(57)【要約】【課題】リフトオフ法を用いて光学フィルタを形成する際に、光学フィルタの膜厚が不均一となる領域の幅を狭くして、装置の構成の複雑化や大型化を招くことなく、上記領域を透過する不要な光によるノイズを低減する。【解決手段】同一の半導体基板１に複数の光電変換素子２ａ・２ｂを並べて形成し、一部の光電変換素子２ｂ上に、平坦化保護層５を介して、任意の波長領域の光を透過する干渉フィルタ６ｂをリフトオフ法によって形成する。特に、複数の光電変換素子２ａ・２ｂを覆うように半導体基板１上に平坦化保護層５を形成した後、一部の光電変換素子２ｂの形成領域の外側に位置する平坦化保護層５を除去することにより、平坦化保護層５の厚さに相当する段差Ｔを表面に形成し、段差Ｔを乗り越えるように干渉フィルタ６ｂを形成する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一の半導体基板に複数の光電変換素子を並べて形成する工程と、
一部の光電変換素子上に、平坦化保護層を介して、任意の波長領域の光を透過する光学フィルタをリフトオフ法によって形成する工程とを有する光電変換装置の製造方法であって、
前記複数の光電変換素子を覆うように前記半導体基板上に前記平坦化保護層を形成した後、前記一部の光電変換素子の形成領域の外側に位置する平坦化保護層を除去することにより、前記平坦化保護層の厚さに相当する段差を表面に形成する工程をさらに有しており、
前記光学フィルタの形成工程では、前記段差を乗り越えるように前記光学フィルタを形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項２】
前記光学フィルタの形成工程では、平坦化保護層が除去されている残りの光電変換素子の上方にレジストを形成し、前記レジストおよび残存する平坦化保護層を覆うように光学フィルタを形成した後、前記レジストとともに残りの光電変換素子上の光学フィルタを除去することにより、前記段差を乗り越える光学フィルタを残すことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項３】
前記光学フィルタの形成工程では、前記光学フィルタを、蒸着法またはスパッタリング法を用いて成膜することを特徴とする請求項１または２に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項４】
前記光学フィルタを第１の光学フィルタとすると、
前記一部の光電変換素子上に、前記第１の光学フィルタの透過波長の一部を透過する第２の光学フィルタを形成する工程をさらに含み、
前記第２の光学フィルタは、前記一部の光電変換素子上の平坦化保護層によって覆われていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項５】
同一の半導体基板に並べて形成される複数の光電変換素子と、
一部の光電変換素子上に平坦化保護層を介してリフトオフ法により形成され、任意の波長領域の光を透過する光学フィルタとを備えた光電変換装置であって、
前記平坦化保護層が、前記一部の光電変換素子を覆うように前記半導体基板上に形成されていることにより、前記平坦化保護層の厚さに相当する段差が表面に形成されており、
前記光学フィルタは、前記段差を乗り越えるように形成されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項６】
前記光学フィルタは、高屈折率の誘電体層と低屈折率の誘電体層とを積層して構成されていることを特徴とする請求項５に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記光学フィルタを第１の光学フィルタとすると、
前記一部の光電変換素子上に、前記第１の光学フィルタの透過波長の一部を透過する第２の光学フィルタが形成されており、
前記第２の光学フィルタは、前記一部の光電変換素子上の平坦化保護層によって覆われていることを特徴とする請求項５または６に記載の光電変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一部の光電変換素子上に、リフトオフ法によって形成される光学フィルタを備えた光電変換装置と、その製造方法とに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、複数の光電変換素子と、任意の波長領域の光を透過する光学フィルタ（カラーフィルタ、干渉フィルタ）とを備えた光電変換装置が、特許文献１をはじめとして種々提案されている。
