(57)【要約】【課題】配線と画素との間に作用する寄生容量を抑制し、かつ開口率の低減を抑制する液晶表示パネル及び電子機器を提供する。【解決手段】液晶表示パネルは、延設部２４Ａを備える。延設部２４Ａは、走査線２４がＸ方向に延在する、ＴＦＴ基板の表面と平行な平面と同じ平面に設けられている金属の配線であり、走査線２４から延びる導電性の金属である。延設部２４Ａは、Ｚ方向において隙間Ｓｐに一部が重なり合うが、開口領域Ｏｐに重なり合わない。【選択図】図４
2014139645.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置される液晶層と、を備える液晶表示パネルであって、
前記第１基板は、
マトリクス状に配置された複数の画素電極と、
前記画素電極に第１コンタクト部で接続する薄膜トランジスタと、
前記第１基板の表面に垂直な方向において前記薄膜トランジスタの半導体層と異なる層にあり、かつ前記半導体層の一部と立体交差して走査線となる複数の第１金属配線と、
前記第１金属配線が延在する第１方向とは異なる、第２方向に延在することで前記第１金属配線と立体交差し、かつ前記薄膜トランジスタの第２コンタクト部に接続され信号線となる複数の第２金属配線と、
前記第２金属配線がある、前記第１基板の表面と平行な平面に配置され、隣り合う第２金属配線の間で前記第１コンタクト部に接続される第３金属配線と、
前記第１金属配線、前記第２金属配線及び前記第３金属配線を絶縁する絶縁層と、
前記第１金属配線の金属の一部が前記第２方向に突出して延びる延設部と、
を含み、
前記延設部は、突出する長さが前記第１金属配線よりも遠い側の第３金属配線の端部を超えず、かつ前記延設部の一部は、前記第１基板の表面に垂直な方向において前記第３金属配線と前記第２金属配線との間にある隙間と重なり合う位置に配置されている、液晶表示パネル。
【請求項２】
前記延設部は、前記第１基板の表面に垂直な方向において、前記第２金属配線と重なり合わない、請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項３】
前記延設部は、前記第１基板の表面に垂直な方向において、前記第２金属配線と重なり合うとともに、前記第２金属配線から前記隙間にはみ出す幅を有している、請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項４】
前記半導体層は、前記第１基板の表面に垂直な方向において前記第１金属配線と前記第２金属配線との間の平面に配置されている、請求項１から３のいずれか１項に記載の液晶表示パネル。
【請求項５】
前記延設部は、前記第１基板の表面に垂直な方向において、前記第３金属配線と重なり合うとともに前記第３金属配線と前記第２金属配線との隙間にはみ出す幅を有している、請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項６】
前記延設部は、前記走査線と同電位である、請求項１から５のいずれか１項に記載の液晶表示パネル。
【請求項７】
前記薄膜トランジスタは、第１のチャネルと、第２のチャネルとを備えるダブルゲートトランジスタであって、第１のチャネルと、第２のチャネルとが平行に延在する、請求項１から６のいずれか１項に記載の液晶表示パネル。
【請求項８】
第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置される液晶層と、を備える液晶表示パネルであって、
前記第１基板は、
マトリクス状に配置された複数の画素電極と、
前記画素電極よりも前記第１基板の表面寄りに設けられた透明な共通電極と、
前記画素電極に第１コンタクト部で接続する薄膜トランジスタと、
前記第１基板の表面に垂直な方向において前記薄膜トランジスタの半導体層と異なる層にあり、かつ前記半導体層の一部と立体交差して走査線となる複数の第１金属配線と、
前記第１金属配線が延在する第１方向とは異なる、第２方向に延在することで前記第１金属配線と立体交差し、かつ前記第２コンタクト部に接続され信号線となる複数の第２金属配線と、
前記第２金属配線がある、前記第１基板の表面と平行な平面に配置され、隣り合う第２金属配線の間で前記第１コンタクト部に接続される第３金属配線と、
前記共通電極と、前記第１金属配線、前記第２金属配線及び前記第３金属配線を絶縁する絶縁層と、を含み、
前記第１基板の表面に垂直な方向において前記第３金属配線と重なり合う、前記共通電極と前記第１基板の表面との間にある厚みが、隣り合う第２金属配線の間で前記第３金属配線のない領域における、前記共通電極と前記第１基板の表面との間にある厚みより小さい、液晶表示パネル。
【請求項９】
前記第１基板の表面に垂直な方向において前記第３金属配線と重なり合う、前記共通電極と前記第１基板の表面との間にある厚みが、第２金属配線と重なり合う前記共通電極と前記第１基板の表面との間にある厚みより小さい、請求項８に記載の液晶表示パネル。
【請求項１０】
第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置される液晶層と、を備える液晶表示パネルであって、
前記第１基板は、
マトリクス状に配置された複数の画素電極と、
前記画素電極に第１コンタクト部で接続する薄膜トランジスタと、
前記第１基板の表面に垂直な方向において前記薄膜トランジスタの半導体層と異なる層にあり、かつ前記半導体層の一部と立体交差して走査線となる複数の第１金属配線と、
前記第１金属配線が延在する第１方向とは異なる、第２方向に延在することで前記第１金属配線と立体交差し、かつ前記薄膜トランジスタの第２コンタクト部に接続され信号線となる複数の第２金属配線と、
前記第２金属配線がある、前記第１基板の表面と平行な平面に配置され、隣り合う第２金属配線の間で前記第１コンタクト部に接続される第３金属配線と、
前記第１金属配線、前記第２金属配線及び前記第３金属配線を絶縁する絶縁層と、
前記第１基板の垂直な方向において、前記第１金属配線と前記第２金属配線とが立体交差する交差点から前記第１金属配線が延在する前記第１方向の延長線上にある前記第１コンタクト部を、前記第２方向にずれた位置で迂回する前記第１金属配線の迂回部と、
を含む、液晶表示パネル。
【請求項１１】
前記薄膜トランジスタは、第１のチャネルと、第２のチャネルとを備えるダブルゲートトランジスタであって、第１のチャネルと、第２のチャネルとが平行に延在し、前記第１基板の垂直な方向において、第１のチャネルが前記第１金属配線と重なり合い、第２のチャネルが前記迂回部と重なり合う、請求項１０に記載の液晶表示パネル。
【請求項１２】
液晶表示パネルを備える電子機器であって、
前記液晶表示パネルは、
第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置される液晶層と、を備え、
前記第１基板は、
マトリクス状に配置された複数の画素電極と、
前記画素電極に第１コンタクト部で接続する薄膜トランジスタと、
前記第１基板の表面に垂直な方向において前記薄膜トランジスタの半導体層と異なる層にあり、かつ前記半導体層の一部と立体交差して走査線となる複数の第１金属配線と、
前記第１金属配線が延在する第１方向とは異なる、第２方向に延在することで前記第１金属配線と立体交差し、かつ前記薄膜トランジスタの第２コンタクト部に接続され信号線となる複数の第２金属配線と、
前記第２金属配線がある、前記第１基板の表面と平行な平面に配置され、隣り合う第２金属配線の間で前記第１コンタクト部に接続される第３金属配線と、
前記第１金属配線、前記第２金属配線及び前記第３金属配線を絶縁する絶縁層と、
前記第１金属配線の金属の一部が前記第２方向に突出して延びる延設部と、
を含み、
前記延設部は、突出する長さが前記第１金属配線よりも遠い側の第３金属配線の端部を超えず、かつ前記延設部の一部は、前記第１基板の表面に垂直な方向において前記第３金属配線と前記第２金属配線との間にある隙間と重なり合う位置に配置されている、電子機器。
【請求項１３】
液晶表示パネルを備える電子機器であって、
前記液晶表示パネルは、
第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置される液晶層と、を備え、
前記第１基板は、
マトリクス状に配置された複数の画素電極と、
前記画素電極よりも前記第１基板の表面寄りに設けられた透明な共通電極と、
前記画素電極に第１コンタクト部で接続する薄膜トランジスタと、
前記第１基板の表面に垂直な方向において前記薄膜トランジスタの半導体層と異なる層にあり、かつ前記半導体層の一部と立体交差して走査線となる複数の第１金属配線と、
前記第１金属配線が延在する第１方向とは異なる、第２方向に延在することで前記第１金属配線と立体交差し、かつ前記薄膜トランジスタの第２コンタクト部に接続され信号線となる複数の第２金属配線と、
前記第２金属配線がある、前記第１基板の表面と平行な平面に配置され、隣り合う第２金属配線の間で前記第１コンタクト部に接続される第３金属配線と、
前記共通電極と、前記第１金属配線、前記第２金属配線及び前記第３金属配線を絶縁する絶縁層と、を含み、
前記第１基板の表面に垂直な方向において前記第３金属配線と重なり合う、前記共通電極と前記第１基板の表面との間にある厚みが、隣り合う第２金属配線の間で前記第３金属配線のない領域における、前記共通電極と前記第１基板の表面との間にある厚みより小さい、電子機器。
【請求項１４】
液晶表示パネルを備える電子機器であって、
前記液晶表示パネルは、
