(57)【要約】【課題】  単結晶サファイア基板のｍ面及び裏面に平行な複数の切断予定ラインのそれぞれに沿って形成された改質領域から発生した亀裂が発光素子部に至るのを防止し得る加工対象物切断方法を提供する。【解決手段】  この加工対象物切断方法は、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂを基板３１におけるレーザ光Ｌの入射面として、基板３１内にレーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせて、基板３１のｍ面及び裏面３１ｂに平行となるように設定された複数の切断予定ライン５２のそれぞれに沿って集光点Ｐを相対的に移動させることで、各ライン５２に沿って基板３１内に改質領域７２を形成すると共に、亀裂８２を裏面３１ｂに到達させる工程を備える。この工程では、表面３１ａにおける亀裂８２の蛇行量：ｍとした場合に、ΔＹ＝（tanα）・（ｔ−Ｚ）±［（ｄ／２）−ｍ］を満たすようにする。【選択図】  図１２
2014041926.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｃ面とオフ角分の角度を成す表面及び裏面を有する単結晶サファイア基板と、前記表面上にマトリックス状に配列された複数の発光素子部を含む素子層と、を備える加工対象物を前記発光素子部ごとに切断して複数の発光素子を製造するための加工対象物切断方法であって、
前記裏面を前記単結晶サファイア基板におけるレーザ光の入射面として、前記単結晶サファイア基板内に前記レーザ光の集光点を合わせて、前記単結晶サファイア基板のｍ面及び前記裏面に平行となるように設定された複数の第１切断予定ラインのそれぞれに沿って前記集光点を相対的に移動させることにより、前記第１切断予定ラインのそれぞれに沿って前記単結晶サファイア基板内に第１改質領域を形成すると共に、前記第１改質領域から発生した第１亀裂を前記裏面に到達させる第１工程と、
前記第１工程の後に、前記第１切断予定ラインのそれぞれに沿って前記加工対象物に外力を作用させることにより、前記第１亀裂を伸展させて、前記第１切断予定ラインのそれぞれに沿って前記加工対象物を切断する第２工程と、を備え、
前記第１工程では、隣り合う前記発光素子部間において前記ｍ面に平行な方向に延在するストリート領域の中心線から、前記集光点を合わせる位置までの、前記裏面に垂直な方向から見た場合における距離：ΔＹ、前記単結晶サファイア基板の厚さ：ｔ、前記裏面から前記集光点を合わせる位置までの距離：Ｚ、前記ストリート領域の幅：ｄ、前記表面における前記第１亀裂の蛇行量：ｍ、前記裏面に垂直な方向と前記第１亀裂が伸展する方向との成す角度：αとした場合に、ΔＹ＝（tanα）・（ｔ−Ｚ）±［（ｄ／２）−ｍ］を満たすように、前記裏面を前記入射面として、前記単結晶サファイア基板内に前記集光点を合わせて、前記第１切断予定ラインのそれぞれに沿って前記集光点を相対的に移動させる、加工対象物切断方法。
【請求項２】
前記第２工程では、前記第１切断予定ラインのそれぞれに沿って前記表面側から前記加工対象物にナイフエッジを押し当てることにより、前記第１切断予定ラインのそれぞれに沿って前記加工対象物に外力を作用させる、請求項１記載の加工対象物切断方法。
【請求項３】
前記第２工程の前に、前記裏面を前記入射面として、前記単結晶サファイア基板内に前記集光点を合わせて、前記単結晶サファイア基板のａ面及び前記裏面に平行となるように設定された複数の第２切断予定ラインのそれぞれに沿って前記集光点を相対的に移動させることにより、前記第２切断予定ラインのそれぞれに沿って前記単結晶サファイア基板内に第２改質領域を形成する第３工程と、
前記第１工程及び前記第３工程の後に、前記第２切断予定ラインのそれぞれに沿って前記加工対象物に外力を作用させることにより、前記第２改質領域から発生した第２亀裂を伸展させて、前記第２切断予定ラインのそれぞれに沿って前記加工対象物を切断する第４工程と、を更に備える、請求項１又は２記載の加工対象物切断方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、単結晶サファイア基板を備える加工対象物を発光素子部ごとに切断して複数の発光素子を製造するための加工対象物切断方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記技術分野における従来の加工対象物切断方法として、特許文献１には、ダイシングやスクライビングによってサファイア基板の表面及び裏面に分離溝を形成すると共に、レーザ光の照射によってサファイア基板内に加工変質部を多段的に形成し、分離溝及び加工変質部に沿ってサファイア基板を切断する方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２４５０４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ｃ面とオフ角分の角度を成す表面及び裏面を有する単結晶サファイア基板を備える加工対象物を発光素子部ごとに切断するために、レーザ光の照射によって単結晶サファイア基板内に改質領域を形成すると、単結晶サファイア基板のｍ面及び裏面に平行な複数の切断予定ラインのそれぞれに沿って形成された改質領域から発生した亀裂が発光素子部に至り、それにより、製造すべき発光素子の歩留まりが低下する場合があった。
