(57)【要約】【課題】低コストで、フレアやゴーストを抑えて高画質な画像を形成できる、低背のカメラモジュールを提供する。【解決手段】物体側から光線Ｌが斜めに入射してきたとき、最上層の第１板１６ａにより遮られ、それより下層の第２板１６ｂ〜１６ｄの開口部１６ｌ〜１６ｍに入射することはない。従って、開口部１６ｌ〜１６ｍからの反射光が、光電変換部１１ａに入射することを回避できる。【選択図】図３
2014096622.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体像を形成する撮像レンズと、
前記撮像レンズにより形成された被写体像を光電変換する撮像素子と、
前記撮像レンズと前記撮像素子の間に配置され、前記撮像素子とフリップチップ接続された回路基板と、を有するカメラモジュールにおいて、
前記回路基板は、複数の絶縁層と当該絶縁層間に形成された回路パターンが積層されて構成されていると共に、前記撮像素子の受光面に対応する位置に複数の前記絶縁層による略矩形状の開口部が形成されており、
前記開口部の四辺のそれぞれを前記撮像レンズの光軸を含む断面で見たとき、少なくとも一層の前記絶縁層の内壁位置を異ならせることにより、段差を形成したことを特徴とするカメラモジュール。
【請求項２】
前記絶縁層はセラミック材料で形成されていることを特徴とする請求項１に記載のカメラモジュール。
【請求項３】
前記絶縁層のうち、最も前記撮像レンズ側の前記絶縁層の開口部の形状を最も小さく形成して段差を形成したことを特徴とする請求項１又は２に記載のカメラモジュール。
【請求項４】
前記絶縁層のうち、最も前記撮像素子側の前記絶縁層の開口部の形状を最も小さく形成して段差を形成したことを特徴とする請求項１又は２に記載のカメラモジュール。
【請求項５】
前記絶縁層は３層以上であり、最も前記撮像レンズ側の前記絶縁層及び最も前記撮像素子側の前記絶縁層以外の絶縁層の開口部の形状を最も小さく形成して段差を形成したことを特徴とする請求項１又は２に記載のカメラモジュール。
【請求項６】
前記撮像レンズの光軸を含む断面で見たとき、最も前記光軸に近い内壁が形成された絶縁層よりも前記撮像素子側の前記絶縁層の内壁は、最も前記光軸に近い内壁の下端に接する主光線より外側になるよう形成されていることを特徴とする請求項１〜３又は５のいずれかに記載のカメラモジュール。
【請求項７】
前記撮像レンズの光軸を含む断面で見たとき、最も前記光軸に近い内壁が形成された絶縁層よりも前記撮像レンズ側の前記絶縁層の内壁は、最も前記光軸に近い内壁の上端に接し光軸との交差角が４５度の線より外側になるよう形成されていることを特徴とする請求項１、２、４又は５のいずれかに記載のカメラモジュール。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載のカメラモジュールを有することを特徴とする携帯端末。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＣＤ型イメージセンサあるいはＣＭＯＳ型イメージセンサ等の撮像素子を用いた小型のカメラモジュール及びそれを用いた携帯端末に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、CCD（Charge Coupled Device）型イメージセンサあるいはCMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）型イメージセンサ等の固体撮像素子を用いたカメラモジュールが搭載された携帯端末の普及の増大に伴い、より高画質の画像が得られるよう、画素数の大きな撮像素子を使用したカメラモジュールが搭載されたものが市場に供給されるようになってきた。
【０００３】
旧来、カメラモジュール内の撮像素子（イメージセンサ）の実装方法として、ガラス・エポキシ材料等の基板にダイ・アタッチした後、ワイヤボンディングを行うものが知られている。
【０００４】
