(57)【要約】      （修正有）【課題】高い精細度を実現し易い新規な情報入出力パネルを提供する。または、高い精細度を実現し易い新規な情報入出力パネルの駆動方法を提供する。【解決手段】近接センサ１０４、近接センサ１０４と電気的に接続される信号線１０２および信号線１０２と電気的に接続される画素１０３を、基板１０１上に有する。当該信号線１０２は、画素に画像信号９１ｖを供給することができるだけでなく、近接センサ１０４に制御信号９２ｃを供給すること、または近接センサ１０４から検知信号９２ｉを供給されることができる。【選択図】図１
2014194758.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
近接センサと、
前記近接センサと電気的に接続される信号線と、
前記信号線と電気的に接続される画素と、
前記近接センサ、前記信号線および前記画素が設けられた絶縁表面を備える基板と、を有し、
前記信号線は画像信号を前記画素に供給することおよび前記近接センサから検知信号を供給されることができる情報入出力パネル。
【請求項２】
近接センサと、
前記近接センサと電気的に接続される信号線と、
前記信号線と電気的に接続される画素と、
前記近接センサ、前記信号線および前記画素が設けられた絶縁表面を備える基板と、を有し、
前記信号線は画像信号を画素に供給することができ、制御信号を前記近接センサに供給することができる情報入出力パネル。
【請求項３】
第１の近接センサおよび第２の近接センサと、
前記第１の近接センサおよび前記第２近接センサと電気的に接続される信号線と、
前記信号線と電気的に接続される画素と、
前記第１の近接センサ、前記第２の近接センサ、前記信号線および前記画素が設けられた絶縁表面を備える基板と、を有し、
前記信号線は画像信号を前記画素に供給すること並びに制御信号を前記第１の近接センサおよび前記第２の近接センサに供給することができる、情報入出力パネル。
【請求項４】
第１の近接センサ乃至第３の近接センサと、
前記第１の近接センサに電気的に接続される第１の信号線と
前記第１の近接センサおよび前記第２の近接センサと電気的に接続される第２の信号線と、
前記第１の近接センサおよび前記第３の近接センサと電気的に接続される第３の信号線と、
前記第１の信号線に電気的に接続される画素、前記第２の信号線に電気的に接続される画素および前記第３の信号線に電気的に接続される画素と、
前記第１の近接センサ乃至前記第３の近接センサ、前記第１の信号線乃至前記第３の信号線および前記画素が設けられた絶縁表面を備える基板と、を有し、
前記第１の信号線は画像信号を画素に供給することおよび前記第１の近接センサから検知信号が供給されることができ、
前記第２の信号線は画像信号を画素に供給すること並びに第１の制御信号を前記第１の近接センサおよび前記第２の近接センサに供給することができ、
前記第３の信号線は画像信号を画素に供給すること並びに第２の制御信号を前記第１の近接センサおよび前記第３の近接センサに供給することができる、情報入出力パネル。
【請求項５】
前記近接センサが、前記画素がマトリクス状に配設される表示部に散在または離散して配設される請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の情報入出力パネル。
【請求項６】
前記近接センサ、前記信号線および前記画素が形成された基板上に、
画像信号若しくは制御信号を選択して前記信号線に供給または前記信号線から供給される検知信号を選択する選択回路と、
前記信号線に電気的に接続される近接センサ駆動回路と、
前記信号線に電気的に接続される画素駆動回路と、を有する請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の情報入出力パネル。
【請求項７】
近接センサ、前記近接センサと電気的に接続される第１の信号線、前記近接センサと電気的に接続される第２の信号線、前記第１の信号線と電気的に接続される第１の画素列、前記第２の信号線と電気的に接続される第２の画素列、共通電位を供給することができる配線、並びに前記近接センサ、前記第１の信号線および前記第２の信号線、前記第１の画素列および前記第２の画素列並びに前記配線が設けられた絶縁表面を有する基板と、を有し、
前記第１の信号線は画像信号を前記第１の画素列に供給することおよび前記近接センサから検知信号を供給されることができ、
前記第２の信号線は画像信号を前記第２の画素列に供給することおよび制御信号を前記近接センサに供給することができ、
前記近接センサが、
ゲートが前記第２の信号線と、第１の電極が共通電位を供給することができる前記配線と、電気的に接続される第１のトランジスタと、
ゲートが前記第１のトランジスタの第２の電極と、第１の電極が共通電位を供給することができる前記配線と、第２の電極が前記第１の信号線と電気的に接続される第２のトランジスタと、
第１の電極が共通電位を供給することができる前記配線と、第２の電極が前記第１のトランジスタの第２の電極と、電気的に接続される光電変換素子と、を有する情報入出力パネル。
【請求項８】
近接センサ、前記近接センサと電気的に接続される第１の信号線、前記近接センサと電気的に接続される第２の信号線、前記近接センサと電気的に接続される第３の信号線、前記第１の信号線と電気的に接続される第１の画素列、前記第２の信号線と電気的に接続される第２の画素列、前記第３の信号線と電気的に接続される第３の画素列、共通電位を供給することができる配線、並びに前記近接センサ、前記第１の信号線乃至前記第３の信号線、前記第１の画素列乃至前記第３の画素列、並びに前記配線が設けられた絶縁表面を有する基板と、を有し、
前記第１の信号線は画像信号を前記第１の画素列に供給することおよび前記近接センサから検知信号を供給されることができ、
前記第２の信号線は画像信号を前記第２の画素列に供給することおよび第１の制御信号を前記近接センサに供給することができ、
前記第３の信号線は画像信号を前記第３の画素列に供給することおよび第２の制御信号を前記近接センサに供給することができ、
前記近接センサが、
ゲートが前記第２の信号線と、第１の電極が共通電位を供給することができる前記配線と、電気的に接続される第１のトランジスタと、
ゲートが前記第１のトランジスタの第２の電極と、第１の電極が共通電位を供給することができる前記配線と、第２の電極が前記第１の信号線と電気的に接続される第２のトランジスタと、
ゲートが第３の信号線と、第１の電極が前記第１のトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第３のトランジスタと、
第１の電極が共通電位を供給することができる前記配線と、第２の電極が前記第３のトランジスタの第２の電極と、電気的に接続される光電変換素子と、を有する情報入出力パネル。
【請求項９】
画像信号を、前記第１乃至第３の信号線に電気的に接続された画素に供給する第１のステップと、
第１の制御信号を前記近接センサに供給する第２のステップと、
第２の制御信号を前記近接センサに供給する第３のステップと、
前記近接センサが供給する検知信号を取得する第４のステップと、を有する、請求項８記載の情報入出力パネルの駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物、方法、または、製造方法に関する。または、本発明は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。特に、本発明は、例えば、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法に関する。特に、本発明は、例えば、情報入出力パネルおよび情報入出力パネルの駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
撮像素子がマトリクス状に複数配置されたＣＭＯＳセンサ型のイメージセンサが知られている。
【０００３】
そして、チャネル形成領域が酸化物半導体で形成されたトランジスタを電荷蓄積制御トランジスタ及びリセットトランジスタに使用する構成と、マトリクス状に配置された全ての撮像素子で信号電荷蓄積部のリセット動作を行った後、全ての撮像素子でフォトダイオードによる電荷の蓄積動作を行い、行毎に画素から信号の読み出し動作を行う駆動方法により、歪みの無い撮像を可能とする発明が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−２１１６９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
携帯型情報端末を手に持って使用する場合、手の動きが制限される。これにより、両手で用いるキーボードやマウス等は、手に支持された携帯型情報端末に情報を入力する手段として適当ではない。動きが制限された指等を用いて、情報を手に支持された携帯型情報端末に効率よく入力できる手段が望まれる。
【０００６】
例えば、タッチパネルは表示部と入力手段が一体に設けられているため、表示部に視覚的に出力された情報を、指等を用いて選択することや、入力された情報を指先に表示することができる。これにより、タッチパネルを備える電子機器は、使用者に極めて直感的な情報の入力と情報の出力を可能にし、その結果、当該電子機器の操作性を高めることができる。
【０００７】
