(57)【要約】【課題】安定した蒸着が長時間行える蒸着装置と、蒸着材料であるＡｌを安定して大量に受け入れることができる蒸発源を提供する。【解決手段】本発明による蒸着装置は、基板を蒸着する蒸発源３０と、蒸発源３０を収納し基板が搬送されるプロセスチャンバとを備える。蒸発源３０は、坩堝１０を備え、坩堝１０は、固体のＡｌ材料２が供給される材料受入部１１と、材料受入部１１に隣接し、材料受入部１１から供給されたＡｌ材料２を加熱して溶融し融液１とする溶融部１２と、溶融部１２に隣接し、溶融部１２から供給された融液１を加熱して蒸気を発生させる蒸発部１３とを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を蒸着する蒸発源と、前記蒸発源を収納し前記基板が搬送されるプロセスチャンバとを備え、
前記蒸発源は、坩堝を備え、
前記坩堝は、固体のＡｌ材料が供給される材料受入部と、前記材料受入部に隣接し、前記材料受入部から供給された前記Ａｌ材料を加熱して溶融し融液とする溶融部と、前記溶融部に隣接し、前記溶融部から供給された前記融液を加熱して蒸気を発生させる蒸発部とを有することを特徴とする蒸着装置。
【請求項２】
前記坩堝は、前記材料受入部と前記溶融部と前記蒸発部とが水平方向に配置され、前記蒸気を外部へ噴射するノズルを前記蒸発部に備え、
前記蒸発源は、
前記蒸発部の外部に配置され、前記蒸発部を加熱するヒータと、
前記坩堝の外面で、前記蒸気の噴射方向において外部と前記蒸発部との間の位置に配置され、外部と前記蒸発部とを熱遮蔽する第１の遮熱板と、
前記坩堝の外面で前記蒸発部と前記溶融部との間の位置に配置され、前記蒸発部と前記溶融部とを熱遮蔽する第２の遮熱板と、
前記坩堝の外面で前記溶融部と前記材料受入部との間の位置に配置され、前記溶融部と前記材料受入部とを熱遮蔽する第３の遮熱板と、
前記蒸発部、前記溶融部、前記ヒータ、前記第１の遮熱板、前記第２の遮熱板、および前記第３の遮熱板を覆って熱を閉じ込めるために、前記坩堝の側方に配置されるリフレクタとをさらに備える請求項１記載の蒸着装置。
【請求項３】
前記蒸発源は、前記第１の遮熱板、前記第２の遮熱板、前記第３の遮熱板、および前記リフレクタを、それぞれ複数枚備える請求項２記載の蒸着装置。
【請求項４】
前記蒸発源は、前記溶融部が、前記第２の遮熱板、前記第３の遮熱板、および前記リフレクタにより、前記融液の飽和蒸気圧が０．１Ｐａ以下となる温度に保持される請求項２記載の蒸着装置。
【請求項５】
前記蒸発源は、前記坩堝の内部で前記蒸発部と前記溶融部との間に、前記坩堝の上部の内壁面から前記融液の液面より下方に向かって設置される板状部材を備える請求項２記載の蒸着装置。
【請求項６】
前記蒸発源は、前記材料受入部が、前記Ａｌ材料を受け入れるための開口部を有する請求項２記載の蒸着装置。
【請求項７】
前記蒸発源は、前記材料受入部が、前記Ａｌ材料を重力に従って前記溶融部に送り込むための傾斜部材を備える請求項２記載の蒸着装置。
【請求項８】
前記蒸発源は、前記材料受入部と前記溶融部とが、前記Ａｌ材料を重力に従って前記材料受入部から前記溶融部に送り込むとともに、前記融液を重力に従って前記溶融部から前記蒸発部に送り込むための傾斜部材を備える請求項２記載の蒸着装置。
【請求項９】
前記蒸発源は、前記材料受入部が、前記Ａｌ材料を前記材料受入部に供給するためのホッパーを差し込むことが可能な開口部を有する請求項２記載の蒸着装置。
【請求項１０】
前記プロセスチャンバは、複数の前記蒸発源が、搬送された前記基板に沿う水平方向に直線状に配置された横型蒸発源ユニットを備え、
前記横型蒸発源ユニットは、上下方向に走査可能な請求項２記載の蒸着装置。
【請求項１１】
前記プロセスチャンバは、複数の前記蒸発源が上下方向に直線状に配置された縦型蒸発源ユニットを備え、
前記縦型蒸発源ユニットは、搬送された前記基板に沿う水平方向に走査可能な請求項２記載の蒸着装置。
【請求項１２】
前記プロセスチャンバは、複数の前記蒸発源が上下方向に直線状に配置された縦型蒸発源ユニットを備え、
前記縦型蒸発源ユニットは、前記プロセスチャンバの内壁に固定される請求項２記載の蒸着装置。
【請求項１３】
前記プロセスチャンバは、複数の前記蒸発源が上下方向と搬送された前記基板に沿う水平方向とに２次元的に配置された２次元蒸発源ユニットを備える請求項２記載の蒸着装置。
【請求項１４】
前記プロセスチャンバは、中継室と、前記中継室の中に配置された材料供給装置とを備え、
前記蒸発源は、前記材料受入部が、前記Ａｌ材料を前記材料受入部に供給するためのホッパーを差し込むことが可能な開口部を有し、
前記材料供給装置は、前記開口部に差し込まれた前記ホッパーに前記Ａｌ材料を供給する請求項２記載の蒸着装置。
【請求項１５】
坩堝を備え、
前記坩堝は、固体のＡｌ材料が供給される材料受入部と、前記材料受入部に隣接し、前記材料受入部から供給された前記Ａｌ材料を加熱して溶融し融液とする溶融部と、前記溶融部に隣接し、前記溶融部から供給された前記融液を加熱して蒸気を発生させる蒸発部とを有することを特徴とする蒸発源。
【請求項１６】
前記坩堝は、前記材料受入部と前記溶融部と前記蒸発部とが水平方向に配置され、前記蒸気を外部へ噴射するノズルを前記蒸発部に備え、
前記蒸発源は、
前記蒸発部の外部に配置され、前記蒸発部を加熱するヒータと、
前記坩堝の外面で、前記蒸気の噴射方向において外部と前記蒸発部との間の位置に配置され、外部と前記蒸発部とを熱遮蔽する第１の遮熱板と、
前記坩堝の外面で前記蒸発部と前記溶融部との間の位置に配置され、前記蒸発部と前記溶融部とを熱遮蔽する第２の遮熱板と、
前記坩堝の外面で前記溶融部と前記材料受入部との間の位置に配置され、前記溶融部と前記材料受入部とを熱遮蔽する第３の遮熱板と、
前記蒸発部、前記溶融部、前記ヒータ、前記第１の遮熱板、前記第２の遮熱板、および前記第３の遮熱板を覆って熱を閉じ込めるために、前記坩堝の側方に配置されるリフレクタとをさらに備える請求項１５記載の蒸発源。
【請求項１７】
前記第１の遮熱板、前記第２の遮熱板、前記第３の遮熱板、および前記リフレクタを、それぞれ複数枚備える請求項１６記載の蒸発源。
