(57)【要約】      （修正有）【課題】クロマトグラフに設ける恒温槽において、オーバーシュートがない、または少ない恒温槽を提供する。【解決手段】温度センサ５０に接続されて筐体１０内の空気温度を指示する値を出力する温度変換器６１と、前記温度変換器で出力された筐体内の空気温度を制御量とし筐体内空気の目標温度を設定値とし、ヒータ３０による発熱量を操作量としＰ制御、ＰＩ制御またはＰＩＤ制御に基づき制御を行なう温度制御回路６２と、筐体内空気の目標温度と温度変換器で出力された筐体内の空気温度とに基づき比例ゲインおよび／または積分ゲインを温度制御回路に指示する制御パラメータ設定回路６３と、温度制御回路から出力されたヒータによる発熱量に基づきヒータに電力を供給する電力供給回路６４とを有した温度調整器６０を恒温槽２００に設ける。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動相供給手段と、試料導入手段と、分離手段と、検出手段とを備えたクロマトグラフに設ける、前記手段のいずれか一つ以上を収容する筐体と、前記筐体内の空気に熱を供給する電熱ヒータと、前記筐体内の空気温度を検知する温度センサと、前記筐体内の空気温度を制御する温度調整器と、前記筐体内の空気を循環させるファンとを有した、前記手段のいずれか一つ以上を温調する恒温槽であって、前記温度調整器が、
温度センサに接続されて筐体内の空気温度を指示する値を出力する温度変換器と、
前記温度変換器で出力された筐体内の空気温度を制御量とし、筐体内空気の目標温度を設定値とし、ヒータによる発熱量を操作量とし、比例制御（Ｐ制御）、比例−積分制御（ＰＩ制御）または比例−積分−微分制御（ＰＩＤ制御）に基づき制御を行なう、温度制御回路と、
筐体内空気の目標温度と温度変換器で出力された筐体内の空気温度とに基づき、比例ゲインおよび／または積分ゲインを温度制御回路に指示する制御パラメータ設定回路と、
温度制御回路から出力されたヒータによる発熱量に基づき、ヒータに電力を供給する電力供給回路と、
を有した、前記恒温槽。
【請求項２】
制御パラメータ設定回路が、筐体内空気の目標温度と温度変換器で出力された筐体内の空気温度との差に基づき、比例ゲインおよび／または積分ゲインを温度制御回路に指示する回路である、請求項１に記載の恒温槽。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、クロマトグラフに設ける、移動相供給手段、試料導入手段、分離カラム、検出手段等を温調するための恒温槽に関する。特に本発明は、室温プラス１０℃程度の温度から室温プラス２００℃前後の温度までの広い温度範囲で分析可能なクロマトグラフに設ける恒温槽に関する。
【背景技術】
【０００２】
クロマトグラフのうち液体クロマトグラフは、移動相（溶離液）供給手段、試料導入手段、分離カラム、検出手段、廃液容器およびそれらを接続する流路から構成されている。試料に含まれる成分を分析するために試料導入手段により分離カラムの上流に試料が導入されると、溶離液供給手段から供給された溶離液により分離カラムに試料が導入される。液体クロマトグラフは試料中の成分毎に分離カラムを通過する時間が異なることを利用して当該試料に含まれる成分を分離し、分離カラムから溶出された成分を分離カラムの下流に設けた検出手段で検出後、溶出液を廃液容器へ廃棄する。なお溶出液は廃液容器に廃棄せずに、複数の容器に受けて回収したり、廃棄口に廃棄したりすることもできる。
【０００３】
