(57)【要約】  【課題】  本発明は、配線基板に実装された電子部品に不具合が生じる虞を低減することが可能な配線基板を提供することを目的とする。  【解決手段】  本発明の一実施形態にかかる配線基板４は、上面に第１電子部品実装領域Ｒ１および第２電子部品実装領域Ｒ２を有する絶縁基板８を備え、絶縁基板８は、第１電子部品実装領域Ｒ１と第２電子部品実装領域Ｒ２とを分けるように上面から内部にかけて形成された第１空洞部Ｄ１と、上面方向から透視したときに第１電子部品実装領域Ｒ１の全体を含むように、天井面を第１空洞部Ｄ１の下部よりも上方に位置させて形成された層状の第２空洞部Ｄ２とを有することを特徴とする。その結果、電子部品３の不具合の発生を低減する配線基板を得ることができる。【選択図】  図２
2014107460.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に第１電子部品実装領域および第２電子部品実装領域を有する絶縁基板を備え、
該絶縁基板は、前記第１電子部品実装領域と前記第２電子部品実装領域とを分けるように上面から内部にかけて形成された第１空洞部と、上面方向から透視したときに前記第１電子部品実装領域の全体を含むように、天井面を前記第１空洞部の下部よりも上方に位置させて形成された層状の第２空洞部とを有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板において、
前記第１空洞部と前記第２空洞部とが繋がっていることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
請求項１記載の配線基板において、
前記第２空洞部は、前記絶縁基板の側面に開口していることを特徴とする配線基板。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の配線基板において、
前記絶縁基板はダイヤモンド基板であり、
前記第２空洞部の内面は黒鉛で覆われていることを特徴とする配線基板。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載した配線基板と、前記第１電子部品実装領域に実装された第１電子部品および前記第２電子部品実装領域に実装されているとともに前記第１電子部品よりも発熱量の大きい第２電子部品とを備えた実装構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信や高速信号処理の分野などで使用される半導体レーザダイオード、フォトダイオード、ＩＣチップまたはＬＳＩ等の電子部品を収納するための電子部品収納用パッケージなどに使用される配線基板およびそれを用いた実装構造体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、光通信や高速信号処理の分野等で使用される、半導体レーザダイオード、フォトダイオード、ＩＣチップまたはＬＳＩ等の電子部品を収納するための電子部品収納用パッケージが知られている（例えば、特許文献１参照）。なお、このようなパッケージの内部には、配線基板およびその配線基板の上面に実装された複数の電子部品を有する実装構造体と、この実装構造体の下面に配された放熱板とが収納されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−６８４０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
電子部品収納用パッケージに収納された実装構造体に用いられる配線基板は、この配線基板に実装された電子部品が発する熱を配線基板の下面に配された放熱板まで伝えるため、熱伝導性の良い材料からなることがある。しかしながら、この場合には、配線基板に実装された電子部品のうちの１つの電子部品の熱が他の電子部品に伝わり、他の電子部品に例えば電気的な誤作動などの不具合が生じる虞があり、ひいては実装構造体の電気的信頼性が低下する虞がある。
【０００５】
