(57)【要約】【課題】描画装置において、伝送路の接続状態を確認する上で有利な技術を提供する。【解決手段】複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置は、１つの発光素子と少なくとも１つのブランカとを含むグループを複数含むブランカアレイと、前記複数のグループに制御信号をそれぞれ伝送する複数の伝送路と、を含み、各発光素子は、前記複数の伝送路のうち該発光素子を含むグループに接続された伝送路を介して信号が供給された場合に発光する。【選択図】図１
2014041936.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
１つの発光素子と少なくとも１つのブランカとを含むグループを複数含むブランカアレイと、
前記複数のグループに制御信号をそれぞれ伝送する複数の伝送路と、
を含み、
各発光素子は、前記複数の伝送路のうち該発光素子を含むグループに接続された伝送路を介して信号が供給された場合に発光する、ことを特徴とする描画装置。
【請求項２】
光検出器を備え、前記基板を保持して移動可能な基板ステージと、
前記光検出器が光を検出した場合の前記基板ステージの位置によって前記複数のグループの一つと前記複数の伝送路の一つとの接続状態を特定する制御部と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項３】
各発光素子に対応する位置にそれぞれ配置された複数の光検出器と、
前記複数の光検出器のうち光を検出した光検出器の位置によって前記複数のグループの一つと前記複数の伝送路の一つとの接続状態を特定する制御部と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項４】
前記制御部は、各伝送路に信号を供給することにより前記接続状態を特定する、ことを特徴とする請求項２又は３に記載の描画装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記接続状態に基づいて、各グループに供給されるべき信号が該グループに供給されるように、各伝送路に信号を供給する、ことを特徴とする請求項４に記載の描画装置。
【請求項６】
前記複数の伝送路と前記複数のグループとの間の接続状態を切り換える切換部と、
１つのグループに接続された１つの伝送路によって該グループに信号の伝送ができない場合、該グループに他の伝送路によって信号が供給されるように、前記切換部を制御する制御部と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、描画装置および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路における回路パターンの微細化および高集積化に伴い、複数の荷電粒子線（電子線）を用いて基板にパターンを描画する描画装置が注目されている。近年、描画装置では、スループットの向上が要求されており、その要求にこたえるべく荷電粒子線の本数が飛躍的に増加している。このような描画装置では、例えば、複数の荷電粒子線のブランキングを行うブランキング偏向器に対して、それを制御するための膨大な量の光信号が多数の光ファイバーを介して伝送される。
【０００３】
しかしながら、多数の光ファイバー（伝送路）を用いた場合、ブランキング偏向器とそれを制御するブランキング制御器との間において光ファイバーに断線や誤接続など接続状態に問題が生じていると、その箇所を発見することが困難になってしまいうる。そこで、特許文献１には、ブランキング偏向器を通過した荷電粒子線の照射位置を検出する検出器を備えた描画装置が提案されている。特許文献１の描画装置では、ブランキング偏向器の制御によって荷電粒子線が正常に偏向されるか否かを検出器を用いて検出することで、光ファイバーの接続状態を確認できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４２４６３７４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の描画装置では、荷電粒子線が正常に偏向されるか否かを検出器を用いて検出することによって、光ファイバーの断線や誤接続などの接続状態を確認している。この場合、光ファイバーの接続状態は荷電粒子線を用いて確認されるため、描画装置を真空状態にする必要があり、光ファイバーの接続状態を確認することに長い時間が掛っていた。
