(57)【要約】【課題】ターゲット物質を適切に出力し得るターゲット供給方法を提供すること。【解決手段】ターゲット供給装置の制御方法は、加熱部がターゲット生成器内部のターゲット物質を加熱することで、当該ターゲット物質を溶融することと、圧力制御部が前記ターゲット生成器内部を加圧することで、前記ターゲット生成器内のターゲット物質をノズルのノズル孔から押し出すことと、前記ターゲット物質を前記ノズル孔から押し出すことにより前記ノズルの先端に付着するように形成された付着部のサイズが、前記ノズル孔全体を塞ぐ設定サイズとなったか否かを判断することと、前記付着部のサイズが前記設定サイズになったときに、前記圧力制御部が前記ターゲット生成器内部の加圧を停止することと、前記加熱部が前記ターゲット物質の加熱を停止することで、前記ターゲット生成器内のターゲット物質および前記付着部を固化させることと、を含んでもよい。【選択図】図３
2014035948.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶ光生成装置に備えられ、ノズルを有し、内部にターゲット物質を収容するターゲット生成器と、
前記ターゲット生成器内部の圧力を制御する圧力制御部と、
前記ターゲット生成器内部のターゲット物質を加熱する加熱部とを含むターゲット供給装置を用い、
前記加熱部が前記ターゲット生成器内部のターゲット物質を加熱することで、当該ターゲット物質を溶融することと、
前記圧力制御部が前記ターゲット生成器内部を加圧することで、前記ターゲット生成器内のターゲット物質を前記ノズルのノズル孔から押し出すことと、
前記ターゲット物質を前記ノズル孔から押し出すことにより前記ノズルの先端に付着するように形成された付着部のサイズが、前記ノズル孔全体を塞ぐ設定サイズとなったか否かを判断することと、
前記付着部のサイズが前記設定サイズになったときに、前記圧力制御部が前記ターゲット生成器内部の加圧を停止することと、
前記加熱部が前記ターゲット物質の加熱を停止することで、前記ターゲット生成器内のターゲット物質および前記付着部を固化させることと、を含むターゲット供給装置の制御方法。
【請求項２】
請求項１に記載のターゲット供給装置の制御方法において、
前記付着部のサイズが前記設定サイズとなったか否かを判断することは、
前記圧力制御部が前記ターゲット生成器内部の加圧を開始してからの経過時間が設定時間の範囲内となったときに、前記設定サイズとなったと判断することにより行われるターゲット供給装置の制御方法。
【請求項３】
請求項１に記載のターゲット供給装置の制御方法において、
前期ＥＵＶ光生成装置は前記付着部のサイズを測定する測定部をさらに備え、
前記付着部のサイズが前記設定サイズとなったか否かを判断することは、
前記測定部が前記付着部のサイズを測定し、この測定結果に基づいて前記付着部のサイズが前記設定サイズとなったか否かを判断することにより行われるターゲット供給装置の制御方法。
【請求項４】
請求項１に記載のターゲット供給装置の制御方法において、
前記ＥＵＶ光生成装置は前記ターゲット生成器内部を吸引することで当該ターゲット生成器内部を排気する排気部をさらに備え、
前記圧力制御部が前記ターゲット生成器内部の加圧を停止した後であり、前記加熱部が前記ターゲット物質の加熱を停止する前に、前記排気部が前記ターゲット生成器内部を排気することを含むターゲット供給装置の制御方法。
【請求項５】
請求項１に記載のターゲット供給装置の制御方法において、
前記加熱部が前記ターゲット物質の加熱を停止することは、
前記ノズルの先端に近い側の方の前記ターゲット物質の温度が遠い側の方の前記ターゲット物質の温度よりも低くなる状態を維持しながら、前記ターゲット物質の温度を下げることにより行われるターゲット供給装置の制御方法。
【請求項６】
ノズルを有し、内部にターゲット物質を収容するターゲット生成器と、
前記ノズルのノズル孔全体を塞ぐ設定サイズで前記ノズルの先端に付着した前記ターゲット物質と同じ物質の付着部と、を含むターゲット供給装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、ターゲット供給装置の制御方法、および、ターゲット供給装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外光（以下、ＥＵＶ光という場合がある。）を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ  Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）方式の装置との３種類の装置が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第７４０５４１６号明細書
【概要】
【０００５】
本開示の一態様によるターゲット供給装置の制御方法は、ＥＵＶ光生成装置に備えられ、ノズルを有し、内部にターゲット物質を収容するターゲット生成器と、前記ターゲット生成器内部の圧力を制御する圧力制御部と、前記ターゲット生成器内部のターゲット物質を加熱する加熱部とを含むターゲット供給装置を用い、前記加熱部が前記ターゲット生成器内部のターゲット物質を加熱することで、当該ターゲット物質を溶融することと、前記圧力制御部が前記ターゲット生成器内部を加圧することで、前記ターゲット生成器内のターゲット物質を前記ノズルのノズル孔から押し出すことと、前記ターゲット物質を前記ノズル孔から押し出すことにより前記ノズルの先端に付着するように形成された付着部のサイズが、前記ノズル孔全体を塞ぐ設定サイズとなったか否かを判断することと、前記付着部のサイズが前記設定サイズになったときに、前記圧力制御部が前記ターゲット生成器内部の加圧を停止することと、前記加熱部が前記ターゲット物質の加熱を停止することで、前記ターゲット生成器内のターゲット物質および前記付着部を固化させることと、を含んでもよい。
【０００６】
本開示の一態様によるターゲット供給装置は、ノズルを有し、内部にターゲット物質を収容するターゲット生成器と、前記ノズルのノズル孔全体を塞ぐ設定サイズで前記ノズルの先端に付着した前記ターゲット物質と同じ物質の付着部と、を含んでもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
【図２】図２は、第１実施形態および第２実施形態に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
【図３】図３は、第１実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
【図４Ａ】図４Ａは、本開示の実施形態の課題を説明するための図であり、チャンバ内の部品をメンテナンスするときの動作を示す。
【図４Ｂ】図４Ｂは、前記課題を説明するための図であり、メンテナンスされたターゲット供給装置または新品のターゲット供給装置をチャンバにセットするときの動作を示す。
【図５Ａ】図５Ａは、前記課題を説明するための図であり、ノズル内のターゲット物質の先端部に酸化スズが形成された状態を示す。
【図５Ｂ】図５Ｂは、前記課題を説明するための図であり、ターゲット物質が収縮しかつノズル内のターゲット物質の先端部に酸化スズが形成された状態を示す。
【図６】図６は、第１実施形態に係るターゲット供給装置の制御方法を示すフローチャートである。
【図７】図７は、ターゲット供給装置の制御方法を示すフローチャートであって、図６に続く処理を表す。
【図８】図８は、第２実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
【図９】図９は、第２実施形態に係るターゲット供給装置の制御方法を示すフローチャートである。
【図１０】図１０は、ターゲット供給装置の制御方法を示すフローチャートであって、図９に続く処理を表す。
