(57)【要約】  【課題】  電子部品収納用パッケージおよびそれを用いた電子装置の電気的信頼性を向上させる。  【解決手段】  本発明の電子部品収納用パッケージ２は、平板状の基板４と、基板４上に中央部を取り囲むように配された、上面を有する第１セラミック枠体５と、第１セラミック枠体５上に配された、上端から下端にかけて外側面から内側面に向かって凹んだ切欠き部Ｈを具備する第２セラミック枠体６と、第１セラミック枠体５の上面に配された、上面視にて一部が切欠き部Ｈ内に位置している信号配線７とを備え、切欠き部Ｈは、前記外側面から前記内側面に向かって凹んだ第１凹部Ｈ１および第１凹部Ｈ１の内面から前記内側面に向かって凹んだ第２凹部Ｈ２を具備していることを特徴とする。その結果、電子部品収納用パッケージ２の電気的信頼性を向上させることができる。【選択図】  図２
2014146759.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平板状の基板と、
該基板上に中央部を取り囲むように配された、上面を有する第１セラミック枠体と、
該第１セラミック枠体上に配された、上端から下端にかけて外側面から内側面に向かって凹んだ切欠き部を具備する第２セラミック枠体と、
前記第１セラミック枠体の上面に配された、上面視にて一部が前記切欠き部内に位置している信号配線とを備え、
前記切欠き部は、前記外側面から前記内側面に向かって凹んだ第１凹部および該第１凹部の内面から前記内側面に向かって凹んだ第２凹部を具備していることを特徴とする電子部品収納用パッケージ。
【請求項２】
請求項１に記載の電子部品収納用パッケージにおいて、
前記切欠き部は、前記第２凹部の内面から前記内側面に向かって凹んだ第３凹部をさらに具備していることを特徴とする電子部品収納用パッケージ。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電子部品収納用パッケージにおいて、
前記第２凹部は、内面に互いに対向する一対の対向面を具備しており、
前記信号配線は、前記第１セラミック枠体の内側から外側に向かって、上面視にて一部が前記第２凹部の前記一対の対向面に挟まれるように位置しており、
前記第２凹部の前記一対の対向面に、上面視にて前記信号配線を挟むように配されたグランド層をさらに備えていることを特徴とする電子部品収納用パッケージ。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の電子部品収納用パッケージと、
該電子部品収納用パッケージの前記基板上の前記中央部に実装されて前記信号配線に電気的に接続された電子部品とを備える電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品を収納することが可能な電子部品収納用パッケージおよびそれに電子部品を収納してなる電子装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、レーザダイオードまたはフォトダイオードなどの電子部品を収納する電子部品収納用パッケージが提案されている（例えば、特許文献１参照）。このようなパッケージとして、基板と、基板上に配され、かつ上面を有するとともに上面から下側に向かって凹んだ切欠き部が外側面に形成されたセラミック枠体と、セラミック枠体を内側から外側にかけて貫通して形成されているとともに切欠き部の底面上に配された信号配線とを備えるものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２６３２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述の電子部品収納用パッケージにおいては、例えば、信号配線に電流が流れた際に、信号配線が発熱する。このとき、信号配線から発生した熱が、信号配線の周囲のセラミック枠体内にこもりやすい。それゆえ、例えば切欠き部の底面において、セラミック枠体の熱膨張量と信号配線の熱膨張量との差が大きいことから、信号配線がセラミック枠体から剥離しやすい。