(57)【要約】【課題】端子電極にダメージを生じさせることがない簡単なプロセスを通じて、ＯＬＥＤ表示パネルの基板上の端子電極層を覆う絶縁膜を部分的に除去する。【解決手段】  ＯＬＥＤ層形成基板１の表面におけるコネクタ領域１ａには、複数の端子電極４ａが形成され、コネクタ領域１ａの外側には、相互に離間して配置された一対の櫛歯電極５１，５２を有する回路パターン５０が形成される。ＯＬＥＤ層形成基板１の表面には、端子電極４ａごとコネクタ領域１ａを覆うように、有機材料からなる剥離層６が形成されるともに、この剥離層６及び回路パターン５０ごと全面を覆うように、圧電性薄膜２及び絶縁膜３が、順番に積層される。次に、回路パターン５０に交流電圧を生じさせることにより両櫛歯電極間に充填された圧電性薄膜２の材料に交流電圧を印加して、表面弾性波を発生させる。【選択図】図１
2014107245.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端子電極から供給される信号に応じて画像を表示する表示領域を有するＯＬＥＤ表示パネルの製造方法であって、
基板の表面における所定領域内に端子電極を形成するとともに、当該所定領域の外側において相互に離間して対向する一対の表面弾性波発生用端子が両端に有する回路パターンを形成し、
前記基板の表面に、前記端子電極ごと前記所定領域を覆うように、有機材料からなる剥離層を形成し、
前記剥離層及び前記回路パターンごと前記基板の表面を覆うように、圧電材料からなる圧電性薄膜及び絶縁膜を、順番に積層し、
前記回路パターンに交流電圧を生じさせることにより前記一対の表面弾性波発生用端子間に充填された圧電材料に交流電圧を印加して、当前記剥離層を前記基板の表面から剥離させる
ことを特徴とするＯＬＥＤ表示パネルの製造方法。
【請求項２】
前記一対の表面弾性波発生用端子を、夫々先端が櫛歯状に分離している形状として、各櫛歯状先端が互い違い且つ相互に平行になるように形成する
ことを特徴とする請求項１記載のＯＬＥＤ表示パネルの製造方法。
【請求項３】
前記一対の表面弾性波発生用端子が並ぶ方向の先に前記所定領域が存在するように、前記回路パターンを形成する
ことを特徴とする請求項１記載のＯＬＥＤ表示パネルの製造方法。
【請求項４】
前記各櫛歯状先端の長手方向に直交する方向に前記所定領域が存在するように、前記回路パターンを形成する
ことを特徴とする請求項２記載のＯＬＥＤ表示パネルの製造方法。
【請求項５】
前記回路パターンの中間に巻線を形成し、
当該巻き線に交差する交流磁界を前記絶縁膜の外側から印加する
ことを特徴とする請求項１記載のＯＬＥＤ表示パネルの製造方法。
【請求項６】
前記巻線は渦巻き状に巻かれている
ことを特徴とする請求項５記載のＯＬＥＤ表示パネルの製造方法。
【請求項７】
前記巻線はループアンテナである
ことを特徴とする請求項５記載のＯＬＥＤ表示パネルの製造方法。
【請求項８】
前記剥離層を、ＯＬＥＤ表示パネルを構成するＯＬＥＤ表示素子を構成する有機発光層と同時に、同じ材料から形成する
ことを特徴とする請求項１記載のＯＬＥＤ表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＯＬＥＤ（organic light-emitting diode：有機発光ダイオード）表示パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ディスプレイパネルの薄型化や高輝度化や高速化を目的として、ＯＬＥＤ表示パネルの開発が進められている。このＯＬＥＤ表示パネルは、各画素が３原色（赤,青,緑）の光を夫々発光する少なくとも３個の有機化合物発光ダイオード（ＯＬＥＤ発光素子）から構成された表示パネルであり、機械的な動作がない為に反応速度が速く、各画素自体が発光する為に高輝度表示が可能になるとともに、バックライトが不要となる為に薄型化が可能になるので、次世代の表示パネルとして期待されている。
