(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体処理機器のアルミニウム構成要素上に高密度酸化物コーティングを形成する方法。【解決手段】アルミニウム構成要素１００の表面１１２上に純アルミニウム層１３０を所定の厚さまで低温噴霧するステップと、次いで、プラズマ電解酸化プロセスを使用して純アルミニウム層１３０の上に高密度酸化物コーティング１２０が形成するステップと、を含む方法。プラズマ電解酸化プロセスが、純アルミニウムの層１３０をマイクロプラズマ放電にさらし、それにより、アルミニウム構成要素１００の表面１１２上の純アルミニウム１３０の層の上に高密度酸化物コーティング１２０を形成する方法。【選択図】図１Ａ
2014194080.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体処理機器のアルミニウム構成要素上に高密度酸化物コーティングを形成する方法であって、
前記アルミニウム構成要素の表面上に純アルミニウム層を所定の厚さまで低温噴霧するステップと、
プラズマ電解酸化プロセスを使用して純アルミニウム層の上に高密度酸化物コーティングを形成するステップであって、前記プラズマ電解酸化プロセスが、前記純アルミニウム層をマイクロプラズマ放電にさらして、前記純アルミニウム層の上に前記高密度酸化物コーティングを形成するステップと
を含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
（ａ）前記純アルミニウム層が、少なくとも約９９．９重量％のアルミニウムと、最大で約０．１％の不可避不純物とを含むか、または（ｂ）前記純アルミニウム層が、少なくとも約９９．９３重量％のアルミニウムと、最大で約０．０７％の不可避不純物とを含む、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
さらに、（ａ）前記アルミニウム構成要素の前記表面上に前記純アルミニウム層を低温噴霧する前に前記アルミニウム構成要素を陽極酸化処理するステップと、（ｂ）前記高密度酸化物コーティングを洗浄するステップと、（ｃ）前記高密度酸化物コーティング上に純酸化イットリウムバリア層を堆積するステップとを含む、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
前記高密度酸化物コーティングが、α−アルミナ結晶相の酸化アルミニウムを含む、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記純アルミニウム層が、約０．０５〜３ｍｍの厚さまで低温噴霧される、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
（ａ）前記純アルミニウム層が、約０．１〜０．３ｍｍの厚さまで低温噴霧され、および／または（ｂ）前記高密度酸化物コーティングが、約０．０５〜０．２ｍｍの厚さまで形成される、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、
前記アルミニウム構成要素が、チャンバ壁、チャンバライナ、バッフル、ガス分散プレート、ガス分散リング、チャッキング機構、エッジリング、ガスノズル、固定具、シュラウド、および閉じ込めリングの少なくとも１つである、方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、
（ａ）前記純アルミニウム層が、約１％未満の孔隙率を有し、および／または（ｂ）前記高密度酸化物コーティングが、約０．５％未満の孔隙率を有する、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、
（ａ）前記純アルミニウム層が、約０．５％未満の孔隙率を有し、および／または（ｂ）前記高密度酸化物コーティングが、約０．２％未満の孔隙率を有する、方法。
【請求項１０】
半導体処理機器のアルミニウム構成要素であって、
前記アルミニウム構成要素の表面上の純アルミニウム層と、
前記純アルミニウム層上の高密度酸化物コーティングと、を備え、前記高密度酸化物コーティングが、プラズマ電解酸化を使用して形成されており、前記プラズマ電解酸化が、前記純アルミニウム層をマイクロプラズマ放電にさらして、前記アルミニウム構成要素上に前記高密度酸化物コーティングを形成する
、アルミニウム構成要素。
【請求項１１】
請求項１０に記載のアルミニウム構成要素であって、
さらに、前記高密度酸化物コーティング上に純酸化イットリウムバリア層を備える、アルミニウム構成要素。
【請求項１２】
請求項１０に記載のアルミニウム構成要素であって、
前記アルミニウム構成要素が、チャンバ壁、チャンバライナ、バッフル、ガス分散プレート、ガス分散リング、チャッキング機構、エッジリング、ガスノズル、固定具、シュラウド、および閉じ込めリングの少なくとも１つである、アルミニウム構成要素。
【請求項１３】
請求項１０に記載のアルミニウム構成要素であって、
（ａ）前記純アルミニウム層が、約１％未満の孔隙率を有し、および／または（ｂ）前記高密度酸化物コーティングが、約０．５％未満の孔隙率を有する、アルミニウム構成要素。
【請求項１４】
請求項１０に記載のアルミニウム構成要素であって、
（ａ）前記純アルミニウム層が、約０．５％未満の孔隙率を有し、および／または（ｂ）前記高密度酸化物コーティングが、約０．２％未満の孔隙率を有する、アルミニウム構成要素。
【請求項１５】
請求項１０に記載のアルミニウム構成要素であって、
（ａ）前記純アルミニウム層が、約０．１〜０．３ｍｍの厚さを有し、および／または（ｂ）前記高密度酸化物コーティングが、約０．０２〜０．２ｍｍの厚さを有する、アルミニウム構成要素。
【請求項１６】
半導体プラズマ処理装置であって、
内部で半導体基板が処理されるプラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理チャンバ内にプロセスガスを供給するために前記プラズマ処理チャンバと流体連絡するプロセスガス源と、
前記プラズマ処理チャンバ内で前記プロセスガスをプラズマ状態に励起するように適合されたＲＦエネルギー源と、