【０００５】
そこで、本発明は、単結晶サファイア基板のｍ面及び裏面に平行な複数の切断予定ラインのそれぞれに沿って形成された改質領域から発生した亀裂が発光素子部に至るのを防止することができる加工対象物切断方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、単結晶サファイア基板のｍ面及び裏面に平行な複数の切断予定ラインのそれぞれに沿って形成された改質領域から発生した亀裂が発光素子部に至るのは、単結晶サファイア基板におけるｍ面とｒ面との関係に起因していることを突き止めた。つまり、単結晶サファイア基板のｍ面及び裏面に平行な切断予定ラインに沿って形成された改質領域から発生した亀裂の伸展方向は、ｍ面の影響よりも、ｍ面に対して傾斜するｒ面の影響を強く受けて、ｒ面の傾斜方向に引っ張られ、その結果、当該亀裂が発光素子部に至る場合があるのである。本発明者らは、この知見に基づいて更に検討を重ね、本発明を完成させるに至った。
【０００７】
すなわち、本発明の加工対象物切断方法は、ｃ面とオフ角分の角度を成す表面及び裏面を有する単結晶サファイア基板と、表面上にマトリックス状に配列された複数の発光素子部を含む素子層と、を備える加工対象物を発光素子部ごとに切断して複数の発光素子を製造するための加工対象物切断方法であって、裏面を単結晶サファイア基板におけるレーザ光の入射面として、単結晶サファイア基板内にレーザ光の集光点を合わせて、単結晶サファイア基板のｍ面及び裏面に平行となるように設定された複数の第１切断予定ラインのそれぞれに沿って集光点を相対的に移動させることにより、第１切断予定ラインのそれぞれに沿って単結晶サファイア基板内に第１改質領域を形成すると共に、第１改質領域から発生した第１亀裂を裏面に到達させる第１工程と、第１工程の後に、第１切断予定ラインのそれぞれに沿って加工対象物に外力を作用させることにより、第１亀裂を伸展させて、第１切断予定ラインのそれぞれに沿って加工対象物を切断する第２工程と、を備え、第１工程では、隣り合う発光素子部間においてｍ面に平行な方向に延在するストリート領域の中心線から、集光点を合わせる位置までの、裏面に垂直な方向から見た場合における距離：ΔＹ、単結晶サファイア基板の厚さ：ｔ、裏面から集光点を合わせる位置までの距離：Ｚ、ストリート領域の幅：ｄ、表面における第１亀裂の蛇行量：ｍ、裏面に垂直な方向と第１亀裂が伸展する方向との成す角度：αとした場合に、ΔＹ＝（tanα）・（ｔ−Ｚ）±［（ｄ／２）−ｍ］を満たすように、裏面を入射面として、単結晶サファイア基板内に集光点を合わせて、第１切断予定ラインのそれぞれに沿って集光点を相対的に移動させる。
【０００８】
この加工対象物切断方法では、単結晶サファイア基板のｍ面及び裏面に平行となるように設定された複数の第１切断予定ラインのそれぞれにおいて、ΔＹ＝（tanα）・（ｔ−Ｚ）±［（ｄ／２）−ｍ］を満たすように加工対象物にレーザ光を照射し、単結晶サファイア基板内に第１改質領域を形成すると共に、第１改質領域から発生した第１亀裂を単結晶サファイア基板の裏面に到達させる。これにより、第１改質領域から発生した第１亀裂の伸展方向がｒ面の傾斜方向に引っ張られても、単結晶サファイア基板の表面において第１亀裂をストリート領域内に収めることができる。よって、この加工対象物切断方法によれば、単結晶サファイア基板のｍ面及び裏面に平行な複数の切断予定ラインのそれぞれに沿って形成された改質領域から発生した亀裂が発光素子部に至るのを防止することが可能となる。なお、オフ角は０°の場合を含むものとする。この場合、単結晶サファイア基板の表面及び裏面はｃ面に平行となる。
【０００９】
ここで、第２工程では、第１切断予定ラインのそれぞれに沿って表面側から加工対象物にナイフエッジを押し当てることにより、第１切断予定ラインのそれぞれに沿って加工対象物に外力を作用させてもよい。これによれば、単結晶サファイア基板の裏面に到達した第１亀裂が開くように加工対象物に外力が作用することになるので、第１切断予定ラインに沿って容易に且つ精度良く加工対象物を切断することができる。
【００１０】
