(57)【要約】      （修正有）【課題】スティッチング露光における複数のフォトマスクに起因する露光領域接続部において、所望のレジストパターンの寸法変動と屈曲度合とを低減できるパターン形成方法を提供する。【解決手段】第１の露光工程及び第２の露光工程よりも後に、レジスト膜を現像して第１のレジストパターンを形成する工程と、第１のレジストパターンを形成する工程よりも後に、第１のレジストパターンに対して、レジスト膜におけるガラス転移点以上の温度で加熱処理を行って、第１のレジストパターンの寸法を縮小することにより、第２のレジストパターン１３０Ｃを形成する工程とを備えている。第２のレジストパターン１３０Ｃを形成する工程において、第１のレジストパターンは縮小すると共に、屈曲部はその屈曲形状が平坦化するように変形する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
スクライブ領域を挟まずに２つ以上の露光領域を接続して露光するスティッチング露光法を用いたパターン形成方法であって、
基板の上にレジスト膜を形成する工程と、
第１のマスクパターンを有する第１のフォトマスクを用いて、前記レジスト膜に露光光を選択的に照射する第１の露光工程と、
前記第１の露光工程よりも後に、第２のマスクパターンを有する第２のフォトマスクを用いて、前記第１のフォトマスクの露光領域と隣接して、前記レジスト膜に露光光を選択的に照射する第２の露光工程と、
前記第１の露光工程及び第２の露光工程よりも後に、前記レジスト膜を現像して第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンを形成する工程よりも後に、前記第１のレジストパターンに対して、前記レジスト膜におけるガラス転移点以上の温度で加熱処理を行って、前記第１のレジストパターンの寸法を縮小することにより、第２のレジストパターンを形成する工程とを備え、
前記第１のレジストパターンを形成する工程において、前記第１のマスクパターンと前記第２のマスクパターンとに基づいて第１のレジストパターンが形成され、
前記第１のレジストパターンは、前記第１のマスクパターンに由来する第１の直線部と、前記第２のマスクパターンに由来する第２の直線部と、前記第１のマスクパターンと前記第２のマスクパターンとを接続する露光領域接続部に生じる屈曲部とを有し、
前記第２のレジストパターンを形成する工程において、前記第１のレジストパターンは縮小すると共に、前記屈曲部はその屈曲形状が平坦化するように変形することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載のパターン形成方法において、
前記屈曲部の平面形状は、階段状であり、
前記第２のレジストパターンを形成する工程において、前記屈曲部は、前記第１の直線部の接線又は前記第２の直線部の接線と、前記屈曲部の接線とがなす最大角度が３０°以下となるように平坦化されることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のパターン形成方法において、
前記第２のレジストパターンを形成する工程では、前記屈曲部の平面形状は、階段状からスロープ状に変化することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項４】
請求項１に記載のパターン形成方法において、
前記屈曲部は、前記第１の直線部と前記第２の直線部との接続部に形成された平面凹状部であり、
前記第２のレジストパターンを形成する工程において、前記凹状部は平坦化されることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のパターン形成方法において、
前記第２のレジストパターンを形成する工程において、１５０℃以上且つ２００℃以下の温度で加熱処理を行うことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のパターン形成方法において、
前記第２のレジストパターンの幅寸法は、前記第１のレジストパターンの幅寸法よりも０．０５μｍ以上小さいことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載のパターン形成方法において、
前記第１のマスクパターンと前記第２のマスクパターンとは、前記露光領域接続部におけるパターン幅が、前記露光領域接続部の外側における直線部のパターン幅よりも小さいことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項８】
請求項７に記載のパターン形成方法において、
前記露光領域接続部における前記露光領域接続部のパターン幅と前記直線部のパターン幅との差によって生じる段差部に、平面三角形状の補助パターンを設けることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載のパターン形成方法において、
前記第２のレジストパターンを形成する工程では、前記第２のレジストパターンの幅寸法は、０．２μｍ以下であることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載のパターン形成方法において、
前記レジスト膜は、ポジ型のレジスト膜であり、
前記第１のマスクパターン及び第２のマスクパターンは、前記露光光を透過する透過部であり、
前記第１のレジストパターン及び第２のレジストパターンは、開口部であることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１１】
請求項１〜９のいずれか１項に記載のパターン形成方法において、
前記レジスト膜は、ネガ型のレジスト膜であり、
前記第１のマスクパターン及び第２のマスクパターンは、前記露光光を遮光する遮光部であり、
前記第１のレジストパターン及び第２のレジストパターンは、開口部であることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載のパターン形成方法において、
前記第１のマスクパターン及び第２のマスクパターンは、前記第２のレジストパターンの幅寸法よりも０．０５μｍ以上大きく形成することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載のパターン形成方法において、
