(57)【要約】【課題】脱離時に半導体基板を静電チャックからスムーズに脱離できる半導体装置の脱離方法を提供する。【解決手段】静電チャック１の吸着ステージ３に埋設された吸着電極５に脱離直前の吸着時の電圧（第１の電圧２１）と逆極性の低い電圧（第２の電圧２３）を印加し、所定時間を経過した時点で逆極性の低い電圧（第２の電圧２３）を印加した状態で半導体基板１１を脱離させることで、半導体基板１１を静電チャック１からスムーズな脱離を行うことができる。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を静電チャックから脱離するための半導体基板の脱離方法において、
第１の電圧を静電チャックに印加して半導体基板を静電チャックに吸着固定し、半導体基板の脱離時に、脱離工程直前の第１の電圧とは逆極性で、絶対値が第１の電圧より小さな第２の電圧を、静電チャックを構成する吸着電極に印加し、該第２の電圧を印加しながら、半導体基板を吸着チャックから脱離することを特徴とする半導体基板の脱離方法。
【請求項２】
前記第２の電圧の絶対値が０．３ｋＶ以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の脱離方法。
【請求項３】
第２の電圧の印加開始の時点から前記半導体基板を脱離する時点までの時間が１５秒以上であることを特徴とする請求項１または２のいずれか一項に記載の半導体基板の脱離方法。
【請求項４】
前記第２の電圧が直流電圧であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体基板の脱離方法。
【請求項５】
前記第１の電圧が交番電圧であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体基板の脱離方法。
【請求項６】
前記第１の電圧が０．３ｋＶより大きく５ｋＶ以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体基板の脱離方法。
【請求項７】
前記第１の電圧が３ｋＶ以下であり、前記第２の電圧の絶対値が前記第１の電圧の１０％以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体基板の脱離方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体基板をスムーズに静電チャックから脱離するための半導体基板の脱離方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置を製造する工程の中では、半導体基板を静電チャックに吸着させ、その吸着された半導体基板に例えばドライエッチング、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）およびスパッタ等といった処理を行う工程がある。
【０００３】
図５は、静電吸着装置１００の要部構成図である。静電吸着装置１００は、電源回路６と、静電チャック１を備える。静電チャック１は、導電性の支持台２、絶縁性の吸着ステージ３および吸着電極５を備える。吸着ステージ３の上層は誘電体４で形成され、この誘電体４に吸着電極５が対をなして埋設されている。この吸着電極５に電源回路６からスイッチ９を介して電圧が印加される。この電源回路６は交番電圧７または直流電圧８を発生するものであり、例えばスイッチ９の切り替えにより吸着電極５に降板電圧7または直流電圧８を印加する。吸着ステージ３に半導体基板（図示せず）を載置し、対をなす吸着電極５の一方にプラス電圧を、他方にマイナス電圧を電圧を印加することで、吸着ステージ３上層の誘電体４と半導体基板裏面に電荷が誘起されて分極が起こり、半導体基板に電荷が蓄積される。この蓄積した電荷により静電気力が発生して半導体基板は吸着ステージ３に吸着固定される。
【０００４】
