(57)【要約】【課題】基板の洗浄を適切に行いつつ基板の帯電を抑制する。【解決手段】基板処理装置１は、水平状態の基板９を支持する基板支持部１４１と、基板９の上面９１の中央部に向けて純水を洗浄液として吐出する上部ノズル１８１と、基板支持部１４１を基板９と共に上下方向を向く中心軸Ｊ１を中心として回転する基板回転機構１５とを備える。上部ノズル１８１の底面には、純水を吐出する複数の吐出口が設けられる。当該複数の吐出口は、中央に配置される中心吐出口と、中心吐出口の周囲にて中心軸Ｊ１を中心とする円周上に等角度間隔にて配置される複数の周辺吐出口とを含む。基板処理装置１では、上部ノズル１８１に複数の吐出口を設け、各吐出口からの純水の流量を小さくしつつ、上部ノズル１８１から基板９の中央部に供給される純水の流量が確保される。これにより、基板９の中央部における帯電を抑制しつつ基板９の上面９１の洗浄を適切に行うことができる。【選択図】図１
2014194965.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する基板処理装置であって、
水平状態の基板を支持する基板支持部と、
複数の吐出口から前記基板の上面の中央部に向けて純水を洗浄液として吐出するノズルと、
前記基板支持部を前記基板と共に上下方向を向く中心軸を中心として回転する基板回転機構と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記複数の吐出口が、
中央に配置される中心吐出口と、
前記中心軸を中心とする円周上に等角度間隔にて配置される複数の周辺吐出口と、
を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板処理装置であって、
前記複数の吐出口が、前記中心軸を中心とする半径６０ｍｍ以下の円内に配置されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記複数の吐出口が、前記中心軸を中心として前記基板の半径の４０％以下の半径を有する円内に配置されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記複数の吐出口のそれぞれから吐出される前記洗浄液の流量が、毎分１リットル以下であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記複数の吐出口のうち少なくとも１つの吐出口からの前記洗浄液の吐出方向と、前記中心軸との成す角度が３０°以上であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記洗浄液による前記基板に対する洗浄処理が行われる、密閉された内部空間を形成する密閉空間形成部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体基板（以下、単に「基板」という。）の製造工程では、多種類の基板処理装置を用いて基板に対して様々な処理が施される。例えば、表面上にレジストのパターンが形成された基板に薬液を供給することにより、基板の表面に対してエッチング等の処理が行われる。また、エッチング処理の終了後、基板上のレジストを除去したり基板を洗浄する処理も行われる。
【０００３】
例えば、特許文献１では、基板に付着した有機物を除去液によって除去する基板処理装置が開示されている。当該基板処理装置では、回転する基板上に純水ノズルから純水を供給して基板の洗浄が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１５８５８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、純水による基板の洗浄処理では、表面に絶縁膜が形成された基板と比抵抗が高い純水との接触等により、基板が帯電することが知られている。基板の帯電量が大きくなると、洗浄中や洗浄後におけるパーティクルの再付着や放電による配線の損傷等が発生するおそれがある。
【０００６】
基板の帯電を抑制する方法として、純水に炭酸ガスを溶解させて比抵抗を下げた炭酸ガス溶解水にて基板を洗浄する方法が知られている。しかしながら、基板上に銅配線が形成されている場合、炭酸ガス溶解水による洗浄では、銅配線が炭酸ガス溶解水により腐食する可能性がある。また、純水による洗浄に比べて、洗浄処理に要するコストが増大する。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、基板の洗浄を適切に行いつつ基板の帯電を抑制することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明は、基板を処理する基板処理装置であって、水平状態の基板を支持する基板支持部と、複数の吐出口から前記基板の上面の中央部に向けて純水を洗浄液として吐出するノズルと、前記基板支持部を前記基板と共に上下方向を向く中心軸を中心として回転する基板回転機構とを備える。
【０００９】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記複数の吐出口が、中央に配置される中心吐出口と、前記中心軸を中心とする円周上に等角度間隔にて配置される複数の周辺吐出口とを含む。
【００１０】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の基板処理装置であって、前記複数の吐出口が、前記中心軸を中心とする半径６０ｍｍ以下の円内に配置される。
【００１１】
請求項４に記載の発明は、請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記複数の吐出口が、前記中心軸を中心として前記基板の半径の４０％以下の半径を有する円内に配置される。
【００１２】
請求項５に記載の発明は、請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記複数の吐出口のそれぞれから吐出される前記洗浄液の流量が、毎分１リットル以下である。
【００１３】
請求項６に記載の発明は、請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記複数の吐出口のうち少なくとも１つの吐出口からの前記洗浄液の吐出方向と、前記中心軸との成す角度が３０°以上である。
