(57)【要約】【課題】  複数の半導体チップを熱硬化性樹脂シートに埋め込んだ後に熱硬化性樹脂シートを熱硬化させた際、反りが発生することを抑制すること。【解決手段】  台座上に接着剤層が設けられた第１の積層体上に複数の半導体チップが配置された半導体チップ付第１積層体を準備する工程Ａと、半導体チップ付き第１積層体の複数の半導体チップが表出している側の面上に熱硬化性樹脂シートを配置して、第２の積層体を得る工程Ｂと、２つの第２の積層体を対向させて圧力を加えることにより、複数の半導体チップを熱硬化性樹脂シートに埋め込み、台座と接着剤層と半導体チップが埋め込まれた熱硬化型樹脂シートとを有する第３の積層体を２つ得る工程Ｃと、工程Ｃの後、２つの第３の積層体の熱硬化型樹脂シート面同士を対向させた状態のまま、熱硬化性樹脂シートを熱硬化させる工程Ｄとを含む半導体装置の製造方法。【選択図】  図１
2014107397.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の製造方法であって、
台座上に接着剤層が設けられた第１の積層体上に複数の半導体チップが配置された半導体チップ付第１積層体を準備する工程Ａと、
前記工程Ａで準備した半導体チップ付き第１積層体の前記複数の半導体チップが表出している側の面上に熱硬化性樹脂シートを配置して、第２の積層体を得る工程Ｂと、
２つの前記第２の積層体の熱硬化型樹脂シート面同士を、中間フィルムを介して対向させて圧力を加えることにより、前記複数の半導体チップを前記熱硬化性樹脂シートに埋め込み、台座と接着剤層と半導体チップが埋め込まれた熱硬化型樹脂シートとを有する第３の積層体を２つ得る工程Ｃと、
前記工程Ｃの後、前記中間フィルムを介して２つの前記第３の積層体の熱硬化型樹脂シート面同士を対向させた状態のまま、前記第３の積層体の前記熱硬化性樹脂シートを熱硬化させる工程Ｄと、
前記工程Ｄの後、前記第３の積層体から前記中間フィルムを剥離する工程Ｅと、
前記工程Ｅの後、前記熱硬化性樹脂シート上に、配線を形成する工程Ｆと
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記工程Ｄの後の前記中間フィルムと前記熱硬化性樹脂シートとの剥離強度が、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍ／分の条件で、１０００ｍＮ／ｃｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記中間フィルムの表面粗さＲａが５０ｎｍ〜１００μｍであることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記中間フィルムは、表面が離型処理されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記中間フィルムは、支持板と前記支持板の両面に設けられた剥離性フィルムとから構成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記熱硬化性樹脂シートは、熱硬化前のガラス転移温度が５０℃以上であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記熱硬化性樹脂シートは、熱硬化後の２５℃における引張貯蔵弾性率が０．１Ｇｐａ〜３０Ｇｐａの範囲内であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記工程Ｃにより得られた前記第３の積層体において、前記熱硬化性樹脂シートに埋め込まれた前記半導体チップの上面から、前記熱硬化型樹脂シートの前記中間フィルム側の面までの距離が２０μｍ〜３００μｍの範囲内であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記工程Ｃにおける加圧時の条件が、温度７０℃〜１３０℃、圧力０．２Ｍｐａ〜５Ｍｐａ、真空度０．１〜２０ｔｏｒｒの範囲内であり、
前記熱硬化型樹脂シートの１００℃における粘度が１０〜５０００Ｐａ・ｓの範囲内であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の小型化や配線の微細化はますます進む傾向にあり、狭い半導体チップ領域（半導体チップを平面視で透視した場合に、半導体チップと重なり合う領域）の中により多くのＩ／Ｏパッドやビアを配さなければならず、同時にピン密度も上昇してきている。さらにＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）パッケージでは、半導体チップ領域内には多数の端子が形成されており、他の要素を形成するための領域が限られていることから、半導体パッケージ基板上で半導体チップ領域の外側まで端子から配線を引き出す方法がとられている。
【０００３】
このような状況下、半導体装置の小型化や配線の微細化に個別に対応していたのでは、製造ラインの増設や製造手順の煩雑化などにより生産効率が低下してしまい、低コスト化要求にも応えることができなくなる。
【０００４】
これに対し、半導体パッケージ作製の低コスト化のために、個片化された複数のチップを支持体上に配置し、一括で樹脂封止してパッケージを形成する方法も提案されている。例えば、特許文献１では、支持体上に形成された感熱性接着剤上に個片化した複数のチップを配列し、チップと感熱性接着剤を覆うようにプラスチック製の共通キャリアを形成したのち、加熱によりチップを埋め込んだ共通キャリアと感熱性接着剤とを剥離する方法がとられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第７，２０２，１０７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１の半導体装置の製造方法では、プラスチック製の共通キャリアを熱硬化させることについて記載されていない。また、仮に熱硬化させているとしても、共通キャリアを熱硬化させると収縮が起こるため、共通キャリアが全体として反るといった問題がある。
【０００７】
従って、本発明の目的は、複数の半導体チップを熱硬化性樹脂シートに埋め込んだ後に当該熱硬化性樹脂シートを熱硬化させた際、反りが発生することを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願発明者等は、下記の構成を採用することにより、前記の課題を解決できることを見出して本発明を完成させるに至った。
【０００９】
すなわち、本発明は、半導体装置の製造方法であって、
半導体装置の製造方法であって、
台座上に接着剤層が設けられた第１の積層体上に複数の半導体チップが配置された半導体チップ付第１積層体を準備する工程Ａと、
前記工程Ａで準備した半導体チップ付き第１積層体の前記複数の半導体チップが表出している側の面上に熱硬化性樹脂シートを配置して、第２の積層体を得る工程Ｂと、
