(57)【要約】【課題】  シート厚が厚く、かつアウトガス量が低減された樹脂シートを提供する。【解決手段】  厚みが１００〜２０００μｍであり、１５０℃で１時間硬化させた際に発生するガス量が５００ｐｐｍ以下である電子デバイス封止用樹脂シートに関する。【選択図】  図１
2014194959.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚みが１００〜２０００μｍであり、
１５０℃で１時間硬化させた際に発生するガス量が５００ｐｐｍ以下である電子デバイス封止用樹脂シート。
【請求項２】
１５０℃で１時間硬化して得られた硬化物の１％重量減少温度が２６０℃以上である請求項１に記載の電子デバイス封止用樹脂シート。
【請求項３】
１５０℃で１時間硬化して得られた硬化物を、
４０℃から２６０℃まで昇温速度１０℃／分で昇温し、次いで２６０℃で１分間加熱した際に発生するガス量が５００ｐｐｍ以下である請求項１又は２に記載の電子デバイス封止用樹脂シート。
【請求項４】
１又は複数の電子デバイスを覆うように請求項１〜３のいずれかに記載の電子デバイス封止用樹脂シートを前記電子デバイス上に積層する積層工程、及び
前記電子デバイス封止用樹脂シートを硬化させて封止体を形成する封止体形成工程を含む電子デバイスパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイス封止用樹脂シート及び電子デバイスパッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスパッケージの作製には、代表的に、基板などに固定された１又は複数の電子デバイスを封止樹脂にて封止し、必要に応じて封止体を電子デバイス単位のパッケージとなるようにダイシングするという手順が採用されている。このような封止樹脂として、シート状の封止樹脂が用いられていることがある。
【０００３】
例えば、特許文献１では、ワニスをフィルム上に塗布して、次いで塗布膜を乾燥させることにより樹脂シートを形成することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１９７１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１のような樹脂シートの作製方法（溶剤塗工）では、ワニス調製にあたり溶剤を使用する。溶剤が樹脂シートに残存すると、熱硬化時やはんだリフロー時の加熱により溶剤が揮発し、アウトガスが発生してしまう。溶剤塗工により作製した樹脂シートから溶剤を充分に揮発させることは難しく、シート厚が厚い樹脂シートでは特に難しい。
【０００６】
本発明は前記課題を解決し、シート厚が厚く、かつアウトガス量が低減された樹脂シートを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、厚みが１００〜２０００μｍであり、１５０℃で１時間硬化させた際に発生するガス量が５００ｐｐｍ以下である電子デバイス封止用樹脂シートに関する。
【０００８】
従来、厚さが前記範囲内の樹脂シートでは硬化させる際に発生するガス量を低減することは困難であったが、本発明の樹脂シートでは硬化時のアウトガス量が低減されており、当該アウトガスに起因した電子デバイスの腐食や誤作動を低減できる。
【０００９】
１５０℃で１時間、前記電子デバイス封止用樹脂シートを硬化して得られた硬化物の１％重量減少温度が２６０℃以上であることが好ましい。２６０℃以上であると、樹脂シート中の揮発成分量が低減されており、はんだリフロー時に発生するガス（アウトガス）量が低減される。
【００１０】
１５０℃で１時間、前記電子デバイス封止用樹脂シートを硬化して得られた硬化物を、４０℃から２６０℃まで昇温速度１０℃／分で昇温し、次いで２６０℃で１分間加熱した際に発生するガス量が５００ｐｐｍ以下であることが好ましい。当該ガス量の前提である加熱条件は、はんだリフロープロファイルを想定したものである。当該ガス量が、５００ｐｐｍ以下であると、はんだリフロー時に発生するガス（アウトガス）量が低減される。
【００１１】
本発明はまた、１又は複数の電子デバイスを覆うように前記電子デバイス封止用樹脂シートを前記電子デバイス上に積層する積層工程、及び前記電子デバイス封止用樹脂シートを硬化させて封止体を形成する封止体形成工程を含む電子デバイスパッケージの製造方法に関する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態に係る樹脂シートを模式的に示す断面図である。
【図２Ａ】本発明の一実施形態に係る電子デバイスパッケージの製造方法の一工程を模式的に示す図である。
【図２Ｂ】本発明の一実施形態に係る電子デバイスパッケージの製造方法の一工程を模式的に示す図である。
【図２Ｃ】本発明の一実施形態に係る電子デバイスパッケージの製造方法の一工程を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に実施形態を掲げ、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。