【０００３】
かかるＯＬＥＤ表示パネルは、一枚の基板（ＯＬＥＤ層形成基板）の上に、表示すべき映像の各画素に対応した多数のＯＬＥＤ発光素子をマトリクス状に形成するともに、その上に、外光の入射を防止する透明な対向基板を張り合わせた構造を有している。各ＯＬＥＤ発光素子は、基板側から順に、ＴＦＴ駆動回路層，反射電極，正孔注入層，正孔輸送層，有機ＥＬ発光層，電子輸送層，電子注入層，透明電極からなる。但し、実際の製造工程においては、広大な一枚のＯＬＥＤ層形成基板上に、同時に、複数パネル分のＯＬＥＤ発光素子群及び駆動回路の回路要素を形成し、しかる後に、ＯＬＥＤ表示パネル毎に切り出す。このようにして切り出された各ＯＬＥＤ表示パネルのＯＬＥＤ層形成基板上には、駆動回路を通じて上記反射電極や透明電極に夫々導通する多数の配線パターンが、ＯＬＥＤ表示パネルの側縁まで伸びるように、形成されている。かかる配線パターンは、基本的に、空気に曝されて酸化してしまうことを防止する為，あるいは、ショートサーキットを防止する為に、絶縁膜によって覆われる必要があるが、夫々の端部（ＯＬＥＤ表示パネルの側縁近傍の部分）は、電気接続用の端子電極として用いられるので、空気中に露出している必要がある。
このようにして、電気接続用の端子電極近傍の絶縁膜を除去するためのプロセスの具体的手法として、従来、以下に述べるような第１乃至第３の手法が提案されている。
第１の手法は、図１１（ａ：縦断面図）（ｂ：平面図）に示されるように、ＯＬＥＤ層形成基板１００の表面におけるＯＬＥＤ発光素子群の形成領域以外の領域（以下、本明細書において「額縁領域」という）上に、複数の端子電極１０１を形成した後に、一旦、当該ＯＬＥＤ表示パネルの全面を覆うように透明な絶縁膜１０２を形成し、その後、絶縁膜１０２の表面上にホトレジスト１０３を塗布し、ホトレジスト層１０３における絶縁膜１０２を残すべき部分に重なる部分のみを露光して現像するパターニングを行った後に、ホトレジスト層１０３をマスクとして、エッチングガス１０４を噴射することによって絶縁膜１０２をエッチングすることにより、図１２（ａ：縦断面図）（ｂ：平面図）に示されるように、側縁近傍の部分においてのみ当該絶縁膜を除去するというものである。
【０００４】
第２の手法は、下記特許文献１に開示された手法であり、図１３（ａ：縦断面図）（ｂ：平面図）に示されるように、ＯＬＥＤ層形成基板１００の表面における端子電極１０１を露出させるべき部分（以下、本明細書において「コネクタ領域」という）上に、個々のＯＬＥＤ発光素子間を絶縁するための有機絶縁膜と同じ有機絶縁材料からなる層（レーザ除去層）１０５をＯＬＥＤ発光素子中の有機発光層と同時に形成し、各ＯＬＥＤ発光素子が完成した後に、ＯＬＥＤ発光パネルの全面を覆うように透明な絶縁膜１０２を形成し、その後、レーザ除去層１０５を構成する有機絶縁材料に吸収されるレーザ光１０６をコネクタ領域に照射することによって、レーザ除去層１０５にアブレーションを発生させて、当該レーザ除去層１０５及び絶縁膜１０２における当該レーザ除去層１０５を覆う部分を破壊することにより、図１４（ａ：縦断面図）（ｂ：平面図）に示されるように、これらを同時に除去して、端子電極１０１を露出させるというものである。
第３の手法は、下記特許文献２に開示された手法であり、絶縁膜を機械的研削によって除去することにより、端子電極１０１を露出させるというものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１６５０６８号公報
