(57)【要約】      （修正有）【課題】効率良く、高い位置および寸法精度で特定の位置に個片化した接着剤を配置された接着剤層付き配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】工程Ａ：支持台６に固定した半導体実装用テープを、間隔が固定された複数の切断刃を用いて、長手方向に切断し、ユニットの列数と同じ数であって、半導体実装用テープの幅方向におけるユニットの長さと同じ幅の細幅半導体実装用テープを得る工程。工程Ｂ：テープガイドを用いて、各細幅半導体実装用テープの間隔を広げて、ユニットの列の間隔と同じ間隔とする工程。工程Ｃ：間隔を広げた各細幅半導体実装用テープを、ユニットの各列上に位置合わせし、接着剤層４を細幅半導体実装用テープの幅方向に切断して、細幅半導体実装用テープの長手方向におけるユニットの長さと同じ長さとし、支持フィルム３を剥離しながら接着剤層４を半導体実装用パッケージ基板のユニット上に貼り付ける工程を有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持フィルム、接着剤層をこの順に有する半導体実装用テープの接着剤層を、配線基板に貼り付ける接着剤層付き配線基板の製造方法であって、前記配線基板の前記接着剤層を貼り付ける面に半導体実装用パッケージ基板のユニットが複数の列状で形成されており、
工程Ａ：前記半導体実装用テープを支持台に固定し、次に間隔が固定された複数の切断刃を用いて、前記半導体実装用テープを長手方向に切断し、前記ユニットの列数と同じ数であって、前記半導体実装用テープの幅方向における前記ユニットの長さと同じ幅の細幅半導体実装用テープを得る工程、
工程Ｂ：前記切断後の細幅半導体実装用テープを得た後に、テープガイドを用いて、各細幅半導体実装用テープの間隔を広げて、前記ユニットの列の間隔と同じ間隔とする工程、
工程Ｃ：前記間隔を広げた各細幅半導体実装用テープを、前記ユニットの各列上に位置合わせし、前記接着剤層を前記細幅半導体実装用テープの幅方向に切断して、前記細幅半導体実装用テープの長手方向における前記ユニットの長さと同じ長さとし、支持フィルムを剥離しながら接着剤層を前記半導体実装用パッケージ基板のユニット上に貼り付ける工程、
をこの順で有することを特徴とする接着剤層付き配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記工程Ｃにおいて、前記接着剤層を前記ユニット上に貼り付けた後、さらに
工程Ｄ：真空処理を行うことにより、前記接着剤層を前記ユニット面に真空ラミネートする工程、
を有することを特徴とする請求項１に記載の接着剤層付き配線基板の製造方法。
【請求項３】
支持フィルムα、支持フィルムβ、接着剤層をこの順に有する半導体実装用テープの接着剤層を、配線基板に貼り付ける接着剤層付き配線基板の製造方法であって、前記配線基板の前記接着剤層を貼り付ける面に半導体実装用パッケージ基板のユニットが複数の列状で形成されており、
工程Ａ’：前記半導体実装用テープを支持台に固定し、次に間隔が固定された複数の切断刃を用いて、前記半導体実装用テープを長手方向に切断し、前記ユニットの列数と同じ数であって、前記半導体実装用テープの幅方向における前記ユニットの長さと同じ幅の細幅半導体実装用テープを得る工程、
工程Ｂ’：前記切断後の細幅半導体実装用テープを得た後に、テープガイドを用いて、各細幅半導体実装用テープの間隔を広げて、前記ユニットの列の間隔と同じ間隔とする工程、
工程Ｃ’：前記間隔を広げた各細幅半導体実装用テープを、前記ユニットの各列上に位置合わせし、前記接着剤層を前記細幅半導体実装用テープの幅方向に切断して、前記細幅半導体実装用テープの長手方向における前記ユニットの長さと同じ長さとし、支持フィルムαを剥離しながら支持フィルムβおよび接着剤層からなるフィルムの接着剤層側の面を前記半導体実装用パッケージ基板のユニット上に貼り付ける工程、
