(57)【要約】【課題】  圧電デバイスを構成する絶縁部材に設けられた導体線路が、絶縁部材から剥離することを抑制する。【解決手段】  圧電デバイス１は、圧電素子１１Ａを有する基板１１と、基板１１に設けられる基板側線路１３および支持部１５と、支持部１５を介して基板１１上に設けられる絶縁部材１６と、絶縁部材１６の表面１６Ｆｂに設けられる導体線路１４と、基板側線路１３および導体線路１４を電気的に接続するビア導体Ｖと、を備える。導体線路１４は、絶縁部材１６の厚み方向に少なくとも一部が埋め込まれている。これにより、導体線路１４と絶縁部材１６の密着面積が増え、密着力が向上する。【選択図】  図１
2014146891.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電素子を有する基板と、
前記圧電素子に対して距離を設けながら、かつ、前記圧電素子を覆うように、前記基板上に設けられる絶縁部材と、
前記絶縁部材の表面に設けられ、前記絶縁部材の厚み方向に少なくとも一部が埋め込まれる導体線路と、
を備える圧電デバイス。
【請求項２】
前記圧電素子の周囲を囲むように設けられた支持部を備える、請求項１に記載された圧電デバイス。
【請求項３】
前記導体線路の断面が、円弧状の形状または鈍角形状を有することを特徴とする請求項１または２に記載された圧電デバイス。
【請求項４】
前記導体線路が面取り加工されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載された圧電デバイス。
【請求項５】
前記導体線路の断面が多角形であり、多角形をした前記断面の角部が円弧状であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載された圧電デバイス。
【請求項６】
前記導体線路には、インダクタが含まれることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載された圧電デバイス。
【請求項７】
圧電素子を有する基板を準備する基板準備工程と、
前記圧電素子に対して距離を設けながら、かつ、前記圧電素子を覆うように、前記基板上に感光性の絶縁部材を設ける絶縁部材設置工程と、
前記絶縁部材を感光および現像することにより、前記絶縁部材の表面に所定パターンを有する溝を形成する溝形成工程と、
前記溝に導電材料を埋め込むことにより、前記絶縁部材の表面に導体線路を形成する導体線路形成工程と、
を備えることを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
【請求項８】
圧電素子を有する基板を準備する基板準備工程と、
前記圧電素子に対して距離を設けながら、かつ、前記圧電素子を覆うように、前記基板上に絶縁部材を設ける絶縁部材設置工程と、
前記絶縁部材に感光性の下型部材を配置する下型部材配置工程と、
前記下型部材を感光および現像することにより、前記下型部材に所定パターンを有する溝型を形成する溝型形成工程と、
前記下型部材に形成された溝型側から、前記下型部材および前記絶縁部材を均等速度で除去することにより、前記絶縁部材の表面に溝を形成する溝形成工程と、
前記溝に導電材料を埋め込むことにより、前記絶縁部材の表面に前記導体線路を形成する導体線路形成工程と、
を備えることを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
【請求項９】
圧電素子を有する基板を準備する基板準備工程と、
感光性の絶縁部材を準備する絶縁部材準備工程と、
前記絶縁部材を感光および現像することにより、前記絶縁部材の表面に所定パターンを有する溝を形成する溝形成工程と、
前記溝に導電材料を埋め込むことにより、前記絶縁部材の表面に導体線路を形成する導体線路形成工程と、
前記導体線路が形成された前記絶縁部材を、前記圧電素子に対して距離を設けながら、かつ、前記圧電素子を覆うように、前記基板上に設ける絶縁部材設置工程と、
を備えることを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記溝形成工程と前記導体線路形成工程との間に、
前記絶縁部材の前記溝を有する面に、感光性の上型部材を配置する上型部材配置工程と、
前記上型部材を感光および現像することにより、前記溝と対応する位置において、前記上型部材に貫通溝を形成する貫通溝形成工程と、
をさらに備え、
前記導体線路形成工程は、
前記溝および前記貫通溝に導電材料を埋め込む工程と、
前記絶縁部材に配置された前記上型部材を除去する工程と、
を有することを特徴とする請求項７ないし９のいずれか１項に記載された圧電デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電デバイスおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電素子を有する圧電デバイスは、携帯電話などの通信機器において、フィルタや共振器として用いられる。この圧電デバイスから必要な電気的特性を得るため、または、外部回路との整合をとるために、圧電デバイスには圧電素子の他にインダクタやキャパシタなどの回路素子が設けられる。
【０００３】
特許文献１（ＷＯ２００６／１３４９２８号公報）には、圧電デバイスの構造として、図１２に示したような圧電デバイス１０１が記載されている。この圧電デバイス１０１は、圧電素子１１１Ａおよび基板側線路１１３を有する基板１１１と、基板１１１の主面１１１Ｍ上に設けられた枠状の支持部１１５と、支持部１１５を介して基板１１１上に設けられた絶縁部材１１６と、絶縁部材１１６上に設けられた導体線路１１４と、を備えている。基板側線路１１３と導体線路１１４は、ビア導体ＶＺにより電気的に接続されている。導体線路１１４は、金属膜１１４ａと接続部材１１４ｂの２層構造になっており、絶縁部材１１６の表面に形成されている。特許文献１には、導体線路１１４がインダクタなどの回路素子としての役割を有することも記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】ＷＯ２００６／１３４９２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
通信機器の小型化、高集積化により、圧電デバイス１０１の小型化が要求されている。小型化の要求に対応するために、たとえば、圧電デバイス１０１の導体線路１１４を微細化すると、導体線路と絶縁部材１１６の密着面積が小さくなる。その場合、導体線路１１４と絶縁部材１１６の密着力が小さくなり、導体線路１１４が絶縁部材１１６から剥離しやすくなる。
