(57)【要約】      （修正有）【課題】複数の配線同士間のピッチを広く確保することのできる配線構造体を提供する。【解決手段】液滴吐出ヘッド１は、端子２７が形成された振動板２３と、振動板２３に接合され、振動板２３に対して鋭角をなす傾斜面を内壁２４７として備える貫通部２４６を有するリザーバー形成基板２４と、リザーバー形成基板２４を介して振動板２３と反対側に位置し、リザーバー形成基板２４に接合され、端子３４１ａが形成された基板３２と、基板３２に搭載され、端子３４１ａと電気的に接続されたＩＣパッケージ３３と、傾斜面に形成され、端子２７と端子３４１ａとを電気的に接続する配線２８１とを有している。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１端子が形成されたベース基板と、
前記ベース基板に接合され、前記ベース基板に対して鋭角をなす傾斜面を有する内壁と、貫通部と、を有する配線基板と、
前記配線基板を介して前記ベース基板に接合され、前記ベース基板側に複数の第２端子が形成された基板と、
前記基板に搭載され、前記複数の第２端子と電気的に接続された制御部と、
前記傾斜面に、前記第１端子と前記第２端子とを電気的に接続する複数の配線を有することを特徴とする配線構造体。
【請求項２】
前記制御部は、前記基板の前記配線基板側に搭載されており、前記内壁と前記ベース基板と前記基板とで形成される区域内に配置されている請求項１に記載の配線構造体。
【請求項３】
前記内壁は、前記ベース基板に対して鋭角をなす第１傾斜面と、前記ベース基板に対して鋭角をなす第２傾斜面と、前記第１傾斜面と前記第２傾斜面との間に位置し、前記第１傾斜面と前記第２傾斜面とを接続する前記ベース基板に平行な平面と、を有している請求項１に記載の配線構造体。
【請求項４】
前記配線の前記第１端子側の端部は、前記第１端子と重なっている請求項１ないし３のいずれか１項に記載の配線構造体。
【請求項５】
前記配線は、導電性を有する接続部材を介して前記第１端子と電気的に接続されている請求項１ないし３のいずれか１項に記載の配線構造体。
【請求項６】
前記配線は、前記内壁から前記配線基板の前記基板の前記制御部の搭載面まで延びており、
前記配線基板と前記基板との間に導電性のバンプを介して前記第２端子と電気的に接続されている請求項１ないし５のいずれか１項に記載の配線構造体。
【請求項７】
前記複数の第１端子のピッチよりも、前記複数の第２端子のピッチの方が狭く、
前記複数の配線のうちの少なくとも一部の配線は、
前記傾斜面上にて、前記第１端子側から、前記傾斜面の延在方向に対して隣接する配線とのピッチが狭まる傾斜した延在部分と、
前記第２端子側から、前記傾斜面の延在方向に沿って隣接する配線とのピッチが一定となる延在部分と、を有している請求項１ないし６のいずれか１項に記載の配線構造体。
【請求項８】
前記配線基板は、前記ベース基板に対して絶縁性の接着剤を介して接合されている請求項１ないし７のいずれか１項に記載の配線構造体。
【請求項９】
前記配線基板は、シリコンで構成され、
前記傾斜面は、シリコンの結晶面に沿って形成されている請求項１ないし８のいずれか１項に記載の配線構造体。
【請求項１０】
複数の第１端子が形成されたベース基板に、前記ベース基板に対して鋭角をなす傾斜面を有する内壁を備える貫通部が形成された配線基板を接合し、前記第１端子を前記傾斜面から前記貫通部内へ露出させる工程と、
前記第１端子と電気的に接続され、前記内壁に複数の配線を形成する工程と、
制御部が搭載され、前記制御部に電気的に接続された複数の第２端子が形成された基板の前記第２端子と、前記配線とを電気的に接続する工程と、
を有することを特徴とする配線構造体の製造方法。
【請求項１１】
複数の第１端子が形成されたベース基板に、前記ベース基板に対して鋭角をなす傾斜面を有する内壁を備える貫通部を有し前記傾斜面に複数の配線が形成された配線基板を、接合する工程と、
導電性を有する接続材料によって、前記第１端子と前記配線とを電気的に接続する工程と、
制御部が搭載され、前記制御部に電気的に接続された複数の第２端子が形成された基板の前記第２端子と、前記配線と、を電気的に接続する工程と、
を有することを特徴とする配線構造体の製造方法。
【請求項１２】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の配線構造体を備えることを特徴とする液滴吐出ヘッド。
【請求項１３】
請求項１２に記載の液滴吐出ヘッドを備えることを特徴とする液滴吐出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線構造体、配線構造体の製造方法、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液滴を吐出する液滴吐出ヘッドを備える液滴吐出装置は、例えば、画像の形成やマイクロデバイスの配線製造に用いられる。
例えば、圧電駆動方式の液滴吐出ヘッドは、インクを貯留するリザーバーと、リザーバーに連通する複数の圧力発生室と、複数の圧力発生室にそれぞれ連通する複数のノズルと、複数の圧力発生室内の圧力をそれぞれ変化させる複数の圧電素子と、複数の圧電素子を駆動するドライバーＩＣとを備える。
【０００３】
このような液滴吐出ヘッドでは、一般に、特許文献１に開示されているように、圧力発生室が形成された流路形成用基板（ベース基板）の一方の面に、圧電素子と、リザーバーが形成されたリザーバー形成用基板（配線基板）とがそれぞれ接合されている。そして、ドライバーＩＣは、リザーバー形成用基板の流路形成用基板とは反対側の面に接合され、リザーバー形成用基板に設けられた配線を介して、圧電素子に電気的に接続されている。
【０００４】
ここで、ドライバーＩＣと圧電素子との間には、リザーバー形成用基板の厚さに起因する段差が生じており、かかる段差を介して、ドライバーＩＣと圧電素子とを電気的に接続する必要がある。
そこで、特許文献１に記載の液滴吐出ヘッドでは、リザーバー形成用基板の側面を傾斜面とし、その傾斜面に、ドライバーＩＣと圧電素子とを電気的に接続する配線を形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−２８１７６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、近年、より高精細な画像形成や配線製造を実現すべく、ノズル同士間のピッチを小さくすることや配線間のピッチを小さくすることが望まれている。ノズル同士間のピッチや配線間のピッチを小さくすると、それに伴って、圧電素子の端子や各種素子の端子同士のピッチも小さくなる。
