(57)【要約】      （修正有）【課題】金属のアルミニウム、及びその合金、又はチタニウム及びその合金のマイクロア−ク酸化によって生成された結晶性金属酸化物は薄い為に、電子部品の材料としては絶縁破壊電圧が低く電子部品としては不向きであった面を改良した加工品を提供する。【解決手段】マイクロア−ク酸化により生成された結晶性金属酸化物２が複雑な模様、凸凹形状をした物質であり、更に任意の場所への生成に対応できるに事に着眼し、前記複雑な模様、凸凹の場所にガラス、又は樹脂を形成する事で、接着強度の高い絶縁層３を設け、結晶性金属酸化物の厚みが薄い為に劣っていたと思われる絶縁破壊電圧を高める。【選択図】図１
2014005480.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウム及びその合金、又はチタニウム及びその合金のマイクロア−ク酸化によって生成された結晶性金属酸化物において、前記結晶性金属酸化物と、ホウロウ被膜、又は樹脂被膜の何れかを前記結晶性金属酸化物に接着し、一体化し構成され、前記結晶性金属酸化物の絶縁破壊電圧の安定と向上を付与した事を特徴とするホウロウ加工品、又は樹脂加工品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アルミニウム及びその合金、又はチタニウム及びその合金を基材金属とし、前記基材金属のマイクロア−ク酸化（以下ＭＡＯと略す）により生成された結晶性金属酸化物を接着界面とし、前記接着界面にホウロウ加工によるホウロウ被膜、又は樹脂加工による樹脂被膜を形成し構成され、前記結晶性金属酸化物の絶縁破壊電圧の安定と向上をさせたものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、金属の防錆、耐薬品性などに付与する技術にホウロウ加工、又は樹脂加工がある。ホウロウ加工は鉄、アルミニウム等の金属を主体に、ガラス粉であるガラスフリットを加熱する事により金属と表面反応させる事で界面を生成し、一体化する事でホウロウ被膜、別名ガラス被膜をする技術である。
【０００３】
樹脂加工の第一としてフッ素加工がある。フッ素加工は金属の表面を機械的に荒らす、例えばサンドブラスト処理をし、前記金属の表面に凸凹を形成し樹脂に対してのアンカ−効果を期待する。次にフッ素樹脂を塗布、印刷又は浸漬し、次に塗擦、又は焼き付け、一体化する事でフッ素樹脂被膜を形成する技術である。
【０００４】
他に冷蔵庫、エアコン等、温度計測を必要とする機器に用いる電子部品として温度センサ−があり、温度センサ−の組立にもエポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリイミド樹脂、又は熱可塑性樹脂を用いる樹脂加工を行っている。
【０００５】
前記温度センサ−の組立は、導体とサーミスタを電気的に接続し、次に金属パイプ、又は金属板へ前記導体とサ−ミスタを挿入、又は取付け、前記金属パイプ、又は金属板との空間をエポキシ樹脂、或いはシリコン樹脂等で充填、又は固定する樹脂加工技術である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開：２０１２−８６２８８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明に用いるＭＡＯとは、アルミニウム及びその合金、又はチタニウム及びその合金を基材金属とし、選ばれた電解水溶液中で前記基材金属を陽極とし、陰極との間に４００ｖ以上の直流高電圧を印荷すると連続した火花放電が起き、前記火花放電をＭＡＯと言う。
【０００８】
前記ＭＡＯによって基材金属の表面に生成された物質が、結晶性金属酸化物である。図２参照。
【０００９】
ホウロウ加工技術は、鉄等の金属とガラスフリットの熱化学反応を利用したもので、加熱による歪を防止する為に、前記金属にあうガラスフリット組成の設計、加熱操作の制御など高度な技術的ノウハウが必要である。また  ホウロウ被膜厚みを均一で５０μｍ以下にする事と、複雑な形状、パタ−ンへの対応が困難である。
【００１０】
