(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体チップのサイズ、バンプ電極の種類やサイズ、配線基板の配線幅、ピッチ、段差等が異なる場合であってもボイドの発生を防止できる汎用的な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体チップのバンプ電極側の面と、配線基板のパッド電極側の面に絶縁性樹脂シートを貼り付けた配線基板の絶縁性樹脂シート側の面とを合わせて、加熱および加圧によりバンプ電極とパッド電極とを電気的に接続する半導体装置の製造方法であって、バンプ電極が絶縁性樹脂シートに接触して加圧が開始されるときの配線基板に対する半導体チップの変位を０、変位が一定となったときの変位をｄ、加圧開始から変位０．８ｄに到達するまでの時間（ｔ０．８ｄとする）が最小となる温度をＴｃ（Ｔｃ＜２５０℃）として、ｔ０．８ｄ（Ｔｃ）≦ｔ０．８ｄ（Ｔ）≦３ｔ０．８ｄ（Ｔｃ）を満たす温度（Ｔ）で加熱加圧を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
バンプ電極を有する半導体チップのバンプ電極側の面と、パッド電極を有する配線基板のパッド電極側の面に絶縁性樹脂シートを貼り付けた絶縁性樹脂シート付配線基板の絶縁性樹脂シート側の面とを合わせて、加熱および加圧により前記バンプ電極と前記パッド電極とを電気的に接続する半導体装置の製造方法であって、前記バンプ電極が前記絶縁性樹脂シートに接触して前記加圧が開始されるときの前記配線基板に対する前記半導体チップの変位を０、前記変位が一定となったときの変位をｄ、加圧開始から変位０．８ｄに到達するまでの時間（ｔ０．８ｄとする）が最小となる温度をＴｃ（Ｔｃ＜２５０℃）として、ｔ０．８ｄ（Ｔｃ）≦ｔ０．８ｄ（Ｔ）≦３ｔ０．８ｄ（Ｔｃ）を満たす温度（Ｔ）で加熱加圧を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記パッド電極の少なくとも表面が、Ａｕ、Ｓｎおよび半田から選ばれる１以上の金属を含有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記バンプ電極の少なくとも表面が、Ａｕ、Ｃｕおよび半田から選ばれる１以上の金属を含有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記パッド電極の少なくとも表面および／または前記バンプ電極の少なくとも表面が半田を含有しており、前記加熱温度（Ｔ）が前記半田の融点未満であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップを配線基板上にフリップチップ実装する半導体装置の製造方法に関し、特に、あらかじめ絶縁性樹脂シートを貼り付けた配線基板を用いる半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップを配線基板上にフリップチップ実装する場合、半導体チップと配線基板との線膨張率の差に起因する熱ストレスを緩和するため、半導体チップと配線基板の間隙にいわゆるアンダーフィルと呼ばれる絶縁性液状樹脂を充填する方法がとられてきた。しかし、微細接続化により半導体チップと配線基板の間隙が狭くなると、毛細管現象を利用した絶縁性液状樹脂の充填に長時間を要する問題が生じていた。また半田等を用いた接続時のフラックス残渣の洗浄除去が困難になる等の問題が生じていた。これに対し、あらかじめ配線基板に絶縁性液状樹脂を塗布または絶縁性樹脂シートを貼り付け、加熱および加圧により半導体チップのバンプ電極と配線基板のパッド電極を電気的に接続し、絶縁性樹脂の硬化を行う半導体装置の製造方法が行われている。特に絶縁性樹脂量の制御やフィレット量の制御による実装面積の極小化の点で、絶縁性樹脂シートを貼り付ける方法が主流となっている。
【０００３】
