(57)【要約】【課題】より低コストで、かつより短時間で製造することが可能な化合物を提供する。【解決手段】少なくとも１つのシクロヘキサン−１，４−ジイル基を有する化合物において、当該シクロヘキサン−１，４−ジイル基の少なくとも１つがシス体である異性体に対する、当該シクロヘキサン−１，４−ジイル基がすべてトランス体である異性体の比の値Ｑが４９≦Ｑ≦１９９９９である。このような化合物は、液晶組成物や表示素子に用いることができる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのシクロヘキサン−１，４−ジイル基を有する化合物において、当該シクロヘキサン−１，４−ジイル基の少なくとも１つがシス体である異性体に対する、当該シクロヘキサン−１，４−ジイル基がすべてトランス体である異性体の比の値Ｑが４９≦Ｑ≦１９９９９である化合物。
【請求項２】
一般式（１）
【化１】
2014162752.tif 000047
（前記一般式（１）中、Ａ１及びＡ２はそれぞれ独立に
（ａ）  シクロヘキサン−１，４−ジイル基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ）  １，４−フェニレン基
（ｃ）  １，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ（２．２．２）オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基及び１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）又は基（ｃ）中の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
Ｚ１及びＺ２はそれぞれ独立に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｎ及びｍはそれぞれ独立に０〜３のいずれかの整数を表すが、０≦（ｎ＋ｍ）≦４であり、ｍが２又は３を表す場合に複数存在するＡ１は同一であっても異なっていてもよく、ｍが２又は３を表す場合に複数存在するＺ１は同一であっても異なっていてもよく、ｎが２又は３を表す場合に複数存在するＡ２は同一であっても異なっていてもよく、ｎが２又は３を表す場合に複数存在するＺ２は同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立してフッ素原子、塩素原子、シアノ基、炭素原子数１〜８のアルキル基を表すが、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ２基は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の水素原子は任意にハロゲン原子で置換されていてもよく、
Ｂはシクロヘキサン−１，４−ジイル基を表す。）
で表される化合物である請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
前記一般式（１）で表される化合物が、下記一般式（Ｌ−１）から（Ｌ−７）
【化２】
2014162752.tif 000048
（前記一般式（Ｌ−１）から（Ｌ−７）中、Ｚ２は単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立してフッ素原子、塩素原子、シアノ基、炭素原子数１〜８のアルキル基を表すが、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ２基は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の水素原子は任意にハロゲン原子で置換されていてもよく、
Ｘ１〜Ｘ９はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表す。）
のいずれかで表される化合物である請求項２に記載の化合物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の化合物を含む液晶組成物。
【請求項５】
下記一般式（ＩＩ−１）から（ＩＩ−３）
【化３】
2014162752.tif 000049
（前記一般式（ＩＩ−１）から（ＩＩ−３）中、Ｒ１１及びＲ１２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数１〜８のアルケニル基を表す。）で表される化合物の少なくとも１つを含む請求項４に記載の液晶組成物。
【請求項６】
下記一般式（Ｖ−１）又は（Ｖ−２）
【化４】
2014162752.tif 000050
（前記一般式（Ｖ−１）から（Ｖ−２）中、Ｒ５３はエチル基又はｎ−プロピル基を表し、Ｒ５４はメチル基又はエチル基を表す。）で表される化合物の少なくとも１つを含む請求項５に記載の液晶組成物。
【請求項７】
下記一般式（ＩＩＩ−１）又は（ＩＩＩ−２）
【化５】
2014162752.tif 000051
（前記一般式（ＩＩＩ−１）から（ＩＩＩ−２）中、Ｒ３３はエチル基、ｎ−プロピル基又はｎ−ペンチル基を表す。）で表される化合物の少なくとも１つを含む請求項５に記載の液晶組成物。
【請求項８】
請求項４〜７のいずれか１項に記載の液晶組成物を含む表示素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも１つのシクロヘキサン−１，４−ジイル基を有する化合物、該化合物を含む液晶組成物、及び該液晶組成物を含む表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示素子（ＬＣＤ）は、液晶テレビ、携帯電話、コンピューター、時計、電卓、広告表示板、プリンター、各種測定機器、自動車用パネル、電子手帳など、民生用途から産業用途まで広く使用されている。
液晶表示素子の表示方式としては、ＴＮ（ツイステッド・ネマチック）型、ＳＴＮ（スーパー・ツイステッド・ネマチック）型、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用いた垂直配向（ＶＡ）型、ＩＰＳ（インプレーンスイッチング）型等がある。
液晶表示素子に使用される液晶組成物としては、誘電率異方性（Δε）が正の液晶組成物や、Δεが負の液晶組成物がある。ＴＮ型やＳＴＮ型等の水平配向型ディスプレイではΔεが正の液晶組成物が、垂直配向型ではΔεが負の液晶組成物が用いられる。ＩＰＳ型では、Δεが正又は負の液晶組成物が使用される。液晶組成物は個々の表示素子にとって誘電率異方性（Δε）、屈折率異方性（Δｎ）等を最適な値とするために、数種類から数十種類の化合物から構成されている。
一般に液晶組成物に用いられる化合物として、構造的に中心骨格（コア）と両側の側方基（２つの側鎖、又は１つの側鎖と１つの極性基）から形成されたものが多く知られている。
【０００３】
液晶化合物のコア部分を構成する環構造としては、無置換又は置換された１，４−フェニレン基や、シクロヘキサン−１，４−ジイル基が代表的であり、縮合環系（広義ではビシクロ環やスピロ環等も包含する。）や複素環系と比べると、製造コストや安定性等の観点から優れており、広く使用されている。調製すべき液晶組成物のΔｎに応じて、小さいΔｎが要求される場合にはシクロヘキサン−１，４−ジイル基、大きいΔｎが要求される場合には１，４−フェニレン基が選択されることがある。
【０００４】
例えば、ＴＮ型やＳＴＮ型等の表示素子においては、液晶の屈折率異方性（Δｎ）と液晶層の厚さ（ｄ）との積であるリターデーション（Ｒ＝Δｎ・ｄ）が好適な値に設定される。反射型又は半透過型の表示素子では、光が背面の反射板で反射して液晶層を２回通過し、透過型の表示素子と比較して実質の光路長が２倍になるため、リターデーションを同じにするためには、液晶のΔｎを半分程度に小さくする必要がある。ビシクロヘキサン誘導体のように、シクロヘキサン環を有する化合物は、Δｎの小さい液晶組成物を得やすく有用である。（特許文献１）
【０００５】
一方、消費電力を抑え駆動電圧を下げるため、Δεの大きい材料を組み合わせると応答性に影響を及ぼし、この影響を避けるためには表示素子のセル厚を薄くする必要がある。セル厚を薄くしたときにリターデーションを一定にするためにはΔｎの大きい材料を組み合わせる必要が生じる。Δｎの傾向は、ビシクロヘキサン骨格＜フェニルシクロヘキサン骨格＜ビフェニル骨格の順であり、中間のΔｎを有するフェニルシクロヘキサン骨格が選択されることもある。（特許文献２）
また、２つのシクロヘキサン環をエテン−１，２−ジイル基で連結した構造を有する１，２−ビス（シクロヘキシル）エチレン誘導体は、急峻な電気−光学特性の実現、応答速度の向上等を目的として粘性の低い組成物を得るために有用である。
【０００６】
液晶組成物に用いられる化合物は、一般に、複数の環と側方基を有する複雑な化学構造を有するとともに、目的の動作を良好な再現性で実現するために、化合物を十分に精製し、適切な組成で配合することが望まれる。
【０００７】
シクロヘキサン−１，４−ジイル基は、分子内のシクロヘキサン−１，４−ジイル基がシス−シクロヘキサン−１，４−ジイル基（以下、「シス体」という。）及びトランス−シクロヘキサン−１，４−ジイル基（以下、「トランス体」という。）の立体異性体が存在し得る。シクロヘキサン−１，４−ジイル基を分子内に少なくとも１つ有する化合物を製造すると、一般には、当該シクロヘキサン−１，４−ジイル基の少なくとも一つがシス体である化合物と当該シクロヘキサン−１，４−ジイル基のすべてがトランス体である化合物との混合物（異性体の混合物）として得られる。しかしシス体を分子内に有する化合物を液晶組成物に添加すると液晶組成物の液晶性を悪化させることから、液晶組成物の成分として使用する化合物としては、シス体の割合が０％（例えば現在用い得る最良の分析手段を用いてもシス体を分子内に有する化合物の存在が実質的に検出し得ない意味での０％）であることが好ましく、通常はシス体を分子内に有する化合物の含有量が数ｐｐｍ程度になるまで精製を重ねて使用している。
上述のようなシス体を分子内に有する化合物の含有量が数ｐｐｍ程度とするにあたっては、構造異性体の混合物から、再結晶などの精製操作を繰り返すことを専ら行うが、これによりシクロヘキサン−１，４−ジイル基を分子内に少なくとも１つ有する化合物の歩留まり悪化、併せて生産コストの押し上げを招いていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開昭５７−１６５３２８号公報
【特許文献２】特開昭５６−６８６３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明が解決しようとする課題は、より低コストで、かつより短時間で製造することが可能な化合物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は、上述した状況に鑑み、鋭意検討した結果、少なくとも１つのシクロヘキサン−１，４−ジイル基を有する化合物中のシクロヘキサン−１，４−ジイル基の少なくとも１つがシス体である異性体に対する、当該シクロヘキサン−１，４−ジイル基がすべてトランス体である異性体の割合が一定の範囲内であれば、トランス体の良好な液晶性を充分に享受することができ、併せて必要以上の精製操作を省くことによる生産歩留まり向上と生産コストの抑制が可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、少なくとも１つのシクロヘキサン−１，４−ジイル基を有する化合物において、当該シクロヘキサン−１，４−ジイル基の少なくとも１つがシス体である異性体に対する、当該シクロヘキサン−１，４−ジイル基がすべてトランス体である異性体の比の値Ｑが４９≦Ｑ≦１９９９９である化合物を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の化合物は、より低コストかつより短時間で製造可能であり、しかも高純度な化合物と比べても遜色ない性能を有するので、非常に有用である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明は、シクロヘキサン−１，４−ジイル基を有する化合物において、トランス体の割合が一定以上であること、すなわち、当該シクロヘキサン−１，４−ジイル基がシス体である異性体に対する、当該シクロヘキサン−１，４−ジイル基がトランス体である異性体の比の値（Ｑ＝トランス／シス）が所定の下限値以上であることを規定した。これにより、良好な液晶性を充分に享受することができる。
