(57)【要約】【課題】生産性向上を図ることが可能な配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】傾斜した貫通配線１２を有する配線基板１０の製造方法は、ベース５１と複数のピラー５２を有する構造体５０を準備するステップＳ１０と、ピラー５２を傾斜させるステップＳ２０と、ベース５１上に絶縁層１１を形成して、ピラー５２の少なくとも一部を絶縁層１１内に配置するステップＳ３０と、ピラー５２の端部が絶縁層１１の第１２の主面１１２上に位置するように絶縁層１１を研磨するステップＳ４０と、を備えている。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
傾斜した貫通配線を有する配線基板の製造方法であって、
支持部と、前記支持部に設けられた少なくとも一つの柱状部と、を有する構造体を準備する第１の工程と、
前記柱状部を傾斜させる第２の工程と、
前記支持部上に絶縁層を形成して、前記柱状部の少なくとも一部を前記絶縁層内に配置する第３の工程と、
前記柱状部の端部が前記絶縁層の主面上に位置するように前記絶縁層を研磨する第４の工程と、を備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板の製造方法であって、
前記支持部を選択的に除去して、前記貫通配線の端部に接続された導体パターンを前記絶縁層上に形成する第５の工程と、を備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法であって、
前記第２の工程は、複数の前記柱状部に金型を押し付けることで、複数の前記柱状部を実質的に同時に傾斜させることを含み、
前記金型は、中央から外側に向かうに従って相対的に低くなる凸形状の押圧面、又は、中央から外側に向かうに従って相対的に高くなる凹形状の押圧面を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法であって、
前記第２の工程は、前記柱状部に個別に接触している治具を前記柱状部に対して相対的に移動させることで、前記柱状部を傾斜させることを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の配線基板の製造方法であって、
前記治具は、前記柱状部の延在方向に対して傾斜した接触面を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の配線基板の製造方法であって、
複数の前記柱状部は、前記支持体上に格子状に配列されており、
複数の前記柱状部の高さは、前記支持体上において中央から外側に向かうに従って段階的に高くなり、又は、前記支持体上において中央から外側に向かうに従って段階的に低くなるように設定されていることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の配線基板の製造方法であって、
複数の前記柱状部は、実質的に同一のピッチで前記支持体上に配置されていることを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、傾斜した貫通配線を有する配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
傾斜した貫通配線を有する配線基板の製造方法として、傾斜した貫通孔を絶縁基体に形成し、その貫通孔に導体を充填する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−９６２４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の製造方法では、レーザ加工等によって絶縁基体に貫通孔を形成しなければ貫通配線を形成できないため、多くの工数を必要とし生産性に劣るという問題がある。
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、生産性向上を図ることが可能な配線基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
［１］本発明に係る配線基板の製造方法は、傾斜した貫通配線を有する配線基板の製造方法であって、支持部と、前記支持部に設けられた少なくとも一つの柱状部と、を有する構造体を準備する第１の工程と、前記柱状部を傾斜させる第２の工程と、前記支持部上に絶縁層を形成して、前記柱状部の少なくとも一部を前記絶縁層内に配置する第３の工程と、前記柱状部の端部が前記絶縁層の主面上に位置するように前記絶縁層を研磨する第４の工程と、を備えたことを特徴とする。
【０００７】