【図１１】図１１は、第２実施形態に係るターゲット物質固化サブルーチンを示すフローチャートである。
【実施形態】
【０００８】
内容
１．概要
２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１  構成
２．２  動作
３．ターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置
３．１  第１実施形態
３．１．１  概略
３．１．２  構成
３．１．３  動作
３．２  第２実施形態
３．２．１  概略
３．２．２  構成
３．２．３  動作
３．３  変形例
【０００９】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成および動作の全てが本開示の構成および動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【００１０】
１．概要
本開示の実施形態においては、ターゲット供給装置の制御方法は、ＥＵＶ光生成装置に備えられ、ノズルを有し、内部にターゲット物質を収容するターゲット生成器と、前記ターゲット生成器内部の圧力を制御する圧力制御部と、前記ターゲット生成器内部のターゲット物質を加熱する加熱部とを含むターゲット供給装置を用い、前記加熱部が前記ターゲット生成器内部のターゲット物質を加熱することで、当該ターゲット物質を溶融することと、前記圧力制御部が前記ターゲット生成器内部を加圧することで、前記ターゲット生成器内のターゲット物質を前記ノズルのノズル孔から押し出すことと、前記ターゲット物質を前記ノズル孔から押し出すことにより前記ノズルの先端に付着するように形成された付着部のサイズが、前記ノズル孔全体を塞ぐ設定サイズとなったか否かを判断することと、前記付着部のサイズが前記設定サイズになったときに、前記圧力制御部が前記ターゲット生成器内部の加圧を停止することと、前記加熱部が前記ターゲット物質の加熱を停止することで、前記ターゲット生成器内のターゲット物質および前記付着部を固化させることと、を含んでもよい。
【００１１】
本開示の実施形態においては、ターゲット供給装置は、ノズルを有し、内部にターゲット物質を収容するターゲット生成器と、前記ノズルのノズル孔全体を塞ぐ設定サイズで前記ノズルの先端に付着した前記ターゲット物質と同じ物質の付着部と、を含んでもよい。
【００１２】
２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１  構成
図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。ＥＵＶ光生成装置１およびレーザ装置３を含むシステムを、以下、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１を参照に、以下に詳細に説明されるように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲット供給装置７をさらに含んでもよい。ターゲット供給装置７は、例えばチャンバ２に取り付けられていてもよい。ターゲット供給装置７から供給されるターゲットの材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、またはそれらのうちのいずれか２つ以上の組合せ等を含んでもよいが、これらに限定されない。
【００１３】
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔をレーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３２が通過するように、レーザ装置３等が配置されてもよい。あるいは、チャンバ２には、その貫通孔を塞ぐように、かつ、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３２が透過するように、少なくとも１つのウインドウ２１が設けられてもよい。チャンバ２の内部には例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１焦点および第２焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１焦点がプラズマ生成位置またはその近傍のプラズマ生成領域２５に位置し、その第２焦点が露光装置の仕様によって規定される所望の集光位置（中間焦点（ＩＦ）２９２）に位置するように配置されるのが好ましい。所望の集光位置は中間焦点（ＩＦ）２９２と呼んでもよい。なお、プラズマの生成については、後に説明する。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には、貫通孔２４が設けられてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、パルスレーザ光３３が貫通孔２４を通過するように配置されてもよい。
【００１４】
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御システム５を含んでいてもよい。また、ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲットセンサ４を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、ターゲットの存在、軌道、位置等を検出してもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよい。
【００１５】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２内部と露光装置６内部とを連通させるための接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２焦点位置に位置するように配置されてもよい。
【００１６】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光光学系２２、ドロップレット２７を回収するためのターゲット回収装置２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置や姿勢等を調節するためのアクチュエータとを備えてもよい。
【００１７】
２．２  動作
図１を参照すると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過して、チャンバ２に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光光学系２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのドロップレット２７に照射されてもよい。
【００１８】
ターゲット供給装置７からは、ドロップレット２７がチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力されてもよい。ドロップレット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスレーザ光が照射され得る。パルスレーザ光３３が照射されたドロップレット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶを含む光２５１（以下、「ＥＵＶ光を含む光」を「ＥＵＶ光」と表現する場合がある）が放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって集光されるとともに反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３で反射されたＥＵＶ光２５２は、中間焦点２９２を通って露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのドロップレット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスレーザ光が照射されてもよい。
