(57)【要約】【課題】少ない工数で簡易に光半導体素子を埋設できながら、ワイヤの損傷を有効に防止することのできる封止シート、光半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】基板５にワイヤ７ボンディング接続により実装されるＬＥＤ６を封止するための封止シート１であり、封止シート１は、ＬＥＤ６およびワイヤ７を埋設するための埋設層２と、埋設層２を被覆する被覆層３とを備え、それらは、遷移金属を含有する触媒を含有し、かつ、触媒によって反応を促進させて硬化するシリコーン樹脂組成物からなり、被覆層３における遷移金属の濃度Ｃ１の、埋設層２における遷移金属の濃度Ｃ２に対する比Ｒが、１以上であり、埋設層２および被覆層３の界面４とワイヤ７の最上端部との長さＬ６が、１５０μｍ以上である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にワイヤボンディング接続により実装される光半導体素子を封止するための封止シートであり、
前記光半導体素子およびワイヤを埋設するための埋設層と、
前記埋設層を被覆する被覆層とを備え、
前記埋設層および前記被覆層は、遷移金属を含有する触媒を含有し、かつ、前記触媒によって反応を促進させて硬化するシリコーン樹脂組成物からなり、
前記被覆層における前記遷移金属の濃度の、前記埋設層における前記遷移金属の濃度に対する比が、１以上であり、
前記埋設層および前記被覆層の界面と、最も前記被覆層側に位置する前記ワイヤの部分との長さが、１５０μｍ以上であることを特徴とする、封止シート。
【請求項２】
前記被覆層は、完全硬化後のシリコーン樹脂組成物から形成され、
前記埋設層は、完全硬化前のシリコーン樹脂組成物から形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の封止シート。
【請求項３】
前記触媒が、ヒドロシリル化触媒であり、
前記遷移金属が、白金であることを特徴とする、請求項１または２に記載の封止シート。
【請求項４】
前記埋設層および／または前記被覆層の前記シリコーン樹脂組成物が、蛍光体を含有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の封止シート。
【請求項５】
基板にワイヤボンディング接続により実装される光半導体素子を用意する工程、および、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の封止シートによって、光半導体素子を埋設する埋設工程
を備えることを特徴とする、光半導体装置の製造方法。
【請求項６】
基板にワイヤボンディング接続により実装される光半導体素子と、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の封止シートであって、前記光半導体素子を封止する前記封止シートと
を備えることを特徴とする、光半導体装置。
【請求項７】
請求項５に記載の光半導体装置の製造方法により製造されることを特徴とする、光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、封止シート、光半導体装置およびその製造方法、詳しくは、封止シート、それを備える光半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光半導体装置は、基板に実装されるＬＥＤ（発光ダイオード素子）などの光半導体素子を、シリコーン樹脂を含有する封止層や蛍光体層によって封止することによって、製造される。そして、シリコーン樹脂を含有する封止層や蛍光体層によって、光半導体素子の耐久性を向上させ、それによって、光半導体装置の長期信頼性を向上させている。
【０００３】
具体的には、光半導体装置を得る方法として、以下の方法が提案されている（例えば、下記特許文献１参照。）。すなわち、まず、青色ＬＥＤを基板にワイヤボンディングにより実装し、次いで、シリコーン樹脂からなる封止材によって、青色ＬＥＤと、青色ＬＥＤおよび基板を接続するワイヤとを被覆（埋設）し、続いて、封止材を硬化させて、封止層を形成する。別途、白金−カルボニル錯体（ヒドロシリル化触媒）を含有するシリコーン樹脂組成物を調製し、これを離型基材の表面に塗布して、前駆体層を形成し、これを加熱して、Ｂステージのシリコーン樹脂組成物からなる蛍光体層を形成する。その後、蛍光体層を、青色ＬＥＤを被覆している封止層に転写し、次いで、蛍光体層を加熱して、蛍光体層のシリコーン樹脂組成物を完全硬化させる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−４９５０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１の方法では、まず、封止層によって青色ＬＥＤおよびワイヤを被覆し、次いで、別途、離型基材の表面に蛍光体層を積層した後、蛍光体層を封止層に積層する。そのため、工数が多く、その分、手間がかかるという不具合がある。
【０００６】
このような不具合を解消すべく、予め、蛍光体層および封止層が積層された積層体シートを用いることが試案される。そのような場合には、青色ＬＥＤおよびワイヤを埋設すべく、封止層をＢステージで調製する一方、封止シートのハンドリング性を得るべく、蛍光体層をＣステージで調製することが望まれる。そのような積層体シートを生産効率よく製造するには、封止層の触媒量を相対的に少なくしながら、蛍光体層の触媒量を相対的に多くする必要がある。しかし、蛍光体層および封止層に、そのような割合で触媒を配合すると、蛍光体層に多く含まれる触媒の一部が、Ｂステージの封止層に移行することによって、封止層が容易にＣステージになる場合がある。従って、そのようなＣステージの封止層によって青色ＬＥＤおよびワイヤを埋設しようとすると、ワイヤは、機械強度が比較的低いことから、損傷するという不具合がある。
【０００７】
本発明の目的は、少ない工数で簡易に光半導体素子を埋設できながら、ワイヤの損傷を有効に防止することのできる封止シート、光半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の封止シートは、基板にワイヤボンディング接続により実装される光半導体素子を封止するための封止シートであり、前記光半導体素子およびワイヤを埋設するための埋設層と、前記埋設層を被覆する被覆層とを備え、前記埋設層および前記被覆層は、遷移金属を含有する触媒を含有し、かつ、前記触媒によって反応を促進させて硬化するシリコーン樹脂組成物からなり、前記被覆層における前記遷移金属の濃度の、前記埋設層における前記遷移金属の濃度に対する比が、１以上であり、前記埋設層および前記被覆層の界面と、最も前記被覆層側に位置する前記ワイヤの部分との長さが、１５０μｍ以上であることを特徴としている。
【０００９】
この封止シートによって、光半導体素子を埋設すれば、埋設層および被覆層の界面と、最も被覆層側に位置するワイヤの部分との長さが、１５０μｍ以上確保される。そして、被覆層における遷移金属の濃度の、埋設層における遷移金属の濃度に対する比が、１以上であることによって起因する、触媒の被覆層から埋設層への移行によって、埋設層の被覆層側部分において、シリコーン樹脂組成物の反応が促進して硬化が進んで硬化領域が形成されても、埋設層における硬化領域とワイヤとが重複することを防止し、硬化領域とワイヤとの重複に起因するワイヤの損傷を有効に防止することができる。
【００１０】
また、封止シートは、埋設層および被覆層を予め備えているので、これらによって一度に光半導体素子およびワイヤを埋設して被覆することができる。そのため、少ない工数で簡易に光半導体素子およびワイヤを埋設して封止することができる。
【００１１】
また、本発明の封止シートでは、前記被覆層は、完全硬化後のシリコーン樹脂組成物から形成され、前記埋設層は、完全硬化前のシリコーン樹脂組成物から形成されていることが好適である。
【００１２】
この封止シートでは、被覆層が完全硬化後のシリコーン樹脂組成物から形成されるので、取扱性に優れる。また、完全硬化前のシリコーン樹脂組成物から形成される埋設層によって、ワイヤの損傷を有効に防止しながら、かかるワイヤを埋設して、これを封止することができる。
【００１３】
また、本発明の封止シートでは、前記触媒が、ヒドロシリル化触媒であり、前記遷移金属が、白金であることが好適である。
【００１４】
