(57)【要約】【課題】直鎖系フッ素有機材料を含む撥水膜の動的撥水性を改善することができる撥水膜の製造方法、ノズルプレート、インクジェットヘッド及びインクジェット記録装置を提供することを目的とする。【解決手段】撥水膜の製造方法は、シリコン基板の上にフッ素原子を含まないケイ素化合物を原料として第１有機膜を形成する工程と、第１有機膜の上に無機酸化膜を形成する工程と、無機酸化膜の上に直鎖状フッ素含有シランカップリング剤を原料として第２有機膜を形成する工程と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板の上にフッ素原子を含まないＸ３−ｎＲ２ｎＳｉ−Ｒ１-Ｚ（ｎ＝０、１、２）、または、ＨＮ（ＳｉＲ３Ｒ４Ｒ５）２で表されるケイ素化合物を原料として第１有機膜を形成する工程と、
前記第１有機膜の上に無機酸化膜を形成する工程と、
前記無機酸化膜の上に直鎖状フッ素含有シランカップリング剤を原料として第２有機膜を形成する工程と、
を備えた撥水膜の製造方法。
但し、式中のＸはハロゲン（フッ素を除く）、メトキシ基、エトキシ基、アセトキシ基、２-メトキシエトキシ基のいずれかであり、Ｒ２は炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ１はＣｍＨ２ｍ（ｍは１〜２０の自然数）、Ｚはメチル基、ビニル基、アミノ基、エポキシ基、メタクリル基、アクリル基、メルカプト基、イソシアネート基、アシルチオ基、ウレイド基のいずれかを含有する基であり、また、Ｒ３、Ｒ４、および、Ｒ５は炭素数１〜３のアルキル基である。
【請求項２】
前記ケイ素化合物は、２０℃〜３５０℃の沸点を有する請求項１記載の撥水膜の製造方法。
【請求項３】
前記直鎖状フッ素含有シランカップリング剤は、Ｘ３−ｎＲ７ｎＳｉ−Ｒ６-Ｚ（ｎ＝０、１、２）で表される化合物である請求項１または２に記載の撥水膜の製造方法。
但し、式中のＸはハロゲン、メトキシ基、エトキシ基、アセトキシ基、２-メトキシエトキシ基のいずれかであり、Ｒ７は炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ６はＣｐＨ２ｐ基（ｐは１〜２０の自然数）、または、直鎖状のフッ化炭素鎖とＣｑＨ２ｑ（ｑは１〜２０の自然数）を含む基、Ｚはメチル基、ビニル基、アミノ基、エポキシ基、メタクリル基、アクリル基、メルカプト基、イソシアネート基、アシルチオ基、ウレイド基、トリフルオロメチル基のいずれかを含む基である。
【請求項４】
前記第１有機膜、及び前記第２有機膜の少なくとも一方が自己組織化単分子膜である請求項１から３のいずれか１項に記載の撥水膜の製造方法。
【請求項５】
前記第１有機膜を形成する工程において、前記第１有機膜は気相法により形成される請求項１から４のいずれか１項に記載の撥水膜の製造方法。
【請求項６】
前記無機酸化膜がシリコン酸化膜である請求項１から５のいずれか１項に記載の撥水膜の製造方法。
【請求項７】
前記無機酸化膜を形成する工程において、前記無機酸化膜は気相法により形成される請求項１から６のいずれか１項に記載の撥水膜の製造方法。
【請求項８】
前記第２有機膜を形成する工程において、前記第２有機膜は気相法により形成される請求項１から７のいずれか１項に記載の撥水膜の製造方法。
【請求項９】
ノズルの形成されたシリコン基板と、
前記シリコン基板の上に形成されたフッ素原子を含まない第１有機膜と、
前記第１有機膜の上に形成された無機酸化膜と、
前記無機酸化膜の上に形成された直鎖状フッ素シランカップリング剤を原料とする第２有機膜と、
を備えるノズルプレートであって、
前記第２有機膜上に純水を付与し、前記シリコン基板を傾けた場合、前記シリコン基板の角度が９０°で前記純水と前記第２有機膜とが接触する端部が１ｍｍ以上移動するノズルプレート。
【請求項１０】
ノズルの形成されたシリコン基板と、
前記シリコン基板の上に形成されたフッ素原子を含まない第１有機膜と、
前記第１有機膜の上に形成された無機酸化膜と、
前記無機酸化膜の上に形成された直鎖状フッ素シランカップリング剤を原料とする第２有機膜と、
を備えるノズルプレートであって、
前記第２有機膜上に純水を付与し、前記シリコン基板を傾けた場合、前記シリコン基板の角度が６０°で前記純水と前記第２有機膜とが接触する端部が１ｍｍ以上移動するノズルプレート。
【請求項１１】
請求項９または１０記載のノズルプレートと、
前記ノズルと連通する圧力室と、
駆動信号に応じて前記圧力室内の液体を加圧する圧電素子と、を備えたインクジェットヘッド。
【請求項１２】
請求項１１記載のインクジェットヘッドを備えるインクジェット記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、撥水膜の製造方法、ノズルプレート、インクジェットヘッド、及びインクジェット記録装置に関し、特に直鎖状フッ素含有シランカップリング剤を含む撥水膜の技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
インクジェット記録装置で用いられるインクジェットヘッドでは、ノズルプレートの表面にインクが付着していると、ノズルから吐出されるインク液滴が影響を受け、インク液滴の吐出方向にばらつきが生じることがある。インク液滴の吐出方向がばらつくと、記録媒体上の所定位置にインク液滴を着弾させることが困難となり、画像品質が劣化する要因となる。
【０００３】
このため、ノズルプレート表面に撥水膜を成膜することにより、ノズルプレート表面にインクが付着することを防止し、吐出性能を向上させている。例えば、特許文献１は、流体エゼクターの外部表面の少なくとも一部分をカバーし、流体エゼクターのオリフィスを囲むように、非湿性単一層を有する流体エゼクターを開示している。
【０００４】
また、特許文献２は、第１の表面、第２の表面、及び第２の表面と接触した液体を吐出できるオリフィスを有する液体吐出装置を開示する。この液体吐出装置の少なくとも第１の表面上に露出された非湿潤性層、及び第２の表面上に露出された保護層を有し、この保護層は、非湿潤性層よりも湿潤性であることを開示している。
【０００５】
特許文献１，２では、非湿潤性層を形成するための前駆物質として、ＦＡＳ（フルオロアルキルシラン）系材料であるＦＯＴＳ（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチルトリクロロシラン）、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロデシルトリクロロシラン（ＦＤＴＳ)が使用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特表２００８−５４４８５２号公報
