(57)【要約】【課題】加熱を要する金属層の成膜工程、例えば、スパッタリング工程後の冷却工程に要する時間が短縮でき、或いは、この冷却工程が不要にできる半導体装置の製造方法および製造装置の提供。【解決手段】ガラス支持体に接着剤を介して半導体基板を貼り付ける工程と、半導体基板とガラス支持体とに金属層を成膜する工程と、冷却素子を備えたクランプをガラス支持体上に成膜された金属層に接触させ、記金属層を介して冷却を行う工程と、を備える。【選択図】図２
2014041923.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス支持体に接着剤を介して半導体基板を貼り付ける工程と、
前記半導体基板と前記ガラス支持体とに金属層を成膜する工程と、
冷却素子を備えたクランプを前記ガラス支持体上に成膜された前記金属層に接触させ、前記金属層を介して冷却を行う工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記成膜がスパッタリングによることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記金属層は、少なくとも前記ガラス支持体の側面に成膜されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記クランプを、前記ガラス支持体の側面に成膜された前記金属層に接触させることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記クランプは、前記ガラス支持体の底面の方から前記ガラス支持体の側面をクランプしていくことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
さらに、前記ガラス支持体の底面を冷却することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記クランプは、前記半導体基板の方から、前記ガラス支持体の側面をクランプしていくことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記冷却素子は、ペルチェ素子であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記金属層は、銅またはチタンを少なくとも含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
ガラス支持体に接着剤を介して半導体基板を貼り付ける工程と、
前記半導体基板と前記ガラス支持体とに金属層を成膜した後に，冷却素子を備えたクランプを少なくとも前記ガラス支持体の側面に直接又は間接的に接触させて、前記ガラス支持体を前記側面側から冷却する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記冷却素子は、ペルチェ素子であることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
半導体装置を搬送する搬送アームを備えた半導体装置の製造装置であって、
前記搬送アームは、前記半導体装置の側面をクランプ自在であると共に冷却素子を有する複数のクランプを備える、ことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項１３】
前記複数のクランプは、前記半導体装置の平面又は底面と対向するホルダの周縁部に配置されることを特徴とする請求項１２記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１４】
前記複数のクランプは、前記半導体装置の側面に成膜された金属層を介して、前記半導体装置の側面をクランプすることを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１５】
前記製造装置はスパッタリング装置であることを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法および製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の貫通電極（ＴＳＶ:through silicon via）形成では、ウエハ（半導体基板）を接着剤を介してガラス支持体に貼り付けて加工している。バリア層Ｔｉとシード層Ｃｕとをスパッタリングする工程では、ガラス支持体は熱伝導率が低いため熱を持つ。接着剤は耐熱性が低いため、連続スパッタ処理が続くような場合、ガラス支持体が持つ熱などによって接着剤が過熱されないよう、スパッタリング後に冷却を行っている。