しかし、特許文献１に記載の液滴吐出ヘッドでは、配線が形成される面がリザーバー形成用基板の１つの側面であるため、配線同士のピッチの最小部が圧電素子の端子同士のピッチと同程度となってしまう。そのため、圧電素子の端子同士のピッチを小さくすると、配線の形成が難しいという問題があった。
【０００７】
本発明の目的は、ベース基板に形成された複数の端子と、ベース基板に接合された配線基板に形成された複数の配線とを電気的に接続した配線構造体において、複数の配線同士間のピッチを広く確保することのできる配線構造体およびかかる配線構造体の製造方法を提供すること、並びに、かかる配線構造体を備える液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の配線構造体は、複数の第１端子が形成されたベース基板と、
前記ベース基板に接合され、前記ベース基板に対して鋭角をなす傾斜面を有する内壁と、貫通部と、を有する配線基板と、
前記配線基板を介して前記ベース基板に接合され、前記ベース基板側に複数の第２端子が形成された基板と、
前記基板に搭載され、前記複数の第２端子と電気的に接続された制御部と、
前記傾斜面に、前記第１端子と前記第２端子とを電気的に接続する複数の配線を有することを特徴とする。
これにより、第１端子と制御部の間に形成される配線の長さ（配線基板に形成され、第１端子および第２端子を接続する配線の長さと、基板に形成され、第２端子と制御部とを接続する配線の長さの和）を長く確保することができる。そのため、複数の配線同士間のピッチを広く確保することのできる配線構造体を提供することができる。
【０００９】
本発明の配線構造体では、前記制御部は、前記基板の前記配線基板側に搭載されており、前記内壁と前記ベース基板と前記基板とで形成される区域内に配置されているのが好ましい。
これにより、配線構造体の小型化（低背化）を図ることができる。
本発明の配線構造体では、前記内壁は、前記ベース基板に対して鋭角をなす第１傾斜面と、前記ベース基板に対して鋭角をなす第２傾斜面と、前記第１傾斜面と前記第２傾斜面との間に位置し、前記第１傾斜面と前記第２傾斜面とを接続する前記ベース基板に平行な平面と、を有しているのが好ましい。
これにより、内壁の長さを長くすることができるため、配線同士間のピッチをより広く確保することができる。
【００１０】
本発明の配線構造体では、前記配線の前記第１端子側の端部は、前記第１端子と重なっているのが好ましい。
これにより、配線と第１端子との電気的な接続を簡単かつ確実に行うことができる。
本発明の配線構造体では、前記配線は、導電性を有する接続部材を介して前記第１端子と電気的に接続されているのが好ましい。
これにより、配線と第１端子との電気的な接続を簡単かつ確実に行うことができる。
【００１１】
本発明の配線構造体では、前記配線は、前記内壁から前記配線基板の前記基板の前記制御部の搭載面まで延びており、
前記配線基板と前記基板との間に導電性のバンプを介して前記第２端子と電気的に接続されているのが好ましい。
これにより、配線と第２端子との電気的な接続を簡単かつ確実に行うことができる。
【００１２】
本発明の配線構造体では、前記複数の第１端子のピッチよりも、前記複数の第２端子のピッチの方が狭く、
前記複数の配線のうちの少なくとも一部の配線は、
前記傾斜面上にて、前記第１端子側から、前記傾斜面の延在方向に対して隣接する配線とのピッチが狭まる傾斜した延在部分と、
前記第２端子側から、前記傾斜面の延在方向に沿って隣接する配線とのピッチが一定となる延在部分と、を有しているのが好ましい。
これにより、配線同士間のピッチを広く保ちつつ、複数の配線を規則的に形成することができる。
【００１３】
本発明の配線構造体では、前記配線基板は、前記ベース基板に対して絶縁性の接着剤を介して接合されているのが好ましい。
これにより、優れた機械的強度を有する配線構造体となる。
本発明の配線構造体では、前記配線基板は、シリコンで構成され、
前記傾斜面は、シリコンの結晶面に沿って形成されているのが好ましい。
これにより、配線基板を簡単かつ精度よく形成することができる。
【００１４】
本発明の配線構造体の製造方法は、複数の第１端子が形成されたベース基板に、前記ベース基板に対して鋭角をなす傾斜面を有する内壁を備える貫通部が形成された配線基板を接合し、前記第１端子を前記傾斜面から前記貫通部内へ露出させる工程と、
前記第１端子と電気的に接続され、前記内壁に複数の配線を形成する工程と、
制御部が搭載され、前記制御部に電気的に接続された複数の第２端子が形成された基板の前記第２端子と、前記配線とを電気的に接続する工程と、
を有することを特徴とする。
これにより、複数の配線同士間のピッチを広く確保することのできる配線構造体を簡単に製造することができる。
【００１５】
本発明の配線構造体の製造方法は、複数の第１端子が形成されたベース基板に、前記ベース基板に対して鋭角をなす傾斜面を有する内壁を備える貫通部を有し前記傾斜面に複数の配線が形成された配線基板を、接合する工程と、
導電性を有する接続材料によって、前記第１端子と前記配線とを電気的に接続する工程と、
制御部が搭載され、前記制御部に電気的に接続された複数の第２端子が形成された基板の前記第２端子と、前記配線と、を電気的に接続する工程と、
を有することを特徴とする。
これにより、複数の配線同士間のピッチを広く確保することのできる配線構造体を簡単に製造することができる。
【００１６】
本発明の液滴吐出ヘッドは、本発明の配線構造体を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い液滴吐出ヘッドが得られる。
本発明の液滴吐出装置は、本発明の液滴吐出ヘッドを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い液滴吐出装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る液滴吐出ヘッド（配線構造体）を示す斜視図である。
【図２】図１中のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１に示す液滴吐出ヘッドのベース基板および配線基板を説明するための断面図である。
【図４】図１に示す液滴吐出ヘッドの配線パターンを説明するための平面図である。
【図５】図１の液滴吐出ヘッドの変形例を示す断面図である。
【図６】図１に示す液滴吐出ヘッドの製造方法を説明するための断面図である。
【図７】図１に示す液滴吐出ヘッドの製造方法を説明するための断面図である。
【図８】図１に示す液滴吐出ヘッドの製造方法を説明するための断面図である。