この封止シートでは、触媒がヒドロシリル化触媒であるので、シリコーン樹脂組成物のヒドロシリル化反応による硬化を確実に促進させることができる。
【００１５】
また、本発明の封止シートでは、前記埋設層および／または前記被覆層の前記シリコーン樹脂組成物が、蛍光体を含有することが好適である。
【００１６】
この封止シートでは、埋設層および／または被覆層のシリコーン樹脂組成物が、蛍光体を含有するので、光半導体素子から発光される光の波長を埋設層および／または被覆層によって変換して、光の変換効率を高めることができる。
【００１７】
また、本発明の光半導体装置の製造方法は、基板にワイヤボンディング接続により実装される光半導体素子を用意する工程、および、上記した封止シートによって、光半導体素子を埋設する埋設工程を備えることを特徴としている。
【００１８】
この光半導体装置の製造方法では、上記した封止シートによって、光半導体素子およびワイヤを封止するので、埋設層および被覆層の界面と、最も被覆層側に位置するワイヤの部分との長さが、１５０μｍ以上確保される。そして、被覆層における遷移金属の濃度の、埋設層における遷移金属の濃度に対する比が、１以上であることによって起因する、触媒の被覆層から埋設層への移行によって、埋設層の被覆層側部分において、シリコーン樹脂組成物の反応が促進して硬化が進んで硬化領域が形成されても、埋設層における硬化領域とワイヤとが重複することを防止し、硬化領域とワイヤとの重複に起因するワイヤの損傷を有効に防止することができる。
【００１９】
また、封止シートは、埋設層および被覆層を予め備えているので、これらによって一度に光半導体素子およびワイヤに対して被覆することができる。そのため、少ない工数で簡易に光半導体素子およびワイヤを埋設して封止することができる。
【００２０】
また、本発明の光半導体装置は、基板にワイヤボンディング接続により実装される光半導体素子を用意する工程、および、上記した封止シートによって、光半導体素子を埋設する埋設工程を備えることを特徴としている。
【００２１】
この光半導体装置は、上記した封止シートによって、光半導体素子が埋設されているので、ワイヤの損傷が有効に防止されており、そのため、信頼性に優れている。
【００２２】
また、本発明の光半導体装置は、基板にワイヤボンディング接続により実装される光半導体素子と、上記した封止シートであって、前記光半導体素子を封止する前記封止シートとを備えることを特徴としている。
【００２３】
この光半導体装置では、光半導体素子が上記した封止シートによって埋設されているので、ワイヤの損傷が有効に防止されており、そのため、信頼性に優れている。
【００２４】
また、本発明の光半導体装置は、上記した光半導体装置の製造方法により製造されることを特徴としている。
【００２５】
この光半導体装置は、上記した光半導体装置の製造方法によって製造されるので、ワイヤの損傷が有効に防止されており、そのため、信頼性に優れている。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の封止シートおよび本発明の光半導体装置の製造方法は、少ない工数で簡易に光半導体素子およびワイヤを埋設して封止することができる。
【００２７】
本発明の光半導体装置は、信頼性に優れている。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】図１は、本発明の封止シートの一実施形態の断面図を示す。
【図２】図２は、本発明の光半導体装置の製造方法の一実施形態の製造工程図であって、（ａ）は、基板にワイヤボンディング接続により実装されるＬＥＤを用意する工程、（ｂ）は、封止シートによって、ＬＥＤを埋設する埋設工程を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
図１および図２において、紙面上下方向を第１方向（表裏方向）、紙面左右方向を第２方向（左右方向）、紙面奥行き方向を第３方向（前後方向）という場合がある。
【００３０】
図１に示すように、封止シート１は、後述する基板５にワイヤボンディング接続により実装されるＬＥＤ６（図２参照）を封止するためのシートである。封止シート１は、ＬＥＤ６（図２参照）および後述するワイヤ７（図２参照）を埋設するための埋設層２と、埋設層２を被覆する被覆層３とを備える。また、封止シート１には、被覆層３を支持する離型シート８が設けられている。
【００３１】
封止シート１において、被覆層３は、シリコーン樹脂組成物からシート状に形成されている。
【００３２】
シリコーン樹脂組成物は、少なくとも触媒を含有し、具体的には、触媒およびシリコーン樹脂を含有する。
【００３３】
触媒は、例えば、シリコーン樹脂の反応を促進させてシリコーン樹脂を硬化させる硬化触媒であって、好ましくは、後述するシリコーン樹脂のヒドロシリル化反応を促進させてシリコーン樹脂をヒドロシリル付加により硬化させるヒドロシリル化触媒である。
【００３４】
触媒は、遷移金属を含有する。遷移金属としては、例えば、白金、パラジウム、ロジウムなどの白金属元素、好ましくは、白金が挙げられる。
【００３５】
具体的には、触媒としては、触媒が白金を含有する場合には、例えば、白金黒、塩化白金、塩化白金酸などの無機白金、例えば、白金−オレフィン錯体、白金−カルボニル錯体、白金−アセチルアセテートなどの白金錯体などが挙げられ、好ましくは、白金錯体が挙げられる。より具体的には、白金錯体としては、例えば、白金−ビニルシロキサン錯体、白金−テトラメチルジビニルジシロキサン錯体、白金−カルボニルシクロビニルメチルシロキサン錯体、白金−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体、白金−シクロビニルメチルシロキサン錯体、白金−オクタナル／オクタノール錯体などが挙げられる。
【００３６】
なお、触媒は、次に説明するシリコーン樹脂と区別して配合される態様や、シリコーン樹脂を構成する成分としてシリコーン樹脂に含有される態様がある。
【００３７】
触媒の遷移金属の含有割合（濃度）は、シリコーン樹脂組成物に対して、質量基準で、０．１ｐｐｍ以上、好ましくは、０．３ｐｐｍ以上であり、また、例えば、５００ｐｐｍ以下、好ましくは、１００ｐｐｍ以下、より好ましくは、１０ｐｐｍ以下である。
【００３８】
シリコーン樹脂は、触媒によって反応が促進されて硬化する硬化性シリコーン樹脂であって、例えば、２段階硬化型シリコーン樹脂、１段階硬化型シリコーン樹脂などの熱硬化性シリコーン樹脂などが挙げられる。
【００３９】
２段階硬化型シリコーン樹脂は、２段階の反応機構を有しており、１段階目の反応でＢステージ化（半硬化）し、２段階目の反応でＣステージ化（完全硬化）する熱硬化性シリコーン樹脂である。
【００４０】
１段階硬化型シリコーン樹脂は、１段階の反応機構を有しており、１段階目の反応で完全硬化する熱硬化性シリコーン樹脂である。
【００４１】
また、Ｂステージは、熱硬化性シリコーン樹脂が、溶剤に可溶なＡステージと、完全硬化したＣステージとの間の状態であって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、溶剤に膨潤するが完全に溶解せず、加熱によって軟化するが溶融しない状態である。
【００４２】
熱硬化性シリコーン樹脂として、好ましくは、１段階硬化型シリコーン樹脂が挙げられる。
【００４３】
被覆層３の１段階硬化型シリコーン樹脂としては、例えば、特開２０１２−１２４４２８号公報に開示される付加反応硬化型ポリオルガノポリシロキサンが挙げられる。具体的には、付加反応硬化型ポリオルガノポリシロキサンは、例えば、エチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物およびヒドロシリル基含有ケイ素化合物を含有する。
【００４４】
エチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物として、例えば、分子内に２個以上のビニル基を有するビニル基含有ポリオルガノシロキサン、好ましくは、両末端ビニルポリジメチルシロキサンが挙げられる。また、エチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物として、市販品を用いることができ、具体的には、両末端ビニルポリジメチルシロキサンとして、ＤＭＳ−Ｖ００、ＤＭＳ−Ｖ０３、ＤＭＳ−Ｖ０５、ＤＭＳ−Ｖ２１、ＤＭＳ−Ｖ２２、ＤＭＳ−Ｖ２５、ＤＭＳ−Ｖ３１、ＤＭＳ−Ｖ３３、ＤＭＳ−Ｖ３５、ＤＭＳ−Ｖ４１、ＤＭＳ−Ｖ４２、ＤＭＳ−Ｖ４６、ＤＭＳ−Ｖ５２などのＤＭＳ−Ｖシリーズ（いずれもＧｅｌｅｓｔ社製）などが用いられる。
