(57)【要約】【課題】より低抵抗な導電体を得ることができるバインダー樹脂成分を含まない導電性金属ペーストを提供し、導電性金属ペーストを用いた、より低抵抗な金属被膜とその形成方法、より低抵抗なスルーホール用導電性被膜とその形成方法、より低抵抗に固定された電子部品とその固定方法を提供する。【解決手段】バインダー樹脂成分を含有していない導電性金属ペーストであって、金属フィラー、金属ナノ粒子、および有機溶剤を含み、前記金属ナノ粒子の表面が被覆剤により被覆されており、前記金属フィラーは、相対的に卑な金属の金属粉が相対的に貴な金属によって被覆されたものであり、前記金属ナノ粒子自体の平均粒子径が前記金属フィラーの平均粒子径より小さい。この導電性金属ペーストを用いた金属被膜とその形成方法、スルーホール用導電性被膜とその形成方法、固定された電子部品とその固定方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
バインダー樹脂成分を含有していない導電性金属ペーストであって、
金属フィラー、金属ナノ粒子、および有機溶剤を含み、
前記金属ナノ粒子の表面が被覆剤により被覆されており、
前記金属フィラーは、相対的に卑な金属の金属粉が相対的に貴な金属によって被覆されたものであり、
前記金属ナノ粒子自体の平均粒子径が前記金属フィラーの平均粒子径より小さい
ことを特徴とする導電性金属ペースト。
【請求項２】
前記相対的に貴な金属が、金、銀、白金およびパラジウムからなる群から選択される一種もしくは二種以上の金属であるか、または、この群から選択される二種以上の金属の合金の一種もしくは二種以上である
ことを特徴とする請求項１記載の導電性金属ペースト。
【請求項３】
前記金属粉が、銅、スズ、ニッケルおよびアルミニウムからなる群から選択される、一種の金属からなる金属粉もしくは二種以上の金属の合金からなる金属粉、またはこれらの混合物である
ことを特徴とする請求項１または２記載の導電性金属ペースト。
【請求項４】
前記相対的に貴な金属が銀であり、前記金属粉が銅からなる
ことを特徴とする請求項３記載の導電性金属ペースト。
【請求項５】
前記金属ナノ粒子が、金、銀、銅、白金、パラジウムおよびニッケルからなる群から選択される、一種の金属からなるナノ粒子もしくは二種以上の金属の合金からなるナノ粒子、またはこれらの混合物である
ことを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の導電性金属ペースト。
【請求項６】
前記金属ナノ粒子自体の平均粒子径が、３ｎｍ以上３００ｎｍ以下である
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の導電性金属ペースト。
【請求項７】
前記金属ナノ粒子自体の平均粒子径が、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の導電性金属ペースト。
【請求項８】
前記金属フィラーの平均粒子径が、０．３μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の導電性金属ペースト。
【請求項９】
前記金属フィラーの平均粒子径が、０．５μｍ以上８μｍ以下である
ことを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の導電性金属ペースト。
【請求項１０】
前記金属ナノ粒子の表面を被覆する被覆剤が、窒素原子、酸素原子またはイオウ原子を含む基であってこれら原子の有する孤立電子対によって前記金属ナノ粒子に含まれる金属元素と配位結合が可能な基を有する化合物からなる
ことを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の導電性金属ペースト。
【請求項１１】
前記窒素原子、酸素原子またはイオウ原子を含む基を有する化合物が、末端アミノ基を１つ以上有するアミン化合物である
ことを特徴とする請求項１０に記載の導電性金属ペースト。
【請求項１２】
前記末端アミノ基を１つ以上有するアミン化合物が、アルキルアミンを含む
ことを特徴とする請求項１１に記載の導電性金属ペースト。
【請求項１３】
前記アルキルアミンの沸点が１２０℃以上３００℃以下である
ことを特徴とする請求項１２に記載の導電性金属ペースト。
【請求項１４】
前記有機溶剤が、炭素数８〜２０の鎖式炭化水素および炭素数６〜１２の高級アルコールからなる群より選択された、沸点が１２０℃以上３００℃以下の有機溶剤である
ことを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一項に記載の導電性金属ペースト。
【請求項１５】
金属フィラーの体積をＶＭＦ、金属ナノ粒子の体積をＶＮＰ、被覆剤の体積をＶＣＴ＋有機溶剤の体積をＶＯＳと表したとき、
ＶＭＦ：（ＶＮＰ＋ＶＣＴ＋ＶＯＳ）の比が、１：１．２〜１：４の範囲にある
ことを特徴とする請求項１〜１４のいずれか一項に記載の導電性金属ペースト。
【請求項１６】
金属ナノ粒子の体積をＶＮＰ、被覆剤の体積をＶＣＴ、有機溶剤の体積をＶＯＳと表したとき、
（ＶＮＰ＋ＶＣＴ）：ＶＯＳの比が、１：０．８〜１：３の範囲にあることを特徴とする
請求項１〜１５のいずれか一項に記載の導電性金属ペースト。
【請求項１７】
金属フィラーの体積をＶＭＦ、金属ナノ粒子の体積をＶＮＰと表したとき、
ＶＭＦ：ＶＮＰの比が、８０：２０〜２０：８０の範囲にあることを特徴とする
請求項１〜１６のいずれか一項に記載の導電性金属ペースト。
【請求項１８】
２５℃における粘度が、３０Ｐａ・ｓ以上３００Ｐａ・ｓ以下である
ことを特徴とする請求項１〜１７のいずれか一項に記載の導電性金属ペースト。
【請求項１９】
請求項１〜１８の何れか一項に記載の導電性金属ペーストの塗布層を基板上に形成する工程；および、
前記導電性金属ペーストの塗布層を１２０℃以上４００℃以下の温度に加熱することにより、前記導電性金属ペーストに含有される金属フィラーおよび金属ナノ粒子を相互に焼結する焼結工程
を有する金属被膜の形成方法。
【請求項２０】
前記焼結工程を、水素雰囲気または不活性ガスと水素との混合雰囲気中で行う
ことを特徴とする請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
請求項１９または２０記載の方法により形成された金属被膜。
【請求項２２】
請求項１〜１８の何れか一項に記載の導電性金属ペーストを、基板のおもて面と裏面の間のスルーホールに塗布する工程；および、
前記導電性金属ペーストの塗布層を１２０℃以上４００℃以下の温度に加熱することにより、前記導電性金属ペーストに含有される金属フィラーおよび金属ナノ粒子を相互に焼結する焼結工程
を有するスルーホール用導電性被膜の形成方法。
【請求項２３】
前記焼結工程を、水素雰囲気または不活性ガスと水素との混合雰囲気中で行う
ことを特徴とする請求項２２記載の方法。
【請求項２４】
請求項２２または２３記載の方法により形成されたスルーホール用導電性被膜。
【請求項２５】
請求項１〜１８の何れか一項に記載の導電性金属ペーストの塗布層を、第一の電子部品の表面と、第二の電子部品表面もしくは基板上との少なくとも一方に形成する工程；および、
前記導電性金属ペーストの塗布層を１２０℃以上４００℃以下の温度に加熱することにより、前記導電性金属ペーストに含有される金属フィラーおよび金属ナノ粒子を相互に焼結する焼結工程
を有する電子部品の固定方法。
【請求項２６】
前記焼結工程を、水素雰囲気または不活性ガスと水素との混合雰囲気中で行う
ことを特徴とする請求項２５記載の方法。
【請求項２７】
請求項２５または２６記載の方法により固定された電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線の形成や電子部品の接合に用いることのできる導電性金属ペーストに関する。特には、バインダー樹脂成分を添加していない低温焼結可能な導電性金属ペーストに関する。
【背景技術】
【０００２】
無機材料基板の基板面に配線層や、電極層を形成する目的に、従来から、導電性金属ペーストが利用されている。
【０００３】
特許文献１に、バインダー樹脂成分を含有していない導電性金属ペーストが開示される。この導電性金属ペーストは、１５０℃〜２５０℃の範囲に選択する温度で焼結処理を施すことで、膜厚が厚く、利用する金属微細粉末（金属フィラー）を構成する金属の抵抗率の３倍以下の体積固有抵抗率を有する導電体層を高い再現性で作製するために好適なものである。
【０００４】
この導電性金属ペーストはバインダー樹脂成分を含有していない導電性金属ペーストであって、金属微細粉末、その表面に被覆剤分子層を有する金属ナノ粒子を、分散溶媒中に均一に分散してなる分散液である。この導電性金属ペーストは、１５０℃〜２５０℃の範囲に選択する温度で焼結処理を施すことで、金属微細粉末と金属ナノ粒子の焼結体からなる導電体層の形成が可能であり；金属微細粉末を構成する金属種および金属ナノ粒子を構成する金属には、金、銀、銅、白金、パラジウム、ニッケルが用いられ（合金であってもよい）；分散溶媒は、沸点が１５０℃〜３００℃の範囲の炭化水素溶媒、あるいは、沸点が１５０℃〜３００℃の範囲のアルコール溶媒が用いられ；被覆剤分子は、金属ナノ粒子の表面との非共有結合的に分子間結合の形成に利用される原子団として、アミノ基またはカルボキシル基を有し、炭化水素溶媒またはアルコール溶媒中の炭化水素基と親和性を有する炭化水素基と、アミノ基またはカルボキシル基とで構成される有機化合物であって、その沸点が１３０℃〜２５０℃の範囲のアミノ基またはカルボキシル基を有する有機化合物からなる群より選択されている。また、金属微細粉末の平均粒子径、金属ナノ粒子自体の平均粒子径が特定の範囲にあり、導電性金属ペースト中に含有される金属微細粉末の体積比率、金属ナノ粒子の体積比率、被覆剤分子の体積比率および分散溶媒の体積比率が特定の範囲に選択されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−１１９１３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載される導電性金属ペーストは、体積固有抵抗率が低く、厚い導電性膜を高い再現性で作成することができるという点で、それ以前にない優れたものである。
【０００７】
しかしながら、電子機器等に利用される導電性金属ペーストにはよりいっそうの性能向上、特に低抵抗化が求められている。
【０００８】
本発明の目的は、より低抵抗な導電体を得ることができる、バインダー樹脂成分を含まない、導電性金属ペーストを提供することである。
【０００９】
本発明の別の目的は、導電性金属ペーストを用いた、より低抵抗な金属被膜とその形成方法、および、より低抵抗なスルーホール用導電性被膜とその形成方法を提供することである。本発明のさらに別の目的は、導電性金属ペーストを用いてより低抵抗に電子部品を固定する方法と、その方法によって固定された電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様によれば、
バインダー樹脂成分を含有していない導電性金属ペーストであって、
金属フィラー、金属ナノ粒子、および有機溶剤を含み、
前記金属ナノ粒子の表面が被覆剤により被覆されており、
