(57)【要約】【課題】  堆積膜の異常成長が生じにくい堆積膜形成方法、および、該堆積膜形成方法を用いた電子写真感光体の製造方法を提供する。【解決手段】  堆積膜を形成する前に、第一の電極の電位を接地電位として、反応容器の内部を堆積膜の形成を起こさないガスの雰囲気にして、反応容器の内部を排気しながら、極性が正または負であり、かつ絶対値が放電開始電圧の絶対値以上の値である第一の電圧を第一の電極と基体（第二の電極を兼ねる）との間に印加して、第一の電極と基体との間に放電を生起させた後、極性が第一の電圧とは逆であり、かつ絶対値が放電維持電圧の絶対値未満の値であり、かつ基体に付着したダストを基体から引き離すのに必要な値である第二の電圧を、第一の電極と基体との間に印加する。【選択図】  図１
2014005530.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマＣＶＤ法によって、基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、
（ｉ）内部に第一の電極を有する減圧可能な反応容器の内部に、第二の電極を兼ねる前記基体を設置する工程と、
（ｉｉ）前記第一の電極の電位を接地電位として、前記反応容器の内部を堆積膜の形成を起こさないガスの雰囲気にして、前記反応容器の内部を排気しながら、極性が正または負であり、かつ絶対値が放電開始電圧の絶対値以上の値である第一の電圧を前記第一の電極と前記基体との間に印加して、前記第一の電極と前記基体との間に放電を生起させた後、極性が前記第一の電圧とは逆であり、かつ絶対値が放電維持電圧の絶対値未満の値であり、かつ前記基体に付着したダストを前記基体から引き離すのに必要な値である第二の電圧を、前記第一の電極と前記基体との間に印加する工程と、
（ｉｉｉ）前記反応容器の内部を堆積膜の形成を起こすガスの雰囲気にして、前記第一の電極と前記基体との間に電圧を印加して、前記第一の電極と前記基体との間に放電を生起させて、前記堆積膜の形成を起こすガスを分解して、前記基体上に堆積膜を形成する工程と
をこの順に有することを特徴とする堆積膜形成方法。
【請求項２】
前記工程（ｉｉ）において、前記第一の電圧を前記第一の電極と前記基体との間に印加して前記放電を生起させた後、かつ前記第二の電圧を前記第一の電極と前記基体との間に印加する前に、極性が前記第一の電圧と同じであり、かつ絶対値が放電維持電圧の絶対値未満の値である第三の電圧を前記第一の電極と前記基体との間に１ｍ秒以上印加する請求項１に記載の堆積膜形成方法。
【請求項３】
前記工程（ｉｉ）において、前記第一の電圧を前記第一の電極と前記基体との間に１０秒以上印加する請求項１または２に記載の堆積膜形成方法。
【請求項４】
前記第一の電圧の極性が正である請求項１〜３のいずれか１項に記載の堆積膜形成方法。
【請求項５】
前記堆積膜がアモルファスシリコンの堆積膜であり、前記堆積膜の形成を起こさないガスはケイ素原子含有ガスを含まないガスであり、前記堆積膜の形成を起こすガスはケイ素原子含有ガスを含むガスである請求項１〜４のいずれか１項に記載の堆積膜形成方法。
【請求項６】
前記工程（ｉｉ）と前記工程（ｉｉｉ）が、異なる反応容器で行われる請求項１〜５のいずれか１項に記載の堆積膜形成方法。
【請求項７】
基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成工程を有する電子写真感光体の製造方法において、
前記堆積膜形成工程が、請求項１〜６のいずれか１項に記載の堆積膜形成方法を用いて行われることを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、堆積膜形成方法および電子写真感光体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、堆積膜形成方法の一種として、高周波を使用したグロー放電により原料ガス（堆積膜の形成を起こすガス）のプラズマを生成し、原料ガスの分解種を基体上に堆積させて堆積膜を形成するプラズマＣＶＤ（ｐｌａｓｍａ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法が知られている。プラズマＣＶＤ法は、原料ガスにシランガスを用いることで、アモルファスシリコンの堆積膜を容易に形成することができるため、例えば、電子写真感光体（アモルファスシリコン感光体）の製造によく利用されている。
【０００３】
近年、堆積膜の品質の向上のため、堆積膜形成前の基体の処理に関して、様々な検討がなされている。
【０００４】
特許文献１には、高周波を使用したグロー放電によってプラズマを発生させ、電子写真感光体用の基体をプラズマ処理することで、電子写真感光体を電子写真装置に用いたときの画像欠陥（黒ポチ、白ポチ）の原因となる堆積膜の異常成長を抑制する技術が開示されている。
【０００５】
特許文献２には、基体に対して、窒素雰囲気中でプラズマに曝す前処理を施すことによって、基体の表面を清浄化する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−７８７６１号公報
【特許文献２】特開平５−２３２７３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、本発明者らの検討の結果、特許文献１および２に開示されている技術（堆積膜形成方法）を用いて製造された電子写真感光体を電子写真装置に用いた場合、画像欠陥のレベルに改善の余地が残されていることがわかった。
【０００８】
特許文献１および２に開示されている技術では、高周波を使用したグロー放電が用いられている。このため、基体に付着したパーティクル状のダスト（以下単に「ダスト」と表記する。）には、正の荷電粒子（陽イオン）と負の荷電粒子（陰イオンや電子）がかわるがわる到達することになり、ダストがチャージアップするうえに、その極性が周期的に反転することになる。このように、ダストの極性が周期的に反転する場合、電気的な斥力によって基体からダストが引き離される効果が小さくなり、基体の表面に付着したダストが十分に取り除かれない。基体の表面にダストが残った状態では、そのダストが起点となって、基体上に形成しようとする堆積膜に異常成長が生じてしまう。電子写真感光体の堆積膜に異常成長が生じると、電子写真装置から出力される画像には、画像欠陥（黒ポチ（黒色以外のトナーを用いた場合も、便宜上「黒ポチ」と表記する。）または白ポチ）が発生してしまう。基体に付着するダストとしては、例えば、堆積膜の小片などが挙げられる。
【０００９】
本発明の目的は、堆積膜の異常成長が生じにくい堆積膜形成方法、および、該堆積膜形成方法を用いた電子写真感光体の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、プラズマＣＶＤ法によって、基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、
（ｉ）内部に第一の電極を有する減圧可能な反応容器の内部に、第二の電極を兼ねる前記基体を設置する工程と、
（ｉｉ）前記第一の電極の電位を接地電位として、前記反応容器の内部を堆積膜の形成を起こさないガスの雰囲気にして、前記反応容器の内部を排気しながら、極性が正または負であり、かつ絶対値が放電開始電圧の絶対値以上の値である第一の電圧を前記第一の電極と前記基体との間に印加して、前記第一の電極と前記基体との間に放電を生起させた後、極性が前記第一の電圧とは逆であり、かつ絶対値が放電維持電圧の絶対値未満の値であり、かつ前記基体に付着したダストを前記基体から引き離すのに必要な値である第二の電圧を、前記第一の電極と前記基体との間に印加する工程と、
（ｉｉｉ）前記反応容器の内部を堆積膜の形成を起こすガスの雰囲気にして、前記第一の電極と前記基体との間に電圧を印加して、前記第一の電極と前記基体との間に放電を生起させて、前記堆積膜の形成を起こすガスを分解して、前記基体上に堆積膜を形成する工程と
をこの順に有することを特徴とする堆積膜形成方法である。
【００１１】
また、本発明は、基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成工程を有する電子写真感光体の製造方法において、
前記堆積膜形成工程が、前記本発明の堆積膜形成方法を用いて行われることを特徴とする電子写真感光体の製造方法である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、堆積膜の異常成長が生じにくい堆積膜形成方法、および、該堆積膜形成方法を用いた電子写真感光体の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】工程（ｉｉ）において第一の電極と第二の電極を兼ねる基体との間に印加する電圧を説明するための図である。
