(57)【要約】【課題】製造歩留まりの低下を抑制することが可能な液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁基板上に、第１波長範囲に透過率のピークを有する第１カラーフィルタ、及び、前記第１波長範囲とは異なる第２波長範囲に透過率のピークを有する第２カラーフィルタを形成し、前記第１カラーフィルタ上にアライメントマークを形成し、前記アライメントマークに参照光を照射して、前記アライメントマークを検出する、液晶表示装置の製造方法であって、前記アライメントマークと前記第１カラーフィルタとの前記参照光に対する第１コントラストは、前記アライメントマークと前記第２カラーフィルタとの前記参照光に対する第２コントラストよりも高いことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。【選択図】      図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に、第１波長範囲に透過率のピークを有する第１カラーフィルタ、及び、前記第１波長範囲とは異なる第２波長範囲に透過率のピークを有する第２カラーフィルタを形成し、
前記第１カラーフィルタ上にアライメントマークを形成し、
前記アライメントマークに参照光を照射して、前記アライメントマークを検出する、液晶表示装置の製造方法であって、
前記アライメントマークと前記第１カラーフィルタとの前記参照光に対する第１コントラストは、前記アライメントマークと前記第２カラーフィルタとの前記参照光に対する第２コントラストよりも高いことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１カラーフィルタ及び前記第２カラーフィルタは、光干渉を利用したファブリ・ペロー型の干渉カラーフィルタであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１カラーフィルタ上の少なくとも２ヶ所に前記アライメントマークを形成することを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
アレイ基板を形成するための有効領域の周辺部に前記アライメントマークを形成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記参照光のうち、前記アライメントマークからの反射光及び前記第１カラーフィルタからの反射光に基づいて前記アライメントマークを検出することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記参照光のうち、前記アライメントマークを透過した透過光及び前記第１カラーフィルタを透過した透過光に基づいて前記アライメントマークを検出することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、液晶表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、平面表示装置が盛んに開発されており、中でも液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力等の利点から特に注目を集めている。特に、各画素にスイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を組み込んだアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、透過型の液晶表示パネルと、バックライトとを組み合わせた構成がある。
【０００３】
最近では、バックライトの高輝度化に伴い、消費電力が増大し、携帯用ディスプレイなどでバッテリー持続時間の低下が問題となっている。そこで、バックライトからの光を有効利用すべく、光干渉を利用した干渉カラーフィルタをアレイ基板側に設けることにより、従来のカラーフィルタで吸収して損失となっていた光も有効利用できる構成が提案されている。この干渉カラーフィルタは、例えば、フルカラー表示を実現するのに必要な３原色（例えば赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ））を透過する３種類のカラーフィルタを有している。つまり、白色光が干渉カラーフィルタに照射された際に、３種類のカラーフィルタのそれぞれにおいて、光の透過及び反射についての波長選択性が生じる。このような干渉カラーフィルタは、フォトリソグラフィプロセスの削減、製造歩留まりの改善などのために、アレイ基板のうち、画像を表示するアクティブエリアのみならず、周辺エリアにも延在している場合がある。
【０００４】
液晶表示装置を製造する過程では、アライメントマークに基づいて、それぞれの基板の有無を光学的に検出したり、それぞれの基板を位置合わせしたりすることが重要である。しかしながら、アライメントマークが干渉カラーフィルタに重なっている場合には、液晶表示装置を製造する製造装置では、アライメントマークの検出が困難となり、アレイ基板の有無を光学的に検出することができなかったり、アレイ基板を位置合わせすることができなかったりする不具合が発生する。このような不具合は、製造歩留まりの低下を招く一因となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表平８−５０８１１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本実施形態の目的は、製造歩留まりの低下を抑制することが可能な液晶表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本実施形態によれば、
絶縁基板上に、第１波長範囲に透過率のピークを有する第１カラーフィルタ、及び、前記第１波長範囲とは異なる第２波長範囲に透過率のピークを有する第２カラーフィルタを形成し、前記第１カラーフィルタ上にアライメントマークを形成し、前記アライメントマークに参照光を照射して、前記アライメントマークを検出する、液晶表示装置の製造方法であって、前記アライメントマークと前記第１カラーフィルタとの前記参照光に対する第１コントラストは、前記アライメントマークと前記第２カラーフィルタとの前記参照光に対する第２コントラストよりも高いことを特徴とする液晶表示装置の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、本実施形態における液晶表示装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図２は、図１に示した液晶表示パネルの構成及び等価回路を概略的に示す図である。
【図３】図３は、図２に示した液晶表示パネルの断面構造を概略的に示す図である。
【図４】図４は、図３に示したカラーフィルタ層の反射スペクトル及び透過スペクトルの一例を表した図である。
【図５】図５は、絶縁基板上にカラーフィルタ層を形成する工程を説明するための断面図である。
【図６】図６は、カラーフィルタ層の上にアライメントマークを形成する工程を説明するための断面図である。
【図７】図７は、図６に示した第１マザー基板の平面図である。
【図８】図８は、図７に示した第１マザー基板の上にシール材を描画する工程を説明するための平面図である。
【図９】図９は、図８に示した第１マザー基板の上に液晶材料を滴下する工程を説明するための平面図である。
【図１０】図１０は、図９に示した第１マザー基板と第２マザー基板とを貼り合わせる工程を説明するための平面図である。
【図１１】図１１は、図１０に示したマザー基板対から液晶表示パネルを取り出す工程を説明するための平面図である。
