(57)【要約】【課題】  全芳香族ポリエステルからなる液晶ポリマーフィルムと金属層等のめっき積層体において、界面の平滑性を維持しつつ、金属層のエッチング後の寸法変化および熱的な寸法変化が小さいめっき積層体とその製造方法を提供する。【解決手段】  長尺液晶ポリマーフィルムの少なくとも一方の表面に接着剤を介することなくめっき層を設けためっき積層体であって、長尺液晶ポリマーフィルムが溶融押出成型法を用いて押出金型から押し出された全芳香族ポリエステル製フィルムで、そのめっき層の一部をエッチング処理により除去したエッチング後めっき積層体の長手方向及び幅方向において収縮或いは伸張する寸法変化挙動を示し、その寸法変化率が、−０．０５％〜＋０．０５％、エッチング後めっき積層体を１５０℃×３０分間熱処理した熱処理めっき積層体の寸法変化率が、−０．１％〜＋０．１％の範囲であることを特徴とするめっき積層体。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
長尺液晶ポリマーフィルムの少なくとも一方の表面に、接着剤を介することなくめっき層を設けためっき積層体であって、
前記長尺液晶ポリマーフィルムが、溶融押出成型法を用いて押出金型から押し出された全芳香族ポリエステル製フィルムで、
前記めっき積層体の前記めっき層の一部を、エッチング処理により除去した後のエッチング後めっき積層体が、前記めっき積層体に対して長手方向および幅方向において収縮あるいは伸張する寸法変化挙動を示し、
前記寸法変化挙動における前記エッチング後めっき積層体の長手方向及び幅方向の寸法変化率が、−０．０５％〜＋０．０５％の範囲で、
前記エッチング後めっき積層体を１５０℃×３０分間熱処理した後の熱処理めっき積層体の長手方向および幅方向の寸法変化率が、−０．１％〜＋０．１％の範囲であることを特徴とするめっき積層体。
【請求項２】
前記めっき層が金属層であることを特徴とする請求項１に記載のめっき積層体。
【請求項３】
前記めっき層が、長尺液晶ポリマーフィルム側からニッケル、クロム、ニッケルを含む合金又はクロムを含む合金からなる第１金属層を備え、前記第１金属層の表面に銅層の第２金属層を備える構造であることを特徴とする請求項２に記載のめっき積層体。
【請求項４】
液晶ポリマーフィルムの表面に接着剤を介することなく備えられた配線層を有するプリント配線基板であって、
請求項２また３に記載のめっき積層体のめっき層を、エッチング処理による配線加工によって配線層としたことを特徴とするプリント配線基板。
【請求項５】
溶融押出成型法を用いてフィルム化された全芳香族ポリエステルからなる液晶ポリマーフィルムを、長手方向に張力８０〜４０００ｋＮ／ｍ２を印加しつつ、前記液晶ポリマーフィルムの温度を１２０℃以上、前記液晶ポリマーフィルムのα緩和温度より２０℃低い温度以下の温度範囲での熱処理後、熱処理された液晶ポリエステルフィルムの少なくとも片面に乾式めっき法を用いて成膜処理を行うことを特徴とするめっき積層体の製造方法。
【請求項６】
前記熱処理から前記成膜処理までの処理工程を減圧雰囲気下で行い、且つ前記熱処理と前記成膜処理との処理の間に表面改質処理を行うことを特徴とする請求項５に記載のめっき積層体の製造方法。
【請求項７】
前記成膜処理が、スパッタリング成膜処理であり、前記成膜処理により形成される成膜が、金属層であることを特徴とする請求項５または６に記載のめっき積層体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、全芳香族ポリエステルからなる液晶ポリマーフィルム表面にめっき層を設けためっき積層体とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