また、加工対象物切断方法は、第２工程の前に、裏面を入射面として、単結晶サファイア基板内に集光点を合わせて、単結晶サファイア基板のａ面及び裏面に平行となるように設定された複数の第２切断予定ラインのそれぞれに沿って集光点を相対的に移動させることにより、第２切断予定ラインのそれぞれに沿って単結晶サファイア基板内に第２改質領域を形成する第３工程と、第１工程及び第３工程の後に、第２切断予定ラインのそれぞれに沿って加工対象物に外力を作用させることにより、第２改質領域から発生した第２亀裂を伸展させて、第２切断予定ラインのそれぞれに沿って加工対象物を切断する第４工程と、を更に備えてもよい。これによれば、第１切断予定ライン及び第２切断予定ラインに沿って容易に且つ精度良く加工対象物を切断することができる。なお、第３工程は、第２工程の前であれば、第１工程の前に実施してもよいし、第１工程の後に実施してもよい。また、第４工程は、第１工程及び第３工程の後であれば、第４工程の前に実施してもよいし、第４工程の後に実施してもよい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、単結晶サファイア基板のｍ面及び裏面に平行な複数の切断予定ラインのそれぞれに沿って形成された改質領域から発生した亀裂が発光素子部に至るのを防止することができる加工対象物切断方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】改質領域の形成に用いられるレーザ加工装置の概略構成図である。
【図２】改質領域の形成の対象となる加工対象物の平面図である。
【図３】図２の加工対象物のIII−III線に沿っての断面図である。
【図４】レーザ加工後の加工対象物の平面図である。
【図５】図４の加工対象物のV−V線に沿っての断面図である。
【図６】図４の加工対象物のVI−VI線に沿っての断面図である。
【図７】本発明の一実施形態の加工対象物切断方法の対象となる加工対象物の平面図である。
【図８】図７の加工対象物の単結晶サファイア基板のユニットセル図である。
【図９】本発明の一実施形態の加工対象物切断方法を説明するための加工対象物の断面図である。
【図１０】図７の加工対象物のストリート領域を説明するための加工対象物の平面図である。
【図１１】本発明の一実施形態の加工対象物切断方法を説明するための加工対象物の断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態の加工対象物切断方法を説明するための加工対象物の断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態の加工対象物切断方法を説明するための加工対象物の断面図である。
【図１４】本発明の一実施形態の加工対象物切断方法を説明するための加工対象物の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１４】
本発明の一実施形態の加工対象物切断方法では、切断予定ラインに沿って加工対象物にレーザ光を照射することにより、切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に改質領域を形成する。そこで、まず、この改質領域の形成について、図１〜図６を参照して説明する。
【００１５】
図１に示すように、レーザ加工装置１００は、レーザ光Ｌをパルス発振するレーザ光源１０１と、レーザ光Ｌの光軸（光路）の向きを９０°変えるように配置されたダイクロイックミラー１０３と、レーザ光Ｌを集光するための集光用レンズ１０５と、を備えている。また、レーザ加工装置１００は、集光用レンズ１０５で集光されたレーザ光Ｌが照射される加工対象物１を支持するための支持台１０７と、支持台１０７を移動させるためのステージ１１１と、レーザ光Ｌの出力やパルス幅等を調節するためにレーザ光源１０１を制御するレーザ光源制御部１０２と、ステージ１１１の移動を制御するステージ制御部１１５と、を備えている。
【００１６】
このレーザ加工装置１００においては、レーザ光源１０１から出射されたレーザ光Ｌは、ダイクロイックミラー１０３によってその光軸の向きを９０°変えられ、支持台１０７上に載置された加工対象物１の内部に集光用レンズ１０５によって集光される。これと共に、ステージ１１１が移動させられ、加工対象物１がレーザ光Ｌに対して切断予定ライン５に沿って相対移動させられる。これにより、切断予定ライン５に沿った改質領域が加工対象物１に形成されることとなる。
【００１７】
図２に示すように、加工対象物１には、加工対象物１を切断するための切断予定ライン５が設定されている。切断予定ライン５は、直線状に延びた仮想線である。加工対象物１の内部に改質領域を形成する場合、図３に示すように、加工対象物１の内部に集光点Ｐを合わせた状態で、レーザ光Ｌを切断予定ライン５に沿って（すなわち、図２の矢印Ａ方向に）相対的に移動させる。これにより、図４〜図６に示すように、改質領域７が切断予定ライン５に沿って加工対象物１の内部に形成され、切断予定ライン５に沿って形成された改質領域７が切断起点領域８となる。
【００１８】
なお、集光点Ｐとは、レーザ光Ｌが集光する箇所のことである。また、切断予定ライン５は、直線状に限らず曲線状であってもよいし、仮想線に限らず加工対象物１の表面３に実際に引かれた線であってもよい。また、改質領域７は、連続的に形成される場合もあるし、断続的に形成される場合もある。また、改質領域７は列状でも点状でもよく、要は、改質領域７は少なくとも加工対象物１の内部に形成されていればよい。また、改質領域７を起点に亀裂が形成される場合があり、亀裂及び改質領域７は、加工対象物１の外表面（表面、裏面、若しくは外周面）に露出していてもよい。
【００１９】
