(57)【要約】      （修正有）【課題】インダクタのＱ値を向上させ、挿入損失改善効果が十分に得られる積層基板モジュールを提供する。【解決手段】積層基板モジュール１００は、積層回路基板１１０と、実装用ランド１３１、１３２と、入出力端子１２０、１２１と、を備えている。積層回路基板１１０の内部には、実装用ランド１３１及び入出力端子１２０を結ぶ配線１９０と、配線１９０の一部を構成するインダクタＬ１と、インダクタＬ１より一方主面側に位置する第１グランド導体Ｇ１と、インダクタＬ１より他方主面側に位置する第２グランド導体Ｇ２とが、導体パターンにより形成されている。インダクタＬ１の形成箇所は、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したとき、第１グランド導体Ｇ１及び第２グランド導体Ｇ２の内、インダクタＬ１が形成されている層に近い第２グランド導体Ｇ２の形成箇所と異ならせる。【選択図】図３
2014139962.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体パターンが形成された複数の層を積層した積層回路基板と、
前記積層回路基板の一方主面に形成された第１外部接続用端子と、
前記積層回路基板の他方主面に形成された第２外部接続用端子と、を備え、
前記積層回路基板の内部には、前記第１外部接続用端子と前記第２外部接続用端子とを結ぶ配線と、前記配線の一部を構成するインダクタと、前記インダクタより前記一方主面側に位置する第１グランド導体と、前記インダクタより前記他方主面側に位置する第２グランド導体と、が前記導体パターンにより形成されており、
前記インダクタの形成箇所は、前記積層回路基板の前記一方主面または前記他方主面を正面視したとき、前記第１、第２グランド導体の内、前記インダクタが形成されている層に近い方のグランド導体の形成箇所と異なる、積層基板モジュール。
【請求項２】
前記インダクタの形成箇所は、前記積層回路基板の前記一方主面または前記他方主面を正面視したとき、前記第１外部接続用端子および前記第２外部接続用端子の少なくとも一方の形成箇所と重なる、請求項１に記載の積層基板モジュール。
【請求項３】
前記グランド導体は、その形成箇所が、前記積層回路基板の前記一方主面または前記他方主面を正面視したときに前記インダクタの形成箇所と異なるように開口している、請求項１又は２に記載の積層基板モジュール。
【請求項４】
前記インダクタの一部は、第１インダクタを構成し、
前記インダクタの残りの部分は、第２インダクタを構成し、
前記第１インダクタは、前記積層回路基板の前記一方主面または前記他方主面を正面視したとき、前記第２インダクタと異なる箇所に形成されている、請求項１から３のいずれか１項に記載の積層基板モジュール。
【請求項５】
前記インダクタの形成箇所は、前記積層回路基板の前記一方主面または前記他方主面を正面視したとき、前記第１、第２グランド導体の両方の形成箇所と異なる、請求項１から４のいずれか１項に記載の積層基板モジュール。
【請求項６】
前記インダクタは、前記第１外部接続用端子と直列に接続されている、請求項１から５のいずれか１項に記載の積層基板モジュール。
【請求項７】
前記インダクタは、前記配線を前記第１グランド導体または前記第２グランド導体に接続する、請求項１から５のいずれか１項に記載の積層基板モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話などの通信機器に実装される積層基板モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、携帯電話などの通信機器に実装される積層基板モジュールが各種知られている。従来の積層基板モジュールは、導体パターンが形成された複数の層を積層した積層回路基板と、積層回路基板の一方主面に形成された実装用ランドと、積層回路基板の他方主面に形成された入出力端子と、を備える。この積層回路基板の内部には、実装用ランドと入出力端子とを結ぶ配線と、グランド導体と、が導体パターンにより形成されている。
【０００３】
近年、積層基板モジュールは、積層回路基板の低背化に伴い、入出力端子に接続される配線とグランド導体との間隔が狭くなる傾向にある。そのため、配線とグランド導体との間で容量が形成されて、入出力端子のインピーダンスが容量性になり、インピーダンス不整合によるＩＬ（挿入損失）が増大するという問題があった。
【０００４】
そこで、特許文献１では、整合を改善するために、入出力端子に接続されたインダクタが積層回路基板の内部に形成された積層基板モジュールが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−７７７２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１のように積層基板モジュールの内部にインダクタが形成され、グランド導体に近接している場合、信号がインダクタを伝播する時にインダクタで磁界が発生し、インダクタと対向するグランド導体の一部で渦電流が発生する。特に、低背な構造の積層基板モジュールでは、インダクタとグランド導体との間隔がより狭くなるため、この渦電流は大きくなる。
【０００７】
そのため、特許文献１の積層基板モジュールでは、インダクタのＱ値が劣化し、ＩＬの改善効果が十分に得られないという問題がある。
【０００８】
そこで本発明の目的は、インダクタのＱ値を向上させ、ＩＬ改善効果が十分に得られる積層基板モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の積層基板モジュールは、前記課題を解決するために以下の構成を備えている。
【００１０】
（１）導体パターンが形成された複数の層を積層した積層回路基板と、
前記積層回路基板の一方主面に形成された第１外部接続用端子と、
前記積層回路基板の他方主面に形成された第２外部接続用端子と、を備え、
前記積層回路基板の内部には、前記第１外部接続用端子と前記第２外部接続用端子とを結ぶ配線と、前記配線の一部を構成するインダクタと、前記インダクタより前記一方主面側に位置する第１グランド導体と、前記インダクタより前記他方主面側に位置する第２グランド導体と、が前記導体パターンにより形成されており、