【００４５】
ヒドロシリル基含有ケイ素化合物として、例えば、分子内に２個以上のヒドロシリル基を有するヒドロシリル基含有ポリオルガノシロキサン、好ましくは、両末端ヒドロシリルポリジメチルシロキサン、両末端トリメチルシリル封鎖メチルヒドロシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマーなどが挙げられる。また、ヒドロシリル基含有ケイ素化合物として、市販品を用いることができ、具体的には、両末端ヒドロシリルポリジメチルシロキサンとして、ＤＭＳ−Ｈ０３、ＤＭＳ−Ｈ１１、ＤＭＳ−Ｈ２１、ＤＭＳ−Ｈ２５、ＤＭＳ−Ｈ３１、ＤＭＳ−Ｈ４１などのＤＭＳ−Ｈシリーズ（いずれもＧｅｌｅｓｔ社製）などが挙げられ、また、具体的には、両末端トリメチルシリル封鎖メチルヒドロシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマーとして、ＨＭＳ−０１３、ＨＭＳ−０３１、ＨＭＳ−０６４、ＨＭＳ−０７１、ＨＭＳ−０８２、ＨＭＳ−１５１、ＨＭＳ−３０１、ＨＭＳ−５０１などのＨＭＳシリーズ（いずれもＧｅｌｅｓｔ社製）などが挙げられる。
【００４６】
さらに、１段階硬化型シリコーン樹脂は、エチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物、ヒドロシリル基含有ケイ素化合物および触媒の混合物を市販品として用いることができ、例えば、ＥＲＡＳＴＯＳＩＬ  ＬＲ７６６５などのＥＲＡＳＴＯＳＩＬシリーズ（旭化成ワッカーシリコーン社製）などのシリコーンエラストマーが用いられる。
【００４７】
シリコーン樹脂（のシリコーン成分。つまり、シリコーン樹脂が触媒を含有する場合には、触媒を除く成分。）の配合割合は、シリコーン樹脂組成物に対して、例えば、３０質量％以上、好ましくは、５０質量％以上であり、また、例えば、９９質量％以下、好ましくは、９５質量％以下でもある。
【００４８】
また、シリコーン樹脂組成物は、充填剤を含有することもできる。
【００４９】
充填剤は、被覆層３の靱性を向上させるためにシリコーン樹脂組成物に配合され、例えば、シリコーン粒子（具体的には、シリコーンゴム粒子を含む）などの有機微粒子、例えば、シリカ（例えば、煙霧シリカなど）、タルク、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素などの無機微粒子が挙げられる。また、充填剤の最大長さの平均値（球状である場合には、平均粒子径）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下でもある。充填剤の配合割合は、シリコーン樹脂組成物に対して、例えば、０．１質量％以上、好ましくは、０．５質量％以上であり、また、例えば、７０質量％以下、好ましくは、５０質量％以下でもある。また、充填剤の配合割合は、シリコーン樹脂１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、０．５質量部以上であり、また、例えば、７０質量部以下、好ましくは、５０質量部以下でもある。
【００５０】
なお、シリコーン樹脂組成物には、必要により、蛍光体を含有させることもできる。
【００５１】
蛍光体は、波長変換機能を有しており、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体、青色光を赤色光に変換することのできる赤色蛍光体などが挙げられる。
【００５２】
黄色蛍光体としては、例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）２ＳｉＯ４；Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ（バリウムオルソシリケート（ＢＯＳ））などのシリケート蛍光体、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）、Ｔｂ３Ａｌ３Ｏ１２：Ｃｅ（ＴＡＧ（テルビウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）などのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Ｃａ−α−ＳｉＡｌＯＮなどの酸窒化物蛍光体などが挙げられる。
【００５３】
赤色蛍光体としては、例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ２：Ｅｕなどの窒化物蛍光体などが挙げられる。
【００５４】
蛍光体の形状としては、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。好ましくは、流動性の観点から、球状が挙げられる。
【００５５】
蛍光体の最大長さの平均値（球状である場合には、平均粒子径）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下でもある。
【００５６】
蛍光体の配合割合は、シリコーン樹脂組成物に対して、例えば、０．１質量％以上、好ましくは、０．５質量％以上であり、例えば、８０質量％以下、好ましくは、５０質量％以下でもある。
【００５７】
そして、被覆層３は、離型シート８の表面において、上記した各成分を含有するシリコーン樹脂組成物（被覆層用シリコーン樹脂組成物）から形成されており、好ましくは、熱硬化性シリコーン樹脂（具体的には、１段階硬化型シリコーン樹脂）が完全硬化（Ｃステージ化）した、完全硬化後のシリコーン樹脂組成物から形成されている。
【００５８】
なお、被覆層３の詳細な作製方法は、後述する。
【００５９】
被覆層３における遷移金属の濃度Ｃ１は、例えば、質量基準で、０．１ｐｐｍ以上、好ましくは、０．２ｐｐｍ以上、より好ましくは、０．２５ｐｐｍ以上であり、また、例えば、５００ｐｐｍ以下、好ましくは、１００ｐｐｍ以下、より好ましくは、１０ｐｐｍ以下である。被覆層３における遷移金属の濃度Ｃ１が上記下限以上であれば、所望の時間内（例えば、３０分間以下）でシリコーン樹脂の反応を促進させて硬化させることができ、そのため、生産性を向上させることができる。一方、被覆層３における遷移金属の濃度Ｃ１が上記上限以下であれば、シリコーン樹脂組成物のポットライフの短縮化を防止することができる。
【００６０】
なお、被覆層３における遷移金属の濃度Ｃ１は、後述する遷移金属が埋設層２へ移行する前の被覆層３の遷移金属の濃度であって、具体的には、作製直後（作製から２４時間以内）の被覆層３の遷移金属の濃度である。換言すれば、被覆層３の遷移金属の濃度Ｃ１は、被覆層３を形成するためのシリコーン樹脂組成物（被覆層用シリコーン樹脂組成物）における遷移金属の濃度Ｃ１と実質的に同一である。被覆層用シリコーン樹脂組成物における遷移金属の濃度Ｃ１は、例えば、ＩＣＰ分析によって測定される。また、濃度Ｃ１は、各成分の仕込み量から算出される計算値としても求められる。
【００６１】
作製直後の被覆層３の２５℃における圧縮弾性率は、例えば、０．００１ＭＰａ以上、好ましくは、０．０１ＭＰａ以上であり、また、例えば、１０ＭＰａ以下、好ましくは、５ＭＰａ以下でもある。
【００６２】
被覆層３の厚みＬ１、つまり、被覆層３の表面と裏面との間の長さＬ１、すなわち、埋設層２および被覆層３の界面４と、被覆層３および離型シート８の界面との長さＬ１は、例えば、５０μｍ以上、好ましくは、１００μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、１５００μｍ以下、より好ましくは、１０００μｍ以下である。被覆層３の厚みＬ１が上記下限以上であれば、封止シート１のハンドリング性が低下することを有効に防止することができる。被覆層３の厚みＬ１が上記上限以下であれば、封止シート１の製造コストの増大を有効に抑制することができる。
【００６３】
埋設層２は、封止シート１の最表面に位置しており、具体的には、被覆層３の表面において、シリコーン樹脂組成物からシート状に形成されている。
【００６４】
埋設層２のシリコーン樹脂組成物としては、被覆層３のシリコーン樹脂組成物と同様のシリコーン樹脂組成物が挙げられる。埋設層２のシリコーン樹脂組成物では、シリコーン樹脂として、好ましくは、２段階硬化型シリコーン樹脂が挙げられる。