本発明は、配線基板に実装された電子部品に不具合が生じる虞を低減することが可能な配線基板、ひいてはそれを用いて電気的信頼性を向上させた実装構造体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態にかかる配線基板は、上面に第１電子部品実装領域および第２電子部品実装領域を有する絶縁基板を備え、該絶縁基板は、前記第１電子部品実装領域と前記第２電子部品実装領域とを分けるように上面から内部にかけて形成された第１空洞部と、上面方向から透視したときに前記第１電子部品実装領域の全体を含むように、天井面を前記第１空洞部の下部よりも上方に位置させて形成された層状の第２空洞部とを有することを特徴とする。
【０００７】
本発明の一実施形態にかかる実装構造体は、前記配線基板と、前記第１電子部品実装領域に実装された第１電子部品および前記第２電子部品実装領域に実装されているとともに前記第１電子部品よりも発熱量の大きい第２電子部品とを備えている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明は、配線基板に実装された電子部品に不具合が生じる虞を低減することが可能な配線基板を提供することができ、ひいてはその配線基板を用いて電気的信頼性を向上させた実装構造体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態にかかる実装構造体が収納された電子部品収納用パッケージの斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる実装構造体の斜視図である。
【図３】図１の実装構造体をＶ−Ｖ線で切断した断面の斜視図である。
【図４】図１の実装構造体をＷ−Ｗ線で切断した断面の斜視図である。
【図５】図１の実装構造体の変形例を図１のＶ−Ｖ線と同様に切断した断面図である。
【図６】図５とは異なる実装構造体の変形例の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の一実施形態にかかる配線基板およびそれを用いた実装構造体について、図面を参照しながら説明する。
【００１１】
（実装構造体）
実装構造体１は、図１および図２に示したように、電子部品収納用パッケージ２内に収納されている。この実装構造体１は、複数の電子部品３とこの複数の電子部品３が実装された配線基板４とを含んでおり、複数の電子部品３の発する熱を放熱するための放熱板５の上面に配されている。なお、放熱板５は、例えば、銅、タングステン、モリブデン、銀またはアルミニウム等の金属材料やこれらの混合物等からなる。また、電子部品収納用パッケージ２は、実装構造体１を保護するものであり、上面に放熱板５が配された筐体６と、筐体６上に開口を塞いで接合された蓋体７とを備えている。筐体６および蓋体７は、例えば、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルトまたはタングステン等の金属材料からなる。
【００１２】
（電子部品）
複数の電子部品３は、配線基板４の上面に実装されており、第１電子部品３Ａとこの第１電子部品３Ａよりも発熱量が大きい第２電子部品３Ｂとを含んでいる。第１電子部品３Ａは、例えばフォトダイオード、ＩＣまたはＬＳＩ等の半導体素子であり、第２電子部品３Ｂは、例えば発光ダイオードまたはレーザダイオード等の半導体素子である。複数の電子部品３の発熱量の大小は、例えば、実装構造体１の上面の温度分布を赤外線センサカメラなどによって確認することによって判断できる。
【００１３】
第１電子部品３Ａの幅（Ｙ軸方向の長さ）は、例えば０．０５ｍｍ以上２ｍｍ以下に設定されており、第１電子部品３Ａの奥行（Ｘ軸方向の長さ）は、例えば０．２５ｍｍ以上２０ｍｍ以下に設定されており、第１電子部品３Ａの高さ（Ｚ軸方向の長さ）は、例えば０．０５ｍｍ以上２ｍｍ以下に設定されている。
【００１４】
（配線基板）
配線基板４は、実装される複数の電子部品３を支持するものであり、放熱板５の上面に位置する。この配線基板４は、矩形の平板状の絶縁基板８と、絶縁基板８の上面に配された、第１電子部品３Ａが実装される第１電子部品実装領域Ｒ１および第２電子部品３Ｂが実装される第２電子部品実装領域Ｒ２となる第１表面金属層９Ａと、配線基板４の下面に配された、配線基板４と放熱板５とを接続するための第２表面金属層９Ｂとを含んでいる。
