(57)【要約】【課題】光の透過率を向上できる液晶表示装置を提供する。【解決手段】液晶表示装置１は、第１基板１０の画素に設けられ、画素電極又は共通電極のうちの一方として機能し、前記第１基板１０に対して立つ姿勢を有する、互いに向き合う一対の壁電極部２１ａを有する。また、液晶表示装置１は、一対の壁電極部２１ａの間に形成され、画素電極又は共通電極のうちの他方として機能する電極であって、一対の壁電極部２１ａよりも低い高さを有する凸状に形成され、一対の壁電極部２１ａが対向する方向における幅が第２の基板５０に向かって徐々に小さくなる中央電極２２ａとを備える。【選択図】図２
2014095840.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査信号線と、前記複数の走査信号線に交差する複数の映像信号線と、隣接する２つの走査信号線と隣接する２つの映像信号線とによってそれぞれが囲まれる複数の画素と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に設けられている液晶層と、
前記第１の基板に設けられ、画素電極又は共通電極のうちの一方として機能する電極であって、前記複数の画素のそれぞれに形成され、前記第１の基板に対して立つ姿勢を有する、互いに向き合う一対の壁電極と、
前記第１の基板に設けられ、前記画素電極又は前記共通電極のうちの他方として機能する電極であって、前記一対の壁電極の間において前記一対の壁電極に沿った方向に延伸し、前記一対の壁電極よりも高さの低い凸状であり、前記一対の壁電極が対向する方向における幅が前記第２の基板に向かって徐々に小さくなる中央電極と、
を備えることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶表示装置において、
各画素の互いに反対側に位置する２つの縁には、一対の高壁絶縁部がそれぞれ位置し、
前記一対の高壁絶縁部の間には、前記一対の高壁絶縁部よりも低い高さを有し、前記一対の壁電極が対向する方向における幅が前記第２の基板に向かって徐々に小さくなる低壁絶縁部が形成され、
前記一対の壁電極は前記一対の高壁絶縁部の側面にそれぞれ形成され、
前記中央電極は前記低壁絶縁部の外面に形成されている、
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載の液晶表示装置において、
前記低壁絶縁部の延伸方向に対して直交する当該低壁絶縁部の切断面は三角形である、
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項２に記載の液晶表示装置において、
前記低壁絶縁部の延伸方向に対して直交する当該低壁絶縁部の切断面は台形である、
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の液晶表示装置において、
前記中央電極を含む前記他方の電極は絶縁膜で覆われており、
前記一対の壁電極を含む前記一方の電極は、前記低壁絶縁部に形成され、且つ、前記絶縁膜を挟んで前記中央電極と対向する部分を含んでいる、
ことを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＰＳ方式の液晶表示装置のなかには、例えば下記特許文献１で提案されるように、各画素に２つの壁状の電極（以下、壁電極と称する）を有するものがある。一方の壁電極は画素電極として機能し、他方の壁電極は共通電極として機能する。画素の階調値に応じた電圧が画素電極に加えられると、画素電極と共通電極との間に水平な電界が形成され、その電界により液晶分子が回転し、光が液晶層を透過する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平６−２１４２４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本願の発明者は、壁電極を有する液晶表示装置として、次の構造を有するもの検討している。すなわち、画素の互いに反対側に位置する２つの縁に、高さの高い壁部（以下、高壁絶縁部と称する）を形成し、２つ高壁絶縁部の対向する側面に電極を形成する（この電極を壁電極と称する）。また、２つの高壁絶縁部の間に、それよりも高さの低い壁部（以下、低壁絶縁部と称する）を形成し、低壁絶縁部の上面及び側面に電極を形成する（以下、この電極を中央電極と称する）。壁電極は例えば画素電極であり、中央電極は例えば共通電極である。この構造によれば、中央電極の上方にも液晶層が存在することとなり、光の透過率の向上を期待できる。
