(57)【要約】      （修正有）【課題】Ｓｎの含有量をさらに増やしたＩＴＯ透明導電膜を成膜することができるＩＴＯスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。【解決手段】ＩＴＯスパッタリングターゲットは、Ｓｎ酸化物：２０〜８０ｗｔ％を含有し、残部がＩｎ酸化物からなる混合体を、８００〜１０００℃の温度、１００ｋｇｆ／ｃｍ２を超え５００ｋｇｆ／ｃｍ２以下の圧力、非酸化性雰囲気中で焼結して得た焼結体であって、Ｓｎ酸化物相とＩｎ酸化物相とが分散分布した組織を有しており、相対密度が９０％以上である。また、Ｉｎ酸化物及びＳｎ酸化物は平均粒径０．１〜０．４μｍの粉末である。得られた焼結体に基づいてＩＴＯスパッタリングターゲットを作製する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｎ酸化物：２０〜８０ｗｔ％を含有し、残部がＩｎ酸化物からなる焼結体であって、
前記焼結体は、Ｓｎ酸化物相とＩｎ酸化物相とが分散分布した組織を有しており、相対密度が９０％以上であることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲット。
【請求項２】
Ｓｎ酸化物粉末：２０〜８０ｗｔ％とＩｎ酸化物粉末：残部とを含む混合体を、８００〜１０００℃の温度、１００ｋｇｆ／ｃｍ２を超え５００ｋｇｆ／ｃｍ２以下の圧力、非酸化性雰囲気中で焼結して焼結体を得ることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項３】
前記Ｉｎ酸化物粉末及びＳｎ酸化物粉末の平均粒径が、０．１〜０．４μｍであることを特徴とする請求項２に記載のＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリングによりＩＴＯ（インジウム−錫酸化物）透明導電膜の形成に使用されるＩＴＯスパッタリングターゲット及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶を中心とする表示デバイスの発展に伴い、透明導電膜の需要が増加している。液晶の透明導電膜としては低抵抗、高透明性が必要であり、これまで電極材料としては、代表的に透明導電膜として知られたＩＴＯ（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物）膜が用いられている。このＩＴＯ透明導電膜の形成方法としては、スプレー法、真空蒸着法、イオン・プレーティング法、スパッタリング法などがあるが、中でも、膜質が良く生産性が高く、操作性の簡便さということから、ＩＴＯ焼結体のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法が広く適用されている（例えば、特許文献１乃至３を参照）。
【０００３】
このスパッタリング法で用いられるＩＴＯスパッタリングターゲットの焼結体中の錫（Ｓｎ）の含有量は、成膜条件や目的とする膜特性により変わるが、一般的には、Ｓｎ酸化物（ＳｎＯ２）換算で、３〜１５ｗｔ％の範囲が好ましいとされ、その残部が、Ｉｎ酸化物（Ｉｎ２Ｏ３）となっている。例えば、ＩＴＯ透明導電膜の成膜には、膜中のＩｎとＳｎが、組成比Ｉｎ：Ｓｎ＝９０：１０となるように調整されたＩＴＯ焼結体のスパッタリングターゲットが広く用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平６−６４９５９号公報
【特許文献２】特開平１０−１５８８２７号公報
【特許文献３】特開２００８−１９５５５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したように、従来技術によるＩＴＯスパッタリングターゲットでは、膜中のＩｎとＳｎが、組成比Ｉｎ：Ｓｎ＝９０：１０と例示したように、Ｓｎの含有量が少ないものがほとんどであった。しかしながら、表示デバイスのコスト低減を目指して、このＩＴＯ透明導電膜におけるＳｎの含有量をさらに増やすことが提案されている。
