(57)【要約】【課題】半導体素子及び実装部材を封止する樹脂部材に剥離が生じることを抑制する技術を提供する。【解決手段】半導体装置１００は、半導体素子２０と、リードフレーム２２、２４と、半導体素子２０及びリードフレーム２２、２４を封止している樹脂部材４０とを備える。樹脂部材４０は、シリカが混入されたエポキシ樹脂であって、第１層４２と、第１層４２の下方に重ねて形成される第２層４４とを有している。第２層４４のシリカ濃度は、第１層４２のシリカ濃度より低い。半導体素子２０は第１層４２内に封止されており、リードフレーム２２、２４は第２層４４内に封止されており、第１層４２と第２層４４の間の境界４３では、第１層４２中のエポキシ樹脂と第２層４４中のエポキシ樹脂とが架橋結合している。【選択図】図１
2014107375.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置であって、
半導体素子と、
半導体素子と電気的に接続可能な実装部材と、
半導体素子及び実装部材を封止している樹脂部材と、を備え、
樹脂部材は、シリカが混入されたエポキシ樹脂であって、第１層と、第１層と重ねて形成される第２層とを有しており、
第２層のシリカ濃度は、第１層のシリカ濃度より低く、
半導体素子は第１層内に封止されており、
実装部材の少なくとも一部は第２層内に封止されており、
第１層と第２層の間の境界では、第１層中のエポキシ樹脂と第２層中のエポキシ樹脂とが架橋結合している、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体素子と実装部材とを電気的に接続するワイヤをさらに備え、
ワイヤと、実装部材のうちワイヤの端部と電気的に接続する部分とが第１層内に封止されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
半導体素子と実装部材とを樹脂部材によって封止した半導体装置を製造する方法であって、
半導体素子を、シリカが混入された第１のエポキシ樹脂基材層中に配置するとともに、実装部材の少なくとも一部を、第１のエポキシ樹脂基材層よりも低い割合でシリカが混入されているとともに第１のエポキシ樹脂基材層と重ねて配置される第２のエポキシ樹脂基材層中に配置し、コンプレッションモールドを行う、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
半導体素子と実装部材とを電気的に接続するワイヤと、実装部材のうちワイヤの端部と電気的に接続する部分を、第１のエポキシ樹脂基材層中に配置し、コンプレッションモールドを行う、
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書で開示する技術は、半導体素子と実装部材とを樹脂部材によって封止した半導体装置と、その製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、回路基板に装着した半導体素子を樹脂で封止した半導体装置が開示されている。この半導体装置では、回路基板の部分を、低ヤング率で応力緩和能力の高いエポキシ・シリコンエラストマー樹脂組成物で封止し、その周囲を高ヤング率で応力緩和能力の低いエポキシ樹脂組成物で封止している。特許文献１の半導体装置では、半田付け等によって回路基板に熱が加わる場合において、回路基板を応力緩和能力の高い樹脂組成物で封止することにより、半導体素子に加わる応力の緩和が図られる。また、半導体素子の周囲を高ヤング率の樹脂組成物で封止することにより、半導体素子の耐久性の確保も図られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平９−３２１１８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の半導体装置では、半導体素子と回路基板が異なる二種類の樹脂層によって封止されている。そのため、回路基板に半田付けを行う等して半導体装置を使用する間に、二種類の樹脂層同士が接合面で剥離する虞がある。
【０００５】
