(57)【要約】【課題】モールド金型において、キャビティ部と連通するゲート部には、硬質のシリカ系フィラー等を含む樹脂が勢い良く流れるため、これらの表面の摩耗が進行しやすい。そこで、耐摩耗耐性をあげるために、キャビティ部などを構成する材料よりも硬度の高い材料で、ゲート部すなわちゲートインサートを構成することが有効とされている。しかし、銅系リードフレームとゲートインサートとが接触する部分に於いては、銅系リードフレームの銅イオン等が、焼結体のバインダ部であるコバルト部分へ拡散するため、バインダ部がもろくなり、クリーニング等の際に剥離するという問題である。【解決手段】本願の一つの発明は、半導体装置の製造方法におけるトランスファモールド工程において、モールド金型のゲートインサートの少なくとも銅系リードフレームと接触する部分に銅の拡散を防止する性質を有するコート部材膜で被覆するものである。【選択図】図１９
2014041899.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）半導体チップが下金型および上金型間に形成されたモールドキャビティ内に収容されるように、前記半導体チップを搭載した銅系リードフレームを、前記下金型および前記上金型によりクランプにする工程；
（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記銅系リードフレームがクランプされた状態で、前記下金型または前記上金型に形成されたゲート部を通して、封止樹脂を前記モールドキャビティ内に移送し、前記モールドキャビティ内を、前記封止樹脂で充填することにより、前記半導体チップを封止したレジン封止体を形成する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記下金型および前記上金型を開いて、それらの間から前記銅系リードフレームを取り出す工程、
ここで、
（ｉ）前記下金型または前記上金型の前記ゲート部には、ゲートインサートピースがセットされており、
（ｉｉ）このゲートインサートピースは、その周辺の前記下金型または前記上金型よりも硬い超硬材で形成されており、以下を含む：
（ｘ１）ゲート流路；
（ｘ２）前記ゲート流路の両側に設けられたリードクランプ面；
（ｘ３）少なくとも前記リードクランプ面の内、前記銅系リードフレームをクランプしたときに、これと接触する部分には、銅の拡散を防止する性質を有する表面コート部材膜が形成されている。
【請求項２】
請求項１の半導体装置の製造方法において、前記表面コート部材膜は、少なくとも前記リードクランプ面の全面に形成されている。
【請求項３】
請求項１の半導体装置の製造方法において、前記表面コート部材膜は、前記ゲートインサートピースの全表面に形成されている。
【請求項４】
請求項３の半導体装置の製造方法において、前記ゲートインサートピースの本体部分を構成する前記超硬材は、炭化タングステン系焼結体である。
【請求項５】
請求項３の半導体装置の製造方法において、前記ゲートインサートピースの本体部分を構成する前記超硬材は、炭化タングステン−コバルト系焼結体である。
【請求項６】
請求項５の半導体装置の製造方法において、前記表面コート部材膜は、クロム部材膜で構成されている。
【請求項７】
請求項５の半導体装置の製造方法において、前記表面コート部材膜は、ハードクロムメッキ膜である。
【請求項８】
請求項５の半導体装置の製造方法において、前記表面コート部材膜は、チタン部材膜で構成されている。
【請求項９】
請求項８の半導体装置の製造方法において、前記表面コート部材膜は、溶射によるチタン部材膜である。
【請求項１０】
請求項５の半導体装置の製造方法において、前記表面コート部材膜は、焼結ダイヤモンド部材膜で構成されている。
【請求項１１】
請求項７の半導体装置の製造方法において、更に以下の工程を含む：
（ｄ）前記工程（ｃ）の後に、前記下金型および前記上金型の間に、クリーニング樹脂シートを挟み、加熱圧縮した後、前記クリーニング樹脂シートを剥離することで、前記下金型および前記上金型の表面をクリーニングする工程。
【請求項１２】
請求項７の半導体装置の製造方法において、前記下金型および前記上金型の本体部分は、ダイス鋼により構成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、半導体装置（または半導体集積回路装置）の製造方法に関し、特に樹脂封止技術に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
日本特開２０１０−２６３０６６号公報（特許文献１）は、半導体装置の樹脂封止に関するものである。そこには、表面がクロムメッキされたトランスファモールド金型本体と、そのゲート部分に設置されたタングステン系超硬合金製のゲートインサートが開示されている。
【０００３】
日本特開平６−１５１４９０号公報（特許文献２）は、同様に、半導体装置の樹脂封止に関するものである。そこには、トランスファモールド金型の内面のほぼ全体をクラスタダイヤモンドコートする技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−２６３０６６号公報
【特許文献２】特開平６−１５１４９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
モールド金型において、キャビティ部と連通するゲート部には、硬質のシリカ系フィラー等を含む樹脂が勢い良く流れるため、これらの表面の摩耗が進行しやすい。そこで、耐摩耗耐性をあげるために、キャビティ部などを構成する材料よりも硬度の高い材料（たとえば、炭化タングステン−コバルト系超硬材）で、ゲート部すなわちゲートインサートを構成するモールド金型が有効とされている。
【０００６】
このような金型について、発明者が検討したところ、以下の問題が生じることが明らかとなった。すなわち、銅系リードフレーム（例えば、銅リードフレーム）とゲートインサートとが接触する部分に於いては、銅系リードフレームの銅イオンが、焼結体のバインダ部であるコバルト部分へ拡散するため、バインダ部がもろくなり、クリーニング等の際に剥離するという問題である。
【０００７】
このような課題を解決するための手段等を以下に説明するが、その他の課題と新規な特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願において開示される実施の形態のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
【０００９】
すなわち、本願の一実施の形態の概要は、半導体装置の製造方法におけるトランスファモールド工程において、モールド金型のゲートインサートの少なくとも銅系リードフレームと接触する部分に銅の拡散を防止する性質を有する表面コート部材膜で被覆するものである。
【発明の効果】
【００１０】
本願において開示される実施の形態のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである。
【００１１】
すなわち、前記本願の一実施の形態によれば、ゲートインサートの損傷を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法における組み立て＆レジン封止工程のアウトラインを示すプロセスフロー図である。
【図２】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法における組み立て＆レジン封止工程（ダイシング工程完了時点）のウエハ斜視図である。
【図３】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法における組み立て＆レジン封止工程（ダイボンド工程）のリードフレームの単位デバイス領域の斜視図である。
【図４】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法における組み立て＆レジン封止工程（ワイヤボンディング工程）のリードフレームの単位デバイス領域の斜視図である。
【図５】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法における組み立て＆レジン封止工程（レジン封止工程）のリードフレームの単位デバイス領域の斜視図である。
【図６】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法における組み立て＆レジン封止工程（デバイス分離工程）の単位デバイスの斜視図である。
【図７】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部であるレジン封止工程に使用する上下金型の構造と働きを示す模式正断面図（金型を開いた状態）である。
【図８】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部であるレジン封止工程に使用する上下金型の構造と働きを示す模式正断面図（金型を閉じてレジンを充填した状態）である。
【図９】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部であるレジン封止工程に使用する下金型の構造を説明するための金型上面図である。
【図１０】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部であるレジン封止工程に使用する上金型の構造を説明するための金型下面図である。
【図１１】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部であるレジン封止工程におけるリードフレーム（ボンディングワイヤ等は省略）の上面図（リードフレーム各部説明用）である。
【図１２】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部であるレジン封止工程におけるリードフレーム（ボンディングワイヤ等は省略）の上面図（リードフレームと金型等の各部関係説明用）である。
【図１３】図１２のリードフレーム（リードフレーム＆チップ複合体）の単位領域の左下の１/４の拡大透過上面図（下キャビティブロックの構造が見えるように表示）である。
【図１４】図１３の流入ゲート部の部分拡大透過上面図（リードフレームとの接触部分説明用）である。
【図１５】図１３の流入ゲート部の部分拡大透過上面図（リードクランプ面説明用）である。
【図１６】図１４の矢印ＶＰ（高さ方向は図１９の矢印ＶＰ）方向から見た下金型の斜視図（見やすいようにリードフレームは図示せず）である。
【図１７】図１６のゲートインサートピース及びその周辺の拡大斜視図である。
