(57)【要約】【課題】リフティング不良が改善された液晶表示装置を提供する。【解決手段】本発明の液晶表示装置は、基板と、基板上に配置される薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタの一端子に接続される画素電極と、画素電極に対向して位置するルーフ層と、を有し、画素電極とルーフ層との間に液晶注入口を有する微細空間（Ｍｉｃｒｏｃａｖｉｔｙ）が形成され、微細空間は、液晶分子を含む液晶層を形成し、微細空間の間に固定部材が形成され、ルーフ層は、固定部材を覆う。【選択図】図３
2014139652.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置される薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタの一端子に接続される画素電極と、
前記画素電極に対向して位置するルーフ層と、を有し、
前記画素電極と前記ルーフ層との間に液晶注入口を有する微細空間（Ｍｉｃｒｏｃａｖｉｔｙ）が形成され、
前記微細空間は、液晶分子を含む液晶層を形成し、
前記微細空間の間に固定部材が形成され、
前記ルーフ層は、前記固定部材を覆うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記薄膜トランジスタと前記画素電極との間に配置される第１保護膜を更に含み、
前記固定部材は、前記第１保護膜の上に形成されてパターン化されたパターン化構造物であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記パターン化構造物は、フォトレジスト、有機物質、又は無機物質で形成されることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記パターン化構造物を覆う第２保護膜を更に含むことを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記パターン化構造物は、前記微細空間の間の隔壁形成部に形成され、
前記隔壁形成部における前記ルーフ層は、前記パターン化構造物を覆いながら隔壁（Ｐａｒｔｉｔｉｏｎ  Ｗａｌｌ）を形成することを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記パターン化構造物は、前記薄膜トランジスタの一端子に接続される信号線と平行な方向に沿って延在することを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記ルーフ層の上に位置して前記液晶注入口を覆うキャッピング膜を更に含み、
前記隔壁形成部が延在する方向と平行な方向に、互いに隣接する前記微細空間の間にグルーブが形成され、
前記キャッピング膜は、前記グルーブを覆うことを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記パターン化構造物は、複数の単位辺が離隔して形成されることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記パターン化構造物は、逆テーパ構造を有することを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記薄膜トランジスタと前記画素電極との間に配置される有機膜を更に含み、
前記固定部材は、前記有機膜に形成されたオープン部を覆う前記ルーフ層で形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、現在、最も幅広く使用されている平板表示装置の一つであって、画素電極と共通電極などの電界生成電極が形成される２枚の表示パネルと、その間に挿入される液晶層とからなる。
【０００３】
電界生成電極に電圧を印加して液晶層に電界を生成し、これを通じて液晶層の液晶分子の配向を決定して入射光の偏光を制御することによって画像を表示する。
【０００４】
ＮＣＤ（Ｎａｎｏ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）液晶表示装置は、有機物質などで犠牲層を形成して上部に支持部材を形成した後に犠牲層を除去し、犠牲層の除去によって形成された微細空間（Ｍｉｃｒｏｃａｖｉｔｙ）に液晶を満たしてディスプレイを製造する装置である。
【０００５】
ＮＣＤ（Ｎａｎｏ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）液晶表示装置において、微細空間はルーフ層（ｒｏｏｆ  ｌａｙｅｒ）によって取り囲まれるが、このようなルーフ層は、その材料、熱膨張係数（Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｏｆ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ：ＣＴＥ）によって下部底面から離脱するリフティング（Ｌｉｆｔｉｎｇ）不良などの問題が発生する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、リフティング不良が改善された液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による液晶表示装置は、基板と、前記基板上に配置される薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの一端子に接続される画素電極と、前記画素電極に対向して位置するルーフ層と、を有し、前記画素電極と前記ルーフ層との間に液晶注入口を有する微細空間（Ｍｉｃｒｏｃａｖｉｔｙ）が形成され、前記微細空間は、液晶分子を含む液晶層を形成し、前記微細空間の間に固定部材が形成され、前記ルーフ層は、前記固定部材を覆う。
【０００８】
前記薄膜トランジスタと前記画素電極との間に配置される第１保護膜を更に含み、前記固定部材は、前記第１保護膜の上に形成されてパターン化されたパターン化構造物であり得る。
前記パターン化構造物は、フォトレジスト、有機物質、又は無機物質で形成され得る。