前記インダクタの形成箇所は、前記積層回路基板の前記一方主面または前記他方主面を正面視したとき、前記第１、第２グランド導体の内、前記インダクタが形成されている層に近い方のグランド導体の形成箇所と異なる、積層基板モジュール。
【００１１】
この構成では、第１、第２グランド導体の内、インダクタが形成されている層に近い方のグランド導体がインダクタと対向しない。そのため、信号がインダクタを伝播する時にインダクタで磁界が発生しても、その磁界が当該グランド導体に殆ど作用せず、当該グランド導体における渦電流の発生を十分に抑制できる。
【００１２】
したがって、この構成によれば、インダクタのＱ値を向上させ、ＩＬ改善効果を十分に得ることができる。
【００１３】
（２）前記インダクタの形成箇所は、前記積層回路基板の前記一方主面または前記他方主面を正面視したとき、前記第１外部接続用端子および前記第２外部接続用端子の少なくとも一方の形成箇所と重なることが好ましい。
【００１４】
この構成では、積層回路基板の一方主面の内、第１外部接続用端子が形成されていない領域に第３外部接続用端子が形成される。または、積層回路基板の他方主面の内、第２外部接続用端子が形成されていない領域に第３外部接続用端子が形成される。
【００１５】
そのため、この構成では、インダクタの形成箇所が第３外部接続用端子の形成箇所と重ならない。すなわち、この構成では、第３外部接続用端子が積層回路基板においてインダクタから離れた構造になる。したがって、この構成によれば、インダクタを設けているが、第３外部接続用端子のアイソレーション特性の劣化を防ぐことができる。
【００１６】
（３）前記グランド導体は、その形成箇所が、前記積層回路基板の前記一方主面または前記他方主面を正面視したときに前記インダクタの形成箇所と異なるように開口していることが好ましい。
【００１７】
この構成では、グランド導体の一部に開口を設けることで、積層回路基板の一方主面または他方主面を正面視したときにおけるインダクタの形成箇所が前記グランド導体の形成箇所と重ならない。
【００１８】
よって、この構成では、グランド導体の一部に開口を設けるだけで、インダクタの形成箇所を前記グランド導体の形成箇所と異ならせた積層回路基板を作成できる。したがって、この構成によれば、インダクタの形成箇所に応じた前記グランド導体の導体パターンの設計変更が不要なため、積層基板モジュールの製造コストを低減できる。
【００１９】
（４）前記インダクタの一部は、第１インダクタを構成し、
前記インダクタの残りの部分は、第２インダクタを構成し、
前記第１インダクタは、前記積層回路基板の前記一方主面または前記他方主面を正面視したとき、前記第２インダクタと異なる箇所に形成されていることが好ましい。
【００２０】
この構成では、積層回路基板の一方主面または他方主面を正面視したとき、第１、第２グランド導体の内、第１インダクタが形成されている層に近い方の第１グランド導体の形成箇所と、第１インダクタの形成箇所とを異ならせることができる。
【００２１】
同様に、この構成では、積層回路基板の一方主面または他方主面を正面視したとき、第１、第２グランド導体の内、第２インダクタが形成されている層に近い方の第２グランド導体の形成箇所と、第２インダクタの形成箇所とを異ならせることができる。
【００２２】
よって、この構成では、信号がインダクタを伝播する時にインダクタで磁界が発生しても、その磁界が第１グランド導体および第２グランド導体に殆ど作用せず、第１グランド導体および第２グランド導体の両方における渦電流の発生を十分に抑制できる。
【００２３】
したがって、この構成によれば、インダクタのＱ値をより向上させることができる。そのため、より高いＩＬ改善効果が得られる。
【００２４】
（５）前記インダクタの形成箇所は、前記積層回路基板の前記一方主面または前記他方主面を正面視したとき、前記第１、第２グランド導体の両方の形成箇所と異なることが好ましい。
【００２５】
この構成では、信号がインダクタを伝播する時にインダクタで磁界が発生しても、その磁界が第１グランド導体および第２グランド導体に殆ど作用せず、第１グランド導体および第２グランド導体の両方における渦電流の発生を十分に抑制できる。
【００２６】
したがって、この構成によれば、インダクタのＱ値をより向上させることができる。そのため、より高いＩＬ改善効果が得られる。
【００２７】
（６）前記インダクタは、前記第１外部接続用端子と直列に接続されていることが好ましい。
【００２８】
（７）前記インダクタは、前記配線を前記第１グランド導体または前記第２グランド導体に接続することが好ましい。
【発明の効果】
【００２９】
この発明によれば、インダクタのＱ値を向上させ、ＩＬ改善効果が十分に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の第１実施形態に係る積層基板モジュール１００の回路図である。
【図２】図１に示す積層基板モジュール１００の主要部の平面透視図である。
【図３】図１に示す積層基板モジュール１００の主要部の断面図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る積層基板モジュール２００の主要部の断面図である。
【図５】本発明の第３実施形態に係る積層基板モジュール３００の主要部の断面図である。
【図６】本発明の第４実施形態に係る積層基板モジュール４００の主要部の断面図である。
【図７】本発明の第５実施形態に係る積層基板モジュール５００の主要部の断面図である。
【図８】本発明の第６実施形態に係る積層基板モジュール６００の主要部の断面図である。
【図９】本発明の第７実施形態に係る積層基板モジュール７００の主要部の断面図である。
【図１０】本発明の第８実施形態に係る積層基板モジュール８００の主要部の断面図である。
【図１１】本発明の第９実施形態に係る積層基板モジュール９００の主要部の断面図である。
【図１２】本発明の第１０実施形態に係る積層基板モジュール１０００の主要部の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
《本発明の第１実施形態》
以下、本発明の第１実施形態に係る積層基板モジュール１００について説明する。
【００３２】
図１は、本発明の第１実施形態に係る積層基板モジュール１００の回路図である。図２は、図１に示す積層回路基板１１０の他方主面を正面視したときの積層基板モジュール１００の主要部の平面透視図である。図３は、図１に示す積層基板モジュール１００の主要部の断面図である。
