(57)【要約】【課題】ＬＥＤ素子パッケージを薄型にすることが可能であるとともに、ＬＥＤ素子からの光の反射方向を制御することが可能な、ＬＥＤ素子載置部材およびその製造方法、ならびにＬＥＤ素子パッケージおよびその製造方法を提供する。【解決手段】ＬＥＤ素子載置部材２０は、ＬＥＤ素子１１を載置するためのものであり、中央に位置するＬＥＤ素子載置領域２１と、ＬＥＤ素子載置領域２１の周縁に位置する周縁領域２２とを備えている。ＬＥＤ素子載置領域２１および周縁領域２２は、周縁領域２２からＬＥＤ素子載置領域２１に向かって下方へ落ち込む凹部２３を形成している。ＬＥＤ素子載置領域２１および周縁領域２２の表面は、ＬＥＤ素子１１からの光を反射するための反射面として機能するようになっている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コアレス型ＬＥＤ素子パッケージを構成するために設けられ、ＬＥＤ素子を載置するためのＬＥＤ素子載置部材において、
中央に位置するＬＥＤ素子載置領域と、
ＬＥＤ素子載置領域の周縁に位置する周縁領域とを備え、
ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって下方へ落ち込む凹部を形成し、
ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域の表面は、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射面として機能することを特徴とするＬＥＤ素子載置部材。
【請求項２】
コアレス型ＬＥＤ素子パッケージを構成するために設けられ、ＬＥＤ素子を載置するためのＬＥＤ素子載置部材において、
中央に位置するＬＥＤ素子載置領域と、
ＬＥＤ素子載置領域の周縁に位置する周縁領域とを備え、
ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって上方へ盛り上がった凸部を形成し、
ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域の表面は、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射面として機能することを特徴とするＬＥＤ素子載置部材。
【請求項３】
ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、めっきにより形成されていることを特徴とする請求項１または２記載のＬＥＤ素子載置部材。
【請求項４】
ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、本体めっき層と、この本体めっき層上に形成された反射用めっき層とを有することを特徴とする請求項３記載のＬＥＤ素子載置部材。
【請求項５】
周縁領域から側方に向けて突出する突起部が設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項記載のＬＥＤ素子載置部材。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項記載のＬＥＤ素子載置部材と、
ＬＥＤ素子載置部材を支持する基板とを備えたことを特徴とするＬＥＤ素子載置基板。
【請求項７】
コアレス型ＬＥＤ素子パッケージにおいて、
ＬＥＤ素子載置部材と、
ＬＥＤ素子載置部材上に載置されたＬＥＤ素子と、
ＬＥＤ素子載置部材周囲に設けられた配線導体と、
配線導体とＬＥＤ素子とを電気的に接続する導電部と、
ＬＥＤ素子載置部材、ＬＥＤ素子、配線導体、および導電部を封止する封止樹脂部とを備え、
ＬＥＤ素子載置部材は、中央に位置するＬＥＤ素子載置領域と、ＬＥＤ素子載置領域の周縁に位置する周縁領域とを有し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって下方へ落ち込む凹部を形成し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域の表面は、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射面として機能することを特徴とするＬＥＤ素子パッケージ。
【請求項８】
コアレス型ＬＥＤ素子パッケージにおいて、
ＬＥＤ素子載置部材と、
ＬＥＤ素子載置部材上に載置されたＬＥＤ素子と、
ＬＥＤ素子載置部材周囲に設けられた配線導体と、
配線導体とＬＥＤ素子とを電気的に接続する導電部と、
ＬＥＤ素子載置部材、ＬＥＤ素子、配線導体、および導電部を封止する封止樹脂部とを備え、
ＬＥＤ素子載置部材は、中央に位置するＬＥＤ素子載置領域と、ＬＥＤ素子載置領域の周縁に位置する周縁領域とを有し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって上方へ盛り上がった凸部を形成し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域の表面は、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射面として機能することを特徴とするＬＥＤ素子パッケージ。
【請求項９】
ＬＥＤ素子載置部材のＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、めっきにより形成されていることを特徴とする請求項７または８記載のＬＥＤ素子パッケージ。
【請求項１０】
ＬＥＤ素子載置部材のＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、本体めっき層と、この本体めっき層上に形成された反射用めっき層とを有することを特徴とする請求項９記載のＬＥＤ素子パッケージ。
【請求項１１】
ＬＥＤ素子載置部材の周縁領域から側方に向けて突出する突起部が設けられていることを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか一項記載のＬＥＤ素子パッケージ。
【請求項１２】
コアレス型ＬＥＤ素子パッケージを製造するために用いられるＬＥＤ素子載置基板の製造方法において、
支持部材として機能する基板を準備する工程と、
基板の表面に、所望パターンを有するレジストを設ける工程と、
基板の表面側にめっきを施し、ＬＥＤ素子を載置するためのＬＥＤ素子載置部材を形成する工程と、
基板の表面側のレジストを剥離する工程とを備え、
ＬＥＤ素子載置部材は、中央に位置するＬＥＤ素子載置領域と、ＬＥＤ素子載置領域の周縁に位置する周縁領域とを有し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって下方へ落ち込む凹部を形成し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域の表面は、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射面として機能することを特徴とするＬＥＤ素子載置基板の製造方法。
【請求項１３】
コアレス型ＬＥＤ素子パッケージを製造するために用いられるＬＥＤ素子載置基板の製造方法において、
支持部材として機能する基板を準備する工程と、
基板の表面に、所望パターンを有するレジストを設ける工程と、
基板の表面側にめっきを施し、ＬＥＤ素子を載置するためのＬＥＤ素子載置部材を形成する工程と、
基板の表面側のレジストを剥離する工程とを備え、
ＬＥＤ素子載置部材は、中央に位置するＬＥＤ素子載置領域と、ＬＥＤ素子載置領域の周縁に位置する周縁領域とを有し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって上方へ盛り上がった凸部を形成し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域の表面は、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射面として機能することを特徴とするＬＥＤ素子載置基板の製造方法。
【請求項１４】
ＬＥＤ素子載置部材を形成する工程の後、基板の裏面側にエッチングを施すことにより、基板を所定の外形形状にするとともに、基板に搬送用穴を形成する工程が設けられていることを特徴とする請求項１２または１３記載のＬＥＤ素子載置基板の製造方法。
【請求項１５】