【００６５】
２段階硬化型シリコーン樹脂としては、例えば、縮合反応と付加反応との２つの反応系を有する縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂などが挙げられる。
【００６６】
このような縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂は、触媒を含有しており、例えば、シラノール両末端ポリシロキサン、アルケニル基含有トリアルコキシシラン、オルガノハイドロジェンポリシロキサン、縮合触媒およびヒドロシリル化触媒を含有する第１の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂、例えば、シラノール基両末端ポリシロキサン（後述する式（１）参照）、エチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物（後述する式（２）参照）、エチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物（後述する式（３）参照）、オルガノハイドロジェンポリシロキサン、縮合触媒およびヒドロシリル化触媒を含有する第２の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂、例えば、両末端シラノール型シリコーンオイル、アルケニル基含有ジアルコキシアルキルシラン、オルガノハイドロジェンポリシロキサン、縮合触媒およびヒドロシリル化触媒を含有する第３の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂、例えば、１分子中に少なくとも２個のアルケニルシリル基を有するオルガノポリシロキサン、１分子中に少なくとも２個のヒドロシリル基を有するオルガノポリシロキサン、ヒドロシリル化触媒および硬化遅延剤を含有する第４の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂、例えば、少なくとも２つのエチレン系不飽和炭化水素基と少なくとも２つのヒドロシリル基とを１分子中に併有する第１オルガノポリシロキサン、エチレン系不飽和炭化水素基を含まず、少なくとも２つのヒドロシリル基を１分子中に有する第２オルガノポリシロキサン、ヒドロシリル化触媒およびヒドロシリル化抑制剤を含有する第５の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂、例えば、少なくとも２つのエチレン系不飽和炭化水素基と少なくとも２つのシラノール基とを１分子中に併有する第１オルガノポリシロキサン、エチレン系不飽和炭化水素基を含まず、少なくとも２つのヒドロシリル基を１分子中に有する第２オルガノポリシロキサン、ヒドロシリル化抑制剤、および、ヒドロシリル化触媒を含有する第６の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂、例えば、ケイ素化合物、および、ホウ素化合物またはアルミニウム化合物を含有する第７の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂、例えば、ポリアルミノシロキサンおよびシランカップリング剤を含有する第８の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂などが挙げられる。
【００６７】
これら縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂は、単独使用または２種類以上併用することができる。
【００６８】
縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂として、好ましくは、第２の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂が挙げられ、具体的には、特開２０１０−２６５４３６号公報などに詳細に記載され、例えば、シラノール基両末端ポリジメチルシロキサン、ビニルトリメトキシシラン、（３−グリシドキシプロピル）トリメトキシシラン、ジメチルポリシロキサン−ｃｏ−メチルハイドロジェンポリシロキサン、水酸化テトラメチルアンモニウムおよび白金−カルボニル錯体を含有する。具体的には、第２の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂を調製するには、例えば、まず、縮合原料であるエチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物およびエチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物と、縮合触媒とを一度に加え、次いで、付加原料であるオルガノハイドロジェンポリシロキサンを加え、その後、ヒドロシリル化触媒（付加触媒）を加える。
【００６９】
触媒の遷移金属の含有割合（濃度）は、シリコーン樹脂組成物に対して、質量基準で、０．１ｐｐｍ以上、好ましくは、０．１５ｐｐｍ以上、より好ましくは、０．２ｐｐｍ以上、より好ましくは、０．３ｐｐｍ以上であり、また、例えば、５００ｐｐｍ以下、好ましくは、５０ｐｐｍ以下、より好ましくは、１０ｐｐｍ以下である。
【００７０】
埋設層２は、熱硬化性シリコーン樹脂（具体的には、２段階硬化型シリコーン樹脂）が完全硬化（Ｃステージ化）する前のシリコーン樹脂組成物、より詳しくは、Ｂステージのシリコーン樹脂組成物から形成されている。
【００７１】
なお、埋設層２の詳細な作製方法は、後述する。
【００７２】
埋設層２における遷移金属の濃度Ｃ２は、例えば、質量基準で、０．１ｐｐｍ以上、好ましくは、０．２ｐｐｍ以上、より好ましくは、０．２５ｐｐｍ以上であり、また、例えば、１００ｐｐｍ以下、好ましくは、１０ｐｐｍ以下、より好ましくは、７ｐｐｍ以下である。
【００７３】
埋設層２における遷移金属の濃度Ｃ２が上記下限以上であれば、所望の時間内（例えば、６０分間以下）でシリコーン樹脂の反応を促進させて硬化させることができ、そのため、ＬＥＤ装置１０（図２（ｂ）参照）の生産性を向上させることができる。一方、埋設層２における遷移金属の濃度Ｃ２が上記上限以下であれば、シリコーン樹脂の反応速度の上昇を抑制して、埋設層２の厚みＬ２（後述）を厚くすることなく、ワイヤ７に対する封止性を向上させることができる。
【００７４】
なお、埋設層２における遷移金属の濃度Ｃ２は、被覆層３の遷移金属が埋設層２への移行することに起因して埋設層２に硬化領域９（後述、図１および図２の１点破線参照）が形成される前の埋設層２の遷移金属の濃度であって、具体的には、作製直後（作製から２４時間以内）の埋設層２の遷移金属の濃度である。換言すれば、埋設層２における遷移金属の濃度Ｃ２は、埋設層２を形成するためのシリコーン樹脂組成物（埋設層用シリコーン樹脂組成物）における遷移金属の濃度Ｃ２と実質的に同一である。埋設層用シリコーン樹脂組成物における遷移金属の濃度Ｃ２は、例えば、ＩＣＰ分析によって測定される。また、濃度Ｃ２は、仕込み量から算出される計算値としても求められる。
【００７５】
そして、被覆層３における遷移金属の濃度Ｃ１の、埋設層２における遷移金属の濃度Ｃ２に対する比Ｒ（＝Ｃ１／Ｃ２）は、１以上であり、好ましくは、２以上、より好ましくは、３以上、さらに好ましくは、４以上、とりわけ好ましくは、１０以上、最も好ましくは、２０以上であり、また、例えば、１００以下、好ましくは、５０以下である。
【００７６】
比Ｒが、上記下限に満たない場合、すなわち、被覆層３における遷移金属の濃度Ｃ１が、埋設層２における遷移金属の濃度Ｃ２より低くなる場合には、埋設層２を完全硬化前のシリコーン樹脂組成物から調製しながら、被覆層３を完全硬化後のシリコーン樹脂組成物から調製することができない。
【００７７】
つまり、例えば、埋設層２を完全硬化前のシリコーン樹脂組成物から調製する場合には、被覆層３は、埋設層２における遷移金属の濃度Ｃ２より低い濃度Ｃ１で遷移金属を含有するので、被覆層３は、完全硬化に必要な触媒量に満たない触媒量を含有し、すなわち、被覆層３では、触媒が不足する。そのため、被覆層３は、完全硬化することなく、すなわち、完全硬化前のシリコーン樹脂組成物から被覆層３が得られる。その結果、被覆層３が過度に柔くなり、具体的には、圧縮弾性率が上記した下限に満たないので、封止シート１のハンドリング性が著しく低下する。