前記金属フィラーは、相対的に卑な金属の金属粉が相対的に貴な金属によって被覆されたものであり、
前記金属ナノ粒子自体の平均粒子径が前記金属フィラーの平均粒子径より小さい
ことを特徴とする導電性金属ペースト
が提供される。
【００１１】
前記相対的に貴な金属が、金、銀、白金およびパラジウムからなる群から選択される一種もしくは二種以上の金属であるか、または、この群から選択される二種以上の金属の合金の一種もしくは二種以上である
ことが好ましい。
【００１２】
前記金属粉が、銅、スズ、ニッケルおよびアルミニウムからなる群から選択される、一種の金属からなる金属粉もしくは二種以上の金属の合金からなる金属粉、またはこれらの混合物である
ことが好ましい。
【００１３】
前記相対的に貴な金属が銀であり、前記金属粉が銅からなる
ことが好ましい。
【００１４】
前記金属ナノ粒子が、金、銀、銅、白金、パラジウムおよびニッケルからなる群から選択される、一種の金属からなるナノ粒子もしくは二種以上の金属の合金からなるナノ粒子、またはこれらの混合物である
ことが好ましい。
【００１５】
前記金属ナノ粒子自体の平均粒子径が、３ｎｍ以上３００ｎｍ以下である
ことが好ましく、
前記金属ナノ粒子自体の平均粒子径が、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である
ことがより好ましい。
【００１６】
前記金属フィラーの平均粒子径が、０．３μｍ以上１０μｍ以下である
ことが好ましく、
前記金属フィラーの平均粒子径が、０．５μｍ以上８μｍ以下である
ことがより好ましい。
【００１７】
前記金属ナノ粒子の表面を被覆する被覆剤が、窒素原子、酸素原子またはイオウ原子を含む基であってこれら原子の有する孤立電子対によって前記金属ナノ粒子に含まれる金属元素と配位結合が可能な基を有する化合物からなる
ことが好ましい。
【００１８】
前記窒素原子、酸素原子またはイオウ原子を含む基を有する化合物が、末端アミノ基を１つ以上有するアミン化合物である
ことが好ましい。
【００１９】
前記末端アミノ基を１つ以上有するアミン化合物が、アルキルアミンを含む
ことが好ましい。
【００２０】
前記アルキルアミンの沸点が１２０℃以上３００℃以下である
ことが好ましい。
【００２１】
前記有機溶剤が、炭素数８〜２０の鎖式炭化水素および炭素数６〜１２の高級アルコールからなる群より選択された、沸点が１２０℃以上３００℃以下の有機溶剤である
ことが好ましい。
【００２２】
金属フィラーの体積をＶＭＦ、金属ナノ粒子の体積をＶＮＰ、被覆剤の体積をＶＣＴ＋有機溶剤の体積をＶＯＳと表したとき、
ＶＭＦ：（ＶＮＰ＋ＶＣＴ＋ＶＯＳ）の比が、１：１．２〜１：４の範囲にある
ことが好ましい。
【００２３】
金属ナノ粒子の体積をＶＮＰ、被覆剤の体積をＶＣＴ、有機溶剤の体積をＶＯＳと表したとき、
（ＶＮＰ＋ＶＣＴ）：ＶＯＳの比が、１：０．８〜１：３の範囲にある
ことが好ましい。
【００２４】
金属フィラーの体積をＶＭＦ、金属ナノ粒子の体積をＶＮＰと表したとき、
ＶＭＦ：ＶＮＰの比が、８０：２０〜２０：８０の範囲にある
ことが好ましい。
【００２５】
２５℃における粘度が、３０Ｐａ・ｓ以上３００Ｐａ・ｓ以下である
ことが好ましい
本発明の別の態様によれば、
上記の導電性金属ペーストの塗布層を基板上に形成する工程；および、
前記導電性金属ペーストの塗布層を１２０℃以上４００℃以下の温度に加熱することにより、前記導電性金属ペーストに含有される金属フィラーおよび金属ナノ粒子を相互に焼結する焼結工程
を有する金属被膜の形成方法
が提供される。
【００２６】
前記焼結工程を、水素雰囲気または不活性ガスと水素との混合雰囲気中で行う
ことが好ましい。
【００２７】
本発明の別の態様によれば、
上記の方法により形成された金属被膜
が提供される。
【００２８】
本発明の別の態様によれば、
上記の導電性金属ペーストを、基板のおもて面と裏面の間のスルーホールに塗布する工程；および、
前記導電性金属ペーストの塗布層を１２０℃以上４００℃以下の温度に加熱することにより、前記導電性金属ペーストに含有される金属フィラーおよび金属ナノ粒子を相互に焼結する焼結工程
を有するスルーホール用導電性被膜の形成方法
が提供される。
【００２９】
前記焼結工程を、水素雰囲気または不活性ガスと水素との混合雰囲気中で行う
ことが好ましい。
【００３０】
本発明の別の態様によれば、
上記の方法により形成されたスルーホール用導電性被膜
が提供される。
【００３１】
本発明の別の態様によれば、
上記の導電性金属ペーストの塗布層を、第一の電子部品の表面と、第二の電子部品表面もしくは基板上との少なくとも一方に形成する工程；および、
前記導電性金属ペーストの塗布層を１２０℃以上４００℃以下の温度に加熱することにより、前記導電性金属ペーストに含有される金属フィラーおよび金属ナノ粒子を相互に焼結する焼結工程
を有する電子部品の固定方法
が提供される。
【００３２】
前記焼結工程を、水素雰囲気または不活性ガスと水素との混合雰囲気中で行う
ことが好ましい。
【００３３】
本発明の別の態様によれば、
上記の方法により固定された電子部品
が提供される。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、より低抵抗な導電体を得ることができる、バインダー樹脂成分を含まない、導電性金属ペーストが提供される。
【００３５】
また、本発明によれば、導電性金属ペーストを用いた、より低抵抗な金属被膜とその形成方法、および、より低抵抗なスルーホール用導電性被膜とその形成方法、より低抵抗に固定された電子部品とその固定方法が提供される。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
本発明に係る導電性金属ペーストは、バインダー樹脂成分を含有していない導電性金属ペーストであって、金属フィラーと、金属ナノ粒子と、有機溶剤とを含む。ただし、金属ナノ粒子の表面は被覆剤により被覆されている。また、金属フィラーは、相対的に卑な金属の金属粉が相対的に貴な金属によって被覆されたものである。すなわち、金属粉を構成する金属よりも、金属粉を被覆する金属（以下、金属粉被覆金属と称することがある。）のほうが、貴である（イオン化傾向が小さい）。そして、金属ナノ粒子自体の平均粒子径は、金属フィラーの平均粒子径より小さい。
【００３７】
なお、「金属ナノ粒子自体」は、被覆剤を含まない金属ナノ粒子を意味する。したがって、「金属ナノ粒子自体の平均粒子径」は、被覆剤を除外して考えた場合の金属ナノ粒子の平均粒子径を意味する。なお特に断りのない限り、金属フィラーが被覆剤に被覆されていたとしても、金属フィラーの平均粒子径は、金属フィラーの金属部分（金属粉および金属粉被覆金属）のみの粒子径を意味する。
【００３８】
また、「平均粒子径」は、平均粒子径はレーザー回折法により測定された粒度分布において積算値５０体積％の粒径を指す。
【００３９】
導電性金属ペーストは、金属フィラー、被覆剤によって被覆された金属ナノ粒子、および有機溶剤からなることができる。つまり導電性金属ペーストはこれらの成分だけを含んでもよいが、これらの成分の他に、導電性金属ペーストの分野で公知の添加剤（例えば分散剤）を適宜の量で含むこともできる。導電性金属ペーストは、従来導電性金属ペーストに含まれるような熱硬化樹脂などのバインダー樹脂成分を含まない。
【００４０】
〔金属フィラー〕
金属フィラーは、金属粉が、金属粉よりも貴な金属によって被覆されたものである。この被覆した貴な金属（金属粉被覆金属）と卑な金属（金属粉）がフィラー表層で合金化または相互拡散することで、焼結性が卑な金属粉と比較して向上する。従って導電性金属ペーストを用いて形成した導電体（例えば導電体層）が低抵抗となる。また、金属フィラーが相対的に貴な金属だけからなる場合と比較して、コストの面でも有利となることが期待できる。
【００４１】
金属フィラーの形状としては、導電性金属ペーストの金属フィラーの形状として公知の形状を適宜採用することができる。金属フィラーは例えば球形でもよく、鱗片状でもよい。
【００４２】
前記金属粉が、銅、スズ、ニッケル、アルミニウムからなる群から選択される、一種の金属からなる金属粉もしくは二種以上の金属の合金からなる金属粉、またはこれらの混合物であることができる。例えば、金属粉が、一種の純金属粉末であってもよく；一種の合金粉末であってもよく；二種以上の純金属粉末の混合物であってもよく；二種以上の合金粉末の混合物であってもよく；一種以上の純金属粉末と一種以上の合金粉末との混合物であってもよい。
【００４３】
金属粉被覆金属、すなわち、相対的に貴な金属は、金、銀、白金、パラジウムからなる群から選択される、一種もしくは二種以上の金属であってもよく、または、この群から選択される二種以上の金属の合金の一種もしくは二種以上であってもよい。金、銀、白金、パラジウムの電極電位は水（水素）と比較して電位が高いため耐候性の付与として好適である。
【００４４】
二種以上の金属粉を用いる場合（例えば二種以上の金属（純金属もしくは合金）粉末の混合物を用いる場合）、それぞれの種類の金属粉について、その金属粉を構成する金属（純金属もしくは合金）よりも貴な金属によって金属粉を被覆する。
【００４５】
特には、金属粉被覆金属が銀であり、金属粉が銅からなることが好ましい。
【００４６】
上述のような材料は、導電性金属ペーストを用いて形成した導電体の低抵抗化の観点から好ましいものである。
【００４７】
金属フィラーの平均粒子径は、金属フィラーの粉末相互間の接触抵抗を抑える観点から０．３μｍ以上が好ましく、０．５μｍ以上がより好ましく、また、導電性金属ペーストを用いて形成した膜においてその表面の凹凸による膜厚のバラツキを抑える観点から１０μｍ以下であることが好ましく、８μｍ以下であることがより好ましい。
【００４８】
金属粉被覆金属の量は、金属フィラー（金属粉および金属粉被覆金属）１００質量部に対して、５質量部以上５０質量部以下であることが好ましく、１０質量部以上３０質量部以下であることがより好ましい。この範囲は、コストの観点から好ましく、またこの範囲を超えて金属粉被覆金属を用いても、低抵抗化の効果の向上はあまり期待できなくなる。
【００４９】
金属フィラー（金属粉被覆金属によって被覆された金属粉）としては、市販品を利用することができる。
【００５０】
〔金属ナノ粒子〕
金属ナノ粒子自体の平均粒子径は、金属フィラーの平均粒子径より小さい。これにより、金属フィラーの粉末相互間の隙間に、金属ナノ粒子が充填された構造を得ることができ、導電性金属ペーストを用いて形成した導電体において、金属フィラー粉末相互の間が金属ナノ粒子（特にはその焼結体）によって連結された構造を得ることができる。従って、特には金属フィラー粉末同士の間の接触抵抗が低減され、低抵抗な導電体を得ることができる。
【００５１】
金属ナノ粒子の形状としては、導電性金属ペーストに用いられる金属ナノ粒子の形状として公知の形状を適宜採用することができる。金属ナノ粒子は例えば球形でもよく、鱗片状でもよい。
【００５２】
