(57)【要約】【課題】金属剥離剤、これを含有する組成物およびこの組成物を使用して金属を剥離する方法を提供する。【解決手段】金属剥離剤は、リン酸塩と、炭酸塩と、クエン酸またはその誘導体、シュウ酸塩またはその誘導体、リンゴ酸塩またはその誘導体から選択される少なくとも１種の成分とを含む。この金属剥離剤は、硝酸と一緒に本発明の金属剥離組成物として使用される。本方法は、様々な金属を剥離することができ、腐食性が低く、毒性が低く、室温下で適用できるという利点を有する。【選択図】図１Ｂ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リン酸塩１０〜４０重量％と、
炭酸塩３〜１５重量％と、
クエン酸またはその誘導体、シュウ酸塩またはその誘導体、リンゴ酸塩またはその誘導体から選択される少なくとも１種の成分５〜１５重量％と
を含む金属剥離剤。
【請求項２】
次亜塩素酸ナトリウムまたはその誘導体、ピリジンスルホン酸またはその誘導体から選択される少なくとも１種の成分５〜３０重量％をさらに含む、請求項１に記載の金属剥離剤。
【請求項３】
前記炭酸塩が、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウムまたはこれらの組合せである、請求項１に記載の金属剥離剤。
【請求項４】
前記リン酸塩が、一塩基性リン酸カリウム、リン酸水素二カリウムまたはこれらの組合せである、請求項１に記載の金属剥離剤。
【請求項５】
前記クエン酸またはその誘導体が、クエン酸一水和物、クエン酸三ナトリウム一水和物またはこれらの組合せである、請求項１に記載の金属剥離剤。
【請求項６】
ホウ酸、硫酸塩、金属塩化物、硝酸塩または金属水酸化物から選択される少なくとも１種の成分をさらに含む、請求項１に記載の金属剥離剤。
【請求項７】
前記硫酸塩が、硫酸ナトリウム、硫酸アンモニウム、硫酸カリウムまたはこれらの組合せである、請求項６に記載の金属剥離剤。
【請求項８】
前記金属塩化物が、塩化ナトリウム、塩化アンモニウム、塩化カリウムまたはこれらの組合せである、請求項６に記載の金属剥離剤。
【請求項９】
前記硝酸塩が、硝酸アンモニウム、硝酸カリウム、硝酸ナトリウムまたはこれらの組合せである、請求項６に記載の金属剥離剤。
【請求項１０】
前記金属水酸化物が、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムまたはこれらの組合せである、請求項６に記載の金属剥離剤。
【請求項１１】
ｐＨ値が６．５〜８．０である、請求項１に記載の金属剥離剤。
【請求項１２】
前記金属剥離剤が、シアン化物、鉛、カドミウム、水銀、クロム（ＶＩ）、またはこれらの組合せを含まない、請求項１に記載の金属剥離剤。
【請求項１３】
金属が、金、銅、ニッケル、スズ、パラジウムまたはこれらの組合せである、請求項１に記載の金属剥離剤。
【請求項１４】
銀、ステンレス鋼、チタン、プラスチックまたはこれらの組合せから作製された物体に害を及ぼさない、請求項１に記載の金属剥離剤。
【請求項１５】
硝酸４０〜６０％（ｖ／ｖ）と、
請求項１に記載の金属剥離剤４０〜６０％（ｖ／ｖ）と
を含む、金属剥離組成物。
【請求項１６】
前記硝酸の濃度が６０〜７０重量％である、請求項１５に記載の金属剥離組成物。
【請求項１７】
前記金属剥離組成物が、シアン化物、鉛、カドミウム、水銀、クロム（ＶＩ）、またはこれらの組合せを含まない、請求項１５に記載の金属剥離組成物。
【請求項１８】
金属が、金、銅、ニッケル、スズ、パラジウムまたはこれらの組合せである、請求項１５に記載の金属剥離組成物。
【請求項１９】
銀、ステンレス鋼、チタン、プラスチックまたはこれらの組合せから作製された物体に害を及ぼさない、請求項１５に記載の金属剥離組成物。
【請求項２０】
被処理物を請求項１５に記載の金属剥離組成物と接触させるステップを含む、金属を剥離する方法。
【請求項２１】
