(57)【要約】【課題】珪素を含有する材料からなる基材とセラミックス溶射皮膜との良好な密着性が得られ、かつ高強度を維持することができる皮膜密着性に優れたセラミックス溶射皮膜被覆部材を提供する。【解決手段】基材２上にセラミックス溶射皮膜４を形成したセラミックス溶射皮膜被覆部材１である。基材２を珪素を含有する非金属材料として、当該基材２の表層にシリカ質層３を存在させ、セラミックス溶射粒子を溶射する際にシリカ質層３とセラミックス溶射粒子とで溶融形成した複合酸化物５を介して、セラミックス溶射皮膜４を、基材２上に被覆することによって密着性を向上させた。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上にセラミックス溶射皮膜を形成したセラミックス溶射皮膜被覆部材であって、
前記基材は珪素を含有する非金属材料とされると共に、当該基材の表層にシリカ質層が存在しており、
前記セラミックス溶射皮膜は、前記シリカ質層よりも高い融点を有すると共に、当該シリカ質層と複合酸化物を生成可能であるセラミックス溶射粒子によって形成されていることを特徴とする皮膜密着性に優れたセラミックス溶射皮膜被覆部材。
【請求項２】
前記セラミックス溶射皮膜は、前記シリカ質層よりも融点が４００℃以上高いセラミックス溶射粒子によって形成されていることを特徴とする請求項１に記載の皮膜密着性に優れたセラミックス溶射皮膜被覆部材。
【請求項３】
前記セラミックス溶射皮膜は、前記複合酸化物の共晶温度よりも融点が４００℃以上高いセラミックス溶射粒子によって形成されていることを特徴とする請求項１に記載の皮膜密着性に優れたセラミックス溶射皮膜被覆部材。
【請求項４】
前記シリカ質層は、主成分が４８％以上のＳｉＯ２で形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の皮膜密着性に優れたセラミックス溶射皮膜被覆部材。
【請求項５】
前記セラミックス溶射皮膜は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｌａ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｙ、Ｚｒから選択される元素単体、又はこれら元素の１種以上を主成分とする酸化物セラミックス溶射粒子によって形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の皮膜密着性に優れたセラミックス溶射皮膜被覆部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はセラミックス溶射皮膜で被覆した溶射皮膜被覆部材に関し、シリカ質層を設けることで優れた密着性を発現させたセラミックス溶射皮膜被覆部材に関する。
【背景技術】
【０００２】
構造物の耐摩耗性、低摩擦化などを向上させるため、被処理材の表面にセラミックス溶射皮膜を形成することが行われている。溶射法はセラミックス、金属、サーメットなどの溶射粉末材料を可燃性ガスの燃焼フレーム又はＡｒ、Ｈｅ、Ｈ２などのプラズマフレーム中に供給し、これらを軟化又は溶融した状態にして、被処理材の表面に高速で吹き付けることにより、その表面に溶射皮膜を形成する表面処理技術である。
【０００３】
被処理材の表面に溶射加工を施す際、密着性を向上させるための前処理としてブラスト作業による粗面化処理が行われる。粗面化処理を施した表面は、アンカー効果の発現により物理的密着性が向上し、溶射皮膜を強固に密着させることができる。
【０００４】
ＳｉＣ材料に代表される珪素を含有したセラミックス材料は多くの産業で幅広く利用されているが、その中でも有用性の高い当該ＳｉＣ材料は、高温水蒸気下での酸化減耗、鉄、ニッケル、これらの化合物などと接触することによる腐食現象、アルカリ溶融塩に対する耐食性が著しく劣る。そのためＳｉＣ材料は、溶射皮膜を形成する被処理材として用いられることが期待されている。しかしながら、ＳｉＣ材料は脆性材料であり、ブラスト処理を施しても、金属のように溶射に適した複雑な表面形状を得にくいため、十分な密着力を得ることが難しい。密着性を高めるために、強度のブラスト処理を行って表面粗さを大きくすれば、脆いＳｉＣ材料の強度を低下させてしまう。従ってＳｉＣ材料を溶射皮膜を形成する被処理材とした場合、溶射皮膜の密着性を向上させることは非常に困難である。
