(57)【要約】【課題】監視対象装置のバイアスの変化率が単調でない場合には監視対象装置の性能劣化を精度良く予測できない。【解決手段】本発明の警報発生装置は、監視対象装置のバイアスを制御するバイアス制御部と、バイアス制御部が設定するバイアス値を取得し、バイアス値の時間変化から所定時間経過後の予測バイアス値を算出し、予測バイアス値が所定値を超える回数に基づいて警報を出力する監視部とを有する警報発生装置。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
監視対象装置のバイアスを制御するバイアス制御部と、
前記バイアス制御部が設定するバイアス値を取得し、前記バイアス値の時間変化から所定時間経過後の予測バイアス値を算出し、当該予測バイアス値が所定値を超える回数に基づいて警報を出力する監視部
とを有する警報発生装置。
【請求項２】
前記監視部は、前記所定値を超える回数の積算値に基づいて警報を出力する請求項１に記載の警報発生装置。
【請求項３】
前記監視部は、前記予測バイアス値が前記所定値以上の場合に前記積算値を増加させ、前記予測バイアス値が前記所定値未満の場合に前記積算値をゼロとする請求項２に記載の警報発生装置。
【請求項４】
前記監視部は、前記積算値が所定回数以上となったときに警報を出力する請求項２または３に記載の警報発生装置。
【請求項５】
前記監視部は、前記所定回数以上となる場合の前記バイアス値の時間変化から前記所定値を超える時刻を算出し、当該時刻を警報とともに出力する
請求項４に記載の警報発生装置。
【請求項６】
前記所定時間は前記バイアス値を取得する時間間隔よりも長い
請求項１から５のいずれか１項に記載の警報発生装置。
【請求項７】
前記バイアス値は前記監視対象装置を駆動するためのバイアス電流およびバイアス電圧の少なくとも一方である請求項１から６の何れか１項に記載の警報発生装置。
【請求項８】
監視対象装置に設定されるバイアス値を取得し、
前記バイアス値の時間変化から所定時間経過後の予測バイアス値を算出し、
当該予測バイアス値が所定値を超える回数に基づいて警報を出力する
警報発生方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、警報発生装置および警報発生方法に関し、特に、経時変化に伴う光源の性能劣化が許容値を超える前に警報を出す警報発生装置および警報発生方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
通信装置などの電子装置は、バイアス電流またバイアス電圧を印加することによって駆動される。その一例として、光通信システムに用いられる光送信器がある。光通信システムは、光ファイバを通して光信号が光送信器から光受信器へ伝送されるシステムである。光送信器に使用している半導体レーザ、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）などの発光素子は時間経過に伴い発振または発光の性能が劣化する。この性能劣化により、光通信システムに不具合が生じ、場合によっては光信号による通信ができないことが発生する。
【０００３】
この問題を解決するために、半導体レーザ（レーザーダイオード）のバイアス電流を一定時間間隔で測定し、半導体レーザの性能劣化に関わる警報の発出日時を予測することとしたレーザダイオード劣化予測装置が特許文献１に記載されている。特許文献１のレーザダイオード劣化予測装置は、レーザダイオードと、電源投入手段と、バイアス電流値記憶手段と、演算処理手段とから構成されており、以下のように動作する。電源投入手段からレーザダイオードへ注入するバイアス電流とレーザダイオードの動作日時とをバイアス電流値記憶手段に記憶する。演算処理手段は、記憶した日時とバイアス電流とから、レーザダイオードが動作する経過時間に対するバイアス電流値の変化率を算出する。更に、記憶した日時に対するバイアス電流値の変化率に基づいて、演算処理手段は、初期バイアス電流値によって予め定めた限界バイアス電流に到達する日時を警報発出日時として算出することとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−１１６２３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１に記載されたレーザダイオード劣化予測装置では、演算処理手段が記録した日時毎に限界バイアス電流に到達する日時を算出するため、警報発出日時が複数算出される。