【特許文献２】特表２０１０−５１１５３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１、２で適用されるＦＡＳ系材料である直鎖状フッ素含有シランカップリング剤は、優れた静的撥水性を有しており、また気相法に適した分子量を有している。
【０００８】
しかしながら、直鎖状フッ素含有シランカップリング剤は、その上での液滴は転落しにくく（転落角＝滑落角が高い）、いわゆる動的撥水性が劣ることが知られている。そのため、ノズルプレート表面に液残りやコーヒーステインといった残渣痕が残る。これらは撥水膜の劣化を加速させ、又ノズル近傍へのインク液滴等の残渣付着や詰りを引き起こし、インクジェットヘッドの吐出性能に大きな影響を及ぼす。
【０００９】
動的撥水性を改善するため、直鎖状フッ素含有シランカップリング剤に換えてエーテル基を含む材料を使用することもできる。しかしながら、エーテル基を含む材料は分子量が大きいので、材料に高い熱を与えて蒸発させる必要がある。その結果、材料構造が破壊されたものがノズルプレート表面に付着し、撥水膜の均一性が低下する。
【００１０】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、動的撥水性の優れた直鎖状フッ素含有シランカップリング剤を含む撥水膜の製造方法、ノズルプレート、インクジェットヘッド及びインクジェット記録装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の撥水膜の製造方法は、シリコン基板の上にフッ素原子を含まないＸ３−ｎＲ２ｎＳｉ−Ｒ１-Ｚ（ｎ＝０、１、２）、または、ＨＮ（ＳｉＲ３Ｒ４Ｒ５）２で表されるケイ素化合物を原料として第１有機膜を形成する工程と、第１有機膜の上に無機酸化膜を形成する工程と、無機酸化膜の上に直鎖状フッ素含有シランカップリング剤を原料として第２有機膜を形成する工程と、を備える。
【００１２】
但し、式中のＸはハロゲン（フッ素を除く）、メトキシ基、エトキシ基、アセトキシ基、２-メトキシエトキシ基のいずれかであり、Ｒ２は炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ１はＣｍＨ２ｍ（ｍは１〜２０の自然数）、Ｚはメチル基、ビニル基、アミノ基、エポキシ基、メタクリル基、アクリル基、メルカプト基、イソシアネート基、アシルチオ基、ウレイド基のいずれかを含有する基であり、また、Ｒ３、Ｒ４、および、Ｒ５は炭素数１〜３のアルキル基である。
【００１３】
好ましくは、ケイ素化合物は、２０℃〜３５０℃の沸点を有する。
【００１４】
好ましくは、直鎖状フッ素含有シランカップリング剤は、Ｘ３−ｎＲ７ｎＳｉ−Ｒ６-Ｚ（ｎ＝０、１、２）で表される化合物である。
【００１５】
但し、式中のＸはハロゲン、メトキシ基、エトキシ基、アセトキシ基、２-メトキシエトキシ基のいずれかであり、Ｒ７は炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ６はＣｐＨ２ｐ基（ｐは１〜２０の自然数）、または、直鎖状のフッ化炭素鎖とＣｑＨ２ｑ（ｑは１〜２０の自然数）を含む基、Ｚはメチル基、ビニル基、アミノ基、エポキシ基、メタクリル基、アクリル基、メルカプト基、イソシアネート基、アシルチオ基、ウレイド基、トリフルオロメチル基のいずれかを含有する基である。
【００１６】
好ましくは、第１有機膜、及び第２有機膜の少なくとも一方が自己組織化単分子膜である。
【００１７】
好ましくは、第１有機膜を形成する工程において、第１有機膜は気相法により形成される。
【００１８】
好ましくは、無機酸化膜がシリコン酸化膜である。
【００１９】
好ましくは、無機酸化膜を形成する工程において、無機酸化膜は気相法により形成される。
【００２０】
好ましくは、第２有機膜を形成する工程において、第２有機膜は気相法により形成される。
【００２１】
本発明のノズルプレートは、ノズルの形成されたシリコン基板と、シリコン基板の上に形成されたフッ素原子を含まない第１有機膜と、第１有機膜の上に形成された無機酸化膜と、無機酸化膜の上に形成された直鎖状フッ素シランカップリング剤を原料とする第２有機膜と、を備えるノズルプレートであって、第２有機膜上に純水を付与し、シリコン基板を傾けた場合、シリコン基板の角度が９０°で純水と第２有機膜とが接触する端部が１ｍｍ以上移動する。
【００２２】
本発明のノズルプレートは、ノズルの形成されたシリコン基板と、シリコン基板の上に形成されたフッ素原子を含まない第１有機膜と、第１有機膜の上に形成された無機酸化膜と、無機酸化膜の上に形成された直鎖状フッ素シランカップリング剤を原料とする第２有機膜と、を備えるノズルプレートであって、第２有機膜上に純水を付与し、シリコン基板を傾けた場合、シリコン基板の角度が６０°で純水と第２有機膜とが接触する端部が１ｍｍ以上移動する。
【００２３】
本発明のインクジェットヘッドは、上述のノズルプレートと、ノズルと連通する圧力室と、駆動信号に応じて液室内の液体を加圧する圧電素子と、を備える。
【００２４】
本発明のインクジェット記録装置は、上述のインクジェットヘッドを備える。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、直鎖状フッ素含有シランカップリング剤を含む撥水膜の動的撥水性を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】撥水膜の成膜方法を示すフローチャート。
【図２】従来の撥水膜の構造を示す概略図。
【図３】インクジェット記録装置の概略を示す全体構成図である。
【図４】インクジェットヘッドの構造例を示す平面透視図である。
【図５】図４中ＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、添付図面に従って本発明の好ましい実施の形態について説明する。本発明は以下の好ましい実施の形態により説明されるが、本発明の範囲を逸脱することなく、多くの手法により変更を行うことができ、本実施の形態以外の他の実施の形態を利用することができる。したがって、本発明の範囲内における全ての変更が特許請求の範囲に含まれる。
【００２８】
ここで、図中、同一の記号で示される部分は、同一の機能を有する同一の要素である。また、本明細書中で、数値範囲を“  〜  ”を用いて表す場合は、“  〜  ”で示される上限、下限の数値も数値範囲に含むものとする。