【００１９】
ＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたドロップレット２７のイメージデータ等を処理してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、ドロップレット２７を出力するタイミングやドロップレット２７の出力速度等を制御してもよい。また、ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、レーザ装置３のレーザ発振タイミングやパルスレーザ光３２の進行方向やパルスレーザ光３３の集光位置等を制御してもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御を追加してもよい。
【００２０】
３．ターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置
３．１  第１実施形態
３．１．１  概略
本開示の第１実施形態のターゲット供給装置の制御方法において、前記付着部のサイズが前記設定サイズとなったか否かを判断することは、前記圧力制御部が前記ターゲット生成器内部の加圧を開始してからの経過時間が設定時間の範囲内となったときに、前記設定サイズとなったと判断することにより行われてもよい。
【００２１】
３．１．２  構成
図２は、第１実施形態および後述する第２実施形態に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。図３は、第１実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
ＥＵＶ光生成装置１Ａは、図２に示すように、チャンバ２と、ターゲット供給装置７Ａとを備えてもよい。ターゲット供給装置７Ａは、ターゲット生成部７０Ａと、制御部としてのターゲット制御装置８０Ａとを備えてもよい。ターゲット制御装置８０Ａには、レーザ装置３と、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａとが電気的に接続されてもよい。
【００２２】
ターゲット生成部７０Ａは、ターゲット生成器７１Ａと、圧力制御部７２Ａと、温度制御部７３Ａと、ピエゾ部７５Ａとを備えてもよい。
ターゲット生成器７１Ａは、内部にターゲット物質２７０を収容するためのタンク７１１Ａを備えてもよい。タンク７１１Ａは、筒状であってもよい。タンク７１１Ａには、当該タンク７１１Ａ内のターゲット物質２７０を、ドロップレット２７としてチャンバ２内に出力するためのノズル７１２Ａが設けられていてもよい。ノズル７１２Ａの先端部には、図３に示すように、ノズル孔７１３Ａが設けられていてもよい。ターゲット生成器７１Ａは、タンク７１１Ａがチャンバ２外部に位置し、ノズル７１２Ａがチャンバ２内部に位置するように設けられてもよい。
【００２３】
また、ノズル７１２Ａの先端には、ターゲット物質２７０をノズル孔７１３Ａから押し出すことで形成された付着部２７５Ａが付着してもよい。この付着部２７５Ａの形成方法については、後述する。例えば、付着部２７５Ａの直径Ｄは、下限値Ｄｍｉｎが１００μｍ、上限値Ｄｍａｘが５００μｍの所定の設定範囲内の大きさであってもよい。所定の設定範囲の中心値である設定直径Ｄｍは、３００μｍであってもよい。付着部２７５Ａの形状は、球形でなくてもよいが、ターゲット物質２７０をノズル孔７１３Ａから押し出すと、ターゲット物質２７０の表面張力によって球形となり得る。
固体の酸化スズ２７６Ａは、付着部２７５Ａを構成するターゲット物質２７０が空気に触れたときに、当該空気に含まれる酸素と付着部２７５Ａの表面のスズとが反応することで生成されてもよい。
【００２４】
チャンバ２の設置形態によっては、予め設定されるドロップレット２７の出力方向（ノズル７１２Ａの軸方向（設定出力方向１０Ａと称する））は、必ずしも重力方向１０Ｂと一致するとは限らない。重力方向１０Ｂに対して、斜め方向や水平方向に、ドロップレット２７が出力されるよう構成されてもよい。なお、第１実施形態では、設定出力方向１０Ａが重力方向１０Ｂと一致するようにチャンバ２が設置されてもよい。
【００２５】
タンク７１１Ａの端部７１４Ａには、図２に示すように、配管７２７Ａを介して不活性ガスボンベ７２１Ａが接続されてもよい。配管７２７Ａは、第１の端が不活性ガスボンベ７２１Ａに連結されてもよい。配管７２７Ａは、第２の端がタンク７１１Ａ内に位置するように、端部７１４Ａに連結されてもよい。このような構成によって、不活性ガスボンベ７２１Ａ内の不活性ガスが、ターゲット生成器７１Ａ内に供給され得る。
【００２６】
配管７２７Ａには、圧力制御部７２Ａが設けられてもよい。圧力制御部７２Ａは、第１バルブＶ１と、第２バルブＶ２と、圧力センサ７２２Ａとを備えてもよい。
第１バルブＶ１は、配管７２７Ａに設けられてもよい。
配管７２７Ａにおける第１バルブＶ１よりタンク７１１Ａ側には、配管７２８Ａが連結されてもよい。配管７２８Ａは、第１の端が配管７２７Ａの側面に連結されてもよい。配管７２８Ａは、第２の端が開放されてもよい。第２バルブＶ２は、配管７２８Ａの途中に設けられてもよい。
第１バルブＶ１および第２バルブＶ２は、ゲートバルブ、ボールバルブ、バタフライバルブなどのいずれかであってもよい。第１バルブＶ１と第２バルブＶ２とは、同じ種類のバルブであってもよいし、異なる種類のバルブであってもよい。
第１バルブＶ１および第２バルブＶ２には、ターゲット制御装置８０Ａが電気的に接続されてもよい。第１バルブＶ１および第２バルブＶ２は、ターゲット制御装置８０Ａから送信される信号に基づいて、それぞれ独立して開閉を切り替えてもよい。
【００２７】
第１バルブＶ１が開くと、不活性ガスボンベ７２１Ａ内の不活性ガスが、配管７２７Ａを介してターゲット生成器７１Ａ内に供給され得る。第２バルブＶ２が閉じると、配管７２７Ａ内に存在する不活性ガスが、配管７２８Ａの第２の端から当該配管７２７Ａの外部に排出されることを防止し得る。このことにより、第１バルブＶ１が開くとともに、第２バルブＶ２が閉じると、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力が、不活性ガスボンベ７２１Ａ内の圧力まで上がり得る。その後、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力は、不活性ガスボンベ７２１Ａ内の圧力で維持され得る。
第１バルブＶ１が閉じると、不活性ガスボンベ７２１Ａ内の不活性ガスが、配管７２７Ａを介してターゲット生成器７１Ａ内に供給されることを防止し得る。第２バルブＶ２が開くと、配管７２７Ａの内部と当該配管７２７Ａの外部との間の圧力差によって、配管７２７Ａ内に存在する不活性ガスが、配管７２８Ａの第２の端から当該配管７２７Ａの外部に排出され得る。このことにより、第１バルブＶ１が閉じるとともに、第２バルブＶ２が開くと、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力が下がり得る。
【００２８】
配管７２７Ａにおける配管７２８Ａよりタンク７１１Ａ側には、配管７２９Ａが連結されてもよい。配管７２９Ａは、第１の端が配管７２７Ａの側面に連結されてもよい。配管７２８Ａの第２の端には、圧力センサ７２２Ａが設けられてもよい。圧力センサ７２２Ａには、ターゲット制御装置８０Ａが電気的に接続されてもよい。圧力センサ７２２Ａは、配管７２９Ａ内に存在する不活性ガスの圧力を検出して、この検出した圧力に対応する信号をターゲット制御装置８０Ａに送信してもよい。配管７２９Ａ内の圧力は、配管７２７Ａの圧力およびターゲット生成器７１Ａ内の圧力とほぼ同一の圧力となり得る。
