(57)【要約】【課題】より少ない工程で、確実に、半導体チップの評価に用いるステージの表面の異物を除去し、損傷を発生させることなく半導体チップを高精度に評価することが可能な半導体評価装置および半導体評価方法を得る。【解決手段】半導体チップ１４を載置するための多面体のステージ２と、半導体チップ１４の特性を測定するためのテスタ１９とを備えた半導体評価装置であり、ステージ２を構成する複数の面のうち任意の面に半導体チップ１４を載置可能なようにステージ２を回転可能である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
特性を測定すべき半導体チップを載置するための多面体のステージと、
前記ステージに載置された前記半導体チップの一方の主表面と前記一方の主表面に対向する他方の主表面との間に電流を流すことにより前記半導体チップの特性を測定するためのテスタとを備え、
前記ステージは、前記ステージに含まれる複数の面のうち任意の面に前記半導体チップを載置可能なように回転可能である、半導体評価装置。
【請求項２】
前記ステージは正六面体である、請求項１に記載の半導体評価装置。
【請求項３】
特性を測定すべき半導体チップを載置するためのステージと、
前記ステージに載置された前記半導体チップの一方の主表面および前記一方の主表面に対向する他方の主表面との間に電流を流すことにより前記半導体チップの特性を測定するためのテスタと、
前記ステージの表面に沿う方向に関する一方の端部に配置された送風口から、前記ステージの表面に乗っている異物を吹き飛ばすためのガスを供給するガス供給部と、
前記ステージの一方の端部に対向する他方の端部に配置された吸引口から、前記送風口からのガスによって飛ばされた異物を吸引する吸引部とを備える、半導体評価装置。
【請求項４】
特性を測定すべき半導体チップを載置するためのステージと、
前記ステージに載置された前記半導体チップの一方の主表面および前記一方の主表面に対向する他方の主表面との間に電流を流すことにより前記半導体チップの特性を測定するためのテスタと、
前記ステージの表面に洗浄剤を供給する洗浄剤供給部と、
前記ステージの表面に蒸留水を供給する蒸留水供給部とを備える、半導体評価装置。
【請求項５】
前記ステージの表面の前記洗浄剤と前記蒸留水とを除去させる乾燥機をさらに備える、請求項４に記載の半導体評価装置。
【請求項６】
特性を測定すべき半導体チップを載置するためのステージの表面に未使用の導電体膜を設置する工程と、
前記導電体膜の上に前記半導体チップを載置する工程と、
前記導電体膜の上に載置された前記半導体チップの一方の主表面と前記一方の主表面に対向する他方の主表面との間に電流を流すことにより前記半導体チップの特性を測定する工程とを備え、
前記導電体膜は、前記ステージの表面に着脱可能に設置される、半導体評価方法。
【請求項７】
前記ステージの表面には前記半導体チップを固定するための第１の吸引孔が形成され、
前記導電体膜の、前記ステージの表面に供給された際に前記第１の吸引孔と重なる位置に第２の吸引孔が形成されている、請求項６に記載の半導体評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップの評価に用いるステージの表面の異物を確実に除去することにより、半導体チップをより高精度に評価し、かつ半導体チップの損傷の発生を抑制する半導体評価装置および半導体評価方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体チップの電流−電圧特性などを測定する評価装置においては、半導体チップを載置するステージの表面の異物が半導体チップに付着し後工程において半導体チップに異物が混入することを抑制するために、ステージの表面の異物が除去される（たとえば、特許文献１および特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平９−１５３５３１号公報