コアレス型ＬＥＤ素子パッケージの製造方法において、
支持部材として機能する基板を準備する工程と、
基板の表面に、所望パターンを有するレジストを設ける工程と、
基板の表面側にめっきを施し、ＬＥＤ素子を載置するためのＬＥＤ素子載置部材と、ＬＥＤ素子載置部材周囲に設けられた配線導体とを形成する工程と、
基板の表面側のレジストを剥離する工程と、
ＬＥＤ素子載置部材上にＬＥＤ素子を搭載する工程と、
ＬＥＤ素子と配線導体とを導電部により接続する工程と、
基板上のＬＥＤ素子載置部材、配線導体、ＬＥＤ素子、および導電部を封止樹脂により樹脂封止して封止樹脂部を形成する工程と、
支持部材として機能する基板を封止樹脂部から除去する工程とを備え、
ＬＥＤ素子載置部材は、中央に位置するＬＥＤ素子載置領域と、ＬＥＤ素子載置領域の周縁に位置する周縁領域とを有し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって下方へ落ち込む凹部を形成し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域の表面は、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射面として機能することを特徴とするＬＥＤ素子パッケージの製造方法。
【請求項１６】
コアレス型ＬＥＤ素子パッケージの製造方法において、
支持部材として機能する基板を準備する工程と、
基板の表面に、所望パターンを有するレジストを設ける工程と、
基板の表面側にめっきを施し、ＬＥＤ素子を載置するためのＬＥＤ素子載置部材と、ＬＥＤ素子載置部材周囲に設けられた配線導体とを形成する工程と、
基板の表面側のレジストを剥離する工程と、
ＬＥＤ素子載置部材上にＬＥＤ素子を搭載する工程と、
ＬＥＤ素子と配線導体とを導電部により接続する工程と、
基板上のＬＥＤ素子載置部材、配線導体、ＬＥＤ素子、および導電部を封止樹脂により樹脂封止して封止樹脂部を形成する工程と、
支持部材として機能する基板を封止樹脂部から除去する工程とを備え、
ＬＥＤ素子載置部材は、中央に位置するＬＥＤ素子載置領域と、ＬＥＤ素子載置領域の周縁に位置する周縁領域とを有し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって上方へ盛り上がった凸部を形成し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域の表面は、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射面として機能することを特徴とするＬＥＤ素子パッケージの製造方法。
【請求項１７】
ＬＥＤ素子載置部材と配線導体とを形成する工程の後、基板の裏面側にエッチングを施すことにより、基板を所定の外形形状にするとともに、基板に搬送用穴を形成する工程が設けられていることを特徴とする請求項１５または１６記載のＬＥＤ素子パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤ素子載置部材、ＬＥＤ素子載置基板およびその製造方法、ならびにＬＥＤ素子パッケージおよびその製造方法に係り、とりわけ薄型にすることが可能であるとともに、ＬＥＤ素子からの光の反射方向を制御することが可能な、ＬＥＤ素子載置部材、ＬＥＤ素子載置基板およびその製造方法、ならびにＬＥＤ素子パッケージおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ＬＥＤ（発光ダイオード）素子を光源として用いる照明装置が、各種家電、ＯＡ機器、車両機器の表示灯、一般照明、車載照明、およびディスプレイ等に用いられている。このような照明装置の中には、ＬＥＤ素子を有するＬＥＤ素子パッケージを含むものがある。
【０００３】
このようなＬＥＤ素子パッケージのうち、液晶バックライトに使用されるものについては、パッケージの厚みを薄くすることが求められる。また、ＬＥＤ素子パッケージのうち照明に使用されるものについても、光の拡散のために薄型化を図ることが重要である。
【０００４】
またＬＥＤ素子パッケージにおいては、ＬＥＤ素子からの光の反射特性を制御することが重要となる。例えば、ＬＥＤ素子からの光の照射方向を前面（発光面）に向けて集中させること、あるいは、逆にＬＥＤ素子からの光の照射方向をＬＥＤ素子パッケージ全体に拡散させる等、光の反射特性を制御することが重要となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開昭６２−２３２９７６号公報
【特許文献２】特開２００２−３１４１３７号公報
【特許文献３】特公平４−４７９７７号公報
【特許文献４】特開２００１−３５８２５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＬＥＤ素子パッケージとして、従来より例えば特許文献１−２に記載されたものが知られている。しかしながら、このようなＬＥＤ素子パッケージにおいては、ＬＥＤ素子がリードフレーム上に設けられているため、全体の厚みが例えば２〜３ｍｍ程度と厚くなってしまうため、薄型化を図ることが難しい。
【０００７】
またリフレクター付のＬＥＤ素子パッケージも存在するが、リフレクター付のＬＥＤ素子パッケージにおいては、高い輝度を得るために大きな電流をＬＥＤ素子に加えることが必要となる。しかしながら、電流を増加させた場合、ＬＥＤ素子からの発熱が増えるため、この発熱によりＬＥＤ素子が破壊されることが問題となる。さらに、リフレクター付のＬＥＤ素子パッケージにおいては、リフレクターを作製するために別個の工程が必要となるため、製造コストが増加してしまう。
【０００８】
一方、特許文献３−４には、コアレス型半導体パッケージが開示されている。コアレス型半導体パッケージは、半導体パッケージの薄型化および放熱特性の向上という２点の課題を解決するために開発された半導体パッケージの形態である。リードフレームやインタポーザと呼ばれる内部配線基板などのコア部材は、単体で搬送や加工可能な形状と、機械的強度とを維持するため一定の厚さを有している。完成後のコアレス型半導体パッケージには、リードフレームや内部配線基板（インタポーザと呼ばれる）等のコア部材が含まれていないため（コアレス）、半導体パッケージの薄型化が可能となっている。
【０００９】
しかしながら、このような薄型のコアレス型半導体パッケージにおいては、半導体チップ載置部の表面が平坦であるため、仮に半導体素子としてＬＥＤ素子を用いた場合、ＬＥＤ素子からの光の反射方向を制御できないという問題がある。
【００１０】
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、ＬＥＤ素子パッケージを薄型にすることが可能であるとともに、ＬＥＤ素子からの光の反射方向を制御することが可能な、ＬＥＤ素子載置部材、ＬＥＤ素子載置基板およびその製造方法、ならびにＬＥＤ素子パッケージおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、コアレス型ＬＥＤ素子パッケージを構成するために設けられ、ＬＥＤ素子を載置するためのＬＥＤ素子載置部材において、中央に位置するＬＥＤ素子載置領域と、ＬＥＤ素子載置領域の周縁に位置する周縁領域とを備え、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって下方へ落ち込む凹部を形成し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域の表面は、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射面として機能することを特徴とするＬＥＤ素子載置部材である。
【００１２】
本発明は、コアレス型ＬＥＤ素子パッケージを構成するために設けられ、ＬＥＤ素子を載置するためのＬＥＤ素子載置部材において、中央に位置するＬＥＤ素子載置領域と、ＬＥＤ素子載置領域の周縁に位置する周縁領域とを備え、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって上方へ盛り上がった凸部を形成し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域の表面は、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射面として機能することを特徴とするＬＥＤ素子載置部材である。