ところで、最近ではスマートフォンと呼ばれる薄形の携帯端末が開発され、高い人気を得ている。このようなスマートフォンに搭載するカメラモジュールは、高画質な画像を形成する機能を維持しながらも、デザイン性の観点から、従来よりも更に低背（光軸方向全長が短い）な構成であることが望まれている。
【０００５】
これに対し、レンズと撮像素子の受光面の光学距離を確保しつつ撮像素子の受光エリアを臨む開口部を持つ基板に撮像素子をフリップチップ実装し、この基板の撮像素子を実装していない側の面にレンズを含む鏡筒部を配置する構造により、カメラモジュール全高を縮めるものも知られている（例えば、特許文献１参照）。かかる従来技術によれば、同じ光学系を用いた場合でも、低背化を図ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開2001-111873号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、フリップチップ実装においては、被写体光を通過させるための開口部を基板に設けているために、撮像レンズを介して入射した光束が、開口部の内壁で反射し、撮像素子の受光面に入射してフレアやゴーストなどの画像ノイズを誘発しやすいという問題がある。この問題に対し、上記特許文献1では、開口部の内壁面に反射防止層を設けたり、テーパー面とした内壁面に反射防止層を設けて内壁面からの反射光を減光させている。
【０００８】
しかるに、近年では撮像素子と接続する基板として、導電パターンと絶縁層を複数層に積層した基板を用いることが行われるが、開口部をテーパー面に加工することや、開口部の内壁に反射防止層を設けることはコスト増となる問題がある。
【０００９】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、低コストで、フレアやゴーストを抑えて高画質な画像を形成できる低背のカメラモジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１に記載のカメラモジュールは、
被写体像を形成する撮像レンズと、
前記撮像レンズにより形成された被写体像を光電変換する撮像素子と、
前記撮像レンズと前記撮像素子の間に配置され、前記撮像素子とフリップチップ接続された回路基板と、を有するカメラモジュールにおいて、
前記回路基板は、複数の絶縁層と当該絶縁層間に形成された回路パターンが積層されて構成されていると共に、前記撮像素子の受光面に対応する位置に複数の前記絶縁層による略矩形状の開口部が形成されており、
前記開口部の四辺のそれぞれを前記撮像レンズの光軸を含む断面で見たとき、少なくとも一層の絶縁層の内壁位置を異ならせることにより、段差を形成したことを特徴とする。
【００１１】
近年においては、高画素の撮像素子を用いることが多くなっており、これに伴い撮像素子の接続端子数や回路基板上における配線パターンが増加し、混雑が生じることとなった。そこで、薄い絶縁層を複数枚積層し、各絶縁層間に配線パターンを形成して回路基板を構成し、３次元的に配線パターンを配置することで混雑を緩和している。本発明は、絶縁層を複数用いた回路基板を利用して、開口部の内壁からの反射光を抑制しようとするものである。
【００１２】
より具体的には、開口部を形成する絶縁層の内壁の光軸からの距離を、他の絶縁層と異ならせることにより、開口部における撮像レンズの光軸を含む断面で段差を形成し、開口部内の光軸寄りに最も突き出た絶縁層により影を作ることで、それ以外の絶縁層のうち、より下層の絶縁層の内壁に撮像レンズからの光が入射することを阻止する。また、より上層の絶縁層の内壁に撮像レンズからの光の反射には、下層の絶縁層の上面で遮光させて、開口部内壁からの反射光を抑制する。これにより、開口部内壁の反射防止処理などが不要になり、コスト低減を図れる。尚、最も光軸に近い内壁に、撮像レンズからの光が入射することは避けられないが、回路基板全体の厚さに対して最も光軸に近い絶縁層の厚みが薄いので、反射光の影響をより少なくできる。なお、略矩形状とは、四辺形又は該四辺形の角部が円弧で丸められた形状をいう。これにより開口部以外の部分の面積を大きくでき、回路パターンの引き回しの自由度が大きくなる。