前記露光領域接続部の外側に形成される第３のマスクパターンは、前記第２のレジストパターンを形成する工程において形成される前記第３のマスクパターンに対応する第３のレジストパターンの幅寸法よりも０．０５μｍ以上大きく形成することを特徴とするパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スティッチング（stitching）露光を用いたパターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の微細加工を始め、ＭＥＭＳ（micro electro mechanical systems）加工又は液晶等のフラットパネルの表面加工においては、加工する基板上に形成されたレジスト膜にパターン露光を行い、露光後にレジスト膜を現像することによって、所望のパターンを形成するリソグラフィが用いられている。例えば、３５ｍｍフルサイズと呼ばれる、受光面が比較的に大きい固体撮像素子を形成する場合等のように、リソグラフィによって、露光装置における露光フィールドの限界以上の撮像チップを形成するには、２枚以上のマスクパターンを用いて、複数の露光領域に跨って１つのチップを形成するスティッチング露光が用いられる。
【０００３】
図１３に示すように、一般的な露光法においては、第１の露光領域３００Ａにおけるチップ３０１Ａと、該第１の露光領域３００Ａと隣接する第２の露光領域３００Ｂにおけるチップ３０１Ｂとの境界部に、スクライブ領域３００ａを含む。これに対し、スティッチング露光法は、図１４（ａ）に示すように、互いに隣接する少なくとも２つの第１の露光領域３０２Ａ及び第２の露光領域３０２Ｂに跨って、１つのチップ３０３を形成する露光法である。
【０００４】
具体的には、図１４（ｂ）に示すように、第１の露光領域３０２Ａには、複数のライン状のパターン３０５が形成され、第２の露光領域３０２ｂには、複数のライン状のパターン３０６が形成されているとする。この場合に、第１の露光領域３０２Ａと第２の露光領域３０２Ｂとの境界部において、両者が接続される露光領域接続部３０４の大きさの分だけ、第１の露光領域３０２Ａの端部と第２の露光領域３０２Ｂの端部とを重ね合わせて露光することにより、互いに接続されたレジストパターンを得る。
【０００５】
以下、図１５（ａ）から図１８（ｂ）を用いて、２つのマスクパターンにおけるそれぞれの露光領域接続部と、これらのマスクパターンが形成された２つのフォトマスクを用いてスティッチング露光法により、レジストパターンを形成する一例について説明する。
【０００６】
図１５（ａ）に示す、第１のフォトマスク３１１に形成された第１のマスクパターンである第１の開口部３１３と、第２のフォトマスク３１２に形成された第２のマスクパターンである第２の開口部３１４とを用いて、スティッチング露光を行う。ここで、各開口部３１３、３１４は、それぞれ露光領域となる。第１のフォトマスク３１１には、第１のマスクパターンとして所定の幅Ｗ１０を有する直線状の第１の開口部３１３が設けられている。同様に、第２のフォトマスク３１２には、第２のマスクパターンとして所定の幅Ｗ１０を有する直線状の第２の開口部３１４が設けられている。ここで、各開口部３１３、３１４の互いに対向する端部に設けられた露光領域接続部３０４が重なるように、言い換えると、第１の開口部３１３の端部と第２の開口部３１４の端部とが重なった状態で、基板上で対応する位置に設けられたレジスト膜が二重露光されるようにスティッチング露光を行う。
【０００７】
図１５（ｂ）に、スティッチング露光における理想的なフォトマスクによる露光領域接続部３０４を示す。図１５（ｂ）に示すように、露光領域接続部３０４において、第１のフォトマスク３１１に形成された第１の開口部３１３の端部と、第２のフォトマスク３１２に形成された第２の開口部３１４の端部とは、露光領域接続部３０４において、各開口部３１３、３１４の短辺方向にずれることなく、重ね合わせて露光される。
【０００８】
図１６（ａ）に、図１５（ｂ）に示す状態で、２つのマスクパターンをそれぞれポジ（positive）型のレジスト膜にスティッチング露光し、露光した後のポジ型のレジスト膜を現像して形成したスペースパターン（space pattern）３１５を示す。同様に、図１６（ｂ）に、図１５（ｂ）に示す状態で、２つのマスクパターンをそれぞれネガ（negative）型のレジスト膜にスティッチング露光し、露光した後のネガ型のレジスト膜を現像して形成したラインパターン（line pattern）３１６を示す。
【０００９】
理想的には、図１５（ｂ）に示すように、２枚のフォトマスク３１１、３１２を用いてスティッチング露光を行うと、露光領域接続部３０４は段差等がない直線状に接続される。このようにして形成されたレジストパターンは、図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示す通り、歪みがない直線状のレジストパターンとなる。
【００１０】
しかしながら、露光装置においては、ウェハステージの位置誤差等によるフォトマスクの位置合わせ時に生じるずれは避けることができない。このため、スティッチング露光を行った場合に、２枚のフォトマスクの露光領域接続部３０４において、一続きの直線状に形成されるべきレジストパターンにおいて、レジストパターンに屈曲部が生じる。
【００１１】
図１７に、図１５（ａ）に示す２枚のフォトマスク３１１、３１２を用いて、露光装置において位置合わせずれが幅Ｗ１１だけ生じた状態でスティッチング露光を行う場合の、マスクパターンの露光領域接続部３０４を示す。第１のフォトマスク３１１の第１の開口部３１３と第２のフォトマスク３１２の第２の開口部３１４とが位置合わせずれを起こした状態でスティッチング露光すると、図１８（ａ）及び図１８（ｂ）に示すように、マスクパターンの露光領域接続部３０４に対応する領域３０４ａに、レジストパターンの屈曲部３１５ａ、３１６ａが形成される。ここで、図１８（ａ）は、ポジ型のレジスト膜に形成されたスペースパターン３１５であり、また、図１８（ｂ）は、ネガ型のレジスト膜に形成されたラインパターン３１６である。
【００１２】
そこで、下記の特許文献１には、レジストパターンの屈曲部３１５ａ、３１６ａの発生を防止する方法として、露光パターン繋ぎ部のマスクパターンの端部にのりしろとなるパターンを付加することにより、露光領域間のずれに起因する断線を防ぐという方法が記載されている。
【００１３】