図６および図７は、スパッタ処理時に半導体基板を吸着ステージに着脱するときの工程順に示した従来の要部工程断面図である。図８は、スパッタ工程における半導体基板の着脱時の従来の印加電圧波形図である。ここではアルミニウムなどのスパッタ処理を行う場合を例に挙げたがこれに限ることはない。
【０００５】
図６（ａ）において、半導体基板１１をサセプター１３（リング状の搬送トレイ）にセットし、サセプター１３を支持する搬送アーム１２で半導体基板１１が載置されたサセプター１３を搬送し、半導体基板１１を静電チャック１の吸着ステージ３上方に位置決めする。
【０００６】
つぎに、図６（ｂ）において、搬送アーム１２を介してサセプター１３を下降させて、サセプター１３をサセプター支持台１４に載置し、半導体基板１１を吸着ステージ３上に載置する。
【０００７】
つぎに、図６（ｃ）において、図５の静電吸着装置１００の電源回路６からスイッチ９をオンして、吸着ステージ３に埋設された対をなす吸着電極５の一方にプラス電圧を他方にマイナス電圧を印加する。この電圧（第１の電圧）は図８に示すような交番電圧７（第１の電圧２１）でもよい。交番電圧７を印加する場合も、対をなす吸着電極５の一方にプラス電圧を他方にマイナス電圧を印加する。交番電圧７の印加により、半導体基板１１裏面の被吸着面と吸着ステージ３上層の誘電体４に電荷を誘起させて分極させる。この分極で生じた電荷による静電気力によって半導体基板１１は吸着ステージ３上に吸着固定される（吸着チャックＯＮ）。続いて、この状態で半導体基板１１上にスパッタ１５を行い、例えば、アルミニウムなどの金属膜や絶縁膜などを被覆する（被覆膜１６）。
【０００８】
つぎに、図７（ｄ）において、スパッタ１５が終了した後、蓄積した電荷を除去するために、対をなす吸着電極５への第１の電圧２１の印加を停止し、引き続いて停止直前の電圧７ａとは逆極性で前記の交番電圧７（第１の電圧２１）より絶対値が小さい直流電圧（第２の電圧２２）を電源回路６のスイッチ９を切り替えて吸着電極５に印加する。この第２の電圧２２の印加により、吸着ステージ３上層の誘電体４と半導体基板１１裏面に蓄積した電荷（残留電荷）を除去する。スイッチ９の切替は電源回路６の動作シーケンスに従って電気的に行われる。また、図５に示すように、電源１８が圧制する第１の電圧としての交番電圧７をスイッチ９を介して吸着電極５に印加したのち、第２電圧を印加する前の極性を判別して、電源１９が発生する第２の電圧としての直流電圧８を吸着電極５に印加する。
【０００９】
つぎに、図７（ｅ）において、第２の電圧２２の印加を停止し吸着チャックＯＦＦにした状態で、半導体基板１１が載置されているサセプター１３をサセプター支持台１４から持ち上げて半導体基板１１を吸着ステージ３から脱離させる。
【００１０】
図８に示すように、スパッタ中は高い交番電圧７（第１の電圧２１）を吸着電極５に印加して、半導体基板１１裏面と吸着ステージ３上層の誘電体４に電荷を誘起させて両者を分極させる。この分極による静電気力によって半導体基板１１を吸着ステージ３に吸着固定させる。交番電圧７を印加することで、半導体基板１１裏面と吸着ステージ３上層の誘電体４に適正な電荷量が蓄積されて、半導体基板１１は吸着ステージ３に確実に吸着固定される。また、脱離時には、逆極性の低い直流電圧である第２の電圧２２を短い時間印加した後、第２の電圧２２を遮断して静電チャックＯＦＦの状態で半導体基板１１を吸着ステージ３から脱離する。
【００１１】
特許文献１は、残留電荷を検出するシステムを備え、検出された残留電荷を打ち消すような電圧を印加させるプロセスを繰り返すことで確実に残留電荷を除去する方法及びその装置の記載がある。
【００１２】
特許文献２は、残留電荷を除去するために、静電チャックステージではなく半導体基板に直接残留電荷を打ち消す電荷を供給する方法の記載がある。
