(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体レーザチップの位置あわせの精度向上、サブマウント側面の必要垂直度の低減、及びノイズの低減を図ることが可能な半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】半導体レーザチップ１は、サブマウント２に、ＡｕＳｎなどのロウ材を用いて接着される。これにより、サブマウント付き半導体レーザチップが形成される。サブマウント付き半導体レーザチップは、接着剤を用いて、磁気ヘッド部６に取り付けられる。半導体レーザチップ１の両電極をワイヤボンドなどにより導通を取り、半導体レーザチップ１を発振させる。光学部品１５をサブマウント２に設けられた穴の直上に、仮置きする。光学部品１５は、ＴＥモードを反射しＴＭモードを透過する面と、１／４波長板に相当する加工を行った面とを持つ。【選択図】図１Ａ
2014041674.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザ素子及びサブマウントを有する半導体レーザ装置を有する磁気ヘッド装置の製造方法であって、
前記半導体レーザ素子を前記サブマウント上に固定する工程と、
前記サブマウントを磁気ヘッド部上に固定する工程と、
前記磁気ヘッド部上、または前記サブマウント上に光学部品を載置する工程と、
前記半導体レーザ素子が出射する半導体レーザ光の光軸を調整する工程と、
前記光学部品を前記磁気ヘッド部上、または前記サブマウント上に固定する工程と、を有すること
を特徴とする製造方法。
【請求項２】
前記サブマウントとして、前記半導体レーザ光が通過する貫通孔、または前記半導体レーザ光が通過する切り欠き部を有するサブマウントを用いること
を特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記光軸を調整する工程において、
まず前記半導体レーザの出射面、次に前記光学部品、次に前記貫通孔または前記切り欠き部、次に前記磁気ヘッドの表面、次に前記貫通孔または前記切り欠き部、次に前記光学部品、次に観察部の順、
に前記半導体レーザ光が通過する光軸を調整すること
を特徴とする請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記観察部を、前記光学部品の上方に位置させる工程を有すること
を特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【請求項５】
前記光軸を調整する工程において、前記光学部品の移動、または前記光学部品の回転を行うことにより前記光軸を調整すること
を特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の製造方法。
【請求項６】
前記光軸を調整する工程において、前記半導体レーザの共振器方向をＸ方向、半導体レーザの載置面に平行かつ前記Ｘ方向に垂直な方向をＹ方向としたとき、
前記光軸が前記Ｘ方向にずれていた場合、前記光学部品を、前記Ｘ方向に移動させ、
前記光軸が前記Ｙ方向にずれていた場合、前記光学部品を、前記Ｘ方向と垂直かつ前記Ｙ方向と垂直な方向を軸として回転させること
を特徴とする請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記光学部品として、偏光状態に応じて反射または透過となる面、及び１／４波長板に相当する加工を行った面を有する光学部品を用いること
を特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法。
【請求項８】
前記光学部品として、ハーフミラー面を有する光学部品を用いること
を特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法。
【請求項９】
前記半導体レーザ素子が出射した光の反射光と、前記反射光の反射位置として目標とする位置と、の画像を前記観察部で取得する工程と、
取得した前記画像に基づき、前記光学部品の位置を調整する工程と、
前記調整の後に前記光学部品を固定する工程と、を有すること
を特徴とする請求項３〜８のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１０】
半導体レーザ素子及びサブマウントを有する半導体レーザ装置と、光学部品と、磁気ヘッド部とを有する磁気ヘッド装置であって、
前記サブマウントは、前記半導体レーザ素子が出射する半導体レーザ光が通過する貫通孔、または前記半導体レーザ光が通過する切り欠き部を有し、