【図１２】図１２は、第１マザー基板上に配置された第１アライメントマークの一例を示す平面図である。
【図１３】図１３は、第１アライメントマークを検出する工程を説明するための断面図である。
【図１４】図１４は、第１アライメントマークを検出する他の工程を説明するための断面図である。
【図１５】図１５は、本実施形態に適用可能な他の第１マザー基板の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１０】
図１は、本実施形態における液晶表示装置の構成を概略的に示す図である。
【００１１】
すなわち、液晶表示装置１は、アクティブマトリクスタイプの透過型の液晶表示パネルＬＰＮ、液晶表示パネルＬＰＮに接続された駆動ＩＣチップ２及びフレキシブル配線基板３、液晶表示パネルＬＰＮを照明するバックライト４などを備えている。
【００１２】
液晶表示パネルＬＰＮは、アレイ基板ＡＲと、アレイ基板ＡＲに対向して配置された対向基板ＣＴと、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された図示しない液晶層と、を備えている。このような液晶表示パネルＬＰＮは、画像を表示するアクティブエリアＡＣＴ、アクティブエリアＡＣＴの外側の周辺エリアＰＲＰなどを備えている。このアクティブエリアＡＣＴは、ｍ×ｎ個のマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている（但し、ｍ及びｎは正の整数である）。周辺エリアＰＲＰは、駆動ＩＣチップ２及びフレキシブル配線基板３などの信号供給源が実装される実装部ＭＴを備えている。この実装部ＭＴは、対向基板ＣＴの基板端部ＣＴＥよりも外側に延出したアレイ基板ＡＲに形成されている。
【００１３】
バックライト４は、アレイ基板ＡＲの背面側に配置されている。このようなバックライト４としては、光源として発光ダイオード（ＬＥＤ）を備えたものや冷陰極管（ＣＣＦＬ）を備えたものなどが適用されるが、詳細な構造については説明を省略する。
【００１４】
図２は、図１に示した液晶表示パネルＬＰＮの構成及び等価回路を概略的に示す図である。
【００１５】
アレイ基板ＡＲは、アクティブエリアＡＣＴにおいて、複数のゲート配線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、複数の補助容量線Ｃ（Ｃ１〜Ｃｎ）、複数のソース配線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）などを備えている。各ゲート配線Ｇは、アクティブエリアＡＣＴの外側に引き出され、ゲートドライバＧＤに接続されている。各ソース配線Ｓは、アクティブエリアＡＣＴの外側に引き出され、ソースドライバＳＤに接続されている。各補助容量線Ｃは、アクティブエリアＡＣＴの外側に引き出され、補助容量電圧が供給される電圧印加部ＶＣＳと電気的に接続されている。
【００１６】
各画素ＰＸは、アレイ基板ＡＲに配置されたスイッチング素子ＳＷ及び画素電極ＰＥや、対向電極ＣＥなどを備えている。スイッチング素子ＳＷは、ゲート配線Ｇ及びソース配線Ｓと電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。対向電極ＣＥは、液晶層ＬＱを介して複数の画素電極ＰＥに対して共通に形成されている。この対向電極ＣＥは、例えばコモン電位が供給される給電部ＶＳと電気的に接続されている。
【００１７】
本実施形態において、対向電極ＣＥは、アレイ基板ＡＲに配置されても良いし、対向基板ＣＴに配置されても良い。対向電極ＣＥが画素電極ＰＥとともにアレイ基板ＡＲに配置された構成の液晶表示パネルＬＰＮでは、これらの画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの間に形成される横電界を主に利用して液晶層ＬＱを構成する液晶分子をスイッチングする。また、対向電極ＣＥが対向基板ＣＴに配置された構成の液晶表示パネルＬＰＮでは、これらの画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの間に形成される縦電界あるいは斜め電界を主に利用して液晶層ＬＱを構成する液晶分子をスイッチングする。
【００１８】
図３は、図２に示した液晶表示パネルＬＰＮの断面構造を概略的に示す図である。なお、ここでは、緑色を表示する第１画素ＰＸ１、青色を表示する第２画素ＰＸ２、及び、赤色を表示する第３画素ＰＸ３の断面構造を示している。
【００１９】
すなわち、第１画素ＰＸ１は、第１カラーフィルタＣＦ１、第１スイッチング素子ＳＷ１、第１画素電極ＰＥ１などを備えている。第２画素ＰＸ２は、第２カラーフィルタＣＦ２、第２スイッチング素子ＳＷ２、第２画素電極ＰＥ２などを備えている。第３画素ＰＸ３は、第３カラーフィルタＣＦ３、第３スイッチング素子ＳＷ３、第３画素電極ＰＥ３などを備えている。
【００２０】
アレイ基板ＡＲは、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する第１絶縁基板１０を用いて形成されている。第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、及び、第３カラーフィルタＣＦ３を含むカラーフィルタ層３０は、第１絶縁基板１０の上に配置されている。第１乃至第３カラーフィルタは、それぞれ干渉カラーフィルタである。
【００２１】
詳細については後述するが、第１カラーフィルタＣＦ１は、主に緑色波長を含む第１波長範囲（例えば、５００ｎｍ〜５８０ｎｍの波長範囲）の光を透過し、この第１波長範囲に透過率ピークを有するものである。第２カラーフィルタＣＦ２は、主に、第１波長範囲とは異なる青色波長を含む第２波長範囲（例えば、４００ｎｍ〜５００ｎｍの波長範囲）の光を透過し、この第２波長範囲に透過率ピークを有するものである。第３カラーフィルタＣＦ３は、主に、第１波長範囲及び第２波長範囲とは異なる赤色波長を含む第３波長範囲（例えば、５８０ｎｍ〜７００ｎｍの波長範囲）の光を透過し、この第３波長範囲に透過率ピークを有するものである。
【００２２】
これらの第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、及び、第３カラーフィルタＣＦ３は、透過させる波長範囲以外の波長は主に反射する。第１カラーフィルタＣＦ１は、第２波長範囲及び第３波長範囲での反射率が第１波長範囲での反射率よりも高い。第２カラーフィルタＣＦ２は、第１波長範囲及び第３波長範囲での反射率が第２波長範囲での反射率よりも高い。第３カラーフィルタＣＦ１は、第１波長範囲及び第２波長範囲での反射率が第３波長範囲での反射率よりも高い。
【００２３】
本実施形態では、カラーフィルタ層３０は、光干渉の原理を利用したファブリ・ペロー型干渉カラーフィルタを採用しており、屈折率の異なる複数の無機系材料の薄膜を積層することによって構成されている。すなわち、カラーフィルタ層３０は、第１絶縁基板１０の内面１０Ａに配置された第１半透過層３１、第１半透過層３１の上に位置する透過層（あるいはスペーサ層）３３、及び、透過層３３の上に位置する第２半透過層３２を備えている。
【００２４】
第１半透過層３１及び第２半透過層３２は、それぞれ第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、及び、第３カラーフィルタＣＦ３に共通に設けられている。また、第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、及び、第３カラーフィルタＣＦ３において、第１半透過層３１の膜厚は略一定であり、また、第２半透過層３２の膜厚についても略一定である。
【００２５】
