(57)【要約】      （修正有）【課題】基板上の機能性膜のスプレーパターンの偏りの有無を正確に検出するスプレーパターン測定方法を提供する。【解決手段】スプレーパターンの画像データから、スプレー対象基板２上の液滴吐出ヘッド１２の位置に対応した中心位置に対するスプレーパターンの左右の縁部を求め、中心位置から第１，第２の縁部の距離を比較しスプレーパターンの偏りを求める演算部と、偏りが許容範囲内であるかどうかを判定する判定部とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
スプレー対象基板に機能性液体をスプレーして形成された機能性膜のスプレーパターンを読み取って得られた画像データから、前記スプレー対象基板上の液滴吐出ヘッドの位置に対応した中心位置に対するスプレーパターンの第１の縁部とその反対側の第２の縁部とを求め、前記中心位置から前記第１の縁部までの第１の距離と前記中心位置から前記第２の縁部までの第２の距離とを比較して、前記スプレーパターンの偏りを求める演算部と、
前記演算部にて求められた前記スプレーパターンの偏りが許容範囲内であるかどうかを判定する判定部とを備えていることを特徴とするスプレーパターン測定装置。
【請求項２】
前記演算部は、前記画像データから前記スプレーパターンの液滴密度を求め、
前記判定部は、前記演算部にて求められた前記液滴密度を所定の閾値と比較して前記液滴密度の適否を判定することを特徴とする請求項１に記載のスプレーパターン測定装置。
【請求項３】
前記演算部は、前記スプレーパターンの偏りを求める処理において、前記画像データにおける、前記スプレー対象基板の前記第１の縁部方向の端部から前記第２の縁部方向の端部までの間に複数の区分領域を設定し、前記第１の端部および前記第２の端部を求める処理を前記複数の区分領域における両端部の区分領域において行うことを特徴とする請求項１または２に記載のスプレーパターン測定装置。
【請求項４】
前記判定部による前記スプレーパターンに対する判定結果が、現状のスプレーパターンを是認しないものである場合に、警告を発する警告手段を備えていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のスプレーパターン測定装置。
【請求項５】
スプレー対象基板に機能性液体をスプレーして形成された機能性膜のスプレーパターンを読み取って得られた画像データから、前記スプレー対象基板上の液滴吐出ヘッドの位置に対応した中心位置に対するスプレーパターンの第１の縁部とその反対側の第２の縁部とを求め、前記中心位置から前記第１の縁部までの第１の距離と前記中心位置から前記第２の縁部までの第２の距離とを比較して、スプレーパターンの偏りを求める偏り測定工程と、
前記偏り測定工程にて求めた前記スプレーパターンの偏りが許容範囲内であるかどうかを判定する偏り適否判定工程とを備えていることを特徴とするスプレーパターン測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばスプレー対象基板に塗布された機能性膜のスプレーパターンを測定するスプレーパターン測定方法、測定装置、液体スプレー装置、プログラムおよび記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばＬＥＤ光源発光モジュールは、金属バーに複数個実装してバックライトあるいは照明等の用途で使用される。このようなＬＥＤ光源発光モジュールは、例えばセラミック基板からなる実装基板上に、ダイボンドによって１から複数個のＬＥＤチップが搭載される。また、実装基板上には、ＬＥＤチップおよびその接続部を全て覆うように蛍光体樹脂層が形成され（一次モールド）、さらにその蛍光体樹脂層が高透過率透明樹脂層にてドーム形状に封止される（二次モールド）。
【０００３】
上記ＬＥＤ光源発光モジュールの製造において、蛍光体樹脂層は、通常、略半球または略半扁球に形成される。このために、蛍光体樹脂を弾く素材からなる撥液剤を実装基板の表面の全面に塗布して撥液膜を形成し、上記蛍光体樹脂層の底面となる領域の撥液膜をエッチングにて除去する。これにより、蛍光体樹脂に表面張力が作用し、蛍光体樹脂層は上記の形状とすることができる。
【０００４】
上記撥液膜の形成には、撥液剤を実装基板上にスプレーする方式が多用されている。この方式では、液滴吐出ヘッドにより一定の高さから撥液剤を噴射し、実装基板上に１〜２μｍ程度の撥液膜を形成する。また、上記エッチングは、例えばアルゴンプラズマを使用したプラズマ処理にて行う。
【０００５】