前記液晶表示装置は、前記パターン化構造物を覆う第２保護膜を更に含むことができる。
前記パターン化構造物は、前記微細空間の間の隔壁形成部に形成され、前記隔壁形成部における前記ルーフ層は、前記パターン化構造物を覆いながら隔壁（Ｐａｒｔｉｔｉｏｎ  Ｗａｌｌ）を形成し得る。
前記パターン化された構造物は、前記薄膜トランジスタの一端子に接続される信号線と平行な方向に沿って延在し得る。
前記液晶表示装置は、前記ルーフ層の上に位置して前記液晶注入口を覆うキャッピング膜を更に含むことができ、前記隔壁形成部が延在する方向と平行な方向に、互いに隣接する前記微細空間の間にグルーブが形成され、前記キャッピング膜は、前記グルーブを覆い得る。
前記パターン化構造物は、複数の単位辺が離隔して形成され得る。
前記パターン化構造物は、逆テーパ構造を有し得る。
前記液晶表示装置は、前記薄膜トランジスタと前記画素電極との間に配置される有機膜を更に含むことができ、前記固定部材は、前記有機膜に形成されたオープン部を覆う前記ルーフ層で形成され得る。
【０００９】
前記固定部材は、前記微細空間の間の隔壁形成部に形成され、前記隔壁形成部における前記ルーフ層は、前記オープン部を覆いながら隔壁を形成し得る。
前記固定部材は、前記薄膜トランジスタの一端子に接続される信号線と平行な方向に沿って延在し得る。
前記液晶表示装置は、前記ルーフ層の上に位置して前記液晶注入口を覆うキャッピング膜を更に含むことができ、前記隔壁形成部が延在する方向と平行な方向に互いに隣接する前記微細空間の間にグルーブが形成され、前記キャッピング膜は前記グルーブを覆い得る。
前記有機膜には、前記薄膜トランジスタの一端子に前記画素電極を接続するコンタクトホールが形成され、前記コンタクトホール及び前記オープン部は同時に形成され得る。
前記薄膜トランジスタと前記画素電極との間に配置される第１保護膜と、前記微細空間の間に配置される有機膜とを更に含み得る。
前記固定部材は、前記有機膜に形成されたオープン部を覆う前記ルーフ層で形成され得る。
前記固定部材は、前記微細空間と同一のレベルに配置され得る。
前記液晶表示装置は、前記微細空間と前記ルーフ層との間に配置される共通電極を更に含むことができる。
【００１０】
本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法は、基板上に薄膜トランジスタを形成する段階と、前記薄膜トランジスタの上に第１保護膜を形成する段階と、前記第１保護膜の上に固定部材を形成する段階と、前記第１保護膜の上に画素電極を形成する段階と、前記画素電極の上に犠牲層を形成する段階と、前記犠牲層の上にルーフ層を形成する段階と、前記犠牲層を除去して液晶注入口が形成された微細空間（Ｍｉｃｒｏｃａｖｉｔｙ）を形成する段階と、前記微細空間に液晶物質を注入する段階と、前記ルーフ層の上に前記液晶注入口を覆うようにキャッピング膜を形成する段階と、を有し、前記ルーフ層は、前記固定部材を覆う。
【００１１】
前記固定部材は、前記第１保護膜の上にフォトレジスト、有機物質、又は無機物質を塗布した後に、露光又はパターニングして形成され得る。
前記液晶表示装置の製造方法は、前記固定部材を覆う第２保護膜を形成する段階を更に含むことができる。
前記液晶表示装置の製造方法は、前記固定部材をベイクする段階を更に含むことができる。
前記微細空間の間に隔壁形成部が配置され、前記隔壁形成部における前記ルーフ層は、前記固定部材を覆いながら隔壁を形成し得る。
前記固定部材は、前記薄膜トランジスタの一端子に接続される信号線と平行な方向に沿って延在するように形成され得る。
前記液晶表示装置の製造方法は、前記ルーフ層をパターニングしてグルーブを形成する段階を更に含むことができ、前記グルーブは、前記隔壁形成部が延在する方向と平行な方向に、互いに隣接する前記微細空間の間に形成され得る。
前記キャッピング膜は、前記グルーブを満たすように形成され得る。
【００１２】
本発明の他の実施形態による液晶表示装置の製造方法は、基板上に薄膜トランジスタを形成する段階と、前記薄膜トランジスタの上に有機膜を形成する段階と、前記有機膜内にオープン部を形成する段階と、前記薄膜トランジスタの一端子に接続される画素電極を形成する段階と、前記画素電極上に犠牲層を形成する段階と、前記犠牲層の上にルーフ層を形成する段階と、前記犠牲層を除去して液晶注入口が形成された微細空間（Ｍｉｃｒｏｃａｖｉｔｙ）を形成する段階と、前記微細空間に液晶物質を注入する段階と、前記ルーフ層の上に前記液晶注入口を覆うようにキャッピング膜を形成する段階と、を有し、前記ルーフ層は、前記オープン部を覆う。
【００１３】
前記有機膜は、前記薄膜トランジスタと前記画素電極との間に配置され得る。
前記微細空間の間に隔壁形成部が配置され、前記オープン部の幅は、前記隔壁形成部の幅より狭く形成され得る。
前記隔壁形成部における前記ルーフ層は、前記オープン部を覆いながら隔壁を形成し得る。
前記有機膜内にオープン部を形成する段階において、前記薄膜トランジスタの一端子に前記画素電極を接続するコンタクトホールを形成し得る。
前記液晶表示装置の製造方法は、前記薄膜トランジスタと前記画素電極との間に第１保護膜を更に形成することができ、前記微細空間の間に前記有機膜を形成し得る。
前記有機膜は、前記微細空間と同一のレベルに形成され得る。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、リフティング不良が発生するおそれがある部分に固定部材を形成することにより、信頼性を向上させた液晶表示装置を具現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。
【図２】図１に示した液晶表示装置の一実施形態による固定部材の配置を説明するための概略的に示す平面図である。
【図３】図１の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿った断面図である。
【図４】図１の切断線ＩＶ−ＩＶに沿った断面図である。
【図５】本発明の一実施形態による微細空間を示す斜視図である。