このような第１半透過層３１及び第２半透過層３２は、屈折率の異なる複数の誘電体膜を積層した構成である。一例として、第１半透過層３１及び第２半透過層３２は、それぞれシリコン窒化物（ＳｉＮ）層と、シリコン酸化物（ＳｉＯ）層とを交互に積層した誘電体多層膜によって構成されている。このような誘電体多層膜の積層数は、２層以上であるが、層数が増えるほど、製造工程が増加し製造コストの増加を招くため、例えば、４層以下程度とすることが望ましい。
【００２６】
透過層３３は、第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、及び、第３カラーフィルタＣＦ３に共通に設けられている。但し、第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、及び、第３カラーフィルタＣＦ３において、透過層３３の膜厚はそれぞれ異なる。図示した例では、第２カラーフィルタＣＦ２における透過層３３の膜厚は第１カラーフィルタＣＦ１における透過層３３の膜厚よりも薄く、また、第３カラーフィルタＣＦ３における透過層３３の膜厚は第２カラーフィルタＣＦ２における透過層３３の膜厚よりも薄い。このような透過層３３は、例えば、シリコン窒化物層またはシリコン酸化物層によって構成されている。
【００２７】
以下に、カラーフィルタ層３０のより具体的な構成例について説明する。図示した例では、カラーフィルタ層３０は、第１半透過層３１及び第２半透過層３２のそれぞれが４層の薄膜を積層した構成である。なお、このようなカラーフィルタ層３０を構成する薄膜の積層数については図示した例に限らない。
【００２８】
第１半透過層３１は、第１絶縁基板１０の内面１０Ａに配置された第１シリコン窒化物層３１１と、第１シリコン窒化物層３１１上に積層された第１シリコン酸化物層３１２と、第１シリコン酸化物層３１２上に積層された第２シリコン窒化物層３１３と、第２シリコン窒化物層３１３上に積層された第２シリコン酸化物層３１４と、によって構成されている。これらの第１シリコン窒化物層３１１、第１シリコン酸化物層３１２、第２シリコン窒化物層３１３、及び、第２シリコン酸化物層３１４はいずれも、第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、及び、第３カラーフィルタＣＦ３に亘って途切れることなく連続的に形成されている。
【００２９】
透過層３３は、第３シリコン窒化物層３３１、第４シリコン窒化物層３３２、及び、第５シリコン窒化物層３３３を有している。第３シリコン窒化物層３３１は、第１カラーフィルタＣＦ１に対応して島状に形成され、第２シリコン酸化物層３１４上に積層されている。第４シリコン窒化物層３３２は、第１カラーフィルタＣＦ１及び第２カラーフィルタＣＦ２に対応して島状に形成されている。つまり、第４シリコン窒化物層３３２は、第１カラーフィルタＣＦ１に対応して第３シリコン窒化物層３３１を覆うとともに、第２カラーフィルタＣＦ２に対応して第２シリコン酸化物層３１４上に積層されている。第５シリコン窒化物層３３３は、第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、及び、第３カラーフィルタＣＦ３に亘って途切れることなく連続的に形成されている。つまり、第５シリコン窒化物層３３３は、第１カラーフィルタＣＦ１及び第２カラーフィルタＣＦ２に対応して第４シリコン窒化物層３３２を覆うとともに、第３カラーフィルタＣＦ３に対応して第２シリコン酸化物層３１４上に積層されている。
【００３０】
第２半透過層３２は、第５シリコン窒化物層３３３の上に積層された第３シリコン酸化物層３２１と、第３シリコン酸化物層３２１上に積層された第６シリコン窒化物層３２２と、第６シリコン窒化物層３２２上に積層された第４シリコン酸化物層３２３と、第４シリコン酸化物層３２３上に積層された第７シリコン窒化物層３２４と、によって構成されている。これらの第３シリコン酸化物層３２１、第６シリコン窒化物層３２２、第４シリコン酸化物層３２３、及び、第７シリコン窒化物層３２４はいずれも、第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、及び、第３カラーフィルタＣＦ３に亘って途切れることなく連続的に形成されている。
【００３１】
第１シリコン窒化物層３１１、第２シリコン窒化物層３１３、第３シリコン窒化物層３３１、第４シリコン窒化物層３３２、第５シリコン窒化物層３３３、第６シリコン窒化物層３２２、及び、第７シリコン窒化物層３２４は、高屈折率層（可視光波長範囲における屈折率は２．０から２．７程度である）として機能する。第１シリコン酸化物層３１２、第２シリコン酸化物層３１４、第３シリコン酸化物層３２１、及び、第４シリコン酸化物層３２３は、上記の高屈折率層よりも低屈折率である低屈折率層（可視光波長範囲における屈折率は約１．５である）として機能する。
【００３２】
第１シリコン窒化物層３１１、第２シリコン窒化物層３１３、第６シリコン窒化物層３２２、及び、第７シリコン窒化物層３２４は、第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、及び、第３カラーフィルタＣＦ３の各々において同一膜厚であり、例えば５８ｎｍの膜厚を有している。第１シリコン酸化物層３１２、第２シリコン酸化物層３１４、第３シリコン酸化物層３２１、及び、第４シリコン酸化物層３２３は、第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、及び、第３カラーフィルタＣＦ３の各々において同一膜厚であり、例えば９２ｎｍの膜厚を有している。つまり、第１半透過層３１及び第２半透過層３２を構成する低屈折率層は高屈折率層よりも厚い。
【００３３】
第３シリコン窒化物層３３１は、例えば３７ｎｍの膜厚を有している。第４シリコン窒化物層３３２は、例えば４８ｎｍの膜厚を有している。第５シリコン窒化物層３３３は、例えば３０ｎｍの膜厚を有している。つまり、第１カラーフィルタＣＦ１において、第３シリコン窒化物層３３１、第４シリコン窒化物層３３２、及び、第５シリコン窒化物層３３３の積層体によって構成された透過層３３は、１１５ｎｍの膜厚を有している。また、第２カラーフィルタＣＦ２において、第４シリコン窒化物層３３２及び第５シリコン窒化物層３３３の積層体によって構成された透過層３３は、第１カラーフィルタＣＦ１よりも薄く、７８ｎｍの膜厚を有している。また、第３カラーフィルタＣＦ３において、第５シリコン窒化物層３３３によって構成された透過層３３は、第２カラーフィルタＣＦ２よりも薄く、３０ｎｍの膜厚を有している。
【００３４】
このような構成のカラーフィルタ層３０は、第１絶縁膜１１によって覆われている。つまり、第１絶縁膜１１は、第７シリコン窒化物層３２４の上に配置されている。このような第１絶縁膜１１は、シリコン酸化物（ＳｉＯ）層である。
【００３５】
第１乃至第３スイッチング素子ＳＷ１乃至ＳＷ３は、第１絶縁膜１１の上に形成されている。図示した例では、第１スイッチング素子ＳＷ１は第１カラーフィルタＣＦ１の上方に位置し、第２スイッチング素子ＳＷ２は第２カラーフィルタＣＦ２の上方に位置し、第３スイッチング素子ＳＷ３は第３カラーフィルタＣＦ３の上方に位置している。これらの第１乃至第３スイッチング素子ＳＷ１乃至ＳＷ３は、それぞれポリシリコン半導体層を備えたトップゲート型の薄膜トランジスタであり、いずれも同一構造であるが、ここでは、第１スイッチング素子ＳＷ１に着目してその構造をより具体的に説明し、第２スイッチング素子ＳＷ２及び第３スイッチング素子ＳＷ３の構造については説明を省略する。
【００３６】
