(57)【要約】【課題】透明導電部及び非導電部を不可視にした状態で配線が形成されている静電容量方式のタッチパネルを可能とする低寸法変化な透明導電積層体を提供することを目的とする。【解決手段】少なくとも、フィルム基材、光学粘着層、及びフィルム基材を順に設けてなる透明基板の両面に光学調整層及び透明導電部を透明基板から順に設けてなる透明導電積層膜を備えた透明導電積層体であって、透明導電積層膜の１５０℃１時間前後の寸法変化率が０．１５％以下であり、透明導電部に接続された電極配線を備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、フィルム基材、光学粘着層、及びフィルム基材を順に設けてなる透明基板の両面に光学調整層及び透明導電部を透明基板から順に設けてなる透明導電積層膜を備えた透明導電積層体であって、
前記透明導電積層膜の１５０℃１時間前後の寸法変化率が０．１５％以下であり、
前記透明導電部に接続された電極配線を備えていることを特徴とする透明導電積層体。
【請求項２】
前記光学調整層が、前記透明基板の両面に金属酸化物層、酸化ケイ素層がこの順で設けられてなることを特徴とする請求項１に記載の透明導電積層体。
【請求項３】
前記透明基板の両面に設けられた透明導電層をパターニングすることにより、前記透明導電部と共に非導電部が形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の透明導電積層体。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の透明導電積層体を備えることを特徴とするタッチパネル。
【請求項５】
請求項１から３のいずれか１項に記載の透明導電積層体を製造する透明導電積層体の製造方法であって、
前記透明導電積層膜を形成後に固定して加熱処理をする工程と、
透明導電層を前記透明導電部と前記非導電部とにパターン形成する工程と、
前記電極配線を加工する工程とを含むことを特徴とする透明導電積層体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電容量方式のタッチパネルに適した透明導電積層体、該透明導電積層体の製造に適した透明導電積層体製造方法、及び、該透明導電積層体を用いたタッチパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、入力デバイスとして、タッチパネルが用いられている。タッチパネルは、表示画面上の表示部位を触れることで機器を操作する入力デバイスである。タッチパネルでは、抵抗膜方式、静電容量方式、などの形式が知られている。
【０００３】
抵抗膜方式は、対向する２枚の抵抗膜を備える方式である。片方の抵抗膜に電圧をかけた状態で、他方の抵抗膜を押圧すると、押圧した位置に対応して、押圧した抵抗膜側が対向した抵抗膜に接することで、電圧を検知する事により、操作した場所を検知することができる。
【０００４】
静電容量方式は、指先などの静電的な導電性の部位と、導電膜との間での静電容量の変化を捉えて位置を検出する方式である。表示画面上に透明導電部と非導電部を配置することにより、指先が透明導電部に近づくときの静電容量の変化から位置を検知することができる。また、静電容量方式では、異なる配線形状の透明導電膜を重ねることで、多点検出が可能であり、より直感的な操作の実現が可能である。
【０００５】
上述のようなタッチパネルでは、導電部からの引き出し配線を狭くする狭額縁化がもとめられており、寸法変化による差を抑えることで、引き出し配線を安定して形成させることが求められている。
【０００６】
例えば、静電容量式タッチパネルにおいて、低寸法変化なタッチパネル向け透明導電体が提案されている。（特許文献１参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第４７５４９５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
