(57)【要約】【課題】サイズを小型化しつつモニタの受光パワーを大きくできること。【解決手段】光デバイス１００は、電気光学効果を有する基板１０１上に形成された、入射導波路１０２ａと、電極１０３に沿った平行導波路１０２ｂと、出射導波路１０２ｃとを含む光導波路１０２と、一対の出射導波路１０２ｃの一方を信号光の出力導波路１０２ｃａとして外部出力し、他方を信号光のモニタ光導波路１０２ｃｂとして用いる。モニタ光導波路１０２ｃｂ上には受光素子１１２を設ける。モニタ光導波路１０２ｃｂの受光素子１１２が設けられた基板１０１部分には溝１１１を形成する。モニタ光導波路１０２ｃｂは、起点側の幅Ｗ０に対し溝１１１に近づくにつれて光導波路の幅Ｗ２を太く形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学効果を有する基板上に形成された、入射導波路と、電極に沿った平行導波路と、出射導波路とを含む光導波路と、
前記出射導波路の一方を信号光の出力導波路として外部出力し、他方を信号光のモニタ光導波路とし、
前記モニタ光導波路上に設けた受光素子と、
前記モニタ光導波路の前記受光素子が設けられた前記基板部分に形成した溝とを有し、
前記モニタ光導波路は、起点側の幅に対し前記溝に近づくにつれて光導波路の幅を太く形成したことを特徴とする光デバイス。
【請求項２】
前記モニタ光導波路は、前記起点側の幅に対し前記溝に近づくにつれて、光導波路の幅をシングルモードのみ通過可能な幅を有して狭く形成した部分と、前記起点側の幅に対し前記溝に近づくにつれて光導波路の幅を太く形成した部分と、を有することを特徴とする請求項１に記載の光デバイス。
【請求項３】
前記溝を前記モニタ光導波路の光の進行方向に対して斜めに形成したことを特徴とする請求項１または２に記載の光デバイス。
【請求項４】
前記溝には、反射率が高い金属膜を設けたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の光デバイス。
【請求項５】
前記溝は、前記モニタ光導波路の前記受光素子付近に、複数設けたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の光デバイス。
【請求項６】
前記受光素子は、接着剤により前記基板に接合され、前記溝内部を前記接着剤により充填したことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の光デバイス。
【請求項７】
前記溝内部を空間とし、前記受光素子をボンディングにより前記基板に貼り合わせたことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の光デバイス。
【請求項８】
前記モニタ光導波路は、端部が前記基板の端面に達しない位置まで形成したことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の光デバイス。
【請求項９】
前記モニタ光導波路を、前記出力導波路から離れる方向に向けて傾斜して形成したことを特徴とする請求項１〜８のいずれか一つに記載の光デバイス。
【請求項１０】
前記溝は、前記モニタ光導波路に対し傾斜して設け、前記モニタ光導波路に沿った方向から逸らす反射面を有し、
前記溝による光の反射方向上に前記受光素子を設けたことを特徴とする請求項１〜９のいずれか一つに記載の光デバイス。
【請求項１１】
電気光学効果を有する基板上に形成された、入射導波路と、電極に沿った平行導波路と、出射導波路とを含む光導波路と、
前記出射導波路の一方を信号光の出力導波路として外部出力し、他方を信号光のモニタ光導波路とし、
前記モニタ光導波路上に設けた受光素子と、
前記モニタ光導波路の前記受光素子が設けられた前記基板部分に形成した溝とを有し、
前記モニタ光導波路は、起点側の幅に対し前記溝に近づくにつれて光導波路の幅を太く形成した光変調器と、
前記光変調器の入力光を出射する光源と、