導電性金属ペーストを用いて形成した導電体の低抵抗化の観点から、金属ナノ粒子が、金、銀、銅、白金、パラジウム、ニッケルからなる群から選択される、一種の金属からなるナノ粒子もしくは二種以上の金属の合金からなるナノ粒子、またはこれらの混合物であることが好ましい。例えば、金属ナノ粒子が、一種の純金属ナノ粒子であってもよく；一種の合金ナノ粒子であってもよく；二種以上の純金属ナノ粒子の混合物であってもよく；二種以上の合金ナノ粒子の混合物であってもよく；一種以上の純金属ナノ粒子と一種以上の合金ナノ粒子の混合物であってもよい。
【００５３】
なお、金属フィラーの金属粉を構成する金属もしくは金属粉被覆金属を構成する金属と、金属ナノ粒子を構成する金属とが同一であってもよく、異なってもよい。
【００５４】
金属フィラー粉末の隙間に金属ナノ粒子を充填して金属ナノ粒子相互の融合（焼結）を進行させる観点から、金属ナノ粒子自体の平均粒子径（被覆剤を含まない金属ナノ粒子だけの平均粒子径）が、３ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００５５】
〔被覆剤〕
被覆剤は、導電性金属ペーストにおいて金属ナノ粒子同士が直接接触することを防止することを主な目的として用いるものである。さらには、被覆剤の有機溶剤に対する親和性を利用して、金属ナノ粒子の分散性を高めることもでき、また、被覆剤によって金属ナノ粒子の表面を保護（特には酸化からの保護）することもできる。
【００５６】
このような観点から、特定の基を有する化合物からなる被覆剤を用いることが好ましい。ここでいう特定の基とは、窒素原子、酸素原子またはイオウ原子を含む基であって、これら原子（Ｎ、ＯまたはＳ）の有する孤立電子対によって金属ナノ粒子に含まれる金属元素と配位結合が可能な基である。この化合物は一種単独で用いることができ、あるいは二種以上を併用することもできる。
【００５７】
さらに、前記窒素原子、酸素原子またはイオウ原子を含む基を有する化合物、すなわち前記特定の基を有する化合物が、末端アミノ基を１つ以上有するアミン化合物であることが好ましい。
【００５８】
また、この末端アミノ基を１つ以上有するアミン化合物が、アルキルアミンを含むことが好ましい。
【００５９】
さらに、このアルキルアミンの沸点が１２０℃以上３００℃以下であることが好ましい。沸点がこの範囲にあると、導電性金属ペーストを焼結させて導電体を得る際に、容易に蒸散可能である。
【００６０】
例えば、被覆剤として炭素数８〜１２のアルキルアミンを用いることができる。このようなアルキルアミンは、熱的に安定であり、ハンドリング性も良好である。例えば、オクチルアミン（沸点１８８℃）、デシルアミン（沸点２２０．５℃）、ドデシルアミン（沸点２４７℃）を用いることができる。ナノ粒子表面の被覆剤の厚みは１ｎｍ以上２５０ｎｍ以下であることが好ましい。アルキルアミンのアルキル鎖は直鎖に限らず分岐鎖であってもよく、例えば、２−エチルヘキシルアミン（沸点１６９℃）も好適である。さらに、アルキルアミンのアルキル鎖において、一部の炭素が酸素原子で置き換えられていてもよく（アルキル鎖中にエーテル結合を含んでもよく）、例えば、２−エチルヘキシルオキシプロピルアミン（沸点２３５℃）も好適である。
【００６１】
なお、被覆剤を含めた金属ナノ粒子の平均粒子径が、金属フィラーの平均粒子径より大きい場合であっても、導電性金属ペーストの焼成の後には被覆剤が消失し、金属ナノ粒子が金属フィラーの隙間に入り込んだ構造をとることができる。
【００６２】
なお、乾燥させた金属ナノ粒子（被覆剤で被覆されたもの）の質量をＮＰ１、それを金属が酸化しない雰囲気下で焼成（例えば７００℃以上の高温）した時の質量をＮＰ２とすると、ナノ粒子を被覆している被覆剤の量（質量）は（ＮＰ１−ＮＰ２）で示される。この質量が０よりも大きい場合、金属ナノ粒子に被覆剤が付いていると言える。また被覆剤の質量、被覆剤の密度、金属ナノ粒子の粒径から被覆剤の層厚を算出することが可能である。
【００６３】
〔有機溶剤〕
有機溶剤としては、例えば、導電性金属ペーストの分野で公知の有機溶剤を用いることができる。
【００６４】
有機溶剤が、炭素数８〜２０の鎖式炭化水素および炭素数６〜１２の高級アルコールからなる群より選択された、沸点が１２０℃以上３００℃以下の有機溶剤であることが好ましい。このような有機溶剤は、導電性金属ペーストを焼結して導電体を形成する際に、容易に蒸散可能である。また、上述の特定の基を有する化合物（被覆剤）との親和性も高い。
【００６５】
例えば有機溶剤として、１−デカノール（沸点２３１℃）や、トリプロピレングリコール（沸点２６８℃）を用いることができる。
【００６６】
〔成分の割合〕
導電性金属ペーストに含有される金属フィラーの体積比率をＶＭＦ、金属ナノ粒子の体積比率をＶＮＰ、被覆剤の体積比率をＶＣＴ＋有機溶剤の体積比率をＶＯＳと表す。
【００６７】
比較的厚い導電性金属ペースト膜の形成を容易にする観点から、ＶＭＦ：（ＶＮＰ＋ＶＣＴ＋ＶＯＳ）の比が、１：１．２〜１：４の範囲にあることが好ましい。
【００６８】
被覆剤で被覆された金属ナノ粒子の有機溶剤中への分散性の観点から、（ＶＮＰ＋ＶＣＴ）：ＶＯＳの比が、１：０．８〜１：３の範囲にあることが好ましい。
【００６９】
金属フィラー粉末同士の間の隙間に金属ナノ粒子が良好に充填された状態を達成する観点から、ＶＭＦ：ＶＮＰの比が、８０：２０〜２０：８０の範囲にあることが好ましい。
【００７０】
〔導電性金属ペーストの粘度〕
導電性金属ペーストから比較的厚い導電体（特には導電体膜）を容易に形成する観点から、２５℃における粘度が、３０Ｐａ・ｓ以上３００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。
【００７１】
〔導電性金属ペーストの製造方法〕
導電性金属ペーストは、各成分を混合して得ることができる。例えば、金属フィラー、金属ナノ粒子、被覆剤を有機溶剤に混ぜ、攪拌することによって導電性金属ペーストを得ることができる。導電性金属ペーストの構成成分である有機溶剤（第一の有機溶剤という）とは別の有機溶剤（第二の有機溶剤という。ただし第二の有機溶剤は第一の有機溶剤より粘度が低くかつ沸点が低い）を用い、第二の有機溶剤に金属ナノ粒子と被覆剤を混ぜて攪拌し、得られた分散液に金属フィラーを混ぜて攪拌し、さらに第一の有機溶剤を混ぜて攪拌した後、第二の有機溶剤を蒸散させて導電性金属ペーストを製造することもできる。
【００７２】
〔金属被膜の形成〕
次の方法によって金属被膜を形成することができる。その方法とは、
導電性金属ペーストの塗布層を基板上に形成する工程；および、
導電性金属ペーストの塗布層を１２０℃以上４００℃以下の温度に加熱することにより、導電性金属ペーストに含有される金属フィラーおよび金属ナノ粒子を相互に焼結する焼結工程
を有する金属被膜の形成方法である。
【００７３】
なお、基板として、プリント基板に代表される電子回路基板を用いることができる。
【００７４】
導電性金属ペースト（特には金属フィラーおよび金属ナノ粒子）の酸化防止の観点から、前記焼結工程を、水素雰囲気または不活性ガスと水素との混合雰囲気中で行うことが好ましい。
【００７５】
本発明は、上記方法によって形成した金属被膜を包含する。
【００７６】
〔スルーホール用導電性被膜の形成〕
次の方法によってスルーホール用導電性被膜を形成することができる。その方法とは、
導電性金属ペーストを、基板のおもて面と裏面の間のスルーホールに塗布する工程；および、
導電性金属ペーストの塗布層を１２０℃以上４００℃以下の温度に加熱することにより、導電性金属ペーストに含有される金属フィラーおよび金属ナノ粒子を相互に焼結する焼結工程
を有するスルーホール用導電性被膜の形成方法である。
【００７７】
導電性金属ペースト（特には金属フィラーおよび金属ナノ粒子）の酸化防止の観点から、前記焼結工程を、水素雰囲気または不活性ガスと水素との混合雰囲気中で行うことが好ましい。
【００７８】
本発明は、上記方法によって形成したスルーホール用導電性被膜を包含する。
【００７９】
〔電子部品の搭載〕
次の方法によって、電子部品を固定することができる。つまり、電子部品を他の部材に接合することができる。その方法とは、
導電性金属ペーストの塗布層を、第一の電子部品の表面と、第二の電子部品の表面もしくは基板上との少なくとも一方に形成する工程；および、
導電性金属ペーストの塗布層を１２０℃以上４００℃以下の温度に加熱することにより、導電性金属ペーストに含有される金属フィラーおよび金属ナノ粒子を相互に焼結する焼結工程
を有する電子部品の固定方法である。
【００８０】
この方法においては、或る電子部品（第一の電子部品）を別の電子部品（第二の電子部品）に固定するために、第一の電子部品の表面と、第二の電子部品の表面との一方もしくは両方に導電性金属ペーストの塗布層を形成することができる。また、或る電子部品（第一の電子部品）を基板に固定するために、第一の電子部品の表面と基板表面との一方もしくは両方に導電性金属ペーストの塗布層を形成することができる。
【００８１】
導電性金属ペースト（特には金属フィラーおよび金属ナノ粒子）の酸化防止の観点から、前記焼結工程を、水素雰囲気または不活性ガスと水素との混合雰囲気中で行うことが好ましい。
【００８２】
本発明は、上記方法によって固定した電子部品を包含する。
【００８３】
〔さらなる説明〕
導電性金属ペーストは、表面が被覆剤により被覆された（特には、表面に被覆剤分子層が形成されている）金属ナノ粒子を分散溶媒（有機溶剤）中に均一に分散してなる「金属ナノ粒子分散液」を液相として利用し、金属フィラーをこの液相中に分散してなる「金属フィラー分散液」に相当し得るものである。すなわち、「金属ナノ粒子分散液」自体は、被覆剤により被覆された金属ナノ粒子が分散溶媒中に均一に分散されているため、その粘性は低いが、金属フィラーをこの「金属ナノ粒子分散液」中に均一に分散してなる「金属フィラー分散液」とすることで、「金属ナノ粒子分散液」自体の粘性より遥かに高い粘性を有する分散液とすることができる。
【００８４】
ここで、導電性金属ペースト中に含有される、金属フィラーの体積比率をＶＭＦ、金属ナノ粒子（被覆剤を含まない）の体積比率をＶＮＰ、金属ナノ粒子を被覆している被覆剤の体積比率をＶＣＴ、分散溶媒（有機溶剤）の体積比率をＶＯＳとすると、金属フィラーと、液相に相当する「金属ナノ粒子分散液」の体積比は、ＶＭＦ：（ＶＮＰ＋ＶＣＴ＋ＶＯＳ）と表すことができる。この比ＶＭＦ：（ＶＮＰ＋ＶＣＴ＋ＶＯＳ）は、１：１．２〜１：４にすることが好ましい。すなわち、金属フィラーと、液相に相当する「金属ナノ粒子分散液」の体積比を前記の範囲に選択することで、金属フィラーを分散溶媒中に分散した従来のペースト状金属フィラー分散液（導電性金属ペースト）と同様の粘性を得ることが容易となる。従って、比較的厚い（金属フィラーを分散溶媒中に分散した導電性金属ペーストを用いた際に達成される塗布膜の膜厚と同等の厚さ）の塗布膜を、前述の導電性金属ペーストを用いて形成することが容易である。
【００８５】
導電性金属ペーストを利用して作製される導電体（例えば導電体膜）は、金属フィラーと金属ナノ粒子からなる焼結体で構成される。金属フィラーと金属ナノ粒子の体積比率の総和、（ＶＭＦ＋ＶＮＰ）は、導電性金属ペースト中、好ましくは３０体積％〜５５体積％の範囲、より好ましくは３５体積％〜５５体積％の範囲、さらに好ましくは４０体積％〜５５体積％の範囲に選択することができる。これは、比較的厚い膜圧の導電体膜を得る上で有効である。
【００８６】