従来の樹脂加工は、樹脂と金属を接着、又は固定する為に、金属表面を機械的に凸凹化するが、単純な凸凹となり高いアンカ−効果が得られず、前記金属と樹脂との高い接着強度が期待できない。
【００１１】
金属のパイプ、又は板にシリコン樹脂、エポキシ樹脂等を充填、又は塗布する場合、前記金属パイプ、又は板と前記樹脂との界面の接着が悪い場合には、前記界面を通じて水分の侵入、或いは前記金属パイプ内で樹脂の回転、抜け、又は剥離等の不具合を生む原因の一つにアンカ−効果の不十分があげられる。
【００１２】
ＬＥＤ、又は基板等に使用しているセラミックスは、放熱性、断熱性、高い絶縁破壊電圧、加工性等を兼ね備える機能が必要であるが、前記機能を有した短小軽薄なセラミックスの加工は難しい面がある。
【００１３】
ＭＡＯによって生成される結晶性金属酸化物は、処理条件により左右するが基材金属上に５μｍ〜１００μｍ程度の厚みが生成できる、反面一般的に用いられる市販のセラミックス系絶縁物と比較すると、ミリ単位の厚みは同程度の性能を保持できるが、実態は５μｍ〜１００μｍと薄く、基材金属との絶縁破壊電圧に不安定な面が観られる。
【００１４】
本発明は、基材金属のアルミニウム、及びその合金、又はチタニウム、及びその合金に、ＭＡＯにより表面に結晶性金属酸化物を生成し、前記結晶性金属酸化物を接着界面とし、前記接着界面にホウロウ加工によるホウロウ被膜の形成、又は樹脂加工により樹脂被膜を形成し、前記結晶性金属酸化物の絶縁破壊電圧を高め、安定化をする技術の提供である。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
ＭＡＯは交流高電圧の印荷でも可能であるが、一般的には直流高圧電源を用いて結晶性金属酸化物の生成を行う。
【００１６】
ＭＡＯをする際に、基材金属にマスキングを施す事で、火花放電部分を選択し結晶性金属酸化物を任意の場所、形状に生成できる事も可能である。
【００１７】
前記結晶性金属酸化物は基材金属より直接生成される為に、密着は非常に強固である。
【００１８】
前記結晶性金属酸化物の結晶型、結晶形状、大きさ、厚み等はＭＡＯに用いる電解水溶液の選択や、印加時間等の処理条件により制御する事が可能である。
【００１９】
前記結晶性金属酸化物の凸凹形状、或いは高低差模様は複雑で、かつ熱的に安定である為に、ホウロウ加工、又は樹脂加工の接着界面としては最適である。
【００２０】
前記結晶性金属酸化物へホウロウ加工を行う場合、一般的な平均粒径４．５μｍのガラスフリットを用いてのホウロウ加工も可能だが、ビ−ズミル等により平均粒径を０．１〜１μｍ以下のサブミクロンレベルのガラスフリットを用いる事で、熱処理温度の低下、ホウロウ被膜の均一化、及び薄膜化に大きな効果を生む事ができる。
【００２１】
前記サブミクロンレベルのガラスフリットを、前記結晶性金属性酸化物へ塗布、又は印刷し、５００℃以上１０００℃以下の温度でホウロウ被膜を形成し一体化する。図１参照。
【００２２】
樹脂加工を行う場合は、前記結晶性金属酸化物の上に樹脂を含む紛体又は溶液を散布、塗布、又は印刷し載せた後、７０℃以上３００℃以下の温度で加熱する事で樹脂被膜を形成し一体化する。樹脂が紛体の場合は、前記結晶性金属酸化物を加熱し、常温の紛体を塗布する方法もある。図１参照。
【００２３】
本発明の観点は、前記基材金属のＭＡＯによって生成された接着界面となる結晶性金属酸化物において、前記接着界面上にガラスフリットを塗布、又は印刷し熱処理により一体化しホウロウ被膜を形成し、又は樹脂を含む紛体、又は溶液を散布、塗布、又は印刷し、熱処理により樹脂被膜を形成し一体化し構成され、前記ＭＡＯによって生成された結晶性金属酸化物の絶縁破壊電圧の向上と安定化させる事にある。
【００２４】
基材金属の一つであるφ５アルミニウム丸棒にＭＡＯを行い、結晶性金属酸化物厚み１０μｍ以上、２５μｍ以下を生成した試料、甲と、前記甲にホウロウ被膜厚み３０μｍ以上、５０μｍ以下のホウロウ加工品と、樹脂被膜厚み３００μｍ以上、４００μｍ以下の樹脂加工品、各々１０ケの絶縁破壊電圧試験結果を次に示す。図５参照。
【００２５】
【表１】