上記撥液膜は、撥液剤が実装基板の全面に濡れた状態であると、エッチングによっては完全に除去できず残渣となってしまう。したがって、上記撥液膜は、エッチングによって不要部分を完全に除去できるようにするため、撥液剤が実装基板の全面に濡れた状態とならないように、撥液剤の液滴密度を粗密度（低密度）にして塗布することが好ましい。また、撥液剤のスプレーパターンは、実装基板の全面において液滴密度が安定となるように、スプレーの中心位置に対して偏りが生じないように形成することが好ましい。
【０００６】
そこで、ＬＥＤ光源発光モジュールの製造では、良好な撥液膜を形成するために、形成した撥液膜の表面状態を把握することが行われる。そのための方法としては、塗装表面の画像データを取得し、取得画像を処理することで表面状態を測定する方法が知られている。
【０００７】
特許文献１には、サンプルの塗装表面に斜め方向から光を照射し、サンプルの塗装表面の輝度画像データを取得し、輝度画像データを二値化して塗装表面の単位面積当たりの凹部の数量を算出し、その数量に基づいて表面の状態を検出することが記載されている。
【０００８】
特許文献２には、記録媒体に印刷したドットを顕微鏡およびカメラで撮像し、取得した画像データを二値化画像データに変換し、ドットの二値化画像データに対し、エロージョン処理を施し、エロージョン処理後、残存する部分の重心位置を前記ドットの着弾位置として検出することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００８−０１４９０７号公報（２００８年０１月２４日公開）
【特許文献２】特開２００５−１３１９６０号公報（２００５年０５月２６日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１に記載の構成では、塗装表面全体の状態を検出することは可能であるものの、スプレーパターンの偏りを正確に検出することができない。
【００１１】
また、特許文献２に記載の構成では、スプレー方式による塗装表面に着弾したドットの着弾位置を特定することはできるものの、同様に、スプレーパターンの偏りを正確に検出することができない。このため、スプレーパターンに偏りがある場合に、スプレーパターンが適正となるように正確に調整することができない。
【００１２】
したがって、本発明は、スプレー対象基板に形成される機能性膜のスプレーパターンの偏りの有無を正確に検出することができるスプレーパターン測定方法、測定装置、液体スプレー装置、プログラムおよび記録媒体の提供を目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係るスプレーパターン測定装置は、スプレー対象基板に機能性液体をスプレーして形成された機能性膜のスプレーパターンを読み取って得られた画像データから、前記スプレー対象基板上の液滴吐出ヘッドの位置に対応した中心位置に対するスプレーパターンの第１の縁部とその反対側の第２の縁部とを求め、前記中心位置から前記第１の縁部までの第１の距離と前記中心位置から前記第２の縁部までの第２の距離とを比較して、前記スプレーパターンの偏りを求める演算部と、前記演算部にて求められた前記スプレーパターンの偏りが許容範囲内であるかどうかを判定する判定部とを備えている構成である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の一態様によれば、スプレー対象基板上に形成された機能性膜のスプレスプレーパターンの偏りの有無を正確に測定でき、この測定結果に基づいて、スプレーパターンを正確なものとなるように調整することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施の形態のスプレーパターン測定装置を備えた液体スプレー装置の構成を示す模式図である。
【図２】図１に示したスプレーパターン測定装置の構成を示すブロック図である。
【図３】図１に示した液滴吐出ヘッドによるスプレー対象基板への撥液膜の形成動作を示す斜視図である。
【図４】図３に示したスプレー対象基板において、撥液膜のエッチング後のエッチング領域に残渣が生じている状態を示す縦断面図である。
【図５】図４に示した状態を示す平面図である。
【図６】図１に示したスプレーパターン測定装置における液滴密度測定動作を示すフローチャートである。
【図７】図２に示した二値化処理部にて作成された二値化データにおける各区分領域間の液滴密度の変化を示す説明図である。
【図８】図７に示した各区分領域間の液滴密度の変化を示すグラフである。