【０００３】
図４は、同一の半導体基板に複数の光電変換素子を有する一般的な光電変換装置の断面図である。半導体基板１０１の光入射側には、複数の光電変換素子１０２ａ・１０２ｂが並んで形成されており、さらに光電変換素子１０２ａ・１０２ｂを覆うように絶縁層１０３が形成されている。
【０００４】
この絶縁層１０３上には、光電変換素子１０２ｂを覆うように、任意の波長領域の光を透過するカラーフィルタ１０４が形成されており、さらに、光電変換素子１０２ａ・１０２ｂおよびカラーフィルタ１０４を覆うように、平坦化保護層１０５が形成されている。また、平坦化保護層１０５上には、光電変換素子１０２ｂを覆うように、干渉フィルタ１０６が設けられている。干渉フィルタ１０６は、高屈折率の誘電体層と低屈折率の誘電体層とを積層してなり、赤外光を遮断する目的で設けられている。
【０００５】
このような光電変換装置では、光電変換素子１０２ａは可視光領域から赤外光領域までの広い波長領域の光を光電変換することができ、光電変換素子１０２ｂは干渉フィルタ１０６およびカラーフィルタ１０４を透過した任意の波長の可視光のみを光電変換することができる。そして、光電変換素子１０２ａ・１０２ｂから出力される信号に基づき、半導体基板１０１上に形成された電気回路（図示せず）によって演算処理等を行うことにより、任意の波長の光強度等の情報を外部へ出力することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−３１３９７４号公報（請求項１、図１等参照）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、高屈折率の誘電体層と低屈折率の誘電体層とからなる干渉フィルタ１０６は、一般的に、蒸着法やスパッタリング法によって形成される。このとき、半導体基板１０１上の任意の位置（上記の例では光電変換素子１０２ｂの上方）に干渉フィルタ１０６を形成する方法としては、例えば以下のような方法がある。すなわち、半導体基板１０１上に、任意の領域が開口された金属製のマスクを設け、蒸着法またはスパッタリング法によって、開口した領域のみ干渉フィルタ１０６を成膜する方法である。しかし、この方法では、微細な任意の領域に均一な膜厚の干渉フィルタ１０６を形成することが難しいため、一般的には、次のリフトオフ法がよく使われる。
【０００８】
図５（ａ）および図５（ｂ）は、従来の光電変換装置の製造工程を示すものであって、リフトオフを行う前後での断面図である。リフトオフ法では、平坦化保護層１０５上において、干渉フィルタ１０６ｂの形成が不要な領域（光電変換素子１０２ａの上方）に予めレジスト１０７を形成しておき、このレジスト１０７を覆うように平坦化保護層１０５上に干渉フィルタ１０６ａ・１０６ｂを形成した後、レジスト剥離液に浸漬し、レジスト１０７を溶解して除去すると同時に、レジスト１０７の上部に形成された干渉フィルタ１０６ａを除去することにより、必要な領域のみ干渉フィルタ１０６ｂを残す。
【０００９】
しかし、このようなリフトオフ法を利用する場合において、同じ平坦化保護層１０５上にレジスト１０７および干渉フィルタ１０６ｂを形成する場合は、蒸着装置やスパッタリング装置の特性上、レジスト１０７の近傍の、干渉フィルタ１０６ｂのエッジ部分を均一な膜厚で形成することが困難となり、膜厚が不均一な領域Ｒの幅が広がる。上記領域Ｒでは、想定した光学特性が得られないため、不要な波長領域の光が透過する。このような不要な波長領域の光が光電変換素子１０２ａ・１０２ｂに到達してそこで光電変換されると、電気的信号に不要なノイズが含まれてしまう。
【００１０】
このような事態を避けるためには、干渉フィルタ１０６ｂの膜厚が不均一な領域Ｒと光電変換素子１０２ａ・１０２ｂとの間に光を遮蔽するメタル層を設けたり、領域Ｒと光電変換素子１０２ａ・１０２ｂとの距離を大きくして（光電変換素子１０２ａ・１０２ｂ間の距離を大きくして）、領域Ｒを透過した不要な光が光電変換素子１０２ａ・１０２ｂにて光電変換されないようにすることが必要となる。しかし、これらの手法は、光電変換装置の構成の複雑化や大型化を招くため、望ましくはない。