送信用の信号を生成するデータ生成部と、
前記データ生成部により生成されたデータに基づき、前記電極を介して前記光変調器を駆動するドライバと、
を備えたことを特徴とする送信機。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信に用いられる光デバイスおよび送信機に関する。
【背景技術】
【０００２】
光デバイスとして、例えば、ＬｉＮｂＯ3（ＬＮ）基板やＬｉＴａＯ2基板などの電気光学結晶基板を用いた光導波路デバイスがある。この光導波路デバイスは、基板上の一部にチタン（Ｔｉ）などの金属膜を形成し、熱拡散させて光導波路を形成する。または、パターニング後に安息香酸中でプロトン交換して光導波路を形成する。この後、光導波路近傍に電極を設けることにより、光変調器や光スイッチを構成できる。
【０００３】
光変調器の光導波路は、入射導波路と、平行導波路と、出射導波路とからなり、平行導波路上に信号電極と、接地電極が設けられてコプレーナ電極を形成する。ＬＮ変調器では、ＸカットのＬＮ基板、あるいはＺカットのＬＮ基板が用いられる。ＺカットのＬＮ基板を用いる場合はＺ方向の電界による屈折率変化を利用する。そして、電界の印加効率を良くするため、導波路の真上に電極を配置する。平行導波路の上に、それぞれ信号電極、接地電極をパターニングするが、平行導波路中を伝搬する光が信号電極、接地電極によって吸収されるのを防ぐために、ＬＮ基板と信号電極、接地電極の間にバッファ層を設ける。バッファ層としては、厚さ０．２〜２μｍ程度のＳｉＯ2等を用いる。
【０００４】
このような光変調器を高速で駆動する場合には、信号電極と接地電極の終端を抵抗で接続して進行波電極とし、入力側からマイクロ波信号を印加する。このとき、電界によって一対の平行導波路Ａ，Ｂの屈折率がそれぞれ＋Δと−Δ側に変化し、平行導波路Ａ，Ｂ間の位相差が変化する。これにより、マッハツェンダ干渉によって、出射導波路から強度変調された信号光が出力される。そして、電極の断面形状を変化させることでマイクロ波の実効屈折率を制御し、光とマイクロ波の速度を整合させることによって高速の光応答特性を得ることができる。
【０００５】
ＬＮ変調器などのマッハツェンダ変調器では、温度変化によって光がＯＦＦとなる電圧（動作点電圧）が変化する。そこで、光出力の一部をＰＤで受光してモニタし、その受光量に応じて外部からバイアス電圧を与えることで動作点電圧を調節する。このマッハツェンダ変調器では、２つの出力のうち、一方を信号光として出力し、他方（ＯＦＦ光）をモニタ光として利用する。２つの出力は相補信号であり、モニタ光出力パワーは信号光出力パワーと同等であるため、モニタ光の受光パワーを大きく取ることができ、バイアス制御を安定して行うことができる。
【０００６】
モニタ光を受光するための受光素子（ＰＤ）を基板の外部に設けると、実装するスペースが必要となり、全体サイズ（パッケージサイズ）が大きくなる。このため、基板の出射導波路上にＰＤを実装し、パッケージを小型化する技術が開示されている（例えば、下記特許文献１参照。）。
【０００７】
また、出射導波路上にＰＤを実装し、ＰＤ下の基板に溝やミラーを設けて光を反射させる技術が開示されている（例えば、特許文献２〜４参照。）。ＰＤ直下に溝を設け、溝の底面や側面で光を反射させることにより、ＰＤへの受光量を増やすことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−２１５３７１号公報
【特許文献２】特開２００７−２４０７８１号公報
【特許文献３】特開２００５−２５０１７８号公報
【特許文献４】特開２００３−２９４９６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、基板の出射導波路上にＰＤを実装した構成では、ＰＤの受光パワーが小さい。この構成では、導波路を伝播する光の一部、すなわち、エバネッセント波がＰＤ側へしみだす分を受光する。このため、ＰＤの受光パワーを大きくできない。