前記光学部品は、偏光状態に応じて反射または透過となる面、及び１／４波長板に相当する加工を行った面を有すること
を特徴とする磁気ヘッド装置。
【請求項１１】
半導体レーザ素子及びサブマウントを有する半導体レーザ装置と、光学部品と、磁気ヘッド部とを有する磁気ヘッド装置であって、
前記サブマウントは、前記半導体レーザ素子が出射する半導体レーザ光が通過する貫通孔、または前記半導体レーザ光が通過する切り欠き部を有し、
前記光学部品は、ハーフミラー面を有すること
を特徴とする磁気ヘッド装置。
【請求項１２】
前記半導体レーザ光の一部が、
まず前記半導体レーザ素子の出射面、次に前記光学部品、次に前記サブマウントの貫通孔または前記切り欠き部、次に前記磁気ヘッド部の表面、次に前記サブマウントの貫通孔
または前記切り欠き部、次に前記光学部品の順、
に通過する、光学経路を有すること
を特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の磁気ヘッド装置。
【請求項１３】
前記磁気ヘッド装置は、前記半導体レーザ素子の出射面から前記光学部品への光学経路上に配置されたレンズを有し、
前記レンズの焦点は、前記サブマウント下面と同一の平面上に設定されていること
を特徴とする請求項１０〜１２のいずれかに記載の磁気ヘッド装置。
【請求項１４】
前記磁気ヘッド装置は、前記半導体レーザ素子の出射面から前記光学部品への光学経路上に配置されたレンズを有し、
前記レンズは、前記光学部品の一面に形成されていること
を特徴とする請求項１０〜１２のいずれかに記載の磁気ヘッド装置。
【請求項１５】
前記サブマウントは、上面と下面とが電気的に導通されていること
を特徴とする請求項１０〜１４のいずれかに記載の磁気ヘッド装置。
【請求項１６】
請求項１０〜１５のいずれかに記載の磁気ヘッド装置を有すること
を特徴とするハードディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ装置を有する磁気ヘッド装置、この磁気ヘッド装置を有するハードディスク装置、及びこの磁気ヘッド装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク装置等の磁気記録装置の記録密度向上の手法として、半導体レーザ装置を用いた熱アシスト法が知られている。熱アシスト法を用いた磁気記録装置（以下、「熱アシスト磁気記録装置」という）で用いられる半導体レーザ装置は、半導体レーザチップの発光点と、磁気ヘッド部に設けられた光導波路とを、いかに精度よく位置合わせ出来るかが課題となっている（例えば特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１８５５４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の課題の詳細と、従来の熱アシスト磁気記録装置の構成及び製造方法について、図１３〜図１５を用いつつ説明する。
【０００５】
図１３は、従来の半導体レーザチップ１０１と、この半導体レーザチップ１０１を有する磁気ヘッド装置の製造工程とを、模式的に表した概略断面図である。図１３Ａに示すように、半導体レーザチップ１０１は、サブマウント１０２に対し、ＡｕＳｎなどのロウ材１０３を用いて接着される。次に、図１３Ｂに示すように、サブマウント付き半導体レーザチップ１０４が、接着剤１０５を用いて、磁気ヘッド部１０６に取り付けられる。この際、半導体レーザチップ１０１の発光点１０７とヘッド部１０６に設けられた導波路１０８との位置あわせを、高精度に行う必要がある。
【０００６】
しかしながら、従来の製造方法では、取り付け時に半導体レーザチップ１０１の発光点１０７と、磁気ヘッド部１０６に設けられた光導波路１０８とが、共に外部から見えなくなってしまう。このため、事前に磁気ヘッド部１０６をカメラで観察して取得した画像データ１０９（図１３Ｃ）と、サブマウント付き半導体レーザチップ１０４をカメラで観察して取得した画像データ１１０（図１３Ｄ）とから、各々、導波路１０８の位置と発光点１０７の位置とを割り出す。そして割り出した位置をもとに、位置あわせを実施していた。
【０００７】
このため、従来の製造方法では、位置合わせの精度を高めることが難しかった。また、サブマウント付き半導体レーザチップ１０４の取り付け前は、半導体レーザチップ１０１の導通を取っていないため、半導体レーザチップ１０１を光らせることができないという課題がある。
【０００８】