【００１３】
本発明は、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、めっきにより形成されていることを特徴とするＬＥＤ素子載置部材である。
【００１４】
本発明は、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、本体めっき層と、この本体めっき層上に形成された反射用めっき層とを有することを特徴とするＬＥＤ素子載置部材である。
【００１５】
本発明は、周縁領域から側方に向けて突出する突起部が設けられていることを特徴とするＬＥＤ素子載置部材である。
【００１６】
本発明は、ＬＥＤ素子載置部材と、ＬＥＤ素子載置部材を支持する基板とを備えたことを特徴とするＬＥＤ素子載置基板である。
【００１７】
本発明は、コアレス型ＬＥＤ素子パッケージにおいて、ＬＥＤ素子載置部材と、ＬＥＤ素子載置部材上に載置されたＬＥＤ素子と、ＬＥＤ素子載置部材周囲に設けられた配線導体と、配線導体とＬＥＤ素子とを電気的に接続する導電部と、ＬＥＤ素子載置部材、ＬＥＤ素子、配線導体、および導電部を封止する封止樹脂部とを備え、ＬＥＤ素子載置部材は、中央に位置するＬＥＤ素子載置領域と、ＬＥＤ素子載置領域の周縁に位置する周縁領域とを有し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって下方へ落ち込む凹部を形成し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域の表面は、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射面として機能することを特徴とするＬＥＤ素子パッケージである。
【００１８】
本発明は、コアレス型ＬＥＤ素子パッケージにおいて、ＬＥＤ素子載置部材と、ＬＥＤ素子載置部材上に載置されたＬＥＤ素子と、ＬＥＤ素子載置部材周囲に設けられた配線導体と、配線導体とＬＥＤ素子とを電気的に接続する導電部と、ＬＥＤ素子載置部材、ＬＥＤ素子、配線導体、および導電部を封止する封止樹脂部とを備え、ＬＥＤ素子載置部材は、中央に位置するＬＥＤ素子載置領域と、ＬＥＤ素子載置領域の周縁に位置する周縁領域とを有し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって上方へ盛り上がった凸部を形成し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域の表面は、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射面として機能することを特徴とするＬＥＤ素子パッケージである。
【００１９】
本発明は、ＬＥＤ素子載置部材のＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、めっきにより形成されていることを特徴とするＬＥＤ素子パッケージである。
【００２０】
本発明は、ＬＥＤ素子載置部材のＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、本体めっき層と、この本体めっき層上に形成された反射用めっき層とを有することを特徴とするＬＥＤ素子パッケージである。
【００２１】
本発明は、ＬＥＤ素子載置部材の周縁領域から側方に向けて突出する突起部が設けられていることを特徴とするＬＥＤ素子パッケージである。
【００２２】
本発明は、コアレス型ＬＥＤ素子パッケージを製造するために用いられるＬＥＤ素子載置基板の製造方法において、支持部材として機能する基板を準備する工程と、基板の表面に、所望パターンを有するレジストを設ける工程と、基板の表面側にめっきを施し、ＬＥＤ素子を載置するためのＬＥＤ素子載置部材を形成する工程と、基板の表面側のレジストを剥離する工程とを備え、ＬＥＤ素子載置部材は、中央に位置するＬＥＤ素子載置領域と、ＬＥＤ素子載置領域の周縁に位置する周縁領域とを有し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって下方へ落ち込む凹部を形成し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域の表面は、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射面として機能することを特徴とするＬＥＤ素子載置基板の製造方法である。
【００２３】
本発明は、コアレス型ＬＥＤ素子パッケージを製造するために用いられるＬＥＤ素子載置基板の製造方法において、支持部材として機能する基板を準備する工程と、基板の表面に、所望パターンを有するレジストを設ける工程と、基板の表面側にめっきを施し、ＬＥＤ素子を載置するためのＬＥＤ素子載置部材を形成する工程と、基板の表面側のレジストを剥離する工程とを備え、ＬＥＤ素子載置部材は、中央に位置するＬＥＤ素子載置領域と、ＬＥＤ素子載置領域の周縁に位置する周縁領域とを有し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって上方へ盛り上がった凸部を形成し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域の表面は、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射面として機能することを特徴とするＬＥＤ素子載置基板の製造方法である。
【００２４】
本発明は、ＬＥＤ素子載置部材を形成する工程の後、基板の裏面側にエッチングを施すことにより、基板を所定の外形形状にするとともに、基板に搬送用穴を形成する工程が設けられていることを特徴とするＬＥＤ素子載置基板の製造方法である。
【００２５】
本発明は、コアレス型ＬＥＤ素子パッケージの製造方法において、支持部材として機能する基板を準備する工程と、基板の表面に、所望パターンを有するレジストを設ける工程と、基板の表面側にめっきを施し、ＬＥＤ素子を載置するためのＬＥＤ素子載置部材と、ＬＥＤ素子載置部材周囲に設けられた配線導体とを形成する工程と、基板の表面側のレジストを剥離する工程と、ＬＥＤ素子載置部材上にＬＥＤ素子を搭載する工程と、ＬＥＤ素子と配線導体とを導電部により接続する工程と、基板上のＬＥＤ素子載置部材、配線導体、ＬＥＤ素子、および導電部を封止樹脂により樹脂封止して封止樹脂部を形成する工程と、支持部材として機能する基板を封止樹脂部から除去する工程とを備え、ＬＥＤ素子載置部材は、中央に位置するＬＥＤ素子載置領域と、ＬＥＤ素子載置領域の周縁に位置する周縁領域とを有し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって下方へ落ち込む凹部を形成し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域の表面は、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射面として機能することを特徴とするＬＥＤ素子パッケージの製造方法である。
【００２６】
本発明は、コアレス型ＬＥＤ素子パッケージの製造方法において、支持部材として機能する基板を準備する工程と、基板の表面に、所望パターンを有するレジストを設ける工程と、基板の表面側にめっきを施し、ＬＥＤ素子を載置するためのＬＥＤ素子載置部材と、ＬＥＤ素子載置部材周囲に設けられた配線導体とを形成する工程と、基板の表面側のレジストを剥離する工程と、ＬＥＤ素子載置部材上にＬＥＤ素子を搭載する工程と、ＬＥＤ素子と配線導体とを導電部により接続する工程と、基板上のＬＥＤ素子載置部材、配線導体、ＬＥＤ素子、および導電部を封止樹脂により樹脂封止して封止樹脂部を形成する工程と、支持部材として機能する基板を封止樹脂部から除去する工程とを備え、ＬＥＤ素子載置部材は、中央に位置するＬＥＤ素子載置領域と、ＬＥＤ素子載置領域の周縁に位置する周縁領域とを有し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって上方へ盛り上がった凸部を形成し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域の表面は、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射面として機能することを特徴とするＬＥＤ素子パッケージの製造方法である。
