(57)【要約】【課題】層間接続導体と導体パターンとの接続信頼性の向上が図られ、層間接続導体が低抵抗化されると共にその抵抗値の変動が抑制された配線基板を提供する。【解決手段】金属シートが打ち抜かれて形成された金属接続体により各層間接続導体３１，３２が形成されているので、配線基板１０がリフロー等により加熱される際に、従来のように各層間接続導体３１，３２全体が再溶融するおそれがなく、各層間接続導体３１，３２と導体パターン２２ａとの接続信頼性の向上が図られた配線基板１０を提供することができる。また、各層間接続導体３１，３２の抵抗値が従来と比較して小さく、配線基板１０の加熱サイクルにおける各層間接続導体３１，３２の熱膨張が抑制されるので、各層間接続導体３１，３２の抵抗値の変動が抑制されて、各層間接続導体３１，３２が低抵抗化されると共にその抵抗値の変動が抑制された配線基板１０を提供することができる。【選択図】図１
2014146650.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂材料により形成された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層にその一方面から他方面に貫通して透設された貫通穴と、
導電性の金属シートを用いて形成された金属接続体が前記貫通穴に嵌挿されて成る層間接続導体と、
前記第１の絶縁層の一方面に前記層間接続導体の一方面側の端面を被覆して形成された導体パターンを有する第１の配線層とを備え、
前記層間接続導体の一方面側の端面と前記第１の配線層との接続部分に金属間化合物が形成されている
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記金属シートが金属箔の両主面にはんだ層が設けられて成るものであることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記金属箔がＣｕにより形成されていることを特徴とする請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記金属箔がＮｉ、Ｍｎのいずれかを含むＣｕ合金により形成されていることを特徴とする請求項２に記載の配線基板。
【請求項５】
前記層間接続導体の他方面側の端部が、前記第１の絶縁層の他方面から突出していることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の配線基板。
【請求項６】
前記第１の絶縁層の他方面に前記層間接続導体の他方面側の端面を被覆して形成された導体パターンを有する第２の配線層をさらに備えることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の配線基板。
【請求項７】
樹脂材料が前記第１の配線層の一方面側に積層された第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層にその一方面から他方面に貫通して透設された他の貫通穴と、導電性の金属シートを用いて形成された他の金属接続導体が前記他の貫通穴に嵌挿されて成る他の層間接続導体とをさらに備え、
前記第２の絶縁層の前記他の層間接続導体の他方面側の端面と前記第１の配線層とが金属間化合物が形成された状態で接続されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の配線基板。
【請求項８】
両主面にはんだめっきが施された第１の金属箔と、未硬化の熱硬化性の樹脂シートと、第２の金属箔とを用意する用意工程と、
前記第１の金属箔を打ち抜いて金属接続体を形成する打抜工程と、
その一方面から他方面にかけて前記金属接続体を嵌挿するための貫通穴を前記樹脂シートに透設する透設工程と、
前記樹脂シートの一方面に前記第２の金属箔を貼り付ける貼付工程と、
前記貫通穴に前記金属接続体を嵌挿する嵌挿工程と、
前記樹脂シートを加熱硬化させる硬化工程と、
前記金属接続体の一方面側の端面と前記第２の金属箔とを加熱して金属間化合物を形成することにより接続する接続工程と
を備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記硬化工程および接続工程が同時に実行されることを特徴とする請求項８に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記硬化工程および前記接続工程の後に実行され、前記第２の金属箔をエッチング加工して所定形状を有する導体パターンを形成するエッチング工程をさらに備えることを特徴とする請求項８または９に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の金属箔および前記第２の金属箔が同一の金属材料により形成されていることを特徴とする請求項８ないし１０のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の金属箔および前記第２の金属箔がＣｕにより形成されていることを特徴とする請求項８ないし１１のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１３】
前記第１の金属箔および前記第２の金属箔がＮｉ、Ｍｎのいずれかを含むＣｕ合金により形成されていることを特徴とする請求項８ないし１１のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁層に層間接続導体が設けられた配線基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、樹脂絶縁層の両主面に形成された導体パターン（回路パターン）が層間接続導体により接続された配線基板が提供されている。このような配線基板は、例えば、図８（ａ）〜図８（ｇ）に示す従来の配線基板５００の製造方法により製造される。すなわち、図８（ａ）に示すように、まず、例えば樹脂繊維による不織布に熱硬化性のエポキシ樹脂を含浸させて成るプリプレグシート５０１（樹脂絶縁層）が用意される。プリプレグシート５０１の両主面には、ポリエチレンテレフタレートやフッ素樹脂等の樹脂材料により形成された離型フィルム５０２が貼着されている。
【０００３】
次に、両主面に離型フィルム５０２が貼着されたプリプレグシート５０１の所定位置に貫通孔５０３がレーザー加工等により形成され（図８（ｂ））、形成された貫通孔５０で３に導電フィラーを含む導体ペーストが充填されて層間接続導体５０４が形成される（図８（ｃ））。続いて、プリプレグシート５０１の両主面から離型フィルム５０２が剥離され（図８（ｄ））、プリプレグシート５０１の両主面にＣｕ等の金属箔５０５が重ねられる（図８（ｅ））。
【０００４】