【請求項１８】
前記溶融部が、前記第２の遮熱板、前記第３の遮熱板、および前記リフレクタにより、前記融液の飽和蒸気圧が０．１Ｐａ以下となる温度に保持される請求項１６記載の蒸発源。
【請求項１９】
前記坩堝の内部で前記蒸発部と前記溶融部との間に、前記坩堝の上部の内壁面から前記融液の液面より下方に向かって設置される板状部材を備える請求項１６記載の蒸発源。
【請求項２０】
前記材料受入部が、前記Ａｌ材料を重力に従って前記溶融部に送り込むための傾斜部材を備える請求項１６記載の蒸発源。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蒸着装置およびこれに用いる蒸発源に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機デバイスが新たな産業分野として注目されている。例えば、表示デバイスや照明デバイスとして有機ＥＬが、有機ＥＬ、電子ペーパー、およびＲＦＩＤなどの駆動素子として有機トランジスタが、太陽電池として有機薄膜太陽電池などが開発されている。特に有機ＥＬには、表示デバイスや照明デバイスの大型化とともに、製造基板サイズの大型化が要求されている。このため、有機ＥＬの製造ラインは、現状の第４．５世代製造ライン（ガラス基板寸法は７３０ｍｍ×９２０ｍｍ）から、基板寸法で２．９倍以上となる第５．５〜第６世代製造ライン（ガラス基板寸法は１３００ｍｍ×１５００ｍｍ〜１５００ｍｍ×１８００ｍｍ）へ拡大し、さらには第８世代製造ライン（ガラス基板寸法は２２００ｍｍ×２５００ｍｍ）にも及ぶ見込みである。また、有機薄膜太陽電池も、ロールトゥロール（Ｒ２Ｒ）により、生産が始まりつつある。これらの有機デバイスの製造には主に蒸着装置が用いられており、蒸着装置の大型化が進んでいる。
【０００３】
表示デバイスや照明デバイスが大型化した場合、蒸着で形成する金属電極の低コスト化も重要である。大型の有機ＥＬパネルでは、輝度の均一性を保つために、上部電極の低抵抗化が必要となる。従来のトップエミッション型の有機ＥＬで用いられるマグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）合金の半透過膜では、膜厚が１０ｎｍ程度と薄いため電気抵抗が高すぎ、画面輝度や照明輝度の均一性を確保するのが困難である。電気抵抗を下げるためＭｇ−Ａｇ電極上にＡｇ膜を１５０〜３００ｎｍに厚膜化して積層した電極は、高価なＡｇを大量に用いるため高コストになる。低コスト化のためには、上部電極に、電気抵抗も低く反射率の高い安価なアルミニウム（Ａｌ）反射電極を用いたボトムエミッション型の有機ＥＬを用いることが有効である。また、上部電極に厚いＩＴＯ（酸化インジウムスズ）などの透明電極を用いるトップエミッション型の有機ＥＬでは、反射電極となる下部電極にも、電気抵抗が低くて反射率が高く、Ａｇより安価なアルミニウムが有効である。そこで、大面積で１５０〜３００ｎｍと厚いＡｌ電極を成膜できる装置が求められている。
【０００４】
Ａｌ電極は、従来、抵抗加熱蒸着、誘導加熱蒸着、およびＥＢ蒸着（電子ビーム蒸着）により成膜されてきた。実験などで少量の金属電極を蒸着する場合は、坩堝やハースライナなどに蒸着材料を充填し、蒸着材料を蒸発させて飛ばしきればよい。しかし、量産などで多量の蒸着材料を使用する場合は、坩堝やハースライナへの材料供給機構が必要である。材料供給機構としては、真空槽内に複数の坩堝やハースライナを設け、これらをリボルバー式などで順次交換しながら蒸着する方法、ホッパーなどで塊状の材料を落下させて供給する方法、および特許文献１に記載されているように坩堝にＡｌなどの線材をワイヤフィード方式により供給する方法などがある。
【０００５】
しかしながら、真空槽内に交換用の複数の坩堝やハースライナを設ける場合は、複数の坩堝を配置する空間が真空槽内に必要であり、真空槽が大型化してコストアップを引き起こす。真空槽の大きさに制限があれば、一定の空間内に配置できる坩堝やハースライナの数に限度があり、基板の大型化には対応しにくい。特に表示デバイスや照明デバイスのように基板面積が大型化した場合、使用する材料の量も格段に増えてしまうため、従来の方法では長時間の連続運転が難しくなる。
【０００６】
一方、Ａｌの線材をワイヤフィード方式で連続的に供給する方法も、供給量の増大とともに線材の重量が増え、リールや駆動系が大形化することで安定した線材の供給が難しくなるという欠点がある。また、Ａｌは低融点の金属であるため、坩堝やハースライナからの輻射熱により、坩堝外でＡｌ線材が溶断して落下しやすく、供給トラブルを起こしやすいという欠点がある。
【０００７】
ホッパーなどで塊状の蒸着材料を落下させて供給する方法は、大量の蒸着材料を供給するのに都合がよい。しかし、坩堝やハースライナに蒸着材料を供給した際に、金属融液の温度が変化して蒸着レートが変化したり、十分に融解していない材料がスプラッシュや突沸などで基板方向に放出され、Ａｌ膜に異物を発生させたりして、Ａｌを安定して長時間成膜することが難しいという課題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００７−３９８０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
以上説明したように、従来の蒸着装置は、材料供給機構により供給された大量のＡｌ線材を坩堝へ安定して受け入れることが難しく、安定した蒸着が長時間行えないという課題を有する。
【００１０】
本発明は、安定した蒸着が長時間行える蒸着装置と、蒸着材料であるＡｌを安定して大量に受け入れることができる蒸発源を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の課題を解決するための本発明による蒸着装置の特徴は、以下の通りである。
【００１２】