この絶縁性樹脂シートを貼り付ける方法を、図１を用いて説明する。まず、一主面にパッド電極および配線が形成された配線基板を用意する（図１（ａ））。次に、図示しない加圧冶具、ローラー、ラミネータ等を用い絶縁性樹脂シートを配線基板に仮貼り付けする（図１（ｂ））。次に、一主面にバンプ電極が形成された半導体チップを用意する（図１（ｃ））。その後、バンプ電極とパッド電極を対向させ、図示しない保持冶具を用いて半導体チップを絶縁性樹脂シートが軟化する温度以上である第１の温度に加熱しながら加圧し、バンプ電極がパッド電極に到達後両者の電気的接続に必要な第２の温度まで昇温し、電気的接続と絶縁性樹脂シートの硬化を行う（図１（ｄ））。
【０００４】
一方、配線の微細化、狭ピッチ化により、絶縁性樹脂シートを貼り付け時に配線基板の段差部等にボイド（気泡）が取り残されるという問題があり、配線基板の保護膜の開口部形状を気泡の封じ込めが起こりにくい形状にする方法（特許文献１参照）や、突起部を有する保持冶具を用いて絶縁性樹脂シートを仮固定する方法が提案されている（特許文献２参照）。しかしながらこれらの方法は、半導体チップのサイズ、バンプ電極の種類やサイズ、配線基板の配線幅、ピッチ、段差等が異なるとボイドの発生を防止する効果が減少または得られなくなる場合があった。そのため、前記半導体チップのサイズ等が異なる場合には効果を確認するとともに、効果が得られない場合は新たに最適な配線基板の保護膜の開口部形状や最適な保持冶具の突起部形状を決定する必要があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−３１１４４３号公報（第４〜５頁、第１図）
【特許文献２】特開２０１０−２５１６５２号公報（第６〜９頁、第８図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、半導体チップのサイズ、バンプ電極の種類やサイズ、配線基板の配線幅、ピッチ、段差等が異なる場合であってもボイドの発生を防止できる汎用的な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の製造方法は、バンプ電極を有する半導体チップのバンプ電極側の面と、パッド電極を有する配線基板のパッド電極側の面に絶縁性樹脂シートを貼り付けた絶縁性樹脂シート付配線基板の絶縁性樹脂シート側の面とを合わせて、加熱および加圧により前記バンプ電極と前記パッド電極とを電気的に接続する半導体装置の製造方法であって、前記バンプ電極が前記絶縁性樹脂シートに接触して前記加圧が開始されるときの前記配線基板に対する前記半導体チップの変位を０、前記変位が一定となったときの変位をｄ、加圧開始から変位０．８ｄに到達するまでの時間（ｔ０．８ｄとする）が最小となる温度をＴｃ（Ｔｃ＜２５０℃）として、ｔ０．８ｄ（Ｔｃ）≦ｔ０．８ｄ（Ｔ）≦３ｔ０．８ｄ（Ｔｃ）を満たす温度（Ｔ）で加熱加圧を行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、半導体チップのサイズ、バンプ電極の種類やサイズ、配線基板の配線幅、ピッチ、段差等が異なる場合であってもボイドの無い半導体装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】従来の半導体装置の製造方法を説明する断面図
【図２】本発明の半導体装置の製造方法を説明する断面図
【図３】本発明の半導体装置の製造方法の加圧温度の決定方法を説明する図（１）
【図４】本発明の半導体装置の製造方法の加圧温度の決定方法を説明する図（２）
【図５】本発明の半導体装置の製造方法の加圧温度の決定方法を説明する図（３）
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明者らは先に述べたボイドの発生防止について鋭意検討の結果、次のような結果を得た。すなわち、加圧開始初期の配線基板に対する半導体チップの変位変化が最も大きい温度を中心としてボイドの発生のほとんど無い（ボイドがチップ面積の１％以下）温度領域があることを見出した。より具体的には、配線基板に対する半導体チップの変位を０、前記変位が一定となったときの変位をｄとしたとき、加圧開始から変位０．８ｄに到達するまでの時間が最小時間となる温度を中心として、前記最小時間の３倍の時間までで変位０．８ｄに到達する温度範囲であれば、ボイドの発生がほとんど無いことを見出した。