前記プラズマ処理チャンバ内にある請求項１０に記載の前記アルミニウム構成要素と
を備える半導体プラズマ処理装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の半導体プラズマ処理チャンバであって、
前記プラズマ処理チャンバが、プラズマエッチングチャンバである、半導体プラズマ処理チャンバ。
【請求項１８】
請求項１６に記載の半導体プラズマ処理チャンバであって、
前記プラズマ処理チャンバが、堆積チャンバである、半導体プラズマ処理チャンバ。
【請求項１９】
請求項１６に記載の装置内で半導体基板をプラズマ処理する方法であって、
前記プロセスガス源から前記プラズマ処理チャンバ内に前記プロセスガスを供給するステップと、
前記プラズマ処理チャンバ内でプラズマを発生させるために、前記ＲＦエネルギー源を使用して前記プロセスガスにＲＦエネルギーを印加するステップと、
前記プラズマ処理チャンバ内で半導体基板をプラズマ処理するステップと、
を含む方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の方法であって、
前記処理が、前記基板をプラズマエッチングするステップ、または堆積プロセスを行うステップを含む、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体プラズマ処理チャンバの構成要素に関し、より詳細には、半導体プラズマ処理チャンバの構成要素のためのバリアコーティングに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体材料処理の分野で、例えば、基板上への様々な材料のプラズマエッチングまたはプラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）などエッチングおよび堆積のために、真空処理チャンバを含む半導体プラズマ処理チャンバが使用される。これらのプロセスのいくつかは、そのような処理チャンバ内で、腐食性および侵食性プロセスガスおよびプラズマを利用する。チャンバ構成要素の摩耗、ならびにチャンバ内で処理される基板の粒子および／または金属汚染を最小限にすることが望ましい。したがって、そのような装置のプラズマ露出および／またはプロセスガス露出構成要素は、そのようなガスおよびプラズマに露出されるときに、耐腐食性および耐侵食性を有することが望まれる。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
半導体処理機器のアルミニウム構成要素上に高密度酸化物コーティングを形成する方法が、本明細書で開示される。この方法は、アルミニウム構成要素の表面上に純アルミニウム層を所定の厚さまで低温噴霧するステップを含む。次いで、プラズマ電解酸化プロセスを使用して純アルミニウム層の上に高密度酸化物コーティングが形成され、プラズマ電解酸化プロセスが、純アルミニウムの層をマイクロプラズマ放電にさらし、それにより、アルミニウム構成要素の表面上の純アルミニウムの層の上に高密度酸化物コーティングを形成する。
本明細書ではさらに、半導体プラズマ処理装置が開示される。この半導体プラズマ処理装置は、内部で半導体基板が処理されるプラズマ処理チャンバと、プラズマ処理チャンバ内にプロセスガスを供給するためにプラズマ処理チャンバと流体連絡するプロセスガス源と、プラズマ処理チャンバ内でプロセスガスをプラズマ状態に励起するように適合されたＲＦエネルギー源とを備える。この半導体プラズマ処理装置は、高密度酸化物コーティングを有する少なくとも１つのアルミニウム構成要素を備える。
【０００４】
また、本明細書では、高密度酸化物コーティングを有する少なくとも１つのアルミニウム構成要素を備える半導体プラズマ処理装置内で半導体基板をプラズマ処理する方法が開示される。この方法は、プロセスガス源からプラズマ処理チャンバ内にプロセスガスを供給するステップと、プラズマ処理チャンバ内でプラズマを発生させるために、ＲＦエネルギー源を使用してＲＦエネルギーをプロセスガスに印加するステップと、プラズマ処理チャンバ内で半導体基板をプラズマ処理するステップとを含む。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
【図１Ａ】プラズマ処理チャンバの高密度酸化物コーティングを有するアルミニウム構成要素の断面図である。
【図１Ｂ】プラズマ処理チャンバの高密度酸化物コーティングを有するアルミニウム構成要素の断面図である。
【０００６】
【図２】高密度酸化物コーティングされたアルミニウム構成要素の実施形態を内部に設置することができる容量結合プラズマエッチングチャンバの例示的実施形態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
高密度酸化物コーティングを備える半導体プラズマ処理チャンバのアルミニウム構成要素が、本明細書で開示される。本明細書で論じるアルミニウム構成要素上の高密度酸化物コーティングは、硬質であり、物理的および／または化学的侵食に対して耐侵食性および耐腐食性を有する。物理的および／または化学的侵食は、半導体基板の処理中にプラズマ処理チャンバ内に存在する腐食性ガスおよびプラズマによって生じることがある。好ましくは、高密度酸化物コーティングは、その上に、外側バリア層、例えば酸化イットリウムバリア層を有する。
【０００８】
高密度酸化物コーティングは、プラズマ電解酸化（ＰＥＯ）プロセスを使用して形成され、このプロセスは、硬質であり、高密度であり、耐腐食性を有する高密度酸化物コーティングを提供する。本明細書で使用するとき、「アルミニウム構成要素」は、アルミニウムまたはアルミニウム合金から形成された構成要素である。さらに、本明細書で使用するとき、「純アルミニウム」は、少なくとも９９．９重量％のアルミニウムを含む材料、より好ましくは、少なくとも９９．９３重量％のアルミニウムを含む材料を意味する。また、本明細書で使用するとき、用語「約」は、±１０％を表す。高密度酸化物コーティングは、アルミニウム構成要素の表面上に保護層を形成し、それにより、アルミニウム構成要素内で見られることがある鉄不純物などの汚染物質によるプラズマ処理チャンバ内での汚染を最小限にする。鉄汚染などの汚染は、半導体プラズマ処理中のアルミニウム構成要素のプロセス露出により生じることがある。半導体プラズマ処理チャンバは、好ましくは真空チャンバを備え、半導体プラズマ処理装置のプラズマエッチングまたは堆積チャンバ（本明細書では「プラズマチャンバ」と呼ぶ）でよい。以下の説明では、本発明の実施形態を完全に理解できるように、いくつかの特定の詳細を記載する。しかし、これらの特定の詳細のいくつかまたはすべてを用いずに本発明の実施形態を実施することができることが、当業者には明らかであろう。なお、本発明の実施形態を不要に曖昧にしないように、よく知られているプロセス操作は詳細には説明していない。
