(57)【要約】【課題】目の疲労を軽減可能な新規な発光デバイスを提供する。【解決手段】紫外から青色領域で発光する発光素子１５と、前記発光素子からの紫外から青色領域の光を吸収し、シアン色に発光する第１の蛍光体１３と、前記発光素子からの紫外から青色領域の光を吸収し、赤色に発光する第２の蛍光体１４と、前記発光素子を覆う封止体１２と、を含む発光デバイスとする。【選択図】図１
2014060283.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
紫外から青色領域で発光する発光素子と、
前記発光素子からの紫外から青色領域の光を吸収し、シアン色に発光する第１の蛍光体と、
前記発光素子からの紫外から青色領域の光を吸収し、赤色に発光する第２の蛍光体と、
前記発光素子を覆う封止体と、
を含む、発光デバイス。
【請求項２】
前記発光素子が、３８０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の範囲に発光ピーク波長を有する請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項３】
前記発光素子が、非極性面または半極性面である成長面を有する窒化物半導体から形成される発光層を備える請求項２に記載の発光デバイス。
【請求項４】
前記第１の蛍光体が、前記発光素子からの紫外から青色領域の光を吸収して、４８０ｎｍ以上５２０ｎｍ以下に最大の発光ピーク波長を有する光を発する請求項１から３の何れかに記載の発光デバイス。
【請求項５】
前記第２の蛍光体が、前記発光素子からの紫外から青色領域の光を吸収して、５９０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下に最大の発光ピーク波長を有する光を発する請求項１から４の何れかに記載の発光デバイス。
【請求項６】
前記発光デバイスからの出射光において、３８０ｎｍ以上８３０ｎｍ以下の発光エネルギーに対する、３８０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の発光エネルギーの割合が１０％以下となる請求項１から５の何れかに記載の発光デバイス。
【請求項７】
前記第１の蛍光体が、発光中心としてＥｕ2+を用いた蛍光体である請求項１から６の何れかに記載の発光デバイス。
【請求項８】
前記第１の蛍光体が、Ｍ2ＭｇＳｉ2Ｏ7：Ｅｕ2+（Ｍ＝Ｂａ，ＳｒおよびＣａから選ばれる少なくとも１種）の組成式で表される蛍光体である請求項１から７の何れかに記載の発光デバイス。
【請求項９】
前記発光素子の紫外から青色領域での発光の少なくとも一部を吸収するフィルターを、さらに備える請求項１から８の何れかに記載の発光デバイス。
【請求項１０】
請求項１から９の何れかに記載の発光デバイスを備えたフラッシュライトと、
前記フラッシュライトからの光で照射された対象物からの反射光が入射するレンズと、
を備えた、撮像装置。
【請求項１１】
請求項１から９の何れかに記載の発光デバイスを備えた光源部を備えた、照明装置。
【請求項１２】
請求項１から９の何れかに記載の発光デバイスを含むバックライトを備えた、液晶ディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は白色発光デバイスに関する。本発明はまた、これを用いた撮像装置、照明装置および液晶ディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、省エネルギーの観点から、白色ＬＥＤ（Light Emitting Diode）が広く用いられるようになってきている。
【０００３】
現在の一般的な白色ＬＥＤは、青色発光素子（青色ＬＥＤチップ）と蛍光体を組み合わせた構成を有している。このような一般的な白色ＬＥＤでは、青色ＬＥＤチップからの光の一部を蛍光体で色変換し、青色ＬＥＤチップからの青色光と蛍光体からの発光とを混色して白色光が作り出されている。その具体例として、特許文献１には、青色ＬＥＤチップを、黄色蛍光体を含む樹脂でモールドした発光装置が開示されており、当該発光装置では、青色ＬＥＤチップからの発光の一部を黄色蛍光体が吸収して黄色光に変換し、青色ＬＥＤチップからの青色光と、黄色蛍光体からの黄色光が混色されることにより、白色光が作り出されている。
【０００４】
しかしながら、このような従来の青色発光素子（ＬＥＤチップ）と蛍光体を組み合わせた白色ＬＥＤでは、眼精疲労などの目の疲労が考慮されておらず、眼精疲労などの目の疲労を軽減する発光デバイスが求められていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第３５０３１３９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで本発明は、目の疲労を軽減可能な新規な発光デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、紫外から青色領域で発光する発光素子と、
前記発光素子からの紫外から青色領域の光を吸収し、シアン色に発光する第１の蛍光体と、
前記発光素子からの紫外から青色領域の光を吸収し、赤色に発光する第２の蛍光体と、
前記発光素子を覆う封止体と、
を含む、発光デバイスである。
【発明の効果】
【０００８】
本開示の発光デバイスによれば、眼精疲労などの目の疲労を軽減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明のＬＥＤ装置の一実施形態を示す模式的な断面図である。
【図２】（ａ）から（ｄ）は、図１に示すＬＥＤ装置の製造工程を示す図である。
【図３】本発明のＬＥＤ装置の別の一実施形態を示す模式的な断面図である。
【図４】本発明のＬＥＤ装置のまた別の一実施形態を示す模式的な断面図である。
【図５】本発明のＬＥＤ装置がフィルターを備える場合の一実施形態を示す模式的な断面図である。