また、図１４に示すように、サブマウント１０２の取り付け面１１１は、半導体レーザチップ１０１の搭載面１１２との垂直度が非常に高い必要がある。しかしながら、サブマウント１０２の取り付け面１１１は、通常ダイシングにより作成されており（図１４Ｃ）、極端に描写すると台形をしているのが通常である（図１４Ｂ）。このため、求められる垂直度を出すため、ダイシング後に研磨等の追加加工が必要となる場合があった。
【０００９】
また、アセンブリ後の熱アシスト磁気記録装置において、戻り光による半導体レーザのノイズも課題となる。これは図１５に示すように、半導体レーザチップ１０１の発光点１０７から出たレーザ光１１３が、例えば磁気ヘッド部１０６に設けられた導波路１０８との界面により反射し（図１５の反射光１１４）、再度半導体レーザチップ１の発光点１０７に戻ることによって、引き起こされる。
【００１０】
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体レーザチップの位置あわせの精度を向上させるとともに、サブマウント側面の必要垂直度の低減、及び戻り光に起因するノイズの低減を図ることが可能な磁気ヘッド装置、この磁気ヘッド装置を有するハードディスク装置、及びこの磁気ヘッド装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明に係る製造方法は、半導体レーザ素子及びサブマウントを有する半導体レーザ装置を有する磁気ヘッド装置の製造方法であって、前記半導体レーザ素子を前記サブマウント上に固定する工程と、前記サブマウントを磁気ヘッド部上に固定する工程と、前記磁気ヘッド部上、または前記サブマウント上に光学部品を載置する工程と、前記半導体レーザ素子が出射する半導体レーザ光の光軸を調整する工程と、前記光学部品を前記磁気ヘッド部上、または前記サブマウント上に固定する工程と、を有することを特徴とする構成とされている。
【００１２】
なお、上記構成から成る製造方法は、前記サブマウントとして、前記半導体レーザ光が通過する貫通孔、または前記半導体レーザ光が通過する切り欠き部を有するサブマウントを用いる構成にするとよい。
【００１３】
なお、上記構成から成る製造方法は、前記光軸を調整する工程において、まず前記半導体レーザの出射面、次に前記光学部品、次に前記貫通孔または前記切り欠き部、次に前記磁気ヘッドの表面、次に前記貫通孔または前記切り欠き部、次に前記光学部品、次に観察部の順、に前記半導体レーザ光が通過する光軸を調整する構成にするとよい。
【００１４】
なお、上記構成から成る製造方法は、前記観察部を、前記光学部品の上方に位置させる工程を有する構成にするとよい。
【００１５】
なお、上記構成から成る製造方法は、前記光軸を調整する工程において、前記光学部品の移動、または前記光学部品の回転を行うことにより前記光軸を調整する構成にするとよい。
【００１６】
なお、上記構成から成る製造方法は、前記光軸を調整する工程において、前記半導体レーザの共振器方向をＸ方向、半導体レーザの載置面に平行かつ前記Ｘ方向に垂直な方向をＹ方向としたとき、前記光軸が前記Ｘ方向にずれていた場合、前記光学部品を、前記Ｘ方向に移動させ、前記光軸が前記Ｙ方向にずれていた場合、前記光学部品を、前記Ｘ方向と垂直かつ前記Ｙ方向と垂直な方向を軸として回転させる構成にするとよい。
【００１７】
なお、上記構成から成る製造方法は、前記光学部品として、偏光状態に応じて反射または透過となる面、及び１／４波長板に相当する加工を行った面を有する光学部品を用いる構成にするとよい。
【００１８】
なお、上記構成から成る製造方法は、前記光学部品として、ハーフミラー面を有する光学部品を用いる構成にするとよい。
【００１９】
なお、上記構成から成る製造方法は、前記半導体レーザ素子が出射した光の反射光と、前記反射光の反射位置として目標とする位置と、の画像を前記観察部で取得する工程と、取得した前記画像に基づき、前記光学部品の位置を調整する工程と、前記調整の後に前記光学部品を固定する工程と、を有する構成にするとよい。
【００２０】
また上記目的を達成するために、本発明に係る磁気ヘッド装置は、半導体レーザ素子及びサブマウントを有する半導体レーザ装置と、光学部品と、磁気ヘッド部とを有する磁気ヘッド装置であって、前記サブマウントは、前記半導体レーザ素子が出射する半導体レーザ光が通過する貫通孔、または前記半導体レーザ光が通過する切り欠き部を有し、前記光学部品は、偏光状態に応じて反射または透過となる面、及び１／４波長板に相当する加工を行った面を有することを特徴とする構成とされている。
【００２１】
また上記目的を達成するために、本発明に係る磁気ヘッド装置は、半導体レーザ素子及びサブマウントを有する半導体レーザ装置と、光学部品と、磁気ヘッド部とを有する磁気ヘッド装置であって、前記サブマウントは、前記半導体レーザ素子が出射する半導体レーザ光が通過する貫通孔、または前記半導体レーザ光が通過する切り欠き部を有し、前記光学部品は、ハーフミラー面を有することを特徴とする構成とされている。
