(57)【要約】【課題】  本発明は互いに異なる屈折率を有する媒質を交互に積層させた反射膜を含む半導体発光素子を提供する。【解決手段】  本発明は半導体発光素子に関するものである。  本発明の半導体発光素子は３族-５族化合物半導体層を含む発光構造物と、前記発光構造物の下に互いに異なる媒質が交互に積層された反射膜と、前記反射膜の下に第２電極層を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型半導体層、前記第１導電型半導体層の下に活性層、前記活性層の下に第２導電型半導体層を含む発光構造物と、
前記発光構造物の下に第１屈折率を有する第１層と、前記第１屈折率と異なる第２屈折率を有する第２層とを含む反射膜と、
前記第１導電型半導体層上に配置された第１電極と、
前記反射膜の下に配置された金属層と、
前記金属層の下に金属材質を有する伝導性支持部材と、
を含み、
前記金属層は、複数の突出部を有し、前記複数の突出部は、前記第２導電型半導体層の下面に向かって突出し、
前記複数の突出部の間の領域には、前記反射膜が配置され、
前記金属層は、前記発光構造物と前記反射膜に電気的に接触し、
前記第１導電型半導体層の上面は、側断面視、ラフネスを有する第１領域と、平坦面を有し相互離隔された第２および第３領域とを含み、前記第１領域は、前記第２領域と第３領域の間に配置され、
前記第１電極は、前記第２領域上に配置され、
前記伝導性支持部材の側壁は、前記発光構造物の側壁より外側に延長され、
前記反射膜と前記複数の突出部は、前記第２導電型半導体層の下面に接触する半導体発光素子。
【請求項２】
前記金属層は、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｐｄ中の少なくとも１つを含む請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記第１導電型半導体層は、Ｎ型半導体層を含み、
前記第２導電型半導体層は、Ｐ型半導体層を含む請求項２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記第１導電型半導体層は、ＡｌＧａＮ半導体を含み、
前記第２導電型半導体層は、ＡｌＧａＮ半導体を含む請求項３に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記金属層は、前記反射膜の下に配置されたボトム部を含む請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記金属層のボトム部の上面は、前記反射膜の下面に接触する請求項５に記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記金属層のボトム部の周りは、前記伝導性支持部材が配置される請求項５または６に記載の半導体発光素子。
【請求項８】
前記複数の突出部は、前記金属層のボトム部の間の領域に突出する請求項５〜７のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項９】
前記第１層および第２層は、それぞれ異なる厚さを有する請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
前記第１層は３５〜８０nmの厚さを有し、前記第２層は３０〜７５nmの厚さを有する請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項１１】
前記伝導性支持部材は、前記反射膜の幅より広い幅を有する請求項２〜１０のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項１２】
前記伝導性支持部材は、銅または金を含む請求項２〜１１のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体発光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
III-Ｖ族窒化物半導体は、青色/緑色発光ダイオードのような光素子、ＭＯＳＦＥＴ（Metal  Semiconductor  Field  Effect  Transistor）、ＨＥＭＴ（Hetero  junction  Field  Effect Transistors）等の高速スイチング素子、照明または表示装置の光源等に多様に応用されている。特に、III族窒化物半導体を用いた発光素子は、可視光線から紫外線までの領域に対応する直接遷移型バンドギャップを有し、高効率の光放出を実現することができる。
