(57)【要約】      （修正有）【課題】高感度および高スループットのウェーハ検査のための深紫外線、フレキシブル明視野および暗視野画像化システムを含む、広帯域紫外線の偏光制御を提供する。【解決手段】表面検査システムは、線形偏光子１０５およびアポクロマートの位相子１０７のうちの少なくとも１つを含む偏光制御アセンブリ１０３、開口制御機構１０９、およびビームスプリッタ１１３、を含み、対象の表面上へ放射線を指向する放射線指向アセンブリと、線形偏光子１１９およびアポクロマートの位相子１２１のうちの少なくとも１つを含む偏光制御アセンブリ１１７、開口制御機構１２３、および少なくとも１つの放射線検出装置１２７、を含み、前記対象の前記表面から反射する放射線を収集する放射線収集アセンブリと、を含む。【選択図】図１Ａ
2014211447.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象の表面上へ放射線を指向する放射線指向アセンブリと、前記対象の前記表面から反射する放射線を収集する放射線収集アセンブリとを備えた表面検査システムであって、
前記放射線指向アセンブリは、
線形偏光子（１０５）およびアポクロマートの位相子（１０７）のうちの少なくとも１つを含む偏光制御アセンブリ（１０３）；
開口制御機構（１０９）；および
ビームスプリッタ（１１３）；
を含み、
前記放射線収集アセンブリは、
線形偏光子（１１９）およびアポクロマートの位相子（１２１）のうちの少なくとも１つを含む偏光制御アセンブリ（１１７）；
開口制御機構（１２３）；および
少なくとも１つの放射線検出装置（１２７）；
を含む
表面検査システム。
【請求項２】
広帯域放射ビームを発する放射線源（１０１）をさらに含む、請求項１に記載の放射線指向アセンブリ。
【請求項３】
前記線形偏光子が、ワイアグリッド偏光子（１０２）を含む、請求項１に記載の表面検査システム。
【請求項４】
前記ワイアグリッド偏光子のピッチが、２つに分割されてテストされる対象のための最も短い検査波長よりも短い、請求項３に記載のワイアグリッド偏光子。
【請求項５】
前記ワイアグリッド偏光子が、当該偏光子全体にわたり既知の量で変化する透光される偏光ベクトルの方向をともなって製作される、請求項３に記載のワイアグリッド偏光子。
【請求項６】
前記線形偏光子（１０５、１１９）が、波長を変化させるように設計された一連のワイアグリッド偏光子を含む、請求項１に記載の表面検査システム。
【請求項７】
前記偏光制御アセンブリ（１０３）が、前記放射線指向アセンブリに沿って、興味のある対象の測定を改良するように選択される予め定められた場所に配置される、請求項１に記載の表面検査システム。
【請求項８】
前記偏光制御アセンブリ（１０３）が、前記放射線収集アセンブリに沿って、興味のある対象の測定を改良するように選択される予め定められた場所に配置される、請求項１に記載の表面検査システム。
【請求項９】
偏光収差を弱めて、測定感度を改良するために、前記開口制御機構の少なくとも１つにおいて使用するＳ型開口をさらに含む、請求項１に記載の表面検査システム。
【請求項１０】
偏光収差を弱めて、測定感度を改良するために、前記開口制御機構の少なくとも１つにおいて使用するＰ型開口をさらに含む、請求項１に記載の表面検査システム。
【請求項１１】
偏光収差を弱めて、測定感度を改良するために、前記開口制御機構の少なくとも１つにおいて使用するＸＹ交差偏光開口をさらに含む、請求項１に記載の表面検査システム。
【請求項１２】
偏光収差を弱めて、測定感度を改良するために、前記開口制御機構の少なくとも１つにおいて使用するＳＰ交差偏光開口をさらに含む、請求項１に記載の表面検査システム。
【請求項１３】
偏光収差を弱めて、測定感度を改良するために、前記開口制御機構の少なくとも１つにおいて使用するＲＨ／ＬＨ交差偏光開口をさらに含む、請求項１に記載の表面検査システム。
【請求項１４】
少なくとも１つの線形偏光子（１０５）；および
アポクロマートの位相子（１０７）
を含む偏光制御アセンブリ（１０３）。
【請求項１５】
前記線形偏光子が、ワイアグリッド偏光子（１０２）を含む、請求項１４に記載の偏光制御アセンブリ。
