(57)【要約】      （修正有）【課題】プローブからの沿面放電を簡易な方法で十分に防止する耐圧測定装置を提供する。【解決手段】耐圧測定装置１００は、半導体基板２００に形成されかつ電極部を有する半導体素子の耐圧を測定するためのものである。ステージ１２０は、気密容器１１０内に設けられており、半導体基板２００を支持するためのものである。プローブ１３０は、気密容器１１０内に設けられステージ１２０に対して相対的に移動可能に構成されており、電極部に接触することによって電極部との電気的接続を得るためのものである。導入部１４０は、気密容器１１０に設けられており、気密容器１１０内にガスを導入するためのものである。排出部１５０は、気密容器１１０に設けられており、気密容器１１０からガスを排出するためのものである。【選択図】図１
2014139965.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に形成されかつ電極部を有する半導体素子の耐圧を測定するための耐圧測定装置であって、
気密容器と、
前記気密容器内に設けられた、前記半導体基板を支持するためのステージと、
前記気密容器内に設けられ前記ステージに対して相対的に移動可能に構成された、前記電極部に接触することによって前記電極部との電気的接続を得るためのプローブと、
前記気密容器に設けられた、前記気密容器内にガスを導入するための導入部と、
前記気密容器に設けられた、前記気密容器からガスを排出するための排出部とを備える、耐圧測定装置。
【請求項２】
前記半導体基板を加熱するための加熱部をさらに備える、請求項１に記載の耐圧測定装置。
【請求項３】
前記気密容器内の露点温度を検出するための検出部をさらに備える、請求項１または２に記載の耐圧測定装置。
【請求項４】
前記導入部および前記排出部の各々は弁を有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の耐圧測定装置。
【請求項５】
前記プローブに接続され、６００Ｖ以上の電圧を発生可能な電圧源をさらに備える、請求項１〜４のいずれか１項に記載の耐圧測定装置。
【請求項６】
前記気密容器は、前記気密容器の外部から前記半導体素子の位置が観測可能となるように光を透過する窓を有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の耐圧測定装置。
【請求項７】
半導体基板に形成されかつ電極部を有する半導体素子の耐圧を測定するための耐圧測定方法であって、
気密容器内に前記半導体基板を支持する工程と、
前記半導体基板を支持する工程の後に、前記電極部にプローブを接触させつつ前記プローブに電圧を供給する工程とを備える、耐圧測定方法。
【請求項８】
前記半導体基板を支持する工程の後、かつ、前記プローブに電圧を供給する工程の前に、前記半導体基板を加熱する工程をさらに備える、請求項７に記載の耐圧測定方法。
【請求項９】
前記半導体基板を支持する工程の後に、前記気密容器に設けられた導入部から前記気密容器内に不活性ガスを導入し、かつ前記気密容器に設けられた排出部から前記気密容器内のガスを排出することによって、前記気密容器内の雰囲気を不活性ガス雰囲気とする工程と、
前記気密容器内の露点温度を検出する工程と、
前記露点温度を検出する工程の結果に応じて、前記導入部および前記排出部の各々と前記気密容器との間を閉じる工程とをさらに備える、請求項７に記載の耐圧測定方法。
【請求項１０】
前記半導体基板を支持する工程の後、かつ、前記プローブに電圧を供給する工程の前に、前記半導体基板の加熱を開始する工程と、
前記気密容器内の雰囲気を不活性ガス雰囲気とする工程の後、かつ、前記気密容器内の露点温度を検出する工程の前に、前記半導体基板の加熱を停止する工程とをさらに備える、請求項９に記載の耐圧測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、耐圧測定装置および耐圧測定方法に関し、より特定的には、半導体基板に形成された半導体素子の耐圧を測定するための、耐圧測定装置および耐圧測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置、特に電力用半導体装置にとって、耐圧は重要な特性のひとつである。よって、半導体装置の製造方法において、半導体基板に形成された半導体素子の耐圧が測定されることがある。耐圧測定の条件が不適切な場合、半導体基板上において測定用プローブから沿面放電が生じることで半導体素子が破壊されることがある。よってこのような放電を防止することが求められる。特開平５−３２２９６１号公報によれば、プローブが配置される側が開放された試験槽に、フロリナート（商標）などの不活性液体、または不活性ガスを入れる方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平５−３２２９６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記公報に記載の技術において不活性液体が用いられる場合、不活性液体の扱いが煩雑であった。たとえば、蒸発した液体の補充、半導体基板の搬送時における液体のこぼれの防止、および、耐圧測定後の半導体基板からの不活性液体の除去が必要なことがあった。
