(57)【要約】【課題】形成される半導体装置におけるマークの占有面積を減少させ、正規のチップ領域に用いることができる面積を増加させることが可能な半導体装置およびその製造方法、レチクル、露光方法を提供する。【解決手段】矩形の領域ＣＲｒ内に配置された複数のレチクルチップ領域のうち１つのレチクルチップ領域内の第１のマークパターンＭｒ１と、矩形の領域外ＮＣＲｒに配置された第２のマークパターンＭｒ２と、を有するレチクルＲＣＬが準備される。上記レチクルＲＣＬを用いて、半導体基板ＳＵＢの表面の感光体ＰＨＲに第１の露光領域ＥＰ１を露光するための第１の露光、および第１の露光領域ＥＰ１との間で一部重なりあう領域が生じるように感光体に第２の露光領域ＥＰ２を露光するための第２の露光がなされる。第１のマークパターンＭｒ１の第１のマーク露光領域Ｍｒｒ１と、第２のマークパターンＭｒ２の第２のマーク露光領域Ｍｒｒ２とが、１つのチップ露光領域ＣＦＲｒｒ内に露光される。【選択図】図５５
2014041251.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
行列状に配置された複数のレチクルチップ領域を含む矩形の領域と、前記複数のレチクルチップ領域のうちの１つの前記レチクルチップ領域内に配置された第１のマークパターンと、前記矩形の領域外に配置された第２のマークパターンと、を有するレチクルを準備する工程と、
感光体が表面に形成された半導体基板を準備する工程と、
前記レチクルを用いて、前記感光体に第１の露光領域を露光するための第１の露光を行なう工程と、
前記レチクルを用いて、前記第１の露光領域との間で一部重なりあう領域が生じるように前記感光体に第２の露光領域を露光するための第２の露光を行なう工程とを備え、
前記第１の露光により露光された前記第１のマークパターンの第１のマーク露光領域と、前記第２の露光により露光された前記第２のマークパターンの第２のマーク露光領域とが、前記重なりあう領域内の前記レチクルチップ領域の露光領域である１つのチップ露光領域内に露光される、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１のマーク露光領域は、前記第１の露光領域のうち前記矩形の領域により露光される第１の矩形露光領域内に行列状に形成される複数の前記チップ露光領域のうち前記第１の矩形露光領域の角部の前記チップ露光領域に形成される、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２のマーク露光領域は、前記第１のマーク露光領域に対して、行方向または列方向のいずれかの方向に形成される、請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２のマーク露光領域は、前記第１のマーク露光領域に対して、前記第１の矩形露光領域の対角線上に形成される、請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１のマーク露光領域は、前記第１の露光領域のうち前記矩形の領域により露光される第１の矩形露光領域内に行列状に形成される複数のチップ露光領域のうち最外周の、前記第１の矩形露光領域の角部以外の前記チップ露光領域に形成される、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２のマーク露光領域は、前記第１のマーク露光領域に対して、行方向または列方向のいずれかの方向に形成される、請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記レチクルには前記矩形の領域外に配置された第３のマークパターンと第４のマークパターンとをさらに有し、
前記レチクルを用いて、前記第１および第２の露光領域との間で一部重なりあう領域が生じるように前記感光体に第３の露光領域を露光するための第３の露光を行なう工程と、
前記レチクルを用いて、前記第１、第２および第３の露光領域との間で一部重なりあう領域が生じるように前記感光体に第４の露光領域を露光するための第４の露光を行なう工程とをさらに備え、
前記第１のマーク露光領域と、前記第２のマーク露光領域と、前記第３の露光により露光された前記第３のマークパターンの第３のマーク露光領域と、前記第４の露光により露光された前記第４のマークパターンの第４のマーク露光領域とが、前記第１〜第４の露光領域のすべてが重なりあう領域内の１つの前記レチクルチップ領域の露光領域内に露光される、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
透明基板と、
前記透明基板の表面の矩形の領域内に行列状に配置された複数のレチクルチップ領域と、
前記複数のレチクルチップ領域のうちのいずれか１つの前記レチクルチップ領域内に形成された第１のマークパターンと、
前記矩形の領域外の前記透明基板の表面に形成された第２のマークパターンとを備え、
２つの前記矩形の領域を互いに隣り合うように並べたときに前記複数のレチクルチップ領域のうち第１のレチクルチップ領域内に前記第１および第２のマークパターンの双方が位置するように前記第１および第２のマークパターンが前記透明基板の前記表面上に配置されている、レチクル。
【請求項９】
前記第１のマークパターンは、前記複数のレチクルチップ領域のうち前記矩形の領域の角部に配置される前記レチクルチップ領域内に配置される、請求項８に記載のレチクル。
【請求項１０】
前記第２のマークパターンは、前記第１のマークパターンに対して、行方向または列方向のいずれかの方向に配置されている、請求項９に記載のレチクル。
【請求項１１】
前記第２のマークパターンは、前記第１のマークパターンに対して、前記矩形の領域の対角線上に配置されている、請求項９に記載のレチクル。
【請求項１２】
前記第１のマークパターンは、前記矩形の領域の角部以外に配置される、最外周の前記レチクルチップ領域内に配置される、請求項８に記載のレチクル。
【請求項１３】
前記第２のマークパターンは、前記第１のマークパターンに対して、行方向または列方向のいずれかの方向に配置されている、請求項１２に記載のレチクル。
【請求項１４】
前記矩形の領域外の前記透明基板の前記表面に配置された第３のマークパターンと第４のマークパターンとをさらに備え、
矩形を構成するように４つの前記矩形の領域を互いに隣り合うように並べたときに前記第１のレチクルチップ領域内に前記第１、第２、第３および第４のマークパターンのすべてが位置するように前記第１、第２、第３および第４のマークパターンが前記透明基板の前記表面上に配置されている、請求項８に記載のレチクル。
【請求項１５】
前記第１のマークパターンは、前記複数のレチクルチップ領域のうち前記矩形の領域の角部に配置される前記レチクルチップ領域内に配置され、
前記第２のマークパターンは、前記第１のマークパターンに対して列方向に配置され、
前記第３のマークパターンは、前記第１のマークパターンに対して行方向に配置され、
前記第４のマークパターンは、前記第１のマークパターンに対して、前記矩形の領域の対角線上に配置されている、請求項１４に記載のレチクル。
【請求項１６】
請求項８に記載のレチクルを用いて半導体基板の主表面上の感光体に第１の露光領域を露光するための第１の露光を行なう工程と、
前記レチクルを用いて、前記第１の露光領域との間で一部重なりあう領域が生じるように前記感光体に第２の露光領域を露光するための第２の露光を行なう工程とを備え、
前記第１の露光により露光された前記第１のマークパターンの第１のマーク露光領域と、前記第２の露光により露光された前記第２のマークパターンの第２のマーク露光領域とが、前記重なりあう領域内の１つの前記レチクルチップ領域の露光領域である１つのチップ露光領域内に露光される、露光方法。
【請求項１７】
請求項１４に記載のレチクルを用いて半導体基板の主表面上の感光体に第１の露光領域を露光するための第１の露光を行なう工程と、
前記レチクルを用いて、前記第１の露光領域との間で一部重なりあう領域が生じるように前記感光体に第２の露光領域を露光するための第２の露光を行なう工程と、
前記レチクルを用いて、前記第１および第２の露光領域との間で一部重なりあう領域が生じるように前記感光体に第３の露光領域を露光するための第３の露光を行なう工程と、
前記レチクルを用いて、前記第１、第２および第３の露光領域との間で一部重なりあう領域が生じるように前記感光体に第４の露光領域を露光するための第４の露光を行なう工程とを備え、
前記第１の露光により露光された前記第１のマークパターンの第１のマーク露光領域と、前記第２の露光により露光された前記第２のマークパターンの第２のマーク露光領域と、前記第３の露光により露光された前記第３のマークパターンの第３のマーク露光領域と、前記第４の露光により露光された前記第４のマークパターンの第４のマーク露光領域とが、前記第１〜第４の露光領域のすべてが重なりあう領域内の１つの前記レチクルチップ領域の露光領域である１つのチップ露光領域内に露光される、露光方法。
【請求項１８】
ウェハ状態の半導体装置であって、
主表面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記主表面に形成された、行列状に配置される複数のチップ領域と、
前記複数のチップ領域のうち１つの前記チップ領域内に配置された第１のマークおよび第２のマークと、
前記複数のチップ領域の形成領域外であって、前記主表面の最端部に配置された前記チップ領域よりも行方向および列方向の一方の方向側である前記主表面の外周端側に配置された他のマークとを備え、
前記他のマークの行方向および列方向の他方の方向側に前記チップ領域が配置されていない、半導体装置。
【請求項１９】
前記第１および第２のマークが形成された前記１つのチップ領域内に形成された第３のマークおよび第４のマークをさらに備える、請求項１８に記載の半導体装置。
【請求項２０】