併せて前記Ｑが所定の上限値以下であることを規定することにより、必要以上の精製操作を省くことができ、これにより、生産歩留まり向上と生産コストの抑制が可能になる。
【００１３】
当該化合物は、１つのシクロヘキサン−１，４−ジイル基を有してもよく、２つのシクロヘキサン−１，４−ジイル基を有してもよく、３つ以上のシクロヘキサン−１，４−ジイル基を有してもよい。２つ以上のシクロヘキサン−１，４−ジイル基を有する化合物においては、シクロヘキサン−１，４−ジイル基がすべてトランス体である異性体の液晶性が最も良好であることから、前記Ｑは、当該シクロヘキサン−１，４−ジイル基の少なくとも１つがシス体である異性体に対する、シクロヘキサン−１，４−ジイル基がすべてトランス体である異性体の比の値とする。例えば、２つのシクロヘキサン−１，４−ジイル基を有する化合物の場合、「トランス，トランス体」、「トランス，シス体」、「シス，トランス体」、「シス，シス体」という４つの異性体が存在できる。前記Ｑ値は、「トランス，トランス体」の量を「トランス，シス体」と「シス，トランス体」と「シス，シス体」との合計量で除算することにより求められる。このとき、シクロヘキサン−１，４−ジイル基の少なくとも１つがシス体である異性体として、「トランス，シス体」と「シス，トランス体」と「シス，シス体」の３種の異性体がすべて揃って共存する必要はなく、少なくともいずれか１種が存在すればよい。
【００１４】
すなわち、本発明の化合物は、少なくとも１つのシクロヘキサン−１，４−ジイル基を有する化合物において、当該シクロヘキサン−１，４−ジイル基の少なくとも１つがシス体である異性体に対する、当該シクロヘキサン−１，４−ジイル基がすべてトランス体である異性体の比の値Ｑが所定の下限値と上限値の間である。
前記Ｑの値は、４９≦Ｑ≦１９９９９であればよい。液晶性の観点からは、Ｑはより大きい方が望ましいが、Ｑを大きくするためには再結晶等を重ねる必要があり、生産歩留まり及び生産コストの点からは望ましくない。逆に生産歩留まり及び生産コストの観点からは、Ｑはより小さい方が望ましいが、Ｑを小さくすると液晶組成物の特性に影響が生じてしまう。そこで、Ｑの上限値は、１９９９９以下が好ましく、９９９９以下がより好ましく、９９９９以下が更に好ましく、４９９９以下が特に好ましく、Ｑの下限値は、４９以上が好ましく、９９以上がより好ましく、１９９以上がより好ましく、２９９以上がより好ましく、３９９以上がより好ましく、４９９以上が更に好ましい。
さらに、液晶性と生産歩留まり及び生産コストとのバランスという観点から、４９≦Ｑ≦１９９９９が好ましく、９９≦Ｑ≦９９９９がより好ましく、１９９≦Ｑ≦９９９９が更に好ましく、１９９≦Ｑ≦４９９９が特に好ましい。
前記Ｑの値は、異性体比として、公知の分析手段を用いて測定・算出することができ、例えばガスクロマトグラフィーなどにより各立体異性体の存在率を測定し、Ｑを算出することが可能である。
【００１５】
本発明の化合物は、下記一般式（１）で表される化合物であることが好ましい。
なお、以下で液晶組成物における各構成成分の組成比を示しているが、これらは単位質量あたりの液晶組成物中の構成成分の質量により表記し、「質量％」として表記している。
【００１６】
【化１】
2014162752.tif 000002
【００１７】
前記一般式（１）中、Ａ１及びＡ２はそれぞれ独立に
（ａ）  シクロヘキサン−１，４−ジイル基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ）  １，４−フェニレン基
（ｃ）  １，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ（２．２．２）オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基及び１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）又は基（ｃ）中の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子又は塩素原子で置換されていても良い。
前記一般式（１）中、Ｚ１及びＺ２はそれぞれ独立に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表すことが好ましい。
前記一般式（１）中、ｎ及びｍはそれぞれ独立に０〜３のいずれかの整数を表すが、０≦（ｎ＋ｍ）≦４である。ｍが２又は３を表す場合に複数存在するＡ１は同一であっても異なっていてもよく、ｍが２又は３を表す場合に複数存在するＺ１は同一であっても異なっていてもよい。ｎが２又は３を表す場合に複数存在するＡ２は同一であっても異なっていてもよく、ｎが２又は３を表す場合に複数存在するＺ２は同一であっても異なっていてもよい。
前記一般式（１）中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立してフッ素原子、塩素原子、シアノ基、炭素原子数１〜８のアルキル基を表すが、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ２基は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の水素原子は任意にハロゲン原子で置換されていてもよい。
前記一般式（１）中、Ｂはシクロヘキサン−１，４−ジイル基を表す。
【００１８】
前記一般式（１）で表される化合物としては、例えば、下記一般式（Ｌ−１）から（Ｌ−７）のいずれかで表される化合物が挙げられる。
【００１９】
【化２】
2014162752.tif 000003
【００２０】
前記一般式（Ｌ−１）から（Ｌ−７）中、Ｚ２は単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表すことが好ましい。
前記一般式（Ｌ−１）から（Ｌ−７）中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立してフッ素原子、塩素原子、シアノ基、炭素原子数１〜８のアルキル基を表すが、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ２基は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の水素原子は任意にハロゲン原子で置換されていてもよい。Ｒ１及びＲ２のうち少なくとも一方は、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニル基を表すことが好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を表すことが好ましく、直鎖状であることが更に好ましい。結合する環構造がシクロヘキシル基である時は、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を表すことが好ましく、結合する環構造がフェニル基である時は、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基又は炭素原子数４〜５のアルケニル基を表すことが好ましい。
前記一般式（Ｌ−１）から（Ｌ−７）中、Ｘ１〜Ｘ９はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表すことが好ましく、水素原子又はフッ素原子であることが好ましい。
【００２１】
本発明の化合物は、少なくとも１つのシクロヘキサン−１，４−ジイル基を有すると共に、少なくとも１つのエテン−１，２−ジイル基を有してもよい。
エテン−１，２−ジイル基（−ＣＨ＝ＣＨ−）を有する化合物には、（Ｅ）−エテン−１，２−ジイル基（以下、「Ｅ体」という。）及び（Ｚ）−エテン−１，２−ジイル基（以下、「Ｚ体」という。）の立体異性体が存在し得る。そのうち、Ｅ体の液晶性が良好であることから、当該エテン−１，２−ジイル基に占めるＥ体の割合が１００％（例えば、現在用い得る最良の分析手段を用いてもＥ体の異性体であるＺ体の存在が実質的に検出し得ない意味での１００％）であっても、もちろん構わない。
しかしながら、エテン−１，２−ジイル基（−ＣＨ＝ＣＨ−）を有する化合物を合成するとき、一般には、Ｚ体とＥ体との混合物として得られるのが通常である。
上述のような１００％のＥ体を得るにあたっては、エテン−１，２−ジイル基に関して、Ｅ体とＺ体の混合物として得られる化合物から、再結晶などの精製操作を繰り返すことを専ら行うが、これによりＥ体の歩留まり悪化、併せて生産コストの押し上げを招いていた。
【００２２】
こうした状況に鑑み、鋭意検討した結果、エテン−１，２−ジイル基に占めるＥ体の割合が一定以上であれば、Ｅ体の良好な液晶性を充分に享受することができ、併せて必要以上の精製操作を省くことによる生産歩留まり向上と生産コストの抑制が可能である。
すなわち、本発明の化合物が、Ｅ体とＺ体の区別を有するエテン−１，２−ジイル基を少なくとも１つ有する場合は、当該Ｅ体とＺ体の区別を有するエテン−１，２−ジイル基がすべてＥ体である異性体に対する、当該Ｅ体とＺ体の区別を有するエテン−１，２−ジイル基の少なくとも１つがＺ体である異性体の比の値（Ｚ／Ｅ）が５．００×１０−５≦（Ｚ／Ｅ）≦５．００×１０−２であることが好ましい。
さらに、液晶性と生産歩留まり及び生産コストとのバランスという観点から、５．００×１０−５≦（Ｚ／Ｅ）≦５．００×１０−２が好ましく、５．００×１０−５≦（Ｚ／Ｅ）≦３．００×１０−２がより好ましく、１．００×１０−４≦（Ｚ／Ｅ）≦２．００×１０−２が更に好ましく、１．００×１０−４≦（Ｚ／Ｅ）≦１．００×１０−２が更に好ましく、５．００×１０−４≦（Ｚ／Ｅ）≦１．００×１０−２が特に好ましい。
【００２３】
ここで、「Ｅ体とＺ体の区別を有するエテン−１，２−ジイル基」と特定したのは、エテン−１，２−ジイル基がＥ体とＺ体の区別を有しない場合も考えられるためである。例えば、末端側鎖が無置換ビニル基「Ｈ２Ｃ＝ＣＨ−」やω−アルケニル基「Ｈ２Ｃ＝ＣＨ（ＣＨ２）ｘ−」（ただし、ｘは１以上の整数）などであるように、エテン−１，２−ジイル基の炭素−炭素二重結合が化合物の末端に存在する場合には、Ｅ体とＺ体の区別がない。また、２−シクロヘキセン−１，４−ジイル基のように、エテン−１，２−ジイル基が環の一部に含まれてＺ体に固定され、Ｅ体が環の歪みのために存在し得ない場合もあり得る。他の例として、例えば４−フェニレン基のような芳香族基は、ケクレ構造を考慮すれば、エテン−１，２−ジイル基を有すると理解することも可能であるが、そのエテン−１，２−ジイル基には、やはりＥ体とＺ体の区別がない。
このように、エテン−１，２−ジイル基を有する化合物であっても、すべてのエテン−１，２−ジイル基がＥ体とＺ体の区別を有しないのであれば、反応生成物がＺ体とＥ体との混合物にならないため、前記Ｚ／Ｅの値を定義する必要はない。
しかし、Ｅ体とＺ体の区別を有しないエテン−１，２−ジイル基と、Ｅ体とＺ体の区別を有するエテン−１，２−ジイル基との両方を、それぞれ少なくとも１つ以上有する化合物に対しては、Ｅ体とＺ体の区別を有するエテン−１，２−ジイル基に関して、前記Ｚ／Ｅの値を定義することができ、その値を所定の範囲内とすることが好ましい。
【００２４】
エテン−１，２−ジイル基は、環構造と環構造の連結基（例えば、前記一般式（１）におけるＺ１及び／又はＺ２の１つ又は２つ以上）として存在しても良いが、末端側鎖（例えば前記一般式（１）におけるＲ１及び／又はＲ２）に存在する場合、本発明の効果をより享受できる。特にそのようなエテン−１，２−ジイル基を含む末端側鎖として、Ｅ体とＺ体の区別を有するアルケニル基としては、１−プロペン−１−イル基、３−ペンテン−１−イル基、１−ペンテン−１−イル基、１−ブテン−１−イル基などを、また、Ｅ体とＺ体の区別を有しないアルケニル基としては、３−ブテン−１−イル基、ビニル基などを挙げることができる。