【図９】図１に示す液滴吐出ヘッドの製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】図１に示す液滴吐出ヘッドの製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】図１に示す液滴吐出ヘッドの製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】本発明の第２実施形態に係る液滴吐出ヘッドのベース基板および配線基板を説明するための断面図である。
【図１３】図１２に示す液滴吐出ヘッドの製造方法を説明するための断面図である。
【図１４】図１２に示す液滴吐出ヘッドの製造方法を説明するための断面図である。
【図１５】図１２に示す液滴吐出ヘッドの製造方法を説明するための断面図である。
【図１６】本発明の液滴吐出装置の一例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の配線構造体、配線構造体の製造方法、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る液滴吐出ヘッド（配線構造体）を示す斜視図、図２は、図１中のＡ−Ａ線断面図、図３は、図１に示す液滴吐出ヘッドのベース基板および配線基板を説明するための断面図、図４は、図１に示す液滴吐出ヘッドの配線パターンを説明するための平面図、図５は、図１の液滴吐出ヘッドの変形例を示す断面図、図６ないし図１１は、それぞれ、図１に示す液滴吐出ヘッドの製造方法を説明するための断面図である。
【００１９】
なお、図１〜５では、説明の便宜上、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸を図示しており、その図示された各矢印の先端側を「＋（プラス）」、基端側を「−（マイナス）」とする。また、以下の説明では、Ｘ軸に平行な方向を「Ｘ軸方向」、Ｙ軸に平行な方向を「Ｙ軸方向」、Ｚ軸に平行な方向を「Ｚ軸方向」という。また、＋Ｚ軸側を「上」、−Ｚ軸側を「下」ともいう。また、図５ないし図１１は、それぞれ、図３の断面に相当する断面図である。
【００２０】
図１、図２に示す液滴吐出ヘッド（配線構造体）１は、例えば、後述するような液滴吐出装置（印刷装置）１００に搭載されて用いられる。液滴吐出ヘッド１は、ノズル基板２１と、流路形成基板２２と、振動板（ベース基板）２３と、リザーバー形成基板（配線基板）２４と、複数の圧電素子２５と、コンプライアンス基板２６と、ＩＣ搭載基板３１とを有している。
【００２１】
ノズル基板２１、流路形成基板２２、振動板２３、リザーバー形成基板２４およびコンプライアンス基板２６は、図２中下側からこの順に積層されている。また、これらの基板は、隣り合う２つの基板同士が互いに例えば接着剤や熱溶着フィルム等を介して接合されている。
このような構成の液滴吐出ヘッド１は、圧電素子２５が振動板２３を振動させることにより、流路形成基板２２に形成された流路２２１の圧力発生室２２２内の圧力を変化させ、ノズル基板２１に形成された吐出口２１１からインク３００を液滴として吐出するように構成されている。
【００２２】
以下、液滴吐出ヘッド１の各部を順次詳細に説明する。
（ノズル基板）
図２に示すように、ノズル基板２１には、その厚さ方向に貫通する複数の吐出口（ノズル）２１１が形成されている。本実施形態では、この複数の吐出口２１１は、行列状に配置されている。より具体的には、ノズル基板２１は、Ｙ軸方向を長手方向とする長尺状をなしており、複数の吐出口２１１は、ノズル基板２１の長手方向（Ｙ軸方向）にｎ行（ｎは１以上の整数）、幅方向（Ｘ軸方向）に２列に配置されている。
【００２３】
このようなノズル基板２１の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、シリコン材料またはステンレス鋼であるのが好ましい。このような材料は、耐薬品性に優れることから、長時間にわたってインク３００に曝されたとしても、ノズル基板２１が変質・劣化するのを確実に防止することができる。また、これらの材料は、加工性に優れるため、寸法精度の高いノズル基板２１が得られる。このため、信頼性の高い液滴吐出ヘッド１が得られる。
また、このようなノズル基板２１は、例えば、上述したような材料で構成された基板にエッチング、レーザー加工等により吐出口２１１を形成することにより得ることができる。
【００２４】
（流路形成基板）
流路形成基板２２には、各吐出口２１１に向かってインク３００が通過する流路２２１が形成されている。図２に示すように、流路２２１は、複数の圧力発生室２２２と、中継室２２３（連通部）と、複数の圧力発生室２２２をそれぞれ中継室２２３と連通させる複数の連通路２２４（供給路）とを有する。
【００２５】
複数の圧力発生室２２２は、複数の吐出口２１１にそれぞれ対応して設けられている。本実施形態では、複数の圧力発生室２２２は、複数の吐出口２１１にそれぞれ対応して、Ｙ軸方向にｎ行（ｎは１以上の整数）、Ｘ軸方向に２列に配置されている。
中継室２２３は、圧力発生室２２２に対してインク３００の流通方向での上流側に設けられている。そして、圧力発生室２２２と中継室２２３との間に連通路２２４が設けられている。
【００２６】
このような流路形成基板２２の構成材料としては、特に限定されず、例えば、前述したノズル基板２１の構成材料と同じ材料を用いることができる。
また、このような流路形成基板２２は、例えば、上述したような材料で構成された基板にエッチングにより流路２２１を形成することにより得ることができる。
【００２７】
（振動板）
振動板２３は、その厚さ方向に振動可能に構成されている。また、振動板２３は、その一部が圧力発生室２２２に臨んでいる。すなわち、振動板２３の一部は、圧力発生室２２２を区画形成する壁部の一部を構成している。これにより、振動板２３が振動することにより、圧力発生室２２２内の圧力が変化して、当該圧力発生室２２２から吐出口２１１を介してインク３００を液滴として吐出することができる。
【００２８】
また、振動板２３は、流路形成基板２２側から順に弾性膜２３１と下電極膜２３２とを積層して構成されている。
弾性膜２３１は、例えば１〜２μｍ程度の厚さの酸化シリコン膜で構成されている。また、下電極膜２３２は、例えば０．２μｍ程度の厚さの金属膜で構成されている。この下電極膜２３２は、複数の圧電素子２５の共通電極としても機能する。
【００２９】
下電極膜２３２の構成としては、導電性を有していれば、特に限定されず、例えば、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｕ等の各種金属材料および合金を用いることができる。下電極膜２３２のより具体的な構成としては、例えば、Ｎｉ−Ｃｒ系合金で構成された下地層にＡｕ（またはＡｕ系合金）で構成された電極層を積層した構成や、Ｔｉ−Ｗ系合金で構成された下地層にＣｕ（またはＣｕ系合金）で構成された電極層を積層した構成が挙げられる。
【００３０】