ちなみに、ここでのレーザ光Ｌは、加工対象物１を透過すると共に加工対象物１の内部の集光点近傍にて特に吸収され、これにより、加工対象物１に改質領域７が形成される（すなわち、内部吸収型レーザ加工）。よって、加工対象物１の表面３ではレーザ光Ｌが殆ど吸収されないので、加工対象物１の表面３が溶融することはない。一般的に、表面３から溶融され除去されて穴や溝等の除去部が形成される（表面吸収型レーザ加工）場合、加工領域は表面３側から徐々に裏面側に進行する。
【００２０】
ところで、本実施形態で形成される改質領域は、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域をいう。改質領域としては、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域等があり、これらが混在した領域もある。更に、改質領域としては、加工対象物の材料において改質領域の密度が非改質領域の密度と比較して変化した領域や、格子欠陥が形成された領域がある（これらをまとめて高密転移領域ともいう）。
【００２１】
また、溶融処理領域や屈折率変化領域、改質領域の密度が非改質領域の密度と比較して変化した領域、格子欠陥が形成された領域は、更に、それら領域の内部や改質領域と非改質領域との界面に亀裂（割れ、マイクロクラック）を内包している場合がある。内包される亀裂は改質領域の全面に渡る場合や一部分のみや複数部分に形成される場合がある。
【００２２】
また、本実施形態においては、切断予定ライン５に沿って改質スポット（加工痕）を複数形成することによって、改質領域７を形成している。改質スポットとは、パルスレーザ光の１パルスのショット（つまり１パルスのレーザ照射：レーザショット）で形成される改質部分であり、改質スポットが集まることにより改質領域７となる。改質スポットとしては、クラックスポット、溶融処理スポット若しくは屈折率変化スポット、又はこれらの少なくとも１つが混在するもの等が挙げられる。
【００２３】
この改質スポットについては、要求される切断精度、要求される切断面の平坦性、加工対象物の厚さ、種類、結晶方位等を考慮して、その大きさや発生する亀裂の長さを適宜制御することが好ましい。
【００２４】
次に、本発明の一実施形態の加工対象物切断方法について詳細に説明する。図７に示すように、加工対象物１は、円形板状（例えば、直径２〜６インチ、厚さ５０〜２００μｍ）の単結晶サファイア基板３１を備えるウェハである。図８に示すように、単結晶サファイア基板３１は、六方晶系の結晶構造を有しており、そのｃ軸は、単結晶サファイア基板３１の厚さ方向に対して角度θ（例えば０．１°）傾斜している。つまり、単結晶サファイア基板３１は、角度θのオフ角を有している。図９に示すように、単結晶サファイア基板３１は、ｃ面とオフ角分の角度θを成す表面３１ａ及び裏面３１ｂを有している。単結晶サファイア基板３１においては、ｍ面は、単結晶サファイア基板３１の厚さ方向に対して角度θ傾斜しており（図９（ａ）参照）、ａ面は、単結晶サファイア基板３１の厚さ方向に平行となっている（図９（ｂ）参照）。
【００２５】
図７及び図９に示すように、加工対象物１は、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａ上にマトリックス状に配列された複数の発光素子部３２を含む素子層３３を備えている。加工対象物１には、加工対象物１を発光素子部３２ごとに切断するための切断予定ライン（第２切断予定ライン）５１及び切断予定ライン（第１切断予定ライン）５２が格子状（例えば３００μｍ×３００μｍ）に設定されている。切断予定ライン５１は、ａ面及び裏面３１ｂに平行となるように（換言すれば、ａ面及び表面３１ａに平行となるように）複数設定されている。切断予定ライン５２は、ｍ面及び裏面３１ｂに平行となるように（換言すれば、ｍ面及び表面３１ａに平行となるように）複数設定されている。なお、単結晶サファイア基板３１には、ａ面に平行となるようにオリエンテーションフラット３１ｃが形成されている。
【００２６】
図９に示すように、各発光素子部３２は、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａ上に積層されたｎ型半導体層（第１導電型半導体層）３４と、ｎ型半導体層３４上に積層されたｐ型半導体層（第２導電型半導体層）３５と、を有している。ｎ型半導体層３４は、全ての発光素子部３２に渡って一続きに形成されており、ｐ型半導体層３５は、発光素子部３２ごとに分離されてアイランド状に形成されている。ｎ型半導体層３４及びｐ型半導体層３５は、例えばＧａＮ等のIII−V族化合物半導体からなり、互いにｐｎ接合されている。図１０に示すように、ｎ型半導体層３４には、発光素子部３２ごとに電極パッド３６が形成されており、ｐ型半導体層３５には、発光素子部３２ごとに電極パッド３７が形成されている。なお、ｎ型半導体層３４の厚さは例えば６μｍ程度であり、ｐ型半導体層３５の厚さは例えば１μｍ程度である。
【００２７】