【図１８】図１３から図１５のＡ−Ａ’断面に対応する図８のゲート部周辺断面図である。
【図１９】図１４および図１５のＰ−Ｐ’断面に対応する図７（リードフレームを置いたとき）のゲート部周辺断面図である。
【図２０】図１４および図１５のＰ−Ｐ’断面に対応する図８（見やすいように封止樹脂は図示せず）のゲート部周辺断面図である。
【図２１】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止工程に使用するゲートインサートピースの構造＆材料等の詳細を説明するための図１８から図２０等のゲートインサートピース本体部分の微細構造図である。
【図２２】図１４のゲートインサートピースおよびリードフレームのＴ−Ｔ’の模式的拡大断面図である（他の部分は、見やすくするために表示していない。以下同じ）。
【図２３】図２２のゲートインサートピースが使用された結果、ゲート流路の表面コート部材膜が除去された状態を示す図２２に対応する模式的拡大断面図である。
【図２４】表面コート部材膜の形成方法の都合等の理由で、ゲートインサートピースの一部表面に表面コート部材膜が形成されていない例を示す図２２に対応する模式的拡大断面図である。
【図２５】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止工程に使用するゲートインサートピースの構造＆材料等に関する変形例１（局所コート）を説明するための図２０に対応するゲート部周辺断面図である。
【図２６】図２２に対応し、図２５のゲートインサートピースの横断面（図１４のＴ−Ｔ’断面）を表す模式的拡大断面図である。
【図２７】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止工程に使用するゲートインサートピースの構造＆材料等に関する変形例２（クランプ面全面コート）を説明するための図２２に対応するゲート部周辺断面図である。
【図２８】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止工程に使用するゲートインサートピースの構造＆材料等に関する変形例３（上面全面コート）を説明するための図２２に対応するゲート部周辺断面図である。
【図２９】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止工程に関連する金型クリーニング工程を説明するためのモールド金型模式断面図である。
【図３０】前記一実施の形態のアウトラインを表す金型要部模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
〔実施の形態の概要〕
先ず、本願において開示される代表的な実施の形態について概要を説明する。
【００１４】
１．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）半導体チップが下金型および上金型間に形成されたモールドキャビティ内に収容されるように、前記半導体チップを搭載した銅系リードフレームを、前記下金型および前記上金型によりクランプにする工程；
（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記銅系リードフレームがクランプされた状態で、前記下金型または前記上金型に形成されたゲート部を通して、封止樹脂を前記モールドキャビティ内に移送し、前記モールドキャビティ内を、前記封止樹脂で充填することにより、前記半導体チップを封止したレジン封止体を形成する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記下金型および前記上金型を開いて、それらの間から前記銅系リードフレームを取り出す工程、
ここで、
（ｉ）前記下金型または前記上金型の前記ゲート部には、ゲートインサートピースがセットされており、
（ｉｉ）このゲートインサートピースは、その周辺の前記下金型または前記上金型よりも硬い超硬材で形成されており、以下を含む：
（ｘ１）ゲート流路；
（ｘ２）前記ゲート流路の両側に設けられたリードクランプ面；
（ｘ３）少なくとも前記リードクランプ面の内、前記銅系リードフレームをクランプしたときに、これと接触する部分には、銅の拡散を防止する性質を有する表面コート部材膜が形成されている。
【００１５】
２．前記項１の半導体装置の製造方法において、前記表面コート部材膜は、少なくとも前記リードクランプ面の全面に形成されている。
【００１６】
３．前記項１の半導体装置の製造方法において、前記表面コート部材膜は、前記ゲートインサートピースの全表面に形成されている。
【００１７】
４．前記項１から３のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記ゲートインサートピースの本体部分を構成する前記超硬材は、炭化タングステン系焼結体である。
【００１８】
５．前記項１から３のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記ゲートインサートピースの本体部分を構成する前記超硬材は、炭化タングステン−コバルト系焼結体である。
【００１９】
６．前記項１から５のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記表面コート部材膜は、クロム部材膜で構成されている。
【００２０】
７．前記項１から５のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記表面コート部材膜は、ハードクロムメッキ膜である。
【００２１】
８．前記項１から５のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記表面コート部材膜は、チタン部材膜で構成されている。
【００２２】
９．前記項１から５および８のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記表面コート部材膜は、溶射によるチタン部材膜である。
【００２３】
１０．前記項１から５のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記表面コート部材膜は、焼結ダイヤモンド部材膜で構成されている。
【００２４】
１１．前記項１から１０のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、更に以下の工程を含む：
（ｄ）前記工程（ｃ）の後に、前記下金型および前記上金型の間に、クリーニング樹脂シートを挟み、加熱圧縮した後、前記クリーニング樹脂シートを剥離することで、前記下金型および前記上金型の表面をクリーニングする工程。
【００２５】
１２．前記項１から１１のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記下金型および前記上金型の本体部分は、ダイス鋼により構成されている。
【００２６】
〔本願における記載形式・基本的用語・用法の説明〕
１．本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクションに分けて記載する場合もあるが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しを省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。
【００２７】
更に、本願において、「半導体装置」または「半導体集積回路装置」というときは、主に、各種トランジスタ（能動素子）単体、および、それらを中心に、抵抗、コンデンサ等を半導体チップ等（たとえば単結晶シリコン基板）上に集積したもの、および、半導体チップ等をパッケージングしたものをいう。ここで、各種トランジスタの代表的なものとしては、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）に代表されるＭＩＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を例示することができる。このとき、集積回路構成の代表的なものとしては、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴとＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴを組み合わせたＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型集積回路に代表されるＣＭＩＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型集積回路を例示することができる。
【００２８】
今日の半導体装置、すなわち、ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）のウエハ工程は、通常、二つの工程に分割することができる。すなわち、一つ目は、原材料としてのシリコンウエハの搬入からプリメタル（Ｐｒｅｍｅｔａｌ）工程（Ｍ１配線層下端とゲート電極構造の間の層間絶縁膜等の形成、コンタクトホール形成、タングステンプラグ、埋め込み等からなる工程）あたりまでのＦＥＯＬ（Ｆｒｏｎｔ  Ｅｎｄ  ｏｆ  Ｌｉｎｅ）工程である。二つ目は、Ｍ１配線層形成から始まり、アルミニウム系パッド電極上のファイナルパッシベーション膜へのパッド開口の形成あたりまで（ウエハレベルパッケージプロセスにおいては、当該プロセスも含む）のＢＥＯＬ（Ｂａｃｋ  Ｅｎｄ  ｏｆ  Ｌｉｎｅ）工程である。
【００２９】
なお、「半導体装置」には、パワートランジスタ等の単体電子デバイスが含まれる。
【００３０】
２．同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、「ＡからなるＸ」等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかに、そうでない場合を除き、Ａ以外の要素を主要な構成要素のひとつとするものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、「Ａを主要な成分として含むＸ」等の意味である。たとえば、「シリコン部材」等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、ＳｉＧｅ合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。
【００３１】