基板を蒸着する蒸発源と、前記蒸発源を収納し前記基板が搬送されるプロセスチャンバとを備える。前記蒸発源は、坩堝を備え、前記坩堝は、固体のＡｌ材料が供給される材料受入部と、前記材料受入部に隣接し、前記材料受入部から供給された前記Ａｌ材料を加熱して溶融し融液とする溶融部と、前記溶融部に隣接し、前記溶融部から供給された前記融液を加熱して蒸気を発生させる蒸発部とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、安定した蒸着が長時間行える蒸着装置と、蒸着材料であるＡｌを安定して大量に受け入れることができる蒸発源を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施形態による蒸発源の断面を模式的に示す概略図である。
【図２】本発明の別の実施形態による蒸発源の断面を模式的に示す概略図である。
【図３】Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、およびＭｇの飽和蒸気圧曲線を示す図である。
【図４】蒸発源の材料受入部に、固体材料を供給するためのホッパーの先端部が差し込まれている状態を示す図である。
【図５】本発明の実施形態１による蒸着装置を示す図である。
【図６】本発明の実施形態２による蒸着装置を示す図である。
【図７】本発明の実施形態３による蒸着装置を示す図である。
【図８】本発明の実施形態４による蒸着装置を示す図である。
【図９】実施形態１による蒸着装置において、蒸発源に蒸着材料を供給する方法の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明による蒸着装置は、基板を蒸着する蒸発源と、蒸発源を収納し基板が搬送されるプロセスチャンバとを備える。蒸発源は、坩堝を備え、坩堝は、固体のＡｌ材料が供給される材料受入部と、材料受入部に隣接し、材料受入部から供給されたＡｌ材料を加熱して溶融し融液とする溶融部と、溶融部に隣接し、溶融部から供給された融液を加熱して蒸気を発生させる蒸発部とを有する。
【００１６】
好ましくは、坩堝は、材料受入部と溶融部と蒸発部とが水平方向に配置され、蒸気を外部へ噴射するノズルを蒸発部に備える。蒸発源は、蒸発部の外部に配置され、蒸発部を加熱するヒータと、坩堝の外面で、蒸気の噴射方向において外部と蒸発部との間の位置に配置され、外部と蒸発部とを熱遮蔽する第１の遮熱板と、坩堝の外面で蒸発部と溶融部との間の位置に配置され、蒸発部と溶融部とを熱遮蔽する第２の遮熱板と、坩堝の外面で溶融部と材料受入部との間の位置に配置され、溶融部と材料受入部とを熱遮蔽する第３の遮熱板と、蒸発部、溶融部、ヒータ、第１の遮熱板、第２の遮熱板、および第３の遮熱板を覆って熱を閉じ込めるために、坩堝の側方に配置されるリフレクタとをさらに備える。
【００１７】
さらに好ましくは、蒸発源は、溶融部が、第２の遮熱板、第３の遮熱板、およびリフレクタにより、融液の飽和蒸気圧が０．１Ｐａ以下となる温度に保持される。
【００１８】
さらに好ましくは、蒸発源は、坩堝の内部で蒸発部と溶融部との間に、坩堝の上部の内壁面から融液の液面より下方に向かって設置される蒸気逆流防止部材を備える。
【００１９】
蒸気逆流防止部材により、坩堝の蒸発部から融液の蒸気が溶融部に流入するのが防止されるとともに、溶融部は融液の飽和蒸気圧が０．１Ｐａ以下である温度範囲に保持されるので、蒸気の流入が実質的に問題にならない十分低い飽和蒸気圧に保たれ材料受入部へは融液の蒸気が流入しない。
【００２０】
本発明による蒸発源では、坩堝の材料受入部が、坩堝の溶融部と坩堝の外部との熱的な緩衝となり、坩堝から坩堝の外部への伝熱を抑制し、Ａｌ材料の融点より低い温度に保つ。従って、坩堝の外部でワイヤフィードのＡｌ線材が溶断したり、坩堝と材料を供給するためのホッパーとの接続部が詰まったりするというような、蒸着材料の供給トラブルを回避することができる。
【００２１】
本発明による蒸発源および蒸着装置は、Ａｌを安定して長時間成膜することができ、大面積で低コストの有機ＥＬなどの有機デバイスの製造に使用できる。上記した以外の本発明が解決しようとする課題と、本発明による蒸発源および蒸着装置の構成と効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。
【００２２】
以下、図面を用いて、本発明による蒸発源および蒸着装置の実施形態について説明する。以下の説明は、本発明の内容の具体例を示すものであり、本発明がこれらの説明に限定されるものではなく、本明細書に開示される技術的思想の範囲内において当業者による様々な変更および修正が可能である。また、本発明を説明するための図面において、同一の要素には同一の符号を付け、それらの繰り返しの説明は省略する場合がある。なお、以下の説明において、「垂直」とは、蒸着装置の底面に対して垂直であることを意味し、「水平」とは、蒸着装置の底面に平行であることを意味する。
【００２３】
＜蒸発源の実施形態＞
図１は、本発明の一実施形態による蒸発源の断面を模式的に示す概略図であり、蒸発源３０の構造、および坩堝１０内の融液１、粒塊状のＡｌの固体材料２（「Ａｌ材料２」とも称する）の状態を模式的に示す図である。蒸発源３０は、横型の坩堝１０と、ヒータ２４と、遮熱板２５−１、２５−２、および２５−３と、リフレクタ２６と、台座２７と、支柱２８とを備える。蒸発源３０は、真空処理室（プロセスチャンバ）内に設置され、蒸着装置を構成する。
【００２４】
坩堝１０は、材料受入部１１と溶融部１２と蒸発部１３とを有し、内部に傾斜部材２１と蒸気逆流防止部材２２とノズル２３とを備える。材料受入部１１は、Ａｌ材料２の融点より低い温度に保持され、坩堝１０の外部から供給されたＡｌ材料２を受け入れるための開口部と、このＡｌ材料２を重力に従って溶融部１２に送り込むための傾斜部材２１を備える。溶融部１２は、材料受入部１１に隣接し、材料受入部１１から供給されたＡｌ材料２を加熱して溶融し、融液１とする。蒸発部１３は、溶融部１２に隣接し、溶融部１２から供給された融液１を加熱して蒸気を発生させる。ノズル２３は、坩堝１０の蒸発部１３側の先端に配置され、融液１の蒸気を外部に向けて噴射する。
【００２５】