2014005480.tif 000003
【表２】
2014005480.tif 000004
ホウロウ被膜、及び樹脂被膜の厚みは、一体化後、（加工後外径−加工前外径）／２より導き出した。
【００２６】
本発明においてＭＡＯに用いる基材金属とは、チタニウム、及びその合金、又はアルミニウム、及びその合金である。
【００２７】
アルミニウムの合金とはアルミニウムを主成分とし、その他に例えば、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｍｇ又はＺｎ等の金属を一種類以上含有しているものである。
【００２８】
チタニウムの合金とはＴｉを主成分とし、その他に例えば、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｎｉ又はＣｏ等の金属を一種類以上含有しているものである。
【００２９】
本発明における樹脂は例として、シリコン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂であるが、ポリプロピレン、ポリエチレン等の熱可塑性樹脂も静電塗装、インサ−ト成形等を用いる事で成膜できる。
【００３０】
本発明のホウロウ加工に用いるサブミクロンレベルのガラスフリットは、二酸化珪素を主成分とし、その他に、ＰｂＯ、Ｂ２Ｏ３、Ｎａ２Ｏ、又はＰ２Ｏ５の酸化物を一種類以上含有しているものである。
【００３１】
本発明に用いる選ばれた電解水溶液の代表例として、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、リン酸ナトリウム、リン酸カリウム、ホウ酸ナトリウム、があげられ、前記電解水溶液濃度は０．０１Ｎ〜２Ｎを主とし、前記選ばれた電解水溶液には適宜の珪酸ナトリウムを添加すると安定的なＭＡＯにより結晶性金属酸化物が生成される。
【発明の効果】
【００３２】
ＭＡＯにより生成された結晶性金属酸化物に、ホウロウ加工によって形成されたホウロウ被膜、又は樹脂加工によって形成された樹脂被膜は、前記結晶性金属酸化物と剥離の無い強固な接着を有し、前記ホウロウ被膜、又は樹脂被膜共にＭＡＯによって生成された結晶性金属酸化物の、絶縁破壊電圧の向上と安定を付与する事が可能となる。
【００３３】
ＭＡＯは、基材金属の複雑な形状、或いはマスキングをする事で、任意の形状、場所へ結晶性金属酸化物を生成し、前記任意の形状、場所へホウロウ加工、又は樹脂加工を行う事が可能となり、必要な部分への絶縁破壊電圧の向上と安定を付与する事もできる。
【００３４】
ＭＡＯによって生成された結晶性金属酸化物の上に、ホウロウ加工、又は樹脂加工をする事で、現在のＬＥＤ等に使用する断熱用セラミックスと放熱用金属板を一体にできる可能性も生まれる。
【００３５】
基材金属のＭＡＯによって生成した結晶性金属酸化物のホウロウ加工、又は樹脂加工は、従来銅、又はＳＵＳを用いる劣悪な環境下での材料を、本発明のホウロウ加工品、又は樹脂加工品に代替する事で、コスト面、或いは軽量化への効果も期待できる。またフッ素樹脂被膜からシリコン樹脂被膜へ、ポリイミド樹脂被膜からエポキシ樹脂被膜へ等、樹脂材料選定範囲拡大も可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】ホウロウ加工、又は樹脂加工した断面図。
【図２】ＭＡＯ説明図。
【図３】ＭＡＯ基材金属断面図。
【図４】マスキング後の放浪加工品、又は樹脂加工品
【図５】絶縁破壊試験図。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
選ばれた電解水溶液の中で基材金属を陽極に、陰極は白金、或いは炭素とし、４００Ｖ以上の通電を開始する事で、陽極に火花放電が連続的に発生し、前記基材金属から直接結晶性金属酸化物を生成する。この時、基材金属にマスキングを施す事で、前記金属の露出部分へ選択的に火花放電を起こす事も可能となり、任意の場所、大きさで結晶性金属酸化物が生成できる。図２、図３、図４参照。
【００３８】