【０００５】
ところが、低壁絶縁部が長方形の断面を有する構造では、中央電極の上面に鉛直方向の電界が生じる。そのため、中央電極の上方では液晶分子が回転し難く、光の透過が制限される。低壁絶縁部の幅を小さくできれば、中央電極の上面の幅も小さくなるので、鉛直方向の電界の発生は抑えられる。しかしながら、低壁絶縁部の幅を小さくしようとすると、低壁絶縁部のアスペクト比が高くなるので、幅の小さい低壁絶縁部を安定的に形成することが難しくなる。
【０００６】
本発明は光の透過率を向上できる液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本発明に係る液晶表示装置は、複数の走査信号線と、前記複数の走査信号線に交差する複数の映像信号線と、隣接する２つの走査信号線と隣接する２つの映像信号線とによってそれぞれが囲まれる複数の画素と、を有する第１の基板と、前記第１の基板に対向する第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に設けられている液晶層と、を有している。前記液晶表示装置は、前記第１の基板に設けられ、画素電極又は共通電極のうちの一方として機能する電極であって、前記複数の画素のそれぞれに形成され、前記第１の基板に対して立つ姿勢を有する、互いに向き合う一対の壁電極を有している。また、前記液晶表示装置は、前記第１の基板に設けられ、前記画素電極又は前記共通電極のうちの他方として機能する電極であって、前記一対の壁電極の間において前記一対の壁電極に沿った方向に延伸し、前記一対の壁電極よりも高さの低い凸状であり、前記一対の壁電極が対向する方向における幅が前記第２の基板に向かって徐々に小さくなる中央電極を有している。本発明によれば、液晶表示装置の光の透過率を向上できる。
（２）本発明の一形態では、各画素の互いに反対側に位置する２つの縁には、一対の高壁絶縁部がそれぞれ位置し、前記一対の高壁絶縁部の間には、前記一対の高壁絶縁部よりも低い高さを有し、前記一対の壁電極が対向する方向における幅が前記第２の基板に向かって徐々に小さくなる低壁絶縁部が形成され、前記一対の壁電極は前記一対の高壁絶縁部の側面にそれぞれ形成され、前記中央電極は前記低壁絶縁部の外面に形成されてもよい。この構造によれば、壁電極と中央電極を形成することが容易となる。
（３）前記低壁絶縁部の延伸方向に対して直交する当該低壁絶縁部の切断面は三角形であってもよい。この構造によれば、光の透過率をより効果的に向上できる。
（４）前記低壁絶縁部の延伸方向に対して直交する当該低壁絶縁部の切断面は台形であってもよい。この構造によれば、壁電極と中央電極を形成することが、より容易となる。
（５）前記中央電極を含む前記他方の電極は絶縁膜で覆われており、前記一対の壁電極を含む前記一方の電極は、前記低壁絶縁部に形成され、且つ、前記絶縁膜を挟んで前記中央電極と対向する部分を含んでもよい。この構造によれば、前記画素電極と前記共通電極のうちの前記一方の電極が有する前記部分と、中央電極との間にフリンジ電界を形成することが可能となる。その結果、液晶分子の回転をより適切に回転させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明に係る液晶表示装置が備える第１基板の平面図である。
【図２】図１に示すＩＩ−ＩＩ線で示される切断面によって得られる液晶表示装置の断面図である。