【０００６】
そこで、本発明は、Ｓｎの含有量をさらに増やしたＩＴＯ透明導電膜を成膜することができるＩＴＯスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した従来技術によるＩＴＯスパッタリングターゲットを得るための焼結体の製造においては、Ｉｎ酸化物粉末とＳｎ酸化物粉末を、目標とするＩＴＯ膜の組成比、即ち、ＩＴＯ焼結体の組成になるように配合し、湿式あるいは乾式の混合方法により混合粉末を得た後、この混合粉末の成形体を、１２５０〜１６００℃、大気中で焼結している。この従来技術によるＩＴＯ焼結体の製造方法に従って、従来のＳｎ酸化物の配合比に比べて、Ｓｎ酸化物粉末を増やして焼結すると、ＩＴＯ焼結体中には、ＩｎとＳｎとの複合酸化物が生成された。このＩｎとＳｎとの複合酸化物の生成に起因して、局所的に密度が高くなり焼結体の密度が不均一となるため、脆く割れやすいことが分かった。
【０００８】
ここで、その従来技術によって、Ｓｎの含有量が従来のＩＴＯスパッタリングターゲットの場合より多いＩＴＯ焼結体の製造を試みた。平均粒径が０．５５μｍのＳｎ酸化物粉末（ＳｎＯ２）と、Ｉｎ酸化物粉末（Ｉｎ２Ｏ３）とを用意し、３０ｗｔ％のＳｎ酸化物粉末と、残部のＩｎ酸化物粉末を、ビーズミルにて、スラリー濃度３０％で、１．５時間の混合を行って、混合体を作製し、この混合体を、ＣＩＰ：１５０ＭＰａ、１分間、１６００℃の酸素雰囲気中で焼結した。このＩＴＯ焼結体における組成成分について分析を行った。その分析結果が、図１及び図２に示されている。
【０００９】
図１の写真は、従来技術で製造されたＩＴＯ焼結体について、ＥＰＭＡ（フィールドエミッション型電子線プローブ）にて得られた元素分布像であり、図中の４枚の写真から、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｏの各元素の組成分布の様子をそれぞれ観察することができる。なお、ＥＰＭＡによる元素分布像は、本来カラー像であるが、図１の写真では、白黒像に変換して示しているため、その写真中において、白いほど、当該元素の濃度が高いことを表している。
【００１０】
具体的には、Ｉｎに関する分布像では、Ｉｎ元素が、白い部分と、比較的白い（灰色）部分とで分布し、Ｓｎに関する分布像では、Ｓｎ元素は、Ｉｎ元素の白い部分には、ほとんど存在せず、その周囲において、白い部分と灰色部分とに分散分布して存在しており、酸素（Ｏ）に関する分布像では、画像の全域に存在していることが観察される。この観察によれば、ＩＴＯ焼結体においては、Ｉｎ酸化物相とＩｎとＳｎの酸化物相とが存在していると推定できる。
【００１１】
一方、図２のグラフは、上述したように製造された従来技術によるＩＴＯ焼結体のスパッタリングターゲットについて、Ｘ線回折（ＸＲＤ）による分析結果を示している。図２の上段のグラフは、全体のピークを示しているが、その中段のグラフには、ＩｎとＳｎの酸化物に係るピークが、そして、その下のグラフは、Ｉｎ酸化物に係るピークが現われていることを示している。図１に示された分布画像と図２のグラフに現れたピークとを併せて考慮すると、Ｉｎ酸化物及びＩ−Ｓｎ酸化物とが別々に検出されていることが分かる。
【００１２】
以上を総合すれば、従来技術で製造したＩＴＯ焼結体のスパッタリングターゲットには、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ三元系元素でなる焼成体において、ＩｎとＳｎの複合酸化物相中に、Ｉｎ酸化物相が存在しており、Ｓｎ酸化物相は存在していないことが確認された。この様に製造したＩＴＯ焼結体のスパッタリングターゲットは、ＩｎとＳｎの複合酸化物相の存在により、相対密度：９７．２％が得られたものの、割れが発生し、不合格であった。