【００２９】
以下、添付図面に従って本発明の好ましい実施形態について詳説する。
【００３０】
図１は、本実施形態における撥水膜の製造方法を示すフローチャートである。
【００３１】
（ステップＳ１）
最初に、シリコン基板を準備する。なお、本実施形態では、インクジェット記録装置に用いるインクジェットヘッドのノズルプレートを例に説明する。
【００３２】
ノズルプレートを構成するシリコン基板は、予めノズルが設けられていてもよく、またシリコン基板上に撥水膜を成膜した後にノズル孔を設けてもよい。ノズルプレートの製造方法は、ノズル形成工程を含む。特にシリコン基板を使用することで、半導体プロセスを利用でき、高精度で微細なノズルを高密度に形成することができる。
【００３３】
（ステップＳ２）
シリコン基板の上にフッ素を含まない第１有機膜を形成する。第１有機膜を形成することにより、上層に形成される第２有機膜の動的撥水性を改善することができる。
【００３４】
第１有機膜は、フッ素原子を含まないＸ３−ｎＲ２ｎＳｉ−Ｒ１-Ｚ（ｎ＝０、１、２）、または、ＨＮ（ＳｉＲ３Ｒ４Ｒ５）２で表されるケイ素化合物を原料として形成される。ここで、Ｘはハロゲン（フッ素を除く）、メトキシ基、エトキシ基、アセトキシ基、２-メトキシエトキシ基のいずれかであり、Ｒ２は炭素数１〜３のアルキル基であり、メチル基であることが好ましい。Ｒ１はＣｍＨ２ｍ（ｍは１〜２０の自然数）、Ｚはメチル基、ビニル基、アミノ基、エポキシ基、メタクリル基、アクリル基、メルカプト基、イソシアネート基、アシルチオ基、ウレイド基のいずれかを含む基であり、アミノ基はフェニル基またはアルキリデン基を有してもよい。また、Ｒ３、Ｒ４、および、Ｒ５は炭素数１〜３のアルキル基である。
【００３５】
具体例として、以下のケイ素化合物を原料として用いることができる。シランモノマーとして、n- オクチルトリエトキシシラン：CH3(CH2)7Si(OCH2CH3)3、メチルトリエトキシシラン：CH3Si(OCH2CH3)3、メチルトリメトキシシラン：CH3Si(OCH3)3等を用いることができる。ビニルシランとして、ビニルトリエトキシシラン：CH2=CHSi(OCH2CH3)3、ビニルトリメトキシシラン：CH2=CHSi(OCH3)3、ビニルトリス(2-メトキシエトキシ)シラン：CH2=CHSi(OCH2CH2OCH3)3、ビニルメチルジメトキシシラン：CH2=CHSiCH3(OCH3)2等を用いることができる。
【００３６】
また、エポキシシランとして、2-(3,4- エポキシシクロへキシル) エチルトリメトキシシラン（化１）、3- グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（化２）、3- グリシドキシプロピルトリエトキシシラン（化３）、3-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン（化４）、3-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン（化５）等を用いることができる。
【００３７】
【化１】
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【００３８】
【化２】
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【００３９】
【化３】
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【００４０】
【化４】
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【００４１】
【化５】
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【００４２】
メタクリルシランとして、3- メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン：CH2=C(CH3)COOCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)3、3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン： CH2=C(CH3)COOCH2CH2CH2Si(OCH3)3、3-メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン（化６）、3-メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン（化７）等を用いることができる。
【００４３】
【化６】
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【００４４】
【化７】
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【００４５】
アクリルシランとして、3-アクリロキシプロピルトリメトキシシラン（化８）等を用いることができる。
【００４６】
【化８】
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【００４７】
アミノシランとして、3-アミノプロピルトリエトキシシラン：H2NCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)3、3-アミノプロピルトリメトキシシラン：H2NCH2CH2CH2Si(OCH3)3、N-(2- アミノエチル)-3- アミノプロピルトリメトキシシラン：H2NCH2CH2NHCH2CH2CH2Si(OCH3)3、N-(2- アミノエチル)-3- アミノプロピルメチルジメトキシシラン：H2NCH2CH2NHCH2CH2CH2SiCH3(OCH3)2、3-(N- フェニル) アミノプロピルトリメトキシシラン（化９）、3-トリエトキシシリル-N-(1,3-ジメチル-ブチリデン)プロピルアミン（化１０）、N-(ビニルベンジル)-2-アミノエチル-3-アミノプロピルトリメトキシシランが挙げられ、これらの塩酸塩等も用いることができる。
【００４８】
【化９】
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【００４９】
【化１０】
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【００５０】