【００１０】
また、ＰＤ直下に溝等を設ける構成では、溝が浅くなると受光パワーが下がるため、溝の深さによって製造ばらつきが大きくなるという問題が生じる。溝の深さ方向の光のモードフィールドは６〜１０μｍ程度であるが、モードフィールド全体をカバーするように溝の深さを深くすると、製造プロセス上の問題が生じる。基板に溝を設ける場合は、エッチングプロセスを用いるが、溝の深さが深くなるとそれだけエッチングの時間が長くなり、製造のスループットが悪くなる、また、基板にクラック等が生じる危険も高まり、歩留まりを劣化させる要因となる。
【００１１】
一つの側面では、本発明は、サイズを小型化しつつモニタの受光パワーを大きくできることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
一つの案では、光デバイスは、電気光学効果を有する基板上に形成された、入射導波路と、電極に沿った平行導波路と、出射導波路とを含む光導波路と、前記出射導波路の一方を信号光の出力導波路として外部出力し、他方を信号光のモニタ光導波路とし、前記モニタ光導波路上に設けた受光素子と、前記モニタ光導波路の前記受光素子が設けられた前記基板部分に形成した溝とを有し、前記モニタ光導波路は、起点側の幅に対し前記溝に近づくにつれて光導波路の幅を太く形成する。
【発明の効果】
【００１３】
一つの実施形態によれば、サイズを小型化しつつモニタの受光パワーを大きくできるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、実施の形態１にかかる光デバイスを示す平面図である。
【図２】図２は、実施の形態１にかかる光デバイスに形成する溝を示す側断面図である。
【図３】図３は、実施の形態２にかかる光デバイスを示す平面図である。
【図４】図４は、受光パワーと消光比を示す図表である。
【図５】図５は、実施の形態３にかかる光デバイスを示す平面図である。
【図６】図６は、実施の形態４にかかる光デバイスを示す平面図である。
【図７】図７は、実施の形態５にかかる光デバイスを示す平面図である（その１）。
【図８】図８は、実施の形態５にかかる光デバイスを示す平面図である（その２）。
【図９】図９は、実施の形態６にかかる光デバイスを示す平面図である。
【図１０】図１０は、実施の形態７にかかる光デバイスを備えた送信機を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
（実施の形態１）
以下に添付図面を参照して、開示技術の好適な実施の形態を詳細に説明する。図１は、実施の形態１にかかる光デバイスを示す平面図である。
【００１６】
図１に示す光デバイス１００は、電気光学効果を有するＬＮ基板等の基板１０１上に光導波路１０２と電極１０３とを設けたマッハツェンダ型の光変調器の構成例である。光導波路１０２は、入射導波路１０２ａと、一対の平行導波路Ａ，Ｂ（１０２ｂ）と、出射導波路１０２ｃとからなる。入射導波路１０２ａの一方には、入力光が入射される。平行導波路１０２ｂ上にはこの平行導波路１０２ｂに沿って電極１０３の信号電極１０３ａが設けられ、信号電極１０３ａの両側部には、接地電極１０３ｂが設けられ、コプレーナ電極を形成している。
【００１７】
平行導波路１０２ｂの出力端には、カプラ（２×２カプラ）１０４が設けられ、このカプラ１０４は平行導波路１０２ｂを２つの出射導波路１０２ｃに光結合させる。２つの出射導波路１０２ｃのうち、一方の出射導波路１０２ｃａからは出力光として外部出力される。他方の出射導波路は、モニタ光導波路１０２ｃｂとして用いられる。
【００１８】
基板１０１端部の出射導波路１０２ｃａから出力される出力光は、不図示のレンズ等の光学素子を介して空間伝搬され、出力ファイバに結合される。
【００１９】
そして、モニタ光導波路１０２ｃｂの基板１０１には溝１１１が設けられ、溝１１１の上に受光素子（ＰＤ）１１２が設けられる。この溝１１１は、出射導波路１０２ｃａ（光の進行方向）に対して直角に形成する。
