途に位置するように形成されている。この凹部２０Ｘの開口径Φ４は、貫通孔ＶＨ２の底部の直径Φ３よりも広く形成されている。すなわち、凹部２０Ｘの側壁の最外縁部は貫通孔ＶＨ２の側壁の最内縁部よりも大きく形成されている。このため、凹部２０Ｘの外縁部は、絶縁層３２の上部に延在している。この凹部２０Ｘによって、貫通孔ＶＨ２の側壁と接する絶縁層３２の上面３２Ｂが露出されている。
【００２２】
なお、凹部２０Ｘの断面形状は、例えば略半楕円形状に形成されている。この凹部２０Ｘの深さは、例えば３〜４μｍ程度とすることができる。また、貫通孔ＶＨ２の開口径Φ３は例えば５０〜８０μｍ程度とすることができ、凹部２０Ｘの開口径Φ４は例えば６０〜９０μｍ程度とすることができる。
【００２３】
そして、配線層２０Ｃの下面ＲＡ側に形成されたビア４２は、上記貫通孔ＶＨ２及び凹部２０Ｘを充填するように形成されている。このため、ビア４２の底部Ｂ１（凹部２０Ｘに充填された部分のビア４２）は、配線層２０Ｃの下面ＲＡよりも上方で該配線層２０Ｃと接合されている。また、貫通孔ＶＨ２に充填された部分のビア４２は、下側（配線層２０Ｂ側）から上側（配線層２０Ｃ側）に向かうに連れて径が小さくなるテーパ状に形成されている。さらに、ビア４２は、貫通孔ＶＨ２の側壁から突出されたガラスクロス３８の端部全面を被覆するように形成されている。
【００２４】
ここで、ビア４２が形成される貫通孔ＶＨ２及び凹部２０Ｘを含む空間では、凹部２０Ｘの下方に貫通孔ＶＨ２の側壁の一部が突出されている。このため、その貫通孔ＶＨ２の側壁と凹部２０Ｘ内で露出する絶縁層３２の上面３２Ｂと凹部２０Ｘの側壁とによって段差が形成されている。このような段差を有する空間にビア４２が形成されると、ビア４２が上記凹部２０Ｘ内で露出する絶縁層３２の上面３２Ｂに延在するように形成されることになる。すなわち、ビア４２の底部Ｂ１がいわゆる釘や雄ネジの頭のような形状となり、その底部Ｂ１の周縁部の下面が絶縁層３２の上面３２Ｂと接触する。
【００２５】
一方、絶縁層３３の上面３３Ｂには、配線層２０Ｄが積層されている。配線層２０Ｄは、絶縁層３３の上面３３Ｂに形成された金属箔２３と、金属箔２３を覆うようにビア４３の上面に形成された配線パターン２４とを有している。このように、配線層２０Ｃよりも上方に形成された配線層２０Ｄは、金属箔２３及び配線パターン２４の２層の金属層から構成されている。金属箔２３及び配線パターン２４の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。これら金属箔２３の材料と配線パターン２４の材料とは、同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。
【００２６】
金属箔２３には、貫通孔ＶＨ３の上側（例えば、金属箔２３側）における開口端の開口径（ビア４３の上面の直径）Φ５よりも広い開口径Φ６の開口部２３Ｘが形成されている。この開口部２３Ｘは、貫通孔ＶＨ３と連通するように形成されるとともに、貫通孔ＶＨ３の側壁と接する絶縁層３３の上面３３Ｂを露出するように形成されている。なお、金属箔２３の開口部２３Ｘの開口径Φ６を、上記開口径Φ５と同じ大きさに設定してもよい。
【００２７】
なお、上記配線層２０Ｃの厚さは、金属箔２３よりも厚く設定されている。例えば、配線層２０Ｃの厚さは、金属箔２３の下面から配線パターン２４の上面までの厚さと略同じ厚さに設定されている。また、金属箔２３の厚さは例えば６〜１２μｍ程度とすることができ、金属箔２３の上面から配線パターン２４の上面までの厚さは例えば９〜２９μｍ程度とすることができる。配線層２０Ｃの上面ＲＢから絶縁層３３の上面３３Ｂまでの厚さは例えば４０〜６０μｍ程度とすることができる。貫通孔ＶＨ３の開口径Φ５を例えば７５〜９０μｍ程度とすることができ、開口部２３Ｘの開口径Φ６を例えば７５〜１００μｍ程度とすることができる。
【００２８】
また、絶縁層３３に形成された貫通孔ＶＨ３は、図中の上側（金属箔２３側）から下側（配線層２０Ｃ側）に向かうに連れて径が小さくなるテーパ状に形成されている。具体的には、貫通孔ＶＨ３は、下側の開口端の開口径（底部の直径）Φ７が上側の開口端の開口径Φ５よりも小径となる逆円錐台形状に形成されている。すなわち、貫通孔ＶＨ３は、配線層２０Ｃ側が小径となる逆円錐台形状に形成されている。このように、配線層２０Ｃの上面ＲＢ側において当該配線層２０Ｃに向かって径が小さくなる逆円錐台形状の貫通孔ＶＨ３が形成され、配線層２０Ｃの下面ＲＡ側において当該配線層２０Ｃに向かって径が小さくなる円錐台形状の貫通孔ＶＨ２が形成されている。また、上記貫通孔ＶＨ３の底部（下部）には、配線層２０Ｃの上面ＲＢに形成された凹部２０Ｙが露出されている。
【００２９】
ここで、凹部２０Ｙは、貫通孔ＶＨ３と連通するように形成されている。この凹部２０Ｙは、配線層２０Ｃの上面ＲＢから該配線層２０Ｃの厚さ方向の中途位置まで形成されている。すなわち、凹部２０Ｙは、その底面が配線層２０Ｃの厚さ方向の中途に位置するように形成されている。この凹部２０Ｙの開口径Φ８は、貫通孔ＶＨ３の底部の直径Φ７よりも広く形成されている。すなわち、凹部２０Ｙの側壁の最外縁部は貫通孔ＶＨ３の側壁の最内縁部よりも大きく形成されている。このため、凹部２０Ｙの外縁部は、対応する絶縁層３３の下部に延在している。この凹部２０Ｙによって、貫通孔ＶＨ３の側壁と接する絶縁層３３の下面が露出されている。
【００３０】
なお、凹部２０Ｙの断面形状は、例えば略半楕円形状に形成されている。この凹部２０Ｙの深さは、例えば３〜４μｍ程度とすることができる。また、貫通孔ＶＨ３の開口径Φ７は例えば５０〜８０μｍ程度とすることができ、凹部２０Ｙの開口径Φ８は例えば６０〜９０μｍ程度とすることができる。
【００３１】
そして、配線層２０Ｃの上面ＲＢ側に形成されたビア４３は、上記貫通孔ＶＨ３及び凹部２０Ｙを充填するように形成されている。このため、ビア４３の底部Ｂ２（凹部２０Ｙに充填された部分のビア４３）は、配線層２０Ｃの上面ＲＢよりも下方で該配線層２０Ｃと接合されている。また、貫通孔ＶＨ３に充填された部分のビア４３は、上側（配線層２０Ｄ側）から下側（配線層２０Ｃ側）に向かうに連れて径が小さくなるテーパ状に形成されている。さらに、ビア４３は、貫通孔ＶＨ３の側壁から突出されたガラスクロス３８の端部全面を被覆するように形成されている。
【００３２】
ここで、ビア４３が形成される貫通孔ＶＨ３及び凹部２０Ｙを含む空間では、凹部２０Ｙの上方に貫通孔ＶＨ３の側壁の一部が突出されているため、その貫通孔ＶＨ３の側壁と凹部２０Ｙ内で露出する絶縁層３３の下面と凹部２０Ｙの側壁とによって段差が形成されている。このような段差を有する空間にビア４３が形成されると、ビア４３が上記凹部２０Ｙ内で露出する絶縁層３３の下面に延在するように形成されることになる。すなわち、ビア４３の底部Ｂ２がいわゆる釘や雄ネジの頭のような形状となり、その底部Ｂ２の周縁部の上面が絶縁層３３の下面と接触する。
【００３３】
このように、配線層２０Ｃの下面ＲＡには凹部２０Ｘが形成され、配線層２０Ｃの上面ＲＢには凹部２０Ｙが形成されている。これら凹部２０Ｘ，２０Ｙは、配線層２０Ｃ内において連通されないように形成されている。すなわち、配線層２０Ｃに形成された凹部２０Ｘと凹部２０Ｙとの間には、配線層２０Ｃが介在するように形成されている。換言すると、凹部２０Ｘ，２０Ｙが配線層２０Ｃ内で連通されないように、配線層２０Ｃの厚さが設定されている。
【００３４】
次に、配線層２０Ｃの上側と配線層２０Ｃの下側とにおける構造の相違点を中心に配線基板１の構造について説明する。
図１（ａ）に示すように、絶縁層３２よりも下側に形成された絶縁層３１は、配線層２０Ｂを被覆するように絶縁層３２の下面３２Ａ上に積層されている。この絶縁層３１の下面には、配線層２０Ｂよりも薄い金属箔２１と配線パターン２２とを有する配線層２０Ａが積層されている。
【００３５】
また、絶縁層３１に設けられた貫通孔ＶＨ１は、図１（ａ）において下側（配線層２０Ａ側）から上側（配線層２０Ｃ側）に向かうに連れて径が小さくなるテーパ状に形成されている。具体的には、貫通孔ＶＨ１は、上側の開口端の開口径が下側の開口端の開口径よりも小径となる円錐台形状に形成されている。この貫通孔ＶＨ１の底部（上部）には、配線層２０Ｂの下面に形成された凹部２０Ｘが露出されている。この配線層２０Ｂの凹部２０Ｘは、上記配線層２０Ｃの凹部２０Ｘと同様に、貫通孔ＶＨ１と連通するとともに、貫通孔ＶＨ１の底部よりも大径に形成されている。