【請求項１６】
前記ワイアグリッド偏光子のピッチが、２つに分割されてテストされる対象のための最も短い検査波長よりも短い、請求項１５に記載のワイアグリッド偏光子。
【請求項１７】
前記ワイアグリッド偏光子が、当該偏光子全体にわたり既知の量で変化する透光される偏光ベクトルの方向をともなって製作される、請求項１５に記載のワイアグリッド偏光子。
【請求項１８】
前記アポクロマートの位相子が、前記偏光のベクトルの楕円率を修正する、請求項１４に記載の偏光制御アセンブリ。
【請求項１９】
前記線形偏光子が、波長を変化させるように設計された一連のワイアグリッド偏光子を含む、請求項１４に記載の偏光制御アセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書において記述される内容は、表面検査技術に関して、特に、偏光する広帯域放射線を利用するウェーハ検査ためのシステムおよび方法に関する。
【発明の概要】
【０００２】
半導体材料は、例えば表面の欠点、粒子、薄膜コーティングの厚みの不規則などのような欠陥（それは半導体材料の性能を妨げるかもしれない）を検出するために検査される場合がある。いくつかの既存の検査システムは、半導体材料の表面上の放射ビームを導いて、そして、表面の特性を定量化するために、表面から反射および／または散乱される光を集めて分析する。追加的な検査技術は、望ましい。
【図面の簡単な説明】
【０００３】
【図１Ａ】実施形態による検査システムの概略図である。
【０００４】
【図１Ｂ】実施形態による検査システムにおいて用いてもよいワイアグリッド偏光子の概略図である。
【０００５】
【図２】実施形態による検査システムにおいて用いてもよい偏光開口の概略図である。
【図３】実施形態による検査システムにおいて用いてもよい偏光開口の概略図である。
【図４】実施形態による検査システムにおいて用いてもよい偏光開口の概略図である。
【図５】実施形態による検査システムにおいて用いてもよい偏光開口の概略図である。
【図６】実施形態による検査システムにおいて用いてもよい偏光開口の概略図である。
【０００６】
【図７】実施形態によるウェーハ表面上の入射放射線の偏光方向の概略図である。
【０００７】
【図８】実施形態による偏光検査システムを実現してもよいコンピューティング・システムの概略図である。
【０００８】
【図９】実施形態による偏光放射を使用している欠陥捕獲率を図示するグラフである。
【０００９】
【図１０】実施形態による偏光放射を使用している信号対雑音比を図示するグラフである。
【００１０】
【図１１】実施形態による偏光放射を使用している欠陥捕獲を図示するグラフである。
【００１１】
【図１２】実施形態による検査システムのキャップの改良を図示するグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
偏光する広帯域ウェーハ検査ための例示的なシステムおよび方法は、本明細書において記述される。本明細書の全体にわたって、電磁放射に関して光（light）、光学的（optical）、光学部品（optics）、光線（rays）およびビーム（beams）のような用語は、放射線（radiation）がスペクトルの可視部分にあるかないかという意味なしで使われてもよい。以下の説明では、多数の具体的な詳細は、各種の実施形態の完全な理解を提供するために記載される。しかしながら、各種の実施形態が具体的な詳細なしで実践されてもよいことは、当業者によってよく理解されている。他の事例、周知の方法、手順、コンポーネントおよび回路については、特定の実施形態を曖昧にしないために、詳述されない。
【００１３】