また、特許文献３では、静電吸着装置の静電チャックに半導体基板を吸着させるときの電圧より同一極性で低い電圧を一定時間印加し、その後、残留電荷は少なくなった時点で、逆極性で初期の吸着時の電圧より低い電圧を印加して残留電荷をゼロにして半導体基板を静電チャックから脱離させることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２００８−２９４２５７号公報
【特許文献２】特開２００４−４００４６号公報
【特許文献３】特開２００２−２８０４３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかし、図６〜図８に示す従来の方法では、第２の電圧２２の印加が短時間で終了した後、第２の電圧２２が遮断され、その後で脱離が行われるため、残留電荷の除去が不十分のまま吸着力が強い状態で半導体基板１１を無理に脱離することになる。その結果、半導体基板１１はサセプター１３上で位置ズレを生じたり、跳ね上がってサセプター１３から落下するなどの現象が起こり、半導体基板１１が破損する場合がある。また、残留電荷を十分に除去するためには第２の電圧２２を遮断した後、脱離までの時間を長くする必要があり工程のスループットが長くなる。さらに、第２の電圧２２を遮断した直後に脱離を同期して行う場合、第２の電圧２２を遮断する時刻の設定の最適化と遮断と脱離の時間の一致など高精度の操作が必要となるなど複雑なプロセスになる。
【００１５】
一方、残留電荷の除去を早めるために第２の電圧２２を高くすると、吸着ステージ３上層の誘電体４に再度電荷が蓄積し、吸着ステージ３からの半導体基板１１のスムーズな脱離を困難にする。尚、前記の残留電荷とは、交番電圧７が印加されて誘起された蓄積電荷が第２の電圧２２の印加により減少に転じた後残留する電荷のことをいう。
【００１６】
これら解決するために、特許文献１では、静電チャックに内蔵されたコイルにより残留電荷量を測定することで、残留電荷を打ち消す逆バイアス電圧を高精度に印加している。
また、特許文献２では、静電チャックへの電圧の印加ではなく、電極棒（ピン）により半導体基板へ直接電荷を供給して残留電荷を打ち消している。
【００１７】
しかしながら、これらの特許文献１，２の方法では、残留電荷を計測する装置や残留電荷を打ち消すための装置が必要となる。
また、特許文献３では、残留電荷を除去する逆極性の電圧（第２の電圧に相当する）は、吸着時の電圧（第１の電圧に相当する）より低く、吸着時と同一極性であるため、残留電荷の除去は不十分となる。また、逆極性で電圧を停止した後で半導体基板の脱離を行うので多数の残留電荷が残留する可能性があり、スムーズな脱離が困難になる場合がある。
【００１８】
一方、この残留電荷の除去を十分に行うために、逆極性の電圧を高くすると、逆に電荷を誘起してしまい、半導体基板を静電チャックからスムーズに脱離することが困難になる。
【００１９】
このように、半導体基板１１が静電チャック１からスムーズに脱離しないと、サセプター１３に載置する半導体基板１１の位置ズレが発生して、次工程への搬送に支障がでる。また、半導体基板１１が薄い場合には割れや欠けの原因になる。
【００２０】
いずれにしても、従来の方法は、逆極性の電圧（第２の電圧２２）の印加を停止した後、つまり静電チャックＯＦＦの状態で半導体基板１１を脱離している。
このように、離脱時に逆極性の電圧（第２の電圧２２）が印加されなと、残留電荷が除去され極めて少量になると半導体基板１１は吸着チャック１に吸着固定されなくなり、脱離する前に吸着チャック１上の半導体基板１１が位置ズレを起こしてスムーズな脱離が行われなくなる。
【００２１】
この発明の目的は、前記の課題を解決して、脱離時に半導体基板を静電チャックからスムーズに脱離できる半導体装置の脱離方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