また、携帯型情報端末は使用者の手元で操作されるため、眼から表示部までの距離がコンピュータやテレビジョンなどに比べて近い場合が多い。これにより、使用者に認識されないように精細な画素を備える表示部が望まれる。
【０００８】
これらの要望に答えるには、指等を検知する近接センサ、画素およびこれらに信号を供給することができる配線等を、高い密度で表示部に設ける必要が生じる。
【０００９】
本発明の一態様は、このような技術的背景のもとでなされたものである。したがって、高い精細度を実現し易い新規な情報入出力パネルを提供することを課題の一とする。または、高い精細度を実現し易い新規な情報入出力パネルの駆動方法を提供することを課題の一とする。
【００１０】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様は、近接センサと、近接センサと電気的に接続される信号線と、信号線と電気的に接続される画素と、近接センサ、信号線および画素が設けられた絶縁表面を備える基板と、を有する情報入出力パネルである。そして、信号線は画像信号を画素に供給することおよび近接センサから検知信号を供給されることができる。
【００１２】
また、本発明の一態様は、近接センサと、近接センサと電気的に接続される信号線と、信号線と電気的に接続される画素と、近接センサ、信号線および画素が設けられた絶縁表面を備える基板と、を有する情報入出力パネルである。そして、信号線は画像信号を画素に供給することができ、制御信号を近接センサに供給することができる。
【００１３】
上記本発明の一態様の情報入出力パネルは、一の信号線が、画像信号を画素に伝達するだけでなく、近接センサから検知信号を供給されることができる、または近接センサに制御信号を供給することができるように電気的に接続される。これにより、信号線の数を減らすことができる。その結果、信号線の電気抵抗が一定に保たれて且つ信号線の占有する面積が低減された新規な情報入出力パネルを提供することができる。または、余分な信号線を設ける必要がない。その結果、信号線の占有する面積が一定に保たれて且つ信号線の電気抵抗が低減された新規な情報入出力パネルを提供することができる。
【００１４】
また、本発明の一態様は、第１の近接センサおよび第２の近接センサと、第１の近接センサおよび第２近接センサと電気的に接続される信号線と、信号線と電気的に接続される画素と、第１の近接センサ、第２の近接センサ、信号線および画素が設けられた絶縁表面を備える基板と、を有する情報入出力パネルである。そして、信号線は画像信号を画素に供給すること並びに制御信号を第１の近接センサおよび第２の近接センサに供給することができる。
【００１５】
また、本発明の一態様は、第１の近接センサ乃至第３の近接センサと、第１の近接センサに電気的に接続される第１の信号線と、第１の近接センサおよび第２の近接センサと電気的に接続される第２の信号線と、第１の近接センサおよび第３の近接センサと電気的に接続される第３の信号線と、第１の信号線に電気的に接続される画素、第２の信号線に電気的に接続される画素および第３の信号線に電気的に接続される画素と、第１の近接センサ乃至第３の近接センサ、第１の信号線乃至第３の信号線および画素が設けられた絶縁表面を備える基板と、を有する情報入出力パネルである。そして、第１の信号線は画像信号を画素に供給することおよび第１の近接センサから検知信号が供給されることができ、第２の信号線は画像信号を画素に供給すること並びに第１の制御信号を第１の近接センサおよび第２の近接センサに供給することができ、第３の信号線は画像信号を画素に供給すること並びに第２の制御信号を第１の近接センサおよび第３の近接センサに供給することができる。
【００１６】
上記本発明の一態様の情報入出力パネルは、一の信号線が、画像信号を画素に伝達するだけでなく、近接センサから検知信号を供給されることができるように電気的に接続される。また、複数の近接センサが制御信号を、一の制御信号を供給することができる信号線から供給される。これにより、信号線の数を減らすことができる。その結果、信号線の電気抵抗が一定に保たれて且つ信号線の占有する面積が低減された新規な情報入出力パネルを提供することができる。または、余分な信号線を設ける必要がない。その結果、信号線の占有する面積が一定に保たれて且つ信号線の電気抵抗が低減された新規な情報入出力パネルを提供することができる。
【００１７】
また、本発明の一態様は、近接センサが、画素がマトリクス状に配設される表示部に散在または離散して配設される上記の情報入出力パネルである。
【００１８】
上記本発明の一態様の情報入出力パネルは、近接センサが、マトリクス状に画素が配設された表示部に散在または離散して所定の位置に配設される。また、信号線が、画像信号を画素に伝達するだけでなく、近接センサから検知信号を供給されることができるように電気的に接続される。これにより、情報を表示部に表示できるだけでなく、表示部の座標を特定する信号を入力できる。その結果、表示した情報と関連づけられた情報を入力することができる新規な情報入出力パネルを提供することができる。
【００１９】
また、本発明の一態様は、近接センサ、信号線および画素が形成された基板上に、画像信号若しくは制御信号を選択して信号線に供給または信号線から供給される検知信号を選択する選択回路と、信号線に電気的に接続される近接センサ駆動回路と、信号線に電気的に接続される画素駆動回路と、を有する上記の情報入出力パネルである。
【００２０】
上記本発明の一態様の情報入出力パネルは、近接センサ、画素および画像信号を画素に伝達するだけでなく近接センサから検知信号を供給されることができる信号線を一の基板上に有する。また、近接センサを駆動する近接センサ駆動回路および画素駆動回路を同一の基板上に有する。これにより、画素と同一の工程を用いて近接センサ駆動回路または／および画素駆動回路を形成できる。その結果、作製に係る工程数を削減することができる新規な情報入出力パネルを提供できる。
【００２１】
また、本発明の一態様は、近接センサ、近接センサと電気的に接続される第１の信号線、近接センサと電気的に接続される第２の信号線、第１の信号線と電気的に接続される第１の画素列、第２の信号線と電気的に接続される第２の画素列、共通電位を供給することができる配線、並びに近接センサ、第１の信号線および第２の信号線、第１の画素列および第２の画素列並びに配線が設けられた絶縁表面を有する基板と、を有する情報入出力パネルである。そして、第１の信号線は画像信号を第１の画素列に供給することおよび近接センサから検知信号を供給されることができ、第２の信号線は画像信号を第２の画素列に供給することおよび制御信号（例えばリセット信号）を近接センサに供給することができる。また、近接センサが、ゲートが第２の信号線と、第１の電極が共通電位を供給することができる配線と、電気的に接続される第１のトランジスタと、ゲートが第１のトランジスタの第２の電極と、第１の電極が共通電位を供給することができる配線と、第２の電極が第１の信号線と電気的に接続される第２のトランジスタと、第１の電極が共通電位を供給することができる配線と、第２の電極が第１のトランジスタの第２の電極と、電気的に接続される光電変換素子と、を有する。
【００２２】
また、本発明の一態様は、近接センサ、近接センサと電気的に接続される第１の信号線、近接センサと電気的に接続される第２の信号線、近接センサと電気的に接続される第３の信号線、第１の信号線と電気的に接続される第１の画素列、第２の信号線と電気的に接続される第２の画素列、第３の信号線と電気的に接続される第３の画素列、共通電位を供給することができる配線、並びに近接センサ、第１の信号線乃至第３の信号線、第１の画素列乃至第３の画素列、並びに配線が設けられた絶縁表面を有する基板と、を有する情報入出力パネルである。そして、第１の信号線は画像信号を第１の画素列に供給することおよび近接センサから検知信号を供給されることができ、第２の信号線は画像信号を第２の画素列に供給することおよび第１の制御信号（例えばリセット信号）を近接センサに供給することができ、第３の信号線は画像信号を第３の画素列に供給することおよび第２の制御信号（例えばトリガ信号）を近接センサに供給することができる。また、近接センサが、ゲートが第２の信号線と、第１の電極が共通電位を供給することができる配線と、電気的に接続される第１のトランジスタと、ゲートが第１のトランジスタの第２の電極と、第１の電極が共通電位を供給することができる配線と、第２の電極が第１の信号線と電気的に接続される第２のトランジスタと、ゲートが第３の信号線と、第１の電極が第１のトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第３のトランジスタと、第１の電極が共通電位を供給することができる配線と、第２の電極が第３のトランジスタの第２の電極と、電気的に接続される光電変換素子と、を有する情報入出力パネルである。
【００２３】
上記本発明の一態様の情報入出力パネルは、光電変換素子を用いた近接センサ、画素および信号線を有する。そして、当該信号線は、画素に画像信号を供給することができるだけでなく、近接センサに制御信号を供給し近接センサから検知信号を供給されることができる。これにより、信号線の数を減らすことができる。その結果、信号線の電気抵抗が一定に保たれて且つ信号線の占有する面積が低減された新規な情報入出力パネルを提供することができる。または、余分な信号線を設ける必要がない。その結果、信号線の占有する面積が一定に保たれて且つ信号線の電気抵抗が低減された新規な情報入出力パネルを提供することができる。
