(57)【要約】【課題】不活性ガスやドライガスの使用量を抑制することができるとともに、スループットの低下を防止することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置１０は、ローダモジュール１３と、複数のウエハＷを収容し且つ本体３１、開口部３３及び蓋３２を有するＦＯＵＰ３０から蓋３２を外してＦＯＵＰ３０の内部を開口部３３を介してローダモジュール１３の内部と連通させるオープナー４２と、ローダモジュール１３に取り付けられたＦＯＵＰ３０の内部へＮ２ガスを供給するＮ２ガス供給ユニット４７と、開口部３３の開口面に沿って互いに自在に移動する２つの板状のスライド蓋４３、４４とを備え、スライド蓋４３、４４は、互いの隙間が１ｍｍ〜３ｍｍとなるまで互いに接近することにより、ローダモジュール１３に取り付けられたＦＯＵＰ３０の開口部３３をローダモジュール１３の内部から遮蔽する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板搬送室と、複数の基板を収容し且つ開口部及び該開口部を塞ぐ蓋を有する容器が前記基板搬送室に取り付けられた際、前記容器から前記蓋を外して前記容器の内部を前記開口部を介して前記基板搬送室の内部と連通させる蓋開閉機構と、前記基板搬送室に取り付けられた前記容器の内部へ不活性ガス又はドライガスを供給するパージガス供給部とを備える基板処理装置において、
前記基板搬送室に取り付けられた前記容器の開口部を前記基板搬送室の内部から遮蔽する遮蔽機構を備え、
前記遮蔽機構は前記開口部の開口面に沿って互いに自在に移動する２つの板状の移動蓋を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
複数の基板を収容し且つ開口部及び該開口部を塞ぐ蓋を有する容器が基板搬送室に取り付けられた際、前記容器から前記蓋を外して前記容器の内部を前記開口部を介して前記基板搬送室の内部と連通させる蓋開閉機構において、
前記基板搬送室に取り付けられた前記容器の開口部を前記基板搬送室の内部から遮蔽する遮蔽機構を備え、
前記遮蔽機構は前記開口部の開口面に沿って互いに自在に移動する２つの板状の移動蓋を有し、
前記基板搬送室に取り付けられた前記容器の内部へ不活性ガス又はドライガスが供給される際、前記２つの移動蓋は互いに接近して前記容器の開口部を前記基板搬送室の内部から遮蔽することを特徴とする蓋開閉機構。
【請求項３】
前記２つの移動蓋は互いの隙間が１ｍｍ〜３ｍｍとなるまで互いに接近することを特徴とする請求項２記載の蓋開閉機構。
【請求項４】
複数の基板を収容し且つ開口部及び該開口部を塞ぐ蓋を有する容器が取り付けられる基板搬送室に配される遮蔽機構であって、
前記容器が前記基板搬送室に取り付けられ、前記容器から前記蓋が外されて前記容器の内部が前記開口部を介して前記基板搬送室の内部と連通する際、前記開口部の開口面に沿って互いに自在に移動する２つの板状の移動蓋を備え、
前記基板搬送室に取り付けられた前記容器の内部へ不活性ガス又はドライガスが供給される際、前記２つの移動蓋は互いに接近して前記容器の開口部を前記基板搬送室の内部から遮蔽することを特徴とする遮蔽機構。
【請求項５】
前記２つの移動蓋は互いの隙間が１ｍｍ〜３ｍｍとなるまで互いに接近することを特徴とする請求項４記載の遮蔽機構。
【請求項６】
基板搬送室に取り付けられ、且つ複数の基板を収容し且つ開口部及び該開口部を塞ぐ蓋を有する容器の内部パージ方法であって、
前記容器を前記基板搬送室へ取り付け、
前記取り付けられた容器の蓋を外して前記容器の内部を前記開口部を介して前記基板搬送室の内部と連通させ、
前記容器の内部へ不活性ガス又はドライガスを供給し、
前記開口部の開口面に沿って互いに自在に移動する２つの板状の移動蓋を接近させて前記容器の開口部を前記基板搬送室の内部から遮蔽し、
前記容器から前記基板を取り出す際、前記２つの移動蓋が離間して前記取り出される基板に対向する位置に基板取り出し用の隙間を形成することを特徴とする容器の内部パージ方法。
【請求項７】
前記２つの移動蓋は互いの隙間が１ｍｍ〜３ｍｍとなるまで互いに接近することを特徴とする請求項６記載の容器の内部パージ方法。
【請求項８】