【００３３】
積層基板モジュール１００は、積層回路基板１１０と、実装用ランド１３１、１３２と、入出力端子１２０、１２１と、を備えている。
なお、実装用ランド１３１が、本発明の「第１外部接続用端子」に相当する。また、入出力端子１２０が、本発明の「第２外部接続用端子」に相当する。また、実装用ランド１３２及び入出力端子１２１のそれぞれが、前記「第３外部接続用端子」に相当する。
【００３４】
積層回路基板１１０は、導体パターンが形成された複数の誘電体層を積層してなる積層体である。誘電体層は、例えばセラミック又は樹脂からなる。積層回路基板１１０の各誘電体層に対する導体パターンの形成は、例えばスクリーン印刷版を用いたスクリーン印刷法で行われる。
【００３５】
入出力端子１２０、１２１は、積層回路基板１１０の他方主面（底面）に導体パターンにより形成されている。入出力端子１２０、１２１は、積層基板モジュール１００の外部回路と接続するための端子である。
【００３６】
実装用ランド１３１、１３２は、積層回路基板１１０の一方主面（上面）に導体パターンにより形成されている。実装用ランド１３１、１３２の上には、積層基板モジュール１００のスイッチＩＣ１３０が実装される。
【００３７】
スイッチＩＣ１３０は、例えばＣＭＯＳ構造からなり、平面視して略矩形からなるＦＥＴスイッチＩＣである。スイッチＩＣ１３０は、アンテナに接続するアンテナ接続ポートと複数の高周波入出力ポート（送信ポートや受信ポート、さらには送受兼用ポート）とを有する。スイッチＩＣ１３０は、制御信号により、高周波信号入出力ポートのいずれかとアンテナ接続ポートとを接続するように切替制御を行う。
【００３８】
積層回路基板１１０の内部には、図１、図３に示すように、実装用ランド１３１及び入出力端子１２０を結ぶ配線１９０と、配線１９０の一部を構成するインダクタＬ１と、インダクタＬ１より一方主面側に位置する第１グランド導体Ｇ１と、インダクタＬ１より他方主面側に位置する第２グランド導体Ｇ２とが、導体パターンにより形成されている。
【００３９】
インダクタＬ１は、配線１９０を第１グランド導体Ｇ１にシャント接続する。また、インダクタＬ１の形成箇所は、図２、図３に示すように、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したとき、入出力端子１２０の形成箇所と重なる。
【００４０】
ここで、インダクタＬ１の形成箇所は、図２、図３に示すように、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したとき、第１グランド導体Ｇ１及び第２グランド導体Ｇ２の内、インダクタＬ１が形成されている層に近い方の第２グランド導体Ｇ２の形成箇所と異なる。すなわち、第２グランド導体Ｇ２は、インダクタＬ１と対向しない。
【００４１】
そのため、信号がインダクタＬ１を伝播する時にインダクタＬ１で磁界が発生しても、その磁界が第２グランド導体Ｇ２に殆ど作用せず、第２グランド導体Ｇ２における渦電流の発生を十分に抑制できる。
【００４２】
したがって、積層基板モジュール１００によれば、インダクタＬ１のＱ値を向上させ、ＩＬ改善効果が十分に得られる。
【００４３】
また、インダクタＬ１の形成箇所は、図２、図３に示すように、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したとき、入出力端子１２０の形成箇所と重なる。そして、積層回路基板１１０の他方主面の内、入出力端子１２０が形成されていない領域に別の入出力端子１２１が形成されている。
【００４４】
そのため、積層基板モジュール１００では、インダクタＬ１の形成箇所が入出力端子１２１の形成箇所と重ならない。すなわち、積層基板モジュール１００は、入出力端子１２１が積層回路基板１１０においてインダクタＬ１から離れた構造になる。
【００４５】
したがって、積層基板モジュール１００によれば、インダクタＬ１を設けているが、入出力端子１２１のアイソレーション特性の劣化を防ぐことができる。
【００４６】
《本発明の第２実施形態》
以下、本発明の第２実施形態に係る積層基板モジュール２００について説明する。
【００４７】
図４は、本発明の第２実施形態に係る積層基板モジュール２００の主要部の断面図である。第２実施形態に係る積層基板モジュール２００が第１実施形態に係る積層基板モジュール１００と相違する点は、配線２９０である。その他の積層基板モジュール２００の構成については積層基板モジュール１００と同じであるため、説明を省略する。
【００４８】
詳述すると、積層回路基板１１０の内部には、図４に示すように、実装用ランド１３１及び入出力端子１２０を結ぶ配線２９０と、配線２９０の一部を構成するインダクタＬ２と、第１グランド導体Ｇ１と、第２グランド導体Ｇ２とが、導体パターンにより形成されている。
【００４９】
インダクタＬ２は、配線２９０を第２グランド導体Ｇ２にシャント接続する。また、インダクタＬ２の形成箇所は、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したとき、実装用ランド１３１の形成箇所と重なる。
【００５０】
ここで、インダクタＬ２の形成箇所は、図４に示すように、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したとき、第１グランド導体Ｇ１及び第２グランド導体Ｇ２の内、インダクタＬ２が形成されている層に近い方の第１グランド導体Ｇ１の形成箇所と異なる。すなわち、第１グランド導体Ｇ１は、インダクタＬ２と対向しない。
【００５１】
そのため、信号がインダクタＬ２を伝播する時にインダクタＬ２で磁界が発生しても、その磁界が第１グランド導体Ｇ１に殆ど作用せず、第１グランド導体Ｇ１における渦電流の発生を十分に抑制できる。
【００５２】
したがって、積層基板モジュール２００によれば、積層基板モジュール１００と同様の効果を奏する。
【００５３】
また、インダクタＬ２の形成箇所は、図４に示すように、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したとき、実装用ランド１３１の形成箇所と重なる。そして、積層回路基板１１０の一方主面の内、実装用ランド１３１が形成されていない領域に別の実装用ランド１３２が形成されている。