【０００６】
また、導体線路１１４の材質が金属であり、絶縁材料１１６の材質が樹脂あるいはガラスである場合は、材料的な観点からこれらの密着性を高めることに限界がある。また、通信機器は、温度変化の繰り返される環境下において使用されることが多いので、導体線路１１４と絶縁部材１１６の線膨張係数が異なると、導体線路１１４の剥離がさらに起きやすくなる。
【０００７】
本発明の目的は、前述した課題を解決し得る圧電デバイスおよびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る圧電デバイスは、圧電素子を有する基板と、圧電素子に対して距離を設けながら、かつ、圧電素子を覆うように、基板上に設けられる絶縁部材と、絶縁部材の表面に設けられ、絶縁部材の厚み方向に少なくとも一部が埋め込まれる導体線路と、を備える。
【０００９】
好ましくは、圧電デバイスは、圧電素子の周囲を囲むように設けられた支持部を備える。
【００１０】
また、導体線路の断面が、円弧状の形状または鈍角形状を有することが好ましい。
【００１１】
また、導体線路は、面取り加工されていることが好ましい。
【００１２】
また、導体線路の断面が多角形であり、多角形をした断面の角部が円弧状であることが好ましい。
【００１３】
さらに好ましくは、導体線路には、インダクタが含まれる。
【００１４】
本発明の第１の局面における圧電デバイスの製造方法は、圧電素子を有する基板を準備する基板準備工程と、圧電素子に対して距離を設けながら、かつ、圧電素子を覆うように、基板上に感光性の絶縁部材を設ける絶縁部材設置工程と、絶縁部材を感光および現像することにより、絶縁部材の表面に所定パターンを有する溝を形成する溝形成工程と、溝に導電材料を埋め込むことにより、絶縁部材の表面に導体線路を形成する導体線路形成工程と、を備える。
【００１５】
本発明の第２の局面における圧電デバイスの製造方法は、圧電素子を有する基板を準備する基板準備工程と、圧電素子に対して距離を設けながら、かつ、圧電素子を覆うように、基板上に絶縁部材を設ける絶縁部材設置工程と、絶縁部材に感光性の下型部材を配置する下型部材配置工程と、下型部材を感光および現像することにより、下型部材に所定パターンを有する溝型を形成する溝型形成工程と、下型部材に形成された溝型側から、下型部材および絶縁部材を均等速度で除去することにより、絶縁部材の表面に溝を形成する溝形成工程と、溝に導電材料を埋め込むことにより、絶縁部材の表面に導体線路を形成する導体線路形成工程と、を備える。
【００１６】
本発明の第３の局面における圧電デバイスの製造方法は、圧電素子を有する基板を準備する基板準備工程と、感光性の絶縁部材を準備する絶縁部材準備工程と、絶縁部材を感光および現像することにより、絶縁部材の表面に所定パターンを有する溝を形成する溝形成工程と、溝に導電材料を埋め込むことにより、絶縁部材の表面に導体線路を形成する導体線路形成工程と記導体線路が形成された絶縁部材を、圧電素子に対して距離を設けながら、かつ、圧電素子を覆うように、基板上に設ける絶縁部材設置工程と、を備える。
【００１７】
好ましくは、本発明の第１〜第３の局面における圧電デバイスの製造方法は、溝形成工程と導体線路形成工程との間に、絶縁部材の溝を有する面に、感光性の上型部材を配置する上型部材配置工程と、上型部材を感光および現像することにより、溝と対応する位置において、上型部材に貫通溝を形成する貫通溝形成工程と、をさらに備え、導体線路形成工程は、溝および貫通溝に導電材料を埋め込む工程と、絶縁部材に配置された上型部材を除去する工程と、を有する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る圧電デバイスでは、導体線路が基板上に設けられている絶縁部材に埋め込まれているので、互いの密着面積が増え、密着力が向上する。これにより、圧電デバイスの導体線路が絶縁部材から剥離することを抑制できる。
【００１９】
本発明の第１〜第３の局面における圧電デバイスの製造方法では、絶縁部材に溝を形成した後、その溝に導電材料を埋め込む。これにより、絶縁部材に埋め込まれた状態の導体線路を好適に形成でき、導体線路と絶縁部材の密着力を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１（Ａ）は、本発明の第１実施形態に係る圧電デバイス１の断面を模式的に示した図であり、図１（Ｂ）は、圧電デバイス１における導体線路１４Ａの拡大断面図である。
【図２】図１（Ｂ）に示した導体線路１４Ａに関する変形例であって、変形例である導体線路５４Ａの拡大断面図である。
【図３】図１に示した圧電デバイス１の製造方法を説明するための図である。
【図４】図２に示した導体線路５４Ａを形成するための工程であって、その工程のうちの溝形成工程を説明するための図である。
【図５】図４に示した溝形成工程に関する他の例を説明するための図である。
【図６】図２に示した導体線路５４Ａを形成するための工程であって、その工程のうちの導体線路形成工程を説明するための図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る圧電デバイス２の断面を模式的に示した図である。
【図８】図７に示した圧電デバイス２の製造方法を説明するための図である。
【図９】本発明の第３実施形態に係る圧電デバイス３の断面を模式的に示した図である。
【図１０】図９に示した圧電デバイス３の製造方法を説明するための図である。
【図１１】図１０に示した圧電デバイス３の製造方法に関する溝形成工程を説明するための図である。
【図１２】特許文献１に示した圧電デバイス１０１の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
［第１実施形態］
第１実施形態に係る圧電デバイスは、圧電素子と、インダクタまたはキャパシタなどの回路素子と、により構成される。圧電素子は、機械的振動と電気的信号を相互に変換するために用いられ、インダクタまたはキャパシタは、圧電素子から必要な電気的特性を得るため、または、外部回路と整合を取るために用いられる。圧電素子としては、たとえばＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖe）フィルタ、ＳＡＷ共振子、境界波フィルタ、ＢＡＷ（Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖe）フィルタなどが挙げられる。圧電デバイスは、携帯電話などの通信機器において、たとえば、周波数７００ＭＨｚ〜３ＧＨｚの周波数帯域にて使用される。