【００７８】
他方、被覆層３を完全硬化後のシリコーン樹脂組成物から調製する場合には、埋設層２は、被覆層３における遷移金属の濃度Ｃ１より高い濃度Ｃ２で遷移金属を含有するので、埋設層２は、完全硬化に必要な触媒量を超過する触媒量を含有し、すなわち、埋設層２では、触媒が過剰となる。そのため、埋設層２では、シリコーン樹脂組成物の硬化反応が中断せずそのまま促進されて完全硬化してしまい、つまり、完全硬化後のシリコーン樹脂組成物から埋設層２が得られる。その結果、埋設層２が過度に硬くなり、具体的には、後述する埋設層２の弾性率が上記した上限を超えるので、かかる埋設層２でワイヤ７を被覆すると、ワイヤ７を損傷する。
【００７９】
作製直後の埋設層２の２５℃における弾性率は、例えば、４０ｋＰａ以上、好ましくは、６０ｋＰａ以上であり、また、例えば、５００ｋＰａ以下、好ましくは、３００ｋＰａ以下でもある。弾性率は、ナノインデンターを用いて測定される。なお、弾性率の測定条件について後の実施例において詳述する。
【００８０】
埋設層２の厚みＬ２、つまり、埋設層２の表面と裏面との間の長さＬ２、すなわち、埋設層２および被覆層３の界面４と、封止シート１の最表面との長さＬ２は、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、３００μｍ以上、より好ましくは、５００μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、１７００μｍ以下、より好ましくは、１５００μｍ以下である。埋設層２の厚みＬ２が上記下限以上であれば、封止シート１のハンドリング性が低下することを有効に防止することができる。埋設層２の厚みＬ２が上記上限以下であれば、製造コストの増大を有効に抑制することができる。
【００８１】
離型シート８は、被覆層３を支持する基材であって、埋設層２および被覆層３を形成する際の加熱に対して耐性、すなわち、耐熱性があればよく、例えば、ポリエチレンシート、ポリエステルシート（ＰＥＴなど）、ポリスチレンシート、ポリカーボネートシート、ポリイミドシートなどのポリマーシート、例えば、セラミクスシート、例えば、金属箔などが挙げられる。好ましくは、ポリマーシート、より好ましくは、ＰＥＴシートが挙げられる。また、離型シート８の表面には、フッ素処理などの剥離処理を施すこともできる。離型シート８の厚みは、例えば、２０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１５０μｍ以下でもある。離型シート８の厚みが上記下限以上であれば、封止シート１のハンドリング性の低下を有効に防止することができる。離型シート８の厚みが上記上限以下であれば、製造コストの増大を有効に抑制することができる。
【００８２】
次に、封止シート１の製造方法について説明する。
【００８３】
この方法では、まず、被覆層３を、離型シート８の表面にシート状に積層する。
【００８４】
被覆層３を離型シート８の表面に積層するには、上記した各成分を含有するシリコーン樹脂組成物（被覆層用シリコーン樹脂組成物）をワニスとして調製する。
【００８５】
なお、ワニスの調製の際には、触媒を、必要により、溶媒に溶解された溶液として準備する。具体的には、溶媒として、例えば、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素、例えば、キシレンなどの芳香族炭化水素、例えば、ビニルメチル環状シロキサン（環状メチルビニルシロキサン）、両末端ビニルポリジメチルシロキサンなどのシロキサンなどが挙げられる。溶媒は、溶液における触媒の含有割合が、例えば、０．１質量％以上、好ましくは、１質量％以上、また、例えば、１０質量％以下、好ましくは、５質量％以下となるように、配合する。そのような溶液として、市販品を用いることができ、例えば、ＳＩＰシリーズが用いられ、具体的には、白金−カルボニルシクロビニルメチルシロキサン錯体の２．０質量％ビニルメチル環状シロキサン溶液であるＳＩＰ６８２９．２（Ｇｅｌｅｓｔ社製）、白金−シクロビニルメチルシロキサン錯体の２〜２．５質量％環状メチルビニルシロキサン溶液であるＳＩＰ６８３２．２（Ｇｅｌｅｓｔ社製の商品名）などが用いられる。
【００８６】
その後、シリコーン樹脂組成物を離型シート８の表面に、例えば、アプリケーターなどによって塗布して、塗膜を作製し、その後、触媒が溶液として調製されている場合には、必要により、加熱して、溶媒を除去する。
【００８７】
加熱条件は、加熱温度が、例えば、８０℃以上、好ましくは、１００℃以上、また、例えば、２００℃以下、好ましくは、１８０℃以下であり、加熱時間が、例えば、１分間以上、５分間以上であり、また、例えば、６０分間以下、好ましくは、１５分間以下である。シリコーン樹脂が熱硬化性シリコーン樹脂（具体的には、１段階硬化型シリコーン樹脂）から形成されている場合には、塗膜は、完全硬化（Ｃステージ化）して、完全硬化後（Ｃステージ）の被覆層３が形成される。さらに、触媒が、ヒドロシリル化触媒である場合には、上記した加熱によって、熱硬化性シリコーン樹脂（具体的には、１段階硬化型シリコーン樹脂）のヒドロシリル付加反応（ヒドロシリル化反応）が促進されて、完全硬化する。
【００８８】
次いで、埋設層２を被覆層３の表面に積層する。
【００８９】
埋設層２を被覆層３の表面に積層するには、上記した各成分を含有するシリコーン樹脂組成物（埋設層用シリコーン樹脂組成物）をワニスとして調製する。その後、シリコーン樹脂組成物を被覆層３の表面に、例えば、アプリケーターなどによって塗布して、塗膜を作製し、その後、触媒が溶液として調製されている場合には、必要により、加熱して、溶媒を除去する。
【００９０】
加熱条件は、加熱温度が、例えば、４０℃以上、好ましくは、８０℃以上であり、また、例えば、２００℃以下、好ましくは、１５０℃以下である。加熱時間は、例えば、１分間以上、好ましくは、５分間以上であり、また、例えば、２４時間以下、好ましくは、１時間以下である。
【００９１】
シリコーン樹脂が熱硬化性シリコーン樹脂（具体的には、２段階硬化型シリコーン樹脂）から形成されている場合には、塗膜は、半硬化（Ｂステージ化）する一方、完全硬化（Ｃステージ化）せず、すなわち、完全硬化（Ｃステージ化）前の埋設層２が形成される。
【００９２】
これによって、離型シート８の表面に、完全硬化後のシリコーン樹脂組成物から形成される埋設層２と、完全硬化前のシリコーン樹脂組成物から形成される被覆層３とが順次積層された封止シート１が得られる。
【００９３】
なお、埋設層２と被覆層３との複層シートの作製にあたっては、上記のような積層成膜によって作製する方法の他に、予め、埋設層２と被覆層３とのそれぞれを別々に成膜しておき、次いで、それらを張り合わせて作製する方法もある。張り合わせによる作製は、埋設層２や被覆層３の加熱条件などは上記の内容に準拠することができる。
【００９４】
その後、図１の仮想線で示すように、必要により、得られた封止シート１を保護するために、保護シート１１を埋設層２の表面に設けることもできる。
【００９５】
保護シート１１は、離型シート８と同様の材料から形成することができ、同様の寸法に形成されている。
【００９６】
次に、封止シート１によりＬＥＤ装置１０を製造する方法について、図２を参照して説明する。
【００９７】
この方法では、図２（ａ）に示すように、基板５にワイヤボンディング接続により実装される光半導体素子としてのＬＥＤ６を用意する。
【００９８】
基板５は、例えば、シリコン基板、セラミック基板、ポリイミド樹脂基板、金属基板に絶縁層が積層された積層基板などの絶縁基板からなる。
【００９９】
また、基板５の表面には、次に説明するＬＥＤ６の端子（図示せず）と電気的に接続するための電極（つまり、基板側端子、図示せず。）と、それに連続する配線とを備える導体パターン（図示せず）が形成されている。導体パターンは、例えば、金、銅、銀、ニッケルなどの導体から形成されている。
【０１００】
ＬＥＤ６は、電気エネルギーを光エネルギーに変換する光半導体素子であり、例えば、厚みが面方向長さ（左右方向長さ）より短い断面視略矩形状に形成されている。また、ＬＥＤ６の表面は、図示しない端子によって形成されており、かかる端子が、基板５の表面においてＬＥＤ６の載置位置と左右方向に間隔を隔てて設けられる電極（図示せず）と、ワイヤ７を介して、電気的に接続されることにより、ＬＥＤ６が基板５に実装される。ＬＥＤ６としては、例えば、青色光を発光する青色ＬＥＤ（発光ダイオード素子）が挙げられる。ＬＥＤ６の厚みＬ３は、例えば、１０〜１０００μｍである。