【０００５】
上記公報に記載の技術において不活性ガスが用いられる場合、試験槽の開放部分に起因した問題があった。たとえば、試験槽内への水蒸気の混入によって、沿面放電の発生が十分に防止されなくなる場合があった。また、試験槽外への不活性ガスの漏洩による作業環境への影響に留意する必要があるという煩雑さがあった。
【０００６】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は、耐圧測定の際のプローブからの沿面放電を簡易な方法で十分に防止することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の耐圧測定装置は、半導体素子の耐圧を測定するためのものである。半導体素子は、半導体基板に形成されており、かつ電極部を有するものである。耐圧測定装置は、気密容器と、ステージと、プローブと、導入口と、排出口とを有する。ステージは、気密容器内に設けられており、半導体基板を支持するためのものである。プローブは、電極部に接触することによって電極部との電気的接続を得るためのものである。プローブは、気密容器内に設けられており、ステージに対して相対的に移動可能に構成されている。導入口は、気密容器内にガスを導入するためのものであり、気密容器に設けられている。排出口は、気密容器からガスを排出するためのものであり、気密容器に設けられている。
【０００８】
この耐圧測定装置によれば、導入口および排出口を用いたガス置換により気密容器内の雰囲気を調整することができる。これによりプローブ周囲の雰囲気を容易かつ十分に管理することができる。よってプローブからの沿面放電を簡易な方法で十分に防止することができる。
【０００９】
上記耐圧測定装置は、半導体基板を加熱するための加熱部を有してもよい。加熱部による加熱によって半導体基板上から水分を除去することができる。よって沿面放電をより確実に防止することができる。
【００１０】
上記耐圧測定装置は、気密容器内の露点温度を検出するための検出部を有してもよい。検出部を用いることで、半導体基板上の水分量が過度に大きくならないよう、より確実に管理することができる。よって沿面放電をより確実に防止することができる。
【００１１】
上記耐圧測定装置において、導入口および排出口の各々は弁を有してもよい。弁を気密容器内のガス置換が行なわれた後に閉じることで、ガス置換後に気密容器内へ外部の大気が流入しないようにすることができる。よって沿面放電を、ガス置換を停止した状態においても防止することができる。
【００１２】
上記耐圧測定装置は、プローブに接続され６００Ｖ以上の電圧を発生可能な電圧源を有してもよい。これにより耐圧測定に６００Ｖ以上の高い電圧を用いることができる。そのような高い電圧が用いられる場合でも、上記耐圧測定装置によれば沿面放電が十分に防止される。
【００１３】
上記耐圧測定装置において気密容器は、気密容器の外部から半導体素子の位置が観測可能となるように、光を透過する窓を有してもよい。これにより、気密容器の気密性を保ちつつ、半導体素子の位置を気密容器の外部から観測することができる。
【００１４】
本発明の耐圧測定方法は、半導体素子の耐圧を測定するためのものである。半導体素子は、半導体基板に形成されており、かつ電極部を有するものである。耐圧測定方法は次の工程を有する。気密容器内に半導体基板が支持される。次に、電極部にプローブが接触させられつつプローブに電圧が供給される。
【００１５】
この耐圧測定方法によれば、気密容器が用いられることにより、プローブ周囲の雰囲気を容易かつ十分に管理することができる。よって、プローブからの沿面放電を簡易な方法で十分に防止することができる。
【００１６】
上記耐圧測定方法において、半導体基板を支持する工程の後、かつ、プローブに電圧を供給する工程の前に、半導体基板が加熱されてもよい。これにより、加熱によって半導体基板上から水分が除去される。よって沿面放電をより確実に防止することができる。