３．同様に、図形、位置、属性等に関して、好適な例示をするが、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、厳密にそれに限定されるものではないことは言うまでもない。従って、たとえば、「正方形」とは、ほぼ正方形を含み、「直交」とは、ほぼ直交する場合を含み、「一致」とは、ほぼ一致する場合を含む。このことは、「平行」、「直角」についても同じである。従って、たとえば、完全な平行からの１０度程度のずれは、ほぼ平行に属する。
【００３２】
また、ある領域について、「全体」、「全般」、「全域」等というときは、「ほぼ全体」、「ほぼ全般」、「ほぼ全域」等の場合を含む。従って、たとえば、ある領域の８０％以上は、「ほぼ全体」、「ほぼ全般」、「ほぼ全域」ということができる。このことは、「全周」、「全長」等についても同じである。
【００３３】
更に、有るものの形状について、「矩形」というときは、「ほぼ矩形」を含む。従って、たとえば、矩形と異なる部分の面積が、全体の２０％程度未満であれば、ほぼ矩形ということができる。このことは、「環状」等についても同じである。
【００３４】
また、周期性についても、「周期的」は、ほぼ周期的を含み、個々の要素について、たとえば、周期のずれが２０％未満程度であれば、個々の要素は「ほぼ周期的」ということができる。更に、この範囲から外れるものが、その周期性の対象となる全要素のたとえば２０％未満程度であれば、全体として「ほぼ周期的」ということができる。
【００３５】
なお、本節の定義は、一般的なものであり、以下の個別の記載で異なる定義があるときは、ここの部分については、個別の記載を優先する。ただし、当該個別の記載部分に規定等されていない部分については、明確に否定されていない限り、本節の定義、規定等がなお有効である。
【００３６】
４．さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。なお、本願に於いて、個数について、「多数」とは、「複数」を含む概念である。
【００３７】
５．「ウエハ」というときは、通常は半導体装置（半導体集積回路装置、電子装置も同じ）をその上に形成する単結晶シリコンウエハを指すが、エピタキシャルウエハ、ＳＯＩ基板、ＬＣＤガラス基板等の絶縁基板と半導体層等の複合ウエハ等も含むことは言うまでもない。
【００３８】
６．本願に於いて、「銅系リードフレーム」または「銅リードフレーム」とは、銅を主要な成分とする金属部材で、通常、銅を９５重量％以上含むものである。具体的な例として、無酸素銅、Ｃｕ−Ｓｎ合金、Ｃｕ−Ｚｒ合金、Ｃｕ−Ｆｅ合金、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ合金、Ｃｕ−Ｃｒ−Ｓｎ−Ｚｎ合金等がある。
【００３９】
また、「超硬材」とは、超硬合金（Ｃｅｍｅｎｔｅｄ  Ｃａｒｂｉｄｅ）とも呼ばれ、硬質の金属炭化物の粉末を焼結して作られる合金である。代表的なものに、タングステンカーバイド粉末とバインダであるコバルト（たとえば、ＷＣ：９４体積％、Ｃｏ：６体積％）を混合して焼結したＷＣ−Ｃｏ超硬合金（炭化タングステン−コバルト超硬材）があるが、必要に応じて、炭化チタン、炭化タンタル等を添加することもある。また、焼結（Ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ）の増速剤として、微量のニッケル、白金、パラジウム等が添加されることがある。従って、本願に於いては、各種の添加物を含有する炭化タングステン超硬部材を含めて、炭化タングステンを主要な構成成分とする超硬材を「炭化タングステン系焼結体」または「炭化タングステン系超硬材」と呼ぶ。また、その内、コバルトを主なバインダ部材とするものを「炭化タングステン−コバルト系焼結体」または「炭化タングステン−コバルト系超硬材」と呼ぶ。他に、炭化タングステン−炭化タンタル−コバルト系超硬材、炭化タングステン−炭化チタン−コバルト系超硬材、炭化タングステン−炭化チタン−炭化タンタル−コバルト系超硬材等がある。通常、これらの材料におけるコバルト含有量は、数体積％から数十体積％の範囲である。従って、通常、炭化タングステン系超硬材中のバインダ成分を除いた粒界成分（粒界成分全体を１００とした）の中のＷＣの組成は、６０体積％から１００体積％の範囲にある。
【００４０】
「ダイス鋼（Ｄｉｅ  Ｓｔｅｅｌ）」は、プラスチック等の成形に使用する型工具材料であって、たとえば、炭素鋼あるいは、これに、必要に応じて、少量のタングステン、クロム、モリブデン、タングステン、ニッケル、バナジウム等を添加したものである（添加物は、総量で１０重量％未満）。
【００４１】
「クロム部材膜」とは、クロムを主要な成分とする（たとえば、クロム９０重量％以上の金属膜）メタル膜である。同様に、「チタン部材膜」とは、チタンを主要な成分とする（たとえば、チタン９０重量％以上の金属膜）メタル膜である。
【００４２】
「ハードクロムメッキ膜」とは、クロム部材膜の一種であって、電解メッキによって成膜されるビッカース硬度が７５０以上のメタル膜である。
【００４３】
「焼結ダイヤモンド部材膜」とは、粒径が数マイクロメートルから数十マイクロメートル程度のダイヤモンド粉末を超高圧高温下で焼結させた焼結体から構成された非金属部材膜である。
【００４４】
「銅の拡散を防止する性質を有する表面コート部材膜」とは、樹脂モールド温度と同等又はそれ以下の温度領域に於いて、銅の拡散を防止する効果を有する膜であって、超硬材の表面にコートすることができる膜を言う。
【００４５】
なお、本願に於いては、金型構成要素のうち、キャビティブロックおよびその周辺の金型主要部を単に「金型（下金型、上金型）」と呼ぶことがある。これは、金型構成要素は、非常に多くのブロックおよび部品から構成されており、それらの全てに言及して正確に表現することが困難だからである。
【００４６】
〔実施の形態の詳細〕
実施の形態について更に詳述する。各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。
【００４７】
また、添付図面においては、却って、煩雑になる場合または空隙との区別が明確である場合には、断面であってもハッチング等を省略する場合がある。これに関連して、説明等から明らかである場合等には、平面的に閉じた孔であっても、背景の輪郭線を省略する場合がある。更に、断面でなくとも、空隙でないことを明示するために、ハッチングを付すことがある。
【００４８】
なお、二者択一の場合の呼称に関して、一方を「第１」等として、他方を「第２」等と呼ぶ場合に於いて、代表的な実施の形態に沿って、対応付けして例示する場合があるが、たとえば「第１」といっても、例示した当該選択肢に限定されるものではないことは言うまでもない。
【００４９】
１．本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法における組み立て＆レジン封止工程のアウトラインの説明（主に図１から図６）
以下に示す組み立て＆レジン封止工程は、一例であって、種々変更可能であることは言うまでもない。
【００５０】
図１は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法における組み立て＆レジン封止工程のアウトラインを示すプロセスフロー図である。図２は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法における組み立て＆レジン封止工程（ダイシング工程完了時点）のウエハ斜視図である。図３は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法における組み立て＆レジン封止工程（ダイボンディング工程）のリードフレームの単位デバイス領域の斜視図である。図４は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法における組み立て＆レジン封止工程（ワイヤボンディング工程）のリードフレームの単位デバイス領域の斜視図である。図５は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法における組み立て＆レジン封止工程（レジン封止工程）のリードフレームの単位デバイス領域の斜視図である。図６は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法における組み立て＆レジン封止工程（デバイス分離工程）の単位デバイスの斜視図である。これらに基づいて、ウエハ工程の最終ステップであるウエハプローブ検査を完了したところから、レジン封止が完了して個々のデバイスに分離するステップに至る組み立て＆レジン封止工程の概要を説明する。以下では図示の都合上、主に単位デバイス領域のみを示す。
【００５１】
図１に示すように、ウエハプローブ検査が完了したウエハ１（図２）は、組み立て工程１０１に投入される。まず、バックグラインディング（ウエハ裏面研削）１１１が実行され、ウエハ厚さが、たとえば、３００から５マイクロメートルの範囲の所望の厚さにされる。次に、ウエハ１は、図２に示されるように、ダイシング等により、たとえば、粘着シートに裏面を固定した状態で個々のチップ（半導体チップ）２に分割される（図１のダイシング工程１１２）。
【００５２】
次に、図３に示すように、たとえば、マトリクス状のリードフレーム３（図９または図１０）の単位デバイス領域３ａのほぼ中央部のダイパッド１４（図１１）上に接着剤等を介して、ダイシング工程により取得されたチップ２はダイボンディングされる（図１のダイボンド工程１１３）。ここで、チップ２は、チップ２の裏面（デバイス面とは反対側の面）がダイパッド１４と対向するように、ダイパッド１４上に搭載される。また、ダイパッド１４は、半導体チップ２よりも平面的に小さく、４本のダイパッドサポートバー８（８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ）によりリードフレーム３の外枠部４の各コーナ部４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄと連結している。各ダイパッドサポートバー８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄの間には、複数のリードが配列されており、線状のダムバー部７により両端の外枠部コーナ部４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄに連結されている。各リードは、ほぼ、ダムバー部７を境に、インナリード部５とアウタリード部６に分けられる（ただし、ダムカット以降においては、インナリード部５の内、ダムバー部７近傍の部分は、実質的にアウタリード部６の一部となる）。各ダイパッドサポートバー８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄに隣接して、端部インナリード部（隣接インナリード部）５ｂがあり、その他の部分に、多数の一般インナリード部５ａがある。端部インナリード部５ｂおよび一般インナリード部５ａを総称してインナリード部５という。なお、インナリードの材料としては、通常、銅を主要な成分とする銅系合金が使用される。銅系合金の具体例としては、Ｃｕ−Ｆｅ系合金，Ｃｕ−Ｃｒ−Ｓｎ−Ｚｎ系合金，Ｃｕ−Ｚｒ系合金を上げることができる。この例では、たとえば、Ｃｕ−Ｆｅ系合金（鉄：２．１から２．６重量％、亜鉛：０．０５から０．２重量％、リン：０．０１５から０．１５重量％、銅：９７重量％以上）を好適なものとして例示することができる。  次に、図４に示すように、半導体チップ２のデバイス面（主面）上のボンディングパッド（たとえば、アルミニウム系）と各インナリード部５の内端を、たとえば、金系のボンディングワイヤ９でワイヤボンディングする（図１のワイヤボンディング工程１１４）。ここで、組立工程１０１が完了し、リードフレーム３（リードフレーム＆チップ複合体）は、レジン封止工程１０２に投入される。