【特許文献２】特公平６−７９５１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述した従来の絶縁膜の除去手法は、何れについても問題があり、実用的ではなかった。
例えば、第１の手法によると、ホトレジストの塗布、露光、現像、エッチング、ホトレジスト層の除去といった多数のプロセスを経なければならないので、製造装置が大掛かりとなり、処理時間も長くなるので、コストが高騰する。
また、第２及び第３の手法によると、絶縁膜１０２を破壊する物理作用が端子電極１０１にも及んでしまうので、端子電極１０１へのダメージを有効に防止し得ないという問題がある。
【０００７】
以上に鑑み、本発明の課題は、ＯＬＥＤ表示パネルの基板上の端子電極層を覆う絶縁膜を部分的に除去して、配線パターンの端部を端子電極として露出させるプロセスを、端子電極にダメージを生じさせることがない簡単なプロセスで実現できるＯＬＥＤ表示パネルの製造方法を、提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によるＯＬＥＤ表示パネルの製造方法の第１の態様は、端子電極から供給される信号に応じて画像を表示する表示領域を有するＯＬＥＤ表示パネルの製造方法であって、  基板の表面における所定領域内に端子電極を形成するとともに、当該所定領域の外側において相互に離間して対向する一対の表面弾性波発生用端子を両端に有する回路パターンを形成し、前記基板の表面に、前記端子電極ごと前記所定領域を覆うように、有機材料からなる剥離層を形成し、前記剥離層及び前記回路パターンごと前記基板の表面を覆うように、圧電材料からなる圧電性薄膜及び絶縁膜を順番に積層し、前記回路パターンに交流電圧を生じさせることにより前記一対の表面弾性波発生用端子間に充填された圧電材料に交流電圧を印加して、前記剥離層を前記基板の表面から剥離させることを、特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
以上のように構成された本発明によるＯＬＥＤ表示パネルの製造方法によれば、端子電極にダメージを生じさせることがない簡単なプロセスを通じて、ＯＬＥＤ表示パネルの基板上の端子電極層を覆う絶縁膜を部分的に除去して、配線パターンの端部を端子電極として露出させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施形態による絶縁膜除去前のＯＬＥＤパネルの縦断面図（ａ）及び平面図（ｂ）
【図２】表面弾性波素子の詳細平面図
【図３】図２の表面弾性波素子及び平面インダクタの等価回路図
【図４】第１の実施形態による絶縁膜除去後のＯＬＥＤパネルの縦断面図（ａ）及び平面図（ｂ）
【図５】表面弾性波素子の変形例
【図６】第２の実施形態による絶縁膜除去前のＯＬＥＤパネルの縦断面図（ａ）及び平面図（ｂ）
【図７】第２の実施形態による絶縁膜除去後のＯＬＥＤパネルの縦断面図（ａ）及び平面図（ｂ）
【図８】第３の実施形態によるＯＥＬＤパネルの平面図
【図９】第４の実施形態によるＯＥＬＤパネルの平面図
【図１０】第５の実施形態によるＯＥＬＤパネルの平面図
【図１１】従来技術（第１の手法）による絶縁膜除去前のＯＬＥＤパネルの縦断面図（ａ）及び平面図（ｂ）
【図１２】従来技術（第１の手法）による絶縁膜除去後のＯＬＥＤパネルの縦断面図（ａ）及び平面図（ｂ）
【図１３】従来技術（第２の手法）による絶縁膜除去前のＯＬＥＤパネルの縦断面図（ａ）及び平面図（ｂ）
【図１４】従来技術（第２の手法）による絶縁膜除去後のＯＬＥＤパネルの縦断面図（ａ）及び平面図（ｂ）