また、下記の特許文献２には、２枚のフォトマスクの露光パターン繋ぎ部におけるマスクパターンの端部を一方の端部は凸部形状とし、他方の端部は凹部形状として、相補的な補正を施す方法が記載されている。これにより、露光領域間のずれに起因する断線及び寸法変動を防いでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特許第３１０２３８４号公報
【特許文献２】特開２００１−３０８００４号公報
【特許文献３】特開２００４−２３５４６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
まず、図１９を参照しながら、露光領域接続部に生じるレジストパターンの屈曲部について説明する。図１９に示すレジストパターン３２０において、レジストパターンの屈曲部３２０ａは、レジストパターン直線部３２０ｂ、３２０ｃ同士の間に形成された非直線領域である。各直線部３２０ｂ、３２０ｃのいずれかの接線と屈曲部３２０ａの接線とがなす最大角度を、レジストパターンの屈曲部３２０ａの屈曲度合θとする。レジストパターン３２０をエッチングマスクとして、例えば配線を形成する場合に、レジストパターンの屈曲部３２０ａの屈曲度合が３０°以上になると、形成される配線は、該レジストパターンの屈曲部３２０ａにおいて抵抗値の上昇が顕著になって、配線の信頼性が低下する。このため、レジストパターンの屈曲部３２０ａが形成されないようにスティッチング露光を行うことが必要となる。しかしながら、現状の露光装置における位置合わせ精度では、露光領域接続部３０４において、レジストパターンの屈曲部３２０ａが形成されない完全な直線状のレジストパターン３２０を形成することは困難である。
【００１６】
また、特許文献２に記載された方法は、上述したように、露光領域接続部における位置合わせずれに対する接続部の断線と寸法変動とを抑制する技術である。すなわち、２枚のフォトマスクによる露光領域接続部のみの補正であるため、レジストパターンの屈曲部における屈曲度合を改善するには、充分な効果を得ることができない。
【００１７】
本開示は、前記の問題に鑑み、スティッチング露光における複数のフォトマスクに起因する露光領域接続部において、所望のレジストパターンの寸法変動と屈曲度合とを低減できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
前記の目的を達成するため、本開示は、パターン形成方法を、パターンに互いの接続部を有する複数のフォトマスクによって露光を行い、その後、現像を行って第１のレジストパターンを形成した後、該第１のレジストパターンをそのガラス転移点以上の温度で加熱することにより、所望の第２のレジストパターンを得る構成とする。
【００１９】
具体的に、本開示に係るパターン形成は、スクライブ領域を挟まずに２つ以上の露光領域を接続して露光するスティッチング露光法を用いたパターン形成方法を対象とし、基板の上にレジスト膜を形成する工程と、第１のマスクパターンを有する第１のフォトマスクを用いて、レジスト膜に露光光を選択的に照射する第１の露光工程と、第１の露光工程よりも後に、第２のマスクパターンを有する第２のフォトマスクを用いて、第１のフォトマスクの露光領域と隣接して、レジスト膜に露光光を選択的に照射する第２の露光工程と、第１の露光工程及び第２の露光工程よりも後に、レジスト膜を現像して第１のレジストパターンを形成する工程と、第１のレジストパターンを形成する工程よりも後に、第１のレジストパターンに対して、レジスト膜におけるガラス転移点以上の温度で加熱処理を行って、第１のレジストパターンの寸法を縮小することにより、第２のレジストパターンを形成する工程とを備え、第１のレジストパターンを形成する工程において、第１のマスクパターンと第２のマスクパターンとに基づいて第１のレジストパターンが形成され、第１のレジストパターンは、第１のマスクパターンに由来する第１の直線部と、第２のマスクパターンに由来する第２の直線部と、第１のマスクパターンと第２のマスクパターンとを接続する露光領域接続部に生じる屈曲部とを有し、第２のレジストパターンを形成する工程において、第１のレジストパターンは縮小すると共に、屈曲部はその屈曲形状が平坦化するように変形する。
【００２０】
本開示のパターン形成方法によると、第１のレジストパターンに対してレジスト膜におけるガラス転移点以上の温度で加熱処理を行って、第１のレジストパターンの寸法を縮小することにより、第２のレジストパターンを形成する。このため、第２のレジストパターンを形成する工程において、第１のレジストパターンが縮小すると共に、屈曲部はその屈曲形状が平坦化するように変形するので、所望のレジスト幅で屈曲部における屈曲度合を低減することができる。
【００２１】
本開示のパターン形成方法において、屈曲部の平面形状は、階段状であり、第２のレジストパターンを形成する工程において、屈曲部は、第１の直線部の接線又は第２の直線部の接線と、屈曲部の接線とがなす最大角度が３０°以下となるように平坦化されてもよい。
【００２２】
このようにすると、第２のレジストパターンによって、例えば配線が形成される場合には、該配線の抵抗値が該屈曲部によって上昇することがないので、該配線の信頼性が維持される。
【００２３】
本開示のパターン形成方法において、第２のレジストパターンを形成する工程では、屈曲部の平面形状は、階段状からスロープ状に変化してもよい。
【００２４】
本開示のパターン形成方法において、屈曲部は、第１の直線部と第２の直線部との接続部に形成された平面凹状部であり、第２のレジストパターンを形成する工程において、凹状部は平坦化されてもよい。
【００２５】
本開示のパターン形成方法において、第２のレジストパターンを形成する工程において、１５０℃以上且つ２００℃以下の温度で加熱処理を行ってもよい。
【００２６】
このようにすると、第１のレジストパターンに生じた屈曲部が、確実に平坦化するように変形する。
【００２７】
本開示のパターン形成方法において、第２のレジストパターンの幅寸法は、第１のレジストパターンの幅寸法よりも０．０５μｍ以上小さくてもよい。
【００２８】
このようにすると、一般的な露光機の最大位置誤差である０．１μｍに対して、第１のレジストパターンにおける屈曲部を充分に改善することが可能となる。
【００２９】
本開示のパターン形成方法において、第１のマスクパターンと第２のマスクパターンとは、露光領域接続部におけるパターン幅が、露光領域接続部の外側における直線部のパターン幅よりも小さくてもよい。