【００２２】
図１（Ａ）に示すように、圧電デバイス１は、圧電素子１１Ａを有する基板１１と、インダクタなどの回路素子を有する絶縁部材１６と、を備える。模式図である図１（Ａ）には、１つの圧電素子１１Ａが示されているが、実際は複数の圧電素子１１Ａが基板１１に設けられている。第１実施形態では、圧電素子１１ＡとしてＳＡＷフィルタを例に挙げて説明する。
【００２３】
基板１１の主面１１Ｍには、ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極１２Ａ、パッド電極１２Ｂおよびリフレクタ（図示省略）などの圧電素子電極１２が設けられる。圧電素子電極１２の高さは、たとえば０．２μｍである。ただし、この高さ寸法は、圧電デバイス１を使用する周波数帯域に応じて適宜設計される。
【００２４】
同じく基板１１の主面１１Ｍであって、圧電素子１１Ａの周囲には、引きまわし線路としての基板側線路１３が設けられる。基板側線路１３の断面の寸法は、たとえば高さ（厚み）が１０μｍである。基板側線路１３のうちの基板側線路１３Ａ、１３Ｃは、パッド電極１２Ｂを介して、圧電素子１１Ａにそれぞれ電気的に接続される。
【００２５】
基板１１は圧電基板であり、材質としては、たとえばニオブ酸リチウム、ニオブ酸カリウム、タンタル酸リチウム、水晶、ランガサイト、ＺｎＯ、ＰＺＴ、４ホウ酸リチウムなどが挙げられる。圧電素子電極１２および基板側線路１３の材質としては、たとえばＡｌ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｍｎなどの金属が挙げられる。圧電素子電極１２および基板側線路１３は、単層であってもよいし、異なる金属が積層されたものであってもよいし、異なる金属が合金化されたものであってもよい。基板側線路１３を複数層により形成する場合は、めっき膜との密着性が得やすいという理由から、最上層をＣｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄの中から選択するのが好ましい。
【００２６】
さらに、基板１１には、圧電素子１１Ａが振動可能となる空間Ｓを確保するため、所定の厚みを有する支持部１５が設けられる。支持部１５の厚み（高さ寸法）は、たとえば１５μｍである。支持部１５は、圧電素子１１Ａに対して重ならないように、基板１１の主面１１Ｍに設けられる。支持部１５には、圧電素子電極１２や基板側線路１３Ａ、１３Ｂの周囲を囲むように基板１１の外周に設けられる外周支持部１５Ａと、基板１１の外周より内側に点在して設けられる複数の点在支持部１５Ｂ、１５Ｃと、がある。支持部１５は感光性絶縁材からなり、材質としては、たとえばポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコン系樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂などが挙げられる。
【００２７】
支持部１５の内部には、支持部１５を厚み方向に貫通するように第１のビア導体Ｖ１が設けられる。第１のビア導体Ｖ１には、外周支持部１５Ａの両側にそれぞれ設けられる第１のビア導体Ｖ１ａ、Ｖ１ｂと、点在支持部１５Ｂ、１５Ｃにそれぞれ設けられる第１のビア導体Ｖ１ｃ、Ｖ１ｄと、がある。第１のビア導体Ｖ１ａ、Ｖ１ｂは、圧電デバイス１の電気的特性を外部へ引き出すための構成要素である。第１のビア導体Ｖ１ｃ、Ｖ１ｄは、基板側線路１３Ｂ、１３Ｃと、後述する導体線路１４と、をそれぞれ電気的に接続するための構成要素である。
【００２８】
絶縁部材１６は、圧電素子１１Ａに対して距離を設けながら、かつ、圧電素子１１Ａを覆うように、支持部１５を介して基板１１上に設けられる。具体的には、絶縁部材１６は、支持部１５に当接した状態で、基板１１の主面１１Ｍと平行に配置される。これにより、圧電デバイス１において、基板１１と支持部１５と絶縁部材１６とにより閉じられた空間Ｓが形成され、弾性表面波が励振可能となる。したがって、基板１１の主面１１Ｍにおいて弾性表面波が伝播する。なお、圧電素子１１Ａは、実際には、基板側線路１３Ｃを基準として紙面と直交する方向にも複数設けられており（図示省略）、それらの圧電素子１１Ａの上方においても空間Ｓが形成される。絶縁部材１６はフィルム状であり、その厚みは、たとえば２０μｍである。絶縁部材１６の材質としては、たとえばポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコン系樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂などが挙げられる。絶縁部材１６の中に、フィラーとして、たとえばシリカ、アルミナなどを予め内包させると、絶縁部材１６の強度を高めることができる。なお、絶縁部材１６と支持部１５は一体化されていてもよい。この場合、支持部１５を有する絶縁部材１６が、基板１１に対して距離を設けながら、圧電素子１１Ａを覆うようにして設けられる。
【００２９】
絶縁部材１６の内部には、絶縁部材１６を厚み方向に貫通するように第２のビア導体Ｖ２が設けられる。第２のビア導体Ｖ２ａ、Ｖ２ｂ、Ｖ２ｃ、Ｖ２ｄは、第１のビア導体Ｖ１ａ、Ｖ１ｂ、Ｖ１ｃ、Ｖ１ｄと電気的に接続するように絶縁部材１６にそれぞれ設けられる。第２のビア導体Ｖ２のうち、第２のビア導体Ｖ２ｃ、Ｖ２ｄは、基板側線路１３Ｂ、１３Ｃと、後述する導体線路１４と、をそれぞれ電気的に接続するための構成要素である。第２のビア導体Ｖ２ａ、Ｖ２ｂは、圧電デバイス１の電気的特性を外部へ引き出すための構成要素である。
【００３０】
図１（Ａ）において、第２のビア導体Ｖ２ａ、Ｖ２ｂの端部Ｅａ、Ｅｂはそれぞれ絶縁部材１６の表面に露出しているが、この端部Ｅａ、Ｅｂに外部回路と接続するための外部端子（図示省略）をそれぞれ設けてもよい。なお、以下において、単に、ビア導体Ｖと呼んだときは、第１のビア導体Ｖ１および第２のビア導体Ｖ２のどちらか一方、あるいは両方を指すものとする。
【００３１】