【図３】液晶表示装置において形成される電界を説明するための図である。図３（ａ）は図１に示す液晶表示装置に対する比較対象を示し、図３（ｂ）は図１に示す液晶表示装置１において形成される電界を示している。
【図４】図１に示すIＶ−IＶ線を切断面とする液晶表示装置の断面図である。この図では薄膜トランジスタが示されている。
【図５】液晶表示装置の変形例を示す断面図である。
【図６】液晶表示装置のさらに別の変形例を示す断面図である。
【図７】液晶表示装置のさらに別の変形例を示す断面図である。
【図８】マルチドメイン構造を有する画素が形成された液晶表示装置の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。図１は本発明に係る液晶表示装置が備える第１基板１０の平面図である。図２は図１に示すＩＩ−ＩＩ線で示される切断面によって得られる液晶表示装置１の断面図である。図３は液晶表示装置１において形成される電界を説明するための図である。図３（ａ）は液晶表示装置１の比較対象を示し、この図は後述する低壁絶縁部が長方形の断面形状を有する構造において形成される電界を示している。図３（ｂ）は液晶表示装置１において形成される電界を示している。なお、図２においてＰで示す範囲が１画素である。
【００１０】
図２に示すように、液晶表示装置１は、互いに向き合う第１基板１０と第２基板５０とを有している。基板１０，５０はガラスや樹脂などで形成される透明基板である。第１基板１０は後述する薄膜トランジスタＴ（図４参照）が形成されるＴＦＴ基板であり、第２基板５０はカラーフィルタ５１が形成されるカラーフィルタ基板である。第１基板１０と第２基板５０との間には液晶層４０が設けられている。第１基板１０の第２基板５０とは反対側と、第２基板５０の第１基板１０とは反対側とには、偏光板が配置されている。第１基板１０の第２基板５０とは反対側に、不図示のバックライトユニットからの光が照射される。
【００１１】
図１に示すように、第１基板１０には、複数の映像信号線１１と、映像信号線１１に交差する複数の走査信号線１２とが形成されている。第１基板１０には複数の画素が形成されている。各画素は隣接する２つの映像信号線１１と隣接する２つの走査信号線とで囲まれている。映像信号線１１には各画素の階調値に応じた電圧（階調電圧）が加えられ、走査信号線には、後述する薄膜トランジスタＴをオン状態するためのゲート電圧が加えられる。
【００１２】
図２に示すように、第１基板１０には、第１基板１０に対して立つ一対の高壁絶縁部３２が形成されている。この例では、第１基板１０にはゲート絶縁膜３１と絶縁膜３６とが形成され、高壁絶縁部３２はゲート絶縁膜３１上に形成された絶縁膜３６上に形成されている。一対の高壁絶縁部３２は各画素の互いに反対側に位置する２つの縁にそれぞれ形成されている。すなわち、高壁絶縁部３２は隣接する２つの画素の境界に形成されている。高壁絶縁部３２は映像信号線１１の上側（第２基板５０側）に位置し、映像信号線１１に沿って延びている（図１参照）。高壁絶縁部３２の延伸方向に対して直交する高壁絶縁部３２の切断面は略矩形である。すなわち、高壁絶縁部３２の側面は第１基板１０に対して略垂直となっている。
【００１３】
第１基板１０には、一対の高壁絶縁部３２よりも高さの低い低壁絶縁部３３が形成されている。低壁絶縁部３３は一対の高壁絶縁部３２の間に位置している。より具体的には、低壁絶縁部３３は一対の高壁絶縁部３２の中央位置に形成され、高壁絶縁部３２の延伸方向に伸びている。この例の低壁絶縁部３３は、高壁絶縁部３２と同様に絶縁膜３６上に形成されている。
【００１４】
