(57)【要約】 【課題】露光不良の発生を抑制できる露光装置を提供する。【解決手段】露光装置は、液体を介して露光光で基板を露光する。露光装置は、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置され、下面を有する液浸部材と、基板の露光を含む第１処理とは異なる第２処理において、第１カバー部材の上面が射出面及び下面の少なくとも一部と対向するように第１カバー部材をリリース可能に保持する保持機構と、基板をリリース可能に保持する保持部を有し、保持機構に対して移動可能な可動部材と、を備える。第２処理において、第１カバー部材が保持機構に保持されつつ、可動部材の保持部に第１カバー部材と異なる第２カバー部材が配置される。【選択図】図１１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
前記射出面から射出される前記露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置され、下面を有する液浸部材と、
前記基板の露光を含む第１処理とは異なる第２処理において、第１カバー部材の上面が前記射出面及び前記下面の少なくとも一部と対向するように前記第１カバー部材をリリース可能に保持する保持機構と、
前記基板をリリース可能に保持する保持部を有し、前記保持機構に対して移動可能な可動部材と、を備え、
前記第２処理において、前記第１カバー部材が前記保持機構に保持されつつ、前記可動部材の前記保持部に前記第１カバー部材と異なる第２カバー部材が配置される露光装置。
【請求項２】
前記第２処理は、前記可動部材のメンテナンスを含む請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記可動部材は、前記保持部の周囲に配置される上面を有し、
前記第２処理は、前記保持部に前記第２カバー部材が配置された状態で行われる前記上面の異物の除去を含む請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記保持部は、前記第１カバー部材を保持可能である請求項１〜３のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記第１カバー部材は、前記保持部及び前記保持機構の一方から他方へ渡される請求項１〜４のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記光学部材及び前記液浸部材と前記第１カバー部材との間に前記液体の液浸空間が形成された状態で、前記保持部から前記保持機構に前記第１カバー部材が渡される請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】
前記保持部から前記保持機構に前記第１カバー部材が渡された後、
前記保持部に前記第２カバー部材が配置される請求項４〜６のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項８】
前記光学部材及び前記液浸部材と前記保持機構に保持された前記第１カバー部材との間に前記液体の液浸空間が形成された状態で、前記保持部に前記第２カバー部材が配置される請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】
前記保持部に前記第１、第２カバー部材を搬送可能な第１搬送装置を備え、
前記第１搬送装置によって前記保持部に配置された前記第１カバー部材が前記保持部から前記保持機構に渡された後、前記第１搬送装置によって前記保持部に前記第２カバー部材が配置される請求項７又は８に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記第１搬送装置は、前記基板を前記保持部に搬送可能である請求項９に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記保持部から前記保持機構に前記第１カバー部材が渡され、前記保持部に前記第２カバー部材が渡された後、前記第２処理が行われる請求項７〜１０のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記第１カバー部材が前記保持機構に保持されている状態において、前記可動部材は、前記第１カバー部材の下方の空間を移動可能である請求項１〜１１のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記第２処理において、前記光学部材及び前記液浸部材と前記保持機構に保持された前記第１カバー部材との間に前記液体の液浸空間が形成される請求項１〜１２のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１４】
前記第２処理後、前記保持部から前記第２カバー部材が搬出され、前記保持機構から前記保持部に前記第１カバー部材が渡される請求項１〜１３のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１５】
前記光学部材及び前記液浸部材と前記第１カバー部材との間に前記液体の液浸空間が形成された状態で、前記保持機構から前記保持部に前記第１カバー部材が渡される請求項１４に記載の露光装置。
【請求項１６】
前記液浸空間が形成された状態で、前記保持部に前記第１カバー部材が保持された後、前記液浸空間の少なくとも一部が前記可動部材上に配置されるように、前記光学部材及び前記液浸部材と前記可動部材とが相対移動される請求項１５に記載の露光装置。
【請求項１７】
前記保持機構から前記保持部に前記第１カバー部材が渡される前に、前記第１カバー部材の少なくとも一部をクリーニングする第１クリーニング装置を備える請求項１４〜１６のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１８】
前記第２処理後、前記光学部材及び前記液浸部材と前記可動部材との間に前記液体の液浸空間が形成される請求項１〜１５のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１９】
前記保持部に前記第１カバー部材が保持された状態で、前記可動部材上の少なくとも一部に前記液浸空間が形成される請求項１８に記載の露光装置。
【請求項２０】
前記保持部に保持された前記第１カバー部材の上面と前記第１カバー部材の上面の周囲に配置される前記可動部材の上面とは、実質的に同一面内に配置される請求項１５〜１９に記載の露光装置。
【請求項２１】
前記液浸部材は、前記液体を供給可能な供給口と、前記液体を回収可能な回収口と、を有し、
前記光学部材及び前記液浸部材と前記第１カバー部材とが対向している状態において、前記供給口からの前記液体の供給と前記回収口からの前記液体の回収とが行われる請求項１〜２０のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２２】
前記第２処理において、前記可動部材をメンテナンスするメンテナンス装置を備える請求項１〜２１のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２３】
前記メンテナンス装置は、前記可動部材の異物を除去する除去装置を含む請求項２２に記載の露光装置。
【請求項２４】
前記除去装置は、給気部を有し、
前記給気部から前記可動部材に気体が供給されることにより、前記異物が除去される請求項２３に記載の露光装置。
【請求項２５】
前記可動部材と前記給気部とを相対移動しながら、前記給気部から前記気体を供給する請求項２４に記載の露光装置。
【請求項２６】
前記給気部は、前記気体を噴射する複数の開口を含み、
複数の前記開口のそれぞれから噴射される前記気体の流速及び流量の一方又は両方が異なる請求項２４又は２５に記載の露光装置。
【請求項２７】
前記給気部は、前記可動部材の上面の法線に対して斜めに前記気体を噴射する請求項２４〜２６に記載の露光装置。
【請求項２８】
前記可動部材が移動される空間を形成するチャンバ部材と、
前記空間に面する排出口と、を備え、
前記可動部材から除去された前記異物の少なくとも一部が前記排出口から排出される請求項２４〜２７のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２９】
前記可動部材は、前記射出面からの前記露光光が照射可能な露光位置、及び前記保持部に対する前記基板の搬入及び搬出が行われる基板交換位置のそれぞれに移動可能であり、
前記メンテナンス装置は、前記露光位置と前記基板交換位置との間において前記可動部材をメンテナンスする請求項２２〜２７のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項３０】
前記メンテナンス装置は、前記可動部材の少なくとも一部をクリーニングする第２クリーニング装置を含む請求項２２〜２９のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項３１】
前記第２クリーニング装置は、前記可動部材にクリーニング光を照射する請求項３０に記載の露光装置。
【請求項３２】
前記第２クリーニング装置は、前記可動部材にクリーニング液体を供給する請求項３０又は３１に記載の露光装置。
【請求項３３】
前記保持機構は、前記液浸部材の周囲の少なくとも一部に配置される請求項１〜３２のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項３４】
前記保持機構は、前記第１カバー部材の上面の少なくとも一部を保持する請求項１〜３３のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項３５】
前記第１カバー部材の上面の外形は、前記液浸部材の下面の外形よりも大きい請求項１〜３４のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項３６】
請求項１〜３５のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項３７】
液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御方法であって、
光学部材の射出面から射出される前記露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される下面を有する液浸部材を用いて前記液体の液浸空間を形成し、前記液浸空間の液体を介して前記基板を露光することを含む第１処理を行うことと、
前記第１処理とは異なる第２処理において、第１カバー部材の上面が前記射出面及び前記下面の少なくとも一部と対向するように保持機構で前記第１カバー部材をリリース可能に保持しつつ、前記保持機構に対して移動可能な可動部材の前記基板をリリース可能に保持する保持部に前記第１カバー部材と異なる第２カバー部材を配置することと、を含む露光装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置、露光装置の制御方法、及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス、電子デバイス等のマイクロデバイスの製造工程において、例えば下記特許文献に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が使用される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００７／０２５８０７２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えば液浸露光装置の部材が汚染されると、基板に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生し、その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。
【０００５】
本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる露光装置、及び露光装置の制御方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置され、下面を有する液浸部材と、基板の露光を含む第１処理とは異なる第２処理において、第１カバー部材の上面が射出面及び下面の少なくとも一部と対向するように第１カバー部材をリリース可能に保持する保持機構と、基板をリリース可能に保持する保持部を有し、保持機構に対して移動可能な可動部材と、を備え、第２処理において、第１カバー部材が保持機構に保持されつつ、可動部材の保持部に第１カバー部材と異なる第２カバー部材が配置される露光装置が提供される。
【０００７】
本発明の第２の態様に従えば、第１の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【０００８】
本発明の第３の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御方法であって、光学部材の射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される下面を有する液浸部材を用いて液体の液浸空間を形成し、液浸空間の液体を介して基板を露光することを含む第１処理を行うことと、第１処理とは異なる第２処理において、第１カバー部材の上面が射出面及び下面の少なくとも一部と対向するように保持機構で第１カバー部材をリリース可能に保持しつつ、保持機構に対して移動可能な可動部材の基板をリリース可能に保持する保持部に第１カバー部材と異なる第２カバー部材を配置することと、を含む露光装置の制御方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１実施形態に係る露光装置の一例を示す図である。
【図２】第１実施形態に係る基板の一例を示す図である。
【図３】第１実施形態に係るカバー部材の一例を示す図である。
【図４】第１実施形態に係る露光装置の一部を示す平面図である。
【図５】第１実施形態に係る液浸部材、保持機構、及び基板ステージの一例を説明するための図である。
【図６】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図７】第１実施形態に係るメンテナンスシーケンスの一例を示すフローチャートである。