前記基板取り出し用の隙間は２０ｍｍ〜５０ｍｍであることを特徴とする請求項６又は７記載の容器の内部パージ方法。
【請求項９】
前記容器から他の前記基板を取り出す際、前記２つの移動蓋は移動して前記取り出される他の基板に対向する位置に前記基板取り出し用の隙間を形成することを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の容器の内部パージ方法。
【請求項１０】
前記２つの移動蓋が離間する際も前記容器の内部へ不活性ガス又はドライガスが供給されることを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載の内部パージ方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の基板を収容し、蓋によって開閉可能な開口部を有する容器を扱う基板処理装置、蓋開閉機構、遮蔽機構及び容器の内部パージ方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板としての半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）は移送される際、大気を漂うゴミ等が付着するのを防止するために密閉された容器に収容されて移送される。このような容器としては、ＳＥＭＩ規格で規定されたＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）が用いられる。ＦＯＵＰは内部に複数のウエハを収容する箱形の容器であり、一面が開口部からなる筐体状の本体と、筐体の開口部を覆う蓋とを有する。
【０００３】
一般にウエハに所定の処理、例えば、プラズマ処理を施す基板処理装置では、ＦＯＵＰが基板処理装置の搬送室等に取り付けられ、ＦＯＵＰの蓋が外されて収容されたウエハが取り出される。また、プラズマ処理が施されたウエハは再びＦＯＵＰへ収容される。
【０００４】
ところで、プラズマ処理が施されたウエハには反応生成物等が付着している場合があるが、反応生成物が付着しているウエハをＦＯＵＰに収容すると、該反応生成物とＦＯＵＰの内部の大気に残留する水分と、若しくは反応生成物が揮発して発生した揮発ガスと大気に残留する水分とが化学反応して酸性ガスが発生することがある。この酸性ガスは収容されたプラズマ処理後のウエハの配線を異常酸化させる等、当該ウエハに悪影響を与える。また、クリーンルーム内のアンモニア（ＮＨ３）がＦＯＵＰの内部に進入して酸性ガスと反応し、反応生成物、例えば、フッ化アンモニウムや臭化アンモニウムを発生させる虞もある。この場合、発生した反応生成物は処理前のウエハに付着して当該ウエハを汚染する。
【０００５】
そこで、ＦＯＵＰの内部から水分や揮発ガスを除去する手法が以前から提案されている。例えば、ＦＯＵＰが搬送室等に取り付けられて蓋が外された際、ＦＯＵＰの外部に設けられたガス供給口から本体の開口部へ向けて不活性ガスやドライガスを供給してＦＯＵＰの内部から水分や揮発ガスを押し出して除去する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−４５９３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、不活性ガス等が供給されている間、ＦＯＵＰの本体の開口部は開口され続けるため、供給された不活性ガス等は本体の内部に留まりにくいため、不活性ガス等の使用量が多くなる。
【０００８】
また、全てのプラズマ処理済みのウエハを本体の内部に収容し、蓋を本体に取り付けて開口部を閉鎖した後も、本体の内部へ不活性ガス等を供給して該内部の水分の濃度を一定以下に低下させる必要があるが、上述した特許文献１の方法では、供給された不活性ガス等は本体の内部に留まらず、本体の内部における不活性ガス等の濃度の維持が困難であるため、開口部が閉鎖された後、内部の水分の濃度を低下させるために時間を要し、スループットが低下するという問題がある。
【０００９】