【００１５】
（絶縁基板）
絶縁基板８は、配線基板４の上面に配された電子部品３が発する熱を、配線基板４の下面に配された放熱板５まで良好に伝えるものである。この絶縁基板８は、例えばダイヤモンド基板またはセラミック基板が用いられる。絶縁基板８がセラミック基板からなる場合であれば、絶縁基板８は、例えば、窒化ホウ素、窒化アルミ、窒化ケイ素、炭化ケイ素ま
たは酸化ベリリウム等のセラミック材料からなる。また、絶縁基板８は、単一のダイヤモンド層または単一のセラミック層で構成される。
【００１６】
絶縁基板８は、図１〜図４に示したように、第１電子部品実装領域Ｒ１と第２電子部品実装領域Ｒ２とを分けるように上面から内部にかけて形成された第１空洞部Ｄ１と、上面方向から透視したときに第１電子部品実装領域Ｒ１の全体を含むように、天井面を第１空洞部Ｄ１の下部よりも上方に位置させて形成された層状の第２空洞部Ｄ２とを有する。なお、第１空洞部Ｄ１および第２空洞部Ｄ２はともに空気で満たされていることが望ましい。
【００１７】
第１電子部品実装領域Ｒ１および第２電子部品実装領域Ｒ２のそれぞれは、図２において絶縁基板８の上面に点線で示されているように、第１電子部品３Ａおよび第２電子部品３Ｂのそれぞれが実装される領域である。そして、本実施形態においては、第１電子部品実装領域Ｒ１と第２電子部品実装領域Ｒ２とは、一方向に沿って並んで位置している。また、第１空洞部Ｄ１は、第１電子部品実装領域Ｒ１と第２電子部品実装領域Ｒ２との間に位置しており、第１電子部品実装領域Ｒ１または第２電子部品実装領域Ｒ２における第２電子部品実装領域Ｒ２または第１電子部品実装領域Ｒ１と向かい合う一辺に沿うように平面方向に伸びている。また、第１空洞部Ｄ１は、少なくとも、第２電子部品実装領域Ｒ２の第１電子部品実装領域Ｒ１と向かい合った一辺よりも大きく形成されていることが望ましい。
【００１８】
第１空洞部Ｄ１の絶縁基板８の厚み方向における断面形状は、絶縁基板８の上面から下面に向かってテーパ状になっていることが望ましく、第２空洞部Ｄ２の絶縁基板８の厚み方向における断面形状は、矩形であることが望ましい。また、第１空洞部Ｄ１の奥行は、第２空洞部Ｄ２の奥行よりも小さい。また、第１空洞部Ｄ１の体積は、第２空洞部Ｄ２の体積よりも小さい。
【００１９】
絶縁基板８の厚みは、例えば０．０５ｍｍ以上２ｍｍ以下に設定されている。また絶縁基板８の熱伝導率は、例えば、２５℃において６０Ｗ/ｍ・Ｋ以上２０００Ｗ/ｍ・Ｋ以下に設定されている。なお、絶縁基板８の熱伝導率は、例えばレーザフラッシュ法を用いて測定される。
【００２０】
第１空洞部Ｄ１の幅（Ｙ軸方向の長さ）は、例えば０．０５ｍｍ以上２ｍｍ以下に設定されており、第１空洞部Ｄ１の奥行（Ｘ軸方向の長さ）は、例えば１．０ｍｍ以上２０ｍｍ以下に設定されており、第１空洞部Ｄ１の深さ（Ｚ軸方向の長さ）は、例えば０．０５ｍｍ以上２ｍｍ以下に設定されている。
【００２１】
第２空洞部Ｄ２の幅（Ｙ軸方向の長さ）は、例えば０．５ｍｍ以上２０ｍｍ以下に設定されており、第２空洞部Ｄ２の奥行（Ｘ軸方向の長さ）は、例えば０．２５ｍｍ以上２０ｍｍ以下に設定されており、第２空洞部Ｄ２の高さ（Ｚ軸方向の長さ）は、例えば０．０５ｍｍ以上２ｍｍ以下に設定されている。
【００２２】
（第１表面金属層）
第１表面金属層９Ａは、第１電子部品実装領域Ｒ１および第２電子部品実装領域Ｒ２となり、複数の電子部品３と配線基板４とを接続するためのものである。この第１表面金属層９Ａは、例えばタングステン、ニッケル、モリブデン、マンガン、チタン、白金もしくは金などの金属材料、またはこれらの金属材料のうち複数種類の金属材料を積層したものからなる。なお、第１表面金属層９Ａは、例えば、第１表面金属層９Ａを所定の配線パターンに形成して、信号用配線として用いてもよい。
【００２３】
（第２表面金属層）