移動体通信をはじめ、携帯用電子機器の小型・軽量化の要求が強くなり、高密度実装に対する期待が一段と強まっている。これに伴いプリント配線基板の多層化、配線ピッチの狭幅化、ビアホールの微細化、ＩＣパッケージの小型多ピン化が進められ、またコンデンサや抵抗の受動素子についても小型化と表面実装化が合わせて進められている。
特に、これらの部品を直接にプリント配線基板などの表面または内部に形成する技術は、高密度実装を達成することができるだけでなく、信頼性の向上にも寄与することから、プリント配線基板の寸法精度、すなわち配線ピッチの精度も要求レベルが高度になり、さらに寸法の熱的安定性も要求されてきている。
【０００３】
ところで、全芳香族ポリエステルからなる液晶ポリマーフィルムは、低吸水性、高周波における誘電損失が低いといった電気特性に優れていることから、銅張積層板などプリント配線基板向けの絶縁フィルムへの展開が検討されている。
この液晶ポリマーフィルムを基板とした銅張積層板の製造方法としては、回路を形成する導体に用いられる電解銅箔と液晶ポリマーフィルムを熱圧着（ラミネート）法にて貼り合わせる方法、もしくは液晶ポリマーフィルム上に乾式めっき法（例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法など）により液晶ポリマーフィルム上に薄膜の下地金属層を形成し、その上に電気銅めっきにて銅層を形成するメタライジング法の２つが代表的な製造方法として挙げられる。
【０００４】
メタライジング法については、特許文献１に液晶ポリマー支持基体にＮｉ−Ｃｒ合金をスパッタリングした後、銅をスパッタリングし、さらに銅スパッタリング膜の表面に電解メッキ法で銅を成膜する技術が開示されている。なお、液晶ポリマーの様なフィルムを支持基体に用いスパッタリング成膜などの乾式めっき処理を行う場合はスパッタリングフィルムコータを用いることが一般的である。
【０００５】
また、熱圧着法に比べてメタライジング法で製造される銅張積層板においては、銅層−液晶ポリマーフィルム界面が平滑である為、高速伝送における伝送損失が低くなる。非特許文献１に界面の表面粗さと伝送損失の関係が示されており、界面が平滑なほど伝送損失が低い結果が得られている。また、特許文献２には熱圧着法に比べてメタライジング法は伝送損失が低いことが報告されている。
【０００６】
しかし、液晶ポリマーフィルムは、ポリイミド等の他のプリント配線基板用の樹脂フィルムに比べて長手方向、幅方向の寸法安定性が異なるという寸法異方性の課題がある。この寸法異方性の課題はプリント配線基板では、素子など部品の実装での位置ずれなどの不具合につながる。
【０００７】
そこで、熱圧着法による金属張積層体の製造において、液晶ポリマーフィルムの寸法異方性を改善する方法として、特許文献３に凹凸のついた熱ロールによる熱処理が提案されている。しかし、凹凸のついた熱ロールで熱処理を行うと液晶ポリマーフィルムの表面粗さにも影響することが懸念され、界面の平滑性による伝送損失が低いプリント配線基板を得ることは期待できない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許４３４１０２３号公報
【特許文献２】特開２０１２−１４０５５２号公報
【特許文献３】特開２００２−３３１５８９号公報
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】Ｍ．Ｍ．Ｒ．Ｈｏｗｌａｄｅｒ，ｅｔ．  ａｌ，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｓｃｉｅｎｃｅ，ｖｏｌ．４０（２００５）３１７７−３１８４．
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