液体クロマトグラフによる分析において、分離カラムによる試料中の成分分離能を向上させたり、試料中の成分の溶解性を向上させたりすることを目的に、試料導入手段や分離カラムの温度を上げることが行なわれる。また、溶離液供給手段による溶離液の送液安定性や、分離カラムによるピーク保持時間や、検出手段による信号のベースライン等は温度に依存するので、必要に応じて温調される。またそのため、溶離液供給手段、試料導入手段、分離カラム、検出手段は、個別または複数の手段をまとめて恒温槽に収容し、一定の温度に（必要に応じ加温して）保持される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
クロマトグラフに設ける、移動相供給手段、試料導入手段、分離カラム（分離手段）、検出手段のいずれか一つ以上を一定の温度に保持する恒温槽は、通常、前記手段のいずれか一つを収容する筐体と、前記筐体内の空気を加温するヒータと、前記筐体内の空気を循環させるファンとを有しており、前記ヒータにより加温させた空気を前記ファンで循環させることで、前記筐体内の温度を一定の温度に保持している。恒温槽に冷却手段を設けていない場合は、通常、筐体空気の目標温度を筐体外の空気温度より１０℃以上高く設定すれば、温度制御が可能である。なおクロマトグラフによる測定対象がエンジニアリングプラスチックスなど容易に溶媒に溶解しない合成高分子の場合は、２００℃以上に加熱する場合があり、そのときは、筐体を厚い断熱材で包み、断熱性能を強化する。
【０００５】
前述した恒温槽では、筐体内の空気温度を測定（制御量）し、当該空気温度が所定の温度（設定値）となるように、ヒータの発熱量を制御（ヒータとして電熱ヒータを使用した場合は、当該ヒータに供給する電力を制御）する。ヒータとして電熱ヒータを使用した場合における発熱量の制御方法として、通常、設定値と制御量との差に比例する電力（比例項）を電熱ヒータに供給するＰ制御（比例制御）や、設定値と制御量との差に比例する電力（比例項）と、設定値と制御量との差の時間に対する積分値に比例する電力（積分項）とを電熱ヒータに供給するＰＩ制御や、設定値と制御量との差に比例する電力（比例項）と、設定値と制御量との差の時間に対する積分値（積分項）に比例する電力に加えて、さらに制御量の時間に対する変化率に比例する電力（微分項）を電熱ヒータに供給するＰＩＤ制御が使われる。ＰＩ制御やＰＩＤ制御において、前記積分項は、温調開始して目標温度に達した後のオーバーシュート（行き過ぎ）の原因となるため、多くの場合、制御量が設定値の近傍の温度に達した時にリセットされる。
【０００６】
前述した恒温槽では、ヒータの熱が空気に伝わる速度が遅いため、オーバーシュート（行き過ぎ）を生じやすいという問題がある。特に筐体内の設定温度を筐体外の空気温度（環境温度）に近い温度から室温より２００℃前後高い温度まで大きく変化させる場合、当該高い温度まで昇温するのに必要な発熱量を有したヒータを設ける必要があり、かつ筐体の断熱性能もあげる必要がある。その場合、筐体内空気の温度を環境温度に近い温度に設定すると、前記積分項をリセットしてもオーバーシュートが長く続く。
【０００７】
前記問題を解消するため、筐体内空気の設定温度によって、ヒータを交換したり、供給電圧を変えたりして、ヒータの発熱量を変更する方法がある。しかしながら、最適なヒータに交換したり、最適な供給電圧に変えたりするには手間がかかる。
【０００８】
そこで本発明の目的は、移動相供給手段と、試料導入手段と、分離手段と、検出手段とを備えたクロマトグラフに設ける、前記手段のいずれか一つ以上を収容する筐体と、前記筐体内の空気に熱を供給するヒータと、前記筐体内の空気を循環させるファンとを有した、前記手段のいずれか一つ以上を温調する恒温槽において、オーバーシュートがない、または少ない恒温槽を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を鑑みてなされた本発明は、以下の態様を包含する。
【００１０】
すなわち本発明の第一の態様は、