【００３６】
そして、配線層２０Ｃよりも下側に形成されたビア４１は、上記貫通孔ＶＨ１及び凹部２０Ｘを充填するように形成されている。このため、ビア４１の底部Ｂ１（凹部２０Ｘに充填された部分のビア４１）がいわゆる釘や雄ネジの頭のような形状となり、その底部Ｂ１の周縁部の下面が絶縁層３１の上面と接触する。
【００３７】
一方、絶縁層３３よりも上側に形成された絶縁層３４，３５，３６，３７は、直下の絶縁層３３，３４，３５，３６の上面に積層された配線層２０Ｄ，２０Ｅ，２０Ｆ，２０Ｇを被覆するように上記直下の絶縁層３３，３４，３５，３６の上面にそれぞれ積層されている。これら絶縁層３４，３５，３６，３７の上面には、下層の配線層２０Ｄ，２０Ｅ，２０Ｆ，２０Ｇよりも薄い金属箔２３と配線パターン２４とを有する配線層２０Ｅ，２０Ｆ，２０Ｇ，２０Ｈがそれぞれ積層されている。
【００３８】
また、これら絶縁層３４，３５，３６，３７に設けられた貫通孔ＶＨ４，ＶＨ５，ＶＨ６，ＶＨ７は、図１（ａ）において上側（配線層２０Ｈ側）から下側（配線層２０Ｃ側）に向かうに連れて径が小さくなるテーパ上に形成されている。具体的には、貫通孔ＶＨ４〜ＶＨ７は、下側の開口端の開口径が上側の開口端の開口径よりも小径となる円錐台形状に形成されている。これら貫通孔ＶＨ４，ＶＨ５，ＶＨ６，ＶＨ７の底部（下部）には、配線層２０Ｄ，２０Ｅ，２０Ｆ，２０Ｇの下面に形成された凹部２０Ｙがそれぞれ露出されている。これら配線層２０Ｄ，２０Ｅ，２０Ｆ，２０Ｇの凹部２０Ｙは、上記配線層２０Ｃの凹部２０Ｙと同様に、対応する貫通孔ＶＨ４，ＶＨ５，ＶＨ６，ＶＨ７と連通するとともに、対応する貫通孔ＶＨ４，ＶＨ５，ＶＨ６，ＶＨ７の底部よりも大径に形成されている。
【００３９】
そして、配線層２０Ｃよりも上側に形成されたビア４４，４５，４６，４７は、対応する貫通孔ＶＨ４，ＶＨ５，ＶＨ６，ＶＨ６及び凹部２０Ｙを充填するように形成されている。このため、ビア４４〜４７の底部Ｂ２（凹部２０Ｙに充填された部分のビア４４〜４７）がいわゆる釘や雄ネジの頭のような形状となり、それら底部Ｂ２の周縁部の下面が対応する絶縁層３４〜３７の下面と接触する。
【００４０】
また、最下層の絶縁層３１の下面には、ソルダレジスト層５１が積層されている。ソルダレジスト層５１の材料としては、例えばエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。このソルダレジスト層５１には、上記配線層２０Ａの配線パターン２２の一部を上記パッドＰ１として露出させるための開口部５１Ｘが形成されている。このパッドＰ１には、当該配線基板１に搭載される半導体チップ１０のバンプ１１（図２参照）がフリップチップ接続されるようになっている。すなわち、パッドＰ１が形成されている下側の面がチップ搭載面となっている。そして、このチップ搭載面側に形成されたソルダレジスト層５１及び最下層の絶縁層３１は、チップ搭載面とは反対側に形成されたソルダレジスト層５２及び最上層の絶縁層３７よりも平坦に形成されている。
【００４１】
なお、必要に応じて、上記開口部５１Ｘから露出する配線パターン２２上にＯＳＰ（Organic Solderbility Preservative）処理を施してＯＳＰ膜を形成し、そのＯＳＰ膜に上記半導体チップ１０を接続するようにしてもよい。また、開口部５１Ｘから露出する配線パターン２２上に金属層を形成し、その金属層に上記半導体チップ１０等を接続するようにしてもよい。金属層の例としては、金（Ａｕ）層、ニッケル（Ｎｉ）／Ａｕ層（配線パターン２２上にＮｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）や、Ｎｉ／パラジウム（Ｐｄ）／Ａｕ層（配線パターン２２上にＮｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。
【００４２】
また、最上層の絶縁層３７の上面には、ソルダレジスト層５２が積層されている。ソルダレジスト層５２の材料としては、例えばエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。このソルダレジスト層５２には、上記配線層２０Ｈの配線パターン２４の一部を上記外部接続用パッドＰ２として露出させるための開口部５２Ｘが形成されている。この外部接続用パッドＰ２には、例えば当該配線基板１をマザーボード等の実装基板に実装する際に使用されるはんだボールやリードピン等の外部接続端子が接続されるようになっている。なお、必要に応じて、上記開口部５２Ｘから露出する配線パターン２４上にＯＳＰ処理を施してＯＳＰ膜を形成し、そのＯＳＰ膜に外部接続端子を接続するようにしてもよい。また、開口部５２Ｘから露出する配線パターン２４上に金属層を形成し、その金属層に上記外部接続端子を接続するようにしてもよい。金属層の例としては、Ａｕ層、Ｎｉ／Ａｕ層や、Ｎｉ／Ａｕ層や、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層などを挙げることができる。また、上記開口部５２Ｘから露出する配線パターン２４（あるいは、配線パターン２４上にＯＳＰ膜や金属層が形成されている場合には、それらＯＳＰ膜又は金属層）自体を、外部接続端子としてもよい。
【００４３】
（第１実施形態に係る半導体装置の構造）
図２に示すように、半導体装置２は、上記配線基板１と、半導体チップ１０と、アンダーフィル樹脂１３とを有している。なお、図２において、同図に示す配線基板１は図１（ａ）とは上下反転して描かれている。
【００４４】
半導体チップ１０は、配線基板１にフリップチップ実装されている。すなわち、半導体チップ１０の回路形成面（図２では、下面）に配設されたバンプ１１を配線基板１のパッドＰ１に接合することにより、半導体チップ１０は配線基板１にフェイスダウンで接合される。この半導体チップ１０は、バンプ１１を介して、配線基板１のパッドＰ１と電気的に接続されている。
【００４５】
半導体チップ１０としては、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）チップやＧＰＵ（Graphics Processing Unit）チップなどのロジックチップを用いることができる。また、半導体チップ１０としては、例えばＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）チップ、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）チップやフラッシュメモリチップなどのメモリチップを用いることもできる。この半導体チップ１０の大きさは、例えば平面視で３ｍｍ×３ｍｍ〜１２ｍｍ×１２ｍｍ程度とすることができる。また、半導体チップ１０の厚さは、例えば５０〜１００μｍ程度とすることができる。
【００４６】
また、上記バンプ１１としては、例えば金バンプやはんだバンプを用いることができる。はんだバンプの材料としては、例えば鉛（Ｐｂ）を含む合金、錫（Ｓｎ）とＡｕの合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。
【００４７】
アンダーフィル樹脂１３は、配線基板１の上面と半導体チップ１０の下面との隙間を充填するように設けられている。このアンダーフィル樹脂１３は、バンプ１１とパッドＰ１との接続部分の接続強度を向上させると共に、配線パターン２２の腐食やエレクトロマイグレショーンの発生を抑制し、配線パターン２２の信頼性の低下を防ぐための樹脂である。なお、アンダーフィル樹脂１３の材料としては、例えばエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。
【００４８】
（第１実施形態に係る配線基板及び半導体装置の作用）
