(57)【要約】【課題】長寿命な有機ＥＬ装置を提供すること。【解決手段】有機ＥＬ装置１１の画素７１は、第一サブピクセルを有すると共に、第一要素領域４１Ｂと第二要素領域４１Ｒとを含む。第一要素領域４１Ｂには第一発光層が形成され、第二要素領域４１Ｒには第二発光層と第一発光層とが形成される。第一サブピクセルは、第一要素領域４１Ｂと第二要素領域４１Ｒとに跨って形成された第一第一電極を有し、第一の色を透過する第一カラーフィルターが、第一サブピクセルに平面視にて重なる様に、配置されている。第一要素領域における第一の色の表示に、第二要素領域における第一の色の表示を加えられるので、第一発光層の発光輝度を低くする事ができ、従って、第一発光層の寿命が伸ばされる。これにより、高い表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬ装置１１が実現される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素を備え、
前記画素は、第一サブピクセルを有すると共に、第一要素領域と第二要素領域とを含み、
前記第一要素領域には第一の色を発光する第一発光層が形成され、前記第二要素領域には第二の色を発光する第二発光層と前記第一発光層とが形成され、
前記第一サブピクセルは、前記第一要素領域と前記第二要素領域とに跨って形成された第一第一電極を有し、
前記第一の色を主に透過する第一カラーフィルターが、前記第一サブピクセルに平面視にて重なる様に配置されている事を特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
前記画素は、更に第二サブピクセルを有し、
前記第二サブピクセルは、前記第二要素領域に形成された第二第一電極を有し、
前記第二の色を主に透過する第二カラーフィルターが、前記第二サブピクセルに平面視にて重なる様に配置されている事を特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項３】
前記画素は、更に第三要素領域を含み、
前記第三要素領域には第三の色を発光する第三発光層と前記第一発光層とが形成され、
前記第一第一電極は、前記第一要素領域と前記第三要素領域とに跨って形成される事を特徴とする請求項１又は２に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項４】
前記画素は、更に第三サブピクセルを有し、
前記第三サブピクセルは、前記第三要素領域に形成された第三第一電極を有し、
前記第三の色を主に透過する第三カラーフィルターが、前記第三サブピクセルに平面視にて重なる様に配置されている事を特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項５】
前記第一要素領域の面積と前記第二要素領域の面積とがほぼ等しい事を特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項６】
前記第一要素領域の面積と前記第三要素領域の面積とがほぼ等しい事を特徴とする請求項３又は４に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項７】
前記第一要素領域にて前記第一発光層が前記第一第一電極と電気的に接触している平面積と、前記第二要素領域にて前記第二発光層が前記第一第一電極及び前記第二第一電極と電気的に接触している平面積と、がほぼ等しい事を特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項８】
前記第一要素領域にて前記第一発光層が前記第一第一電極と電気的に接触している平面積と、前記第三要素領域にて前記第三発光層が前記第一第一電極及び前記第三第一電極と電気的に接触している平面積と、がほぼ等しい事を特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項９】
前記第一の色が青である事を特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記第二要素領域に第二発光層を形成する工程と、
少なくとも前記第一要素領域をクリーニングする工程と、
前記第一要素領域と前記第二要素領域とに第一発光層を形成する工程と、
を含む事を特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１１】
前記クリーニングする工程はプラズマ処理工程である事を特徴とする請求項１０に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置、又は、請求項１０又は１１に記載の製造方法にて製造された有機ＥＬ装置、を備えた事を特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置と有機ＥＬ装置の製造方法及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）装置は、陽極と陰極との間に発光機能層を挟持した構造をなしている。発光機能層としては、例えば、陽極側から順に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層が積層された構成が挙げられる。そして、陽極と陰極との間に電圧を印加する事によって、正孔輸送層から正孔が、電子輸送層から電子が発光層に注入され、これらが再結合する事で発光が行われる。
【０００３】
こうした有機ＥＬ装置では、カラー表示を実現する為に、赤の発光層（赤発光層）と緑の発光層（緑発光層）と青の発光層（青発光層）とを、マスク蒸着法やインクジェット法などを用いて、サブピクセル毎に形成し分けている。即ち、赤サブピクセルと緑サブピクセルと青サブピクセルとで一つの画素を構成し、こうした画素を複数個行列状に配列してカラー表示する有機ＥＬ装置としていた。昨今では、赤発光層と緑発光層との寿命は１０万時間程度と、概ね実用レベルに達している。一方、青発光層は実用レベルに到達したとは言い難い状況にあり、実際に青発光層の寿命は５千時間程度に限られている。
【０００４】
そこで、従来は、特許文献１及び２に記載されている様に、赤発光層と緑発光層との発光面積に比べて、青発光層の発光面積を広くしていた。これは、発光面積を広くすると、発光輝度を低くする事ができ、発光輝度が低くなると、発光層の寿命が伸びるからである。これにより青発光層の寿命を伸ばして、有機ＥＬ装置に必要とされる製品寿命を満たしていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１０３５１９号公報
【特許文献２】特開２０１０−１１８２７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の有機ＥＬ装置では、優れた表示画質をもたらす高解像度化が困難であるという課題があった。青サブピクセルを大きくすると、高解像度化を進める際に、小面積のサブピクセル（例えば、赤サブピクセルや緑サブピクセル）に、発光層を正確に形成し分ける事が困難となり、事実上、高解像度化を進め難い状況となっていた。換言すると、従来は、高い表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬ装置を実現する事が困難であるという課題が有った。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、前述の課題の少なくとも一部を解決する為になされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。尚、以下の形態又は適用例において、「上」とは、基板から見て発光素子が配置された方向を示し、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、又は基板の上に他の構成物を介して配置される場合、又は基板の上に一部が接するように配置され一部が他の構成物を介して配置される場合、を表すものとする。
【０００８】
（適用例１）  本適用例に係わる有機ＥＬ装置は、画素を備え、画素は、第一サブピクセルを有すると共に、第一要素領域と第二要素領域とを含み、第一要素領域には第一の色を発光する第一発光層が形成され、第二要素領域には第二の色を発光する第二発光層と第一発光層とが形成され、第一サブピクセルは、第一要素領域と第二要素領域とに跨って形成された第一第一電極を有し、第一の色を主に透過する第一カラーフィルターが、第一サブピクセルに平面視にて重なる様に配置されている事を特徴とする。
この構成によれば、第一要素領域における第一の色の表示に、第二要素領域における第一の色の表示を加える事ができる。これにより、第一発光層での発光輝度を低くする事ができ、従って、第一発光層の寿命が伸ばされる。カラー表示を実現する複数の色の中で、寿命の短い色を第一発光層で発光させる事により、第一発光層の寿命を伸ばして、有機ＥＬ装置の製品寿命を長くする事ができる。
【０００９】
（適用例２）  上記適用例１に係わる有機ＥＬ装置において、画素は、更に第二サブピクセルを有し、第二サブピクセルは、第二要素領域に形成された第二第一電極を有し、第二の色を主に透過する第二カラーフィルターが、第二サブピクセルに平面視にて重なる様に配置されている事が好ましい。
この構成によれば、第一要素領域と第二要素領域との第一第一電極に相当する箇所で第一の色を表示させる事に加え、第二要素領域の第二第一電極に相当する箇所で第二の色を表示させる事ができる。従って、複数の色を表示する有機ＥＬ装置を実現できる。
【００１０】
（適用例３）  上記適用例１又は２に係わる有機ＥＬ装置において、画素は、更に第三要素領域を含み、第三要素領域には第三の色を発光する第三発光層と第一発光層とが形成され、第一第一電極は、第一要素領域と第三要素領域とに跨って形成される事が好ましい。
