(57)【要約】      （修正有）【課題】外来光の遮蔽を強化し信号伝送の信頼度を向上させることが可能な薄型パッケージを有する半導体装置を提供する。【解決手段】発光素子３に接続された１次側リード７と、受光素子５に接続された２次側リード９と、１次側リード７の一部と２次側リード９の一部とを覆う成形体１０と、を備える。成形体１０は、実装面と同じ向きの第１の面１５ａと、第１の面１５ａとは反対側の第２の面１５ｂと、を有する。そして、成形体１０は、１次側リード７の発光素子３が固着された部分と、２次側リード９の受光素子５が固着された部分と、を覆う内部樹脂１３と、内部樹脂１３を覆い、外来光を遮る外部樹脂１５と、発光素子３、受光素子５、１次側リード７および２次側リード９のいずれよりも第２の面１５ｂに近い位置に設けられ、受光素子５が感度を有する外来光を遮る光遮蔽層１７と、を含む。【選択図】図１
2014041865.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を放出する発光素子と、
前記発光素子から放出された光を検出する受光素子と、
前記発光素子に接続された１次側リードと、
前記受光素子に接続された２次側リードと、
前記発光素子と、前記受光素子と、前記１次側リードの一部と、前記２次側リードの一部と、を覆い、前記１次側リードの実装面および前記２次側リードの実装面と同じ向きの第１の面と、前記第１の面とは反対側の第２の面と、を有する成形体と、
を備え、
前記成形体は、前記１次側リードの前記発光素子が固着された部分と、前記２次側リードの前記受光素子が固着された部分と、を覆う内部樹脂と、
前記内部樹脂を覆い、前記受光素子が感度を有する外来光を遮る外部樹脂と、
前記発光素子、前記受光素子、前記１次側リードおよび前記２次側リードのいずれよりも前記第２の面に近い位置に設けられ、前記受光素子が感度を有する外来光を遮る光遮蔽層と、を含む半導体装置。
【請求項２】
前記光遮蔽層は、前記１次側リードおよび前記２次側リードの少なくともいずれか一方の前記第２の面側の表面に接して設けられた請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記光遮蔽層は、前記内部樹脂と、前記外部樹脂と、の間に設けられた請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記光遮蔽層は、前記第２の面の上に設けられた請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記光遮蔽層における前記外来光の透過率は、前記外部樹脂における前記外来光の透過率よりも低い請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項６】
光を放出する発光素子と、
前記発光素子から放出された光を検出する受光素子と、
前記発光素子に接続された１次側リードと、
前記受光素子に接続された２次側リードと、
前記発光素子と、前記受光素子と、前記１次側リードの一部と、前記２次側リードの一部と、を覆い、前記１次側リードの実装面および前記２次側リードの実装面と同じ向きの第１の面と、前記第１の面とは反対側の第２の面と、を有する成形体と、
を備え、
前記成形体は、前記１次側リードの前記発光素子が固着された部分と、前記２次側リードの前記受光素子が固着された部分と、を覆い、前記１次側リードおよび前記２次側リードの少なくともいずれかの前記第２の面側の表面が露出した内部樹脂と、
前記内部樹脂と、前記１次側リードおよび前記２次側リードの少なくともいずれかの前記表面と、を覆い、前記受光素子が感度を有する外来光を遮る外部樹脂と、を含み、
前記外部樹脂の前記第２面側の厚さは、前記第１面側の厚さよりも厚い半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
実施形態は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置には小型化が求められるが、例えば、発光素子と受光素子とを同一のパッケージに収容するフォトカプラでは、入力側（１次側）と出力側（２次側）との間の絶縁耐圧を確保するためのスペースが必要である。すなわち、発光素子と受光素子との間に一定以上の間隔を設ける必要がある。これに対して、封止樹脂の肉厚を薄くすることにより小型化（薄型化）する方法が考えられる。しかしながら、封止樹脂を薄くすると、外来光の遮蔽が不十分となり、受光素子の暗電流が増加する。このため、受光感度が劣化し、信号伝送の信頼度が低下するおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−１７０７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