次に、加圧されながら加熱されることにより、プリプレグシート５０１が硬化すると共にその厚みが圧縮され、プリプレグシート５０１と金属箔５０５とが接着される。また、プリプレグシート５０１の両主面の金属箔５０５と層間接続導体５０４の両端面とが圧着されて、両金属箔５０５と層間接続導体５０４とが電気的に接続される（図８（ｆ））。そして、両主面の金属箔５０５が所定形状にエッチング加工されることにより導体パターン５０６が形成されて配線基板５００が完成する（図８（ｇ））。
【０００５】
なお、レーザー加工等により形成された貫通孔５０３に、導体ペーストとしてＣｕ−Ｓｎ系合金やＡｇ−Ｓｎ系合金等の導電物質（はんだ）を含むはんだペーストが充填されることにより層間接続導体５０４が形成されてもよい。この場合、加圧されながら加熱されることにより、貫通孔５０３に充填されたはんだペーストが溶融し、プリプレグシート５０１の両主面の金属箔５０５と層間接続導体５０４との間に金属間化合物が形成されるので、両金属箔５０５と層間接続導体５０４とが電気的に接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−６４２６９号公報（段落０００４〜００１３、図４など）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上記した配線基板５００では、貫通孔５０３に導体ペーストが充填されることにより層間接続導体５０４が形成されているため次のような問題が生じるおそれがある。すなわち、導体ペーストには上記した導電フィラーの他、エポキシ樹脂等の非導電物質が補強材として含まれ、導電フィラー間に樹脂等の非導電物質が介在するおそれがあり、その圧縮率（体積）等に応じて層間接続導体５０４の抵抗値が変動する。したがって、配線基板５００が加熱サイクルにおいて加熱される際に、層間接続導体５０４が膨張等してその体積が変動することによりその抵抗値が変動するおそれがある。
【０００８】
また、層間接続導体５０４が、貫通孔５０３にはんだペーストが充填されることにより形成されている場合には、次のような問題が生じるおそれがある。すなわち、両主面に金属箔５０５が重ねられたプリプレグシート５０１を加圧しながら加熱硬化させる際に、はんだペーストが溶融してその体積が膨張することにより層間接続導体５０４と金属箔５０５とが剥離したり、金属箔５０５がプリプレグシート５０１から剥離するおそれがある。また、配線基板５００がリフロー等の加熱サイクルにおいて加熱される際に、層間接続導体５０４が再溶融して体積が膨張することにより、上記した剥離等の不具合が生じるおそれもある。
【０００９】
また、はんだペーストにより層間接続導体５０４が形成された場合に、金属箔５０５との間に形成される金属間化合物層が厚くなるが、はんだが溶融することにより形成される金属間化合物は、一般的に、ＣｕやＡｇ等の金属と比較するとその体積抵抗率が高い。そのため、Ｃｕ−Ｓｎ系やＡｇ−Ｓｎ系の合金を含むはんだペーストは本質的に高抵抗である。したがって、はんだペーストにより層間接続導体５０４が形成された場合に、層間接続導体５０４および導体パターン５０６により形成される回路の損失が大きくなるおそれがある。
【００１０】
この発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、層間接続導体と導体パターンとの接続信頼性の向上が図られ、層間接続導体が低抵抗化されると共にその抵抗値の変動が抑制された配線基板およびこの配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記した目的を達成するために、本発明の多層配線基板は、樹脂材料により形成された第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層にその一方面から他方面に貫通して透設された貫通穴と、導電性の金属シートを用いて形成された金属接続体が前記貫通穴に嵌挿されて成る層間接続導体と、前記第１の絶縁層の一方面に前記層間接続導体の一方面側の端面を被覆して形成された導体パターンを有する第１の配線層とを備え、前記層間接続導体の一方面側の端面と前記第１の配線層との接続部分に金属間化合物が形成されていることを特徴としている。
【００１２】
このように構成された発明では、樹脂材料により形成された第１の絶縁層にその一方面から他方面に貫通して透設された貫通穴に、導電性の金属シートが貫通穴とほぼ同一形状に打ち抜かれて形成された金属接続体が嵌挿されて層間接続導体が形成されている。また、第１の絶縁層の一方面に層間接続導体の一方面側の端面を被覆して形成された導体パターンを有する第１の配線層と、層間接続導体の一方面側の端面との接続部分に金属間化合物が形成されている。
【００１３】
したがって、金属シートが打ち抜かれて形成された金属接続体により層間接続導体が形成されているので、配線基板がリフロー等により加熱される際に、従来のように層間接続導体全体が再溶融するおそれがなく、層間接続導体が熱膨張するのが抑制されて、層間接続導体と第１の配線層の導体パターンとの接続部分に生じる応力を低減することができる。また、層間接続導体の一方面側の端面に金属間化合物が形成された状態で導体パターンと接続されているので、層間接続導体と導体パターンとの接触面積が大きく、接続強度が向上し当該接続部分を確実に接続することができる。したがって、配線基板が加熱される際に、層間接続導体が熱膨張することに起因して層間接続導体と導体パターンとが剥離したり、導体パターンが第１の絶縁層から剥離するのを防止することができ、層間接続導体と導体パターンとの接続信頼性が向上された配線基板を提供することができる。
【００１４】
また、層間接続導体と導体パターンとの接触面積が大きいので、当該接続部分における電気抵抗の増大を抑制することができる。また、金属接続体により層間接続導体が形成されると共に、層間接続導体と導体パターンとの接続部分においてのみ金属間化合物が形成されて当該接続部分が接続されているので、層間接続導体の抵抗値を従来と比較して小さくすることができる。また、配線基板の加熱サイクルにおける層間接続導体の熱膨張が抑制されるので、層間接続導体の抵抗値の変動を抑制することができる。したがって、層間接続導体が低抵抗化されると共にその抵抗値の変動が抑制された配線基板を提供することができる。
【００１５】
また、層間接続導体が金属接続体で形成されており、従来の導体ペーストやはんだペーストと比較してその抵抗値が非常に小さいので、層間接続導体を大型化してもその抵抗値が増大するのを従来と比較して抑制することができる。また、大型の層間接続導体が導体ペーストを利用して形成された場合には、導体ペーストの体積が大きくなるので、導体ペーストが加熱硬化しにくいという問題があるが、金属接続体で形成された層間接続導体ではそのような問題が存在しない。したがって、層間接続導体を径大の円柱状や角柱状、その他の任意の形状に形成することができる。また、層間接続導体をその断面積を大きくして大型化して接地することにより放熱ビアとして利用することもできる。