第２表面金属層９Ｂは、配線基板４と放熱板５とを接続するためのものであり、第１表面金属層９Ａと同様の金属材料からなる。
【００２４】
ここで、本実施形態にかかる配線基板４が有する絶縁基板８は、前述した通り、図２〜図４に示したように、第１空洞部Ｄ１および第２空洞部Ｄ２を有しており、第２空洞部Ｄ２の天井面は、第１空洞部Ｄ１の下部よりも上方に位置している。すなわち、第１空洞部Ｄ１は、第１電子部品実装領域Ｒ１と第２電子部品実装領域Ｒ２との間に位置した第１断熱部となり、第２空洞部Ｄ２は、上面方向から透視して配線基板４の内部の第１電子部品実装領域Ｒ２と重なって位置した第２断熱部となる。そして、第１断熱部の下部は、第２断熱部の天井面よりも下方に位置することになる。その結果、配線基板４は、第１空洞部Ｄ１によって、第２電子部品３Ｂが発する熱が平面方向（ＸＹ平面方向）に沿って第１電子部品３Ａに伝わることを低減でき、かつ第２空洞部Ｄ２によって、第２電子部品３Ｂが発する熱が第１空洞部Ｄ１を厚み方向（Ｚ方向）に迂回して第１電子部品３Ａに伝わることを低減することができる。そして、第１空洞部Ｄ１および第２空洞部Ｄ２は、一般的に熱伝導率が小さく断熱材として機能する空気で満たされていることから、第２電子部品３Ｂから第１電子部品３Ａへの熱伝導を良好に低減することができる。したがって、配線基板４は、第２電子部品３Ｂが発する熱を第１電子部品３Ａに伝わることを低減できることから、第１電子部品３Ａの例えば電気的な誤作動などの不具合の発生を低減することができ、ひいては実装構造体１の電気的信頼性を向上させることができる。
【００２５】
第２空洞部Ｄ２は、図２〜図４に示したように、上面方向から透視したときに第２電子部品実装領域Ｒ２と重ならない。すなわち、第２電子部品実装領域Ｒ２と配線基板４の下面に位置する放熱板５との間には第２断熱部は存在しない。その結果、絶縁基板８は、第２電子部品３Ｂから発生する熱を絶縁基板８の下面に配された放熱板５まで良好に伝えることができる。
【００２６】
第１空洞部Ｄ１と第２空洞部Ｄ２とは、図３および図４に示したように、繋がっていることが望ましい。その結果、第２電子部品３Ｂが発する熱が、第１空洞部Ｄ１を厚み方向に迂回して第１電子部品３Ａに伝わることをさらに低減することができ、第１電子部品３Ａの不具合の発生を良好に抑制することができる。
【００２７】
絶縁基板８の側面には、図２に示したように、第２空洞部Ｄ２の開口部Ｏが形成されていることが望ましい。すなわち、第２空洞部Ｄ２は絶縁基板８の側面に開口しており、第２空洞部Ｄ２は開かれた空間となっていることが望ましい。その結果、配線基板４は、複数の電子部品３等の破壊を抑制することができる。すなわち、第２空洞部Ｄ２に空気が閉じ込められているときには、例えば電子部品３の作動時の発熱によって第２空洞部Ｄ２内に閉じ込められた空気が熱膨張して、絶縁基板８の第２空洞部Ｄ２から亀裂が発生することがある。しかしながら、本実施形態においては、第２空洞部Ｄ２が絶縁基板８の側面に開口していることから、閉じ込められた空気が熱膨張することがなくなって、この亀裂の発生を低減することができるため、この亀裂に起因した複数の電子部品３等の破壊を抑制することができ、ひいては実装構造体１の電気的信頼性を向上させることができる。
【００２８】
絶縁基板８は、ダイヤモンド基板であることが望ましい。その結果、ダイヤモンド基板はセラミック基板や樹脂基板と比較して熱伝導率が大きいことから、複数の電子部品３から発生する熱を良好に放熱板５まで伝えることができる。
【００２９】
絶縁基板８の角部には、図２に示したように、絶縁基板８の第１表面金属層９Ａと第２表面金属層９Ｂとを電気的に接続する第１側部導電層１０Ａが配されていることが望ましい。その結果、例えば、第１表面金属層９Ａを複数の電子部品３と電気的に接続させて、
第１表面金属層９Ａを複数の電子部品３における接地用配線として機能させる場合に、第２表面金属層９Ｂを第１表面金属層９Ａと電気的に接続することで、接地用配線として機能する導電性領域を大きくすることができ、複数の電子部品３における電気的特性を向上させることができる。なお、第１側部導電層１０Ａは、例えば黒鉛、あるいはタングステン、ニッケル、モリブデン、マンガン、チタン、白金または金などの金属材料、またはこれらの金属材料を積層したものからなる。また、絶縁基板８は、絶縁基板８の角部に上下面にわたって切り欠き部Ｃが形成されており、第１側部導電層１０Ａは切り欠き部Ｃの内面上に配されている。