【００１１】
すなわち、本発明の半導体装置の製造方法は、バンプ電極を有する半導体チップのバンプ電極側の面と、パッド電極を有する配線基板のパッド電極側の面に絶縁性樹脂シートを貼り付けた絶縁性樹脂シート付配線基板の絶縁性樹脂シート側の面とを合わせて、加熱および加圧により前記バンプ電極と前記パッド電極とを電気的に接続する半導体装置の製造方法であって、前記バンプ電極が前記絶縁性樹脂シートに接触して前記加圧が開始されるときの前記配線基板に対する前記半導体チップの変位を０、前記変位が一定となったときの変位をｄ、加圧開始から変位０．８ｄに到達するまでの時間（ｔ０．８ｄとする）が最小となる温度をＴｃ（Ｔｃ＜２５０℃）として、ｔ０．８ｄ（Ｔｃ）≦ｔ０．８ｄ（Ｔ）≦３ｔ０．８ｄ（Ｔｃ）を満たす温度（Ｔ）で加熱加圧を行うことを特徴とする。
【００１２】
本発明の半導体装置の製造方法においては、バンプ電極を有する半導体チップのバンプ電極側の面と、パッド電極を有する配線基板のパッド電極側の面に絶縁性樹脂シートを貼り付けた絶縁性樹脂シート付配線基板の絶縁性樹脂シート側の面とを合わせる。例えば前述の背景技術で図１（ａ）〜（ｃ）を用いて説明した工程については同様にして実施することができる。
【００１３】
次に加熱および加圧により前記バンプ電極と前記パッド電極とを電気的に接続する。その際、半導体チップを絶縁性樹脂シートが軟化する温度以上である第１の温度で加熱しながら加圧を開始して、バンプ電極の先端が絶縁性樹脂シートに接触させることが好ましい。その例を図２（ａ）に示す。次にさらに加圧を続けて、バンプ電極が軟化した絶縁性樹脂を押しのけながら下降させることが好ましい。その例を図２（ｂ）に示す。なおバンプ電極の先端が配線の表面に到達すると、配線基板に対する半導体チップの変位は一定となる。その例を図２（ｃ）に示す。
【００１４】
本発明ではこの時、第１の温度を次のようにして決定する。すなわち、前記バンプ電極が前記絶縁性樹脂シートに接触して前記加圧が開始されるときの前記配線基板に対する前記半導体チップの変位を０、前記変位が一定となったときの変位をｄ、加圧開始から変位０．８ｄに到達するまでの時間（ｔ０．８ｄとする）が最小となる温度をＴｃ（Ｔｃ＜２５０℃）、温度ＴおよびＴｃにおけるｔ０．８ｄをそれぞれｔ０．８ｄ（Ｔ）、ｔ０．８ｄ（Ｔｃ）として、ｔ０．８ｄ（Ｔｃ）≦ｔ０．８ｄ（Ｔ）≦３ｔ０．８ｄ（Ｔｃ）を満たす温度（Ｔ）を第１の温度とする。
【００１５】
その後、背景技術と同様にバンプ電極がパッド電極に到達後両者の電気的接続に必要な第２の温度まで昇温し、電気的接続と絶縁性樹脂シートの硬化を行うことが好ましい。
【００１６】
以下、図３〜５を用いて第１の温度の決定方法を説明する。
【００１７】
ある温度での配線基板に対する半導体チップの変位と加圧開始からの時間の関係を図３に示す。先に述べたようにバンプ電極の先端が配線の表面に到達すると、配線基板に対する半導体チップの変位は一定となる（図２（ｃ））が、実用的な温度範囲でこれに要する時間は通常１〜５秒である。５秒後に一定となった変位をｄとしたとき、変位が０．８ｄまで変化するのに必要な時間ｔ０．８ｄを加熱温度毎に求める。
【００１８】
求めた加熱温度毎の変位が０．８ｄまで変化するのに必要な時間ｔ０．８ｄをプロットした例を図４に示す。また、この時の最小値（この例ではｔ０．８ｄ（２００℃））に対する比ｔ０．８ｄ／ｔ０．８ｄ（Ｔｃ）を図５に示す。図５において、ｔ０．８ｄ／ｔ０．８ｄ（Ｔｃ）が３以下となる温度を第１の温度として選択できる。
【００１９】