実施形態は、外来光の遮蔽を強化し信号伝送の信頼度を向上させることが可能な薄型パッケージを有する半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る半導体装置は、発光素子と、前記発光素子の光を検出する受光素子と、前記発光素子に接続された１次側リードと、前記受光素子に接続された２次側リードと、前記発光素子と、前記受光素子と、前記１次側リードの一部と、前記２次側リードの一部と、を覆う成形体と、を備える。前記成形体は、前記１次側リードの実装面および前記２次側リードの実装面と同じ向きの第１の面と、前記第１の面とは反対側の第２の面と、を有する。そして、前記成形体は、前記１次側リードの前記発光素子が固着された部分と、前記２次側リードの前記受光素子が固着された部分と、を覆う内部樹脂と、前記内部樹脂を覆い、前記受光素子が感度を有する外来光を遮る外部樹脂と、前記発光素子、前記受光素子、前記１次側リードおよび前記２次側リードのいずれよりも前記第２の面に近い位置に設けられ、前記受光素子が感度を有する外来光を遮る光遮蔽層と、を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１実施形態に係る半導体装置を表す模式図である。
【図２】第１の実施形態に係る半導体装置の製造過程を表す模式断面図である。
【図３】図２に続く製造過程を表す模式断面図である。
【図４】第１の実施形態に係る半導体装置の特性を表す模式図である。
【図５】第１実施形態の変形例に係る半導体装置を表す模式断面図である。
【図６】第２実施形態に係る半導体装置を表す模式断面図である。
【図７】第２実施形態の変形例に係る半導体装置を表す模式断面図である。
【図８】第３実施形態に係る半導体装置を表す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、図面中の同一部分には同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。
【０００８】
（第１実施形態）  
図１は、第１実施形態に係る半導体装置１００を表す模式図である。図１（ａ）は、図１（ｂ）に示すＩＡ−ＩＡ断面を示す。図１（ｂ）は、半導体装置１００を上方から見た透視図である。
【０００９】
半導体装置１００は、樹脂パッケージ（成形体１０）の内部に、発光素子３と、発光素子３の光を検出する受光素子５と、を収容したフォトカプラである。  
図１（ａ）に示すように、発光素子３は、１次側リード（以下、リード７）の先端に設けられたマウントベッド７ｆの上に固着（ダイボンディング）され電気的に接続される。受光素子５は、２次側リード（以下、リード９）の先端に設けられたマウントベッド９ｆの上にダイボンディングされ電気的に接続される。
【００１０】
具体的には、図１（ｂ）に示すように、リード７は、例えば、相互に離間して配置された２つのリード７ｃおよび７ｄであり、リード７の先端にマウントベッド７ｆを設ける。発光素子３は、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）であり、導電性ペースト２５を介してマウントベッド７ｆの上にダイボンディングされる。そして、発光素子３と、リード７ｃと、の間に金属ワイヤ２１をボンディングすることにより、リード７ｃ、７ｄと、発光素子３と、を電気的に接続する。
【００１１】
一方、リード９は、例えば、相互に離間して配置された３つのリード９ｃ、９ｄおよび９ｅである。マウントベッド９ｆは、リード９ｃの先端に設けられる。受光素子５は、例えば、プリアンプ付きフォトダイオード、または、フォトトランジスタであり、接着材２７を介してマウントベッド９ｆの上にダイボンディングされる。そして、受光素子５の複数の電極と、リード９ｃ、９ｄおよび９ｅと、の間にそれぞれ金属ワイヤ２３がボンディングされる。これにより、受光素子５と、リード９ｃ、９ｄおよび９ｅと、の間が、電気的に接続される。