本明細書では、半導体素子及び実装部材を封止する樹脂部材に剥離が生じることを抑制する技術を開示する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本明細書で開示する半導体装置は、半導体素子と、半導体素子と電気的に接続可能な実装部材と、半導体素子及び実装部材を封止している樹脂部材とを備える。樹脂部材は、シリカが混入されたエポキシ樹脂であって、第１層と、第１層と重ねて形成される第２層とを有している。第２層のシリカ濃度は、第１層のシリカ濃度より低い。半導体素子は第１層内に封止されており、実装部材の少なくとも一部は第２層内に封止されており、第１層と第２層の間の境界では、第１層中のエポキシ樹脂と第２層中のエポキシ樹脂とが架橋結合している。
【０００７】
上記の半導体装置では、第１層と第２層の間の境界では、第１層中のエポキシ樹脂と第２層中のエポキシ樹脂とが架橋結合している。即ち、上記の半導体装置では、第１層と第２層が、架橋結合によって混然一体に結合している。従って、上記の半導体装置では、半導体素子及び実装部材を封止する樹脂部材に剥離が生じることを抑制することができる。なお、上記の「境界」は、第１層の樹脂と第２層の樹脂が混然一体と結合している部分であり、「境界」のシリカ濃度は、第１層のシリカ濃度より低く、かつ、第２層のシリカ濃度よりも高くなる。この「境界」は、第１層と第２層を含む樹脂層の断面を観察することによって確認することができる。
【０００８】
本明細書では、半導体素子と実装部材とを樹脂部材によって封止した半導体装置を製造する新規な方法も開示する。本明細書で開示する半導体装置の製造方法では、半導体素子を、シリカが混入された第１のエポキシ樹脂基材層中に配置するとともに、実装部材の少なくとも一部を、第１のエポキシ樹脂基材層よりも低い割合でシリカが混入されているとともに第１のエポキシ樹脂基材層と重ねて配置される第２のエポキシ樹脂基材層中に配置し、コンプレッションモールドを行う。
【０００９】
上記の製造方法では、コンプレッションモールドによって成形される樹脂部材によって、半導体素子及び実装部材が封止される。コンプレッションモールドを行うため、第１のエポキシ樹脂基材層と第２のエポキシ樹脂基材層を同時に溶融及び硬化させることができる。また、第１のエポキシ樹脂基材層と第２のエポキシ樹脂基材層は、混入されているシリカの割合は異なるが、ともに母材はエポキシ樹脂基材である。そのため、成形される樹脂部材は、第１層と、第１層に比べてシリカ濃度が低い第２層とを有することとなるが、第１層と第２層との間の境界では、第１層中のエポキシ樹脂と第２層中のエポキシ樹脂とが架橋結合する。従って、上記の製造方法によって半導体装置を製造すれば、樹脂部材に剥離が生じることを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１実施例の半導体装置を模式的に示す断面図。
【図２】第１実施例の半導体装置の製造工程を示す図。
【図３】第１実施例の半導体装置の製造工程を示す図。
【図４】第１実施例の半導体装置の製造工程を示す図。
【図５】第２実施例の半導体装置を模式的に示す断面図。
【図６】第３実施例の半導体装置を模式的に示す断面図。
【図７】第４実施例の半導体装置を模式的に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に説明する実施例の主要な特徴を列記しておく。なお、以下に記載する技術要素は、それぞれ独立した技術要素であって、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。
【００１２】
（特徴１）半導体装置は、半導体素子と実装部材とを電気的に接続するワイヤをさらに備えていてもよい。ワイヤと、実装部材のうちワイヤの端部と電気的に接続する部分とが第１層内に封止されていてもよい。この構成によると、半導体素子と実装部材を電気的に接続するワイヤの全体が第１層内に封止される。ワイヤが線膨張係数の異なる２つの樹脂層（第１層、第２層）に亘って封止されることがないため、温度変化によってワイヤに大きな応力が作用し、ワイヤが破断することを抑制することができる。
【００１３】
（特徴２）半導体装置の製造方法では、半導体素子と実装部材とを電気的に接続するワイヤと、実装部材のうちワイヤの端部と電気的に接続する部分を、第１のエポキシ樹脂基材層中に配置し、コンプレッションモールドを行ってもよい。
【実施例】
【００１４】
（第１実施例）