【特許文献２】特開２０１１−４９３３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体チップに搭載されるＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）またはダイオードなどのいわゆるパワーデバイスの電流−電圧特性を測定する場合、半導体チップとテスタとを電気的に接続し、半導体チップの一方の主表面と一方の主表面に対向する他方の主表面との間に大電流を流して電気特性を確認する必要がある。その際、大電流が流れた部分の半導体基板や電極などが溶融したものがステージ上に付着することがある。上記の溶融物が付着したステージ上に半導体チップを載置すれば、半導体チップの裏面と溶融物とが接触することにより、半導体チップに傷が入る可能性がある。この傷が深い場合には半導体チップに形成されるパワーデバイスの電気特性に異常を来す可能性がある。
【０００５】
また不良と判定されない程度の軽度のダメージを有する半導体チップは電気的特性の測定時に良品と判定される可能性がある。実際には不良品であるのに良品と判定されることにより、後工程で不良品と判定されたり、不良品がそのまま流出したりする問題点があった。
【０００６】
特許文献１はステージの表面に向けて送風する送風手段を備えることにより、ステージの表面の異物を除去する技術が開示されるが、送風手段を備えただけではいったん除去された異物がステージに再び付着する可能性がある。また特許文献２は粘着層を用いて半導体基板がステージに固着された状態で半導体基板の評価がなされるため、評価後に当該粘着層を剥離しても粘着層が半導体基板上に残存し取り扱いが困難になる可能性がある。また粘着層を有するシートを固着する工程と剥離する工程とが余分に発生するため、工期が長くなるという問題がある。
【０００７】
この発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、より少ない工程で、確実に、ステージの表面の異物を除去することが可能な半導体評価装置および半導体評価方法を得ることである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明にかかる半導体評価装置は、半導体チップを載置するための多面体のステージと、半導体チップの特性を測定するためのテスタとを備えたものであり、ステージを構成する複数の面のうち任意の面に半導体チップを載置可能なようにステージを回転可能である。
【０００９】
また、半導体チップを載置するためのステージと、テスタと、ステージの表面に乗っている異物を吹き飛ばすためのガスを供給するガス供給部と、飛ばされた異物を吸引する吸引部とを備えたものである。
【００１０】
また、半導体チップを載置するためのステージと、テスタと、ステージの表面に洗浄剤を供給する洗浄剤供給部と、ステージの表面に蒸留水を供給する蒸留水供給部とを備えたものである。
【００１１】
また、この発明にかかる半導体評価方法は、ステージの表面に着脱可能な導電体膜を設置し、導電体膜の上に半導体チップを載置し、半導体チップの一方の主表面と他方の主表面との間に電流を流すことにより半導体チップの特性を測定する。
【発明の効果】
【００１２】
この発明は、多面体のステージを回転させることにより、異物の付着のないステージの面を用いて半導体チップの測定することができる。
【００１３】
また、ステージの面の異物を除去することにより、常に異物の付着のない面を用いて半導体チップの測定することができる。
【００１４】
また、ステージの面に異物が付着しないように導電体膜を用いることにより、常に異物の付着のない面を用いて半導体チップの測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】この発明の実施の形態１の半導体評価装置の全体の構成を示す概略平面図である。
【図２】この発明の実施の形態１のインデックステーブル上の構成を示す概略斜視図である。
【図３】回転前のステージの態様の第１例を示す概略正面図（Ａ）と、回転後のステージの態様の第１例を示す概略正面図（Ｂ）とである。
【図４】この発明の実施の形態１の半導体評価方法を概略的に示すフローチャートである。
【図５】回転前のステージの態様の第２例を示す概略正面図（Ａ）と、回転後のステージの態様の第２例を示す概略正面図（Ｂ）とである。
【図６】この発明の実施の形態２の半導体評価装置の全体の構成を示す概略平面図である。
【図７】この発明の実施の形態２のインデックステーブル上の構成を示す概略斜視図である。
