(57)【要約】【課題】プレチルト角の制御性能の向上と、耐光性寿命の向上（光反応による劣化の抑制）とを共に実現させた液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器を提供すること。【解決手段】液晶装置１に、第１の基板１０と液晶層５０との間に形成された下地層３９と、下地層３９と液晶層５０との間に形成された配向膜３０とを備えさせる。配向膜３０は、下地層３９の液晶層５０側の面に形成された複数のカラム３５と、複数のカラム３５の少なくとも一部及び下地層３９を被覆するように形成された保護膜３７とを備える。下地層３９は、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下の表面粗さを有する。【選択図】図４
2014211593.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板との間に液晶層が設けられた液晶装置であって、
前記第１の基板と前記液晶層との間に形成された下地層と、
前記下地層と前記液晶層との間に形成された配向層と、を備え、
前記配向層は、
前記下地層の前記液晶層側の面に形成された複数の柱状構造物と、
前記複数の柱状構造物の少なくとも一部及び前記下地層を被覆するように形成された保護膜と、を有し、
前記下地層は、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下の表面粗さを有する、
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記保護膜の光反応性は、前記複数の柱状構造物の光反応性よりも低いことを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記下地層は、３００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の厚さの結晶性導電膜である
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のうち何れか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項５】
一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶装置の製造方法であって、
前記一対の基板のうち一方の基板の一方の面に５ｎｍ以上４０ｎｍ以下の表面粗さを有する下地層を形成する下地層形成工程と、
前記下地層の前記一方の基板と反対側の面に複数の柱状構造物を形成する構造物形成工程と、
前記複数の柱状構造物の少なくとも一部及び前記下地層を被覆するように保護膜を形成する保護膜形成工程と、
を具備することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項６】
前記下地層形成工程は、結晶性導電膜を前記所定の表面粗さを有するようにエッチング加工する工程を含む
ことを特徴とする請求項５に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項７】
前記下地層形成工程は、スパッタ法によって結晶性導電膜を形成する工程を含む
ことを特徴とする請求項５又は６に記載の液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置及びその製造方法、並びにこの液晶装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、映像を大画面表示する装置として、液晶表示素子を具備する液晶プロジェクタ装置が知られている。液晶表示素子には、液晶分子を配向制御（配向規制）する機能が求められ、一般的には配向膜と称される層がその機能を担っている。
近年、例えば液晶プロジェクタ装置などに用いられる（プロジェクション用途の）液晶表示素子においては、耐光性の観点から、無機膜である斜方蒸着膜(主として二酸化珪素;ＳｉＯ２)が配向膜として多く採用されている。
【０００３】
また、液晶プロジェクタ装置では、液晶モードとして高コントラスト表示を実現しやすい垂直配向モードを用いることがある。垂直配向モードを用いる液晶プロジェクタ装置は、電界無印加時において液晶分子に所定のプレチルト角を与えるように構成されている。そして、液晶分子を基板表面に対して所定のプレチルト角で配向させる為に、液晶層側の基板表面には配向層が形成されている。
ここで、プレチルト角の制御性向上の為には、配向膜として斜方蒸着膜を設ける面の表面粗さを調節することが有用であることが知られている。そして、配向膜を設ける面の表面粗さを調節することでプレチルト角を制御する技術として、例えば特許文献１及び特許文献２に次のような技術が開示されている。
特許文献１に開示されている技術では、基板上に透明電極膜を蒸着法で成膜した後、蒸着法によって、透明電極膜表面に配向膜を形成する。蒸着法によって成膜された透明電極膜は、表面粗さが４ｎｍ以上１２ｎｍ以下となる（表面粗さの値が大きい）。このような表面粗さを有する透明電極膜表面上に配向膜を形成することで、配向膜として例えば斜方蒸着膜を密に形成した場合であっても、所定のプレチルト角を得ることが可能となる。
特許文献２に開示されている技術では、一対の基板の各々は、基材部と、基材部の表面に形成され液晶層に接する配向膜と、を含んでおり、基材部における配向膜が形成される面の表面粗さが４ｎｍ未満とされている。特許文献２には、このように配向膜の形成面の表面粗さを４ｎｍ未満に設定することで、プレチルト角を実用範囲内に設定することができる旨が記載されている（例えば特許文献２における段落［００５７］参照）。
特許文献３においては、光に対する耐性の高い液晶配向材料として、有機基を含有するアルコキシシランを重縮合して得られる珪素化合物等のポリシロキサン系垂直配向材料が挙げられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１７０６６７号公報
【特許文献２】特開２０１１−１５４１５６号公報