図１に示すように、本実施例の半導体装置１０は、半導体素子２０と、リードフレーム２２、２４と、ワイヤ２８と、樹脂部材４０とを備えている。
【００１５】
半導体素子２０は、電力用のスイッチング素子である。本実施例では、半導体素子２０に縦型のＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）を用いている。半導体素子２０は、Ｓｉ，ＳｉＣ、ＧａＮ等により形成することができる。
【００１６】
リードフレーム２４は、半導体素子２０の裏面（図１中の下側の面）の電極（図示省略）にハンダ３０を介して接続されている。リードフレーム２４は、板状の導電性部材である。リードフレーム２４は、例えばＣｕによって形成することができる。リードフレーム２４は、半導体素子２０が発生する熱を放熱する放熱板としての機能も果たす。
【００１７】
リードフレーム２２は、半導体素子２０から離れた位置に設けられている。リードフレーム２２も、板状の導電性部材であり、例えばＣｕによって形成することができる。本実施例では、リードフレーム２２、２４が、請求項における「実装部材」の一例である。
【００１８】
ワイヤ２８は、半導体素子２０とリードフレーム２２とを電気的に接続している。ワイヤ２８は、線状の導電性部材であって、例えばＣｕによって形成することができる。図１に示すように、ワイヤ２８は、一端が半導体素子２０の表面のメインパッド又は信号パッド（図示省略）にボンディングされるとともに、他端がリードフレーム２２の表面にボンディングされている。
【００１９】
樹脂部材４０は、半導体素子２０、リードフレーム２２、２４、及び、ワイヤ２８を封止する部材である。樹脂部材４０は、シリカが混入されたエポキシ樹脂であって、第１層４２と、第１層４２の下方に重ねて形成されている第２層４４とを有している。本実施例では、樹脂部材４０は、後で説明するコンプレッションモールド法によって成形される。
【００２０】
第１層４２は、２つの層のうちの上側の層である。第１層４２は、半導体素子２０と、ワイヤ２８の一部を封止している。第１層４２は、第２層４４に比べて、混入しているシリカの濃度が高い。第１層４２は、第２層４４に比べて、ヤング率が高く、線膨張係数が低くされている。そのため、第１層４２によって封止される半導体素子２０の衝撃耐久性、耐燃性、及び、耐湿性が確保される。また、第１層４２と半導体素子２０との密着性も確保される。
【００２１】
第２層４４は、２つの層のうちの下側の層であり、第１層４２と重ねて形成されている。第２層４４は、リードフレーム２２、２４と、ハンダ３０と、ワイヤ２８の一部を封止している。ただし、リードフレーム２２、２４の裏面（図１の下側）は、第２層４４の裏面側に露出しており、回路基板等にハンダを介して実装可能とされている。なお、ワイヤ２８は、第１層４２と第２層４４の双方に亘って封止されている。第２層４４は、第１層４２に比べて、混入しているシリカの濃度が低い。第２層４４は、第１層４２に比べて、ヤング率が低く、線膨張係数が高くされている。そのため、リードフレーム２２、２４を他の部材にハンダ付けする際等にリードフレーム２２、２４に熱が加わる場合でも、加熱によって発生する応力を緩和しやすくなる。そのため、半導体装置１０の実装信頼性が向上する。
【００２２】
第１層４２と第２層４４との間には、境界４３が存在する。境界４３のシリカ濃度は、第１層４２のシリカ濃度よりも低く、かつ、第２層４４のシリカ濃度よりも高い。境界４３では、第１層４２中のエポキシ樹脂と第２層４４中のエポキシ樹脂とが架橋結合している。即ち、本実施例の半導体装置１０では、第１層４２と第２層４４は混然一体に結合している。従って、本実施例の半導体装置１０では、使用に伴ってリードフレーム２２、２４に熱が加わる場合であっても、樹脂部材４０に剥離が生じることを抑制することができる。なお、上記境界４３は、第１層４２と第２層４４を含む樹脂層の断面を観察することによって確認することができる。
【００２３】
次いで、図２〜図４を参照して、本実施例の半導体装置１０の製造方法について説明する。まず、図２に示すように、コンプレッションモールド用の下側型枠５０を用意する。下側型枠５０は、金属製の型枠であって、上面に凹部が形成されている。下側型枠５０は、予め１７０℃程度の高温に加熱されている。
【００２４】
