(57)【要約】【課題】マイクロ波処理を均一に行い、容器を小さくすることができるマイクロ波処理方法を提供することを目的とする。【解決手段】導波管２の先端を短絡して当該導波管２内にマイクロ波の定在波が発生するようにし、マイクロ波の伝送方向に複数箇所に設けられたスリットＳを介して導波管２から容器（チャンバー）１にマイクロ波を放射する。また、導波管２の供給電源３は１つのみでありマイクロ波の伝送方向に直交した幅方向に導波管２を複数に設置した状態で、マイクロ波を伝送してマイクロ波処理を行う。また、スリットＳを設けたチャンバー１の面と処理物（ワーク）Ｗとの最短距離ｈがマイクロ波の波長λ未満となるようにチャンバー１およびワークＷを設置する。その結果、マイクロ波処理を均一に行い、チャンバー１を小さくすることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器中へマイクロ波を伝送して前記容器中の処理物に対してマイクロ波処理を行うマイクロ波処理方法であって、
導波管の先端を短絡して当該導波管内に前記マイクロ波の定在波が発生するようにし、
マイクロ波の伝送方向に複数箇所に設けられたスリットを介して前記導波管から前記容器にマイクロ波を放射し、
前記スリットを設けた容器の面と前記処理物との最短距離がマイクロ波の波長未満となるように容器および処理物を設置し、かつ導波管の供給電源は１つのみでありマイクロ波の伝送方向に直交した幅方向に導波管を複数に設置した状態で、マイクロ波を伝送してマイクロ波処理を行うことを特徴とするマイクロ波処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載のマイクロ波処理方法において、
前記幅方向に前記導波管を複数に分岐して、分岐した各々の導波管から前記スリットを介してマイクロ波を放射することを特徴とするマイクロ波処理方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のマイクロ波処理方法において、
前記伝送方向に対して互いに隣接する２つのスリット間のスリット間隔を、管内波長に基づいて設定することを特徴とするマイクロ波処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、容器中へマイクロ波を伝送して当該容器中の処理物に対してマイクロ波処理を行うマイクロ波処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ波（周波数が例えば２．４５ＧＨｚ）は、電子レンジをはじめ、工業用としても色々な分野で応用されている。主な用途は、加熱処理、プラズマ処理などである。応用を考える場合、大きな体積の容器（チャンバー）に電力を投入する場合には十分な電波の伝搬空間があり、マイクロ波の広がりについても特に問題なく、スターラ（stirrer）などの撹拌子などで十分な対策が可能である。また、コンベアーなどで処理物（ワーク）を移動させながらの乾燥が主に使われている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１０６７７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記の方法によれば、ワークサイズより十分大きなチャンバーが必要であり、装置費用も高いという問題がある。特に、減圧乾燥であれば、大気圧に耐えるチャンバーが必要となり、大きければ非常に高価になる。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、マイクロ波処理を均一に行い、容器を小さくすることができるマイクロ波処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
発明者らは、上記の問題を解決するために鋭意研究した結果、次のような知見を得た。
【０００７】
すなわち、チャンバーなどの容器を小さくするとマイクロ波が十分に広がらずにマイクロ波処理を均一に行うことができない。したがって、容器の小型化と均一なマイクロ波処理とはトレードオフの関係にある。そこで、導波管の先端を短絡して当該導波管内に定在波が発生するようにし、マイクロ波の伝送方向に複数箇所に設けられたスリットを介して導波管から容器（チャンバー）にマイクロ波を放射することに着目してみた。そして、スリットを設けない従来の導波管および伝送方向に複数のスリットを設けた導波管をそれぞれ用いた処理物（ワーク）の電力分布を示すシミュレーションを行い、確認を行った。