【特許文献３】国際公開第２００７／１０２５１３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、例えば二酸化珪素などの無機材料で配向膜を形成した場合、その表面にはシラノール基が含まれている。液晶層中の液晶材料は、このシラノール基が反応サイトとなって、液晶層中に含まれる添加物や不純物等と光化学反応を起こし、フリーラジカルを生成してしまう。液晶層中で発生したフリーラジカルは、液晶材料と反応して液晶分子の化学結合を切断し、液晶材料を劣化させることにより、液晶パネルの表示特性が低下させてしまうことがある。つまり、液晶装置に入射する光によって、当該液晶装置の耐光性寿命が低下してしまう。従って、無機材料で配向膜を形成する場合には、液晶層と配向膜との界面の面積は、可能な限り小さいほうが好ましい。
近年、プロジェクタ装置の高精細化や高輝度化に伴い、プロジェクタ装置に用いられる液晶装置に入射する光の強度が高くなってきている為、耐光性寿命を鑑みた液晶装置が望まれている。また、近年のデジタルサイネージ（Digital Signage;電子看板）の普及拡大により、液晶装置には更なる耐光性寿命の向上が望まれている。
【０００６】
特許文献１には、高い膜密度で配向膜を形成している旨の記述があるが、当該配向膜はカラム構造を採っている為、液晶層と当該配向膜との界面の面積は小さいとは言い難い。従って、特許文献１に開示された技術は、耐光性を充分に考慮して提案された技術であるとは言えない。特許文献２に開示された技術においても特許文献１と同様、配向膜である斜方蒸着膜が多孔質なカラム構造とされており、液晶層と当該配向膜との界面の面積が小さいとは言い難い。従って、特許文献２に開示された技術は、耐光性を充分に考慮して提案された技術であるとは言えない。
【０００７】
以上説明したように、特許文献１及び特許文献２に代表される従来の技術では、プレチルト角の制御性能の向上については考慮しているものの、耐光性寿命の向上（光反応による劣化の抑制）については、何ら考慮されていない。なお、特許文献３に開示されているポリシロキサン系垂直配向材料のみを配向膜として用いる場合、液晶分子にプレチルト角を付与することができない。そして、液晶分子にプレチルト角を付与できない場合、画素間で生じる横向きの電界によって生じるドメインの問題が発生する。特に、画素の大きさが微細な場合にはドメインの影響が顕著に表れて、透過率の大幅な低下が起こり得る。
【０００８】
本発明は、前記の事情に鑑みて為されたものであり、プレチルト角の制御性能の向上と、耐光性寿命の向上（光反応による劣化の抑制）とを共に実現させた液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器を提供することを解決課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために本発明の第１の態様による液晶装置は、第１の基板と第２の基板との間に液晶層が設けられた液晶装置であって、前記第１の基板と前記液晶層との間に形成された下地層と、前記下地層と前記液晶層との間に形成された配向層と、を備え、前記配向層は、前記下地層の前記液晶層側の面に形成された複数の柱状構造物と、前記複数の柱状構造物の少なくとも一部及び前記下地層を被覆するように形成された保護膜と、を有し、前記下地層は、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下の表面粗さを有する、ことを特徴とする。
【００１０】
本発明の第１の態様によれば、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下の表面粗さを有する下地層上に複数の柱状構造物を備えた配向層を形成することでプレチルト角の制御性能の向上を図りつつ、複数の柱状構造物の少なくとも一部及び下地層を被覆するように保護膜を形成することにより耐光性寿命の向上（光反応による劣化の抑制）を実現している。
【００１１】
より詳細には、例えばポリシロキサン系垂直配向材料から成る保護膜を、複数の柱状構造物の少なくとも一部及び前記下地層を被覆するように設けることで、当該配向層と液晶層との界面に存在する光活性基の量が大幅に低減し、耐光性寿命の向上が実現する。さらに、所定の表面粗さを有する下地層を形成することで、保護膜の存在にも関わらずプレチルト角を得やすくなる。そして、下地層を、その表面粗さが大きくなるように形成することで、密な蒸着条件（低蒸着角度、低圧力）で斜方蒸着法によって柱状構造物を形成することが可能となる。つまり、斜方蒸着膜の形成工程の高効率化（柱状構造物の形成効率の高効率化）が実現し、生産性が向上する。
【００１２】
ここで、「配向層」とは、例えば液晶層中の液晶分子の配列を制御して一軸に配向させる為の（配向規制の為の）部材である。
本発明の第２の態様による液晶装置は、上述した第１の態様による液晶装置において、前記保護膜の光反応性は、前記複数の柱状構造物の光反応性よりも低いとする。つまり、保護膜と液晶層との界面では、光反応による液晶材料の劣化が生じにくい。このように構成することで、液晶層と配向層との界面に存在する光活性基の数をより減少させることができ、耐光性をより向上させることができる。
【００１３】
本発明の第３の態様による液晶装置は、上述した液晶装置の第１の態様において、前記下地層は、３００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の厚さの結晶性導電膜とする。このような構成とすることで、ＩＴＯ膜（画素電極、共通電極）を形成する際に同時に下地層が形成される。つまり、下地層を別途形成する工程が不要となる。この態様において、前記下地層は、スパッタ法によって形成してもよい。これにより、従来より用いられているＩＴＯ膜の形成法を用いて、下地層を形成することができる。
次に、本発明の第４の態様による電子機器は、上述した本発明の第１の態様乃至第３の態様のいずれかの態様の液晶装置を備えることを特徴とする。上述した液晶装置の一態様は、プレチルト角の制御性能の向上と、耐光性寿命の向上（光反応による劣化の抑制）とを共に実現する。このため、本発明の電子機器の一態様によれば、優れた表示特性を発揮することができる、投射型表示装置、光ピックアップ、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサー、ビューファインダー型又はモニター直視型のビデオテープレコーダー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
【００１４】
