(57)【要約】      （修正有）【課題】誘電率及び誘電正接が低く、かつ高周波における伝送損失の低い回路基板の製造に有用なプリプレグを提供する。【解決手段】基板本体４０の少なくとも一方の面の少なくとも一部に導体パターン層５０ａ〜５０ｄが形成された基板２の、前記導体パターン層５０ａ〜５０ｄが形成されている面上に配置されるプリプレグであって、強化繊維層３０と、この強化繊維層３０の両面にそれぞれ形成される第１樹脂層１０及び第２樹脂層２０とを備え、前記第１樹脂層１０及び第２樹脂層２０の最小厚みが、それぞれ３０μｍ以上であり、前記導体パターン層５０ａ〜５０ｄ側に位置することを特徴とするプリプレグを提供する。【選択図】図２
2014162172.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板本体の少なくとも一方の面の少なくとも一部に導体パターン層が形成された基板の、前記導体パターン層が形成されている面上に配置されるプリプレグであって、
強化繊維層と、この強化繊維層の両面にそれぞれ形成される第１樹脂層及び第２樹脂層とを備え、
前記第１樹脂層及び第２樹脂層の最小厚みが、それぞれ３０μｍ以上であり、
前記導体パターン層側に位置することとなる前記第１樹脂層の最小厚みをｔｒ１とし、前記導体パターン層の厚みをｔｃとし、前記基板本体の前記導体パターン層が形成されている面の面積に対する、前記導体パターン層が形成されている部分の合計面積の割合である導体パターン形成割合をα［％］とした場合に、前記第１樹脂層の最小厚みｔｒ１が、ｔｒ１＞｛ｔｃ×（１００−α）｝を満たすことを特徴とするプリプレグ。
【請求項２】
前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層のうち、少なくとも一方の最小厚みが７０μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載のプリプレグ。
【請求項３】
周波数１ＧＨｚにおける誘電率が３．５以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載のプリプレグ。
【請求項４】
周波数１ＧＨｚにおける誘電正接が０．００１５以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のプリプレグ。
【請求項５】
前記基板本体の一方の面に形成される前記導体パターン層が、一対の伝送線路パターンを含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のプリプレグ。
【請求項６】
基板本体の少なくとも一方の面の少なくとも一部に導体パターン層が形成された基板と、請求項１〜５のいずれかに記載のプリプレグとを備え、
前記プリプレグは、前記導体パターン層が形成された面上に配置され、
前記基板本体の一方の面に形成される前記導体パターン層が、一対の伝送線路パターンを含むことを特徴とする回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリプレグ及び回路基板に係り、さらに詳しくは、誘電率及び誘電正接が低く、かつ、高周波領域における伝送損失の低い回路基板の製造に有用なプリプレグ、及びこのプリプレグを用いて得られる回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の小型化や通信の高速度化に伴い、電子回路基板にも小型化、多機能化が求められている。回路基板は、通常、エッチングなどによりパターン化された導体パターンを備える基板上に、絶縁層となる樹脂層を積層し、これを加熱圧着することにより製造される。かかる回路基板を高周波領域で用いる場合、高周波における伝送損失を低減する観点から、絶縁層に用いられる樹脂は、誘電率及び誘電正接が小さいことが求められる。
【０００３】
絶縁層を形成するのに用いられる、誘電正接の小さい樹脂としては、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンオキサイド、ポリブタジエン、及びシクロオレフィンポリマーなどの低極性の樹脂が知られている。
【０００４】
たとえば、特許文献１では、このような樹脂層を構成するための材料として、強化繊維の両面に、エポキシ樹脂からなる層を形成してなるプリプレグが提案されている。この特許文献１では、折り曲げ性を向上させることを目的として、プリプレグ中の強化繊維の最大厚みを３０μｍ以下とし、かつ強化繊維の含有率を１７重量％以下に設定している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−３１８０７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１に開示された技術は、折り曲げ性を向上させるために、プリプレグ中の強化繊維の最大厚みや含有率を制御するものであり、プリプレグを、導体パターン層が形成された基板に実際に積層した際に、強化繊維と、導体パターン層とが接触あるいは近接することにより不具合、具体的には、これらが接触あるいは近接することにより、誘電率や誘電正接が上昇してしまうという不具合について考慮するものではなかった。そのため、上記特許文献１に開示された技術では、導体パターン層の厚み条件によっては、強化繊維と、導体パターン層とが接触あるいは近接して配置されてしまい、誘電率や誘電正接が高くなってしまい、結果として、高周波における伝送損失が高くなってしまうという課題があった。
【０００７】
本発明は、誘電率及び誘電正接が低く、かつ、高周波における伝送損失の低い回路基板の製造に有用なプリプレグ、及びこのプリプレグを用いて得られる回路基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者等は、上記目的を達成するために鋭意研究した結果、基板本体の少なくとも一方の面の少なくとも一部に導体層が形成された基板の、前記導体パターン層が形成された面上に配置されるプリプレグにおいて、該プリプレグを、強化繊維層と、この強化繊維層の両面にそれぞれ、最小厚みが３０μｍ以上の第１樹脂層及び第２樹脂層とで構成し、かつ、導体パターン層側に位置することとなる第１樹脂層の最小厚みと、基板に形成された導体パターン層の厚みと、基板における導体パターン層形成部分の割合とを特定の関係とすることで、上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００９】
すなわち、本発明によれば、
〔１〕基板本体の少なくとも一方の面の少なくとも一部に導体パターン層が形成された基板の、前記導体パターン層が形成されている面上に配置されるプリプレグであって、強化繊維層と、この強化繊維層の両面にそれぞれ形成される第１樹脂層及び第２樹脂層とを備え、前記第１樹脂層及び第２樹脂層の最小厚みが、それぞれ３０μｍ以上であり、前記導体パターン層側に位置することとなる前記第１樹脂層の最小厚みをｔｒ１とし、前記導体パターン層の厚みをｔｃとし、前記基板本体の前記導体パターン層が形成されている面の面積に対する、前記導体パターン層が形成されている部分の合計面積の割合である導体パターン形成割合をα［％］とした場合に、前記第１樹脂層の最小厚みｔｒ１が、ｔｒ１＞｛ｔｃ×（１００−α）｝を満たすことを特徴とするプリプレグ、
〔２〕前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層のうち、少なくとも一方の最小厚みが７０μｍ以上であることを特徴とする前記〔１〕に記載のプリプレグ、
〔３〕周波数１ＧＨｚにおける誘電率が３．５以下であることを特徴とする前記〔１〕又は〔２〕に記載のプリプレグ、
〔４〕周波数１ＧＨｚにおける誘電正接が０．００１５以下であることを特徴とする前記〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載のプリプレグ、
〔５〕前記基板本体の一方の面に形成される前記導体パターン層が、一対の伝送線路パターンを含むことを特徴とする前記〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載のプリプレグ、ならびに、
〔６〕基板本体の少なくとも一方の面の少なくとも一部に導体パターン層が形成された基板と、前記〔１〕〜〔５〕のいずれかに記載のプリプレグとを備え、前記プリプレグは、前記導体パターン層が形成された面上に配置され、前記基板本体の一方の面に形成される前記導体パターン層が、一対の伝送線路パターンを含むことを特徴とする回路基板、
が提供される。
なお、「導体パターン層が形成されている面」とは、導体パターン層が形成されている部分および形成されていない部分をともに含む、基板における導体パターン層側の面のことである。「導体パターン層が形成されている部分」とは、導体パターン層が形成されている部分のみの面のことである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、誘電率及び誘電正接が低く、かつ、高周波における伝送損失の低い回路基板の製造に有用なプリプレグ、及びこのプリプレグを用いて得られる回路基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本発明に係るプリプレグの一例を示す断面図である。