【０００８】
図５および図６は、スリットを設けない従来の導波管を用いたワークの電力分布を示すシミュレーションであり、図７〜図９は、伝送方向に複数のスリットを設けた導波管を用いたワークの電力分布を示すシミュレーションである。ワークは円柱形状であり、図１（ｂ）に示すように、スリットを設けたチャンバーの面（上面）とワークとの最短距離をｈとし、ワークの直径をＤとし、その間隔をｄとする。
【０００９】
光速ｃ＝３０万［ｋｍ／ｓ］（＝３００×１０６［ｍ／ｓ］）であり、波長λ＝光速ｃ／周波数ｆ（ただしＭＫＳ単位）で表されるので、周波数ｆ＝２．４５［ＧＨｚ］（＝２．４５×１０９［Ｈｚ］）のときには、波長λ＝３００×１０６／２．４５×１０９［ｍ］＝０．１２２［ｍ］＝１２２[ｍｍ]となる。このとき、最短距離ｈがマイクロ波の波長λ未満（ｈ＜λ）となるようにチャンバーおよびワークを設置する。図５〜図９では、最短距離ｈ＝５０[ｍｍ]としており、直径Ｄ＝１１０[ｍｍ]としており、間隔ｄ＝３０[ｍｍ]としている。
【００１０】
図５は、マイクロ波の周波数が周波数ｆ＝２．４５［ＧＨｚ］の場合において、スリットを設けない従来の導波管を用いたワークの電力分布を示すシミュレーションである。図６は、マイクロ波の周波数が周波数ｆ＝９１５［ＭＨｚ］の場合において、スリットを設けない従来の導波管を用いたワークの電力分布を示すシミュレーションである。
【００１１】
図７は、マイクロ波の周波数が周波数ｆ＝２．４５［ＧＨｚ］の場合において、マイクロ波の伝送方向に直交した幅方向に導波管を３本に密接して分岐して、分岐した各々の導波管からスリットを介してマイクロ波を放射したときのワークの電力分布を示すシミュレーションである。図８は、マイクロ波の周波数が周波数ｆ＝９１５［ＭＨｚ］の場合において、マイクロ波の伝送方向に直交した幅方向に導波管を３本に密接して分岐して、分岐した各々の導波管からスリットを介してマイクロ波を放射したときのワークの電力分布を示すシミュレーションである。図９は、マイクロ波の周波数が周波数ｆ＝２．４５［ＧＨｚ］の場合において、マイクロ波の伝送方向に直交した幅方向に導波管を３本に離間して分岐して、分岐した各々の導波管からスリットを介してマイクロ波を放射したときのワークの電力分布を示すシミュレーションである。
【００１２】
また、図５〜図９のときの容器への投入電力に対する処理物（ワーク）のマイクロ波電力吸収量（％表示）は下記表１の通りである。なお、表１中のＷ１〜Ｗ５は、処理物（ワーク）であり、中央のワークがＷ３、両隣がＷ２，Ｗ４、両端がＷ１，Ｗ５となっている。また、Ｗ３を軸に対称なチャンバー構造、処理物の配置および導波管スリット（孔）位置となるモデルのシミュレーションであるので、両隣のＷ２，Ｗ４でのマイクロ波電力吸収量は同じ値となり、両端のＷ１，Ｗ５でのマイクロ波電力吸収量は同じ値となる。
【００１３】
【表１】
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【００１４】
図５や図６のシミュレーションおよび表１の標準偏差に示すように、スリットを設けない従来の導波管を用いた場合には、マイクロ波の伝送方向および幅方向に対してワークの電力分布が不均一であることがわかる。一方、図７〜図９のシミュレーションおよび表１の標準偏差に示すように、伝送方向に複数のスリットを設けた導波管を用いた場合には、ワークの電力分布が均一であることがわかる。ただし、１本の導波管を設置した場合には、たとえ伝送方向に複数のスリットを導波管に設けたとしても幅方向に対してワークの電力分布が不均一となることが予想される。導波管とほぼ同じ幅を有するチャンバーのみに適用する、あるいはチャンバーの幅に合わせて導波管を幅方向に広げることも考えられるが、汎用的でない。
【００１５】
そこで、チャンバーの幅に合わせて幅方向に導波管を複数に設置し、導波管に対して一対一で導波管の供給電源を同数に備えることで、幅方向に対してもワークの電力分布を均一にすることが考えられる。ただし、今度は供給電源を複数に備えた分だけ装置費用が高くなるという別の問題が生じる。してみれば、導波管の供給電源（図７〜図９では図示省略）を１つのみにし、幅方向に導波管を複数（図７〜図９では３本）に設置した状態で、マイクロ波を伝送してマイクロ波処理を行えば、図７〜図９のシミュレーションに示すように、幅方向に対してもワークの電力分布を均一にすることができるという知見が得られた。