第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置される液晶層と、を備え、
前記第１基板は、
マトリクス状に配置された複数の画素電極と、
前記画素電極に第１コンタクト部で接続する薄膜トランジスタと、
前記第１基板の表面に垂直な方向において前記薄膜トランジスタの半導体層と異なる層にあり、かつ前記半導体層の一部と立体交差して走査線となる複数の第１金属配線と、
前記第１金属配線が延在する第１方向とは異なる、第２方向に延在することで前記第１金属配線と立体交差し、かつ前記薄膜トランジスタの第２コンタクト部に接続され信号線となる複数の第２金属配線と、
前記第２金属配線がある、前記第１基板の表面と平行な平面に配置され、隣り合う第２金属配線の間で前記第１コンタクト部に接続される第３金属配線と、
前記第１金属配線、前記第２金属配線及び前記第３金属配線を絶縁する絶縁層と、
前記第１基板の垂直な方向において、前記第１金属配線と前記第２金属配線とが立体交差する交差点から前記第１金属配線が延在する方向の延長線上にある前記第１コンタクト部を迂回する前記第１金属配線と接続され、前記第１金属配線と平行な前記第１金属配線の迂回部と、を含む、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、液晶を備える液晶表示パネルに関する。また、本開示は、液晶を備える液晶表示パネルを備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や電子ペーパーなどのモバイル機器向けの表示装置の需要が高くなっている。このような表示装置は、画素がマトリクス状に配置されている表示エリア部と、表示エリア部の各画素を行単位で選択する垂直駆動回路と、垂直駆動回路によって選択された行の各画素に対して画像信号を供給する水平駆動回路とを備えている。
【０００３】
表示装置は、垂直駆動回路や水平駆動回路と接続する配線が表示エリア部に配置されている。表示装置は、これらの配線と画素との間に作用する寄生容量が生じる。表示エリア部の高精細化が進むと画素の面積が小さくなり、配線と画素との間に作用する寄生容量が大きくなる。
【０００４】
また、特許文献１に記載の技術では、保護膜として無機絶縁膜を使用する液晶表示素子の構造において、光を遮断すると同時にデータ配線と画素電極との間で発生する寄生キャパシタンスを最小化することのできる遮光金属を前記データ配線と画素電極との間に追加で配置して、ブラックマトリックス層の線幅を減らして開口率を向上させ、前記データ配線と画素電極との間の寄生キャパシタンスを最小化して画像品質を向上させることのできる表示装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２８４２５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、表示装置は、高精細化が要望されている。表示装置は、高精細化すると、画素が増加するため、配線が増加し、配線を配置するためのスペースが増える。このため、表示パネル上における配線の占有率が増え、光を透過する範囲である開口の割合、つまり開口率が小さくなっていく。表示装置は、開口率が小さくなると、光源から出射される光の量に対して、表示パネルを通過できる光の量が少なくなる。
【０００７】
これに対して、特許文献１に記載の表示装置は、ブラックマトリックス層の線幅を減らして開口率を向上している。しかしながら、遮光金属自体によって開口率が制限されるため、配線と画素との間に作用する寄生容量の抑制と開口率の維持との両立に限界がある。
【０００８】
本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、配線と画素との間に作用する寄生容量を抑制し、かつ開口率の低減を抑制する液晶表示パネル及び電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示による液晶表示パネルは、第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置される液晶層と、を備える液晶表示パネルであって、前記第１基板は、マトリクス状に配置された複数の画素電極と、前記画素電極に第１コンタクト部で接続する薄膜トランジスタと、前記第１基板の表面に垂直な方向において前記薄膜トランジスタの半導体層と異なる層にあり、かつ前記半導体層の一部と立体交差して走査線となる複数の第１金属配線と、前記第１金属配線が延在する第１方向とは異なる、第２方向に延在することで前記第１金属配線と立体交差し、かつ前記薄膜トランジスタの第２コンタクト部に接続され信号線となる複数の第２金属配線と、前記第２金属配線がある、前記第１基板の表面と平行な平面に配置され、隣り合う第２金属配線の間で前記第１コンタクト部に接続される第３金属配線と、前記第１金属配線、前記第２金属配線及び前記第３金属配線を絶縁する絶縁層と、前記第１金属配線の金属の一部が前記第２方向に突出して延びる延設部と、を含み、前記延設部は、突出する長さが前記第１金属配線よりも遠い側の第３金属配線の端部を超えず、かつ前記延設部の一部は、前記第１基板の表面に垂直な方向において前記第３金属配線と前記第２金属配線との間にある隙間と重なり合う位置に配置されている。
【００１０】
本開示による液晶表示パネルは、第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置される液晶層と、を備える液晶表示パネルであって、前記第１基板は、マトリクス状に配置された複数の画素電極と、前記画素電極よりも前記第１基板の表面寄りに設けられた透明な共通電極と、前記画素電極に第１コンタクト部で接続する薄膜トランジスタと、前記第１基板の表面に垂直な方向において前記薄膜トランジスタの半導体層と異なる層にあり、かつ前記半導体層の一部と立体交差して走査線となる複数の第１金属配線と、前記第１金属配線が延在する第１方向とは異なる、第２方向に延在することで前記第１金属配線と立体交差し、かつ前記第２コンタクト部に接続され信号線となる複数の第２金属配線と、前記第２金属配線がある、前記第１基板の表面と平行な平面に配置され、隣り合う第２金属配線の間で前記第１コンタクト部に接続される第３金属配線と、前記共通電極と、前記第１金属配線、前記第２金属配線及び前記第３金属配線を絶縁する絶縁層と、を含み、前記第１基板の表面に垂直な方向において前記第３金属配線と重なり合う、前記共通電極と前記第１基板の表面との間にある厚みが、隣り合う第２金属配線の間で前記第３金属配線のない領域における、前記共通電極と前記第１基板の表面との間にある厚みより小さい。
【００１１】
本開示による液晶表示パネルは、第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置される液晶層と、を備える液晶表示パネルであって、前記第１基板は、マトリクス状に配置された複数の画素電極と、前記画素電極に第１コンタクト部で接続する薄膜トランジスタと、前記第１基板の表面に垂直な方向において前記薄膜トランジスタの半導体層と異なる層にあり、かつ前記半導体層の一部と立体交差して走査線となる複数の第１金属配線と、前記第１金属配線が延在する第１方向とは異なる、第２方向に延在することで前記第１金属配線と立体交差し、かつ前記薄膜トランジスタの第２コンタクト部に接続され信号線となる複数の第２金属配線と、前記第２金属配線がある、前記第１基板の表面と平行な平面に配置され、隣り合う第２金属配線の間で前記第１コンタクト部に接続される第３金属配線と、前記第１金属配線、前記第２金属配線及び前記第３金属配線を絶縁する絶縁層と、前記第１基板の垂直な方向において、前記第１金属配線と前記第２金属配線とが立体交差する交差点から前記第１金属配線が延在する前記第１方向の延長線上にある前記第１コンタクト部を、前記第２方向にずれた位置で迂回する前記第１金属配線の迂回部と、を含む。
【００１２】
本開示の電子機器は、上記液晶表示パネルを備えたものである。本開示の電子機器は、例えば、テレビジョン装置、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、ビデオカメラあるいは携帯電話等の携帯端末装置などが該当する。
【発明の効果】
【００１３】
本開示による液晶表示パネル及び電子機器によれば、配線と画素との間に作用する寄生容量を抑制し、かつ開口率の低減を抑制する液晶表示パネル及び電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、実施形態１、２及び変形例に係る液晶表示パネルの構成の一例を表す説明図である。
【図２】図２は、図１の液晶表示パネルのシステム構成例を表すブロック図である。
【図３】図３は、画素を駆動する駆動回路の一例を示す回路図である。
【図４】図４は、実施形態１に係る液晶表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。
【図５】図５は、図４のＶ−Ｖ線断面図である。
【図６】図６は、図４のＶＩ−ＶＩ線断面に示される電気力線の模式図である。
【図７】図７は、評価例に係る液晶表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。
【図８】図８は、図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線断面に示される電気力線の模式図である。
【図９】図９は、カラム反転駆動をした表示領域を説明するための模式図である。