前記の目的を達成するために、特許請求の範囲の請求項１に記載の発明によれば、半導体基板を静電チャックから脱離するための半導体基板の脱離方法において、第１の電圧を静電チャックに印加して半導体基板を静電チャックに吸着固定し、半導体基板の脱離時に、脱離工程直前の第１の電圧とは逆極性で、絶対値が第１の電圧より小さな第２の電圧を、静電チャックを構成する吸着電極に印加し、該第２の電圧を印加しながら、半導体基板を吸着チャックから脱離する半導体基板の脱離方法とする。
【００２３】
また、特許請求の範囲の請求項２記載の発明によれば、請求項１に記載の発明において、前記第２の電圧の絶対値が０．３ｋＶ以下であるとよい。
また、特許請求の範囲の請求項３記載の発明によれば、請求項１または２に記載の発明において、第２の電圧の印加開始の時点から前記半導体基板を脱離する時点までの時間が１５秒以上であるとよい。
【００２４】
また、特許請求の範囲の請求項４に記載の発明によれば、請求項１〜３のいずれか一項に記載の発明において、前記第２の電圧が直流電圧であるとよい。
また、特許請求の範囲の請求項５に記載の発明によれば、請求項〜４のいずれか一項
に記載の発明において、前記第１の電圧が交番電圧であるとよい。
【００２５】
また、特許請求の範囲の請求項６に記載の発明によれば、請求項１〜５のいずれか一項
に記載の発明において、前記第１の電圧が０．３ｋＶより大きく５ｋＶ以下であるとよい。
【００２６】
また、特許請求の範囲の請求項７に記載の発明によれば、請求項１〜６のいずれか一項
に記載の発明において、前記第１の電圧が３ｋＶ以下であり、前記第２の電圧の絶対値が前記第１の電圧の１０％以下であるとよい。
【発明の効果】
【００２７】
この発明によれば、静電チャックの吸着ステージに埋設された吸着電極に印加されていた電圧（第１の電圧）とは逆極性でかつ絶対値が小さい電圧（第２の電圧）を印加し、所定時間を経過した時点で逆極性の低い電圧を印加した状態で半導体基板を脱離させることで、半導体基板を静電チャックからスムーズな脱離を行うことができる。スムーズな脱離を行うことで、半導体基板の位置ずれや跳ね上がりを防止することができる。その結果、半導体基板の破損を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】半導体基板を静電チャックを構成す吸着ステージに着脱するプロセスフロー図である。
【図２】図１のプロセスにおける静電チャックへの印加電圧のタイムチャートの概念図である。
【図３】この発明の一実施例に係る半導体装置の脱離方法を説明する図である。
【図４】脱離時に半導体基板が吸着ステージ３から跳ね上がる高さＨと、脱離時に印加される第２の電圧２３の大きさとの関係を実験で求めた結果を示す図である。
【図５】静電吸着装置１００の要部構成図である。
【図６】スパッタ処理時に半導体基板を吸着ステージに着脱するときの従来の要部工程断面図である。
【図７】図６に続く、スパッタ処理時に半導体基板を吸着ステージに着脱するときの従来の要部工程断面図である。
【図８】スパッタ工程における半導体基板の着脱時の従来の印加電圧波形図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下の説明において、従来と同一部位には同一の符号を付した。
図１は、半導体基板を静電チャックを構成す吸着ステージに着脱するプロセスフロー図である。
【００３０】
図２は、図１のプロセスにおける静電チャックへの印加電圧のタイムチャートの概念図である。このプロセスフローとタイムチャートを用い、さらに図５，図６および図７を参考にして、本発明の概要を説明する。なお、本発明は半導体基板の脱離方法に関するものであるが、その前の工程から説明する。
【００３１】