前記接触が、前記被処理物を前記金属剥離組成物中に浸漬することにより行われる、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記接触が、１０℃〜７０℃の温度で行われる、請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
前記接触が、１０秒間〜９００秒間行われる、請求項２０に記載の方法。
【請求項２４】
剥離速度が０．０１μｍ／分〜０．２μｍ／分である、請求項２０に記載の方法。
【請求項２５】
前記金属が、金、銅、ニッケル、スズ、パラジウムまたはこれらの組合せである、請求項２０に記載の方法。
【請求項２６】
銀、ステンレス鋼、チタン、プラスチックまたはこれらの組合せから作製された物体に害を及ぼさない、請求項２０に記載の方法。
【請求項２７】
前記被処理物が電子素子である、請求項２０に記載の方法。
【請求項２８】
前記電子素子が、中央処理装置、プリント回路板、記憶装置、フリップチップ、携帯電話、またはこれらの組合せである、請求項２７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属剥離剤およびこれを含有する組成物に関し、より詳細には、金剥離剤およびこれを含有する組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
鉱物は古来より人間社会および科学の発展と密接に関わっている。今日になってその重要性は、現代の科学技術である電子産業において一層高まっている。電子産業における様々な素子、例えば、中央処理装置（ＣＰＵ）、プリント回路板（ＰＣＢ）、記憶装置、フリップチップにも、あるいは携帯電話の筐体内部に取り付けられた内蔵アンテナにさえも、金属メッキされた部品が含まれている。実際、これらの金属メッキされた部品は各々の機器内で重要な役割を果たしている。しかしながら、鉱物の供給源は無限に存在するわけではない。したがって、持続可能な開発の実現を考えると、これらの金属メッキされた部品から金属材料をいかにして再生するかが当該産業の鍵を握る重要な課題となる。
【０００３】
他の殆どの金属とは異なり、金は非常に安定な化学的性質を有する不活性金属であり、したがって、廃棄された製品から金を取り出すことは容易ではなく、有効な再生方法はわずか数種類に限られる。この分野に用いられている金剥離法には、王水法およびシアン化物法の２種類がある。
【０００４】
王水は濃硝酸および濃塩酸を１：３の体積比で混合することにより作製される液体の酸である。王水は金を含む殆どの金属材料を溶解することができる。王水は腐食性が極端に高く、したがって、調製が容易であるとはいえ、安全面を考慮すると、この方法はやはり当該分野における選択肢として主要なものではない。さらに、再生利用が所望される金属メッキされた部品だけでなく、電子素子の基板自体や他の構成部品にも価値がある。つまり、廃棄された電子素子から目的の金属材料を再生するために王水を使用すると、廃棄された電子素子の他の構成部品も王水の極端に高い腐食性によって破壊されることになり、再生できなくなってしまうので理想的ではない。
【０００５】
シアン化物法はこの分野において主に用いられている金剥離方法である。シアン化物は王水のように弊害をもたらす腐食性という欠点はないが、生物毒性が高いため、作業時および貯蔵時の危険性が高くなる。しかも、シアン化物法により生じる廃液は高濃度のシアン化物を含んでいる。環境・安全規制に対応するためには、廃液を少なくとも５００倍に希釈しなければならない。この追加処理にかかる費用が事業面にも負担をかける。
【０００６】
特許文献１には新規な金剥離組成物が開示されている。その成分は、電気分解法で作用させると再生材料から金を効果的に剥離する。しかしながら、電子素子の中には導電性を持たない基板を採用しているものもあるので、上述の金剥離組成物の適用性は限られている。