【００２４】
また、本発明の一態様は、画像信号を、第１乃至第３の信号線に電気的に接続された画素に供給する第１のステップと、第１の制御信号（例えばリセット信号）を近接センサに供給する第２のステップと、第２の制御信号（例えばトリガ信号）を近接センサに供給する第３のステップと、近接センサが供給する検知信号を取得する第４のステップと、を有する、上記の情報入出力パネルの駆動方法である。
【００２５】
上記本発明の一態様の情報入出力パネルの駆動方法は、１フレームの画像信号を一の信号線から表示部の画素に供給した後に、リセット信号を近接センサに供給し、トリガ信号を近接センサに供給し、近接センサから検知信号を取得する。これにより、情報を表示部に表示できる。また、近接センサから取得した検知信号を用いて、情報を入力できる。その結果、精細度が高い表示と解像度が高い入力を実現し易い新規な情報入出力パネルの駆動方法を提供することができる。
【００２６】
なお、本明細書中において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース電極を、他方がドレイン電極を指す。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の一態様によれば、高い精細度を実現し易い新規な情報入出力パネルを提供できる。または、高い精細度を実現し易い新規な情報入出力パネルの駆動方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】実施の形態に係る情報入出力パネルの構成を説明するブロック図。
【図２】実施の形態に係る情報入出力パネルの構成を説明するブロック図。
【図３】実施の形態に係る情報入出力パネルの構成を説明するブロック図。
【図４】実施の形態に係る情報入出力パネルの構成を説明するブロック図。
【図５】実施の形態に係る情報入出力パネルの構成を説明するブロック図。
【図６】実施の形態に係る情報入出力パネルに適用可能な近接センサの構成を説明するブロック図および回路図。
【図７】実施の形態に係る情報入出力パネルに適用可能な近接センサの構成を説明するブロック図および回路図。
【図８】実施の形態に係る情報入出力パネルに適用可能な選択回路を説明するブロック図および回路図。
【図９】実施の形態に係る情報入出力パネルの動作を説明するタイミングチャート。
【図１０】実施の形態に係る情報入出力パネルに適用可能な近接センサの構成を説明する回路図。
【図１１】実施の形態に係る電子機器を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
上記課題を解決するために、本発明の一態様は、近接センサ、信号線、画素並びにこれらの電気的な接続関係に着目して創作されたものである。そして、本明細書に例示される構成を備える情報入出力パネルに適用可能な半導体装置に想到した。
【００３０】
本発明の一態様の情報入出力パネルは、近接センサ、近接センサと電気的に接続される信号線および信号線と電気的に接続される画素を、基板上に有する。そして、当該信号線は、画素に画像信号を供給することができ、近接センサに制御信号を供給することまたは近接センサから検知信号を供給されることができる。これにより、信号線の数を減らすことができる。その結果、信号線の電気抵抗が一定に保たれて且つ信号線の占有する面積が低減された新規な情報入出力パネルを提供することができる。または、余分な信号線を設ける必要がない。その結果、信号線の占有する面積が一定に保たれて且つ信号線の電気抵抗が低減された新規な情報入出力パネルを提供することができる。
【００３１】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００３２】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報入出力パネルの構成について、図１および図２を参照しながら説明する。
【００３３】
図１（Ａ）は本発明の一態様の情報入出力パネルの上面図である。図１（Ｂ）および図１（Ｃ）は、信号線、画素および近接センサが設けられた表示部の構成を説明するブロック図である。
【００３４】
情報入出力パネル１００は、絶縁表面を有する基板１０１と表示部１０６を備える。また、表示部１０６は、一の信号線に接続された画素を有する画素列１０５を複数備える（図１（Ａ）参照）。なお、複数の画素列１０５から選択された一を画素列１０５（ｘ）または画素列１０５（ｘ＋１）等と表記する。
【００３５】
本発明の一態様の情報入出力パネルは、画素列１０５（ｘ）を有するものである（図１（Ｂ）参照）。画素列１０５（ｘ）は、近接センサ１０４（ｘ）、近接センサ１０４（ｘ）と電気的に接続される信号線１０２（ｘ）および信号線１０２（ｘ）と電気的に接続される画素１０３（ｘ）を備える。
【００３６】
なお、信号線１０２（ｘ）は画像信号９１ｖ（ｘ）を画素１０３（ｘ）に供給することおよび近接センサ１０４（ｘ）から検知信号９２ｉを供給されることができる。
【００３７】
また、本発明の一態様の情報入出力パネルは、画素列１０５（ｘ−１）を有するものである（図１（Ｃ）参照）。画素列１０５（ｘ−１）は、近接センサ１０４（ｘ）、近接センサ１０４（ｘ）と電気的に接続される信号線１０２（ｘ−１）および信号線１０２（ｘ−１）と電気的に接続される画素１０３（ｘ−１）を備える。
【００３８】
なお、信号線１０２（ｘ−１）は画像信号９１ｖ（ｘ−１）を画素１０３（ｘ−１）に供給することができ、制御信号９２ｃを近接センサ１０４（ｘ）に供給することができる。
【００３９】
上記本発明の一態様の情報入出力パネルは、一の信号線が、画像信号を画素に伝達するだけでなく、近接センサから検知信号を供給されることができるように電気的に接続される。これにより、信号線の数を減らすことができる。その結果、信号線の電気抵抗が一定に保たれて且つ信号線の占有する面積が低減された新規な情報入出力パネルを提供することができる。または、余分な信号線を設ける必要がない。その結果、信号線の占有する面積が一定に保たれて且つ信号線の電気抵抗が低減された新規な情報入出力パネルを提供することができる。なお、上記本発明の一態様の情報入出力パネルによってもたらされる効果あるいは解決される課題は、上記以外の場合もある。
【００４０】
また、本発明の一態様の情報入出力パネルは、第１の近接センサ１０４（ｘ）、第２の近接センサ１０４（ｘ−１）、第１の近接センサ１０４（ｘ）および第２の近接センサ１０４（ｘ−１）に電気的に接続される信号線１０２（ｘ−１）、信号線１０２（ｘ−１）に電気的に接続される画素１０３（ｘ−１）を有するものである（図２（Ａ）参照）。
【００４１】
なお、信号線１０２（ｘ−１）は画像信号９１ｖ（ｘ−１）を画素１０３（ｘ−１）に供給すること並びに制御信号９２ｃ（例えばリセット信号）を第１の近接センサ１０４（ｘ）および第２の近接センサ１０４（ｘ−１）に供給することができる。
【００４２】
また、本発明の一態様の情報入出力パネルは、絶縁表面を有する基板上に、第１の近接センサ１０４（ｘ）、第２の近接センサ１０４（ｘ−１）および第３の近接センサ１０４（ｘ＋１）を有する。また、第１の信号線１０２（ｘ）、第２の信号線１０２（ｘ−１）および第３の信号線１０２（ｘ＋１）、を有する（図２（Ｂ）参照）。
【００４３】
第１の信号線１０２（ｘ）は、第１の近接センサ１０４（ｘ）に電気的に接続され、複数の画素と電気的に接続される。また、第１の信号線１０２（ｘ）は画像信号９１ｖ（ｘ）を画素に供給することおよび第１の近接センサ１０４（ｘ）から検知信号９２ｉが供給されることができる。
【００４４】
第２の信号線１０２（ｘ−１）は、第１の近接センサ１０４（ｘ）および第２の近接センサ１０４（ｘ−１）に電気的に接続され、複数の画素と電気的に接続される。第２の信号線１０２（ｘ−１）は画像信号を画素に供給すること並びに第１の制御信号（例えばリセット信号）を第１の近接センサ１０４（ｘ）および第２の近接センサ１０４（ｘ−１）に供給することができる。
【００４５】
第３の信号線１０２（ｘ＋１）は、第１の近接センサ１０４（ｘ）および第３の近接センサ１０４（ｘ＋１）に電気的に接続され、複数の画素と電気的に接続される。第３の信号線１０２（ｘ＋１）は画像信号を画素に供給すること並びに第２の制御信号（例えばトリガ信号）を第１の近接センサ１０４（ｘ）および第３の近接センサ１０４（ｘ＋１）に供給することができる。
【００４６】
上記本発明の一態様の情報入出力パネルは、一の信号線が、画像信号を画素に伝達するだけでなく、近接センサから検知信号を供給されることができるように電気的に接続される。これにより、信号線の数を減らすことができる。その結果、信号線の電気抵抗が一定に保たれて且つ信号線の占有する面積が低減された新規な情報入出力パネルを提供することができる。または、余分な信号線を設ける必要がない。その結果、信号線の占有する面積が一定に保たれて且つ信号線の電気抵抗が低減された新規な情報入出力パネルを提供することができる。なお、上記本発明の一態様の情報入出力パネルによってもたらされる効果あるいは解決される課題は、上記以外の場合もある。
【００４７】
以下に、本発明の一態様の情報入出力パネルを構成する個々の要素について説明する。