次いで、下側型枠５０の凹部内に、シリカが混入された第１のエポキシ樹脂基材６０及び第２のエポキシ樹脂基材６２を配置する。第１のエポキシ樹脂基材６０と、第２のエポキシ樹脂基材６２とは、上下２層に配置される。図に示すように、第２のエポキシ樹脂基材６２の層が、第１のエポキシ樹脂基材６０の層よりも上側になるように配置される。第１のエポキシ樹脂基材６０及び第２のエポキシ樹脂基材６２は、ともに粒状の樹脂基材である。第１のエポキシ樹脂基材６０の層は、第２のエポキシ樹脂基材６２の層に比べて、シリカの混入割合が高い。本実施例では、シリカは、粒状の第１のエポキシ樹脂基材６０及び第２のエポキシ樹脂基材６２の内部に混入している。他の例では、粒状の第１のエポキシ樹脂基材６０及び第２のエポキシ樹脂基材６２とは別の粒状シリカが混入されていてもよい。
【００２５】
下側型枠５０の凹部内に、第１のエポキシ樹脂基材６０及び第２のエポキシ樹脂基材６２を配置して、所定時間（例えば３０秒）が経過すると、下側型枠５０の熱によって、第１のエポキシ樹脂基材６０及び第２のエポキシ樹脂基材６２とが溶融し、液状になる。その結果、図３に示すように、下側型枠５０の凹部内には、第１溶湯６４と第２溶湯６６とが上下２層に形成される。下側の第１溶湯６４は、第１のエポキシ樹脂基材６０の層が溶融してできた液状層である。上側の第２溶湯６６は、第２のエポキシ樹脂基材６２が溶融してできた液状層である。
【００２６】
第１のエポキシ樹脂基材６０及び第２のエポキシ樹脂基材６２が溶融して第１溶湯６４と第２溶湯６６に変化する間に、図３に示す上側型枠５２を用意する。上側型枠５２は、金属製の型枠であって、下側型枠５０の凹部を閉塞可能な板状に形成されている。上側型枠５２の下面には、両面に粘着性を備える樹脂シート５４を介して、半導体素子２０、リードフレーム２２、２４、ワイヤ２８が備えられている。図３に示すように、半導体素子２０とリードフレーム２４はハンダ３０を介して予め接続されている。また、半導体素子２０とリードフレーム２２も、ワイヤ２８を介して予め接続されている。また、図３では、樹脂シート５４の下面には、半導体素子２０、リードフレーム２２、２４、ワイヤ２８が２組分備えられている。
【００２７】
次いで、コンプレッションモールドを行う。即ち、下面に半導体素子２０、リードフレーム２２、２４、及び、ワイヤ２８が備えられた上側型枠５２を、下側型枠５０に向けて降下させる。上側型枠５２を降下させると、上側型枠５２の下面に備えられた半導体素子２０、リードフレーム２２、２４、及び、ワイヤ２８が、第１溶湯６４内及び第２溶湯６６内に浸漬する（図４参照）。その際、半導体素子２０及びワイヤ２８の一部が、第１溶湯６４内に浸漬するとともに、リードフレーム２２、２４、ハンダ３０、及び、ワイヤ２８の一部が、第２溶湯６６内に浸漬する。
【００２８】
各部材を第１溶湯６４内及び第２溶湯６６内に浸漬させた状態で、さらに、上側型枠５２を降下させる方向に付勢すると、第１溶湯６４及び第２溶湯６６に成形圧力が付加される。その状態で、所定時間（例えば１分）が経過すると、下側型枠５０の熱によって、第１溶湯６４及び第２溶湯６６がさらに加熱され、第１溶湯６４及び第２溶湯６６が硬化する。第１溶湯６４及び第２溶湯６６が硬化することにより、図４に示すように、樹脂部材４０（第１層４２及び第２層４４）が形成される。即ち、半導体素子２０及びワイヤ２８の一部が、第１層４２によって封止され、リードフレーム２２、２４、ハンダ３０、及び、ワイヤ２８の一部が、第２層４４によって封止される。また、第１層４２と第２層４４との間には、境界４３が形成される。
【００２９】
その後、成形品を下側型枠５０から抜き、ダイシングを行うことにより、本実施例の半導体装置１０（図１参照）が完成する。
【００３０】
以上、本実施例の半導体装置１０とその製造方法について説明した。上記の通り、本実施例の製造方法では、コンプレッションモールドによって成形される樹脂部材４０によって、半導体素子２０及びリードフレーム２２、２４が封止される。コンプレッションモールドを行うため、第１のエポキシ樹脂基材６０の層と第２のエポキシ樹脂基材６２の層を同時に溶融及び凝固させることができる。また、第１のエポキシ樹脂基材６０の層と第２のエポキシ樹脂基材６２の層は、混入されているシリカの割合は異なるが、ともに母材はエポキシ樹脂基材である。そのため、成形される樹脂部材４０は、第１層４２と、第１層４２に比べてシリカ濃度が低い第２層４４とを有することとなる。第１層４２と第２層４４との間の境界４３では、第１層４２中のエポキシ樹脂と第２層４４中のエポキシ樹脂とが架橋結合する。従って、上記の方法によって半導体装置１０を製造すれば、樹脂部材４０に剥離が生じることを抑制することができる。