【０００７】
上述の内容に鑑みると、取扱いが容易であり、適用範囲が広い金属剥離組成物がこの分野に必要である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】台湾特許出願公開第２０１２４７９４１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の１つの目的は、腐食性が低く、毒性が低く、ｐＨが中性であり、金属剥離作業に使用するのに好ましい金属剥離剤を提供することにある。
本発明の他の目的は、取扱いが容易であり、室温で作用させることが可能な金属剥離組成物を提供することにある。
【００１０】
本発明のさらなる他の目的は、様々な種類の金属に対する幅広い適性を有し、剥離速度がより高い金属剥離方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述の目的を達成するために、本発明は、リン酸塩１０〜４０重量％と、炭酸塩３〜１５重量％と、クエン酸もしくはその誘導体、シュウ酸塩もしくはその誘導体またはリンゴ酸塩もしくはその誘導体の少なくとも１種から選択される成分５〜１５重量％とを含む金属剥離剤を提供する。
【００１２】
好ましくは、金属剥離剤は、次亜塩素酸ナトリウムもしくはその誘導体またはピリジンスルホン酸もしくはその誘導体から選択される少なくとも１種の成分５〜３０重量％をさらに含む。
【００１３】
好ましくは、上記炭酸塩は、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウムまたはこれらの組合せである。
好ましくは、上記リン酸塩は、一塩基性リン酸カリウム、リン酸水素二カリウムまたはこれらの組合せである。
【００１４】
好ましくは、上記クエン酸またはその誘導体は、クエン酸一水和物、クエン酸三ナトリウム一水和物またはこれらの組合せである。
好ましくは、金属剥離剤は、ホウ酸、硫酸塩、金属塩化物、硝酸塩、金属水酸化物から選択される少なくとも１種の成分を含む。
【００１５】
好ましくは、上記硫酸塩は、硫酸ナトリウム、硫酸アンモニウム、硫酸カリウムまたはこれらの組合せである。
好ましくは、上記金属塩化物は、塩化ナトリウム、塩化アンモニウム、塩化カリウムまたはこれらの組合せである。
【００１６】
好ましくは、上記硝酸塩は、硝酸アンモニウム、硝酸カリウム、硝酸ナトリウムまたはこれらの組合せである。
好ましくは、上記金属水酸化物は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムまたはこれらの組合せである。
【００１７】
好ましくは、金属剥離剤のｐＨ値は６．５〜８．０である。
本発明はまた、硝酸４０〜６０％（ｖ／ｖ）と、上記金属剥離剤４０〜６０％（ｖ／ｖ）とを含む金属剥離組成物も提供する。
【００１８】
好ましくは、上記硝酸の濃度は６０〜７０重量％である。
本発明はまた、被処理物を上記金属剥離組成物と接触させるステップを含む、金属を剥離する方法も提供する。
【００１９】
好ましくは、上記接触は、上記被処理物を上記金属剥離組成物中に浸漬することにより行われる。
好ましくは、上記接触は１０℃〜７０℃の温度で行われる。
【００２０】
好ましくは、上記接触は１０秒間〜９００秒間行われる。
好ましくは、上記方法の剥離速度は０．０１μｍ／分〜０．２μｍ／分である。
好ましくは、上記被処理物は電子素子である。
【００２１】
好ましくは、上記電子素子は、中央処理装置、プリント回路板、記憶装置、フリップチップ、携帯電話、またはこれらの組合せである。
好ましくは、上記金属剥離剤および／または上記金属剥離組成物は、シアン化物、鉛、カドミウム、水銀、クロム（ＶＩ）、またはこれらの組合せを含まない。
【００２２】
好ましくは、上記金属は、金、銅、ニッケル、スズ、パラジウムまたはこれらの組合せである。