このような状況に鑑み、本発明は全芳香族ポリエステルからなる液晶ポリマーフィルムと金属層等のめっき積層体において、界面の平滑性を維持しつつ、金属層のエッチング後の寸法変化および熱的な寸法変化が小さいめっき積層体とその製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の第１の発明は、長尺液晶ポリマーフィルムの少なくとも一方の表面に、接着剤を介することなくめっき層を設けためっき積層体であって、その長尺液晶ポリマーフィルムが、溶融押出成型法を用いて押出金型から押し出された全芳香族ポリエステル製フィルムで、めっき積層体のめっき層の一部を、エッチング処理により除去した後のエッチング後めっき積層体が、エッチング処理前のめっき積層体に対して長手方向および幅方向において収縮あるいは伸張する寸法変化挙動を示し、その寸法変化挙動におけるエッチング後めっき積層体の長手方向及び幅方向の寸法変化率が、−０．０５％〜＋０．０５％の範囲で、エッチング後めっき積層体を１５０℃×３０分間熱処理した後の熱処理めっき積層体の長手方向および幅方向の寸法変化率が、−０．１％〜＋０．１％の範囲であることを特徴とするめっき積層体である。
【００１２】
本発明の第２の発明は、第１の発明におけるめっき層が金属層であり、第３の発明は、第２の発明におけるめっき層が、長尺液晶ポリマーフィルム側からニッケル、クロム、ニッケルを含む合金又はクロムを含む合金からなる第１金属層を備え、前記第１金属層の表面に銅層の第２金属層を備える構造であることを特徴とするめっき積層体である。
【００１３】
本発明の第４の発明は、液晶ポリマーフィルムの表面に接着剤を介することなく備えられた配線層を有するプリント配線基板であって、第２及び第３の発明に記載のめっき積層体のめっき層を、エッチング処理による配線加工によって配線層としたことを特徴とするプリント配線基板である。
【００１４】
本発明の第５の発明は、溶融押出成型法を用いてフィルム化された全芳香族ポリエステルからなる液晶ポリマーフィルムを、長手方向に張力８０〜４０００ｋＮ／ｍ２を印加しつつ、液晶ポリマーフィルムの温度を１２０℃以上、動的粘弾性装置でのＭＤ方向の引っ張りモードにより測定したその液晶ポリマーフィルムのα緩和温度より２０℃低い温度以下の温度範囲での熱処理後、熱処理された液晶ポリエステルフィルムの少なくとも片面に乾式めっき法を用いて成膜処理を行うことを特徴とするめっき積層体の製造方法である。
【００１５】
本発明の第６の発明は、第５の発明における熱処理から成膜処理までの処理工程を減圧雰囲気下で行い、且つ、その熱処理と成膜処理との処理の間に表面改質処理を行うことを特徴とするめっき積層体の製造方法である。
【００１６】
本発明の第７の発明は、第５及び第６の発明における成膜処理が、スパッタリング成膜処理であり、その成膜処理により形成される成膜が金属層であることを特徴とするめっき積層体の製造方法である。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、全芳香族型ポリエステルからなる液晶ポリマーフィルムと金属のめっき層からなり、寸法変化率の小さいめっき積層体およびその製造方法を提供でき、よって高性能なプリント配線板を得ることを可能とし、工業上顕著な効果を奏するものである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明におけるめっき積層体は、全芳香族ポリエステルを主成分とするサーモトロピック液晶ポリマーフィルムの片面または両面にめっき層が形成されているもので、このめっき層の表面が銅で形成された銅層からなる銅張積層板を例に本発明にかかるめっき積層体を説明する。