【００５３】
図５に示すように、モールド装置５１（図７）によって、レジン封止工程１１５（図１）が実行され（封止温度は、摂氏１７０度から１９０度程度）、レジン封止体１１が形成される。レジン封止体１１は、ほぼ平坦な上面１１ｕ（下面もほぼ同じ）、４つの周辺テーパ面１１ｔ（下半部もほぼ同じ）、およびコーナ面１１ｃ（下半部もほぼ同じ）を有している。ここで、レジン封止体１１の平面形状は、矩形状から成り、具体的にはコーナ部が面取りされた四角形である。また、ダイパッドサポートバー８ａは、レジン封止体１１の中央からコーナ部に向かって形成されており、上半部のコーナ面１１ｃと下半部のそれとがなすパッケージコーナ面のほぼ中央部を貫通している。
【００５４】
レジン封止工程１１５の後、図１に示すゲートブレーク工程１１６によって、ランナ部のレジン７８ｒとゲートレジン８７ｒ（図１８参照）との間で分離処理が行われ、その後、リードフレーム３（リードフレーム＆チップ複合体）は、モールド装置５１の外部に取り出される（図５においては、ゲートレジン８７ｒ等の封止体周辺レジン部材は煩雑さを避けるため表示していない）。続いて、レジンを最終的なキュア完了段階とするためのキュアベーク１２２（摂氏１７０から１９０度で数時間程度）が実行され、レジン封止工程１０２が完了する。レジン封止工程１０２が完了したリードフレーム３（リードフレーム＆チップ複合体）は、切断成形工程１０３に投入される。
【００５５】
切断成形工程１０３においては、図１に示すように、まず、リードフレーム３の各外枠部コーナ部４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄのゲートレジン８７ｒ等の封止体周辺レジン部材を取り除くためのゲートカット工程１１７が実行される。ゲートカット工程１１７は、たとえば、図１１から図１４に示す切り落とし部１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄを切断金型により、上から下に（リードフレームの上面から下面へ）切り落とすことにより実行される。
【００５６】
次に、図１に示すように、ダムカット工程１１８が実行され、不要なダムバー部の内、リード間のリードと共用している部分以外（図１４でダムカット部１９を例示）が、ほぼ全て切断除去される。ダムカット工程１１８は、切断金型により、たとえば、上から下に（リードフレームの上面から下面へ）切り落とすことにより実行される。続いて、アウタリード部６の表面処理として、リードメッキ処理１１９が実行される。通常、半田メッキが行われる。鉛フリー半田材料としては、たとえば、Ｓｎ−Ｂｉ系，Ｓｎ−Ｃｕ，あるいはＳｎ−Ａｇ系等の錫系半田を例示することができる。
【００５７】
続いて、必要があるときは、図６に示すように、リード成形工程１２０およびデバイス分離工程１２１が、通常、ほぼ連続的に実行される。ここで、この例のレジン封止体１１の主要寸法を例示する。厚さは、１．５ミリメートル未満、たとえば、１．４ミリメートル程度、１ミリメートル程度等であり、平面形状が、ほぼ正方形であるとすると、一辺は１０から１８ミリメートル程度であり、リードピッチは、０．８から０．２ミリメートル程度である。また、ピン数は、主に２００から６００ピン程度である。
【００５８】
この例は、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）である。しかし、下金型、または上金型の一方にのみキャビティが形成されたモールド装置を用いることで、リードフレーム３の片面側にのみレジン封止体１１が形成され、レジン封止体１１の下面（実装面）からアウタリード部が露出するＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−Ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）等の矩形パッケージ（平面形状が正方形のパッケージを含む）にも、ほぼそのまま適用できる。更に、その他の形態として、ダイパッドサポートバー８aがレジン封止体のコーナ部に向かって形成され、このダイパッドサポートバー８aの隣にインナリード部５が配置されるようなパッケージにも、ほぼそのまま適用できる。
【００５９】
２．本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止工程に使用するモールド金型、レジンタブレット、およびレジン封止装置の概要説明（主に図７から図１０）
このセクションでは、セクション１で説明した図１のモールド工程１１５に使用するモールド金型およびレジン封止装置の概要を説明する。
【００６０】
図７は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部であるレジン封止工程に使用する上下金型の構造と働きを示す模式正断面図（金型を開いた状態）である。図８は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部であるレジン封止工程に使用する上下金型の構造と働きを示す模式正断面図である。この図８には、金型を閉じて、封止樹脂５０の移送及び充填が完了して加圧中の状態を示す。図９は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部であるレジン封止工程に使用する下金型の構造を説明するための金型上面図（参考としてマトリクス状のリードフレームを図示）である。図１０は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部であるレジン封止工程に使用する上金型の構造を説明するための金型下面図（参考としてマトリクス状のリードフレームを図示）である。
【００６１】
図７から図１０に示すように、モールド装置５１（レジン封止装置）の封止部は、相互に対向して上下に配置された下金型５２、上金型５３（これらを総称して「モールド金型」という）等から構成されている。このモールド金型は、モールド装置５１の主要部であるプレス機構にセットされている。この下金型５２、上金型５３（その本体部分、ゲートインサートピースやコーティング部分を除く金型本体部分）は、たとえば、ビッカース硬度７００程度のダイス鋼で構成されている。
【００６２】
図７から図１０（主に図７）に示すように、下金型５２の最下部には、プレス機構からの力を伝えるための当て板５４が設けられている。この当て板５４の上面には、エジェクタピン７６を収納するときのストッパ６４、エジェクタピン駆動スプリング６８、キャビティホルダ６２を保持するためのサポートピラー６６、下バッキングプレート５８を突き上げるための下型バッキング突き上げ用ロッド１２３、この下型バッキング突き上げ用ロッド１２３を通す下型バッキング突き上げ用穴１２４等が設置されている。この当て板５４には、エジェクタピン駆動スプリング６８に保持されたエジェクタピンホルダ５６が設けられており、この上のバッキングプレート５８にエジェクタピン７６およびリターンピン７２が固定されている。リターンピン７２は、金型が閉じたときに、エジェクタピン７６が金型内に取り込まれるように作用する。バッキングプレート５８上には、突出用エジェクタピンストッパ９２が設けられており、エジェクタピン７６の突出量を規制する。サポートピラー６６の上には、キャビティホルダ６２が設けられており、ゲート部６１ａ（６１）、すなわち、流入ゲート部にゲートインサートピース４０ａ（４０）がセットされたキャビティブロック８８が設置されている。これらのキャビティブロック８８、キャビティホルダ６２等から構成されるチェイスブロック８０（図７）の上面には、キャビティ８５ａ（８５）、レジン溜め８７ａ（８７）、ランナ部７８等が形成されている。キャビティホルダ６２の上面端部には、上下金型の位置合わせに用いるガイドウエッジ７４が設けられている。下金型５２のポットブロック８２には、ポット部８４が設けられており、そこに投入されたレジンタブレットを加熱した状態でプランジャ８６およびプランジャ駆動ピン７０により、流動移送させる。このレジンタブレットの組成を重量％例示すると、たとえば、エポキシ系樹脂、フェノールノボラック系の硬化剤、リン系またはアミン系の触媒等からなる樹脂基本成分１０から３０％程度、溶融シリカ粉末等の充填材７０から９０％程度である。さらに、シリコーン等の可とう材は、数％程度、エポキシ系シラン化合物等のカップリング剤、エステル化合物等の内部離型剤等からなる界面制御成分を微量、カーボンブラック等の着色剤を微量である。
【００６３】
一方、上金型５３の最上部には、プレス機構からの力を伝えるための当て板５５が設けられており、この当て板５５の下面には、キャビティエジェクタピン７７を収納するときのストッパ６５、エジェクタピン駆動スプリング６９、キャビティホルダ６３を保持するためのサポートピラー６７等が設置されている。この当て板５５には、エジェクタピン駆動スプリング６９に保持されたエジェクタピンホルダ５７が設けられており、この下のバッキングプレート５９にキャビティエジェクタピン７７、カルエジェクタピン７９およびリターンピン７３が固定されている。リターンピン７３は、金型が閉じたときに、エジェクタピン７７およびカルエジェクタピン７９が金型内に取り込まれるように作用する。バッキングプレート５９の下には、突出用エジェクタピンストッパ９３が設けられており、エジェクタピン７７およびカルエジェクタピン７９の突出量を規制する。サポートピラー６７の下には、キャビティホルダ６３が設けられており、ゲート部６１ｂ（６１）、すなわち、流入ゲート部にゲートインサートピース４０ｂ（４０）がセットされたキャビティブロック８９が、設置されている。これらのキャビティブロック８９、キャビティホルダ６３、カルブロック８１等から構成されるチェイスブロックの下面には、キャビティ８５ｂ（８５）、レジン溜め８７ｂ（８７）、カル部８３等が形成されている。キャビティホルダ６３の下面端部には、ガイドウエッジ７４とかみ合って、上下金型の位置合わせを行うガイドウエッジ７５が設けられている。