【００２７】
本発明は、ＬＥＤ素子載置部材と配線導体とを形成する工程の後、基板の裏面側にエッチングを施すことにより、基板を所定の外形形状にするとともに、基板に搬送用穴を形成する工程が設けられていることを特徴とするＬＥＤ素子パッケージの製造方法である。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、ＬＥＤ素子を設けるためにリードフレーム等を用いる必要がないので、ＬＥＤ素子パッケージ全体の厚みを薄くすることができる。
【００２９】
また本発明によれば、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって下方へ落ち込む凹部、または周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって上方へ盛り上がった凸部を形成するので、目的に合わせてＬＥＤ素子からの光の反射方向を制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の第１の実施の形態によるＬＥＤ素子パッケージを示す断面図。
【図２】本発明の第１の実施の形態によるＬＥＤ素子載置部材を示す断面図。
【図３】本発明の第１の実施の形態によるＬＥＤ素子パッケージが配線基板上に配置されている状態を示す断面図。
【図４】本発明の第１の実施の形態の変形例によるＬＥＤ素子パッケージが配線基板上に配置されている状態を示す断面図。
【図５】本発明の第１の実施の形態によるＬＥＤ素子載置基板の製造方法を示す図。
【図６】本発明の第１の実施の形態によるＬＥＤ素子載置部材の製造方法を示す図。
【図７】本発明の第１の実施の形態によるＬＥＤ素子パッケージの製造方法を示す図。
【図８】本発明の第２の実施の形態によるＬＥＤ素子パッケージを示す断面図。
【図９】本発明の第２の実施の形態によるＬＥＤ素子載置部材の製造方法を示す図。
【図１０】本発明の第３の実施の形態によるＬＥＤ素子パッケージを示す断面図。
【図１１】本発明の第３の実施の形態によるＬＥＤ素子載置部材の製造方法を示す図。
【図１２】本発明の第４の実施の形態によるＬＥＤ素子パッケージを示す断面図。
【図１３】本発明の第４の実施の形態によるＬＥＤ素子載置部材の製造方法を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
第１の実施の形態
以下、本発明の第１の実施の形態について、図１乃至図７を参照して説明する。図１乃至図７は、本発明の第１の実施の形態を示す図である。
【００３２】
まず、図１乃至図３により、本実施の形態によるコアレス型のＬＥＤ素子パッケージの概略について説明する。
【００３３】
図１に示すＬＥＤ素子パッケージ１０は、コアレス型の樹脂封止型ＬＥＤ素子パッケージである。このようなコアレス型のＬＥＤ素子パッケージ１０は、ＬＥＤ素子載置部材２０と、ＬＥＤ素子載置部材２０上に載置されたＬＥＤ素子１１と、ＬＥＤ素子載置部材２０周囲に設けられた配線導体３０とを備えている。
【００３４】
このうち配線導体３０とＬＥＤ素子１１とは、ボンディングワイヤ（導電部）１２によって電気的に接続されている。またＬＥＤ素子載置部材２０、ＬＥＤ素子１１、配線導体３０、およびボンディングワイヤ１２は、封止樹脂部１３により封止されている。
【００３５】
以下、このようなコアレス型のＬＥＤ素子パッケージ１０を構成する各構成部材について、順次説明する。
【００３６】
まず図２により、本実施の形態によるＬＥＤ素子載置部材２０の構成について説明する。図２に示すように、ＬＥＤ素子載置部材２０は、中央に位置するとともにＬＥＤ素子１１を載置するＬＥＤ素子載置領域２１と、ＬＥＤ素子載置領域２１の周縁に位置する周縁領域２２とを有している。これらＬＥＤ素子載置領域２１および周縁領域２２は、周縁領域２２からＬＥＤ素子載置領域２１に向かって下方へ落ち込む凹部２３を形成している。
【００３７】
またＬＥＤ素子載置領域２１および周縁領域２２の表面は、ＬＥＤ素子１１からの光を反射するための反射面として機能するようになっている。すなわちＬＥＤ素子載置領域２１および周縁領域２２は、本体めっき層２４と、この本体めっき層２４上に形成され、ＬＥＤ素子１１からの光を反射するための反射面として機能する反射用めっき層２５とを有している。
【００３８】
このうち本体めっき層２４は、例えばニッケル（Ｎｉ）等の金属を含むめっき層からなっている。また本体めっき層２４の下端部には外部端子２４ａが形成されており、ＬＥＤ素子パッケージ１０に組み込まれた際、外部端子２４ａが封止樹脂部１３から外方に露出している。なお、本体めっき層２４の厚みは、例えば１０μｍ〜１００μｍとすることができる。
【００３９】
一方、反射用めっき層２５は、可視光の反射率が高いめっき層からなっており、上述したように、ＬＥＤ素子１１からの光を反射するための反射面として機能するようになっている。反射用めっき層２５を構成する材料としては、例えば銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）／パラジウム（Ｐｄ）／金（Ａｕ）の三層構造等を挙げることができるが、光の反射率の観点からは銀（Ａｇ）を用いることが好ましい。なお反射用めっき層２５の厚みは、例えば銀の場合は１μｍ〜５μｍ、またＮｉ／Ｐｄ／Ａｕの三層構造の場合は、Ｎｉの厚みが０．２μｍ以上、Ｐｄの厚みが０．０１〜０．１μｍ、かつＡｕの厚みが０．００１〜０．０３μｍとすることが好ましい。
【００４０】
再度図１を参照すると、配線導体３０は、ＬＥＤ素子載置部材２０から離間して設けられており、本体めっき層３１と、この本体めっき層３１上に形成され、ＬＥＤ素子１１からの光を直接または間接的に反射するための反射面として機能する反射用めっき層３２とを有している。
【００４１】
本体めっき層３１は、上述したＬＥＤ素子載置部材２０の本体めっき層２４と同一の材料から構成されており、例えばニッケル（Ｎｉ）等の金属を含むめっき層からなっている。また本体めっき層３１の下端部には外部端子３１ａが形成されており、この外部端子３１ａは封止樹脂部１３から外方に露出している。
【００４２】
また反射用めっき層３２は、上述したＬＥＤ素子載置部材２０の反射用めっき層２５と同一の材料から構成されており、例えば銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）／パラジウム（Ｐｄ）／金（Ａｕ）の三層構造等、金属を含むめっき層からなっている。
【００４３】
他方、ＬＥＤ素子載置部材２０に載置されたＬＥＤ素子１１は、従来一般に用いられているものを使用することができる。またＬＥＤ素子１１の発光層として、例えばＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ、またはＩｎＧａＮ等の化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。
【００４４】
またＬＥＤ素子１１は、はんだ、またはダイボンディングペースト（図示せず）により、ＬＥＤ素子載置部材２０上に固定されている。このようなダイボンディングペーストとしては、耐光性のあるエポキシ樹脂やシリコーン樹脂からなるダイボンディングペーストを選択することが可能である。
【００４５】
ボンディングワイヤ１２は、例えば金等の導電性の良い材料からなり、その一端がＬＥＤ素子１１の端子部１１ａに接続されるとともに、その他端が配線導体３０の反射用めっき層３２上に接続されている。
【００４６】
封止樹脂部１３としては、光の取り出し効率を向上させるために、ＬＥＤ素子パッケージ１０の発光波長において光透過率が高く、また屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。したがって耐熱性、耐候性、及び機械的強度が高い特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂を選択することが可能である。封止樹脂部１３の形状は、様々に実現することが可能であるが、例えば、封止樹脂部１３の全体形状を直方体、円筒形または錐形等の形状とすることが可能である。なお封止樹脂部１３の厚み（すなわちコアレス型のＬＥＤ素子パッケージ１０全体としての厚み）は、２００μｍ〜５００μｍとすることが可能であり、従来知られているＬＥＤ素子パッケージ（例えばＰＬＣＣタイプ、ＳＯＮタイプ）より薄型に構成することができる。また封止樹脂部１３の前面（すなわち図１の上面）には、ＬＥＤ素子１１からの光が放出される発光面１３ａが形成されている。
