(57)【要約】【課題】発光素子の温度の上昇を低減できる発光素子用の電流バイパス回路を提供する。【解決手段】電源から供給される駆動電流により発光する発光部２の発光時に用いられる電流バイパス回路５０であって、発光部２に並列に接続され、サーミスタＰＴＣ１を備え、サーミスタＰＴＣ１の温度が第１温度のときに、第１電流値の電流を駆動電流から引き込み、サーミスタＰＴＣ１の温度が第１温度より高い第２温度のときに第１電流値よりも大きい第２電流値の電流を駆動電流から引き込む。【選択図】図３
2014146423.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源から供給される駆動電流により発光する発光部の発光時に用いられる電流バイパス回路であって、
前記発光部に並列に接続され、
サーミスタを備え、
前記サーミスタの温度が第１温度のときに、第１電流値の電流を前記駆動電流から引き込み、前記サーミスタの温度が前記第１温度より高い第２温度のときに前記第１電流値よりも大きい第２電流値の電流を前記駆動電流から引き込む
電流バイパス回路。
【請求項２】
さらに、前記発光部に並列に接続され、制御端子に前記サーミスタが接続されるスイッチング素子を備え、
前記サーミスタの温度が前記第１温度のときに、前記スイッチング素子をＯＦＦ状態とし、前記サーミスタの温度が前記第２温度のときに、前記スイッチング素子をＯＮ状態にすることによって前記第２電流値の電流を前記駆動電流から引き込む
請求項１に記載の電流バイパス回路。
【請求項３】
さらに、
一端が前記スイッチング素子のドレインに接続される第１の抵抗と、
一端が前記サーミスタの一端及び前記スイッチング素子の前記制御端子であるゲートに接続される第２の抵抗とを備え、
前記第２の抵抗の他端及び前記サーミスタの他端のいずれか一方は、前記発光部のアノードに接続され、
前記第２の抵抗の他端及び前記サーミスタの他端の他方は、前記発光部のカソードに接続され、
前記第１の抵抗の他端及び前記スイッチング素子のソースのいずれか一方は、前記発光部のアノードに接続され、
前記第１の抵抗の他端及び前記スイッチング素子のソースの他方は、前記発光部のカソードに接続される
請求項２に記載の電流バイパス回路。
【請求項４】
さらに、
一端が前記スイッチング素子のコレクタに接続される第１の抵抗と、
一端が前記サーミスタの一端及び前記スイッチング素子の前記制御端子であるベースに接続される第２の抵抗とを備え、
前記第２の抵抗の他端及び前記サーミスタの他端のいずれか一方は、前記発光部のアノードに接続され、
前記第２の抵抗の他端及び前記サーミスタの他端の他方は、前記発光部のカソードに接続され、
前記第１の抵抗の他端及び前記スイッチング素子のエミッタのいずれか一方は、前記発光部のアノードに接続され、
前記第１の抵抗の他端及び前記スイッチング素子のエミッタの他方は、前記発光部のカソードに接続される
請求項２に記載の電流バイパス回路。
【請求項５】
さらに、一端が前記サーミスタの一端に接続された抵抗を備え、
前記抵抗の他端及び前記サーミスタの他端のいずれか一方は、前記発光部のアノードに接続され、
前記抵抗の他端及び前記サーミスタの他端の他方は、前記発光部のカソードに接続される
請求項１に記載の電流バイパス回路。
【請求項６】
前記サーミスタの基準温度下での抵抗値を基準とした抵抗変化率は、前記サーミスタの温度が所定の温度を超えた場合に温度の上昇とともに指数関数的に増加する
請求項１〜４のいずれか１項に記載の電流バイパス回路。
【請求項７】
前記サーミスタは、正の温度特性を有する
請求項１〜４のいずれか１項に記載の電流バイパス回路。
【請求項８】
前記サーミスタは、負の温度特性を有する
請求項１〜５のいずれか１項に記載の電流バイパス回路。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の電流バイパス回路と、
前記発光部とを備える
照明用光源。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の電流バイパス回路と、
前記発光部とを備える
照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子の発光時に用いられる電流バイパス回路、及びこれを備える照明用光源及び照明装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）は、高効率及び長寿命であることから、従来から知られる、蛍光灯及び白熱電球のような照明装置等の各種装置における新しい光源として期待されている。このＬＥＤを用いた照明用光源の研究開発が進められている。また、これに伴い、ＬＥＤを駆動するための駆動回路の開発も進められている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−８６９４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような発光ダイオードを用いた照明装置では、発光ダイオードの発熱に伴う、温度の上昇を低減することが望まれている。このような温度の上昇は、照明装置の劣化の原因となるため、照明装置の寿命が縮まる。
【０００５】
そこで本発明は、発光素子の発光時に温度の上昇を低減できる電流バイパス回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る電流バイパス回路は、電源から供給される駆動電流により発光する発光部の発光時に用いられる電流バイパス回路であって、前記発光部に並列に接続され、サーミスタを備え、前記サーミスタの温度が第１温度のときに、第１電流値の電流を前記駆動電流から引き込み、前記サーミスタの温度が前記第１温度より高い第２温度のときに前記第１電流値よりも大きい第２電流値の電流を前記駆動電流から引き込む。
【０００７】
例えば、さらに、前記発光部に並列に接続され、制御端子に前記サーミスタが接続されるスイッチング素子を備え、前記サーミスタの温度が前記第１温度のときに、前記スイッチング素子をＯＦＦ状態とし、前記サーミスタの温度が前記第２温度のときに、前記スイッチング素子をＯＮ状態にすることによって前記第２電流値の電流を前記駆動電流から引き込んでもよい。
【０００８】