【図９】図９の（ａ）は、図３に示したスプレー対象基板上において撥液膜の液滴密度が高い場合（Ａの場合）を示す説明図、図９の（ｂ）は、撥液膜の液滴密度が低い場合（Ｂの場合）を示す説明図、図９の（ｃ）は、図９の（ａ）（ｂ）におけるＸ−Ｘ’断面位置における上記Ａの場合と上記Ｂの場合との相対的な液滴密度の高低を示すグラフである。
【図１０】図１に示したスプレーパターン測定装置におけるスプレーパターンずれ測定動作を示すフローチャートである。
【図１１】図１に示した液体スプレー装置によって形成されるスプレーパターンにおけるスプレー幅と液滴吐出ヘッドの高さとの関係の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
〔実施形態１〕
（液体スプレー装置の構成の概要）
本発明の実施の形態を図面に基づいて以下に説明する。
図１は、本発明の実施の形態のスプレーパターン測定装置を備えた液体スプレー装置１の構成を示す模式図である。
【００１７】
本実施の形態において、液体スプレー装置１は、例えばＬＥＤ光源発光モジュールの構成要素であるスプレー対象基板２に、機能性液体としての撥液剤３を塗布し、機能性膜としての撥液膜を形成するものである。このために、液体スプレー装置１は、図１に示すように、ワーク搬送装置１１、液滴吐出ヘッド（液体スプレー手段）１２、液体供給部１３、コンプレッサ１４、減圧弁１５、電磁弁１６、カメラ（撮像手段）１７およびスプレーパターン測定装置１８を備えている。
【００１８】
（液体スプレー装置の各部の説明）
ワーク搬送装置１１は、ステージ１９上に配置されたワークすなわちスプレー対象基板２をステージ１９とともに一方向へ搬送する。なお、スプレー対象基板２と液滴吐出ヘッド１２とは相対移動すればよく、少なくとも一方が一方向へ移動すればよい。
【００１９】
液滴吐出ヘッド１２は、機能性液体としての撥液剤を噴射してステージ１９上のスプレー対象基板２の表面に塗布する。これにより、スプレー対象基板２の表面には撥液膜が形成される。液体供給部１３は、撥液剤を収容し、かつ液滴吐出ヘッド１２に対して撥液剤を供給する。
【００２０】
コンプレッサ１４は、撥液剤が、液体供給部１３から液滴吐出ヘッド１２に供給され、かつ液滴吐出ヘッド１２から噴射されるように、液体供給部１３に第１空気経路２０を介して圧縮空気を供給する。さらに、コンプレッサ１４は、撥液剤のスプレーパターンを制御するための圧縮空気を、第２空気経路２１を介して、液滴吐出ヘッド１２に供給する。
【００２１】
減圧弁１５は、コンプレッサ１４から第１空気経路２０および第２空気経路２１に供給される圧縮空気の圧力を調整するためのものである。電磁弁１６は、第２空気経路２１に設けられ、第２空気経路２１を開閉するためのものである。
【００２２】
カメラ１７は、例えばＣＣＤ等の撮像素子を備えた撮像装置であり、液体スプレー装置１によるスプレー対象基板２上のスプレーパターン全体を読み取り、画像データとする。なお、カメラ１７は、スプレー対象基板２の上方におけるスプレー対象基板２の幅方向の中央位置に配置されていることが好ましい。この点は、液滴吐出ヘッド１２においても同様である。上記幅方向は、ワーク搬送装置１１によるスプレー対象基板２の搬送方向に対して直交する方向である。
【００２３】
（スプレーパターン測定装置）
スプレーパターン測定装置１８は、カメラ１７により取得されたスプレーパターンの画像データに基づいて、スプレー対象基板２の表面のスプレーパターンを測定する。このために、スプレーパターン測定装置１８は、図２に示すように、制御部３１、二値化処理部３２、演算部３３、判定部３４、記憶装置３５、表示装置３６および警告装置（警告手段）３７を備えている。図２は、スプレーパターン測定装置１８の構成を示すブロック図である。
【００２４】
制御部３１は、スプレーパターン測定装置１８の各部の動作を制御する。二値化処理部３２は、カメラ１７から得た、スプレー対象基板２上のスプレーパターンの画像データを二値化データ（二値データ）に変換する。
【００２５】
演算部３３は、二値化処理部３２から得た二値の画像データにおいて、スプレー対象基板２の幅方向（搬送方向と直交する方向）に、同じ大きさの複数の区分領域を設定し、各区分領域について、区分領域の面積（画素数）と区分領域の面積に占める撥液膜４（撥液剤３）の液滴面積（液滴が存在する画素数）とから、液滴密度を求める。
【００２６】
判定部３４は、区分領域の液滴密度を所定の上限閾値および下限閾値と比較し、スプレー対象基板２上の撥液膜４の液滴密度の適否を判定する。制御部３１は、判定部３４にて撥液膜４の液滴密度が不可と判定された場合に、警告装置３７を動作させる。
【００２７】