【０００３】
前記窒化物半導体は、主にＬＥＤ（Light  Emitting  Diode）またはレーザーダイオードに活用されており、製造工程や光効率を改善するための研究が行われている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は互いに異なる屈折率を有する媒質を交互に積層させた反射膜を含む半導体発光素子を提供する。
【０００５】
本発明は発光波長に応じて反射膜の各媒質の厚さ及びペア数を調節できるようにした半導体発光素子を提供する。
【０００６】
本発明は発光構造物の下に反射膜及びオーミック層を積層した半導体発光素子を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の半導体発光素子は３族-５族化合物半導体層を含む発光構造物と、前記発光構造物の下に互いに異なる媒質が交互に積層された反射膜と、前記反射膜の下に第２電極層を含む。
【０００８】
また、本発明の半導体発光素子は第１導電型半導体層と、前記第１導電型半導体層の下に活性層と、前記活性層の下に第２導電型半導体層を含む発光構造物と、前記発光構造物の下に第１屈折率を有する第１媒質と第２屈折率を有する第２媒質を含む反射膜と、前記反射膜の下に第２電極層を含む。
【発明の効果】
【０００９】
本発明はＤＢＲ（Distributed  Bragg  Reflector）構造の反射膜を採用することで、反射特性を改善することができる。
【００１０】
本発明は活性層の下の反射膜によって外部発光効率を高めることができる。
【００１１】
本発明は発光波長に応じて反射膜の各媒質の厚さを調節することで、高反射特性を維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施例に係る半導体発光素子の側断面図である。
【図２】第１実施例に係る半導体発光素子の製造方法を示す図面である。
【図３】第１実施例に係る半導体発光素子の製造方法を示す図面である。
【図４】第１実施例に係る半導体発光素子の製造方法を示す図面である。
【図５】第１実施例に係る半導体発光素子の製造方法を示す図面である。
【図６】第１実施例に係る半導体発光素子の製造方法を示す図面である。
【図７】第１実施例に係る半導体発光素子の製造方法を示す図面である。
【図８】第１実施例に係る半導体発光素子の製造方法を示す図面である。
【図９】第１実施例に係る半導体発光素子の製造方法を示す図面である。
【図１０】第１実施例に係る半導体発光素子の製造方法を示す図面である。
【図１１】第２実施例に係る半導体発光素子の側断面図である。
【図１２】第１実施例に係る反射膜のＡｌＮ-ＧａＮペアの数による反射率を示す図面である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、実施例による半導体発光素子を添付の図面に基づいて説明する。なお、実施例の説明において、各層の上または下という記述は図面を基準とするものであり、また図面における各層の厚さは一例であり、実際の寸法を反映するものではない。
【００１４】
図１は第１実施例に係る半導体発光素子の側断面図である。図１に示すように、半導体発光素子１００は発光構造物１１０、反射膜１２０、オーミック層１４０及び伝導性支持部材１５０を含む。
【００１５】
前記発光構造物１１０は第１導電型半導体層１１１、活性層１１３、第２導電型半導体層１１５を含み、第１及び第２導電型半導体層１１１、１１５の間に活性層１１３が介在する構成である。
【００１６】
前記第１導電型半導体層１１１は第１導電型ドーパントがドーピングされた少なくとも１つの半導体層から具現することができ、前記半導体層は３族-５族化合物半導体、例えばＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ中少なくとも１つからなることができる。前記第１導電型半導体層１１１はＮ型半導体層である場合、前記第１導電型ドーパントはＮ型ドーパントで、前記Ｎ型ドーパントはＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅ等を含む。