（リザーバー形成基板）
図３に示すように、リザーバー形成基板２４は、絶縁性の接着剤３６を介して振動板２３に接合されている。これにより、液滴吐出ヘッド１の機械的強度の向上を図ることができる。ここで、接着剤３６は、後述する貫通部２４６内にはみ出して設けられるのが好ましい。また、接着剤３６の厚みは、特に限定されないが、例えば、１μｍ程度であるのが好ましい。また、接着剤３６としては、リザーバー形成基板２４と振動板２３とを接着し得る接着性を有するものであれば、特に限定されず、例えば、樹脂材料（特に硬化性樹脂）を含む樹脂組成物を用いることができる。この樹脂組成物には、絶縁性のフィラーが含まれていてもよい。
【００３１】
リザーバー形成基板２４には、インク３００を一時的に貯留する複数のリザーバー２４１が、前述した流路形成基板２２の複数の流路２２１にそれぞれ連通して形成されている。図２に示すように、リザーバー２４１は、第１室（リザーバー部）２４２と、第２室（導入路）２４３と、第１室２４２と第２室２４３とを連通させる連通路２４４とを有している。
【００３２】
第１室２４２は、流路形成基板２２の流路２２１の中継室２２３に連通している。なお、振動板２３は、第１室２４２と中継室２２３との間にて欠損しており、これにより、第１室２４２と中継室２２３とが連通している。第２室２４３は、第１室２４２に対してインク３００の流通方向での上流側に設けられている。そして、第１室２４２と第２室２４３との間に、連通路２４４が設けられている。なお、液滴吐出ヘッド１では、中継室２２３がリザーバー２４１の一部を構成しているということもできる。
また、リザーバー形成基板２４には、複数の圧電素子２５を収納する圧電素子収納室２４５が形成されている。この圧電素子収納室２４５は、リザーバー２４１と独立して形成されている。
【００３３】
また、リザーバー形成基板２４には、その厚さ方向に貫通する貫通部２４６が形成されている。この貫通部２４６は、ＩＣパッケージ３３を収容する収容空間Ｓとして機能する。また、貫通部２４６のＸ軸方向に対向する一対の内壁２４７は、それぞれ、板面（ＸＹ平面）に対して傾斜し、振動板２３に対して鋭角をなす第１傾斜面２４７ａおよび第２傾斜面２４７ｂと、第１、第２傾斜面２４７ａ、２４７ｂを連結し、板面（振動板２３）とほぼ平行な平面２４７ｃとを有している。第１傾斜面２４７ａは、その下端にて、リザーバー形成基板２４の下面と接続し、上端にて、平面２４７ｃと接続している。また、第２傾斜面２４７ｂは、その上端にて、リザーバー形成基板２４の上面と接続し、下端にて、平面２４７ｃに接続している。
【００３４】
第１傾斜面２４７ａの幅（Ｘ軸方向長さ）としては、特に限定されないが、５０μｍ以上、２００μｍ以下程度であるのが好ましく、１００μｍ以上、１５０μｍ以下程度であるのがより好ましい。また、第２傾斜面２４７ｂの幅としては、特に限定されないが、５０μｍ以上、２００μｍ以下程度であるのが好ましく、１００μｍ以上、１５０μｍ以下程度であるのがより好ましい。また、平面２４７ｃの幅としては、特に限定されないが、５００μｍ以上、１５００μｍ以下程度であるのが好ましく、７００μｍ以上、１０００μｍ以下程度であるのがより好ましい。これにより、内壁２４７の幅を適度に広くすることができ、後述するように、配線パターン２８の形成が容易となる。
【００３５】
また、第１、第２傾斜面２４７ａ、２４７ｂの板面に対する角度θ１としては、特に限定されないが、５０〜６０°程度であるのが好ましく、５４〜５５°程度であるのがより好ましい。これにより、内壁２４７の幅を適度に抑えつつ後述する配線パターン２８の形成を正確かつ容易に行うことができる。なお、角度θ１が上記下限値未満であると、貫通部２４６の高さによっては、内壁２４７の幅が広くなり過ぎ、液滴吐出ヘッド１の過度な大型化を招くおそれがある。一方、角度θ１が上記上限値を超えると、角度がきつくなり過ぎて、液滴吐出ヘッド１の製造方法等によっては、配線パターン２８の形成が困難になる場合がある。
【００３６】
内壁２４７およびその近傍には、帯状の複数の配線２８１が形成されており、この複数の配線２８１が、ＩＣパッケージ３３と複数の圧電素子２５とを電気的に接続する配線パターン２８を構成する。
【００３７】
リザーバー形成基板２４は、シリコンで構成され、第１、第２傾斜面２４７ａ、２４７ｂは、それぞれ、シリコンの結晶面に沿って形成されていることが好ましい。これにより、第１、第２傾斜面２４７ａ、２４７ｂを高い寸法精度で形成することができる。例えば、面方位（１００）のシリコン基板をＫＯＨ、硝酸等のエッチング液を用いてウエットエッチング（異方性エッチング）することにより、リザーバー形成基板２４の第１、第２傾斜面２４７ａ、２４７ｂを形成した場合、第１、第２傾斜面２４７ａ、２４７ｂをそれぞれシリコンの（１１１）面で構成することができ、角度θ１を約５４．７°とすることができる。ただし、リザーバー形成基板２４は、シリコンで構成されていなくてもよく、例えば、ガラス材料等の絶縁性材料で構成されていてもよい。
【００３８】
以上のような構成のリザーバー形成基板２４の表面（少なくとも、配線パターン２８が形成される面）には、図示しない絶縁膜が形成されている。例えば、リザーバー形成基板２４がシリコンで構成されている場合、熱酸化によりシリコン酸化膜を絶縁膜として形成することができる。このような絶縁膜が形成されていることにより、配線２８１間の短絡を防止することができる。
【００３９】
（圧電素子）
図２に示すように、複数の圧電素子２５は、それぞれ、前述した流路形成基板２２とリザーバー形成基板２４との間（圧電素子収納室２４５）に配されている。また、複数の圧電素子２５は、前述した複数の吐出口２１１および複数の圧力発生室２２２にそれぞれ対応して設けられている。
【００４０】
各圧電素子２５は、下電極膜２３２側から順に圧電体膜２５１と、上電極膜２５２とを積層して構成されている。なお、前述したように、下電極膜２３２が複数の圧電素子２５の共通電極としても機能することから、複数の圧電素子２５は、下電極膜２３２と複数の圧電体膜２５１と複数の上電極膜２５２とで構成されているということもできる。
また、各上電極膜２５２には、端子（第１端子）２７が電気的に接続されている。端子２７は、上電極膜２５２上から圧電体膜２５１の側面上を経由して振動板２３の弾性膜２３１上に延びている。そして、端子２７の上電極膜２５２とは反対側の端部２７１は、前述したリザーバー形成基板２４の貫通部２４６内に臨んでいる。
【００４１】
このような各圧電素子２５では、上電極膜２５２と下電極膜２３２との間に電圧を印加することにより、圧電体膜２５１が圧電効果により変形する。この変形により、振動板２３をその厚さ方向に振動させることができる。