【０００３】
なお、特許文献１には、ペルチェ素子が取り付けられた搬送チャック上に、ウエハ底面を吸着させて冷却することが開示されている。
【０００４】
また、特許文献２には、ウエハ底面を吸着するウエハチャックの吸着面にペルチェ素子を設けてウエハの温度分布を制御することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−１６８１３１号公報
【特許文献１】特開平５−１３２９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
以下の分析は、本願発明者により与えられる。
【０００７】
しかしながら、スパッタリング後に冷却を行うと、スループットが低下するという問題がある。
【０００８】
また、特許文献１又は２に開示された二例とも、ウエハの底部のみを直接、ペルチェ素子で冷却するものである。特許文献１又は２には、ガラス支持体や、ガラス支持体にウエハを貼り付けるための接着剤は開示されていない。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の視点による半導体装置の製造方法は、ガラス支持体に接着剤を介して半導体基板を貼り付ける工程と、前記半導体基板と前記ガラス支持体とに金属層を成膜する工程と、冷却素子を備えたクランプを前記ガラス支持体上に成膜された前記金属層に接触させ、前記金属層を介して冷却を行う工程と、を備えることを特徴とする。
【００１０】
本発明の第２の視点による半導体装置の製造方法は、ガラス支持体に接着剤を介して半導体基板を貼り付ける工程と、前記半導体基板と前記ガラス支持体とに金属層を成膜した後に、冷却素子を備えたクランプを少なくとも前記ガラス支持体の側面に直接又は間接的に接触させて、前記ガラス支持体を前記側面側から冷却する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１１】
本発明の第３の視点による半導体装置の製造装置は、半導体装置を搬送する搬送アームを備えた半導体装置の製造装置であって、前記搬送アームは、前記半導体装置の側面をクランプ自在であると共に冷却素子を有する複数のクランプを備える、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、半導体基板が接着剤を介してガラス支持体に貼り付けられた状態の半導体装置をクランプして搬送する際、半導体装置に形成された熱伝導率の高い金属層を介して、乃至、接着剤に近接している半導体装置の側面を介して、クランプと冷却を同時に実行することができるため、耐熱性が低い接着剤への冷却効果が高く、加熱を要する金属層の成膜工程後の冷却工程に要する時間が短縮でき、或いは、この冷却工程自体を不要にできる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】（Ａ）は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法のフローチャートであり、（Ｂ）は、（Ａ）の製造方法を含む工程のフローチャートであり、（Ｃ）は、（Ｂ）の工程による半導体装置の断面図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法および製造装置の説明図であり、（Ａ）は製造装置の部分上面図、（Ｂ）〜（Ｄ）は工程図である。
【図３】図２（Ａ）に示した部分を含むスパッタリング装置の全体を示す模式図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の他の実施形態に係る半導体装置の製造方法および製造装置の説明図であり、（Ａ）は製造装置の部分下面図、（Ｂ）〜（Ｄ）は工程図である。
【図５】図４（Ａ）に示した部分を含むスパッタリング装置の全体を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の一実施形態について、図面を参照して説明する。図１（Ａ）は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概要を説明するためのフローチャートである。
【００１５】