【００１６】
このとき、前記金属シートが金属箔の両主面にはんだ層が設けられて成るものであるとよい。
【００１７】
このようにすると、金属シートが打ち抜かれて形成された金属接続体の両端面にはんだ層が設けられているので、第１の配線層の導体パターンと層間接続導体とがはんだ層により形成される金属間化合物により確実に接続された配線基板を提供することができる。また、配線基板が加熱サイクルにおいて加熱される際に、層間接続導体を形成する金属箔の部分が溶融するおそれがないので、上記した効果と同様の効果を奏することができる。
【００１８】
また、前記金属箔がＣｕにより形成されているとよい。
【００１９】
このように構成すると、層間接続導体の低抵抗化を確実に図ることができる。
【００２０】
また、前記金属箔がＮｉ、Ｍｎのいずれかを含むＣｕ合金により形成されていてもよい。
【００２１】
このように構成すると、はんだ層のＳｎ成分と、金属箔のＣｕ成分や、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ａｌ成分とが金属間化合物を形成し易いので、第１の絶縁層の導体パターンと層間接続導体とがより確実に接続された配線基板を提供することができる。
【００２２】
また、前記層間接続導体の他方面側の端部が、前記第１の絶縁層の他方面から突出していてもよい。
【００２３】
このように構成すると、第１の絶縁層の他方面から突出した層間接続導体の他方面側の端部を金属バンプとして利用することができる。そのため、層間接続導体の他方面側の端部の第１の絶縁層の他方面からの突出分だけ、第１の絶縁層の他方面との間に所定の間隔を確保した状態で当該金属バンプにＬＧＡ電極やＢＧＡ電極を有するパッケージＩＣや外部電極を有するチップ部品等の電子部品を実装することができる。したがって、配線基板に実装された電子部品と、第１の絶縁層の他方面との間にアンダーフィル樹脂を確実に充填することができる。
【００２４】
また、前記第１の絶縁層の他方面に前記層間接続導体の他方面側の端面を被覆して形成された導体パターンを有する第２の配線層をさらに備えていてもよい。
【００２５】
このように構成すると、第１の絶縁層の一方面に設けられた第１の配線層と、第１の絶縁層の他方面に設けられた第２の配線層とが、層間接続導体により接続された実用的な構成の配線基板を提供することができる。
【００２６】
また、樹脂材料が前記第１の配線層の一方面側に積層された第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層にその一方面から他方面に貫通して透設された他の貫通穴と、導電性の金属シートを用いて形成された他の金属接続導体が前記他の貫通穴に嵌挿されて成る他の層間接続導体とをさらに備え、前記第２の絶縁層の前記他の層間接続導体の他方面側の端面と前記第１の配線層とが金属間化合物が形成された状態で接続されているとよい。
【００２７】
このように構成すると、第１の絶縁層に設けられた層間接続導体と、第２の絶縁層に設けられた他の層間接続導体とが、それぞれ第１の配線層に金属間化合物が形成された状態で確実に接続された実用的な構成の配線基板を提供することができる。
【００２８】
また、本発明の配線基板の製造方法は、両主面にはんだめっきが施された第１の金属箔と、未硬化の熱硬化性の樹脂シートと、第２の金属箔とを用意する用意工程と、前記第１の金属箔を打ち抜いて金属接続体を形成する打抜工程と、その一方面から他方面にかけて前記金属接続体を嵌挿するための貫通穴を前記樹脂シートに透設する透設工程と、前記樹脂シートの一方面に前記第２の金属箔を貼り付ける貼付工程と、前記貫通穴に前記金属接続体を嵌挿する嵌挿工程と、前記樹脂シートを加熱硬化させる硬化工程と、前記金属接続体の一方面側の端面と前記第２の金属箔とを加熱して金属間化合物を形成することにより接続する接続工程とを備えることを特徴としている。
【００２９】
このように構成された発明では、未硬化の樹脂シートの粘着力を利用することにより、貼付工程において、接着剤等を用いずに第２の金属箔を樹脂シートの一方面に貼り付けることができる。また、嵌挿工程において、貫通穴に金属接続体を嵌挿することにより層間接続導体を樹脂シートに簡単に形成することができる。そして、硬化工程において、樹脂シートを加熱硬化させ、接続工程において、金属接続体の一方面側の端面と第２の金属箔とを加熱して金属間化合物を形成することにより接続することで、樹脂絶縁層の一方面に形成された第２の金属箔と、金属接続体の一方面側の端面とが金属間化合物が形成された状態で確実に接続された配線基板を製造することができる。
【００３０】
また、前記硬化工程および接続工程が同時に実行されるようにしてもよい。
【００３１】
このように構成すると、配線基板の製造方法における工程数の削減を図ることができる。
【００３２】
また、前記硬化工程および前記接続工程の後に実行され、前記第２の金属箔をエッチング加工して所定形状を有する導体パターンを形成するエッチング工程をさらに備えるとよい。
【００３３】
このようにすると、エッチング工程において、第２の金属箔がエッチング加工されて所定形状を有する導体パターンを形成することができる。
【００３４】
また、前記第１の金属箔および前記第２の金属箔が同一の金属材料により形成されているよい。
【００３５】
このように構成すると、同一の金属材料が用いられることにより、線膨張係数の違いによる応力が生じるのを抑制することができる。
【００３６】
また、前記第１の金属箔および前記第２の金属箔がＣｕにより形成されているとよい。
【００３７】
このようにすると、Ｃｕを用いることにより、層間接続導体の低抵抗化を低コストで図ることができる。
【００３８】
また、前記第１の金属箔および前記第２の金属箔がＮｉ、Ｍｎのいずれかを含むＣｕ合金により形成されているとよい。
【００３９】
このようにすると、はんだめっきと、第１の金属箔および第２の金属箔との反応速度が加速し金属間化合物が確実に形成されるので、第１の金属箔により形成された金属接続体（層間接続導体）と第２の金属箔とを金属間化合物が形成された状態で確実に接続することができる。
【発明の効果】
【００４０】
本発明によれば、金属シートが打ち抜かれて形成された金属接続体により層間接続導体が形成されているので、配線基板がリフロー等により加熱される際に、従来のように層間接続導体全体が再溶融するおそれがなく、層間接続導体と導体パターンとの接続信頼性が向上された配線基板を提供することができる。また、層間接続導体の抵抗値が従来と比較して小さく、配線基板の加熱サイクルにおける層間接続導体の熱膨張が抑制されるので、層間接続導体の抵抗値の変動が抑制されて、層間接続導体が低抵抗化されると共にその抵抗値の変動が抑制された配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の一実施形態にかかる配線基板を備えるモジュールを示す断面図である。