前記複数のチップ領域のうち１つの前記チップ領域内に、前記チップ領域の全体を占める第５のマークをさらに備える、請求項１８に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法、レチクル、ならびに露光方法に関し、特に、位置合わせ用マークを有する半導体装置およびその製造方法、半導体装置を形成するためのレチクル、ならびに露光方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子が配置された半導体チップは、半導体ウェハをダイシングラインにおいて切断することにより細分化されたものである。この半導体チップには、当該半導体チップの製造工程において使用する位置合わせ用マークや、半導体チップに含まれる半導体素子の特性評価用の素子（いわゆるＴＥＧ：Test Element Group）が含まれないようにする方が、これらが含まれる場合に比べて半導体チップの信頼性を向上させることができる。
【０００３】
このため、ダイシングラインに位置合わせ用マークやＴＥＧを配置することが行なわれている。ここでダイシング時に位置合わせ用マークやＴＥＧを除去し、かつ半導体チップのいわゆるチッピングなどのダメージを抑制するためには、ダイシングラインの幅を広げる必要がある。しかし特に半導体チップの平面積が小さくなれば、ダイシングラインの幅を広く設けた場合に正規のチップ領域として有効な領域の割合が少なくなる。その結果、１枚の半導体ウェハから形成できる半導体チップの数が減少し、生産効率が低下する問題が生じ得る。
【０００４】
以上の問題を解決し、１枚の半導体ウェハから極力多数の半導体チップを形成するための技術が、たとえば特開２００７−３１００４８号公報（特許文献１）および特開２０００−７７３０８号公報（特許文献２）に開示されている。また上記特許文献２と目的は異なるが類似した技術が特開平５−２１７８４５号公報（特許文献３）に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−３１００４８号公報
【特許文献２】特開２０００−７７３０８号公報
【特許文献３】特開平５−２１７８４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１においては、マークパターンがチップパターン配置領域の内部に形成されるため、マークパターンがチップパターン配置領域の外部に離れて設ける場合に比べて半導体ウェハの主表面を正規の半導体素子の配置用に有効に用いる技術が開示されている。
【０００７】
また特許文献２においては、矩形状のチップ領域がなす辺に隣接する領域の一部のみをダイシング領域としたショット領域を形成することにより、単純な矩形状のダイシング領域を有するショット領域を用いる場合に比べて半導体ウェハの主表面を正規の半導体素子の配置用に有効に用いる技術が開示されている。
【０００８】
しかし上記のいずれも、半導体ウェハの主表面のうちマークパターンに用いる面積をさらに減少し、正規の半導体素子の配置用にさらに有効に用いる余地がある。
【０００９】
また特許文献３においては特許文献２の発明と類似の技術が開示されているが、そもそも発明の目的が上記の半導体ウェハの主表面の面積の有効利用とは異なる目的となっており、特許文献３の発明も正規の半導体素子の配置用にさらに有効に用いる余地がある。
【００１０】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
一実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、まず行列状に配置された複数のレチクルチップ領域を含む矩形の領域と、複数のレチクルチップ領域のうちの１つのレチクルチップ領域内に配置された第１のマークパターンと、矩形の領域外に配置された第２のマークパターンと、を有するレチクルが準備される。感光体が表面に形成された半導体基板が準備される。上記レチクルを用いて、感光体に第１の露光領域を露光するための第１の露光がなされる。上記レチクルを用いて、第１の露光領域との間で一部重なりあう領域が生じるように感光体に第２の露光領域を露光するための第２の露光がなされる。上記第１の露光により露光された第１のマークパターンの第１のマーク露光領域と、第２の露光により露光された第２のマークパターンの第２のマーク露光領域とが、重なりあう領域内のレチクルチップ領域の露光領域である１つのチップ露光領域内に露光される。
【発明の効果】
【００１２】
一実施の形態によれば、形成される半導体装置におけるマークの占有面積を減少させ、正規のチップ領域に用いることができる面積を増加させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施の形態１におけるレチクルの構成を示す概略平面図である。
【図２】２つの矩形領域が隣り合った態様を示す概略図である。
【図３】図１のレチクルが複数重なりあった状態を示す概略平面図である。
【図４】実施の形態１における半導体ウェハの構成を示す概略平面図である。
【図５】図４中の領域Ｖに示す、図４の最端部以外の領域のマークの構成を示す概略平面図である。
【図６】図４中の領域ＶＩに示す、図４の最端部のマークの構成を示す概略平面図である。
【図７】参考例としての図４の変形例における半導体ウェハの構成を示す概略平面図である。
【図８】実施の形態１におけるレチクルの構成を示す概略断面図である。
【図９】図８のレチクルを用いて写真製版がなされる工程を示す概略断面図である。
【図１０】図９に続く工程を示す概略断面図である。
【図１１】一実施の形態における半導体装置の製造方法の第１工程を示す概略断面図である。
【図１２】一実施の形態における半導体装置の製造方法の第２工程を示す概略断面図である。
【図１３】一実施の形態における半導体装置の製造方法の第３工程を示す概略断面図である。
【図１４】一実施の形態における半導体装置の製造方法の第４工程を示す概略断面図である。
【図１５】一実施の形態における半導体装置の製造方法の第５工程を示す概略断面図である。
【図１６】マークがＴＥＧを含む概念であることを説明するための、一実施の形態における半導体装置の製造方法の第１工程を示す概略断面図である。
【図１７】マークがＴＥＧを含む概念であることを説明するための、一実施の形態における半導体装置の製造方法の第２工程を示す概略断面図である。
【図１８】マークがＴＥＧを含む概念であることを説明するための、一実施の形態における半導体装置の製造方法の第３工程を示す概略断面図である。
【図１９】マークがＴＥＧを含む概念であることを説明するための、一実施の形態における半導体装置の製造方法の第４工程を示す概略断面図である。
【図２０】比較例におけるレチクルの構成を示す概略平面図である。
【図２１】比較例における半導体ウェハの構成の第１例を示す概略平面図である。
【図２２】比較例における半導体ウェハの構成の第２例を示す概略平面図である。
【図２３】実施の形態２におけるレチクルの構成を示す概略平面図である。
【図２４】図２３のレチクルが複数重なりあった状態を示す概略平面図である。
【図２５】実施の形態２における半導体ウェハの構成を示す概略平面図である。
【図２６】図２５中の領域ＸＸＶＩに示す、図２５の最端部以外の領域のマークの構成の第１例を示す概略平面図である。
【図２７】図２５中の領域ＸＸＶＩＩに示す、図２５の最端部以外の領域のマークの構成の第２例を示す概略平面図である。
【図２８】図２５の最端部のマークの構成を示す概略平面図である。
【図２９】実施の形態３におけるレチクルの構成を示す概略平面図である。
【図３０】図２９のレチクルが複数重なりあった状態を示す概略平面図である。
【図３１】実施の形態３における半導体ウェハの構成を示す概略平面図である。
【図３２】実施の形態４の第１例におけるレチクルの構成を示す概略平面図である。
【図３３】図３２のレチクルが複数重なりあった状態を示す概略平面図である。
【図３４】実施の形態４の第１例における半導体ウェハの構成を示す概略平面図である。
【図３５】図３４中の領域ＸＸＸＶに示す、図３４の最端部以外の領域のマークの構成の第１例を示す概略平面図である。
【図３６】図３４中の領域ＸＸＸＶＩに示す、図３４の最端部以外の領域のマークの構成の第２例を示す概略平面図である。
【図３７】実施の形態４の第２例におけるレチクルの構成を示す概略平面図である。
【図３８】図３７のレチクルが複数重なりあった状態を示す概略平面図である。
【図３９】実施の形態４の第２例における半導体ウェハの構成を示す概略平面図である。
【図４０】図３９中の領域ＸＬに示す、図３９の最端部以外の領域のマークの構成の第１例を示す概略平面図である。
【図４１】図３９中の領域ＸＬＩに示す、図３９の最端部以外の領域のマークの構成の第２例を示す概略平面図である。
【図４２】実施の形態５の第１例におけるレチクルの構成を示す概略平面図である。
【図４３】図４２のレチクルが複数重なりあった状態を示す概略平面図である。
【図４４】実施の形態５の第１例における半導体ウェハの構成を示す概略平面図である。
【図４５】図４４中の領域ＸＬＶに示す、図４４の最端部以外の領域のマークの構成の第１例を示す概略平面図である。
【図４６】図４４中の領域ＸＬＶＩに示す、図４４の最端部以外の領域のマークの構成の第２例を示す概略平面図である。
【図４７】実施の形態５の第２例におけるレチクルの構成を示す概略平面図である。
【図４８】図４７のレチクルが複数重なりあった状態を示す概略平面図である。
【図４９】実施の形態５の第２例における半導体ウェハの構成を示す概略平面図である。
【図５０】図４９中の領域Ｌに示す、図４９の最端部以外の領域のマークの構成の第１例を示す概略平面図である。
【図５１】図４９中の領域ＬＩに示す、図４９の最端部以外の領域のマークの構成の第２例を示す概略平面図である。
【図５２】一実施の形態の製造方法の要点としての第１工程を抽出した概略断面図である。
【図５３】一実施の形態の製造方法の要点としての第２工程を抽出した概略断面図である。
【図５４】一実施の形態の製造方法の要点としての第３工程を抽出した概略断面図である。
【図５５】実施の形態１におけるレチクルの概略斜視図（Ａ）と、図５５（Ａ）のレチクルを用いて半導体基板上の感光体に露光を行なった後の態様を示す概略斜視図（Ｂ）と、図５５（Ｂ）の工程により最終的に形成される半導体ウェハの概略斜視図（Ｃ）と、である。
【図５６】実施の形態２におけるレチクルの概略斜視図（Ａ）と、図５６（Ａ）のレチクルを用いて半導体基板上の感光体に露光を行なった後の態様を示す概略斜視図（Ｂ）と、である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、一実施の形態について図に基づいて説明する。
（実施の形態１）
まず一実施の形態に係るレチクルの構成について図１を用いて説明する。