絶縁部材１６の外側の表面１６Ｆｂには、ビア導体Ｖを介して基板側線路１３と電気的に接続される導体線路１４が設けられる。すなわち、絶縁部材１６は、閉じられた空間Ｓを形成するためのカバーであるとともに、インダクタやキャパシタなどの導体線路１４を形成するための再配線用の基板でもある。導体線路１４Ａ〜１４Ｃは、インダクタとして機能し、圧電素子１１Ａに対して接続される。導体線路１４Ａは渦巻状インダクタの本体である。導体線路１４Ｂは渦巻状インダクタの外周端であり、第２のビア導体Ｖ２ｃ、第１のビア導体Ｖ１ｃを順に経由して基板側線路１３Ｂに電気的に接続される。導体線路１４Ｃは渦巻状インダクタの中心であり、第２のビア導体Ｖ２ｄ、第１のビア導体Ｖ１ｄを順に経由して基板側線路１３Ｃに電気的に接続される。
【００３２】
図１（Ｂ）に示すように、導体線路１４Ａの断面は四角形であり、断面の角部ＣＡは円弧状である。導体線路１４Ａの断面の寸法は、たとえば幅ｗが１５μｍ、厚さｔが１０μｍであり、角部ＣＡにおける円弧状の半径ｒは２μｍである。ここで、導体線路１４は、絶縁部材１６の厚み方向（高さ方向）に埋め込まれている。導体線路１４の埋め込まれる寸法は、導体線路１４の厚み方向の約半分である。ただし、導体線路１４は、絶縁部材１６の厚み方向に対して少なくとも一部が埋め込まれていればよい。また、導体線路１４の全部が絶縁部材１６に埋め込まれていてもよい。
【００３３】
すなわち、導体線路１４が絶縁部材１６に埋め込まれているので、導体線路１４と絶縁部材１６との密着面積が増え、絶縁部材１６に対する密着力が向上する。また、導体線路１４Ａの断面が、円弧状の形状を有しているため、圧電デバイス１を高周波帯域で使用する場合であっても、導体断面の角部ＣＡへの電流集中が抑制され、導体線路の低損失化を図ることができる。
【００３４】
導体線路１４の材質としては、たとえばＡｌ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｍｎなどが挙げられる。導体線路１４は、単層であってもよいし、異なる金属が積層されたものであってもよいし、異なる金属が合金化されたものであってもよい。導体線路１４を複数層により形成する場合は、めっき膜との密着性が得やすいという理由から、最上層をＣｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄの中から選択するのが好ましい。
【００３５】
図２は、導体線路１４Ａに関する変形例である導体線路５４Ａを示す図である。図２においても、導体線路５４Ａの厚みの約半分が絶縁部材１６に埋め込まれている。導体線路５４Ａのうち、絶縁部材１６に埋め込まれている埋め込み部５４Ａａは、円弧状の曲線形状を有する。導体線路５４Ａのうち、埋め込まれずに突出している突出部５４Ａｂは、台形状である。突出部５４Ａｂの角部ＣＢ１、および突出部５４Ａｂと埋め込み部５４Ａａとをつなぐ角部ＣＢ２は、鈍角形状を有する。また、突出部５４Ａｂの角部ＣＢ１は円弧状となるように面取り加工されている。導体線路５４Ａの断面が、円弧状の形状または鈍角形状を有しているため、圧電デバイス１を高周波帯域で使用する場合であっても、導体内部での電流集中が抑制される。
【００３６】
導体線路１４の断面の形状は、図１（Ｂ）あるいは図２に示した形状に限られず種々の変形が可能である。たとえば、導体線路の断面は、三角形あるいは五角形以上の多角形であり、角部が円弧状となるように面取り加工されていてもよい。また、導体線路は、テーパ状に面取り加工されていてもよい。また、導体線路は、面取り加工が施されずに、単なる円、楕円あるいは五角形以上の多角形であってもよい。
【００３７】
第１実施形態に係る圧電デバイス１では、導体線路１４が絶縁部材１６に埋め込まれているので、互いの密着面積が増え、密着力が向上する。これにより、圧電デバイス１が、温度変化の起きる環境下におかれたとしても、導体線路１４が絶縁部材１６から剥離することを抑制できる。なお、ここでいう温度条件としては、たとえばＪＥＤＥＣ（Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）のＪＥＤＪＥＳＤ２２−Ａ１０４Ｃに記載されているヒートサイクル試験が挙げられる。
【００３８】
また、導体線路１４は絶縁部材１６に埋め込まれるので、その埋め込まれる寸法だけ、圧電デバイス１を低背化できる。特に、絶縁部材１６がフィルム状である場合は、絶縁部材１６自体の厚みを薄くすることに限界があるので、導体線路１６を埋め込むことにより、より効果的に低背化できる。
【００３９】
好ましくは、導体線路１４の断面は、円弧状の形状または鈍角形状を有する。または、導体線路１４は、面取り加工されているのが好ましい。または、導体線路１４の断面は多角形であり、多角形をした断面の角部ＣＡは円弧状であるのが好ましい。これにより、圧電デバイス１を高周波帯域で使用しても、導体内部での電流集中を抑制し、導体線路の低損失化を図ることができる。仮に、これらの形状をした導体線路１４を絶縁部材１６の表面に単に配置しただけでは互いの密着面積が小さくなり、剥離しやすくなるが、第１実施形態のように、導体線路１４を絶縁部材１６の表面１６Ｆｂに埋め込めば、導体線路１４の剥離を抑制するとともに、導体内部における電流集中を抑制できる。
【００４０】
また、これらの導体線路１４は、インダクタを含む場合に、より効果が発揮される。インダクタは、導体断面の角部ＣＡに電流集中が起きるとＱ値が低下するが、第１実施形態で示した構造をとることにより、電流集中を抑制するとともに、導体線路１４の剥離も抑制できる。
【００４１】
次に、図３（Ａ）〜図３（Ｅ）を参照しながら、圧電デバイス１の製造方法について説明する。圧電デバイス１の製造方法は、基板準備工程と、支持部設置工程と、絶縁部材設置工程と、溝形成工程と、導体線路形成工程と、ビア導体形成工程と、を備える。
【００４２】
図３（Ａ）に示す工程は、基板１１準備する基板準備工程である。基板１１の主面１１Ｍには、圧電素子１１の構成要素である圧電素子電極１２と、圧電素子電極１２に電気的に接続される基板側線路１３と、が予め形成されている。圧電素子電極１２および基板側線路１３は、たとえば蒸着やスパッタなどにより形成される。
【００４３】
図３（Ｂ）は、基板１１に支持部１５を設ける支持部設置工程、および支持部１５に第１のビア導体Ｖ１を設けるビア導体形成工程を説明するための図である。支持部１５は、フォトリソグラフィー法により基板１１の主面１１Ｍに設けられる。具体的には、基板１１の主面１１Ｍに感光性絶縁材を塗布し、その上から所定パターンを有するフォトマスクを用いて感光し、さらに所定の薬液を用いて感光性絶縁材を現像することにより形成される。支持部１５には、外周支持部１５Ａと点在支持部１５Ｂ、１５Ｃとがあるが、これらは同時に形成される。