【０００６】
そこで、本発明は、伝送路の接続状態を確認する上で有利な描画装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての描画装置は、複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、１つの発光素子と少なくとも１つのブランカとを含むグループを複数含むブランカアレイと、前記複数のグループに制御信号をそれぞれ伝送する複数の伝送路と、を含み、各発光素子は、前記複数の伝送路のうち該発光素子を含むグループに接続された伝送路を介して信号が供給された場合に発光する、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、例えば、伝送路の接続状態を確認する上で有利な描画装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態の描画装置を示す概略図である。
【図２】複数の荷電粒子線の配置例を示す図である。
【図３】ブランカアレイの構成を示す図である。
【図４】ブランカアレイにおけるブランカおよび発光素子の配置を示す図である。
【図５】ブランキング制御回路からブランキング偏向器への信号の伝送を示すブロック図である。
【図６】ブランカアレイにおけるブランカおよび発光素子の配置を示す図である。
【図７】ブランキング制御回路からブランキング偏向器への信号の伝送を示すブロック図である。
【図８】光ファイバーの接続状態を確認する方法を示すフローチャートである。
【図９】ブランキング制御回路からブランキング偏向器への信号の伝送を示すブロック図である。
【図１０】ブランキング制御回路からブランキング偏向器への信号の伝送を示すブロック図である。
【図１１】第３実施形態の描画装置における描画部を示す概略図である。
【図１２】第４実施形態の描画装置におけるブランカアレイおよび基板ステージ上の光検出器を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。また、各図において、基板面上で互いに直交する方向をそれぞれｘ方向およびｙ方向とし、基板面に垂直な方向をｚ方向とする。
【００１１】
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態における描画装置１００について、図１を参照して説明する。第１実施形態の描画装置１００は、荷電粒子線を基板に照射してパターンを描画する描画部１０と、描画部１０の各部を制御する制御部３０とで構成される。描画部１０は、例えば、荷電粒子銃１１、コリメーターレンズ１４、アパーチャアレイ１５、第１静電レンズ１６、ブランキング偏向器１７、ストッパ１９、偏向器２０、第２静電レンズ２１および基板ステージ２３で構成される。
【００１２】
荷電粒子銃１１から放射された荷電粒子線１３は、クロスオーバ像１２として結像され、コリメーターレンズ１４の作用により平行ビームとなり、アパーチャアレイ１５に入射する。アパーチャアレイ１５は、マトリクス状に配列した複数の開口を有し、これにより、平行ビームとして入射した荷電粒子線は複数に分割される。アパーチャアレイ１５によって分割された荷電粒子線は、第１静電レンズ１６に入射する。第１静電レンズ１６を通過した荷電粒子線は、クロスオーバ像１２の中間像１８を形成し、中間像１８が形成される面には、複数のブランカを含むブランキング偏向器１７が設置される。ブランキング偏向器１７は複数の荷電粒子線を個別に偏向し、ブランキング偏向器１７によって偏向された荷電粒子線は、ブランキング偏向器１７の後段に設置されるストッパ１９により遮断されて基板２２上には到達しない。即ち、ブランキング偏向器１７は、基板２２への荷電粒子線の照射と非照射とを切り換えている。ストッパ１９を通過した荷電粒子線は、荷電粒子線を基板２２の上で走査するための偏向器２０、及び第２静電レンズ２１を介して、移動可能な基板ステージ２３の上に保持された基板２２の上にクロスオーバ像１２の像を形成する。ここで、偏向器２０は、基板ステージ２３の走査方向と直交する方向に荷電粒子線を偏向させるとよいが、荷電粒子線の偏向方向は、基板ステージ２３の走査方向と直交する方向に限定するものではなく、他の角度に偏向してもよい。