【図８】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図９】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図１０】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図１１】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図１２】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図１３】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図１４】第２実施形態に係るクリーニング装置の一例を示す図である。
【図１５】第３実施形態に係るクリーニング装置の一例を示す図である。
【図１６】第４実施形態に係るクリーニング装置の一例を示す図である。
【図１７】第５実施形態に係るクリーニング装置の一例を示す図である。
【図１８】第６実施形態に係るクリーニング装置の一例を示す図である。
【図１９】第７実施形態に係るクリーニング装置の一例を示す図である。
【図２０】露光装置の一例を示す図である。
【図２１】デバイス製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、そのＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１２】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、本実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。
【００１３】
本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。液浸空間とは、液体で満たされた部分（空間、領域）をいう。基板Ｐは、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して露光光ＥＬで露光される。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。
【００１４】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、例えば米国特許第６８９７９６３号明細書、及び欧州特許出願公開第１７１３１１３号明細書等に開示されているような、基板ステージ２Ｐと計測ステージ２Ｃとを備えた露光装置である。
【００１５】
図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２Ｐと、基板Ｐを保持せずに、露光光ＥＬを計測する計測部材（計測器）Ｃを搭載して移動可能な計測ステージ２Ｃと、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、基板Ｐに照射される露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように基板Ｐとの間で液体ＬＱを保持して液浸空間ＬＳを形成する液浸部材３と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置４００と、制御装置４００に接続され、露光に関する各種の情報を記憶する記憶装置５００とを備えている。記憶装置５００は、例えばＲＡＭ等のメモリ、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体を含む。記憶装置５００には、コンピュータシステムを制御するオペレーティングシステム（ＯＳ）がインストールされ、露光装置ＥＸを制御するためのプログラムが記憶されている。
【００１６】
マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクＭは、例えばガラス板等の透明板と、その透明板上にクロム等の遮光材料を用いて形成されたパターンとを有する透過型マスクを含む。なお、マスクＭとして、反射型マスクを用いることもできる。
【００１７】
基板Ｐは、デバイスを製造するための基板である。露光処理を含むフォトリソグラフィ工程により、基板Ｐの少なくとも一部からデバイス（製品デバイス、最終製品）が製造される。例えば図２に示すように、基板Ｐは、半導体ウエハのような基材Ｗと、その基材Ｗ上に形成された感光膜Ｒｇとを含む。感光膜Ｒｇは、感光材（フォトレジスト）の膜である。また、基板Ｐが、感光膜Ｒｇに加えて別の膜を含んでもよい。例えば、基板Ｐが、反射防止膜を含んでもよいし、感光膜Ｒｇを保護する保護膜（トップコート膜）を含んでもよい。
【００１８】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、部材をリリース可能に保持する保持機構４を備えている。本実施形態において、保持機構４は、例えば図３に示すようなカバー部材ＣＰをリリース可能に保持する。本実施形態において、カバー部材ＣＰは、プレート状である。本実施形態において、カバー部材ＣＰの外形は、基板Ｐの外形と近似している。本実施形態において、カバー部材ＣＰの外形は、基板Ｐの外形と実質的に同一である。なお、カバー部材ＣＰの外形が、基板Ｐの外形と異なってもよい。例えば、カバー部材ＣＰの外形が、基板Ｐの外形よりも小さくてもよいし、大きくてもよい。
【００１９】
カバー部材ＣＰには、感光膜Ｒｇが存在しない。カバー部材ＣＰからは、デバイス（製品デバイス、最終製品）が製造されない。すなわち、カバー部材ＣＰは、デバイスの製造に寄与しない。カバー部材ＣＰからデバイスを製造することは不可能である。本実施形態においては、カバー部材ＣＰに対して、マスクＭ及び投影光学系ＰＬを介して露光光ＥＬは照射されない。カバー部材ＣＰは、例えば基材Ｗと同一の材料を含んでもよいし、基材Ｗと同一でもよい。例えば、カバー部材ＣＰが半導体ウエハを含んでもよいし、ガラス基板を含んでもよい。また、カバー部材ＣＰが、所謂ベアウエハでもよいし、半導体ウエハと酸化膜とを含んでもよいし、半導体ウエハと金属膜（配線パターン）とを含んでもよい。また、カバー部材ＣＰが、基材Ｗと、その基材Ｗ上に形成された膜とを含んでもよい。カバー部材ＣＰの上面を形成する膜は、例えばフッ素を含んでもよい。例えば、液体ＬＱに対するカバー部材ＣＰの上面が、撥液性でもよい。例えば、液体ＬＱに対するカバー部材ＣＰの上面の接触角が、９０度よりも大きくてもよいし、１００度よりも大きくてもよいし、１１０度よりも大きくてもよい。また、液体ＬＱに対するカバー部材ＣＰの上面が、親液性でもよい。例えば、液体ＬＱに対するカバー部材ＣＰの上面の接触角が、９０度よりも小さくてもよいし、８０度よりも小さくてもよいし、７０度よりも小さくてもよい。例えば、液体ＬＱに対するカバー部材ＣＰの上面の接触角が、基板Ｐの上面の接触角よりも、大きくてもよいし、小さくてもよいし、基板Ｐの上面の接触角と実質的に等しくてもよい。
【００２０】
本実施形態において、カバー部材ＣＰは、基板Ｐよりも異物（汚染物）を放出し難い。例えばカバー部材ＣＰと液体ＬＱとが接触したときのカバー部材ＣＰから液体ＬＱへ溶出する異物の量は、基板Ｐと液体ＬＱとが接触したときの基板Ｐから液体ＬＱへ溶出する異物の量よりも抑制される。
【００２１】
また、図１に示すように、本実施形態の露光装置ＥＸは、例えば米国特許出願公開第２００７／０２８８１２１号明細書に開示されているような、基板ステージ２Ｐが有するスケール部材Ｔを用いてその基板ステージ２Ｐの位置を計測するエンコーダシステム５を備えている。エンコーダシステム５は、スケール部材Ｔが対向可能な位置に配置され、スケール部材Ｔの格子（スケール）を計測可能な複数のエンコーダヘッド６Ａと、それらエンコーダヘッド６Ａを保持する保持部材６Ｂとを有する。以下の説明において、複数のエンコーダヘッド６Ａ及び保持部材６Ｂを合わせて適宜、ヘッドユニット６、と称する。
【００２２】
また、本実施形態において、露光装置ＥＸは、マスクステージ１、基板ステージ２Ｐ、及び計測ステージ２Ｃの位置を計測する干渉計システム８を備えている。なお、露光装置ＥＸが、例えば米国特許出願公開第２００７／０２８８１２１号明細書に開示されているような、基板Ｐの表面の位置を検出する第１検出システム、及び基板Ｐのアライメントマークを検出する第２検出システムの少なくとも一方を備えてもよい。
【００２３】
また、本実施形態において、露光装置ＥＸは、基板Ｐを搬送する搬送システム９を備えている。搬送システム９は、基板ステージ２Ｐに基板Ｐを搬入する処理、及び基板ステージ２Ｐから基板Ｐを搬出する処理を含む基板交換処理を実行可能である。
【００２４】
また、露光装置ＥＸは、少なくとも投影光学系ＰＬを支持するボディ１０を備えている。また、露光装置ＥＸは、露光光ＥＬが進行する空間ＣＳを形成するチャンバ装置１１を備えている。チャンバ装置１１は、空間ＣＳを形成するチャンバ部材１１Ａと、その空間の環境（温度、湿度、圧力、及びクリーン度）を調整する環境制御装置１１Ｂとを有する。本実施形態において、空間ＣＳは、空間ＣＳ１及び空間ＣＳ２を含む。空間ＣＳ２は、基板Ｐが処理される空間である。環境制御装置１１Ｂは、空間ＣＳに気体を供給する給気部を有する。環境制御装置１１Ｂは、給気部から空間ＣＳに気体を供給して、その空間ＣＳの環境を制御する。
【００２５】
本実施形態においては、マスクステージ１、及び照明系ＩＬの少なくとも一部が、空間ＣＳ１に配置される。また、本実施形態においては、基板ステージ２Ｐ、計測ステージ２Ｃ、及び投影光学系ＰＬの少なくとも一部が、空間ＣＳ２に配置される。マスクステージ１は、空間ＣＳ１を移動する。基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃは、空間ＣＳ２を移動する。
【００２６】
ボディ１０は、空間ＣＳに配置される。ボディ１０は、支持部１０Ａを有する。本実施形態において、支持部１０Ａは、ベース部材１２を支持する。ベース部材１２は、マスクステージ１を支持する。支持部１０Ａは、例えば防振装置を含む。本実施形態において、また、支持部１０Ａは、支持装置１３を介して、投影光学系ＰＬを支持する。支持装置１３は、例えば米国特許出願公開第２００７／００９７３６７号に開示されているような柔構造を含んでもよい。
【００２７】
また、本実施形態において、支持部１０Ａは、支持装置１４を介して、支持部材１５を支持する。支持部材１５は、ヘッドユニット６を支持する。本実施形態において、支持部材１５は、連結部材１６を介して、ヘッドユニット６を支持する。本実施形態において、支持部材１５とヘッドユニット６との間に空間が形成される。なお、支持部材１５とヘッドユニット６との間に空間が形成されなくてもよい。例えば、支持部材１５とヘッドユニット６とが接触してもよい。
【００２８】
本実施形態において、保持機構４の少なくとも一部は、支持部材１５に支持される。すなわち、本実施形態において、支持部材１５は、保持機構４及びヘッドユニット６の両方を支持する。なお、保持機構４を支持する部材とヘッドユニット６を支持する部材とが別の部材でもよい。なお、投影光学系ＰＬを支持する部材と保持機構４を支持する部材とが別の部材でもよいし、同じ部材でもよい。なお、投影光学系ＰＬを支持する部材とヘッドユニット６を支持する部材とが別の部材でもよいし、同じ部材でもよい。
【００２９】
照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲに露光光ＥＬを照射する。照明領域ＩＲは、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を、均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。
【００３０】
マスクステージ１は、マスクＭを保持した状態で、照明領域ＩＲを含むベース部材１２のガイド面１２Ｇ上を移動可能である。本実施形態において、ガイド面１２ＧとＸＹ平面とは実質的に平行である。マスクステージ１は、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような平面モータを含む駆動システム７の作動により移動する。駆動システム７の平面モータは、マスクステージ１に配置された可動子と、ベース部材１２に配置された固定子とを有する。本実施形態においては、マスクステージ１は、駆動システム７の作動により、ガイド面１２Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺの６つの方向に移動可能である。なお、駆動システム７は、平面モータでなくてもよい。例えば、駆動システム７が、リニアモータを含んでもよい。
【００３１】
投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影領域ＰＲは、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸは、Ｚ軸と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。
【００３２】
投影光学系ＰＬは、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬが射出される射出面１８を有する。投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子１９が、射出面１８を有する。投影領域ＰＲは、射出面１８から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。本実施形態において、射出面１８は、−Ｚ方向を向いており、ＸＹ平面と平行である。なお、−Ｚ方向を向いている射出面１８は、凸面であってもよいし、凹面であってもよい。終端光学素子１９の光軸は、Ｚ軸と平行である。本実施形態において、射出面１８から射出される露光光ＥＬは、−Ｚ方向に進行する。
【００３３】
基板ステージ２Ｐは、基板Ｐを保持した状態で、終端光学素子１９、液浸部材３、及び保持機構４に対して移動可能である。本実施形態において、基板ステージ２Ｐは、射出面１８からの露光光ＥＬが照射可能な位置ＥＰを含むＸＹ平面内を移動可能である。射出面１８からの露光光ＥＬが照射可能な位置ＥＰは、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲを含む。本実施形態において、基板ステージ２Ｐは、ベース部材２０のガイド面２０Ｇ上を移動可能である。本実施形態において、ガイド面２０ＧとＸＹ平面とは実質的に平行である。
【００３４】
計測ステージ２Ｃは、計測部材Ｃ（計測器）を搭載した状態で、終端光学素子１９、液浸部材３、及び保持機構４に対して移動可能である。本実施形態において、計測ステージ２Ｃは、射出面１８からの露光光ＥＬが照射可能な位置ＥＰ（投影領域ＰＲ）を含むＸＹ平面内を移動可能である。本実施形態において、計測ステージ２Ｃは、ベース部材２０のガイド面２０Ｇ上を移動可能である。
【００３５】