【００１４】
請求項７に記載の発明は、請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記洗浄液による前記基板に対する洗浄処理が行われる、密閉された内部空間を形成する密閉空間形成部をさらに備える。
【発明の効果】
【００１５】
本発明では、基板の洗浄を適切に行いつつ基板の帯電を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】一の実施の形態に係る基板処理装置の断面図である。
【図２】上部ノズルの底面図である。
【図３】気液供給部および気液排出部を示すブロック図である。
【図４】基板処理装置における処理の流れを示す図である。
【図５】基板処理装置の断面図である。
【図６】基板処理装置の断面図である。
【図７】基板の電位を示す図である。
【図８】比較例の基板処理装置における純水の流量と基板の電位との関係を示す図である。
【図９】基板上における純水の膜厚分布を示す図である。
【図１０】上部ノズルの他の例を示す底面図である。
【図１１】吐出方向の傾斜角と基板の電位との関係を示す図である。
【図１２】吐出方向の傾斜角と基板の電位との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図１は、本発明の一の実施の形態に係る基板処理装置１を示す断面図である。基板処理装置１は、略円板状の半導体基板９（以下、単に「基板９」という。）に処理液を供給して基板９を１枚ずつ処理する枚葉式の装置である。本実施の形態では、基板処理装置１において、直径３００ｍｍの略円板状の基板９の処理が行われる。図１では、基板処理装置１の一部の構成の断面には、平行斜線の付与を省略している（他の断面図においても同様）。
【００１８】
基板処理装置１は、チャンバ１２と、トッププレート１２３と、チャンバ開閉機構１３１と、基板保持部１４と、基板回転機構１５と、液受け部１６と、カバー１７とを備える。カバー１７は、チャンバ１２の上方および側方を覆う。
【００１９】
チャンバ１２は、チャンバ本体１２１と、チャンバ蓋部１２２とを備える。チャンバ１２は、上下方向を向く中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状である。チャンバ本体１２１は、チャンバ底部２１０と、チャンバ側壁部２１４とを備える。チャンバ底部２１０は、略円板状の中央部２１１と、中央部２１１の外縁部から下方へと広がる略円筒状の内側壁部２１２と、内側壁部２１２の下端から径方向外方へと広がる略円環板状の環状底部２１３と、環状底部２１３の外縁部から上方へと広がる略円筒状の外側壁部２１５と、外側壁部２１５の上端部から径方向外方へと広がる略円環板状のベース部２１６とを備える。
【００２０】
チャンバ側壁部２１４は、中心軸Ｊ１を中心とする環状である。チャンバ側壁部２１４は、ベース部２１６の内縁部から上方へと突出する。チャンバ側壁部２１４を形成する部材は、後述するように、液受け部１６の一部を兼ねる。以下の説明では、チャンバ側壁部２１４と外側壁部２１５と環状底部２１３と内側壁部２１２と中央部２１１の外縁部とに囲まれた空間を下部環状空間２１７という。
【００２１】
基板保持部１４の基板支持部１４１（後述）に基板９が支持された場合、基板９の下面９２は、チャンバ底部２１０の中央部２１１の上面と対向する。以下の説明では、チャンバ底部２１０の中央部２１１を「下面対向部２１１」と呼ぶ。
【００２２】
チャンバ蓋部１２２は中心軸Ｊ１に垂直な略円板状であり、チャンバ１２の上部を含む。チャンバ蓋部１２２は、チャンバ本体１２１の上部開口を閉塞する。図１では、チャンバ蓋部１２２がチャンバ本体１２１から離間した状態を示す。チャンバ蓋部１２２がチャンバ本体１２１の上部開口を閉塞する際には、チャンバ蓋部１２２の外縁部がチャンバ側壁部２１４の上部と接する。
【００２３】
チャンバ開閉機構１３１は、チャンバ１２の可動部であるチャンバ蓋部１２２を、チャンバ１２の他の部位であるチャンバ本体１２１に対して上下方向に相対的に移動する。チャンバ開閉機構１３１は、チャンバ蓋部１２２を昇降する蓋部昇降機構である。チャンバ開閉機構１３１によりチャンバ蓋部１２２が上下方向に移動する際には、トッププレート１２３もチャンバ蓋部１２２と共に上下方向に移動する。チャンバ蓋部１２２がチャンバ本体１２１と接して上部開口を閉塞し、さらに、チャンバ蓋部１２２がチャンバ本体１２１に向かって押圧されることにより、チャンバ１２内に密閉された内部空間であるチャンバ空間１２０（図６参照）が形成される。換言すれば、チャンバ蓋部１２２によりチャンバ本体１２１の上部開口が閉塞されることより、チャンバ空間１２０が密閉される。チャンバ蓋部１２２およびチャンバ本体１２１は、チャンバ空間１２０を形成する密閉空間形成部である。
【００２４】
基板保持部１４は、チャンバ空間１２０に配置され、基板９を水平状態で保持する。すなわち、基板９は、微細パターンが形成された一方の主面９１（以下、「上面９１」という。）を中心軸Ｊ１に垂直に上側を向く状態で基板保持部１４により保持される。基板保持部１４は、基板９の外縁部（すなわち、外周縁を含む外周縁近傍の部位）を下側から支持する上述の基板支持部１４１と、基板支持部１４１に支持された基板９の外縁部を上側から押さえる基板押さえ部１４２とを備える。基板支持部１４１は、中心軸Ｊ１を中心とする略円環状である。基板支持部１４１は、中心軸Ｊ１を中心とする略円環板状の支持部ベース４１３と、支持部ベース４１３の上面に固定される複数の第１接触部４１１とを備える。基板押さえ部１４２は、トッププレート１２３の下面に固定される複数の第２接触部４２１を備える。複数の第２接触部４２１の周方向の位置は、実際には、複数の第１接触部４１１の周方向の位置と異なる。
【００２５】
トッププレート１２３は、中心軸Ｊ１に垂直な略円板状である。トッププレート１２３は、チャンバ蓋部１２２の下方、かつ、基板支持部１４１の上方に配置される。トッププレート１２３は中央に開口を有する。基板９が基板支持部１４１に支持されると、基板９の上面９１は、中心軸Ｊ１に垂直なトッププレート１２３の下面と対向する。トッププレート１２３の直径は、基板９の直径よりも大きく、トッププレート１２３の外周縁は、基板９の外周縁よりも全周に亘って径方向外側に位置する。