［２］上記発明において、前記配線基板の製造方法は、前記支持部を選択的に除去して、前記貫通配線の端部に接続された導体パターンを前記絶縁層上に形成する第５の工程と、を備えてもよい。
【０００８】
［３］上記発明において、前記第２の工程は、複数の前記柱状部に金型を押し付けることで、複数の前記柱状部を実質的に同時に傾斜させることを含み、前記金型は、中央から外側に向かうに従って相対的に低くなる凸形状の押圧面、又は、中央から外側に向かうに従って相対的に高くなる凹形状の押圧面を有してもよい。
【０００９】
［４］上記発明において、前記第２の工程は、前記柱状部に個別に接触している治具を前記柱状部に対して相対的に移動させることで、前記柱状部を傾斜させることを含んでもよい。
【００１０】
［５］上記発明において、前記治具は、前記柱状部の延在方向に対して傾斜した接触面を有してもよい。
【００１１】
［６］上記発明において、複数の前記柱状部は、前記支持体上に格子状に配列されており、複数の前記柱状部の高さは、前記支持体上において中央から外側に向かうに従って段階的に高くなり、又は、前記支持体上において中央から外側に向かうに従って段階的に低くなるように設定されていてもよい。
【００１２】
［７］上記発明において、複数の前記柱状部は、実質的に同一のピッチで前記支持体上に配置されていてもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、導電性構造体の柱状部を傾斜させた後に支持部上に絶縁層を形成し、絶縁層内に配置された柱状部を貫通配線として利用するので、絶縁層に貫通孔を形成する工程が不要となり生産性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本発明の実施形態における配線基板を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施形態における配線基板の製造方法を示す工程図である。
【図３】図３（ａ）は、金型押付前の構造体を示す斜視図であり、図３（ｂ）は、金型押付後の構造体を示す斜視図である。
【図４】図４（ａ）〜図４（ｃ）は、図２のステップＳ１１〜Ｓ１３を示す断面図である。
【図５】図５（ａ）〜図５（ｇ）は、図２のステップＳ２０〜Ｓ６０を示す断面図である。
【図６】図６（ａ）及び図６（ｂ）は、第２の金型の第１変形例を示す断面図である。
【図７】図７は、第２の金型の第２変形例を示す断面図である。
【図８】図８（ａ）及び図８（ｂ）は、第２の金型の第３変形例を示す断面図である。
【図９】図９（ａ）及び図９（ｂ）は、図２のステップＳ２０で用いることのできる治具を示す断面図である。
【図１０】図１０（ａ）は、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示す治具の正面図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のX-X線に沿った断面図である。
【図１１】図１１（ａ）は、図９（ａ）のXIA部の拡大図であり、図１１（ｂ）は、図９（ｂ）のXIB部の拡大図である。
【図１２】図１２（ａ）〜図１２（ｄ）は、治具押付過程における構造体の平面図である。
【図１３】図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、治具の配列の変形例を示す断面図である。
【図１４】図１４は、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示す第２の金型を用いて作製された配線基板を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１６】
<<第１実施形態>>
先ず、本実施形態の製造方法によって製造される配線基板１０の構成について、図１を参照しながら説明する。図１は本実施形態における配線基板の断面図である。
【００１７】
本実施形態における配線基板１は、図１に示すように、絶縁層１１と、貫通配線１２と、ランド１３と、レジスト層１４と、半田バンプ１５と、を備えており、例えば、ＩＣデバイス等の電子部品２０が実装されるインタポーザである。なお、本発明に係る配線基板の用途はインタポーザに限定されない。
【００１８】
絶縁層１１は、電気絶縁性を有する樹脂層である。この絶縁層１１を構成する具体的な樹脂材料としては、例えば、ポリイミド（ＰＩ）等の熱硬化型樹脂材料や、エポキシ系樹脂若しくはアクリル系樹脂等の紫外線硬化型樹脂等の樹脂材料等を例示することができる。なお、この絶縁層１１を、樹脂材料に代えて、セラミックスやガラス等で構成してもよい。
【００１９】