【００４８】
《絶縁表面を有する基板》
基板１０１は絶縁表面を有する。基板１０１は、導電性を有する基板または半導体特性を有する基板の表面に絶縁性の膜が積層されたものでもよい。
【００４９】
なお、基板１０１は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性を備え、その厚さおよび大きさは製造装置に適用可能であれば特に限定されない。また、単層構造であっても、２層以上の層が積層された構造であってもよい。
【００５０】
基板１０１に適用可能な材料としては、板状または膜状のガラス、セラミックス、金属、無機材料、若しくは樹脂またはこれらから選ばれた複数の材料の積層体などを適用できる。
【００５１】
《近接センサ》
近接センサ１０４（ｘ）は、指等の近接を検知する機能を有する。近接センサとしては、例えば静電容量型、電磁誘導型若しくは光検知型等を用いることができる。
【００５２】
静電容量型の近接センサは、電界を形成する電極を備え、当該電極の静電容量が、電界が形成された領域に近接する物体により変化する現象を利用する近接センサである。例えば、指先などの近接を検知することができる。
【００５３】
電磁誘導型の近接センサは、磁界を形成する発振回路を備え、当該発振回路の回路定数が、磁界が形成される領域に近接する物体を流れる電流により変化する現象を利用する近接センサである。例えば、金属片やコイルを備えるスタイラスの近接を検知することができる。
【００５４】
光検知型の近接センサは、明るさを検知する光電変換素子を備え、光を検知することができる領域に近接する物体が遮る光、反射する光若しくは発する光の強さを利用するものである。
【００５５】
なお、光検知型の近接センサの具体例を実施の形態４において詳細に説明する。
【００５６】
《信号線》
第１の信号線１０２（ｘ）、第２の信号線１０２（ｘ−１）および第３の信号線１０２（ｘ＋１）等は、導電性を有し、基板１０１の絶縁表面上に形成される。なお、回路を基板１０１の絶縁表面上に形成する場合は、当該回路の配線と信号線を同じ導電膜から形成することができる。
【００５７】
例えば、第１の信号線１０２（ｘ）は、画像信号を画素に供給することおよび第１の近接センサ１０４（ｘ）から検知信号が供給されることができる。
【００５８】
第２の信号線１０２（ｘ−１）は、画像信号を前記画素に供給すること並びに第１の制御信号（例えばリセット信号）を第１の近接センサ１０４（ｘ）および第２の近接センサ１０４（ｘ−１）に供給することができる。
【００５９】
第３の信号線１０２（ｘ＋１）は、画像信号を画素に供給すること並びに第２の制御信号（例えばトリガ信号）を第１の近接センサ１０４（ｘ）および第３の近接センサ１０４（ｘ＋１）に供給することができる。
【００６０】
なお、配線が画素と光検知型の近接センサを接続する構成の具体例を実施の形態４において詳細に説明する。
【００６１】
《画素》
画素１０３（ｘ−１）、画素１０３（ｘ）等は、画像信号を供給され、画像を表示する。画素は表示素子および当該表示素子を駆動する画素回路を有する。
【００６２】
表示素子としては、電気光学素子、発光素子または電子インクなど、さまざまな表示素子を用いることができる。
【００６３】
電気光学素子としては、例えば液晶素子、または微小電気機械システム（ＭＥＭＳ：Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）を用いて制御された光学干渉素子若しくはシャッターを有する表示素子などを適用できる。
【００６４】
発光素子としては、例えばエレクトロルミネッセンス素子またはＬＥＤなどを適用できる。
【００６５】
また、用いる表示素子に好適な回路を選択して画素回路に用いる。
【００６６】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【００６７】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報入出力パネルが備える近接センサの配置について、図３および図４を参照しながら説明する。
【００６８】
本発明の一態様の情報入出力パネルは、絶縁表面にマトリクス状に配置される副画素とその一部を置換して配置される近接センサを有する。
【００６９】
図３（Ａ）は本発明の一態様の情報入出力パネルの構造の上面図であり、図３（Ｂ−１）、図３（Ｂ−２）、および図３（Ｃ）は図３（Ａ）の表示部１０６に配置された近接センサの配置を説明するための模式図である。なお、図が煩雑になるのを避けるため、画素の記載が省かれている。
【００７０】
図４は、本発明の一態様の情報入出力パネルの上面の模式図である。
【００７１】
本実施の形態で例示して説明する情報入出力パネル１００は、近接センサ１０４が、画素がマトリクス状に配設される表示部１０６に、散在または離散して配設される。
【００７２】
近接センサ１０４は信号線と接続されるが、画素に接続する走査線と電気的に接続されない。これにより、近接センサ１０４は走査線の配置に制限されることなく、さまざまに表示部１０６に配置できる。
【００７３】
例えば、近接センサ１０４を、表示部１０６にマトリクス状に均等に配置することができる。具体的には、近接センサ１０４を正方格子の交点に配置してもよく（図３（Ｂ−１）の実線を参照）、近接センサ１０４を斜方格子の交点に配置してもよい（図３（Ｂ−２）の実線を参照）。なお、近接センサ１０４を表示部１０６内におよそ均等に設けると、近接センサ１０４一つあたりの画素の数の表示部１０６内における分布をおよそ均一にできる。これにより、ムラ等の少ない画像を表示できるため好ましい。
【００７４】
また、近接センサ１０４を、表示部１０６に不均等に配置することもできる（図３（Ｃ）参照）。例えば、座標を詳細に入力する必要がある領域には高い密度で近接センサ１０４を配置し、座標をおおまかに入力または入力しない領域には低い密度で近接センサ１０４を配置してもよい。その結果、入出力パネルから情報を取得する際に要する時間を、情報が入力される頻度が低い領域から情報が入力される頻度が高い領域に振り替えることができる。
【００７５】
上記本発明の一態様の情報入出力パネルは、近接センサが、マトリクス状に画素が配設された表示部に散在または離散して所定の位置に配設される。また、信号線が、画像信号を画素に伝達するだけでなく、近接センサから検知信号を供給されることができるように電気的に接続される。これにより、情報を表示部に表示できるだけでなく、近接センサを介して、表示部の座標を特定する信号を入力できる。その結果、表示した情報と関連づけられた情報を入力することができる新規な情報入出力パネルを提供することができる。
【００７６】
《近接センサと副画素の配置例》
一例として、４本の信号線を用いて駆動される近接センサを、表示部に設ける場合について図４を参照しながら説明する。
【００７７】
情報入出力パネル１００Ｂは表示部を備え、当該表示部は、２つの段１０６ａと段１０６ｂを含み、縦１１３６行と横６４０列のマトリクス状の画素を備える。
【００７８】
段１０６ａと段１０６ｂは、それぞれ３６３５２０（＝縦５６８行×横６４０列）個の画素を３２６ｐｐｉの精細度でマトリクス状に備える。
【００７９】
１つの画素は３つの副画素で構成され、１つの副画素が一の走査線と一の信号線が交差する部分に設けられる。また、１つの副画素は、一の走査線および一の信号線から供給される信号により駆動される。これにより、５６８行の走査線と１９２０（＝６４０×３）列の信号線が１つの段に設けられる。
【００８０】
４本の信号線を用いて駆動する近接センサを用いる場合、４８０（＝１９２０÷４）個の近接センサを１段に配設できる。これにより、約７５７（３６３５２０÷４８０）個の画素に１つの割合で、近接センサを設けることができる。例えば、近接センサを、副画素が２７行×２７列のマトリクス状に配設された範囲、言い換えると画素が２７行×９列のマトリクス状に配設された範囲（約０．０８３インチ×０．０２８インチ）に１つ設けることができる。
【００８１】
なお、近接センサが占有する面積は、１画素以下が好ましい。また、表示部の画素の精細度は３００ｐｐｉ以上が好ましく、３２６ｐｐｉ以上がより好ましい。これにより、近接センサに置換された画素を肉眼で識別することが困難になり、表示される画像の品質の低下を抑制できる。
【００８２】
以上の見積もりによれば、情報入出力パネル１００Ｂは、約７５７個の画素毎に１つを置換して配置される近接センサ１０４を有する。画素が画像を表示する光の量は、画素を近接センサに置換することにより減少するが、その値は約０．１３％に過ぎない。なお、表示部が表示する光の数％が、表示部に重ねられた静電容量式のタッチセンサに遮られてしまう構成に比べて、情報入出力パネル１００Ｂは優れているということができる。
【００８３】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【００８４】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報入出力パネルの構成について、図５を参照しながら説明する。
【００８５】
図５（Ａ）は本発明の一態様の情報入出力パネルの構成のブロック図であり、図５（Ｂ）は回路の配置を説明する情報入出力パネルの上面の模式図である。
【００８６】