【００１３】
請求項２に記載のカメラモジュールは、請求項１に記載の発明において、前記絶縁層はセラミック材料で形成されていることを特徴とする。
【００１４】
絶縁層をセラミック材料で形成することにより、回路基板をより硬質にできると共に温度湿度等の環境変化に対する変形度合を小さくでき、撮像面と撮像レンズの間隔を環境に関わらず安定したものとすることができる。
【００１５】
請求項３に記載のカメラモジュールは、請求項１又は２に記載の発明において、前記絶縁層のうち、最も前記撮像レンズ側の前記絶縁層の開口部の形状を最も小さく形成して段差を形成したことを特徴とする。
【００１６】
これにより、最上層（最も前記撮像レンズ側）に配置した絶縁層により影を作ることで、それより下層の絶縁層の開口部内壁に、撮像レンズからの光が入射することを阻止でき、撮像素子への反射光の入射を抑制できる。
【００１７】
請求項４に記載のカメラモジュールは、請求項１又は２に記載の発明において、前記絶縁層のうち、最も前記撮像素子側の前記絶縁層の開口部の形状を最も小さく形成して段差を形成したことを特徴とする。
【００１８】
これにより、撮像レンズからの光が、最下層（最も撮像素子側）より上層のいずれかの絶縁層の内壁で反射しても、より下層に配置した絶縁層の上面で遮光することが可能になる。
【００１９】
請求項５に記載のカメラモジュールは、請求項１又は２に記載の発明において、前記絶縁層は３層以上であり、最も前記撮像レンズ側の前記絶縁層及び最も前記撮像素子側の前記絶縁層以外の絶縁層の開口部の形状を最も小さく形成して段差を形成したことを特徴とする。
【００２０】
これにより、開口部の形状の最も小さい絶縁層より下層の絶縁層は影の効果で反射光を抑制し、上層の絶縁層の内壁からの反射光は開口部の形状の最も小さい絶縁層の上面で遮光して、撮像素子への反射光の入射を抑制できる。
【００２１】
請求項６に記載のカメラモジュールは、請求項１〜３又は５のいずれかに記載の発明において、前記撮像レンズの光軸を含む断面で見たとき、最も前記光軸に近い内壁が形成された絶縁層よりも前記撮像素子側の前記絶縁層の内壁は、最も前記光軸に近い内壁の下端に接する主光線より外側になるよう形成されていることを特徴とする。
【００２２】
これにより、最も光軸に近い内壁が形成された絶縁層の下層に位置する絶縁層の内壁は、最も光軸に近い内壁が形成された絶縁層の影の領域に入り、撮像レンズからの光束を下層に位置する内壁に入射しないようにできる。
【００２３】
請求項７に記載のカメラモジュールは、請求項１、２、４又は５のいずれかに記載の発明において、前記撮像レンズの光軸を含む断面で見たとき、最も前記光軸に近い内壁が形成された絶縁層よりも前記撮像レンズ側の前記絶縁層の内壁は、最も前記光軸に近い内壁の上端に接し光軸との交差角が４５度の線より外側になるよう形成されていることを特徴とする。
【００２４】
これにより、最も光軸に近い内壁が形成された絶縁層よりも上層の絶縁層の内壁での反射光は、それより下層に配置した絶縁層の上面による遮光をより完全なものとできる。
【００２５】
請求項８に記載の携帯端末は、請求項１〜７のいずれかに記載のカメラモジュールを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、低コストで、フレアやゴーストを抑えて高画質な画像を形成できる低背のカメラモジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本実施の形態にかかるカメラモジュール１０の光軸に沿った断面図である。
【図２】カメラモジュール１０の一部を分解して示す図であり、（ａ）は物体側を上方、像側を下方とし、（ｂ）は回路基板を裏返しにして、物体側を下方、像側を上方として示し、（ｃ）は開口部の一部を拡大して示す。
【図３】図１の構成の矢印IIIで示す部位を拡大した拡大図である。
【図４】カメラモジュールを搭載したスマートフォンの正面図（ａ）、及びカメラモジュールを適用したスマートフォンの背面図（ｂ）である。
【図５】図４のスマートフォンの制御ブロック図である。
