(57)【要約】【課題】  試料の致命的な欠陥を高感度且つ高速に検査する。【解決手段】  欠陥検査装置であって、被検査試料に対し、光学系の解像限界以下の周期的なパターンを異なる光学条件でそれぞれ撮像した複数の検査画像を得る検査ユニット１０と、複数の検査画像からそれぞれエッジ画像を得るエッジ抽出回路２１〜２３と、複数のエッジ画像から欠陥を判定する欠陥判定回路２５と、を具備した。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検査試料に対し、光学系の解像限界以下の周期的なパターンを、照明光学系のシグマ比とフォーカスシフト量の少なくとも一方を変えた異なる光学条件でそれぞれ撮像した複数の検査画像を得る手段と、
前記検査画像の画素毎に前記画素を中心としたウィンドウの平均階調値及び分散を計算し、前記平均階調値及び前記分散により決まる関数値を中心画素に代入し、前記関数値で置き換えられた中心画像を基にエッジ画像を抽出し、且つ前記ウィンドウ内の最大階調値が閾値を超えた領域は、前記関数値を代入する代わりにマスクすることにより、前記複数の検査画像からそれぞれエッジ画像を抽出する手段と、
前記複数のエッジ画像に基づいて前記パターンの欠陥の有無を判定する手段と、
を具備したことを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項２】
被検査試料に対し、光学系の解像限界以下の周期的なパターンを異なる光学条件でそれぞれ撮像した複数の検査画像を得る手段と、
前記複数の検査画像からそれぞれエッジ画像を抽出する手段と、
前記複数のエッジ画像に基づいて前記パターンの欠陥の有無を判定する手段と、
を具備したことを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項３】
前記エッジ画像を抽出する手段は、前記検査画像の画素毎に前記画素を中心としたウィンドウの平均階調値及び分散を計算し、前記平均階調値及び前記分散により決まる関数値を中心画素に代入し、前記関数値で置き換えられた中心画像を基にエッジ画像を抽出することを特徴とする請求項２に記載の欠陥検査装置。
【請求項４】
前記エッジ画像を抽出する手段は、前記検査画像の画素毎に前記画素を中心としたウィンドウ内の最大階調値が閾値を超えた領域は、前記関数値を代入する代わりにマスクすることを特徴とする請求項３に記載の欠陥検査装置。
【請求項５】
前記異なる光学条件として、照明光学系のシグマ比とフォーカスシフト量の少なくとも一方を変えたことを特徴とする請求項２〜４の何れかに記載の欠陥検査装置。
【請求項６】
前記異なる光学条件として、透過照明光学系と反射照明光学系とを用いたことを特徴とする請求項２〜４の何れかに記載の欠陥検査装置。
【請求項７】
前記異なる光学条件として、円偏光による照明光学系と直線偏光による照明光学系とを用いたことを特徴とする請求項２〜４の何れかに記載の欠陥検査装置。
【請求項８】
前記異なる光学条件として、明視野光学系と暗視野光学系とを用いたことを特徴とする請求項２〜４の何れかに記載の欠陥検査装置。
【請求項９】
前記欠陥の有無を判定する手段は、前記複数のエッジ画像の少なくとも一つで欠陥が認められた場合に欠陥有りと判定することを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載の欠陥検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、ナノインプリント用テンプレート等の欠陥検査に用いられる欠陥検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ナノインプリント用テンプレートの欠陥検査においては、テンプレートのパターンがウェハと等倍で検査装置の光学分解能を超えているため、テンプレートのパターンは解像されない。一方、検査画像には、描画プロセスに起因するテンプレートの不均一性によるベースノイズが存在する。ここで、描画プロセスに起因するテンプレートの不均一性とは、電子線描画、現像、及びエッチングで生じるラインエッジラフネスである。
【０００３】
描画プロセスによるテンプレートの不均一性は、検査装置側から見ると疑似欠陥を増大させ、検出感度を低下させる不都合なものであるが、ナノインプリント工程では必ずしも致命的な欠陥とはならない。致命的な欠陥とは、ショート欠陥又はオープン欠陥に分類されるもので、デバイスの動作に多大な影響を与えるおそれがあるものである。従って、ナノインプリント用テンプレートの検査においては、ベースノイズは許容しつつ、致命的な欠陥を検出することが要求されている。