まず、図６（ａ），（ｂ）に示すように、サセプタ１３にて保持した半導体基板１１を吸着ステージ３に乗せ、吸着電極に第１の電圧２１を印加して半導体基板１１を静電チャック１の吸着ステージ３吸着固定する。この状態で静電チャックＯＮとなる（ステップＳ１）。ここでは、第１の電圧２１として図２に示すような交番電圧７を用いる。図２に示す交番電圧７は、対をなす吸着電極５のうちの一方の電極に印加される電圧である。対をなす吸着電極５の他方の電極には、図２に示す交番電圧７とは絶対値が同じで、極性が逆の交番電圧が印加される。
【００３２】
この後、半導体基板１１を吸着ステージ３に固定した状態で所望の半導体基板の処理を開始する（ステップＳ２）。半導体基板の処理としては、エッチングやＣＶＤ、スパッタ等を行う。この静電チャックによる吸着は、エッチングやＣＶＤ、スパッタ等のように真空もしくは減圧雰囲気で行なうプロセスに好適である。ステップＳ３で半導体基板の処理が終了すると第１の電圧２１の印加も停止する。
【００３３】
そして、引き続いて、第１の電圧２１（交番電圧７）の印加終了直前の電圧７ａとは逆極性で、絶対値が電圧７ａより小さい直流電圧（逆バイアス：第２の電圧２３）を対をなす吸着電極５のうちの一方の電極に印加する（ステップＳ４）。なお、対をなす吸着電極のうちの他方の電極にも、図２の第２の電圧２３とは逆極性で絶対値の等しい電圧を同じタイミングで印加する。以下の説明において、説明の重複を避けるため、図２を参照して、対をなす吸着電極５のうちの一方の電極に印加する第２の電圧２３について説明する。対をなす吸着電極のうちの他方の電極に印加する電圧についても上記と同様である。
【００３４】
第２の電圧２３の大きさは、半導体基板の処理時に印加していた電圧（第１の電圧２１）よりも絶対値が小さい値を選定する。また、第２の電圧２３は、第１の電圧の印加終了直前の極性とは逆極性の電圧である。
【００３５】
なお、図２に示す第２の電圧２３は、その印加状態が背景技術の欄等で説明した従来例における第２の電圧２２と異なるため、図中の符号を２３として区別した。
引き続いて、第２の電圧２３を印加したままの状態で半導体基板１１を静電チャック１から脱離させて脱離工程が終了する（ステップＳ５）。この方法により、スムーズに半導体基板１１を静電チャック１から脱離させることができる。第２の電圧２２は、半導体基板１１の脱離が完了したのち後に遮断して静電チャックＯＦＦとする（ステップＳ６）。
【００３６】
図２において、この例では半導体基板１１の処理中に印加する第１の電圧２１の極性を一定時間ごとに入れ替えている。すなわち、第１の電圧２１として交番電圧７を印加している。。このように、半導体基板１１の処理中に印加する第１の電圧２１が交番電圧７の場合は、印加時間が長くなっても、一定時間ごとに、印加される電圧（第１の電圧２１）の極性が入れ替わるため、その度、蓄積された電荷が取り除かれて逆極性の電荷が蓄積する。半導体基板１１の処理時間、すなわち第１の電圧２１の印加時間にかかわらず、半導体基板１１に蓄積される電荷は一定値以下になる。したがって、半導体基板１１の吸着時間（プロセス処理時間）には基本的には制限がない。
【００３７】
しかし、第１の電圧２１が直流電圧の場合は、電荷の蓄積が時間と共に多くなるので、半導体基板１１の処理後に蓄積した電荷の除去（除電）に要する時間も長くなってしまう。このため、第１の電圧２１として直流電圧を印加するのは、半導体基板１１の処理後の電荷の除去が容易な範囲を勘案して比較的短い時間が選定される。例えば、数１０秒から数分程度以内である。
【００３８】
また、前記の第１の電圧２３を高くすると、徐電に時間を要するので前記の脱離時間を長くする必要がある。
半導体基板１１の処理後、処理終了時点で直前に印加していた電圧より低い逆極性の電圧（第２の電圧２３）を印加して脱離工程を開始（ステップＳ４）し、その状態を保ったまま半導体基板１１の脱離を行う（ステップＳ５）。従来と異なるのは、逆極性の低い電圧（第２の電圧２３）が印加された状態で半導体基板１１を静電チャック１から脱離することである。