例えば、さらに、一端が前記スイッチング素子のドレインに接続される第１の抵抗と、一端が前記サーミスタの一端及び前記スイッチング素子の前記制御端子であるゲートに接続される第２の抵抗とを備え、前記第２の抵抗の他端及び前記サーミスタの他端のいずれか一方は、前記発光部のアノードに接続され、前記第２の抵抗の他端及び前記サーミスタの他端の他方は、前記発光部のカソードに接続され、前記第１の抵抗の他端及び前記スイッチング素子のソースのいずれか一方は、前記発光部のアノードに接続され、前記第１の抵抗の他端及び前記スイッチング素子のソースの他方は、前記発光部のカソードに接続されてもよい。
【０００９】
例えば、さらに、一端が前記スイッチング素子のコレクタに接続される第１の抵抗と、一端が前記サーミスタの一端及び前記スイッチング素子の前記制御端子であるベースに接続される第２の抵抗とを備え、前記第２の抵抗の他端及び前記サーミスタの他端のいずれか一方は、前記発光部のアノードに接続され、前記第２の抵抗の他端及び前記サーミスタの他端の他方は、前記発光部のカソードに接続され、前記第１の抵抗の他端及び前記スイッチング素子のエミッタのいずれか一方は、前記発光部のアノードに接続され、前記第１の抵抗の他端及び前記スイッチング素子のエミッタの他方は、前記発光部のカソードに接続されてもよい。
【００１０】
例えば、さらに、一端が前記サーミスタの一端に接続された抵抗を備え、前記抵抗の他端及び前記サーミスタの他端のいずれか一方は、前記発光部のアノードに接続され、前記抵抗の他端及び前記サーミスタの他端の他方は、前記発光部のカソードに接続されてもよい。
【００１１】
例えば、前記サーミスタの基準温度下での抵抗値を基準とした抵抗変化率は、前記サーミスタの温度が所定の温度を超えた場合に温度の上昇とともに指数関数的に増加してもよい。
【００１２】
例えば、前記サーミスタは、正の温度特性を有してもよい。
【００１３】
例えば、前記サーミスタは、負の温度特性を有してもよい。
【００１４】
また、本発明の一態様に係る照明用光源は、上記いずれかの態様の電流バイパス回路と、前記発光部とを備える。
【００１５】
また、本発明の一態様に係る照明装置は、上記いずれかの態様の電流バイパス回路と、前記発光部とを備える。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の電流バイパス回路によれば、発光素子の発光時に温度の上昇を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、実施の形態に係る駆動回路の回路構成を示す図である。
【図２】図２は、実施の形態に係るサーミスタの温度特性を示す図である。
【図３】図３は、実施の形態に係る電流バイパス回路の動作を説明するための図である。
【図４】図４は、負の温度特性を有するサーミスタを用いた電流バイパス回路の回路構成の一例を示す図である。
【図５】図５は、スイッチング素子としてバイポーラトランジスタを用いた電流バイパス回路の回路構成の一例を示す図である。
【図６】図６は、スイッチング素子としてＰチャネル型のＦＥＴを用いた電流バイパス回路の回路構成の一例を示す図である。
【図７】図７は、スイッチング素子としてＰチャネル型のＦＥＴを用い、かつ負の温度特性を有するサーミスタを用いた電流バイパス回路の回路構成の一例を示す図である。
【図８】図８は、スイッチング素子を備えない電流バイパス回路の回路構成を示す図である。
【図９】図９は、実施の形態に係る電球形ランプの外観斜視図である。
【図１０】図１０は、実施の形態に係る照明装置の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、実施の形態について、図面を参照しながら具体的に説明する。
【００１９】
なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、ステップ、ステップの順序などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、以下の実施の形態における構成要素のうち、最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
【００２０】
（回路構成）
まず、本実施の形態に係る電流バイパス回路の回路構成について、図１を用いて説明する。図１は、本実施の形態に係る電流バイパス回路を含む駆動回路の回路構成を示す図である。
【００２１】
図１に示すように、本実施の形態に係る駆動回路１は、ＬＥＤ２を点灯させるためのＬＥＤ用駆動回路（ＬＥＤ点灯回路）であって、第１の整流回路１０と、インバータ２０と、インバータ制御回路３０と、第２の整流回路４０と、電流バイパス回路５０とを備える。
【００２２】
駆動回路１は、交流電圧の入力を受けるための入力端子Ｐ１及びＰ２を有している。入力端子Ｐ１及びＰ２は、ＡＣ電源に接続されるとともに、第１の整流回路１０の入力端に接続されている。例えば、駆動回路１の入力端子Ｐ１及びＰ２には、壁スイッチを通じて商用の交流電源が接続される。なお、商用の交流電源とは、商用１００Ｖの交流電源、つまり家庭用のＡＣ電源である。また、入力端子Ｐ１及びＰ２は、例えば、交流電源が供給されるソケットに取り付けられる電球形ＬＥＤランプの口金等である。
【００２３】
また、駆動回路１は、直流電圧を出力するための出力端子Ｐ３及びＰ４を有している。出力端子Ｐ３及びＰ４は、ＬＥＤ２及び電流バイパス回路５０に接続されるとともに、第２の整流回路４０の出力端に接続されている。高電位側の出力端子Ｐ３は、ＬＥＤ２のアノード側に接続されており、低電位側の出力端子Ｐ４は、ＬＥＤ２のカソード側に接続されている。ＬＥＤ２は、駆動回路１から供給される直流電圧によって点灯する。
【００２４】
以下、本実施の形態に係る駆動回路１の各構成要素について、詳細に説明する。
【００２５】
まず、第１の整流回路１０について説明する。第１の整流回路１０（ＤＢ１）は、４つのダイオードで構成されるブリッジ型全波整流回路であって、入力側の２端子は入力端子Ｐ１及びＰ２を介してＡＣ電源に接続され、出力側の２端子は平滑コンデンサＣＤ１に接続されている。なお、平滑コンデンサＣＤ１は、第１の整流回路１０の出力電圧を安定化させるために設けられており、例えば、電解コンデンサである。なお、ここでは、１つの平滑コンデンサＣＤ１が用いられている例を示すが、入力端子Ｐ１と、第１の整流回路１０の２つの出力側の端子との間に、平滑コンデンサが１つずつ接続されていてもよい。
【００２６】
ＡＣ電源と第１の整流回路１０とを接続する配線には、電流ヒューズ素子ＦＳ（５６Ω）が直列に挿入されている。また、第１の整流回路１０の電圧出力端の負極とインバータ制御回路３０とを接続する配線には、スイッチングノイズを除去するノイズフィルタＮＦ（５ｍＨ）が挿入されている。