【００６４】
図９に示すように、たとえば、マトリクス状のリードフレーム３を例にとると、封止の実行の際には、２枚のリードフレーム３を、各単位デバイス領域３ａが対応する下キャビティ８５ａに位置合わせされるように、下キャビティブロック８８上にセットする。この２枚のリードフレーム３の位置を上キャビティブロック８９の下面に投影すると、図１０のようになる。
【００６５】
実際に図１のモールド工程１１５を実行するときは、図７のように金型が開いた状態で、図９および図１９（または図２１）のように、リードフレーム３をセットし、ポット部８４にレジンタブレットを投入した状態で、図８のように金型を閉じて、型締め力（たとえば、８０トン程度）を印加した状態で、レジンタブレット溶融時間（たとえば１０秒程度）経過後、レジン注入を開始する。レジン注入圧は、たとえば、１２．７ＭＰａ程度を中心に、９．８ＭＰａから１９．６ＭＰａ程度を好適な範囲として例示することができる。なお、モールド工程実行時にはキャビティブロック８８，８９等の封止樹脂５０に触れる部分は、摂氏１７５度程度に加熱されている。レジン注入を開始から、たとえば、１０秒程度で充填が完了する。その後、型締めした状態で、たとえば、先のレジン注入圧と同程度の充填圧力を印加した状態で、キュア処理（金型内キュア）をたとえば１００秒程度実行する。その後、型開きすると、エジェクタピン７６，７７，７８が自動的に作用して、離型が実行される。この一連のサイクル時間は、たとえば、１２０秒程度である。
【００６６】
３．本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における組み立て＆レジン封止工程に使用するリードフレームの概要説明（主に図１１から図１３）
このセクションでは、セクション１及び２で説明した組み立て＆レジン封止工程に使用するリードフレームと周辺の関係を更に説明する。ここでは、銅を主要な成分とする銅系リードフレーム（リードフレーム厚さは、たとえば、０．１２５ミリメートル程度）を例にとり具体的に説明する。
【００６７】
なお、ここで説明するリードフレームの平面形状等は、一例であって、必要に応じて、また、品種によって種々変形可能であることは言うまでもない。
【００６８】
図１１は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部であるレジン封止工程におけるリードフレーム（ボンディングワイヤ等は省略）の上面図（リードフレーム各部説明用）である。図１２は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部であるレジン封止工程におけるリードフレーム（ボンディングワイヤ等は省略）の上面図（リードフレームと金型等の各部関係説明用）である。図１３は図１２のリードフレーム（リードフレーム＆チップ複合体）の単位領域の左下の１/４の拡大透過上面図（下キャビティブロックの構造が見えるように表示）である。
【００６９】
図１１及び図１２に基づいて、リードフレーム３の単位デバイス領域３ａの構造等を説明する。図１１に示すように、中央部にはダイパッド１４があり、その上に半導体ウエハ２が固着されており、ダイパッド１４は４本のダイパッドサポートバー８（８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ）によって、単位デバイス領域３ａの外枠部コーナ部４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄに連結されている。各ダイパッドサポートバー８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄの中間部にはオフセット屈曲部１６があり、それより内側（オフセット領域１５）は外部と比べて若干低くされている。これは、ワイヤボンディングに必要なレジンの厚みを確保するためである。隣接するダイパッドサポートバー８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄの間には、インナリード部５とアウタリード部６からなるリードが多数密集して配置されており、多数のリードは、辺毎にダムバー部７で両端の外枠部コーナ部４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄに連結保持されている。インナリード部５の各内端は自由端であるが、アウタリード部６の外端は、通常、外枠部４に連結されている。レジン封止体１１が形成される部分は、角が落とされた正方形または正方形に近い矩形として、図中に破線で示されている。また、各外枠部コーナ部４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄにおいて、図１で説明したゲートカット工程１１７で切り落とされる領域１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄを図中に破線で囲んで示す。外枠部コーナ部４ａには、レジン溜め開口１７が設けられており、その部分へ向けてダイパッドサポートバー８ａが、ほぼ直線状に延びている。これに対して、その他の外枠部コーナ部４ｂ，４ｃ，４ｄにおいては、ダイパッドサポートバー８ｂ，８ｃ，８ｄは、Ｙ字分岐１８を呈している。
【００７０】
続いて、図１２について説明する。この図は本質的に図１１と同一であるが、図５及び図８で説明したレジン封止体１１および封止体周辺レジン部材との関係を明確にすることに重点を置いている。すなわち、外枠部コーナ部４ａにおいては、レジン充填完了時点では、金型のランナ部７８に対応してランナ部のレジン７８ｒが形成され、レジン溜め８７およびゲート流路６０に対応してゲートレジン８７ｒが形成される。一方、その他の外枠部コーナ部４ｂ，４ｃ，４ｄにおいては、エアベント部４５ｂ，４５ｃ，４５ｄに対応してエアベント部のレジン（比較的薄い）が形成される。通常、エアベント部４５ｂ，４５ｃ，４５ｄの厚さは、１０から４０マイクロメートル程度である。
【００７１】
図１３は、基本的に図１１又は図１２の外枠部コーナ部４ａを含む単位デバイス領域３ａの１/４を拡大したものである。この図は、主に、リードフレーム３と下金型の上面との関係、および、同図にある端部インナリード部（隣接インナリード部）５ｂの外端部と、ゲート部６１（流入ゲート部６１ａ）にセットされたゲートインサートピース４０ａ（４０）との関係を示すためのものである。図１３に示すように、右上には広いキャビティ８５があり、その左および下側周辺にはダムバークランプ面７１が設けられている。面圧逃げ後退部４２は、ダムバークランプ面７１よりも、たとえば、１００から２００マイクロメートル程度後退している。
【００７２】
ゲート部６１（流入ゲート部６１ａ）及び、その周辺について、次セクションにおいて、更に詳しく説明する。
【００７３】
４．本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における組み立て＆レジン封止工程に使用するリードフレームおよびモールド金型（ゲート部周辺）の詳細説明（主に図１４から図２０）
ここで説明するリードフレームおよびモールド金型の平面的および立体的な形状等は一例であって、必要に応じて、又は、品種によって種々変形可能であることは言うまでもない。
【００７４】
なお、以下に於いては、上下に同じものがある場合は、原則として、一方のみについて説明するが、説明する事項は、そうでない旨、明示した場合、および、そうでないことが明白である場合のほかは、他方についてもそのまま当てはまることは言うまでもない。
【００７５】
図１４は図１３の流入ゲート部の部分拡大透過上面図（リードフレームとの接触部分説明用）である。図１５は図１３の流入ゲート部の部分拡大透過上面図（リードクランプ面説明用）である。図１６は図１４の矢印ＶＰ（高さ方向は図１９の矢印ＶＰ）方向から見た下金型の斜視図（見やすいようにリードフレームは図示せず）である。図１７は図１６のゲートインサートピース４０（４０ａ）及びその周辺の拡大斜視図である。図１８は図１３から図１５のＡ−Ａ’断面に対応する図８のゲート部周辺断面図である。図１９は図１４および図１５のＰ−Ｐ’断面に対応する図７（リードフレームを置いたとき）のゲート部周辺断面図である。図２０は図１４および図１５のＰ−Ｐ’断面に対応する図８（見やすいように封止樹脂は図示せず）のゲート部周辺断面図である。これらに基づいて、本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法における組み立て＆レジン封止工程に使用するリードフレームおよびモールド金型（ゲート部周辺）の詳細を説明する。
【００７６】
図１５に示すように、ゲートインサートピース４０（４０ａ）の中央部には、ゲート流路６０があり、その両側にはハッチングを付したリードクランプ面４１（図１６又は図１７）がある。図１４にリードクランプ面４１が、リードフレーム３のインナリード部等を押さえる部分４３を、斜線を付して示す。また、図１４に示すように、ゲート流路６０の（キャビティ側の）幅ＷＧは、レジン封止体のコーナ部１１ｃの幅ＷＰよりも狭く設定されている。たとえば、コーナ部１１ｃの幅ＷＰを８００マイクロメートル程度とした場合、ゲート流路６０の（キャビティ側の）幅ＷＧは、３００から７００マイクロメートル程度が好適である。なお、ゲート流路６０の（キャビティ側の）深さとしては、たとえば、１００から４００マイクロメートル程度を例示することができる。
【００７７】
次に、図１４、図１５等で説明した点を図１６及び図１７に示す斜視図を用いて更に説明する。図１６及び図１７に示すように、下部ゲートインサートピース４０ａを例にとると、ゲートインサートピース４０のリードクランプ面４１は、全体として、ダムバークランプ面７１を基準面とすると若干、高い位置にある（すなわち、突出している）。ゲートインサートピース４０（４０ａ）のキャビティ側内面４０ｃは、そのまま、キャビティ８５の内面を構成している。
【００７８】