【０００９】
本明細書で述べるアルミニウム構成要素は、アルミニウムやアルミニウム合金基板など少なくとも１つのアルミニウム表面を有する基板と、基板上に外層を形成する高密度酸化物コーティングとを備えることがある。高密度酸化物コーティングを形成するために、アルミニウム構成要素上に純アルミニウムの層が低温噴霧される。純アルミニウムの層は、その露出面上に、自然発生した酸化物皮膜を有することがある。次いで、プラズマ電解酸化（ＰＥＯ）を使用して、純アルミニウム層の上に高密度酸化物コーティングが形成され、所望の厚さまで成長される。好ましくは、高密度酸化物コーティングでコーティングすべき構成要素は、チャンバ壁やチャンバライナなど、プラズマチャンバで有用なアルミニウム構成要素である。コーティングされるアルミニウム表面は、アルミニウム基板の外面など、プラズマに露出された、またはプロセスガスに露出された表面でよい。高密度酸化物コーティングは、アルミニウム基板の１つまたは複数の外面またはすべての外面上に塗布することができる。代替として、高密度酸化物コーティングは、ガス通路など、アルミニウム基板の内面に塗布することができる。
【００１０】
エッチングプロセスなどのプラズマ処理中、プロセスガスは、ハロゲン含有種、例えば、ＣｘＦｙ（ｘ≧１、ｙ≧１）、ＣｘＨｙＦｚ（ｘ≧１、ｙ≧１、ｚ≧１）、ＨＢｒ、ＮＦ３、ＨＢｒ、Ｃｌ２、およびＢＣｌ３でよく、これらは、アルミニウムおよびアルミニウム合金表面に対して腐食性があり、そのような腐食は、チャンバ内で処理を施される半導体基板を汚染することがある鉄など有害な不純物を解放することがある。したがって、好ましくは、アルミニウムまたはアルミニウム合金表面に高密度酸化物コーティングを塗布して、アルミニウムおよびアルミニウム合金表面の腐食を減少させることができる硬質高密度コーティングを形成することができ、それにより、処理チャンバ内での鉄汚染を減少させる。
【００１１】
高密度酸化物コーティングを含む構成要素は、様々なプロセスを実施するための装置内で使用することができ、そのようなプロセスは、半導体基板のプラズマエッチングと、例えば半導体ウェハやフラットパネルディスプレイ基板などを含めた様々な基板を製造するために使用される材料の堆積（例えばＡＬＤやＰＥＣＶＤなど）とを含む。装置のタイプおよび構成に応じて、少なくとも１つのアルミニウムまたはアルミニウム合金表面、および任意選択で少なくとも１つのプラズマまたはプロセス露出面を有する構成要素を、高密度酸化物コーティングでコーティングすることができ、そのような構成要素は、例えば、チャンバ壁、チャンバライナ、バッフル、ガス分散プレート、ガス分散リング、チャッキング機構（例えば、静電チャックおよびアルミニウムヒートシンク）、エッジリング、ガスノズル、固定具、シュラウド、閉じ込めリングなどである。構成要素は、耐腐食性を有する高密度酸化物コーティングでコーティングされた１つまたは複数の表面を含むことができる。いくつかの実施形態では、構成要素の外面全体が、ＰＥＯコーティングを備えることがある。
【００１２】
高密度酸化物コーティングを有するアルミニウム構成要素１００の例示的実施形態が、図１Ａに示されている。図示されるように、構成要素１００は、アルミニウムまたはアルミニウム合金表面１１２を有する基板１１０と、表面１１２上の純アルミニウムの層１３０とを備える。純アルミニウムの層１３０の上に高密度酸化物コーティング１２０が形成され、それにより、ＰＥＯプロセスを使用して形成された高密度酸化物コーティングが、構成要素１００の外面１２４を形成する。基板１１０は、好ましくは、アルミニウムまたはアルミニウム合金（例えば、Ａｌ  ６０６１−Ｔ６）から全体を形成されることがあり、または代替として、アルミニウムと、他の導電性材料、誘電体材料、または絶縁体との複合材から形成されることがあり、この場合、少なくとも基板１１０の表面１１２が、アルミニウムまたはアルミニウム合金から形成される。アルミニウムまたはアルミニウム合金から全体が形成される場合、基板１１０は、鍛造、押出成形、または鋳造されたアルミニウムでよい。好ましくは、アルミニウム合金は、アルミニウム協会（Ａｌｕｍｉｎｕｍ  Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）の１ＸＸＸ、２ＸＸＸ、３ＸＸＸ、４ＸＸＸ、５ＸＸＸ、６ＸＸＸ、７ＸＸＸ、および８ＸＸＸ系のアルミニウム合金から選択することができる。好ましくは、純アルミニウムの層を受け取るための基板１１０の表面１１２は、陽極酸化処理されない。代替実施形態では、低温噴霧によって純アルミニウムの層１３０が堆積される前に、アルミニウムまたはアルミニウム合金表面１１２が陽極酸化処理および／または粗面化されることがある。さらなる好ましい実施形態では、アルミニウムまたはアルミニウム合金表面１１２は、研磨または機械加工されることがある。
【００１３】