【００３０】
図３および図４に示した第１空洞部Ｄ１の第１内面Ｓ１は、絶縁基板８がダイヤモンド基板である場合に、黒鉛で覆われていることが望ましい。その結果、例えば、第１表面金属層９Ａを複数の電子部品３の接地用配線として機能させる場合に、第１内面Ｓ１を第１表面金属層９Ａと電気的に接続することで、接地用配線として機能する導電性領域を大きくすることができ、複数の電子部品３の電気的特性を向上させることができる。
【００３１】
図３および図４に示した第２空洞部Ｄ２の第２内面Ｓ２は、黒鉛で覆われていることが望ましい。その結果、例えば、第１表面金属層９Ａを複数の電子部品３の接地用配線として機能させる場合に、黒鉛は導電性を有することから、第１空洞部Ｄ１と第２空洞部Ｄ２とを繋げて黒鉛で覆われた第２内面Ｓ２を黒鉛で覆われた第１内面Ｓ１を介して第１表面金属層９Ａと電気的に接続することで、接地用配線として機能する導電性領域を大きくすることができ、複数の電子部品３の電気的特性を向上させることができる。
【００３２】
第１空洞部Ｄ１の黒鉛で覆われた第１内面Ｓ１は、図２および図３に示したように、雰囲気中に露出していることが望ましい。その結果、例えば電子部品３の実装時に、電子部品３と第１表面金属層９Ａとを接続するはんだ等の低融点金属材料が、第１空洞部Ｄ１内に流れ込むことを低減することができる。すなわち、第１空洞部Ｄ１に金属材料が流れ込もうとしても、炭素と金属材料とは濡れ性がよくないため、黒鉛で覆われた第１内面Ｓ１が露出している部分によって、金属材料の流れ込みを抑制することができ、第１空洞部Ｄ１の断熱性が悪化することを低減することができる。
【００３３】
第１空洞部Ｄ１の第１内面Ｓ１上には、図５に示したように、内部金属層１１を形成してもよい。その結果、例えば、内部金属層１１を信号用配線となる第１表面金層層９Ａと電気的に接続することで、内部金属層１１を接地用配線として機能させ、第１表面金属層９Ａの電気的特性を向上させることができる。なお、内部金属層１１は、例えばタングステン、ニッケル、モリブデン、マンガン、チタン、白金または金などの金属材料、またはこれらの金属材料を積層したものからなる。また、内部金属層１１は、黒鉛で覆われた第１内面Ｓ１上に形成されていてもよい。この場合、内部金属層１１は、黒鉛よりも電気抵抗の小さい金属材料からなることが望ましい。
【００３４】
絶縁基板８の側面には、図２に示したように、複数の第１側部導電層１０Ａ同士を電気的に接続する第２側部導電層１０Ｂが配されていることが望ましい。その結果、絶縁基板８は、第２電子部品３Ｂから発生する熱を第２電子部品３Ｂの直下に良好に排熱することができるとともに、第２側部導電層１０Ｂがあることによって、例えば、第２側部導電層１０Ｂが接地用配線として機能し、複数の電子部品３の電気的特性を向上させることができる。なお、第２側部導電層１０Ｂは、例えば炭素、あるいはタングステン、ニッケル、モリブデン、マンガン、チタン、白金または金などの金属材料からなる。また、図２に示したように、絶縁基板８の側面の少なくとも一部は平面方向にて配線基板４の内部方向に凹んでおり、第２側部導電層１０Ｂは絶縁基板８の側面の凹んだ箇所に配されている。
【００３５】
なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲
において種々の変更、改良等が可能である。
【００３６】
例えば、上述した本発明の実施形態は、複数の電子部品３が第１電子部品３Ａおよび第２電子部品３Ｂを具備する構成を例に説明したが、複数の電子部品３は３個以上の電子部品を備えていても構わない。この場合、最も発熱量の大きい電子部品が実装される電子部品実装領域が第２電子部品実装領域Ｒ２となり、最も発熱量の小さい電子部品が実装される電子部品実装領域が第１電子部品実装領域Ｒ１となる。