本実施の形態で例示して説明する情報入出力パネルは、近接センサ１０４（ｘ）、信号線１０２および画素（例えば１０３（ｘ））が形成された基板上に、画像信号若しくは制御信号を選択して信号線１０２に供給または信号線１０２から供給される検知信号を選択する選択回路１０９と、信号線１０２に電気的に接続される近接センサ駆動回路１０８と、信号線１０２に電気的に接続される画素駆動回路１０７ｓと、を有する（図５（Ａ）参照）。
【００８７】
上記本発明の一態様の情報入出力パネルは、近接センサ、画素および画像信号を画素に伝達するだけでなく近接センサから検知信号を供給されることができる信号線を一の基板上に有する。また、近接センサを駆動する近接センサ駆動回路１０８および画素駆動回路１０７ｓを同一の基板上に有する（図５（Ｂ）参照）。これにより、画素と同一の工程を用いて近接センサ駆動回路１０８または／および画素駆動回路１０７ｓを形成できる。その結果、作製に係る工程数を削減することができる新規な情報入出力パネル１００Ｃを提供できる。
【００８８】
なお、走査線駆動回路１０７ｇを基板１０１上に設けてもよい。選択回路１０９、近接センサ駆動回路１０８、画素駆動回路１０７ｓおよび走査線駆動回路１０７ｇは、同一基板上に同一の工程で形成することができる。
【００８９】
以下に、本発明の一態様の情報入出力パネル１００Ｃを構成する個々の要素について説明する。なお、各構成要素は、明確に分離されている必要はなく、この要素と他の要素が一体に設けられていてもよい。
【００９０】
《走査線駆動回路》
走査線駆動回路１０７ｇは、複数の走査線１１２と電気的に接続される。走査線１１２は表示部１０６に延在して設けられ、複数の画素が一の走査線と電気的に接続される。
【００９１】
また、走査線駆動回路１０７ｇは、一の走査線を選択する信号を供給することができる。これにより、当該一の走査線に電気的に接続された画素を選択することができる。
【００９２】
《画素駆動回路》
画素駆動回路１０７ｓは選択回路１０９と電気的に接続される。
【００９３】
また、画素駆動回路１０７ｓは画像信号を供給することができる。なお、画素駆動回路１０７ｓは、画像信号ＶＩＤＥＯを供給される。
【００９４】
なお、走査線駆動回路１０７ｇおよび画素駆動回路１０７ｓは、組み合わせ回路を用いた論理回路（例えばシフトレジスタ等）で構成することができる。
【００９５】
また、走査線駆動回路１０７ｇおよび画素駆動回路１０７ｓは、電源電位および制御信号（スタートパルス、クロック信号等）を供給される。
【００９６】
《近接センサ駆動回路》
近接センサ駆動回路１０８は選択回路１０９と電気的に接続される。
【００９７】
また、近接センサ駆動回路１０８は検知信号を供給され、検知信号ＳＥＮＳを供給することができる。
【００９８】
近接センサ駆動回路１０８は、例えば組み合わせ回路で構成されたパラレルシリアル変換回路を適用できる。
【００９９】
《選択回路》
選択回路１０９は、画素駆動回路１０７ｓ、近接センサ駆動回路１０８並びに複数の信号線１０２と電気的に接続される。
【０１００】
なお、選択回路１０９は画素駆動回路１０７ｓと表示部１０６の間に配置される構成が好ましい。また、選択回路１０９は近接センサ駆動回路１０８と表示部１０６の間に配置される構成が好ましい。選択回路１０９を表示部１０６側に配置することで、配線の交錯を防止し、例えば寄生容量や配線抵抗の増加を防止または抑制できる。
【０１０１】
なお、選択回路１０９を他の回路の内部に組み込むこともできる。
【０１０２】
選択回路１０９は、電源電位ＰＷＲおよび制御信号ＣＴＬ（スタートパルス、クロック信号等）を供給される。
【０１０３】
選択回路１０９は画像信号若しくは制御信号を信号線１０２に、または信号線１０２から検知信号を供給されるか、を選択することができる。
【０１０４】
また、選択回路１０９は２つのモードを備える。
【０１０５】
第１のモードは、供給された画像信号を信号線１０２に供給するモードである。
【０１０６】
なお、一の信号線は複数の画素（画素列ともいう）と電気的に接続される。これにより、画像信号を、走査線駆動回路１０７ｇに選択された走査線に電気的に接続された画素（例えば画素１０３（ｘ））に供給することができる。
【０１０７】
言い換えると、選択回路１０９が第１のモードで動作する期間における情報入出力パネルの動作は、アクティブマトリクス型の表示パネルの動作を含む。
【０１０８】
第２のモードは、一の信号線に制御信号を供給し、他の信号線から検知信号を供給されるモードである。なお、一の信号線と他の信号線は一の近接センサ（例えば近接センサ１０４（ｘ））と電気的に接続される。これにより、近接センサは制御信号を供給され、検知信号を供給することができる。
【０１０９】
また、選択回路１０９の具体的な構成の一例を、実施の形態５において図８を用いて説明する。
【０１１０】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０１１１】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報入出力パネルについて、図６および図７を参照しながら説明する。
【０１１２】
図６（Ａ）は本発明の一態様の情報入出力パネルの上面図である。図６（Ｂ）は、信号線、画素および近接センサが設けられた表示部の構成を説明するブロック図である。図６（Ｃ）は、情報入出力パネルに適用可能な近接センサを説明する回路図である。
【０１１３】
本実施の形態で例示して説明する情報入出力パネル１００Ｄは、絶縁表面を有する基板１０１と、近接センサ１０４（ｘ）、近接センサ１０４（ｘ）と電気的に接続される第１の信号線１０２（ｘ）、近接センサ１０４（ｘ）と電気的に接続される第２の信号線１０２（ｘ−１）、第１の信号線１０２（ｘ）と電気的に接続される第１の画素列１０５（ｘ）、第２の信号線１０２（ｘ−１）と電気的に接続される第２の画素列１０５（ｘ−１）、および共通電位Ｖｃｏｍを供給することができる配線を絶縁表面上に有する（図６（Ａ）および図６（Ｂ）参照）。なお、走査線駆動回路は、複数の走査線１１２と電気的に接続される。走査線１１２は表示部１０６に延在して設けられ、複数の画素が一の走査線と電気的に接続される。
【０１１４】
そして、第１の信号線１０２（ｘ）は画像信号を第１の画素列１０５（ｘ）に供給することおよび近接センサ１０４（ｘ）から検知信号を供給されることができる。
【０１１５】
第２の信号線１０２（ｘ−１）は画像信号９１ｖ（ｘ−１）を第２の画素列１０５（ｘ−１）に供給することおよび制御信号９２ｃ（例えばリセット信号）を近接センサ１０４（ｘ）に供給することができる。
【０１１６】
近接センサ１０４（ｘ）は、ゲートが第２の信号線１０２（ｘ−１）と、第１の電極が共通電位Ｖｃｏｍを供給することができる配線と、電気的に接続される第１のトランジスタ１２１（１）と、ゲートが第１のトランジスタ１２１（１）の第２の電極と、第１の電極が共通電位Ｖｃｏｍを供給することができる配線と、第２の電極が第１の信号線１０２（ｘ）と電気的に接続される第２のトランジスタ１２１（２）と、第１の電極が共通電位Ｖｃｏｍを供給することができる配線と、第２の電極が第１のトランジスタ１２１（１）の第２の電極と、電気的に接続される光電変換素子１２２と、を有する（図６（Ｃ）参照）。
【０１１７】
＜変形例＞
本発明の一態様の情報入出力パネルの変形例について、図７を参照しながら説明する。
【０１１８】
図７（Ａ）は本発明の一態様の情報入出力パネルの上面図である。図７（Ｂ）は、信号線、画素および近接センサが設けられた表示部の構成を説明するブロック図である。図７（Ｃ）は、情報入出力パネルに適用可能な近接センサを説明する回路図である。
【０１１９】
なお、図７に示す情報入出力パネル１００Ｅは、２つの制御信号を供給して駆動する近接センサを用いる点、および信号線の接続が異なる点の他は、図６と同じである。
【０１２０】
本実施の形態で例示する情報入出力パネルは、絶縁表面を有する基板１０１と、近接センサ１０４（ｘ）、近接センサ１０４（ｘ）と電気的に接続される第１の信号線１０２（ｘ）、近接センサ１０４（ｘ）と電気的に接続される第２の信号線１０２（ｘ−１）、近接センサ１０４（ｘ）と電気的に接続される第３の信号線１０２（ｘ＋１）、第１の信号線１０２（ｘ）と電気的に接続される第１の画素列１０５（ｘ）、第２の信号線１０２（ｘ−１）と電気的に接続される第２の画素列１０５（ｘ−１）、第３の信号線１０２（ｘ＋１）と電気的に接続される第３の画素列１０５（ｘ＋１）、および共通電位Ｖｃｏｍを供給することができる配線と、を絶縁表面上に有する。
【０１２１】
そして、第１の信号線１０２（ｘ）は画像信号を第１の画素列１０５（ｘ）に供給することおよび近接センサ１０４（ｘ）から検知信号を供給されることができる。
【０１２２】
第２の信号線１０２（ｘ−１）は画像信号を第２の画素列１０５（ｘ−１）に供給することおよび第１の制御信号（例えばリセット信号）を近接センサ１０４（ｘ）に供給することができる。
【０１２３】
第３の信号線１０２（ｘ＋１）は画像信号を第３の画素列１０５（ｘ＋１）に供給することおよび第２の制御信号（例えばトリガ信号）を近接センサ１０４（ｘ）に供給することができる。
【０１２４】