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面に基づいて、本発明によるＯＬＥＤ表示パネルの製造方法を実施するための最良の形態を説明する。下記の各実施形態は、ＯＬＥＤ表示パネルを構成するＯＬＥＤ層形成基板１の表面における絶縁膜３を剥離すべきコネクタ部１ａにおいては、ＯＬＥＤ層形成基板１及び端子電極４ａと絶縁膜３との間に、有機ＥＬ発光層と同じ有機材料からなる層（ＯＬＥＤ層）である剥離層６を形成しておくともに、当該コネクタ部１ａの外側に、表面弾性波素子５（図３参照）を形成しておき、当該表面弾性波素子５に対して外部からの電磁誘導により高周波電圧を供給することにより、当該表面弾性波素子５から超音波振動を発生させ、当該超音波振動によって剥離層６をＯＬＥＤ層形成基板１の表面及び端子電極４ａの表面から剥離させ、当該剥離層６と共に、絶縁膜３における当該剥離層６に重なっている部分を除去するというものである。
【００１２】
なお、ＯＬＥＤ表示パネルにおける各ＯＬＥＤ発光素子の構造は、従来のものと同様であり、ＯＬＥＤ層形成基板１の表面上に、ＴＦＴ駆動回路層，反射電極，正孔注入層，正孔輸送層，有機ＥＬ発光層，電子輸送層，電子注入層，透明電極，絶縁膜を、順番に積層させた構造を有している。これは、トップエミッション型と称される構造であるが、本発明は、上述した積層順序とは逆の順番に各層を積層してなる所謂ボトムエミッション型のＯＬＥＤ発光素子を有するＯＬＥＤ表示パネルにも、適用可能である。
【００１３】
（実施形態１）
図４に、本発明の第１の実施形態による製造方法によって製造されるＯＬＥＤ表示パネルのコネクタ領域１ａ近傍の縦断面（ａ）及び平面図（ｂ）を示す。
【００１４】
図４（ａ）に示すように、ＯＬＥＤ表示パネル１の額縁領域におけるコネクタ領域１ａの周辺部分１ｂは、ＯＬＥＤ層形成基板１の表面上に圧電性薄膜２が形成され、その表面上に絶縁膜３が形成された構造を有する。他方、図４（ｂ）に示すように、ＯＬＥＤ表示パネル１の外縁の一部に接する矩形状に形成されたコネクタ領域１ａにおいては、ＯＬＥＤ層形成基板１の表面は外気に露出されており、上述した圧電性薄膜２及び絶縁膜３は存在しない。このコネクタ領域１ａにおけるＯＬＥＤ層形成基板１の表面には、図示せぬドライバ回路及び各ＯＬＥＤ発光素子のＴＦＴ駆動回路層を通じて反射電極に導通したり透明電極に導通する多数の配線パターン４の端部が、端子電極４ａとして、ストライプ状に形成されている。
【００１５】
図１は、上述した構造を有するＯＬＥＤ表示パネル１の製造過程中の所定段階（コネクタ領域１ａから圧電性薄膜２及び絶縁膜３を除去する直前）における額縁領域の構造を示す縦断面図（ａ）及び平面図（ｂ）である。
【００１６】
図１から理解されるように、ＯＬＥＤ表示パネル１の額縁領域では、先ず、ＯＬＥＤ層形成基板１の表面に、金属薄膜によって、端部が端子電極４ａとなる多数の配線パターン４が、形成される。この配線パターン４は、各ＯＬＥＤ表示素子のＴＦＴ駆動回路層を形成するための一部プロセスと同時に、形成される。なお、このプロセスを含むＴＦＴ駆動回路層の製造プロセスにおいては、同時に、上述した表面弾性波素子を構成する回路パターン５０が、ＯＬＥＤ層形成基板１の表面におけるコネクタ領域１ａの外側（ＯＬＥＤ表示パネル１の外縁と平行な方向におけるコネクタ領域１ａに隣接する位置）に、端子電極４と同材料の金属薄膜によって形成される。
【００１７】
図２は、この表面弾性波素子５を構成する回路パターン５０の詳細構造を示す平面図である。
【００１８】