前記マスキングに用いるテ−プは耐アルカリ性のある、例えばポリエチレンテ−プ等が良く、電解水溶液の侵入を防ぐ為に基材金属への巻きつけは、しっかり行う必要がある。
【００３９】
次に前記電解水溶液より基材金属を取り出し、前記基材金属と生成された結晶性金属酸化物の洗浄、乾燥を行う。
【００４０】
次に前記結晶性金属酸化物被膜の上にサブミクロンレベルのガラスフリットを塗布、印刷、又は浸漬し、乾燥し、次に５００℃以上、１０００℃以下の温度で熱処理しホウロウ被膜と結晶性金属酸化物を一体化する。図１参照。
【００４１】
樹脂加工は、ＭＡＯ処理、洗浄、乾燥を終えた前記結晶性金属酸化物の上に、樹脂を含む紛体、又は溶液を散布、塗布、印刷、又は浸漬し、含まれている溶剤を揮発させた後に７０℃以上、３００℃以下のオ−ブンの中に保持し、場合によってはオ−ブン内を減圧、又は加圧し、樹脂被膜と結晶性金属酸化物を一体化する。図１参照。
【００４２】
樹脂加工には予熱された金型に前記結晶性金属酸化物を取り付けた後、樹脂を加圧しながら前記金型に流すインサ−ト成形法等もある。
【００４３】
前記インサ−ト成形は結晶性金属酸化物の局部に樹脂を接着するには有効である。
【００４４】
ＭＡＯにてマスキングを行った場合は、サブミクロンガラスフリット、又は樹脂塗布後、一体化前にマスキングテ−プを剥離する必要がある。
【００４５】
前記結晶性金属酸化物の模様は、高低差のある複雑な凸凹で有る為に、積層状態となるホウロウ被膜、或いは樹脂被膜へのアンカ−効果が強く、強固な接着性を有しており、絶縁破壊電圧の安定と向上に富んだ材料となる。
【符号の説明】
【００４６】
１  基材金属。
２  結晶性金属酸化物。
３  ホウロウ被膜、又は樹被膜層。
４  マイクロア−ク酸化中の基材金属。
５  白金又は炭素。
６  選ばれた電解水溶液。
７  電源。
８  ホウロウ加工、又は樹脂加工された基材金属。
９  ＬＯＷ側金属球。
１０  ＨＩＧＨ側電線。
１１  絶縁破壊試験装置。
１２  ＬＯＷ側電線。
１３  容器
１４  ガラス容器
【図１】
2014005480.tif 000005
【図２】
2014005480.tif 000006
【図３】
2014005480.tif 000007
【図４】
2014005480.tif 000008
【図５】
2014005480.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月29日(2013.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウム若しくはその合金、又はチタニウム若しくはその合金のマイクロア−ク酸化によって    生成された結晶性金属酸化物おいて、前記結晶性金属酸化物と、ホウロウを接着し、一体化し構成    され、絶縁破壊電圧の安定と向上を付与した事を特徴とする、ＭＡＯ結晶性金属酸化物のホウロウ 加工品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はアルミニウム若しくはその合金、又はチタニウム若しくはその合金を基材金属とし、前記基材金属のマイクロア−ク酸化（以下ＭＡＯと略す）により生成された結晶性金属酸化物を接着界面とし、前記接着界面にホウロウ加工によるホウロウ被膜を形成し構成され、前記結晶性金属酸化物の絶縁破壊電圧の安定と向上をさせたものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、金属の防錆、耐薬品性等に付与する技術にホウロウ加工がある。ホウロウ加工は鉄、アルミニウムなどの金属を主体に、ガラス粉であるガラスフリットを加熱する事により金属と表面反応させる事で界面を生成し、一体化する事でホウロウ被膜、別名ガラス被膜を生成する技術である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−８６２８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明に用いるＭＡＯとは、アルミニウム若しくはその合金、又は、チタニウム若しくはその合金を基材金属とし、選ばれた電解水溶液中で前記基材金属を陽極とし、陰極との間に４００ｖ以上の直流高電圧を印加すると連続した火花放電が起き、前記火花放電をＭＡＯと言う。