【０００５】
特許文献１によると、炭素材料と溶射皮膜との密着性を向上させるために、線膨張係数比を所定の数値とし、溶射皮膜を構成する材料をクロム、チタンなどと、ニッケル、アルミニウムなどからなる組成として、溶射皮膜の密着性を上げている。特許文献２には、炭化ケイ素の表面にシリカ質層を設け、その表面にムライトを主成分とした下地層を形成し、プラズマ溶射によってジルコニア系皮膜を形成した部材が記載されている。特許文献３では、炭化珪素からなる基材を所定の気孔率、比重を有するものとし、炭化珪素結晶表面に二酸化珪素層を形成して被覆材の剥がれを防止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第３１７９８１２号公報
【特許文献２】特開２００９−２３４８１７
【特許文献３】特許第４９７５２４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし特許文献１のように、線膨張係数比を所定の数値とし、溶射皮膜を構成する材料を特定の金属組成とした場合、珪素を含有する材料からなる基材との熱応力を低減させることが目的となる。そのため密着性自体は改善されず、特に外的な力が加わった場合には問題となる。さらに、高温で使用することを前提とした場合には、施工した金属の耐酸化性及び炭素基材との反応性を考慮する必要があり、適用が限定される。
【０００８】
炭化珪素の表面にシリカ層を設け、ムライトを主成分とした下地層にプラズマ溶射によってジルコニア系皮膜を形成した特許文献２の材料であっても、基材である炭化珪素と熱膨張差の小さいムライトを中間層として形成することで、溶射皮膜界面に加わる熱応力を緩和させることが目的であり、十分な密着性を発現させることはできない。特許文献３のように、２０％以上の気孔を有する炭化珪素からなる基材の炭化珪素結晶表面に二酸化珪素層を形成している場合、気孔に起因する基材表面の粗さの増大により溶射皮膜は付着しやすくなるものの、基材自体の強度が低いため強固な密着力を得ることはできない。そのうえ基材の機械強度が低いために機械部品としての適用は困難である。
【０００９】
そこで本発明は従来技術の問題点に鑑み、珪素を含有する材料からなる基材とセラミックス溶射皮膜との良好な密着性が得られ、かつ高強度を維持することができる皮膜密着性に優れたセラミックス溶射皮膜被覆部材を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は珪素を含有する材料からなる基材上にセラミックス溶射皮膜を強固に密着させるためには、アンカー効果による物理的密着に頼るのではなく、基材に対して化学的親和力の高い溶射皮膜材料を高温で接触させて原子レベルで密着させることが重要であることに着目し、次の技術的手段を講じた。即ち本発明のセラミックス溶射皮膜被覆部材は、基材上にセラミックス溶射皮膜を形成したセラミックス溶射皮膜被覆部材であって、前記基材は珪素を含有する非金属材料とされると共に、当該基材の表層にシリカ質層が存在しており、前記セラミックス溶射皮膜は、前記シリカ質層よりも高い融点を有し、当該シリカ質層と複合酸化物を生成可能であるセラミックス溶射粒子によって形成されていることを特徴とする。
【００１１】
本発明のセラミックス溶射皮膜被覆部材によれば、セラミックス溶射粒子がシリカ質層に衝突した際に、シリカ質層よりも融点が高いためシリカ質層の溶融が起こり、それと共に当該シリカ質層との複合酸化物が形成される。そのため、シリカ質層の表面における、極めて微少な領域である原子レベルでの結合が起こり、セラミックス溶射皮膜を基材上へ非常に強固に密着させることができる。また、基材が珪素を含有する非金属材料とされるため高強度を維持することができる。
【００１２】
本発明に適用されるセラミックス溶射皮膜を形成するためのセラミックス溶射粒子としては、前記シリカ質層よりも融点が４００℃以上高いセラミックス溶射粒子が好ましい。この場合、シリカ質層を十分に溶融させることができ、良好な複合酸化物を得ることができる。
【００１３】
さらに、セラミックス溶射皮膜を形成するためのセラミックス溶射粒子として、前記複合酸化物の共晶温度よりも融点が４００℃以上高いセラミックス溶射粒子が好ましい。この場合、複合酸化物中のシリカ質とセラミックス溶射粒子の複合状態がより緻密となる。