蒸気逆流防止部材２２は、溶融部１２と蒸発部１３の間に設けられ、融液１の高い蒸気圧を持つ蒸気が蒸発部１３から溶融部１２へ流れるのを防止する板状の部材である。蒸発部１３内の蒸気を溶融部１２へ流入させないように、蒸気逆流防止部材２２は、坩堝１０の上部の内壁面から溶融部１２の融液１の液面より下方に向かって設置される。ただし、溶融部１２と蒸発部１３との間で融液１が流れるように、蒸気逆流防止部材２２は、溶融部１２の融液１の液面より下方に開口部を有するか、融液１の液面より下方の少なくとも一部が欠けている形状を有する。なお、ここで述べている「融液１の液面」とは、蒸発源３０を定常状態で動作させているときの融液１の液面である。
【００２６】
ヒータ２４は、蒸発部１３の外部に配置され、蒸発部１３を加熱する。遮熱板２５−１、２５−２、および２５−３は、坩堝１０の外面に配置される。遮熱板２５−１は、坩堝１０の外面で、融液１の蒸気の噴射方向において外部（真空側）と蒸発部１３との間の位置に配置され、外部と蒸発部１３とを熱遮蔽する。遮熱板２５−２は、坩堝１０の外面で蒸発部１３と溶融部１２との間の位置に配置され、蒸発部１３と溶融部１２とを熱遮蔽する。遮熱板２５−３は、坩堝１０の外面で溶融部１２と材料受入部１１との間の位置に配置され、溶融部１２と材料受入部１１とを熱遮蔽する。リフレクタ２６は、坩堝１０の溶融部１２、蒸発部１３、ヒータ２４、および遮熱板２５−１〜２５−３を覆うように、坩堝１０の側方（融液１の蒸気の噴射方向に対する側方）に配置され、ヒータ２４からの輻射熱を閉じ込める保温のための部材である。台座２７と支柱２８は、蒸発源３０を支える。
【００２７】
坩堝１０は、内部に空洞がある円筒や直方体などの形状であり、図１に示すように材料受入部１１と溶融部１２と蒸発部１３とが水平方向に配置された横型である。坩堝１０の内部の空洞は、Ａｌの固体材料２、融液１、および融液１の蒸気を収容し、これらが外部に漏洩しないように密閉されている（ただし、材料受入部１１のＡｌ材料２を受け入れるための開口部と融液１の蒸気を噴射するノズル２３からは、坩堝１０の内部と外部とが通じている）。傾斜部材２１、蒸気逆流防止部材２２、およびノズル２３は、坩堝１０内に挿入するか一部を坩堝１０と一体加工して形成することにより、設置することができる。
【００２８】
坩堝１０を、材料受入部１１と溶融部１２と蒸発部１３とが水平方向に配置された横型にすると、後述する蒸着装置の実施形態で述べるように、基板を略垂直に立てて蒸着することができる。坩堝１０が横型でない蒸発源では、基板を水平に保持する必要があるが、大型の基板は水平に保持するのが困難である。本実施形態による蒸発源３０では、基板を水平に保持する必要がないので、基板の大型化にも対応可能である。
【００２９】
図２は、本発明の別の実施形態による蒸発源３０の断面を模式的に示す概略図である。図２に示す蒸発源３０では、坩堝１０の傾斜部材２１は、材料受入部１１のみでなく、材料受入部１１と溶融部１２とに設けられる。傾斜部材２１は、材料受入部１１から溶融部１２まで延長されており、Ａｌ材料２を重力に従って材料受入部１１から溶融部１２に送り込むとともに、溶融部１２で溶融したＡｌ材料２の融液１を蒸気逆流防止部材２２や蒸発部１３まで重力に従って送り込むことができる。溶融部１２の融液１は、後述するように蒸発部１３の融液１より低温に保持されるため、粘度が高くなり流動しにくくなるので、重力を利用して流動させることは有効である。
【００３０】
坩堝１０の材料には、Ａｌとの反応性が低く、また金属より熱伝導率の低いセラミック材料を用いる。具体的には、熱分解性ＣＶＤ法で作成されるホウ化窒素（ＰＢＮ）や、焼結法で作成されるホウ化窒素（ＢＮ）、窒化アルミ（ＡｌＮ）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、グラファイト（Ｃ）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）または窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）を用いることができる。これ以外にも、複数の上記の材料からなる複合セラミック材料や、上記の材料に添加材料を加えた複合セラミック材料、例えばＢＮとＡｌＮ、またはＢＮと導電性のホウ化チタン（ＴｉＢ２）を複合したＢＮコンポジットなどを用いることができる。
【００３１】
坩堝１０内に設置される傾斜部材２１、蒸気逆流防止部材２２、およびノズル２３は、坩堝１０と同じ材料にするのが、熱膨張係数差がなく最も好ましい。ただし、加熱時に熱膨張係数差に起因する歪やストレスが発生しないような公差を持って予め加工しておくことで、別のセラミックを用いることも可能である。これにより、例えば、Ａｌとの濡れ性の高い、ＢＮと導電性のホウ化チタン（ＴｉＢ２）を複合したＢＮコンポジットなどを蒸気逆流防止部材２２やノズル２３などとして用いることが可能である。この場合、Ａｌの融液１が蒸気逆流防止部材２２やノズル２３に濡れやすくなるため、蒸気逆流防止部材２２での融液１のコンダクタンスが良くなり、またノズル２３の全面が濡れて融液１の蒸気を噴射する面積を大きくとることができるので高速の蒸着をすることができる。
【００３２】
ヒータ２４には、タンタル（Ｔａ）やタングステン（Ｗ）などの金属ヒータや、ＢＮと導電性のホウ化チタン（ＴｉＢ２）を複合したＢＮコンポジットやグラファイト、あるいはそれらの導電性セラミックをＰＢＮなどの絶縁性セラミックでコーティングしたセラミックヒータを用いることができる。
【００３３】
遮熱板２５−１、２５−２、２５−３やリフレクタ２６には、蒸発源３０の動作温度（１３００〜１５００℃）では溶けないような材料、好ましくは２０００℃以上の融点を持つ金属材料の板やシートを利用する。例えば、Ｔａやモリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属の板やシートを利用することができる。遮熱板２５−１、２５−２、２５−３とリフレクタ２６は、それぞれ複数枚の板またはシートから構成され、板やシートの枚数を変更することにより遮熱や保温の性能を変えることができる。また、溶融部１２と蒸発部１３の温度をそれぞれ所望の温度に維持するために、遮熱板２５−１、２５−２、２５−３の板やシートの枚数が互いに異なるようにしてもよく、リフレクタ２６の板やシートの枚数が溶融部１２を覆う部分と蒸発部１３を覆う部分とで異なるようにしてもよい。図１、２では、一例として、リフレクタ２６の枚数が、溶融部１２を覆う部分では２枚であり、蒸発部１３を覆う部分では３枚である場合を示している。リフレクタ２６の枚数は、溶融部１２を覆う部分と蒸発部１３を覆う部分とで同じでもよい。