高壁絶縁部３２と低壁絶縁部３３は絶縁材料によって形成されている。低壁絶縁部３３は透明な絶縁材料によって形成される。高壁絶縁部３２も例えば透明な絶縁材料によって形成される。高壁絶縁部３２の材料と低壁絶縁部３３の材料は、例えば同じ材料である。こうすることで、高壁絶縁部３２と低壁絶縁部３３とを同一の工程で形成することが可能となる。すなわち、高壁絶縁部３２と低壁絶縁部３３とを共通のマスクで形成することが可能となる。その結果、液晶表示装置１の製造工程の数を低減でき、また、一方の高壁絶縁部３２と低壁絶縁部３３との距離と、他方の高壁絶縁部３２と低壁絶縁部３３との距離とを高い精度で等しくできる。すなわち、後述する一対の壁電極部２１ａのうち一方の壁電極部２１ａと中央電極部２２ａとの間の距離と、他方の壁電極部２１ａと中央電極部２２ａとの距離を高い精度で等しくできる。その結果、液晶層４０に形成される電界が中央電極部２２ａの左右で等しくなり、１画素において光の透過率を均一化できる。なお、高壁絶縁部３２の材料と低壁絶縁部３３の材料は、互いに異なっていてもよい。また、高壁絶縁部３２の絶縁材料は必ずしも透明でなくてもよい。
【００１５】
図２に示すように、第１基板１０には、画素電極と共通電極のうちの一方である第１電極２１と、画素電極と共通電極のうち他方である第２電極２２とが形成されている。ここで説明する例では、第１電極２１は画素電極であり、第２電極２２は共通電極である。すなわち、第１電極２１には、後述する薄膜トランジスタＴを通して、映像信号線１１から階調電圧が加えられる。第１電極２１と薄膜トランジスタＴとの接続構造については、後において詳説する。第２電極２２は、第１電極２１の電位に対して基準となる電位に設定される。この例の第１電極２１は画素電極であるため、複数の画素のそれぞれに設けられている。この例の第２電極２２は共通電極であるため、複数の画素に亘って設けられている。第１電極２１と第２電極２２はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電膜によって形成されている。
【００１６】
図２に示すように、第１電極２１は一対の壁電極部２１ａを含んでいる。一対の壁電極部２１ａは一対の高壁絶縁部３２の側面にそれぞれ形成され、第１基板１０に対して立つ姿勢を有している。上述したように、一対の高壁絶縁部３２は、各画素の互いに反対側に位置する２つの縁にそれぞれ形成されているため、一対の壁電極部２１ａは、各画素の一方側（隣接する２つの映像信号線１１のうち一方の映像信号線１１寄りの位置）と、それとは反対側（他方の映像信号線１１寄りの位置）とにそれぞれ位置している。一対の壁電極部２１ａは走査信号線１２の延伸方向において互いに向き合っている。壁電極部２１ａの高さは高壁絶縁部３２の高さに対応している。図２に示す例では、高壁絶縁部３２の高さは液晶層４０と後述する絶縁膜３５の厚さに対応している。その結果、壁電極部２１ａの高さも液晶層４０と後述する絶縁膜３５の厚さに対応し、壁電極部２１ａの上縁は第２基板５０に近接している。なお、高壁絶縁部３２の高さは及び壁電極部２１ａの高さのそれぞれは、液晶層４０と後述する絶縁膜３５の厚さよりも小さくてもよい。すなわち、壁電極部２１ａの上縁は第２基板５０から離れていてもよい。
【００１７】
第２電極２２は、中央電極部２２ａを含んでいる。中央電極部２２ａは低壁絶縁部３３の外面に形成されており、一対の壁電極部２１ａよりも低い高さを有する凸状の電極となっている。本実施形態において、低壁絶縁部３３は、一対の壁電極部２１ａが向き合う方向（図２において左右方向）における幅Ｗ１が第２基板５０に向かって徐々に小さくなるように形成されている。図２に示す例では、低壁絶縁部３３の延伸方向に対して直交する低壁絶縁部３３の切断面は三角形である。そのため、低壁絶縁部３３は傾斜した側面を有している。中央電極部２２ａは低壁絶縁部３３の両側面に形成されている。そのため、一対の壁電極部２１ａが向き合う方向における中央電極部２２ａの幅も、第２基板５０に向かって徐々に小さくなっている。
【００１８】