本発明の実施形態では、加熱および加圧が開始されバンプ電極が絶縁性樹脂シートに接触してから、バンプ電極の先端が配線の表面に到達するまでの時間の内、最初の８０％の変位に最も早く達する温度の場合を基準とし、最初の８０％の変位に達する時間がその３倍までであればボイドの発生がほとんど無いことが種々の検討から明らかになった。
【００２０】
ｔ０．８ｄ／ｔ０．８ｄ（Ｔｃ）が３以下であっても、加熱温度が配線基板の耐熱温度（例えば２５０℃）以上の場合、脱ガスによるボイドが多発するため、配線基板の耐熱温度以上の加熱温度は選択できない。
【００２１】
また本発明の製造方法においては、パッド電極の少なくとも表面が、Ａｕ、Ｓｎおよび半田から選ばれる１以上の金属を含有することが好ましい。表面をＡｕとすることで、パッド電極の酸化を防ぎ良好な接合が得られる。また、Ｓｎや半田を表面に有することで、ボンディングの際にパッド電極上のＳｎや半田が溶融し、容易に接合を形成することが可能となる。
【００２２】
また本発明の製造方法においては、バンプ電極の少なくとも表面が、Ａｕ、Ｃｕおよび半田から選ばれる１以上の金属を含有することが好ましい。
【００２３】
また本発明の製造方法においては、パッド電極の少なくとも表面および／または前記バンプ電極の少なくとも表面が半田を含有しており、前記加熱温度（Ｔ）が前記半田の融点未満であることが好ましい。加熱温度（Ｔ）を半田の融点未満にすることで、バンプ電極とパッド電極の間の樹脂シートを排除し、接合を形成することができる。
【００２４】
本発明の製造方法によれば、半導体チップのサイズ、バンプ電極の種類やサイズ、配線基板の配線幅、ピッチ、段差等が異なる場合であっても、ボイドの発生を防止できる汎用的な半導体装置が得られるという優れた産業上の効果を奏しえる。
【実施例】
【００２５】
以下実施例等を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。実施例１〜３０、比較例１〜７に用いた材料と評価方法を下記に示す。また、各実施例および各比較例の水準と評価結果を表１に示す。
【００２６】
＜熱硬化性接着剤フィルム＞（絶縁性樹脂シート）
以下に記載した（ａ）ポリイミド、（ｂ）エポキシ樹脂、（ｃ）硬化促進剤、（ｅ）絶縁性フィラーを混合し、さらに（ｄ）溶剤を塗布膜厚が均一になるよう適宜調整しながら加えて離型のプラスチックフィルム（ポリエチレンテレフタレートフィルム）上に塗布および乾燥することにより、熱硬化性接着剤フィルムを作製した。（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｅ）それぞれ重量比で２５：１０：２５：５０となるよう混合した。作製した熱硬化性接着剤フィルムの厚さは４５μｍだった。
【００２７】
なお、（ｃ）はマイクロカプセル型硬化促進剤がエポキシ樹脂に分散されたものであり、その重量比はマイクロカプセル型硬化促進剤／エポキシ樹脂＝３３／６７であるが、上記の割合については（ｃ）の割合は（ｃ）全体の量を基準に算出しており、また、（ｂ）の割合には（ｃ）中のエポキシ樹脂は含めていない。
【００２８】
（ａ）ポリイミド
下記プロセスで合成した有機溶剤可溶性ポリイミドを用いた。
【００２９】
まず、乾燥窒素気流下、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン２４．５４ｇ（０．０６７モル）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン４．９７ｇ（０．０２モル）、末端封止剤として、３−アミノフェノール２．１８ｇ（０．０２モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン（以下、ＮＭＰとする。）８０ｇに溶解させた。ここにビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物３１．０２ｇ（０．１モル）をＮＭＰ２０ｇとともに加えて、２０℃で１時間反応させ、次いで５０℃で４時間撹拌した。その後、キシレンを１５ｇ添加し、水をキシレンとともに共沸させながら、１８０℃で５時間攪拌した。攪拌終了後、溶液を水３Ｌに投入して白色沈殿したポリマーを得た。この沈殿をろ過して回収し、水で３回洗浄した後、真空乾燥機を用いて８０℃、２０時間乾燥した。