ウレイドシランとして、3- ウレイドプロピルトリエトキシシラン(50% メタノール溶液)
（化１１）等を使用することができる。
【００５１】
【化１１】
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【００５２】
メルカプトおよびアシルチオシランとして、3- メルカプトプロピルトリメトキシシラン：HSCH2CH2CH2Si(OCH3)3、3- メルカプトプロピルトリエトキシシラン：HSCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)3、3- オクタノイルチオ-1- プロピルトリエトキシシラン：CH3(CH2)6C(=O)SCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)3、3-メルカプトプロピリメチルジメトキシシラン（化１２）等を用いることができる。
【００５３】
【化１２】
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【００５４】
イソシアネートシランとして、3-イソシアネートプロピルトリエトキシシラン：O=C=NCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)3、3-イソシアネートプロピルトリメトキシシラン：O=C=NCH2CH2CH2Si(OCH3)3等を使用することができる。
【００５５】
アルキルシランとして、n-Octyltrichlorosilane：CH3(CH2)7SiCl3、n-decyltrimethoxysilane：CH3(CH2)9Si(OCH2CH3)3、n-dodecyltrimethoxysilane：CH3(CH2)11Si(OCH3)3、n-dodecyltrichlorosilane：CH3(CH2)11SiCl3、n-hexadecyltrimethoxysilane：CH3(CH2)15Si(OCH3)3、n-octadecyltrichlorosilane：CH3(CH2)17SiCl3、n-octadecyltrimethoxysilane：CH3(CH2)17Si(OCH3)3、n-octadecyltriethoxysilane：CH3(CH2)17Si(OC2H5)3、n-eicosyltrichlorosilane：CH3(CH2)19SiCl3、n-docosyltrichlorosilane：CH3(CH2)21SiCl3、n-nonadecenyltrichlorosilane：CH2=CH(CH2)17SiCl3等を用いることができる。
【００５６】
ジシラザンとしては、１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）を使用することができる。
【００５７】
第１有機膜を形成する方法として、ディップ法、スピンコート法、スプレーコート法、ディスペンサー法など、ケイ素化合物の溶液をシリコン基板に塗布する液相法の他に、真空蒸着法やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の気相法を用いることもできる。特に、ノズルプレートに見られる複雑な構造物の上に均一に第１有機膜を形成するには気相法が好ましい。
【００５８】
第１有機膜の形成するため、例えば、Ｙｉｌｅｄ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍｓ，ＩｎｃのＹＥＳ−１２２４Ｐ  ＣＶＤ  Ｓｙｓｔｅｍを使用することができる。
【００５９】
第１有機膜は、２０℃〜３５０℃の沸点を有する有機化合物を原料とすることが好ましい。沸点を２０℃〜３５０℃の有機化合物を原料として用いることで、材料に高い熱をかけることなく、第１有機膜を形成することができ、原料の材料構造が破壊されることを防止することができる。
【００６０】
また、第１有機膜は、ＣａＨｂＺｃ（ａ,ｂ:５以上の自然数、ｃ:０を含む整数、Ｚ：Ｏ、又はＮ、又はＳｉのいずれかを含む、又はそれらの組み合わせ）で表される有機化合物を原料として形成することができる。
【００６１】
上記の有機化合物は有機ケイ素化合物、環状炭化水素、直鎖状炭化水素である。環状炭化水素は、置換、又は非置換ベンゼンであってもよい。置換、又は非置換ベンゼンはＣ６Ｈ６−ｓＲ８ｓ（ｓ＝０，１，２，３）、Ｒ８は独立に−ＣＨ３、−Ｃ２Ｈ５、又は−ＣＨ＝ＣＨ２などであり、二種以上の組み合わせでもよい。
【００６２】
上記置換ベンゼンは、Ｃ６Ｈ３（ＣＨ３）３：１，３，５−トリメチルベンゼン（ＴＭＢ）；沸点１６５℃、Ｃ６Ｈ４（ＣＨ３）２：ジメチルベンゼン（ｏ−キシレン；沸点１４４℃、又はp−キシレン；沸点１３８℃）、Ｃ６Ｈ５（ＣＨ＝ＣＨ２）：ビニルベンゼン(スチレン)；沸点：１４５℃などを挙げることができる。また、環状炭化水素はベンゼン誘導体の他、シクロヘキサン、シクロヘキセン、シクロヘキサジエン、シクロオクタテトラエンなどを用いることができる。直鎖状炭化水素は、直鎖状アルカン：ＣｎＨ２（ｎ＋１）として、ｎ＝５の、ペンタン；沸点：３６．１℃、イソペンタン；沸点：２７.９℃、あるいはネオペンタン；沸点:９．５℃、また、ｎ=６の、ヘキサン；沸点：６８．７℃、等を用いることができる。この他には、直鎖状アルケン：ＣｎＨｎ（ｎ＝５）として１−ペンテン；沸点：３０．０℃、ＣｎＨｎ（ｎ＝６）として１−ヘキセン；沸点６３℃、あるいは直鎖状アルキン: ＣｎＨ２（ｎ−１）（ｎ＝５）として１−ペンチン；沸点：４０．２℃等を使用することができる。
【００６３】
第１有機膜を形成する方法として、容量結合式のプラズマＣＶＤ法等の気相法を用いて沸点２０℃〜３５０℃の有機化合物をシリコン基板の上に堆積させることができる。
【００６４】
好ましくは、第１有機膜は自己組織化単分子膜（Ｓｅｌｆ−Ａｓｓｅｍｂｌｅｄ  Ｍｏｎｏｌａｙｅｒ）であり、即ち単一分子層であってもよい。第１有機膜の厚さは、０．５ｎｍ〜３０ｎｍであり、好ましくは０．５ｎｍ〜１０ｎｍであり、より好ましくは０．５ｎｍ〜５ｎｍである。なお、自己組織化単分子膜とは、１）有機分子が固体表面に化学吸着する際に形成される分子会合体であり、２）前駆体分子が液相ないし気相中にある時の分子配列状態と比較すると、会合体となり薄膜を形成したときに分子配向性や配列規則性が著しく向上している分子膜のことである。
【００６５】
（ステップＳ３）