をこの順で有することを特徴とする接着剤層付き配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記工程Ｃ’において、前記支持フィルムβおよび接着剤層からなるフィルムの接着剤層側の面を前記ユニット上に貼り付けた後、さらに
工程Ｄ’：真空処理を行うことにより、前記接着剤層を前記ユニット面に真空ラミネートする工程、
を有することを特徴とする請求項３に記載の接着剤層付き配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記複数の切断刃が、いずれもピナクル刃であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の接着剤層付き配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記接着剤層の厚さが１０〜６０μｍであることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の接着剤層付き配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特定の位置に接着剤を配置した接着剤層付き配線基板を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子材料において、各種の部品、例えば半導体チップやモジュール等の電子部品などを配線基板に実装する際、熱硬化型の接着剤が使用されることが多く、ダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）やノンコンダクティブフィルム（ＮＣＦ）として知られている。
【０００３】
近年、配線基板に半導体チップを実装する手法として、フリップチップ実装が使用されるようになってきている。従来のフリップチップ実装では、半導体チップが配線基板にフリップチップ実装された後に、半導体チップやモジュール等の電子部品の周囲に樹脂が塗布され、毛細管現象を利用して半導体チップやモジュール等の電子部品の下側の隙間に液状封止樹脂が充填され、接着剤としての機能を果たしている（特許文献１）。この技術においては、電子部品の高性能化による接続端子密度の増加、電子部品と配線基板のギャップ縮小から、この隙間への樹脂の注入をボイドなく高速で行うことが困難になってきているという課題がある。
【０００４】
上記の課題を解決するため、半導体チップを実装する前に配線基板の上に未硬化の無溶剤液状封止樹脂を予め塗布しておき、半導体チップのバンプを封止樹脂に押し込みながら樹脂を配線基板と半導体チップの隙間全体に押し広げていくことにより、半導体チップをフリップチップ実装して封止する先供給（先封止）技術が開発されている（特許文献２）。この技術においては、フリップチップ実装工程で、ボイドを発生させないように半導体チップと配線基板の隙間を封止樹脂で埋め尽くしていきながら、半導体チップの周辺部への封止樹脂のはみ出し量を過大にしないようにするという困難な制御が求められるという課題がある。また、封止樹脂には固体である半導体チップと配線基板の隙間を埋めることが求められるため、有機溶剤などの揮発成分を含むことが許されない。即ち無溶剤かつ液状で流動性を有する材料であることが求められる。このような制限は、材料組成に対し、分子量の大きな成分を多く含むことが困難であることや無機粒子を多く含有させることが困難であるなどの制限をもたらし、材料性能を大きく制限してしまうという課題がある。
【０００５】
また、別の先封止技術として未硬化の接着剤フィルムを貼付することによって未硬化の接着剤を配線基板上に予め形成するものがある。この場合、位置精度よく接着剤フィルムを貼り付ける技術が必要である。このために、マスクを使用して接着剤フィルムを配線基板上に仮貼り付けし、その後真空下でラミネート密着させる手法などが提案されている（特許文献３）。
【０００６】