【００１７】
前記第１導電型半導体層１１１の上面には所定のパターンの第１電極１５１が形成される。前記第１導電型半導体層１１１の上面一部または全領域には粗部(roughness)１１２が形成される。
【００１８】
前記第１導電型半導体層１１１の下には前記活性層１１３が形成される。前記活性層１１３は単一または多重量子井戸（ＭＱＷ）構造からなる。前記活性層１１３は３族-５族化合物半導体材料を用いて井戸層と障壁層の周期をなし、例えば、ＩｎＧａＮ井戸層/ＧａＮ障壁層の周期またはＡｌＧａＮ井戸層/ＧａＮ障壁層の周期を含むことができる。
【００１９】
前記活性層１１３は発光させる光の波長によるバンドギャップエネルギーを有する材料から選択され、例えば波長が４６０〜４７０ｎｍの青色発光の場合、ＩｎＧａＮ井戸層/ＧａＮ障壁層を一周期として、単一または多重量子井戸構造に形成される。前記活性層１１３は青色波長の光、赤色波長の光、緑色波長の光等の有色光を発光する材料を含むことができる。
【００２０】
前記活性層１１３の上または/及び下には導電型クラッド層が形成され、前記導電型クラッド層はＡｌＧａＮ層から具現される。
【００２１】
前記活性層１１３の下には前記第２導電型半導体層１１５が形成される。前記第２導電型半導体層１１５は第２導電型ドーパントがドーピングされた少なくとも１つの半導体層から具現され、前記半導体層は３族-５族化合物半導体、例えばＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ中少なくとも１つからなることができる。前記第２導電型半導体層１１５はＰ型半導体層である場合、前記第２導電型ドーパントはＰ型ドーパントであり、前記Ｐ型ドーパントはＭｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等を含む。
【００２２】
前記第２導電型半導体層１１５の下には第３導電型半導体層（図示しない）を形成することができる。前記第１導電型半導体層１１１がＮ型半導体層、前記第２導電型半導体層１１５がＰ型半導体層である場合、前記第３導電型半導体層はＮ型ドーパントがドーピングされた半導体層から具現することができる。前記発光構造物１１０はＮ−Ｐ接合構造、Ｐ−Ｎ接合構造、Ｎ−Ｐ−Ｎ接合構造、Ｐ−Ｎ−Ｐ接合構造のいずれか１つに形成される。
【００２３】
前記発光構造物１１０の下には前記反射膜１２０が形成される。前記反射膜１２０は前記第２導電型半導体層１１５の下に形成され、互いに異なる媒質１２１、１３１が交互に積層された多層ＤＢＲ（Distributed  Bragg  Reflector）構造を含む。前記ＤＢＲ構造は屈折率が異なる２つの透明な媒質１２１、１３１の複数のペアを交互に積層した構造である。
【００２４】
前記反射膜１２０は第１媒質１２１とその下に積層された第２媒質１３１が１つのペアになり、前記ペアの数は１０〜３０ペアで形成される。
【００２５】
前記反射膜１２０の第１媒質１２１と第２媒質１３１は３族-５族化合物半導体中の屈折率の差が大きい２つの物質を用いることができる。前記第１媒質１２１はＡｌＮ層で、前記第２媒質１３１はＧａＮ層で、前記反射膜１２０はＡｌＮ-ＧａＮのペアを交互に形成することができる。ここで、前記ペアはＡｌＮ-ＧａＮまたはＧａＮ-ＡｌＮの構造からなることができる。前記第１媒質１２１または前記第２媒質１３１はＩｎＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮのいずれか１つを用いることができる。また、前記第１媒質１２１と第２媒質１３１の間には他の半導体層、例えばＩｎＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮを挿入することができる。
【００２６】
前記反射膜１２０の各ペアで、前記第１媒質１２１の厚さは３５〜８０ｎｍで、前記第２媒質１３１の厚さは３０〜７５ｎｍからなることができる。また、前記第１媒質１２１と前記第２媒質１３１の厚さは互いに異なるように形成されるが、互いに同じ厚さにすることもできる。
【００２７】
前記反射膜１２０の第１及び第２媒質１２１、１３１の厚さは前記活性層１１３の発光波長と各媒質１２１、１３１の屈折率を用いて求めることができ、これは下記数学式１のように求めることができる。
【００２８】
【数１】
