(57)【要約】【課題】耐熱性、光学特性、およびプロセス耐性を満足することができ、さらには放熱性や発熱抑制効果が極めて優れるプラズモンジェネレータを提案する。【解決手段】光と表面プラズモンモードで結合することができる表面プラズモンモード結合部分と、該結合部分から表面プラズモンを伝播させることのできるプラズモン伝播部と、該伝播部の終端部に位置し、近接場光を発生させる近接場光発生端面とを有するプラズモンジェネレータは、近接場光発生端面を含む第１構成部材と、第１構成部材と接合・一体化され、かつ近接場光発生端面を含まない第２構成部材とを有し、第１構成部材は、Ａｕを主成分とし、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｔａのグループの中から選択されたいずれか１種類以上の元素が含有されており、当該含有率Ｘ1が０．２ａｔ％以上２．０ａｔ％以下の範囲内となるように構成され、第２構成部材は、Ａｕから構成されている。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光と表面プラズモンモードで結合することができる表面プラズモンモード結合部分と、
該結合部分から表面プラズモンを伝播させることのできるプラズモン伝播部と、
該伝播部の終端部に位置しており、近接場光を発生させる近接場光発生端面と、を有してなるプラズモンジェネレータ（Plasmon-Generator）であって、
当該プラズモンジェネレータは、近接場光発生端面を含む第１構成部材と、当該第１構成部材と接合・一体化され、かつ近接場光発生端面を含まない第２構成部材と、を有し、
前記第１構成部材は、Ａｕを主成分とし、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｔａのグループの中から選択されたいずれか１種類以上の元素が含有されており、当該含有率Ｘ1が０．２ａｔ％以上２．０ａｔ％以下の範囲内となるように構成されており、
前記第２構成部材は、Ａｕから構成されていることを特徴とするプラズモンジェネレータ。
【請求項２】
前記含有率Ｘ1が０．５ａｔ％以上１．０ａｔ％以下の範囲内となるように構成される請求項１に記載のプラズモンジェネレータ。
【請求項３】
前記第１構成部材は、Ａｕを主成分とし、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｓｂのグループの中から選択されたいずれか１種類以上の元素が含有されている請求項１または２に記載のプラズモンジェネレータ。
【請求項４】
前記第１構成部材は、プラズモンジェネレータの近接場光発生端面から後端面に至る長手方向（Ｘ方向）の全域に棒状体形状に設けられている請求項１〜３のいずれかに記載のプラズモンジェネレータ。
【請求項５】
前記第１構成部材の上に、前記第２構成部材が積層された構造を有する請求項４に記載のプラズモンジェネレータ。
【請求項６】
前記第１構成部材は、前記表面プラズモンモード結合部分、前記プラズモン伝播部および近接場光発生端面を構成してなる請求項４または５に記載のプラズモンジェネレータ。
【請求項７】
前記第１構成部材は、プラズモンジェネレータの近接場光発生端面側に向けて、前記第２構成部材から突出した棒状突出部を形成するように構成される請求項１〜３のいずれかに記載のプラズモンジェネレータ。
【請求項８】
前記第１構成部材は、前記プラズモン伝播部の一部および近接場光発生端面を構成してなる請求項７に記載のプラズモンジェネレータ。
【請求項９】
前記第１構成部材の底部と前記第２構成部材の底部とは、同一平面を形成するように接合される請求項７または８に記載のプラズモンジェネレータ。
【請求項１０】
磁気記録媒体に対向する媒体対向面の一部をなす端面から書き込み磁界を発生させる磁極と、
光を伝播させる導波路と、
前記導波路を伝播する光と表面プラズモンモードで結合（光と表面エヴァネッセント結合する）ことができるプラズモンジェネレータと、を有する熱アシスト磁気記録ヘッドであって、
前記プラズモンジェネレータは、請求項１〜９のいずれかの構成を備えてなる熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項１１】
前記プラズモンジェネレータは、近接場光発生端面を含む第１構成部材と、該第１構成部材と接合・一体化され、かつ近接場光発生端面を含まない第２構成部材と、を有し、
前記第１構成部材の近接場光発生端面は、媒体対向面であるＡＢＳに露出しており、
前記第２構成部材は、媒体対向面であるＡＢＳに露出しておらず、ヘッド内に埋設されている請求項１０に記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項１２】
前記プラズモンジェネレータは、前記導波路と一定の距離を保ちながら表面に発生したプラズモンを媒体対向面まで伝達するための伝達部位を有し、前記媒体対向面の一部をなす近接場光発生端面（near-field light generating end surface）から近接場光を発生させることができる、請求項１０または１１に記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項１３】
請求項１０〜１２のいずれかに記載の熱アシスト磁気記録ヘッドと、
前記熱アシスト磁気記録ヘッドを支持するサスペンションと
を備えることを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１４】
磁気記録媒体と、
請求項１０〜１２のいずれかに記載の熱アシスト磁気記録ヘッドと、
前記熱アシスト磁気記録ヘッドを支持するとともに前記磁気記録媒体に対して位置決めする位置決め装置と
を備えることを特徴とする磁気記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、近接場光を発生させることができるプラズモンジェネレータ、および近接場光を磁気記録媒体に照射して磁気記録媒体の異方性磁界（保磁力）を低下させてデータの記録を行う熱アシスト磁気記録ヘッド、並びに当該ヘッドを用いたヘッドジンバルアセンブリおよび磁気記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ヘッド及び磁気記録媒体を用いた磁気記録の分野においては、磁気ディスク装置の高記録密度化に伴い、薄膜磁気ヘッドおよび磁気記録媒体のさらなる性能の向上が要求されている。薄膜磁気ヘッドとしては、現在、読み出し用の磁気抵抗（ＭＲ）素子と、書き込み用の電磁変換素子とが積層された構造からなる複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。
【０００３】
磁気記録媒体の記録層は、磁性微粒子が集合した不連続媒体であり、各磁性微粒子は単磁区構造となっている。このような磁気記録媒体の記録層において、１つの記録ビットは、複数の磁性微粒子によって構成される。そのため、記録密度を高めるためには、磁性微粒子を小さくして、隣接する記録ビットの境界の凹凸を減少させなければならない。しかしながら、磁性微粒子を小さくすると、磁性微粒子の体積の減少に伴い磁性微粒子の磁化の熱安定性が低下するという問題が生じる。
【０００４】
この問題への対策として、磁性微粒子の磁気異方性エネルギーＫｕを大きくすることが考えられるが、このＫｕの増加は、磁気記録媒体の記録層の異方性磁界（保磁力）の増大をもたらす。これに対して、薄膜磁気ヘッドによる書き込み磁界強度の上限は、ヘッド内の磁気コアを構成する軟磁性材料の飽和磁束密度でほぼ決定されてしまう。そのため、磁気記録媒体の記録層の異方性磁界が、この書き込み磁界強度の上限から決まる許容値を超えると、書き込みが不可能となってしまう。
【０００５】
現在、このような熱安定性の問題を解決する１つの方法として、Ｋｕの大きな磁性材料で形成された磁気記録媒体の記録層を用いる一方で、書き込み磁界を印加する直前に磁気記録媒体の記録層を加熱することによって、異方性磁界を低下させて書き込みを行う、いわゆる熱アシスト磁気記録方式が提案されている。
【０００６】
この熱アシスト磁気記録方式においては、磁気記録媒体の記録層に対して熱を加える手法としてレーザ光を用いる手法が一般的である。その中でも、導波路を伝播するレーザ光を、プラズモンジェネレータに対して緩衝層を介して表面プラズモンモードで結合させてプラズモンジェネレータに表面プラズモンを励起させるとともに、当該表面プラズモンを磁気記録媒体の記録部位の近傍まで導くとともに、プラズモンジェネレータの端部（近接場光発生部）から発せられる近接場光によって媒体を加熱する方法（近接場光加熱）が主流になりつつあると言える。
【０００７】
このような加熱方式に用いられるプラズモンジェネレータは、磁気記録媒体の対向面に配置されて近接場光を発生させる近接場光発生部を有している。そして、当該技術における現象をさらに詳述すると、導波路と緩衝層の界面において、導波路を伝播する光が全反射することによって、緩衝層に滲み出すエヴァネッセント光が発生し、このエヴァネッセント光とプラズモンジェネレータにおける電荷の集団振動すなわち表面プラズモンとが結合して、プラズモンジェネレータに表面プラズモンが励起される。プラズモンジェネレータにおいて、励起した表面プラズモンは、例えば、伝播部（例えばプラズモンジェネレータのエッジや凸部等）を介し近接場光発生部まで伝播し、磁気記録媒体の対向面に位置する近接場光発生部から近接場光が発生される。
【０００８】