いくつかの実施形態では、本明細書において記述されるシステムおよび方法は、高感度および高スループットのウェーハ検査のための深紫外線、フレキシブル明視野および暗視野画像化システムを含む、広帯域紫外線の偏光制御を提供する。この種のシステムおよび方法の例は、「別々の波長レンジにおいて散乱される光を用いる試料の検査のための方法およびシステム（Methods and Systems for Inspecting a Specimin Using Light Scattered in Different Wavelength Ranges）」と題するスコート（Schortt）らの米国特許第７，３０４，３１０号、「進んだ光学技術を用いる高スループットの暗視野／明視野ウェーハ検査システム（High Throughput Darkfield/Brightfield Wafer Inspection Systems Using Advanced Optical Techniques）」と題するフェアリー（Fairley）らの米国特許第７，２５９，８４４号、および、「プログラマブル光選択アレイを有する暗視野検査システム（Darkfield Inspection System Having a Programmable Light Selection Array）」と題するベービス（Bevis）らの米国特許第７，００２，６７７号、そして、その開示は全体として引用によって本明細書に組み込まれる、において記述される。
【００１４】
いくつかの実施形態において、検査システムは、その検査システムにより用いられる放射線の波長に対して微細ピッチを有するワイアグリッド偏光子を利用する。例えば、いくつかの実施形態では、ワイアグリッド偏光子は、表面を検査するために検査システムにより用いられる放射線の、最も短い波長の半分未満のピッチ（すなわちワイア間の距離）を有してもよい。図１Ｂは、実施形態による検査システムにおいて用いてもよいワイアグリッド偏光子の概略図である。このような実施形態では、微細ピッチを有するワイアグリッド１０２は、融合基板（fused substrate）１０４上に製作されてもよい。微細ピッチを有するワイアグリッド偏光子は、広帯域ウェーハ検査システムに役立つ波長の幅広い範囲を超える充分な透光および遮光を伴って偏光させる。加えて、ワイアグリッド偏光子は、ＤＵＶ照射の下で堅牢であり、そして、高感度光学システム（例えば収差を最小化する薄い基板）の要求を満たすために製作されることができる。さらに、グリッド偏光子を製作するいくつかの方法は、照射または画像化のいずれかのための大きい開口数（ＮＡ）を組み込むウェーハ検査システムに役立つことができる部分によって変化する透光された偏光ベクトルの方向を有する偏光子の製作に役立つ。
【００１５】
図１Ａは、偏光制御を有するウェーハ検査システムの線図を示す。広帯域光源１０１から発せられる光は、検査対象１１５上へ照射されて、そして、タイムディレイ・インテグレーション（ＴＤＩ）検出器１２７上へ画像化される。光源の偏光は、線形偏光子１０５、１１９（例えばワイアグリッド）およびアポクロマートの位相子(アポクロマート抑制装置、アポクロマートによる色収差抑制装置)１０７、１２１のペアを操作することによって、照射および画像化の両方のパスにおいて制御される。いくつかの実施形態では、別々の開口１０９、１２３は、試料および検査システムによって生じる偏光収差を弱めて、試料およびＴＤＩ検出器１２７の両方で所望の偏光の純度を改良するために、照射瞳孔１０１および画像化瞳孔１２５に置かれてもよい。
【００１６】
広帯域ウェーハ検査システムは、被検査試料上に位置する特定の対象にシステムの感度を改良するために、光源の偏光ベクトルおよび画像化平面付近の偏光ベクトルを制御する。偏光制御は、波長の幅広い範囲を超えて動作する線形偏光子の適切な方向を通じてなされることができる。偏光ベクトルの楕円率は、アポクロマートの位相子１０７、１２１によって修正されてもよい。感度は、適切な開口セット１０９、１２３（図２、図３、図４、図５および図６を参照）を有する偏光ビームをマスキングすることによって、さらに改良されることができる。この装置は、照射および画像化の両方のパスの偏光および開口制御を可能にする。線形偏光子１０５、１１９およびアポクロマートの位相子１０７、１２１の物理的位置は、フレキシブルである。それらは、瞳孔平面の近く、または視野平面の近く、または、可変的な振幅および位相属性を有してもよい興味のある対象を改良するために、他の任意の好ましい場所の近く、のいずれかに位置することができる。
【００１７】