図１（Ａ）を参照すると、ステップＳ１では、ガラス支持体に接着剤を介して半導体基板を貼り付ける。ステップＳ２では、半導体基板とガラス支持体とに金属層をスパッタリング等によって成膜する。ステップＳ３では、冷却素子を備えたクランプをガラス支持体上に成膜された金属層に接触させ、金属層を介して冷却を行う。
【００１６】
或いは、ステップＳ２およびステップＳ３において、半導体基板とガラス支持体とに金属層を成膜した後に、冷却素子を備えたクランプを少なくともガラス支持体の側面に直接又は間接的に接触させて、ガラス支持体を前記側面側から冷却する。
【００１７】
図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の製造方法を含む、半導体装置の製造方法の中間工程を示すフローチャートである。図１（Ｂ）のステップＳ１１が図１（Ａ）のステップＳ１に相当し、図１（Ｂ）のステップＳ１６が図１（Ａ）のステップＳ２およびステップＳ３に相当する。
【００１８】
図１（Ｂ）を参照すると、ステップＳ１１では、半導体基板（ウエハ）の表面をガラス支持体に接着剤を用いて貼り付け、ステップＳ１２では、裏面研削を行う。ステップＳ１３では、半導体基板の裏面にシリコン窒化膜を成長させる。ステップＳ１４では、半導体基板の裏面から貫通電極のパターンを形成するプロセスを行う。ステップＳ１５では、裏面貫通電極のドライエッチングとレジスト剥離を行う。ステップＳ１６では、半導体基板の裏面等およびガラス支持体の側面にＣｕ／Ｔｉ膜（金属層）が形成されるようスパッタリングを行う。ステップＳ１７では、半導体基板の裏面にパンプのパターンを形成するプロセスを行う。ステップＳ１８では、半導体基板の裏面にＣｕ、Ａｕ／Ｎｉめっきを行う。ステップＳ１９では、半導体基板の裏面に形成されたパンプレジストを剥離し、シードＣｕ／Ｔｉ除去を行う。
【００１９】
図１（Ｃ）は、図１（Ｂ）に示した工程によって作製された半導体装置の断面図である。図１（Ｃ）を参照すると、半導体装置１は、ガラス支持体２と、ガラス支持体２上に接着剤３を介して貼り付けられた半導体基板（ウエハ、例えばシリコン基板）４を有している。接着剤３とガラス支持体２の間には、介在層５が形成されている。介在層５は、半導体基板４をガラス支持体２に密着させ、又、半導体基板４のガラス支持体２からの剥離を容易とする。半導体基板４上には、デバイス層６、裏面シリコン窒化膜７、さらに、Ｃｕ／Ｔｉ膜８が形成されている。Ｃｕ／Ｔｉ膜８は、ステップＳ１６のスパッタリングで成膜される金属層である。Ｃｕ／Ｔｉ膜８は、半導体装置１ないし半導体基板４の外周、詳細には、半導体基板４の裏面と側面、及びガラス支持体２の側面の一部を覆うよう形成されている。
【００２０】
なお、スパッタリングによって形成される金属層は、Ｃｕ、Ｔｉの他に、種々の金属を単独で、或いは、複数、積層ないし混合して形成することができる。
【００２１】
図２（Ａ）は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造装置の一部を模式的に示す図であって、ホルダを上から見た図である。図２（Ａ）を参照すると、製造装置１０は、半導体装置１を搬送する搬送アーム１１を備えている。
【００２２】
搬送アーム１１は、半導体装置１の側面をクランプ自在であると共に冷却素子１３を有する複数のクランプ（折り曲げ自在な可動部）１２を備えている。複数のクランプ１２は、半導体装置１（ガラス支持体２）の底面と対向するホルダ１４の周縁部に配置されている。搬送アーム１１は、複数のクランプ１２によってクランプされた半導体装置１を処理室内に出し入れする。
【００２３】
製造装置１０は、さらに、半導体装置１（ガラス支持体２）の底面に接触して半導体装置１を持ち上げるリフトピン１５を有している。リフトピン１５は、所定間隔で複数本配置されている。ホルダ１４は、複数本のリフトピン１５と干渉しない形状に形成され、切り欠きや開口を有している。
【００２４】
なお、冷却素子１３には、例えば、Ｃｕ等の金属を含んで形成されたペルチェ素子を用いることができる。また、クランプは吸着によってもよい。
【００２５】
図２（Ｂ）〜（Ｄ）は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程図であって、図２（Ａ）のＡ−Ａ断面を示している。
【００２６】