本発明の目的は、不活性ガスやドライガスの使用量を抑制することができるとともに、スループットの低下を防止することができる基板処理装置、蓋開閉機構、遮蔽機構及び容器内パージ方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、請求項１記載の基板処理装置は、基板搬送室と、複数の基板を収容し且つ開口部及び該開口部を塞ぐ蓋を有する容器が前記基板搬送室に取り付けられた際、前記容器から前記蓋を外して前記容器の内部を前記開口部を介して前記基板搬送室の内部と連通させる蓋開閉機構と、前記基板搬送室に取り付けられた前記容器の内部へ不活性ガス又はドライガスを供給するパージガス供給部とを備える基板処理装置において、前記基板搬送室に取り付けられた前記容器の開口部を前記基板搬送室の内部から遮蔽する遮蔽機構を備え、前記遮蔽機構は前記開口部の開口面に沿って互いに自在に移動する２つの板状の移動蓋を有することを特徴とする。
【００１１】
上記目的を達成するために、請求項２記載の蓋開閉機構は、複数の基板を収容し且つ開口部及び該開口部を塞ぐ蓋を有する容器が基板搬送室に取り付けられた際、前記容器から前記蓋を外して前記容器の内部を前記開口部を介して前記基板搬送室の内部と連通させる蓋開閉機構において、前記基板搬送室に取り付けられた前記容器の開口部を前記基板搬送室の内部から遮蔽する遮蔽機構を備え、前記遮蔽機構は前記開口部の開口面に沿って互いに自在に移動する２つの板状の移動蓋を有し、前記基板搬送室に取り付けられた前記容器の内部へ不活性ガス又はドライガスが供給される際、前記２つの移動蓋は互いに接近して前記容器の開口部を前記基板搬送室の内部から遮蔽することを特徴とする。
【００１２】
請求項３記載の蓋開閉機構は、請求項２記載の蓋開閉機構において、前記２つの移動蓋は互いの隙間が１ｍｍ〜３ｍｍとなるまで互いに接近することを特徴とする。
【００１３】
上記目的を達成するために、請求項４記載の遮蔽機構は、複数の基板を収容し且つ開口部及び該開口部を塞ぐ蓋を有する容器が取り付けられる基板搬送室に配される遮蔽機構であって、前記容器が前記基板搬送室に取り付けられ、前記容器から前記蓋が外されて前記容器の内部が前記開口部を介して前記基板搬送室の内部と連通する際、前記開口部の開口面に沿って互いに自在に移動する２つの板状の移動蓋を備え、前記基板搬送室に取り付けられた前記容器の内部へ不活性ガス又はドライガスが供給される際、前記２つの移動蓋は互いに接近して前記容器の開口部を前記基板搬送室の内部から遮蔽することを特徴とする。
【００１４】
請求項５記載の遮蔽機構は、請求項４記載の遮蔽機構において、前記２つの移動蓋は互いの隙間が１ｍｍ〜３ｍｍとなるまで互いに接近することを特徴とする。
【００１５】
上記目的を達成するために、請求項６記載の容器の内部パージ方法は、基板搬送室に取り付けられ、且つ複数の基板を収容し且つ開口部及び該開口部を塞ぐ蓋を有する容器の内部パージ方法であって、前記容器を前記基板搬送室へ取り付け、前記取り付けられた容器の蓋を外して前記容器の内部を前記開口部を介して前記基板搬送室の内部と連通させ、前記容器の内部へ不活性ガス又はドライガスを供給し、前記開口部の開口面に沿って互いに自在に移動する２つの板状の移動蓋を接近させて前記容器の開口部を前記基板搬送室の内部から遮蔽し、前記容器から前記基板を取り出す際、前記２つの移動蓋が離間して前記取り出される基板に対向する位置に基板取り出し用の隙間を形成することを特徴とする。
【００１６】
請求項７記載の容器の内部パージ方法は、請求項６記載の容器の内部パージ方法において、前記２つの移動蓋は互いの隙間が１ｍｍ〜３ｍｍとなるまで互いに接近することを特徴とする。
【００１７】
請求項８記載の容器の内部パージ方法は、請求項６又は７記載の容器の内部パージ方法において、前記基板取り出し用の隙間は２０ｍｍ〜５０ｍｍであることを特徴とする。
【００１８】
請求項９記載の容器の内部パージ方法は、請求項６乃至８のいずれか１項に記載の容器の内部パージ方法において、前記容器から他の前記基板を取り出す際、前記２つの移動蓋は移動して前記取り出される他の基板に対向する位置に前記基板取り出し用の隙間を形成することを特徴とする。
【００１９】