【図２】図２は、図２（Ａ）は、本発明で用いる基板の一例を示す断面図、図２（Ｂ）は、本発明に係る回路基板の一例を示す断面図、図２（Ｃ）は、本発明で用いる基板の一例を示す上面図である。
【図３】図３は、本発明のプリプレグの製造方法の一例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明のプリプレグは、基板本体の少なくとも一方の面の少なくとも一部に導体パターン層が形成された基板の、前記導体パターン層が形成されている面上に配置されるプリプレグであって、強化繊維層と、この強化繊維層の両面にそれぞれ形成される第１樹脂層及び第２樹脂層とを備え、前記第１樹脂層及び第２樹脂層の最小厚みが、それぞれ３０μｍ以上であり、前記導体パターン層側に位置することとなる前記第１樹脂層の最小厚みを、前記導体パターン層の厚みと、基板における導体パターン層形成部分の割合との関係において、特定の範囲とするものである。
以下においては、本発明のプリプレグを、図１に基づいて説明する。図１は、本発明の一例に係るプリプレグ１を示す断面図である。
【００１３】
（プリプレグ１）
図１は、本発明の一例に係るプリプレグ１を示す断面図である。なお、以下においては、本発明のプリプレグを、本発明のプリプレグの一例としての図１に示すプリプレグ１を例示して説明する。ただし、本発明のプリプレグは、図１に示す構成に特に限定されるものではない。
【００１４】
図１に示すように、本発明のプリプレグ１は、強化繊維層３０と、強化繊維層３０の上面及び下面に形成された第１樹脂層１０及び第２樹脂層２０とを備える。
【００１５】
（第１樹脂層１０）
第１樹脂層１０は、第１樹脂組成物を用いて形成される樹脂層であり、このような第１樹脂組成物としては、特に限定されないが、たとえば、シクロオレフィンモノマー及び重合触媒を少なくとも含有する重合性の樹脂組成物を用いることができる。
【００１６】
本発明で用いるシクロオレフィンモノマーとは、炭素原子で形成される脂環構造を有し、かつ該脂環構造中に重合性の炭素−炭素二重結合を有する化合物である。本明細書において「重合性の炭素−炭素二重結合」とは、連鎖重合（メタセシス開環重合、付加重合等）に関与する炭素−炭素二重結合をいう。
【００１７】
シクロオレフィンモノマーの脂環構造としては、単環、多環、縮合多環、橋かけ環及びこれらの組み合わせ多環などが挙げられる。本発明で用いるシクロオレフィンモノマーとしては、得られる回路基板の機械的強度を向上させる観点から、多環のシクロオレフィンモノマーが好ましい。各環構造を構成する炭素原子数に特に限定はないが、通常、４〜３０個、好ましくは５〜２０個、より好ましくは５〜１５個である。シクロオレフィンモノマーは、アルキル基、アルケニル基、アルキリデン基、及びアリール基などの炭素数１〜３０の炭化水素基や、カルボキシル基や酸無水物基などの極性基を置換基として有していてもよい。
【００１８】
本発明において、シクロオレフィンモノマーとしては、回路基板とした場合における械的強度を向上させる観点から、架橋性炭素−炭素不飽和結合を少なくとも１つ有するものが好適に用いられる。本明細書において「架橋性炭素−炭素不飽和結合」とは、メタセシス開環重合にはほとんど関与せず、主として架橋反応に関与する炭素−炭素不飽和結合をいう。「架橋反応」とは橋架け構造を形成する反応をいう。また、「架橋反応」とは、通常、ラジカル架橋反応又はメタセシス架橋反応、特にラジカル架橋反応をいう。
【００１９】
架橋性炭素−炭素不飽和結合としては、芳香族炭素−炭素不飽和結合を除く炭素−炭素不飽和結合、すなわち、脂肪族炭素−炭素二重結合又は三重結合が挙げられ、本発明においては、通常、脂肪族炭素−炭素二重結合をいう。架橋性炭素−炭素不飽和結合を有するシクロオレフィンモノマー中、該不飽和結合の位置は特に限定されるものではなく、炭素原子で形成される脂環構造内の他、該脂環構造以外の任意の位置、例えば、側鎖の末端や内部に存在していてもよい。例えば、前記脂肪族炭素−炭素二重結合は、ビニル基（ＣＨ２＝ＣＨ−）、ビニリデン基（ＣＨ２＝Ｃ＜）、又はビニレン基（−ＣＨ＝ＣＨ−）として存在し得、良好にラジカル架橋性を発揮することから、ビニル基及び／又はビニリデン基として存在するのが好ましく、ビニリデン基として存在するのがより好ましい。
【００２０】
架橋性炭素−炭素不飽和結合を少なくとも１つ有するシクロオレフィンモノマーとしては、特に、架橋性炭素−炭素不飽和結合を少なくとも１つ有するノルボルネン系モノマーが好ましい。「ノルボルネン系モノマー」とは、ノルボルネン環構造を分子内に有するシクロオレフィンモノマーをいう。例えば、ノルボルネン類、ジシクロペンタジエン類、及びテトラシクロドデセン類などが挙げられる。
【００２１】
架橋性炭素−炭素不飽和結合を少なくとも１つ有するシクロオレフィンモノマーとしては、例えば、３−ビニルシクロヘキセン、４−ビニルシクロヘキセン、１，３−シクロペンタジエン、１，３−シクロへキサジエン、１，４−シクロへキサジエン、５−エチル−１，３−シクロへキサジエン、１，３−シクロへプタジエン、１，３−シクロオクタジエンなどの単環シクロオレフィンモノマー；５−エチリデン−２−ノルボルネン、５−メチリデン−２−ノルボルネン、５−イソプロピリデン−２−ノルボルネン、５−ビニルノルボルネン、５−アリルノルボルネン、５，６−ジエチリデン−２−ノルボルネン、ジシクロペンタジエン、２，５−ノルボルナジエンなどのノルボルネン系モノマー；を挙げることができる。これらの中では、架橋性炭素−炭素不飽和結合を少なくとも１つ有するノルボルネン系モノマーが好ましい。
【００２２】
本発明においてシクロオレフィンモノマーとしては、前記架橋性炭素−炭素不飽和結合を少なくとも１つ有するシクロオレフィンモノマーの他、架橋性炭素−炭素不飽和結合を持たないシクロオレフィンモノマーが用いられる。
【００２３】
架橋性炭素−炭素不飽和結合を持たないシクロオレフィンモノマーとしては、例えば、シクロペンテン、３−メチルシクロペンテン、４−メチルシクロペンテン、３，４−ジメチルシクロペンテン、３，５−ジメチルシクロペンテン、３−クロロシクロペンテン、シクロへキセン、３−メチルシクロへキセン、４−メチルシクロヘキセン、３，４−ジメチルシクロヘキセン、３−クロロシクロヘキセン、シクロへプテンなどの単環シクロオレフィンモノマー；ノルボルネン、５−メチルノルボルネン、５−エチルノルボルネン、５−プロピルノルボルネン、５，６−ジメチルノルボルネン、１−メチルノルボルネン、７−メチルノルボルネン、５，５，６−トリメチルノルボルネン、５−フェニルノルボルネン、テトラシクロドデセン、１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−メチル−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−エチル−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、２，３−ジメチル−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−ヘキシル−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−エチリデン−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−フルオロ−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、１，５−ジメチル−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−シクロへキシル−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、２，３−ジクロロ−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−イソブチル−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、１，２−ジヒドロジシクロペンタジエン、５−クロロノルボルネン、５，５−ジクロロノルボルネン、５−フルオロノルボルネン、５，５，６−トリフルオロ−６−トリフルオロメチルノルボルネン、５−クロロメチルノルボルネン、５−メトキシノルボルネン、５，６−ジカルボキシルノルボルネンアンハイドレート、５−ジメチルアミノノルボルネン、５−シアノノルボルネンなどのノルボルネン系モノマー；を挙げることができる。これらの中でも、架橋性炭素−炭素不飽和結合を持たないノルボルネン系モノマーが好ましい。
【００２４】