この構成によれば、第一要素領域における第一の色の表示に、第三要素領域における第一の色の表示を加える事ができる。これにより、第一発光層での発光輝度を低くする事ができ、従って、第一発光層の寿命が伸ばされる。カラー表示を実現する複数の色の中で、寿命の短い色を第一発光層で発光させる事により、第一発光層の寿命を伸ばして、有機ＥＬ装置の製品寿命を長くする事ができる。
【００１１】
（適用例４）  上記適用例３に係わる有機ＥＬ装置において、画素は、更に第三サブピクセルを有し、第三サブピクセルは、第三要素領域に形成された第三第一電極を有し、第三の色を主に透過する第三カラーフィルターが、第三サブピクセルに平面視にて重なる様に配置されている事が好ましい。
この構成によれば、第一要素領域と第三要素領域との第一第一電極に相当する箇所で第一の色を表示させる事に加え、第三要素領域の第三第一電極に相当する箇所で第三の色を表示させる事ができる。従って、複数の色を表示する有機ＥＬ装置を実現できる。
【００１２】
（適用例５）  上記適用例に係わる有機ＥＬ装置において、第一要素領域の面積と第二要素領域の面積とがほぼ等しい事が好ましい。
この構成によれば、第一要素領域と第二要素領域との面積が等しいので、第二発光層を第二要素領域に作り分ける工程が取り分け困難になる事はない。即ち、特定のサブピクセルが小さいという事がないので、高解像度化を進める事ができる。換言すると、高い表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬ装置を実現する事ができる。
【００１３】
（適用例６）  上記適用例３又は４に係わる有機ＥＬ装置において、第一要素領域の面積と第三要素領域の面積とがほぼ等しい事が好ましい。
この構成によれば、第一要素領域と第三要素領域との面積が等しいので、第三発光層を第三要素領域に作り分ける工程が取り分け困難になる事はない。即ち、特定のサブピクセルが小さいという事がないので、高解像度化を進める事ができる。換言すると、高い表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬ装置を実現する事ができる。
【００１４】
（適用例７）  上記適用例２に係わる有機ＥＬ装置において、第一要素領域にて第一発光層が第一第一電極と電気的に接触している平面積と、第二要素領域にて第二発光層が第一第一電極及び第二第一電極と電気的に接触している平面積と、がほぼ等しい事が好ましい。
この構成によれば、第一要素領域にて第一発光層が第一第一電極上に形成される領域の平面積と、第二要素領域にて第二発光層が第一第一電極上及び第二第一電極上に形成される領域の平面積と、をほぼ等しくする事ができるので、第二発光層を第二要素領域に作り分ける工程が取り分け困難になる事はない。即ち、特定のサブピクセルが小さいという事がないので、高解像度化を進める事ができる。換言すると、高い表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬ装置を実現する事ができる。
【００１５】
（適用例８）  上記適用例４に係わる有機ＥＬ装置において、第一要素領域にて第一発光層が第一第一電極と電気的に接触している平面積と、第三要素領域にて第三発光層が第一第一電極及び第三第一電極と電気的に接触している平面積と、がほぼ等しい事が好ましい。
この構成によれば、第一要素領域にて第一発光層が第一第一電極上に形成される領域の平面積と、第三要素領域にて第三発光層が第一第一電極上及び第三第一電極上に形成される領域の平面積と、をほぼ等しくする事ができるので、第三発光層を第三要素領域に作り分ける工程が取り分け困難になる事はない。即ち、特定のサブピクセルが小さいという事がないので、高解像度化を進める事ができる。換言すると、高い表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬ装置を実現する事ができる。
【００１６】
（適用例９）  上記適用例に係わる有機ＥＬ装置において、第一の色が青である事が好ましい。
この構成によれば、寿命が実用レベルに達している赤と緑のサブピクセルに対して、短寿命の青のサブピクセルを大きくする事で、青発光層の寿命を伸ばし、有機ＥＬ装置の製品寿命を伸ばす事ができる。従って、高いカラー表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬ装置を高効率な製造工程で実現する事ができる。
【００１７】
（適用例１０）  本適用例に係わる有機ＥＬ装置の製造方法は、上記適用例１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、第二要素領域に第二発光層を形成する工程と、少なくとも第一要素領域をクリーニングする工程と、第一要素領域と第二要素領域とに第一発光層を形成する工程と、を含む事を特徴とする。
この方法によれば、第一要素領域と第二要素領域とに第一発光層を形成する直前に第一要素領域と第二要素領域とをクリーニングするので、第一発光層が汚染される事なく、その品質を保つ事ができる。これにより、第一発光層の品質が保持され、材料が有する本来の発光強度と発光寿命とが実現する。換言すると、高い表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬ装置を製造する事ができる。
【００１８】
（適用例１１）  上記適用例１０に係わる有機ＥＬ装置の製造方法において、クリーニングする工程はプラズマ処理工程である事が好ましい。
ウエット工程でクリーニングを行うと第一要素領域や第二要素領域に溶剤や水分が残留して第一発光層を劣化させる可能性がある。この方法によれば、こうした可能性を排除できるので、有機ＥＬ装置の製造工程を通じて第一発光層の本来の品質を保持する事ができる。又、簡単なプラズマ処理工程を行うだけでクリーニングを行う事ができるので、製造工程を複雑にする事なく、高い表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬ装置を製造する事ができる。
【００１９】
（適用例１２）  本適用例に係わる電子機器は、上記適用例１乃至９のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置、又は、上記適用例１０又は１１に記載の製造方法にて製造された有機ＥＬ装置を備えた事を特徴とする。
この構成によれば、高いカラー表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬ装置を備えた電子機器を実現する事ができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本実施形態に係わる有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図２】画素の構造を説明する模式斜視図。
【図３】有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図。
【図４】画素の構造を説明する模式図で、（ａ）は平面図、（ｂ）はＸ−Ｘ’における断面図。
【図５】発光素子から発せられた光の強度スペクトル。
【図６】カラーフィルターの光透過率スペクトル。
【図７】第二サブピクセル（赤サブピクセル）の赤表示を示した図。
【図８】第三サブピクセル（緑サブピクセル）の緑表示を示した図。
【図９】第一サブピクセル（青サブピクセル）の青表示を示した図。
【図１０】有機ＥＬ装置の製造工程を示す模式図。
【図１１】有機ＥＬ装置の製造工程を示す模式図。
【図１２】有機ＥＬ装置の製造工程を示す模式図。
【図１３】有機ＥＬ装置の製造工程を示す模式図。
【図１４】有機ＥＬ装置の製造工程を示す模式図。
【図１５】有機ＥＬ装置の製造工程を示す模式図。
【図１６】有機ＥＬ装置の製造工程を示す模式図。
【図１７】有機ＥＬ装置の製造工程を示す模式図。
【図１８】有機ＥＬ装置の製造工程を示す模式図。
【図１９】有機ＥＬ装置の製造工程を示す模式図。
【図２０】電子機器の一例としてテレビの構成を模式的に示す概略斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。尚、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。
【００２２】
（実施形態１）
「有機ＥＬ装置の構成」
図１は本実施形態に係わる有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。又、図２は、画素の構造を説明する模式斜視図である。図３は、有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図である。まず、有機ＥＬ装置１１の構成を、図１と図２と図３とを参照して説明する。
【００２３】
図１に示す様に、有機ＥＬ装置１１は、複数の走査線１２と、走査線１２に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３と、が縦横に配線されている。更に、複数の第一電源線１４が信号線１３に並行して配線され、複数の第二電源線１７が走査線１２に並行して配線されている。本実施形態では、第一電源線１４に正電源電位Ｖｄｄが供給され、第二電源線１７に負電源電位Ｖｓｓが供給される。信号線１３は信号線駆動回路１５に接続されて、走査線１２は、走査線駆動回路１６に接続されている。走査線１２と信号線１３とにより区画された一つの行列要素の領域が要素領域４１（第一要素領域４１Ｂと第二要素領域４１Ｒ、第三要素領域４１Ｇ）となる。即ち、要素領域４１が実表示領域３２ａで行列状に配列されている。
【００２４】
一つの画素７１は少なくとも第一サブピクセルと第二サブピクセルとを含み、各サブピクセル４２は異なった色を表示する。通常は、三個以上のサブピクセル４２から一つの画素７１が構成される。本実施形態では、一つの画素７１は、第一サブピクセルと第二サブピクセルと第三サブピクセルとからなる。一例として、第一サブピクセルは青色の表示をする青サブピクセル４２Ｂであり、第二サブピクセルは赤色の表示をする赤サブピクセル４２Ｒであり、第三サブピクセルは緑色の表示をする緑サブピクセル４２Ｇである。