第１スイッチング素子ＳＷ１は、第１絶縁膜１１の上に位置するポリシリコン半導体層ＳＣを備えている。このポリシリコン半導体層ＳＣは、第２絶縁膜１２によって覆われている。この第２絶縁膜１２は、第１絶縁膜１１の上にも配置されている。第２絶縁膜１２の上には、第１スイッチング素子ＳＷ１のゲート電極ＷＧが配置されている。ゲート電極ＷＧは、第３絶縁膜１３によって覆われている。この第３絶縁膜１３は、第２絶縁膜１２の上にも配置されている。これらの第２絶縁膜１２及び第３絶縁膜１３は、シリコン酸化物（ＳｉＯ）やシリコン窒化物（ＳｉＮ）などの無機系材料によって形成されている。
【００３７】
第３絶縁膜１３の上には、第１スイッチング素子ＳＷ１のソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤが配置されている。ソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、それぞれポリシリコン半導体層ＳＣにコンタクトしている。これらのソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、第４絶縁膜１４によって覆われている。また、この第４絶縁膜１４は、第３絶縁膜１３の上にも配置されている。この第４絶縁膜１４は、シリコン酸化物（ＳｉＯ）やシリコン窒化物（ＳｉＮ）などの無機系材料や樹脂材料によって形成されている。
【００３８】
第１画素電極ＰＥ１は、第４絶縁膜１４の上に形成され、第１カラーフィルタＣＦ１の上方に位置している。この第１画素電極ＰＥ１は、第４絶縁膜１４を貫通するコンタクトホールを介して第１スイッチング素子ＳＷ１のドレイン電極ＷＤに電気的に接続されている。同様に、第２画素電極ＰＥ２は、第４絶縁膜１４の上に形成され、第２カラーフィルタＣＦ２の上方に位置している。この第２画素電極ＰＥ２は、第２スイッチング素子ＳＷ２のドレイン電極ＷＤに電気的に接続されている。同様に、第３画素電極ＰＥ３は、第４絶縁膜１４の上に形成され、第３カラーフィルタＣＦ３の上方に位置している。この第３画素電極ＰＥ３は、第３スイッチング素子ＳＷ３のドレイン電極ＷＤに電気的に接続されている。
【００３９】
このような第１画素電極ＰＥ１、第２画素電極ＰＥ２、及び、第３画素電極ＰＥ３は、光透過性を有する導電材料、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などによって形成されている。これらの第１画素電極ＰＥ１、第２画素電極ＰＥ２、及び、第３画素電極ＰＥ３は、第１配向膜ＡＬ１によって覆われている。
【００４０】
対向基板ＣＴは、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する第２絶縁基板２０を用いて形成されている。対向基板ＣＴは、第２絶縁基板２０のアレイ基板ＡＲと対向する内面２０ＡにブラックマトリクスＢＭを備えている。このブラックマトリクスＢＭは、第１スイッチング素子ＳＷ１、第２スイッチング素子ＳＷ２、第３スイッチング素子ＳＷ３や、ソース配線、ゲート配線、補助容量線などの配線部に対向するように配置されている。
【００４１】
図示した例では、対向基板ＣＴは、第２絶縁基板２０の内面２０Ａに、第１着色層ＣＦ１１、第２着色層ＣＦ１２、及び、第３着色層ＣＦ１３を備えているが、省略しても良い。第１着色層ＣＦ１１は、第１波長範囲の光を透過する着色樹脂（例えば、緑色樹脂）によって形成されている。第２着色層ＣＦ１２は、第２波長範囲の光を透過する着色樹脂（例えば、青色樹脂）によって形成されている。第３着色層ＣＦ１３は、第３波長範囲の光を透過する着色樹脂（例えば、赤色樹脂）によって形成されている。
【００４２】
また、図示した例では、対向基板ＣＴは、第１着色層ＣＦ１１、第２着色層ＣＦ１２、及び、第３着色層ＣＦ１３のアレイ基板ＡＲと対向する面に、対向電極ＣＥを備えている。なお、上記の通り、対向電極ＣＥはアレイ基板ＡＲに備えられても良い。また、第１着色層ＣＦ１１、第２着色層ＣＦ１２、及び、第３着色層ＣＦ１３と、対向電極ＣＥとの間に透明な樹脂材料からなるオーバーコート層が介在していても良い。対向電極ＣＥは、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの光透過性を有する導電材料によって形成されている。対向基板ＣＴのアレイ基板ＡＲと対向する面は、第２配向膜ＡＬ２によって覆われている。
【００４３】
上述したようなアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、それぞれの第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２が対向するように配置されている。このとき、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間には、例えば、樹脂材料によって一方の基板に一体的に形成された柱状スペーサが配置され、所定のセルギャップ、例えば２〜７μｍのセルギャップが形成される。
【００４４】
液晶層ＬＱは、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に形成されたセルギャップに保持され、第１配向膜ＡＬ１と第２配向膜ＡＬ２との間に配置されている。
【００４５】
アレイ基板ＡＲを構成する第１絶縁基板１０の外面１０Ｂには、第１偏光板ＰＬ１などを含む第１光学素子ＯＤ１が配置されている。この第１光学素子ＯＤ１は、液晶表示パネルＬＰＮのバックライト４と対向する側に位置しており、バックライト４から液晶表示パネルＬＰＮに入射する入射光の偏光状態を制御する。
【００４６】
対向基板ＣＴを構成する第２絶縁基板２０の外面２０Ｂには、第２偏光板ＰＬ２などを含む第２光学素子ＯＤ２が配置されている。この第２光学素子ＯＤ２は、液晶表示パネルＬＰＮの表示面側に位置しており、液晶表示パネルＬＰＮから出射した出射光の偏光状態を制御する。
【００４７】
このような構成によれば、バックライト４から放射されたバックライト光のうち、第１カラーフィルタＣＦ１を経て第１画素電極ＰＥ１を通る光路の液晶表示パネルＬＰＮからの透過光は緑色（Ｇ）を呈し、第２カラーフィルタＣＦ２を経て第２画素電極ＰＥ２を通る光路の液晶表示パネルＬＰＮからの透過光は青色（Ｂ）を呈し、第３カラーフィルタＣＦ３を経て第３画素電極ＰＥ３を通る光路の液晶表示パネルＬＰＮからの透過光は赤色（Ｒ）を呈する。
【００４８】
なお、第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、及び、第３カラーフィルタＣＦ３を透過しなかった光は、ほぼ全て反射され、バックライト４側に戻され、再利用される。すなわち、バックライト４は光源等を覆う高反射率面を有しており、バックライト４に向けて反射された反射光は、高反射率面においてほとんど光損失なく再度液晶表示パネルＬＰＮに向けて反射される。このため、第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、及び、第３カラーフィルタＣＦ３からの反射光は再利用され、光の利用効率を向上している。
【００４９】
図４は、図３に示したカラーフィルタ層３０の反射スペクトル及び透過スペクトルの一例を表した図である。横軸は波長［ｎｍ］を示し、縦軸はカラーフィルタ層３０の反射率及び透過率を表したものである。なお、縦軸の値については、第３カラーフィルタＣＦ３の透過スペクトルＣＦ３Ｔの透過率ピークを１として規格化した値である。
【００５０】
第１カラーフィルタＣＦ１の透過スペクトルＣＦ１Ｔは、５４０ｎｍ付近に透過率ピークを有している。また、第１カラーフィルタＣＦ１の反射スペクトルＣＦ１Ｒは、５４０ｎｍ付近に反射率ボトムを有する一方で、同波長以外の波長範囲で高反射率となる。