【００２７】
第１の整流回路１０は、例えば壁スイッチを通じて、商用の交流電源から交流電圧（例えば、５０又は６０Ｈｚ）を受けて、当該交流電圧を全波整流して直流電圧を出力する。第１の整流回路１０から出力される直流電圧は、平滑コンデンサＣＤ１によって平滑化されて直流の入力電圧Ｖｉｎとなる。入力電圧Ｖｉｎは、インバータ２０及びインバータ制御回路３０に供給される。
【００２８】
次に、インバータ２０について説明する。インバータ２０は、ＬＥＤ２を駆動するための電力を出力する。本実施の形態では、インバータ２０は、直流電圧を交流電圧に変換する。例えば、インバータ２０は、直流電圧を数十ｋＨｚの交流電圧に変換する。
【００２９】
このインバータ２０は、第１のトランジスタＱ１と、第１のトランジスタＱ１に直列に接続された第２のトランジスタＱ２と、駆動トランスＴ１と、インダクタＬ１と、コンデンサＣ５、Ｃ６及びＣ８と、抵抗器Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９とを備える。
【００３０】
本実施の形態において、インバータ２０は、ハーフブリッジ形の自励インバータであって、交互にスイッチング動作を行う第１のトランジスタＱ１と第２のトランジスタＱ２とからなる直列回路が直流電源に接続されて構成されている。また、本実施の形態において、第１のトランジスタＱ１及び第２のトランジスタＱ２は、バイポーラ形トランジスタである。なお、本実施の形態において、自励インバータとは、駆動トランス及び複数のスイッチング素子を用いて、フィードバックのかかるインバータをいう。
【００３１】
第１のトランジスタＱ１のコレクタは、第１の整流回路１０の直流電圧出力端の正極及びコンデンサＣ５に接続されている。第１のトランジスタＱ１のエミッタは、抵抗器Ｒ６を介して、第２のトランジスタＱ２のコレクタ及び駆動トランスＴ１のコイルに接続されている。また、第１のトランジスタＱ１のベースは、抵抗器Ｒ５を介して駆動トランスＴ１のコイルに接続されている。第１のトランジスタＱ１のベースは、抵抗器Ｒ８を介して第２のトランジスタＱ２のコレクタ及び駆動トランスＴ１のコイルに接続されている。
【００３２】
第２のトランジスタＱ２のコレクタは、抵抗器Ｒ６を介して第１のトランジスタＱ１のエミッタ及び駆動トランスＴ１のコイルに接続されている。第２のトランジスタＱ２のエミッタは、抵抗器Ｒ７を介して、第１の整流回路１０の直流電圧出力端の負極と、駆動トランスＴ１のコイルと、コンデンサＣ６と、コンデンサＣ８とに接続されている。また、第２のトランジスタＱ２のベースは、抵抗器Ｒ４を介して駆動トランスＴ１のコイルに接続されている。第２のトランジスタＱ２のベースは、抵抗器Ｒ９を介して第１の整流回路１０の直流電圧出力端の負極に接続されている。
【００３３】
駆動トランスＴ１は、一次巻線（入力巻線）及び二次巻線（出力巻線）からなる巻線コイルによって構成されている。
【００３４】
インダクタＬ１は、チョークインダクタであって、一端が駆動トランスＴ１の出力側に接続されており、他端が第２の整流回路４０の入力側に接続されている。また、コンデンサＣ５は、一端が第１の整流回路１０の直流電圧出力端の正極に接続され、他端が第２の整流回路４０の入力側に接続されている。
【００３５】
このように構成されるインバータ２０は、第１のトランジスタＱ１及び第２のトランジスタＱ２の直列回路の両端間に（インバータ２０の入力端に）所定の入力電圧Ｖｉｎが印加されるとともに、インバータ制御回路３０から起動制御信号（トリガ信号）が供給されることによって動作する。具体的には、駆動トランスＴ１の誘起に基づく自励発振によって第１のトランジスタＱ１と第２のトランジスタＱ２とが交互にオンオフ動作を行うことにより、インダクタＬ１とコンデンサＣ５との直列共振による交流の二次電圧が誘起され、この電圧が第２の整流回路４０に供給される。
【００３６】
次に、インバータ２０を制御するためのインバータ制御回路３０について説明する。インバータ制御回路３０は、インバータ２０の動作を制御するように構成されている。本実施の形態において、インバータ制御回路３０は、インバータ２０の動作を開始するとともにインバータ２０の動作を維持する。
【００３７】
インバータ制御回路３０は、抵抗器Ｒ２と、当該抵抗器Ｒ２に直列に接続されたコンデンサＣ３と、抵抗器Ｒ２とコンデンサＣ３との接続点に接続されたトリガダイオードＴＤとを有する。
【００３８】
抵抗器Ｒ２は、抵抗器Ｒ１を介して第１の整流回路１０の直流電圧出力端の正極に接続されるとともに、コンデンサＣ３を介して第１の整流回路１０の直流電圧出力端の負極に接続されている。コンデンサＣ３は、トリガダイオードＴＤの導通を制御するためのコンデンサであって、高電位側が抵抗器Ｒ２に接続され、低電位側が第１の整流回路１０の直流電圧出力端の負極に接続されている。なお、インバータ制御回路３０において、抵抗器Ｒ２とコンデンサＣ３とは、時定数回路を構成している。
【００３９】
また、トリガダイオードＴＤは、ダイオードで構成されるトリガ素子であって、規定の電圧（ブレークオーバー電圧）を超える電圧がかかった場合に導通状態となる。本実施の形態では、トリガダイオードＴＤは、コンデンサＣ３に保持される電圧値によってブレークオーバーして導通状態となる。そして、トリガダイオードＴＤは、インバータ２０の制御端子である第２のトランジスタＱ２のベースに接続されており、トリガダイオードＴＤが導通状態となることによってインバータ２０の動作が開始する。
【００４０】
すなわち、第２のトランジスタＱ２がインバータ制御回路３０によってオンすることにより初めてインバータ２０に電流が流れ始め、インダクタＬ１、コンデンサＣ５、第２の整流回路４０、駆動トランスＴ１、ＬＥＤ２、第２のトランジスタＱ２の順に電流が流れる。すると、インダクタＬ１、コンデンサＣ５及び駆動トランスＴ１の共振によって、第１のトランジスタＱ１及び第２のトランジスタＱ２の各ベースに発生する電圧が共振周波数（５０ｋＨｚ）において反転する。これにより、第１のトランジスタＱ１及び第２のトランジスタＱ２が交互にオンオフする定常動作を開始する。
【００４１】
なお、トリガダイオードＴＤとしては、例えば、電圧ブレークオーバーが２８〜３６Ｖのダイアックを用いることができる。
【００４２】
このように、インバータ制御回路３０は、インバータ２０を起動するための回路であって、抵抗器Ｒ２及びコンデンサＣ３を含む時定数回路と、コンデンサＣ３の電圧値によってブレークオーバーするトリガダイオードＴＤとを有する。そして、インバータ制御回路３０からインバータ２０に対してトリガ信号が入力されることによって、インバータ２０の自励発振が開始する。