導電体を形成するために、導電性金属ペーストを基体の表面に塗布して塗布膜を形成し、導電性金属ペーストの塗布膜に焼結処理を施し、焼結体型の導電体（特には導電体膜）を作製することができる。導電性金属ペーストの塗布膜（膜厚ｔＰＬ）中に含まれる、金属フィラーと金属ナノ粒子の体積比率の総和が（ＶＭＦ＋ＶＮＰ）であり、形成される焼結体の膜厚は、ｔＰＬ×（ＶＭＦ＋ＶＮＰ）／１００体積％以上となると考えることができる。すなわち、塗布膜の膜厚ｔＰＬとする時、作製される導電体の膜厚ｔＣＬは、ｔＰＬ＞ｔＣＬ＞ｔＰＬ×｛（ＶＭＦ＋ＶＮＰ）／１００体積％｝の範囲となると考えることができる。
【００８７】
膜厚ｔＰＬ×｛（ＶＭＦ＋ＶＮＰ）／１００体積％｝は、導電性金属ペーストの塗布膜の膜厚ｔＰＬ中に含まれる、金属フィラーと金属ナノ粒子が、バルク金属に変換された状態に相当している。実際の焼結体では、バルク金属に変換されることはなく、焼結体中における金属成分の体積比率は、（ｔＰＬ／ｔＣＬ）×｛（ＶＭＦ＋ＶＮＰ）／１００体積％｝×１００体積％、すなわち、（ｔＰＬ／ｔＣＬ）×（ＶＭＦ＋ＶＮＰ）となっていると考えることができる。
【００８８】
金属フィラーを構成する金属の抵抗率をρＭＦ、金属ナノ粒子を構成する金属の抵抗率をρＮＰと表記すると、金属フィラーと金属ナノ粒子が同一の金属種で構成されているとみなすことができると仮定した場合、ρＭＦ＝ρＮＰ＝ρＭＥＴＡＬ（同一の金属種の抵抗率）となると考えることができる。その場合、形成される焼結体型導電体の体積固有抵抗率ρＣＬは、ρＣＬ＞ρＭＥＴＡＬ／｛（ｔＰＬ／ｔＣＬ）×（ＶＭＦ＋ＶＮＰ）／１００体積％｝の範囲となっている。
【００８９】
導電性金属ペーストから形成される焼結体型導電体において、金属フィラー粉末が相互に密に積層した構造中、金属フィラー粉末相互の隙間に金属ナノ粒子が充填された状態を達成することができる。そのために、利用する金属フィラーの平均粒子径ｄＭＦに対して、金属ナノ粒子自体（被覆剤を含まない）の平均粒子径ｄＮＰを、好ましくは（１／１０）ｄＭＦ≧ｄＮＰ≧（１／１０００）ｄＭＦの範囲、より好ましくは（１／２０）ｄＭＦ≧ｄＮＰ≧（１／１０００）ｄＭＦの範囲、さらに好ましくは（１／３０）ｄＭＦ≧ｄＮＰ≧（１／１０００）ｄＭＦの範囲に選択することができる。
【００９０】
金属フィラーの平均粒子径ｄＭＦと金属ナノ粒子自体の平均粒子径ｄＮＰの比を上記の範囲に選択することは、金属フィラー粉末相互の隙間、特には、金属フィラー粉末相互が接する部位の周囲の狭い隙間に、金属ナノ粒子を密に充填した状態で、焼結体を形成する観点から好ましい。金属フィラー粉末相互が接する部位の周囲の狭い隙間は、「楔状」の隙間となっているが、平均粒子径を上記の範囲に選択した金属ナノ粒子は、この「楔状」の隙間の奥深くまで侵入することが容易となり、この「楔状」の隙間に金属ナノ粒子が密に充填した状態とすることが容易となる。
【００９１】
導電性金属ペースト（特にはその塗布膜）に焼結処理を施す過程では、焼結処理温度に加熱すると、導電性金属ペースト中に含有される分散溶媒（有機溶剤）が徐々に蒸散する。金属フィラー粉末相互が密に積層した構造中の隙間は、液相に相当する「金属ナノ粒子分散液」により浸潤された状態となっていると考えることができる。特に、金属フィラー粉末相互が接する部位の周囲の狭い隙間には、毛管現象により、液相に相当する「金属ナノ粒子分散液」が保持されていると考えることができる。金属フィラー粉末相互の隙間に浸潤している「金属ナノ粒子分散液」中に分散されている金属ナノ粒子は、分散溶媒の蒸散に伴って、金属フィラー粉末相互が接する部位の周囲の狭い隙間に効率的に濃縮され、充填される。金属フィラー粉末相互が接する部位の周囲の狭い隙間に密に充填された金属ナノ粒子が低温焼結すると、二つの金属フィラー粉末相互が、この金属ナノ粒子の低温焼結体を介して、固定、連結された状態となる。
【００９２】
また、二つの金属フィラー粉末相互は、金属ナノ粒子の低温焼結体を介して、電気的にも連結されるため、金属フィラー粉末相互が接する部位の接触抵抗は、金属ナノ粒子の低温焼結体を介する電気伝導の寄与によって、大幅に低減される。実際、焼結体型導電体の体積固有抵抗率ρＣＬは、金属フィラー粉末相互が接する部位の接触抵抗の総和ΣρＭＦ．ＣＯＮＴＡＣＴと、金属フィラー粉末自体の抵抗の総和ΣρＭＦ．ＰＡＲＴＩＣＬＥＳの合計で近似される（ρＣＬ≒ΣρＭＦ．ＣＯＮＴＡＣＴ＋ΣρＭＦ．ＰＡＲＴＩＣＬＥＳ）。
【００９３】
金属フィラー粉末自体の抵抗の総和ΣρＭＦ．ＰＡＲＴＩＣＬＥＳは、使用する金属フィラーを構成する金属の抵抗率と、金属フィラー粉末相互が密に積層した構造における、金属フィラーの充填密度に依存している。例えば、金属フィラー粉末が最密充填されている状態となると、金属フィラー粉末自体の抵抗の総和ΣρＭＦ．ＰＡＲＴＩＣＬＥＳは最小となる。
【００９４】
一方、金属フィラー粉末相互が接する部位の接触抵抗の総和ΣρＭＦ．ＣＯＮＴＡＣＴは、金属フィラー粉末相互が接する部位の実効的な接触面積に依存している。従って、金属フィラー粉末相互が接する部位の周囲の狭い隙間に、金属ナノ粒子の低温焼結体が充填された状態となると、金属ナノ粒子の低温焼結体を介する電気伝導の寄与によって、実効的な接触面積が拡大され、金属フィラー粉末相互が接する部位の接触抵抗は大幅に低減される。この金属ナノ粒子の低温焼結体を介する電気伝導の寄与は、金属フィラーの体積比率ＶＭＦと、金属ナノ粒子の体積比率ＶＮＰの比、（ＶＭＦ：ＶＮＰ）と、金属ナノ粒子を構成する金属の抵抗率に依存する。
【００９５】
前記金属フィラー粉末相互が接する部位の周囲の狭い隙間に、金属ナノ粒子が密に充填される状態を達成する観点から、金属フィラーの体積比率ＶＭＦと、金属ナノ粒子の体積比率ＶＮＰの比（ＶＭＦ：ＶＮＰ）は、８０：２０〜２０：８０が好ましい。
【００９６】
一方、形成される焼結体型導電体の膜厚は、金属フィラー粉末相互が密に積層した構造の表面に露呈する金属フィラー自体に起因する凹凸によって、面内のバラツキを示す。従って、作製される導電体膜の膜厚ｔＣＬに対する、前記膜厚の面内バラツキΔｔＣＬは、使用する金属フィラーの平均粒子径ｄＭＦの１／３程度となると考えられる。作製される導電体の膜厚ｔＣＬに対する、前記膜厚の面内バラツキΔｔＣＬの比（ΔｔＣＬ／ｔＣＬ）は、（ΔｔＣＬ／ｔＣＬ）＜１／８とすることが望ましい。ΔｔＣＬ≒（１／３）ｄＭＦであるので、（１／３）ｄＭＦ／ｔＣＬ）＜１／８とすることが望ましい。換言すると、使用する金属フィラーの平均粒子径ｄＭＦを、作製される導電体の膜厚ｔＣＬに対して、（１／３）ｔＣＬ≧ｄＭＦの範囲に選択することが望ましい。
【００９７】
一方、使用する金属フィラーの平均粒子径ｄＭＦを、作製される導電体の膜厚ｔＣＬを基準として、その１／１００以下に選択すると、すなわち（１／１００）ｔＣＬ以下に選択すると、金属フィラー粉末相互が接する部位の密度が高くなり、金属フィラー粉末相互が接する部位の接触抵抗の総和ΣρＭＦ．ＣＯＮＴＡＣＴが相対的に増加する要因となる。従って、使用する金属フィラーの平均粒子径ｄＭＦを、作製される導電体の膜厚ｔＣＬに対して、ｄＭＦ≧（１／１００）ｔＣＬの範囲に選択することが望ましい。
【００９８】
上記の二つの条件を考慮して、作製される導電体の膜厚ｔＣＬを基準として、使用する金属フィラーの平均粒子径ｄＭＦを、好ましくは（１／３）ｔＣＬ≧ｄＭＦ≧（１／１００）ｔＣＬの範囲、より好ましくは（１／５）ｔＣＬ≧ｄＭＦ≧（１／１００）ｔＣＬの範囲、さらに好ましくは、（１／１０）ｔＣＬ≧ｄＭＦ≧（１／５０）ｔＣＬの範囲に選択することが望ましい。
【００９９】
目標とする導電体の膜厚ｔＣＬを、５０μｍ≧ｔＣＬ≧１０μｍの範囲に選択する場合、金属フィラーの平均粒子径ｄＭＦを、０．３μｍ〜６μｍの範囲、好ましくは、０．５μｍ〜５μｍの範囲に選択することが望ましい。
【０１００】
一方、導電性金属ペーストの液相部分に相当する「金属ナノ粒子分散液」は、導電性金属ペースト中に含有される、体積比率ＶＮＰの金属ナノ粒子、体積比率ＶＣＴの被覆剤、体積比率ＶＯＳの分散溶媒（有機溶剤）で構成されていると考えることができる。「金属ナノ粒子分散液」では、金属ナノ粒子は、その表面が被覆剤によって被覆された状態で、分散溶媒中に均一に分散されていると考えることができる。
【０１０１】
金属ナノ粒子は、焼結処理の際、その表面に形成されている被覆剤が除去され、分散性を失うと、近くに存在する金属フィラー粉末の表面上に付着する。金属フィラー粉末の表面上に付着した金属ナノ粒子を核として、さらに、金属ナノ粒子が凝集して、金属ナノ粒子の凝集体が形成され、その後、金属ナノ粒子相互の融合（低温焼結）が進行して、金属ナノ粒子の低温焼結体が形成される。
【０１０２】
金属ナノ粒子相互の融合（低温焼結）を進行させる観点から、金属ナノ粒子自体の平均粒子径ｄＮＰは、３ｎｍ以上３００ｎｍ以下が好ましく、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下がより好ましい。
【０１０３】
例えば、金属フィラーの平均粒子径ｄＭＦを、０．３μｍ以上１０μｍ以下の範囲、もしくは０．５μｍ以上８μｍ以下の範囲に選択する際、金属ナノ粒子自体の平均粒子径ｄＮＰを、３ｎｍ以上３００ｎｍの範囲、もしくは１０ｎｍ以上２００ｎｍの範囲に選択することで、上記の（１／１０）ｄＭＦ≧ｄＮＰ≧（１／１０００）ｄＭＦの条件を満たすことが可能である。
【０１０４】
一方、「金属ナノ粒子分散液」自体は、金属フィラーを均一に分散させる「液相」として機能することが望まれる。したがって、「金属ナノ粒子分散液」は一定水準以下の液粘度、具体的には、１００ｍＰａ・ｓ以下の液粘度、好ましくは、１００ｍＰａ・ｓ〜１０ｍＰａ・ｓの範囲、より好ましくは、９０ｍＰａ・ｓ〜２０ｍＰａ・ｓの範囲であることが望ましい。従って、金属ナノ粒子とその被覆剤の体積比率の和（ＶＮＰ＋ＶＣＴ）と、分散溶媒（有機溶剤）の体積比率ＶＯＳの比（ＶＮＰ＋ＶＣＴ）：ＶＯＳは、１：０．８〜１：３の範囲に選択することが好ましい。
【０１０５】
金属ナノ粒子の表面を被覆する被覆剤としては、「金属ナノ粒子分散液」中に金属ナノ粒子を均一に分散した状態を維持するために有効であるものが好ましい。この場合、金属ナノ粒子の表面は被覆剤で被覆されているため、分散溶媒（有機溶剤）中において金属ナノ粒子の金属表面同士が直接接触し、融着を起こすことを防止するために有効である。また、被覆剤の分散溶媒に対する親和性を利用して、金属ナノ粒子の分散性を高めることも望ましい。さらに、金属ナノ粒子の表面を被覆剤で被覆することにより、金属ナノ粒子の金属表面を、酸化を受けない状態に保つことも望ましい。
【０１０６】
導電性金属ペースト中に含有される、被覆剤の体積比率ＶＣＴと、金属ナノ粒子の体積比率ＶＮＰ比（ＶＮＰ：ＶＣＴ）は、１：０．１〜１：３の範囲が好ましく、１：０．２〜１：２．５の範囲がより好ましい。
【０１０７】
被覆剤は、導電性金属ペーストの塗布膜を加熱し、焼結処理を行う際には、金属ナノ粒子表面から離脱した後、最終的には、分散溶媒とともに、蒸散することが望まれる。従って、焼結時の加熱温度（例えば１２０℃以上４００℃以下）に対して、被覆剤（例えばアルキルアミン）の沸点が１２０℃以上３００℃以下であることが好ましい。
【０１０８】