さらに、本発明の第５の態様による液晶装置の製造方法は、一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶装置の製造方法であって、前記一対の基板のうち一方の基板の一方の面に５ｎｍ以上４０ｎｍ以下の表面粗さを有する下地層を形成する下地層形成工程と、前記下地層の前記一方の基板と反対側の面に複数の柱状構造物を形成する構造物形成工程と、前記複数の柱状構造物の少なくとも一部及び前記下地層を被覆するように保護膜を形成する保護膜形成工程と、を具備することを特徴とする。このように液晶装置を製造することによって、実用に充分な配向制御性能と、耐光性寿命の向上とが共に実現した液晶装置を得ることができる。換言すれば、液晶分子の配向制御性能（一軸配向性）の向上と、光反応による劣化の抑制性能（耐光性の向上）とが共に実現した液晶装置が製造される。
【００１５】
本発明の第６の態様による液晶装置の製造方法は、第５の態様による液晶装置の製造方法において、前記下地層形成工程は、結晶性導電膜を前記所定の表面粗さを有するようにエッチング加工する工程を含むことを特徴とする。このような構成とすることで、下地層を容易に形成することが可能となる。
本発明の第７の態様による液晶装置の製造方法は、第５または第６の態様による液晶装置の製造方法において、前記下地層形成工程は、スパッタ法によって結晶性導電膜を形成する工程を含むことを特徴とする。これにより、従来より用いられているＩＴＯ膜の形成法を用いて、下地層を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態に係る液晶装置の一構成例を示す概略平面図である。
【図２】図１におけるＨ−Ｈ´線における液晶装置の矢視断面図である。
【図３】図２に示す幅ｗの区間の液晶装置の断面構造を拡大して示す図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る液晶装置が具備する配向膜の断面構造を拡大して模式的に示す図である。
【図５】（ａ）は、素子基板作成工程によって作成された素子基板１１を模式的に示す図である。（ｂ）は、ＩＴＯ膜形成工程によってＩＴＯ膜である画素電極が形成された第１の基板１０を模式的に示す図である。（ｃ）は、下地層加工工程によってＩＴＯ膜である画素電極が所定の表面粗さＲａを有した状態の第１の基板１０を模式的に示す図である。（ｄ）は、カラム形成工程によってカラム３５が形成された第１の基板１０を模式的に示す図である。（ｅ）は、保護膜形成工程によって保護膜３７が形成された第１の基板１０を模式的に示す図である。
【図６】カラム形成工程において用いる蒸着装置の一構成例を模式的に示す図である。
【図７】下地層の表面粗さＲａとプレチルト角との相関関係の一例を示す図である。
【図８】スパッタ法によって作成されたＩＴＯ膜の膜厚と、当該ＩＴＯ膜の表面粗さＲａとの関係の実測結果を示す図である。
【図９】スパッタ法によって作成されたＩＴＯ膜の消衰係数から算出されたＩＴＯ膜の膜厚と緑光（波長５５０ｎｍの光）の透過率との関係を示す図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る液晶装置を適用した投射型表示装置（三板式のプロジェクター）の模式図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る液晶装置を採用した可搬型のパーソナルコンピューターの斜視図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係る液晶装置を適用した携帯電話機の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態に係る液晶装置及び液晶装置の製造方法について説明する。
なお、図面においては、説明に係る部分を容易に認識可能にする為に、各部を適宜拡大または縮小して記載している。また、本一実施形態において、例えば“基板上に”との記載は、当該基板の上に接するように配置される態様、基板の上に他の構成物を介して配置される態様、及び、基板の上に一部分が接するように配置され且つ他の部分が他の構成物を介して配置される態様の全ての態様を包含する記載であるとする。
【００１８】
本一実施形態においては、薄膜トランジスタ（Thin  Film  Transistor；TFT）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリクス型の液晶装置を例に挙げて説明する。このような構成の液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置（液晶プロジェクタ）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができる液晶装置である。
図１は、本発明の一実施形態に係る液晶装置の一構成例を示す概略平面図である。図２は、図１におけるＨ−Ｈ´線における液晶装置の矢視断面図である。
【００１９】
図１及び図２に示すように、本一実施形態に係る液晶装置１は、一対の基板のうちの一方の基板としての素子基板１１と、他方の基板としての対向基板２１と、これら一対の基板１１，２１によって挟持された液晶層５０と、を具備する。
図１及び図２に示すように、素子基板１１は、対向基板２１よりも一回り大きく、素子基板１１と対向基板２１とは、額縁状に配置されたシール材４０を介して接合されている。さらに、素子基板１１と対向基板２１との間の空間には負の誘電異方性を有する液晶が封入され、液晶層５０が形成されている。
【００２０】
素子基板１１は、例えば石英などの透明なガラス基板である。この素子基板１１のうち対向基板２１側の面には、光透過性を有する結晶性導電膜であるＩＴＯ(Tin-doped Indium Oxide）などから成る画素電極１２が形成されている。以降、素子基板１１と画素電極１２とから成る部材を、“第１の基板”と称する（後に説明する図３及び図４において符号１０が付された部材）。
なお、第１の基板１０には、画素電極１２をスイッチング制御するためのトランジスタを含む画素回路や周辺回路も設けられている。
【００２１】
対向基板２１は、例えば石英などの透明なガラス基板である。この対向基板２１のうち素子基板１１側の面には、光透過性を有する結晶性導電膜であるＩＴＯなどから成る共通電極２２が形成されている。以降、対向基板２１と共通電極２２とから成る部材を、“第２の基板”と称する（後に説明する図３において符号２０が付された部材）。
なお、第２の基板２０には、画素を光学的に区画するための遮光部（ブラックマトリクス）なども設けられている。
【００２２】
