(57)【要約】      （修正有）【課題】反射型液晶変調素子の反射率およびコントラストの向上を図る。【解決手段】第１の基板と、第１の基板上に設けられた第１の対向電極と、第２の基板と、第２の基板上に設けられたマトリックス状に電極画素が配列した第２の対向電極との間に、液晶層を介した反射型液晶変調素子であって、隣接する画素電極の間には、溝部が設けられ、電極画素および溝部の下面には、層間絶縁膜が設けられており、更に、画素電極の間の溝部は、画素電極の上面から下面まで、絶縁膜で充填されており、溝部の絶縁膜の屈折率が、層間絶縁膜かつ、液晶層の液晶分子の常光屈折率および異常光屈折率の平均値より大きいことにより光動波路構造を形成し、溝部の絶縁膜に発生するエバネッセント光を、溝部の絶縁膜内部に閉じこめることになる。この閉じ込めの効果により溝部から反射する回折・干渉光を低減して反射率およびコントラストを向上する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、第１の基板上に設けられた第１の対向電極と、第２の基板と、第２の基板上に設けられたマトリックス状に電極画素が配列した第２の対向電極との間に、
液晶層を介した反射型液晶変調素子であって、
隣接する前記画素電極の間には、溝部が設けられ、前記電極画素および前記溝部の下面には、層間絶縁膜が設けられており、更に、前記画素電極の間の溝部は、前記画素電極の上面から下面まで、絶縁膜で充填されており、前記溝部の絶縁膜の屈折率が、前記層間絶縁膜、かつ、前記液晶層の液晶分子の常光屈折率および異常光屈折率の平均値より大きいことを特徴とする反射型液晶変調素子。
【請求項２】
前記溝部の絶縁膜の屈折率と、前記層間絶縁膜の屈折率との差および、前記溝部の絶縁膜の屈折率と、前記液晶層の液晶分子の常光屈折率と異常光屈折率との平均屈折率との差が、共に、０．２以上であることを特徴とする請求項１に記載の反射型液晶変調素子。
【請求項３】
前記電極画素の溝部の幅および、厚みは、可視光の最大波長帯域７５０ｎｍ以下の構造体であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の反射型液晶変調素子。
【請求項４】
前記層間絶縁膜の屈折率が１．２〜１．８であり、前記液晶層の液晶分子の常光屈折率および異常光屈折率が１．２〜１．８であることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の反射型液晶変調素子。
【請求項５】
光源と、光源の光を前記反射型液晶変調素子に照明するための照明光学系と、前記反射型液晶変調素子からの光を拡大投影するための投射レンズ系と、請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の反射型液晶変調素子とから構成される投射型液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像表示素子に関するものである。特に、画像パターンを液晶変調素子によって偏光状態による変調画像を生成し、偏光状態を選択する偏光選択手段により強度変調画像に変換して可視画像生成する表示装置に関するものであり、また、特に液晶変調素子の画素ピッチの小さい高解像度の表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、画像変調手段としては２次元画素光学スイッチとした液晶変調素子があり、例えば透明電極を有する第１の透明基板と、画素を形成する透明電極及び配線，スイッチング素子等を有する第２の透明基板との間に誘電異方性が正のネマチック液晶を封入し、液晶分子長軸を２枚のガラス基板間で連続的に９０°ねじった、いわゆるＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）液晶変調素子が用いられている。また、このような透過型の液晶変調素子の他に、透明電極を有する透明基板と、２次元光学スイッチとして一方の基板に反射鏡と配線、スイッチング素子等有する回路基板との間に誘電異方性が正のネマチック液晶を封入し、液晶分子長軸を２枚の基板間に対してほぼ垂直にモメオトロピック配向させた、いわゆるＶＡＮ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ  Ｎｅｍａｔｉｃ）液晶型の反射型液晶変調素子を用いているものもある。