上電極膜２５２および端子２７の構成としては、導電性を有していれば、特に限定されず、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｕ等の各種金属材料および合金を用いることができる。上電極膜２５２および端子２７のより具体的な構成としては、例えば、Ｎｉ−Ｃｒ系合金で構成された下地層にＡｕ（またはＡｕ系合金）で構成された電極層を積層した構成や、Ｔｉ−Ｗ系合金で構成された下地層にＣｕ（またはＣｕ系合金）で構成された電極層を積層した構成が挙げられる。
【００４２】
（コンプライアンス基板）
コンプライアンス基板２６は、リザーバー形成基板２４側から順に封止膜２６１と固定板２６２とを積層して構成されている。
封止膜２６１は、可撓性を有する材料（例えば、厚さ６μｍ程度のポリフェニレンスルフィドフィルム）で構成されている。この封止膜２６１の一部は、リザーバー２４１に臨んでいる。また、固定板２６２は、金属材料等のような比較的硬質の材料（例えば、厚さ３０μｍ程度のステンレス鋼）で構成されている。この固定板２６２には、封止膜２６１のリザーバー２４１に臨む部分に対応する領域が欠損した欠損部２６３が形成されている。
また、コンプライアンス基板２６には、封止膜２６１と固定板２６２とを一括して貫通する導入口２６４が形成されている。導入口２６４は、リザーバー２４１に連通しており、当該リザーバー２４１にインク３００を導入する部分である。
【００４３】
（ＩＣ搭載基板）
ＩＣ搭載基板３１は、基板３２と、基板３２に搭載されたＩＣパッケージ（制御部）３３とを有している。また、基板３２の下面には、複数の配線３４１を有する配線パターン３４が形成されている。また、複数の配線３４１は、複数の配線２８１にそれぞれ対応して設けられている。そして、各配線３４１は、その一方側の端部に設けられた端子（第２端子）３４１ａにて、対応する配線２８１に電気的に接続され、他方側の端部に設けられた端子３４１ｂにて、ＩＣパッケージ３３と電気的に接続されている。対応する端子３４１ａと配線２８１との接続は、基板３２とリザーバー形成基板２４との間に設けられた導電性のバンプ３５を介して行われる。
【００４４】
なお、バンプ３５の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、錫−鉛系、錫−銀系、錫−亜鉛系、錫−ビスマス系、錫−アンチモン系、錫−銀−ビスマス系、錫−銅系、錫−銀−銅系等の各種ろう材（半田）や、金を用いることができる。
また、基板３２は、リザーバー形成基板２４の上面側から配線パターン２８を覆うように設けられている。また、基板３２とリザーバー形成基板２４との間には、接着剤（充填剤）２９が充填されている。これにより、基板３２をリザーバー形成基板２４に対して固定するとともに、配線パターン２８を外部から遮断して保護することができる。その結果、配線パターン２８の腐食や劣化等を防止することができる。
【００４５】
図２に示すように、ＩＣパッケージ３３は、基板３２の下面に搭載されており、貫通部２４６内（貫通部２４６、基板３２および振動板２３で形成される空間内）に収容されている。このように、ＩＣパッケージ３３を貫通部２４６内に収容することによって、ＩＣパッケージ３３の外部への突出が防止されるため、液滴吐出ヘッド１の小型化（特に、低背化）を図ることができる。特に、前述したように、貫通部２４６の内壁２４７がその途中に平面２４７ｃを有しているため、貫通部２４６の横幅および高さを抑えつつ、貫通部２４６内にＩＣパッケージ３３を収容するスペースを確保することができる。そのため、より効果的に液滴吐出ヘッド１の小型化を図ることができる。
【００４６】
ＩＣパッケージ３３は、複数の圧電素子２５を駆動する機能を有する。図２および図３に示すように、ＩＣパッケージ３３は、電子回路（半導体素子）３３１と、電子回路３３１を収納するケーシング（パッケージ）３３２と、ケーシング３３２から突出し、電子回路３３１と接続された複数の端子３３３とを有している。ＩＣパッケージ３３は、複数の端子３３３を介して基板３２に固定され、また、複数の端子３３３を介して複数の配線３４１と電気的に接続されている。
【００４７】
電子回路３３１は、例えば、半導体で構成され、圧電素子２５を駆動するための駆動回路が含まれている。ケーシング３３２は、小片状または板状をなし、その内部に電子回路３３１を収納している。ケーシング３３２の構成材料としては、特に限定されず、例えば、各種樹脂材料、各種金属材料またはセラミックス等が挙げられる。また、各端子３３３の構成材料としては、特に限定されず、例えば、金や銅等のような電気抵抗が比較的小さい金属材料を用いることができる。
【００４８】
（配線パターン）
配線パターン２８が有する複数の配線２８１は、内壁２４７およびその近傍に形成されている。内壁２４７は、リザーバー形成基板２４の上面側を向いており、複数の配線２８１は、それぞれ、リザーバー形成基板２４の上側を向く面に設けられているので、当該面側から気相成膜を用いて容易に形成することができる。
【００４９】
図１および図４に示すように、複数の配線２８１は、Ｙ軸方向に並んで配置されている。また、各配線２８１は、対応する端子２７（端部２７１）とバンプ３５とを電気的に接続するように形成されている。このような各配線２８１は、リザーバー形成基板２４の上面（ＩＣ搭載基板３１の搭載面）２４８に形成され、対応するバンプ３５に接続されている端子部２８１ａと、端子２７上に形成された接続部２８１ｃと、端子部２８１ａと接続部２８１ｃとを連結し、内壁２４７に形成された配線部２８１ｂとを有している。すなわち、各配線２８１は、リザーバー形成基板２４の上面上から内壁２４７上を経由して端子２７上に延びて形成されており、これにより、対応する端子２７とバンプ３５とを電気的に接続している。このように、上面２４８に端子部２８１ａを設けることにより、配線２８１とバンプ３５との電気的な接続を確実かつ容易に行うことができる。また、端子２７上に（端子２７に重ねて）接続部２８１ｃを設けることによって、端子２７と配線２８１との電気的な接続を確実かつ容易に行うことができる。
【００５０】
ここで、液滴吐出ヘッド１では、ＩＣパッケージ３３の端子３３３のピッチ（Ｙ軸方向で隣り合う一対の端子３３３の中心間距離）が、端子２７の端部２７１のピッチよりも狭くなっているため、これに合わせて、複数の配線２８１の端子部２８１ａのピッチ（Ｙ軸方向に隣接する一対の端子部２８１ａの中心間距離）ｐ１が、接続部２８１ｃのピッチ（Ｙ軸方向に隣接する一対の接続部２８１ｃの中心間距離）ｐ２よりも狭くなっている。なお、ピッチｐ１は、例えば、３５μｍ程度であり、ピッチｐ２は、例えば、４２μｍ程度である。そのため、複数の配線２８１は、接続部２８１ｃから端子部２８１ａに向けて中央に集中するようにして形成されている。