金属箔２１の開口部２１Ｘの開口径Φ２を、貫通孔ＶＨ２の下側における開口端の開口径Φ１と同じ、もしくは開口径Φ１よりも広く設定した。また、金属箔２３の開口部２３Ｘの開口径Φ６を、貫通孔ＶＨ３の上側における開口端の開口径Φ５と同じ、もしくは開口径Φ５よりも広く設定するようにした。これにより、電解めっき法により貫通孔ＶＨ２，ＶＨ３にビア４２，４３を形成する際に、金属箔２１，２３の開口部２１Ｘ，２３Ｘ付近にめっきが優先的に析出されることが抑制されるため、ビア４２，４３内部にボイドが発生することを抑制することができる。さらに、開口部２１Ｘ，２３Ｘの開口径Φ２，Φ６をそれぞれ上記開口径Φ１，Φ５よりも広く設定した場合には、絶縁層３２の下面３２Ａの一部及び絶縁層３３の上面の一部が露出される。このため、ビア４２と絶縁層３２との接触面積、及びビア４３と絶縁層３３との接触面積を増大させることができる。したがって、ビア４２と絶縁層３２との密着性、及びビア４３と絶縁層３３との密着性を向上させることができる。
【００４９】
また、配線層２０Ｃを１つの金属層のみから構成するようにした。これにより、配線層２０Ｃでは、従来の配線層９８のような界面（つまり、金属箔９１と導電層９６との界面）が存在しないため、その界面を起点に発生するクラックを防止することができる。さらに、上記界面で生じるおそれのある接続不良やボイドの発生を防止することができるため、配線層２０Ｃと絶縁層３２，３３との熱膨張係数の差に起因した応力による破断の発生を抑制することができる。これらにより、ビア４２，４３と配線層２０Ｃとの密着性及び接続信頼性を向上させることができる。
【００５０】
また、貫通孔ＶＨ２とその貫通孔ＶＨ２の底部（上部）よりも大径の凹部２０Ｘとを充填するビア４２を配線層２０Ｃの下面ＲＡ側に接合し、貫通孔ＶＨ３とその貫通孔ＶＨ３の底部（下部）よりも大径の凹部２０Ｙとを充填するビア４３を配線層２０Ｃの上面ＲＢ側に接合するようにした。これにより、ビア４２の底部Ｂ１が絶縁層３２の上面３２Ｂに食い込むように形成され、ビア４３の底部Ｂ２が絶縁層３３の下面に食い込むように形成される。このため、ビア４２と絶縁層３２との密着性、及びビア４３と絶縁層３３との密着性が向上し、ビア４２，４３と絶縁層３２，３３との熱膨張係数の差に起因した引っ張り力に対して強くなる。したがって、ビア４２，４３が貫通孔ＶＨ２，ＶＨ３から抜けることを抑制することができる。
【００５１】
また、配線層２０Ｃは、その配線層２０Ｃに形成される凹部２０Ｘと凹部２０Ｙとが連通しない厚さに設けられている。このため、凹部２０Ｘと凹部２０Ｙとが配線層２０Ｃ内で連通する場合に比べて、配線層２０Ｃ内に形成される界面を少なくすることができる。そして、このように配線層２０Ｃに多数の界面が形成されないため、その界面を起点とするクラックを防止することができ、ビア４２，４３と配線層２０Ｃとの接続信頼性を向上させることができる。
【００５２】
さらに、１つの配線層２０Ｃに対して上下２つのビア４２，４３の底部Ｂ１，Ｂ２を接合するようにした。これにより、配線基板１全体の薄型化を図ることができる。
（第１実施形態に係る配線基板の製造方法）
次に、上記配線基板１の製造方法について説明する。
【００５３】
図３（ａ）に示すように、まず、支持体６０と、下地層６１と、金属箔６３（第１金属箔）と、絶縁層６２と、金属箔６４（第２金属箔）とを準備する（第１工程）。支持体６０は、ガラスクロス、ガラス不織布やアラミド織布等の補強材にエポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の熱硬化性の絶縁性樹脂を含浸させた半硬化状態（Ｂ−ステージ）のプリプレグである。この支持体６０の厚さは、例えば３５〜４００μｍ程度とすることができる。
【００５４】
下地層６１は、銅箔などの金属箔、離型フィルムや離型剤を用いることができ、本実施形態では下地層６１として銅箔を用いる。この下地層６１の厚さは、例えば１２〜１８μｍ程度とすることができる。なお、離型フィルムとしては、ポリエステルやＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等のフィルムに薄いフッ素樹脂（ＥＴＦＥ）層を積層したもの、又はポリエステルやＰＥＴ等のフィルムの表面にシリコーン離型を施したものを用いることができる。また、離型剤としては、シリコーン系離型剤やフッ素系離型剤を用いることができる。
【００５５】
支持体６０の主面（例えば、上面及び下面）は、対向する下地層６１の主面（上面及び下面）よりも大きく形成されている。下地層６１は、図３（ａ）に示すように、例えば支持体６０の中央に配置される。このため、支持体６０の周縁部Ｅ１は、下地層６１の各辺よりも主面と平行な方向に沿って突出している。なお、支持体６０の上面は平坦に形成され、下地層６１の上面は平坦に形成されている。
【００５６】
絶縁層３２となる絶縁層６２は、ガラスクロス、ガラス不織布やアラミド織布等の補強材にエポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の熱硬化性の絶縁性樹脂を含浸させた半硬化状態のプリプレグである。
【００５７】
配線層２０Ｃの母材である金属箔６４は、配線層２０Ｂの金属箔２１の母材である金属箔６３よりも厚く形成されている。これら金属箔６３，６４の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。
【００５８】
絶縁層６２及び金属箔６３，６４は、支持体６０と同等の大きさに設定される。このため、絶縁層６２の周縁部、金属箔６３の周縁部Ｅ２及び金属箔６４の周縁部は、支持体６０の周縁部Ｅ１と同様に、下地層６１の各辺よりも主面と平行な方向に沿って突出している。
【００５９】
そして、図３（ａ）に示すように、支持体６０の上面６０Ａ（第１面）側に、支持体６０から順に下地層６１と、金属箔６３と、絶縁層６２と、金属箔６４とをそれぞれ配置する。これにより、金属箔６３の周縁部Ｅ２が支持体６０の周縁部Ｅ１と対向する。続いて、図３（ｂ）に示す工程では、このように配置された支持体６０、下地層６１、金属箔６３、絶縁層６２及び金属箔６４を、減圧下（例えば、真空雰囲気）において、１９０〜２００℃程度の温度で両面側から加圧する（第２工程）。これにより、支持体６０上に下地層６１が積層される。また、支持体６０が硬化されるとともに、絶縁層６２が硬化されてガラスエポキシ樹脂等の補強材入りの絶縁性樹脂からなる絶縁層３２（第１絶縁層）が得られる。さらに、支持体６０の硬化に伴って支持体６０の上面６０Ａに下地層６１及び金属箔６３が接着されるとともに、絶縁層６２の硬化に伴って絶縁層３２の下面３２Ａに金属箔６３が接着され、絶縁層３２の上面３２Ｂに金属箔６４が接着される。具体的には、下地層６１はその下面全体が支持体６０の上面６０Ａに接着し、金属箔６３はその周縁部Ｅ２のみが支持体６０の周縁部Ｅ１の上面６０Ａに部分的に接着する。このとき、下地層６１と金属箔６３とが重なる領域では、それら下地層６１と金属箔６３とが単に接触した状態となっている。このため、上記領域では、下地層６１と金属箔６３とを容易に分離できるようになっている。
【００６０】
なお、下地層６１として離型剤を用いる場合には、金属箔６３の支持体６０との接着面側の中央に、離型剤を塗布や噴射によって形成して下地層６１とする。その後、離型剤（下地層６１）を介して金属箔６３、絶縁層６２及び金属箔６４を支持体６０上に配置し、加熱・加圧して支持体６０上に下地層６１及び金属箔６３を接着する。このようにして、図３（ｂ）に示した構造体と同様の構造体を得ることができる。
【００６１】
このような構造体では、絶縁層３２が薄い場合であっても、上記支持体６０によって機械的強度を十分に確保することができる。このため、製造過程における構造体の搬送性を向上させることができ、製造過程における構造体に反りが生じることを抑制することができる。
【００６２】
続いて、図３（ｃ）に示す工程では、金属箔６４の上面６４Ｂに、所定の箇所に開口部６５Ｘを有するレジスト層６５を形成する。レジスト層６５は、図１（ａ）に示した配線層２０Ｃに対応する部分の金属箔６４を被覆するように形成される。レジスト層６５の材料としては、次工程のエッチング処理に対して耐エッチング性がある材料を用いることができる。例えば、レジスト層６５の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、金属箔６４の上面６４Ｂにドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、それらラミネートしたドライフィルムを露光・現像によりパターニングして上記開口部６５Ｘを形成する。これにより、金属箔６４の上面６４Ｂに開口部６５Ｘを有するレジスト層６５が形成される。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層６５を形成することができる。