複数ある日時のうち、選定された警報発出日時によっては、レーザダイオードの性能の劣化が小さい場合があった。逆に、警報発出日時の前に、光通信システムに影響を与えるようなレーザダイオード（光源）の性能劣化が生じる場合もあった。これは、レーザダイオードのバイアス電流の変化率が単調でないことに起因するものである。具体的には、バイアス電流の所定の変化率からそれより低い変化率に変わると、所定の変化率から算出された警報発出日時において、レーザダイオードの性能劣化が小さい場合がある。また、バイアス電流の所定の変化率からそれより高い変化率に変わると、所定の変化率から算出された警報発出日時において、レーザダイオードの性能劣化が限界を超え、光通信システムへ大きな影響を与える場合がある。
【０００６】
このように、バイアス電流の変化率が単調でない場合には、光源などの監視対象装置の性能劣化を精度良く予測できないないという問題があった。
【０００７】
本発明の目的は、上述した課題である、監視対象装置のバイアスの変化率が単調でない場合には監視対象装置の性能劣化を精度良く予測できない、という課題を解決する警報発生装置および警報発生方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の警報発生装置は、監視対象装置のバイアスを制御するバイアス制御部と、バイアス制御部が設定するバイアス値を取得し、バイアス値の時間変化から所定時間経過後の予測バイアス値を算出し、当該予測バイアス値が所定値を超える回数に基づいて警報を出力する監視部とを有する。
【０００９】
また、本発明の警報発生方法は、監視対象装置に設定されるバイアス値を取得し、バイアス値の時間変化から所定時間経過後の予測バイアス値を算出し、予測バイアス値が所定値を超える回数に基づいて警報を出力する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の警報発生装置および警報発生方法によれば、監視対象装置のバイアスの変化率が単調でない場合であっても、監視対象装置の性能劣化を精度よく予測することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１の実施形態の警報発生装置１の構成を示すブロック図である。
【図２】警報発生装置１で算出する光送信器２の経時劣化の予測を説明するための図である。
【図３】警報発生装置１で算出した光送信器２の経時劣化の監視結果を説明するための表図である。
【図４】本発明の第１の実施形態の警報発生装置１の初期設定の動作を説明するためのフローチャートである。
【図５】本発明の第１の実施形態の警報発生装置１の初期設定後の動作を説明するためのフローチャートである。
【図６】本発明の第３の実施形態の警報発生装置１０の構成を示すブロック図である。
【図７】警報発生装置１０で算出した光送信器２および外部変調器５の経時変化の監視結果を説明するための表図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
〔第１の実施形態〕
以下、図面を参照して本発明の第１の実施形態について詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施形態による警報発生装置１の構成を示すブロック図である。警報発生装置１は、監視対象装置としての光送信器２の性能劣化を予測し監視する。図１を参照して、本発明の第１の実施形態の警報発生装置１の構成を説明する。
【００１３】
本実施形態の警報発生装置１は、出力制御部３と監視部４とを備える。出力制御部３は、光送信器２から出射される光出力４２が一定となるように制御する。また、出力制御部３は、光出力４２が一定となるように制御する信号であるバイアス電流４０と、バイアス電流４０と同じ変化を有するバイアス電流監視信号４１を出力する。監視部４は、バイアス電流監視信号４１を入力し、バイアス電流監視信号４１を監視することで光送信器２の性能劣化を予測し、その警報を含む信号４３を出力する。具体的には、周期的な時間間隔である監視時間を設定して、監視時間の監視時刻毎にバイアス電流監視信号４１の値である監視値を収集し、監視値をその監視時刻と共に記録する。監視時間の時間間隔は、警報発生装置１を光通信システムへ導入するときに設定しても良いし、光送信器２の出力劣化に伴う光送信器２または光送信器２が備える光源の交換時に設定しても良い。その他、定期的な保守点検時などに設定しても良い。
