(57)【要約】  【課題】    ＴＳＶ（Through Silicon Via  スルーシリコンビア）が形成されている薄いウエハや薄いチップへのチップ接合時において、破損による歩留まり低下のリスクを回避する。チップ・オン・ウエハ（ＣｏＷ：Chip on Wafer）の取扱いにおいて、反りを防止する。  【解決手段】  ＴＳＶを形成したウエハを薄化する前にチップを接合・封止し、その後、チップ・オン・ウエハの取扱いとして、ＴＳＶウエハの薄化、裏面（底面）処理、ダイシングによる小片化を行う。ＴＳＶが形成されている薄いウエハや薄いチップは取扱い（ハンドリング）が困難であるが、薄化前のウエハに対してチップ接合を行い支持体の固定によって機械的強度が向上した（剛性が増した）状態が維持されたままで薄化または小片化が行われるので、３次元積層デバイスの歩留まりの改善が可能となる。【選択図】  図３
2014107508.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スルーシリコンビア（ＴＳＶ）が上面または底面の何れか一方にまで到達して貫通（完成）していないシリコンウエハを準備するステップと、
ＴＳＶに対応して複数のチップを配置して、複数のはんだバンプの溶融を介することによって、複数のチップを固定するステップと、
各チップとシリコンウエハとの間の空間をアンダーフィル材料で封止するステップと、
固定され封止されている複数のチップを覆って、支持体を固定するステップと、
支持体が固定されたままで、ＴＳＶが現れて貫通（完成）するまで、貫通が到達していない面を削り取る（薄化する）ステップと、
複数のチップが配置されていない領域を通って、シリコンウエハをダイシングするステップと、を有する、
チップ・オン・ウエハを取り扱うプロセス中において生じるかもしれない、チップ・オン・ウエハの反り防止方法。
【請求項２】
スルーシリコンビア（ＴＳＶ）が上面または底面の何れにも到達して貫通（完成）しているシリコンウエハを準備するステップと、
シリコンウエハの上面において、ＴＳＶに対応して複数のチップを配置して、複数のはんだバンプの溶融を介することによって、複数のチップを固定するステップと、
各チップとシリコンウエハとの間の空間をアンダーフィル材料で封止するステップと、
固定され封止されている複数のチップを覆って、支持体を固定するステップと、
シリコンウエハの底面において、ＴＳＶに対応してはんだバンプを配置するステップと、
複数のはんだバンプ溶融によって、複数のはんだバンプを、シリコンウエハの底面に固定するステップと、
複数のチップと溶融して固定されたはんだバンプとが、配置されていない領域を通って、シリコンウエハをダイシングするステップと、を有する、
チップ・オン・ウエハを取り扱うプロセス中において生じるかもしれない、チップ・オン・ウエハの反り防止方法。
【請求項３】
シリコンウエハをダイシングするステップの前に、
さらに、
ダイシングテープを準備するステップと、
シリコンウエハの底面に固定されている複数のはんだバンプを、ダイシングテープ上に配置するステップと、を有する、
請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
複数のチップが配置されていない領域を通って、シリコンウエハをダイシングするステップが、
複数のチップが含まれる状態から、単一のチップだけ、または、複数のチップが含まれる状態へと、シリコンウエハを小片化することによって実行される、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
複数のチップと溶融して固定されたはんだバンプとが、配置されていない領域を通って、シリコンウエハをダイシングするステップが、
複数のチップが含まれる状態から、単一のチップだけ、または、複数のチップが含まれる状態へと、シリコンウエハを小片化することによって実行される、
請求項２に記載の方法。
【請求項６】
さらに、
有機基板を準備するステップと、
有機基板の上に、複数のはんだバンプを準備するステップと、
準備された複数のはんだバンプの上に、小片化されたシリコンウエハを配置して、複数のはんだバンプの溶融を介することによって、小片化されたシリコンウエハを固定するステップと、を有する、