【００２６】
図１に示す状態において、トッププレート１２３は、チャンバ蓋部１２２により吊り下げられるように支持される。チャンバ蓋部１２２は、中央部に略環状のプレート保持部２２２を有する。プレート保持部２２２は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状の筒部２２３と、中心軸Ｊ１を中心とする略円板状のフランジ部２２４とを備える。フランジ部２２４は、筒部２２３の下端から径方向内方へと広がる。
【００２７】
トッププレート１２３は、環状の被保持部２３７を備える。被保持部２３７は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状の筒部２３８と、中心軸Ｊ１を中心とする略円板状のフランジ部２３９とを備える。筒部２３８は、トッププレート１２３の上面から上方に広がる。フランジ部２３９は、筒部２３８の上端から径方向外方へと広がる。筒部２３８は、プレート保持部２２２の筒部２２３の径方向内側に位置する。フランジ部２３９は、プレート保持部２２２のフランジ部２２４の上方に位置し、フランジ部２２４と上下方向に対向する。被保持部２３７のフランジ部２３９の下面が、プレート保持部２２２のフランジ部２２４の上面に接することにより、トッププレート１２３が、チャンバ蓋部１２２から吊り下がるようにチャンバ蓋部１２２に取り付けられる。
【００２８】
トッププレート１２３の外縁部の下面には、複数の第１係合部２４１が周方向に配列され、支持部ベース４１３の上面には、複数の第２係合部２４２が周方向に配列される。実際には、第１係合部２４１および第２係合部２４２は、基板支持部１４１の複数の第１接触部４１１、および、基板押さえ部１４２の複数の第２接触部４２１とは、周方向において異なる位置に配置される。これらの係合部は３組以上設けられることが好ましく、本実施の形態では４組設けられる。第１係合部２４１の下部には上方に向かって窪む凹部が設けられる。第２係合部２４２は支持部ベース４１３から上方に向かって突出する。
【００２９】
基板回転機構１５は、いわゆる中空モータである。基板回転機構１５は、中心軸Ｊ１を中心とする環状のステータ部１５１と、環状のロータ部１５２とを備える。ロータ部１５２は、略円環状の永久磁石を含む。永久磁石の表面は、ＰＴＦＥ樹脂にてモールドされる。ロータ部１５２は、チャンバ１２内において下部環状空間２１７内に配置される。ロータ部１５２の上部には、接続部材を介して基板支持部１４１の支持部ベース４１３が取り付けられる。支持部ベース４１３は、ロータ部１５２の上方に配置される。
【００３０】
ステータ部１５１は、チャンバ１２外においてロータ部１５２の周囲、すなわち、径方向外側に配置される。本実施の形態では、ステータ部１５１は、チャンバ底部２１０の外側壁部２１５およびベース部２１６に固定され、液受け部１６の下方に位置する。ステータ部１５１は、中心軸Ｊ１を中心とする周方向に配列された複数のコイルを含む。
【００３１】
ステータ部１５１に電流が供給されることにより、ステータ部１５１とロータ部１５２との間に、中心軸Ｊ１を中心とする回転力が発生する。これにより、ロータ部１５２が、中心軸Ｊ１を中心として水平状態で回転する。ステータ部１５１とロータ部１５２との間に働く磁力により、ロータ部１５２は、チャンバ１２内において直接的にも間接的にもチャンバ１２に接触することなく浮遊し、中心軸Ｊ１を中心として基板９を基板支持部１４１と共に浮遊状態にて回転する。
【００３２】
液受け部１６は、カップ部１６１と、カップ部移動機構１６２と、カップ対向部１６３とを備える。カップ部１６１は中心軸Ｊ１を中心とする環状であり、チャンバ１２の径方向外側に全周に亘って位置する。カップ部移動機構１６２はカップ部１６１を上下方向に移動する。カップ部移動機構１６２は、カップ部１６１の径方向外側に配置される。カップ部移動機構１６２は、上述のチャンバ開閉機構１３１と周方向に異なる位置に配置される。カップ対向部１６３は、カップ部１６１の下方に位置し、カップ部１６１と上下方向に対向する。カップ対向部１６３は、チャンバ側壁部２１４を形成する部材の一部である。カップ対向部１６３は、チャンバ側壁部２１４の径方向外側に位置する環状の液受け凹部１６５を有する。
【００３３】
カップ部１６１は、側壁部６１１と、上面部６１２と、ベローズ６１７とを備える。側壁部６１１は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状である。上面部６１２は、中心軸Ｊ１を中心とする略円環板状であり、側壁部６１１の上端部から径方向内方および径方向外方へと広がる。側壁部６１１の下部は、カップ対向部１６３の液受け凹部１６５内に位置する。
【００３４】
ベローズ６１７は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状であり、上下方向に伸縮可能である。ベローズ６１７は、側壁部６１１の径方向外側において、側壁部６１１の周囲に全周に亘って設けられる。ベローズ６１７は、気体や液体を通過させない材料にて形成される。ベローズ６１７の上端部は、上面部６１２の外縁部の下面に全周に亘って接続される。換言すれば、ベローズ６１７の上端部は、上面部６１２を介して側壁部６１１に間接的に接続される。ベローズ６１７と上面部６１２との接続部はシールされており、気体や液体の通過が防止される。ベローズ６１７の下端部は、カップ対向部１６３を介してチャンバ本体１２１に間接的に接続される。ベローズ６１７の下端部とカップ対向部１６３との接続部でも、気体や液体の通過が防止される。
【００３５】
チャンバ蓋部１２２の中央には、中心軸Ｊ１を中心とする略円柱状の上部ノズル１８１が取り付けられる。上部ノズル１８１は、基板９の上面９１の中央部に対向してチャンバ蓋部１２２に固定される。上部ノズル１８１は、トッププレート１２３の中央の開口に挿入可能である。チャンバ底部２１０の下面対向部２１１の中央には、下部ノズル１８２が取り付けられる。下部ノズル１８２は、中央に液吐出口を有し、基板９の下面９２の中央部と対向する。下面対向部２１１には、複数の加熱ガス供給ノズル１８０ａがさらに取り付けられる。複数の加熱ガス供給ノズル１８０ａは、例えば、中心軸Ｊ１を中心とする周方向に等角度間隔にて配置される。
【００３６】