【００３１】
（第２実施例）
図５を参照して、第２実施例の半導体装置１００について、第１実施例と異なる点を中心に説明する。本実施例の半導体装置１００は、リードフレーム１２２の形状が第１実施例とは異なる。図５に示すように、本実施例のリードフレーム１２２は、その断面形状において、両端部が鉤状に曲げられた形状に形成されている。そのため、リードフレーム１２２のうち、ワイヤ２８の端部がボンディングされる部分が、第１実施例よりも上方に位置している。従って、本実施例では、第１層４２は、半導体素子２０のみならず、リードフレーム１２２のうちのワイヤ２８の端部がボンディングされる部分と、ワイヤ２８の全部をさらに封止する。本実施例では、ワイヤ２８は、第１層４２によってのみ封止されており、第１層４２と第２層４４の２層に亘って封止されることはない。そのため、本実施例の半導体装置１００によると、温度変化によってワイヤ２８に大きな応力が作用し、ワイヤ２８が破断することを抑制することができる。
【００３２】
本実施例の半導体装置１００の製造方法も、基本的には第１実施例の半導体装置１０の製造方法（図２〜図４参照）と共通する。ただし、本実施例では、上側型枠５２に備えられた各部材を第１溶湯６４内及び第２溶湯６６内に浸漬させると、半導体素子２０、ワイヤ２８、及び、リードフレーム１２２のうちのワイヤ２８の端部がボンディングされる部分が第１溶湯６４内に浸漬するとともに、リードフレーム２４、ハンダ３０、及び、リードフレーム１２２の他の部分が、第２溶湯６６内に浸漬する。
【００３３】
（第３実施例）
図６を参照して、第３実施例の半導体装置２００について、第１実施例と異なる点を中心に説明する。本実施例の半導体装置２００は、樹脂部材２４０の構造が第１実施例とは異なる。本実施例の樹脂部材２４０も、第１実施例の樹脂部材４０と同様に、シリカが混入されたエポキシ樹脂であるが、図６に示すように、第１層２４２、第２層２４３、第３層２４４の３層を重ねて形成した構造である点が第１実施例の樹脂部材４０とは異なる。
【００３４】
第１層２４２は、３つの層のうちの一番上側の層である。第１層２４２は、半導体素子２０と、ワイヤ２８の一部を封止している。第１層２４２のシリカ濃度は、３つの層のうち最も高い。そのため、第１層２４２は、３つの層のうち、最もヤング率が高く、最も線膨張係数が低い。
【００３５】
第２層２４３は、３つの層のうちの上から２番目の層である。第２層２４３は、ハンダ３０と、ワイヤ２８の一部を封止している。第２層２４３のシリカ濃度は、第３層２４４のシリカ濃度に比べて高いが、第１層２４２のシリカ濃度に比べて低い。そのため、第２層２４３は、３つの層のうち、２番目にヤング率が高く、２番目に線膨張係数が低い。
【００３６】
第３層２４４は、３つの層のうちの一番下側の層である。第３層２４４は、リードフレーム２２、２４を封止している。第３層のシリカ濃度は、３つの層のうち最も低い。そのため、第３層２４４は、３つの層のうち、最もヤング率が低く、最も線膨張係数が高い。
【００３７】
第１層２４２と第２層２４３との間には、境界２４５が存在する。境界２４５のシリカ濃度は、第１層２４２のシリカ濃度よりも低く、かつ、第２層２４３のシリカ濃度よりも高い。境界２４５では、第１層２４２中のエポキシ樹脂と第２層２４３中のエポキシ樹脂とが架橋結合し、混然一体に結合している。
【００３８】
同様に、第２層２４３と第３層２４４との間にも、境界２４６が存在する。境界２４６のシリカ濃度は、第２層２４３のシリカ濃度よりも低く、かつ、第３層２４４のシリカ濃度よりも高い。境界２４６では、第２層２４３中のエポキシ樹脂と第３層２４４中のエポキシ樹脂とが架橋結合し、混然一体に結合している。
【００３９】
上記の通り、本実施例の半導体装置２００では、上記の３つの層（第１層２４２、第２層２４３、第３層２４４）によって各部材を封止している。第１層２４２、第２層２４３、第３層２４４の順に、混入するシリカ濃度が漸次低くなっているため、シリカ濃度の異なる２層（第１層４２、第２層４４）の樹脂部材４０で各部材を封止する場合に比べて、各層間に生じる応力をより小さくすることができる。各層間に大きな応力が生じにくくなるため、各層の剥離をより効果的に抑制することができる。