【００１３】
ここで、ブランキング偏向器１７について、複数の荷電粒子線の配置と併せて説明する。図２は、ブランキング偏向器１７に入射される複数の荷電粒子線１３を−ｚ方向（荷電粒子線の進行方向）から見たときにおける配置例を示す図である。複数の荷電粒子線１３は、例えば、図２に示すように、ｘ方向に沿って間隔Ｌ１を空けてＭ本並んだ荷電粒子線が、−ｙ方向に沿って間隔Ｌ２を空けてＮ列配置される。−ｙ方向におけるｎ列目の列は、その前の列（ｎ−１列目）よりｘ方向に距離Ｌ３だけずれるように、および−ｙ方向の数列で１周期となるように配置されている。図２においては、−ｙ方向の４列で１周期となり（間隔Ｌ１＝４×距離Ｌ３）、ｎ＋４列目の列における荷電粒子線のｘ方向の配置はｎ列目と同じになる（距離Ｌ４＝４×間隔Ｌ２）。このように周期的に配置された複数の荷電粒子線１３は、基板２２を描画する際、基板ステージ２３がｙ方向に連続的に移動する間に、基板ステージ２３（基板２２）の位置に同期して、偏向器２０によってｘ方向に距離Ｌ３の範囲で偏向される。即ち、各荷電粒子線１３は、距離Ｌ３×距離Ｌ４の範囲において基板２２を描画する。そして、基板ステージ２３の移動距離が距離Ｌ４に達した時点で、１ショットの描画が終了する。また、各荷電粒子線１３は、基板ステージ２３（基板２２）の位置に同期して、ブランキング偏向器１７によってブランキング制御が行われる。図３は、ブランキング偏向器１７に含まれるブランカアレイ１７ａの構成を示す図である。ブランカアレイ１７ａは、図２に示すように配置された各荷電粒子線１３に対応した位置にブランカ１７ｂが配置されている。ブランカ１７ｂは荷電粒子線を挟むように配置された２枚の電極１７ｂ１および１７ｂ２によって構成されており、２枚の電極１７ｂ１および１７ｂ２の間に電位差を与えることによって電界が発生し、荷電粒子線１３を偏向することができる。ブランカ１７ｂにより偏向された荷電粒子線１３は、上述したように、ストッパ１９によって遮断されて基板上に到達しない。
【００１４】
制御部３０は、例えば、レンズ制御回路３１及び３２、描画データ変換回路３３、ブランキング制御回路３４、偏向信号生成回路３５、偏向制御回路３６、光検出制御回路３７、ステージ制御回路３８及びコントローラ３９で構成される。レンズ制御回路３１及び３２は、各レンズ（１３、１７及び２１）を制御する。描画データ変換回路３３は、コントローラ３９から供給される設計データを、各荷電粒子線をブランキング制御するための描画データに変換する。ブランキング制御回路３４は、描画データ変換回路３３によって供給された描画データに基づいてブランキング偏向器１７を制御する。偏向信号生成回路３５は、コントローラ３９から供給される設計データから偏向信号を生成し、偏向信号を偏向アンプ（不図示）を介して偏向制御回路３６に供給する。偏向制御回路３６は、偏向信号に基づいて偏向器２０を制御する。光検出制御回路３７は、後述する光検出器２８における光の検出を制御する。ステージ制御回路３８は、基板ステージ２３の移動を制御する。また、コントローラ３９は、描画データ変換回路３３と偏向信号生成回路３５に設計データを供給すると共に、全ての描画動作を統括する。
【００１５】
近年、描画装置では、スループットの向上が要求されており、その要求にこたえるべく荷電粒子線の本数が飛躍的に増加している。そのため、複数の荷電粒子線を個別に制御するためのデータも膨大となり、そのデータを複数の伝送路によって高速に描画部１０に伝送する必要がある。例えば、荷電粒子銃１１から放射された荷電粒子線１３が、アパーチャアレイ１５において数万本から数十万本の荷電粒子線に分割され、各荷電粒子線がブランキング偏向器１７によってブランキング制御されるとする。このように膨大な数の荷電粒子線をブランキング偏向器１７によって制御する場合、描画データ変換回路３３において生成される膨大なサイズの描画データを、ブランキング制御回路３４を介してブランキング偏向器１７に高速に伝送する必要がある。そして、膨大なサイズの描画データを高速に伝送する伝送路としては、電磁誘導ノイズの影響を受けにくく、かつデータの長距離伝送が可能な光ファイバーが有効である。ここで、第１実施形態の描画装置１００において、ブランキング制御回路３４からブランキング偏向器１７に、光ファイバーによって描画データを伝送する方法について説明する。