【図２】図１の要部拡大図である。
【図３】金属シートを示す図であって、（ａ）は側面図、（ｂ）は金属接続体の側面図である。
【図４】図１の配線基板の製造方法の一例を示す図であって、（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ異なる状態を示す。
【図５】図１の配線基板の製造方法の他の例を示す図であって、（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ異なる状態を示す。
【図６】層間接続導体の変形例を示す平面図であって、（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ異なる形状を示す。
【図７】本発明の他の実施形態にかかる配線基板を備えるモジュールを示す断面図である。
【図８】従来の配線基板の製造方法を示す図であって、（ａ）〜（ｇ）はそれぞれ異なる状態を示す。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
＜一実施形態＞
本発明の一実施形態について図１〜図５を参照して説明する。図１は本発明の一実施形態にかかる配線基板を備えるモジュールを示す断面図、図２は図１の点線で囲まれた領域を示す要部拡大図、図３は金属シートを示す図であって、（ａ）は側面図、（ｂ）は金属接続体の側面図である。また、図４は図１の配線基板の製造方法の一例を示す図であって、（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ異なる状態を示す。また、図５は本発明の配線基板の製造方法の他の例を示す図であって、（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ異なる状態を示す。
【００４３】
図１に示モジュール１は、ガラス繊維や無機フィラーを含有するエポキシ樹脂など、樹脂基板を形成するための一般的な熱硬化性の樹脂材料により形成された５層の絶縁層１１〜１５と、各絶縁層１１〜１５の各主面のそれぞれに設けられた導体パターン２１ａ〜２６ａをそれぞれ有する６層の配線層２１〜２６とを備える配線基板１０を備えている。また、配線基板１０の表面には、各種の機能を備えるＩＣや他のモジュール、チップ部品などの電子部品２が実装されている。また、電子部品２の下面と配線基板１０の表面との間の隙間にはエポキシ樹脂等の一般的なアンダーフィル用の樹脂が充填されることにより、アンダーフィル層３が形成されている。
【００４４】
また、配線基板１０の表面には、電子部品２を被覆してエポキシ樹脂等の一般的なモールド用の樹脂が充填されることによりモールド層４が形成されている。また、配線基板１０の裏面には、導体パターン２６ａを有する配線層２６により、他の基板等にモジュール１を実装するための実装用電極が構成されている。また、配線基板１０は、各配線層２１〜２６を互いに接続する層間接続導体３１，３２を備えている。
【００４５】
次に、各配線層２１〜２６および各層間接続導体３１，３２の構成について、絶縁層１１（本発明の「第１の絶縁層」に相当）および絶縁層１２（本発明の「第２の絶縁層」に相当）に形成された各配線層２１〜２３および各層間接続導体３１，３２を例に挙げて、図２および図３を参照して詳細に説明する。
【００４６】
絶縁層１１の各層間接続導体３１，３２は、絶縁層１１にその一方面から他方面に貫通して透設された貫通穴１１ａに、図３（ｂ）に示す金属接続体５０が嵌挿されることにより形成されている。また、絶縁層１１の層間接続導体３２の他方面側の端部は、絶縁層１１の他方面（配線基板１０の表面）から突出している。なお、絶縁層１１の層間接続導体３２の当該突出部分は、電子部品２を配線基板１０に実装するための金属バンプとして構成されている。この実施形態では、図１に示すように、電子部品２の下面に形成されたＬＧＡ電極が当該金属バンプにはんだ接続されることにより、電子部品２が配線基板１０の表面に実装されている。
【００４７】
金属接続体５０は、図３（ａ）に示す導電性の金属シート４０が、例えば同図中の点線の位置で打ち抜かれることにより、貫通穴１１ａとほぼ同一形状に形成されている。金属シート４０は、金属箔４１の両主面にはんだめっきによるはんだ層４２が設けられることにより形成されている。なお、はんだペーストが塗布されることによりはんだ層４２が金属箔４１の両主面に形成されていてもよい。
【００４８】
配線層２１（本発明の「第２の配線層」に相当）は、絶縁層１１の他方面に該絶縁層１１の層間接続導体３１の他方面側の端面を被覆して形成された導体パターン２１ａを有している。また、絶縁層１１の層間接続導体３１の他方面側の端面と配線層２１（導体パターン２１ａ）との接続部分に金属間化合物が形成されている。
【００４９】
なお、金属間化合物は、はんだ層４２のはんだ成分（例えばＳｎ）と、導体パターン２１ａを形成する金属材料や金属箔４１を形成する金属材料とが反応することにより形成される。以下の説明における金属間化合物も同様にして形成されるため、以下ではその説明は省略する。
【００５０】
配線層２２（本発明の「第１の配線層」に相当）は、絶縁層１１の一方面に該絶縁層１１の各層間接続導体３１，３２の一方面側の端面を被覆して形成された導体パターン２２ａを有している。また、絶縁層１１の各層間接続導体３１，３２の一方面側の端面と配線層２２（導体パターン２２ａ）との接続部分との接続部分に金属間化合物が形成されている。
【００５１】
絶縁層１２は、樹脂材料が配線層２２の一方面側に積層されて形成されている。絶縁層１２に設けられた他の層間接続導体３１は、絶縁層１２にその一方面から他方面に貫通して透設された他の貫通穴１２ａに、金属シート４０が他の貫通穴１２ａとほぼ同一形状に打ち抜かれて形成された他の金属接続体５０が嵌挿されることにより形成されている。また、絶縁層１２の他の層間接続導体３１の他方面側の端面と配線層２２（導体パターン２２ａ）とが金属間化合物が形成された状態で接続されている。
【００５２】
配線層２３は、絶縁層１２の一方面に該絶縁層１２の層間接続導体３１の一方面側の端面を被覆して形成された導体パターン２３ａを有している。また、絶縁層１２の層間接続導体３１の一方面側の端面と配線層２３（導体パターン２３ａ）との接続部分に金属間化合物が形成されている。
【００５３】
金属箔４１は、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌなどの配線電極を形成する一般的な金属材料や、Ｎｉ、Ｍｎのいずれかを含むＣｕ合金などにより形成されている。また、図１に示す、各配線層２１〜２６それぞれが有する各導体パターン２１ａ〜２６ａは、図３に示す、金属箔４１と同様に、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌなどの金属材料や、Ｎｉ、Ｍｎのいずれかを含むＣｕ合金などにより形成されている。