【００３０】
このようにすると、第１のレジストパターンに生じた屈曲部における屈曲度合をより低減することができる。
【００３１】
この場合に、露光領域接続部における露光領域接続部のパターン幅と直線部のパターン幅との差によって生じる段差部に、平面三角形状の補助パターンを設けてもよい。
【００３２】
このようにすると、フォトマスクの製造ばらつきを抑えることが可能となる。
【００３３】
本開示のパターン形成方法において、第２のレジストパターンを形成する工程では、第２のレジストパターンの幅寸法は、０．２μｍ以下であってもよい。
【００３４】
このようにすると、一般的な露光機の最大位置誤差は、０．１μｍであるので、第２のレジストパターンを所望の寸法及び形状に近づけることができる。
【００３５】
本開示のパターン形成方法において、レジスト膜は、ポジ型のレジスト膜であり、第１のマスクパターン及び第２のマスクパターンは、露光光を透過する透過部であり、第１のレジストパターン及び第２のレジストパターンは、開口部であってもよい。
【００３６】
このようにすると、第２のレジストパターンから、屈曲部における屈曲度合が低減された配線等を形成することができる。
【００３７】
本開示のパターン形成方法において、レジスト膜は、ネガ型のレジスト膜であり、第１のマスクパターン及び第２のマスクパターンは、露光光を遮光する遮光部であり、第１のレジストパターン及び第２のレジストパターンは、開口部であってもよい。
【００３８】
このようにすると、第２のレジストパターンから、屈曲部における屈曲度合が低減された配線等を形成することができる。
【００３９】
本開示のパターン形成方法において、第１のマスクパターン及び第２のマスクパターンは、第２のレジストパターンの幅寸法よりも０．０５μｍ以上大きく形成してもよい。
【００４０】
このようにすると、一般的な露光機の最大位置誤差である０．１μｍに対して、第１のレジストパターンにおける屈曲部を充分に改善することが可能となる。
【００４１】
本開示のパターン形成方法において、露光領域接続部の外側に形成される第３のマスクパターンは、第２のレジストパターンを形成する工程において形成される第３のマスクパターンに対応する第３のレジストパターンの幅寸法よりも０．０５μｍ以上大きく形成してもよい。
【００４２】
このようにすると、露光領域接続部に関与しないレジストパターンの寸法変動を抑えることができる。
【発明の効果】
【００４３】
本開示に係るパターン形成方法によると、スティッチング露光において、複数のフォトマスクに起因する露光領域接続部において、所望のレジストパターンの寸法変動と屈曲度合とを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】図１は第１の実施形態に係るパターン形成方法を用いた所望のレジストパターンの一例を示す模式的な平面図である。
【図２】図２は第１の実施形態に係るパターン形成方法に用いる理想的なパターンレイアウトの一例を示す平面図である。
【図３】図３は第１の実施形態に係るパターン形成方法に用いる現実的なパターンレイアウトの一例を示す平面図である。
【図４】図４は第１の実施形態に係るパターン形成方法に用いるマスクパターンを示す平面図である。
【図５】図５は第１の実施形態に係るパターン形成方法における露光及び現像後の第１のレジストパターンを示す平面図である。
【図６】図６は第１の実施形態に係るパターン形成方法において、レジストのガラス転移点以上の高い温度で加熱処理した後の第２のレジストパターンを示す平面図である。
【図７】図７は第１の実施形態の一変形例に係るパターン形成方法に用いる現実的なパターンレイアウトの一例を示す平面図である。
【図８】図８は第１の実施形態の一変形例に係るパターン形成方法に用いるマスクパターンを示す平面図である。
【図９】図９は第１の実施形態の一変形例に係るパターン形成方法における露光及び現像後の第１のレジストパターンを示す平面図である。
【図１０】図１０は第１の実施形態の一変形例に係るパターン形成方法において、レジストのガラス転移点以上の高い温度で加熱処理した後の第２のレジストパターンを示す平面図である。
【図１１】図１１は第２の実施形態に係るパターン形成方法に用いるマスクパターンを示す平面図である。
【図１２】図１２は第２の実施形態の一変形例に係るパターン形成方法に用いるマスクパターンを示す平面図である。
【図１３】図１３は従来の露光法を説明する模式的な平面図である。
【図１４】図１４（ａ）及び図１４（ｂ）は従来のスティッチング露光に用いるマスクパターンを示す模式的な平面図である。
【図１５】図１５（ａ）及び図１５（ｂ）は従来のスティッチング露光における理想的な露光領域接続部を示す模式的な平面図である。
【図１６】図１６（ａ）及び図１６（ｂ）は従来のスティッチング露光における理想的な露光及び現像後のレジストパターンを示す平面図である。
【図１７】図１７は従来のスティッチング露光における現実的な露光領域接続部を示す模式的な平面図である。
【図１８】図１８（ａ）及び図１８（ｂ）は従来のスティッチング露光における現実的な露光及び現像後のレジストパターンを示す平面図である。
【図１９】図１９は現像後のレジストパターンにおける露光領域接続部の屈曲度合を説明する模式的な平面図である。
【図２０】図２０は従来（特許文献３）の技術に係るレジストパターンを示す平面図である。
【図２１】図２１は従来（特許文献３）の技術に本開示に係る技術を適用した場合のレジストパターンを示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４５】
本願発明者は、スティッチング露光における露光領域接続部におけるレジストパターンの屈曲部において、レジストパターンに所望の寸法及び形状を得るために、まず、基板上に形成されるレジストパターンを所望のレジストパターン寸法よりも大きくなるように形成しておき、その後、加熱することにより、レジストパターンの表面張力を利用して、レジストパターンをスムージングし、レジストパターンの屈曲部における屈曲度合を小さくすることに想到した。
【００４６】
以下、これを実現するためのマスクパターン及びパターン形成方法について説明する。
【００４７】