アルキルアミンとして、そのアルキル基は、Ｃ８〜Ｃ１２の範囲に選択され、アルキル鎖の末端にアミノ基を有するものが利用できる。例えば、炭素数８のアルキルアミンであるオクチルアミン（沸点１８８℃）、炭素数１０のアルキルアミンであるデシルアミン（沸点２２０．５℃）、炭素数１２のアルキルアミンであるドデシルアミン（沸点２４７℃）を被覆剤として用いることができる。例えば、前記Ｃ８〜Ｃ１２の範囲のアルキルアミンは、熱的な安定性もあり、また、室温付近での蒸気圧もさほど高くなく、室温等で保管する際、含有率を所望の範囲に維持・制御することが容易であるなど、ハンドリング性の面から好適に用いられる。
【０１０９】
一般に、金属ナノ粒子表面の金属原子に対して、配位的な結合を形成する上では、第一級アミン型のものがより高い結合能を示し好ましいが、第二級アミン型、ならびに、第三級アミン型の化合物も利用可能である。また、１，２−ジアミン型、１，３−ジアミン型など、近接する二以上のアミノ基が結合に関与する化合物も利用可能である。また、ポリオキシアルキレンアミン型のエーテル型のオキシ基（−Ｏ−）を鎖中に含む、鎖状のアミン化合物を用いることもできる。その他、末端のアミノ基以外に、親水性の末端基、例えば、ヒドロキシル基を有するヒドロキシアミン化合物、例えば、ジエタノールアミンなどを利用することもできる。
【０１１０】
また、被覆剤として利用可能な、有機化合物の代表として、アルカン酸などの脂肪族カルボン酸（Ｒ−ＣＯＯＨ）を挙げることができる。被覆剤として、脂肪族カルボン酸中、例えば、アルカン酸として、炭素数がＣ４〜Ｃ１０の範囲に選択され、アルキル鎖の末端にカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）を有するものが利用できる。例えば、炭素数４のアルカン酸であるブタン酸（酪酸、沸点１６３．５℃）、イソ酪酸（ジメチル酢酸、沸点１５２〜１５５℃）、炭素数８のアルカン酸であるオクタン酸（沸点２２７℃）、２−エチルヘキサン酸（沸点２２８℃）、炭素数１０のアルカン酸である、ネオデカン酸（沸点２４３℃）を用いることができる。加えて、前記炭素数がＣ４〜Ｃ１０の範囲のアルカン酸自体は、熱的な安定性もあり、また、室温付近の蒸気圧もさほど高くなく、室温等で保管する際、含有率を所望の範囲に維持・制御することが容易であるなど、ハンドリング性の面から好適に用いられる。
【０１１１】
上述の被覆剤は、アミノ基またはカルボキシル基を利用して、金属ナノ粒子の表面の金属原子に対して、非共有結合的な分子間結合を形成することで、金属ナノ粒子の表面に被覆剤分子層を形成することができる。被覆剤として利用可能な有機化合物は、アミノ基またはカルボキシル基と、炭化水素基とで構成することができる。その炭化水素基の部分は、分散溶媒として利用する有機溶剤の炭化水素基部分に対して、親和性を示すことができる。このような場合、含有される被覆剤の一部は分散溶媒（有機溶剤）中に溶解し、金属ナノ粒子の表面に形成される被覆剤層を構成する被覆剤分子と、分散溶媒中に溶解している被覆剤分子は、平衡状態となることができる。液温度Ｔにおいて、被覆剤層を構成する被覆剤分子の面密度Ｃｃｏａｔｉｎｇ（Ｔ）と平衡する、分散溶媒中に溶解している被覆剤分子の濃度をＣｃｏａｔｉｎｇ−ｍｏｌｅｃｕｌｅ−ｅｑ．（Ｔ）と表記する。このとき、分散溶媒中には、この平衡濃度Ｃｃｏａｔｉｎｇ−ｍｏｌｅｃｕｌｅ−ｅｑ．（Ｔ）となるように、分散溶媒中に被覆剤分子が溶解している。
【０１１２】
このような場合、室温付近では、金属ナノ粒子の表面は、被覆剤分子層で完全に被覆されており、液温度Ｔにおける、分散溶媒中における、被覆剤分子の飽和溶解度Ｃｃｏａｔｉｎｇ−ｍｏｌｅｃｕｌｅ−ｓａｔｕｒａｔｅ．（Ｔ）と、前記平衡濃度Ｃｃｏａｔｉｎｇ−ｍｏｌｅｃｕｌｅ−ｅｑ．（Ｔ）は、実質的に等しくなっている。具体的には、飽和溶解度Ｃｃｏａｔｉｎｇ−ｍｏｌｅｃｕｌｅ−ｓａｔｕｒａｔｅ．（Ｔ）を超えると、余剰の被覆剤分子は、金属ナノ粒子の表面に形成される被覆剤分子層を更に覆うように析出している。一方、飽和溶解度Ｃｃｏａｔｉｎｇ−ｍｏｌｅｃｕｌｅ−ｓａｔｕｒａｔｅ．（Ｔ）を下回ると、被覆剤分子層を更に覆うように析出している被覆剤分子は溶出し、分散溶媒中濃度を飽和溶解度Ｃｃｏａｔｉｎｇ−ｍｏｌｅｃｕｌｅ−ｓａｔｕｒａｔｅ．（Ｔ）まで上昇させる。
【０１１３】
被覆剤分子が金属原子に対して配位的な結合することができる場合、被覆剤分子は金属ナノ粒子の表面に加えて、金属フィラー粉末の表面に露呈する金属原子にも、配位的な結合をすることがある。金属フィラー粉末の表面に露呈する金属原子に結合する被覆剤の量を抑制する観点から、導電性金属ペースト中に含有される、金属フィラー粉末の表面積の総和ΣＳＭＦと、金属ナノ粒子自体の表面積の総和ΣＳＮＰの比（ΣＳＭＦ：ΣＳＮＰ）は、好ましくは１：３〜１：６０の範囲、より好ましくは１：５〜１：４０の範囲である。
【０１１４】
なお、金属フィラーの体積比率ＶＭＦと金属ナノ粒子の体積比率ＶＮＰ、ならびに、金属フィラーの平均粒子径ｄＭＦと金属ナノ粒子自体の平均粒子径ｄＮＰを考慮すると、比（ΣＳＭＦ：ΣＳＮＰ）は、ΣＳＭＦ：ΣＳＮＰ≒（ＶＭＦ／ｄＭＦ）：（ＶＮＰ／ｄＮＰ）と見積もられる。９≧（ＶＭＦ／ＶＮＰ）≧（１１／９）、１００≧（ｄＭＦ／ｄＮＰ）≧１０の条件を満たす際、比（ΣＳＭＦ：ΣＳＮＰ）は、１：（１０／９）〜１：（１００／（１１／９））の範囲となる。
【０１１５】
従って、比（ΣＳＭＦ：ΣＳＮＰ）が、１：３〜１：６０の範囲、好ましくは、１：５〜１：４０の範囲となるように、（ＶＭＦ／ＶＮＰ）と（ｄＭＦ／ｄＮＰ）の組み合わせを、９≧（ＶＭＦ／ＶＮＰ）≧（１１／９）、１００≧（ｄＭＦ／ｄＮＰ）≧１０の範囲から選択することが望ましい。
【０１１６】
前記比（ΣＳＭＦ：ΣＳＮＰ）を、１：３〜１：６０の範囲、好ましくは、１：５〜１：４０の範囲に選択することで、金属フィラー粉末の表面に露呈する金属原子に配位的に結合する被覆剤分子の総量を抑制することができる。具体的には、被覆剤分子が金属フィラー粉末の表面にも結合するために、金属ナノ粒子の表面に密な被覆剤分子層を形成しにくくなる状態を防止できる。
【０１１７】
上述のようにすることにより、導電性金属ペーストにおいて、分散溶媒（有機溶剤）中に、その表面の密な被覆剤分子層が形成されている金属ナノ粒子、ならびに、その表面を被覆剤分子で覆われている金属フィラーが分散されている状態を容易に実現することができる。
【０１１８】
導電性金属ペーストに焼結処理を施す過程において、液温度が上昇すると、金属フィラーの表面を覆っている被覆剤分子が分散溶媒中に溶出され、金属フィラーの沈降が進み、金属フィラー粉末が緻密に積層した構造が形成されると考えることができる。また、金属ナノ粒子の表面を被覆している被覆剤の溶出も進行し、被覆剤層を失った金属ナノ粒子は、近くに存在する金属フィラー粉末の表面に付着すると考えることができる。金属フィラーの表面に付着した金属ナノ粒子を核として、さらに、金属ナノ粒子の付着、凝集が進むであろう。
【０１１９】
金属フィラー粉末相互が接する部位では、両者の間には「楔状」の隙間が形成されているため、二つの金属フィラー粉末の表面に付着する金属ナノ粒子の凝集層が一体化して、かかる「楔状」の隙間を埋め込む状態となると考えることができる。すなわち、金属フィラー粉末相互が接する部位の周囲に存在する「楔状」の隙間を、金属ナノ粒子が密に充填した状態となると考えることができる。
【０１２０】
焼結処理が進行する間、液相に相当する「金属ナノ粒子分散液」において、金属フィラー粉末が緻密に積層した構造の隙間に浸潤した状態が維持されていると考えることができる。分散溶媒（有機溶剤）の蒸散が進行して液相に相当する「金属ナノ粒子分散液」の液量が減少しても、金属フィラー粉末相互が接する部位は狭い隙間を構成しているため、毛管現象によって、液相に相当する「金属ナノ粒子分散液」がこの狭い隙間を満たした状態を維持されると考えることができる。この状況も、金属フィラー粉末相互が接する部位の周囲に存在する、「楔状」の隙間を、金属ナノ粒子が密に充填した状態とする上で、貢献するであろう。
【０１２１】
加えて、液相に相当する「金属ナノ粒子分散液」において、金属フィラー粉末が緻密に積層した構造の隙間に浸潤した状態が維持されていると、その隙間では、分散溶媒と溶出した被覆剤の混合液中で、金属ナノ粒子の低温焼結が進行する。従って、焼結処理を大気中で行っても、大気中に含まれる酸素分子がこの混合液中に溶解することが抑制され、金属ナノ粒子の酸化、ならびに、金属フィラー粉末表面の酸化を効果的に防止することができる。特に、金属フィラー粉末相互が接する部位の周囲に存在する「楔状」の隙間は、混合液が最後まで被覆した状態に保たれるため、酸化の影響が排除された状態で金属ナノ粒子の低温焼結体の形成が進行すると考えることができる。
【０１２２】
ただし、より一層の酸化防止を図る観点から、焼結工程は、水素雰囲気または不活性ガスと水素との混合雰囲気下で行うことが好ましい。
【０１２３】
最終的に形成される焼結体型導電体においては、金属フィラー粉末が緻密に積層した構造を骨格として、この構造を構成する金属フィラー粉末の表面を被覆するように、金属ナノ粒子の低温焼結体の被膜層が形成された状態となっていると考えることができる。従って、金属フィラー粉末が緻密に積層した構造は、金属ナノ粒子の低温焼結体の被膜層によって、連結、固定化され、全体として、焼結体型導電体を形成していると考えることができる。そのとき、金属フィラー粉末相互が接する部位は、その周囲の「楔状」の隙間を、金属ナノ粒子の低温焼結体が密に充填した状態となっており、金属フィラー粉末相互が接する部位の接触抵抗ρＭＦ．ＣＯＮＴＡＣＴの低減がなされている。
【０１２４】
金属フィラー粉末表面を被覆するように形成される、金属ナノ粒子の低温焼結体の被膜層の平均厚さΔｔＮＰは、金属フィラーの体積比率ＶＭＦと金属ナノ粒子の体積比率ＶＮＰの比（ＶＭＦ／ＶＮＰ）と、金属フィラーの平均粒子径ｄＭＦに依存している。すなわち、金属ナノ粒子の低温焼結体の被膜層の平均厚さΔｔＮＰは、（ｄＭＦ＋２ΔｔＮＰ）３：（ｄＭＦ）３≒（ＶＭＦ＋ＶＮＰ）：（ＶＭＦ）の関係を満足している。従って、近時的に、金属ナノ粒子の低温焼結体の被膜層の平均厚さΔｔＮＰと金属フィラーの平均粒子径ｄＭＦの比、（ΔｔＮＰ／ｄＭＦ）は、（ΔｔＮＰ／ｄＭＦ）≒（１／６）・（ＶＮＰ／ＶＭＦ）と表すことができる。金属フィラーの体積比率ＶＭＦと金属ナノ粒子の体積比率ＶＮＰの比（ＶＭＦ／ＶＮＰ）が、少なくとも、９≧（ＶＭＦ／ＶＮＰ）≧（１１／９）の範囲であるとき、比（ΔｔＮＰ／ｄＭＦ）は、凡そ、（１／６）・（９／１１）≧（ΔｔＮＰ／ｄＭＦ）≧（１／６）・（１／９）の範囲となっている。
【０１２５】
含有されている金属ナノ粒子を利用して、平均厚さΔｔＮＰの金属ナノ粒子の低温焼結体の被膜層を形成する上では、金属ナノ粒子自体の平均粒子径ｄＮＰは、ｄＮＰ＜ΔｔＮＰの範囲にあることが好ましく、ｄＮＰ＜（１／２）ΔｔＮＰの範囲にあることがより好ましい。すなわち、金属フィラー粉末の平均粒子径ｄＭＦと金属ナノ粒子自体の平均粒子径ｄＮＰの比（ｄＮＰ／ｄＭＦ）を、（ｄＮＰ／ｄＭＦ）＜（ΔｔＮＰ／ｄＭＦ）の範囲、好ましくは、（ｄＮＰ／ｄＭＦ）＜（１／２）・（ΔｔＮＰ／ｄＭＦ）の範囲することが望ましい。換言すると、（１／６）・（９／１１）≧（ΔｔＮＰ／ｄＭＦ）≧（１／６）・（１／９）の条件に対応させて、金属フィラーの平均粒子径ｄＭＦと金属ナノ粒子自体の平均粒子径ｄＮＰの比（ｄＮＰ／ｄＭＦ）を、１／１０≧（ｄＮＰ／ｄＭＦ）≧１／１０００の範囲、好ましくは、１／２０≧（ｄＮＰ／ｄＭＦ）≧１／１０００の範囲、より好ましくは、１／３０≧（ｄＮＰ／ｄＭＦ）≧１／１０００の範囲に選択することが望ましい。