【００４７】
ところで、図３に示すように、このようなコアレス型のＬＥＤ素子パッケージ１０は、配線基板３５上に配置して用いることができる。このような配線基板３５は、基板本体３６と、基板本体３６上に形成された配線端子部３７、３８とを有している。このうち一方の配線端子部３７は、一方の接続金属部３３を介してＬＥＤ素子載置部材２０の本体めっき層２４に接続されている。また他方の配線端子部３８は、他方の接続金属部３４を介して配線導体３０の本体めっき層３１に接続されている。なお接続金属部３３、３４は、例えばはんだから構成することができる。
【００４８】
このようにして、ＬＥＤ素子パッケージ１０を配線基板３５上に配置するとともに、配線端子部３７、３８間に電流を流した場合、ＬＥＤ素子載置部材２０上のＬＥＤ素子１１に電流が加わり、ＬＥＤ素子１１が点灯する。
【００４９】
この際、ＬＥＤ素子１１からの光は、反射面である反射用めっき層２５で反射する。とりわけ本実施の形態においては、ＬＥＤ素子載置領域２１および周縁領域２２に、周縁領域２２からＬＥＤ素子載置領域２１に向かって下方へ落ち込む凹部２３が形成されている。これにより、凹部２３内の反射用めっき層２５で反射した光は、概ね発光面１３ａ側を向くようにその反射方向が制御され、図３の符号Ｌで示すように略一定の方向に照射される。
【００５０】
他方、ＬＥＤ素子１１から生じた熱は、本体めっき層２４の外部端子２４ａから接続金属部３３を介して外方へ逃がされる（図３の符号Ｈ）。したがって、ＬＥＤ素子１１からの熱が封止樹脂部１３内に蓄積することがなく、熱によってＬＥＤ素子１１が破壊されることを防止することができる。
【００５１】
以上の図３の例では、ＬＥＤ素子載置部材２０の機能としては、ＬＥＤ素子１１を機械的に支持する機能と、ＬＥＤ素子１１に電気的に接続して電気端子となる機能との２つを有している。しかしながらこれに限らず、図４の変形例に示すように、ＬＥＤ素子パッケージ１０の構成として、ＬＥＤ載置部材２０はＬＥＤ素子１１を機械的に支持する機能のみとし、電気端子として新たな配線導体３０Ａを追加した構成としてもよい。このような構成では、ＬＥＤ素子パッケージ１０は、１つのＬＥＤ素子載置部材２０と２つの配線導体３０、３０Ａで構成される。なお図４中、符号ＥはＬＥＤ素子１１を点灯させる電流の流れを示し、符号ＨはＬＥＤ素子１１からの熱の流れを示している。
【００５２】
次に、本実施の形態によるコアレス型のＬＥＤ素子パッケージの製造方法について、図５乃至図７を用いて説明する。このうち図５（ａ）−（ｅ）は、基板４０上にＬＥＤ素子載置部材２０を形成する工程（すなわち本実施の形態によるＬＥＤ素子載置基板５０の製造方法）を示す図であり、図６（ａ）−（ｃ）は、図５（ｃ）に示す工程において、電解めっき法によりＬＥＤ素子載置部材２０を形成する工程を示す図であり、図７（ａ）−（ｅ）は、ＬＥＤ素子載置基板５０を作製した後、コアレス型のＬＥＤ素子パッケージ１０を得るまでの工程を示す図である。
【００５３】
まず図５（ａ）に示すように、支持部材として機能する基板４０を準備する。この基板４０としては、例えば銅、鉄−ニッケル合金、鉄−ニッケル−クロム合金、鉄−ニッケル−カーボン合金等の導電性基板、または表面にＣｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕもしくはこれらの合金からなる導電性層を備えた絶縁性基板を使用することができる。基板４０として例えば銅または銅合金を用いた場合、ＬＥＤ素子１１を組み込んだ後、選択的なエッチングにより基板４０を除去することが可能となる。なお、後述するように、ＬＥＤ素子載置部材２０および配線導体３０を基板４０から容易に剥離できるように、予め基板４０の一面に凹凸をつける表面処理を行い、かつ、剥離性をもたせる剥離処理を行っておく等の処置をとっても良い。ここでの表面処理としては、サンドブラストによるブラスト処理、剥離処理としては、基板４０の表面に酸化膜を形成する方法等が挙げられる。
【００５４】
次に、基板４０の表面および裏面に各々所望のパターンを有するレジスト層４１、４２を設ける（図５（ｂ））。このうち表面側のレジスト層４１は、例えばアルカリ、酸、溶剤等により剥離可能な樹脂からなっており、アクリル系樹脂等の感光性かつ耐薬品性樹脂からなっている。
【００５５】
またレジスト層４１には、各ＬＥＤ素子載置部材２０および各配線導体３０の形成部位に相当する箇所に開口部４１ａ、４１ｂが形成され、この開口部４１ａ、４１ｂからは基板４０が露出している。なお開口部４１ａ、４１ｂのうち、開口部４１ａはＬＥＤ素子載置部材２０を設ける箇所に対応し、開口部４１ｂは配線導体３０を設ける箇所に対応する。この場合、基板４０の表面全体にレジスト層４１を設け、このレジスト層４１に対してフォトマスクを介して露光し、その後現像することにより、レジスト層４１に開口部４１ａ、４１ｂを形成する。なお表面側のレジスト層４１の厚みは、ＬＥＤ素子載置部材２０および配線導体３０の厚みより厚くしておく。
【００５６】
一方、裏面側のレジスト層４２は、例えばアルカリ、酸、溶剤等により剥離可能な樹脂からなっており、上述した表面側のレジスト層４１と異なる材料からなっていても良い。また裏面側のレジスト層４２は、搬送用穴２７の形成部位に相当する箇所に開口部４２ａが形成され、この開口部４２ａからは基板４０が露出している。この場合、基板４０の裏面全体にレジスト層４２を設け、このレジスト層４２に対してフォトマスクを介して露光し、その後現像することにより、レジスト層４２に開口部４２ａを形成する。
【００５７】
次に、基板４０の裏面側をカバー４３で覆って、基板４０の表面側に電解めっきを施す。これにより基板４０上に金属を析出させて、ＬＥＤ素子１１を載置するためのＬＥＤ素子載置部材２０を形成するとともに、ＬＥＤ素子載置部材２０周囲に配線導体３０を形成する（図５（ｃ））。この場合、ＬＥＤ素子載置部材２０は、中央に位置するＬＥＤ素子載置領域２１と、ＬＥＤ素子載置領域２１の周縁に位置する周縁領域２２とを有し、ＬＥＤ素子載置領域２１および周縁領域２２は、周縁領域２２からＬＥＤ素子載置領域２１に向かって下方へ落ち込む凹部２３を形成する。
【００５８】
以下、図６（ａ）−（ｃ）により、電解めっき法を用いて、このような形状を有するＬＥＤ素子載置部材２０を作製する方法について更に説明する。
【００５９】
まず、基板４０上に電解めっきを施すことにより、レジスト層４１の開口部４１ａ内に、例えばニッケル（Ｎｉ）からなる本体めっき層２４を形成する（図６（ａ）（ｂ））。この際、めっき液として、例えば高ニッケル濃度のスルファミン酸ニッケルめっき浴を用いることができる。
【００６０】
この場合、図６（ａ）（ｂ）に示すように、アノード電極４８から基板４０（カソード電極）へ流れる電流のうち、ＬＥＤ素子載置部材２０の周縁領域２２に対応する部分（開口部４１ａの周縁部）の電流を相対的に強くし、ＬＥＤ素子載置領域２１に対応する部分（開口部４１ａの中央部）の電流を相対的に弱くしておく。この結果、開口部４１ａの周縁部に相対的に多くの電流が流れ、開口部４１ａの中央部よりも周縁部に析出するめっきの厚みを厚くすることができる。このようにして、本体めっき層２４において、周縁領域２２からＬＥＤ素子載置領域２１に向かって下方へ落ち込む凹部２３が形成される。
【００６１】
次に、本体めっき層２４上に例えば銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）／パラジウム（Ｐｄ）／金（Ａｕ）の三層構造等からなる反射用めっき層２５を形成する（図６（ｃ））。この反射用めっき層２５は、ＬＥＤ素子１１からの光を反射するための反射面として機能するものである。この場合、めっき液として例えばシアンめっき浴を用いることができる。
【００６２】
このようにして、レジスト層４１の開口部４１ａ内に、本体めっき層２４と反射用めっき層２５とを有するＬＥＤ素子載置部材２０が形成される。そしてこのＬＥＤ素子載置部材２０には、周縁領域２２からＬＥＤ素子載置領域２１に向かって下方へ落ち込む凹部２３が形成される。
【００６３】