本実施形態において、計測部材Ｃは、例えば米国特許出願公開第２００２／００４１３７７号明細書等に開示されているような投影光学系ＰＬの空間像（結像特性）を計測可能な空間像計測システムの一部を構成する。なお、計測部材Ｃが、例えば米国特許第４４６５３６８号明細書等に開示されているような露光光ＥＬの照度むらを計測可能な照度むら計測システムの一部を構成してもよい。また、計測部材Ｃが、例えば米国特許第５４９３４０３号明細書等に開示されているような基板Ｐのアライメントマークを計測可能なアライメントシステムによって計測される基準マークを構成してもよい。なお、計測部材Ｃが、例えば米国特許出願公開第２００２／００６１４６９号明細書等に開示されているような照射量計測システム（照度計測システム）、例えば欧州特許第１０７９２２３号明細書等に開示されているような波面収差計測システム等、露光光ＥＬの露光光ＥＬを計測する計測システムの一部を構成してもよい。
【００３６】
基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃは、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような平面モータを含む駆動システム１７の作動により移動する。駆動システム１７の平面モータは、基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃのそれぞれに配置された可動子と、ベース部材２０に配置された固定子とを有する。本実施形態においては、基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃのそれぞれは、駆動システム１７の作動により、ガイド面２０Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺの６つの方向に移動可能である。なお、駆動システム１７は、平面モータでなくてもよい。例えば、駆動システム１７が、リニアモータを含んでもよい。
【００３７】
基板ステージ２Ｐは、基板Ｐをリリース可能に保持する第１保持部２１を有する。また、本実施形態において、基板ステージ２Ｐは、第１保持部２１の周囲の少なくとも一部に配置され、射出面１８が対向可能なスケール部材Ｔを有する。本実施形態において、スケール部材Ｔは、プレート状の部材である。基板ステージ２Ｐが移動することによって、スケール部材Ｔも移動する。例えば基板ステージ２Ｐがガイド面２０Ｇに沿ってＸＹ平面内を移動することによって、スケール部材Ｔも移動する。
【００３８】
本実施形態において、基板ステージ２Ｐは、第１保持部２１の周囲の少なくとも一部に配置され、スケール部材Ｔをリリース可能に保持する第２保持部２２を有する。第２保持部２２に保持されるスケール部材Ｔは、第１保持部２１に保持される基板Ｐの周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、スケール部材Ｔは、開口を有する。スケール部材Ｔの開口の内側に基板Ｐが配置される。本実施形態において、スケール部材Ｔは、基板Ｐの周囲に配置される。
【００３９】
本実施形態において、基板Ｐの表面（上面）は、実質的に平坦である。スケール部材Ｔの表面（上面）は、実質的に平坦である。本実施形態において、第１保持部２１は、基板Ｐの表面（上面）とＸＹ平面とが実質的に平行となるように、基板Ｐの裏面（下面）を保持する。第２保持部２２は、スケール部材Ｔの表面（上面）とＸＹ平面とが実質的に平行となるように、スケール部材Ｔの裏面（下面）を保持する。
【００４０】
本実施形態において、第１保持部２１に保持された基板Ｐの表面（上面）と、第２保持部２２に保持されたスケール部材Ｔの表面（上面）とは、実質的に同一平面内に配置される（面一である）。
【００４１】
なお、第１保持部２１に保持された基板Ｐの表面（上面）と第２保持部２２に保持されたスケール部材Ｔの表面（上面）とが同一平面内に配置されてなくてもよいし、基板Ｐの表面の少なくとも一部及びスケール部材Ｔの表面の少なくとも一部の一方又は両方がＸＹ平面と非平行でもよい。
【００４２】
なお、例えばスケール部材Ｔの表面（上面）の少なくとも一部が平坦でなくてもよい。例えば、スケール部材Ｔの表面（上面）の少なくとも一部が曲面を含んでもよい。
【００４３】
以下の説明において、基板ステージ２Ｐ（第２保持部２２）に保持されたスケール部材Ｔの表面（上面）を適宜、上面２３、と称する。上面２３は、第１保持部２１に保持された基板Ｐの表面の周囲に配置される。スケール部材Ｔの上面２３は、射出面１８と対向可能である。
【００４４】
なお、本実施形態においては、スケール部材Ｔは、基板ステージ２Ｐからリリース可能であるが、リリース可能でなくてもよい。その場合、第２保持部２２は省略可能である。
【００４５】
次に、図４を参照して、搬送システム９について説明する。図４は、搬送システム９、基板ステージ２Ｐ、及び計測ステージ２Ｃの一例を示す平面図である。
【００４６】
本実施形態において、搬送システム９は、基板ステージ２Ｐに基板Ｐを搬入（ロード）する第１搬送部材９Ａと、基板ステージ２Ｐから基板Ｐを搬出（アンロード）する第２搬送部材９Ｂとを有する。第１搬送部材９Ａは、例えば露光前の基板Ｐを基板ステージ２Ｐの第１保持部２１に搬入する。第２搬送部材９Ｂは、例えば露光後の基板Ｐを基板ステージ２Ｐの第１保持部２１から搬出する。
【００４７】
本実施形態において、基板ステージ２Ｐは、少なくとも一部が射出面１８と対向する位置ＥＰと、射出面１８と対向しない位置ＣＰ１と、射出面１８と対向しない位置ＣＰ２との間を移動可能である。
【００４８】
本実施形態においては、位置ＥＰに配置された物体に、射出面１８から射出された露光光ＥＬが照射可能である。本実施形態においては、位置ＣＰ１において、露光前の基板Ｐを第１保持部２１に搬入する処理が実行される。位置ＣＰ２において、第１保持部２１から露光後の基板Ｐを搬出する処理が実行される。
【００４９】
以下の説明において、位置ＥＰを適宜、露光位置ＥＰ、と称する。また、以下の説明において、位置ＣＰ１を適宜、第１基板交換位置ＣＰ１、と称し、位置ＣＰ２を適宜、第２基板交換位置ＣＰ２、と称する。
【００５０】
本実施形態において、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２は、露光位置ＥＰに対して＋Ｙ側の位置である。本実施形態において、第１基板交換位置ＣＰ１は、第２基板交換位置ＣＰ２に対して−Ｘ側の位置である。
【００５１】
第１保持部２１に基板Ｐを搬入するとき、制御装置４００は、基板ステージ２Ｐを第１基板交換位置ＣＰ１に移動する。制御装置４００は、第１搬送部材９Ａを用いて、第１基板交換位置ＣＰ１に配置された基板ステージ２Ｐの第１保持部２１に、基板Ｐを搬入する。
【００５２】
第１保持部２１から基板Ｐを搬出するとき、制御装置４００は、基板ステージ２Ｐを第２基板交換位置ＣＰ２に移動する。制御装置４００は、第２搬送部材９Ｂを用いて、第２基板交換位置ＣＰ２に配置された基板ステージ２Ｐの第１保持部２１から、基板Ｐを搬出する。
【００５３】
次に、図５を参照して、液浸部材３、保持機構４、及び基板ステージ２Ｐについて説明する。図５は、液浸部材３、保持機構４、及び基板ステージ２Ｐの一部を示す側断面図である。
【００５４】
液浸部材３は、射出面１８から射出される露光光ＥＬの光路Ｋの周囲の少なくとも一部に配置される。液浸部材３は、下面２４を有する。下面２４の少なくとも一部は、−Ｚ方向を向く。下面２４は、光路Ｋの周囲の少なくとも一部に配置される。また、本実施形態において、液浸部材３は、終端光学素子１９の周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、下面２４は、射出面１８よりも−Ｚ側（下側）に配置される。
【００５５】
本実施形態において、液浸部材３は、環状の部材である。本実施形態において、液浸部材３の一部は、射出面１８から射出される露光光ＥＬの光路Ｋの周囲に配置される。また、本実施形態において、液浸部材３の一部は、終端光学素子１９の周囲に配置される。
【００５６】
なお、液浸部材３が、射出面１８から射出される露光光ＥＬの光路Ｋの周囲に配置されなくてもよい。例えば、液浸部材３が、光路Ｋの周囲に配置されず、終端光学素子１９（投影光学系ＰＬ）の周囲にのみ配置されてもよい。また、下面２４が、終端光学素子１９（投影光学系ＰＬ）の周囲に配置されてもよい。換言すれば、下面２４が、射出面１８よりも＋Ｚ側に配置されてもよい。
【００５７】
液浸部材３は、露光光ＥＬの光路Ｋの少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能である。液浸空間ＬＳは、射出面１８側に形成される。液浸空間ＬＳは、射出面１８から射出される露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように形成される。射出面１８から射出される露光光ＥＬは、−Ｚ方向に進行する。射出面１８は、露光光ＥＬの進行方向（−Ｚ方向）を向く。本実施形態において、射出面１８は、ＸＹ平面とほぼ平行な平面である。なお、射出面１８がＸＹ平面に対して傾斜していてもよいし、曲面を含んでもよい。
【００５８】
本実施形態において、射出面１８及び下面２４は、射出面１８から射出される露光光ＥＬが照射可能な露光位置ＥＰ（投影領域ＰＲ）に配置される物体との間で液体ＬＱを保持することができる。液浸空間ＬＳは、射出面１８及び下面２４の少なくとも一部と投影領域ＰＲに配置される物体との間に保持された液体ＬＱによって形成される。液浸空間ＬＳは、射出面１８と、露光位置ＥＰに配置される物体との間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように形成される。液浸部材３は、終端光学素子１９と物体との間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように物体との間で液体ＬＱを保持可能である。
【００５９】
本実施形態において、露光位置ＥＰに配置可能な物体は、投影光学系ＰＬの像面側（終端光学素子１９の射出面１８側）で露光位置ＥＰに対して移動可能な物体を含む。その物体は、終端光学素子１９及び液浸部材３に対して移動可能である。その物体は、射出面１８及び下面２４の少なくとも一方と対向可能な上面（表面）を有する。物体の上面は、射出面１８との間に液浸空間ＬＳを形成可能である。本実施形態において、物体の上面は、射出面１８及び下面２４の少なくとも一部との間に液浸空間ＬＳを形成可能である。一方側の射出面１８及び下面２４と、他方側の物体の上面（表面）との間に液体ＬＱが保持されることによって、終端光学素子１９と物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。
【００６０】
本実施形態において、その物体は、基板ステージ２Ｐ（スケール部材Ｔ）、基板ステージ２Ｐに保持された基板Ｐ、及び計測ステージ２Ｃ（計測部材Ｃ）の少なくとも一つを含む。例えば、基板ステージ２Ｐ（スケール部材Ｔ）の上面２３、及び基板ステージ２Ｐに保持されている基板Ｐの表面（上面）は、−Ｚ方向を向く終端光学素子１９の射出面１８、及び−Ｚ方向を向く液浸部材３の下面２４と対向可能である。もちろん、露光位置ＥＰに配置可能な物体は、基板ステージ２Ｐ（スケール部材Ｔ）、基板ステージ２Ｐに保持された基板Ｐ、及び計測ステージ２Ｃ（計測部材Ｃ）の少なくとも一つに限られない。
【００６１】
また、本実施形態において、その物体は、カバー部材ＣＰを含む。保持機構４は、カバー部材ＣＰの上面が射出面１８及び下面２４の少なくとも一部と対向するように、カバー部材ＣＰを保持することができる。
【００６２】
本実施形態においては、基板Ｐの露光処理を実行するとき、制御装置４００は、終端光学素子１９及び液浸部材３と基板Ｐとを対向させ、終端光学素子１９と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成する。液浸部材３は、終端光学素子１９と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように基板Ｐとの間で液体ＬＱを保持可能である。本実施形態においては、投影領域ＰＲを含む基板Ｐの表面の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成される。液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）ＬＧの少なくとも一部は、液浸部材３の下面２４と基板Ｐの表面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。液浸空間ＬＳの液体ＬＱは、基板Ｐの表面の一部だけを覆うように形成される。ＸＹ平面内における液浸空間ＬＳの大きさは、基板Ｐの表面（外形）の大きさよりも小さい。制御装置４００は、基板Ｐを露光するために、照明系ＩＬから露光光ＥＬを射出し、マスクＭを露光光ＥＬで照明する。マスクＭからの露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して基板Ｐに照射される。これにより、基板Ｐは、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して射出面１３からの露光光ＥＬで露光され、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影される。
【００６３】
なお、図５は、露光位置ＥＰ（終端光学素子１９の射出面１８と対向する位置）に、第１保持部２１に保持されている基板Ｐが配置されている状態を示す。図５において、液浸空間ＬＳは、終端光学素子１９及び液浸部材３と、基板Ｐとの間に形成されている。
【００６４】
図５に示すように、液浸部材３は、少なくとも一部が終端光学素子１９と基板Ｐ（物体）との間に配置され、基板Ｐ（物体）が対向可能な対向部３１と、少なくとも一部が終端光学素子１９の周囲に配置される本体部３２とを含む。本実施形態において、対向部３１の少なくとも一部は、プレート状である。なお、対向部３１の少なくとも一部が対向部でなくてもよい。対向部３１は、射出面１８と対向する位置に孔（開口）３Ｋを有する。射出面１８から射出された露光光ＥＬは、開口３Ｋを通過して、基板Ｐに照射可能である。
【００６５】
また、液浸部材３は、液体ＬＱを供給可能な供給口３３と、液体ＬＱを回収可能な回収口３４とを有する。供給口３３は、射出面１８側（投影光学系ＰＬの像面側）に液体ＬＱを供給する。回収口３４は、射出面１８側に供給された液体ＬＱの少なくとも一部を回収する。供給口３３は、例えば基板Ｐの露光時において液体ＬＱを供給する。回収口３４は、例えば基板Ｐの露光時において液体ＬＱを回収する。
【００６６】
供給口３３は、射出面１８から射出される露光光ＥＬの光路の近傍において、その光路に面するように配置されている。本実施形態において、供給口３３は、対向部３１の上面と射出面１８との間の空間に液体ＬＱを供給する。供給口３３から供給された液体ＬＱは、対向部３１の上面と射出面１８との間の空間を流れた後、開口３Ｋを介して、基板Ｐ（物体）上に供給される。
