(57)【要約】【課題】金属膜の密着性が高い回路モジュール及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の一形態に係る回路モジュールの製造方法は、電子部品がそれぞれ実装された複数の単位領域を有する配線基板上に、上記電子部品を覆う封止層を形成する工程を含む。  上記封止層の天面に第１の金属膜が接着される。  上記複数の単位領域を区画する切削溝が、上記第１の金属膜上から上記配線基板の内部に達する深さで形成される。  上記複数の単位領域各々の上記封止層の上記切削溝内に露出した側面と上記第１の金属膜とを覆う第２の金属膜が形成される。【選択図】図１
2014107372.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品がそれぞれ実装された複数の単位領域を有する配線基板上に、前記電子部品を覆う封止層を形成し、
前記封止層の天面に第１の金属膜を接着し、
前記複数の単位領域を区画する切削溝を、前記第１の金属膜上から前記配線基板の内部に達する深さで形成し、
前記複数の単位領域各々の前記封止層の前記切削溝内に露出した側面と前記第１の金属膜とを覆う第２の金属膜を形成する
回路モジュールの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の回路モジュールの製造方法であって、
前記第２の金属膜を形成する工程は、めっき法によって前記第２の金属膜を形成する
回路モジュールの製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の回路モジュールの製造方法であって、さらに
前記第２の金属膜を形成する工程の後に、前記第２の金属膜を覆う第３の金属膜を形成する
回路モジュールの製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の回路モジュールの製造方法であって、
前記第３の金属膜を形成する工程は、めっき法によって前記第３の金属膜を形成する
回路モジュールの製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１つに記載の回路モジュールの製造方法であって、
前記第１の金属膜は、接着層と前記接着層上に形成された金属層とを有し、
前記第１の金属膜を接着する工程は、前記接着層を前記天面に接着する
回路モジュールの製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１つに記載の回路モジュールの製造方法であって、
前記切削溝を形成する工程は、前記配線基板内に形成された内部配線層に達する深さで前記切削溝を形成する
回路モジュールの製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１つに記載の回路モジュールの製造方法であって、
前記切削溝を形成する工程は、第１の幅で前記切削溝を形成し、
前記回路モジュールの製造方法は、さらに
前記第２の金属膜を形成する工程の後に、前記配線基板を前記切削溝に沿って前記第１の幅より狭い第２の幅で切削して、前記複数の単位領域をそれぞれ個片化する
回路モジュールの製造方法。
【請求項８】
電子部品が実装された表面を有する配線基板と、
前記表面と対向する主面と、前記主面の周囲に連続して形成された側面とを有し、前記配線基板上に形成され、前記電子部品を覆う封止層と、
前記主面に接着された接着層と、前記接着層上に積層された金属層とを有する第１の金属膜と、
前記封止層の前記側面と前記金属層とを覆う第２の金属膜と
を具備する回路モジュール。
【請求項９】
請求項８に記載の回路モジュールであって、
前記側面は、粗化面である
回路モジュール。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載の回路モジュールであって、
前記封止層と前記接着層とは、同一の樹脂材料で形成される
回路モジュール。
【請求項１１】
請求項１０に記載の回路モジュールであって、
前記樹脂材料は、熱硬化性樹脂である
回路モジュール。
【請求項１２】
請求項８〜１１のいずれか１つに記載の回路モジュールであって、
前記第１の金属膜と前記第２の金属膜とは、銅で形成される
回路モジュール。
【請求項１３】
請求項８〜１２のいずれか１つに記載の回路モジュールであって、
前記第２の金属膜を覆う第３の金属膜をさらに具備する
回路モジュール。
【請求項１４】
請求項１３に記載の回路モジュールであって、
前記第３の金属膜は、ニッケルで形成される
回路モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁シールド機能を有する回路モジュール及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板と、その表面に実装された複数の電子部品と、上記電子部品を被覆する封止層と、配線基板の裏面に形成された外部接続端子とを有する回路モジュールが知られている。また、この種の回路モジュールとしては、モジュール外部への電磁波の漏洩及び外部からの電磁波の侵入を防止する電磁シールドを有するものが知られている。このような電磁シールドは、例えば、上記封止層を被覆する導電性樹脂膜、金属膜等で構成されている（特許文献１、２参照）。
【０００３】
特許文献２には、めっき法によって封止層上に金属膜を形成する回路モジュールの製造方法が記載されている。しかしながら当該封止層は、一般に樹脂材料で形成されるため、金属膜と封止層との密着性が低く、金属膜が封止層の界面で剥離することがあった。
【０００４】
一方、樹脂材料上へ金属膜をめっきする際の下地処理として、デスミア処理が知られている（特許文献３参照）。デスミア処理を行うことで、樹脂の表面に凹凸が形成され、アンカー効果により金属膜との密着性を高めることが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１７２１７６号公報