【０００３】
液晶変調素子としては、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）効果を利用し、液晶層を通過する光波動に対してリタデーションを与えて、光波動の偏光状態を変化させる作用を制御して画像を形成する方法が主に用いられる。
【０００４】
一般的な液晶変調素子の設計は、入射光をポラライザ−等の偏光制御手段を介して波動の偏波を所定方向の直線偏光状態にした光波動を入射させ、この所定方向に振動する直線偏光状態の光が通過するときに、偏光変調を行う場合、ノーマリーホワイトを基準とする液晶素子は、液晶へ無電界印加状態で、入射光波長（ある光波長帯域の重心波長）において半波長だけのリタデーションを与えるよう設計されており、ノーマリーブラックを基準とする液晶素子は、液晶へ無電界印加状態で、入射光波長においては与えるリタデーションを極小とし、液晶へ所定電界を印加した状態にて半波長だけのリタデーションを与えるよう設計されている。半波長のリタデーションを与えられた光は、入射する前の直線偏光の振動方向と直角の方向に振動方向が変換されて出射することとなる。その後、入射側に配された偏光制御手段とクロスニコル配置をとるポラライザ−等の偏光制御手段を配することで偏光状態を選択し、選択された光は透過することとなるよう構成されている。この設計に対して、ＥＣＢ効果を用いて、液晶層に印加する電圧を制御することで、液晶分子はその分子長軸方向を液晶層の層厚方向にチルト動作を起こし、液晶層厚方向の複屈折量が減少または増加することで、液晶層を通過した光波動は、液晶層印加電圧に応じて楕円偏光状態となり、光出射側に配された偏光制御手段によって、振動方向が直交変換されない光成分が遮断されて、入射光の強度を変調するように構成されている。
【０００５】
また、近年の画像表示装置は高解像度化が進み、液晶変調素子の１画素の幅（画素ピッチ）が小さくなってきている。一般的に、光学的原理から２次元的に画素が配列することにより、入射した光は回折して更に干渉を起こすが、特に１画素の幅が小さくなることで回折・干渉光の強度は強くなる。このとき、回折・干渉光が多くなることで表示光量が低下し、かつ黒表示も漏れ光が増加して、明るさおよびコントラストが低下してしまうという問題がある。
【０００６】
この問題を解消するために、画素電極近傍の構造を見直して、明るさやコントラスト低減を防止する公知例がいくつかあげられる。
【０００７】
公知例としては、例えば、従来は反射画素電極間の溝部に画素電極基板の基板面に対して斜め方向からの斜方蒸着を行っており、蒸着する際に画素の角の部分が陰になり、画素間の溝部の一部が蒸着されず液晶の配向不良が発生していたが、特許文献１に提案されているように、まず、一度、反射型画素電極間の溝部の底面全体に、画素電極基板の基板面に対して垂直方向から垂直蒸着し、更に、基板面に対して斜め方向から斜方蒸着することで、溝部に全て蒸着膜が行き届き、液晶の配向不良を防ぐことができ、かつ、コントラスト低減を抑制するという内容が提案されている。
【０００８】
また、特許文献２に提案されているように、反射画素電極の下層にある保護膜（パシベーション膜）をＣＭＰ研磨により平坦にして、その上層の反射画素電極がその保護膜にならって平坦になる。
【０００９】
これにより、反射画素電極が極めて平坦になり、反射する散乱光の発生を抑制することで反射効率（明るさ）を向上することが可能となる、という内容が提案されている。
【００１０】
以上のように、画素電極近傍の構造を見直すことで、明るさやコントラストが向上する従来技術がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特許第０３７６０４４４号明細書