【００２５】
更に、一つの画素７１は少なくとも第一要素領域４１Ｂと第二要素領域４１Ｒとを含み、各要素領域４１に設けられた発光素子２７は要素領域４１毎に異なった色の光を発光する。通常は、三個以上の要素領域４１から一つの画素７１が構成され、一つの画素７１内でサブピクセルの数と要素領域４１の数とは同じである。本実施形態では、一つの画素７１は、第一要素領域４１Ｂと第二要素領域４１Ｒと第三要素領域４１Ｇとを含んでいる。第一要素領域４１Ｂは第一の色を主として発光する第一発光素子（青色を主として発光する青発光素子２７Ｂ）を有しており、第一発光素子（青発光素子２７Ｂ）は第一発光層（青発光層６３Ｂ、図２参照）を含んでいる。第二要素領域４１Ｒは第二の色を主として発光する第二発光素子（赤色を主として発光する赤発光素子２７Ｒ）を有しており、第二発光素子（赤発光素子２７Ｒ）は第二発光層（赤発光層６３Ｒ、図２参照）と第一発光層（青発光層６３Ｂ）とを含んでいる。更に、第三要素領域４１Ｇは第三の色を主として発光する第三発光素子（緑色を主として発光する緑発光素子２７Ｇ）を有しており、第三発光素子（緑発光素子２７Ｇ）は第三発光層（緑発光層６３Ｇ、図２参照）と第一発光層（青発光層６３Ｂ）とを含んでいる。第一サブピクセル（青サブピクセル４２Ｂ）は第一要素領域４１Ｂの一部（本実施形態では第一要素領域４１Ｂの全部）と第二要素領域４１Ｒの一部とに跨ると共に、第一要素領域４１Ｂの一部（本実施形態では第一要素領域４１Ｂの全部）と第三要素領域４１Ｇの一部とに跨って形成されている。第二サブピクセル（赤サブピクセル４２Ｒ）は第二要素領域４１Ｒの一部に形成され、第三サブピクセル（緑サブピクセル４２Ｇ）は第三要素領域４１Ｇの一部に形成される。以降、第一サブピクセル（青サブピクセル４２Ｂ）と第二サブピクセル（赤サブピクセル４２Ｒ）と第三サブピクセル（緑サブピクセル４２Ｇ）とを特に区別する必要がない場合（赤サブピクセル４２Ｒと、緑サブピクセル４２Ｇと、青サブピクセル４２Ｂと、を特に区別する必要がない場合）、単にサブピクセル４２と称する。同様に、第一要素領域４１Ｂと第二要素領域４１Ｒと第三要素領域４１Ｇとを特に区別する必要がない場合、単に要素領域４１と称する。発光素子２７や発光層６３なども同様である。
【００２６】
各要素領域４１には、走査線１２を介して走査信号がゲート電極に供給される選択トランジスター２１と、この選択トランジスター２１を介して信号線１３から供給される画像信号を保持する保持容量２２と、保持容量２２によって保持された画像信号がゲート電極に供給される駆動トランジスター２３とが設けられている。更に、各要素領域４１には、駆動トランジスター２３を介して第一電源線１４に電気的に接続した際に、第一電源線１４（正電源電位Ｖｄｄ）から駆動電流が供給される第一電極（本実施形態では陽極２４）と、第二電源線１７（負電源電位Ｖｓｓ）に接続する第二電極（本実施形態では陰極２５）と、この陽極２４と陰極２５との間に挟持された発光機能層２６とが設けられている。これら陽極２４と陰極２５と発光機能層２６とで発光素子２７が構成される。
【００２７】
図２に示す様に、第一サブピクセル（青サブピクセル４２Ｂ）に形成されている第一電極は第一第一電極（第一陽極２４Ｂ）であり、第二サブピクセル（赤サブピクセル４２Ｒ）に形成されている第一電極は第二第一電極（第二陽極２４Ｒ）であり、第三サブピクセル（緑サブピクセル４２Ｇ）に形成されている第一電極は第三第一電極（第三陽極２４Ｇ）である。要するに、第一第一電極（第一陽極２４Ｂ）は、第一要素領域４１Ｂと第二要素領域４１Ｒとに跨って形成されると共に、第一要素領域４１Ｂと第三要素領域４１Ｇとに跨って形成されている。その結果、図１に示す様に、第一サブピクセル（青サブピクセル４２Ｂ）は、第一要素領域４１Ｂに第一発光素子（青発光素子２７Ｂ）を有し、更に隣の第二要素領域４１Ｒに第二発光素子（赤発光素子２７Ｒ）を有し、又、更に反対側の隣の第三要素領域４１Ｇに第三発光素子（緑発光素子２７Ｇ）を有している事になる。図２に示す様に、第二第一電極（第二陽極２４Ｒ）は第二要素領域４１Ｒに形成され、図１に示す様に、第二サブピクセル（赤サブピクセル４２Ｒ）は、第二要素領域４１Ｒに第二発光素子（赤発光素子２７Ｒ）を有している事になる。同様に、図２に示す様に、第三第一電極（第三陽極２４Ｇ）は第三要素領域４１Ｇに形成される。その結果、図１に示す様に、第三サブピクセル（緑サブピクセル４２Ｇ）は、第三要素領域４１Ｇに第三発光素子（緑発光素子２７Ｇ）を有している事になる。
【００２８】
要するに、有機ＥＬ装置１１は、図１に示す様に、実表示領域３２ａを備え、実表示領域３２ａには複数の画素７１が行列状に設けられ、各画素７１は第一サブピクセル（青サブピクセル４２Ｂ）と第二サブピクセル（赤サブピクセル４２Ｒ）と第三サブピクセル（緑サブピクセル４２Ｇ）とを含み、各サブピクセル４２は単数又は複数の発光素子２７を有している。こうした構成を取ると、走査線１２が駆動されて選択トランジスター２１がオン状態になると、その時の信号線１３の電位が保持容量２２に保持され、保持容量２２の状態に応じて、駆動トランジスター２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動トランジスター２３のチャネルを介して、第一電源線１４から陽極２４に電流が供給され、更に、発光機能層２６を介して陰極２５に電流が流れる。発光機能層２６は、ここを通う電流量に応じた輝度で発光する。尚、本実施形態では、選択トランジスター２１はＮ型の薄膜トランジスターで構成され、駆動トランジスター２３はＰ型の薄膜トランジスターで構成される。
【００２９】
図２に示す様に、有機ＥＬ装置１１はカラーフィルター基板ＣＦ−Ｓｕｂ（図４（ｂ）参照）を備え、カラーフィルター基板ＣＦ−Ｓｕｂには各サブピクセル４２に応じたカラーフィルターＣＦが配置されている。即ち、第一サブピクセル（青サブピクセル４２Ｂ）に平面視にて重なる様に、第一の色（青）を主に透過する第一カラーフィルター（青カラーフィルターＣＦ−Ｂ）が配置されている。同様に、第二サブピクセル（赤サブピクセル４２Ｒ）に平面視にて重なる様に、第二の色（赤）を主に透過する第二カラーフィルター（赤カラーフィルターＣＦ−Ｒ）が配置されている。更に、第三サブピクセル（緑サブピクセル４２Ｇ）に平面視にて重なる様に、第三の色（緑）を主に透過する第三カラーフィルター（緑カラーフィルターＣＦ−Ｇ）が配置されている。
【００３０】
前述の如く、第一サブピクセル（青サブピクセル４２Ｂ）に形成される第一第一電極（第一陽極２４Ｂ）は第一要素領域４１Ｂと第二要素領域４１Ｒと第三要素領域４１Ｇとに跨って形成される。その結果、第一第一電極（第一陽極２４Ｂ）に第一電源線１４から電流が供給されると、第一要素領域４１Ｂでは第一発光層（青発光層６３Ｂ）が第一の色を発光し、第二要素領域４１Ｒでは第二発光層（赤発光層６３Ｒ）と第一発光層（青発光層６３Ｂ）とが第二の色及び第一の色を発光し、第三要素領域４１Ｇでは第三発光層（緑発光層６３Ｇ）と第一発光層（青発光層６３Ｂ）とが第三の色及び第一の色を発光する。こうして、第一要素領域４１Ｂにて発せられた第一の色（青）を主とする光と、第二要素領域４１Ｒにて発せられた第二の色（赤）を主とする光と第一の色（青）を主とする光との混色光と、第三要素領域４１Ｇにて発せられた第三の色（緑）を主とする光と第一の色（青）を主とする光との混色光とは、第一サブピクセル（青サブピクセル４２Ｂ）に配置された第一カラーフィルター（青カラーフィルターＣＦ−Ｂ）を通過し、第一の色（青）を主として表示する事になる（青表示Ｂ）。
【００３１】
第二サブピクセル（赤サブピクセル４２Ｒ）に形成される第二第一電極（第二陽極２４Ｒ）は第二要素領域４１Ｒに形成される。その結果、第二第一電極（第二陽極２４Ｒ）に第一電源線１４から電流が供給されると、第二サブピクセル（赤サブピクセル４２Ｒ）では第二発光層（赤発光層６３Ｒ）と第一発光層（青発光層６３Ｂ）とが第二の色及び第一の色を発光する。こうして発せられた第二の色（赤）を主とする光と第一の色（青）を主とする光との混色光は、第二サブピクセル（赤サブピクセル４２Ｒ）に配置された第二カラーフィルター（赤カラーフィルターＣＦ−Ｒ）を通過し、第二の色（赤）を主として表示する事になる（赤表示Ｒ）。
【００３２】
第三サブピクセル（緑サブピクセル４２Ｇ）に形成される第三第一電極（第三陽極２４Ｇ）は第三要素領域４１Ｇに形成される。その結果、第三第一電極（第三陽極２４Ｇ）に第一電源線１４から電流が供給されると、第三サブピクセル（緑サブピクセル４２Ｇ）では第三発光層（緑発光層６３Ｇ）と第一発光層（青発光層６３Ｂ）とが第三の色及び第一の色を発光する。こうして発せられた第三の色（緑）を主とする光と第一の色（青）を主とする光との混色光は、第三サブピクセル（緑サブピクセル４２Ｇ）に配置された第三カラーフィルター（緑カラーフィルターＣＦ−Ｇ）を通過し、第三の色（緑）を主として表示する事になる（緑表示Ｇ）。
【００３３】
これらの関係を表１に纏める。
【００３４】
【表１】
2014107195.tif 000003
【００３５】
次に、図３を参照して、有機ＥＬ装置１１の全体構成を説明する。図３に示す様に、有機ＥＬ装置１１は、ガラス等からなる素子基板３１に表示領域３２（図中一点鎖線の内側の領域）と非表示領域３３（一点鎖線の外側の領域）とを有する構成になっている。表示領域３２には、実表示領域３２ａ（二点鎖線の内側の領域）とダミー領域３２ｂ（図中二点鎖線の外側の領域）とが設けられている。
【００３６】
実表示領域３２ａ内には、上述の如く、画素７１が行列状に配列されている。一方、ダミー領域３２ｂには、主として各サブピクセル４２を発光させるための回路が設けられている。例えば、実表示領域３２ａの図中左辺及び右辺に沿う様に走査線駆動回路１６が配置されており、実表示領域３２ａの図中上辺に沿う様に信号線駆動回路１５が配置されている。素子基板３１の下辺には、フレキシブル基板３６が設けられている。フレキシブル基板３６には、各配線と接続された駆動用ＩＣ３７が備えられている。