【０１０１】
ワイヤ７は、線状に形成され、その一端がＬＥＤ６の端子に電気的に接続され、他端が基板５の電極（図示せず）に電気的に接続されている。
【０１０２】
ワイヤ７の材料としては、例えば、金、銀、銅など、ＬＥＤのワイヤボンディング材として用いられる金属材料が挙げられ、耐腐食性の観点から、好ましくは、金が挙げられる。
【０１０３】
ワイヤ７の線径（太さ）は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下でもある。
【０１０４】
また、ワイヤ７は、ＬＥＤ６と基板５とを接続している状態において、湾曲または屈曲されて、略弧形状（例えば、三角弧形状、四角弧形状、円弧形状など）に形成されている。
【０１０５】
ワイヤ７において、その一端（ＬＥＤ６の端子の表面）から、最も上側（具体的には、後述する埋設層２側）に位置する部分（つまり、最上端部）までの長さＬ４は、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、１５０μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、１０００μｍ以下でもある。
【０１０６】
ワイヤ７において、その他端（基板５の電極の表面）から最上端部までの長さ（すなわち、ワイヤ７の高さ）Ｌ５は、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、３００μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下でもある。また、ワイヤ７の高さＬ５は、ＬＥＤ６の厚みＬ３に対して、例えば、１．５倍以上、好ましくは、２倍以上であり、また、例えば、１０倍以下、好ましくは、５倍以下でもある。ワイヤ７の高さＬ５が上記下限以上であれば、ワイヤボンディングの精度の低下を有効に防止することができる。ワイヤ７の高さＬ５が上記上限以下であれば、ワイヤ７の変形を有効に抑制することができる。
【０１０７】
ワイヤ７の両端間の左右方向長さＤは、例えば、０．１ｍｍ以上、好ましくは、０．３ｍｍ以上であり、また、例えば、３ｍｍ以下、好ましくは、２ｍｍ以下でもある。ワイヤ７の両端間の左右方向長さＤが上記下限以上であれば、ワイヤボンディングの精度の低下を有効に防止することができる。ワイヤ７の両端間の左右方向長さＤが上記上限以下であれば、ワイヤ７の変形を有効に抑制することができる。
【０１０８】
次いで、図１に示す封止シート１を、上下反転させて、ＬＥＤ６の上側に対向配置させる。つまり、封止シート１を、埋設層２がＬＥＤ６に向かうように、配置する。なお、保護シート１１が設けられている場合には、予め、保護シート１１を埋設層２から剥離する。
【０１０９】
続いて、図２（ａ）の矢印および図２（ｂ）に示すように、封止シート１によって、ＬＥＤ６を埋設する（埋設工程）。
【０１１０】
具体的には、この埋設工程によって、封止シート１を降下させて（押し下げて）、埋設層２によってＬＥＤ６およびワイヤ７を被覆する。つまり、ＬＥＤ６およびワイヤ７が埋設層２内に埋設される。
【０１１１】
また、埋設工程において、ＬＥＤ６およびワイヤ７は、面方向（面方向）に投影したときに、被覆層３と重複することなく、埋設層２のみに埋設されており、すなわち、被覆層３は、ＬＥＤ６およびワイヤ７（少なくともワイヤ７の最上端部）に対して、上側に間隔を隔てて位置している。
【０１１２】
そして、埋設層２および被覆層３の界面４と、ワイヤ７の最上端部との長さＬ６は、１５０μｍ以上である。換言すれば、埋設層２および被覆層３の界面４は、ワイヤ７の最上部から１５０μｍ以上高い位置に位置している。
【０１１３】
また、上記した長さＬ６は、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、１５００μｍ以下にも設定される。
【０１１４】
長さＬ６が上記下限に満たない場合には、後述する硬化領域９の形成領域とワイヤ７（具体的には、ワイヤ７の少なくとも最上端部）とが重なるので、ワイヤ７に損傷を生じるという不具合がある。一方、長さＬ６が上記上限以下であれば、封止シート１の製造コストの増大を有効に抑制することができる。
【０１１５】
その後、必要によって、封止シート１を、加熱する。好ましくは、封止シート１を基板５に対して熱プレスする。
【０１１６】
封止シート１の加熱によって、被覆層３が完全硬化（Ｃステージ化）する。
【０１１７】
これによって、封止シート１と、封止シート１の被覆層３によって被覆される埋設層２によって封止されるＬＥＤ６と、ＬＥＤ６を実装する基板５とを備えるＬＥＤ装置１０が得られる。
【０１１８】
その後、必要により、保護シート１１を、図２（ｂ）の仮想線で示すように、被覆層３から引き剥がす。
【０１１９】
そして、上記した封止シート１によって、ＬＥＤ６を埋設すれば、埋設層２および被覆層３の界面４と、最も被覆層３側に位置するワイヤ７の最上端部との長さＬ６が、１５０μｍ以上確保される。そして、被覆層３における遷移金属の濃度Ｃ１の、埋設層２における遷移金属の濃度Ｃ１に対する比Ｒが、１以上であることによって起因する、触媒の被覆層３から埋設層２への移行によって、埋設層２の被覆層３側部分において、シリコーン樹脂組成物の反応が促進して硬化が進み、図１および図２の１点鎖線で示される硬化領域９が形成されても、かかる硬化領域９の厚みＬ７が埋設層２および被覆層３の界面４から１５０μｍ未満の厚みとなるため、埋設層２における硬化領域９がワイヤ７と重複することを防止し、硬化領域９とワイヤ７との重複に起因するワイヤ７の変形などの損傷を有効に防止することができる。
【０１２０】
また、封止シート１は、埋設層２および被覆層３を予め備えているので、これらによって一度にＬＥＤ６およびワイヤ７を埋設して被覆することができる。そのため、少ない工数で簡易にＬＥＤ６およびワイヤ７を埋設して封止することができる。
【０１２１】
この封止シートでは、被覆層３が完全硬化後のシリコーン樹脂組成物から形成される場合には、取扱性に優れる。また、完全硬化前のシリコーン樹脂組成物から形成される埋設層２によって、ワイヤ７の損傷を有効に防止しながら、かかるワイヤ７を埋設して、これを封止することができる。
【０１２２】
この封止シート１では、触媒がヒドロシリル化触媒である場合には、シリコーン樹脂組成物の硬化を確実に促進させることができる。
【０１２３】
また、封止シート１では、埋設層２および／または被覆層３のシリコーン樹脂組成物が、蛍光体を含有すれば、ＬＥＤ６から発光される光の波長を埋設層２および／または被覆層３によって変換して、光の変換効率を高めることができる。
【０１２４】
また、上記したＬＥＤ装置１０は、ワイヤ７の損傷が有効に防止されており、そのため、信頼性に優れている。
【０１２５】
なお、図２の実施形態では、１つのＬＥＤ２を基板３に実装しているが、例えば、図示しないが、複数のＬＥＤ２を基板３に実装し、複数の埋設層２およびそれらに対応する複数のワイヤ７を１つの封止シート１によって被覆することもできる。
【０１２６】
また、図２の実施形態では、本発明における光半導体素子および光半導体装置として、それぞれ、ＬＥＤ６およびＬＥＤ装置１０を一例として説明しているが、例えば、それぞれ、ＬＤ（レーザーダイオード）６およびレーザーダイオード装置１０とすることもできる。
【実施例】
【０１２７】
１．＜被覆層の作製例Ａ＞
作製例１Ａ、４Ａおよび比較作製例１Ａ〜３Ａ
両末端ビニルポリジメチルシロキサン（ＤＭＳ−Ｖ３１、Ｇｅｌｅｓｔ社製）１４０ｇに煙霧シリカ（ＳＩＳ６９６２．０、ヘキサメチレンシラザン処理品、球状、平均粒子径２０ｎｍ、Ｇｅｌｅｓｔ社製）６０ｇを加え、攪拌した。続いて、両末端トリメチルシリル封鎖メチルヒドロシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマー（ＨＭＳ−３０１、Ｇｅｌｅｓｔ社製）５．６ｇを加え、さらに攪拌して、被覆層用シリコーン樹脂の混合物Ａを作製した。以下、各作製例Ａおよび各比較作製例Ａについても、混合物Ａを使用した。
【０１２８】