静電容量方式のタッチパネルでは、２つのフィルムを貼り合わせた構成でなる透明基材の両面に透明導電部と非導電部を不可視に形成し、低寸法変化な透明導電積層体を使用したタッチパネルは提供されていなかった。
【０００９】
そこで、本発明は上述の問題を解決するためになされたものであり、透明導電部及び非導電部を不可視にした状態で、２つのフィルムを貼り合わせた構成でなる透明基材の両面に透明導電部と非導電部を不可視に形成し、静電容量方式のタッチパネルを可能とする低寸法変化な透明導電体、及びその製造方法並びにタッチパネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
第１の発明に係る透明導電積層体は、少なくとも、フィルム基材、光学粘着層、及びフィルム基材を順に設けてなる透明基板の両面に光学調整層及び透明導電部を透明基板から順に設けてなる透明導電積層膜を備えた透明導電積層体であって、前記透明導電積層膜の１５０℃１時間前後の寸法変化率が０．１５％以下であり、前記透明導電部に接続された電極配線を備えていることを特徴とする透明導電積層体である。
【００１１】
また、第２の発明に係る透明導電積層体は、前記第１の発明において、前記光学調整層が、前記透明基板の両面に金属酸化物層、酸化ケイ素層がこの順で設けられてなることを特徴とする透明導電積層体である。
【００１２】
また、第３の発明に係る透明導電積層体は、前記第１または第２の発明において、前記透明基板の両面に設けられた透明導電層をパターニングすることにより、前記透明導電部と共に非導電部が形成されている透明導電積層体である。
【００１３】
また、第４の発明に係るタッチパネルは、前記第１から第３のいずれかの発明の透明導電積層体を用いたタッチパネルである。
【００１４】
また、第５の発明に係る透明導電積層体の製造方法は、前記第１から第３のいずれかの発明の透明導電積層体を製造する透明導電積層体の製造方法であって、前記透明導電積層膜を形成後に固定して加熱処理をする工程と、透明導電層を前記透明導電部と前記非導電部とにパターン形成する工程と、前記電極配線を加工する工程とを含む透明導電積層体の製造方法である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の透明導電積層体は、フィルム基材、光学粘着層、及びフィルム基材を順に設けてなる透明基板の両面に光学調整層及び透明導電層を透明基板から順に設けてなる透明導電積層膜に対し、加熱する工程後の透明導電積層膜の１５０℃１時間前後の変化率が０．１５％以下であり、加熱する工程後の透明導電積層膜の透明導電部に電極配線が接続されている静電容量方式のタッチパネルを提供することが出来る。これにより、透明導電部及び非導電部を不可視にした状態で、２つのフィルムを貼り合わせた構成でなる透明基材の両面に透明導電部と非導電部を不可視に形成し、静電容量方式のタッチパネルを可能とする低寸法変化な透明導電体、及びその製造方法並びにそれを用いたタッチパネルを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の透明導電積層体の一例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の透明導電積層体について説明を行う。
【００１８】
フィルム基材は、基体となる部位であり、可視光域で透明な材料であればよい。例えば、（１）無機ガラス、（２）ポリオレフィン（ポリエチレン、ポリプロピレンなど）、ポリエステル（ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなど）、ポリアミド（ナイロン６、ナイロン６６など）、ポリイミド、ポリアリレート、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、などの透明樹脂、を用いてもよい。また、フィルム基材は、上記の透明樹脂を無延伸・延伸させたプラスチックフィルムであってもよい。また、フィルム基材は複数の材料が積層された複合フィルムであってもよい。
【００１９】