【図６】第２の実施の形態にかかるカメラモジュール１０の図３と同様な断面図であるが、バンプ等は省略している。
【図７】第３の実施の形態にかかるカメラモジュール１０の図３と同様な断面図であるが、バンプ等は省略している。
【図８】第４の実施の形態にかかるカメラモジュール１０の図３と同様な断面図であるが、バンプ等は省略している。
【図９】第５の実施の形態にかかるカメラモジュール１０の図３と同様な断面図であるが、バンプ等は省略している。
【図１０】変形例にかかるカメラモジュール１０の図３と同様な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
（第１の実施の形態）
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。図１は、本実施の形態にかかるカメラモジュール１０の光軸に沿った断面図である。図２は、カメラモジュール１０の一部を分解して示す図である。図３は、図１の構成の矢印IIIで示す部位を拡大した拡大図であり、ここでは光軸Ｘと撮像素子の光電変換部の角部を通る断面である。尚、図２に示す構成は概略図であり、形状や寸法等は実際と異なるものがある。
【００２９】
図１に示すように、カメラモジュール１０は、光電変換部（受光面）１１ａを備えた固体撮像素子としてのＣＭＯＳ型撮像素子１１と、この撮像素子１１の光電変換部１１ａに被写体像を撮像させる撮像レンズ１２と、撮像レンズ１２を保持する鏡筒１３と、ＩＲカットフィルタ及び／又はローパスフィルタで構成された平行平板状の光学フィルタ１４と、撮像レンズ１２のアクチュエータ１５と、撮像素子１１をフリップチップ接続するセラミック製の回路基板１６と、回路基板１６に接続されるフレキシブル基板１７とを有する。なお、回路基板１６はセラミック製に限らず、ガラス・エポキシ製のものやポリイミド製等の基板であってもよい。以下の説明では、セラミック材料で絶縁層を形成し、銀による回路パターンが形成された回路基板を用いた例で説明する。
【００３０】
図１に示すように、撮像素子１１は、平行平板状のチップ１１ｂ上において、その受光側（図１で上面）の中央部に、画素（光電変換素子）が２次元的に配置された、撮像面としての光電変換部１１ａが形成されており、その周囲には信号処理回路（不図示）が形成されている。かかる信号処理回路は、各画素を順次駆動し信号電荷を得る駆動回路部と、各信号電荷をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換部と、このデジタル信号を用いて画像信号出力を形成する信号処理部等から構成されている。
【００３１】
また、撮像素子１１のチップ１１ｂにおける受光面側の外縁近傍には、複数のパッド１１ｃ（図３）が配置されている。
【００３２】
一方、回路基板１６は、図３に示すように、例えば４枚のセラミック板材（絶縁層）を積層してなり、具体的には、撮像レンズ１２側から順に、第１板１６ａ、第２板１６ｂ、第３板１６ｃ、第４板１６ｄを有する。第１板１６ａの下面には回路パターン１６ｅがスクリーン印刷等により形成され、第２板１６ｂの下面には回路パターン１６ｆがスクリーン印刷等により形成され、第３板１６ｃの下面には回路パターン１６ｇがスクリーン印刷等により形成され、第４板１６ｄの下面には回路パターン１６ｈがスクリーン印刷等により形成されている。回路パターン１６ｅ〜１６ｆは、それぞれ必要に応じた位置で電気的に接続されている。例えば、図３の断面では、第２板１６ｂ〜第４板１６ｄまで貫通した孔１６ｉが形成され、銀の導電ペースト１６ｊの充填により、回路パターン１６ｅ、１６ｈが互いに導通されるようになっている。その他の回路パターン間の導通の場合も同様である。ここで、撮像レンズ１２側を上層側とし、撮像素子１１側を下層側とする。なお、各絶縁層の厚みは３０μｍ〜２００μｍ程度であることが好ましい。また、絶縁層が４層構成のもので説明するが、これに限るものでない。
【００３３】