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【００２９】
前記Ｔは各媒質の厚さ、λは波長、ｎは各媒質の屈折率である。
【００３０】
ここで、発光波長が４５０ｎｍで、前記ＡｌＮ層の屈折率が２.１２であれば、前記ＡｌＮ層の厚さは５３.１ｎｍとなり、前記ＧａＮ層の屈折率が２.４４であれば、前記ＧａＮ層の厚さは４６.１ｎｍとなる。
【００３１】
前記反射膜１２０で、前記第１及び第２媒質１２１、１３１の厚さは発光波長に応じて最適化させることができる。前記反射膜１２０の最下層媒質はペア構造に限定されない。
【００３２】
ここで、図１２に示すように、発光波長が４５０ｎｍであれば、前記反射膜はＡｌＮ-ＧａＮのペア数が１０ペア以上である場合その反射率は９４％以上を示し、１１ペア以上であればその反射率は９５〜９９％示すことになる。前記反射膜はＡｌＮ-ＧａＮのペアが１０ペア以上である場合高い反射率を有するようになる。
【００３３】
前記反射膜１２０の各媒質１２１の厚さとペア数は発光波長に応じて変更することができる。前記反射膜１２０は、例えば３００〜７００ｎｍ波長の光を効果的に反射させることができる。
【００３４】
前記反射膜１２０の大きさは前記活性層１１３の発光領域（または活性層領域）と同じ大きさに形成することができ、反射特性を極大化できて、外部発光効率を高めることができる。
【００３５】
また、前記反射膜１２０は導電性が良い物質から構成され、発光素子の一部分として使用することができる。
【００３６】
前記反射膜１２０の下には前記オーミック層１４０が形成され、前記オーミック層１４０の下には前記伝導性支持部材１５０が形成される。前記オーミック層１４０及び伝導性支持部材１５０は第２電極層の役割をする。
【００３７】
前記オーミック層１４０は前記反射膜１２０と前記伝導性支持部材１５０の間の抵抗差を減らすために、オーミック特性が良く透過性が低い金属から形成することができる。前記オーミック層１４０は、例えばＰｔ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｐｄ中少なくとも１つまたはこれらの混合形態からなることができる。前記オーミック層１４０は素子の外壁に露出されないように形成ることができる。
【００３８】
前記伝導性支持部材１５０は銅、金、ウェハキャリア（例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＺｎＯ、ＳｉＣ等）等からなることができ、例えば銅にメッキやウェハボンディング技術を利用して形成することができるが、これに限定されない。
【００３９】
図２〜図１０は第１実施例に係る半導体発光素子の製造方法を示す図面である。図２に示すように、基板１０１の上にバッファ層１０３が形成される。前記基板１０１はサファイア基板（Ａｌ２０３）、ＧａＮ、ＳｉＣ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＰ、ＩｎＰ、そしてＧａＡｓ等からなる群から選択することができる。
【００４０】
前記バッファ層１０３は３族と５族元素の化合物半導体、例えばＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮのいずれか１つからなることができる。前記バッファ層１０３は導電型ドーパントをドーピングすることができ、または形成しないこともできる。
【００４１】
前記バッファ層１０３の上にはノンドープ半導体層（図示しない）が形成され、前記ノンドープ半導体層は窒化物半導体が成長するためのシード層として機能することができる。前記バッファ層１０３とノンドープ半導体層（図示しない）の少なくとも１つを形成、または形成しないことができるが、これに限定されない。
【００４２】
前記バッファ層１０３の上には前記第１導電型半導体層１１１が形成され、前記第１導電型半導体層１１１の上には前記活性層１１３が形成され、前記活性層１１３の上には前記第２導電型半導体層１１５が形成される。
【００４３】
前記活性層１１３の上または/及び下には導電型クラッド層が形成され、前記導電型クラッド層はＡｌＧａＮ層を含むことができる。
【００４４】
発光構造物１１０は前記第１導電型半導体層１１１、前記活性層１１３及び前記第２導電型半導体層１１５を含み、本発明の技術的範囲内で他の層を追加または層間に挿入することができるが、前記構造に限定されない。