【００２９】
温度制御部７３Ａは、タンク７１１Ａ内のターゲット物質２７０の温度を制御するよう構成されてもよい。温度制御部７３Ａは、ヒータ７３１Ａと、ヒータ電源７３２Ａと、温度センサ７３３Ａと、温度コントローラ７３４Ａとを備えてもよい。ヒータ７３１Ａは、タンク７１１Ａの外周面に設けられてもよい。ヒータ電源７３２Ａは、温度コントローラ７３４Ａからの信号に基づいて、ヒータ７３１Ａに電力を供給してヒータ７３１Ａを発熱させてもよい。それにより、タンク７１１Ａ内のターゲット物質２７０が、タンク７１１Ａを介して加熱され得る。
温度センサ７３３Ａは、タンク７１１Ａの外周面におけるノズル７１２Ａ側に設けられてもよいし、タンク７１１Ａ内に設けられてもよい。温度センサ７３３Ａは、タンク７１１Ａにおける主に温度センサ７３３Ａの設置位置およびその近傍の位置の温度を検出して、当該検出した温度に対応する信号を温度コントローラ７３４Ａに送信するよう構成されてもよい。温度センサ７３３Ａの設置位置およびその近傍の位置の温度は、タンク７１１Ａ内のターゲット物質２７０の温度とほぼ同一の温度となり得る。
温度コントローラ７３４Ａは、温度センサ７３３Ａからの信号に基づいて、ターゲット物質２７０の温度を所定温度に制御するための信号をヒータ電源７３２Ａに出力するよう構成されてもよい。
【００３０】
ピエゾ部７５Ａは、ピエゾ素子７５１Ａと、電源７５２Ａとを備えてもよい。ピエゾ素子７５１Ａは、チャンバ２内において、ノズル７１２Ａの外周面に設けられてもよい。ピエゾ素子７５１Ａの代わりに、高速でノズル７１２Ａに振動を加えることが可能な機構が設けられてもよい。電源７５２Ａは、フィードスルー７５３Ａを介してピエゾ素子７５１Ａに電気的に接続されてもよい。電源７５２Ａは、ターゲット制御装置８０Ａに電気的に接続されてもよい。
ターゲット生成部７０Ａは、コンティニュアスジェット方式でジェット２７Ａを生成し、ノズル７１２Ａから出力したジェット２７Ａを振動させることで、ドロップレット２７を生成するよう構成されてもよい。
【００３１】
ターゲット制御装置８０Ａは、制御部であってもよい。ターゲット制御装置８０Ａには、タイマ８１Ａが電気的に接続されてもよい。ターゲット制御装置８０Ａは、温度コントローラ７３４Ａに信号を送信して、ターゲット生成器７１Ａ内のターゲット物質２７０の温度を制御してもよい。ターゲット制御装置８０Ａは、圧力制御部７２Ａの第１バルブＶ１および第２バルブＶ２に信号を送信して、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力を制御してもよい。
【００３２】
３．１．３  動作
図４Ａは、本開示の実施形態の課題を説明するための図であり、チャンバ内の部品をメンテナンスするときの動作を示す。図４Ｂは、前記課題を説明するための図であり、メンテナンスされたターゲット供給装置または新品のターゲット供給装置をチャンバにセットするときの動作を示す。図５Ａは、前記課題を説明するための図であり、ノズル内のターゲット物質の先端部に酸化スズが形成された状態を示す。図５Ｂは、前記課題を説明するための図であり、ターゲット物質が収縮しかつノズル内のターゲット物質の先端部に酸化スズが形成された状態を示す。図６は、ターゲット供給装置の制御方法を示すフローチャートである。図７は、ターゲット供給装置の制御方法を示すフローチャートであって、図６に続く処理を表す。
なお、以下において、ターゲット物質２７０がスズの場合を例示して、ターゲット供給装置の制御方法を説明する。
【００３３】
第１実施形態および第２実施形態のターゲット供給装置の制御方法が解決しようとする課題について説明する。
ＥＵＶ光生成装置１の作業者は、図４Ａに示すように、チャンバ２の扉２０Ａを開いて、ＥＵＶ集光ミラー２３をチャンバ２の外部に取り出してもよいし、ＥＵＶ光集光ミラー２３をチャンバ２の内部に収容してもよい。扉２０Ａを開くと、チャンバ２内部に空気が入り、ノズル７１２Ａが空気に触れ得る。
ＥＵＶ光生成装置１の作業者は、チャンバ２からターゲット生成器７１Ａを取り外し、当該ターゲット生成器７１Ａをメンテナンスしてもよい。作業者は、図４Ｂに示すように、メンテナンスしたターゲット生成器７１Ａをチャンバ２に取り付けてもよい。ターゲット生成器７１Ａのメンテナンスの際、あるいは、ターゲット生成器７１Ａをチャンバ２から取り外す際などに、ノズル７１２Ａが空気に触れ得る。
【００３４】
図４Ａに示す場合のように、チャンバ２の扉２０Ａを開く前、または、図４Ｂに示す場合のように、チャンバ２からターゲット生成器７１Ａを取り外す前、ターゲット生成器７１Ａ内のターゲット物質２７０を固化してもよい。
例えば、ターゲット制御装置８０Ａは、ターゲット生成器７１Ａの圧力をドロップレット２７が出力しない圧力に制御してもよい。この圧力の制御は、第１バルブＶ１および第２バルブＶ２の開閉を制御することにより行ってもよい。ターゲット制御装置８０Ａは、ピエゾ素子７５１Ａの駆動を停止してもよい。以上の処理によって、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力はドロップレット２７が出力しない圧力に下がり、ドロップレット２７の出力が停止し得る。ターゲット制御装置８０Ａは、ターゲット物質２７０の加熱を停止してもよい。ターゲット物質２７０の温度が当該ターゲット物質２７０の融点以下まで下がると、ターゲット物質２７０が固化し得る。
【００３５】
上記の動作により、図５Ａに示すように、ターゲット物質２７０の端部がノズル７１２Ａの先端より上方に位置した状態、つまりノズル７１２Ａの内部に位置した状態でターゲット物質２７０が固化し得る。この図５Ａに示す状態で、ノズル７１２Ａが空気に触れると、ノズル７１２Ａ内に位置するターゲット物質２７０の端部に固体の酸化スズ２７８Ａが形成され得る。
また、ターゲット物質２７０が固化する過程において、当該ターゲット物質２７０が収縮した場合には、図５Ｂに示すように、ノズル７１２Ａの内壁面とターゲット物質２７０との間に、隙間Ｐが形成され得る。この図５Ｂに示す状態でノズル７１２Ａが空気に触れると、ノズル７１２Ａ内に位置するターゲット物質２７０の端部であって、隙間Ｐに面する部分を含む部分に、固体の酸化スズ２７９Ａが形成され得る。
【００３６】
ノズル７１２Ａ内部に固体の酸化スズ２７８Ａ，２７９Ａが形成されたターゲット生成器７１Ａを、再びチャンバ２に取り付けて、ドロップレット２７を出力すると、以下に説明する課題が生じ得る。ドロップレット２７を出力するために、ターゲット物質２７０が溶融するまでターゲット物質２７０を加熱してもよい。固体の酸化スズ２７８Ａ，２７９Ａの融点は酸化していないスズの融点よりも高いため、酸化していないターゲット物質２７０が溶融するように加熱しても、酸化スズ２７８Ａ，２７９Ａは溶融せずに固体の状態を維持し得る。ノズル７１２Ａ内に残存する固体の酸化スズ２７８Ａ，２７９Ａは、ノズル孔７１３Ａを詰まらせる原因や、ドロップレット２７が意図しない方向に出力される原因となり得る。
このような課題を解決するため、ノズル７１２Ａを空気に触れさせる前に、図６および図７に示すターゲット供給装置の制御方法を行ってもよい。
【００３７】
ターゲット供給装置７Ａのターゲット制御装置８０Ａは、ノズル７１２Ａがチャンバ２内部に位置し、かつ、チャンバ２内部が真空の状態において、図６に示すように、ターゲット生成器７１Ａからドロップレット２７を出力しているか否かを判断してもよい（ステップＳ１）。ターゲット制御装置８０Ａは、ステップＳ１において、ドロップレット２７を出力していると判断した場合、ターゲット生成器７１Ａからのドロップレット２７の出力を停止してもよい（ステップＳ２）。