【００３７】
「画素構造」
図４は、画素の構造を説明する模式図で、（ａ）は平面図で、（ｂ）はＸ−Ｘ’における断面図である。更に、（ｂ）には、Ｙ−Ｙ’におけるカラーフィルター基板の断面図も描いてある。以下、画素７１の構造について、図４を参照しながら説明する。尚、図４は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００３８】
図４に示す様に、有機ＥＬ装置１１は、第一電極（本実施形態では、陽極２４）毎に独立に発光が制御され、素子基板３１と、素子基板３１上に形成された回路素子層４３Ｌと、回路素子層４３Ｌ上に形成された発光素子層４４と、を有する。即ち、有機ＥＬ装置１１は、サブピクセル４２毎に独立に発光が制御される。走査線１２と信号線１３とで定められる行列要素が要素領域４１（第一要素領域４１Ｂ、第二要素領域４１Ｒ、第三要素領域４１Ｇ）であり、第一要素領域４１Ｂの面積と第二要素領域４１Ｒの面積と第三要素領域４１Ｇの面積とはほぼ等しい。ほぼ等しいとは設計上意図的に異ならしてあるのではなく、誤差範囲で一致するとの意味である。素子基板３１としては、例えば、透光性を有するガラス基板が用いられる。発光素子層４４にて発せられた光は素子基板３１側に取り出され、素子基板３１の下側に配置されたカラーフィルターＣＦ（ＣＦ−Ｒ、ＣＦ−Ｇ、ＣＦ−Ｂ）を通過して、各色の表示（赤表示Ｒ、緑表示Ｇ、青表示Ｂ）を行う事になる。従って、有機ＥＬ装置１１は、所謂、ボトムエミッション構造をなしている。カラーフィルター基板ＣＦ−Ｓｕｂで、カラーフィルターＣＦ（ＣＦ−Ｒ、ＣＦ−Ｇ、ＣＦ−Ｂ）間には遮光膜が格子状に形成され、格子状の遮光膜はブラックマトリックスＢＭとなっている。
【００３９】
回路素子層４３Ｌには、素子基板３１の上に不図示のシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）からなる下地保護膜が形成され、下地保護膜上に選択トランジスター２１や保持容量２２、駆動トランジスター２３などからなる薄膜回路が形成されている。薄膜回路が形成されている領域は薄膜回路領域４３（第一薄膜回路領域４３Ｂ、第二薄膜回路領域４３Ｒ、第三薄膜回路領域４３Ｇ）であり、図４（ａ）に示す様に、サブピクセル４２毎にそれぞれ形成される。後述する第一電極（第一第一電極、第二第一電極、第三第一電極）の平面形状以外は、薄膜回路は各薄膜回路領域４３で同じ構成を取る。選択トランジスター２１や駆動トランジスター２３といった薄膜トランジスターでは、下地保護膜上に不図示のポリシリコン膜からなる島状の半導体膜が形成され、半導体膜にはソース領域及びドレイン領域が不純物の導入によって形成されている。そして、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域となっている。
【００４０】
更に、回路素子層４３Ｌには、下地保護膜及び半導体膜を覆うシリコン酸化膜等からなる透明なゲート絶縁膜（不図示）が形成されている。ゲート絶縁膜上には、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）などからなる第一金属配線層が形成され、第一金属配線層にて図４（ａ）に示す走査線１２や第二電源線１７、薄膜トランジスターのゲート電極（不図示）など、が形成される。ゲート電極は、半導体膜のチャネル領域に対応する位置に設けられる。
【００４１】
ゲート絶縁膜及び第一金属配線層の上には、透明な第一層間絶縁膜（不図示）が形成されている。第一層間絶縁膜は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）やシリコン窒化膜（ＳｉＮ）などから構成される。第一層間絶縁膜の上には、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）、などからなる第二金属配線層が形成され、第二金属配線層にて信号線１３や第一電源線１４などが形成される。第一層間絶縁膜及び第二金属配線層の上には、透明な第二層間絶縁膜５５が形成されている。第二層間絶縁膜５５は、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂などから構成される。
【００４２】
選択トランジスター２１のソース領域は、ゲート絶縁膜及び第一層間絶縁膜を貫通して設けられた第一コンタクトホール（不図示）を介して、第一層間絶縁膜上に形成された信号線１３と電気的に接続されている。駆動トランジスター２３のソース領域は、第一コンタクトホールを介して、第一層間絶縁膜上に形成された第一電源線１４と電気的に接続されている。一方、駆動トランジスター２３のドレイン領域は、ゲート絶縁膜と第一層間絶縁膜と第二層間絶縁膜５５を貫通して設けられた第二コンタクトホール（不図示）を介して、第二層間絶縁膜５５の上に形成された陽極２４（２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂ）と電気的に接続されている。この第二コンタクトホールは、陽極２４と薄膜回路領域４３とが平面視にて重なり合う領域に形成されている。
【００４３】
第一電極（陽極２４）は、透明導電膜からなり、好適例としてインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）の薄膜が利用される。陽極２４の平面形状は、サブピクセル４２の平面形状にほぼ合わせられる。従って第一陽極２４Ｂの平面視での形状は、図４（ａ）に示す様に、第一要素領域４１Ｂに後に設けられる開口部５９１の全域と第二要素領域４１Ｒに後に設けられる開口部５９１の一部域と第三要素領域４１Ｇに後に設けられる開口部５９１の一部域とを内包する様に形成される。本実施形態では、第一陽極２４Ｂは第一要素領域４１Ｂの開口部５９１の全域と第二要素領域４１Ｒの開口部５９１の５３％の領域と第三要素領域４１Ｇの開口部５９１の１０％の領域とを内包する様に形成される。第二陽極２４Ｒの平面視での形状は、第二要素領域４１Ｒに後に設けられる開口部５９１の一部域を内包する様に形成される。本実施形態では、第二陽極２４Ｒは第二要素領域４１Ｒの開口部５９１の４７％の領域を内包する様に形成される。第三陽極２４Ｇの平面視での形状は、第三要素領域４１Ｇに後に設けられる開口部５９１の一部域を内包する様に形成される。本実施形態では、第三陽極２４Ｇは第三要素領域４１Ｇの開口部５９１の９０％の領域を内包する様に形成される。
【００４４】
各要素領域４１においては、第一隔壁５８と第二隔壁５９とからなる二層隔壁が平面視で略格子状に設けられており、二層隔壁で囲まれた内側の領域が開口部５９１となっている。二層隔壁は各要素領域４１を均等に区画し、それ故に、開口部５９１の面積は第一要素領域４１Ｂにおいても第二要素領域４１Ｒにおいても第三要素領域４１Ｇにおいてもほぼ同じである。第一要素領域４１Ｂの開口部５９１には第一発光層（青発光層６３Ｂ）が形成されている。第二要素領域４１Ｒの開口部５９１には第一発光層（青発光層６３Ｂ）と第二発光層（赤発光層６３Ｒ）とが形成されている。第三要素領域４１Ｇの開口部５９１には第一発光層（青発光層６３Ｂ）と第三発光層（緑発光層６３Ｇ）とが形成されている。
【００４５】
第一隔壁５８は、絶縁性材料にて形成され、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）等の無機材料が用いられる。第一隔壁５８は、隣り合う陽極２４間の絶縁性を確保すると共に、発光領域の形状（発光部５８Ｉ、具体的には陽極２４と発光機能層２６とが電気的に接する領域の形状）を所望の形状（例えば、角丸四角形）にする為に、陽極２４の周縁部上などに乗り上げる様に形成されている。つまり、陽極２４と第一隔壁５８とは、平面的に一部が重なるように配置された構造となっており、第一隔壁５８は、サブピクセル４２の内で発光部５８Ｉを除いた領域と、サブピクセル４２間と、に形成されている。第一要素領域４１Ｂにおいては、第一陽極２４Ｂに発光部５８Ｉが形成される様に第一隔壁５８が形成される。第二要素領域４１Ｒにおいては、第一陽極２４Ｂと第二陽極２４Ｒとに発光部５８Ｉが形成される様に第一隔壁５８が形成される。第三要素領域４１Ｇにおいては、第一陽極２４Ｂと第三陽極２４Ｇとに発光部５８Ｉが形成される様に第一隔壁５８が形成される。発光部５８Ｉの面積は第一要素領域４１Ｂにおいても第二要素領域４１Ｒにおいても第三要素領域４１Ｇにおいてもほぼ同じとなる様に第一隔壁５８が形成される。
【００４６】
更に、第一隔壁５８は、第一要素領域４１Ｂにて第一発光層が第一第一電極と電気的に接触している平面積（第一要素領域４１Ｂにおける発光部５８Ｉの面積）と、第二要素領域４１Ｒにて第二発光層及び第一発光層が第一第一電極及び第二第一電極と電気的に接触している平面積（第二要素領域４１Ｒにおける発光部５８Ｉの面積）と、第三要素領域４１Ｇにて第三発光層及び第一発光層が第一第一電極及び第三第一電極と電気的に接触している平面積（第三要素領域４１Ｇにおける発光部５８Ｉの面積）と、がほぼ等しくなる様に形成される。これは、発光機能層２６の一部の層を製造効率に優れる塗布法にて形成するが、その際に塗布条件を三つの領域に対して最適とする為である。又、一つのサブピクセルが小さいという事がないので、高解像度化を進める事ができる様にする為でもある。尚、後述する様に、第一電極（陽極２４）と直接接触するのは正孔注入層６１であるが、ここでは説明を分かり易くする為に、「発光層と第一電極とが電気的に接触する」との表現を用いた。
【００４７】
第一電極と第一隔壁５８とを上述の様に形成した結果、第一第一電極が第一発光層や第二発光層、第三発光層と電気的に接触している総平面積（第一サブピクセル（青サブピクセル４２Ｂ）における発光部の総面積）と、第二第一電極が第二発光層と電気的に接触している総平面積（第二サブピクセル（赤サブピクセル４２Ｒ）における発光部の総面積）と、第三第一電極が第三発光層と電気的に接触している総平面積（第三サブピクセル（緑サブピクセル４２Ｇ）における発光部の総面積）と、の比は、概ね１６：５：９となっている。