【００３４】
ヒータ２４は、高温になる蒸発源３０の坩堝１０の蒸発部１３の周囲に配され、遮熱板２５−１、２５−２とリフレクタ２６に囲まれた空間を輻射熱で加熱し、坩堝１０の蒸発部１３を高温に保ち、Ａｌの蒸気を発生させる。坩堝１０の溶融部１２の周囲には、特にヒータを配さなくてもよい。溶融部１２は、蒸発部１３と融液１からの熱伝導と、遮熱板２５−２、２５−３、およびリフレクタ２６による熱閉じ込め効果とにより、Ａｌ材料２が溶融する温度に加熱される。
【００３５】
坩堝１０の材料受入部１１は、遮熱板２５−３およびリフレクタ２６の外側に配されており、真空空間等への放熱により冷却されるため、受け入れるＡｌの固体材料２の融点より低い温度に保持できる。
【００３６】
蒸発部１３、溶融部１２、および材料受入部１１のそれぞれの温度は、ヒータ２４の出力、および遮熱板２５−１、２５−２、２５−３とリフレクタ２６の枚数を変更することにより、変えることができる。蒸発部１３の温度は、特に、ヒータ２４の出力、および遮熱板２５−１、２５−２とリフレクタ２６の枚数により、変えることができる。溶融部１２の温度は、特に、遮熱板２５−２、２５−３とリフレクタ２６の枚数により、変えることができる。溶融部１２の温度がＡｌ材料２を溶融するのに十分でない場合は、溶融部１２の周囲に第２のヒータを設けてもよい。材料受入部１１の温度は、特に、遮熱板２５−３の枚数により、変えることができる。蒸発部１３、溶融部１２、および材料受入部１１は、以下に示すような蒸着材料の飽和蒸気圧曲線の特性に基づいて、温度を調整する。
【００３７】
図３は、Ａｌ、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、Ａｇ、およびＭｇの飽和蒸気圧曲線を示す図である。図３において、点線は固体状態（元素記号に「（Ｓ）」を付加している）での飽和蒸気圧曲線を示し、実線は液体状態（元素記号に「（Ｌ）」を付加している）での飽和蒸気圧曲線を示している。◆は融点を示す。
【００３８】
図３から、Ｍｇは固体状態で１０Ｐａ以上の高い飽和蒸気圧を持ち、主に昇華により蒸発することがわかる。そのため、蒸着材料を融液１にして蒸発部１３に供給する本発明の一実施形態による蒸発源３０の蒸着材料に、Ｍｇを用いることは不適当である。ＡｇとＣｕは、それぞれ融点が９６１．７８℃と１０８４．６２℃であり、融点より２００〜３００℃程度高い温度で１０Ｐａ程度の飽和蒸気圧が得られ、実用的な蒸着速度を得ることができる。しかし、溶融部１２の温度を蒸着材料の融点より１００〜２００℃程度高い温度にして蒸着材料を溶融すると、ＡｇとＣｕはこの温度では１Ｐａ程度の比較的高い飽和蒸気圧を持つため、溶融部１２から材料受入部１１へ蒸気が流入する可能性がある。従って、ＡｇとＣｕを蒸着材料に用いると、材料受入部１１の固体材料を受け入れるための開口部が詰まるなどの問題を発生しやすい。
【００３９】
これに対し、Ａｌは、融点が６６０．３２℃であり、１０５０℃以下の温度で飽和蒸気圧が０．１Ｐａ以下である。このため、Ａｌを蒸着材料に用いて溶融部１２の温度を１０５０℃以下とすれば、Ａｌを溶融できるとともに、溶融部１２から材料受入部１１への蒸気の流入が実質的に問題にならない飽和蒸気圧０．１Ｐａ以下の低い蒸気圧に融液１を保つことができる。
【００４０】
このように、Ａｌを蒸着材料（固体材料２）に用いて、融液１の飽和蒸気圧が０．１Ｐａ以下に保持される温度範囲となるように溶融部１２の温度を調整することにより、材料受入部１１への蒸気の流入を抑制するとともに、固体材料２を溶融部１２で一旦融液１に相変化させてから、蒸発部１３に送り込める。このため、ホッパーなどで材料受入部１１へ固体材料２を供給しても、融液１の温度が変化して蒸着レートが急激に変化したり、十分に融解していない固体材料２がスプラッシュや突沸などで基板方向に放出され、Ａｌ膜に異物を発生させたりする問題を回避することができる。
【００４１】
また、固体材料２がＡｌの場合には、蒸発源３０としての実効的な成膜レートが得られ始める１０Ｐａ以上の飽和蒸気圧を得るためには、Ａｌ材料２を約１３００℃以上に加熱すればよい。そこで、図１に示すように、蒸発部１３の周囲には、Ａｌ材料２を１３００℃以上の高温に加熱することができるヒータ２４を配置する。溶融部１２では、蒸発部１３からの伝熱によってＡｌ材料２を溶融するに足り飽和蒸気圧が０．１Ｐａ以下である７００〜１０５０℃程度の温度にＡｌ材料２を加熱できるように、遮熱板２５−２とリフレクタ２６の枚数を調整する。
【００４２】
Ａｕは、融点が１０６４．１８℃であり、１３００℃以下の温度では、溶融部１２から材料受入部１１への蒸気の流入が実質的に問題にならない飽和蒸気圧が０．１Ｐａ以下の融液１が得られる。しかしながら、実効的な成膜レートが得られ始める１０Ｐａ以上の飽和蒸気圧を得るためには、１６００℃以上の温度が必要であり、高耐熱のヒータ２４と坩堝１０が必要である。さらに、溶融部１２には、Ａｕを溶融するに足る１１００〜１４００℃程度の温度に加熱できる第２のヒータが必要である。また、温度が１６００℃程度で蒸発源を動作させると、ヒータ２４と坩堝１０への負荷が大きく、寿命が短くなる懸念がある。これらの理由により、本発明の一実施形態による蒸発源３０では、固体材料２として、ＡｕよりＡｌの方が適していると言える。
【００４３】
図４は、本発明の一実施形態による蒸発源３０の断面を模式的に示す概略図であり、蒸発源３０の材料受入部１１に、Ａｌの固体材料２を供給するためのホッパー２９の先端部が差し込まれている状態を示す図である。材料受入部１１の開口部には、ホッパー２９の先端部が差し込まれており、粒塊状のＡｌの固体材料２がホッパー２９を介して坩堝１０に供給される。ホッパー２９は、既存のものを用いることができ、常に材料受入部１１の開口部に差し込まれていてもよいし、必要なときだけ差し込まれてもよい。