【特許文献２】特開２００４−１９３１８７号公報
【特許文献２】特開２０１１−１６２８０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
デスミア処理液は、一般に過マンガン酸等の強アルカリ性である。これにより、デスミア処理時には、外部接続端子等をデスミア処理液によるエッチングから保護するため、アルカリ耐性のあるテープ等で配線基板の裏面等をマスキングする必要がある。ところが、当該テープを剥がす際にモジュールに大きな応力がかかり、割れやクラック等が発生することがあった。
【０００７】
したがって、デスミア処理によらずとも、金属膜と封止層との密着性を高めることが可能な回路モジュールが望まれる。
【０００８】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、金属膜の密着性が高い回路モジュール及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る回路モジュールの製造方法は、電子部品がそれぞれ実装された複数の単位領域を有する配線基板上に、上記電子部品を覆う封止層を形成する工程を含む。
上記封止層の天面に第１の金属膜が接着される。
上記複数の単位領域を区画する切削溝が、上記第１の金属膜上から上記配線基板の内部に達する深さで形成される。
上記複数の単位領域各々の上記封止層の上記切削溝内に露出した側面と上記第１の金属膜とを覆う第２の金属膜が形成される。
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る回路モジュールは、配線基板と、封止層と、第１の金属膜と、第２の金属膜とを有する。
上記配線基板は、電子部品が実装された表面を有する。
上記封止層は、上記表面と対向する主面と、上記主面の周囲に連続して形成された側面とを有し、上記配線基板上に形成され、上記電子部品を覆う。
上記第１の金属膜は、上記主面に接着された接着層と、上記接着層上に積層された金属層とを有する。
上記第２の金属膜は、上記封止層の上記側面と上記金属層とを覆う。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態に係る回路モジュールを示す概略断面図である。
【図２】上記回路モジュールの製造方法を説明する図であって、配線基板の構成を示す概略断面図である。
【図３】上記回路モジュールの製造方法を説明する図であって、電子部品の実装工程を説明する概略断面図である。
【図４】上記回路モジュールの製造方法を説明する図であって、封止層の形成工程を説明する概略断面図である。
【図５】上記回路モジュールの製造方法を説明する図であって、第１の金属膜の接着工程を説明する概略断面図である。
【図６】上記回路モジュールの製造方法を説明する図であって、切削溝の形成工程を説明する概略断面図である。
【図７】上記回路モジュールの製造方法を説明する図であって、第２の金属膜を形成するための準備として配線基板の裏面がマスキングテープで被覆された態様を示す概略断面図である。
【図８】上記回路モジュールの製造方法を説明する図であって、第２の金属膜の形成工程を説明する概略断面図である。
【図９】上記回路モジュールの製造方法を説明する図であって、第３の金属膜の形成工程を説明する概略断面図である。
【図１０】上記回路モジュールの製造方法を説明する図であって、上記マスキングテープが除去された態様を示す概略断面図である。
【図１１】上記回路モジュールの製造方法を説明する図であって、個片化工程を説明する概略断面図である。
【図１２】上記実施形態の一比較例に係る回路モジュールの構成を示す概略断面図である。
【図１３】上記実施形態の他の比較例に係る回路モジュールの構成を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の一実施形態に係る回路モジュールの製造方法は、電子部品がそれぞれ実装された複数の単位領域を有する配線基板上に、上記電子部品を覆う封止層を形成する工程を含む。
上記封止層の天面に第１の金属膜が接着される。
上記複数の単位領域を区画する切削溝が、上記第１の金属膜上から上記配線基板の内部に達する深さで形成される。
上記複数の単位領域各々の上記封止層の上記切削溝内に露出した側面と上記第１の金属膜とを覆う第２の金属膜が形成される。
【００１３】
上記第１の金属膜は、封止層の天面に接着される。ここで、「封止層の天面」とは、封止層の外表面のうち、配線基板と対向する面をいう。これにより、第２の金属膜は第１の金属膜を介して封止層上に形成されるため、密着性を高めることができる。また、切削する工程により、切削溝の側壁面の一部として封止層の側面が形成される。この際、例えば切削工具は、封止層等と接触しつつ、回転、直線移動等することで、切削溝を形成する。これにより、当該工具と封止層との摩擦が生じ、封止層の側面が粗化され、微細な凹凸が形成される。すなわち、第２の金属膜と封止層の側面との間には、粗化された側面によりアンカー効果が生じ、密着性を高めることができる。したがって、第２の金属膜の全体にわたって密着性の高い構成とすることができ、封止層にデスミア処理等の下地処理を行わなくとも、第２の金属膜の剥がれ等の不具合を防止することができる。
【００１４】
上記第２の金属膜を形成する工程は、めっき法によって上記第２の金属膜を形成してもよい。
これにより、切削溝のアスペクト比が高い場合でも、切削溝の側壁面及び底面に均一に第２の金属膜を形成することが可能となる。さらに、第２の金属膜を低コストでかつ容易に形成することができる。
【００１５】
さらに、上記第２の金属膜を形成する工程の後に、上記第２の金属膜を覆う第３の金属膜を形成してもよい。