【００１７】
上記耐圧測定方法において、半導体基板を支持する工程の後に、気密容器に設けられた導入口から気密容器内に不活性ガスを導入し、かつ気密容器に設けられた排出口から気密容器内のガスを排出することによって、気密容器内の雰囲気が不活性ガス雰囲気とされてもよい。気密容器内の露点温度が検出され、その結果に応じて、導入口および排出口の各々と気密容器との間が閉じられてもよい。これにより、気密容器内へ外部の大気が流入しないようにしつつ、気密容器内のガス置換を停止することができる。よって沿面放電を、ガス置換を停止した状態においても防止することができる。
【００１８】
上記耐圧測定方法において、半導体基板を支持する工程の後、かつ、プローブに電圧を供給する工程の前に、半導体基板の加熱が開始されてもよい。気密容器内の雰囲気を不活性ガス雰囲気とする工程の後、かつ、気密容器内の露点温度を検出する工程の前に、半導体基板の加熱が停止されてもよい。これにより、加熱による水分除去を完了した後に耐圧測定が行われる際に、半導体基板上の水分量が過度に大きくならないよう、より確実に管理することができる。よって沿面放電をより確実に防止することができる。
【発明の効果】
【００１９】
上述したようにこの発明によれば、プローブからの沿面放電を簡易な方法で十分に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施の形態１における耐圧測定装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図２】半導体素子が形成された半導体基板の構成の例を示す平面図である。
【図３】半導体素子が形成された半導体基板の構成の例を示す部分断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１における耐圧測定方法のフロー図である。
【図５】本発明の実施の形態１における耐圧測定方法の一工程を概略的に示す部分断面図である。
【図６】図５に示す工程の変形例を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態２における耐圧測定方法の一工程を概略的に示す部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。
【００２２】
（実施の形態１）
図１に示すように、耐圧測定装置１００は、ウエハ２００（半導体基板）に形成された半導体素子の耐圧を測定するためのものである。図２および図３に示すように、ウエハ２００に形成されたＭＯＳＦＥＴ（Metal  Oxide  Semiconductor  Field  Effect  Transistor）素子２１０（半導体素子）は、ドレイン電極２２１と、ソース電極２２２（電極部）と、ゲート電極２２３とを有する。
【００２３】
耐圧測定装置１００（図１）は、気密容器１１０と、カメラ１１２と、ステージ１２０と、プローブ１３０と、電圧源１３４と、ゲート制御部１３５と、導入口１４０（導入部）と、排出口１５０（排出口）と、ヒータ１６０（加熱部）と、センサ１７０（検出部）とを有する。
【００２４】
ここで「気密容器」とは、その外部から独立して露点温度を管理できる程度の気密性を少なくとも有する容器である。よって、真空容器が有するほどの気密性は必ずしも必要ではない。言い換えれば、大気圧程度の大きな圧力差の下でもリークを実質的に防止することができるような厳密な気密性は必ずしも必要ではない。逆に、そのような圧力差がない場合に容器の内外間での気流の容易な通過を防止する程度の気密性は必要であり、たとえば、一般的なデシケータ程度あるいはそれ以上の気密性を有することが望ましい。気密容器の材料は、好ましくは金属または樹脂であり、たとえばステンレスまたはアクリル樹脂である。
【００２５】
ステージ１２０は、気密容器１１０内に設けられており、ウエハ２００を支持するためのものである。ステージは、ウエハ２００を固定するための真空チャック１２１を有してもよい。
【００２６】
プローブ１３０は気密容器１１０内に設けられている。プローブ１３０の機能の一つは、ソース電極２２２に接触することによってソース電極２２２との電気的接続を得ることである。プローブ１３０は、たとえば、基部１３１と針１３２および１３３とを有してもよい。針１３２および１３３のそれぞれはソース電極２２２およびゲート電極２２３との電気的接続を得るためのものであり、基部１３１に取り付けられている。
【００２７】