【００１５】
図１を参照して、一実施の形態のレチクルＲＣＬは、矩形の平面形状を有する透明基板ＰＳＳに形成されている。透明基板ＰＳＳとしてはたとえばガラスなどが用いられる。
【００１６】
レチクルＲＣＬは、透明基板ＰＳＳの表面に矩形領域ＣＲｒ（矩形の領域）と、矩形外領域ＮＣＲｒ（矩形の領域外）とを有している。矩形領域ＣＲｒは透明基板ＰＳＳの表面において、全体的に中央よりも左下側に寄るように形成されている。
【００１７】
矩形領域ＣＲｒ内には複数のレチクルチップ領域ＣＦＲｒが、互いに間隔をあけて行列状に配置されている。たとえば図１においてはレチクルチップ領域ＣＦＲｒが横（列方向）９列、縦（行方向）９行の行列を形成するように配置されている。レチクルチップ領域ＣＦＲｒ内には半導体素子などを形成するためのマークパターンが形成されている。
【００１８】
矩形領域ＣＲｒ内において互いに隣り合う１対のレチクルチップ領域ＣＦＲｒの間の領域はレチクルダイシング領域ＤＬＲｒである。すなわちレチクルダイシング領域ＤＬＲｒはレチクルチップ領域ＣＦＲｒの外側ではあるが、複数のレチクルチップ領域ＣＦＲｒが集合する矩形領域ＣＲｒ内に形成されている。レチクルダイシング領域ＤＬＲｒは、レチクルＲＣＬにより加工される半導体ウェハを切断するためのいわゆるダイシング領域を形成するための領域である。
【００１９】
一方、矩形領域ＣＲｒの外側の矩形外領域ＮＣＲｒにはレチクルチップ領域ＣＦＲｒが形成されない。矩形外領域ＮＣＲｒは矩形領域ＣＲｒの外側に形成される。ここでは矩形領域ＣＲｒが透明基板ＰＳＳの中央よりも左下側に寄るように形成されているため、矩形外領域ＮＣＲｒはその外側（周囲）すなわち透明基板ＰＳＳの上側および右側に直線状に形成される。言い換えれば、矩形外領域ＮＣＲｒは、矩形領域ＣＲｒの有する４つの辺のうち互いに交差する２辺（ここでは右および上の辺）の周囲に、当該２辺のそれぞれに沿うように直線状に形成されている。
【００２０】
矩形領域ＣＲｒに形成される複数のレチクルチップ領域ＣＦＲｒのうちのいずれか１つのレチクルチップ領域ＣＦＲｒ内には、第１のマークパターンＭｒ１が形成されている。第１のマークパターンＭｒ１は、レチクルＲＣＬにより加工される半導体ウェハにたとえば位置合わせ用マークを形成するためのマークパターンである。
【００２１】
第１のマークパターンＭｒ１は、複数のレチクルチップ領域ＣＦＲｒのうち、矩形領域ＣＲｒ内の角部に配置されるレチクルチップ領域ＣＦＲｒ内に配置されている。より具体的には、第１のマークパターンＭｒ１は、矩形領域ＣＲｒの左下の角部のレチクルチップ領域内をほぼ４等分した右上の矩形の領域に形成されている。
【００２２】
この図１の左下の角部のレチクルチップ領域には、上記の通常のレチクルチップ領域ＣＦＲｒのように半導体素子などを形成するためのマークパターンが形成されておらず、その代わりに第１のマークパターンＭｒ１が形成されている。このため、この図１の左下の角部のレチクルチップ領域は点線で矩形を描いた第１マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ１として形成されている。
【００２３】
一方、矩形外領域ＮＣＲｒには第２のマークパターンＭｒ２、第３のマークパターンＭｒ３および第４のマークパターンＭｒ４が形成されている。より具体的には、第２のマークパターンＭｒ２は、透明基板ＰＳＳの右下側の角部において点線で囲まれた第２マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ２内をほぼ４等分した左上の矩形の領域に形成されている。第３のマークパターンＭｒ３は、透明基板ＰＳＳの左上側の角部において点線で囲まれた第３マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ３内をほぼ４等分した右下の矩形の領域に形成されている。
【００２４】
第２および第３のマークパターンＭｒ２、Ｍｒ３のように、第１のマークパターンＭｒ１以外の各マークパターンは、第１のマークパターンＭｒ１に対して、行方向または列方向のいずれかの方向に配置されていてもよい。ここでは第２のマークパターンＭｒ２は第１のマークパターンＭｒ１に対して列方向に配置され、第３のマークパターンＭｒ３は第１のマークパターンＭｒ１に対して行方向に配置されている。
【００２５】
第４のマークパターンＭｒ４は、透明基板ＰＳＳの右上側の角部において点線で囲まれた第４マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ４内をほぼ４等分した左下の矩形の領域に形成されている。第４のマークパターンＭｒ４は、第１のマークパターンＭｒ１に対して、矩形領域ＣＲｒの左下側から右上側に向けて延びる対角線（の延長）上に形成されている。
【００２６】
レチクルチップ領域ＮＣｒ２、ＮＣｒ３、ＮＣｒ４はいずれも矩形外領域ＮＣＲｒに形成されているが、仮に矩形領域ＣＲｒ内であればレチクルチップ領域ＣＦＲｒとして形成される位置（仮想のレチクルチップ領域ＣＦＲｒとしての位置）に形成されている。すなわちたとえば第２マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ２とこれの左側に隣り合うように配置されるレチクルチップ領域ＣＦＲｒとの間隔は、矩形領域ＣＲｒ内におけるレチクルダイシング領域ＤＬＲｒの幅にほぼ等しい。第３マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ３とこれの下側に隣り合うように配置されるレチクルチップ領域ＣＦＲｒとの間隔についても同様である。
【００２７】
以上のように第１マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ１は矩形領域ＣＲｒ内の本来レチクルチップ領域ＣＦＲｒが配置される場所に配置されるが、第２、第３、第４マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ２、ＮＣｒ３、ＮＣｒ４は矩形外領域ＮＣＲｒ内に配置される。したがって矩形外領域ＮＣＲｒには通常のレチクルチップ領域ＣＦＲｒは形成されないが、マークパターンが形成された特殊なレチクルチップ領域ＮＣｒ２、ＮＣｒ３、ＮＣｒ４が形成されている。
【００２８】
図１のレチクルＲＣＬを２つ、それぞれの矩形領域ＣＲｒを互いに隣り合うように並べたときに、２つのうち一方のレチクルＲＣＬの複数のレチクルチップ領域のうちの１つである第１のレチクルチップ領域内に第１のマークパターンＭｒ１と第２のマークパターンＭｒ２との双方が位置するように、透明基板ＰＳＳの表面上に第１、第２のマークパターンＭｒ１、Ｍｒ２が形成されている。ここで第１のレチクルチップ領域内とは、たとえば第１マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ１を意味するが、他の第２〜第４マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ２、ＮＣｒ３、ＮＣｒ４を意味すると考えてもよい。以下にこのことについて図２〜図３を参照しながらより具体的に説明する。
【００２９】
図２を参照して、たとえば図１のレチクルＲＣＬが２つ、それぞれの矩形領域ＣＲｒが互いに隣り合うように配置される場合には、２つのうち左側のレチクルＲＣＬのｂ１列（図１参照）と右側のレチクルＲＣＬのａ１列（図１参照）とが互いに重なりあう。ｂ１列は矩形外領域ＮＣＲｒに属するため、ここに矩形領域ＣＲｒ内のレチクルチップ領域ＣＦＲｒの列を重ねることができる。その結果、異なる領域に配置される２つのマーク、すなわち左上に配置される第２のマークパターンＭｒ２と右上に配置される第１のマークパターンＭｒ１との双方が互いに隣り合うように単一のレチクルチップ領域（第１のレチクルチップ領域）内に集約される。
【００３０】
上記においては図１の第１のマークパターンＭｒ１と第２のマークパターンＭｒ２との関係について説明しているが、たとえば第２のマークパターンＭｒ２と第４のマークパターンＭｒ４など、他の２つのマークパターンの間にも同様の関係が成り立つ。次に図３を参照しながらこのことについてさらに詳しく説明する。
【００３１】
図３を参照して、すべて図１のレチクルＲＣＬと同一の構成を有する４つのレチクルＲＣＬ１、ＲＣＬ２、ＲＣＬ３、ＲＣＬ４が同一の向きに並べられている。図２に示すようにレチクルＲＣＬ１とレチクルＲＣＬ２との矩形領域ＣＲｒ同士を、互いに隣り合い接するように並べる。これにより４つのレチクルＲＣＬ１〜ＲＣＬ４それぞれの矩形領域ＣＲｒを合わせた領域は１つの大きな矩形状を構成している。
【００３２】
このときレチクルＲＣＬ１のｂ１列（図１参照）とレチクルＲＣＬ２のａ１列（図１参照）とを重ね合わせる。これにより、両者はｃ１列を共有し、レチクルＲＣＬ１の矩形外領域ＮＣＲｒの一部とレチクルＲＣＬ２の矩形領域ＣＲｒの一部とが重なる。その結果、レチクルＲＣＬ１の第２のマークパターンＭｒ２とレチクルＲＣＬ２の第１のマークパターンＭｒ１との双方が、第１のレチクルチップ領域としてのレチクルＲＣＬ１の第２マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ２（レチクルＲＣＬ２の第１マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ１）に配置されるよう集約される。
【００３３】
同様に、レチクルＲＣＬ３のｂ１列（図１参照）とレチクルＲＣＬ４のａ１列（図１参照）とを重ね合わせることにより、両者はｃ１列を共有する。その結果、レチクルＲＣＬ３の第４のマークパターンＭｒ４とレチクルＲＣＬ４の第３のマークパターンＭｒ３との双方が、第１のレチクルチップ領域としてのレチクルＲＣＬ３の第４マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ４（レチクルＲＣＬ４の第３マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ３）に配置されるよう集約される。
【００３４】