次に、図１８から図２０に基づいて、ゲート部６１（流入ゲート部６１ａ）の周辺の金型断面構造を説明する。図１８は図１６に示すゲート流路６０およびランナ部７８の中央を縦断する垂直断面（レジン充填完了時点）である。この例では、下キャビティブロック８８および上キャビティブロック８９の両方に下部ゲートインサートピース４０ａおよび上部ゲートインサートピース４０ｂが、それぞれセットされている。下部ゲートインサートピース４０ａおよび上部ゲートインサートピース４０ｂのそれぞれの本体部分４０ｗは、たとえば、炭化タングステン−コバルト系焼結体（具体的にはＷＣ−Ｃｏ超硬材）等の超硬材で構成されており、この例では、その表面の全体が、ハードクロムメッキ膜（厚さ、たとえば、２から５マイクロメートル程度）等による表面コート部材膜４４で覆われている。なお、このハードクロムメッキ膜のビッカース硬度は、たとえば、８００から１０００程度である。また、炭化タングステン−コバルト系焼結体の粒度としては、たとえば、１．５から２．５ミリメートル程度（いわゆる「中粒子超硬合金」に属する）を好適なものとして例示することができる。炭化タングステン系焼結体は、超硬材として、多用されており、耐摩耗性も高く、入手も容易である。特に、炭化タングステン−コバルト系焼結体は、その代表的な形態であり、ゲートインサートピースの母材として有効である。クロム部材膜は、硬度も比較的高く、安定なコーティングを形成しやすいメリットを有する。特に、ハードクロムメッキ膜は、金型分野で多用されており、ゲートインサートピースへのコーティング加工も容易である。
【００７９】
なお、「表面の全体」といっても、電解メッキ処理上の理由で成膜されない部分があることを許容する。なお、パッケージ厚さＴは、たとえば、１ミリメートル程度である。
【００８０】
図１９（図１８よりも更に拡大）は図１６に示すリードクランプ面４１を縦断する垂直断面（リードフレームのセット後、型締め前）である。ここで、ダムバークランプ面７１を基準面とするリードクランプ面４１の突出長さＰＬは、たとえば、１０から２０マイクロメートル程度である。
【００８１】
図２０は型締め完了、レジン注入前の図１９と同じ断面の断面図である。これからわかるように、型締め時においては、リードクランプ面４１は、リードフレーム３を押さえている。
【００８２】
以上、これまで説明してきたように、本願の一実施の形態の主な特徴は、炭化タングステン−コバルト系焼結体等の超硬材で構成された下部ゲートインサートピース４０ａおよび上部ゲートインサートピース４０ｂのそれぞれの本体部分４０ｗの表面全体をハードクロムメッキ膜等による表面コート部材膜４４で覆っていることにある。このような構造にすることにより、下金型５２と上金型５３とで銅系リードフレーム３をクランプしたときに、下部ゲートインサートピース４０ａおよび上部ゲートインサートピース４０ｂのそれぞれの本体部分４０ｗの表面が銅系リードフレーム３に接することが無くなり、表面コート部材膜４４の部分が銅系リードフレーム３に接するようになるので、銅系リードフレームの銅イオンが、焼結体のバインダ部であるコバルト部分へ拡散することが無くなる。その結果、焼結体のバインダ部がもろくなり、クリーニング等の際に剥離するという課題を解決することができる。
【００８３】
５．本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止工程に使用するゲートインサートピースの構造＆材料等の詳細説明（主に図２１から図２４）
ゲートインサートピースは、通常、挿入等の都合上、挿入する方向の先の方が細くなるテーパが付いているが、以下の例では、図示の都合上、テーパは表示していない。
【００８４】
図２１は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止工程に使用するゲートインサートピースの構造＆材料等の詳細を説明するための図１８から図２０等のゲートインサートピース本体部分の微細構造図である。図２２は図１４のゲートインサートピースおよびリードフレームのＴ−Ｔ’の模式的拡大断面図である（他の部分は、見やすくするために表示していない。以下同じ）。図２３は図２２のゲートインサートピースが使用された結果、ゲート流路の表面コート部材膜が除去された状態を示す図２２に対応する模式的拡大断面図である。図２４は表面コート部材膜の形成方法の都合等の理由で、ゲートインサートピースの一部表面に表面コート部材膜が形成されていない例を示す図２２に対応する模式的拡大断面図である。これらに基づいて、本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止工程に使用するゲートインサートピースの構造＆材料等の詳細を説明する。
【００８５】
（１）ゲートインサートピースの構造＆材料等（メッキ等による基本構造）の詳細説明（主に図２１および図２２）：
ゲートインサートピース本体部分４０ｗの微細構造は、炭化タングステン−コバルト系焼結体（超硬材）を例（具体的には、ＷＣ−Ｃｏ超硬材）にとれば、図２１に示すものとなる。図２１に示すように、バインダであるコバルト相Ｃ中に、主材である炭化タングステン粒子Ｗが分散されている。言い換えると、炭化タングステン粒界Ｗの隙間にコバルト相Ｃが充填されている。なお、炭化タングステン−コバルト系焼結体（超硬材）のビッカース硬度は、たとえば、１５００程度である。
【００８６】
次に、図２０のゲートインサートピース４０（ここでは、一例として下部ゲートインサートピース４０ａ）のゲート流路６０（図１７）に直交する断面を図２２に示す。図２２に示すように、ゲートインサートピース４０（４０ａ）の表面の全体に表面コート部材膜４４が形成されている。従って、少なくともリードクランプ面４１の内、銅系リードフレーム３をクランプしたときに、これと接触する部分には、銅の拡散を防止する性質を有する表面コート部材膜４４が形成されていることになる。
【００８７】
また、このような場合は、ゲートインサートピース４０（４０ａ、４０ｂ）の主表面４８（下部ゲートインサートピース４０ａの上面、上部ゲートインサートピース４０ｂの下面）の全体に表面コート部材膜４４が形成されていることになる。
【００８８】
このような構造は、表面コート部材膜４４をゲートインサートピース４０（４０ａ、４０ｂ）の表面全体（比較的小面積部分で形成されない部分がある場合を含む）に形成するので、成膜方法に係らず、製造が簡単であるというメリットを有する。特に、メッキ法で形成する場合は、特に有利である。
【００８９】
（２）前記基本構造のゲートインサートピースの使用による構造変化についての説明（主に図２３）：
図２３に示すものは、たとえば、図２２に示すゲートインサートピース（４０ａ）の断面構造の使用による経時変化のある時点を示すものと考えることができる。すなわち、図２３に示すように、封止樹脂流により、ゲート流路６０内の表面コート部材膜４４が除去された結果、ゲート流路６０内の表面コート部材膜４４の全部又は一部が消失したものである。このような構造であっても、少なくともリードクランプ面４１の内、銅系リードフレーム３をクランプしたときに、これと接触する部分には、銅の拡散を防止する性質を有する表面コート部材膜４４が形成されている限り、図２２と同様に使用可能である。これは、もともと、ゲートインサートピース本体部分４０ｗの方が、表面コート部材膜４４（たとえば、炭化タングステン−コバルト系焼結体）よりも、封止樹脂に対する耐摩耗性が高い（その方がゲートインサートピースとしては好ましい）場合が一般的であるからである。
【００９０】
また、このような構造は、最初から図２３に示す部分にだけ、表面コート部材膜４４を成膜させることによって形成することが加工である。更に、図２２のように表面の全面に表面コート部材膜４４を成膜させた後に、ゲート流路６０内の表面コート部材膜４４を除去することによって形成してもよい。これらのいずれの場合に於いても、表面コート部材膜４４は、少なくともリードクランプ面４１の全面に形成されていることとなる。もちろん、少なくともリードクランプ面４１の内、銅系リードフレーム３をクランプしたときに、これと接触する部分には、銅の拡散を防止する性質を有する表面コート部材膜４４が形成されていることになる。
【００９１】
（３）前記基本構造のゲートインサートピースの作製上の理由等による変形例（主に図２４）：
図２２に示すような表面コート部材膜４４を形成しようとする場合でも、メッキ電流が回り込まない等の理由で、図２４に示すように、ゲートインサートピース４０（４０ａ）の裏面等には、表面コート部材膜４４が形成されない場合がある。また、電解メッキ等のほか、一般に指向性を有するＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、すなわち、スパッタリング成膜、イオンプレーティング、溶射（Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｓｐｒａｙｉｎｇ）、プラズマ溶射（Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｐｌａｓｍａ  Ｓｐｒａｙｉｎｇ）等では、このような部分的な成膜となりやすい。また、このような構造は、意図的に形成することもできる。先と同様に、これらのいずれの場合に於いても、表面コート部材膜４４は、少なくともリードクランプ面４１の全面に形成されていることとなる。もちろん、少なくともリードクランプ面４１の内、銅系リードフレーム３をクランプしたときに、これと接触する部分には、銅の拡散を防止する性質を有する表面コート部材膜４４が形成されていることになる。
【００９２】
また、表面コート部材膜非形成部分が、比較的小面積である場合には（例えば、全体の２０％未満程度）、前記表面コート部材膜は、ゲートインサートピース４０（４０ａ）の全表面に形成されているということができる。
【００９３】
６．本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止工程に使用するゲートインサートピースの構造＆材料等に関する各種変形例の説明（主に図２５から図２８）
このセクションでは、図１９、図２０および図２２から図２４で説明したゲートインサートピースの構造＆材料等に関する各種変形例を説明する。
【００９４】