【００１６】
第１実施形態の描画装置１００において、描画データを伝送する方法を図４および図５を参照して説明する。図４は、第１実施形態のブランカアレイ１７ａにおける複数のブランカ１７ｂの配置を示す図である。第１実施形態のブランカアレイ１７ａには、荷電粒子線の配置に対応するように複数のブランカ１７ｂが配置されており、ブランカ１７ｂの２枚の電極に与えられる電位差を制御する複数の信号（制御信号）が多数の光ファイバー（伝送路）を介して伝送される。ブランカアレイ１７ａは、複数のブランカ１７ｂを含むグループ２４を複数含む。各グループ２４には光ファイバーが１本ずつ接続されており、各光ファイバーが供給する信号によって各グループにおける複数のブランカ１７ｂが駆動する。即ち、１つのグループに含まれる複数のブランカ１７ｂは、１本の光ファイバーを介して伝送される信号によって制御される。例えば、第１実施形態のブランカアレイ１７ａにおける複数のブランカ１７ｂは、図４に示すように、６つのグループ２４ａ〜２４ｆに分けられており、各グループには４×４個のブランカ１７ｂが含まれている。そして、ブランカアレイ１７ａには、グループの数と同じ本数の光ファイバーが接続されており、各グループには、それぞれに対応する光ファイバーを介して信号が伝送される。
【００１７】
図５は、ブランキング制御回路３４からブランキング偏向器１７への信号の伝送を示すブロック図である。図５では、グループ２４ａおよび２４ｂへの信号の伝送について説明し、グループ２４ｃ〜２４ｆへの信号の伝送は、グループ２４ａおよび２４ｂへの信号の伝送と同様であるため説明を省略する。ブランキング制御回路３４には、ブランカアレイ１７ａにおけるグループの数と同じ数だけ制御回路４０が含まれており、描画データ変換回路３３において生成された描画データがデータバスを介して各制御回路４０に送られる。制御回路４０は、例えば、アドレスデコーダ４１ａと、パラ／シリ変換器４１ｂと、光トランシーバ４１ｃとによって構成されている。アドレスデコーダ４１ａは、描画データ変換回路３３によって供給された描画データから、各グループに伝送されるデータを、各アドレスデコーダ４１ａに与えられたアドレス情報に基づいて抽出する。アドレスデコーダ４１ａによって抽出されたデータはパラレルデータであるため、パラ／シリ変換器４１ｂは、パラレルデータをシリアルデータに変換する。光トランシーバ４１ｃは、パラ／シリ変換器４１ｂによって変換されたシリアルデータを光信号に変換し、光信号を光コネクタ４２を介して光ファイバー４３に送信する。また、ブランキング偏向器１７の各グループ２４は、例えば、光トランシーバ２６ａと、シリ／パラ変換器２６ｂと、複数のセレクタ／レジスタ２６ｃと、複数のＯＮ／ＯＦＦ制御器２６ｄとを含む。光トランシーバ２６ａは、光ファイバー４３で伝送された光信号を、光コネクタ２７を介して受信し、受信した光信号をシリアルデータに変換する。シリ／パラ変換器２６ｂは、シリアルデータをパラレルデータに変換し、各セレクタ／レジスタ２６ｃに供給する。セレクタ／レジスタ２６ｃは、各セレクタ／レジスタ２６ｃが各ブランカ１７ｂに対応するように、グループ内に含まれるブランカ１７ｂの数だけ備えられている。セレクタ／レジスタ２６ｃは、それに対応するブランカ１７ｂにおいて使用するデータを、シリ／パラ変換器２６ｂにより供給されたパラレルデータから選択する。そして、セレクタ／レジスタ２６ｃは、選択したデータを、ブランカ１７ｂの２枚の電極間に電位差を与えるか否かを制御するためのタイミング情報に変換する。このタイミング情報は、ＯＮ／ＯＦＦ制御器２６ｄによりブランカ１７ｂの２枚の電極に与えられる電位差となり、荷電粒子線の偏向が制御される。ここで、光コネクタ４２および２７は、複数の光ファイバー４３をブランキング制御回路３４およびブランキング偏向器１７にそれぞれ接続する。