図３の上下方向についても同様である。すなわちレチクルＲＣＬ１のｂ２行（図１参照）とレチクルＲＣＬ３のａ２行（図１参照）とを重ね合わせることにより、両者はｃ２行を共有し、レチクルＲＣＬ１の矩形外領域ＮＣＲｒの一部とレチクルＲＣＬ３の矩形領域ＣＲｒの一部とが重なる。その結果、レチクルＲＣＬ１の第３のマークパターンＭｒ３とレチクルＲＣＬ３の第１のマークパターンＭｒ１とがともにレチクルＲＣＬ１の第３マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ３（レチクルＲＣＬ３の第１マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ１）に配置されるよう集約される。詳述を省略するが、レチクルＲＣＬ２とレチクルＲＣＬ４との間においても上記のレチクルＲＣＬ１とレチクルＲＣＬ３となどの間における関係と同様に、２つのレチクルのうち一方の矩形外領域ＮＣＲｒの一部と他方の矩形領域ＣＲｒの一部とが重なりあうことにより、マークパターンが１つのレチクルチップ領域内に集約される関係が成り立っている。
【００３５】
そして、上記と同様の理論により、図３の中央部、すなわち４つのレチクルＲＣＬ１〜ＲＣＬ４のすべてが重なりあう領域においては、１つの第１のレチクルチップ領域としての第４マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ４において、４つのマークパターンＭｒ１〜Ｍｒ４のすべてが互いに異なる領域に集約するように配置される。ただしここでは第４マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ４において４つのマークパターンＭｒ１〜Ｍｒ４が集約すると述べたが、この領域には４つのマーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ１〜ＮＣｒ４のすべてが重なりあっている。このため、（矩形領域ＣＲｒ内のレチクルチップ領域ＮＣｒ１を含む）いずれのレチクルチップ領域に４つのマークパターンＭｒ１〜Ｍｒ４が集約すると考えてもよい。
【００３６】
次に図４を参照しながら、上記のレチクルＲＣＬを用いて形成された、ウェハ状態の半導体装置について説明する。
【００３７】
図４を参照して、半導体装置はたとえばシリコンの単結晶からなる半導体ウェハＳＷの主表面に形成されている。半導体ウェハＳＷの主表面には、図１のレチクルＲＣＬにより形成されたパターンであるレチクルパターンＲＣＲが周期的に形成されている。
【００３８】
レチクルパターンＲＣＲは、半導体ウェハＳＷの上方に設置されたレチクルＲＣＬが、半導体ウェハＳＷの主表面に沿う方向に関する位置を変えながらレチクルチップ領域ＣＦＲｒなどのパターンを半導体ウェハＳＷの主表面に繰り返し転写することにより形成されたものである。図４中に矩形点線で示すレチクルパターンＲＣＲは、図４のパターンを形成するためにレチクルＲＣＬを設置した位置（レチクルＲＣＬの外周）を示している。
【００３９】
レチクルパターンＲＣＲは、レチクルＲＣＬの矩形領域ＣＲｒが転写されたウェハ矩形領域ＣＲと、レチクルＲＣＬの矩形外領域ＮＣＲｒが転写されたウェハ矩形外領域ＮＣＲとを有している。言い換えれば半導体ウェハＳＷには、レチクルＲＣＬの矩形領域ＣＲｒが転写されたウェハ矩形領域ＣＲと、レチクルＲＣＬの矩形外領域ＮＣＲｒが転写されたウェハ矩形外領域ＮＣＲとが形成されている。
【００４０】
ウェハ矩形領域ＣＲにはレチクルチップ領域ＣＦＲｒが転写された複数のチップ領域ＣＦＲが、行列状に（図のＸ方向およびＹ方向に）配置されている。ウェハ矩形領域ＣＲにおいて互いに隣り合う１対のチップ領域ＣＦＲの間の領域はダイシング領域ＤＬＲである。
【００４１】
レチクルＲＣＬを用いてレチクルパターンＲＣＲを転写する際には、単一のレチクルＲＣＬを用いて、最初に第１の工程として、半導体ウェハＳＷの主表面上の一部の領域と重畳する位置に転写される。次に第２の工程として、第１の工程において形成されたウェハ矩形領域ＣＲと互いに隣り合うようにレチクルＲＣＬの矩形領域ＣＲｒが並べられた状態でウェハ矩形領域ＣＲが形成される。このようにすれば、図３に示す複数の矩形領域ＣＲｒのように２つのウェハ矩形領域ＣＲ同士が互いに隣り合うように並べられる。
【００４２】
なお上記の第１および第２の工程は順不同である。
半導体ウェハＳＷの主表面には複数のウェハ矩形領域ＣＲ同士が互いに隣り合うように形成されるため、図４に示すｃ１列およびｃ２行においてはレチクルパターンＲＣＲ同士が、図３において複数のレチクルＲＣＬ同士がｃ１列およびｃ２行において重なりあう態様と同様の態様で重なり合っている。このため半導体ウェハＳＷの中央部を含む最端部以外の領域においては、ウェハ矩形外領域ＮＣＲは形成されていない。
【００４３】
複数のチップ領域ＣＦＲのうち特にｃ１列とｃ２行とが交差する領域に形成されたチップ領域ＣＦＲには、マークＭＫ１が形成されている。このマークＭＫ１はレチクルＲＣＬの第１のマークパターンＭｒ１、第２のマークパターンＭｒ２、第３のマークパターンＭｒ３および第４のマークパターンＭｒ４が転写されたものである。
【００４４】
図４および図５を参照して、ｃ１列とｃ２行とが交差する領域に形成されたチップ領域ＣＦＲ内のマークＭＫ１としては、たとえば位置合わせ用マークとしての第１のマークＭ１、第２のマークＭ２、第３のマークＭ３および第４のマークＭ４が形成されている。これら４つのマークがすべて１つのチップ領域ＣＦＲ内に集約されている。これは図３の中央部、すなわち複数のレチクルＲＣＬ同士がｃ１列およびｃ２行において重なりあったレチクルチップ領域において、４つのマークパターンＭｒ１〜Ｍｒ４のすべてが互いに異なる領域に集約する態様と同様の態様である。
【００４５】
半導体ウェハＳＷの中央部を含む最端部以外の領域においては、第１のマークＭ１〜第４のマークＭ４の４つが１つのチップ領域ＣＦＲ内に配置されている。これに対して図４の半導体ウェハＳＷの最端部（図４の上部）のａ３行にはウェハ矩形外領域ＮＣＲが形成されている。また図４および図６を参照して、ａ３行とｃ１列とが交差する領域に形成されたチップ領域ＣＦＲ内のマークＭＫ２（他のマーク）としては、第３のマークＭ３と第４のマークＭ４との２つのみが形成されている。これは当該ウェハ矩形外領域ＮＣＲにはさらにそのＹ方向の上側にレチクルパターンＲＣＲのウェハ矩形領域ＣＲが重ならないためである。
【００４６】
ウェハ矩形外領域ＮＣＲは上記複数のチップ領域ＣＦＲの形成領域外であり、マークＭＫ１に比べてマークの集約される個数の少ないマークＭＫ２は、ウェハ矩形外領域ＮＣＲに形成されている。すなわちマークＭＫ２は、半導体ウェハＳＷの主表面の最端部に配置されたチップ領域ＣＦＲよりも行方向（Ｙ方向）に関する主表面の外周端側に配置されており、マークＭＫ２の列方向（Ｘ方向）側にはチップ領域ＣＦＲが配置されていない。
【００４７】
このようにマークＭＫ２は、半導体ウェハＳＷの主表面の最端部に配置されたチップ領域ＣＦＲよりもＹ方向およびＸ方向の一方側である半導体ウェハＳＷの主表面の外周端側に配置されており、マークＭＫ２のＹ方向およびＸ方向の他方側にはチップ領域ＣＦＲが配置されていない。
【００４８】
図７を参照して、参考例として、図４のウェハ矩形外領域ＮＣＲにさらにレチクルパターンＲＣＲが重なり、ａ３行が半導体ウェハＳＷの外側に配置される場合には、半導体ウェハＳＷの主表面のほぼ全体がウェハ矩形領域ＣＲとなり、最端部を含むすべてのマークＭＫが４つのマークＭ１〜Ｍ４を有することになる。
【００４９】
次に、図８〜図１９および図５５を適宜参照しながら、一実施の形態の半導体装置の製造方法について説明する。まず図８〜図１１を参照しながら、レチクルＲＣＬによる半導体ウェハＳＷへのレチクルパターンの転写方法について説明する。
【００５０】
図８を参照して、図１のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿う部分における概略断面図は、図１のａ２行に沿う部分における概略断面図である。レチクルＲＣＬには、図８の左側から矩形領域ＣＲｒ内の第１マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ１、矩形領域ＣＲｒ内の複数（一部図示省略）のレチクルチップ領域ＣＦＲｒ、矩形外領域ＮＣＲｒ内の第２マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ２の順に配置されている。第１マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ１内の右側には第１のマークパターンＭｒ１が、第２マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ２内の左側には第２のマークパターンＭｒ２が、それぞれ形成されている。上記の各領域の間にはレチクルダイシング領域ＤＬＲｒが形成されている。このようなレチクルＲＣＬがまず準備される。
【００５１】
図９を参照して、図８のレチクルＲＣＬを用いて半導体ウェハにレチクルパターンＲＣＲを形成する際には、まずフォトレジストＰＨＲが表面に形成された半導体基板ＳＵＢが準備される。ここで半導体基板ＳＵＢは半導体ウェハＳＷを構成する、たとえばシリコンの単結晶からなる基板とする。
【００５２】
次に図８のレチクルＲＣＬを用いて、通常の写真製版技術によりフォトレジストＰＨＲが露光され、露光された領域のフォトレジストＰＨＲが現像処理により除去される。
【００５３】
図１０を参照して、通常の製造技術によりフォトレジストＰＨＲが除去された領域に、たとえばシリコン酸化膜からなる分離絶縁膜ＳＰＴが形成される。分離絶縁膜ＳＰＴは隣り合う活性領域ＡＣＲ同士を電気的に分離するために形成される。分離絶縁膜ＳＰＴが形成されていない領域（図９の写真製版技術によりフォトレジストＰＨＲが除去されなかった領域）は半導体素子などが形成される活性領域ＡＣＲとして用いられるが、分離絶縁膜ＳＰＴの形成後、活性領域ＡＣＲにおけるフォトレジストＰＨＲも除去される。
【００５４】
以上の図９、図１０の工程により、矩形領域ＣＲｒ、矩形外領域ＮＣＲｒに対応してそれぞれウェハ矩形領域ＣＲ、ウェハ矩形外領域ＮＣＲが形成され、第１のマーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ１、第２のマーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ２に対応してそれぞれ第１のレチクルチップ領域ＮＣ１、第２のレチクルチップ領域ＮＣ２が形成される。第１のレチクルチップ領域ＮＣ１には第１のマークパターンＭｒ１に対応して第１のマークＭ１が、第２のレチクルチップ領域ＮＣ２には第２のマークパターンＭｒ２に対応して第２のマークＭ２が、それぞれ形成される。またレチクルチップ領域ＣＦＲｒに対応して複数のチップ領域ＣＦＲが形成される。以上のような構成を有するレチクルパターンＲＣＲが形成される。