【０００４】
現行の光リソグラフィ用のマスク欠陥検査では、ダイツーダイ比較やダイツーデータベース比較がある。これらの方法は二つのダイを位置合わせして、不一致箇所を欠陥として特定するものである。しかし、ナノインプリント用テンプレートにおいては、ダイ同士の比較では、欠陥の信号が小さいのに加えて、主としてテンプレートの描画プロセスに起因するベースノイズの存在により、致命的な欠陥を検出することが困難である。
【０００５】
その他の検査方式としては、欠陥の特徴を抽出することにより欠陥を検出する特徴抽出方式がある。この方式では、装置構成を簡単にすることは可能であるが、パターンによっては適用が困難となる場合がある。また、更に別の検査方式として、多波長による分光特性からエッジラフネスを検出する方法や、電子線によるパターン検査などが挙げられる。しかし、それぞれ検出感度や検査時間の点で十分と言えないため、実際にナノインプリント用テンプレートの検査に適用するのは困難である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−１２３１８２号公報
【特許文献２】特開２０１０−２５７８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
発明が解決しようとする課題は、ナノインプリント用テンプレート等の致命的な欠陥を高感度且つ高速に検査できる欠陥検査装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
実施形態の欠陥検査装置は、被検査試料に対し、光学系の解像限界以下の周期的なパターンを、照明光学系のシグマ比とフォーカスシフト量の少なくとも一方を変えた異なる光学条件でそれぞれ撮像した複数の検査画像を得る手段と、前記複数の検査画像からそれぞれエッジ画像を抽出する手段と、前記複数のエッジ画像に基づいて前記パターンの欠陥の有無を判定する手段と、を具備している。
【０００９】
そして、エッジ画像を得る手段は、前記検査画像の画素毎に前記画素を中心としたウィンドウの平均階調値及び分散を計算し、前記平均階調値及び前記分散により決まる関数値を中心画素に代入し、前記関数値で置き換えられた中心画像を基にエッジ画像を抽出し、且つ前記ウィンドウ内の最大階調値が閾値を超えた領域は、前記関数値を代入する代わりにマスクする。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施形態に係わる欠陥検査装置の概略構成を示すブロック図。
【図２】図１の欠陥検査装置に用いた検査機構の一例を示す図。
【図３】試料上に設定された検査ストライプを説明するための模式図。
【図４】検査機構における照明光学系の構成を示す図。
【図５】ナノインプリント用テンプレートのオープン／ショート欠陥と入力画像との関係を示す模式図。
【図６】ナノインプリント用テンプレートの欠陥とベースノイズのばらつきとの違いを示す模式図。
【図７】第２の実施形態に係わる欠陥検査装置の動作を説明するためのフローチャート。
【図８】第２の実施形態の効果を説明するためのもので、ベースノイズを低減しつつ欠陥信号を強調する効果を示す模式図。
【図９】第２の実施形態の効果を説明するためのもので、フィルタ適用前後の画像を示す模式図。
【図１０】第３の実施形態に係わる欠陥検査装置の動作を説明するためのフローチャート。
【図１１】第３の実施形態の効果を説明するためのもので、周辺パターンを除外する効果を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、実施形態の欠陥検査装置を、図面を参照して説明する。
【００１２】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係わる欠陥検査装置の概略構成を示すブロック図である。
【００１３】
本実施形態の検査装置は、試料上のパターンを複数の異なる光学条件で検査するための検査ユニット１０と、検査ユニット１０で得られる複数の検査画像に基づいてパターンの欠陥の有無を判定する判定ユニット２０から構成されている。
【００１４】
検査ユニット１０は、光学条件の異なる複数の検査機構１１〜１３を有している。これらの検査機構自体は何ら限定されるものではないが、一例を図２に示す。
【００１５】