この絶縁層１１を複数の貫通配線１２が貫通している。この貫通配線１２は、例えば、銅（Ｃｕ）などの金属材料から構成されている。本実施形態では、絶縁層１１の第１の主面１１１における貫通配線１２の端部１２１のピッチＰ１よりも、絶縁層１１の第２の主面１１２における貫通孔１２の端部１２２のピッチＰ２が広く（Ｐ２＞Ｐ１）なるように、複数の貫通配線１２が絶縁層１１の第１の主面１１１と第２の主面１１２との間を斜めに貫通している。
【００２０】
ランド１３も、貫通配線１２と同様に、例えば、銅（Ｃｕ）等の金属材料から構成されている。このランド１３は、貫通配線１２の上側の端部１２１に対応するように絶縁層１１の第１の主面１１１上に設けられており、当該貫通配線１２の端部１２１と電気的に接続されている。なお、ランド１３に代えて配線パターンを形成したり、ランド１３同士を配線パターンで接続してもよい。本実施形態におけるランド１３や配線パターンが、本発明における導体パターンの一例に相当する。
【００２１】
レジスト層１４は、電気絶縁性を有する樹脂材料から構成されており、絶縁層１１の第１の主面１１１に積層されている。このレジスト層１４には、貫通配線１２の上側の端部１２１に対応するように開口１４１が形成されており、ランド１３は、この開口１４１を介してレジスト層１４から露出している。このランド１３に電子部品２０の半田バンプ２１が接続されることで、電子部品２０が配線基板１０に実装される。
【００２２】
一方、貫通配線１２の下側の端部１２２には半田バンプ１５が設けられている。この半田バンプ１５が他の配線基板の電極等に接続されることで、配線基板１０が当該他の配線基板と電気的に接続される。なお、半田バンプ１５に代えて、貫通配線１２の下側の端部１２２の上にランドや配線パターンを設けてもよいし、そのランドの上に半田バンプを設けてもよい。
【００２３】
以上に説明した配線基板１０の製造方法について、図２〜図５を参照しながら以下に説明する。
【００２４】
図２は本実施形態における配線基板の製造方法を示す工程図、図３（ａ）及び図３（ｂ）は金型押付前後の構造体をそれぞれ示す斜視図、図４（ａ）〜図４（ｃ）は図２のステップＳ１１〜Ｓ１３を示す断面図、図５（ａ）〜図５（ｇ）は図２のステップＳ２０〜Ｓ６０を示す断面図である。
【００２５】
本実施形態では、先ず、図２のステップＳ１０において、配線基板１０を製造するための構造体５０を作製する。本実施形態における構造体５０が、本発明における構造体の一例に相当する。
【００２６】
この構造体５０は、図３（ａ）に示すように、平板状のベース５１と、当該ベース５１の主面５１１上に立設された複数のピラー５２と、を有している。本実施形態におけるベース５１が本発明における支持部の一例に相当し、本実施形態におけるピラー５２が本発明における柱状部の一例に相当する。
【００２７】
それぞれのピラー５２は、例えば、１０［μｍ］〜１００［μｍ］程度の直径の円柱形状を有しており、最も背の低いピラー５２の高さが５００［μｍ］以上となっている。複数のピラー５２がベース５１上で格子状に配列されており、当該複数のピラー５２の高さは、ベース５１上において中央から外側に向かうに従って段階的に高くなるように設定されている。こうした高さ設定を採用することで、配線基板１０の貫通配線１２の下側の端部１２２（図１参照）のピッチＰ２を均一化し易くなる。
【００２８】
さらに、全てのピラー５２が実質的に同一のピッチで配置されており、相互に隣り合うピラー５２同士のピッチは、例えば、ピラー５２の直径の２倍以上に設定されている。これにより、配線基板１０の貫通電極１０の上側の端部１２１（図１参照）のピッチＰ１を均一化することができ、半田バンプ２１が等ピッチに配列された電子部品２０に対応することができる。
【００２９】
なお、上記のピラー５２の本数、形状、配列等は一例に過ぎず、特にこれに限定されない。例えば、全てのピラー５２の高さを実質的に同一としてもよいし、ピラー５２を部分的に立設しない配列としてもよい。
【００３０】
こうした構造体５０は、以下のように形成される。すなわち、先ず、図２のステップＳ１１において、図４（ａ）に示すように、この構造体５０を形成するための第１の金型６０を準備する。
【００３１】
この第１の金型６０は、上述の構造体５０のベース５１とピラー５２に対応した凹部６２を有しており、ナノインプリント法で使用されるインプリントモールドと同様の製法で作製される。
【００３２】
具体的には、特に図示しないが、例えば、フォトリソグラフィによって基材６１にレジストパターンを形成した後に当該基材６１に対してエッチング処理を行うことを複数回繰り返すことで、凹部６２を有する第１の金型６０が形成される。第１の金型６０の基材６１を構成する具体的な材料としては、シリコン、石英、ガラス等を例示することができる。なお、基材６１に対してレーザ加工を行うことで凹部６２を形成してもよく、レーザ光の強度やショット回数を変更することで多様な深さの穴を形成することができる。