【００５４】
そのため、積層基板モジュール２００では、インダクタＬ２の形成箇所が実装用ランド１３２の形成箇所と重ならない。すなわち、積層基板モジュール２００は、実装用ランド１３２が積層回路基板１１０においてインダクタＬ２から離れた構造になる。
【００５５】
したがって、積層基板モジュール２００によれば、インダクタＬ２を設けているが、実装用ランド１３２のアイソレーション特性の劣化を防ぐことができる。
【００５６】
《本発明の第３実施形態》
以下、本発明の第３実施形態に係る積層基板モジュール３００について説明する。
【００５７】
図５は、本発明の第３実施形態に係る積層基板モジュール３００の主要部の断面図である。第３実施形態に係る積層基板モジュール３００が第１実施形態に係る積層基板モジュール１００と相違する点は、配線３９０である。その他の積層基板モジュール３００の構成については積層基板モジュール１００と同じであるため、説明を省略する。
【００５８】
詳述すると、積層回路基板１１０の内部には、図５に示すように、実装用ランド１３１及び入出力端子１２０を結ぶ配線３９０と、配線３９０の一部を構成するインダクタＬ３と、第１グランド導体Ｇ１と、第２グランド導体Ｇ２とが、導体パターンにより形成されている。
【００５９】
インダクタＬ３は、実装用ランド１３１と直列に接続されている。また、インダクタＬ３の形成箇所は、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したとき、入出力端子１２０の形成箇所と重なる。
【００６０】
ここで、インダクタＬ３の形成箇所は、図５に示すように、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したとき、第１グランド導体Ｇ１及び第２グランド導体Ｇ２の内、インダクタＬ３が形成されている層に近い方の第２グランド導体Ｇ２の形成箇所と異なる。すなわち、第２グランド導体Ｇ２は、インダクタＬ３と対向しない。
【００６１】
そのため、信号がインダクタＬ３を伝播する時にインダクタＬ３で磁界が発生しても、その磁界が第２グランド導体Ｇ２に殆ど作用せず、第２グランド導体Ｇ２における渦電流の発生を十分に抑制できる。
【００６２】
したがって、積層基板モジュール３００によれば、積層基板モジュール１００と同様の効果を奏する。
【００６３】
また、インダクタＬ３の形成箇所は、図５に示すように、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したとき、入出力端子１２０の形成箇所と重なる。そして、積層回路基板１１０の他方主面の内、入出力端子１２０が形成されていない領域に別の入出力端子１２１が形成されている。
【００６４】
そのため、積層基板モジュール３００では、インダクタＬ３の形成箇所が入出力端子１２１の形成箇所と重ならない。すなわち、積層基板モジュール３００は、入出力端子１２１が積層回路基板１１０においてインダクタＬ３から離れた構造になる。
【００６５】
したがって、積層基板モジュール３００によれば、インダクタＬ３を設けているが、入出力端子１２１のアイソレーション特性の劣化を防ぐことができる。
【００６６】
《本発明の第４実施形態》
以下、本発明の第４実施形態に係る積層基板モジュール４００について説明する。
【００６７】
図６は、本発明の第４実施形態に係る積層基板モジュール４００の主要部の断面図である。第４実施形態に係る積層基板モジュール４００が第１実施形態に係る積層基板モジュール１００と相違する点は、配線４９０である。その他の積層基板モジュール４００の構成については積層基板モジュール１００と同じであるため、説明を省略する。
【００６８】
詳述すると、積層回路基板１１０の内部には、図６に示すように、実装用ランド１３１及び入出力端子１２０を結ぶ配線４９０と、配線４９０の一部を構成するインダクタＬ４と、第１グランド導体Ｇ１と、第２グランド導体Ｇ２とが、導体パターンにより形成されている。
【００６９】
インダクタＬ４は、実装用ランド１３１と直列に接続されている。また、インダクタＬ４の形成箇所は、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したとき、実装用ランド１３１の形成箇所と重なる。
【００７０】
ここで、インダクタＬ４の形成箇所は、図６に示すように、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したとき、第１グランド導体Ｇ１及び第２グランド導体Ｇ２の内、インダクタＬ４が形成されている層に近い方の第１グランド導体Ｇ１の形成箇所と異なる。すなわち、第１グランド導体Ｇ１は、インダクタＬ４と対向しない。
【００７１】
そのため、信号がインダクタＬ４を伝播する時にインダクタＬ４で磁界が発生しても、その磁界が第１グランド導体Ｇ１に殆ど作用せず、第１グランド導体Ｇ１における渦電流の発生を十分に抑制できる。
【００７２】
したがって、積層基板モジュール４００によれば、積層基板モジュール１００と同様の効果を奏する。
【００７３】
また、インダクタＬ４の形成箇所は、図６に示すように、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したとき、実装用ランド１３１の形成箇所と重なる。そして、積層回路基板１１０の一方主面の内、実装用ランド１３１が形成されていない領域に別の実装用ランド１３２が形成されている。
【００７４】
そのため、積層基板モジュール４００では、インダクタＬ４の形成箇所が実装用ランド１３２の形成箇所と重ならない。すなわち、積層基板モジュール４００は、実装用ランド１３２が積層回路基板１１０においてインダクタＬ４から離れた構造になる。
【００７５】
したがって、積層基板モジュール４００によれば、インダクタＬ４を設けているが、実装用ランド１３２のアイソレーション特性の劣化を防ぐことができる。
【００７６】
《本発明の第５実施形態》
以下、本発明の第５実施形態に係る積層基板モジュール５００について説明する。
【００７７】