これにより、電磁シールド構造として、第２及び第３の金属膜の２層の金属膜を採用することができる。これにより、各金属膜の材料の選択性を高めることができ、製造が容易で、かつ耐久性に優れたシールド膜を形成することが可能となる。
【００１６】
上記第３の金属膜を形成する工程は、めっき法によって上記第３の金属膜を形成してもよい。
これにより、第３の金属膜を低コストでかつ容易に形成することができる。さらに、切削溝の側壁面及び底面に形成された第２の金属膜上にも、切削溝に倣った形状で均一に第３の金属膜を形成することができる。
【００１７】
具体的には、上記第１の金属膜は、接着層と上記接着層上に形成された金属層とを有し、
上記第１の金属膜を接着する工程は、上記接着層を上記天面に接着してもよい。
【００１８】
上記切削溝を形成する工程は、上記配線基板内に形成された内部配線層に達する深さで上記切削溝を形成してもよい。
これにより、切削溝内に形成される第２の電極膜と内部配線層とを電気的に接続することができる。したがって、例えば上記内部配線層をグランド電位に接続することで、第２の電極膜の電磁シールド効果をより高めることができる。
【００１９】
上記切削溝を形成する工程は、第１の幅で上記切削溝を形成し、
上記回路モジュールの製造方法は、さらに
上記第２の金属膜を形成する工程の後に、上記配線基板を上記切削溝に沿って上記第１の幅より狭い第２の幅で切削して、上記複数の単位領域をそれぞれ個片化してもよい。
これにより、切削によって複数の単位領域を容易に個片化することができる。また、切削溝の幅よりも狭い幅で切削することで、切削溝の側壁面に形成された第２の金属膜等を切除することなく、各単位領域を個片化することができる。
【００２０】
本発明の一実施形態に係る回路モジュールは、配線基板と、封止層と、第１の金属膜と、第２の金属膜とを有する。
上記配線基板は、電子部品が実装された表面を有する。
上記封止層は、上記表面と対向する主面と、上記主面の周囲に連続して形成された側面とを有し、上記配線基板上に形成され、上記電子部品を覆う。
上記第１の金属膜は、上記主面に接着された接着層と、上記接着層上に積層された金属層とを有する。
上記第２の金属膜は、上記封止層の上記側面と上記金属層とを覆う。
【００２１】
上記第１の金属膜は、接着層を封止層の主面に向けて接着される。また上記第２の金属膜は、接着層を介して封止層上に接着された金属層上に形成される。これにより、第２の金属膜の密着性を高め、機械的衝撃や外力等による第２の金属膜の剥がれやクラック等を抑制することができる。さらに、第２の金属膜と第１の金属膜との熱膨張率差を低減し、第２の金属膜における熱応力の発生も抑制することができる。したがって、製品破損等を抑制し、安定したシールド効果を維持することができる。
【００２２】
また、上記側面は、粗化面であってもよい。
これにより上記側面は、第２の金属膜との間にアンカー効果を発揮することができる。したがって、封止層の側面と第２の金属膜との間の密着性を高めることが可能となる。
【００２３】
上記封止層と上記接着層とは、同一の樹脂材料で形成されてもよい。
これにより、封止層と接着層とをより強固に接着することができる。さらに、封止層と接着層との熱膨張率を略同一とすることができ、熱応力の発生を抑制することができる。
【００２４】
また、上記第１の金属膜と上記第２の金属膜とは、銅で形成されてもよい。
これにより、コストを抑えつつ、めっきにより第２の金属膜を容易に形成することができる。また、第１及び第２の金属膜の密着性を高めることができる。さらに、第１及び第２の金属膜の熱膨張率を略同一とすることで、熱応力の発生をより抑制することができる。
【００２５】
さらに、上記第２の金属膜を覆う第３の金属膜を具備してもよい。また、第３の金属膜は、ニッケルで形成されてもよい。
これにより、電磁シールド機能をより高めることができる。また、第３の金属膜をニッケルで形成することで、強度及び耐腐食性の高い構成とすることができる。
【００２６】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。
【００２７】
［回路モジュール］
図１は、本発明の一実施形態に係る回路モジュールを示す概略断面図である。なお図において、Ｘ，Ｙ及びＺの各軸は相互に直交する３軸方向を示しており、このうちＺ軸方向は回路モジュールの厚み方向に対応する。また理解容易のため、各部の厚み、大きさ等は誇張して示されている。
【００２８】
本実施形態に係る回路モジュール１は、配線基板２と、封止層４と、第１の金属膜５と、第２の金属膜６と、第３の金属膜７とを有する。第２の金属膜６及び第３の金属膜７とは、本実施形態においてシールド膜８を構成する。
【００２９】
回路モジュール１は、全体として略直方体形状で構成される。大きさは特に限定されず、例えば、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に沿った長さがそれぞれ２〜４０ｍｍで構成される。また、厚みも特に限定されず、例えば０．７〜２．５ｍｍで構成される。
【００３０】
回路モジュール１は、配線基板２上に複数の電子部品３が配置され、それらを被覆するように封止層４、第１の金属膜５、第２の金属膜６、及び第３の金属膜７が形成される。以下、回路モジュール１の各部の構成について説明する。
【００３１】
（配線基板）
配線基板２は、例えば回路モジュール１全体の寸法と同一の略矩形に構成された表面２１と裏面２２とを有し、厚みが例えば約０．３ｍｍの多層配線基板で構成される。表面２１と裏面２２とは、例えばいずれもＺ軸方向に略直交する面であり、Ｚ軸方向に相互に対向して配置される。基板２の絶縁層を構成する材料は、例えばガラスエポキシ系材料が採用されるが、これに限られず、絶縁性セラミック材料等も採用可能である。
【００３２】