好ましくは、上記金属剥離剤、上記金属剥離組成物および／または上記方法は、銀、ステンレス鋼、チタン、プラスチックまたはこれらの組合せから作製された物体に害を及ぼさない。
【発明の効果】
【００２３】
総括すると、本発明は、様々な金属を剥離するための金属剥離剤、これを含有する組成物およびこの組成物の使用方法に関する。本発明の金属剥離剤のｐＨは中性であり、したがって、従来法よりも貯蔵および作業時の安全性が高い。さらに、本発明の方法は、室温で実施することができ、所要時間は従来法よりも短い。上述したすべての特徴を有する本発明は、従来法よりも優れている。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１Ａ】本発明の実施形態２の実験１に記載した処理前のＣＰＵの写真である。
【図１Ｂ】本発明の実施形態２の実験１に記載した処理後のＣＰＵの写真である。
【図２Ａ】本発明の実施形態２の実験２に記載した処理前のＰＣＢの写真である。
【図２Ｂ】本発明の実施形態２の実験２に記載した処理後のＰＣＢの写真である。
【図３Ａ】本発明の実施形態２の実験３に記載した処理前のＰＣＢの写真である。
【図３Ｂ】本発明の実施形態２の実験３に記載した処理後のＰＣＢの写真である。
【図４Ａ】本発明の実施形態２の実験４に記載した処理前の記憶装置の写真である。
【図４Ｂ】本発明の実施形態２の実験４に記載した処理後の記憶装置の写真である。
【図５Ａ】本発明の実施形態２の実験５に記載した処理前のチップの写真である。
【図５Ｂ】本発明の実施形態２の実験５に記載した処理後のチップの写真である。
【図６Ａ】本発明の実施形態２の実験６に記載した処理前のチップの写真である。
【図６Ｂ】本発明の実施形態２の実験６に記載した処理後のチップの写真である。
【図７Ａ】本発明の実施形態２の実験７に記載した処理前の携帯電話筐体の写真である。
【図７Ｂ】本発明の実施形態２の実験７に記載した処理後の携帯電話筐体の写真である。
【図８Ａ】本発明の実施形態２の実験８に記載した処理前のステンレス鋼の写真である。
【図８Ｂ】本発明の実施形態２の実験８に記載した処理後のステンレス鋼の写真である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
本発明は、従来の金属剥離法が不十分であることを認識した上で、金属剥離剤およびこれを含有する組成物を提供するものである。本金属剥離組成物は、金の剥離に適しているだけでなく、銅、ニッケル、スズ、パラジウム等の材料の剥離にも適しており、したがって、幅広い種類の金属の再生プロセスに好ましい。
【００２６】
本発明の金属剥離剤は、リン酸塩１０〜４０重量％と、炭酸塩３〜１５重量％と、クエン酸もしくはその誘導体、シュウ酸塩もしくはその誘導体またはリンゴ酸塩もしくはその誘導体から選択される少なくとも１種の成分５〜１５重量％とを含む。驚くべきことに、上述の成分を上述の相対的な濃度で混合すると、金属剥離剤が硝酸と一緒に非常に優れた金属剥離効果を示す。さらに、本金属剥離剤のｐＨ値は６．５〜８．０の中性範囲にあるので、貯蔵時も作業時も安全である。
【００２７】
本発明の他の実施形態において、上記炭酸塩は、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウムまたはこれらの組合せであり、上記リン酸塩は、一塩基性リン酸カリウム、リン酸水素二カリウムまたはこれらの組合せであり、上記クエン酸またはその誘導体は、クエン酸一水和物、クエン酸三ナトリウム一水和物またはこれらの組合せである。
【００２８】
本発明の他の実施形態において、本金属剥離剤は、次亜塩素酸ナトリウムまたはその誘導体、ピリジンスルホン酸またはその誘導体から選択される少なくとも１種の成分５〜３０重量％をさらに含む。
【００２９】
本発明の好ましい実施形態において、本金属剥離剤は、一塩基性リン酸カリウム１０〜４０重量％と、次亜塩素酸ナトリウム５〜３０重量％と、炭酸水素ナトリウム３〜１５重量％と、クエン酸一水和物５〜１５重量％とを含む。