【図６】本発明の一実施形態による液晶表示装置の他の例を示す断面図である。
【図７】本発明の一実施形態による液晶表示装置の更に他の例を示す断面図である。
【図８】図１に示した液晶表示装置の他の実施形態による固定部材の配置を説明するための概略的に示す平面図である。
【図９】図１〜図５に示した液晶表示装置を製造する方法を示す断面図である。
【図１０】図１〜図５に示した液晶表示装置を製造する方法を示す断面図である。
【図１１】図１〜図５に示した液晶表示装置を製造する方法を示す断面図である。
【図１２】図１〜図５に示した液晶表示装置を製造する方法を示す断面図である。
【図１３Ａ】図１〜図５に示した液晶表示装置を製造する方法を示す断面図である。
【図１３Ｂ】図１〜図５に示した液晶表示装置を製造する方法を示す断面図である。
【図１４】図１〜図５に示した液晶表示装置を製造する方法を示す断面図である。
【図１５】本発明の他の実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。
【図１６】図１５に示した液晶表示装置のオープン部を平面的に見た形状を示す概略図である。
【図１７】本発明の更に他の実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。
【図１８】図１５に示した液晶表示装置を製造する方法を示す断面図である
【図１９】図１５に示した液晶表示装置を製造する方法を示す断面図である
【図２０】図１５に示した液晶表示装置を製造する方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を実施するための形態の具体例を、図面を参照しながら詳細に説明する。しかし、本発明はここで説明する実施形態に限定されず、他の形態に具体化することもできる。むしろ、ここで紹介する実施形態は、開示する内容が徹底的且つ完全なものになるようにし、また、当業者に本発明の思想が十分に伝達されるようにするために提供するものである。
【００１７】
図面において、層及び領域の厚さは、明確性を期するために誇張して示した。また、層が他の層又は基板「上」にあると言及する場合に、それは他の層又は基板上に直接形成されるか、又はそれらの間に第３の層が介されてもよい。明細書の全体に亘って同一の参照番号で表示した部分は、同一の構成要素を意味する。
【００１８】
図１は、本発明の一実施形態による液晶表示装置を示す平面図であり、図２は、図１に示した液晶表示装置の一実施形態による固定部材の配置を説明するための概略的に示す平面図である。図３は、図１の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿った断面図であり、図４は、図１の切断線ＩＶ−ＩＶに沿った断面図である。図５は、本発明の一実施形態による微細空間を示す斜視図である。
【００１９】
図１、図３及び図４を参照すると、透明なガラス又はプラスチックなどからなる基板１１０上に薄膜トランジスタＱａ、Ｑｂ、Ｑｃを配置する。
【００２０】
薄膜トランジスタＱａ、Ｑｂ、Ｑｃの上にカラーフィルタ２３０を配置し、隣接するカラーフィルタ２３０の間に遮光部材２２０を形成する。
【００２１】
図３及び図４は、切断線ＩＩＩ−ＩＩＩと切断線ＩＶ−ＩＶに沿った断面図であるが、図３及び図４では、図１に示した基板１１０とカラーフィルタ２３０との間の構成を省略している。実際に、図３及び図４は、基板１１０とカラーフィルタ２３０との間に薄膜トランジスタＱａ、Ｑｂ、Ｑｃの構成の一部を含む。
【００２２】
カラーフィルタ２３０は、画素電極１９１の列方向に沿って長く延在する。カラーフィルタ２３０は、赤色、緑色、及び青色の三原色などの原色（ｐｒｉｍａｒｙ  ｃｏｌｏｒ）のうちの一つを表示するために使用される。しかし、赤色、緑色、及び青色の原色に制限されず、青緑色（ｃｙａｎ）、紫紅色（ｍａｇｅｎｔａ）、イエロー（ｙｅｌｌｏｗ）、ホワイト系色のうちの一つを表示するようにしてもよい。
【００２３】
互いに隣接するカラーフィルタ２３０は、図１に示した横方向Ｄ及びこれと交差する縦方向に沿って離隔する。図３では横方向Ｄに沿って互いに離隔するカラーフィルタ２３０を示しており、図４では縦方向に沿って互いに離隔するカラーフィルタ２３０を示している。
【００２４】
図３を参照すると、横方向Ｄに沿って離隔するカラーフィルタ２３０の間に縦遮光部材２２０ｂが位置する。縦遮光部材２２０ｂは隣接するカラーフィルタ２３０のそれぞれの周縁と重なり、縦遮光部材２２０ｂがカラーフィルタ２３０の両側周縁と重なる幅は実質的に同一である。
【００２５】
図４を参照すると、縦方向に沿って離隔するカラーフィルタ２３０の間に横遮光部材２２０ａが位置する。横遮光部材２２０は隣接するカラーフィルタ２３０のそれぞれの周縁と重なり、横遮光部材２２０ａがカラーフィルタ２３０の両側周縁と重なる幅は実質的に同一である。
【００２６】
ここで説明したものとは異なり、遮光部材２２０は、以降で説明する微細空間３０５の上に配置してもよく、このとき、カラーフィルタ２３０は、縦方向に沿って連続的に形成されるか、又は互いに異なる色を表示するカラーフィルタが周縁で互いに重なって形成される。
【００２７】
カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０の上に第１保護膜１７０を配置する。第１保護膜１７０は、無機物質又は有機物質で形成され、下部に形成された膜を平坦化する役割を果たす。
【００２８】
第１保護膜１７０の上に画素電極１９１を配置し、画素電極１９１はコンタクトホール１８５ａ、１８５ｂによって薄膜トランジスタＱａ、Ｑｂの一端子と電気的に接続される。
【００２９】
画素電極１９１の上には下部配向膜１１が形成され、下部配向膜１１は垂直配向膜である。下部配向膜１１は、ポリアミック酸（Ｐｏｌｙａｍｉｃ  ａｃｉｄ）、ポリシロキサン（Ｐｏｌｙｓｉｌｏｘａｎｅ）、又はポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などの液晶配向膜であって、一般に用いられる物質のうちの少なくとも一つを含んで形成される。