以上のシクロオレフィンモノマーは、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。例えば、シクロオレフィンモノマーとして、架橋性炭素−炭素不飽和結合を少なくとも１つ有するシクロオレフィンモノマーと架橋性炭素−炭素不飽和結合を持たないシクロオレフィンモノマーとの混合物が用いられる。
【００２５】
第１樹脂層１０を形成するための第１樹脂組成物に用いるシクロオレフィンモノマー中、架橋性炭素−炭素不飽和結合を少なくとも１つ有するシクロオレフィンモノマーと架橋性炭素−炭素不飽和結合を持たないシクロオレフィンモノマーとの配合割合は所望により適宜選択すればよいが、重量比（架橋性炭素−炭素不飽和結合を少なくとも１つ有するシクロオレフィンモノマー／架橋性炭素−炭素不飽和結合を持たないシクロオレフィンモノマー）で、通常、５／９５〜１００／０、好ましくは１０／９０〜９５／１０、より好ましくは１５／８５〜９０／１５の範囲である。当該配合割合がかかる範囲にあれば、耐熱性や機械的強度がバランス良く向上し、好適である。
【００２６】
また、第１樹脂層１０を形成するための第１樹脂組成物に用いる重合触媒は、前記シクロオレフィンモノマーを重合可能な触媒であれば、特に限定されず、付加重合触媒や開環重合触媒を用いることができる。
【００２７】
ここで、シクロオレフィンモノマーを前記重合触媒にて重合して重合体を製造するにあたり、シクロオレフィンモノマーと、このシクロオレフィンモノマーと共重合可能な他のモノマーとの存在下で重合して、シクロオレフィンモノマーを含む共重合体を得るようにしてもよい。
【００２８】
ここで、シクロオレフィンモノマーと共重合可能な他のモノマーとの存在下で付加重合して、シクロオレフィンモノマーを含む付加共重合体を得る場合において、前記シクロオレフィンモノマーと共重合可能なその他の単量体としては、たとえば、しては、例えば、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセンなどの炭素数２〜２０のα−オレフィン、及びこれらの誘導体；シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロオクテン、３ａ，５，６，７ａ−テトラヒドロ−４，７−メタノ−１Ｈ−インデンなどのシクロオレフィン、及びこれらの誘導体；１，４−ヘキサジエン、４−メチル−１，４−ヘキサジエン、５−メチル−１，４−ヘキサジエン、１，７−オクタジエンなどの非共役ジエン；などが挙げられる。これらの中でも、α−オレフィンが好ましく、エチレンが特に好ましい。
【００２９】
付加重合触媒としては、例えば、チタン、ジルコニウム又はバナジウム化合物と有機アルミニウム化合物とからなる触媒など公知の触媒を用いることができる。
【００３０】
開環重合触媒としては、シクロオレフィンモノマーを開環重合させ得るものであればよく、たとえばメタセシス重合触媒を用いることができる。メタセシス重合触媒としては、遷移金属原子を中心原子として、複数のイオン、原子、多原子イオン及び／又は化合物が結合してなる金属錯体が挙げられる。遷移金属原子としては、５族、６族及び８族（長周期型周期表、以下同じ。）の原子が使用される。それぞれの族の原子は特に限定されないが、５族の原子としては、例えばタンタルが挙げられ、６族の原子としては、例えばモリブデン及びタングステンが挙げられ、８族の原子としては、例えばルテニウム及びオスミウムが挙げられる。
【００３１】
これらの中でも、メタセシス触媒としては、８族のルテニウムやオスミウムを中心原子とする錯体が好ましく、ルテニウムカルベン錯体が特に好ましい。ルテニウムカルベン錯体は、ルテニウム原子にカルベン炭素が二重結合した構造（Ｒｕ＝Ｃ）を有する錯体であり、重合時の触媒活性が優れる。このため、メタセシス重合触媒としてルテニウムカルベン錯体を含む重合性組成物を重合して架橋性樹脂成形体を製造する場合、得られる架橋性樹脂成形体には未反応のモノマーに由来する臭気が少ない。したがって、生産性良く良質な成形体が得られる。また、ルテニウムカルベン錯体は、酸素や空気中の水分に対して比較的安定であって、失活しにくいので、大気下でも使用可能である。これらのメタセシス重合触媒は、それぞれ単独で、或いは、２種以上を組み合わせて用いてもよい。なお、メタセシス重合触媒の配合量等は、例えば特開２００９−２４２５６８号公報に記載の内容とすることができる。
【００３２】
メタセシス重合触媒は所望により、少量の不活性溶剤に溶解又は懸濁して使用することができる。かかる溶剤としては、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、流動パラフィン、ミネラルスピリットなどの鎖状脂肪族炭化水素；シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、トリメチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジエチルシクロヘキサン、デカヒドロナフタレン、ジシクロヘプタン、トリシクロデカン、ヘキサヒドロインデン、シクロオクタンなどの脂環式炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素；ニトロメタン、ニトロベンゼン、アセトニトリルなどの含窒素炭化水素；ジエチルエーテル、テトラヒドロフランなどの含酸素炭化水素；などが挙げられる。これらの中では、工業的に汎用な芳香族炭化水素や脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素の使用が好ましい。また、メタセシス重合触媒としての活性を低下させないものであれば、液状の老化防止剤、液状の可塑剤、液状のエラストマーを溶剤として用いてもよい。
【００３３】
メタセシス重合触媒は、重合活性を制御し、重合反応率を向上させる目的で活性剤（共触媒）と併用することもできる。
【００３４】
活性剤としては、アルミニウム、スカンジウム、スズの、アルキル化物、ハロゲン化物、アルコキシ化物及びアリールオキシ化物などを用いることができる。その具体例としては、トリアルコキシアルミニウム、トリフェノキシアルミニウム、ジアルコキシアルキルアルミニウム、アルコキシジアルキルアルミニウム、トリアルキルアルミニウム、ジアルコキシアルミニウムクロリド、アルコキシアルキルアルミニウムクロリド、ジアルキルアルミニウムクロリド、トリアルコキシスカンジウム、テトラアルコキシチタン、テトラアルコキシスズ、テトラアルコキシジルコニウムなどが挙げられる。
【００３５】
活性剤の使用量は、（触媒中の金属原子：活性剤）のモル比で、通常、１：０．０５〜１：１００、好ましくは１：０．２〜１：２０、より好ましくは１：０．５〜１：１０の範囲である。
【００３６】
また、メタセシス重合触媒として、５族及び６族の遷移金属原子の錯体を用いる場合には、メタセシス重合触媒及び活性剤は、いずれもモノマーに溶解して用いるのが好ましいが、生成物の性質を本質的に損なわない範囲であれば少量の溶剤に懸濁又は溶解させて用いることができる。
【００３７】
また、第１樹脂層１０を形成するための第１樹脂組成物には、上記シクロオレフィンモノマー及び重合触媒に加えて、所望により、充填剤、連鎖移動剤、架橋剤、架橋助剤、難燃剤、重合調整剤、重合反応遅延剤、反応性流動化剤、難燃剤、酸化防止剤、及び着色料等のその他の配合剤を配合してもよい。
【００３８】
本発明で用いられる充填剤に特に限定はなく、有機物であっても無機物であってもよいが、より高弾性率の回路基板を得る観点から、無機物であるのが好ましい。充填剤の形状も特に限定されず、球状、粒状、不定形状、樹枝状、針状、棒状、及び扁平状等のいかなる形状であってもよい。また、充填剤の平均粒子径も特に限定されないが、レーザー散乱回折式粒度分布計で測定した全粒子の５０体積％が含まれるメディアン径で、通常、０．００１〜７０μｍ、好ましくは０．０１〜５０μｍ、より好ましくは０．０５〜１５μｍ、特に好ましくは、０．１〜５μｍである。
【００３９】
充填剤の具体例としては、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウム、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化マグネシウム、ケイ酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸ジルコニウム、水和アルミナ、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、硫酸バリウム、シリカ、タルク、クレーなどが挙げられる。
【００４０】
充填剤の含有量は、シクロオレフィンモノマー１００重量部に対して、通常、１００〜６００重量部、好ましくは１５０〜５５０重量部、より好ましくは２００〜５００重量部である。充填剤の含有量がかかる範囲にあれば、第１樹脂組成物中における分散性が優れ、強化繊維への含浸性が良好となる観点から、好ましい。
【００４１】