【００１３】
これに対して、従来技術に拠らない別の製造方法で、Ｓｎの含有量が多いＩＴＯ焼結体のスパッタリングターゲットの製造を試みた。平均粒径が０．１５μｍのＳｎ酸化物粉末（ＳｎＯ２）と、Ｉｎ酸化物粉末（Ｉｎ２Ｏ３）とによる混合体を作製した。この混合体について、ホットプレス：９５０℃、３５０ｋｇｆ／ｃｍ２、不活性ガス雰囲気中で、３時間の焼結を実施し、ＩＴＯ焼結体を得た。このＩＴＯ焼結体における組成成分について分析を行った。その分析結果が、図３及び図４に示されている。
【００１４】
図３の写真は、製造されたＩＴＯ焼結体のスパッタリングターゲットに関する、ＥＰＭＡ（フィールドエミッション型電子線プローブ）にて得られた元素分布像であり、図中の４枚の写真から、図１の場合と同様に、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｏの各元素の組成分布の様子をそれぞれ観察することができる。
【００１５】
具体的には、Ｉｎに関する分布像では、Ｉｎ元素が、白い部分で分散分布し、Ｓｎに関する分布像では、Ｓｎ元素は、Ｉｎ元素の白い部分には、ほとんど存在せず、白い部分が分散分布して存在しており、酸素（Ｏ）に関する分布像では、画像の全域に存在していることが観察される。この観察によれば、このＩＴＯ焼結体においては、Ｉｎ酸化物相とＳｎ酸化物相が別々に存在していると推定できる。
【００１６】
一方、図４のグラフは、製造されたＳｎの含有量が多いＩＴＯ焼結体のスパッタリングターゲットについて、Ｘ線回折（ＸＲＤ）による分析結果を示している。図４の上段のグラフは、全体のピークを示しているが、その中段のグラフには、Ｉｎ酸化物に係るピークが、そして、その下のグラフは、Ｓｎ酸化物に係るピークが現われていることを示している。図３に示された分布画像と図４のグラフに現れたピークとを併せて考慮すると、上述した別の製造方法で製造されたＩＴＯ焼結体のスパッタリングターゲットにおいては、Ｉｎ酸化物及びＳｎ酸化物とが別々に検出されていることが分かる。
【００１７】
以上を総合すれば、この別の製造方法により製造したＩＴＯスパッタリングターゲットでは、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ三元系元素でなる焼成体は、Ｉｎ酸化物相とＳｎ酸化物相からなる組織を有し、ＩｎとＳｎの複合酸化物相は存在していないことが確認され、さらに、微細なＩｎ酸化物相とＳｎ酸化物相とが均一に分布していることも確認された。このＩＴＯスパッタリングターゲットは、ＩｎとＳｎの複合酸化物相を含んでいないため、割れの発生を抑制することができるという知見が得られた。
【００１８】
したがって、本発明は、上記知見から得られたものであり、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。
（１）本発明によるＩＴＯスパッタリングターゲットは、Ｓｎ酸化物：２０〜８０ｗｔ％を含有し、残部がＩｎ酸化物からなる焼結体であって、該焼結体は、Ｓｎ酸化物相とＩｎ酸化物相とが分散分布した組織を有しており、相対密度が９０％以上であることを特徴とする。
（２）本発明によるＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法は、Ｓｎ酸化物粉末：２０〜８０ｗｔ％とＩｎ酸化物粉末：残部とを含む混合体を、８００〜１０００℃の温度、１００ｋｇｆ／ｃｍ２を超え５００ｋｇｆ／ｃｍ２以下の圧力、非酸化性雰囲気中で焼結して焼結体を得ることを特徴とする。
（３）前記（２）のＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法では、前記Ｉｎ酸化物粉末及びＳｎ酸化物粉末の平均粒径が、０．１〜０．４μｍであることを特徴とする。
【００１９】