２つの前記第２の積層体の熱硬化型樹脂シート面同士を、中間フィルムを介して対向させて圧力を加えることにより、前記複数の半導体チップを前記熱硬化性樹脂シートに埋め込み、台座と接着剤層と半導体チップが埋め込まれた熱硬化型樹脂シートとを有する第３の積層体を２つ得る工程Ｃと、
前記工程Ｃの後、前記中間フィルムを介して２つの前記第３の積層体の熱硬化型樹脂シート面同士を対向させた状態のまま、前記第３の積層体の前記熱硬化性樹脂シートを熱硬化させる工程Ｄと、
前記工程Ｄの後、前記第３の積層体から前記中間フィルムを剥離する工程Ｅと、
前記工程Ｅの後、前記熱硬化性樹脂シートから前記第１の積層体を剥離する工程Ｆと、
前記工程Ｆの後、前記熱硬化性樹脂シート上に、配線を形成する工程Ｇと
を含むことを特徴とする。
【００１０】
本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、まず、台座上に接着剤層が設けられた第１の積層体上に複数の半導体チップが配置された半導体チップ付第１積層体を準備する（工程Ａ）。次に、前記工程Ａで準備した半導体チップ付き第１積層体の前記複数の半導体チップが表出している側の面上に熱硬化性樹脂シートを配置して、第２の積層体を得る（工程Ｂ）。次に、２つの前記第２の積層体の熱硬化型樹脂シート面同士を、中間フィルムを介して対向させて圧力を加える（プレスする）ことにより、前記複数の半導体チップを前記熱硬化性樹脂シートに埋め込み、台座と接着剤層と半導体チップが埋め込まれた熱硬化型樹脂シートとを有する第３の積層体を２つ得る（工程Ｃ）。前記工程Ｃの後、前記中間フィルムを介して２つの前記第３の積層体の熱硬化型樹脂シート面同士を対向させた状態のまま、前記第３の積層体の前記熱硬化性樹脂シートを熱硬化させる（工程Ｄ）。従って、前記第３の積層体の前記熱硬化性樹脂シートを熱硬化させている間、前記熱硬化性樹脂シートは、２つの台座で挟持された状態で熱硬化されることになる。その結果、熱硬化時の前記熱硬化性樹脂シートの反りを抑制することができる。また、１回のプレス（工程Ｃ）、及び、熱硬化（工程Ｄ）で２つの第３の積層体を得ることができるため、生産性に優れる。
前記工程Ｄの後、前記第３の積層体から前記中間フィルムを剥離する（工程Ｅ）。前記工程Ｅの後、前記熱硬化性樹脂シートから前記第１の積層体を剥離する（工程Ｆ）。前記工程Ｆの後、前記熱硬化性樹脂シート上に、配線を形成する（工程Ｇ）。これにより、チップの外側に配線を引き出した半導体装置を得ることができる。
【００１１】
前記構成において、前記工程Ｄの後の前記中間フィルムと前記熱硬化性樹脂シート（熱硬化後の前記熱硬化性樹脂シート）との剥離強度が、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍ／分の条件で、１０００ｍＮ／ｃｍ以下であることが好ましい。前記剥離強度が、１０００ｍＮ／ｃｍ以下であると、熱硬化性樹脂シートの表面を荒らすことなく、好適に熱硬化性樹脂シートから中間フィルムを剥離することができる。
【００１２】
前記構成において、前記中間フィルムの表面粗さＲａが５０ｎｍ〜１００μｍであることが好ましい。前記中間フィルムの表面粗さＲａが５０ｎｍ〜１００μｍであると、より好適に熱硬化性樹脂シートから中間フィルムを剥離することができる。
【００１３】
前記構成において、前記中間フィルムは、表面が離型処理されていることが好ましい。前記中間フィルムの表面が離型処理されていると、さらに好適に熱硬化性樹脂シートから中間フィルムを剥離することができる。
【００１４】
前記構成において、前記中間フィルムは、支持板と前記支持板の両面に設けられた剥離性フィルムとから構成されていることが好ましい。前記中間フィルムが支持板と前記支持板の両面に設けられた剥離性フィルムとから構成されていると、変形しにくい支持板によって、熱硬化性樹脂シートの表面の平坦性を確保するとともに、剥離性フィルムによって、熱硬化性樹脂シートからの剥離性を確保することができる。
【００１５】
前記構成において、前記熱硬化性樹脂シートは、熱硬化前のガラス転移温度が５０℃以上であることが好ましい。前記熱硬化性樹脂シートの熱硬化前のガラス転移温度が５０℃以上であると、耐熱性の点で優れる。
【００１６】
前記構成において、前記熱硬化性樹脂シートは、熱硬化後の２５℃における引張貯蔵弾性率が０．１Ｇｐａ〜３０Ｇｐａの範囲内であることが好ましい。前記熱硬化性樹脂シートの熱硬化後の２５℃における引張貯蔵弾性率が０．１Ｇｐａ以上であると、ある程度の強度を有し、形状を維持し易いため、ハンドリング性に優れる一方、３０Ｇｐａ以下であると、応力を緩和できる点で優れる。
【００１７】
前記構成においては、前記工程Ｃにより得られた前記第３の積層体において、前記熱硬化性樹脂シートに埋め込まれた前記半導体チップの上面（接着剤層とは反対側の面）から、前記熱硬化型樹脂シートの前記中間フィルム側の面までの距離が２０μｍ〜３００μｍの範囲内であることが好ましい。前記距離が２０μｍ〜３００μｍの範囲内であると、半導体チップの露出を防止でき、且つ、熱硬化性樹脂シートの反りや熱硬化性樹脂シートに係かかる応力を低減できる点で優れる。
【００１８】
前記構成において、前記工程Ｃにおける加圧時の条件が、温度７０℃〜１３０℃、圧力０．２Ｍｐａ〜５Ｍｐａ、真空度０．１〜２０ｔｏｒｒの範囲内であり、前記熱硬化型樹脂シートの１００℃における粘度が１０〜５０００Ｐａ・ｓ（パスカル秒）の範囲内であることが好ましい。前記工程Ｃにおける加圧時の条件が、温度７０℃〜１３０℃、圧力０．２Ｍｐａ〜５Ｍｐａ、真空度０．１〜２０ｔｏｒｒの範囲内であり、前記熱硬化型樹脂シートの１００℃における粘度が１０〜５０００Ｐａ・ｓ範囲内であると、好適に半導体チップを熱硬化性樹脂シートに埋め込むことができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、複数の半導体チップを熱硬化性樹脂シートに埋め込んだ後に当該熱硬化性樹脂シートを熱硬化させた際、反りが発生することを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。
【図８】本発明の他の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。
【図９】他の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態の一例を、図面を参照しつつ説明する。
【００２２】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体装置の製造方法であって、
台座上に接着剤層が設けられた第１の積層体上に複数の半導体チップが配置された半導体チップ付第１積層体を準備する工程Ａ（半導体チップ付第１積層体を準備する工程）と、