【００１４】
前記シリカ質層は、主成分が４８％以上のＳｉＯ２で形成されていることが好ましい。主成分が４８％以上のＳｉＯ２でシリカ質層が形成されていれば、より強固な密着力を得ることができる。
【００１５】
前記セラミックス溶射粒子の具体例として、Ａｌ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｌａ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｙ、Ｚｒから選択される元素単体、又はこれら元素の１種以上を主成分とする酸化物セラミックス溶射粒子が挙げられる。
【発明の効果】
【００１６】
上記の通り本発明によれば、シリカ質層の表面における、極めて微少な領域である原子レベルでの結合が起こるため、セラミックス溶射皮膜を基材上へ非常に強固に密着させることができる。基材が珪素を含有する非金属材料とされるため高強度を維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施形態に係るセラミックス溶射皮膜被覆部材の模式断面図である。
【図２】本発明の他の実施形態に係るセラミックス溶射皮膜被覆部材の模式断面図である。
【図３】セラミックス溶射粒子の融点とシリカ質層の融点の差と、セラミックス溶射粒子の融点と複合酸化物の共晶温度の差の関係を表すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明を実施するための形態について説明する。図１は本発明の一実施形態に係るセラミックス溶射皮膜被覆部材１の模式断面図である。本発明のセラミックス溶射皮膜被覆部材１は、基材２上にセラミックス溶射皮膜４を被覆するにあたって、珪素が含有する例えばＳｉＣ材料からなる基材２への皮膜の密着性を向上させるために、中間層としてシリカ質層３を導入したセラミックス溶射皮膜被覆部材である。
【００１９】
セラミックス溶射皮膜被覆部材１は図１のとおり、基材２とこの基材２の表層に存在するシリカ質層３と、このシリカ質層３を介して被覆されたセラミックス溶射皮膜４とで構成されている。例えばＳｉＣ材料に代表される珪素含有材料は多くの産業で幅広く利用されているものの、密着性向上のためのブラスト処理を適用し難い。そのため本発明では、アンカー効果による物理的密着に頼るのではなく、化学的親和力の高い材料であるセラミックス溶射粒子を高温で基材２に接触させることで、シリカ質層３を溶融させて複合酸化物を形成し、シリカ質層３の表面における極めて微少な領域である原子レベルでの結合を起こさせる点に着目している。
【００２０】
本発明が適用される基材２としてはＳｉＣが代表例である。なお珪素含有材料からなる基材２にセラミックス溶射皮膜４を被覆する場合の欠点を解消するものであるが、珪素を実質的に含んでいない基材に本発明を適用することもできる。
【００２１】
本発明で用いる基材２には、珪素を含有する非金属材料が適用される。ＳｉＣ以外の基材２として、例えばＳｉ４Ｎ３、ＳｉＯ２、Ｂ４Ｓｉ、ＳｉＣ−Ｓｉ４Ｎ３、Ｓｉ−ＳｉＣ、Ｓｉ−Ｓｉ３Ｎ４などが挙げられる。基材２に珪素を含有させることで、高い強度を維持することができ、シリカ質層３との高い密着力を容易に得ることができる。セラミックス溶射皮膜４で被覆する面と異なる基材面に、例えば、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｃｒなどのめっき膜を形成してもよく、プラスチック、セラミック焼結体のように電気不良導体を設けた基材であってもよい。
【００２２】