本実施の形態の形態においては、ステージ１２０は移動機構１２２上に設けられることで、気密容器１１０内において移動可能に構成されている。これによりステージ１２０とプローブ１３０とが相対的に変位可能に構成されている。言い換えれば、プローブ１３０はステージ１２０に対して相対的に移動可能に構成されている。移動機構１２２は、好ましくは、３次元的な変位を可能とする、いわゆるＸＹＺステージである。
【００２８】
導入口１４０は、気密容器１１０に設けられており、気密容器１１０内にガスを導入するためのものである。排出口１５０は、気密容器１１０に設けられており、気密容器１１０からガスを排出するためのものである。導入口１４０および排出口１５０のそれぞれはゲート弁１４１および１５１を有する。
【００２９】
ヒータ１６０はウエハ２００を加熱するためのものである。ヒータ１６０は気密容器１１０内に配置されており、ステージ１２０内に配置されていてもよい。ヒータ１６０には、気密容器１１０の外部に配置されたヒータ電源１６１が接続されていてもよい。
【００３０】
センサ１７０は、気密容器１１０内の露点温度を検出するために、気密容器１１０内に設けられている。センサ１７０は、露点温度を直接測定可能なように専用に設計された露点温度計であってもよく、あるいは、温度および湿度から露点温度を算出するために温度計および湿度計を有するものであってもよい。センサ１７０は、気密容器１１０の外部に設けられた読取部１７１と接続されていてもよい。
【００３１】
電圧源１３４はプローブ１３０に接続されている。具体的には電圧源１３４は、プローブ１３０の針１３２と、ステージ１２０との間に電圧を加えるように接続されている。電圧源１３４が発生可能な電圧は、好ましくは６００Ｖ程度以上であり、より好ましくは１ｋＶ程度以上であり、さらに好ましくは３ｋＶ程度以上である。
【００３２】
ゲート制御部１３５は、プローブ１３０の針１３２および１３３の間に電圧を加えるように接続されている。ゲート制御部１３５は、ＭＯＳＦＥＴ素子２１０のゲート電圧を制御できる程度の電圧を発生可能なものであればよい。ダイオードのようにゲート電圧の制御が不要な場合はゲート制御部１３５は省略され得る。
【００３３】
気密容器１１０は、気密容器１１０の外部からＭＯＳＦＥＴ素子２１０の位置が観測可能となるように、光を透過する窓１１１を有する。窓１１１は、この目的に十分な程度に光を透過する材料から作られており、たとえばガラスまたは透明樹脂から作られている。窓１１１には、耐圧測定時に窓１１１を介して光が入射しないように遮光を行なうための遮光部（図示せず）が設けられることが好ましい。この遮光部は、たとえば、窓１１１の外側において着脱され得るカバー、または、窓１１１の外側または内側に設けられたシャッターである。カメラ１１２は、図１の破線で示すように、窓１１１を介してウエハ２００を観察し得るように配置されている。なおカメラは気密容器１１０内に設けられてもよく、この場合は窓１１１は必要ではない。
【００３４】
次に、耐圧測定装置１００（図１）を用いた耐圧測定方法について説明する。
気密容器１１０内にウエハ２００が支持される（図４：ステップＳ１１）。具体的には、ウエハ２００が気密容器１１０内に搬入され、さらにステージ１２０上に載置される。これによりウエハ２００の裏面に位置するドレイン電極２２１の電位がステージ１２０の電位とされる。またウエハ２００がステージ１２０に固定される。この固定は、真空チャック１２１によって行われ得る。
【００３５】
次に、移動機構１２２の駆動によってステージ１２０とプローブ１３０との間の相対変位が生じることにより、図５に示すように、針１３２および１３３のそれぞれがソース電極２２２およびゲート電極２２３に接触させられる。このようにしてソース電極２２２にプローブ１３０が接触させられつつ、プローブ１３０に電圧が供給される（図４：ステップＳ１７）。具体的には、プローブ１３０の針１３２とステージ１２０との間に電圧が供給される。これによりＭＯＳＦＥＴ素子２１０のドレイン電極２２１およびソース電極２２２の間に、耐圧測定のための電圧が印加される。この電圧は、たとえば６００Ｖ程度以上である。また必要に応じてゲート制御部１３５によってゲート電圧が調整される。これによりＭＯＳＦＥＴ素子２１０の耐圧が測定される。
【００３６】
上記方法において、ウエハ２００を支持する工程（図４：ステップＳ１１）の後、かつ、プローブ１３０に電圧を供給する工程（図４：ステップＳ１７）の前に、ウエハ２００が加熱されてもよい（図４：ステップＳ１２）。ウエハ２００の加熱温度の下限は、好ましくは５０℃程度以上であり、より好ましくは１００℃程度以上である。またウエハ２００の加熱温度の上限は、好ましくは２００℃程度以下であり、より好ましくは１５０℃程度以下である。