【００４８】
第一隔壁５８に平面視で重なり、その上に形成される第二隔壁５９は、例えば、断面が傾斜面を有する台形状であり、発光素子２７を平面視で囲むように形成されている。即ち、第二隔壁５９にて囲まれた領域が発光素子２７の開口部５９１となり、発光機能層２６をなす各種薄膜が形成される。第二隔壁５９は、各要素領域４１における開口部５９１の形状や面積が等しくなる様に形成される。第二隔壁５９の材料としては、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂の様に耐熱性に優れ、且つ耐溶剤性が高い有機材料が用いられる。
【００４９】
陽極２４（２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂ）上に設けられる各種薄膜は、要素領域４１（４１Ｒ、４１Ｇ、４１Ｂ）毎に異なっている。具体的には、第二要素領域４１Ｒでは、第二隔壁５９によって囲まれた第一陽極２４Ｂと第二陽極２４Ｒとの上に、正孔注入層６１Ｒ、正孔輸送層６２Ｒ、第二発光層（赤発光層６３Ｒ）が、インクジェット法によって順に形成されている。又、第三要素領域４１Ｇでは、第二隔壁５９によって囲まれた第一陽極２４Ｂと第三陽極２４Ｇとの上に、正孔注入層６１Ｇ、正孔輸送層６２Ｇ、第三発光層（緑発光層６３Ｇ）が、塗布法（インクジェット法）によって順に形成されている。又、赤発光層６３Ｒと緑発光層６３Ｇとの上には、中間層となる正孔ブロッキング層６４が蒸着法により積層されている。正孔ブロッキング層６４の上には第一発光層（青発光層６３Ｂ）が形成されている。
【００５０】
第一要素領域４１Ｂでは、第二隔壁５９によって囲まれた第一陽極２４Ｂ上に、正孔注入層６１Ｂ、正孔輸送層６２Ｂがインクジェット法によって順に形成されている。更に正孔輸送層６２Ｂ上には、第二隔壁５９上を含めた表示領域の全面に中間層となる正孔ブロッキング層６４が蒸着法により積層されている。正孔ブロッキング層６４上には第一発光層（青発光層６３Ｂ）が蒸着法により積層されている。この様に、正孔ブロッキング層６４及び第一発光層（青発光層６３Ｂ）は、素子基板３１で少なくとも実表示領域３２ａとなる表面の全体に均一に薄膜層として形成されている。これに対して、第二発光層（赤発光層６３Ｒ）は第二要素領域４１Ｒに形成され、第三発光層（緑発光層６３Ｇ）は第三要素領域４１Ｇに形成され、第二発光層（赤発光層６３Ｒ）と第三発光層（緑発光層６３Ｇ）とは、それぞれ作り分けられている。
【００５１】
青発光層６３Ｂの上には電子輸送層６５が蒸着法により積層されており、更に、電子輸送層６５上には、陰極２５が素子基板３１上の全面に成膜されている。陰極２５上は、例えば、缶封止方式を用いて封止が施されている（図示せず）。具体的には、凹型のガラスや金属製の対向基板の中に乾燥剤が入れられ、エポキシ等の接着剤を介して陰極２５側に貼り付けられている。陽極２４と陰極２５との間に挟持されているのが発光機能層２６であるので、第二要素領域４１Ｒと第三要素領域４１Ｇとの発光機能層２６は、正孔注入層６１Ｒ又は６１Ｇ、正孔輸送層６２Ｒ又は６２Ｇ、第二発光層（赤発光層６３Ｒ）又は第三発光層（緑発光層６３Ｇ）、正孔ブロッキング層６４、青発光層６３Ｂ、電子輸送層６５、の各層を含んでなる。一方、第一要素領域４１Ｂの発光機能層２６は、正孔注入層６１Ｂ、正孔輸送層６２Ｂ、正孔ブロッキング層６４、第一発光層（青発光層６３Ｂ）、電子輸送層６５、の各層を含んでなる。尚、発光機能層２６は上述の構成に限られず、例えば、中間層である正孔ブロッキング層６４を省略する事も可能である。
【００５２】
正孔注入層６１（６１Ｒ、６１Ｇ、６１Ｂ）は、導電性高分子材料中にドーパントを含有する導電性高分子層からなる。このような正孔注入層６１は、例えば、ドーパントとしてポリスチレンスルホン酸を含有する３、４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）などから構成する事ができる。
【００５３】
塗布法により形成される正孔輸送層６２（６２Ｒ、６２Ｇ、６２Ｂ）の構成材料としては、例えば、下記化学式１に示すＴＦＢなどのトリフェニルアミン系ポリマーを含んだ材料を用いる事ができる。
【００５４】
【化１】
2014107195.tif 000004
【００５５】
発光層６３（６３Ｒ、６３Ｇ、６３Ｂ）は、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。発光層６３の構成材料とし、塗布法にて形成する赤発光層６３Ｒであれば、例えば、下記化学式２に示す材料（Ｐｏｌｙ［｛９、９−ｄｉｈｅｘｙｌ−２、７−ｂｉｓ（１−ｃｙａｎｏｖｉｎｙｌｅｎｅ）ｆｌｕｏｒｅｎｙｌｅｎｅ｝−ａｌｔ−ｃｏ−｛２、５−ｂｉｓ（Ｎ、Ｎ−ｄｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）−１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ｝］、ＡＤＳ−１１１ＲＥ）を用いる事ができる。同じく塗布法にて形成する緑発光層６３Ｇであれば、例えば、下記化学式３に示す材料（Ｐｏｌｙ［｛９、９−ｄｉｏｃｔｙｌ−２、７−ｂｉｓ（２−ｃｙａｎｏｖｉｎｙｌｅｎｅ−ｆｌｕｏｒｅｎｙｌｅｎｅ｝−ａｌｔ−ｃｏ−｛２−ｍｅｔｈｏｘｙ−５−（２−ｅｔｈｙｌ  ｈｅｘｙｌｏｘｙ）−１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ｝］、ＡＤＳ−１０９ＧＥ）を用いる事ができる。又、蒸着法で形成する青発光層６３Ｂであれば、例えば、下記化学式４に示すホスト材料（２−［９、９−ｄｉ（４−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）−ｆｌｕｏｒｅｎ−２−ｙｉ］−９、９−ｄｉ（４−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｆｌｕｏｒｅｎ、ＢＤＡＦ）及び下記化学式５に示すゲスト材料（１、４−ｂｉｓ［２−（３−Ｎ−ｅｔｈｙｌｃａｒｂａｚｏｒｙｌ）ｖｉｎｙｌ］ｂｅｎｚｅｎｅ、ＢＣｚＶＢ）を用いる事ができる。
【００５６】
【化２】
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【００５７】
【化３】
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【００５８】
【化４】
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【００５９】
【化５】
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【００６０】
正孔ブロッキング層６４は赤発光層６３Ｒ及び緑発光層６３Ｇ内に正孔を留める機能を有する層である。正孔ブロッキング層６４の構成材料としては、例えば、下記化学式６に示されるＢａｌｑを用いる事ができる。
【００６１】
【化６】
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【００６２】
電子輸送層６５は、陰極２５から発光層６３（６３Ｒ、６３Ｇ、６３Ｂ）への電子注入を高める機能を有する層である。電子輸送層６５の構成材料としては、例えば、下記化学式７に示されるＡｌｑ３を用いる事ができる。
【００６３】
【化７】
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【００６４】
陰極２５は、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）及びアルミニウム（Ａｌ）の積層体とする事ができる。
【００６５】
「表示原理」
次に図５乃至図９を参照して、有機ＥＬ装置１１の表示原理を説明する。図５は発光素子から発せられた光の強度スペクトルである。第一発光素子（青発光素子２７Ｂ）は第一の色（青）を発光し、そのスペクトルはＥＭ−Ｂにて描かれている。第一発光素子（青発光素子２７Ｂ）からの光は、凡そ４６３ｎｍの波長で強度が最大となり、４２０ｎｍから６００ｎｍの波長範囲にある。第二発光素子（赤発光素子２７Ｒ）は第二の色（赤）と第一の色（青）との混色を発光し、そのスペクトルはＥＭ−Ｒにて描かれている。第二発光素子（赤発光素子２７Ｒ）からの光は、凡そ６１５ｎｍの波長で強度が最大となり、凡そ４６８ｎｍの波長で強度が第二の極大値を取り、４２０ｎｍから７８０ｎｍの波長範囲にある。第三発光素子（緑発光素子２７Ｇ）は第三の色（緑）と第一の色（青）との混色を発光し、そのスペクトルはＥＭ−Ｇにて描かれている。第三発光素子（緑発光素子２７Ｇ）からの光は、凡そ５１９ｎｍの波長で強度が最大となり、凡そ４６２ｎｍの波長で強度が第二の極大値を取り、４２０ｎｍから７７０ｎｍの波長範囲にある。
【００６６】
図６はカラーフィルターの光透過率スペクトルである。第一カラーフィルター（青カラーフィルターＣＦ−Ｂ）は第一の色（青）を主に透過し、その透過率は、凡そ４５０ｎｍの波長で最大となり、４００ｎｍから５６０ｎｍ程度の波長範囲の光を透過させる。第二カラーフィルター（赤カラーフィルターＣＦ−Ｒ）は第二の色（赤）を主に透過し、その透過率は、凡そ６３０ｎｍの波長で最大となり、凡そ５８０ｎｍ以上の波長範囲の光を透過させる。第三カラーフィルター（緑カラーフィルターＣＦ−Ｇ）は第三の色（緑）を主に透過し、その透過率は、凡そ５３０ｎｍの波長で最大となり、４７０ｎｍから６１０ｎｍ程度の波長範囲の光を透過させる。
【００６７】
図５の発光スペクトルと図６の透過率スペクトルとの積が有機ＥＬ装置の表示色となる。図７では、こうして得られた第二サブピクセル（赤サブピクセル４２Ｒ）の赤表示Ｒを示している。赤表示Ｒは第二発光素子からの発光ＥＭ−Ｒと第二カラーフィルターＣＦ−Ｒの透過率との積（ＥＭ−Ｒ×ＣＦ−Ｒ）である。美しい赤表示Ｒが実現している。