【００３０】
本発明の他の実施形態において、金属剥離剤は、ホウ酸、硫酸塩、金属塩化物、硝酸塩、金属水酸化物から選択される少なくとも１種の成分をさらに含むことができる。別法として、上記硫酸塩は、硫酸ナトリウム、硫酸アンモニウム、硫酸カリウムまたはこれらの組合せであり、上記金属塩化物は、塩化ナトリウム、塩化アンモニウム、塩化カリウムまたはこれらの組合せである。上記硝酸塩は、硝酸アンモニウム、硝酸カリウム、硝酸ナトリウムまたはこれらの組合せである。上記金属水酸化物は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムまたはこれらの組合せである。
【００３１】
本発明の金属剥離組成物は、金属剥離剤および硝酸から調製される。より具体的には、本発明の金属剥離組成物は、硝酸を４０〜６０％（ｖ／ｖ）および金属剥離剤を４０〜６０％（ｖ／ｖ）を含む。別法として、上記硝酸の濃度は６０〜７０重量％、好ましくは、上記硝酸は、濃度６８重量％の市販の硝酸である。
【００３２】
本発明の好ましい実施形態において、金属剥離剤および金属剥離組成物はいずれもシアン化物、鉛、カドミウム、水銀、クロム（ＶＩ）、またはこれらの組合せを含まない。したがって、これらは環境にも作業中の使用者の健康にも害を及ぼさない。
【００３３】
本金属剥離剤および／または金属剥離組成物の特徴の１つは、被処理物上の金、銅、ニッケル、スズ、パラジウムまたはこれらの組合せを分解または剥離するのに有用であるということである。
【００３４】
本金属剥離剤および／または金属剥離組成物の特徴の１つは、銀、ステンレス鋼、チタン、プラスチックまたはこれらの組合せから作製された物体に害を及ぼさないということである。ここで用いる「害を及ぼさない」という語は、本金属剥離剤および／または金属剥離組成物が上述の材料から作製された物体を実質的に溶解も剥離もしないことを意味する。
【００３５】
本金属剥離剤および／または金属剥離組成物の特徴の１つは、生物や環境に悪影響を及ぼすシアン化物、鉛、カドミウム、水銀、クロム（ＶＩ）等の成分を含まないということである。
【００３６】
本発明はまた、被処理物を金属剥離組成物と接触させるステップを含む、金属を剥離する方法も提供する。より具体的には、上記被処理物は、中央処理装置、プリント回路板、記憶装置、フリップチップ、携帯電話、またはこれらの組合せであるが、これらに限定されない。
【００３７】
上記接触は、上記被処理物を上記金属剥離組成物中に浸漬することにより行われ、より具体的には、上記被処理物を容器内で上記金属剥離組成物の浴中に浸漬し、所望の金属が含まれる範囲を上記金属剥離組成物中に完全に浸すことにより行われる。
【００３８】
本発明の開示により、本発明に関連する当業者は、常法に基づき接触時間および温度を調整することができる。好ましくは、本方法は、１０〜７０℃の温度で実施することができる。温度をより高くすると反応速度がより速くなるが、本発明においては室温で十分な金属剥離効率が得られる。したがって本発明は、加熱を必要としないという利点を有する。
【００３９】
さらに、再生すべき金属の量に応じて、当業者は、本発明の接触時間を本発明の開示内容に従い調整することができる。金を例にとると、本方法の剥離速度は０．０１〜０．２μｍ／分である。一般に、本方法の金属剥離プロセスの達成にはわずか１０〜９００秒間を要するのみである。
【００４０】
処理後の金属剥離組成物には剥離された金属が溶解しており、この金属を他の用途に使用するために、この分野において周知の方法（すなわち、電気分解やイオン交換等の精製法）で精製および単離することができる。
【００４１】
本発明の特徴および利点をさらに示すために、以下の実施例を用いて、本発明の研究において実施した実験を示す。以下に示す実施形態は単なる例示であって、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲を限定するものではないと理解すべきである。