【００３７】
上記方法において、ウエハ２００を支持する工程（図４：ステップＳ１１）の後に、気密容器１１０に設けられた導入口１４０から気密容器１１０内に不活性ガスを導入し、かつ気密容器１１０に設けられた排出口１５０から気密容器１１０内のガスを排出することによって、気密容器１１０内の雰囲気が不活性ガス雰囲気とされてもよい（図４：ステップＳ１３）。不活性ガスは、たとえば、Ｎ2ガス、ＳＦ6ガスまたは希ガスである。希ガスとしてはＡｒガスが特に好適である。
【００３８】
上記方法において、気密容器１１０内の露点温度が検出されてもよい（図４：ステップＳ１５）。そして露点温度を検出する工程の結果、すなわち検出された露点温度に応じて、導入口１４０および排出口１５０の各々と気密容器１１０との間がゲート弁１４１および１５１によって閉じられてもよい（図４：ステップＳ１６）。具体的には、露点温度が所定の温度以下になって時点でゲート弁１４１および１５１が閉じられてもよい。所定の露点温度の下限は、好ましくは−１５０℃程度以上であり、より好ましくは−１００℃程度以上である。所定の露点温度の上限は、好ましくは０℃程度以下であり、より好ましくは−２０℃程度以下である。
【００３９】
上記方法において、ウエハ２００を支持する工程（図４：ステップＳ１１）の後、かつ、プローブ１３０に電圧を供給する工程（図４：ステップＳ１７）の前に、ウエハ２００の加熱が開始されてもよい（図４：ステップＳ１２）。そして、気密容器１１０内の雰囲気を不活性ガス雰囲気とする工程（図４：ステップＳ１３）の後、かつ、気密容器１１０内の露点温度を検出する工程（図４：ステップＳ１５）の前に、ウエハ２００の加熱が停止されてもよい（図４：ステップＳ１４）。
【００４０】
本実施の形態の耐圧測定装置１００によれば、導入口１４０および排出口１５０を用いたガス置換により気密容器１１０内の雰囲気を調整することができる。これによりプローブ１３０周囲の雰囲気を容易かつ十分に管理することができる。よってプローブ１３０からの沿面放電を簡易な方法で十分に防止することができる。
【００４１】
ヒータ１６０での加熱によってウエハ２００上から水分を除去することができる。よって沿面放電をより確実に防止することができる。
【００４２】
センサ１７０を用いて、ウエハ２００上の水分量が過度に大きくならないよう、より確実に管理することができる。よって沿面放電をより確実に防止することができる。
【００４３】
気密容器１１０内のガス置換が行なわれた後にゲート弁１４１および１５１を閉じることで、ガス置換後に気密容器１１０内へ外部の大気が流入しないようにすることができる。よって沿面放電を、ガス置換を停止した状態においても防止することができる。
【００４４】
電圧源１３４が６００Ｖ程度以上の電圧を発生可能な場合であっても、耐圧測定装置１００によれば沿面放電が十分に防止される。この電圧は、１ｋＶ以上とすることもでき、さらに３ｋＶ程度以上とすることもできる。
【００４５】
窓１１１により、気密容器１１０の気密性を保ちつつ、ＭＯＳＦＥＴ素子２１０の位置を気密容器１１０の外部から観測することができる。
【００４６】
本実施の形態の耐圧測定方法によれば、気密容器１１０が用いられることにより、プローブ１３０周囲の雰囲気を容易かつ十分に管理することができる。よって、プローブ１３０からの沿面放電を簡易な方法で十分に防止することができる。
【００４７】
ウエハ２００を支持する工程（図４：ステップＳ１１）の後、かつ、プローブ１３０に電圧を供給する工程（図４：ステップＳ１７）の前に、ウエハ２００が加熱されてもよい（図４：ステップＳ１２）。これにより、加熱によってウエハ２００上から水分が除去される。よって沿面放電をより確実に防止することができる。
【００４８】
ウエハ２００を支持する工程（図４：ステップＳ１１）の後に、気密容器１１０内の雰囲気が不活性ガス雰囲気とされてもよい（図４：ステップＳ１３）。気密容器１１０内の露点温度が検出されてもよく（図４：ステップＳ１５）、この結果に応じて、導入口１４０および排出口１５０の各々と気密容器１１０との間が閉じられてもよい（図４：ステップＳ１６）。これにより、気密容器１１０内へ外部の大気が流入しないようにしつつ気密容器１１０内のガス置換を停止することができる。よって沿面放電を、ガス置換を停止した状態においても防止することができる。
【００４９】