【００１１】
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、リフトオフ法を用いて光学フィルタを形成する際に、光学フィルタの膜厚が不均一となる領域の幅を狭くして、装置の構成の複雑化や大型化を招くことなく、上記領域を透過する不要な光によるノイズを低減できる光電変換装置と、その製造方法とを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の光電変換装置の製造方法は、同一の半導体基板に複数の光電変換素子を並べて形成する工程と、一部の光電変換素子上に、平坦化保護層を介して、任意の波長領域の光を透過する光学フィルタをリフトオフ法によって形成する工程とを有する光電変換装置の製造方法であって、前記複数の光電変換素子を覆うように前記半導体基板上に前記平坦化保護層を形成した後、前記一部の光電変換素子の形成領域の外側に位置する平坦化保護層を除去することにより、前記平坦化保護層の厚さに相当する段差を表面に形成する工程をさらに有しており、前記光学フィルタの形成工程では、前記段差を乗り越えるように前記光学フィルタを形成することを特徴としている。
【００１３】
また、本発明の光電変換装置は、同一の半導体基板に並べて形成される複数の光電変換素子と、一部の光電変換素子上に平坦化保護層を介してリフトオフ法により形成され、任意の波長領域の光を透過する光学フィルタとを備えた光電変換装置であって、前記平坦化保護層が、前記一部の光電変換素子を覆うように前記半導体基板上に形成されていることにより、前記平坦化保護層の厚さに相当する段差が表面に形成されており、前記光学フィルタは、前記段差を乗り越えるように形成されていることを特徴としている。
【００１４】
一部の光電変換素子の形成領域の外側の平坦化保護層を除去することで、基板表面には、平坦化保護層の厚さに相当する段差が形成されるので、リフトオフによって不要な光学フィルタを除去するためのレジストを段差の低い表面側に形成し、リフトオフによってレジストともに不要な光学フィルタを除去し、上記段差を乗り越えるように光学フィルタを残すことができる。
【００１５】
このようにして上記段差を乗り越える光学フィルタを形成することにより、例えば蒸着法やスパッタリング法を用いて光学フィルタを成膜する場合でも、レジスト近傍の光学フィルタのエッジを段差の低い表面側に落ち込ませて、光学フィルタの膜厚が不均一となる領域の幅を狭くしながら、平坦化保護層上に光学フィルタを均一な膜厚で形成することができる。
【００１６】
上記領域の幅を狭くすることにより、光学フィルタの上記領域を透過する不要な波長領域の光を低減することができる。したがって、そのような不要な波長領域の光によるノイズの影響を低減すべく、上記光を遮断するための部材を設けたり、各光電変換素子の間の距離を大きく確保する必要がなくなる。その結果、装置の構成の複雑化や大型化を招くことなく、上記領域を透過する不要な光によるノイズを低減することができる。
【００１７】
ここで、前記光学フィルタの形成工程では、平坦化保護層が除去されている残りの光電変換素子の上方にレジストを形成し、前記レジストおよび残存する平坦化保護層を覆うように光学フィルタを形成した後、前記レジストとともに残りの光電変換素子上の光学フィルタを除去することにより、前記段差を乗り越える光学フィルタを残すようにしてもよい。
【００１８】
このようにリフトオフ法によってレジストとともに不要な光学フィルタを除去することにより、基板表面の段差を乗り越える光学フィルタを確実に形成することができる。
【００１９】
前記光学フィルタは、高屈折率の誘電体層と低屈折率の誘電体層とを積層して構成されていてもよい。高屈折率の誘電体層と低屈折率の誘電体層とを積層してなる光学フィルタは、蒸着法やスパッタリング法を用いて成膜することが可能である。
【００２０】
光学フィルタの形成工程において、光学フィルタを、蒸着法またはスパッタリング法を用いて成膜する場合、成膜装置の特性上、リフトオフに用いるレジスト近傍の光学フィルタのエッジにおける膜厚が不均一な領域の幅が広がりやすい。このため、平坦化保護膜の厚さに相当する段差を乗り越えるように光学フィルタを形成して、膜厚が不均一な領域の幅を狭くする本発明が有効となる。
【００２１】