このような技術によれば、プラズモンジェネレータには導波路を伝播する光が直接照射されないので、過度の温度上昇を防止することが可能である。そして、このような素子は、表面エヴァネッセント光結合型の近接場光発生素子と呼ばれることがある。なお、近接場光とは物質の周囲に形成される、いわば電磁場の一種であり、光の波長による回折限界を無視し得る物性を有する。波長が揃った光を微小構造体に照射することで、微小構造体のスケールに依存した近接場を形成し、数十ｎｍといった極小領域への光の絞込みすら可能になる。
【０００９】
このような近接場光による加熱を行うことができる熱アシスト記録用ヘッドは、その主要な素子として、レーザー光を導入する金属酸化物や窒化物から構成される光導波路と、プラズモンを発生させる金属から構成されるプラズモンジェネレータと、記録磁界を発生させる磁性体からなる書き込み用の磁極と、を有して構成される。
【００１０】
そして、このようなプラズモンジェネレータを搭載する熱アシスト記録用ヘッドは、記録スポット(トラック)幅を狭めることにより、高トラック記録密度を実現することが可能とされている。
【００１１】
ところで、プラズモンジェネレータの材料であるプラズモンを発生させる金属としては、プラズモンロスの少ない材料を選定し、プラズモンジェネレータ内部の発熱を抑える必要がある。
【００１２】
プラズモンジェネレータ内部の発熱が大きい場合は、磁気ヘッドの変形（例えば、ＡＢＳからの先端部の突出）のみならず、プラズモンジェネレータを構成する材料の原子のマイグレーションによってプラズモンジェネレータそのものの形状が崩れるおそれがあり、ヘッド信頼性に多大な影響を及ぼすことが懸念される。すなわち、発熱によってプラズモンジェネレータが変形した場合、所望の特性（加熱能力）を得られず、ヘッド特性が劣化してしまうおそれがある。
【００１３】
発熱を抑えるためにプラズモンジェネレータは、誘電損失ε”が低い特性を有する材料（光学消衰係数ｋの値が大きく、屈折率ｎの値が小さい材料）から構成されることが好ましい。プラズモンを伝播させる際に損失を少なくすることができ、プラズモンジェネレータ内での光の熱エネルギーへの変換を小さくすることができるからである。
【００１４】
損失の少ない具体的なプラズモンジェネレータの材料として、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌと、その合金材料等が挙げられる。
【００１５】
しかしながら、この中で、Ｃｕはアルカリ溶液に対して腐食性があるために、磁気ヘッドを製造する際のウエハプロセスや加工プロセスにとって不向きであるといえる。
【００１６】
また、Ａｌはアルカリ溶液に対して腐食性があると同時に表面酸化がしやすいため、大気中に曝されるプロセスの多い磁気ヘッドにとって不向きであるといえる。
【００１７】
Ａｇ系材料は、Ａｇ単体ではアルカリ溶液に対して腐食性があるものの、ＡｇＰｄＣｕやＡｇＢｉの合金材料として構成させた場合には、耐腐食性・耐熱性が高くなり、かつ光学定数の変化が小さくなるため、例えば、ＤＶＤ用の反射膜材料として用いることができることが知られている。しかしながら、Ａｇ系材料は、磁気ヘッドやウエハプロセス用途では、膜表面が高温環境下で大気に曝されるため、Ａｇが酸化して光学特性を劣化させるおそれが生じ得る。
【００１８】
Ａｕ系材料は耐酸化性・耐腐食性共に優れており、ウエハプロセスにとって好適な材料であるといえるが、そのもの自体が柔らかくかつマイグレーションしやすい材料であるため、耐熱性が悪く、熱が加わった場合に変形してしまうおそれがあるといえる。
【００１９】
このような観点から、先行技術として、ＵＳ  ２０１１／０２０５８６３公開公報には、金（Ａｕ）と、少なくとも１つのドーパントを含有してなる近接場光変換器であって、ドーパントがＣｕ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ａｇ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｖ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｃｏ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍｇ，Ｆｅ，Ｍｏの中から選定された少なくとも一つであり、ドーパント含有量が０．５％〜３０％である旨の開示がなされている。さらに、ドーパントは、Ｖ，Ｚｒ，Ｍｇ，Ｃａ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｃｅ，Ｙ，Ｔａ，Ｗ，Ｔｈのナノ粒子酸化物や、Ｔａ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｉｎ，Ｆｅ，Ｚｒ，Ｃｕ，Ｗ，Ｂのナノ粒子窒化物とすることもできる旨の開示がなされている。この提案によれば、金（Ａｕ）の母体に、これらのドーパントを適当量添加することによって、機械的強度の向上、耐熱性、耐久性の向上が図られるとされている。
【００２０】
しかしながら、これらのドーパントを添加することによって、素子そのものの光学消衰係数ｋおよび屈折率ｎの値が変化してしまうことは不可避であり、単にＡｕからなるプラズモンジェネレータ本体の全体にドーパントを添加するという単純な手法のみでは、添加による素子発熱の度合いが大きくなってしまう傾向が生じてしまい、上記のままの状態では、プラズモンジェネレータの構成の最適化が図られているとは言い難い。
【００２１】
また、上記の先行技術では、添加され得るドーパントとして数多くの元素ならびに酸化物粒子、および窒化物粒子の開示がなされているが、プラズモンジェネレータの構成の最適化を図りプラズモンジェネレータの全体の発熱量を低減させるために、プラズモンジェネレータの構造の最適化およびドーパント選定を含めた組成の最適化を検討する必要がある。特に、プラズモンジェネレータの構造にマッチするように添加すべきドーパントのエリアおよび添加する元素をさらに絞り込んで最適化させる必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２２】
【特許文献１】米国特許出願公開２０１１／０２０５８６３号明細書
【特許文献２】特開２０１２−２２７６８号公報
【特許文献３】特開２０１１−５３５３１号公報
【特許文献４】特許第４００７７０２号公報
【特許文献５】特開平４−１６５０８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
このような実状のもとに、本願発明は創案されたものであって、その目的は、耐熱性、光学特性、およびプロセス耐性を満足することができ、さらには放熱性や発熱抑制効果が極めて優れるプラズモンジェネレータを提案することにある。換言すれば、特にプラズモンロスを低く抑え、放熱性や発熱抑制効果に優れ、熱による変形を抑制することが可能なプラズモンジェネレータの構造およびその組成材料を提案するものである。
【００２４】
なお、本願に関する他の先行技術として、特開２０１２−２２７６８号公報、特開２０１１−５３５３１号公報、特許第４００７７０２号、特開平４−１６５０８５号公報等が挙げられる。これらについて、以下簡単に説明しておく。
【００２５】
特開２０１２−２２７６８号公報には、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｇｅのうちの１種以上を含む非磁性層からなるプラズモンジェネレータを含む熱アシスト磁気記録ヘッドの開示がなされている。しかしながら、このような開示の構成は、本願の発明と構成および用途が異なる。
【００２６】
また、特開２０１１−５３５３１号公報には、金属と無機酸化物とが３次元的に共に連続的な構造の複合体からなる近接場光導波部と、前記近接場光導波部の一端に近接場光を導入する近接場光励起部と、前記近接場光導波部の他端から近接場光を出力する近接場光出力部と、を有する近接場光導波路装置において、前記金属が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｐｄの群から選択された一種の金属またはこれらの合金からなる旨の開示がなされている。当該先行技術は、あくまでも導波路を金属と無機酸化物との複合体（酸化物に空けた微細孔に金属を充填させた構成）から構成させている旨を開示してのみであり、当該金属はプラズモンジェネレータそのものを構成する金属の部材とは異なる。
【００２７】
また、特許第４００７７０２号には、薄膜形成用スパッタリングターゲット材およびそれを用いて形成されて成る薄膜、および光学記録媒体であって、ＡｇにＰｄやＣｕを添加して膜の反射率を維持したまま、耐候性を改善させてなる技術の開示がなされている。しかしながら、このような開示の構成は、本願の発明と構成および用途が異なる。
【００２８】
また、特開平４−１６５０８５号公報には、Ａｕ−Ｎｉ、Ａｕ−Ｃｏ、Ａｕ−Ｐｄなどの装飾用メッキに関する記載がなされている。しかしながら、これらは一般的な装飾用の貴金属メッキの開示に留まり、本願の発明とは構成・用途が異なる。
【課題を解決するための手段】
【００２９】
上記の課題を解決するために、本発明のプラズモンジェネレータは、光と表面プラズモンモードで結合することができる表面プラズモンモード結合部分と、該結合部分から表面プラズモンを伝播させることのできるプラズモン伝播部と、該伝播部の終端部に位置しており、近接場光を発生させる近接場光発生端面と、を有してなるプラズモンジェネレータ（Plasmon-Generator）であって、当該プラズモンジェネレータは、近接場光発生端面を含む第１構成部材と、当該第１構成部材と接合・一体化され、かつ近接場光発生端面を含まない第２構成部材と、を有し、前記第１構成部材は、Ａｕを主成分とし、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｔａのグループの中から選択されたいずれか１種類以上の元素が含有されており、当該含有率Ｘ1が０．２ａｔ％以上２．０ａｔ％以下の範囲内となるように構成されており、前記第２構成部材は、Ａｕから構成される。