この銅張積層板はフィルムの表面に接着剤を介することなくスパッタリング法で成膜される下地層となる２ｎｍ〜３０ｎｍの膜厚の第１の金属層、および第２の金属層としてスパッタリング法または電解めっき法、或いはその両者により形成される０．１〜２０μｍの膜厚の銅層とから構成されている。
【００１９】
本発明におけるめっき積層体に使用する液晶ポリマー基板の主成分である全芳香族ポリエステルは、電気・電子部品として使用する際に必須である半田耐熱性を考慮し、２３０℃以上の融点を持つ、下記に例示する「共重合体化合物（Ｉ）」、「共重合体化合物（ＩＩ）」から選ばれるポリエステルを使用することができる。
【００２０】
【化１】
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【００２１】
【化２】
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【００２２】
本発明が使用する全芳香族型ポリエステルを主成分とする液晶ポリマーフィルムには、必要に応じ、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリアリレート、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリカーボネート等の重合体；滑剤、酸化防止剤等の添加剤；無機粒子、繊維等の充填材などを配合することができる。
【００２３】
本発明におけるめっき積層体に使用する全芳香族型ポリエステルを主成分とする液晶ポリマーフィルムの厚みは、特に限定されるものではないが、１０μｍ以上であることが好ましい。１０μｍ未満の場合、フィルムの厚みが薄すぎる為に、金属層を形成するめっき搬送時にシワが発生しやすく、生産性が低下する。
【００２４】
本発明におけるめっき積層体に使用する全芳香族ポリエステルを主成分とする液晶ポリマーフィルムは、その両面の二乗平均粗さ（ＲＭＳ）及び算術平均粗さ（Ｒａ）が５０ｎｍ未満であることが必要である。
【００２５】
本発明におけるめっき積層体に使用する液晶ポリマーフィルムは、押出金型を用いたＴダイ法、インフレーション法等の押出成形方法などの公知の方法によって製造されたものが良く、熱変形温度や融点に代表される耐熱性を高めたる目的で熱処理を施された液晶ポリマーフィルムを使用してもよい。
特に、本発明ではＴダイ法でフィルム化された液晶ポリマーに対して良好な効果を発揮する。
【００２６】
ところで、液晶ポリマーフィルムは、液晶ポリマー分子の配向が強いためにフィルム化が難しかった。具体的には、液晶ポリマーフィルムの製法過程では、ポリイミドフィルムの製造過程で行われる２軸延伸が難しく、その結果、得られたフィルムは、長手方向と幅方向で寸法安定性に差がある異方性を有していた。
【００２７】
この液晶ポリマーフィルムの製造方法は、溶剤に溶解した原料から溶剤を揮発させる溶剤キャスト法、Ｔダイより押し出してフィルム化するＴダイ法と、インフレーションダイから原料を押し出し気体注入し風船のように膨らませてフィルム化するインフレーション法が知られている。
【００２８】
溶剤キャスト法は、フィルムの厚みの変動は抑制されるが溶剤が残留するので残留溶剤の問題がある。
Ｔダイ法は、フィルムの厚みの変動は抑制されるが、ダイの一種のＴダイより原料が一方方向に押し出されるため、液晶ポリマー分子が押し出し方向（長手方向）に配向する傾向があり、長手方向と幅方向で収縮または伸張に異方性を備えてしまう問題がある。
また、インフレーション法は、フィルムの厚みの変動が大きい問題と、ダイの一種のインフレーションダイからの押し出されとインフレーション方向によるＴダイ法と同様の寸法安定性の異方性の問題がある。
【００２９】
このような従来の製造方法により製造された液晶ポリマーに発生する寸法安定性の異方性は、プリント配線基板で実装した素子の脱離などの不具合につながってしまう。