第１有機膜の上に無機酸化膜を形成する。無機酸化膜は、好ましくはシリコン酸化膜である。無機酸化膜は第２有機膜の付着を促進させる。無機酸化膜の形成方法として、ディップ法、スピンコート法、スプレーコート法、ディスペンサー法など、ケイ素化合物の溶液をシリコン基板に塗布する液相法の他に、真空蒸着法やＣＶＤ法等の気相法を用いることもできる。特に、ノズルプレートに見られる複雑な構造物の上に均一に無機酸化膜を形成するには気相法が好ましい。
【００６６】
例えば、気相法によるシリコン酸化膜の形成は、第１有機膜を備えるシリコン基板をＣＶＤチャンバに配置し、ＣＶＤチャンバにＳｉＣｌ４と水蒸気とを導入することで形成することができる。例えば、無機酸化膜の形成するため、Ａｐｐｌｉｅｄ  ＭｉｃｒｏＳｔｒｕｃｔｕｒｅ，ＩｎｃのＭＶＤ装置を使用することができる。また、シリコン酸化膜はスパッタリングにより第１有機膜の上に形成することができる。
【００６７】
無機酸化膜の厚さは、５ｎｍ〜１００ｎｍであり、好ましくは５ｎｍ〜５０ｎｍであり、より好ましくは５ｎｍ〜３０ｎｍである。
【００６８】
（ステップＳ４）
最後に、無機酸化膜の上に直鎖状フッ素含有シランカップリング剤を原料として第２有機膜を形成する。撥液膜としての第２有機膜は、例えば、気相法である物理的気相成長法（蒸着法、スパッタリング法等）や化学気相成長法（ＣＶＤ法、ＡＬＤ法等）などのドライプロセス法や、ゾルゲル法、塗布法等のウェットプロセス法等によって形成される。例えば、第２有機膜を形成するため、Ａｐｐｌｉｅｄ  ＭｉｃｒｏＳｔｒｕｃｔｕｒｅ，ＩｎｃのＭＶＤ装置を使用することができる。
【００６９】
直鎖状フッ素含有シランカップリング剤として、１つの端が−ＣＦ３基で終結され、第２の端が−ＳｉＣｌ３基で終結される炭素鎖を含むケイ素化合物が用いられる。無機酸化膜の表面に付着する適切なケイ素化合物の例は、トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチルトリクロロシラン（ＦＯＴＳ）、及び１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロデシルトリクロロシラン（ＦＤＴＳ）を含む。−ＳｉＣｌ３終結を含むケイ素化合物（ＦＯＴＳまたはＦＤＴＳなど）が、水蒸気によってＣＶＤリアクタに導入される場合、−ＳｉＣｌ３基からのケイ素原子は、無機酸化膜において−ＯＨ基からの酸素原子と結合すると考えられる。
【００７０】
また、直鎖状フッ素含有シランカップリング剤として、Ｘ３−ｎＲ７ｎＳｉ−Ｒ６-Ｚ（ｎ＝０、１、２）で表される化合物を用いることができる。ここで、Ｘはハロゲン、メトキシ基、エトキシ基、アセトキシ基、２-メトキシエトキシ基のいずれかであり、Ｒ７は炭素数１〜３のアルキル基であり、メチル基であることが好ましい。Ｒ６はＣｐＨ２ｐ基（ｐは１〜２０の自然数）、または、直鎖状のフッ化炭素鎖とＣｑＨ２ｑ（ｑは１〜２０の自然数）を含む基、Ｚはメチル基、ビニル基、フェニル基またはアルキリデン基を有してもよいアミノ基、エポキシ基、メタクリル基、アクリル基、メルカプト基、イソシアネート基、アシルチオ基、ウレイド基、トリフルオロメチル基のいずれかを含む基である。
【００７１】
さらに、以下の化学式に示されるＧｅｌｅｓｔ社の販売する、シロキサン結合可能で膜表面にＣＦ系の基がくるシランカップリング剤を使用することができる。
【００７２】
【化１３】
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【００７３】
【化１４】
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【００７４】
【化１５】
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【００７５】
【化１６】
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【００７６】
【化１７】
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【００７７】
【化１８】
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【００７８】
【化１９】
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【００７９】
【化２０】
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【００８０】
【化２１】
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【００８１】
【化２２】
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【００８２】
【化２３】
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【００８３】
【化２４】
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【００８４】
【化２５】
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【００８５】
【化２６】
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【００８６】
【化２７】
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【００８７】
【化２８】
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【００８８】
【化２９】
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【００８９】
【化３０】
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【００９０】
また、ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３：ＦＨＥＴＭＳ、ＣＦ３（
ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）３：ＦＨＥＴＥＳ、ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２ＳｉＣｌ３：ＦＯＴＣＳ、ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３：ＦＯＥＴＭＳ、ＣＦ３（ＣＦ２）９Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）３：ＦＤＯＰＴＥＳ等を、第２有機膜を形成するためのケイ素化合物として使用することができる。