画素電極１２及び共通電極２２は、金属酸化物で構成されており、例えば酸化インジウム錫(ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（IZO;Indium Zinc Oxide)などを挙げることができる。
【００２３】
液晶層５０は、シール材４０を介して接合された素子基板１１と対向基板２１との間に、負の誘電異方性を有する液晶が封入されて成る層である。このシール材４０は、例えば、熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤である。シール材４０には、素子基板１１と対向基板２１との間隔を一定に保持するためのスペーサ（不図示）が混入されている。
【００２４】
上述したように額縁状に配置されたシール材４０の内側（液晶層５０側）には、同様に額縁状に遮光膜４１が設けられている。遮光膜４１は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などから成り、遮光膜４１の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。図１では詳細な図示を省略しているが、遮光膜４１は表示領域Ｅにおいて画素Ｐをそれぞれ平面的に区分するように対向基板２１側に設けられている。
【００２５】
素子基板１１は平面視すると長方形の形状をしており、第1乃至第4辺部１１ａ〜１１ｄを有する。第１辺部１１ａに沿ったシール材４０との間には、データ線駆動回路１０１が設けられている。
さらに、第３辺部１１ｃ及び第４辺部１１ｄに沿ったシール材４０の内側には、それぞれ走査線駆動回路１０２が設けられている。また、第２辺部１１ｂ側に設けられたシール材４０の内側には、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。
そして、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、第１辺部１１ａに沿って配設された複数の外部接続端子１０４に接続されている。
【００２６】
以降、第１辺部１１ａ及び第２辺部１１ｂに平行な方向をＸ方向と称し、第３辺部１１ｃ及び第４辺部１１ｄに平行な方向（Ｘ方向と直交する方向）をＹ方向と称する。
素子基板１１の液晶層５０側の面には、図２に示すように画素Ｐ毎に設けられた光透過性を有する画素電極１２と、配向膜３０と、が形成されている。ここで、図１及び図２においては不図示であるが、画素電極１２のうち液晶層５０側の面は所定の表面粗さＲａを有する（後述する下地層が画素電極１２上に形成されている）。なお、画素電極１２には、スイッチング素子としての薄膜トランジスタを含む画素回路が電気的に接続されて設けられている。
【００２７】
対向基板２１の液晶層５０側の面には、図２に示すように遮光膜４１と、これを覆うように成膜された層間膜層４２と、層間膜層４２を覆うように設けられた光透過性を有する共通電極２２と、共通電極２２を覆う配向膜３０と、が設けられている。ここで、図１及び図２においては不図示であるが、共通電極２２のうち液晶層５０側の面は所定の表面粗さＲａを有する（後述する下地層が共通電極２２上に形成されている）。
なお、対向基板２１のうち液晶層５０側の面には、多数の微少マイクロレンズを有する層（マイクロレンズ層）を形成し、それらマイクロレンズを用いて、遮光膜４１により反射、遮光されて損失する入射光を各画素の開口部分に集光させることで、透過光量を増大させるように構成してもよい。
【００２８】
遮光膜４１は、図１に示すように平面的にデータ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０２と重なる位置において額縁状に設けられている。この遮光膜により、対向基板２１側から入射する光が遮蔽され、これらの駆動回路を含む周辺回路の光による誤動作が防止される。また、遮光膜４１によって、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽され、表示領域Ｅの表示における高いコントラストが確保される。
【００２９】
層間膜層４２は、例えば酸化シリコンなどの無機材料から成り、光透過性を有して遮光膜４１を覆うように設けられている。このような層間膜層４２の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法などを用いて上記無機材料を成膜する方法が挙げられる。
共通電極２２は、層間膜層４２を覆うように設けられており、図１に示すように対向基板２１の四隅に設けられた上下導通部１０６により素子基板１１側の配線に電気的に接続されている。
【００３０】
図３に、図２に示す液晶装置１の断面図における幅ｗの区間を拡大して示す。図３に示すように、配向膜３０は、素子基板１１側においては画素電極１２を覆うように設けられ、対向基板２１側においては共通電極２２を覆うように設けられている。後述する態様で下地層３９上に配向膜３０を形成することによって、液晶層５０の負の誘電異方性を有する液晶分子を、当該配向膜３０の表面に対してプレチルトを与えた状態で垂直配向させることができる。配向膜３０は、実際には図３に示すように、画素電極１２及び共通電極２２のうち液晶層５０側の表面に設けられた下地層３９上に形成されている。
なお、本例では配向膜３０を第１の基板１０及び第２の基板２０の双方に設けているが、少なくとも何れか一方の基板に設ければよい。
【００３１】
以下、この配向膜３０の構成及び成膜方法について、図４乃至図６を参照して説明する。なお、説明の便宜上、ここでは第１の基板１０上に設けられた配向膜３０について説明する。
図４は、本発明の一実施形態に係る液晶装置１が具備する配向膜の断面構造を拡大して模式的に示す図である。
配向膜３０は、第１の基板１０上に形成された柱状構造物（以降、カラムと称する）３５と、それらカラム３５の少なくとも一部及び下地層３９を被覆するように設けられた保護膜３７と、を備える。配向膜３０の構成は、主に次の２種類の構成に大別することができる。すなわち、（構成１）密な斜方蒸着膜（カラム３５）上に薄く保護膜３７を形成する構成と、（構成２）粗な斜方蒸着膜（カラム３５）上に厚く保護膜３７を形成する構成とである。
ここで、配向膜３０は、例えば斜方蒸着法によって第１の基板１０上に形成される。斜方蒸着法とは、基板等の被蒸着材表面に対して蒸着膜を形成する方法の一つである。斜方蒸着法による具体的なカラムの形成方法については、後に図６を参照して詳述する。
【００３２】