【００４３】
さらに、本実施の形態において、インバータ制御回路３０は、抵抗器Ｒ２に直列接続された抵抗器Ｒ１と、抵抗器Ｒ２に並列接続されたコンデンサＣ４と、抵抗器Ｒ２と並列接続されたダイオードＤ５と、ダイオードＤ６、及びＤ７とを有する。
【００４４】
ダイオードＤ５は、整流用ダイオードである。ダイオードＤ５のアノードは、抵抗器Ｒ２とコンデンサＣ３との接続点、及び、トリガダイオードＴＤに接続されている。また、ダイオードＤ５のカソードは、抵抗器Ｒ１と抵抗器Ｒ２との接続点、インバータ２０における第１のトランジスタＱ１（エミッタ）と第２のトランジスタＱ２（コレクタ）との接続点、及び、コンデンサＣ４に接続されている。なお、コンデンサＣ４は、高電位側が第１の整流回路１０の直流電圧出力端の正極及び第１のトランジスタＱ１のコレクタに接続されており、低電位側がダイオードＤ５のカソードに接続されている。コンデンサＣ４は、ソフトスイッチング用のコンデンサであって、スイッチングに伴うノイズの発生を抑制するために適宜用いられる。
【００４５】
ダイオードＤ６は、整流用ダイオードである。ダイオードＤ６は、コンデンサＣ４及び抵抗器Ｒ１に並列に接続されている。ダイオードＤ６のアノードは、コンデンサＣ４の低電位側、ダイオードＤ６のカソードは、コンデンサＣ４の高電位側に接続されている。
【００４６】
ダイオードＤ７は、整流用ダイオードである。ダイオードＤ７のアノードは、抵抗器Ｒ７と、コンデンサＣ３との接続点に接続されている。また、ダイオードＤ７のカソードは、抵抗器Ｒ１と抵抗器Ｒ２との接続点、インバータ２０における第１のトランジスタＱ１（エミッタ）と第２のトランジスタＱ２（コレクタ）との接続点、コンデンサＣ４、及びダイオードＤ６のアノードに接続されている。
【００４７】
次に、第２の整流回路４０について説明する。第２の整流回路４０（ＤＢ２）は、第１の整流回路１０と同様に、４つのダイオードで構成されるブリッジ型全波整流回路であって、入力側の２つの端子はインバータ２０の出力側の２つの端子に接続され、出力側の２つの端子については高電位側が電流バイパス回路５０のアノード側に接続され、低電位側が電流バイパス回路５０のカソード側に接続されている。また、出力側の２つの端子については高電位側が出力端子Ｐ３を介してＬＥＤ２のアノード側に接続され、低電位側が出力端子Ｐ４を介してＬＥＤ２のカソード側に接続されている。
【００４８】
入力側の２つの端子の一方は、コンデンサＣ６を介して第１の整流回路１０の直流電圧出力端の負極に接続され、入力側の２つの端子の他方は、コンデンサＣ８を介して第１の整流回路１０の直流電圧出力端の負極に接続されている。
【００４９】
第２の整流回路４０は、インバータ２０からの交流電圧を受けて、この交流電圧を全波整流した電圧を出力し、当該電圧をＬＥＤ２に供給する。
【００５０】
なお、第２の整流回路４０としては、例えば、２つのショットキーダイオードが直列接続された半導体部品を２つ組み合わせることによって構成することができる。
【００５１】
インバータ２０の出力側の２端子は平滑コンデンサＣＤ２に接続されている。なお、平滑コンデンサＣＤ２は、第２の整流回路４０の出力電圧を安定化させるために設けられており、例えば、電解コンデンサである。
【００５２】
以上のようにして、本実施の形態に係る駆動回路１が構成されている。
【００５３】
なお、インバータ２０、インバータ制御回路３０、及び第２の整流回路４０は、ＬＥＤ２のチラつきを防止するために設けられる回路であり、必ずしも必要な回路ではない。
【００５４】
また、本実施の形態では、駆動回路１により、発光部（発光素子）の一例である１つのＬＥＤ２が点灯するが、発光部として複数のＬＥＤ２が設けられてもよい。この場合、複数のＬＥＤ２は、直列接続されてもよいし、並列接続されてもよいし、あるいは、複数のＬＥＤ２は、直列接続と並列接続とを組み合わせて構成されてもよい。
【００５５】
（電流バイパス回路の回路構成）
次に、本実施の形態に係る電流バイパス回路５０について説明する。
【００５６】
電流バイパス回路５０は、ＬＥＤ２に並列に接続されるサーミスタＰＴＣ１と、抵抗器Ｒ１０（第１の抵抗）と、スイッチング素子Ｑ３と、抵抗器Ｒ１１（第２の抵抗）とを備える。
【００５７】
サーミスタＰＴＣ１は、後述するように所定の温度特性を有する。サーミスタＰＴＣ１の一端は、スイッチング素子Ｑ３のゲート及び抵抗器Ｒ１１の一端に接続され、サーミスタＰＴＣ１の他端は、スイッチング素子Ｑ３のソース、ＬＥＤ２のカソード（発光素子のカソード側の端子）、及び出力端子Ｐ４に接続される。
【００５８】
抵抗器Ｒ１０の一端は、スイッチング素子Ｑ３のドレインに接続される。抵抗器Ｒ１０の他端は、ＬＥＤ２のアノード（発光素子のアノード側の端子）、抵抗器Ｒ１１の他端、及び出力端子Ｐ３に接続される。
【００５９】
スイッチング素子Ｑ３は、ｎチャネル型のＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）である。スイッチング素子Ｑ３のドレインは、抵抗器Ｒ１０の一端に接続される。スイッチング素子Ｑ３のソースは、ＬＥＤ２のカソード、サーミスタＰＴＣ１の他端、及び出力端子Ｐ４に接続される。スイッチング素子Ｑ３のゲートは、サーミスタＰＴＣ１の一端及び抵抗器Ｒ１１の一端に接続される。
【００６０】
抵抗器Ｒ１１の一端は、スイッチング素子Ｑ３のゲート、及びサーミスタＰＴＣ１の一端に接続される。抵抗器Ｒ１１の他端は、抵抗器Ｒ１０の他端、ＬＥＤ２のアノード、及び出力端子Ｐ３に接続される。
【００６１】
本実施の形態では、抵抗器Ｒ１０の抵抗値は、２．２ｋΩであり、抵抗器Ｒ１１の抵抗値は、５０ｋΩである。また、サーミスタＰＴＣ１は、２５℃で１．８ｋΩ程度の抵抗値であり、所定の温度特性を有する。
【００６２】
図２は、本実施の形態に係るサーミスタＰＴＣ１の温度特性を示す図である。図２の横軸は、環境温度であり、縦軸は、抵抗値の変化率が対数である。ここで抵抗値の変化率は、各環境温度における抵抗値（Ｒ）を環境温度２５℃における抵抗値（Ｒ２５）で除算した値である。
【００６３】
図２に示されるように、サーミスタＰＴＣ１の抵抗値の変化率は、所定の温度区間（−４０℃〜＋９０℃付近）では、２以下であるが、９０℃を超えた付近から急激に増加する特性を有する。すなわち、所定の温度区間を超えてからは、抵抗変化率は、温度の上昇に伴って急激に増加する。図２の例では、縦軸が対数であることから、所定の温度区間を超えてからは、抵抗変化率は、指数関数的に増加する。