【０００５】
前記ＭＡＯによって基材金属の表面に生成された物質が、結晶性金属酸化物である。図２参照。
【０００６】
ホウロウ加工技術は、鉄等の金属とガラスフリットの熱化学反応を利用したもので、加熱による歪を防止する為に、前記金属にあうガラスフリットの組成設計、加熱操作の制御など高度な技術的ノウハウが必要である。また  ホウロウ被膜厚みを均一で５０μｍ以下にする事と、複雑な形状、パタ−ンへの対応が困難である。
【０００７】
ＬＥＤ、又は基板等に使用しているセラミックスは、放熱性、断熱性、高い絶縁破壊電圧、加工性などを兼ね備える機能が必要であるが、前記機能を有した短小軽薄なセラミックスの加工は難しい面がある。
【０００８】
ＭＡＯによって生成される結晶性金属酸化物は、処理条件により左右するが基材金属上に５μｍ〜１００μｍ程度の厚みが生成できる、反面一般的に用いられる市販のセラミック系絶縁物と比較すると、ミリ単位の厚みは同程度の性能が保持できるが、実態は５μｍ〜１００μｍと薄く、基材金属との絶縁破壊電圧に不安な面が観られる。
【０００９】
本発明は、基材金属のアルミニウム若しくはその合金、又は、チタニウム若しくはその合金にＭＡＯにより結晶性金属酸化物を生成し、前記金属酸化物を接着界面とするホウロウ加工による被膜の形成し、前記結晶性金属酸化物の絶縁破壊電圧を高め、安定化する技術の提供である。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
ＭＡＯは交流高電圧の印加でも可能であるが、一般的には直流高電圧電源を用いて結晶性金属酸化物の生成を行う。
【００１１】
ＭＡＯをする際に、基材金属にマスキングをする事で、火花放電部分を選択し結晶性金属酸化物を任意の場所、形状に生成できる事も可能である。
【００１２】
前記結晶性金属酸化物は基材金属より直接生成される為に、密着は非常に強固である。
【００１３】
前記結晶性金属酸化物の結晶型、結晶形状、大きさ、厚み等は、ＭＡＯに用いる電解水溶液の選択や、印加時間等の処理条件により制御する事が可能である。
【００１４】
前記結晶性金属酸化物の凸凹形状、或いは高低差模様は複雑で、かつ熱的に安定である為に、ホウロウ加工の接着界面としては最適である。
【００１５】
前記結晶性金属酸化物へホウロウ加工を行う場合、一般的な平均粒径４．５μｍのガラスフリットを用いてのホウロウ加工も可能だが、ビ−スミル等により平均粒径を０．１〜１μｍ以下のサブミクロンレベルのガラスフリットを用いる事で、熱処理温度の低下、ホウロウ被膜の均一化、及び薄膜化に大きな効果を生む事ができる。
【００１６】
前記サブミクロンレベルのガラスフリットを、前記結晶性金属酸化物に塗布、又は印刷し、５００℃以上１０００℃以下の温度でホウロウ被膜を形成し一体化する。図１参照。
【００１７】
本発明の観点は、前記基材金属のＭＡＯによって生成された接着界面となる結晶性金属酸化物において、前記接着界面上にガラスフリットを塗布、又は印刷し熱処理により一体化しホウロウ被膜を形成し構成され、前記ＭＡＯによって生成された結晶性金属酸化物の絶縁破壊電圧の向上と安定化をさせる事にある。
【００１８】
基材金属の一つであるφ５アルミニウム丸棒にＭＡＯを行い、結晶性金属酸化物厚み１０μｍ以上、２５μｍ以下を生成した試料甲と、前記甲にホウロウ被膜３０μｍ以上５０μｍ以下のホウロウ加工品１０個の絶縁破壊試験結果を次に示す。図５参照。
【００１９】
【表１】
2014005480.tif 000010
【００２０】
本発明においてＭＡＯに用いる基材金属とは、チタニウム若しくはその合金、又は、アルミニウム若しくはその合金である。
【００２１】
アルミニウム合金とはアルミニウムを主成分とし、その他に例えば、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｓｉ  Ｍｇ又はＺｎ等の金属を一種類以上含有しているものである。
【００２２】