【図６】比較例１および２のＬＥＤ装置を示す模式的な断面図である
【図７】実施例２で用いたフィルターの透過スペクトルである。
【図８】実施例１の発光スペクトルである。
【図９】実施例２の発光スペクトルである。
【図１０】実施例３の発光スペクトルである。
【図１１】実施例４の発光スペクトルである。
【図１２】実施例５の発光スペクトルである。
【図１３】比較例１の発光スペクトルである。
【図１４】比較例２の発光スペクトルである。
【図１５】ＬＥＤチップの構成の一例を示す説明図である。
【図１６】本発明の実施形態３にかかる撮像装置の一例を示す説明図である。
【図１７】本発明の実施形態４にかかる照明装置の一例を示す説明図である。
【図１８】本発明の実施形態５にかかる液晶ディスプレイ装置の一例を示す概観図である。
【図１９】液晶ディスプレイ装置の構成の一例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、特定の実施形態を挙げて本発明を詳細に説明するが、当然ながら本発明はこれらの実施形態に限定されるものでなく、本発明の技術的範囲を逸脱しない範囲で適宜変更して実施することができる。
【００１１】
本発明の一実施形態は、紫外から青色領域で発光する発光素子と、
前記発光素子からの紫外から青色領域の光を吸収し、シアン色に発光する第１の蛍光体と、
前記発光素子からの紫外から青色領域の光を吸収し、赤色に発光する第２の蛍光体と、
前記発光素子を覆う封止体と、
を含む、発光デバイスである。
【００１２】
当該実施形態の一態様では、前記発光素子が、３８０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の範囲に発光ピーク波長を有する。
【００１３】
当該実施形態の一態様では、前記発光素子が、非極性面または半極性面である成長面を有する窒化物半導体から形成される発光層を備える。
【００１４】
当該実施形態の一態様では、前記第１の蛍光体が、前記発光素子からの紫外から青色領域の光を吸収して、４８０ｎｍ以上５２０ｎｍ以下に最大の発光ピーク波長を有する光を発する。
【００１５】
当該実施形態の一態様では、前記第２の蛍光体が、前記発光素子からの紫外から青色領域の光を吸収して、５９０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下に最大の発光ピーク波長を有する光を発する。
【００１６】
当該実施形態の一態様では、前記発光デバイスからの出射光において、３８０ｎｍ以上８３０ｎｍ以下の発光エネルギーに対する、３８０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の発光エネルギーの割合が１０％以下となる。
【００１７】
当該実施形態の一態様では、前記第１の蛍光体が、発光中心としてＥｕ2+を用いた蛍光体であり、例えば、Ｍ2ＭｇＳｉ2Ｏ7：Ｅｕ2+（Ｍ＝Ｂａ，ＳｒおよびＣａから選ばれる少なくとも１種）の組成式で表される蛍光体である。
【００１８】
当該実施形態の一態様では、前記発光素子の紫外から青色領域での発光の少なくとも一部を吸収するフィルターを、さらに備える。
【００１９】
本発明の別の実施形態は、上記の発光デバイスを備えたフラッシュライトと、
前記フラッシュライトからの光で照射された対象物からの反射光が入射するレンズと、
を備えた、撮像装置である。
【００２０】
本発明のまた別の実施形態は、上記の発光デバイスを備えた光源部を備えた、照明装置である。
【００２１】
本発明のさらにまた別の実施形態は、上記の発光デバイスを含むバックライトを備えた、液晶ディスプレイ装置である。
【００２２】
青色光は、眼精疲労等の目の疲労などを引き起こすと言われており、さらに光が短波長になるほどエネルギーが高くなるため、目の疲労などをより引き起こしやすいと考えられている。
【００２３】
従来の白色ＬＥＤでは、ＬＥＤチップからの青色光と蛍光体からの発光の混色により白色を作り出していたために、疲れ目などの原因となる青色光を発光デバイスより出射する必要があった。例えば、特許文献１の白色ＬＥＤでは、青色ＬＥＤチップからの青色光を吸収して黄色蛍光体が発する黄色光と、青色ＬＥＤチップからの青色光を混色して白色光を得ており、青色ＬＥＤチップが発する青色光を発光デバイスより出射する必要があった。
【００２４】
これに対し、本発明では、紫外〜青色領域の光を発するＬＥＤチップと、紫外〜青色領域の光をシアン光に変換する蛍光体および紫外〜青色領域の光を赤色光に変換する蛍光体とを組み合わせて使用する。本発明においては、これら２種類の蛍光体が発する光の成分のみによって白色光を作り出すことができるために、紫外〜青色領域の光を発するＬＥＤチップを使用しているのにもかかわらず、紫外〜青色領域の光を、発光素子から出光させなくてもよい。
【００２５】
そのため、本発明の構成によれば、発光デバイスからの紫外〜青色領域の光の出射を従来よりも抑えることができ、これにより目の疲れおよび網膜への負担を軽減し、青色光を長期間浴び続けることによる眼精疲労や加齢黄斑変性などの眼病を抑制することができる。
【００２６】
また、上述のように光は短波長になるほどエネルギーが高くなって目の疲労などを引き起こしやすいと考えられているところ、本発明においては、白色光を作り出すのに使用する光が、青色よりも波長が長いシアン光であるために、青色蛍光体を使用する白色ＬＥＤよりも目の疲労などを抑制する上で有利である。
【００２７】
さらに、従来の白色ＬＥＤでは、青色光を発光デバイスから出光させるためにＬＥＤチップを高い出力で発光させる必要があるが、本発明においては、ＬＥＤチップの発光を、発光デバイスより出光させなくてもよいため、エネルギー消費効率の面でも有利であると考えられる。
【００２８】
なお、本開示において白色とは、電球色、温白色および昼白色を含む。
【００２９】
（実施形態１）