【００３０】
そこで、Ｔダイ法およびインフレーション法ともに、液晶ポリマーフィルムは、ダイから押し出されて溶融製膜の後に適宜選択される方向への延伸を施し、分子の配向制御を行ってフィルム化されるが、フィルム内部に残留歪みを残している。
従って、液晶ポリマーの分子配向が制御されても、この残留歪が、液晶ポリマーフィルムの長手方向と幅方向の寸法安定性に影響を及ぼすことになる。即ち、残留歪による液晶ポリマーフィルムの寸法安定性は、液晶ポリマー固有の問題である。
なお、インフレーション法でフィルム化された液晶ポリマーは、長手方向および幅方向に延伸をかけやすいので、Ｔダイ法でフィルム化された液晶ポリマーよりも寸法安定性の異方性が低い。
【００３１】
本発明に係るめっき積層体の一例である銅張積層板では、上記の平滑性を有する全芳香族ポリエステルからなる液晶ポリマーフィルムに加熱処理を行い、片面またはその両面に、プラズマ照射等の表面改質処理を行った後にスパッタリング法にて第一金属層を形成し、続いてスパッタリング法により銅層の一部を構成する銅薄膜層を成膜し、さらに前記銅薄膜層の表面に電解銅めっき法により銅層の一部を構成する銅電解めっき層を成膜して、銅薄膜層と銅電解めっき層とで第二金属層を形成する構造を有している。
【００３２】
液晶ポリマーフィルムは、液晶ポリマー分子が硬直であることに起因し、ポリイミドフィルムが示すような屈曲性が乏しい。ポリイミドフィルム等であれば４０００ｋＮ／ｍ２以上の張力で１２０℃以上の高温にフィルム温度を上げる加熱乾燥処理を行ってもポリイミド分子が絡み合い張力に対応することができる。
一方、液晶ポリマーフィルムでは、高温で４０００ｋＮ／ｍ２以上の張力を加えると、液晶ポリマー分子は張力が加えられる方向に配向しようとする。そのため液晶ポリマーフィルムを加熱し延伸する際は、支持体で挟持しながら延伸処理を行うことが知られている。
【００３３】
しかし、本発明のめっき積層体の製造方法では、熱処理と連続して成膜処理を行うことが望ましく、支持体を用いることはできないが、液晶ポリマーフィルムの表面に金属層を設けた積層体である銅張積層板の熱処理では、金属層がめっき層で成膜されていたとしても、金属層が支持体になり、熱処理条件の選択の自由度は高い利点を有する。
【００３４】
そこで、本発明では、加熱処理の温度を、フィルムの温度が１２０℃以上、液晶ポリマーフィルムのα緩和温度より２０℃低い温度以下、さらに好ましくは、１８０℃以上、液晶ポリマーフィルムのα緩和温度より４０℃低い温度以下とするのが好ましい。
なお、α緩和温度は、液晶ポリマーフィルムの主鎖セグメントのミクロブラウン運動に由来する温度であり、動的粘弾性装置（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｔｈｅｒｍｏｍｅｃｈａｎｏｍｅｔｒｙ：ＤＭＡ）にて測定した値を用いる。
【００３５】
フィルム温度が１２０℃より低い場合は、脱水の向上の効果はもとよりフィルム中の歪の除去も不十分となる。一方液晶ポリマーフィルムのα緩和温度より２０℃低い温度を超えると熱収縮によりフィルムが変形することがある。これは、液晶ポリマー分子の剛直性によるもので、温度が高くなるにつれてフィルムが柔らかくなると液晶ポリマー分子の絡み合いがさらに弱くなり、張力の方向へ配向しやすくなることに起因する。特に、温度が高い場合、ロールツーロールでフィルムを搬送する場合には、張力がかかり破断することもある。
【００３６】
そのため上記理由から、印加する張力は４０００ｋＮ／ｍ２以下、好ましくは２５００ｋＮ/ｍ２以下がよい。また、張力は８０ｋＮ／ｍ２以上が望ましい。張力が弱すぎると、歪の除去に偏りが生じるばかりか加熱中のフィルムが波を打つことがある。