したがって、電子部品収納用パッケージひいては電子装置の電気的信頼性が低下する虞がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施形態にかかる電子部品収納用パッケージは、平板状の基板と、該基板上に中央部を取り囲むように配された、上面を有する第１セラミック枠体と、該第１セラミック枠体上に配された、上端から下端にかけて外側面から内側面に向かって凹んだ切欠き部を具備する第２セラミック枠体と、前記第１セラミック枠体の上面に配された、上面視にて一部が前記切欠き部内に位置している信号配線とを備え、前記切欠き部は、前記外側面から前記内側面に向かって凹んだ第１凹部および該第１凹部の内面から前記内側面に向かって凹んだ第２凹部を具備していることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、第１セラミック枠体および第２セラミック枠体が上記の構成を有していることから、第１セラミック枠体と信号配線との剥離を防止することができる。その結果、電子部品収納用パッケージおよびそれを用いた電子装置の電気的信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、本発明の一実施形態にかかる電子部品収納用パッケージおよびそれを用いた電子装置の斜視図である。
【図２】図２は、図１に示した電子部品収納用パッケージのＡ１部分の拡大図である。
【図３】図３は、図１に示した電子部品収納用パッケージの平面図である。
【図４】図４は、図３に示した電子部品収納用パッケージのＡ２部分の拡大図である。
【図５】図５は、図１に示した電子部品収納用パッケージおよびそれを用いた電子装置の一製造工程を説明する斜視図である。
【図６】図６は、図１に示した電子部品収納用パッケージおよびそれを用いた電子装置の一製造工程を説明する斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
（電子部品収納用パッケージおよびそれを用いた電子装置）
以下、本発明の一実施形態にかかる電子部品収納用パッケージおよびそれを用いた電子装置について、図１−図４を参照しながら説明する。なお、図１は、本発明の一実施形態にかかる電子部品収納用パッケージおよびそれを用いた電子装置を示す概観斜視図であって、蓋体を外した電子部品収納用パッケージを示している。図２は、図１に示した電子部品収納用パッケージの第２セラミック枠体が具備する切欠き部の拡大図であって、リード端子を除いて切欠き部周辺の構成を詳細に示している。なお、図２において、信号配線、第１グランド層、第２グランド層および第３グランド層のそれぞれは、ハッチングによって他の構成と区別している。図３は、図１に示した電子部品収納用パッケージを、基体、蓋体、およびリード端子を除いて上面視した場合の平面図である。図４は、図３に示した電子部品収納用パッケージの第２セラミック枠体が具備する切欠き部の拡大図であって、切欠き部周辺の構成を詳細に示している。なお、図４においても、信号配線、第１グランド層、および第２グランド層のそれぞれは、ハッチングによって他の構成と区別している。
【０００９】
電子装置１は、電子部品収納用パッケージ２と電子部品収納用パッケージ２内に実装されて収納された電子部品３とを含んでいる。この電子装置１は、例えば光通信用の光送信モジュールまたは光受信モジュールなどに組み込まれて光信号を送信または受信したり、高速信号処理用の半導体モジュールまたは半導体装置などに組み込まれて高周波信号や高速信号を入力または出力したりするものである。
【００１０】