図７は、本発明の第５実施形態に係る積層基板モジュール５００の主要部の断面図である。第５実施形態に係る積層基板モジュール５００が第１実施形態に係る積層基板モジュール１００と相違する点は、配線５９０である。その他の積層基板モジュール５００の構成については積層基板モジュール１００と同じであるため、説明を省略する。
【００７８】
詳述すると、積層回路基板１１０の内部には、図７に示すように、実装用ランド１３１及び入出力端子１２０を結ぶ配線５９０と、配線５９０の一部を構成するインダクタＬ５Ａ、Ｌ５Ｂと、第１グランド導体Ｇ１と、第２グランド導体Ｇ２とが、導体パターンにより形成されている。
【００７９】
なお、インダクタＬ５Ａが、本発明の「第１インダクタ」に相当する。また、インダクタＬ５Ｂが、本発明の「第２インダクタ」に相当する。
【００８０】
インダクタＬ５Ａ、Ｌ５Ｂは、実装用ランド１３１と直列に接続されている。インダクタＬ５Ａは、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したとき、インダクタＬ５Ｂと異なる箇所に形成されている。
【００８１】
また、インダクタＬ５Ａの形成箇所は、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したとき、実装用ランド１３１の形成箇所と重なる。また、インダクタＬ５Ｂの形成箇所は、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したとき、入出力端子１２０の形成箇所と重なる。
【００８２】
ここで、インダクタＬ５Ａの形成箇所は、図７に示すように、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したとき、第１グランド導体Ｇ１及び第２グランド導体Ｇ２の内、インダクタＬ５Ａが形成されている層に近い方の第１グランド導体Ｇ１の形成箇所と異なる。
【００８３】
同様に、インダクタＬ５Ｂの形成箇所は、図７に示すように、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したとき、第１グランド導体Ｇ１及び第２グランド導体Ｇ２の内、インダクタＬ５Ｂが形成されている層に近い方の第２グランド導体Ｇ２の形成箇所と異なる。
【００８４】
すなわち、第１グランド導体Ｇ１は、インダクタＬ５Ａと対向せず、第２グランド導体Ｇ２は、インダクタＬ５Ｂと対向しない。
【００８５】
さらに、積層基板モジュール５００におけるインダクタＬ５Ａと第２グランド導体Ｇ２との間隔は、積層基板モジュール４００におけるインダクタＬ４と第２グランド導体Ｇ２との間隔より広い（図６、図７の矢印参照）。
【００８６】
同様に、積層基板モジュール５００におけるインダクタＬ５Ｂと第１グランド導体Ｇ１との間隔は、積層基板モジュール１００におけるインダクタＬ１と第１グランド導体Ｇ１との間隔より広い（図３、図７の矢印参照）。
【００８７】
そのため、信号がインダクタＬ５Ｂを伝播する時にインダクタＬ５Ｂで磁界が発生しても、その磁界が第１グランド導体Ｇ１及び第２グランド導体Ｇ２に殆ど作用せず、第１グランド導体Ｇ１及び第２グランド導体Ｇ２の両方における渦電流の発生を十分に抑制できる。
【００８８】
同様に、信号がインダクタＬ５Ａを伝播する時にインダクタＬ５Ａで磁界が発生しても、その磁界が第１グランド導体Ｇ１及び第２グランド導体Ｇ２に殆ど作用せず、第１グランド導体Ｇ１及び第２グランド導体Ｇ２の両方における渦電流の発生を十分に抑制できる。
【００８９】
したがって、積層基板モジュール５００によれば、積層基板モジュール１００よりインダクタＬ５Ａ、Ｌ５ＢのＱ値を向上させることができる。そのため、積層基板モジュール５００によれば、積層基板モジュール１００より高いＩＬ改善効果が得られる。
【００９０】
また、インダクタＬ５Ａの形成箇所は、図７に示すように、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したとき、実装用ランド１３１の形成箇所と重なる。そして、積層回路基板１１０の一方主面の内、実装用ランド１３１が形成されていない領域に別の実装用ランド１３２が形成されている。
【００９１】
また、インダクタＬ５Ｂの形成箇所は、図７に示すように、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したとき、入出力端子１２０の形成箇所と重なる。そして、積層回路基板１１０の他方主面の内、入出力端子１２０が形成されていない領域に別の入出力端子１２１が形成されている。
【００９２】
そのため、積層基板モジュール５００ではインダクタＬ５Ａ、Ｌ５Ｂの形成箇所が、実装用ランド１３２及び入出力端子１２１の形成箇所と重ならない。すなわち、積層基板モジュール５００は、実装用ランド１３２及び入出力端子１２１が積層回路基板１１０においてインダクタＬ５Ａ、Ｌ５Ｂから離れた構造になる。
【００９３】
したがって、積層基板モジュール５００によれば、インダクタＬ５Ａ、Ｌ５Ｂを設けているが、実装用ランド１３２及び入出力端子１２１のアイソレーション特性の劣化を防ぐことができる。
【００９４】
《本発明の第６実施形態》
以下、本発明の第６実施形態に係る積層基板モジュール６００について説明する。
【００９５】
図８は、本発明の第６実施形態に係る積層基板モジュール６００の主要部の断面図である。第６実施形態に係る積層基板モジュール６００が第１実施形態に係る積層基板モジュール１００と相違する点は、配線６９０及び第２グランド導体Ｇ２′である。その他の積層基板モジュール６００の構成については積層基板モジュール１００と同じであるため、説明を省略する。
【００９６】
詳述すると、積層回路基板１１０の内部には、図８に示すように、実装用ランド１３１及び入出力端子１２０を結ぶ配線６９０と、配線６９０の一部を構成するインダクタＬ６と、第１グランド導体Ｇ１と、第２グランド導体Ｇ２′とが、導体パターンにより形成されている。
【００９７】
第２グランド導体Ｇ２′は、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したときにインダクタＬ６の形成箇所を含むように、開口部６４０によって開口している。つまりインダクタＬ６の形成箇所は、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したときに開口部６４０とは重なり、また、第２グランド導体Ｇ２′とは異なる。その他の第２グランド導体Ｇ２′の構成については第２グランド導体Ｇ２と同じであるため、説明を省略する。