【特許文献２】特許第０２８６４４６４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、特許文献１に提案されている従来の技術は、反射型画素電極間の溝部の全てに蒸着膜が行き届き、液晶の配向不良を防ぐことができ、かつ、コントラスト低減を抑制することができるが、一方、画素溝部の配向膜構造は、垂直蒸着膜が下段で斜方蒸着膜が上段の階段状の構造になるため、平坦性に十分に取れず、溝内部で散乱光を発生させる原因となり、反射率の向上が見込めない。
【００１３】
また、特許文献２に提案されている従来の技術は、反射画素電極が極めて平坦であり、反射する散乱光の発生を抑制することで反射効率（明るさ）を向上させることが可能となる。
【００１４】
しかし、近年の高解像度化による画素電極の形状の微細化によって、回折干渉光が増加し、それに伴い反射効率が低下し、コントラストが低下するが、これらに対する言及が無く、かつ、反射画素電極の各物性値に対する言及が無く、反射率向上のために良好な物性値の条件およびその言及もなされておらず、十分な性能を確保するに至らない、という以上の問題があった。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記の問題を解決するために、第１の基板と、第１の基板上に設けられた第１の対向電極と、第２の基板と、第２の基板上に設けられたマトリックス状に電極画素が配列した第２の対向電極との間に、液晶層を介した反射型液晶変調素子であって、隣接する前記画素電極の間には、溝部が設けられ、前記電極画素および前記溝部の下面には、層間絶縁膜が設けられており、更に、前記画素電極の間の溝部は、前記画素電極の上面から下面まで、絶縁膜で充填されており、前記溝部の絶縁膜の屈折率が、前記層間絶縁膜かつ、前記液晶層の液晶分子の常光屈折率および異常光屈折率の平均値より大きいことにより、溝部の絶縁膜の屈折率が、溝部の絶縁膜を挟んだ層間絶縁膜と液晶層の屈折率より大きいことで光動波路構造を形成し、溝部の絶縁膜に発生するエバネッセント光を、溝部の絶縁膜内部に閉じこめることになる。
【００１６】
この閉じ込めの効果により、溝部から反射する回折・干渉光を低減して、反射率およびコントラストを向上することができる。
【００１７】
更に、前記溝部の絶縁膜の屈折率と前記層間絶縁膜の屈折率との差および、前記溝部の絶縁膜の屈折率と前記液晶層の液晶分子の常光屈折率と異常光屈折率との平均屈折率との差を、共に０．２以上とすることにより、回折・干渉光低減の効果が大きく、更に、反射率およびコントラストを向上することができる。
【００１８】
このとき、前記電極画素の溝部の幅および、厚みは可視光の最大波長帯域７５０ｎｍ以下の構造体であること、あるいは、前記層間絶縁膜の屈折率が１．２〜１．８であり、前記液晶層の液晶分子の常光屈折率および異常光屈折率が１．２〜１．８であることにより、更に、回折・干渉光低減の効果が大きく、反射率およびコントラストを向上する効果が大きくなる。
【００１９】
以上の手段により上記構造を備えた反射型液晶変調素子を、光源と、光源の光を前記反射型液晶変調素子に照明するための照明光学系と、前記反射型液晶変調素子からの光を拡大投影するための投射レンズ系とから構成される投射型液晶表示装置などに用いることで効果を実現することが可能となる。
【発明の効果】
【００２０】
一般的に、光学的原理から２次元的に画素が配列することにより、入射した光は回折して更に干渉を起こすが、特に１画素の幅が小さくなることで回折・干渉光の強度は強くなる。近年高解像化が進んでいるために液晶変調素子の回折・干渉光強度は無視でいきない程強くなっている。このとき、回折・干渉光が多くなることで表示光量が低下し、かつ黒表示も漏れ光が増加して、明るさおよびコントラストが低下してしまうという問題があるが、本発明では、画素電極の間の溝部は、画素電極の上面から下面まで絶縁膜で充填されており、溝部の絶縁膜の屈折率が、層間絶縁膜かつ、液晶層の液晶分子の常光屈折率および異常光屈折率の平均値より大きいことにより、光動波路構造を形成し、溝部の絶縁膜に発生するエバネッセント光を、溝部の絶縁膜内部に閉じこめることになる。この閉じ込めの効果により、溝部から反射する回折・干渉光を低減して、反射率およびコントラストを向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】実施例１の液晶変調素子の断面を説明する図