図２は、上部ノズル１８１の底面図である。上部ノズル１８１の底面１８１ａは、中心軸Ｊ１を中心とする略円形である。底面１８１ａには、液体を吐出する複数の吐出口１８８が設けられる。複数の吐出口１８８は、底面１８１ａの中央（すなわち、およそ中心軸Ｊ１上）に配置される中心吐出口１８８ａと、中心吐出口１８８ａの周囲に配置される複数の周辺吐出口１８８ｂとを含む。複数の周辺吐出口１８８ｂは、中心軸Ｊ１を中心とする１つの円周上に等角度間隔にて配置される。
【００３７】
図２に示す例では、２つの周辺吐出口１８８ｂが、中心軸Ｊ１を中心とする周方向に１８０°間隔にて配置される。換言すれば、２つの周辺吐出口１８８ｂは、中心軸Ｊ１を挟んで互いに対向する位置に配置される。また、複数の吐出口１８８は、好ましくは、中心軸Ｊ１を中心とする半径６０ｍｍ以下の円内、すなわち、中心軸Ｊ１を中心として基板９の半径の４０％以下の半径を有する円内に配置される。各吐出口１８８の直径は約４ｍｍであり、中心吐出口１８８ａと各周辺吐出口１８８ｂとの中心間距離（すなわち、吐出口の中心間の径方向の距離）は、約３０ｍｍである。
【００３８】
図３は、基板処理装置１が備える気液供給部１８および気液排出部１９を示すブロック図である。気液供給部１８は、上述の上部ノズル１８１、下部ノズル１８２および加熱ガス供給ノズル１８０ａに加えて、薬液供給部１８３と、純水供給部１８４と、ＩＰＡ供給部１８５と、加熱ガス供給部１８７とを備える。
【００３９】
薬液供給部１８３は、弁を介して上部ノズル１８１に接続される。純水供給部１８４およびＩＰＡ供給部１８５は、それぞれ弁を介して上部ノズル１８１に接続される。下部ノズル１８２は、弁を介して純水供給部１８４に接続される。複数の加熱ガス供給ノズル１８０ａは、弁を介して加熱ガス供給部１８７に接続される。
【００４０】
液受け部１６の液受け凹部１６５に接続される第１排出路１９１は、気液分離部１９３に接続される。気液分離部１９３は、外側排気部１９４、薬液回収部１９５および排液部１９６にそれぞれ弁を介して接続される。チャンバ１２のチャンバ底部２１０に接続される第２排出路１９２は、気液分離部１９７に接続される。気液分離部１９７は、内側排気部１９８および排液部１９９にそれぞれ弁を介して接続される。気液供給部１８および気液排出部１９の各構成は、制御部１０により制御される。チャンバ開閉機構１３１、基板回転機構１５およびカップ部移動機構１６２（図１参照）も制御部１０により制御される。
【００４１】
薬液供給部１８３から上部ノズル１８１に供給された薬液は、上部ノズル１８１の中心吐出口１８８ａ（図２参照）から基板９の上面９１の中央部に向けて吐出される。薬液供給部１８３から上部ノズル１８１を介して基板９に供給される薬液は、例えば、化学反応を利用して基板を処理する処理液であり、フッ酸や水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液等のエッチング液である。
【００４２】
純水供給部１８４は、上部ノズル１８１および下部ノズル１８２を介して基板９に純水（ＤＩＷ：deionized water）を供給する。純水供給部１８４から上部ノズル１８１に供給された純水は、上部ノズル１８１の複数の吐出口１８８（すなわち、中心吐出口１８８ａおよび周辺吐出口１８８ｂ）から、基板９の上面９１の中央部に向けて、上面９１に略垂直な吐出方向に吐出される。純水供給部１８４から下部ノズル１８２に供給された純水は、下部ノズル１８２の吐出口から基板９の下面９２の中央部に向けて吐出される。
【００４３】
ＩＰＡ供給部１８５から上部ノズル１８１に供給されたイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）は、上部ノズル１８１の中心吐出口１８８ａから基板９の上面９１の中央部に向けて吐出される。基板処理装置１では、上述の処理液（上記薬液、純水およびＩＰＡ）以外の処理液を供給する処理液供給部が設けられてもよい。
【００４４】
加熱ガス供給部１８７は、複数の加熱ガス供給ノズル１８０ａを介して基板９の下面９２に加熱したガス（例えば、高温の不活性ガス）を供給する。本実施の形態では、加熱ガス供給部１８７にて利用されるガスは窒素（Ｎ２）ガスであるが、窒素ガス以外であってもよい。なお、加熱ガス供給部１８７において加熱した不活性ガスを利用する場合には、基板処理装置１における防爆対策は簡素化可能または不要である。
【００４５】
図４は、基板処理装置１における基板９の処理の流れを示す図である。基板処理装置１では、図１に示すように、チャンバ蓋部１２２がチャンバ本体１２１から離間して上方に位置し、カップ部１６１がチャンバ蓋部１２２から離間して下方に位置する状態にて、基板９が外部の搬送機構によりチャンバ１２内に搬入され、基板支持部１４１により下側から支持される（ステップＳ１１）。以下、図１に示すチャンバ１２およびカップ部１６１の状態を「オープン状態」と呼ぶ。チャンバ蓋部１２２とチャンバ側壁部２１４との間の開口は、中心軸Ｊ１を中心とする環状であり、以下、「環状開口８１」という。基板処理装置１では、チャンバ蓋部１２２がチャンバ本体１２１から離間することにより、基板９の周囲（すなわち、径方向外側）に環状開口８１が形成される。ステップＳ１１では、基板９は環状開口８１を介して搬入される。
【００４６】
基板９が搬入されると、カップ部１６１が、図１に示す位置から図５に示す位置まで上昇し、環状開口８１の径方向外側に全周に亘って位置する。以下の説明では、図５に示すチャンバ１２およびカップ部１６１の状態を「第１密閉状態」という。また、図５に示すカップ部１６１の位置を「液受け位置」といい、図１に示すカップ部１６１の位置を「退避位置」という。カップ部移動機構１６２は、カップ部１６１を、環状開口８１の径方向外側の液受け位置と、液受け位置よりも下方の退避位置との間で上下方向に移動する。
【００４７】
液受け位置に位置するカップ部１６１では、側壁部６１１が、環状開口８１と径方向に対向する。また、上面部６１２の内縁部の上面が、チャンバ蓋部１２２の外縁部下端のリップシール２３２に全周に亘って接する。チャンバ蓋部１２２とカップ部１６１の上面部６１２との間には、気体や液体の通過を防止するシール部が形成される。これにより、チャンバ本体１２１、チャンバ蓋部１２２、カップ部１６１およびカップ対向部１６３により囲まれる密閉された空間（以下、「拡大密閉空間１００」という。）が形成される。拡大密閉空間１００は、チャンバ蓋部１２２とチャンバ本体１２１との間のチャンバ空間１２０と、カップ部１６１とカップ対向部１６３とに囲まれる側方空間１６０とが、環状開口８１を介して連通することにより形成された１つの空間である。