【００４４】
支持部１５には、第１のビア導体Ｖ１を設けるためのビア孔ＶＨ１が形成される。ビア孔ＶＨ１は、基板側線路１３上の位置において、支持部１５を厚み方向に貫通するように形成される。このビア孔ＶＨ１は、支持部１５をフォトリソグラフィー法により形成するときと同時に形成される。その後、ビア孔ＶＨ１にめっきを施すことにより第１のビア導体Ｖ１が設けられ、第１のビア導体Ｖ１と基板側線路１３とが電気的に接続される。
【００４５】
図３（Ｃ）に示す工程は、基板１１上に絶縁部材１６を設ける絶縁部材設置工程である。この工程では、支持部１５に当接するように、基板１１の主面１１Ｍと平行に絶縁部材１６が設置される。絶縁部材１６は感光性絶縁材であり、具体的には感光性ポリイミドフィルムである。この絶縁部材１６を１００℃に加熱したローラーで押圧しながら支持部１５に接着させる。これにより、圧電素子１１Ａを囲む閉じた空間Ｓが形成される。
【００４６】
図３（Ｄ）に示す工程は、絶縁部材１６の表面１６Ｆｂに所定パターンを有する溝６１を形成する溝形成工程である。所定パターンを有する溝６１は、たとえばフォトリソグラフィー法により形成される。具体的には、感光性の絶縁部材１６に対し、所定パターンを有するフォトマスクを介して紫外線を露光することにより、絶縁部材１６を感光させる。そして、所定の薬液を用いて絶縁部材１６を現像することにより、溝６１を形成する。溝６１の角部における円弧状の形状は、露光する紫外線の焦点を適度にデフォーカスすることにより形成される。円弧状の形状を形成する方法については、後述する図４（Ａ）に示す工程を参考とすることができる。
【００４７】
絶縁部材１６には、第２のビア導体Ｖ２を設けるためのビア孔ＶＨ２が形成される。ビア孔ＶＨ２は、第１のビア導体Ｖ１上の位置において、絶縁部材１６を厚み方向に貫通するように形成される。このビア孔ＶＨ２は、溝６１と同時にフォトリソグラフィー法により形成してもよいし、レーザ加工により形成してもよい。
【００４８】
図３（Ｅ）は、導体線路１４を形成する導体線路形成工程、および絶縁部材１６に第２のビア導体Ｖ２を設けるビア導体形成工程を説明するための図である。導体線路形成工程では、溝形成工程により形成した溝６１に導電材料が埋め込まれることにより、絶縁部材１６の表面１６Ｆｂに導体線路１４が形成される。導電材料は、たとえばめっき、蒸着、スパッタなどの方法により、溝６１に埋め込まれる。導電材料は、溝６１内に埋め込まれるだけでなく、溝６１の開口部分から外側に向けて盛り上がるように形成される。これにより導体線路１４は、一部が絶縁部材１６の厚み方向に埋め込まれ、その他の部分が溝６１から突出した構造となる。突出した部分のうちの円弧状の形状は、面取り加工することにより形成される。
【００４９】
また、ビア孔ＶＨ２にも導電材料を充填することにより第２のビア導体Ｖ２が設けられ、第２のビア導体Ｖ２と第１のビア導体Ｖ１とが電気的に接続される。これら図３（Ａ）〜図３（Ｅ）で示した工程により、圧電デバイス１が製造される。なお、第１のビア導体Ｖ１と第２のビア導体Ｖ２は、めっきなどの方法を用いて一括で形成してもよい。
【００５０】
第１実施形態に係る圧電デバイス１の製造方法では、絶縁部材１６に溝６１を形成した後、その溝６１に導電材料を埋め込む。これにより、絶縁部材１６に埋め込まれた状態の導体線路１４を形成できる。その結果、導体線路１４と絶縁部材１６の密着力を向上させることができる。
【００５１】
ここで、図４（Ａ）および図４（Ｂ）を参照しながら、変形例である導体線路５４Ａを形成するための溝形成工程について説明する。図４（Ａ）に示す工程は、絶縁部材１６を感光する工程であり、図４（Ｂ）に示す工程は、絶縁部材１６を現像する工程である。
【００５２】
まず、図４（Ａ）に示すように、絶縁部材１６の上に所定パターンを有するフォトマスク６４を配置する。そして、フォトマスク６４の上から紫外線（Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ  ｒａｙｓ）を露光することにより、絶縁部材１６を感光（Ｅｘｐｏｓｕｒｅ）させる。このとき、紫外線の焦点をデフォーカスすることにより、絶縁部材１６において深く感光する部分と浅く感光する部分を連続的に作り出す（図４（Ａ）の破線参照）。その後、絶縁部材１６を所定の薬液により現像（Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ）することにより、感光させた部分を除去する。これにより、図４（Ｂ）に示すように、曲線状に窪んだ溝６２が絶縁部材１６の表面１６Ｆｂに形成される。溝６２は、具体的には円弧状の形状をしている。溝６２が曲線状であることにより、後に形成される導体線路５４Ａの断面も曲線を有することになる。なお、紫外線をデフォーカスする代わりに、フォトマスク６４の開口率を段階的に変化させることにより、曲線状に窪んだ溝６２を形成することもできる。
【００５３】
図５（Ａ）〜図５（Ｃ）に示す工程は、図４（Ａ）および図４（Ｂ）で示した溝形成工程に関する他の例を示した図である。これによれば、絶縁部材１６が感光性材料であるかないかにかかわらず、溝６２を形成することができる。
【００５４】
図５（Ａ）に示す工程は、絶縁部材１６に下型部材６６を配置する下型部材配置工程であり、図５（Ｂ）に示す工程は、下型部材６６に所定パターンを有する溝型６８を形成する溝型形成工程である。まず、絶縁部材１６上に感光性の下型部材６６および所定パターンを有するフォトマスク６４を順に配置する。そして、フォトマスク６４の上から紫外線を露光することにより、下型部材６６を感光（Ｅｘｐｏｓｕｒｅ）させる。このとき、図４（Ａ）で示した工程と同様に、紫外線をデフォーカスすることにより、下型部材６６を深く感光する部分と浅く感光する部分を連続的に作り出す（図５（Ａ）の破線参照）。その後、下型部材６６を所定の薬液により現像（Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ）し、感光させた部分を除去する。これにより、図５（Ｂ）に示すように、曲線状に窪んだ溝型６８が下型部材６６に形成される。
【００５５】