電子部品収納用パッケージ２は、電子部品３を収納して保護するものである。この電子部品収納用パッケージ２は、電子部品３が上面中央部に実装される基板４と、基板４の上面中央部を取り囲むように配された第１セラミック枠体５と、第１セラミック枠体５上に配されているとともに、上端から下端にかけて外側面から内側面に向かって凹んだ切欠き部Ｈを具備する第２セラミック枠体６と、第１セラミック枠体５上に配されているとともに、上面視にて一部が切欠き部Ｈ内に位置している信号配線７と、信号配線７の上面に配されたリード端子８と、第２セラミック枠体６の上面に配された蓋体９と、第１セラミック枠体５または第２セラミック枠体６のいずれか、あるいは第１セラミック枠体５および第２セラミック枠体６にわたって内外を貫通して形成された貫通孔Ｖとを含んでいる。電子部品収納用パッケージ２は、例えば、貫通孔Ｖに挿入固定された光ファイバからの光が、電子部品３によって電気信号に変換された後で、この電気信号を信号配線７およびリード端子８を介して外部回路に伝達したり、貫通孔部Ｖに挿入固定された同軸コネクタから入力される電気信号が電子部品３によって信号処理された後で、この電気信号を信号配線７およびリード端子８を介して外部回路に伝達したりするものである。
【００１１】
電子部品３は、例えば、絶縁基板、回路基板またはペルチェ素子などを介して基板４の上面に実装されて、電気信号などを処理するものである。電子部品３は、例えば、フォトダイオード、ＩＣ、ＬＳＩ、発光ダイオードまたはレーザダイオードなどの半導体素子である。
【００１２】
基板４は、上面中央部に電子部品実装領域を具備する平板状に形成されており、電子部品実装領域に電子部品３が実装されて、電子部品３を支持するものである。基板４は、例
えば鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト、モリブデンまたはタングステンなどの金属材料、あるいはこれらの金属材料を複数組み合わせた合金または積層体からなる。なお、基板４は、金属材料からなる場合には、電子部品３が発する熱を放出する放熱板としても機能する。
【００１３】
基板４の横の長さ（Ｘ方向の長さ）は、例えば５ｍｍ以上１００ｍｍ以下に設定されている。基板４の縦の長さ（Ｙ方向の長さ）は、例えば５ｍｍ以上１００ｍｍ以下に設定されている。基板４の厚み（Ｚ方向の長さ）は、例えば０．３ｍｍ以上３ｍｍ以下に設定されている。
【００１４】
基板４の熱伝導率は、例えば、２５℃において５０Ｗ/ｍ・Ｋ以上５００Ｗ/ｍ・Ｋ以下に設定されている。なお、基板４の熱伝導率は、例えばレーザフラッシュ法を用いて測定される。
【００１５】
第１セラミック枠体５は、基板４の電子部品実装領域を取り囲むように基板４上に配されて、電子部品実装領域に実装された電子部品３を基板４および蓋体９とともに保護するものである。第１セラミック枠体５は、例えば酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体または窒化珪素質焼結体などのセラミックスからなる。また、第１セラミック枠体５は、複数のこれらの焼結体からなるセラミック層の積層体で構成されている。
【００１６】
第１セラミック枠体５は、上下面を有する枠状に形成されており、上面視にて、第１セラミック枠体５の外形は矩形状である。そして、図１に示したように、上面視にて、基板４の外縁は第１セラミック枠体５の外縁よりも外側に位置することが望ましい。その結果、本実施形態のように電子部品収納用パッケージ２にリード端子８が接続された場合に、電子部品３の収納時などに電子部品収納用パッケージ２が転倒することを防止し、リード端子８が破損することを防止することができる。したがって、電子部品収納用パッケージ２と外部基板とを良好に接続することができる。
【００１７】
第１セラミック枠体５の上面の一部には、信号配線７が配されている。なお、本実施形態において、第１セラミック枠体５の上面の一部には、信号配線７の他に、図１−図４に示したように、例えば銅、金、銀、白金、ニッケル、モリブデンまたはマンガンなどの金属材料からなる第１グランド層１０１が、上面視にて信号配線７を挟んで両側に形成されている。また、第１セラミック枠体５の上面において、信号配線７および第１グランド層１０１が形成された上面を除いた他の上面には、第２セラミック枠体６が配されている。
【００１８】
上面視にて、第１セラミック枠体５の外縁の横の長さ（Ｘ方向の長さ）は、例えば５ｍｍ以上９８ｍｍ以下に設定されている。上面視にて、第１セラミック枠体５の外縁の縦の長さ（Ｙ方向の長さ）は、例えば５ｍｍ以上９８ｍｍ以下に設定されている。第１セラミック枠体５の厚み（Ｚ方向の長さ）は、例えば０．３ｍｍ以上１０ｍｍ以下に設定されている。また、第１セラミック枠体５の熱伝導率は、例えば２５℃において１５Ｗ/ｍ・Ｋ