【００５１】
具体的には、各配線２８１（中央に位置する直線的な配線２８１’を除く）の配線部２８１ｂは、接続部２８１ｃから内壁２４７の延在方向（ＸＹ平面視でのＸ軸方向）に対して傾斜して延在する傾斜部（延在部分）２８１ｂ’と、傾斜部２８１ｂ’の先端から延出し、内壁２４７の延在方向（Ｘ軸方向）に沿って延在する平行部（延在部分）２８１ｂ”とを有している。傾斜部２８１ｂ’での配線部２８１ｂのピッチは、上面２４８側へ向けて漸減しており、平行部２８１ｂ”での配線部２８１ｂのピッチは、ほぼ一定である。また、各配線部２８１ｂの傾斜部２８１ｂ’と平行部２８１ｂ”の境界を結ぶ線Ｌは、中央部に角を有する略Ｖ字状をなしている。配線２８１をこのような構成とすることによって、配線２８１同士間のピッチを広く保ちつつ、複数の配線２８１を規則的に形成することができる。
【００５２】
前述したように、内壁２４７は、第１傾斜面２４７ａ、第２傾斜面２４７ｂおよび平面２４７ｃで構成されており、その幅（Ｘ軸方向の長さ）が十分に広くなるように構成されている。そのため、各配線２８１の長さを長くすることができるとともに、内壁２４７の平面視での配線２８１ｂ（傾斜部２８１ｂ’）とＹ軸のなす角度θ２を大きくすることができる。角度θ２を大きくすることによって、各配線２８１の傾斜部２８１ｂ’のピッチｐ３を広くすることができる。そのため、複数の配線２８１間での短絡を防止することができる。また、ピッチｐ３が広くなる分、配線パターン２８の形成が容易となるとともに、配線パターン２８を高精度に形成することができる。そのため、信頼性の高い液滴吐出ヘッド１が得られる。
【００５３】
各配線２８１の構成としては、導電性を有していれば、特に限定されず、例えば、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｕ等の各種金属材料および合金を用いることができる。また、各配線２８１の具体的な構成としては、例えば、Ｎｉ−Ｃｒ系合金で構成された下地層にＡｕ（またはＡｕ系合金）で構成された電極層を積層した構成や、Ｔｉ−Ｗ系合金で構成された下地層にＣｕ（またはＣｕ系合金）で構成された電極層を積層した構成が挙げられる。
【００５４】
また、各配線２８１の形成方法としては、特に限定されず、例えば、公知の各種成膜法を用いることができる。例えば、各配線２８１が下地層と電極層との積層構造を有する場合、下地層および電極層を共にスパッタリング等の気相成膜法で形成してもよいし、下地層をスパッタリング等の気相成膜法で形成し、電極層を無電解メッキにより形成してもよい。
以上、本実施形態の液滴吐出ヘッド１について説明した。このような液滴吐出ヘッド１にとれば、配線２８１の長さを長く確保することができるため、配線２８１同士間のピッチを広く確保することができる。
【００５５】
さらに、ＩＣ搭載基板３１側の基板３２の下面に形成された複数の配線３４１を有する配線パターン３４も、複数の配線２８１と同様に、端子３４１ａから端子３４１ｂに向かい配線ピッチが狭くなるように形成してもよい。これにより、ＩＣパッケージ３３は、複数の端子３３３のピッチをさらに狭くすることができるため、ＩＣパッケージの小型化によるコストダウンが可能となる。
【００５６】
なお、本実施形態の液滴吐出ヘッド１では、ＩＣパッケージ３３が基板３２の下面に搭載されている構成について説明したが、液滴吐出ヘッド１の構成としては、これに限定されず、例えば、図５に示すように、ＩＣパッケージ３３が基板３２の上面に搭載されていてもよい。この場合には、配線３４１を基板３２の上面に形成し、基板３２に形成された貫通電極３４２によって、基板３２の下面に引き出せばよい。
【００５７】
また、本実施形態の液滴吐出ヘッド１では、各配線２８１（配線２８１’を除く）の配線部２８１ｂが傾斜部２８１ｂ’と平行部２８１ｂ”とを有しているが、各配線部２８１ｂの構成としては、これに限定されず、例えば、平行部２８１ｂ”を無くして傾斜部２８１ｂ’のみで構成されていてもよい。また、本実施形態の液滴吐出ヘッド１では、複数の配線２８１が、中央に位置する配線２８１’へ集まるようにして形成されているが、配線パターン２８としては、これに限定されず、例えば、複数の配線２８１が一端側に位置する配線２８１へ集まるようにして形成されていてもよい。
【００５８】
次に、液滴吐出ヘッド１の製造方法について説明する。
液滴吐出ヘッド１の製造方法は、少なくとも、複数の端子２７が形成された基板２３００に、傾斜面を有する内壁２４７を備える貫通部２４６が形成されたリザーバー形成基板２４を接合する工程と、端子２７と電気的に接続され、内壁２４７を跨いでリザーバー形成基板２４の上面２４８まで引き出された複数の配線２８１を形成する工程と、ＩＣパッケージ３３が搭載され、ＩＣパッケージ３３に電気的に接続された複数の端子３４１ａが形成された基板３２をリザーバー形成基板２４に接合し、複数の配線２８１と複数の端子３４１ａとをバンプ３５を介して電気的に接続する工程とを有している。以下、この製造方法について詳細に説明する。
【００５９】
まず、図６（ａ）に示すように、弾性膜２３１０と下電極膜２３２０との積層体として構成され、後に振動板２３となる基板２３００と、後に流路形成基板２２となる基板２２００との積層体（ベース基板）を用意する。次に、図６（ｂ）に示すように、下電極膜２３２０をパターニングして下電極膜２３２を形成し、その後、例えば、フォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いて、基板２３００上に圧電素子２５および端子２７を形成する。次に、図６（ｃ）に示すように、リザーバー形成基板２４を用意し、接着剤３６を介して、基板２３００の上面に接合する。この際、接着剤３６は、貫通部２４６内にはみ出すように設ける。また、この状態では、端子２７が内壁２４７の下側を通過して貫通部２４６内に露出している。
【００６０】
なお、リザーバー形成基板２４は、例えば、次のようにして製造することができる。まず、図７（ａ）に示すように、面方位（１００）のシリコン基板２４００を用意する。次に、図７（ｂ）に示すように、シリコン基板２４００の表面を熱酸化して、シリコン基板２４００の表面にＳｉＯ２膜２４０１を形成し、さらに、フォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いて、ＳｉＯ２膜２４０１の一部を除去する。次に、図７（ｃ）に示すように、ＳｉＯ２膜２４０１をマスクとして用いて、シリコン基板２４００を例えばＫＯＨでウエットエッチング（ハーフエッチング）し、上面に開放する有底の凹部２４０２を形成する。次に、図７（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いて、ＳｉＯ２膜２４０１の一部をさらに除去する。次に、図８（ａ）に示すように、ＳｉＯ２膜２４０１をマスクとして用いて、シリコン基板２４００をＫＯＨでウエットエッチングし、凹部２４０２の側面を広げ、凹部２４０２の底面を貫通する貫通孔２４０３を形成する。これにより、第１、第２傾斜面２４７ａ、２４７ｂおよび平面２４７ｃを有する内壁２４７を備える貫通部２４６が形成される。