記憶装置３５は、カメラ１７から入力された画像データ、二値化データ、演算部３３による演算結果、および判定部３４による判定結果等を適宜記憶する。表示装置３６は、例えば液晶ディスプレイからなり、制御部３１の制御により各種情報を表示する。警告装置３７は、例えば警告音や音声を発するものであり、制御部３１に制御されて動作し、スプレー対象基板２上に形成された撥液膜４の液密度が不可である場合に、そのことを作業者に伝える。
【００２８】
（液体スプレー装置の動作）
上記の構成において、液体スプレー装置１では、図１および図３に示すように、ワーク搬送装置１１のステージ１９上に配置されたスプレー対象基板２に対して液滴吐出ヘッド１２から撥液剤３を噴射して、スプレー対象基板２の上面に撥液膜４を形成する。図３は、液滴吐出ヘッド１２によるスプレー対象基板２への撥液膜４の形成動作を示す斜視図である。
【００２９】
この場合、コンプレッサ１４から第１空気経路２０を介して液体供給部１３に供給される圧縮空気により、液体供給部１３から液滴吐出ヘッド１２へ撥液剤３が送られ、液滴吐出ヘッド１２から撥液剤３が噴射される。また、適宜、コンプレッサ１４から第２空気経路２１を介して液滴吐出ヘッド１２に圧縮空気が供給され、その圧縮空気によって液滴吐出ヘッド１２から噴射される撥液剤３の形状（スプレーパターン）が調整される。
【００３０】
本実施の形態において、スプレー対象基板２は、ＬＥＤ光源発光モジュールに使用される実装基板である。したがって、スプレー対象基板２上の撥液膜４は、図４に示すように、蛍光体樹脂層の底面となる領域が、エッチングマスク５を使用して、エッチングにより除去される。この場合、撥液膜４の液密度が不必要に高いと（撥液剤がスプレー対象基板２の全面に濡れた状態であると）、図５にも示すように、エッチング領域４ｂの撥液膜４は、完全に除去されずに残渣４ａが生じる。
【００３１】
図４は、スプレー対象基板２において、撥液膜４のエッチング後のエッチング領域４ｂに残渣４ａが生じている状態を示す縦断面図である。図５は、同平面図である。なお、図５において、６はワイヤ接続端子である。
【００３２】
次に、スプレーパターン測定装置１８の動作について説明する。スプレーパターン測定装置１８は、液滴密度測定動作およびスプレーパターンずれ測定動作を行う。
【００３３】
（スプレーパターン測定装置の液滴密度測定動作）
液滴密度測定動作は、次の手順にて行われる。二値化処理部３２は、カメラ１７から取得した、スプレー対象基板２の上面の画像データ（スプレー対象基板２の幅方向の全域を含む画像データ（輝度データ））を二値化して二値化データとする。この二値化データは二次元データであり、二値化データからは液滴が存在する画素と液滴が存在しない画素とが分かる。
【００３４】
そこで、演算部３３は、上記二値化データから、撥液膜４の液滴密度を求める。次に、判定部３４は、撥液膜４の液滴密度が所定の閾値以内であれば可とする一方、撥液膜４の液滴密度が所定の閾値を超えていれば不可とする。判定部３４での判定が不可となった場合、制御部３１の制御により、警告装置３７は警告動作を行う。
【００３５】
（液滴密度測定動作の具体例）
次に、スプレーパターンずれ測定動作の具体例について説明する。図６は、スプレーパターン測定装置１８における液滴密度測定動作を示すフローチャートである。
【００３６】
液滴吐出ヘッド１２により撥液膜４が形成されたスプレー対象基板２の上面の状態はカメラ１７によって読み取られる。この場合、カメラ１７は、スプレー対象基板２の上面におけるスプレー対象基板２の幅方向の全域の画像データ（輝度データ）を取得する。なお、カメラ１７がスプレー対象基板２の上面を読み取る場合、スプレー対象基板２の上面に光源から光を照射することが好ましい。
【００３７】
制御部３１は上記画像データを取得し（Ｓ１１）、二値化処理部３２は、この画像データを二値化する（Ｓ１２）。
【００３８】
演算部３３は、二値化された画像データを、スプレー対象基板２の幅方向に、同じ大きさの複数の区分領域に分割する（Ｓ１３）。この場合、液滴吐出ヘッド１２の真下に中心領域としての区分領域を設定する。したがって、この場合、区分領域は中心領域（区分領域）の左右に同数の区分領域が存在し、中心領域を含む区分領域の数は奇数となる。
【００３９】
次に、演算部３３は、各区分領域について、区分領域の面積（画素数）と区分領域の面積に占める撥液膜４（撥液剤３）の液滴面積（液滴が存在する画素数）とから、液滴密度を求める（Ｓ１４）。
【００４０】
ここで、各区分領域の液滴密度の一例について示す。図７は、上記二値化データにおける各区分領域間の液滴密度の変化を示す説明図である。図８は、図７に示した各区分領域間の液滴密度の変化を示すグラフである。なお、図７において、二値化データに設定した５個の四角の領域は、５個の区分領域内にそれぞれ設定された領域を示す。