請求項１０記載の容器の内部パージ方法は、請求項６乃至９のいずれか１項に記載の内部パージ方法において、前記２つの移動蓋が離間する際も前記容器の内部へ不活性ガス又はドライガスが供給されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、遮蔽機構の２つの板状の移動蓋は、基板搬送室に取り付けられて蓋が外された容器の開口部の開口面に沿って互いに自在に移動するので、互いに接近することによって容器の開口部を遮蔽することができる。一方、容器から基板を取り出す際、２つの板状の移動蓋は、互いに離間して取り出される基板に対向する位置に基板取り出し用の隙間を形成するので、開口部を全て開放することなく基板取り出し用の隙間を介して基板を取り出すことができる。その結果、容器の内部へ供給された不活性ガスやドライガスが開口部を介して大幅に漏れるのを防止することができる。
【００２１】
また、本発明によれば、容器の内部へ供給された不活性ガスやドライガスが開口部を介して大幅に漏れるのを防止することができ、容器の内部における不活性ガスやドライガスの濃度の維持が容易であるため、蓋が容器の開口部へ嵌め込まれた後、容器の内部の水分の濃度を低下させるための不活性ガスやドライガスの供給を所定の短時間で終了することができる。その結果、スループットの低下を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の構成を概略的に示す平面図である。
【図２】図１におけるＦＯＵＰ載置台に載置されてローダモジュールへ取り付けられるＦＯＵＰの構成を概略的に示す斜視図である。
【図３】図１におけるローダモジュールの構成を概略的に示す断面図である。
【図４】本実施の形態に係る容器の内部パージ方法を示す工程図である。
【図５】本実施の形態に係る容器の内部パージ方法を示す工程図である。
【図６】処理対象のウエハが変わった際に形成される基板取り出し用の隙間の位置を示す図である。
【図７】図１におけるローダモジュールの変形例の構成を概略的に示す断面図である。
【図８】ＦＯＵＰの内部の密封後における、ＦＯＵＰの内部へ戻されたプラズマ処理後のウエハの残留イオン量のガスパージ時における時間経過を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００２４】
図１は、本実施の形態に係る基板処理装置の構成を概略的に示す平面図である。図１では、説明のために基板処理装置の内部が透けて見えるように基板処理装置が描画されている。図１の基板処理装置は枚葉でウエハにプラズマ処理を施すように構成されている。
【００２５】
図１において、基板処理装置１０は、平面視略六角形状のトランスファモジュール１１と、該トランスファモジュール１１の両側面に配置された４つのプロセスモジュール１２と、トランスファモジュール１１に対向して配置されたローダモジュール１３（基板搬送室）と、トランスファモジュール１１及びローダモジュール１３の間に介在する２つのロードロックモジュール１４とを備える。
【００２６】
各プロセスモジュール１２は真空処理室からなり、内部に配置されたステージ１５を有し、該ステージ１５にウエハＷが載置された後、内部を減圧して処理ガスを導入し、さらに内部に高周波電力を印加してプラズマを生成し、該プラズマによってウエハＷにプラズマ処理を施す。各プロセスモジュール１２とトランスファモジュール１１とは開閉自在なゲートバルブ１６で仕切られる。
【００２７】
トランスファモジュール１１は真空処理室からなり、内部に配置された２つのスカラアームタイプの搬送アームからなる搬送アームユニット１７を有する。搬送アームユニット１７は、内部に配置されたガイドレール１８に沿って移動し、各プロセスモジュール１２やロードロックモジュール１４へウエハＷを搬送する。各ロードロックモジュール１４とトランスファモジュール１１とは開閉自在なゲートバルブ１９で仕切られる。
【００２８】
各ロードロックモジュール１４は、内部を真空、大気圧に切り換え可能な内圧可変室からなり、内部に配置されたステージ２０を有する。各ロードロックモジュール１４とローダモジュール１３とは開閉自在なゲートバルブ２１で仕切られる。
【００２９】
ロードロックモジュール１４では、ウエハＷをローダモジュール１３からトランスファモジュール１１へ搬入する際、まず内部を大気圧に維持してゲートバルブ２１を開放し、ローダモジュール１３からウエハＷを受け取り、該ウエハＷをステージ２０に載置した後、ゲートバルブ２１を閉鎖して内部を真空まで減圧し、次いで、ゲートバルブ１９を開放してトランスファモジュール１１へウエハＷを搬入する。また、ウエハＷをトランスファモジュール１１からローダモジュール１３へ搬出する際、まず内部を真空に維持してゲートバルブ１９を開放し、トランスファモジュール１１からウエハＷを受け取り、該ウエハＷをステージ２０に載置した後、ゲートバルブ１９を閉鎖して内部を大気圧まで昇圧し、次いで、ゲートバルブ２１を開放してローダモジュール１３へウエハＷを搬入する。