撮像素子１１の光電変換部１１ａに対応して、撮像レンズ１２の最終面から出射され、光電変換部１１ａ上に形成される被写体像に寄与する光束を遮らず、光電変換部１１ａ外に出射される撮像に寄与しない光束を遮るように、第１板１６ａは、撮像レンズ１２の光軸Ｘを中心とする矩形状の開口部１６ｋを有し、第２板１６ｂは、撮像レンズ１２の光軸Ｘを中心とする矩形状の開口部１６ｌを有し、第３板１６ｃは、撮像レンズ１２の光軸Ｘを中心とする矩形状の開口部１６ｍを有し、第４板１６ｄは、撮像レンズ１２の光軸Ｘを中心とする矩形状の開口部１６ｎを有している。ここで、最上層の第１板１６ａの開口部１６ｋの内縁が、最も光軸Ｘに接近しており（最も開口部内寸（形状）が小さく）、次いで第２板１６ｂの開口部１６ｌの内縁が光軸Ｘに接近しており、次いで第３板１６ｃの開口部１６ｍの内縁が光軸Ｘに接近しており、最下層の第４板１６ｄの開口部１６ｎの内縁が、最も光軸Ｘから離間している。このように開口部形状を異ならせることで、光軸Ｘを含む断面において段差を形成してなる。
【００３４】
本実施の形態によれば、光軸Ｘを含む断面において段差を形成してなるので、各絶縁層の内壁位置が異なり、撮像レンズ最終面から出射される撮像に寄与しない光線が、最上層の絶縁層である第１板１６ａに遮られ、影側に位置する下層の第２板１６ｂ、第３板１６ｃ、第４板１６ｄの内壁に光が照射されることを抑制できる。これにより、開口部の内壁の反射防止処理などが不要になり、コスト低減できる。
【００３５】
更に、図３に示す光軸Ｘと光電変換部１１ａの角部ＣＰとを通る断面において、撮像レンズ１２の最終面ＬＳから光電変換部１１ａへ出射される収斂光束のうち、光電変換部１１ａの角部ＣＰに入射する光束の主光線Ｒｃより外側であって、最上層に配置された第１板１６ａの内壁の下端（撮像素子側端部）に接する主光線Ｒｏ（二点鎖線で図示）に対し、撮像素子側に位置する第２板１６ｂ、第３板１６ｃ、第４板１６ｄにそれぞれ形成された開口部１６ｌ、１６ｍ、１６ｎの内壁は、該主光線Ｒｏ（二点鎖線で図示）より外側になるよう形成されていることが好ましい。
【００３６】
このように構成することで、撮像レンズ最終面から出射される撮像に寄与しない光束は、最上層の第１板１６ａにより遮られ、それより下層の第２板１６ｂ〜１６ｄの開口部１６ｌ〜１６ｍの内壁に入射することが無くなる。従って、開口部１６ｌ〜１６ｍの内壁からの反射光が生じず、光電変換部１１ａに入射する反射光量を、より抑制できる。尚、最上層の第１板１６ａの開口部１６ｋの内壁からの反射光は、光電変換部１１ａに入射する可能性はあるが、第１板１６ａの厚みが薄いので、反射光量は小さく、大きな影響はない。
【００３７】
更に第４板１６ｄの下面に形成された回路パターン１６ｈと、これに対向する撮像素子１１のパッド１１ｃとは、パッド１１ｃに設けられた金バンプＢＰを介して電気的に接続されており、すなわちフリップチップ実装されている。回路パターン１６ｅ〜１６ｈは最終的には、外部回路につながるフレキシブル基板１７に、ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ：異方性導電フィルム）で接続されている。このように、撮像素子１１を、回路基板１６の像側面にフリップチップ実装することで、撮像素子１１の背面側の基板が不要になり、カメラモジュール１０の高さを抑えることができる。
【００３８】
撮像素子１１は、光電変換部１１ａからの信号電荷をデジタルＹＵＶ信号等の画像信号等に変換し、パッド１１ｃから金バンプＢＰ及び回路基板１６の配線パターンを介して、不図示の外部回路（例えば、カメラモジュールを実装した上位装置が有する制御回路）へと送信するようになっている。又、回路基板１６の配線パターンから金バンプＢＰ及びパッド１１ｃを介して、外部回路から撮像素子１１を駆動するための電力やクロック信号の供給を受けることもできる。ここで、Ｙは輝度信号、Ｕ（＝Ｒ−Ｙ）は赤と輝度信号との色差信号、Ｖ（＝Ｂ−Ｙ)は青と輝度信号との色差信号である。なお、撮像素子は上記ＣＭＯＳ型のイメージセンサに限定されるものではなく、ＣＣＤ等の他のものを使用しても良い。
【００３９】