【００４４】
以上に示したような構造の蒸発源３０を作成し、Ａｌの固体材料２の融点より低い温度に保持された材料受入部１１の開口部にホッパー２９の先端部を差し込み、ホッパー２９を介して粒塊状のＡｌの固体材料２を坩堝１０に供給する。固体材料２は、材料受入部１１の傾斜部材２１を利用して、重力の作用によって溶融部１２に送り込まれる。本発明の一実施形態による蒸発源３０では、このようにして固体材料２が坩堝１０へ供給されるので、坩堝１０の外でワイヤフィードのＡｌ線材が溶断するというような、固体材料２の供給トラブルを回避することができる。
【００４５】
また、Ａｌの固体材料２は、材料受入部１１から溶融部１２に送り込まれる過程で、飽和蒸気圧が０．１Ｐａと蒸気圧の低い融液１に相変化し、その後、蒸気逆流防止部材２２の下方（または下部）を通過して高温の蒸発部１３に送り込まれる。蒸気逆流防止部材２２は、上述したように、融液１を通過させるが、蒸発部１３内の蒸気を溶融部１２へ流入させない。これにより、蒸発部１３内の蒸気圧が変動しにくく、断続的にＡｌの固体材料２が供給されても蒸着レートの変動やスプラッシュ等のない安定した蒸着を行うことができる。また、溶融部１２の蒸気圧が０．１Ｐａ以下と低いため、Ａｌ材料２が溶融部１２から材料受入部１１へ逆流しにくく、材料受入部１１とホッパー２９との接続部が詰まる問題を回避することが可能である。
【００４６】
なお、蒸着装置では、真空処理室（プロセスチャンバ）内に複数の蒸発源３０が配置されるが、各蒸発源３０に対して設置できるホッパーの容量には限界がある。このため、蒸着装置を長時間にわたって連続運転するためには、後述する実施形態で示すように、プロセスチャンバの外に中継室を設け、中継室に設置した大容量の材料供給装置を併用する必要がある。
【００４７】
＜蒸着装置の実施形態１＞
図５は、本発明の実施形態１による蒸着装置を示す図である。実施形態１による蒸着装置は、クラスタ型（中央に配された搬送ロボットチャンバの周りに、複数個のプロセスチャンバ１００が配置される方式）の蒸着装置の例である。図５では、簡単のために、蒸着装置の一部を抜き出して１つのプロセスチャンバ１００だけを示している。
【００４８】
蒸着装置は、真空に維持されたプロセスチャンバ１００、プロセスチャンバ１００に連結された搬送ロボットチャンバ（図示せず）、搬送ロボットチャンバとの間で真空を維持するためのゲート弁１２０、搬送ロボットチャンバから基板１１０を受け取る基板受け渡し部１３０、基板１１０を略垂直に立てるための駆動部１４０、メタルマスクまたはメタルフレーム１５０、および横型蒸発源ユニット１６０を備える。搬送ロボットチャンバは、プロセスチャンバ１００に基板１１０を搬送する搬送ロボット（図示せず）を備え、ゲート弁１２０に隣接する。ゲート弁１２０は、搬送ロボットチャンバとプロセスチャンバ１００の間の壁面に設けられる。基板受け渡し部１３０、駆動部１４０、メタルマスクまたはメタルフレーム１５０、および横型蒸発源ユニット１６０は、プロセスチャンバ１００内に収納される。プロセスチャンバ１００内に搬送された基板１１０は、横型蒸発源ユニット１６０によってＡｌ材料２が蒸着されることで、Ａｌの膜が形成される。
【００４９】
横型蒸発源ユニット１６０は、本発明による蒸発源３０を複数備え、略垂直に立てられた基板１１０と正対し、機械機構（図示せず）によって上下方向（垂直方向）に走査可能である。蒸発源３０は、横型蒸発源ユニット１６０内に、基板１１０に沿う水平方向に直線状に、好ましくは一定間隔で配置される。横型蒸発源ユニット１６０内の蒸発源３０の数は、基板１１０の大きさにより決めることができる。
【００５０】
実施形態１による蒸着装置の動作について説明する。まずゲート弁１２０を開き、搬送ロボットチャンバの搬送ロボットにより上面搬送にて基板１１０を基板受け渡し部１３０に搬入する。搬送ロボットは、櫛歯状ハンドを上下二段に２本有し、例えば上は搬入用、下は搬出用とし、一つの動作で搬入処理と搬出処理を同時に行うことができる。
【００５１】
次に、搬入した基板１１０を駆動部１４０により略垂直に立てたのち、基板１１０とメタルマスクまたはメタルフレーム１５０とのアライメントを行う。メタルマスクまたはメタルフレーム１５０は、成膜する膜を画素毎またはパネル毎に分割パターニングするために用いられる。次に、横型蒸発源ユニット１６０をプロセスチャンバ１００内で垂直方向に走査させて蒸着し（図５の実線の矢印で示す）、基板１１０の全面にＡｌを成膜する。成膜は、基板１１０の前を少なくとも１回、または往復で２回走査することにより行う。Ａｌの膜は、例えば、有機ＥＬの下部電極膜または上部電極膜となる。
【００５２】
基板受け渡し部１３０は、プロセスチャンバ１００内に１箇所だけ設けてもよいが、本実施形態では２箇所設けた。ゲート弁１２０は、２箇所の基板受け渡し部１３０に対応する大きさであり、プロセスチャンバ１００は、同時に２枚の基板を収納できる。さらに、横型蒸発源ユニット１６０を上下方向（垂直方向）だけでなく、機械機構（図示せず）によって基板１１０に沿う水平方向にも駆動できるようにした（図５の破線の矢印で示す）。これにより、１枚の基板をアライメントしている間に、横型蒸発源ユニット１６０をもう一枚の基板１１０の前まで水平方向に移動させてから基板１１０の前で垂直方向に走査させて蒸着することが可能であり、成膜の生産性を向上することができる。
【００５３】
＜蒸着装置の実施形態２＞
図６は、本発明の実施形態２による蒸着装置を示す図である。実施形態２による蒸着装置は、横型蒸発源ユニット１６０の代わりに縦型蒸発源ユニット１７０を備える点が、実施形態１による蒸着装置と異なる。以下、縦型蒸発源ユニット１７０について説明し、その他の構成要素については説明を省略する。
【００５４】
縦型蒸発源ユニット１７０は、本発明による蒸発源３０を複数備え、略垂直に立てられた基板１１０と正対し、機械機構（図示せず）によって左右方向（基板１１０に沿う水平方向）に走査可能である。蒸発源３０は、縦型蒸発源ユニット１７０内に、上下方向（垂直方向）に直線状に、好ましくは一定間隔で配置される。縦型蒸発源ユニット１７０内の蒸発源３０の数は、基板１１０の大きさにより決めることができる。