【００３０】
ローダモジュール１３は直方体状の大気搬送室からなり、長手方向に関する一の側面には各ロードロックモジュール１４が接続され、長手方向に関する他の側面には３つのＦＯＵＰ載置台２２が設けられている。
【００３１】
ローダモジュール１３の内部には搬送機構２３が配置され、該搬送機構２３は、ガイドレール２４と、支持台２５と、スカラアームタイプの搬送アーム２６とを有し、ガイドレール２４はローダモジュール１３の長手方向に沿って配置され、支持台２５は搬送アーム２６を支持し、ガイドレール２４に沿って移動する。搬送アーム２６は旋回、伸縮自在に構成され、該搬送アーム２６の先端にはウエハＷを支持するピックＰが配置される。
【００３２】
また、ローダモジュール１３は、各ＦＯＵＰ載置台２２に載置されてローダモジュール１３へ取り付けられたＦＯＵＰ３０から取り出されたウエハＷの相対位置（例えば、ピックＰやステージ１５、２０に対する相対位置）をアライメントするオリエンタ２７を有する。
【００３３】
ローダモジュール１３では、搬送機構２３が各ＦＯＵＰ３０、各ロードロックモジュール１４及びオリエンタ２７の間でウエハＷを搬送する。
【００３４】
基板処理装置１０は、例えば、コンピュータからなる制御装置２８を有し、基板処理装置１０の各構成要素（例えば、トランスファモジュール１１やプロセスモジュール１２）の動作は制御装置２８によって制御される。
【００３５】
図２は、図１におけるＦＯＵＰ載置台に載置されてローダモジュールへ取り付けられるＦＯＵＰの構成を概略的に示す斜視図である。図２では、説明のために、ＦＯＵＰ３０が本体３１と蓋３２が互いに離間し、さらに蓋３２は内側が手前に向く状態で示されるが、通常、蓋３２は本体３１の開口部３３へ嵌め込まれており、ＦＯＵＰ３０を移送する際、本体３１と蓋３２は一体的に移動する。
【００３６】
図２において、ＦＯＵＰ３０は略立方体状の本体３１と略矩形平板状の蓋３２とを備える。本体３１及び蓋３２は、例えば、高機能プラスチックによって構成され、本体３１は一側面が開放されて開口部３３を形成し、該開口部３３へ蓋３２が嵌め込まれる。
【００３７】
本体３１は内部の側面において水平に形成された複数の棚状突起であるウエハティース３４を有し、蓋３２は内側の側面において水平に形成された複数の棚状突起であるリテーナ３５を有する。ＦＯＵＰ３０に複数のウエハＷが収容される際、ウエハティース３４及びリテーナ３５の各々は１枚のウエハＷを水平に保持する。
【００３８】
また、本体３１は外側の側面に配置されたロボットフランジ３６やマニュアルハンドル３７、さらにはクリーンルーム内等に設けられたガイドに沿ってＦＯＵＰ３０を移送させるためのサイドレール３８を有する。蓋３２は本体３１と当接する面に設けられたシール材３９を有する。シール材３９は、例えば、ゴム材からなり、蓋３２が本体３１の開口部３３へ嵌め込まれた際、蓋３２及び本体３１の隙間を充填し、ＦＯＵＰ３０の内部を外部から密封する。
【００３９】
さらに、ＦＯＵＰ３０は本体３１の底部にガス供給口４０を有する。ガス供給口４０には、例えば、ワンウェイ機構が設けられ、ＦＯＵＰ３０の内部の圧力よりも外部の圧力が高いときのみ、外部からガスが供給可能に構成されている。
【００４０】
図１に戻り、基板処理装置１０では、ＦＯＵＰ３０に収容された各ウエハＷにプラズマ処理を施す際、まず、ＦＯＵＰ載置台２２へＦＯＵＰ３０が載置され、ＦＯＵＰ３０の本体３１が外されて開口部３３を介してＦＯＵＰ３０の内部とローダモジュール１３の内部が連通する。次いで、搬送機構２３が各ＦＯＵＰ３０からウエハＷを枚葉で取り出してオリエンタ２７へ搬送し、さらに相対位置がアライメントされたウエハＷをロードロックモジュール１４へ搬入する。次いで、トランスファモジュール１１の搬送アームユニット１７が、ロードロックモジュール１４からウエハＷを受け取っていずれかのプロセスモジュール１２へ搬入し、さらにプラズマ処理が施されたウエハＷをプロセスモジュール１２から受け取ってロードロックモジュール１４へ搬入する。次いで、搬送機構２３がロードロックモジュール１４からウエハＷを受け取っていずれかのＦＯＵＰ３０の内部へ搬入する。