表面２１には、複数の電子部品３が実装される。複数の電子部品３としては、具体的には、集積回路（ＩＣ）、コンデンサ、インダクタ、抵抗、水晶振動子、デュプレクサ、フィルタ、パワーアンプ等の各種部品が含まれる。複数の電子部品３は、典型的には、半田、接着剤、ボンディングワイヤ等により、表面２１上にそれぞれ実装される。
【００３３】
配線基板２の配線層は、典型的には銅箔で構成され、配線基板２の表面２１、裏面２２及び内層部にそれぞれ配置される。上記配線層は、それぞれ所定形状にパターニングされることで、外部接続端子２３、ランド部２４、内部配線層２５をそれぞれ構成する。外部接続端子２３は、裏面２２に形成され、例えば回路モジュール１が実装される電子機器の制御基板（図示略）と接続される。ランド部２４は、表面２１に形成され、電子部品３が実装される。また、表面２１のランド部２４が形成されていない領域は、ソルダレジスト等の絶縁膜が形成されていてもよい（図示略）。これらの配線層は、それぞれ図示しないビア導体を介して相互に電気的に接続されている。
【００３４】
さらに内部配線層２５の一部として、グランド（ＧＮＤ）電位に接続されるＧＮＤ端子２５ｇが形成される。ＧＮＤ端子２５ｇは、例えば、配線基板２の周縁に形成された段差部２６に隣接して配置され、段差部２６を覆う第２の電極膜６の内面と接続される。ＧＮＤ端子２５ｇは、外部接続端子２３を介して上記制御基板のグランド配線に接続される。
【００３５】
（封止層）
封止層４は、配線基板２上に、電子部品３を覆うように形成される。具体的には、封止層４は、全体として略直方体状に形成され、表面２１とＺ軸方向に対向する主面４１と、主面４１の周囲に連続して形成された４つの側面４２とを有する。各側面４２は、例えば、主面４１と略垂直に形成される。なお４つの側面４２は、以下の説明においてそれぞれ区別せず、同一の符号で示すこととする。また、封止層４のＺ軸方向の厚み、すなわち表面２１から主面４１までの厚みは、Ｚ軸方向に最も厚い電子部品３よりも大きくなるように構成され、例えば、当該電子部品３よりも０．１ｍｍ以上大きくなるように構成される。
【００３６】
封止層４は、絶縁体で形成され、本実施形態において、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂が採用される。当該エポキシ樹脂は、強度向上等を目的としてフィラが添加されていてもよく、例えば、フィラ径が１００μｍ以下の無機フィラを７０重量％以上含んでいてもよい。
【００３７】
また封止層４は、後述するように、大面積の集合基板上に形成された封止樹脂層を、所定の単位領域毎に切削することにより形成される。したがって、封止層４の側面４２は、切削時に切削工具等と接触することで、粗化面となる。すなわち、側面４２には微細な凹凸が形成される。
【００３８】
（第１の金属膜）
第１の金属膜５は、封止層４の主面４１上に配置され、金属箔付樹脂フィルムとして構成される。第１の金属膜５は、接着層５１と、金属層５２とを有し、例えば全体として主面４１と同様の大きさを有する略矩形に構成される。
【００３９】
接着層５１は、例えば樹脂製の粘着フィルムとして構成され、主面４１に接着される。接着層５１は、封止層４の材料と同一の樹脂材料で形成されてもよく、本実施形態においてエポキシ樹脂で形成される。接着層５１の厚みは特に限られないが、例えば約５〜３０μｍである。
【００４０】
金属層５２は、本実施形態において銅で形成される。すなわち金属層５２は、接着層５１上に積層された銅箔であり、本実施形態において接着層５１と一体に構成される。金属層５２の厚みは特にかぎられないが、例えば約１〜１０μｍの厚みで形成される。
【００４１】
（シールド膜）
シールド膜８は、回路モジュール１の電磁シールドとして機能し、電子部品３から発生する電磁波の回路モジュール１外部への漏洩及び外部からの電磁波の侵入を防止する。シールド膜８は、本実施形態において、第１の金属膜５及び封止層４を覆う２層の金属膜で構成され、第２の金属膜６と第３の金属膜７とを有する。
【００４２】
第２の金属膜６は、第１の金属膜５の金属層５２、封止層４の側面４２、及び配線基板２の段差部２６を覆うように構成される。すなわち第２の金属膜６は、本実施形態において、Ｚ軸方向と直交する主面と、当該主面の周縁から連続的に形成され主面と直交する４つの側面と、４つの側面と連続し主面と略平行で、かつ段差部２６に形成されたフランジ部とを有する。
【００４３】
第２の金属膜６は、上記構成により、封止層４を介して電子部品３を覆い、電子部品３と回路モジュール１の外部とを電気的に遮蔽することが可能となる。また第２の金属膜６は、段差部２６に露出するＧＮＤ端子２５ｇと電気的に接続されることで、グランド電位に維持される。したがって、より高い電磁シールド機能を発揮することが可能となる。
【００４４】
第２の金属膜６を形成する材料は、導体であれば特に限られないが、本実施形態において金属層５２と同様に銅が採用される。第２の金属膜６の厚みは特に限られず、例えば約０．３〜１０μｍとすることができる。
【００４５】
第３の金属膜７は、第２の金属膜６を覆うように形成される。第３の金属膜７の形状は特に限られないが、第２の金属膜６に倣って形成され、例えば、Ｚ軸方向と直交する主面と、主面の周辺から連続的に形成され主面と直交する４つの側面とを有し、さらに４つの側面と連続して形成され主面と平行なフランジ部を有してもよい。
【００４６】
第３の金属膜７を形成する材料は、導体であれば特に限定されず、本実施形態においてニッケルが採用される。これにより第３の金属膜７は、耐腐食性に優れた構成とすることができ、シールド膜８全体の安定性を高めることができる。第３の金属膜７の厚みは特に限られず、例えば約１〜１０μｍとすることができる。
【００４７】