以下、本発明の実施の形態にかかる発光デバイスについて、ＬＥＤチップを光源とするＬＥＤ装置を例に挙げて説明する。
【００３０】
図１は、本発明によるＬＥＤ装置の一実施形態を示す模式的な断面図である。図１に示すように、ＬＥＤ装置５１は、支持体２３と、ＬＥＤチップ１５と、ＬＥＤ封止体１２と、を備える。
【００３１】
支持体２３はＬＥＤチップ１５を支持する。本実施形態では、ＬＥＤ装置５１は面実装が可能な構造を備えているため、支持体２３は基板である。本実施形態は高輝度ＬＥＤ装置に用いることができる。ＬＥＤチップ１５で発生した熱を効率的に外部へ放散することができるよう、支持体２３は高い熱伝導率を有していてもよい。例えば、アルミナや窒化アルミニウムなどからなるセラミック基板を支持体２３として用いることができる。
【００３２】
ＬＥＤチップ１５には、紫外から青色領域で発光するものが用いられ、例えば、２００ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の範囲に発光ピーク波長を有するものが用いられる。ＬＥＤチップ１５として具体的には、ＬＥＤチップ１５には、青色ＬＥＤチップ、紫色ＬＥＤチップ、近紫外ＬＥＤチップ等が用いられる。ＬＥＤチップ１５の発光ピーク波長は、蛍光体を効率よく発光させる観点から、例えば、３８０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の範囲であってもよく、３８０ｎｍ以上４２０ｎｍ以下の範囲にあってもよい。
【００３３】
ＬＥＤチップ１５は、支持体２３上において、出射面１５ａが上になるように、半田２７などによって支持体２３に固定されている。また、ＬＥＤチップ１５はボンディングワイヤ２１によって支持体に設けられた電極２２に電気的に接続されている。
【００３４】
ＬＥＤチップ１５は、ＬＥＤ封止体１２で覆われており、ＬＥＤ封止体１２には、シリコーン樹脂が使用されている。第１の蛍光体１３および第２の蛍光体１４が、ＬＥＤ封止体１２中に分散している。
【００３５】
シリコーン樹脂には、半導体発光素子の封止樹脂として用いられる種々の化学式で規定される構造のシリコーン樹脂を用いることができる。シリコーン樹脂は、例えば、耐変色性が高いジメチルシリコーンを含んでいる。また、耐熱性の高いメチルフェニルシリコーン等もシリコーン樹脂として用いることができる。シリコーン樹脂は１種類の化学式で規定されるシロキサン結合による主骨格を持つ単独重合体であってもよいし、２種類以上の化学式で規定されるシロキサン結合を有する構造単位を含む共重合体や２種類以上のシリコーンポリマーのアロイであってもよい。本願明細書では、ＬＥＤ封止体１２中のシリコーン樹脂は硬化後の状態にある。したがって、ＬＥＤ封止体１２も硬化した状態にある。以下において説明するように、ＬＥＤ封止体１２は、未硬化のシリコーン樹脂を用いて作製することができる。シリコーン樹脂は、主剤および硬化剤を混合することにより硬化が促進される２液型であることが一般的である。しかし、熱硬化型、あるいは、光などのエネルギーを照射することによって硬化するエネルギー硬化型のシリコーン樹脂を用いることもできる。
【００３６】
なお、ＬＥＤ封止体１２には、シリコーン樹脂以外のものを使用してもよく、ガラス、エポキシ樹脂等を用いてもよい。また、ＬＥＤ装置５１が蛍光体１３および蛍光体１４を含む形態は上記に限られない。例えば、蛍光体１３および蛍光体１４は、ＬＥＤ封止体１２中に分散させずに、ＬＥＤ封止体１２上に蛍光体板の形態で配置してもよい。この場合、蛍光体板は、蛍光体１３および蛍光体１４を含有する。
【００３７】
＜蛍光体＞
蛍光体１３および蛍光体１４は、ＬＥＤチップ１５から出射される紫外から青色領域の光のうち、一部の波長成分あるいは、すべての波長成分を吸収し、蛍光を発する。吸収する光の波長および蛍光の波長は蛍光体１３および蛍光体１４に含まれる蛍光材料の種類によって決まる。例えば、ＬＥＤチップ１５として、青色ＬＥＤチップ、紫色ＬＥＤチップなどを用い、蛍光体１３として、Ｍ2ＭｇＳｉ2Ｏ7：Ｅｕ2+（Ｍ＝Ｂａ，ＳｒおよびＣａから選ばれる少なくとも１種）蛍光体を用いることができる。この場合、蛍光体１３は、ＬＥＤチップ１５から出射する青色光、紫色光などを吸収し、シアン色の蛍光を発する。蛍光体１４として、ＣａＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ2+蛍光体を用いることができる。この場合、蛍光体１４は、ＬＥＤチップ１５から出射する青色光、紫色光などを吸収し、赤色の蛍光を発する。このため、蛍光体１３および蛍光体１４から発したシアン色と赤色の蛍光とが混合され、白色光がＬＥＤ装置５１から出射される。
【００３８】
蛍光体１３は、例えば、最大の発光ピークの波長が４８０ｎｍ以上５２０ｎｍ以下であってもよい。また、蛍光体１３は、例えば、４８０ｎｍ以上５２０ｎｍ以下の発光エネルギーが３８０ｎｍ以上８３０ｎｍ以下の発光エネルギーの３５％以上であってもよい。
【００３９】
蛍光体１４は、例えば、最大の発光ピークの波長が５９０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下であってもよい。また、蛍光体１４は、例えば、５９０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の発光エネルギーが３８０ｎｍ以上８３０ｎｍ以下の発光エネルギーの４５％以上であってもよい。
【００４０】
蛍光体１３としては、Ｍ2ＭｇＳｉ2Ｏ7：Ｅｕ2+（Ｍ＝Ｂａ，ＳｒおよびＣａから選ばれる少なくとも１種）蛍光体以外に、例えば、ＳｒＳｉ5ＡｌＯ2Ｎ7：Ｅｕ2+、ＢａＳｉ2Ｏ2Ｎ2：Ｅｕ2+、ＢａＡｌ2Ｏ4：Ｅｕ2+、ＢａＺｒＳｉ3Ｏ9：Ｅｕ2+、Ｍ2ＳｉＯ4：Ｅｕ2+(Ｍ＝Ｂａ，ＳｒおよびＣａから選ばれる少なくとも１種)、Ｍ2ＳｉＳ4：Ｅｕ2+(Ｍ＝Ｂａ，ＳｒおよびＣａから選ばれる少なくとも１種)などの、発光中心としてＥｕ2+を用いた蛍光体を用いることができる。また、ＣａＳｉ12-(m+n)Ａｌ(m+n)ＯnＮ16-n：Ｃｅ3+を用いることもできる。