【００３０】
下部配向膜１１と対向する部分に上部配向膜２１を配置し、下部配向膜１１と上部配向膜２１との間には微細空間３０５が形成される。微細空間３０５には液晶分子３１０を含む液晶物質が注入され、微細空間３０５は液晶注入口３０７を有する。微細空間３０５は、画素電極１９１の列方向、即ち縦方向に沿って形成される。本実施形態で、配向膜１１、２１を形成する配向物質と液晶分子３１０を含む液晶物質は、毛管力（ｃａｐｉｌｌａｒｙ  ｆｏｒｃｅ）を利用して微細空間３０５に注入される。
【００３１】
本実施形態では、図２及び図３に示したように、横方向に隣接する微細空間３０５の間に隔壁形成部ＰＷＰが位置し、隔壁形成部ＰＷＰには縦方向に沿って長く延在したパターン化構造物５００が位置する。このとき、パターン化構造物５００の幅ｗ１は、隔壁形成部ＰＷＰの幅より小さいのが好ましい。パターン化構造物５００は、フォトレジスト、有機物質又は無機物質などで形成される。
【００３２】
本実施形態において、一つの微細空間３０５の両周縁にそれぞれ一つずつの液晶注入口が形成されているが、他の実施形態として、一つの微細空間３０５の一側周縁に液晶注入口を一つだけ形成してもよい。
【００３３】
微細空間３０５の上に上部配向膜２１を配置し、上部配向膜２１の上に共通電極２７０及び下部絶縁層３５０を配置する。共通電極２７０は、共通電圧の印加を受け、データ電圧が印加された画素電極１９１と共に電界を生成して、二つの電極間の微細空間３０５に位置する液晶分子３１０が傾く方向を決定する。共通電極２７０は、画素電極１９１とキャパシタを形成して、薄膜トランジスタがターンオフ（ｔｕｒｎ−ｏｆｆ）した後にも印加された電圧を維持する。下部絶縁層３５０は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）又は酸化ケイ素（ＳｉＯ２）で形成される。
【００３４】
本実施形態において、共通電極２７０が微細空間３０５の上に形成されるものとして説明しているが、他の実施形態として、共通電極２７０が微細空間３０５の下部に形成されて、水平電界モードによる液晶駆動も可能である。
【００３５】
下部絶縁層３５０の上にルーフ層（Ｒｏｏｆ  Ｌａｙｅｒ）３６０を配置する。ルーフ層３６０は、シリコンオキシカーバイド（ＳｉＯＣ）、フォトレジスト、又はその他の有機物質を含む。ルーフ層３６０がシリコンオキシカーバイド（ＳｉＯＣ）を含む場合には化学気相蒸着法によって形成することができ、フォトレジストを含む場合にはコーティング法によって形成することができる。シリコンオキシカーバイド（ＳｉＯＣ）は、化学気相蒸着法によって形成できる膜のうち、透過率が高く、膜ストレスも少なく、変形も生じない長所がある。従って、本実施形態で、ルーフ層３６０をシリコンオキシカーバイド（ＳｉＯＣ）で形成することで、光がよく透過し、安定した膜を形成することができる。
【００３６】
横遮光部材２２０ａの上には、微細空間３０５、共通電極２７０、下部絶縁層３５０、及びルーフ層３６０を貫く液晶注入口形成領域３０７ＦＲが形成される。液晶注入口形成領域３０７ＦＲは、後述するキャッピング膜３９０によって覆われる。
【００３７】
ルーフ層３６０の上に上部絶縁層３７０を配置する。上部絶縁層３７０は、ルーフ層３６０の上部面及び側壁と接触する。上部絶縁層３７０は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）又は酸化ケイ素（ＳｉＯ２）で形成される。上部絶縁層３７０の上にキャッピング膜３９０を配置する。キャッピング膜３９０は、上部絶縁層３７０の上部面及び側面と接触し、液晶注入口形成領域３０７ＦＲによって露出した微細空間３０５の液晶注入口３０７を覆う。キャッピング膜３９０は、熱硬化性樹脂、シリコンオキシカーバイド（ＳｉＯＣ）、又はグラフェン（Ｇｒａｐｈｅｎｅ）で形成される。
【００３８】
キャッピング膜３９０がグラフェンで形成される場合、グラフェンは、ヘリウムなどを含むガスに対する耐透過性が強い特性を有するため、液晶注入口３０７を塞ぐキャッピング膜の役割を果たし、炭素結合によって形成された物質であるため、液晶物質と接触しても液晶物質が汚染しない。それだけでなく、グラフェンは、外部の酸素及び水分に対して液晶物質を保護する役割も果たす。
【００３９】
キャッピング膜３９０の上に無機膜又は有機膜で形成されたオーバーコート膜（図示せず）を配置してもよい。オーバーコート膜は、外部の衝撃から微細空間３０５に注入された液晶分子３１０を保護し、膜を平坦化する役割を果たす。
【００４０】
以下、図１、図３〜図５を参照して、微細空間３０５について具体的に説明する。
【００４１】
図１、図３〜図５を参照すると、微細空間３０５は、ゲート線１２１ａに重なる部分に位置する複数の液晶注入口形成領域３０７ＦＲによって縦方向に分かれ、また、ゲート線１２１ａが延在する方向Ｄに沿って複数形成される。複数形成された微細空間３０５のそれぞれは画素領域に対応し、複数形成された微細空間３０５の集団が列方向に複数形成される。ここで、画素領域は画面を表示する領域に対応する。
【００４２】
本実施形態において、２個の副画素電極（１９１ａ、１９１ｂ）がゲート線１２１ａを介して配置される薄膜トランジスタ及び画素電極の構造を有する。従って、微細空間３０５は、縦方向に互いに隣接する画素ＰＸがそれぞれ有する第１副画素電極１９１ａ及び第２副画素電極１９１ｂが、一つの微細空間３０５に対応する。しかし、このような構造は、薄膜トランジスタ及び画素電極の構造を変更することができるため、一つの画素ＰＸに微細空間３０５が対応する形態に変形することも可能である。
【００４３】
このとき、微細空間３０５の間に形成された液晶注入口形成領域３０７ＦＰは、ゲート線１２１ａが延在する方向Ｄに沿って配置される、微細空間３０５の液晶注入口３０７は、液晶注入口形成領域３０７ＦＰと微細空間３０５との境界部分に対応する領域に形成される。液晶注入口３０７は、液晶注入口形成領域３０７ＦＰが延在する方向に沿って形成される。そして、ゲート線１２１ａが延在する方向Ｄに互いに隣接する微細空間３０５の間に形成された隔壁形成部ＰＷＰは、図３に示したように、ルーフ層３６０によって覆われる。本実施形態において、隔壁形成部ＰＷＰには、下部絶縁層３５０、共通電極２７０、上部絶縁層３７０、及びルーフ層３６０が満たされ、このような構造物が隔壁（Ｐａｒｔｉｔｉｏｎ  Ｗａｌｌ）を形成することにより、微細空間３０５が区切られるか又は定義される。