なお、リソグラフィ技術を用いて形成されたレジストパターンの側壁における凹凸（Ｌｉｎｅ Ｅｄｇｅ Ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ：以下、ＬＥＲと呼ぶ。）を現像後の後処理で小さくする方法が提案されている（例えば、特許文献３を参照。）。しかしながら、特許文献３に記載された技術は、以下の点で、本開示とは異なる。
【００４８】
図２０に示すように、特許文献３に記載された方法は、１つの直線状のマスクパターンを用いて、直線状のレジストパターン３５０を形成する。このとき、レジストパターン３５０の両側部にはＬＥＲが生じる。ＬＥＲが生じたレジストパターン３５０に対して加熱処理を行うことによりＬＥＲを改善して、所望の現像線３５０ａにレジストパターン３５０の形状を近づける。
【００４９】
ところで、特許文献３に記載された方法を、スティッチング露光で形成されたレジストパターン３５１における露光領域接続部に適用すると、図２１に示すように、レジストパターン３５１の側部のＬＥＲは改善される。しかしながら、レジストパターンの側部は、所望の現像線３５１ａに近づけることはできるものの、レジストパターンの屈曲部における屈曲度合θの値を小さくすることはできない。
【００５０】
従って、特許文献３に記載された方法は、基板上に形成されたレジストパターンの屈曲部の屈曲度合θ自体の値を小さくすることができない点で、本開示とは本質的に異なる技術である。
【００５１】
（第１の実施形態）
以下、第１の実施形態について図１を参照しながら説明する。
【００５２】
図１はスティッチング露光を行った場合の、露光領域接続部１０４を含む領域における所望のレジストパターンを模式的に表している。
【００５３】
本実施形態に係るパターン形成方法を用いて作製されたレジストパターン１００は、露光領域接続部１０４に形成された屈曲部１００ａを挟んで、長手方向の両側にそれぞれ直線部１００ｂ、１００ｃを有している。屈曲部１００ａは、直線部１００ｂ、１００ｃのいずれかの接線１００ｄと屈曲部の接線１００ｅとがなす角度（屈曲度合）θが３０°以下となるように形成されている。
【００５４】
ここで、露光領域接続部１０４は、設計時のパターンレイアウトにおいて露光時に重ね合わせて露光することが指定される領域と定義する。このため、露光装置における位置合わせ精度に起因して位置ずれが起こった場合に、レジスト膜上にマスクパターンが重ね合わせて露光されることがなくても、すなわち、重ね合わせられた露光領域が無い状態であっても、露光領域接続部１０４は存在することとする。
【００５５】
また、一般に、リソグラフィプロセスに用いられる縮小投影露光は、フォトマスク上に形成されたマスクパターンを、５分の１又は４分の１にパターンサイズを縮小してレジスト膜に転写するため、マスク上のパターン寸法は対応するレジストパターン寸法に対して５倍又は４倍の寸法となる。しかし、ここでは説明を分かり易くするため、フォトマスク上のマスクパターンの寸法と、それと対応するレジストパターン寸法とを、便宜的に同一の倍率として説明する。例えば、フォトマスク上で１μｍのマスクパターンは、５分の１の縮小投影露光法でレジスト膜に転写して、幅が０．２μｍのレジストパターンを形成する場合には、明細書中では、幅が０．２μｍのマスクパターンを用いて、幅が０．２μｍのレジストパターンを形成すると表現する。
【００５６】
図１に示すパターン形状を得るためのパターン形成方法について、図２から図６を参照しながら詳細に説明する。
【００５７】
図２はスティッチング露光を行う際の露光領域接続部１０４を含むパターンレイアウトを表している。
【００５８】
図２に示すように、第１のマスクレイアウト領域１２０には、複数のレイアウトパターン１３０、１３１及び１３２が配置されている。第２のマスクレイアウト領域１２１には、露光領域接続部１０４において、第１のマスクレイアウト領域１２０におけるレイアウトパターン１３０と接続されるレイアウトパターン１３３が配置されている。このように、第１のマスクレイアウト領域１２０におけるレイアウトパターン１３０と、第２のマスクレイアウト領域１２１におけるレイアウトパターン１３３とは、理想的には、露光領域接続部１０４において、互いに直線状に接続される。
【００５９】
しかしながら、実際には、図３に示すように、第１のマスクレイアウト領域１２０と第２のマスクレイアウト領域１２１とを１つのレジスト膜に転写する際には、露光装置における位置合わせ精度によって、幅Ｗ２の位置ずれを含んだ状態で転写されることがある。
【００６０】
そこで、図４に示すように、本実施形態に係るスティッチング露光に用いるフォトマスクは、図３に示すレイアウトパターン１３０〜１３３における開口幅を所定量だけ拡大して、第１のフォトマスク１２０Ａにおいては、それぞれマスクパターン１３０Ａ、１３１Ａ及び１３２Ａとする。同様に、第２のフォトマスク１２１Ａにおいては、マスクパターン１３３Ａとする。
【００６１】
具体的には、第１のフォトマスク１２０Ａに形成されたマスクパターン１３０Ａの開口幅（遮光膜に囲まれた透過部の幅）Ｗ３は、０．３０μｍである。すなわち、第１のマスクレイアウト領域１２０に形成されたレイアウトパターン１３０の幅Ｗ１の寸法０．２５μｍよりも一律に０．０５μｍだけ大きく形成されている。なお、各マスクパターン１３０Ａ〜１３３Ａは、各レイアウトパターン１３０〜１３３に対して、幅方向だけでなく、長さ方向にも一律に０．０５μｍだけ大きく形成されている。また、スティッチング露光を行う際の、マスクパターン１３０Ａとマスクパターン１３３Ａとの短辺方向のずれ幅Ｗ２は、例えば、０．０５μｍ程度である。
【００６２】
このような露光領域接続部１０４ａを含む第１のフォトマスク１２０Ａ及び第２のフォトマスク１２１Ａを用いて、基板（図示せず）の上に形成されたレジスト膜（図示せず）に対してスティッチング露光を行う。ここで、基板の上に形成されたレジスト膜とは、レジスト膜が基板の主面上に直接に形成されていてもよく、また、基板の主面上に他の部材を介在させて形成されていてもよい。
【００６３】
図５にスティッチング露光の後に、現像により形成されたレジストパターンを示す。        
【００６４】
レジストパターン１３０Ｂ、１３１Ｂ及び１３２Ｂは、それぞれレジスト膜に形成された開口パターンである。レジストスペース幅（開口幅）Ｗ４は０．２５μｍとなり、所望のレジストスペース幅（開口幅）の０．１９μｍと比べて大きく形成されている。
【００６５】