【図８】この発明の実施の形態２の半導体評価方法を概略的に示すフローチャートである。
【図９】この発明の実施の形態３のインデックステーブル上の構成を示す概略斜視図である。
【図１０】この発明の実施の形態４のインデックステーブル上の構成を示す概略斜視図である。
【図１１】この発明の実施の形態４の半導体評価方法を概略的に示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
実施の形態１．
まず図１を用いて、この発明の実施の形態１における半導体評価装置の全体の構成について説明する。図１を参照して、実施の形態１における半導体評価装置としてのチップテスタ１００は、半導体チップに搭載されたＩＧＢＴやダイオードなどの半導体素子の電流−電圧特性、耐圧、リーク電流などの電気的特性を測定するための装置である。チップテスタ１００はインデックステーブル１と、ステージ２と、プローブピン４を少なくとも１つ（通常は複数）含むプローブ５と、を主に有している。インデックステーブル１はステージ２を設置するための回転可能なテーブルである。ステージ２は測定しようとする半導体チップを載置するためのステージである。プローブピン４は半導体素子と電気的に接続する（半導体素子を構成する端子と接触する）ことにより半導体素子の電気的特性を測定するためのピンであり、プローブ５はプローブピン４を含む電気的特性の測定用の部材の総称である。
【００１７】
チップテスタ１００には１つ以上の任意の数（図１においては３つ）のインデックステーブル１が設置されており、それぞれのインデックステーブル１には１つ以上の任意の数（図１においては４つ）のステージ２が設置されている。
【００１８】
その他、チップテスタ１００はウェハキャリア２２、チップ移載アーム２３、不良チップ用チップトレイ２４、良品チップ用チップトレイ２５、などを有している。ウェハキャリア２２は、測定しようとする小片としての半導体チップ１４および半導体チップ１４にダイシングされる前の半導体ウェハ２１を保管する。チップ移載アーム２３は、ウェハキャリア２２から測定しようとする半導体チップ１４を取り出してこれをインデックステーブル１に移載したり、測定後のインデックステーブル１を分別するために不良チップ用チップトレイ２４または良品チップ用チップトレイ２５に移載したりする。
【００１９】
次に図２を用いて、チップテスタ１００の主要部分であるインデックステーブル１およびその近傍について説明する。たとえば矩形状（略正方形）の平面形状を有する平板形のインデックステーブル１は、チップテスタ１００の土台となる基盤の表面にほぼ平行となるように、すなわちほぼ水平となるようにセットされている。図２に示すようにインデックステーブル１の略正方形の平板は、各角部にいわゆるＣ面が形成されていてもよい。インデックステーブル１は平面視におけるほぼ中心において略正方形の平板にほぼ直交する図示されない軸を中心に回転可能となっている。
【００２０】
インデックステーブル１の４つの角部（Ｃ面部）近傍のそれぞれにステージ２が設置されている。ステージ２は測定しようとする半導体チップを載置するステージ面を複数有する、たとえば正多面体（図２においては正四面体）の形状を有している。ただしステージ２は正多面体でない任意の多面体形状（たとえば直方体形状）であってもよい。
【００２１】
半導体チップ１４の測定時には半導体チップ１４の一方（上側）の主表面と他方（下側）の主表面との間に電流を流すことにより、電気的特性が測定される。そのために半導体チップ１４の一方の主表面上のプローブ５（プローブピン４）から、半導体チップ１４を介してその下のステージ２までの領域を流れる電流を測定するテスタが用いられる。このためステージ２は一般公知の導電性の材料により形成されることが好ましい。
【００２２】
図２に示すステージ２のそれぞれは、ステージ２に含まれる複数の面のうち任意の面に測定しようとする半導体素子が搭載された半導体チップを載置可能なように回転可能である。すなわちステージ２の複数の面のうち半導体チップを載置しようとする面が上側に来てほぼ水平となるように、ステージ２がセットされる。
【００２３】