【００４１】
蛍光体１４としては、ＣａＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ2+蛍光体以外に、例えば、ＳｒＡｌＳｉ4Ｏ7：Ｅｕ2+、Ｍ2Ｓｉ5Ｎ8：Ｅｕ2+(Ｍ＝Ｂａ，ＳｒおよびＣａから選ばれる少なくとも１種)、ＭＳｉＮ2:Ｅｕ2+(Ｍ＝Ｂａ，ＳｒおよびＣａから選ばれる少なくとも１種)、ＭＳｉ2Ｏ2Ｎ2:Ｙｂ2+(Ｍ＝Ｂａ，ＳｒおよびＣａから選ばれる少なくとも１種)、Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ3+,Ｓｍ3+、Ｌａ2Ｏ2Ｓ:Ｅｕ3+,Ｓｍ3+、ＣａＷＯ4:Ｌｉ1+,Ｅｕ3+,Ｓｍ3+、Ｍ2ＳｉＳ4：Ｅｕ2+(Ｍ＝Ｂａ，ＳｒおよびＣａから選ばれる少なくとも１種)、ＬａＣｕＯ2-σ：Ｅｕ3+,Ｂａ2+、などを用いることができる。
【００４２】
また、蛍光体１３および１４の粒子径は、例えば、それぞれ１μｍ以上３０μｍ以下である。また、蛍光体１３および蛍光体１４は、例えば、封止体１００重量部に対して、３重量部以上７０重量部以下の割合でＬＥＤ封止体１２に含まれている。蛍光体１３および１４の含有量が３重量部よりも少ない場合、十分な強度の蛍光が得られないため、所望の波長の光を発光するＬＥＤ装置５１を実現できなくなる場合があるからである。蛍光体１３と蛍光体１４の重量比は、所望する白色光の色調と、蛍光体１３および蛍光体１４の発光強度に応じて適宜決定することができる。
【００４３】
蛍光体は公知方法に従って製造することができる。
【００４４】
具体的には、酸化物蛍光体を作製する場合、原料としては、高純度（純度９９％以上）の水酸化物、蓚酸塩、硝酸塩など、焼成により酸化物になる化合物かまたは、高純度（純度９９％以上）の酸化物を用いることができる。また、酸窒化物蛍光体および窒化物蛍光体を作製する場合、上述の原料に加え、高純度（純度９９％以上）の窒化物を用いることができる。
【００４５】
ここで、反応を促進するために、フッ化物（フッ化アルミニウム等）や塩化物（塩化アルミニウム等）を少量添加することができる。
【００４６】
蛍光体の製造は、上記の原料を混合し、焼成して行うが、原料の混合方法としては、溶液中での湿式混合でも乾燥粉体の乾式混合でもよく、工業的に通常用いられるボールミル、媒体撹拌ミル、遊星ミル、振動ミル、ジェットミル、Ｖ型混合機、攪拌機等を用いることができる。
【００４７】
混合粉体の焼成方法は、蛍光体の組成系により異なる。例えば、蛍光体の焼成は、大気中や還元性雰囲気下において１１００〜１５００℃の温度範囲で１〜５０時間程度行う。
【００４８】
焼成に用いる炉は、工業的に通常用いられる炉を用いることができ、プッシャー炉等の連続式またはバッチ式の電気炉やガス炉を用いることができる。
【００４９】
得られた蛍光体粉末を、ボールミルやジェットミルなどを用いて再度粉砕し、さらに必要に応じて洗浄あるいは分級することにより、蛍光体粉末の粒度分布や流動性を調整することができる。
【００５０】
＜ＬＥＤチップ＞
上述した例では、ＬＥＤチップはワイヤボンディングされていたが、本実施形態で用いられるＬＥＤチップは他の構成であってもよい。すなわち、本実施形態で用いられるＬＥＤチップは、フェイスアップで実装されるものであっても、フリップチップで実装されるものであってもよい。また本実施形態で用いられるＬＥＤチップは、一般的な極性面（ｃ面）の成長面を有する窒化物半導体から形成される発光層を備えるものであってもよい。また、非極性面または半極性面（ｍ面、−ｒ面、（２０−２１）、（２０−２−１）、（１０−１−３）、（１１−２２）面など）の成長面を有する窒化物半導体から形成される発光層を備えるものであってもよい。非極性面または半極性面を成長面とするＬＥＤチップにより、ピエゾ電界の影響を低減して波長３８０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下（特に波長３８０ｎｍ以上４２０ｎｍ以下）の光を効率よく発生させることができる。以下、ｍ面を成長面とする窒化物半導体から形成される発光層を備えるＬＥＤチップを例に挙げて説明する。
【００５１】
図１５は、ＬＥＤチップの構成の一例を示す説明図である。本実施形態で用いられるＬＥＤチップ１５は、基板４０１と、ｎ型層４０２と、発光層４０５と、ｐ型層４０７と、ｎ側電極４０８と、ｐ側電極４０９と、を備える。基板４０１は、例えば、主面がｍ面であるＧａＮ基板である。基板４０１として、表面にｍ面ＧａＮ層が形成されたｍ面ＳｉＣ基板、ｍ面ＧａＮ層が形成されたｒ面サファイア基板、またはｍ面サファイア基板を用いてもよい。例えば、ｎ型層４０２は、基板４０１の上に設けられ、発光層４０５は、ｎ型層４０２とｐ型層４０７の間に配置される。発光層４０５とｐ型層４０７との間にアンドープ層４０６を設けてもよい。ｎ型層４０２、発光層４０５、アンドープ層４０６およびｐ型層４０７は、例えば、成長面がｍ面の窒化ガリウム系化合物半導体層である。ｎ型層４０２は、例えば、Ｓｉがドープされたｎ型ＡｌxＧａyＩｎzＮ（０≦ｘ，ｙ，ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）層である。発光層４０５は、例えば、複数のＧａＮ障壁層４０３および複数のＩｎＧａＮ井戸層４０４を有する多重量子井戸活性層である。なお、発光層４０５は、１つのＩｎＧａＮ井戸層４０４が２つのＧａＮ障壁層４０３によって挟まれた単一量子井戸活性層であってもよい。ｐ型層４０７は、例えば、Ｍｇがドープされたｐ型ＡｌlＧａmＩｎnＮ（０≦ｌ，ｍ，ｎ≦１、ｌ＋ｍ＋ｎ＝１）層である。ｎ側電極４０８は、ｎ型層４０２に接するように設けられる。ｐ側電極４０９は、ｐ型層４０７に接するように設けられる。