請求項１に記載の方法。
【請求項７】
さらに、
有機基板を準備するステップと、
有機基板の上に、小片化されたシリコンウエハを配置して、複数のはんだバンプの溶融を介することによって、小片化されたシリコンウエハを固定するステップと、を有する、
請求項２に記載の方法。
【請求項８】
スルーシリコンビア（ＴＳＶ）が上面または底面の何れか一方にまで到達して貫通（完成）していないシリコンウエハを準備し、
ＴＳＶに対応して複数のチップを配置して、複数のはんだバンプの溶融を介することによって、複数のチップを固定し、
各チップとシリコンウエハとの間の空間をアンダーフィル材料で封止し、
固定され封止されている複数のチップを覆って、支持体を固定し、
支持体が固定されたままで、ＴＳＶが現れて貫通（完成）するまで、貫通が到達していない面を削り取り（薄化し）、
複数のチップが配置されていない領域を通って、シリコンウエハをダイシングし、
チップ・オン・ウエハを取り扱うプロセス中において生じるかもしれない、チップ・オン・ウエハの反りを防止するシステム。
【請求項９】
スルーシリコンビア（ＴＳＶ）が上面または底面の何れにも到達して貫通（完成）しているシリコンウエハを準備し、
シリコンウエハの上面において、ＴＳＶに対応して複数のチップを配置して、複数のはんだバンプの溶融を介することによって、複数のチップを固定し、
各チップとシリコンウエハとの間の空間をアンダーフィル材料で封止し、
固定され封止されている複数のチップを覆って、支持体を固定し、
シリコンウエハの底面において、ＴＳＶに対応してはんだバンプを配置し、
複数のはんだバンプ溶融によって、複数のはんだバンプを、シリコンウエハの底面に固定し、
複数のチップと溶融して固定されたはんだバンプとが、配置されていない領域を通って、シリコンウエハをダイシングし、
チップ・オン・ウエハを取り扱うプロセス中において生じるかもしれない、チップ・オン・ウエハの反りを防止するシステム。
【請求項１０】
シリコンウエハをダイシングする前に、
さらに、
ダイシングテープを準備し、
シリコンウエハの底面に固定されている複数のはんだバンプを、ダイシングテープ上に配置する、
請求項８または請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
スルーシリコンビア（ＴＳＶ）が上面または底面の何れか一方にまで到達して貫通（完成）していないチップ・オン・ウエハであって、ＴＳＶに対応して複数のチップが配置されて、複数のはんだバンプの溶融を介することによって、複数のチップが固定されており、各チップとウエハとの間の空間がアンダーフィル材料で封止されている、チップ・オン・ウエハについて、
固定され封止されている複数のチップを覆って、（剛性を増すための）支持体を固定するステップと、
支持体が固定されたままで、ＴＳＶが現れて貫通（完成）するまで、貫通が到達していない面を削り取る（薄化する）ステップと、
複数のチップが配置されていない領域を通って、チップ・オン・ウエハをダイシングするステップと、を有する、
チップ・オン・ウエハを取り扱うプロセス中において生じるかもしれない、チップ・オン・ウエハの反り防止方法。
【請求項１２】
スルーシリコンビア（ＴＳＶ）が上面または底面の何れにも到達して貫通（完成）しているチップ・オン・ウエハであって、ウエハの上面において、ＴＳＶに対応して複数のチップが配置されて、複数のはんだバンプの溶融を介することによって、複数のチップを固定されており、各チップとウエハとの間の空間がアンダーフィル材料で封止されている、チップ・オン・ウエハについて、
固定され封止されている複数のチップを覆って、（剛性を増すための）支持体を固定するステップと、
チップ・オン・ウエハの底面において、ＴＳＶに対応してはんだバンプを配置するステップと、
複数のはんだバンプ溶融によって、複数のはんだバンプを、チップ・オン・ウエハの底面に固定するステップと、
複数のチップと溶融して固定されたはんだバンプとが、配置されていない領域を通って、チップ・オン・ウエハをダイシングするステップと、を有する、
チップ・オン・ウエハを取り扱うプロセス中において生じるかもしれない、チップ・オン・ウエハの反り防止方法。
【請求項１３】
チップ・オン・ウエハをダイシングするステップの前に、