【００６３】
次いで、レジスト層６５をエッチングマスクとして、金属箔６４をエッチングする。具体的には、レジスト層６５の開口部６５Ｘから露出している金属箔６４をエッチングし、その金属箔６４を所定形状にパターニングする。これにより、図３（ｄ）に示すように、絶縁層３２の上面３２Ｂ上に所要形状の配線層２０Ｃ（第１配線層）が形成される（第３工程）。なお、ウェットエッチング（等方性エッチング）により金属箔６４をパターニングする場合には、そのウェットエッチングで使用されるエッチング液は、金属箔６４の材料に応じて適宜選択することができる。例えば金属箔６４として銅を用いる場合には、エッチング液として塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶液を用いることができ、金属箔６４の上面６４Ｂ側からスプレーエッチングにて金属箔６４のパターニングを行うことができる。
【００６４】
次に、図３（ｄ）に示すように、図３（ｃ）に示したレジスト層６５を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。続いて、配線層２０Ｃの粗化処理を行う。この粗化処理は、例えば配線層２０Ｃの上面ＲＢ及び側面の粗度が、表面粗さＲａ値で０．５〜２μｍ程度となるように行われる。ここで、表面粗さＲａ値とは、表面粗さを表わす数値の一種であり、算術平均粗さと呼ばれるものであって、具体的には測定領域内で変化する高さの絶対値を平均ラインである表面から測定して算術平均したものである。本工程の処理により、配線層２０Ｃの上面ＲＢ及び側面に微細な凹凸が形成され、それら上面ＲＢ及び側面が粗面化される。この粗化処理は、図３（ｅ）に示す次工程で、配線層２０Ｃに対して絶縁層３３を密着させやすくするために行われる。なお、上記粗化処理は、例えばエッチング処理、ＣＺ処理、黒化処理（酸化処理）やサンドブラスト処理等によって行うことができる。
【００６５】
続いて、図３（ｅ）に示す工程では、絶縁層３２の上面３２Ｂ上に、配線層２０Ｃを被覆する絶縁層３３（第２絶縁層）を積層するとともに、その絶縁層３３の上面３３Ｂに金属箔６６（第３金属箔）を積層する（第４工程）。ここで、配線層２０Ｄの金属箔２３（図１（ａ）参照）となる金属箔６６は、配線層２０Ｃよりも薄く形成されている。この金属箔６６の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。例えば、ガラスクロス等の補強材にエポキシ樹脂等の熱硬化性の絶縁性樹脂を含浸させた半硬化状態のプリプレグを準備し、図３（ｄ）に示した構造体の絶縁層３２の上面３２Ｂ側に、絶縁層３２から順に上記プリプレグ及び金属箔６６を配置する。そして、このように配置された上記構造体、上記プリプレグ及び金属箔６６を、真空雰囲気において、１９０〜２００℃程度の温度で両面側から加圧する。これにより、プリプレグ中に配線層２０Ｃが圧入されるとともに、プリプレグが硬化されてガラスエポキシ樹脂等の補強材入りの絶縁性樹脂からなる絶縁層３３が得られる。また、プリプレグの硬化に伴って絶縁層３３に配線層２０Ｃが接着されるとともに、絶縁層３３の上面３３Ｂに金属箔６６が接着される。
【００６６】
次に、金属箔６６に対してレーザ加工の前処理を施す。本工程では、例えば金属箔６６に対して粗化処理や黒化処理等が施される。このような処理により、図４（ａ）に示す次工程で、金属箔６６に対してレーザ光を照射した際に、レーザ光を吸収しやすくして穴加工を効率的に行うことができるようになる。
【００６７】
続いて、図４（ａ）に示す工程では、ＣＯ２レーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ等によるレーザ加工法により、金属箔６６に開口部６６Ｘ（第１開口部）を形成するとともに、その開口部６６Ｘに連通し絶縁層３３を厚さ方向に貫通して下層の配線層２０Ｃの上面ＲＢ（第１面）を露出する貫通孔ＶＨ３（第１貫通孔）を形成する（第５工程）。このとき、金属箔６６（銅箔）よりも絶縁層３３の方がレーザ加工されやすい特性やレーザの熱による影響により、図４（ａ）に示すように、絶縁層３３に形成された貫通孔ＶＨ３が金属箔６６の開口部６６Ｘから外側に食い込むように形成される。すなわち、貫通孔ＶＨ３の上部において、金属箔６６の鍔部６６Ａが貫通孔ＶＨ３の内側にリング状に突出する構造、いわゆるオーバーハング構造が形成される。また、レーザ加工法により貫通孔ＶＨ３を形成すると、図４（ｂ）に示すように、レーザにより切断されたガラスクロス３８の端部が貫通孔ＶＨ３の側壁から突出する。
【００６８】
次いで、図４（ｃ）に示す工程では、図４（ａ）に示した構造体に対してレーザ加工の後処理を施す。具体的には、上述したオーバーハング構造（鍔部６６Ａ）を除去するように、且つ、配線層２０Ｃの上面ＲＢに凹部２０Ｙ（第１凹部）を形成するように、図４（ａ）に示した構造体に対してエッチング処理を施す（第６工程）。本例では、金属箔６６の開口部６６Ｘの開口径が貫通孔ＶＨ３の上側の開口端よりも大径となるように、且つ凹部２０Ｙの開口径が貫通孔ＶＨ３の下側の開口端よりも大径となるようにエッチング処理が行われる。例えば、金属箔６６の上面６６Ｂに除去すべき領域の金属箔６６のみを露出するレジスト層（図示略）を形成し、そのレジスト層をエッチングマスクとして金属箔６６及び配線層２０Ｃをエッチングする。このとき、配線層２０Ｃが金属箔６６よりも厚く形成されている。このため、本工程におけるエッチング量を増やした場合であっても、エッチングにより配線層２０Ｃが貫通されるのが抑制される。したがって、本工程では、エッチング量を増やして上記オーバーハング構造（鍔部６６Ａ）を好適に除去することができる。本工程のエッチング処理は、例えばウェットエッチングにより行うことができる。このようなウェットエッチングを配線層２０Ｃに対して施した場合には、エッチングが配線層２０Ｃの面内方向に進行するサイドエッチ現象により、配線層２０Ｃの凹部２０Ｙを貫通孔ＶＨ３の底部から外側に食い込むように形成することができる。
【００６９】
次に、貫通孔ＶＨ３内の樹脂スミア（樹脂残渣）をデスミア処理により除去する。このデスミア処理は、例えば過マンガン酸塩法を用いて行うことができる。続いて、図４（ｄ）に示す工程では、貫通孔ＶＨ３の内壁面及び凹部２０Ｙの内壁面を含む絶縁層３３及び金属箔６６の表面全面を覆うようにシード層６７を形成する。このシード層６７は、例えば無電解めっき法により形成することができる。また、シード層６７の材料としては、例えば銅又は銅合金を用いることができる。
【００７０】
次いで、シード層６７をめっき給電層に利用する電解めっき法により、図５（ａ）に示すように、貫通孔ＶＨ３及び凹部２０Ｙを充填するビア４３（第１ビア）を形成するとともに、そのビア４３及び金属箔６６を被覆する導電層６８を形成する。このとき、図５（ｂ）に示すように、貫通孔ＶＨ３に充填されたビア４３は、貫通孔ＶＨ３の側壁から突出されたガラスクロス３８の端部全面を被覆するように形成される。このため、貫通孔ＶＨ３の側壁から突出されたガラスクロス３８の端部がビア４３に食い込むように形成されることになる。これにより、ビア４３の引っ張り強度が高くなるため、ビア４３と絶縁層３３との接続信頼性を向上させることができる。
【００７１】
次に、図５（ｃ）に示す工程では、導電層６８の上面に、所定の箇所に開口部６９Ｘを有するレジスト層６９を形成する。レジスト層６９は、図１（ａ）に示した配線層２０Ｄに対応する部分の導電層６８及び金属箔６６を被覆するように形成される。レジスト層６９の材料としては、次工程のエッチング処理に対して耐エッチング性がある材料を用いることができる。例えば、レジスト層６９の材料としては、上記レジスト層６５と同様の材料を用いることができる。
【００７２】