移動相供給手段と、試料導入手段と、分離手段と、検出手段とを備えたクロマトグラフに設ける、前記手段のいずれか一つ以上を収容する筐体と、前記筐体内の空気に熱を供給する電熱ヒータと、前記筐体内の空気温度を検知する温度センサと、前記筐体内の空気温度を制御する温度調整器と、前記筐体内の空気を循環させるファンとを有した、前記手段のいずれか一つ以上を温調する恒温槽であって、前記温度調整器が、
温度センサに接続されて筐体内の空気温度を指示する値を出力する温度変換器と、
前記温度変換器で出力された筐体内の空気温度を制御量とし、筐体内空気の目標温度を設定値とし、ヒータによる発熱量を操作量とし、比例制御（Ｐ制御）、比例−積分制御（ＰＩ制御）または比例−積分−微分制御（ＰＩＤ制御）に基づき制御を行なう、温度制御回路と、
筐体内空気の目標温度と温度変換器で出力された筐体内の空気温度とに基づき、比例ゲインおよび／または積分ゲインを温度制御回路に指示する制御パラメータ設定回路と、
温度制御回路から出力されたヒータによる発熱量に基づき、ヒータに電力を供給する電力供給回路と、
を有した、前記恒温槽である。
【００１１】
また本発明の第二の態様は、制御パラメータ設定回路が、筐体内空気の目標温度と温度変換器で出力された筐体内の空気温度との差に基づき、比例ゲインおよび／または積分ゲインを温度制御回路に指示する回路である、前記第一の態様に記載の恒温槽である。
【００１２】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１３】
本発明の恒温槽は、クロマトグラフにおいて、移動相供給手段、試料導入手段、分離手段（分離カラム）、検出手段のいずれか一つ以上を一定温度に保持（温調）するためにクロマトグラフに設けている。
【００１４】
クロマトグラフ用恒温槽に備えるヒータとしては、ヒータに接した空気に直接、熱を伝える電熱ヒータが多く用いられる。電熱ヒータは、加える電力量によって発熱量を制御可能である。電熱ヒータには、細長い電熱線を渦巻状またはらせん状に巻いたヒータや、金属（例えばステンレス）、ガラスまたはセラミックなどの筒の中に封入したヒータや、パワートランジスタなどの半導体素子の発熱を利用したヒータや、半導体セラミックで作られたＰＴＣヒータなどが知られているが、いずれのヒータを使ってもよい。なお前述した電熱ヒータのうち、ステンレス製の筒の中に封入したヒータを使う場合、外側にフィンを設けると、ヒータに接触する空気の量が増えることにより筐体内空気への熱伝達がよくなるため、好ましい。またパワートランジスタを使う場合はヒートシンクなどに取り付ければよい。恒温槽に設ける電熱ヒータの数は一個でもよいし、複数でもよい。
【００１５】
本発明の恒温槽では、筐体内の空気温度を検知する温度センサを有している。前記温度センサは、筐体内の位置によって空気温度が変化することから、筐体に収容する各手段（例えば、送液ポンプなどの移動相供給手段や分離カラム）の温度と、センサを設置する箇所の空気温度との差が小さく、しかも風がよくあたる位置に設けると好ましい。前記温度センサで使用可能な温度センサの種類としては、白金抵抗測温体、熱電対、サーミスタなどがあげられ、使用する温度範囲に応じて適宜選択すればよい。前記温度センサは空気温度を測定するため、時間応答性のよい、小型のセンサを用いると好ましい。前記温度センサのリード線の被覆に用いる材料は、塩化ビニール、ポリエチレン、フッ素樹脂、ガラス繊維、セラミック等の中から使用する温度範囲に応じて適宜選択すればよい。
【００１６】