【００１４】
［電子デバイス封止用樹脂シート］
【００１５】
図１は、本発明の一実施形態に係る樹脂シート１１を模式的に示す断面図である。樹脂シート１１は、代表的に、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムなどの支持体１１ａ上に積層された状態で提供される。なお、支持体１１ａには樹脂シート１１の剥離を容易に行うために離型処理が施されていてもよい。
【００１６】
樹脂シート１１の厚さは、比較的厚く、具体的には１００〜２０００μｍである。従来、厚さが前記範囲内の樹脂シートではアウトガス量を低減することは困難であったが、樹脂シート１１ではアウトガス量が低減されている。樹脂シート１１の厚さは、１５０μｍ以上が好ましい。一方、樹脂シート１１の厚さは１０００μｍ以下が好ましい。
【００１７】
樹脂シート１１は、１５０℃で１時間硬化させた際に発生するガス（アウトガス）量が５００ｐｐｍ以下であり、好ましくは３００ｐｐｍ以下である。５００ｐｐｍ以下であるので、硬化時のアウトガス量が低減されており、当該アウトガスに起因した電子デバイスの腐食や誤作動を低減できる。一方、１５０℃で１時間硬化させた際に発生するガス量の下限は特に限定されず、例えば、３０ｐｐｍ以上である。
１５０℃で１時間硬化させた際に発生するガス量は、実施例に記載の方法で測定できる。
【００１８】
１５０℃で１時間、樹脂シート１１を硬化して得られた硬化物の１％重量減少温度が２６０℃以上であることが好ましく、３００℃以上であることが好ましい。２６０℃以上であると、樹脂シート１１中の揮発成分量が低減されており、はんだリフロー時に発生するガス（アウトガス）量が低減される。１５０℃で１時間、樹脂シート１１を硬化して得られた硬化物の１％重量減少温度の上限は特に限定されないが、例えば、５００℃以下である。
１５０℃で１時間、樹脂シート１１を硬化して得られた硬化物の１％重量減少温度は、実施例に記載の方法で測定できる。
【００１９】
１５０℃で１時間樹脂シート１１を硬化して得られた硬化物を、４０℃から２６０℃まで昇温速度１０℃／分で昇温し、次いで２６０℃で１分間加熱した際に発生するガス量が５００ｐｐｍ以下であることが好ましい。当該ガス量の前提である加熱条件は、はんだリフロープロファイルを想定したものである。当該ガス量が、５００ｐｐｍ以下であると、はんだリフロー時に発生するガス（アウトガス）量が低減される。下限は特に限定されないが、３０ｐｐｍ以上である。
１５０℃で１時間樹脂シート１１を硬化して得られた硬化物を、４０℃から２６０℃まで昇温速度１０℃／分で昇温し、次いで２６０℃で１分間加熱した際に発生するガス量は、実施例に記載の方法で測定できる。
【００２０】
樹脂シート１１の製造方法は特に限定されないが、後述の各成分の混練物を調製し、得られた混練物をシート状に塑性加工する方法が好ましい。これにより、溶剤を使用せずに樹脂シート１１を作製できるので、アウトガス量を低減できる。また、溶剤塗工でシート厚の厚い樹脂シート１１を作製するためには、複数の溶剤塗工製樹脂シートを積層する必要があるが、これによれば積層せずに樹脂シート１１を作製できる（一括で樹脂シート１１を作製できる）。よって、層間剥離のおそれがない。シート厚の均一性も高められる。また、積層する場合に比べて表面積が小さいため、低吸湿化を達成でき、結果としてアウトガス量を低減できる。
【００２１】
具体的には、後述の各成分（例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、熱可塑性樹脂、無機充填材及び硬化促進剤など）をミキシングロール、加圧式ニーダー、押出機などの公知の混練機で溶融混練することにより混練物を調製し、得られた混練物をシート状に塑性加工する。混練条件として、温度は、上述の各成分の軟化点以上であることが好ましく、例えば３０〜１５０℃、エポキシ樹脂の熱硬化性を考慮すると、好ましくは４０〜１４０℃、さらに好ましくは６０〜１２０℃である。時間は、例えば１〜３０分間、好ましくは５〜１５分間である。
【００２２】
混練は、減圧条件下（減圧雰囲気下）で行うことが好ましい。これにより、脱気できるとともに、混練物への気体の侵入を防止でき、その結果アウトガス量を低減できる。減圧条件下の圧力は、好ましくは０．１ｋｇ／ｃｍ２以下、より好ましくは０．０５ｋｇ／ｃｍ２以下である。０．１ｋｇ／ｃｍ２以下であると、アウトガス量を良好に低減できる。減圧下の圧力の下限は特に限定されないが、例えば、１×１０−４ｋｇ／ｃｍ２以上である。
【００２３】
溶融混練後の混練物は、冷却することなく高温状態のままで塑性加工することが好ましい。塑性加工方法としては特に制限されず、平板プレス法、Ｔダイ押出法、スクリューダイ押出法、ロール圧延法、ロール混練法、インフレーション押出法、共押出法、カレンダー成形法などが挙げられる。塑性加工温度としては上述の各成分の軟化点以上が好ましく、エポキシ樹脂の熱硬化性および成形性を考慮すると、例えば４０〜１５０℃、好ましくは５０〜１４０℃、さらに好ましくは７０〜１２０℃である。