【００６８】
図８では、第三サブピクセル（緑サブピクセル４２Ｇ）の緑表示Ｇを示している。緑表示Ｇは、第三発光素子からの発光ＥＭ−Ｇと第三カラーフィルターＣＦ−Ｇの透過率との積（ＥＭ−Ｇ×ＣＦ−Ｇ）である。美しい緑表示Ｇが実現している。
【００６９】
図９では、第一サブピクセル（青サブピクセル４２Ｂ）の青表示Ｂを示している。青表示Ｂは、第一発光素子からの発光ＥＭ−Ｂと第一カラーフィルターＣＦ−Ｂの透過率の積（ＥＭ−Ｂ×ＣＦ−Ｂ）に、第二発光素子からの発光ＥＭ−Ｒと第一カラーフィルターＣＦ−Ｂの透過率の積（ＥＭ−Ｒ×ＣＦ−Ｂ）と、第三発光素子からの発光ＥＭ−Ｇと第一カラーフィルターＣＦ−Ｂの透過率の積（ＥＭ−Ｇ×ＣＦ−Ｂ）と、を加えた物である。美しい青表示Ｇが実現していると共に青表示Ｇの強度が高くなっている。
【００７０】
「有機ＥＬ装置の製造方法」
図１０乃至図１９は、有機ＥＬ装置の製造工程を示す模式図である。尚、図１０から図１７及び図１９で、（ａ）は平面図で、（ｂ）はＸ−Ｘ’における断面図である。又、図１８（ａ）は素子基板の平面図で、（ｂ）はカラーフィルター基板の平面図である。以下、図１０から図１９を参照して、有機ＥＬ装置１１の製造方法を説明する。尚、各種配線や電極、トランジスター等を形成する製造工程については、公知の工程を採用する事ができるので、ここではそれらの説明を省略又は簡略し、これ以降の工程について詳しく説明する。又、図面についても同様に、省略又は簡略する。更に、説明を分かり易くする為に、図１０乃至図１９の（ａ）の平面図では、薄膜回路領域４３や第一金属配線層、第二金属配線層、等を省略してある。
【００７１】
まず、図１０に示す様に、素子基板３１上に、公知の成膜技術やフォトリソグラフィー技術を用いて回路素子層４３Ｌ（詳細は、図４参照）を形成し、サブピクセル４２となる領域それぞれに第一電極を形成する。本実施形態では、第一電極は回路素子層４３Ｌに形成されたＩＴＯからなる陽極２４（２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂ）である。有機ＥＬ装置１１での画素７１の数は１９２０×１０８０であるので、サブピクセル４２の総数は１９２０×１０８０×３＝６２２万８００となる。続いて、各要素領域４１となる領域の中央部付近に陽極２４が露出する様に第一隔壁５８を形成する。第一隔壁５８は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で堆積した後に、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いて、各要素領域４１の中央部付近からシリコン酸化膜を除去して形成する。
【００７２】
続いて、図１１に示す様に、第一隔壁５８の上に第二隔壁５９を形成する。詳しくは、まず、第二隔壁５９の材料を含む溶液を第一隔壁５８上及び陽極２４上に塗布する。第二隔壁５９の材料は、例えばアクリル樹脂である。次に、塗布された溶液を乾燥させて樹脂層を形成する。その後、この樹脂層をパターニング加工して第二隔壁５９を形成すると共に、各要素領域４１に開口部５９１を形成する。
【００７３】
次工程で発光機能層２６をインクジェット法などの塗布方式を用いてパターニングするので、第二隔壁５９の表面は撥液性を有している事が望ましく、陽極２４の表面は親液性を有している事が望ましい。そこで、素子基板３１をアルコールで洗浄し、純水にてリンスした後、素子基板３１に酸素プラズマを照射して陽極２４の表面を親液性とする。次いで、素子基板３１に四フッ化炭素（ＣＦ4）のプラズマを照射して第二隔壁５９の表面を撥液性とする。第二隔壁５９の表層に撥液性を持たせる方式としては、この他に、フッ素等の撥液成分を予め混入させた樹脂（例えばアクリル樹脂）の塗工液を塗布し、この塗工液の乾燥時に撥液成分を樹脂表層に拡散集積させる方法もある。
【００７４】
続いて、図１２に示す様に、開口部５９１に正孔注入層６１（６１Ｒ、６１Ｇ、６１Ｂ）を例えば５０ｎｍの膜厚で形成する。これは、正孔注入層６１の材料を含んだ機能液（インク）を液滴吐出法（例えば、インクジェット法）により吐出し、そのあと機能液を乾燥させ、大気下で焼成する事で形成する。正孔注入層６１の機能液としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体にドーパントとしてのポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）を加えた混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等を用いる事ができる。各要素領域４１で開口部５９１の面積が同じである為に、正孔注入層６１の材料を含んだ機能液の吐出量が同一になり、従って、総ての要素領域４１に対して最適な焼成条件を適用できる。
【００７５】
次に、図１３に示す様に、各開口部５９１の正孔注入層６１（６１Ｒ、６１Ｇ、６１Ｂ）上に、正孔輸送層６２（６２Ｒ、６２Ｇ、６２Ｂ）を、それぞれ例えば１５ｎｍの膜厚で形成する。これは、正孔輸送層６２の材料を含んだ機能液（インク）を液滴吐出法（例えば、インクジェット法）により吐出し、そのあと機能液を乾燥させ、低酸素下で焼成する事で形成する。正孔輸送層６２の機能液としては、例えば、化学式１にて上述されるＴＦＢをシクロヘキシルベンゼン（ＣＨＢ）に溶解させた物を用いる事ができる。各要素領域４１で開口部５９１の面積が同じである為に、正孔輸送層６２の材料を含んだ機能液の吐出量が同一になり、従って、総ての要素領域４１に対して最適な焼成条件を適用できる。
【００７６】
次に、図１４に示す様に、第三要素領域４１Ｇの開口部５９１に第三発光層（緑発光層６３Ｇ）を、第二要素領域４１Ｒの開口部５９１に第二発光層（赤発光層６３Ｒ）を、塗布法により形成する。即ち、第三要素領域４１Ｇの開口部５９１に形成された正孔輸送層６２Ｇの上に緑発光層６３Ｇを６０ｎｍの膜厚で形成し、第二要素領域４１Ｒの開口部５９１に形成された正孔輸送層６２Ｒの上に赤発光層６３Ｒを７０ｎｍの膜厚で形成する。具体的には、発光材料を含んだ機能液を液滴吐出法（例えば、インクジェット法）により吐出し、そのあと機能液を乾燥させ、低酸素下で焼成させる。発光材料を含んだ機能液としては、例えば、上述の化学式２や化学式３にて表される発光材料を溶媒に溶解した物を用いる事ができる。溶媒としては、シクロヘキシルベンゼン（ＣＨＢ）などが挙げられる。本実施形態では、ＣＨＢに１．０ｗｔ％の濃度で化学式２や化学式３の発光材料が溶解された機能液を、インクジェット法にて第二要素領域４１Ｒ又は第三要素領域４１Ｇの開口部５９１に、それぞれ１０ピコリットル／ショットで２０ショット吐出して充填し、その後、素子基板３１を減圧乾燥機に設置し、５Ｐａ以下の真空度で３０分間に渡り乾燥処理した。第二要素領域４１Ｒと第三要素領域４１Ｇとで開口部５９１の面積が同じであり、発光材料を含んだ機能液の濃度もそれらの塗布条件も同じである為に、第二要素領域４１Ｒと第三要素領域４１Ｇとに対して最適な焼成条件を適用できる。
【００７７】
この様に、各要素領域４１で開口部５９１の面積が同じである為に、正孔注入層６１の材料を含んだ機能液や正孔輸送層６２の材料を含んだ機能液、発光材料を含んだ機能液の塗布条件や乾燥条件をそれぞれの層に対して最適に設定する事ができ、正孔注入層６１や正孔輸送層６２、第二発光層（赤発光層６３Ｒ）、第三発光層（緑発光層６３Ｇ）が乾燥不足に陥って低い特性を示す事や、これらの層が熱劣化を被ったりする事、などがなくなり、各材料が有している本来の特性を発揮する事ができる。又、特定の要素領域４１の開口部５９１だけが小さいという事もないので、要素領域４１の開口部５９１を液滴吐出法などの製造条件が定める最高分解能まで小さくする事ができる。即ち、有機ＥＬ装置の高解像度化を進める事ができる。
【００７８】
第二要素領域４１Ｒや第三要素領域４１Ｇに第二発光層（赤発光層６３Ｒ）や第三発光層（緑発光層６３Ｇ）を塗布法により形成した後に、素子基板３１の表面のほぼ全域に第一発光層（青発光層６３Ｂ）を蒸着法で形成するが、それに先立ち、少なくとも第一要素領域４１Ｂを含む領域をクリーニングする。通常は素子基板３１の表面のほぼ全域をクリーニングする。本願発明者の研究に依ると、従来の有機ＥＬ装置の製造工程中に第一発光層（青発光層６３Ｂ）がその品質を劣化させる原因は、第二発光層（赤発光層６３Ｒ）や第三発光層（緑発光層６３Ｇ）をインクジェット法で形成する際に（インクの吐出及び乾燥処理の際に）、第二発光層（赤発光層６３Ｒ）や第三発光層（緑発光層６３Ｇ）の機能液（赤発光層６３Ｒのインクや緑発光層６３Ｇのインク）の溶剤が蒸発して第一要素領域４１Ｂの底部（通常は正孔輸送層６２Ｂ）に再付着し、正孔輸送層６２Ｂを汚染する為と考えられる。正孔輸送層６２Ｂが汚染されると、その上に形成される第一発光層（青発光層６３Ｂ）も汚染されて仕舞い、これらの汚染が原因となって第一発光層（青発光層６３Ｂ）はその品質を劣化させられていたと考えられる。そこで、本実施形態では、第二要素領域４１Ｒや第三要素領域４１Ｇ（赤サブピクセル４２Ｒや緑サブピクセル４２Ｇ）に第二発光層（赤発光層６３Ｒ）や第三発光層（緑発光層６３Ｇ）を塗布法（インクジェット法による機能液の吐出と乾燥処理）により形成した後で、蒸着法を適応する直前に、少なくとも第一要素領域４１Ｂを含む領域をクリーニングする。こうする事で、第一要素領域４１Ｂの正孔輸送層６２Ｂや、第一発光層（青発光層６３Ｂ）、或いは場合によっては正孔ブロッキング層６４、の汚染が取り除けられる。その結果、これらの層は、材料の持つ本来の品質を保持する事ができ、本来の発光強度と発光寿命とが実現する。尚、蒸着法を適応する直前にクリーニングするとは、クリーニングに引き続いて蒸着を行うとの通常の意味であり、具体的にはクリーニングが終了してから半日以内に蒸着を行う事を意味する。勿論、クリーニングが終了してから１時間程度以内のできる限り短時間内に蒸着を行うのがより好ましい。更には、クリーニング装置と蒸着装置とを真空で連結し、クリーニングから蒸着までを真空を破らずに連続で行うのが更に好ましい。