試料３１は、ナノインプリント用のマスターテンプレート又はそのレプリカである。試料３１は、水平方向及び回転方向に移動可能に設けられたＸＹθテーブル３２上に載置され、試料３１に形成されたパターンには、ＤＵＶ（紫外光）レーザ等の光源３３及び照明光学系３４によって光が照射される。
【００１６】
この装置では、図３に示すように、試料３１に形成されたパターンの存在する被検査領域５１が幅Ｗの短冊状の検査ストライプ５２に仮想的に分割される。さらに、その分割された検査ストライプ５２が連続的に走査されるように、ＸＹθテーブル３２の動作が制御されることにより、検査が実行される。
【００１７】
試料３１を透過した光は結像光学系３５を介して、フォトダイオードアレイ（撮像センサ）３６に入射する。そして、フォトダイオードアレイ３６上には、図３に示されるような仮想的に分割されたパターンの短冊状領域の一部が、結像光学系３５により拡大された光学像として結像される。フォトダイオードアレイ３６としては、ラインセンサやＣＣＤ撮像素子等を用いることができる。
【００１８】
フォトダイオードアレイ３６上に結像されたパターンの像は、フォトダイオードアレイ３６によって光電変換され、更にセンサ回路３７で画像処理することにより検査画像が得られる。この検査画像は、判定ユニット２０に供給される。そして、判定ユニット２０により検査画像のエッジを抽出することによって、試料３１上のパターンの欠陥の有無を判定するものとなっている。
【００１９】
テーブル３２は、ホスト計算機４０により制御される。即ち、ホスト計算機４０の制御の下にステージ制御回路４１によりＸＹθモータ４２を制御することにより、テーブル３２が所望位置に移動されるようになっている。また、結像光学系３５は、ホスト計算機４０の制御の下にフォーカス制御回路４３により、試料３１に対するフォーカスを制御するようになっている。さらに、テーブル３２上の試料３１は、図示しないオートローダから搬送されるものとなっている。
【００２０】
先にも説明したように、検査ユニット１０は光学条件の異なる複数の検査機構１１〜１３を有しているが、光学条件の異なる検査機構としては様々な種類がある。
【００２１】
例えば、検査機構の光学条件を異ならせるためには、図４（ａ）に示すような透過照明光学系と、図４（ｂ）に示すような反射照明光学系とを用いても良い。なお、図中の３１〜３６は図１と同じであり、３８は光源側からの入射光を反射し試料側からの反射光を透過するハーフミラーを示している。
【００２２】
検査機構の光学条件を異ならせるために、円偏光照明光学系の検査機構と直線偏光照明光学系の検査機構とを用いるようにしても良い。さらに、明視野光学系の検査機構と暗視野光学系の検査機構とを用いるようにしてもよい。コントラストの高い検査画像を入力するためには、反射照明による明視野光学系が望ましい。
【００２３】
検査機構の光学条件を異ならせるための別の例としては、照明光学系の異なるシグマ比とフォーカスシフト量を設定した光学系を用いても良い。即ち、照明光学系のシグマ比及びフォーカスシフト量の少なくとも一方が互いに異なる複数の検査機構を有し、これらの検査機構からそれぞれ試料３１の検査画像を得るようにしても良い。さらに、各々の検査機構において、照明光学系のシグマ比及びフォーカスシフト量を可変できるようにし、シグマ比及びフォーカスシフト量の少なくとも一方を変えて試料３１の検査画像を得るようにしても良い。
【００２４】
なお、ナノインプリント用テンプレートは、クロム膜を剥離した場合にガラスを残した領域とガラスを掘り込んだ単純な構造となり、光学的には透過率１００％の位相物体となる。従って、コントラストの高い検査画像を得るためには、シグマ比とフォーカスシフト量を適切に設定することが必要となる。一般に、シグマ比を０．１〜０．５としてフォーカスシフト量を欠陥タイプに応じて適宜設定することが望ましい。
【００２５】
また、検査ユニット１０としては必ずしも複数の検査機構を設ける必要はなく、一つの検査機構において、光学条件を変えて同一試料の検査を行うようにしても良い。前記図２の検査機構では、フォーカスを代えることにより、例えば前ピン、ジャストフォーカス、後ピンの３つのフォーカス条件を設定することにより、一つの装置でありながら複数の検査機構１１〜１３として用いることが可能となっている。
【００２６】