【図１０】図１０は、カラム反転駆動をした表示領域を説明するための模式図である。
【図１１】図１１は、カラム反転駆動をした場合の信号線電位と、画素電位との関係を説明するための模式図である。
【図１２】図１２は、表示領域に生じるクロストークを説明するための模式図である。
【図１３】図１３は、ドット反転駆動をした表示領域を説明するための模式図である。
【図１４】図１４は、ドット反転駆動をした表示領域を説明するための模式図である。
【図１５】図１５は、ドット反転駆動をした場合の信号線電位と、画素電位との関係を説明するための模式図である。
【図１６】図１６は、実施形態１の第１変形例に係る液晶表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。
【図１７】図１７は、図１６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線断面に示される電気力線の模式図である。
【図１８】図１８は、実施形態１の第２変形例に係る液晶表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。
【図１９】図１９は、図１８のＸＩＸ−ＸＩＸ線断面に示される電気力線の模式図である。
【図２０】図２０は、実施形態１の第３変形例に係る液晶表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。
【図２１】図２１は、図２０のＸＸＩ−ＸＸＩ線断面図である。
【図２２】図２２は、図２０のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ線断面に示される電気力線の模式図である。
【図２３】図２３は、実施形態２に係る液晶表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。
【図２４】図２４は、図２３のＸＸＩＩＩＩ−ＸＸＩＩＩＩ線断面に示される構造を模式的に示す模式図である。
【図２５】図２５は、図７のＸＸＶ−ＸＸＶ線断面に示される構造を模式的に示す模式図である。
【図２６】図２６は、図２３のＸＸＶＩ−ＸＸＶＩ線断面に示される電気力線の模式図である。
【図２７】図２７は、実施形態２の変形例に係る液晶表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。
【図２８】図２８は、図２７のＸＸＶＩＩ−ＸＸＶＩＩ線断面に示される電気力線の模式図である。
【図２９】図２９は、実施形態１、２及び変形例に係る液晶表示パネルを適用する電子機器の一例を示す図である。
【図３０】図３０は、実施形態１、２及び変形例に係る液晶表示パネルを適用する電子機器の一例を示す図である。
【図３１】図３１は、実施形態１、２及び変形例に係る液晶表示パネルを適用する電子機器の一例を示す図である。
【図３２】図３２は、実施形態１、２及び変形例に係る液晶表示パネルを適用する電子機器の一例を示す図である。
【図３３】図３３は、実施形態１、２及び変形例に係る液晶表示パネルを適用する電子機器の一例を示す図である。
【図３４】図３４は、実施形態１、２及び変形例に係る液晶表示パネルを適用する電子機器の一例を示す図である。
【図３５】図３５は、実施形態１、２及び変形例に係る液晶表示パネルを適用する電子機器の一例を示す図である。
【図３６】図３６は、実施形態１、２及び変形例に係る液晶表示パネルを適用する電子機器の一例を示す図である。
【図３７】図３７は、実施形態１、２及び変形例に係る液晶表示パネルを適用する電子機器の一例を示す図である。
【図３８】図３８は、実施形態１、２及び変形例に係る液晶表示パネルを適用する電子機器の一例を示す図である。
【図３９】図３９は、実施形態１、２及び変形例に係る液晶表示パネルを適用する電子機器の一例を示す図である。
【図４０】図４０は、実施形態１、２及び変形例に係る液晶表示パネルを適用する電子機器の一例を示す図である。
【図４１】図４１は、実施形態１、２及び変形例に係る液晶表示パネルを適用する電子機器の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本開示を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本開示が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施形態（液晶表示パネル）
１−１．実施形態１
１−２．実施形態２
２．適用例（電子機器）
３．本開示の構成
上記実施の形態に係る液晶表示パネルが電子機器に適用されている例
【００１６】
＜１．実施形態（液晶表示パネル）＞
＜１−１．実施形態１＞
[構成]
図１は、実施形態１、２及び変形例に係る液晶表示パネルの構成の一例を表す説明図である。図２は、図１の液晶表示パネルのシステム構成例を表すブロック図である。図１は模式的に表したものであり、実際の寸法、形状と同一とは限らない。なお、表示装置１が本開示の「液晶表示パネル」の一具体例に相当する。
【００１７】
表示装置１は、透過型、または半透過型の表示装置であり、液晶表示パネル２と、ドライバＩＣ３と、バックライト６と、を備えている。表示装置１は、バックライト６を備えない、反射型の表示装置であってもよい。図示しないフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ（Flexible  Printed  Circuits））は、ドライバＩＣ３への外部信号またはドライバＩＣ３を駆動する駆動電力を伝送する。液晶表示パネル２は、透明絶縁基板、例えばガラス基板１１と、ガラス基板１１の表面にあり、液晶セルを含む画素がマトリクス状（行列状）に多数配置されてなる表示エリア部２１と、水平ドライバ（水平駆動回路）２３と、垂直ドライバ（垂直駆動回路）２２Ａ、２２Ｂと、を備えている。垂直ドライバ（垂直駆動回路）２２Ａ、２２Ｂは、第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂとして、表示エリア部２１を挟むように配置されている。ガラス基板１１は、能動素子（例えば、トランジスタ）を含む多数の画素回路がマトリクス状に配置形成される第１基板と、この第１の基板と所定の間隙をもって対向して配置される第２基板とを含む。そして、ガラス基板１１は、第１基板、第２基板の間に液晶が封入される液晶層を有する。
【００１８】
液晶表示パネル２の額縁１１ｇｒ、１１ｇｌは、ガラス基板１１の表面にあり、液晶セルを含む画素がマトリクス状（行列状）に多数配置されてなる表示エリア部２１がない、非表示領域である。垂直ドライバ２２Ａ、２２Ｂは、額縁１１ｇｒ、１１ｇｌに配置されている。
【００１９】
バックライト６は、液晶表示パネル２の裏面側（画像を表示する面とは反対側の面）に配置されている。バックライト６は、液晶表示パネル２に向けて光を照射し、表示エリア部２１の全面に光を入射させる。バックライト６は、例えば光源と、光源から出力された光を導いて、液晶表示パネル２の裏面に向けて出射させる導光版と、を含む。
【００２０】
（表示装置のシステム構成例）
液晶表示パネル２は、ガラス基板１１上に、表示エリア部２１と、インターフェース（Ｉ／Ｆ）及びタイミングジェネレータの機能を備えるドライバＩＣ３と、第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂ及び水平ドライバ２３とを備えている。
【００２１】
表示エリア部２１は、液晶層を含む画素Ｖｐｉｘが、表示上の１画素を構成するユニットがｍ行×ｎ列に配置されたマトリクス（行列状）構造を有している。なお、この明細書において、行とは、一方向に配列されるｎ個の画素Ｖｐｉｘを有する画素行をいう。また、列とは、行が配列される方向と直交する方向に配列されるｍ個の画素Ｖｐｉｘを有する画素列をいう。そして、ｍとｎとの値は、垂直方向の表示解像度と水平方向の表示解像度に応じて定まる。表示エリア部２１は、画素Ｖｐｉｘのｍ行ｎ列の配列に対して行ごとに走査線２４１、２４２、２４３・・・２４ｍが配線され、列ごとに信号線２５１、２５２、２５３・・・２５ｎが配線されている。以後、本実施形態においては、走査線２４１、２４２、２４３・・・２４ｍを代表して走査線２４のように表記し、信号線２５１、２５２、２５３・・・２５ｎを代表して信号線２５のように表記することがある。また、本実施形態においては、走査線２４１、２４２、２４３・・・２４ｍを代表して走査線２４ｍ＋１、２４ｍ＋２、２４ｍ＋３のように表記し、信号線２５１、２５２、２５３・・・２５ｎを代表して信号線２５ｎ＋１、２５ｎ＋２、２５ｎ＋３のように表記することもある。表示エリア部２１は、正面に直交する方向から見た場合、走査線２４と信号線２５がカラーフィルタのブラックマトリクスと重なる領域に配置されている。また、表示エリア部２１は、ブラックマトリクスが配置されていない領域が開口部となる。
【００２２】
液晶表示パネル２には、外部から外部信号である、マスタークロック、水平同期信号及び垂直同期信号が入力され、ドライバＩＣ３に与えられる。ドライバＩＣ３は、外部電源の電圧振幅のマスタークロック、水平同期信号及び垂直同期信号を、液晶の駆動に必要な内部電源の電圧振幅にレベル変換（昇圧）し、マスタークロック、水平同期信号及び垂直同期信号を生成する。ドライバＩＣ３は、生成したマスタークロック、水平同期信号及び垂直同期信号をそれぞれ第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂ及び水平ドライバ２３に与える。ドライバＩＣ３は、画素Ｖｐｉｘ毎の画素電極に対して各画素共通に与えるコモン電位（対向電極電位）Ｖｃｏｍを生成して表示エリア部２１に与える。