【００７９】
クリーニングする工程はドライ処理工程である事が好ましい。これは、有機溶剤や純水を用いるウエット工程でクリーニングを行うと、第二要素領域４１Ｒに形成された第二発光層（赤発光層６３Ｒ）や第三要素領域４１Ｇに形成された第三発光層（緑発光層６３Ｇ）、或いは第一要素領域４１Ｂに形成された正孔輸送層６２Ｂなどに溶剤や水分が付着残留してこれらの層を劣化させる恐れがあるからである。従って、こうした恐れが生じないドライ処理工程にてクリーニングを施す。ドライ処理工程は、一例として、プラズマ処理工程であり、プラズマを素子基板３１の表面に照射する工程である。本実施形態では、簡単なプラズマ処理が実現する大気圧プラズマ装置を用い、大気圧プラズマを素子基板３１の表面に照射して、第一要素領域４１Ｂをクリーニングした。尚、大気圧プラズマ以外にも各種のプラズマをクリーニングに使用することができる。真空を利用したプラズマ処理としては、高周波電力（１３．５６ＭＨｚ）を利用した容量結合型（平行平板型）のプラズマや誘導結合型のプラズマ、ヘリコンプラズマ、などが利用でき、更には、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ）を利用したマイクロ波プラズマやエレクトロンサイクロトロンレゾナンスプラズマなども利用できる。後述する様に、プラズマ処理では正孔輸送層６２Ｂの表面を僅かに削るので、効率的にクリーニングを行うとの観点からは、リアクティブイオンエッチング・モード（Ａｒ＋などの正イオンを加速して素子基板３１に衝突させるモード）とするのが好ましい。
【００８０】
プラズマ処理工程では不活性ガスのプラズマが用いられる。不活性ガスプラズマであれば、プラズマ照射により第二要素領域４１Ｒの第二発光層（赤発光層６３Ｒ）や第三要素領域４１Ｇの第三発光層（緑発光層６３Ｇ）、或いは第一要素領域４１Ｂの正孔輸送層６２Ｂなどの化学組成が変えられる事ない。こうして、プラズマ処理工程が第一要素領域４１Ｂの正孔輸送層６２Ｂをクリーニングするとの効果をもたらし、且つ、何ら悪影響を第二要素領域４１Ｒの第二発光層（赤発光層６３Ｒ）や第三要素領域４１Ｇの第三発光層（緑発光層６３Ｇ）、或いは第一要素領域４１Ｂの正孔輸送層６２Ｂに及す事もない。即ち、不活性ガスプラズマ照射により正孔輸送層６２Ｂや第一発光層（青発光層６３Ｂ）の品質と本来の機能とを保つ事が可能となる。プラズマ処理に用いられる不活性ガスはヘリウムやネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンなどの希ガスである事が好ましい。希ガスは容易かつ安定的にプラズマを形成できるので、有機ＥＬ装置１１の製造工程が複雑となる事はなく、製造工程の制御も容易だからである。希ガスの中でも特にアルゴンとヘリウムとが好ましい。
【００８１】
プラズマ処理の工程条件は、正孔輸送層６２Ｂなどの有機物が１ｎｍから５ｎｍ程度エッチングされる条件とするのが好ましい。正孔輸送層６２Ｂは１０ｎｍから５０ｎｍ程度の厚みで形成され（本実施形態では１５ｎｍ）、第二発光層（赤発光層６３Ｒ）や第三発光層（緑発光層６３Ｇ）は３０ｎｍ程度以上の厚みで形成されるので（本実施形態では、赤発光層６３Ｒが７０ｎｍ、緑発光層６３Ｇが６０ｎｍ）、５ｎｍ以下のエッチングで有れば、正孔輸送層６２Ｂや第二発光層（赤発光層６３Ｒ）、第三発光層（緑発光層６３Ｇ）の品質が薄膜化による劣化を起こすことはない。又、第二発光層（赤発光層６３Ｒ）や第三発光層（緑発光層６３Ｇ）の塗布に伴う正孔輸送層６２Ｂの汚染は、正孔輸送層６２Ｂの最表面に限られるので、１ｎｍ以上のエッチングを施せば、クリーニング効果が出現する。こうしたエッチングを可能とするプラズマのエネルギー密度は大凡１０００Ｊ／ｃｍ2から１８０００Ｊ／ｃｍ2の範囲である。尚、プラズマのエネルギー密度とは、プラズマの電力密度と処理時間との積である。例えば、１００Ｗ／ｃｍ2の電力密度で１０秒間のプラズマ照射処理を行えば、１０００Ｊ／ｃｍ2のエネルギー密度となり、３００Ｗ／ｃｍ2の電力密度で６０秒間のプラズマ照射処理を行えば、１８０００Ｊ／ｃｍ2のエネルギー密度となる。大気圧プラズマで、エネルギー密度を１０００Ｊ／ｃｍ2としてプラズマ処理を行うと、正孔輸送層６２Ｂは大凡１ｎｍ削られ、正孔輸送層６２Ｂなどの下層の表面がクリーニングされる。大気圧プラズマで、エネルギー密度を１８０００Ｊ／ｃｍ2としてプラズマ処理を行うと、正孔輸送層６２Ｂは大凡５ｎｍ削られ、正孔輸送層６２Ｂなどの下層の機能は劣化される事なく維持される。こうした工程を経た結果、図５に示した様に、各発光素子２７からの発光で青色光（波長４６０ｎｍ付近の光）の強度が上がり、後述する様に、有機ＥＬ装置の寿命が延びる事になる。
【００８２】
次に、図１５に示す様に、第三要素領域４１Ｇの第三発光層（緑発光層６３Ｇ）の上と、第二要素領域４１Ｒの第二発光層（赤発光層６３Ｒ）の上と、第一要素領域４１Ｂの正孔輸送層６２Ｂの上と、第二隔壁５９の上とに、正孔ブロッキング層６４を例えば３ｎｍの膜厚で蒸着法により形成する。正孔ブロッキング層６４としては、上述の化学式６に示されるＢａｌｑを用いる事ができる。尚、本実施形態では、有機ＥＬ装置１１が蒸着法で形成された正孔ブロッキング層６４を有するので、正孔ブロッキング層６４と第一発光層（青発光層６３Ｂ）とをこの順序で蒸着するが、正孔ブロッキング層６４は省く事も可能である。
【００８３】
次に、図１６に示す様に、第二要素領域４１Ｒと第三要素領域４１Ｇの正孔ブロッキング層６４の上と、第一要素領域４１Ｂの正孔ブロッキング層６４の上と、各要素領域４１の開口部５９１を隔てる第二隔壁５９の正孔ブロッキング層６４の上とに、第一発光層（青発光層６３Ｂ）を、例えば１０ｎｍの膜厚で、蒸着法により形成する。青発光層６３Ｂとしてはホスト材料（上述の化学式４に示されるＢＤＡＦ）とゲスト材料（上述の化学式５に示されるＢＣｚＶＢ）を例えば体積比１０：１で共蒸着法により形成する事ができる。素子基板３１のほぼ全面に成膜される青発光層６３Ｂの厚みは５ｎｍから５０ｎｍの範囲にあるのが好ましい。５ｎｍ未満の厚みでは発光が困難だが、５ｎｍ以上の厚みがあれば、実用的な明るさの発光が可能になる。又、５０ｎｍ以下の厚みであれば、発光させる為の電圧を或る程度低く保つ事が可能になる。
【００８４】
次に、図１７に示す様に、第一要素領域４１Ｂと第二要素領域４１Ｒと第三要素領域４１Ｇの青発光層６３Ｂの上と、第二隔壁５９の上とに、跨って、電子輸送層６５と第二電極とを形成する。本実施形態では第二電極は陰極２５である。要するに、全ての要素領域４１に電子輸送層６５を例えば２０ｎｍの膜厚で蒸着法により形成し、更に、電子輸送層６５上に陰極２５を蒸着法により形成する。電子輸送層６５としては、例えば、上述の化学式７に示すＡｌｑ３を用いる事ができる。陰極２５は、例えば、１ｎｍ厚のフッ化リチウム膜と１５０ｎｍ厚のアルミニウム膜とを、この順に積層して形成される。その後、例えば、缶封止方式を用いて陰極２５上を封止する（不図示）。
【００８５】
次に素子基板３１に合わせてカラーフィルター基板ＣＦが配置される。図１８に示す様に、第一要素領域４１Ｂには第一カラーフィルター（青カラーフィルターＣＦ−Ｂ）が平面視で重なる様に配置される。第二要素領域４１Ｒと第三要素領域４１Ｇとで第一第一電極（第一陽極２４Ｂ）が配置された領域にも第一カラーフィルター（青カラーフィルターＣＦ−Ｂ）が、これらに平面視で重なる様に配置される。要するに、第一カラーフィルター（青カラーフィルターＣＦ−Ｂ）は、各発光素子２７の開口部５９１に現れている第一第一電極（第一陽極２４Ｂ）を平面視で覆う様に形成される。言い換えると、第一要素領域４１Ｂと第二要素領域４１Ｒと第三要素領域４１Ｇとで第一カラーフィルター（青カラーフィルターＣＦ−Ｂ）が配置された箇所には第一第一電極（第一陽極２４Ｂ）が開口部５９１に形成されている。第二要素領域４１Ｒで第二第一電極（第二陽極２４Ｒ）が配置された領域には第二カラーフィルター（赤カラーフィルターＣＦ−Ｒ）が、これに平面視で重なる様に配置される。即ち、第二要素領域４１Ｒで第二カラーフィルター（赤カラーフィルターＣＦ−Ｒ）が配置された箇所には第二第一電極（第二陽極２４Ｒ）が形成されている。第三要素領域４１Ｇで第三第一電極（第三陽極２４Ｇ）が配置された領域には第三カラーフィルター（緑カラーフィルターＣＦ−Ｇ）が、これに平面視で重なる様に配置される。即ち、第三要素領域４１Ｇで第三カラーフィルター（緑カラーフィルターＣＦ−Ｇ）が配置された箇所には第三第一電極（第三陽極２４Ｇ）が形成されている。
【００８６】
図１９に示す様に、この様にして、有機ＥＬ装置１１が製造される。即ち、第一要素領域４１Ｂは第一サブピクセル（青サブピクセル４２Ｂ）の一部となって、青表示Ｂをする。又、第二要素領域４１Ｒと第三要素領域４１Ｇの一方の領域（Ｙ−Ｙ’を含む方）も第一サブピクセル（青サブピクセル４２Ｂ）の一部となって、青表示Ｂをする。第二要素領域４１Ｒの他方の領域（Ｘ−Ｘ’を含む方）は第二サブピクセル（赤サブピクセル４２Ｒ）となって、赤表示Ｒをする。第三要素領域４１Ｇの他方の領域（Ｘ−Ｘ’を含む方）は第三サブピクセル（緑サブピクセル４２Ｇ）となって、緑表示Ｇをする。
【００８７】
「寿命向上」
本実施形態に係わる有機ＥＬ装置の寿命向上の効果を、表２を参照して説明する。表２では、色座標（０．３１、０．３３）となる白色を２００ｃｄ／ｍ2の輝度で表示させた際の寿命を示している。表２（ａ）が比較例に相当し、表２（ｂ）が本実施形態に係わる有機ＥＬ装置１１に相当する。色座標（０．３１、０．３３）の白色を２００ｃｄ／ｍ2の輝度で表示させるには、赤表示輝度は４４５ｃｄ／ｍ2程度とせねばならず、緑表示輝度は１１９０ｃｄ／ｍ2程度とせねばならず、青表示輝度は３７０ｃｄ／ｍ2程度とせねばならない。各色の表示輝度は画素７１におけるサブピクセルの面積割合に発光輝度とカラーフィルターの透過率とを乗じた値となる。