判定ユニット２０は、検査ユニット１０からの複数の検査画像がそれぞれ入力される複数のエッジ抽出回路２１〜２３と、エッジ抽出回路２１〜２３の出力を基にパターンの欠陥の有無を判定する欠陥判定回路２５から構成されている。エッジ抽出回路２１〜２３はそれぞれ、入力された検査画像のグレイレベルの変動を強調することによりエッジ画像を得るものである。欠陥判定回路２５は、エッジ抽出回路２１〜２３からの各エッジ画像に対して予め設定された閾値を超えか否かを判定する。そして、各エッジ画像の一つでも閾値を超えたと判定された場合に、パターンに欠陥有りと判定して欠陥情報を出力するものである。
【００２７】
次に、本実施形態における欠陥判定動作を説明する。
【００２８】
検査ユニット１０で得られた複数の検査画像は、それぞれエッジ抽出回路２１〜２３で処理され、検査画像内のパターンのエッジが抽出される。そして、欠陥判定回路２５に入力されて欠陥の有無が判定され、欠陥がある場合には欠陥情報が出力される。ここで、検査画像は、検査機構の光学系における解像限界以下の周期的な微細なパターンを撮像したものである。解像限界は、例えばライン＆スペースのピッチをＰ、検査波長をλ、開口数をＮＡとして、
Ｐ＝０．６１×λ／ＮＡＰ
と定義され、本実施形態ではＰ<<０．６１×λ／ＮＡ以下を検査対象とする。ナノインプリントのマスターテンプレート及びレプリカは上記解像限界以下のライン＆スペースから形成されており、検査機構による光学検査では解像しないものである。
【００２９】
また、複数の検査画像は光学条件を変えて収集されたものから構成される。ここで、検査画像は半導体検査に用いられるＵＶ光画像に限られるものではなく、低解像度のＳＥＭ画像などであってもかまわない。光学条件の違いとしては、透過照明若しくは反射照明、又は明視野光学系若しくは暗視野光学系などである。更には、照明光学系の異なるシグマ比とフォーカスシフト量を設定した光学系、又は円偏光若しくは直線偏光による照明光学系などが考えられる。
【００３０】
致命的な欠陥であっても、ある光学条件では検出されず、特定の光学条件では有効に検出される場合がある。このため、欠陥判定回路２５では、複数の光学条件で得られた検査画像のエッジをそれぞれ検査し、一つでも欠陥が認められる場合は欠陥有りと判定する。
【００３１】
図５（ａ）（ｂ）にナノインプリント用テンプレートのショート欠陥及びオープン欠陥と入力画像との関係を示す。（ａ）がショート欠陥の場合で、（ｂ）がオープン欠陥の場合を示している。入力画像の例として、照明系のモードを変えた２種類の画像を示す。なお、これらの画像は、検査画像をエッジ抽出回路で処理することにより得られたエッジ画像である。透過照明光学系をモード１、反射照明光学系をモード２とする。テンプレート欠陥は、各画像の中央に示されるように明点又は暗点として見えている。他方、テンプレートの線幅寸法は光学分解能以下であるので、ライン＆スペースとしては解像しない。その代わりにＬＥＲ（線幅エラーラフネス）などがテキスチャー画像としてバックグラウンドノイズとして分布しており、微細なショート欠陥又はオープン欠陥の検出を困難にしている。
【００３２】
図５（ａ）に示すようなショート欠陥に対しては、モード１では欠陥の識別が難しく、モード２では欠陥の識別が容易となる。一方、図５（ｂ）に示すようなオープン欠陥に対しては、モード１では欠陥の識別が容易であるが、モード２では欠陥の識別が難しくなる。つまり、欠陥の種類によって欠陥を検出するのに適したモードが存在することになり、複数のモードで検査することにより、欠陥を確実に検査することが可能となる。
【００３３】
また、図６（ａ）に示すような入力画像（エッジ画像）に対して、グレイレベルのヒストグラムを欠陥部（図６（ｂ））とバックグラウンド（図６（ｃ））で比較すると、欠陥部の方が分散値の大きいことが分かる。従って、分散の大きさを以って欠陥のみを検出することも可能である。
【００３４】
このように本実施形態によれば、異なる光学条件で撮像した複数の検査画像から欠陥を判定することにより、ベースノイズは許容しつつ、ナノインプリント用テンプレートの致命的な欠陥を高感度且つ高速に検査することができる。
【００３５】
また、本実施形態では、光学系の解像限界以下の周期的な微細パターンを撮像することで欠陥のみを検出することができる。これにより、高解像度の画像を用いた際に生じるおそれがある擬似欠陥を低減させることが可能となり、従来必要であった画像位置合わせ等の手法が必要でなくなる。このため、装置コストの低減も可能となる。
【００３６】
また、検査ユニット１０における検査機構１１〜１３の選択（異なる光学条件の選択）により、次のような効果も得られる。