【００３３】
次いで、図２のステップＳ１２において、スパッタリングや無電解めっき処理等によって凹部６２内に給電層を形成した後に、図４（ｂ）に示すように、電解銅めっき処理を行うことで凹部６２内に銅（Ｃｕ）を充填する。これにより、第１の金型６０の凹部６２内に構造体５０のベース５１やピラー５２が一体的に形成される。
【００３４】
なお、凹部６２に導電性ペースト等を印刷して充填した後に焼結させることで、凹部６２内に導体を充填してもよい。こうした導電性ペーストの具体例としては、例えば、銅（Ｃｕ）ペーストや銀（Ａｇ）ペースト等を例示することができる。
【００３５】
そして、図２のステップＳ１３において、図４（ｃ）に示すように、構造体５０を第１の金型６０から離型させることで、導電性を有する構造体５０が完成する。
【００３６】
次いで、図２のステップＳ２０において、図５（ａ）に示すように、第２の金型７０の押圧面７１と構造体５０のピラー５２を対向させる。この際、第２の金型７０の押圧面７１の頂点７２と、構造体５０のベース５１の主面５１１の中心と、を実質的に一致させる。
【００３７】
この第２の金型７０は、例えば、ニッケル等の金属材料から構成されており、電鋳等によって作製される。この第２の金型７０の押圧面７１は、同図に示すように、頂点７２から外側に向かうに従って漸次的に低くなる凸状の球面形状を有している。本実施形態における第２の金型７０が、本発明における金型の一例に相当する。
【００３８】
次いで、図５（ｂ）に示すように、この第２の金型７０を構造体５０に押し付けることで複数のピラー５２を折り曲げて塑性変形させた後に、図５（ｃ）に示すように、構造体５０を第２の金型７０から離型させる。この際、第２の金型７０の押圧面７１が上記のような球面形状を有しているので、図３（ｂ）に示すように、複数のピラー５２はベース５１上で放射状（同心円状）に広がるように傾斜する。
【００３９】
なお、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、このステップＳ２０において、凸状の四角錐形状の押圧面７１Ｂを有する第２の金型７０Ｂを用いてもよい。図６（ａ）及び図６（ｂ）は第２の金型の第１変形例を示す図である。この押圧面７１Ｂは、相互に交わる４つの三角形の傾斜面７３Ｂを有しており、それぞれの傾斜面７３Ｂは、押圧面７１Ｂの頂点７２Ｂから外側に向かうに従って漸次的に低くなるように傾斜している。
【００４０】
或いは、このステップＳ２０において、図７に示すような四角錐台形状の押圧面７１Ｃを有する第２の金型７０Ｃを用いてもよい。図７は第２の金型の第２変形例を示す図である。この押圧面７１Ｃは先端に平坦面７２Ｃを有すると共に、相互に交わる４つの三角形の傾斜面７３Ｃを有しており、それぞれの傾斜面７３Ｃは、平坦面７２Ｃから外側に向かうに従って漸次的に低くなるように傾斜している。
【００４１】
こうした第２の金型７０Ｂ，７０Ｃで構造体５０を押圧することで、複数のピラー５２をベース５１上で四方に向かって広がるように折り曲げることができる。
【００４２】
また、このステップＳ２０において、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すような第２の金型７０Ｄを用いてもよい。図８（ａ）及び図８（ｂ）は第２の金型の第３変形例を示す図である。この第２の金型７０Ｄは、四角錐状に凹んだ形状の押圧面７１Ｄを有しており、この押圧面７１Ｄは、中心７２Ｄから外側に向かうに従ってそれぞれ漸次的に高くなる４つの三角形の傾斜面７３Ｄを有している。このため、同図に示すように、この第２の金型７０Ｄが押し付けられたピラー５２は、構造体５０の中心側に向かって傾斜するように折り曲げられる。
【００４３】
特に図示しないが、本実施形態における第２の金型の押圧面が、四角錐台状に凹んだ形状を有してもよいし、球面状に凹んだ形状を有してもよい。
【００４４】
なお、この第２の金型７０Ｄを用いる場合には、ステップＳ１０において、ピラー５２の高さ関係が上述の構造体５０とは反対である構造体５０Ｂを準備することが好ましい。この構造体５０Ｂでは、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、ピラー５２の高さが、ベース５１上において中央から外側に向かうに従って段階的に低くなるように高さが設定されている。
【００４５】
また、図２のステップＳ２０において、第２の金型７０に代えて、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すような治具８０を用いてもよい。