【００５５】
実施形態２による蒸着装置の動作を、実施形態１による蒸着装置の動作と異なる点のみ説明する。基板受け渡し部１３０に搬入して略垂直に立てた基板１１０とメタルマスクまたはメタルフレーム１５０とのアライメントを行った後、縦型蒸発源ユニット１７０をプロセスチャンバ１００内で基板１１０に沿う水平方向に走査させて蒸着し（図６の実線の矢印で示す）、基板１１０の全面にＡｌを成膜する。
【００５６】
縦型蒸発源ユニット１７０は、２箇所の基板受け渡し部１３０の中間位置をホームポジションとし、機械機構（図示せず）で２枚の基板の前に交互に移動できるようにし（図６の破線の矢印で示す）、それぞれの基板の前で基板に沿う水平方向に走査できるようにした。これにより、１枚の基板をアライメントしている間に、縦型蒸発源ユニット１７０をもう一枚の基板１１０の前まで移動させてから基板１１０の前で基板１１０に沿う水平方向に走査させて蒸着することが可能であり、成膜の生産性を向上することができる。
【００５７】
＜蒸着装置の実施形態３＞
図７は、本発明の実施形態３による蒸着装置を示す図である。実施形態３による蒸着装置は、インライン型（直線上に配置された複数のプロセスチャンバ１００の中を、レール１９０と基板トレイ１８０等を用いて基板１１０を移動させて蒸着する方式）の蒸着装置の例である。図７では、簡単のために、蒸着装置の一部を抜き出して１つのプロセスチャンバ１００だけを示している。
【００５８】
蒸着装置は、真空に維持されたプロセスチャンバ１００、略垂直に立てられ基板１１０を保持する基板トレイ１８０、基板トレイ１８０に設置されたメタルマスクまたはメタルフレーム１５０、および縦型蒸発源ユニット１７０を備える。メタルマスクまたはメタルフレーム１５０、および縦型蒸発源ユニット１７０は、プロセスチャンバ１００内に収納される。プロセスチャンバ１００には、内部を通過するようにレール１９０が設置され、レール１９０によって複数個のプロセスチャンバ１００が連結される。基板トレイ１８０は、基板１１０を略垂直に保持しながらレール１９０に乗って移動する。基板１１０は、基板トレイ１８０によって略垂直に立てられたまま、複数のプロセスチャンバ１００間を移動する。
【００５９】
縦型蒸発源ユニット１７０は、実施形態２による蒸着装置のものと同様に、本発明による蒸発源３０を複数備え、略垂直に立てられた基板１１０と正対する。ただし、縦型蒸発源ユニット１７０は、プロセスチャンバ１００の内壁またはプロセスチャンバ１００の内壁に設けられた固定部材に固定される。蒸発源３０は、縦型蒸発源ユニット１７０内に、上下方向（垂直方向）に直線状に、好ましくは一定間隔で配置される。縦型蒸発源ユニット１７０内の蒸発源３０の数は、基板１１０の大きさにより決めることができる。
【００６０】
実施形態３による蒸着装置の動作について説明する。基板１１０は、略垂直に立てられて基板トレイ１８０に載せられ、メタルマスクまたはメタルフレーム１５０とアライメントされる。この後、基板１１０は、基板トレイ１８０によってレール１９０に乗ってプロセスチャンバ１００内に搬入され、縦型蒸発源ユニット１７０の前を一定速度で通過する。縦型蒸発源ユニット１７０は、蒸着材料（Ａｌ材料）を噴射し、一定速度で通過する基板１１０上に蒸着材料を蒸着する。このようにして、基板１１０の全面にＡｌを成膜することが可能である。
【００６１】
以上説明したように、本発明による蒸着装置は、クラスタ型だけでなく、インライン型の蒸着装置にも適用可能であり、インライン型の蒸着装置でも成膜の生産性を向上することができる。
【００６２】
＜蒸着装置の実施形態４＞
図８は、本発明の実施形態４による蒸着装置を示す図である。実施形態４による蒸着装置は、クラスタ型であり、プロセスチャンバ１００が複数の蒸発源３０を有する２次元蒸発源ユニット２００を備える蒸着装置の例である。図８では、簡単のために、蒸着装置の一部を抜き出して１つのプロセスチャンバ１００だけを示している。実施形態４による蒸着装置は、横型蒸発源ユニット１６０の代わりに２次元蒸発源ユニット２００を備える点が、実施形態１による蒸着装置と異なる。以下、２次元蒸発源ユニット２００について説明し、その他の構成要素については説明を省略する。
【００６３】
２次元蒸発源ユニット２００は、本発明による蒸発源３０を複数備え、略垂直に立てられた基板１１０と正対し、プロセスチャンバ１００の内壁またはプロセスチャンバ１００の内壁に設けられた固定部材に固定される。蒸発源３０は、２次元蒸発源ユニット２００内に、上下方向（垂直方向）と基板１１０に沿う水平方向に２次元状に、すなわち基板１１０と平行な面内に２次元状に、好ましくは一定間隔で配置される。２次元蒸発源ユニット２００内の蒸発源３０の数は、基板１１０の大きさにより決めることができる。
【００６４】
実施形態４による蒸着装置の動作を、実施形態１による蒸着装置の動作と異なる点のみ説明する。基板受け渡し部１３０に搬入して略垂直に立てた基板１１０とメタルマスクまたはメタルフレーム１５０とのアライメントを行った後、２次元蒸発源ユニット２００は、蒸着材料（Ａｌ材料）を噴射して蒸着し、基板１１０の全面にＡｌを成膜する。
【００６５】
２次元蒸発源ユニット２００を用いることで、蒸発源３０が１次元に配置された横型蒸発源ユニット１６０や縦型蒸発源ユニット１７０よりも高速の成膜が可能となり、成膜の生産性を向上させることができる。さらに、成膜の生産性を維持しながら、横型蒸発源ユニット１６０や縦型蒸発源ユニット１７０よりも各蒸発源３０の蒸発量を少なくすることができるので、各蒸発源３０の温度を低下させることができ、各蒸発源３０の使用時間や寿命を長くすることができるという効果もある。
【００６６】
本実施形態では、実施形態１と同様に、プロセスチャンバ１００内の２箇所に基板受け渡し部１３０を設けた。２次元蒸発源ユニット２００は、図８に示すように２枚の基板に対向する位置の全面に設けてもよく、２箇所の基板受け渡し部１３０の中間位置をホームポジションとし、それぞれの基板の前に交互に移動できるようにしてもよい。２次元蒸発源ユニット２００を移動できるようにする場合には、２次元蒸発源ユニット２００を固定せず、機械機構（図示せず）で基板１１０に沿う水平方向に駆動し、２枚の基板の前に交互に移動させる。これにより、１枚の基板をアライメントしている間に、２次元蒸発源ユニット２００をもう一枚の基板１１０の前まで移動させて基板１１０を蒸着することが可能であり、成膜の生産性をさらに向上することができる。