前記工程Ａで準備した半導体チップ付き第１積層体の前記複数の半導体チップが表出している側の面上に熱硬化性樹脂シートを配置して、第２の積層体を得る工程Ｂ（第２の積層体を得る工程）と、
２つの前記第２の積層体の熱硬化型樹脂シート面同士を、中間フィルムを介して対向させて圧力を加えることにより、前記複数の半導体チップを前記熱硬化性樹脂シートに埋め込み、台座と接着剤層と半導体チップが埋め込まれた熱硬化型樹脂シートとを有する第３の積層体を２つ得る工程Ｃ（第３の積層体を２つ得る工程）と、
前記工程Ｃの後、前記中間フィルムを介して２つの前記第３の積層体の熱硬化型樹脂シート面同士を対向させた状態のまま、前記第３の積層体の前記熱硬化性樹脂シートを熱硬化させる工程Ｄ（熱硬化性樹脂シートを熱硬化させる工程）と、
前記工程Ｄの後、前記第３の積層体から前記中間フィルムを剥離する工程Ｅ（中間フィルムを剥離する工程）と、
前記工程Ｅの後、前記熱硬化性樹脂シートから前記第１の積層体を剥離する工程Ｆ（第１の積層体を剥離する工程）と、
前記工程Ｆの後、前記熱硬化性樹脂シート上に、配線を形成する工程Ｇ（配線を形成する工程）とを少なくとも具備する。
【００２３】
［半導体チップ付第１積層体を準備する工程］
図１〜図７は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。まず、半導体チップ付第１積層体を準備する工程（工程Ａ）では、図１に示すように、台座２２上に接着剤層２４が設けられた第１の積層体２０上に複数の半導体チップ２６が配置された半導体チップ付第１積層体２８を準備する。
【００２４】
（台座）
台座２２は、一定以上の強度を有することが好ましい。台座２２としては、特に限定されないが、シリコンウェハ、ＳｉＣウェハ、ＧａＡｓウェハ等の化合物ウェハ、ガラスウェハ、ＳＵＳ、６−４Ａｌｌｏｙ，Ｎｉ箔、Ａｌ箔等の金属箔等が挙げられる。平面視で、丸い形状を採用する場合は、シリコンウェハ又はガラスウェハが好ましい。また、平面視で矩形の場合は、ＳＵＳ板、又は、ガラス板が好ましい。
【００２５】
また、台座２２として、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、紙等を用いることもできる。
【００２６】
台座２２は、単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用しても良い。台座の厚みは、特に限定されないが、例えば、通常１０μｍ〜２０ｍｍ程度である。
【００２７】
（接着剤層）
接着剤層２４を構成する接着剤組成物としては、特に限定されないが、熱硬化性樹脂シートを熱硬化させる工程（工程Ｄ）の後は、熱硬化性樹脂シート４０から第１の積層体２０を剥離する。そのため、接着剤層２４は、熱硬化性樹脂シートを熱硬化させる工程（工程Ｄ）の後には、軽剥離性を発現させることが可能な材料で形成されていることが好ましい。このような接着剤層２４を構成する接着剤組成物としては、イミド基を有し、且つ、少なくとも一部にエーテル構造を有するジアミンに由来する構成単位を有するポリイミド樹脂、前記ポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミド酸、シリコーン樹脂、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を併用したもの等を挙げることができる。
【００２８】
前記ポリイミド樹脂は、一般的に、その前駆体であるポリアミド酸をイミド化（脱水縮合）することにより得ることができる。ポリアミド酸をイミド化する方法としては、例えば、従来公知の加熱イミド化法、共沸脱水法、化学的イミド化法等を採用することができる。なかでも、加熱イミド化法が好ましい。加熱イミド化法を採用する場合、ポリイミド樹脂の酸化による劣化を防止するため、窒素雰囲気下や、真空中等の不活性雰囲気下にて加熱処理を行なうことが好ましい。
【００２９】
前記ポリアミド酸は、適宜選択した溶媒中で、酸無水物とジアミン（エーテル構造を有するジアミンと、エーテル構造を有さないジアミンの両方を含む）とを実質的に等モル比となるように仕込み、反応させて得ることができる。
【００３０】
前記ポリイミド樹脂は、エーテル構造を有するジアミンに由来する構成単位を有することが好ましい。前記エーテル構造を有するジアミンは、エーテル構造を有し、且つ、アミン構造を有する端末を少なくとも２つ有する化合物である限り、特に限定されない。前記エーテル構造を有するジアミンのなかでも、グリコール骨格を有するジアミンであることが好ましい。前記ポリイミド樹脂が、エーテル構造を有するジアミンに由来する構成単位、特に、グリコール骨格を有するジアミンに由来する構成単位を有している場合、接着剤層２４を加熱すると、接着力を低下させることができる。この現象について、本発明者らは、加熱されることにより、前記エーテル構造が接着剤層２４を構成する樹脂から脱離し、この脱離により接着力が低下している推察している。
なお、前記エーテル構造、又は、前記グリコール骨格が接着剤層２４を構成する樹脂から脱離していることは、例えば、３００℃での加熱を３０分する前後におけるＦＴ−ＩＲ（ｆｏｕｒｉｅｒ  ｔｒａｎｓｆｏｒｍ  ｉｎｆｒａｒｅｄ  ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）スペクトルを比較し、２８００〜３０００ｃｍ−１のスペクトルが加熱前後で減少していることにより確認できる。
【００３１】
前記グリコール骨格を有するジアミンとしては、例えば、ポリプロピレングリコール構造を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミン、ポリエチレングリコール構造を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミン、ポリテトラメチレングリコール構造を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミン等のアルキレングリコールを有するジアミンを挙げることができる。また、これらのグリコール構造の複数を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミンを挙げることができる。
【００３２】
前記エーテル構造を有するジアミンの分子量は、１００〜５０００の範囲内であることが好ましく、１５０〜４８００であることがより好ましい。前記エーテル構造を有するジアミンの分子量が１００〜５０００の範囲内であると、低温での接着力が高く、且つ、高温において剥離性を奏する接着剤層２４をえやすい。
【００３３】