本発明の恒温槽に設ける温度調整器のうち、温度変換器は、使用する温度センサの種類に応じて公知の温度変換器から選択することができる。温度センサとして白金抵抗測温体やサーミスタを用いる場合は、通常、定電流電源または定電圧電源に接続したホイートストンブリッジの一辺に組込み、二つの中点の電位差を増幅して温度信号を得る。なお温度と温度信号の間の非直線性が大きい場合には、補正回路をさらに使用すればよい。温度センサとして熱電対を用いる場合は、温度を検知する測温接点と冷接点（基準接点）を設け、当該冷接点を所定の一定温度、例えば水の三重点温度に保った状態で、同種金属からなるリード線の間の電位差を増幅すればよい。冷接点を一定温度に保つ代わりに、冷接点の温度を測定し、電位差を補償してもよい。
【００１７】
本発明の恒温槽に設ける温度調整器のうち、温度制御回路は、筐体内の空気温度を検知する温度センサに接続された温度変換器から出力される筐体内の空気温度を制御量（ＰＶ）とし、筐体内空気の目標温度を設定値（ＳＶ）とし、電熱ヒータによる発熱量を操作量（ＭＶ）とした回路であり、比例制御（Ｐ制御）、ＰＩ制御またはＰＩＤ制御のいずれかで制御する。ＰＩＤ制御は、比例ゲインをＫｐ、積分時間をＴｉ、微分時間をＴｄとすると、
ＭＶ＝Ｋｐ×｛（ＰＶ−ＳＶ）＋∫（ＰＶ−ＳＶ）ｄｔ／Ｔｉ＋ｄ（ＰＶ−ＳＶ）／ｄｔ×Ｔｄ｝
で表される。ここで設定量が一定であれば、カッコ内の第３項はｄＰＶ／ｄｔ×Ｔｄと表わしてもよい。なおＰＩ制御ではＴｄ＝０、Ｐ制御ではＴｄ＝０かつＴｉ＝∞である。なお本発明の恒温槽における温度制御回路では、積分時間（Ｔｉ）、微分時間（Ｔｄ）の代わりに、積分ゲインＫｉ（＝Ｋｐ／Ｔｉ）、微分ゲインＫｄ（＝Ｋｐ・Ｔｄ）を使用する。これらの制御パラメータは、空気温度が安定するように、適宜決めればよい。
【００１８】
本発明の恒温槽に設ける温度調整器のうち、制御パラメータ設定回路は、筐体内の目標温度と温度変換器で出力された筐体内の空気温度とに基づき、比例ゲインおよび／または積分ゲインを温度制御回路に指示する回路であり、少なくとも電熱ヒータにより筐体内の空気に熱を供給するとき（昇温時）に、定常時より低下した比例ゲインおよび／または積分ゲインを温度制御回路に指示可能な回路である。筐体内空気の目標温度と筐体外の空気温度との差が小さい場合、電熱ヒータによる発熱量が大きいと、筐体内の空気温度が筐体内空気の目標温度に達した後で電熱ヒータによる発熱をカットしても温度が上昇し続ける（オーバーシュート）。そこで、電熱ヒータによる発熱量を減らせばオーバーシュートを減らすことができる。最初から発熱量を減らしてもよいが、筐体内の空気温度が筐体内空気の目標温度に近づいた時点で発熱量を減らすと、短時間で筐体内空気の目標温度まで昇温することができるため好ましい。一例として、筐体内の空気温度が筐体内空気の目標温度から１０℃低い温度、１５℃低い温度、または２０℃低い温度となった時点で、電熱ヒータによる発熱量を減らす、すなわち定常時より低下した比例ゲインおよび／または積分ゲインを温度制御回路に指示すればよい。また、それらの指示に加えて、定常時より低下した微分ゲインを温度制御回路に指示してもよい。比例ゲインおよび／または積分ゲインの低下のさせ方は、例えば、１段階や２段階や３段階にステップワイズで低下させてもよく、連続的に低下させてもよい。ステップワイズまたは連続的に低下させる場合は、例えば、筐体内空気の目標温度と温度変換器で出力された筐体内の空気温度との差に基づき、低下させればよい。低下させた後の比例ゲインの値は、オーバーシュートと昇温速度を考慮して決めればよい。一例として、定常時の比例ゲインを０．００５倍した値を低下させた後の比例ゲインの値として用いることができる。
【００１９】