【００５１】
第２カラーフィルタＣＦ２の透過スペクトルＣＦ２Ｔは、４７０ｎｍ付近に透過率ピークを有している。また、第２カラーフィルタＣＦ２の反射スペクトルＣＦ２Ｒは、４７０ｎｍ付近に反射率ボトムを有する一方で、同波長以外の波長範囲で高反射率となる。
【００５２】
第３カラーフィルタＣＦ３の透過スペクトルＣＦ３Ｔは、６１０ｎｍ付近に透過率ピークを有している。また、第３カラーフィルタＣＦ３の反射スペクトルＣＦ３Ｒは、６１０ｎｍ付近に反射率ボトムを有する一方で、同波長以外の波長範囲で高反射率となる。
【００５３】
なお、ここに示した第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、及び、第３カラーフィルタＣＦ３のそれぞれの透過スペクトル、透過率ピークの位置、反射スペクトル、反射率ボトムの位置は、第１半透過層３１、第２半透過層３２、及び、透過層３３の膜厚や薄膜材料、屈折率の組み合わせなどを変えることによって調整が可能である。
【００５４】
次に、液晶表示パネルＬＰＮの製造方法について図５乃至図１１を参照しながら説明する。
【００５５】
図５は、絶縁基板１００上にカラーフィルタ層３００を形成する工程を説明するための断面図である。
【００５６】
図示した第１マザー基板Ｍ１は、複数のアレイ基板ＡＲを一括して形成するものである。この第１マザー基板Ｍ１は、ガラス基板などの透明な絶縁基板１００を用いて形成されている。絶縁基板１００は、アレイ基板ＡＲを構成する第１絶縁基板１０に相当する。カラーフィルタ層３００は、絶縁基板１００の略全面に亘って連続的に形成されている。このカラーフィルタ層３００は、アレイ基板ＡＲを構成するカラーフィルタ層３０に相当する。つまり、カラーフィルタ層３００は、上記の通り、第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、及び、第３カラーフィルタＣＦ３を含んでいる。
【００５７】
このようなカラーフィルタ層３００は、以下のようにして形成される。すなわち、絶縁基板１００の上にシリコン酸化物及びシリコン窒化物のそれぞれの薄膜を交互に積層することで第１半透過層３１を形成する。そして、第１半透過層３１の上にシリコン窒化物の成膜及びパターニングを２回行い、その後、さらにシリコン窒化物の成膜を行うことで透過層３３を形成する。そして、透過層３３の上にシリコン酸化物及びシリコン窒化物のそれぞれの薄膜を交互に積層することで第２半透過層３２を形成する。
【００５８】
図６は、カラーフィルタ層３００の上にアライメントマークを形成する工程を説明するための断面図である。
【００５９】
絶縁基板１００の上にカラーフィルタ層３００を形成した後に、カラーフィルタ層３００の上にアライメントマーク及びスイッチング素子ＳＷを形成する。図示した例では、カラーフィルタ層３００の上に、第１アライメントマークＡＭ１及び第２アライメントマークＡＭ２が形成されている。これらの第１アライメントマークＡＭ１及び第２アライメントマークＡＭ２は、カラーフィルタ層３００のうちの特定のカラーフィルタＣＦＸの上に形成される。このカラーフィルタＣＦＸは、第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、第３カラーフィルタＣＦ３のいずれかである。アライメントマークと重なるカラーフィルタＣＦＸの選定については後述する。
【００６０】
図示したスイッチング素子ＳＷは、アレイ基板ＡＲの第１乃至第３スイッチング素子ＳＷ１乃至ＳＷ３に相当する。なお、図示は省略しているが、カラーフィルタ層３００の上には、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第４絶縁膜１４に相当するそれぞれの絶縁膜が形成されている。このようなスイッチング素子ＳＷのポリシリコン半導体層を形成する過程では、ポリシリコンの成膜及びパターニングが行われ、また、スイッチング素子ＳＷのゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を形成する過程では、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウムなどの金属材料の成膜及びパターニングが行われる。上記のアライメントマークは、このようなスイッチング素子ＳＷを形成する過程で同時に形成される。つまり、アライメントマークは、ポリシリコン、あるいは、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウムなどの金属材料を用いて形成される。アライメントマークを形成する材料の選定については後述する。
【００６１】
このようなアライメントマークが形成された後の製造工程では、アライメントマークに基づいて、製造装置内で第１マザー基板Ｍ１の有無を光学的に検出したり、製造装置内で第１マザー基板Ｍ１の位置を合わせたり、第１マザー基板Ｍ１に適用するマスクの位置を合わせたりすることが可能となる。
【００６２】
図７は、図６に示した第１マザー基板Ｍ１の平面図である。
【００６３】
この第１マザー基板Ｍ１には、複数の有効領域ＥＦ、…が形成されている。有効領域ＥＦの各々は、アレイ基板ＡＲを形成するための領域に相当する。有効領域ＥＦは、アクティブエリアＡＣＴ及び周辺エリアＰＲＰを含んでいる。アクティブエリアＡＣＴには、上記したような各種絶縁膜、スイッチング素子ＳＷの他に、画素電極、配向膜などが形成され、周辺エリアＰＲＰには、駆動ＩＣチップ及びフレキシブル配線基板を実装するための実装部ＭＴなどが形成されているが、詳細な図示を省略する。例えば、第４絶縁膜へのコンタクトホールの形成や画素電極のパターニングに際して、先に形成した第１アライメントマークＡＭ１及び第２アライメントマークＡＭ２を利用することができる。
【００６４】
また、図示した第１マザー基板Ｍ１における「ＣＴＬ」は、後に第１マザー基板Ｍ１からアレイ基板ＡＲを個別に取り出さす際に、第１マザー基板Ｍ１を割断する割断予定線である。有効領域ＥＦの各々は、割断予定線ＣＴＬによって囲まれた領域に相当する。
【００６５】
このような第１マザー基板Ｍ１においては、位置合わせ精度の観点から、少なくとも２ヶ所にアライメントマークが形成されている。図示した例では、第１マザー基板Ｍ１は、アライメントマークとして、第１アライメントマークＡＭ１及び第２アライメントマークＡＭ２を有している。これらの第１アライメントマークＡＭ１及び第２アライメントマークＡＭ２は、有効領域ＥＦの周辺部に形成されている。つまり、図示した例の第１アライメントマークＡＭ１及び第２アライメントマークＡＭ２は、いずれも、第１マザー基板Ｍ１から取り出したアレイ基板ＡＲには残らず、第１マザー基板Ｍ１を割断した際に切り落とされる。
【００６６】
第１アライメントマークＡＭ１及び第２アライメントマークＡＭ２の位置の一例として、第１アライメントマークＡＭ１は第１マザー基板Ｍ１の第１角部ＭＣ１に位置し、第２アライメントマークＡＭ２は第１マザー基板Ｍ１の第２角部ＭＣ２に位置している。なお、第１アライメントマークＡＭ１は、第２アライメントマークＡＭ２の対角に位置しているが、これらのアライメントマークの位置は図示した例に限らない。例えば、第１アライメントマークＡＭ１及び第２アライメントマークＡＭ２は、第１マザー基板Ｍ１の長辺あるいは短辺に沿って配置されていても良いし、割断予定線ＣＴＬと同一直線上に配置されていてもよい。当然のことながら、アライメントマークは、第１アライメントマークＡＭ１及び第２アライメントマークＡＭ２の他に追加しても良い。
【００６７】
図示しないが、一方においては、対向基板ＣＴを形成するための第２マザー基板Ｍ２を用意する。この第２マザー基板Ｍ２は、例えば、第１マザー基板Ｍ１と同等の寸法を有している。第２マザー基板Ｍ２にも、詳述しないが、アライメントマークが形成されている。