リールテープ状の異方導電性フィルム（ＡＣＦ）を同時に基板の複数の貼付け位置に貼る技術が開示されているが（特許文献４）、この技術では、接着剤層の幅の精度がリールテープ状の異方導電性フィルムの幅精度に制限されてしまうという課題がある。一般に広幅接着剤フィルムからの連続スリット加工で作製されるＡＣＦなどのリールテープ接着剤の幅のばらつきは１００μｍ程度もしくはそれ以上である。ＡＣＦが用いられるディスプレイの駆動用ＩＣの実装のように、接着剤層の貼り付け幅精度が１００μｍを超えても問題がないあまり高精度を要求されない場合は、本技術は有効であるが、高機能半導体をパッケージ基板へ実装する場合には、接着剤層の高い貼り付け位置、幅精度が求められるため、本技術の適用は困難である。
【０００７】
広幅接着剤フィルムからの連続スリット加工については、粘着材（接着剤）を有する広幅原反テープを上下一対の刃軸に装着された刃物で複数の細幅テープに切断し、複数の分離用ピンを有する捌き装置を経由して複数の細幅テープを製造する方法が開示されている（特許文献５）。しかしながら、このような剪断式またはナイフ式のスリッターは幅方向の加工精度が低く、前述のように、基板上の接着剤層の幅精度が細幅テープの接着剤の幅精度によって制限されるため、細幅テープの接着剤の幅精度の向上が課題となっていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１１−２１３７９５号公報
【特許文献２】特開２０１１−２０７９９８号公報
【特許文献３】特開２０１０−２５１３４６号公報
【特許文献４】特開２００４−１８６３８７号公報
【特許文献５】特開２００８−８１２８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記課題に鑑み本発明は、半導体実装において、効率良く、高い寸法精度で接着剤層を個片化して、高い位置精度で貼り付ける接着剤層付き配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の接着剤層を有する配線基板の製造方法は、支持フィルム、接着剤層をこの順に有する半導体実装用テープの接着剤層を、配線基板に貼り付ける接着剤層付き配線基板の製造方法であって、前記配線基板の前記接着剤層を貼り付ける面に半導体実装用パッケージ基板のユニットが複数の列状で形成されており、
工程Ａ：前記半導体実装用テープを支持台に固定し、次に間隔が固定された複数の切断刃を用いて、前記半導体実装用テープを長手方向に切断し、前記ユニットの列数と同じ数であって、前記半導体実装用テープの幅方向における前記ユニットの長さと同じ幅の細幅半導体実装用テープを得る工程、
工程Ｂ：前記切断後の細幅半導体実装用テープを得た後に、テープガイドを用いて、各細幅半導体実装用テープの間隔を広げて、前記ユニットの列の間隔と同じ間隔とする工程、
工程Ｃ：前記間隔を広げた各細幅半導体実装用テープを、前記ユニットの各列上に位置合わせし、前記接着剤層を前記細幅半導体実装用テープの幅方向に切断して、前記細幅半導体実装用テープの長手方向における前記ユニットの長さと同じ長さとし、支持フィルムを剥離しながら接着剤層を前記半導体実装用パッケージ基板のユニット上に貼り付ける工程、
をこの順で有することを特徴とする接着剤層付き配線基板の製造方法である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、効率良く、個片化された接着剤層が高い位置精度および寸法精度で貼り付けられた接着剤層付き配線基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明で使用する配線基板の例を示す平面図である。
【図２】本発明で使用する別の配線基板の例を示す平面図である。
【図３】（ａ）本発明の支持台に固定された半導体実装用テープを示す断面図である。（ｂ）本発明の工程Ａのハーフカット示す半導体実装用テープの断面図である。（ｃ）本発明の工程Ｃを示す断面図である。