正しい偏光および開口構成１０９、１２３については、電界のより大きい集中は、試料の特定の層で局地化されてもよい。そして、以前のすなわちオーバーレイ層（図９、図１０、図１１および図１２を参照）からのノイズを抑制するとともに、興味のある標的対象に対する検査システムの感度をより高めてもよい。微細ピッチ・ワイアグリッド偏光子の利点は、ＤＵＶ波長に対して幅広いスペクトル全体に亘るその性能である。
【００１８】
マルチプルの製作方法は、検査システムのための深紫外（ＤＵＶ）照射を偏光させることができる他の光学コンポーネントと同様に、ワイアグリッド偏光子を組み立てるために使用してもよく、そして、それは本発明の範囲を制限しない。いくつかの実施形態では、微細ピッチ・ワイアグリッド偏光子は、２６６ナノメートル、１９３および他のＤＵＶ干渉リソグラフィ・システム（液浸リソグラフィ、二重パターン化リソグラフィ、干渉、液浸または二重パターン化リソグラフィの組合せ、ＥＵＶリソグラフィ、イービーム（e-Beam）書込み、およびナノインプリント技術）を用いて作成されてもよい。
【００１９】
これらの方法のいくつかは、偏光子全体に変化する透光された偏光ベクトルの方向を有する偏光子の製作を可能にする。これは、ウェーハ試料での入射角度または反射／散乱角度の関数として変化する、線形偏光ベクトルを生成するかまたは分析するために用いることができる。
【００２０】
誘電微細ピッチ・グリッドおよび回折格子は、照射を偏光させることができるが、しかし、それらは一般に波長の狭い範囲のために偏光させる。広帯域アプリケーションのための、直列に積み重ねられる波長を変化させるように設計されたいくつかのグリッドまたは格子の使用は、広帯域ＤＵＶ放射線を偏光させるために用いてもよい。
【００２１】
平行平面板上のマルチレイヤ・コーティングは、高い遮光および高い透光の両方を得ることが可能である。しかしながら、この種の設計は、狭い帯域および狭い角度のアプリケーションに限られる。任意の狭帯域の偏光子による一連の組合せは、広帯域偏光子を作成するために用いてもよい。
【００２２】
ブルースター角で向きを定められる一連の平行平面板は、広帯域光源を偏光させることが可能である。しかしながら、その設計は、角度の狭い範囲に限られる。加えて、その設計のために大量のガラスが必要とされることは、波面の歪曲を増大させる。さらに、ガラス・インターフェースに対する大量の空気は、システムにおけるゴースト反射の合計を増加させる。
【００２３】
広帯域紫外光源を偏光させるための他のアプローチは、偏光プリズムを使用することである。しかしながら、十分な等質性を有する大きなガラス結晶を得ることが困難であるため、大きいものを製作することは、困難である。加えて、偏光プリズムは、記述される偏光エレメントに比べて非常に小さい受光角を有する。最後に、一部のために大量のガラスが要求されることは、より大量の波面の歪曲に至る。
【００２４】
さまざまな処理技術が、これらの偏光子を作成するのに用いられてもよい。２６６ナノメートル、１９３および他のＤＵＶ干渉リソグラフィ・システム（液浸リソグラフィ、二重パターン化リソグラフィ、干渉、液浸または二重パターン化リソグラフィの組合せ、ＥＵＶリソグラフィ、イービーム（e-Beam）書込み、およびナノインプリント技術）。
【００２５】
いくつかの実施形態では、その部分の全体に変化する透光された偏光ベクトルの方向を有する適合した偏光子が、用いられてもよい。例えば、いくつかの実施形態で、マルチプル・ワイアグリッド・パターンは、印刷されてもよくて、基板の偏光子部分全体の、別々であるが特定の方向で、向きを定められてもよい。例えば、ワイアグリッドが偏光子部分の半径方向（ｒａｄｉａｌ  ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）に沿って向きを定められる場合、Ｓ偏光は、ウェーハ検査のために利用されることができる。これに反して、ワイアグリッドが円周（ｃｉｒｃｕｍｆｅｒｅｎｃｅ）に沿って向きを定められる場合、Ｐ偏光は、ウェーハ検査のために利用されることができる。
【００２６】