【図２】本発明の電子写真感光体の製造方法を実施するための製造装置（プラズマＣＶＤ装置）の例を示す模式図である。
【図３】工程（ｉｉ）において第一の電極と第二の電極を兼ねる基体との間に印加する電圧を説明するための図である。
【図４】放電開始電圧および放電維持電圧の測定方法を説明するための図である。
【図５】本発明の電子写真感光体の製造方法を実施するための製造装置（プラズマＣＶＤ装置）の例を示す模式図である。
【図６】本発明の電子写真感光体の製造方法を実施するための連続生産装置の例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明は、プラズマＣＶＤ法によって、基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法である。
【００１５】
図１は、上記工程（ｉｉ）において電位を接地電位（「アース電位」とも呼ばれる。）とした第一の電極と第二の電極を兼ねる基体との間に印加する電圧を説明するための図であり、電圧として矩形波の電圧（交播電圧）を採用した例を示している。すなわち、図１に示す例では、第一の電極が接地電極となっている。また、「第二の電極を兼ねる基体」とは、上記工程（ｉ）において反応容器の内部に設置された基体が、その後の工程において第二の電極として機能しうることを意味する。図１では、第一の電極と基体との間に印加する電圧を上記第一の電圧とする期間と上記第二の電圧とする期間とが複数回繰り返している例を示しているが、本発明においては、第一の電極と基体との間に印加する電圧を上記第一の電圧とする期間と上記第二の電圧とする期間とがこの順に少なくとも１回ずつあればよい。
【００１６】
図１（ａ）は、第一の電極の電位（接地電位）に対する基体の電位が交互に正と負になるように矩形波の交播電圧を第一の電極と基体との間に印加した場合の基体の電位の変化を示す図である。図１（ａ）の例では、第一の電極に対する基体の電位が正となるときの第一の電極と基体の電位差の絶対値が放電開始電圧の絶対値以上の値（Ｖ１）となっており、負になるときの第一の電極と基体の電位差の絶対値が放電維持電圧の絶対値未満の値（Ｖ２）となっている。第一の電極の電位は接地電位で一定であるため、基体の電位が図１（ａ）に示すように矩形状に変化する。図１（ａ）の例では、Ｖ１が上記第一の電圧に対応しており、Ｖ２が上記第二の電圧に対応している。
【００１７】
図１（ａ）中のＴは、矩形波の周期を表しており、矩形波の周波数（パルス周波数）によって決まる。本発明では、好ましくは、周波数３ｋＨｚ以上３００ｋＨｚ以下の矩形波が用いられ、より好ましくは、周波数１０ｋＨｚ以上１００ｋＨｚ以下の矩形波が用いられる。また、図１（ａ）中のｔ１は、第一の電極に対する基体の電位がＶ１（正電位）となっている時間（期間）を表しており、ｔ２は、第一の電極に対する基体の電位がＶ２（負電位）となっている時間（期間）を表している。また、本発明では、ｔ１をＴで除した値（ｔ１／Ｔ）をＤｕｔｙ比（％）と定義する。図１（ａ）の例では、Ｄｕｔｙ比を５０％としている。
【００１８】
このような矩形波の交播電圧は、例えば、第一の電極に対する基体の電位がＶ１（正電位）となる電圧およびＶ２（負電位）となる電圧を直流電源から発生させて、スイッチ素子をＯＮ／ＯＦＦ制御し、直流電源からの電圧を時分割パルス状にすることによって得ることができる。スイッチ素子としては、例えば、ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラートランジスター）、ＭＯＳＦＥＴなどの半導体スイッチ素子を用いたものがある。これらのスイッチ素子によれば、Ｄｕｔｙ比や周波数を変化させることもできる。
【００１９】
図１（ａ）中のｔ１の期間では、第一の電極に対する基体の電位（正電位）の絶対値が放電開始電圧の絶対値以上の値（Ｖ１）となっているため、第一の電極と基体との間に放電が生起し、プラズマが生成される。
【００２０】
上記工程（ｉｉ）は、堆積膜の形成を行う上記工程（ｉｉｉ）より前の工程であり、上記工程（ｉｉ）において生成されるプラズマは、堆積膜の形成を起こさないガスの雰囲気で生成されたプラズマであることが必須である。堆積膜の形成を起こさないガス種としては、例えば、水素、ヘリウム、アルゴン、窒素などが挙げられる。なお、「プラズマが生成される」とは、第一の電極と基体との間に放電が生起し、ガスが電離して、荷電粒子（イオンや電子）が生成されることを意味している。
【００２１】
図１（ａ）の例では、まず、極性が正であり、かつ絶対値が放電開始電圧の絶対値以上の値である電圧（第一の電圧）を第一の電極と基体との間に印加すると、すなわち、第一の電極に対する基体の電位をＶ１（正電位）とすると、堆積膜の形成を起こさないガスのプラズマが生成される。そして、プラズマ中の電子および／または陰イオンは、電位がＶ１（正電位）となった基体の表面に付着したダストに到達し、電子および／または陰イオンが持つ負の電荷により、ダストは負電位にチャージアップする。
【００２２】
次に、極性が負であり、かつ絶対値が放電維持電圧の絶対値未満の値であり、かつ基体に付着したダストを基体から引き離すのに必要な値である電圧（第二の電圧）を第一の電極と基体との間に印加することで、すなわち、第一の電極に対する基体の電位をＶ１（正電位）とは逆の極性となるＶ２（負電位・ダストを基体から引き離すのに必要な値）とすることで、上記負電位にチャージアップしたダストは、電気的な斥力によって基体から引き離されることになる。ここでもし、第一の電極と基体との間に印加される極性が負の電圧（第二の電圧）の絶対値が放電維持電圧の絶対値以上であると、ｔ１の期間で生成されたプラズマがｔ２の期間でも維持されるため、プラズマ中の陽イオンが基体の表面に付着したダストに到達することになる。そうすると、ｔ１の期間において負電位にチャージアップしたダストが、陽イオンが持つ正の電荷によってチャージアップが緩和されてしまい、電気的な斥力によってダストを基体から引き離す効果が得られにくくなる。ダストのチャージアップの緩和を抑制するためには、ｔ２の期間においてはプラズマを消滅させる必要がある。そのため、第一の電極と基体との間に印加される極性が負の電圧（第二の電圧）の絶対値は、放電維持電圧の絶対値未満にすることが必要である。また、電気的な斥力によって基体からダストを引き離すためには、第一の電極と基体との間に印加される極性が負の電圧（第二の電圧）の絶対値は、放電維持電圧の絶対値以上にならない範囲で、なるべく大きいことが好ましい。具体的には、第一の電極と基体との間に印加される極性が負の電圧（第二の電圧）の絶対値は、放電維持電圧の絶対値の４０％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。後述の第二の電圧の極性が正である場合も、同様である。
【００２３】
図１（ｂ）も、第一の電極の電位（接地電位）に対する基体の電位が交互に正と負になるように矩形波の交播電圧を第一の電極と基体との間に印加した場合の基体の電位の変化を示す図である。図１（ｂ）の例では、第一の電極に対する基体の電位が負となるときの第一の電極と基体の電位差の絶対値が放電開始電圧の絶対値以上の値（Ｖ１）となっており、正になるときの第一の電極と基体の電位差の絶対値が放電維持電圧の絶対値未満の値（Ｖ２）となっている。第一の電極の電位は接地電位で一定であるため、基体の電位が図１（ｂ）に示すように矩形状に変化する。図１（ｂ）の例では、Ｖ１が上記第一の電圧に対応しており、Ｖ２が上記第二の電圧に対応している。
【００２４】
基体の表面に付着したダストをプラズマ中の荷電粒子によりチャージアップさせる点では、図１（ａ）と（ｂ）のように極性の正負が異なっていても本発明の効果は得られる。ただし、一般的にプラズマ中において基体に付着したダスト（特に、堆積膜の小片）は負電位にチャージアップしやすいため、図１（ａ）の例のように、上記第一の電圧の極性は正であることが好ましい。
【００２５】
図１（ａ）および（ｂ）においては、Ｖ１からＶ２への切り替わりおよびＶ２からＶ１への切り替わりは瞬時に行われるように示しているが、一般的な市販電源では、電源回路特性の限界から、Ｖ１からＶ２への切り替わりおよびＶ２からＶ１への切り替わりには、ある程度の時間を要する。その切り替わりに要する時間は、一般的な市販電源においては１μ秒以下の程度である。