【００１６】
このような知見に基づく本発明は、次のような構成をとる。
すなわち、本発明に係るマイクロ波処理方法は、容器中へマイクロ波を伝送して前記容器中の処理物に対してマイクロ波処理を行うマイクロ波処理方法であって、導波管の先端を短絡して当該導波管内に前記マイクロ波の定在波が発生するようにし、マイクロ波の伝送方向に複数箇所に設けられたスリットを介して前記導波管から前記容器にマイクロ波を放射し、前記スリットを設けた容器の面と前記処理物との最短距離がマイクロ波の波長未満となるように容器および処理物を設置し、かつ導波管の供給電源は１つのみでありマイクロ波の伝送方向に直交した幅方向に導波管を複数に設置した状態で、マイクロ波を伝送してマイクロ波処理を行うことを特徴とするものである。
【００１７】
［作用・効果］本発明に係るマイクロ波処理方法によれば、導波管の先端を短絡して当該導波管内にマイクロ波の定在波が発生するようにし、マイクロ波の伝送方向に複数箇所に設けられたスリットを介して導波管から容器にマイクロ波を放射することで、伝送方向に対してマイクロ波処理を均一に行うことができる。また、導波管の供給電源は１つのみでありマイクロ波の伝送方向に直交した幅方向に導波管を複数に設置した状態で、マイクロ波を伝送してマイクロ波処理を行うことで、幅方向に対してもマイクロ波処理を均一に行うことができる。また、スリットを設けた容器の面と処理物との最短距離がマイクロ波の波長未満となるように容器および処理物を設置することで、容器を小さくしてもマイクロ波処理を均一に行うことができる。その結果、マイクロ波処理を均一に行い、容器を小さくすることができる。
【００１８】
伝送方向に直交した幅方向に導波管を複数に設置する好ましい一例は、幅方向に導波管を複数に分岐して、分岐した各々の導波管からスリットを介してマイクロ波を放射することである。幅方向に導波管を複数に分岐することで、導波管の供給電源を１つのみにして幅方向に導波管を複数に設置することができる。もちろん、１本の導波管を折り返して、導波管の供給電源を１つのみにして幅方向に導波管を複数に設置してもよい。
【００１９】
また、本発明において、伝送方向に対して互いに隣接する２つのスリット間のスリット間隔を、管内波長に基づいて設定するのが好ましい。管内波長は、マイクロ波の周波数および導波管のサイズに応じて変更される。定在波のピークは上側および下側に現れて、ピーク間隔は管内波長の半分の長さとなる。そのピーク箇所にスリットを設けることでマイクロ波を放射させるので、管内波長の半分の長さにスリット間隔を設定し、ピーク箇所にそれぞれ合わせてスリットをそれぞれ設けることで、マイクロ波処理をより一層均一に行うことができる。もちろん、処理物の形状に合わせてスリットを設定（例えば斜め方向にスリットを設定、十字形状のスリットを設定）してもよいが、マイクロ波処理をより一層均一に行うためにはスリット間隔を管内波長に基づいて設定するのが好ましい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係るマイクロ波処理方法によれば、導波管の先端を短絡して当該導波管内にマイクロ波の定在波が発生するようにし、マイクロ波の伝送方向に複数箇所に設けられたスリットを介して導波管から容器にマイクロ波を放射する。また、導波管の供給電源は１つのみでありマイクロ波の伝送方向に直交した幅方向に導波管を複数に設置した状態で、マイクロ波を伝送してマイクロ波処理を行う。また、スリットを設けた容器の面と処理物との最短距離がマイクロ波の波長未満となるように容器および処理物を設置する。その結果、（伝送方向および幅方向の両方向に対して）マイクロ波処理を均一に行い、容器を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】実施例に係るマイクロ波処理装置の概略図であり、（ａ）はマイクロ波処理装置の導波管およびチャンバーの概略平面図、（ｂ）はマイクロ波処理装置の概略測断面図である。
【図２】定在波のピークおよび管内波長の説明に供する概略図である。