【００２３】
第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂは、後述するシフトレジスタを含み、さらにラッチ回路等を含む。第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂは、ラッチ回路が、垂直クロックパルスに同期してドライバＩＣ３から出力される表示データを１水平期間で順次サンプリングしラッチする。第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂは、ラッチ回路においてラッチされた１ライン分のデジタルデータを垂直走査パルスとして順に出力し、表示エリア部２１の走査線２４ｍ＋１、２４ｍ＋２、２４ｍ＋３・・・に与えることによって画素Ｖｐｉｘを行単位で順次選択する。第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂは、走査線２４ｍ＋１、２４ｍ＋２、２４ｍ＋３・・・の延在方向に走査線２４ｍ＋１、２４ｍ＋２、２４ｍ＋３・・・を挟むように配置されている。第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂは、例えば、走査線２４ｍ＋１、２４ｍ＋２、２４ｍ＋３・・・の表示エリア部２１の上寄り、垂直走査上方向から、表示エリア部２１の下寄り、垂直走査下方向へ順にデジタルデータを出力する。また、第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂは、走査線２４ｍ＋１、２４ｍ＋２、２４ｍ＋３・・・の表示エリア部２１の下寄り、垂直走査下方向から、表示エリア部２１の上寄り、垂直走査上方向へ順にデジタルデータを出力することもできる。
【００２４】
水平ドライバ２３には、例えば６ビットのＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のデジタル映像データＶｓｉｇが与えられる。水平ドライバ２３は、第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂによる垂直走査によって選択された行の各画素Ｖｐｉｘに対して、画素ごとに、もしくは複数画素ごとに、あるいは全画素一斉に、信号線２５を介して表示データを書き込む。
【００２５】
（液晶表示パネルの駆動方式）
表示エリア部２１には、図３に示す各画素Ｖｐｉｘの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）Ｔｒに表示データとして画素信号を供給する信号線２５ｎ＋１、２５ｎ＋２、２５ｎ＋３、各薄膜トランジスタＴｒを駆動する走査線２４ｍ＋１、２４ｍ＋２、２４ｍ＋３等の配線が形成されている。このように、信号線２５ｎ＋１、２５ｎ＋２、２５ｎ＋３は、上述したガラス基板１１の表面と平行な平面に延在し、画素Ｖｐｉｘに画像を表示するための画素信号を供給する。画素Ｖｐｉｘは、薄膜トランジスタＴｒ及び液晶素子ＬＣを備えている。薄膜トランジスタＴｒは、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）型のＴＦＴで構成されている。薄膜トランジスタＴｒのソース及びドレインのうち一方は信号線２５ｎ＋１、２５ｎ＋２、２５ｎ＋３に接続され、ゲートは走査線２４ｍ＋１、２４ｍ＋２、２４ｍ＋３に接続され、ソース及びドレインのうち他方は液晶素子ＬＣの一端に接続されている。液晶素子ＬＣは、一端が薄膜トランジスタＴｒに接続され、他端が共通電極ＣＯＭＬのコモン電位Ｖｃｏｍに接続されている。
【００２６】
画素Ｖｐｉｘは、走査線２４ｍ＋１、２４ｍ＋２、２４ｍ＋３により、表示エリア部２１の同じ行に属する他の画素Ｖｐｉｘと互いに接続されている。走査線２４ｍ＋１、２４ｍ＋２、２４ｍ＋３のうち奇数の走査線２４ｍ＋１、２４ｍ＋３は、第１垂直ドライバ２２Ａと接続され、第１垂直ドライバ２２Ａから後述する走査信号の垂直走査パルスＶｇａｔｅが供給される。走査線２４ｍ＋１、２４ｍ＋２、２４ｍ＋３のうち偶数の走査線２４ｍ＋２、２４ｍ＋４は、第２垂直ドライバ２２Ｂと接続され、第２垂直ドライバ２２Ｂから、後述する走査信号の垂直走査パルスＶｇａｔｅが供給される。このように、第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂは、走査方向の走査線２４ｍ＋１、２４ｍ＋２、２４ｍ＋３に交互に垂直走査パルスＶｇａｔｅを印加する。また、画素Ｖｐｉｘは、信号線２５ｎ＋１、２５ｎ＋２、２５ｎ＋３により、表示エリア部２１の同じ列に属する他の画素Ｖｐｉｘと互いに接続されている。信号線２５ｎ＋１、２５ｎ＋２、２５ｎ＋３は、水平ドライバ２３と接続され、水平ドライバ２３より画素信号が供給される。さらに、画素Ｖｐｉｘは、共通電極ＣＯＭＬのコモン電位Ｖｃｏｍにより、表示エリア部２１の同じ列に属する他の画素Ｖｐｉｘと互いに接続されている。共通電極ＣＯＭＬのコモン電位Ｖｃｏｍは、不図示の駆動電極ドライバと接続され、駆動電極ドライバより電圧が供給される。
【００２７】
図１及び図２に示す第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂは、垂直走査パルスＶｇａｔｅを、図３に示す走査線２４ｍ＋１、２４ｍ＋２、２４ｍ＋３を介して、画素Ｖｐｉｘの薄膜トランジスタＴｒのゲートに印加することにより、表示エリア部２１にマトリクス状に形成されている画素Ｖｐｉｘのうちの１行（１水平ライン）を表示駆動の対象として順次選択する。図１及び図２に示す水平ドライバ２３は、画素信号を、図３に示す信号線２５ｎ＋１、２５ｎ＋２、２５ｎ＋３を介して、第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂにより順次選択される１水平ラインを含む各画素Ｖｐｉｘにそれぞれ供給する。そして、これらの画素Ｖｐｉｘでは、供給される画素信号に応じて、１水平ラインの表示が行われるようになっている。
【００２８】
上述したように、表示装置１は、第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂが走査線２４ｍ＋１、２４ｍ＋２、２４ｍ＋３を順次走査するように駆動することにより、１水平ラインが順次選択される。また、表示装置１は、１水平ラインに属する画素Ｖｐｉｘに対して、水平ドライバ２３が画素信号を供給することにより、１水平ラインずつ表示が行われる。この表示動作を行う際、駆動電極ドライバは、その１水平ラインに対応する共通電極ＣＯＭＬのコモン電位Ｖｃｏｍを印加するようになっている。
【００２９】
表示装置１は、液晶素子ＬＣに同極性の直流電圧が印加され続けることによって液晶の比抵抗（物質固有の抵抗値）等が劣化する可能性がある。表示装置１は、液晶の比抵抗（物質固有の抵抗値）等の劣化を防ぐため、駆動信号のコモン電位Ｖｃｏｍを基準として映像信号の極性を所定の周期で反転させる駆動方式が採られる。
【００３０】
この液晶表示パネルの駆動方式として、カラム反転、ライン反転、ドット反転、フレーム反転などの駆動方式が知られている。カラム反転は、１カラム（１画素列）に相当する１Ｖ（Ｖは垂直期間）の時間周期で映像信号の極性を反転させる駆動方式である。ライン反転は、１ライン（１画素行）に相当する１Ｈ（Ｈは水平期間）の時間周期で映像信号の極性を反転させる駆動方式である。ドット反転は、互いに隣接する上下左右の画素毎に映像信号の極性を交互に反転させる駆動方式である。フレーム反転は、１画面に相当する１フレーム毎に全画素に書き込む映像信号を一度に同じ極性で反転させる駆動方式である。表示装置１は、上記の各駆動方式のいずれを採用することも可能である。
【００３１】
次に、表示エリア部２１の構成を詳細に説明する。図４は、実施形態１に係る液晶表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。図５は、図４のＶ−Ｖ線断面図である。図６は、図４のＶＩ−ＶＩ線断面に示される電気力線の模式図である。表示エリア部２１は、図５に示すように、画素基板７０Ａと、この画素基板７０Ａの表面に垂直な方向に対向して配置された対向基板７０Ｂと、画素基板７０Ａと対向基板７０Ｂとの間に挿設された液晶層７０Ｃとを備えている。なお、画素基板７０Ａの液晶層７０Ｃとは反対側の面には、バックライト６が配置されている。
【００３２】
液晶層７０Ｃは、電界の状態に応じてそこを通過する光を変調するものであり、ＦＦＳ（フリンジフィールドスイッチング）またはＩＰＳ（インプレーンスイッチング）等の横電界モードの液晶を用いた液晶表示デバイスが用いられる。液晶層７０Ｃは、例えば、ＴＮ（Twisted  Nematic：ツイステッドネマティック）、ＶＡ（Vertical  Alignment：垂直配向）、ＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence：電界制御複屈折）等の各種モードの液晶であってもよい。なお、図５に示す液晶層７０Ｃと画素基板７０Ａとの間、及び液晶層７０Ｃと対向基板７０Ｂとの間には、それぞれ配向膜が配設されてもよい。
【００３３】