図１において、鏡筒１３の内部には、撮像レンズ１２が設けられている。アクチュエータ１５は、鏡筒１３に固定された筒状のキャリヤ１５ａと、キャリヤ１５ａに取り付けられ光軸方向に延在するコイル１５ｂと、コイル１５ｂに対向して配置された磁石１５ｃと、磁石１５ｃを支持した筐体状のヨーク１５ｄとからなっている。コイル１５ｂは、不図示の配線を介して外部回路に接続されている。ヨーク１５ｄの下端は、環状の樹脂部材１８を介して回路基板１６上に接着されている。また、キャリヤ１５ａは不図示の弾性部材により撮像素子１１方向に付勢されている。
【００４０】
上述したカメラモジュール１０の動作について説明する。図４は、カメラモジュール１０を携帯端末の一例であるスマートフォン１００に装備した状態を示す。また、図５はスマートフォン１００の制御ブロック図である。
【００４１】
カメラモジュール１０は、例えば、鏡筒１３の物体側端面がスマートフォン１００の背面（図４（ｂ）参照）に設けられ、スマートフォン１００の表面側には液晶表示部が配設されている。
【００４２】
カメラモジュール１０は、外部接続端子（図５では矢印）を介して、スマートフォン１００の制御部１０１と接続され、輝度信号や色差信号等の画像信号を制御部１０１側に出力する。
【００４３】
一方、スマートフォン１００は、図５に示すように、各部を統括的に制御すると共に、各処理に応じたプログラムを実行する制御部（ＣＰＵ）１０１と、電源等のスイッチ及び番号等をタッチパッドにより指示入力するための入力部６０と、所定のデータの他に撮像した映像等を液晶パネルで表示する表示部６５（但し、表示部の液晶パネルと入力部のタッチパッドはタッチパネル７０が兼用する）と、外部サーバとの間の各種情報通信を実現するための無線通信部８０と、スマートフォン１００のシステムプログラムや各種処理プログラム及び端末ＩＤ等の必要な諸データを記憶している記憶部（ＲＯＭ）９１と、制御部１０１によって実行される各種処理プログラムやデータ、若しくは処理データ、或いはカメラモジュール１０により得られた撮像データ等を一時的に格納する作業領域として用いられる及び一時記憶部（ＲＡＭ）９２とを備えている。
【００４４】
カメラモジュール１０は、スマートフォン１００の入力部６０の操作によって動作させられ、アクチュエータ１５により撮像レンズ１２を駆動してオートフォーカス動作を行い、レリーズボタン７１等を押圧することで、撮像を行うことができる。カメラモジュール１０から入力された画像信号は、上記スマートフォン１００の制御系により、記憶部９１や一時記憶部９２に記憶されたり、或いは表示部６５に表示され、さらには、無線通信部８０を介して映像情報として外部に送信される。
【００４５】
（第２の実施の形態）
図６は、第２の実施の形態にかかるカメラモジュール１０の図３と同様な断面図である。本実施の形態においては、回路基板１６のうち、最下層の第１板１６ｄの開口部１６ｎの内壁が、最も光軸Ｘ（図６で左方に位置する）に接近しており、次いで、第３板１６ｃの開口部１６ｍの内壁が光軸Ｘに接近しており、次いで、第２板１６ｂの開口部１６ｌの内壁が光軸Ｘに接近しており、最上層の第１板１６ａの開口部１６ｋの内壁が、最も光軸Ｘから離間している。つまり、最も撮像素子１１側の絶縁層の開口部の形状が最も小さい。尚、図６に示す光軸Ｘと光電変換部１１ａの角部ＣＰとを通る断面において、最下層の開口部１６ｎの上端を通り、光軸に４５度で交差する線ＬＮを引いたとき、それより上層の開口部１６ｋ〜１６ｍの上端のいずれも、線ＬＮより外側（光軸より遠い側）に位置することが好ましい。加えて、光電変換部１１ａの角部ＣＰを通り、光軸に４５度で交差する線ＬＮに対して、少なくとも開口部１６ｎの上端が、それより外側に位置すると好ましい。４５度とするのは、光電変換部の角部ＣＰに結像する光束の主光線の角度を３０数°としたとき、開口部１６ｋ〜１６ｍの内壁に入射する撮像レンズ最終面からの光束の主光線の角度はそれより大きくなり、開口部１６ｋ〜１６ｍの内壁に入射する収斂光束の反射光を下層の絶縁層の上面に向かうようにするためである。
【００４６】