【００４１】
液滴吐出ヘッド１２から撥液剤３を噴射してスプレー対象基板２上に撥液膜４を形成した場合、撥液膜４の液滴密度は、図８に示すように、通常、中心部区分領域が最も高く、左部区分領域および右部区分領域、左縁部区分領域および右縁部区分領域の順序で低下する。
【００４２】
判定部３４は、例えば各区分領域の平均の液滴密度を求めて区分領域（撥液膜４全体）の液滴密度とする。次に、求めた液滴密度を所定の上限閾値および下限閾値と比較し（Ｓ１５）、撥液膜４の液滴密度が適正かどうかを判定する（Ｓ１６）。なお、上限閾値は、例えば、エッチング後に残渣４ａが生じない上限の液滴密度であり、下限閾値は、撥液膜４が撥液膜として機能し得る下限の液滴密度である。
【００４３】
判定部３４は、上記判定において、液滴密度が上限閾値以下（第１の条件）、かつ下限閾値以上（第２の条件）である場合に、撥液膜４の液滴密度を可（適正）と判定する（Ｓ１７）。この場合には、警告装置３７による警告動作は行われない。一方、上記判定において、液滴密度が上限閾値よりも高いか、あるいは下限閾値よりも低い場合に、撥液膜４の液滴密度を不可（適正でない）と判定する（Ｓ１８）。この場合には、警告装置３７による警告動作が行われる（Ｓ１９）。なお、警告装置３７の動作に加えて、警告内容を表示装置３６に表示させてもよい。
【００４４】
警告装置３７により警告を受けた場合、作業者は、撥液膜４の液滴密度が適正となるように、例えば液滴吐出ヘッド１２からの吐出時間（スプレー対象基板２（ステージ１９）の移動速度）や吐出圧力等の吐出条件を調整する。この場合、演算部３３は、それら調整すべき吐出条件を求め、表示装置３６に表示するようにしてもよい。また、それら吐出条件の調整は、液体スプレー装置１において自動的に行われる構成であってもよい。
【００４５】
図９の（ａ）は、スプレー対象基板２上において撥液膜４の液滴密度が高い場合（Ａの場合）を示す説明図、図９の（ｂ）は、撥液膜４の液滴密度が低い場合（Ｂの場合）を示す説明図、図９の（ｃ）は、図９の（ａ）（ｂ）におけるＸ−Ｘ’断面位置における上記Ａの場合とＢの場合との相対的な液滴密度の高低を示すグラフである。
【００４６】
上記した液滴吐出ヘッド１２からの撥液剤３の噴射量の調整では、液滴密度が下限閾値以上（第２の条件）という条件の下で、撥液膜４の液滴密度はなるべく低くなるように設定するのが好ましい。例えば、図９の（ｃ）に示したＡの場合が第１の条件を満たし、かつＢの場合が第２の条件を満たす場合、撥液膜４の液滴密度は、Ａの場合よりもＢの場合の方が好ましい。
【００４７】
上記のように、スプレー対象基板２上に形成される撥液膜４の液滴密度が適正でない場合には、警告装置３７から警告が行われ、この警告に基づいて撥液膜４を適正となるように調整することができる。これにより、撥液膜４をエッチングした場合に、エッチング領域４ｂに残渣４ａが残る事態を防止することができる。
【００４８】
（スプレーパターン測定装置のスプレーパターンずれ測定動作）
次に、スプレーパターン測定装置１８のスプレーパターンずれ測定動作について説明する。スプレーパターンずれ測定動作は、次の手順にて行われる。二値化処理部３２は、カメラ１７から取得した、スプレー対象基板２の上面の画像データ（スプレー対象基板２の幅方向の全域を含む画像データ）を二値化して二値化データとする。この二値化データは二次元データであり、二値化データからは液滴が存在する画素と液滴が存在しない画素とが分かる。
【００４９】
そこで、演算部３３は、上記二値化データから、液滴吐出ヘッド１２によるスプレーパターンの、スプレー対象基板２の幅方向における両縁部（第１の縁部、第２の縁部）を求める。次に、演算部３３は、スプレーパターンの液滴吐出ヘッド１２の位置に対応する中心位置から、第１の縁部までの第１の距離と第２の縁部までの第２の距離とを求める。次に、判定部３４は、例えば第１の距離と第２の距離との差（スプレーパターンの偏り）が所定の閾値以内であれば可とする一方、上記差が所定の閾値を超えていれば不可とする。判定部３４での判定が不可となった場合、制御部３１の制御により、警告装置３７は警告動作を行う。
【００５０】
（スプレーパターンずれ測定動作の具体例）
次に、スプレーパターンずれ測定動作の具体例について説明する。図１０は、スプレーパターン測定装置１８におけるスプレーパターンずれ測定動作を示すフローチャートである。
【００５１】
なお、Ｓ３１〜Ｓ３３までの動作については、図６に示したＳ１１〜Ｓ１３までの動作と同一であるので、説明を省略する。