また張力はフィルムの幅や厚みによっても考慮する必要があり、フィルムの幅が狭いほど、フィルムの厚みが薄いほど低くする必要がある。加熱処理時間に特に制限はなく、温度が高くなるにつれて短く設定することが可能である。
【００３７】
フィルム温度が１２０℃から液晶ポリマーフィルムのα緩和温度より２０℃低い温度の範囲になる時間が２〜２００秒間、好ましくは２〜６０秒間の範囲内である。
一方、液晶ポリマーフィルムの吸水率は約０．０４％であり、ポリイミドフィルムやポリエチレンテレフタレートフィルムに比べて低いが、真空中での処理中に揮発するため、スパッタリング膜を酸化させることが懸念される。そのため加熱処理の雰囲気は、大気中（大気圧）でも良いが、減圧雰囲気下で真空ポンプにより排気しながら行うことが望ましい。
【００３８】
銅張積層板の製造では、液晶ポリマーフィルム表面に金属層を形成する前に、表面改質処理をすることが望ましい。
方法としては、プラズマ処理、イオンビーム照射あるいは紫外線照射を用いることができる。これらの処理によって液晶ポリマーフィルム表面をエッチングすることで清浄すると共に脆弱な層を除去し、極性基の導入を行うことで界面の密着力を高めることができる。ただし、表面処理後の表面粗さは、表面処理前とほぼ同等であることが望ましい。
【００３９】
第１金属層（下地金属層）を形成する金属としては、例えば、ニッケル、クロム、モリブデン、チタン、バナジウム、錫、金、銀、亜鉛、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、鉄、アルミニウム、鉛−錫系はんだ合金などが挙げられ、これらの金属を１種以上含む合金であることが望ましい。さらには、これらの中でも、ニッケル、クロム、ニッケルを含む合金、クロムを含む合金、ニッケル及びクロムを含む合金から選ばれる一種であることがより望ましい。
また第１金属層は、蒸着やスパッタリング等の乾式めっきで形成し、特にスパッタリングで形成することが望ましい。
【００４０】
第１金属層の厚みは、２ｎｍ以上であることが望ましく、上限としては３０ｎｍ以下であることが望ましい。
第１金属層の厚みが、２ｎｍ未満ではスパッタリングによる膜成長の初期段階は島状であるため、液晶ポリマーフィルムと金属層界面における表皮効果（周波数が高くなる程、界面に信号が集中する現象）により、伝送損失が大きくなる可能性が高くなる。また、周波数が高いほど、表皮効果が発生する膜厚は薄くなる（例えば１０ＧＨｚの時、約５０〜６０ｎｍ）為、膜厚バラツキを考慮し、第１金属層は３０ｎｍ未満とすることが望ましい。
【００４１】
次に、スパッタリング法または電解銅めっき法、或いはその両者により形成される第２金属層の銅層において、その厚みは、０．１〜２０μｍの範囲内とすることが望ましい。
厚みが０．１μｍよりも薄い場合、セミアディティブ法で配線加工する際に湿式めっき工程で給電がし辛くなるため好ましくない。２０μｍよりも厚くなると、エッチングによる配線加工の生産性が低下するばかりでなく、基板としての総厚も厚くなってしまうので、好ましくない。なお、スパッタリング法の銅薄膜層の膜厚は、上記銅層の膜厚の範囲にあればよい。
【００４２】
プリント配線基板の配線はサブトラクティブ法又はセミアディティブ法で形成することができる。
サブトラクティブ法とは、銅張積層板の銅層を化学エッチング処理して不要部分を除去する方法である。即ち、銅張積層板の銅層のうち導体配線として残したい部分の表面にレジストを設け、銅に対応するエッチング液による化学エッチング処理と水洗を経て、銅層の不要部分を選択的に除去して導体配線を形成するものである。
【００４３】