続いて、図５（ｄ）に示すように、基板４０の表面側をカバー４４で覆うとともに、基板４０の裏面側のカバー４３を剥離する。次に基板４０の裏面側にエッチングを施すことにより、基板４０を所定の外形形状にするとともに、基板４０上のレジスト層４２の開口部４２ａに対応する位置に、所望の搬送用穴２７を形成する。なお、この搬送用穴２７は、後述するＬＥＤ素子パッケージ１０の製造工程において基板４０を搬送する際や位置決めを行なう際に用いられる。
【００６４】
次いで基板４０の表面側のカバー４４を剥離し、更に基板４０の表面側および裏面側のレジスト層４１、４２を剥離する（図５（ｅ））。このようにして、図２に示すＬＥＤ素子載置部材２０と、ＬＥＤ素子載置部材２０を支持する基板４０とを備えたＬＥＤ素子載置基板５０が得られる。本実施の形態において、このようなＬＥＤ素子載置基板５０も提供する。なお、この際、支持部材として機能する基板４０をＬＥＤ素子載置部材２０から除去すれば、図２に示すＬＥＤ素子載置部材２０を得ることができる。
【００６５】
次に、本実施の形態によるコアレス型のＬＥＤ素子パッケージの製造方法について、図７（ａ）−（ｅ）を用いて説明する。なお図７（ａ）−（ｅ）において、便宜上、基板４０の搬送用穴２７の表示を省略している。
【００６６】
まず、上述した図５（ａ）−（ｅ）に示す工程により、基板４０と、基板４０上に形成されたＬＥＤ素子載置部材２０および配線導体３０とを有するＬＥＤ素子載置基板５０を作製する（図７（ａ））。次に、ＬＥＤ素子載置部材２０上にはんだ、またはダイボンディングペースト（図示せず）を介してＬＥＤ素子１１を搭載して固定する（図７（ｂ））。このダイボンディングペーストとしては、耐光性のあるエポキシ樹脂やシリコーン樹脂からなるダイボンディングペーストを用いることができる。
【００６７】
次に、ボンディングワイヤ１２を用いて、ＬＥＤ素子１１の端子部１１ａと配線導体３０とを電気的に接続する（ワイヤボンディング）（図７（ｃ））。
【００６８】
その後、基板４０上のＬＥＤ素子載置部材２０、配線導体３０、ＬＥＤ素子１１、およびボンディングワイヤ１２を例えばエポキシ樹脂またはシリコーン樹脂からなる封止樹脂部１３により封止する（図７（ｄ））。次いで、例えばエッチングによりまたは物理的に剥離することにより、裏面側の基板４０をＬＥＤ素子載置部材２０および配線導体３０から除去する。このようにして、図１に示すコアレス型のＬＥＤ素子パッケージ１０を得ることができる（図７（ｅ））。
【００６９】
なお、予め基板４０上に複数のＬＥＤ素子載置部材２０を形成するとともに、各ＬＥＤ素子載置部材２０上にそれぞれＬＥＤ素子１１を搭載しておき、各ＬＥＤ素子１１を含むＬＥＤ素子パッケージ毎に封止樹脂部１３をダイシングすることにより、図１に示すコアレス型のＬＥＤ素子パッケージ１０を得ても良い。
【００７０】
以上説明したように本実施の形態によれば、ＬＥＤ素子１１を搭載するためにリードフレーム等を用いることがないので、ＬＥＤ素子パッケージ１０の厚みを薄くすることができる。具体的には、ＬＥＤ素子パッケージ１０の厚みを２００μｍ〜５００μｍとすることができる。
【００７１】
また本実施の形態によれば、ＬＥＤ素子載置領域２１および周縁領域２２は、周縁領域２２からＬＥＤ素子載置領域２１に向かって下方へ落ち込む凹部２３を形成するので、ＬＥＤ素子１１からの光が発光面１３ａを向くように、その反射方向を制御することができる。すなわちＬＥＤ素子１１からの光は、凹部２３において反射用めっき層２５で反射し、発光面１３ａ側を向くように反射方向が制御される（図３参照）。
【００７２】
また本実施の形態によれば、ＬＥＤ素子載置領域２１が金属めっきから構成されているので、ＬＥＤ素子１１からの熱をＬＥＤ素子パッケージ１０の外方に逃がしやすく、ＬＥＤ素子パッケージ１０の放熱性を高めることができる。
【００７３】
また本実施の形態によれば、リフレクターを別部材として設ける必要がないため、リフレクターを設置するための工程が不要であり、製造コストを低減することができる。
【００７４】
第２の実施の形態
次に、本発明の第２の実施の形態について図８および図９（ａ）−（ｃ）を参照して説明する。図８および図９（ａ）−（ｃ）は、本発明の第２の実施の形態を示す図である。図８は、第１の実施の形態の図１に対応する図であり、図９（ａ）−（ｃ）は、第１の実施の形態の図６（ａ）−（ｃ）に対応する図である。図８および図９（ａ）−（ｃ）に示す第２の実施の形態は、ＬＥＤ素子載置部材２０の周縁領域２２から側方に向けて突出する突起部２９が設けられている点が異なるものであり、他の構成は上述した第１の実施の形態と略同一である。図８および図９（ａ）−（ｃ）において、図１乃至図７に示す第１の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００７５】
図８に示すように、本実施の形態によるコアレス型のＬＥＤ素子パッケージ１０Ａにおいて、ＬＥＤ素子載置部材２０は、中央に位置するとともにＬＥＤ素子１１を載置するＬＥＤ素子載置領域２１と、ＬＥＤ素子載置領域２１の周縁に位置する周縁領域２２とを有している。これらＬＥＤ素子載置領域２１および周縁領域２２は、周縁領域２２からＬＥＤ素子載置領域２１に向かって下方へ落ち込む凹部２３を形成している。
【００７６】
またＬＥＤ素子載置領域２１および周縁領域２２の表面は、ＬＥＤ素子１１からの光を反射するための反射面として機能するようになっている。すなわちＬＥＤ素子載置領域２１および周縁領域２２は、本体めっき層２４と、この本体めっき層２４上に形成され、ＬＥＤ素子１１からの光を反射するための反射面として機能する反射用めっき層２５とを有している。
【００７７】
ところで本実施の形態においては、図８に示すように、ＬＥＤ素子載置部材２０の周縁領域２２に、この周縁領域２２から側方に向けて突出する突起部２９が設けられている。この突起部２９は、周縁領域２２の全周にわたって設けられていることが好ましい。同様に、配線導体３０には、配線導体３０から側方に向けて突出する突起部３９が設けられている。
【００７８】
次に図９（ａ）−（ｃ）により、電解めっき法を用いて、このような形状を有するＬＥＤ素子載置部材２０を作製する方法について説明する。
【００７９】
まず、基板４０上に電解めっきを施すことにより、レジスト層４１の開口部４１ａ内に、例えばニッケル（Ｎｉ）からなる本体めっき層２４を形成する（図９（ａ）（ｂ））。
【００８０】
この場合、図９（ａ）（ｂ）に示すように、アノード電極４８から基板４０（カソード電極）へ流れる電流のうち、ＬＥＤ素子載置部材２０の周縁領域２２に対応する部分（開口部４１ａの周縁部）の電流を相対的に強くし、ＬＥＤ素子載置領域２１に対応する部分（開口部４１ａの中央部）の電流を相対的に弱くしておく。この結果、開口部４１ａの周縁部に相対的に多くの電流が流れ、開口部４１ａの中央部よりも周縁部に析出するめっきの厚みを厚くすることができる。このようにして、本体めっき層２４において、周縁領域２２からＬＥＤ素子載置領域２１に向かって下方へ落ち込む凹部２３が形成される。
【００８１】
本実施の形態においては、電解めっきによりＬＥＤ素子載置部材２０を形成する際、レジスト層４１の厚みより厚く金属を析出させる。これにより、レジスト層４１の開口部４１ａ内に析出した金属は、開口部４１ａの内壁に沿って上方に堆積した後、レジスト層４１から盛り上がりながらレジスト層４１の表面に沿って横方向にも析出する。このようにして、図９（ｂ）に示すように、周縁領域２２から側方に向けて突出する突起部２９が形成される。
【００８２】
次に、本体めっき層２４上に例えば銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）／パラジウム（Ｐｄ）／金（Ａｕ）の三層構造等からなる反射用めっき層２５を形成することにより、基板４０上に本実施の形態によるＬＥＤ素子載置部材２０を形成することができる（図９（ｃ））。
【００８３】
このほか本実施の形態によるコアレス型のＬＥＤ素子パッケージの製造方法およびＬＥＤ素子載置基板の製造方法については、上述した第１の実施の形態と略同一であるので、ここでは説明を省略する。
【００８４】
本実施の形態によれば、ＬＥＤ素子載置部材２０の周縁領域２２に、周縁領域２２から側方に向けて突出する突起部２９が設けられているので、封止樹脂部１３からＬＥＤ素子載置部材２０が抜け落ちることを防止することができる。同様に、配線導体３０に、配線導体３０から側方に向けて突出する突起部３９が設けられているので、封止樹脂部１３から配線導体３０が抜け落ちることを防止することができる。