【００６４】
電流バイパス回路５０は、上記のような回路構成により、サーミスタＰＴＣ１の温度依存性を用いて高温時にＬＥＤ２の駆動電流の一部を引き込む動作を行うことが特徴である。この動作の詳細については、後述する。
【００６５】
（回路動作）
次に、本実施の形態に係る駆動回路１の動作について説明する。
【００６６】
例えば、ＬＥＤ２を点灯させるためにユーザが壁スイッチをオン操作すると、入力端子Ｐ１及びＰ２に交流電源が供給され、第１の整流回路１０により平滑化された直流の入力電圧Ｖｉｎが生成される。入力電圧Ｖｉｎは、インバータ２０の入力端間、及び、インバータ制御回路３０の入力端間に供給される。
【００６７】
これにより、インバータ制御回路３０及びインバータ２０が動作する。すなわち、入力電圧Ｖｉｎがインバータ制御回路３０に供給されることにより、インバータ制御回路３０のコンデンサＣ３が充電されて、トリガダイオードＴＤがブレークオーバーする。この結果、トリガダイオードＴＤが導通状態となり、トリガ信号（トリガパルス）がインバータ２０の第２のスイッチング素子Ｑ２のベースに供給され、当該第２のスイッチング素子Ｑ２がオンする。
【００６８】
トリガ信号によって第２のスイッチング素子Ｑ２がオンすると、インバータ２０が起動し、駆動トランスＴ１の誘起に基づく自励発振により第１のスイッチング素子Ｑ１及び第２のスイッチング素子Ｑ２が交互にオンオフ動作を行い、交流の二次電圧が誘起される。これにより、当該二次電圧がインダクタＬ１とコンデンサＣ５との直列共振により高められた交流電圧が第２の整流回路４０に供給される。そして、第２の整流回路４０によって交流電圧が全波整流され、出力端子Ｐ３及びＰ４を介して所定の直流電圧（順方向電圧ＶＦ）がＬＥＤ２に供給される。これにより、ＬＥＤ２が所望の明るさで点灯する。
【００６９】
ＬＥＤ２を消灯させるためにユーザが壁スイッチをオフ操作すると、入力端子Ｐ１及びＰ２への交流電源の供給が停止するのでＬＥＤ２は消灯する。
【００７０】
（電流バイパス回路の動作）
次に、電流バイパス回路５０の動作について説明する。
【００７１】
ＬＥＤ２等の発光素子は、高温下で発光させた場合に寿命が縮まる傾向がある。このため、温度が所定の上限値を超えた場合に、電流バイパス回路５０は、ＬＥＤ２の駆動電流の一部を積極的に引き込む。これにより、所定の上限値を越えた環境下では、ＬＥＤ２に流れる電流が減少し、ＬＥＤ２の温度上昇を低減できる。
【００７２】
なお、所定の上限値とは、本実施の形態では、ＬＥＤ２のジャンクション温度が１２２℃となるときのサーミスタＰＴＣ１の周辺の環境温度である。
【００７３】
図３は、電流バイパス回路５０の動作を説明するための図である。なお、以下の説明では温度によらず第２の整流回路４０から供給される電力（電圧Ｖｏｐ、駆動電流Ｉｏｐ）は、一定であるものとする。なお、第２の整流回路４０よりも前段の回路は、略定電流源として動作する。
【００７４】
図３の（ａ）は、温度が所定の上限値未満である場合（通常動作時）の電流の流れを模式的に示す図である。
【００７５】
通常動作時においては、抵抗器Ｒ１１及びサーミスタＰＴＣ１には、電流Ｉ１が流れ、ＬＥＤ２には電流ＩＬが流れる。ここで、抵抗器Ｒ１１の抵抗値をＲ１１、サーミスタＰＴＣ１の抵抗値をＰＴＣ１と表記した場合、スイッチング素子Ｑ３のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは、Ｖｇｓ＝Ｖｏｐ×ＰＴＣ１／（Ｒ１１＋ＰＴＣ１）で表される。
【００７６】
通常動作時においては、スイッチング素子Ｑ３の閾値電圧（スイッチング素子Ｑ３がＯＮ状態となる電圧）Ｖｔｈ＞Ｖｇｓとなるように設計されている。具体的には、上述のように抵抗器Ｒ１１の抵抗値は５０ｋΩであり、サーミスタＰＴＣ１の抵抗値は１．８ｋΩ程度である。したがって、通常動作時においては、スイッチング素子Ｑ３はＯＦＦ状態であるため、抵抗器Ｒ１０には、電流は流れない。
【００７７】
以上より、通常動作時に電流バイパス回路５０が引き込む電流は、Ｉ１＝Ｖｏｐ／（Ｒ１１＋ＰＴＣ１）である。なお、抵抗器Ｒ１１及びサーミスタＰＴＣ１の抵抗値は、ＬＥＤ２の順方向の抵抗値よりも非常に大きいため、電流Ｉ１＜＜電流ＩＬである。すなわち駆動電流Ｉｏｐの大半は、ＬＥＤ２に流れる。
【００７８】
図３の（ｂ）は、温度が所定の上限値以上である場合（高温動作時）の電流の流れを模式的に示す図である。
【００７９】
高温動作時においては、サーミスタＰＴＣ１の抵抗値が増加し、Ｖｔｈ＜Ｖｇｓとなる。したがって、高温動作時においては、スイッチング素子Ｑ３はＯＮ状態となり、抵抗器Ｒ１０には電流Ｉ２が流れる。つまり、高温動作時に、電流バイパス回路５０が引き込む電流の合計は、Ｉ１＋Ｉ２＝Ｖｏｐ／（Ｒ１１＋ＰＴＣ１）＋Ｖｏｐ／Ｒ１０である。本実施の形態では、温度が所定の上限値付近である場合、駆動電流Ｉｏｐの約２０％が電流バイパス回路５０に引き込まれる。
【００８０】
このように、電流バイパス回路５０は、高温動作時において、通常動作時よりもより多くの電流を引き込む。よって、高温動作時は、通常動作時に比べてＬＥＤ２に流れる電流ＩＬが減少する。これにより、高温動作時においては、電流バイパス回路５０を設けない場合に比べて、ＬＥＤ２の発熱量が減少するためＬＥＤ２の周辺温度を下げることができる。よってＬＥＤ２の長寿命化が実現される。
【００８１】
また、上述のように、サーミスタＰＴＣ１は、所定の温度区間において、抵抗値の変化が小さく、所定の温度区間を超えてからは抵抗値が急激に増加する特性である。これにより、所定の温度区間では、電流バイパス回路５０は、上記通常動作時のように動作するため、ＬＥＤ２の輝度の変化は小さくなる。すなわち、このような特性により、上記所定の温度区間においてＬＥＤ２の輝度の変化がユーザに与える違和感を小さくすることができる。
【００８２】
以上説明したように、本実施の形態に係る電流バイパス回路５０は、電源から供給される駆動電流Ｉｏｐにより発光するＬＥＤ２（発光部）の発光時に用いられる電流バイパス回路５０であって、ＬＥＤ２に並列に接続され、サーミスタＰＴＣ１を備え、サーミスタＰＴＣ１の温度が第１温度のとき（通常動作時）に、第１電流値の電流を駆動電流Ｉｏｐから引き込み、サーミスタＰＴＣ１の温度が第１温度より高い第２温度のとき（高温動作時）に第１電流値よりも大きい第２電流値の電流を駆動電流Ｉｏｐから引き込む。なお、ここで第１電流値は、０Ａを含む。
【００８３】