【００９８】
インダクタＬ６は、実装用ランド１３１と直列に接続されている。また、インダクタＬ６の形成箇所は、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したとき、入出力端子１２０の形成箇所と重なる。
【００９９】
ここで、インダクタＬ６の形成箇所は、図８に示すように、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したとき、第１グランド導体Ｇ１及び第２グランド導体Ｇ２′の内、インダクタＬ６が形成されている層に近い方の第２グランド導体Ｇ２′の形成箇所と異なる。すなわち、第２グランド導体Ｇ２′は、インダクタＬ６と対向しない。
【０１００】
そのため、信号がインダクタＬ６を伝播する時にインダクタＬ６で磁界が発生しても、その磁界が第２グランド導体Ｇ２′に殆ど作用せず、第２グランド導体Ｇ２′における渦電流の発生を十分に抑制できる。
【０１０１】
したがって、積層基板モジュール６００によれば、積層基板モジュール１００と同様の効果を奏する。
【０１０２】
また、インダクタＬ６の形成箇所は、図８に示すように、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したとき、入出力端子１２０の形成箇所と重なる。そして、積層回路基板１１０の他方主面の内、入出力端子１２０が形成されていない領域に別の入出力端子１２１が形成されている。
【０１０３】
そのため、積層基板モジュール６００では、インダクタＬ６の形成箇所が入出力端子１２１の形成箇所と重ならない。すなわち、積層基板モジュール６００では、入出力端子１２１が積層回路基板１１０においてインダクタＬ６から離れた構造になる。したがって、積層基板モジュール６００によれば、インダクタＬ６を設けているが、入出力端子１２１のアイソレーション特性の劣化を防ぐことができる。
【０１０４】
さらに、積層基板モジュール６００では、第２グランド導体Ｇ２の一部に開口を設けるだけで、インダクタＬ６の形成箇所を第２グランド導体Ｇ２′の形成箇所と異ならせた積層回路基板１１０を作成できる。
【０１０５】
したがって、積層基板モジュール６００によれば、インダクタＬ６の形成箇所に応じた導体パターンの設計変更が不要なため、積層基板モジュール６００の製造コストを低減できる。
【０１０６】
《本発明の第７実施形態》
以下、本発明の第７実施形態に係る積層基板モジュール７００について説明する。
【０１０７】
図９は、本発明の第７実施形態に係る積層基板モジュール７００の主要部の断面図である。第７実施形態に係る積層基板モジュール７００が第１実施形態に係る積層基板モジュール１００と相違する点は、配線７９０及び第１グランド導体Ｇ１′である。その他の積層基板モジュール７００の構成については積層基板モジュール１００と同じであるため、説明を省略する。
【０１０８】
詳述すると、積層回路基板１１０の内部には、図９に示すように、実装用ランド１３１及び入出力端子１２０を結ぶ配線７９０と、配線７９０の一部を構成するインダクタＬ７と、第１グランド導体Ｇ１′と、第２グランド導体Ｇ２とが、導体パターンにより形成されている。
【０１０９】
第１グランド導体Ｇ１′は、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したときにインダクタＬ７の形成箇所を含むように、開口部７５０によって開口している。つまりインダクタＬ７の形成箇所は、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したときに開口部７５０とは重なり、また、第１グランド導体Ｇ１′とは異なる。その他の第１グランド導体Ｇ１′の構成については第１グランド導体Ｇ１と同じであるため、説明を省略する。
【０１１０】
インダクタＬ７は、実装用ランド１３１と直列に接続されている。また、インダクタＬ７の形成箇所は、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したとき、実装用ランド１３１の形成箇所と重なる。
【０１１１】
ここで、インダクタＬ７の形成箇所は、図９に示すように、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したとき、第１グランド導体Ｇ１′及び第２グランド導体Ｇ２の内、インダクタＬ７が形成されている層に近い方の第１グランド導体Ｇ１′の形成箇所と異なる。すなわち、第１グランド導体Ｇ１′は、インダクタＬ７と対向しない。
【０１１２】
そのため、信号がインダクタＬ７を伝播する時にインダクタＬ７で磁界が発生しても、その磁界が第１グランド導体Ｇ１′に殆ど作用せず、第１グランド導体Ｇ１′における渦電流の発生を十分に抑制できる。
【０１１３】
したがって、積層基板モジュール７００によれば、積層基板モジュール１００と同様の効果を奏する。
【０１１４】
また、インダクタＬ７の形成箇所は、図９に示すように、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したとき、実装用ランド１３１の形成箇所と重なる。そして、積層回路基板１１０の一方主面の内、実装用ランド１３１が形成されていない領域に別の実装用ランド１３２が形成されている。
【０１１５】
そのため、積層基板モジュール７００では、インダクタＬ７の形成箇所が実装用ランド１３２の形成箇所と重ならない。すなわち、積層基板モジュール７００では、実装用ランド１３２が積層回路基板１１０においてインダクタＬ７から離れた構造になる。したがって、積層基板モジュール７００によれば、インダクタＬ７を設けているが、実装用ランド１３２のアイソレーション特性の劣化を防ぐことができる。
【０１１６】
さらに、積層基板モジュール７００では、第１グランド導体Ｇ１の一部に開口を設けるだけで、インダクタＬ７の形成箇所を第１グランド導体Ｇ１′の形成箇所と異ならせた積層回路基板１１０を作成できる。
【０１１７】
したがって、積層基板モジュール７００によれば、インダクタＬ７の形成箇所に応じた導体パターンの設計変更が不要なため、積層基板モジュール７００の製造コストを低減できる。
【０１１８】
《本発明の第８実施形態》