近接センサ１０４（ｘ）は、ゲートが第２の信号線１０２（ｘ−１）と、第１の電極が共通電位Ｖｃｏｍを供給することができる配線と、電気的に接続される第１のトランジスタ１２１（１）と、ゲートが第１のトランジスタ１２１（１）の第２の電極と、第１の電極が共通電位Ｖｃｏｍを供給することができる配線と、第２の電極が第１の信号線１０２（ｘ）と電気的に接続される第２のトランジスタ１２１（２）と、ゲートが第３の信号線１０２（ｘ＋１）と、第１の電極が第１のトランジスタ１２１（１）の第２の電極と電気的に接続される第３のトランジスタ１２１（３）と、第１の電極が共通電位Ｖｃｏｍを供給することができる配線と、第２の電極が第３のトランジスタ１２１（３）の第２の電極と電気的に接続される光電変換素子１２２と、を有する。
【０１２５】
上記本発明の一態様の情報入出力パネルは、光電変換素子を用いた近接センサと、画素と、信号線を有する。そして、当該信号線は、画素に画像信号を供給することができるだけでなく、近接センサに制御信号を供給し近接センサから検知信号を供給されることができる。これにより、信号線の数を減らすことができる。その結果、信号線の電気抵抗が一定に保たれて且つ信号線の占有する面積が低減された新規な情報入出力パネルを提供することができる。または、余分な信号線を設ける必要がない。その結果、信号線の占有する面積が一定に保たれて且つ信号線の電気抵抗が低減された新規な情報入出力パネルを提供することができる。
【０１２６】
＜変形例＞
本発明の一態様の情報入出力パネルに適用することができる近接センサの変形例について、図１０を参照しながら説明する。図１０は、本発明の一態様の情報入出力パネルに適用可能な近接センサの説明する回路図である。
【０１２７】
４つの信号線を用いて駆動する近接センサを、図１０に示す。具体的には、近接センサ１２０Ａおよび近接センサ１２０Ｂは、第１の信号線ＳＬ１、第２の信号線ＳＬ２、第３の信号線ＳＬ３および第４の信号線ＳＬ４と電気的に接続される。
【０１２８】
第１の信号線ＳＬ１は、近接センサが物体の近接を検知した信号（検知信号ともいう）を供給することができる信号線である。第２の信号線ＳＬ２は、近接センサを初期状態にする信号（リセット信号ともいう）を供給することができる信号線である。第３の信号線ＳＬ３は近接センサが近接する物体を検知する期間を決定する信号（トリガ信号ともいう）を供給する信号線である。
【０１２９】
図１０（Ａ）に例示する近接センサ１２０Ａは、共通電位Ｖｃｏｍを供給することができる第４の信号線ＳＬ４と接続されている。近接センサ１２０Ａは、ゲートが第２の信号線ＳＬ２と、第１の電極が第４の信号線ＳＬ４と、電気的に接続される第１のトランジスタ１２１ａ（１）と、ゲートが第１のトランジスタ１２１ａ（１）の第２の電極と、第１の電極が第４の信号線ＳＬ４と、第２の電極が第１の信号線ＳＬ１と電気的に接続される第２のトランジスタ１２１ａ（２）と、ゲートが第３の信号線ＳＬ３と、第１の電極が第１のトランジスタ１２１ａ（１）の第２の電極と電気的に接続される第３のトランジスタ１２１ａ（３）とを有する。そして、第１の電極が第４の信号線ＳＬ４と、第２の電極が第３のトランジスタ１２１ａ（３）の第２の電極と電気的に接続される光電変換素子１２２ａを有する。
【０１３０】
図１０（Ｂ）に例示する近接センサ１２０Ｂは、高電源電位ＶＤＤを供給することができる第４の信号線ＳＬ４と、共通電位Ｖｃｏｍを供給することができる配線と接続されている。近接センサ１２０Ｂは、ゲートが第２の信号線ＳＬ２と、第１の電極が共通電位Ｖｃｏｍを供給することができる配線と、電気的に接続される第１のトランジスタ１２１ｂ（１）と、ゲートが第１のトランジスタ１２１ｂ（１）の第２の電極と、第１の電極が共通電位を供給することができる配線と、第２の電極が第１の信号線ＳＬ１と電気的に接続される第２のトランジスタ１２１ｂ（２）と、ゲートが第３の信号線ＳＬ３と、第１の電極が第１のトランジスタ１２１ｂ（１）の第２の電極と電気的に接続される第３のトランジスタ１２１ｂ（３）とを有する。そして、第１の電極が第４の信号線ＳＬ４と、第２の電極が第３のトランジスタ１２１ｂ（３）の第２の電極と電気的に接続される光依存性抵抗１２２ｂ（フォトレジスタともいう）を有する。
【０１３１】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０１３２】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報入出力パネルに適用可能な選択回路について、図５および図８を参照しながら説明する。
【０１３３】
図５（Ａ）は本発明の一態様の情報入出力パネルの構成のブロック図であり、図５（Ｂ）は情報入出力パネルが備える回路の配置を説明するための上面の模式図である。
【０１３４】
図８（Ａ）は本発明の一態様の情報入出力パネルに適用可能な選択回路１０９の構成を説明するブロック図である。また、図８（Ｂ）は本発明の一態様の情報入出力パネルに適用可能な近接センサを説明する回路図である。
【０１３５】
なお、図８（Ａ）に示す選択回路１０９は、実施の形態４において図７を用いて説明した情報入出力パネル１００Ｅに適用することができる。
【０１３６】
＜情報入出力パネル＞
本実施の形態では、実施の形態３において説明する情報入出力パネル１００Ｃに適用することができる選択回路１０９を、選択回路の一例として説明する（図５参照）。
【０１３７】
本実施の形態で例示する選択回路１０９を適用できる情報入出力パネル１００Ｃは、絶縁表面を有する基板１０１と、基板１０１上に形成された近接センサ１０４（ｘ）を有する（図５参照）。情報入出力パネル１００Ｃは、近接センサ１０４（ｘ）と電気的に接続される第１の信号線１０２（ｘ）、第２の信号線１０２（ｘ−１）および第３の信号線１０２（ｘ＋１）とを有する（図５および、図８参照）。
【０１３８】
また、情報入出力パネル１００Ｃは、第１の信号線１０２（ｘ）と電気的に接続される第１の画素列１０５（ｘ）、第２の信号線１０２（ｘ−１）と電気的に接続される第２の画素列１０５（ｘ−１）、および第３の信号線１０２（ｘ＋１）と電気的に接続される第３の画素列１０５（ｘ＋１）を有する。
【０１３９】
また、高電源電位ＶＤＤを供給することができる配線８３、高電源電位ＶＤＤより電位が低い低電源電位ＶＳＳを供給することができる配線８４、および共通電位Ｖｃｏｍを供給することができる配線を有する（図８参照）。
【０１４０】
また、選択回路１０９の動作を制御する信号ＣＴＬを供給することができる制御信号線８５ａ、制御信号線８５ｂおよび制御信号線８５ｃを有する。なお、制御信号線８５ａは制御信号ＦＲを供給することができ、制御信号線８５ｂは制御信号ＲＥを供給することができ、制御信号線８５ｃは制御信号ＥＸを供給することができる。
【０１４１】
＜選択回路＞
選択回路１０９は、画素駆動回路１０７ｓ、近接センサ駆動回路１０８並びに複数の信号線１０２と電気的に接続される。
【０１４２】
選択回路１０９は３つの信号線に接続される近接センサ１０４（ｘ）を駆動するための制御信号または電源電位を選択して供給し、近接センサ１０４（ｘ）から検知信号を供給される。
【０１４３】
なお、選択回路１０９の構成を簡潔にかつ明瞭に説明するために、複数の信号線１０２のうち一の近接センサ１０４（ｘ）の駆動に要する３つの信号線と電気的に接続される構成をのみを図８（Ａ）に示し、他の信号線の記載を省略する。また、一の近接センサ１０４（ｘ）のみを図８（Ｂ）に示し、他の近接センサの記載を省略する。
【０１４４】
具体的には、実施の形態４の変形例において図７（Ｃ）を用いて説明するものと同じ構成の近接センサ１０４（ｘ）を、第１の信号線１０２（ｘ）、第２の信号線１０２（ｘ−１）および第３の信号線１０２（ｘ＋１）を用いて駆動する場合について説明する。
【０１４５】
選択回路１０９は複数のスイッチを備える。例示する選択回路１０９は、各信号線に電気的に接続される３つのスイッチを備える。本実施の形態では、トランジスタをスイッチに用いる構成を説明するが、これに限られない。
【０１４６】
選択回路１０９は、いずれも一方の端子が第１の信号線１０２（ｘ）と電気的に接続されるスイッチ５１ａおよびスイッチ５１ｂを有する。また、選択回路１０９は、一方の端子がインバータ回路５５の出力端子に電気的に接続されるスイッチ５１ｃを有する。なお、インバータ回路５５の入力端子は第１の信号線１０２（ｘ）と電気的に接続される。
【０１４７】
また、スイッチ５１ａの他方の端子は画像信号を供給することができる信号線１０７ＳＬ（ｘ）と、スイッチ５１ｂの他方の端子は高電源電位ＶＤＤを供給することができる配線８３と、スイッチ５１ｃの他方の端子は検知信号を供給される配線と、それぞれ電気的に接続される。
【０１４８】
選択回路１０９は、いずれも一方の端子が第２の信号線１０２（ｘ−１）と電気的に接続されるスイッチ５２ａ、スイッチ５２ｂおよびスイッチ５２ｃを有する。なお、スイッチ５２ａの他方の端子は画像信号を供給することができる信号線１０７ＳＬ（ｘ−１）と、スイッチ５２ｂの他方の端子は高電源電位ＶＤＤを供給することができる配線８３と、スイッチ５２ｃの他方の端子は低電源電位ＶＳＳを供給することができる配線８４と、それぞれ電気的に接続される。
【０１４９】
選択回路１０９は、いずれも一方の端子が第３の信号線１０２（ｘ＋１）と電気的に接続されるスイッチ５３ａ、スイッチ５３ｂおよびスイッチ５３ｃを有する。なお、スイッチ５３ａの他方の端子は画像信号を供給することができる信号線１０７ＳＬ（ｘ＋１）と、スイッチ５３ｂの他方の端子は低電源電位ＶＳＳを供給することができる配線８４と、スイッチ５３ｃの他方の端子は高電源電位ＶＤＤを供給することができる配線と、それぞれ電気的に接続される。