続いて、レジスト層６９をエッチングマスクとして、レジスト層６９の開口部６９Ｘから露出している導電層６８及び金属箔６６をエッチングし、それら導電層６８及び金属箔６６を所定形状にパターニングする（第７工程）。これにより、図６（ａ）に示すように、絶縁層３３の上面３３Ｂ上に金属箔２３（第４金属箔）及び配線パターン２４からなる配線層２０Ｄ（第２配線層）が形成され、その配線層２０Ｄと配線層２０Ｃとがビア４３によって電気的に接続される。このように、本例では、ビア４３及び配線層２０Ｄをサブトラクティブ法により形成するようにした。なお、これらビア４３及び配線層２０Ｄの形成方法としては、上記サブトラクティブ法の他にセミアディティブ法などの各種の配線形成方法を採用することもできる。
【００７３】
次に、図３（ｅ）〜図６（ａ）に示した工程を繰り返すことにより、図６（ｂ）に示すように、絶縁層３３の上面３３Ｂ上に、絶縁層３４，３５（第３絶縁層）と配線層２０Ｅ，２０Ｆ（第４配線層）とを交互に積層し、絶縁層３４，３５を厚さ方向に貫通する貫通孔ＶＨ４，ＶＨ５及びビア４４，４５を形成する（第１２工程）。このとき、配線層２０Ｄの上面には、貫通孔ＶＨ４と連通するとともに、その貫通孔ＶＨ４の底部よりも大径の凹部２０Ｙが形成される。そして、これら貫通孔ＶＨ４及び凹部２０Ｙを充填するようにビア４４が形成される。また、配線層２０Ｅの上面には、貫通孔ＶＨ５と連通するとともに、その貫通孔ＶＨ５の底部よりも大径の凹部２０Ｙが形成される。そして、これら貫通孔ＶＨ５及び凹部２０Ｙを充填するようにビア４５が形成される。
【００７４】
続いて、図６（ｃ）に示す工程では、図３（ｅ）に示した工程と同様の製造工程により、絶縁層３５の上面３５Ｂ上に、配線層２０Ｆ（最外層の第４配線層）を被覆する絶縁層３６（第４絶縁層）を積層するとともに、その絶縁層３６の上面３６Ｂに金属箔７０（第６金属箔）を積層する（第１３工程）。ここで、配線層２０Ｆの配線パターン２４の上面から絶縁層３６の上面３６Ｂまでの厚さは、絶縁層３２と同じ厚さに設定されている。また、配線層２０Ｇの金属箔２３（図１（ａ）参照）となる金属箔７０は、金属箔６３と同じ厚さに設定されている。
【００７５】
次いで、図６（ｃ）に示した構造体を、下地層６１の周縁に対応する位置（破線で示す位置）で切断する（第８工程）。この切断位置は、支持体６０と金属箔６３とが互いに接続された周縁部Ｅ１，Ｅ２を除去するように、下地層６１の周縁部よりもやや内側に設定されている。これは、例えば図６（ｃ）に示した構造体の切断に用いるルータの位置精度により、周縁部Ｅ１，Ｅ２が残存しないように設定される。なお、周縁部Ｅ１，Ｅ２が残存しないように切断できればよく、例えばルータビットの大きさ（太さ）に応じてルータを下地層６１の周縁部に沿って移動させて上記構造体を切断するようにしてもよい。
【００７６】
上記周縁部Ｅ１，Ｅ２の切断により、下地層６１と金属箔６３とが単に接触した状態となるため、図７（ａ）に示すように、下地層６１と金属箔６３とを容易に分離することができる。これにより、絶縁層３５上に配線層２０Ｆを被覆する絶縁層３６と金属箔７０とが順に積層され、絶縁層３３の下面３３Ａに配線層２０Ｃを被覆する絶縁層３２と金属箔６３とが順に積層された構造体が得られる。このとき、下地層６１と接していた金属箔６３の下面６３Ａは、下地層６１の上面（平坦面）に沿った形状に形成されている。すなわち、金属箔６３の下面６３Ａには、下地層６１の上面の形状が転写される。さらに、前工程まで金属箔６３は機械的強度の高い支持体６０によって支持されているため、金属箔６３の下面６３Ａは、反対側の金属箔７０の上面よりも平坦に形成される。
【００７７】
次に、図７（ａ）に示した構造体の上下両面に形成された絶縁層３６，３２及び金属箔７０，６３に対して、図４（ａ）の工程と同様の製造工程を実施する（第９工程）。詳述すると、レーザ加工法により、金属箔６３に開口部６３Ｘ（第２開口部）を形成するとともに、その開口部６３Ｘに連通し絶縁層３２を厚さ方向に貫通して上層の配線層２０Ｃの下面ＲＡ（第２面）を露出する貫通孔ＶＨ２（第２貫通孔）を形成する。また、レーザ加工法により、金属箔７０に開口部７０Ｘ（第３開口部）を形成し、その開口部７０Ｘに連通し絶縁層３６を厚さ方向に貫通して下層の配線層２０Ｆ（最外層の第４配線層）の上面を露出する貫通孔ＶＨ６（第３貫通孔）を形成する。このとき、貫通孔ＶＨ２の下部において金属箔６３の鍔部６３Ｃが貫通孔ＶＨ２の内側に突出され、貫通孔ＶＨ６の上部において金属箔７０の鍔部７０Ａが貫通孔ＶＨ６の内側に突出される。
【００７８】
次に、図７（ｂ）に示した構造体の上下両面に対して、図４（ｃ）に示した工程と同様の製造工程を実施する（第１０工程）。詳述すると、図８（ａ）に示すように、金属箔６３の開口部６３Ｘの開口径が貫通孔ＶＨ２の下側の開口端よりも大径となるように金属箔６３をエッチングするとともに、貫通孔ＶＨ２の上側の開口端よりも大径となる凹部２０Ｘ（第２凹部）を配線層２０Ｃの下面ＲＡに形成する。このとき、配線層２０Ｃが金属箔６３よりも厚く形成されている。このため、本工程では、エッチング量を増やして上記鍔部６３Ｃを好適に除去することができる。また、金属箔７０の開口部７０Ｘの開口径が貫通孔ＶＨ６の上側の開口端よりも大径となるように金属箔７０をエッチングするとともに、貫通孔ＶＨ６の下側の開口端よりも大径となる凹部２０Ｙ（第３凹部）を配線層２０Ｆの上面に形成する。
【００７９】
これら図７（ｂ）及び図８（ａ）に示した工程において、上述したように、絶縁層３２の下面３２Ａから配線層２０Ｃの下面ＲＡまでの厚さと絶縁層３６の上面３６Ｂから配線層２０Ｆの上面までの厚さが同じ厚さに設定され、金属箔６３と金属箔７０が同じ厚さに設定されている。このため、貫通孔ＶＨ２，ＶＨ６及び凹部２０Ｘ，２０Ｙを形成する際のエッチング量を上下両面で同じ値に設定することができる。
【００８０】
続いて、図８（ａ）に示した構造体の上下両面に対して、図４（ｄ）〜図６（ａ）に示した工程と同様の製造工程を実施する（第１１工程）。これにより、図８（ｂ）に示すように、貫通孔ＶＨ２及び凹部２０Ｘを充填するビア４２（第２ビア）が形成されるとともに、貫通孔ＶＨ６及び凹部２０Ｙを充填するビア４６（第３ビア）が形成される。また、金属箔６３がパターニングされて金属箔２１（第５金属箔）が形成され、その金属箔２１と配線パターン２２とからなる配線層２０Ｂ（第３配線層）が絶縁層３２の下面３２Ａに積層される。さらに、金属箔７０がパターニングされて金属箔２３（第７金属箔）が形成され、その金属箔２３と配線パターン２４とからなる配線層２０Ｇ（第５配線層）が絶縁層３６の上面３６Ｂに積層される。
【００８１】
続いて、図８（ｂ）に示した構造体の上下両面に対して、図３（ｅ）〜図６（ａ）に示した工程と同様の製造工程を実施する。これにより、図９（ａ）に示すように、絶縁層３６の上面３６Ｂ上に絶縁層３７と配線層２０Ｈを順に積層し、絶縁層３２の下面３２Ａ上に絶縁層３１と配線層２０Ａを順に積層する。
【００８２】
次に、図９（ｂ）に示す工程では、配線層２０Ａの所要の箇所に画定されるパッドＰ１を露出させるための開口部５１Ｘを有するソルダレジスト層５１を絶縁層３１の下面３１Ａ上に積層する。また、配線層２０Ｈの所要の箇所に画定される外部接続用パッドＰ２を露出させるための開口部５２Ｘを有するソルダレジスト層５２を絶縁層３７の上面３７Ｂ上に形成する。これらソルダレジスト層５１，５２は、例えば感光性のソルダレジストフィルムをラミネートし、又は液状のソルダレジストを塗布し、当該レジストを所要の形状にパターニングすることにより形成することができる。これにより、ソルダレジスト層５１の開口部５１Ｘから配線層２０Ａの一部がパッドＰ１として露出され、ソルダレジスト層５２の開口部５２Ｘから配線層２０Ｈの一部が外部接続用パッドＰ２として露出される。なお、必要に応じて、パッドＰ１上及び外部接続用パッドＰ２上に、例えばＮｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層を形成するようにしてもよい。この金属層は、例えば無電解めっき法により形成することができる。
【００８３】
以上の製造工程により、図１に示した配線基板１を製造することができる。
（第１実施形態に係る半導体装置の製造方法）