【００４１】
図３は、図１におけるローダモジュールの構成を概略的に示す断面図である。なお、図３ではロードロックモジュール１４が省略されている。
【００４２】
図３において、ローダモジュール１３は、ＦＯＵＰ載置台２２が設けられる側面１３ａにおいてＦＯＵＰ載置台２２の上方に開口するＦＯＵＰ取り付け口４１と、側面１３ａの内側に設けられるＬ字状のアームからなるオープナー４２と、側面１３ａの内側においてＦＯＵＰ取り付け口４１の上下それぞれに設けられる板状のスライド蓋４３、４４（遮蔽機構）と、ＦＯＵＰ載置台２２の上面に開口し、ＦＯＵＰ載置台２２にＦＯＵＰ３０が載置された際、ＦＯＵＰ３０のガス供給口４０と連通するＮ２ガス供給経路４５と、該Ｎ２ガス供給経路４５とパイプ４６を介してガス供給口４０と連通するＮ２ガス供給ユニット４７（不活性ガス供給部）と、上部に配置されたファンフィルタユニット４８とをさらに有する。
【００４３】
ＦＯＵＰ取り付け口４１はＦＯＵＰ３０の蓋３２が遊嵌可能な大きさに形成され、ＦＯＵＰ３０がローダモジュール１３へ取り付けられた際、ＦＯＵＰ３０の蓋３２がＦＯＵＰ取り付け口４１へ嵌め込まれる。なお、ＦＯＵＰ３０がローダモジュール１３へ取り付けられていない場合、ＦＯＵＰ取り付け口４１は不図示のシャッターによって閉鎖される。
【００４４】
オープナー４２は図中上下、左右に関して所定範囲内で移動自在であり、ローダモジュール１３へ取り付けられたＦＯＵＰ３０の蓋３２と係合して該蓋３２を取り外す。Ｎ２ガス供給ユニット４７はパイプ４６、Ｎ２ガス供給経路４５及びガス供給口４０を介してＦＯＵＰ３０の内部へＮ２ガスを供給する。
【００４５】
ファンフィルタユニット４８はファン（図示しない）を内蔵し、ローダモジュール１３内において上方から下方へのダウンフローを生じさせ、ローダモジュール１３内を漂うパーティクル等をダウンフローに巻き込んでローダモジュール１３の外部へ排出する。
【００４６】
スライド蓋４３、４４は側面１３ａの内側に沿って図中上下方向に関して互いに自在に移動し、ＦＯＵＰ取り付け口４１まで進出可能に構成され、ＦＯＵＰ取り付け口４１の前面において開口部３３の開口面（側面１３ａの内側と平行である。）に沿って移動する。スライド蓋４３、４４は、互いの隙間が１ｍｍ〜３ｍｍとなるまでＦＯＵＰ取り付け口４１の前で互いに接近することにより、ＦＯＵＰ３０の開口部３３をローダモジュール１３の内部から遮蔽する。また、ＦＯＵＰ取り付け口４１の前で互いに離間することにより、任意の位置で隙間を形成することができる。なお、スライド蓋４３、４４の間の隙間は開口部３３の一部をローダモジュール１３の内部へ露出させる。
【００４７】
また、スライド蓋４３、４４は側面１３ａの内側に密接せず、スライド蓋４３、４４と側面１３ａの内側との間には微小隙間、例えば、幅が１ｍｍ〜５ｍｍの隙間が形成される。これにより、スライド蓋４３、４４が開口部３３をローダモジュール１３の内部から遮蔽した後も、該微小隙間を介してＦＯＵＰ３０の内部がローダモジュール１３の内部と連通するため、ＦＯＵＰ３０の内部へ供給されたＮ２ガスが当該内部の水分や揮発ガスを微小隙間を介してローダモジュール１３の内部へ排出することができ、もって、ＦＯＵＰ３０の内部の清浄、乾燥化を促進することができる。
【００４８】
なお、本実施の形態ではオープナー４２、スライド蓋４３、４４及びＦＯＵＰ取り付け口４１用のシャッターがロードポート（蓋開閉機構）を構成する。
【００４９】
図４及び図５は、本実施の形態に係る容器の内部パージ方法を示す工程図である。
【００５０】
まず、ＦＯＵＰ３０をＦＯＵＰ載置台２２に載置し、蓋３２をＦＯＵＰ取り付け口４１へ嵌め込んでＦＯＵＰ３０をローダモジュール１３へ装着した後、オープナー４２が上方且つ右方向へ移動して蓋３２と係合する（図４（Ａ））。このとき、Ｎ２ガス供給ユニット４７はＦＯＵＰ３０の内部へのＮ２ガスの供給を開始する。
【００５１】
次いで、オープナー４２が図中の左方向へ移動してＦＯＵＰ３０から蓋３２を外し（図４（Ｂ））、ＦＯＵＰ３０の内部を開口部３３を介してローダモジュール１３の内部と連通させる。