【００５２】
演算部３３は、区分領域の並び方向の両端に位置する区分領域において、スプレーパターンの縁部を検出する（Ｓ３４）。この縁部の検出動作では、液滴吐出ヘッド１２の直下の位置である中心位置に対してスプレー対象基板２の幅方向の最外部に存在する２点以上の液滴から直線補完して近似線を求め、その近似線の位置を縁部と決定する。なお、両端に位置する区分領域において縁部を検出できない場合には、その内側の区分領域において同様にして縁部を検出する。
【００５３】
次に、演算部３３は、上記中心位置から第１の縁部までの第１の距離と、上記中心位置から第２の縁部までの第２の距離との差を求め、その差が所定の許容範囲内であるかどうかを判定する。この判定は、スプレー対象基板２の幅方向におけるスプレーパターンのずれが許容範囲内かどうか、すなわちスプレーパターンは適正であるかどうかを判定するものである（Ｓ３５）。
【００５４】
上記の判定の結果、スプレーパターンが適正である場合には（Ｓ３６）、警告装置３７による警告動作が行われず、処理は終了する。一方、上記の結果、スプレーパターンが適正でない場合には（Ｓ３７）、警告装置３７により警告が行われる（Ｓ３８）。
【００５５】
警告装置３７により警告を受けた場合、作業者は、スプレーパターンが適正となるように液体スプレー装置１を調整する。ここで、スプレーパターンにおいて、スプレー幅と液滴吐出ヘッド１２の高さとの関係は、図１１に示すようになっている。そこで、作業者は、スプレー対象基板２に対する液滴吐出ヘッド１２の高さ位置を調整する。また、スプレーパターンのずれは、液滴吐出ヘッド１２中心に対する一方側（第１の縁部側）とその反対側（第２の縁部側）とのスプレー角度の違いによって発生する。そこで、作業者は、コンプレッサ１４から第２空気経路２１（図１参照）を介して液滴吐出ヘッド１２に供給される空気圧を調整して、当初円錐形であった液滴吐出ヘッド１２の撥液剤３の噴射形状を例えば扇形に変形させ、スプレーパターンが適正となるように調整する。なお、この場合、演算部３３は、それら調整項目および調整内容を求め、表示装置３６に表示するようにしてもよい。また、スプレーパターンの調整は、液体スプレー装置１において自動的に行われる構成であってもよい。
【００５６】
上記のように、スプレー対象基板２上に形成される撥液膜４のスプレーパターンが適正でない場合、すなわちスプレーパターンがスプレー対象基板２の中心に対しスプレー対象基板２の幅方向の一方に偏っていた場合には、警告装置３７から警告が行われる。したがって、この警告に基づいて、作業者は、撥液膜４を適正となるように調整することができる。これにより、スプレー対象基板２上の幅方向において撥液膜４が偏った液滴密度にて形成される事態を防止することができる。
【００５７】
なお、以上の実施の形態では、液滴密度測定動作とスプレーパターンずれ測定動作とを独立して説明しているが、これら両動作は一連の動作として行われてもよい。
【００５８】
〔実施の形態２〕
本発明の他の実施の形態を以下に説明する。ここでは、液滴密度測定動作の他の例を図６に基づいて説明する。なお、図６のＳ１１〜Ｓ１４までの動作については、前述の場合と同一であるので、説明を省略する。
【００５９】
前述のように、演算部３３は、二値化処理部３２から得た二値の画像データにおいて、スプレー対象基板２の幅方向（搬送方向と直交する方向）に、同じ大きさの複数の区分領域を設定し、各区分領域について、区分領域の面積（画素数）と区分領域の面積に占める撥液膜４（撥液剤３）の液滴面積（液滴が存在する画素数）とから、液滴密度を求める。
【００６０】
判定部３４は、最も液滴密度の高い領域すなわち最高濃度区分領域（中心部区分領域）および最も液滴密度の低い区分領域すなわち最低濃度区分領域（左縁部区分領域および右縁部区分領域）を、所定の閾値すなわち上限閾値および下限閾値と比較し（Ｓ１５）、撥液膜４の液滴密度が適正かどうかを判定する（Ｓ１６）。なお、前述のように、上限閾値は、例えば、エッチング後に残渣４ａが生じない上限の液滴密度であり、下限閾値は、撥液膜４が撥液膜として機能し得る上限の液滴密度である。
【００６１】
判定部３４は、上記判定において、最高濃度区分領域の液滴密度が上限閾値以下（第１の条件）、かつ最低濃度区分領域の液滴密度が下限閾値以上（第２の条件）である場合に、撥液膜４の液滴密度を可（適正）と判定する（Ｓ１７）。この場合には、警告装置３７による警告は行われない。一方、上記判定において、最高濃度区分領域の液滴密度が上限閾値よりも高いか、あるいは最低濃度区分領域の液滴密度が下限閾値よりも低い場合に、撥液膜４の液滴密度を不可（適正でない）と判定する（Ｓ１８）。この場合には、警告装置３７により警告が行われる（Ｓ１９）。その他の動作については前述のとおりである。