連鎖移動剤としては、１−ヘキセン、２−ヘキセン、スチレン、ビニルシクロヘキサン、アリルアミン、アクリル酸グリシジル、アリルグリシジルエーテル、エチルビニルエーテル、メチルビニルケトン、２−（ジエチルアミノ）エチルアクリレート、及び４−ビニルアニリンなどの、脂肪族炭素−炭素二重結合基を持たない連鎖移動剤；ジビニルベンゼン、メタクリル酸ビニル、メタクリル酸ヘキセニル、メタクリル酸アリル、メタクリル酸スチリル、アクリル酸アリル、メタクリル酸ウンデセニル、アクリル酸スチリル、及びエチレングリコールジアクリレートなどの、脂肪族炭素−炭素二重結合基を１つ有する連鎖移動剤；アリルトリビニルシランやアリルメチルジビニルシランなどの、脂肪族炭素−炭素二重結合基を２以上有する連鎖移動剤などが挙げられる。連鎖移動剤の使用量としては、シクロオレフィンモノマー１００重量部に対して、通常、０．０１〜１０重量部、好ましくは０．１〜５重量部である。
【００４２】
また、本発明で用いる第１樹脂組成物には、第１樹脂層１０を後架橋可能な樹脂層とする観点から、架橋剤を含有させてもよい。ここで「後架橋可能な」とは、該樹脂を加熱することにより架橋反応を進行させて架橋樹脂になし得ることを意味する。架橋剤としては、通常、ラジカル発生剤が好適に用いられる。ラジカル発生剤としては、有機過酸化物、ジアゾ化合物、及び非極性ラジカル発生剤などが挙げられる。
【００４３】
有機過酸化物としては、例えば、ｔ−ブチルヒドロペルオキシド、ｐ−メンタンヒドロペルオキシド、クメンヒドロペルオキシドなどのヒドロペルオキシド類；ジクミルペルオキシド、ｔ−ブチルクミルペルオキシド、α，α’−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ−ｍ−イソプロピル）ベンゼン、ジ−ｔ−ブチルペルオキシド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）−３−ヘキシン、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）ヘキサンなどのジアルキルペルオキシド類；ジプロピオニルペルオキシド、ベンゾイルペルオキシドなどのジアシルペルオキシド類；２，２−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）ブタン、１，１−ジ（ｔ−ヘキシルペルオキシ）シクロヘキサン、１，１−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）−２−メチルシクロヘキサン、１，１−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）シクロヘキサンなどのペルオキシケタール類；ｔ−ブチルペルオキシアセテート、ｔ−ブチルペルオキシベンゾエートなどのペルオキシエステル類；ｔ−ブチルペルオキシイソプロピルカルボナート、ジ（イソプロピルペルオキシ）ジカルボナートなどのペルオキシカルボナート類；ｔ−ブチルトリメチルシリルペルオキシドなどのアルキルシリルペルオキシド類；などが挙げられる。中でも、メタセシス重合反応に対する障害が少ない点で、ジアルキルペルオキシド類及びペルオキシケタール類が好ましい。
【００４４】
ジアゾ化合物としては、例えば、４，４’−ビスアジドベンザル（４−メチル）シクロヘキサノン、４，４’−ジアジドカルコン、２，６−ビス（４’−アジドベンザル）シクロヘキサノン、２，６−ビス（４’−アジドベンザル）−４−メチルシクロヘキサノン、４，４’−ジアジドジフェニルスルホン、４，４’−ジアジドジフェニルメタン、２，２’−ジアジドスチルベンなどが挙げられる。
【００４５】
非極性ラジカル発生剤としては、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタン、２，３−ジフェニルブタン、１，４−ジフェニルブタン、３，４−ジメチル−３，４−ジフェニルヘキサン、１，１，２，２−テトラフェニルエタン、２，２，３，３−テトラフェニルブタン、３，３，４，４−テトラフェニルヘキサン、１，１，２−トリフェニルプロパン、１，１，２−トリフェニルエタン、トリフェニルメタン、１，１，１−トリフェニルエタン、１，１，１−トリフェニルプロパン、１，１，１−トリフェニルブタン、１，１，１−トリフェニルペンタン、１，１，１−トリフェニル−２−プロペン、１，１，１−トリフェニル−４−ペンテン、１，１，１−トリフェニル−２−フェニルエタンなどが挙げられる。
【００４６】
これらのラジカル発生剤は、１種単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。２種以上のラジカル発生剤を併用し、その量比を調整することで、プリプレグの基材樹脂のガラス転移温度や溶融状態を任意に制御することが可能である。ラジカル発生剤の１分間半減期温度としては、特に限定はないが、通常、１５０〜３００℃、好ましくは１８０〜２５０℃の範囲である。ここで１分間半減期温度とは、ラジカル発生剤の半量が１分間で分解する温度である。ラジカル発生剤の１分間半減期温度は、例えば、各ラジカル発生剤メーカー（例えば、日本油脂株式会社）のカタログやホームページを参照すればよい。
【００４７】
架橋剤の量は、シクロオレフィンモノマー１００重量部に対して、通常、０．１〜１０重量部、好ましくは０．５〜５重量部である。架橋剤の量が上記範囲にあれば、本発明のプリプレグを硬化して得られる硬化物が充分な架橋密度を有し、所望の物性を有する回路基板が効率的に得られるので、好適である。
【００４８】
架橋助剤としては、開環重合に関与せず、架橋剤により誘起される架橋反応に関与可能な架橋性炭素−炭素不飽和結合を有する化合物が好ましい。このような架橋性炭素−炭素不飽和結合は、架橋助剤を構成する化合物中、例えば、末端ビニリデン基として、特に、イソプロペニル基やメタクリル基として存在するのが好ましく、メタクリル基として存在するのがより好ましい。
【００４９】
架橋助剤の具体例としては、ｐ−ジイソプロペニルベンゼン、ｍ−ジイソプロペニルベンゼン、ｏ−ジイソプロペニルベンゼンなどの、イソプロペニル基を２以上有する多官能化合物；ラウリルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、及びメトキシジエチレングリコールメタクリレートなどの、メタクリル基を１つ有する単官能化合物；ラウリルアクリレート、ベンジルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、及びメトキシジエチレングリコールアクリレートなどの、アクリル基を１つ有する単官能化合物；エチレンジメタクリレート、１，３−ブチレンジメタクリレート、１，４−ブチレンジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、２，２’−ビス（４−メタクリロキシジエトキシフェニル）プロパン、トリメチロールプロパントリメタクリレート、ペンタエリトリトールトリメタクリレートなどの、メタクリル基を２以上有する多官能化合物などを挙げることができる。架橋助剤は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。架橋助剤の配合量としては、シクロオレフィンモノマー１００重量部に対して、通常、０．１〜１００重量部、好ましくは０．５〜５０重量部、より好ましくは１〜３０重量部である。
【００５０】
難燃剤としては、特に限定されるものではなく、公知の難燃剤、例えば、ハロゲン系難燃剤、リン−窒素系難燃剤、リン酸エステル難燃剤、窒素系難燃剤、及び無機系難燃剤から、適宜選択して用いることができる。その配合量も、所望の効果が得られるよう適宜調整すればよい。
【００５１】
第１樹脂層１０を形成するための第１樹脂組成物は、上記成分を混合して得ることができる。混合方法としては、常法に従えばよく、例えば、重合触媒を適当な溶媒に溶解若しくは分散させた液（触媒液）を、シクロオレフィンモノマー、及び所望により、その他の配合剤を配合した液（モノマー液）に添加し、攪拌することによって調製することができる。
【００５２】
本発明において、第１樹脂層１０を形成する方法としては、特に限定されないが、たとえば、後述する強化繊維層３０上に、第１樹脂組成物を塗布し、第１樹脂組成物中に含まれるシクロオレフィンモノマーを重合することにより形成することができる。あるいは、支持体上に、第１樹脂組成物を塗布し、第１樹脂組成物からなる層を形成し、これを、強化繊維層３０に積層し、次いで、第１樹脂組成物中に含まれるシクロオレフィンモノマーを重合することにより形成してもよい。重合の態様は、溶液重合であっても塊状重合のいずれであってもよく、プリプレグ１の製造方法に応じて適宜選択すればよいが、揮発成分による成形不良が少ないことから塊状重合が好ましい。
【００５３】
（第２樹脂層２０）