【００２４】
樹脂シート１１は、単層構造であってもよいし、２以上の樹脂シートを積層した多層構造であってもよいが、層間剥離のおそれがなく、シート厚の均一性が高く、低吸湿化し易いという理由から、単層構造が好ましい。
【００２５】
次に、樹脂シート１１の組成について説明する。
【００２６】
樹脂シート１１はエポキシ樹脂、及びフェノール樹脂を含むことが好ましい。これにより、良好な熱硬化性が得られる。
【００２７】
エポキシ樹脂としては、特に限定されるものではない。例えば、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂などの各種のエポキシ樹脂を用いることができる。これらエポキシ樹脂は単独で用いてもよいし２種以上併用してもよい。
【００２８】
エポキシ樹脂の硬化後の靭性及びエポキシ樹脂の反応性を確保する観点からは、エポキシ当量１５０〜２５０、軟化点もしくは融点が５０〜１３０℃の常温で固形のものが好ましく、なかでも、信頼性の観点から、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂がより好ましい。
【００２９】
フェノール樹脂は、エポキシ樹脂との間で硬化反応を生起するものであれば特に限定されるものではない。例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、クレゾールノボラック樹脂、レゾール樹脂などが用いられる。これらフェノール樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【００３０】
フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂との反応性の観点から、水酸基当量が７０〜２５０、軟化点が５０〜１１０℃のものを用いることが好ましく、なかでも硬化反応性が高いという観点から、フェノールノボラック樹脂を好適に用いることができる。また、信頼性の観点から、フェノールアラルキル樹脂やビフェニルアラルキル樹脂のような低吸湿性のものも好適に用いることができる。
【００３１】
エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、硬化反応性という観点から、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対して、フェノール樹脂中の水酸基の合計が０．７〜１．５当量となるように配合することが好ましく、より好ましくは０．９〜１．２当量である。
【００３２】
樹脂シート１１中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、２．０重量％以上が好ましく、３．０重量％以上がより好ましい。２．０重量％以上であると、電子デバイス、基板などに対する接着力が良好に得られる。樹脂シート１１中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、２０重量％以下が好ましく、１０重量％以下がより好ましい。２０重量％以下であると、吸湿性を低く抑えることができる。
【００３３】
樹脂シート１１は、熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。これにより、未硬化状態でのハンドリング性、硬化物の低応力性を得ることができる。
【００３４】
熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロンなどのポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴなどの飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂、スチレン−イソブチレン−スチレンブロック共重合体などが挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。なかでも、低応力性、低吸水性という観点から、スチレン-イソブチレン-スチレンブロック共重合体が好ましい。
【００３５】
樹脂シート１１中の熱可塑性樹脂の含有量は、１．０重量％以上が好ましく、１．５重量％以上がより好ましい。１．０重量％以上であると、柔軟性、可撓性が得られる。樹脂シート１１中の熱可塑性樹脂の含有量は、３．５重量％以下が好ましく、３重量％以下がより好ましい。３．５重量％以下であると、電子デバイスや基板との接着性を高められる。
【００３６】
樹脂シート１１は、無機充填材を含むことが好ましい。
【００３７】