図７は、照射瞳孔のＸおよびＹ偏光がどのようにして、瞳孔位置の関数として変化するウェーハでの別々のＳおよびＰ突起を有することが見出されるかについて示す。被検査試料上の特定の層を目標とする能力を有することを除いて、図２および図３は、このシステム内に存在する複屈折効果を除去することによって画像のシャープ化の利点を有する開口を示す。
【００２７】
照射および収集偏光子を直交方向に配置することによって、この装置は、広帯域で、交差偏光する画像化システムとして用いることができる。高いＮＡ交差偏光画像化システム（図４および図６を参照）の４つの四分円において発生される漏れを阻止することによって、このモードの遮光比を改良するために、特定の開口は、挿入されてもよい。
【００２８】
加えて、四分の一波長板は、生成／分析線形状態を循環状態に変えるために、照射または収集パスに挿入されてもよい。四分の一波長板を回転させることによって、偏光の楕円率は、入射する電界の侵入深さを変化させるために変更されてもよい。
【００２９】
図８は、図１Ａの画像化光学部品１２５から受け取られるプロセス・データに用いてもよいコンピューティング・システムの一実施形態の概略図である。コンピュータシステム８００は、コンピュータ８０８ならびに、スクリーン８０４を有するディスプレイ８０２、キーボード８１０、他の入出力デバイス８１２およびマウス８１４を含む、１つ以上の付随的な入／出力装置８０６を含む。他のデバイス８１２は、タッチスクリーン、音声作動式入力デバイス、トラックボール、および、システム８００が開発者および／またはユーザからの入力を受け取ることができる他の任意のデバイスを含むことができる。コンピュータ８０８は、システムハードウェア８２０ならびに、ランダムアクセスメモリおよび／またはリードオンリーメモリ８３０を含む。ファイル記憶装置８８０は、コンピュータ８０８に通信で接続される。ファイル記憶装置８８０は、例えば内蔵（例えば１つ以上のハードドライブ）のもの、あるいは、例えば外部（例えば１つ以上の外部ハードドライブ、ネットワーク接続ストレージ、または別個の記憶ネットワーク）のものでもよい。
【００３０】
メモリ８３０は、コンピュータ８０８のオペレーションを管理するためのオペレーティングシステム８４０を含む。一実施形態において、オペレーティングシステム８４０は、システムハードウェア８２０にインターフェースを提供するハードウェアインターフェースモジュール８５４を含む。加えて、オペレーティングシステム８４０は、コンピュータ８０８のオペレーションにおいて使用するファイルを管理する１つ以上のファイルシステム８５０、およびコンピュータ８０８上で実行している方法を管理するプロセス制御サブシステム８５２を含む。オペレーティングシステム８４０は、オペレーティングシステム８４０と１つ以上のアプリケーションモジュール８６２との間のインターフェースを提供するシステムコールインターフェースモジュール８４２をさらに含む。
【００３１】
オペレーションにおいて、コンピュータ８０８上で実行している１つ以上のアプリケーションモジュールおよび／またはライブラリは、コンピュータのプロセッサ上の１つ以上の命令を実行するために、システムコールインターフェースモジュール８４２に対する要求を作成する。システムコールインターフェースモジュール８４２は、命令によって要求されるファイルを管理するためにファイルシステム８５０の、および、命令によって要求されるプロセスを管理するためにプロセス制御サブシステム８５２の、サービスを呼び出す。ファイルシステム８５０およびプロセス制御サブシステム８５２は、次に、システムハードウェア８２０とインターフェースをとるために、ハードウェアインターフェースモジュール８５４のサービスを呼び出す。
【００３２】
オペレーティングシステム８４０の具体的実施形態は、本明細書において記述される内容にとって重大ではない。オペレーティングシステム８４０は、ユニックス（UNIX）（登録商標）オペレーティングシステムまたはその任意の派生物（例えばリナックス（Linux）、ソラリス（Solaris）、など）として、あるいはウィンドウズ（Windows）（登録商標）ブランドのオペレーティングシステムとして、実施されてもよい。
【００３３】