【図２】実施例１の液晶変調素子の入射平面を説明する図
【図３】実施例１の溝内絶縁膜の屈折率に対する反射率を説明する図
【図４】従来例の回折光強度を説明する図
【図５】実施例１の回折光強度を説明する図
【図６】実施例２の絶縁層間膜に対する反射率を説明する図
【図７】実施例３の液晶層の屈折率に対する反射率を説明する図
【図８】実施例４の本発明の液晶変調素子を用いた投影表示装置を説明する図
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明を図面に基づいて詳しく説明する。
【実施例１】
【００２３】
図１は、液晶変調素子の反射画素電極近傍の断面構造を示し、
図２は、液晶変調素子の表面構造を示している。
【００２４】
１０１は液晶層、１０２は斜方蒸着により形成された配向膜、１０３は反射画素電極、１０４ａ，１０４ｂは絶縁層間膜、１０５は吸収膜、１０６は多数の吸収膜と絶縁層間膜からなる層、１０７は電極配線層、１０８は反射画素電極１０３の間の溝部に充填されている絶縁膜、１０９は反射画素電極のピッチ、１１０は反射画素電極間の溝幅であり、かつ、溝部の絶縁膜１０８の幅である。
【００２５】
このとき、反射画素電極１０３あるいは溝部の絶縁膜１０８は、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）などの研磨手法により研磨されることで平坦であり、その表面に斜方蒸着される配向膜１０２は、下層の反射画素電極１０３や溝部の絶縁膜１０８の平坦性にならって全領域で平坦に蒸着される。これにより、液晶層１０１の液晶分子も斜方蒸着の配向膜１０２の平坦性にならって全領域で配向性が良好であり、表示不良が起こらず、コントラストも良好となる。
【００２６】
本実施例の構造寸法に関しては、画素ピッチ１０９は８．０μ、反射画素電極１０３の厚みは０．６５μ、反射画素電極間の溝幅１１０は０．３５μ、絶縁層間膜１０４ａの厚みは０．２６μ、斜方蒸着の配向膜１０２の厚みは０．０５μである。
【００２７】
また、各構造の物性値に関しては、液晶層１０１の液晶分子の屈折率は、常光屈折率Ｎｏが１．４７５、異常光屈折率Ｎｅが１．５４７であり、常光屈折率Ｎｏと異常光屈折率Ｎｅの平均屈折率は１．５１８であり、反射画素電極１０３はアルミ金属であり、絶縁層間膜１０４ａは二酸化珪素（ＳｉＯ２）であり、吸収膜１０５はＴｉＮとＴｉの積層膜からなり上層がＴｉＮであり、斜方蒸着の配向膜１０２はＳｉとＯを蒸着することによりＳｉＯの膜が蒸着されている。一般的に、ＳｉＯの物性値は屈折率が２．０、消衰係数は０．０２である。
【００２８】
本実施例の溝部の絶縁膜１０８はＳｉＯである。
【００２９】
ここで、本実施例の構造および物性値を、波動伝播シミュレーション（ＦＤＴＤ法）に再現させ、溝部の絶縁膜１０８に関してのみ屈折率を変化させた計算結果を図３に示す。
【００３０】
従来は、反射率向上のために良好な溝部絶縁膜の物性値の条件およびその効果に対する言及がなされていないが、特登録０２８６４４６４に関してはＳｉＯ２が溝部の絶縁膜に選択されている。ＳｉＯ２の屈折率は１．４６程度であり、図３より反射率は７３．３％に対して、本実施例はＳｉＯの屈折率が２．０のために反射率が７４．７％となり、従来に対して１％程度の反射率向上が見込まれる。
【００３１】
また、図４は溝部の絶縁膜がＳｉＯ２の従来の回折光強度結果であり、図５は溝部の絶縁膜がＳｉＯの本発明の回折光強度結果である。図４および図５の方位軸は回折光が液晶変調素子から出射する方位角度を示しており、入射振動方向を０度−９０度方向とする。一方、縦軸は入射光を１００％としたときの回折光の強度を示している。
【００３２】
回折光強度の全光量総和は、図４の従来は６．５％で、図５の本発明は５．６％であり、本発明の回折光強度が減少することで、正反射光の強度が強くなっている。
【００３３】
また、従来の溝部絶縁膜１０８の屈折率１．４６のとき反射率は７３．３％であるが、図３から、絶縁層間膜１０４ａの屈折率との差が０．２以上あると、屈折率は１．６６以上であり、そのときの反射率は７４．４％以上となり、十分な効果が得られる。
【実施例２】
【００３４】