【００４５】
前記第２導電型半導体層１１５の上には前記反射膜１２０が形成される。前記反射膜１２０はＭＯＣＶＤ、ＭＢＥまたはＨＶＰＥ等の蒸着法により形成することもできる。
【００４６】
前記反射膜１２０は第１媒質１２１及び第２媒質１３１を含み、前記第２導電型半導体層１１５の上には第１媒質１２１が形成され、前記第１媒質１２１の上には第２媒質１２１が形成され、前記第１媒質１２１と第２媒質１３１のペアは交互に積層されてＤＢＲ構造１２１、１３１に形成される。前記ペアの数は１０〜３０ペアに形成される。
【００４７】
前記第１及び第２媒質１２１、１３１は屈折率の差が大きい２つの物質を用いることができる。前記反射膜１２０の第１媒質１２１はＡｌＮ層からなることができ、前記第２媒質１３１はＧａＮ層からなることができる。前記反射膜１２０はＡｌＮ-ＧａＮのペアまたはＧａＮ-ＡｌＮのペア構造からなることができる。前記第１媒質１２１または第２媒質１３１はＩｎＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮのいずれか１つを用いることができる。また、前記第１媒質１２１と第２媒質１３１の間には他の半導体層、例えばＩｎＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮを挿入することができる。前記第１媒質１２１の厚さは３５〜８０ｎｍ、前記第２媒質１３１の厚さは３０〜７５ｎｍに形成することができる。また、前記第１媒質１２１と第２媒質１３１の厚さは互いに異なるように形成されるが、互いに同じ厚さにすることもできる。
【００４８】
前記反射膜１２０の第１及び第２媒質１２１、１３１の厚さとペア数は発光波長に応じて変更することができる。例えば、発光波長が４５０ｎｍで、ＡｌＮ層の屈折率が２.１２であれば、ＡｌＮ層の厚さは５３.１ｎｍとなり、ＧａＮ層の屈折率が２.４４であれば、ＧａＮ層の厚さは４６.１ｎｍとなる。
【００４９】
前記発光波長に応じて前記第１及び第２媒質１２１、１３１の厚さの寸法が求められ、前記反射膜１２０の反射率に応じて前記第１及び第２媒質１２１、１３１のペア数を選択することができる。
【００５０】
前記反射膜１２０は、第１媒質１２１の厚さが３５〜８０ｎｍで、前記第２媒質１３１の厚さが３０〜７５ｎｍで、ペア数が１０〜３０ペアである時、３００〜７００ｎｍ波長の光を効果的に反射させることができる。
【００５１】
前記反射膜１２０の大きさは前記活性層１１３の発光領域（または活性層領域）と同じ大きさに形成されるので、反射特性を極大化できて、外部発光効率を高めることができる。
【００５２】
図３に示すように、前記第２導電型半導体層１１５の上に反射膜１２０が形成されると、基板１０１の上の縁部領域Ａ１はメサエッチングによって除去される。
【００５３】
図４に示すように、前記反射膜１２０の上にはオーミック層１４０が形成される。前記オーミック層１４０はオーミック特性が良く透過性が低い金属から形成することができる。前記オーミック層１４０は、例えばＰｔ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｐｄ中少なくとも１つまたはこれらの混合形態からなることができる。
【００５４】
前記オーミック層１４０は前記反射膜１２０の上面内側に形成され、外側が素子の側壁に露出されない。または、前記オーミック層１４０は前記反射膜１２０の上面全体に形成することができる。
【００５５】
図５に示すように、前記オーミック層１４０が形成されると、前記オーミック層１４０の上に伝導性支持部材１５０を形成することができる。前記伝導性支持部材１５０は銅、金、ウェハキャリア（例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＺｎＯ、ＳｉＣ等）等からなることができ、例えば銅にメッキやウェハボンディング技術を利用して形成することができるが、これに限定されない。前記オーミック層１４０及び前記伝導性支持部材１５０は第２電極層として機能する。
【００５６】