【００６７】
供給口３３は、流路３３Ｒを介して、液体供給装置と接続されている。液体供給装置は、清浄で温度調整された液体ＬＱを送出可能である。流路３３Ｒは、液浸部材３の内部に形成された供給流路３３Ｐ、及びその供給流路３３Ｐと液体供給装置とを接続する供給管で形成される流路を含む。なお、流路３３Ｒの少なくとも一部が、例えば支持部材１５に形成されてもよい。液体供給装置から送出された液体ＬＱは、流路３３Ｒを介して供給口３３に供給される。少なくとも基板Ｐの露光において、供給口３３は、液体ＬＱを供給する。
【００６８】
回収口３４は、液浸部材３の下面２４と対向する物体上の液体ＬＱの少なくとも一部を回収可能である。回収口３４は、露光光ＥＬが通過する孔３Ｋの下端の周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態においては、回収口３４は、対向部３１の下面３１Ｂの周囲の少なくとも一部に配置される。回収口３４は、物体の表面と対向する液浸部材３の所定位置に配置されている。少なくとも基板Ｐの露光において、回収口３４に基板Ｐが対向する。基板Ｐの露光において、回収口３４は、基板Ｐ上の液体ＬＱを回収する。
【００６９】
本実施形態において、本体部３２は、基板Ｐ（物体）に面する開口３Ｐを有する。開口３Ｐは、対向部３１の下面３１Ｂの周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、液浸部材３は、開口３Ｐに配置された多孔部材３６を有する。本実施形態において、多孔部材３６は、複数の孔(openingsあるいはpores)を含むプレート状の部材である。なお、開口３Ｐに、網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタが配置されてもよい。
【００７０】
本実施形態において、多孔部材３６は、基板Ｐ（物体）の上面が対向可能な下面３６Ｂと、下面３６Ｂの反対方向を向く上面３６Ｕと、上面３６Ｕと下面３６Ｂとを結ぶ複数の孔とを有する。多孔部材３６の下面３６Ｂは、対向部３１の下面３１Ｂの周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、液浸部材３の下面２４の少なくとも一部は、対向部３１の下面３１Ｂ及び多孔部材３６の下面３６Ｂを含む。本実施形態において、回収口３４は、下面２４の少なくとも一部に配置される。
【００７１】
本実施形態において、回収口３４は、多孔部材３６の孔を含む。本実施形態において、基板Ｐ（物体）上の液体ＬＱは、多孔部材３６の孔（回収口３４）を介して回収される。なお、多孔部材３６が配置されなくてもよい。
【００７２】
回収口３４は、流路３４Ｒを介して、液体回収装置と接続される。液体回収装置は、回収口３４を真空システムに接続可能であり、回収口３４を介して液体ＬＱを吸引可能である。流路３４Ｒは、液浸部材３の内部に形成された回収流路３４Ｐ、及びその回収流路３４Ｐと液体回収装置とを接続する回収管で形成される流路を含む。なお、流路３４Ｒの少なくとも一部が、例えば支持部材１５に形成されてもよい。回収口３４から回収された液体ＬＱは、流路３４Ｒを介して、液体回収装置に回収される。
【００７３】
本実施形態において、制御装置４００は、供給口３３からの液体ＬＱの供給動作と並行して、回収口３４からの液体ＬＱの回収動作を実行することによって、一方側の終端光学素子１９及び液浸部材３と、他方側の物体との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成可能である。
【００７４】
なお、液浸部材３として、例えば米国特許出願公開第２００７／０１３２９７６号明細書、欧州特許出願公開第１７６８１７０号明細書に開示されているような液浸部材（ノズル部材）を用いることができる。
【００７５】
本実施形態において、液浸部材３は、支持部材１５に支持される。本実施形態において、液浸部材３は、支持機構３７を介して、支持部材１５に支持される。本実施形態においては、流路３３Ｒ、３４Ｒの少なくとも一部が、支持機構３７に配置される。なお、支持機構３７が、例えば液浸部材３を移動するアクチュエータを含む駆動システムを有してもよい。例えば、液浸部材３が、駆動システムの作動により、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺの６つの方向の少なくとも一つの方向に移動してもよい。なお、支持機構３７が、例えばバネ部材及びベローズ部材等、液浸部材３を移動可能に支持する弾性部材（可撓性部材）を有してもよい。
【００７６】
なお、本実施形態においては、支持部材１５が、液浸部材３及び保持機構４の両方を支持することとするが、液浸部材３を支持する部材と保持機構４を支持する部材とが別の部材でもよい。なお、投影光学系ＰＬを支持する部材と液浸部材３を支持する部材とが別の部材でもよいし、同じ部材でもよい。なお、液浸部材３を支持する部材とヘッドユニット６を支持する部材とが別の部材でもよいし、同じ部材でもよい。
【００７７】
基板ステージ２Ｐは、基板Ｐをリリース可能に保持する第１保持部２１を有する。本実施形態において、第１保持部２１は、所謂ピンチャック機構を含み、基板Ｐの裏面が対向可能な支持面２５と、支持面２５に配置され、基板Ｐの裏面が対向可能な上面を有する壁部材２６と、基板Ｐの裏面を支持する複数の支持部材２７と、支持面２５に配置され、気体を吸引する吸引口２８とを含む。ＸＹ平面内において、壁部材２６は、環状である。支持部材２７は、ピン状の部材である。複数の支持部材２７は、壁部材２６の内側に配置される。また、吸引口２８も、壁部材２６の内側に配置される。吸引口２８は、流路を介して真空システムに接続可能である。支持面２８と基板Ｐの裏面と壁部材２６とで形成される空間の気体が吸引口２８から吸引されることによって、基板Ｐが支持部材２７の上面に吸着される。また、吸引口２８の吸引動作が解除されることによって、基板Ｐが第１保持部２１からリリースされる。
【００７８】
また、基板ステージ２Ｐは、スケール部材Ｔをリリース可能に保持する第２保持部２２を有する。本実施形態において、第２保持部２２は、所謂ピンチャック機構を含む。第２保持部２２についての詳細な説明は省略する。
【００７９】
また、基板ステージ２Ｐは、基板Ｐの裏面を支持可能な上面３８を有する支持部材３９と、その支持部材３９をＺ軸方向に移動可能な駆動システム４０とを含む移動装置４１を有する。支持部材３９は、複数のロッド部を有する。支持部材３９は、複数のロッド部のそれぞれの上面３８で、基板Ｐの裏面の複数の位置（例えば３か所）を支持可能である。基板ステージ２Ｐ（第１保持部２１）は、支持部材３９の少なくとも一部が配置される開口（孔）４２を有する。支持部材３９の少なくとも一部は、開口４２を移動可能である。
【００８０】
本実施形態において、移動装置４１は、上面３８に配置され、流体（気体及び液体の一方又は両方）を吸引可能な吸引口２９を有する。吸引口２９は、真空システムに接続可能である。制御装置４００は、上面３８と基板Ｐの裏面とが接触した状態で、吸引口２９の吸引動作を実行することによって、基板Ｐを上面３８に吸着させることができる。すなわち、本実施形態において、支持部材３９は、基板Ｐの裏面を吸着保持することができる。また、吸引口２９の吸引動作が解除されることによって、基板Ｐが支持部材３９（上面３８）からリリースされる。
【００８１】
移動装置４１は、支持部材３９で基板Ｐの裏面を支持した状態で、その支持部材３９を＋Ｚ方向に移動することにより、基板Ｐと第１保持部２１とを離すことができる。また、移動装置４１は、支持部材３９で基板Ｐの裏面を支持した状態で、その支持部材３９を−Ｚ方向に移動することにより、基板Ｐと第１保持部２１とを近づけることができる。
【００８２】
次に、保持機構４について説明する。保持機構４は、カバー部材ＣＰを保持可能な保持部材４３を備えている。また、保持機構４は、保持部材４３を移動可能な駆動システム４４を備えている。駆動システム４４は、例えばボイスコイルモータ等の電磁アクチュエータを含み、保持部材４３を少なくともＺ軸方向に移動可能である。本実施形態において、駆動システム４４は、保持部材４３を、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺの６つの方向に移動可能である。なお、保持部材４３は、Ｘ軸、Ｙ軸、θＸ、θＹ、及びθＺの方向のうちの少なくとも一つの方向に動かなくてもよい。また、後述する保持部材４３の保持面４５を、液浸部材３の下面２４より低い位置、すなわち液浸部材３の下面２４より−Ｚ側に配置できる場合には、保持部材４３がＺ軸方向に移動可能でなくてもよい。
【００８３】
本実施形態において、保持機構４は、液浸部材３の周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、保持部材４３及びその保持部材４３を移動可能な駆動システム４４は、液浸部材３の周囲において複数配置される。例えば、図５に示すように、保持部材４３及び駆動システム４４は、液浸部材３の＋Ｙ側及び−Ｙ側のそれぞれに配置されてもよいし、＋Ｘ側及び−Ｘ側のそれぞれに配置されてもよい。また、保持部材４３及び駆動システム４４が、液浸部材３の周囲の３か所に配置されてもよい。なお、保持部材４及び駆動システム４４が、液浸部材３の周囲の１か所に配置されてもよい。
【００８４】
保持部材４３は、カバー部材ＣＰ等の物体の上面が対向可能な保持面４５を有する。保持面４５の少なくとも一部は、−Ｚ方向を向く。保持面４５とカバー部材ＣＰの上面とは接触可能である。保持機構４は、保持部材４３の保持面４５で、カバー部材ＣＰの上面の少なくとも一部を保持することができる。
【００８５】
本実施形態において、保持機構４は、保持面４５に配置され、流体（気体及び液体の一方又は両方）を吸引可能な吸引口４６を有する。吸引口４６は、真空システムに接続可能である。制御装置４００は、保持面４５とカバー部材ＣＰの上面とが接触した状態で、吸引口４６の吸引動作を実行することによって、カバー部材ＣＰを保持面４５に吸着させることができる。すなわち、本実施形態において、保持部材４３は、カバー部材ＣＰＰの上面を吸着保持することができる。また、吸引口４６の吸引動作が解除されることによって、カバー部材ＣＰが保持部材４３（保持面４５）からリリースされる。
【００８６】
本実施形態において、保持部材４３の保持面４５は、保持部材４３の最も−Ｚ側に配置される。液浸部材３の下面２４は、液浸部材３の最も−Ｚ側に配置される。例えば基板Ｐの露光において、保持面４５は、下面２４よりも＋Ｚ側に配置される。換言すれば、基板Ｐの露光において、保持面４５は、下面２４よりも基板Ｐ等の物体から離れる。制御装置４００は、保持面４５が下面２４よりも＋Ｚ側に配置されるように、例えば駆動システム４４を制御して、液浸部材３に対する保持部材４３の位置を調整することができる。なお、支持機構３７が、液浸部材３の位置を調整可能な駆動システムを備えている場合、制御装置４００は、保持面４５が下面２４よりも＋Ｚ側に配置されるように、支持機構３７の駆動システムを制御して、保持部材４３に対する液浸部材３の位置を調整してもよいし、駆動システム４４及び支持機構３７の駆動システムの両方を制御して、Ｚ軸方向に関する保持部材４３と液浸部材３との相対位置を調整してもよい。
【００８７】
また、本実施形態においては、基板Ｐの露光において、基板Ｐ等の物体が対向可能なヘッドユニット６の下面は、液浸部材３の下面２４よりも＋Ｚ側に配置される。また、本実施形態においては、基板Ｐの露光において、ヘッドユニット６の下面は、保持部材４３の保持面４５よりも＋Ｚ側に配置される。なお、基板Ｐの露光において、ヘッドユニット６の下面が、保持部材４３の保持面４５よりも−Ｚ側に配置されてもよいし、Ｚ軸方向に関して保持面４５とほぼ同じ位置（高さ）に配置されてもよい。
【００８８】
次に、本実施形態に係る露光装置ＥＸの動作の一例について説明する。本実施形態においては、図６に示すように、基板Ｐの露光を含む露光シーケンス（ステップＳＴ１）と、メンテナンスシーケンス（ステップＳＴ２）とが実行される。
【００８９】
露光シーケンス（ＳＴ１）について説明する。制御装置４００は、基板ステージ２Ｐを第１基板交換位置ＣＰ１に移動し、その第１基板交換位置ＣＰ１に配置された基板ステージ２Ｐに露光前の基板Ｐを搬入（ロード）する。なお、基板ステージ２Ｐに露光後の基板Ｐが保持されている場合、制御装置４００は、第２基板交換位置ＣＰ２に配置された基板ステージ２Ｐから露光後の基板Ｐを搬出（アンロード）した後、その基板ステージ２Ｐを第１基板交換位置ＣＰ１に移動して、その基板ステージ２Ｐに露光前の基板Ｐをロードする。
【００９０】
基板ステージ２Ｐから基板Ｐを搬出する処理及び基板ステージ２Ｐに基板Ｐを搬入する処理を含む基板交換処理が実行されている間、露光位置ＥＰに計測ステージ２Ｃが配置される。制御装置４００は、計測ステージ２Ｃ上に液浸空間ＬＳが形成されている状態で、その計測ステージ２Ｃに配置されている計測部材Ｃ（計測器）を用いる計測処理を実行してもよい。例えば、制御装置４００は、終端光学素子１９及び液浸部材３と計測ステージ２Ｃとの間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳが形成されている状態で、射出面１８から露光光ＥＬを射出してもよい。これにより、露光位置ＥＰに計測ステージ２Ｃが配置されている状態において、射出面１８と計測ステージ２Ｃの計測部材Ｃとの間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされた状態で、射出面１８からの露光光ＥＬが計測ステージ２Ｃの計測部材Ｃに照射され、計測ステージ２Ｃに配置されている計測部材Ｃ（計測器）は、液体ＬＱを介して露光光ＥＬを受光することができる。
【００９１】
基板Ｐの交換処理が終了した後、制御装置４００は、露光位置ＥＰから計測ステージ２Ｃを退かすとともに、露光位置ＥＰに基板ステージ２Ｐを配置する。制御装置４００は、液浸空間ＬＳが形成されている状態で、露光位置ＥＰに配置されるステージを、計測ステージ２Ｃから基板ステージ２Ｐに交換する。制御装置４００は、例えば米国特許出願公開第２００６／００２３１８６号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１２７００６号明細書等に開示されているように、基板ステージ２Ｐの上面と計測ステージ２Ｃの上面とを接近又は接触させた状態で、終端光学素子１９及び液浸部材３と基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃの少なくとも一方とを対向させつつ、終端光学素子１９及び液浸部材３に対して、基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２ＣをＸＹ平面内において移動させる。これにより、液体ＬＱの漏出が抑制されつつ、液浸空間ＬＳが終端光学素子１９及び液浸部材３と計測ステージ２Ｃとの間に形成される状態から、終端光学素子１９及び液浸部材３と基板ステージ２Ｐとの間に形成される状態へ変化する。また、制御装置４００は、液浸空間ＬＳが、終端光学素子１９及び液浸部材３と基板ステージ２Ｐとの間に形成される状態から、終端光学素子１９及び液浸部材３と計測ステージ２Ｃとの間に形成される状態へ変化させることもできる。