ターゲット制御装置８０Ａは、圧力制御部７２Ａの第１バルブＶ１および第２バルブＶ２に信号を送信して、第１バルブＶ１を閉じるとともに、第２バルブＶ２を開いてもよい。圧力センサ７２２Ａは、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力を所定時間毎に検出してもよい。圧力センサ７２２Ａは、圧力を検出する毎に、当該検出した圧力に対応する信号をターゲット制御装置８０Ａに送信してもよい。ターゲット制御装置８０Ａは、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力がドロップレット２７が出力しない圧力になったと判断すると、第２バルブＶ２を閉じてもよい。ターゲット制御装置８０Ａは、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力を当該ドロップレット２７が出力しない圧力で維持するように、第１バルブＶ１を開いてもよい。また、ターゲット制御装置８０Ａは、電源７５２Ａに信号を送信して、ピエゾ素子７５１Ａの駆動を停止してもよい。
以上の処理によって、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力はドロップレット２７が出力しない圧力に下がり、ドロップレット２７の出力が停止し得る。
【００３８】
ターゲット制御装置８０Ａは、ターゲット生成器７１Ａ内のターゲット物質２７０の温度Ｔがスズの融点Ｔｍ以上の所定の温度範囲内にあるか否かを判断してもよい（ステップＳ３）。スズの融点Ｔｍは、２３２℃であってもよい。所定の温度範囲は、下限温度Ｔｓｍｉｎ以上、上限温度Ｔｓｍａｘ以下であってもよい。所定の温度範囲の中心値である目標温度Ｔｓは、３５０℃であってもよい。
ターゲット制御装置８０Ａは、ステップＳ３において、ターゲット物質２７０の温度が所定の温度範囲内にあると判断すると、この温度制御をそのまま継続してもよい（ステップＳ４）。ターゲット制御装置８０Ａは、ステップＳ３において、ターゲット物質２７０の温度が所定の温度範囲内にないと判断すると、温度コントローラ７３４に目標温度Ｔｓを設定してもよい（ステップＳ５）。このステップＳ５の処理が行われると、温度Ｔが下限温度Ｔｓｍｉｎより低い場合には、ターゲット物質２７０の温度が上がり得る。温度Ｔが上限温度Ｔｓｍａｘより高い場合には、ターゲット物質２７０の温度が下がり得る。ターゲット制御装置８０Ａは、ステップＳ５の処理を行った後、ステップＳ４の処理を行ってもよい。
【００３９】
一方、ターゲット供給装置７Ａのメンテナンス時であって、ターゲット供給装置７Ａがドロップレット２７を出力していない状況では、ターゲット制御装置８０Ａは、ステップＳ１において、ドロップレット２７を出力していないと判断し得る。その後、ターゲット制御装置８０Ａは、ステップＳ２の処理を行わずに、ステップＳ３およびステップＳ４の処理を行い得る。ターゲット制御装置８０Ａは、ステップＳ３において、ターゲット物質２７０の温度が所定の温度範囲内にないと判断すると、ステップＳ４の処理を行い得る。
【００４０】
ターゲット制御装置８０Ａは、圧力制御部７２Ａの第１バルブＶ１に信号を送信して、図７に示すように、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力を圧力ＰＳに設定してもよい（ステップＳ６）。圧力ＰＳは、ステップＳ６の処理を行う時点でのターゲット生成器７１Ａ内の圧力より大きくてもよい。ターゲット生成器７１Ａ内の圧力を現状の圧力から圧力ＰＳに上げる際、ターゲット制御装置８０Ａは、第１バルブＶ１を開いてもよい。これにより、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力が圧力ＰＳまで上がり得る。
ターゲット生成器７１Ａ内の圧力が圧力ＰＳに到達した際、ターゲット物質２７０が当該ターゲット物質２７０のノズル孔７１３Ａにおける表面張力を打ち破ってもよい。その結果、ターゲット物質２７０がノズル孔７１３Ａから押し出され得る。すなわち、ステップＳ６は、ターゲット生成器７１Ａ内を加圧する処理であってもよい。ノズル孔７１３Ａの直径が１０μｍの場合、圧力ＰＳは、０．２５ＭＰａであってもよい。
ターゲット制御装置８０Ａは、タイマ８１Ａによって時間の計測を開始してもよい（ステップＳ７）。ターゲット制御装置８０Ａは、タイマ８１Ａによる計測時間Ｋｔが、下限時間Ｋｍｉｎより長く、かつ、上限時間Ｋｍａｘより短いか否かを判断してもよい（ステップＳ８）。
【００４１】
ここで、ステップＳ６における処理によって、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力が圧力ＰＳになると、ターゲット物質２７０がノズル孔７１３Ａから押し出され、球状の付着部２７５Ａが形成され得る。ピエゾ素子７５１Ａが停止し、かつ、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力が圧力ＰＳで維持されている間、付着部２７５Ａは徐々に大きくなり得る（徐々に成長し得る）。
計測時間Ｋｔが下限時間Ｋｍｉｎより短い場合、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力が圧力ＰＳで維持されている時間が短いため、付着部２７５Ａの直径Ｄが下限値Ｄｍｉｎより小さくなり得る。その結果、付着部２７５Ａによって、ノズル孔７１３Ａ全体が塞がれない場合があり得る。一方、計測時間Ｋｔが上限時間Ｋｍａｘより長い場合、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力が圧力ＰＳで維持されている時間が長いため、付着部２７５Ａの直径Ｄが上限値Ｄｍａｘより大きくなり得る。その結果、付着部２７５Ａが自重によりノズル７１２Ａから落下し得る。このことから、ステップＳ８の判断基準を満たす場合、直径Ｄが所定の設定範囲内の大きさの付着部２７５Ａがノズル７１２Ａの先端に付着した状態となり得る。
【００４２】
なお、下限時間Ｋｍｉｎおよび上限時間Ｋｍａｘは、後述する第２実施形態におけるターゲットセンサ４Ｂを用いた方法によって、予め実験によって決定してもよい。すなわち、例えば、ターゲット制御装置８０ＡがステップＳ１〜ステップＳ７の処理を行った後、ターゲットセンサ４Ｂは、徐々に大きくなる付着部２７５Ａの直径Ｄを検出してもよい。ターゲット制御装置８０Ａは、計測時間Ｋｔと、付着部２７５Ａの直径Ｄとの関係を図示しないメモリに記憶してもよい。作業者は、このメモリに記憶されたデータに基づいて、下限時間Ｋｍｉｎおよび上限時間Ｋｍａｘを決定してもよい。
下限時間Ｋｍｉｎおよび上限時間Ｋｍａｘは、数秒〜数十秒であってもよい。下限時間Ｋｍｉｎおよび上限時間Ｋｍａｘは、ノズル７１２Ａのノズル孔７１３Ａの直径やターゲット物質２７０の組成によって異なる長さであってもよい。
【００４３】
ターゲット制御装置８０Ａは、ステップＳ８の判断基準を満たさないと判定した場合、所定時間経過後にステップＳ８の処理を行ってもよい。ターゲット制御装置８０Ａは、ステップＳ８の判断基準を満たすと判定した場合、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力を圧力ＰＬに設定してもよい（ステップＳ９）。圧力ＰＬは、圧力ＰＳより低くてもよい。圧力ＰＬは、例えば大気圧以下であってもよく、０．０５ＭＰａであってもよい。ターゲット生成器７１Ａ内の圧力を圧力ＰＳから圧力ＰＬに下げる際、ターゲット制御装置８０Ａは、第１バルブＶ１を閉じるとともに、第２バルブＶ２を開いてもよい。ターゲット制御装置８０Ａは、圧力センサ７２２Ａからの信号に基づいて、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力が圧力ＰＬに到達したと判断すると、第２バルブＶ２を閉じてもよい。ターゲット制御装置８０Ａは、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力を圧力ＰＬで維持するように、第１バルブＶ１を開いてもよい。