【００１２】
成形体１０は、リード７の一部である発光素子３が接続された部分と、リード９の一部である受光素子５が接続された部分を覆う。また、成形体１０は、発光素子３が放射する光を透過する透明樹脂である内部樹脂１３と、少なくとも受光素子５が感度を有する波長帯の外来光を遮る遮光樹脂である外部樹脂１５と、を含む。発光素子３がダイボンディングされ部分と、受光素子５がダイボンディングされた部分とは、共に、内部樹脂１３に覆われる。
【００１３】
また、リード７およびリード９の成形体１０から延出する部分は下方に折り曲げられ、例えば、プリント基板に実装する際に、その配線にハンダ付けされる。すなわち、半導体装置１００は、リード７の実装面７ａおよびリード９の実装面９ａと同じ向きの成形体１０の下面１５ａ（第１の面）をプリント基板に向けて実装される。
【００１４】
本実施形態では、発光素子３と受光素子５とが、成形体１０の内部で向き合うように配置される。好ましくは、図１（ａ）に示すように、発光素子３の発光面を上方に向け、受光素子５の受光面を下方に向けて配置する。
【００１５】
半導体装置１００は、成形体１０の下面１５ａをプリント基板に向けて実装される。このため、外部樹脂１５を透過して内部樹脂１３に侵入する外来光は、主に成形体１０の上面１５ｂ（第２の面）から入射する。したがって、受光素子５の受光面を下方に向けることにより、外来光により生じる暗電流（バックグランドレベル）の上昇を抑制することができる。
【００１６】
一方、信号を入力する１次側のリード７と、信号を出力する２次側のリード９と、の間において、所定の絶縁耐圧を確保するためには、対向して配置される発光素子３と、受光素子５と、の間のスペースを広くすることが望ましい。すなわち、内部樹脂１３の縦方向の厚さは、リード７、９、発光素子３および受光素子５のそれぞれの厚さに、発光素子３と受光素子５との間のスペースの幅を加えた厚さよりも薄くすることはできない。このため、内部樹脂１３を覆う外部樹脂１５の肉厚を薄くすることにより、成形体１０を薄くして半導体装置１００の低背化が図られる。
【００１７】
しかしながら、外部樹脂１５の肉厚を薄くすれば、外来光の遮蔽効果が低下し内部樹脂１３の内部に侵入する外来光が増加する。このため、本実施形態では、受光素子５の受光面を下方に向ける配置に加えて、内部樹脂１３と、外部樹脂１５と、の間に光遮蔽層１７を設ける。光遮蔽層１７は、内部樹脂１３と外部樹脂１５との間の上面側の界面に設け、受光素子５が感度を有する外来光に対する透過率が、外部樹脂１５における外来光の透過率よりも小さい材料を用いる。これにより、光遮蔽層１７と、外部樹脂１５と、を合わせた遮蔽層の肉厚を厚くすることなく、外来光の遮蔽効果を向上させることができる。
【００１８】
光遮蔽層１７には、例えば、アルミニウムなどの金属膜を用いても良いし、光の吸収材もしくは反射材を分散した樹脂を用いても良い。光遮蔽層１７には、光吸収材または反射材を外部樹脂１５よりも高濃度に分散する。
【００１９】
次に、図２および図３を参照して、半導体装置１００の製造過程を説明する。図２（ａ）〜図３（ｂ）は、それぞれ半導体装置１００の製造過程を表す模式断面図である。
【００２０】
まず、図２（ａ）に示すように、リード７の先端に発光素子３を実装したリードフレーム２０と、リード９の先端に受光素子５を実装したリードフレーム３０と、を組み合わせ、受光素子５と発光素子３とが向き合うように配置する。
【００２１】
リード７の先端に実装された発光素子３には、例えば、透明のエンキャップ樹脂１９を被せて保護する。また、１次側と２次側の間の絶縁耐圧を確保するため、例えば、金属ワイヤ２１のループの頂部と、金属ワイヤ２３のループの頂部と、の間の間隔を、０．４ｍｍ以上とする。すなわち、１次側の導電体と、２次側の導電体と、の間の最小間隔を０．４ｍｍ以上とする。
【００２２】
次に、図２（ｂ）に示すように、発光素子３を実装したリード７の先端部、および、受光素子５を実装したリード９の先端部を覆う内部樹脂１３を、例えば、射出成形法により形成する。内部樹脂１３には、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、または、シリコーンなどを用いる。
【００２３】