【００９２】
以下の説明において、基板ステージ２Ｐの上面と計測ステージ２Ｃの上面とを接近又は接触させた状態で、露光位置ＥＰに基板ステージ２Ｐの少なくとも一部が配置される状態、及び露光位置ＥＰに計測ステージ２Ｃの少なくとも一部が配置される状態の一方から他方へ変化するように、終端光学素子１９及び液浸部材３に対して基板ステージ２Ｐと計測ステージ２ＣとをＸＹ平面内において同期移動させる動作を適宜、スクラム移動動作、と称する。
【００９３】
制御装置４００は、基板Ｐの露光を開始するために、終端光学素子１９の射出面１８、及び射出面１８から射出される露光光ＥＬの光路Ｋの周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材３の下面２４の少なくとも一部と対向するように基板Ｐが配置された状態で、供給口３３から射出面１８側に液体ＬＱを供給するとともに、その液体ＬＱの少なくとも一部を回収口３４から回収して、基板Ｐ上に液体ＬＱの液浸空間ＬＳを形成する。
【００９４】
本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。
【００９５】
本実施形態においては、基板Ｐに露光対象領域であるショット領域がマトリクス状に複数配置される。例えば基板Ｐの最初のショット領域（第１ショット領域）を露光するために、制御装置４００は、基板Ｐ（第１ショット領域）を投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを介して第１ショット領域に露光光ＥＬを照射する。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐの第１ショット領域に投影され、その第１ショット領域が射出面１８から射出された露光光ＥＬで露光される。
【００９６】
第１ショット領域の露光が終了した後、制御装置４００は、次の第２ショット領域の露光を開始するために、液浸空間ＬＳが形成されている状態で、基板ＰをＸＹ平面内における所定方向（例えばＸ軸方向、あるいはＸＹ平面内においてＸ軸方向に対して傾斜する方向等）に移動し、第２ショット領域を露光開始位置に移動する。その後、制御装置４００は、第２ショット領域の露光を開始する。
【００９７】
制御装置４００は、投影領域ＰＲに対してショット領域をＹ軸方向に移動しながらそのショット領域を露光する動作と、そのショット領域の露光が終了した後、次のショット領域を露光開始位置に移動するための動作とを繰り返しながら、基板Ｐの複数のショット領域を順次露光する。
【００９８】
このように、本実施形態においては、制御装置４００は、基板ステージ２ＰをＸＹ平面内で移動しながら、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して基板Ｐの複数のショット領域を順次露光する。
【００９９】
基板Ｐの複数のショット領域のうち、最後のショット領域の露光が終了した後、制御装置４００は、基板ステージ２Ｐを露光位置ＥＰから第２基板交換位置ＣＰ２へ移動する。すなわち、制御装置４００は、第１保持部２１から露光後の基板Ｐを搬出するために、基板ステージ２ＰをＸＹ平面内で移動して、第２基板交換位置ＣＰ２に配置する動作を開始する。
【０１００】
基板ステージ２Ｐが露光位置ＥＰから離れるとき、スクラム移動動作が実行され、露光位置ＥＰには計測ステージ２Ｃが配置され、終端光学素子１９及び液浸部材３と計測ステージ２Ｃとの間に液浸空間ＬＳが形成される。
【０１０１】
以下、上述の処理が繰り返され、複数の基板Ｐが順次露光される。
【０１０２】
本実施形態においては、スクラム移動動作が実行されることにより、露光シーケンスにおいて液浸空間ＬＳが形成され続ける。
【０１０３】
次に、メンテナンスシーケンス（ＳＴ２）について説明する。メンテナンスシーケンスにおいては、基板Ｐの露光処理は実行されない。
【０１０４】
メンテナンスシーケンスにおいては、カバー部材ＣＰが使用される。カバー部材ＣＰは、露光される基板の外形とほぼ同じ外形を有してもよい。また、カバー部材ＣＰの表面は、撥液処理されていてもよい。
【０１０５】
本実施形態においては、２つのカバー部材ＣＰが使用される。以下の説明においては、メンテナンスシーケンスにおいて使用される２つのカバー部材ＣＰのそれぞれを適宜、第１カバー部材ＣＰａ及び第２カバー部材ＣＰｂ、と称する。
【０１０６】
図７に示すように、メンテナンスシーケンスは、保持機構４に第１カバー部材ＣＰａを搬送（搬入）する処理（ステップＳＢ１）と、保持機構４で第１カバー部材ＣＰａを保持する処理（ステップＳＢ２）と、第１保持部２１に第２カバー部材ＣＰｂを搬送（搬入）する処理（ステップＳＢ３）と、第１保持部２１で第２カバー部材ＣＰｂを保持する処理（ステップＳＢ４）と、露光装置ＥＸの部材の少なくとも一部をメンテナンスする処理（ステップＳＢ５）と、第１保持部２１から第２カバー部材ＣＰｂを搬送（搬出）する処理（ステップＳＢ６）と、保持機構４から第１カバー部材ＣＰａを搬送（搬出）する処理（ステップＳＢ７）と、を含む。
【０１０７】
本実施形態においては、メンテナンスシーケンスの少なくとも一部において、第１カバー部材ＣＰａの上面が射出面１８及び下面２４の少なくとも一部と対向するように、第１カバー部材ＣＰａが保持機構４で保持される。
【０１０８】
メンテナンスシーケンスにおいて、第１カバー部材ＣＰａが保持機構４に搬送（搬入）される（ステップＳＢ１）。本実施形態においては、メンテナンスシーケンスにおいて、第１カバー部材ＣＰａが、露光装置ＥＸ（チャンバ装置１１）の外部から、露光装置ＥＸ（チャンバ装置１１）の内部に搬入される。本実施形態においては、露光装置ＥＸ（チャンバ装置１１）にＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）と呼ばれる基板収容装置が接続される。基板収容装置には、例えば１ロット分（例えば２５枚）の基板Ｐが収容される。第１カバー部材ＣＰａは、その基板収容装置と露光装置ＥＸとの接続部から、露光装置ＥＸの内部に搬入される。なお、露光装置ＥＸと接続されるコータ・デベロッパ装置等の基板処理装置を介して、露光装置ＥＸの内部に第１カバー部材ＣＰａが搬入されてもよい。
【０１０９】
露光装置ＥＸの外部から内部に搬入された第１カバー部材ＣＰａは、第１搬送部材９Ａに保持される。
【０１１０】
本実施形態においては、基板ステージ２Ｐが、保持機構４に第１カバー部材ＣＰａを搬送する搬送装置として機能する。基板ステージ２Ｐの第１保持部２１は、第１カバー部材ＣＰａを保持可能である。第１保持部２１は、第１カバー部材ＣＰａをリリース可能に保持することができる。制御装置４００は、第１搬送部材９Ａを用いて、第１基板交換位置ＣＰ１に配置されている基板ステージ２Ｐの第１保持部２１に第１カバー部材ＣＰａを搬入する。なお、第１保持部２１に第１カバー部材ＣＰａを搬入するとき、第１保持部２１に基板Ｐ等、第１カバー部材ＣＰａ以外の部材が保持されている場合、その部材が第１保持部２１から除かれた後、第１保持部２１に第１カバー部材ＣＰａが搬入される。第１保持部２１は、第１搬送部材９Ａから搬送された第１カバー部材ＣＰａを保持する。
【０１１１】
本実施形態においては、第１基板交換位置ＣＰ１に配置されている基板ステージ２Ｐの第１保持部２１に第１カバー部材ＣＰａを搬送する動作が実行されているとき、露光位置ＥＰに計測ステージ２Ｃが配置され、終端光学素子１９及び液浸部材３と計測ステージ２Ｃとの間に液浸空間ＬＳが形成される。本実施形態においては、露光シーケンスからメンテナンスシーケンスへ移行するときも、液浸空間ＬＳが形成され続ける。
【０１１２】
第１保持部２１に第１カバー部材ＣＰａが保持された後、制御装置４００は、基板ステージ２Ｐを露光位置ＥＰに移動する。すなわち、例えば図８に示すように、制御装置４００は、第１保持部２１に保持された第１カバー部材ＣＰａの上面と、射出面１８及び下面２４の少なくとも一部とが対向するように、基板ステージ２Ｐの位置を制御する。制御装置４００は、スクラム移動動作を実行して、終端光学素子１９及び液浸部材３と計測ステージ２Ｐとの間に液浸空間ＬＳが形成されている状態から、終端光学素子１９及び液浸部材３と基板ステージ２Ｐ（第１保持部２１に保持されている第１カバー部材ＣＰａ）との間に液浸空間ＬＳが形成される状態へ変化させる。すなわち、本実施形態においては、第１カバー部材ＣＰａが射出面１８及び下面２４と対向しない状態から対向する状態へ変化するときにおいても、液浸空間ＬＳが形成され続ける。液浸空間ＬＳは、第１カバー部材ＣＰａ上に局所的に形成される。ＸＹ平面内における液浸空間ＬＳの大きさ（寸法）は、カバー部材ＣＰの上面の大きさ（寸法）よりも小さい。
【０１１３】
次に、制御装置４００は、第１カバー部材ＣＰａを基板ステージ２Ｐ（第１保持部２１）から保持機構４へ渡す動作を開始する。本実施形態においては、終端光学素子１９及び液浸部材３と第１カバー部材ＣＰａとの間に液体ＬＱの液浸空間ＬＳが形成された状態で、第１保持部２１から保持機構４に第１カバー部材ＣＰａが渡される。図９に示すように、制御装置４００は、第１保持部２１の吸引口２８の吸引動作を解除して、第１保持部２１から第１カバー部材ＣＰａをリリースするとともに、移動装置４１を制御して、支持部材３９を＋Ｚ方向に移動する。支持部材３９の上面３８と第１カバー部材ＣＰａの下面（裏面）とが接触し、吸引口２９の吸引動作が開始されることにより、第１カバー部材ＣＰａの下面が支持部材３９の上面３８に吸着保持される。制御装置４００は、第１カバー部材ＣＰａの下面を吸着保持した支持部材３９を、＋Ｚ方向に移動する。これにより、第１カバー部材ＣＰａが第１保持部２１から離れる。
【０１１４】
また、制御装置４００は、駆動システム４４を制御して、保持部材４３を−Ｚ方向に移動する。制御装置４００は、保持部材４３の保持面４５が、液浸部材３の下面２４よりも下側（−Ｚ側）に配置されるように、駆動システム４４を用いて保持部材４３を移動する。すなわち、制御装置４００は、保持部材４３で第１カバー部材ＣＰａを保持するために、保持面４５が下面２４よりも＋Ｚ側に配置されている状態から、−Ｚ側に配置される状態へ変化するように、保持部材４３の位置を制御する。
【０１１５】
これにより、図９に示すように、保持部材４３の保持面４５と、支持部材４３に支持されている第１カバー部材ＣＰａの上面とが接触する。制御装置４００は、保持面４５と第１カバー部材ＣＰａの上面とが接触している状態で、吸引口２９の吸引動作を解除し、保持部材４３に設けられている吸引口４６の吸引動作を開始する。これにより、第１カバー部材ＣＰａは、支持部材４３からリリースされるとともに、保持部材４３（保持面４５）に吸着保持される。すなわち、第１カバー部材ＣＰａは、基板ステージ２Ｐ（第１保持部２１）から保持機構４へ渡される。保持機構４は、第１カバー部材ＣＰａの上面が射出面１８及び下面２４の少なくとも一部と対向するように、第１カバー部材ＣＰａを保持する（ステップＳＢ２）。第１カバー部材ＣＰａは、終端光学素子１９の少なくとも一部、及び液浸部材３の少なくとも一部を覆うように配置される。
【０１１６】
本実施形態において、保持機構４は、保持面４５が下面２４よりも−Ｚ側に配置された状態で、第１カバー部材ＣＰａを保持する。本実施形態において、保持機構４は、第１カバー部材ＣＰａの上面の少なくとも一部を保持する。本実施形態において、第１カバー部材ＣＰａの上面の外形は、液浸部材３の下面２４の外形よりも大きい。保持機構４は、液浸部材３の外側で、第１カバー部材ＣＰａを保持する。本実施形態においては、保持機構４に保持されている第１カバー部材ＣＰａの上面と、射出面１８及び下面２４とが対向している状態において、第１カバー部材ＣＰａの上面のエッジは、液浸部材３の下面２４のエッジよりも外側に配置される。
【０１１７】
例えば図１０に示すように、第１カバー部材ＣＰａが保持機構４に保持された後、基板ステージ２Ｐは、露光位置ＥＰから退避してもよい。本実施形態においては、第１カバー部材ＣＰａが保持機構４に保持されている状態において、基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃのそれぞれは、第１カバー部材ＣＰａの下方の空間を移動可能である。
【０１１８】
本実施形態においては、第１カバー部材ＣＰａが基板ステージ２Ｐから保持機構４に渡されるときにおいても、液浸空間ＬＳが形成され続ける。すなわち、本実施形態においては、制御装置４００は、終端光学素子１９及び液浸部材３と第１カバー部材ＣＰａとの間に液浸空間ＬＳが形成されている状態で、基板ステージ２Ｐから保持機構４へ第１カバー部材ＣＰａを渡す動作を実行する。
【０１１９】
また、図１０に示すように、保持機構４に第１カバー部材ＣＰａが保持された状態で、終端光学素子１９及び液浸部材３と第１カバー部材ＣＰａとの間に液浸空間ＬＳが形成される。制御装置４００は、保持機構４に第１カバー部材ＣＰａが保持され、終端光学素子１９及び液浸部材３と第１カバー部材ＣＰａとが対向している状態において、供給口３３から液体ＬＱを供給するとともに、回収口３４から液体ＬＱを回収する。
【０１２０】
次に、第２カバー部材ＣＰｂが第１保持部２１に搬送（搬入）される（ステップＳＢ３）。制御装置４００は、第２カバー部材ＣＰｂを基板ステージ２Ｐ（第１保持部２１）に渡す動作を開始する。本実施形態においては、第１カバー部材ＣＰａが第１保持部２１から保持機構４に渡された後、基板ステージ２Ｐは、第１基板交換位置ＣＰ１に移動される。第２カバー部材ＣＰｂが、露光装置ＥＸ（チャンバ装置１１）の外部から、露光装置ＥＸ（チャンバ装置１１）の内部に搬入される。第２カバー部材ＣＰｂは、基板収容装置（ＦＯＵＰなど）から搬入されてもよいし、基板処理装置（コータ・デベロッパ装置など）から搬入されてもよい。
【０１２１】
露光装置ＥＸの外部から内部に搬入された第２カバー部材ＣＰｂは、第１搬送部材９Ａに保持される。制御装置４００は、第１搬送部材９Ａを用いて、第１基板交換位置ＣＰ１に配置されている基板ステージ２Ｐの第１保持部２１に第２カバー部材ＣＰｂを搬入する。第１保持部２１に第２カバー部材ＣＰｂが配置される。第１保持部２１は、第１搬送部材９Ａから搬送された第２カバー部材ＣＰｂを保持する（ステップＳＢ４）。
【０１２２】