【００２５】
前記一般式（１）のＲ１又はＲ２の少なくとも１つが式（２）
【００２６】
【化３】
2014162752.tif 000004
【００２７】
で表されるエテン−１，２−ジイル基（ただし、式（２）で表される基と酸素原子が直接結合しない。）を有する化合物であることが好ましい。そして、Ｅ体とＺ体の区別を有するエテン−１，２−ジイル基を少なくとも１つ有する場合には、当該Ｅ体とＺ体の区別を有するエテン−１，２−ジイル基がすべてＥ体である異性体に対する、当該Ｅ体とＺ体の区別を有するエテン−１，２−ジイル基の少なくとも１つがＺ体である異性体の比の値（Ｚ／Ｅ）が５．００×１０−５≦（Ｚ／Ｅ）≦５．００×１０−２であることが好ましい。
前記一般式（１）中、Ｒ１又はＲ２の少なくとも１つが、１−プロペン−１−イル基又は３−ペンテン−１−イル基であることが好ましい。Ｒ１又はＲ２のうち１つが１−プロペン−１−イル基又は３−ペンテン−１−イル基である場合には、Ｒ１又はＲ２の残りの１つが炭素数１〜８のアルキル基であってもよい。
Ｑ及びＺ／Ｅは公知の分析手段を用いて測定・算出することができ、例えばガスクロマトグラフィーなどにより各立体異性体の存在率を測定し、算出することが可能である。
【００２８】
本発明の液晶組成物は、少なくとも１つのシクロヘキサン−１，４−ジイル基を有し、前記Ｑが所定の範囲内である化合物を、少なくとも１種含む。
該液晶組成物が、少なくとも１つのシクロヘキサン−１，４−ジイル基を有する化合物を２種以上含む場合、そのうち少なくとも１種の化合物において前記Ｑが所定の範囲内であればよく、２種以上の化合物において前記Ｑが所定の範囲内であればより好ましく、少なくとも１つのシクロヘキサン−１，４−ジイル基を有する化合物のすべてにおいて前記Ｑが所定の範囲内であれば更に好ましい。
【００２９】
本発明の液晶組成物は、誘電率異方性の値が正のいわゆるｐ型液晶組成物である場合には一般式（ＩＩ−ａ）から一般式（ＩＩ−ｅ）
【００３０】
【化４】
2014162752.tif 000005
【００３１】
のいずれかで表される化合物群から選択される１種又は２種以上の化合物を含有することが好ましい。前記一般式（ＩＩ−ａ）から一般式（ＩＩ−ｅ）中、Ｒ２１〜Ｒ３０はそれぞれ独立して炭素原子数１から１０のアルキル基又は炭素原子数２から１０のアルケニル基を表す。Ｘ２１は水素原子又はフッ素原子を表すが、フッ素原子であることが好ましい。
前記ｐ型液晶組成物は、前記一般式（ＩＩ−ａ）から一般式（ＩＩ−ｅ）のいずれかで表される化合物群から選択される化合物を１種〜１０種含有することが好ましく、１種〜８種含有することが特に好ましい。液晶組成物全体を１００質量％として、一般式（ＩＩ−ａ）から一般式（ＩＩ−ｅ）のいずれかで表される化合物群から選択される化合物の含有量は、５から８０質量％であることが好ましく、１０から７０質量％であることが好ましく、２０から６０質量％であることが特に好ましい。
前記ｐ型液晶組成物は、下記一般式（ＩＩＩ）
【００３２】
【化５】
2014162752.tif 000006
【００３３】
で表される化合物を１種又は２種以上含有することが好ましい。
前記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物において、Ｒ３１は炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基又は炭素原子数２〜１０のアルケニルオキシ基を表す。
前記一般式（ＩＩＩ）中、Ｍ３１、Ｍ３２及びＭ３３はそれぞれ独立して、トランス−１，４−シクロヘキシレン基又は１，４−フェニレン基を表し、該トランス−１，４−シクロヘキシレン基中の１つ又は２つの−ＣＨ２−は酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−で置換されていてもよく、該フェニレン基中の１つ又は２つの水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。
前記一般式（ＩＩＩ）中、Ｘ３１及びＸ３２はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ３１はフッ素原子、トリフルオロメトキシ基又はトリフルオロメチル基を表す。ｎ３１及びｎ３２は互いに独立して０、１又は２を表し、ｎ３１＋ｎ３２は、０、１又は２を表す。ｎ３１が２を表す場合に複数存在するＭ３１は同一であっても異なっていてもよい。ｎ３２が２を表す場合に複数存在するＭ３３は同一であっても異なっていてもよい。
前記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物は、より具体的には、下記一般式（ＩＩＩ−ａ）から一般式（ＩＩＩ−ｅ）のいずれかで表される化合物が好ましい。
【００３４】
【化６】
2014162752.tif 000007
【００３５】
前記一般式（ＩＩＩ−ａ）から一般式（ＩＩＩ−ｅ）中、Ｒ３２は互いに独立して炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基又は炭素原子数２〜１０のアルケニルオキシ基を表し、Ｘ３１〜Ｘ３８は互いに独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ３１はフッ素原子、トリフルオロメトキシ基又はトリフルオロメチル基を表す。
前記ｐ型液晶組成物は、前記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物を１種〜８種含有することが好ましく、１種〜５種含有することが特に好ましい。液晶組成物全体を１００質量％として、前記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物の含有量は３から５０質量％であることが好ましく、５から４０質量％であることが好ましい。
前記ｐ型液晶組成物は、更に、第四成分として、一般式（ＩＶ−ａ）から一般式（ＩＶ−ｆ）で表される化合物群から選ばれる化合物を含有することができる。
【００３６】
【化７】
2014162752.tif 000008
【００３７】
（式中、Ｒ４１は炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基又は炭素原子数２〜１０のアルケニルオキシ基を表し、Ｘ４１〜Ｘ４８は互いに独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ４１はフッ素原子、トリフルオロメトキシ基又はトリフルオロメチル基を表す。）
前記ｐ型液晶組成物は、前記一般式（ＩＶ）で表される化合物を１種〜１０種含有することが好ましく、１種〜８種含有することが特に好ましい。液晶組成物全体を１００質量％として、前記一般式（ＩＶ−ａ）から一般式（ＩＶ−ｆ）のいずれかで表される化合物の含有量は５から５０質量％であることが好ましく、１０から４０質量％であることが好ましい。
前記ｐ型液晶組成物の２５℃におけるΔε（誘電率異方性）は、＋３．５以上であることが好ましく、＋３．５から＋１５．０がより好ましい。
前記ｐ型液晶組成物の２５℃におけるΔｎ（屈折率異方性）は、０．０８から０．１４であることが好ましく、０．０９から０．１３がより好ましい。更に詳述すると、薄いセルギャップに対応する場合はΔｎが０．１０から０．１３であることが好ましく、厚いセルギャップに対応する場合はΔｎが０．０８から０．１０であることが好ましい。
前記ｐ型液晶組成物の２０℃におけるη（粘度）は、１０から４５ｍＰａ・ｓであることが好ましく、１０から２５ｍＰａ・ｓであることがより好ましく、１０から２０ｍＰａ・ｓであることが特に好ましい。
前記ｐ型液晶組成物のＴＮＩ（ネマチック相−等方性液体相転移温度）は、６０℃から１２０℃であることが好ましく、７０℃から１００℃がより好ましく、７０℃から８５℃が特に好ましい。
【００３８】
本発明の液晶組成物は、誘電率異方性の値が負のいわゆるｎ型液晶組成物である場合には一般式（ＩＩ−ａ）から一般式（ＩＩ−ｅ）
【００３９】
【化８】
2014162752.tif 000009
【００４０】
のいずれかで表される化合物群から選択される１種又は２種以上の化合物を含有することが好ましい。前記一般式（ＩＩ−ａ）から一般式（ＩＩ−ｅ）中、Ｒ２１〜Ｒ３０はそれぞれ独立して炭素原子数１から１０のアルキル基又は炭素原子数２から１０のアルケニル基を表す。Ｘ２１は水素原子又はフッ素原子を表すが、フッ素原子であることが好ましい。
前記ｎ型液晶組成物は、前記一般式（ＩＩ−ａ）から一般式（ＩＩ−ｅ）のいずれかで表される化合物群から選択される化合物を１種〜１０種含有することが好ましく、１種〜８種含有することが特に好ましい。液晶組成物全体を１００質量％として、一般式（ＩＩ−ａ）から一般式（ＩＩ−ｅ）のいずれかで表される化合物群から選択される化合物の含有量は、５から８０質量％であることが好ましく、１０から７０質量％であることが好ましく、２０から６０質量％であることが特に好ましい。
前記ｎ型液晶組成物は、更に下記一般式（Ｖ−ａ）から一般式（Ｖ−ｇ）で表される化合物の少なくとも１つを含むことが好ましい。
【００４１】
【化９】
2014162752.tif 000010
【００４２】
前記一般式（Ｖ−ａ）から（Ｖ−ｇ）中、Ｒ５１及びＲ５２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基又はｎ−ペンチル基が好ましい。Ｒ５１はエチル基又はｎ−プロピル基を表し、Ｒ５２はメチル基又はエチル基を表すことがより好ましい。
前記ｎ型液晶組成物は、一般式（ＩＶ−ａ）から一般式（ＩＶ−ｆ）で表される化合物群から選ばれる化合物を含有することができる。
【００４３】
【化１０】
2014162752.tif 000011
【００４４】
（式中、Ｒ４１は炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基又は炭素原子数２〜１０のアルケニルオキシ基を表し、Ｘ４１〜Ｘ４８は互いに独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ４１はフッ素原子、トリフルオロメトキシ基又はトリフルオロメチル基を表す。）
前記ｎ型液晶組成物は、前記一般式（ＩＶ−ａ）から一般式（ＩＶ−ｆ）で表される化合物群から選ばれる化合物を１種〜１０種含有することが好ましく、１種〜８種含有することが特に好ましい。液晶組成物全体を１００質量％として、一般式（ＩＶ−ａ）から一般式（ＩＶ−ｆ）のいずれかで表される化合物の含有量は５から８０質量％であることが好ましく、１０から７０質量％であることが更に好ましく、２０から６０質量％であることが特に好ましい。
前記ｎ型の液晶組成物の２５℃におけるΔε（誘電率異方性）は、−２．０から−６．０であることが好ましく、−２．０から−５．５がより好ましい。
前記ｎ型の液晶組成物の２５℃におけるΔｎ（屈折率異方性）は、０．０８から０．１４であることが好ましく、０．０９から０．１３がより好ましく、０．０９から０．１２が特に好ましい。更に詳述すると、薄いセルギャップに対応する場合はΔｎが０．１０から０．１３であることが好ましく、厚いセルギャップに対応する場合はΔｎが０．０８から０．１０であることが好ましい。
前記ｎ型の液晶組成物の２０℃におけるη（粘度）は、１０から３０ｍＰａ・ｓであることが好ましく、１０から２５ｍＰａ・ｓであることがより好ましく、１０から２２ｍＰａ・ｓであることが特に好ましい。
前記ｎ型の液晶組成物のＴＮＩ（ネマチック相−等方性液体相転移温度）は、６０℃から１２０℃であることが好ましく、７０℃から１００℃がより好ましく、７０℃から８５℃が特に好ましい。
【００４５】
前記ｐ型液晶組成物及び前記ｎ型液晶組成物は、それぞれ本発明の液晶組成物の一実施態様であるが、本発明の液晶組成物は、これらに限定されるものではない。
本発明の液晶組成物は、上述の化合物以外に、通常のネマチック液晶、スメクチック液晶、コレステリック液晶、重合性モノマーなどを含有してもよい。
本発明の液晶組成物は、シクロヘキサン−１，４−ジイル基を有しない化合物を含有してもよい。
【００４６】