【００４８】
第１密閉状態では、基板押さえ部１４２の複数の第２接触部４２１が基板９の外縁部に接触する。トッププレート１２３の下面、および、基板支持部１４１の支持部ベース４１３上には、上下方向にて対向する複数対の磁石（図示省略）が設けられる。以下、各対の磁石を「磁石対」ともいう。基板処理装置１では、複数の磁石対が、周方向において第１接触部４１１、第２接触部４２１、第１係合部２４１および第２係合部２４２とは異なる位置に、等角度間隔にて配置される。基板押さえ部１４２が基板９に接触している状態では、磁石対の間に働く磁力（引力）により、トッププレート１２３に下向きの力が働く。これにより、基板押さえ部１４２が基板９を基板支持部１４１へと押圧する。
【００４９】
基板処理装置１では、基板押さえ部１４２が、トッププレート１２３の自重、および、磁石対の磁力により基板９を基板支持部１４１へと押圧することにより、基板９を基板押さえ部１４２と基板支持部１４１とで上下から挟んで強固に保持することができる。
【００５０】
第１密閉状態では、被保持部２３７のフランジ部２３９が、プレート保持部２２２のフランジ部２２４の上方に離間しており、プレート保持部２２２と被保持部２３７とは接触しない。換言すれば、プレート保持部２２２によるトッププレート１２３の保持が解除されている。このため、トッププレート１２３は、チャンバ蓋部１２２から独立して、基板保持部１４および基板保持部１４に保持された基板９と共に、基板回転機構１５により回転する。
【００５１】
また、第１密閉状態では、第１係合部２４１の下部の凹部に第２係合部２４２が嵌る。これにより、トッププレート１２３は、中心軸Ｊ１を中心とする周方向において基板支持部１４１の支持部ベース４１３と係合する。換言すれば、第１係合部２４１および第２係合部２４２は、トッププレート１２３の基板支持部１４１に対する回転方向における相対位置を規制する（すなわち、周方向における相対位置を固定する）位置規制部材である。チャンバ蓋部１２２が下降する際には、第１係合部２４１と第２係合部２４２とが嵌り合うように、基板回転機構１５により支持部ベース４１３の回転位置が制御される。
【００５２】
続いて、基板回転機構１５により一定の回転数（比較的低い回転数であり、以下、「定常回転数」という。）での基板９の回転が開始される。次に、回転する基板９の下面９２に向けて、複数の加熱ガス供給ノズル１８０ａから、加熱したガスが噴出されるとともに、外側排気部１９４による拡大密閉空間１００内のガスの排出が開始される。これにより、基板９が加熱される。そして、上部ノズル１８１の中心吐出口１８８ａ（図２参照）から、回転する基板９の上面９１の中央部に向けて薬液の供給が開始される。基板９の上面９１への薬液吐出は、基板９の中央部にのみ行われ、中央部以外の部位には行われない。上部ノズル１８１からの薬液は、回転する基板９の上面９１に連続的に供給される。上面９１上の薬液は、基板９の回転により基板９の外周部へと拡がり、上面９１全体が薬液により被覆される。
【００５３】
上部ノズル１８１からの薬液の供給中は、加熱ガス供給ノズル１８０ａからの加熱ガスの噴出も継続される。これにより、基板９をおよそ所望の温度に加熱しつつ、薬液による上面９１に対するエッチングが行われる。その結果、基板９に対する薬液処理の均一性を向上することができる。トッププレート１２３の下面は基板９の上面９１に近接しているため、基板９に対するエッチングは、トッププレート１２３の下面と基板９の上面９１との間の極めて狭い空間において行われる。
【００５４】
拡大密閉空間１００では、回転する基板９の上面９１から飛散する薬液が、環状開口８１を介してカップ部１６１にて受けられ、液受け凹部１６５へと導かれる。液受け凹部１６５へと導かれた薬液は、図３に示す第１排出路１９１を介して気液分離部１９３に流入する。薬液回収部１９５では、気液分離部１９３から薬液が回収され、フィルタ等を介して薬液から不純物等が除去された後、再利用される。
【００５５】
上部ノズル１８１からの薬液の供給開始から所定時間（例えば、６０〜１２０秒）経過すると、上部ノズル１８１からの薬液の供給、および、加熱ガス供給ノズル１８０ａからの加熱ガスの供給が停止される。そして、基板回転機構１５により、所定時間（例えば、１〜３秒）だけ基板９の回転数が定常回転数よりも高くされ、基板９から薬液が除去される。
【００５６】
続いて、チャンバ蓋部１２２およびカップ部１６１が同期して下方へと移動する。そして、図６に示すように、チャンバ蓋部１２２の外縁部下端のリップシール２３１が、チャンバ側壁部２１４の上部と接することにより、環状開口８１が閉じられ、チャンバ空間１２０が、側方空間１６０と隔絶された状態で密閉される。カップ部１６１は、図１と同様に、退避位置に位置する。以下、図６に示すチャンバ１２およびカップ部１６１の状態を「第２密閉状態」という。第２密閉状態では、基板９は、チャンバ１２の内壁と直接対向し、これらの間に他の液受け部は存在しない。
【００５７】
第２密閉状態でも、第１密閉状態と同様に、基板押さえ部１４２が基板９を基板支持部１４１へと押圧することにより、基板９が、基板押さえ部１４２と基板支持部１４１とで上下から挟まれて強固に保持される。また、プレート保持部２２２によるトッププレート１２３の保持が解除されており、トッププレート１２３は、チャンバ蓋部１２２から独立して、基板保持部１４および基板９と共に回転する。
【００５８】
チャンバ空間１２０が密閉されると、外側排気部１９４（図３参照）によるガスの排出が停止されるとともに、内側排気部１９８によるチャンバ空間１２０内のガスの排出が開始される。そして、基板９への純水の供給が、純水供給部１８４により開始される（ステップＳ１３）。
【００５９】
純水供給部１８４からの純水は、上部ノズル１８１の複数の吐出口１８８（図２参照）から基板９の上面９１の中央部に連続的に供給される。また、純水供給部１８４からの純水は、下部ノズル１８２から基板９の下面９２の中央部にも連続的に供給される。上部ノズル１８１および下部ノズル１８２から吐出される純水は、洗浄液として基板９に供給される。