【００５５】
次に図１１〜図１５および図５５を適宜参照しながら、以上のレチクルＲＣＬを用いた、一実施の形態の製造方法について説明する。
【００５６】
図１１を参照して、図９の工程において説明したように、フォトレジストＰＨＲ（感光体）が表面に形成された半導体基板ＳＵＢが準備される。なお活性領域ＡＣＲには実際には薄膜等は形成されないが、ここでは理解を容易にするため活性領域ＡＣＲを図示している。
【００５７】
図１２を参照して、図９の工程と同様のレチクルＲＣＬを用いて第１の露光がなされ、半導体基板ＳＵＢの主表面上のフォトレジストＰＨＲに第１の露光領域が露光され、レチクルパターンＲＣＲ、ウェハ矩形領域ＣＲなどが形成される。この露光により、レチクルＲＣＬの真下のフォトレジストＰＨＲは、露光されていない非露光レジストＰＨＲ１と、露光された露光レジストＰＨＲ２とに分類される。
【００５８】
図５５（Ａ）、（Ｂ）を参照して、より具体的には、レチクルＲＣＬはフォトレジストＰＨＲ上の任意の位置に配置される。露光の際にはレチクルＲＣＬおよびその真下の領域のみが露光され、配置されたレチクルＲＣＬの真下以外の領域のフォトレジストＰＨＲは露光されない。このため、第１の露光を行なうためにレチクルＲＣＬが配置された領域の真下のフォトレジストＰＨＲが第１の露光領域ＥＰ１となる。また特に矩形領域ＣＲｒが露光されることによる、矩形領域ＣＲｒの真下のフォトレジストＰＨＲが第１の矩形露光領域ＳＥＰ１となり、この第１の矩形露光領域ＳＥＰ１がウェハ矩形領域ＣＲに相当する。
【００５９】
第１の矩形露光領域ＳＥＰ１内に第１のマークパターンＭｒ１に対応する第１のマーク露光領域Ｍｒｒ１が、第１の矩形露光領域ＳＥＰ１の外に第２のマークパターンＭｒ２に対応する第２のマーク露光領域Ｍｒｒ２、第３のマークパターンＭｒ３に対応する第３のマーク露光領域Ｍｒｒ３、および第４のマークパターンＭｒ４に対応する第４のマーク露光領域Ｍｒｒ４が形成される。
【００６０】
したがって、第１のマーク露光領域Ｍｒｒ１は、第１の矩形露光領域ＳＥＰ１内に行列状に配置される複数のチップ露光領域ＣＦＲｒｒのうち、第１の矩形露光領域ＳＥＰ１の角部のチップ露光領域ＣＦＲｒｒに形成される。
【００６１】
また第２および第３のマーク露光領域Ｍｒｒ２、Ｍｒｒ３のように、第１のマーク露光領域Ｍｒｒ１以外の各マーク露光領域は、第１のマーク露光領域Ｍｒｒ１に対して、、行方向または列方向のいずれかの方向に配置されていてもよい。ここでは第２のマーク露光領域Ｍｒｒ２は第１のマーク露光領域Ｍｒｒ１に対して列方向に配置され、第３のマーク露光領域Ｍｒｒ３は第１のマーク露光領域Ｍｒｒ１に対して行方向に配置されている。
【００６２】
また第１の第１のマーク露光領域Ｍｒｒ１以外の各マーク露光領域は、第１のマーク露光領域Ｍｒｒ１に対して、第１の矩形露光領域ＳＥＰ１の対角線上に形成されていてもよい。たとえばここでは第４のマーク露光領域Ｍｒｒ４は第１のマーク露光領域Ｍｒｒ１に対して、第１の矩形露光領域ＳＥＰ１の対角線（の延長）上に形成されている。
【００６３】
図１３を参照して、図１２の工程と同一のレチクルＲＣＬを半導体基板ＳＵＢの主表面上にて主表面に沿う方向に移動させたうえで第２の露光がなされ、フォトレジストＰＨＲに第２の露光領域（レチクルパターンＲＣＲとなる領域）が露光される。
【００６４】
図１３および図５５（Ｂ）を参照して、このときレチクルＲＣＬは、図１２の工程時にレチクルＲＣＬが配置された位置との間で一部重なりあう領域が生じる位置に配置される。したがって第２の露光領域ＥＰ２は、第１の露光領域ＥＰ１と一部の領域において重なっている。この第１の露光領域ＥＰ１と第２の露光領域ＥＰ２とが重なりあう領域はレチクルチップ領域ＮＣ１、ＮＣ２の１つ分の幅を有し、第１の露光領域ＥＰ１内の第１の矩形露光領域ＳＥＰ１外の領域（ウェハ矩形外領域ＮＣＲに対応）と、第２の露光領域ＥＰ２内の第２の矩形露光領域ＳＥＰ２内の一部の領域（ウェハ矩形領域ＣＲに対応）ＣＲとが重なりあう（図１３中に「ＣＲ＋ＮＣＲ」で示す）。以上は第１の矩形露光領域ＳＥＰ１と第２の矩形露光領域ＳＥＰ２とが互いに隣り合い接するように配置されることにより実現される。
【００６５】
この処理により、第１のマーク露光領域Ｍｒｒ１に対応する第１のマークパターンＭｒ１と、第２のマーク露光領域Ｍｒｒ２に対応する第２のマークパターンＭｒ２との双方が、いずれも図１３の上記重なりあう領域としての１つのレチクルチップ領域、すなわち第１のレチクルチップ領域ＮＣ１（第２のレチクルチップ領域ＮＣ２）内に集約される。言い換えれば、第１および第２のマーク露光領域Ｍｒｒ１、Ｍｒｒ２が、後述する図５５（Ｂ）のチップ露光領域ＣＦＲｒｒ内に集約される。
【００６６】
図５５（Ｂ）を参照して、レチクルＲＣＬを用いて、第１の露光領域ＥＰ１と第２の露光領域ＥＰ２との間で一部重なりあう領域が生じるように、フォトレジストＰＨＲに対して第３の露光がなされ、第３の露光領域ＥＰ３が形成される。第１の露光領域ＥＰ１と第３の露光領域ＥＰ３との関係、および第２の露光領域ＥＰ２と第３の露光領域ＥＰ３との関係は、図１２に示す第１の露光と図１３に示す第２の露光との関係と同様であるため、概略断面図の図示は省略されている。
【００６７】
さらに図５５（Ｂ）を参照して、さらに上記と同様に、レチクルＲＣＬを用いて、第１の露光領域ＥＰ１と第２の露光領域ＥＰ２と第３の露光領域ＥＰ３との間で一部重なりあう領域が生じるように、フォトレジストＰＨＲに対して第４の露光がなされ、第４の露光領域ＥＰ４が形成される。
【００６８】
以上により、第１の矩形露光領域ＳＥＰ１、第２の矩形露光領域ＳＥＰ２、第３の矩形露光領域ＳＥＰ３、および第４の矩形露光領域ＳＥＰ４のすべてが互いに接しあうように隣り合い、第１の露光領域ＥＰ１、第２の露光領域ＥＰ２、第３の露光領域ＥＰ３、および第４の露光領域ＥＰ４のすべてが重なりあう領域が形成される。
【００６９】
上記４つの露光領域ＥＰ１〜ＥＰ４のすべてが重なりあう領域は１つのレチクルチップ領域ＣＦＲｒの露光領域としてのチップ露光領域ＣＦＲｒｒに対応する。このチップ露光領域ＣＦＲｒｒ内には第１のマーク露光領域Ｍｒｒ１、第２のマーク露光領域Ｍｒｒ２、第３のマーク露光領域Ｍｒｒ３、および第４のマーク露光領域Ｍｒｒ４のすべてが重なりあう。そのため最終的に半導体基板ＳＵＢには、これらのマーク露光領域に対応する第１のマークＭ１〜第４のマークＭ４のすべてが１つのチップ領域ＣＦＲ内に集約されるように形成される。
【００７０】
より具体的には、図１、図３、図４、図５および図５５（Ｂ）、（Ｃ）を参照して、第１の工程においては、４つのマークがすべて集約されるチップ領域（図３の中央部）の左下に第４のマークＭ４が形成される。この第１の工程における第１の露光領域は図３のレチクルＲＣＬ１の位置に対応する。
【００７１】
第１の露光領域（図３のレチクルＲＣＬ１の位置に対応）を基準に考えれば、第２の工程においては図３のレチクルＲＣＬ２の位置が第２の露光領域となるため、第１の工程において第４のマークＭ４が形成された第４マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ４がレチクルＲＣＬ２の第３マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ３の位置と重なる。このため第２の工程においては、第１の工程において第４のマークＭ４が形成された第４マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ４内の右下に第３のマークＭ３が形成される。
【００７２】
以下同様に、第３の工程においては図３のレチクルＲＣＬ３の位置が第３の露光領域となるため、第１の工程において第４のマークＭ４が形成された第４マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ４がレチクルＲＣＬ３の第２マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ２の位置と重なる。このため第３の工程においては、第１の工程において第４のマークＭ４が形成された第４マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ４内の左上に第２のマークＭ２が形成される。
【００７３】
さらに第４の工程においては、第１の工程において第４のマークＭ４が形成された第４マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ４がレチクルＲＣＬ４の第１マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ１の位置と重なる。このため第４の工程においては、第１の工程において第４のマークＭ４が形成された第４マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ４内の右上に第１のマークＭ１が形成される。
【００７４】
これらの４つのマークＭ１〜Ｍ４は１つのチップ領域ＣＦＲの面積の１／４ずつの面積を占めるため、これら４つのマークは１つのチップ領域ＣＦＲ内に集約される。
【００７５】
なお上記の第１〜第４の工程は順不同である。
図５５（Ｂ）においては４つの領域のみが露光されているが、同様の処理が多数回行なわれることにより、半導体基板ＳＵＢ（半導体ウェハＳＷ）上の広い範囲において互いに重なりあう露光領域が周期的に形成される。
【００７６】
図１４を参照して、上記の露光処理がすべて終わったところで、通常の現像処理がなされ、フォトレジストＰＨＲ１が除去される。
【００７７】
図１５および図５５（Ｃ）を参照して、フォトレジストＰＨＲ１が除去された領域に対してたとえばシリコン酸化膜からなる分離絶縁膜ＳＰＴが形成される。一方フォトレジストＰＨＲ２の真下は活性領域ＡＣＲとして形成される。このような処理により、半導体基板ＳＵＢ（半導体ウェハＳＷ）上には周期的に繰り返される４つのウェハ矩形領域ＣＲ同士が１か所に集まりあう交差点近傍の１つのチップ領域ＣＦＲ内に、４つのマークＭ１〜Ｍ４が集まった態様となる。