【０１５０】
スイッチ５１ａ、スイッチ５２ａおよびスイッチ５３ａは、いずれも制御信号線８５ａから供給される制御信号ＦＲに応じて、開閉動作をする。スイッチ５１ｂ、スイッチ５２ｂおよびスイッチ５３ｂは、いずれも制御信号線８５ｂから供給される制御信号ＲＥに応じて、開閉動作をする。スイッチ５１ｃ、スイッチ５２ｃおよびスイッチ５３ｃは、いずれも制御信号線８５ｃから供給される制御信号ＥＸに応じて、開閉動作をする。
【０１５１】
＜駆動方法＞
本発明の一態様の情報入出力パネルの駆動方法について、図８および図９を参照しながら説明する。
【０１５２】
なお、図８（Ｂ）に示す近接センサ１０４（ｘ）は、図７（Ｃ）を用いて実施の形態４において説明する近接センサ１０４（ｘ）と同じ構成を有するため、その説明を援用する。なお、第１のトランジスタ１２１（１）の第２の電極と、第２のトランジスタ１２１（２）のゲートと、が接続されるノードをノードｍとする。
【０１５３】
《第１のステップ》
第１のステップにおいて、画像信号を、第１の信号線１０２（ｘ）、第２の信号線１０２（ｘ−１）または第３の信号線１０２（ｘ＋１）と電気的に接続された画素に供給する（図８（Ａ）および図９の期間Ｔ１を参照）。なお、この期間をフレーム期間ともいう。
【０１５４】
具体的には、制御信号線８５ａは、スイッチ５１ａ、スイッチ５２ａおよびスイッチ５３ａをいずれもオンの状態にする制御信号ＦＲを供給する。
【０１５５】
なお、制御信号線８５ｂは、スイッチ５１ｂ、スイッチ５２ｂおよびスイッチ５３ｂをいずれもオフの状態にする制御信号ＲＥを供給し、制御信号線８５ｃはスイッチ５１ｃ、スイッチ５２ｃおよびスイッチ５３ｃをいずれもオフの状態にする制御信号ＥＸを供給する。
【０１５６】
《第２のステップ》
第２のステップにおいて、第１の制御信号（リセット信号ともいう）を近接センサ１０４（ｘ）に供給する（図８（Ａ）および図８（Ｂ）ならびに図９の期間Ｔ２を参照）。
【０１５７】
具体的には、制御信号線８５ｂは、スイッチ５１ｂ、スイッチ５２ｂおよびスイッチ５３ｂをいずれもオンの状態にする制御信号ＲＥを供給する。これにより、高電源電位ＶＤＤが第１の信号線１０２（ｘ）および第２の信号線１０２（ｘ−１）に供給され、低電源電位ＶＳＳが第３の信号線１０２（ｘ＋１）に供給される。
【０１５８】
なお、制御信号線８５ａは、スイッチ５１ａ、スイッチ５２ａおよびスイッチ５３ａをいずれもオフの状態にする制御信号ＦＲを供給し、制御信号線８５ｃはスイッチ５１ｃ、スイッチ５２ｃおよびスイッチ５３ｃをいずれもオフの状態にする制御信号ＥＸを供給する。
【０１５９】
その結果、第２の信号線１０２（ｘ−１）は、高電源電位ＶＤＤを第１トランジスタ１２１（１）のゲートに供給し、第１トランジスタ１２１（１）はオン状態となり、ノードｍの電位は共通電位Ｖｃｏｍと一致する。なお、近接センサ１０４（ｘ）は、ノードｍの電位が共通電位Ｖｃｏｍになると初期化される。
【０１６０】
《第３のステップ》
第３のステップにおいて、第２の制御信号（トリガ信号ともいう）を近接センサ１０４（ｘ）に供給する（図８（Ａ）および図８（Ｂ）並びに図９の期間Ｔ３を参照）。
【０１６１】
具体的には、制御信号線８５ｃは、スイッチ５１ｃ、スイッチ５２ｃおよびスイッチ５３ｃをいずれもオンの状態にする制御信号ＥＸを供給する。これにより、第１の信号線１０２（ｘ）は検知信号を近接センサ１０４（ｘ）から供給される。また、第２の信号線１０２（ｘ−１）は低電源電位ＶＳＳを供給される。第３の信号線１０２（ｘ＋１）は高電源電位ＶＤＤを供給される。
【０１６２】
なお、制御信号線８５ａは、スイッチ５１ａ、スイッチ５２ａおよびスイッチ５３ａをいずれもオフの状態にする制御信号ＦＲを供給し、制御信号線８５ｂはスイッチ５１ｂ、スイッチ５２ｂおよびスイッチ５３ｂをいずれもオフの状態にする制御信号ＲＥを供給する。
【０１６３】
その結果、第２の信号線１０２（ｘ−１）は、低電源電位ＶＳＳを第１のトランジスタ１２１（１）のゲートに供給し、第１のトランジスタ１２１（１）はオフ状態となる。また、第３の信号線１０２（ｘ＋１）は、高電源電位ＶＤＤを第３のトランジスタ１２１（３）のゲートに供給し、第３のトランジスタ１２１（３）はオンの状態になる。これにより、ノードｍの電位は共通電位Ｖｃｏｍから光電変換素子１２２の起電力による電圧だけ高い電位になる。
【０１６４】
ノードｍの電位がゲートに、共通電位Ｖｃｏｍが第１の電極にそれぞれ供給され、光電変換素子１２２の起電力による電圧が第２のトランジスタ１２１（２）の第１の電極とゲートの間に印加される。
【０１６５】
光電変換素子１２２の起電力による電圧が第２のトランジスタ１２１（２）の閾値を超える場合において、第２のステップで高電源電位ＶＤＤが与えられた第１の信号線１０２（ｘ）の電位は、共通電位Ｖｃｏｍに向かって低下する。この電位が、近接センサ１０４（ｘ）が供給する検知信号である。
【０１６６】
本発明の一態様の駆動方法によれば、トリガ信号を入出力パネルに設けられている複数の近接センサにおよそ同一の時刻に入力できる。これにより、多数の近接センサを短い時間（例えばブランキング期間）に駆動することができる。言い換えると、当該入出力パネルはグローバルシャッター方式で駆動することができる。
【０１６７】
また、多数の近接センサが設けられた入出力パネルにおいて、グローバルシャッター方式により近接情報を取得した近接センサが供給する検知信号を、逐次取得する場合、最初に信号を取得した近接センサと後に信号を取得する近接センサの間に時間差が生じる。ノードｍの電位がこの時間差に起因して変化すると、正しい信号を取得できないため、ノードｍに第１の電極または第２の電極が接続されるトランジスタはオフリーク電流が小さいトランジスタが好ましい。
【０１６８】
具体的には、酸化物半導体をチャネルが形成される領域に有し、オフリーク電流が極めて小さく抑制されたトランジスタが第１のトランジスタ１２１（１）に好適である。特に、インジウムを含む酸化物半導体を有するトランジスタが好ましい。
【０１６９】
なお、本実施の形態では、近接センサ１０４（ｘ）は、検知信号を第１の信号線１０２（ｘ）を介してインバータ回路５５に供給し、極性が反転された信号を、スイッチ５１ｃを介して近接センサ駆動回路１０８に供給している。
【０１７０】
なお、ノードｍの電位は、光電変換素子１２２の起電力により変化する。
【０１７１】
近接センサ１０４（ｘ）は、近接センサ１０４（ｘ）に入射する光の量の変化を検出することにより、近接センサ１０４（ｘ）に近接する物体を検知する。
【０１７２】
例えば、光の入射を遮るように指等が近接センサに近接している場合、光電変換素子１２２の起電力は小さい。これにより、第２のステップにおいて共通電位Ｖｃｏｍにされたノードｍの電位は光を遮るものが近接していない場合に比べて変化しない。
【０１７３】
また、指等が近接センサに近接せず、光が遮られずに入射する場合、光電変換素子１２２の起電力は大きい。これにより、第２のステップにおいて共通電位Ｖｃｏｍにされたノードｍの電位は光を遮るものが近接している場合に比べて変化する。
【０１７４】
《第４のステップ》
第４のステップにおいて、近接センサ１０４（ｘ）が供給する検知信号を取得する（図８（Ａ）および図８（Ｂ）並びに図９の期間Ｔ４を参照）。
【０１７５】
具体的には、制御信号線８５ａは、スイッチ５１ａ、スイッチ５２ａおよびスイッチ５３ａをいずれもオフの状態にする制御信号ＦＲを供給し、制御信号線８５ｂはスイッチ５１ｂ、スイッチ５２ｂおよびスイッチ５３ｂをいずれもオフの状態にする制御信号ＲＥを供給し、制御信号線８５ｃはスイッチ５１ｃ、スイッチ５２ｃおよびスイッチ５３ｃをいずれもオフの状態にする制御信号ＥＸを供給する。
【０１７６】
本実施の形態では、近接センサ１０４（ｘ）は、検知信号を第３のステップにおいて近接センサ駆動回路１０８に供給している。
【０１７７】
近接センサ駆動回路１０８は、供給された検知信号を第４のステップにおいてシリアル信号に変換して出力してもよい。
【０１７８】
《繰り返しのステップ》
以降のステップは、第１のステップから第４のステップを繰り返す。具体的には、期間Ｔ５において期間Ｔ１と同様に、画像信号を第１の信号線１０２（ｘ）、第２の信号線１０２（ｘ−１）または第３の信号線１０２（ｘ＋１）と電気的に接続された画素に供給する。
【０１７９】
なお、図９の期間Ｔ１と期間Ｔ５は、情報入出力パネルに画像情報を書き込むフレーム期間ということができる。また、期間Ｔ１と期間Ｔ５の間はブランキング期間ということができる。したがって、本発明の一態様は、ブランキング期間にリセット信号、トリガ信号を近接センサに供給し、近接センサから検知信号を取得する、情報入出力パネルの駆動方法ということもできる。
【０１８０】
上記本発明の一態様の情報入出力パネルの駆動方法は、１フレームの画像信号を表示部の画素に供給し、リセット信号を近接センサに供給し、トリガ信号を近接センサに供給し、近接センサから検知信号を取得する。これにより、情報を表示部に表示できる。また、既知の座標に設けられた近接センサから取得した検知信号を用いて、情報を入力できる。その結果、高い精細度を実現し易い新規な情報入出力パネルの駆動方法を提供することができる。