この構造により、低壁絶縁部３３及び中央電極部２２ａのアスペクト比を低減しながら、すなわち低壁絶縁部３３及び中央電極部２２ａの底幅Ｗ２を確保しながら、鉛直方向の電界が中央電極部２２ａの上方に形成されることを抑えることができる。図３を参照して、これについて説明する。図３の破線は電気力線を示している。図３（ａ）に示すように低壁絶縁部３３Ａの切断面が矩形である構造では、鉛直方向の電界が、低壁絶縁部３３Ａ及び中央電極部２２Ａａの上面の幅に応じた領域Ａに形成される。液晶表示装置１では、中央電極部２２ａの頂部の幅は非常に狭く、中央電極部２２ａは鉛直方向に向いた面をほとんど有していない。そのため、図３（ｂ）に示すように、鉛直方向の電界が形成される領域は領域Ａに比して狭くなる。中央電極部２２ａの表面には、第１電極２１に向かう斜めの電界が形成される。その結果、図３（ａ）の構造に比して、液晶分子が水平面内で回転する領域が増大し、光の透過率を向上できる。また、図３（ａ）に示されるように低壁絶縁部の断面が長方形である場合には、低壁絶縁部の底幅が大きくなるにしたがって光の透過率は低下する。これに対し、低壁絶縁部の断面が図３（ｂ）に示されるように三角形である場合には、底幅を大きくしても光の透過率が低下することを抑えることができる。なお、上述したように、第１電極２１の壁電極部２１ａは第１基板１０に対して略垂直に形成されている。そのため、第１基板１０に対する中央電極部２２ａの側面の角度は、第１基板１０に対する壁電極部２１ａの角度より小さい。
【００１９】
低壁絶縁部３３の底幅は、例えばその高さよりも小さい。すなわち、中央電極部２２ａの底幅Ｗ２は、例えば中央電極部２２ａの高さよりも小さい。こうすることで、第１基板１０に対する中央電極部２２ａの側面の角度が大きくなる。その結果、中央電極部２２ａと壁電極部２１ａとの間に横電界が形成され易くなる。また、中央電極部２２ａの底幅Ｗ２は中央電極部２２ａの高さよりも大きくてもよい。すなわち、低壁絶縁部３３の底幅はその高さよりも大きくてもよい。こうすることで、中央電極部２２ａ及び低壁絶縁部３３のアスペクト比が小さくなり、これらを安定的に形成することが容易となる。なお、低壁絶縁部３３は、例えば、低壁絶縁部３３の材料、又は低壁絶縁部３３を形成するためのレジストに対して斜めに光を照射する斜め露光によって形成できる。
【００２０】
図２に示すように、この例の第２電極２２は、低壁絶縁部３３だけでなく、高壁絶縁部３２の外面及び絶縁膜３６上にも形成されている。すなわち、第２電極部２２は隣接する複数の画素に亘って連続的に形成されている。詳細には、第２電極２２は、中央電極部２２ａから高壁絶縁部３２に向かって広がる第２平面電極部２２ｂと、高壁絶縁部３２の外面（側面及び上面）に形成される壁電極部２２ｃとを有している。壁電極部２２ｃは、高壁絶縁部３２の両側面及び上面に形成されており、隣の２つの画素の第２平面電極部２２ｂに繋がっている。これにより、第２電極部２２の電気抵抗を低減できている。第２電極２２の各部は絶縁膜３４で覆われ、第１電極２１の各部は絶縁膜３４上に形成されている。したがって、第２電極２２の壁電極部２２ｃと第１電極２１の壁電極部２１ａとの間には絶縁膜３４が介在している。
【００２１】
この例の第１電極２１は、図２に示すように、第２平面電極部２２ｂを覆う第１平面電極部２１ｂを有している。すなわち、第１平面電極部２１ｂは絶縁膜３４を挟んで第２平面電極部２２ｂと対向している。第１平面電極部２１ｂは、一対の壁電極部２１ａの下縁の間に形成され、第１基板１０と略平行となっている。第１平面電極部２１ｂには、中央電極部２２ａを液晶層４０に向けて露出させるための開口（スリット）２１ｃが形成されている。換言すると、第１平面電極部２１ｂは、壁電極部２１ａの下縁から低壁絶縁部３３に向かって広がり、その縁は低壁絶縁部３３の基部に達している。この第１平面電極部２１ｂによって、第２電極２２の第２平面電極部２２ｂと壁電極部２１ａとの間に電界が生じることを抑えることができている。換言すると、第１平面電極部２１ｂは、第２平面電極部２２ｂの表面に形成される鉛直方向の電界を遮蔽している。その結果、液晶層４０に水平な電界が形成され易くなっている。なお、第１平面電極部２１ｂは、図１に示すように、低壁絶縁部３３及び第２平面電極部２２ｂを越えて、映像信号線１１に沿った方向に広がった部分２１ｄを有している。低壁絶縁部３３を挟んで互いに反対側に位置する第１平面電極部２１ｂの２つの部分（図２において右側部分と左側部分）は、部分２２ｄを通して電気的に繋がっている。