図３（Ａ）を参照して、たとえばいまステージ２の多面体を構成する１つの面２ａが上側に来てほぼ水平となっており、面２ａに半導体チップ１４を載置可能な状態になっている場合を考える。面２ａの上には異物１６が付着しているものとする。この異物１６は前に行なった半導体チップ１４の測定時などに半導体チップ１４の表面と裏面との間に流した電流により溶融した半導体チップの一部または配線などの導電体が固着したものなどである。この異物１６が付着した面２ａ上に半導体チップ１４を載置して測定を行なうと、異物１６が半導体チップ１４の裏面に傷を形成したり、異物１６の導電性に起因して半導体チップ１４の電気的特性の評価結果にノイズを生じさせたりなどの不具合を発生する可能性がある。
【００２４】
そこで図３（Ｂ）を参照して、ステージ２の異物１６が付着された面２ａがたとえば下側に来て、ステージ２の面２ａとは異なる異物１６が付着されていない面２ｂが上側に来て面２ｂに半導体チップ１４を載置可能な状態となるようにステージ２を（矢印Ｒに示すように）回転させる。このようにすれば、異物１６が付着されていない清潔な面２ｂを用いて次の測定が可能となるため、半導体チップ１４の損傷を抑制することができ、かつ測定結果の信頼性をより高めることができる。
【００２５】
また通常の、半導体チップの載置される面として用いることが可能な面が１つのみであるステージは、半導体チップを載置する面に異物などの異常が発生していない場合でも、測定結果の信頼性を確保するために、一定期間ごとに新しいステージに交換することが要求される。しかし実施の形態１のステージ２は、たとえば正四面体であれば４つの面のすべてを順番に半導体チップの載置用に使うことができるため、１つの面のみが使用可能なステージに比べて、ステージを交換する回数を減らすことができる。このため設備のコストをより削減することができる。
【００２６】
なおこのステージ２の回転機構については一般公知の手法を用いればよいが、具体的には、図示されないがたとえばステージ２は重心を有する軸により支持されており、当該軸はたとえばモータと接続されていて、モータにより軸が回転することで回転可能な構造を有していてもよい。
【００２７】
再度図２を参照して、４つのステージ２が設置されているため、それぞれのステージ２の上にセットされた最大４つの半導体チップ１４の測定を一時に（１回の半導体チップ１４のセットにより）行なうことができる。また図１のように４つのステージ２が設置される３つのインデックステーブル１を有するチップテスタ１００においては、最大１２の半導体チップの測定を一時に行なうことができる。
【００２８】
ステージ２は回転可能なインデックステーブル１の上に設置されているため、インデックステーブル１の回転に応じてチップテスタ１００内での位置が変化する。具体的には、１つのステージ２に着目すれば、インデックステーブル１の回転により、図２に示すＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの４つの位置のそれぞれに、着目したステージ２をセットさせることができる。図２の位置Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄは、インデックステーブル１の４つの角部（Ｃ面部）近傍のステージ２が設置される位置を示している。
【００２９】
位置Ａは、測定しようとする半導体チップなどをステージ２に載置する前に、半導体チップを載置するステージ２の面を決定し、必要に応じて上記図３（Ａ）、（Ｂ）に示すようにステージ２を回転させる位置である。位置Ｂは、異物１６の付着しない清潔なステージ２の面上に測定しようとする半導体チップ１４を載置する位置である。位置Ｃは、半導体チップ１４の表面上にプローブ５（プローブピン４）を接触させて電気的特性の測定を行なう位置である。位置Ｄは測定結果をもとに半導体チップ１４の分別を行なう位置であり、位置Ｄから図１のチップ移載アーム２３により、半導体チップ１４は不良チップ用チップトレイ２４または良品チップ用チップトレイ２５に移載される。
【００３０】
次に、図４のフローチャートを用いて、実施の形態１における半導体評価方法について説明する。まずインデックステーブル１の上の位置Ａにセットされたステージ２を必要に応じて回転させることにより、半導体チップ１４を載置すべき清浄な面が上側に来てほぼ水平となるようにセットされる（Ｓ１０）。次に、工程（Ｓ１０）において位置Ａにあったステージ２が位置Ｂに来るように、インデックステーブル１が回転する。位置Ａから位置Ｂに移動したステージ２に測定しようとする半導体チップ１４がセットされる（Ｓ２０）。