前記光学フィルタを第１の光学フィルタとすると、上記の製造方法は、前記一部の光電変換素子上に、前記第１の光学フィルタの透過波長の一部を透過する第２の光学フィルタを形成する工程をさらに含んでいてもよい。そして、前記第２の光学フィルタは、残存する平坦化保護層によって覆われていてもよい。また、上記の装置においては、前記一部の光電変換素子上に、前記第１の光学フィルタの透過波長の一部を透過する第２の光学フィルタが形成されており、前記第２の光学フィルタは、残存する平坦化保護層によって覆われていてもよい。
【００２２】
この場合、一部の光電変換素子は、複数の光学フィルタを介して入射する、任意の波長の光のみを光電変換することができ、その出力と、残りの光電変換素子からの出力とに基づいて、光強度の情報を得ることができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、光学フィルタは、平坦化保護層の厚さに相当する段差を乗り越えるように基板表面に形成されている。これにより、リフトオフ法で用いるレジスト近傍で、光学フィルタの膜厚が不均一となる領域の幅を狭くして、装置の構成の複雑化や大型化を招くことなく、上記領域を透過する不要な光によるノイズを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の一形態および参考例に係る光電変換装置の製造工程の一部を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、参考例の光電変換装置の製造工程の残りを示す断面図である。
【図３】（ａ）および（ｂ）は、本実施形態の光電変換装置の製造工程の残りを示す断面図である。
【図４】従来の一般的な光電変換装置の断面図である。
【図５】（ａ）および（ｂ）は、従来の光電変換装置の製造工程を示すものであって、リフトオフを行う前後での断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
まず、本実施形態の光電変換装置について説明する前に、本実施形態の前提となる参考例の光電変換装置について説明する。
【００２６】
図１および図２は、参考例の光電変換装置１０’の製造工程を示す断面図である。参考例では、複数の光電変換素子２ａ・２ｂのうち、一部の光電変換素子２ｂ上に、平坦化保護層５を介して、任意の波長領域の光を透過する光学フィルタ（干渉フィルタ６）をリフトオフ法によって形成している。以下、その詳細について説明する。
【００２７】
まず、図１（ａ）に示すように、同一の半導体基板１の光入射側に、複数の光電変換素子２ａ・２ｂを所定間隔を介して並べて形成する。光電変換素子２ａ・２ｂは、例えばＣＣＤ（Charge Coupled Device ）やＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor ）で構成することが可能である。
【００２８】
次に、図１（ｂ）に示すように、半導体基板１上に、光電変換素子２ａ・２ｂを覆うように絶縁層３を形成する。なお、半導体基板１上には、光電変換素子２ａ・２ｂからの信号を取り出す配線や、上記信号に基づいて演算処理を行う電気回路、およびこの電気回路からの出力を外部に取り出すための配線が形成されており、絶縁層３はこれらも覆うように形成されている。
【００２９】
続いて、図１（ｃ）に示すように、一部の光電変換素子２ｂ上に、絶縁層３を介してカラーフィルタ４（第２の光学フィルタ）を形成する。カラーフィルタ４は、後述する干渉フィルタ６ｂを透過する波長領域の一部の光を透過するものであり、例えば緑色光、青色光または赤色光など、可視光領域の光の一部を透過する。このカラーフィルタ４は、例えばスピンコート法により半導体基板１の全面に形成された後、フォトリソグラフィーやエッチングによってパターニング形成される。
【００３０】
その後、カラーフィルタ４を覆うように平坦化保護層５を形成する。この平坦化保護層５も、前述のカラーフィルタ４と同様に、スピンコート法により半導体基板１の全面に（光電変換素子２ａ・２ｂを覆うように）形成された後、フォトリソグラフィーやエッチングによって形成される。
【００３１】