対向基板７０Ｂは、ガラス基板７５と、このガラス基板７５の一方の面に形成されたカラーフィルタ７６を含む。カラーフィルタ７６は、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に着色された色領域を含む。カラーフィルタ７６は、開口部７６ｂに例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に着色された色領域を周期的に配列して、図３に示す各画素ＶｐｉｘにＲ、Ｇ、Ｂの３色の色領域が１組として画素Ｐｉｘとして対応付けられている。カラーフィルタ７６は、ＴＦＴ基板７１と垂直な方向において、液晶層７０Ｃと対向する。なお、カラーフィルタ７６は、異なる色に着色されていれば、他の色の組み合わせであってもよい。一般に、カラーフィルタ７６は、緑（Ｇ）の色領域の輝度が、赤（Ｒ）の色領域及び青（Ｂ）の色領域の輝度よりも高い。なお、ブラックマトリクス７６ａが図３に示す画素Ｖｐｉｘの外周を覆うように形成されていてもよい。このブラックマトリクス７６ａは、二次元配置された画素Ｖｐｉｘと画素Ｖｐｉｘとの境界に配置されることで、格子形状となる。そして、ブラックマトリクスは、光の吸収率が高い材料で形成される。
【００３４】
画素基板７０Ａは、回路基板としてのＴＦＴ基板７１と、このＴＦＴ基板７１上にマトリクス状に配設された複数の画素電極７２と、ＴＦＴ基板７１及び画素電極７２の間に形成された共通電極ＣＯＭＬと、画素電極７２と共通電極ＣＯＭＬとを絶縁する絶縁層７４と、を含む。共通電極ＣＯＭＬは、ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）等の透明導電材料（透明導電酸化物）で形成される透明電極である。
【００３５】
ＴＦＴ基板７１には、上述した各画素Ｖｐｉｘの薄膜トランジスタＴｒが形成された半導体層９２、各画素電極７２に画素信号を供給する信号線２５、薄膜トランジスタＴｒを駆動する走査線２４等の配線が絶縁層７４を介して積層されている。絶縁層７４は、例えば、走査線２４と半導体層９２との間の絶縁膜７４１と、半導体層９２と第２金属配線２５との間の絶縁膜７４２と、第２金属配線２５と共通電極ＣＯＭＬとの間の絶縁膜７４３と、共通電極ＣＯＭＬと画素電極７２との間の絶縁膜７４４とが積層されている。絶縁膜７４１、７４２、７４３、７４４は、同じ絶縁材料であってもよく、いずれかが異なる絶縁材料であってもよい。例えば、絶縁膜７４３は、アクリル樹脂などの有機系絶縁材料で形成されており、他の絶縁膜（絶縁膜７４１、絶縁膜７４２、絶縁膜７４４）は、ＳｉＮ、ＳｉＯ２等の無機系絶縁材料で形成されている。
【００３６】
信号線２５は、ＴＦＴ基板７１の表面７１ｆと平行な平面に延在し、画素に画像を表示するための画素信号を供給する。半導体層９２は、例えば、低温ポリシリコンで形成されている。半導体層９２は、一部が信号線２５と接し、他の一部が信号線２５と同一の層に形成された台座配線９０と接している。本開示において、走査線２４は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属の配線である第１金属配線であり、信号線２５は、アルミニウム等の金属の配線である第２金属配線であり、台座配線９０は、アルミニウム等の金属の配線である第３金属配線である。絶縁層７４は、走査線２４と、第２金属配線と、半導体層９２とを、配線が接触する部分である第１コンタクト部９０ａ、第２コンタクト部２５ａ（コンタクトホール）を除いて絶縁する。
【００３７】
半導体層９２と、信号線２５と、走査線２４とは、ＴＦＴ基板７１の表面７１ｆに垂直な方向（Ｚ方向）の異なる層に形成されている。信号線２５と、台座配線９０とは、ＴＦＴ基板７１の表面７１ｆに垂直な方向（Ｚ方向）の同じ層に形成されている。走査線２４は、半導体層９２の一部と立体交差して、薄膜トランジスタＴｒのゲートとして作用する。本開示において、走査線２４と半導体層９２の一部との立体交差した箇所は２カ所であり、薄膜トランジスタＴｒは、ｎチャネルである第１のチャネルＮｔｆｔ１と、ｎチャネルである第２のチャネルＮｔｆｔ２とを備えるダブルゲートトランジスタである。また、半導体層９２は、Ｙ方向に平行に延びる２本の細線の端部を半導体層自体が屈曲して一体に形成されている。そして、第１のチャネルＮｔｆｔ１と、第２のチャネルＮｔｆｔ２とが平行かつＹ方向に延在して、直列に接続されている。この構造により、薄膜トランジスタＴｒは、第１のチャネルＮｔｆｔ１と、第２のチャネルＮｔｆｔ２との間隔を狭くすることができる。このため、実施形態１に係る表示エリア部２１は、信号線２５間を狭くして、画素ピッチを小さくし、高精細にすることができる。
【００３８】
信号線２５に接続される第２コンタクト部２５ａは、半導体層９２における、例えば、薄膜トランジスタＴｒのソース電極となっている。また、半導体層９２の第１コンタクト部９０ａは、台座配線９０を介して画素電極７２と接続されている。台座配線９０に接続される第１コンタクト部９０ａは、半導体層９２における、例えば、薄膜トランジスタＴｒのドレイン電極になっている。例えば、第２コンタクト部２５ａが、半導体層９２における、薄膜トランジスタＴｒのドレイン電極となっている場合、第１コンタクト部９０ａは、半導体層９２における、例えば、薄膜トランジスタＴｒのソース電極になっている。図３に示すように、走査線２４は、半導体層９２における、薄膜トランジスタＴｒのゲートに接続されている。
【００３９】
ここで、上述したように、走査線２４と信号線２５とは、線状の金属配線であり、互いに略直交する向きで立体交差するように配置されている。図４に示すように、台座配線９０は、Ｚ方向において、走査線２４に沿った第１方向（Ｘ方向）と信号線２５に沿った第２方向（Ｙ方向）とに囲まれる領域の縁部に配置されている。
【００４０】
図５に示す、実施形態１に係る表示エリア部２１は、ＴＦＴ基板７１、走査線２４、半導体層９２、信号線２５、共通電極ＣＯＭＬ、画素電極７２の順に、Ｚ方向に積層されている。実施形態１に係る表示エリア部２１は、半導体層９２がＺ方向において走査線２４と信号線２５との間の平面に配置されているボトムゲート構造である。実施形態１に係る表示エリア部２１は、走査線２４がＺ方向において半導体層９２と信号線２５との間の平面に配置されているトップゲート構造とすることもできる。走査線２４の延設部２４Ａは、走査線２４がＸ方向に延在する、ＴＦＴ基板７１の表面７１ｆと平行な平面と同じ平面に設けられている金属の配線である。延設部２４Ａは、走査線２４の導電性の金属の一部がＹ方向に延びる。このため、延設部２４Ａは、走査線２４と電気的に接続されて、走査線２４と同じ電位になっている。これにより、延設部２４Ａは、電界遮蔽と薄膜トランジスタＴｒのゲート電極とを兼ねることができる。このため、全体のレイアウト面積が抑制され、開口率が向上する。その結果、実施形態１に係る表示エリア部２１は、より高精細な画素にも対応することができる。
【００４１】
図４に示すように、Ｚ方向において台座配線９０と信号線２５との間には、隙間Ｓｐがある。そして、隙間Ｓｐは、台座配線９０のＸ方向両側にある。図４に示す、隣り合う信号線２５の間で台座配線９０のない領域は、開口領域Ｏｐである。仮に、長さ２４ｙが走査線２４よりも遠い側の台座配線９０の端部９０ｔを超える場合、延設部２４Ａが開口領域Ｏｐに重なり合う。このため、延設部２４Ａが開口領域Ｏｐを遮光することになり、延設部２４Ａが開口率を低下させる可能性がある。実施形態１に係る延設部２４Ａは、走査線２４から突出する長さ２４ｙが、走査線２４よりも遠い側の台座配線９０の端部９０ｔを超えない長さである。これにより、実施形態１に係る延設部２４Ａは、Ｚ方向において開口領域Ｏｐに重なり合うことを避けることができる。また、延設部２４Ａは、Ｚ方向において信号線２５と重なり合うとともに隙間Ｓｐにはみ出す幅２４ｘを有している。つまり、信号線２５のＸ方向の幅２５ｘよりも、延設部２４ＡのＸ方向の幅２４ｘが広い。このように、延設部２４Ａは、Ｚ方向において隙間Ｓｐに一部が重なり合う。実施形態１に係る延設部２４Ａは、Ｚ方向において開口領域Ｏｐに重なり合うことを避けることで、開口率の低下を抑制することができる。このように、延設部２４Ａは、Ｚ方向において隙間Ｓｐに一部が重なり合うが、開口領域Ｏｐに重なり合わない。
【００４２】
[作用、効果]
図４に示すように、延設部２４Ａは、隙間Ｓｐに一部が重なり合うことにより、信号線２５と画素電極７２との寄生容量を抑制することができる。図６に示すように、画素電極７２に接続する台座配線９０と、信号線２５とには、電気力線ｅｆ１、ｅｆ２、ｅｆ３が作用する。電気力線ｅｆ２は、共通電極ＣＯＭＬと台座配線９０との間又は共通電極ＣＯＭＬと信号線２５との間に作用する電位線である。電気力線ｅｆ１は、台座配線９０と信号線２５との間に直接作用する電位線である。電気力線ｅｆ３は、延設部２４Ａと信号線２５との間に直接作用する電位線である。ここでは、実施形態１に係る表示装置１の作用を、評価例と比較して説明する。
【００４３】
図７は、評価例に係る液晶表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。なお、図７のＸＸＶ−ＸＸＶ線断面については、実施形態２で後述する。図８は、図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線断面に示される電気力線の模式図である。評価例の表示エリア部２１は、実施形態１に係る表示エリア部２１のような延設部２４Ａを備えていない。このため、図８に示すように、画素電極７２に接続する台座配線９０と、信号線２５との間に作用する電気力線ｅｆ１は、高密度になる。実施形態１に係る延設部２４Ａは、電気力線ｅｆ３を生じさせることで、図８に示す電気力線ｅｆ１の密度を、図６に示す電気力線ｅｆ１のように低減することができる。これにより、台座配線９０と、信号線２５との間の電界の大きさが抑制される。その結果、画素電極７２と、信号線２５との間の寄生容量を抑制することができる。