【００６８】
図８は、図７に示した第１マザー基板Ｍ１の上にシール材ＳＥを描画する工程を説明するための平面図である。
【００６９】
すなわち、上記した構成の第１マザー基板Ｍ１を用意した後、第１マザー基板Ｍ１の上において、有効領域ＥＦのアクティブエリアＡＣＴを各々囲む形状のシール材ＳＥを形成する。このような形状のシール材ＳＥは、例えば、ディスペンサを用いてシール材料を連続的に描画することで形成される。図示した例では、シール材ＳＥは、閉ループ状に形成されている。このようなシール材ＳＥの描画に際しては、先に形成した第１アライメントマークＡＭ１及び第２アライメントマークＡＭ２を利用することができる。
【００７０】
図９は、図８に示した第１マザー基板Ｍ１の上に液晶材料を滴下する工程を説明するための平面図である。
【００７１】
すなわち、上記した形状のシール材ＳＥを形成した後、第１マザー基板Ｍ１の上において、有効領域ＥＦの各々についてシール材ＳＥによって囲まれた内側（アクティブエリアＡＣＴを含む）に液晶材料ＬＭを滴下する。このとき、液晶材料ＬＭは、各有効領域ＥＦの表面に形成された第１配向膜ＡＬ１上に配置される。このような液晶材料ＬＭの滴下に際して、先に形成した第１アライメントマークＡＭ１及び第２アライメントマークＡＭ２を利用することができる。
【００７２】
図１０は、図９に示した第１マザー基板Ｍ１と第２マザー基板Ｍ２とを貼り合わせる工程を説明するための平面図である。
【００７３】
すなわち、第１マザー基板Ｍ１に液晶材料ＬＭを滴下した後、第１マザー基板Ｍ１と第２マザー基板Ｍ２とを貼り合わせる。このとき、真空チャンバー内などの減圧された環境下（あるいは真空状態の環境下）において、第１アライメントマークＡＭ１及び第２アライメントマークＡＭ２に基づいて第１マザー基板Ｍ１の位置合わせを行う。そして、第３アライメントマークＡＭ３及び第４アライメントマークＡＭ４に基づいて第２マザー基板Ｍ２の位置合わせを行う。一例として、第１アライメントマークＡＭ１が第３アライメントマークＡＭ３と対向し、第２アライメントマークＡＭ２が第４アライメントマークＡＭ４と対向するように第１マザー基板Ｍ１及び第２マザー基板Ｍ２の位置を調整する。そして、第２マザー基板Ｍ２は、第１マザー基板Ｍ１の上のシール材ＳＥ及び液晶材料ＬＭに重ね合わせられる。
【００７４】
その後、減圧環境下から大気圧に戻すことにより、第１マザー基板Ｍ１及び第２マザー基板Ｍ２を加圧する。このとき、塗布したシール材ＳＥが押し潰され、また、液晶材料ＬＭがシール材ＳＥによって囲まれた内側で広がる。そして、シール材ＳＥを硬化させ、第１マザー基板Ｍ１と第２マザー基板Ｍ２とを貼り合わせる。これにより、有効領域ＥＦの各々において第１マザー基板Ｍ１と第２マザー基板Ｍ２との間に液晶層ＬＱを形成したマザー基板対ＭＸが形成される。
【００７５】
図１１は、図１０に示したマザー基板対ＭＸから液晶表示パネルＬＰＮを取り出す工程を説明するための平面図である。
【００７６】
すなわち、マザー基板対ＭＸを形成した後、第１マザー基板Ｍ１及び第２マザー基板Ｍ２の双方を割断予定線ＣＴＬにて割断する。これにより、第１マザー基板Ｍ１からアレイ基板ＡＲが取り出されるとともに、第２マザー基板Ｍ２から対向基板ＣＴが取り出され、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に液晶層ＬＱを保持した液晶表示パネルＬＰＮが製造される。
【００７７】
次に、上記のアライメントマークの検出方法について、第１アライメントマークＡＭ１を例に説明する。
【００７８】
図１２は、第１マザー基板Ｍ１上に配置された第１アライメントマークＡＭ１の一例を示す平面図である。
【００７９】
図示した例では、長方形状の第１アライメントマークＡＭ１が２×２のマトリクス状に配置されているが、この例に限らない。
【００８０】
図１３は、第１アライメントマークＡＭ１を検出する工程を説明するための断面図である。
【００８１】
図示した例では、光源から出射された参照光を第１アライメントマークＡＭ１に向けて照射し、この参照光のうち、第１アライメントマークＡＭ１からの反射光及びカラーフィルタＣＦＸからの反射光に基づいて第１アライメントマークＡＭ１を検出する。第１アライメントマークＡＭ１の検出に際して、第１アライメントマークＡＭ１からの反射光及びカラーフィルタＣＦＸからの反射光は、受光部にて受光する。なお、光源及び受光部は、いずれも第１アライメントマークＡＭ１と対向する側に位置している。受光部では、受光した反射光の強度に応じた信号を出力する。このとき、参照光に対する第１アライメントマークＡＭ１での反射率とカラーフィルタＣＦＸでの反射率との差（あるいは、第１アライメントマークＡＭ１からの反射光強度とカラーフィルタＣＦＸからの反射光強度との差）がコントラストを生み出す。つまり、受光部から出力された信号を処理することにより、カラーフィルタＣＦＸ上の第１アライメントマークＡＭ１が検出される。第１アライメントマークＡＭ１の検出感度は、第１アライメントマークＡＭ１とカラーフィルタＣＦＸとの参照光に対するコントラストが高いほど（つまり、第１アライメントマークＡＭ１での反射率とカラーフィルタＣＦＸでの反射率との差が大きいほど）向上できる。
【００８２】
このような検出工程で適用される光源としては、参照光として赤色光を出射する赤色レーザ光源、参照光として緑色光を出射する緑色レーザ光源、参照光として白色光を出射する白色光源などがある。
【００８３】
以下に、第１アライメントマークＡＭ１の検出感度を向上できる最適な第１アライメントマークＡＭ１の材料及びカラーフィルタＣＦＸの組み合わせについて検討する。
【００８４】
[実施形態１]  
この実施形態１では、光源として赤色レーザ光源を適用した場合について説明する。赤色レーザ光源は、例えば波長６３２ｎｍの赤色光を参照光として出射する。第１アライメントマークＡＭ１の材料としてチタンを適用した場合、上記の参照光に対する第１アライメントマークＡＭ１での反射率は５８％であった。第１アライメントマークＡＭ１の材料としてモリブデンを適用した場合の参照光に対する第１アライメントマークＡＭ１での反射率は４５％であった。第１アライメントマークＡＭ１の材料としてポリシリコンを適用した場合の参照光に対する第１アライメントマークＡＭ１での反射率は４１％であった。つまり、第１アライメントマークＡＭ１の材料としてチタンを適用した場合に、参照光に対して比較的高い反射率が得られた。
【００８５】
一方で、カラーフィルタＣＦＸとして、第１カラーフィルタ（緑色カラーフィルタ）ＣＦ１を適用した場合、上記の参照光に対するカラーフィルタＣＦＸでの反射率は８８％であった。カラーフィルタＣＦＸとして、第２カラーフィルタ（青色カラーフィルタ）ＣＦ２を適用した場合、参照光に対するカラーフィルタＣＦＸでの反射率は８５％であった。カラーフィルタＣＦＸとして、第３カラーフィルタ（赤色カラーフィルタ）ＣＦ３を適用した場合、参照光に対するカラーフィルタＣＦＸでの反射率はほぼ０％であった。なお、カラーフィルタＣＦＸを配置しなかった場合の参照光に対する第１マザー基板Ｍ１での反射率は４％であった。つまり、カラーフィルタＣＦＸとして第３カラーフィルタＣＦ３を適用した場合に、参照光に対して比較的低い反射率が得られ、カラーフィルタＣＦＸを配置しなかった場合の第１マザー基板Ｍ１での反射率と略同等となることが確認された。
【００８６】