【００２２】
なお、上記構成から成る磁気ヘッド装置は、前記半導体レーザ光の一部が、まず前記半導体レーザ素子の出射面、次に前記光学部品、次に前記サブマウントの貫通孔または前記切り欠き部、次に前記磁気ヘッド部の表面、次に前記サブマウントの貫通孔または前記切り欠き部、次に前記光学部品の順、に通過する、光学経路を有する構成にするとよい。
【００２３】
なお、上記構成から成る磁気ヘッド装置は、前記半導体レーザ素子の出射面から前記光学部品への光学経路上に配置されたレンズを有し、前記レンズの焦点は、前記サブマウント下面と同一の平面上に設定されている構成にするとよい。
【００２４】
なお、上記構成から成る磁気ヘッド装置は、前記半導体レーザ素子の出射面から前記光学部品への光学経路上に配置されたレンズを有し、前記レンズは、前記光学部品の一面に形成されている構成にするとよい。
【００２５】
なお、上記構成から成る磁気ヘッド装置は、前記サブマウントは、上面と下面とが電気的に導通されている構成にするとよい。
【００２６】
また上記目的を達成するために、本発明に係るハードディスク装置は、上記のいずれかの構成の磁気ヘッド装置を有することを特徴とする構成とされている。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、半導体レーザチップの位置あわせの精度を向上させることができる。また、サブマウント側面に要求される必要垂直度の低減を図ることができる。また、戻り光に起因するノイズの低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１Ａ】第１の実施形態に係る、半導体レーザ装置の概略断面図。
【図１Ｂ】第１の実施形態に係る、半導体レーザ装置の概略上面図。
【図２Ａ】第１の実施形態に係る、半導体レーザチップの概略断面図。
【図２Ｂ】第１の実施形態に係る、半導体レーザチップが搭載された磁気ヘッド部の概略断面図。
【図２Ｃ】第１の実施形態に係る、半導体レーザチップが搭載された磁気ヘッド部の概略断面図。
【図２Ｄ】第１の実施形態に係る、半導体レーザチップが搭載された磁気ヘッド部の概略断面図。
【図３Ａ】第１の実施形態に係る、半導体レーザ装置の概略断面図。
【図３Ｂ】第１の実施形態に係る、半導体レーザ装置の概略断面図。
【図３Ｃ】第１の実施形態に係る、半導体レーザ装置の概略断面図。
【図３Ｄ】第１の実施形態に係る、半導体レーザ装置の概略断面図。
【図４Ａ】第１の実施形態に係る、半導体レーザ装置の概略断面図及び概略上面図。
【図４Ｂ】第１の実施形態に係る、半導体レーザ装置の概略断面図及び概略上面図。
【図４Ｃ】第１の実施形態に係る、半導体レーザ装置の概略上面図。
【図５】第１の実施形態の変形例を示す、半導体レーザ装置の概略断面図。
【図６Ａ】第１の実施形態に係る、半導体レーザ装置の光学系を示す概略断面図。
【図６Ｂ】第１の実施形態に係る、半導体レーザ装置の光学系を示す概略断面図。
【図６Ｃ】第１の実施形態に係る、半導体レーザ装置の光学系を示す概略断面図。
【図７Ａ】第１の実施形態に係る、半導体レーザ装置の電極構造を示す概略断面図。
【図７Ｂ】第１の実施形態に係る、半導体レーザ装置の電極構造を示す概略上面図。
【図８Ａ】第２の実施形態に係る、半導体レーザ装置の電極構造を示す概略断面図。
【図８Ｂ】第２の実施形態に係る、半導体レーザ装置の電極構造を示す概略上面図。
【図９Ａ】第３の実施形態に係る、半導体レーザ装置の電極構造を示す概略断面図。
【図９Ｂ】第３の実施形態に係る、半導体レーザ装置の電極構造を示す概略上面図。
【図１０Ａ】第４の実施形態に係る、半導体レーザ装置の概略断面図。
【図１０Ｂ】第４の実施形態に係る、半導体レーザ装置の概略上面図。
【図１０Ｃ】第４の実施形態の変形例を示す、半導体レーザ装置の概略上面図。
【図１１Ａ】第４の実施形態の第２変形例を示す、半導体レーザ装置の概略断面図。
【図１１Ｂ】第４の実施形態の第２変形例を示す、半導体レーザ装置の概略上面図。
【図１２Ａ】第４の実施形態の第３変形例を示す、半導体レーザ装置の概略断面図。
【図１２Ｂ】第４の実施形態の第３変形例を示す、半導体レーザ装置の概略上面図。
【図１３Ａ】従来の半導体レーザチップの概略断面図。
【図１３Ｂ】従来の半導体レーザチップが搭載された磁気ヘッド部の概略断面図。
【図１３Ｃ】従来の半導体レーザチップの位置調整工程を模式的に表した概略断面図。
【図１３Ｄ】従来の半導体レーザチップの位置調整工程を模式的に表した概略断面図。
【図１４Ａ】従来の半導体レーザチップの概略断面図。