【図３】図１とは別の実施形態の導波管およびチャンバーの概略平面図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）は、変形例に係る導波管およびチャンバーの概略平面図である。
【図５】マイクロ波の周波数が周波数ｆ＝２．４５［ＧＨｚ］の場合において、スリットを設けない従来の導波管を用いたワークの電力分布を示すシミュレーションである。
【図６】マイクロ波の周波数が周波数ｆ＝９１５［ＭＨｚ］の場合において、スリットを設けない従来の導波管を用いたワークの電力分布を示すシミュレーションである。
【図７】マイクロ波の周波数が周波数ｆ＝２．４５［ＧＨｚ］の場合において、マイクロ波の伝送方向に直交した幅方向に導波管を３本に密接して分岐したときで、伝送方向に複数のスリットを設けた導波管を用いたワークの電力分布を示すシミュレーションである。
【図８】マイクロ波の周波数が周波数ｆ＝９１５［ＭＨｚ］の場合において、マイクロ波の伝送方向に直交した幅方向に導波管を３本に密接して分岐したときで、伝送方向に複数のスリットを設けた導波管を用いたワークの電力分布を示すシミュレーションである。
【図９】マイクロ波の周波数が周波数ｆ＝２．４５［ＧＨｚ］の場合において、マイクロ波の伝送方向に直交した幅方向に導波管を３本に離間して分岐したときで、伝送方向に複数のスリットを設けた導波管を用いたワークの電力分布を示すシミュレーションである。
【実施例】
【００２２】
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。
図１は、実施例に係るマイクロ波処理装置の概略図であり、図１（ａ）は、マイクロ波処理装置の導波管およびチャンバーの概略平面図であり、図１（ｂ）は、マイクロ波処理装置の概略測断面図であり、図２は、定在波のピークおよび管内波長の説明に供する概略図であり、図３は、図１とは別の実施形態の導波管およびチャンバーの概略平面図である。本実施例では、マイクロ波処理として、減圧乾燥を例に採って説明する。本実施例では、マイクロ波の周波数が周波数ｆ＝２．４５［ＧＨｚ］の場合を例に採って説明する。
【００２３】
図１に示すように、マイクロ波処理装置は容器（チャンバー）１を備えている。チャンバー１内には、例えば円筒形状の固体などの処理物（ワーク）Ｗが収容されており、当該ワークＷに対してマイクロ波処理を行う。チャンバー１内は、真空引き（減圧）されて内部圧力が大気圧より低い状態であるが、減圧乾燥以外のマイクロ波処理（例えば加熱処理やプラズマ処理）であれば、大気圧や、大気圧より高い２，３気圧〜３０気圧程度の圧力など特に限定されない。容器（チャンバー）１は、本発明における容器に相当し、処理物（ワーク）Ｗは、本発明における処理物に相当する。
【００２４】
チャンバー１の上面には導波管２を設けており、導波管２の先端を短絡して当該導波管２内にマイクロ波の定在波が発生するように導波管２を構成している。マイクロ波の伝送方向に対して複数のスリットＳを導波管２に設けている。各々のスリットＳに一致するようにチャンバー１の上面にもスリット１ａをそれぞれ設け、スリットＳを介して導波管２からチャンバー１にマイクロ波を放射している。導波管２は、本発明における導波管に相当し、スリットＳは、本発明におけるスリットに相当する。
【００２５】
（スリット１ａも含め）スリットＳの本数については特に限定されない。チャンバー１やワークＷのサイズに合わせて適宜設定すればよい。ただし、（スリット１ａも含め）各々のスリットＳについては、定在波のピークＰ（図２を参照）が現れる箇所（ピーク箇所）にそれぞれ合わせて設けるのが好ましい。
【００２６】
上述したように、定在波のピークＰは、図２に示すように上側および下側にも現れて、ピーク間隔は管内波長λｇの半分の長さとなる。図１に示すように、伝送方向に対して互いに隣接する２つのスリットＳ間のスリット間隔をＬとし、ピーク箇所にスリットＳを設けると、スリット間隔Ｌがピーク間隔に等しい。したがって、スリット間隔Ｌを管内波長λｇの半分の長さに設定するのが好ましい。マイクロ波の周波数が周波数ｆ＝２．４５［ＧＨｚ］で、導波管２の幅が１０９[ｍｍ]の場合には、管内波長λｇ＝１４８[ｍｍ]となるので、スリット間隔をスリット間隔Ｌ＝７４[ｍｍ]に設定する。
【００２７】