制御パラメータ設定回路で温度制御回路に指示する比例ゲインおよび／または積分ゲインは、例えば、温度制御を開始した後、筐体内の空気温度が筐体内空気の目標温度より１０℃低い温度（または１５℃低い温度、２０℃低い温度）に達するまでは、定常時の比例ゲインおよび／または積分ゲインを指示し、筐体内の空気温度が筐体内空気の目標温度より１０℃低い温度（または１５℃低い温度、２０℃低い温度）から筐体内空気の目標温度に達するまでは、定常時よりも低下させた比例ゲインおよび／または積分ゲインを指示すればよい。なお筐体内の空気温度が筐体内空気の目標温度に達した後は、定常時の比例ゲインおよび／または積分ゲインに戻して指示してもよい。また、一旦、筐体内の空気温度が定常状態に達した後で筐体内空気の目標温度を上げる場合の、制御パラメータ設定回路で温度制御回路に指示する比例ゲインおよび／または積分ゲインは、例えば、温度制御を開始した場合同様、筐体内空気の目標温度を上げた後、筐体内の空気温度が筐体内空気の目標温度より１０℃低い温度（または１５℃低い温度、２０℃低い温度）に達するまでは、定常時の比例ゲインおよび／または積分ゲインを指示し、筐体内の空気温度が筐体内空気の目標温度より１０℃低い温度（または１５℃低い温度、２０℃低い温度）から筐体内空気の目標温度に達するまでは、定常時よりも低下させた比例ゲインおよび／または積分ゲインを指示すればよい。
【００２０】
温度制御回路で出力した電熱ヒータによる発熱量に基づき、電熱ヒータに与える電力を変化させるためには、通常知られているように、ヒータに流す電流または電圧をトランジスタやＦＥＴ（電界効果トランジスタ）などで連続的に変化させて電力を調整してもよいし、トランジスタやＦＥＴやサイリスタなどのスイッチングデバイスを用いて一定の周期ごとに電流または電圧をＯＮ／ＯＦＦさせ、そのデューティ比を変えることによって電力を調整してもよい。なお直流電源を使ってもよく、交流電源を使ってもよい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の恒温槽は、移動相供給手段、試料導入手段、分離手段、検出手段のいずれか一つ以上を収容する筐体と、前記筐体内の空気に熱を供給する電熱ヒータと、前記筐体内の空気温度を検知する温度センサと、前記筐体内の空気温度を制御する温度調整器と、前記筐体内の空気を循環させるファンとを有し、かつ、前記温度調整器が、温度センサに接続されて筐体内の空気温度を指示する値を出力する温度変換器と、前記温度変換器で出力された筐体内の空気温度を制御量とし筐体内空気の目標温度を設定値としヒータによる発熱量を操作量とし比例制御（Ｐ制御）、比例−積分制御（ＰＩ制御）または比例−積分−微分制御（ＰＩＤ制御）に基づき制御を行なう温度制御回路と、筐体内空気の目標温度と温度変換器で出力された筐体内の空気温度とに基づき比例ゲインおよび／または積分ゲインを温度制御回路に指示する制御パラメータ設定回路と、温度制御回路から出力されたヒータによる発熱量に基づきヒータに電力を供給する電力供給回路と、を有していることを特徴としている。
【００２２】
本発明の恒温槽は、恒温槽による筺体内空気温度の制御において、筐体内空気温度の目標温度に対する筐体内空気温度のオーバーシュートが少ない、またはほとんど発生しない恒温槽であり、筐体内空気を短時間かつ安定的に目標温度に達することができる。すなわち、電熱ヒータによる筐体内空気温度の制御を開始してからクロマトグラフによる分析が可能になるまでの時間が短縮されることから、待ち時間が減り、クロマトグラフの利用効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】従来の恒温槽の一態様を示す図。
【図２】本発明の恒温槽の一態様を示す図。
【図３】比較例１の結果を示す図。
【図４】比較例１の結果を示す図。
【図５】実施例１の結果を示す図。
【図６】実施例１の結果を示す図。
【図７】実施例２の結果を示す図。
【図８】実施例２の結果を示す図。
【実施例】
【００２４】