シリカ質層３の代表的なものとして酸化珪素材料であるＳｉＯ２が挙げられる。シリカ質層３は、主成分が４８％以上のＳｉＯ２で形成されていることが最も好ましい。主成分が４８％以上のＳｉＯ２でシリカ質層３が形成されていれば、より強固な密着力を得ることができる。シリカ質層３として、珪素、酸素の他、Ｂ２Ｏ３、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、Ａｌ２Ｏ３等を含む材料、ＳｉＯ２よりもの融点の低い材料が挙げられる。シリカ質層３の形成方法は限定されず、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、水ガラスの塗布によるものなどが用いられる。基材２の表面が大気酸化することを利用してシリカ質層３を存在させてもよい。大気酸化させるには、室温又は１０００℃〜１５００℃程度の昇温した雰囲気中に基材２を曝せばよい。これらの方法により大量生産が可能となり、本発明が目的とする高い密着性を得るためのシリカ質層３を形成できる。さらに、基材２自体をシリカ質で構成することによって、基材２の表面をシリカ質層３として機能させてもよい。
【００２３】
シリカ質層３を形成するためのプラズマＣＶＤ法では、プラズマを発生させる方法として容量結合プラズマ、誘導結合プラズマなど任意のプラズマ生成方法を選択できる。プラズマＣＶＤ法は、真空蒸着法及びスパッタリング法に比べて、基材にかかる温度が低いため、基材へのダメージを低減できるといった利点がある。
【００２４】
本発明に適用されるシリカ質層３は、セラミックス溶射皮膜４との良好な密着性を発現することが重要である。そのためには、シリカ質層３をセラミックス溶射皮膜４で被覆される基材２のセラミックス溶射皮膜４が形成される部分に緻密に形成する必要がある。シリカ質層３の厚みは、１０ｎｍ以上であることが好ましく、０．１μm〜５０μmがより好ましい。シリカ質層３の厚みを１０ｎｍ以上とすることで、良好な密着性と生産性を維持することができる。シリカ質層３の厚みが１０ｎｍよりも薄ければ、セラミックス溶射粒子との複合酸化物を形成しにくくなり、密着性が低下するおそれがある。さらに基材２の表面上にシリカ質層３の欠損部分ができてしまうおそれもある。シリカ質層３の厚みが５０ｎｍよりも厚くなれば、コストを上昇させることになり、熱応力の緩和の観点からも厚膜化は不利となる。但しこの厚みの制限は、基材２とは別のシリカ質層３を形成する場合にいえるのであり、基材２自体がシリカ質で構成されている場合には、勿論考慮する必要はない。シリカ質層３の厚みを調整するには、例えばシリカ質層の形成工程における処理時間を変化させればよい。
【００２５】
図２に本発明の他の実施形態に係るセラミックス溶射皮膜被覆部材１０を示している。この例では基材１１としてガラス材を用いている。この場合、ガラス材の表層はシリカ質層１１ａであるため、中間層としてのシリカ質層を形成する必要はない。ガラス材である基材１１の表層のシリカ質層１１ａを介してセラミックス溶射皮膜４が被覆されている。この実施形態の基材１１の表面にガラス材の組成とは異なるシリカ質層を形成してもよい。
【００２６】
シリカ質層３、１１ａが存在する基材２、１１の表面粗さはＲａで０．５μｍ以上とすることが好ましい。基材２、１１の表面粗さを調整しなくても所要の密着性は得られるが、基材２、１１の表面粗さをＲａで０．５μｍ以上としておけば、より高い密着性を得ることができる。このような表面粗さを得るには、基材２、１１における溶射する表面をブラスト処理し、その後、基材２、１１上にシリカ質層３を形成すればよい。表面粗さの調整はブラスト処理における処理時間、粒度を調整すればよい。
【００２７】
基材２、１１上に溶射するセラミックス溶射皮膜４について説明する。本発明のセラミックス溶射皮膜４は、大気プラズマ溶射法、減圧プラズマ溶射法、高速フレーム溶射法、ガスフレーム溶射法、アーク溶射法、爆発溶射法の何れかによって形成する。
【００２８】
これら各種の溶射法を用いることによって、耐久性に優れ、かつ高品質のセラミックス溶射皮膜４を得ることができる。また、係る方法を用いれば優れた施工性が得られ、そのため現地施工が可能となる。各溶射法による成膜条件は、基材、原料粉末、膜厚、製造環境などに応じて適宜設定すればよい。
【００２９】
ジルコニアセラミックス材料からなるセラミックス溶射皮膜４を、大気プラズマ溶射法で溶射する場合の条件を以下に示す。以下の条件は一例であって溶射条件は適宜設定される。
ＺｒＯ２（大気プラズマ溶射法）
溶射装置：Ｓｕｌｚｅｒ  Ｍｅｔｃｏ−Ｆ４
ノズル：φ６ｍｍ
アルゴンガス流量：５０ＮＬＰＭ
水素ガス流量：１０ＮＬＰＭ
トーチ入力：４０ｋＷ
溶射距離：１５０ｍｍ
【００３０】