素子層３３において隣り合う発光素子部３２，３２間には、所定の幅（例えば１０〜３０μｍ）を有するストリート領域３８が格子状に延在している。ストリート領域３８は、隣り合う発光素子部３２Ａ，３２Ｂに着目した場合に、一方の発光素子部３２Ａが専有する部材のうち他方の発光素子部３２Ｂに最も近い外縁を有する部材と、他方の発光素子部３２Ｂが専有する部材のうち一方の発光素子部３２Ａに最も近い外縁を有する部材との間の領域である。
【００２８】
例えば、図１０（ａ）の場合、発光素子部３２Ａが専有する部材のうち発光素子部３２Ｂに最も近い外縁を有する部材はｐ型半導体層３５であり、発光素子部３２Ｂが専有する部材のうち発光素子部３２Ａに最も近い外縁を有する部材は電極パッド３６及びｐ型半導体層３５である。従って、この場合におけるストリート領域３８は、発光素子部３２Ａのｐ型半導体層３５と、発光素子部３２Ｂの電極パッド３６及びｐ型半導体層３５との間の領域となる。なお、図１０（ａ）の場合、ストリート領域３８には、発光素子部３２Ａ及び発光素子部３２Ｂが共有するｎ型半導体層３４が露出している。
【００２９】
また、図１０（ｂ）の場合、発光素子部３２Ａが専有する部材のうち発光素子部３２Ｂに最も近い外縁を有する部材はｎ型半導体層３４であり、発光素子部３２Ｂが専有する部材のうち発光素子部３２Ａに最も近い外縁を有する部材はｎ型半導体層３４である。従って、この場合におけるストリート領域３８は、発光素子部３２Ａのｎ型半導体層３４と、発光素子部３２Ｂのｎ型半導体層３４との間の領域となる。なお、図１０（ｂ）の場合、ストリート領域３８には、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａが露出している。
【００３０】
以上のように構成された加工対象物１を発光素子部３２ごとに切断して複数の発光素子を製造するための加工対象物切断方法について、以下、説明する。まず、図１１に示すように、素子層３３を覆うように加工対象物１に保護テープ４１を貼り付け、上述したレーザ加工装置１００の支持台１０７上に、保護テープ４１を介して加工対象物１を載置する。そして、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂを単結晶サファイア基板３１におけるレーザ光Ｌの入射面として、単結晶サファイア基板３１内にレーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせて、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って集光点Ｐを相対的に移動させる。これにより、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って単結晶サファイア基板３１内に改質領域（第２改質領域）７１を形成すると共に、改質領域７１から発生した亀裂（第２亀裂）８１を裏面３１ｂに到達させる（第３工程）。このとき、亀裂８１は、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａには到達しないものの、改質領域７１から表面３１ａ側にも伸展する。
【００３１】
この工程では、単結晶サファイア基板３１のｒ面と裏面３１ｂとの成す角度が鋭角となる側を一方の側とし、且つ単結晶サファイア基板３１のｒ面と裏面３１ｂとの成す角度が鈍角となる側を他方の側として、全ての切断予定ライン５１において、一方の側から他方の側にレーザ光Ｌの集光点Ｐを相対的に移動させる。なお、裏面３１ｂから集光点Ｐを合わせる位置までの距離は、例えば単結晶サファイア基板３１の厚さの半分以下の距離であり、例えば３０〜５０μｍである。
【００３２】
続いて、図１２に示すように、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂを単結晶サファイア基板３１におけるレーザ光Ｌの入射面として、単結晶サファイア基板３１内にレーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせて、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って集光点Ｐを相対的に移動させる。これにより、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って単結晶サファイア基板３１内に改質領域（第１改質領域）７２を形成すると共に、改質領域７２から発生した亀裂（第１亀裂）８２を裏面３１ｂに到達させる（第１工程）。このとき、亀裂８２は、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａには到達しないものの、改質領域７２から表面３１ａ側にも伸展する。
【００３３】