【００３９】
つぎに、実施の形態の具体的な実施例を以下に説明する。
＜実施例＞
図３は、この発明の一実施例に係る半導体装置の脱離方法を説明する図である。この図３は、前記の図１のプロセスフロー図において、半導体基板１１の処理（ステップＳ２〜Ｓ３）としてスパッタ工程を例に挙げて説明し、静電チャック１の吸着電極５に印加される電圧の具体的なタイムチャート図である。ここで用いられる静電吸着装置は図５の静電吸着装置１００と同じである。
【００４０】
図１、図３、図５〜図７を用いて工程を説明する。図３において、ｔ１は第１の電圧２１の印加が開始されて静電チャックがＯＮとなり、同時にスパッタ開始された時点であり、ｔ２はスパッタが終了し、第１の電圧２１の印加が終了するとともに第２の電圧２３の印加が開始される時点であり、ｔ３は半導体基板１１をリフトアップしって半導体基板１１が脱離した時点であり、ｔ４は第２の電圧２３の印加を停止して静電チャックＯＦＦとした時点である。静電チャックＯＮ時点から５秒〜１０秒遅れてスパッタを開始する場合もある。
【００４１】
始めに、図６（ａ）に示すように、サセプター１３に載置した半導体基板１１を吸着チャック１上に位置決めする。
つぎに、図６（ｂ）において、搬送アーム１２を介してサセプター１３を下降させて、サセプター１３をサセプター支持台１４に載置し、半導体基板１１を吸着チャック１の吸着ステージ３上に載置する。続いて、３ｋＶの交番電圧である第１の電圧２１を静電チャック１を構成する吸着電極５に印加して半導体基板１１を静電チャック１に吸着固定する（図１のステップＳ１、図３の時刻ｔ１）。同時にあるいは少し遅れてスパッタ１５を開始する（図１のステップＳ２、図６（ｃ））。スパッタ１５の処理中は第１の電圧２１を印加し続ける。第１の電圧２１である交番電圧７はここでは１５秒間隔で極性を変化させているがこれに限るものではない。第１の電圧２１である交番電圧７の最後の時間（直前の電圧７ａの印加時間）は６秒となっているが、これはスパッタ時間が６６秒であるためである。この６秒の時間は処理時間によって変化する。
【００４２】
スパッタ１５の処理が終了すると（図１のステップＳ３）、スパッタ終了直前に印加した第１の電圧２３である電圧７ａとは逆極性で、かつ絶対値の低い直流電圧である第２の電圧２３の電圧値Ｅ（ここでは−０．３ｋＶ）を静電チャック１に印加する（図１のステップＳ４、図３の時刻ｔ２、図７（ｄ））。
【００４３】
ここで、第１の電圧２１から第２の電圧２３への切り替えは、例えば図５に示すスイッチ９によって行う。例えば、吸着電極５へ印加する第１の電圧２１の極性を電源回路６内で記憶しておき、半導体基板１１の処理終了のタイミング（例えば図示しない制御装置からの指令信号の入力）でその時点の極性を判別し、スイッチ９を切り替える。スイッチ９の切り替えによって、第１の電圧２１の直前の極性とは逆極性の第２の電圧２３を吸着電極５に印加する。
【００４４】
上記の例では、第１の電圧２１から第２の電圧２３への切り替えをスイッチ９によって行う場合で説明したが、半導体基板１１の処理終了のタイミングでその時点（第１の電圧２１の直前）の極性を判別し、逆極性の第２の電圧２３を吸着電極５に印加する構成であればよい。
【００４５】
そして第２の電圧２３を印加した状態を保持し、所定の時間が経過したのちに、第２の電圧２３を印加した状態のまま、半導体基板１１をサセプター１３を用いて吸着ステージ３から脱離する（図１のステップＳ５、図３の時刻ｔ３、図７（ｅ））。その後、第２の電圧２３の印加を停止して吸着チャックをＯＦＦとする（図１のステップＳ６、図３の時刻ｔ４）。
【００４６】
表１は、図４に示すように、半導体基板１１を吸着ステージ３から脱離させる時に、半導体基板１が吸着ステージ３から跳ね上がる高さＨ（ｍｍ）と、脱離時に印加している第２の電圧２３の電圧値Ｅ（ｋＶ）との関係の実験結果を示す表である。