図５（Ｃ）に示す工程は、溝型６８を用いて絶縁部材１６の表面１６Ｆｂに溝６２を形成する溝形成工程である。この工程では、下型部材６６に形成された溝型６２側から、下型部材６６および絶縁部材１６を均等速度で除去（Ｒｅｍｏｖａｌ  ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）することにより、絶縁部材１６の表面１６Ｆｂに溝６２を形成する。均等速度で除去するための手段としては、たとえばドライエッチング、ウエットエッチング、サンドブラストなどが挙げられる。除去されてできた溝６２の形状は、溝型６８の形状が転写された形状となる。これにより、図５（Ｃ）に示すような、曲線状に窪んだ溝６２が形成される。なお、本変形例では、絶縁部材１６として、感光性ポリイミドに替えて、シリコン、サファイア、ガラス、ＬｉＴａＯ3、ＬｉＮｂＯ3などを用いることができる。これらの材料は剛性が高いため、カバーや再配線用基板として適している。
【００５６】
引き続き、図６（Ａ）〜図６（Ｄ）を参照しながら、変形例である導体線路５４Ａを形成するための工程について説明する。先述したとおり、圧電デバイス１を高周波帯域で使用する場合、導体線路の導体断面の角部には、電流集中が起きないことが好ましい。そこで、図６（Ａ）〜図６（Ｄ）に示す工程により、導体断面の角部においてさらに電流集中が起きにくい導体線路５４Ａの形成方法を説明する。
【００５７】
図６（Ａ）に示す工程は、絶縁部材１６に上型部材７６を配置する上型部材配置工程である。まず、絶縁部材１６の表面１６Ｆｂに沿ってシード層７１をスパッタなどにより形成する。これにより、図４（Ｂ）あるいは図５（Ｃ）で示した工程により形成された溝６２にもシード層７１が形成される。シード層７１は、導体線路５４Ａをめっきにより形成するときの給電経路となる層である。シード層７１の材質としては、たとえばＣｕ、または、ＴｉとＣｕとの積層膜などが挙げられる。次に、絶縁部材１６の溝６２を有する面に、感光性の上型部材７６を配置する。上型部材７６は、図２で示した埋め込み部５４Ａａの上にある突出部５４Ａｂを形成するための型である。ここで、上型部材７６の型を形成する方法として、ネガ型フォトレジストを用いた場合を例に挙げて説明する。まず、上型部材７６の上に、所定パターンを有するフォトマスク７８を配置する。フォトマスク７８は、平面方向から見て、溝６２の有る領域において紫外線を遮蔽し、溝６２の無い領域において紫外線を通過するように設計されている。次に、上型部材７６を紫外線により露光することにより、上型部材７６を感光（Ｅｘｐｏｓｕｒｅ）させる。このとき紫外線は上型部材７６の厚み方向に進むにつれて減衰するので、上型部材７６が感光される領域は、上型部材７６の上面７６ｂ側の面積より下面７６ａ側の面積が小さくなる（図６（Ａ）の破線参照）。
【００５８】
図６（Ｂ）に示す工程は、上型部材７６に貫通溝７２を形成する貫通溝形成工程である。この工程では、上型部材７６を現像（Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ）することにより、上型部材７６のうちの感光されなかった領域が除去される。これにより、上型部材７６において、溝６２と対応する位置に貫通溝７２が形成される。貫通溝７２は、上型部材７６の上面７６ｂ側の面積より下面７６ａ側の面積が大きく、逆テーパ状になる。これにより、突出部５４Ａｂを形成するための貫通溝７２が形成される。貫通溝７２が逆テーパ状であるので、後に形成される導体線路５４Ａの突出部５４Ａｂの角部ＣＢ１、ＣＢ２は鈍角となる。
【００５９】
図６（Ｃ）に示す工程は、溝６２および貫通溝７２に導電材料７４を埋め込む導体埋め込み工程である。図６（Ｃ）に示すような導電材料７４の埋め込まれた状態は、上型部材７６の上方から導体を成膜（Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）することにより形成される。成膜方法としては、たとえばめっき、蒸着、スパッタなどが挙げられる。導電材料７４をＣｕやＮｉとし、導体を電解めっきにより形成すれば、成膜レートが高くなり、導電材料７４を効率的に埋め込むことができる。
【００６０】
図６（Ｄ）に示す工程は、絶縁部材１６に配置された上型部材７６を除去する上型部材除去工程である。この工程において、上型部材７６は、溝６２以外の領域にあるシード層７１と共に除去される。これにより、導体線路５４Ａが所定のパターンを有するように形成される。また、上型部材７６を除去すると同時に、導体線路５４Ａの断面の角部ＣＢ１が面取り加工される。上型部材７６および導体線路５４Ａの断面の角部ＣＢ１を削るための手段としては、たとえばドライエッチング、ウエットエッチング、サンドブラストなどが挙げられる。
【００６１】
図６（Ａ）〜図６（Ｄ）で示した工程により形成された導体線路５４Ａの断面は、円弧状の形状および鈍角形状を有する。また、断面の角部ＣＢ１は面取り加工されている。これにより、圧電デバイス１を高周波帯域で使用する場合であっても、導体内部での電流集中が抑制される。
【００６２】
なお、上型部材７６を除去する工程において、導体線路５４Ａは高温状態におかれ、かつ、物理的な剥離力を付加されるが、導体線路５４Ａが絶縁部材１６に埋め込まれているので、剥離することを抑制できる。
【００６３】
［第２実施形態］
図７は、第２実施形態に係る圧電デバイス２の断面を模式的に示した図である。圧電デバイス２は、導体線路２４が、絶縁部材２６の内側の表面２６Ｆａにも設けられた実施形態である。第１実施形態と共通する構成については、図中に同じ番号を付して説明を省略する。
【００６４】
圧電デバイス２の基板２１には、２つの圧電素子１１Ａが設けられる。ただし、実際は、紙面に対して直交する方向にも他の圧電素子１１Ａ（図示省略）を有している。基板２１の主面２１Ｍには、基板側線路２３Ａ〜２３Ｃが設けられ、基板側線路２３Ａ〜２３Ｃは、２つの圧電素子１１Ａと電気的に接続される。支持部２５は、圧電素子１１Ａを囲うようにして、基板２１の主面２１Ｍ上に設けられる。図７では外周の支持部２５のみ示されているが、必要に応じて外周の支持部２５の内側に点在する別の支持部（図示省略）を設けても構わない。絶縁部材２６は、圧電素子１１Ａに対して距離を設けながら、かつ、圧電素子１１Ａを覆うように、支持部２５を介して基板２１上に設けられる。これにより、基板２１と支持部２５と絶縁部材２６とにより囲まれる閉じられた空間Ｓが形成される。
【００６５】
絶縁部材２６の表面２６Ｆには、基板側線路２３に電気的に接続する導体線路２４が設けられる。導体線路２４には、絶縁部材２６の外側の表面２６Ｆｂに形成される導体線路２４Ｅと、基板２１の主面２１Ｍと向かい合う内側の表面２６Ｆａに形成される導体線路２４Ａ〜２４Ｄと、がある。第２実施形態においても、導体線路２４は、絶縁部材２６に対して厚み方向（高さ方向）に埋め込まれている。