本実施形態においては、終端光学素子１９及び液浸部材３と保持機構４に保持された第１カバー部材ＣＰａとの間に液体ＬＱの液浸空間ＬＳが形成された状態で、第１保持部２１に第２カバー部材ＣＰｂが配置される。すなわち、第１基板交換位置ＣＰ１に配置されている基板ステージ２Ｐの第１保持部２１に第２カバー部材ＣＰｂを搬送する動作が実行されているときにおいても、射出面１８及び下面２４と対向するように、保持機構４に保持された第１カバー部材ＣＰａの上面が配置され、終端光学素子１９及び液浸部材３と第１カバー部材ＣＰａとの間に液浸空間ＬＳが形成される。
【０１２３】
保持機構４に第１カバー部材ＣＰａが保持され、第１保持部２１に第２カバー部材ＣＰｂが保持された後、メンテナンスが実行される（ステップＳＢ５）。本実施形態においては、メンテナンスにおいて、第１カバー部材ＣＰａが保持機構４に保持されつつ、基板ステージ２Ｐの第１保持部２１に第２カバー部材ＣＰｂが配置される。
【０１２４】
本実施形態においては、保持機構４に第１カバー部材ＣＰａが保持され、第１保持部２１に第２カバー部材ＣＰｂが保持されている状態で、例えば基板ステージ２Ｐのメンテナンスが実行される。
【０１２５】
基板ステージ２Ｐのメンテナンスは、基板ステージ２Ｐのクリーニングを含む。基板ステージ２Ｐのメンテナンスは、第１保持部２１の周囲に配置される基板ステージ２Ｐの上面２３のクリーニングを含む。基板ステージ２Ｐのメンテナンスは、第１保持部２１に第２カバー部材ＣＰｂが配置された状態で行われる上面２３の異物の除去を含む。
【０１２６】
図１１は、本実施形態に係る基板ステージ２Ｐのメンテナンスの一例を示す図である。図１１に示すように、メンテナンスにおいて、終端光学素子１９及び液浸部材３と保持機構４に保持された第１カバー部材ＣＰａとの間に液体ＬＱの液浸空間が形成され続ける。終端光学素子１９及び液浸部材３と第１カバー部材ＣＰａとが対向している状態において、供給口３３からの液体ＬＱの供給と回収口３４からの液体ＬＱの回収とが行われる。
【０１２７】
図１１に示すように、露光装置ＥＸは、メンテナンスシーケンスにおいて、基板ステージ２Ｐをメンテナンスするメンテナンス装置６０を備えている。メンテナンス装置６０は、基板ステージ２Ｐの少なくとも一部をクリーニング可能なクリーニング装置を含む。メンテナンス装置６０は、基板ステージ２Ｐの異物を除去可能な除去装置を含む。異物は、パーティクル及び残留液体の一方又は両方を含む。以下の説明において、メンテナンス装置６０を適宜、クリーニング装置６０、と称する。
【０１２８】
基板ステージ２Ｐのメンテナンスは、基板ステージ２Ｐが露光装置ＥＸ（チャンバ装置１１）の内部に配置されている状態で実行される。本実施形態において、クリーニング装置６０は、露光位置ＥＰと第１基板交換位置ＣＰ１との間において基板ステージ２Ｐをメンテナンス（クリーニング）する。なお、クリーニング装置６０は、露光位置ＥＰと第２基板交換位置ＣＰ２との間において基板ステージ２Ｐをメンテナンス（クリーニング）してもよい。
【０１２９】
本実施形態において、クリーニング装置６０は、給気部を有する。給気部は、給気部材６０Ｍに設けられた開口（給気口）６０Ｓを含む。給気口６０Ｓは、気体を噴射可能である。本実施形態において、クリーニング装置６０は、基板ステージ２Ｐの上面２３に、給気口６０Ｓからの気体を吹き付ける。給気口６０Ｓから基板ステージ２Ｐの上面２３に気体が供給されることにより、上面２３の異物が除去される。
【０１３０】
制御装置４００は、基板ステージ２Ｐの上面２３と給気口６０Ｓとが対向された状態で、基板ステージ２Ｐと給気部材６０Ｍとを相対移動しながら、給気口６０Ｓから気体を供給してもよい。例えば、制御装置４００は、上面２３と給気口６０Ｓとが対向された状態で、基板ステージ２Ｐに対して給気部材６０ＭをＸＹ平面内において移動しながら、基板ステージ２Ｐに気体を吹き付けてもよい。制御装置４００は、上面２３と給気口６０Ｓとが対向された状態で、給気部材６０Ｍに対して基板ステージ２ＰをＸＹ平面内において移動しながら、基板ステージ２Ｐに気体を吹き付けてもよい。制御装置４００は、上面２３と給気口６０Ｓとが対向された状態で、給気部材６０Ｍ及び基板ステージ２Ｐの両方をＸＹ平面内において移動しながら、基板ステージ２Ｐに気体を吹き付けてもよい。これにより、上面２３の広い範囲がクリーニングされる。
【０１３１】
図１２に示すように、本実施形態において、給気口６０Ｓからの気体によって基板ステージ２Ｐ（上面２３）から除去された異物の少なくとも一部は、チャンバ装置１１が有する排出口１１Ｈから排出される。チャンバ部材１１Ａによって基板ステージ２Ｐが移動される空間ＣＳ２が形成される。排出口１１Ｈは、空間ＣＳ２に面するように設けられる。環境制御装置１１Ｂは、空間ＣＳ２にクリーンで温度及び湿度が調整された気体を供給する給気部１１Ｂａと、空間ＣＳ２の気体の少なくとも一部を排出するための吸引装置（排気装置）１１Ｂｂとを有する。空間ＣＳ２において、給気部１１Ｂａから排出口１１Ｈ（吸引装置１１Ｂｂ）に向かう気流が生成される。クリーニング装置６０によって基板ステージ２Ｐ（上面２３）から除去された異物の少なくとも一部は、環境制御装置１１Ｂによって空間ＣＳ２に生成された気流により、排出口１１Ｈから排出される。
【０１３２】
なお、吸引装置（排気装置）１１Ｂｂを設けずに、自然排気により排出口１１Ｈから異物を排出してもよい。
【０１３３】
図１１に示すように、本実施形態においては、第１カバー部材ＣＰａが保持機構４に保持された状態で、その第１カバー部材ＣＰａの少なくとも一部をクリーニングするクリーニング装置５０が設けられる。クリーニング装置５０は、保持機構４から第１保持部２１に第１カバー部材ＣＰａが渡される前に、第１カバー部材ＣＰａの少なくとも一部をクリーニングする。
【０１３４】
クリーニング装置５０は、第１カバー部材ＣＰａに気体を供給する給気部（給気口）５０Ｓを有する給気部材５０Ｍを含む。クリーニング装置５０は、第１カバー部材ＣＰａの下面（裏面）に、給気口５０Ｓからの気体を吹き付ける。制御装置４００は、第１カバー部材ＣＰａが保持機構４に保持された状態で、その第１カバー部材ＣＰａの下面に気体を吹き付ける。これにより、例えば第１カバー部材ＣＰａの下面の異物が除去される。また、制御装置４００は、第１カバー部材ＣＰａに対して給気部材５０Ｍを移動しながら、第１カバー部材ＣＰａの下面に気体を吹き付けてもよい。第１カバー部材ＣＰａから除去された異物の少なくとも一部は、例えば排出口１１Ｈから排出される。
【０１３５】
なお、本実施形態において、第１カバー部材ＣＰａのクリーニングは省略されてもよい。なお、本実施形態において、クリーニング装置５０は省略されてもよい。
【０１３６】
基板ステージ２Ｐのメンテナンス（クリーニング）が終了した後、第１保持部２１から第２カバー部材ＣＰｂが搬出される（ステップＳＢ５）。第１保持部２１から第２カバー部材ＣＰｂを搬出するとき、制御装置４００は、基板ステージ２Ｐを第２基板交換位置ＣＰ２に移動する。制御装置４００は、第２搬送部材９Ｂを用いて、第２基板交換位置ＣＰ２に配置された基板ステージ２Ｐの第１保持部２１から、第２カバー部材ＣＰｂを搬出する。
【０１３７】
第１保持部２１から第２カバー部材ＣＰｂが搬出された後、保持機構４から第１カバー部材ＣＰａが搬出される（ステップＳＢ７）。本実施形態においては、保持機構４から第１保持部２１に第１カバー部材ＣＰａが渡される。制御装置４００は、第１カバー部材ＣＰａを保持機構４から第１保持部２１（基板ステージ２Ｐ）へ渡すために、基板ステージ２Ｐを露光位置ＥＰに配置する。換言すれば、制御装置４００は、保持機構４に保持された第１カバー部材ＣＰａの下面（裏面）が対向する位置に第１保持部２１（基板ステージ２Ｐ）を配置する。
【０１３８】
制御装置４００は、第１カバー部材ＣＰａの下面と第１保持部２１とが対向している状態で、移動装置４１を制御して、支持部材３９を＋Ｚ方向に移動する。支持部材３９の上面３８と第１カバー部材ＣＰａの下面とが接触し、吸引口２９の吸引動作が開始されることにより、第１カバー部材ＣＰａの下面が支持部材３９の上面３８に吸着保持される。また、制御装置４００は、吸引口４６の吸引動作を解除し、保持面４５からカバー部材ＣＰをリリースする。
【０１３９】
制御装置４００は、第１カバー部材ＣＰａの下面を吸着保持した支持部材３９を、−Ｚ方向に移動する。これにより、第１カバー部材ＣＰａが第１保持部２１に近づく。制御装置４００は、第１カバー部材ＣＰａを第１保持部２１で保持する。これにより、第１カバー部材ＣＰａが保持機構４から第１保持部２１に渡される。また、制御装置４００は、第１カバー部材ＣＰａが保持機構４から第１保持部２１に渡された後、保持面４５が下面２４よりも＋Ｚ側（上側）に配置されるように、駆動システム４４を制御して、保持部材４３を移動する。
【０１４０】
本実施形態においては、終端光学素子１９及び液浸部材３と第１カバー部材ＣＰａとの間に液体ＬＱの液浸空間ＬＳが形成されている状態で、保持機構４から第１保持部２１に第１カバー部材ＣＰａが渡される。すなわち、保持機構４から第１保持部２１に第１カバー部材ＣＰａを渡す動作においても、終端光学素子１９及び液浸部材３と第１カバー部材ＣＰａとは対向し続ける。終端光学素子１９及び液浸部材３と第１カバー部材ＣＰａとが対向している状態において、供給口３３からの液体ＬＱの供給と回収口３４からの液体ＬＱの回収とが行われる。
【０１４１】
液浸空間ＬＳが形成された状態で、第１保持部２１に第１カバー部材ＣＰａが保持された後、液浸空間ＬＳの少なくとも一部が基板ステージ２Ｐの上面２３上に配置されるように、終端光学素子１９及び液浸部材３に対して基板ステージ２Ｐが移動される。保持機構４から第１保持部２１に第１カバー部材ＣＰａが渡された直後においては、終端光学素子１９及び液浸部材３と第１保持部２１に保持された第１カバー部材ＣＰａとが対向し、終端光学素子１９及び液浸部材３と第１カバー部材ＣＰａとの間に液浸空間ＬＳが形成される。液浸空間ＬＳが形成されている状態で、終端光学素子１９及び液浸部材３に対して基板ステージ２ＰがＸＹ平面内において移動することにより、液浸空間ＬＳが終端光学素子１９及び液浸部材３と第１カバー部材ＣＰａとの間に形成されている状態から、終端光学素子１９及び液浸部材３と基板ステージ２Ｐ（上面２３）との間に形成される状態に変化させることができる。上面２３上に形成される液浸空間ＬＳによって、その上面２３のメンテナンス（クリーニング）が行われてもよい。
【０１４２】
本実施形態においては、第１保持部２１に保持された第１カバー部材ＣＰａの上面と、その第１カバー部材ＣＰａの上面の周囲に配置される基板ステージ２Ｐの上面２３とは、実質的に同一平面内に配置されている（面一である）。したがって、液浸空間ＬＳは、第１カバー部材ＣＰａの上面上及び基板ステージ２Ｐの上面２３上の一方から他方に移動可能である。
【０１４３】
なお、第１カバー部材ＣＰａの上面と基板ステージ２Ｐの上面２３とは、同一平面内に配置されなくてもよい。第１カバー部材ＣＰａの上面の高さ（Ｚ軸方向の位置）と基板ステージ２Ｐの上面２３の高さとが異なってもよい。第１カバー部材ＣＰａの上面と基板ステージ２Ｐの上面２３とに段差があってもよい。
【０１４４】
第１保持部２１へ渡された第１カバー部材ＣＰａは、露光装置ＥＸの外部に搬出される。制御装置４００は、第１カバー部材ＣＰａを保持した基板ステージ２Ｐを、第２基板交換位置ＣＰ２へ移動する。なお、基板ステージ２Ｐを第２基板交換位置ＣＰ２へ移動するとき、スクラム移動動作が実行され、露光位置ＥＰに計測ステージ２Ｃが配置される。液浸空間ＬＳは、終端光学素子１９及び液浸部材３と計測ステージ２Ｃとの間に形成される。
【０１４５】
制御装置４００は、第２搬送部材９Ｂを用いて、第２基板交換位置ＣＰ２に配置されている基板ステージ２Ｐから、第１カバー部材ＣＰａを搬出する。第１カバー部材ＣＰａは、露光装置ＥＣの外部に搬出される。第１カバー部材ＣＰａが露光装置ＥＸの外部に搬出された後、例えば露光シーケンスが実行されてもよい。
【０１４６】
なお、本実施形態において、メンテナンスシーケンスから露光シーケンスへ移行するときも、液浸空間ＬＳが形成され続ける。
【０１４７】
以上説明したように、本実施形態によれば、メンテナンスシーケンスにおいて、第１保持部２１に第２カバー部材ＣＰｂが配置されるため、例えばクリーニング装置６０によるクリーニングによって基板ステージ２Ｐの上面２３から除去された異物が、第１保持部２１に付着することが抑制される。すなわち、第１保持部２１が第２カバー部材ＣＰｂで覆われた状態で露光装置ＥＸの部材（機器）のメンテナンスが行われるため、そのメンテナンスに起因して第１保持部２１が汚染されることが抑制される。そのため、例えば露光シーケンスにおいて、クリーンな第１保持部２１で基板Ｐが保持され、基板Ｐの汚染が抑制される。したがって、露光不良の発生、及び不良デバイスの発生が抑制される。
【０１４８】
また、本実施形態によれば、メンテナンスシーケンスにおいて、第１カバー部材ＣＰａの上面が射出面１８及び下面２４の少なくとも一部と対向するように第１カバー部材ＣＰａを配置するようにしたので、終端光学素子１９及び液浸部材３を第１カバー部材ＣＰａで保護しつつ、露光装置ＥＸの部材（機器）をメンテナンスすることができる。また、終端光学素子１９及び液浸部材３と第１カバー部材ＣＰａとの間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成することができるため、例えば終端光学素子１９及び液浸部材３の乾燥、あるいはその乾燥に伴う終端光学素子１９及び液浸部材３の性能の低下を抑制することができる。また、液体ＬＱの気化に伴う気化熱の発生（温度変化の発生）を抑制することができる。また、終端光学素子１９及び液浸部材３と第１カバー部材ＣＰａとの間に形成される液浸空間ＬＳの液体ＬＱで、終端光学素子１９及び液浸部材３の少なくとも一部をメンテナンスすることができる。したがって、露光装置ＥＸの部材（機器）の汚染が抑制され、露光不良の発生、及び不良デバイスの発生が抑制される。
【０１４９】
また、本実施形態によれば、第１カバー部材ＣＰａを保持機構４から第１保持部２１へ渡す前に、基板ステージ２Ｐの少なくとも一部をクリーニングするため、第１カバー部材ＣＰａを第１保持部２１に渡した後、基板ステージ２Ｐに起因する液浸部材３の汚染が抑制される。すなわち、第１カバー部材ＣＰａを第１保持部２１に渡した後においては、液浸部材３は第１カバー部材ＣＰａで覆われず、空間ＣＳに晒されることとなる。また、液浸部材３は、基板ステージ２Ｐと対向することとなる。基板ステージ２Ｐに異物が存在すると、第１カバー部材ＣＰａを第１保持部２１に渡した後、基板ステージ２Ｐの異物が液浸部材３に付着する可能性がある。本実施形態によれば、基板ステージ２Ｐをクリーニングしておくことにより、液浸部材３の汚染が抑制される。
【０１５０】
なお、本実施形態において、給気口６０Ｓは、基板ステージ２Ｐの上面２３の法線に対して斜めに気体を噴射してもよい。例えば、図１３に示すように、上面２３の異物が排出口１１Ｈに移動するように、給気口６０Ｓの向きが定められてもよい。