【００９１】
好ましくは、第２有機膜は自己組織化単分子膜であり、即ち単一分子層であってもよい。第２有機膜の厚さは、０．５ｎｍ〜３０ｎｍであり、好ましくは０．５ｎｍ〜１０ｎｍであり、より好ましくは０．５ｎｍ〜５ｎｍである。
【００９２】
本実施形態では、撥液性を有する第２有機膜を形成する。撥液性を有する第２有機膜として、例えば、物理的気相成長法（蒸着法、スパッタリング法等）や化学気相成長法（ＣＶＤ法、ＡＬＤ法等）などのドライプロセス法や、ゾルゲル法、塗布法等のウェットプロセス法等によって形成される金属アルコキシド系撥液膜、シリコーン系撥液膜、フッ素含有系撥液膜（フッ素含有系撥液膜の市販品として、Gelest社の販売しているシランカップリング剤など、シロキサン結合可能で膜表面にＣＦ系の基が配置される膜であれば良い）等を用いることができる。
【００９３】
次に、本発明のメカニズムについて説明する。本発明者は直鎖状フッ素含有シランカップリング剤を含む撥水膜の動的撥水性について鋭意検討した。以下、推定される本発明のメカニズムを、図２，３を参考に説明する。図２は、従来の撥水膜１０の構造を示す。シリコン基板１２の上にシリコン酸化膜で構成される無機酸化膜１４が形成されている。無機酸化膜１４の成長段階で異常成長部１６が発生し、無機酸化膜１４の表面が荒れる場合がある。異常成長部１６は、シリコン基板１２の表面の荒れ、コンタミネーションを起点とする場合や、気相法で無機酸化膜１４形成ための原料ガスの不均一なガス流れが原因となる場合がある。
【００９４】
異常成長部１６の発生した無機酸化膜１４の上に直鎖状フッ素含有シランカップリング剤を含む有機膜１８を形成すると、最表面に均一に並ぶべき終端部が図２に示すように不均一は配列となる。その結果、撥水性を最も発現するＣＦ３が最表面で均一な配列とならず、不均一な部分はＣＦ３に対して親水性を示す。このような部分が多いと、液滴がトラップされ、動的撥水性が低下すると考えられる。
【００９５】
本実施形態に係る撥水膜の構造は、図１のフローで示すようにシリコン基板の上に第１有機膜を有している。シリコン酸化膜で構成される無機酸化膜よりもフレキシブルな第１有機膜を形成することにより、異常成長部の発生が抑制され、無機酸化膜の平滑化が促進される。その結果、その表面に形成された撥水性を有する第２有機膜は、終端部が最表面に均一に配列されるので、高い動的撥水性を発現すると推定される。
【００９６】
＜インクジェット記録装置の全体構成＞
次に本発明の撥水膜の形成方法により形成された撥水膜を適用した例として、ノズルプレート、ノズルプレートを備えるインクジェットヘッド、及び、インクジェット記録装置について説明する。本発明の撥水膜の形成方法は、ノズルプレートの製造方法、インクジェットヘッドの製造方法、インクジェット記録装置の製造方法に対して好ましく用いることができる。
【００９７】
図３は、インクジェット記録装置の構成図である。このインクジェット記録装置１００は、描画部１１６の圧胴（描画ドラム１７０）に保持された記録媒体１２４（便宜上「用紙」と呼ぶ場合がある。）にインクジェットヘッド１７２Ｍ，１７２Ｋ，１７２Ｃ，１７２Ｙから複数色のインクを打滴して所望のカラー画像を形成する圧胴直描方式のインクジェット記録装置であり、インクの打滴前に記録媒体１２４上に処理液（ここでは凝集処理液）を付与し、処理液とインク液を反応させて記録媒体１２４上に画像形成を行う２液反応（凝集）方式が適用されたオンデマンドタイプの画像形成装置である。
【００９８】
図示のように、インクジェット記録装置１００は、主として、給紙部１１２、処理液付与部１１４、描画部１１６、乾燥部１１８、定着部１２０、及び排出部１２２を備えて構成される。
【００９９】
（給紙部）
給紙部１１２は、記録媒体１２４を処理液付与部１１４に供給する機構であり、当該給紙部１１２には、枚葉紙である記録媒体１２４が積層されている。給紙部１１２には、給紙トレイ１５０が設けられ、この給紙トレイ１５０から記録媒体１２４が一枚ずつ処理液付与部１１４に給紙される。
【０１００】
（処理液付与部）
処理液付与部１１４は、記録媒体１２４の記録面に処理液を付与する機構である。処理液は、描画部１１６で付与されるインク中の色材（本例では顔料）を凝集させる色材凝集剤を含んでおり、この処理液とインクとが接触することによって、インクは色材と溶媒との分離が促進される。
【０１０１】
図３に示すように、処理液付与部１１４は、給紙胴１５２、処理液ドラム１５４、及び処理液塗布装置１５６を備えている。処理液ドラム１５４は、記録媒体１２４を保持し、回転搬送させるドラムである。処理液ドラム１５４は、その外周面に爪形状の保持手段（グリッパー）１５５を備え、この保持手段１５５の爪と処理液ドラム１５４の周面の間に記録媒体１２４を挟み込むことによって記録媒体１２４の先端を保持できるようになっている。
【０１０２】
処理液ドラム１５４の外側には、その周面に対向して処理液塗布装置１５６が設けられる。処理液塗布装置１５６は、処理液が貯留された処理液容器と、この処理液容器の処理液に一部が浸漬されたアニックスローラと、アニックスローラと処理液ドラム１５４上の記録媒体１２４に圧接されて計量後の処理液を記録媒体１２４に転移するゴムローラとで構成される。この処理液塗布装置１５６によれば、処理液を計量しながら記録媒体１２４に塗布することができる。
【０１０３】
処理液付与部１１４で処理液が付与された記録媒体１２４は、処理液ドラム１５４から中間搬送部１２６を介して描画部１１６の描画ドラム１７０へ受け渡される。
【０１０４】
（描画部）
描画部１１６は、描画ドラム（第２の搬送体）１７０、用紙抑えローラ１７４、及びインクジェットヘッド１７２Ｍ，１７２Ｋ，１７２Ｃ，１７２Ｙを備えている。描画ドラム１７０は、処理液ドラム１５４と同様に、その外周面に爪形状の保持手段（グリッパー）１７１を備える。描画ドラム１７０に固定された記録媒体１２４は、記録面が外側を向くようにして搬送され、この記録面にインクジェットヘッド１７２Ｍ，１７２Ｋ，１７２Ｃ，１７２Ｙからインクが付与される。
【０１０５】