【０１２６】
導電性金属ペーストを利用して作製される、焼結体型導電体では、金属フィラー粉末相互が接する部位において、その周囲の「楔状」の隙間を、金属ナノ粒子の低温焼結体が密に充填した状態とし、金属フィラー粉末相互が接する部位の接触抵抗ρＭＦ．ＣＯＮＴＡＣＴを低減することで、焼結体型導電体全体の体積固有抵抗率ρＣＬ（ρＣＬ≒ΣρＭＦ．ＣＯＮＴＡＣＴ＋ΣρＭＦ．ＰＡＲＴＩＣＬＥＳ）中、主に、金属フィラー粉末相互が接する部位の接触抵抗の総和ΣρＭＦ．ＣＯＮＴＡＣＴを低減することができる。加えて、金属フィラーの表面を被覆するように、金属ナノ粒子の低温焼結体の被膜層が形成されるため、金属フィラー自体の抵抗の総和ΣρＭＦ．ＰＡＲＴＩＣＬＥＳに相当する部分が若干低減されよう。この金属フィラー粉末自体の抵抗の総和ΣρＭＦ．ＰＡＲＴＩＣＬＥＳに相当する部分の抵抗低減の程度は、金属フィラーを構成する金属の抵抗率ρＭＦと金属ナノ粒子を構成する金属の抵抗率ρＮＰ、ならびに、金属フィラーの体積比率ＶＭＦと金属ナノ粒子の体積比率ＶＮＰの比（ＶＭＦ／ＶＮＰ）に依存する。個々の金属フィラー粉末を流れる電流量ｉＭＦ自体は、実質的に変化しないが、金属フィラー粉末の表面を被覆するように、金属ナノ粒子の低温焼結体の被膜層が形成されるため、電流の一部は金属ナノ粒子の低温焼結体の被膜層を流れる結果、核部分の金属フィラー粉末内部の電流密度（∂ｉＭＦ／∂Ｓ）が減少する。なお、金属ナノ粒子の低温焼結体の被膜層の実効的な抵抗率ρＮＰｅｆｆ．は、金属ナノ粒子を構成する金属の抵抗率ρＮＰの凡そ２倍程度と見積もられる。従って、核部分の金属フィラー粉末内部の電流密度（∂ｉＭＦ／∂Ｓ）の減少比率は、凡そ、（ＶＭＦ／ρＭＦ）／｛（ＶＭＦ／ρＭＦ）＋（ＶＮＰ／２ρＮＰ）｝程度と見積もられる。従って、金属フィラー粉末自体の抵抗の総和ΣρＭＦ．ＰＡＲＴＩＣＬＥＳに相当する部分の抵抗の低減比率も、凡そ、（ＶＭＦ／ρＭＦ）／｛（ＶＭＦ／ρＭＦ）＋（ＶＮＰ／２ρＮＰ）｝程度と見積もられる。
【０１２７】
例えば、金属フィラーを構成する金属の抵抗率ρＭＦと金属ナノ粒子を構成する金属の抵抗率ρＮＰが等しいとみなすことができると仮定した場合（金属フィラーを構成する金属と金属ナノ粒子を構成する金属が同一の金属である場合と同等のケースを考えたとき）、金属フィラー粉末自体の抵抗の総和ΣρＭＦ．ＰＡＲＴＩＣＬＥＳに相当する部分の抵抗の低減比率は、凡そ、ＶＭＦ／（ＶＭＦ＋（ＶＮＰ／２）｝＝１／｛１＋１／２・（ＶＮＰ／ＶＭＦ）｝程度と見積もられる。
【０１２８】
なお、金属フィラー粉末の表面が極薄い酸化膜で被覆されている状態となっている場合には、この金属フィラー粉末の極薄い表面酸化膜をトンネルして電流が流れる必要がある。その場合、極薄い表面酸化膜を通過して、金属フィラー粉末から、その表面を被覆している金属ナノ粒子の低温焼結体の被膜層へ滲みだす電流量は減少するため、金属フィラー粉末自体の抵抗の総和ΣρＭＦ．ＰＡＲＴＩＣＬＥＳに相当する部分の抵抗の低減効果は、減少する。
【０１２９】
また、金属フィラー粉末相互が接する部位において、その周囲の「楔状」の隙間を、金属ナノ粒子の低温焼結体が密に充填した状態とし、金属フィラー粉末相互が接する部位の接触抵抗ρＭＦ．ＣＯＮＴＡＣＴを低減する効果も、金属フィラー粉末の表面が極薄い酸化膜で被覆されている状態となっている場合には減少する。
【０１３０】
従って、導電性金属ペーストで使用する金属フィラーは、実質的にその表面は極薄い酸化膜で被覆されていないことが望ましい。
【０１３１】
金属フィラー粉末相互が接する部位において、その周囲の「楔状」の隙間を、金属ナノ粒子の低温焼結体が密に充填した状態とし、金属フィラー粉末相互が接する部位の接触抵抗ρＭＦ．ＣＯＮＴＡＣＴを低減する効果は、金属ナノ粒子の低温焼結体の被膜層の平均厚さΔｔＮＰと金属フィラーの平均粒子径ｄＭＦの比（ΔｔＮＰ／ｄＭＦ）に依存している。すなわち、比（ΔｔＮＰ／ｄＭＦ）が増すと、金属フィラー粉末相互が接する部位の接触抵抗ρＭＦ．ＣＯＮＴＡＣＴを低減する効果も増大する。
【０１３２】
具体的には、金属フィラー粉末相互が接する部位の接触抵抗ρＭＦ．ＣＯＮＴＡＣＴは、金属フィラー粉末相互が接する部位の実効的な接触面積ＳＭＦ．ＣＯＮＴＡＣＴｅｆｆ．に依存している。金属フィラー粉末相互が接する部位において、その周囲の「楔状」の隙間を、金属ナノ粒子の低温焼結体が密に充填した状態となると、金属フィラー粉末相互が接する部位の実効的な接触面積ＳＭＦ．ＣＯＮＴＡＣＴｅｆｆ．が拡大する結果、金属フィラー粉末相互が接する部位の接触抵抗ρＭＦ．ＣＯＮＴＡＣＴが低減される。
【０１３３】
一般に、金属フィラー粉末相互が接する部位の実効的な接触面積ＳＭＦ．ＣＯＮＴＡＣＴｅｆｆ．は、その接触部位の実効的な曲率半径ｒｅｆｆ．に依存している。金属フィラー粉末が球形である場合、前記接触部位の実効的な曲率半径ｒｅｆｆ．は、通常、金属フィラーの平均粒子径ｄＭＦを用いて、ｒｅｆｆ．≒１／２・ｄＭＦと近似できる。ある係数αを用いて、実効的な接触面積ＳＭＦ．ＣＯＮＴＡＣＴｅｆｆ．は、ＳＭＦ．ＣＯＮＴＡＣＴｅｆｆ．＝α・π（ｒｅｆｆ．）２≒α・π（ｄＭＦ／２）２と近似的に表すことができる。
【０１３４】
金属フィラー粉末相互が接する部位において、その周囲の「楔状」の隙間を、金属ナノ粒子の低温焼結体が密に充填した状態となると、充填されている金属ナノ粒子の低温焼結体部分も、金属フィラー粉末相互が接する部位の実効的な接触に利用されるため、実効的な接触面積ＳＭＦ．ＣＯＮＴＡＣＴｅｆｆ．が拡大する。例えば、金属フィラー粉末を構成する金属の抵抗率ρＭＦと金属ナノ粒子を構成する金属の抵抗率ρＮＰが等しいとみなすことができると仮定した場合（金属フィラーを構成する金属と金属ナノ粒子を構成する金属が同一の金属である場合と同等のケースを考えたとき）、金属フィラー粉末が球形である際には、金属ナノ粒子の低温焼結体の被膜層により、見かけの金属フィラー粉末の平均的な粒子径が、（ｄＭＦ＋２ΔｔＮＰ）となっており、実効的な接触面積ＳＭＦ．ＣＯＮＴＡＣＴｅｆｆ．は、少なくとも、ＳＭＦ．ＣＯＮＴＡＣＴｅｆｆ．＞α・π｛（ｄＭＦ＋２ΔｔＮＰ）／２｝２程度に増加している。従って、実効的な接触面積ＳＭＦ．ＣＯＮＴＡＣＴｅｆｆ．の増加比率は、少なくとも、｛１＋４（ΔｔＮＰ／ｄＭＦ）｝以上となっている。従って、金属フィラー粉末相互が接する部位の接触抵抗ρＭＦ．ＣＯＮＴＡＣＴの低減比率は、少なくとも、１／｛１＋４（ΔｔＮＰ／ｄＭＦ）｝以上となっている。比（ΔｔＮＰ／ｄＭＦ）は、（ΔｔＮＰ／ｄＭＦ）≒（１／６）・（ＶＮＰ／ＶＭＦ）と表すことができるので、金属フィラー粉末相互が接する部位の接触抵抗ρＭＦ．ＣＯＮＴＡＣＴの低減比率は、少なくとも、１／｛１＋（２／３）・（ＶＮＰ／ＶＭＦ）｝以上となっていると見積もられる。
【０１３５】
上記の見積もりからも、焼結体型導電体層では、金属フィラー粉末相互が接する部位において、その周囲の「楔状」の隙間を、金属ナノ粒子の低温焼結体が密に充填した状態とすることによる、金属フィラー粉末相互が接する部位の接触抵抗の総和ΣρＭＦ．ＣＯＮＴＡＣＴの低減効果は、金属フィラー自体の抵抗の総和ΣρＭＦ．ＰＡＲＴＩＣＬＥＳの低減効果よりも、焼結体型導電体層全体の体積固有抵抗率ρＣＬ（ρＣＬ≒ΣρＭＦ．ＣＯＮＴＡＣＴ＋ΣρＭＦ．ＰＡＲＴＩＣＬＥＳ）の低減により重要な貢献を示すと考えられる。
【０１３６】
なお、金属フィラーが球形ではなく、例えば、扁平化している場合、その扁平化した部位に接触部位があると、その接触部位の実効的な曲率半径ｒｅｆｆ．は、通常、金属フィラーの平均粒子径ｄＭＦに対して、ｒｅｆｆ．＞１／２・ｄＭＦとなっている。その場合、扁平化した部位にある接触部位の実効的な接触面積ＳＭＦ．ＣＯＮＴＡＣＴｅｆｆ．は、ＳＭＦ．ＣＯＮＴＡＣＴｅｆｆ．＝α・π（ｒｅｆｆ．）２＞α・π（ｄＭＦ／２）２となっていると見積もられる。例えば、金属フィラーを構成する金属の抵抗率ρＭＦと金属ナノ粒子を構成する金属の抵抗率ρＮＰが等しいとみなすことができると仮定した場合（金属フィラーを構成する金属と金属ナノ粒子を構成する金属が同一の金属である場合と同等のケースを考えたとき）、金属ナノ粒子の低温焼結体の被膜層により、見かけの曲率半径は、（ｒｅｆｆ．＋ΔｔＮＰ）となっており、実効的な接触面積ＳＭＦ．ＣＯＮＴＡＣＴｅｆｆ．は、少なくとも、ＳＭＦ．ＣＯＮＴＡＣＴｅｆｆ．＞α・π（ｒｅｆｆ．＋ΔｔＮＰ）２程度に増加している。従って、実効的な接触面積ＳＭＦ．ＣＯＮＴＡＣＴｅｆｆ．の増加比率は、少なくとも、｛１＋２（ΔｔＮＰ／ｒｅｆｆ．）｝以上となっている。その際、金属フィラー粉末が扁平化している場合、この扁平化した部位にある接触部位では、実効的な曲率半径ｒｅｆｆ．は、ｒｅｆｆ．＞１／２・ｄＭＦとなっているので、｛１＋２（ΔｔＮＰ／ｒｅｆｆ．）｝＜｛１＋４（ΔｔＮＰ／ｄＭＦ）｝となっている。
【０１３７】
その点を考慮すると、金属フィラーが球形である場合と比較すると、金属フィラーが扁平化している場合、金属フィラー粉末相互が接する部位において、その周囲の「楔状」の隙間を、金属ナノ粒子の低温焼結体が密に充填した状態とすることによる、金属フィラー粉末相互が接する部位の接触抵抗の総和ΣρＭＦ．ＣＯＮＴＡＣＴの低減効果は、相対的に劣っていると見積もることができる。
【０１３８】
換言すると、金属フィラー粉末相互が接する部位において、その周囲の「楔状」の隙間を、金属ナノ粒子の低温焼結体が密に充填した状態とすることによる、金属フィラー粉末相互が接する部位の接触抵抗の総和ΣρＭＦ．ＣＯＮＴＡＣＴの低減効果は、金属フィラー粉末が扁平化している場合よりも、金属フィラー粉末が球形である場合により顕著であると見積もられる。従って、使用する金属フィラーが球形である際、より本発明の効果が発揮されると見積もられる。
【０１３９】
一方、焼結体型導電体全体の体積固有抵抗率ρＣＬ（ρＣＬ≒ΣρＭＦ．ＣＯＮＴＡＣＴ＋ΣρＭＦ．ＰＡＲＴＩＣＬＥＳ）に占める、金属フィラー粉末相互が接する部位の接触抵抗の総和ΣρＭＦ．ＣＯＮＴＡＣＴと、金属フィラー粉末自体の抵抗の総和ΣρＭＦ．ＰＡＲＴＩＣＬＥＳの比率を比較すると、金属フィラーを構成する金属の抵抗率ρＭＦが高くなるとともに、金属フィラー粉末自体の抵抗の総和ΣρＭＦ．ＰＡＲＴＩＣＬＥＳの比率が増す。換言すると、金属フィラー粉末相互が接する部位の接触抵抗の総和ΣρＭＦ．ＣＯＮＴＡＣＴの低減効果と、金属フィラー粉末自体の抵抗の総和ΣρＭＦ．ＰＡＲＴＩＣＬＥＳの低減効果を比較すると、金属フィラーを構成する金属の抵抗率ρＭＦが高くなるとともに、金属フィラー粉末自体の抵抗の総和ΣρＭＦ．ＰＡＲＴＩＣＬＥＳの低減効果の重要さが増す。
【０１４０】
上述したように、本発明は、金属フィラー粉末相互が接する部位の接触抵抗の総和ΣρＭＦ．ＣＯＮＴＡＣＴの低減により有効である点にあり、金属フィラーを構成する金属の抵抗率ρＭＦが高くなるとともに、その有効性は相対的には薄れることになる。換言するならば、その有効性は、金属フィラーを構成する金属の抵抗率ρＭＦがより低い場合に、より顕著になる。
【０１４１】