【００８５】
第３の実施の形態
次に、本発明の第３の実施の形態について図１０および図１１（ａ）−（ｃ）を参照して説明する。図１０および図１１（ａ）−（ｃ）は、本発明の第３の実施の形態を示す図である。図１０は、第１の実施の形態の図１に対応する図であり、図１１（ａ）−（ｃ）は、第１の実施の形態の図６（ａ）−（ｃ）に対応する図である。図１０および図１１（ａ）−（ｃ）に示す第３の実施の形態は、ＬＥＤ素子載置領域２１および周縁領域２２が、周縁領域２２からＬＥＤ素子載置領域２１に向かって上方へ盛り上がった凸部２６を形成する点が異なるものであり、他の構成は上述した第１の実施の形態と略同一である。図１０および図１１（ａ）−（ｃ）において、図１乃至図７に示す第１の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００８６】
図１０に示すように、本実施の形態によるコアレス型のＬＥＤ素子パッケージ１０Ｂにおいて、ＬＥＤ素子載置部材２０は、中央に位置するとともにＬＥＤ素子１１を載置するＬＥＤ素子載置領域２１と、ＬＥＤ素子載置領域２１の周縁に位置する周縁領域２２とを有している。これらＬＥＤ素子載置領域２１および周縁領域２２は、周縁領域２２からＬＥＤ素子載置領域２１に向かって上方へ盛り上がった凸部２６を形成している。
【００８７】
またＬＥＤ素子載置領域２１および周縁領域２２の表面は、ＬＥＤ素子１１からの光を反射するための反射面として機能するようになっている。すなわちＬＥＤ素子載置領域２１および周縁領域２２は、本体めっき層２４と、この本体めっき層２４上に形成され、ＬＥＤ素子１１からの光を反射するための反射面として機能する反射用めっき層２５とを有している。
【００８８】
次に図１１（ａ）−（ｃ）により、電解めっき法を用いて、このような形状を有するＬＥＤ素子載置部材２０を作製する方法について説明する。
【００８９】
まず、基板４０上に電解めっきを施すことにより、レジスト層４１の開口部４１ａ内に、例えばニッケル（Ｎｉ）からなる本体めっき層２４を形成する（図１１（ａ）（ｂ））。
【００９０】
この場合、図１１（ａ）（ｂ）に示すように、第１の実施の形態で用いたアノード電極４８より小さいアノード電極４９を用い、このアノード電極４９から開口部４１ａのうち主に中央部に向けて電流を供給する。これにより、アノード電極４９から基板４０（カソード電極）へ流れる電流のうち、ＬＥＤ素子載置部材２０のＬＥＤ素子載置領域２１に対応する部分（開口部４１ａの中央部）の電流を相対的に強くし、周縁領域２２に対応する部分（開口部４１ａの周縁部）の電流を相対的に弱くしておく。この結果、開口部４１ａの中央部に相対的に多くの電流が流れ、開口部４１ａの周縁部よりも中央部に析出するめっきの厚みを厚くすることができる。このようにして、本体めっき層２４において、周縁領域２２からＬＥＤ素子載置領域２１に向かって上方へ盛り上がった凸部２６が形成される。
【００９１】
次に、本体めっき層２４上に例えば銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）／パラジウム（Ｐｄ）／金（Ａｕ）の三層構造等からなる反射用めっき層２５を形成することにより、基板４０上に本実施の形態によるＬＥＤ素子載置部材２０を形成することができる（図１１（ｃ））。
【００９２】
このほか本実施の形態によるコアレス型のＬＥＤ素子パッケージの製造方法およびＬＥＤ素子載置基板の製造方法については、上述した第１の実施の形態と略同一であるので、ここでは説明を省略する。
【００９３】
本実施の形態によれば、ＬＥＤ素子載置部材２０のＬＥＤ素子載置領域２１および周縁領域２２は、周縁領域２２からＬＥＤ素子載置領域２１に向かって上方へ盛り上がった凸部２６を形成するので、ＬＥＤ素子１１からの光が封止樹脂部１３内で拡散するように、その反射方向を制御することができる。すなわちＬＥＤ素子１１からの光は、凸部２６において反射用めっき層２５で反射し、その反射方向を拡散させた状態で発光面１３ａから取り出すことができる。
【００９４】
第４の実施の形態
次に、本発明の第４の実施の形態について図１２および図１３（ａ）−（ｃ）を参照して説明する。図１２および図１３（ａ）−（ｃ）は、本発明の第４の実施の形態を示す図である。図１２は、第１の実施の形態の図１に対応する図であり、図１３（ａ）−（ｃ）は、第１の実施の形態の図６（ａ）−（ｃ）に対応する図である。図１２および図１３（ａ）−（ｃ）に示す第４の実施の形態は、ＬＥＤ素子載置部材２０の周縁領域２２から側方に向けて突出する突起部２９が設けられている点が異なるものであり、他の構成は上述した第３の実施の形態と略同一である。図１２および図１３（ａ）−（ｃ）において、図１乃至図１１に示す第１の実施の形態乃至第３の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００９５】
図１２に示すように、本実施の形態によるＬＥＤ素子パッケージ１０Ｃにおいて、ＬＥＤ素子載置部材２０は、中央に位置するとともにＬＥＤ素子１１を載置するＬＥＤ素子載置領域２１と、ＬＥＤ素子載置領域２１の周縁に位置する周縁領域２２とを有している。これらＬＥＤ素子載置領域２１および周縁領域２２は、周縁領域２２からＬＥＤ素子載置領域２１に向かって上方へ盛り上がった凸部２６を形成している。
【００９６】
またＬＥＤ素子載置領域２１および周縁領域２２の表面は、ＬＥＤ素子１１からの光を反射するための反射面として機能するようになっている。すなわちＬＥＤ素子載置領域２１および周縁領域２２は、本体めっき層２４と、この本体めっき層２４上に形成され、ＬＥＤ素子１１からの光を反射するための反射面として機能する反射用めっき層２５とを有している。
【００９７】
ところで本実施の形態においては、図１２に示すように、ＬＥＤ素子載置部材２０の周縁領域２２に、この周縁領域２２から側方に向けて突出する突起部２９が設けられている。この突起部２９は、周縁領域２２の全周にわたって設けられていることが好ましい。同様に、配線導体３０には、配線導体３０から側方に向けて突出する突起部３９が設けられている。
【００９８】
次に図１３（ａ）−（ｃ）により、電解めっき法を用いて、このような形状を有するＬＥＤ素子載置部材２０を作製する方法について説明する。
【００９９】
まず、基板４０上に電解めっきを施すことにより、レジスト層４１の開口部４１ａ内に、例えばニッケル（Ｎｉ）からなる本体めっき層２４を形成する（図１３（ａ）（ｂ））。
【０１００】
この場合、図１３（ａ）（ｂ）に示すように、第１の実施の形態で用いたアノード電極４８より小さいアノード電極４９を用い、このアノード電極４９から開口部４１ａのうち主に中央部に向けて電流を供給する。これにより、アノード電極４９から基板４０（カソード電極）へ流れる電流のうち、ＬＥＤ素子載置部材２０のＬＥＤ素子載置領域２１に対応する部分（開口部４１ａの中央部）の電流を相対的に強くし、周縁領域２２に対応する部分（開口部４１ａの周縁部）の電流を相対的に弱くしておく。この結果、開口部４１ａの中央部に相対的に多くの電流が流れ、開口部４１ａの周縁部よりも中央部に析出するめっきの厚みを厚くすることができる。このようにして、本体めっき層２４において、周縁領域２２からＬＥＤ素子載置領域２１に向かって上方へ盛り上がった凸部２６が形成される。
【０１０１】
次に、本体めっき層２４上に例えば銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）／パラジウム（Ｐｄ）／金（Ａｕ）の三層構造等からなる反射用めっき層２５を形成することにより、基板４０上に本実施の形態によるＬＥＤ素子載置部材２０を形成することができる（図１３（ｃ））。
【０１０２】
このほか本実施の形態によるコアレス型のＬＥＤ素子パッケージの製造方法およびＬＥＤ素子載置基板の製造方法については、上述した第１の実施の形態と略同一であるので、ここでは説明を省略する。
【０１０３】
本実施の形態によれば、ＬＥＤ素子載置部材２０の周縁領域２２に、周縁領域２２から側方に向けて突出する突起部２９が設けられているので、封止樹脂部１３からＬＥＤ素子載置部材２０が抜け落ちることを防止することができる。同様に、配線導体３０に、配線導体３０から側方に向けて突出する突起部３９が設けられているので、封止樹脂部１３から配線導体３０が抜け落ちることを防止することができる。