【図４】従来技術である複数の分離用ピンを有する捌き装置を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の接着剤層付き配線基板の製造方法は、支持フィルム、接着剤層をこの順に有する半導体実装用テープの接着剤層を、配線基板に貼り付けることを特徴とする。また支持フィルムα、支持フィルムβ、接着剤層をこの順に有する半導体実装用テープであってもよい。すなわち支持フィルムがαとβの２層からなるものを用いることもできる。このようなフィルムを支持フィルムとして用いる場合は、接着剤層を配線基板上に貼る前に予め行うハーフカットの工程で、接着剤面から支持フィルム側に向けて、接着剤層と支持フィルムβを切断し、支持フィルムαを切断しないように刃を入れるハーフカットを行い、次に仮固定工程を行い、さらに続いて支持フィルムαを剥離した後にラミネート工程を行うと、支持フィルムβが接着剤層の上を覆った状態でラミネートできるため、ラミネート時の貼り付き、汚染防止対策が不要となり好ましい。ラミネート後の支持フィルムβの剥離方法は特に限定されないが、支持フィルムβの上に粘着フィルムを貼り、粘着フィルムを引き剥がすことで支持フィルムβを接着剤層から剥離することができる。この際、複数の半導体パッケージ基板ユニット上に貼り付けされた支持フィルムβに粘着フィルムを貼り付けても良い。
【００１４】
また本発明の接着剤層付き配線基板の製造方法においては、半導体実装用テープの接着剤層の支持フィルムと反対側の面に、カバーフィルムを有していてもよい。
【００１５】
支持フィルムおよびカバーフィルムの材料などは特に制限はなく、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリ酢酸ビニル（ＰＶＡ）など任意のものを用いることができる。紙などにフィルムをラミネートした積層体を用いてもよい。接着剤層との密着力を調整するために離型剤による表面処理を必要に応じて行ってもよいし、ＵＶ照射などにより剥離力が低下するようなフィルムを用いてもよい。支持フィルム、カバーフィルムとも厚みについては特に制限されないが、１０〜１００μｍであることが好ましく、２０〜４０μｍであることがより好ましい。１０〜１００μｍであれば、工程搬送に必要なコシが十分にあり接着剤層をより十分保持することができ、またコシが強くなり過ぎることもないため、曲げなどが困難となることがない。カバーフィルムは、支持フィルムよりも薄いことが好ましい。これはカバーフィルムの剥離の際、支持フィルム側のコシが強い方が、剥離が容易であることが理由である。
【００１６】
本発明の接着剤層の組成に特に制限はなく、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂、ビスマレイミド樹脂などの熱硬化性あるいは光硬化性の樹脂や、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルホン、ポリアミドイミド、ポリイミドなどの熱可塑性樹脂、あるいはこれらを混合した樹脂で形成したシートを用いることができる。また、絶縁信頼性や温度サイクルに対する信頼性の観点からフィラーを含んでもよい。ここでいうフィラーとしては、シリカ、窒化ケイ素、アルミナ、窒化アルミ、酸化チタン、窒化チタン、チタン酸バリウムなどの無機粒子や、ゴムや樹脂などの有機粒子を用いることができる。
【００１７】
本発明の接着剤層の厚さは、１０〜６０μｍであることが好ましい。１０μｍ以上であると接着剤を配線基板に貼り付け後に支持フィルムを剥離する工程において、接着剤の一部が支持フィルム側に持っていかれにくくなり、６０μｍ以下であると配線基板上に貼り付けた際の形状変形を小さくすることができる。
【００１８】
本発明の接着剤層とカバーフィルム間の密着力は特に制限されないが、２５℃において３０Ｎ／ｍ未満であり、かつ接着剤層と支持フィルム間の密着力よりも低いことが好ましい。このような条件を満たす場合には、後述の工程Ａ’、工程Ｂ’’でのカバーフィルムのみを剥離する工程が容易になるという利点がある。
【００１９】