【００４２】
［実施形態１］様々な種類の金属に対する剥離組成物の飽和剥離量を求めるための試験
本実施形態では、次に示す成分を含む本発明による剥離剤を使用した：一塩基性リン酸カリウム４０重量パーセント、次亜塩素酸ナトリウム３０重量パーセント、炭酸水素ナトリウム１５重量パーセントおよびクエン酸一水和物１５重量パーセント。ｐＨは７．４であった。調製した剥離剤を市販の硝酸（６８重量％）と５：５の体積比で混合することにより本発明の金属剥離組成物を得た。
【００４３】
上記金属剥離組成物中における様々な材料の溶解度を試験するために、様々な重量の純粋な材料をそれぞれ上記金属剥離組成物に加えた。本実施形態において試験に供した材料は、金、銅、ニッケル、スズ、銀、ステンレス鋼、チタンおよびプラスチックである。作業温度を３０℃とした。
【００４４】
様々な重量で示される各材料の溶解度から、本金属剥離組成物中における各材料の最大溶解度、すなわち求める飽和剥離量を得た。実験結果を次の表１に列記する。
【００４５】
【表１】
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実験結果に従い、本金属剥離組成物の金、銅、ニッケルおよびスズに対する飽和剥離量を得た。本金属剥離組成物は、銀、ステンレス鋼、チタンおよびプラスチックを溶解しないことに注目されたい。つまり、例えば本金属剥離組成物をプラスチック基板上にメッキされた金層の剥離に使用する場合、本金属剥離組成物はプラスチック基板に害を及ぼさない。
【００４６】
［実施形態２］再生材料を用いた剥離組成物の効果の試験
実施形態１で調製した金属剥離組成物を用いて本実施形態の試験を実施した。
（実験１）
厚み１．２５μｍの金層でメッキされたＣＰＵを入手し、本実施形態の金属剥離組成物中に浸漬した。この処理を３０℃で１２分間継続した。図１Ａに処理前のＣＰＵを、図１Ｂに処理後のＣＰＵを示す。図に示した結果によれば、本金属剥離組成物は完全に金層を剥離し、ＣＰＵ基板には害を及ぼさなかった。
【００４７】
（実験２）
金層および銅層（いずれも厚みは０．０７５μｍであった）でメッキされたＰＣＢを入手し、本実施形態の金属剥離組成物中に浸漬した。この処理を３０℃で３分間継続した。図２Ａに処理前のＰＣＢを、図２Ｂに処理後のＰＣＢを示す。図に示した結果によれば、本金属剥離組成物はメッキされた金層および銅層を完全に剥離し、ＰＣＢ基板には害を及ぼさなかった。
【００４８】
（実験３）
金層でメッキされたＰＣＢを入手し、本実施形態の金属剥離組成物中に浸漬した。この処理を３０℃で７分間継続した。図３Ａに処理前のＰＣＢを、図３Ｂに処理後のＰＣＢを示す。図に示した結果によれば、本金属剥離組成物はメッキされた金層を完全に剥離し、ＰＣＢ基板には害を及ぼさなかった。
【００４９】
（実験４）
金層でメッキされた（金メッキ端子）記憶装置を入手し、本実施形態の金属剥離組成物中に浸漬した。この処理を３０℃で３分間継続した。図４Ａに処理前の記憶装置を、図４Ｂに処理後の記憶装置を示す。図に示す結果によれば、本金属剥離組成物はメッキされた金層を完全に剥離し、記憶装置の基板には害を及ぼさなかった。
【００５０】
（実験５）
金層でメッキされた（金メッキ端子）フリップチップを入手し、本実施形態の金属剥離組成物中に浸漬した。この処理を３０℃で２分間継続した。図５Ａに処理前のフリップチップを、図５Ｂに処理後のフリップチップを示す。図に示した結果によれば、本金属剥離組成物はメッキされた金層を完全に剥離し、フリップチップの基板には害を及ぼさなかった。
【００５１】
（実験６）
金層でメッキされた（金メッキ端子）フリップチップを入手し、本実施形態の金属剥離組成物中に浸漬した。この処理を３０℃で９分間継続した。図６Ａに処理前のフリップチップを、図６Ｂに処理後のフリップチップを示す。図に示した結果によれば、本金属剥離組成物はメッキされた金層を完全に剥離し、フリップチップの基板には害を及ぼさなかった。