以上の様に、本発明によるＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法では、Ｓｎ酸化物粉末：２０〜８０ｗｔ％とＩｎ酸化物粉末：残部とを含む混合体を、８００〜１０００℃の温度、１００ｋｇｆ／ｃｍ２を超え５００ｋｇｆ／ｃｍ２以下の圧力、非酸化性雰囲気中で焼結して焼結体を得ることとし、この焼結体に基づいてＩＴＯスパッタリングターゲットを作製した。
【００２０】
ここで、本発明によるＩＴＯスパッタリングターゲットにおいては、従来のＩＴＯスパッタリングターゲットの場合、即ち、例えば、組成比Ｉｎ：Ｓｎ＝９０：１０のように、Ｓｎの含有量が少ない場合に比較して、Ｓｎの含有量を、多くしており、成膜されたＩＴＯ膜の特性として、実用に供することができる透明性と導電性の両方を満たすことを条件に、Ｓｎ酸化物粉末を２０〜８０ｗｔ％配合し、Ｉｎ酸化物と混合することにした。ここで、８０ｗｔ％を超えてＳｎ酸化物粉末を配合した場合には、焼結時に、相対密度比が９０％を超えず、高密度化が困難である。
【００２１】
そして、得られた混合体を８００〜１０００℃の温度、１００ｋｇｆ／ｃｍ２を超え５００ｋｇｆ／ｃｍ２以下の圧力、非酸化性雰囲気中で焼結することとした。この焼結するとき、８００℃未満の温度では、相対密度比が９０％を超えられず、高密度化が困難であり、また、１０００℃を超える温度では、Ｉｎ酸化物（Ｉｎ２Ｏ３）が還元され、Ｉｎ金属となり溶解する可能性がある。さらに、焼結時の圧力に関しては、１００ｋｇｆ／ｃｍ２以下の圧力では、焼結体の相対密度比が９０％を超えられず、高密度化が困難であり、５００ｋｇｆ／ｃｍ２を超える圧力では、加圧焼結するためにモールドの耐圧性を高める必要があり、モールドを大きくしなければならず、それによって焼結炉も大型化してしまう。また、モールドが破損する危険性も高くなるため、量産時の生産性に乏しくなる。
焼結体の相対密度比が９０％以上となるが、ＩｎとＳｎの複合酸化物が生成されるか、或いは、Ｉｎ酸化物（Ｉｎ２Ｏ３）が還元され、Ｉｎ金属となり溶解する可能性がある。
【００２２】
一方、上記の混合体に含まれるＩｎ酸化物粉末及びＳｎ酸化物粉末の平均粒径を、０．１〜０．４μｍの範囲とした。この様な範囲の平均粒径を有するＩｎ酸化物粉末及びＳｎ酸化物粉末とするには、Ｓｎ酸化物粉末とＩｎ酸化物粉末とに溶媒を加えて作成したスラリーをビーズミル装置で１．５時間混合することにより得られるのであって、その平均粒径が、０．１μｍ未満であると、粉末の取り扱いが悪く、生産性に劣ることになり、また、その平均粒径が、０．４μｍを超えると、相対密度比が９０％を超えられず、高密度化が困難となる。
【００２３】
上記ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法によれば、Ｓｎ酸化物：２０〜８０ｗｔ％を含有し、残部がＩｎ酸化物からなり、Ｓｎ酸化物相とＩｎ酸化物相とが分散分布した組織を有する焼結体が得られるため、焼結体の高密度化を図ることができ、ＩＴＯスパッタリングターゲットの割れを抑制することができる。
【発明の効果】
【００２４】
以上の様に、本発明によれば、従来のＩＴＯスパッタリングターゲットのＳｎの含有量を多くした場合であっても、微細化したＳｎ酸化物粉末とＩｎ酸化物粉末とによる混合体をホットプレス焼結するようにしたので、相対密度比が、９０％以上であり、且つ、ＩｎとＳｎの複合酸化物が生成されず、微細なＩｎ酸化物相とＳｎ酸化物相とが均一に分布したＩＴＯ焼結体を得ることができ、本発明のＩＴＯスパッタリングターゲットは、割れの発生を抑制でき、生産性向上に寄与する。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】従来技術に係るＩＴＯスパッタリングターゲットの一例について、その組織をフィールドエミッション型電子線プローブ（ＥＰＭＡ）により測定した各元素の元素分布像である。
【図２】従来技術に係るＩＴＯスパッタリングターゲットのＸ線回折（ＸＲＤ）の分析結果を示すグラフである。