この工程では、隣り合う発光素子部３２，３２間においてｍ面に平行な方向に延在するストリート領域３８の中心線ＣＬから、集光点Ｐを合わせる位置までの「裏面３１ｂに垂直な方向から見た場合における距離」：ΔＹ、単結晶サファイア基板３１の厚さ：ｔ、裏面３１ｂから集光点Ｐを合わせる位置までの距離：Ｚ、ストリート領域３８の幅：ｄ、表面３１ａにおける亀裂８２の蛇行量：ｍ、裏面３１ｂに垂直な方向（すなわち、単結晶サファイア基板３１の厚さ方向）と亀裂８２が伸展する方向との成す角度：αとした場合に、ΔＹ＝（tanα）・（ｔ−Ｚ）±［（ｄ／２）−ｍ］を満たすように、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って加工対象物１にレーザ光Ｌを照射する。
【００３４】
ここで、中心線ＣＬは、ストリート領域３８の幅方向（すなわち、隣り合う発光素子部３２，３２が並ぶ方向）における中心線である。また、表面３１ａにおける亀裂８２の蛇行量ｍは、表面３１ａにおいて蛇行する亀裂８２の振れ幅（ストリート領域３８の幅方向における振れ幅）の「想定される最大値」であり、例えば−５〜＋５μｍである。また、亀裂８２が伸展する方向は、裏面３１ｂに垂直な方向に対してｒ面が傾斜する側に傾斜する方向であるが、裏面３１ｂに垂直な方向と亀裂８２が伸展する方向との成す角度αは、裏面３１ｂに垂直な方向とｒ面とのなす角度に必ずしも一致するものではなく、例えば５〜７°である。
【００３５】
この工程でのレーザ加工装置１００の動作は次のとおりである。まず、レーザ加工装置１００は、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂ側から、隣り合う発光素子部３２，３２間においてｍ面に平行な方向に延在するストリート領域３８を検出する。続いて、レーザ加工装置１００は、裏面３１ｂに垂直な方向から見た場合に、集光点Ｐを合わせる位置がストリート領域３８の中心線ＣＬ上に位置するように、加工対象物１に対するレーザ光Ｌの照射位置を調整する。続いて、レーザ加工装置１００は、裏面３１ｂに垂直な方向から見た場合に、集光点Ｐを合わせる位置がΔＹだけ中心線ＣＬに対してオフセットするように、加工対象物１に対するレーザ光Ｌの照射位置を調整する。続いて、レーザ加工装置１００は、加工対象物１に対するレーザ光Ｌの照射を開始し、裏面３１ｂに垂直な方向から見た場合に、集光点Ｐを合わせる位置が中心線ＣＬ（ここでは、切断予定ライン５２に一致する）に対してΔＹだけオフセットした状態で、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って集光点Ｐを相対的に移動させる。
【００３６】
なお、単結晶サファイア基板３１内に形成される改質領域７１，７２は、溶融処理領域を含むものとなる。また、改質領域７１から発生した亀裂８１、及び改質領域７２から発生した亀裂８２は、レーザ光Ｌの照射条件を適宜調整することによって単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂに到達させることが可能である。亀裂８１，８２を裏面３１ｂに到達させるためのレーザ光Ｌの照射条件としては、例えば、裏面３１ｂからレーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせる位置までの距離、レーザ光Ｌのパルス幅、レーザ光Ｌのパルスピッチ（「加工対象物１に対するレーザ光Ｌの集光点Ｐの移動速度」を「レーザ光Ｌの繰り返し周波数」で除した値）、レーザ光Ｌのパルスエネルギー等がある。また、単結晶サファイア基板３１では、ａ面及び裏面１２ｂに平行となるように設定された切断予定ライン５１においては、亀裂８１が伸展し難く、亀裂８１が蛇行し易い。一方、ｍ面及び裏面１２ｂに平行となるように設定された切断予定ライン５２においては、亀裂８２が伸展し易く、亀裂８２が蛇行し難い。その観点から、切断予定ライン５１側でのレーザ光Ｌのパルスピッチは、切断予定ライン５２側でのレーザ光Ｌのパルスピッチよりも小さくしてもよい。
【００３７】
以上のように改質領域７１，７２を形成した後、図１３に示すように、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂを覆うように加工対象物１にエキスパンドテープ４２を貼り付け、三点曲げブレーク装置の受け部材４３上に、当該エキスパンドテープ４２を介して加工対象物１を載置する。そして、図１３（ａ）に示すように、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａ側から、保護テープ４１を介して加工対象物１にナイフエッジ４４を押し当てることで、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って加工対象物１に外力を作用させる。これにより、改質領域７１から発生した亀裂８１を表面３１ａ側に伸展させて、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って加工対象物１をバー状に切断する（第４工程）。
【００３８】