【００１４】
前述の記録した値より、特定の監視時刻と、その監視時刻から監視時間経過後の監視値とから変化量を算出する。所定のバイアス電流に対する光送信器２の光出力４２は、経年劣化、外部から入力する異常大電流、または、使用環境の温度変化などにより低下する場合がある。出力制御部３では、光出力４２が低下した場合、光出力４２を一定になるようバイアス電流４０を上昇させる。バイアス電流４０の上昇に伴いバイアス電流監視信号４１が上昇する。この上昇に伴い特定の監視時刻における監視値の変化量が増大する。言い換えると、特定の監視時刻のバイアス電流４０の変化量に基づいてバイアス電流監視信号４１の変化量が増減する。
【００１５】
ここで、バイアス電流監視信号４１に閾値を設ける。この閾値は光送信器２の光出力が所定の品質を下回るときの限界の値であり、例えば、光通信システムに支障をきたす値に対応するものである。光出力の品質の低下は、例えば、光出力のレベルの低下、光出力に含まれる雑音成分の増加などである。また、監視時間より長い時間間隔ｂを設定し（時間間隔ｂについては後述する）、前述の特定の監視時刻から時間間隔ｂを経た時刻における監視値を推定する。この値を推定値とする。言い換えると、推定値は特定の監視時刻から見積もった将来のバイアス電流４０に対応する値である。
【００１６】
推定値が前述の閾値を超えることは、監視時刻に対し時間間隔ｂを経た時刻に光送信器２の性能が劣化する兆候があると予測する。したがって、監視時刻毎の推定値の閾値を超える回数が多くなると、光送信器２の性能劣化の確率が高くなる。そこで、推定値が閾値を超える回数を判定する限界値を設定し、推定値が閾値を超える回数が限界値より多い場合、光送信器２の性能が劣化したと判断し、光送信器２の性能劣化の警報を含む信号４３を出力する。信号４３には、光送信器２の性能劣化の警報と共に、限界値を超えたときの監視時刻を推定された性能劣化の時刻として含んでもよい。
【００１７】
警報情報の通知方法は、信号４３の出力先に図示されないない表示部および音声機器を設け、光送信器２の推定された性能劣化の時刻を表示すると共に性能劣化を示す音を鳴らしても良い。また、信号４３の送信先に図示されていない送信器を介して管理者の受信器に送信され、受信器が備えた表示部および警報部によって光送信器２の性能劣化を推定した監視時刻を通知することとしてもよい。なお、推定した監視時刻は光送信器動作経過時間に基づいた値とともに、暦に基づいた時刻を含めてもよい。
【００１８】
なお、光送信器２は、例えば、半導体レーザ、ＬＥＤなどの光源と、光源からの出力の一部をモニターする光検出器を備えており、光検出器の出力信号に基づいて出力制御部３はバイアス電流４０を制御している。
【００１９】
次に、図２から図５を参照して本発明の第1の実施形態の警報発生装置の動作について説明する。図２は警報発生装置１で算出した光送信器２の経時劣化の予測を説明する図である。また、図３は警報発生装置１で算出した光送信器２の経時劣化の監視結果を説明する図である。また、図４は警報発生装置１の初期設定のフローチャートであり、図５は警報発生装置１における初期設定後のフローチャートである。
【００２０】
図２の横軸は光送信器２の動作経過時間であり、縦軸はバイアス電流監視信号である。同図では、光送信器２が内蔵している光源の動作時間の経過に伴うバイアス電流監視信号の増加する様子、例として、動作経過時間に対しバイアス電流監視信号が２次関数で増加する場合を示している。
【００２１】
図２を参照して、監視部４は、監視時間ａの時間間隔毎の監視時刻Ｘｎ、Ｘｎ＋１、Ｘｎ＋２、Ｘｎ＋３にバイアス電流監視信号の変化（グラフ３０）を監視する。ここで、ｎは監視値算出回数を意味している。具体的には、時刻ＸｎからＸｎ＋１への監視時間ａにおけるバイアス電流監視信号の変化量（この場合増加量）を算出する。つまり、Ｘｎ、Ｘｎ＋１のそれぞれにおけるバイアス電流監視信号の監視値を結ぶ直線を直線３４とし、直線３４の傾きを算出する。算出した値を用いてＸｎから経過時間ｂ後のバイアス電流監視信号４１の推定値を算出する。この値をＹｎとする。なお、推定値Ｙｎは監視時刻Ｘｎから経過時間ｂ後のバイアス電流４０の予測バイアス値に対応する値である。一方、光送信器２の性能劣化を示すバイアス電流監視信号４１の閾値をｃとし、ｃと推定値Ｙｎとを比較して、推定値Ｙｎがｃ以上の場合、光送信器２の性能が低下しているフラグとしてカウントする。なお、このフラグを警報フラグｍとする。また、推定値Ｙｎがｃ未満の場合、警報フラグのカウント数は「０（ゼロ）」となる。すなわち、カウント数はクリアされる。