カラム３５は、例えば無機材料である珪素酸化物（ＳｉＯｘ；例えばＳｉＯやＳｉＯ２など）から成る微小柱状構造物であって、第１の基板１０の上面に対して傾斜した態様で、その他方端部が所定の表面粗さを有する下地層３９上に固着されている。そして、保護膜３７は、下地層３９及びカラム３５の少なくとも一部（図４に示す例ではカラム３５全体）を被覆するように形成されている。
下地層３９は、所定の表面粗さを有するように形成されたＩＴＯ電極たる画素電極１２及び共通電極２２の表面の凹凸形状を呈する部位である。このように、ＩＴＯ電極たる画素電極１２及び共通電極２２の表面に所定の表面粗さＲａを実現させる為には、例えばエッチング加工等が有効である。ＩＴＯ結晶と結晶粒界とには溶解性に差があり、結晶粒界は溶解の進行が速い為、簡便に非常に大きな表面粗さＲａを得ることが出来る。
【００３３】
また、ＩＴＯ電極たる画素電極１２及び共通電極２２を形成する際に、例えばスパッタ法や蒸着法等によって所定の膜厚（例えばＩＴＯ電極たる画素電極１２及び共通電極２２を300nm））以上の膜厚で形成することによっても、大きな表面粗さＲａを得ることができる。具体的な下地層３９の表面粗さＲａの好ましい値については後述する。
保護膜３７は、カラム３５の材料の光反応性よりも低い光反応性を有する（換言すれば、含有する光活性基の数がより少ない）材料から成る膜である。具体的には、保護膜３７の材料としては、カラム３５の材料として上述した材料を用いた場合、例えば、ポリシロキサン系垂直配向材料を用いることができる。すなわち、保護膜３７は、例えば有機基を含有するアルコキシシランを重縮合して得られる珪素化合物等のポリシロキサン系垂直配向材料を用いて、例えばスピンコートやインクジェットなどの液相成膜法によって形成することができる。
【００３４】
上述したように、本一実施形態において配向膜３０は、所定の表面粗さを有する下地層３９、及びその上面に形成されたカラム３５に、例えばポリシロキサン系垂直配向層から成る保護膜が形成された積層構造を採っている。
ここで、配向膜３０の下地として凹凸形状を呈する下地層３９を設けることで、配向膜３０を形成する面の表面粗さＲａを所定値以上にする。これにより、カラム３５上に保護膜３７を形成しても、カラム３５は、液晶層５０に含まれる液晶分子を所定角度だけ傾斜させることができる（所定のプレチルト角を得ることができる）。また、カラム３５を、高密度な斜方蒸着条件(低入射角、高圧力)で形成しても、所定のプレチルト角を実現することが可能と成る。
なお、カラム３５の材料としては、珪素酸化物に限られず、例えば珪素窒化物（ＳｉＮ）や金属酸化物（例えば酸化アルミニウムなど）を挙げることができる。
以上、配向膜３０及び下地層３９の構成について、第１の基板１０上に設けられた配向膜３０を例にして説明したが、第２の基板２０上に設けられた配向膜３０及び下地層３９の構成も、上述した第１の基板１０上に設けられた配向膜３０の構成と同様の構成である。
【００３５】
以下、本一実施形態に係る液晶装置１の製造方法について説明する。図５（ａ）は、素子基板作成工程によって作成された素子基板１１を模式的に示す図である。図５（ｂ）は、ＩＴＯ膜形成工程によってＩＴＯ膜である画素電極が形成された第１の基板１０を模式的に示す図である。図５（ｃ）は、下地層加工工程によってＩＴＯ膜である画素電極が所定の表面粗さＲａを有した状態の第１の基板１０を模式的に示す図である。図５（ｄ）は、カラム形成工程によってカラム３５が形成された第１の基板１０を模式的に示す図である。図５（ｅ）は、保護膜形成工程によって保護膜３７が形成された第１の基板１０を模式的に示す図である。図６は、カラム形成工程において用いる蒸着装置の一構成例を模式的に示す図である。
【００３６】
まず、例えば石英などの透明なガラス基板から素子基板１１を作成する（素子基板作成工程；図５（ａ）参照）。続いて、素子基板１１上にＩＴＯ膜たる画素電極１２を形成し、第１の基板１０を作成する（ＩＴＯ膜形成工程；図５（ｂ）参照）。すなわち、画素電極形成工程では、素子基板１１の表面を覆うように、例えばＩＴＯから成る導電膜を、蒸着法やスパッタ法などを用いて成膜する。導電膜の厚みは、例えば４００ｎｍ程度とすればよい。
【００３７】
続いて、成膜された導電膜の液晶層５０側の表面に対して、例えばウェットエッチングを所定時間だけ施し、当該表面に所定の表面粗さＲａを備えさせる（下地層加工工程；図５（ｃ）参照）。
そして、導電膜を、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることにより、画素Ｐごとの結晶性導電膜である画素電極１２を形成する。具体的には、一例としては、表面粗さＲａが２５ｎｍであって厚さが１５０ｎｍのＩＴＯ膜を、画素電極１２及び下地層３９として形成すればよい。
【００３８】
さらに、蒸着装置を用いて、斜方蒸着法によって、蒸着物質の蒸気流を所定の蒸着角度で基板に導き、蒸着物質による斜方蒸着膜（柱状構造物）であるカラム３５を、下地層３９上に形成する（カラム形成工程；図５（ｄ）参照）。すなわち、このカラム形成工程は、斜方蒸着法によって、例えば珪素酸化物（ＳｉＯｘ）から成る所定厚さ（例えば厚さ１５０ｎｍ）の斜方柱状構造膜たるカラム３５を成膜する工程である。
【００３９】
図６は、カラム形成工程において用いる蒸着装置の一構成例を模式的に示す図である。同図に示すように、蒸着装置９１は、蒸着物質の蒸気を生じさせる蒸着源９２と、蒸気を適宜遮蔽する遮蔽板９３と、チャンバーである蒸着室９５と、を備える。蒸着室９５内には、第１の基板１０が、蒸着源９２と当該第１の基板１０の中心Ｏとを結ぶ線に対して角度θだけ傾いた状態で治具（不図示）によって保持されている。同様に、第２の基板２０が、蒸着源９２と第２の基板２０の中心Ｏとを結ぶ線に対して角度θだけ傾いた状態で治具（不図示）によって保持されている。
【００４０】
ここで、各基板１０，２０を支持する治具（不図示）は、蒸着源９２に対して各基板１０，２０を所望角度だけ傾けられるように、各基板１０，２０の中心Ｏを回転中心として、各基板１０，２０を回転させられるように構成されている。
斜方蒸着法によれば、蒸着源９２と基板１０，２０との位置関係によって、基板１０，２０に対する蒸気の入射角が変化する。蒸着源９２と基板１０，２０との距離が遠いほど、膜厚を一様に形成することができる。図６に示すように、複数の基板に対して同時に斜方蒸着することで、第１の基板１０と第２の基板２０との蒸着条件を同じ条件とすることができ、対向する配向膜３０同士の膜厚を揃えることができる。
【００４１】