【００５４】
なお、例えば、金属箔４１および各導体パターン２１ａ〜２６ａがＣｕにより形成されたＣｕ合金であると、低コストで各層間接続導体３１，３２および各導体パターン２１ａ〜２６ａの低抵抗化を確実に図ることができる。したがって、各層間接続導体３１，３２および各導体パターン２１ａ〜２６ａ（配線層２１〜２６）により配線基板１０に形成される電気回路の低損失化を図ることができる。
【００５５】
また、例えば、金属箔４１および各導体パターン２１ａ〜２６ａがＮｉ、Ｍｎのいずれかを含むＣｕ合金により形成されると、次のような効果を奏することができる。すなわち、はんだ層４２のはんだ成分（例えばＳｎ）と、金属箔４１および各導体パターン２１ａ〜２６ａのＣｕ成分や、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ａｌ成分との反応速度が加速されるので金属間化合物が形成され易い。したがって、各層間接続導体３１，３２の各端面と各導体パターン２１ａ〜２６ａとを、はんだ層４２を介して金属間化合物が形成された状態で確実に接続することができる。
【００５６】
また、金属箔４１および各導体パターン２１ａ〜２６ａはそれぞれ異なる金属材料で形成されてもよいが、同一の金属材料により形成されることにより、次のような効果を奏することができる。すなわち、配線基板１０が加熱される加熱サイクルにおいて、金属箔４１および各導体パターン２１ａ〜２６ａの線膨張係数の違いによる応力が生じるのを抑制することができる。
【００５７】
また、はんだ層４２は、一般的なＳｎ系のはんだにより形成することができるが、Ｎｉ、Ｍｎのいずれかを含むＣｕ合金を含むはんだによりはんだ層４２が形成されてもよい。このようにすると、はんだ（はんだ層４２）が加熱されたときの反応が促進されるので、各層間接続導体３１，３２の各端面と各導体パターン２１ａ〜２６ａとの間に金属間化合物がより効率よく形成される。したがって、各層間接続導体３１，３２の各端面と各導体パターン２１ａ〜２６ａとをより確実に接続することができる。
【００５８】
なお、各絶縁層１３〜１５それぞれに形成された各配線層２４〜２６および各層間接続導体３１，３２も、各絶縁層１１，１２それぞれに形成された各配線層２１〜２３および各層間接続導体３１，３２と同様の構成を有すると共に同様の効果を奏するため、同一符号を付すことにより、その構成および効果の説明は省略する。また、例えば、図１に示すように、各絶縁層１３，１５それぞれに設けられた層間接続導体３２のように、各絶縁層１３，１５それぞれの他方面からの突出部分が、他方面側に積層された各絶縁層１２，１４それぞれに形成された貫通穴に嵌挿されるようにしてもよい。配線基板１０では、各絶縁層１３，１５それぞれの層間接続導体３２の他方面側の端面が、それぞれ、各配線層２２，２４の各導体パターン２２ａ，２４ａと金属間化合物が形成された状態で接続されている。また、層間接続導体３２の絶縁層の他方面からの突出部分が、当該絶縁層の他方面側に積層された他の複数の絶縁層に連通して形成された貫通穴に嵌挿されるように構成されてもよい。
【００５９】
次に、配線基板１０の製造方法について説明する。
【００６０】
（製造方法の一例）
製造方法の一例について図４を参照して説明する。図４に示す製造方法の一例では、絶縁層１１に層間接続導体３１が形成される。
【００６１】
まず、図４（ａ）に示すように、金属箔４１（本発明の「第１の金属箔」に相当）の両主面にはんだめっきが施されることによりはんだ層４２が設けられた金属シート４０と、絶縁層１１を形成する未硬化の熱硬化性の樹脂シート（図４（ｃ）参照）と、導体パターン２１ａ，２２ａを形成するための金属箔２０（図４（ｄ），（ｅ），（ｆ）参照：本発明の「第２の金属箔」に相当）とが用意される（用意工程）。
【００６２】
金属シート４０の金属箔４１は、絶縁層１１の厚みに応じて例えば１０μｍ〜１００μｍ程度の厚みで形成されており、はんだ層４２は、例えば１μｍ〜５０μｍ程度の厚みで形成されている。また、はんだ層４２は、はんだペーストが塗布されることにより形成されてもよい。
【００６３】
また、樹脂シート（絶縁層１１）は、ガラス繊維や無機フィラーを構成材とした未硬化の熱硬化性樹脂により形成されており、例えば１０μｍ〜１００μｍ厚みで形成されている。また、樹脂シートの両主面には、ポリエチレンテレフタレートやフッ素樹脂により形成された離型フィルムＳが貼着されている（図４（ｃ）参照）。
【００６４】
また、金属箔２０は、例えば５μｍ〜４００μｍの厚みで形成されている。
【００６５】
続いて、図４（ｂ）に示すように、金属シート４０が任意の形状に打ち抜かれて金属接続体５０が形成される（打抜工程）。なお、金属接続体５０は、金属シート４０を切り出すことによる製造や削り出しによる製造であっても良い。また、図４（ｃ）に示すように、その一方面から他方面にかけて金属接続体５０とその平面視形状がほぼ同一の貫通穴１１ａが樹脂シート（絶縁層１１）に透設される（透設工程）。なお、貫通穴１１ａは、金型を用いた機械的な打ち抜きやレーザー加工等、どのように形成されてもよい。また、打抜工程および透設工程は、いずれの工程が先に実行されてもよく、それぞれ異なる加工装置において両工程が実行される場合には、両工程が同時に実行されるようにしてもよい。
【００６６】
次に、図４（ｄ）に示すように、樹脂シート（絶縁層１１）の一方面側の離型フィルムＳが剥離されると共に、金属箔２０が当該一方面に貼り付けられる（貼付工程）。このとき、樹脂シートは未硬化であるため、貼付工程において、樹脂シートの粘着力を利用することにより接着剤等を用いずに金属箔２０を樹脂シートの一方面に貼り付けることができる。また、金属箔２０の少なくとも樹脂シートとの接触面の表面粗さＲａが０．２μｍ〜５μｍであるとよい。このようにすると、金属箔２０と樹脂シートとの接触面積が増大するので金属箔２０と樹脂シートとの密着性が向上する。
【００６７】
なお、金属箔２０を酸処理することによりその表面粗さＲａを調整することができる。また、金属箔２０の両主面の表面粗さＲａが調整されていてもよい。また、樹脂シートが例えば５０μｍ以下に薄く形成されている場合には、樹脂シートにしわや破れが生じるおそれがあるため、樹脂シート単体での取り扱いが難しい。しかしながら、樹脂シートの一方面に金属箔２０を貼り付けることにより、樹脂シートをしわや破れがない状態に保持することができる。
【００６８】
そして、金属接続体５０が貫通穴１１ａに嵌挿される（嵌挿工程）。このとき、貫通穴１１ａが金属接続体５０を配置するためのガイドとなるため、位置合わせが不要となる。
【００６９】