【００６２】
〔実施の形態３〕
スプレーパターン測定装置１８の制御ブロック（特に制御部３１、二値化処理部３２、演算部３３および判定部３４）は、集積回路（ＩＣチップ）等に形成された論理回路（ハードウェア）によって実現してもよいし、ＣＰＵ（Central Processing Unit）を用いてソフトウェアによって実現してもよい。
【００６３】
後者の場合、スプレーパターン測定装置１８は、各機能を実現するソフトウェアであるプログラムの命令を実行するＣＰＵ、上記プログラムおよび各種データがコンピュータ（またはＣＰＵ）で読み取り可能に記録されたＲＯＭ（Read Only Memory）または記憶装置（これらを「記録媒体」と称する）、上記プログラムを展開するＲＡＭ（Random Access Memory）などを備えている。そして、コンピュータ（またはＣＰＵ）が上記プログラムを上記記録媒体から読み取って実行することにより、本発明の目的が達成される。上記記録媒体としては、「一時的でない有形の媒体」、例えば、テープ、ディスク、カード、半導体メモリ、プログラマブルな論理回路などを用いることができる。また、上記プログラムは、該プログラムを伝送可能な任意の伝送媒体（通信ネットワークや放送波等）を介して上記コンピュータに供給されてもよい。なお、本発明は、上記プログラムが電子的な伝送によって具現化された、搬送波に埋め込まれたデータ信号の形態でも実現され得る。
【００６４】
〔まとめ〕
本発明の態様１に係るスプレーパターン測定装置は、スプレー対象基板２に機能性液体（撥液剤３）をスプレーして形成された機能性膜（撥液膜４）のスプレーパターンを読み取って得られた画像データから、前記スプレー対象基板２上の液滴吐出ヘッド１２の位置に対応した中心位置に対するスプレーパターンの第１の縁部とその反対側の第２の縁部とを求め、前記中心位置から前記第１の縁部までの第１の距離と前記中心位置から前記第２の縁部までの第２の距離とを比較して、前記スプレーパターンの偏りを求める演算部３３と、前記演算部３３にて求められた前記スプレーパターンの偏りが許容範囲内であるかどうかを判定する判定部３４とを備えている構成である。
【００６５】
本発明の態様５に係るスプレーパターン測定方法は、スプレー対象基板に機能性液体をスプレーして形成された機能性膜のスプレーパターンを読み取って得られた画像データから、前記スプレー対象基板上の液滴吐出ヘッドの位置に対応した中心位置に対するスプレーパターンの第１の縁部とその反対側の第２の縁部とを求め、前記中心位置から前記第１の縁部までの第１の距離と前記中心位置から前記第２の縁部までの第２の距離とを比較して、スプレーパターンの偏りを求める偏り測定工程と、前記偏り測定工程にて求めた前記スプレーパターンの偏りが許容範囲内であるかどうかを判定する偏り適否判定工程とを備えている構成である。
【００６６】
上記の構成によれば、演算部３３は（偏り測定工程では）、スプレーパターンの画像データから、スプレー対象基板２上の液滴吐出ヘッド１２の位置に対応した中心位置に対するスプレーパターンの第１の縁部とその反対側の第２の縁部とを求める。なお、画像データは、スプレー対象基板に機能性液体をスプレーして形成された機能性膜のスプレーパターンを読み取って得られたものである。さらに、演算部３３は、前記中心位置から第１の縁部までの第１の距離と前記中心位置から第２の縁部までの第２の距離とを比較して、スプレーパターンの偏りを求める。
【００６７】
判定部３４は（適否判定工程では）、演算部３３（偏り測定工程）にて求められたスプレーパターンの偏りが許容範囲内であるかどうかを判定する。
【００６８】
これにより、スプレー対象基板２上に形成された機能性膜のスプレスプレーパターンの偏りの有無を正確に測定でき、この測定結果に基づいて、スプレーパターンを正確なものとなるように調整することができる。
【００６９】
本発明の態様２に係るスプレーパターン測定装置は、上記態様１において、前記演算部３３は、前記画像データから前記スプレーパターンの液滴密度を求め、前記判定部３４は、前記演算部３３にて求められた前記液滴密度を所定の閾値と比較して前記液滴密度の適否を判定する構成としてもよい。
【００７０】
上記の構成によれば、演算部は、さらに、画像データからスプレーパターンの液滴密度を求め、判定部は、さらに、演算部３３にて求められた液滴密度を所定の閾値と比較して液滴密度の適否を判定する。これにより、液滴密度の適否の判定結果に基づいて、液滴密度が適正でない場合に、液滴密度が適正となるように調整することができる。したがって、機能性膜が例えばエッチングが行われる撥液膜４である場合に、撥液膜４の液滴密度をエッチング後に残渣が生じない液滴密度とすることができる。