【００４４】
微細空間３０５に含まれる液晶注入口３０７は、上部配向膜２１と横遮光部材２２０ａとの間の高さを有するか、又は上部配向膜２１と下部配向膜１１との間の高さを有する。
【００４５】
本実施形態において、液晶注入口形成領域３０７ＦＰは、ゲート線１２１ａが延在する方向Ｄに沿って形成されるものとして説明したが、他の実施形態として、液晶注入口形成領域３０７ＦＰは、データ線１７１が延在する方向に沿って複数形成されてもよく、複数形成された微細空間３０５の集団が行方向に複数形成されてもよい。液晶注入口３０７も、データ線１７１が延在する方向に沿って形成された液晶注入口形成領域３０７ＦＰが延在する方向に沿って形成されてもよい。
【００４６】
本実施形態において、微細空間３０５の液晶注入口３０７を通じて液晶物質を注入するため、別途の上部基板を形成せずに液晶表示装置を形成することができる。
【００４７】
以下、図１〜図４を更に参照して、本実施形態による液晶表示装置について詳細に説明する。
【００４８】
図１〜図４を参照すると、透明なガラス又はプラスチックなどからなる基板１１０上に複数のゲート線１２１ａ、複数の降圧ゲート線（ｓｔｅｐ−ｄｏｗｎ  ｇａｔｅ  ｌｉｎｅｓ）１２１ｂ、及び複数の維持電極線１３１を含む複数のゲート導電体が形成される。（本明細書で「降圧」とは電圧値を減らす又は電圧を下げることを意味する）
【００４９】
ゲート線１２１ａ及び降圧ゲート線１２１ｂは、主に横方向に延在してゲート信号を伝達する。ゲート線１２１ａは上下に突出した第１ゲート電極１２４ａ及び第２ゲート電極１２４ｂを含み、降圧ゲート線１２１ｂは上に突出した第３ゲート電極１２４ｃを含む。第１ゲート電極１２４ａ及び第２ゲート電極１２４ｂは、互いに接続されて一つの突出部を形成する。
【００５０】
維持電極線１３１も、主に横方向に延在して共通電圧Ｖｃｏｍなどの定められた電圧を伝達する。維持電極線１３１は、上下に突出した維持電極１２９、ゲート線１２１ａと実質的に垂直に下に延在した一対の縦部１３４、及び一対の縦部１３４の端部を互いに接続する横部１２７を含む。横部１２７は、下に拡張された容量電極１３７を含む。
【００５１】
ゲート導電体（１２１ａ、１２１ｂ、１３１）の上にはゲート絶縁膜（図示せず）が形成される。
【００５２】
ゲート絶縁膜の上には非晶質又は結晶質ケイ素などからなる複数の線状半導体（図示せず）が形成される。線状半導体は、主に縦方向に延在し、第１ゲート電極１２４ａ及び第２ゲート電極１２４ｂに向かって延在しており、互いに接続される第１半導体１５４ａ及び第２半導体１５４ｂ、そして第３ゲート電極１２４ｃの上に位置する第３半導体１５４ｃを含む。
【００５３】
半導体（１５４ａ、１５４ｂ、１５４ｃ）の上には複数対のオーミックコンタクト部材（図示せず）が形成される。オーミックコンタクト部材は、シリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）又はｎ型不純物が高濃度にドーピングされるｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質で形成される。
【００５４】
オーミックコンタクト部材の上には、複数のデータ線１７１、複数の第１ドレイン電極１７５ａ、複数の第２ドレイン電極１７５ｂ、及び複数の第３ドレイン電極１７５ｃを含むデータ導電体が形成される。
【００５５】
データ線１７１は、データ信号を伝達し、主に縦方向に延在してゲート線１２１ａ及び降圧ゲート線１２１ｂと交差する。各データ線１７１は、第１ゲート電極１２４ａ及び第２ゲート電極１２４ｂに向かって延在し、互いに接続される第１ソース電極１７３ａ及び第２ソース電極１７３ｂを含む。
【００５６】
第１ドレイン電極１７５ａ、第２ドレイン電極１７５ｂ、及び第３ドレイン電極１７５ｃは、広い一端部と、棒状の他端部分とを含む。第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂの棒状の端部は、第１ソース電極１７３ａ及び第２ソース電極１７３ｂによって一部が取り囲まれる。第１ドレイン電極１７５ａの広い一端部は、更に延長されてＵ字状に曲がった第３ドレイン電極１７５ｃを形成する。第３ソース電極１７３ｃの広い端部１７７ｃは、容量電極１３７と重なって降圧キャパシタ（ｓｔｅｐ−ｄｏｗｎ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ）Ｃｓｔｄを形成し、棒状の端部は、第３ドレイン電極１７５ｃによって一部が取り囲まれる。
【００５７】
第１ゲート電極１２４ａ、第１ソース電極１７３ａ、及び第１ドレイン電極１７５ａは、第１半導体１５４ａと共に第１薄膜トランジスタＱａを形成し、第２ゲート電極１２４ｂ、第２ソース電極１７３ｂ、及び第２ドレイン電極１７５ｂは、第２半導体１５４ｂと共に第２薄膜トランジスタＱｂを形成し、第３ゲート電極１２４ｃ、第３ソース電極１７３ｃ、及び第３ドレイン電極１７５ｃは、第３半導体１５４ｃと共に第３薄膜トランジスタＱｃを形成する。
【００５８】
第１半導体１５４ａ、第２半導体１５４ｂ、及び第３半導体１５４ｃを含む線状半導体は、ソース電極（１７３ａ、１７３ｂ、１７３ｃ）とドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ、１７５ｃ）との間のチャネル領域を除いて、データ導電体（１７１、１７３ａ、１７３ｂ、１７３ｃ、１７５ａ、１７５ｂ、１７５ｃ）及びその下部のオーミックコンタクト部材と実質的に同一の平面形状を有する。
【００５９】