純アルミニウム層１３０は、アルミニウム基板１１０のアルミニウム表面１１２上に純アルミニウムを低温噴霧することによって形成される。低温噴霧は、（ここでは好ましくは高純度アルミニウムの）室温に近い粉末粒子を高速に加速するために加圧ガスの超音波ジェットを利用する動力学的噴霧プロセスであり、約４５０〜１５００ｍ／ｓの間の速度で進む粒子が、基板に衝突してコーティングを形成する（ここでは、ＰＥＯプロセスを使用してアルミニウム構成要素がコーティングされる）。一実施形態では、粒子は、衝突時に塑性変形し、基板１１０上で凝固する。低温噴霧は、ガス動的噴霧、超音波噴霧、および／または動力学的噴霧と呼ばれることもある。低温噴霧プロセスの基礎は、超音速（４５０〜１５００ｍ／秒）への（高純度金属粉末からの）微粒子のガス動的加速、したがって高い運動エネルギーであり、それにより、衝突時に固体状態塑性変形および融合が生じる。例えば、鍛造（完全に加工）されている純アルミニウムは、約４０〜４５の間のブリネル硬さを有することがあり、一方、低温噴霧された純アルミニウムは、約５５〜６０の間のブリネル硬さを有することがある。一実施形態では、これは、収束−発散ラバールノズル（ｄｅ  Ｌａｖａｌ  ｎｏｚｚｌｅ）と、高圧（５００ｐｓｉまたは３．５ＭＰａまで）および高い流量（９０ｍ３／ｈｒまで）の圧縮ガス、例えばヘリウム、アルゴン、または窒素とを使用して実現することができる。別の実施形態では、コーティング材料の粒子の速度を増加するために、ガスが（アルミニウムの融点未満、好ましくは１２０℃未満に）予熱されることがある。一実施形態では、金属結合材料（ここでは高純度アルミニウム）の粒子は、約１〜約５０ミクロンの範囲内の粒径と、約２．５ｇ／ｃｍ３〜約２０ｇ／ｃｍ３の範囲内の粒子密度とを有することがある。
【００１４】
金属粉末と合わさってガス粉末混合物を生成するガスとして、一般に不活性ガスが使用される。本明細書での実施形態による不活性ガスは、限定はしないが、アルゴン、ヘリウム、または比較的非反応性の窒素、またはそれらのうちの２つ以上の混合物を含む。特定の場合には、空気が使用されることもある。安全規制を満たす場合には、水素、または水素と他のガスとの混合物の使用も考えられ、水素の非常に高い音速により、有利に使用することができる。実際、水素の音速は、ヘリウムの音速よりも３０％高く、ヘリウムの音速は、窒素の音速の約３倍である。空気の音速は、２０℃および１気圧（ａｔｍ）で３４４ｍ／ｓであり、より低い分子量（空気の分子量２８．９６に対して約２．０１６）の水素は、１３０８ｍ／ｓの音速を有する。アルミニウム構成要素上に低温噴霧された純アルミニウム層は、低い孔隙率を有する。アルミニウム構成要素上に低温噴霧された純アルミニウム層は、好ましくは約１％未満の孔隙率を有し、より好ましくは約０．５％未満の孔隙率を有する。
【００１５】
高密度酸化物コーティングは、アルミニウム構成要素の低温噴霧された純アルミニウム層にプラズマ電解酸化（ＰＥＯ）プロセスを施すことによって形成される。ＰＥＯプロセスは、高電圧（すなわち＞２００Ｖ）で湿式化学電解浴内にアルミニウム構成要素を浸漬することを含むことができ、ここで、アルミニウム構成要素は、電気化学セルの第１の電極を形成する。対向電極として働き、電気化学セルを完成させる第２の電極は、好ましくは、電解浴の壁である。電解浴は、好ましくは、ＫＯＨなど希釈アルカリ溶液である。アルミニウム構成要素および純アルミニウム層に印加される電圧が、純アルミニウム層の外面の自然発生した酸化物皮膜の誘電破壊電位を超えるとき、電解浴の電極間に印加される電圧は、アルミニウム構成要素の純アルミニウム層上に高密度酸化物コーティングを形成する。電解浴での誘電破壊は、純アルミニウム層の表面および孔内部でマイクロプラズマ放電を引き起こし、純アルミニウム層の孔内部のアークにより、孔が自己治癒し、それにより、純アルミニウム層の孔隙率を減少させる。さらに、マイクロプラズマ放電は、自然発生した酸化物層を成長させ、マイクロプラズマ放電が純アルミニウム層の局所溶融を引き起こすことにより、高密度酸化物コーティングを形成する。電解浴内での純アルミニウム層の溶融は、溶融されたＡｌ２Ｏ３を生成し、溶融されたＡｌ２Ｏ３は、純アルミニウム層の孔を充填することがあり、また純アルミニウム層の孔から流れることもある。溶融されたＡｌ２Ｏ３は、次いで、高密度酸化物コーティング（すなわちＡｌ２Ｏ３）として凝固し、下にある純Ａｌ層の孔を自己封止し、それにより、純アルミニウム層の孔隙率を減少させる。純Ａｌ層上に形成された高密度酸化物コーティングは、低温噴霧された純アルミニウム層の孔隙率未満の孔隙率を有する。例えば、純アルミニウム層が約１％未満の孔隙率で低温噴霧堆積される場合、ＰＥＯプロセスを使用して形成された高密度酸化物コーティングの孔隙率は、好ましくは約０．５％未満であり、または純アルミニウム層が約０．５％未満の孔隙率で低温噴霧堆積される場合、ＰＥＯプロセスを使用して形成された高密度酸化物コーティングの孔隙率は、好ましくは約０．２％である。好ましくは、高密度酸化物コーティングは、コランダムまたはサファイアなど、Ａｌ２Ｏ３の高密度のα結晶形態で生成される。
【００１６】
純アルミニウム層１３０は、好ましくは、所定の厚さまでアルミニウム構成要素の上に低温噴霧される。好ましくは、所定の厚さは、約０．０５〜３ｍｍであり、より好ましくは約０．１〜０．３ｍｍである。次いで、ＰＥＯプロセスを使用して、純アルミニウム層１３０の上に高密度酸化物コーティング１２０が形成される。ＰＥＯプロセスを使用して形成される高密度酸化物コーティングの表面粗さ（Ｒａ）は、高密度酸化物コーティングの厚さに比例する。本明細書で使用するとき、用語「表面粗さ」は、表面粗さ測定に関する算術平均値（Ｒａ）として表される。高密度酸化物コーティングの表面粗さは、ＰＥＯプロセスを使用して形成される高密度酸化物コーティングの厚さの約１／１０である。したがって、ＰＥＯプロセスを使用して高密度酸化物コーティングを所定の厚さに形成することによって、表面粗さを制御することができる。好ましくは、高密度酸化物コーティングは、約０．０２〜０．２ｍｍの厚さであり、形成時の高密度酸化物コーティングの表面粗さは、約２〜２０ミクロンである。
【００１７】