前記ｐ型液晶組成物及び前記ｎ型液晶組成物に含有させることができる、前記一般式（ＩＩ−ａ）から一般式（ＩＩ−ｅ）で表される化合物のうち、シクロヘキサン−１，４−ジイル基を有しない化合物としては、下記式一般式（ＩＩ−１）から（ＩＩ−３）で表される化合物の少なくとも１つを含むことが好ましい。
【００４７】
【化１１】
2014162752.tif 000012
【００４８】
前記一般式（ＩＩ−１）から（ＩＩ−３）中、Ｒ１１及びＲ１２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜１０のアルキル基又は炭素原子数２〜１０のアルケニル基を表す。
前記ｎ型液晶組成物に含有させることができる、前記一般式（Ｖ−ａ）から一般式（Ｖ−ｇ）で表される化合物のうち、シクロヘキサン−１，４−ジイル基を有しない化合物としては、下記一般式（Ｖ−１）又は（Ｖ−２）で表される化合物の少なくとも１つを含むことが好ましい。
【００４９】
【化１２】
2014162752.tif 000013
【００５０】
前記一般式（Ｖ−１）から（Ｖ−２）中、Ｒ５３及びＲ５４はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基又はｎ−ペンチル基が好ましい。Ｒ５３はエチル基又はｎ−プロピル基を表し、Ｒ５４はメチル基又はエチル基を表すことがより好ましい。
前記ｐ型液晶組成物に含有させることができる、前記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物のうち、シクロヘキサン−１，４−ジイル基を有しない化合物としては、下記一般式（ＩＩＩ−１）又は（ＩＩＩ−２）で表される化合物の少なくとも１つを含むことが好ましい。
【００５１】
【化１３】
2014162752.tif 000014
【００５２】
前記一般式（ＩＩＩ−１）から（ＩＩＩ−２）中、Ｒ３３は、炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基又はｎ−ペンチル基が好ましい。Ｒ３３はエチル基、ｎ−プロピル基又はｎ−ペンチル基を表すことがより好ましい。
【００５３】
本発明に使用する化合物は、分子内に過酸（−ＣＯ−ＯＯ−）構造を持たないことが好ましい。また、液晶組成物の信頼性及び長期安定性を重視する場合にはカルボニル基を有する化合物を使用しないことが好ましい。また、ＵＶ照射による安定性を重視する場合、塩素原子が置換している化合物を使用しないことが望ましい。
【００５４】
本発明の液晶組成物には、ポリマー安定化（ＰＳ）モード、ポリマー維持配向（ＰＳＡ）モード、横電界型ＰＳＶＡ（高分子安定化垂直配向）モードなどの液晶表示素子を作製するために、重合性化合物を含有することができる。使用できる重合性化合物として、光などのエネルギー線により重合が進行する光重合性モノマーなどが挙げられ、構造として、例えば、ビフェニル誘導体、ターフェニル誘導体などの六員環が複数連結した液晶骨格を有する重合性化合物などが挙げられる。
【００５５】
本発明の液晶組成物にモノマーを添加する場合において、重合開始剤が存在しない場合でも重合は進行するが、重合を促進するために重合開始剤を含有していてもよい。重合開始剤としては、ベンゾインエーテル類、ベンゾフェノン類、アセトフェノン類、ベンジルケタール類、アシルフォスフィンオキサイド類等が挙げられる。
【００５６】
本発明の重合性化合物を含有した液晶組成物は、これに含まれる重合性化合物が紫外線照射により重合することで液晶配向能が付与され、液晶組成物の複屈折を利用して光の透過光量を制御する液晶表示素子に使用される。液晶表示素子として、ＡＭ−ＬＣＤ（アクティブマトリックス液晶表示素子）、ＴＮ（ツイステッド・ネマチック液晶表示素子）、ＳＴＮ−ＬＣＤ（超ねじれネマチック液晶表示素子）、ＯＣＢ−ＬＣＤ、ＩＰＳ−ＬＣＤ（インプレーンスイッチング液晶表示素子）及びＦＦＳ（フリンジフィールドスイッチングモードの液晶表示素子）に有用であるが、アクティブマトリクスアドレス装置を有するＡＭ−ＬＣＤに特に有用であり、透過型あるいは反射型の液晶表示素子に用いることができる。
【００５７】
液晶表示素子に使用される液晶セルの２枚の基板はガラス又はプラスチックの如き柔軟性をもつ透明な材料を用いることができ、一方はシリコン等の不透明な材料でも良い。透明電極層を有する透明基板は、例えば、ガラス板等の透明基板上にインジウムスズオキシド（ＩＴＯ）をスパッタリングすることにより得ることができる。
カラーフィルターは、例えば、顔料分散法、印刷法、電着法又は、染色法等によって作成することができる。顔料分散法によるカラーフィルターの作成方法を一例に説明すると、カラーフィルター用の硬化性着色組成物を、該透明基板上に塗布し、パターニング処理を施し、そして加熱又は光照射により硬化させる。この工程を、赤、緑、青の３色についてそれぞれ行うことで、カラーフィルター用の画素部を作成することができる。その他、該基板上に、ＴＦＴ、薄膜ダイオード、金属絶縁体金属比抵抗素子等の能動素子を設けた画素電極を設置してもよい。
前記基板を、透明電極層が内側となるように対向させる。その際、スペーサーを介して、基板の間隔を調整してもよい。このときは、得られる調光層の厚さが１〜１００μｍとなるように調整するのが好ましい。１．５から１０μｍが更に好ましく、偏光板を使用する場合は、コントラストが最大になるように液晶の屈折率異方性Δｎとセル厚ｄとの積を調整することが好ましい。又、二枚の偏光板がある場合は、各偏光板の偏光軸を調整して視野角やコントラストが良好になるように調整することもできる。更に、視野角を広げるための位相差フィルムも使用することもできる。スペーサーとしては、例えば、ガラス粒子、プラスチック粒子、アルミナ粒子、フォトレジスト材料などからなる柱状スペーサー等が挙げられる。その後、エポキシ系熱硬化性組成物等のシール剤を、液晶注入口を設けた形で該基板にスクリーン印刷し、該基板同士を貼り合わせ、加熱しシール剤を熱硬化させる。
【００５８】
２枚の基板間に重合性化合物含有液晶組成物を狭持させる方法は、通常の真空注入法又は滴下注入（ＯＤＦ：Ｏｎｅ  Ｄｒｏｐ  Ｆｉｌｌ）法などを用いることができる。真空注入法においては滴下痕が発生しないものの、注入の跡が残る課題を有しているものであるが、本発明においては、ＯＤＦ法を用いて製造する表示素子により好適に使用することができる。ＯＤＦ法の液晶表示素子製造工程においては、バックプレーンまたはフロントプレーンのどちらか一方の基板にエポキシ系光熱併用硬化性などのシール剤を、ディスペンサーを用いて閉ループ土手状に描画し、その中に脱気下で所定量の液晶組成物を滴下後、フロントプレーンとバックプレーンを接合することによって液晶表示素子を製造することができる。本発明の液晶組成物は、ＯＤＦ工程における液晶組成物の滴下が安定的に行えるため、好適に使用することができる。
【００５９】
重合性化合物を重合させる方法としては、液晶の良好な配向性能を得るためには、適度な重合速度が望ましいので、紫外線又は電子線等の活性エネルギー線を単一又は併用又は順番に照射することによって重合させる方法が好ましい。紫外線を使用する場合、偏光光源を用いても良いし、非偏光光源を用いても良い。また、重合性化合物含有液晶組成物を２枚の基板間に挟持させて状態で重合を行う場合には、少なくとも照射面側の基板は活性エネルギー線に対して適当な透明性が与えられていなければならない。また、光照射時にマスクを用いて特定の部分のみを重合させた後、電場や磁場又は温度等の条件を変化させることにより、未重合部分の配向状態を変化させて、更に活性エネルギー線を照射して重合させるという手段を用いても良い。特に紫外線露光する際には、重合性化合物含有液晶組成物に交流電界を印加しながら紫外線露光することが好ましい。印加する交流電界は、周波数１０Ｈｚから１０ｋＨｚの交流が好ましく、周波数６０Ｈｚから１０ｋＨｚがより好ましく、電圧は液晶表示素子の所望のプレチルト角に依存して選ばれる。つまり、印加する電圧により液晶表示素子のプレチルト角を制御することができる。横電界型ＭＶＡモードの液晶表示素子においては、配向安定性及びコントラストの観点からプレチルト角を８０度から８９．９度に制御することが好ましい。
照射時の温度は、本発明の液晶組成物の液晶状態が保持される温度範囲内であることが好ましい。室温に近い温度、即ち、典型的には１５〜３５℃での温度で重合させることが好ましい。紫外線を発生させるランプとしては、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ等を用いることができる。また、照射する紫外線の波長としては、液晶組成物の吸収波長域でない波長領域の紫外線を照射することが好ましく、必要に応じて、紫外線をカットして使用することが好ましい。照射する紫外線の強度は、０．１ｍＷ／ｃｍ２〜１００Ｗ／ｃｍ２が好ましく、２ｍＷ／ｃｍ２〜５０Ｗ／ｃｍ２がより好ましい。照射する紫外線のエネルギー量は、適宜調整することができるが、１０ｍＪ／ｃｍ２から５００Ｊ／ｃｍ２が好ましく、１００ｍＪ／ｃｍ２から２００Ｊ／ｃｍ２がより好ましい。紫外線を照射する際に、強度を変化させても良い。紫外線を照射する時間は照射する紫外線強度により適宜選択されるが、１０秒から３６００秒が好ましく、１０秒から６００秒がより好ましい。
【００６０】
本発明の液晶組成物を用いた液晶表示素子は高速応答と表示不良の抑制を両立させた有用なものであり、特に、アクティブマトリックス駆動用液晶表示素子に有用であり、ＶＡモード、ＰＳＶＡモード、ＰＳＡモード、ＩＰＳモード、ＦＦＳモード又はＥＣＢモード用液晶表示素子に適用できる。
【実施例】
【００６１】
以下に実施例を挙げて本発明を更に詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
また、以下の実施例及び比較例の液晶組成物における各構成成分の組成比を示す「％」は『質量％』を意味する。
後述する、化合物の合成に関わる実施例および比較例中、ＱあるいはＺ／Ｅを算出するに当っては、Agilent社製キャピラリーカラム  DB-1、DB-17あるいはDB-WAXを用いたガスクロマトグラフィー（検出器：水素炎イオン化検出器（FID））により各異性体の面積比のデータを使用した。
【００６２】
下記のスキーム中、ｎ−Ｂｕはｎ−ブチル基を、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基を、ＤＭＦはＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを、Ｅｔはエチル基を、Ｐｒはｎ−プロピル基を、Ｐｈはフェニル基を、ＴＨＦはテトラヒドロフランを表す。
相転移温度の説明において、Ｃは結晶相を、Ｓはスメクチック相を、ＳＢはスメクチックＢ相を、Ｎはネマチック相を、Ｉは等方性液体相をそれぞれ表す。相転移温度の単位はすべて摂氏「℃」である。
【００６３】
＜実施例１＞
下記のスキームに従い、４−エチル−４′−プロピル−１，１′−ビシクロヘキサンを得た。
【００６４】
【化１４】
2014162752.tif 000015
【００６５】
即ち、４００ｇのエチルトリフェニルホスホニウムブロミドを８００ｍＬのＴＨＦに懸濁させ、０℃以下で１２２ｇのカリウムｔ−ブトキシドを加える。３０分攪拌の後、ここへ２００ｇの４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサノンを４００ｍＬのＴＨＦに溶解し、０℃以下を保つように滴下する。３０分攪拌の後、水を加え、濃縮する。８００ｍＬのヘキサンを加え、３０分攪拌の後に析出物を濾別する。濾別した析出物に８００ｍＬのヘキサンを加え３０分攪拌の後、析出物を濾別し、濾液をあわせメタノール、水の混合溶液でヘキサン層を洗浄する。次いで水、飽和食塩水の順に洗浄、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、濃縮し１８６ｇの４−エチリデン−４′−プロピル−１，１′−ビシクロヘキサンを得た。これを１８００ｍＬの酢酸エチルに溶解し、９ｇの５％パラジウムカーボン（５０質量％含水品）を加えた後、水素圧０．５ＭＰａ、５５℃で５時間攪拌する。パラジウムカーボンを濾別後、濃縮し、１８７ｇの４−エチル−４′−プロピル−１，１′−ビシクロヘキサンを得た（この段階のように精製操作を施していない状態をクルードと称する）。ガスクロマトグラフィーにより算出したところ、この４−エチル−４′−プロピル−１，１′−ビシクロヘキサンのクルードのトランス，トランス体以外の立体異性体に対するトランス，トランス体の比の値（Ｑ）は５．３であった。