【００３０】
（ｂ）エポキシ樹脂
固形のエポキシ化合物（ジャパンエポキシレジン（株）製、エピコート１５７Ｓ７０）を使用した。
【００３１】
（ｃ）硬化促進剤
マイクロカプセル型硬化促進剤（旭化成ケミカルズ（株）製、ノバキュアＨＸ−３９４１ＨＰ）を使用した。
【００３２】
（ｄ）溶剤
メチルエチルケトン／トルエン＝４／１（重量比）を使用した。
【００３３】
（ｅ）絶縁性無機フィラー
ＳＯ−Ｅ２（商品名、アドマテックス（株）製、球形シリカ粒子、平均粒子径０．５μｍ）を用いた。
【００３４】
＜半導体チップの構造＞
シリコン基板上の酸化膜上に厚さ１μｍのアルミニウム配線が形成され、その上に形成された厚さ１μｍの窒化シリコン絶縁膜の開口部にクロムが形成され、銅の高さ１０μｍのポストが形成された半導体チップを作製した。バンプ表面状態として、被覆無し（銅皮膜を有する半導体チップ）、金皮膜を有する半導体チップ、半田皮膜（ＳｎＡｇ、融点２２０℃）を有する半導体チップの３種類を作製した。バンプ径は、２５、３０、３５、４０μｍ、バンプピッチは、それぞれのバンプ径に対して７５、８０、８５、９０μｍのものが形成されている。また、バンプ数は、各ピッチに対して、１３８個、１５０個、１６２個、１７４個形成されている。配線基板への実装後に、各バンプ構造に対して接続抵抗が測定できるようアルミニウム配線がパターニングされている。チップサイズは、７ｍｍ×７ｍｍ、チップ厚は１００μｍである。
【００３５】
＜配線基板＞
配線基板として、厚さ１５μｍの銅配線とパッド電極が形成され、その上に形成された厚さ２０μｍのソルダーレジストの開口部からパッド電極が露出した構造を有する配線版（厚さ３００μｍ）を作製した。パッド電極は全て半導体チップのバンプ電極に対応する位置に形成されている。パッド電極の表面状態として、スズ皮膜を有する配線基板、半田皮膜（ＳｎＡｇ、融点２２０℃）を有する配線基板、金皮膜を有する配線基板の３種類を作製した。この配線基板は、上記半導体チップを実装することにより、ディジーチェーンを形成し、引き出し電極を通じてバンプ電極とパッド電極との接合抵抗が測定できる。配線基板サイズは、１２ｍｍ×１２ｍｍであり、チップが搭載されていない領域にディジーチェーンの導通抵抗を測定するための３００μｍφの引き出し電極のパッドが形成されている。
【００３６】
＜配線基板への熱硬化性接着剤材フィルムのラミネート＞
熱硬化性接着剤フィルムの配線基板へのラミネートは、真空加圧ラミネーター（ニチゴーモートン（株）製、ＣＶＰ−３００Ｔ）を用いた。ポリエチレンテレフタレートフィルム上に形成した熱硬化性接着剤フィルムを半導体チップと同じサイズに切り、熱硬化性接着剤フィルムの面を配線基板に押し付けながら、真空中で８０℃、３０秒間、加圧０．５ＭＰａの条件でラミネートした。
【００３７】
＜Ｔｃの算出＞
まず、ボンディング装置（東レエンジニアリング（株）製、ＦＣ３０００Ｓ）を用い、バンプ電極を有する面を下向きにしてチップトレイに収納された半導体チップを、５０℃に設定されたヒートツールで吸着して取り上げた。次に、半導体チップを吸着したヒートツールを、８０℃のステージ上に置かれた熱硬化性接着剤材フィルムがラミネートされた配線基板の上方まで搬送した。次に半導体チップのバンプ電極と配線基板上のパッド電極が所定の位置に重なるようにアライメント認識カメラが半導体チップと配線基板の間に入り、それぞれのアライメントマークの検出を行った。
【００３８】
アライメントマークの検出後、１２０℃〜２８０℃の各温度において５０Ｎの荷重で５秒間の押圧を行った。このとき、ヘッドの高さを計測して記録し、実装開始から５秒後のヘッドの変位量をｄとし、ヘッドが０．８ｄに到達する時間をｔ０．８ｄ（Ｔ）とした。上記温度範囲の中でｔ０．８ｄが最小となる温度を求めると、Ｔｃ＝２００℃、ｔ０．８ｄ（Ｔｃ）＝０．５ｓであった。各温度でのｔ０．８ｄ（Ｔ）／ｔ０．８ｄ（Ｔｃ）を図５に示す。