以上のように構成される回路モジュール１は、接着層５１を介して封止層４上に接着される金属層５２と、金属層５２上に形成された第２の金属膜７とを有する。このように、第２の金属膜７の下地に金属材料を用いることで、第２の金属膜７の密着性を高めることができる。さらに、上述のように、封止層４の側面４２は粗化されている。これにより、側面４２においては、アンカー効果により、第２の金属膜７との密着性を高めることが可能となる。したがって、第２の金属膜７の剥離等を抑制することができ、回路モジュール１の製品破損をより抑制することができる。さらに、回路モジュール１の電磁シールド機能を安定して維持することができ、外部への電磁波の漏洩や外部からの電磁波の侵入等を効果的に抑制することができる。
【００４８】
また本実施形態において、封止層４と接着層５１とを同一の樹脂材料で形成することができる。これにより、封止層４と接着層５１との熱膨張率を略同一とすることができ、封止層４と接着層５１との剥離や割れ等の破損を抑制することができる。また、接着層５１の封止層４への接着性をより高めることができる。
【００４９】
また、金属層５２と第２の金属膜７とを同一の金属材料で形成することで、より密着性を高めることが可能となる。さらに、金属層５２と第２の金属膜７との熱膨張率を略同一とすることができ、金属層５２と第２の金属膜７との剥離や割れ等の破損をより抑制することができる。また、第２の金属膜７に銅を採用することで、銅箔で形成されるＧＮＤ端子２５ｇとも同一の材料とすることができる。これにより、第２の金属膜７とＧＮＤ端子２５ｇとの接触抵抗を低減し、電磁シールド機能の向上に貢献することができる。
【００５０】
次に、以上のように構成された回路モジュール１の製造方法について説明する。
【００５１】
［回路モジュールの製造方法］
図２〜１１は、回路モジュール１の製造方法を説明する概略断面図である。本実施形態に係る回路モジュールの製造方法は、配線基板の準備工程と、電子部品の実装工程と、封止層の形成工程と、第１の金属膜の接着工程と、切削溝の形成工程と、第２の金属膜の形成工程と、第３の金属膜の形成工程と、個片化工程とを有する。以下、各工程について説明する。
【００５２】
（配線基板の準備工程）
図２は、配線基板の構成を示す概略断面図である。
【００５３】
まず、配線基板２０を準備する。配線基板２０は、複数枚の配線基板２が面付けされた大面積の集合基板として構成される。以下、上述の配線基板２は、配線基板２０上の各単位領域１０として説明する。配線基板２０には、複数の単位領域１０がＸ軸方向及びＹ軸方向に相互に隣接して配列される。図２には、各単位領域１０間を区画する分離ラインＬ１０を示す。この分離ラインＬ１０は仮想的なものであってもよいし、配線基板２０上に実際に印刷等により描かれていてもよい。
【００５４】
配線基板２０は、電子部品３の実装面となる表面２１０と、表面２１０に対向する裏面２２０とを有する。また、配線基板２０の表面２１０、裏面２２０及び内層部には、単位領域１０毎に、所定の配線パターンが形成されている。図２には、配線パターンとして、裏面２２０に形成された外部電極２３０と、表面２１０に形成されたランド部２４０と、内部配線層２５０とを示す。これらの配線パターンは、それぞれ、個片化された際の外部接続端子２３、ランド部２４及び内部配線層２５に対応する。
【００５５】
配線基板２０は、後述する各工程を経て第３の金属膜７０までが形成され、最後の個片化工程において分離ラインＬ１０に沿って単位領域１０毎に裁断（フルカット）される。これにより、１枚の配線基板２０から複数の回路モジュール１が作製される。
【００５６】
（電子部品の実装工程）
図３は、電子部品３の実装工程を説明する概略断面図であり、配線基板２０上に電子部品３が配置された態様を示す。
【００５７】
本工程では、ランド部２４０を介して電子部品３が配線基板２０上に実装される。電子部品３の実装方法としては、例えばリフロー方式が採用される。具体的には、まず、ランド部２４０に対応する箇所を貫通させたメタルマスクを表面２１０に配置し、スクリーン印刷法等により半田ペーストが表面２１０に塗布される。次に、印刷された半田ペーストを介して複数の電子部品３が所定のランド部２４０に搭載される。その後、電子部品３が搭載された配線基板２０をリフロー炉へ搬入し、半田の融点よりも高い温度に加熱することで、半田ペーストを溶融（リフロー）させる。このときの加熱温度は、例えば半田の融点よりも２０℃以上以上高い温度とすることができる。これにより、各電子部品３が表面２１０上に電気的・機械的に接合される。
【００５８】
実装工程後に、ランド部２４０周囲に残った半田ペーストに含まれる有機物（フラックス残渣）を除去する洗浄工程を行ってもよい。有機物がランド部２４０周囲に残存していると、リーク電流の発生による絶縁不良や接触不良等の原因となり、不具合を生じることがある。したがって、これらの有機物を洗浄することで、上記不具合を防止することができる。具体的には、まずランド部２４０周囲の有機物を有機系溶剤等の洗浄液により表面２１０上を洗浄する。洗浄後は、配線基板２０を所定温度で乾燥し、洗浄液を十分揮発させる。
【００５９】
（封止層の形成工程）
図４は、封止層４０の形成工程を説明する概略断面図であり、配線基板２０上に電子部品３を覆う封止層４０が形成された態様を示す。
【００６０】
封止層４０は、配線基板２０上に電子部品３を覆うように形成される。封止層４０は、複数の電子部品３よりもＺ軸方向に厚く形成される。例えば封止層４０は、複数の電子部品３のうちＺ軸方向に最も厚い電子部品３よりも約０．１ｍｍ以上厚く形成することができる。これにより、電子部品３を封止層４０で確実に被覆することができ、外気の侵入による電子部品３の劣化や、電子部品３と第１の金属膜５との短絡等の不具合を防止することができる。
【００６１】
封止層４０の形成方法は特に限定されず、例えば、液状又はペースト状の封止樹脂材料をスクリーン印刷法により表面２１０上に塗布した後、所定の処理により硬化させてもよい。塗布の方法は、スピンコート法等でもよい。あるいは、封止層５の形成方法として、モールド成形法、ポッティング成形法等も適用可能である。