【００３０】
また、本発明のプラズモンジェネレータの好ましい態様として、前記含有率Ｘ1が０．５ａｔ％以上１．０ａｔ％以下の範囲内となるように構成される。
また、本発明のプラズモンジェネレータの好ましい態様として、前記第１構成部材は、Ａｕを主成分とし、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｓｂのグループの中から選択されたいずれか１種類以上の元素が含有されているように構成される。
【００３１】
また、本発明のプラズモンジェネレータの好ましい態様として、前記第１構成部材は、プラズモンジェネレータの近接場光発生端面から後端面に至る長手方向（Ｘ方向）の全域に棒状体形状に設けられているように構成される。
また、本発明のプラズモンジェネレータの好ましい態様として、前記第１構成部材の上に、前記第２構成部材が積層された構造を有するように構成される。
また、本発明のプラズモンジェネレータの好ましい態様として、前記第１構成部材は、前記表面プラズモンモード結合部分、前記プラズモン伝播部および近接場光発生端面を形成するように構成される。
【００３２】
また、本発明のプラズモンジェネレータの好ましい態様として、前記第１構成部材は、プラズモンジェネレータの近接場光発生端面側に向けて、前記第２構成部材から突出した棒状突出部を形成するように構成される。
また、本発明のプラズモンジェネレータの好ましい態様として、前記第１構成部材は、前記プラズモン伝播部の一部および近接場光発生端面を形成するように構成される。
また、本発明のプラズモンジェネレータの好ましい態様として、前記第１構成部材の底部と前記第２構成部材の底部とは、同一平面を形成するように接合されて構成される。
【００３３】
本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドは、磁気記録媒体に対向する媒体対向面の一部をなす端面から書き込み磁界を発生させる磁極と、光を伝播させる導波路と、前記導波路を伝播する光と表面プラズモンモードで結合（光と表面エヴァネッセント結合する）ことができるプラズモンジェネレータと、を有する熱アシスト磁気記録ヘッドであって、前記プラズモンジェネレータは、上記の構成を備えてなるように構成される。
【００３４】
また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドの好ましい態様として、前記プラズモンジェネレータは、近接場光発生端面を含む第１構成部材と、該第１構成部材と接合・一体化され、かつ近接場光発生端面を含まない第２構成部材と、を有し、前記第１構成部材の近接場光発生端面は、媒体対向面であるＡＢＳに露出しており、前記第２構成部材は、媒体対向面であるＡＢＳに露出しておらず、ヘッド内に埋設されているように構成される。
【００３５】
また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドの好ましい態様として、前記プラズモンジェネレータは、前記導波路と一定の距離を保ちながら表面に発生したプラズモンを媒体対向面まで伝達するための伝達部位を有し、前記媒体対向面の一部をなす近接場光発生端面（near-field light generating end surface）から近接場光を発生させることができるように構成される。
【００３６】
本発明のヘッドジンバルアセンブリは、上記記載の熱アシスト磁気記録ヘッドと、前記熱アシスト磁気記録ヘッドを支持するサスペンションとを備えるように構成される。
【００３７】
本発明の磁気記録装置は、磁気記録媒体と、前記記載の熱アシスト磁気記録ヘッドと、前記熱アシスト磁気記録ヘッドを支持するとともに前記磁気記録媒体に対して位置決めする位置決め装置とを備えるように構成される。
【発明の効果】
【００３８】
本発明によれば、耐熱性、光学特性、およびプロセス耐性を満足することができ、さらには放熱性や発熱抑制効果が極めて優れるプラズモンジェネレータが提案される。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】図１は、本発明の一実施形態における磁気記録装置を概略的に示す斜視図である。
【図２】図２は、本発明の一実施形態におけるヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）を概略的に示す斜視図である。
【図３】図３は、本発明の一実施形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドを示す斜視図である。
【図４】図４は、本発明の一実施形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの要部の構成を概略的に示す、図３におけるＡ−Ａ線断面図（ＸＺ面）である。
【図５】図５は、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドを媒体対向面であるＡＢＳ側から見た正面図である。
【図６】図６は、図４における本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドの要部であるプラズモンジェネレータならびにその周辺に存在する主磁極および導波路等との相互位置関係を示す拡大断面図である。
【図７】図７は、図６のＡＢＳ近傍をさらに拡大した断面図である。
【図８】図８は、図６における本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドの要部であるプラズモンジェネレータおよびその周辺に存在する主磁極や導波路等との相互位置関係が分か易くなるように描かれた斜視図である。
【図９】図９は、図６相当図面であって、他のプラズモンジェネレータ構造が描かれた図面である。
【図１０】図１０は、図７相当図面であって、図９のＡＢＳ近傍をさらに拡大した断面図である。
【図１１】図１１は、図９における本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドの要部であるプラズモンジェネレータおよびその周辺に存在する主磁極や導波路等との相互位置関係が分か易くなるように描かれた斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
本発明の実施の形態について説明する前に、本明細書において用いられる用語の定義を行う。
【００４１】
熱アシスト磁気記録ヘッドのスライダ基板の素子形成面に形成された積層構造もしくは素子構造において、基準となる層又は素子から見て、基板側を「下方」とし、その反対側を「上方」とする。また、熱アシスト磁気記録ヘッドの実施形態において、必要に応じていくつかの図面中、「Ｘ，Ｙ，Ｚ方向」を規定している。ここで、Ｚ軸方向は、上述の上下方向に対応しており、＋Ｚ側がトレーリング側に相当し、−Ｚ側がリーディング側に相当する。Ｙ軸方向をトラック幅方向とし、Ｘ軸方向をハイト方向または奥域方向とする。また、図面においては、視認可能なように上下、左右の縮尺を誇張して図示することがあり、実際のものとは縮尺が異なる場合がある。
【００４２】
また、熱アシスト磁気記録ヘッドの説明において当該熱アシスト磁気記録ヘッド内に設けられた導波路の「側面」とは、導波路を取り囲む端面のうち、導波路を伝播する光の伝播方向（−Ｘ方向）に垂直な端面以外の端面を指すものとする。従って、熱アシスト磁気記録ヘッドの説明における導波路の「上面」または「下面」もこの「側面」の１つであり、この「側面」は、コアに相当する導波路において伝播する光が全反射し得る面となる。
【００４３】
なお、熱アシスト磁気記録ヘッドは以下の説明において、単に、磁気記録ヘッド、磁気ヘッドと称す場合がある。
また、磁気記録媒体と対向する面である媒体対向面１２ａは、単に、ＡＢＳ１２ａと称す場合もある。また、導波路４１は、コア４１と称す場合もある。
【００４４】
本発明の一実施形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドを、図面を参照しながら説明する。
なお、本発明におけるプラズモンジェネレータは、熱アシスト磁気記録ヘッドに組み込まれて使用されている状態にあるものを好適例として取り挙げて、以下に説明しているが、例えば、導波路と組み合わせて使用される他の装置に組み込むようにすることもでき、特に限定されるものではない。
【００４５】
図１は、本実施形態における磁気記録装置を概略的に示す斜視図であり、図２は、本実施形態におけるヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）を概略的に示す斜視図である。
【００４６】