また、フィルム基材の厚みは、１０μｍ以上２００μｍ以下程度の範囲内にあることが好ましい。ただし、本発明の透明導電積層体においてフィルム基材の厚みは上記範囲に限定されるものではない。
【００２０】
また、フィルム基材に表面処理を行ってもよい。表面処理を行うことにより、フィルム基材の表面上に積層される層の接着を強固にすることが出来る。表面処理としては、例えば、易接着処理、プラズマ処理、コロナ処理、オゾン処理、などの方法が挙げられる。
【００２１】
また、フィルム基材は表面にハードコート層が形成されてもよい。ハードコート層を形成することにより、透明基板の機械強度、耐擦性、などを向上することが出来る。ハードコート層に用いる材料は、可視光域で透明な材料であればよい。例えば、（１）アクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリル酸エステル類、メタクリルアミド類等のアクリル系樹脂、（２）有機珪素系樹脂、（３）熱硬化型ポリシロキサン樹脂、などの透明樹脂、をハードコート層の材料として用いてよい。
【００２２】
ハードコート層の形成方法としては、ハードコート層に選択した材料に応じた薄膜形成方法を用いて行ってよい。例えば、選択した主成分である樹脂と紫外線を吸収する材料とを溶剤に溶解させ塗液を調整し、該塗液を、ダイコーター、カーテンフローコーター、ロールコーター、リバースロールコーター、グラビアコーター、ナイフコーター、バーコーター、スピンコーター、マイクログラビアコーター、などの塗布方法を用いてフィルム基材に塗布することにより形成してもよい。
【００２３】
また、表裏両面にハードコート層が形成されたフィルム基材を用いることが好ましい。表裏のハードコート層の膜厚を制御することにより、本発明の透明導電膜において、透明導電積層体の表裏の応力が対称となるべく調整することができる。表裏の応力を調整することにより、反りの発生などを抑制することが出来、好適にタッチパネルに組みこむことが出来る。
【００２４】
また、ハードコート層の厚みは、１μｍ以上１０μｍ以下程度の範囲内にあることが好ましい。ただし、本発明の透明導電積層体において透明基板の厚みは上記範囲に限定されるものではない。
【００２５】
透明導電部は、可視光域で透明、かつ、電気伝導性を有する材料であればよい。例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、酸化亜鉛、カーボンナノチューブ、グラフェン、ナノ銀、導電性高分子樹脂（イオン伝導機構を有する４級アンモニウム塩系導電性モノマー、電子伝導機構を有する導電性微粒子、π共役系導電性高分子、などを含む樹脂）、などを用いてよい。
【００２６】
また、導電部にＩＴＯを使用する場合、導電部の光学膜厚は３０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましい。３０ｎｍより薄い場合、膜厚が薄く導電性能が充分に得られない。また、８０ｎｍより厚い場合、得られた薄膜の透過率は低下し、光学特性が低下する。ただし、本発明の透明導電積層体においてＩＴＯの薄膜を用いた透明導電パターン電極の光学膜厚は上記範囲に限定されるものではない。
【００２７】
また、透明基板に、高屈折率層および低屈折率層が透明基板表面から見てこの順で積層されていてもよい。屈折率の異なる層を積層することにより、異なる層界面での反射光同士の位相を逆転させて打ち消すことで反射光を軽減することが出来る。このため、透明基板側から発せられる反射光を軽減することが出来ることから、観察面側に近い透明導電パターン電極の視認を困難にすることが出来る。なお、「高屈折率層および低屈折率層」における、高屈折率および低屈折率とは、片方の層が他方の層と屈折率が異なることから相対的に区別したものである。また、軽減する反射光の帯域は、各層の屈折率および光学膜厚で制御できることから、各層の物理膜厚は阻害したい帯域に応じて適宜光学設計し、決定してよい。
【００２８】