図１Ｂは、高密度酸化物コーティングを有するアルミニウム構成要素１００のさらなる実施形態を示す。図示されるように、構成要素１００は、アルミニウムまたはアルミニウム合金表面１１２を有する基板１１０と、表面１１２上の純アルミニウムの層１３０とを備える。純アルミニウムの層１３０の上に高密度酸化物コーティング１２０が形成され、それにより、ＰＥＯプロセスを使用して形成された高密度酸化物コーティング１２０が、構成要素１００の表面１２４を形成する。好ましくは、高密度酸化物コーティング１２０の表面１２４上に追加のバリア層１４０が堆積される。好ましくは、バリア層１４０は、酸化イットリウムなどセラミック材料から形成される。好ましくは、酸化イットリウムは、純酸化イットリウムである。純酸化イットリウムは、好ましくは少なくとも約９９％、より好ましくは約９９．９５％〜約１００％の純度を有する。そのような構成の詳細は、全体を参照により本明細書に組み込む、本願と同一の譲受人に譲渡された米国特許第８，２９３，３３５号で見ることができる。ここでも、基板１１０は、好ましくは、アルミニウムまたはアルミニウム合金（例えば、ＡＬ６０６１）から全体を形成されることがあり、または代替として、アルミニウムと、他の導電性材料、誘電体材料、または絶縁体との複合材から形成されることがあり、この場合、少なくとも基板１１０の表面１１２が、アルミニウムまたはアルミニウム合金から形成される。アルミニウムまたはアルミニウム合金から全体を形成される場合、基板１１０は、鍛造、押出成形、または鋳造されたアルミニウムでよい。好ましくは、アルミニウム合金は、アルミニウム協会の１ＸＸＸ、２ＸＸＸ、３ＸＸＸ、４ＸＸＸ、５ＸＸＸ、６ＸＸＸ、７ＸＸＸ、および８ＸＸＸ系のアルミニウム合金から選択することができる。
【００１８】
バリア層１４０は、表面１２４を事前に粗面化せずに、高密度酸化物コーティング１２０上に直接形成することができる。代替実施形態では、バリア層１４０が堆積される前に表面１２４が粗面化されることがある。好ましい実施形態では、高密度酸化物コーティング１２０は、表面１２４を事前に粗面化しなくても適切な接着性を有し、これは、追加のプロセスステップを不要にする。好ましくは、高密度酸化物コーティング１２０およびバリア層１４０は、それらのコーティングが上に形成される基板１１０のそれぞれの表面１１２、１２４に対して十分に高い接着結合強度を有し、したがって、構成要素１００に対して引張接着強度試験が行われるとき、高密度酸化物コーティング１２０およびバリア層１４０は、粘着性の面では（すなわち構成要素の基板バルク内では）不合格になるが、接着性の面では（すなわち基板／コーティング界面では）不合格にならない。高密度酸化物コーティング１２０へのバリア層１４０の良好な接着を保証するために、バリア層１４０の堆積前に、表面１２４から酸化物スケールを完全に洗浄すべきである。この洗浄は、希塩化酸の溶液、硫酸、脱脂溶剤、または蒸留水もしくは脱イオン水などの洗浄溶液中で構成要素１００を揺することによって行うことができる。
【００１９】
高密度酸化物コーティングされた構成要素の実施形態は、半導体プラズマ処理装置のプラズマエッチングチャンバまたは堆積チャンバ、例えば、誘電体エッチングチャンバ、容量結合プラズマエッチングチャンバ、誘導結合プラズマエッチングチャンバ、ＰＥＣＶＤ（プラズマ化学気相成長）チャンバ、およびＡＬＤ（原子層堆積）チャンバ内で使用することができる。これらのチャンバ内で、基板表面をプラズマおよび／またはプロセスガスに露出することができる。特定のエッチングプロセスでは、これらのプロセスガスは、ハロゲン含有種、例えば、ＣｘＦｙ、ＣｘＨｙＦｚ、ＨＢｒ、ＮＦ３、ＨＢｒ、Ｃｌ２、およびＢＣｌ３でよく、これらは、アルミニウムおよびアルミニウム合金表面など特定の材料に対して腐食性があり、前記腐食は、有害な鉄汚染物質を解放することがある。しかし、ＰＥＯプロセスを使用して形成された高密度酸化物コーティングは、プラズマ露出および／またはプロセスガス露出アルミニウムまたはアルミニウム合金表面をプラズマおよびプロセスガスの腐食の影響から保護することができ、それにより、鉄汚染を減少させる。さらに、ＰＥＯプロセスは、純アルミニウム層内に存在することがある有害な汚染物質および／または不純物を減少させることができる。例えば、ＰＥＯプロセスは、純アルミニウム層を高密度酸化物コーティングに変換するので、不純物のいくらかが純アルミニウム層から出て電解浴の溶液中に拡散されるときに、純アルミニウム層内で見られる鉄不純物などの不純物を減少させることができる。高密度酸化物コーティングは、例えばアルミニウム、コランダム、またはサファイアなどの高密度酸化アルミニウムコーティングを提供するために使用することができ、高密度酸化アルミニウムコーティングは、好ましくはα−アルミナ結晶相である。プラズマ処理装置内のプラズマ露出および／またはプロセスガス露出アルミニウムまたはアルミニウム合金表面は、高密度酸化物コーティングを含み、より好ましくは、酸化イットリウムなどの材料から形成されたバリア層を含む。
【００２０】
高密度酸化物コーティングは、アルミニウムまたはアルミニウム合金表面を有する任意のタイプの構成要素に適用可能であるが、説明を容易にするために、全体を参照により本明細書に組み込む、本願と同一の譲受人に譲渡された米国特許出願公開第２００９／０２００２６９号に記載された装置を参照して、コーティングをより詳細に説明する。
【００２１】
図２は、プラズマ処理装置の、調節可能なギャップを有する容量結合プラズマ（ＣＣＰ）エッチングチャンバ２００（「チャンバ」）の例示的実施形態を示す。チャンバ２００は、チャンバハウジング２０２と、チャンバハウジング２０２の天井部２２８に取り付けられた上側電極アセンブリ２２５と、上側電極アセンブリ２２５の下面から離隔され、かつ下面に実質的に平行なチャンバハウジング２０２の床部２０５に取り付けられた下側電極アセンブリ２１５と、上側電極アセンブリ２２５と下側電極アセンブリ２１５との間のギャップ２３２を取り囲む閉じ込めリングアセンブリ２０６と、上側チャンバ壁２０４と、チャンバライナ２５２と、上側電極アセンブリ２２５の上部を囲うチャンバ頂部２３０とを備える。代替実施形態では、環状シュラウドが、閉じ込めリングアセンブリ２０６の代わりとなることがあり、それにより、環状シュラウドは、上側電極アセンブリ２２５と下側電極アセンブリ２１５との間のギャップ２３２を取り囲む。
【００２２】