【００２６】
また、図１（ａ）および（ｂ）においては、完全な矩形波を示しているが、一般的な市販電源では、矩形波のエッジ部になまりが生じたり、オーバーシュートによって若干鋭角状となったり、Ｖ１やＶ２になるときにリンギングが生じたりすることもある。このような場合でも、本発明の効果は得られる。
【００２７】
図３も、上記工程（ｉｉ）において第一の電極と基体との間に印加する電圧を説明するための図であり、電圧として矩形波の電圧（交播電圧）を採用した例を示している。図３の例における矩形波の波形は、図１の例における矩形波とは別の波形である。
【００２８】
図３の例では、まず、極性が正であり、かつ絶対値が放電開始電圧の絶対値以上の値である電圧（第一の電圧）が第一の電極と基体との間に印加される。図３中のＶ１が第一の電圧に対応している。次に、極性が正であり、かつ絶対値が放電維持電圧の絶対値未満の値である電圧（第三の電圧）が第一の電極と基体との間に印加される。図３中のＶ３が第三の電圧に対応している。次に、極性が負であり、かつ絶対値が放電維持電圧の絶対値未満の値であり、かつ前記基体に付着したダストを前記基体から引き離すのに必要な値である電圧（第二の電圧）が第一の電極と基体との間に印加される。図３中のＶ２が第二の電圧に対応している。第一の電極の電位は接地電位で一定であるため、基体の電位が図３に示すように矩形状（階段状）に変化する。
【００２９】
図３中のｔ１は、第一の電極に対する基体の電位がＶ１（正電位）となっている時間（期間）を表しており、ｔ３は、第一の電極に対する基体の電位がＶ３（正電位）となっている時間（期間）を表しており、ｔ２は、第一の電極に対する基体の電位がＶ２（負電位）となっている時間（期間）を表している。
【００３０】
図１（ａ）および（ｂ）のように、第一の電極に対する基体の電位をＶ１からＶ２へ変化させた場合、Ｖ２が放電維持電圧の絶対値未満の値であるため、放電が維持できなくなり、プラズマは維持できなくなる。しかしながら、ｔ１の期間で生成された荷電粒子（イオンや電子）は、瞬時には消滅せずにｔ２の期間において徐々に減衰しながらしばらくの間は残存する。この状態は、一般にアフターグローと呼ばれ、新たに荷電粒子（イオンや電子）は生成されないが、残存した荷電粒子（イオンや電子）により、上記ダストのチャージアップの緩和が生じてしまう場合がある。そのため、本発明においては、このアフターグローによるダストのチャージアップの緩和を抑制するため、例えば図３で示すように、第一の電極に対する基体の電位をＶ１からＶ２へ変化させる間に、第一の電極に対する基体の電位が、Ｖ１と同じ極性で、かつ絶対値が放電維持電圧の絶対値未満のＶ３となるように、第一の電極と基体との間に新たな電圧を印加することが好ましい。すなわち、上記工程（ｉｉ）において、上記第一の電圧を第一の電極と基体との間に印加して放電を生起させた後、かつ上記第二の電圧を第一の電極と基体との間に印加する前に、極性が第一の電圧と同じであり、かつ絶対値が放電維持電圧の絶対値未満の値である第三の電圧を第一の電極と基体との間に印加することが好ましい。
【００３１】
アフターグローの寿命は、数十μ秒から数ｍ秒程度であるため、第一の電極と基体との間に第三の電圧を１ｍ秒以上印加することが好ましい、すなわち、ｔ３の時間は１ｍ秒以上であることがより好ましい。一方、前処理工程の効率の観点から、５０ｍ秒以下印加することが好ましい。
【００３２】
本発明においては、上記第一の電圧を第一の電極と基体との間に印加し、第一の電極に対する基体の電位をＶ１とし、第一の電極と基体との間に放電を生起させ、プラズマを生成することによって、基体に付着したダストを負または正電位（Ｖ１とは逆の極性）にチャージアップさせる。次に、上記第二の電圧を第一の電極と基体との間に印加し、第一の電極に対する基体の電位をＶ１とは逆の極性のＶ２（チャージアップしたダストと同じ極性）とすることにより、電気的な斥力によって基体に付着したダストを基体から引き離す。そのためには、上記第一の電圧を第一の電極と基体との間に印加した際に、基体に付着したダストを十分にチャージアップさせる必要がある。ダストを十分にチャージアップさせるためには、上記第一の電圧を大きくすることや、上記第一の電圧を第一の電極と基体との間に印加する期間（ｔ１）をできるだけ長くすることが効果的である。特に、ｔ１の期間を長くすることが効果的である。
【００３３】
図３の例のような階段状の波形の電圧は、例えば、第一の電極に対する基体の電位がＶ１（正電位）、Ｖ３（正電位）、Ｖ２（負電位）となる電圧をそれぞれ３台の直流電源から発生させて、それら３台の直流電圧をＯＮ／ＯＦＦ制御して、所定の時間で切り替えることによって得ることができる。図３の例のような階段状の波形の電圧の場合も、上記と同様にｔ１の期間を長くすることが効果的であり、具体的には、上記第一の電圧を第一の電極と基体との間に１０秒以上印加することが好ましい。一方、前処理工程の効率の観点から、１００秒以下印加することが好ましい。
【００３４】
図３においては、Ｖ１からＶ３への切り替わりとＶ３からＶ２への切り替わりは図示するようにできるだけ瞬時に行われることが効果的である。具体的には、ダストが十分チャージアップされた状態で電圧を切り替えるという観点から、切り替わりにかかる時間は５０ｍ秒以下であることが好ましく、１０ｍ秒以下であることがより好ましい。
【００３５】
次に、放電開始電圧および放電維持電圧について詳細に述べる。
【００３６】
第一の電極と基体との間の放電は、第一の電極と基体との間にわずかながら存在している電子が電界によって正電位側に運ばれ、その途中でガス分子に衝突してこれを電離させて、電子とイオンを生成するα作用が継続することによって始まる。この電離を生じさせるためには、衝突時の電子のエネルギーが、ガス分子の電離エネルギー以上であることが必要となる。電子がガス分子に衝突する際のエネルギーは、電界が大きくなるほど、すなわち、第一の電極と基体との間に印加する電圧が大きくなるほど大きくなる。第一の電極と基体との間に印加する電圧を徐々に上げていき、電子がガス分子に衝突する際のエネルギーがガス分子の電離エネルギーに達すると、ガス分子が電離する。ガス分子の電離によって第一の電極と基体との間に存在する電子が増加して、衝突によるガス分子の電離が継続して起こることで放電が始まる。この放電が始まる時点の電圧を放電開始電圧という。
【００３７】
また、放電が開始した状態から、第一の電極と基体との間に印加する電圧を下げていくと、ある電圧よりも小さくなった時点で放電が維持できなくなる。放電が維持できる最低電圧を放電維持電圧という。放電維持電圧は、通常、放電開始電圧よりも低い。これは、放電が生起した状態では、放電が生起していない状態と比べて放電空間内の電子の数が多く、第一の電極と基体との間の印加電圧の絶対値が放電開始電圧の絶対値未満になっても、放電維持電圧の絶対値以上であれば、ガス分子を電離可能なエネルギーを持った電子が放電維持に必要な数以上存在するためである。
【００３８】
また、γ作用と呼ばれる現象も、放電維持電圧が放電開始電圧よりも低くなる理由の１つとなっている。γ作用とは、ガス分子が電離して生じたイオンが第一の電極や基体に衝突する際、それらから二次電子が放出される現象である。放電が生起した後は、このγ作用によって生じた電子もガス分子の電離に寄与するので、放電開始電圧よりも低い電圧で放電が維持可能となる。
【００３９】
このように、放電開始電圧および放電維持電圧は、ガス分子の電離電圧および電子がガス分子に衝突するときのエネルギーが支配的な要素となる。ガス分子の電離電圧は、ガス種が決まれば決定される。また、ガス分子に衝突するときの電子のエネルギーは、電界強度および電子がガス分子に衝突するまでの移動距離の関数となる。言い換えれば、印加電圧、第一の電極と基体との間の距離および電子がガス分子に衝突するまでの移動距離の関数となる。また、電子がガス分子に衝突するまでの移動距離は、ガスの密度の関数、言い換えれば、圧力の関数となる。
【００４０】
なお、複数のガス種からなる混合ガスを用いる場合、各々のガスの電離電圧とともに、ガスの混合比率も、放電開始電圧および放電維持電圧を決定付ける要素となる。
【００４１】
これら以外に放電開始電圧および放電維持電圧に影響を及ぼすものとしては、第一の電極の表面材質、形状および温度などがあるが、これらは電離電圧、印加電圧、第一の電極と基体との間の距離および圧力に比べて影響度は小さい。
【００４２】