【図１４Ｂ】従来の半導体レーザチップの概略断面図。
【図１４Ｃ】従来の半導体レーザチップのダイシング工程を模式的に表した斜視図。
【図１５】従来の半導体レーザ装置の光学系を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下に、本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ装置について、図面を参照しつつ説明する。なお、ここで示す実施形態は一例であり、本発明はここに示す実施形態に限定されるものではない。
【００３０】
＜第１実施形態＞
図１は、第１の実施形態に係る半導体レーザ装置を有する磁気ヘッド装置の一部を、上面及び側面より見た概略図である。本実施形態の磁気ヘッド装置は、磁気ヘッド部６上に、半導体レーザチップ１（＝半導体レーザ素子）、サブマウント２、及び光学部品１５が配置されている。また、磁気ヘッド部６の内部に設けられた導波路８と光軸（図中の実線矢印）とが合致するように、各部が配置されている。光軸が合致しているため、半導体レーザチップ１から出射されたレーザ光は、導波路８内を通り、不図示のハードディスクに出射される。
【００３１】
次に図２を用いて、本実施形態の半導体レーザ装置の製造手順を示す。まず図２Ａに示すように、半導体レーザチップ１は、サブマウント２に、ＡｕＳｎなどのロウ材３を用いて接着される。これにより、サブマウント付き半導体レーザチップ４（＝半導体レーザ装置）が形成される。
【００３２】
サブマウント付き半導体レーザチップ４は、図２Ｂに示すように、接着剤５を用いて、磁気ヘッド部６に取り付けられる。この際、半導体レーザチップ１の発光点７と磁気ヘッド部６に設けられた導波路８の位置関係は、多少精度を落として実装してもよい。
【００３３】
次に、図２Ｃに示すように、半導体レーザチップ１の両電極３０、３１をワイヤボンドなどの方法で導通を取り、半導体レーザチップ１を発振させる。なお以下では、発振されるレーザ光がＴＥモードである例を説明するが、ＴＭモードの発振光を用いる形態も可能である。
【００３４】
次に、図２Ｄに示すように、光学部品１５をサブマウント２に設けられた穴１６（＝貫通孔）の直上に、仮置きする。光学部品１５は、ＴＥモードを反射しＴＭモードを透過する面１７（以下、「反射／透過面１７」という）と、１／４波長板に相当する加工を行った面１８（以下、「加工面１８」という）とを持つ。
【００３５】
ここで、図３を用いてレーザ光の挙動を説明する。半導体レーザチップ１から出射されたＴＥモードの光１９は、光学部品１５に入射後、反射／透過面１７にて反射される。反射されたＴＥモードの光２０は、加工面１８へ向かう（図３Ａ）。
【００３６】
加工面１８にて、ＴＥモードの光２０は、円偏光の光２１へと変換される（図３Ｂ）。円偏光の光２１は、サブマウント２に設けられた穴１６を通り、磁気ヘッド部６に設けられた導波路８の近傍に到達する。
【００３７】
磁気ヘッド部６で反射された光２２は、円偏光のまま、サブマウント２に設けられた穴１６を通り（図３Ｃ）、加工面１８にて、ＴＭモードの光２３へと変換される（図３Ｄ）。ＴＭモードの光２３は、反射／透過面１７を透過し、直上に設けられたカメラ２４（＝観察部）へと入射する。
【００３８】
なお、磁気ヘッド部６の表面状態によっては、反射ではなく散乱が起こる場合も有るが、ＴＭ成分を含んでおり、カメラ２４に情報が届くため、問題はない。ここで、カメラ２４においては、磁気ヘッド部６に設けられた導波路８、及び半導体レーザの反射光２３が、同一画面上に観察されることになる。この情報を元に、仮置きされた光学部品１５の位置を調整する。
【００３９】
ここで、図４を用いて上記の位置調整の一例を示す。例えば図４Ａの右側に示すように、磁気ヘッド部６に設けられた導波路８に対し、半導体レーザの反射光２３が、Ｘ方向にずれていたとする。この場合、仮置きした光学部品１５を−Ｘ方向（図の左方向）に移動させ、光学部品１５’とする。これにより、半導体レーザの反射光２３は、−Ｘ方向に移動し、半導体レーザの反射光２３’となる。
【００４０】
また、磁気ヘッド部６に設けられた導波路８に対し、半導体レーザの反射光２３が、図４に示すＹ方向にずれていた場合では、例えば図４Ｃに示すように仮置きした光学部品１５をθ方向に回転し、光学部品１５’’とする。
【００４１】
以上の調整により、磁気ヘッド部６に設けられた導波路８に対し、半導体レーザの反射光２３を一致させる。この後に、例えば不図示のＵＶ硬化樹脂を用いて、光学部品１５を完全固定する。なお、仮固定及び本固定の方法は上記に限定されるものではなく、例えば熱硬化型樹脂を用いて固定を行う形態でもよい。