図５に示すように、第１のフォトマスク１２０Ａのマスクパターン１３０Ａと第２のフォトマスク１２１Ａのマスクパターン１３３Ａとにより形成されたレジストパターン１３０Ｂは、露光領域接続部において、レジスト膜の面内でほぼ階段状の屈曲部１３０ａを有する。このとき、屈曲部１３０ａにおける屈曲度合である、レジストパターン１３０Ｂの直線部における接線１３０ｄと露光領域接続部における接線１３０ｅとのなす最大角度θは、約３５°である。ここで、屈曲度合のうち、最大角度θを用いているのは、露光領域接続部における接線１３０ｅが、屈曲部１３０ａの平面形状によって一意に決定されないためである。
【００６６】
次に、所望の寸法よりも大きく形成された開口部を有するレジストパターン１３０Ｂ、１３１Ｂ及び１３２Ｂに対して、該レジストのガラス転移点以上の高い温度で熱処理を行う。例えば、露光後及び現像後のレジストパターン１３０Ｂ、１３１Ｂ及び１３２Ｂを有するウェハに対して、ホットプレートにより、例えば、約１５０℃以上且つ２００℃以下の温度で熱処理を行う。このとき、ガラス転移点以上の温度で十分に加熱して、レジストに掛かる表面張力を利用することにより、レジストパターン形状を変形させる。
【００６７】
図６に熱処理後のレジストパターン１３０Ｃ、１３１Ｃ及び１３２Ｃの各形状を示す。ここでは、レジストパターン１３０Ｂ、１３１Ｂ及び１３２Ｂが、それぞれ、レジストパターン１３０Ｃ、１３１Ｃ及び１３２Ｃとなる。例えば、レジストパターン１３０Ｃのレジストスペース幅（開口幅）Ｗ５は、熱処理前の０．２５μｍから縮小して、所望の０．１９μｍの寸法となる。また、レジストパターン１３０Ｃにおける屈曲部１３０ａは、平坦化される方向に変形される。このとき、屈曲部１３０ａにおける屈曲度合である、レジストパターン１３０Ｃの直線部における接線１３０ｄと露光領域接続部における接線１３０ｅとのなす最大角度θは、所望の２５°となる。また、レジストパターン１３０Ｃにおける直線部分は、段差部が平坦化される方向、すなわち、段差部が階段状からより滑らかなスロープ状に変形することに伴って、加熱処理前のレジストパターン１３０Ｂと比較して短くなる。なお、本実施形態においては、スロープ状の屈曲部１３０ａとは、その屈曲度合における最大角度θが、３０°以下の場合としてもよい。
【００６８】
他のレジストパターン１３１Ｃ、１３２Ｃにおいても同様に、レジストスペース幅（開口幅）が縮小している。屈曲度合を改善するには、ＬＥＲを改善するような、レジストパターン寸法に対する０．０２μｍ未満の変形では不十分である。すなわち、少なくともレジストパターン寸法を０．０２μｍ以上変形させるような熱処理が必要である。また、０．０５μｍ以上変形させることにより、屈曲度合θを十分に小さくすることができる。
【００６９】
以上のように、ポジ型のレジストパターンを用いて、露光領域接続部においてレジストパターンを接続する場合は、マスクパターンの光の透過幅（開口幅）を予め所望の寸法よりも０．０５μｍ以上拡大する。これにより、熱処理時におけるレジストスペース幅（開口幅）を十分に縮小することができると共に、レジストパターンの屈曲部を所望の形状にすることができる。
【００７０】
（第１の実施形態の一変形例）
第１の実施形態においては、マスクパターンの露光領域接続部１０４において、短辺方向に位置ずれが発生する場合について説明した。
【００７１】
以下には、露光領域接続部１０４において、互いに接続されるマスクパターンが長辺方向に離れる方向に位置ずれが発生する場合について説明する。
【００７２】
図７は、露光装置の位置合わせ精度により、露光領域接続部において接続されるマスクパターンが互いに分離した分離部を含んだ状態で転写される場合のパターンレイアウトを示している。
【００７３】
図７に示すように、第１のマスクレイアウト領域１２０には、レイアウトパターン１３０、１３１及び１３２が配置されている。また、第２のマスクレイアウト領域１２１には、露光装置に位置合わせずれが生じなければ、第１のマスクレイアウト領域１２０のレイアウトパターン１３０と直線状に接続されるレイアウトパターン１３３が配置されている。
【００７４】
しかしながら、実際には、図７に示す通り、レジスト膜に転写される際に、露光装置の位置合わせ精度により、レイアウトパターン１３０とレイアウトパターン１３３とは、分離部１０５を間に挟んだ状態で転写される。
【００７５】
そこで、図８に示すように、本変形例に係るスティッチング露光に用いるフォトマスクは、図７に示すレイアウトパターン１３０〜１３３における開口幅を所定量だけ拡大して、第１のフォトマスク１２０Ａにおいては、それぞれマスクパターン１３０Ａ、１３１Ａ及び１３２Ａとする。同様に、第２のフォトマスク１２１Ａにおいては、マスクパターン１３３Ａとする。なお、ここでも、各マスクパターン１３０Ａ〜１３３Ａは、各レイアウトパターン１３０〜１３３に対して、幅方向だけでなく、長さ方向にも大きく形成されている。これにより、マスクパターン１３０Ａとマスクパターン１３３Ａとには、分離部１０５において接続された接続領域１０５ａが形成される。
【００７６】
図９に、上記のように形成された第１のフォトマスク１２０Ａ及び第２のフォトマスク１２１Ａを用いて、基板上に形成されたレジスト膜に対してスティッチング露光を行い、露光及び現像して形成されたレジストパターンを示す。
【００７７】
図９において、レジストパターン１３０Ｂ、１３１Ｂ及び１３２Ｂは、それぞれ、レジスト膜に形成された開口パターンである。レジストスペース幅（開口幅）Ｗ４は、０．２５μｍとなり、所望のレジストスペース幅（開口幅）０．１９μｍと比べて大きく形成されている。
【００７８】
このとき、マスクパターン１３０Ａとマスクパターン１３３Ａとの接続部においては、レジストスペース幅（開口幅）Ｗ４が直線部と同一の寸法とはならず、レジストパターン開口部の内側にパターンが入り込んだ形状、すなわち凹状となる。ここでは、例えば、直線部におけるレジストパターンの側面に対して、０．０１μｍの大きさの凹みを持つ凹状の接続部段差１０５ｂが形成される。ここで、本開示においては、図９に示す直線状のスペースパターンの接続部段差１０５ｂにおいても、側面が凹状に屈曲する屈曲部とみなす。すなわち、本開示においては、レジストパターンにおける露光領域接続部に生じる屈曲部は、例えば、パターン幅がほぼ平行のままその一部が階段状に屈曲する形状と、直線状のパターンの側面が凹状に屈曲する形状とを含む。
【００７９】