【００７８】
図１６〜図１９を参照して、これらは図１２〜図１５のマークパターンＭｒ１、Ｍｒ２として第１の評価用素子パターンＴｒ１、第２の評価用素子パターンＴｒ２が、図１２〜図１５のマークＭ１、Ｍ２として評価用素子Ｔ１、Ｔ２が配置されている。このようにマークとして半導体装置に組み込まれた素子を評価するための素子（ＴＥＧ）が用いられてもよい。一例として図１９には、活性領域ＡＣＲにゲート絶縁膜ＧＩとゲート電極ＧＥとが形成された構成が示されている。すなわち上記のマークとは、いわゆるＴＥＧを含む概念であり、マークパターンとは、いわゆるＴＥＧパターンを含む概念である。
【００７９】
次に図２０〜図２２の比較例を参照しながら、一実施の形態の作用効果について説明する。
【００８０】
上記のように一実施の形態においては、第１の工程において半導体ウェハＳＷの主表面の一部にレチクルパターンＲＣＲを形成し、第２の工程において第１の工程において形成されたレチクルパターンＲＣＲの一部と重なるようにレチクルパターンＲＣＲを形成することにより、上記重なった領域に形成されるチップ領域ＣＦＲ内に複数のマークが集約するように形成される点がポイントである。
【００８１】
一方、図２０を参照して、一実施の形態の比較例のレチクルＲＣＬは、基本的に一実施の形態のレチクルＲＣＬと同一の符号を付した要素については一実施の形態のレチクルＲＣＬと同様の構成を有している。
【００８２】
しかし図２０のレチクルＲＣＬは、図１のレチクルＲＣＬと比較して、矩形外領域ＮＣＲｒを有さない点、各マークパターンＭｒ１〜Ｍｒ５がレチクルチップ領域ＣＦＲｒの全体を占めるように形成されている点、および矩形領域ＣＲｒの中央部に第５のマークパターンＭｒ５を有する点において、異なっている。
【００８３】
図２１を参照して、図２０のレチクルＲＣＬを用いて形成されたウェハ状態の半導体装置は、レチクルパターンＲＣＲを転写する際に、第１の工程において転写されるレチクルパターンＲＣＲの領域と第２の工程において転写されるレチクルパターンＲＣＲの領域とが互いに重ならずに隣り合っている。図２０のレチクルＲＣＬは矩形外領域ＮＣＲｒを有さず、透明基板ＰＳＳの表面のほぼ全体に矩形領域ＣＲｒおよびレチクルチップ領域ＣＦＲｒが形成されているためである。
【００８４】
したがって半導体ウェハＳＷの主表面の最端部に配置されたチップ領域ＣＦＲの行（ａ４行）には最端部以外（中央部など）と同様にマークＭＫが形成されるが、最端部のチップ領域ＣＦＲのＹ方向側（半導体ウェハＳＷの主表面の外周端側）にはマークＭＫ、チップ領域ＣＦＲのいずれも形成されていない。
【００８５】
なおマークパターンＭｒ１〜Ｍｒ４が矩形領域ＣＲｒの角部のレチクルチップ領域ＣＦＲｒに形成されているため、各マークパターン間の距離が長くなっている。このため図２１のパターニングの際にマークの位置合わせ精度を高めることができる。
【００８６】
以下、図２０の各レチクルチップ領域ＣＦＲｒの面積は、図１のレチクルチップ領域ＣＦＲｒの面積と同じであるとする。図２０のレチクルＲＣＬを用いて形成される１つのレチクルパターンＲＣＲには、５つのチップ領域ＣＦＲ分の面積がマークで占められることになる。このためチップ領域ＣＦＲのうち正規の半導体素子などを形成する領域の面積が少なくなり、ダイシングにより１枚の半導体ウェハＳＷから生産できる半導体チップの個数が減少する。
【００８７】
また図２２を参照して、半導体ウェハＳＷがダイシング領域ＤＬＲにおいて切断された後の半導体チップにマーク等が残らないようにするために、ダイシング領域ＤＬＲの幅を広くしようとすれば、チップ領域ＣＦＲ（レチクルチップ領域ＣＦＲｒ）の個数がさらに減少することになる。１つのレチクルパターンＲＣＲ内において、さらに減少したチップ領域ＣＦＲのうち５つ分がマークで占められれば、ダイシングにより１枚の半導体ウェハＳＷから生産できる半導体チップの個数がさらに減少する。
【００８８】
これに対し一実施の形態においては、レチクルＲＣＬにレチクルチップ領域ＣＦＲｒを有する矩形領域ＣＲｒとレチクルチップ領域ＣＦＲｒを有さない矩形外領域ＮＣＲｒとを設け、これらが重なることにより矩形領域ＣＲｒのマークと矩形外領域ＮＣＲｒのマークとが１つのチップ領域内に集約される。個々のマークは１つのチップ領域ＣＦＲの占める面積よりも小さい（ここでは約１／４）ため、複数のマークのレチクルチップ領域ＮＣ１〜ＮＣ４内における位置を調整することにより、複数のマークを１つのチップ領域ＣＦＲ内の異なる領域に配置することができる。
【００８９】
１つのレチクルパターンＲＣＲ内のチップ領域ＣＦＲ数は９行×９列であり、図２１の比較例の１０行×１０列に比べてやや少ないが、９行×９列のチップ領域ＣＦＲのうち、１つのチップ領域ＣＦＲのみがマークで占められる。したがってマークの占有面積を減らし、チップ領域ＣＦＲの生産個数をより増やすことができる。
【００９０】
マークの占有面積は少なくなっているが、マークパターンＭｒ１〜Ｍｒ４はすべてレチクルＲＣＬの角部に形成されているため、図２０，２１の比較例と同様に各マークパターン間の距離が長くなっていることにより、当該マークパターンＭｒ１〜Ｍｒ４による位置合わせの精度を高めることができる。
【００９１】
以上をまとめると、一実施の形態においては、角部に形成されたマークパターンＭｒ１〜Ｍｒ４同士の距離を長くすることで位置合わせの精度を高くすることができ、かつ１つのレチクルチップ領域ＣＦＲｒの一部の領域のみを占めるマークパターンＭｒ１〜Ｍｒ４を用いて１つのチップ領域ＣＦＲに集約されるようにマークＭ１〜Ｍ４を形成することが可能である。すなわちマークＭ１〜Ｍ４の占める面積をより少なくし、かつ位置合わせ精度を高めることができる。したがってより位置合わせ精度が高く、かつ半導体ウェハＳＷの主表面上により多くの数の、マーク以外の通常の半導体素子が形成されるチップ領域ＣＦＲを形成することができる。このため作業効率を高め、かつより低コストで、半導体装置を提供することができる。
【００９２】
（実施の形態２）
まず本実施の形態に係るレチクルの構成について図２３を用いて説明する。
【００９３】
図２３を参照して、本実施の形態のレチクルＲＣＬは、基本的に図１の実施の形態１のレチクルＲＣＬと同様の構成を備えているが、マーク用レチクルチップ領域の位置、およびマークパターンの形状において、実施の形態１と異なっている。
【００９４】
具体的には、第１のマークパターンＭｒ１および第４のマークパターンＭｒ４が、矩形領域ＣＲｒ内の複数のレチクルチップ領域ＣＦＲｒのうち、矩形領域ＣＲｒ内の角部以外に配置されるレチクルチップ領域ＣＦＲｒ内に配置されている。より具体的には、第１のマークパターンＭｒ１は、矩形領域ＣＲｒの最外周（最も左側）のａ１列の中央のレチクルチップ領域ＣＦＲｒ（第１マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ１として形成）内をほぼ２等分した右側の矩形の領域に形成されている。また第４のマークパターンＭｒ４は、矩形領域ＣＲｒの最外周（最も下側）のａ２行の中央のレチクルチップ領域ＣＦＲｒ（第４マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ４として形成）内をほぼ２等分した上側の矩形の領域に形成されている。
【００９５】
一方、矩形外領域ＮＣＲｒには第２のマークパターンＭｒ２および第３のマークパターンＭｒ３が形成されている。より具体的には、第２のマークパターンＭｒ２は、矩形外領域ＮＣＲｒのうち透明基板ＰＳＳの右側のｂ１列の中央において点線で囲まれた第２マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ２内をほぼ２等分した左側の矩形の領域に形成されている。第３のマークパターンＭｒ３は、矩形外領域ＮＣＲｒのうち透明基板ＰＳＳの上側のｂ２行の中央において点線で囲まれた第３マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ３内をほぼ２等分した下側の矩形の領域に形成されている。
【００９６】
したがって第２のマークパターンＭｒ２は第１のマークパターンＭｒ１に対して列方向に配置され、第３のマークパターンＭｒ３は第４のマークパターンＭｒ４に対して行方向に配置されている。このように矩形外領域ＮＣＲｒのマークパターンは、矩形領域ＣＲｒ内のマークパターンに対して、行方向または列方向のいずれかの方向に配置されていてもよい。
【００９７】
以上の各点において図２３のレチクルＲＣＬは図１のレチクルＲＣＬと異なっており、他の構成要素については図１のレチクルＲＣＬと同様であるため、図１と同一符号を付した他の構成要素についてはその説明を繰り返さない。このことは以下の各図においても同様である。
【００９８】
次に図２４を参照して、図３と同様に、すべて図２３のレチクルＲＣＬと同一の構成を有する４つのレチクルＲＣＬ１、ＲＣＬ２、ＲＣＬ３、ＲＣＬ４が同一の向きに並べられ、図３と同様にこれらのレチクルが重ね合わせられる。すなわちレチクルＲＣＬ１のｂ１列（図２３参照）とレチクルＲＣＬ２のａ１列（図２３参照）とを重ね合わせる。これにより、両者はｃ１列を共有し、レチクルＲＣＬ１の矩形外領域ＮＣＲｒの一部とレチクルＲＣＬ２の矩形領域ＣＲｒの一部とが重なる。その結果、レチクルＲＣＬ１の第２のマークパターンＭｒ２とレチクルＲＣＬ２の第１のマークパターンＭｒ１との双方が、レチクルＲＣＬ１の第２マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ２（レチクルＲＣＬ２の第１マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ１）に配置されるよう集約される。
【００９９】
このように図２３のレチクルＲＣＬを用いた場合、１つのレチクルチップ領域ＣＦＲｒの１／２の面積をもつ２つのマークのみが１つのレチクルチップ領域に集約される。
【０１００】
詳細を省略するが、レチクルＲＣＬ３とレチクルＲＣＬ４との間、レチクルＲＣＬ１とレチクルＲＣＬ３との間、およびレチクルＲＣＬ２とレチクルＲＣＬ４との間においても上記のレチクルＲＣＬ１とレチクルＲＣＬ３との間における関係と同様の関係が成り立つ。つまり２つのレチクルのうち一方の矩形外領域ＮＣＲｒの一部と他方の矩形領域ＣＲｒの一部とが重なりあうことにより、マークパターンが１つのレチクルチップ領域内に集約される。