電流バイパス回路５０によれば、駆動電流Ｉｏｐの一部を当該電流バイパス回路５０において消費（バイパス）するため、高温時にＬＥＤ２に流れる電流を低減してＬＥＤ２の温度を低下させることができる。よって、ＬＥＤ２及びこれを用いた照明装置の長寿命化が実現される。
【００８４】
（変形例）
なお、本発明の電流バイパス回路は、上記実施の形態に限定されない。
【００８５】
例えば、上記実施の形態では、サーミスタは、図２のような所定の特性を有するものとしたが、図２は、サーミスタの温度特性の一例を示す図であり、サーミスタの温度特性はこのような特性に限定されるものではない。サーミスタＰＴＣ１の抵抗値は、少なくとも温度が上述の所定の上限値以上のときにスイッチング素子Ｑ３をＯＮ状態にする抵抗値であればよい。すなわち、電流バイパス回路５０においては、サーミスタＰＴＣ１の温度特性は、少なくとも常温から温度が上昇するとともに抵抗値が増加する、正の温度特性であればよい。
【００８６】
また、サーミスタの温度特性は、少なくとも常温から温度が上昇するとともに抵抗値が減少する、負の温度特性であってもよい。
【００８７】
図４は、負の温度特性を有するサーミスタを用いた電流バイパス回路５０ａの回路構成の一例を示す図である。
【００８８】
電流バイパス回路５０ａは、電流バイパス回路５０において、抵抗器Ｒ１１とサーミスタＰＴＣ１とが直列接続されていた箇所において、負の温度特性を有するサーミスタＮＴＣ１と抵抗器Ｒ１２が直列接続されている点が異なる。
【００８９】
サーミスタＮＴＣ１は、上記のように負の温度特性を有する。サーミスタＮＴＣ１の一端は、スイッチング素子Ｑ３のゲート及び抵抗器Ｒ１２の一端に接続される。サーミスタＮＴＣ１の他端は、抵抗器Ｒ１０の他端、ＬＥＤ２のアノード、及び出力端子Ｐ３に接続される。
【００９０】
抵抗器Ｒ１２の一端は、スイッチング素子Ｑ３のゲート、及びサーミスタＰＴＣ１の一端に接続される。抵抗器Ｒ１２の他端は、スイッチング素子Ｑ３のソース、ＬＥＤ２のカソード、及び出力端子Ｐ４に接続される。
【００９１】
通常動作時においては、スイッチング素子Ｑ３の閾値電圧（スイッチング素子Ｑ３がＯＮ状態となる電圧）Ｖｔｈ＞Ｖｇｓとなるように、サーミスタＮＴＣ１の抵抗値＞抵抗器Ｒ１２の抵抗値となるように設計されている。したがって、通常動作時においては、スイッチング素子Ｑ３はＯＦＦ状態であるため、抵抗器Ｒ１０には、電流は流れない。
【００９２】
高温動作時においては、サーミスタＮＴＣ１の抵抗値が減少し、サーミスタＮＴＣ１の抵抗値に対して相対的に抵抗器Ｒ１２の抵抗値が増加する。これにより、Ｖｔｈ＜Ｖｇｓとなる。したがって、高温動作時においては、スイッチング素子Ｑ３はＯＮ状態となり、駆動電流Ｉｏｐの一部が電流バイパス回路５０ａに積極的に引き込まれる。
【００９３】
よって、電流バイパス回路５０ａを用いても、高温動作時は、通常動作時に比べてＬＥＤ２に流れる電流ＩＬが減少し、ＬＥＤ２の発熱量が減少するためＬＥＤ２の周辺温度を下げることができる。
【００９４】
なお、サーミスタＮＴＣ１は、所定の温度区間においては抵抗値の変化率が小さく、所定の温度区間を超えてからは、抵抗値が急激に減少する特性であることが望ましい。これにより、所定の温度区間では、ＬＥＤ２の輝度の変化を小さくすることができるからである。
【００９５】
また、上記実施の形態では、スイッチング素子Ｑ３として、ｎチャネル型のＦＥＴを用いたが、スイッチング素子Ｑ３は、ＦＥＴに限定されるものではない。
【００９６】
図５は、スイッチング素子としてバイポーラ形トランジスタを用いた電流バイパス回路５０ｂの回路構成の一例を示す図である。
【００９７】
図５において、スイッチング素子Ｑ４は、ｎｐｎ型のバイポーラ形トランジスタである。スイッチング素子Ｑ４のコレクタは、抵抗器Ｒ１０の一端に接続される。スイッチング素子Ｑ４のエミッタは、ＬＥＤ２のカソード、サーミスタＰＴＣ１の他端、及び出力端子Ｐ４に接続される。スイッチング素子Ｑ４のベースは、サーミスタＰＴＣ１の一端及び抵抗器Ｒ１１の一端に接続される。
【００９８】
通常動作時においては、スイッチング素子Ｑ４の閾値電圧Ｖｔｈ＞Ｖｇｓであり、スイッチング素子Ｑ４はＯＦＦ状態である。高温動作時においては、サーミスタＰＴＣ１の抵抗値が増加し、Ｖｔｈ＜Ｖｇｓとなり、スイッチング素子Ｑ４はＯＮ状態となる。
【００９９】
よって、電流バイパス回路５０ｂにおいても、電流バイパス回路５０と同様の効果を得ることができる。
【０１００】
また、スイッチング素子として、Ｐチャネル型のＦＥＴを用いて電流バイパス回路を実現してもよい。
【０１０１】
図６は、スイッチング素子としてＰチャネル型のＦＥＴを用いた電流バイパス回路５０ｃの回路構成の一例を示す図である。
【０１０２】
電流バイパス回路５０ｃは、ＬＥＤ２に並列に接続されるサーミスタＰＴＣ２と、抵抗器Ｒ１３と、スイッチング素子Ｑ５と、抵抗器Ｒ１４とを備える。
【０１０３】
サーミスタＰＴＣ２は、サーミスタＰＴＣ１と同様に正の温度特性を有する。サーミスタＰＴＣ２の一端は、スイッチング素子Ｑ５のゲート及び抵抗器Ｒ１４の一端に接続され、サーミスタＰＴＣ２の他端は、スイッチング素子Ｑ５のソース、ＬＥＤ２のアノード、及び出力端子Ｐ３に接続される。
【０１０４】
抵抗器Ｒ１３の一端は、スイッチング素子Ｑ５のドレインに接続される。抵抗器Ｒ１３の他端は、ＬＥＤ２のカソード、抵抗器Ｒ１４の他端、及び出力端子Ｐ４に接続される。
【０１０５】
スイッチング素子Ｑ５は、ｐチャネル型のＦＥＴである。スイッチング素子Ｑ５のドレインは、抵抗器Ｒ１３の一端に接続される。スイッチング素子Ｑ５のソースは、ＬＥＤ２のアノード、サーミスタＰＴＣ２の他端、及び出力端子Ｐ３に接続される。スイッチング素子Ｑ５のゲートは、サーミスタＰＴＣ２の一端及び抵抗器Ｒ１４の一端に接続される。
【０１０６】
抵抗器Ｒ１４の一端は、スイッチング素子Ｑ５のゲート、及びサーミスタＰＴＣ２の一端に接続される。抵抗器Ｒ１４の他端は、抵抗器Ｒ１３の他端、ＬＥＤ２のカソード、及び出力端子Ｐ４に接続される。
【０１０７】
通常動作時においては、スイッチング素子Ｑ５の閾値電圧（スイッチング素子Ｑ５がＯＮ状態となる電圧）Ｖｔｈ＞Ｖｇｓとなるように、サーミスタＰＴＣ２の抵抗値＜抵抗器Ｒ１４の抵抗値となるように設計されている。したがって、通常動作時においては、スイッチング素子Ｑ５はＯＦＦ状態であるため、抵抗器Ｒ１３には、電流は流れない。
【０１０８】
高温動作時においては、サーミスタＰＴＣ２の抵抗値が増加し、サーミスタＰＴＣ２の抵抗値に対して相対的に抵抗器Ｒ１２の抵抗値が減少する。これにより、Ｖｔｈ＜Ｖｇｓとなる。したがって、高温動作時においては、スイッチング素子Ｑ５はＯＮ状態となり、駆動電流Ｉｏｐの一部が電流バイパス回路５０ｃに引き込まれる。