２０ｇのクルードを酢酸エチルで２回再結晶し、Ｑ＝５０の４−エチル−４′−プロピル−１，１′−ビシクロヘキサンの１３．２ｇを得た。この化合物は室温で粘調物質であり、相転移温度は、以下のとおりであった。
相転移温度  Ｓ  ６７  Ｉ
【００６６】
＜比較例１＞
実施例１に記載のＱ＝５．３のクルードの２０ｇを酢酸エチルで１回再結晶し、Ｑ＝１３の４−エチル−４′−プロピル−１，１′−ビシクロヘキサンの１５．４ｇを得た。この化合物は室温で粘調物質であり、相転移温度は、以下のとおりであった。
相転移温度  Ｓ  ６３  Ｉ
【００６７】
＜比較例２＞
実施例１に記載のＱ＝５．３のクルードの２０ｇを酢酸エチルで５回再結晶し、Ｑ＞１９９９９の４−エチル−４′−プロピル−１，１′−ビシクロヘキサンの８．１ｇを得た。この化合物は室温で粘調物質であり、相転移温度は、以下のとおりであった。
相転移温度  Ｓ  ６７  Ｉ
【００６８】
＜実施例２＞
実施例１に記載のエチルトリフェニルホスホニウムブロミドに代えてブチルトリフェニルホスホニウムブロミドを用いる他は実施例１と同様にして、Ｑ＝７．３の４−ブチル−４′−プロピル−１，１′−ビシクロヘキサンのクルードを得た。このクルードの２０ｇを酢酸エチルで２回再結晶し、Ｑ＝７６８の４−ブチル−４′−プロピル−１，１′−ビシクロヘキサンの１５ｇを得た。この化合物は室温で粘調物質であり、相転移温度は、以下のとおりであった。
相転移温度  Ｓ  ９６  Ｉ
【００６９】
＜比較例３＞
実施例２に記載のＱ＝７．３のクルードの２０ｇを酢酸エチルで１回再結晶し、Ｑ＝１２の４−ブチル−４′−プロピル−１，１′−ビシクロヘキサンの１７ｇを得た。この化合物は室温で粘調物質であり、相転移温度は、以下のとおりであった。
相転移温度  Ｓ  ８２  Ｉ
【００７０】
＜比較例４＞
実施例２に記載のＱ＝７．３のクルードの２０ｇを酢酸エチルで５回再結晶し、Ｑ＞１９９９９の４−ブチル−４′−プロピル−１，１′−ビシクロヘキサンの１０．４ｇを得た。この化合物は室温で粘調物質であり、相転移温度は、以下のとおりであった。
相転移温度  Ｓ  ９６  Ｉ
【００７１】
＜実施例３＞
実施例１に記載のエチルトリフェニルホスホニウムブロミドに代えてペンチルトリフェニルホスホニウムブロミドを用いる他は実施例１と同様にして、Ｑ＝７の４−ペンチル−４′−プロピル−１，１′−ビシクロヘキサンのクルードを得た。このクルードの２０ｇを酢酸エチル、トルエンの混合溶媒で３回再結晶し、Ｑ＝３３３２の４−ペンチル−４′−プロピル−１，１′−ビシクロヘキサンの１５ｇを得た。この化合物は室温で粘調物質であり、相転移温度は、以下のとおりであった。
相転移温度  Ｓ  ９７  Ｉ
【００７２】
＜比較例５＞
実施例３に記載のＱ＝７のクルードの２０ｇを酢酸エチルで１回再結晶し、Ｑ＝１２の４−ペンチル−４′−プロピル−１，１′−ビシクロヘキサンの１７ｇを得た。この化合物は室温で粘調物質であり、相転移温度は、以下のとおりであった。
相転移温度  Ｓ  ８２  Ｉ
【００７３】
＜比較例６＞
実施例３に記載のＱ＝７のクルードの２０ｇを酢酸エチルで６回再結晶し、Ｑ＞１９９９９の４−ペンチル−４′−プロピル−１，１′−ビシクロヘキサンの１１ｇを得た。この化合物は室温で粘調物質であり、相転移温度は、以下のとおりであった。
相転移温度  Ｓ  ９７  Ｉ
【００７４】
＜実施例４＞
以下のスキームに従って４′−エチル−１，１′−ビシクロヘキサン−４−オンから出発して４−（１−プロペン−１−イル）−４′−エチル−１，１′−ビシクロヘキサンへ誘導した。
【００７５】
【化１５】
2014162752.tif 000016
【００７６】
最後の反応工程、すなわちベンゼンスルフィン酸（ＰｈＳＯ２Ｈ）を用いた反応混合物に、溶離液をヘキサンとしてシリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーを施して得られた４−（１−プロペン−１−イル）−４′−エチル−１，１′−ビシクロヘキサンのＱの値は、ガスクロマトグラフィーにより算出したところＱ＝７であった。また、（Ｅ）−４−（１−プロペン−１−イル）−４′−エチル−１，１′−ビシクロヘキサンに対する（Ｚ）−４−（１−プロペン−１−イル）−４′−エチル−１，１′−ビシクロヘキサンの比の値（Ｚ／Ｅ）がＺ／Ｅ＝１．７２×１０−１の混合物であった。この混合物の１００ｇを酢酸エチルで４回再結晶してＱ＝５１２、Ｚ／Ｅ＝２．１１×１０−３の４−（１−プロペン−１−イル）−４′−エチル−１，１′−ビシクロヘキサンの４２ｇを得た。この化合物は室温で油状物であって、相転移温度は、以下のとおりであった。
相転移温度  ＳＢ  ２６  Ｎ  ４３  Ｉ
【００７７】
＜比較例７＞
実施例４に記載のＱ＝７、Ｚ／Ｅ＝１．７２×１０−１の混合物の１００ｇを酢酸エチルで１回再結晶して、Ｑ＝２８、Ｚ／Ｅ＝８．１０×１０−２の４−（１−プロペン−１−イル）−４′−エチル−１，１′−ビシクロヘキサンの７１ｇを得た。この化合物は室温で油状物であって、液晶相を示さなかった。
【００７８】
＜比較例８＞
実施例４に記載のＱ＝７、Ｚ／Ｅ＝１．７２×１０−１の混合物の１００ｇを酢酸エチルで１１回再結晶して、Ｑ＞１９９９９、Ｚ／Ｅ＜５．００×１０−５の４−（１−プロペン−１−イル）−４′−エチル−１，１′−ビシクロヘキサンの２０ｇを得た。この化合物は室温で油状物であって、相転移温度は、以下のとおりであった。
相転移温度  ＳＢ  ２６  Ｎ  ４３  Ｉ
【００７９】
＜実施例５＞
実施例４に記載の４′−エチル−１，１′−ビシクロヘキサン−４−オンに代えて４′−プロピル−１，１′−ビシクロヘキサン−４−オンを用いる他は実施例４と同様にして、４−（１−プロペン−１−イル）−４′−プロピル−１，１′−ビシクロヘキサンを得た。即ち、カラムクロマトグラフィー後のＱ＝７、Ｚ／Ｅ＝１．７６×１０−１（ガスクロマトグラフィーにより算出）の４−（１−プロペン−１−イル）−４′−プロピル−１，１′−ビシクロヘキサンの混合物の１００ｇをアセトンで４回再結晶してＱ＝２３５、Ｚ／Ｅ＝８．０５×１０−５の４−（１−プロペン−１−イル）−４′−プロピル−１，１′−ビシクロヘキサンの７２ｇを得た。この化合物の相転移温度は、以下のとおりであった。
相転移温度  Ｃ  ４４  Ｎ  ８６  Ｉ
【００８０】
＜比較例９＞
実施例５に記載のＱ＝７、Ｚ／Ｅ＝１．７６×１０−１の混合物の１００ｇをアセトンで１回再結晶して、Ｑ＝１５、Ｚ／Ｅ＝９．８１×１０−２の４−（１−プロペン−１−イル）−４′−プロピル−１，１′−ビシクロヘキサンの８８ｇを得た。この化合物の相転移温度は、以下のとおりであった。
相転移温度  Ｃ  ３６  Ｎ  ７３  Ｉ
【００８１】
＜比較例１０＞
実施例５に記載のＱ＝７、Ｚ／Ｅ＝１．７６×１０−１の混合物の１００ｇをアセトンで８回再結晶して、Ｑ＞１９９９９、Ｚ／Ｅ＜５．００×１０−５の４−（１−プロペン−１−イル）−４′−プロピル−１，１′−ビシクロヘキサンの５８ｇを得た。この化合物の相転移温度は、以下のとおりであった。
相転移温度  Ｃ  ４４  Ｎ  ８６  Ｉ
【００８２】
＜実施例６＞
実施例４に記載の４′−エチル−１，１′−ビシクロヘキサン−４−オンに代えて４′−ペンチル−１，１′−ビシクロヘキサン−４−オンを用いる他は実施例４と同様にして、４−（１−プロペン−１−イル）−４′−ペンチル−１，１′−ビシクロヘキサンを得た。即ち、カラムクロマトグラフィー後のＱ＝７、Ｚ／Ｅ＝１．７５×１０−１（ガスクロマトグラフィーにより算出）の４−（１−プロペン−１−イル）−４′−ペンチル−１，１′−ビシクロヘキサンの混合物の１００ｇをアセトンで３回再結晶してＱ＝１３２８８、Ｚ／Ｅ＝５．０４×１０−４の４−（１−プロペン−１−イル）−４′−ペンチル−１，１′−ビシクロヘキサンの７６ｇを得た。この化合物の相転移温度は、以下のとおりであった。
相転移温度  Ｃ  ７２  （Ｓ  ７２）  Ｎ  ９６  Ｉ
【００８３】
＜比較例１１＞
実施例６に記載のＱ＝７、Ｚ／Ｅ＝１．７５×１０−１の混合物の１００ｇをアセトンで６回再結晶して、Ｑ＞１９９９９、Ｚ／Ｅ＜５．００×１０−５の４−（１−プロペン−１−イル）−４′−ペンチル−１，１′−ビシクロヘキサンの６１ｇを得た。この化合物の相転移温度は、以下のとおりであった。
相転移温度  Ｃ  ７２  （Ｓ  ７２）  Ｎ  ９６  Ｉ
【００８４】
＜実施例７＞
以下のスキームに従って４−（３−ペンテン−１−イル）−４′−メチル−１，１′−ビシクロヘキサンへ誘導した。
【００８５】
【化１６】
2014162752.tif 000017
【００８６】
最後の反応工程、すなわちベンゼンスルフィン酸（ＰｈＳＯ２Ｈ）を用いた反応のクルードに、溶離液をヘキサンとしてシリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーを施して得られた４−（３−ペンテン−１−イル）−４′−メチル−１，１′−ビシクロヘキサンは、ガスクロマトグラフィーにより算出したところ、（Ｅ）−４−（３−ペンテン−１−イル）−４′−メチル−１，１′−ビシクロヘキサンに対する（Ｚ）−４−（３−ペンテン−１−イル）−４′−メチル−１，１′−ビシクロヘキサンの比の値（Ｚ／Ｅ）がＺ／Ｅ＝１．７４×１０−１の混合物であった。またこの混合物の１，１′−ビシクロヘキサン−４，４′−ジイル基における「トランス，トランス体」以外の立体異性体に対する「トランス，トランス体」の異性体比の値（Ｑ）はＱ＝４．３であった。この混合物の１００ｇをアセトンで６回再結晶してＺ／Ｅ＝８．０１×１０−４の、また、Ｑ＝３３２の４−（３−ペンテン−１−イル）−４′−メチル−１，１′−ビシクロヘキサンの５１ｇを得た。この化合物の相転移温度は、以下のとおりであった。
相転移温度  Ｃ  ３１  Ｎ  ４２  Ｉ
＜比較例１２＞
実施例７に記載のＱ＝４．３、Ｚ／Ｅ＝１．７４×１０−１の混合物の１００ｇをアセトンで１３回再結晶して、Ｚ／Ｅ＜５．００×１０−５の、また、Ｑ＞１９９９９の４−（３−ペンテン−１−イル）−４′−メチル−１，１′−ビシクロヘキサンの２９ｇを得た。この化合物の相転移温度は、以下のとおりであった。
相転移温度  Ｃ  ３１  Ｎ  ４２  Ｉ
【００８７】
＜実施例８＞
以下のスキームに従って４−（１−プロペン−１−イル）−４′−ビニル−１，１′−ビシクロヘキサンへ誘導した。
【００８８】
【化１７】
2014162752.tif 000018
【００８９】
最後の反応工程、すなわちベンゼンスルフィン酸（ＰｈＳＯ２Ｈ）を用いた反応のクルードに、溶離液をヘキサンとしてシリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーを施して得られた４−（１−プロペン−１−イル）−４′−ビニル−１，１′−ビシクロヘキサンは、ガスクロマトグラフィーにより算出したところ、Ｑ＝２８、また、（Ｅ）−４−（１−プロペン−１−イル）−４′−ビニル−１，１′−ビシクロヘキサンに対する（Ｚ）−４−（１−プロペン−１−イル）−４′−ビニル−１，１′−ビシクロヘキサンの比の値（Ｚ／Ｅ）がＺ／Ｅ＝２．１１×１０−１の混合物であった。この混合物の１００ｇを酢酸エチルで５回再結晶してＱ＝１２４９４、Ｚ／Ｅ＝２．００×１０−３の４−（１−プロペン−１−イル）−４′−ビニル−１，１′−ビシクロヘキサンの５５ｇを得た。この化合物の相転移温度を測定したところ、十分な液晶性を示した。
【００９０】
＜比較例１３＞
実施例８に記載のＱ＝２８、Ｚ／Ｅ＝２．１１×１０−１の混合物の１００ｇをエタノールで１１回再結晶して、Ｑ＞１９９９９、Ｚ／Ｅ＜５．００×１０−５の４−（１−プロペン−１−イル）−４′−ビニル−１，１′−ビシクロヘキサンの２９ｇを得た。この化合物の相転移温度を測定したところ、十分な液晶性を示した。
【００９１】
＜実施例９＞
以下のスキームに従って４−プロピル−４′−（２，３−ジフルオロ−４−エトキシフェニル）−１，１′−ビシクロヘキサンへ誘導した。
【００９２】