本実施例では、図１（ａ）に示すように、伝送方向に直交した幅方向に導波管２を複数（図１（ａ）では３本）に分岐して、分岐した各々の導波管２からスリットＳを介してマイクロ波を放射する。図１（ａ）では、幅方向に導波管２を３本に密接して分岐したが、図３の平面図に示すように幅方向に導波管２を３本に離間して分岐してもよい。図１（ａ）あるいは図３では、分岐した導波管２の本数を３本にしたが、チャンバー１やワークＷのサイズに合わせて適宜設定すればよく、分岐した導波管２の本数については特に限定されない。複数であれば、３本以外の本数（２本あるいは４本以上）であってもよい。
【００２８】
分岐地点よりも上流には、図１（ｂ）に示すように、１つの供給電源３が導波管２に接続されている。したがって、供給電源３が１つのみであっても、１本の導波管２を内部で複数（図１（ａ）あるいは図３では３本）に分岐し、電力が等分に分割できるようにする。供給電源３は、本発明における供給電源に相当する。
【００２９】
本実施例では、図１（ｂ）に示すように、ワークＷを載置する載置台４をチャンバー１内にチャンバー１の下面に設置している。載置台４はフッ素樹脂などで形成されている。上述したように、スリットＳ，１ａを設けたチャンバー１の面（上面）とワークＷとの最短距離をｈとし、ワークＷの直径をＤとし、その間隔をｄとする。図５〜図９でも述べたが、最短距離ｈ＝５０[ｍｍ]としており、直径Ｄ＝１１０[ｍｍ]としており、間隔ｄ＝３０[ｍｍ]としている。これらの最短距離ｈや直径Ｄや間隔ｄの寸法についても、処理条件やチャンバー１やワークＷのサイズに合わせて適宜設定すればよく、特に限定されない。
【００３０】
特に、最短距離ｈについては、マイクロ波の波長未満であれば、特に限定されないが、チャンバーの小型化を鑑みれば短ければ短いほどよい。より好ましくは、マイクロ波の波長の半分未満であっても、図７〜図９のシミュレーションおよび表１の標準偏差から、ワークの電力分布が均一に保たれることが確認されている。マイクロ波の周波数が周波数ｆ＝２．４５［ＧＨｚ］の場合には、上述したように波長λ＝１２２[ｍｍ]となるので、最短距離ｈについては１２２[ｍｍ]未満、より好ましくは１２２[ｍｍ]の半分である６１[ｍｍ]未満であればよい。
【００３１】
本実施例に係るマイクロ波処理方法によれば、導波管２の先端を短絡して当該導波管２内にマイクロ波の定在波が発生するようにし、マイクロ波の伝送方向に複数箇所に設けられたスリットＳを介して導波管２から容器（チャンバー）１にマイクロ波を放射することで、伝送方向に対してマイクロ波処理（本実施例では減圧乾燥）を均一に行うことができる。また、導波管２の供給電源３は１つのみでありマイクロ波の伝送方向に直交した幅方向に導波管２を複数（図１（ａ）あるいは図３では３本）に設置した状態で、マイクロ波を伝送してマイクロ波処理（減圧乾燥）を行うことで、幅方向に対してもマイクロ波処理（減圧乾燥）を均一に行うことができる。また、スリットＳを設けたチャンバー１の面と処理物（ワーク）Ｗとの最短距離ｈがマイクロ波の波長λ未満となるようにチャンバー１およびワークＷを設置することで、チャンバー１を小さくしてもマイクロ波処理（減圧乾燥）を均一に行うことができる。その結果、マイクロ波処理（減圧乾燥）を均一に行い、チャンバー１を小さくすることができる。
【００３２】
本実施例では、伝送方向に直交した幅方向に導波管２を複数（図１（ａ）あるいは図３では３本）に設置する好ましい実施形態として、図１（ａ）あるいは図３に示すように、幅方向に導波管２を複数（図１（ａ）あるいは図３では３本）に分岐して、分岐した各々の導波管２からスリットＳを介してマイクロ波を放射している。幅方向に導波管２を複数（図１（ａ）あるいは図３では３本）に分岐することで、導波管２の供給電源３を１つのみにして幅方向に導波管２を複数（図１（ａ）あるいは図３では３本）に設置することができる。
【００３３】
また、伝送方向に対して互いに隣接する２つのスリットＳ間のスリット間隔Ｌを、管内波長λｇに基づいて設定するのが好ましい。管内波長λｇは、マイクロ波の周波数および導波管２のサイズに応じて変更される。図２に示すように定在波のピークＰは上側および下側に現れて、ピーク間隔は管内波長λｇの半分の長さとなる。そのピーク箇所にスリットＳを設けることでマイクロ波を放射させるので、管内波長λｇの半分の長さにスリット間隔Ｌを設定し、ピーク箇所にそれぞれ合わせてスリットＳをそれぞれ設けることで、マイクロ波処理（減圧乾燥）をより一層均一に行うことができる。