【０１８１】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０１８２】
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について、図１１を用いて説明する。
【０１８３】
本発明の一態様の電子機器は、本発明の一態様の情報入出力パネルを備え、画像情報を表示できる。例えば、放送もしくは配信される映像情報または情報記録媒体に保存された映像情報を表示できる。情報処理装置が処理した情報を表示できる。または、操作パネル等に操作の用に供される画像を表示できる。
【０１８４】
映像情報を表示する電子機器の一例として、テレビジョン装置やデジタルフォトフレームをその一例に挙げることができる。
【０１８５】
情報処理装置の一例として、コンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラまたは携帯情報端末などを挙げることができる。
【０１８６】
操作パネルを備えるその他の電子機器の一例として、携帯電話機、携帯型ゲーム機および大型ゲーム機（パチンコ機など）、音響再生装置などを挙げることができる。
【０１８７】
＜テレビジョン装置＞
テレビジョン装置７１００は、スタンド７１０５が支持する筐体７１０１に組み込まれた表示部７１０３を有する（図１１（Ａ）参照）。
【０１８８】
テレビジョン装置７１００の表示部７１０３に表示する映像、チャンネルまたは音量等を、別体のリモートコントローラ７１１０を用いて操作する。
【０１８９】
当該リモートコントローラ７１１０は情報入出力パネル７１０７および操作キー７１０９等を有する。
【０１９０】
表示部７１０３に表示する映像は、放送または配信される情報を受信するための受信機やモデムから供給される。
【０１９１】
インターネットに接続し、情報を双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）に通信してもよい。
【０１９２】
＜情報処理装置＞
情報処理装置の一例として、コンピュータを図１１（Ｂ）に示す。コンピュータは、本体７２０１、筐体７２０２、情報入出力パネル７２０３、キーボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を備える。
【０１９３】
＜遊技機＞
携帯型遊技機の一例を図１１（Ｃ）に示す。例示する携帯型遊技機は、筐体７３０１と、連結部７３０３により開閉可能に連結されている筐体７３０２の２つの筐体で構成されている。筐体７３０１には情報入出力パネル７３０４が組み込まれ、筐体７３０２には情報入出力パネル７３０５が組み込まれている。
【０１９４】
また、スピーカ部７３０６、記録媒体挿入部７３０７、ＬＥＤランプ７３０８、入力手段（操作キー７３０９、接続端子７３１０、センサ７３１１（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン７３１２）等を備えている。
【０１９５】
記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して情報入出力パネルに表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。
【０１９６】
＜携帯電話＞
携帯電話機の一例を図１１（Ｄ）に示す。携帯電話機７４００は、筐体７４０１に組み込まれた情報入出力パネル７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、スピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。
【０１９７】
情報入出力パネル７４０２は、近接センサを有し、指などで触れるまたは近づけることで、情報を入力することができる。
【０１９８】
また、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けて、携帯電話機７４００の向き（縦か横か）を判断して、情報入出力パネル７４０２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
【０１９９】
情報入出力パネル７４０２は、二次元型のイメージセンサとして機能させることもできる。例えば、情報入出力パネル７４０２に触れた掌の掌紋、指の指紋等、近赤外光を発光するバックライトまたはセンシング用光源を用いて撮像できる掌静脈、指静脈等の画像を用いて、本人認証を行うことができる。
【０２００】
＜携帯情報端末＞
折りたたみ式の携帯情報端末の一例を図１１（Ｅ）に示す。携帯情報端末７４５０は、ヒンジ７４５４で接続された筐体７４５１Ｌと筐体７４５１Ｒを備えている。また、操作ボタン７４５３、左側スピーカ７４５５Ｌおよび右側スピーカ７４５５Ｒの他、携帯情報端末７４５０の側面には図示されていない外部接続ポート７４５６を備える。なお、筐体７４５１Ｌに設けられた情報入出力パネル７４５２Ｌと、筐体７４５１Ｒに設けられた情報入出力パネル７４５２Ｒが互いに対峙するようにヒンジ７４５４を折り畳むと、２つの情報入出力パネルを筐体で保護することができる。
【０２０１】
また、携帯情報端末７４５０に、ジャイロ、加速度センサ、ＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ  Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）受信機、ビデオカメラを搭載することもできる。例えば、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯情報端末７４５０の向き（縦か横か）を判断して、表示する画面の向きを自動的に切り替えるようにすることができる。
【０２０２】
また、携帯情報端末７４５０はネットワークに接続できる。携帯情報端末７４５０はインターネット上の情報を表示できる他、ネットワークに接続された他の電子機器を遠隔から操作する端末として用いることができる。
【０２０３】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【符号の説明】
【０２０４】
ＳＬ１    第１の信号線
ＳＬ２    第２の信号線
ＳＬ３    第３の信号線
ＳＬ４    第４の信号線
５１ａ    スイッチ
５１ｂ    スイッチ
５１ｃ    スイッチ
５２ａ    スイッチ
５２ｂ    スイッチ
５２ｃ    スイッチ
５３ａ    スイッチ
５３ｂ    スイッチ
５３ｃ    スイッチ
５５    インバータ回路
８３    配線
８４    配線
８５ａ    制御信号線
８５ｂ    制御信号線
８５ｃ    制御信号線
９１ｖ    画像信号
９２ｉ    検知信号
９２ｃ    制御信号
１００    情報入出力パネル
１００Ｂ    情報入出力パネル
１００Ｃ    情報入出力パネル
１００Ｄ    情報入出力パネル
１００Ｅ    情報入出力パネル
１０１    基板
１０２    信号線
１０２（ｘ）    第１の信号線
１０２（ｘ−１）    第２の信号線
１０２（ｘ＋１）    第３の信号線
１０３    画素
１０４    近接センサ
１０５    画素列
１０６    表示部
１０６ａ    段
１０６ｂ    段
１０７ｇ    走査線駆動回路
１０７ｓ    画素駆動回路
１０７ＳＬ    信号線
１０８    近接センサ駆動回路
１０９    選択回路
１１２    走査線
１２０Ａ    近接センサ
１２０Ｂ    近接センサ
１２１    トランジスタ
１２１ａ    トランジスタ
１２１ｂ    トランジスタ
１２２    光電変換素子
１２２ａ    光電変換素子
１２２ｂ    光依存性抵抗
７１００    テレビジョン装置
７１０１    筐体
７１０３    表示部
７１０５    スタンド
７１０７    情報入出力パネル
７１０９    操作キー
７１１０    リモートコントローラ
７２０１    本体
７２０２    筐体
７２０３    情報入出力パネル
７２０４    キーボード
７２０５    外部接続ポート
７２０６    ポインティングデバイス
７３０１    筐体
７３０２    筐体
７３０３    連結部
７３０４    情報入出力パネル
７３０５    情報入出力パネル
７３０６    スピーカ部
７３０７    記録媒体挿入部
７３０８    ＬＥＤランプ
７３０９    操作キー
７３１０    接続端子
７３１１    センサ
７３１２    マイクロフォン
７４００    携帯電話機
７４０１    筐体
７４０２    情報入出力パネル
７４０３    操作ボタン
７４０４    外部接続ポート
７４０５    スピーカ
７４０６    マイク
７４５０    携帯情報端末
７４５１Ｌ    筐体
７４５１Ｒ    筐体
７４５２Ｌ    情報入出力パネル
７４５２Ｒ    情報入出力パネル
７４５３    操作ボタン
７４５４    ヒンジ
７４５５Ｌ    左側スピーカ
７４５５Ｒ    右側スピーカ
７４５６    外部接続ポート
【図１】
2014194758.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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