このように、放電開始電圧および放電維持電圧は、ガス種、ガスの混合比率、第一の電極と基体との間の距離および圧力によって異なるため、使用するガス条件およびプラズマＣＶＤ装置の構成によって固有の値を持つこととなる。すなわち、使用するプラズマＣＶＤ装置と使用するガス条件が決まれば、放電開始電圧および放電維持電圧は一意に決まる。
【００４３】
本発明においては、放電開始電圧および放電維持電圧の値そのものよりも、正および負のいずれか一方の電界で放電を生起させ、続いて、それとは逆極性の電界で放電が維持しないレベルにすることが効果を得るために重要である。そのため、使用するガス条件およびプラズマＣＶＤ装置の構成によって放電開始電圧および放電維持電圧の値そのものは変わるものの、本発明の条件を満たせば、本発明の効果を得ることができる。例えば、堆積膜の形成を起こさないガスとして、水素ガスを用いた場合と、ヘリウムガスを用いた場合では、放電開始電圧および放電維持電圧は異なる。しかしながら、どちらの場合においても、本発明の条件を満たすことによって、本発明の効果を得ることができる。
【００４４】
放電が開始したか否か、および、放電が維持されているか否かは、例えば、電圧−電流特性から判断する方法や、プラズマ発光を検知して判断する方法などがある。
【００４５】
図４は、放電開始電圧および放電維持電圧の測定方法を説明するための図である。図４（ａ）は、図２に示すプラズマＣＶＤ装置を用いて、第一の電極と基体との間に電圧を印加し、放電開始電圧を求めたときの電圧−電流特性を示す図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）と同様、図２に示すプラズマＣＶＤ装置を用いて、放電維持電圧を求めたときの電圧−電流特性を示す図である。このような電圧−電流特性から、放電が開始したか否か、および、放電が維持されているか否かを判断し、放電開始電圧および放電維持電圧を求めることができる。
【００４６】
第一の電極に対する基体の電位が負になったときに放電を生起させて上記工程（ｉｉ）（上記工程（ｉｉｉ）（堆積膜形成工程）の前処理工程）を行おうとする場合には、図４（ａ）の例のように負電位の放電開始電圧と、図４（ｂ）の例のように正電位の放電維持電圧を求めることになる。
【００４７】
まず、図２に示すプラズマＣＶＤ装置の制御部２３０で、電圧を０Ｖと設定電圧を繰り返す矩形波の電圧（パルス電圧）として、周波数５０ｋＨｚおよびＤｕｔｙ比５０％の条件で出力波形を制御した。そして、設定電圧を０Ｖから負の方向に１０Ｖ刻みで大きくしていき（０Ｖ→−１０Ｖ→−２０Ｖ…）、そのときの電流変化を測定した。図４（ａ）に示すように、設定電圧を０Ｖから徐々に負の方向に大きくしていくと、電流が急に増加する点が観測される。そのときの電圧が放電開始電圧である。なお、放電開始電圧に至るまでも、若干の電流が計測されているが、その電流は放電に伴うものではなく、第一の電極と基体との間に存在した荷電粒子が動くことによる暗流と、プラズマＣＶＤ装置内での漏れ電流である。なお、図４（ａ）においては、設定電圧が−３３５Ｖの際の電流を１００％として示している。
【００４８】
次に、図４（ｂ）に示すように、設定電圧を＋４００Ｖまで上げて第一の電極と基体との間に放電を生起させる。この状態から設定電圧を０Ｖの方向に１０Ｖ刻みで小さくしていくと（＋４００Ｖ→＋３９０Ｖ→＋３８０Ｖ…）、電流が急に減少する点が観測される。電流が急に減少する直前の電圧が放電維持電圧である。なお、図４（ｂ）においては、設定電圧が＋４００Ｖの際の電流を１００％として示している。
【００４９】
図２は、電子写真感光体の製造方法を実施するための製造装置（プラズマＣＶＤ装置）の例を示す模式図である。図２（ａ）は縦断面図であり、図２（ｂ）は横断面図である。
【００５０】
本発明では、例えば、図２に示すようなプラズマＣＶＤ装置を用いて堆積膜形成工程の前処理工程を行い、続いて堆積膜形成工程を行う。  図２に示すプラズマＣＶＤ装置は、第一の電極２１４の電位に対する基体（円筒状の基体）２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）の電位が交互に正と負になるように、例えば周波数５０ｋＨｚの矩形波の交播電圧を第一の電極２１４と基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）との間に印加して、基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）に付着したダストの除去を行う。
【００５１】
電源２３１から出力され、第一の電極２１４と基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）との間に印加される矩形波の交播電圧は、制御部２３０によって周波数、電圧値、Ｄｕｔｙ比などが制御される。
【００５２】
図２に示すプラズマＣＶＤ装置は、プラズマ処理によって円筒状の基体２１２（上側基体２１２Ａ、下側基体２１２Ｂ）上（基体２１２の外周面）に堆積膜を形成するための円筒状の反応容器２１１と、基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）を加熱するためのヒーター２１６を備えている。また、基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）を保持する基体ホルダー２１３Ａおよび２１３Ｂ、反応容器２１１の内部にガス（堆積膜の形成を起こさないガス、堆積膜の形成を起こすガス）を導入するためのガスブロック２３５を備えている。ガスブロック２３５は、第一の電極２１４から取り外しが可能（脱着可能）な構造となっている。
【００５３】
反応容器２１１の内部には、第一の電極２１４、ベースプレート２１９および上蓋２２０により減圧可能な空間（放電空間）が形成されている。第一の電極の電位を一定にすることで、第一の電極２１４と反応容器２１１中の他の部分との電位差を一定に保つことができるため、製造する電子写真感光体の特性の再現性が向上する。さらに、第一の電極の電位を接地電位（接地電位で一定）とすることで、すなわち、第一の電極を接地電極とすることで、プラズマＣＶＤ装置の取り扱いが容易になり、製造する電子写真感光体の特性の再現性がより向上する。
【００５４】
また、図２に示すプラズマＣＶＤ装置は、ガス（堆積膜の形成を起こさないガス、堆積膜の形成を起こすガス）の流量を調整するためのマスフローコントローラー（不図示）を内包するガス混合装置２２５とガス流入バルブ２２４を備えている。
【００５５】
基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）を保持する基体ホルダー２１３Ａおよび２１３Ｂは回転可能に支持されている。この回転支持機構は、支軸２２２と、支軸２２２と歯車で接続されたモーター２２１とを有している。
【００５６】
基体ホルダー２１３Ａおよび２１３Ｂの内側には、接合電極２１７Ａおよび２１７Ｂが接合している。接合電極２１７Ａおよび２１７Ｂは、支軸２２２を介して電源２３１に接続されている。第一の電極２１４と基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）、基体ホルダー２１３Ａ、２１３Ｂは、中心軸が一致するように配置されている。
【００５７】
ヒーター２１６の外面は接地されていて、ヒーター２１６と基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）との間に絶縁部材２１５Ａが設けられていることで、ヒーター２１６と基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）とは絶縁されている。ヒーター２１６の内側には、支軸２２２との間に絶縁部材２１５Ｂが設置され、ヒーター２１６と支軸２２２が絶縁されている。
【００５８】
図２に示すプラズマＣＶＤ装置は、排気系として、反応容器２１１の排気口に連通された排気配管２２６と、排気メインバルブ２２７と、真空ポンプ２２８とを有している。真空ポンプとしては、例えば、ロータリーポンプ、メカニカルブースターポンプなどが挙げられる。この排気系により、反応容器２１１に設けられた真空計２２３を見ながら、反応容器２１１内を所定の圧力に維持することができる。
【００５９】
電源２３１からの出力は、制御部２３０によって制御される。制御部２３０は、電源２３１を制御することにより、第一の電極２１４と基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）との間に所定の周波数の矩形波の交播電圧を印加可能になっている。