また、セミアディティブ法とは、銅張積層板の下地金属層および銅層の上にレジスト層を形成し、フォトリソグラフィーにより、レジスト層をパターニングし、配線を形成したい箇所のレジスト層を除去して得られる銅層が露出した開口部に銅めっきを施し、配線を形成する。配線を形成後、レジスト除去を行い、不要な銅層および下地金属層を化学エッチング処理して極薄銅層および下地金属層部分を除去する方法である。
【００４４】
本発明の製造方法によって得られるめっき積層体は、プリント配線基板に対して有用であり、例えば、リード付部品を穴を通して基板に実装するピン挿入実装法、ケース付部品を穴を通さず表面で基板に実装する表面実装法、裸のＩＣチップを基板に実装するＩＣチップ実装法などの公知の方法により、表面実装部品を装着することができる。
【００４５】
これまで、本発明に係るめっき積層体を、めっき層が金属層である銅張積層板を例に説明してきた。めっき層は、金属層に限定されず、酸化物や窒化物を乾式めっき法で形成しためっき積層体にも適用できる。長手方向および幅方向の寸法安定性が改善された酸化物のめっき層が積層されためっき積層体を求める場合は、本発明は有益である。
【実施例】
【００４６】
以下に本発明の実施例、比較例を示して詳細に説明するが、本発明は以下の実施例により何ら制限されることはない。
【００４７】
［加熱処理］
液晶ポリマーフィルムをロールツーロール機構を有する真空装置内に設置し、真空ポンプで圧力が１Ｐａ以下になるまで排気した真空チャンバー内で、液晶ポリマーフィルムを搬送し、赤外線ヒーターを用いた加熱法により搬送される液晶ポリマーフィルムの両側から加熱した。
加熱状態の制御は、予め液晶ポリマーフィルムに極細の熱電対を設置し、赤外線ヒーターとフィルム温度との関係を把握した後、実際の加熱処理は赤外線ヒーターの設定温度で制御した。
【００４８】
［プラズマ処理による表面改質］
プラズマによるフィルムの表面処理量は、ガス種、印加電圧、電流、処理時間にも依存する。さらに印加電圧を変化させると電流も変化するため、プラズマ処理強度Ｊを下記（１）式に示すように定めた。
【００４９】
【数１】
2014233891.tif 000004
【００５０】
先ず、真空装置内の圧力が１×１０−４Ｐａ以下となるまで真空引きした後、ガスを導入し、上記（１）式により設定したプラズマ処理強度Ｊになるように印加電圧Ｖ、電流Ｉ、処理時間ｔ、及び電極表面積Ａを適宜設定した後、直流放電プラズマにより、液晶ポリマーフィルム表面にプラズマ処理を施した。
【００５１】
［スパッタリング］
真空装置内の圧力が１×１０−４Ｐａ以下となるまで真空引きした後、アルゴンガスを真空チャンバー内に導入して真空装置内の圧力を０．３Ｐａとし、プラズマ処理を施した液晶ポリマーフィルム表面に、スパッタリング法を用いてＮｉ−２０％Ｃｒ合金層、次いで銅層からなるスパッタ層を積層した。
【００５２】
［電気銅めっき］
電流密度２Ａ／ｄｍ２で電気銅めっき（めっき液：硫酸銅溶液）を行ない、スパッタ層上に膜厚８μｍの銅めっき層を形成した。
【００５３】
［特性評価］
・寸法安定性
本発明におけるめっき積層体の長さ方向：ＭＤ（Ｍａｃｈｉｎｅ  Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）及びめっき積層体の幅方向：ＴＤ（Ｔｒａｖｅｒｓｅ  Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）の寸法変化率は、「ＩＰＣ−ＴＭ−６５０，２．２．４，Ｍｅｔｈｏｄ  Ｂ及びＣ」に準拠して実施した。
ここで、「寸法変化率」という指標では、収縮はマイナス値、伸張がプラス値で表される。
金属層をエッチングした際の寸法変化率は、「ＩＰＣ−ＴＭ−６５０，２．２．４，Ｍｅｔｈｏｄ  Ｂ」に従って測定した。
さらに、１５０℃×３０分の熱処理後の寸法変化率は、「ＩＰＣ−ＴＭ−６５０，２．２．４，Ｍｅｔｈｏｄ  Ｃ」に従って測定した。
【実施例１】
【００５４】