以上２００Ｗ/ｍ・Ｋ以下に設定されている。
【００１９】
第２セラミック枠体６は、第１セラミック枠体５の上面に配されているとともに、第１セラミック枠体５と同様に基板４の電子部品実装領域を取り囲み、電子部品３を保護するものである。この第２セラミック枠体６は、上下面を有する枠状に形成されている。具体的には、第２セラミック枠体６は、一対の第１枠体側部６１と、一対の第１枠体側部６１の端部同士を繋いだ一対の第２枠体側部６２とからなり、上面視にて矩形状に形成されている。第２セラミック枠体６の上面の一部には、シールリング１１を介して、蓋体９が配される。本実施形態においては、第２セラミック枠体６の上面には、図２および図４に示
したように、例えば銅、金、銀、白金、ニッケル、モリブデンまたはマンガンなどの金属材料からなる第２グランド層１０２が配されており、第２グランド層１０２の上面にシールリング１１を介して蓋体９が配される。
【００２０】
第２セラミック枠体６は、例えば酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体または窒化珪素質焼結体などのセラミックスからなる。また、第２セラミック枠体６は、複数のこれらの焼結体からなるセラミック層の積層体で構成されている。そして、第１セラミック枠体５の上面と第２セラミック枠体６の下面とは焼結によって接合されて一体化している。その結果、第１セラミック枠体５と第２セラミック枠体６との接合強度を向上させることができ、第１セラミック枠体５と第２セラミック枠体６との剥離を防止することができる。なお、第２セラミック枠体６の熱伝導率は、例えば２５℃において１５Ｗ/ｍ・Ｋ以上２００Ｗ/ｍ・Ｋ以下に設定されている。
【００２１】
第２セラミック枠体６の一対の第１枠体側部６１の少なくとも一方には、第２セラミック枠体６の外側面から内側面に向かって凹んだ切欠き部Ｈが、第２セラミック枠体６の上端から下端にかけて形成されている。具体的には、図１および図３に示したように、切欠き部Ｈは、第１枠体側部６１の外側面から内側面に向かって凹んだ第１凹部Ｈ１および第１凹部Ｈ１の内面から内側面に向かって凹んだ第２凹部Ｈ２を具備している。そして、上述した通り、上面視にて前記凹部内には信号配線７の一部が位置している。その結果、信号配線７の周囲における第１セラミック枠体５および第２セラミック枠体６の雰囲気中に露出した表面積を大きくすることができ、信号配線７の発熱時に、信号配線７の発する熱を第１セラミック枠体５および第２セラミック枠体６から効率よく放出することができる。それゆえ、第１セラミック枠体５と信号配線７との剥離を防止することができ、ひいては電子部品収納用パッケージ２および電子装置１の電気的信頼性を向上させることができる。なお、本実施形態においては、１つの第１凹部Ｈ１に対して複数の、具体的には２つの第２凹部Ｈ２が形成されている。
【００２２】
第２凹部Ｈ２の開口部における開口幅は、第１凹部Ｈ１の開口部における開口幅よりも小さいことが望ましい。その結果、第２セラミック枠体６に形成される切欠き部Ｈの大きさを制限することができ、第２セラミック枠体６の強度の低減を抑制することができる。それゆえ、例えば電子部品３や信号配線７の発熱時に、基板４と第１セラミック枠体５および第２セラミック枠体６との熱膨張量の差によって第２セラミック枠体６に曲げ応力が加わっても、第２セラミック枠体６におけるクラックの発生を抑制することができる。なお、第１凹部Ｈ１の開口部における開口幅は、例えば３ｍｍ以上９６ｍｍ以下に設定されている。第２凹部Ｈ２の開口部における開口幅は、例えば１ｍｍ以上４７ｍｍ以下に設定されている。
【００２３】