以下、本発明の第８実施形態に係る積層基板モジュール８００について説明する。
【０１１９】
図１０は、本発明の第８実施形態に係る積層基板モジュール８００の主要部の断面図である。第８実施形態に係る積層基板モジュール８００が第６実施形態に係る積層基板モジュール６００と相違する点は、第１グランド導体Ｇ１′である。その他の積層基板モジュール８００の構成については積層基板モジュール６００と同じであるため、説明を省略する。
【０１２０】
詳述すると、積層回路基板１１０の内部には、図１０に示すように、実装用ランド１３１及び入出力端子１２０を結ぶ配線６９０と、配線６９０の一部を構成するインダクタＬ６と、第１グランド導体Ｇ１′と、第２グランド導体Ｇ２′とが、導体パターンにより形成されている。
【０１２１】
第１グランド導体Ｇ１′は、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したときにインダクタＬ７の形成箇所を含むように、開口部８５０によって開口している。その他の第１グランド導体Ｇ１′の構成については第１グランド導体Ｇ１と同じであるため、説明を省略する。
【０１２２】
ここで、インダクタＬ６の形成箇所は、図１０に示すように、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したとき、第１グランド導体Ｇ１′及び第２グランド導体Ｇ２′の両方の形成箇所と異なる。すなわち、第１グランド導体Ｇ１′及び第２グランド導体Ｇ２′のそれぞれは、インダクタＬ６と対向しない。
【０１２３】
そのため、信号がインダクタＬ６を伝播する時にインダクタＬ６で磁界が発生しても、その磁界が第１グランド導体Ｇ１′及び第２グランド導体Ｇ２′に殆ど作用せず、第１グランド導体Ｇ１′及び第２グランド導体Ｇ２′の両方における渦電流の発生を十分に抑制できる。
【０１２４】
したがって、積層基板モジュール８００によれば、積層基板モジュール１００よりインダクタＬ６のＱ値を向上させることができる。そのため、積層基板モジュール８００によれば、積層基板モジュール１００より高いＩＬ改善効果が得られる。
【０１２５】
また、インダクタＬ６の形成箇所は、図１０に示すように、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したとき、入出力端子１２０の形成箇所と重なる。そして、積層回路基板１１０の他方主面の内、入出力端子１２０が形成されていない領域に別の入出力端子１２１が形成されている。
【０１２６】
そのため、積層基板モジュール８００では、インダクタＬ６の形成箇所が入出力端子１２１の形成箇所と重ならない。すなわち、積層基板モジュール８００は、入出力端子１２１が積層回路基板１１０においてインダクタＬ６から離れた構造になる。
【０１２７】
したがって、積層基板モジュール８００によれば、インダクタＬ６を設けているが、入出力端子１２１のアイソレーション特性の劣化を防ぐことができる。
【０１２８】
さらに、積層基板モジュール８００では、第１グランド導体Ｇ１の一部と第２グランド導体Ｇ２の一部とに開口を設けるだけで、インダクタＬ６の形成箇所を第１グランド導体Ｇ１′及び第２グランド導体Ｇ２′のそれぞれの形成箇所と異ならせた積層回路基板１１０を作成できる。
【０１２９】
したがって、積層基板モジュール８００によれば、インダクタＬ６の形成箇所に応じた導体パターンの設計変更が不要なため、積層基板モジュール８００の製造コストを低減できる。
【０１３０】
《本発明の第９実施形態》
以下、本発明の第９実施形態に係る積層基板モジュール９００について説明する。
【０１３１】
図１１は、本発明の第９実施形態に係る積層基板モジュール９００の主要部の断面図である。第９実施形態に係る積層基板モジュール９００が第７実施形態に係る積層基板モジュール７００と相違する点は、第２グランド導体Ｇ２′である。その他の積層基板モジュール９００の構成については積層基板モジュール７００と同じであるため、説明を省略する。
【０１３２】
詳述すると、積層回路基板１１０の内部には、図１１に示すように、実装用ランド１３１及び入出力端子１２０を結ぶ配線７９０と、配線７９０の一部を構成するインダクタＬ７と、第１グランド導体Ｇ１′と、第２グランド導体Ｇ２′とが、導体パターンにより形成されている。
【０１３３】
第２グランド導体Ｇ２′は、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したときにインダクタＬ７の形成箇所を含むように、開口部９５０によって開口している。その他の第２グランド導体Ｇ２′の構成については第２グランド導体Ｇ２と同じであるため、説明を省略する。
【０１３４】
ここで、インダクタＬ７の形成箇所は、図１１に示すように、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したとき、第１グランド導体Ｇ１′及び第２グランド導体Ｇ２′の両方の形成箇所と異なる。すなわち、第１グランド導体Ｇ１′及び第２グランド導体Ｇ２′のそれぞれは、インダクタＬ７と対向しない。
【０１３５】
そのため、信号がインダクタＬ７を伝播する時にインダクタＬ７で磁界が発生しても、その磁界が第１グランド導体Ｇ１′及び第２グランド導体Ｇ２′に殆ど作用せず、第１グランド導体Ｇ１′及び第２グランド導体Ｇ２′の両方における渦電流の発生を十分に抑制できる。
【０１３６】
したがって、積層基板モジュール９００によれば、積層基板モジュール１００よりインダクタＬ７のＱ値を向上させることができる。そのため、積層基板モジュール９００によれば、積層基板モジュール１００より高いＩＬ改善効果が得られる。
【０１３７】
また、インダクタＬ７の形成箇所は、図１１に示すように、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したとき、実装用ランド１３１の形成箇所と重なる。そして、積層回路基板１１０の一方主面の内、実装用ランド１３１が形成されていない領域に別の実装用ランド１３２が形成されている。
【０１３８】
そのため、積層基板モジュール９００では、インダクタＬ７の形成箇所が実装用ランド１３２の形成箇所と重ならない。すなわち、積層基板モジュール９００は、実装用ランド１３２が積層回路基板１１０においてインダクタＬ７から離れた構造になる。
【０１３９】