【００２２】
図２に示すように、一対の壁電極部２１ａの間には絶縁膜３５が形成されている。絶縁膜３５は第１平面電極部２１ｂ上に形成されている。図２に示す例では、中央電極部２２ａと当該中央電極部２２ａを覆う絶縁膜３４は、絶縁膜３５に埋まっている。換言すると、絶縁膜３５の厚さは中央電極部２２ａの高さと略等しい。絶縁膜３５の表面（液晶層４０側の面）の高さは一対の壁電極部２１ａの間において概ね均一となっている。絶縁膜３５上に液晶層４０が形成されている。このため、液晶層４０の厚さが中央電極部２２ａによって一対の壁電極部２１ａの間において変化すること、すなわち、中央電極部２２ａの上側で液晶層４０が薄くなることを抑えることができている。その結果、光の透過率が１画素内において均一化され得る。なお、絶縁膜３５の厚さは中央電極部２２ａの高さよりも厚くてもよい。
【００２３】
上述したように第１電極２１は第１平面電極部２１ｂを含んでいるため、図３（ｂ）に示すように、第１平面電極部２１ｂと中央電極部２２ａとの間にも電界が形成される。この電界は、壁電極部２１ａと中央電極部２２ａとの間に形成される電界よりも縦電界成分を多く含む。絶縁膜３５を第１平面電極部２１ｂ上に形成することにより、この縦電界成分が液晶層４０に形成されることを抑えることができる。
【００２４】
上述したように、低壁絶縁部３３と中央電極部２２ａは壁電極部２１ａに沿って延伸している。図１に示すように、この例の中央電極部２２ａは、その両端部に、一方の壁電極部２１ａに向かって屈曲した傾斜部２２ｅを有している。また、他方の壁電極部２１ａとそれが形成された高壁絶縁部３２は、傾斜部２２ｅに向かって張り出した部分２１ｅ，３２ｅをそれぞれ有している。これにより、中央電極部２２ａの端部と壁電極部２１ａの端部との間の幅が狭くなっている。その結果、これらの端部の近傍の液晶分子の回転に、画素の外側の領域に形成される電界が影響することを抑えることが可能となっている。
【００２５】
図２に示すように、第２基板５０には、複数の画素のそれぞれに対応してカラーフィルタ５１が形成されている。また、第２基板５０には隣接する画素の境界部分にブラックマトリクス５２が形成されている。ブラックマトリクス５２と高壁絶縁部３２は液晶表示装置１の厚さ方向において対向している。そのため、高壁絶縁部３２は、上述したように、必ずしも透明な絶縁材料で形成されていなくてもよい。カラーフィルタ５１上には、すなわち、カラーフィルタ５１の液晶層４０側の面にはオーバーコート層５３が形成されている。
【００２６】
図４は図１に示すＩＶ−ＩＶ線を切断面とする液晶表示装置１の断面図である。この図では薄膜トランジスタＴが示されている。なお、この図において第２基板５０は省略されている。
【００２７】
図１及び図４に示すように、第１基板１０には走査信号線（ゲート電極線）１１が形成されている。走査信号線１２はゲート絶縁膜３１によって覆われている。ゲート絶縁膜３１上には、上述した映像信号線（ドレイン電極線）１１と、半導体層１３とが形成されている。半導体層１３上には映像信号線１１に繋がるドレイン電極１１ａと、ソース電極１４とが形成されている。ゲート絶縁膜３１上には、半導体層１３、映像信号線１１、ドレイン電極１１ａ、及びソース電極１４を覆う絶縁膜３６が形成されている。絶縁膜３６上に第２電極２２が形成されている。そして、第２電極２２上には絶縁膜３４が形成されている。絶縁膜３４上に第１電極２１が形成されている。上述したように、ここで説明する例の第１電極２１は、階調電圧が加えられる画素電極である。そのため、第１電極２１は、絶縁膜３４、第２電極２２、及び絶縁膜３６に形成されたスルーホールｈを通してソース電極１４に繋がっている。
【００２８】
図５は液晶表示装置１の変形例を示す断面図である。図５の切断面は図２と同様である。この図では第２基板５０は省略されている。この図では、これまで説明した箇所と同一箇所には同一符合を付している。ここでは、図１、図２及び図４を参照して説明した例と異なる点について説明し、説明のない事項はこれらの図の例と同様である。