前記ポリイミド樹脂の形成には、エーテル構造を有するジアミン以外に、エーテル構造を有さないジアミンを併用することもできる。エーテル構造を有さないジアミンとしては、脂肪族ジアミンや芳香族ジアミンを挙げることができる。エーテル構造を有さないジアミンを併用することにより、被着体との密着力をコントロールすることができる。エーテル構造を有するジアミンと、エーテル構造を有さないジアミンとの配合割合は、モル比で、１００：０〜１０：９０の範囲内にあることが好ましく、より好ましくは、１００：０〜２０：８０であり、さらに好ましくは、９９：１〜３０：７０である。前記エーテル構造を有するジアミンと前記エーテル構造を有さないジアミンとの配合割合が、モル比で、１００：０〜１０：９０の範囲内にあると、高温での熱剥離性により優れる。
【００３４】
前記脂肪族ジアミンとしては、例えば、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、１，８−ジアミノオクタン、１，１０−ジアミノデカン、１，１２−ジアミノドデカン、４，９−ジオキサ−１，１２−ジアミノドデカン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン（α、ω−ビスアミノプロピルテトラメチルジシロキサン）などが挙げられる。前記脂肪族ジアミンの分子量は、通常、５０〜１，０００，０００であり、好ましくは１００〜３０，０００である。
【００３５】
芳香族ジアミンとしては、例えば、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルプロパン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）−２，２−ジメチルプロパン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン等が挙げられる。前記芳香族ジアミンの分子量は、通常、５０〜１０００であり、好ましくは１００〜５００である。前記脂肪族ジアミンの分子量、及び、前記芳香族ジアミンの分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により測定し、ポリスチレン換算により算出された値（重量平均分子量）をいう。
【００３６】
前記酸無水物としては、例えば、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ピロメリット酸二無水物、エチレングリコールビストリメリット酸二無水物等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００３７】
前記酸無水物と前記ジアミンを反応させる際の溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、シクロペンタノン等を挙げることができる。これらは、単独で使用してもよく、複数を混合して用いてもよい。また、原材料や樹脂の溶解性を調整するために、トルエンや、キシレン等の非極性の溶媒を適宜、混合して用いてもよい。
【００３８】
前記シリコーン樹脂としては、例えば、過酸化物架橋型シリコーン系粘着剤、付加反応型シリコーン系粘着剤、脱水素反応型シリコーン系粘着剤、湿気硬化型シリコーン系粘着剤等が挙げられる。前記シリコーン樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。前記シリコーン樹脂を用いると、耐熱性が高くなり、高温下における貯蔵弾性率や粘着力が適切な値となり得る。前記シリコーン樹脂の中でも、不純物が少ない点で、付加反応型シリコーン系粘着剤が好ましい。
【００３９】
接着剤層２４に前記シリコーン樹脂を用いる場合、接着剤層２４には、必要に応じて、他の添加剤を含有し得る。このような他の添加剤としては、例えば、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤などが挙げられる。難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂などが挙げられる。シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシランなどが挙げられる。イオントラップ剤としては、例えば、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマスなどが挙げられる。このような他の添加剤は、１種のみであっても良いし、２種以上であっても良い。
【００４０】
（第１の積層体の形成方法）
第１の積層体２０は、台座２２上に接着剤層２４を形成することにより得られる。接着剤層２４は、接着剤層２４を形成するための組成物を含む溶液を台座２２に塗布する方法、適当なセパレータ（剥離紙など）上に前記溶液を塗布して接着剤層２４を形成し、これを台座２２上に転写（移着）する方法などにより、第１の積層体２０を得ることができる。
【００４１】
（半導体チップ付き第１積層体の形成方法）
半導体チップ付き第１積層体２８は、接着剤層２４と半導体チップ２６の回路形成面２６ａとが対向するように、接着剤層２４上に複数の半導体チップ２６を配置する（図１参照）。半導体チップ２６の配置には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。
【００４２】
以上により、半導体チップ付き第１積層体２８を準備することができる。
【００４３】
［第２の積層体を得る工程］
次に、図２に示すように、半導体チップ付き第１積層体２８の複数の半導体チップ２６が表出している側の面上に熱硬化性樹脂シート４０を配置して、第２の積層体３０を得る（工程Ｂ）。
【００４４】
（熱硬化性樹脂シート）
熱硬化性樹脂シート４０は、半導体チップ２６を封止する機能を有する。熱硬化性樹脂シート４０の構成材料としては、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを併用したものが挙げられる。また、熱硬化性樹脂単独でも使用可能である。
【００４５】
前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体チップの信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。
【００４６】
前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、へキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。
【００４７】
また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。
【００４８】
前記熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。特に、半導体チップを腐食させるイオン性不純物等の含有が少ないエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。