【００３７】
照明光学系の異なるシグマ比とフォーカスシフト量を設定した光学系を用いることより、ナノインプリント用テンプレートのオープン欠陥又はショート欠陥、異物等の位相欠陥を検出するのに有用である。
【００３８】
光学条件として、透過照明と反射照明を用いることにより、次のような効果も得られる。即ち、ナノインプリント用テンプレートは透明であるので、反射光学系の方が像コントラストを高く取れる利点がある。透過光学系から同時に画像を収集することにより不透明な異物を検出することが可能になる。
【００３９】
光学条件として、円偏光又は直線偏光による照明光学系を用いることにより、次のような効果も得られる。即ち、ライン＆スペースなどのパターンで偏光条件を変えることで欠陥検出感度を向上させる効果が得られる。
【００４０】
通常は、明視野照明が用いられるが、暗視野照明によりバックグラウンドのノイズ成分が抑制される効果が期待できる。
【００４１】
（第２の実施形態）
図７は、第２の実施形態に係わる欠陥検査装置の動作を説明するためのフローチャートである。
【００４２】
本実施形態の基本構成は第１の実施形態と同様であり、本実施形態ではこれに加えエッジ抽出回路２１〜２３の処理を改良している。
【００４３】
エッジ抽出回路２１〜２３では、検査画像を入力した後（ステップＳ１）、図８（ａ）に示すように、注目画素を中心としたＮ×Ｎサイズのウィンドウを画像全体で走査することにより、各ウィンドウ領域内の平均階調値及び分散を計算する（ステップＳ２，Ｓ３）。さらに、前記平均階調と分散により決まる関数値を求めて、中心画像を前記関数値（例えば分散値）で置き換える（ステップＳ４）。そして、関数値で置き換えられた中心画像を基にエッジ画像を抽出し、抽出したエッジ画像を出力する（ステップＳ５）。
【００４４】
これにより、図８（ｂ）に示すような入力画像が、図８（ｃ）に示すようなエッジ画像となる。即ち、欠陥部分が大きくなり、エッジが強調された画像となる。なお、計算精度を向上させるにはウィンドウサイズＮを大きくすればよい。また、空間分解能を高めるにはウィンドウサイズＮを小さくすればよい。
【００４５】
ベースノイズを許容しつつ致命的な欠陥を検出するために、両者の統計的なばらつきに注目する必要がある。ベースノイズは局所的には特定な方向性を持っておらず、隣り合った画素間の階調ばらつきが比較的小さい。一方、致命的な欠陥では周囲の画素に比べて局所的に明るい点又は暗い点の特性を示すのに加えて、明るい点又は暗い点の周辺に振動的な波形を示しており、隣り合った画素間の階調ばらつきが大きくなっている。
【００４６】
従って、注目する画素を中心とするウィンドウ（例えばＮ×Ｎ画素）内の画素に対して、平均階調及び分散を計算して、平均階調と分散で決まる関数値を前記注目する画素に代入するによって、ベースノイズと欠陥を区別することができる。
【００４７】
ここで、ウィンドウの大きさは欠陥やベースノイズの周波数特性を考慮して適宜選択すればよい。関数の定義としては、
（分散）
（分散）＋（係数）×（平均階調）
（分散）＋（係数）×（平均階調）2
などが考えられる。分散は、描画プロセスに起因するラインエッジラフネスの大きさの自乗に比例する性質を有する。空間微分フィルターを用いる方法と比べると、特定のエッジ方向に依存せず、ベースノイズを抑制しつつ欠陥を強調することができる非線形効果を与えるものである。また、平均階調及び分散を計算することは、論理回路や計算機プログラムで容易に実装できるものである。なお、この方法は、光検査に限定されるものではなく、大きな電荷量による電子線走査顕微鏡などのコントラストの低い画像を用いた検査にも適用することができる。
【００４８】
図９（ａ）（ｂ）は、検査画像に上記のフィルターを適用して得られた処理前後の画像を示す。図９（ａ）に示すフィルタ適用前の画像に対し、図９（ｂ）に示すフィルタ適用後の画像の方が、画像欠陥が明確に抽出されることが分かる。
【００４９】
このように本実施形態では、ナノインプリント用テンプレートを光学検査する際に、第１の実施形態に加え、統計的な空間フィルターを適用することにより、欠陥信号の強調及びベースノイズの低減を実現することができる。このため、致命的な欠陥のみをより有効に検出することができる。また、本実施形態では、パターンの方向によらず、安定した信号を得ることができる。
【００５０】
（第３の実施形態）
図１０は、第３の実施形態に係わる欠陥検査装置動作の動作を説明するためのフローチャートである。
【００５１】