図１に示されるように、本実施形態における磁気記録装置としての磁気ディスク装置は、スピンドルモータ２０２の回転軸周りに回転する複数の磁気ディスク１００と、複数の駆動アーム２１１が設けられたアセンブリキャリッジ装置２１０と、各駆動アーム２１１の先端部に取り付けられており、薄膜磁気ヘッドである本実施形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド１を有するヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）２１２と、本実施形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド１の書き込み及び読み出し動作を制御するとともに、後述する熱アシスト磁気記録用のレーザ光を発生させる光源であるレーザダイオードの発光動作を制御するための制御回路２３０を備えて構成されている。
【００４７】
本実施形態において、磁気記録媒体である磁気ディスク１００は、垂直磁気記録用であり、例えば、ディスク基板の上に、軟磁性裏打ち層、中間層及び記録層（垂直磁化層）等が順次積層された構造を有している。
【００４８】
アセンブリキャリッジ装置２１０は、熱アシスト磁気記録ヘッド１を、磁気ディスク１００に形成されており記録ビットが並ぶトラック上に位置決めするための装置である。アセンブリキャリッジ装置２１０において、駆動アーム２１１は、ピボットベアリング軸２１３に沿った方向にスタックされており、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）２１４によってピボットベアリング軸２１３を中心にして角揺動可能となっている。
【００４９】
なお、本実施形態における磁気ディスク装置の構造は、上述した構造に限定されるものではなく、磁気ディスク１００、駆動アーム２１１、ＨＧＡ２１２及び熱アシスト磁気記録ヘッド１は、単数であってもよい。
【００５０】
図２に示されるＨＧＡ３１２において、サスペンション２２０は、ロードビーム２２１と、ロードビーム２２１に固着され、かつ弾性を有するフレクシャ２２２と、ロードビーム２２１の基部に設けられたベースプレート２２３とを有し構成されている。また、フレクシャ２２２上には、リード導体及びその両端に電気的に接続された接続パッドからなる配線部材２２４が設けられている。本実施形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド１は、各磁気ディスク１００の表面に対して所定の間隔（浮上量）をもって対向するように、サスペンション２２０の先端部においてフレクシャ２２２に固着されている。
【００５１】
さらに、配線部材２２４の一端が、本実施形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド１の端子電極に電気的に接続されている。
【００５２】
次いで、図３〜図８を参照しつつ、熱アシスト磁気記録ヘッド１の構成について説明する。図３は、本発明の一実施形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドを示す斜視図である。図４は、本発明の一実施形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの要部の構成を概略的に示す図面であって図３におけるＡ−Ａ線断面図（ＸＺ面）である。図５は、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドを媒体対向面であるＡＢＳ（Air Bearing Surface）の熱アシスト磁気記録ヘッドの要部であるプラズモンジェネレータ並びにその周辺に存在する主磁極および導波路等の相互位置関係を示す拡大断面図である。図７は、図６のＡＢＳ近傍をさらに拡大した断面図である。図８は、図６における本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドの要部であるプラズモンジェネレータ並びにその周辺に存在する主磁極および導波路等との相互位置関係が分か易くなるように描かれた斜視図である。
【００５３】
図３に示されるように熱アシスト磁気記録ヘッド１は、スライダ１０と光源ユニット１５０とを備えている。図４においては、スライダ１０と光源ユニット１５０とが分離された状態の図面が示されている。
【００５４】
スライダ１０は、アルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなる略直方体形状のスライダ基板１１と、この上に形成されたヘッド部１２とを有し構成されている。
【００５５】
スライダ基板１１は、磁気ディスク１００に対向する媒体対向面１１ａ（ＡＢＳと称す場合もある）と、この媒体対向面１１ａとは反対側の背面１１ｂと、媒体対向面１１ａと背面１１ｂとを連結するさらに４つの面を有して構成されている。
【００５６】
媒体対向面１１ａと背面１１ｂとを連結する４つの面のうちの１つは素子形成面１１ｃとして構成される。素子形成面１１ｃは、媒体対向面１１ａに垂直となる位置関係にあり、ヘッド部１２が、素子形成面１１ｃの上に形成されている。
【００５７】
ヘッド部１２は、磁気ディスク１００に対向する媒体対向面１２ａと、この媒体対向面１２ａとは反対側の背面１２ｂとを有している。媒体対向面１２ａは、スライダ基板１１の媒体対向面１１ａと平行であり、同一面を形成している。そして、通常、媒体対向面１１ａは、磁気ディスク１００に対するスライダ１０の適切な浮上量が得られるように加工されている。
【００５８】
実際の書き込み又は読み出し時においては、熱アシスト磁気記録ヘッド１が、回転する磁気ディスク１００表面上において流体力学的に所定の浮上量をもって浮上する。この際、磁気ヘッドの媒体対向面１２ａが、磁気ディスク１００の磁気記録層の表面と適当なマグネティックスペーシングを介して対向することになる。この状態において、データ信号の読み出しや、記録データの磁気書き込みが行われる。
【００５９】
光源ユニット１５０は、図３や図４に示されるように、レーザ光を射出する光源であるレーザダイオード１６０と、このレーザダイオード１６０を支持する直方体形状の支持部材１５１とを有している。支持部材１５１は、接着面１５１ａと、この接着面１５１ａとは反対側の背面１５１ｂと、接着面１５１ａと背面１５１ｂとを連結するさらなる４つの面とを有して構成されている。
【００６０】
接着面１５１ａと背面１５１ｂとを連結するさらなる４つの面のうちの１つは光源設置面１５１ｃとして構成され、接着面１５１ａは、スライダ基板１１の背面１１ｂに接着される面として構成されている。
【００６１】
光源設置面１５１ｃは、接着面１５１ａに垂直であり、素子形成面１１ｃに平行となるように形成されている。レーザダイオード１６０は、光源設置面１５１ｃに搭載されている。なお、本実施形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド１は、光源ユニット１５０を用いずに、レーザダイオード１６０がスライダ基板１１に直接搭載された形態であってもよい。
【００６２】
図４に示されるように、ヘッド部１２は、素子形成面１１ｃの上に配置された絶縁層１３と、この絶縁層１３の上に順次積層された多層膜から構成される再生ヘッド１４、記録ヘッド１６および保護層１７を有して構成されている。保護層１７は、絶縁材料によって形成されている。
【００６３】
再生ヘッド１４は、絶縁層１３の上に配置された下部シールド層２１と、この下部シールド２１の上に配置されたＭＲ素子２２と、このＭＲ素子２２の上に配置された上部シールド層２３と、ＭＲ素子２２の周囲において下部シールド層２１と上部シールド層２３との間に配置された絶縁層２４とを有して構成されている。
【００６４】
下部シールド層２１および上部シールド層２３は、外部磁界をシールドするように作用しており、下部シールド層２１および上部シールド層２３は、例えば、フレームめっき法又はスパッタリング法等によって形成された厚さ０．５〜３μｍ程度の磁性層であり、例えば、ＮｉＦｅ（パーマロイ）、ＦｅＳｉＡｌ（センダスト）、ＣｏＦｅＮｉ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＣｏＺｒＴａＣｒ等、又はこれらの材料の多層膜等の軟磁性材料から構成される。
【００６５】
ＭＲ素子２２の一端部は、媒体対向面１２ａに配置されている。ＭＲ素子２２は、ＭＲ効果を利用して信号磁界を感受する感磁部である。ＭＲ素子２２としては、例えば、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子、ＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等が用いられる。ＧＭＲ素子としては、磁気的信号検出用のセンス電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対して略平行な方向に流すいわゆるＣＩＰ（Current In Plane）タイプであってもよいし、センス電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対して略垂直な方向に流すいわゆるＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）タイプであってもよい。
【００６６】
ＭＲ素子２２の一例としてＭＲ素子２２がＴＭＲである場合、当該ＭＲ素子２２は、例えばＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ、ＮｉＭｎ、ＲｕＲｈＭｎ等からなる厚さ５〜１５ｎｍ程度の反強磁性層と、例えばＣｏＦｅ等からなる２つの強磁性層がＲｕ等の非磁性金属層を間に挟んだ構造を有しており反強磁性層によって磁化方向が固定されている磁化固定層と、例えばＡｌ、ＡｌＣｕ等からなる厚さ０．５〜１ｎｍ程度の金属膜が真空装置内に導入された酸素によって又は自然酸化によって酸化された非磁性誘電材料からなるトンネルバリア層と、例えば強磁性材料である厚さ１ｎｍ程度のＣｏＦｅ等及び厚さ３〜４ｎｍ程度のＮｉＦｅ等の２層膜から構成されておりトンネルバリア層を介して磁化固定層との間でトンネル交換結合をなす磁化自由層とが、順次積層された構造を有している。