図２５は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止工程に使用するゲートインサートピースの構造＆材料等に関する変形例１（局所コート）を説明するための図２０に対応するゲート部周辺断面図である。図２６は図２２に対応し、図２５のゲートインサートピースの横断面（図１４のＴ−Ｔ’断面）を表す模式的拡大断面図である。図２７は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止工程に使用するゲートインサートピースの構造＆材料等に関する変形例２（クランプ面全面コート）を説明するための図２２に対応するゲート部周辺断面図である。図２８は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止工程に使用するゲートインサートピースの構造＆材料等に関する変形例３（上面全面コート）を説明するための図２２に対応するゲート部周辺断面図である。これらに基づいて、本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止工程に使用するゲートインサートピースの構造＆材料等に関する各種変形例を説明する。
【００９５】
（１）ゲートインサートピースのコート構造に関する変形例１（局所コート）の説明（主に図２５および図２６）：
リードフレーム３をクランプしているときに、リードフレーム３と接触しているゲートインサートピース４０（４０ａ、４０ｂ）の部分は、基本的に、リードクランプ面４１のみに出現する。従って、図１８から図２０、図２２等のように、表面コート部材膜４４をゲートインサートピース４０（４０ａ、４０ｂ）の必ずしも全表面に形成する必要はない。従って、図２５および図２６に示すように、リードクランプ面４１のうちの実際にリードフレーム３をクランプしているときに、リードフレーム３と接触している部分にのみ表面コート部材膜４４を形成するようにしてもよい。このような場合は、少なくともリードクランプ面４１の内、銅系リードフレーム３をクランプしたときに、これと接触する部分には、銅の拡散を防止する性質を有する表面コート部材膜４４が形成されていることになる。
【００９６】
（２）ゲートインサートピースのコート構造に関する変形例２（クランプ面全面コート）の説明（主に図２７）：
図２６の例は、有効であるが、そのことは、ゲートインサートピース４０（４０ａ、４０ｂ）と干渉する部分のリードフレーム３の形状が変わらないことを前提として成り立つ。しかし、一般には、ゲートインサートピース４０（４０ａ、４０ｂ）と干渉する部分のリードフレーム３の形状は、通常、品種によって変わるので、図２７に示すように、リードクランプ面４１の全面に表面コート部材膜４４を形成することが有効である。このような構造に於いては、表面コート部材膜４４は、少なくともリードクランプ面４１の全面に形成されていると言うことができる。もちろん、少なくともリードクランプ面４１の内、銅系リードフレーム３をクランプしたときに、これと接触する部分には、銅の拡散を防止する性質を有する表面コート部材膜４４が形成されていることになる。従って、このような構造であれば、リードフレーム３の平面的構造が変更されても、同じゲートインサートピース４０（４０ａ、４０ｂ）で対応することができる。
【００９７】
また、先と同様に、図２７のような構造は、いかに示す図２８のような構造を経て、意図的に又は使用によって経時的に形成されたものであっても良い。
【００９８】
（３）ゲートインサートピースのコート構造に関する変形例３（上面全面コート）の説明（主に図２８）：
図２７に示すような構造は、表面コート部材膜４４の成膜方法を考慮すると、むしろ、図２８に示すように、ゲートインサートピース４０（４０ａ、４０ｂ）の主表面４８の全体に表面コート部材膜４４を形成するようにしてもよい。このような構造に於いても、表面コート部材膜４４は、少なくともリードクランプ面４１の全面に形成されていると言うことができる。もちろん、少なくともリードクランプ面４１の内、銅系リードフレーム３をクランプしたときに、これと接触する部分には、銅の拡散を防止する性質を有する表面コート部材膜４４が形成されていることになる。
【００９９】
このような構造は、ゲートインサートピース４０の周辺にコーティングがされないので、ゲートインサートピース４０の部品としての精度を確保する上で有利である。また、表面コート部材膜４４を溶射等のＰＶＤにより、形成する場合に作りやすいというメリットがある。
【０１００】
７．前記実施の形態（変形例を含む）に関する補足的説明並びに全般についての考察等（主に図２９および図３０、図１等を参照）
図２９は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止工程に関連する金型クリーニング工程を説明するためのモールド金型模式断面図である。図３０は前記一実施の形態のアウトラインを表す金型要部模式断面図である。これらに基づいて、各セクションに共通する補足説明ならびに考察を行う。
【０１０１】
なお、以下の記載は、前記一実施の形態（変形例を含む）の一部をなすことは言うまでもない。
【０１０２】
（１）ゲートインサートピースと銅系リードフレームの干渉の背景：
以上説明したように、前記実施の形態は、レジン封止技術を用いた半導体装置の製造方法を対象としている。通常、半導体用のキャビティブロック８８，８９（図７または図８）およびその周辺の金型主要部（すなわち、下金型および上金型）は、モールド金型用鋼材で作られる。具体的材料としては、たとえば、ダイス鋼を例示することができる。ダイス鋼は、比較的硬く且つ加工性も良好であり、コスト的にもバランスが良いからである（なお、必要に応じて他の鋼材を用いてもよい）。ダイス鋼の成分を重量％で例示すると、たとえば、炭素１．３％程度、クロム４．２％程度、タングステン６％程度、モリブデン５％程度、バナジウム３％程度、コバルト８％程度、残りが鉄である。線膨張係数は、１２．３ｘ１０−６/°Ｃである。なお、金型本体の表面（たとえば、キャビティ内面、ダムバークランプ面等）にはクロムメッキ（例えば、ハードクロムメッキ）等が施される場合が多い。
【０１０３】
このように、キャビティブロック８８，８９（金型５２，５３）は比較的硬質の鋼材で構成されているが、ゲート部６１（流入ゲート部６１ａ、流出ゲート部６１ｂ）においては、硬質の充填物を含む封止樹脂５０が、細いゲート流路６０を高速で通過するので、比較的摩耗が激しくなる。経時的にゲート部の寸法が大きくなると、ゲートレジン８７ｒのレジン封止体本体１１に近い部分も肥大化して、ゲートカット１１７（図１）において、レジン封止体本体１１（パッケージ本体）に損傷が生じる可能性が大きくなる。そこで、先に説明したように、ゲートインサートピース４０に超硬合金が使用されている。具体的材料としては、たとえば、タングステン系超硬合金の成分の一例を重量％で示すと、タングステン８５％程度、コバルト１０％程度、炭素５％程度である。この線膨張係数は、５．３９ｘ１０−６/°Ｃである。このように、ゲートインサートピース４０の線膨張係数は、概ね、モールド金型用鋼材の半分程度であり、範囲としては、３０％から７０％の値を有する。
【０１０４】
この両者の線膨張係数の大きな差は、摂氏１７５度前後に加熱して実施されるモールド工程におけるダムバークランプ面７１（図１６）とゲートインサートピース４０のリードクランプ面４１の高さ合わせを困難にする。これを避けるために、ゲートインサートピース４０を小さめに作ると、リードクランプ面４１の方が後退した位置となり、レジン漏れという重大な結果を招く。このレジン漏れを避けるために、大きめに作ると、今度は、ゲートインサートピース４０がダムバークランプ面７１よりも突出することなり、その部分に型締め力が集中する。この結果、ゲートインサートピース４０とリードフレーム３が幾何学的に干渉している部分では、各種の反応や不所望な物理化学的過程が進行することとなる。
【０１０５】
（２）金型クリーニングについての補足的説明（主に図２９、図１を参照）：
前記各実施の形態では、主に脱ハロゲン化封止樹脂が使用されているが、ハロゲン含有封止樹脂と比較して、脱ハロゲン化封止樹脂を使用した封止プロセスでは、金型の汚れが激しくなる。これに対して、モールド工程の繰り返しの中で間歇的に行われる金型クリーニングの効率を高めるため、図２９に示すようにクリーニング樹脂シート４９を使用するのが一般的である。すなわち、図２９および図１（金型クリーニング工程１３１）に示すように、下金型５２および上金型５３（金型の温度は樹脂封止の同じ程度、たとえば、摂氏１６０度から１８０度程度）間に、たとえばエラストマ系クリーニング樹脂シート４９（クリーニング樹脂シート）を挟んで、下金型５２および上金型５３ｗｐを閉じて、圧縮、すなわち、クランプする。この間に、エラストマ系クリーニング樹脂シート４９（ゴム系クリーニングシート）の加硫が進行して、汚染物とゴム成分が一体化する。その後、下金型５２および上金型５３ｗｐを開いて、エラストマ系クリーニング樹脂シート４９を剥離することにより、金型のクリーニングを実行する。ここで、エラストマ系クリーニング樹脂シート４９としては、たとえば未加硫ゴムに除去助剤等を添加したものを好適なものとして例示することができる。未加硫ゴムとしては、天然ゴム、クロロプレンゴム、ブタジエンゴム、ニトリルゴム、シリコーンゴム、弗素ゴム、ブチルゴム、ポリイソプレンゴム、スチレンブタジエンゴム等の単独又は混合物を主成分とし、更に加硫剤等を添加したものを好適なものとして例示することができる。除去助剤としては、グリコールエーテル類、イミダゾール類等を好適なものとして例示することができる。
【０１０６】
なお、金型のクリーニング方法としては、他の方法を採用しても良いし、ここに示したような方法で、エラストマ系以外のクリーニングシート等を用いてもよい。
【０１０７】
（３）前記一実施形態のアウトラインの説明（主に図３０）：
サブセクション（２）で説明したようなエラストマ系シートを圧縮するクリーニング方法は、モールドプロセスの繰り返しによる残渣除去の点では効果的であるが、金型やその他の補助部分に対するダメージは、比較的に増加する傾向にある。たとえば、炭化タングステン−コバルト系焼結体によるゲートインサートを例にとると、銅系リードフレーム（例えば、銅リードフレーム）とゲートインサートとが接触する部分に於いては、銅系リードフレームの銅イオンが、焼結体のバインダ部であるコバルト部分へ拡散するため、バインダ部がもろくなり、クリーニング等の際に剥離するという問題がある。
【０１０８】