次に、図２（ａ）に示すように、平坦化保護層５上において、干渉フィルタ６ｂの形成が不要な領域に（光電変換素子２ａの上方に）、レジスト７をスピンコート法とフォトリソグラフィーとによって形成する。その後、図２（ｂ）に示すように、蒸着法やスパッタリング法を用い、レジスト７を覆うように平坦化保護層５上に干渉フィルタ６ａ・６ｂ（第１の光学フィルタ）を形成する。干渉フィルタ６ａ・６ｂは、赤外光を遮断して可視光領域の光を透過する光学フィルタであり、高屈折率の誘電体層と低屈折率の誘電体層とを積層して構成されている。
【００３２】
最後に、レジスト剥離液を用いて、上記のレジスト７を溶解して除去するとともに、レジスト７上の干渉フィルタ６ａを除去し、光電変換素子２ｂを覆う干渉フィルタ６ｂを残す。これにより、参考例の光電変換装置１０’が完成する。
【００３３】
次に、本実施形態の光電変換装置の製造方法について説明する。本実施形態の光電変換装置１０の製造においては、参考例と同様に、図１（ａ）〜図１（ｃ）の工程を行う。図３（ａ）および図３（ｂ）は、本実施形態の光電変換装置１０の製造工程の残りを示す断面図である。
【００３４】
図１（ｃ）のように、複数の光電変換素子２ａ・２ｂを覆うように半導体基板１上に平坦化保護層５を形成した後、図３（ａ）に示すように、一部の光電変換素子２ｂの形成領域の外側に位置する平坦化保護層５をフォトリソグラフィーとエッチングによって除去する。これにより、光電変換素子２ａ上の基板表面と光電変換素子２ｂ上の基板表面との間に、平坦化保護層５の厚さに相当する段差Ｔを形成する。そして、平坦化保護層５が除去されている残りの光電変換素子２ａの上方にリフトオフ用のレジスト７を形成し、レジスト７および残存する平坦化保護層５を覆うように干渉フィルタ６（６ａ・６ｂ）を蒸着法やスパッタリング法を用いて成膜する。
【００３５】
その後、図３（ｂ）に示すように、レジスト７とともに光電変換素子２ａ上の干渉フィルタ６ａを除去することにより、段差Ｔを乗り越える（段差Ｔをまたぐ）干渉フィルタ６ｂを残す（リフトオフ）。これにより、段差Ｔによる相対的に低い表面（絶縁層３の表面）から、段差Ｔによる相対的に高い表面（平坦化保護層５の表面）にわたって干渉フィルタ６ｂが形成された光電変換装置１０が完成する。
【００３６】
以上のように、平坦化保護層５の一部を除去して、基板表面に、平坦化保護層５の厚さに相当する段差Ｔを形成することにより、リフトオフ用のレジスト７を、段差の低い表面側（絶縁層３上）に形成し、リフトオフによってレジスト７および不要な干渉フィルタ２ａを除去し、段差Ｔを乗り越えるように干渉フィルタ６ｂを残すことができる。
【００３７】
このようにして干渉フィルタ６ｂを形成することにより、干渉フィルタ６ｂのエッジが段差の低い表面側に落ち込むため、レジスト７に近い位置に段差Ｔがあっても、段差の高い表面側、すなわち、平坦化保護層５上に、干渉フィルタ６ｂを蒸着法やスパッタリング法を用いて所望の膜厚まで積むことができる。言い換えれば、蒸着法やスパッタリング法を用いて干渉フィルタ６ｂを形成する場合に、レジスト７の近傍で干渉フィルタ６ｂの膜厚が不均一となる領域Ｒ０（所望の光学特性からずれる領域）の幅を狭くしながら、平坦化保護層５上に干渉フィルタ６ｂを均一な膜厚で形成することができる。
【００３８】
ここで、各層の材料や膜厚などの条件を一定とした場合、図５（ｂ）で示した従来の構成において、干渉フィルタ１０６ｂの膜厚が不均一な領域Ｒの幅は１５μｍであったが、本実施形態のように平坦化保護層５の厚さに相当する段差Ｔを設けて、その段差Ｔを乗り越えるように干渉フィルタ６ｂを形成した場合、レジスト７近傍の干渉フィルタ６ｂの膜厚が不均一な領域Ｒ０の幅を６．５μｍまで狭めることができることがわかった。
【００３９】
このように、リフトオフ法で干渉フィルタ６ｂを形成するにあたって、干渉フィルタ６ｂの膜厚が不均一な領域Ｒ０の幅を従来よりも大幅に狭くできるので、領域Ｒ０を透過する光、つまり、不要な波長領域の光を大幅に減少させることができる。これにより、不要な波長領域の光によるノイズの影響を低減すべく、上記光を遮断するための部材を設けたり、各光電変換素子２ａ・２ｂの間の距離を大きく確保する必要がなくなる。その結果、装置の構成の複雑化や大型化を招くことなく、領域Ｒ０を透過する不要な光によるノイズ（各光電変換素子２ａ・２ｂでの光電変換時のノイズ）を低減することができる。
【００４０】
また、平坦化保護層５上で干渉フィルタ６ｂが均一な厚さで形成されるので、平坦化保護層５上では、干渉フィルタ６ｂの光学特性を均一にすることができる。