【００３１】
ここでステージ２の各面２ａ，２ｂにはチップ固定用吸引口３が形成されている。チップ固定用吸引口３の下部（ステージ２の内部）には図示されないがチップ固定用吸引口３の真上に載置された半導体チップ１４をステージ２の各面２ａ，２ｂに吸着させるための真空ポンプなどが配置されている。つまり半導体チップ１４は、これを載置しようとする面のチップ固定用吸引口３を塞ぐように載置されれば、チップ固定用吸引口３に吸着され、ステージ２に確実に固定される。
【００３２】
次に、工程（Ｓ２０）において位置Ｂにあったステージ２が位置Ｃに来るように、インデックス１が回転する。位置Ｂから位置Ｃに移動したステージ２に載置された半導体チップ１４の真上から導体チップ１４を構成する回路上の所望の位置に接触するようにセットされるプローブ５（プローブピン４）と、ステージ２の下側の領域との間の領域が電気的に接続され、この領域の電流をテスタ１９により測定可能とすべくテスタ１９が接続される。この状態で、ステージ２に載置された半導体チップ１４の一方の主表面と他方の主表面との間に電流を流しながらテスタ１９を用いて半導体チップ１４の電気的特性が測定される（Ｓ３０）。
【００３３】
測定が終わったのち、工程（Ｓ３０）において位置Ｃにあったステージ２が位置Ｄに来るように、インデックス１が回転する。その後、位置Ｃにおける測定の結果をもとに、チップ移載アーム２３を用いて、半導体チップ１４は、不良チップ用チップトレイ２４または良品チップ用チップトレイ２５のいずれかに移載される（Ｓ４０）。
【００３４】
なお以上に述べたインデックステーブル１の平面形状は上述した矩形状に限られず、たとえば三角形状や六角形状などの任意の形状とすることができる。また１つのインデックステーブル１の上に設置されるステージ２の数も上述した４つに限られず任意の数とすることができる。
【００３５】
図５を参照して、たとえば図２および図３においては正四面体のステージ２を示しているが、正六面体のステージ２を用いることがより好ましい。一般的にパワーデバイスの半導体チップ１４は、正方形または長方形の平面形状を有している。正四面体や正八面体など正六面体以外の形状を有するステージ２を用いた場合、ステージ２の面２ａ，２ｂが正方形ではないため、チップサイズに対して大きなステージにする必要がある。このためステージ２が非常に大きくなりチップテスタ１００のコストが高騰したり実用性が低下したりするする可能性がある。しかしステージ２を正六面体にすればステージ２の面２ａ，２ｂが正方形になるため、ステージ２を小型化することができる。
実施の形態２．
まず図６を用いて、この発明の実施の形態２における半導体評価装置の全体の構成について説明する。図６を参照して、実施の形態２における半導体評価装置としてのチップテスタ２００は、基本的に実施の形態１のチップテスタ１００（図１参照）と同様の構成を備えているが、インデックステーブル１に設置されるステージ２０が実施の形態１のステージ２と異なっている。
【００３６】
図７を参照して、チップテスタ２００のステージ２０は、矩形状（たとえば略正方形）の平面形状を有する平板状であり、ステージ２と同様に、インデックステーブル１の４つの角部（Ｃ面部）近傍の位置Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄのそれぞれに設置されている。ステージ２０を構成する平板の表面にはチップ固定用吸引口３が形成されている。ステージ２０の裏面はインデックステーブル１の上面と接合、固定されている。図７においてはインデックステーブル１のＣ面部がインデックステーブル１の矩形状を形成する各辺に対して約４５°の角度を有するように形成されており、ステージ２０は、その矩形状を形成する１つの辺が各Ｃ面部に沿うように配置されている。プローブ５が矩形の平面形状を有する場合、その矩形の辺とステージ２０の辺とがほぼ平行になるように配置されている。
【００３７】