【００６０】
上記工程（ｉｉ）（堆積膜形成工程の前処理工程）および上記工程（ｉｉｉ）（堆積膜形成工程）を行うための放電空間（減圧可能な空間）は、第一の電極２１４と、第一のされたベースプレート２１９に取り付けられた絶縁板２１８Ｂと、第一のされた上蓋２２０に取り付けられた絶縁板２１８Ａによって規定されている。
【００６１】
基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）と第一の電極２１４との間の距離Ｄについて説明する。距離Ｄが５ｍｍ以上であれば、基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）設置時の基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）と第一の電極２１４との同軸性のずれなどによって生じる距離Ｄのロットごとのばらつきの影響が生じにくいため、安定した再現性を得やすくなる。ただし、距離Ｄが大きいほど、反応容器２１１が大きくなるため、単位設置面積当たりの生産性は低下する。このため、距離Ｄは、５ｍｍ以上３００ｍｍ以下であることが好ましい。
【００６２】
以下、図２に示すプラズマＣＶＤ装置を用いた電子写真感光体の製造方法の上記工程（ｉｉ）（堆積膜形成工程の前処理工程）の一例について説明する。
【００６３】
旋盤などを用いて表面に鏡面加工を施した基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）を、基体ホルダー２１３Ａ、２１３Ｂに装着し、反応容器２１１内の基体加熱用のヒーター２１６を包含するように反応容器２１１内に設置する。
【００６４】
次に、ガス供給装置内の排気を兼ねて、ガス流入バルブ２２４を開き、排気メインバルブ２２７を開いて、反応容器２１１内およびガスブロック２３５内を排気する。真空計２２３の読みが所定の圧力（例えば０．６７Ｐａ以下）になった時点で、堆積膜の形成を起こさないガス（例えば水素ガス）をガスブロック２３５から反応容器２１１に導入する。そして、反応容器２１１内が所定の圧力になるようにガスの流量、排気メインバルブ２２７の開口、真空ポンプ２２８の排気速度などを調整する。
【００６５】
以上の手順によって上記工程（ｉｉ）（堆積膜形成工程の前処理工程）の準備を完了した後、基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）に付着したダスト除去処理を行う。具体的には、反応容器２１１内の圧力が安定したのを確認した後、第一の電極２１４と基体２１２との間に所定の第一の電圧および第二の電圧を順に印加する。例えば、図１（ａ）に示す波形（電圧波形）となるように、電源２３１で第一の電圧および第二の電圧の値に設定し、制御部２３０で所定の周波数（例えば５０ｋＨｚ）およびＤｕｔｙ比（例えば５０％）に設定する。これにより、支軸２２２および基体ホルダー２１３Ａ、２１３Ｂを通じて基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）と第一の電極２１４との間に矩形波の交播電圧が印加される。その結果、基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）に付着したダストは、電気的な斥力により基体から引き離され、排気配管を通して反応容器２１１外に排出される。なお、上記工程（ｉｉ）（堆積膜形成工程の前処理工程）を行っている間は、基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）をモーター２２１によって所定の速度で回転させてもよい。また、基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）をヒーター２１６により所定の温度（例えば３００℃）に加熱しながら、上記工程（ｉｉ）（堆積膜形成工程の前処理工程）を行ってもよい。
【００６６】
上記工程（ｉｉ）（堆積膜形成工程の前処理工程）を行った後、続いて、同じプラズマＣＶＤ装置を用いて、上記工程（ｉｉｉ）（堆積膜形成工程）を行い、電子写真感光体を製造する。
【００６７】
具体的には、ガス供給装置内の排気を兼ねて、ガス流入バルブ２２４を開き、排気メインバルブ２２７を開いて、反応容器２１１内およびガスブロック２３５内を排気する。真空計２２３の読みが所定の圧力（例えば０．６７Ｐａ以下）になった時点で、加熱用の不活性ガス（例えばアルゴンガス）をガスブロック２３５から反応容器２１１に導入する。そして、反応容器２１１内が所定の圧力になるように加熱用の不活性ガスの流量、排気メインバルブ２２７の開口、真空ポンプ２２８の排気速度などを調整する。その後、温度コントローラー（不図示）を作動させて、基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）をヒーター２１６により加熱し、基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）の温度を所定の温度（例えば２０〜５００℃）に制御する。基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）が所定の温度に加熱されたところで、不活性ガスを徐々に止める。これと並行して、堆積膜の形成を起こすガス（原料ガス）（例えば、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６などの水素化ケイ素ガスや、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ６などの炭化水素ガスなど。少なくとも１種はケイ素原子含有ガス（例えば水素化ケイ素ガス）であることが好ましい。）を、また、ドーピングガス（例えば、Ｂ２Ｈ６、ＰＨ３など。）を、ガス混合装置２２５により混合した後に、反応容器２１１内に徐々に導入する。次に、ガス混合装置２２５内のマスフローコントローラー（不図示）によって、各ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反応容器２１１内が所定の圧力に維持されるように真空計２２３を見ながら、排気メインバルブ２２７の開口、真空ポンプ２２８の排気速度などを調整する。
【００６８】
以上の手順によって上記工程（ｉｉｉ）（堆積膜形成工程）の準備を完了した後、基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）上に堆積膜の形成を行う。具体的には、反応容器２１１内の圧力が安定したのを確認した後、基体２１２に所定の電圧を印加する。具体的には、図１（ｂ）に示す波形（電圧波形）となるように、電源２３１で第一の電圧および第二の電圧の値に設定し、制御部２３０で所定の周波数（例えば５０ｋＨｚ）およびＤｕｔｙ比（例えば５０％）に設定する。これにより、支軸２２２および基体ホルダー２１３Ａ、２１３Ｂを通じて基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）と第一の電極２１４との間に矩形波の交播電圧を印加して、グロー放電を生起させる。この放電のエネルギーによって反応容器２１１内に導入した各ガス（堆積膜の形成を起こすガス）が分解され、基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）上に所定の堆積膜が形成される。なお、図１（ｂ）に示す波形（電圧波形）以外に、例えば、所定の電圧と０Ｖを矩形状で繰り返した電圧（以下、ＤＣパルスと表記する）を用いることもできる。
【００６９】
堆積膜の形成を行っている間は、基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）をモーター２２１によって所定の速度で回転させてもよい。
【００７０】
所定の膜厚の堆積膜の形成を行った後、交播電圧の印加を止め、反応容器２１１へのガスの流入を止めて、反応容器内を一旦高真空になるように排気する。その後、基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）を反応容器２１１から排出した後、反応容器２１１の内部は、ＣｌＦ３ガス等によりクリーニング処理される。
上記のような操作を繰り返し行うことによって、電子写真感光体を製造することができる。
【００７１】