さらに、
ダイシングテープを準備するステップと、
チップ・オン・ウエハの底面に固定されている複数のはんだバンプを、ダイシングテープ上に配置するステップと、を有する、
請求項１１または請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
薄化前のスルーシリコンビア（ＴＳＶ）ウエハであって、ＴＳＶに対応して複数のはんだバンプを介して複数のチップが固定されていて、各チップとウエハとの間の空間をアンダーフィル材料で封止されている、薄化前のスルーシリコンビア（ＴＳＶ）ウエハについて、
固定され封止されている複数のチップを覆って、支持体を固定するステップと、
支持体が固定されたままで、ＴＳＶが現れて貫通するまで、貫通が到達していない面を薄化するステップと、
複数のチップが配置されていない領域を通って、薄化前のスルーシリコンビア（ＴＳＶ）ウエハをダイシングするステップと、を有する、
薄化前のスルーシリコンビア（ＴＳＶ）ウエハを取り扱うプロセス中において生じるかもしれない、薄化前のスルーシリコンビア（ＴＳＶ）ウエハの反り防止方法。
【請求項１５】
薄化後のスルーシリコンビア（ＴＳＶ）ウエハであって、薄化後のスルーシリコンビア（ＴＳＶ）ウエハの上面において、ＴＳＶに対応して、複数のはんだバンプを介して複数のチップを固定されており、各チップとウエハとの間の空間がアンダーフィル材料で封止されている、薄化後のスルーシリコンビア（ＴＳＶ）ウエハについて、
固定され封止されている複数のチップを覆って、支持体を固定するステップと、
薄化後のスルーシリコンビア（ＴＳＶ）ウエハの底面において、ＴＳＶに対応してはんだバンプを配置するステップと、
複数のはんだバンプ溶融によって、複数のはんだバンプを、薄化後のスルーシリコンビア（ＴＳＶ）ウエハの底面に固定するステップと、
複数のチップと溶融して固定されたはんだバンプとが、配置されていない領域を通って、薄化後のスルーシリコンビア（ＴＳＶ）ウエハをダイシングするステップと、を有する、
薄化後のスルーシリコンビア（ＴＳＶ）ウエハを取り扱うプロセス中において生じるかもしれない、薄化後のスルーシリコンビア（ＴＳＶ）ウエハの反り防止方法。
【請求項１６】
ウエハをダイシングするステップの前に、
さらに、
ダイシングテープを準備するステップと、
ウエハの底面に固定されている複数のはんだバンプを、ダイシングテープ上に配置するステップと、を有する、
請求項１４に記載の薄化前のスルーシリコンビア（ＴＳＶ）ウエハの反り防止方法、または、請求項１５に記載の薄化後のスルーシリコンビア（ＴＳＶ）ウエハの反り防止方法。
【請求項１７】
スルーシリコンビア（ＴＳＶ）が上面または底面の何れか一方にまで到達して貫通（完成）していない、チップ・オン・ウエハであって、
ＴＳＶに対応して複数のチップが配置されて、複数のはんだバンプの溶融を介することによって、複数のチップが固定されており、
各チップとウエハとの間の空間がアンダーフィル材料で封止されている、
チップ・オン・ウエハ。
【請求項１８】
薄化前のスルーシリコンビア（ＴＳＶ）ウエハであって、
ＴＳＶに対応して、複数のはんだバンプを介して複数のチップが固定されていて、
各チップとウエハとの間の空間がアンダーフィル材料で封止されている、
薄化前のスルーシリコンビア（ＴＳＶ）ウエハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体実装方法に関し、より具体的には、チップ・オン・ウエハ（ＣｏＷ：Chip on Wafer）の取扱いにおいて、反りを防止する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
３次元実装デバイスの作成方法においては、歩留まり良くかつ低コストなプロセスが必要である。
【０００３】
高性能化と低コスト化を両立するためには有機基板の採用とリフロー炉によるはんだ接合を適用することが望ましい。
【０００４】
ＴＳＶウエハとは、スルーシリコンビア（ＴＳＶ：ThroughSilicon Via）が形成されたウエハである。
【０００５】
ＴＳＶチップとは、スルーシリコンビア（ＴＳＶ：ThroughSilicon Via）が形成されたチップである。
【０００６】