【００６７】
ＭＲ素子２２がＴＭＲ素子あるいはＣＰＰタイプのＧＭＲ素子である場合、下部シールド層２１および上部シールド層２３は、センス電流をＭＲ素子２２に流すための電極を兼ねるようにしてもよい。ＭＲ素子２２がＣＩＰタイプのＧＭＲ素子の場合、ＭＲ素子２２と下部シールド層２１との間と、ＭＲ素子２２と上部シールド層２３との間に、それぞれ絶縁膜が設けられ、これらの絶縁膜の間に、センス電流をＭＲ素子２２に印加するための２つのリードが設けられる。
【００６８】
ヘッド部１２は、さらに上部シールド層２３の上に配置された絶縁層２５と、この絶縁層２５の上に形成された中間シールド層２６と、この中間シールド層２６の上に配置された絶縁層２７とを備えて構成されている。
【００６９】
中間シールド層２６は、記録ヘッド１６で発生する磁界からＭＲ素子２２をシールドする機能を有している。中間シールド層２６は、軟磁性材料によって形成されている。なお、絶縁層２５と中間シールド層２６は設けずに省略するようにしてもよい。
【００７０】
記録ヘッド１６は、垂直磁気記録用として構成される。記録ヘッド１６は、絶縁層２７の上に配置されたリターンヨーク層３１と、媒体対向面１２ａから離れた位置においてリターンヨーク層３１の上に配置された連結層３２（バックビアとも称される）と、絶縁層２７の上においてリターンヨーク層３１の周囲に配置された絶縁層７１とを備えて構成されている。リターンヨーク層３１および連結層３２は、軟磁性材料によって形成されている。なお、リターンヨーク層３１および絶縁層７１の上面は、平坦化されている。
【００７１】
記録ヘッド１６は、さらに、リターンヨーク層３１および絶縁層７１の上に配置された絶縁層７２と、この絶縁層７２の上に配置されたコイル４０とを備えて構成されている。コイル４０は、連結層３２を中心として巻回された平面渦巻き形状を有している。コイル４０には、磁気記録媒体である磁気ディスク１００に記録する情報に応じた磁界を発生するように電流が印加されるようになっている。コイル４０は、例えば、銅等の導電材料によって形成されている。
【００７２】
記録ヘッド１６は、さらに、コイル４０の巻線間および周囲ならびに連結層３２の周囲に配置された絶縁層７３と、絶縁層７２の上において絶縁層７３の周囲に配置されるとともに、コイル４０および絶縁層７３の上に配置された絶縁層７４とを備えて構成されている。なお、連結層３２、コイル４０および絶縁層７３の上面は平坦化されている。絶縁層７４の上には導波路４１を介して絶縁層７５が形成されている。絶縁層７４と絶縁層７５とは連続された一体化物とするように形成することができる。なお、連結層３２の内部には、導波路４１を直線状に貫通させることができるようなトンネル状の長穴構造が形成されている。
【００７３】
記録ヘッド１６は、さらに、連結層３２および絶縁層７５の上に配置されたヨーク層３３と、絶縁層７５の上において配置されたヨーク層３３の周囲に配置された絶縁層７６とを備えて構成されている。ヨーク層３３および絶縁層７６の上面は平坦化されている。ヨーク層３３は、軟磁性材料によって形成されている。
【００７４】
ヨーク層３３の媒体対向面１２ａ側には、主磁極３６が連結されている。主磁極３６は媒体対向面１２ａに配置された端面３６ａを有している。主磁極３６は、ヨーク層３３よりも高い飽和磁束密度を有する軟磁性材料から形成されているのが好ましく、例えば、Ｆｅが主成分である鉄系合金材料である、ＦｅＮｉ、ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等の軟磁性材料から形成されるのがよい。なお、主磁極３６のＺ軸方向における厚さは０．１〜０．８μｍ程度に設定されることが好ましい。また、主磁極３６のＹ軸方向における幅は０．２〜０．３μｍ程度に設定されることが好ましい。
【００７５】
記録ヘッド１６を構成する部材において、リターンヨーク層３１、連結層３２、ヨーク層３３、および主磁極３６は、コイル４０に電流を印加することによって発生させられた磁界に対応する磁束を通過させる、いわゆる磁路を構成している。主磁極３６は、コイル４０に電流を印加することによって発生させた磁界に対応する磁束を通過させるとともに、垂直磁気記録方式によって情報を磁気ディスク１００に記録するための記録磁界を発生する。
【００７６】
記録ヘッド１６は、さらに、レーザ光が伝播する導波路４１を形成するコアと、その周囲に形成されたクラッドとを有している。本実施の形態において、クラッドは、導波路４１の周囲を取り囲む絶縁層から構成されている。なお、以下の説明において、前述したように導波路４１をコア４１と称する場合や、両者を併記する場合がある。
【００７７】
図４に示されるように、コア４１（導波路４１）は、媒体対向面１２ａに垂直な方向（Ｘ方向）に延設されるように構成されている。コア４１は図示のごとく入射端４１ａを有し、レーザダイオード１６０より射出され、入射端４１ａに入射されたレーザ光がコア内を伝播させられる。コア４１はレーザ光を伝播すべく誘電体材料によって形成されている。コア４１の周囲を構成するクラッド層は、誘電体材料によって形成され、かつコア４１の屈折率よりも小さい屈折率を有する材料から構成されている。クラッド層は、例えば、図４に示される絶縁層７４、７５等が該当する。
【００７８】
例えば、レーザ光の波長λLが６００ｎｍであって、コア４１の周囲を構成するクラッド層がＳｉＯ2（二酸化珪素；ｎ＝１．４６）から形成されている場合、コア４１（導波路４１）はＡｌ2Ｏ3（アルミナ；ｎ＝１．６３）から形成させることができる。また、クラッド層が例えばＡｌ2Ｏ3（ｎ＝１．６３）から形成されている場合、コア４１（導波路４１）は、ＳｉＯXＮY（ｎ＝１．７〜１．８５）、Ｔａ2Ｏ5（ｎ＝２．１６）、Ｎｂ2Ｏ5（ｎ＝２．３３）、ＴｉＯ（ｎ＝２．３〜２．５５）又はＴｉＯ2（ｎ＝２．３〜２．５５）から形成させることができる。コア４１（導波路４１）をこのような材料で構成することによって、材料そのものが有する良好な光学特性によってレーザ光の伝播損失を低く抑えることができる。
【００７９】
また、コア４１（導波路４１）が、誘電材料の多層構造を有しており、上方の層ほど屈折率ｎがより高くなる構造を有するように構成してもよい。例えば、ＳｉＯXＮYにおいて組成比Ｘ、Ｙの値を適切に変化させた誘電材料を順次積層することにより、このような多層構造が実現する。積層数は、例えば８〜１２層とすることができる。
【００８０】
本実施の形態において、記録ヘッド１６は、さらに、主磁極３８の下部（−Ｚ方向部位）に略密着するように収納されたプラズモンジェネレータ４２を有している。また、プラズモンジェネレータ４２の下面は、緩衝層３８（図６参照）を介して一定の間隙を空けてコア４１（導波路４１）の上面４１ｃと対向配置されている。
【００８１】
プラズモンジェネレータ４２は、先端端部から近接場光を発生し、この近接場光によって磁気ディスク１００に対して熱を加える加熱素子である。プラズモンジェネレータ４２は、本実施の形態では、媒体対向面１２ａの近傍において、主磁極３６を基準として主磁極３６の下方（−Ｚ側）に配置されているいわゆるリーディング側配置として構成されているが、この構成に限定されるものではなく、主磁極３６を基準として主磁極３６の上方（＋Ｚ側）に配置されているいわゆるトレーリング側配置として構成するようにしてもよい。
【００８２】
また、プラズモンジェネレータ４２の近傍には、プラズモンジェネレータ４２を冷却するための冷却層（図示していない）を形成するようにすることもできる。冷却層は、例えばＳｉＣ等の熱伝導率の大きい非磁性材料によって形成することができる。
【００８３】
本発明においては、プラズモンジェネレータ４２の構造およびその構造に基づく組成構成に特徴がある。すなわち、プラズモンジェネレータ４２を構成している複数部材からなる構造およびこれらの各部材の成分組成に特徴がある。この特徴部分については後に詳述する。
【００８４】
図４に示されるように保護層１７は、記録ヘッド１６を覆うように配置されている。図３に示されるように、ヘッド部１２は、ＭＲ素子２２に電気的に接続された一対の端子１８を保護層１７の上面に有し、さらに、コイル４０に電気的に接続された一対の端子１９を保護層１７の上面に有している。これらの端子１８，１９は、図２に示される配線部材２２４の複数のパッド状端子に電気的に接続されている。
【００８５】
レーザダイオード１６０は、図４に示されるように、下部電極１６１と活性層１６２と上部電極１６３とを含む多層構造を有している。この多層構造における２つの劈開面には、光を全反射して発振を励起するための反射層１６４が設けられている。反射層１６４には、発光中心１６２ａを含む活性層１６２の位置において、レーザ光を射出するための開口が設けられている。
【００８６】
光源ユニット１５０は、光源設置面１５１ｃに配置され、下部電極１６１に電気的に接続された端子１５２と、光源設置面１５１ｃに配置され、上部電極１６３に電気的に接続された端子１５３とを有している。これらの端子１５２，１５３は、図２に示される配線部材２２４の複数のパッド状端子に電気的に接続されている。端子１５２，１５３を介してレーザダイオード１６０に所定の電圧が印加されると、レーザダイオード１６０の発光中心１６２ａからレーザ光が射出される。レーザダイオード１６０より射出されるレーザ光は、電界の振動方向が活性層１６２の面に対して垂直なＴＭモードの偏光であることが好ましい。