【００６２】
封止樹脂の硬化方法としては、封止樹脂の材料に応じて適宜選択することができる。本実施形態において、封止層４０は、熱硬化樹脂であるエポキシ樹脂で形成されるため、熱処理を施すことで当該樹脂を硬化させることが可能である。熱処理の方法は特に限られないが、異なる温度で段階的に加熱してもよく、例えば２段階の温度で加熱してもよい。熱処理後は、封止樹脂を室温程度にまで冷却し、封止層４０を形成する。この際、例えば、０．５℃／分以下で漸次冷却するようにしてもよい。これにより、封止樹脂の急速な冷却に伴うクラック等の発生を防止することができる。また硬化を促進するため、封止樹脂材料に所定量の硬化剤を混合してもよい。エポキシ樹脂を用いる場合には、例えば酸無水系又はアミン系等の硬化剤を用いることができる。
【００６３】
また必要に応じて、封止層５の塗布後、硬化処理の前に、封止樹脂材料のボイド（気泡）を除去する処理を行ってもよい。例えば、封止樹脂材料が粘性を有する場合には、ランド部２４０と電子部品３との隙間等にボイドが形成されることがある。そこで、樹脂供給後の配線基板２０を真空チャンバ等に搬送し、当該真空チャンバ内の圧力を所定の真空度まで低下させる。これによりボイドを除去することが可能であり、その後大気圧程度にまで圧力を上昇（回復）する。また、このような圧力の低下及び上昇を所定サイクル繰り返してもよい。あるいは、封止樹脂材料の塗布自体を真空下で行うことにより、ボイドの発生を抑制ことも可能である。
【００６４】
このようにして形成された封止層４０は、表面２１０とＺ軸方向に対向する天面４１０を有し、配線基板２０の表面２１０全体を被覆するように構成される。天面４１０は、封止層４０の外表面を構成し、表面２１０とＺ軸方向に対向して形成される面である。また天面４１０は、個片化後、各回路モジュール１の封止層４の主面４１を構成する。
【００６５】
（第１の金属膜の接着工程）
図５は、第１の金属膜５０の接着工程を説明する概略断面図であり、封止層４０の天面４１０に第１の金属膜５０が接着された態様を示す。
【００６６】
第１の金属膜５０は、接着層５１０と、接着層５１０上に積層された金属層５２０とを有し、金属箔付樹脂フィルムとして構成される。第１の金属膜５０は、封止層４０の天面４１０に接着される。すなわち、第１の金属膜５０は、天面４１０側に接着層５１０を向けて接着される。また金属層５２０は、外方に向けて接着層５１０上に配置される。
【００６７】
接着層５１０は、本実施形態において熱硬化樹脂であるエポキシ樹脂で形成され、本工程に際し予め半硬化（Ｂステージ化）されている。このため接着層５１０は、粘着性を有しており、封止層４０上に容易に貼付される。
【００６８】
第１の金属膜５０の接着方法は特に限られない。例えば、接着層５１０を封止層４０上に載置した後、真空ラミネータ等を用いて、接着層５１０を真空下で加熱し封止層４０上に圧着する。これにより、接着層５１０と封止層４０との間に気泡等を発生させることなく、これらを密着させることが可能となる。接着層５１０は、圧着後、熱処理等により硬化させることで、封止層４０上に固定される。
【００６９】
（切削溝の形成工程）
図６は、切削溝の形成工程を説明する概略断面図であり、第１の金属膜５０、封止層４０及び配線基板２０の内部に切削溝Ｌ２０が形成された態様を示す。本工程は、例えばダイサーにより所定形状の切削溝Ｌ２０を形成し、配線基板２０をハーフカットする。
【００７０】
切削溝Ｌ２０は、複数の単位領域１０を区画するように分離ラインＬ１０に沿って形成される。すなわち切削溝Ｌ２０は、全体として、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に沿って格子状に形成される。ここで、切削溝Ｌ２０のＸＹ平面内における短手方向を「幅」と定義すると、切削溝Ｌ２０は、第１の幅Ｗ１で形成される。本工程では、第１の幅Ｗ１に相当する幅を有するダイシングブレードを用いることで、第１の幅Ｗ１の切削溝Ｌ２０を形成することができる。第１の幅Ｗ１は特に限られないが、例えば約０．３ｍｍ〜１．０ｍｍとすることができる。
【００７１】
また切削溝Ｌ２０は、第１の幅Ｗ１と略同一の幅の底面を有する。底面の形状は平坦面でも、曲面でも特に限られない。なお分離ラインＬ１０は、底面に沿って走行する。
【００７２】
切削溝Ｌ２０は、本実施形態において、第１の金属膜５０上から配線基板２０の内部配線層２５０に達する深さで形成される。より具体的には、切削溝Ｌ２０は、切削溝Ｌ２０の側壁面に内部配線層２５０の側面が露出する深さで形成されるが、例えば切削溝Ｌ２０の底面等に内部配線層２５ｇが露出される深さであってもよい。この深さは、基板の強度を損なうことがないように設計されるが、一般的には０．０５〜０．４ｍｍ程度である。これにより、切削溝Ｌ２０の側壁面には、内部配線層２５０を含む配線基板２０、封止層４０、第１の金属膜５０が露見されることとなる。
【００７３】
本工程により、第１の金属膜５０（接着層５１０、金属層５２０）、封止層４０及び配線内部配線層２５０が配線基板２０の単位領域１０毎に分割される。その結果、第１の金属膜５（接着層５１、金属層５２）、封止層４及び内部配線層２５が形成される。なお内部配線層２５のうち、切削溝Ｌ２０内に露出する部分は、ＧＮＤ端子２５ｇを構成する。
【００７４】
また、封止層４の側面には、切削溝Ｌ２０の側壁面の一部を構成する側面４２が形成される。側面４２は、回転及び直線移動するダイシングブレードと接触し、磨耗されることで形成される。したがって側面４２は粗化され、微細な凹凸が形成される。
【００７５】
（第２の金属膜の形成工程）
図７及び図８は、第２の金属膜６０の形成工程を説明する概略断面図であり、図７は、第２の金属膜６０を形成するための準備として裏面２２０がマスキングテープＭで被覆された態様を示し、図８は、第２の金属膜６０が形成された態様を示す。本工程は、めっき法により、例えば銅で形成された第２の金属膜６０を形成する。