【００４９】
前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。
【００５０】
さらに、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。
【００５１】
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８〜１．２当量である。すなわち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。
【００５２】
エポキシ樹脂とフェノール樹脂の熱硬化促進触媒としては、特に制限されず、公知の熱硬化促進触媒の中から適宜選択して用いることができる。熱硬化促進触媒は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。熱硬化促進触媒としては、例えば、アミン系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、ホウ素系硬化促進剤、リン−ホウ素系硬化促進剤などを用いることができる。
【００５３】
また、熱硬化性樹脂シート４０には、無機充填剤を適宜配合することができる。無機充填剤の配合は、導電性の付与や熱伝導性の向上、貯蔵弾性率の調節等を可能にする。
【００５４】
前記無機充填剤としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田等の金属、又は合金類、その他カーボン等からなる種々の無機粉末が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。なかでも、シリカ、特に溶融シリカが好適に用いられる。
【００５５】
無機充填剤の平均粒径は、０．１〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、０．５〜２５μｍの範囲内であることがより好ましい。なお、本発明においては、平均粒径が相互に異なる無機充填剤同士を組み合わせて使用してもよい。また、平均粒径は、光度式の粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、装置名；ＬＡ−９１０）により求めた値である。
【００５６】
前記無機充填剤の配合量は、有機樹脂成分１００重量部に対し１００〜１４００重量部に設定することが好ましい。特に好ましくは２３０〜９００重量部である。無機充填剤の配合量を１００重量部以上にすると、耐熱性や強度が向上する。また、１４００重量部以下とすることにより、流動性が確保できる。これにより、接着性や埋め込み性が低下することを防止できる。
【００５７】
なお、熱硬化性樹脂シート４０には、前記無機充填剤以外に、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤、カーボンブラック等の顔料等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。また、高温硬化時の粘性の向上を考慮し、粘度調整用の添加剤として、エラストマー成分を添加することもできる。エラストマー成分は、樹脂を増粘するものであれば、特に制限されないが、例えば、ポリアクリル酸エステルなどの各種アクリル系共重合体；ポリスチレンーポリイソブチレン系共重合体、スチレンアクリレート系共重合体などのスチレン骨格を有するエラストマー；ブタジエンゴム、スチレンーブタジエンゴム（ＳＢＲ）、エチレンー酢酸ビニルコポリマー（ＥＶＡ）、イソプレンゴム、アクリロニトリルゴムなどのゴム質重合体などが挙げられる。
【００５８】
熱硬化性樹脂シート４０は、熱硬化前のガラス転移温度が５０℃以上であることが好ましく、５０〜２００℃の範囲内にあることがより好ましく、８０〜１５０℃の範囲内にあることがさらに好ましい。熱硬化性樹脂シート４０の熱硬化前のガラス転移温度が５０℃以上であると、耐熱性の点で優れる。
【００５９】
熱硬化性樹脂シート４０は、熱硬化後の２５℃における引張貯蔵弾性率が０．１Ｇｐａ〜３０Ｇｐａの範囲内であることが好ましく、１Ｇｐａ〜２０Ｇｐａの範囲内であることがより好ましい。熱硬化性樹脂シート４０の熱硬化後の２５℃における引張貯蔵弾性率が０．１Ｇｐａ以上であると、ある程度の強度を有し、形状を維持し易いため、ハンドリング性に優れる一方、３０Ｇｐａ以下であると、応力を緩和できる点で優れる。
【００６０】
また、熱硬化性樹脂シート４０の１００℃における粘度は１０〜５０００Ｐａ・ｓが好ましく、更に５０〜３０００Ｐａ・ｓがより好ましい。前記粘度が５０Ｐａ・ｓ以上であると、熱硬化時に表面形状が大きく変形することを抑制することができる。また、５０００Ｐａ・ｓ以下とすることにより、半導体チップ２６を好適に埋め込むことができる。
【００６１】
熱硬化性樹脂シート４０の厚さは、後述する工程Ｃ（第３の積層体を２つ得る工程）により得られる第３の積層体６０において、熱硬化性樹脂シート４０に埋め込まれた半導体チップ２６の上面から、熱硬化型樹脂シート４０の中間フィルム側５０の面までの距離ｄ（図４参照）が２０μｍ〜３００μｍの範囲内となる厚さであることが好ましく、２５μｍ〜２００μｍの範囲内となる厚さのものがより好ましい。通常、半導体チップの厚さは５０μｍ〜５００μｍ程度であることから、熱硬化性樹脂シート４０の厚さ（熱硬化性樹脂シート４０全体の厚さ）としては、７０μｍ〜８００μｍが好ましく、７５μｍ〜７００μｍがより好ましい。距離ｄが２０μｍ〜３００μｍの範囲内であると、半導体チップの露出を防止でき、且つ、熱硬化性樹脂シートの反りや熱硬化性樹脂シートに係かかる応力を低減できる点で優れる。
【００６２】
熱硬化性樹脂シート４０を形成する工程としては、例えば、離型フィルム上に熱硬化性樹脂シート４０の構成材料である接着剤組成物溶液を塗工して塗布層を形成する工程を行い、その後、前記塗布層を乾燥させる工程を行う方法が挙げられる。
【００６３】
前記接着剤組成物溶液の塗工方法としては特に限定されず、例えば、コンマコート法、ファウンテン法、グラビア法などを用いて塗工する方法が挙げられる。塗工厚みとしては、塗布層を乾燥して最終的に得られる熱硬化性樹脂シート４０の厚さが１０〜１００μｍの範囲内となる様に適宜設定すればよい。
【００６４】
前記離型フィルムとしては特に限定されず、例えば、離型フィルムにおける熱硬化性樹脂シート４０との貼り合わせ面に、シリコーン層等の離型コート層が形成されたものが挙げられる。また、離型フィルムの基材としては、例えば、グラシン紙のような紙材や、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル等よりなる樹脂フィルムが挙げられる。
【００６５】