【図３】本発明に係るＩＴＯスパッタリングターゲットの一例について、その組織をフィールドエミッション型電子線プローブ（ＥＰＭＡ）により測定した各元素の元素分布像である。
【図４】本発明に係るＩＴＯスパッタリングターゲットのＸ線回折（ＸＲＤ）の分析結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
つぎに、この発明のＩＴＯスパッタリングターゲット及びその製造方法について、以下に、実施例により具体的に説明する。
【００２７】
〔実施例〕
先ず、Ｓｎ酸化物粉末（化学式：ＳｎＯ２、Ｄ５０＝１０μｍ）と、Ｉｎ酸化物粉末（化学式：Ｉｎ２Ｏ３、Ｄ５０＝１１μｍ）とを原料粉末として用意し、表１に示す所定の比率になるように秤量した。
この秤量したＳｎ酸化物粉末とＩｎ酸化物粉末とに、溶媒を加えてスラリーを作成し、このスラリーをビーズミル装置で１．５時間混合し、粉末粒径が０．１５μｍの微細化した混合粉末を得た。このとき、スラリー濃度（原料粉末質量÷溶媒質量×１００）が、３０％になるように調整し、ここでは、溶媒に、アルコールを用いた。
次いで、得られた混合粉末を乾燥後、造粒し、９５０℃にて３時間、３５０ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力にて、真空中で焼結（ホットプレス）を行い、焼結体を得た。得られた焼結体を銅（Ｃｕ）のバッキングプレートに接合し、所定形状に機械加工を施して、実施例１〜６のＩＴＯスパッタリングターゲットを作製した。その形状のサイズは、直径１２５ｍｍ×厚さ５ｍｍである。
【００２８】
また、上記実施例１〜６は、得られたスラリーをビーズミル装置で１．５時間混合して、混合粉末を微細化した場合であったが、この混合時間を０．３時間として、粉末粒径：０．３８μｍの混合粉末を得た場合、混合時間を１．０時間として、粉末粒径：０．１７μｍの混合粉末を得た場合、そして、混合時間を２．０時間として、粉末粒径：０．１２μｍの混合粉末を得た場合について、それぞれ得られた混合粉末を、乾燥後、造粒し、９５０℃にて３時間、３５０ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力にて、真空中で焼結（ホットプレス）を行い、焼結体を得た。それぞれ得られた焼結体をＣｕバッキングプレートに接合し、所定形状に機械加工を施して、実施例７〜９のＩＴＯスパッタリングターゲットを作製した。
【００２９】
〔比較例〕
上記実施例との比較のため、実施例における製造手順は同じであるが、実施例で設定された条件の範囲外である比較例１〜６のＩＴＯスパッタリングターゲットを作製した。
比較例１の場合は、ホットプレスの温度が１６００℃であり、比較例２の場合は、Ｓｎ酸化物粉末の配合量が、８５ｗｔ％であり、比較例の場合３は、ホットプレスの温度が７５０℃であり、比較例４の場合は、ホットプレスの温度が１０５０℃であり、比較例の場合５は、混合時間を０．２時間として、粉末粒径：０．４２μｍの混合粉末を得ており、そして、比較例６の場合は、混合時間を０．１時間として、粉末粒径：０．５５μｍの混合粉末を得ている。
【００３０】
以上で作製された実施例１〜９及び比較例１〜６のＩＴＯスパッタリングターゲットについて、相対密度比を測定し、さらに、ターゲット中のＩｎとＳｎの複合酸化物の有無について観測した。そして、各ＩＴＯスパッタリングターゲットに関する評価を行った。
＜相対密度比の測定＞
相対密度比は、焼結体を所定寸法に機械加工した後、重量を測定し嵩密度を求めた後、理論密度で割ることで、算出した。なお、理論密度は、原料の重量に基づいて以下のようにして求めた。相対密度比の測定結果が、表１に示されている。なお、比較例４の場合には、Ｉｎが溶解したため、相対密度比を求められなかったので、「溶解」と表記した。
【００３１】
【数１】
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【００３２】