セラミックス溶射粒子は軟化又は溶融した状態で、基材２、１１のシリカ質層３、１１ａに高速で衝突してセラミックス溶射皮膜４となるが、衝突した際、衝突したセラミックス溶射粒子の一部とシリカ質層３、１１ａの衝突箇所が溶融状態で混じり合う状態となる。セラミックス溶射粒子とシリカ質層３、１１ａのシリカとで溶融形成した複合酸化物５が生じる。複合酸化物５は、セラミックス溶射粒子の成分とシリカ質層３、１１ａのシリカの成分が混ざり合って形成されたものであり、双方の層と強固に結合している。そのため、セラミックス溶射皮膜４と基材２、１１とを強固に密着させることができる。
【００３１】
シリカ質層３、１１ａを構成するシリカの融点は約１７００℃であり、本実施形態のセラミックス溶射皮膜４を形成するための例えばＺｒからなるセラミックス溶射粒子の融点は約２６７０℃である。本発明に適用されるセラミックス溶射皮膜４を形成するためのセラミックス溶射粒子としては、シリカよりも融点が４００℃以上高いセラミックス溶射粒子を用いればよい。シリカよりも融点が４００℃以上高いセラミックス溶射粒子で、基材２、１１上のシリカ質層３、１１ａに溶射を行えば、シリカ質層３、１１ａを十分に溶融させることができ、良好な複合酸化物５を得ることができる。
【００３２】
また、セラミックス溶射皮膜４を形成するためのセラミックス溶射粒子として、複合酸化物５の共晶温度がシリカの融点よりも低くなるセラミックス溶射粒子、又は複合酸化物５の共晶温度よりも融点が４００℃以上高いセラミックス溶射粒子が好適である。複合酸化物５の共晶温度がシリカ質層３、１１ａを構成するシリカの融点よりも低くなるセラミックス溶射粒子を用いれば、良好な複合酸化物５を得ることができる。また、複合酸化物５の共晶温度よりも融点が４００℃以上高いセラミックス溶射粒子を用いることで、複合酸化物５中のシリカとセラミックス溶射粒子の複合状態がより緻密となる。
【００３３】
セラミックス溶射粒子、即ちセラミックス溶射皮膜４の具体例として、Ａｌ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｌａ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｙ、Ｚｒから選択される元素単体、又はこれら元素の１種以上を主成分とする酸化物セラミックス溶射粒子が挙げられる。より具体的には、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＨｆＯ２、Ｌａ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３・ＳｉＯ２、ＮｉＯ、ＺｒＯ２・ＳｉＯ２が挙げられる。このような素材を選択することにより、基材２、１１へのセラミックス溶射皮膜４の密着性を向上させることができる。
【００３４】
シリカ質層として、シリカ（ＳｉＯ２）、ガラス（ＳｉＯ２−Ｎａ２Ｏ−ＣａＯ）、水ガラス（珪酸ナトリウムの硬化物）を採用した場合の、本発明に適用される各種のセラミックス溶射粒子との融点差、共晶温度等を表１に示す。表中、Ｔｍｃ：セラミックス溶射粒子の融点、ΔＴｍｓ：セラミックス溶射粒子とシリカの融点差、ΔＴｍｇ：セラミックス溶射粒子とガラスの融点差、ΔＴｍｌｇ：セラミックス溶射粒子と水ガラスの融点差、Ｔｋ１：セラミックス溶射粒子とシリカの共晶温度、Ｔｍｃ−Ｔｋ１：セラミックス溶射粒子の融点と上記共晶温度の差を表し、数値単位は℃である。なお、シリカの融点Ｔｍｓは１７２３℃、ガラスの融点Ｔｍｇは１０００℃、水ガラスの融点Ｔｍｌｇは８００℃である。
【００３５】
【表１】
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【００３６】
基材２、１１とセラミックス溶射皮膜４の熱膨張係数の差が大きければ、セラミックス溶射粒子が基材２、１１上で皮膜となる際の収縮で、セラミックス溶射皮膜４の剥がれを招くおそれがある。そのため、基材２との熱膨張係数の差が５×１０−６以下であるセラミックス溶射粒子によってセラミックス溶射皮膜４を形成すれば、セラミックス溶射皮膜４の剥がれを防ぐことができる。
【００３７】