例えば、透明基材とハードコート層の屈折率が１．５以上１．７以下の範囲にあり、透明導電パターン電極に、酸化インジウム錫の薄膜（光学膜厚：３０ｎｍ以上８０ｎｍ以下）を用いる場合、高屈折率層（屈折率：１．７以上２．６以下、光学膜厚：５ｎｍ以上２５ｎｍ以下）、低屈折率層（屈折率：１．３以上１．５以下、光学膜厚：５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下）とすることにより、可視光下における酸化インジウム錫に特有な黄色味を軽減することができる。上述の範囲を満たす高屈折率層および低屈折率層の材料の組み合わせとしては、例えば、高屈折率層：酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、低屈折率層：酸化ケイ素（ＳｉＯＸ「ｘは酸素原子の数」）の組み合わせなどが挙げられる。
【００２９】
高屈折率層および低屈折率層の形成方法としては、高屈折率層および低屈折率層に選択した材料に応じた薄膜形成方法を用いて行ってよい。例えば、（１）スクリーン印刷、インクジェット印刷などの塗布法、（２）マグネトロンスパッタリング法、加速電子ビームを照射するＥＢ蒸着法などの物理真空蒸着法（ＰＶＤ）、化学気相成長法（ＣＶＤ）、などの気相成膜方法、などを用いてよい。特に、気相成膜方法は厳密に膜厚制御を行うことが出来、所望の光学膜厚に調整することが可能であることから、気相成膜方法を用いることが好ましい。
【００３０】
本発明の透明導電膜では、透明導電部に接続する配線部は、電気伝導性を有し、加工性に優れた材料から適宜選択して用いてよい。例えば、銅、銀、金、などの金属配線などを用いてもよい。
【００３１】
また、配線部の厚みは、０．１μｍ以上２μｍ以下程度の範囲内にあることが好ましい。ただし、本発明の透明導電積層体において配線部の厚みは上記範囲に限定されるものではない。
【００３２】
透明導電積層膜の加熱は、真空吸着法や両面からのプレス法などを用いることによる固定した状態を用いてもよい。
【００３３】
加熱方法としては、真空中もしくは大気中でも実施してよく、赤外線アニール法などを用いてもよい。
【００３４】
また、加熱温度としては、１００℃以上１５０℃以下であることが好ましい。１００℃未満だとＩＴＯの結晶化に時間がかかり、１５０℃より高い温度では、熱負けによる伸びやテンションがかかった際に破断することが懸念される。寸法変化率は、１５０℃１時間前後で０．１５％、好ましくは０．１％以下にするとよい。
【００３５】
加熱工程は、透明導電層の結晶化と透明導電積層膜の低寸法変化を目的として実施し、少なくとも、フィルム基材、光学粘着層、及びフィルム基材を順に設けてなる透明基板の両面に光学調整層及び透明導電層を透明基板から順に設けてなる透明導電積層膜を形成した後や、フィルム基材と光学粘着層を貼り合わせる前にフィルム基材上に光学調整層及び透明導電層を透明基板から順に形成した後に加熱する手順が考えられるが、特にフィルム基材、光学粘着層、及びフィルム基材を順に設けてなる透明基板の両面に光学調整層及び透明導電層を透明基板から順に設けてなる透明導電積層膜を形成した後に実施するとよい。
【００３６】
図１に、本発明の透明導電積層体の一例を概略図で示す。
図１の透明導電積層体１２は、透明基板１０がフィルム基材１ａ、光学粘着層９、フィルム基材１ｂを順に有するように形成されており、透明基板１０においてさらに、フィルム基材１ａ、１ｂの表裏両面にそれぞれハードコート層２ａ，２ｂが形成された構成を備えている。透明基板１０の両面には、金属酸化化合物層３ａ，３ｂ、酸化ケイ素層４ａ，４ｂ、酸化インジウム・スズ層５ａ，５ｂが形成されており、酸化インジウム・スズ層が導電部（透明導電部）５ａ，５ｂと非導電部６ａ，６ｂにパターニングされ、導電部５ａ，５ｂの端部から配線部（電極配線）７ａ，７ｂが形成されている。図１の透明導電積層体１２は、一方のフィルム基材上にハードコート層、金属酸化化合物層、酸化ケイ素層、酸化インジウム・スズ層、配線部を形成した後に２枚のフィルムを加熱し、１５０℃１時間前後の寸法変化率が０．１５％以下となるようにした後、光学粘着層９を介して貼り合わせて形成してもよい。
【００３７】
以下、本発明の透明導電積層体１２の製造方法について説明を行う。
【００３８】
＜透明導電部形成工程＞