【００１８】
このようにブランキング制御回路３４およびブランキング偏向器１７は、ブランカアレイ１７ａにおける１つのグループに１つの光ファイバー４３を介して信号が供給されるように、複数の光ファイバー４３によって接続されている。そのため、ブランキング制御回路３４とブランキング偏向器１７とを複数の光ファイバー４３によって接続する際に誤接続が生じていると、制御すべきグループとは異なるグループにデータが伝送されてしまう。また、光ファイバー４３に断線や接続不良が生じていると、その光ファイバー４３に対応するグループにおいて正確な信号が伝送されなくなってしまう。即ち、光ファイバー４３の接続状態に問題が生じていると、正確に荷電粒子線を偏向できなくなり、描画装置において正しい描画が行えない。そして、光ファイバー４３における接続状態の問題は、多数の光ファイバー４３を用いた場合では、その箇所を発見することが困難になってしまいうる。従来の描画装置では、光ファイバー４３の接続状態を荷電粒子線を用いて確認していたが、この場合、描画装置を真空状態にする必要があり、光ファイバー４３の接続状態を確認することに長い時間が掛っていた。そこで、第１実施形態の描画装置１００は、ブランカアレイ１７ａの各グループに光ファイバー４３を通して供給される信号により発光する発光素子２５を含み、発光素子２５の発光によって接続状態に問題が生じている光ファイバー４３を特定することができる。
【００１９】
発光素子２５は、例えばＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）が用いられ、図４に示すように、各グループ２４ａ〜２４ｆ内における複数のブランカ１７ｂの近傍に発光素子２５ａ〜２５ｆがそれぞれ配置されている。また、発光素子２５は、図５に示すように、ブランキング制御回路３４から各グループに供給される信号によって発光する。即ち、発光素子２５にも、ブランカ１７ｂと同様に、シリ／パラ変換器２６ｂからパラレルデータが供給され、セレクタ／レジスタ２６ｃおよびＯＮ／ＯＦＦ制御器２６ｄを介して発光素子２５のＯＮ／ＯＦＦ（点灯または消灯）を制御することができる。例えば、発光素子２５ａは、図４に示すようにブランカアレイ１７ａ上におけるグループ２４ａ内に配置され、図５に示すようにグループ２４ａにおける複数のブランカ１７ｂを制御するための信号によって発光が制御される。ここで、第１実施形態において、複数のブランカ１７ｂは、それに信号を供給する光ファイバー４３ごとにグループ分けされているが、光コネクタ２７ごとにグループ分けされてもよい。例えば、光コネクタ２７によって２本の光ファイバー４３をブランキング偏向器１７に接続する場合では、ブランカアレイ１７ａにおける複数のブランカ１７ｂは、図６に示すように、グループ２４ａ、２４ｃおよび２４ｅに分けられる。そして、発光素子２５ａ、２５ｃおよび２５ｅは、各グループ（２４ａ、２４ｃおよび２４ｅ）内に１つずつ配置される。この場合、ブランキング制御回路３４からブランキング偏向器１７への信号の伝送を示すブロック図は図７に示すようになり、１つのグループ内（例えばグループ２４ａ内）には、光トランシーバ２６ａおよびシリ／パラ変換器２６ｂが２個ずつ含まれる。一方で、発光素子２５ａは、２本の光ファイバー４３のうち片方の光ファイバー４３ａを介して伝送される信号によって制御される。このような構成では、光コネクタ２７の接続状態を確認、および光ファイバー４３の接続状態を複数本単位で確認することができる。
【００２０】