続いて、図１３（ｂ）に示すように、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａ側から、保護テープ４１を介して加工対象物１にナイフエッジ４４を押し当てることで、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って加工対象物１に外力を作用させる。これにより、改質領域７２から発生した亀裂８２を表面３１ａ側に伸展させて、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って加工対象物１をチップ状に切断する（第２工程）。
【００３９】
加工対象物１を切断した後、図１４に示すように、加工対象物１から保護テープ４１を取り除き、エキスパンドテープ４２を外側に拡張させる。これにより、加工対象物１がチップ状に切断されることで得られた複数の発光素子１０を互いに離間させる。
【００４０】
以上説明したように、本実施形態の加工対象物切断方法では、単結晶サファイア基板３１のｍ面及び裏面３１ｂに平行となるように設定された複数の切断予定ライン５２のそれぞれにおいて、ΔＹ＝（tanα）・（ｔ−Ｚ）±［（ｄ／２）−ｍ］を満たすように加工対象物１にレーザ光Ｌを照射し、単結晶サファイア基板３１内に改質領域７２を形成すると共に、改質領域７２から発生した亀裂８２を裏面３１ｂに到達させる。これにより、改質領域７２から発生した亀裂８２の伸展方向がｒ面の傾斜方向に引っ張られても、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａにおいて亀裂８２をストリート領域３８内に収めることができ、当該亀裂８１が発光素子部３２に至るのを防止することが可能となる。これは、「単結晶サファイア基板３１のｍ面及び裏面３１ｂに平行な切断予定ライン５２に沿って形成された改質領域７２から発生した亀裂８２の伸展方向は、ｍ面の影響よりも、ｍ面に対して傾斜するｒ面の影響を強く受けて、ｒ面の傾斜方向に引っ張られる」との知見に基づくものである。そして、裏面３１ｂに垂直な方向から見た場合に、ストリート領域３８の中心線ＣＬに対して、集光点Ｐを合わせる位置をΔＹだけオフセットさせることで、集光点Ｐを合わせる位置を単結晶サファイア基板３１の表面３１ａから離しても、改質領域７２から発生した亀裂８２をストリート領域３８内に収めることができるので、レーザ光Ｌの照射に起因して発光素子部３２の特性が劣化するのを防止ことが可能となる。
【００４１】
例えば、ｔ（単結晶サファイア基板３１の厚さ）：１５０μｍ、Ｚ（裏面３１ｂから集光点Ｐを合わせる位置までの距離）：５０μｍ、ｄ（ストリート領域３８の幅）：２０μｍ、ｍ（表面３１ａにおける亀裂８２の蛇行量）：３μｍ、α（裏面３１ｂに垂直な方向と亀裂８２が伸展する方向との成す角度）の正接：１／１０であれば、ΔＹ＝（tanα）・（ｔ−Ｚ）±［（ｄ／２）−ｍ］より、ΔＹ＝１０±７μｍとなる。従って、裏面３１ｂに垂直な方向から見た場合に、ストリート領域３８の中心線ＣＬに対して、集光点Ｐを合わせる位置を３〜１７μｍオフセットさせた状態で、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って集光点Ｐを相対的に移動させればよい。
【００４２】
また、加工対象物１を切断する工程では、切断予定ライン５１，５２のそれぞれに沿って単結晶サファイア基板３１の表面３１ａ側から加工対象物１にナイフエッジ４４を押し当てることにより、切断予定ライン５１，５２のそれぞれに沿って加工対象物１に外力を作用させる。これにより、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂに到達した亀裂８１，８２が開くように加工対象物１に外力が作用することになるので、切断予定ライン５１，５２に沿って容易に且つ精度良く加工対象物１を切断することができる。
【００４３】
なお、単結晶サファイア基板３１のａ面及び裏面３１ｂに平行となるように設定された複数の切断予定ライン５１のそれぞれにおいては、一方の側から他方の側にレーザ光Ｌの集光点Ｐを相対的に移動させる。これにより、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って形成された改質領域７１から発生した亀裂８１の蛇行量が変化するのを抑制することができる。これは、「単結晶サファイア基板３１では、ｒ面と裏面３１ｂとの成す角度が鋭角となる側からその反対側にレーザ光Ｌの集光点Ｐを相対的に移動させた場合と、ｒ面と裏面３１ｂとの成す角度が鈍角となる側からその反対側にレーザ光Ｌの集光点Ｐを相対的に移動させた場合とで、改質領域７１の形成状態が変化し、その結果、改質領域７１から発生した亀裂８１の蛇行量が変化する」との知見に基づくものである。よって、この加工対象物切断方法によれば、単結晶サファイア基板３１のａ面及び裏面３１ｂに平行な複数の切断予定ライン５１のそれぞれに沿って形成された改質領域７１から発生した亀裂８２の蛇行量のばらつきを抑制することが可能となる。なお、改質領域７１から発生した亀裂８１の蛇行量とは、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａ又は裏面３１ｂにおいて蛇行する亀裂８１の振れ幅（ストリート領域３８の幅方向における振れ幅）である。