【化１８】
2014162752.tif 000019
【００９３】
最後の反応工程、すなわち塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ３）を用いた反応のクルードに、溶離液をヘキサンとしてシリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーを施して得られた４−プロピル−４′−（２，３−ジフルオロ−４−エトキシフェニル）−１，１′−ビシクロヘキサンは、ガスクロマトグラフィーにより算出したところ、Ｑ＝１．４の混合物であった。この混合物の１００ｇをエタノール／アセトン混合溶媒で３回再結晶し、Ｑ＝１９９の４−プロピル−４′−（２，３−ジフルオロ−４−エトキシフェニル）−１，１′−ビシクロヘキサンの１９ｇを得た。この化合物の相転移温度は、以下のとおりであった。
相転移温度  Ｃ  ８０  Ｎ  １８５  Ｉ
【００９４】
＜比較例１４＞
実施例９に記載のＱ＝１．４の混合物の１００ｇをエタノール／アセトン混合溶媒で１回再結晶し、Ｑ＝８の４−プロピル−４′−（２，３−ジフルオロ−４−エトキシフェニル）−１，１′−ビシクロヘキサンの２８ｇを得た。この化合物の相転移温度は、以下のとおりであった。
相転移温度  Ｃ  ６８  Ｎ  １６９  Ｉ
【００９５】
＜比較例１５＞
実施例９に記載のＱ＝１．４の混合物の１００ｇをエタノール／アセトン混合溶媒で６回再結晶し、Ｑ＞１９９９９の４−プロピル−４′−（２，３−ジフルオロ−４−エトキシフェニル）−１，１′−ビシクロヘキサンの１１ｇを得た。この化合物の相転移温度は、以下のとおりであった。
相転移温度  Ｃ  ８０  Ｎ  １８５  Ｉ
【００９６】
＜実施例１０＞
下記のスキームに従って４−（ｐ−トリル）−４′−（１−プロペン−１−イル）−１，１′−ビシクロヘキサンへ誘導した。
【００９７】
【化１９】
2014162752.tif 000020
【００９８】
最後の反応工程、すなわちベンゼンスルフィン酸（ＰｈＳＯ２Ｈ）を用いた反応のクルードに、溶離液をヘキサンとしてシリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーを施して得られた４−（ｐ−トリル）−４′−（１−プロペン−１−イル）−１，１′−ビシクロヘキサンは、ガスクロマトグラフィーにより算出したところ、Ｑ＝１３、また、４−（ｐ−トリル）−４′−（（Ｅ）−１−プロペン−１−イル）−１，１′−ビシクロヘキサンに対する４−（ｐ−トリル）−４′−（（Ｚ）−１−プロペン−１−イル）−１，１′−ビシクロヘキサンの比の値（Ｚ／Ｅ）がＺ／Ｅ＝１．９９×１０−１の混合物であった。この混合物の１００ｇをエタノールで４回再結晶してＱ＝３７０２、Ｚ／Ｅ＝２．０２×１０−３の４−（ｐ−トリル）−４′−（１−プロペン−１−イル）−１，１′−ビシクロヘキサンの７１ｇを得た。この化合物の相転移温度は、以下のとおりであった。
相転移温度  Ｃ  ７４  Ｎ  ２１４  Ｉ
【００９９】
＜比較例１６＞
実施例１０に記載のＱ＝１３、Ｚ／Ｅ＝１．９９×１０−１の混合物の１００ｇをエタノールで１回再結晶し、Ｑ＝１８、Ｚ／Ｅ＝６．５２×１０−２の４−（ｐ−トリル）−４′−（１−プロペン−１−イル）−１，１′−ビシクロヘキサンの８７ｇを得た。この化合物の相転移温度は、以下のとおりであった。
相転移温度  Ｃ  ６５  Ｎ  １９９  Ｉ
【０１００】
＜比較例１７＞
実施例１０に記載のＱ＝１３、Ｚ／Ｅ＝１．９９×１０−１の混合物の１００ｇをエタノールで７回再結晶し、Ｑ＞１９９９９、Ｚ／Ｅ＜５．００×１０−５の４−（ｐ−トリル）−４′−（１−プロペン−１−イル）−１，１′−ビシクロヘキサンの６０ｇを得た。この化合物の相転移温度は、以下のとおりであった。
相転移温度  Ｃ  ７４  Ｎ  ２１４  Ｉ
【０１０１】
＜実施例と比較例との比較＞
実施例１と比較例１との比較、実施例２と比較例３との比較、実施例３と比較例５との比較、実施例４と比較例７との比較、実施例５と比較例９との比較、実施例９と比較例１４との比較、および実施例１０と比較例１６との比較から、Ｑ＜４９の範囲では、充分な液晶性を享受できないことが判る。一方、実施例１と比較例２との比較、実施例２と比較例４との比較、実施例３と比較例６との比較、実施例４と比較例８との比較、実施例５と比較例１０との比較、実施例６と比較例１１との比較、実施例７と比較例１２との比較、実施例８と比較例１３との比較、実施例９と比較例１５との比較、実施例１０と比較例１７との比較から、相転移温度には差が見られず、液晶性の点では充分に高い特性を享受できているにも関わらず、Ｑ＞１９９９９にまで精製する場合、４９≦Ｑ≦１９９９９の範囲に収めるのに対して、精製工程の煩雑さ、例えば再結晶操作の回数が格段に増えてしまい、併せて収量も激減しており、精製コストが増大することが判る。
【０１０２】
その他、下記に示す各化合物においても、相転移温度に差が見られないにも関わらず、Ｑ＞１９９９９にまで精製する場合、４９≦Ｑ≦１９９９９の範囲に収めるのに対して、精製工程の煩雑さ、例えば再結晶あるいは蒸留の回数が１．６倍から２．２倍増えていた。また、下記に示す化合物の中で１−プロペン−１−イルまたは３−ペンテン−１−イルを持つ化合物においては、Ｚ／Ｅ＜５．００×１０−５にまで精製する場合においても、５．００×１０−５≦Ｚ／Ｅ≦５．００×１０−２の範囲に収めるのに対して、精製工程の煩雑さ、例えば再結晶あるいは蒸留の回数が１．５倍〜２．２倍増えていた。
（下記の式中、Ｍｅはメチル基を、Ｅｔはエチル基を、Ｐｒはプロピル基を、Ｂｕはブチル基を、Ｐｅｎはペンチル基を、それぞれ表す。）
【０１０３】
【化２０】
2014162752.tif 000021
【０１０４】
【化２１】
2014162752.tif 000022
【０１０５】
【化２２】
2014162752.tif 000023
【０１０６】
【化２３】
2014162752.tif 000024
【０１０７】
以下に上述の化合物の実施例を用いて調整した組成物の実施例を挙げて本発明を更に詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また、以下の実施例及び比較例の液晶組成物における各構成成分の組成比を示す「％」は『質量％』を意味する。
実施例中、測定した特性は以下の通りである。
【０１０８】
ＴＮＩ  ：ネマチック相−等方性液体相転移温度（℃）
Δｎ  ：２５℃における屈折率異方性
Δε  ：２５℃における誘電率異方性
η    ：２０℃における粘度（ｍＰａ・ｓ）
γ１  ：２５℃における回転粘度（ｍＰａ・ｓ）
【０１０９】
低温での溶解性：
低温での溶解性評価は、液晶組成物を調製後、２ｍＬのサンプル瓶に液晶組成物を１ｇ秤量し、これに温度制御式試験槽の中で、次を１サイクル「−２０℃（１時間保持）→昇温（０．１℃／毎分）→０℃（１時間保持）→昇温（０．１℃／毎分）→２０℃（１時間保持）→降温（−０．１℃／毎分）→０℃（１時間保持）→降温（−０．１℃／毎分）→−２０℃」として温度変化を与え続け、目視にて液晶組成物からの析出物の発生を観察し、以下の４段階評価を行った。
◎  ６００時間以上析出物が観察されなかった。
○  ３００時間以上析出物が観察されなかった。
△  １５０時間以内に析出物が観察された。
×  ７５時間以内に析出物が観察された。
【０１１０】
なお、実施例において化合物の記載について以下の略号を用いる。
（環構造の右側に結合する側鎖）
−ｎ      −ＣｎＨ２ｎ＋１      炭素原子数ｎの直鎖状アルキル基
−Ｏｎ    −ＯＣｎＨ２ｎ＋１    炭素原子数ｎの直鎖状アルコキシ基
−Ｖ      −ＣＨ＝ＣＨ２    ビニル基
−Ｖｎ    −ＣＨ＝ＣＨＣｎＨ２ｎ＋１  炭素原子数ｎ＋２の直鎖状１−アルケニル基
−ｍＶｎ    −(ＣＨ２)ｍＣＨ＝ＣＨＣｎＨ２ｎ＋１
炭素原子数ｍ＋ｎ＋２の直鎖状（ｍ＋１）−アルケニル基
（環構造の左側に結合する側鎖）
ｎ−      ＣｎＨ２ｎ＋１−      炭素原子数ｎの直鎖状アルキル基
Ｖ−      ＣＨ２＝ＣＨ−    ビニル基
Ｖｎ−    ＣＨ２＝ＣＨ(ＣＨ２)ｎ−  炭素原子数ｎ＋２の直鎖状ω−アルケニル基
（連結基）
−Ｕ−      −ＣＦ２Ｏ−基
（環構造）
【０１１１】
【化２４】
2014162752.tif 000025
【０１１２】
（実施例ＭＰ１）
上述の実施例４の化合物（２−Ｃｙ−Ｃｙ−Ｖ１）を用いて次に示す組成を有する液晶組成物（実施例ＭＰ１）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表１に示す。
実施例ＭＰ１の液晶組成物を用いて、低温での溶解性の評価を行った。
なお、含有量の左側の記号は、上記化合物の略号の記載である。
【０１１３】
【化２５】
2014162752.tif 000026
【０１１４】
【表１】
2014162752.tif 000027
【０１１５】
実施例ＭＰ１の液晶組成物は、ＴＦＴ用液晶組成物として実用的な７５．８℃の液晶相温度範囲を有し、大きい誘電率異方性の値を有し、低い粘性及び最適なΔｎを有していることが解る。実施例ＭＰ１の液晶組成物を用いて低温での溶解性を評価したところ、極めて優れた評価結果を示した。
【０１１６】
（比較例ＭＰ１−１）
実施例ＭＰ１において、実施例１の化合物を、これと同じ化合物式（２−Ｃｙ−Ｃｙ−Ｖ１）を持つもののＥ／Ｚ比及びシクロヘキサンのｃｉｓ／ｔｒａｎｓ比の異なる比較例７の化合物で置換した液晶組成物（比較例ＭＰ１−１）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表２に示す。
比較例ＭＰ１−１の液晶組成物を用いて、低温での溶解性の評価を行った。
なお、含有量の左側の記号は、実施例ＭＰ１と同様に、前記化合物略号の記載である。
【０１１７】
【化２６】
2014162752.tif 000028
【０１１８】
【表２】
2014162752.tif 000029
【０１１９】
実施例ＭＰ１中に１６質量％含有される実施例４の化合物を比較例７の化合物に置き換えた比較例ＭＰ１−１は、実施例ＭＰ１と比較して低いＴＮＩと高いγ１の値を示し、劣る結果となった。また、比較例ＭＰ１−１の低温での溶解性を評価したところ、実施例ＭＰ１と比べて早期に析出が観察された。
【０１２０】
（比較例ＭＰ１−２）
比較例ＭＰ１−１を構成する化合物群の種類や含有量をできるだけ維持したままで、低下したＴＮＩ及びその他の物性値を実施例ＭＰ１と同等になるように設計した、以下に示される液晶組成物（比較例ＭＰ１−２）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表３に示す。
比較例ＭＰ１−２の液晶組成物を用いて、低温での溶解性の評価を行った。
【０１２１】
【表３】
2014162752.tif 000030
【０１２２】
ＴＮＩ等の物性値が実施例ＭＰ１と同等になるように設計した液晶組成物（比較例ＭＰ１−２）は、実施例ＭＰ１と比べて、同等の液晶相温度範囲、同等の屈折率異方性の値及び同等の誘電率異方性の値を有するものの、粘度ηが上昇することが示された。γ１については、比較例ＭＰ１−２の値である６５ｍＰａ・ｓは、実施例ＭＰ１の値である５５ｍＰａ・ｓと比較して高い値を示しており、劣る結果となった。比較例ＭＰ１−２の低温での溶解性を評価したところ、実施例ＭＰ１と比べて早期に析出が観察された。
【０１２３】
（実施例ＭＰ２）
上述の実施例５の化合物を用いて次に示す組成を有する液晶組成物（実施例ＭＰ２）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表４に示す。
実施例ＭＰ２の液晶組成物を用いて、低温での溶解性の評価を行った。
【０１２４】
【表４】
2014162752.tif 000031
【０１２５】
実施例ＭＰ２の液晶組成物は、ＴＦＴ用液晶組成物として実用的な８１．７℃の液晶相温度範囲を有し、大きい誘電率異方性の値を有し、低い粘性及び最適なΔｎを有していることが解る。実施例ＭＰ２の液晶組成物を用いて低温での溶解性を評価したところ、極めて優れた評価結果を示した。
【０１２６】
（比較例ＭＰ２−１、比較例ＭＰ２−２）