第１半導体１５４ａには、第１ソース電極１７３ａと第１ドレイン電極１７５ａとの間で、第１ソース電極１７３ａ及び第１ドレイン電極１７５ａによって覆われずに露出した部分があり、第２半導体１５４ｂには、第２ソース電極１７３ｂと第２ドレイン電極１７５ｂのと間で、第２ソース電極１７３ｂ及び第２ドレイン電極１７５ｂによって覆われずに露出した部分があり、第３半導体１５４ｃには、第３ソース電極１７３ｃと第３ドレイン電極１７５ｃとの間で、第３ソース電極１７３ｃ及び第３ドレイン電極１７５ｃによって覆われずに露出した部分がある。
【００６０】
データ導電体（１７１、１７３ａ、１７３ｂ、１７３ｃ、１７５ａ、１７５ｂ、１７５ｃ）及び露出した半導体（１５４ａ、１５４ｂ、１５４ｃ）部分の上には、窒化ケイ素又は酸化ケイ素などの無機絶縁物からなる絶縁層（図示せず）が形成される。
【００６１】
絶縁層の上にはカラーフィルタ２３０が配置される。カラーフィルタ２３０は、第１薄膜トランジスタＱａ、第２薄膜トランジスタＱｂ、及び第３薄膜トランジスタＱｃ等が位置する所を除いた大部分の領域に位置する。しかし、隣接するデータ線１７１の間に沿って縦方向に長く延在してもよい。本実施形態において、カラーフィルタ２３０は、画素電極１９１の下端に形成されるが、共通電極２７０の上に形成してもよい。
【００６２】
カラーフィルタ２３０が位置しない領域及びカラーフィルタ２３０の一部分の上には遮光部材２２０が配置される。遮光部材２２０は、ゲート線１２１ａ及び降圧ゲート線１２１ｂに沿って延在して上下に拡張されており、第１薄膜トランジスタＱａ、第２薄膜トランジスタＱｂ、及び第３薄膜トランジスタＱｃなどが位置する領域を覆う横遮光部材２２０ａと、データ線１７１に沿って延在する縦遮光部材２２０ｂとを含む。
【００６３】
遮光部材２２０は、ブラックマトリックス（ｂｌａｃｋ  ｍａｔｒｉｘ）ともいい、光漏れを防止する。
【００６４】
絶縁層、遮光部材２２０には、第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂを露出する複数のコンタクトホール１８５ａ、１８５ｂが形成される。
【００６５】
そして、カラーフィルタ２３０、遮光部材２２０の上には、第１保護膜１７０が形成される。第１保護膜１７０の上には第１副画素電極１９１ａ及び第２副画素電極１９１ｂを含む画素電極１９１が形成される。第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂは、ゲート線１２１ａ及び降圧ゲート線１２１ｂを介して互いに分離され、それぞれ上と下に配置されて列方向に隣接する。第２副画素電極１９１ｂの大きさは、第１副画素電極１９１ａの大きさより大きく、略１倍〜３倍である。
【００６６】
第１副画素電極１９１ａ及び第２副画素電極１９１ｂのそれぞれの全体的な形状は四角形であり、第１副画素電極１９１ａ及び第２副画素電極１９１ｂのそれぞれは、横幹部１９３ａ、１９３ｂ、及び横幹部１９３ａ、１９３ｂと交差する縦幹部１９２ａ、１９２ｂからなる十字状の幹部を含む。また、第１副画素電極１９１ａ及び第２副画素電極１９１ｂは、それぞれ複数の微細枝部１９４ａ、１９４ｂ、副画素電極（１９１ａ、１９１ｂ）の周縁辺から下又は上に突出した突出部１９７ａ、１９７ｂを含む。
【００６７】
画素電極１９１は、横幹部１９３ａ、１９３ｂと縦幹部１９２ａ、１９２ｂによって４個の副領域に分かれる。微細枝部１９４ａ、１９４ｂは、横幹部１９３ａ、１９３ｂ及び縦幹部１９２ａ、１９２ｂから斜めに延在しており、その延在する方向は、ゲート線（１２１ａ、１２１ｂ）又は横幹部１９３ａ、１９３ｂと略４５度又は１３５度の角を成す。また、隣接する二つの副領域の微細枝部１９４ａ、１９４ｂが延在する方向は、互いに直交する。
【００６８】
本実施形態において、第１副画素電極１９１ａは、外郭を取り囲む外郭幹部を更に含み、第２副画素電極１９１ｂは、上端及び下端に位置する横部、及び第１副画素電極１９１ａの左右に位置する左右縦部１９８を更に含む。左右縦部１９８は、データ線１７１と第１副画素電極１９１ａとの間の容量性結合、即ちカップリングを防止する。
【００６９】
画素電極１９１の上には、下部配向膜１１、微細空間３０５、上部配向膜２１、共通電極２７０、下部絶縁層３５０、及びキャッピング膜３９０などが形成されており、このような構成要素に対する説明は上述したため省略する。
【００７０】
これまで説明した液晶表示装置に関する説明は、側面視認性を向上するための視認性構造の一例であり、薄膜トランジスタの構造及び画素電極のデザインは本実施形態で説明した構造に限定されず、変形して本発明の一実施形態による内容を適用することができる。
【００７１】
図６は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の他の例を示す断面図である。
【００７２】
図６を参照すると、図３で説明した実施形態と実質的に同様であるが、本実施形態において、パターン化構造物５００は逆テーパ構造を有する。本実施形態において、ルーフ層３６０が逆テーパ構造を有するパターン化構造物５００を確実に取り囲むため、リフティング不良を防止するのに効果的である。
【００７３】
図７は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の更に他の例を示す断面図である。
【００７４】
図７を参照すると、図３で説明した実施形態と実質的に同様であるが、本実施形態において、パターン化構造物５００を更に堅固に固定し、後続工程の影響を受けないようにするために、パターン化構造物５００を覆う第２保護膜１８０が追加的に形成される。
【００７５】
図８は、図１に示した液晶表示装置の他の実施形態による固定部材の配置を説明するための概略的に示す平面図である。
【００７６】
図８を参照すると、図２で説明した実施形態と実質的に同様であるが、本実施形態において、パターン化構造物５００は複数の単位辺が離隔して形成される。このようにパターン化構造物５００が複数の単位辺に離隔して形成されることにより、ルーフ層３６０とパターン化構造物５００とが接触する表面積が増加するため、リフティング不良を防止するのに更に効果的である。
【００７７】