装置の基本構成は第１の実施形態と同様であり、本実施形態ではこれに加えエッジ抽出回路２１〜２３の処理を改良している。
【００５２】
エッジ抽出回路２１〜２３では、検査画像を入力したのち（ステップＳ１１）、欠陥検査を行うための有効領域を設定する（ステップＳ１２）。続いて、Ｎ×Ｎサイズのウィンドウを画像全体で走査して、各ウィンドウ領域内の平均階調値及び分散を計算する（ステップＳ１３，Ｓ１４）。さらに、前記平均階調と分散により決まる関数値を求めて、中心画像を前記関数値で置き換える（ステップＳ１５）。そして、有効領域以外の画素をマスクする（ステップＳ１６）。この状態で、関数値で置き換えられた中心画像を基にエッジ画像を抽出し、抽出したエッジ画像を出力する（ステップＳ１７）。
【００５３】
先の第２の実施形態で述べた方法は、ライン＆スペースのような周期的なパターンでは問題ないが、例えばチップの周辺領域では明暗差が大きくなるため誤検出の原因となる。そのような場合は、予め検査領域を限定して指定する方法の他に、周辺パターンを認識して欠陥検出を抑制することが考えられる。周辺パターンを認識する方法として、周辺パターンの階調がライン＆スペースの階調よりも大きくなるため、ウィンドウの最大階調を検出して閾値を超えるかの判定を行うことが有効である。また、周辺パターンが解像するほど大きい場合には、従来のダイツーダイ比較やダイツーデータベース比較による検査を行うことも考えられる。
【００５４】
本実施形態では、第２の実施形態と同様にエッジ画像を抽出した後に、有効領域以外の画素をマスクすることにより、周辺パターンを欠陥検査から除外する。これにより、欠陥検査の誤検出を防止している。ここで、有効領域としては、検査光学系の解像度以下の微細寸法の繰り返しパターンの領域で定義されている。他方、周辺パターンは検査光学系で解像する寸法の大きなパターンからなる領域である。従って、このマスク処理を行わないと、周辺パターンに近接した検査領域で欠陥として誤検出するおそれがある。マスク処理は、検査領域を示す属性データを入力して、非検査領域で検出を抑制することにより行うことができる。
【００５５】
図１１（ａ）〜（ｃ）に示すように、周辺パターンを除外することにより誤検出を防止した効果があることが分かる。図１１（ａ）に示す入力画像に対し、上記のマスク処理を行わないと、図１１（ｂ）に示すように、エッジ部が検出され、これが欠陥と誤検出される恐れがある。これに対し、上記のマスク処理を行うと、図１１（ｃ）に示すように、エッジ部が検出されないため、誤検出を未然に防止することが可能となる。
【００５６】
このように本実施形態によれば、先の第２の実施形態と同様の効果が得られるのは勿論のこと、検査領域以外の周辺パターンによる擬似欠陥を抑制することができる。
【００５７】
（変形例）
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。
【００５８】
光学条件の異なる検査機構は、必ずしも実施形態で述べた種類に限定されるものではなく、各種の検査機構を適用することが可能である。さらに、光学条件の異なる検査機構の数は何ら限定されるものではなく、複数であればよい。また、一つの検査機構であっても、光学条件を簡易に可変できる構成であれば、これを複数の検査機構の代替として用いることが可能である。
【００５９】
また、実施形態では、ナノインプリント用テンプレートの欠陥検査を例にしたが、これに限らず各種のマスクの欠陥検査に適用することができる。さらに、検査機構の解像限界以下のパターンを有する試料の検査に適用することが可能である。
【００６０】
本発明の幾つかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００６１】
１０…検査ユニット
１１〜１３…検査機構
２０…判定ユニット
２１〜２３…エッジ抽出回路
２５…欠陥判定回路
３１…ナノインプリント用テンプレート（試料）
３２…ＸＹθテーブル
３３…光源
３４…照明光学系
３５…結像光学系
３６…フォトダイオードアレイ（撮像センサ）
３７…センサ回路
３８…ハーフミラー
４０…ホスト計算機
４１…ステージ制御回路
４２…ＸＹθモータ
４３…フォーカス制御回路
５１…被検査領域
５２…検査ストライプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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