前記塗布層の乾燥は、塗布層に乾燥風を吹き付けることにより行う。当該乾燥風の吹き付けは、例えば、その吹き付け方向を離型フィルムの搬送方向と平行となる様に行う方法や、塗布層の表面に垂直となる様に行う方法が挙げられる。乾燥風の風量は特に限定されず、通常は５〜２０ｍ／ｍｉｎ、好ましくは５〜１５ｍ／ｍｉｎである。乾燥風の風量が５ｍ／ｍｉｎ以上にすることにより、塗布層の乾燥が不十分になるのを防止することができる。その一方、乾燥風の風量を２０ｍ／ｍｉｎ以下にすることにより、塗布層の表面近傍における有機溶剤の濃度を均一にするので、その蒸発を均一にすることができる。その結果、表面状態が面内において均一な熱硬化性樹脂シート４０の形成が可能になる。
【００６６】
乾燥時間は接着剤組成物溶液の塗工厚みに応じて適宜設定され、通常は１〜５ｍｉｎ、好ましくは２〜４ｍｉｎの範囲内である。乾燥時間を１ｍｉｎ以上とすることにより、硬化反応が十分に進行せず、未反応の硬化成分や残存する溶媒量が多くなることを抑制できる。その結果、後工程にてアウトガスやボイドの問題が発生することを防止できる。その一方、５ｍｉｎ以内とすることにより、硬化反応が進行しすぎることを抑制できる。
【００６７】
乾燥温度は特に限定されず、通常は７０〜１６０℃の範囲内で設定される。本実施形態においては、乾燥時間の経過とともに、乾燥温度を段階的に上昇させて行うことが好ましい。具体的には、例えば乾燥初期（乾燥直後から１ｍｉｎ以下）では７０℃〜１００℃の範囲内で設定され、乾燥後期（１ｍｉｎを超えて５ｍｉｎ以下）では１００〜１６０℃の範囲内で設定される。これにより、塗工直後に乾燥温度を急激に上昇させた場合に生じる塗布層表面のピンホールの発生を防止することができる。これにより、本実施形態に係る熱硬化性樹脂シート４０を製造することができる。
【００６８】
［第３の積層体を２つ得る工程］
次に、前記工程Ａ及び前記工程Ｂを実施することにより第２の積層体３０を２つ製造し、この２つの第２の積層体３０の熱硬化型樹脂シート４０面同士を、中間フィルム５０を介して対向させる（図３参照）。続いて、両方の台座２２側から熱硬化性樹脂シート４０側に向かって圧力を加えることにより、複数の半導体チップ２６を熱硬化性樹脂シート４０に埋め込み、台座２２と、接着剤層２４と、半導体チップ２６が埋め込まれた熱硬化型樹脂シート４０とを有する第３の積層体６０を２つ得る（工程Ｃ）（図４参照）。
【００６９】
前記工程Ｃにおける加圧時の条件は、温度７０℃〜１３０℃、圧力０．２Ｍｐａ〜５Ｍｐａ、真空度０．１〜２０ｔｏｒｒの範囲内であることが好ましく、より好ましくは、温度８０℃〜１２０℃、圧力０．３Ｍｐａ〜４Ｍｐａ、真空度０．５〜１８ｔｏｒｒの範囲内である。前記工程Ｃにおける加圧時の条件が、前記範囲内であると、半導体チップ２６を好適に熱硬化性樹脂シート４０に埋め込むことができる。
【００７０】
（中間フィルム）
中間フィルム５０は、後述する工程Ｄにおいて、熱硬化性樹脂シート４０同士が接着しないようにするためのものである。このような中間フィルム５０としては、特に限定されないが、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）フィルム、ポリオレフィン系フィルム、ポリメチルペンテン系フィルム、ポリイミドフィルム、ポリエチレンテレナフタレート（ＰＥＴ）フィルム等を挙げることができる。中間フィルム５０は、例えば、熱硬化性樹脂シート４０の製造時に使用されていたセパレータをそるまま用いてもよい。
【００７１】
中間フィルム５０の融点は、耐熱性の観点から、１５０℃以上であるものが好ましく、１７０℃以上のものがより好ましい。また、前記融点は、高いほど好ましいが、例えば、３００℃以下、２５０℃以下が挙げられる。
【００７２】
中間フィルム５０の表面粗さＲａは、５０ｎｍ〜１００μｍであることが好ましく、６０ｎｍ〜９０μｍであることより好ましい。中間フィルム５０の表面粗さＲａが５０ｎｍ〜１００μｍであると、後述する工程Ｅにおいて、より好適に熱硬化性樹脂シート４０から中間フィルムを剥離することができる。中間フィルム５０の表面粗さＲａを上記数値範囲内にする方法としては、凹凸を有する金属ロールからの転写等を挙げることができる。
【００７３】
中間フィルム５０は、表面が離型処理されていることが好ましい。中間フィルム５０の表面が離型処理されていると、後述する工程Ｅにおいて、さらに好適に熱硬化性樹脂シートから中間フィルムを剥離することができる。前記離型処理としては、中間フィルム５０に離型剤を塗布する方法が挙げられる。前記離型剤としては、長鎖アルキル基含有ポリマー、シリコーン系ポリマー、パーフルオロ系ポリマー、フッ化ポリオレフィン、ポリオレフィンなどが挙げられる。塗布方法としては、離型剤を溶剤に溶解し、その溶液を塗工する方法、離型剤を水に乳化し、そのエマルションを塗工する方法、離型剤を溶融し、中間フィルム５０とラミネートするホットメルト法などが挙げられるが、離型剤を溶剤に溶解して塗工する方法が最も一般的である。この溶剤型塗布法に使用される溶剤としては、トルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ヘキサン、ヘプタンなどが挙げられる。
【００７４】
中間フィルム５０の厚さとしては、特に制限されないが、強度の観点から、２０μｍ〜１０００μｍの範囲内が好ましい。
【００７５】
［熱硬化性樹脂シートを熱硬化させる工程］
前記工程Ｃの後、中間フィルム５０を介して２つの第３の積層体６０の熱硬化型樹脂シート４０面同士を対向させた状態のまま、第３の積層体６０の熱硬化性樹脂シート４０を熱硬化させる（工程Ｄ）。第３の積層体６０の熱硬化性樹脂シート４０を熱硬化させている間、熱硬化性樹脂シート４０は、２つの台座２２で挟持された状態で熱硬化されることになる。その結果、熱硬化時の熱硬化性樹脂シート４０の反りを抑制することができる。また、１回のプレス（工程Ｃ）、及び、熱硬化（工程Ｄ）で２つの第３の積層体を得ることができるため、生産性に優れる。この際の加熱温度は、９０〜２００℃で行なうことが好ましく、１２０〜１７５℃で行なうことがより好ましい。また、加熱時間は、３０〜２４０分であることが好ましく、６０〜１８０分であることがより好ましい。熱硬化時の温度及び時間を上記数値範囲内とすることにより、熱硬化性樹脂シートを熱硬化させる工程において、好適に熱硬化性樹脂シート４０を熱硬化させることができる。
【００７６】
［中間フィルムを剥離する工程］
前記工程Ｄの後、図５に示すように、第３の積層体６０から中間フィルム５０を剥離する（工程Ｅ）。前記剥離方法としては、特に制限されないが、上下に力を加えて第３の積層体６０と、中間フィルム５０付きの第３の積層体６０とに分離し、その後、中間フィルム５０付きの第３の積層体６０から、中間フィルム５０をＴピール剥離や１８０°ピール剥離等により剥離する方法を挙げることができる。これにより、２つの第３の積層体６０を得ることができる。
【００７７】