【０１０９】
よって、電流バイパス回路５０ｃにおいても、電流バイパス回路５０と同様の効果を得ることができる。
【０１１０】
なお、図７に示されるように、ｐチャネル型のＦＥＴ（スイッチング素子Ｑ６）と、負の温度特性を持つサーミスタ（サーミスタＮＴＣ２）とを用いた回路構成であってもよい。また、ｐｎｐ型のバイポーラ形トランジスタを用いた構成であってもよい。
【０１１１】
また、スイッチング素子を備えない構成であってもよい。
【０１１２】
図８は、スイッチング素子を備えない電流バイパス回路５０ｅの回路構成を示す図である。
【０１１３】
電流バイパス回路５０ｅは、ＬＥＤ２に並列に接続されるサーミスタＮＴＣ３と、抵抗器Ｒ１６とを備える。
【０１１４】
サーミスタＮＴＣ３は、負の温度特性を有する。サーミスタＮＴＣ３の一端は、抵抗器Ｒ１６の一端に接続され、サーミスタＮＴＣ３の他端は、ＬＥＤ２のアノード、及び出力端子Ｐ３に接続される。
【０１１５】
抵抗器Ｒ１６の一端は、サーミスタＮＴＣ３の一端に接続される。抵抗器Ｒ１６の他端は、ＬＥＤ２のカソード、及び出力端子Ｐ４に接続される。
【０１１６】
このような回路では、サーミスタＮＴＣ３の抵抗値が温度の上昇とともに減少するため、通常動作時よりも高温動作時のほうが、電流バイパス回路５０ｅが引き込む電流の電流値が大きくなる。すなわち、電流バイパス回路５０ｅにおいても、電流バイパス回路５０と同様の効果を得ることができる。
【０１１７】
なお、サーミスタＮＴＣ３は、所定の温度区間においては抵抗値の変化率が小さく、所定の温度区間を超えてからは、抵抗値が急激に減少する特性であることが望ましい。
【０１１８】
このように、スイッチング素子を用いず、安価なサーミスタ及び抵抗器を用いることで、低コストで周辺温度を低減できる電流バイパス回路を実現できる。
【０１１９】
また、サーミスタＮＴＣ３のみをＬＥＤ２に並列に接続してもよく、これによりさらに低コストで周辺温度を低減できる電流バイパス回路が実現される。
【０１２０】
（照明用光源）
次に、本実施の形態に係る電流バイパス回路（電流バイパス回路５０、及び５０ａ〜５０ｅ）の適用例について説明する。図９は、本実施の形態に係る照明用光源（ＬＥＤ光源）である電球形ランプ１００の外観斜視図である。
【０１２１】
本実施の形態に係る電流バイパス回路は駆動回路に適用され、さらに当該駆動回路は、これによって点灯されるＬＥＤ２とともに、ＬＥＤ光源として利用することができる。なお、本実施の形態におけるＬＥＤ光源とは、任意の駆動回路によって点灯されるＬＥＤを搭載した装置をいう。ＬＥＤ光源の例には、単に、ＬＥＤと駆動回路とを組み合わせた装置の他に、従来の電球形蛍光灯などに代替する照明装置、及び、ハロゲン電球代替型の照明装置などの各種照明装置を含む。
【０１２２】
図９に示すように、本実施の形態に係る電球形ランプ１００は、電球形蛍光灯又は白熱電球の代替品となる電球形ランプであって、グローブ１１０と、光源であるＬＥＤモジュール１２０と、支柱１３０と、支持部材１４０と、外郭筐体１８０と、口金１９０とを備える。
【０１２３】
なお、電球形ランプ１００は、グローブ１１０と外郭筐体１８０と口金１９０とによって外囲器が構成されている。
【０１２４】
グローブ１１０は、ＬＥＤモジュール１２０から放出される光をランプ外部に取り出すための略半球状の透光性カバーである。本実施の形態におけるグローブ１１０は、可視光に対して透明なシリカガラス製のガラスバルブ（クリアバルブ）である。したがって、グローブ１１０内に収納されたＬＥＤモジュール１２０は、グローブ１１０の外側から視認することができる。
【０１２５】
ＬＥＤモジュール１２０は、グローブ１１０によって覆われている。これにより、グローブ１１０の内面に入射したＬＥＤモジュール１２０の光は、グローブ１１０を透過してグローブ１１０の外部へと取り出される。本実施の形態において、グローブ１１０は、ＬＥＤモジュール１２０を収納するように構成されている。
【０１２６】
グローブ１１０の形状は、一端が球状に閉塞され、他端に開口部を有する形状である。具体的には、グローブ１１０の形状は、中空の球の一部が、球の中心部から遠ざかる方向に伸びながら狭まったような形状であり、球の中心部から遠ざかった位置に開口部が形成されている。このような形状のグローブ１１０としては、一般的な電球形蛍光灯又は白熱電球と同様の形状のガラスバルブを用いることができる。例えば、グローブ１１０として、Ａ形、Ｇ形又はＥ形等のガラスバルブを用いることができる。
【０１２７】
また、グローブ１１０の開口部は、支持部材１４０の表面に載置される。この状態で、支持部材１４０と外郭筐体１８０との間にシリコーン樹脂等の接着剤を塗布することによってグローブ１１０が固定される。
【０１２８】
なお、グローブ１１０は、必ずしも可視光に対して透明である必要はなく、グローブ１１０に光拡散機能を持たせてもよい。例えば、シリカ或いは炭酸カルシウム等の光拡散材を含有する樹脂、又は白色顔料等をグローブ１１０の内面又は外面の全面に塗布することによって乳白色の光拡散膜を形成することができる。このように、グローブ１１０に光拡散機能を持たせることにより、ＬＥＤモジュール１２０からグローブ１１０に入射する光を拡散させることができるので、ランプの配光角を拡大することができる。
【０１２９】
また、グローブ１１０の形状としては、Ａ形等に限らず、回転楕円体又は偏球体であってもよい。グローブ１１０の材質としては、ガラス材に限らず、アクリル（ＰＭＭＡ）又はポリカーボネート（ＰＣ）等の樹脂等を用いてもよい。
【０１３０】
ＬＥＤモジュール１２０は、発光素子（ＬＥＤ２）を有する発光モジュールであって、白色等の所定の色（波長）の光を放出する。ＬＥＤモジュール１２０は、支柱１３０によってグローブ１１０内に中空に保持されており、リード線１５３ａ及び１５３ｂを介して駆動回路１又は１Ａから供給される電力によって発光する。
【０１３１】
支柱１３０は、グローブ１１０の開口部の近傍からグローブ１１０の内方に向かって延設された長尺状部材である。支柱１３０は、ＬＥＤモジュール１２０を支持する支持部材として機能し、支柱１３０の一端にはＬＥＤモジュール１２０が接続されている。一方、支柱１３０の他端には支持部材１４０が接続されている。
【０１３２】
支持部材１４０は、支柱１３０を支持する支持台である。
【０１３３】
外郭筐体１８０は、外郭部材である。また、外郭筐体１８０の内部に駆動回路（電流バイパス回路）が配置されている。
【０１３４】