実施例１および実施例２と共通する構成要素には同じ符号を付している。
【００３５】
本実施例の構造寸法に関しては、画素ピッチ１０９は８．０μ、反射画素電極１０３の厚みは０．６５μ、反射画素電極間の溝幅１１０は０．３５μ、絶縁層間膜１０４ａの厚みは０．２６μ、斜方蒸着の配向膜１０２の厚みは０．０５μである。
【００３６】
また、各構造の物性値に関しては、液晶層１０１の液晶分子の屈折率は、常光屈折率Ｎｏが１．４５、異常光屈折率Ｎｅが１．５１であり、常光屈折率Ｎｏと異常光屈折率Ｎｅの平均屈折率は１．４８であり、反射画素電極１０３はアルミ金属であり、絶縁層間膜１０４ａは二酸化珪素（ＳｉＯ２）であり、吸収膜１０５はＴｉＮとＴｉの積層膜からなり上層がＴｉＮであり、斜方蒸着の配向膜１０２はＳｉとＯを蒸着することによりＳｉＯの膜が蒸着されている。一般的に、ＳｉＯの物性値は屈折率が２．０、消衰係数は０．０２である。
【００３７】
本実施例の溝部の絶縁膜１０８はＹ２Ｏ３で、屈折率が１．８２である。
【００３８】
ここで、本実施例の構造および物性値を、波動伝播シミュレーション（ＦＤＴＤ法）に再現させ、絶縁層間膜１０４ａに関してのみ屈折率を変化させた計算結果を図６に示す。
【００３９】
図６より絶縁層間膜１０４ａの屈折率の小さい方が、反射率が高くなる傾向にある。これは、絶縁層間膜の屈折率より、溝部の絶縁膜Ｙ２Ｏ３の屈折率１０８がより大きくなることで屈折率差が生じ、溝部に発生したエバンネッセント光が溝内部に閉じこもり易くなって回折光が除々に減少して、反射率が向上することになる。
【実施例３】
【００４０】
実施例１と共通する構成要素には同じ符号を付している。
【００４１】
本実施例の構造寸法に関しては、画素ピッチ１０９は８．０μ、反射画素電極１０３の厚みは０．６５μ、反射画素電極間の溝幅１１０は０．３５μ、絶縁層間膜１０４ａの厚みは０．２６μ、斜方蒸着の配向膜１０２の厚みは０．０５μである。
【００４２】
また、各構造の物性値に関しては、液晶層１０１の液晶分子の屈折率は、常光屈折率Ｎｏが１．４７５、異常光屈折率Ｎｅが１．５４７であり、常光屈折率Ｎｏと異常光屈折率Ｎｅの平均屈折率は１．５１であり、反射画素電極１０３はアルミ金属であり、絶縁層間膜１０４ａは二酸化珪素（ＳｉＯ２）であり、吸収膜１０５はＴｉＮとＴｉの積層膜からなり上層がＴｉＮであり、斜方蒸着の配向膜１０２はＳｉとＯを蒸着することによりＳｉＯの膜が蒸着されている。一般的に、ＳｉＯの物性値は屈折率が２．０、消衰係数は０．０２である。
【００４３】
本実施例の溝部の絶縁膜１０８はＳｉＯである。
【００４４】
ここで、本実施例の構造および物性値を、波動伝播シミュレーション（ＦＤＴＤ法）に再現させ、液晶層１０１に関してのみ屈折率を変化させた計算結果を図７に示す。
【００４５】
図７より液晶層１０１の屈折率の小さい方が、反射率が高くなる傾向にある。これは、液晶層１０１の屈折率より、溝部の絶縁膜ＳｉＯの屈折率１０８がより大きくなることで屈折率差が生じ、溝部に発生したエバンネッセント光が溝内部に閉じこもり易くなって回折光が除々に減少して、反射率が向上することになる。
【実施例４】
【００４６】
次に、本発明の液晶変調素子を用いた投影表示装置の実施形態を図８に基づき説明する。
【００４７】
図８は投写型表示装置の実施形態を構成する主要な光学系の断面図である。
【００４８】
不図示の外部ビデオ入力信号を液晶変調素子駆動信号に変換する液晶変調素子ドライバー３０３からのドライブ信号を図中の実線を介して反射型液晶素子からなるレッド用液晶変調素子３Ｒ、グリーン用液晶変調素子３Ｇ、ブルー用液晶変調素子２Ｂをそれぞれ独立制御し、一方、本発明の照明手段３０１（側面図を横に記している）からの紙面垂直方向に直線偏光偏波した照明光を、マゼンタ色を反射しグリーン色を透過するマゼンタグリーン波長帯域分離ダイクロイックミラー３０５によってまずマゼンタ色成分を偏向し、偏向されたマゼンタ色は、ブルー色の偏光に半波長のリタデーションを与えるブルークロスカラー偏光子３１１を通過して、紙面水平方向に直線偏光偏波したブルー色成分と、紙面垂直方向に直線偏光偏波したレッド色成分が作成され、次に、偏光ビームスプリッタ３１０に入射し、紙面水平方向に直線偏光偏波したブルー色成分は偏光分離膜をＰ偏光波のため透過して、ブルー用液晶変調素子３Ｂに導かれ、紙面垂直方向に直線偏光偏波したレッド色成分は偏光分離膜をＳ偏光波のため反射して、レッド用液晶変調素子３Ｒに導かれる。