図１０に示す工程では、まず、上述のように製造された配線基板１に半導体チップ１０を実装する。具体的には、配線基板１のパッドＰ１上に、半導体チップ１０のバンプ１１をフリップチップ接合する。続いて、フリップチップ接合された配線基板１と半導体チップ１０との間に、アンダーフィル樹脂１３（図２参照）を充填し、そのアンダーフィル樹脂１３を硬化する。以上の製造工程により、図２に示した半導体装置２を製造することができる。
【００８４】
（第１実施形態に係る配線基板及び半導体装置の効果）
以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
（１）金属箔２１の開口部２１Ｘの開口径Φ２を、貫通孔ＶＨ２の下側における開口端の開口径Φ１よりも広く設定し、金属箔２３の開口部２３Ｘの開口径Φ６を、貫通孔ＶＨ３の上側における開口端の開口径Φ５よりも広く設定するようにした。これにより、電解めっき法により貫通孔ＶＨ２，ＶＨ３にビア４２，４３を形成する際に、金属箔２１，２３の開口部２１Ｘ，２３Ｘ付近にめっきが優先的に析出されることが抑制されるため、ビア４２，４３内部にボイドが発生することを抑制することができる。
【００８５】
（２）ところで、従来の製造方法においても、オーバーハング構造を除去する際のエッチング量を増やすことにより、オーバーハング構造（鍔部９２Ａ）を確実に除去することができる。しかし、エッチング量を増やすと、下側の銅箔９１に貫通孔が形成されてしまうという新たな問題が生じる。このように下側の銅箔９１に貫通孔が形成された状態で電解めっきを施すと、めっき層（導電層）の充填性が悪化し、フィルドビア９４の表面に凹部が形成されるといった問題が生じる。
【００８６】
これに対し、本実施形態では、配線層２０Ｃを例えば金属箔６６（金属箔２３）や金属箔６３（金属箔２１）よりも厚く形成するようにした。このため、エッチング量を増やしてオーバーハング構造（例えば、鍔部６６Ａ）を確実に除去した場合であっても、エッチングにより配線層２０Ｃに貫通孔が形成されるのを好適に抑制することができる。したがって、上述した問題の発生を防止することができる。
【００８７】
（３）また、従来の下側の銅箔９１を単純に厚く形成した場合には、コア材９０に反りが発生しやすくなる。これに対し、本実施形態では、機械的強度の高い支持体６０によって配線層２０Ｃ及び絶縁層３２等が支持された状態で各種の製造工程（レーザ加工やエッチング加工など）が実施されるため、配線層２０Ｃを金属箔６６等よりも厚く形成した場合であっても、製造過程の構造体に反りが発生することを好適に抑制することができる。
【００８８】
（４）配線層２０Ｃを１つの金属層のみから構成するようにした。これにより、ビア４２，４３と配線層２０Ｃとの密着性及び接続信頼性を向上させることができる。
（５）貫通孔ＶＨ２とその貫通孔ＶＨ２の底部（上部）よりも大径の凹部２０Ｘとを充填するビア４２を配線層２０Ｃの下面ＲＡ側に接合し、貫通孔ＶＨ３とその貫通孔ＶＨ３の底部（下部）よりも大径の凹部２０Ｙとを充填するビア４３を配線層２０Ｃの上面ＲＢ側に接合するようにした。これにより、ビア４２と絶縁層３２との密着性、及びビア４３と絶縁層３３との密着性を向上させることができる。
【００８９】
（６）１つの配線層２０Ｃに対して上下２つのビア４２，４３の底部Ｂ１，Ｂ２を接合するようにした。これにより、配線基板１全体の薄型化を図ることができる。
（７）各ビア４１〜４７を、対応する貫通孔ＶＨ１〜ＶＨ７の側壁から突出されたガラスクロス３８の端部全面を被覆するように形成した。このため、貫通孔ＶＨ１〜ＶＨ７の側壁から突出されたガラスクロス３８の端部がビア４１〜４７に食い込むように形成されることになる。これにより、ビア４１〜４７の引っ張り強度が高くなるため、ビア４１〜４７と絶縁層３１〜３７との接続信頼性を向上させることができる。
【００９０】
（８）絶縁層３２の上面３２Ｂ上に、絶縁層３３と、配線層２０Ｄと、絶縁層３４と、配線層２０Ｅと、絶縁層３５と、配線層２０Ｆと、絶縁層３６とを順に積層した後に、支持体６０を除去し、その後、上下両面に配線層と絶縁層とを積層するようにした。支持体６０を除去したときに、その支持体６０（下地層６１）の上面（平坦面）の形状が金属箔６３及び絶縁層３２に転写されるため、絶縁層３２は反対側の絶縁層３６よりも平坦に形成される。これにより、完成後の配線基板１においても、絶縁層３２よりも下方に形成された絶縁層３１（最外層の絶縁層３１）を、反対側の最外層の絶縁層３７よりも平坦に形成することができる。したがって、その絶縁層３２上に積層された配線層２０Ｆ（パッドＰ１）に対して容易に半導体チップ１０をフリップチップ接合させることができる。
【００９１】
（９）貫通孔ＶＨ２，ＶＨ３を、配線層２０Ｃに向かうに連れて径が小さくなるように形成した。これにより、貫通孔ＶＨ２，ＶＨ３の位置ずれに対する許容量を増加させることができる。
【００９２】
（１０）積層される全ての絶縁層３１〜３７を、補強材入りの絶縁性樹脂からなる絶縁層とした。すなわち、全ての絶縁層３１〜３７を機械的強度の高い絶縁層と構成するようにした。これにより、配線基板１の反りを効果的に低減することができる。
【００９３】
（第２実施形態）
以下、第２実施形態について、図１１〜図１６に従って説明する。この実施形態では、第１実施形態と製造方法が異なっている。以下、第１実施形態との相違点を中心に説明する。
【００９４】
図１１（ａ）に示すように、まず、支持体６０と、下地層６１と、金属箔７３（第１の金属箔）と、絶縁層７２と、金属箔７４（第２の金属箔）とを準備する（第１の工程）。
絶縁層３３となる絶縁層７２は、ガラスクロス、ガラス不織布やアラミド織布等の補強材にエポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の熱硬化性の絶縁性樹脂を含浸させた半硬化状態のプリプレグである。
【００９５】
配線層２０Ｃの母材である金属箔７３は、配線層２０Ｄの金属箔２３の母材である金属箔７４よりも厚く形成されている。これら金属箔７３，７４の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。
【００９６】
絶縁層７２及び金属箔７３，７４は、支持体６０と同等の大きさに設定される。このため、絶縁層７２の周縁部、金属箔７３の周縁部Ｅ３及び金属箔７４の周縁部は、支持体６０の周縁部Ｅ１と同様に、下地層６１の各辺よりも主面と平行な方向に沿って突出している。
【００９７】
そして、支持体６０の上面６０Ａ（第１面）側に、支持体６０から順に下地層６１と、金属箔７３と、絶縁層７２と、金属箔７４とをそれぞれ配置する。これにより、金属箔７３の周縁部Ｅ３が支持体６０の周縁部Ｅ１と対向する。続いて、このように配置された支持体６０、下地層６１、金属箔７３、絶縁層７２及び金属箔７４を、減圧下（例えば、真空雰囲気）において、１９０〜２００℃程度の温度で両面側から加圧する（第２の工程）。これにより、図１１（ｂ）に示すように、絶縁層７２が硬化されてガラスエポキシ樹脂等の補強材入りの絶縁性樹脂からなる絶縁層３３（第１の絶縁層）が得られ、図示の構造体が得られる。このとき、下地層６１と金属箔７３とが重なる領域では、それら下地層６１と金属箔７３とが単に接触した状態となっている。このため、上記領域では、下地層６１と金属箔７３とを容易に分離できるようになっている。
【００９８】
続いて、金属箔７４に対してレーザ加工の前処理を施す。本工程では、例えば金属箔７４に対して粗化処理や黒化処理等が施される。
次いで、図１１（ｃ）に示す工程では、ＣＯ２レーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ等によるレーザ加工法により、金属箔７４に開口部７４Ｘ（第１の開口部）を形成するとともに、その開口部７４Ｘに連通し絶縁層３３を貫通して下層の金属箔７３の上面７３Ｂ（第１面）を露出する貫通孔ＶＨ３（第１の貫通孔）を形成する（第３の工程）。このとき、図１１（ｃ）に示すように、貫通孔ＶＨ３の上部において、金属箔７４の鍔部７４Ａが貫通孔ＶＨ３の内側にリング状に突出する構造、いわゆるオーバーハング構造が形成される。
【００９９】
次に、図１１（ｄ）に示す工程では、先の図４（ｃ）に示した工程と同様の製造工程により、図１１（ｃ）に示した構造体に対してエッチング処理を施す。これにより、上記オーバーハング構造（鍔部７４Ａ）を除去するとともに、上記貫通孔ＶＨ３の底部から外側に食い込むように凹部２０Ｙ（第１の凹部）を金属箔７３の上面７３Ｂ（第１面）に形成する（第４の工程）。