上述したカラム形成工程を完了すると、複数のカラム３５から成る斜方柱状構造膜上に、例えばポリシロキサン系垂直配向材料を含む溶液（保護膜３７の材料）を、例えばスピンコート法によって所定厚さ（一例としては４０ｎｍ）だけ塗布し、カラム３５表面に保護膜３７（本例ではポリシロキサン系垂直配向膜）を形成する（保護膜形成工程；図５（ｅ））。なお、この保護膜形成工程においては、下地層３９のうちカラム３５が形成されていない露出部位にも保護膜３７の材料を塗布して保護膜３７を形成する。
以上、第１の基板１０上に配向膜３０を形成する例を説明したが、第２の基板２０上に配向膜３０を形成する場合は、ＩＴＯ膜形成工程において画素電極１２の代わりに共通電極２２を形成する。そして、この工程以外の工程は同様の工程である。
【００４２】
すなわち、対向基板２１に係るＩＴＯ膜形成工程では、対向基板２１のうち第１の基板１０側の表面を覆うように例えばＩＴＯからなる導電膜を、蒸着法やスパッタ法などを用いて成膜する。
この結晶性導電膜を、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることによって、共通電極２２を形成する。共通電極２２の厚みは画素電極１２と同様、光透過性と導電性とを兼ね備えた厚みであることが好ましい。ただし、共通電極２２は少なくとも表示領域Ｅに亘って対向基板２１の表面を覆うように形成する必要がある。
【００４３】
このＩＴＯ膜形成工程によって共通電極２２を形成した後は、上述した第１の基板１０に対するカラム形成工程及び保護膜形成工程と同様の工程によって、共通電極２２上に配向膜３０を形成する。
そして、配向膜３０がそれぞれ形成された第１の基板１０と第２の基板２０との間に液晶を充填する（液晶充填工程）。この液晶充填工程では、第１の基板１０及び第２の基板２０のうち何れか一方に、例えば印刷法や吐出法を用いてシール材４０を所定の位置に配置する。さらに、第１の基板１０と第２の基板２０とを、所定間隔だけあいた状態で（シール材４０に含まれているスペーサによって所定間隔だけあけられた状態で）対向配置し、シール材４０を硬化させる。
【００４４】
ここで、第１の基板１０と第２の基板２０との間に形成された空間に、負の誘電異方性を有する液晶を注入する。液晶の注入方法としては、例えば第１の基板１０と第２の基板２０との隙間を減圧して、シール材４０に設けられた注入口から液晶を前記隙間に注入する方法（真空注入法）を挙げることができる。このシール材４０に設けられた液晶注入口は、液晶注入後に例えば紫外線硬化型の接着剤を用いて封止される。
【００４５】
なお、液晶の充填方法は上述の例に限定されず、シール材４０を額縁状に配置してこれを土手とし、シール材４０で囲まれた内側に減圧下で上記液晶を滴下した後に第１の基板１０と第２の基板２０とを貼り合わせる、所謂ＯＤＦ（One  Drop  Fill）法を用いてもよい。
【００４６】
以下、下地層３９に求められる表面粗さＲａについて詳細に説明する。図７は、下地層３９の表面粗さＲａとプレチルト角との相関関係の一例を示す図である。なお、ここでの表面粗さＲａとは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１：２００１で規定されている算術平均粗さである。
同図において、実線で示すグラフＬ１は、斜方蒸着法により、基板法線からの角度が４５度、蒸着時の圧力が８．５Ｅ−３Ｐａで形成された、厚さ１５０ｎｍの珪素酸化物（ＳｉＯｘ）から成る斜方柱状構造膜（カラム３５）に、厚さ１０ｎｍになる条件で、ポリシロキサン系垂直配向材料を含む溶液をスピンコート法によって塗布して保護膜３７を形成した場合の表面粗さＲａとプレチルト角との相関関係を示すグラフである。一方、一点鎖線で示すグラフＬ２は、斜方蒸着法により、基板法線からの角度が５５度、蒸着時の圧力が３．０Ｅ−３Ｐａで形成された、厚さ１５０ｎｍの珪素酸化物（ＳｉＯｘ）から成る斜方柱状構造膜（カラム３５）に、厚さ４０ｎｍになる条件で、ポリシロキサン系垂直配向材料を含む溶液をスピンコート法によって塗布して保護膜３７を形成した場合の表面粗さＲａとプレチルト角との相関関係を示すグラフである。
【００４７】
換言すれば、グラフＬ１は、配向膜３０を、密な斜方蒸着膜（カラム３５）上に薄く保護膜３７を形成する構成（上述の「構成１」に相当）とした場合における、下地層３９の表面粗さＲａとプレチルト角との相関関係を示している。一方、グラフＬ２は、配向膜３０を、粗な斜方蒸着膜（カラム３５）上に厚く保護膜３７を形成する構成（上述の「構成２」に相当）とした場合における、下地層３９の表面粗さＲａとプレチルト角との相関関係を示している。
【００４８】
ここで、下地層３９の表面粗さＲａの値は、「構成１」に対応するグラフＬ１においてプレチルト角が５度となるときの表面粗さＲａの値（約４０ｎｍ）と、「構成２」に対応するグラフＬ２においてプレチルト角が生じ始めるときの表面粗さＲａの値（約５ｎｍ）との間の範囲内にあることが好ましい。つまり、下地層３９の表面粗さＲａの値は、例えば５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが好ましい。
この表面粗さＲａの範囲は、プレチルト角が５度以上になるとコントラストの低下などの問題が生じやすくなってしまうことを鑑みてそのときの表面粗さＲａの値を最大値とし、プレチルト角が生じ始めるときの表面粗さＲａの値を最小値とした範囲である。
【００４９】
ところで、出願人は、上述の製造方法を用いて、具体的に下記の条件で配向膜３０を形成し、当該配向膜３０によって得られるプレチルト角を測定・解析した。
《具体例１》
ＩＴＯ膜形成工程において、スパッタ法により厚さ４００ｎｍの画素電極１２及び共通電極２２を形成した。下地層加工工程において、画素電極１２及び共通電極２２の表面に対してウェットエッチングを２５０ｓｅｃ施し、表面粗さＲａが２５ｎｍであって厚さが１５０ｎｍの画素電極１２及び共通電極２２を形成した（表面粗さＲａが２５ｎｍの下地層３９を形成した）。カラム形成工程において、斜方蒸着法により、基板１０，２０の法線からの角度が５５度、蒸着時の圧力が３．０Ｅ−２Ｐａで、厚さ１５０ｎｍの珪素酸化物（ＳｉＯｘ）から成る斜方柱状構造膜（カラム３５）を、下地層３９上に形成した。保護膜形成工程において、厚さ４０ｎｍになる条件で、ポリシロキサン系垂直配向材料を含む溶液をスピンコート法によって塗布して保護膜３７を形成した。本例の製造方法によって形成された配向膜３０によれば、４度のプレチルト角が得られた。