【００２０】
カプラ１０４の出力部分におけるモニタ光導波路１０２ｃｂの幅はＷ０であり、溝１１１に達する部分のモニタ光導波路１０２ｃｂの幅はＷ２である。ここでＷ０＜Ｗ２とし、モニタ光導波路１０２ｃｂは、溝１１１に近づくにつれて徐々に幅を太く形成する。
【００２１】
図２は、実施の形態１にかかる光デバイスに形成する溝を示す側断面図である。この溝１１１の幅、すなわち、光の進行方向に対する幅Ｌ１は、ＰＤ１１２の受光面１１２ａの面積（幅Ｌ２）に対応させる。この際、溝１１１の幅Ｌ１は、溝１１１の反射面（例えば、底面１１１ａや側面１１１ｂ）の反射状態によりＰＤ１１２の受光パワーが変化するため、この溝１１１の反射状態を考慮して決定する。
【００２２】
溝１１１の側面１１１ｂは図示のように直角より鈍角側に傾斜させて、ＰＤ１１２側に反射する所定の角度とすれば、ＰＤ１１２方向への光の反射量を増やすことができる。さらに、溝１１１の反射面（底面１１１ａや側面１１１ｂ）に反射率が高い金属膜等を蒸着等により形成して、光の反射率を向上させることができる。
【００２３】
そして、溝１１１は、上述した製造プロセス上の問題が生じない条件として、深さ６μｍ以下の溝とする必要がある。このため、図１に示したように、溝１１１の部分のモニタ光導波路１０２ｃｂの幅Ｗ２をカプラ１０４の出力部分（モニタ光導波路１０２ｃｂの起点側）の導波路幅Ｗ０よりも太くしている。モニタ光導波路１０２ｃｂの幅を太くすることにより実効屈折率差を大きくすることができる。これにより、基板１０１の深さ方向に対する光の閉じ込めが強くなり、光のパワーが基板１０１表面付近に集中し、溝１１１を浅くしても十分な光量を溝１１１により反射させることができる。
【００２４】
このように、実施の形態１では溝１１１の深さを浅くすることができる一方、溝１１１内部の屈折率が重要となる。溝１１１の上部にはＰＤ１１２が実装され、ＰＤ１１２は接着剤により基板１０１と接着される。溝１１１の中が接着剤の場合と、空気の場合とでは、溝１１１内部の屈折率が異なる。このため、溝１１１の中の接着剤の量により、光の経路が異なり、ＰＤ１１２の受光パワーが異なってくる。
【００２５】
ＰＤ１１２において安定した受光量を得るためには、モニタ光導波路１０２ｃｂに形成する溝１１１内部を接着剤で充填する。そして、受光量が最大となるようにＰＤ１１２の位置を決定すれば良い。また、溝１１１が小さく溝１１１内部を接着剤で充填するのが困難な場合には、ＰＤ１１２をボンディングにより基板１０１表面に貼り付け、溝１１１内部を空間（空気層）とすることにより、安定した受光量を得ることができる。
【００２６】
（実施の形態２）
図３は、実施の形態２にかかる光デバイスを示す平面図である。実施の形態２では、消光比の劣化を抑制する構成例について説明する。図３において、実施の形態１（図１）と同様の構成には同一の符号を付してある。
【００２７】
一方のモニタ光導波路１０２ｃｂを伝搬する光は、幅を太くした導波路形状によりマルチモードとなり、基板１０１端部から放射拡散される。この光は、出射導波路１０２ｃａから出力され、空間伝搬する出力光に混じると、この出力光の消光比を劣化させる。
【００２８】
実施の形態２では、消光比の劣化を抑制するために、マッハツェンダの出力部（カプラ１０４）部分からＰＤ１１２に至るまでの間に導波路の幅を部分的に狭く形成する。図３に示す例においてモニタ光導波路１０２ｃｂの幅は、カプラ１０４の出力部の幅をＷ０、溝１１１の部分の導波路の幅をＷ２、カプラ１０４と溝１１１との間の幅をＷ１としたとき、Ｗ１＜Ｗ０＜Ｗ２の関係が成り立つようにする。モニタ光導波路１０２ｃｂは、起点側の幅Ｗ１を基準として光の進行方向に対し、一旦幅Ｗ０を有して狭く形成した後、溝部分１１１では、幅Ｗ２として幅を太くしている。幅Ｗ１は、シングルモードのみ通過させる幅以下とする。
【００２９】