以下、比較例および実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明するが、これらの例は本発明を限定するものではない。
【００２５】
比較例１
図１に示す従来の恒温槽を用いて電熱ヒータによる筐体内空気温度の制御を試みた。
【００２６】
図１に示す従来の恒温槽１００は、分離カラム２０を収容するための筐体１０と、筐体内の空気に熱を供給するための電熱ヒータ３０と、筐体内の空気を循環するためのファン４０と、筐体内の空気温度を検知する温度センサ５０と、前記筐体内の空気温度を制御する温度調整器６０を有している。温度調整器６０は、温度センサ５０に接続されて筐体内の空気温度を指示する値を出力する温度変換器６１と、温度変換器６１で出力された筐体内の空気温度を制御量とし筐体内空気の目標温度を設定値とし電熱ヒータ３０による発熱量を操作量とする温度制御回路６２と、温度制御回路６２で出力されたヒータによる発熱量に基づき電熱ヒータ３０に電力を供給する電力供給回路６６と、を有している。
【００２７】
筐体１０の容量は３０Ｌであり、厚さ２０ｍｍの断熱材によって、外気に対し断熱される。温度センサ５０は小型白金抵抗測温体を使用する。温度センサ５０による検知結果は、定電流電源と電圧増幅器と補正回路から構成される温度変換器６１により温度信号７１に変換され、温度制御回路６２に入力される。温度制御回路６２はＰＩ制御に基づき制御する。温度制御回路６２は、温度信号７１と筐体内空気の目標温度（設定値指示信号７２）とを入力し、デューティ比０から１に対応する電圧信号（発熱量指示信号７３）を出力する。電力供給回路６４は、一周期２秒のうち、２秒にデューティ比をかけた時間だけ電熱ヒータ３０に電力を供給７４し、残りの時間は電力供給をカットする（比例ＯＮ／ＯＦＦ制御）。電熱ヒータ３０に供給する平均電力はデューティ比に比例し、デューティ比が１の時に４００Ｗである。
【００２８】
温度制御回路６２における比例ゲインＫｐを１に、積分ゲインＫｉを１／２５０に、微分ゲインＫｄを０（ＰＩ制御のため）に、それぞれ設定し、筐体内の空気温度が初めて筐体内空気の目標温度に達した時点と、筐体内空気の目標温度を変更後、当該変更した目標温度に初めて達した時点で、温度制御回路におけるＰＩ制御の積分項をゼロにリセットした。
【００２９】
筐体外の空気温度が２５℃であって、筐体内空気の目標温度を当初は４５℃、１００分後（６０００秒後）に５５℃に変更した場合の温度パターンの一例を図３に示し、筐体外の空気温度が２５℃であって、筐体内空気の目標温度を当初は４５℃、８０分後（４８００秒後）に１５０℃に変更した場合の温度パターンの一例を図４に示す。特に、筐体内空気の目標温度が低く、筐体外の空気温度の差が小さいとき（図３）に、大きなオーバーシュートが長く続くことがわかる。
【００３０】
実施例１
図２に示す本発明の恒温槽を用いて電熱ヒータによる筐体内空気温度の制御を試みた。
【００３１】
図２に示す恒温槽２００は、図１に示す恒温槽のうち、温度調整器６０が、温度センサ５０に接続されて筐体内の空気温度を指示する値を出力する温度変換器６１と、温度変換器６１で出力された筐体内の空気温度を制御量とし筐体内空気の目標温度を設定値とし電熱ヒータ３０による発熱量を操作量としＰＩ制御に基づき制御する温度制御回路６２と、温度変換器６１で出力された筐体内の空気温度と筐体内空気の目標温度とに基づき比例ゲインおよび積分ゲインを温度制御回路６２に指示する制御パラメータ設定回路６３と、温度制御回路６２から出力された電熱ヒータ３０による発熱量に基づき、電熱ヒータ３０に電力を供給する電力供給回路６４と、を有した調整器となっている。
【００３２】
温度制御回路６２は、温度変換器６１から出力された温度信号７１と筐体内空気の目標温度（設定値温度信号７２）とを比較し、ＰＩ制御に基づき、電熱ヒータ３０による発熱量を指示する信号７３を出力する。電力供給回路７４は発熱量指示信号７３に基づき、電熱ヒータ３０に電力を供給７４する。