図２に示されるように、この回路パターン５０は、先端が櫛歯状に分離した一対の櫛歯電極５１，５２，及び渦巻き状平面インダクタ５３から、構成されている。そして、両櫛歯電極５１，５２は、ＯＬＥＤ層形成基板１の表面上において、夫々の４本の櫛歯状先端５１ａ，５２ａが相互に平行且つ互い違いとなるように、しかも、両者間が離間するように、配置されている。なお、両櫛歯電極５１，５２は、各櫛歯状先端５１ａ，５２ａの長手方向中央において夫々直交する一本の直線上にコネクタ領域１ａ（及び各端子電極４ａ）が存在することとなる位置及び向きに、配置される。
【００１９】
渦巻き状平面インダクタ５３は、両櫛歯電極５１，５２が形成された層とは図示せぬ絶縁膜を挟んで重なる層に形成された、渦巻き状に巻回されたコイル（インダクタ）である。但し、図１及び図４では、渦巻き状平面インダクタ５３の図示は省略されている。この渦巻き状平面インダクタ５３の外端５３ａは、コンタクトホール５４を通じて、一方の櫛歯電極５２の基端に導通している。また、渦巻き状平面インダクタ５３の内端５３ｂは、コンタクトホール５５を通じて、他方の櫛歯電極５１の基端に導通している。
【００２０】
図１に戻り、ＯＬＥＤ層形成基板１の表面におけるコネクタ領域１ａは、各配線パターン４の先端の各端子電極４ａごと、剥離層６によって覆われる。この剥離層６は、各ＯＬＥＤ表示素子の有機ＥＬ発光層を形成するためのプロセスと同時に、同材料により、形成される。なお、この剥離層６は、周辺部１ｂには形成されない。
【００２１】
上述した圧電性薄膜２は、剥離層６と共にＯＬＥＤ層形成基板１の表面における額縁領域の全体を覆うように、これら剥離層６及びＯＬＥＤ層形成基板１に重ねて形成される。この圧電薄膜２は、チタン酸バリウム，ジルコン酸チタン酸鉛、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム等の圧電係数の高い圧電材料からなる。この圧電性薄膜２の材料が、上述した両櫛歯電極５１，５２の櫛歯状先端５１ａ，５２ａの間隙に入り込むことにより、両者の組み合わせからなる表面弾性波素子５が、構成される。
【００２２】
上述した絶縁膜３は、ＳｉＮからなる薄膜であり、圧電性薄膜２の表面上に形成されている。
【００２３】
以上のように各層を形成し終わった後に、作業者は、図３の等価回路図に示される構造を有する高周波交流磁界発生装置７を、絶縁膜３及び圧電性薄膜２の上から渦巻き状平面インダクタ５３に近づける。図３に示すように、この高周波交流磁界発生装置７は、スイッチ７１を介して高周波電源７２にコイル（ヘッダ）７３を接続した回路構成を有している。従って、操作者がスイッチ７１を閉じると、高周波電流がヘッダ７３を流れるので、ヘッダ７３から高周波交流磁界が発生する。この高周波交流磁界が渦巻き状平面インダクタ５３の巻線と交差することにより、ヘッダ７３と渦巻き状平面インダクタ５３との間の相互インダクタンスがトランスとして作用して、当該渦巻き状平面インダクタ５３に高周波交流電圧が誘導され、両櫛歯電極５１，５２間に印加される。これら両櫛歯電極５１，５２と圧電性薄膜２との組み合わせによって構成される表面弾性波素子５は、図３の等価回路図に示すように、並列接続された抵抗Ｒ及び容量Ｃと等価である。ここで、容量Ｃは、櫛歯電極５１，５２間の静電容量に対応し、抵抗Ｒは、両電極５１，５２間の漏れ抵抗成分に対応する。そして、高周波交流電圧を印加された両櫛歯電極５１，５２間に介在する圧電性薄膜２の材料は、印加される電圧の極性が反転する毎に歪むので、当該圧電性薄膜２及びＯＬＥＤ層形成基板１を媒質として、各櫛歯状先端５１ａ，５２ａの長手方向に直交する方向（各櫛歯状先端５１ａ，５２ａが並ぶ方向）に伝搬する高周波の表面弾性波（超音波振動）を発生させる。
【００２４】