以下、図１〜図５を参照して、上述した液晶表示装置を製造する一実施形態について説明する。図９〜図１４は、図１〜図５に示した液晶表示装置を製造する方法を示す断面図であり、図１と図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿った断面図を順に示したものである。
【００７８】
図９を参照すると、透明なガラス又はプラスチックなどからなる基板１１０上に薄膜トランジスタＱａ、Ｑｂ、Ｑｃ（図１に示す）を形成する。薄膜トランジスタＱａ、Ｑｂ、Ｑｃの上に画素領域に対応するようにカラーフィルタ２３０を形成し、隣接するカラーフィルタ２３０の間に横遮光部材２２０ａ及び縦遮光部材２２０ｂを含む遮光部材２２０を形成する。図９に示したように、縦遮光部材２２０ｂは、隣接するカラーフィルタ２３０の周縁と重なる。
【００７９】
図１０を参照すると、カラーフィルタ２３０と遮光部材２２０の上に第１保護膜１７０を形成する。第１保護膜１７０は、有機物質又は無機物質で形成され、性質が異なる２個の膜で形成される。例えば、第１保護膜１７０の下部膜として有機物質層を形成し、第１保護膜１７０の上部膜として無機物質層を形成する。第１保護膜１７０の上にフォトレジスト、有機物質又は無機物質を塗布した後に、露光又はパターニングしてパターン化されたパターン化構造物５００を形成する。パターン化構造物５００は、ルーフ層３６０と下部底面の第１保護膜１７０、又はルーフ層３６０の下に位置する下部絶縁層３５０、又は共通電極２７０と第１保護膜１７０との間のリフティング不良を防止する固定部材となる。
【００８０】
このとき、パターン化構造物５００は、データ線１７１が延在する方向に沿って長く形成されるか、又は複数の単位辺が離隔するように形成される。また、図６で説明したように、パターン化構造物５００が逆テーパ構造を有するように形成してもよい。
【００８１】
次に、パターン化構造物５００を硬化するために、略摂氏２２０度程度にベイク工程を行う。
【００８２】
図１１を参照すると、第１保護膜１７０の上に画素電極物質を形成した後、画素領域に対応する部分に画素電極１９１が位置するように画素電極物質をパターニングする。このとき、画素電極１９１は、コンタクトホール１８５ａ、１８５ｂ（図１に示す）を通じて薄膜トランジスタＱａ、Ｑｂの一端子と電気的に接続される。画素電極物質をパターニングして形成された画素電極１９１は、図２に示した形態を有してもよいが、これに限定されず、画素電極１９１のデザインは変形可能である。
【００８３】
図１２を参照すると、画素電極１９１の上にシリコンオキシカーバイド（ＳｉＯＣ）又はフォトレジストを含む犠牲層３００を形成する。犠牲層３００は、シリコンオキシカーバイド（ＳｉＯＣ）又はフォトレジストのような有機物質で形成される。
【００８４】
犠牲層３００を露光／現像するか又はパターニングして、縦遮光部材２００ｂの上に隔壁形成部ＰＷＰを形成する。隔壁形成部ＰＷＰは、横方向に互いに隣接する微細空間３０５を区切る。
【００８５】
犠牲層３００の上に共通電極２７０及び下部絶縁層３５０を順次に形成する。共通電極２７０は、ＩＴＯ又はＩＺＯなどの透明導電体で形成され、下部絶縁層３５０は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）又は酸化ケイ素（ＳｉＯ２）で形成される。共通電極２７０と下部絶縁層３５０は、微細空間３０５の間に位置するパターン化構造物５００を覆いながら隔壁形成部ＰＷＰに形成される。他の実施形態として、共通電極２７０又は下部絶縁層３５０は、隔壁形成部ＰＷＰ内で必ずしも連続的に形成されるものではなく、犠牲層３００の上部面だけを覆って犠牲層３０の側面は覆わないか又は一部だけを覆うように形成してもよい。
【００８６】
図１３Ａを参照すると、下部絶縁層３５０の上にルーフ層３６０と上部絶縁層３７０を順次に形成する。本実施形態によるルーフ層３６０は、上述した犠牲層３００とは異なる物質で形成される。上部絶縁層３７０は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）又は酸化ケイ素（ＳｉＯ２）で形成される。ここで、ルーフ層３６０は、隔壁形成部ＰＷＰに位置するパターン化構造物５００を取り囲んで形成される。
【００８７】
図１３Ｂは、図１の切断線ＩＶ−ＩＶに沿った断面図であり、図１３Ａで説明した段階における構造を示す。図１３Ｂを参照すると、上部絶縁層３７０を形成する前にルーフ層３６０をパターニングして、横遮光部材２２０ａと対応する部分の下部絶縁層３５０を露出させる液晶注入口形成領域３０７ＦＰを形成する。その後、液晶注入口形成領域３０７ＦＰに対応する部分に位置する上部絶縁層３７０、下部絶縁層３５０、及び共通電極２７０を順次にパターニングして犠牲層３００を露出させ、液晶注入口形成領域３０７ＦＰを通じて犠牲層３００を酸素（Ｏ２）アッシング（Ａｓｈｉｎｇ）処理又はウエットエッチング法などによって除去する。このとき、液晶注入口３０７を有する微細空間３０５が形成される。微細空間３０５は、犠牲層３００が除去されて空の空間状態である。
【００８８】
本実施形態において、液晶注入口形成領域３０７ＦＰを形成する際、上部絶縁層３７０、ルーフ層３６０、下部絶縁層３５０、及び共通電極２７０を除去する順序は、工程目的及び材料に応じて多様な形態に変形可能である。
【００８９】
液晶注入口３０７は、薄膜トランジスタの一端子と接続される信号線と平行な方向に沿って形成される。犠牲層３００が除去されると、図１３Ａに示したように、共通電極２７０、下部絶縁層３５０、及びルーフ層３６０は、隔壁形成部ＰＷＰを覆うため、一種の隔壁となって微細空間３０５を区切る側壁部の役割を果たす。
【００９０】
図１４を参照すると、図１３Ｂに示した液晶注入口３０７を通じて配向物質を注入し、画素電極１９１及び共通電極２７０の上に配向膜１１、２１を形成する。液晶注入口３０７を通じて固形分と溶媒を含む配向物質を注入した後にベイク工程を行う。
【００９１】
次に、液晶注入口３０７を通じて微細空間３０５にインクジェット方法などによって液晶分子３１０を含む液晶物質を注入する。
【００９２】