【００７６】
本工程は、例えば無電解めっき工程後に電解めっき工程を行う。これにより、導体に限られず絶縁体上へも均一に金属膜を析出させることができ、かつ効率よく金属膜を成長させることができる。なお、これに限られず、無電解めっき工程のみでもよい。
【００７７】
本工程では、無電解めっき工程を行う前に、裏面２２０をマスキングテープＭ等の保護テープで予め被覆する。本工程に係る無電解めっき工程では、配線基板２０も含めた全体をめっき液に浸漬するため、樹脂材料を含む外周面全体に金属が析出することとなる。これにより、仮に裏面２２０の外部電極２３０以外の領域に金属膜（めっき）が形成された場合には、絶縁不良等の原因となる。したがって、本実施形態では、裏面２２０をマスキングテープＭで被覆することで、裏面２２０への金属の析出を防止する。マスキングテープＭは特に限られず、めっき液の浸漬に対して粘着性を喪失しない程度の、比較的弱い粘着力のものを採用することができる。なお、配線基板２０の側面については、典型的には個片化工程の際に切除され、金属膜が形成されても問題が生じないため、マスキングテープＭの有無については特に限られない。
【００７８】
そして、マスキングテープＭを貼付した配線基板、封止層等を含む全体をめっき液に浸漬し、無電解めっき工程を行う。これにより、絶縁体である封止層４０や配線基板２０、マスキングテープＭ上等、モジュール構造の外周面全体に金属膜を析出させることが可能となる。また、切削溝Ｌ２０の側壁面及び底面にも、金属膜が析出される。
【００７９】
次に電解めっき工程により、無電解めっき工程において形成した金属膜をシード層としてさらに金属膜を成長させ、第２の金属膜６０を形成する。これにより、切削溝Ｌ２０内を含む外周面全体に、例えば約０．３μｍ〜１０μｍの厚みの第２の金属膜６０が形成される。本実施形態においては、無電解めっき法だけでなく、膜厚が制限が少なく、かつ膜形成速度が比較的速い電解めっき法も採用することで、所望の厚みの金属膜を効率的に成長させることが可能となる。
【００８０】
（第３の金属膜の形成工程）
図９は、第３の金属膜７０の形成工程を説明する概略断面図であり、第２の金属膜６０を覆う第３の金属膜７０が形成された態様を示す。本工程も、めっき法により、例えばニッケルで形成された第３の金属膜７０を形成する。第３の金属膜７０の形成方法は、例えば電解めっき法が採用されるが、無電解めっき法を採用してもよい。第３の金属膜７０は、例えば約１μｍ〜１０μｍの厚みで第２の金属膜６０に倣って形成される。
【００８１】
第３の金属膜７０が形成された後、マスキングテープＭが除去される。図１０は、マスキングテープＭが除去された態様を示す概略断面図である。これにより、マスキングテープＭの表面に形成された第２及び第３の金属膜６０，７０もマスキングテープＭとともに除去される。上述の通り、マスキングテープＭは、本実施形態において、粘着力が比較的弱いものを採用することができる。これにより、マスキングテープＭを剥がす際に、回路モジュール１内に発生する応力を低減し、破損を防止することができる。
【００８２】
（個片化工程）
図１１は、個片化工程を説明する概略断面図であり、配線基板２０が裁断され、個片化された態様を示す。本工程では、配線基板２０を切削溝Ｌ２０に沿って切削して、複数の単位領域１０をそれぞれ個片化する。
【００８３】
より具体的には、配線基板２０は、例えばダイサー等により、切削溝Ｌ２０の底面を走行する分離ラインＬ１０に沿って裁断（フルカット）される。また配線基板２０は、第１の幅Ｗ１より狭い第２の幅Ｗ２で切削される。このとき、第２の幅Ｗ２に相当する幅を有するダイシングブレードを用いてもよい。第２の幅Ｗ２は特に限られないが、例えば０．２〜０．９ｍｍとすることができる。これにより、切削溝Ｌ２０の側壁面に形成された第２及び第３の金属膜６０，７０を切除することなく、切削溝Ｌ２０の底面のみを切削することが可能となる。
【００８４】
本工程により、第２及び第３の金属膜６０，７０及び配線基板２０が単位領域１０毎に分割される。その結果、既に形成された第１の金属膜５、封止層４等に加え、第２及び第３の金属膜６，７及び配線基板２が形成される。また、切削溝Ｌ２０の底面の一部が切削されることで、配線基板２の段差部２６が形成される（図１参照）。これにより、上述の構成を有する回路モジュール１が作製される。
【００８５】
以上の各工程により、回路モジュール１が製造される。本実施形態に係る回路モジュールの製造方法では、接着層５１の粘着力を利用して、封止層４上に第１の金属膜５を接着させる。これにより、第２の金属膜６の封止層４への密着性を高め、剥がれ等の不具合を防止することができる。したがって、より取り扱い性と耐久性とに優れた構成とすることができる。
【００８６】
さらに本実施形態において、金属層５２と第２の金属膜６とが同一の金属材料である銅で形成される。これにより、第１の金属膜５をめっきのシード層として機能させ、第２の金属膜６を第１の金属膜５上に析出させることが容易になる。さらに、第２の金属膜６と第１の金属膜５との密着性を高めることができる。
【００８７】
また、第３の金属膜７の材料としてニッケルを採用することで、材料費を比較的低コストに抑えつつ、強度及び耐腐食性の高い構成とすることができる。
【００８８】
また、第２及び第３の金属膜６，７がめっき法で形成されることにより、アスペクト比の高い切削溝Ｌ２０の内部にも、第２及び第３の金属膜６，７を均一に形成することができる。これにより、封止層４の側面４２を確実に被覆できる。さらに、図９を参照し、対向する切削溝Ｌ２０の側壁面にそれぞれ形成された第３の金属膜７間を第２の幅以上に離間させることができる。したがって、ダイサーを用いて容易に裁断することが可能となる。
【００８９】