上側電極アセンブリ２２５は、好ましくは、上側シャワーヘッド電極２２４とバッキングプレート２２６とを備えることがある。また、上側電極アセンブリ２２５は、任意選択で、上側シャワーヘッド電極２２４を取り囲む段差を形成する外側電極２２４ａと、バッキングプレート２２６を取り囲む段差を形成する任意選択のバッキングリング２２６ａとを備えることもある。上側シャワーヘッド電極２２４およびバッキングプレート２２６は、上側シャワーヘッド電極２２４と下側電極アセンブリ２１５との間に画定されたギャップ２３２内にプロセスガスを分散させるためのガス通路を含む。さらに、上側電極アセンブリ２２５は、任意選択で、上側シャワーヘッド電極２２４と下側電極アセンブリ２１５との間に画定されたギャップ２３２内にプロセスガスを分散させるためのガス通路を含む１つまたは複数のバッフル（図示せず）など、ガス分散システムを備えることがある。バッフルおよびシュラウドの詳細は、全体を参照により本明細書に組み込む、本願と同一の譲受人に譲渡された米国特許第８，３１３，６３５号および第６，９７４，５２３号で見ることができる。上側電極アセンブリ２２５は、ＲＦガスケット１２８、加熱要素１２１、ガスノズル１２２、および他の部品など、追加の構成要素を含むことができる。チャンバハウジング２０２は、ゲート（図示せず）を有し、ゲートを通して、基板２１４がチャンバ２００から除荷／チャンバ２００に装荷される。例えば、基板２１４は、全体を参照により本明細書に組み込む、本願と同一の譲受人に譲渡された米国特許第６，８９９，１０９号に記載されているように、ロードロックを介してチャンバに入ることができる。
【００２３】
上側シャワーヘッド電極２２４は、好ましくは、単結晶シリコンまたは多結晶など半導体適合材料から形成される。ガス分散プレートは、好ましくは、アルミニウムまたはアルミニウム合金から形成される。好ましくは、バッキングプレート２２６およびシャワーヘッド電極２２４は、熱を伝達し、それらを通してＲＦ電流を流すことができるように構成される。プロセスガスに露出されるガス分散プレートのアルミニウムまたはアルミニウム合金表面は、耐腐食性コーティングを提供するために、高密度酸化物コーティングでコーティングすることができ、より好ましくは、高密度酸化物コーティングと、酸化イットリウムなどのセラミックバリア層とでコーティングされる。
【００２４】
簡潔にするために、図２には、ガス源２３４に接続されたガスライン２３６が１つだけ示されている。追加のガスラインを上側電極アセンブリ２２５に結合させることができ、ガスは、上側チャンバ壁２０４および／またはチャンバ頂部２３０の他の部分を通して供給することができる。好ましくは、上側電極アセンブリ２２５にガスを供給するアルミニウム構成要素は、高密度酸化物ＰＥＯコーティングを備える。
【００２５】
ギャップ２３２内に注入されたプロセスガスは、励起されてプラズマを生成して基板２１４を処理し、閉じ込めリングアセンブリ２０６を通って外側チャンバ体積２６８内に進み、最終的に、真空ポンプユニット２４４によって排気される。外側チャンバ体積２６８内のプラズマチャンバ部分は、動作中、プラズマおよび反応性プロセスガス（ラジカル、活性種）に露出されることがあるので、前記チャンバ部分の表面を形成するアルミニウムまたはアルミニウム合金は、好ましくは、純アルミニウム層上に形成された高密度酸化物コーティングを備えることがあり、より好ましくは、純アルミニウム層上に形成された高密度酸化物コーティングと、高密度酸化物コーティング上に堆積された酸化イットリウムのバリア層などのバリア層とを備えることがあり、それにより、チャンバ部分は、プラズマおよび反応性プロセスガスに対する耐性を有することができ、それにより、生じ得る鉄汚染を減少させる。
【００２６】
一実施形態では、ＲＦ電源２４０は、動作中に下側電極アセンブリ２１５にＲＦ電力を供給し、シャフト２６０を通して下側電極２１０にＲＦエネルギーを送達する。ギャップ２３２内のプロセスガスは、下側電極２１０に送達されるＲＦ電力によって、電気的に活性化されて、プラズマを生成する。
【００２７】
バッキングプレート２２６、バッキングリング２２６ａ、１つまたは複数の任意選択のバッフルのアルミニウムまたはアルミニウム合金表面など少なくとも１つのアルミニウムまたはアルミニウム合金表面、ならびに下側導電部材、外側導体リング、環状シュラウド、およびチャンバライナ２５２、チャンバ壁２０４、および固定具など下側電極アセンブリ２１５内に含まれるアルミニウムまたはアルミニウム合金表面など少なくとも１つのアルミニウムまたはアルミニウム合金表面を備えるプラズマチャンバ構成要素は、高密度酸化物コーティングでコーティングすることができる。アルミニウムまたはアルミニウム合金表面を有する半導体プラズマ処理装置内に含まれる任意の他の基板も、高密度酸化物コーティングを有することができる。
【００２８】
さらに、プラズマ処理装置内で半導体基板をプラズマ処理する方法であって、プラズマ処理装置が、装置の処理チャンバ内に高密度酸化物コーティングを含む少なくとも１つのアルミニウム構成要素を含む方法が本明細書で開示される。この方法は、プロセスガス源からプラズマ処理チャンバ内にプロセスガスを供給するステップと、プラズマ処理チャンバ内でプラズマを発生させるために、ＲＦエネルギー源を使用してＲＦエネルギーをプロセスガスに印加するステップと、プラズマ処理チャンバ内で半導体基板をプラズマ処理するステップとを含む。好ましくは、半導体基板のプラズマ処理は、プラズマエッチングプロセスまたは堆積プロセスである。
【００２９】
本発明を、その特定の実施形態を参照して詳細に説明してきたが、添付の特許請求の範囲の範囲から逸脱することなく、様々な変更および修正を施すことができ、均等形態を採用することができることが当業者には明らかであろう。
【図１Ａ】
2014194080.tif 000003
【図１Ｂ】
2014194080.tif 000004
【図２】
2014194080.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月9日(2014.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体処理機器のアルミニウム構成要素上に高密度酸化物コーティングを形成する方法であって、
前記アルミニウム構成要素の表面上に純アルミニウム層を所定の厚さまで低温噴霧するステップと、
プラズマ電解酸化プロセスを使用して純アルミニウム層の上に高密度酸化物コーティングを形成するステップであって、前記プラズマ電解酸化プロセスが、前記純アルミニウム層をマイクロプラズマ放電にさらして、前記純アルミニウム層の上に前記高密度酸化物コーティングを形成するステップと