ステージ２０の表面に沿う方向に関する一方の端部の近傍、すなわちステージ２０の矩形の平面形状を形成する１つの辺の外側には、送風口６が配置されている。送風口６は当該１つの辺の一方の端部から他方の端部までの全領域において当該１つの辺に沿うように延在することが好ましい。
【００３８】
送風口６は、ステージ２０よりやや上方に配置され、ステージ２０の表面に直接ガスを放出可能な方向を向いていることが好ましく、送風口６に対向するステージ２０の表面に乗っている異物を吹き飛ばすためのガスを供給するガス供給部７から供給されるガスを放出する。ガス供給部７は、ガス供給部本体７ａとガス供給配管７ｂとを有している。ガス供給部本体７ａからは、たとえば窒素ガスなどステージ２０の表面に吹き付けるガスが供給され、そのガスがガス供給部本体７ａに接続されるガス供給配管７ｂを伝って、ガス供給配管７ｂの出口に接続するように配置された送風口６からステージ２０の表面に吹きつけられる。
【００３９】
またステージ２０の表面に沿う方向に関する上記一方の端部に対向する他方の端部の近傍、すなわち上記１つの辺に対向する他の辺の外側には、吸引口８が配置されている。吸引口８は当該他の辺の一方の端部から他方の端部までの全領域において当該他の辺に沿うように延在することが好ましい。
【００４０】
吸引口８は、ステージ２０よりやや上方に配置され、ステージ２０の表面から取り除いた異物を含むガスを吸引しやすい方向を向いていることが好ましく、送風口６からのガスによって飛ばされた異物を吸引部９により吸引する機能を有している。吸引部９は、吸引部本体９ａと吸引配管９ｂとを有している。吸引部本体９ａは吸引口８から吸引された異物を含むガスを吸引する本体であり、たとえば真空ポンプなどにより構成されている。吸引配管９ｂは吸引部本体９ａおよび吸引口８と接続されており、吸引口８から吸引された異物を含むガスを吸引部本体９ａの方へ送り込む配管である。以上を言い換えれば、ステージ２０は、平面視において互いに対向する送風口６および吸引口８に挟まれるように配置される。
【００４１】
実施の形態１においてステージ２０を回転させることにより異物の付着されない清浄な面を半導体チップ１４の測定に用いているのに対し、実施の形態３においては、ステージ２０の表面の異物をガス供給部７および送風口６からのガスにより吹き飛ばし、かつ異物を含むガスを吸引口８および吸引部９により吸引する。このようにすれば、実施の形態１と同様に、異物が付着されていない清浄な状態のステージ２０の表面に半導体チップ１４を載置して測定を行なうことができる。
【００４２】
たとえばチップテスタが送風口６およびガス供給部７のみを備え、吸引口８および吸引部９を備えない場合、送風口６からのガスによりステージ２０の表面から吹き飛ばされた異物が当該ステージ２０の付近の別の場所に残留する可能性がある。この場合、当該異物が再び舞い降りてステージ２０の表面に付着する可能性がある。しかし吸引口８および吸引部９により異物を含むガスが吸引されるため、上記のような異物の再付着を抑制することができる。
【００４３】
なお図７においては送風口６および吸引口８が位置Ａのステージ２０を挟む位置にのみ示されているが、送風口６および吸引口８は位置Ｂ，Ｃ，Ｄの各ステージ２０を挟む位置にも配置されていてもよい。
【００４４】
次に、図８のフローチャートを用いて、実施の形態２における半導体評価方法について説明する。まずインデックステーブル１の上の位置Ａにセットされたステージ２０の表面に、このステージ２０を平面視において挟むように配置される送風口６およびガス供給部７からガスを噴出するように供給する。これによりステージ２の表面の異物が吹き飛ばされるように除去される。この除去された異物を含むガスが吸引口８および吸引部９により吸引される。このようにしてステージ２０の表面が洗浄される（Ｓ１０）。
【００４５】
なお上記のようにステージ２０の表面から除去された異物は速やかに吸引口８から吸引されることが好ましい。このため送風口６からガスが供給されるのと同時に吸引口８からガスが吸引されるようにすることが好ましい。
【００４６】