無機充填材は、特に限定されるものではなく、従来公知の各種充填剤を用いることができ、例えば、石英ガラス、タルク、シリカ（溶融シリカや結晶性シリカなど）、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素の粉末が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。なかでも、線膨張係数を良好に低減できるという理由から、シリカ、アルミナが好ましく、シリカがより好ましい。
【００３８】
シリカとしては、シリカ粉末が好ましく、溶融シリカ粉末がより好ましい。溶融シリカ粉末としては、球状溶融シリカ粉末、破砕溶融シリカ粉末が挙げられるが、流動性という観点から、球状溶融シリカ粉末が好ましい。なかでも、平均粒径が１０〜３０μｍの範囲のものが好ましく、１５〜２５μｍの範囲のものがより好ましい。
なお、平均粒径は、例えば、母集団から任意に抽出される試料を用い、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定することにより導き出すことができる。
【００３９】
樹脂シート１１中の無機充填材の含有量は、好ましくは７０体積％以上であり、より好ましくは７４体積％以上である。７０体積％以上であると、線膨張係数を低く設計できる。一方、無機充填材の含有量は、好ましくは９０体積％以下であり、より好ましくは８５体積％以下である。９０体積％以下であると、柔軟性、流動性、接着性が良好に得られる。
【００４０】
無機充填材の含有量は、「重量％」を単位としても説明できる。代表的にシリカの含有量について、「重量％」を単位として説明する。
シリカは通常、比重２．２ｇ／ｃｍ３であるので、シリカの含有量（重量％）の好適範囲は例えば以下のとおりである。
すなわち、樹脂シート１１中のシリカの含有量は、８１重量％以上が好ましく、８４重量％以上がより好ましい。樹脂シート１１中のシリカの含有量は、９４重量％以下が好ましく、９１重量％以下がより好ましい。
【００４１】
アルミナは通常、比重３．９ｇ／ｃｍ３であるので、アルミナの含有量（重量％）の好適範囲は例えば以下のとおりである。
すなわち、樹脂シート１１中のアルミナの含有量は、８８重量％以上が好ましく、９０重量％以上がより好ましい。樹脂シート１１中のアルミナの含有量は、９７重量％以下が好ましく、９５重量％以下がより好ましい。
【００４２】
樹脂シート１１は、硬化促進剤を含むことが好ましい。
【００４３】
硬化促進剤としては、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の硬化を進行させるものであれば特に限定されず、例えば、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートなどの有機リン系化合物；２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール系化合物；などが挙げられる。なかでも、混練時の温度上昇によっても硬化反応が急激に進まず、樹脂シート１１を良好に作製できるという理由から、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。
【００４４】
硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計１００重量部に対して０．１〜５重量部が好ましい。
【００４５】
樹脂シート１１は、難燃剤成分を含むことが好ましい。これにより、部品ショートや発熱などにより発火した際の、燃焼拡大を低減できる。難燃剤組成分としては、例えば水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化鉄、水酸化カルシウム、水酸化スズ、複合化金属水酸化物などの各種金属水酸化物；ホスファゼン系難燃剤などを用いることができる。なかでも、難燃性、硬化後の強度に優れるという理由から、ホスファゼン系難燃剤が好ましく、式（１）又は式（２）で表される化合物が好ましい。
【００４６】
【化１】
2014194959.tif 000003
（式中、Ｒ１及びＲ２は、同一若しくは異なって、アルコキシ基、フェノキシ基、アミノ基、水酸基、アリル基又はこれらの基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有する１価の有機基を表す。ｘは３〜２５の整数を表す。）
【００４７】
【化２】
2014194959.tif 000004
（式中、Ｒ３及びＲ５は、同一若しくは異なって、アルコキシ基、フェノキシ基、アミノ基、水酸基、アリル基又はこれらの基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有する１価の有機基を表す。Ｒ４は、アルコキシ基、フェノキシ基、アミノ基、水酸基及びアリル基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有する２価の有機基を表す。ｙは３〜２５の整数を表す。ｚは３〜２５の整数を表す。）