【００５０】
《具体例２》
ＩＴＯ膜形成工程において、スパッタ法により厚さ４００ｎｍの画素電極１２及び共通電極２２を形成した。下地層加工工程において、画素電極１２及び共通電極２２の表面に対してウェットエッチングを２５０ｓｅｃ施し、表面粗さＲａが２５ｎｍであって厚さが１５０ｎｍの画素電極１２及び共通電極２２を形成した（表面粗さＲａが２５ｎｍの下地層３９を形成した）。カラム形成工程において、斜方蒸着法により、基板１０，２０の法線からの角度が４５度、蒸着時の圧力が８．５Ｅ−３Ｐａで、厚さ１５０ｎｍの珪素酸化物（ＳｉＯｘ）から成る斜方柱状構造膜（カラム３５）を、下地層３９上に形成した。保護膜形成工程において、厚さ１５ｎｍになる条件で、ポリシロキサン系垂直配向材料を含む溶液をスピンコート法によって塗布して保護膜３７を形成した。本例の製造方法によって形成された配向膜３０によれば、２度のプレチルト角が得られた。
【００５１】
《比較例１》
本発明の一実施形態に係る液晶装置の製造方法を用いずに製造した従来の配向膜については、次のような結果が得られた。すなわち、スパッタ法により表面粗さＲａが２ｎｍであって厚さ１５０ｎｍの画素電極１２及び共通電極２２を形成し、斜方蒸着法により基板１０，２０の法線からの角度が５５度、蒸着時の圧力が３．０Ｅ−２Ｐａで、厚さ１５０ｎｍの珪素酸化物（ＳｉＯｘ）から成る斜方柱状構造膜（カラム３５）を形成し、厚さ４０ｎｍになる条件でポリシロキサン系垂直配向材料を含む溶液をスピンコート法によって塗布して保護膜３７を形成したところ、プレチルト角を得ることができなかった（プレチルト角は０度であった）。なお、前記柱状構造膜の材料としては、《具体例１》及び《具体例２》における斜方柱状構造膜（カラム３５）の材料と同様の材料、すなわち柱状珪素酸化物（ＳｉＯｘ）を用いている。
【００５２】
《比較例２》
また、スパッタ法により表面粗さＲａが２ｎｍであって厚さ１５０ｎｍの画素電極１２及び共通電極２２を形成し、斜方蒸着法により基板１０，２０の法線からの角度が４５度、蒸着時の圧力が３．０Ｅ−３Ｐａで、厚さ１５０ｎｍの珪素酸化物（ＳｉＯｘ）から成る斜方柱状構造膜（カラム３５）を形成し、厚さ１５ｎｍになる条件でポリシロキサン系垂直配向材料を含む溶液をスピンコート法によって塗布して保護膜３７を形成したところ、プレチルト角を得ることができなかった（プレチルト角は０度であった）。なお、前記柱状構造膜の材料としては、《具体例１》及び《具体例２》における斜方柱状構造膜（カラム３５）の材料と同様の材料、すなわち柱状珪素酸化物（ＳｉＯｘ）を用いている。
【００５３】
ここで、《比較例１》は上述の“構成２（粗な斜方蒸着膜上に厚く保護膜を形成する構成）”に対応する構成である。また、《比較例２》は上述の“構成１（密な斜方蒸着膜上に薄く保護膜を形成する構成）”に対応する構成である。そして、何れの比較例においてもプレチルト角を得ることができていないことから、下地層３９を設けなければ、どのような態様で保護膜３７を形成したとしても、配向膜に求められる機能の一つである配向制御機能を得ることができないことが分かる。
【００５４】
以上説明したように、本発明の一実施形態によれば、プレチルト角の制御性能の向上と、耐光性寿命の向上（光反応による劣化の抑制）とを共に実現させた液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器を提供することができる。詳細には、本発明の一実施形態は、従来技術の課題を次のように解決している。
従来より、液晶装置においては、充分な配向制御を実現する為に（一軸配向を実現する為に）、斜方柱状構造物（カラム）を含む配向膜が設けられている。しかしながら、このカラムによって、液晶層と配向膜との界面の面積が増大してしまい、これに起因して当該液晶装置の耐光性寿命が低下してしまう。そこで、本一実施形態では、カラム３５のうち少なくとも一部を、低反応性材料から成る保護膜３７で被覆することで、光反応による劣化を抑制する。
【００５５】
より詳細には、例えばポリシロキサン系垂直配向材料から成る保護膜３７を、複数のカラム３５の少なくとも一部及び下地層３９を被覆するように設けることで、当該配向膜３０と液晶層５０との界面に存在する光活性基の量が大幅に低減し、耐光性寿命の向上が実現する。さらに、所定の表面粗さＲａを有する下地層３９を形成することで、保護膜３７の存在にも関わらずプレチルト角を得やすくなる（プレチルト角の制御性の向上が実現する）。さらに、下地層３９を、その表面粗さが大きくなるように形成することで、密な蒸着条件（低蒸着角度、低圧力）で斜方蒸着法によってカラム３５を形成することが可能となる。つまり、斜方蒸着膜の形成工程の高効率化（カラム３５の形成効率の高効率化）が実現し、生産性が向上する。
【００５６】
ここで、上述した各比較例から分かるように、単に保護膜３７を形成するだけでは、プレチルト角を得られなくなる（配向膜の配向制御機能が失われる）。そこで、本一実施形態では、カラム３５を形成する面に、所定の表面粗さＲａを備えさせる（下地層３９を設ける）。このように構成することで、保護膜３７による耐光性寿命の向上が実現すると共に、所定のプレチルト角も得ることができる（上述した具体例１及び具体例２を参照）。このように、本一実施形態においては、配向制御性能の観点と、耐光性の観点との両観点からみて最も適切な態様で配向膜３０を形成している。
ここで、下地層３９の表面粗さＲａの値は、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが好ましい。このように構成することで、配向制御性能と耐光性寿命とを最適に両立させることができる。
【００５７】
［変形例］
以上、一実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は上述の例に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で変形及び応用が可能なことは勿論である。
例えば、ＩＴＯ膜形成工程において、ＩＴＯ膜である画素電極１２及び共通電極２２を、スパッタ法によって膜厚３００ｎｍ以上として形成することで、当該画素電極１２及び共通電極２２の表面粗さＲａの値は５ｎｍ以上となる（下地層３９が設けられた状態で画素電極１２及び共通電極２２が形成される）。従って、このようにしてＩＴＯ膜である画素電極１２及び共通電極２２を形成することで、下地層加工工程が不要となる。