第２樹脂層２０は、第２樹脂組成物を用いて形成される樹脂層であり、このような第２樹脂組成物としては、特に限定されないが、上述した第１樹脂組成物と同様に、シクロオレフィンモノマー及び重合触媒を少なくとも含有する重合性の樹脂組成物を用いることができる。また、第２樹脂組成物は、上述した第１樹脂組成物と同様に、シクロオレフィンモノマー及び重合触媒以外の各成分を含有していてもよく、このような第２樹脂層２０を形成するための第２樹脂組成物としては、上述した第１樹脂組成物と同じ組成を有するものを用いることもできるし、あるいは、異なる組成を有するものを用いることもできる。
【００５４】
第２樹脂層２０を形成する方法としては、特に限定されないが、上述した第１樹脂層１０と同様に、後述する強化繊維層３０上に、第２樹脂組成物を塗布し、第２樹脂組成物中に含まれるシクロオレフィンモノマーを重合することにより形成することができる。あるいは、支持体上に、第２樹脂組成物を塗布し、第２樹脂組成物からなる層を形成し、これを、強化繊維層３０に積層し、次いで、第２樹脂組成物中に含まれるシクロオレフィンモノマーを重合することにより形成してもよい。重合の態様は、溶液重合であっても塊状重合のいずれであってもよく、プリプレグ１の製造方法に応じて適宜選択すればよいが、揮発成分による成形不良が少ないことから塊状重合が好ましい。
【００５５】
（強化繊維層３０）
強化繊維層３０は、強化繊維を含有する層である。強化繊維としては、無機系及び／又は有機系の繊維が使用でき、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）繊維、アラミド繊維、超高分子ポリエチレン繊維、ポリアミド（ナイロン）繊維、及び液晶ポリエステル繊維などの有機繊維；ガラス繊維、炭素繊維、アルミナ繊維、タングステン繊維、モリブデン繊維、チタン繊維、スチール繊維、ボロン繊維、シリコンカーバイド繊維、及びシリカ繊維などの無機繊維；などを挙げることができる。これらの中でも、有機繊維やガラス繊維が好ましく、特にアラミド繊維、液晶ポリエステル繊維、及びガラス繊維が好ましい。ガラス繊維としては、Ｅガラス、ＮＥガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｈガラス、及びＴガラス等の繊維を好適に用いることができる。強化繊維を構成する繊維束の粗密から生じるプリプレグの誘電率の局所的な差異を防ぐ観点から、樹脂層の誘電率と強化繊維を構成する材料の誘電率との差は小さい方が好ましい。これらは１種単独で、又は２種以上を組合せて用いることができる。繊維状強化材の形状としては、特に限定されず、例えば、マット、クロス、及び不織布などが挙げられる。また、強化繊維は、繊維束を開繊して用いてもよい。強化繊維の開繊度は特に限定はないが、通常、ＪＩＳ規格  Ｒ ３４２０に定める通気度において２０ｃｍ３／ｃｍ２／ｓ以下、好ましくは１５ｃｍ３／ｃｍ２／ｓ以下である。強化繊維層の開繊度がかかる範囲にあれば、後述する強化繊維層の微視的な凹凸が軽減される観点から、好ましい。開繊の具体的な方法としては、例えば、高圧ウォータージェットによる方法、バイブロウォッシャーによる方法、超音波振動による方法、など様々な方法を用いることができる。
【００５６】
また、本発明においては、強化繊維層３０上に、第１樹脂層１０及び／又は第２樹脂層２０を形成する際に、第１樹脂層１０及び／又は第２樹脂層２０を構成する第１樹脂組成物及び／又は第２樹脂組成物を含浸させて、強化繊維層３０を樹脂含浸強化繊維層とすることが好ましい。
【００５７】
（プリプレグ１を構成する各層の厚み）
次いで、本発明のプリプレグ１を構成する各層の厚みについて説明する。
本発明のプリプレグ１を構成する各層のうち、第１樹脂層１０は、その最小厚みｔｒ１が、３０μｍ以上であり、好ましくは７０μｍ以上、より好ましくは１００μｍ以上である。また、第１樹脂層１０の最小厚みｔｒ１の上限は、特に限定されないが、好ましくは３００μｍ以下、より好ましくは１５０μｍ以下である。ここで、第１樹脂層１０の最小厚みｔｒ１とは、第１樹脂層１０の表面から、強化繊維層３０までの厚みのうち、最小のものを意味する。具体的には、強化繊維層３０は、上述したように強化繊維を含有する層であり、このような強化繊維は繊維構造を有するため、通常、微細な凹凸を有するものである。そのため、第１樹脂層１０は、その表面が平坦である場合でも、強化繊維層３０を構成する強化繊維の影響により、微視的に見た場合に、場所によって厚みが異なることとなる。すなわち、強化繊維層３０を構成する強化繊維の凹凸構造により、強化繊維の凹部に対応する位置の厚みは大きくなり、強化繊維の凸部に対応する位置の厚みは小さくなる。そのため、本発明においては、このような強化繊維の凹凸構造を考慮した最小厚みｔｒ１を上記範囲とするものである。なお、第１樹脂層１０の最小厚みｔｒ１が、３０μｍ未満であると、プリプレグ１中における、強化繊維層３０の割合が相対的に増大し、強化繊維層３０に含まれる強化繊維は誘電率及び誘電正接が比較的高いものでため、結果として、プリプレグ１の誘電率及び誘電正接が高くなってしまう。
【００５８】
また、本発明のプリプレグ１は、後述するように、図２（Ａ）に示すような基板２に積層され、図２（Ｂ）に示すような回路基板３を形成するために用いられる。ここで、図２（Ａ）に示すように、基板２は、基板本体４０と、基板本体４０の一方の面に形成された複数の導体パターン層５０ａ〜５０ｄと、他方の面に形成された導体層６０とを有する。そして、本発明のプリプレグ１は、図２（Ｂ）に示すように、第１樹脂層１０側において、基板２の導体パターン層５０ａ〜５０ｄが形成された面に積層され、回路基板３とされる。なお、回路基板３を得る際には、第１樹脂層１０及び第２樹脂層２０中に含有される重合体（シクロオレフィンポリマー）を架橋させてもよい。
【００５９】
そして、本発明のプリプレグ１は、このような回路基板３の製造に用いられるものであるため、基板２の導体パターン層５０ａ〜５０ｄが形成された面に積層する第１樹脂層１０の最小厚みｔｒ１を、導体パターン層５０ａ〜５０ｄの厚みｔｃ、及び、導体パターン層５０ａ〜５０ｄが形成された面における、導体パターン形成割合α（単位は「％」）との関係で、下記式（Ａ）を満たすものとする。また、本発明においては、下記式（Ｂ）を満たすことがより好ましい。
ｔｒ１＞｛ｔｃ×（１００−α）｝    ・・・（Ａ）
ｔｃ×（１００−α）｝×１．１≦ｔｒ１≦｛ｔｃ×（１００−α）｝×１．５    ・・・（Ｂ）
【００６０】
なお、導体パターン形成割合αは、図２（Ａ）に示す基板２を、導体パターン層５０ａ〜５０ｄが形成されている面から見た上面図である図２（Ｃ）に示すように、導体パターン層５０ａ〜５０ｄが形成されている面の全面積に対する、導体パターン層が形成されている部分の面積の割合を百分率で表したものである。すなわち、導体パターン形成割合αは、下記式（Ｃ）にしたがって算出されるものである。
導体パターン形成割合α［％］＝導体パターン層が形成されている部分の面積／（導体パターン層が形成されている部分の面積＋導体パターン層が形成されていいない部分の面積）    ・・・（Ｃ）
【００６１】
本発明においては、第１樹脂層１０の最小厚みｔｒ１を、３０μｍ以上であり、かつ、導体パターン層５０ａ〜５０ｄの厚みｔｃ、及び、導体パターン層５０ａ〜５０ｄが形成された面における、導体パターン形成割合αとの関係で、上記式（Ａ）を満たすものとすることにより、次のような効果を奏することができる。すなわち、第１樹脂層１０を、基板２の導体パターン層５０ａ〜５０ｄが形成された面に積層した際には、各導体パターン層の間を埋め込むように、第１樹脂層１０を構成する成分が流動することとなる。これに対し、本発明においては、このように、導体パターン層５０ａ〜５０ｄの間を埋め込むために、第１樹脂層１０を構成する成分が消費された場合でも、本発明によれば、このような導体パターン層の間の埋め込みに消費される成分の量も加味して、第１樹脂層１０の最小厚みｔｒ１を設定するものである。すなわち、本発明においては、第１樹脂層１０の最小厚みｔｒ１を、上記式（Ａ）を満たすものとするものであり、これにより、回路基板３とした場合に、導体パターン層５０ａ〜５０ｄと、プリプレグ１中に含有される強化繊維層３０を構成する強化繊維との距離を十分に保つことができる。
【００６２】
そして、その結果として、次のような不具合、すなわち、回路基板３とした場合に、導体パターン層５０ａ〜５０ｄと、プリプレグ１中に含有される強化繊維層３０を構成する強化繊維との距離が小さくなり、これらが接触あるいは近接することで、このような接触部分あるいは近接部分において強化繊維の影響が大きくなり、高周波における伝送損失が発生してしまうという不具合を適切に防止することができる。特に、強化繊維層３０中に含有される強化繊維は、第１樹脂層１０よりも誘電率や誘電正接が高く、そのため、このような導体パターン層５０ａ〜５０ｄと、強化繊維との接触あるいは近接が発生すると、強化繊維の影響により、回路基板３を用いて得られる回路基板の誘電率や誘電正接が高くなり、結果として、高周波における伝送損失が発生してしまうという不具合が発生してしまうこととなる。これに対し、本発明においては、第１樹脂層１０の最小厚みｔｒ１を、３０μｍ以上であり、かつ、上記式（Ａ）を満たすものとすることにより、このような不具合の発生を有効に防止することができるものである。なお、第１樹脂層１０の最小厚みｔｒ１は、３０μｍ以上であり、かつ、上記式（Ａ）を満たすものであればよいが、導体パターン層５０ａ〜５０ｄと、強化繊維との接触あるいは近接をより有効に避けるという観点より、上記式（Ｂ）を満たすものであることがより好ましい。