【００２２】
以上の監視の動作を、Ｘｎ＋１、Ｘｎ＋２についても順次行なう。その結果をまとめたものが図３に示す監視結果である。図３では、監視時刻Ｘｎ、Ｘｎ＋１、Ｘｎ＋２の監視結果を示しているが、それ以外の監視時刻も同様に監視している。図２、３より、監視時刻Ｘｎ＋１の推定値Ｙｎ＋１では警報フラグが１つカウントされ、続いて、監視時刻Ｘｎ＋２の推定値Ｙｎ＋２でも警報フラグが１つカウントされている。したがって、監視時刻Ｘｎ＋２の監視が終了した時点で警報フラグｍのカウント数は積算され、その値は「２」となっている。このように連続してカウントされる。ここで、警報フラグｍの発生頻度が多くなると、光送信器２の性能が劣化していることになる。そこで、警報フラグのカウント数に限界値を設け、限界値を超えた場合に警報の信号４３を出力する。
【００２３】
次に、図４、５を参照して、警報発生装置１を用いた光送信器２の経時劣化に対する警報発生方法について説明する。
【００２４】
光送信器２の動作経過時間におけるバイアス電流監視信号４１から将来のバイアス電流監視信号の値、つまり、推定値を算出し、推定値と前述の閾値とを比較した結果に基づいて警報を通知する。この動作を実現するために、図４に示すように、監視部４へバイアス電流監視信号４１の値を収集する時間間隔となる監視時間ａ、収集した前述の値から推定値を算出する時間ｂ、光送信器２の性能劣化の閾値ｃを設定する（ステップＳ１からステップＳ３）。
【００２５】
続いて、光送信器２の性能劣化の予測の精度をあげるために、監視部４へ監視値が閾値を超える回数または頻度の限界値（発生回数限界値ｄ）を設定する（ステップＳ４）。それと供に、監視開始後の光送信器２の動作経過に伴う監視値算出回数ｎおよび推定値の閾値超えの回数、つまり、警報フラグｍを積算するために、ｎ、ｍをそれぞれ「０（ゼロ）」と設定する（ステップＳ５）。
【００２６】
次に、監視部４は監視時刻Ｘ０およびＸ１、ならびに、バイアス電流監視信号４１のそれぞれの監視値を記録し、それらを用いてバイアス電流監視信号４１のＸ０とＸ１との間の直線３３の傾きを算出する（ステップＳ６）。その後、監視部４は前述の傾きを用いてＸ０からｂ時間経過後のバイアス電流監視信号４１の推定値Ｙ０を算出する（ステップＳ７）。続いて、監視部４はＹ０と閾値ｃを比較し（ステップＳ８）、Ｙ０がｃよりも小さい場合（ステップＳ８がＹｅｓの場合）、ステップＡに進む。一方、Ｙ０がｃ以上である場合（ステップＳ８がＮｏの場合）、監視部４は光送信器２の初期不良と判断し、性能劣化の警報を含む信号４３を出力する。
【００２７】
次に、２回目以降（ｎが２以上）の監視値算出について図５を参照して説明する。まず、監視部４は監視値算出回数ｎをｎ＋１に繰り上げる（ステップＳ１０）。続いて、監視部４は監視時刻ＸｎおよびＸｎ+1、ならびに、バイアス電流監視信号４１のそれぞれの監視値を記憶し、それらを用いてバイアス電流監視信号４１のＸｎとＸｎ＋１との間の傾きを算出する（ステップＳ１１）。その後、監視部４は前述の傾きを用いてＸｎからｂ時間経過後の推定値Ｙｎを算出する（ステップＳ１２）。
【００２８】
続いて、監視部４はＹｎと閾値ｃを比較し（ステップＳ１３）、Ｙｎがｃよりも小さい場合（ステップＳ１３がＹｅｓの場合）、監視部４は光送信器２の性能劣化が発生していないと判断して、警報フラグｍを０とする(ステップＳ１４)。その後、ステップＳ１０に戻り、ステップＳ１０からステップＳ１３を実行する。
【００２９】
一方、ステップＳ１３において、Ｙｎがｃ以上である場合（ステップ１３がＮｏの場合）、監視部４は光送信器２の性能の低下が発生していると判断して、警報フラグ数ｍを１つカウントする（ステップＳ１５）。その後、監視部４は警報フラグ数ｍを前述のｄと比較し（ステップＳ１６）、ｍがｄよりも小さい場合（ステップＳ１６がＹｅｓの場合）、ステップＳ１０へ戻り、ステップＳ１０からステップＳ１３を実行する。一方、監視部４はｍがｄ以上である場合（ステップＳ１６がＮｏの場合）、光送信器２が性能劣化していると判断して、性能劣化の警報を含む信号４３を出力する。（ステップＳ１７）。このとき、警報フラグｍがｄ以上となったときの監視時刻を信号４３に含んでも良い。