本発明の接着剤層と支持フィルム間の密着力は特に制限されないが、２５℃において３０Ｎ／ｍ未満であることが好ましい。３０Ｎ／ｍ未満であれば、配線基板上に接着剤層を貼り付けた後に支持フィルムを剥離する場合に、接着剤層に変形などのダメージを与えることなく容易に剥離し易いという利点がある。
【００２０】
本発明に使用する半導体実装用テープの製造方法の例を以下に示す。まず、樹脂、フィラー、各種添加剤および溶媒等の接着剤層の原料となるものを攪拌混合してワニスあるいはペーストを作製し、これをベースフィルムに塗布する。塗布方法としては、ロールコーティングやスリットコーティングなどが挙げられる。ベースフィルムの材質の制限はなく、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルスルホン、ポリイミドなど任意のものを用いることができる。塗布後、必要に応じて乾燥を行う。また、接着剤面を保護するため、塗布後あるいは乾燥後に、任意の保護フィルムを貼り付けてもよい。保護フィルムの材料は特に制限されないが、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムやポリエチレン（ＰＥ）、ポリ酢酸ビニル（ＰＶＡ）フィルムなどが好適であり、同様の離型剤による表面処理を必要に応じて行う。この後、必要に応じて、任意の幅にスリット加工し、半導体実装用テープを得る。上記のベースフィルムと保護フィルムのどちらか一方が、支持フィルムとなり、もう片方がカバーフィルムとなる。どちらを支持フィルムとするかについての制限はなく、また一方をあらかじめ剥がして、支持フィルムと接着剤からなる半導体実装用テープとしてもよい。
【００２１】
本発明で使用する配線基板には、接着剤層を形成すべき部分、即ち半導体実装用パッケージ基板のユニットが複数の列状で形成されている（例を図１、図２に示す）。隣接する列上の接着剤層を形成すべき部分の相対位置は、必ずしも揃っている必要はない。つまり、列状であれば、必ずしも碁盤の目状である必要はない（例を図２に示す）。
【００２２】
次に、本発明の接着剤層付き配線基板の製造方法の各工程について説明する。半導体実装用テープとして、まず工程Ａまたは工程Ａ’として、半導体実装用テープを支持台に固定し、次に間隔が固定された複数の切断刃を用いて、前記半導体実装用テープを長手方向に切断し、前記ユニットの列数と同じ数であって、前記半導体実装用テープの幅方向における前記ユニットの長さと同じ幅の細幅半導体実装用テープを得る。
【００２３】
以下、工程Ａ、工程Ａ’の例を、図３（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。細幅半導体実装用テープを、簡便にテープの幅精度を高く切り出すため、半導体実装用テープは支持台に固定し（図３（ａ）参照）、切断刃の間隔は固定されたものを用い、切断刃の長手方向を半導体実装用テープの長手方向に一致させる。半導体実装用テープの支持台への固定は、特に限定されないが、メカニカルクランプ等で機械的に支持台に固定する方法や真空吸着により支持台に固定する方法などを用いることができる。即ち切断時は、半導体実装用テープと支持台の相対速度はゼロである。半導体実装用テープ全体に均一に力を加えることができるために、固定時に応力の偏りを発生させず、切断後にこの応力による歪みを発生させにくいことから、切断に関る部分の半導体実装用テープ全体を均一に真空吸着する方法が好ましい。
【００２４】
支持台と切断刃の接触が起きないように接着剤層を切断できることから、切断前の半導体実装用テープにおいては、接着剤層の支持フィルムと反対側の面に、カバーフィルムを有していることが好ましい。これにより支持台への固定面にカバーフィルム面を用いることができ、カバーフィルムがハーフカットとなるように刃を入れることができる（図３（ｂ）に例を示す）。支持台と切断刃が接触すると、それぞれの破損、磨耗、変形などが起き易くなり、これらによる切断幅精度の悪化、切断効率の低下、ダストの巻き込みなどの不具合が生じやすくなる。カバーフィルムをハーフカットとした場合は、カバーフィルムを剥離し、各細幅半導体実装用テープとして後段にガイドして行く。