本実施の形態によれば、図６に示すように、撮像レンズ最終面から斜めに出射される撮像に寄与しない光線が、最上層の第１板１６ａの開口部１６ｋの内壁で反射しても、それより下層の第２板１６ｂの上面で反射し、第１板１６ｂの開口部１６ｌの内壁で反射した光は、それより下層の第３板１６ｃの上面で反射し、第３板１６ｃの開口部１６ｍの内壁で反射した光は、それより下層の第４板１６ｄの上面で反射するので、光電変換部１１ａに入射することがない。尚、最下層の第４板１６ｄの開口部１６ｎの内壁からの反射光は、光電変換部１１ａに入射する可能性はあるが、第４板１６ｄの厚みが薄いので、反射光量は小さく、大きな影響はない。
【００４７】
（第３の実施の形態）
図７は、第３の実施の形態にかかるカメラモジュール１０の図３と同様な断面図である。本実施の形態においては、回路基板１６のうち、最上層の第１板１６ａの開口部１６ｋの内壁が、最も光軸Ｘ（図７で左方に位置する）に接近しており、それより下層の板１６ｂ〜１６ｄの開口部１６ｌ〜１６ｎの内壁が、開口部１６ｋの内壁よりも光軸から離間して面一となっている。この場合、図３で説明したように、最上層に配置された第１板１６ａの開口部１６ｋの内壁の下端（撮像素子側端部）に接する主光線に対し、最も撮像素子側に位置する第４板１６ｄに形成された開口部１６ｎの内壁は、該主光線より外側になるよう形成されていることが好ましい。
【００４８】
本実施の形態によれば、撮像レンズ最終面から斜めに出射される撮像に寄与しない光線が、最上層の第１板１６ａにより遮られ、それより下層の第２板１６ｂ〜１６ｄの開口部１６ｌ〜１６ｎの内壁に入射することはない。従って、開口部１６ｌ〜１６ｎの内壁からの反射光を無くすことができる。尚、最上層の第１板１６ａの開口部１６ｋの内壁からの反射光は、光電変換部１１ａに入射する可能性はあるが、第１板１６ａの厚みが薄いので、反射光量は小さく、大きな影響はない。
【００４９】
（第４の実施の形態）
図８は、第４の実施の形態にかかるカメラモジュール１０の図３と同様な断面図である。本実施の形態においては、回路基板１６のうち、最下層の第１板１６ｄの開口部１６ｎの内壁が、最も光軸Ｘ（図８で左方に位置する）に接近しており、それより上層の板１６a〜１６ｃの開口部１６ｋ〜１６ｍの内壁が、開口部１６ｎの内壁よりも光軸から離間して面一となっている。この場合、図６で説明したように、開口部１６ｎの内壁の上端に接し、光軸に４５度で交差する線に対して、少なくとも開口部１６ｋの上端が、それより外側に位置すると好ましい。加えて、光電変換部１１ａの角部ＣＰを通り、光軸に４５度で交差する線ＬＮに対して、少なくとも開口部１６ｎの上端が、それより外側に位置すると好ましい。
【００５０】
本実施の形態によれば、撮像レンズ最終面から斜めに出射される撮像に寄与しない光線が、板１６ａ〜１６ｃの開口部１６ｋ〜１６ｍのいずれかの内壁で反射しても、最下層の第４板１６ｄの上面で反射するので、光電変換部１１ａに入射することがない。尚、最下層の第４板１６ｄの開口部１６ｎの内壁からの反射光は、光電変換部１１ａに入射する可能性はあるが、第４板１６ｄの厚みが薄いので、反射光量は小さく、大きな影響はない。
【００５１】
（第５の実施の形態）
図９は、第５の実施の形態にかかるカメラモジュール１０の図３と同様な断面図である。本実施の形態においては、回路基板１６のうち、第２板１６ｂの開口部１６ｌの内壁が、最も光軸Ｘ（図９で左方に位置する）に接近しており、それより上層及び下層の板１６ａ、１６ｃ、１６ｄの開口部１６ｋ、１６ｍ、１６ｎの内壁が、開口部１６ｌの内壁よりも光軸から離間している。つまり、最も撮像レンズ１２側の絶縁層及び最も撮像素子１１側の絶縁層以外の絶縁層の開口部の形状が最も小さい。この場合、開口部１６ｌの内壁の上端に接し、光軸に４５度で交差する線に対して、少なくとも開口部１６ｋの内壁の上端が、それより外側に位置すると好ましく、更に、開口部１６ｌの内壁の下端に接する主光線に対し、撮像素子側に位置する第３板１６ｃ、第４板１６ｄに形成された開口部１６ｍ、１６ｎの内壁は、該主光線より外側になるよう形成されていることが好ましい。
【００５２】