【００２９】
図５に示す例では、第１電極２１は、上述の壁電極部２１ａ及び第１平面電極部２１ｂに加えて、一対の斜面電極部２１ｆを含んでいる。一対の斜面電極部２１ｆは第１平面電極部２１ｂの縁から低壁絶縁部３３に向けて張り出している。斜面電極部２１ｆは低壁絶縁部３３の両斜面にそれぞれ形成され、且つ、低壁絶縁部３３の延伸方向に伸びている。そして、斜面電極部２１ｆは第２電極２２を覆う絶縁膜３４を挟んで中央電極部２２ａと向き合っている。斜面電極部２１ｆの高さは中央電極部２２ａの高さよりも低い。そのため、中央電極部２２ａの上部は、一対の斜面電極部２１ｆの上縁の間から、液晶層４０に向けて露出している。この構造によれば、斜面電極部２１ｆと中央電極部２２ａの上部との間にフリンジ電界が発生しやすくなる。その結果、中央電極部２２ａの上側に位置する液晶層４０がさらに回転しやすくなり、画素の光の透過率をさらに向上できる。
【００３０】
図６は液晶表示装置１のさらに別の変形例を示す断面図である。図６の切断面は図２と同様である。この図では第２基板５０は省略されている。この図では、これまで説明した箇所と同一箇所には同一符合を付している。ここでは、図１、図２及び図４を参照して説明した例と異なる点について説明し、説明のない事項はこれらの図の例と同様である。
【００３１】
図６の例では、上述の低壁絶縁部３３に換えて、低壁絶縁部１３３が形成されている。低壁絶縁部１３３は、低壁絶縁部３３と同様に、一対の壁電極部２１ａが対向する方向における幅が第２基板５０に向かって徐々に小さくなるように形成されている。特にこの例では、低壁絶縁部１３３の延伸方向に対して直交する低壁絶縁部１３３の切断面は台形である。したがって、低壁絶縁部１３３の上面（液晶層４０側の面）の幅は、当該低壁絶縁部１３３の底幅よりも小さい。第２電極２２は、低壁絶縁部１３３の外面に形成される中央電極部１２２ａを有している。すなわち、中央電極部１２２ａは、低壁絶縁部１３３の両斜面（両側面）と上面とに形成されている。したがって、中央電極部１２２ａの切断面も台形である。中央電極部１２２ａは、第１平面電極部２１ｂに形成されたスリット２１ｃから液晶層４０に向けて露出している。なお、中央電極部１２２ａも、中央電極部２２ａと同様に、絶縁膜３４によって覆われている。
【００３２】
この構造においても、低壁絶縁部１３３及び中央電極部１２２ａのアスペクト比を低減しながら、すなわち低壁絶縁部１３３及び中央電極部１２２ａの底幅を確保しながら、鉛直方向の電界が中央電極部１２２ａの上方に形成されることを抑えることができる。また、低壁絶縁部の断面が図３（ａ）で示したように長方形である場合には、低壁絶縁部の底幅が大きくなるに従って光の透過率は低下する。これに対し、低壁絶縁部の断面が図６で示すように台形である場合には、低壁絶縁部の断面が長方形である場合に比して、底幅の増大に起因する光の透過率の低下を抑えることができる。
【００３３】
低壁絶縁部１３３の底幅は、例えばその高さよりも小さい。すなわち、中央電極部１２２ａの底幅は中央電極部１２２ａの高さよりも小さい。こうすることで、第１基板１０に対する中央電極部１２２ａの斜面の角度が大きくなる。その結果、中央電極部１２２ａと壁電極部２１ａとの間に水平な電界が形成され易くなる。また、中央電極部１２２ａの底幅は中央電極部１２２ａの高さよりも大きくてもよい。すなわち、低壁絶縁部１３３の底幅はその高さよりも大きくてもよい。こうすることで、中央電極部１２２ａ及び低壁絶縁部１３３のアスペクト比が小さくなり、これらを安定的に形成することが容易となる。
【００３４】
図７は液晶表示装置１のさらに別の変形例を示す断面図である。図７の切断面は図２と同様である。この図では第２基板５０は省略されている。この図では、これまで説明した箇所と同一箇所には同一符合を付している。ここでは、図１、図２、図４及び図６を参照して説明した例と異なる点について説明し、説明のない事項はこれらの図の例と同様である。