まず、透明基板に透明導電部材料による透明導電層の薄膜を形成し、該薄膜にパターン形成することにより、導電部５ａ，５ｂと非導電部６ａ，６ｂを形成する。これにより、透明導電積層膜１１が形成される。
【００３９】
導電部材料による薄膜の形成は、導電部５ａ，５ｂに選択した材料に応じて、適した薄膜形成方法を用いてよい。例えば、（１）スクリーン印刷、インクジェット印刷などの塗布法、（２）マグネトロンスパッタリング法、加速電子ビームを照射するＥＢ蒸着法などの物理真空蒸着法（ＰＶＤ：Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、化学気相成長法（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、などの気相成膜方法、などを用いてよい。特に、導電部５ａ，５ｂの材料にＩＴＯを用いる場合、気相成膜方法によりＩＴＯ薄膜を形成すると電荷密度が向上し導電性も向上する傾向があることから、気相成膜方法を用いることが好ましい。
【００４０】
導電部材料による薄膜に対するパターン形成は、導電部５ａ，５ｂに選択した材料に応じて、適したパターニング方法を用いてよい。例えば、薄膜上に所望するパターンと対応するエッチャントマスクを形成し、エッチャント液に浸漬することにより、薄膜にパターン形成してもよい。パターニング方法としては、例えば、スクリーン印刷、フォトリソグラフィー、ナノインプリント、電子線描画、などが挙げられる。また、エッチャント液としては、例えば、塩化第二鉄液、王水、塩酸、シュウ酸、などを用いてもよい。
【００４１】
＜加熱工程＞
次に、透明導電積層膜１１の加熱処理をおこない、透明導電積層膜１１の加熱後の１５０℃１時間前後の寸法変化を０．１５％以下にする。
【００４２】
加熱方法としては、真空中でも大気中で実施してもよい。
【００４３】
また、加熱時の状態としては、真空吸着法やプレス法を用いた面を固定する方法や、両端にテンションをかけるなどの固定方法が考えられる。
【００４４】
＜配線部形成工程＞
次に、配線部７ａ，７ｂに選択した材料による薄膜を形成し、前記導電部５ａ，５ｂと接続する配線部７ａ，７ｂを形成する。
【００４５】
配線部材料による薄膜の形成は、配線部７ａ，７ｂに選択した材料に応じて、適した薄膜形成方法を用いてよい。例えば、（１）スクリーン印刷、インクジェット印刷などの塗布法、（２）マグネトロンスパッタリング法、加速電子ビームを照射するＥＢ蒸着法などの物理真空蒸着法（ＰＶＤ）、化学気相成長法（ＣＶＤ）、などの気相成膜方法、などを用いてよい。
【００４６】
また、配線部７ａ，７ｂにパターニングを施し、一層に複数本の配線を形成してもよい。
配線部材料による薄膜に対するパターン形成は、配線部７ａ，７ｂに選択した材料に応じて、適したパターニング方法を用いてよい。例えば、薄膜上に所望するパターンと対応するエッチャントマスクを形成し、エッチャント液に浸漬することにより、薄膜にパターン形成してもよい。パターニング方法としては、例えば、スクリーン印刷、フォトリソグラフィー、ナノインプリント、電子線描画、などが挙げられる。また、エッチャント液としては、例えば、塩化第二鉄液、王水、塩酸、シュウ酸、などを用いてもよい。
【００４７】
＜実施例１＞
まず、フィルム基材１ａ，１ｂの表裏両面に樹脂を塗工し、下部ハードコート層２ｂおよび上部ハードコード層２ａを形成した。
フィルム基材１ａ，１ｂには、厚み５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴ）を用いた。また、下部ハードコート層２ｂの膜厚は１．５μｍであった。また、上部ハードコード層２ａの膜厚は１．５μｍであった。
【００４８】
次に、上部ハードコート層２ａ上に、高屈折率層３ａ，３ｂを形成した。
高屈折率層３ａ，３ｂに用いる材料は、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）とした。また、高屈折率層３ａ，３ｂの形成にはマグネトロンスパッタリングを用いた。
【００４９】