【００３３】
制御パラメータ設定回路７３から温度制御回路７２に指示する比例ゲインＫｐおよび積分ゲインＫｉは、
温度制御を開始してから筐体内の空気温度が筐体内空気の目標温度より１０℃低い温度に達するまではＫｐを１に、Ｋｉを１／２５０に、それぞれ設定し、
その後筐体内の空気温度が筐体内空気の目標温度に達するまではＫｐを０．００５に、Ｋｉを０．００５／２５０に、それぞれ設定し、
筐体内の空気温度が筐体内空気の目標温度に達した後は、Ｋｐを１に、Ｋｉを１／２５０に、それぞれ設定した。なお図２に示す恒温槽２００における温度制御回路６２はＰＩ制御で温度を制御するため、微分ゲインＫｄは常にゼロである。また筐体内の空気温度が初めて筐体内空気の目標温度に達した時点と、筐体内空気の目標温度を変更後、当該変更した目標温度に初めて達した時点で、温度制御回路におけるＰＩ制御の積分項をゼロにリセットした。
【００３４】
筐体外の空気温度が２５℃であって、筐体内空気の目標温度を当初は４５℃、１００分後（６０００秒後）に５５℃に変更した場合の温度パターンの一例を図５に示し、筐体外の空気温度が２５℃であって、筐体内空気の目標温度を当初は４５℃、８０分後（４８００秒後）に１５０℃に変更した場合の温度パターンの一例を図６に示す。設定温度の高低にかかわらず、図１に示す従来の恒温槽を用いた場合（比較例１）の温度パターンと比較し、オーバーシュートが少なくなっていることがわかる。
【００３５】
実施例２
制御パラメータ設定回路７３から温度制御回路７２に指示する比例ゲインＫｐおよび積分ゲインＫｉを、
温度制御を開始してから筐体内の空気温度が筐体内空気の目標温度より１０℃低い温度に達するまではＫｐを１に、Ｋｉを１／２５０に、それぞれ設定し、
その後筐体内の空気温度が筐体内空気の目標温度に達するまではＫｐを０．０２に、Ｋｉを０．０２／２５０に、それぞれ設定し、
筐体内の空気温度が筐体内空気の目標温度に達した後は、Ｋｐを１に、Ｋｉを１／２５０に、それぞれ設定した他は、実施例１と同様な方法で電熱ヒータによる筐体内空気温度の制御を試みた。
【００３６】
筐体外の空気温度が２５℃であって、筐体内空気の目標温度を当初は４５℃、１００分後（６０００秒後）に５５℃に変更した場合の温度パターンの一例を図７に示し、筐体外の空気温度が２５℃であって、筐体内空気の目標温度を当初は４５℃、８０分後（４８００秒後）に１５０℃に変更した場合の温度パターンの一例を図８に示す。実施例１の場合と同様、設定温度の高低にかかわらず、図１に示す従来の恒温槽を用いた場合（比較例１）の温度パターンと比較し、オーバーシュートが少なくなっていることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明は、移動相供給手段、試料導入手段、分離手段、検出手段のいずれか一つ以上を収容する空気循環式恒温槽において、温度の立上り特性や外乱に対する応答が改善されるため、設定可能な温度の範囲が広く、しかも高い安定性や高温保持が必要とされるクロマトグラフに対し、特に有用である。
【符号の説明】
【００３８】
１００・２００：恒温槽
１０：筐体
２０：分離カラム
３０：電熱ヒータ
４０：ファン
５０：温度センサ
６０：温度調整器
６１：温度変換器
６２：温度制御回路
６３：制御パラメータ設定回路
６４：電力供給回路
７１：温度信号
７２：設定値温度信号
７３：発熱量指示信号
７４：供給電力
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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