【００３０】
以上のように、本発明の第１の実施形態では、連続して推定値Ｙが閾値ｃを超える場合のみ、警報フラグ数ｍが増加し、その積算値がｄを超えると警報を含めた信号４３が出力される。逆に、推定値Ｙが閾値ｃを超える場合が連続しない場合、つまり、推定値Ｙが閾値ｃを超えない時に警報フラグｍが０に戻る。すなわち、クリアされる。言い換えると、監視時刻毎に推定値Ｙが閾値ｃを超える場合と、推定値Ｙが閾値ｃを超えない場合とが混在する場合、つまり、監視値を結ぶ直線の傾きが大きくなる場合と小さくなる場合とが混在するときには、監視部４は光送信器２の性能劣化は軽微と判断し、警報を含む信号４３を出力しない。このように、本実施形態の警報発生装置１によれば、監視値を結ぶ直線の傾きがばらついた場合でも、光送信器２の性能劣化を精度よく予測し、警報を出力することができる。
【００３１】
また、第１の実施形態において、出力制御部３はバイアス電流４０とバイアス電流監視信号４１とを出力しているが、これに限るものではない。例えば、出力制御部３はバイアス電流４０のみを出力し、それを光送信器２に入力するともに、バイアス電流４０の一部を監視部４へ入力することとしてもよい。
【００３２】
また、第１の実施形態においては、光送信器２は１個であるとして説明したが、光送信器２を複数個備えた構成であっても良い。複数ある光送信器の各々を出力制御部３で制御し、監視部４が、各々の光送信器のバイアス電流に対応したバイアス電流監視電流を、それぞれ監視することとしてもよい。これにより、複数の光送信器の性能劣化を１つの監視装置１で監視することができる。
【００３３】
〔第２の実施形態〕
続いて、本発明の第２の実施形態について詳細に説明する。第２の実施形態の警報発生装置は第１の実施形態と同じ構成である。但し、監視部４の機能が一部異なる。つまり、第１の実施形態の監視部４は、監視時刻と監視値とにより推定値を算出し、推定値の閾値を超える回数に該当する警報フラグｍが限界値以上である場合、警報および光送信器２の性能劣化と推定した監視時刻を出力する。これに対し、第２の実施形態の監視部４では、監視時刻と監視値とにより推定値を算出し、推定値の閾値を超える度に閾値を超える時刻を算出する。この時刻を推定時刻として記憶する。更に、推定値の閾値を超える回数である警報フラグｍが限界値以上となる場合、警報および限界値を超えるときの推定時刻を出力する。図２を参照して推定時刻の算出を説明する。直線３５の推定値Ｙｎ＋１がｃ以上の場合、監視部４は直線３５のバイアス電流監視信号４１が閾値ｃとなるときの時刻ｍ１を算出し、推定時刻として記憶する。また、直線３６についても同様に、推定値Ｙｎ＋２がｃ以上の場合、監視部４は直線３６のバイアス電流監視信号４１が閾値ｃとなるときの時刻ｍ２を算出し、推定時刻として記憶する。
【００３４】
この場合における、本実施形態の警報発生装置を用いた光送信器２の経時劣化に対する警報発生方法ついて説明する。第２の実施形態の動作では、第１の実施形態のフローチャートに推定時刻を算出するステップを追加し、警報を出力するステップにおいて、光送信器２の性能劣化を推定した監視時刻の換わりに、推定時刻を警報と共に信号４３に含めて出力する。それ以外の動作は第１の実施形態によるものと同じである。
【００３５】
具体的には、図５のステップＳ１５とステップ１６との間に、推定時刻を算出するステップを追加する。また、ステップ１７において警報および推定時刻を含んだ信号４３を出力する
以上のように、本発明の第２の実施形態では、光送信器２の性能が劣化する推定時刻を通知するので、光送信器２の性能が劣化する時刻より正確に推定することが可能となる。
【００３６】
〔第３の実施形態〕
続いて、図面を参照して第３の実施形態について詳細に説明する。図６は、第３の実施形態の警報発生装置１０の構成を示すブロック図である。第３の実施形態の警報発生装置１０では、光送信器２のバイアス電流を監視すると共に、光送信器２の光出力４２を変調する光変調器５へのバイアス電圧を監視する。
【００３７】
警報発生装置１０は、出力制御部３、監視部１４、および、バイアス制御部１６から構成される。監視部１４には出力制御部３からのバイアス電流監視信号４１が入力すると共に、バイアス制御部１６からのバイアス電圧監視信号４６が入力される。監視部１４は、バイアス電流監視信号４１およびバイアス電圧監視信号４６を監視し、監視対象装置としての光送信器２および光変調器５の性能劣化を予測し、その警報を含む信号４３を出力する。