【００２５】
本発明に用いる切断刃の種類や形状は特に限定されないが、ピナクル刃、トムソン刃、カッター刃、ロータリー刃などを用いることができる。これらの中でも複数の刃の間の間隙を精度良く設定できる点からピナクル刃を好ましく用いることができる。ピナクル刃はドラム状で用いても良いし、平板状で用いても良い。
【００２６】
刃の間の間隙は、基本的には目的とする各細幅半導体実装用テープの幅に合わせるのが好ましいが、切断工程により一定の切断幅のズレがある場合は、必要に応じて補正を行っても良い。
【００２７】
また各細幅半導体実装用テープの幅は、半導体実装用テープの幅方向におけるユニットの長さと同じ幅であるが、完全に同一である必要はなく、半導体実装後に必要十分な範囲を被覆、埋め込むことができる幅であれば本発明の目的を達成することができ、半導体実装用パッケージ基板上に形成されている接続用電極を覆うことができる長さであることが好ましい。
【００２８】
切断工程に通す半導体実装用テープの幅Ｗ１は、切断後の全細幅半導体実装用テープの幅の合計Ｗ２よりも大きいものを用いる場合は、切断時に最外部の刃の外側の半導体実装用テープの押さえしろを確保する必要がある。この場合は、工程で安定して確保しやすいため、Ｗ１-Ｗ２≧０．１ｍｍであることが好ましく、切断工程でずれの生じない押さえが可能で、精度の良い切断ができることから、Ｗ１-Ｗ２≧０．２ｍｍであることがより好ましい。Ｗ1＝Ｗ２の場合は、切り出される細幅半導体実装用テープの本数ｍ本に対し、ｍ-１個の刃を用いて切断されるため、両最外部となる細幅半導体実装用テープの幅は、切断により規定されるのでなく半導体実装用テープと刃の位置精度により決定されることになるため、半導体実装用テープと刃の相対位置精度を非常に高くすることが必要となる。
【００２９】
次に工程Ｂまたは工程Ｂ’として、切断後の細幅半導体実装用テープを得た後に、テープガイドを用いて、各細幅半導体実装用テープの間隔を広げて、前記ユニットの列の間隔と同じ間隔とする。切断後の各細幅半導体実装用テープは、それぞれの間隔を、テープガイドを用いて、配線基板上に列状に形成されている半導体パッケージ基板ユニットの間隔（ピッチ）に合わせるように広げる。テープガイドとしては、例えば背景技術で説明した複数の分離用ピンを有する捌き装置（特許文献５の図４に相当する図４参照）が利用可能である。各細幅半導体実装用テープがカバーフィルムを有している場合は、カバーフィルムを剥がした後に、次の工程に進む。すなわちカバーフィルムの剥離は工程Ａまたは工程Ａ’ において、半導体実装用テープを長手方向に切断した後に行ってもよいし、工程Ｂまたは工程Ｂ’において、各細幅半導体実装用テープの間隔を広げて、前記ユニットの列の間隔と同じ間隔とした後に行ってもよい。
【００３０】
次に工程Ｃとして、間隔を広げた各細幅半導体実装用テープを、前記ユニットの各列上に位置合わせし、前記接着剤層を前記細幅半導体実装用テープの幅方向に切断して、前記細幅半導体実装用テープの長手方向における前記ユニットの長さと同じ長さとし、支持フィルムを剥離しながら接着剤層を前記半導体実装用パッケージ基板のユニット上に貼り付ける。または工程Ｃ’として、間隔を広げた各細幅半導体実装用テープを、前記ユニットの各列上に位置合わせし、前記接着剤層を前記細幅半導体実装用テープの幅方向に切断して、前記細幅半導体実装用テープの長手方向における前記ユニットの長さと同じ長さとし、支持フィルムαを剥離しながら支持フィルムβおよび接着剤層からなるフィルムの接着剤層側の面を前記半導体実装用パッケージ基板のユニット上に貼り付ける。
【００３１】
ここで工程Ｃ、工程Ｃ’の例を、図３（ｃ）に示した。本工程では、接着剤層を配線基板上に貼り付ける前に、予め前記細幅半導体実装用テープの幅方向に切断するが、接着剤層側から支持フィルム側に向けて、接着剤層を幅方向に切断し、かつ支持フィルムを完全に切断しないように刃を入れるハーフカットを行っておくと、配線基板上の個々のパッケージ基板ユニットに精度良く貼りやすくなり好ましい。