モニタ光導波路１０２ｃｂのうち、幅がＷ１に狭くなった部分では、シングルモード導波路となる。この幅を狭くした部分では、導波路中を伝搬する光のうちノイズとなる高次モードを放射させて除去できる。これにより、出射導波路１０２ｃａの出力光の消光比の劣化を抑制できるようになる。
【００３０】
図４は、受光パワーと消光比を示す図表である。図４の（ａ）には、実施の形態１，２における受光パワーを示す。横軸は、モニタ光導波路１０２ｃｂの導波路幅、縦軸は受光パワーである。溝深さが２μｍ、Ｗ０が５μｍの場合に、ＰＤ１１２で受光される光のパワーを１とした場合の受光パワーを示している。幅Ｗ２を６μｍに太くすることでＰＤ受光量を１０％、７．６μｍにすると受光パワーを２０％増やすことができる。
【００３１】
このように、導波路幅を広げることで受光パワーを増大させられる傾向は、溝の深さを１．５〜２．５μｍの範囲で変化させても同様である。したがって、モニタ光導波路１０２ｃｂの幅Ｗ２を広く設計することにより、製造誤差等を起因として溝１１１の深さが浅くなったとしても必要とされる受光量を確保することが可能となる。
【００３２】
また、図４（ｂ）には、実施の形態１（図１）と、実施の形態２（図３）における消光比をそれぞれ示す。横軸は波長、縦軸は消光比である。実施の形態２（図３）において説明したように、モニタ光導波路１０２ｃｂに幅Ｗ１の狭くなった部分を設けることにより、消光比を低減できる。例えば、波長１．５３μｍにおいて、１．９ｄＢ低減できる。
【００３３】
（実施の形態３）
図５は、実施の形態３にかかる光デバイスを示す平面図である。実施の形態３についても、消光比の劣化を抑制する構成例である。実施の形態１，２においては、溝１１１をモニタ光導波路１０２ｃｂに対して直角に形成しており、一部の光が反射して反射戻り光となる、あるいは反射光の一部が出射導波路１０２ｃａ側の出力光（出力ファイバ）に結合し、出力光の消光比を劣化させる可能性がある。これらを防ぐため、図５に示すように、溝１１１をモニタ光導波路１０２ｃｂに対して角度を有し斜めに形成して設ける。これにより、モニタ光導波路１０２ｃｂの入射側への反射光や、出力ファイバ方面へ向かう拡散光を低減でき、出力光の消光比の劣化を抑制できるようになる。
【００３４】
（実施の形態４）
図６は、実施の形態４にかかる光デバイスを示す平面図である。実施の形態４では、ＰＤ１１２部分の溝１１１を複数形成する。図６の例では、溝１１１を３列形成し、最初の溝１１１Ａを通過した光の成分を２つ目の溝１１１Ｂ、および３つ目の溝１１１Ｃによってそれぞれ反射させることができる。このように、溝１１１を複数設けることにより、ＰＤ１１２の受光パワーをさらに増大することができる。なお、図６に示す例では、複数の溝１１１を全てＰＤ１１２の寸法内の範囲に形成したが、これに限らず、モニタ光導波路１０２ｃｂに沿ってＰＤ１１２の寸法を超えて設けても良い。
【００３５】
（実施の形態５）
図７および図８は、実施の形態５にかかる光デバイスを示す平面図である。上述した各実施の形態１〜４の構成によれば、光が基板１０１の表面付近に集中するため、溝１１１によって反射されない光の成分が導波路に再結合しやすい。このため、図７に示すように、モニタ光導波路１０２ｃｂの端部を基板１０１の信号出射端面の手前の位置までとする。図７に示す例では、モニタ光導波路１０２ｃｂの端部１０２ｃｂｂをＰＤ１１２の端部位置までとし、基板１０１の端面（信号出射端面）１０１ｂの位置までは設けない。これにより、反射により再結合した光を基板１０１の方向に逃がすことができる。
【００３６】
このほか、図８に示すように、モニタ光導波路１０２ｃｂの形成方向を出射導波路１０２ｃａに対し所定角度θを有して離れる方向に傾斜させる。これにより、モニタ光導波路１０２ｃｂを進行する光のうち、溝１１１部分を通過した不要な光があっても、この不要な光を出射導波路１０２ｃａの出力光から離れる方向へ逃がすことができる。
【００３７】
これら図７および図８の構成においても、出射導波路１０２ｃａの出力光の消光比の劣化を抑制することができる。
【００３８】
（実施の形態６）