【００３８】
ここで、光変調器５は、例えば、LiNbO3などの電気光学素子を用いたマッハツェンダ型の光変調器であり、外部より電気光学素子にバイアス電圧を印加することで、光送信器２から光変調器５へ入力された光出力４２の強度を時間的に変調して光信号４４を出力する。光変調器５では、経時変化に伴う電気光学素子の特性変化（ドリフト）などに起因した光信号４４の品質劣化を生じる場合がある。このような光変調器５の性能劣化が生じる場合、バイアス制御部１６は、光信号４４の品質を維持するように印加するバイアス電圧４５を制御する。光信号４４の品質の指標として、光信号の振幅、ひずみ、光信号の平均値のレベル、または、変調度（振幅／平均値のレベル）が用いられるが、これに限るものではない。バイアス電圧監視信号４６はバイアス電圧４５の変化に伴い変化する信号であり、光変調器５の性能劣化に伴い変化する。
【００３９】
第１の実施形態と同じように、監視部１４は、バイアス電流監視信号４１より監視値を収集、記録し、記録した値より推定値を算出する。それとともに、バイアス電圧監視信号４６より監視値を収集、記録し、記録した値より推定値を算出する。なお、この推定値はバイアス電圧４５の予測バイアス値に対応する値である。図７にバイアス電圧監視信号４６より収集および算出した結果の一例を示す。ここで、監視時刻Ｘｎ、Ｘｎ＋１のそれぞれにおけるバイアス電圧監視信号４６の監視値から算出した推定値をＺｎとし、警報フラグをｐとしている。また、光変調器５の性能劣化を示すバイアス電圧監視信号４６の閾値をｅとする。図７では、監視時刻Ｘｎ＋２における推定値Ｙｎ＋２が閾値ｅ以上であり、その結果、警報フラグｐに「１」がカウントされていることを示している。
【００４０】
第１の実施形態と同じように、警報フラグのカウント数に限界値を設け、限界値を超えた場合に警報の信号４３を出力する。
【００４１】
なお、警報発生装置１０を用いた光変調器５に対する警報発生方法は、第１の実施形態と同じであるので、説明は省略する。
【００４２】
以上のように、本発明の第３の実施形態では、光送信器２と共に、光変調器５の性能劣化も精度良く予測し、警報を出力することができる。
【００４３】
なお、第３の実施形態では、光送信器２および光変調器５の監視時間ａ、推定値を算出する経過時間ｂを同じとしたが、これに限るものではない。監視時間、経過時間を別々に設定しても良い。これにより、光送信器２および光変調器５のような、監視装置で制御および監視する監視対象装置の最適な性能劣化の推定時刻を予測することができる。また、監視対象を光送信器２および光変調器５で説明したが、これに限るものではない。光増幅器などを機器へも適用することができる。
【００４４】
また、上述の実施形態では、監視時間、すなわち、監視時刻の間隔を一定としているが、これに限るものではない。警報フラグの積算値に応じて変えてもよい。例えば、警報フラグの積算値が増加すると供に監視時間を短くしてもよい。これにより、光送信器または光変調器が性能劣化する推定時刻の精度を更に向上させることができる。
【００４５】
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した発明の範囲内で、種々の変形が可能であり、それらも本発明の範囲内に含まれるものであることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００４６】
１    警報発生装置
２    光送信器
３    出力制御部
４    監視部
５    光変調器
１０    警報発生装置
１４    監視部
１６    バイアス制御部
３０    グラフ
３３    直線
３４    直線
３５    直線
３６    直線
４０    バイアス電流
４１    バイアス電流監視信号
４２    光出力
４３    信号
４４    光信号
４５    バイアス電圧
４６    バイアス電圧監視信号
【図１】
2014107790.tif 000003
【図２】
2014107790.tif 000004
【図３】
2014107790.tif 000005
【図４】
2014107790.tif 000006
【図５】
2014107790.tif 000007
【図６】
2014107790.tif 000008
【図７】
2014107790.tif 000009