ここで、図１２及び図１３は、本実施形態の比較例に係る回路モジュールの構成を示す概略断面図である。図１２、図１３に記載の回路モジュール１Ａ、１Ｂを参照し、本実施形態に係る回路モジュール１の作用効果をより詳細に説明する。
【００９０】
図１２に示す回路モジュール１Ａは、配線基板２Ａ、封止層４Ａとを有する。回路モジュール１Ａの回路モジュール１と異なる点は、シールド膜として導電性樹脂膜６Ａを有する点である。導電性樹脂膜６Ａは、ベースとなる樹脂材料中に導電性粒子が分散した構成を有する。このため導電性樹脂膜６Ａは、樹脂材料からなる封止層４Ａに対しても、高い密着性を有する。
【００９１】
しかしながら、導電性樹脂膜６Ａは、導電性材料として銀等を用いることが多く、コスト的に不利であった。
【００９２】
一方、図１３に示す回路モジュール１Ｂは、配線基板２Ｂと、封止層４Ｂとを有し、さらにシールド膜としてめっき法により形成された金属膜６Ｂ，７Ｂを有する。めっき法を採用することで、金属膜６Ｂ，７Ｂの材料の選択性を高め、金属膜６Ｂ，７Ｂを比較的安価に形成することができる。
【００９３】
しかしながら、金属膜６Ｂを封止層４Ｂ上に形成する際は、めっき工程の前に予め封止層４Ｂの表面を粗化し、アンカー効果により密着性を確保する必要があった。樹脂材料の粗化の方法として、例えばデスミア処理が知られている（特許文献３参照）。
【００９４】
デスミア処理は、過マンガン酸塩等の強アルカリ塩を主成分とする処理液により、樹脂材料表面を酸化分解する処理である。デスミア処理は、一般に、配線基板のビアを機械的に形成する際のスミア（ビア周辺に残存する樹脂）を除去するために用いられるが、めっき処理の際の下地処理として、樹脂材料上に凹凸構造を形成するためにも用いられる。デスミア処理においては、モジュール構造全体を処理液に浸漬するため、外部電極等まで酸化分解してしまう可能性がある。そこで、デスミア処理液から保護するために、実装部分をマスキングテープ等で被覆する必要がある。
【００９５】
このようなマスキングテープは、アルカリ耐性を有するものが採用され、粘着力が比較的強いものが多い。したがって、当該テープを剥がす際に、回路モジュール１Ｂに大きな応力がかかり、割れやクラック等が発生することがあった。また、本実施形態と同様に切削溝を形成する工程を経る場合には、配線基板の厚みが切削溝下の領域で他の領域よりも薄くなるため（図６等参照）、当該切削溝下の領域において特に割れやクラック等が発生しやすかった。
【００９６】
そこで、本実施形態に係る回路モジュール１によれば、めっき法によって形成される第２の金属膜６が、第１の金属膜５を介して封止層４の主面４１上に形成される。これにより、デスミア処理をせずとも、第２の金属膜６の密着性を高めることができる。したがって、マスキングテープの選択性を高めることができ、より粘着力の低いテープを用いることで、上記割れやクラック等の不具合を抑制することが可能となる。
【００９７】
さらに、切削溝Ｌ２０の形成には、上述のように、ダイサーが用いられる。これにより、側面４２を含む切削溝Ｌ２０の側壁面が粗化されることとなる。したがって、側面４２においても、アンカー効果により、第２の金属膜６との密着性を高めることが可能となる。
【００９８】
以上、本発明の実施形態について説明したが、これに限定されることはなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００９９】
以上の実施形態において、第１の金属膜５の金属層５２は銅で形成されると説明したが、これに限られず、例えばニッケル等の他の金属を採用してもよい。
【０１００】
第２の金属膜６の材料も銅に限られず、例えばニッケル等の他の金属を採用してもよい。さらに、第３の金属膜７についても、ニッケルに限られない。例えば電解めっき法の場合には、銀、金等、無電解めっき法の場合には、ニッケル、金、パラジウム等の金属を採用することができる。また、第３の金属膜７を覆う金属膜をさらに形成し、シールド膜８を３層以上の構成としてもよい。
【０１０１】
あるいは、第３の金属膜７を有さない構成とすることも可能である。
【０１０２】
また、封止層４及び第１の金属膜５の接着層５１の材料についても、エポキシ樹脂に限られず、他の絶縁体を採用することができる。また勿論、それぞれ異なる材料であってもよい。
【０１０３】
以上の実施形態において、第２及び第３の金属膜６，７をめっき法により形成すると説明したが、これに限られない。例えば、スパッタ、蒸着等の真空プロセスを用いてもよいし、ディッピング、溶射等で形成してもよい。
【０１０４】
また、切削工程に用いる工具はダイサーに限られず、例えばルータ、フライスを用いてもよい。さらに個片化工程における切削（裁断）には、ダイサー、ルータ等を用いた方法の他、配線基板２０がセラミック等の脆性のある材料で形成される場合には、せん断力により配線基板２０を分割する方法等を適宜採用することができる。また、切削溝Ｌ２０に沿ってレーザ等を照射することで、配線基板２０を分割してもよい。
【符号の説明】
【０１０５】
１…回路モジュール
２，２０…配線基板
３…電子部品
４，４０…封止層
５，５０…第１の金属膜
６，６０…第２の金属膜
７，７０…第３の金属膜
１０…単位領域
２１，２１０…表面
２５，２５０…内部配線層
４１…主面
４２…側面
５１，５１０…接着層
５２，５２０…金属層
４１０…天面
Ｌ２０…切削溝
【図１】
2014107372.tif 000003
【図２】
2014107372.tif 000004
【図３】
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【図４】
2014107372.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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