【００５２】
（実験７）
内蔵アンテナとして金層でメッキされた携帯電話筐体を入手し、本実施形態の本金属剥離組成物中に浸漬した。この処理を３０℃で９０秒間継続した。図７Ａに処理前の筐体を、図７Ｂに処理後の筐体を示す。図に示した結果によれば、本金属剥離組成物は携帯電話筐体にメッキされた金層を完全に剥離し、筐体には害を及ぼさなかった。
【００５３】
（実験８）
金層でメッキされたステンレス鋼板を入手し、本実施形態の金属剥離組成物中に浸漬した。この処理を３０℃で６０秒間継続した。図８Ａに処理前の板を、図８Ｂに処理後の板を示す。図に示した結果によれば、本金属剥離組成物は板上にメッキされた金層を完全に剥離し、板には害を及ぼさなかった。
【００５４】
上記の実験１〜８から、本金属剥離組成物が電子素子上の金または銅材料を室温で速やかに剥離することができること、ならびにこれに関与する電子素子上の他の材料には害を及ぼさないことが分かった。つまり、電子素子上の剥離可能な材料以外の他の材料には他の再生プロセスを施すことができ、廃棄された製品の再生利用価値を最大限にすることができる。
【００５５】
［実施形態３］様々な作業温度における剥離組成物の効果の試験
実施形態１で調製した金属剥離組成物を用いて本実施形態の試験を実施した。
厚み０．０７５μｍの金層でメッキされたＰＣＢ３枚を入手し、本実施形態の金属剥離組成物中に浸漬した。この処理をそれぞれ１０℃、３０℃および５０℃で実施した。金層が完全に剥離された時間を記録し、μｍ／分で定められる剥離速度を求めた。実験結果を次の表２に列記する。
【００５６】
【表２】
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表に記録した結果から、本金属剥離組成物の剥離速度が温度の上昇に伴い増加したことが分かる。加熱コストの削減を考慮する場合、本組成物の剥離速度は室温（３０℃）でも非常に優れていることが分かった。さらに、本組成物は低い作業温度（１０℃）においてさえも良好な剥離速度を示し、このことは、本組成物を用いると高緯度地域でも依然として良好な作用効率を得ることができることを意味する。
【００５７】
［実施形態４］本発明の金属剥離組成物および従来法の効率の比較
実施形態１で調製した金属剥離組成物を用いて本実施形態の試験を実施した。この分野において一般的な王水およびシアン化物も比較として使用した。
【００５８】
厚さ０．０７５μｍの金層でメッキされたＰＣＢ３枚を入手し、本実施形態の金属剥離組成物、王水およびシアン化物中にそれぞれ浸漬した。従来法は５０℃で作業することが必要であったため、本実施形態の実験は５０℃で行った。金層が完全に剥離された時間を記録し、μｍ／分で定められる剥離速度を求めた。実験結果を次の表３に列記する。
【００５９】
【表３】
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上述の実験結果によれば、本発明の金属剥離組成物は、腐食性および毒性が高いという欠点がないだけでなく、従来法と比較して剥離速度が顕著に高かった。安全性や作業効率に関わらず、本組成物が従来法よりも優れた選択肢であることは明白であった。
【００６０】
当業者らは、ここに開示した実施形態に従い、本発明の範囲から逸脱しない様々な変更を認識することができる。したがって、上述の実施形態は本発明を限定するために用いられるべきではなく、添付の特許請求の範囲に従う本発明の趣旨および範囲内のあらゆる変更を包含することを意図するものとする。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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