【００４７】
第１の電圧２１は３ｋＶとし、第２の電圧２３の電圧値Ｅを０．１ｋＶから０．６ｋＶまで可変にした。また、第２の電圧２３を印加し始めて（図３の時刻ｔ２）から、半導体基板１１が脱離する時点（図３の時刻ｔ３）までの時間を１５秒とした。
【００４８】
【表１】
2014107382.tif 000003
表１において、跳ね上がる高さＨ（ｍｍ）は残留電荷による半導体基板１１の貼り付き程度（吸着力）が大きいほど高くなると推測される。
【００４９】
前記の表１から、第２の電圧２３（絶対値で示した電圧値Ｅ）が０．３ｋＶ以下の場合、跳ね上がり高さＨは１ｍｍ以下と軽微であり、半導体基板１１を吸着ステージ３からスムーズに脱離させることができる。スムーズに脱離が行われるので、半導体基板１１は破損することがない。
【００５０】
このことから、第２の電圧２３を０．３ｋＶ以下とし、処理工程（例えば、スパッタ工程など）が終了（図３の時刻ｔ２）してから半導体基板１１を脱離する（図３の時刻ｔ３）までの時間（脱離時間）を１５秒以上とすることでスムーズな脱離を行うことができる。
【００５１】
この第２の電圧２３の絶対値が０．３ｋＶ超と高くなると再度電荷が蓄積して、脱離時に半導体基板１１が飛び跳ねる高さＨは大きくなり、スムーズな脱離が行われなくなる。また、脱離時間が１５秒未満では、残留電荷が除去しきれなくなり、やはり半導体基板１１の跳ね上がる高さＨが大きくなり、脱離はスムーズに行われなくなる。また、この第２の電圧２３を、例えば、０．０５ｋＶ未満と低くすると、残留電荷の除去に時間が掛り、スムーズに半導体基板１１が脱離する時間は長くなるので０．０５ｋＶ以上とするとよい。また、第１の電圧２１を高くすると、残留電荷が多くなるので、残留電荷を除去する時間が長くなり、脱離までの時間が長くなるので３ｋＶ程度にするとよい。
【００５２】
前記のことから、第２の電圧２３は０．３ｋＶ以下に維持し、脱離までの時間を１５秒以上にすることで、半導体基板１１のスムーズな脱離を行うことができる。また、第１の電圧２３が３ｋＶ以下の場合には、第２の電圧２３は第１の電圧２１の１０％以下の電圧にするとよい。
【００５３】
また、脱離時に半導体基板１１は吸着チャック１に確実に吸着固定されているので、脱離工程中において、半導体基板１１のサセプター１３からの位置ずれは生じない。
また、プロセス処理中に印加される第１の電圧２１は０．３ｋＶより大きく５ｋＶ以下の範囲がよい。０．３ｋＶ以下では吸着力が低下する。また、５ｋＶを超えると製造装置の絶縁性が問題となり装置コストが上昇する。
【００５４】
また、半導体基板１１の厚さが８０μｍ〜１００μｍ程度に薄い場合は反りが大きいため、確実に吸着固定させるためには第１の電圧２１は３ｋＶ程度にするとよい。半導体基板１１の厚さが３００μｍ〜５００μｍ程度と厚い場合には、第１の電圧２１は１ｋＶから２ｋＶ程度とすると電荷が過剰に蓄積しないのでよい。また、第１の電圧２１を前記したように交番電圧７とした場合にはプラス極性とマイナス極性の期間を必ずしも１５秒に固定する必要はなく、実験などで最適な期間に決めるとよい。
【符号の説明】
【００５５】
１    静電チャック
２    支持台
３    吸着ステージ
４    誘電体
５    吸着電極
６    電源回路
７    交番電圧
７ａ  直前の電圧
８    直流電圧
９    スイッチ
１１    半導体基板
１２    搬送アーム
１３    サセプター
１４    サセプター支持台
１５    スパッタ
１６    被覆膜
２１    第１の電圧
２２、２３  第２の電圧
１００    静電吸着装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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