【００３９】
実装中の熱硬化性接着剤フィルム内部温度は、あらかじめ温度レコーダ（（株）キーエンス製、ＮＲ１００）とＫ熱電対を用いて校正を行った。
【００４０】
＜実装性評価＞
ボイド噛み評価、導通評価（ディジーチェーンの導通抵抗測定）により、実装性の評価を行った。
【００４１】
ボイド噛み評価は、研磨により半導体チップを除去してから顕微鏡で観察することで実施した。ボイドがチップ面積の１％以下であれば◎、１％より大きく５％以下であれば○、それ以上ボイドが入っている場合は×と評価した。
【００４２】
各実施例の評価で用いた半導体チップと配線基板は、各バンプピッチに対して、それぞれ１３８個、１５０個、１６２個、１７４個形成の接続部分を介して電気的に接続されるよう設計されている。バンプ電極とパッド電極が一つでも接触していない部分があれば、接続不良となる。
【００４３】
導通評価は、ＤＩＧＩＴＡＬ  ＶＯＬＴＭＥＴＥＲ（ＨＥＷＬＥＴＴ  ＰＡＣＫＡＲＤ社製、３４５５Ａ）の測定端子を接続し、その抵抗値を測定した。抵抗値はバンプ電極とパッド電極の接続部分だけでなく、半導体チップ内部の抵抗やリード電極の値を含むものである。各バンプピッチのディジーチェーンに対して、それぞれ測定した抵抗値が全て１００ｋΩ未満であるか否かを判定した。３サンプルについて実装を行ったうち、３サンプルとも、測定したディジーチェーンの抵抗値が全て１００ｋΩ未満であった場合を◎、１サンプルまたは２サンプルについてディジーチェーンの抵抗値が１００ｋΩ以上となるものがあった場合を○、３サンプルともディジーチェーンの抵抗値が１００ｋΩ以上となるものがあった場合を×と判定した。
【００４４】
実施例１
＜実装性評価用サンプルの作製＞
パッド電極表面にスズ皮膜を有する配線基板、バンプ表面に半田皮膜（ＳｎＡｇ、融点２２０℃）を有する半導体チップを用いた。
【００４５】
まず、ボンディング装置（東レエンジニアリング（株）製、ＦＣ３０００Ｓ）でバンプ電極を有する面を下向きにしてチップトレイに収納された半導体チップを、５０℃に設定されたヒートツールで吸着して取り上げた。次に、半導体チップを吸着したヒートツールを、８０℃のステージ上に置かれた熱硬化性接着剤材フィルムがラミネートされた配線基板の上方まで搬送した。次に半導体チップのバンプ電極と配線基板上のパッド電極が所定の位置に重なるようにアライメント認識カメラが半導体チップと配線基板の間に入り、それぞれのアライメントマークの検出を行った。
【００４６】
アライメントマークの検出後、温度１５０℃、荷重５０Ｎで１秒間の押圧を行った（ステップ１）。次に２５０℃に昇温し、荷重５０Ｎで１０秒間の押圧を行った（ステップ２）。
【００４７】
実装中の熱硬化性接着剤フィルム内部温度は、あらかじめ温度レコーダ（（株）キーエンス製、ＮＲ１００）とＫ熱電対を用いて校正を行った。
【００４８】
＜実装性評価＞
ボイド噛み評価は○、導通評価は◎であった。
【００４９】
実施例２
パッド電極表面に半田皮膜（ＳｎＡｇ、融点２２０℃）を有する配線基板、バンプ表面に銅皮膜を有する半導体チップを用いたことを除けば実施例１と同様に評価を行った。ボイド噛み評価は○、導通評価は◎であった。
【００５０】
実施例３
パッド電極表面に金皮膜を有する配線基板、バンプ表面に金皮膜を有する半導体チップを用いたことを除けば実施例１と同様に評価を行った。ボイド噛み評価は○、導通評価は◎であった。
【００５１】
実施例４〜６
ステップ１の温度を１６０℃としたことを除けば、それぞれ実施例１〜３と同様に評価した。ボイド噛み評価、導通評価いずれも◎であった。
【００５２】
実施例７〜９
ステップ１の温度を１７０℃としたことを除けば、それぞれ実施例１〜３と同様に評価した。ボイド噛み評価、導通評価いずれも◎であった。
【００５３】