図１は、スルーシリコンビア（ＴＳＶ）が上面または底面の何れか一方にまで到達して貫通（完成）していないシリコンウエハ、および、スルーシリコンビア（ＴＳＶ）が上面または底面の何れにも到達して貫通（完成）しているシリコンウエハ、とを説明する図である。
【０００７】
シリコンウエハは、典型的にはディスク状であることが知られており、薄化前の厚さは８００μｍ程度、貫通ビア形成後の厚さが５０−１００μｍ程度と非常に薄いものである。
【０００８】
従って、ダイシングによるウエハの小片化の前には、ウエハを取り扱うプロセス中において反りが生じやすく、かなり慎重に扱わない限りは、反りや割れが生じるかもしれないリスクにさらされる。
【０００９】
ＴＳＶは、上面（または、表面）と底面（または、裏面）との間の電気的な連絡路として機能する部分であって、上面または底面の何れにも到達して貫通（完成）するものである。
【００１０】
ただし、最表面近傍に再配線層が形成されることもある。また、このウエハはシリコンに限定されず、またビアの材質もCuに限定されるものでもない。
【００１１】
ＴＳＶウエハまたはＴＳＶチップにおけるＴＳＶは、そのＴＳＶ形成のプロセスにおいて、ＴＳＶのアスペクト比を大きくすることが困難である。
【００１２】
ＴＳＶのアスペクト比とは、β（深さ）／α（径）で表現される比である。
【００１３】
配線密度を高く設定する要求からはαを小さくすることが求められる一方で、βを深くすることにはビアの穴あけ、充填において技術的困難が伴う。
【００１４】
このような理由から、ＴＳＶのアスペクト比を大きくすることには困難が伴う。
【００１５】
また、径の大きなＴＳＶにしようとしても、ウエハの材料であるシリコンとの間での線膨張係数の差異に起因する内部ストレスによって、デバイス性能に影響を与える問題が発生してしまう。
【００１６】
従って結局のところは、ＴＳＶの径は細く、必然的にＴＳＶチップの厚みは薄くなっていく傾向にある。
【００１７】
この薄いＴＳＶチップは、シリコンのデバイス層や配線層、あるいは表層の電極構造などの表裏における構造の非対称性に起因して、少なからず、反りが発生する。
【００１８】
特に、そのＴＳＶチップの反りがリフロー炉によるチップ接合時に接合不良を発生させることが問題となっている。
【００１９】
図２は、３次元積層デバイスの製造において、ＴＳＶチップの反りがリフロー炉によるチップ接合時に接合不良を発生させる問題を説明する模式図である。
【００２０】
図２の（ａ）のような順序では、小片化された薄い（単一の）ＴＳＶチップが、続く有機基板との間の接合のためのリフロー工程における熱膨張に耐えられない。
【００２１】
また、薄いＴＳＶチップが有機基板との熱膨張率（ＣＴＥ：Coefficient of Thermal Expansion）差によって大きく反るため、その上にトップチップをリフローによって搭載することが困難となる。
【００２２】
図２の（ｂ）のような順序では、ＴＳＶチップ下部のはんだを、トップチップとの接合後に形成する必要があるため、チップ毎にＴＳＶチップ下部のはんだ形成プロセスを行う必要があり、プロセスコストの観点から現実的でない。
【００２３】
図２の（ａ）および（ｂ）の何れの順序に従っても、リフロー接合において、チップ接合時に接合不良（接合ずれ、を含む）やチップ破損を発生させる問題を克服することは難しく、困難を伴う。
【００２４】
特許文献１〜９において、反り防止や、接着層による平坦化についての部分的な開示が見られる。特許文献１０は、参考事例にすぎない。
【００２５】
しかし、特に「スルーシリコンビア（ＴＳＶ）が、底面にまで貫通していない状態のシリコンウエハを準備する点。支持体が固定された状態のままで、ＴＳＶが底面まで貫通するように、底面を削るとる点。」については開示が見られない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２６】
【特許文献１】特表２０１２−５００４８２（国際公開ＷＯ２０１０／０２０４３７の国内公表）
【特許文献２】特表２０１２−５００５０４（国際公開ＷＯ２０１０／０２２１６３の国内公表）
【特許文献３】特開２０１０−２２５７０１
【特許文献４】特開２０１１−７１４４１
【特許文献５】特開２０１２−９６３５
【特許文献６】特開２０１１−２２８４８４