いくつかの実施形態では、コンピュータシステム８００は、表面検査システムを実現するために１つ以上のモジュールを含む。図８に表される実施形態において、コンピュータシステム８００は、図１Ａに関して記述されるシステムを実現する表面分析モジュール８６２を含む。
【００３４】
広帯域を使用して、検査のための線形偏光光は、波長によるコントラストの欠陥を制御するとともに、試料の特定の層を目標とするための利点を有する。この種の構成は、ノイズを最小化するとともに、興味のあるエリアに対して感度を最大にするための利点を有する。例えば、限定しないが、偏光ベクトルがラインスペースアレイに対して垂直であるように偏光ベクトルの向きを定めることが、試料の内部により深く電界を透過させて、高密度の構造物の内部に埋められる興味のある対象の捕獲率を上昇させることを、図９、図１０および図１１は示すとみなす。逆にいえば、ラインスペースアレイに対して平行に偏光ベクトルの向きを定めることは、構造物の表面で電界を集中させて、対象（例えばウェーハ試料の表面上の粒子）を感知できる検査システムを作成する。これらの例は、検査システムの照射または画像化パスのいずれかにおいて単一の偏光子を利用する。
【００３５】
「一実施形態」または「実施形態」への明細書における言及は、実施形態と関連して記述される特定の特徴、構造または特性が少なくとも実施に含まれることを意味する。明細書のさまざまな場所におけるフレーズ「一実施形態において」の出現は、同じ実施形態にすべて関連していてもよいし関連していなくてもよい。
【００３６】
したがって、実施形態が、構造的特徴および／または方法論的行為に対する特有の言語で記述されたけれども、クレームされる内容は、記述される特定の特徴または行為に限定されなくてもよいことを理解すべきである。むしろ、この特定の特徴および行為は、クレームされる内容を実施するためのサンプルの形態として開示される。
【図１Ａ】
2014211447.tif 000003
【図１Ｂ】
2014211447.tif 000004
【図２】
2014211447.tif 000005
【図３】
2014211447.tif 000006
【図４】
2014211447.tif 000007
【図５】
2014211447.tif 000008
【図６】
2014211447.tif 000009
【図７】
2014211447.tif 000010
【図８】
2014211447.tif 000011
【図１１】
2014211447.tif 000012
【図１２】
2014211447.tif 000013
【図９】
2014211447.tif 000014
【図１０】
2014211447.tif 000015
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月7日(2014.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象の表面上へ放射線を指向する放射線指向アセンブリと、前記対象の前記表面から反射する放射線を収集する放射線収集アセンブリとを備えた表面検査システムであって、
前記放射線指向アセンブリは、
線形偏光子（１０５）およびアポクロマートの位相子（１０７）のうちの少なくとも１つを含む偏光制御アセンブリ（１０３）；
開口制御機構（１０９）；および
ビームスプリッタ（１１３）；
を含み、
前記放射線収集アセンブリは、
線形偏光子（１１９）およびアポクロマートの位相子（１２１）のうちの少なくとも１つを含む偏光制御アセンブリ（１１７）；
開口制御機構（１２３）；および
少なくとも１つの放射線検出装置（１２７）；
を含む
表面検査システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
したがって、実施形態が、構造的特徴および／または方法論的行為に対する特有の言語で記述されたけれども、クレームされる内容は、記述される特定の特徴または行為に限定されなくてもよいことを理解すべきである。むしろ、この特定の特徴および行為は、クレームされる内容を実施するためのサンプルの形態として開示される。