続いて、樹脂シート（絶縁層１１）の他方面側の離型フィルムＳが剥離されると共に、金属箔２０が当該他方面に貼り付けられることにより、貫通穴１１ａに金属接続体５０が嵌挿された樹脂シートが両金属箔２０により挟み込まれる（図４（ｅ）参照）。樹脂シートの他方面に貼り付けられる金属箔２０の厚みは、樹脂シートの一方面に貼り付けられる金属箔２０の厚みと同一である必要はなく、任意の厚みの金属箔２０が貼り付けられればよい。また、樹脂シートの一方面に貼り付けられる金属箔２０と同様に、樹脂シートの他方面に貼り付けられる金属箔２０の両主面の表面粗さＲａが調整されていてもよい。
【００７０】
次に、図４（ｅ）に示すように、両主面に金属箔２０が貼り付けられた樹脂シートが加熱プレス装置Ｐにより加熱されながら加圧されることにより、樹脂シート（絶縁層１１）が加熱硬化され（硬化工程）、金属接続体５０の両端面と金属箔２０とが加熱されて金属間化合物が形成されることにより接続されて（接続工程）、層間接続導体３１が形成される。このように、硬化工程および接続工程が同時に実行されることにより、配線基板１０の製造方法における工程数の削減を図ることができる。
【００７１】
また、未硬化状態の樹脂シートと金属箔２０とが熱圧着されることによりアンカー効果を主とする密着性が生じて、絶縁層１１と金属箔２０とが固着される。また、樹脂シートは、熱硬化性樹脂の一般的な硬化温度である１８０℃〜２６０℃程度の温度で３０分〜１２０分程度の時間加熱されることにより硬化する。なお、加熱温度は、金属接続体５０の両端面と金属箔２０との間に金属間化合物が効率よく形成されるように、はんだ層４２を形成するはんだが溶融する温度が好ましい。しかしながら、はんだの溶融温度以下の温度で加熱されても、固相拡散により金属間化合物が金属接続体５０の両端面と金属箔２０との間に形成される。
【００７２】
なお、加熱プレス装置Ｐを用いて、はんだ層４２を形成するはんだの溶融温度以下の温度での硬化工程が実行された後に、図示省略された熱風式オーブン等を用いて、はんだの溶融温度以上の温度で再加熱されることにより接続工程が実行されるようにしてもよい。このようにすると、溶融したはんだが各金属箔２０，４１と反応することによる金属間化合物の生成が促進される。このとき、接続工程において、はんだ層４２を形成するはんだの量に応じて、はんだの溶融温度以上の２２０℃〜２６０℃程度の温度で６０分〜３００分程度の時間加熱されるとよい。
【００７３】
また、溶融はんだが金属箔２０，４１と反応することにより形成される金属間化合物は、融点が高く配線基板１０が加熱されても溶融しない。そこで、金属箔２０，４１を、Ｎｉ、Ｍｎのいずれかを含むＣｕ合金により形成するとよい。このようにすると、はんだ層４２と金属箔２０，４１との接触部分における反応速度が高まり反応が促進されるので、はんだ層４２を形成する全てのはんだ成分が確実に金属間化合物化される。したがって、配線基板１０が加熱サイクルにおいて加熱される際のはんだフラッシュ等を防止することができる。
【００７４】
そして、図４（ｆ）に示すように、金属箔２０がエッチング加工されて所定形状を有する導体パターン２１ａ，２２ａが形成される（エッチング工程）。エッチング工程において、感光性や熱硬化性のエッチングレジストを用いて金属箔２０の不要な部分が一般的なエッチング液によりエッチング除去されることにより、所定形状を有する導体パターン２１ａ，２２ａを形成される。
【００７５】
（製造方法の他の例）
製造方法の他の例について図５を参照して説明する。図５に示す製造方法の他の例では、絶縁層１１に層間接続導体３２が形成される。なお、以下では、図４を参照して説明した製造方法の一例と異なる点を中心に説明を行い、同様の構成についてはその説明を省略する。
【００７６】
まず、図５（ａ）に示すように、金属箔４１の両主面にはんだめっきが施されることによりはんだ層４２が設けられた金属シート４０と、絶縁層１１を形成する未硬化の熱硬化性の樹脂シート（図５（ｃ）参照）と、導体パターン２１ａ，２２ａを形成するための金属箔２０（図５（ｄ），（ｅ），（ｆ）参照）とが用意される（用意工程）。
【００７７】
続いて、図５（ｂ）に示すように、金属シート４０が任意の形状に打ち抜かれて金属接続体５０が形成される（打抜工程）。なお、金属接続体５０は、金属シート４０を切り出すことによる製造や削り出しによる製造であっても良い。また、図５（ｃ）に示すように、その一方面から他方面にかけて金属接続体５０とその平面視形状がほぼ同一の貫通穴１１ａが樹脂シート（絶縁層１１）に透設される（透設工程）。
【００７８】
次に、図５（ｄ）に示すように、樹脂シート（絶縁層１１）の一方面側の離型フィルムＳが剥離されると共に、金属箔２０が当該一方面に貼り付けられる（貼付工程）。そして、金属接続体５０が貫通穴１１ａに嵌挿される（嵌挿工程）。なお、金属箔４１の厚みが樹脂シート（絶縁層１１）の厚みよりも厚く形成されており、貫通穴１１ａに嵌挿された状態の金属接続体５０の他方面側の端部が樹脂シートの他方面から突出している。
【００７９】
続いて、樹脂シート（絶縁層１１）の他方面側の離型フィルムＳが剥離されると共に、金属接続体５０の突出した端部が挿通される貫通孔が形成された金属箔２０が当該他方面に貼り付けられる（図５（ｅ）参照）。なお、絶縁層１１の他方面に配線層２１（導体パターン２１ａ）が形成されない場合には、樹脂シートの他方面側の離型フィルムＳが貼り付けられた状態が維持される。
【００８０】
次に、図５（ｅ）に示すように、両主面に金属箔２０が貼り付けられた樹脂シートが加熱プレス装置Ｐにより加熱されながら加圧されることにより、樹脂シート（絶縁層１１）が加熱硬化され（硬化工程）、金属接続体５０の一方面側の端面と金属箔２０とが加熱されて金属間化合物が形成されることにより接続されて（接続工程）、層間接続導体３２が形成される。
【００８１】
また、図５（ｅ）に示すように、金属接続体５０の樹脂シートの他方面からの突出部分を避けた状態で加圧可能な金型を用いて、樹脂シートが加熱プレス装置Ｐにより加圧される。なお、樹脂シートと、金属接続体５０の当該突出部分の端面とを同時に加圧できるように、当該突出部分が配置される凹部が設けられた金型を用いて、樹脂シートが加熱プレス装置Ｐにより加圧されるようにしてもよい。このようにすると、金属接続体５０の一方面側の端面を金属箔２０に対して押圧することができるので、金属接続体５０および金属箔２０の接続強度の向上を図ることができる。
【００８２】
また、樹脂シート（絶縁層１１）の他方面側に金属箔２０が設けられている場合に、当該金属箔２０と金属接続体５０の金属箔４１との接触を防止するため、貫通孔１１ａの内側面との間に間隙を設けた状態で金属接続体５０が貫通孔１１ａに挿入されるようにしてもよい。
【００８３】