このように、カラーフィルタＣＦＸの上に形成された第１アライメントマークＡＭ１を検出する際、その光源として赤色レーザ光源を適用した場合には、例えば、第１アライメントマークＡＭ１の材料としてチタンを適用し、カラーフィルタＣＦＸとして第３カラーフィルタＣＦ３を適用した組み合わせが好適である。このような組み合わせにより、第１アライメントマークＡＭ１とカラーフィルタＣＦＸとの参照光に対するコントラストを向上することが可能となる。
【００８７】
つまり、第１アライメントマークＡＭ１の材料としてチタンを適用した場合には、カラーフィルタＣＦＸとして第１カラーフィルタＣＦ１や第２カラーフィルタＣＦ２を適用した場合と比較して、第３カラーフィルタＣＦ３を適用した場合に、参照光に対してより高いコントラストを得ることが可能となる。したがって、上記の組み合わせによれば、第１アライメントマークＡＭ１の検出感度を向上することが可能となる。これにより、第１アライメントマークＡＭ１に基づいた第１マザー基板Ｍ１の有無の検出や位置合わせなどを確実に行うことができ、製造歩留まりの低下を抑制することが可能となる。
【００８８】
[実施形態２]  
この実施形態２では、光源として緑色レーザ光源を適用した場合について説明する。緑色レーザ光源は、例えば波長５３２ｎｍの緑色光を参照光として出射する。第１アライメントマークＡＭ１の材料としてチタンを適用した場合、上記の参照光に対する第１アライメントマークＡＭ１での反射率は５７％であった。第１アライメントマークＡＭ１の材料としてモリブデンを適用した場合の参照光に対する第１アライメントマークＡＭ１での反射率は４０％であった。第１アライメントマークＡＭ１の材料としてポリシリコンを適用した場合の参照光に対する第１アライメントマークＡＭ１での反射率は３９％であった。つまり、第１アライメントマークＡＭ１の材料としてチタンを適用した場合に、参照光に対して比較的高い反射率が得られた。
【００８９】
一方で、カラーフィルタＣＦＸとして、第１カラーフィルタ（緑色カラーフィルタ）ＣＦ１を適用した場合、上記の参照光に対するカラーフィルタＣＦＸでの反射率はほぼ０％であった。カラーフィルタＣＦＸとして、第２カラーフィルタ（青色カラーフィルタ）ＣＦ２を適用した場合、参照光に対するカラーフィルタＣＦＸでの反射率は９２％であった。カラーフィルタＣＦＸとして、第３カラーフィルタ（赤色カラーフィルタ）ＣＦ３を適用した場合、参照光に対するカラーフィルタＣＦＸでの反射率は９１％であった。なお、カラーフィルタＣＦＸを配置しなかった場合の参照光に対する第１マザー基板Ｍ１での反射率は４％であった。つまり、カラーフィルタＣＦＸとして第１カラーフィルタＣＦ１を適用した場合に、参照光に対して比較的低い反射率が得られ、カラーフィルタＣＦＸを配置しなかった場合の第１マザー基板Ｍ１での反射率と略同等となることが確認された。
【００９０】
このように、カラーフィルタＣＦＸの上に形成された第１アライメントマークＡＭ１を検出する際、その光源として緑色レーザ光源を適用した場合には、例えば、第１アライメントマークＡＭ１の材料としてチタンを適用し、カラーフィルタＣＦＸとして第１カラーフィルタＣＦ１を適用した組み合わせが好適である。このような組み合わせにより、第１アライメントマークＡＭ１とカラーフィルタＣＦＸとの参照光に対するコントラストを向上することが可能となる。
【００９１】
つまり、第１アライメントマークＡＭ１の材料としてチタンを適用した場合には、カラーフィルタＣＦＸとして第２カラーフィルタＣＦ２や第３カラーフィルタＣＦ３を適用した場合と比較して、第１カラーフィルタＣＦ１を適用した場合に、参照光に対してより高いコントラストを得ることが可能となる。このような実施形態２においても、実施形態１と同様の効果が得られる。
【００９２】
[実施形態３]  
この実施形態３では、光源として白色光源を適用した場合について説明する。ここでの白色光源を適用する場合とは、例えば、テレビカメラなどでアライメントマークを撮像する場合に相当し、アライメントマークに向けて白色光を積極的に出射する光源を必ずしも備えているとは限らない。
【００９３】
第１アライメントマークＡＭ１の材料としてチタンを適用した場合、参照光（白色光）に対する第１アライメントマークＡＭ１での反射率は５５％であった。第１アライメントマークＡＭ１の材料としてモリブデンを適用した場合の参照光に対する第１アライメントマークＡＭ１での反射率は４０％であった。第１アライメントマークＡＭ１の材料としてポリシリコンを適用した場合の参照光に対する第１アライメントマークＡＭ１での反射率は４０％であった。
【００９４】
一方で、カラーフィルタＣＦＸとして、第１カラーフィルタ（緑色カラーフィルタ）ＣＦ１を適用した場合、上記の参照光に対するカラーフィルタＣＦＸでの反射率は５８％であった。カラーフィルタＣＦＸとして、第２カラーフィルタ（青色カラーフィルタ）ＣＦ２を適用した場合、参照光に対するカラーフィルタＣＦＸでの反射率は４５％であった。カラーフィルタＣＦＸとして、第３カラーフィルタ（赤色カラーフィルタ）ＣＦ３を適用した場合、参照光に対するカラーフィルタＣＦＸでの反射率は６７％であった。なお、カラーフィルタＣＦＸを配置しなかった場合の参照光に対する第１マザー基板Ｍ１での反射率は４％であった。
【００９５】
このように、カラーフィルタＣＦＸの上に形成された第１アライメントマークＡＭ１を検出する際、白色光源を適用した場合には、例えば、第１アライメントマークＡＭ１の材料としてモリブデンあるいはポリシリコンを適用し、カラーフィルタＣＦＸとして第３カラーフィルタＣＦ３を適用した組み合わせが好適である。このような組み合わせにより、第１アライメントマークＡＭ１とカラーフィルタＣＦＸとの参照光に対するコントラストを向上することが可能となる。
【００９６】
つまり、第１アライメントマークＡＭ１の材料としてモリブデンあるいはポリシリコンを適用した場合には、カラーフィルタＣＦＸとして第１カラーフィルタＣＦ１や第２カラーフィルタＣＦ２を適用した場合と比較して、第３カラーフィルタＣＦ３を適用した場合に、参照光に対してより高いコントラストを得ることが可能となる。このような実施形態３においても、実施形態１と同様の効果が得られる。
【００９７】
なお、上記の実施形態１乃至３においては、それぞれの第１アライメントマークＡＭ１の材料及びカラーフィルタＣＦＸの好適な組み合わせについて説明したが、比較的高いコントラストが得られる組み合わせであれば、上記した組み合わせに限定されるものではない。
【００９８】
次に、アライメントマークの他の検出方法について説明する。
【００９９】
図１４は、第１アライメントマークＡＭ１を検出する他の工程を説明するための断面図である。
【０１００】
図示した例では、光源から出射された参照光を第１アライメントマークＡＭ１に向けて照射し、この参照光のうち、第１アライメントマークＡＭ１を透過した透過光及びカラーフィルタＣＦＸを透過した透過光に基づいて第１アライメントマークＡＭ１を検出する。第１アライメントマークＡＭ１の検出に際して、第１アライメントマークＡＭ１を透過した透過光及びカラーフィルタＣＦＸを透過した透過光は、受光部にて受光する。なお、光源は第１アライメントマークＡＭ１と対向する側に位置し、受光部は絶縁基板１００と対向する側（つまり第１アライメントマークＡＭ１とは反対側）に位置している。受光部では、受光した透過光の強度に応じた信号を出力する。このとき、参照光に対する第１アライメントマークＡＭ１での透過率とカラーフィルタＣＦＸでの透過率との差（あるいは、第１アライメントマークＡＭ１からの透過光強度とカラーフィルタＣＦＸからの透過光強度との差）がコントラストを生み出す。つまり、受光部から出力された信号を処理することにより、カラーフィルタＣＦＸ上の第１アライメントマークＡＭ１が検出される。第１アライメントマークＡＭ１の検出感度は、第１アライメントマークＡＭ１とカラーフィルタＣＦＸとの参照光に対するコントラストが高いほど（つまり、第１アライメントマークＡＭ１での透過率とカラーフィルタＣＦＸでの透過率との差が大きいほど）向上できる。