【０１００】
続いて、貫通孔ＶＨ３内の樹脂スミア（樹脂残渣）をデスミア処理により除去する。次いで、図１１（ｅ）に示す工程では、貫通孔ＶＨ３の内壁面及び凹部２０Ｙの内壁面を含む絶縁層３３及び金属箔７４の表面全面を覆うようにシード層７５を形成する。
【０１０１】
次に、シード層７５をめっき給電層に利用する電解めっき法により、図１２（ａ）に示すように、貫通孔ＶＨ３及び凹部２０Ｙを充填するビア４３（第１のビア）を形成するとともに、そのビア４３及び金属箔７４を被覆する導電層７６を形成する（第５の工程）。
【０１０２】
次に、図１２（ｂ）に示す工程では、導電層７６の上面に、所定の箇所に開口部７７Ｘを有するレジスト層７７を形成する。レジスト層７７は、配線層２０Ｄ（図１（ａ）参照）に対応する部分の導電層７６及び金属箔７４を被覆するように形成される。レジスト層７７の材料としては、次工程のエッチング処理に対して耐エッチング性がある材料を用いることができる。例えば、レジスト層７７の材料としては、上記レジスト層６５と同様の材料を用いることができる。
【０１０３】
続いて、レジスト層７７をエッチングマスクとして、レジスト層７７の開口部７７Ｘから露出している導電層７６及び金属箔７４をエッチングし、それら導電層７６及び金属箔７４を所定形状にパターニングする（第５の工程）。これにより、図１２（ｃ）に示すように、絶縁層３３の上面３３Ｂ（第１面）上に金属箔２３（第３の金属箔）及び配線パターン２４からなる配線層２０Ｄ（第１の配線層）が形成され、その配線層２０Ｄと金属箔７３とがビア４３によって電気的に接続される。このように、本例では、ビア４３及び配線層２０Ｄをサブトラクティブ法により形成するようにした。なお、これらビア４３及び配線層２０Ｄの形成方法としては、上記サブトラクティブ法の他にセミアディティブ法などの各種の配線形成方法を採用することもできる。
【０１０４】
次いで、図１２（ｂ）に示したレジスト層７７を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。続いて、配線層２０Ｄの粗化処理を行う。この粗化処理は、例えば配線層２０Ｄの上面及び側面の粗度が、表面粗さＲａ値で０．５〜２μｍ程度となるように行われる。
【０１０５】
次に、図１２（ｄ）に示した工程では、先の図３（ｅ）に示した工程と同様の製造工程により、絶縁層３３の上面３３Ｂ上に、配線層２０Ｄを被覆する絶縁層３４（第３の絶縁層）を積層するとともに、その絶縁層３４の上面３４Ｂ上に金属箔７８（第６の金属箔）を積層する（第１２の工程）。ここで、配線層２０Ｅの金属箔２３（図１（ａ）参照）となる金属箔７８は、上記金属箔７３よりも薄く形成されている。
【０１０６】
続いて、図１２（ｄ）に示した構造体に対して、図１１（ｂ）〜図１２（ｃ）に示した工程と同様の製造工程を実施する（第１３の工程）。これにより、図１２（ｅ）に示すように、絶縁層３４には貫通孔ＶＨ４が形成され、配線層２０Ｄの上面には、貫通孔ＶＨ４と連通するとともに、その貫通孔ＶＨ４の底部よりも大径の凹部２０Ｙが形成される。そして、これら貫通孔ＶＨ４及び凹部２０Ｙを充填するようにビア４４が形成されるとともに、そのビア４４と電気的に接続される配線層２０Ｅ（第４の配線層）が絶縁層３４の上面３４Ｂに積層される。
【０１０７】
次いで、図１２（ｅ）に示した構造体に対して、図１２（ｄ）に示した工程と同様の製造工程を実施し（第１３の工程）、図１１（ｃ）〜図１２（ａ）に示した工程と同様の製造工程を実施する（第１４の工程及び第１５の工程）。これにより、図１３（ａ）に示すように、絶縁層３４の上面３４Ｂに絶縁層３５が積層され、その絶縁層３５（最外層の第４の絶縁層）に貫通孔ＶＨ５（第３の貫通孔）が形成される。また、配線層２０Ｅ（最外層の第４の配線層）の上面（第１面）には、貫通孔ＶＨ５と連通するとともに、その貫通孔ＶＨ５の底部よりも大径の凹部２０Ｙ（第３の凹部）が形成される。そして、これら貫通孔ＶＨ５及び凹部２０Ｙを充填するようにビア４５（第３のビア）が形成されるとともに、絶縁層３５の上面３５Ｂ上に積層された開口部７９Ｘを有する金属箔７９（第７の金属箔）及びビア４５を被覆する導電層８０が形成される。このとき、金属箔７９及び導電層８０の合計の厚さ、つまり絶縁層３５の上面３５Ｂから導電層８０の上面までの厚さは、上記金属箔７３と同じ厚さに設定されている。
【０１０８】
次に、図１３（ａ）に示した構造体を、下地層６１の周縁に対応する位置（破線で示す位置）で切断する（第６の工程）。この切断位置は、支持体６０と金属箔７３とが互いに接続された周縁部Ｅ１，Ｅ３を除去するように、下地層６１の周縁部よりもやや内側に設定されている。
【０１０９】
上記周縁部Ｅ１，Ｅ３の切断により、下地層６１と金属箔７３とが単に接触した状態となるため、図１３（ｂ）に示すように、下地層６１と金属箔７３とを容易に分離することができる。これにより、絶縁層３５の上面３５Ｂ全面を被覆する導電層８０が絶縁層３５上に積層され、絶縁層３３の下面３３Ａ全面を被覆する金属箔７３が絶縁層３３に積層された構造体が得られる。このとき、下地層６１と接していた金属箔７３の下面７３Ａは、下地層６１の上面（平坦面）に沿った形状に形成されている。すなわち、金属箔７３の下面７３Ａには、下地層６１の上面の形状が転写される。さらに、前工程まで金属箔７３は機械的強度の高い支持体６０によって支持されているため、金属箔７３の下面７３Ａは、反対側の金属箔７９及び導電層８０の上面よりも平坦に形成される。
【０１１０】
次に、図１３（ｃ）に示す工程では、金属箔７３の下面７３Ａに、所定の箇所に開口部８１Ｘを有するレジスト層８１を形成し、導電層８０の上面に、所定の箇所に開口部８２Ｘを有するレジスト層８２を形成する。レジスト層８１は、配線層２０Ｃ（図１（ａ）参照）に対応する部分の金属箔７３を被覆するように形成される。レジスト層８２は、配線層２０Ｆ（図１（ａ）参照）に対応する部分の導電層８０及び金属箔７９を被覆するように形成される。レジスト層８１，８２の材料としては、次工程のエッチング処理に対して耐エッチング性がある材料を用いることができる。例えば、レジスト層８１，８２の材料としては、上記レジスト層６５と同様の材料を用いることができる。
【０１１１】
続いて、レジスト層８１，８２をエッチングマスクとして、レジスト層８１の開口部８１Ｘから露出している金属箔７３をエッチングするとともに、レジスト層８２の開口部８２Ｘから露出している導電層８０及び金属箔７９をエッチングする（第７の工程）。これにより、これら金属箔７３と、導電層８０及び金属箔７９とを所定形状にパターニングする。すなわち、図１４（ａ）に示すように、絶縁層３３の下面３３Ａ上に１層の金属層からなる配線層２０Ｃ（第２の配線層）が形成され、その配線層２０Ｃがビア４３を介して配線層２０Ｄと電気的に接続される。また、絶縁層３５の上面３５Ｂ上に、上記金属箔７９がパターニングされて形成された金属箔２３と配線パターン２４とからなる配線層２０Ｆ（第５の配線層）が形成され、その配線層２０Ｆがビア４５を介して配線層２０Ｅと電気的に接続される。
【０１１２】
本工程において、上述したように、金属箔７９及び導電層８０の合計の厚さと金属箔７３とが同じ厚さに設定されている。このため、それら金属箔７３と金属箔７９及び導電層８０とをパターニングする際のエッチング量を上下両面で同じ値に設定することができる。
【０１１３】
次いで、図１４（ａ）に示した構造体の上下両面に対して、図１２（ｄ）に示した工程と同様の製造工程を実施する（第８の工程）。詳述すると、図１４（ｂ）に示すように、絶縁層３３の下面３３Ａ（第２面）上に、配線層２０Ｃの下面ＲＡ及び側面を被覆する絶縁層３２（第２の絶縁層）を積層するとともに、その絶縁層３２の下面３２Ａ上に金属箔８３（第４の金属箔）を積層する。ここで、配線層２０Ｂの金属箔２１（図１（ａ）参照）となる金属箔８３は、上記配線層２０Ｃよりも薄く形成されている。また、絶縁層３５の上面３５Ｂ上に、配線層２０Ｆを被覆する絶縁層３６（第５の絶縁層）を積層するとともに、その絶縁層３６の上面３６Ｂ上に金属箔８４（第８の金属箔）を積層する。このとき、構造体の反りを低減させる（抑制する）ために、構造体の上下面に積層される絶縁層（ここでは、絶縁層３２，３６）の厚さを同じ厚さに設定することが好ましい。