図２（Ｂ）を参照すると、ステージ１７上で、半導体装置１の底面にリフトピン１５を接触させて、半導体装置１を持ち上げる。半導体装置１においては、図１（Ｂ）に示したように、ガラス支持体２上に、接着剤３を介して半導体基板（ウエハ）４が貼り付けられ、半導体基板４の裏面側、特に、側面には、金属層としてＣｕ／Ｔｉ膜８がスパッタリングされている。なお、金属層として、Ｔｉのみをスパッタリングしてもよい。
【００２７】
図２（Ｃ）を参照すると、搬送アーム１１を駆動して、ステージ１７と半導体装置１の間に、ホルダ１４を差し込み、ホルダ１４をガラス支持体２の底面に接触させる。なお、ホルダ１４には、搬送アーム１１を通じて、複数のクランプ１２および冷却素子１３を駆動するための電気配線１６が接続されている。なお、ホルダ１４によって、ガラス支持体２の底面を冷却してもよい。
【００２８】
図２（Ｄ）を参照すると、複数のクランプ１２をそれぞれ折り曲げるように駆動して、ガラス支持体２の底面の方から、半導体装置１ないしガラス支持体２の側面を下側からクランプしていく。これによって、冷却素子１３をそれぞれ搭載している複数のクランプ１２は、半導体装置１ないしガラス支持体２の側面に成膜されたＣｕ／Ｔｉ膜８と接触する。すなわち、熱伝導率の高い金属層であるＣｕ／Ｔｉ膜８が直接的に冷却され、又、耐熱性が低いため早急に冷却したい接着剤３に近接した部分が直接的に冷却される。したがって、本実施形態によれば、ガラス支持体２の側面に成膜された金属層を冷却することによって、ガラス支持体の底面を冷却する場合に比べて、高い冷却効果が得られる。本実施形態によれば、ガラス支持体の底面を冷却する場合に比べて、冷却時間を約半分に短縮することができ、装置スループットの低下を防止できる。
【００２９】
なお、一般的に、ガラス支持体を構成するガラスの熱伝導率は１Ｗ／ｍＫであるのに対して、半導体基板を構成するシリコンの熱伝導率は１６８Ｗ／ｍＫであって、ガラス支持体の熱伝導率が非常に低い。よって、半導体基板をガラス支持体に貼り付けた半導体装置において、ガラス支持体の底面側からの冷却は効率が悪いことがわかる。
【００３０】
図３は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造装置、特に、図２（Ａ）に示した部分を含むスパッタリング装置の全体を示す模式図である。
【００３１】
図３を参照すると、スパッタリング装置２０は、複数の処理室２１〜２５と、複数のロッドロック室２６，２７を備えている。複数の処理室２１〜２５と、複数のロッドロック室２６，２７は、図２（Ａ）に示した搬送アーム１１等の周囲に配置されている。搬送アーム１１の駆動によって、クランプされた半導体装置１が、複数の処理室２１〜２５内および複数のロッドロック室２６，２７内に出し入れされ、以下に説明する順で所定のプロセスが実行される。
【００３２】
すなわち、第１のロードロック室２６では、プリヒートが実行される。第４の処理室２４では、冷却が実行される。第１の処理室２１のステージ２１ａ上では、ＲＦエッチングが実行される。第４の処理室２４では、冷却が実行される。第２の処理室２２のステージ２２ａ上では、Ｔｉスパッタリングが実行されて、バリアＴｉ膜が形成される。スパッタリング後、半導体装置１をクランプしている複数のクランプ１２によって、半導体装置１は搬送されながら同時に冷却される。
【００３３】
第５の処理室２５では、冷却が実行される。第３の処理室２３のステージ２３ａ上では、Ｃｕスパッタリングが実行されて、シードＣｕ膜が形成される。これによって、少なくとも、半導体装置１の側面にＣｕ／Ｔｉ膜８が形成される。スパッタリング後、半導体装置１をクランプしている複数のクランプ１２によって、半導体装置１は搬送されながら同時に冷却される。第５の処理室２５では、冷却が実行される。第２のロードロック室２７では、冷却が実行される。
【００３４】
なお、第４の処理室２４におけるスパッタリング処理前の冷却工程は、金属層をスパッタリング前に冷却しても冷却効果が小さいので、省略することも可能である。
【００３５】
本実施形態によれば、図２（Ｄ）に示した冷却によって、第５の処理室２５における冷却時間が半減され、合計で冷却時間が２分程度短縮される。
【００３６】
以上説明した、本実施形態に係る半導体装置１の製造方法は、基本的に、ガラス支持体２に接着剤３を介して半導体基板４を貼り付ける工程と、半導体基板４とガラス支持体２とに金属層（Ｃｕ／Ｔｉ膜）８を成膜する工程と、冷却素子１３を備えたクランプ（可動部）１２をガラス支持体２上に成膜された金属層８に接触させ、金属層８を介して冷却を行う工程ないし冷却素子１３を備えたクランプ１２を少なくともガラス支持体２の側面に直接又は間接的に接触させて、ガラス支持体２の側面側から冷却する工程と、を備えている。