第１実施形態の描画装置１００における発光素子２５によって、光ファイバー４３の接続状態に問題が生じているか否かを確認する方法について、図８を参照して説明する。図８は、複数の光ファイバーのうち１本の光ファイバー４３の接続状態を、発光素子２５によって確認する方法を示すフローチャートである。第１実施形態の描画装置１００では、図１に示すように、ブランキング偏向器１７（ブランカアレイ１７ａ）には複数の発光素子２５が備えられており、基板ステージ２３上には発光素子２５の発光を検出する光検出器２８が備えられている。このとき、描画装置１００は、発光素子２５の光の方向性が制限されるように、即ち、光検出器２８よって受光すべき発光素子２５以外の発光素子から光を受光しないように構成される。発光した発光素子２５の光は、ストッパ１９に形成された導光穴１９ａを通って光検出器２８に到達する。光検出器２８は、基板ステージ２３の移動によって各発光素子２５の光を受光可能な位置に配置され、発光素子２５の光を検出することができる。例えば、光検出器２８は、フォトダイオードなどが用いられ、検出した光を電気信号に変換し、変換した電気信号を制御部３０の光検出制御回路３７に供給する。
【００２１】
Ｓ５０では、制御部３０は、ブランキング制御回路３４によって、複数の光ファイバー４３のうち接続状態を確認する光ファイバー（以下、確認する光ファイバーと表す）に信号を供給する。Ｓ５１では、制御部３０は、ステージ制御回路３８によって基板ステージ２３を移動させ、確認する光ファイバー４３を介して供給された信号によって発光すべき発光素子２５の光を受光可能な位置に光検出器２８を配置する。Ｓ５２では、制御部３０は、光検出制御回路３７によって光検出器２８に光を検出させる。Ｓ５３では、制御部３０は、光検出器２８によって光が検出されたか否かの判定を実行する。光検出器２８によって光が検出された場合は、確認する光ファイバーとそれが接続すべき発光素子との接続状態に問題が生じていないことであるため接続状態の確認は終了する。一方で、光検出器２８によって光が検出されなかった場合は、確認する光ファイバーに断線または誤接続が生じていることとなるため、Ｓ５４に進む。Ｓ５４では、制御部３０は、ステージ制御回路３８によって基板ステージ２３を移動させ、発光すべき発光素子２５以外の発光素子２５の光を受光可能な位置に光検出器２８を配置する。Ｓ５５では、制御部３０は、光検出制御回路３７によって光検出器２８に光を検出させる。Ｓ５６では、制御部３０は、光検出器２８によって光が検出されたか否かの判定を実行する。光検出器２８によって光が検出された場合はＳ５７に進み、光検出器によって光が検出されなかった場合はＳ５８に進む。Ｓ５７では、制御部３０は、確認する光ファイバーに接続されている発光素子２５を基板ステージ２３の位置によって特定し、接続状態の確認は終了する。Ｓ５８では、制御部３０は、全ての発光素子２５において光検出器２８による発光の検出が行われたか否かの判定を実行する。全ての発光素子２５において発光の検出が行われていない場合はＳ５４に戻り、制御部３０は、光検出器２８による発光の検出が行われていない発光素子２５の光を受光可能な位置に光検出器２８を配置する。一方で、全ての発光素子２５において発光の検出が行われた場合は接続状態の確認は終了する。もし、全ての発光素子２５において光が検出されなかった場合は、確認する光ファイバー４３が断線を起こしている可能性がある。このフローは、全ての光ファイバーに対して行われる。
【００２２】
このように発光素子２５および光検出器２８を備えることで、各光ファイバー４３とそれが供給する信号によって発光する発光素子２５を含むグループとを対応づけることができる。例えば、図５において、ブランキング制御回路３４が光ファイバー４３ａに信号を供給した場合、光検出器２８において光が検出された発光素子が発光素子２５ａであれば、光ファイバー４３ａが正しく接続されていることとなる。一方で、発光した発光素子が発光素子２５ａ以外の発光素子（例えば発光素子２５ｂ）であれば、光ファイバー４３ａに誤接続が生じていることとなる。この場合、制御部３０は、各光ファイバー４３とそれが信号を供給するグループ２４との対応づけに基づいて、各光ファイバー４３に伝送する信号を配分しなおす。例えば、図９に示すように、ブランキング制御回路３４の制御回路４０ａが光ファイバー４３ａを介してブランキング偏向器１７のグループ２４ｂに、および制御回路４０ｂが光ファイバー４３ｂを介してグループ２４ａに、交差して接続されているとする。この場合、コントローラ３９は、グループ２４ｂに供給される信号を制御回路４０ａから光ファイバー４３ａに供給するようにブランキング制御回路３４を制御する。同様に、コントローラ３９は、グループ２４ａに供給される信号を制御回路４０ｂから光ファイバー４３ｂに供給するようにブランキング制御回路３４を制御する。