【００７１】
本発明の態様３に係るスプレーパターン測定装置は、上記態様１または２において、前記演算部３３は、前記スプレーパターンの偏りを求める処理において、前記画像データにおける、前記スプレー対象基板２の前記第１の縁部方向の端部から前記第２の縁部方向の端部までの間に複数の区分領域を設定し、前記第１の端部および前記第２の端部を求める処理を前記複数の区分領域における両端部の区分領域において行う構成としてもよい。
【００７２】
上記の構成によれば、スプレーパターンの第１の端部および第２の端部を求める処理が、スプレー対象基板２の第１の縁部方向の端部から第２の縁部方向の端部までの間に設定された複数の区分領域の、両端部の区分領域において行われるので、この処理を狭い範囲を対象として効率よく行うことができる。
【００７３】
本発明の態様４に係るスプレーパターン測定装置は、態様１から３のいずれか一つの態様において、前記判定部３３による前記スプレーパターンに対する判定結果が、現状のスプレーパターンを是認しないものである場合に、警告を発する警告手段（警告装置３７）を備えている構成としてもよい。
【００７４】
上記の構成によれば、警告手段の警告に基づいて、スプレーパターンが適正なものとなるように調整することができる。
【００７５】
本発明の態様６に係る液体スプレー装置は、態様１から４のいずれか一つのスプレーパターン測定装置１８と、液滴吐出ヘッド１２を有し、前記スプレー対象基板２に前記液滴吐出ヘッド１２から機能性液体をスプレーして前記スプレー対象基板２の上面に機能性膜のスプレーパターンを形成する液体スプレー手段（液体スプレー装置１）と、前記スプレー対象基板上の前記スプレーパターンを読み取って画像データを取得する撮像手段（カメラ１７）とを備えている構成である。
【００７６】
上記の構成によれば、スプレーパターン測定装置１８によりスプレー対象基板２上に形成された機能性膜の状態を正確に測定でき、この測定結果に基づいて、スプレーパターンを正確なものとなるように調整することができる。
【００７７】
本発明の各態様に係るスプレーパターン測定装置は、コンピュータによって実現してもよく、この場合には、コンピュータを上記スプレーパターン測定装置が備える各手段として動作させることにより上記スプレーパターン測定装置をコンピュータにて実現させるスプレーパターン測定装置のプログラム、およびそれを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体も、本発明の範疇に入る。
【００７８】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７９】
本発明は、例えば、実装基板上に樹脂のモールド層を形成するために、実装基板上に撥液剤をスプレーして撥液膜を形成する工程を備えた、ＬＥＤ光源発光モジュール等の半導体装置の製造に利用することができる。
【符号の説明】
【００８０】
１    液体スプレー装置
２    スプレー対象基板
３    撥液剤
４    撥液膜
４ａ  残渣
４ｂ  エッチング領域
１１    ワーク搬送装置
１２    液滴吐出ヘッド（液体スプレー手段）
１３    液体供給部
１４    コンプレッサ
１５    減圧弁
１６    電磁弁
１７    カメラ（撮像手段）
１８    スプレーパターン測定装置
１９    ステージ
２０    第１空気経路
２１    第２空気経路
３１    制御部
３２    二値化処理部
３３    演算部
３４    判定部
３５    記憶装置
３６    表示装置
３７    警告装置（警告手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図８】
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【図１０】
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【図１１】
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【図７】
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【図９】
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