を含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
（ａ）前記純アルミニウム層が、少なくとも約９９．９重量％のアルミニウムと、最大で約０．１％の不可避不純物とを含むか、または（ｂ）前記純アルミニウム層が、少なくとも約９９．９３重量％のアルミニウムと、最大で約０．０７％の不可避不純物とを含む、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
さらに、（ａ）前記アルミニウム構成要素の前記表面上に前記純アルミニウム層を低温噴霧する前に前記アルミニウム構成要素を陽極酸化処理するステップと、（ｂ）前記高密度酸化物コーティングを洗浄するステップと、（ｃ）前記高密度酸化物コーティング上に純酸化イットリウムバリア層を堆積するステップとを含む、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
前記高密度酸化物コーティングが、α−アルミナ結晶相の酸化アルミニウムを含む、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記純アルミニウム層が、約０．０５〜３ｍｍの厚さまで低温噴霧される、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
（ａ）前記純アルミニウム層が、約０．１〜０．３ｍｍの厚さまで低温噴霧され、および／または（ｂ）前記高密度酸化物コーティングが、約０．０５〜０．２ｍｍの厚さまで形成される、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、
前記アルミニウム構成要素が、チャンバ壁、チャンバライナ、バッフル、ガス分散プレート、ガス分散リング、チャッキング機構、エッジリング、ガスノズル、固定具、シュラウド、および閉じ込めリングの少なくとも１つである、方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、
（ａ）前記純アルミニウム層が、約１％未満の孔隙率を有し、および／または（ｂ）前記高密度酸化物コーティングが、約０．５％未満の孔隙率を有する、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、
（ａ）前記純アルミニウム層が、約０．５％未満の孔隙率を有し、および／または（ｂ）前記高密度酸化物コーティングが、約０．２％未満の孔隙率を有する、方法。
【請求項１０】
半導体処理機器のアルミニウム構成要素であって、
前記アルミニウム構成要素の表面上の純アルミニウム層と、
前記純アルミニウム層上の高密度酸化物コーティングと、を備え、前記高密度酸化物コーティングが、プラズマ電解酸化を使用して形成されており、前記プラズマ電解酸化が、前記純アルミニウム層をマイクロプラズマ放電にさらして、前記アルミニウム構成要素上に前記高密度酸化物コーティングを形成する
、アルミニウム構成要素。
【請求項１１】
請求項１０に記載のアルミニウム構成要素であって、
さらに、前記高密度酸化物コーティング上に純酸化イットリウムバリア層を備える、アルミニウム構成要素。
【請求項１２】
請求項１０に記載のアルミニウム構成要素であって、
前記アルミニウム構成要素が、チャンバ壁、チャンバライナ、バッフル、ガス分散プレート、ガス分散リング、チャッキング機構、エッジリング、ガスノズル、固定具、シュラウド、および閉じ込めリングの少なくとも１つである、アルミニウム構成要素。
【請求項１３】
請求項１０に記載のアルミニウム構成要素であって、
（ａ）前記純アルミニウム層が、約１％未満の孔隙率を有し、および／または（ｂ）前記高密度酸化物コーティングが、約０．５％未満の孔隙率を有する、アルミニウム構成要素。
【請求項１４】
請求項１０に記載のアルミニウム構成要素であって、
（ａ）前記純アルミニウム層が、約０．５％未満の孔隙率を有し、および／または（ｂ）前記高密度酸化物コーティングが、約０．２％未満の孔隙率を有する、アルミニウム構成要素。
【請求項１５】
請求項１０に記載のアルミニウム構成要素であって、
（ａ）前記純アルミニウム層が、約０．１〜０．３ｍｍの厚さを有し、および／または（ｂ）前記高密度酸化物コーティングが、約０．０２〜０．２ｍｍの厚さを有する、アルミニウム構成要素。
【請求項１６】
半導体プラズマ処理装置であって、
内部で半導体基板が処理されるプラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理チャンバ内にプロセスガスを供給するために前記プラズマ処理チャンバと流体連絡するプロセスガス源と、
前記プラズマ処理チャンバ内で前記プロセスガスをプラズマ状態に励起するように適合されたＲＦエネルギー源と、
前記プラズマ処理チャンバ内にある請求項１０に記載の前記アルミニウム構成要素と
を備える半導体プラズマ処理装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の半導体プラズマ処理装置であって、
前記プラズマ処理チャンバが、プラズマエッチングチャンバである、半導体プラズマ処理装置。
【請求項１８】
請求項１６に記載の半導体プラズマ処理装置であって、
前記プラズマ処理チャンバが、堆積チャンバである、半導体プラズマ処理装置。
【請求項１９】
請求項１６に記載の装置内で半導体基板をプラズマ処理する方法であって、
前記プロセスガス源から前記プラズマ処理チャンバ内に前記プロセスガスを供給するステップと、
前記プラズマ処理チャンバ内でプラズマを発生させるために、前記ＲＦエネルギー源を使用して前記プロセスガスにＲＦエネルギーを印加するステップと、
前記プラズマ処理チャンバ内で半導体基板をプラズマ処理するステップと、
を含む方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の方法であって、