【００６３】
また、第２樹脂層２０は、その最小厚みｔｒ２が、３０μｍ以上であり、好ましくは７０μｍ以上、より好ましくは１００μｍ以上である。また、第２樹脂層２０の最小厚みｔｒ２の上限は、特に限定されないが、好ましくは３００μｍ以下、より好ましくは１５０μｍ以下である。なお、第２樹脂層２０の最小厚みｔｒ２は、上述した第１樹脂層１０の最小厚みｔｒ１と同じであってもよいし、あるいは異なっていてもよい。また、第２樹脂層２０の厚みも、上述した第１樹脂層１０と同様に、強化繊維層３０を構成する強化繊維の凹凸構造により、微視的に見た場合に、場所によって厚みが異なることとなる。そのため、本発明においては、第２樹脂層２０の厚みについても、このような強化繊維の凹凸構造の影響を考慮して、最小厚みｔｒ２を上記範囲とする。第２樹脂層２０の最小厚みｔｒ２が、３０μｍ未満であると、プリプレグ１中における、強化繊維層３０の割合が相対的に増大し、強化繊維層３０に含まれる強化繊維は誘電率及び誘電正接が比較的高いものでため、結果として、プリプレグ１の誘電率及び誘電正接が高くなってしまう。
【００６４】
さらに、強化繊維層３０の厚みは、特に限定されないが、通常、５〜１５０μｍであり、好ましくは１０〜１００μｍ、より好ましくは１０〜５０μｍである。また、プリプレグ１中における、強化繊維層３０を構成する強化繊維の含有割合は、通常、２〜５０体積％、好ましくは２〜３０体積％、より好ましくは５〜２０体積％の範囲である。この範囲にあれば、得られる回路基板の誘電特性と機械強度とをバランスさせることができるため、好適である。
【００６５】
（プリプレグ１の製造方法）
本発明のプリプレグ１の製造方法としては、特に限定されず、第１樹脂層１０及び第２樹脂層の最小厚みｔｒ１、ｔｒ２が、上述した範囲とすることができるような方法であればよいが、たとえば、以下の（１）〜（３）のいずれかの方法により製造することができる。
【００６６】
（１）長尺状の強化繊維について、両面ダイコータを用いて、長尺状の強化繊維の一方の面に、第１樹脂層１０を形成するための第１樹脂組成物を、他方の面に、第２樹脂層２０を形成するための第２樹脂組成物をそれぞれ、連続的に強化繊維に含浸させつつ塗工し、次いで、第１樹脂組成物側の面と、第２樹脂組成物側の面とのそれぞれに対して、保護フィルムを重ねて、一対のロール間に通して厚み調節を行った後に、第１樹脂組成物及び第２樹脂組成物を重合させることで、プリプレグを得る方法、
（２）それぞれ別の支持体上に、第１樹脂組成物及び第２樹脂組成物をそれぞれ塗布、散布又は流延し、第１樹脂組成物からなる層を形成した支持体、及び第２樹脂組成物からなる層を形成した支持体を得て、強化繊維の両面に、第１樹脂組成物からなる層及び第２樹脂組成物からなる層を押し付けて積層させた後に、第１樹脂組成物及び第２樹脂組成物を重合させることで、プリプレグを得る方法、
（３）第１樹脂組成物及び第２樹脂組成物として、これらの組成物に含まれる樹脂を予め重合させたものを準備し、これらを、それぞれ別の支持体上に、それぞれ塗布、散布又は流延し、第１樹脂組成物からなる層を形成した支持体、及び第２樹脂組成物からなる層を形成した支持体を得て、強化繊維の両面に、第１樹脂組成物からなる層及び第２樹脂組成物からなる層を押し付けて積層させることで、プリプレグを得る方法、などが挙げられる。
中でも強化繊維への含浸性が高く、ボイドが低減でき、得られるプリプレグの厚み精度が高いことから（１）の方法が好ましい。
【００６７】
ここで、図３は、前記（１）の製造方法を説明するための図である。前記（１）の製造方法においては、図３に示すように、長尺状の強化繊維３０ａを、一対のダイヘッド７０ａ，７０ｂ間に送ることで、ダイヘッド７０ａから第１樹脂組成物を、ダイヘッド７０ｂから第２樹脂組成物をそれぞれ塗工する。そして、強化繊維３０ａの一方の面に、第１樹脂組成物からなる層１０ａを、他方の面に、第２樹脂組成物からなる層２０ａをそれぞれ形成する。次いで、一対のロール８０ａ，８０ｂ間において、第１樹脂組成物からなる層１０ａの表面に支持体９０ａを、第２樹脂組成物からなる層２０ａの表面に支持体９０ｂをそれぞれ重ね、一対のロール８０ａ，８０ｂにより形成される間隙（ギャップ）により厚み調節を行い、次いで、塊状重合することで、プリプレグ１は製造される。なお、強化繊維３０ａへの第１樹脂組成物及び／又は第２樹脂組成物の含浸は、一対のダイヘッド７０ａ，７０ｂによりこれらを塗工した際、あるいは、一対のロール８０ａ，８０ｂ間を通る際に、行われることとなる。
【００６８】
前記（２）、（３）の方法においては、第１樹脂組成物からなる層を形成した支持体、及び第２樹脂組成物からなる層を形成した支持体を、強化繊維の両面に、第１樹脂組成物からなる層及び第２樹脂組成物からなる層を押し付けてラミネートロール等で加圧して積層させる工程の後、次いで熱風乾燥装置等で第１樹脂組成物及び／又は第２樹脂組成物が流動可能な温度以上に加熱する工程を通す事によって、強化繊維内に、第１樹脂組成物及び／又は第２樹脂組成物を含浸させることができる。なお、上記積層工程、加熱工程は、必要に応じて減圧雰囲気下で行ってもよい。
【００６９】
なお、上記各方法においては、第１樹脂組成物、第２樹脂組成物を、一対のダイ７０ａ，７０ｂにより塗工する際や、支持体上に塗布、散布又は流延する際には、第１樹脂組成物又は第２樹脂組成物を、必要に応じて有機溶剤を添加してもよい。
【００７０】
また、上記各方法で用いる支持体としては、樹脂フィルムや金属箔などが挙げられる。樹脂フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリアリレートフィルム、ナイロンフィルムなどが挙げられる。これらのフィルムのうち、耐熱性、耐薬品性、剥離性などの観点からポリエチレンテレフタレートフィルム又はポリエチレンナフタレートフィルムが好ましい。金属箔としては、銅箔、アルミ箔、ニッケル箔、クロム箔、金箔、銀箔などが挙げられる。なお、支持体の表面平均粗さＲａは、通常、３００ｎｍ以下、好ましくは１５０ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以下である。
【００７１】
支持体として金属箔を用いる場合、金属箔としては、その表面が平滑であるものが好ましく、通常、ＪＩＳＢ０６０１で規定される１０点平均粗さ（Ｒｚ）で５０００ｎｍ未満、好ましくは３０００ｎｍ未満、より好ましくは２０００ｎｍ未満、さらに好ましくは１５００ｎｍ 以下である。金属箔のＲｚが上記範囲にあれば、例えば、得られる高周波回路基板において、高周波伝送におけるノイズ、遅延、及び伝送ロス等の発生が抑えられ、好ましい。また、金属箔の表面は、シランカップリング剤、チオールカップリング剤、及びチタネートカップリング剤などの公知のカップリング剤や接着剤などで処理されているのが好ましい。
【００７２】
さらに、上記各方法において、プリプレグ１の製造に用いた支持体は、第１樹脂層１０側及び第２樹脂層２０に含まれる樹脂を重合する前、あるいは、重合した後に剥離してもよいし、剥離せずに、支持体付きのプリプレグとしてもよい。なお、支持体付きのプリプレグとする場合には、第１樹脂層１０側及び第２樹脂層２０側の両方の支持体を残しておくような態様としてもよいし、あるいは、いずれか一方の支持体のみを残しておくような態様としてもよい。
【００７３】
このようにして得られる、本発明のプリプレグ１は、第１樹脂層１０及び第２樹脂層２０の最小厚みｔｒ１、ｔｒ２を３０μｍ以上と比較的厚いものとするものであり、これにより、プリプレグ１中における、誘電率及び誘電正接が比較的高い強化繊維の割合を相対的に低くすることができ、これにより低誘電率及び低誘電正接を実現できるものである。具体的には、本発明のプリプレグ１は、周波数１ＧＨｚにおける誘電率が、好ましくは４．０以下、より好ましくは３．５以下に低減されたものである。また、周波数１ＧＨｚにおける誘電正接が、好ましくは０．００１５以下、より好ましくは０．００１以下に低減されたものである。
【００７４】
加えて、本発明のプリプレグ１は、第１樹脂層１０の最小厚みｔｒ１を、３０μｍ以上であり、かつ、導体パターン層５０ａ〜５０ｄの厚みｔｃ、及び、導体パターン層５０ａ〜５０ｄが形成された面における、導体パターン形成割合αとの関係で、上記式（Ａ）を満たすものとしているため、これにより、回路基板３とした場合に、導体パターン層５０ａ〜５０ｄと、プリプレグ１中に含有される強化繊維層３０を構成する強化繊維との距離を十分に保つことができ、結果として、高周波における伝送損失を適切に低減することができる。