【００６０】
本実施の形態では、上部ノズル１８１から基板９の上面９１に供給される純水の流量は、毎分約２リットルである。具体的には、図２に示す中心吐出口１８８ａから吐出される純水の流量は、毎分約１リットルであり、各周辺吐出口１８８ｂから吐出される純水の流量は、毎分約０．５リットルである。複数の吐出口１８８のそれぞれから吐出される純水の流量は、好ましくは、毎分１リットル以下に設定される。
【００６１】
純水は、図６に示す基板９の回転により上面９１および下面９２の外周部へと拡がり、基板９の外周縁から外側へと飛散する。基板９から飛散する純水は、チャンバ１２の内壁（すなわち、チャンバ蓋部１２２およびチャンバ側壁部２１４の内壁）にて受けられ、図３に示す第２排出路１９２、気液分離部１９７および排液部１９９を介して廃棄される（後述する基板９の乾燥処理においても同様）。これにより、チャンバ空間１２０において、純水による基板９に対する洗浄処理と共に、チャンバ１２内の洗浄も実質的に行われる。
【００６２】
純水の供給開始から所定時間経過すると、純水供給部１８４からの純水の供給が停止される。そして、複数の加熱ガス供給ノズル１８０ａから、基板９の下面９２に向けて、加熱したガスが噴出される。これにより、基板９が加熱される。
【００６３】
続いて、上部ノズル１８１から基板９の上面９１上にＩＰＡが供給され、上面９１上において純水がＩＰＡに置換される（ステップＳ１４）。ＩＰＡの供給開始から所定時間経過すると、ＩＰＡ供給部１８５からのＩＰＡの供給が停止される。その後、加熱ガス供給ノズル１８０ａからの加熱ガスの噴出が継続された状態で、基板９の回転数が定常回転数よりも十分に高くされる。これにより、ＩＰＡが基板９上から除去され、基板９の乾燥処理が行われる（ステップＳ１５）。基板９の乾燥開始から所定時間経過すると、基板９の回転が停止する。基板９の乾燥処理は、内側排気部１９８によりチャンバ空間１２０が減圧され、大気圧よりも低い減圧雰囲気にて行われてもよい。
【００６４】
その後、チャンバ蓋部１２２とトッププレート１２３が上昇して、図１に示すように、チャンバ１２がオープン状態となる。ステップＳ１５では、トッププレート１２３が基板支持部１４１と共に回転するため、トッププレート１２３の下面に液体はほとんど残存せず、チャンバ蓋部１２２の上昇時にトッププレート１２３から液体が基板９上に落下することはない。基板９は外部の搬送機構によりチャンバ１２から搬出される（ステップＳ１６）。
【００６５】
ところで、純水による基板の洗浄処理では、基板と比抵抗が高い純水との接触等により基板が帯電する。図７は、上述の基板処理装置１における洗浄処理後の基板９の電位、および、比較例の基板処理装置における洗浄処理後の基板の電位を示す図である。比較例の基板処理装置は、図１に示す基板処理装置１とおよそ同様の構造を有するが、比較例の基板処理装置の上部ノズルでは、純水を吐出する吐出口は中心軸上に１つのみ設けられる。図７の縦軸は、基板上における電位の絶対値（以下、単に「電位」という。）を示す。
【００６６】
図７中の左側に位置する３本の棒グラフ９３ａ〜９３ｃは、図１に示す基板処理装置１において洗浄処理が行われた基板９の中央部における電位、中央部と外縁部との間の中間部における電位、および、外縁部における電位を示す。また、３本の棒グラフ９４ａ〜９４ｃは、比較例の基板処理装置において、上部ノズルの上記１つの吐出口から毎分２リットルの純水を吐出しつつ洗浄処理を行った後の基板の中央部、中間部および外縁部における電位を示す。３本の棒グラフ９５ａ〜９５ｃは、比較例の基板処理装置において、上部ノズルの吐出口から毎分１リットルの純水を吐出しつつ洗浄処理を行った後の基板の中央部、中間部および外縁部における電位を示す。３本の棒グラフ９６ａ〜９６ｃは、比較例の基板処理装置において、上部ノズルの吐出口から毎分０．５リットルの純水を吐出しつつ洗浄処理を行った後の基板の中央部、中間部および外縁部における電位を示す。
【００６７】
図７に示すように、図１に示す基板処理装置１では、上部ノズル１８１から吐出された純水が衝突する基板９の中央部の電位が最も大きく、外縁部へと向かうに従って電位は小さくなる。比較例の基板処理装置においても同様である。また、比較例の基板処理装置において上部ノズルから基板に供給される純水の流量が小さくなると、基板上の電位は小さくなる。
【００６８】
図１に示す基板処理装置１では、上述のように、上部ノズル１８１から毎分２リットルの純水が基板９に供給され、上部ノズル１８１からの純水の単位時間当たりの供給量（すなわち、上部ノズル１８１からの純水の流量）のみに注目すると、図７中の棒グラフ９４ａ〜９４ｃにて示される比較例の基板処理装置と同様である。しかしながら、基板処理装置１では、上部ノズル１８１が複数の吐出口１８８を有しており、中心吐出口１８８ａからは毎分１リットルの純水が吐出され、各周辺吐出口１８８ｂからは毎分０．５リットルの純水が吐出される。
【００６９】
このように、基板処理装置１では、上部ノズル１８１からの純水の供給量は同じであっても、上部ノズル１８１に複数の吐出口１８８を設け、各吐出口１８８から吐出される純水の流量を小さくすることにより、基板９上の電位、特に、基板９の中央部における電位を小さくすることができる。特に、各吐出口１８８から吐出される純水の流量を毎分１リットル以下とすることにより、基板９の中央部における帯電を、より効率良く抑制することができる。
【００７０】
一方、上部ノズルから基板上に供給される純水の流量が小さくなると、基板の洗浄が十分に行われず、洗浄後の基板上にパーティクル等が残ることがある。このような基板の洗浄不足は、基板の中心部から離れた中間部や外縁部において顕著であり、基板の中間部や外縁部における純水の膜厚不足に起因するものと考えられる。図１に示す基板処理装置１では、上述のように、上部ノズル１８１に複数の吐出口１８８を設けることにより、各吐出口１８８からの純水の流量を小さくしつつ、上部ノズル１８１から基板９の中央部に供給される純水の流量が確保される。これにより、基板９の中央部における帯電を抑制しつつ基板９の上面９１の洗浄を適切に行うことができる。
【００７１】