前記工程Ｄの後の中間フィルム５０と熱硬化性樹脂シート４０（熱硬化後の熱硬化性樹脂シート４０）との剥離強度は、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍ／分の条件で、１０００ｍＮ／ｃｍ以下であることが好ましく、８００ｍＮ／ｃｍ以下であることがより好ましく、１００ｍＮ／ｃｍ以下であることがさらに好ましい。また、前記剥離強度は、小さいほど好ましいが、例えば、１０ｍＮ／ｃｍ以上、３０ｍＮ／ｃｍ以上とすることができる。前記剥離強度が、１０００ｍＮ／ｃｍ以下であると、熱硬化性樹脂シート４０の表面を荒らすことなく、好適に熱硬化性樹脂シート４０から中間フィルム５０を剥離することができる。
【００７８】
［第１の積層体を剥離する工程］
前記工程Ｅの後、図６に示すように、熱硬化性樹脂シート４０から第１の積層体２０を剥離する（工程Ｆ）。剥離方法としては、溶剤により第１の積層体２０の接着剤層２４を溶解させて接着力を低下させて剥離する方法、接着剤層２４を加熱により接着力が低下する材料で形成しておき、加熱により接着力を低下させて剥離する方法、接着剤層２４に、カッターやレーザー等により物理的な切り込みを入れて剥離する方法等を挙げることができる。
【００７９】
［配線を形成する工程］
前記工程Ｆの後、図７に示すように、熱硬化性樹脂シート４０上に、配線４２を形成する（工程Ｇ）。
【００８０】
配線４２の形成方法としては、例えば、露出している半導体チップ２６上へ真空成膜法などの公知の方法を利用して金属シード層を形成し、セミアディティブ法などの公知の方法により、配線４２を形成することができる。
【００８１】
かかる後に、配線４２及び熱硬化性樹脂シート４０上へポリイミドやＰＢＯなどの絶縁層を形成してもよい。
【００８２】
なお、形成した配線４２上にバンプを形成するバンピング加工を行ってもよい。バンピング加工は、半田ボールや半田メッキなど公知の方法で行うことができる。
【００８３】
その後、必要に応じて、半導体チップ２６、熱硬化性樹脂シート４０及び配線４２などの要素からなる積層体のダイシングを行う。これにより、チップ領域の外側に配線を引き出した半導体放置を得ることができる。ダイシング方法は、従来公知の方法を採用することができる。
【００８４】
上述した実施形態では、本発明の中間フィルムが中間フィルム５０の１層である場合について説明した。しかしながら、本発明における中間フィルムは、この例に限定されず、支持板と前記支持板の両面に設けられた剥離性フィルムとから構成されていてもよい。
【００８５】
図８は、本発明の他の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。図８に示すように、中間フィルム１５０は、支持板１５２と支持板１５２の両面に設けられた剥離性フィルム１５４とから構成されている。
【００８６】
支持板１５２としては、変形しにくい材質のものが好ましく、金属板、ガラスエポキシ樹脂板等を挙げることができる。
【００８７】
剥離性フィルム１５４としては、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）フィルム、ポリオレフィン系フィルム、ポリメチルペンテン系フィルム、ポリイミドフィルム、ポリエチレンテレナフタレート（ＰＥＴ）フィルム等を挙げることができる。剥離性フィルム１５４は、例えば、熱硬化性樹脂シート４０の製造時に使用されていたセパレータをそのまま用いてもよい。この場合、支持板１５２を介して、セパレータ付きの熱硬化性樹脂シート４０同士（セパレータ付きの熱硬化性樹脂シート４０を有する第３の積層体６０同士）を対向させて圧力を加えればよい。すなわち、剥離性１５４を別途準備しなくとも、支持板１５２のみ準備すればよい。
【００８８】
中間フィルム１５０は、支持板１５２と支持板１５２の両面に設けられた剥離性フィルム１５４とから構成されているため、変形しにくい支持板１５２によって、熱硬化性樹脂シート４０の表面の平坦性を確保するとともに、剥離性フィルム１５４によって、熱硬化性樹脂シート４０からの剥離性を確保することができる。なお、他の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、中間フィルム５０を中間フィルム１５０に置き換えた以外は、上述した実施形態と同様であるのでここでの説明は省略する。
【００８９】
上述した実施形態では、２つの第２の積層体の熱硬化型樹脂シート面同士を対向させて圧力を加えることにより、複数の半導体チップを熱硬化性樹脂シートに埋め込み、台座と接着剤層と半導体チップが埋め込まれた熱硬化型樹脂シートとを有する第３の積層体を２つ得る（工程Ｃ）場合について説明した。しかしながら、生産効率の向上の観点からすれば、この例に限定されない。図９は、他の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。図９に示すように、生産効率の向上の観点からすれば、２つの第２の積層体３０の台座２２面同士を対向させ、金型や平板等により両方の熱硬化性樹脂シート４０側から台座２２側に向かって圧力を加えることにより、複数の半導体チップ２６を熱硬化性樹脂シート４０に埋め込み、台座２２と接着剤層２４と半導体チップ２６が埋め込まれた熱硬化型樹脂シート４０とを有する第３の積層体６０を２つ得てもよい。この場合、中間フィルムは不要となる
すなわち、他の実施形態としては、下記を挙げることができる。
半導体装置の製造方法であって、
台座上に接着剤層が設けられた第１の積層体上に複数の半導体チップが配置された半導体チップ付第１積層体を準備する工程Ａ−１と、
前記工程Ａ−１で準備した半導体チップ付き第１積層体の前記複数の半導体チップが表出している側の面上に熱硬化性樹脂シートを配置して、第２の積層体を得る工程Ｂ−１と、
２つの前記第２の積層体の台座面同士を対向させて圧力を加えることにより、前記複数の半導体チップを前記熱硬化性樹脂シートに埋め込み、台座と接着剤層と半導体チップが埋め込まれた熱硬化型樹脂シートとを有する第３の積層体を２つ得る工程Ｃ−１と、
前記工程Ｃ−１の後、２つの前記第３の積層体の台座面同士を対向させた状態のまま、前記第３の積層体の前記熱硬化性樹脂シートを熱硬化させる工程Ｄ−１と、
前記工程Ｄ−１の後、前記熱硬化性樹脂シートから前記第１の積層体を剥離する工程Ｆ−１と、
前記工程Ｆ−１の後、前記熱硬化性樹脂シート上に、配線を形成する工程Ｇ−１と
を含む半導体装置の製造方法。
【００９０】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、上述した例に限定されるものではなく、本発明の構成を充足する範囲内で、適宜設計変更を行うことが可能である。
【実施例】
【００９１】
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。また、部とあるのは、重量部を意味する。