【００４８】
Ｒ１及びＲ２のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基などが挙げられる。なかでも、炭素数４〜１０のアルコキシ基が好ましい。
【００４９】
Ｒ１及びＲ２のフェノキシ基としては、例えば、式（３）で表される基が挙げられる。
【化３】
2014194959.tif 000005
（式中、Ｒ１１は、水素、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、グリシジル基又はこれらの基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有する１価の有機基を表す。）
【００５０】
Ｒ１１のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、へキシル基、へプチル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、オクタデシル基などが挙げられる。Ｒ１１のアルコキシ基としては、Ｒ１及びＲ２のアルコキシ基と同様の基が挙げられる。
【００５１】
Ｒ１及びＲ２としては、難燃性、硬化後の強度が良好に得られるという理由から、フェノキシ基が好ましく、式（３）で表される基がより好ましい。
【００５２】
ｘは３〜２５の整数を表すが、難燃性、硬化後の強度が良好に得られるという理由から、３〜１０が好ましく、３〜４がより好ましい。
【００５３】
式（２）において、Ｒ３及びＲ５のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基などが挙げられる。なかでも、炭素数４〜１０のアルコキシ基が好ましい。
【００５４】
Ｒ３及びＲ５のフェノキシ基としては、例えば、前記式（３）で表される基が挙げられる。
【００５５】
Ｒ３及びＲ５におけるアルコキシ基、フェノキシ基、アミノ基、水酸基及びアリル基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有する１価の有機基としては特に限定されない。
【００５６】
Ｒ３及びＲ５としては、難燃性、硬化後の強度が良好に得られるという理由から、フェノキシ基が好ましく、式（３）で表される基がより好ましい。
【００５７】
Ｒ４の２価の有機基が有するアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基などが挙げられる。なかでも、炭素数４〜１０のアルコキシ基が好ましい。
【００５８】
Ｒ４の２価の有機基が有するフェノキシ基としては、例えば、前記式（３）で表される基が挙げられる。
【００５９】
ｙは３〜２５の整数を表すが、難燃性、硬化後の強度が良好に得られるという理由から、３〜１０が好ましい。
【００６０】
ｚは３〜２５の整数を表すが、難燃性、硬化後の強度が良好に得られるという理由から、３〜１０が好ましい。
【００６１】
少量でも難燃効果を発揮するという観点から、ホスファゼン系難燃剤に含まれるリン元素の含有率は、１２重量％以上であることが好ましい。
【００６２】
難燃剤成分の含有量は、有機成分（無機充填材を除く全成分）１００重量％中、１０重量％以上が好ましく、１５重量％以上がより好ましい。１０重量％以上であると、難燃性が良好に得られる。難燃剤成分の含有量は、３０重量％以下が好ましく、２５重量％以下がより好ましい。３０重量％以下であると、硬化物の物性低下（具体的には、ガラス転移温度や高温樹脂強度などの物性の低下）が少ない傾向がある。
【００６３】
樹脂シート１１は、シランカップリング剤を含むことが好ましい。シランカップリング剤としては特に限定されず、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。
【００６４】
樹脂シート１１中のシランカップリング剤の含有量は、０．１〜３重量％が好ましい。０．１重量％以上であると、硬化物強度が十分得られ、吸水率が低減できる。３重量％以下であると、アウトガス量を低く抑えることができる。
【００６５】
樹脂シート１１は、顔料を含むことが好ましい。顔料としては特に限定されず、カーボンブラックなどが挙げられる。
【００６６】
樹脂シート１１中の顔料の含有量は、０．１〜２重量％が好ましい。０．１重量％以上であると、良好なマーキング性が得られる。２重量％以下であると、硬化物強度が十分得られる。
【００６７】
なお、樹脂組成物には、上記の各成分以外に必要に応じて、他の添加剤を適宜配合できる。
【００６８】
樹脂シート１１は、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）フィルタ；圧力センサ、振動センサなどのＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）；ＬＳＩなどのＩＣ（集積回路）、トランジスタなどの半導体；コンデンサ；抵抗などの電子デバイスの封止に使用される。なかでも、中空封止が必要な電子デバイス（具体的には、ＳＡＷフィルタ、ＭＥＭＳ）の封止に好適に使用でき、ＳＡＷフィルタの封止に特に好適に使用できる。