次に、所望の寸法よりも大きく形成された開口部を有するレジストパターン１３０Ｂ、１３１Ｂ及び１３２Ｂに対して、該レジストのガラス転移点以上の高い温度で熱処理を行う。例えば、露光後及び現像後のレジストパターン１３０Ｂ、１３１Ｂ及び１３２Ｂを有するウェハに対して、ホットプレートにより、例えば、約１５０℃以上且つ２００℃以下の温度で熱処理を行う。このとき、ガラス転移点以上の温度で十分に加熱して、レジストに掛かる表面張力を利用することにより、レジストパターン形状を変形させる。
【００８０】
図１０に熱処理後のレジストパターン１３０Ｃ、１３１Ｃ及び１３２Ｃの各形状を示す。ここでは、レジストパターン１３０Ｂ、１３１Ｂ及び１３２Ｂが、それぞれ、レジストパターン１３０Ｃ、１３１Ｃ及び１３２Ｃとなる。例えば、レジストパターン１３０Ｃのレジストスペース幅（開口幅）Ｗ５は、熱処理前の０．２５μｍから縮小して、所望の０．１９μｍの寸法となる。このとき、レジストパターン１３０Ｂにおける接続部段差１０５ｂは消失して、直線状のレジストパターン１３０Ｃが形成される。他のレジストパターン１３１Ｃ、１３２Ｃについても、同様にレジストスペース幅（開口幅）が縮小している。接続部段差１０５ｂを改善するには、ＬＥＲの改善のようなレジストパターン寸法の０．０２μｍ未満の変形では不十分であり、少なくともレジストパターン寸法を０．０２μｍ以上変形させる熱処理が必要である。また、レジストパターン寸法を０．０５μｍ以上変形させる熱処理を行なうことにより、露光領域接続部における接続部段差１０５ｂを十分に平坦化することが可能となる。
【００８１】
以上のように、ポジ型のレジストパターンを用いて、スティッチング露光を行って、分離したレジストパターンを接続する場合は、マスクパターンの光の透過幅（開口幅）を予め所望の寸法よりも０．０５μｍ以上拡大する。これにより、熱処理時におけるレジストスペース幅（開口幅）を十分に縮小することができると共に、所望の形状を持つレジストパターンを得ることができる。
【００８２】
一般的な露光装置における最大の位置誤差は０．１μｍ程度である。従って、特に加熱により縮小した後のパターン寸法が０．２μｍ以下のレジストパターンを形成する場合において、本実施形態及びその変形例に係るパターン形成方法を用いることにより、レジストパターンを所望の寸法及び形状に近づけることができる。このため、レジストパターンをエッチングマスクとして用いて形成される配線の信頼性が向上することとなる。
【００８３】
なお、本実施形態及びその変形例においては、すべてのレイアウトパターンに対して、該レイアウトパターンよりも大きくなるように拡大処理を施してマスクパターンとしたが、全てのレイアウトパターンに対して拡大処理を施す必要はない。例えば、露光領域接続部を除く領域のレイアウトパターンにおいて、高い寸法精度が求められないレイアウトパターンであれば、拡大処理は行わなくてもよい。
【００８４】
また、一般的なレジストパターンの形成に用いられるレジストの塗布後、露光後及び現像後に実施される、レジストのガラス転移点よりも低い温度の熱処理は、随時実施してもよい。
【００８５】
（第２の実施形態）
以下、第２の実施形態について図１１を参照しながら説明する。
【００８６】
本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、露光装置における位置合わせ精度によって、マスクパターンにおける露光領域接続部１０４ａが当初のレイアウトパターン通りに接続されない場合について説明する。
【００８７】
図１１に示すように、スティッチング露光に用いるフォトマスクにおいては、図３に示したレイアウトパターン１３０、１３１、１３２及び１３３をそれぞれ所定量だけ拡大して、第１のフォトマスク１２０Ａ上のマスクパターン１３０Ｄ、１３１Ａ及び１３２Ａと、第２のフォトマスク１２１Ａ上のマスクパターン１３３Ｄとする。ここで、第１の実施形態と異なるのは、露光後に接続されたレジストパターンを形成するための、マスクパターン１３０Ｄとマスクパターン１３３Ｄとにおいて、露光領域接続部１０４ａにおけるマスクパターンの拡大幅が、それ以外の直線部分のマスクパターンの拡大幅と比べて小さいことである。
【００８８】
具体的には、第１のフォトマスク１２０Ａに形成されたマスクパターン１３０Ｄの開口幅（遮光膜に囲まれた透過部の幅）Ｗ３と、マスクパターン１３３Ｄにおける直線部分（露光領域接続部１０４ａ以外）の開口幅（遮光膜に囲まれた透過部の幅）Ｗ３とは、共に０．３０μｍである。これに対し、露光領域接続部１０４ａにおける開口幅Ｗ３１は、０．２８μｍである。このとき、露光領域接続部１０４ａの幅は、例えば、０．１１５μｍである。
【００８９】
ここで、スティッチング露光を行う際の、マスクパターン１３０Ｄとマスクパターン１３３Ｄとの短辺方向のずれ量は、例えば、０．０５μｍ程度である。
【００９０】
以上のように、開口幅がＷ３からＷ３１に縮小された露光領域接続部１０４ａを含む第１のフォトマスク１２０Ａ及び第２のフォトマスク１２１Ａを用いて、基板上に形成されたレジスト膜に対してスティッチング露光を行う。
【００９１】
スティッチング露光されたレジスト膜における露光領域接続部１０４ａには、マスクパターン１３０Ｄを透過する露光光と、マスクパターン１３３Ｄを透過する露光光とによって２回分露光されて、マスクパターン１３０Ｄとマスクパターン１３３Ｄとが重なった領域にレジストパターン（開口部）が形成される。このとき、第１の実施形態と比較して、露光及び現像して形成されるレジストパターンは、露光領域接続部１０４ａにおいてレジストパターンの開口幅が小さくなる。これにより、レジストパターンの屈曲部における屈曲度合が緩和される。
【００９２】
その後、第１の実施形態と同様に、露光及び現像されたレジストパターンに対して、ガラス転移点以上の高い温度で熱処理を行う。例えば、露光及び現像後のレジストパターンを有するウェハを、ホットプレートにより、例えば、約１５０℃以上且つ２００℃以下の温度で熱処理を行う。このとき、ガラス転移点以上の温度で十分に加熱して、レジストに掛かる表面張力を利用することにより、レジストパターン形状を変形させる。
【００９３】
以上の工程により、いずれのレジストパターンにおいても、レジストスペース幅（開口幅）が縮小すると共に、レジストパターンの屈曲部においては、その屈曲度合を小さくすることができるので、所望の寸法及び形状を有するレジストパターンを得ることが可能となる。
【００９４】
（第２の実施形態の一変形例）
以下、第２の実施形態の一変形例に係るパターン形成方法に用いるマスクパターンについて、図１２を参照しながら説明する。