【００４６】
図９（ａ）及び図９（ｂ）はその治具を示す図、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は当該治具の正面図及び断面図、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は図９（ａ）及び図９（ｂ）の拡大図、図１２（ａ）〜図１２（ｄ）は治具押付過程における構造体の平面図、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は治具の配列の変形例を示す図である。
【００４７】
この治具８０は、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示すように、ピラー５２を押圧する押圧部８１を先端に有しており、この押圧部８１は、ピラー５２と接触する傾斜面８２を有している。この傾斜面８２は、ピラー５２の立設方向（すなわち、ベース５１の主面５１１の法線方向）に対して傾斜しており、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示すように、この治具８０を下方に移動させると、傾斜面８２に沿ってピラー５２が押されて傾斜する。なお、治具８０を水平方向に移動させてもよい。本実施形態における治具８０の傾斜面８２が、本発明における治具の接触面の一例に相当する。
【００４８】
この治具８０はピラー５２を個別に折り曲げることができるため、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、複数の治具８０で複数のピラー５２を同時に折り曲げてもよいし、或いは、特に図示しないが、複数のピラー５２を順次折り曲げてもよい。
【００４９】
複数のピラー５２を同時に折り曲げる場合には、先ず、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示すように、格子状に配列されたピラー５２のそれぞれに対して治具８０を位置合わせする。この際、図１２（ｂ）に示すように、それぞれの治具８０の向きも、対応するピラー５２を倒す方向に個別に調整しておく。そして、図１２（ｃ）に示すように、全ての治具８０を斜め下方に移動させて複数のピラー５２を同時に折り曲げた後、図１２（ｄ）に示すように、全ての治具８０をピラー５２から退避させる。
【００５０】
図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、傾斜面８２が外側に向くように複数の治具８０を配列し、当該治具８０によってピラー５２を押圧すると、当該ピラー５２はベース５１上において外側に広がるように折れ曲がる。
【００５１】
一方、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示すように、傾斜面８２が中央に向くように複数の治具８０を配列すると、当該治具８０によって押圧されたピラー５２は、ベース５１上において内側に向くように折れ曲がる。
【００５２】
なお、この図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示す配列の治具８０を用いる場合には、上述の第２の金型７０Ｄの場合と同様に、ピラー５２の高さ関係が上述の構造体５０とは反対である構造体５０Ｂを準備することが好ましい。
【００５３】
以上に説明した治具８０は、ピラー５２を個別に接触すると共に任意の向きに設定することができるので、上述のような配列に限定されず、任意の配列を採用することができる。また、例えば、一部のピラー５２のみに対応するように治具８０を配列し、残りのピラー５２を折り曲げないようにしてもよい。
【００５４】
図２に戻り、同図のステップＳ２０でピラー５２を折り曲げたら、同図のステップＳ３０において、図５（ｄ）に示すように、硬化前の液状の樹脂材料を構造体５０のベース５１の主面５１１上に塗布した後に、当該樹脂材料をオーブンで加熱して硬化させることで絶縁層１１を形成する。これにより、ベース５１上のピラー５２が当該樹脂層１１で覆われる。
【００５５】
なお、絶縁層１１を構成する樹脂材料として紫外線硬化型材料を用いる場合には、このステップＳ３０において紫外線を照射することで樹脂材料を硬化させる。また、樹脂層１１をセラミックスで構成する場合には、セラミックペーストをベース５１上に塗布して焼結させる。また、ゾル・ゲル法を用いることで樹脂層１１をガラスで構成することができる。
【００５６】