【００５２】
次いで、オープナー４２が下方へ移動するとともに、スライド蓋４３、４４が側面１３ａの内側に沿って移動してＦＯＵＰ取り付け口４１まで進出し、互いの隙間が１ｍｍ〜３ｍｍとなるまで互いに接近する（図４（Ｃ））。このとき、ＦＯＵＰ３０の開口部３３はローダモジュール１３の内部から遮蔽される。
【００５３】
次いで、枚葉でウエハＷへ各プロセスモジュール１２においてプラズマ処理を施す際、搬送機構２３は上下方向に移動して搬送アーム２６をＦＯＵＰ３０における処理対象のウエハＷ（取り出される基板）に対向させるが、このとき、スライド蓋４３、４４も側面１３ａの内側に沿って移動し、且つ互いに離間して処理対象のウエハＷに対向する位置に基板取り出し用の隙間４９を形成する（図５（Ａ））。基板取り出し用の隙間４９は、ウエハＷを支持したピックＰ及び該ピックＰを支持する搬送アーム２６の各アーム部材がスライド蓋４３、４４と干渉しない値、例えば、２０ｍｍ〜５０ｍｍに設定される。なお、本実施の形態では、スライド蓋４３、４４が基板取り出し用の隙間４９を形成する間もＮ２ガス供給ユニット４７はＦＯＵＰ３０の内部へＮ２ガスを供給し続ける。
【００５４】
次いで、搬送アーム２６が処理対象のウエハＷをＦＯＵＰ３０から取り出し、スライド蓋４３、４４は側面１３ａの内側に沿って移動して再度互いの隙間が１ｍｍ〜３ｍｍとなるまで互いに接近し、開口部３３をローダモジュール１３の内部から遮蔽する（図５（Ｂ））。
【００５５】
次いで、図５（Ａ）の工程及び図５（Ｂ）の工程を繰り返してＦＯＵＰ３０が収容する全てのウエハＷへ順にプラズマ処理を施す。このとき、処理対象のウエハＷが変わる度に、スライド蓋４３、４４は側面１３ａの内側に沿って移動して当該取り出される処理対象のウエハＷ（他の基板）に対向する位置に基板取り出し用の隙間４９を形成する（図６参照。）。
【００５６】
また、プラズマ処理が施されたウエハＷをＦＯＵＰ３０の内部へ戻す際も、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）の工程と同様に、スライド蓋４３、４４は側面１３ａの内側に沿って移動してＦＯＵＰ３０におけるプラズマ処理が施されたウエハＷの収容箇所（一のウエハティース３４）に対向する位置に基板取り出し用の隙間４９を形成する。搬送アーム２６は該基板取り出し用の隙間４９を介してプラズマ処理が施されたウエハＷをＦＯＵＰ３０の内部に収容する。
【００５７】
次いで、プラズマ処理が施されたウエハＷの全てがＦＯＵＰ３０に収容された後、スライド蓋４３、４４は側面１３ａの内側に沿って移動してＦＯＵＰ取り付け口４１から退避し、オープナー４２が上方且つ右方向へ移動して蓋３２を本体３１の開口部３３へ嵌め込み、ＦＯＵＰ３０の内部を密封する（図５（Ｃ））。
【００５８】
次いで、ＦＯＵＰ３０の内部を密封後、Ｎ２ガス供給ユニット４７は所定の短時間、例えば、６０秒間だけＮ２ガスの供給を継続する。その後、本処理を終了する。
【００５９】
本実施の形態に係る容器の内部パージ方法によれば、スライド蓋４３，４４は、ローダモジュール１３に取り付けられて蓋３２が外されたＦＯＵＰ３０の開口部３３の開口面に沿って移動するので、互いに接近することによってＦＯＵＰ３０の開口部３３を遮蔽することができる。一方、ＦＯＵＰ３０から処理対象のウエハＷを取り出す際、スライド蓋４３，４４は、互いに離間して取り出されるウエハＷに対向する位置に基板取り出し用の隙間４９を形成するので、開口部３３を全て開放することなく基板取り出し用の隙間４９を介してウエハＷを取り出すことができる。その結果、ＦＯＵＰ３０の内部へ供給されたＮ２ガスが開口部３３を介して大幅に漏れるのを防止することができ、Ｎ２ガスの使用量を抑制することができる。
【００６０】
また、本実施の形態に係る容器の内部パージ方法によれば、Ｎ２ガスが大幅に漏れるのを防止することができ、ＦＯＵＰ３０の内部におけるＮ２ガスの濃度の維持が容易であるため、プラズマ処理が施されたウエハＷの全てがＦＯＵＰ３０に収容されて蓋３２が開口部３３へ嵌め込まれた後、内部の水分の濃度を低下させるためのＮ２ガスの供給を所定の短時間、例えば、６０秒間で終了することができる。その結果、スループットの低下を防止することができる。
【００６１】