また、図５は、上記工程（ｉｉｉ）（堆積膜形成工程）を実施するためのプラズマＣＶＤ装置の他の例を示した模式図であり、グロー放電を生起させるのに高周波電力を印加した例を示している。
【００７２】
図５の例では、反応容器５１１中にはアースに接続された基体５１２（５１２Ａ、５１２Ｂ）が設置され、第一の電極５１４は高周波マッチングボックス５３０を介して高周波電源５３１に接続されている。また、第一の電極５１４は、絶縁部材５３３（５３３Ａ、５３３Ｂ）により底壁５１９および上壁５２０と絶縁されている。そして、接地電位とした基体５１２（５１２Ａ、５１２Ｂ）と第一の電極５１４との間に高周波の周波数を１３．５６ＭＨｚに設定された高周波電力を印加して、グロー放電を生起させる。この放電のエネルギーによって反応容器５１１内に導入した各ガス（堆積膜の形成を起こすガス）が分解され、基体５１２（５１２Ａ、５１２Ｂ）上に所定の堆積膜が形成される。
【００７３】
また、図５の例の反応容器５１１を使用して上記工程（ｉｉ）（堆積膜形成工程の前処理工程）を行う場合は、第一の電極５１４と第二の電極を兼ねた基体５１２（５１２Ａ、５１２Ｂ）の接続を変更することで前処理を行うことができる。具体的には、高周波電源５３１と高周波マッチングボックス５３０を第一の電極５１４から切り離し、第一の電極５１４を底壁５１９とアース線で繋ぐことで接地電位とする。そして、基体５１２（５１２Ａ、５１２Ｂ）を接地電位から切り離し、その後、制御装置２３０と高圧電源２３１に接続することで所望の波形の電圧を印加することができる。
【００７４】
本発明では、基体の表面（基体の外周面）に、プラズマＣＶＤ法によって堆積膜を形成して電子写真感光体を製造する。堆積膜としては、例えば、下部電荷注入阻止層、光導電層、上部電荷注入阻止層、表面層などが挙げられ、これらの層を基体側から順次積層して電子写真感光体を製造することが一般的である。
【００７５】
下部電荷注入阻止層は、基体から光導電層への電荷の注入を抑制（阻止）するための層であり、例えばａ−Ｓｉ系材料により形成される。
【００７６】
光導電層は、電子写真感光体にレーザー光などの像露光光を照射することによって電荷を発生させるための層であり、例えばａ−Ｓｉ系材料により形成される。光導電層の膜厚は、５μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上６０μｍ以下であることがより好ましい。
【００７７】
上部電荷注入阻止層は、電子写真感光体の表面を帯電した際の電子写真感光体の表面の電荷が光導電層に注入することを抑制（阻止）するための層であり、例えばａ−Ｓｉ系材料により形成される。また、上部電荷注入阻止層の材料は、ａ−Ｓｉに炭素（Ｃ）、ホウ素（Ｂ）、窒素（Ｎ）または酸素（Ｏ）を含有させたものが好ましい。上部電荷注入阻止層の膜厚は、０．０１μｍ以上１μｍ以下であることが好ましい。
【００７８】
表面層は、電子写真感光体の表面を摩耗などから保護するための層であり、例えば（水素化）アモルファスシリコンカーバイドや、（水素化）アモルファスシリコンナイトライドや、（水素化）アモルファスカーボンなどにより形成される。表面層は、電子写真感光体に照射される像露光光が吸収されることのないように、像露光光に対して十分に広い光学的バンドギャップを有していることが好ましい。また、静電潜像を十分に保持しうる抵抗値（好適には１０１１Ω・ｃｍ以上）を有していることが好ましい。
【００７９】
また、上記工程（ｉｉ）（堆積膜形成工程の前処理工程）および上記工程（ｉｉｉ）（堆積膜形成工程）は、同一の反応容器で行っても構わないが、異なる反応容器で処理することがより好ましい。具体的には、上記工程（ｉｉ）を前処理工程専用の反応容器で処理が実施される。上記工程（ｉｉｉ）で使用される反応容器は、堆積膜形成後、堆積膜除去を目的に反応容器内をクリーニング処理される。しかし、除去しきれなかった残存堆積膜やクリーニングガスとの副生成物（以下、「クリーニング残渣」と表記する）が反応容器内の一部に残ってしまう場合がある。これらの除去しきれなかった残存堆積膜やクリーニング残渣はプラズマに曝されるとスパッタされ、スパッタされた原子がプラズマ中に混入される。そして、上記工程（ｉｉ）を上記工程（ｉｉｉ）で使用された反応容器で処理する時には、プラズマ処理時、プラズマ中に混入した残存堆積膜の原子が基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）の一部分に蒸着される場合がある。基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）の一部分に膜が蒸着されても、通常求められる電子写真特性においては影響を及ぼさなさないレベルであるが、特性の均一性の要求が厳しい分野に対しては蒸着を抑えることが効果的となる場合がある。
【００８０】
図６は、上記工程（ｉｉ）（堆積膜形成工程の前処理工程）および上記工程（ｉｉｉ）（堆積膜形成工程）を実施するための連続生産装置の例を示す模式図である。上記（ｉｉ）で使用する前処理工程専用の反応容器６１１Ａと上記工程（ｉｉｉ）で使用する反応容器６１１Ｂを備え、基体は基体搬送機構６５０を用いて真空状態で搬送することができる。これより、基体６１２を反応容器６１１Ａと６１１Ｂ間で移動した場合に新たにダストが基体６１２表面に付着するのが抑制可能となる。
【００８１】
基体搬送機構６５０は、上記工程（ｉｉ）（堆積膜形成工程の前処理工程）の反応容器６１１Ａ、上記工程（ｉｉｉ）（堆積膜形成工程）の反応容器６１１Ｂに接続するための上下機構を有し、真空気密可能な搬送容器６５１を持つ。搬送容器６５１は、下部にゲート弁６４０Ｃ、内部に基体ホルダー６１３を保持する保持部６５２を有する。
【００８２】
搬送容器６５１内は、搬送容器６５１の下部側から排気ポンプ６５６及び排気バルブ６５４によって排気し、大気圧から所定の真空度になるまで減圧する。
【００８３】
所定の真空度に到達した時点で、搬送容器６５１を、予め真空保持した前処理工程専用の反応容器６１１Ａ上に移動させる。
【００８４】
その後、開閉ゲート６４０Ｃを開閉ゲート６４０Ａに接続させ、排気バルブ６５５を開けて排気ポンプ６５６にて開閉ゲート間を真空にする。開閉ゲート６４０Ｃと６４０Ａの間が所定の真空度に到達した段階で、双方の開閉ゲートを開き、基体ホルダー６１３に設置された基体６１２をチャッキング部材６５２により反応容器６１１Ａ内に移動させる。基体６１２を反応容器６１１Ａ内に設置し、チャッキング部材６５２を搬送容器６５１内に引き上げた後、双方の開閉ゲートを閉じ、開閉ゲート間リークバルブ６５３からリーク用ガスを流し、開閉ゲート間を大気圧にする。その後、搬送容器６５１の開閉ゲート６４０Ｃは開閉ゲート６４０Ａから切り離される。
また、搬送容器６５１と堆積膜形成工程専用の反応容器６１１Ｂとの接続、基体搬入、基体設置、基体搬出は、上記と同様に行われる。
搬送容器６５１はレール６５７上を水平方向に移動可能となっている。この基体搬送機構６５０によって、基体６１２が装着された基体ホルダー６１３を、上記工程（ｉｉ）の反応容器６１１Ａと上記工程（ｉｉｉ）の反応容器６１１Ｂが真空状態のまま、搬入、設置、搬出することができる。
【実施例】
【００８５】
以下、実施例および比較例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらにより何ら制限されるものではない。
【００８６】
〈実施例１および比較例１〉
実施例１および比較例１では、図２に示すプラズマＣＶＤ装置を用い、基体（外径８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍ、厚さ３ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウム製の円筒状の基体）２１２を設置した（上記工程（ｉ））。
【００８７】
次に、表１および表２に示す条件で上記工程（ｉｉ）（堆積膜形成工程の前処理工程）を行った。
【００８８】
実施例１および比較例１の上記工程（ｉｉ）では、図１（ａ）に示すように、第一の電圧（第一の電極に対する基体の電位Ｖ１）の極性を正とし、第二の電圧（第一の電極に対する基体の電位Ｖ２）の極性を負とした。また、第一の電極と基体との間に印加する電圧は、第一の電圧と第二の電圧を繰り返す矩形波の交播電圧とし、矩形波の交播電圧の周波数は５０ｋＨｚとし、Ｄｕｔｙ比を５０％とした（ｔ１＝０．０１ｍ秒）。
【００８９】
次に、表３に示す条件で上記工程（ｉｉｉ）（堆積膜形成工程）を行い、電子写真感光体を製造した。その際、下部電荷注入阻止層、光導電層、上部電荷注入阻止層、表面層の順に堆積膜の形成を行った。