【００４４】
図９及び図１０は、カラム反転駆動をした表示領域を説明するための模式図である。図１１は、カラム反転駆動をした場合の信号線電位と、画素電位との関係を説明するための模式図である。図１２は、表示領域に生じるクロストークを説明するための模式図である。上述したように、カラム反転は、１ライン（１画素行）に相当する１Ｖ（Ｖは垂直期間）の時間周期で映像信号の極性を反転させる駆動方式である。例えば、画素Ｖｐｉｘのカラーフィルタ７６で、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に着色された色領域７６Ｒ、７６Ｇ、７６Ｂに対応する行方向の画素毎に正極（＋）と、負極（―）となる電位で、図９に示す印加状態ＰＣｏｄｄと図１０に示す印加状態ＰＣｅｖｅｎの状態を交互に繰り返す。
【００４５】
図１１に示すように、図９に示す印加状態ＰＣｏｄｄの期間Ｆｏｄｄと図１０に示す印加状態ＰＣｅｖｅｎの状態の期間Ｆｅｖｅｎとは、書き込み期間Ｆｇを境に交互に繰り返している。ここで、図１２に示すように、表示エリア部２１の中央に、輝度の高いウインドウ画像２１ｗを表示する。図１１に示すように、画素電位の極性反転周期と、信号線電位の極性反転周期とは、期間Ｆｏｄｄ又は期間Ｆｅｖｅｎとほぼ一致する。このため、期間Ｆｏｄｄ又は期間Ｆｅｖｅｎの１フレーム期間当たりの信号線平均電位Ｅｓｖがウインドウ表示２１ｗの表示の有無によって異なることになる。その結果、信号線２５から台座配線９０を介して作用する寄生容量により、ウインドウ画像２１ｗの表示の有無によって画素電位の１フレーム当たりの画素電位の変化量Ｅｇｖの変化を生じさせる。そして、図１２に示す、ウインドウ画像２１ｗに近接する領域２１ｗｃ１、２１ｗｃ２に縦クロストークとよばれる、本来生じない画像が発現する可能性がある。信号線２５から台座配線９０を介して作用する寄生容量が小さい場合、縦クロストークとよばれる、本来生じない画像が発現する可能性が抑制される。
【００４６】
図１３及び図１４は、ドット反転駆動をした表示領域を説明するための模式図である。図１５は、ドット反転駆動をした場合の信号線電位と、画素電位との関係を説明するための模式図である。互いに隣接する上下左右の画素毎に映像信号の極性を交互に反転させる駆動方式である。ドット反転駆動は、図１３に示す印加状態ＰＤｏｄｄと図１４に示す印加状態ＰＤｅｖｅｎの状態が交互に繰り返される。
【００４７】
図１５に示すように、図１３に示す印加状態ＰＤｏｄｄの期間Ｆｏｄｄと図１４に示す印加状態ＰＤｅｖｅｎの状態の期間Ｆｅｖｅｎとは、書き込み期間Ｆｇを境に交互に繰り返している。ここで、図１２に示すように、表示エリア部２１の中央に、輝度の高いウインドウ画像２１ｗを表示する。図１５に示すように、画素電位の極性反転周期は、期間Ｆｏｄｄ又は期間Ｆｅｖｅｎとほぼ一致する。しかし、信号線電位の極性反転周期は、１水平期間となり１フレーム期間よりも短い。このため、期間Ｆｏｄｄ又は期間Ｆｅｖｅｎの１フレーム期間当たりの信号線平均電位が平準化され、ウインドウ画像２１ｗの表示の有無によって電位差が生じにくい傾向になる。その結果、信号線２５から台座配線９０を介して作用する寄生容量により、ウインドウ画像２１ｗの表示の有無によって画素電位の１フレーム当たりの実効電位の変化も小さい。このように、実施形態１に係る表示装置１は、カラム反転駆動により駆動する場合に、信号線２５から台座配線９０を介して作用する寄生容量を低減することにより、ウインドウ画像２１ｗの表示の有無によって画素電位の１フレーム当たりの画素電位の変化量Ｅｇｖを抑制することができる。表示装置１は、ドット反転駆動よりもカラム反転駆動する方が、消費電力を抑制することができる。
【００４８】
＜実施形態１の第１変形例＞
図１６は、実施形態１の第１変形例に係る液晶表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。図１７は、図１６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線断面に示される電気力線の模式図である。上述した実施形態１で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【００４９】
実施形態１の第１変形例に係る表示エリア部２１は、半導体層９２がＺ方向において走査線２４と信号線２５との間の平面に配置されているボトムゲート構造である。実施形態１の第１変形例に係る表示エリア部２１は、トップゲート構造とすることもできる。実施形態１の第１変形例に係る走査線２４は、走査線本線２４Ｂ２と、迂回部２４Ｂ１とが導通することで、１本の配線として機能する。走査線本線２４Ｂ２は、走査線２４と信号線２５とが立体交差する交点からＸ方向の延長線上に第１コンタクト部９０ａがあるため、Ｚ方向でみて台座配線９０と重なり合わないように、分断されている。分断された走査線本線２４Ｂ２は、Ｘ方向に平行に延在する迂回部２４Ｂ１で接続されている。迂回部２４Ｂ１は、走査線本線２４Ｂ２と同じ金属の配線であり、走査線本線２４Ｂ２とはＹ方向にずれている。
【００５０】
走査線本線２４Ｂ２は、Ｚ方向でみて、開口領域Ｏｐとは重なり合わない。走査線本線２４Ｂ２は、Ｚ方向において開口領域Ｏｐに重なり合うことを避けることで、開口率の低下を抑制することができる。走査線本線２４Ｂ２は、Ｚ方向において隙間Ｓｐに一部が重なり合う。図１７に示すように、走査線本線２４Ｂ２は、電気力線ｅｆ３を生じさせることで、図８に示す電気力線ｅｆ１の密度を、図１７に示す電気力線ｅｆ１のように低減することができる。これにより、台座配線９０と、信号線２５との間の電界の大きさが抑制される。その結果、画素電極７２と、信号線２５との間の寄生容量を抑制することができる。
【００５１】
上述した薄膜トランジスタＴｒは、ｎチャネルである第１のチャネルＮｔｆｔ１と、ｎチャネルである第２のチャネルＮｔｆｔ２とを備えるダブルゲートトランジスタである。半導体層９２の一部は、信号線２５と走査線２４とに重なり、Ｙ方向に平行に延びる位置に第１のチャネルＮｔｆｔ１がある。そして、第１のチャネルＮｔｆｔ１と、第２のチャネルＮｔｆｔ２とが平行かつＹ方向に延在し、Ｚ方向において、第１のチャネルＮｔｆｔ１が走査線本線２４Ｂ２と重なり合い、第２のチャネルＮｔｆｔ２が迂回部２４Ｂ１と重なり合う。この構造により、薄膜トランジスタＴｒは、第１のチャネルＮｔｆｔ１と、第２のチャネルＮｔｆｔ２との間隔を狭くすることができる。このため、実施形態１に係る表示エリア部２１は、信号線２５間を狭くして、画素ピッチを小さくし、高精細にすることができる。
【００５２】
＜実施形態１の第２変形例＞
図１８は、実施形態１の第２変形例に係る液晶表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。図１９は、図１８のＸＩＸ−ＸＩＸ線断面に示される電気力線の模式図である。上述した実施形態１で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【００５３】
実施形態１の第２変形例に係る表示エリア部２１は、半導体層９２がＺ方向において走査線２４と信号線２５との間の平面に配置されているボトムゲート構造である。実施形態１の第２変形例に係る表示エリア部２１は、トップゲート構造とすることもできる。仮に、長さ２４ｙが走査線２４よりも遠い側の台座配線９０の端部９０ｔを超える場合、延設部２４Ｃが開口領域Ｏｐに重なり合う。このため、延設部２４Ｃが開口領域Ｏｐを遮光することになり、延設部２４Ｃが開口率を低下させる可能性がある。これに対して、実施形態１の第２変形例に係る延設部２４Ｃは、走査線２４から突出する長さ２４ｙが、走査線２４よりも遠い側の台座配線９０の端部９０ｔを超えない長さである。これにより、実施形態１の第２変形例に係る延設部２４Ｃは、Ｚ方向において開口領域Ｏｐに重なり合うことを避けることができる。なお、延設部２４ＣのＸ方向の幅２４ｘは、隙間ＳｐのＸ方向の幅よりも小さい。そして、実施形態１の第２変形例に係る延設部２４Ｃは、Ｚ方向において、信号線２５と重なり合わず、走査線２４から隙間Ｓｐへ突出する。このため、実施形態１の第２変形例に係る延設部２４Ｃは、Ｚ方向において開口領域Ｏｐに重なり合うことを避けることで、開口率の低下を抑制することができる。このように、延設部２４Ｃは、Ｚ方向において隙間Ｓｐに一部が重なり合うが、開口領域Ｏｐに重なり合わない。
【００５４】
延設部２４Ｃは、Ｚ方向において隙間Ｓｐに一部が重なり合う。図１９に示すように、延設部２４Ｃは、電気力線ｅｆ３を生じさせることで、図８に示す電気力線ｅｆ１の密度を、図１９に示す電気力線ｅｆ１のように低減することができる。これにより、台座配線９０と、信号線２５との間の電界の大きさが抑制される。その結果、画素電極７２と、信号線２５との間の寄生容量を抑制することができる。
【００５５】
＜実施形態１の第３変形例＞
図２０は、実施形態１の第３変形例に係る液晶表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。図２１は、図２０のＸＸＩ−ＸＸＩ線断面図である。図２２は、図２０のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ線断面に示される電気力線の模式図である。上述した実施形態１で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【００５６】