第１凹部Ｈ１の内面は、図１−図４に示したように、互いに対向する一対の第１対向面Ｈ１１と、一対の第１対向面Ｈ１１同士を繋ぐ第１側面Ｈ１２とを具備している。また、第２凹部Ｈ２の内面は、互いに対向する一対の第２対向面Ｈ２１と、一対の第２対向面Ｈ２１同士を繋ぐ第２側面Ｈ２２とを具備している。すなわち、第２凹部Ｈ２は、第１凹部Ｈ１の第１側面Ｈ１２から、第２セラミック枠体６の内側面に向かって凹んでいる。また、図３および図４に示したように、第１凹部Ｈ１および第２凹部Ｈ２のそれぞれの形状は、上面視にて矩形状に形成されている。また、第２凹部Ｈ２は、第１凹部Ｈ１の第１側面Ｈ１２の中央部から凹んでいる。また、切欠き部Ｈの形状は、図３および図４に示したように、上面視にて、第１凹部Ｈ１および第２凹部Ｈ２のそれぞれが矩形状に形成されていることによって、階段状である。
【００２４】
切欠き部Ｈは、図１−図４に示したように、一対の第１枠体側部６１にのみ形成されて
おり、基板４の一対の第１枠体側部６１に沿った長さは、基板４の一対の第２枠体側部６２に沿った長さよりも小さいことが望ましい。ここで、基板４が金属材料からなる場合には、電子部品３の発熱時に、基板４と第１セラミック枠体５および第２セラミック枠体６との平面方向（ＸＹ平面方向）への熱膨張量の違いによって第２セラミック枠体６が反りやすい。このとき、第２セラミック枠体６の上端に引張応力が加わり、切欠き部Ｈを具備する第１枠体側部６１にはクラックが生じる虞がある。そこで、基板４の第１枠体側部６１に沿った長さを小さくすることで、基板４の一対の第１枠体側部６１に沿った方向への熱膨張量を小さくし、第１枠体側部６１に加わる引張応力を小さくして、第２セラミック枠体６におけるクラックの発生を低減することができる。したがって、電子部品収納用パッケージ２は、第２セラミック枠体６のクラックに起因した信号配線７の断線を防止することができ、電気的信頼性を向上させることができる。
【００２５】
一対の第１枠体側部６１の長手方向の長さは（Ｘ方向の長さ）、例えば５ｍｍ以上９８ｍｍ以下に設定されている。一対の第２枠体側部６２の長手方向の長さ（Ｙ方向の長さ）は、例えば５ｍｍ以上９８ｍｍ以下に設定されている。第２セラミック枠体６の厚み（Ｚ方向の長さ）は、例えば０．３ｍｍ以上１０ｍｍ以下に設定されている。
【００２６】
切欠き部Ｈは、図１−図４に示したように、第２凹部Ｈ２の内面から第２セラミック枠体６の内側面に向かって凹んだ第３凹部Ｈ３をさらに具備していることが望ましい。その結果、信号配線７の周囲における第１セラミック枠体５および第２セラミック枠体６の雰囲気中に露出した信号配線７の表面積をさらに大きくでき、信号配線７の発熱時に、信号配線７の発する熱を第１セラミック枠体５および第２セラミック枠体６から効率よく放出することができる。
【００２７】
第３凹部Ｈ３は、互いに対向する一対の第３対向面Ｈ３１と、一対の第３対向面Ｈ３１同士を繋なぐ第３側面Ｈ３２とを具備している、また、本実施形態において、第３凹部Ｈ３の形状は、上面視にて矩形状である。なお、第３凹部Ｈ３の開口部における開口幅は、例えば０．５ｍｍ以上４６ｍｍ以下に設定されている。
【００２８】
一対の第１対向面Ｈ１１の長手方向の長さ（Ｙ方向の長さ）は、例えば０．３ｍｍ以上３ｍｍ以下に設定されている。一対の第１対向面Ｈ１１同士の距離（Ｘ方向の間隔）は、例えば３ｍｍ以上９６ｍｍ以下に設定されている。一対の第２対向面Ｈ２１の長手方向の長さ（Ｙ方向の長さ）は、例えば０．３ｍｍ以上３ｍｍ以下に設定されている。一対の第２対向面Ｈ２１同士の距離（Ｘ方向の間隔）は、例えば１ｍｍ以上４７ｍｍ以下に設定されている。一対の第３対向面Ｈ３１の長手方向の長さ（Ｙ方向の長さ）は、例えば０．３ｍｍ以上３ｍｍ以下に設定されている。一対の第３対向面Ｈ３１同士の距離（Ｘ方向の間隔）は、例えば０．５ｍｍ以上４６ｍｍ以下に設定されている。
【００２９】
信号配線７は、第１セラミック枠体５の内側から外側にかけて配されており、電子部品３が電気的に接続されるものである。この信号配線７は、例えば銅、金、銀、白金、ニッケル、モリブデンまたはマンガンなどの金属材料からなる。そして、例えばワイヤボンディングなどを介して電子部品３が電気的に接続される。なお、信号配線７の熱伝導率は、例えば、２５℃において５０Ｗ/ｍ・Ｋ以上５００Ｗ/ｍ・Ｋ以下に設定されている。
【００３０】