前記処理が、前記基板をプラズマエッチングするステップ、または堆積プロセスを行うステップを含む、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本発明を、その特定の実施形態を参照して詳細に説明してきたが、添付の特許請求の範囲の範囲から逸脱することなく、様々な変更および修正を施すことができ、均等形態を採用することができることが当業者には明らかであろう。
本発明は、たとえば、以下のような態様で実現することもできる。
適用例１
半導体処理機器のアルミニウム構成要素上に高密度酸化物コーティングを形成する方法であって、
前記アルミニウム構成要素の表面上に純アルミニウム層を所定の厚さまで低温噴霧するステップと、
プラズマ電解酸化プロセスを使用して純アルミニウム層の上に高密度酸化物コーティングを形成するステップであって、前記プラズマ電解酸化プロセスが、前記純アルミニウム層をマイクロプラズマ放電にさらして、前記純アルミニウム層の上に前記高密度酸化物コーティングを形成するステップと
を含む方法。
適用例２
適用例１の方法であって、
（ａ）前記純アルミニウム層が、少なくとも約９９．９重量％のアルミニウムと、最大で約０．１％の不可避不純物とを含むか、または（ｂ）前記純アルミニウム層が、少なくとも約９９．９３重量％のアルミニウムと、最大で約０．０７％の不可避不純物とを含む、方法。
適用例３
適用例１の方法であって、
さらに、（ａ）前記アルミニウム構成要素の前記表面上に前記純アルミニウム層を低温噴霧する前に前記アルミニウム構成要素を陽極酸化処理するステップと、（ｂ）前記高密度酸化物コーティングを洗浄するステップと、（ｃ）前記高密度酸化物コーティング上に純酸化イットリウムバリア層を堆積するステップとを含む、方法。
適用例４
適用例１の方法であって、
前記高密度酸化物コーティングが、α−アルミナ結晶相の酸化アルミニウムを含む、方法。
適用例５
適用例１の方法であって、
前記純アルミニウム層が、約０．０５〜３ｍｍの厚さまで低温噴霧される、方法。
適用例６
適用例１の方法であって、
（ａ）前記純アルミニウム層が、約０．１〜０．３ｍｍの厚さまで低温噴霧され、および／または（ｂ）前記高密度酸化物コーティングが、約０．０５〜０．２ｍｍの厚さまで形成される、方法。
適用例７
適用例１の方法であって、
前記アルミニウム構成要素が、チャンバ壁、チャンバライナ、バッフル、ガス分散プレート、ガス分散リング、チャッキング機構、エッジリング、ガスノズル、固定具、シュラウド、および閉じ込めリングの少なくとも１つである、方法。
適用例８
適用例１の方法であって、
（ａ）前記純アルミニウム層が、約１％未満の孔隙率を有し、および／または（ｂ）前記高密度酸化物コーティングが、約０．５％未満の孔隙率を有する、方法。
適用例９
適用例１の方法であって、
（ａ）前記純アルミニウム層が、約０．５％未満の孔隙率を有し、および／または（ｂ）前記高密度酸化物コーティングが、約０．２％未満の孔隙率を有する、方法。
適用例１０
半導体処理機器のアルミニウム構成要素であって、
前記アルミニウム構成要素の表面上の純アルミニウム層と、
前記純アルミニウム層上の高密度酸化物コーティングと、を備え、前記高密度酸化物コーティングが、プラズマ電解酸化を使用して形成されており、前記プラズマ電解酸化が、前記純アルミニウム層をマイクロプラズマ放電にさらして、前記アルミニウム構成要素上に前記高密度酸化物コーティングを形成する
、アルミニウム構成要素。
適用例１１
適用例１０のアルミニウム構成要素であって、
さらに、前記高密度酸化物コーティング上に純酸化イットリウムバリア層を備える、アルミニウム構成要素。
適用例１２
適用例１０のアルミニウム構成要素であって、
前記アルミニウム構成要素が、チャンバ壁、チャンバライナ、バッフル、ガス分散プレート、ガス分散リング、チャッキング機構、エッジリング、ガスノズル、固定具、シュラウド、および閉じ込めリングの少なくとも１つである、アルミニウム構成要素。
適用例１３
適用例１０のアルミニウム構成要素であって、
（ａ）前記純アルミニウム層が、約１％未満の孔隙率を有し、および／または（ｂ）前記高密度酸化物コーティングが、約０．５％未満の孔隙率を有する、アルミニウム構成要素。
適用例１４
適用例１０のアルミニウム構成要素であって、
（ａ）前記純アルミニウム層が、約０．５％未満の孔隙率を有し、および／または（ｂ）前記高密度酸化物コーティングが、約０．２％未満の孔隙率を有する、アルミニウム構成要素。
適用例１５
適用例１０のアルミニウム構成要素であって、
（ａ）前記純アルミニウム層が、約０．１〜０．３ｍｍの厚さを有し、および／または（ｂ）前記高密度酸化物コーティングが、約０．０２〜０．２ｍｍの厚さを有する、アルミニウム構成要素。
適用例１６
半導体プラズマ処理装置であって、
内部で半導体基板が処理されるプラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理チャンバ内にプロセスガスを供給するために前記プラズマ処理チャンバと流体連絡するプロセスガス源と、
前記プラズマ処理チャンバ内で前記プロセスガスをプラズマ状態に励起するように適合されたＲＦエネルギー源と、
前記プラズマ処理チャンバ内にある適用例１０の前記アルミニウム構成要素と
を備える半導体プラズマ処理装置。
適用例１７
適用例１６の半導体プラズマ処理チャンバであって、
前記プラズマ処理チャンバが、プラズマエッチングチャンバである、半導体プラズマ処理チャンバ。
適用例１８
適用例１６の半導体プラズマ処理チャンバであって、
前記プラズマ処理チャンバが、堆積チャンバである、半導体プラズマ処理チャンバ。
適用例１９
適用例１６の装置内で半導体基板をプラズマ処理する方法であって、
前記プロセスガス源から前記プラズマ処理チャンバ内に前記プロセスガスを供給するステップと、
前記プラズマ処理チャンバ内でプラズマを発生させるために、前記ＲＦエネルギー源を使用して前記プロセスガスにＲＦエネルギーを印加するステップと、
前記プラズマ処理チャンバ内で半導体基板をプラズマ処理するステップと、
を含む方法。
適用例２０
適用例１９の方法であって、
前記処理が、前記基板をプラズマエッチングするステップ、または堆積プロセスを行うステップを含む、方法。
【外国語明細書】
2014194080000001.pdf