【００８７】
また、光源ユニット１５０は、図４に示されるように、支持部材１５１の接着面１５１ａがスライダ基板１１の背面１１ｂに接着されることによって、スライダ１０に対して固着される。レーザダイオード１６０とコア４１は、レーザダイオード１６０から射出されたレーザ光がコア４１の入射端４１ａに入射するように位置決めされている。
【００８８】
次いで、本発明の要部であるプラズモンジェネレータ４２の第１の実施態様の構造およびその構造に基づく組成構成について、図５〜図８を参照しつつ説明する。
【００８９】
＜プラズモンジェネレータ４２の第１の実施形態の説明＞
図６に示されるように、本発明におけるプラズモンジェネレータ４２は、対向配置されている導波路４１内を伝播する光（図示例ではーＸ方向に伝播する）と表面プラズモンモードで結合（光と表面エヴァネッセント結合する）することができる表面プラズモンモード結合部分４２ｃと、この結合部分４２ｃから表面プラズモンをＡＢＳ１２ａ方向（ーＸ方向）に伝播させることのできるプラズモン伝播部４２ｂと、このプラズモン伝播部４２ｃのーＸ方向端部に位置する近接場光を発生させる近接場光発生端面４２ａと、を有し構成されている。近接場光発生端面４２ａはいわゆる媒体対向面（ＡＢＳ）１２ａに存在している。
【００９０】
導波路４１は、図４に示される入射端４１ａの他に、図５や図６に示されるように、媒体対向面１２ａに近い前端面４１ｂと、上面である４１ｃと、下面４１ｄと、２つの側面（図示していない）とを有している。
【００９１】
プラズモンジェネレータ４２の表面プラズモンモード結合部分４２ｃは、例えば、図６に示されるごとく、導波路４１の上面４１ｃと対向配置されている面であって、プラズモンジェネレータ４２の奥側に位置する（光の進行の上流側）エリアが該当する。
【００９２】
この表面プラズモンモード結合部分４２ｃについて、さらに詳しく説明すると、表面プラズモンモード結合部分４２ｃは、「導波路４１と緩衝層３８の界面において、導波路４１中を伝播する光が全反射することによって、緩衝層３８側にエヴァネッセント光の滲み出しが発生し、この滲み出したエヴァネッセント光と、プラズモンジェネレータ４２の対向面４２´近傍における電荷の集団振動である表面プラズモンとが結合して、プラズモンジェネレータ４２における表面プラズモンが励起される部分である」と定義することができる。
【００９３】
このようにしてプラズモンジェネレータ４２に励起した表面プラズモンは、プラズモン伝播部４２ｂ（例えば凸部やエッジ等で形成された下面）を経て近接場光発生端面４２ａまでーＸ方向に伝播し、磁気記録媒体の対向面に位置する近接場光発生面４２ａの近接場光発生部から近接場光が発生されることとなる。プラズモン伝播部４２ｂは、励起した表面プラズモンを近接場光発生端面４２ａまで伝播させる作用を受けるプラズモンジェネレータ部分であると言うことができる。通常、プラズモン伝播部４２ｂは、プラズモンジェネレータにおける導波路４１との対向面４２´近傍が相当する。なお、表面プラズモンモード結合部分４２ｃとプラズモン伝播部４２ｂとの明確な境界領域を区別することは困難であるとともに、両者の領域を明確に区別する意義は少ないといえる。いずれにしても、本発明のプラズモンジェネレータの作用を発揮させるためには、表面プラズモンモード結合部分４２ｃとプラズモン伝播部４２ｂは必須の要件として存在する。通常、表面プラズモンモード結合部分４２ｃの方が、プラズモン伝播部４２ｂよりもＸ方向側（光の進行の上流側）に存在する。また、両者は対向面４２´の一部で互いの作用を重複して発現し得る。
【００９４】
上述したように、表面プラズモンモード結合部分４２ｃとプラズモン伝播部４２ｂは、緩衝層３８を介して導波路４１の上面４１ｃと対向配置されているプラズモンジェネレータ４２の対向面４２´が該当しており、当該対向面４２´は図示のごとくＸ方向に延設された状態で構成されている。なお、プラズモンジェネレータ４２の対向面４２´と、導波路４１の上面４１ｃとの間隙η（図６、図７参照）は、媒体対向面１２ａ側から奥域側（Ｘ方向）に亘り、一定の間隙を維持するように構成されている。また、緩衝層３８を構成する材料の屈折率は、導波路４１を構成する材料のそれよりも小さくなるように設定されている。
【００９５】
第１の実施形態におけるプラズモンジェネレータ４２は、例えば、図６や図８に示されるように、近接場光発生端面４２ａを含む第１構成部材４２１と、この第１構成部材４２１と接合・一体化され、かつ近接場光発生端面を含まない第２構成部材４２５と、を有し構成されている。
【００９６】
第１構成部材４２１は、近接場光発生端面４２ａを含み、導波路４１と対向して配置された断面矩形の棒状体形状をなしており、当該第１構成部材４２１は、前述した表面プラズモンモード結合部分４２ｃおよびプラズモン伝播部４２ｂを含んで構成されている。
【００９７】
一方、第２構成部材４２５は、例えば、図６や図８に示されるように、第１構成部材４２１の上に接合・一体化され、四角形と台形を組み合わせたような断面が変則６角形形状からなる基部本体４２５ａと、この基部本体４２５ａ上部両端からそれぞれ＋Ｙ方向およびーＹ方向に伸びるように形成されたウイング部４２５ｂとを有している。さらに、第２構成部材４２５には、近接場光発生端面４２ａが存在しない。すなわち、図６に示されるように、第２構成部材４２５の−Ｘ方向の最先端部Ｐ２は、いわゆる媒体対向面であるＡＢＳ１２ａに露出しておらず、第１構成部材４２１の−Ｘ方向の最先端部Ｐ１（近接場光発生端面４２ａと同じ位置）と比べて、奥域方向（＋Ｘ方向）に後退した位置に留まっている。さらに、詳述すると、図７や図８に示されるごとく第１構成部材４２１の先端面４２ａのみ媒体対向面であるＡＢＳ１２ａまで延びており、この端面が近接場光発生端面４２ａを構成している。そして、第２構成部材４２５の上部には第２構成部材４２５の基部本体４２５ａを覆うように主磁極３６の先端部が形成されており、図７に示されるように主磁極３６の下部端３６ｂは、ＡＢＳ近傍で、非磁性絶縁材料層３７を介して、突出した第１構成部材４２１の先端部４２１ａを覆うように構成されている。非磁性絶縁材料層３７は、例えばアルミナ等の非磁性絶縁材料から構成される。このように主磁極３６の下部端３６ｂが、非磁性絶縁材料層３７を介して、突出した第１構成部材４２１の先端部４２１ａを覆うように構成することによって、主磁極３６による書き込み磁界の発生位置と第１構成部材４２１の近接場光発生端面４２ａとのＺ方向の間隔を狭めて両者を近づけることができ、極めて効率良く熱アシスト磁気記録を奏させることができる。
【００９８】
なお、上記技術によれば、プラズモンジェネレータ４２には導波路４１を伝播する光が直接照射されないので、過度の温度上昇を防止することが可能である。そして、このようなプラズモンジェネレータ４２は、表面エヴァネッセント光結合型の近接場光発生素子と呼ばれることがある。なお、近接場光とは物質の周囲に形成される、いわば電磁場の一種であり、光の波長による回折限界を無視し得る物性を有する。波長が揃った光を微小構造体に照射することで、微小構造体のスケールに依存した近接場を形成し、数十ｎｍといった極小領域への光の絞込みすら可能になる。
【００９９】
さらに、図５および図６に基づいて説明を加えると、コア４１（導波路４１）の周囲を取り囲んでいるいわゆるクラッド層のうち、コア４１（導波路４１）の上面４１ｃ（エヴァネッセント光発生面）と、プラズモンジェネレータ４２の対向面４２´との間に配置された部分は、前述したようにコア４１の屈折率よりも小さい屈折率を有する緩衝部３８を構成している。
【０１００】
また、図８に示される媒体対向面１２ａにおけるプラズモンジェネレータ４２のトラック幅方向（Ｙ方向）の寸法ＰＹと、媒体対向面１２ａにおけるプラズモンジェネレータ４２のＺ方向の寸法ＰＺは、いずれも、コア４１を伝播するレーザ光の波長よりも十分に小さい。これらの寸法は、いずれも、例えば１０〜１００ｎｍの範囲内とされることが望ましい。
【０１０１】
また、プラズモンジェネレータ４２のＸ方向の長さＰＸ（図６参照）は、例えば０．６〜４μｍの範囲内とされることが望ましい。
【０１０２】
また、プラズモンジェネレータ４２の対向面４２´のうち、エヴァネッセント光を発生させるコア４１（導波路４１）の上面４１ｃと対向する部分のＸ方向の長さと、対向面４２´と上面４１ｃとの間隔ηは、いずれも表面プラズモンの適切な励起、伝播を実現するための重要なパラメータである。間隔ηは、１０〜１００ｎｍの範囲であることが好ましい。
【０１０３】
第１の実施形態におけるプラズモンジェネレータ４２は、第１構成部材４２１と第２構成部材４２５と２つの部材を有する構造的な特徴に加えて、さらに、第１構成部材４２１と第２構成部材４２５とがそれぞれ所望の異なる組成からなるように構成されているという特徴を有する。
【０１０４】
すなわち、プラズモンジェネレータ４２を構成する第１構成部材４２１は、Ａｕを主成分とし、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｔａのグループの中から選択されたいずれか１種類以上の元素が含有されており、当該含有される元素の含有率Ｘ1が０．２ａｔ％（原子％）以上２．０ａｔ％（原子％）以下の範囲内、より好ましくは、０．５ａｔ％（原子％）以上１．０ａｔ％（原子％）以下の範囲内となるように構成される。
【０１０５】