次に、図３（ａ）に示すように、内部樹脂１３の上面１３ｂの上に光遮蔽層１７を形成する。光遮蔽層１７は、例えば、金属膜であり、インジウム（Ｉｎ）または錫（Ｓｎ）を選択的に蒸着することにより形成できる。また、アルミニウム（Ａｌ）または銅（Ｃｕ）などの薄膜を貼着しても良い。これらの金属膜を、例えば、数μｍの厚さに形成すれば、可視光、赤外光など、受光素子５が感度を有する波長帯の光を遮蔽することができる。
【００２４】
また、光遮蔽層１７として、可視光、赤外光などを吸収、もしくは、反射する部材を含む樹脂を用いても良い。この場合、樹脂フィルムを貼着しても良いし、塗布法を用いて形成することもできる。
【００２５】
次に、図３（ｂ）に示すように、内部樹脂１３および光遮蔽層１７を覆う外部樹脂１５を成形する。外部樹脂１５には、例えば、カーボンなどの光吸収材を分散した黒樹脂を用いることができる。また、酸化チタンなどの反射材を分散した白樹脂を用いても良い。
【００２６】
続いて、リード７、９に曲げ加工を施した後、リード７および９を切断しリードフレーム２０および３０から分離する。リード７、９は、成形体１０の下面１５ａの方向に曲げ加工し、その先端部に下面１５ａと同じ向きの実装面７ａおよび９ａを形成する。これにより、受光素子５は、その受光面を下面１５ａの方向に向けて配置され、上面１５ｂの側には、光遮蔽層１７が配置される。
【００２７】
光遮蔽層１７を設ける部分は、例えば、内部樹脂１３の上面１３ｂの全体、または、エンキャップ樹脂１９の上方投影断面に対応する部分でありその面積よりも大きくする。さらに、光遮蔽層１７の厚さは、装置の信頼性を損ねない範囲の厚さで、実装後の剥離が生じない最低限の厚さにすることが望ましい。例えば、金属膜では数μｍ程度とすることができる。また、光吸収材または反射材を含む樹脂を用いる場合、その含有量を増して薄層化することが望ましい。
【００２８】
図４は、第１の実施形態に係る半導体装置１００の特性を表す模式図である。すなわち、図４（ａ）〜図４（ｈ）は、光遮蔽層１７を設けていない半導体装置の上面１５ｂに貼着したアルミニウムの光遮蔽膜５０の位置と、受光素子５の暗電流と、の関係を表している。
【００２９】
例えば、図４（ａ）に示すように、光遮蔽膜５０を貼着しない場合の暗電流は、１２４．６１ｎＡであった。
【００３０】
次に、図４（ｂ）〜図４（ｄ）に示すように、パッケージの長辺方向の上下に光遮光膜５０を貼着した場合の暗電流は、図４（ａ）に比べてやや減少するものの大きな差は生じない。
【００３１】
次に、図４（ｅ）〜図４（ｇ）に示すように、パッケージの短辺方向の端に光遮光膜５０を貼着した場合の暗電流は、１００ｎＡをやや下回る程度に減少する。
【００３２】
さらに、図４（ｈ）に示すように、パッケージの上面の中央付近に光遮蔽膜５０を貼着した場合の暗電流は、５８．７ｎＡと半減する。
【００３３】
ここで用いた光遮蔽膜５０のサイズは、パッケージ上面の面積の４分の１程度であるが、上記の通り暗電流を大幅に低減することができる。また、ＩｎもしくはＳｎをメタルマスク等を用いて選択的に蒸着しても同様の効果が得られる。また、内部樹脂の形成後に光遮蔽層１７を形成し、その後、外部樹脂を形成しても同様効果が得られる。さらに、光遮蔽層の形成法は、塗布法、蒸着法、接着法のいずれであっても同様の効果を示した。
【００３４】
図５は、第１実施形態の変形例に係る半導体装置を表す模式断面図である。  
図５（ａ）に示す半導体装置２００では、光遮蔽層１７は、リード９の受光素子５が実装された面の裏面９ｇに接して設けられる。このような構造は、例えば、内部樹脂１３をモールドする際に、リード９の裏面９ｇ（第２の面側の表面）が露出するように形成することにより実現できる。また、内部樹脂１３をモールドした後、リード９の裏面９ｇの上に形成された樹脂を除去しても良い。そして、内部樹脂１３のリード９の裏面９ｇが露出した面に、光遮蔽層１７を形成後、外部樹脂１５をモールドする。この場合、リード９の裏面９ｇの上に形成される内部樹脂１３の厚さ分だけ、成形体１０の厚さを薄くすることができる。
【００３５】
図５（ｂ）に示す半導体装置３００では、成形体１０の上面１５ｂの上に光遮蔽層１７を形成する。この場合、フィルム状の光遮蔽膜を貼着しても良いし、塗布法または蒸着法を用いて形成することもできる。また、本変形例では、成形体１０の成形後に光遮蔽層１７を形成する。したがって、絶縁耐圧、パッケージ（成形体１０）の強度などの品質に対する光遮蔽層１７の影響がなく、容易に実施でき、且つ、低コストである。
【００３６】