次に、高屈折率層３ａ，３ｂ上に、低屈折率層４ａ，４ｂを形成した。
低屈折率層４ａ，４ｂの材料には、酸化ケイ素を用いた。また、低屈折率層４ａ，４ｂの形成には、マグネトロンスパッタリングを用いた。
【００５０】
次に、低屈折率層４ａ，４ｂ上に、透明導電パターン電極（導電部５ａ，５ｂ）を形成した。
透明導電パターン電極に用いる材料は、酸化スズを５ｗｔ％含有する酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）とした。また、透明導電パターン電極は、マグネトロンスパッタリングにてＩＴＯの薄膜を形成し、スクリーン印刷にてパターンに応じたエッチャントマスクを形成し、エッチャント液に浸漬することにより形成した。このとき、導電部５ａ，５ｂと非導電部６ａ，６ｂのパターン幅は、導電部５ａ，５ｂが５ｍｍ、非導電部６ａ，６ｂが７０μｍのパターンとした。また、エッチャント液には、塩化第二鉄液を用いた。
【００５１】
次に、加熱処理を実施した。１００℃、５０Ｎでテンションをかけながら１０分間加熱を実施した。
【００５２】
次に、導電部５ａ，５ｂと接続する配線部７ａ，７ｂを形成した。
配線部７ａ，７ｂに用いる材料は、銅とした。また、下層配線部７ｂは、マグネトロンスパッタリングにて銅の薄膜を形成し、スクリーン印刷にてパターンに応じたエッチャントマスクを形成し、エッチャント液に浸漬することにより形成した。このとき、エッチャント液には、過硫酸ナトリウム水溶液を用いた。また、下層配線部７ｂの配線パターンは、導電部のパターンであるラインパターンと接続する配線パターンとした。
【００５３】
その後、光学粘着層９を介して２つの透明導電膜を貼り合わせ、両面にパターニングされた透明導電積層体１２を作成した。
【００５４】
以上より、本発明の透明導電積層体を製造した。このとき、製造した透明導電膜は、高屈折率層／低屈折率層／導電部の各層の光学膜厚は、高屈折率層：１２ｎｍ、低屈折率層：７４ｎｍ、導電部：４０ｎｍ、であった。
【００５５】
＜評価＞
実施例１と比較例１とにおいて、全光線透過率、透過色相ｂ＊、１５０℃１時間前後での寸法変化を実施した。
【００５６】
この透明導電積層体１２の導電性パターン領域の全光線透過率（ＪＩＳ−Ｋ７１０５）は９０．６％、透過色相ｂ＊は２．５であり、高透過率・高透明でかつ、パターン領域の目立たない透明導電積層体が得られた。また、１５０℃１時間前後での寸法変化率が０．０９％である透明導電積層体が得られた。
【００５７】
＜比較例１＞
実施例１と同様に透明導電積層体を作製した。ただし、加熱は実施しなかった。
【００５８】
この透明導電性積層体の導電性パターン領域の全光線透過率（ＪＩＳ−Ｋ７１０５）は８９％、透過色相ｂ＊は３．２であり、１５０℃１時間前後での寸法変化率は、０．７％であった。
【００５９】
＜比較例２＞
実施例１と同様に透明導電積層体を作製した。加熱７０℃、５０Ｎでテンションをかけながら１０分間加熱を実施した
【００６０】
この透明導電性積層体の導電性パターン領域の全光線透過率（ＪＩＳ−Ｋ７１０５）は９０．０％、透過色相ｂ＊は３．０であり、１５０℃１時間前後での寸法変化率は０．４％であった。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明の透明導電膜は、静電容量方式のタッチパネルを利用する広範な分野で利用が期待される。例えば、金融機関のＡＴＭ、電子機器の操作パネル（コピー機、ファックス、カーナビ、その他家電、など）、携帯情報端末（携帯電話、スマートフォン、タブレットＰＣ、など）、電子書籍端末、携帯ゲーム端末、携帯音楽プレーヤー、自動販売機、などの分野で利用が期待される。
【符号の説明】
【００６２】
１ａ，１ｂ……フィルム基材
２ａ，２ｂ……ハードコート層
３ａ，３ｂ……高屈折率層（金属酸化物層）
４ａ，４ｂ……低屈折率層（酸化ケイ素層）
５ａ，５ｂ……導電部（酸化インジウム・スズ層）
６ａ，６ｂ……非導電部
７ａ，７ｂ……配線部
９……光学粘着層
１０……透明基板
１１……透明導電積層膜
１２……透明導電積層体
【図１】
2014162032.tif 000003