これ以降の工程（Ｓ２０）〜（Ｓ４０）については基本的に実施の形態１と同様である。すなわち工程（Ｓ１０）において位置Ａにあったステージ２０が位置Ｂに来るように、インデックステーブル１が回転し、位置Ｂで半導体チップ１４がステージ２０にセットされる（Ｓ２０）。工程（Ｓ２０）において位置Ｂにあったステージ２が位置Ｃに来るようにインデックス１が回転し、プローブ５およびテスタ１９を用いて半導体チップ１４の特性が測定される（Ｓ３０）。測定後、工程（Ｓ３０）において位置Ｃにあったステージ２が位置Ｄに来るようにインデックス１が回転し、半導体チップ１４が選別される（Ｓ４０）。
実施の形態３．
この発明の実施の形態３における半導体評価装置の全体の構成は、基本的に実施の形態２のチップテスタ２００（図６参照）と同様の構成を備えている。しかし図９を参照して、実施の形態３においては、位置Ａにおいてステージ２０の表面に洗浄剤を供給する洗浄剤供給部１１と、同じステージ２０の表面に洗浄剤を供給する蒸留水供給部１２と、ステージ２０の表面を乾燥させる乾燥機１７とを有している。実施の形態３においては、洗浄剤供給部１１からステージ２０の表面に供給される洗浄剤により、上記の各実施の形態と同様に、半導体チップ１４を載置する前にステージ２０の表面を洗浄して異物を除去することができる。
【００４７】
洗浄剤供給部１１は洗浄剤供給部本体１１ａと洗浄剤供給配管１１ｂとを有している。また蒸留水供給部１２は蒸留水供給部本体１２ａと蒸留水供給配管１２ｂとを有している。洗浄剤供給部本体１１ａはたとえば洗浄剤が貯蔵されるタンクであることが好ましいが他の態様であってもよい。洗浄剤供給部本体１１ａは洗浄剤供給配管１１ｂと接続されている。洗浄剤供給部本体１１ａから供給される洗浄剤は、洗浄剤供給配管１１ｂを伝ってその出口からステージ２０の表面上に供給される。
【００４８】
また蒸留水供給部１２は、ステージ２０の表面上に付着する洗浄剤を濯ぎ流すための蒸留水を供給するためのものである。蒸留水供給部本体１２ａはたとえば蒸留水が貯蔵されるタンクであることが好ましいが他の態様であってもよい。蒸留水供給部本体１２ａは蒸留水供給配管１２ｂと接続されている。洗浄剤供給部本体１１ａから供給される洗浄剤は、洗浄剤供給配管１１ｂを伝ってその出口からステージ２０の表面上に供給される。以上より、洗浄剤供給配管１１ｂおよび蒸留水供給配管１２ｂの出口はステージ２０の表面に直接洗浄剤を供給可能な方向を向いていることが好ましい。
【００４９】
洗浄剤としてはエタノールが用いられることが特に好ましい。このようにすれば、エタノールは揮発性が高いため、洗浄後にステージ２０の表面に残存する洗浄剤を速やかに揮発させることができる。また揮発せずに残存したエタノールは蒸留水に溶けるためさらにステージ２０の表面から除去しやすくなる。また洗浄剤および蒸留水は、たとえばステージ２０の表面の真上をスキャンしながら、ステージ２０の表面の真上の全体に行き渡るように供給されることが好ましい。
【００５０】
乾燥機１７は電源ケーブル１８に接続されている。乾燥機１７からはたとえば熱風が放出されることにより、洗浄が終わったステージ２０の表面に残存する洗浄剤および蒸留水を除去、乾燥させる機能を有している。このため乾燥機１７の熱風などが放出される出口はステージ２０の表面の方向を向いていることが好ましい。乾燥機１７を用いることにより、洗浄が終わったステージ２０の表面に洗浄剤および蒸留水が残存しないようステージ２０の表面を確実に乾燥させることができる。
【００５１】
実施の形態３における半導体評価方法は、基本的に図８のフローチャートを用いて説明することができる。ただし工程（Ｓ１０）における洗浄が、実施の形態２においては送風口などを用いた洗浄であったのに対し、実施の形態３においては洗浄剤および蒸留水を用いた洗浄となる点において、実施の形態３は実施の形態２と異なっている。
実施の形態４．
この発明の実施の形態４における半導体評価装置の全体の構成は、基本的に実施の形態２のチップテスタ２００（図６参照）と同様の構成を備えている。しかし図１０を参照して、実施の形態４においては、半導体チップ１４をステージ２０に載置する前に、ステージ２０の表面に着脱可能な未使用の導電体膜１３が設置される。これにより、ステージ２０の表面を異物から保護し、異物が付着されたステージ２０の表面に半導体チップ１４が載置された状態でその測定がなされることを抑制することができる。また測定の過程で導電体膜１３の表面に異物が付着したとしても、次の半導体チップ１４の測定前に（１つの半導体チップ１４を測定するごとに）導電体膜１３を交換して常に未使用の導電体膜１３を用いて半導体チップ１４が測定される。このため常に異物の付着がない導電体膜１３の表面上に半導体チップ１４を載置して信頼性の高い測定を行なうことができる。