ここで、上述したように、表面弾性波（超音波振動）が進む先には、コネクタ領域１ａが在るので、当該コネクタ領域１ａ上に形成されている剥離層６にも当該表面弾性波が伝導する。この剥離層６を構成する有機材料は、ＯＬＥＤ層形成基板１の材料であるガラス及び端子電極４ａの材料である金属よりも軟らかいので、剥離層６とＯＬＥＤ層形成基板１及び端子電極４ａとで音響インピーダンスが相違する。そのため、両者の界面を表面弾性波（超音波振動）が通過する際に、当該界面にて圧縮波と膨張波が生じ、比較的硬度の低い剥離層６の機械的破壊が生じ、剥離層６がＯＬＥＤ層形成基板１及び端子電極４ａから剥離する。これとともに、圧電性薄膜２及び絶縁膜３における剥離層６上に形成された部分も、剥離層６と一緒にコネクタ領域１ａから除去されるのである。
【００２５】
このようにして、コネクタ領域１ａの全体から剥離層６，圧電性薄膜２及び絶縁膜３が除去された時点で、スイッチ７１を開くか、高周波交流磁界発生装置７を表面弾性波素子５から離すことにより、櫛歯電極５１，５２に対する高周波電圧の印加を中止すると、図４に示すように、各端子電極４ａがコネクタ領域１ａ内に露出された状態となる。
【００２６】
以上に説明した剥離層６，圧電性薄膜２及び絶縁膜３の除去工程の間、端子電極４ａの付近で気流吸引をしておけば、剥離した剥離層６及び絶縁膜３の破片がＯＬＥＤ表示パネル上を汚染することを防止することができる。
【００２７】
以上に説明した本実施形態のＯＬＥＤ表示パネルの製造方法によると、上述した従来技術の第１の手法と比較して、電子電極４ａ上の絶縁膜３を除去するために、ホトレジスト塗布，パターニング，エッチング，ホトレジスト除去といった煩雑な工程が不要であるので、コスト低減が可能である。また、上述した従来技術の第２の手法と比較して、剥離層６が絶縁膜３と共に除去された後に、端子電極４ａにダメージが生じない（即ち、ＯＬＥＤ層形成基板１及び電子電極４ａの音響インピーダンスが近似しているので、超音波振動による破砕が生じない）という効果がある。また、外部から非接触で表面弾性波素子５を駆動できるため、絶縁膜３がＯＬＥＤ層形成基板１の全面を覆っていても問題がない。
【００２８】
なお、くし歯電極５１，５２における各櫛歯状先端５１ａ，５１ｂの幅，間隔，長さ，本数などは、高周波電圧の周波数や使用する圧電性薄膜２の材料の高周波電圧から表面弾性波への変換効率等に応じて、設計されればよい。
【００２９】
また、高周波交流磁界発生装置７のヘッダ７３と渦巻き状平面インダクタ５３との間の相互インダクタンス，渦巻き状平面インダクタ５３のインダクタンス，櫛歯電極５１，５２間の静電容量Ｃと漏れ抵抗成分Ｒ，高周波電源電圧７２が発生する交流電圧の等の大きさも、各素子の寸法や、印加する超音波振動の周波数や、圧電性薄膜２の材料の高周波電圧から表面弾性波への変換効率や、発生すべき表面弾性波の強さなどに応じて、設計されればよい。
＜変形例＞
【００３０】
図５は、本実施形態における表面弾性波素子５を構成する配線パターン５０の変形例を示す平面図である。即ち、図５に示す変形例は、図２における渦巻き状平面インダクタ５３の代わりに、ループアンテナ５４を用いたものである。この変形例によると、図２における渦巻き状平面インダクタ５３と比較して巻数が１／５となるので、その分だけ、相互インダクタンスが小さくなるが、ループアンテナ５４を両櫛歯電極５１，５２と同一平面上に同時に形成することができるので、製造プロセスをより簡略化することができる。
（実施形態２）
【００３１】
図６に、本発明の第２の実施形態による製造方法による絶縁膜３の除去前におけるＯＬＥＤ表示パネルのコネクタ領域近傍の縦断面（ａ）及び平面図（ｂ）を示し、図７に、絶縁膜３の除去後におけるＯＬＥＤ表示パネルのコネクタ領域近傍の縦断面（ａ）及び平面図（ｂ）を示す。