その後、混合物Ａ３０ｇに対して、白金−カルボニルシクロビニルメチルシロキサン錯体の２．０質量％ビニルメチル環状シロキサン溶液（ＳＩＰ６８２９．２、Ｇｅｌｅｓｔ社製）０．５６μＬ（白金含量：０．０１１ｍｇ）を添加し、さらに攪拌することによって、被覆層用シリコーン樹脂組成物のワニスを調製した。
【０１２９】
なお、白金−カルボニルシクロビニルメチルシロキサン錯体中の白金含量の定量は、ＩＣＰ−ＭＳにて実施した。具体的には、まず、白金−カルボニルシクロビニルメチルシロキサン錯体を、硝酸とフッ化水素酸との混合物（混酸）にて溶解させて、測定サンプルを調製し、次いで、調製した測定サンプルを、ＩＣＰ−ＭＳ装置（型番７５００ｃｓ、アジレント・テクノロジー（Ａｇｉｌｅｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ）社製）を用いて白金含量を定量した。
【０１３０】
その後、被覆層用シリコーン樹脂組成物のワニスをアプリケーターにて、ＰＥＴからなる離型シートの表面に、乾燥後の厚みＬ１が４００μｍとなるように塗布し、次いで、１０５℃で１０分間オーブンにて加熱して硬化させることにより、Ｃステージ（完全硬化後）の被覆層を作製した。
【０１３１】
なお、被覆層における白金濃度は、質量基準で、各成分の仕込み量から算出される計算値で０．３８ｐｐｍであった。
【０１３２】
作製例２Ａおよび３Ａ
混合物Ａ３０ｇに対して、白金−シクロビニルメチルシロキサン錯体の２〜２．５質量％環状メチルビニルシロキサン溶液（ＳＩＰ６８３２．２、Ｇｅｌｅｓｔ社製）０．４８μＬ（白金含量：０．０１１ｍｇ）を添加し、さらに攪拌することによって、被覆層用シリコーン樹脂組成物のワニスを調製した。
【０１３３】
その後、被覆層用シリコーン樹脂組成物のワニスをアプリケーターにて、ＰＥＴからなる離型シートの表面に、乾燥後の厚みＬ１が４００μｍとなるように塗布し、次いで、１０５℃で１０分間オーブンにて加熱して硬化させることにより、Ｃステージ（完全硬化後）の被覆層を作製した。
【０１３４】
なお、被覆層における白金濃度は、質量基準で、各成分の仕込み量から算出される計算値で０．３８ｐｐｍであった。
【０１３５】
作製例５Ａ
白金−カルボニルシクロビニルメチルシロキサン錯体の２．０質量％ビニルメチル環状シロキサン溶液（ＳＩＰ６８２９．２、Ｇｅｌｅｓｔ社製）の配合量を、０．５６μＬ（白金含量：０．０１１ｍｇ）から、１．１３μＬ（白金含量：０．０２２ｍｇ）に変更した以外は、作製例１Ａと同様に処理して、被覆層を作製した。
【０１３６】
なお、被覆層における白金濃度は、質量基準で、各成分の仕込み量から算出される計算値で０．７６ｐｐｍであった。
【０１３７】
作製例６Ａ
白金−カルボニルシクロビニルメチルシロキサン錯体の２．０質量％ビニルメチル環状シロキサン溶液（ＳＩＰ６８２９．２、Ｇｅｌｅｓｔ社製）の配合量を、０．５６μＬ（白金含量：０．０１１ｍｇ）から、２．２５μＬ（白金含量：０．０４５ｍｇ）に変更した以外は、作製例１Ａと同様に処理して、被覆層を作製した。
【０１３８】
なお、被覆層における白金濃度は、質量基準で、各成分の仕込み量から算出される計算値で１．５２ｐｐｍであった。
【０１３９】
作製例７Ａ
シリコーンエラストマー（ＥＲＡＳＴＯＳＩＬ  ＬＲ７６６５、白金系触媒含有、旭化成ワッカーシリコーン社製）８０ｇに対して、シリコーンゴム粒子（平均粒子径７μｍ）２０ｇを加えて攪拌することにより、シリコーン樹脂組成物を調製した。調製したシリコーン樹脂組成物をアプリケーターにて、ＰＥＴからなる離型シートの表面に、加熱後の厚みＬ１が４００μｍとなるように塗布し、次いで、１０５℃で１０分間オーブンにて加熱して硬化させることにより、Ｃステージ（完全硬化後）の被覆層を作製した。
【０１４０】
なお、被覆層における白金濃度は、質量基準で、ＩＣＰ分析により、８．２５ｐｐｍであった。
【０１４１】
作製例８Ａ
白金−カルボニルシクロビニルメチルシロキサン錯体の２．０質量％ビニルメチル環状シロキサン溶液（ＳＩＰ６８２９．２、Ｇｅｌｅｓｔ社製）の配合量を、０．５６μＬ（白金含量：０．０１１ｍｇ）から、１．８８μＬ（白金含量：０．０３８ｍｇ）に変更した以外は、作製例１Ａと同様に処理して、被覆層を作製した。
【０１４２】
なお、被覆層における白金濃度は、質量基準で、各成分の仕込み量から算出される計算値で１．２５ｐｐｍであった。
【０１４３】
作製例９Ａ
白金−カルボニルシクロビニルメチルシロキサン錯体の２．０質量％ビニルメチル環状シロキサン溶液（ＳＩＰ６８２９．２、Ｇｅｌｅｓｔ社製）の配合量を、０．５６μＬ（白金含量：０．０１１ｍｇ）から、９．０μＬ（白金含量：０．０１８ｍｇ）に変更した以外は、作製例１Ａと同様に処理して、被覆層を作製した。
【０１４４】
なお、被覆層における白金濃度は、質量基準で、各成分の仕込み量から算出される計算値で６．０ｐｐｍであった。
２．  ＜埋設層および封止シートの作製例Ｂ＞
作製例１Ｂ、３Ｂおよび５Ｂ〜７Ｂ
４０℃に加温したシラノール基両末端ポリジメチルシロキサン［下記式（Ｉ）中のＲ１が全てメチル基、ｎ＝１５５で表される化合物、平均分子量１１，５００］２０３１ｇ（０．１７７ｍｏｌ）に対して、エチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物として、ビニルトリメトキシシラン［下記式（ＩＩ）中のＲ２がビニル基、Ｘ１が全てメトキシ基で表される化合物］１５．７６ｇ（０．１０６ｍｏｌ）、および、エチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物として、（３−グリシドキシプロピル）トリメトキシシラン［下記式（ＩＩＩ）中のＲ３が３−グリシドキシプロピル基、Ｘ２が全てメトキシ基で表される化合物］２．８０ｇ（０．０１１８ｍｏｌ）［シラノール基両末端ポリジメチルシロキサンのＳｉＯＨ基のモル数と、エチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物のＳｉＸ１基およびエチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物のＳｉＸ２基の総モル数との比［ＳｉＯＨ／（ＳｉＸ１＋ＳｉＸ２）＝１／１］を攪拌して混合した後、縮合触媒として水酸化テトラメチルアンモニウムメタノール溶液（濃度１０質量％）０．９７ｍＬ（触媒量：０．８８ｍｏｌ、シラノール基両末端ポリジメチルシロキサン１００モルに対して０．５０モル）を加え、４０℃で１時間攪拌した。得られたオイルを、４０℃で１時間攪拌しながら減圧（１０ｍｍＨｇ）し、揮発分を除去した。次に、反応液を常圧に戻した後、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（ジメチルポリシロキサン−ｃｏ−メチルハイドロジェンポリシロキサン）を、アルケニル基のヒドロシリル基に対するモル比がＳｉＲ２／ＳｉＨ＝１／３．０となるように加えて、４０℃で１時間攪拌した。その後、ヒドロシリル化触媒として白金−カルボニル錯体（白金濃度２．０質量％）０．０３８ｍＬ（白金含有量はオルガノポリシロキサンに対して０．３７５ｐｐｍ）を加えて、４０℃で１０分間攪拌し、埋設層用シリコーン樹脂組成物Ｂを作製した。
【０１４５】
【化１】
2014107447.tif 000003
【０１４６】
【化２】
2014107447.tif 000004
【０１４７】
【化３】
2014107447.tif 000005
【０１４８】
作製した埋設層用シリコーン樹脂組成物Ｂに対して、シリコーンゴム粒子（平均粒子径７μｍ）２０質量％、および、黄色蛍光体であるＹＡＧ粒子（平均粒子経７μｍ）１０質量％を添加し、シリコーンゴム粒子およびＹＡＧ粒子が添加された埋設層用シリコーン樹脂組成物Ｂを、被覆層の表面に、加熱後の厚みＬ２が６００μｍとなるように積層し、１３５℃１０〜２０分間オーブンにて硬化させることにより、Ｂステージの埋設層を形成した。
【０１４９】
なお、埋設層における白金濃度は、質量基準で、各成分の仕込み量から算出される計算値で０．２６ｐｐｍであった。また、埋設層の２５℃におけるナノインデンターを用いて測定された弾性率は、７０ｋＰａであった。詳しくは、弾性率は、バーコビッチ型端子（圧子）にて埋設層を圧縮することにより算出した。なお、以下の作製例の弾性率についても、上記と同様の方法によって算出される。
【０１５０】
これによって、被覆層と埋設層とを備える総厚（Ｌ１＋Ｌ２）が１０００μｍの封止シートを得た。
【０１５１】