また、層間接続導体３２の樹脂シートの他方面からの突出部分が電子部品２が実装される金属バンプとして利用される場合には、層間接続導体３２の当該突出部分における他方面側の端面のはんだ層４２にはんだ成分（Ｓｎ）が残存するようにするとよい。このようにすると、当該端面に残存したはんだ成分を、電子部品２の電極（ＬＧＡ電極やＢＧＡ電極、チップ部品の外部電極など）との接続に利用することができる。
【００８４】
なお、層間接続導体３２の他方面側のはんだ層４２を形成する全てのはんだ成分が金属間化合物化している場合には、はんだをさらに供給することにより、各種の電子部品２を当該層間接続導体３２により形成される金属バンプに実装することができる。この場合、金属シート４０を構成する金属箔４１の他方面側の端面にはんだ層４２を必ずしも設ける必要はない。
【００８５】
そして、図５（ｆ）に示すように、金属箔２０がエッチング加工されて所定形状を有する導体パターン２１ａ，２２ａが形成される（エッチング工程）。エッチング工程において、感光性や熱硬化性のエッチングレジストを用いて金属箔２０の不要な部分が一般的なエッチング液によりエッチング除去されることにより、所定形状を有する導体パターン２１ａ，２２ａが形成される。
【００８６】
なお、金属接続体５０の樹脂シートの他方面からの突出部分を保護するために、当該突出部分の樹脂シートの他方面からの高さよりもその厚みが厚いフィルムレジストを利用して、エッチング工程が実行されてもよい。また、樹脂シート（絶縁層１１）の他方面に離型フィルムＳが貼り付けられた状態である場合には、エッチング工程の実行前あるは実行後に離型フィルムＳが剥離される。
【００８７】
上記した製造方法の一例および他の例では、嵌挿工程において、貫通穴１１ａに金属接続体５０が嵌挿されることにより、層間接続導体３１，３２を樹脂シート（絶縁層１１）に簡単に形成することができる。そして、硬化工程において、樹脂シートが加熱硬化され、接続工程において、金属接続体５０の一方面側の端面と金属箔２０とが加熱されて金属間化合物が形成されることにより接続されることで、絶縁層１１の一方面に形成された金属箔２０と、金属接続体５０の一方面側の端面とが金属間化合物が形成された状態で確実に接続された絶縁層１１を備える配線基板１０を簡単に製造することができる。
【００８８】
なお、図１に示すように、絶縁層１１が層間接続導体３１，３２の両方を備える場合には、図４および図５を参照して説明した各工程が組み合わされて、各層間接続導体３１，３２が絶縁層１１に同時に形成されるようにすればよい。また、図１に示すように、配線基板１０が、積層された複数の絶縁層１１〜１５を備える場合には、図４（ａ）〜（ｄ）および図５（ａ）〜（ｄ）に示す各工程が繰り返し実行されることにより形成された未硬化状態の複数の樹脂シートが積層された後に、図４（ｅ），（ｆ）および図５（ｅ），（ｆ）に示す硬化工程、接続工程およびエッチング工程が実行されるようにすればよい。
【００８９】
以上のように、この実施形態では、樹脂材料により形成された絶縁層１１にその一方面から他方面に貫通して透設された貫通穴１１ａに、導電性の金属シート４０が貫通穴１１ａとほぼ同一形状に打ち抜かれて形成された金属接続体５０が嵌挿されて各層間接続導体３１，３２が形成されている。また、絶縁層１１の一方面に各層間接続導体３１，３２の一方面側の各端面を被覆して形成された導体パターン２２ａを有する配線層２２と、層間接続導体３１の一方面側の端面との接続部分に金属間化合物が形成されている。
【００９０】
したがって、金属シート４０が打ち抜かれて形成された金属接続体５０により各層間接続導体３１，３２が形成されているので、配線基板１０がリフロー等により加熱される際に、従来のように層間接続導体３１，３２全体が再溶融するおそれがなく、各層間接続導体３１，３２が熱膨張するのが抑制されて、各層間接続導体３１，３２と配線層２２の導体パターン２２ａとの接続部分に生じる応力を低減することができる。
【００９１】
また、各層間接続導体３１，３２の一方面側の端面が金属間化合物が形成された状態で導体パターン２２ａと接続されているので、各層間接続導体３１，３２と導体パターン２２ａとの接触面積が大きく、接続強度が向上し当該接続部分を確実に接続することができる。したがって、配線基板１０が加熱される際に、各層間接続導体３１，３２が熱膨張することに起因して各層間接続導体３１，３２と導体パターン２２ａとが剥離したり、導体パターン２２ａが絶縁層１１から剥離するのを防止することができ、各層間接続導体３１，３２と導体パターン２２ａとの接続信頼性が向上された配線基板１０を提供することができる。
【００９２】
また、各層間接続導体３１，３２と導体パターン２２ａ，２４ａとの接触面積が大きいので、当該接続部分における電気抵抗の増大を抑制することができる。また、金属接続体５０により各層間接続導体３１，３２が形成されると共に、各層間接続導体３１，３２と導体パターン２２ａ,２４ａとの接続部分においてのみ金属間化合物が形成されて当該接続部分が接続されているので、各層間接続導体３１，３２の抵抗値を従来と比較して小さくすることができる。また、配線基板１０が加熱サイクルにおいて加熱される際の各層間接続導体３１，３２の熱膨張が抑制されるので、各層間接続導体３１，３２の抵抗値の変動を抑制することができる。したがって、各層間接続導体３１，３２が低抵抗化されると共にその抵抗値の変動が抑制された配線基板１０を提供することができる。
【００９３】
また、各層間接続導体３１，３２が金属接続体５０で形成されており、従来の導体ペーストやはんだペーストにより形成された層間接続導体と比較してその抵抗値が非常に小さいので、各層間接続導体３１，３２を大型化してもその抵抗値が増大するのを従来と比較して抑制することができる。また、大型の層間接続導体が導体ペーストを利用して形成された場合には、導体ペーストの体積が大きくなるので、導体ペーストが加熱硬化しにくいという問題があるが、金属接続体５０で形成された各層間接続導体３１，３２ではそのような問題が存在しない。したがって、図６（ａ）〜（ｅ）に示すように、各層間接続導体３１，３２を径大の円柱状や角柱状、その他の任意の形状に形成することができる。また、その断面積を大きくして大型化された各層間接続導体３１，３２を接地することにより、各層間接続導体３１，３２を放熱ビアとして利用することもできる。また、各層間接続導体３１，３２をライン状に形成することより低抵抗の配線パターンとして利用することもできる。なお、図６は層間接続導体の変形例を示す平面図であって、（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ異なる形状を示している。
【００９４】
また、金属シート４０が打ち抜かれて形成された金属接続体５０の両端面にはんだ層４２が設けられているので、配線層２２の導体パターン２２ａと各層間接続導体３１，３２とが、はんだ層４２を形成するはんだ成分が反応することにより形成される金属間化合物により確実に接続された配線基板１０を提供することができる。また、配線基板１０が加熱サイクルにおいて加熱される際に、各層間接続導体３１，３２を形成する金属箔４１の部分が溶融するおそれがないので、上記した効果と同様の効果を奏することができる。