インクジェットヘッド１７２Ｍ，１７２Ｋ，１７２Ｃ，１７２Ｙはそれぞれ、記録媒体１２４における画像形成領域の最大幅に対応する長さを有するフルライン型のインクジェット方式の記録ヘッド（インクジェットヘッド）とすることが好ましい。インク吐出面には、画像形成領域の全幅にわたってインク吐出用のノズルが複数配列されたノズル列が形成されている。各インクジェットヘッド１７２Ｍ，１７２Ｋ，１７２Ｃ，１７２Ｙは、記録媒体１２４の搬送方向（描画ドラム１７０の回転方向）と直交する方向に延在するように設置される。
【０１０６】
描画ドラム１７０上に密着保持された記録媒体１２４の記録面に向かって各インクジェットヘッド１７２Ｍ，１７２Ｋ，１７２Ｃ，１７２Ｙから、対応する色インクの液滴が吐出されることにより、処理液付与部１１４で予め記録面に付与された処理液にインクが接触し、インク中に分散する色材（顔料）が凝集され、色材凝集体が形成される。これにより、記録媒体１２４上での色材流れなどが防止され、記録媒体１２４の記録面に画像が形成される。
【０１０７】
描画部１１６で画像が形成された記録媒体１２４は、描画ドラム１７０から中間搬送部１２８を介して乾燥部１１８の乾燥ドラム１７６へ受け渡される。
【０１０８】
（乾燥部）
乾燥部１１８は、色材凝集作用により分離された溶媒に含まれる水分を乾燥させる機構であり、図３に示すように、乾燥ドラム１７６、及び溶媒乾燥装置１７８を備えている。
【０１０９】
乾燥ドラム１７６は、処理液ドラム１５４と同様に、その外周面に爪形状の保持手段（グリッパー）１７７を備え、この保持手段１７７によって記録媒体１２４の先端を保持できるようになっている。
【０１１０】
溶媒乾燥装置１７８は、乾燥ドラム１７６の外周面に対向する位置に配置され、複数のハロゲンヒータ１８０と、各ハロゲンヒータ１８０の間にそれぞれ配置された温風噴出しノズル１８２とで構成される。
【０１１１】
乾燥部１１８で乾燥処理が行われた記録媒体１２４は、乾燥ドラム１７６から中間搬送部１３０を介して定着部１２０の定着ドラム１８４へ受け渡される。
【０１１２】
（定着部）
定着部１２０は、定着ドラム１８４、ハロゲンヒータ１８６、定着ローラ１８８、及びインラインセンサ１９０で構成される。定着ドラム１８４は、処理液ドラム１５４と同様に、その外周面に爪形状の保持手段（グリッパー）１８５を備え、この保持手段１８５によって記録媒体１２４の先端を保持できるようになっている。
【０１１３】
定着ドラム１８４の回転により、記録媒体１２４は記録面が外側を向くようにして搬送され、この記録面に対して、ハロゲンヒータ１８６による予備加熱と、定着ローラ１８８による定着処理と、インラインセンサ１９０による検査が行われる。
【０１１４】
定着部１２０によれば、乾燥部１１８で形成された薄層の画像層内の熱可塑性樹脂微粒子が定着ローラ１８８によって加熱加圧されて溶融されるので、記録媒体１２４に固定定着させることができる。また、定着ドラム１８４の表面温度を５０℃以上に設定することで、定着ドラム１８４の外周面に保持された記録媒体１２４を裏面から加熱することによって乾燥が促進され、定着時における画像破壊を防止することができるとともに、画像温度の昇温効果によって画像強度を高めることができる。
【０１１５】
また、インク中にＵＶ硬化性モノマーを含有させた場合は、乾燥部で水分を充分に揮発させた後に、ＵＶ照射ランプを備えた定着部で、画像にＵＶを照射することで、ＵＶ硬化性モノマーを硬化重合させ、画像強度を向上させることができる。
【０１１６】
（排出部）
図３に示すように、定着部１２０に続いて排出部１２２が設けられている。排出部１２２は、排出トレイ１９２を備えており、この排出トレイ１９２と定着部１２０の定着ドラム１８４との間に、これらに対接するように渡し胴１９４、搬送ベルト１９６、張架ローラ１９８が設けられている。記録媒体１２４は、渡し胴１９４により搬送ベルト１９６に送られ、排出トレイ１９２に排出される。
【０１１７】
また、図には示されていないが、本例のインクジェット記録装置１００には、上記構成の他、各インクジェットヘッド１７２Ｍ，１７２Ｋ，１７２Ｃ，１７２Ｙにインクを供給するインク貯蔵／装填部、処理液付与部１１４に対して処理液を供給する手段を備えるとともに、各インクジェットヘッド１７２Ｍ，１７２Ｋ，１７２Ｃ，１７２Ｙのクリーニング（ノズル面のワイピング、パージ、ノズル吸引等）を行うヘッドメンテナンス部や、用紙搬送路上における記録媒体１２４の位置を検出する位置検出センサ、装置各部の温度を検出する温度センサなどを備えている。
【０１１８】
なお、図３においてはドラム搬送方式のインクジェット記録装置について説明したが、本発明はこれに限定されず、ベルト搬送方式のインクジェット記録装置などにおいても用いることができる。
【０１１９】
〔インクジェットヘッドの構造〕
次に、インクジェットヘッド１７２Ｍ、１７２Ｋ、１７２Ｃ、１７２Ｙの構造について説明する。なお、各インクジェットヘッド１７２Ｍ、１７２Ｋ、１７２Ｃ、１７２Ｙの構造は共通しているので、以下では、これらを代表して符号２５０によってヘッドを示すものとする。
【０１２０】
図４（ａ）は、インクジェットヘッド２５０の構造例を示す平面透視図であり、図４（ｂ）は、インクジェットヘッド２５０の他の構造例を示す平面透視図である。図５は、インク室ユニットの立体的構成を示す断面図（図４（ａ）中、IV−IV線に沿う断面図）である。
【０１２１】
記録紙面上に形成されるドットピッチを高密度化するためには、インクジェットヘッド２５０におけるノズルピッチを高密度化する必要がある。本例のインクジェットヘッド２５０は、図４（ａ）に示すように、インク滴の吐出孔であるノズル２５１と、各ノズル２５１に対応する圧力室２５２などからなる複数のインク室ユニット２５３をマトリクス状に千鳥配列した（２次元的に配置させた）構造を有し、これにより、ヘッド長手方向（紙搬送方向と直交する主走査方向）に沿って並ぶように投影される実質的なノズル間隔（投影ノズルピッチ）の高密度化を達成している。
【０１２２】
紙搬送方向と略直交する方向に記録媒体１２４の全幅に対応する長さにわたり１列以上のノズル列を構成する形態は本例に限定されない。例えば、図４（ａ）の構成に代えて、図４（ｂ）に示すように、複数のノズル２５１が２次元に配列された短尺のヘッドブロック（ヘッドチップ）２５０’を千鳥状に配列して繋ぎ合わせることで記録媒体１２４の全幅に対応する長さのノズル列を有するラインヘッドを構成してもよい。また、図示は省略するが、短尺のヘッドを一列に並べてラインヘッドを構成してもよい。
【０１２３】
図５に示すように、各ノズル２５１は、インクジェットヘッド２５０のインク吐出面２５０ａを構成するノズルプレート２６０に形成されている。ノズルプレート２６０は、シリコン基板で構成されている。