【０１５１】
なお、本実施形態においては、メンテナンスシーケンスにおいて第１カバー部材ＣＰａ上に供給される液体ＬＱが、露光シーケンスにおいて基板Ｐ上に供給される液体ＬＱと同じ液体であることとしたが、異なる液体でもよい。例えば、メンテナンスシーケンスで第１カバー部材ＣＰａ上に供給される液体が、過酸化水素を含む液体（例えば水）でもよいし、アルコールを含む液体でもよい。
【０１５２】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１５３】
図１４は、本実施形態に係るクリーニング装置６０１の一例を示す図である。図１４に示すように、クリーニング装置６０１が、気体を噴射する開口（給気口）６０１Ｓを複数有してもよい。図１４において、クリーニング装置６０１は、給気部材６０１Ｍを有する。複数の給気口６０１Ｓは、給気部材６０１Ｍに形成される。給気部材６０１Ｍは、複数の給気口６０１Ｓと結ばれる内部空間６０１Ｒを有する。気体供給装置６０１Ｆから内部空間６０１Ｒに送られた気体は、複数の給気口６０１Ｓのそれぞれから噴射される。
【０１５４】
本実施形態においても、基板ステージ２Ｐが良好にクリーニングされる。
【０１５５】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１５６】
図１５は、本実施形態に係るクリーニング装置６０２の一例を示す図である。クリーニング装置６０２は、気体を噴射する開口（給気口）６０２Ｓを複数有する。本実施形態においては、複数の給気口６０２Ｓのそれぞれから噴射される気体の流速が異なる。なお、複数の給気口６０２Ｓのそれぞれから噴射される単位時間当たりの気体の流量が異なってもよい。
【０１５７】
図１５において、クリーニング装置６０２は、給気部材６０２Ｍを有する。複数の給気口６０２Ｓは、給気部材６０２Ｍに形成される。給気部材６０２Ｍは、気体供給装置６０２Ｆからの気体が送られる流路６０２Ａと、その流路６０２Ａから分岐する複数の分岐流路６０２Ｂとを有する。複数の給気口６０２Ｓは、分岐流路６０２Ｂのそれぞれと結ばれる。
【０１５８】
本実施形態において、流路６０２Ａは、開口６０２Ｋを介して、気体供給装置６０２Ｆと結ばれる。気体供給装置６０２Ｆと流路６０２Ａとは、チューブ部材６０２Ｔを介して結ばれる。チューブ部材６０２Ｔの一端が気体供給装置６０２Ｆと結ばれ、チューブ部材６０２Ｔの他端が開口６０２Ｔ（流路６０２Ａ）と結ばれる。
【０１５９】
本実施形態において、開口６０２Ｋと複数の給気口６０２Ｓのそれぞれとの距離が異なる。開口６０２Ｋは、給気部材６０２Ｍの側面に形成される。複数の給気口６０２Ｓは、給気部材６０２Ｍの下面において、ＸＹ平面内における一方向（図１５に示す例ではＹ軸方向）に配置される。
【０１６０】
開口６０２Ｋに対する複数の給気口６０２Ｓそれぞれの距離が異なるため、複数の給気口６０２Ｓのそれぞれにおいて圧力損失が異なる。これにより、複数の給気口６０２Ｓのそれぞれから噴射される気体の流速（流量）が異なる。図１５に示す例では、複数の給気口６０２Ｓのそれぞれから噴射される気体の流速（流量）のうち、開口６０２Ｋに最も近い給気口６０２Ｓから噴射される気体の流速（流量）が最も高く（多く）、開口６０２Ｋから最も遠い給気口６０２Ｓから噴射される気体の流速（流量）が最も低い（少ない）。
【０１６１】
なお、給気部材６０２Ｍの構造は上記に限定されず、例えば開口６０２Ｋに最も近い給気口６０２Ｓから噴射される気体の流速（流量）を最も低く（少なく）、開口６０２Ｋから最も遠い給気口６０２Ｓから噴射される気体の流速（流量）を最も高く（多く）なるようにしてもよい。
【０１６２】
複数の給気口６０２Ｓのそれぞれから噴射される気体の流速（流量）が異なることにより、例えば上面２３の異物を望みの方向（位置）に誘導することができる。図１５に示す例では、上面２３の異物は、＋Ｙ方向に誘導される。複数の給気口６０２Ｓのそれぞれから噴射される気体によって、上面２３の異物が排出口１１Ｈに誘導されてもよい。
【０１６３】
＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１６４】
図１６は、本実施形態に係るクリーニング装置６０３の一例を示す図である。クリーニング装置６０３は、気体を噴射する開口（給気口）６０３Ｓを複数有する。複数の給気口６０３Ｓに、チューブ部材６０３Ｔのそれぞれが結ばれる。複数のチューブ部材６０３Ｔは、保持部材６０３Ｈで保持される。給気口６０３Ｓのそれぞれは、チューブ部材６０３Ｔを介して、気体供給装置６０３Ｆに接続される。チューブ部材６０３Ｔの一端が気体供給装置６０３Ｆに接続される。チューブ部材６０３Ｔの他端に給気口６０３Ｓが配置される。気体供給装置６０３Ｆから送出された気体は、チューブ部材６０３Ｔの内部流路を通って、給気口６０３Ｓに送られる。
【０１６５】
チューブ部材６０３Ｔのそれぞれに、流量調整装置６０３Ｃが配置される。流量調整装置６０３Ｃは、バルブ機構を含んでもよいし、マスフローコントローラを含んでもよい。流量調整装置６０３Ｃによって、複数の給気口６０３Ｓのそれぞれから噴射される気体の流速及び流量の一方又は両方が調整される。
【０１６６】
制御装置４００は、上面２３の異物が例えば＋Ｙ方向に誘導されるように、流量調整装置６０３Ｃを制御して、複数の給気口６０３Ｓのそれぞれから噴射される気体の流速（流量）を調整してもよい。制御装置４００は、上面２３の異物が排出口１１Ｈに誘導されるように、流量調整装置６０３Ｃを制御して、複数の給気口６０３Ｓのそれぞれから噴射される気体の流速（流量）を調整してもよい。
【０１６７】
＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１６８】
保持機構４に第１カバー部材ＣＰａが保持され、第１保持部２１に第２カバー部材ＣＰｂが配置されている状態で、基板ステージ２Ｐの上面２３と対向するように吸引口を配置し、基板ステージ２Ｐの異物を吸引口から吸引することによって、その基板ステージ２Ｐをクリーニングしてもよい。例えば、給気部材６０Ｍの開口６０Ｓから異物を吸引してもよい。換言すれば、図１１等に示した開口６０Ｓが吸引口として機能してもよいし、部材６０Ｍが吸引部材として機能してもよい。開口６０Ｓと真空システムを含む吸引装置とが接続されることにより、開口６０Ｓが吸引口として機能可能となる。なお、開口６０Ｓから気体を噴射する動作と、開口６０Ｓから異物を吸引する動作とを交互に行ってもよい。
【０１６９】
図１７に示すように、クリーニング装置６０４が、気体を噴射可能な給気口６０Ｓを有する給気部材６０Ｍと、異物を吸引可能な吸引口６０４Ｃを有する吸引部材６０４Ｍとを備えてもよい。吸引部材６０４Ｃは、給気部材６０Ｍの周囲の少なくとも一部に配置される。吸引口６０４Ｃは、上面２３が対向するように吸引部材６０４Ｍに配置される。吸引口６０４Ｃは、吸引部材６０４Ｃの内部流路を介して、真空システムを含む吸引装置に接続される。
【０１７０】
基板ステージ２Ｐの上面２３の異物は、吸引口６０４Ｃから吸引される。また、給気口６０Ｓから噴射された気体によって基板ステージ２Ｐ（上面２３）から除去された異物の少なくとも一部は、吸引口６０４Ｃから吸引される。
【０１７１】
給気口６０Ｓからの給気の少なくとも一部と並行して、吸引口６０４Ｃからの吸引を行い、基板ステージ２Ｐの上面２３に付着している異物を吸引して除去してもよい。給気口６０Ｓからの給気を行った後、給気口６０Ｓからの給気を停止した状態で、吸引口６０４Ｃからの吸引を行ってもよい。
【０１７２】
＜第６実施形態＞
次に、第６実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１７３】
図１８は、本実施形態に係るクリーニング装置６０５の一例を示す図である。図１８に示すように、クリーニング装置６０５が、クリーニング光ＬＣを射出する射出部６０５Ｅを有する照射装置６０５Ｍを有してもよい。クリーニング装置６０５は、基板ステージ２Ｐにクリーニング光ＬＣを照射して、その基板ステージ２Ｐの少なくとも一部をクリーニングしてもよい。クリーニング光ＬＣは、光洗浄作用を有する紫外光を含む。クリーニング光ＬＣは、露光光ＥＬと同じ波長の光でもよい。第１カバー部材ＣＰａが保持機構４に保持され、基板ステージ２Ｐの第１保持部２１に第２カバー部材ＣＰｂが配置されている状態で、基板ステージ２Ｐの上面２３にクリーニング装置６０５からのクリーニング光ＬＣが照射される。
【０１７４】
＜第７実施形態＞
次に、第７実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１７５】
図１９は、本実施形態に係るクリーニング装置６０６の一例を示す図である。図１９に示すように、クリーニング装置６０６が、クリーニング液体ＬＱｃを供給する供給部（供給口）６０６Ｓを有する液浸部材６０６Ｍを有してもよい。クリーニング装置６０６は、基板ステージ２Ｐにクリーニング液体ＬＱｃを供給して、その基板ステージ２の少なくとも一部をクリーニングしてもよい。クリーニング液体ＬＱｃは、露光用の液体（液浸液）ＬＱとは異なる種類（物性）の液体である。クリーニング液体ＬＱｃは、例えばアルカリ性液体を含む。第１カバー部材ＣＰａが保持機構４に保持され、基板ステージ２Ｐの第１保持部２１に第２カバー部材ＣＰｂが配置されている状態で、基板ステージ２Ｐの上面２３にクリーニング装置６０６からのクリーニング液体ＬＱｃが供給される。
【０１７６】
本実施形態において、液浸部材６０６Ｍは、クリーニング液体ＬＱｃを回収可能な回収部（回収口）６０６Ｃを有する。供給口６０６Ｃからのクリーニング液体ＬＱｃの供給の少なくとも一部と並行して、回収口６０６Ｃからのクリーニング液体ＬＱｃの回収が行われることによって、上面２３の一部の領域（局所的な領域）を覆うように、液浸部材６０６Ｍの下面と上面２３との間にクリーニング液体ＬＱｃの液浸空間ＬＳｃが形成される。
【０１７７】
なお、クリーニング液体ＬＱｃが水酸化テトラメチルアンモニウム（TMAH：tetramethyl ammonium hydroxide）を含んでもよい。また、クリーニング液体ＬＱｃとして、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機アルカリの溶液、水酸化トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム等の有機アルカリの溶液を用いてもよい。また、クリーニング液体ＬＱｃとして、アルカリ性水溶液を用いてもよい。また、クリーニング液体ＬＱｃとして、アンモニア水を用いてもよい。
【０１７８】
また、クリーニング液体ＬＱｃとして、酸性液体を用いてもよい。例えば、クリーニング液体ＬＱｃが、過酸化水素を含んでもよい。また、クリーニング液体ＬＱｃとして、酸性水溶液を用いてもよい。また、クリーニング液体ＬＱｃが、バッファードフッ酸及び過酸化水素を含む溶液でもよい。バッファードフッ酸（緩衝フッ酸）は、フッ酸とフッ化アンモニウムとの混合物である。その混合比率は、４０ｗｔ％フッ化アンモニウム溶液／５０ｗｔ％フッ酸の体積比に換算して、５〜２０００でもよい。また、バッファードフッ酸と過酸化水素との混合比率は、過酸化水素／フッ酸の重量比に換算して、０．８〜５５でもよい。クリーニング液体ＬＱｃとして、オゾンを含むオゾン液体を用いてもよい。もちろん、過酸化水素とオゾンを含む溶液でもよい。
【０１７９】
また、クリーニング液体ＬＱｃが、アルコールを含んでもよい。例えば、クリーニング液体ＬＱｃが、エタノール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、及びペンタノールの少なくとも一つを含んでもよい。
【０１８０】
なお、露光用の液体ＬＱとは異なるクリーニング液体ＬＱｃを用いてクリーニングした場合、そのクリーニング後、部材に付着するクリーニング液体ＬＱｃを露光用の液体ＬＱで洗い流す処理（所謂、リンス処理）が実行されてもよい。
【０１８１】
なお、クリーニング液体ＬＱｃは、露光用の液体ＬＱと同じ種類（物性）の液体でもよい。
【０１８２】
なお、上述の各実施形態において、終端光学素子１９及び液浸部材３と第１カバー部材ＣＰａとの間に液体ＬＱの液浸空間ＬＳが形成されている状態で、供給口３３からの液体ＬＱの供給量及び回収口３４からの液体ＬＱの回収量の一方又は両方を制御して、第１カバー部材ＣＰａの上面において液浸空間ＬＣ１の液体ＬＱの界面ＬＧを振動させてもよい。
【０１８３】
液体ＬＱの界面ＬＧを振動させることは、液体ＬＱの界面ＬＧを光路Ｋに対する放射方向に関して外側に移動すること及び内側に移動すること（往復移動すること）を含む。液体ＬＱの界面ＬＧを振動させることは、液体ＬＱで形成される液浸空間ＬＳの面積を大きくすること及び小さくすることを含む。液浸空間ＬＳの面積は、ＸＹ平面内における液浸空間ＬＳの大きさ（寸法）を含む。
【０１８４】
制御装置４００は、射出面１８側に供給される液体ＬＱの供給量を調整して、液浸空間ＬＳの液体ＬＱの界面ＬＧを移動させることができる。例えば、供給口３３から供給される単位時間当たりの液体ＬＱの量を多くすることによって、液体ＬＱの界面ＬＧは、光路Ｋに対する放射方向に関して外側に移動する。換言すれば、界面ＬＧは、光路Ｋから離れるように移動する。また、供給口３３から供給される単位時間当たりの液体ＬＱの量を少なくすることによって、液体ＬＱの界面ＬＧは、光路Ｋに対する放射方向に関して内側に移動する。換言すれば、界面ＬＧは、光路Ｋに近づくように移動する。
【０１８５】
また、制御装置４００は、射出面１８側に供給された液体ＬＱの回収量を調整して、液浸空間ＬＳの液体ＬＱの界面ＬＧを移動させることができる。例えば、回収口３４から回収される単位時間当たりの液体ＬＱの量を多くすることによって、液体ＬＱの界面ＬＧは、光路Ｋに対する放射方向に関して内側に移動する。換言すれば、界面ＬＧは、光路Ｋに近づくように移動する。また、回収口３４から回収される単位時間当たりの液体ＬＱの量を少なくすることによって、液体ＬＱの界面ＬＧは、光路Ｋに対する放射方向に関して外側に移動する。換言すれば、界面ＬＧは、光路Ｋから離れるように移動する。
【０１８６】
もちろん、制御装置４００は、液体ＬＱの供給量及び回収量の両方を調整して、液体ＬＱの界面ＬＧを移動（振動、往復移動）させてもよい。
【０１８７】
例えば、下面２４と第１カバー部材ＣＰａの上面との間において液浸空間ＬＳの液体ＬＱの界面ＬＧを移動（振動、往復移動）させることによって、下面２４が液体ＬＱでクリーニングされる。
【０１８８】
なお、液体ＬＱの界面ＬＧの移動（振動、往復移動）は、終端光学素子１９及び液浸部材３と、保持機構４に保持された第１カバー部材ＣＰａとの間において行われてもよい。なお、液体ＬＱの界面ＬＧの移動は、第１保持部２１から保持機構４に第１カバー部材ＣＰａが渡される前、又は保持機構４から第１保持部２１に第１カバー部材ＣＰａが渡された後の一方又は両方において、終端光学素子１９及び液浸部材３と、第１保持部２１に保持された第１カバー部材ＣＰａとの間において行われてもよい。