【００３７】
本実施形態の効果を下記に例示する。
（１）半導体装置１をクランプして搬送する際、半導体装置１に形成された熱伝導率の高い金属層（例えば、Ｃｕ／Ｔｉ膜８）を介して、クランプしながら冷却することができるため、耐熱性が低い接着剤３の冷却効果が高く、スパッタリング工程後のクーリング工程に要する時間が短縮又はこのクーリング工程が不要にできる。
（２）半導体装置１をクランプして搬送する際、半導体基板４をガラス支持体２に貼り付けている接着剤（貼り付け部）３に近接している半導体装置１ないしガラス支持体２の側面を介して、クランプしながら冷却することができるため、耐熱性が低い接着剤３の冷却効果が高く、スパッタリング工程後のクーリング工程に要する時間が短縮又はこのクーリング工程が不要にできる。
【００３８】
次に、本発明の他の実施形態（実施形態２）を説明する。上述した前記実施形態（実施形態１）においては、半導体装置を底面側（ガラス支持体側）からクランプしたが、本実施形態（実施形態２）においては、半導体装置を上方（半導体基板側）からクランプする。なお、本実施形態と前記実施形態の共通点については、適宜、前記実施形態の欄を参照することができるものとする。
【００３９】
図４（Ａ）は、本発明の他の実施形態に係る半導体装置の製造装置の一部を模式的に示す図であって、ホルダを下からみた図である。図４（Ａ）を参照すると、半導体装置の製造装置３０は、半導体装置１を搬送する搬送アーム３１を備えている。
【００４０】
搬送アーム３１は、半導体装置１の側面をクランプ自在であると共に冷却素子３３を有する複数のクランプ（折り曲げ自在な可動部）３２を備えている。複数のクランプ３２は、半導体装置１の上面（半導体基板４の裏面）と対向するホルダ３４の周縁部に配置されている。搬送アーム３１は、複数のクランプ３２によってクランプされた半導体装置１を処理室内に出し入れする。
【００４１】
製造装置３０は、さらに、半導体装置１の底面に接触して半導体装置１を持ち上げるリフトピン３５を有している。リフトピン３５は、所定間隔で複数本配置されている。
【００４２】
図４（Ｂ）〜（Ｄ）は、本発明の他の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程図であって、図４（Ａ）のＡ−Ａ断面を示している。
【００４３】
図４（Ｂ）を参照すると、ステージ３７上で、半導体装置１の底面にリフトピン３５を接触させて、半導体装置１を持ち上げる。半導体装置１においては、図１（Ｂ）に示したように、ガラス支持体２上に、接着剤３を介して半導体基板（ウエハ）４が貼り付けられ、半導体基板４の裏面側、特に、側面には、金属層としてＣｕ／Ｔｉ膜８がスパッタリングされている。
【００４４】
図４（Ｃ）を参照すると、搬送アーム３１を駆動して、半導体装置１の上側に、ホルダ３４を位置させる。ホルダ３４には、搬送アーム３１を通じて、複数のクランプ３２および冷却素子３３を駆動するための電気配線３６が接続されている。
【００４５】
図４（Ｄ）を参照すると、複数のクランプ３２をそれぞれ折り曲げるように駆動して、半導体装置１ないし半導体基板４の上側から側面をクランプしていく。これによって、冷却素子３３をそれぞれ搭載している複数のクランプ３２が、半導体装置１ないしガラス支持体２の側面に形成されたＣｕ／Ｔｉ膜８と接触する。すなわち、本実施例によれば、熱伝導率の高い金属層であるＣｕ／Ｔｉ膜８が直接冷却され、又、耐熱性が低いため早急に冷却したい接着剤３に近接した部分が直接的に冷却される。
【００４６】
さらに、図４（Ｃ）から図４（Ｄ）を参照すると、本実施形態によれば、半導体装置１ないし半導体基板４を上からクランプしていくため、半導体装置１の上側に位置するホルダ３４や複数のクランプ３２と、半導体装置１（ガラス支持体２）の底面側に位置するリフトピン３５が干渉するおそれがない。したがって、図４（Ａ）に示したように、冷却素子３３を搭載したクランプ３２の個数を増加させることができる。この結果、さらに高い冷却効果を得ることができる。また、ホルダ３４の形状も、単純な形状、例えば、円板上に形成することができる。
【００４７】
図５は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造装置、特に、図４（Ａ）に示した部分を含むスパッタリング装置の全体を示す模式図である。