【００２３】
上述したように、第１実施形態の描画装置１００では、ブランキング偏向器１７のブランカアレイ１７ａにおける各グループ２４に発光素子２５が備えられている。また、各グループ２４の発光素子２５における発光を検出するため、基板ステージ２３上に光検出器２８が備えられている。このように発光素子２５と光検出器２８とを備えることによって、ブランキング制御回路３４とブランキング偏向器１７との間における光ファイバー４３の接続状態を確認することが容易となり、接続状態を確認するする時間を大幅に減らすことができる。ここで、第１実施形態では、各発光素子２５の発光を基板ステージ２３上に配置された光検出器によって確認したが、基板ステージ２３上にミラーを配置して人間が直接確認してもよい。この場合、描画部１０の側壁には、ミラーを介して各発光素子２５の発光を確認するためのビューポートを設置するとよい。また、第１実施形態の描画装置１００では、発光素子２５および光検出器２８を用いたが、指向性の高い電波を発生する素子およびその電波を検出する検出器を用いる等、他の構成を用いてもよい。
【００２４】
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態の描画装置について説明する。第２実施形態の描画装置では、断線した光ファイバーが存在しても、ブランカアレイ１７ａにおける各グループに信号を正しく供給することができる。図１０は、第２実施形態の描画装置において、ブランキング制御回路３４からブランキング偏向器１７への信号の伝送を示すブロック図である。図９では、図４におけるグループ２４ａ〜２４ｃへの信号の伝送について説明し、グループ２４ｄ〜２４ｆへの信号の伝送については省略する。
【００２５】
第２実施形態の描画装置では、第１実施形態の描画装置１００と比較して、ブランキング偏向器１７内に複数の切換部２９が、およびブランキング制御回路３４内に切換制御回路４４が含まれている。切換部２９は、ブランカアレイ１７ａの各グループにおける光トランシーバ２６ａとシリ／パラ変換器２６ｂとの間に配置されており、切換制御回路４４によって制御されて光トランシーバ２６ａとシリ／パラ変換器２６ｂとの接続を切り換えることができる。例えば、シリ／パラ変換器２６ｂ１は、光トランシーバ２６ａ１または２６ａ２に接続できるように配線されており、その接続を切換部２９ａによって切り換えることができる。また、ブランキング制御回路３４には、ブランカアレイ１７ａにおけるグループの数より多い数の制御回路４０が含まれており、ブランキング偏向器１７における光トランシーバ２６ｇに光ファイバーおよび光コネクタを介して接続される。例えば、図１０におけるブランキング制御回路３４には、ブランキング偏向器１７におけるグループ２４ａ〜２４ｃに対応する制御回路４０ａ〜４０ｃの他に、制御回路４０ｇが含まれている。そして、制御回路４０ｇの光トランシーバにおいて生成された光信号は、光コネクタと光ファイバーとを介してブランキング偏向器１７の光トランシーバ２６ｇに供給される。ここで、光ファイバー４３ｂが断線している場合において、各グループ２４ａ〜２４ｃに信号を正しく供給する方法について説明する。
【００２６】
まず、切換部２９ａにより光トランシーバ２６ａ１とシリ／パラ変換器２６ｂ１とを、切換部２９ｂにより光トランシーバ２６ａ２とシリ／パラ変換器２６ｂ２とを、および切換部２９ｃにより光トランシーバ２６ａ３とシリ／パラ変換器２６ｂ３とを接続する。このように各光トランシーバ２６ａと各シリ／パラ変換器２６ｂとを接続した状態で、図８に示すフローチャートに基づいて、各光ファイバー４３ａ〜４３ｃに対応するグループを確認する。このとき、光ファイバー４３ｂへの信号の供給によって発光する発光素子２５は存在しないため、光ファイバー４３ｂが断線していることが確認できる。そして、光ファイバー４３ａおよび４３ｃに対応するグループは図８のフローチャートに基づいて結線を確認できるため、光ファイバー４３ｂに対応するグループのみの断線を確認することができる。