【００９５】
また、絶縁層１１の他方面から突出した層間接続導体３２の他方面側の端部が金属バンプとして利用されている。そのため、層間接続導体３２の他方面側の端部の絶縁層１１の他方面からの突出分だけ、絶縁層１１の他方面（配線基板１０の表面）との間に所定の間隔を確保した状態で当該金属バンプにＬＧＡ電極やＢＧＡ電極を有するパッケージＩＣや外部電極を有するチップ部品などの電子部品２を実装することができる。したがって、配線基板１０に実装された電子部品２と、絶縁層１１の他方面との間にアンダーフィル樹脂を確実に充填して、アンダーフィル層３を形成することができる。なお、配線基板１０の表面にアンダーフィル層３が形成された状態で電子部品２が実装されてもよい。
【００９６】
また、絶縁層１１の一方面に設けられた配線層２２と、絶縁層１１の他方面に設けられた配線層２１とが、層間接続導体３１により確実に接続されている。また、絶縁層１１に設けられた層間接続導体３１，３２と、絶縁層１２に設けられた他の層間接続導体３１，３２とが、それぞれ配線層２２に金属間化合物が形成された状態で確実に接続されている。この実施形態では、本発明の第１および第２の絶縁層として絶縁層１１，１２を例に挙げて説明しているが、他の絶縁層１３〜１５についても同様の効果を奏することができる。したがって、各配線層２１〜２６が、それぞれ、各絶縁層１１〜１５それぞれに設けられた各層間接続導体３１，３２により確実に接続された実用的な構成の配線基板１０を提供することができる。
【００９７】
また、各絶縁層１１〜１５それぞれに、金属シート４０が打ち抜かれて成る金属接続体５０により形成された層間接続導体３１が配置されている。したがって、例えば配線基板１０の製造工程において未硬化の樹脂シートが加圧される際に、層間接続導体３１を支持体（スペーサ）として機能させることにより、各絶縁層１１〜１５が積層方向に圧縮されて所望の厚みよりも薄くなるのを抑制することができる。したがって、各絶縁層１１〜１５の厚みを高精度に調整することができる。
【００９８】
＜他の実施形態＞
本発明の他の実施形態について図７を参照して説明する。図７は本発明の他の実施形態にかかる配線基板を備えるモジュール１ａを示す断面図である。
【００９９】
この実施形態が上記した実施形態と異なるのは、絶縁層１４に設けられた層間接続導体３３が、その一方面側の端部が絶縁層１４の一方面から突出するように形成されている点である。また、絶縁層１４の層間接続導体３３の当該突出部分が、配線基板１０の裏面（絶縁層１５の一方面）から突出するように層間接続導体３３が形成されている。そして、絶縁層１４の層間接続導体３３により、モジュール１ａを他の基板等に実装するためのポスト電極が構成されている。その他の構成は上記した実施形態と同様であるため、同一符号を付すことによりその構成の説明は省略する。
【０１００】
この実施形態では上記した実施形態と同様の効果を奏することができると共に、以下のような効果を奏することができる。すなわち、絶縁層１４の層間接続導体３３の一方面側の端部が配線基板１０の裏面から突出することによりポスト電極が形成されている。そのため、モジュール１ａが他の基板等に実装されたときに、層間接続導体３３の一方面側の端部の配線基板１０の裏面からの突出分だけ、他の基板の実装面との間に所定の間隔を確保することができる。したがって、他の基板に実装されたモジュール１ａの裏面と、他の基板の実装面との間にアンダーフィル樹脂を確実に充填することができる。
【０１０１】
なお、層間接続導体３３により金属バンプを構成し、配線基板１０の裏面から突出する層間接続導体３３の一方面側の端部に電子部品２がさらに実装されるようにしてもよい。このようにしても、上記した実施形態と同様の効果を奏することができる。
【０１０２】
なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能であり、上記した構成をどのように組合わせてもよい。例えば、絶縁層および配線層の数は上記した例に限定されるものではなく、単一の絶縁層により配線基板を構成してもよいし、さらに絶縁層を積層することにより配線基板を構成してもよい。また、配線基板１０の使用目的に応じて、上記した層間接続導体３１〜３３を適宜組み合わせて配線基板１０内に任意の電気回路を形成すればよい。
【０１０３】
また、絶縁層を形成する樹脂シートの厚みや、金属接続体および導体パターンを形成する金属箔の厚み、配線基板の製造工程における加熱温度および加熱時間などは上記した例に限定されるものでなく、配線基板の使用目的や、樹脂材料、金属箔を形成する金属材料、はんだの組成などに応じて適宜変更すればよい。
【０１０４】
また、絶縁層を形成する樹脂材料としては上記した例に限定されるものではなく、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、熱硬化性アクリル樹脂、熱硬化性ポリイミド等の熱硬化性樹脂や、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、テフロン（登録商標）、ポリフェニレンスルファイド、液晶ポリマー、熱可塑性アクリル樹脂、熱可塑性ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン等の熱可塑性樹脂など、基板を形成するのに一般的に用いられる樹脂材料から、配線基板の使用目的に応じて、適宜最適なものを選択して絶縁層を形成すればよい。
【０１０５】
そして、絶縁層に層間接続導体が設けられた配線基板およびその製造方法に本発明を広く適用することができる。
【符号の説明】
【０１０６】
１０    配線基板
１１    絶縁層（第１の絶縁層）
１１ａ    貫通穴
１２    絶縁層（第２の絶縁層）
１２ａ    貫通穴
２０    金属箔（第２の金属箔）
２１    配線層（第２の配線層）
２２    配線層（第１の配線層）
２１ａ，２２ａ    導体パターン
３１，３２    層間接続導体
４０    金属シート
４１    金属箔（第１の金属箔）
４２    はんだ層
５０    金属接続体
【図１】
2014146650.tif 000003
【図２】
2014146650.tif 000004
【図３】
2014146650.tif 000005
【図４】
2014146650.tif 000006
【図５】
2014146650.tif 000007
【図６】
2014146650.tif 000008
【図７】
2014146650.tif 000009
【図８】
2014146650.tif 000010