図２０及び図２１に示す、実施形態１の第３変形例に係る表示エリア部２１は、ＴＦＴ基板７１、半導体層９２、走査線２４、信号線２５、共通電極ＣＯＭＬ、画素電極７２の順に、Ｚ方向に積層されている。実施形態１の第３変形例に係る表示エリア部２１は、半導体層９２がＺ方向において走査線２４と信号線２５との間の平面に配置されているボトムゲート構造である。ボトムゲート構造の場合、図２０に示すように、走査線２４と、台座配線９０の第１コンタクト部９０ａ、つまりドレイン電極は、薄膜トランジスタＴｒの構造上、Ｚ方向において重なりあうことができる。実施形態１の第３変形例に係る表示エリア部２１は、トップゲート構造とする場合、走査線２４と、台座配線９０の第１コンタクト部９０ａ、つまりドレイン電極は、薄膜トランジスタの構造上延設部２４Ｄをくり抜くなど構造が複雑になる。走査線２４の延設部２４Ｄは、走査線２４がＸ方向に延在する、ＴＦＴ基板７１の表面７１ｆと平行な平面と同じ平面に設けられている金属の配線である。延設部２４Ｄは、走査線２４の金属の一部がＸ方向に延びる。このため延設部２４Ｄは、走査線２４と電気的に接続されて、走査線２４と同じ電位となっている。延設部２４Ｄは、薄膜トランジスタＴｒのゲート電極と接続している。これにより、延設部２４Ｄは、電界遮蔽と薄膜トランジスタＴｒのゲート電極とを兼ねることができる。このため、全体のレイアウト面積が抑制され、開口率が向上する。その結果、実施形態１の第３変形例に係る表示エリア部２１は、より高精細な画素にも対応することができる。
【００５７】
上述した延設部２４Ｄは、Ｚ方向において開口領域Ｏｐに重なり合うことを避けることで、開口率の低下を抑制することができる。このように、延設部２４Ｄは、Ｚ方向において隙間Ｓｐに一部が重なり合うが、開口領域Ｏｐに重なり合わない。
【００５８】
延設部２４Ｄは、Ｚ方向において信号線２５と重なり合うとともに隙間Ｓｐにはみ出す幅２４ｘを有している。つまり、台座配線９０のＸ方向の幅９０ｘよりも、延設部２４ＤのＸ方向の幅２４ｘが広い。このように、延設部２４Ｄは、Ｚ方向において隙間Ｓｐに一部が重なり合う。図１９に示すように、延設部２４Ｄは、電気力線ｅｆ３を生じさせることで、図８に示す電気力線ｅｆ１の密度を、図２２に示す電気力線ｅｆ１のように低減することができる。これにより、台座配線９０と、信号線２５との間の電界の大きさが抑制される。その結果、画素電極７２と、信号線２５との間の寄生容量を抑制することができる。
【００５９】
＜１−２．実施形態２＞
図２３は、実施形態２に係る液晶表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。図２４は、図２３のＸＸＩＩＩＩ−ＸＸＩＩＩＩ線断面に示される構造を模式的に示す模式図である。図２５は、図７のＸＸＶ−ＸＸＶ線断面に示される構造を模式的に示す模式図である。図２６は、図２３のＸＸＶＩ−ＸＸＶＩ線断面に示される電気力線の模式図である。上述した実施形態１で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【００６０】
実施形態２に係る表示装置１の表示エリア部２１は、共通電極ＣＯＭＬの一部が、共通電極ＣＯＭＬの基準面ＣＯＭＬＱに対し、ＴＦＴ基板７１の表面７１ｆ寄りに凹む、共通電極ＣＯＭＬの凹部領域ＣＯＭＬＳを備えている。凹部領域ＣＯＭＬＳは、図２４に示すように、Ｚ方向において台座配線９０と重なり合う。凹部領域ＣＯＭＬＳの幅は、台座配線９０のＹ方向の幅ＬＬと同程度である。
【００６１】
凹部領域ＣＯＭＬＳは、図２４に示すように、実際には傾斜面を有するので、台座配線９０のＹ方向の幅ＬＬよりも多少大きいＹ方向の幅ＬＬ１が必要となることが多い。このため、凹部領域ＣＯＭＬＳの幅ＬＬ１は、台座配線９０のＹ方向の幅ＬＬを１００％として、１００％以上１５０％以下程度である。
【００６２】
凹部領域ＣＯＭＬＳは、台座配線９０を覆う絶縁層７４の厚みＤ２を厚みＤ１に薄くして、ＩＴＯ等の透明導電材料を形成する。厚みＤ１は、例えば、０．３μｍ以上１．７μｍ以下である。厚みＤ２は、厚みＤ１よりも大きく、例えば、１．３μｍ以上２．７μｍ以下である。このため、Ｚ方向において台座配線９０と重なり合う凹部領域ＣＯＭＬＳでは、共通電極ＣＯＭＬとＴＦＴ基板７１の表面７１ｆとの間にある厚みが、開口領域Ｏｐにおける、共通電極ＣＯＭＬとＴＦＴ基板７１の表面７１ｆとの間にある厚みより小さくなる。これにより、図２５に示す、評価例の表示装置１に比べ、共通電極ＣＯＭＬと信号線２５との間または共通電極ＣＯＭＬと台座配線９０との間の距離が短くなる。
【００６３】
上述したように、電気力線ｅｆ２は、共通電極ＣＯＭＬを介して台座配線９０と、信号線２５との間に作用する電位線である。電気力線ｅｆ１は、台座配線９０と信号線２５との間に直接作用する電位線である。共通電極ＣＯＭＬと信号線２５との間または共通電極ＣＯＭＬと台座配線９０との間の距離が短くなる場合、電気力線ｅｆ２の密度が大きくなる。電気力線ｅｆ２の密度が大きくなっても、画素電極７２と信号線２５との間の寄生容量が増加しない。また、電気力線ｅｆ２の密度が大きくなる場合、相対的に、電気力線ｅｆ１の密度が小さくなる。これにより、台座配線９０と、信号線２５との間の電界の大きさが抑制される。その結果、画素電極７２と、信号線２５との間の寄生容量を抑制することができる。実施形態１と同様に、実施形態２に係る表示装置１は、カラム反転駆動により駆動する場合に、信号線２５から台座配線９０を介して作用する寄生容量を低減することにより、ウインドウ画像２１ｗの表示の有無によって画素電位の１フレーム当たりの画素電位の変化量Ｅｇｖを抑制することができる。そして、実施形態２の表示装置１は、ドット反転駆動よりもカラム反転駆動する方が、消費電力を抑制することができる。
【００６４】
＜実施形態２の変形例＞
図２７は、実施形態２の変形例に係る液晶表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。図２８は、図２７のＸＸＶＩＩ−ＸＸＶＩＩ線断面に示される電気力線の模式図である。上述した実施形態１で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【００６５】
実施形態２の変形例に係る表示装置１の表示エリア部２１は、共通電極ＣＯＭＬの一部が、ＴＦＴ基板７１の表面７１ｆよりも凹む、共通電極ＣＯＭＬの凹部領域ＣＯＭＬＳを備えている。凹部領域ＣＯＭＬＳは、図２７に示すように、台座配線９０のＹ方向の幅ＬＬと、Ｘ方向の長さＬＷとで囲まれる領域に設けられている。Ｘ方向の長さＬＷは、台座配線９０のＸ方向の幅以上であって、隣り合う信号線２５間の幅以下である。これにより、凹部領域ＣＯＭＬＳは、図２７に示すように、Ｚ方向において台座配線９０と重なり合う。また、凹部領域ＣＯＭＬＳは、Ｚ方向において信号線２５と重なり合わない。このため、Ｚ方向において台座配線９０と重なり合う凹部領域ＣＯＭＬＳでは、共通電極ＣＯＭＬとＴＦＴ基板７１の表面７１ｆとの間にある厚みが、信号線２５における、共通電極ＣＯＭＬとＴＦＴ基板７１の表面７１ｆとの間にある厚みより小さくなる。その結果、凹部領域ＣＯＭＬＳによって、画素電極７２に転写される凹凸が光学特性に影響を与える可能性を抑制し、画素電極７２と、信号線２５との間の寄生容量を抑制することができる。
【００６６】
図２８に示すように、共通電極ＣＯＭＬと信号線２５との間または共通電極ＣＯＭＬと台座配線９０との間の距離が短くなる場合、電気力線ｅｆ２の密度が大きくなる。このため、相対的に、電気力線ｅｆ１の密度が小さくなる。これにより、台座配線９０と、信号線２５との間の電界の大きさが抑制される。その結果、画素電極７２と、信号線２５との間の寄生容量を抑制することができる。実施形態１と同様に、実施形態２の変形例に係る表示装置１は、カラム反転駆動により駆動する場合に、信号線２５から台座配線９０を介して作用する寄生容量を低減することにより、ウインドウ画像２１ｗの表示の有無によって画素電位の１フレーム当たりの画素電位の変化量Ｅｇｖを抑制することができる。そして、実施形態２の変形例の表示装置１は、ドット反転駆動よりもカラム反転駆動する方が、消費電力を抑制することができる。
【００６７】
＜２．適用例＞
次に、図２９〜図４１を参照して、実施形態で説明した表示装置１の適用例について説明する。図２９〜図４１は、実施形態１、及び変形例に係る液晶表示パネルを適用する電子機器の一例を示す図である。本実施形態に係る表示装置１は、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、本実施形態に係る表示装置１は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。電子機器は、液晶表示パネルに映像信号を供給し、液晶表示パネルの動作を制御する制御装置を備える。
【００６８】
（適用例１）
図２９に示す電子機器は、本実施形態に係る表示装置１が適用されるテレビジョン装置である。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル５１１及びフィルターガラス５１２を含む映像表示画面部５１０を有しており、この映像表示画面部５１０は、実施形態１、及び変形例に係る液晶表示パネルである。
【００６９】
（適用例２）