次に、光ファイバー４３ｂは断線しているため、切換部２９ｂによってシリ／パラ変換器２６ｂ２に光トランシーバ２６ａ３を、切換部２９ｃによってシリ／パラ変換器２６ｂ３に光トランシーバ２６ｇをそれぞれ接続する。この状態において、光ファイバー４３ｃおよび４３ｇに対応するグループを、図８に示すフローチャートに基づいて確認する。これにより、各光ファイバー４３と各グループ２４とを対応づけることができる。この対応づけに基づいて、ブランキング制御回路３４の各制御回路４０から各光ファイバー４３に信号が供給される。例えば、コントローラ３９は、グループ２４ｂに供給される信号を制御回路４０ｃから光ファイバー４３ｃに供給するようにブランキング制御回路３４を制御する。同様に、コントローラ３９は、グループ２４ｃに供給される信号を制御回路４０ｇから光ファイバー４３ｇに供給するようにブランキング制御回路３４を制御する。
【００２７】
上述したように、第２実施形態の描画装置において、ブランキング偏向器１７には、光トランシーバ２６ａとシリ／パラ変換器２６ｂとの接続を切り換える切換部２９が含まれている。また、ブランキング制御回路３４には、ブランカアレイ１７ａにおけるグループの数より多い数の制御回路４０が含まれている。このようにブランキング偏向器１７およびブランキング制御回路３４を構成することによって、光ファイバー４３に断線が生じた場合においても、光ファイバー４３を交換もしくは再接続しなくても各グループ２４に正しい信号を供給することができる。
【００２８】
＜第３実施形態＞
本発明の第３実施形態の描画装置３００について、図１１を参照して説明する。第３実施形態の描画装置３００は、第１実施形態の描画装置１００と比較して、光検出器２８が配置される位置、および光検出器２８の数が異なる。第３実施形態の描画装置３００では、各グループ２４における発光素子２５に対応するように、複数の光検出器２８がストッパ１９上に配置されている。このように複数の光検出器２８をストッパ上に配置することによって、複数の発光素子２５の発光を同時に検出することができる。そのため、ブランキング制御回路３４とブランキング偏向器１７との間における光ファイバー４３の接続状態を確認する時間を大幅に減らすことができる。ここで、複数の光検出器２８は、例えばアパーチャアレイ１５に配置するなど、発光素子２５よりｚ方向側に配置されてもよい。この場合、発光素子２５はｚ方向に向けて発光するとよい。
【００２９】
＜第４実施形態＞
本発明の第４実施形態の描画装置４００について、図１２を参照して説明する。第４実施形態の描画装置４００は、第１実施形態の描画装置１００と比較して、
基板ステージ２３上に複数の光検出器２８が配置されている。例えば、図１２（ａ）に示すように、ブランカアレイ１７ａにおける複数のブランカ１７ｂが３２個のグループに分けられている場合、ブランカアレイ１７ａは３２個の発光素子２５を含むこととなる。この場合、基板ステージ２３上に配置された光検出器２８が１個であると、全ての発光素子２５を検出するために多くの時間が掛ってしまう。そのため、図１２（ｂ）に示すように、例えば、１度に８個の発光素子２５を検出できるように、８個の発光素子２５に対応する基板ステージ２３上の位置に８個の光検出器２８が備えられている。このように基板ステージ２３上に複数の光検出器２８を配置することによって、複数の発光素子２５の発光を同時に検出することができ、光ファイバー４３の接続状態を確認する時間を大幅に減らすことができる。
【００３０】
＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態における物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の描画装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板に描画を行う工程）と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００３１】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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