上記含有率Ｘ1が０．２ａｔ％未満となると、本発明の効果を発現させることが困難となる不都合が生じる傾向がある。また、この含有率Ｘ1が２．０ａｔ％を超えると、粒径が肥大化し易くなる傾向が生じるとともに、添加した元素が表面上に析出して添加元素の析出に伴う凝集が起こり易くなってしまうという不都合等が生じる傾向がある。なお、上記元素の中でも、特に、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｓｂを用いることが好ましい。
【０１０６】
また、後述する第２構成部材４２５の組成との関係で、第１構成部材４２１の含有率Ｘ1を、０．２〜０．４ａｔ％程度とするようにしてもよい。この場合には、第１構成部材４２１と第２構成部材４２５との接合面近傍での組成変化を極めて小さくすることができ、例えば、界面における光学的な特性変化を緩やかにせしめることができて有用である。
【０１０７】
この一方で、プラズモンジェネレータ４２を構成する第２構成部材４２５は、Ａｕから構成される。ここでいう「Ａｕから構成」とは、積極的に純度の高いＡｕを使用してＡｕ単体から構成する趣旨であり、意図的に他の元素を添加する場合を排除する趣旨である。
【０１０８】
このような第１構成部材４２１と第２構成部材４２５とからなるプラズモンジェネレータ４２を用いることによって、本発明の作用効果、すなわち、耐熱性、光学特性、およびプロセス耐性を満足することができ、さらには放熱性や発熱抑制効果が極めて優れるプラズモンジェネレータを実現させることができる。特に、第１の実施形態において、極めて高温となる近接場光発生端面４２ａを含む第１構成部材４２１は、所定の元素を所定割合含有しているので、耐熱性を向上させることができる。また、第２構成部材４２５はヒートシンク効果を発揮させることができ、プラズモンジェネレータ内部に蓄積される熱を放熱するように作用させることができ、蓄熱によるプラズモンジェネレータの変形等を抑制することが可能となる。
【０１０９】
ちなみに、従来技術（例えば、ＵＳ２０１１／０２０５８６３公開公報）で開示されているＡｕ合金からなるプラズモンジェネレータでは、２ｎｋが高くなってしまい、例えば、Ａｕ単体から構成されるプラズモンジェネレータと比較して素子全体の発熱の度合いが大きくなってしまう。これに対して本発明の第１の実施形態では、第１構成部材４２１と第２構成部材４２５とからなるプラズモンジェネレータ４２を用いることによって、光が結合する部分は主としてＡｕ合金からなる第１構成部材４２１であり、Ａｕ単体物と比べれば発熱の度合いはやや大きいが、第１構成部材４２１にヒートシンク効果を発現させる第２構成部材４２５を設けているために、プラズモンジェネレータ４２全体として見れば、極めて有効に発熱を抑制することができるのである。もちろん、耐熱性が要求される近接場光発生端面４２ａ近傍は第１構成部材４２１から構成されており、組成的に耐熱性を担保させている。
【０１１０】
＜プラズモンジェネレータ４２の第２の実施形態の説明＞
図９〜図１１（特に、図９）に示されるように、本発明における第２の実施形態のプラズモンジェネレータ４２は、前述した第１の実施形態と同様に、対向配置されている導波路４１内を伝播する光（図示例ではーＸ方向に伝播する）と表面プラズモンモードで結合（光と表面エヴァネッセント結合する）することができる表面プラズモンモード結合部分４２ｃと、該結合部分から表面プラズモンを伝播させることのできるプラズモン伝播部４２ｂと、該プラズモン伝播部４２ｃの終端部に位置しており、近接場光を発生させる近接場光発生端面４２ａと、を有し構成されている。近接場光発生端面４２ａはいわゆる媒体対向面（ＡＢＳ）１２ａに存在している。
【０１１１】
第２の実施形態のプラズモンジェネレータ４２が、第１の実施形態のプラズモンジェネレータ４２と異なる点は、図９に示されるごとく近接場光発生端面４２ａを含む第１構成部材４２２が、ＡＢＳ近傍にのみ形成されているだけであり、プラズモンジェネレータ４２の大部分が第２構成部材４２６から形成されている点にある。従って、表面プラズモンモード結合部分４２ｃと大部分のプラズモン伝播部４２ｂは、第２構成部材４２６の導波路４１の対向面４２´に存在する。
【０１１２】
第２の実施形態のプラズモンジェネレータ４２についてさらに説明する。
第２構成部材４２６は、図１１に示されるように、例えば、台形の上辺と下辺にそれぞれ四角形を付加して組み合わせたような変則的な断面を有する基部本体４２６ａと、この基部本体４２６ａ上部両端からそれぞれ＋Ｙ方向およびーＹ方向に伸びるように形成されたウイング部４２６ｂとを有して構成されている。さらに、第２構成部材４２６は、近接場光発生端面４２ａを含まない。すなわち、図９に示されるように、第２構成部材４２６の−Ｘ方向の最先端部Ｐ３は、いわゆる媒体対向面であるＡＢＳに露出しておらず、第１構成部材４２２の−Ｘ方向の最先端部Ｐ１（近接場光発生端面４２ａと同じ位置）と比べて、奥域方向（＋Ｘ方向）に後退した位置にある。
【０１１３】
この一方で、第１構成部材４２２は、図９や図１１に示されるように、第２構成部材４２６のプラズモン伝播部４２ｂの略終端から、ＡＢＳ１２ａ方向（−Ｘ方向）に延設するように第２構成部材４２６に接合されて構成されている。すなわち、第１構成部材４２２は、プラズモンジェネレータの近接場光発生端面側に向けて、第２構成部材４２６から突出した棒状突出部を形成するように構成される。そして、図１１に示されるように、第１構成部材４２２の底部４２２１と第２構成部材４２６の底部４２６１とは、同一平面を形成するように接合され、導波路４１と対向する対向面４２´を形成している。
【０１１４】
さらに、詳述すると、図９や図１１に示されるごとく第１構成部材４２２の先端面のみＡＢＳ１２ａまで突出しており、この端面が近接場光発生端面４２ａを構成している。そして、第２構成部材４２６の先端には第２構成部材４２６の基部本体４２６ａを覆うように主磁極３６の先端部が形成されており、図１０に示されるように主磁極３６の下部端３６ｂは、ＡＢＳ１２ａ近傍で、非磁性絶縁材料層３７を介して、突出した第１構成部材４２２の先端部４２２ａを覆うように構成されている。非磁性絶縁材料層３７は、例えばアルミナ等の非磁性絶縁材料から構成される。主磁極３６の下部端３６ｂが、非磁性絶縁材料層３７を介して、突出した第１構成部材４２２の先端部４２２ａを覆うように構成することによって、主磁極３６による書き込み磁界の発生位置と１構成部材４２２の近接場光発生端面４２ａとのＺ方向の間隔を狭めることができ、極めて効率良く熱アシスト磁気記録を奏させることができる。
【０１１５】
第２の実施形態におけるプラズモンジェネレータ４２は、前述した第１の実施形態の場合と同様に、２つの部材を備える構造的な特徴に加えて、さらに、第１構成部材４２２と第２構成部材４２６とがそれぞれ所望の異なる組成からなるように構成されているという特徴を有する。
【０１１６】
すなわち、プラズモンジェネレータ４２を構成する第１構成部材４２２は、Ａｕを主成分とし、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｔａのグループの中から選択されたいずれか１種類以上の元素が含有されており、当該含有される元素の含有率Ｘ1が０．２ａｔ％（原子％）以上２．０ａｔ％（原子％）以下の範囲内、より好ましくは、０．５ａｔ％（原子％）以上１．０ａｔ％（原子％）以下の範囲内となるように構成される。含有率Ｘ1が０．２ａｔ％未満となると、本発明の効果を発現させることが困難となる不都合が生じる傾向がある。また、この含有率Ｘ1が２．０ａｔ％を超えると、粒径が肥大化し易くなる傾向が生じるとともに、添加した元素が表面上に析出して添加元素の析出に伴う凝集が起こり易くなってしまうという不都合等が生じる傾向がある。なお、上記元素の中でも、特に、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｓｂを用いることが好ましい。また、後述する第２構成部材４２６の組成との関係で、第１構成部材４２２の含有率Ｘ1を、０．２〜０．４ａｔ％程度とするようにしてもよい。この場合には、第１構成部材４２２と第２構成部材４２６との接合面近傍での組成変化を極めて小さくすることができ、界面における光学的な特性変化を緩やかにせしめることができて有用である。
【０１１７】
この一方で、プラズモンジェネレータ４２を構成する第２構成部材４２６は、Ａｕから構成される。ここでいう「Ａｕから構成」とは、積極的に純度の高いＡｕを使用してＡｕ単体から構成する趣旨であり、意図的に他の元素を添加する場合を排除する趣旨である。
【０１１８】
このような第１構成部材４２２と第２構成部材４２６とからなるプラズモンジェネレータ４２を用いることによって、本発明の作用効果、すなわち、耐熱性、光学特性、およびプロセス耐性を満足することができ、さらには放熱性や発熱抑制効果が極めて優れるプラズモンジェネレータを実現させることができる。特に、第２の実施形態において、極めて高温となる近接場光発生端面４２ａを含む第１構成部材４２２は、所定の元素を所定割合含有しているので、耐熱性を向上させることができる。また、Ａｕ単体からなる光学特性の良好な第２構成部材４２５は、光が結合する部分の大部分を占有、すなわち、表面プラズモンモード結合部分４２ｃと、大部分のプラズモン伝播部４２ｂを占有しているので、プラズモン伝播に伴う発熱の抑制効果が発揮される。
【０１１９】
ちなみに、前述したごとく従来技術（例えば、ＵＳ２０１１／０２０５８６３公開公報）で開示されているＡｕ合金のみからなるプラズモンジェネレータでは、２ｎｋが高くなってしまい、例えば、Ａｕ単体から構成されるプラズモンジェネレータと比較して素子全体の発熱の度合いが大きくなってしまう。これに対して本発明の第２の実施形態では、第１構成部材４２２と第２構成部材４２６とからなるプラズモンジェネレータ４２を用いることによって、光が結合する部分および大部分のプラズモン伝播部は、発熱抑制効果の高いＡｕ単体の第２構成部材４２６から構成され、耐熱性が要求される近接場光発生端面４２ａ近傍は耐熱性に優れるＡｕ合金の第１構成部材４２１から構成されているために、プラズモンジェネレータ４２全体として見れば、極めて有効に発熱を抑制することができるのである。