（適用例１）
対象の表面上へ放射線を指向する放射線指向アセンブリと、前記対象の前記表面から反射する放射線を収集する放射線収集アセンブリとを備えた表面検査システムであって、
前記放射線指向アセンブリは、
線形偏光子（１０５）およびアポクロマートの位相子（１０７）のうちの少なくとも１つを含む偏光制御アセンブリ（１０３）；
開口制御機構（１０９）；および
ビームスプリッタ（１１３）；
を含み、
前記放射線収集アセンブリは、
線形偏光子（１１９）およびアポクロマートの位相子（１２１）のうちの少なくとも１つを含む偏光制御アセンブリ（１１７）；
開口制御機構（１２３）；および
少なくとも１つの放射線検出装置（１２７）；
を含む
表面検査システム。
（適用例２）
広帯域放射ビームを発する放射線源（１０１）をさらに含む、適用例１に記載の放射線指向アセンブリ。
（適用例３）
前記線形偏光子が、ワイアグリッド偏光子（１０２）を含む、適用例１に記載の表面検査システム。
（適用例４）
前記ワイアグリッド偏光子のピッチが、２つに分割されてテストされる対象のための最も短い検査波長よりも短い、適用例３に記載のワイアグリッド偏光子。
（適用例５）
前記ワイアグリッド偏光子が、当該偏光子全体にわたり既知の量で変化する透光される偏光ベクトルの方向をともなって製作される、適用例３に記載のワイアグリッド偏光子。
（適用例６）
前記線形偏光子（１０５、１１９）が、波長を変化させるように設計された一連のワイアグリッド偏光子を含む、適用例１に記載の表面検査システム。
（適用例７）
前記偏光制御アセンブリ（１０３）が、前記放射線指向アセンブリに沿って、興味のある対象の測定を改良するように選択される予め定められた場所に配置される、適用例１に記載の表面検査システム。
（適用例８）
前記偏光制御アセンブリ（１０３）が、前記放射線収集アセンブリに沿って、興味のある対象の測定を改良するように選択される予め定められた場所に配置される、適用例１に記載の表面検査システム。
（適用例９）
偏光収差を弱めて、測定感度を改良するために、前記開口制御機構の少なくとも１つにおいて使用するＳ型開口をさらに含む、適用例１に記載の表面検査システム。
（適用例１０）
偏光収差を弱めて、測定感度を改良するために、前記開口制御機構の少なくとも１つにおいて使用するＰ型開口をさらに含む、適用例１に記載の表面検査システム。
（適用例１１）
偏光収差を弱めて、測定感度を改良するために、前記開口制御機構の少なくとも１つにおいて使用するＸＹ交差偏光開口をさらに含む、適用例１に記載の表面検査システム。
（適用例１２）
偏光収差を弱めて、測定感度を改良するために、前記開口制御機構の少なくとも１つにおいて使用するＳＰ交差偏光開口をさらに含む、適用例１に記載の表面検査システム。
（適用例１３）
偏光収差を弱めて、測定感度を改良するために、前記開口制御機構の少なくとも１つにおいて使用するＲＨ／ＬＨ交差偏光開口をさらに含む、適用例１に記載の表面検査システム。
（適用例１４）
少なくとも１つの線形偏光子（１０５）；および
アポクロマートの位相子（１０７）
を含む偏光制御アセンブリ（１０３）。
（適用例１５）
前記線形偏光子が、ワイアグリッド偏光子（１０２）を含む、適用例１４に記載の偏光制御アセンブリ。
（適用例１６）
前記ワイアグリッド偏光子のピッチが、２つに分割されてテストされる対象のための最も短い検査波長よりも短い、適用例１５に記載のワイアグリッド偏光子。
（適用例１７）
前記ワイアグリッド偏光子が、当該偏光子全体にわたり既知の量で変化する透光される偏光ベクトルの方向をともなって製作される、適用例１５に記載のワイアグリッド偏光子。
（適用例１８）
前記アポクロマートの位相子が、前記偏光のベクトルの楕円率を修正する、適用例１４に記載の偏光制御アセンブリ。
（適用例１９）
前記線形偏光子が、波長を変化させるように設計された一連のワイアグリッド偏光子を含む、適用例１４に記載の偏光制御アセンブリ。
【外国語明細書】
2014211447000001.pdf
2014211447000002.pdf
2014211447000003.pdf
2014211447000004.pdf