【００６６】
導体線路２４Ａ〜２４Ｃは、インダクタとして機能し、圧電素子１１Ａに対して並列接続される。導体線路２４Ａは、渦巻状インダクタの本体である。導体線路２４Ｂは渦巻状インダクタの外周端であり、導体線路２４Ｄ、第１のビア導体Ｖ１ａを順に経由して、基板側線路２３Ａに電気的に接続される。導体線路２４Ｃは渦巻状インダクタの中心であり、第２のビア導体Ｖ２ｃ、導体線路２４Ｅ、第２のビア導体Ｖ２ｂ、第１のビア導体Ｖ１ｂを順に経由して、基板側線路２３Ｃに電気的に接続される。なお、導体線路２４Ｄは、第２のビア導体Ｖ２ａを介して外部端子２９Ａに電気的に接続され、導体線路２４Ｅは、第２のビア導体Ｖ２ｂを介して外部端子２９Ｂに電気的に接続される。
【００６７】
外部端子２９Ａ、２９Ｂは、圧電デバイス２を外部回路（図示省略）に電気的に接続するためのものであり、絶縁部材２６の表面２６Ｆｂに露出する第２のビア導体Ｖ２ａ、Ｖ２ｂの端部Ｅａ、Ｅｂにそれぞれ設けられる。外部端子２９の材質としては、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｓｎ−Ａｇなどが挙げられる。外部端子２９は、単層であってもよいし、異なる金属が積層されたものであってもよいし、異なる金属が合金化されたものであってもよい。
【００６８】
第２実施形態は、第１実施形態にて述べた発明の効果に加え、以下に示す効果を有する。第２実施形態によれば、絶縁部材２６の外側と内側の両方の表面に導体線路２４を設けるので、圧電デバイス２にインダクタなどの回路素子を形成する面積を増やすことができる。また、第１実施形態に比べて、基板２１に形成する圧電素子１１Ａの個数を増やすことができる。
【００６９】
図８（Ａ）〜図８（Ｅ）を参照しながら、圧電デバイス２の製造方法について説明する。圧電デバイス２の製造方法は、予め準備した絶縁部材２６に溝６１ａを形成し、その溝６１ａに導電材料を埋め込んだ後、絶縁部材２６を基板２１に設置する点に特徴がある。
【００７０】
図８（Ａ）は、基板準備工程、支持部設置工程、およびビア導体形成工程を説明するための図である。これらの工程では、予め準備した基板２１に支持部２５が設けられるとともに、支持部２５に第１のビア導体Ｖ１が形成される。これらの工程は、第１実施形態で示した図３（Ａ）および図３（Ｂ）と同様の方法により実行される。
【００７１】
図８（Ｂ）は、絶縁部材準備工程、および導体線路形成工程を説明するための図である。予め準備する絶縁部材２６は感光性である。まず、絶縁部材２６の表面２６Ｆａに、所定パターンを有する溝６１ａが、フォトリソグラフィー法により形成される。その後、導電材料が溝６１ａに埋め込まれ、導体線路２４Ａ〜２４Ｄが絶縁部材２６の表面２６Ｆａに形成される。
【００７２】
図８（Ｃ）に示す工程は、基板２１上に絶縁部材２６を設ける絶縁部材設置工程である。絶縁部材２６は、先に形成した導体線路２４Ａ〜２４Ｄが基板２１の主面２１Ｍと向かい合うように、支持部２５に当接して配置される。このとき、導体線路２４Ｄが第１のビア導体Ｖ１ａと電気的に接続されるように、絶縁部材２６が位置決めされた状態で支持部２５に接着される。
【００７３】
図８（Ｄ）は、導体線路２４Ｅを形成する導体線路形成工程、およびビア導体形成工程を説明するための図である。導体線路形成工程では、絶縁部材２６の表面２６Ｆｂに所定パターンを有する溝６１ｂが、フォトリソグラフィー法により形成さる。その後、導電材料が溝６１ｂに埋め込まれ、導体線路２４Ｅが絶縁部材２６の表面２６Ｆｂに形成される。なお、導体線路２４Ｅを形成するのに先立ち、第２のビア導体Ｖ２ｃが絶縁部材２６に形成される。また、第２のビア導体Ｖ２ａ、Ｖ２ｂも第１実施形態と同様の方法により形成される。
【００７４】
図８（Ｅ）に示す工程は、外部端子２９を形成する外部端子形成工程である。外部端子２９Ａ、２９Ｂは、たとえばめっきなどにより第２のビア導体Ｖ２ａ、Ｖ２ｂの端部Ｅａ、Ｅｂにそれぞれ形成される。これら図８（Ａ）〜図８（Ｅ）に示す工程により、圧電デバイス２が製造される。
【００７５】
［第３実施形態］
図９は、第３実施形態に係る圧電デバイス３の断面を模式的に示した図である。第１実施形態または第２実施形態と共通する構成については、図中に同じ符号を付して説明を省略する。
【００７６】
圧電デバイス３は、弾性表面波ではなく弾性境界波を利用したものである。したがって、図９に示すように、基板３１、支持部２５、絶縁部材３６で囲まれる領域には誘電体３８が設けられる。誘電体３８の材質としては、たとえば、ＳｉＯ2などが挙げられる。
【００７７】
圧電デバイス３の絶縁部材３６は、２層の絶縁部材３６Ａ、３６Ｂにより構成される。絶縁部材３６は感光性であり、材質としてはたとえば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、Ｓｉなどが挙げられる。絶縁部材３６Ａの内部には、絶縁部材３６Ａの厚みと等しい厚みを有する導体線路３４Ａ〜３４Ｃが設けられる。絶縁部材３６Ａには、第２のビア導体Ｖ２ａ、Ｖ２ｂがそれぞれ設けられる。絶縁部材３６Ｂは、絶縁部材３６Ａのさらに外側に設けられる。そして、絶縁部材３６Ｂの外側の表面３６Ｆｂには導体線路３４Ｄ、３４Ｅが設けられる。導体線路３４Ｄ、３４Ｅは、絶縁部材３６Ｂの表面３６Ｆｂに形成された引きまわし線路である。絶縁部材３６Ｂには、第３のビア導体Ｖ３ａ、Ｖ３ｂがそれぞれ設けられる。なお、第３のビア導体Ｖ３ａ、Ｖ３ｂは第２のビア導体Ｖ２ａ、Ｖ２ｂにそれぞれ電気的に接続され、第２のビア導体Ｖ２ａ、Ｖ２ｂは第１のビア導体Ｖ１ａ、Ｖ１ｂにそれぞれ電気的に接続される。
【００７８】
導体線路３４Ａ〜３４Ｃは、インダクタとして機能し、圧電素子１１Ａに並列接続される。導体線路３４Ａは、渦巻状インダクタの本体である。導体線路３４Ｂは渦巻状インダクタの外周端であり、第３のビア導体Ｖ３ｃ、導体線路３４Ｄを順に経由して第３のビア導体Ｖ３ａに電気的に接続される。導体線路３４Ｃは渦巻状インダクタの中心であり、第３のビア導体Ｖ３ｄ、導体線路３４Ｅを経由して第３のビア導体Ｖ３ｂに電気的に接続される。
【００７９】