【００４４】
また、改質領域７１を形成する工程では、単結晶サファイア基板３１のｒ面と裏面３１ｂとの成す角度が鋭角となる側を一方の側とし、且つ当該角度が鈍角となる側を他方の側として、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って一方の側から他方の側にレーザ光Ｌの集光点Ｐを相対的に移動させ、単結晶サファイア基板３１内に改質領域７１を形成すると共に、改質領域７１から発生した亀裂８１を裏面３１ｂに到達させる。これにより、単結晶サファイア基板３１のｒ面と裏面３１ｂとの成す角度が鈍角となる側から当該角度が鋭角となる側にレーザ光Ｌの集光点Ｐを相対的に移動させた場合に比べ、改質領域７１から単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂに到達する亀裂８１の蛇行量を小さく抑えることができる。
【００４５】
以上、本発明の一実施形態の加工対象物切断方法について説明したが、本発明の加工対象物切断方法は、上記実施形態の加工対象物切断方法に限定されるものではない。
【００４６】
例えば、切断予定ライン５１に沿って改質領域７１を形成する工程は、上述したようなものに限定されない。切断予定ライン５１に沿って改質領域７１をどのように形成するのかとは無関係に、切断予定ライン５２に関して上述した「改質領域７２から発生した亀裂８２の伸展方向がｒ面の傾斜方向に引っ張られても、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａにおいて亀裂８２をストリート領域３８内に収めることができ、当該亀裂８１が発光素子部３２に至るのを防止することが可能となる」との効果等は奏される。
【００４７】
また、加工対象物１を切断する工程の前であれば、切断予定ライン５１に沿って改質領域７１を形成する工程、及び切断予定ライン５２に沿って改質領域７２を形成する工程のうち、どちらの工程を先に実施してもよい。また、改質領域７１，７２を形成する工程の後であれば、切断予定ライン５１に沿って加工対象物１を切断する工程、及び切断予定ライン５２に沿って加工対象物１を切断する工程のうち、どちらの工程を先に実施してもよい。
【００４８】
また、切断予定ライン５１，５２のそれぞれに沿ってレーザ光Ｌの集光点Ｐを相対的に移動させるために、レーザ加工装置１００の支持台１０７を移動させてもよいし、レーザ加工装置１００のレーザ光源１０１側（レーザ光源１０１、ダイクロイックミラー１０３及び集光用レンズ１０５等）を移動させてもよいし、或いは、支持台１０７及びレーザ光源１０１側の両方を移動させてもよい。
【００４９】
また、発光素子として半導体レーザを製造することができる。その場合、加工対象物１は、単結晶サファイア基板３１と、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａ上に積層されたｎ型半導体層（第１導電型半導体層）３４と、ｎ型半導体層３４上に積層された活性層と、活性層上に積層されたｐ型半導体層（第２導電型半導体層）３５と、を備えている。ｎ型半導体層３４、活性層及びｐ型半導体層３５は、例えばＧａＮ等のIII−V族化合物半導体からなり、量子井戸構造を構成している。
【００５０】
また、素子層３３は、電極パッド３６，３７との電気的な接続のためのコンタクト層等が更に備えていてもよい。また、第１導電型がｐ型とされ、第２導電型がｎ型とされてもよい。また、単結晶サファイア基板３１のオフ角は０°の場合もある。この場合、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａ及び裏面３１ｂはｃ面に平行となる。
【符号の説明】
【００５１】
１…加工対象物、１０…発光素子、３１…単結晶サファイア基板、３１ａ…表面、３１ｂ…裏面、３２…発光素子部、３３…素子層、３８…ストリート領域、４４…ナイフエッジ、５１…切断予定ライン（第２切断予定ライン）、５２…切断予定ライン（第１切断予定ライン）、７１…改質領域（第２改質領域）、７２…改質領域（第１改質領域）、８１…亀裂（第２亀裂）、８２…亀裂（第１亀裂）、ＣＬ…中心線、Ｌ…レーザ光、Ｐ…集光点。
【図１】
2014041926.tif 000003
【図２】
2014041926.tif 000004
【図３】
2014041926.tif 000005
【図４】
2014041926.tif 000006
【図５】
2014041926.tif 000007
【図６】
2014041926.tif 000008
【図７】
2014041926.tif 000009
【図８】
2014041926.tif 000010
【図９】
2014041926.tif 000011
【図１０】
2014041926.tif 000012
【図１１】
2014041926.tif 000013
【図１２】
2014041926.tif 000014
【図１３】
2014041926.tif 000015
【図１４】
2014041926.tif 000016