【００６７】
＜蒸着装置の実施形態５＞
図９は、本発明の実施形態５による蒸着装置を示す図であり、実施形態１による蒸着装置（図５）において、プロセスチャンバ１００内の蒸発源３０に蒸着材料（Ａｌ材料２）を供給する方法の一例を示す概略図である。図９は、プロセスチャンバ１００の内部を側方から見ている。蒸発源３０には、Ａｌ材料２を坩堝１０に供給するためのホッパー２９が差し込まれている（図４を参照）。ホッパー２９には、プロセスチャンバ１００の外部からＡｌ材料２が供給される。以下、実施形態１による蒸着装置と共通する構成要素については、説明を省略する。
【００６８】
図９に示したように、蒸着装置は、プロセスチャンバ１００、プロセスチャンバ１００の外部に設けられた中継室２１０、および中継室２１０の中に納められた大容量の材料供給装置２３０を備える。プロセスチャンバ１００は、複数の蒸発源３０を備える横型蒸発源ユニット１６０、基板１１０、およびメタルマスクまたはメタルフレーム１５０を収納する。なお、図９において、横型蒸発源ユニット１６０には、１つの蒸発源３０のみを示している。中継室２１０とプロセスチャンバ１００との間には真空バルブ２２０−１が、中継室２１０と大気との間には真空バルブ２２０−２が、それぞれ設けられる。中継室２１０は、通常、真空に排気されて高真空に保持されている。
【００６９】
材料供給装置２３０は、Ａｌ材料２を収納し、ホッパー２９にＡｌ材料２を供給する装置である。材料供給装置２３０には、真空バルブ２２０−２を介して大気側からＡｌ材料２が定期的に供給される。材料供給装置２３０の容量は、ホッパー２９の容量より大きいのが好ましい。
【００７０】
横型蒸発源ユニット１６０は、プロセスチャンバ１００内で上下方向（垂直方向）に走査するが、プロセスチャンバ１００の上壁面に近接した際に、予め定めた一定の時間間隔おきに真空バルブ２２０−１が開き、材料供給装置２３０からホッパー２９にＡｌ材料２が供給される。横型蒸発源ユニット１６０は複数の蒸発源３０を備えるが、それぞれの蒸発源３０のホッパー２９に対して、材料供給装置２３０からＡｌ材料２が供給される。従って、中継室２１０は、蒸発源３０の数と同じ数の材料供給装置２３０を備える。
【００７１】
このようにして、プロセスチャンバ１００の内部に大容量のホッパーを設けなくても、長時間の蒸着が可能となるように蒸発源３０にＡｌ材料２を供給することができる。
【００７２】
なお、本実施形態では、実施形態１による蒸着装置（図５）の蒸発源３０に対して、Ａｌ材料２を供給する方法の一例を示した。実施形態２による蒸着装置（図６）の蒸発源３０に対しては、プロセスチャンバ１００の、基板１１０に沿う水平方向（縦型蒸発源ユニット１７０の走査方向）の外壁面に中継室２１０を設け、縦型蒸発源ユニット１７０が中継室２１０に近接した際に、中継室２１０内の材料供給装置２３０から蒸発源３０のホッパー２９に斜め上からＡｌ材料２を供給する。この場合、蒸発源３０には、Ａｌ材料２を受け取れるように、ホッパー２９が斜めに傾いて差し込まれている。
【００７３】
また、縦型蒸発源ユニット１７０が固定されている実施形態３による蒸着装置（図７）の蒸発源３０に対しては、プロセスチャンバ１００の縦型蒸発源ユニット１７０が設置されている壁の外面に中継室２１０を設け、中継室２１０内の材料供給装置２３０から蒸発源３０のホッパー２９に斜め上からＡｌ材料２を供給する。この場合も、蒸発源３０には、Ａｌ材料２を受け取れるように、ホッパー２９が斜めに傾いて差し込まれている。
【００７４】
また、実施形態４による蒸着装置（図８）の蒸発源３０に対しては、２次元蒸発源ユニット２００が固定されている場合は、プロセスチャンバ１００の２次元蒸発源ユニット２００が設置されている壁の外面に中継室２１０を設け、中継室２１０内の材料供給装置２３０から蒸発源３０のホッパー２９にＡｌ材料２を供給する。２次元蒸発源ユニット２００が基板１１０に沿う水平方向（左右方向）に移動する場合は、２次元蒸発源ユニット２００が固定されている場合に中継室２１０が設けられているのと同じ壁面に中継室２１０を設け、２次元蒸発源ユニット２００が左右方向の移動を停止したときに材料供給装置２３０からホッパー２９にＡｌ材料２を供給する。
【００７５】
このように、実施形態１〜４による蒸着装置は、いずれも、プロセスチャンバ１００内に大容量のホッパーを設けなくても、長時間の蒸着が可能となるように蒸発源３０にＡｌ材料２を供給することができる。
【００７６】
なお、本発明は、上記の実施例に限定されるものではなく、様々な変形例を含む。例えば、上記の実施例は、本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、本発明は、必ずしも説明した全ての構成を備える態様に限定されるものではない。
【符号の説明】
【００７７】
１…融液、２…Ａｌの固体材料（Ａｌ材料）、１０…坩堝、１１…材料受入部、１２…溶融部、１３…蒸発部、２１…傾斜部材、２２…蒸気逆流防止部材、２３…ノズル、２４…ヒータ、２５−１、２５−２、２５−３…遮熱板、２６…リフレクタ、２７…台座、２８…支柱、２９…ホッパー、３０…蒸発源、１００…プロセスチャンバ、１１０…基板、１２０…ゲート弁、１３０…基板受け渡し部、１４０…駆動部、１５０…メタルマスクまたはメタルフレーム、１６０…横型蒸発源ユニット、１７０…縦型蒸発源ユニット、１８０…基板トレイ、１９０…レール、２００…２次元蒸発源ユニット、２１０…中継室、２２０−１、２２０−２…真空バルブ、２３０…材料供給装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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