したがって、積層基板モジュール９００によれば、インダクタＬ７を設けているが、実装用ランド１３２のアイソレーション特性の劣化を防ぐことができる。
【０１４０】
さらに、積層基板モジュール９００では、第１グランド導体Ｇ１の一部と第２グランド導体Ｇ２の一部とに開口を設けるだけで、インダクタＬ７の形成箇所を第１グランド導体Ｇ１′及び第２グランド導体Ｇ２′のそれぞれの形成箇所と異ならせた積層回路基板１１０を作成できる。
【０１４１】
したがって、積層基板モジュール９００によれば、インダクタＬ７の形成箇所に応じた導体パターンの設計変更が不要なため、積層基板モジュール９００の製造コストを低減できる。
【０１４２】
《本発明の第１０実施形態》
以下、本発明の第１０実施形態に係る積層基板モジュール１０００について説明する。
【０１４３】
図１２は、本発明の第１０実施形態に係る積層基板モジュール１０００の主要部の断面図である。第１０実施形態に係る積層基板モジュール１０００が第１実施形態に係る積層基板モジュール１００と相違する点は、配線１０９０及び第１グランド導体Ｇ３である。その他の積層基板モジュール１０００の構成については積層基板モジュール１００と同じであるため、説明を省略する。
【０１４４】
詳述すると、積層回路基板１１０の内部には、図１２に示すように、実装用ランド１３１及び入出力端子１２０を結ぶ配線１０９０と、配線１０９０の一部を構成するインダクタＬ１０と、第１グランド導体Ｇ３と、第２グランド導体Ｇ２とが、導体パターンにより形成されている。
【０１４５】
第１グランド導体Ｇ３は、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したときにインダクタＬ１０の形成箇所と異なるように、形成されている。
【０１４６】
同様に、第２グランド導体Ｇ２も、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したときにインダクタＬ１０の形成箇所と異なるように、形成されている。
【０１４７】
また、インダクタＬ１０は、実装用ランド１３１と直列に接続されている。また、インダクタＬ１０の形成箇所は、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したとき、入出力端子１２０の形成箇所と実装用ランド１３１の形成箇所とに重なる。
【０１４８】
ここで、インダクタＬ１０の形成箇所は、図１２に示すように、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したとき、第１グランド導体Ｇ３及び第２グランド導体Ｇ２の両方の形成箇所と異なる。すなわち、第１グランド導体Ｇ３及び第２グランド導体Ｇ２のそれぞれは、インダクタＬ１０と対向しない。
【０１４９】
そのため、信号がインダクタＬ１０を伝播する時にインダクタＬ１０で磁界が発生しても、その磁界が第１グランド導体Ｇ３及び第２グランド導体Ｇ２に殆ど作用せず、第１グランド導体Ｇ３及び第２グランド導体Ｇ２の両方における渦電流の発生を十分に抑制できる。
【０１５０】
したがって、積層基板モジュール１０００によれば、積層基板モジュール１００よりインダクタＬ１０のＱ値を向上させることができる。そのため、積層基板モジュール１０００によれば、積層基板モジュール１００より高いＩＬ改善効果が得られる。
【０１５１】
また、インダクタＬ１０の形成箇所は、図１２に示すように、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したとき、実装用ランド１３１の形成箇所と重なる。そして、積層回路基板１１０の一方主面の内、実装用ランド１３１が形成されていない領域に別の実装用ランド１３２が形成されている。
【０１５２】
また、インダクタＬ１０の形成箇所は、図１２に示すように、積層回路基板１１０の一方主面または他方主面を正面視したとき、入出力端子１２０の形成箇所と重なる。そして、積層回路基板１１０の他方主面の内、入出力端子１２０が形成されていない領域に別の入出力端子１２１が形成されている。
【０１５３】
そのため、積層基板モジュール１０００ではインダクタＬ１０の形成箇所が、実装用ランド１３２及び入出力端子１２１の形成箇所と重ならない。すなわち、積層基板モジュール１０００は、実装用ランド１３２及び入出力端子１２１が積層回路基板１１０においてインダクタＬ１０から離れた構造になる。
【０１５４】
したがって、積層基板モジュール１０００によれば、インダクタＬ１０を設けているが、実装用ランド１３２及び入出力端子１２１のアイソレーション特性の劣化を防ぐことができる。
【０１５５】
《その他の実施形態》
なお、前記各実施形態では実装用ランド１３１、１３２にＩＣ１３０が実装されているが、これに限るものではない。例えば実装用ランド１３１、１３２に、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ  Ｆｉｌｔｅｒ）デバイス等の他の実装部品が実装されていてもよい。
【０１５６】
最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【０１５７】
１００、２００、３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００…積層基板モジュール
１１０…積層回路基板
１２０、１２１…入出力端子
１３０…スイッチＩＣ
１３１、１３２…実装用ランド
１９０、２９０、３９０、４９０、５９０、６９０、７９０、１０９０…配線
６４０、７５０、８５０、９５０…開口部
【図１】
2014139962.tif 000003
【図２】
2014139962.tif 000004
【図３】
2014139962.tif 000005
【図４】
2014139962.tif 000006
【図５】
2014139962.tif 000007
【図６】
2014139962.tif 000008
【図７】
2014139962.tif 000009
【図８】
2014139962.tif 000010
【図９】
2014139962.tif 000011
【図１０】
2014139962.tif 000012
【図１１】
2014139962.tif 000013
【図１２】
2014139962.tif 000014