本実施の形態によれば、撮像レンズ最終面から斜めに出射される撮像に寄与しない光線が、第２板１６ｂにより遮られ、それより下層の板１６ｃ、１６ｄの開口部１６ｍ、１６ｎに入射することはない。又、最上層の第１板１６ａの開口部１６ｋの内壁で反射した光は、それより下層の第２板１６ｂの上面で反射するので、光電変換部１１ａに入射することがない。尚、第２板１６ｂの開口部１６ｌの内壁からの反射光は、光電変換部１１ａに入射する可能性はあるが、第２板１６ｂの厚みが薄いので、反射光量は小さく、大きな影響はない。又、第２板１６ｂの代わりに、第３板１６ｃの開口部１６ｍの内縁を最も光軸Ｘに接近させるようにしても良い。
【００５３】
（変形例）
図１０は、変形例にかかるカメラモジュール１０の図３と同様な断面図である。図１０（ａ）に示す変形例においては、回路基板１６のうち、２枚の板１６ａ、１６ｂの開口部１６ｋ、１６ｌの内壁が、最も光軸Ｘ（図１０で左方に位置する）に接近しており、それより下層の２枚の板１６ｃ、１６ｄの開口部１６ｍ、１６ｎの内壁が、開口部１６ｋ、１６ｌの内壁よりも光軸から離間して面一となっている。
【００５４】
一方、図１０（ｂ）に示す変形例においては、回路基板１６のうち、２枚の板１６ｃ、１６ｄの開口部１６ｍ、１６ｎの内壁が、最も光軸Ｘ（図１０で左方に位置する）に接近しており、それより上層の２枚の板１６ａ、１６ｂの開口部１６ｋ、１６ｌの内壁が、開口部１６ｋ、１６ｌの内壁よりも光軸から離間して面一となっている。図１０に示すように、複数の絶縁層を最も光軸Ｘに接近させた構成であっても良い。  
【００５５】
本発明は、明細書に記載の実施例に限定されるものではなく、他の実施例・変形例を含むことは、本明細書に記載された実施例や思想から本分野の当業者にとって明らかである。なお、上述の実施例においては、特定の絶縁層の開口部形状を小さく形成することにより段差を形成する例で説明したが、これに限るものでなく、例えば、各絶縁層の開口部は同寸として、中心位置をずらして形成し、絶縁層を重畳したとき、中心位置のずれにより段差が形成されるようにしてもよい。すなわち、四辺形の各辺で、光軸に最も近い内壁となる層が異なっているような構成でもよい。また、例えば、回路基板において、最上層の絶縁層の上、又は最下層の絶縁層の下、あるいは絶縁層の間に、回路パターンを有しないダミーの絶縁層を設けても良い。
【符号の説明】
【００５６】
ＢＰ            金バンプ
ＬＳ            撮像レンズ最終面
Ｘ            光軸
１０            カメラモジュール
１１            撮像素子
１１ａ            光電変換部
１１ｂ            チップ
１１ｃ            パッド
１２            撮像レンズ
１３            鏡筒
１４            光学フィルタ
１５            アクチュエータ
１５ａ            キャリヤ
１５ｂ            コイル
１５ｃ            磁石
１５ｄ            ヨーク
１６            回路基板
１６ａ            第１板
１６ｂ            第２板
１６ｃ            第３板
１６ｄ            第４板
１６ｅ-１６ｈ        回路パターン
１６ｉ            孔
１６ｊ            導電ペースト
１６ｋ-１６ｎ        開口部
１７            フレキシブル基板
１８            樹脂部材
６０            入力キー部
６５            表示部
７０            タッチパネル
７１            レリーズボタン
８０            無線通信部
９２            記憶部
１００            スマートフォン
１０１            制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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