上述のように、上部ノズル１８１では、中央に配置される中心吐出口１８８ａと、中心軸Ｊ１を中心とする円周上に等角度間隔にて配置される複数の周辺吐出口１８８ｂとが設けられる。上部ノズル１８１から基板９上に供給される純水は、基板９上に吐出される位置が基板９の中心に近づくに従って、基板９の上面９１上における移動距離が長くなり、基板９の洗浄処理への寄与度が高くなる。基板処理装置１では、中心吐出口１８８ａから基板９の略中心に純水を吐出することにより、基板９の洗浄効率を向上することができる。また、複数の周辺吐出口１８８ｂが、中心軸Ｊ１を中心とする径方向の好ましい位置に配置され、これらの周辺吐出口１８８ｂから、中心軸Ｊ１を中心とする周方向におよそ均等に純水を供給することができる。その結果、基板９の上面９１の洗浄の均一性を向上することができる。
【００７２】
図８は、上述の比較例の基板処理装置において、上部ノズルから基板に供給される純水の流量と、基板の上面上の各位置における電位との関係を示す図である。図８の横軸は、基板上の位置、具体的には、基板の中心を０とした場合の基板上の各位置の径方向の座標（すなわち、基板の中心からの距離）を示す。図８の縦軸は、基板上の各位置における電位の絶対値（以下、単に「電位」という。）を示す。線９７ａ〜９７ｆはそれぞれ、上部ノズル１８１からの純水の流量が、毎分２．５リットル、２リットル、１．５リットル、１リットル、０．５リットルおよび０．２リットルの場合の電位を示す。
【００７３】
比較例の基板処理装置では、上部ノズルからの純水の流量が毎分０．２リットル以下であれば、基板上に大きな帯電は生じないと考えられる。図１に示す基板処理装置１では、中心吐出口１８８ａからの純水の流量は、上述のように毎分１リットルである。図８において線９７ｄにて示されるように、毎分１リットルの流量にて１つの吐出口から純水を吐出した場合、毎分０．２リットルの流量にて１つの吐出口から純水を吐出する場合の最大電位を越える領域（以下、「超過領域」という。）は、基板９の中心から半径約１０ｍｍ以内の範囲である。図１に示す基板処理装置１では、中心吐出口１８８ａからの純水による超過領域と、各周辺吐出口１８８ｂからの純水による超過領域とが重ならないように、中心吐出口１８８ａと各周辺吐出口１８８ｂとの中心間距離を２０ｍｍ以上とすることが好ましい。これにより、基板９の中央部における帯電を、より一層抑制することができる。
【００７４】
基板処理装置１では、基板９上の配線の腐食防止や基板９の処理時間短縮のため、純水による洗浄処理に要する時間を短くすることが求められる。一方、洗浄時間が短い場合、基板９の中間部や外縁部において上述の膜厚不足等に起因する洗浄不足が発生する可能性が高くなる。
【００７５】
図９は、基板９上における純水の膜厚分布を示す図である。図９の横軸は、基板９上の各位置の基板９の中心からの距離を示し、縦軸は、基板９上の各位置における純水の膜厚を示す。線９８ａは、基板処理装置１において、図２に示す上部ノズル１８１に代えて、図１０に示す上部ノズル１８１ｂから基板９の中央部に、基板９の上面９１に略垂直に純水を供給した場合の膜厚分布を示す。上部ノズル１８１ｂは、底面１８１ａに設けられた４つの吐出口１８８から基板９の上面９１の中央部に向けて純水を吐出する。４つの吐出口１８８は、中央に配置される１つの中心吐出口１８８ａと、中心軸Ｊ１を中心とする円周上に等角度間隔（すなわち、１２０°間隔）にて配置される３つの周辺吐出口１８８ｂとを含む。中心吐出口１８８ａと各周辺吐出口１８８ｂとの中心間距離は約２０ｍｍである。
【００７６】
図９中の線９８ａは、各吐出口１８８から毎分０．５リットルの純水を吐出した場合の膜厚分布をシミュレーションにより求めたものである。この場合、上部ノズル１８１ｂから基板９に供給される純水の流量は、毎分２リットルである。線９８ｂは、中心吐出口１８８ａのみから毎分０．５リットルの純水を吐出し、周辺吐出口１８８ｂからは純水を吐出しないと仮定した場合の膜厚分布をシミュレーションにより求めたものである。
【００７７】
また、線９８ｄは、基板９の中間部や外縁部において純水の膜厚が薄くなったために洗浄不足が生じるおそれがある純水の膜厚分布を示す。図９では、線９８ｂが線９８ｄと交わる位置は、基板９の中心から約６０ｍｍの位置である。線９８ａでは、周辺吐出口１８８ｂからの純水の影響により、基板９の中心から約６０ｍｍの位置では、純水の膜厚は、線９８ｄが示す閾値よりも大きくなっている。このため、基板９の中間部や外縁部における洗浄不足の発生を抑制することができる。
【００７８】
このように、基板処理装置１では、複数の吐出口１８８を中心軸Ｊ１を中心とする半径６０ｍｍ以下の円内に配置することにより、換言すれば、複数の吐出口１８８からの純水が基板９上において中心軸Ｊ１を中心とする半径６０ｍｍ以下の円内に向けて吐出されることにより、基板９上の純水の膜厚が上記閾値未満となることを防止することができる。その結果、基板９の洗浄不足の発生を抑制することができる。吐出口１８８の位置と基板９の半径との関係に注目すると、複数の吐出口１８８が、中心軸Ｊ１を中心として基板９の半径の４０％以下の円内に配置されることにより、上述のように、基板９の洗浄不足の発生を抑制することができる。基板処理装置１において、図１０に示す上部ノズル１８１ｂに代えて、図２に示す上部ノズル１８１を用いた場合も同様である。
【００７９】
上記説明では、上部ノズル１８１，１８１ｂの複数の吐出口１８８から、基板９の上面９１に略垂直に純水が吐出されるが、吐出口１８８からの純水の吐出方向は、中心軸Ｊ１に対して傾斜していてもよい。図１１は、基板９の中心に向けて１つの吐出口から純水を吐出した場合の基板９の電位分布を示す図である。図１１の横軸は、基板９の中心を０とした場合の基板９上の各位置の径方向の座標を示す。図１１の縦軸は、基板９上の各位置における電位の絶対値（以下、単に「電位」という。）を示す。
【００８０】
線９９ａ〜９９ｃはそれぞれ、上記１つの吐出口からの純水の吐出方向の中心軸Ｊ１に対する傾斜角（すなわち、吐出方向と中心軸Ｊ１との成す角度）が、０°、３０°および６０°の場合の電位を示す。傾斜角０°とは、吐出方向が中心軸Ｊ１に平行であり、基板９の上面９１に対して略垂直に純水が吐出される状態を示す。傾斜角３０°とは、吐出口から吐出方向に延びる吐出軸が基板９の上面９１に交わる交点において上下方向に延びる法線と当該吐出軸との成す角度が３０°である状態、すなわち、基板９の上面９１上に吐出軸を上下方向に投影した投影吐出軸と当該吐出軸との成す角度が６０°である状態を示す。傾斜角６０°とは、吐出軸が基板９の上面９１に交わる交点から上下方向に延びる法線と当該吐出軸との成す角度が６０°である状態、すなわち、投影吐出軸と吐出軸との成す角度が３０°である状態を示す。