【００３５】
図７に示す例では、第１電極２１は、上述の壁電極部２１ａ及び第１平面電極部２１ｂに加えて、一対の斜面電極部１２１ｆを含んでいる。一対の斜面電極部１２１ｆは第１平面電極部２１ｂの縁から低壁絶縁部１３３に向けて張り出している。斜面電極部１２１ｆは低壁絶縁部１３３の両斜面にそれぞれ形成され、且つ、低壁絶縁部１３３の延伸方向に伸びている。そして、斜面電極部１２１ｆは第２電極１２２を覆う絶縁膜３４を挟んで中央電極部１２２ａと向き合っている。斜面電極部１２１ｆの高さは中央電極部１２２ａの高さよりも低い。そのため、中央電極部１２２ａの上部は、一対の斜面電極部１２１ｆの上縁の間から、液晶層４０に向けて露出している。この構造によれば、斜面電極部１２１ｆと中央電極部１２２ａの上部との間にフリンジ電界が発生しやすくなる。その結果、中央電極部１２２ａの上側に位置する液晶層４０がさらに回転しやすくなり、画素の光の透過率をさらに向上できる。
【００３６】
液晶表示装置１の各画素はマルチドメイン構造を有してもよい。図８はこの例の画素を示す平面図である。この図では、これまで説明した箇所と同一箇所には同一符合を付している。なお、この図では、走査信号線１２及び映像信号線１１は省略されている。
【００３７】
図８に示す例では、各画素は映像信号線１１の延伸方向において２分される２つの領域Ａ１，Ａ２を有している。そして、一方の領域Ａ１では、高壁絶縁部３２、壁電極部２１ａ、低壁絶縁部３３、及び中央電極部２２ａは、液晶分子の初期配向方向に対して直交する方向Ｄに傾斜している。他方の領域Ａ２においても、高壁絶縁部３２、壁電極部２１ａ、低壁絶縁部３３、及び中央電極部２２ａは、方向Ｄに傾斜している。このような構造によれば、図１に示す例に比して、視野角を広げることが可能となる。なお、図８に示すマルチドメイン構造の例においても、低壁絶縁部３３は、三角形の断面を有してもよいし、台形の断面を有してもよい。また、第１電極２１は、斜面電極部２１ｆ，１２１ｆを含んでもよい。
【００３８】
なお、本発明は以上説明した液晶表示装置１に限られず、種々の変更が可能である。
【００３９】
例えば、第１電極２１が共通電極として機能し、第２電極２２が画素電極として機能してもよい。この場合、第２電極２２とソース電極１４とをつなぐスルーホールｈが絶縁膜３６に形成されてよい。
【００４０】
また、低壁絶縁部３３及び中央電極部２２ａの断面は三角形や台形でなくてもよい。例えば、これらの断面の頂部は丸まっていてよい。
【００４１】
また、第２電極２２は、必ずしも、壁電極部２２ｃを含んでいなくてもよい。
【００４２】
また、第２電極２２は、必ずしも、第２平面電極部２２ｂを含んでいなくてもよい。この場合、第１電極２１は第１平面電極部２１ｂを含んでいなくてもよい。
【００４３】
また、第１電極２１の第１平面電極部２１ｂは、必ずしも、低壁絶縁部３３まで達していなくてもよい。
【００４４】
また、高壁絶縁部３２及び低壁絶縁部３３は必ずしも形成されなくてもよい。例えば、低壁絶縁部３３が形成されている部分も、中央電極部２２ａの材料によって構成されてよい。高壁絶縁部３２が形成されている部分も、壁電極部２１ａの材料によって構成されてもよい。
【符号の説明】
【００４５】
１  液晶表示装置、１０  第１基板、１１  映像信号線（ドレイン電極線）、１１ａ  ドレイン電極、１２  走査信号線、１３  半導体層、１４  ソース電極、２１ａ  壁電極部、２１ｃ  スリット、２１ｆ，１２１ｆ  斜面電極部、２２ａ，１２２ａ  中央電極部、２２ｃ  壁電極部、２２ｅ  傾斜部、３１  ゲート絶縁膜、３２，１３２  高壁絶縁部、３３，１３３  低壁絶縁部、３４，３５，３６  絶縁膜、４０  液晶層、５１  カラーフィルタ、５２  ブラックマトリクス、５３  オーバーコート層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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