【００４８】
図５を参照すると、スパッタリング装置４０は、複数の処理室４１〜４５と、複数のロッドロック室４６，４７を備えている。複数の処理室４１〜４５と、複数のロッドロック室４６，４７は、図４（Ａ）に示した搬送アーム３１の周囲に配置されている。搬送アーム３１の駆動によって、クランプされた半導体装置１が、複数の処理室４１〜４５内および複数のロッドロック室４６，４７内に出し入れされ、以下に説明する順で所定のプロセスが実行される。
【００４９】
本実施形態によれば、冷却素子３３をそれぞれ搭載した複数のクランプ３２が多数個も受けられているため、スパッタリング後の第５の処理室４５における冷却を省略することができる。その場合の処理フローは以下のようになる。
【００５０】
第１のロードロック室４６では、プリヒートが実行される。第４の処理室４４では、冷却が実行される。第１の処理室４１のステージ４１ａ上では、ＲＦエッチングが実行される。第４の処理室４４では、冷却が実行される。第２の処理室４２のステージ４２ａ上では、Ｔｉスパッタリングが実行される。スパッタリング後、半導体装置１をクランプしている多数のクランプ３２によって、半導体装置１は搬送されながら同時に冷却される。
【００５１】
第３の処理室４３のステージ４３ａ上では、Ｃｕスパッタリングが実行される。これによって、少なくとも、半導体装置１ないしガラス支持体２の側面にＣｕ／Ｔｉ膜８が形成される。スパッタリング後、半導体装置１をクランプしている多数のクランプ３２によって、半導体装置１は搬送されながら同時に冷却される。第２のロードロック室４７では、冷却が実行される。
【００５２】
なお、第４の処理室４４におけるスパッタリング処理前の冷却工程は、金属膜をスパッタリング前に冷却しても冷却効果が少ないので、省略することも可能である。
【００５３】
本実施形態によれば、図４（Ｄ）に示した冷却によって、第５の処理室４５における冷却時間が削減され、合計で冷却時間が４分程度短縮される。
【００５４】
上述した前記実施形態の効果に加えて得ることができる、本実施形態の効果を下記に例示する。
（３）半導体装置１ないし半導体基板４を上からクランプないし吸着することによって、リフトピン３５を考慮することなく、冷却素子３３を備えたクランプ３２の設置個数を増加させることができるため、半導体装置１ないし半導体基板４の外周ないし側周全体を冷却して、接着剤３の過熱を高度に防止することができる。
【００５５】
なお、本出願において図面参照符号を付している場合は、それらは、専ら理解を助けるためのものであり、図示の態様に限定することを意図するものではない。
【００５６】
また、本発明の全開示（請求の範囲及び図面を含む）の枠内において、さらにその基本的技術思想に基づいて、実施形態ないし実施例の変更・調整が可能である。また、本発明の請求の範囲の枠内において種々の開示要素（各請求項の各要素、各実施形態ないし実施例の各要素、各図面の各要素等を含む）の多様な組み合わせないし選択が可能である。すなわち、本発明は、請求の範囲及び図面を含む全開示、技術的思想にしたがって当業者であればなし得るであろう各種変形、修正を含むことは勿論である。
【符号の説明】
【００５７】
１  半導体装置
２  ガラス支持体
３  接着剤
４  半導体基板（ウエハ）
５  介在層
６  デバイス層
７  裏面シリコン窒化膜
８  Ｃｕ／Ｔｉ膜（金属層）
１０  半導体装置の製造装置（スパッタリング装置）
１１  搬送アーム
１２  クランプ（可動部）
１３  冷却素子（ペルチェ素子）
１４  ホルダ
１５  リフトピン
１６  電気配線
１７  ステージ
２０  スパッタリング装置
２１〜２５  複数の処理室
２１ａ，２２ａ，２３ａ  ステージ
２６，２７  複数のロッドロック室
３０  半導体装置の製造装置（スパッタリング装置）
３１  搬送アーム
３２  クランプ（可動部）
３３  冷却素子（ペルチェ素子）
３４  ホルダ
３５  リフトピン
３６  電気配線
３７  ステージ
４０  スパッタリング装置
４１〜４５  複数の処理室
４１ａ，４２ａ，４３ａ  ステージ
４６，４７  複数のロッドロック室
【図１】
2014041923.tif 000003
【図２】
2014041923.tif 000004
【図３】
2014041923.tif 000005
【図４】
2014041923.tif 000006
【図５】
2014041923.tif 000007