【００３２】
これら図６及び図７を第１実施形態における図１及び図４と比較すれば明らかな通り、本第２実施形態では、ＯＬＥＤ層形成基板１の表面におけるコネクタ領域１ａの両側（ＯＬＥＤ表示パネル１の外縁と平行な方向においてコネクタ領域１ａを挟む二つの位置）に、夫々表面弾性波素子５を構成する回路パターン５０，５０が形成されていることを特徴とする。勿論、これら二つの回路パターン５０，５０は、それぞれを構成する一対の櫛歯電極５１，５２における各櫛歯状先端５１ａ，５２ａの長手方向に直交する方向（即ち、表面弾性波が伝搬する方向）の先にコネクタ領域１ａが存在することになる向きに、形成されている。
【００３３】
本第２実施形態によると、表面弾性波素子５を構成する回路パターン５０が一か所にのみ形成される第１実施形態と比較して、一方の表面弾性波素子５の回路パターン５０から遠方に存する端子電極４ａ上の剥離層６にも、超音波振動を十分に伝搬することができるので、コネクタ領域１ａの幅を拡大しても、剥離層６の剥離，及び、これに伴う圧電性薄膜２及び絶縁膜３の除去が不完全となる虞を、低減することができる。
【００３４】
本第２実施形態におけるその他の構成及び効果は、上述した第１実施形態のものと全く同じであるので、その説明を省略する。
（実施形態３）
【００３５】
図８に、本発明の第３の実施形態による製造方法による絶縁膜３の除去前におけるＯＬＥＤ表示パネルのコネクタ領域近傍の平面図を示す。
【００３６】
図８から明らかなように、本第３実施形態は、剥離層６の剥離，及び、これに伴う圧電性薄膜２及び絶縁膜３の除去がなされて端子電極４ａが露出されるコネクタ領域１ａが、ＯＬＥＤ表示パネルの外縁よりも内側に形成されている点，複数の端子電極４ａの夫々に対応して、端子電極４ａと同数の表面弾性波素子５の回路パターン５０が形成されている点，各回路パターン５０が、それぞれを構成する一対の櫛歯電極５１，５２における各櫛歯状先端５１ａ，５２ａの長手方向に直交する方向（即ち、表面弾性波が伝搬する方向）の先に対応する端子電極４ａが存在することになる向きに形成されている点,そのため、各表面弾性波素子５の回路パターン５０が、コネクタ領域１ａとＯＬＥＤ表示パネルの外縁との間に形成されている点において、上述した第１実施形態と異なる。
【００３７】
以上のように構成された本第８実施形態によると、何れの端子電極４ａ上においても、均等に、剥離層６に対して表面弾性波（超音波振動）が伝搬される。また、表面弾性波（超音波振動）が伝搬しなければならない距離が短くて済むため、各表面弾性波素子５から出力される表面弾性波（超音波振動）が弱くてもほとんど減衰せず、端子電極４ａ上の剥離層６を剥離することができ、同時に、圧電性薄膜２及び絶縁膜３の当該剥離層６に重なる部分を、選択的に除去できる。このため、ＯＬＥＤ表示パネルのコネクタ領域１ａ以外の領域への表面弾性波（超音波振動）によるダメージを低減することができる。また、印加した高周波電圧から表面弾性波（超音波振動）への変換効率に余裕があってもよいことにもなるため、使用可能な圧電性薄膜２の材料の種類の選択枝が増える。これにより、ＯＬＥＤ表示パネルの製造プロセスや信頼性に適合した圧電性薄膜２の材料を、用いることが容易になる。
【００３８】
本第３実施例では１個の端子電極４ａに１個の表面弾性波素子５の回路パターン５０を設けたが、複数の端子電極４ａを複数のブロックに分割して、１ブロック毎に１個の表面弾性波素子５の回路パターン５０を設けてもよい。これにより、幅が狭い端子電極４ａにも、対応できる。
【００３９】
本第３実施形態におけるその他の構成及び効果は、上述した第１実施形態のものと全く同じであるので、その説明を省略する。