図８は、スパッタ法によって作成されたＩＴＯ膜の膜厚と、当該ＩＴＯ膜の表面粗さＲａとの関係の実測結果を示す図である。同図に示すように、下地層３９の表面粗さＲａとして適切な値（５ｎｍ以上の表面粗さＲａ）は、ＩＴＯ膜を３００ｎｍ以上の膜厚で形成することで得られる。
【００５８】
ところで、ＩＴＯ膜の膜厚を厚くした場合、透過率の低下という悪影響が生じる。従って、画素電極１２及び共通電極２２の厚みは、その光透過率が９０％を下回らないような厚みであることが好ましい。図９は、スパッタ法によって作成されたＩＴＯ膜の消衰係数から算出されたＩＴＯ膜の膜厚と緑光（波長５５０ｎｍの光）の透過率との関係を示す図である。同図に示すように、ＩＴＯ膜の膜厚保が１０００ｎｍ以上になると光透過率が９０％を下回ってしまう。このため、ＩＴＯ膜の膜厚は、１０００ｎｍ未満であることが好ましい。
なお、プロジェクタ装置の場合、光透過率が低下した場合であっても、光源光の明るさを調節することで、投影画像の明るさを維持することは可能である為、ＩＴＯ膜の膜厚（画素電極１２及び共通電極２２の厚み）は必ずしも１０００ｎｍ未満でなくても構わない。
【００５９】
ところで、出願人は、本変形例を適用して、具体的に下記の条件で配向膜３０を形成し、当該配向膜３０によって得られるプレチルト角を測定・解析した。
《具体例３》
ＩＴＯ膜形成工程において、スパッタ法により、厚さが３００ｎｍであって表面粗さＲａが６ｎｍの画素電極１２及び共通電極２２を形成し（下地層３９を同時に形成し）、下地層加工工程を省略した。カラム形成工程において、斜方蒸着法により、基板１０，２０の法線からの角度が５５度、蒸着時の圧力が３．０Ｅ−２Ｐａ、厚さが１５０ｎｍの珪素酸化物（ＳｉＯｘ）から成る斜方柱状構造膜（カラム３５）を、下地層３９上に形成した。保護膜形成工程において、厚さ４０ｎｍになる条件で、ポリシロキサン系垂直配向材料を含む溶液をスピンコート法によって塗布して保護膜３７を形成した。本例の製造方法によって形成された配向膜３０によれば、０．２度のプレチルト角が得られた。
【００６０】
なお、ＩＴＯ膜形成工程において、スパッタ法の代わりに蒸着法を用いることで、ＩＴＯ膜である画素電極１２及び共通電極２２の膜厚をより薄くして同様の表面粗さＲａを得ることができる。具体的には、例えば下記の例を挙げることができる。
《具体例４》
ＩＴＯ膜形成工程において、蒸着法により、厚さが１５０ｎｍであって表面粗さＲａが６ｎｍの画素電極１２及び共通電極２２を形成し（下地層３９を同時に形成し）、下地層加工工程を省略した。カラム形成工程において、斜方蒸着法により、基板１０，２０の法線からの角度が５５度、蒸着時の圧力が３．０Ｅ−２Ｐａ、厚さが１５０ｎｍの珪素酸化物（ＳｉＯｘ）から成る斜方柱状構造膜（カラム３５）を、下地層３９上に形成した。保護膜形成工程において、厚さ４０ｎｍになる条件で、ポリシロキサン系垂直配向材料を含む溶液をスピンコート法によって塗布して保護膜３７を形成した。本例の製造方法によって形成された配向膜３０によれば、０．２度のプレチルト角が得られた。
【００６１】
［応用例］
以上説明した実施形態に例示した液晶装置１は、各種の電子機器に利用され得る。図１０乃至図１２には、液晶装置１を採用した電子機器の具体的な形態が例示されている。
図１０は、液晶装置１を適用した投射型表示装置（３板式のプロジェクター）４０００の模式図である。投射型表示装置４０００は、相異なる表示色（赤色，緑色，青色）に対応する３個の液晶装置１（１R,１G,１B）を含んで構成される。照明光学系４００１は、照明装置（光源）４００２からの出射光のうち赤色成分ｒを液晶装置１Rに供給し、緑色成分ｇを液晶装置１Gに供給し、青色成分ｂを液晶装置１Bに供給する。各液晶装置１は、照明光学系４００１から供給される各単色光を表示画像に応じて変調する光変調器（ライトバルブ）として機能する。投射光学系４００３は、各液晶装置１からの出射光を合成して投射面４００４に投射する。
【００６２】
図１１は、液晶装置１を採用した可搬型のパーソナルコンピューターの斜視図である。パーソナルコンピューター２０００は、各種の画像を表示する液晶装置１と、電源スイッチ２００１やキーボード２００２が設置された本体部２０１０とを具備する。
【００６３】
図１２は、液晶装置１を適用した携帯電話機の斜視図である。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２と、各種の画像を表示する液晶装置１とを備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、液晶装置１に表示される画面がスクロールされる。
【００６４】
なお、本発明に係る電気光学装置が適用される電子機器としては、図１０乃至図１２に例示した機器のほか、携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants），デジタルスチルカメラ，テレビ，ビデオカメラ，カーナビゲーション装置，車載用の表示器（インパネ），電子手帳，電子ペーパー，電卓，ワードプロセッサ，ワークステーション，テレビ電話，ＰＯＳ端末，プリンター，スキャナー，複写機，ビデオプレーヤー，タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。
【００６５】
さらに、上述した実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示した複数の構成要件の適当な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示す全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成も発明として抽出され得る。
【符号の説明】
【００６６】
１…液晶装置、  １０…第１の基板、  １１…素子基板、  １２…画素電極、  ２０…第２の基板、  ２１…対向基板、  ２２…共通電極、  ３０…配向膜、  ３５…カラム、  ３７…保護膜、  ３９…下地層、  ４０…シール材、  ４１…遮光膜、  ４２…層間膜層、  ５０…液晶層、  ９１…蒸着装置、  ９２…蒸着源、  ９３…遮蔽板、  ９５…蒸着室、  １０１…データ線駆動回路、  １０２…走査線駆動回路、  １０４…外部接続端子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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