なお、第２の金型７０を構造体５０に押し付ける前（図２のステップＳ２０の前）に液状の樹脂材料を構造体５０に塗布しておき、第２の金型７０を構造体５０に押し付けた際に当該第２の金型７０自体を加熱することで、樹脂材料を硬化させて樹脂層１１を形成してもよい。
【００５７】
次いで、図２のステップＳ４０において、絶縁層１１の露出面１１３（絶縁層１１におけるベース５１との接触面に対して反対側の面。図５（ｄ）参照。）を、例えば、ポリッシング、ラッピング、ＣＭＰ、バフ研磨等によって上方から研磨することで、図５（ｅ）に示すように、絶縁層１１の平坦な第２の主面１１２を形成する。この際、ピラー５２も絶縁層１１と共に研磨され、全てのピラー５２の端部が絶縁層１１の第２の主面１１２上で露出する。本実施形態では、絶縁層１１と共に研磨されたピラー５２自体が、配線基板１０の貫通配線１２となる。
【００５８】
次いで、図２のステップＳ５０において、図５（ｆ）に示すように、構造体５０のベース５１に対してパターニングを行うことで、絶縁層１１の第１の主面１１１にランド１３を形成する。なお、図５（ｆ）では、図５（ｅ）に対して上下関係が反転して図示されている。
【００５９】
具体的には、特に図示しないが、ランド１３に対応した形状のレジストパターンを構造体５０のベース５１上にフォトリソグラフィによって形成した後にエッチング処理によってベース５１を選択的に除去することで、絶縁層１１の第１の主面１１１にランド１３を形成する。このランド１３は、ピラー５２と一体的に形成されたベース５１を加工したものであるので、貫通配線１２の一方の端部１２１（図１参照）に一体的に接続されている。
【００６０】
ランド１３上からレジストパターンを除去したら、図５（ｇ）に示すように、図２のステップＳ６０において、ランド１３が露出するようにレジスト層１４を絶縁層１１の第１の主面１１１上に形成すると共に、貫通配線１２の他方の端部１２２（図１参照）に半田バンプ１５を形成する。なお、ステップＳ６０において、半田バンプ１５を形成する前に、貫通配線１２の端部１２２に金めっき処理を施しておいてもよい。
【００６１】
因みに、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示す第２の金型７０Ｄを用いた場合には、ステップＳ２０におけるピラー５２の折り曲げ方向が上述の第２の金型７０〜７０Ｃとは反対になる。そのため、この第２の金型７０Ｄを用いて作製された配線基板１０Ｂでは、図１４に示すように、上述した配線基板１０に対して、絶縁層１１の第１の主面１１１と第２の主面１１２の関係が逆転する。図１４は図８（ａ）及び図８（ｂ）に示す第２の金型を用いて作製された配線基板１０Ｂを示す図である。
【００６２】
この場合には、同図に示すように、構造体５０Ｂのベース５１を加工することで、第１の主面１１１上のランド１３を形成し、このランド１３に半田バンプ１５を形成する。一方、めっき処理やパターニングによって第２の主面１１２上のランド１６を形成すると共に、開口１７１を有するレジスト層１７を第２の主面１１２上に形成する。なお、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示す配列の治具８０を用いた場合にも、図１４に示すような配線基板１０Ｂが作製される。
【００６３】
以上のように、本実施形態では、構造体５０のピラー５２を折り曲げた後にベース５１上に絶縁層１１を形成し、当該絶縁層１１内に形成されたピラー５２を貫通配線１２として利用するので、絶縁層１１に貫通孔を形成する工程が不要となり生産性が向上する。
【００６４】
また、ＵＶレーザやＣＯ２レーザ等の工業的に使用されているレーザを用いて貫通孔を形成して導体を充填する場合と比較して、本実施形態では貫通配線１２の小径化を図ることができる。
【００６５】
なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【符号の説明】
【００６６】
１０，１０Ｂ…配線基板
１１…絶縁層
１１１…第１の主面
１１２…第２の主面
１２…貫通配線
１２１，１２２…端部
１３…ランド
１４…レジスト層
１５…半田バンプ
２０…電子部品
２１…半田バンプ
５０，５０Ｂ…構造体
５１…ベース
５１１…主面
５２…ピラー
６０…第１の金型
６１…基材
６２…凹部
７０，７０Ｂ，７０Ｃ，７０Ｄ…第２の金型
７１，７１Ｂ，７１Ｃ，７１Ｄ…押圧面
７２，７２Ｂ…頂点
７２Ｃ…平坦面
７２Ｄ…中心
７３Ｂ，７３Ｃ…傾斜面
８０…治具
８１…押圧部
８２…傾斜面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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