（実施形態４）
【００４０】
図９に、本発明の第４の実施形態による製造方法による絶縁膜３の除去前におけるＯＬＥＤ表示パネルのコネクタ領域近傍の平面図を示す。
【００４１】
図９から明らかなように、本第４実施形態は、上述した第３実施形態と比較して、コネクタ領域１ａから剥離層６を剥離して、圧電性薄膜２及び絶縁膜３を除去した後に、ＯＬＥＤ層形成基板１を、コネクタ領域１ａと表面弾性波素子５の回路パターン５０との間に設定された切断線８に沿って切断することにより、製品としてのＯＬＥＤ表示パネルに表面弾性波素子５の回路パターン５０を残存させないことを、特徴としている。
【００４２】
以上のような特徴を有する本第４実施形態によると、製品としてのＯＬＥＤ表示パネル内のコネクタ領域１ａの周辺に、表面弾性波素子５の回路パターン５０を残存させる必要がないため、額縁領域が小さい為に付加価値の高いＯＬＥＤ表示パネルの製品を、提供することができる。
【００４３】
本第４実施形態におけるその他の構成及び効果は、上述した第３実施形態及び第１実施形態のものと全く同じであるので、その説明を省略する。
（実施形態５）
【００４４】
図１０に、本発明の第５の実施形態による製造方法による絶縁膜３の除去前におけるＯＬＥＤ表示パネルのコネクタ領域近傍の平面図を示す。
図１０から明らかなように、本第５実施形態では、一枚のＯＬＥＤ層形成基板１の上に複数のＯＬＥＤ表示パネルの構成要素が並べて形成され、コネクタ領域１ａから剥離層６を剥離して、圧電性薄膜２及び絶縁膜３を除去した後に、両ＯＬＥＤ表示パネルの間に設定された分離線９に沿って、両ＯＬＥＤ表示パネルが分離される。
【００４５】
本第５実施形態では、上述した第１実施形態と同様に、一個のＯＬＥＤ表示パネル毎に、一つの表面弾性波素子５の回路パターン５０が、ＯＬＥＤ層形成基板１の外縁と平行な方向におけるコネクタ領域１ａに隣接する位置に、形成されている。即ち、表面弾性波（超音波振動）が伝搬する方向に複数のＯＬＥＤ表示パネルのコネクタ領域１ａが連なっている。
【００４６】
そして、この状態で、各ＯＬＥＤ表示パネルの表面弾性波素子５を駆動して、各ＯＬＥＤ表示パネルのコネクタ領域１ａにおける端子電極４ａ上の絶縁膜３を剥離する。図１０に図示した例は２個のＯＬＥＤ表示パネルが連なった例であるが、表面弾性波（超音波振動）が伝搬する限り、それ以上の個数が連なっていてもよい。これにより，複数のパネルを同時に処理することができるため、工程時間を短縮してコストを低減するのみ、有効である。
【符号の説明】
【００４７】
１                          ＯＬＥＤ層形成基板
２                          圧電性薄膜
３                          絶縁膜
４ａ                        端子電極
５                          表面弾性波素子
６                          剥離層
７                          高周波交流磁界発生装置
５０                        回路パターン
５１                        櫛歯電極
５２                        櫛歯電極
５３                        渦巻き状平面インダクタ
５４                        ループアンテナ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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