【００９０】
実施例１および比較例１の上記工程（ｉｉｉ）では、第一の電極と基体との間に印加する電圧を、第一の電圧と第二の電圧を繰り返す矩形波の交播電圧とした。そして、ここで用いた矩形波の交播電圧は、図１（ｂ）に示すように、第一の電圧（第一の電極に対する基体の電位Ｖ１）の極性を負とし、第二の電圧（第一の電極に対する基体の電位Ｖ２）の極性を正とする矩形波の交播電圧とした。また、矩形波の交播電圧の周波数は６０ｋＨｚとし、Ｄｕｔｙ比を７０％とした。
【００９１】
１例当たり１バッチ、１バッチ当たり２本の電子写真感光体を、６バッチ（６例）で計１２本製造した。放電開始電圧および放電維持電圧は、あらかじめ、上記工程（ｉｉ）および（ｉｉｉ）（堆積膜形成工程の前処理工程および堆積膜形成工程）を行う際の反応容器内の圧力およびガス条件で、前述した方法により測定した値である。
【００９２】
また、上記工程（ｉｉ）および（ｉｉｉ）（堆積膜形成工程の前処理工程および堆積膜形成工程）は同一の反応容器で行った。
【００９３】
【表１】
2014005530.tif 000003
【００９４】
【表２】
2014005530.tif 000004
【００９５】
【表３】
2014005530.tif 000005
【００９６】
表２中の比較例１−１のＶ２（４５０Ｖ）は放電維持電圧の絶対値（２３５Ｖ）以上であるため、正確にはＶ２ではないが、実施例のＶ２と比較する値であるため、便宜上「Ｖ２」と表記している。以下同様である。
【００９７】
実施例１および比較例１で製造したそれぞれ１２本の電子写真感光体を以下の方法で評価した。評価結果を表４に示す。
【００９８】
（画像欠陥）
画像欠陥については、以下のように評価した。
【００９９】
製造した電子写真感光体をマイナス帯電、反転現像方式に改造したキヤノン株式会社製の複写機（商品名：ｉＲＣ６８００）の改造機に設置した。また、この複写機の黒色用現像器を外し、表面電位計（ＴＲＥＫ社製の表面電位計（商品名：Ｍｏｄｅｌ３４４）およびプローブ（商品名：Ｍｏｄｅｌ５５５−Ｐ））を設置して、電子写真感光体の表面電位の測定を行った。
【０１００】
まず、ベタ白画像（静電潜像形成用レーザー非露光）を出力し、電子写真感光体の表面の暗部電位を測定し、一次帯電器の一次電流とグリッド電圧を調整して、電子写真感光体の表面の暗部電位が−４５０Ｖになるように調整した。
【０１０１】
画像欠陥を厳しく評価するために、ポチが出やすくなる条件で画像を出力した。具体的には、シアン色の現像条件のＤＣバイアス条件を調整して、かぶり（現像操作によって本来非画像部となるべき部分にトナーが付着する現象）が生じている画像を出力した。画像出力の際の現像は、シアントナーを用いた現像器のみでの現像とした。
【０１０２】
以下の手順により、かぶり濃度の測定を行い、かぶり濃度が０．４〜０．８％の範囲になる現像条件で出力したものを評価用画像とした。評価用画像の反射率を測定し、さらに未使用の紙の反射率を測定した。評価用画像の反射率の値を未使用の紙の反射率の値から引いてかぶり濃度とした。反射率は、東京電色製の白色光度計（商品名：ＴＣ−６ＤＳ）にアンバーのフィルターを装着して測定した。
【０１０３】
画像出力は、温度２３℃／湿度６０％ＲＨの常温常湿環境下で行った。以下も同様である。
【０１０４】
出力紙としてキヤノンマーケティングジャパン株式会社の紙Ａ３用紙（商品名：ＣＳ−８１４（８１．４ｇ／ｍ２））を用い、連続して１０枚のベタ白画像（静電潜像形成用レーザー非露光）を出力して、最後の２枚を用いて評価を行った。
【０１０５】
画像の電子写真感光体の１周分（＝紙の搬送方向の先端から約２６４ｍｍ）×画像領域幅２９２ｍｍの域内にある直径０．０５ｍｍの円以上の大きさ（０．０５ｍｍの円を重ねたときに円からはみ出る部分があるもの）のポチ（シアン色のポチ）の個数を数えた。
【０１０６】
評価は、実施例および比較例のそれぞれ２本の電子写真感光体について、それぞれ２枚の出力画像についてポチの個数を数え、評価数４枚の平均値を計算し、小数点以下は切り上げて整数の値で示した。
【０１０７】
さらに、以下の基準でランク付けを行った。
ＡＡ・・・２個以下
Ａ・・・・３個以上８個以下
Ｂ・・・・９個以上１６個以下
Ｃ・・・・１７個以上２９個以下
Ｄ・・・・５０個以上
この評価においては、ランクＣ以上で本発明の効果が得られていると判断した。
【０１０８】
【表４】
2014005530.tif 000006
【０１０９】
表４の評価結果より、比較例１−１では、上記工程（ｉｉ）におけるＶ２が放電維持電圧の絶対値以上の値であるため、基体に付着したダストのチャージアップの緩和が発生してしまい、ダストを基体から電気的な斥力で引き離す効果が十分に得られないことがわかる。
【０１１０】
比較例１−２および１−３では、上記工程（ｉｉ）におけるＶ２がダストを電気的な斥力で引き離すのに十分な値ではなかったため、十分な効果が得られていないことがわかる。
【０１１１】
〈実施例２および比較例２〉
上記工程（ｉｉ）（堆積膜形成工程の前処理工程）の条件を表５に示す条件とした以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を製造した。上記工程（ｉｉ）におけるＶ１およびＶ２については、表６に示す条件とした。
【０１１２】
実施例２および比較例２では、実施例１および比較例１に対して、上記工程（ｉｉ）におけるＶ１およびＶ２の極性をそれぞれ逆にした（図１（ｂ））。すなわち、Ｖ１を負電位とし、Ｖ２を正電位とした。
【０１１３】
製造した各条件２本、合計１２本の電子写真感光体は、実施例１および比較例１と同様に評価した。
【０１１４】
評価結果を表７に示す。
【０１１５】
【表５】
2014005530.tif 000007
【０１１６】
【表６】
2014005530.tif 000008
【０１１７】
【表７】
2014005530.tif 000009
【０１１８】
表７の評価結果より、実施例２−１〜２−３では、実施例１−１〜１−３に対して、上記工程（ｉｉ）におけるＶ１およびＶ２の極性をそれぞれ逆にしているが、画像欠陥の個数は減少している。これにより、ダストのチャージアップする極性によらず本発明の効果が得られることがわかる。
【０１１９】
また、実施例１−２と実施例２−２の比較から、第一の電圧の極性が正である方が、より本発明の効果が得られることがわかる。
【０１２０】
〈実施例３〉
上記工程（ｉｉ）（堆積膜形成工程の前処理工程）の条件を表８および９に示す条件とし、上記工程（ｉｉｉ）（堆積膜形成工程）の条件を表１０に示す条件とした以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を製造した。
【０１２１】
実施例３の上記工程（ｉｉ）では、図３に示すように、第一の電圧（第一の電極に対する基体の電位Ｖ１）の極性を正とし、第二の電圧（第一の電極に対する基体の電位Ｖ２）の極性を負とした。また、第一の電圧を第一の電極と基体との間に印加して放電を生起させた後、かつ第二の電圧を第一の電極と基体との間に印加する前に、極性が第一の電圧と同じ正であり、かつ絶対値が放電維持電圧の絶対値未満の値である第三の電圧（第一の電極に対する基体の電位Ｖ３）を第一の電極と基体との間に印加した。電圧の印加は、３台の直流電源を用い、直流電圧をＯＮ／ＯＦＦを所定の時間で切り替え、第一の電圧、第三の電圧および第二の電圧は繰り返さず、１回の処理とした。
【０１２２】
また、実施例３の上記工程（ｉｉｉ）（堆積膜形成工程）では、表１０に示す条件となるように第一の電極と基体との間に印加する電圧をＤＣパルス電圧とした。
【０１２３】
製造した各条件２本、合計１６本の電子写真感光体は、実施例１および比較例１と同様に評価した。
【０１２４】
評価結果を表１１に示す。
【０１２５】
【表８】
2014005530.tif 000010
【０１２６】
【表９】
2014005530.tif 000011
【０１２７】
【表１０】
2014005530.tif 000012
【０１２８】
【表１１】
2014005530.tif 000013
【０１２９】
表１１の評価結果より、第三の電圧を第一の電極と基体との間に印加した３−１〜３−７は、印加していない実施例３−８に比べて、本発明の効果がより得られている。また、ｔ３が１ｍ秒以上である実施例３−２〜３−６では、画像欠陥の個数が特に少なかった。
【０１３０】
〈実施例４〉
上記工程（ｉｉ）（堆積膜形成工程の前処理工程）の条件を表１２および１３に示す条件とした以外は、実施例３と同様にして電子写真感光体を製造した。