【００９２】
（台座の準備）
台座として、厚みが７００μｍの８インチウエハを準備した。
【００９３】
（接着剤層の準備）
窒素気流下の雰囲気において、１２５７ｇのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）中に、ポリエーテルジアミン（ハインツマン製、Ｄ−４０００、分子量：４０２３．５）３６５ｇ、４，４‘−ジアミノジフェニルエーテル（ＤＤＥ、分子量：２００．２）７４ｇ、及び、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ、分子量：２１８．１）１００ｇを７０℃で混合して反応させた。その後、室温（２３℃）にまで冷却し、ポリアミック酸溶液を得た。得られたポリアミック酸溶液を支持体としての２００ｍｍウェハに１２０℃で１０分乾燥した後の厚みが１０μｍとなるように塗布し、支持体付きポリアミック酸フィルムを得た。得られた支持体付きポリアミック酸フィルムを３００℃で３時間窒素雰囲気で熱硬化させ、支持体付きポリイミドフィルムを得た。このポリイミドフィルムを接着剤層とした。
【００９４】
（熱硬化性樹脂シートの準備）
下記（ａ）〜（ｆ）をミキサーにてプレンドし、２軸混練機にて１２０℃の条件下で２分間混練し、続いて、ダイから押出しすることで、厚さ５００μｍの熱硬化性樹脂シートを得た。
（ａ）エポキシ樹脂（新日鐵化学社製、ＹＳＬＶ−８０ＸＹ）      ２８０部
（ｂ）フェノール樹脂（明和化成社製、ＭＥＨ−７８５１−ＳＳ    ３００部
（ｃ）硬化促進剤（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ）          ６部
（ｄ）シリカフィラー（電気化学工業社製、ＦＢ−９４５４）    ３３００部
（ｅ）シランカップリング剤（信越化学工業社製、ＫＢＭ−４０３）  １０部
（ｆ）カーボン（三菱化学社製、＃４０）                          １０部
【００９５】
（中間フィルムの準備）
中間フィルムとして、シリコーンにて離型処理されたポリメチルペンテンフィルム（三井化学製、ＴＰＸフィルム、直径８．５インチの円形、厚さ：１００μｍ、表面粗さＲａ：０．４μｍ）を準備した。表面粗さは、Ｖｅｅｃｏ社製表面形状測定装置（Ｄｅｋｔａｋ８Ｍ）を用いて測定した。測定条件は、室温（２３℃）、測定速度５μｍ／ｓとした。
【００９６】
（熱硬化性樹脂シートのガラス転移温度測定）
作成した熱硬化性樹脂シートのガラス転移温度を測定した結果、１１０℃であった。ガラス転移温度の測定は、熱硬化性樹脂シートを厚さ５００μｍ、幅１０ｍｍ、長さ５０ｍｍの短冊状にカッターナイフで切り出し、動的粘弾性測定装置（ＤＭＡ）を用いて、２５℃〜２５０℃の温度域で周波数１．０Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件下で測定したときのＴａｎδ（Ｅ”（損失弾性率）／Ｅ’（貯蔵弾性率））が極大値を示す温度として求めた。
【００９７】
（熱硬化性樹脂シートの熱硬化後の２５℃での貯蔵弾性率測定）
作成した熱硬化性樹脂シートを１５０℃、１時間の条件で熱硬化させた。次に、熱硬化性樹脂シートの熱硬化後の２５℃における貯蔵弾性率を測定した結果、３ＧＰａであった。ここでの貯蔵弾性率は、熱硬化性樹脂シートを厚さ５００μｍ、幅１０ｍｍ、長さ５０ｍｍの短冊状にカッターナイフで切り出し、動的粘弾性測定装置（ＤＭＡ）を用いて、２５℃、周波数１．０Ｈｚの条件下で測定したときの引張貯蔵弾性率Ｅ’の値である。
【００９８】
（熱硬化性樹脂シートの１００℃での粘度測定）
作成した熱硬化性樹脂シートの１００℃での粘度を測定した結果、２０００Ｐａ・ｓであった。ここでの粘度測定は、熱硬化性樹脂シートを厚さ５００μｍ、直径８ｍｍの円形に打ち抜き、Ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ  社製の粘弾性スペクトロメーター（ＡＲＥＳ）を用いて、歪み２％、周波数１Ｈｚ、１００℃にて測定を行い、求めた複素粘度η＊の値である。
【００９９】
（実施例１）
準備したポリイミドフィルム（接着剤層）を準備した８インチウエハ（台座）に貼り合わせて第１の積層体とした。その後、ポリイミドフィルム上に複数の半導体チップ（５ｍｍ×５ｍｍ×厚み３５０μｍ）を配置し、半導体チップ付き第１積層体とした（図１参照）。
【０１００】
次に、半導体チップ付き第１積層体の複数の半導体チップが表出している側の面上に、準備した熱硬化性樹脂シートを配置し、第２の積層体を得た（図２参照）。このような第２の積層体を２つ準備した。
【０１０１】
次に、２つの第２の積層体の熱硬化型樹脂シート面同士を、準備した中間フィルムを介して対向させて配置した（図３参照）。その後、真空プレスを用いて加熱圧着して、半導体チップを熱硬化性樹脂シートに埋め込み、第３の積層体を２つ同時に作製した（図４参照）。加熱圧着の条件は、埋め込み温度９０℃、真空度１０ｔｏｒｒ、埋め込み圧力１ＭＰａ、埋め込み時間６０秒とした。なお、第３の積層体６０において、熱硬化性樹脂シートに埋め込まれた半導体チップの上面から、熱硬化型樹脂シートの中間フィルム側の面までの距離ｄ（図４参照）は、１５０μｍとなった。
【０１０２】
次に、この状態のまま、２つの第３の積層体を加熱により硬化させた。硬化条件は、硬化温度１５０℃、硬化時間１時間とした。両側の台座で固定されているため、硬化後の硬化性樹脂シートには、反りは確認されなかった。
【０１０３】
その後、第３の積層体から中間フィルムを剥離した。剥離は容易に行なうことができた。
なお、中間フィルムと熱硬化性樹脂シートとの剥離強度を引張り試験機（島津製作所製、オートグラフ）を用いて測定したところ、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍ／分の条件で、３０ｍＮ／ｃｍであった。
【０１０４】
第３の積層体を剥離した後の積層体の反りを測定したところ、０．５ｍｍ以下であった。反りの測定は、台座としての８インチウエハ面を下にして平坦なテーブルに置き、テーブルからの距離が最も遠い箇所を金尺にて測定した。
【符号の説明】
【０１０５】
２０    第１の積層体
２２    台座
２４    接着剤層
２６    半導体チップ
２６ａ  回路形成面
２８    半導体チップ付第１積層体
３０    第２の積層体
４０    熱硬化性樹脂シート
４２    配線
５０    中間フィルム
６０    第３の積層体
１５０  中間フィルム
１５２  支持板
１５４  剥離性フィルム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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