なお、導電性金属ペーストの液粘度は、３０Ｐａ・ｓ〜３００Ｐａ・ｓの範囲、好ましくは３０Ｐａ・ｓ〜１５０Ｐａ・ｓの範囲、より好ましくは３０Ｐａ・ｓ〜１００Ｐａ・ｓの範囲であることが望ましい。前記の液粘度とすることにより、例えば、スクリーン印刷法を適用して、膜厚が３０μｍから、最大１１０μｍに達する塗布膜を形成することが可能となる。膜厚が１１０μｍに達する塗布膜を利用することで、膜厚が５０μｍに達する導電性膜を作製することが可能となる。また、膜厚が３０μｍに達する塗布膜を利用することで、膜厚が１４μｍに達する導電性膜を作製することが可能となる。
【０１４２】
導電性金属ペーストは、例えば、下記の手順に従って調製することができる。
【０１４３】
利用される金属フィラーの外形形状は、球形に限らず、例えば、鱗片状のものを利用することができる。一般に、金属フィラーは、平均粒子径ｄＭＦが小さくなると、液粘度の高い有機溶媒中に容易に浸漬することできない場合がある。
【０１４４】
その点を考慮して、液粘度の低い有機溶媒中に予め金属フィラーを混入して、低粘度の有機溶媒中に均一に浸漬した状態とした後、溶媒置換により、目的とする分散溶媒（有機溶剤）中に分散した状態とする手法を採用することができる。
【０１４５】
そのため、液粘度の低い有機溶媒中に所定量の被覆剤と金属ナノ粒子を含有してなる金属ナノ粒子の分散液を利用して、下記の手順に従って、導電性金属ペーストを調製することができる。
【０１４６】
前記液粘度の低い有機溶媒中に所定量の被覆剤と金属ナノ粒子を含有してなる金属ナノ粒子の分散液では、含有される液粘度の低い有機溶媒として、分散溶媒と均一に混合でき、また、被覆剤の沸点、分散溶媒の沸点よりも、遥かに低い沸点を有する炭化水素溶媒を使用する。
【０１４７】
前記金属ナノ粒子の分散液に、所定量の金属フィラーを混合し、金属フィラーを液粘度の低い有機溶媒中に浸漬し、均一に混合した状態とする。さらに、得られた混合物に、所定量の分散溶媒（有機溶剤）を加え、混合して、分散溶媒と液粘度の低い有機溶媒を均一に混合する。得られる混合物は、所定量の金属フィラー、所定量の被覆剤と金属ナノ粒子、所定量の分散溶媒と、前記液粘度の低い有機溶媒を含有する、均一な混合物となっている。この段階で、分散溶媒と液粘度の低い有機溶媒の混合溶媒中には、被覆剤の一部が溶解しており、金属フィラー粉末の表面に露呈している金属原子に、被覆剤分子が配位的に結合した状態となる。
【０１４８】
次いで、上記均一な混合物中に含まれる、液粘度の低い有機溶媒を減圧留去する。液粘度の低い有機溶媒は、被覆剤の沸点、分散溶媒の沸点よりも、遥かに低い沸点を有する炭化水素溶媒であるため、液粘度の低い有機溶媒を減圧留去する際、被覆剤、分散溶媒は、蒸散しない。結果的に、液粘度の低い有機溶媒の減圧留去を終えると、所定量の金属フィラー、所定量の被覆剤と金属ナノ粒子、所定量の分散溶媒を含んでなる分散液が得られる。得られる分散液を、撹拌脱泡機で撹拌して、含有される金属フィラーを均一に分散させることで、目的の導電性金属ペーストが調製される。
【０１４９】
本発明にかかる導電性金属ペーストは、その粘度を、３０Ｐａ・ｓ（２５℃）以上とすることができ、例えば、スクリーン印刷法を適用して、膜厚が１１０μｍに達する塗布膜の形成が可能であり、焼結処理を施すことで、膜厚が５０μｍに達する導電体層の作製に利用できる。また、平均粒子径がサブミクロン〜数ミクロン程度の金属フィラーと金属ナノ粒子を併用することにより、導電性金属ペーストを用いて形成される導電体は、金属フィラー粉末相互が接する部位周囲の隙間に、金属ナノ粒子からなる低温焼結体が充填され、金属ナノ粒子からなる低温焼結体を介して、金属フィラー粉末相互が連結された状態となることができる。従って、金属フィラー粉末相互が接する部位は、その周囲の隙間を金属ナノ粒子の低温焼結体が充填しているため、金属フィラー粉末相互が接する部位の接触抵抗は低減され、形成される焼結体全体の体積固有抵抗率は、用いる金属フィラーを構成する金属の抵抗率の２．５倍以下の体積固有抵抗率とすることができる。
【実施例】
【０１５０】
以下に、実施例を示し、本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例により限定を受けるものではない。
【０１５１】
〔実施例１〕
銅厚膜形成用の導電性金属ペーストとして、下記の原料を用いて、導電性銅ペーストを調製した。
・銀被覆銅マイクロ粒子（金属フィラー）：
アトマイズ法で作製される球状銅粉末である、福田金属（株）製の１０質量％銀コート銅粉「商品名：１０％ＡｇコートＣｕ−ＨＷＱ  ５μｍ（平均粒子径４．８９μｍ：タップ密度４．３ｇ／ｃｍ３）」。この金属フィラー中の銀の含有量は１０質量％である。
・銅ナノ粒子分散液：
ハリマ化成（株）製銅ナノ粒子「商品名：ＮＰＣ」。
ハリマ化成製銅ナノ粒子ＮＰＣは、銅ナノ粒子と「被覆剤分子アミン」とで構成されている。銅ナノ粒子自体の平均粒子径は、７０ｎｍである。銅ナノ粒子の表面には、「被覆剤分子アミン」の表面被覆分子層が形成されている。ここで用いた銅ナノ粒子「ＮＰＣ」では、「被覆剤分子アミン」として、２−エチルヘキシルオキシプロピルアミン（沸点２３５℃、密度０．８５ｇ／ｃｍ３）を使用している。また、分散媒として、日本乳化剤製トリプロピレングリコール（分子量１９２、沸点２６８℃、密度１．０２ｇ／ｃｍ３）が使用されている。
【０１５２】
ただし、銅ナノ粒子ＮＰＣは、カスタマイズ可能な製品であり、成分や配合比を変更可能なものである。後述の実施例および比較例において、銅ナノ粒子分散液として実施例１と同様の原料を用いた旨の記載があっても、その配合比は若干変わっていることがあり（成分の種類は同じ）、具体的にはそれぞれの例に示される配合を参照されたい。また、実施例８および９においては、それぞれの例に明記したように、被覆剤の種類が変更されている。
・有機溶剤
高沸点の非極性有機溶剤である、日本乳化剤（株）製トリプロピレングリコール（分子量１９２、沸点２６８℃、密度１．０２ｇ／ｃｍ３）。
【０１５３】
上記ハリマ化成製「銅ナノ粒子ＮＰＣ」５４．８質量部（銅ナノ粒子５２．７質量部と「被覆剤分子アミン」０．６質量部、分散媒トリプロピレングリコール１．５質量部）、
上記福田金属（株）製１０％銀コート銅粉４１．７質量部、
上記日本乳化剤製トリプロピレングリコール３．５質量部
を均一に混合した。撹拌脱泡機で撹拌して、トリプロピレングリコール中に金属フィラー（銀被覆銅粉）、銅ナノ粒子を均一に分散させ、導電性銅ペーストを調製した。
【０１５４】
調製された導電性銅ペーストの液粘度は、１５０Ｐａ・ｓ（スパイラル回転粘度計  １０ｒｐｍ  ２５℃）であった。
【０１５５】
調製された導電性銅ペーストを、スライドガラス上に、１０ｍｍ×５０ｍｍのパターンで塗布した。ペースト塗布膜の平均厚さは４０μｍであった。
【０１５６】
米倉製作所製赤外炉を使用して、下記の手順で、窒素−３モル％水素の還元性雰囲気下、３５０℃で３０分間の加熱処理を施し、ペースト塗布膜中に含まれている金属フィラー（銀被覆銅粉）と銅ナノ粒子の焼成を行った。
【０１５７】
米倉製作所製赤外炉内において、窒素−３％（モル％）水素の還元性雰囲気（１気圧（０．１ＭＰａ））下、昇温速度１６００℃／時間で、室温（２５℃）から３５０℃まで昇温した。この昇温過程に要した時間は、約１０．３分間であった。昇温後、同じ還元性雰囲気下、３５０℃で３０分間加熱処理を施した。
【０１５８】
得られた焼成物の平均膜厚は３０μｍであった。この焼成物を膜厚の均一な導電体と仮定して、測定したシート抵抗値から、体積固有抵抗率を算出した。算出された体積固有抵抗率は、２．７μΩ・ｃｍであった。
【０１５９】
金属銅の抵抗率１．６７３μΩ・ｃｍ（３０℃）に対して、得られた焼成物の体積固有抵抗率２．７μΩ・ｃｍは金属銅の１．６倍となっていた。
【０１６０】
〔実施例２〕
実施例２は実施例１で調製したペーストの銀被覆銅マイクロ粒子とナノ粒子と比率を変更したペーストを調製した。用いた原料は実施例１と同様である。
【０１６１】
ハリマ化成製「銅ナノ粒子ＮＰＣ」７３．１質量部（銅ナノ粒子７０．４質量部と「被覆剤分子アミン」０．６質量部、分散媒トリプロピレングリコール２．１質量部）、
福田金属（株）製１０％銀コート銅粉５０．０質量部、
日本乳化剤製トリプロピレングリコール３．８質量部
を均一に混合した。撹拌脱泡機で撹拌して、トリプロピレングリコール中に金属フィラー（銀被覆銅粉）、銅ナノ粒子を均一に分散させ、導電性銅ペーストを調製した。
【０１６２】
調製された導電性銅ペーストの液粘度は、１５０Ｐａ・ｓ（スパイラル回転粘度計  １０ｒｐｍ  ２５℃）であった。
【０１６３】
調製された導電性銅ペーストを、スライドガラス上に、１０ｍｍ×５０ｍｍのパターンで塗布した。ペースト塗布膜の平均厚さは４０μｍであった。実施例１と同様の方法でペーストを焼成した。
【０１６４】
得られた焼成物の平均膜厚は３０μｍであった。この焼成物を膜厚の均一な導電体と仮定して、測定したシート抵抗値から、体積固有抵抗率を算出した。算出された体積固有抵抗率は、２．５μΩ・ｃｍであった。
【０１６５】
金属銅の抵抗率１．６７３μΩ・ｃｍ（３０℃）に対して、得られた焼成物の体積固有抵抗率２．５μΩ・ｃｍは金属銅の１．５倍となっていた。
【０１６６】
〔実施例３〕
実施例３は実施例１で調製したペーストの銀被覆銅マイクロ粒子とナノ粒子と比率を変更したペーストを調製した。用いた原料は実施例１と同様である。
【０１６７】
ハリマ化成製「銅ナノ粒子ＮＰＣ」８１．３質量部（銅ナノ粒子７８．３質量部と「被覆剤分子アミン」０．７質量部、分散媒トリプロピレングリコール２．３質量部）、
福田金属（株）製１０％銀コート銅粉１６．０質量部、
日本乳化剤製トリプロピレングリコール２．７質量部
を均一に混合した。撹拌脱泡機で撹拌して、トリプロピレングリコール中に金属フィラー（銀被覆銅粉）、銅ナノ粒子を均一に分散させ、導電性銅ペーストを調製した。
【０１６８】
調製された導電性銅ペーストの液粘度は、１５０Ｐａ・ｓ（スパイラル回転粘度計  １０ｒｐｍ  ２５℃）であった。
【０１６９】
調製された導電性銅ペーストを、スライドガラス上に、１０ｍｍ×５０ｍｍのパターンで塗布した。ペースト塗布膜の平均厚さは４０μｍであった。実施例１と同様の方法でペーストを焼成した。
【０１７０】
得られた焼成物の平均膜厚は３０μｍであった。この焼成物を膜厚の均一な導電体と仮定して、測定したシート抵抗値から、体積固有抵抗率を算出した。算出された体積固有抵抗率は、２．５μΩ・ｃｍであった。
【０１７１】
金属銅の抵抗率１．６７３μΩ・ｃｍ（３０℃）に対して、得られた焼成物の体積固有抵抗率２．５μΩ・ｃｍは金属銅の１．５倍となっていた。
【０１７２】
〔実施例４〕
実施例４は実施例１で用いた銀被覆銅粉の銀被覆量を増加させた実施例となる。実施例１で用いた原料のうち、金属フィラーを次のものに替え、その他の原料は実施例１と同様とした。
・銀被覆銅マイクロ粒子（金属フィラー）：
アトマイズ法で作製される銅粉末である、福田金属（株）製の２０質量％銀コート銅粉「商品名：２０％ＡｇコートＣｕ−ＨＷＱ  ５μｍ（平均粒子径４．７μｍ：タップ密度４．８ｇ／ｃｍ３）」。この金属フィラー中の銀の含有量は２０質量％である。
【０１７３】
ハリマ化成製「銅ナノ粒子ＮＰＣ」５０．５質量部（銅ナノ粒子４９．４質量部と「被覆剤分子アミン」０．４質量部、分散媒トリプロピレングリコール０．７質量部）、