【００６１】
次に、図８（ｂ）に示すように、例えば、上述の貫通部２４６の形成と同様にして、リザーバー２４１（図示せず）および圧電素子収納室２４５を形成する。その後、再び、シリコン基板２４００の表面を熱酸化し、シリコン基板２４００の表面にＳｉＯ２膜２４０１を形成ことによって、図８（ｃ）に示すリザーバー形成基板２４が得られる。このような方法によれば、第１、第２傾斜面２４７ａ、２４７ｂは、シリコンの（１１１）面で構成されるため、板面に対する傾きが約５４．７°となる。
【００６２】
次に、図９（ａ）に示すように、例えば、スパッタ等によって、リザーバー形成基板２４の上面２４８、内壁２４７および弾性膜２３１０の貫通部２４６内に露出している部分に、後に配線２８１となる金属膜２８００を形成する。この際、前述したように、接着剤３６が貫通部２４６内にはみ出していることによって、接着剤３６の表面にも金属膜２８００を成膜することができるため、内壁２４７と振動板２３の境界部にも確実に金属膜２８００を成膜することができる。そのため、前記境界部での配線２８１の断線を効果的に防止することができる。金属膜２８００の構成は、特に限定されず、例えば、Ｎｉ−Ｃｒ合金層とＡｕ層の積層体とすることができる。次に、フォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いて、金属膜２８００をパターニングし、図９（ｂ）に示すように、複数の配線２８１を形成する。
【００６３】
次に、図９（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いて、基板２２００と弾性膜２３１０とを順にパターニングし、振動板２３および流路形成基板２２を得る。次に、図１０（ａ）に示すように、流路形成基板２２の下面にノズル基板２１を接合するとともに、リザーバー形成基板２４の上面にコンプライアンス基板２６を接合する。次に、図１０（ｂ）に示すように、バンプ３５が設けられたＩＣ搭載基板３１を用意し、図１０（ｃ）に示すように、バンプ３５を介して、ＩＣ搭載基板３１をリザーバー形成基板２４に接合する。最後に、図１１に示すように、貫通部２４６内に接着剤２９を充填することによって、液滴吐出ヘッド１が得られる。
このような液滴吐出ヘッド１の製造方法によれば、信頼性の高い液滴吐出ヘッド１を形成することができる。
【００６４】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の液滴吐出ヘッドの第２実施形態について説明する。
図１２は、本発明の第２実施形態に係る液滴吐出ヘッドのベース基板および配線基板を説明するための断面図、図１３ないし図１５は、それぞれ、図１２に示す液滴吐出ヘッドの製造方法を説明するための断面図である。
【００６５】
以下、第２実施形態の液滴吐出ヘッドについて、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本発明の第２実施形態にかかる液滴吐出ヘッドは、端子と配線との接続方法が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した第１実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【００６６】
図１２に示すように、本実施形態の液滴吐出ヘッド１では、配線２８１は、内壁２４７の下端部までしか形成されておらず、端子２７と接触していない。そして、配線２８１および端子２７を跨ぐようにして導電性の接続部材３７が形成されており、この接続部材３７によって、端子２７と配線２８１とが電気的に接続されている。このような構成によっても、第１実施形態と同様に、端子２７と配線２８１との電気的な接続を確実かつ容易に行うことができる。なお、接続部材３７の構成材料としては、導電性を有していれば、特に限定されず、例えば、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｕ等の各種金属材料を用いることができる。また、接続部材３７の製造方法としては、特に限定されないが、例えば、無電解めっき法を用いるのが好ましい。これにより、接続部材３７を容易に形成することができる。
【００６７】
次に、本実施形態の液滴吐出ヘッド１の製造方法について説明する。
液滴吐出ヘッド１の製造方法は、少なくとも、複数の端子２７が形成された基板２３００に、基板２３００に対して鋭角をなす傾斜面を内壁２４７として備える貫通部２４６を有し、内壁２４７から上面２４８へ引き出された複数の配線２８１が形成されたリザーバー形成基板２４を接合する工程と、接続部材３７によって、端子２７と配線２８１とを電気的に接続する工程と、ＩＣパッケージ３３が搭載された基板３２を、基板２３００と反対側からリザーバー形成基板２４に接合し、複数の配線２８１と複数の端子３４１ａとを電気的に接続する工程とを有している。以下、このような液滴吐出ヘッド１の製造方法について詳細に説明する。
【００６８】
まず、図１３（ａ）に示すように、弾性膜２３１０と下電極膜２３２０との積層体として構成され、後に振動板２３となる基板２３００と、後に流路形成基板２２となる基板２２００との積層体を用意する。次に、図１３（ｂ）に示すように、下電極膜２３２０をパターニングして下電極膜２３２を形成するとともに、基板２３００上に圧電素子２５および端子２７を形成する。
【００６９】
次に、図１３（ｃ）に示すように、リザーバー形成基板２４を用意し、リザーバー形成基板２４上に配線２８１を形成する。なお、リザーバー形成基板２４の形成および配線２８１の形成は、前述した第１実施形態と同様の方法を用いることができる。次に、図１４（ａ）に示すように、接着剤３６を介して、リザーバー形成基板２４を基板２３００の上面に接合する。この際、接着剤３６は、貫通部２４６内にはみ出すように設けるのが好ましい。また、配線２８１と端子２７とは接触していない。
【００７０】
次に、前述の工程によって得られた積層体を無電解めっき液に浸漬し、端子２７および配線２８１上に金属膜を析出させることによって接続部材３７を形成する。端子２７と配線２８１とは、接着剤３６の厚み分だけ離間しているが、接続部材３７が端子２７と配線２８１とに跨って形成されるため（具体的には、端子２７上に析出した接続部材３７と、配線２８１上に析出した接続部材３７とが繋がるため）、接続部材３７を介して端子２７と配線２８１とが電気的に接続される。なお、接続部材３７の構成としては、特に限定されないが、例えば、Ｎｉ層、Ｐｄ層、Ａｕ層を順に積層した積層構造とすることができる。