第２バルブＶ２を制御して、配管７２７Ａの内部と当該配管７２７Ａの外部との間の圧力差を利用することで、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力を圧力ＰＳから圧力ＰＬに下げるために必要な時間は、１分以上となり得る。
ステップＳ９の処理によって、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力が下がり、ノズル孔７１３Ａからターゲット物質２７０が押し出されることが停止し得る。その結果、付着部２７５Ａが成長することを抑制し、ノズル孔７１３Ａ全体を塞ぐ設定範囲内の大きさの付着部２７５Ａが、ノズル７１２Ａの先端に形成され得る。
【００４４】
ターゲット制御装置８０Ａは、温度コントローラ７３４Ａに信号を送信して、ターゲット生成器７１Ａ内のターゲット物質２７０の温度を融点Ｔｍ以下の所定の温度Ｔｔに設定してもよい（ステップＳ１０）。温度Ｔｔは、例えば室温（２０℃〜３０℃）であってもよい。
このステップＳ１０の処理によって、ターゲット生成器７１Ａ内のターゲット物質２７０と、ノズル７１２Ａの先端に付着した付着部２７５Ａとの温度が温度Ｔｔまで下がり得る。その結果、ターゲット生成器７１Ａ内のターゲット物質２７０と付着部２７５Ａとが固化し得る。
【００４５】
この後、作業者は、例えばＥＵＶ集光ミラー２３をメンテナンスするために、ＥＵＶ光生成装置１を操作してチャンバ２内部の圧力を大気圧まで上げてもよい。作業者は、チャンバ２内部の圧力が大気圧となった後に、図４Ａに示すように、チャンバ２の扉２０Ａを開けてもよい。扉２０Ａを開けると、チャンバ２内部に空気が入り、ノズル７１２Ａが空気に触れ得る。このとき、ノズル７１２Ａの先端に付着している付着部２７５Ａが空気に触れ、付着部２７５Ａの表面に固体の酸化スズ２７６Ａが形成され得る。付着部２７５Ａがノズル孔７１３Ａを塞ぐようにノズル７１２Ａの先端に付着しているため、酸化スズ２７６Ａがノズル７１２Ａの内部に形成されることを防止し得る。
【００４６】
上述のように、ターゲット生成器７１Ａに付着部２７５Ａを形成することによって、酸化スズ２７６Ａがノズル７１２Ａ内に残存することを抑制し、ノズル孔７１３Ａが詰まったり、ドロップレット２７が意図しない方向に出力されるという不具合を抑制し得る。その結果、ターゲット供給装置７Ａは、ドロップレット２７を適切に出力し得る。
【００４７】
ターゲット制御装置８０Ａは、計測時間Ｋｔを監視するだけの簡単な方法で、付着部２７５Ａの大きさを適切に制御し得る。
【００４８】
３．２  第２実施形態
３．２．１  概略
本開示の第２実施形態のターゲット供給装置の制御方法において、前期ＥＵＶ光生成装置は前記付着部のサイズを測定する測定部をさらに備え、前記付着部のサイズが前記設定サイズとなったか否かを判断することは、前記測定部が前記付着部のサイズを測定し、この測定結果に基づいて前記付着部のサイズが前記設定サイズとなったか否かを判断することにより行われてもよい。
本開示の第２実施形態のターゲット供給装置の制御方法において、前記ＥＵＶ光生成装置は前記ターゲット生成器内部を吸引することで当該ターゲット生成器内部を排気する排気部をさらに備え、前記圧力制御部が前記ターゲット生成器内部の加圧を停止した後であり、前記加熱部が前記ターゲット物質の加熱を停止する前に、前記排気部が前記ターゲット生成器内部を排気することを含んでもよい。
本開示の第２実施形態のターゲット供給装置の制御方法において、前記加熱部が前記ターゲット物質の加熱を停止することは、前記ノズルの先端に近い側の方の前記ターゲット物質の温度が遠い側の方の前記ターゲット物質の温度よりも低くなる状態を維持しながら、前記ターゲット物質の温度を下げることにより行われてもよい。
【００４９】
３．２．２  構成
図８は、第２実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ｂは、図８に示すように、ターゲット供給装置７Ｂのターゲット生成部７０Ｂと、ターゲット制御装置８０Ｂと、測定部としての４Ｂ以外の構成については、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ａと同様のものを適用してもよい。
第２実施形態では、設定出力方向１０Ａが重力方向１０Ｂと一致するようにチャンバ２が設置されてもよい。
【００５０】
ターゲットセンサ４Ｂは、ターゲット制御装置８０Ｂに電気的に接続されてもよい。
ターゲット生成部７０Ｂは、ターゲット生成器７１Ａと、圧力制御部７２Ａと、加熱部としての温度制御部７３Ｂと、ピエゾ部７５Ａと、排気部７６Ｂとを備えてもよい。
【００５１】
温度制御部７３Ｂは、第１ヒータ７３１Ｂと、第２ヒータ７３２Ｂと、第３ヒータ７３３Ｂと、第１ヒータ電源７３４Ｂと、第２ヒータ電源７３５Ｂと、第３ヒータ電源７３６Ｂと、第１温度センサ７３７Ｂと、第２温度センサ７３８Ｂと、第３温度センサ７３９Ｂと、第１温度コントローラ７４０Ｂと、第２温度コントローラ７４１Ｂと、第３温度コントローラ７４２Ｂとを備えてもよい。
第１ヒータ７３１Ｂは、ノズル７１２Ａの先端側の外周面に設けられてもよい。第２ヒータ７３２Ｂは、ノズル７１２Ａにおける第１ヒータ７３１Ｂよりも上側（重力方向１０Ｂと反対側）の外周面に設けられてもよい。第３ヒータ７３３Ｂは、タンク７１１Ａの下端側（ノズル７１２Ａ側）の外周面に設けられてもよい。すなわち、第１〜第３ヒータ７３１Ｂ〜７３３Ｂは、ターゲット物質２７０の設定出力方向１０Ａに並ぶように設けられてもよい。
第１ヒータ７３１Ｂおよび第２ヒータ７３２Ｂは、フィードスルー７４９Ｂを介して、第１ヒータ電源７３４Ｂおよび第２ヒータ電源７３５Ｂにそれぞれ電気的に接続されてもよい。第３ヒータ７３３Ｂは、第３ヒータ電源７３６Ｂに電気的に接続されてもよい。
【００５２】
第１温度センサ７３７Ｂは、ノズル７１２Ａにおける第１ヒータ７３１Ｂよりも下側（ノズル７１２Ａの先端側）に設けられてもよい。第２温度センサ７３８Ｂは、ノズル７１２Ａにおける第２ヒータ７３２Ｂよりも下側に設けられてもよい。第３温度センサ７３９Ｂは、タンク７１１Ａにおける第３ヒータ７３３Ｂよりも下側に設けられてもよい。
第１温度センサ７３７Ｂおよび第２温度センサ７３８Ｂは、フィードスルー７４９Ｂを介して、第１温度コントローラ７４０Ｂおよび第２温度コントローラ７４１Ｂにそれぞれ電気的に接続されてもよい。第３温度センサ７３９Ｂは、第３温度コントローラ７４２Ｂに電気的に接続されてもよい。
【００５３】
第１温度センサ７３７Ｂは、ノズル７１２Ａにおける主に第１温度センサ７３７Ｂの設置位置およびその近傍の位置の温度を検出して、当該検出した温度に対応する信号を第１温度コントローラ７４０Ｂに送信してもよい。第１温度センサ７３７Ｂの設置位置およびその近傍の位置の温度は、ノズル７１２Ａ内のターゲット物質２７０のうち、主に第１ヒータ７３１Ｂが加熱した部分の温度とほぼ同一の温度となり得る。
第２温度センサ７３８Ｂは、ノズル７１２Ａにおける主に第２温度センサ７３８Ｂの設置位置およびその近傍の位置の温度を検出して、当該検出した温度に対応する信号を第２温度コントローラ７４１Ｂに送信してもよい。第２温度センサ７３８Ｂの設置位置およびその近傍の位置の温度は、ノズル７１２Ａ内のターゲット物質２７０のうち、主に第２ヒータ７３２Ｂが加熱した部分の温度とほぼ同一の温度となり得る。
第３温度センサ７３９Ｂは、タンク７１１Ａにおける主に第３温度センサ７３９Ｂの設置位置およびその近傍の位置の温度を検出して、当該検出した温度に対応する信号を第３温度コントローラ７４２Ｂに送信してもよい。第３温度センサ７３９Ｂの設置位置およびその近傍の位置の温度は、タンク７１１Ａ内のターゲット物質２７０の温度とほぼ同一の温度となり得る。