【００５２】
本明細書における「ｍ面」は、±５°の範囲内でｍ面（傾斜していない場合のｍ面）から何れかの方向に傾斜している面およびステップ状の複数のｍ面領域を有する面を含む。傾斜角度は、発光層４０５の成長面の法線とｍ面の法線とが形成する角度により規定される。傾斜角度θの絶対値は、ｃ軸方向において５°以下、または１°以下の範囲であってもよい。また、a軸方向において５°以下、または１°以下の範囲であってもよい。このような僅かな傾きがあっても、ピエゾ電界による内部量子効率低下を十分抑制することができる。また、成長面がｍ面から僅かに傾斜する場合、当該成長面は、全体的にｍ面から傾斜しているが、微視的には１から数原子の高さの段差を有するステップ状の複数のｍ面領域によって構成される。よって、ｍ面から絶対値で５°以下の角度で傾斜した面、または複数のｍ面ステップを有する面である成長面を有する窒化物半導体は、傾きの無いｍ面を成長面とする窒化物半導体と同様の性質を有すると考えられる。
【００５３】
次に、本実施形態で用いられるＬＥＤチップの製造方法の一例を説明する。まず、窒化物半導体を成長させる前に、基板４０１をバッファードフッ酸溶液（ＢＨＦ）で洗浄し、その後十分に水洗して乾燥する。基板４０１は洗浄後、なるべく空気に触れさせないようにして、ＭＯＣＶＤ装置の反応室に載置する。その後、アンモニア（ＮＨ3）、窒素、水素などのガスを供給しながら基板をおよそ８５０℃まで加熱して基板表面をクリーニング処理する。
【００５４】
窒化ガリウム系化合物半導体層の成長は、例えば、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で行う。トリメチルガリウム（ＴＭＧ）またはトリエチルガリウム（ＴＥＧ）、さらにシラン（ＳｉＨ4）を供給し、基板４０１を１１００℃程度に加熱してｎ型層４０２を堆積する。シランはｎ型ドーパントであるＳｉを供給する原料ガスである。次にＳｉＨ4の供給を止め、基板の温度を８００℃未満まで降温してＧａＮ障壁層４０３を堆積する。さらにトリメチルインジウム（ＴＭＩ）の供給を開始してＩｎＧａＮ井戸層４０４を堆積する。ＧａＮ障壁層４０３とＩｎＧａＮ井戸層４０４を２周期以上で交互に堆積することで、発光層４０５を形成する。２周期以上とすることにより、大電流駆動時において井戸層内部のキャリア密度が過剰に大きくなることを防ぎ、またオーバーフローするキャリアの数を減らすことができる。ＩｎＧａＮ井戸層４０４は厚さが３ｎｍ以上２０ｎｍ以下となるように成長時間を調整して堆積をおこなってもよい。さらに、ｍ面成長により、ピエゾ電界の影響を抑制できるので、井戸層の厚さを６ｎｍ以上にすることができる。これにより発光効率のドループを低減することができる。また、厚さが２０ｎｍ以下であることにより、ＩｎＧａＮ井戸層を均一に形成することができる。また、ＧａＮ障壁層４０３の厚さが６ｎｍ以上４０ｎｍ以下となるように成長時間を調整して堆積をおこなってもよい。厚さが６ｎｍ以上であることにより、ＩｎＧａＮ井戸層４０４に対する障壁をより確実に形成することができる。また、厚さが４０ｎｍ以下であることにより、動作電圧を低くすることができる。ＩｎＧａＮ井戸層４０４のＩｎ量を調整することにより、３８０ｎｍから４６０ｎｍの所望の発光波長に設定することができる。
【００５５】
次に、発光層４０５の上に、アンドープ層４０６として、例えば厚さ３０ｎｍのアンドープＧａＮ層を堆積する。次いで、アンドープ層４０６の上に、ｐ型層４０７を形成する。ｐ型層４０７は、ＴＭＧ、ＮＨ3、ＴＭＡ、ＴＭＩおよびｐ型不純物原料としてＣｐ2Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を供給することにより形成される。ｐ型層４０７は、例えば、厚さ５０ｎｍ程度のｐ−Ａｌ0.14Ｇａ0.86Ｎ層と、厚さ１００ｎｍ程度のｐ−ＧａＮ層からなる。ｐ型層４０７の上部は、Ｍｇ濃度を高めたコンタクト層であってもよい。
【００５６】
その後、塩素系ドライエッチングを行うことにより、ｐ型層４０７、アンドープ層４０６、活性層４０５、およびｎ型層４０２の一部を除去して凹部を形成し、ｎ型層４０２を露出させる。次いで、凹部の底部に、ｎ側電極４０８を形成する。さらに、ｐ型層４０７の上に、ｐ側電極４０９を形成する。
【００５７】
＜ＬＥＤ装置の製造方法＞
次に、ＬＥＤ装置５１の製造方法の一例について説明するが、ＬＥＤ装置５１の製造方法は以下に限られない。
【００５８】
未硬化のシリコーン樹脂に蛍光体１３および蛍光体１４を分散させることにより、未硬化のＬＥＤ封止樹脂混合物を調製する。この際、使用するシリコーン樹脂が２液を混合することにより硬化するタイプである場合には、未硬化のシリコーン樹脂はＡ液およびＢ液を含む。
【００５９】
次に図２（ａ）に示すように所望の形状を有する金型９に、未硬化のＬＥＤ封止樹脂混合物１７を充填する。未硬化のＬＥＤ封止樹脂混合物１７中に気泡などが生じている場合には、必要に応じて真空脱泡装置などで脱泡を行う。また、図２（ｂ）に示すように、出射面１５ａが上になるように、支持体２３に半田２７などでＬＥＤチップ１５を固定し、電極２２とＬＥＤチップ１５とをボンディングワイヤ２１によって接続する。その後ＬＥＤチップ１５が金型９内の未硬化のＬＥＤ封止樹脂混合物１７に埋まるように支持体２３を金型９に対して配置し、ＬＥＤ封止樹脂混合物１７を硬化させる。例えば、図２（ｃ）に示すように、金型９をつけた状態でＬＥＤ封止樹脂混合物１７を加熱し、仮硬化させた後、金型９を取り外し、さらにＬＥＤ封止樹脂混合物１７を硬化させる。これにより、ＬＥＤチップ１５の少なくとも出射面１５ａがＬＥＤ封止体１２で覆われ、蛍光体１３および１４がＬＥＤ封止体１２に分散したＬＥＤ装置５１が完成する。
【００６０】