本発明のセラミックス溶射皮膜被覆部材１、１０によれば、セラミックス溶射粒子がシリカ質層３に衝突した際、シリカ質層３よりもセラミックス溶射粒子の融点が高いためシリカ質層３の溶融が起こり、それと共に当該シリカ質層３とセラミックス溶射粒子との複合酸化物が形成される。そのため、シリカ質層３の表面における、極めて微少な領域である原子レベルでの結合が起こり、セラミックス溶射皮膜４を基材２上へ非常に強固に密着させることができる。さらに、基材２が珪素を含有する非金属材料とされるため高強度を維持することができる。
【実施例】
【００３８】
以下、実施例を用いて本発明をより詳細に説明する。本発明はこの実施例に限定されるものではない。上記の実施形態に準じて、表層にシリカ質層が存在する基材にセラミックス溶射皮膜を形成してセラミックス溶射皮膜被覆部材の試験片を作製し、密着性を評価した。
【００３９】
基材にはＳｉＣ又はガラス材を用いた。ＳｉＣ基材は、公知の製法により得られたＳｉＣ含有量：９８％以上、密度：３．１ｇ／ｃｍ３、曲げ強度（室温）：４３０ＭＰａ程度の常圧焼結ＳｉＣである。ガラス基材は、組成：ＳｉＯ２−Ｎａ２Ｏ−ＣａＯ、融点：１０００℃の物性を有し、公知の板ガラスの製法により得られた市販のソーダ石灰ガラスである。１５ｍｍ×１５ｍｍ、厚さ：５ｍｍの板状のＳｉＣ基材及びガラス基材を作製した。ＳｉＣ基材及びガラス基材の表面を、ＳｉＣグリットを用いたブラスト処理によって表面粗さＲａ：２μｍに調整した。
【００４０】
シリカ質層を、シリカ、水ガラス、ガラスの組成とする場合の試験片を次のようにして作製した。ＳｉＣ基材を１０００℃で１時間の大気中に曝すことで表層の酸化処理を行い、表層に０．０２μｍ〜０．０５μｍ程度のシリカ（ＳｉＯ２）からなるシリカ質層を形成した。ＪＩＳＫ１４０８に示されている３号の珪酸ナトリウムに水を加えて粘度を調整し、ＳｉＣ基材にこれを塗布して２００℃で加熱硬化させ、表層に５０μｍ程度の厚さの水ガラスからなるシリカ質層を形成した。水ガラスをコーティングした後の表面粗さはＲａ：０．５μｍであった。ガラス基材については、表層の組成がＳｉＯ２−Ｎａ２Ｏ−ＣａＯであるため、シリカ質層の付与処理は実施しなかった。従って、以下の説明においてシリカ質層がシリカ及び水ガラスである基材はＳｉＣ基材であり、シリカ質層がガラスである基材はガラス材である。
【００４１】
粒度範囲：５μｍ〜７５μｍのセラミックス溶射粒子を用い、膜厚：２０μｍを目標として、大気圧プラズマ溶射法によってセラミックス溶射皮膜を基材上に形成し、セラミックス溶射皮膜被覆部材を作製した。密着性の評価は、セラミックス溶射皮膜の成膜中における剥離状態を目視で観察して行った。
【００４２】
実施例１〜３０として表２及び表３示す試験片を製作した。密着性の評価結果を各表に示す。表中、２００μｍの厚みのセラミックス溶射皮膜が形成される前に剥離した試験片を×印とし、２００μｍ以上の厚みのセラミックス溶射皮膜が得られた試験片を○印とした。
【００４３】
【表２】
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【００４４】
【表３】
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【００４５】
図３に、セラミックス溶射粒子の融点とシリカ質層の融点の差（縦軸）と、セラミックス溶射粒子の融点と複合酸化物の共晶温度の差（横軸）の関係を表すグラフ上で、実施例１〜３０における密着性の評価結果の○、×をプロットしたものを示す。シリカ質層よりも融点が４００℃以上高く、かつ複合酸化物との共晶温度よりも融点が４００℃以上高いセラミックス溶射粒子を用いた実施例で、優れた密着性を有することが認められる。
【００４６】
上記で開示した実施形態及び実施例は例示であり制限的なものではない。例えば、上記の実施形態ではセラミックス溶射皮膜を基材上に単層として形成したが、基材上に中間層として形成し、セラミックス溶射皮膜の上層にさらに別の皮膜を形成してもよい。本発明のセラミックス溶射皮膜被覆部材は自動車産業、半導体産業など、あらゆる用途で用いることができる。
【符号の説明】
【００４７】
１、１０  セラミックス溶射皮膜被覆部材
２、１１  基材
３、１１ａ  シリカ質層
４  セラミックス溶射皮膜
５  複合酸化物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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