図６及び図７に示すように、前記伝導性支持部材１５０が形成されると、前記伝導性支持部材１５０はベースに配置され、前記基板１０１を除去する。ここで、前記基板１０１は物理的または/及び化学的方法により除去することができ、物理的方法は所定の波長のレーザーを前記基板１０１に照射することで前記基板１０１が分離されるＬＬＯ（Laser  Lift-Off）法により除去することができる。化学的方法は前記バッファ層１０３に湿式エッチング液を注入して前記バッファ層１０３を除去し、前記基板１０１を分離することができる。
【００５７】
前記基板１０１が除去されると、前記バッファ層１０３の表面に対してＧａ酸化物を除去する工程を行う。前記工程は省略することもできる。
【００５８】
図７及び図８に示すように、前記バッファ層１０３を除去する。前記バッファ層１０３はドライエッチング、湿式エッチング、または練磨工程により除去することができる。この時、前記バッファ層１０３に導電性ドーパントがドーピングされている場合、前記バッファ層を除去しないこともできる。
【００５９】
図９及び図１０に示すように、前記第１導電型半導体層１１１の上面一部領域Ａ２または全体領域に対して粗部１１２を形成することができる。
【００６０】
前記粗部１１２はドライエッチングにより凹凸形状に形成され、前記凹凸の形状は多様に変更することができる。前記粗部１１２は形成しないこともできる。
【００６１】
前記第１導電型半導体層１１１の上面に所定のパターンの第１電極１５１を形成する。
【００６２】
図１１は第２実施例に係る半導体発光素子の側断面図である。第２実施例を説明において、第１実施例と同様な部分に対する詳細な説明は省略する。
【００６３】
図１１に示すように、半導体発光素子１００Ａは、第２導電型半導体層１１５の下に多数の島形態の反射膜１２０が形成され、前記反射膜１２０及び前記第２導電型半導体層１１５の下にオーミック層１４０が形成される。ここで、前記反射膜１２０は凹凸形態に形成することもできる。
【００６４】
前記反射膜１２０は前記発光構造物１１０の第２導電型半導体層１１５の下に形成され、前記反射膜１２０の島と島の間には前記オーミック層１４０の凸部１４５が形成される。
【００６５】
前記２導電型半導体層１１５の下面には前記反射膜１２０及び前記オーミック層１４０の凸部１４５が形成される。
【００６６】
以上のように、本発明の各実施例では発光素子の発光波長に応じて反射膜１２０の各媒質１２１、１３１の厚さとペア数を調節し、高い反射率を提供することができる。前記反射膜１２０は３００〜７００ｎｍの波長領域においでも高い反射特性を有するように形成することができる。
【００６７】
本発明の説明において、各層（膜）、領域、パターン又は構造物が基板、各層（膜）、領域、パッド又はパターンの「上」に又は「下」に形成されると記載される場合、「上」と「下」は直接又は他の層を介在して形成されることを皆含む。また、各層の「上」又は「下」の基準は図面を基準として説明する。
【００６８】
以上、本発明を実施例を中心に説明したが、これらの実施例は本発明を限定するものではない。本発明の精神と範囲を離脱することなく、多様な変形と応用が可能であることは、当業者によって明らかである。例えば、本発明の実施例に具体的に示された各構成要素は変形して実施することができるものであり、このような変形と応用に係る差異点は、添付の特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
本発明は垂直型半導体発光素子を提供することができる。
本発明は外部発光効率を高めることができる。
本発明は半導体発光素子の信頼性を改善することができる。
【符号の説明】
【００７０】
１００  発光素子
１０１  基板
１０３  バッファ層
１１０  発光構造物
１１１  第１導電型半導体層
１１２  粗部
１１３  活性層
１１５  第２導電型半導体層
１２０  反射膜
１２１  第１媒質
１３１  第２媒質
１４０  オーミック層
１５０  支持部材
１５１  第１電極
【図１】
2014096603.tif 000004
【図２】
2014096603.tif 000005
【図３】
2014096603.tif 000006
【図４】
2014096603.tif 000007
【図５】
2014096603.tif 000008
【図６】
2014096603.tif 000009
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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