実施例ＭＰ２において、実施例５の化合物を、これと同じ化合物式を持つもののＥ／Ｚ比及びシクロヘキサンのｃｉｓ／ｔｒａｎｓ比の異なる比較例９の化合物で置換した液晶組成物（比較例ＭＰ２−１）を調製し、その物性値を測定した。
また、比較例ＭＰ２−１を構成する化合物群の種類や含有量をできるだけ維持したままで、低下したＴＮＩ及びその他の物性値を実施例ＭＰ２と同等になるように設計した、以下に示される液晶組成物（比較例ＭＰ２−２）を調製し、その物性値を測定した。
これらの結果を次の表５に示す。比較例ＭＰ２−１及び比較例ＭＰ２−２の液晶組成物を用いて、低温での溶解性の評価を行った。
【０１２７】
【表５】
2014162752.tif 000032
【０１２８】
実施例ＭＰ２中に１４質量％含有される実施例５の化合物を比較例９の化合物に置き換えた比較例ＭＰ２−１は、実施例ＭＰ２と比較して低いＴＮＩと高いγ１の値を示し、劣る結果となった。また、比較例ＭＰ２−１の低温での溶解性を評価したところ、実施例ＭＰ２と比べて早期に析出が観察された。
ＴＮＩ等の物性値が実施例ＭＰ２と同等になるように設計した液晶組成物（比較例ＭＰ２−２）は、実施例ＭＰ２と比べて、同等の液晶相温度範囲、同等の屈折率異方性の値及び同等の誘電率異方性の値を有するものの、粘度ηが上昇することが示された。γ１については、比較例ＭＰ２−２の値である８５ｍＰａ・ｓは、実施例ＭＰ２の値である７７ｍＰａ・ｓと比較して高い値を示しており、劣る結果となった。比較例ＭＰ２−２の低温での溶解性を評価したところ、実施例ＭＰ２と比べて早期に析出が観察された。
【０１２９】
（実施例ＭＰ３）
上述の実施例５の化合物及び実施例１０の化合物を用いて次に示す組成を有する液晶組成物（実施例ＭＰ３）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表６に示す。
実施例ＭＰ３の液晶組成物を用いて、低温での溶解性の評価を行った。
【０１３０】
【表６】
2014162752.tif 000033
【０１３１】
実施例ＭＰ３の液晶組成物は、ＴＦＴ用液晶組成物として実用的な７７．７℃の液晶相温度範囲を有し、大きい誘電率異方性の値を有し、低い粘性及び最適なΔｎを有していることが解る。実施例ＭＰ３記載の液晶組成物を用いて低温での溶解性を評価したところ、極めて優れた評価結果を示した。
【０１３２】
（比較例ＭＰ３−１及び比較例ＭＰ３−２）
実施例ＭＰ３において、実施例１０の化合物を、これと同じ化合物式を持つもののシクロヘキサンのｃｉｓ／ｔｒａｎｓ比の異なる比較例１６の化合物で置換した液晶組成物（比較例ＭＰ３−１）を調製し、その物性値を測定した。
また、比較例ＭＰ３−１を構成する化合物群の種類や含有量をできるだけ維持したままで、低下したＴＮＩ及びその他の物性値を実施例ＭＰ３と同等になるように設計した、以下に示される液晶組成物（比較例ＭＰ３−２）を調製し、その物性値を測定した。
これらの結果を次の表７に示す。比較例ＭＰ３−１及び比較例ＭＰ３−２の液晶組成物を用いて、低温での溶解性の評価を行った。
【０１３３】
【表７】
2014162752.tif 000034
【０１３４】
実施例ＭＰ３中に１３質量％含有される実施例１０の化合物を比較例１６の化合物に置き換えた比較例ＭＰ３−１は、実施例ＭＰ３と比較して低いＴＮＩと高いγ１の値を示し、劣る結果となった。また、比較例ＭＰ３−１の低温での溶解性を評価したところ、実施例ＭＰ３と比べて早期に析出が観察された。
ＴＮＩ等の物性値が実施例ＭＰ３と同等になるように設計した液晶組成物（比較例ＭＰ３−２）は、実施例ＭＰ３と比べて、同等の液晶相温度範囲、同等の屈折率異方性の値及び同等の誘電率異方性の値を有するものの、粘度ηが上昇することが示された。γ１については、比較例ＭＰ３−２の値である７１ｍＰａ・ｓは、実施例ＭＰ３の値である６３ｍＰａ・ｓと比較して高い値を示しており、劣る結果となった。比較例ＭＰ３−２の低温での溶解性を評価したところ、実施例ＭＰ３と比べて早期に析出が観察された。
【０１３５】
（実施例ＭＮ−１）
上述の実施例１、実施例２、実施例３、実施例４及び実施例９の化合物を用いて次に示す組成を有する液晶組成物（実施例ＭＮ１）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表８に示す。
実施例ＭＮ１の液晶組成物を用いて、低温での溶解性の評価を行った。
【０１３６】
【表８】
2014162752.tif 000035
【０１３７】
実施例ＭＮ１の液晶組成物は、ＶＡ用液晶組成物として実用的な７５．４℃の液晶相温度範囲を有し、大きい誘電率異方性の絶対値を有し、低い粘性及び最適なΔｎを有していることが解る。実施例ＭＮ１の液晶組成物を用いて低温での溶解性を評価したところ、極めて優れた評価結果を示した。
【０１３８】
（比較例ＭＮ１−１及び比較例ＭＮ１−２）
実施例ＭＮ１において、実施例１の化合物を、これと同じ化合物式を持つもののシクロヘキサンのｃｉｓ／ｔｒａｎｓ比の異なる比較例１の化合物で置換した液晶組成物（比較例ＭＮ１−１）を調製し、その物性値を測定した。
また、比較例ＭＮ１−１を構成する化合物群の種類や含有量をできるだけ維持したままで、低下したＴＮＩ及びその他の物性値を実施例ＭＮ１と同等になるように設計した、以下に示される液晶組成物（比較例ＭＮ１−２）を調製し、その物性値を測定した。
これらの結果を次の表９に示す。比較例ＭＮ１−１及び比較例ＭＮ１−２の液晶組成物を用いて、低温での溶解性の評価を行った。
【０１３９】
【表９】
2014162752.tif 000036
【０１４０】
実施例ＭＮ１中に１３質量％含有される実施例１の化合物を比較例１の化合物に置き換えた比較例ＭＮ１−１は、実施例ＭＮ１と比較して低いＴＮＩと高いγ１の値を示し、劣る結果となった。また、比較例ＭＮ１−１の低温での溶解性を評価したところ、実施例ＭＮ１と比べて早期に析出が観察された。
ＴＮＩ等の物性値が実施例ＭＮ１と同等になるように設計した液晶組成物（比較例ＭＮ１−２）は、実施例ＭＮ１と比べて、同等の液晶相温度範囲、同等の屈折率異方性の値及び同等の誘電率異方性の値を有するものの、粘度ηが上昇することが示された。γ１については、比較例ＭＮ１−２の値である１２８ｍＰａ・ｓは、実施例ＭＮ１の値である１１７ｍＰａ・ｓと比較して高い値を示しており、劣る結果となった。比較例ＭＮ１−２の低温での溶解性を評価したところ、実施例ＭＮ１と比べて早期に析出が観察された。
【０１４１】
（比較例ＭＮ１−３及び比較例ＭＮ１−４）
実施例ＭＮ１において、実施例４の化合物を、これと同じ化合物式を持つもののＥ／Ｚ比及びシクロヘキサンのｃｉｓ／ｔｒａｎｓ比の異なる比較例７の化合物で置換した液晶組成物（比較例ＭＮ１−３）を調製し、その物性値を測定した。
また、比較例ＭＮ１−３を構成する化合物群の種類や含有量をできるだけ維持したままで、低下したＴＮＩ及びその他の物性値を実施例ＭＮ１と同等になるように設計した、以下に示される液晶組成物（比較例ＭＮ１−４）を調製し、その物性値を測定した。
これらの結果を次の表１０に示す。比較例ＭＮ１−３及び比較例ＭＮ１−４の液晶組成物を用いて、低温での溶解性の評価を行った。
【０１４２】
【表１０】
2014162752.tif 000037
【０１４３】
実施例ＭＮ１中に１０質量％含有される実施例４の化合物を比較例７の化合物に置き換えた比較例ＭＮ１−３は、実施例ＭＮ１と比較して低いＴＮＩと高いγ１の値を示し、劣る結果となった。また、比較例ＭＮ１−３の低温での溶解性を評価したところ、実施例ＭＮ１と比べて早期に析出が観察された。
ＴＮＩ等の物性値が実施例ＭＮ１と同等になるように設計した液晶組成物（比較例ＭＮ１−４）は、実施例ＭＮ１と比べて、同等の液晶相温度範囲、同等の屈折率異方性の値及び同等の誘電率異方性の値を有するものの、粘度ηが上昇することが示された。γ１については、比較例ＭＮ１−４の値である１２７ｍＰａ・ｓは、実施例ＭＮ１の値である１１７ｍＰａ・ｓと比較して高い値を示しており、劣る結果となった。比較例ＭＮ１−４の低温での溶解性を評価したところ、実施例ＭＮ１と比べて早期に析出が観察された。
【０１４４】
（比較例ＭＮ１−５及び比較例ＭＮ１−６）
実施例ＭＮ１において、実施例９の化合物を、これと同じ化合物式を持つもののシクロヘキサンのｃｉｓ／ｔｒａｎｓ比の異なる比較例１４の化合物で置換した液晶組成物（比較例ＭＮ１−５）
また、比較例ＭＮ１−５を構成する化合物群の種類や含有量をできるだけ維持したままで、低下したＴＮＩ及びその他の物性値を実施例ＭＮ１と同等になるように設計した、以下に示される液晶組成物（比較例ＭＮ１−６）を調製し、その物性値を測定した。
これらの結果を次の表１１に示す。比較例ＭＮ１−５及び比較例ＭＮ１−６の液晶組成物を用いて、低温での溶解性の評価を行った。
【０１４５】
【表１１】
2014162752.tif 000038
【０１４６】
実施例ＭＮ１中に１２質量％含有される実施例９の化合物を比較例１４の化合物に置き換えた比較例ＭＮ１−５は、実施例ＭＮ１と比較して低いＴＮＩと高いγ１の値を示し、劣る結果となった。また、比較例ＭＮ１−５の低温での溶解性を評価したところ、実施例ＭＮ１と比べて早期に析出が観察された。
ＴＮＩ等の物性値が実施例ＭＮ１と同等になるように設計した液晶組成物（比較例ＭＮ１−６）は、実施例ＭＮ１と比べて、同等の液晶相温度範囲、同等の屈折率異方性の値及び同等の誘電率異方性の値を有するものの、粘度ηが上昇することが示された。γ１については、比較例ＭＮ１−６の値である１３１ｍＰａ・ｓは、実施例ＭＮ１の値である１１７ｍＰａ・ｓと比較して高い値を示しており、劣る結果となった。比較例ＭＮ１−６の低温での溶解性を評価したところ、実施例ＭＮ１と比べて早期に析出が観察された。
【０１４７】
（比較例ＭＮ１−７及び比較例ＭＮ１−８）
実施例ＭＮ１において、実施例１の化合物を、これと同じ化合物式を持つもののシクロヘキサンのｃｉｓ／ｔｒａｎｓ比の異なる比較例１の化合物で、実施例２の化合物を、これと同じ化合物式を持つもののシクロヘキサンのｃｉｓ／ｔｒａｎｓ比の異なる比較例３の化合物で、及び実施例３の化合物を、これと同じ化合物式を持つもののシクロヘキサンのｃｉｓ／ｔｒａｎｓ比の異なる比較例５の化合物でそれぞれ置換した液晶組成物（比較例ＭＮ１−７）を調製し、その物性値を測定した。
また、比較例ＭＮ１−７を構成する化合物群の種類や含有量をできるだけ維持したままで、低下したＴＮＩ及びその他の物性値を実施例ＭＮ１と同等になるように設計した、以下に示される液晶組成物（比較例ＭＮ１−８）を調製し、その物性値を測定した。
これらの結果を次の表１２に示す。比較例ＭＮ１−７及び比較例ＭＮ１−８の液晶組成物を用いて、低温での溶解性の評価を行った。
【０１４８】
【表１２】
2014162752.tif 000039
【０１４９】
実施例ＭＮ１中に１３質量％含有される実施例９の化合物を比較例１の化合物に、４．５質量％含有される実施例２の化合物を比較例３の化合物に、及び６質量％含有される実施例３の化合物を比較例５の化合物にそれぞれ置き換えた比較例ＭＮ１−７は、実施例ＭＮ１と比較して低いＴＮＩと高いγ１の値を示し、劣る結果となった。また、比較例ＭＮ１−７の低温での溶解性を評価したところ、実施例ＭＮ１と比べて早期に析出が観察された。
ＴＮＩ等の物性値が実施例ＭＮ１と同等になるように設計した液晶組成物（比較例ＭＮ１−８）は、実施例ＭＮ１と比べて、同等の液晶相温度範囲、同等の屈折率異方性の値及び同等の誘電率異方性の値を有するものの、粘度ηが上昇することが示された。γ１については、比較例ＭＮ１−８の値である１３６ｍＰａ・ｓは、実施例ＭＮ１の値である１１７ｍＰａ・ｓと比較して高い値を示しており、劣る結果となった。比較例ＭＮ１−８の低温での溶解性を評価したところ、実施例ＭＮ１と比べて早期に析出が観察された。
【０１５０】
（比較例ＭＮ１−９及び比較例ＭＮ１−１０）
実施例ＭＮ１において、実施例１の化合物を、これと同じ化合物式を持つもののシクロヘキサンのｃｉｓ／ｔｒａｎｓ比の異なる比較例１の化合物で、実施例２の化合物を、これと同じ化合物式を持つもののシクロヘキサンのｃｉｓ／ｔｒａｎｓ比の異なる比較例３の化合物で、実施例３の化合物を、これと同じ化合物式を持つもののシクロヘキサンのｃｉｓ／ｔｒａｎｓ比の異なる比較例５の化合物で、実施例４の化合物を、これと同じ化合物式を持つもののＥ／Ｚ比及びシクロヘキサンのｃｉｓ／ｔｒａｎｓ比の異なる比較例７の化合物で、及び実施例９の化合物を、これと同じ化合物式を持つもののシクロヘキサンのｃｉｓ／ｔｒａｎｓ比の異なる比較例１４の化合物でそれぞれ置換した液晶組成物（比較例ＭＮ１−９）を調製し、その物性値を測定した。