さらに、保護部材３７が、導体線路３４Ｄ、３４Ｅ、絶縁部材３６、および基板３１を覆うように設けられる。保護部材３７は感光性絶縁材であり、材質としては、たとえばポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコン系樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂などが挙げられる。保護部材３７は、単層であってもよいし、複数層であってもよい。絶縁部材３６の外側に保護部材３７をさらに備えることにより、圧電デバイス３の強度が向上するとともに、耐環境性も向上する。なお、保護部材３７には、第４のビア導体Ｖ４ａ、Ｖ４ｂが、第３のビア導体Ｖ３ａ、Ｖ３ｂとそれぞれ電気的に接続するように設けられる。
【００８０】
また、外部端子２９Ａ、２９Ｂが、保護部材３７の外側の表面に露出する第４のビア導体Ｖ４ａ、Ｖ４ｂの端部Ｅａ、Ｅｂにそれぞれ設けられる。外部端子２９には、バンプ３９がそれぞれ形成される。
【００８１】
図１０（Ａ）〜図１０（Ｅ）を参照しながら、圧電デバイス３の製造方法について説明する。
【００８２】
図１０（Ａ）は、基板準備工程、支持部設置工程、およびビア導体形成工程を説明するための図である。これらの工程では、予め準備した基板３１に支持部２５が設けられるとともに、基板３１に誘電体３８が設けられる。支持部２５は、第１実施形態で示した図３（Ａ）および図３（Ｂ）と同様の方法により形成される。誘電体３８は、支持部２５より内周側にある基板３１上に誘電体材料を充填した後、誘電体材料を硬化することにより形成される。なお、第１のビア導体Ｖ１もこの工程で形成される。
【００８３】
図１０（Ｂ）は、絶縁部材設置工程、導体線路形成工程、およびビア導体形成工程を説明するための図である。これらの工程では、支持部２５上に絶縁部材３６Ａが設置されるとともに、導体線路３４Ａ〜３４Ｃおよび第２のビア導体Ｖ２ａ、Ｖ２ｂが形成される。
【００８４】
絶縁部材３６Ａは、液状のガラス材料を支持部２５および誘電体３８に塗布した後、ガラス材料を硬化することにより形成される。第２のビア導体Ｖ２は、第２実施形態と同様の方法により形成される。導体線路３４Ａ〜３４Ｃは、絶縁部材３６Ａの厚み方向に貫通するように形成された溝８２に、導電材料を埋め込むことにより形成される。これにより、導体線路３４Ａ〜３４Ｃの厚みを、絶縁部材３６Ａの厚みと等しくなる程度まで厚くでき、導体断面の面積を大きくできる。
【００８５】
この溝８２は、たとえば、図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）に示す溝形成工程により形成される。まず、図１１（Ａ）に示すように、絶縁部材３６Ａの上に所定パターンを有するフォトマスク８８を配置し、フォトマスク８８の上から紫外線を露光して絶縁部材３６Ａを感光させる。その後、図１１（Ｂ）に示すように、絶縁部材３６Ａを所定の薬液により現像することにより、感光された箇所を除去する。所定の薬液としては、誘電体３８が溶融されず、感光された絶縁部材３６Ａが溶融される薬液を選ぶ。これにより、絶縁部材３６Ａの表面３６Ｆａに到達する深さを有する溝８２を形成できる。
【００８６】
図１０（Ｃ）は、絶縁部材設置工程、導体線路形成工程、およびビア導体形成工程を説明するための図である。これらの工程では、絶縁部材３６Ａの外側に絶縁部材３６Ｂが設置されるとともに、導体線路３４Ｄ、３４Ｅおよび第３のビア導体Ｖ３ａ、Ｖ３ｂ、Ｖ３ｃ、Ｖ３ｄが形成される。絶縁部材３６Ｂは、液状のガラス材料を絶縁部材３６Ａに塗布した後、ガラス材料を硬化することにより形成される。導体線路３４Ｄ、３４Ｅは、第２実施形態と同様の方法により形成される。第３のビア導体Ｖ３は、第２のビア導体Ｖ２と同様の方法により形成される。
【００８７】
図１０（Ｄ）は、保護部材形成工程、およびビア導体形成工程を説明するための図である。これらの工程では、絶縁部材３６Ｂの外側に保護部材３７が形成された後、保護部材３７の内部に第４のビア導体Ｖ４ａ、Ｖ４ｂが形成される。保護部材３７は、絶縁部材３６Ｂの外側に液状のエポキシ系樹脂を塗布した後、エポキシ系樹脂をオーブンで硬化することにより形成される。第４のビア導体Ｖ４ａ、Ｖ４ｂは、レーザによって保護部材３７にビア孔を形成した後、ビア孔に導電材料を充填することにより形成される。保護部材３７が感光性である場合は、フォトリソグラフィー法によりビア孔を形成してもよい。
【００８８】
図１０（Ｅ）に示す工程は、外部端子形成工程である。この工程では、外部端子２９Ａ、２９Ｂが、第４のビア導体Ｖ４ａ、Ｖ４ｂの端部Ｅａ、Ｅｂにそれぞれ形成される。バンプ３９は、図示しないバンプボンダーなどにより、外部端子２９に当接して形成される。これら図１０（Ａ）〜図１０（Ｅ）に示す工程により、圧電デバイス３が製造される。
【００８９】
前述したそれぞれの実施形態は、特許請求の範囲に記載された発明を限定するものでなく、技術的思想の同一性が認められる範囲で種々の変形が可能である。たとえば、導体線路としては、キャパシタや抵抗などの回路素子であってもよい。また、支持部と絶縁部材とが、別々の構成でなく一体となった状態で基板に設けられてもよい。また、圧電デバイスは、親基板に複数の圧電デバイスを形成した後、その親基板を個片化することにより作製してもよい。
【符号の説明】
【００９０】
１：圧電デバイス
１１：基板
１１Ａ：圧電素子
１１Ｍ：基板１１の主面
１２：圧電素子電極
１２Ａ：ＩＤＴ電極
１２Ｂ：パッド電極
１３、１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ：基板側線路
１４、１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ、５４Ａ：導体線路
１５、１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃ：支持部
１６：絶縁部材
１６Ｆ、１６Ｆａ、１６Ｆｂ：絶縁部材１６の表面
５４Ａａ：導体線路５４Ａの埋め込み部
５４Ａｂ：導体線路５４Ａの突出部
６１、６２：溝
６４、７８：フォトマスク
６６：下型部材
６８：溝型
７１：シード層
７２：貫通溝
７４：導電材料
７６：上型部材
ＣＡ、ＣＢ１、ＣＢ２：導体線路の角部
Ｖ：ビア導体
Ｖ１、Ｖ１ａ、Ｖ１ｂ、Ｖ１ｃ、Ｖ１ｄ：第１のビア導体
Ｖ２、Ｖ２ａ、Ｖ２ｂ、Ｖ２ｃ、Ｖ２ｄ：第２のビア導体
ＶＨ１、ＶＨ２：ビアホール
【図１】
2014146891.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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