【００９５】
図１２に示すパターンレイアウトにおいて、第２の実施形態と異なるのは、スティッチング露光で接続される露光接続部１０４ａに含まれるマスクパターン１３０Ｄ、１３３Ｄにおいて、設計値のレイアウトパターンから拡大されたマスクパターンを生成する際に、露光領域接続部１０４ａに形成される段差部において、その段差が緩和されるように、平面三角形状のマスク透過部１３０ｆ、１３３ｆを補助パターンとして付加している点である。
【００９６】
すなわち、第１のフォトマスク１２０Ａでは、マスクパターン１３０Ｄの露光領域接続部１０４ａにおいて、該露光領域接続部１０４ａの外側領域における開口幅Ｗ３が露光領域接続部１０４ａに設定された開口幅Ｗ３１に徐々に縮小するように、マスク透過部１３０ｆが設けられている。同様に、第２のフォトマスク１２１Ａにおいても、マスクパターン１３３Ｄの露光領域接続部１０４ａにおいて、該露光領域接続部１０４ａにおける外側領域の開口幅Ｗ３が露光領域接続部１０４ａに設定された開口幅Ｗ３１に徐々に縮小するように、マスク透過部１３３ｆが設けられている。
【００９７】
より具体的には、第１のフォトマスク１２０Ａの露光領域接続部１０４ａにおいて、マスクパターン１３０Ｄの開口幅が、０．３０μｍから０．２８μｍと変化する領域に平面三角形状のマスク透過部１３０ｆを付加する。第２のフォトマスク１２１Ａの露光領域接続部１０４ａにおいても同様に、マスクパターン１３３Ｄの開口幅が、０．３０μｍから０．２８μｍと変化する領域に平面三角形状のマスク透過部１３３ｆを付加する。
【００９８】
ここで、マスク透過部１３０ｆ、１３３ｆにおけるマスクパターン１３０Ｄ、１３３Ｄの長辺方向の各辺の長さは、露光領域接続部１０４ａの幅の２分の１以下としてもよい。このようにすると、スティッチング露光によって接続されたレジストパターン１３０Ｄにおける屈曲部の屈曲度合をより低減することが可能となる。
【００９９】
なお、マスク透過部１３０ｆ、１３３ｆにおけるマスクパターン１３０Ｄ、１３３Ｄの短辺方向の各辺の長さは、各マスクパターン１３０Ｄ、１３３Ｄに形成された段差部の高さよりも小さくなるように設定してもよい。
【０１００】
このように、本変形例に係るマスクパターンを用い、露光及び現像により形成されるレジストパターンは、第２の実施形態と同様に、露光領域接続部１０４ａにおいてレジストパターンの開口幅が小さくなる。その上、レジストパターンの屈曲部における屈曲度合がより緩和される。
【０１０１】
その後、第２の実施形態と同様に、露光及び現像されたレジストパターンに対して、ガラス転移点以上の高い温度で熱処理を行う。例えば、露光及び現像後のレジストパターンを有するウェハを、ホットプレートにより、例えば、約１５０℃以上且つ２００℃以下の温度で熱処理を行う。このとき、ガラス転移点以上の温度で十分に加熱して、レジストに掛かる表面張力を利用することにより、レジストパターン形状を変形させる。
【０１０２】
以上の工程により、いずれのレジストパターンにおいても、レジストスペース幅（開口幅）が縮小すると共に、レジストパターンの屈曲部においては、その屈曲度合を小さくすることができるので、所望の寸法及び形状を有するレジストパターンを得ることが可能となる。
【０１０３】
なお、第２の実施形態及びその変形例においては、マスクパターンが短辺方向に位置ずれした場合について説明したが、長辺方向に位置ずれした場合も、第１の実施形態の一変形例で説明したように、レジストパターンに接続領域を形成すれば、ガラス転移点以上の温度で加熱処理を行うことにより、レジストパターンの表面張力を利用してレジストパターンの段差部を平坦化することができる。
【０１０４】
以上の各実施形態及びその変形例においては、レジスト膜に、ポジ型のレジストを用いた場合を説明したが、ネガ型のレジストを用いてもよい。この場合には、ポジ型をネガ型と読み替え、透過部を遮光部と読み替えて実施すればよい。
【０１０５】
また、フォトマスクにおける光の透過部以外の領域が遮光部であり、光の透過率は１０％以下であるとする。また、第１の実施形態及び第２の実施形態において、露光装置には、ＮＡ＝０．５５、σ＝０．８０のＫｒＦ（フッ化クリプトン）エキシマステッパを用いている。ここで、ＮＡは開口数を表し、σは投影レンズのＮＡに対する光源のＮＡの比の値を表す。
【０１０６】
但し、本開示は、波長＝２４８ｎｍのＫｒＦ光源による露光に限られない。例えば、波長＝３６５ｎｍのｉ線、波長＝４３６ｎｍのｇ線、若しくは波長＝１９３ｎｍのＡｒＦ（フッ化アルゴン）等の光源、又はそれ以下の波長を持つ光源を用いたレジストパターンの形成においても、同様の効果を得ることができる。
【０１０７】
また、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で、上記の複数の実施形態及びその変形例を適宜組み合わせてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１０８】
本発明に係るパターン形成方法は、半導体装置の製造において、配線の信頼性を始めとする素子特性の改善等に有用である。
【符号の説明】
【０１０９】
１００    レジストパターン
１００ａ  屈曲部
１００ｂ、１００ｃ  直線部
１００ｄ、１００ｅ  接線
１０４、１０４ａ    露光領域接続部
１０５    分離部
１０５ａ  接続領域
１０５ｂ  接続部段差
１２０、１２０Ａ    第１のマスクレイアウト領域
１２１、１２１Ａ    第２のマスクレイアウト領域
１３０    レイアウトパターン
１３１    レイアウトパターン
１３２    レイアウトパターン
１３３    レイアウトパターン
１３０Ａ、１３０Ｄ  マスクパターン
１３１Ａ  マスクパターン
１３２Ａ  マスクパターン
１３３Ａ、１３３Ｄ  マスクパターン
１３０Ｂ  レジストパターン
１３１Ｂ  レジストパターン
１３２Ｂ  レジストパターン
１３０Ｃ  レジストパターン（熱処理後）
１３１Ｃ  レジストパターン（熱処理後）
１３２Ｃ  レジストパターン（熱処理後）
１３０ａ  屈曲部
１３０ｄ  接線
１３０ｅ  接線
１３０ｆ、１３３ｆ  マスク透過部（補助パターン）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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