作製例２Ｂ
ヒドロシリル化触媒として、白金−カルボニル錯体（白金濃度２．０質量％）０．０３８ｍＬ（白金含有量はオルガノポリシロキサンに対して０．３７５ｐｐｍ）に代えて、白金−ビニルシロキサン錯体（白金濃度２．０質量％）０．０３８ｍＬ（白金含有量はオルガノポリシロキサンに対して０．３７５ｐｐｍ）を用いた以外は、作製例１Ｂと同様に処理して、Ｂステージの埋設層を形成し、続いて、封止シートを得た。
【０１５２】
なお、被覆層における白金濃度は、質量基準で、各成分の仕込み量から算出される計算値で０．２６ｐｐｍであった。また、埋設層の２５℃におけるナノインデンターを用いて測定された弾性率は、７０ｋＰａであった。
【０１５３】
作製例４Ｂ
埋設層の加熱後の厚みＬ２を５００μｍに変更した以外は、作製例１Ｂと同様に処理して、Ｂステージの埋設層を形成し、続いて、総厚９００μｍの封止シートを得た。
【０１５４】
なお、埋設層の２５℃におけるナノインデンターを用いて測定された弾性率は、７０ｋＰａであった。
【０１５５】
作製例８Ｂ
白金−カルボニル錯体（白金濃度２．０質量％）の配合量を、０．０３８ｍＬ（白金含有量はオルガノポリシロキサンに対して０．３７５ｐｐｍ）から、０．１９ｍＬ（白金含有量はオルガノポリシロキサンに対して１．７９ｐｐｍ）に変更した以外は、作製例１Ｂと同様に処理して、Ｂステージの埋設層を形成し、続いて、封止シートを得た。
【０１５６】
なお、埋設層における白金濃度は、質量基準で、各成分の仕込み量から算出される計算値で１．２５ｐｐｍであった。また、埋設層の２５℃におけるナノインデンターを用いて測定された弾性率は、７０ｋＰａであった。
【０１５７】
作製例９Ｂ
白金−カルボニル錯体（白金濃度２．０質量％）の配合量を、０．０３８ｍＬ（白金含有量はオルガノポリシロキサンに対して０．３７５ｐｐｍ）から、０．８７ｍＬ（白金含有量はオルガノポリシロキサンに対して８．６ｐｐｍ）に変更した以外は、作製例１Ｂと同様に処理して、Ｂステージの埋設層を形成し、続いて、封止シートを得た。
【０１５８】
なお、埋設層における白金濃度は、質量基準で、各成分の仕込み量から算出される計算値で６．０ｐｐｍであった。また、埋設層の２５℃におけるナノインデンターを用いて測定された弾性率は、７０ｋＰａであった。
【０１５９】
比較作製例１Ｂ
埋設層の加熱後の厚みＬ２を５５０μｍに変更した以外は、作製例１Ｂと同様に処理して、Ｂステージの埋設層を形成し、続いて、総厚９５０μｍの封止シートを得た。
【０１６０】
なお、埋設層の２５℃におけるナノインデンターを用いて測定された弾性率は、７０ｋＰａであった。
【０１６１】
比較作製例２Ｂ
加熱後の厚みＬ２を４５０μｍに変更した以外は、作製例１Ｂと同様に処理して、Ｂステージの埋設層を形成し、続いて、総厚８５０μｍの封止シートを得た。
【０１６２】
なお、埋設層の２５℃におけるナノインデンターを用いて測定された弾性率は、７０ｋＰａであった。
【０１６３】
比較作製例３Ｂ
加熱後の厚みＬ２を４００μｍに変更した以外は、作製例１Ｂと同様に処理して、Ｂステージの埋設層を形成し、続いて、総厚８００μｍの封止シートを得た。
【０１６４】
なお、埋設層の２５℃におけるナノインデンターを用いて測定された弾性率は、７０ｋＰａであった。
３．ＬＥＤおよびワイヤの被覆
３−１．＜作製直後の封止シートによるＬＥＤおよびワイヤの埋設＞
［ワイヤの高さＬ４：４５０μｍ］
実施例１〜３、５〜９および比較例１、３
基板にワイヤボンディング接続により実装された平面視矩形状のＬＥＤを用意した（図２（ａ）参照）。ＬＥＤおよびワイヤの寸法は、以下の通りであった。
【０１６５】
ＬＥＤの厚みＬ３：１５０μｍ
ワイヤの線径：３０μｍ
ワイヤの高さＬ４：４５０μｍ
ワイヤの両端間の左右方向長さＤ：２０００μｍ
続いて、作製直後の作製例１Ｂ〜３Ｂ、５Ｂ〜９Ｂおよび比較作製例１Ｂ、３Ｂの封止シートによって、埋設工程をそれぞれ実施した。埋設工程では、封止シートを基板の上方に配置し、続いて、封止シートを押し下げて、埋設層によってＬＥＤおよびワイヤを被覆して埋設して、それらをそれぞれ実施例１〜３、５〜９および比較例１および３とした。
【０１６６】
その結果、埋設層および被覆層の界面とワイヤとの寸法関係は、以下のとおりであった。
【０１６７】
埋設層および被覆層の界面とワイヤの最上端部との長さＬ６：１５０μｍ（実施例１〜３および５〜９）
埋設層および被覆層の界面とワイヤの最上端部との長さＬ６：１００μｍ（比較例１）
そして、実施例１〜３、５〜９および比較例１では、ワイヤの変形が観察されなかった。
【０１６８】
一方、比較例３では、ワイヤの最上端部は、被覆層との接触によって、変形した。
３−２．＜作製してから、５℃で１月間保存した後の封止シートによるＬＥＤおよびワイヤの被覆＞
［ワイヤの高さＬ４：４５０μｍ］
実施例１〜３、５〜９および比較例１、３（ワイヤの高さＬ４：４５０μｍ）
作製してから、５℃で１月間保存した後の封止シートによって、上記３−１．と同様に処理して、処理した。
【０１６９】
その結果、埋設層および被覆層の界面とワイヤとの寸法関係は、以下のとおりであった。
【０１７０】
埋設層および被覆層の界面とワイヤの最上端部との長さＬ６：１５０μｍ（実施例１〜３および５〜９）
埋設層および被覆層の界面とワイヤの最上端部との長さＬ６：１００μｍ（比較例１）
そして、実施例１〜３および５〜９では、埋設層および被覆層の界面とワイヤの最上端部との長さＬ６は、１５０μｍであった。ワイヤの変形が観察されなかった。
【０１７１】
一方、比較例１および比較例３では、ワイヤの変形が観察された。
３−３．＜作製直後の封止シートによるＬＥＤおよびワイヤの被覆＞
［ワイヤの高さＬ４：３５０μｍ］
実施例４および比較例２
作製例１Ｂの封止シートに代えて、作製例４Ｂおよび比較作製例２Ｂの封止シートを用い、また、ワイヤの一端から最上端部までの長さ（ワイヤの高さ）Ｌ４を４５０μｍから３５０μｍに変更した以外は、上記３−１．の実施例１と同様に処理した。
【０１７２】
その結果、埋設層および被覆層の界面とワイヤとの寸法関係は、以下のとおりであった。
【０１７３】
埋設層および被覆層の界面とワイヤの最上端部との長さＬ６：１５０μｍ（実施例４）
埋設層および被覆層の界面とワイヤの最上端部との長さＬ６：１００μｍ（比較例２）
そして、実施例４では、ワイヤの変形が観察されなかった。
【０１７４】
一方、比較例２では、ワイヤの変形が観察された。
３−４．＜作製してから、５℃で１月間保存した後の封止シートによるＬＥＤおよびワイヤの被覆＞
［ワイヤの高さＬ４：３５０μｍ］
実施例４および比較例２
作製例１Ｂの封止シートに代えて、作製例４Ｂおよび比較作製例２Ｂの封止シートを用い、また、ワイヤの一端から最上端部までの長さ（ワイヤの高さ）Ｌ４を４５０μｍから３５０μｍに変更した以外は、上記３−２．の実施例１と同様に処理した。
【０１７５】
その結果、埋設層および被覆層の界面とワイヤとの寸法関係は、以下のとおりであった。
【０１７６】
埋設層および被覆層の界面とワイヤの最上端部との長さＬ６：１５０μｍ（実施例４）
埋設層および被覆層の界面とワイヤの最上端部との長さＬ６：１００μｍ（比較例２）
そして、実施例４では、ワイヤの変形が観察されなかった。
【０１７７】
一方、比較例２では、ワイヤの変形が観察された。
【０１７８】
【表１】
2014107447.tif 000006
【０１７９】
表中の濃度の単位ｐｐｍは、質量換算である。
【０１８０】
また、表中の略号を以下で詳説する。
Ｐｔ−ＣＯ１：白金−カルボニルシクロビニルメチルシロキサン錯体
Ｐｔ−ｄｖｓ１：白金−シクロビニルメチルシロキサン錯体
Ｐｔ−ＣＯ２：白金−カルボニル錯体
Ｐｔ−ｄｖｓ２：白金−ビニルシロキサン錯体
Ｇｅｌｅｓｔ：両末端ビニルポリジメチルシロキサン（ＤＭＳ−Ｖ３１）および両末端トリメチルシリル封鎖メチルヒドロシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマー（ＨＭＳ−３０１）
ＬＲ７６６５：シリコーンエラストマー（ＥＲＡＳＴＯＳＩＬ  ＬＲ７６６５）
【符号の説明】
【０１８１】
１     封止シート
２     埋設層
３     被覆層
４     界面
５     基板
６     ＬＥＤ
７     ワイヤ
１０   ＬＥＤ装置
【図１】
2014107447.tif 000007
【図２】
2014107447.tif 000008