図３０及び図３１に示す電子機器は、本実施形態に係る表示装置１が適用されるデジタルカメラである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部５２１、表示部５２２、メニュースイッチ５２３及びシャッターボタン５２４を有しており、その表示部５２２は、実施形態１、２及び変形例に係る液晶表示パネルである。
【００７０】
（適用例３）
図３２に示す電子機器は、本実施形態に係る表示装置１が適用されるビデオカメラの外観を表すものである。このビデオカメラは、例えば、本体部５３１、この本体部５３１の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ５３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ５３３及び表示部５３４を有している。そして、表示部５３４は、実施形態１、２及び変形例に係る液晶表示パネルである。
【００７１】
（適用例４）
図３３に示す電子機器は、本実施形態に係る表示装置１が適用されるノート型パーソナルコンピュータである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５４１、文字等の入力操作のためのキーボード５４２及び画像を表示する表示部５４３を有しており、表示部５４３は、実施形態１、２及び変形例に係る液晶表示パネルである。
【００７２】
（適用例５）
図３４〜図４０に示す電子機器は、本実施形態に係る表示装置１が適用される携帯電話機である。この携帯電話機は、例えば、上側筐体５５１と下側筐体５５２とを連結部（ヒンジ部）５５３で連結したものであり、ディスプレイ５５４、サブディスプレイ５５５、ピクチャーライト５５６及びカメラ５５７を有している。そのディスプレイ５５４またはサブディスプレイ５５５は、実施形態１、２及び変形例に係る液晶表示パネルである。
【００７３】
（適用例６）
図４１に示す電子機器は、携帯型コンピュータ、多機能な携帯電話、音声通話可能な携帯コンピュータ又は通信可能な携帯コンピュータとして動作し、いわゆるスマートフォン、タブレット端末と呼ばれることもある、情報携帯端末である。この情報携帯端末は、例えば筐体５６１の表面に表示部５６２を有している。この表示部５６２は、実施形態１、２及び変形例に係る液晶表示パネルである。表示部５６２には、液晶表示パネルに近接する物体を検出するいわゆるタッチパネルが備えられている。
【００７４】
また、本開示は、以下の構成をとることもできる。
【００７５】
（１）第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置される液晶層と、を備える液晶表示パネルであって、
前記第１基板は、
マトリクス状に配置された複数の画素電極と、
前記画素電極に第１コンタクト部で接続する薄膜トランジスタと、
前記第１基板の表面に垂直な方向において前記薄膜トランジスタの半導体層と異なる層にあり、かつ前記半導体層の一部と立体交差して走査線となる複数の第１金属配線と、
前記第１金属配線が延在する第１方向とは異なる、第２方向に延在することで前記第１金属配線と立体交差し、かつ前記薄膜トランジスタの第２コンタクト部に接続され信号線となる複数の第２金属配線と、
前記第２金属配線がある、前記第１基板の表面と平行な平面に配置され、隣り合う第２金属配線の間で前記第１コンタクト部に接続される第３金属配線と、
前記第１金属配線、前記第２金属配線及び前記第３金属配線を絶縁する絶縁層と、
前記第１金属配線の金属の一部が前記第２方向に突出して延びる延設部と、
を含み、
前記延設部は、突出する長さが前記第１金属配線よりも遠い側の第３金属配線の端部を超えず、かつ前記延設部の一部は、前記第１基板の表面に垂直な方向において前記第３金属配線と前記第２金属配線との間にある隙間と重なり合う位置に配置されている、液晶表示パネル。
【００７６】
（２）前記延設部は、前記第１基板の表面に垂直な方向において、前記第２金属配線と重なり合わない、前記（１）に記載の液晶表示パネル。
【００７７】
（３）前記延設部は、前記第１基板の表面に垂直な方向において、前記第２金属配線と重なり合うとともに、前記第２金属配線から前記隙間にはみ出す幅を有している、前記（１）に記載の液晶表示パネル。
【００７８】
（４）前記半導体層は、前記第１基板の表面に垂直な方向において前記第１金属配線と前記第２金属配線との間の平面に配置されている、前記（１）から前記（３）のいずれか１項に記載の液晶表示パネル。
【００７９】
（５）前記延設部は、前記第１基板の表面に垂直な方向において、前記第３金属配線と重なり合うとともに前記第３金属配線と前記第２金属配線との隙間にはみ出す幅を有している、前記（１）に記載の液晶表示パネル。
【００８０】
（６）前記延設部は、前記走査線と同電位である、前記（１）から前記（５）のいずれか１つに記載の液晶表示パネル。
【００８１】
（７）前記薄膜トランジスタは、第１のチャネルと、第２のチャネルとを備えるダブルゲートトランジスタであって、第１のチャネルと、第２のチャネルとが平行に延在する、前記（１）から前記（６）のいずれか１つに記載の液晶表示パネル。
【００８２】
（８）第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置される液晶層と、を備える液晶表示パネルであって、
前記第１基板は、
マトリクス状に配置された複数の画素電極と、
前記画素電極よりも前記第１基板の表面寄りに設けられた透明な共通電極と、
前記画素電極に第１コンタクト部で接続する薄膜トランジスタと、
前記第１基板の表面に垂直な方向において前記薄膜トランジスタの半導体層と異なる層にあり、かつ前記半導体層の一部と立体交差して走査線となる複数の第１金属配線と、
前記第１金属配線が延在する第１方向とは異なる、第２方向に延在することで前記第１金属配線と立体交差し、かつ前記薄膜トランジスタの第２コンタクト部に接続され信号線となる複数の第２金属配線と、
前記第２金属配線がある、前記第１基板の表面と平行な平面に配置され、隣り合う第２金属配線の間で前記第１コンタクト部に接続される第３金属配線と、
前記共通電極と、前記第１金属配線、前記第２金属配線及び前記第３金属配線を絶縁する絶縁層と、を含み、
前記第１基板の表面に垂直な方向において前記第３金属配線と重なり合う、前記共通電極と前記第１基板の表面との間にある厚みが、隣り合う第２金属配線の間で前記第３金属配線のない領域における、前記共通電極と前記第１基板の表面との間にある厚みより小さい、液晶表示パネル。
【００８３】
（９）前記第１基板の表面に垂直な方向において前記第３金属配線と重なり合う、前記共通電極と前記第１基板の表面との間にある厚みが、第２金属配線と重なり合う前記共通電極と前記第１基板の表面との間にある厚みより小さい、前記（８）に記載の液晶表示パネル。
【００８４】
（１０）第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置される液晶層と、を備える液晶表示パネルであって、
前記第１基板は、
マトリクス状に配置された複数の画素電極と、
前記画素電極に第１コンタクト部で接続する薄膜トランジスタと、
前記第１基板の表面に垂直な方向において前記薄膜トランジスタの半導体層と異なる層にあり、かつ前記半導体層の一部と立体交差して走査線となる複数の第１金属配線と、
前記第１金属配線が延在する第１方向とは異なる、第２方向に延在することで前記第１金属配線と立体交差し、かつ前記薄膜トランジスタの第２コンタクト部に接続され信号線となる複数の第２金属配線と、
前記第２金属配線がある、前記第１基板の表面と平行な平面に配置され、隣り合う第２金属配線の間で前記第１コンタクト部に接続される第３金属配線と、
前記第１金属配線、前記第２金属配線及び前記第３金属配線を絶縁する絶縁層と、
前記第１基板の垂直な方向において、前記第１金属配線と前記第２金属配線とが立体交差する交差点から前記第１金属配線が延在する前記第１方向の延長線上にある前記第１コンタクト部を、前記第２方向にずれた位置で迂回する前記第１金属配線の迂回部と、
を含む、液晶表示パネル。
【００８５】
（１１）前記薄膜トランジスタは、第１のチャネルと、第２のチャネルとを備えるダブルゲートトランジスタであって、第１のチャネルと、第２のチャネルとが平行に延在し、前記第１基板の垂直な方向において、第１のチャネルが前記第１金属配線と重なり合い、第２のチャネルが前記迂回部と重なり合う、前記（１０）に記載の液晶表示パネル。
【００８６】
（１２）前記（１）から前記（１１）のいずれか１つに記載の液晶表示パネルを備える電子機器。
【符号の説明】
【００８７】
１  表示装置
２  液晶表示パネル
６  バックライト
１１  ガラス基板
１１ｇｒ、１１ｇｌ  額縁
２１  表示エリア部
２２Ａ  第１垂直ドライバ
２２Ｂ  第２垂直ドライバ
２４  走査線
２４Ａ、２４Ｃ、２４Ｄ  延設部
２４Ｂ１  迂回部
２４Ｂ２  走査線本線
２５  信号線
７１  ＴＦＴ基板
７２  画素電極
７５  ガラス基板
７６  カラーフィルタ
９０  台座配線
９２  半導体層
ＬＣ  液晶素子
Ｔｒ  薄膜トランジスタ
ＣＯＭＬ  共通電極
ＣＯＭＬＳ  凹部領域
Ｖｃｏｍ  共通電圧
Ｖｐｉｘ  画素
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2014139645.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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