【０１１４】
次に、図１４（ｂ）に示した構造体の上下両面に対して、図１１（ｃ）に示した工程と同様の製造工程を実施する（第９の工程）。詳述すると、レーザ加工法により、金属箔８３に開口部８３Ｘ（第２の開口部）を形成するとともに、その開口部８３Ｘに連通し絶縁層３２を厚さ方向に貫通して上層の配線層２０Ｃの下面ＲＡを露出する貫通孔ＶＨ２（第２の貫通孔）を形成する。また、レーザ加工法により、金属箔８４に開口部８４Ｘ（第４の開口部）を形成し、その開口部８４Ｘに連通し絶縁層３６を厚さ方向に貫通して下層の配線層２０Ｆの上面を露出する貫通孔ＶＨ６（第４の貫通孔）を形成する。このとき、貫通孔ＶＨ２の下部において金属箔８３の鍔部８３Ａが貫通孔ＶＨ２の内側に突出され、貫通孔ＶＨ６の上部において金属箔８４の鍔部８４Ａが貫通孔ＶＨ６の内側に突出される。
【０１１５】
続いて、図１４（ｃ）に示した構造体の上下両面に対して、図１１（ｄ）に示した工程と同様の製造工程を実施する（第１０の工程）。詳述すると、図１５（ａ）に示すように、金属箔８３の開口部８３Ｘの開口径が貫通孔ＶＨ２の下側の開口端よりも大径となるように金属箔８３をエッチングするとともに、貫通孔ＶＨ２の上側の開口端よりも大径となる凹部２０Ｘ（第２の凹部）を配線層２０Ｃの下面ＲＡに形成する。このとき、配線層２０Ｃが金属箔８３よりも厚く形成されている。このため、本工程では、エッチング量を増やして上記鍔部８３Ａを好適に除去することができる。また、金属箔８４の開口部８４Ｘの開口径が貫通孔ＶＨ６の上側の開口端よりも大径となるように金属箔８４をエッチングするとともに、貫通孔ＶＨ６の下側の開口端よりも大径となる凹部２０Ｙ（第４の凹部）を配線層２０Ｆの上面に形成する。
【０１１６】
次いで、図１５（ａ）に示した構造体の上下両面に対して、図１１（ｅ）〜図１２（ｃ）に示した工程と同様の製造工程を実施する（第１１の工程）。これにより、図１５（ｂ）に示すように、貫通孔ＶＨ２及び凹部２０Ｘを充填するビア４２（第２のビア）が形成されるとともに、貫通孔ＶＨ６及び凹部２０Ｙを充填するビア４６（第４のビア）が形成される。また、金属箔８３がパターニングされて金属箔２１（第５の金属箔）が形成され、その金属箔２１と配線パターン２２とからなる配線層２０Ｂ（第３の配線層）が絶縁層３２の下面３２Ａに積層される。さらに、金属箔８４がパターニングされて金属箔２３（第９の金属箔）が形成され、その金属箔２３と配線パターン２４とからなる配線層２０Ｇ（第６の配線層）が絶縁層３６の上面３６Ｂに積層される。
【０１１７】
続いて、図１５（ｂ）に示した構造体の上下両面に対して、図３（ｅ）〜図６（ａ）に示した工程と同様の製造工程を実施する。これにより、図１６（ａ）に示すように、絶縁層３６の上面３６Ｂ上に絶縁層３７と配線層２０Ｈを順に積層し、絶縁層３２の下面３２Ａ上に絶縁層３１と配線層２０Ａを順に積層する。
【０１１８】
次いで、図１６（ｂ）に示す工程では、配線層２０Ａの所要の箇所に画定されるパッドＰ１を露出させるための開口部５１Ｘを有するソルダレジスト層５１を絶縁層３１の下面３１Ａ上に積層する。また、配線層２０Ｈの所要の箇所に画定される外部接続用パッドＰ２を露出させるための開口部５２Ｘを有するソルダレジスト層５２を絶縁層３７の上面３７Ｂ上に形成する。
【０１１９】
以上の製造工程により、上記配線基板１と略同様の構造を有する配線基板１Ａを製造することができる。なお、配線基板１Ａと配線基板１とは、配線層２０Ｃ及び絶縁層３２，３３の構造が異なる。具体的には、配線基板１Ａでは、絶縁層３３の下面３３Ａ上に配線層２０Ｃが積層され、その配線層２０Ｃを被覆する絶縁層３２が絶縁層３３の下面３３Ａ上に積層されている。すなわち、配線基板１Ａでは、配線層２０Ｃの下面ＲＡ及び側面が絶縁層３２によって被覆され、配線層２０Ｃの上面ＲＢが絶縁層３３によって被覆されている。
【０１２０】
以上説明した本実施形態によれば、上記第１実施形態と同様の効果を奏する。
（他の実施形態）
なお、上記各実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
【０１２１】
・上記各実施形態では、全ての絶縁層３１〜３７を、補強材入りの絶縁性樹脂からなる絶縁層としたが、絶縁層３１〜３７の材料はこれに限定されない。例えば、図１７に示されるように、全ての絶縁層３１〜３７を、補強材の入っていない絶縁層３９に変更するようにしてもよい。この場合の絶縁層３９の材料としては、例えばエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。また、絶縁層３９の厚さは、例えば２０〜３０μｍ程度とすることができる。このような構造とすることにより、各絶縁層３９の厚さを補強材入りの絶縁層３１〜３７よりも薄く形成することができるため、配線基板１全体の薄型化を図ることができる。
【０１２２】
・また、積層される複数の絶縁層の一部を補強材入りの絶縁層とし、残りの絶縁層を補強材の入っていない絶縁層としてもよい。例えば図１８に示されるように、積層方向の中心付近に形成された複数（本例では、５つ）の絶縁層３２〜３６を補強材入りの絶縁層とし、最外層付近に形成された１又は複数の絶縁層（ここでは、最下層の絶縁層３１と最上層の絶縁層３７）を補強材の入っていない絶縁層３９に変更するようにしてもよい。このような構造とすることにより、積層方向の中心付近における配線基板１の剛性を高めることができる。さらに、最外層付近では絶縁層３９を薄く形成できるため、配線の微細化（パッドＰ１，Ｐ２の狭ピッチ化など）に容易に対応することができる。
【０１２３】
このように、各実施形態の配線基板１，１Ａにおいて、積層される複数の絶縁層３１〜３７の任意の絶縁層を、補強材の入っていない絶縁層に変更してもよい。換言すると、上記各実施形態の配線基板１，１Ａの製造方法によれば、任意の絶縁層を補強材の入っていない絶縁層３９に容易に変更することができる。すなわち、配線基板の特性（積層される層の数、層の厚さや配線層の占有面積など）に応じて、積層される各絶縁層の材料を適宜設定することができる。
【０１２４】
・上記各実施形態では、支持体６０上に１個の配線基板１，１Ａとなる部材を作製する例を示したが、支持体６０上に複数の配線基板１，１Ａとなる部材を作製するようにしてもよい。
【０１２５】
・上記各実施形態では、主にビルドアップ工法により支持体６０の片側（上面）に配線層及び絶縁層を積層し、支持体６０を除去して図７（ａ）や図１３（ｂ）に示した構造を１つ得るようにした。これに限らず、例えば主にビルドアップ工法により支持体６０の両側（上面及び下面）に配線層及び絶縁層を積層し、支持体６０を除去して図７（ａ）や図１３（ｂ）に示した構造を複数個得るようにした。
【０１２６】
・上記各実施形態の配線基板１，１Ａでは、パッドＰ１が形成されている側の面をチップ搭載面とした。これに限らず、例えば外部接続用パッドＰ２が形成されている側の面をチップ搭載面としてもよい。
【０１２７】
・上記各実施形態では、配線基板１に半導体チップ１０を実装する場合について説明したが、実装部品としては半導体チップ１０に限定されない。例えば配線基板１の上に別の配線基板を積み重ねる構造を有するパッケージ（パッケージ・オン・パッケージ）にも、本発明を適用することが可能である。
【０１２８】
・上記各実施形態における配線基板１，１Ａの層の数や配線の取り回し、もしくは半導体チップ１０の実装の形態（例えばフリップチップ実装、ワイヤボンディング実装又はこれらの組み合わせ）などは様々に変形・変更することが可能である。
【符号の説明】
【０１２９】
１，１Ａ  配線基板
２  半導体装置
１０  半導体チップ
２０Ａ〜２０Ｈ  配線層
２０Ｘ  凹部
２０Ｙ  凹部
２１  金属箔
２２  配線パターン
２３  金属箔
２４  配線パターン
３１〜３７  絶縁層
３８  ガラスクロス
４１〜４７  ビア
６３，６４，６６，７０，７３，７４，７８，７９，８３，８４  金属箔
ＶＨ１〜ＶＨ７  貫通孔
【図１】
2014075515.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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