図９は、実施の形態６にかかる光デバイスを示す平面図である。上述した実施の形態１〜５においては、出射導波路１０２ｃａに溝１１１を設けて光を上方のＰＤ１１２に反射させる構成としたが、実施の形態６では、横方向に反射させる。モニタ光導波路１０２ｃｂの端部１０２ｃｂｂは、基板１０１の端面（信号出射端面）１０１ｂの位置に達しない基板１０１の内部位置にする。
【００３９】
図９に示す例では、出射導波路１０２ｃａの光の進行方向に対して斜めに（例えば４５度の角度）溝１１１を設け、この溝１１１によって光の進行を出射導波路１０２ｃａに沿った方向から逸らし、基板１０１の横（図中下）方向に光を反射させる。この反射方向上に位置する基板１０１の側面にＰＤ１１２を設ける。ＰＤ１１２の受光面１１２ａは、基板１０１の側面（溝１１１）の方向に向けて配置する。ＰＤ１１２は、基板１０１に接着剤により直接貼り付けたり、基板１０１に近づけて（基板１０１と隙間を有して）配置することができる。溝１１１は、光を全反射する鏡面とすることが望ましい。また、不図示であるが、溝１１１による光の反射方向に沿ってＰＤ１１２の位置まで出射導波路を形成しても良い。また、ＰＤ１１２は、基板１０１の側面に限らず、溝による光の反射方向に沿った基板１０１の上面に設けても良い。
【００４０】
この構成によれば、基板１０１の幅（Ｙ軸）方向にＰＤ１１２を設けるため、基板１０１の長さ（Ｘ軸）方向を短くでき、全体（パッケージ）サイズを小型化できる。
【００４１】
（実施の形態７）
図１０は、実施の形態７にかかる光デバイスを備えた送信機を示すブロック図である。この送信機１０００は、上述した各実施の形態の光デバイスである光変調器１００と、光源としてのレーザダイオード（ＬＤ）１００１と、データ生成回路１００２と、ドライバ１００３とを含む。ＬＤ１００１によるＣＷ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ  Ｗａｖｅ）等の出射光は、上記光変調器１００の入力光として入力され、出射導波路１０２ｃａからの出力光は出力ファイバ１００４を介して外部出力される。データ生成回路１００２によって生成された送信用のデータは、ドライバ１００３による駆動信号として光変調器１００の電極１０３に供給される。光変調器１００は、駆動信号により光信号を変調して送信用のデータを出力ファイバ１００４に出力する。
【００４２】
そして、光変調器１００の小型化に伴い、送信機１０００を小型化することができる。このように小型化した光変調器１００であっても、光変調器１００のＰＤ１１２の受光パワーを大きくでき、モニタ性能を高めることができるため、安定したバイアス制御が行える。これにより、送信機１０００の変調性能を向上させることができる。
【００４３】
上記実施の形態では、光デバイスとして光変調器を例に説明したが、このほかに、同様の構成を有し、電極１０３に対する印加電圧の反転によりスイッチ動作を行う光スイッチに適用することもできる。
【００４４】
以上説明した実施の形態によれば、一対の出射導波路のうち、光パワーを検出する一方のモニタ光導波路について、ＰＤ部分の光導波路の幅を太くして、実効屈折率差を大きくし、基板の深さ方向に対する光の閉じ込めを強くする。これにより、光のパワーを基板表面付近に集中させる。そして、ＰＤ直下に設けて光を反射させる溝の深さが浅くても、十分な光量をＰＤに入射させることができ、ＰＤによる光モニタを安定して行うことができるようになる。基板に形成する溝は浅くて済むため、エッチングの時間が短くて済み、製造のスループットを向上できる。また、溝形成に伴う基板のクラック等の発生を抑えることができ、製造歩留まりを向上できる。
【００４５】
そして、基板上にＰＤを配置できるため、光デバイスの全体サイズを小型化しつつ、安定した光モニタが可能となり、光デバイスのモニタ性能を高めることができる。
【００４６】
上述した各実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