【００３２】
また接着剤層を細幅半導体実装用テープの幅方向に切断する際の長さは、細幅半導体実装用テープの長手方向におけるユニットの長さと同じ長さであるが、完全に同一である必要はなく、半導体実装後に必要十分な範囲を被覆、埋め込むことができる幅であれば本発明の目的を達成することができ、半導体実装用パッケージ基板上に形成されている接続用電極を覆うことができる長さであることが好ましい。
【００３３】
次に工程Ｄまたは工程Ｄ’として、真空処理を行うことにより、前記接着剤層を前記ユニット面に真空ラミネートすることが好ましい。工程Ｃまたは工程Ｃ’において、接着剤層を配線基板に仮固定した後に、工程Ｄまたは工程Ｄ’として真空中で再度接着剤層に圧力を掛け、接着剤層と配線基板の間にボイドが噛み込むことが無いようにこれらをラミネートすると、半導体チップの実装後にボイドが残りにくくなり好ましい。
【００３４】
また、前記の接着剤層を配線基板に仮固定する際に、真空中で行うことにより、仮固定工程とラミネート工程、すなわち工程Ｃと工程Ｄ、または工程Ｃ’と工程Ｄ’を単一の工程とすることも可能である。つまり、１度の位置決めと圧着を兼ねた工程で接着剤層を配線基板の上にボイドが噛み込むことなくラミネートすることも可能である。またラミネート工程前に支持フィルムを剥離する場合は、ラミネート工程で、接着剤層と貼り付き難い“テフロン”（登録商標）製のフィルムや板などで接着剤層の上を覆い、ラミネート装置のプレス材へ接着剤層が貼りついたり、汚染したりするのを避けるようにするのが好ましい。
【００３５】
また仮固定と真空ラミネートの２段階、すなわち工程Ｃと工程Ｄの２段階、または工程Ｃ’と工程Ｄ’の２段階の工程で接着剤層を配線基板に貼り付ける場合は、仮固定の工程において、接着剤層の外周部の少なくとも一部が貼り付けされていない状態とすることが好ましい。これにより、真空ラミネートの工程においてボイドが抜けていくための通路を確保することができ、接着剤層と配線基板の間に空気がトラップされることが少なくなる。そのためボイドをより減らすことができる。また真空ラミネート工程では、ボイド噛み込み抑制のために接着剤の流動性が室温で不十分な場合は、流動性を高めるよう５０〜１００℃などの加温された状態で行うことが好ましい。
【００３６】
上記の特定の位置に個片化された接着剤層を有する配線基板は、半導体チップを接着剤層を介して配線基板に実装することで半導体装置の製造に利用できる。例えば、フリップチップボンダーを使用して、Ａｕ、Ｃｕ、ハンダ等のバンプが表面に形成された半導体チップを配線基板の配線と接続し、バンプやパッド周囲などの半導体チップと配線基板の間隙を絶縁性接着剤で埋め、半導体チップと配線基板とを接着することにより半導体装置を製造することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明によれば、間隔が固定された複数の切断刃を用いて半導体実装用テープを切断するため、細幅半導体実装用テープの幅精度が高く、また、テープガイドにより隣り合う半導体実装用テープ同士の間隔（ピッチ）をあらかじめ配線基板上の半導体パッケージ基板ユニットの間隔（ピッチ）に一致させておくため、同時に複数の接着剤層の貼り付けが可能となる。このため、効率良く、高い位置および寸法精度で接着剤層を個片化して貼り付けることができる配線基板の製造方法を提供できるという優れた産業上の効果を奏しえる。
【符号の説明】
【００３８】
１  半導体パッケージ基板ユニット（接着剤層形成部分）
２  配線基板
３  支持フィルム
４  接着剤層
５  カバーフィルム
６  支持台
７  ハーフカット溝
８  配線基板
９  半導体実装用テープ
【図１】
2014146639.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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