上述したように、本実施形態によれば、シアン色に発光する蛍光体１３および赤色に発光する蛍光体１４を用いて白色光を生成するので、ＬＥＤ装置５１からの紫外〜青色領域の光の出射を従来よりも抑えることができ、目の疲れ等を低減することができる。特に、ＬＥＤ装置５１からの出射光において、３８０ｎｍ以上８３０ｎｍ以下の発光エネルギーに対する、３８０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の発光エネルギーの割合を１０％以下とすることが可能である。
【００６１】
（実施形態２）
本発明の実施形態２のＬＥＤ装置は、上述した実施形態１のＬＥＤ装置にＬＥＤチップの紫外から青色領域での発光の少なくとも一部を吸収するフィルターを付加したものである。図５は、実施形態２のＬＥＤ装置６１の構成を示す説明図である。実施形態１と同一の構成については同一の符号を付して説明を省略し、異なる部分のみ説明する。実施形態２のＬＥＤ装置６１は、実施形態１のＬＥＤ装置５１において、ＬＥＤ封止体１２を覆うようにフィルター３１を設けたものである。
【００６２】
フィルター３１は、例えば、光吸収層を有する単層または複層のフィルターであってよく、光吸収層は、例えば、マトリクス（例、ガラス、樹脂）中に光吸収物質が分散した構成を有する。また、フィルター３１は、例えば、３８０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の透過率の平均が６５％以下となるものである。
【００６３】
フィルター３１の位置は、ＬＥＤ封止体１２上に限らず、他の場所に設けてもよい。例えば、実施形態１のＬＥＤ装置５１を複数配列した装置の発光面上に設けてもよい。
【００６４】
本実施形態によれば、フィルター３１によって、蛍光体１３および１４に吸収されないＬＥＤチップ１５からの余剰の紫外〜青色領域の光を除去することができるので、目の疲れ等をさらに低減することができる。
【００６５】
なお、上記実施形態１および２で説明したＬＥＤ装置の構造は一例である。本実施形態のＬＥＤ装置は図１および図５に示す構造以外の構造を備えていてもよい。例えば、図３に示すように、ＬＥＤ装置は、図５に示す構造に加えて、ＬＥＤチップ１５から所定集光状態で、光を出射させるため、ＬＥＤチップ１５の周囲に設けられた反射鏡４１を備えていてもよい。また、ＬＥＤ封止体１２の表面に出射光の集光状態を調整するためのレンズ機能を備えた透明樹脂２４を設けてもよい。
【００６６】
また、上記実施形態のＬＥＤ装置では、ＬＥＤチップ１５は基板状の支持体に支持されていた。しかし、本実施形態のＬＥＤ装置は、リードフレームによってＬＥＤチップが支持されたＬＥＤ装置であってもよい。具体的には、図４に示すＬＥＤ装置は、凹部４２ｃが設けられた支持体であるリードフレーム４２ａとリードフレーム４２ｂとを備える。リードフレーム４２ａの凹部４２ｃの底部にはＬＥＤチップ１５が固定されている。凹部４２ｃの側面は反射鏡として機能する。蛍光体１３および１４が分散したＬＥＤ封止体１２は、凹部４２ｃを埋めるように設けられている。また、ＬＥＤチップ１５はリードフレーム４２ａ、４２ｂとボンディングワイヤ２１によって電気的に接続されている。さらに、リードフレーム４２ａの凹部４２ｃを含む上部全体が、砲弾形状を有する透明樹脂２４によって封止されている。
【００６７】
（実施形態３）
実施形態１および２のＬＥＤ装置は、撮像装置に用いることができる。図１６は、本発明の実施形態３にかかる撮像装置の一例を示す説明図である。実施形態３にかかる撮像装置６００は、レンズ６０１とフラッシュライト６０２とを備えている。撮像装置６００は、例えば、デジタルカメラ、携帯電話機、スマートフォンなどである。フラッシュライト６０２は、上述したＬＥＤ装置５１を備える。レンズ６０１には、フラッシュライト６０２からの光で照射された対象物からの反射光が入射する。入射した反射光は、例えば、撮像装置６００のイメージセンサーにより光電変換される。イメージセンサーからの電気信号は半導体記憶素子などの記録装置に画像データとして記録される。
【００６８】
（実施形態４）
実施形態１および２のＬＥＤ装置は、照明装置に用いることができる。図１７は、本発明の実施形態４にかかる照明装置の一例を示す説明図である。実施形態４にかかる照明装置７００は光源部７０１を備えている。照明装置７００は、例えば、スポットライト、シーリングライト、自動車用ヘッドライトなどである。光源部７０１は、上述したＬＥＤ装置５１を備える。本実施形態の構成によれば、用途に応じた高品質の光空間を提供することができる。
【００６９】
（実施形態５）
実施形態１および２のＬＥＤ装置は、液晶ディスプレイ装置に用いることができる。図１８は、本発明の実施形態５にかかる液晶ディスプレイ装置８００の概観図である。液晶ディスプレイ装置８００は、例えば、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）用モニター、ノート型パーソナルコンピュータ、テレビ、携帯情報端末（ＰＤＡ）、スマートフォン、タブレットＰＣ、携帯電話などである。
【００７０】
図１９は、液晶ディスプレイ装置８００の構成を示す説明図である。液晶ディスプレイ装置８００は、エッジライト型であってもよく、直下型であってもよく、他の構成であってもよいが、ここでは、エッジライト型を例に挙げて説明する。液晶ディスプレイ装置８００は、例えば、複数のＬＥＤ装置５１を含むバックライト８０１、８０２と、バックライトからの光を反射する反射板８０３と、反射板８０３で反射された光を導く導光板８０４と、導光板８０４からの光を用いて画像を表示する液晶パネル８０５と、を備えている。
【００７１】
本実施形態の構成によれば、液晶ディスプレイ装置の画面を長時間見る場合も、ＬＥＤ装置からの紫外から青色領域の出射光が低減されているので、眼精疲労などの目の疲労を軽減することができる。
【実施例】
【００７２】
以下、実施例および比較例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明は、これら実施例に限定されるものではない。