実施例１０〜１２
ステップ１の温度を１８０℃としたことを除けば、それぞれ実施例１〜３と同様に評価した。ボイド噛み評価、導通評価いずれも◎であった。
【００５４】
実施例１３〜１５
ステップ１の温度を１９０℃としたことを除けば、それぞれ実施例１〜３と同様に評価した。ボイド噛み評価、導通評価いずれも◎であった。
【００５５】
実施例１６〜１８
ステップ１の温度を２００℃としたことを除けば、それぞれ実施例１〜３と同様に評価した。ボイド噛み評価、導通評価いずれも◎であった。
【００５６】
実施例１９〜２１
ステップ１の温度を２１０℃としたことを除けば、それぞれ実施例１〜３と同様に評価した。ボイド噛み評価、導通評価いずれも◎であった。
【００５７】
実施例２２〜２４
ステップ１の温度を２２０℃としたことを除けば、それぞれ実施例１〜３と同様に評価した。ボイド噛み評価は実施例２２〜２４いずれも◎であった。導通評価は、バンプ表面に半田皮膜（ＳｎＡｇ、融点２２０℃）を有する場合（実施例２２）、１サンプルについてディジーチェーンの抵抗値が１００ｋΩ以上となるものがあり○であり、実施例２３、２４ではともに◎であった。
【００５８】
実施例２５〜２７
ステップ１の温度を２３０℃としたことを除けば、それぞれ実施例１〜３と同様に評価した。ボイド噛み評価は実施例２５〜２７いずれも◎であった。導通評価は、バンプ表面に半田皮膜（ＳｎＡｇ、融点２２０℃）を有する場合（実施例２５）、１サンプルについてディジーチェーンの抵抗値が１００ｋΩ以上となるものがあり○であり、実施例２６、２７ではともに◎であった。
【００５９】
実施例２８〜３０
ステップ１の温度を２４０℃としたことを除けば、それぞれ実施例１〜３と同様に評価した。ボイド噛み評価は実施例２８〜３０いずれも◎であった。導通評価は、バンプ表面に半田皮膜（ＳｎＡｇ、融点２２０℃）を有する場合（実施例２８）、２サンプルについてディジーチェーンの抵抗値が１００ｋΩ以上となるものがあり○であり、実施例２９、３０ではともに◎であった。
【００６０】
バンプ電極が半田の場合、実施例２２、２５、２８のように、半田の融点以上で加熱および加圧を行うと導通評価で抵抗が微増し、半田が樹脂の硬さに負けて変形する現象が見られた。
【００６１】
比較例１
ステップ１の温度を１２０℃としたことを除けば実施例１と同様に評価した。ボイド噛み評価は×、導通評価は◎であった。
【００６２】
比較例２
ステップ１の温度を１３０℃としたことを除けば実施例１と同様に評価した。ボイド噛み評価は×、導通評価は◎であった。
【００６３】
比較例３
ステップ１の温度を１４０℃としたことを除けば実施例１と同様に評価した。ボイド噛み評価は×、導通評価は◎であった。
【００６４】
比較例４
ステップ１の温度を２５０℃としたことを除けば実施例１と同様に評価した。ボイド噛み評価は×であった。導通評価は、１サンプルにおいてのみディジーチェーンの抵抗値が全て１００ｋΩ未満となるものがあり○であった。
【００６５】
比較例５
ステップ１の温度を２６０℃としたことを除けば実施例１と同様に評価した。ボイド噛み評価、導通評価いずれも×であった。
【００６６】
比較例６
ステップ１の温度を２７０℃としたことを除けば実施例１と同様に評価した。ボイド噛み評価、導通評価いずれも×であった。
【００６７】
比較例７
ステップ１の温度を２８０℃としたことを除けば実施例１と同様に評価した。ボイド噛み評価、導通評価いずれも×であった。
【００６８】
【表１】
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【符号の説明】
【００６９】
１  バンプ電極
２  半導体チップ
３  パッド電極
４  配線基板
５  絶縁性樹脂シート
６  配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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