上記福田金属（株）製２０％銀コート銅粉４４．５質量部、
上記日本乳化剤製トリプロピレングリコール５．０質量部
を均一に混合した。
撹拌脱泡機で撹拌して、トリプロピレングリコール中に金属フィラー（銀被覆銅粉）、銅ナノ粒子を均一に分散させ、導電性銅ペーストを調製した。
【０１７４】
調製された導電性銅ペーストの液粘度は、１５０Ｐａ・ｓ（スパイラル回転粘度計  １０ｒｐｍ  ２５℃）であった。
【０１７５】
調製された導電性銅ペーストを、スライドガラス上に、１０ｍｍ×５０ｍｍのパターンで塗布した。ペースト塗布膜の平均厚さは４０μｍであった。
実施例１と同様の方法でペーストを焼成した。
【０１７６】
得られた焼成物の平均膜厚は３０μｍであった。この焼成物を膜厚の均一な導電体と仮定して、測定したシート抵抗値から、体積固有抵抗率を算出した。算出された体積固有抵抗率は、２．４μΩ・ｃｍであった。
【０１７７】
金属銅の抵抗率１．６７３μΩ・ｃｍ（３０℃）に対して、得られた焼成物の体積固有抵抗率２．４μΩ・ｃｍは金属銅の１．４倍となっていた。
【０１７８】
〔実施例５〕
実施例５は実施例１で用いた銀被覆銅粉の種類を変更した実施した例である。実施例１で用いた原料のうち、金属フィラーを次のものに替え、その他の原料は実施例１と同様とした。
・銀被覆銅マイクロ粒子（金属フィラー）：
湿式還元法で作製される球状銅粉末である、三井金属鉱業（株）製の１０質量％銀コート銅粉「商品名：１０％Ａｇコート０５Ｋ（平均粒子径５．２μｍ：タップ密度４．６ｇ／ｃｍ３）」。この金属フィラー中の銀の含有量は１０質量％である。
【０１７９】
ハリマ化成製「銅ナノ粒子ＮＰＣ」５１．８質量部（銅ナノ粒子５１．２質量部と「被覆剤分子アミン」０．２質量部、分散媒トリプロピレングリコール０．４質量部）、
上記三井金属鉱業（株）製１０％銀コート０５Ｋ４３．３質量部、
上記日本乳化剤製トリプロピレングリコール４．９質量部
を均一に混合し導電性銅ペーストを調製した。
【０１８０】
調製された導電性銅ペーストの液粘度は、１６０Ｐａ・ｓ（スパイラル回転粘度計  １０ｒｐｍ  ２５℃）であった。
【０１８１】
調製された導電性銅ペーストを、スライドガラス上に、１０ｍｍ×５０ｍｍのパターンで塗布した。ペースト塗布膜の平均厚さは４０μｍであった。
実施例１と同様の方法でペーストを焼成した。
【０１８２】
得られた焼成物の平均膜厚は３０μｍであった。この焼成物を膜厚の均一な導電体と仮定して、測定したシート抵抗値から、体積固有抵抗率を算出した。算出された体積固有抵抗率は、２．４μΩ・ｃｍであった。
【０１８３】
金属銅の抵抗率１．６７３μΩ・ｃｍ（３０℃）に対して、得られた焼成物の体積固有抵抗率２．５μΩ・ｃｍは金属銅の１．４倍となっていた。
【０１８４】
〔実施例６〕
実施例６は実施例１で用いた銀被覆銅粉の種類を変更した例である。実施例１で用いた原料のうち、金属フィラーを次のものに替え、その他の原料は実施例１と同様とした。
・銀被覆銅マイクロ粒子（金属フィラー）：
湿式還元法で作製される銅粉末である、三井金属鉱業（株）製の１０質量％銀コート銅粉「商品名：１０％Ａｇコート１１００Ｙ（平均粒子径１．１μｍ：タップ密度３．６ｇ／ｃｍ３）」。この金属フィラー中の銀の含有量は１０質量％である。
【０１８５】
ハリマ化成製「銅ナノ粒子ＮＰＣ」５８．７質量部（銅ナノ粒子５８．０質量部と「被覆剤分子アミン」０．５質量部、分散媒トリプロピレングリコール０．２質量部）、
上記三井金属鉱業（株）製１０％Ａｇコート１１００Ｙ４３．３質量部、
上記日本乳化剤製トリプロピレングリコール４．９質量部
を均一に混合し導電性銅ペーストを調製した。
【０１８６】
調製された導電性銅ペーストの液粘度は、１６０Ｐａ・ｓ（スパイラル回転粘度計  １０ｒｐｍ  ２５℃）であった。
【０１８７】
調製された導電性銅ペーストを、スライドガラス上に、１０ｍｍ×５０ｍｍのパターンで塗布した。ペースト塗布膜の平均厚さは４０μｍであった。
実施例１と同様の方法でペーストを焼成した。
【０１８８】
得られた焼成物の平均膜厚は３０μｍであった。この焼成物を膜厚の均一な導電体と仮定して、測定したシート抵抗値から、体積固有抵抗率を算出した。算出された体積固有抵抗率は、２．７μΩ・ｃｍであった。
【０１８９】
金属銅の抵抗率１．６７３μΩ・ｃｍ（３０℃）に対して、得られた焼成物の体積固有抵抗率２．６μΩ・ｃｍは金属銅の１．６倍となっていた。
【０１９０】
〔実施例７〕
実施例７は実施例１で用いた銀被覆銅粉の種類を変更した例である。実施例１で用いた原料のうち、金属フィラーを次のものに替え、その他の原料は実施例１と同様とした。
・銀被覆銅マイクロ粒子（金属フィラー）：
湿式還元法で作製される扁平銅粉末である、ＤＯＷＡエレクトロニクス（株）製の１０質量％銀コート銅粉「商品名：１０％Ａｇコートフレーク粉（平均粒子径５．１μｍ：タップ密度５．５ｇ／ｃｍ３）」。この金属フィラー中の銀の含有量は１０質量％である。
【０１９１】
ハリマ化成製「銅ナノ粒子ＮＰＣ」４６．３質量部（銅ナノ粒子４５．８質量部と「被覆剤分子アミン」０．４質量部、分散媒トリプロピレングリコール０．１質量部）、
上記ＤＯＷＡエレクトロニクス（株）製１０％Ａｇコートフレーク粉４８．７質量部、
上記日本乳化剤製トリプロピレングリコール５．０質量部
を均一に混合し導電性銅ペーストを調製した。
【０１９２】
調製された導電性銅ペーストの液粘度は、１３０Ｐａ・ｓ（スパイラル回転粘度計  １０ｒｐｍ  ２５℃）であった。
【０１９３】
調製された導電性銅ペーストを、スライドガラス上に、１０ｍｍ×５０ｍｍのパターンで塗布した。ペースト塗布膜の平均厚さは４０μｍであった。
実施例１と同様の評価でペーストを焼成した。
【０１９４】
得られた焼成物の平均膜厚は２７μｍであった。この焼成物を膜厚の均一な導電体と仮定して、測定したシート抵抗値から、体積固有抵抗率を算出した。算出された体積固有抵抗率は、２．６μΩ・ｃｍであった。
【０１９５】
金属銅の抵抗率１．６７３μΩ・ｃｍ（３０℃）に対して、得られた焼成物の体積固有抵抗率２．６μΩ・ｃｍは金属銅の１．５倍となっていた。
【０１９６】
〔実施例８〕
実施例８は実施例１で用いたナノ粒子の被覆アミン種を変更した例である。実施例１で用いた原料のうち、銅ナノ粒子分散液を次のものに替え、その他の原料は実施例１と同様とした。
・銅ナノ粒子分散液：
ここで用いた銅ナノ粒子「ＮＰＣ」では、「被覆剤分子アミン」として、２−エチルヘキシルアミン（沸点１６９℃、密度０．７９ｇ／ｃｍ３）を使用している。他の成分（銅ナノ粒子および分散媒）の種類は実施例１と同様である。
【０１９７】
上記ハリマ化成製「銅ナノ粒子ＮＰＣ」５４．８質量部（銅ナノ粒子５２．７質量部と「被覆剤分子アミン」０．６質量部、分散媒トリプロピレングリコール１．５質量部）、
上記福田金属（株）製１０％銀コート銅粉４１．７質量部、
上記日本乳化剤製トリプロピレングリコール３．５質量部
を均一に混合した。撹拌脱泡機で撹拌して、トリプロピレングリコール中に金属フィラー（銀被覆銅粉）、銅ナノ粒子を均一に分散させ、導電性銅ペーストを調製した。
【０１９８】
調製された導電性銅ペーストの液粘度は、１５０Ｐａ・ｓ（スパイラル回転粘度計  １０ｒｐｍ  ２５℃）であった。
【０１９９】
調製された導電性銅ペーストを、スライドガラス上に、１０ｍｍ×５０ｍｍのパターンで塗布した。ペースト塗布膜の平均厚さは４０μｍであった。実施例１と同様の方法でペーストを焼成した。
【０２００】
得られた焼成物の平均膜厚は２０μｍであった。この焼成物を膜厚の均一な導電体と仮定して、測定したシート抵抗値から、体積固有抵抗率を算出した。算出された体積固有抵抗率は、２．５μΩ・ｃｍであった。
【０２０１】
金属銅の抵抗率１．６７３μΩ・ｃｍ（３０℃）に対して、得られた焼成物の体積固有抵抗率２．５μΩ・ｃｍは金属銅の１．５倍となっていた。
【０２０２】
〔実施例９〕
実施例９は実施例１で用いたナノ粒子の被覆アミン種を変更した例である。実施例１で用いた原料のうち、銅ナノ粒子分散液を次のものに替え、その他の原料は実施例１と同様とした。
・銅ナノ粒子分散液：
ここで用いた銅ナノ粒子「ＮＰＣ」では、「被覆剤分子アミン」として、ドデシルアミン（沸点２４７℃、密度０．８１ｇ／ｃｍ３）を使用している。他の成分（銅ナノ粒子および分散媒）の種類は実施例１と同様である。
【０２０３】
上記ハリマ化成製「銅ナノ粒子ＮＰＣ」５４．８質量部（銅ナノ粒子５２．７質量部と「被覆剤分子アミン」０．５質量部、分散媒トリプロピレングリコール１．６質量部）、
上記福田金属（株）製１０％銀コート銅粉４１．７質量部、
上記日本乳化剤製トリプロピレングリコール３．５質量部
を均一に混合した。撹拌脱泡機で撹拌して、トリプロピレングリコール中に金属フィラー（銀被覆銅粉）、銅ナノ粒子を均一に分散させ、導電性銅ペーストを調製した。
【０２０４】
調製された導電性銅ペーストの液粘度は、１５０Ｐａ・ｓ（スパイラル回転粘度計  １０ｒｐｍ  ２５℃）であった。
【０２０５】
調製された導電性銅ペーストを、スライドガラス上に、１０ｍｍ×５０ｍｍのパターンで塗布した。ペースト塗布膜の平均厚さは４０μｍであった。実施例１と同様の方法でペーストを焼成した。
【０２０６】
得られた焼成物の平均膜厚は２０μｍであった。この焼成物を膜厚の均一な導電体と仮定して、測定したシート抵抗値から、体積固有抵抗率を算出した。算出された体積固有抵抗率は、２．５μΩ・ｃｍであった。
【０２０７】
金属銅の抵抗率１．６７３μΩ・ｃｍ（３０℃）に対して、得られた焼成物の体積固有抵抗率２．５μΩ・ｃｍは金属銅の１．５倍となっていた。
【０２０８】
〔比較例１〕
本例では、実施例１で調製される「導電性銅ペースト」に使用される銀コート銅粉を被覆銀のない銅粉へ代替した。実施例１で用いた原料のうち、金属フィラーを次のものに替え、その他の原料は実施例１と同様とした。
・金属フィラー：
アトマイズ法で作製される銅粉末である、福田金属（株）製球状銅粉Ｃｕ−ＨＷＱ  ５μｍ（平均粒子径５．６９μｍ：タップ密度４．６ｇ／ｃｍ３）。
【０２０９】
実施例１と同様の方法で調製された導電性銅ペーストの液粘度は、１５０Ｐａ・ｓ（スパイラル回転粘度計  １０ｒｐｍ  ２５℃）であった。
【０２１０】
調製された導電性銅ペーストを、スライドガラス上に、１０ｍｍ×５０ｍｍのパターンで塗布した。ペースト塗布膜の平均厚さは４０μｍであった。
実施例１と同様の方法でペーストを焼成した。
【０２１１】
得られた焼成物の平均膜厚は３０μｍであった。この焼成物を膜厚の均一な導電体と仮定して、測定したシート抵抗値から、体積固有抵抗率を算出した。算出された体積固有抵抗率は、４．３μΩ・ｃｍであった。
【０２１２】
金属銅の抵抗率１．６７３μΩ・ｃｍ（３０℃）に対して、得られた焼成物の体積固有抵抗率４．３μΩ・ｃｍは金属銅の２．６倍となっていた。
【産業上の利用可能性】
【０２１３】
本発明にかかる導電性金属ペーストは、厚膜の導電体層の形成に利用できる。具体的には、本発明にかかる導電性金属ペーストを利用して形成される導電体層は、良好な導電特性を示し、また、作製可能な導電体層の膜厚を例えば３０μｍ以上とする際にも、良好な導電特性が得られる。したがって、プリント基板における配線や電子部品の固定（導電性を持った固定）などに好適に用いられる。