【００４１】
また、干渉フィルタ６を形成する際に、平坦化保護層５が除去された領域上にレジスト７を形成し、レジスト７および残存する平坦化保護層５を覆うように干渉フィルタ６ａ・６ｂを形成した後、レジスト７とともにその上の干渉フィルタ６ａを除去することにより、段差Ｔを乗り越える干渉フィルタ６ｂを残すようにしている。このようにレジスト７を用いたリフトオフ法により、干渉フィルタ６ｂを確実に形成することができる。
【００４２】
また、干渉フィルタ６ｂは、高屈折率の誘電体層と低屈折率の誘電体層とを積層して構成されている。このような干渉フィルタ６ｂは、上述したように、蒸着法やスパッタリング法を用いて成膜することが可能であるが、この場合は、蒸着装置やスパッタリング装置の特性上、レジスト近傍で光学フィルタを均一な膜厚で形成することが困難であり、光学フィルタのエッジ付近で膜厚が不均一な領域の幅が広がりやすい。
【００４３】
しかし、本実施形態では、上述したように、平坦化保護膜５の厚さに相当する段差Ｔを形成して、その段差Ｔを乗り越えるように光学フィルタ（干渉フィルタ６ｂ）を形成し、光学フィルタのエッジを段差の低い表面側に落ち込ませることにより、膜厚が不均一な領域の幅を狭くすることができる。したがって、そのような本実施形態の製法および構成は、蒸着法やスパッタリング法を用いて干渉フィルタ６ｂを成膜する場合、つまり、高屈折率の誘電体層と低屈折率の誘電体層とを積層して干渉フィルタ６ｂを形成する場合に有効となる。
【００４４】
また、本実施形態では、一部の光電変換素子２ｂ上にカラーフィルタ４を形成し、このカラーフィルタ４を平坦化保護層５で覆うようにしている。上記の平坦化保護層５の上には、上述した干渉フィルタ６ｂが（段差Ｔを乗り越えて）形成されているので、光電変換素子２ｂ上では、２つの光学フィルタが積層されていることになる。
【００４５】
この構成では、光電変換素子２ｂは、干渉フィルタ６ｂおよびカラーフィルタ４を介して入射する、任意の波長の可視光のみを光電変換することができる。しかも、本実施形態では、干渉フィルタ６ｂの膜厚が不均一な領域Ｒ０の幅を狭くして、不要な波長領域の光の入射を低減できるので、上記の光電変換におけるノイズの影響を低減することができる。
【００４６】
また、光電変換素子２ａ上には光学フィルタは形成されていないため、光電変換素子２ａは、可視光領域から赤外光領域までの広い波長領域の光を光電変換することができる。したがって、光電変換素子２ａ・２ｂから出力される信号に基づき、電気回路（図示せず）によって演算処理等を行うことにより、任意の波長の光強度等の情報を外部へ出力することができる。
【００４７】
なお、本実施形態では、一部の光電変換素子２ｂ上に、複数の光学フィルタ（干渉フィルタ６ｂ、カラーフィルタ４）を有する光電変換装置１０について説明したが、一部の光電変換素子上にリフトオフ法によって形成される光学フィルタを少なくとも１つ有する構成であれば、上述した本実施形態の製法を適用することができる。
【００４８】
なお、本実施形態では、同一の半導体基板１に２つの光電変換素子２ａ・２ｂを並べて形成した構成について説明したが、３つ以上の光電変換素子を並べて形成した構成であってもよく、この場合でも、上述した本実施形態の製法を適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明は、一部の光電変換素子上に、リフトオフ法によって形成される光学フィルタを備えた光電変換装置およびその製造に利用可能である。
【符号の説明】
【００５０】
１      半導体基板
２ａ    光電変換素子
２ｂ    光電変換素子
４      カラーフィルタ（第２の光学フィルタ）
５      平坦化保護層
６      干渉フィルタ（第１の光学フィルタ）
６ａ    干渉フィルタ（第１の光学フィルタ）
６ｂ    干渉フィルタ（第１の光学フィルタ）
７      レジスト
１０      光電変換装置
Ｔ      段差
【図１】
2014041912.tif 000003
【図２】
2014041912.tif 000004
【図３】
2014041912.tif 000005
【図４】
2014041912.tif 000006
【図５】
2014041912.tif 000007