Ｔダイ法でフィルム化されたプライマテック社製ポリエステル系液晶ポリマーフィルム「ＢＩＡＣ（共重合体化合物ＩＩの構造を有する全芳香族型ポリエステル、膜厚２５μｍ  α緩和温度３００℃）」を真空装置内で張力８００ｋＮ／ｍ２を印加した状態で、フィルム温度が１５０℃になるように加熱処理を行った。
その後、この液晶ポリマーフィルム両面に、プラズマ処理強度８３ｋＪ／ｍ２にて酸素プラズマ処理を行った。続いてスパッタリング法によりＮｉ−２０％Ｃｒ合金を８ｎｍ、銅を１００ｎｍの層厚で積層し、続いて電解銅めっき法を用いて、銅めっき層を８μｍ形成し、実施例１に係るめっき積層体を作製した。
【００５５】
作製した実施例１に係るめっき積層体の金属層のエッチング除去による寸法変化率（ｍｅｔｈｏｄ  Ｂ）を測定した。
さらに１５０℃×３０分加熱による寸法変化率（ｍｅｔｈｏｄ  Ｃ）を測定した。
測定結果を纏めて表１に示す。
【実施例２】
【００５６】
実施例１と同じ液晶ポリマーフィルムを用いて、真空装置内で張力４００ｋＮ／ｍ２を印加した状態で、フィルム温度が２００℃になるように加熱処理を行った。続いて実施例１と同様の操作によってめっき積層体を作製し、エッチング除去による寸法変化率及び１５０℃×３０分加熱による寸法変化率を測定した。
測定結果を表１に纏めて示す。
【実施例３】
【００５７】
膜厚が５０μｍである以外は、実施例１と同じ種類の液晶ポリマーフィルムを、真空装置内で張力１２００ｋＮ／ｍ２を印加した状態で、フィルム温度が１５０℃になるように加熱処理を行った。続いて実施例１と同様の操作によってめっき積層体を作製し、エッチング除去による寸法変化率及び１５０℃×３０分加熱による寸法変化率を測定した。
測定結果を表１に纏めて示す。
【実施例４】
【００５８】
実施例３と同じ液晶ポリマーフィルムを、真空装置内で張力２００ｋＮ／ｍ２を印加した状態で、フィルム温度が２４０℃になるように加熱処理を行った。続いて実施例１と同様の操作によってめっき積層体を作製し、エッチング除去による寸法変化率及び１５０℃×３０分加熱による寸法変化率を測定した。
測定結果を表１に纏めて示す。
【実施例５】
【００５９】
プラズマ処理を行わなかった以外は、実施例１と同様の操作を行い、めっき積層体を作製し、エッチング除去による寸法変化率及び１５０℃×３０分加熱による寸法変化率を測定した。
測定結果を表１に纏めて示す。
【００６０】
（比較例１）
実施例１と同じ液晶ポリマーフィルムを、真空装置内で張力８００ｋＮ／ｍ２を印加した状態で、フィルム温度が１００℃になるように加熱処理を行った。続いて実施例１と同様の操作によってめっき積層体を作製し、エッチング除去による寸法変化率及び１５０℃×３０分加熱による寸法変化率を測定した。
測定結果を表１に纏めて示す。
【００６１】
（比較例２）
実施例１と同じ液晶ポリマーフィルムを真空装置内で張力６４００ｋＮ／ｍ２を印加した状態で、フィルム温度が１５０℃になるように加熱処理を行った。続いて実施例１と同様の操作によってめっき積層体を作製し、エッチング除去による寸法変化率及び１５０℃×３０分加熱による寸法変化率を測定した。
測定結果を表１に纏めて示す。
【００６２】
（比較例３）
実施例１と同じ液晶ポリマーフィルムに加熱処理を行わず、実施例１と同様の操作によってめっき積層体を作製し、エッチング除去による寸法変化率及び１５０℃×３０分加熱による寸法変化率を測定した。
測定結果を表１に纏めて示す。
【００６３】
（比較例４）
実施例１と同じ液晶ポリマーフィルムを真空装置内で張力４００ｋＮ／ｍ２を印加した状態で、フィルム温度が３００℃になるように加熱処理を行ったところフィルムが変形した。
【００６４】
【表１】
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