【００５４】
排気部７６Ｂは、配管７６１Ｂと、排気装置７６２Ｂと、第３バルブＶ３とを備えてもよい。
配管７６１Ｂの第１の端は、配管７２７Ａの側面における配管７２９Ａよりタンク７１１Ａ側に連結されてもよい。
排気装置７６２Ｂは、配管７６１Ｂの第２の端に連結されてもよい。排気装置７６２Ｂは、ターゲット制御装置８０Ｂに電気的に接続されてもよい。排気装置７６２Ｂは、ターゲット制御装置８０Ｂから送信される信号に基づいて、配管７６１Ｂ内を吸引することで、ターゲット生成器７１Ａ内を排気してもよい。
第３バルブＶ３は、配管７６１Ｂに設けられてもよい。第３バルブＶ３は、ゲートバルブ、ボールバルブ、バタフライバルブなどのいずれかであってもよい。第３バルブＶ３は、ターゲット制御装置８０Ｂに電気的に接続されてもよい。第３バルブＶ３は、ターゲット制御装置８０Ｂから送信される信号に基づいて、開閉を切り替えてもよい。
【００５５】
３．２．３  動作
以下において、第１実施形態と同様の動作については、説明を省略する。図９は、ターゲット供給装置の制御方法を示すフローチャートである。図１０は、ターゲット供給装置の制御方法を示すフローチャートであって、図９に続く処理を表す。図１１は、ターゲット物質固化サブルーチンを示すフローチャートである。
【００５６】
ターゲット供給装置７Ｂのターゲット制御装置８０Ｂは、図９に示すように、ステップＳ１およびステップＳ２の処理を行ってもよい。
ターゲット制御装置８０Ｂは、ドロップレット２７を出力している場合、ステップＳ１およびステップＳ２の処理を行い得る。その後、ターゲット制御装置８０Ｂは、第１〜第３温度センサ７３７Ｂ〜７３９Ｂで検出したターゲット生成器７１Ａ内のターゲット物質２７０の温度Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３がスズの融点Ｔｍ以上の所定の温度範囲内にあるか否かを判断してもよい（ステップＳ１１）。所定の温度範囲および当該所定の温度範囲の中心値である目標温度Ｔｓは、第１実施形態のステップＳ５における範囲および値と同一であってもよい。
【００５７】
ターゲット制御装置８０Ｂは、ステップＳ１１において、第１〜第３温度センサ７３７Ｂ〜７３９Ｂで検出したターゲット物質２７０の温度Ｔ１〜Ｔ３が所定の温度範囲内にある判断すると、ステップＳ４の処理を行ってもよい（この温度制御をそのまま継続してもよい）。ターゲット制御装置８０Ｂは、ステップＳ１１において、温度Ｔ１〜Ｔ３が所定の温度範囲内にないと判断すると、第１〜第３温度コントローラ７４０Ｂ〜７４２Ｂに目標温度Ｔｓを設定してもよい（ステップＳ１２）。第１〜第３温度コントローラ７４０Ｂ〜７４２Ｂに設定する目標温度Ｔｓは、同じ値であってもよい。このステップＳ１２の処理が行われると、温度Ｔ１〜Ｔ３が下限温度Ｔｓｍｉｎより低い場合には、ターゲット物質２７０の温度が上がり得る。温度Ｔ１〜Ｔ３が上限温度Ｔｓｍａｘより高い場合には、ターゲット物質２７０の温度が下がり得る。ターゲット制御装置８０Ｂは、ステップＳ１２の処理を行った後、ステップＳ４の処理を行ってもよい。
ターゲット制御装置８０Ｂは、ドロップレット２７を出力していない場合、ステップＳ１の処理の後、ステップＳ２の処理を行わずに、ステップＳ１１およびステップＳ４の処理を行い得る。ターゲット制御装置８０Ｂは、ステップＳ１１において、温度Ｔ１〜Ｔ３が所定の温度範囲内にないと判断すると、ステップＳ１２の処理を行い得る。
【００５８】
ターゲット制御装置８０Ｂは、図１０に示すように、排気装置７６２Ｂの駆動を開始してもよい（ステップＳ１３）。このとき、第３バルブＶ３は、閉じていてもよい。これにより、排気装置７６２Ｂが駆動しているにもかかわらず、配管７２７Ａおよびターゲット生成器７１Ａ内部は、排気装置７６２Ｂによって排気されることが抑制され得る。
【００５９】
ターゲット制御装置８０Ｂは、ステップＳ６の処理を行って、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力を圧力ＰＳに設定してもよい。このステップＳ６の処理によって、ターゲット物質２７０がノズル孔７１３Ａから押し出され、球状の付着部２７５Ａが形成され得る。そして、付着部２７５Ａは、徐々に成長し得る。なお、このステップＳ６における付着部２７５Ａの成長中には、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力を圧力ＰＳに維持するために、第１バルブＶ１が圧力ＰＳに対応する大きさに開かれるとともに、第２バルブＶ２が閉じられ得る。
【００６０】
ターゲット制御装置８０Ｂは、付着部２７５Ａの直径Ｄが所定の設定範囲内にあるか否かを判断してもよい（ステップＳ１４）。所定の設定範囲は、下限値Ｄｍｉｎ以上、上限値Ｄｍａｘ以下であってもよい。下限値Ｄｍｉｎ、上限値Ｄｍａｘ、および、所定の設定範囲の中心値である設定直径Ｄｍは、第１実施形態と同じ値であってもよい。
ターゲットセンサ４Ｂは、徐々に成長する付着部２７５Ａの直径Ｄを検出して、この検出結果に対応する信号をターゲット制御装置８０Ｂに送信してもよい。ターゲットセンサ４Ｂは、所定時間毎に、直径Ｄを検出してもよい。ターゲット制御装置８０Ｂは、ターゲットセンサ４Ｂから送信される信号に基づいて、付着部２７５Ａの直径Ｄが所定の設定範囲内にあるか否かを判断してもよい。
ターゲット制御装置８０Ｂは、ステップＳ１４の判断基準を満たさないと判定した場合、所定時間経過後にステップＳ１４の処理を行ってもよい。ターゲット制御装置８０Ｂは、ステップＳ１４の判断基準を満たすと判定した場合、第１バルブＶ１を閉じてもよい（ステップＳ１５）。ターゲット制御装置８０Ｂは、第３バルブＶ３を開けてもよい（ステップＳ１６）。
第１バルブＶ１を閉じることにより、不活性ガスをターゲット生成器７１Ａ内に供給できなくなり得る。また、第３バルブＶ３を開くことにより、駆動中の排気装置７６２Ｂによってターゲット生成器７１Ａ内が排気され、当該ターゲット生成器７１Ａ内の圧力が下がり得る。ターゲット制御装置８０Ｂは、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力が圧力ＰＬに到達したと判断すると、第３バルブＶ３を閉じるとともに、排気装置７６２Ｂを停止してもよい。ターゲット制御装置８０Ｂは、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力を圧力ＰＬで維持するように、第１バルブＶ１を開いてもよい。
【００６１】
このとき、排気装置７６２Ａは、ターゲット生成器７１Ａ内を吸引することにより、当該ターゲット生成器７１Ａ内を排気し得る。このため、第２バルブＶ２を開き、配管７２７Ａの内部と当該配管７２７Ａの外部との間の圧力差によって、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力を下げる構成と比べて、早いタイミングでターゲット生成器７１Ａ内の圧力が下がり、付着部２７５Ａの成長が停止し得る。ターゲット生成器７１Ａ内の圧力を圧力ＰＳから圧力ＰＬに下げるために必要な時間は、数秒となり得る。
【００６２】
ターゲット制御装置８０Ｂは、ターゲット物質固化サブルーチンに基づく処理を行い（ステップＳ１７）、制御処理を終了してもよい。このステップＳ１７の処理によって、付着部２７５Ａが固化し得る。
ターゲット制御装置８０Ｂは、図１１に示すように、第１〜第３温度コントローラ７４０Ｂ〜７４２Ｂに、融点Ｔｍ以上の目標温度Ｔ１ｔ〜Ｔ３ｔを設定してもよい（ステップＳ２１）。目標温度Ｔ１ｔ〜Ｔ３ｔは、目標温度Ｔ１ｔが最も低く、目標温度Ｔ３ｔが最も高くてもよい。目標温度Ｔ１ｔ〜Ｔ３ｔのそれぞれ温度差は、例えばおよそ１０℃であってもよい。例えば、目標温度Ｔ１ｔ，Ｔ２ｔ，Ｔ３ｔは、それぞれおよそ３３０℃，３４０℃，３５０℃であってもよい。