【００３４】
本実施例では、マイクロ波の周波数が周波数ｆ＝２．４５［ＧＨｚ］の場合を例に採って説明したが、マイクロ波の周波数帯域であれば、周波数ｆ＝２．４５［ＧＨｚ］に限定されない。例えば、上述したように周波数ｆ＝９１５［ＭＨｚ］であってもよい。
【００３５】
周波数ｆ＝９１５［ＭＨｚ］の場合には、周波数ｆ＝２．４５［ＧＨｚ］と比較すると波長が長くなり、周波数ｆ＝９１５［ＭＨｚ］でのマイクロ波の浸透深さが、周波数ｆ＝２．４５［ＧＨｚ］でのマイクロ波の浸透深さよりも深いので、大型チャンバーを用いた加熱に向いている。例えば、上述したように周波数ｆ＝２．４５［ＧＨｚ］でのチャンバーの上面とワークとの距離（最短距離ｈ）が５０[ｍｍ]の場合には、周波数ｆ＝９１５［ＭＨｚ］ではそれの約３倍で１５０[ｍｍ]となるが、図７〜図９のシミュレーションおよび表１の標準偏差の結果から、周波数ｆ＝２．４５［ＧＨｚ］と同じサイズのチャンバー（最短距離ｈが５０[ｍｍ]）を用いた場合でも、周波数ｆ＝９１５［ＭＨｚ］では均一になることが確認されている。
【００３６】
なお、マイクロ波の周波数が周波数ｆ＝９１５［ＭＨｚ］で、導波管２の幅が２４７．６５[ｍｍ]の場合には、管内波長λｇ＝４３７[ｍｍ]となるので、スリット間隔をスリット間隔Ｌ＝２１９[ｍｍ]に設定する。
【００３７】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００３８】
（１）上述した実施例では、処理物（ワーク）は円筒形状の固体であったが、形状については特に限定されない。また、マイクロ波処理を行う対象であれば、固体に限定されず液体や紛体などであってもよい。
【００３９】
（２）上述した実施例では、マイクロ波処理として、減圧乾燥を例に採って説明したが、加熱処理やプラズマ処理などに例示されるように、減圧乾燥以外のマイクロ波処理にも適用することができる。
【００４０】
（３）上述した実施例では、図１（ａ）あるいは図３に示すように幅方向に導波管２を複数（図１（ａ）あるいは図３では３本）に分岐して、分岐した各々の導波管２からスリットＳを介してマイクロ波を放射したが、これらに限定されない。図４の平面図に示すように、１本の導波管２を折り返して、導波管２の供給電源を１つのみにして幅方向に導波管２を複数（図４（ａ）では２本，図４（ｂ）では３本）に設置してもよい。この場合においても、導波管の本数については特に限定されず、複数であれば、２本以外あるいは３本以外の本数（４本以上）であってもよい。
【００４１】
（４）上述した実施例では、図１に示すようにスリット間隔Ｌを、管内波長λｇに基づいて設定したが、これに限定されない。ワークの形状に合わせてスリットを設定（例えば、ワークが導波管に対して斜めに収容されている場合にはワークの収容方向に合わせて伝送方向に対して斜め方向にスリットを設定、ワークの形状に合わせて十字形状のスリットを設定）してもよい。ただし、マイクロ波処理をより一層均一に行うためにはスリット間隔を管内波長に基づいて設定するのが好ましい。
【符号の説明】
【００４２】
１  …  容器（チャンバー）
２  …  導波管
３  …  供給電源
Ｗ  …  処理物（ワーク）
Ｓ  …  スリット
ｈ  …  （チャンバーの上面とワークとの）最短距離
λ  …  （マイクロ波の）波長
Ｌ  …  スリット間隔
λｇ  …  管内波長
【図１】
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【図２】
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【図３】
2014035983.tif 000006
【図４】
2014035983.tif 000007
【図５】
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【図６】
2014035983.tif 000009
【図７】
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【図８】
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【図９】
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