【００４２】
図５は、図３の変形例であり、光学部品２５が、ハーフミラーの面２６を持つ実施形態である。ハーフミラーであるため、磁気ヘッド部６に設けられた導波路８に入射する光量は図３と比較して少なくなるが、安価な光学部品を用いて、精度良く位置を合わせることができる。
【００４３】
ここで、図６を用いて第１の実施形態に係るレンズ配置を示す。図１〜５では、簡略化のため半導体レーザ光を集光するレンズを省略していた。半導体レーザ光を集光するレンズの搭載方法としては、通常のレンズ２７を半導体レーザチップ１及び光学部品１５の間に配置する方法（図６Ａ）と、光学部品１５の半導体レーザチップ１側の面２８に作りこむ方法（図６Ｂ）と、半導体レーザチップ１の発光面２９に作りこむ方法（図６Ｃ）とが考えられる。
【００４４】
本発明は、上記のいずれの構成でも効果を奏し、レンズの形態は問わない。なおレンズ２７、２８、２９の曲率は、磁気ヘッド部６の導波路８上で焦点を結ぶよう設計すると、結合効率を高めることができる。
【００４５】
ここで、図７を用いて第１の実施形態に係る半導体レーザ装置の電極構造を示す。半導体レーザチップ１は、その上部にレーザチップ上部電極３０を有し、その下部にレーザチップ下部電極３１を有する。本発明では、半導体レーザチップ１は、ジャンクションアップ、ジャンクションダウンどちらにも適用でき、その際、レーザチップ上部電極３０は、Ｐ電極またはＮ電極となる。レーザチップ下部電極３１は、その逆の極性となる。
【００４６】
サブマウント２は、その上部に上部電極３２が設けられ、上部電極３２の上にＡｕＳｎ等のロウ材３が設けられている。磁気ヘッド部６には二種類の磁気ヘッド部電極３３、３４が設けられており、これは、半導体レーザチップ１のジャンクションアップ、ジャンクションダウンに伴い、Ｐ電極又はＮ電極となる。なお、図７Ｂにおいて縦線で塗りつぶされている部分が磁気ヘッド部電極３３であり、図７Ｂにおいて横線で塗りつぶされている部分が磁気ヘッド部電極３４である。
【００４７】
半導体レーザチップ１、サブマウント２、及び磁気ヘッド部６の接着後、ワイヤボンド等により、レーザチップ上部電極３０と磁気ヘッド部電極３４とを、Ａｕ線３５で電気的に結合する。また、サブマウント上部電極３２と磁気ヘッド部電極３３とを、Ａｕ線３６で電気的に結合する。
【００４８】
以上に説明した本実施形態によれば、半導体レーザチップ１及びサブマウント２の位置あわせ、固定、導通確保を概略で行った後、半導体レーザチップ１を実際に光らせながら、光学部品１５の位置あわせを行う。このため、磁気ヘッド部６に設けられた導波路８と、半導体レーザの反射光２３とが、同時にひとつのカメラ２４で観察でき、効率よくレーザ光を導波路８に導くことが可能となる。
【００４９】
また本実施形態では、光学部品１５を仮固定して調整する方法を取っているため、固定のやりなおしや再調整が可能である。このため、従来技術と比較して、より位置精度を向上させることができる。またこれに伴い、歩留を大幅に向上することができる。
【００５０】
また本実施形態によれば、光学部品１５が、反射／透過面１７と、加工面１８とを持つ。このため、戻り光ノイズに対して強く、ノイズを低減できるという効果がある。これは図３Ｄに示すように、半導体レーザの反射光２３が、反射／透過面１７を透過し、半導体レーザチップ１に戻らないためである。
【００５１】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザ装置について、図面を参照しつつ説明する。なお、実施の形態１と同様の構成については、詳細な説明は省略するものとする。
【００５２】
ここで、図８を用いて、第２の実施形態における電極構造を説明する。本実施形態の半導体レーザチップ１は、レーザチップ上部電極３０、レーザチップ下部電極３１を有する。サブマウント２は、サブマウント上部電極３２（以下、「上部電極３２」という）と、その上に設けられた接着用のＡｕＳｎ等のロウ材３とに加え、サブマウント下部電極３７（以下、「下部電極３７」という）が設けられている。なお、図８Ｂにおいて縦線で塗りつぶされている部分が磁気ヘッド部電極３３であり、図８Ｂにおいて横線で塗りつぶされている部分が磁気ヘッド部電極３４である。
【００５３】
上部電極３２と下部電極３７との作成の際には、上部電極３２と下部電極３７との間の穴１６に、電極材料３８が回りこむことが可能であるように、上部電極３２と下部電極３７とを設ける。つまり、両電極が電極材料３８により電気的に接続可能となる位置に、両電極を作成する。
【００５４】