【００７３】
＜評価方法＞
以下の実施例および比較例で得たＬＥＤ装置のＣＩＥ色度座標と発光スペクトルを測光・測色装置（浜松ホトニクス社製）を用いて測定した。また、青色（３８０ｎｍから４６０ｎｍ）の発光割合を、３８０ｎｍ以上８３０ｎｍ以下の発光エネルギーに対する、３８０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の発光エネルギーの割合から求めた。
【００７４】
［実施例１］
＜蛍光体試料の作製＞
第１の蛍光体に用いた蛍光体の作製方法を以下に示す。出発原料として、ＢａＣＯ3、ＭｇＯ、ＳｉＯ2、Ｅｕ2Ｏ3を用い、これらを所定の量となるよう秤量し、遊星ボールミルを用いて、回転速度２００ｒｐｍで３０分間混合した。溶媒には水またはエタノールを使用した。この混合溶液を十分に乾燥させ、乾燥粉体をＨ2２％・Ｎ2９８％の混合ガス中で１１００℃〜１４００℃にて４時間焼成することでＢａ2ＭｇＳｉ2Ｏ7：Ｅｕ2+（ＢＭＳ）シアン色蛍光体を得た。また、第２の蛍光体には、市販品のＣａＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ2+（ＣＡＳＮ）赤色蛍光体を用いた。
【００７５】
＜ＬＥＤ装置の作製＞
次に、ジメチルシリコーン樹脂（信越化学製ＫＥＲ−２６００）Ａ剤を５ｇ、Ｂ剤を５ｇ、第１の蛍光体を５.１５ｇ、第２の蛍光体を３.０４ｇとなるよう秤量し、乳鉢にて混合した後、三本ロール混練機（ＥＸＡＫＴ製Ｍ５０）に５回通し、未硬化のＬＥＤ封止樹脂混合物を得た。
【００７６】
その後、この未硬化のＬＥＤ封止樹脂混合物を真空脱泡装置（日電アネルバ製）で５分脱泡を行った後、４０５ｎｍにピーク波長を持つＬＥＤチップ上に配置し、１５０℃で３０分間硬化を行い、図１に示すようなＬＥＤ装置を完成させた。上述の方法により作製したデバイスの、発光スペクトルを図８に示す。また、表１にＣＩＥ色度座標値と、青色（３８０ｎｍから４６０ｎｍ）の発光割合を示す。
【００７７】
［実施例２］
実施例１で作製したＬＥＤ装置の発光面に、フィルター（シグマ光機株式会社製ＳＣＦ−５０Ｓ−４４Ｙ）を設置し、図５に示すようなＬＥＤ装置を完成させた。使用したフィルターの透過スペクトルを図７に示す。上述の方法により作製したデバイスの、発光スペクトルを図９に示す。また、表１にＣＩＥ色度座標値と、青色（３８０ｎｍから４６０ｎｍ）の発光割合を示す。
【００７８】
［実施例３］
＜蛍光体試料の作製＞
第１の蛍光体に用いた蛍光体の作製方法を以下に示す。出発原料として、ＢａＣＯ3、ＣａＣＯ3、ＭｇＯ、ＳｉＯ2、Ｅｕ2Ｏ3を用い、これらを所定の量となるよう秤量し、遊星ボールミルを用いて、回転速度２００ｒｐｍで３０分間混合した。溶媒には水またはエタノールを使用した。この混合溶液を十分に乾燥させ、乾燥粉体をＨ2２％・Ｎ2９８％の混合ガス中で１１００℃〜１４００℃にて４時間焼成することで(Ｂａ,Ｃａ)2ＭｇＳｉ2Ｏ7：Ｅｕ2+（ＢＣＭＳ）シアン色蛍光体を得た。また、第２の蛍光体には、市販品のＣａＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ2+（ＣＡＳＮ）赤色蛍光体を用いた。
【００７９】
＜ＬＥＤ装置の作製＞
次に、ジメチルシリコーン樹脂（信越化学製ＫＥＲ−２６００）Ａ剤を５ｇ、Ｂ剤を５ｇ、第１の蛍光体を５.１５ｇ、第２の蛍光体を３.０４ｇとなるよう秤量し、乳鉢にて混合した後、三本ロール混練機（ＥＸＡＫＴ製Ｍ５０）に５回通し、未硬化のＬＥＤ封止樹脂混合物を得た。
【００８０】
その後、この未硬化のＬＥＤ封止樹脂混合物を真空脱泡装置（日電アネルバ製）で５分脱泡を行った後、４０５ｎｍにピーク波長を持つＬＥＤチップ上に配置し、１５０℃で３０分間硬化を行い、図１に示すようなＬＥＤ装置を完成させた。上述の方法により作製したデバイスの、発光スペクトルを図１０に示す。また、表１にＣＩＥ色度座標値と、青色（３８０ｎｍから４６０ｎｍ）の発光割合を示す。
【００８１】
［実施例４］
＜蛍光体試料の作製＞
第１の蛍光体に用いた蛍光体の作製方法を以下に示す。出発原料として、ＢａＣＯ3、ＭｇＯ、ＳｉＯ2、Ｅｕ2Ｏ3を用い、これらを所定の量となるよう秤量し、遊星ボールミルを用いて、回転速度２００ｒｐｍで３０分間混合した。溶媒には水またはエタノールを使用した。この混合溶液を十分に乾燥させ、乾燥粉体をＨ2２％・Ｎ2９８％の混合ガス中で１２００℃〜１５００℃にて４時間焼成することでＢａ2ＭｇＳｉ2Ｏ7：Ｅｕ2+（ＢＭＳ）シアン色蛍光体を得た。また、第２の蛍光体には、市販品の３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ2・ＧｅＯ2：Ｍｎ4+（ＭＦＧ）赤色蛍光体を用いた。
【００８２】
＜ＬＥＤ装置の作製＞
次に、ジメチルシリコーン樹脂（信越化学製ＫＥＲ−２６００）Ａ剤を５ｇ、Ｂ剤を５ｇ、第１の蛍光体を３.８５ｇ、第２の蛍光体を４.３４ｇとなるよう秤量し、乳鉢にて混合した後、三本ロール混練機（ＥＸＡＫＴ製Ｍ５０）に５回通し、未硬化のＬＥＤ封止樹脂混合物を得た。
【００８３】
その後、この未硬化のＬＥＤ封止樹脂混合物を真空脱泡装置（日電アネルバ製）で５分脱泡を行った後、４０５ｎｍにピーク波長を持つＬＥＤチップ上に配置し、１５０℃で３０分間硬化を行い、図１に示すようなＬＥＤ装置を完成させた。上述の方法により作製したデバイスの、発光スペクトルを図１１に示す。また、表１にＣＩＥ色度座標値と、青色（３８０ｎｍから４６０ｎｍ）の発光割合を示す。
【００８４】
［実施例５］
＜蛍光体試料の作製＞