【００７５】
（回路基板）
本発明の回路基板は、基板本体の少なくとも一方の面の少なくとも一部に導体層が形成された基板に、上述した本発明のプリプレグを、第１樹脂層側の面が、導体層が形成された面上に位置するように積層することにより得られる。なお、以下においては、本発明の回路基板を、本発明の回路基板の一例としての図２（Ｂ）に示す回路基板３を例示して説明するが、このような構成に特に限定されるものではない。
【００７６】
図２（Ｂ）に示すように、本発明の回路基板３は、図１に示すプリプレグ１と、図２（Ａ）に示す基板２とを、プリプレグ１の第１樹脂層１０が、基板２の導体パターン層５０ａ〜５０ｄが形成された面に積層されることで形成される。図２（Ａ）〜図２（Ｃ）に示すように、本発明の回路基板３の製造に用いる基板２は、一方の面に、導体パターン層５０ａ〜５０ｄが形成されている一方で、反対側の面には、導体層６０が形成されている。導体パターン層５０ａ〜５０ｄは、図２（Ｃ）に示すように、基板２上においてパターン状に形成されている一方で、導体層６０は、基板２の反対側の面全体を覆うように形成されている。そして、本発明の回路基板３は、このような基板２を用いることで、導体パターン層５０ａ〜５０ｄのうち、導体パターン層５０ｂ，５０ｃが一対の伝送線（差動配線）として作用し、導体層６０がシールドとして作用するマイクロストリップライン型の回路基板として動作するものである。具体的には、導体パターン層５０ｂ，５０ｃに逆極性の信号を通し、受信側で電圧差を識別することで、導体パターン層５０ｂ，５０ｃとで１ビットの信号を伝送するものである。なお、図２（Ｂ）に示す回路基板３は、本発明の回路基板の一例を示すものであり、このような構成に特に限定されるものではない。
【００７７】
本発明の回路基板３の製造に用いる基板２を構成する基板本体４０としては、公知の電気絶縁材料（たとえば、脂環式オレフィン重合体、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、トリアジン樹脂、ポリフェニルエーテル、ガラス等）を含有する樹脂組成物を硬化して形成されたものなどを用いることができる。また、導体パターン層５０ａ〜５０ｄは、特に限定されないが、通常、銅などの導電性金属等の導電体からなる層を基板本体４０上に形成し、フォトリソグラフィ法などによりパターン化することにより形成することができる。なお、導体パターン層５０ａ〜５０ｄとしては、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）に示す構成に特に限定されるものではなく、所望の回路構成に応じて、そのパターン形状等を決定すればよい。また、導体層６０は、銅などの導電性金属等の導電体で形成することができる。伝送線を構成する導体パターン層５０ｂ，５０ｃは強化繊維の長手方向（縦糸）または幅方向（横糸）に対して斜めに配置してもよい。
【００７８】
本発明で用いる基板２は、プリプレグ１の第１樹脂層１０との密着性を向上させるために、導体パターン層５０ａ〜５０ｄの表面に前処理が施されていることが好ましい。前処理の方法としては、公知の技術を、特に限定されず使用することができる。例えば、導体パターン層５０ａ〜５０ｄが銅からなるものであれば、強アルカリ酸化性溶液を導体層表面に接触させて、導体表面に酸化銅の層を形成して粗化する酸化処理方法、導体層表面を先の方法で酸化した後に水素化ホウ素ナトリウム、ホルマリンなどで還元する方法、導体パターン層５０ａ〜５０ｄにめっきを析出させて粗化する方法、導体パターン層５０ａ〜５０ｄに有機酸を接触させて銅の粒界を溶出して粗化する方法、及び導体パターン層５０ａ〜５０ｄにチオール化合物やシラン化合物などによりプライマー層を形成する方法等が挙げられる。これらの内、微細な配線パターンの形状維持の容易性の観点から、導体パターン層５０ａ〜５０ｄに有機酸を接触させて銅の粒界を溶出して粗化する方法、及び、チオール化合物やシラン化合物などによりプライマー層を形成する方法が好ましい。
【００７９】
図１に示すプリプレグ１と、図２（Ａ）に示す基板２とを積層する際には、これらを加熱圧着して積層してもよい。加熱圧着の方法としては、プリプレグ１を、プリプレグ１を構成する第１樹脂層１０が、基板２の導体パターン層５０ａ〜５０ｄに接するように重ね合わせ、加圧ラミネータ、プレス、真空ラミネータ、真空プレス、ロールラミネータなどの加圧機を使用して加熱圧着（ラミネーション）する方法が挙げられる。加熱加圧することにより、導体パターン層５０ａ〜５０ｄとプリプレグ１との界面に空隙が実質的に存在しないように結合させることができる。
【００８０】
加熱圧着操作の温度は、通常、３０〜３００℃、好ましくは７０〜２５０℃であり、加える圧力は、通常、１０ｋＰａ〜２０ＭＰａ、好ましくは１００ｋＰａ〜１０ＭＰａであり、時間は、通常、３０秒〜５時間、好ましくは１分〜３時間である。また、加熱圧着は、第１樹脂層１０の、導体パターン層５０ａ〜５０ｄへの埋め込み性を向上させ、気泡の発生を抑えるために減圧下で行うのが好ましい。加熱圧着を行う減圧下の圧力は、通常１００ｋＰａ〜１Ｐａ、好ましくは４０ｋＰａ〜１０Ｐａである。
【００８１】
また、本発明の回路基板３は、図１に示すプリプレグ１と、図２（Ａ）に示す基板２とを積層させることで形成されるものであるが、積層した後、必要に応じて、第１樹脂層１０及び第２樹脂層２０中に含有される重合体（シクロオレフィンポリマー）を架橋させてもよい。
【００８２】
さらに、本発明においては、図２（Ｂ）に示すような回路基板３同士を積層することにより、あるいは、他の回路基板と積層することにより、多層回路基板としてもよい。
【００８３】
本発明の回路基板３は、上述した本発明のプリプレグ１を用いて得られるものであるため、導体パターン層５０ａ〜５０ｄと、プリプレグ１中に含有される強化繊維層３０を構成する強化繊維との距離が小さくなり、これらが接触あるいは近接することで、このような接触部分あるいは近接部分において強化繊維の影響が大きくなってしまうことが適切に防止されたものである。そして、これにより、本発明の回路基板３は、低誘電率及び低誘電正接であり、さらには、高周波における伝送損失が適切に低減されたものである。
【００８４】
なお、上記においては、本発明のプリプレグとして、図１に示すプリプレグ１を、また、本発明の回路基板として、図２（Ｂ）に示す回路基板３を、それぞれ例示して説明したが、本発明のプリプレグ及び回路基板は、これらの構成に何ら限定されないものである。すなわち、上記においては、本発明の回路基板の一例として、図２（Ｂ）に示すマイクロストリップライン型の回路基板を例示したが、このような構成に特に限定されるものではなく、たとえば、ストリップライン型の回路基板などの他の回路基板であってもよいのはもちろんである。
【実施例】
【００８５】
以下に、実施例及び比較例を挙げて、本発明についてより具体的に説明する。各例中の「部」は、特に断りのない限り、重量基準である。
なお、各特性の評価方法は、以下のとおりである。
【００８６】
（１）比誘電率
インピーダンスアナライザー（アジレントテクノロジー社製、型番号Ｅ４９９１Ａ）を用いて周波数１ＧＨｚで２０℃における誘電率（ε）を容量法で測定し、比誘電率（εｒ）を算出して以下の基準で評価した。
Ａ：比誘電率が３．５以下
Ｂ：比誘電率が３．５超
【００８７】
（２）誘電正接
インピーダンスアナライザー（アジレントテクノロジー社製、型番号Ｅ４９９１Ａ）を用いて周波数１ＧＨｚで２０℃における誘電正接を容量法にて測定し、以下の基準で評価した。
Ａ：０．００１５以下
Ｂ：０．００１５超
【００８８】
（３）配線埋込性
回路基板を、配線方向に対し垂直な方向で切断した。得られた積層体の切断面を目視により観察し、回路板上の樹脂層への配線埋め込み性について以下の基準で評価した。
Ａ：埋め込み不良がなかった
Ｂ：埋め込み不良があった
【００８９】
（４）絶縁信頼性
１３０℃で８５％ＲＨの環境下、回路基板に形成された櫛型パターンに１００Ｖの電圧を所定時間印加し、導通が確認されるまでの時間を測定し、以下の評価基準に従って絶縁信頼性を評価した。
Ａ：２００時間以上
Ｂ：１００時間以上、２００時間未満
Ｃ：１００時間未満
【００９０】
（５）Ｓｋｅｗ評価（伝送特性）
回路基板に形成された一対の伝送線路（一対のマイクロストリップライン、差動線路）を用いて、伝送損失を評価した。
Ａ：２つの伝送線路で、伝送特性に全く相違がなかった
Ｂ：２つの伝送線路で、伝送特性に相違が生じた(Ｓｋｅｗ発生)
【００９１】
（６）ボイド
回路基板を、配線方向に対し垂直な方向で切断した。得られた積層体の切断面を目視により観察し、以下の基準で評価した。ボイドとは樹脂の存在しない部分（空隙）であり、ここでは最大径が３μｍ以上のものを指す。
Ａ：ボイドが確認されない
Ｂ：ボイドが確認される
【００９２】
実施例１
（樹脂組成物１の調製）
メタセシス重合触媒としてのベンジリデン（１，３−ジメシチルイミダゾリジン−２−イリデン）（トリシクロヘキシルホスフィン）ルテニウムジクロリド０．０５部、及びトリフェニルホスフィン０．０１部を、インデン１．５１部に溶解させて触媒液を調製した。