【０１３１】
実施例４では、実施例３に対して、上記工程（ｉｉ）におけるＶ１、Ｖ３およびＶ２の極性をそれぞれ逆にした。すなわち、Ｖ１およびＶ３を負電位とし、Ｖ２を正電位とした。
【０１３２】
製造した各条件２本、合計１６本の電子写真感光体は、実施例１および比較例１と同様に評価した。
【０１３３】
評価結果を表１４に示す。
【０１３４】
【表１２】
2014005530.tif 000014
【０１３５】
【表１３】
2014005530.tif 000015
【０１３６】
【表１４】
2014005530.tif 000016
【０１３７】
表１４の評価結果より、実施例４−１〜４−８では、実施例３−１〜３−８に対して、上記工程（ｉｉ）におけるＶ１、Ｖ３およびＶ２の極性をそれぞれ逆にしているが、画像欠陥の個数は減少している。これにより、第三の電圧を第一の電極と基体との間に印加した場合であっても、ダストのチャージアップする極性によらず本発明の効果が得られることがわかる。また、ｔ３が１ｍ秒以上である実施例４−２〜４−６では、画像欠陥の個数が特に少なかった。
【０１３８】
また、実施例３−５と実施例４−５の比較から、第一の電圧の極性が正である方が、より本発明の効果が得られることがわかる。
【０１３９】
〈実施例５〉
上記工程（ｉｉ）（堆積膜形成工程の前処理工程）の条件を表１５に示す条件とする以外は、実施例３と同様にして電子写真感光体を製造した。
【０１４０】
製造した各条件２本、合計８本の電子写真感光体は、実施例１および比較例１と同様に評価した。
【０１４１】
評価結果を表１６に示す。
【０１４２】
【表１５】
2014005530.tif 000017
【０１４３】
【表１６】
2014005530.tif 000018
【０１４４】
表１６の評価結果より、ｔ１が１０秒以上である実施例５−３および５−４では、画像欠陥の個数が特に少なかった。
【０１４５】
〈実施例６〉
上記工程（ｉｉ）（堆積膜形成工程の前処理工程）の条件を表１７に示す条件とする以外は、実施例４と同様にして電子写真感光体を製造した。
【０１４６】
実施例６では、実施例５に対して、上記工程（ｉｉ）におけるＶ１、Ｖ３およびＶ２の極性をそれぞれ逆にした。すなわち、Ｖ１およびＶ３を負電位とし、Ｖ２を正電位とした。
【０１４７】
製造した各条件２本、合計８本の電子写真感光体は、実施例１および比較例１と同様に評価した。
【０１４８】
評価結果を表１８に示す。
【０１４９】
【表１７】
2014005530.tif 000019
【０１５０】
【表１８】
2014005530.tif 000020
【０１５１】
表１８の評価結果より、実施例６−１〜６−４では、実施例５−１〜５−４に対して、上記工程（ｉｉ）におけるＶ１、Ｖ３およびＶ２の極性をそれぞれ逆にしているが、画像欠陥の個数は減少している。これにより、第三の電圧を第一の電極と基体との間に印加した場合であっても、ダストのチャージアップする極性によらず本発明の効果が得られることがわかる。また、ｔ１が１０秒以上である実施例６−３および６−４では、画像欠陥の個数が特に少なかった。
【０１５２】
〈実施例７〉
上記工程（ｉｉｉ）（堆積膜形成工程）の条件を表１９に示す条件とし、用いるプラズマＣＶＤ装置を図５に示すプラズマＣＶＤ装置とした以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を製造した。
【０１５３】
なお、実施例７の上記工程（ｉｉｉ）（堆積膜形成工程）では、表１９に示す条件となるように、第一の電極と接地電位とした基体との間に、周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加した。
【０１５４】
製造した各条件２本、合計６本の電子写真感光体は、実施例１と同様に評価した。
【０１５５】
評価結果を表２０に示す。
【０１５６】
【表１９】
2014005530.tif 000021
【０１５７】
【表２０】
2014005530.tif 000022
【０１５８】
表２０の評価結果より、上記工程（ｉｉｉ）（堆積膜形成工程）をＲＦの周波数帯で行っても、本発明の効果が得られることがわかる。
【０１５９】
〈実施例８〉
上記工程（ｉｉ）（堆積膜形成工程の前処理工程）と上記工程（ｉｉｉ）（堆積膜形成工程）を異なる反応容器で行った以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を製造した。
【０１６０】
実施例８の上記工程（ｉｉ）（堆積膜形成工程の前処理工程）では、堆積膜形成を行わない上記工程（ｉｉ）の前処理工程専用の反応容器を使用した。
【０１６１】
具体的には、図６に示す前処理工程専用の反応容器６１１Ａで上記工程（ｉｉ）を行い、その後、基体搬送機機構６５０を用いて、基体を真空状態で堆積膜形成工程専用の反応容器６１１Ｂへ移動し、上記工程（ｉｉｉ）を行った。
【０１６２】
製造した各条件２本、合計６本の電子写真感光体は、実施例１と同様の評価を行い、さらに以下の評価を行った。
【０１６３】
（母線ムラ（明部電位））
製造した電子写真感光体を実施例１の評価で用いた複写機（商品名：ｉＲＣ６８００）の改造機に設置し、電子写真感光体の表面電位の測定を行った。
【０１６４】
まず、ベタ白画像（静電潜像形成用レーザー非露光）を出力し、電子写真感光体の母線方向中央位置の表面電位が、表面電位計（ＴＲＥＫ社製の表面電位計（商品名：Ｍｏｄｅｌ５５５Ｐ−４））で測定したときの周方向の測定値の平均値が−４５０Ｖ（暗部電位）になるように、一次帯電器の電流値を調整した。
【０１６５】
次に、ベタ黒画像（静電潜像形成用レーザー露光）を出力しながら、静電潜像形成用レーザー光（波長６５５ｎｍ）を電子写真感光体の表面に照射し、静電潜像形成用レーザーの光量を調整して、電子写真感光体の母線方向中央位置の表面電位が周方向の測定値の平均値が−１００Ｖ（明電位）となるようにした。
【０１６６】
その後、表面電位計の電位プローブを電子写真感光体の母線方向に移動させて、母線方向に４０ｍｍ間隔の９点（先に測定した母線方向中央位置を含む）での周方向の表面電位の測定を行った。そして、各点での周方向の測定値の平均値を算出して、平均値をその測定点での明部電位とし、９点の明部電位の最大値と最小値の差を算出して、母線ムラ（明部電位）として評価した。
【０１６７】
この母線ムラ（明部電位）について、実施例１−１の電子写真感光体を基準として、以下の基準でランク付けを行った。
Ａ・・・・実施例１−１の電子写真感光体に対して９８％より小さい
Ｂ・・・・実施例１−１の電子写真感光体に対して９８％以上１０２％より小さい
Ｃ・・・・実施例１−１の電子写真感光体に対して１０２％以上
この評価においては、ランクＡで実施例１−１に比べて、電子写真感光体の特性（堆積膜の特性）の均一性が、より向上していると判断できる。
【０１６８】
評価結果を表２１に示す。
【０１６９】
【表２１】
2014005530.tif 000023
【０１７０】
表２１の評価結果より、上記工程（ｉｉ）（堆積膜形成工程の前処理工程）を専用の反応容器（上記工程（ｉｉｉ）（堆積膜形成工程）の反応容器とは異なる反応容器）で処理した実施例８−１、８−２、８−３は、実施例１−１、１−２、１−３に比べて、電子写真感光体の特性（堆積膜の特性）の均一性が、より向上していることがわかる。
【符号の説明】
【０１７１】
２１１  反応容器
２１２  基体
２１２Ａ  上側基体
２１２Ｂ  下側基体
２１３Ａ  基体ホルダー（上側基体用）
２１３Ｂ  基体ホルダー（上側基体用）
２１４  第一の電極
２１５Ａ  絶縁部材（外側）
２１５Ｂ  絶縁部材（内側）
２１６  ヒーター
２１７Ａ  接合電極
２１２Ｂ  接合電極
２１８Ａ  絶縁板
２１８Ｂ  絶縁板
２１９  ベースプレート
２２０  上蓋
２２１  モーター
２２２  支軸
２２３  真空計
２２４  ガス流入バルブ
２２５  ガス混合装置
２２６  排気配管
２２７  排気メインバルブ
２２８  真空ポンプ
２３０  制御装置
２３１  高圧電源
５３０  高周波マッチングボックス
５３１  高周波電源
５３３Ａ  絶縁部材
５３３Ｂ  絶縁部材
【図１】
2014005530.tif 000024
【図２】
2014005530.tif 000025
【図３】
2014005530.tif 000026
【図４】
2014005530.tif 000027
【図５】
2014005530.tif 000028
【図６】
2014005530.tif 000029