半導体レーザチップ１、サブマウント２、磁気ヘッド部６の接着後、ワイヤボンドなどにより、レーザチップ上部電極３０と磁気ヘッド部電極３４とを、Ａｕ線３５で電気的に結合する。また、上部電極３２と磁気ヘッド部電極３３とは、穴１６の内部に設けられた電極３８を通して導通を確保する。このため、実施の形態１の図７に示した、Ａｕ線３６が不要となる。
【００５５】
以上に説明した本実施形態によれば、実施の形態１のＡｕ線３６が不要となるため、装置の外縁部の部材を減らし、簡素化することができる。
【００５６】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３の実施形態に係る半導体レーザ装置について、図面を参照しつつ説明する。なお、実施の形態１、２と同様の構成については、詳細な説明は省略するものとする。
【００５７】
ここで、図９を用いて、本発明の第３の実施形態における電極構造を示す。本実施形態の半導体レーザチップ１は、レーザチップ上部電極３０、レーザチップ下部電極３１を有する。上部電極３２は、サブマウント上部電極３２Ａとサブマウント上部電極３２Ｂ（以下、「上部電極３２Ａ、Ｂ」という）とに分割されている。
【００５８】
上部電極３２Ａ、Ｂは、互いの間に設けられた分割用領域（図９Ｂの斜線部分）により、電気的に非接続状態となっている。上部電極３２Ａ上には、接着用のＡｕＳｎなどのロウ材３が設けられている。なお、図９Ｂにおいて縦線で塗りつぶされている部分が磁気ヘッド部電極３３であり、図９Ｂにおいて横線で塗りつぶされている部分が磁気ヘッド部電極３４である。
【００５９】
また、下部電極３７も同様に、サブマウント下部電極３７Ａとサブマウント下部電極３７Ｂ（以下、「下部電極３７Ａ、Ｂ」という）とに分割されている。下部電極３７Ａ、Ｂは、互いの間に設けられた分割用領域により、電気的に非接続状態となっている。
【００６０】
上部電極３２Ａと下部電極３７Ａとの作成の際には、上部電極３２Ａと下部電極３７Ａと間の穴１６に、電極材料３８Ａが回りこむことが可能であるように、上部電極３２Ａと下部電極３７Ａとを作成する。つまり、両電極が電極材料３８Ａにより電気的に接続可能となる位置に、両電極を作成する。
【００６１】
一方、上部電極３２Ｂと下部電極３７Ｂとの作成の際には、上部電極３２Ｂと下部電極３７Ｂとの間の穴３９に、電極材料３８Ｂが回りこむことが可能であるように、上部電極３２Ｂと下部電極３７Ｂとを作成する。つまり、両電極が電極材料３８Ｂにより電気的に接続可能となる位置に、両電極を作成する。
【００６２】
半導体レーザチップ１、サブマウント２、及び磁気ヘッド部６の接着後、ワイヤボンドなどにより、レーザチップ上部電極３０とサブマウント上部電極３２Ｂを、Ａｕ線４０で電気的に結合する。
【００６３】
これにより、上部電極３２Ａと磁気ヘッド部電極３３とは、穴１６の内部に設けられた電極３８Ａを通して導通が確保できる。また上部電極３２Ｂと磁気ヘッド部電極３４とは、穴３９の内部に設けられた電極３８Ｂを通して導通が確保できる。このため、実施の形態２の図８に示した、Ａｕ線３５が不要となり、より小さいＡｕ線４０で装置を構成することが可能となる。
【００６４】
以上に説明した本実施形態によれば、実施の形態２のＡｕ線３５が不要であり、Ａｕ線３５よりも小さいＡｕ線４０を用いて装置を構成することができるたけ、装置の外縁部を簡素化することができる。
【００６５】
＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４の実施形態に係る半導体レーザ装置について、図面を参照しつつ説明する。なお、実施の形態１〜３と同様の構成については、詳細な説明は省略するものとする。
【００６６】
ここで、図１０を用いて、本発明の第４の実施形態に係る半導体レーザ装置の構造を示す。先述した実施の形態１〜３では、サブマウント２に穴６を設けていたが、本実施形態では、穴６の代わりに切り欠き部４１を設ける（図１０Ｂ）。或いは、切り欠き部４１を、レーザ光に対しておよそ透明な樹脂４２等で充填する構成でもよい（図１０Ｃ）。なお、図示していないが、実施の形態１〜３の穴６を、およそ透明な樹脂４２等で充填する構成でもよい。
【００６７】
また上記の変形例として、図１１に示すように、サブマウント２に穴６や切り欠き部４１を設けるのではなく、サブマウント２よりも小型のサブマウント２’を用いる構成でもよい。この構成では、光学部品１５に突起部４３を設け、この突起部４３により光学部品１５をサブマウント２’に固定する。
【００６８】
例えば、光学部品１５の位置調整後、不図示のＵＶ硬化樹脂を用いて、突起部４３を小型のサブマウント２’に完全固定する。サブマウント２’はサブマウント２よりも小型であるため、光学部品１５と導波路８との間に遮蔽物が存在せず、光学経路を確保することが可能である。これにより、実施の形態１〜３と同様の効果をもたらすことができる。