【００８８】
【表２】
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【００８９】
表２（ａ）は要素領域とサブピクセルとが一致している比較例であり、発光部の面積（即ち、各サブピクセルの面積）は、青表示も緑表示も赤表示も同一で、これらの面積比率は赤表示：緑表示：青表示＝１０：１０：１０である。この場合、青発光素子での青発光輝度を６４０ｃｄ／ｍ2と高くせねばならず、それ故に青発光素子の寿命が５０００時間と短くなる。赤発光素子や緑発光素子の寿命は１０万時間と長いので、製品寿命は青発光素子の寿命の時間で、５０００時間へと制限されている。
【００９０】
これに対して、本実施形態に係わる有機ＥＬ装置１１では、第一サブピクセル（青サブピクセル４２Ｂ）における発光部の総面積と、第二サブピクセル（赤サブピクセル４２Ｒ）における発光部の総面積と、第三サブピクセル（緑サブピクセル４２Ｇ）における発光部の総面積と、の比は、概ね１６：５：９と、発光寿命の短い順に対応するサブピクセルの面積が大きくされている。即ち、第一発光素子の寿命が第二発光素子の寿命よりも短く、第二発光素子の寿命が第三発光素子の寿命よりも短い場合、第一サブピクセルにおける発光部の総面積を第二サブピクセルにおける発光部の総面積よりも広くし、第二サブピクセルにおける発光部の総面積を第三サブピクセルにおける発光部の総面積よりも広くしている。その結果、表２（ｂ）に示す様に、青発光輝度を２７０ｃｄ／ｍ2と低く抑える事ができ、それ故に青発光素子の寿命は２万時間近くと長くなる。比較例に対して、第二サブピクセル（赤サブピクセル４２Ｒ）の面積割合が低下した為に、赤発光素子の寿命は２万３千時間程度に低下したが、製品寿命は依然として青発光素子の寿命で制限される。この結果、比較例に対して、本実施形態に係わる有機ＥＬ装置１１の製品寿命は４倍程度延びている。
【００９１】
「電子機器」
次に、前述した有機ＥＬ装置１１を適用した電子機器について、図２０を参照して説明する。図２０は、本発明に係る有機ＥＬ装置を備える電子機器の一例としてテレビの構成を模式的に示す概略斜視図である。以下、テレビの構成を、図２０を参照しながら説明する。
【００９２】
図２０に示す様に、テレビ１０１は、表示部１０２と、枠部１０３と、脚部１０４と、リモコン１０５とを有する。表示部１０２には、上述の製造方法を用いて製造された有機ＥＬ装置１１が実装されている。枠部１０３は、表示部１０２をガイドするために用いられる。脚部１０４は、表示部１０２及び枠部１０３を一定の高さで固定するために用いられる。リモコン１０５は、例えば、テレビ１０１の電源をＯＮ／ＯＦＦしたり、チャンネルを変えたりするために用いられる。
【００９３】
尚、電子機器は、上記した有機ＥＬ装置１１を備えておればテレビ１０１に限定されず、他にも例えば、ディスプレイ、携帯電話機、コンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーション装置、オーディオ機器等にも適用する事ができる。
【００９４】
以上述べた様に、本実施形態に係わる有機ＥＬ装置１１に依れば、以下の効果を得る事ができる。
第一要素領域４１Ｂにおける第一の色の表示に、第二要素領域４１Ｒにおける第一の色の表示や第三要素領域４１Ｇにおける第一の色の表示を加える事ができる。これにより、第一発光層での発光輝度を低くする事ができ、従って、第一発光層の寿命が伸ばされる。カラー表示を実現する複数の色の中で、寿命の短い色を第一発光層で発光させる事により、第一発光層の寿命を伸ばして、有機ＥＬ装置の製品寿命を長くする事ができる。更に、第一発光層や第二発光層、正孔注入層といった発光機能層を製造効率に優れる塗布法にて形成しても、第一要素領域４１Ｂと第二要素領域４１Ｒと第三要素領域４１Ｇとの面積が等しいので、工程条件を三つの要素領域に対して最適とする事ができる。又、第一要素領域４１Ｂと第二要素領域４１Ｒと第三要素領域４１Ｇとの面積が等しく、特定のサブピクセルが小さいという事がないので、高解像度化を進める事ができる。換言すると、高いカラー表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬ装置を高効率な製造工程で実現する事ができる。
【００９５】
尚、本実施形態では、第一サブピクセルが第一要素領域と第二要素領域と第三要素領域とに形成されていたが、第一サブピクセルは必ずしも第三要素領域に形成されなくとも良い。例えば、第二発光素子の寿命が第一発光素子や第三発光素子の寿命に比べて十分に長い場合、第一サブピクセルは第一要素領域と第二要素領域とに形成され、第三要素領域には形成されなくとも良い。各発光層６３の材質（各発光素子２７の寿命）に応じて、第一サブピクセルにおける発光部の総面積と、第二サブピクセルにおける発光部の総面積と、第三サブピクセルにおける発光部の総面積と、の比は、適宜定められる。
【００９６】
又、本実施形態では、青サブピクセル４２Ｂが第一サブピクセルであり、赤サブピクセル４２Ｒが第二サブピクセルであったが、第一サブピクセル（青サブピクセル４２Ｂ）と第二サブピクセル（赤サブピクセル４２Ｒ）とに対する組み合わせはこれに限られない。例えば、一つの画素７１を４個のサブピクセルで構成し、赤サブピクセルと緑サブピクセルと黄色サブピクセルのいずれかを第二サブピクセル又は第三サブピクセルとし、青サブピクセルを第一サブピクセルとしても良い。或いは、例えば、白色サブピクセルを第一サブピクセルとし、赤サブピクセルと緑サブピクセルとのいずれかを第二サブピクセルとし、青サブピクセルを第三サブピクセルとしても良い。
【００９７】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良を加えることが可能である。以下に変形例を述べる。
【００９８】
（変形例１）
「トップエミッション構造の形態」
実施形態１では、一例としてボトムエミッション構造の有機ＥＬ装置１１が説明されたが、本発明はトップエミッション構造の有機ＥＬ装置１１にも適用可能である。即ち、有機ＥＬ装置１１を発光層６３から発せられた光を上側に（素子基板３１の反対側に）取り出す構造としても良い。これに伴い、実施形態１では第一電極が陽極２４で第二電極が陰極２５で有ったが、本変形例では第一電極が陰極２５となり、第二電極が陽極２４とされる。又、カラーフィルター基板ＣＦ−Ｓｕｂは素子基板３１の上側に配置される。
【００９９】
具体的には、まず、第一電極としての陰極２５を形成した後、陰極２５の上に電子輸送層６５を形成する。陰極２５と電子輸送層６５とは要素領域４１毎に独立に形成される。次いで、第二要素領域４１Ｒに第二発光層を、第三要素領域４１Ｇに第三発光層を、塗布法で形成する。次に素子基板３１の全面に第一発光層と正孔輸送層６２、正孔注入層６１とをこの順序にて蒸着法により形成し、最後に第二電極としての陽極２４を形成する。陽極２４は透明導電膜で形成する。これにより、発光素子層４４にて発光した光は素子基板３１の上側に取り出され、有機ＥＬ装置１１は、所謂、トップエミッション構造となる。第一電極の形状やカラーフィルターの配置などは実施形態１と同じである。
【０１００】
（変形例２）
「蒸着法で発光層を形成した形態」
発光機能層２６の製造方法は、実施形態１に捕らわれず、自由に変更する事ができる。実施形態１では、正孔注入層６１や正孔輸送層６２、第二発光層、第三発光層が液滴吐出法にて形成されたが、これらの層を蒸着法で形成しても良い。例えば、正孔注入層６１と正孔輸送層６２とをこの順序で素子基板３１の全面に蒸着した後に、第二発光層を選択的に第二要素領域４１Ｒに堆積し、次に第三発光層を選択的に第三要素領域４１Ｇに堆積しても良い。その後、実施形態１と同様に、第一発光層と電子輸送層６５とを素子基板３１の全面に蒸着する。第二発光層や第三発光層を選択的に第二要素領域４１Ｒや第三要素領域４１Ｇに堆積するには、蒸着される領域が開口されたマスクを用いて蒸着法を行う、所謂、マスク蒸着を行っても良いし、或いはレーザー光などを用いて、発光層を選択的に転写させても良い。いずれの方法を用いようとも、本変形例の場合、発光層６３の選択的形成が第二発光層と第三発光層との二種類だけであるので、従来の三種類の発光層の選択的形成よりも容易に製造でき、而も高解像度化を進める事ができる。又、特定の要素領域４１が小さいと言う事もないので、実施形態１と同様に、高解像度化を進める事ができる。
【符号の説明】
【０１０１】
１１…有機ＥＬ装置、１２…走査線、１３…信号線、１４…第一電源線、１５…信号線駆動回路、１６…走査線駆動回路、１７…第二電源線、２１…選択トランジスター、２２…保持容量、２３…駆動トランジスター、２４…陽極、２４Ｂ…第一陽極、２４Ｇ…第三陽極、２４Ｒ…第二陽極、２５…陰極、２６…発光機能層、２７…発光素子、２７Ｂ…青発光素子、２７Ｇ…緑発光素子、２７Ｒ…赤発光素子、３１…素子基板、３２…表示領域、３２ａ…実表示領域、３２ｂ…ダミー領域、３３…非表示領域、３６…フレキシブル基板、３７…駆動用ＩＣ、４１…要素領域、４１Ｂ…第一要素領域、４１Ｇ…第三要素領域、４１Ｒ…第二要素領域、４２…サブピクセル、４２Ｂ…青サブピクセル、４２Ｇ…緑サブピクセル、４２Ｒ…赤サブピクセル、４３…薄膜回路領域、４３Ｂ…第一薄膜回路領域、４３Ｇ…第三薄膜回路領域、４３Ｌ…回路素子層、４３Ｒ…第二薄膜回路領域、４４…発光素子層、５５…第二層間絶縁膜、５８…第一隔壁、５８Ｉ…発光部、５９…第二隔壁、６１…正孔注入層、６１Ｂ…正孔注入層、６１Ｇ…正孔注入層、６１Ｒ…正孔注入層、６２…正孔輸送層、６２Ｂ…正孔輸送層、６２Ｇ…正孔輸送層、６２Ｒ…正孔輸送層、６３…発光層、６３Ｂ…青発光層、６３Ｇ…緑発光層、６３Ｒ…赤発光層、６４…正孔ブロッキング層、６５…電子輸送層、７１…画素、５９１…開口部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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