第１の蛍光体に用いた蛍光体の作製方法を以下に示す。出発原料として、ＢａＣＯ3、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ｅｕ2Ｏ3を用い、これらを所定の量となるよう秤量し、遊星ボールミルを用いて、回転速度２００ｒｐｍで３０分間混合した。溶媒には水またはエタノールを使用した。この混合溶液を十分に乾燥させ、乾燥粉体をＨ2２％・Ｎ2９８％の混合ガス中で１２００℃〜１５００℃にて４時間焼成することでＢａＳｉ2Ｏ2Ｎ2：Ｅｕ2+（ＢａＳｉＯＮ）シアン色蛍光体を得た。また、第２の蛍光体には、市販品のＣａＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ2+（ＣＡＳＮ）赤色蛍光体を用いた。
【００８５】
＜ＬＥＤ装置の作製＞
次に、ジメチルシリコーン樹脂（信越化学製ＫＥＲ−２６００）Ａ剤を５ｇ、Ｂ剤を５ｇ、第１の蛍光体を４.８３ｇ、第２の蛍光体を３.３５ｇとなるよう秤量し、乳鉢にて混合した後、三本ロール混練機（ＥＸＡＫＴ製Ｍ５０）に５回通し、未硬化のＬＥＤ封止樹脂混合物を得た。
【００８６】
その後、この未硬化のＬＥＤ封止樹脂混合物を真空脱泡装置（日電アネルバ製）で５分脱泡を行った後、４０５ｎｍにピーク波長を持つＬＥＤチップ上に配置し、１５０℃で３０分間硬化を行い、図１に示すようなＬＥＤ装置を完成させた。上述の方法により作製したデバイスの、発光スペクトルを図１２に示す。また、表１にＣＩＥ色度座標値と、青色（３８０ｎｍから４６０ｎｍ）の発光割合を示す。
【００８７】
［比較例１］
蛍光体に市販品のＹ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ3+（ＹＡＧ）黄色蛍光体を用い、ジメチルシリコーン樹脂（信越化学製ＫＥＲ−２６００）Ａ剤を５ｇ、Ｂ剤を５ｇ、蛍光体１６を８.１８ｇの量となるよう秤量し、乳鉢にて混合した後、三本ロール混練機（ＥＸＡＫＴ製Ｍ５０）に５回通し、未硬化のＬＥＤ封止樹脂混合物を得た。
【００８８】
その後、この未硬化のＬＥＤ封止樹脂混合物を真空脱泡装置（日電アネルバ製）で５分脱泡を行った後、４４５ｎｍにピーク波長を持つＬＥＤチップ上に配置し、１５０℃で３０分間硬化を行い、図６に示すＬＥＤ装置を完成させた（参照符号１６は蛍光体を示す）。上述の方法により作製したデバイスの、発光スペクトルを図１３に示す。また、表１にＣＩＥ色度座標値と、青色（３８０ｎｍから４６０ｎｍ）の発光割合を示す。
【００８９】
［比較例２］
蛍光体に市販品のＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ2+（ＢＡＭ）青色蛍光体と、β−ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ2+（ＳｉＡｌＯＮ）緑色蛍光体と、市販品のＣａＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ2+（ＣＡＳＮ）赤色蛍光体とを用い、ジメチルシリコーン樹脂（信越化学製ＫＥＲ−２６００）Ａ剤を５ｇ、Ｂ剤を５ｇ、ＢＡＭを０.７４ｇ、ＳｉＡｌＯＮを２.２１ｇ、ＣＡＳＮを５.２４ｇとなるよう秤量し、乳鉢にて混合した後、三本ロール混練機（ＥＸＡＫＴ製Ｍ５０）に５回通し、未硬化のＬＥＤ封止樹脂混合物を得た。
【００９０】
その後、この未硬化のＬＥＤ封止樹脂混合物を真空脱泡装置（日電アネルバ製）で５分脱泡を行った後、４０５ｎｍにピーク波長を持つＬＥＤチップ上に配置し、１５０℃で３０分間硬化を行い、図６に示すＬＥＤ装置を完成させた（参照符号１６は蛍光体を示す）。上述の方法により作製したデバイスの、発光スペクトルを図１４に示す。また、表１にＣＩＥ色度座標値と、青色（３８０ｎｍから４６０ｎｍ）の発光割合を示す。
【００９１】
【表１】
2014060283.tif 000003
【００９２】
表１から明らかなように、実施例で作製したすべての試料において、青色発光割合が１０％以下となっていることがわかる。また、実施例２から明らかなように、フィルターを用いることにより、更に青色発光割合を低減できることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【００９３】
本発明の実施形態は、例えば、スポットライト、シーリングライト、自動車用ヘッドライトなどの照明装置、デジタルカメラ、携帯電話機、スマートフォンなどの撮像装置、およびパーソナルコンピュータ（ＰＣ）用モニター、ノート型パーソナルコンピュータ、テレビ、携帯情報端末（ＰＤＡ）、スマートフォン、タブレットＰＣ、携帯電話などの液晶ディスプレイ装置に用いることができる。
【符号の説明】
【００９４】
９    金型
１２  ＬＥＤ封止体
１３  第１の蛍光体
１４  第２の蛍光体
１５  ＬＥＤチップ
１７  ＬＥＤ封止樹脂混合物
２１  ボンディングワイヤ
２２  電極
２３  支持体
２４  透明樹脂
３１  フィルター
４１  反射鏡
５１，６１  ＬＥＤ装置
【図１】
2014060283.tif 000004
【図２】
2014060283.tif 000005
【図３】
2014060283.tif 000006
【図４】
2014060283.tif 000007
【図５】
2014060283.tif 000008
【図６】
2014060283.tif 000009
【図７】
2014060283.tif 000010
【図８】
2014060283.tif 000011
【図９】
2014060283.tif 000012
【図１０】
2014060283.tif 000013
【図１１】
2014060283.tif 000014
【図１２】
2014060283.tif 000015
【図１３】
2014060283.tif 000016
【図１４】
2014060283.tif 000017
【図１５】
2014060283.tif 000018
【図１６】
2014060283.tif 000019
【図１７】
2014060283.tif 000020
【図１８】
2014060283.tif 000021
【図１９】
2014060283.tif 000022