このような問題を解決するために、前記一実施形態等に於いては、図３０に示すような構成で、銅系リードフレーム３を用いた樹脂封止型半導体装置のトランスファモールド工程を実行する。すなわち、下金型５２および上金型５３間に半導体チップ２を搭載した銅系リードフレーム３を半導体チップ２がモールドキャビティ８５に対応する位置に来るようにクランプした状態で、モールドキャビティ８５内に封止樹脂５０を移送して充填する。この際、封止樹脂５０の高速流が通過するゲート部には、超硬材等で構成されたゲートインサートピース４０が設置されている。このゲートインサートピース４０のリードクランプ面４１の少なくとも、銅系リードフレーム３のクランプ時に、これと接触している部分には、銅の拡散を防止する性質を有する表面コート部材膜４４が形成されている。すなわち、従来は、ゲートインサートピースの硬さを有効に利用するために、それよりも一般に「軟らかい」と考えられているコーティングを施すことは、問題外と考えられていた。しかし、もともと、ゲートインサートピースのクランプ面には、樹脂流は流れないのであるから、他の要求を満足させるために、この部分に母材よりも軟らかい（種々の要因により、耐摩耗性が相対的に低い）コーティングをしても、総合的に問題はおきないと考えられる。
【０１０９】
このような構成とすることにより、銅系リードフレーム３の表面の銅イオンが表面コート部材膜４４の表面に拡散して、表面コート部材膜４４を脆弱な構造に変えて、金型クリーニング等の際に、その脆弱な部分が剥離し、その結果、リードクランプ面４１が後退し、クランプが正常に行えない等の問題の発生を防止することができる。
【０１１０】
（４）ゲートインサートピース表面コート材等についての補足的説明並びに考察（図１４から図３０を参照）：
ゲートインサートピース４０の表面コート部材膜４４は、銅に対する拡散バリア効果を有するものであれば、候補となりうる。すなわち、通常、銅拡散バリア金属、たとえば、チタン、クロム、タングステン、タンタル、窒化チタン、窒化タンタル、炭窒化チタン（ＴｉＣＮ）、チタンアルミナイトライド（ＴｉＡｌＮ）、アルミクロムナイトライド（ＴｉＣｒＮ）、アルミクロム（ＡｌＣｒ）等である。また、金属ではないが、焼結ダイヤモンド等も同様の特性を有すると考えられる。しかし、母材である超硬材、すなわち、タングステンカーバイド（炭化タングステン）等との密着性および耐摩耗性を考慮すると、チタン、クロム、窒化チタン、炭窒化チタン（ＴｉＣＮ）、チタンアルミナイトライド（ＴｉＡｌＮ）、アルミクロムナイトライド（ＴｉＣｒＮ）、アルミクロム（ＡｌＣｒ）、焼結ダイヤモンド等を好適なものとして例示することができる。これらのうち、チタン（チタン部材膜）、窒化チタン、炭窒化チタン（ＴｉＣＮ）、チタンアルミナイトライド（ＴｉＡｌＮ）、アルミクロムナイトライド（ＴｉＣｒＮ）、アルミクロム（ＡｌＣｒ）等は、一般に、溶射等のＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により、コーティングするのが好適である（スパッタリングその他のＰＶＤでもよい）。これは、溶射等の方法は、複雑な部品の特定の部分に形成することが比較的簡単だからである。また、チタン（チタン部材膜）は、封止樹脂の離型性がよい等のメリットを有する。
【０１１１】
なお、クロム（クロム部材膜）については、金型等に於いて、ハードクロムメッキ（電解メッキ）が多用されているので、メッキ（電気化学的成膜法）による形成が好適である。これらは、金属系材料は、一般に比較的コストが低いと考えられている。
【０１１２】
焼結ダイヤモンドは、高温高圧下での焼結により形成されるのが好適である。なお、焼結ダイヤモンドのビッカース硬度は、５０００から１００００程度である。焼結ダイヤモンドは、金属系材料に比べてコスト的な点で不利であるが、特性的には好適である。
【０１１３】
８．サマリ
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本願発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
【０１１４】
例えば、前記実施の形態では、ダイパッド１４の外形サイズが、半導体チップ２の外形サイズよりも小さいものを例にとって説明したが、本願発明はそれに限定されるものではなく、ダイパッドの１４の外形サイズが半導体チップ２の外形サイズより大きいリードフレーム３にも適用できることは言うまでもない。
【０１１５】
また、前記実施の形態においては、ゲート部が下金型および上金型の両方に設けられた例を示したが、本願発明はそれに限定されるものではなく、下金型または上金型の一方のみに設けられたものにも適用できることは言うまでもない。
【０１１６】
更に、前記実施の形態においては、一対の金型について、一方を下金型と呼び、他方を上金型と呼んでいるが、たとえば、水平方向に配置する場合は、下金型を第１金型と、上金型を第２金型と読みかえればよく、金型等の配置を重力方向に限定するものではない。
【符号の説明】
【０１１７】
１  半導体ウエハ
２  半導体チップ（チップ領域）
３  （マトリクス状の）リードフレーム
３ａ  マトリクス状のリードフレームの単位デバイス領域
４  外枠部
４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ  外枠部コーナ部
５  インナリード部
５ａ  一般インナリード部
５ｂ  端部インナリード部（隣接インナリード部）
６  アウタリード部
７  ダムバー部
８、８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ  ダイパッドサポートバー
９  ボンディングワイヤ
１１  レジン封止体（パッケージ本体）またはその外縁
１１ｃ  レジン封止体のコーナ部（コーナ面）または対応するキャビティ内面
１１ｔ  レジン封止体の周辺テーパ面
１１ｕ  レジン封止体の上面（またはその外縁）
１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ  切り落とし部
１４  ダイパッド
１５  オフセット領域（タブ下げ領域）
１６  オフセット屈曲部
１７  レジン溜め開口
１８  Ｙ字分岐
１９  ダムカット部（例示）
４０  ゲートインサートピース
４０ａ  下部ゲートインサートピース
４０ｂ  上部ゲートインサートピース
４０ｃ  ゲートインサートピースのキャビティ側内面
４０ｗ  ゲートインサートピース本体部分
４１  リードクランプ面
４２  面圧逃げ後退部（またはその外縁）
４３  リードクランプ面がリードフレームを押さえている部分
４４  表面コート部材膜
４５ｂ，４５ｃ，４５ｄ  エアベント部（またはエアベント部のレジン）
４６  フローキャビティ
４６ｒ  フローキャビティ部のレジン
４７  後退部分に対向するリードクランプ面が接する部分
４８  ゲートインサートピースの主表面
４９  クリーニング樹脂シート
５０  封止樹脂
５１  モールド装置
５２  下金型
５３  上金型
５４  下当て板
５５  上当て板
５６  下エジェクタピンホルダ
５７  上エジェクタピンホルダ
５８  下バッキングプレート
５９  上バッキングプレート
６０  ゲート流路
６１（６１ａ，６１ｂ）  ゲート部（流入ゲート部、流出ゲート部）
６２  下キャビティホルダ
６３  上キャビティホルダ
６４  下エジェクタピンストッパ（収納用）
６５  上エジェクタピンストッパ（収納用）
６６  下サポートピラー
６７  上サポートピラー
６８  下エジェクタピン駆動スプリング
６９  上エジェクタピン駆動スプリング
７０  プランジャ駆動ピン
７１  ダムバークランプ面
７２  下リターンピン
７３  上リターンピン
７４  下ガイドウエッジ
７５  上ガイドウエッジ
７６  下キャビティエジェクタピン
７７  上キャビティエジェクタピン
７８  ランナ部
７８ｒ  ランナ部のレジン
７９  カルエジェクタピン
８０  チェイスブロック
８１  カルブロック
８２  ポットブロック
８３  カル部
８４  ポット部
８５  キャビティ
８５ａ  下キャビティ
８５ｂ  上キャビティ
８６  プランジャ
８７  レジン溜め
８７ａ  下レジン溜め
８７ｂ  上レジン溜め
８７ｒ  ゲートレジン
８８  下キャビティブロック
８９  上キャビティブロック
９２  下エジェクタピンストッパ（突出用）
９３  上エジェクタピンストッパ（突出用）
１０１  組立工程
１０２  レジン封止工程
１０３  切断成形工程
１１１  バックグラインディング工程
１１２  ダイシング工程（ウエハ分割工程）
１１３  ダイボンディング工程
１１４  ワイヤボンディング工程
１１５  レジン封止工程
１１６  ゲートブレーク工程
１１７  ゲートカット工程
１１８  ダムカット工程
１１９  リードメッキ工程
１２０  リード成形工程
１２１  デバイス分離工程
１２２  キュアベーク工程
１２３  下型バッキング突き上げ用ロッド
１２４  下型バッキング突き上げ用穴
１３１  金型クリーニング工程
Ｃ  Ｃｏバインダ部（コバルト相）
ＰＬ  突出長さ
Ｔ  パッケージ厚さ
Ｗ  炭化タングステン粒子又は粒界
ＷＧ  ゲート流路の（キャビティ側の）幅
ＷＰ  パッケージコーナ面の幅
【図１】
2014041899.tif 000003
【図２】
2014041899.tif 000004
【図３】
2014041899.tif 000005
【図４】
2014041899.tif 000006
【図５】
2014041899.tif 000007
【図６】
2014041899.tif 000008
【図７】
2014041899.tif 000009
【図８】
2014041899.tif 000010
【図９】
2014041899.tif 000011
【図１０】
2014041899.tif 000012
【図１１】
2014041899.tif 000013
【図１２】
2014041899.tif 000014
【図１３】
2014041899.tif 000015
【図１４】
2014041899.tif 000016
【図１５】
2014041899.tif 000017
【図１６】
2014041899.tif 000018
【図１７】
2014041899.tif 000019
【図１８】
2014041899.tif 000020
【図１９】
2014041899.tif 000021
【図２０】
2014041899.tif 000022
【図２１】
2014041899.tif 000023
【図２２】
2014041899.tif 000024
【図２３】
2014041899.tif 000025
【図２４】
2014041899.tif 000026
【図２５】
2014041899.tif 000027
【図２６】
2014041899.tif 000028
【図２７】
2014041899.tif 000029
【図２８】
2014041899.tif 000030
【図２９】
2014041899.tif 000031
【図３０】
2014041899.tif 000032