また、本実施の形態に係る容器の内部パージ方法では、上述したように酸性ガスの発生が抑制されるので、酸性ガスがローダモジュール１３の内部へ漏れ出すことがなく、もって、ローダモジュール１３の内部の構成部品に腐食抑制コーティングを施す必要を無くすことができ、さらに、ダウンフローが酸性ガスを巻き込むことがないため、ダウンフローの排出経路に酸を吸着するケミカルフィルタを設ける必要を無くすことができ、また、酸性ガスを含む排気によってクリーンルーム内が汚染されるのを防止することができる。
【００６２】
さらに、本実施の形態に係る容器の内部パージ方法では、処理対象のウエハＷが変わる度に、スライド蓋４３、４４は移動して取り出されるウエハＷの収容箇所に対向する位置に基板取り出し用の隙間４９を形成するので、ＦＯＵＰ３０が収容するいずれのウエハＷも開口部３３を全て開放することなく取り出すことができる。
【００６３】
また、本実施の形態に係る容器の内部パージ方法では、スライド蓋４３、４４が離間して基板取り出し用の隙間４９を形成する際もＦＯＵＰ３０の内部へＮ２ガスが供給されるので、ＦＯＵＰ３０の内部の清浄、乾燥化をより促進することができる。
【００６４】
図８は、ＦＯＵＰの内部の密封後における、ＦＯＵＰの内部へ戻されたプラズマ処理後のウエハの残留イオン量のガスパージ時における時間経過を示すグラフである。
【００６５】
プラズマ処理後のウエハＷにおいて、イオンは当該ウエハＷに付着している反応生成物から生じるため、残留イオン量は反応生成物量の代用指標である。ここで、反応生成物が直接、又は揮発してＦＯＵＰ３０の内部に残留する水分と反応すると、反応生成物が減るため、残留イオン量の減少は、反応生成物と水分との化学反応が進んで酸性ガスが発生したことを示す。
【００６６】
図８のグラフにおいて、状態ＡはＦＯＵＰ３０の内部を密封後にＦＯＵＰ３０の内部へ大気圧でＮ２ガスを供給する場合であり、状態ＢはＦＯＵＰ３０の内部を密封後にＦＯＵＰ３０の内部へ大気圧で大気（Ａｉｒ）を供給する場合である。
【００６７】
図８のグラフから分かるとおり、ＦＯＵＰ３０の内部へ大気を供給すると、大気中の水分がウエハＷに付着した反応生成物と化学反応し（残留イオン量が減少し）、酸性ガスが発生してウエハＷの配線を異常酸化させるおそれがある一方、ＦＯＵＰ３０の内部へＮ２ガスを供給すると、ＦＯＵＰ３０の内部の大気が排除されて水分が存在しなくなるため、ウエハＷに付着した反応生成物は化学反応せず、酸性ガスが発生しない。
【００６８】
すなわち、本実施の形態に係る容器の内部パージ方法において、スライド蓋４３，４４を互いに接近させてＦＯＵＰ３０の開口部３３を遮蔽することにより、各ウエハＷへのプラズマ処理中におけるＦＯＵＰ３０の内部の水分濃度が低い状態で維持されるため、ウエハＷに付着した反応生成物は化学反応せず、酸性ガスが発生しないようにすることができる。その結果、ウエハＷの配線の異常酸化を抑制することができる。
【００６９】
以上、本発明について、上記実施の形態を用いて説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。
【００７０】
例えば、スライド蓋４３、４４は上下方向に関してＦＯＵＰ取り付け口４１を挟んでそれぞれ上方と下方に配置されたが、スライド蓋４３、４４を重ねて配置してＦＯＵＰ取り付け口４１の上方のみ（図７参照。）、又は下方のみに配置してもよい。但し、この場合、スライド蓋４３、４４が互いに自在に移動してスライド蓋４３、４４の重畳が解消された際、いずれのスライド蓋４３、４４も側面１３ａの内側と微小隙間を保ちながら該内側に沿って移動する。
【００７１】
また、Ｎ２ガス供給ユニット４７はＮ２ガスを供給したが、供給されるガスはＮ２ガスに限られず、他の不活性ガスやドライガスであってもよい。
【符号の説明】
【００７２】
Ｗ  ウエハ
１０  基板処理装置
１３  ローダモジュール
３０  ＦＯＵＰ
３１  本体
３２  蓋
３３  開口部
４２  オープナー
４３、４４  スライド蓋
４７  Ｎ２ガス供給ユニット
４９  基板取り出し用の隙間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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