これらの変形例においても、光遮蔽層１７を形成する部分は、内部樹脂１３の上面の全体、あるいは、エンキャップ樹脂１９の上方投影断面に対応する部分、内部樹脂１３の上方投影断面に対応する部分であることが好ましい。
【００３７】
このように、本実施形態では、光遮蔽層１７を設けることにより外来光の遮蔽を強化することができる。これにより、外部樹脂１５の厚さを薄くしてパッケージ（成形体１０）の低背化を図ることができる。また、受光素子５の暗電流を低減して高感度化できるため、信号伝送の信頼度を向上させることができる。
【００３８】
例えば、エポキシ樹脂にＳｉＣやアルミナの微粒子を混入させた外部樹脂１５の厚さを約０．２ｍｍにすることにより、発光素子と受光素子の空隙距離０．４ｍｍ以上を確保し１次側と２次側の絶縁耐圧を保持しながら、成形体１０の低背化を図ることができる。これにより、小型で信頼性の高い製品を安価で提供することができる。また、受光素子５を高感度化することにより、アナログ動作の信頼性を向上することもできる。
【００３９】
（第２実施形態）  
図６は、第２実施形態に係る半導体装置を表す模式断面図である。本実施形態では、発光素子３を実装したリード７と、受光素子５を実装したリード９と、を成形体１０の上面に平行な方向に並べて配置する。したがって、発光素子３と受光素子５とが向き合うことは無く、発光素子３から放射された光は、内部樹脂１３の中で反射されることにより受光素子５に入射する。また、発光素子３および受光素子５は、成形体１０の下面１５ａに向けて配置する。
【００４０】
図６（ａ）に示す半導体装置４００では、成形体１０の上面１５ｂの側において、内部樹脂１３と外部樹脂１５との間に光遮蔽層１７を配置する。これにより、成形体１０の上面１５ｂから入射する外来光を低減する。
【００４１】
光遮蔽層１７は、内部樹脂１３の上面１３ｂの全面に設けても良いし、受光素子５が配置された部分を覆うように設けても良い。
【００４２】
図６（ｂ）に示す半導体装置５００では、内部樹脂１３の上面に露出させたリード７およびリード９の裏面７ｇ、９ｇに接触させて光遮蔽層１７を配置する。これにより、図６（ａ）に比べてリード７、９の裏面に設けられる内部樹脂１３の厚さ分だけ低背化を図ることができる。
【００４３】
光遮蔽層１７は、内部樹脂１３の上面１３ｂの全面に設けても良いし、受光素子５が配置された部分を覆うように設けても良い。ただし、リード７とリード９の両方に接する場合、光遮蔽層１７には絶縁体を用いる。
【００４４】
図６（ｃ）に示す半導体装置６００では、成形体１０の上面１５ｂの上に光遮蔽層１７を設ける。例えば、アルミニウムなどの金属フィルムを貼着しても良いし、ＩｎまたはＳｎを蒸着しても良い。そして、成形体１０の成形後に光遮蔽層１７を形成するため、実施が容易で低コストである。
【００４５】
また、本実施形態では、発光素子３と受光素子５が対向しないため、１次側と２次側の絶縁耐圧を確保するためのスペース的な制約が緩和され、パッケージの低背化に有利である。
【００４６】
図７は、第２実施形態の変形例に係る半導体装置を表す模式断面図である。図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、本変形例では、発光素子３および受光素子５を成形体１０の上面１５ｂに向けて配置する。すなわち、外来光を有効に遮蔽する光遮蔽層１７を上面１５ｂの側に設けることにより、このような配置が可能となる。
【００４７】
図７（ａ）に示す半導体装置７００では、内部樹脂１３と外部樹脂１５との間に光遮蔽層１７を配置する。好ましくは、光遮蔽層１７は、内部樹脂１３の上面１３ｂの全体を覆うように設ける。また、図７（ｂ）に示す半導体装置８００では、成形体１０の上面１５ｂの上に光遮蔽層１７を設ける。
【００４８】
（第３実施形態）  
図８は、第３実施形態に係る半導体装置を表す模式断面図である。図８（ａ）は、本実施形態に係る半導体装置９００を示す。図８（ｂ）は、比較例に係る半導体装置９５０を示す。
【００４９】
半導体装置９００も、樹脂パッケージ（成形体１０）の内部に、発光素子３と、発光素子３の光を検出する受光素子５と、を収容したフォトカプラである。図８（ａ）に示すように、発光素子３は、リード７の先端に設けられたマウントベッド７ｆの上にダイボンディングされ電気的に接続される。受光素子５は、リード９の先端に設けられたマウントベッド９ｆの上にダイボンディングされ電気的に接続される。
【００５０】