【０１０１】
次に図２５を参照しながら、上記のレチクルＲＣＬを用いて形成された、ウェハ状態の半導体装置について説明する。
【０１０２】
本実施の形態の半導体ウェハＳＷに形成される半導体装置は、基本的に図４の実施の形態１の半導体装置と同様の方法により形成され、同様の構成を備えているが、マークの位置および形状において、実施の形態１と異なっている。
【０１０３】
具体的には、図２５および図２６を参照して、ｃ１列と交差するｃ２行には、その延びる方向（列方向すなわちＸ方向）に関する隣り合う１対のｃ１列で挟まれた領域の中間にマークＭＫ１が形成されている。このマークＭＫ１は、１つのチップ領域ＣＦＲの１／２ずつの面積を有する第３のマークＭ３および第４のマークＭ４が形成された構成を有している。これらの２つのマークが１つのチップ領域ＣＦＲ内に集約されている。
【０１０４】
また図２５および図２７を参照して、ｃ２行と交差するｃ１列には、その延びる方向（行方向すなわちＹ方向）に関する隣り合う１対のｃ２行で挟まれた領域の中間にマークＭＫ１が形成されている。このマークＭＫ１はウェハ矩形領域ＣＲ内の１つのチップ領域ＣＦＲに形成されており、１つのチップ領域ＣＦＲの１／２ずつの面積を有する第１のマークＭ１および第２のマークＭ２が形成された構成を有している。これらの２つのマークが１つのチップ領域ＣＦＲ内に集約されている。
【０１０５】
図２５および図２８を参照して、ｃ１列と交差するａ３行には、その延びる方向（列方向すなわちＸ方向）に関する隣り合う１対のｃ１列で挟まれた領域の中間にマークＭＫ２が形成されている。マークＭＫ２は、半導体ウェハＳＷの主表面の最端部に配置されたチップ領域ＣＦＲよりも行方向（Ｙ方向）に関する主表面の外周端側に配置されており、マークＭＫ２の列方向（Ｘ方向）側にはチップ領域ＣＦＲが配置されていない。マークＭＫ２は第３のマークＭ３のみにより形成されており、マークＭＫ１の１／２の面積を有する。以上の各点において図２５の半導体ウェハＳＷは図４の半導体ウェハＳＷと異なっており、他の構成要素については図４の半導体ウェハＳＷと同様である。
【０１０６】
次に、本実施の形態の半導体装置の製造方法および露光方法の基本的な思想は実施の形態１の製造方法および露光方法と同様である。
【０１０７】
図５６（Ａ）、（Ｂ）を参照して、図５６（Ａ）、（Ｂ）は図５５（Ａ）、（Ｂ）と比較して、レチクルＲＣＬのマークパターンＭｒ１〜Ｍｒ４の位置、およびこれらの位置に対応する矩形露光領域ＳＥＰ１〜ＳＥＰ４内のマーク露光領域Ｍｒｒ１〜Ｍｒｒ４の位置においてのみ異なっている。
【０１０８】
具体的には、図５５と同様に第１の露光領域が露光される際に、第１のマーク露光領域Ｍｒｒ１は、第１の矩形露光領域ＳＥＰ１内に行列状に配置される複数のチップ露光領域ＣＦＲｒｒのうち、第１の矩形露光領域ＳＥＰ１の角部以外のチップ露光領域ＣＦＲｒｒに形成される。より具体的には、第１のマーク露光領域Ｍｒｒ１は、第１の矩形露光領域ＳＥＰ１の左側の最外周のチップ露光領域ＣＦＲｒｒの中央に形成されている。
【０１０９】
また第２のマーク露光領域Ｍｒｒ２は、第１のマーク露光領域Ｍｒｒ１に対して、列方向に配置されており、第２の矩形露光領域ＳＥＰ２内に配置されている。このように第２のマーク露光領域Ｍｒｒ２は、第１のマーク露光領域Ｍｒｒ１に対して、行方向または列方向のいずれかの方向に配置されてもよい。
【０１１０】
同様に、第４のマーク露光領域Ｍｒｒ４は、第１の矩形露光領域ＳＥＰ１の下側の最外縁のチップ露光領域ＣＦＲｒｒの中央に形成されており、第３のマーク露光領域Ｍｒｒ３は、第４のマーク露光領域Ｍｒｒ４に対して、行方向（第３の矩形露光領域ＳＥＰ３内）に配置されている。
【０１１１】
次に本実施の形態の作用効果について説明する。
本実施の形態においても、実施の形態１と同様に半導体ウェハＳＷの１つのチップ領域ＣＦＲ内に複数のマークが集約することにより、実施の形態１と同様にマークの占有面積を減らすことができ、チップ領域ＣＦＲの生産個数をより増やすことができる。
【０１１２】
また列方向に関して互いに向かい合うように配置されるマークパターンＭｒ１とマークパターンＭｒ２との距離、およびマークパターンＭｒ３とマークパターンＭｒ４との距離が、矩形領域ＣＲｒ内において最大限長くなるように形成されている。これはマークパターンＭｒ１、Ｍｒ４が、矩形領域ＣＲｒ内の行列状のレチクルチップ領域ＣＦＲｒのうち最外周に配置されるレチクルチップ領域ＣＦＲｒに形成されるためである。このため実施の形態１と同様に、当該マークパターンＭｒ１〜Ｍｒ４による位置合わせの精度を高めることができる。
【０１１３】
（実施の形態３）
図２９および図３０を参照して、本実施の形態のレチクルＲＣＬは、実施の形態１の図１のレチクルＲＣＬと基本的に同様の構成を備えているが、矩形領域ＣＲｒ内の複数の行列状のレチクルチップ領域ＣＦＲｒのうち１つのレチクルチップ領域ＣＦＲｒ内に、第５のマークパターンＭｒ５を有する点においてのみ、図１のレチクルＲＣＬと異なっている。そのため図３１を参照して、当該レチクルＲＣＬを用いて形成される半導体装置のパターンにおいても、第５のマークパターンＭｒ５に対応する第５のマークＭ５が形成されている。すなわち第５のマークＭ５は、ウェハ矩形領域ＣＲ内の複数のチップ領域ＣＦＲのうちの１つのチップ領域ＣＦＲ内に形成されている。
【０１１４】
第５のマークパターンＭｒ５は、第１〜第４のマークパターンＭｒ１〜Ｍｒ４と異なり、１つのチップ領域ＣＦＲ内の全体を占めるように形成されている。したがって第５のマークパターンＭｒ５により形成される第５のマークＭ５は、１つのチップ領域ＣＦＲ内で第１〜第４のマークＭ１〜Ｍ４などと集約することなく、１つのチップ領域ＣＦＲ内のほぼ全体を独占するように形成される。
【０１１５】
第５のマークパターンＭｒ５は、矩形領域ＣＲｒ内の任意のレチクルチップ領域ＣＦＲｒ内に形成される任意のレチクルチップ領域ＣＦＲｒ内に形成されてもよいが、矩形領域ＣＲｒ内の中央のレチクルチップ領域ＣＦＲｒ内に形成されることがより好ましい。同様の観点で、第５のマークＭ５は、ウェハ矩形領域ＣＲ内の任意のチップ領域ＣＦＲ内に形成されてもよいが、ウェハ矩形領域ＣＲ内の中央のチップ領域ＣＦＲ内に形成されることがより好ましい。
【０１１６】
第５のマークＭ５は、１つのレチクルパターンＲＣＲ（ウェハ矩形領域ＣＲ）内に１つ形成されているが、１つのレチクルパターンＲＣＲ（ウェハ矩形領域ＣＲ）内に複数形成されてもよい。
【０１１７】
本実施の形態のように、実施の形態１の構成のマークに加えて、比較例に示すような通常の（単一で１つのチップ領域の全体を占める）マークを有することにより、実施の形態１に比べてさらにマークの位置合わせ精度が向上される。これは形成される位置がかなり限定されるマークＭ１〜Ｍ４に対し、ウェハ矩形領域ＣＲ内の任意のチップ領域ＣＦＲに形成可能なマークＭ５を併せ持つことにより、位置合わせの精度を向上させるためのマークの配置の自由度を向上することができるためである。本実施の形態の図２９と比較例の図２０とを比較すると、いずれもレチクルチップ領域ＣＦＲｒの中央部に第５のマークパターンＭｒ５（図３１の第５のマークＭ５に相当）が配置されるため、重ね合わせ精度はいずれも高い。しかし図３１と図２１とを比較するとわかるように、本実施の形態は、比較例に比べて、１つのレチクルパターンＲＣＲ内のマークの占有面積を減らし、チップ領域ＣＦＲの生産個数をより増やすことができる。
【０１１８】
（実施の形態４）
以上に述べた各実施の形態と同様の思想は、以下の各実施の形態のような変形例に用いられてもよい。以下のいずれの実施の形態も、上記の各実施の形態と同様の作用効果を奏する。
【０１１９】
図３２を参照して、本実施の形態の第１例のレチクルＲＣＬは、第１のマークパターンＭｒ１と第２のマークパターンＭｒ２との２つのマークパターンのみを有している。
【０１２０】
第１のマークパターンＭｒ１は、矩形領域ＣＲｒ内の左下の角部のレチクルチップ領域である第１マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ１内をほぼ２等分した上側の矩形の領域に形成されている。
【０１２１】
一方、第２のマークパターンＭｒ２は、矩形外領域ＮＣＲｒに形成されており、第１のマークパターンＭｒ１に対して、矩形領域ＣＲｒの左下側から右上側に向けて延びる対角線（の延長）上に形成されており、第２マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ２内をほぼ２等分した下側の矩形の領域に形成されている。
【０１２２】
図３３を参照して、図３２のレチクルＲＣＬを複数重ね合わせた構成においては、中央の第２マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ２（第１マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ１）内に、レチクルＲＣＬ１の第２のマークパターンＭｒ２とレチクルＲＣＬ４の第１のマークパターンＭｒ１との双方が配置されるよう集約される。
【０１２３】
図３４および図３５を参照して、本実施の形態の第１例のレチクルＲＣＬは、たとえば図４の半導体装置と同様に、半導体ウェハＳＷの中央部を含む最端部以外の領域においては、特にｃ１列とｃ２行とが交差するチップ領域ＣＦＲにマークＭＫ１が形成されている。このマークＭＫ１はマークＭ１とマークＭ２とが集約されたものである。
【０１２４】
図３４および図３６を参照して、半導体ウェハＳＷの主表面の最端部に配置されたチップ領域ＣＦＲよりも行方向（Ｙ方向）に関する主表面の外周端側にはウェハ矩形外領域ＮＣＲが形成され、この領域にはマークＭＫ２が形成されている。マークＭＫ２はマークＭ２のみにより構成されており、マークＭＫ２の列方向（Ｘ方向）側にはチップ領域ＣＦＲが配置されていない。
【０１２５】