【００８１】
図１２は、上記傾斜角と図１１に示す基板９の中心における電位との関係を示す図である。図１２の横軸は傾斜角を示し、縦軸は、基板９の中心における電位を示す。図１１および図１２に示すように、傾斜角を３０°以上とすることにより、基板９の中央部での電位を大きく低減することができる。基板処理装置１では、複数の吐出口１８８のうち少なくとも１つの吐出口１８８からの純水の吐出方向と中心軸Ｊ１との成す角度が、３０°以上であることが好ましい。これにより、基板９の中央部における帯電をさらに抑制することができる。
【００８２】
基板処理装置１では、様々な変更が可能である。
【００８３】
例えば、上部ノズル１８１，１８１ｂでは、中心吐出口１８８ａの周囲には、４つ以上の周辺吐出口１８８ｂが同一円周上に等角度間隔にて配置されてもよい。複数の周辺吐出口１８８ｂは、必ずしも同一円周上に配置される必要はなく、また、必ずしも等角度間隔に配置される必要もない。複数の周辺吐出口１８８ｂは、中心吐出口１８８ａの周囲に様々な配置で設けられてよい。中心吐出口１８８ａの周囲には、周辺吐出口１８８ｂが１つのみ設けられてもよい。
【００８４】
また、上部ノズル１８１，１８１ｂでは、必ずしも中心吐出口１８８ａが設けられる必要はなく、複数の吐出口１８８が、上部ノズル１８１，１８１ｂの底面１８１ａにおいて適宜分布して配置されてよい。この場合、複数の吐出口１８８はおよそ均一に分布して配置されることが好ましい。
【００８５】
上部ノズル１８１，１８１ｂは、必ずしも、基板９の上面９１の中央部に対向して固定される必要はない。上部ノズル１８１，１８１ｂは、少なくとも上面９１の中央部に処理液（すなわち、上述の薬液、純水、ＩＰＡ等）を供給可能であれば、例えば、基板９の上方にて基板９の中央部と外縁部との間で往復移動を繰り返しつつ処理液を供給する構造であってもよい。
【００８６】
基板処理装置１では、上部ノズル１８１，１８１ｂからの純水は、必ずしも連続的に液柱状に吐出される必要はなく、例えば、上部ノズル１８１，１８１ｂの各吐出口１８８から基板９に向けて、微小な液滴状の純水が吐出されてもよい。他の処理液（すなわち、上述の薬液およびＩＰＡ）についても同様である。
【００８７】
基板処理装置１では、チャンバ空間１２０にガスを供給して加圧する加圧部が設けられてもよい。チャンバ空間１２０の加圧は、チャンバ１２が密閉された第２密閉状態で行われ、チャンバ空間１２０が大気圧よりも高い加圧雰囲気となる。なお、加熱ガス供給部１８７が加圧部を兼ねてもよい。
【００８８】
チャンバ開閉機構１３１は、必ずしもチャンバ蓋部１２２を上下方向に移動する必要はなく、チャンバ蓋部１２２が固定された状態で、チャンバ本体１２１を上下方向に移動してもよい。チャンバ１２は、必ずしも略円筒状には限定されず、様々な形状であってよい。
【００８９】
基板回転機構１５のステータ部１５１およびロータ部１５２の形状および構造は、様々に変更されてよい。ロータ部１５２は、必ずしも浮遊状態にて回転する必要はなく、チャンバ１２内にロータ部１５２を機械的に支持するガイド等の構造が設けられ、当該ガイドに沿ってロータ部１５２が回転してもよい。基板回転機構１５は、必ずしも中空モータである必要はなく、軸回転型のモータが基板回転機構として利用されてもよい。
【００９０】
基板処理装置１では、基板９の洗浄処理は、第１密閉状態における拡大密閉空間１００において行われてもよい。拡大密閉空間１００は、カップ部１６１の上面部６１２以外の部位（例えば、側壁部６１１）がチャンバ蓋部１２２に接することにより形成されてもよい。カップ部１６１の形状は、適宜変更されてよい。基板９の洗浄処理は、必ずしも密閉空間で行われる必要はなく、開放された空間で行われてもよい。
【００９１】
上部ノズル１８１、下部ノズル１８２および加熱ガス供給ノズル１８０ａの形状は、突出する形状には限定されない。処理液や加熱液を吐出する吐出口、または、不活性ガスや加熱ガスを噴出する噴出口を有する部位であれば全て本実施の形態のノズルの概念に含まれる。
【００９２】
基板処理装置１では、薬液供給部１８３から供給される薬液により、上述のエッチング処理以外の様々な処理、例えば、基板上の酸化膜の除去や現像液による現像等が行われてよい。
【００９３】
基板処理装置１では、半導体基板以外に、液晶表示装置、プラズマディスプレイ、ＦＥＤ（field emission display）等の表示装置に使用されるガラス基板の処理に利用されてもよい。あるいは、基板処理装置１は、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板および太陽電池用基板等の処理に利用されてもよい。
【００９４】
上記実施の形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてよい。
【符号の説明】
【００９５】
１    基板処理装置
９    基板
１２    チャンバ
１５    基板回転機構
９１    （基板の）上面
１２０    チャンバ空間
１２１    チャンバ本体
１２２    チャンバ蓋部
１４１    基板支持部
１８１，１８１ｂ    上部ノズル
１８８    吐出口
１８８ａ    中心吐出口
１８８ｂ    周辺吐出口
Ｊ１    中心軸
Ｓ１１〜Ｓ１６    ステップ
【図１】
2014194965.tif 000003
【図２】
2014194965.tif 000004
【図３】
2014194965.tif 000005
【図４】
2014194965.tif 000006
【図５】
2014194965.tif 000007
【図６】
2014194965.tif 000008
【図７】
2014194965.tif 000009
【図８】
2014194965.tif 000010
【図９】
2014194965.tif 000011
【図１０】
2014194965.tif 000012
【図１１】
2014194965.tif 000013
【図１２】
2014194965.tif 000014