ターゲット制御装置８０Ｂは、以下の式（１）〜（３）の条件を全て満たすか否かを判断してもよい（ステップＳ２２）。
ΔＴｒ１≧｜Ｔ１ｔ−Ｔ１｜  …  （１）
ΔＴｒ２≧｜Ｔ２ｔ−Ｔ２｜  …  （２）
ΔＴｒ３≧｜Ｔ３ｔ−Ｔ３｜  …  （３）
ΔＴｒ１，ΔＴｒ２，ΔＴｒ３：制御された結果の温度制御の許容範囲
【００６３】
すなわち、ターゲット制御装置８０Ｂは、第１〜第３温度センサ７３７Ｂ〜７３９Ｂが検出した温度Ｔ１〜Ｔ３が、目標温度Ｔ１ｔ〜Ｔ３ｔとほぼ等しくなったか否かを判断してもよい。
ここで、許容範囲ΔＴｒ１〜ΔＴｒ３（ΔＴｒ１，ΔＴｒ２，ΔＴｒ３）は、１℃以上３℃以下の範囲内のいずれかの温度であってもよい。また、許容範囲ΔＴｒ１〜ΔＴｒ３は、互いに同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００６４】
ターゲット制御装置８０Ｂは、ステップＳ２２において、式（１）〜（３）の条件のうち、少なくとも１つの条件を満たしていないと判断した場合、所定時間経過後にステップＳ２２の処理を再度行ってもよい。一方で、ターゲット制御装置８０Ｂは、ステップＳ２２において、式（１）〜（３）の条件を全て満たすと判断した場合、第１ヒータ７３１Ｂに対して設定中の目標温度Ｔ１ｔから温度ΔＴだけ減算した温度を、新しい目標温度Ｔ１ｔとして設定してもよい。同様に、ターゲット制御装置８０Ｂは、第２，第３ヒータ７３２Ｂ，７３３Ｂに対して設定中の目標温度Ｔ２ｔ，Ｔ３ｔから、それぞれ温度ΔＴだけ減算した温度を、新しい目標温度Ｔ２ｔ，Ｔ３ｔとして設定してもよい（ステップＳ２３）。この温度ΔＴは、例えば、５℃以上１０℃以下の範囲内のいずれかの温度であってもよい。
【００６５】
次に、ターゲット制御装置８０Ｂは、第１〜第３温度コントローラ７４０Ｂ〜７４２Ｂに、新しい目標温度Ｔ１ｔ〜Ｔ３ｔを設定してもよい（ステップＳ２４）。このステップＳ２４の処理が行われると、第１〜第３ヒータ７３１Ｂ〜７３３Ｂの発熱量が減少し、ターゲット物質２７０の温度が下がり得る。
そして、第１〜第３温度センサ７３７Ｂ〜７３９Ｂは、検出した温度に対応する信号を第１〜第３温度コントローラ７４０Ｂ〜７４２Ｂを介してターゲット制御装置８０Ｂに送信してもよい。
【００６６】
この後、ターゲット制御装置８０Ｂは、上述の式（１）〜（３）の条件を全て満たすか否かを判断してもよい（ステップＳ２５）。すなわち、ターゲット制御装置８０Ｂは、第１〜第３温度センサ７３７Ｂ〜７３９Ｂが検出した温度Ｔ１〜Ｔ３が、目標温度Ｔ１ｔ〜Ｔ３ｔとほぼ等しくなったか否かを判断してもよい。
【００６７】
ターゲット制御装置８０Ｂは、ステップＳ２５において、式（１）〜（３）の条件のうち、少なくとも１つの条件を満たしていないと判断した場合、所定時間経過後にステップＳ２５の処理を再度行ってもよい。一方で、ターゲット制御装置８０Ｂは、ステップＳ２５において、式（１）〜（３）の条件を全て満たすと判断した場合、第３温度センサ７３９Ｂが検出した温度Ｔ３がターゲット物質２７０の融点Ｔｍ以下か否かを判断してもよい（ステップＳ２６）。すなわち、ターゲット制御装置８０Ｂは、タンク７１１Ａの上端側に収容されたターゲット物質２７０の温度Ｔ３が、融点Ｔｍ以下か否かを判断してもよい。
ターゲット生成器７１Ａに収容されたターゲット物質２７０のうち、温度が最も高い部分の温度Ｔ３が融点Ｔｍ以下ということは、当該ターゲット物質２７０全体の温度が融点Ｔｍ未満であることを意味する。この場合、ターゲット物質２７０全体が固化し得る。
【００６８】
このステップＳ２６において、ターゲット制御装置８０Ｂは、温度Ｔ３が融点Ｔｍ以下でないと判断した場合、ステップＳ２３の処理を行ってもよい。ステップＳ２３〜ステップＳ２６の処理を繰り返し行うことによって、目標温度Ｔ１ｔ〜Ｔ３ｔが、徐々に低くなり得る。そして、ターゲット物質２７０は、ノズル７１２Ａの先端に向かうに従って温度が低くなる状態が維持されたまま冷却され得る。
一方で、ターゲット制御装置８０Ｂは、ステップＳ２６において、温度Ｔ３が融点Ｔｍ以下であると判断した場合、第１〜第３ヒータ７３１Ｂ〜７３３Ｂを停止して（ステップＳ２７）、ターゲット物質固化サブルーチンに基づく処理を終了してもよい。
以上の処理によって、ターゲット物質２７０は、ノズル７１２Ａの先端側から順に固化し得る。
【００６９】
この後、作業者は、例えばＥＵＶ集光ミラー２３をメンテナンスするために、チャンバ２の扉２０Ａを開けてもよい。これにより、図３に示すものと同様に、付着部２７５Ａの表面に固体の酸化スズ２７６Ａが形成され得る。
【００７０】
上述のように、ターゲット制御装置８０Ｂは、実際に付着部２７５Ａの直径Ｄを測定することにより、付着部２７５Ａの大きさを精密に制御し得る。
【００７１】
ターゲット制御装置８０Ｂは、排気装置７６２Ｂによる吸引でターゲット生成器７１Ａ内を排気し得る。このことにより、付着部２７５Ａの成長が迅速に停止し、所望の大きさの付着部２７５Ａを形成する制御が容易になり得る。
【００７２】
ターゲット生成器７１Ａ内のターゲット物質２７０のうち、ノズル７１２Ａの先端に近い側の方のターゲット物質２７０から固化が開始し得る。
ここで、ノズル７１２Ａの先端に遠い側の方のターゲット物質２７０から固化が開始する場合、固化が終了した部分が収縮して、ノズル７１２Ａの先端における内壁面とターゲット物質２７０との間に隙間（例えば、図５Ｂに示す隙間Ｐと同様の隙間）が形成され得る。
これに対して、第２実施形態によれば、ノズル７１２Ａの先端に近い側の方のターゲット物質２７０から固化が開始し得るため、ノズル７１２Ａの先端における内壁面とターゲット物質２７０との間に隙間が形成されることを抑制し得る。その結果、ノズル７１２Ａ内に形成された隙間に空気が入り込むことを抑制し得る。
【００７３】
３．３  変形例
なお、ターゲット供給装置の制御方法としては、以下のような構成としてもよい。
例えば、第１実施形態の構成において、排気装置７６２Ｂでターゲット生成器７１Ａ内を排気する機能を設けてもよい。第１実施形態の構成において、ノズル７１２Ａの先端に向かうに従って温度が低くなる状態を維持したまま、ターゲット物質２７０の温度を下げてもよい。第１実施形態において、ステップＳ５の処理を繰り返す間隔が、付着部２７５Ａが大きくなる速さと比べて十分に短い場合には、ステップＳ５において、計測時間Ｋｔが下限時間Ｋｍｉｎより長くなったか否かのみを判断してもよい。
第２実施形態において、排気部７６Ｂを設けなくてもよい。また、第２実施形態のターゲット物質固化サブルーチンにおいて、ターゲット物質２７０に上下方向の温度分布を付けずに当該ターゲット物質２７０を固化してもよい。
【００７４】
第１，第２実施形態において、ターゲット供給装置として、ピエゾ素子などによりノズル７１２Ａに押圧力を加えることでドロップレットを生成する、オンデマンド方式のものを用いてもよい。また、ターゲット供給装置として、ノズルのノズル孔から静電気力によってターゲット物質を引き出す電極を備え、当該電極とターゲット生成器内部のターゲット物質とに電圧を印加することで、ターゲット物質を引き出すものを用いてもよい。
【００７５】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【００７６】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【００７７】
４Ｂ…ターゲットセンサ（測定部）、７Ａ，７Ｂ…ターゲット供給装置、７１Ａ…ターゲット生成器、７２Ａ…圧力制御部、７３Ｂ…温度制御部（加熱部）、７６Ｂ…排気部、２７０…ターゲット物質、２７５Ａ…付着部、７１２Ａ…ノズル、７１３Ａ…ノズル孔。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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