【００６９】
封止方法としては特に限定されず、例えば、基板上の電子デバイスを覆うように未硬化の樹脂シート１１を基板上に積層し、次いで樹脂シート１１を硬化させて封止する方法などが挙げられる。基板としては特に限定されず、例えば、プリント配線基板、セラミック基板、シリコン基板、金属基板などが挙げられる。
【００７０】
［電子デバイスパッケージの製造方法］
図２Ａ〜２Ｃはそれぞれ、本発明の一実施形態に係る電子デバイスパッケージの製造方法の一工程を模式的に示す図である。本実施形態では、プリント配線基板１２上に搭載されたＳＡＷフィルタ１３を樹脂シート１１により中空封止して電子デバイスパッケージを作製する。
【００７１】
（ＳＡＷフィルタ搭載基板準備工程）
ＳＡＷフィルタ搭載基板準備工程では、複数のＳＡＷフィルタ１３が搭載されたプリント配線基板１２を準備する（図２Ａ参照）。ＳＡＷフィルタ１３は、所定の櫛形電極が形成された圧電結晶を公知の方法でダイシングして個片化することにより形成できる。ＳＡＷフィルタ１３のプリント配線基板１２への搭載には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。ＳＡＷフィルタ１３とプリント配線基板１２とはバンプなどの突起電極１３ａを介して電気的に接続されている。また、ＳＡＷフィルタ１３とプリント配線基板１２との間は、ＳＡＷフィルタ表面での表面弾性波の伝播を阻害しないように中空部分１４を維持するようになっている。ＳＡＷフィルタ１３とプリント配線基板１２との間の距離は適宜設定でき、一般的には１５〜５０μｍ程度である。
【００７２】
（封止工程）
封止工程では、ＳＡＷフィルタ１３を覆うようにプリント配線基板１２へ樹脂シート１１を積層し、ＳＡＷフィルタ１３を樹脂シート１１で樹脂封止する（図２Ｂ参照）。樹脂シート１１は、ＳＡＷフィルタ１３及びそれに付随する要素を外部環境から保護するための封止樹脂として機能する。
【００７３】
樹脂シート１１をプリント配線基板１２上に積層する方法は特に限定されず、熱プレスやラミネータなど公知の方法により行うことができる。熱プレス条件としては、温度が、例えば、４０〜１００℃、好ましくは５０〜９０℃であり、圧力が、例えば、０．１〜１０ＭＰａ、好ましくは０．５〜８ＭＰａであり、時間が、例えば０．３〜１０分間、好ましくは０．５〜５分間である。また、樹脂シート１１のＳＡＷフィルタ１３及びプリント配線基板１２への密着性および追従性の向上を考慮すると、減圧条件下（例えば０．１〜５ｋＰａ）においてプレスすることが好ましい。
【００７４】
（封止体形成工程）
封止体形成工程では、樹脂シート１１を熱硬化処理して封止体１５を形成する（図２Ｂ参照）。
【００７５】
熱硬化処理の条件として、加熱温度が好ましくは１００℃以上、より好ましくは１２０℃以上である。一方、加熱温度の上限が、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１８０℃以下である。加熱時間が、好ましくは１０分以上、より好ましくは３０分以上である。一方、加熱時間の上限が、好ましくは１８０分以下、より好ましくは１２０分以下である。また、必要に応じて加圧してもよく、好ましくは０．１ＭＰａ以上、より好ましくは０．５ＭＰａ以上である。一方、上限は好ましくは１０ＭＰａ以下、より好ましくは５ＭＰａ以下である。
【００７６】
（ダイシング工程）
続いて、封止体１５のダイシングを行ってもよい（図２Ｃ参照）。これにより、ＳＡＷフィルタ１３単位での電子デバイスパッケージ１８を得ることができる。
【００７７】
（基板実装工程）
必要に応じて、電子デバイスパッケージ１８に対して再配線及びバンプを形成し、これを別途の基板（図示せず）に実装する基板実装工程を行うことができる。電子デバイスパッケージ１８の基板への実装には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。
【実施例】
【００７８】
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている材料や配合量などは、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【００７９】
実施例で使用した成分について説明する。
エポキシ樹脂１：新日鐵化学（株）製のＹＳＬＶ−８０ＸＹ（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキン当量２００ｇ／ｅｑ．軟化点８０℃）
エポキシ樹脂２：日本化薬（株）製のＥＰＰＮ−５０１ＨＹ（トリフェニルメタン型エポキシ樹脂）
エポキシ樹脂３：三菱化学（株）製のＹＬ９８０（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）