【符号の説明】
【０１０４】
１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ  ＬＥＤ素子パッケージ
１１        ＬＥＤ素子
１２        ボンディングワイヤ
１３        封止樹脂部
２０        ＬＥＤ素子載置部材
２１        ＬＥＤ素子載置領域
２２        周縁領域
２３        凹部
２４        本体めっき層
２５        反射用めっき層
２６        凸部
２９        突起部
３０        配線導体
３１        本体めっき層
３２        反射用めっき層
３５        配線基板
３９        突起部
４０        基板
５０        ＬＥＤ素子載置基板
【図１】
2014146841.tif 000003
【図２】
2014146841.tif 000004
【図３】
2014146841.tif 000005
【図４】
2014146841.tif 000006
【図５】
2014146841.tif 000007
【図６】
2014146841.tif 000008
【図７】
2014146841.tif 000009
【図８】
2014146841.tif 000010
【図９】
2014146841.tif 000011
【図１０】
2014146841.tif 000012
【図１１】
2014146841.tif 000013
【図１２】
2014146841.tif 000014
【図１３】
2014146841.tif 000015
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月21日(2014.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コアレス型ＬＥＤ素子パッケージを構成するために設けられ、ＬＥＤ素子を載置するためのＬＥＤ素子載置部材において、
中央に位置するＬＥＤ素子載置領域と、
ＬＥＤ素子載置領域の周縁に位置する周縁領域とを備え、
ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって上方へ盛り上がった凸部を形成し、
ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域の表面は、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射面として機能することを特徴とするＬＥＤ素子載置部材。
【請求項２】
ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、めっきにより形成されていることを特徴とする請求項１記載のＬＥＤ素子載置部材。
【請求項３】
ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、本体めっき層と、この本体めっき層上に形成された反射用めっき層とを有することを特徴とする請求項２記載のＬＥＤ素子載置部材。
【請求項４】
周縁領域から側方に向けて突出する突起部が設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載のＬＥＤ素子載置部材。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項記載のＬＥＤ素子載置部材と、
ＬＥＤ素子載置部材を支持する基板とを備えたことを特徴とするＬＥＤ素子載置基板。
【請求項６】
コアレス型ＬＥＤ素子パッケージにおいて、
ＬＥＤ素子載置部材と、
ＬＥＤ素子載置部材上に載置されたＬＥＤ素子と、
ＬＥＤ素子載置部材周囲に設けられた配線導体と、
配線導体とＬＥＤ素子とを電気的に接続する導電部と、
ＬＥＤ素子載置部材、ＬＥＤ素子、配線導体、および導電部を封止する封止樹脂部とを備え、
ＬＥＤ素子載置部材は、中央に位置するＬＥＤ素子載置領域と、ＬＥＤ素子載置領域の周縁に位置する周縁領域とを有し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって上方へ盛り上がった凸部を形成し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域の表面は、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射面として機能することを特徴とするＬＥＤ素子パッケージ。
【請求項７】
ＬＥＤ素子載置部材のＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、めっきにより形成されていることを特徴とする請求項６記載のＬＥＤ素子パッケージ。
【請求項８】
ＬＥＤ素子載置部材のＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、本体めっき層と、この本体めっき層上に形成された反射用めっき層とを有することを特徴とする請求項７記載のＬＥＤ素子パッケージ。
【請求項９】
ＬＥＤ素子載置部材の周縁領域から側方に向けて突出する突起部が設けられていることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項記載のＬＥＤ素子パッケージ。
【請求項１０】
コアレス型ＬＥＤ素子パッケージを製造するために用いられるＬＥＤ素子載置基板の製造方法において、
支持部材として機能する基板を準備する工程と、
基板の表面に、所望パターンを有するレジストを設ける工程と、
基板の表面側にめっきを施し、ＬＥＤ素子を載置するためのＬＥＤ素子載置部材を形成する工程と、
基板の表面側のレジストを剥離する工程とを備え、
ＬＥＤ素子載置部材は、中央に位置するＬＥＤ素子載置領域と、ＬＥＤ素子載置領域の周縁に位置する周縁領域とを有し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって上方へ盛り上がった凸部を形成し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域の表面は、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射面として機能することを特徴とするＬＥＤ素子載置基板の製造方法。
【請求項１１】
ＬＥＤ素子載置部材を形成する工程の後、基板の裏面側にエッチングを施すことにより、基板を所定の外形形状にするとともに、基板に搬送用穴を形成する工程が設けられていることを特徴とする請求項１０記載のＬＥＤ素子載置基板の製造方法。
【請求項１２】
コアレス型ＬＥＤ素子パッケージの製造方法において、
支持部材として機能する基板を準備する工程と、
基板の表面に、所望パターンを有するレジストを設ける工程と、
基板の表面側にめっきを施し、ＬＥＤ素子を載置するためのＬＥＤ素子載置部材と、ＬＥＤ素子載置部材周囲に設けられた配線導体とを形成する工程と、
基板の表面側のレジストを剥離する工程と、
ＬＥＤ素子載置部材上にＬＥＤ素子を搭載する工程と、
ＬＥＤ素子と配線導体とを導電部により接続する工程と、
基板上のＬＥＤ素子載置部材、配線導体、ＬＥＤ素子、および導電部を封止樹脂により樹脂封止して封止樹脂部を形成する工程と、
支持部材として機能する基板を封止樹脂部から除去する工程とを備え、
ＬＥＤ素子載置部材は、中央に位置するＬＥＤ素子載置領域と、ＬＥＤ素子載置領域の周縁に位置する周縁領域とを有し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域は、周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって上方へ盛り上がった凸部を形成し、ＬＥＤ素子載置領域および周縁領域の表面は、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射面として機能することを特徴とするＬＥＤ素子パッケージの製造方法。
【請求項１３】
ＬＥＤ素子載置部材と配線導体とを形成する工程の後、基板の裏面側にエッチングを施すことにより、基板を所定の外形形状にするとともに、基板に搬送用穴を形成する工程が設けられていることを特徴とする請求項１２記載のＬＥＤ素子パッケージの製造方法。