【００４７】
（付記１）電気光学効果を有する基板上に形成された、入射導波路と、電極に沿った平行導波路と、出射導波路とを含む光導波路と、
前記出射導波路の一方を信号光の出力導波路として外部出力し、他方を信号光のモニタ光導波路とし、
前記モニタ光導波路上に設けた受光素子と、
前記モニタ光導波路の前記受光素子が設けられた前記基板部分に形成した溝とを有し、
前記モニタ光導波路は、起点側の幅に対し前記溝に近づくにつれて光導波路の幅を太く形成したことを特徴とする光デバイス。
【００４８】
（付記２）前記モニタ光導波路は、前記起点側の幅に対し前記溝に近づくにつれて、光導波路の幅をシングルモードのみ通過可能な幅を有して狭く形成した部分と、前記起点側の幅に対し前記溝に近づくにつれて光導波路の幅を太く形成した部分と、を有することを特徴とする付記１に記載の光デバイス。
【００４９】
（付記３）前記溝を前記モニタ光導波路の光の進行方向に対して斜めに形成したことを特徴とする付記１または２に記載の光デバイス。
【００５０】
（付記４）前記溝には、反射率が高い金属膜を設けたことを特徴とする付記１〜３のいずれか一つに記載の光デバイス。
【００５１】
（付記５）前記溝は、傾斜した側面を有し、反射率を高めたことを特徴とする付記１〜４のいずれか一つに記載の光デバイス。
【００５２】
（付記６）前記溝は、前記モニタ光導波路の前記受光素子付近に、複数設けたことを特徴とする付記１〜５のいずれか一つに記載の光デバイス。
【００５３】
（付記７）前記受光素子は、接着剤により前記基板に接合され、前記溝内部を前記接着剤により充填したことを特徴とする付記１〜６のいずれか一つに記載の光デバイス。
【００５４】
（付記８）前記溝内部を空間とし、前記受光素子をボンディングにより前記基板に貼り合わせたことを特徴とする付記１〜６のいずれか一つに記載の光デバイス。
【００５５】
（付記９）前記モニタ光導波路は、端部が前記基板の端面に達しない位置まで形成したことを特徴とする付記１〜８のいずれか一つに記載の光デバイス。
【００５６】
（付記１０）前記モニタ光導波路を、前記出力導波路から離れる方向に向けて傾斜して形成したことを特徴とする付記１〜９のいずれか一つに記載の光デバイス。
【００５７】
（付記１１）前記溝は、前記モニタ光導波路に対し傾斜して設け、前記モニタ光導波路に沿った方向から逸らす反射面を有し、
前記溝による光の反射方向上に前記受光素子を設けたことを特徴とする付記１〜１０のいずれか一つに記載の光デバイス。
【００５８】
（付記１２）前記受光素子を前記基板の側面に設けたことを特徴とする付記１１に記載の光デバイス。
【００５９】
（付記１３）電気光学効果を有する基板上に形成された、入射導波路と、電極に沿った平行導波路と、出射導波路とを含む光導波路と、
前記出射導波路の一方を信号光の出力導波路として外部出力し、他方を信号光のモニタ光導波路とし、
前記モニタ光導波路上に設けた受光素子と、
前記モニタ光導波路の前記受光素子が設けられた前記基板部分に形成した溝とを有し、
前記モニタ光導波路は、起点側の幅に対し前記溝に近づくにつれて光導波路の幅を太く形成した光変調器と、
前記光変調器の入力光を出射する光源と、
送信用の信号を生成するデータ生成部と、
前記データ生成部により生成されたデータに基づき、前記電極を介して前記光変調器を駆動するドライバと、
を備えたことを特徴とする送信機。
【符号の説明】
【００６０】
１００  光変調器
１０１  基板
１０２  光導波路
１０２ｃａ  出射導波路
１０２ｃｂ  モニタ光導波路
１０３  電極
１０４  カプラ
１１１  溝
１１２  受光素子（ＰＤ）
１０００  送信機
１００２  データ生成回路
１００３  ドライバ
１００４  出力ファイバ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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