【００７１】
次に、フォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いて、基板２２００と弾性膜２３１０とを順にパターニングし、図１４（ｃ）に示すように、振動板２３および流路形成基板２２を得る。次に、図１５（ａ）に示すように、流路形成基板２２の下面にノズル基板２１を接合するとともに、リザーバー形成基板２４の上面にコンプライアンス基板２６を接合する。次に、バンプ３５が設けられたＩＣ搭載基板３１を用意し、図１５（ｂ）に示すように、バンプ３５を介して、ＩＣ搭載基板３１をリザーバー形成基板２４に接合する。最後に、図１５（ｃ）に示すように、貫通部２４６内に接着剤２９を充填することによって、液滴吐出ヘッド１が得られる。
このような液滴吐出ヘッド１の製造方法によれば、信頼性の高い液滴吐出ヘッド１を形成することができる。
【００７２】
次に、本発明の液滴吐出装置の一例として、前述した液滴吐出ヘッド１を備えた液滴吐出装置１００について説明する。
図１６は、本発明の液滴吐出装置の一例を示す斜視図である。
図１６に示す液滴吐出装置１００（印刷装置）は、記録媒体２００にインクジェット方式で印刷する印刷装置である。この液滴吐出装置１００は、装置本体５０と、液滴吐出ヘッド１が搭載された記録ヘッドユニット２０Ａおよび２０Ｂと、インク３００を供給するインクカートリッジ３０Ａおよび３０Ｂと、記録ヘッドユニット２０Ａおよび２０Ｂを搬送するキャリッジ４０と、キャリッジ４０を移動させる移動機構７０と、キャリッジ４０を移動可能に支持する（案内する）キャリッジ軸６０とを備えている。
【００７３】
インクカートリッジ３０Ａは、記録ヘッドユニット２０Ａに着脱自在に装着され、その装着状態で記録ヘッドユニット２０Ａにインク３００（ブラックインク組成物）を供給することができる。
インクカートリッジ３０Ｂも、記録ヘッドユニット２０Ｂに着脱自在に装着され、その装着状態で記録ヘッドユニット２０Ｂにインク３００（カラーインク組成物）を供給することができる。
【００７４】
移動機構７０は、駆動モーター７０１と、駆動モーター７０１に連結されたタイミングベルト７０２とを有している。そして、駆動モーター７０１の駆動力（回転力）がタイミングベルト７０２を介してキャリッジ４０に伝達されることにより、キャリッジ４０を記録ヘッドユニット２０Ａおよび２０Ｂごとキャリッジ軸６０方向に沿って移動させることができる。
【００７５】
また、装置本体５０には、キャリッジ軸６０の下側にその軸方向に沿ってプラテン８０が設けられている。図示しない給紙ローラーなどにより給紙された記録媒体２００がプラテン８０上に搬送されるようになっている。そして、プラテン８０上で記録媒体２００に対してインク３００が吐出されて印刷が施される。
このような液滴吐出装置によれば、高精細な液滴吐出を実現することができる。
【００７６】
以上、本発明の配線構造体、配線構造体の製造方法、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置を図示の実施形態について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、配線構造体、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物が付加されていてもよい。
また、前述した実施形態では、本発明の配線構造体を液滴吐出ヘッドに適用した例を説明したが、本発明の配線構造体は、これに限定されず、ベース基板に形成された複数の端子と、ベース基板に接合された配線基板の側面に形成された複数の配線とを電気的に接続したものであれば、各種配線構造体に適用可能である。
【００７７】
また、前述した実施形態では、液滴吐出蔵置が印刷用紙等のような記録媒体にインクを液滴として吐出して印刷を施すよう構成された場合を例に説明したが、本発明の液滴吐出装置は、これに限定されず、例えば、液晶表示デバイス形成用材料を液滴として吐出して液晶表示デバイス（液晶表示装置）を製造したり、有機ＥＬ形成用材料を液滴として吐出して有機ＥＬ表示デバイス（有機ＥＬ装置）を製造したり、配線パターン形成用材料を液滴として吐出して電子回路の配線パターンを形成して回路基板を製造することもできる。
【符号の説明】
【００７８】
１……液滴吐出ヘッド  ２１……ノズル基板  ２１１……吐出口  ２２……流路形成基板  ２２１……流路  ２２２……圧力発生室  ２２３……中継室  ２２４……連通路  ２３……振動板  ２３１……弾性膜  ２３２……下電極膜  ２４……リザーバー形成基板  ２４１……リザーバー  ２４２……第１室  ２４３……第２室  ２４４……連通路  ２４５……圧電素子収納室  ２４６……貫通部  ２４７……内壁  ２４７ａ……第１傾斜面  ２４７ｂ……第２傾斜面  ２４７ｃ……平面  ２４８……上面  ２５……圧電素子  ２５１……圧電体膜  ２５２……上電極膜  ２６……コンプライアンス基板  ２６１……封止膜  ２６２……固定板  ２６３……欠損部  ２６４……導入口  ２７……端子  ２７１……端部  ２８……配線パターン  ２８１、２８１’……配線  ２８１ａ……端子部  ２８１ｂ……配線部  ２８１ｂ’……傾斜部  ２８１ｂ”……平行部  ２８１ｃ……接続部  ２９……接着剤  ３１……ＩＣ搭載基板  ３２……基板  ３３……ＩＣパッケージ  ３３１……電子回路  ３３２……ケーシング  ３３３……端子  ３４……配線パターン  ３４１……配線  ３４１ａ……端子  ３４１ｂ……端子  ３４２……貫通電極  ３５……バンプ  ３６……接着剤  ３７……接続部材  １００……液滴吐出装置  ３００……インク  ２２００……基板  ２３００……基板  ２３１０……弾性膜  ２３２０……下電極膜  ２４００……シリコン基板  ２４０１……ＳｉＯ２膜  ２４０２……凹部  ２４０３……貫通孔  ２８００……金属膜  Ｓ……収容空間  ｐ１、ｐ２、ｐ３……ピッチ  θ１、θ２……角度  １００…液滴吐出装置  ２００…記録媒体  ２０Ａ…記録ヘッドユニット  ２０Ｂ…記録ヘッドユニット  ３０Ａ…インクカートリッジ  ３０Ｂ…インクカートリッジ  ４０…キャリッジ  ５０…装置本体  ６０…キャリッジ軸  ７０…移動機構  ７０１…駆動モーター  ７０２…タイミングベルト  ８０…プラテン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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