＜ＩｎとＳｎの複合酸化物の有無＞
作製されたＩＴＯスパッタリングターゲットについて、Ｘ線回折（ＸＲＤ）による分析を行った。以下に示すＸＲＤ分析装置を用いた。
装置‥株式会社リガク製（ＲＩＮＴ−Ｕｌｔｉｍａ／ＰＣ）
管球：Ｃｕ
管電圧：４０ｋＶ
管電流：４０ｍＡ
走査範囲（２∂）：５０°〜８０°
スリットサイズ：発散（ＤＳ）２／３度、散乱（ＳＳ）２／３度、受光（ＲＳ）０．８ｍｍ
測定ステップ幅：２８で０．０２度
スキャンスピード：毎分２度
試料台回転スピード：３０ｒｐｍ
ここで、ＩｎとＳｎの複合酸化物（Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２）に係る回折ピークが見られない場合を、「無」と、その回折ピークが見られた場合を、「有」とし、その結果が表１に示されている。
【００３３】
＜評価＞
上記の実施例１〜９及び比較例１〜６のＩＴＯスパッタリングターゲットについて、相対密度比の値と、ＩｎとＳｎの複合酸化物の有無とにより、評価を行った。ここで、相対密度比が９０％以上であり、かつ、ＩｎとＳｎの複合酸化物が「無」である場合を、「合格」とし、相対密度比が９０％に満たない場合、又は、ＩｎとＳｎの複合酸化物が「有」である場合であるときには、「不合格」とした。
【００３４】
【表１】
2014162947.tif 000004
【００３５】
以上の結果から、実施例１〜９のＩＴＯスパッタリングターゲットに関しては、いずれも「合格」であり、Ｓｎ酸化物の含有量が、従来技術の場合における含有量より多くても、微細化した混合粉末を、従来技術による焼結温度より低い温度でホットプレス焼結することにより、相対密度比が９０％以上となり、割れの要因であるＩｎとＳｎの複合酸化物が存在しないことが確認でき、抗折強度の高いＩＴＯスパッタリングターゲットが得られることが分かった。
【００３６】
一方、比較例１のＩＴＯスパッタリングターゲットでは、粉末粒径：０．１５μｍの混合粉末が用いられたが、ホットプレスの温度が１６００℃と高いため、ＩｎとＳｎの複合酸化物が検出され、比較例２のＩＴＯスパッタリングターゲットでは、粉末粒径：０．１５μｍの混合粉末が用いられたが、Ｓｎ酸化物粉末の配合量が、８５ｗｔ％と多過ぎるため、相対密度比が、９０％未満であり、比較例３のＩＴＯスパッタリングターゲットでは、粉末粒径：０．１５μｍの混合粉末が用いられたが、ホットプレスの温度が低すぎたため、相対密度比が、９０％未満であり、比較例４のＩＴＯスパッタリングターゲットでは、粉末粒径：０．１５μｍの混合粉末が用いられたが、ホットプレスの温度が高すぎたため、Ｉｎが溶解してしまい、そして、比較例５及び６のＩＴＯスパッタリングターゲットでは、混合粉末の粉末粒径が大きいため、相対密度比が、９０％未満であったので、比較例１〜６のＩＴＯスパッタリングターゲットのいずれも、「不合格」であった。
【００３７】
以上の様に、実施例のＩＴＯスパッタリングターゲットを製造するにあたって、所定量に秤量されたＳｎ酸化物粉末とＩｎ酸化物粉末とのスラリーをビーズミル装置で微細化し、その混合粉末を乾燥後、造粒し、９５０℃にて３時間、３５０ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力にて、真空中でホットプレスして焼結体を得ており、その焼結体では、相対密度比が、９０％以上であり、且つ、ＩｎとＳｎの複合酸化物がないことが確認された。実施例のＩＴＯスパッタリングターゲットについて、ＥＰＭＡにより測定した各元素の元素分布像からも、微細なＩｎ酸化物相とＳｎ酸化物相とが均一に分布していることも確認され、さらに、割れの発生を抑制できた。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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