チタニウム合金とはＴｉを主成分とし、その他に例えば、Ｐｂ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｎｉ又はＣｏ等の金属を一種類以上含有しているものである。
【００２３】
本発明のホウロウ加工に用いるサブミクロンレベルのガラスフリットは、二酸化珪素を主成分とし、その他に、ＰｂＯ、Ｂ２Ｏ３、Ｎａ２Ｏ、又はＰ２Ｏ５の酸化物を一種類以上含有しているものである。
【００２４】
本発明に用いる選ばれた電解水溶液の代表例として、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、リン酸ナトリウム、リン酸カリウム、ホウ酸ナトリウム、があげられ、前記電解水溶液濃度は、０．０１Ｎ〜２Ｎを主とし、前記選ばれた電解水溶液には適宜の珪酸ナトリウムを添加すると安定的なＭＡＯにより結晶性金属酸化物が生成される。
【発明の効果】
【００２５】
ＭＡＯにより生成された結晶性金属酸化物は、ホウロウ加工によって形成されたホウロウ被膜は、前記結晶性金属酸化物と剥離の無い強固な接着を有し、前記ホウロウ被膜は、前記結晶性金属酸化物と剥離の無い強固な接着を有し、前記ホウロウ被膜は、ＭＡＯによって生成された結晶性金属酸化物の絶縁破壊電圧の向上と、安定を付与する事が可能となる。
【００２６】
ＭＡＯは、基材金属の複雑な形状、或いはマスキングをする事で、任意の形状、場所へ結晶性金属酸化物を生成し、前記任意の形状、場所へホウロウ加工を行う事が可能となり、必要な部分への絶縁破壊電圧の向上と安定を付与する事もできる。
【００２７】
ＭＡＯによって生成された結晶性金属酸化物の上にホウロウ加工をする事で、現在のＬＥＤ等に使用する断熱用セラミックスと放熱用金属板を一体にできる可能性も生まれる。
【００２８】
基材金属のＭＡＯによって生成した結晶性金属酸化物のホウロウ加工は、従来、銅又はＳＵＳを用いる劣悪な環境下での材料を、本発明のホウロウ加工品に代替する事で、コスト面、或いは軽量化への効果も期待できる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】ホウロウ加工した断面図
【図２】ＭＡＯ説明図
【図３】ＭＡＯ基材金属断面図
【図４】マスキング後のホウロウ加工品
【図５】絶縁破壊試験図
【発明を実施するための形態】
【００３０】
選ばれた電解水溶液の中で基材金属を陽極に、陰極は白金、或いは炭素とし、４００Ｖ以上の通電を開始する事で、陽極に火花放電が連続的に発生し、前記基材金属から直接結晶性金属酸化物を生成する。この時、基材金属にマスキングを施す事で、前記金属の露出部分へ選択的に火花放電を起こす事も可能となり、任意の場所、大きさで結晶性金属酸化物が生成できる。図２、図３、図４参照。
【００３１】
前記マスキングに用いるテ−プは耐アルカリ性のある、例えばポリエチレンテ−プ等が良く、電解水溶液の侵入を防ぐ為に基材金属への巻きつけは、しっかり行う必要がある
【００３２】
次に前記電解水溶液より基材金属を取り出し、前記基材金属と生成された結晶性金属酸化物の洗浄、乾燥を行う。
【００３３】
次に前記結晶性金属酸化物被膜の上にサブミクロンレベルのガラスフリットを塗布、印刷、又は浸漬し、乾燥し、次に５００℃以上１０００℃以下の温度で熱処理しホウロウ被膜と結晶性金属酸化物を一体化する。図１参照。
【００３４】
ＭＡＯにてマスキングを行った場合は、サブミクロンガラスフリット塗布後、一体化前にマスキングテ−プを剥離する必要がある。
【００３５】
前記結晶性金属酸化物の模様は、高低差のある複雑な凸凹である為に、積層状態となるホウロウ被膜へのアンカ−効果は強く、強固な接着性を有しており、絶縁破壊電圧の安定と向上に富んだ材料となる。
【符号の説明】
【００３６】
１  基材金属
２  結晶性金属酸化物
３  ホウロウ被膜
４  マイクロア−ク酸化中の基材金属
５  白金又は炭素
６  選ばれた電解水溶液
７  電源
８  ホウロウ加工された基材金属
９  ＬＯＷ側金属球
１０  ＨＩＧＨＴ側電線
１１  絶縁破壊試験装置
１２  ＬＯＷ側電線
１３  容器
１４  ガラス容器