【００６９】
また上記の変形例として、図１２に示すように、光学部品１５をサブマウント２上ではなく、磁気ヘッド部６に接着する構成でもよい。この構成では、光学部品１５を横方向からみた場合の断面は、直角三角形ではなく台形となる（図１２Ａ）。光学部品１５と導波路８との間に空間が存在しないため、光学経路を確保することが可能である。これにより、実施の形態１〜３と同様の効果をもたらすことができる。
【００７０】
＜その他の実施の形態＞
以上、好ましい実施の形態及び実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は必ずしも上記実施の形態に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内において様々に変形して実施することができる。
【符号の説明】
【００７１】
１    半導体レーザチップ（半導体レーザ素子）
２    サブマウント
３    ＡｕＳｎ等のロウ材
４    サブマウント付き半導体レーザチップ（半導体レーザ装置）
５    接着剤
６    磁気ヘッド部
７    発光点
８    導波路
１５    光学部品
１６    サブマウントに設けられた穴（貫通孔）
１７    ＴＥモードを反射しＴＭモードを透過する面
１８    １／４波長板に相当する加工を行った面
１９、２０、２１、２２、２３    レーザ光
２４    カメラ（観察部）
２５    光学部品
２６    ハーフミラーの面
２７、２８、２９    レンズ
３０    レーザチップ上部電極
３１    レーザチップ下部電極
３２    サブマウント上部電極
３３、３４    磁気ヘッド部電極
３５、３６、４０    Ａｕ線
３７    サブマウント下部電極
３８、３９    内部に設けられた電極
４１      切り欠き部
４２      およそ透明な樹脂
４３      突起部
１０１    半導体レーザチップ
１０２    サブマウント
１０３    ＡｕＳｎ等のロウ材
１０４    サブマウント付き半導体レーザチップ
１０５    接着剤
１０６    磁気ヘッド部
１０７    発光点
１０８    導波路
１０９、１１０    画像データ
１１１    サブマウントの取り付け面
１１２    半導体レーザチップの搭載面
１１３、１１４    レーザ光
【図１Ａ】
2014041674.tif 000003
【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
2014041674.tif 000006
【図２Ｃ】
2014041674.tif 000007
【図２Ｄ】
2014041674.tif 000008
【図３Ａ】
2014041674.tif 000009
【図３Ｂ】
2014041674.tif 000010
【図３Ｃ】
2014041674.tif 000011
【図３Ｄ】
2014041674.tif 000012
【図４Ａ】
2014041674.tif 000013
【図４Ｂ】
2014041674.tif 000014
【図４Ｃ】
2014041674.tif 000015
【図５】
2014041674.tif 000016
【図６Ａ】
2014041674.tif 000017
【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７Ａ】
2014041674.tif 000020
【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
2014041674.tif 000027
【図１０Ｃ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３Ａ】
2014041674.tif 000033
【図１３Ｂ】
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【図１３Ｃ】
2014041674.tif 000035
【図１３Ｄ】
2014041674.tif 000036
【図１４Ａ】
2014041674.tif 000037
【図１４Ｂ】
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【図１４Ｃ】
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【図１５】
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