【０１２４】
ノズルプレート２６０の表面（インク吐出側の面）には、第１有機膜４、無機酸化膜６、第２有機膜８が形成されている。第２有機膜８はインクに対して撥液性を有し、これによりインクの付着防止が図られている。特に、本実施の形態では第１有機膜４により第２有機膜８の動的撥水性が改善されている。
【０１２５】
各ノズル２５１に対応して設けられている圧力室２５２は、その平面形状が概略正方形となっており、対角線上の両隅部にノズル２５１と供給口２５４が設けられている。各圧力室２５２は供給口２５４を介して共通流路２５５と連通されている。共通流路２５５はインク供給源たるインク供給タンク（不図示）と連通しており、該インク供給タンクから供給されるインク（液体）は共通流路２５５を介して各圧力室２５２に分配供給される。
【０１２６】
圧力室２５２の天面を構成し共通電極と兼用される振動板２５６には個別電極２５７を備えた圧電素子２５８が接合されており、個別電極２５７に駆動電圧（駆動信号）を印加することによって圧電素子２５８が変形してノズル２５１からインク（液体）が吐出される。インクが吐出されると、共通流路２５５から供給口２５４を通って新しいインクが圧力室２５２に供給される。
【０１２７】
なお、ノズルの配置構造は図示の例に限定されず、副走査方向に１列のノズル列を有する配置構造など、様々なノズル配置構造を適用できる。
【０１２８】
また、ライン型ヘッドによる印字方式に限定されず、用紙の幅方向（主走査方向）の長さに満たない短尺のヘッドを用紙の幅方向に走査させて当該幅方向の印字を行い、１回の幅方向の印字が終わると用紙を幅方向と直交する方向（副走査方向）に所定量だけ移動させて、次の印字領域の用紙の幅方向の印字を行い、この動作を繰り返して用紙の印字領域の全面にわたって印字を行うシリアル方式を適用してもよい。
【実施例１】
【０１２９】
以下に、本発明の実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。なお、以下の実施例に示される材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
【０１３０】
＜試料１〜８＞
試料１は、シリコン基板と、シリコン基板の上に形成されたシリコン酸化膜と、シリコン酸化膜の上に直鎖状フッ素含有シランカップリング剤であるＦＤＴＳ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ヘプタデカフルオロデシルシラン）を原料として形成された有機膜と、を備える。
【０１３１】
試料２〜８は、シリコン基板と、シリコン基板の上に形成された第１有機膜と、第１有機膜の上に形成されたシリコン酸化膜と、シリコン酸化膜の上に直鎖状フッ素含有シランカップリング剤であるＦＤＴＳを原料として形成された第２有機膜と、を備えている。試料２〜８はそれぞれ異な原料で形成された第１有機膜を備える。
【０１３２】
試料２はＡＰＴＥＳ（（３−Ａｍｉｎｏｐｒｏｐｙｌ)ｔｒｉｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）を原料とする第１有機膜を備え、試料３はＡＨＡＰＳ（ｎ−(６−Ａｍｉｎｏｈｅｘｌ)ａｍｉｎｏｐｒｏｐｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）を原料とする第１有機膜を備えて、試料４はＡＥＡＰＤＭＳ（Ｎ−（２−Ａｍｉｎｏｅｔｈｙｌ）−３−Ａｍｉｎｏｐｒｏｐｙｌｍｅｔｈｙｌｄｉｍｅｔｈｙｏｘｙｓｉｌａｎｅ）を原料とする第１有機膜を備え、試料５はＯＤＴＭＳ（ｎ−Ｏｃｔａｄｅｃｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）を原料とする第１有機膜を備え、試料６はＯＤＴＥＳ（ｎ−Ｏｃｔａｄｅｃｙｌｔｒｉｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）を原料とする第１有機膜を備え、試料７はＯＣＴＭＳ（ｎ−Ｏｃｔｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）を原料とする第１有機膜を備え、試料８はＨＭＤＳ（１，１，１，３，３，３−Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）を原料とする第１有機膜を備える。
【０１３３】
＜評価方法＞
試料１〜８に対しする動的撥水性を滑落法で評価した。実験装置として、協和界面科学社製接触角計（DM-701）を使用した。評価条件は、室温雰囲気下、液滴として純水を使用した。シリコン基板を傾けた際（角度９０°、及び６０°）に液滴とシリコン基板の接触する端部が１ｍｍ以上移動した場合を液滴が滑落したと判断し、その時のシリコン基板の角度を滑落角度とした。
【０１３４】
＜評価＞
表１は、第１有機膜の有無、及び原料の種類、角度９０°（液滴の滑落１）と角度６０°（液滴の滑落２）における滑落の結果を表示している。液滴が滑落した場合をＧ，滑落しなかった場合をＮＧとした。
【０１３５】
この結果から見られるように、第１有機膜を備える試料２〜８では液滴の滑落が確認できた。第１有機膜を備えていない試料１に対して、試料２〜８は動的撥水性が改善されていることが確認できた。特に、試料２〜４では６０°でも滑落が確認でき、試料１に対して、動的撥水性が大幅に改善されていることが確認できた。
【０１３６】
【表１】
2014166747.tif 000033
【符号の説明】
【０１３７】
１０…撥水膜、１２…シリコン基板、１４…無機酸化膜、１６…異常成長部、１８…有機膜、１００…インクジェット記録装置、１１２…給紙部、１１４…処理液付与部、１１６…描画部、１１８…乾燥部、１２０…定着部、１２２…排出部、１２４…記録媒体、１５４…処理液ドラム、１５６…処理液塗布装置、１７０…描画ドラム、１７２Ｍ、１７２Ｋ、１７２Ｃ、１７２Ｙ…インクジェットヘッド、１７６…乾燥ドラム、１８０…温風噴出しノズル、１８２…ＩＲヒータ、１８４…定着ドラム、１８６…ハロゲンヒータ、１８８…定着ローラ、１９２…排出トレイ、１９６…搬送ベルト、２６０…ノズルプレート
【図１】
2014166747.tif 000034
【図２】
2014166747.tif 000035
【図３】
2014166747.tif 000036
【図４】
2014166747.tif 000037
【図５】
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