【特許文献７】特開２０１１−６１２０５
【特許文献８】特開２００３−２６４２３９
【特許文献９】特表２００９−５００８４７（国際公開ＷＯ２００７／００８３０８の国内公表）
【特許文献１０】特開２０１１−１４６５２７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２７】
ＴＳＶが形成されている薄いウエハや薄いチップへのチップ接合時において、破損による歩留まり低下のリスクを回避すること。
【００２８】
チップ・オン・ウエハの取扱いにおいて、反りを防止すること。
【課題を解決するための手段】
【００２９】
ＴＳＶを形成したウエハを薄化する前にチップを接合・封止し、その後、チップ・オン・ウエハの取扱いとして、ＴＳＶウエハの薄化、裏面（底面）処理、ダイシングによる小片化を行う。
【発明の効果】
【００３０】
ＴＳＶが形成されている薄いウエハや薄いチップは取扱い（ハンドリング）が困難であるが、薄化前のTSV形成済みウエハにチップを搭載し、さらにそのチップ搭載済みウエハに対し、支持体の固定によって機械的強度が向上した（剛性が増した）状態が維持されたままで薄化または小片化が行われるので、３次元積層デバイスの歩留まりの改善が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】図１は、スルーシリコンビア（ＴＳＶ）が上面または底面の何れか一方にまで到達して貫通（完成）していないシリコンウエハ、および、スルーシリコンビア（ＴＳＶ）が上面または底面の何れにも到達して貫通（完成）しているシリコンウエハ、とを説明する図である。
【図２】図２は、３次元積層デバイスの製造において、ＴＳＶチップの反りがリフロー炉によるチップ接合時に接合不良を発生させる問題を説明する模式図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施例のプロセスを示す図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施例の応用プロセスを示す図である。
【図５】図５は、本発明の第２の実施例のプロセスを示す図である。
【図６】図６は、本発明の第２の実施例の応用プロセスを示す図である。
【図７】図７は、本発明の第３の実施例のプロセスを示す図である。
【図８】図８は、本発明の第３の実施例の応用プロセスを示す図である。
【図９】図９は、本発明であるところの、複数のチップが含まれる状態から、単一のチップだけが含まれる状態へと、ウエハを小片化することを示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
図３は、本発明の第１の実施例のプロセスを示す図である。
【００３３】
（Ａ１）において、
スルーシリコンビア（ＴＳＶ）が上面または底面の何れか一方にまで到達して貫通（完成）していないシリコンウエハを準備する。
【００３４】
「ＴＳＶウエハ（薄化前）」または「薄化前ウエハ」等と呼ぶことができる状態に相当している。
【００３５】
また、ＴＳＶに対応して（既に検査済みで完成している）複数のチップを配置して、複数のはんだバンプの溶融を介することによって、複数のチップを固定する。
【００３６】
このチップ接合の方式は、チップをフラックスで仮固定し、リフロー炉にて一括接合することを想定するが、これに限定されるものではなく、多段積層も可能である。
【００３７】
複数のチップは、既に検査済みで完成しているものを利用することができる。
【００３８】
さらに、各チップとシリコンウエハとの間の空間をアンダーフィル材料で封止する。
【００３９】
封止によって、機械的な外力等に耐えるようにすることができる。
【００４０】
リフロー炉における一括接合を想定しているが、これに限定されることなく、先塗布式アンダーフィル材料を用いた接合や、常温接合にも応用できる。
【００４１】
このようにウエハの上にチップが搭載されている状態は、「チップ・オン・ウエハ（ＣｏＷ：Chip on Wafer）」と呼ぶことができる。
【００４２】
（Ａ２）において、
固定され封止されている複数のチップを覆って、（剛性を増すための）支持体を固定する。
【００４３】
複数のチップの高さ（厚み）は、１００〜８００μｍ程度のものが実用化されるに至っている。