フェノール樹脂１：明和化成社製のＭＥＨ−７８５１−ＳＳ（ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂、水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．、軟化点６７℃）
フェノール樹脂２：昭和高分子（株）製のＮＤ５６４
熱可塑性樹脂１：カネカ社製のＳＩＢＳＴＥＲ  ０７２Ｔ（スチレン-イソブチレン-スチレンブロック共重合体）
熱可塑性樹脂２：ナガセケムテックス（株）製のＳＧ−Ｐ３
無機充填剤：電気化学工業社製のＦＢ−９４５４ＦＣ（溶融球状シリカ、平均粒子径２０μｍ）
シランカップリング剤：信越化学社製のＫＢＭ−４０３（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）
カーボンブラック：三菱化学社製の＃２０
難燃剤：伏見製薬所製のＦＰ−１００（ホスファゼン系難燃剤：式（４）で表される化
合物）
【化４】
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（式中、ｍは３〜４の整数を表す。）
硬化促進剤１：四国化成工業社製の２ＰＨＺ−ＰＷ（２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール）
硬化促進剤２：北興化学工業社製のＴＰＰ−ＭＫ（テトラフェニルホスホニウムテトラ−ｐ−トリルボレート）
【００８０】
実施例１〜３
表１に記載の配合比に従い、各成分を配合し、２軸混練機により６０〜１２０℃、１０分間、減圧条件下（０．０１ｋｇ／ｃｍ２）で溶融混練し、混練物を調製した。次いで、得られた混練物を、平板プレス法により、シート状に形成して、表１に示す厚さの樹脂シートを作製した。得られた樹脂シートに、セパレーターを貼り付けた。
【００８１】
得られた樹脂シート用いて下記の評価を行った。結果を表１に示す。
【００８２】
［アウトガス量］
未硬化の樹脂シートから、１ｃｍ×１ｃｍ×厚さ２００μｍのサンプルを切り取り、サンプルに付いているセパレーターを剥がした。サンプルをバイアル瓶に入れ秤量した。その後、ヘッドスペースサンプラー（ＨＳＳ）で１５０℃、１時間の条件でサンプルを加熱した。加熱状態のガス１ｍｌをＡｇｉｌｅｎ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製６８９０ＧＣ−ＭＳに注入しアウトガス量を測定した。
【００８３】
［硬化物の１％重量減少温度］
未硬化の樹脂シートからセパレーターを剥がした後、樹脂シートを１５０℃で１時間加熱して硬化させた。硬化物から約８ｍｇのサンプルを切り取った。エスアイアイ・ナノテクノロジー社製ＴＧ／ＤＴＡ２２０にて室温〜５００℃まで１０℃／ｍｉｎでＡｉｒ中ガス流量２００ｍｇ／ｍｉｎにてサンプルを加熱し、重量分析した。
【００８４】
［硬化物のアウトガス量］
未硬化の樹脂シートから、１ｃｍ×１ｃｍ×厚さ２００μｍのサンプルを切り取り、サンプルに付いているセパレーターを剥がした。サンプルを１５０℃で１時間加熱して硬化させた。硬化物をバイアル瓶に入れ秤量した。その後、ヘッドスペースサンプラー（ＨＳＳ）で硬化物を加熱した（加熱条件：４０℃から２６０℃まで昇温速度１０℃／分で昇温した後、２６０℃で１分間保持した）。加熱状態のガス１ｍｌをＡｇｉｌｅｎ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製６８９０ＧＣ−ＭＳに注入しアウトガス量を測定した。
【００８５】
比較例１〜２
表１に記載の配合比に従い、各成分を配合し、これに各成分の総量と同量のメチルエチルケトンを添加して、ワニスを調製した。得られたワニスを、コンマコ―タ−により、厚み５０μｍのポリエステルフィルムＡ（三菱化学ポリエステル社製、ＭＲＦ−５０）の剥離処理面上に、乾燥後の厚みが５０μｍとなるように塗工し、乾燥させた。次いで、厚み３８μｍのポリエステルフィルムＢ（三菱化学ポリエステル社製、ＭＲＦ−３８）の剥離処理面を、乾燥後のワニス上に張り合わせて、薄膜樹脂シートを調製した。
その後、ポリエステルフィルムＡおよびポリエステルフィルムＢを適宜剥離しながら、ロールラミネ―タ―により、薄膜樹脂シートを４枚積層することにより、厚み２００μｍの樹脂シートを調製した。
【００８６】
得られた樹脂シート用いて上記の評価を行った。結果を表１に示す。
【００８７】
【表１】
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【符号の説明】
【００８８】
１１    樹脂シート
１１ａ    支持体
１３    ＳＡＷフィルタ
１５    封止体
１８    電子デバイスパッケージ
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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