【０１８９】
なお、液体ＬＱの界面の移動（振動、往復移動）は、終端光学素子１９及び液浸部材３と、基板ステージ２Ｐの上面２３との間に行われてもよい。
【０１９０】
なお、図１９を参照して説明した例において、液浸部材６０６Ｍの供給口６０６Ｓからのクリーニング液体ＬＱｃの供給量及び回収口６０６Ｃからのクリーニング液体ＬＱｃの回収量の一方又は両方を制御して、液浸部材６０６Ｍの下面と基板ステージ２Ｐの上面２３との間において、液浸空間ＬＳｃのクリーニング液体ＬＱｃの界面を移動（振動、往復移動））させてもよい。
【０１９１】
なお、上述の各実施形態において、基板ステージ２Ｐのメンテナンスは、基板ステージ２Ｐが露光装置ＥＸ（チャンバ装置１１）の外部に配置されている状態で実行されてもよい。すなわち、保持機構４に第１カバー部材ＣＰａが保持されている状態で（一方側の終端光学素子１９及び液浸部材３と他方側の第１カバー部材ＣＰａとの間に液浸空間ＬＳが形成されている状態で）、チャンバ装置１１を開放し、基板ステージ２Ｐが露光装置ＥＸ（チャンバ装置１１）の外部に搬出されてもよい。基板ステージ２Ｐを露光装置ＥＸの外部に搬出するとき、チャンバ装置１１が有するドアが操作され、基板ステージ２Ｐを搬出するための開口が形成されてもよい。露光装置ＥＸ（チャンバ装置１１）の外部において、第１保持部２１に第２カバー部材ＣＰｂが配置された状態で、基板ステージ２Ｐのメンテナンスが行われることにより、例えば第１保持部２１の汚染が抑制される。なお、第１保持部２１に第２カバー部材ＣＰｂが配置された状態で、基板ステージ２Ｐが露光装置ＥＸ（チャンバ装置１１）の外部に搬出されてもよい。
【０１９２】
なお、上述の各実施形態において、保持機構４に第１カバー部材ＣＰａが保持され、第１保持部２１に第２カバー部材ＣＰｂが配置されている状態で、計測ステージ２Ｃのメンテナンス（例えばクリーニング）が行われてもよい。なお、計測ステージ２Ｃのメンテナンスは、露光装置ＥＸ（チャンバ装置１１）の内部において行われてもよいし、露光装置ＥＸ（チャンバ装置１１）の外部で行われてもよい。
【０１９３】
なお、上述の各実施形態において、保持機構４に第１カバー部材ＣＰａが保持され、第１保持部２１に第２カバー部材ＣＰｂが配置されている状態で、例えばエンコーダシステム５や干渉計システム８等、露光装置ＥＸが有する各種の計測システムがメンテナンスされてもよい。また、マスクステージ１がメンテナンスされてもよいし、投影光学系ＰＬがメンテナンスされてもよい。また、液浸部材３がメンテナンスされてもよい。これら部材のメンテナンスも、露光装置ＥＸの内部で行われてもよいし、露光装置ＥＸの外部で行われてもよい。
【０１９４】
なお、上述の各実施形態において、第１保持部２１とは異なる、第１カバー部材ＣＰａをリリース可能に保持する第３保持部を基板ステージ２Ｐに設けてもよい。すなわち、第２カバー部材ＣＰｂが配置される第１保持部２１とは別の、第１カバー部材ＣＰａを保持する第３保持部が基板ステージ２Ｐに配置されてもよい。これにより、例えば、第１基板交換位置ＣＰ１に配置された基板ステージ２Ｐの第１保持部２１に第１搬送部材９Ａを使って第２カバー部材ＣＰｂを配置するとともに、第３保持部に第１搬送部材９Ａを使って第１カバー部材ＣＰａを配置する。第１保持部２１に第２カバー部材ＣＰｂが配置され、第３保持部に第１カバー部材ＣＰａが配置されている状態で、基板ステージ２Ｐが第１基板交換位置ＣＰ１から露光位置ＥＰに移動される。露光位置ＥＰに配置された基板ステージ２Ｐの第３保持部から、保持機構４に第１カバー部材ＣＰａが渡される。すなわち、第１保持部２１に第２カバー部材ＣＰｂが配置された状態で、基板ステージ２Ｐ（第３保持部）を使って、第１カバー部材ＣＰａを保持機構４に搬送してもよい。これにより、第１カバー部材ＣＰａが保持機構４に保持され、第２カバー部材ＣＰｂが第１保持部２１に配置されている状態で、基板ステージ２Ｐのメンテナンスを行うことができる。
【０１９５】
なお、上述の各実施形態において、計測ステージ２Ｃに、第１カバー部材ＣＰａをリリース可能に保持する第４保持部及び第１カバー部材ＣＰａを昇降する移動装置を設けてもよい。例えば、第１基板交換位置ＣＰ１に配置されている基板ステージ２Ｐの第１保持部２１に第１搬送部材９Ａを使って第２カバー部材ＣＰｂを配置するとともに、第２基板交換位置ＣＰ２に配置されている計測ステージ２Ｃの第４保持部に第２搬送部材９Ｂを使って第１カバー部材ＣＰａを配置する。第４保持部に第１カバー部材ＣＰａが配置されている状態で、計測ステージ２Ｃが第２基板交換位置ＣＰ２から露光位置ＥＬに移動される。露光位置ＥＰに配置された計測ステージ２Ｃの第４保持部から、保持機構４に第１カバー部材ＣＰａが渡される。すなわち、第１保持部２１に第２カバー部材ＣＰｂが配置された状態で、基板ステージ２Ｐとは別のステージ（第４保持部）を使って、第１カバー部材ＣＰａを保持機構４に搬送してもよい。これにより、第１カバー部材ＣＰａが保持機構４に保持され、第２カバー部材ＣＰｂが第１保持部２１に配置されている状態で、基板ステージ２Ｐのメンテナンスを行うことができる。
【０１９６】
なお、上述の各実施形態においては、第１カバー部材ＣＰａは、第１搬送部材９Ａから基板ステージ２Ｐへ渡され、その基板ステージ２Ｐから保持機構４へ渡されることとしたが、第２搬送部材９Ｂから基板ステージ２Ｐへ渡され、その基板ステージ２Ｐから保持機構４へ渡されてもよい。
【０１９７】
なお、上述の各実施形態において、メンテナンスの終了後、第１保持部２１に配置されている第２カバー部材ＣＰｂは、第１搬送部材９Ａに渡されてもよいし、第２搬送部材９Ｂに渡されてもよい。
【０１９８】
なお、上述の各実施形態において、メンテナンスの終了後、保持機構４に保持されている第１カバー部材ＣＰａは、保持機構４から基板ステージ２Ｐに渡された後、第１搬送部材９Ａに渡されてもよいし、第２搬送部材９Ｂに渡されてもよい。
【０１９９】
なお、上述の各実施形態において、第１、第２カバー部材ＣＰａ、ＣＰｂは、基板Ｐが搬送される経路で露光装置ＥＸ内を搬送されてもよいし、基板Ｐが搬送される経路とは異なる経路（例えば、基板Ｐが搬送される経路とは逆の経路）で露光装置ＥＸ内を搬送されてもよい。
【０２００】
なお、上述の各実施形態において、第１カバー部材ＣＰａは、基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃとは異なる搬送装置によって保持機構４に搬送されてもよい。第１カバー部材ＣＰａは、作業者によって保持機構４に搬送されてもよい。
【０２０１】
なお、上述の各実施形態において、クリーニング装置６０、６０１〜６０６は、第１カバー部材ＣＰａ及び第２カバー部材ＣＰｂの使用状態に依らずクリーニング処理を行なってもよい。例えば、第１カバー部材ＣＰａ及び第２カバー部材ＣＰｂを使用せずに上述したクリーニング処理を行なってもよいし、第１カバー部材ＣＰａ及び第２カバー部材ＣＰｂの少なくとも一方が使用された状態で上述したクリーニング処理を行なってもよい。  
【０２０２】
なお、上述の各実施形態において、エンコーダシステム５が、例えば米国特許出願公開第２００６／０２２７３０９号に開示されているような、基板ステージに配置されたエンコーダヘッドと、投影光学系ＰＬ（液浸部材３）の周囲に配置されたスケール板（グリッド板）とを備えてもよい。
【０２０３】
なお、上述したように、制御装置４００は、ＣＰＵ等を含むコンピュータシステムを含む。また、制御装置４００は、コンピュータシステムと外部装置との通信を実行可能なインターフェースを含む。記憶装置５００は、例えばＲＡＭ等のメモリ、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体を含む。記憶装置５００には、コンピュータシステムを制御するオペレーティングシステム（ＯＳ）がインストールされ、露光装置ＥＸを制御するためのプログラムが記憶されている。
【０２０４】
なお、制御装置４００に、入力信号を入力可能な入力装置が接続されていてもよい。入力装置は、キーボード、マウス等の入力機器、あるいは外部装置からのデータを入力可能な通信装置等を含む。また、液晶表示ディスプレイ等の表示装置が設けられていてもよい。
【０２０５】
記憶装置５００に記録されているプログラムを含む各種情報は、制御装置（コンピュータシステム）４が読み取り可能である。記憶装置５００には、制御装置４００に、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する露光装置ＥＸの制御を実行させるプログラムが記録されている。
【０２０６】
記憶装置５００に記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置４００に、光学部材の射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される下面を有する液浸部材を用いて液体の液浸空間を形成し、液浸空間の液体を介して基板を露光することを含む第１処理を行うことと、第１処理とは異なる第２処理において、第１カバー部材の上面が射出面及び下面の少なくとも一部と対向するように保持機構で第１カバー部材をリリース可能に保持しつつ、保持機構に対して移動可能な可動部材の基板をリリース可能に保持する保持部に第１カバー部材と異なる第２カバー部材を配置することと、を実行させてもよい。
【０２０７】
記憶装置５００に記憶されているプログラムが制御装置４００に読み込まれることにより、基板ステージ２Ｐ、計測ステージ２Ｃ、液浸部材３、及び保持機構４等、露光装置ＥＸの各種の装置が協働して、液浸空間ＬＳが形成された状態で、基板Ｐの液浸露光等、各種の処理を実行する。
【０２０８】
なお、上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬの終端光学素子１９の射出側（像面側）の光路が液体ＬＱで満たされているが、例えば国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、終端光学素子１９の入射側（物体面側）の光路も液体ＬＱで満たされる投影光学系ＰＬを採用することができる。
【０２０９】
なお、上述の各実施形態においては、液体ＬＱとして水を用いているが、水以外の液体であってもよい。液体ＬＱとしては、露光光ＥＬに対して透過性であり、露光光ＥＬに対して高い屈折率を有し、投影光学系ＰＬあるいは基板Ｐの表面を形成する感光材（フォトレジスト）などの膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル等を用いることも可能である。また、液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。
【０２１０】
なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【０２１１】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【０２１２】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【０２１３】
また、例えば米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。
【０２１４】
また、上述の各実施形態において、露光装置ＥＸが、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置でもよい。例えば、図２０に示すように、露光装置ＥＸが２つの基板ステージ２Ｐａ、２Ｐｂを備えている場合、射出面１８と対向するように配置可能な物体は、一方の基板ステージ、その一方の基板ステージの第１保持部に保持された基板、他方の基板ステージ、及びその他方の基板ステージの第１保持部に保持された基板の少なくとも一つを含む。
【０２１５】
なお、上述の各実施形態において、露光装置ＥＸが、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置でもよい。
【０２１６】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【０２１７】
なお、上述の各実施形態においては、例えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いて各ステージの位置を計測することとしたが、エンコーダシステムがなくてもよい。
【０２１８】
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。
【０２１９】
上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。例えば、レンズ等の光学部材と基板との間に液浸空間を形成し、その光学部材を介して、基板に露光光を照射することができる。
【０２２０】
また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。
【０２２１】
上述の実施形態の露光装置ＥＸは、各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０２２２】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図２１に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンからの露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。露光シーケンス及びメンテナンスシーケンスは、例えば基板処理ステップ２０４において実行される。
【０２２３】
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【符号の説明】
【０２２４】
２Ｐ…基板ステージ、２Ｃ…計測ステージ、３…液浸部材、４…保持機構、５…エンコーダシステム、６…ヘッドユニット、１５…第１保持部、１８…射出面、１９…終端光学素子、３３…供給口、３４…回収口、３６…多孔部材、５０…クリーニング装置、６０…クリーニング装置、４００…制御装置、５００…記憶装置、ＣＰ…カバー部材ＣＰａ…第１カバー部材、ＣＰｂ…第２カバー部材、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＬＱ…液体、ＬＳ…液浸空間、Ｐ…基板、Ｔ…スケール部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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