【００４４】
支持体を固定するためには、支持体仮固定層を設けることができる。典型的には、接着剤を用いることができる。
【００４５】
この（Ａ２）の段階における中間生産物であるウエハは、ＴＳＶが未貫通（未完成）であるままであるという特徴をもって、新規な構造上の特徴がある。
【００４６】
（Ａ２）→（Ａ３）において、薄化を行う。
【００４７】
すなわち、支持体が固定されたままで、ＴＳＶが現れて貫通（完成）するまで、貫通が到達していない面を削り取る（薄化する）。
【００４８】
削り取る（薄化する）にあたっては、機械的ストレスが加わるため、それをすることができる。
【００４９】
機械的な削り取り以外にも、化学的な方法が採り得るであろう。
【００５０】
薄化した側のウエハ面には、絶縁膜や再配線層、あるいは電極などを必要に応じて形成する。
【００５１】
電極の形成方法は特に限定されないが、めっき法、ボール搭載法などが想定される。
【００５２】
（Ａ４）において、
貫通（完成）して現れたＴＳＶの箇所に、はんだバンプを配置しておいてもよい。
【００５３】
このバンプの形成方法は特に限定されないが、めっき法、C4NPなどが想定される。
【００５４】
（Ａ５）において、
複数のチップが配置されていない領域を通って、シリコンウエハをダイシングする。
【００５５】
このダイシングが完了するまで、支持体を固定したままであってもよい。
【００５６】
ダイシングにおいては機械的ストレスが加わるため、それをすることができる。
【００５７】
複数のチップが含まれる状態から、単一のチップだけが含まれる状態へと、シリコンウエハを小片化することによって実行してもよい。
【００５８】
（Ａ６）において、
有機基板を準備し、
有機基板の上に、複数のはんだバンプを準備し、
準備された複数のはんだバンプの上に、小片化されたシリコンウエハを配置して、複数のはんだバンプの溶融を介することによって、小片化されたシリコンウエハを固定すればよい。
【００５９】
ただし、（Ａ４）において、貫通（完成）して現れたＴＳＶの箇所に、はんだバンプを配置しておいた場合には、
有機基板を準備し、
有機基板の上に、小片化されたシリコンウエハを配置して、複数のはんだバンプの溶融を介することによって、小片化されたシリコンウエハを固定すればよい。
【００６０】
図４は、本発明の第１の実施例の応用プロセスを示す図である。
【００６１】
（Ａ１）〜（Ａ６）と、（Ｂ１）〜（Ｂ６）とが、異なる部分のみを説明する。
【００６２】
（Ｂ２）において、モールド工法による平坦化仮固定層を先に形成し、その後に支持体を固定する支持体仮固定層を設けている。
【００６３】
このようにすることによって、モールド工法を採り入れることによって、支持体を固定するにあたっての平坦な面の形成が、さらに容易となる。
【００６４】
また、平坦化仮固定固定層には剛性の高いものを採用し、支持体仮固定層には支持体との接着力が期待できるもの（支持体取り付け面との固着等の馴染みがよいもの）を採用することができる。
【００６５】
平坦化仮固定層の凹凸を、接着層である支持体仮固定層によって平坦化することができる。
【００６６】
また、支持体の補強が不要となった後の支持体の取り外しが容易になるように、平坦化仮固定層および支持体仮固定層の特性を選択することができる。
【００６７】
光、または熱などにより効果可能な樹脂をモールドに用いることができる。
【００６８】
支持体仮固定層は、スピンコートなどの技術を利用して形成することができる。
【００６９】
図５は、本発明の第２の実施例のプロセスを示す図である。
【００７０】
（Ｃ１）において、
スルーシリコンビア（ＴＳＶ）が上面または底面の何れにも到達して貫通（完成）しているシリコンウエハを準備する。
【００７１】
すなわち、「薄化済み」または「薄化後」等と呼ぶことができる状態に相当している。
【００７２】
シリコンウエハの上面において、ＴＳＶに対応して（既に検査済みで完成している）複数のチップを配置して、複数のはんだバンプの溶融を介することによって、複数のチップを固定する。
【００７３】
既に検査済みで完成しているものを利用することができる。
【００７４】
各チップとシリコンウエハとの間の空間をアンダーフィル材料で封止する。
【００７５】
（Ｃ２）において、