【００４０】
本実施例の半導体装置２００の製造方法も、基本的には第１実施例の半導体装置１０の製造方法（図２〜図４参照）と共通する。ただし、本実施例では、下側型枠５０の凹部内に、シリカの混入割合の異なる３種のエポキシ樹脂基材を３層に重ねて配置する点が第１実施例とは異なる。このときに３層に重ねて配置したエポキシ樹脂基材が、半導体装置２００を形成した際に、第１層２４２、第２層２４３、第３層２４４を形成する。
【００４１】
（第４実施例）
図７を参照して、第４実施例の半導体装置３００について、第１実施例と異なる点を中心に説明する。本実施例の半導体装置３００も、樹脂部材３４０の構造が第１実施例とは異なる。本実施例の樹脂部材３４０も、第１実施例の樹脂部材４０と同様に、シリカが混入されたエポキシ樹脂であるが、図７に示すように、第１層３４２、第２層３４４の形状が第１実施例の樹脂部材４０とは異なる。
【００４２】
本実施例では、第１層３４２は、半導体素子２０、ハンダ３０、及び、ワイヤ２８のうち半導体素子２０と接続する側の端部の周囲のみを封止している。第１層３４２は、リードフレーム２２及びワイヤ２８の他の部分を封止していない。第１層３４２は、半導体素子２０とハンダ３０の周囲のみを封止する略半球形状に形成されている。第１層３４２のシリカ濃度は、第２層３４４のシリカ濃度よりも高い。
【００４３】
第２層３４４は、第１層３４２の周囲、リードフレーム２２、及び、ワイヤ２８の他の部分を封止している。第２層３４４のシリカ濃度は、第１層３４２のシリカ濃度よりも低い。
【００４４】
本実施例でも、第１層３４２と第２層３４４との間には、境界３４３が存在する。境界層３４３のシリカ濃度は、第１層３４２のシリカ濃度よりも低く、かつ、第２層３４４のシリカ濃度よりも高い。境界３４３では、第１層３４２中のエポキシ樹脂と第２層３４４中のエポキシ樹脂とが架橋結合している。
【００４５】
本実施例の半導体装置３００でも、第１実施例の半導体装置３００と同様の作用効果を発揮することができる。
【００４６】
本実施例の半導体装置３００を製造する場合は、第１実施例のようなコンプレッションモールド法によらなくてもよい。本実施例では、シリカ濃度の異なる２種類の液状エポキシ樹脂を用いて、ポッティング法によって第１層３４２及び第２層３４４を形成する。
【００４７】
以上、本明細書に開示の技術の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。例えば、以下の変形例を採用してもよい。
【００４８】
（変形例１）上記の実施例では、樹脂部材４０（２４０、３４０）は、半導体素子２０と、リードフレーム２２、２４を封止している。これには限られず、樹脂部材４０（２４０、３４０）は、半導体素子２０に加えて、半導体素子２０が装着された回路基板の少なくとも一部を封止してもよい。本変形例では、回路基板が「実装部材」の一例である。
【００４９】
（変形例２）上記の実施例では、樹脂部材４０（２４０、３４０）は、シリカ濃度の異なる２層構造（又は３層構造）を有している。これには限られず、樹脂部材は、シリカ濃度の異なる４層以上の層を有していてもよい。
【００５０】
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００５１】
１０：半導体装置
２０：半導体素子
２２、２４：リードフレーム
２８：ワイヤ
３０：ハンダ
４０：樹脂部材
４２：第１層
４３：境界
４４：第２層
５０：下側型枠
５２：上側型枠
５４：樹脂シート
６０：第１のエポキシ樹脂基材
６２：第２のエポキシ樹脂基材
６４：第１溶湯
６６：第２溶湯
１００：半導体装置
１２２：リードフレーム
２００：半導体装置
２４０：樹脂部材
２４２：第１層
２４３：第２層
２４４：第３層
２４５：境界
２４６：境界
３００：半導体装置
３４０：樹脂部材
３４２：第１層
３４３：境界
３４４：第２層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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