また、これとは別に、シクロオレフィンモノマーとしてのテトラシクロドデセン（テトラシクロ［６.２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−４−エン／ＴＣＤ）１００部、ラジカル発生剤としての３，３，５，７，７−ペンタメチル−１，２，４−トリオキセパン（１分間半減期温度２０５℃）２部、架橋助剤としてのベンジルアクリレート２０部、酸化ケイ素粒子（平均粒子径０．５μｍ）２００部、連鎖移動剤としてのスチレン０．７４部、難燃剤としてのジメチルホスフィン酸アルミニウム５０部を混合してモノマー液を調製した。次いで、得られたモノマー液に、上記にて調製した触媒液を混合することで樹脂組成物１を得た。
【００９３】
（プリプレグの製造）
厚さ２５μｍ、幅６３０ｍｍの長尺の強化繊維（Ｅガラス繊維）を準備し、上記にて得られた樹脂組成物１を用いて、図３に示す製造装置にて、プリプレグを製造した。具体的には、図３に示すように、長尺の強化繊維を、搬送速度５０ｍｍ／秒で送り出し、この強化繊維に、両面ダイコータを用いて、上記にて得られた樹脂組成物１を両面から連続塗工し、強化繊維に含浸させるとともに、強化繊維の両面に樹脂組成物１からなる層を形成した。次いで、厚さ２５μｍ、幅５００ｍｍの帯状に連続したポリエチレンナフタレートフィルムを送り出し、強化繊維の両面に形成された樹脂組成物１からなる層に重ねあわせるとともに、間隙を１３５μｍに調整した一対の金属ロールの間に通すことで、塗工後の全体厚みを８５μｍに調製した。次いで、内部が均一に１５０±５℃に保たれた、長さ３，０００ｍｍの熱風加温装置に連続的に送り、熱風加温装置にて、樹脂組成物１を昇温速度５０℃／分にて１５０℃まで昇温させ、塊状重合することで、支持体付きプリプレグを得た。得られたプリプレグは、支持体ごと巻き取った。得られたプリプレグについて、強化繊維層の両面に形成された樹脂層（第１樹脂層及び第２樹脂層）の最小厚みｔｒ１，ｔｒ２を測定したところ、両面とも３０μｍであった。
【００９４】
（回路基板の製造）
次いで、上記にて得られた支持体付きのプリプレグを１０ｃｍ角のシート状に切り出し、切り出したプリプレグシートから支持体を剥離しこれを６枚重ねて基板本体とした。次いで、基板本体の両面に、厚み３５μｍ のＦ２銅箔（古河サーキットフォイル社製、シランカップリング剤処理電解銅箔、粗度Ｒｚ＝１６００ｎｍ）２枚を、銅箔の表面処理面がプリプレグシートと接触するように配置し、２０５℃で２０分間、３ＭＰａにて熱プレスを行い、両面銅貼積層板を得た。
【００９５】
次いで、リソグラフィ法を用いて両面銅貼積層板の一方の銅箔に、所定のパターンでドライフィルムを被覆して、露光及び現象プロセスによって、所望のエッチング部分のみを露出させた後、エッチング液でエッチングすることによって、導体間隔５０μｍの櫛形パターン及び配線幅１００μｍ、配線間隔１００μｍの一対の伝送線路（一対のマイクロストリップライン、差動線路）を含む導体パターンを有する基板を得た。なお、導体パターンを形成した面における、導体パターン形成割合α（残銅率）は５０％とした。また、導体パターンの厚みｔｃは３５μｍであった。
【００９６】
次いで、上記にて得られた支持体付きのプリプレグより１０ｃｍ角にて切り出すことにより得られたプリプレグシートから支持体を剥離し、上記にて得られた導体パターンを有する基板の、導体パターン上に、プリプレグシートを重ね、次に、このプリプレグシート上に銅箔を重ね、２１０℃で２０分間、３ＭＰａにて加熱プレスを行うことで、回路基板を得た。
【００９７】
そして、得られたプリプレグ、及び回路基板を用いて、比誘電率、誘電正接、配線埋込性、絶縁信頼性、及びＳｋｅｗ評価（伝送特性）の各測定及び評価を行った。結果を表１に示す。
【００９８】
実施例２
プリプレグを製造する際に、長尺の強化繊維として、厚さ２５μｍの強化繊維の代わりに、厚さ４３μｍの強化繊維（Ｅガラス繊維）を用い、一対の金属ロールの間隙を１９３μｍに変更し、塗工後の全体厚みを１４３μｍに調製した以外は、実施例１と同様にして、プリプレグを得て、得られたプリプレグを用いた以外は、実施例１と同様にして、回路基板を得て、同様に評価を行った。結果を表１に示す。なお、実施例２で得られたプリプレグについて、強化繊維層の両面に形成された樹脂層（第１樹脂層及び第２樹脂層）の最小厚みｔｒ１，ｔｒ２を測定したところ、両面とも５０μｍであった。
【００９９】
実施例３
プリプレグを製造する際に、一対の金属ロールの間隙を２１５μｍに変更し、塗工後の全体厚みを１６５μｍに調製した以外は、実施例１と同様にして、プリプレグを得て、得られたプリプレグを用いた以外は、実施例１と同様にして、回路基板を得て、同様に評価を行った。結果を表１に示す。なお、実施例３で得られたプリプレグについて、強化繊維層の両面に形成された樹脂層（第１樹脂層及び第２樹脂層）の最小厚みｔｒ１，ｔｒ２を測定したところ、両面とも７０μｍであった。
【０１００】
実施例４
（重合性樹脂組成物２の調製）
窒素雰囲気の反応器に、脱水したシクロヘキサン２５０部を入れ、ここに、１−ヘキセン０．６部、ジブチルエーテル０．０６部及びトリイソブチルアルミニウム０．１１部を入れて混合した後、４５℃に保ちながら、テトラシクロドデセン（テトラシクロ［６.２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−４−エン／ＴＣＤ）１００部、及び六塩化タングステンの０．７％トルエン溶液１５部を２時間かけて連続的に添加して重合を行った。重合転化率は１００％であった。重合反応終了後、反応溶液にイソプロピルアルコール６０部を注ぎ凝固を行い、凝固物をろ過回収し、６０℃で１０時間乾燥することで重合体を得た。
次いで、上記にて得られた重合体１００部、ラジカル発生剤としての３，３，５，７，７−ペンタメチル−１，２，４−トリオキセパン（１分間半減期温度２０５℃）２部、架橋助剤としてのベンジルアクリレート２０部、酸化ケイ素粒子（平均粒子径０．５μｍ）２００部、連鎖移動剤としてのスチレン０．７４部、及び難燃剤としてのジメチルホスフィン酸アルミニウム５０部を、溶剤としてのトルエンに溶解させて樹脂組成物２を得た。
【０１０１】
（プリプレグの製造）
厚さ２５μｍ、幅５００ｍｍのポリエチレンナフタレートフィルム上に、上記にて得られた樹脂組成物２を塗工し、乾燥装置で５分間乾燥させ、厚さ４０μｍの樹脂層を有する積層体を得た。次いで、厚さ２５μｍの強化繊維（Ｅガラス繊維）の両面に、上記にて得られた積層体を樹脂層が形成された面が強化繊維と接するように重ね合わせ、ラミネートロールで押圧することで、支持体付きのプリプレグを得た。なお、得られたプリプレグについて、強化繊維層の両面に形成された樹脂層（第１樹脂層及び第２樹脂層）の最小厚みｔｒ１，ｔｒ２を測定したところ、両面とも３０μｍであった。
【０１０２】
そして、上記にて得られたプリプレグを用いた以外は、実施例１と同様にして、回路基板を得て、同様に評価を行った。結果を表１に示す。
【０１０３】
比較例１
（プリプレグの製造）
厚さ２５μｍの強化繊維（Ｅガラス繊維）を、実施例５と同様にして調製した樹脂組成物２の含浸槽に浸漬させ、次いで、取り出し、乾燥装置で５分間乾燥させることで、プリプレグを得た。なお、比較例１で得られたプリプレグについて、強化繊維層の両面に形成された樹脂層（第１樹脂層及び第２樹脂層）の最小厚みｔｒ１，ｔｒ２を測定したところ、両面とも１０μｍであった。
【０１０４】
そして、上記にて得られたプリプレグを用いた以外は、実施例１と同様にして、回路基板を得て、同様に評価を行った。結果を表１に示す。
【０１０５】
比較例２
回路基板を製造する際に、厚み３５μｍのＦ２銅箔の代わりに、厚み７０μｍのＦ３銅箔（古河サーキットフォイル社製、シランカップリング剤処理電解銅箔）を用いた以外は、実施例１と同様にして、回路基板を得て、同様に評価を行った。結果を表１に示す。なお、比較例２においては、回路基板を構成する導体パターンの厚みｔｃは７０μｍであった。
【０１０６】
【表１】
2014162172.tif 000003
【０１０７】
表１に示すように、強化繊維層の両面に形成する第１樹脂層及び第２樹脂層の最小厚みｔｒ１，ｔｒ２を３０μｍ以上とし、かつ、第１樹脂層の最小厚みｔｒ１を、導体パターンの厚みｔｃ、及び導体パターン形成割合αとの関係で、ｔｒ１＞｛ｔｃ×（１００−α）｝を満たすように制御した実施例１〜４では、誘電率及び誘電正接が低く、配線埋込性及び絶縁信頼性が良好であり、かつ、高周波における伝送特性に優れるものであった。
一方、第１樹脂層及び第２樹脂層の最小厚みｔｒ１，ｔｒ２が、本発明所定の範囲外である比較例１，２においては、配線埋込性、絶縁信頼性及び高周波における伝送特性に劣るものであった。
【図１】
2014162172.tif 000004
【図２】
2014162172.tif 000005
【図３】
2014162172.tif 000006