固定され封止されている複数のチップを覆って、（剛性を増すための）支持体を固定する。
【００７６】
（Ｃ３）において、
シリコンウエハの底面において、ＴＳＶに対応してはんだバンプを配置する。
【００７７】
複数のはんだバンプ溶融によって、複数のはんだバンプを、シリコンウエハの底面に固定する。
【００７８】
この（Ｃ３）の段階における中間生産物であるウエハは、複数のチップを覆って支持体が固定されていて、かつ、固定複数のはんだバンプがシリコンウエハの底面に固定されているという特徴をもって、新規な構造上の特徴がある。
【００７９】
（Ｃ４）において、
複数のチップと溶融して固定されたはんだバンプとが、配置されていない領域を通って、シリコンウエハをダイシングする。
【００８０】
このダイシングが完了するまで、支持体を固定したままにしておくことで、ダイシングにおける機械的ストレスに耐える状態を維持することができる。
【００８１】
複数のチップが含まれる状態から、単一のチップだけが含まれる状態へと、シリコンウエハを小片化することによって実行してもよい。
【００８２】
（Ｃ５）において、
有機基板を準備し、
有機基板の上に、複数のはんだバンプを準備し、
準備された複数のはんだバンプの上に、小片化されたシリコンウエハを配置して、複数のはんだバンプの溶融を介することによって、小片化されたシリコンウエハを固定すればよい。
【００８３】
ただし、（Ｃ５）において、貫通（完成）して現れたＴＳＶの箇所に、はんだバンプを配置しておいた場合には、
有機基板を準備し、
有機基板の上に、小片化されたシリコンウエハを配置して、複数のはんだバンプの溶融を介することによって、小片化されたシリコンウエハを固定すればよい。
【００８４】
図６は、本発明の第２の実施例の応用プロセスを示す図である。
【００８５】
ＴＳＶウエハが（Ｄ２）で（既に）薄化済み、または、薄化後である点を除けば、図４で説明した本発明の第１の実施例の応用プロセスと同様である。
【００８６】
図７は、本発明の第３の実施例のプロセスを示す図である。
【００８７】
（Ｅ４）において、
ウエハをダイシングする前に、
ダイシングテープを準備して、
ウエハの底面に固定されている複数のはんだバンプを、ダイシングテープ上に配置している。
【００８８】
ダイシングテープそれ自体に、補強的な役割を果たすものを用いることもできる。
【００８９】
ダイシングテープによって、はんだバンプの径のばらつきによる高さのばらつきを吸収することもできる。
【００９０】
（Ｅ４）では、支持体がない状態になっているが、支持体をとる前の状態にダイシングテープを貼ったままにして、（ダイシングテープとしての本来的な機能を生かしたまま）ダイシングする方が好ましい。
【００９１】
（Ｅ５）では、ダイシングテープの取り外しをする。あらかじめ離型剤等を塗布しておくと効果的かもしれない。
【００９２】
ダイシングテープを取り外すのではなく、ダイシングテープの側を残して、本体側を取り外してもよい。
【００９３】
図８は、本発明の第３の実施例の応用プロセスを示す図である。
【００９４】
図３についての図４での応用、図６についての図７での応用、と同じ流れであるので、説明を省略する。
【００９５】
このように、本発明の第３の実施例は、本発明の第１の実施例および本発明の第２の実施例の両方に対して、オプションとして適用することが可能である。
【００９６】
図９は、本発明であるところの、複数のチップが含まれる状態から、単一のチップだけが含まれる状態へと、ウエハを小片化することを示す模式図である。
【００９７】
「単一のチップ」という表現であるが、小片化されたものに「複数のチップ」が含まれる状態であってもよい。
【００９８】
小片化されたウエハの両面には要素部品が固定された実装状態にあるので、そのこと自体で剛性が増した状態の３次元実装デバイスとなっている。
【００９９】
本発明は、方法としての処理の順序に主たる特徴を有しているが、方法における各ステップをロボット等によって自動的に実行するシステムとして実現することもできる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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