【００５２】
導電体膜１３としては薄い平板状の金属箔を用いることが好ましい。またステージ２０の表面には上記のように半導体チップ１４を固定するためのチップ固定用吸引口３（第１の吸引孔）が形成されているが、導電体膜１３の平板状の表面にもチップ固定用吸引口３と同様のチップ固定用貫通孔１５（第２の吸引孔）が形成されている。チップ固定用貫通孔１５は、導電体膜１３の平板状の表面のうち、導電体膜１３がステージ２０の表面に供給された際にチップ固定用吸引口３と平面的に重なるように形成されることが好ましい。このようにすれば、導電体膜１３と、測定しようとする導電体膜１３上の半導体チップ１４との双方をステージ２０に容易に確実に固定させることができる。
【００５３】
チップ固定用吸引口３においては上記のように真空ポンプなどを用いた吸着がなされるため、導電体膜１３は使用後や交換を要する場合には容易にステージ２０から着脱可能である。具体的には、実施の形態４においては導電体膜１３をステージ２０に固定する際にはたとえば粘着層などが用いられることがない。したがって粘着層を半導体チップ１４やステージ２０に貼り付けたりこれを剥離したりする必要がなく、より簡素な工程で導電体膜１３がステージ２０から着脱可能となる。また粘着層が半導体チップ１４の裏面に残存することにより半導体チップ１４が不良品となる可能性を排除することができる。
【００５４】
次に、図１１のフローチャートを用いて、実施の形態４における半導体評価方法について説明する。まずインデックステーブル１の上の位置Ａにセットされたステージ２０の表面に、未使用の導電体膜１３がセットされる（Ｓ１０）。導電体膜１３はチップ固定用貫通孔１５においてチップ固定用吸引口３によりステージ２０の表面に吸着される。
【００５５】
これ以降の工程（Ｓ２０）〜工程（Ｓ４０）については基本的に上記の各実施の形態と同様である。すなわち工程（Ｓ２０）においては当該導電体膜１３がセットされたステージ２０が位置Ｂに移動した状態で導電体膜１３の上に半導体チップ１４が載置される。工程（Ｓ３０）においては位置Ｃで半導体チップ１４の電気的特性が測定される。工程（Ｓ４０）においては位置Ｄで半導体チップ１４の分別がなされる。なおこの後、上記説明に用いたステージ２０が位置Ｄから位置Ａまでインデックステーブル１の回転により戻ったところで、導電体膜１３が未使用のものと交換される。
【００５６】
ところで、上記説明では、パワーデバイスの測定時のステージの表面を清浄に保つ技術について述べたが、その他の半導体評価に用いるステージの表面を清浄に保つ技術としても利用できることは言うまでもない。
【００５７】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
この発明は、半導体チップを高精度に評価することを可能とし、かつ評価時の半導体チップへの損傷の発生を抑制する技術として特に有益である。
【符号の説明】
【００５９】
１  インデックステーブル、２，２０  ステージ、３  チップ固定用吸引口、４  プローブピン、５  プローブ、６  送風口、７  ガス供給部、７ａ  ガス供給部本体、７ｂ  ガス供給配管、８  吸引口、９  吸引部、９ａ  吸引部本体、９ｂ  吸引配管、１１  洗浄剤供給部、１１ａ  洗浄剤供給部本体、１１ｂ  洗浄剤供給配管、１２  蒸留水供給部、１２ａ  蒸留水供給部本体、１２ｂ  蒸留水供給配管、１３  導電体膜、１４  半導体チップ、１５  チップ固定用貫通孔、１６  異物、１７  乾燥機、１８  電源ケーブル、２０  ステージ、２１  半導体ウェハ、２２  ウェハキャリア、２３  チップ移載アーム、２４  不良チップ用チップトレイ、２５  良品チップ用チップトレイ、１００，２００  チップテスタ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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