ここで、信号配線７は、図３および図４に示したように、上面視にて第２凹部Ｈ２内に位置していることが望ましい。その結果、切欠き部Ｈがない場合と比較して、第１セラミック枠体５および第２セラミック枠体６について雰囲気中に露出する表面積を大きくすることができるだけでなく、さらに信号配線７の露出する面積を大きくすることができる。それゆえ、信号配線７から発生した熱を効果的に放出することができ、第１セラミック枠体５と信号配線７との剥離を防止することができる。
【００３１】
信号配線７は、図２および図４に示したように、上面視にて、一部が第２凹部Ｈ２の一対の第２対向面Ｈ２１に挟まれるように位置しており、一対の第２対向面Ｈ２１には、上面視にて信号配線７を挟むように配された第３グランド層１０３をさらに備えていることが望ましい。その結果、信号配線７と第３グランド層１０３とを電磁界結合させることができるため、信号配線７の特性インピーダンスを制御しやすくなる。それゆえ、信号配線７において、高周波の電気信号伝送時における高周波信号の挿入損失や反射損失を良好に低減することができ、ひいては電子部品収納用パッケージ２および電子装置１の高周波信号に対する伝送特性を向上させることができる。なお、第３グランド層１０３は、例えば銅、金、銀、白金、ニッケル、モリブデンまたはマンガンなどの金属材料からなる。また、第３グランド層１０３は、第２側面Ｈ２２に配されていてもよく、第３凹部Ｈ３の内面に配されていてもよい。
【００３２】
一対の第２対向面Ｈ２１の長手方向の長さ（Ｙ方向の長さ）は、一対の第１対向面Ｈ１１および一対の第３対向面Ｈ３１のそれぞれの長手方向の長さ（Ｙ方向の長さ）よりも大きいことが望ましい。その結果、第３グランド層１０３が配されていない場合と比較して、第３グランド層１０３が信号配線７を挟むだけでなく、その挟む長さを大きく確保することができ、信号配線７における、高周波信号の損失を良好に低減することができる。それゆえ、電子部品収納用パッケージ２および電子装置１の高周波信号に対する伝送特性を向上させることができる。
【００３３】
第３グランド層１０３と第１グランド層１０１および第２グランド層１０２とは、接続していることが望ましい。その結果、接地用配線として機能する導電性領域を大きくすることができ、電子部品収納用パッケージ２および電子装置１の高周波信号に対する伝送特性をより向上させることができる。
【００３４】
蓋体９は、第２セラミック枠体６の上面に配されており、基板４ならびに第１セラミック枠体５および第２セラミック枠体６とともに電子部品３を保護するものである。この蓋体９は、第２セラミック枠体６の上面に配されたシールリング１１を介して、第２セラミック枠体６に接合されている。また、蓋体９およびシールリング１１のそれぞれは、例えば鉄、銅、銀、ニッケル、クロム、コバルト、モリブデンまたはタングステンなどの金属材料、あるいはこれらの金属材料を複数組み合わせた合金または積層体からなる。
【００３５】
本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良などが可能である。例えば、上述した本発明の実施形態は、１つの第１凹部Ｈ１に対して２つの第２凹部Ｈ２が形成されている構成を例に説明したが、１つの第１凹部Ｈ１には１つの第２凹部Ｈ２が形成されていてもよい。この場合には、第２セラミック枠体６に形成される切欠き部Ｈの大きさを小さくすることができ、第２セラミック枠体６の強度の低下を抑制することができる。その結果、例えば電子部品３の発熱時に、基板４と第２セラミック枠体６との熱膨張量の差によって第２セラミック枠体６に曲げ応力が加わっても、第２セラミック枠体６におけるクラックの発生を抑制することができる。
【００３６】
上述した本発明の実施形態は、第２セラミック枠体６の外側面に切欠き部Ｈが形成された構成を例に説明したが、第２セラミック枠体６は、外側面から内側面に向かって凹んだ第１切欠き部と内側面から外側面に向かって凹んだ第２切欠き部とが形成されており、第１切欠き部と第２切欠き部とが対向して形成されていてもよい。
【００３７】
上述した本発明の実施形態は、基板４が金属材料からなる構成を例に説明したが、基板４は、酸化アルミニウム焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウ
ム質焼結体または窒化珪素質焼結体などのセラミックスからなってもよい。この場合には、基板４の熱膨張量と、基板４と同じくセラミックスからなる第１セラミック枠体１の熱膨張量との差が小さくなる。その結果、基板４と第１セラミック枠体１との間に生じる熱応力を小さくすることができるため、基板４と第１セラミック枠体１との剥離を防止することができる。
【００３８】
（電子装置の製造方法）
以下、図１に示す電子装置１の製造方法について、図５および図６を参照しながら説明する。なお、図５は、第１グリーンシートおよび第２グリーンシートのそれぞれの形状を示している。図６は、第１グリーンシートと第２グリーンシートとを積層して、グリーンシート積層体を形成した様子を示している。
【００３９】
（１）まず、複数のグリーンシートを形成する。具体的には、例えば、窒化ホウ素、窒化アルミ、窒化ケイ素、炭化ケイ素または酸化ベリリウムなどのセラミック粉末に、有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して混合物を得て、混合物を層状に形成して複数のグリーンシートを作製する。次いで、図５に示したように、上面視において後に形成される第１セラミック枠体５の外形に形成された第１グリーンシート１２と、上面視において後に形成される第２セラミック枠体６の外形に形成された第２グリーンシート１３とを準備する。
【００４０】
（２）タングステンまたはモリブデンなどの高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤または溶剤などを添加混合して金属ペーストを準備する。次いで、図５に示したように、第２グリーンシート１３の配線形成部１４に、金属ペーストを所定のパターンに印刷する。
【００４１】
（３）図６に示したように、第１グリーンシート１２と第２グリーンシート１３とを積層する。このとき、第２グリーンシート１３に形成された後に切欠き部Ｈとなる窪みを除いて、第１グリーンシート１２の外形と第２グリーンシート１３の外形とが一致するように、複数の第１グリーンシート１２と第２グリーンシート１３とを積層して、グリーンシート積層体１５を形成する。
【００４２】
（４）グリーンシート積層体１５を焼成することによって、第１グリーンシート１２と第２グリーンシート１３とを焼結一体化させて、第１グリーンシート１２を第１セラミック枠体５とし、第２グリーンシート１３と第２セラミック枠体６とし、配線形成部１４に所定のパターンに印刷された金属ペーストを信号配線７および第１グランド層１０１とする。
【００４３】
（５）第１セラミック枠体５の下面に基板４を接合する。そして、その基板４の上面に電子部品３を実装した後、電子部品３と信号配線７とをボンディングワイヤを介して接続し、第１セラミック枠体５の上面に蓋体９を接合することによって、電子部品収納用パッケージ２を用いた電子装置１を作製することができる。
【符号の説明】
【００４４】
１      電子装置
２      電子部品収納用パッケージ
３      電子部品
４      基板
５      第１セラミック枠体
６      第２セラミック枠体
６１    第１枠体側部
６２    第２枠体側部
７      信号配線
８      リード端子
９      蓋体
１０１  第１グランド層
１０２  第２グランド層
１０３  第３グランド層
１１    シールリング
１２    第１グリーンシート
１３    第２グリーンシート
１４    配線形成部
１５    グリーンシート積層体
Ｈ      切欠き部
Ｈ１    第１凹部
Ｈ１１  第１対向面
Ｈ１２  第１側面
Ｈ２    第２凹部
Ｈ２１  第２対向面
Ｈ２２  第２側面
Ｈ３    第３凹部
Ｈ３１  第３対向面
Ｈ３２  第３側面
Ｖ      貫通孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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