また、比較例ＭＮ１−９を構成する化合物群の種類や含有量をできるだけ維持したままで、低下したＴＮＩ及びその他の物性値を実施例ＭＮ１と同等になるように設計した、以下に示される液晶組成物（比較例ＭＮ１−１０）を調製し、その物性値を測定した。
これらの結果を次の表１３に示す。比較例ＭＮ１−９及び比較例ＭＮ１−１０の液晶組成物を用いて、低温での溶解性の評価を行った。
【０１５１】
【表１３】
2014162752.tif 000040
【０１５２】
実施例ＭＮ１中に１３質量％含有される実施例１の化合物を比較例１の化合物に、４．５質量％含有される実施例２の化合物を比較例３の化合物に、６質量％含有される実施例３の化合物を比較例５の化合物に、１０質量％含有される実施例４の化合物を比較例７の化合物に、及び１２質量％含有される実施例９の化合物を比較例１４の化合物にそれぞれ置き換えた比較例ＭＮ１−９は、実施例ＭＮ１と比較して低いＴＮＩと高いγ１の値を示し、劣る結果となった。また、比較例ＭＮ１−９の低温での溶解性を評価したところ、実施例ＭＮ１と比べて早期に析出が観察された。
ＴＮＩ等の物性値が実施例ＭＮ１と同等になるように設計した液晶組成物（比較例ＭＮ１−１０）は、実施例ＭＮ１と比べて、同等の液晶相温度範囲、同等の屈折率異方性の値及び同等の誘電率異方性の値を有するものの、粘度ηが上昇することが示された。γ１については、比較例ＭＮ１−１０の値である１７９ｍＰａ・ｓは、実施例ＭＮ１の値である１１７ｍＰａ・ｓと比較して高い値を示しており、劣る結果となった。比較例ＭＮ１−１０の低温での溶解性を評価したところ、実施例ＭＮ１と比べて早期に析出が観察された。
【０１５３】
（実施例ＭＮ−２）
上述の実施例１、実施例２、実施例３、実施例５及び実施例９の化合物を用いて次に示す組成を有する液晶組成物（実施例ＭＮ２）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表１４に示す。
実施例ＭＮ２の液晶組成物を用いて、低温での溶解性の評価を行った。
【０１５４】
【表１４】
2014162752.tif 000041
【０１５５】
実施例ＭＮ２の液晶組成物は、ＶＡ用液晶組成物として実用的な７５．５℃の液晶相温度範囲を有し、大きい誘電率異方性の絶対値を有し、低い粘性及び最適なΔｎを有していることが解る。実施例ＭＮ２の液晶組成物を用いて低温での溶解性を評価したところ、極めて優れた評価結果を示した。
【０１５６】
（比較例ＭＮ２−１及び比較例ＭＮ２−２）
実施例ＭＮ２において、実施例１の化合物を、これと同じ化合物式を持つもののシクロヘキサンのｃｉｓ／ｔｒａｎｓ比の異なる比較例１の化合物で置換した液晶組成物（比較例ＭＮ２−１）を調製し、その物性値を測定した。
また、比較例ＭＮ２−１を構成する化合物群の種類や含有量をできるだけ維持したままで、低下したＴＮＩ及びその他の物性値を実施例ＭＮ２と同等になるように設計した、以下に示される液晶組成物（比較例ＭＮ２−２）を調製し、その物性値を測定した。
これらの結果を次の表１５に示す。比較例ＭＮ２−１及び比較例ＭＮ２−２の液晶組成物を用いて、低温での溶解性の評価を行った。
【０１５７】
【表１５】
2014162752.tif 000042
【０１５８】
実施例ＭＮ２中に１３質量％含有される実施例１の化合物を比較例１の化合物に置き換えた比較例ＭＮ２−１は、実施例ＭＮ２と比較して低いＴＮＩと高いγ１の値を示し、劣る結果となった。また、比較例ＭＮ２−１の低温での溶解性を評価したところ、実施例ＭＮ２と比べて早期に析出が観察された。
ＴＮＩ等の物性値が実施例ＭＮ２と同等になるように設計した液晶組成物（比較例ＭＮ２−２）は、実施例ＭＮ２と比べて、同等の液晶相温度範囲、同等の屈折率異方性の値及び同等の誘電率異方性の値を有するものの、粘度ηが上昇することが示された。γ１については、比較例ＭＮ２−２の値である１３０ｍＰａ・ｓは、実施例ＭＮ２の値である１１８ｍＰａ・ｓと比較して高い値を示しており、劣る結果となった。比較例ＭＮ２−２の低温での溶解性を評価したところ、実施例ＭＮ２と比べて早期に析出が観察された。
【０１５９】
（比較例ＭＮ２−３及び比較例ＭＮ２−４）
実施例ＭＮ２において、実施例５の化合物を、これと同じ化合物式を持つもののＥ／Ｚ比及びシクロヘキサンのｃｉｓ／ｔｒａｎｓ比の異なる比較例９の化合物で置換した液晶組成物（比較例ＭＮ２−３）を調製し、その物性値を測定した。
また、比較例ＭＮ２−３を構成する化合物群の種類や含有量をできるだけ維持したままで、低下したＴＮＩ及びその他の物性値を実施例ＭＮ２と同等になるように設計した、以下に示される液晶組成物（比較例ＭＮ２−４）を調製し、その物性値を測定した。
これらの結果を次の表１６に示す。比較例ＭＮ２−３及び比較例ＭＮ２−４の液晶組成物を用いて、低温での溶解性の評価を行った。
【０１６０】
【表１６】
2014162752.tif 000043
【０１６１】
実施例ＭＮ２中に１０質量％含有される実施例５の化合物を比較例９の化合物に置き換えた比較例ＭＮ２−３は、実施例ＭＮ２と比較して低いＴＮＩと高いγ１の値を示し、劣る結果となった。また、比較例ＭＮ２−３の低温での溶解性を評価したところ、実施例ＭＮ２と比べて早期に析出が観察された。
ＴＮＩ等の物性値が実施例ＭＮ２と同等になるように設計した液晶組成物（比較例ＭＮ２−４）は、実施例ＭＮ２と比べて、同等の液晶相温度範囲、同等の屈折率異方性の値及び同等の誘電率異方性の値を有するものの、粘度ηが上昇することが示された。γ１については、比較例ＭＮ２−４の値である１２６ｍＰａ・ｓは、実施例ＭＮ２の値である１１８ｍＰａ・ｓと比較して高い値を示しており、劣る結果となった。比較例ＭＮ２−４の低温での溶解性を評価したところ、実施例ＭＮ２と比べて早期に析出が観察された。
【０１６２】
（比較例ＭＮ２−５及び比較例ＭＮ２−６）
実施例ＭＮ２において、実施例９の化合物を、これと同じ化合物式を持つもののシクロヘキサンのｃｉｓ／ｔｒａｎｓ比の異なる比較例１４の化合物で置換した液晶組成物（比較例ＭＮ２−５）を調製し、その物性値を測定した。
また、比較例ＭＮ２−５を構成する化合物群の種類や含有量をできるだけ維持したままで、低下したＴＮＩ及びその他の物性値を実施例ＭＮ２と同等になるように設計した、以下に示される液晶組成物（比較例ＭＮ２−６）を調製し、その物性値を測定した。
これらの結果を次の表１７に示す。比較例ＭＮ２−５及び比較例ＭＮ２−６の液晶組成物を用いて、低温での溶解性の評価を行った。
【０１６３】
【表１７】
2014162752.tif 000044
【０１６４】
実施例ＭＮ２中に１２質量％含有される実施例９の化合物を比較例１４の化合物に置き換えた比較例ＭＮ２−５は、実施例ＭＮ２と比較して低いＴＮＩと高いγ１の値を示し、劣る結果となった。また、比較例ＭＮ２−５の低温での溶解性を評価したところ、実施例ＭＮ２と比べて早期に析出が観察された。
ＴＮＩ等の物性値が実施例ＭＮ２と同等になるように設計した液晶組成物（比較例ＭＮ２−６）は、実施例ＭＮ２と比べて、同等の液晶相温度範囲、同等の屈折率異方性の値及び同等の誘電率異方性の値を有するものの、粘度ηが上昇することが示された。γ１については、比較例ＭＮ２−６の値である１３２ｍＰａ・ｓは、実施例ＭＮ２の値である１１８ｍＰａ・ｓと比較して高い値を示しており、劣る結果となった。比較例ＭＮ２−６の低温での溶解性を評価したところ、実施例ＭＮ２と比べて早期に析出が観察された。
【０１６５】
（比較例ＭＮ２−７及び比較例ＭＮ２−８）
実施例ＭＮ２において、実施例１の化合物を、これと同じ化合物式を持つもののシクロヘキサンのｃｉｓ／ｔｒａｎｓ比の異なる比較例１の化合物で、実施例２の化合物を、これと同じ化合物式を持つもののシクロヘキサンのｃｉｓ／ｔｒａｎｓ比の異なる比較例３の化合物で、及び実施例３の化合物を、これと同じ化合物式を持つもののシクロヘキサンのｃｉｓ／ｔｒａｎｓ比の異なる比較例５の化合物でそれぞれ置換した液晶組成物（比較例ＭＮ２−７）を調製し、その物性値を測定した。
また、比較例ＭＮ２−７を構成する化合物群の種類や含有量をできるだけ維持したままで、低下したＴＮＩ及びその他の物性値を実施例ＭＮ２と同等になるように設計した、以下に示される液晶組成物（比較例ＭＮ２−８）を調製し、その物性値を測定した。
これらの結果を次の表１８に示す。比較例ＭＮ２−７及び比較例ＭＮ２−８の液晶組成物を用いて、低温での溶解性の評価を行った。
【０１６６】
【表１８】
2014162752.tif 000045
【０１６７】
実施例ＭＮ２中に１３質量％含有される実施例１の化合物を比較例１の化合物に、４．５質量％含有される実施例２の化合物を比較例３の化合物に、及び６質量％含有される実施例３の化合物を比較例５の化合物にそれぞれ置き換えた比較例ＭＮ２−７は、実施例ＭＮ２と比較して低いＴＮＩと高いγ１の値を示し、劣る結果となった。また、比較例ＭＮ２−７の低温での溶解性を評価したところ、実施例ＭＮ２と比べて早期に析出が観察された。
ＴＮＩ等の物性値が実施例ＭＮ２と同等になるように設計した液晶組成物（比較例ＭＮ２−８）は、実施例ＭＮ２と比べて、同等の液晶相温度範囲、同等の屈折率異方性の値及び同等の誘電率異方性の値を有するものの、粘度ηが上昇することが示された。γ１については、比較例ＭＮ２−８の値である１４０ｍＰａ・ｓは、実施例ＭＮ２の値である１１８ｍＰａ・ｓと比較して高い値を示しており、劣る結果となった。比較例ＭＮ２−８の低温での溶解性を評価したところ、実施例ＭＮ２と比べて早期に析出が観察された。
【０１６８】
（比較例ＭＮ２−９及び比較例ＭＮ２−１０）
実施例ＭＮ２において、実施例１の化合物を、これと同じ化合物式を持つもののシクロヘキサンのｃｉｓ／ｔｒａｎｓ比の異なる比較例１の化合物で、実施例２の化合物を、これと同じ化合物式を持つもののシクロヘキサンのｃｉｓ／ｔｒａｎｓ比の異なる比較例３の化合物で、実施例３の化合物を、これと同じ化合物式を持つもののシクロヘキサンのｃｉｓ／ｔｒａｎｓ比の異なる比較例５の化合物で、実施例５の化合物を、これと同じ化合物式を持つもののＥ／Ｚ比及びシクロヘキサンのｃｉｓ／ｔｒａｎｓ比の異なる比較例９の化合物で、及び実施例９の化合物を、これと同じ化合物式を持つもののシクロヘキサンのｃｉｓ／ｔｒａｎｓ比の異なる比較例１４の化合物でそれぞれ置換した液晶組成物（比較例ＭＮ２−９）これらの結果を次の表１８に示す。
また、比較例ＭＮ２−９を構成する化合物群の種類や含有量をできるだけ維持したままで、低下したＴＮＩ及びその他の物性値を実施例ＭＮ２と同等になるように設計した、以下に示される液晶組成物（比較例ＭＮ２−１０）を調製し、その物性値を測定した。
これらの結果を次の表１９に示す。比較例ＭＮ２−９及び比較例ＭＮ２−１０の液晶組成物を用いて、低温での溶解性の評価を行った。
【０１６９】
【表１９】
2014162752.tif 000046
【０１７０】
実施例ＭＮ２中に１３質量％含有される実施例１の化合物を比較例１の化合物に、４．５質量％含有される実施例２の化合物を比較例３の化合物に、６質量％含有される実施例３の化合物を比較例５の化合物に、１０質量％含有される実施例５の化合物を比較例９の化合物に、及び１２質量％含有される実施例９の化合物を比較例１４の化合物にそれぞれ置き換えた比較例ＭＮ２−９は、実施例ＭＮ２と比較して低いＴＮＩと高いγ１の値を示し、劣る結果となった。また、比較例ＭＮ２−９の低温での溶解性を評価したところ、実施例ＭＮ２と比べて早期に析出が観察された。
ＴＮＩ等の物性値が実施例ＭＮ２と同等になるように設計した液晶組成物（比較例ＭＮ２−１０）は、実施例ＭＮ２と比べて、同等の液晶相温度範囲、同等の屈折率異方性の値及び同等の誘電率異方性の値を有するものの、粘度ηが上昇することが示された。γ１については、比較例ＭＮ２−１０の値である１７１ｍＰａ・ｓは、実施例ＭＮ２の値である１１８ｍＰａ・ｓと比較して高い値を示しており、劣る結果となった。比較例ＭＮ２−１０の低温での溶解性を評価したところ、実施例ＭＮ２と比べて早期に析出が観察された。