【００３７】
上述した本発明の実施形態は、第１空洞部Ｄ１が、第１電子部品実装領域Ｒ１または第２電子部品実装領域Ｒ２の一辺に沿うように形成されている構成を例に説明したが、第１空洞部Ｄ１は、第１電子部品実装領域Ｒ１または第２電子部品実装領域Ｒ２を取り囲むように形成されていても構わない。
【００３８】
上述した本発明の実施形態は、絶縁基板８が単一のダイヤモンド層または単一のセラミック層からなる構成を例に説明したが、絶縁基板８は複数のダイヤモンド層または複数のセラミック層の積層体であっても構わない。
【００３９】
上述した本発明の実施形態は、第１空洞部Ｄ１と第２空洞部Ｄ２とが繋がっている構成を例に説明したが、第１空洞部Ｄ１と第２空洞部Ｄ２とは離れていても構わない。この場合には、絶縁基板８の強度を向上させることができる。
【００４０】
上述した本発明の実施形態は、第２空洞部Ｄ２が絶縁基板８の１つの側面に開口している構成を例に説明したが、第２空洞部Ｄ２は複数の側面に開口していても構わない。この場合には、第２電子部品３Ｂの発する熱が、絶縁基板８の側面を伝わって、第１電子部品３Ａに達することを低減することができる。
【００４１】
上述した本発明の実施形態は、第１電子部品実装領域Ｒ１が第１表面金属層９Ａからなるが、第１電子部品実装領域Ｒ１は、図６に示したように、第１表面金属層９Ａと第１表面金属層９Ａの上面に配されているとともに絶縁基板８よりも熱伝導性の小さい基台１２とからなっていてもよい。この場合には、上記基台１２が、第２電子部品３Ｂの熱が第１電子部品３Ａに伝わることをさらに低減することができる。なお、基台１２は、例えば鉄、ニッケルまたはコバルト等の金属材料やこれらの混合物、あるいはアルミナ、ムライト、ジルコニア等のセラミック材料からなる。また、基台１２の幅は、例えば０．０５ｍｍ以上２ｍｍ以下に設定されており、基台１２の奥行は、例えば０．２５ｍｍ以上２０ｍｍ以下に設定されており、基台１２の厚みは、例えば０．０５ｍｍ以上２ｍｍ以下に設定されている。なお、基台１２の面積は、第１電子部品３Ａの面積よりも大きい。
【００４２】
第１電子部品実装領域Ｒ１が、第１表面金属層９Ａと基台１２とからなる場合は、基台１２の熱膨張率は、第１表面金属層９Ａの熱膨張率よりも小さく、基台１２のヤング率は、第１表面金属層９Ａのヤング率よりも大きいことが望ましい。このとき、基台１２が第１表面金属層９Ａの熱膨張を拘束することから、例えば電子部品３の作動時などの発熱に起因した第１表面金属層９Ａの熱膨張によって、第１電子部品３Ａと第２電子部品３Ｂとの距離が大きくなることを低減することができる。したがって、例えば第１電子部品３Ａがフォトダイオードからなり、第２電子部品３Ｂが半導体レーザダイオードからなる場合など、第１電子部品３Ａと第２電子部品３Ｂとの光の接続性を向上させることができ、ひいては実装構造体１の光学的信頼性が向上する。
【００４３】
（実装構造体の製造方法）
実装構造体１の製造方法について説明する。なお、形成される絶縁基板８がダイヤモンド基板である場合と、絶縁基板８がセラミック基板である場合とに分けて以下に詳述する
。
【００４４】
＜絶縁基板８がダイヤモンド基板である場合＞
（１）大型ダイヤモンド基板を準備する。具体的には、後にダイヤモンドを堆積させる際に堆積するダイヤモンドの支持部材となるダミー基板を準備する。次いで、例えば、ＣＶＤ気相成長法によってダミー基板上にダイヤモンドを堆積させた後、堆積したダイヤモンドをダミー基板上から剥離することによって、大型ダイヤモンド基板を形成する。
【００４５】
（２）大型ダイヤモンド基板にレーザー光を照射することによって、大型ダイヤモンド基板７の切り欠き部Ｃおよび第１空洞部Ｄ１を形成する。なお、このとき、レーザー光の照射に起因して加わる熱によって、切り欠き部Ｃの内面および第１空洞部Ｄ１の第１内面Ｓ１は、黒鉛に覆われる。
【００４６】