ウエハ２００を支持する工程（図４：ステップＳ１１）の後、かつ、プローブ１３０に電圧を供給する工程（図４：ステップＳ１７）の前に、ウエハ２００の加熱が開始されてもよい（図４：ステップＳ１２）。気密容器１１０内の雰囲気を不活性ガス雰囲気とする工程（図４：ステップＳ１３）の後、かつ、気密容器１１０内の露点温度を検出する工程（図４：ステップＳ１５）の前に、ウエハ２００の加熱が停止されてもよい（図４：ステップＳ１４）。これにより、加熱による水分除去を完了した後に耐圧測定が行われる際に、ウエハ２００上の水分量が過度に大きくならないよう、より確実に管理することができる。よって沿面放電をより確実に防止することができる。
【００５０】
なおプローブ１３０（図５）の針１３２および１３３はウエハ２００の厚さ方向に延在している。これにより針１３２および１３３のそれぞれをソース電極２２２およびゲート電極２２３に強い力で接触させることができる。よってプローブ１３０の電気的接続がより確実となる。プローブ１３０の代わりにプローブ１３０Ｖ（図６）が用いられてもよい。プローブ１３０Ｖが有する針１３２Ｖおよび１３３Ｖは、ウエハ２００の厚さ方向に対して傾いた方向に延在している。これにより針１３２Ｖおよび１３３Ｖのそれぞれをソース電極２２２およびゲート電極２２３に過度の力が加わることなく接触させることができる。よってプローブ１３０の接触によるソース電極２２２およびゲート電極２２３へのダメージの発生を抑えることができる。
【００５１】
（実施の形態２）
本実施の形態は、実施の形態１とほぼ同様の構成を有するが、ステージ１２０上にウエハ２００が直接は載置されず、代わりに、ウエハ２００を収めたトレー３０１が載置される。この場合においても実施の形態１とほぼ同様の効果が得られる。耐圧測定においてウエハ２００の裏面側（図７における下面側）との電気的接続が必要な場合は、この電気的接続をトレー３０１を介して行なえるよう、トレー３０１が導体から作られることが好ましい。なお沿面放電をより確実に抑制するために、トレー３０１内に、ウエハ２００の表面が覆われるように不活性液体３０２が入れられてもよい。
【００５２】
（付記）
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００５３】
たとえば、半導体素子はＭＯＳＦＥＴに限定されるものではなくＭＩＳＦＥＴ（Metal  Insulator  Semiconductor  Field  Effect  Transistor）素子であってもよい。また半導体素子はＭＩＳＦＥＴ素子以外のトランジスタ素子であってもよく、たとえばＪＦＥＴ（Junction  Field  Effect  Transistor）素子またはＩＧＢＴ（Insulated  Gate  Bipolar  Transistor）素子であってもよい。また半導体素子はトランジスタ素子に限定されるものではなく、たとえばダイオード素子であってもよい。また半導体素子は、トランジスタ機能またはダイオード機能などの単一の機能を有する素子に限定されるものではなく、複数の機能を有するモジュールであってもよい。半導体素子の種類に応じて、電極部はソース電極以外の電極に対応する。
【００５４】
半導体素子は、電圧源によって互いに異なる電位が印加される１対の主電極のそれぞれを半導体基板の上面および下面に有する縦型素子に限定されるものではない。すなわち半導体素子は１対の主電極の両方を半導体基板の一の面上に有する横型素子であってもよい。この場合、ステージを介することなくプローブのみによって１対の主電極間に耐圧測定のための電圧を印加し得る。
【符号の説明】
【００５５】
１００  耐圧測定装置、１１０  気密容器、１１１  窓、１１２  カメラ、１２０  ステージ、１２１  真空チャック、１２２  移動機構、１３０，１３０Ｖ  プローブ、１３１  基部、１３２，１３２Ｖ  針、１３４  電圧源、１３５  ゲート制御部、１４０  導入口（導入部）、１４１，１５１  ゲート弁（弁）、１５０  排出口（排出部）、１６０  ヒータ（加熱部）、１６１  ヒータ電源、１７０  センサ（検出部）、１７１  読取部、２００  ウエハ（半導体基板）、２１０  ＭＯＳＦＥＴ素子（半導体素子）、２２１  ドレイン電極、２２２  ソース電極（電極部）、２２３  ゲート電極、３０１  トレー、３０２  不活性液体。
【図１】
2014139965.tif 000003
【図２】
2014139965.tif 000004
【図３】
2014139965.tif 000005
【図４】
2014139965.tif 000006
【図５】
2014139965.tif 000007
【図６】
2014139965.tif 000008
【図７】
2014139965.tif 000009