口金１９０は、ＬＥＤモジュール１２０（ＬＥＤ２）を発光させるための電力をランプ外部から受電する受電部である。口金１９０は、例えば、照明器具のソケットに取り付けられる。これにより、口金１９０は、電球形ランプ１００を点灯させる際に、照明器具のソケットから電力を受けることができる。口金１９０には、例えばＡＣ１００Ｖの商用電源から交流電力が供給される。本実施の形態における口金１９０は二接点によって交流電力を受電し、口金１９０で受電した電力は、駆動回路に入力される。口金１９０の種類は、特に限定されるものではないが、本実施の形態では、ねじ込み型のエジソンタイプ（Ｅ型）の口金を用いている。例えば、口金１９０は、Ｅ２６形又、Ｅ１７形、又はＥ１６形等である。
【０１３５】
なお、ここでは、照明用光源が電球形ＬＥＤランプである場合の例を示したが、駆動回路（電流バイパス回路）は、直管形ＬＥＤランプ等の他の形状の照明用光源にも適用できる。
【０１３６】
（照明装置）
また、本発明は、照明用光源（電球形ランプ１００）として実現することができるだけでなく、照明用光源を備える照明装置としても実現することができる。以下、本実施の形態に係る照明装置２００について、図１０を用いて説明する。図１０は、本発明の実施の形態に係る照明装置２００の概略断面図である。
【０１３７】
図１０に示すように、本実施の形態に係る照明装置２００は、例えば、室内の天井に装着されて使用され、上記の実施の形態に係る電球形ランプ１００と、点灯器具２０３とを備える。
【０１３８】
点灯器具２０３は、電球形ランプ１００を消灯及び点灯させるものであり、天井に取り付けられる器具本体２０４と、電球形ランプ１００を覆う透光性のランプカバー２０５とを備える。
【０１３９】
器具本体２０４は、ソケット２０４ａを有する。ソケット２０４ａには、電球形ランプ１００の口金１９０がねじ込まれる。このソケット２０４ａを介して電球形ランプ１００に電力が供給される。
【０１４０】
なお、上記説明では、本実施の形態に係る電流バイパス回路が、駆動回路の一部として電球形ランプ１００に搭載される例を説明したが、本実施の形態に係る電流バイパス回路は、駆動回路とは別個に設けられ、ＬＥＤモジュール１２０又は点灯器具２０３に含まれてもよい。
【０１４１】
以上、本発明の実施の形態に係る電流バイパス回路、照明用光源及び照明装置について説明したが、本発明は、この実施の形態に限定されるものではない。
【０１４２】
例えば、上記説明では、ＦＥＴ及びバイポーラ形トランジスタを用いた例を述べたが、ＭＯＳ型トランジスタ等の他の種類のトランジスタを用いてもよい。
【０１４３】
また、上記の実施の形態において、発光素子としてＬＥＤを例示したが、発光素子として半導体レーザ等の半導体発光素子、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）又は無機ＥＬ等の固体発光素子を用いてもよい。
【０１４４】
また、上記で用いた数字は、全て本発明を具体的に説明するために例示するものであり、本発明は例示された数字に制限されない。また、上記で示した各構成要素の材料は、全て本発明を具体的に説明するために例示するものであり、本発明は例示された材料に制限されない。また、構成要素間の接続関係は、本発明を具体的に説明するために例示するものであり、本発明の機能を実現する接続関係はこれに限定されない。
【０１４５】
また、上記回路図に示す回路構成は、一例であり、本発明は上記回路構成に限定されない。つまり、上記回路構成と同様に、本発明の特徴的な機能を実現できる回路も本発明に含まれる。例えば、上記回路構成と同様の機能を実現できる範囲で、ある素子に対して、直列又は並列に、スイッチング素子（トランジスタ）、抵抗素子、又は容量素子等の素子を接続したものも本発明に含まれる。言い換えると、上記実施の形態における「接続される」とは、２つの端子（ノード）が直接接続される場合に限定されるものではなく、同様の機能が実現できる範囲において、当該２つの端子（ノード）が、素子を介して接続される場合も含む。
【０１４６】
以上、一つまたは複数の態様に係る電流バイパス回路、照明用光源及び照明装置について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、この実施の形態に限定されるものではない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態に施したものや、異なる実施の形態における構成要素を組み合わせて構築される形態も、一つまたは複数の態様の範囲内に含まれてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１４７】
本発明の電流バイパス回路は、ＬＥＤランプのＬＥＤの駆動回路に適用できる。すなわち、本発明は、従来の白熱電球等を代替するＬＥＤランプとして、照明装置一般に広く利用することができる。
【符号の説明】
【０１４８】
１  駆動回路
２  ＬＥＤ
１０  第１の整流回路（ＤＢ１）
２０  インバータ
３０  インバータ制御回路
４０  第２の整流回路（ＤＢ２）
５０、５０ａ〜５０ｅ  電流バイパス回路
１００  電球形ランプ
１１０  グローブ
１２０  ＬＥＤモジュール
１３０  支柱
１４０  支持部材
１５３ａ、１５３ｂ  リード線
１８０  外郭筐体
１９０  口金
２００  照明装置
２０３  点灯器具
２０４  器具本体
２０４ａ  ソケット
２０５  ランプカバー
ＡＣ  ＡＣ電源
ＣＤ１、ＣＤ２  平滑コンデンサ
Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ８  コンデンサ
Ｔ１  駆動トランス
Ｄ５、Ｄ６、Ｄ７  ダイオード
ＦＳ  電流ヒューズ素子
Ｌ１  インダクタ
ＮＦ  ノイズフィルタ
Ｐ１、Ｐ２  入力端子
Ｐ３、Ｐ４  出力端子
ＰＴＣ１、ＰＴＣ２、ＮＴＣ１、ＮＴＣ２、ＮＴＣ３  サーミスタ
Ｑ１  第１のトランジスタ
Ｑ２  第２のトランジスタ
Ｑ３、Ｑ４、Ｑ５、Ｑ６  スイッチング素子
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４〜Ｒ１６  抵抗器
ＴＤ  トリガダイオード
【図１】
2014146423.tif 000003
【図２】
2014146423.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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