（３）大型ダイヤモンド基板の両主面に第１表面金属層９Ａおよび第２表面金属層９Ｂを形成する。具体的には、蒸着法またはスパッタリング法等によって、チタン、白金または金等の金属材料を大型ダイヤモンド基板の両主面に堆積させることによって、第１表面金属層９Ａおよび第２表面金属層９Ｂを形成する。なお、このとき切り欠き部Ｃの内面および第１空洞部Ｄ１の第１内面Ｓ１にも、金属材料を堆積させることによって、第１側部導電層１０Ａおよび内部金属層１１を形成することができる。
【００４７】
（４）大型ダイヤモンド基板の内部に空洞を形成する。具体的には、大型ダイヤモンド基板の上面から照射した複数のレーザー光を、大型ダイヤモンド基板の内部の一点に集中させ、その熱によってダイヤモンドを昇華させて、絶縁基板８の第２空洞部Ｄ２となる空洞と、後の工程で形成される絶縁基板８の形状に沿った空洞とを形成する。なお、このとき、レーザー光の照射に起因して加わる熱によって、空洞の内面におけるダイヤモンドは黒鉛となる。そして、絶縁基板８の形状に沿った空洞は、後の工程において大型ダイヤモンド基板を絶縁基板８に分割した際に、絶縁基板８の第２側部導電層１０Ｂとなる。
【００４８】
（５）大型ダイヤモンド基板を、絶縁基板８の形状に沿った空洞に沿って分割することによって、絶縁基板８と第１表面金属層９Ａおよび第２表面金属層９Ｂとを有する配線基板４を形成することができる。
【００４９】
（６）第１電子部品３Ａおよび第２電子部品３Ｂを準備する。次いで、配線基板４の上面に、上面方向から透視したときに第２空洞部Ｄ２と重なる位置に第１電子部品３Ａを実装し、第１空洞部Ｄ１を介して第１電子部品３Ａと対向する位置に第２電子部品３Ｂを実装することによって、実装構造体１を作製することができる。
【００５０】
＜絶縁基板８がセラミック基板である場合＞
（７）複数のグリーンシートを形成する。具体的には、例えば、窒化ホウ素、窒化アルミ、窒化ケイ素、炭化ケイ素または酸化ベリリウムなどのセラミック粉末に、有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して混合物を得て、混合物を層状に形成して複数のグリーンシートを作製する。
【００５１】
（８）複数のグリーンシートを積層してグリーンシート積層体を形成する。なお、このとき、１つの層の上下面のいずれかに溝を形成することによって、上下にあるグリーンシートに挟まれて第２空洞部Ｄ２を形成することができる。次いで、グリーンシート積層体の上面から、第１空洞部Ｄ１を形成する。
【００５２】
（９）タングステンまたはモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して金属ペーストを準備する。次いで、グリー
ンシート積層体の両主面に、金属ペーストを所定のパターンに印刷する。
【００５３】
（１０）グリーンシート積層体および金属ペーストを加熱することによって、絶縁基板８および第１表面金属層９Ａを有する配線基板４を形成する。なお、このとき、工程（９）において、第１空洞部Ｄ１の第１内面Ｓ１にも金属ペーストを塗布することによって、金属ペーストの加熱後に、内部金属層１１も形成することができる。
【００５４】
（１１）（６）と同様の工程において、配線基板４の上面に複数の電子部品３を実装することによって、実装構造体１を作製することができる。
【符号の説明】
【００５５】
１      実装構造体
２      電子部品収納用パッケージ
３      電子部品
３Ａ    第１電子部品
３Ｂ    第２電子部品
４      配線基板
５      放熱板
６      筐体
７      蓋体
８      絶縁基板
９Ａ    第１表面金属層
９Ｂ    第２表面金属層
１０Ａ  第１側部導電層
１０Ｂ  第２側部導電層
１１    内部金属層
１２    基台
Ｃ      切り欠き部
Ｄ１    第１空洞部
Ｄ２    第２空洞部
Ｏ      開口部
Ｒ１    第１電子部品実装領域
Ｒ２    第２電子部品実装領域
Ｓ１    第１内面
Ｓ２    第２内面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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