【００４９】
一方、マゼンタグリーン波長帯域分離ダイクロイックミラー３０５によって透過分離されたグリーン色成分は、光路長を補正するためのダミーガラス３０６を通過し、次に、偏光ビームスプリッタ３０７に入射し、紙面垂直方向に直線偏光偏波したグリーン色成分は偏光分離膜をＳ偏光波のため反射して、グリーン用液晶変調素子３Ｇに導かれるように構成されている。
【００５０】
上記の照明構成で各レッド用液晶変調素子３Ｒ、グリーン用液晶変調素子３Ｇ、ブルー用液晶変調素子３Ｇは照明される。
【００５１】
一方、ビデオ信号に法って変調されたレッド用液晶変調素子３Ｒ、グリーン用液晶変調素子３Ｇ、ブルー用液晶変調素子３Ｇによって、各液晶変調素子３Ｒ、３Ｇ、３Ｂを照明する光は、各レッド用液晶変調素子３Ｒ、グリーン用液晶変調素子３Ｇ、ブルー用液晶変調素子３Ｇに配列された画素の変調状態に応じて偏光のリタデーションが付与され、照明光と同じ方向の偏光偏波成分は、照明光路を略引き返す光路を辿って光源ランプ側に戻り、照明光の偏波方向に対して直角方向の偏光偏波成分に関しては、レッド用液晶変調素子３Ｒによる変調光は偏光偏波方向が紙面水平方向となり、偏光ビームスプリッタ３０１の偏光分離膜をＰ偏光波のため透過して、次に、レッド色の偏光に半波長のリタデーションを与えるレッドクロスカラー偏光子３１２を通過して、紙面垂直方向に直線偏光偏波したレッド色成分に変換され、次に、偏光ビームスプリッタ３０８に入射し、紙面垂直方向に直線偏光偏波したレッド色成分は偏光分離膜をＳ偏光波のため反射して、投影光学系３０４の方向に偏向を受ける。
【００５２】
ブルー用液晶変調素子３Ｂによる変調光は偏光偏波方向が紙面垂直方向となり、偏光ビームスプリッタ３１０の偏光分離膜をＳ偏光波のため反射して、次に、レッド色の偏光に半波長のリタデーションを与えるレッドクロスカラー偏光子３１２を作用を受けずに通過して、次に、偏光ビームスプリッタ３０８に入射し、紙面垂直方向に直線偏光偏波したブルー色成分は偏光分離膜をＳ偏光波のため反射して、投影光学系３０４の方向に偏向を受ける。
【００５３】
グリーン用液晶変調素子３Ｇによる変調光は偏光偏波方向が紙面水平方向となり、偏光ビームスプリッタ３０７の偏光分離膜をＰ偏光波のため透過して、次に、光路長を補正するためのダミーガラス３０９を通過し、次に、偏光ビームスプリッタ３０８に入射し、紙面水平方向に直線偏光偏波したグリーン色成分は偏光分離膜をＰ偏光波のため透過して、投影光学系３０４の方向に導かれる。ただし各レッド用液晶変調素子３Ｒ、グリーン用液晶変調素子３Ｇ、ブルー用液晶変調素子３Ｇにおける複数配された画素は各所定画素が相対的に所定精度を有して重なるように調整またはメカ的または電気的に補償されていることは言及するまでもない。次に、合波されたカラー色として変調された光はそのまま投影光学系３０４の入射瞳によって捕らえられ、各レッド用液晶変調素子３Ｒ、グリーン用液晶変調素子３Ｇ、ブルー用液晶変調素子３Ｇの光変調面と光拡散スクリーン３１３の光拡散面が投影光学系３０４によって光学的共役関係に配されているため、光拡散スクリーン３１３に転送されて、ビデオ信号に法った画像が光拡散スクリーン３１３に表示されるものである。
【００５４】
このとき、各々レッド用液晶変調素子３Ｒ、グリーン用液晶変調素子３Ｇ、ブルー用液晶変調素子２Ｂは、垂直配向モードの反射型液晶変調素子である。
【符号の説明】
【００５５】
１０１  液晶層、１０２  斜方蒸着膜、１０３  反射画素電極、１０４−ａ  絶縁層間膜、１０４−ｂ  絶縁層間膜、１０５  吸収膜、１０６  吸収膜・絶縁層間膜、１０７  電極配線層、１０８  反射画素電極間の画素溝、１０９  反射画素電極のピッチ、１１０反射画素電極間の画素溝幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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