【０１２０】
なお、本発明のプラズモンジェネレータ４２は、上述した好適な第１の実施形態および第２の実施形態に限定されることなく、クレームで規定される範囲内において種々の形態を採択することができる。
【０１２１】
また、前述したように、上記実施形態では、媒体対向面１２ａの近傍において、主磁極３６を基準として主磁極３６の下方（−Ｚ側）にプラズモンジェネレータ４２が配置されている、いわゆるリーディング側配置の場合が例示されているが、この構成に限定されるものではなく、主磁極３６を基準として主磁極３６の上方（＋Ｚ側）にプラズモンジェネレータ４２が配置されているいわゆるトレーリング側配置として構成するようにしてもよい。
【０１２２】
＜近接場光発生の原理および近接場光を用いた熱アシスト磁気記録の原理について＞
さらに、図６を参照しつつ、本実施の形態における近接場光発生の原理と、近接場光を用いた熱アシスト磁気記録の原理について説明する。
【０１２３】
レーザダイオード１６０（図４参照）により射出されたレーザ光は、導波路４１（コア４１）内を伝播して、緩衝部３８の近傍に達する。ここで、導波路４１（コア４１）と緩衝部３８との界面において、レーザ光が全反射することによって、緩衝部３８内に滲みだすエヴァネッセント光が発生する。次に、このエヴァネッセント光と、プラズモンジェネレータ４２の外面のうちの少なくとも対向面４２´において電荷のゆらぎとが結合する形で表面プラズモンポラリトンモードが誘起される（表面プラズモンモード結合部分４２ｃ）。このようにして、少なくとも対向面４２´において、導波路４１（コア４１）の上面４１ｃより発生するエヴァネッセント光との結合が起こることによって表面プラズモンが励起される。
【０１２４】
なお、正確には、この系においては素励起である表面プラズモンが電磁波と結合することになるので、励起されるのは表面プラズモン・ポラリトンである。しかしながら以後、省略して、表面プラズモン・ポラリトンを表面プラズモンと呼ぶ。
【０１２５】
プラズモンジェネレータ４２の対向面４２´に励起された表面プラズモンは、対向面４２´の伝播部位に沿って、媒体対向面１２ａ側の近接場光発生端面４２ａに向けて伝播される。その結果、近接場光発生端面４２ａにおいて表面プラズモン、すなわち電場が集中し、近接場光発生端面４２ａ（近接場光発生部と同義）から近接場光が発生する。
【０１２６】
なお、伝播部位は、伝達部位として機能する凸部（convex part）に限定されることなく、底部が尖ったいわゆるエッジ形状とすることもできる。
【０１２７】
このようにして近接場光発生端面４２ａから発せられた近接場光は、磁気ディスク１００の磁気記録層の一部を加熱する。これにより、その磁気記録層の一部の保磁力が低下する。熱アシスト磁気記録では、このようにして保磁力が低下した磁気記録層の一部に対して、主磁極３６より記録磁界を印加することによって磁気情報が記録される。このような手順を踏んで、熱アシスト磁気記録を行うことが可能となる。
【実施例】
【０１２８】
以下、具体的な実験例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。
（実験例１）
まず、第１構成部材の組成についての実験例を挙げて説明する。
最初に、Ａｕマトリックスの中に、添加元素としてＣｏ、Ｎｂ、Ｔｉ、およびＺｒをそれぞれ０．５ａｔ％含有させた所定形状の第１構成部材サンプルを種々作製した。
これらの各サンプルについて、２５０℃、３時間のアニール処理を行い、アニール処理後、各サンプルの表面粗さＲａを測定するとともに、各サンプルの粒径肥大化の程度、および凝集の有無をＡＦＭ像観察にて確認した。
なお、凝集有りとは、顕著に粒径が肥大化している場合、すなわち周囲の粒子径よりもひときわ大きい粒子が存在している状態をいう。
結果を下記表１に示した。
【０１２９】
【表１】
2014035784.tif 000003
【０１３０】
表１に示される結果より、全く元素を添加しないＡｕ単体の場合には、アニール後の表面粗さＲａが増大し、かつ程度の大きい粒径肥大が確認された。凝集も確認された。
【０１３１】
これに対して、表１に示される所定の元素を添加した場合には、アニール後の表面粗さＲａの増加が抑制できていることが確認できた。また、粒径肥大化の程度も低く、特に、Ｃｏ添加にあっては、粒径肥大化は生じていなかった。凝集もなかった。また、上記表１に示される傾向は、添加量を減少させて添加量０．２ａｔ％に至るまで、表１に示される結果と同様に不都合のない結果が生じることが確認された。下記表２にＣｏ添加量０．２ａｔ％の場合の具体的実験結果を示しておく。
【０１３２】
【表２】
2014035784.tif 000004
【０１３３】
次いで、上記表１におけるＣｏ添加およびＮｂ添加の場合において、添加量を１．０ａｔ％、２．０ａｔ％、３．０ａｔ％にそれぞれ増加させ、上記と同様な要領で、同様な評価判定を行った。結果を下記表３、表４、および表５に示した。
【０１３４】
【表３】
2014035784.tif 000005
【０１３５】
【表４】
2014035784.tif 000006
【０１３６】
【表５】
2014035784.tif 000007
【０１３７】
添加量が２．０ａｔ％を超えて、３．０ａｔ％となると、ややアニール後の表面粗さＲａが増大し、かつ凝集も確認されるという不都合が生じる結果となった。なお、Ｎｂ添加については、添加量がやや多め、すなわち添加量を２．０ａｔ％に増やしたところでアニール後の表面粗さＲａおよび粒径肥大化が抑制されていることが確認できた。
【０１３８】
なお、上記の具体的に明示した添加元素の他、Ｆｅ、Ｓｂについても同様な実験を行った結果、上記の添加元素Ｃｏの場合と同様な結果を得ることができた。
【０１３９】
上記の結果より、耐熱性を要求される近接場光発生端面を含む第１構成部材は、Ａｕを主成分とし、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｔａ等の元素が含有され、当該含有率Ｘ1が０．２ａｔ％以上２．０ａｔ％以下の範囲内となるように構成されることが好ましいことが確認された。
【０１４０】
（実験例２）
次いで、Ａｕを主成分とし、Ｃｏを１．０ａｔ％含有させた第１構成部材と、Ａｕ単体から構成される第２構成部材を用いて、図６〜図８に示されるごとく第１の実施形態におけるプラズモンジェネレータ４２（実施例１サンプル）、および図９〜１１に示されるごとく第２の実施形態におけるプラズモンジェネレータ４２（実施例２サンプル）を、それぞれ、作製した。また、比較例として、上記と同様な形状であって、全ての領域を、Ｃｏを１．０ａｔ％含有させたＡｕから構成した比較例のプラズモンジェネレータ（比較例サンプル）を作製した。
【０１４１】
これらの３種のサンプルを用いて、高温チャンバー(環境温度３００℃)に２４時間放置し、プラズモンジェネレータの変形度合を評価したところ、プラズモンジェネレータの変形を抑制する効果の発現レベルは、実施例１サンプル≧  実施例２サンプル＞  比較例サンプル、の順で良好であることが確認できた。
【０１４２】
以上の結果より、本発明の効果は明らかである。すなわち、本発明のプラズモンジェネレータは、光と表面プラズモンモードで結合することができる表面プラズモンモード結合部分と、該結合部分から表面プラズモンを伝播させることのできるプラズモン伝播部と、該伝播部の終端部に位置しており、近接場光を発生させる近接場光発生端面と、を有してなるプラズモンジェネレータ（Plasmon-Generator）であって、当該プラズモンジェネレータは、近接場光発生端面を含む第１構成部材と、当該第１構成部材と接合・一体化され、かつ近接場光発生端面を含まない第２構成部材と、を有し、前記第１構成部材は、Ａｕを主成分とし、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｔａのグループの中から選択されたいずれか１種類以上の元素が含有されており、当該含有率Ｘ1が０．２ａｔ％以上２．０ａｔ％以下の範囲内となるように構成されており、前記第２構成部材は、Ａｕから構成されているので、耐熱性、光学特性、およびプロセス耐性を満足することができ、さらには放熱性や発熱抑制効果が極めて優れる。
【符号の説明】
【０１４３】
４２…プラズモンジェネレータ
４２ａ…近接場光発生端面
４２ｂ…プラズモン伝播部
４２ｃ…表面プラズモンモード結合部分
４２１…第１構成部材
４２５…第２構成部材
【図１】
2014035784.tif 000008
【図２】
2014035784.tif 000009
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2014035784.tif 000014
【図８】
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【図９】
2014035784.tif 000016
【図１０】
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【図１１】
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