成形体１０は、リード７の一部である発光素子３が接続された部分と、リード９の一部である受光素子５が接続された部分を覆う。また、成形体１０は、透明樹脂からなる内部樹脂１３と、外来光を遮る遮光樹脂からなる外部樹脂１５と、を含む。また、リード７およびリード９の成形体１０から延出する部分は下方に折り曲げられ、リード７の実装面７ａおよびリード９の実装面９ａと、成形体１０の下面１５ａが同じ向きになる。
【００５１】
発光素子３と受光素子５とは、成形体１０の内部で向き合うように配置される。そして、発光素子３の発光面を上面１５ｂに向け、受光素子５の受光面を下面１５ａに向けて配置する。
【００５２】
本実施形態では、受光素子５を実装したリード９の裏面９ｇを内部樹脂１３の上面１３ｂに露出させ、外部樹脂１５で覆う。さらに、上面１５ｂの側の外部樹脂１５の厚さｄ２を、下面１５ａの側の外部樹脂１５の厚さｄ１よりも厚くする。
【００５３】
図８（ｂ）に示す例では、リード９の受光素子５が実装された部分は、内部樹脂１３に覆われている。ここで、外部樹脂１５の上面から入射する外来光Ｌ１、Ｌ２を考える。外来光Ｌ１は、リード９に遮られることなく外部樹脂１５を通過して内部樹脂１３に入射する。一方、リード９の裏面９ｇに入射する外来光Ｌ２は、本来、リード９により遮られ、内部樹脂１３へ入射することがないはずであるが、図８（ｂ）に示すように、リード９と、外部樹脂１５と、の間の透明樹脂の内部で反射を繰り返し、内部樹脂１３に入射することがある。このため、外来光Ｌ２により受光素子５の暗電流が増加し、受光感度が低下してしまう。
【００５４】
本実施形態では、リード９の裏面９ｇを内部樹脂１３から露出させ、その上に外部樹脂１５をモールドする。これにより、リード９と外部樹脂１５との間に透明樹脂が介在しない構造となり、リード９の裏面９ｇに入射する外来光を遮蔽し、受光素子５の暗電流を低減することができる。
【００５５】
さらに、外部樹脂１５の上面側の厚さを厚くすることにより、外来光Ｌ１を抑制して受光素子５の暗電流を低減し、受光感度を向上させる。なお、上面１５ｂの側の外部樹脂１５を厚くしても、下面１５ａの側の外部樹脂１５を薄く設けることにより、成形体１０の厚さを維持または薄くすることが可能である。
【００５６】
図６に示すように、発光素子３と受光素子５とを並べて配置した場合は、リード７およびリード９の両方の裏面を内部樹脂１３から露出させ、その上に外部樹脂１５をモールドしても良い。また、受光素子５を下に配置し、発光素子３を上に配置するような場合は、リード７の裏面を内部樹脂１３から露出させ、その上に外部樹脂１５をモールドする。
【００５７】
以上、第１実施形態、第２実施形態を例に説明したように、発光素子３、受光素子５、１次側リード７および２次側リード９のいずれよりも成形体１０の上面１５ｂに近い位置に光遮蔽層１７を設けることにより、外来光を有効に遮蔽し受光素子５の感度を向上させることができる。また、第３実施形態を例に説明したように、リードと外部樹脂との間に透明樹脂を介在させない構造とすることにより、外来光を低減し受光素子５を高感度化することができる。これにより、外乱の影響を受け難く信頼性の高い薄型パッケージを有する半導体装置を実現することができる。
【００５８】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５９】
３・・・発光素子、  ５・・・受光素子、  ７、７ｃ、９、９ｃ・・・リード、  ７ａ、９ａ・・・実装面、  ７ｆ、９ｆ・・・マウントベッド、  ７ｇ、９ｇ・・・裏面、  １０・・・成形体、  １３・・・内部樹脂、  １３ｂ、１５ｂ・・・上面、  １５・・・外部樹脂、  １５ａ・・・下面、  １７・・・光遮蔽層、  １９・・・エンキャップ樹脂、  ２０、３０・・・リードフレーム、  ２１、２３・・・金属ワイヤ、  ２５・・・導電性ペースト、  ２７・・・接着材、  ５０・・・光遮蔽膜、  １００〜９００・・・半導体装置
【図１】
2014041865.tif 000003
【図２】
2014041865.tif 000004
【図３】
2014041865.tif 000005
【図５】
2014041865.tif 000006
【図６】
2014041865.tif 000007
【図７】
2014041865.tif 000008
【図８】
2014041865.tif 000009
【図４】
2014041865.tif 000010