図３７を参照して、本実施の形態の第２例のレチクルＲＣＬは、第１例と同様に、第１のマークパターンＭｒ１と第２のマークパターンＭｒ２との２つのマークパターンのみを有している。しかし第１のマークパターンＭｒ１は、矩形領域ＣＲｒ内の左下の角部のレチクルチップ領域である第１マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ１内をほぼ２等分した右側の矩形の領域に形成されており、第２のマークパターンＭｒ２は、矩形外領域ＮＣＲｒの第２マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ２内をほぼ２等分した左側の矩形の領域に形成されている点においてのみ、第２例は第１例と異なっている。したがって図３８〜図４１の各図は、上記と同様の観点で、図３３〜図３６の各図に対し、マークパターンＭｒ１、Ｍｒ２（マークＭ１、Ｍ２）の配置のみが異なっており、他の点についてはすべて図３３〜図３６の各図と同様である。
【０１２６】
（実施の形態５）
図４２を参照して、本実施の形態の第１例のレチクルＲＣＬは、矩形領域ＣＲｒと矩形外領域ＮＣＲｒとを有しているが、矩形外領域ＮＣＲｒが矩形領域ＣＲｒの上側のみに直線状に形成される点において、上記の各実施の形態のレチクルＲＣＬと構成が異なっている。具体的には矩形外領域ＮＣＲｒは、矩形領域ＣＲｒの有する４つの辺のうち上の辺の周囲のみに、上の辺に沿うように直線状に形成されている。
【０１２７】
言い換えれば、上記の各実施の形態のレチクルＲＣＬはｂ１列とｂ２行とに矩形外領域ＮＣＲｒを有するのに対し、本実施の形態のレチクルＲＣＬはｂ２行のみに矩形外領域ＮＣＲｒを有している。このため矩形領域ＣＲｒはｂ１列を含み、矩形領域ＣＲｒにはレチクルチップ領域ＣＦＲｒが横（列方向）１０列、縦（行方向）９行の行列を形成するように配置されている。
【０１２８】
図４２のレチクルＲＣＬは、第１のマークパターンＭｒ１と第２のマークパターンＭｒ２と、第５のマークパターンＭｒ５との３つのマークパターンを有している。
【０１２９】
第１のマークパターンＭｒ１は、矩形領域ＣＲｒ内の左下の角部のレチクルチップ領域である第１マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ１内をほぼ２等分した上側の矩形の領域に形成されている。
【０１３０】
一方、第２のマークパターンＭｒ２は、矩形外領域ＮＣＲｒに形成されており、第１のマークパターンＭｒ１に対して行方向に配置されている。より具体的には、第２のマークパターンＭｒ２は、矩形外領域ＮＣＲｒのうちｂ２行の左端において点線で囲まれた第２マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ２内をほぼ２等分した下側の矩形の領域に形成されている。さらに第５のマークパターンＭｒ５は、矩形領域ＣＲｒ内の最も右側の列の中央のレチクルチップ領域に形成されている。
【０１３１】
図４３を参照して、第１のマークパターンＭｒ１および第２のマークパターンＭｒ２は、レチクルチップ領域ＣＦＲｒの約１／２の面積を占めており、２つのレチクルＲＣＬ１、ＲＣＬ２が他の実施の形態と同様に重なりあった場合にこれらが互いに集約する態様を有している。これに対して第５のマークパターンＭｒ５は、矩形領域ＣＲｒの１つのレチクルチップ領域ＣＦＲｒ内の全体を占めるように形成されており、他のマークパターンＭｒ１〜Ｍｒ２と集約することはない。
【０１３２】
図４３および図４４を参照して、本実施の形態のレチクルＲＣＬは、半導体ウェハＳＷにレチクルパターンＲＣＲとして転写する際に、他の実施の形態と同様に第１の工程において形成されたレチクルパターンＲＣＲのウェハ矩形領域ＣＲと互いに隣り合うように、第２の工程においてレチクルＲＣＬの矩形領域ＣＲｒが並べられてウェハ矩形領域ＣＲが形成される。このため第１の工程で形成されるウェハ矩形領域ＣＲと第２の工程で形成されるウェハ矩形領域ＣＲとが互いに隣り合うように形成される。すなわち図のＹ方向については第１の工程で形成されるウェハ矩形外領域ＮＣＲと重なりあうように第２の工程でウェハ矩形領域ＣＲが形成されるが、図のＸ方向については第１の工程で形成されるレチクルパターンＲＣＲと第２の工程で形成されるレチクルパターンＲＣＲとは互いに重ならず、たとえば図２０〜図２２の比較例と同様に形成される。
【０１３３】
図４４および図４５を参照して、チップ領域ＣＦＲ内（半導体ウェハＳＷの中央部を含む最端部以外の領域）のマークＭＫ１は、他の実施の形態と同様にマークＭ１とマークＭ２とが集約された構成を有している。
【０１３４】
図４４および図４６を参照して、半導体ウェハＳＷの主表面の最端部に配置されたチップ領域ＣＦＲよりも行方向（Ｙ方向）に関する主表面の外周端側にはウェハ矩形外領域ＮＣＲが形成され、この領域にはマークＭＫ２が形成されている。マークＭＫ２はマークＭ２のみにより構成されており、マークＭＫ２の列方向（Ｘ方向）側にはチップ領域ＣＦＲが配置されていない。
【０１３５】
図４７を参照して、本実施の形態の第２例のレチクルＲＣＬは、第１例と同様に、第１のマークパターンＭｒ１と第２のマークパターンＭｒ２と、第５のマークパターンＭｒ５との３つのマークパターンを有している。しかし第１のマークパターンＭｒ１は、矩形領域ＣＲｒ内の左下の角部のレチクルチップ領域である第１マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ１内をほぼ２等分した右側の矩形の領域に形成されており、第２のマークパターンＭｒ２は、矩形外領域ＮＣＲｒの第２マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ２内をほぼ２等分した左側の矩形の領域に形成されている点においてのみ、第２例は第１例と異なっている。したがって図４８〜図５１の各図は、上記と同様の観点で、図４３〜図４６の各図に対し、マークパターンＭｒ１、Ｍｒ２（マークＭ１、Ｍ２）の配置のみが異なっており、他の点についてはすべて図４３〜図４６の各図と同様である。
【０１３６】
最後に、一実施の形態の要点について、図５２〜図５６を参照しながら説明する。
図５２を参照して、まず（行列状に配置された）複数の（一部図示省略）レチクルチップ領域ＣＦＲｒを含む矩形領域ＣＲｒと、複数のレチクルチップ領域ＣＦＲｒのうちの１つのレチクルチップ領域ＣＦＲｒ（ＮＣｒ１）内に配置された第１のマークパターンＭｒ１と、矩形外領域ＮＣＲｒ（ＮＣｒ２）内に配置された第２のマークパターンＭｒ２とを有するレチクルＲＣＬが準備される。また半導体基板ＳＵＢの表面（半導体基板ＳＵＢの表面上の薄膜ＦＦの表面）にフォトレジストＰＨＲが形成された半導体基板ＳＵＢが準備される。
【０１３７】
図５２および図５５（Ａ）、（Ｂ）を参照して、上記のレチクルＲＣＬを用いて、フォトレジストＰＨＲに第１の露光領域ＥＰ１を露光するための第１の露光がなされ、ウェハ矩形領域ＣＲとウェハ矩形外領域ＮＣＲとを有するレチクルパターンＲＣＲが形成される。
【０１３８】
図５３および図５５（Ａ）、（Ｂ）を参照して、上記のレチクルＲＣＬを用いて、第１の露光領域ＥＰ１との間で一部重なりあう領域が生じるように、フォトレジストＰＨＲに第２の露光領域ＥＰ２を露光するための第２の露光がなされる。この結果、第１の露光により形成されるレチクルパターンＲＣＲと部分的に重なる、ウェハ矩形領域ＣＲとウェハ矩形外領域ＮＣＲとを有するレチクルパターンＲＣＲが形成される。
【０１３９】
図５４および図５５（Ａ）、（Ｂ）を参照して、第１の露光により露光された第１のマークパターンＭｒ１の第１のマーク露光領域Ｍｒｒ１と、第２の露光により露光された第２のマークパターンＭｒ２の第２のマーク露光領域Ｍｒｒ２とが、重なり合う領域内のレチクルチップ領域ＮＣ１、ＮＣ２の露光領域であるチップ露光領域ＣＦＲｒｒ内に露光される。こうして半導体基板ＳＵＢには１つのチップ領域に、第１のマーク露光領域Ｍｒｒ１によるマークＭ１と、第２のマーク露光領域Ｍｒｒ２によるマークＭ２とが集約されるように形成される。
【０１４０】
なお第２のマーク露光領域Ｍｒｒ２は、図５５のように、第１のマーク露光領域Ｍｒｒ１に対して行方向または列方向のいずれかの方向に形成されてもよいし、図５６のように、第１のマーク露光領域Ｍｒｒ１に対して第１の矩形露光領域ＳＥＰ１の対角線上に形成されてもよい。また図５５および図５６においては、上記の各実施の形態のレチクルＲＣＬよりも上位の概念で示しているため、レチクルＲＣＬの矩形領域ＣＲｒは透明基板ＰＳＳの中央に配置されている。
【０１４１】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【符号の説明】
【０１４２】
ＡＣＲ  活性領域、ＣＦＲ  チップ領域、ＣＦＲｒ  レチクルチップ領域、ＣＦＲｒｒ  チップ露光領域、ＣＲ  ウェハ矩形領域、ＣＲｒ  矩形領域、ＤＬＲ  ダイシング領域、ＤＬＲｒ  レチクルダイシング領域、ＥＰ１  第１の露光領域、ＥＰ２  第２の露光領域、ＥＰ３  第３の露光領域、ＥＰ４  第４の露光領域、ＦＦ  薄膜、Ｍ１  第１のマーク、Ｍ２  第２のマーク、Ｍ３  第３のマーク、Ｍ４  第４のマーク、Ｍ５  第５のマーク、Ｍｒ１  第１のマークパターン、Ｍｒ２  第２のマークパターン、Ｍｒ３  第３のマークパターン、Ｍｒ４  第４のマークパターン、Ｍｒ５  第５のマークパターン、Ｍｒｒ１  第１のマーク露光領域、Ｍｒｒ２  第２のマーク露光領域、Ｍｒｒ３  第３のマーク露光領域、Ｍｒｒ４  第４のマーク露光領域、ＮＣ１  第１のレチクルチップ領域、ＮＣ２  第２のレチクルチップ領域、ＮＣＲ  ウェハ矩形外領域、ＮＣｒ１  第１マーク用レチクルチップ領域、ＮＣｒ２  第２マーク用レチクルチップ領域、ＮＣｒ３  第３マーク用レチクルチップ領域ＮＣｒ３、ＮＣｒ４  第４マーク用レチクルチップ領域、ＮＣＲｒ  矩形外領域、ＰＨＲ  フォトレジスト、ＰＨＲ１  非露光レジスト、ＰＨＲ２  露光レジスト、ＰＳＳ  透明基板、ＲＣＬ，ＲＣＬ１，ＲＣＬ２，ＲＣＬ３，ＲＣＬ４  レチクル、ＲＣＲ  レチクルパターン、ＳＥＰ１  第１の矩形露光領域、ＳＥＰ２  第２の矩形露光領域、ＳＥＰ３  第３の矩形露光領域、ＳＥＰ４  第４の矩形露光領域、ＳＰＴ  分離絶縁膜、ＳＷ  半導体ウェハ、Ｔ１，Ｔ２  評価用素子、Ｔｒ１  第１の評価用素子パターン、Ｔｒ２  第２の評価用素子パターン。
【図１】
2014041251.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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