【０１０１】
このような検出工程で適用される光源としては種々適用可能であるが、ここでは、一例として、参照光として赤色光を出射する赤色レーザ光源を適用した場合について説明する。
【０１０２】
[実施形態４]  
この実施形態４では、光源として、実施形態１で説明したのと同様の赤色レーザ光源を適用した場合について説明する。第１アライメントマークＡＭ１の材料としてチタンを適用した場合、上記の参照光に対する第１アライメントマークＡＭ１での透過率はほぼ０％であった。第１アライメントマークＡＭ１の材料としてモリブデンを適用した場合の参照光に対する第１アライメントマークＡＭ１での透過率はほぼ０％であった。第１アライメントマークＡＭ１の材料としてポリシリコンを適用した場合の参照光に対する第１アライメントマークＡＭ１での透過率は８０％であった。つまり、第１アライメントマークＡＭ１の材料としてチタンあるいはモリブデンを適用した場合には参照光に対して比較的低い透過率が得られる一方で、ポリシリコンを適用した場合には参照光に対して比較的高い透過率が得られた。
【０１０３】
一方で、カラーフィルタＣＦＸとして、第１カラーフィルタ（緑色カラーフィルタ）ＣＦ１を適用した場合、上記の参照光に対するカラーフィルタＣＦＸでの透過率は１１％であった。カラーフィルタＣＦＸとして、第２カラーフィルタ（青色カラーフィルタ）ＣＦ２を適用した場合、参照光に対するカラーフィルタＣＦＸでの透過率は１４％であった。カラーフィルタＣＦＸとして、第３カラーフィルタ（赤色カラーフィルタ）ＣＦ３を適用した場合、参照光に対するカラーフィルタＣＦＸでの透過率は９５％であった。なお、カラーフィルタＣＦＸを配置しなかった場合の参照光に対する第１マザー基板Ｍ１での透過率は９５％であった。つまり、カラーフィルタＣＦＸとして第３カラーフィルタＣＦ３を適用した場合には参照光に対して比較的高い透過率が得られ、カラーフィルタＣＦＸを配置しなかった場合の第１マザー基板Ｍ１での透過率と略同等となることが確認された。また、カラーフィルタＣＦＸとして第１カラーフィルタＣＦ１及び第２カラーフィルタＣＦ２を適用した場合には参照光に対して比較的低い透過率が得られた。
【０１０４】
このように、カラーフィルタＣＦＸの上に形成された第１アライメントマークＡＭ１を検出する際、その光源として赤色レーザ光源を適用した場合には、例えば、第１アライメントマークＡＭ１の材料としてチタンあるいはモリブデンを適用し、カラーフィルタＣＦＸとして第３カラーフィルタＣＦ３を適用した組み合わせが好適である。また、第１アライメントマークＡＭ１の材料としてポリシリコンを適用し、カラーフィルタＣＦＸとして第１カラーフィルタＣＦ１あるいは第２カラーフィルタＣＦ２を適用した組み合わせも好適である。このような組み合わせにより、第１アライメントマークＡＭ１とカラーフィルタＣＦＸとの参照光に対するコントラストを向上することが可能となる。したがって、上記の組み合わせによれば、第１アライメントマークＡＭ１の検出感度を向上することが可能となる。これにより、第１アライメントマークＡＭ１に基づいた第１マザー基板Ｍ１の有無の検出や位置合わせなどを確実に行うことができ、製造歩留まりの低下を抑制することが可能となる。
【０１０５】
このように、本実施形態においては、干渉カラーフィルタによって構成されたカラーフィルタ層の上のアライメントマークの材料は、検出時に適用される光源からの参照光に対する反射率や透過率を考慮して選定される。アライメントマークを形成する材料については、例えば、スイッチング素子を形成する材料から選択することができる。つまり、アライメントマークは、スイッチング素子のポリシリコン半導体層、ゲート電極、あるいは、ソース電極などと同一工程で形成される。このため、アライメントマークを形成するための工程を別途用意する必要はない。また、アライメントマークの材料は、アライメントマークの下地となるカラーフィルタ層の参照光に対する反射率や透過率を考慮して、アライメントマークのコントラストが高くなるような組み合わせを選択することができる。このため、アライメントマークの検出感度を向上することが可能となる。これにより、製造歩留まりを向上することが可能となる。
【０１０６】
次に、本実施形態の変形例について説明する。
【０１０７】
図１５は、本実施形態に適用可能な他の第１マザー基板Ｍ１の平面図である。
【０１０８】
図１５に示した例は、図７に示した例と比較して、第１アライメントマークＡＭ１及び第２アライメントマークＡＭ２に加えて、有効領域ＥＦ内にアライメントマークを追加した点で相違している。ここで追加したアライメントマークは、例えば、割断予定線ＣＴＬの目印とするものや、マザー基板対ＭＸから取り出した液晶表示パネルＬＰＮの実装部ＭＴに信号供給源を実装する際の目印とするものなどである。
【０１０９】
例えば、第１割断予定線ＣＴＬ１の上端付近には、第１割断予定線ＣＴＬ１を挟む一対の第５アライメントマークＡＭＳ１が形成され、第１割断予定線ＣＴＬ１の下端付近には、第１割断予定線ＣＴＬ１を挟む一対の第６アライメントマークＡＭＳ１２が形成されている。これにより、第１割断予定線ＣＴＬ１に沿って第１マザー基板Ｍ１を割断する際には、第５アライメントマークＡＭＳ１及び第６アライメントマークＡＭＳ１２に基づいてアライメントすることができる。
【０１１０】
また、第２割断予定線ＣＴＬ２の左端付近には、第２割断予定線ＣＴＬ２を挟む一対の第７アライメントマークＡＭＳ２１が形成され、第２割断予定線ＣＴＬ２の右端付近には、第２割断予定線ＣＴＬ２を挟む一対の第８アライメントマークＡＭＳ２２が形成されている。これにより、第２割断予定線ＣＴＬ２に沿って第１マザー基板Ｍ１を割断する際には、第７アライメントマークＡＭＳ２１及び第８アライメントマークＡＭＳ２２に基づいてアライメントすることができる。
【０１１１】
なお、図示しないが、他の割断予定線の端部付近にそれぞれアライメントマークを形成しても良いし、さらに、割断予定線ＣＴＬが交差する位置にアライメントマークを形成しても良い。
【０１１２】
また、第１有効領域ＥＦ１の周辺エリアＰＲＰには、第９アライメントマークＡＭＳ３が形成されている。このため、第１マザー基板Ｍ１からアレイ基板として第１有効領域ＥＦ１を取り出した後に、第９アライメントマークＡＭＳ３がアレイ基板上に残る。これにより、実装部ＭＴに信号供給源を実装する際には、第９アライメントマークＡＭＳ３に基づいてアライメントすることができる。
【０１１３】
なお、図示しないが、他の有効領域ＥＦにもそれぞれ第９アライメントマークＡＭＳ３と同様のアライメントマークを形成しても良い。
【０１１４】
これらの有効領域ＥＦの内部に形成された各アライメントマークは、いずれも第１マザー基板Ｍ１から取り出したアレイ基板に残っている。
【０１１５】
以上説明したように、本実施形態によれば、製造歩留まりの低下を抑制することが可能な液晶表示装置の製造方法を提供することができる。
【０１１６】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１１７】
ＬＰＮ…液晶表示パネル
ＡＲ…アレイ基板  ＣＴ…対向基板  ＬＱ…液晶層
３０…カラーフィルタ層  ３１…第１半透過層  ３２…第２半透過層  ３３…透過層
ＣＦ１…第１カラーフィルタ  ＣＦ２…第２カラーフィルタ  ＣＦ３…第３カラーフィルタ
ＡＭ１…第１アライメントマーク  ＡＭ２…第２アライメントマーク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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