その後、ルーフ層３６０の上部面及び側壁を覆うようにキャッピング膜３９０を形成する。このとき、キャッピング膜３９０は、液晶注入口形成領域３０７ＦＰによって露出した微細空間３０５の液晶注入口３０５を覆って、図３及び図４に示した液晶表示装置が形成される。
【００９３】
図１５は、本発明の他の実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。
【００９４】
図１５を参照すると、大部分の構成は図３を参照して説明した実施形態と同一である。但し、図１５の実施形態において、図３の実施形態で固定部材の役割を果たす構成に差があり、以下、これについて説明する。
【００９５】
図１５を参照すると、第１保護膜１７０にオープン部ＯＰＮが形成される。オープン部ＯＰＮは、工程を行う段階で形成されるものであり、最終構造物ではルーフ層３６０によって満たされる。オープン部ＯＰＮは、薄膜トランジスタの一端子と接続される信号線が延在する方向に沿って長く形成される。
【００９６】
微細空間３０５の上に配置される共通電極２７０、下部絶縁層３５０、ルーフ層３６０、及び上部絶縁層３７０は、オープン部ＯＰＮ及び隔壁形成部ＰＷＰを満たす。オープン部ＯＰＮは、ルーフ層３６０の接触領域を増やすため、後続する工程でルーフ層３６０がリフティングされることを防止する固定部材としての役割を果たす。
【００９７】
従って、本実施形態によると、ルーフ層３６０が下部底面に固定されずに離脱することを防止することができる。
【００９８】
図１６は、図１５に示した液晶表示装置のオープン部を平面的に見た形状を示す概略図である。
【００９９】
図１６を参照すると、第１保護膜１７０に形成されるオープン部ＯＰＮの形状は、線形、台形、ジグザグ形、又は矢形などに多様に変形される。
【０１００】
図１７は、本発明の更に他の実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。
【０１０１】
図１７を参照すると、図１５で説明した実施形態と実質的に同様であるが、第１保護膜１７０にオープン部を形成しない点に差がある。その代わりに、本実施形態において、図１５における隔壁形成部のところに有機膜１８２が形成される。有機膜１８２は、微細空間３０５の間に微細空間３０５と同一のレベルに配置され、遮光部材又はコラムスペーサであり、遮光の役割とコラムスペーサの役割を同時に果たす構成要素である
【０１０２】
本実施形態において、有機膜１８２内にグルーブ（溝）形状のオープン部ＯＰＮが形成される。微細空間３０５の上に位置する共通電極２７０、下部絶縁層３５０、ルーフ層３６０、及び上部絶縁層３７０は、オープン部ＯＰＮを満たす。オープン部ＯＰＮは、ルーフ層３６０の接触領域を増やすため、後続する工程でルーフ層３６０がリフティングされることを防止する固定部材としての役割を果たす。
【０１０３】
図１８〜図２０は、図１５に示した液晶表示装置を製造する方法を示す断面図である。
【０１０４】
本実施形態による液晶表示装置の製造方法は、上述した図９〜図１４を参照して説明した実施形態と実質的に同様であるため、差がある部分について説明する。
【０１０５】
図１８を参照すると、第１保護膜１７０を有機物質などで形成した後、露光／現像又はパターニングしてオープン部ＯＰＮを形成する。オープン部ＯＰＮは、薄膜トランジスタの一端子と接続される信号線が延在する方向に沿って長く形成される。
【０１０６】
図１９を参照すると、画素電極１９１を形成して画素電極１９１の上に犠牲層３００を形成する。犠牲層３００を露光／現像又はパターニングしてオープン部ＯＰＮより幅の大きい隔壁形成部ＰＷＰを形成する。
【０１０７】
図２０を参照すると、犠牲層３００の上に隔壁形成部ＰＷＰを満たすように共通電極２７０及び下部絶縁層３５０を形成する。次に、下部絶縁層３５０の上にルーフ層３６０を形成する。ルーフ層３６０は、隔壁形成部ＰＷＰとオープン部ＯＰＮを満たして隔壁及び固定部材を形成する。
【０１０８】
以降の工程段階は、図１３及び図１４で説明した過程と同一なため省略する。上述した差異以外の図９〜図１４を参照して説明した内容は、図１８〜図２０の実施形態にも全て適用することができる。
【０１０９】
以上、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【符号の説明】
【０１１０】
３    液晶層
１１    下部配向膜
２１    上部配向膜
１１０    基板
１２１ａ    ゲート線
１２１ｂ    降圧ゲート線（ｓｔｅｐ−ｄｏｗｎ  ｇａｔｅ  ｌｉｎｅｓ）
１２４ａ、１２４ｂ、１２４ｃ        第１〜第３ゲート電極
１２７    維持電極の横部
１２９    維持電極
１３１    維持電極線
１３４    維持電極線の縦部
１３７    容量電極
１５４ａ、１５４ｂ、１５４ｃ    第１〜第３半導体
１７０    第１保護膜
１７１    データ線
１７３ａ、１７３ｂ、１７３ｃ    第１〜第３ソース電極
１７５ａ、１７５ｂ、１７５ｃ    第１〜第３ドレイン電極
１７７ｃ    第３ソース電極の端部
１８０    第２保護膜
１８２    有機膜
１８５ａ、１８５ｂ    コンタクトホール
１９１    画素電極
１９１ａ、１９１ｂ    第１、第２副画素電極
１９２ａ、１９２ｂ    縦幹部
１９３ａ、１９３ｂ    横幹部
１９４ａ、１９４ｂ    微細枝部
１９７ａ、１９７ｂ    突出部
１９８    左右縦部
２２０    遮光部材
２２０ａ    横遮光部材
２２０ｂ    縦遮光部材
２３０    カラーフィルタ
２７０    共通電極
３００    犠牲層
３０５    微細空間（ｍｉｃｒｏｃａｖｉｔｙ）
３０７    液晶注入口
３０７ＦＰ    液晶注入口形成領域
３１０    液晶分子
３５０    下部絶縁層
３６０    ルーフ層
３７０    上部絶縁層
３９０    キャッピング膜
５００    パターン化構造物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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