(57)【要約】【課題】部品点数の増加を抑えつつ、温度上昇を抑制することができる。【解決手段】電子機器は、電子回路の動作によって生じた熱を伝導する熱伝導性筐体と、熱伝導性筐体に一端が接続され、検出端子との接触の状態を示す接触状態が、熱伝導性筐体の温度に応じて変化する変形部材と、変形部材と検出端子との接触状態に基づいて、電子回路の動作を制御する制御部とを備える。【選択図】図１
2014041558.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子回路の動作によって生じた熱を伝導する熱伝導性筐体と、
前記熱伝導性筐体に一端が接続され、検出端子との接触の状態を示す接触状態が、前記熱伝導性筐体の温度に応じて変化する変形部材と、
前記変形部材と前記検出端子との前記接触状態に基づいて、前記電子回路の動作を制御する制御部と
を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項２】
第１の電源線と、前記第１の電源線とは異なる電位の第２の電源線とを備え、
前記変形部材は、前記第１の電源線に接続され、
前記検出端子は、抵抗素子を介して前記第２の電源線に接続され、
前記制御部は、前記検出端子の電位に基づいて、前記接触状態を判定する
ことを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記熱伝導性筐体は、導電性を有し、
前記変形部材は、前記熱伝導性筐体を介して前記第１の電源線に接続されている
ことを特徴とする請求項２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記制御部は、
前記接触状態に基づいて、前記熱伝導性筐体の温度が所定の閾値以上であるか否かを判定し、前記熱伝導性筐体の温度が所定の閾値以上であると判定した場合に、前記電子回路の消費電力を低下させる制御を行う
ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の電子機器。
【請求項５】
前記変形部材は、
前記熱伝導性筐体の温度が所定の閾値以上である場合に前記検出端子と接触するように、配置されている
ことを特徴とする請求項４に記載の電子機器。
【請求項６】
前記熱伝導性筐体には、前記電子回路をシールドするシールドケースが含まれる
ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の電子機器。
【請求項７】
前記検出端子には、第１検出端子と、第２検出端子とが含まれ、
前記変形部材には、第１変形部材と、第２変形部材とが含まれ、
前記電子回路は、
前記制御部及び前記第１検出端子を備える第１電子回路と、
前記第２検出端子、及び前記第２検出端子の電位に基づく検出信号を前記制御部に送信する通信部を備える第２電子回路と
を含み、
前記シールドケースには、前記第１変形部材の一端に接続され、前記第１電子回路をシールドする第１シールドケースと、前記第２変形部材の一端に接続され、前記第２電子回路をシールドする第２シールドケースとが含まれ、
前記制御部は、
前記第１検出端子の電位に基づいて前記第１電子回路の動作を制御するとともに、前記通信部から送信された前記検出信号に基づいて前記第２電子回路の動作を制御する
ことを特徴とする請求項６に記載の電子機器。
【請求項８】
前記電子回路には、記憶媒体が含まれ、
前記熱伝導性筐体には、前記記憶媒体を保持する保持筐体が含まれる
ことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の電子機器。
【請求項９】
前記記憶媒体は、少なくとも前記記憶媒体を識別する識別情報を記憶しており、
前記制御部は、
前記接触状態に基づいて、前記保持筐体の温度が所定の閾値以上であるか否かを判定し、前記保持筐体の温度が所定の閾値以上であると判定した場合に、前記記憶媒体に記憶されている前記識別情報を記憶部に記憶させ、
前記記憶媒体を動作させる際に、前記記憶媒体が記憶している前記識別情報が、前記記憶部が記憶している前記識別情報と一致した場合に、前記記憶媒体の動作を停止させる
ことを特徴とする請求項８に記載の電子機器。
【請求項１０】
前記検出端子は、前記電子回路が実装されているプリント基板上に形成されている
ことを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話やスマートフォンなどの電子機器が広く普及している。このような電子機器は、マイクロプロセッサなどを含む電子回路を備えるとともに、例えば、ＳＤメモリカードなどの記憶媒体を挿入するカードスロットを備えるものが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２４５６０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上述のような電子機器は、例えば、高性能なマイクロプセッサを搭載したり、高速アクセス可能なＳＤメモリカードに対応したりと処理速度の向上が著しいが、同時に消費電力が増大する傾向にある。消費電力が増大すると、発熱により電子回路の温度が上昇し、例えば、電子機器の動作保証範囲を超えてしまうなどの問題が生じることがある。そのため、上述のような電子機器は、消費電力の増大に伴う発熱による温度上昇に対する配慮が求められている。
また、例えば、マイクロプセッサやＳＤメモリカードなどの電子回路に故障が生じた場合に、異常発熱が発生して、電子機器の温度が異常に上昇することがある。このような場合に、上述のような電子機器においてこの異常発熱を検出するためには、温度を検出する温度センサ（例えば、特許文献１参照）を追加する必要があった。
このように、上述のような電子機器は、部品点数の増加を抑えつつ、温度上昇を抑制することが困難であった。
【０００５】
本発明は、上記問題を解決すべくなされたもので、その目的は、部品点数の増加を抑えつつ、温度上昇を抑制することができる電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（１）上記問題を解決するために、本発明の一態様は、電子回路の動作によって生じた熱を伝導する熱伝導性筐体と、前記熱伝導性筐体に一端が接続され、検出端子との接触の状態を示す接触状態が、前記熱伝導性筐体の温度に応じて変化する変形部材と、前記変形部材と前記検出端子との前記接触状態に基づいて、前記電子回路の動作を制御する制御部とを備えることを特徴とする電子機器である。
【０００７】
（２）また、本発明の一態様は、上記の電子機器において、第１の電源線と、前記第１の電源線とは異なる電位が印加されている第２の電源線とを備え、前記変形部材は、前記第１の電源線に接続され、前記検出端子は、抵抗素子を介して前記第２の電源線に接続され、前記制御部は、前記検出端子の電位に基づいて、前記接触状態を判定することを特徴とする。
【０００８】
（３）また、本発明の一態様は、上記の電子機器において、前記熱伝導性筐体は、導電性を有し、前記変形部材は、前記熱伝導性筐体を介して前記第１の電源線に接続されていることを特徴とする。
【０００９】
（４）また、本発明の一態様は、上記の電子機器において、前記制御部は、前記接触状態に基づいて、前記熱伝導性筐体の温度が所定の閾値以上であるか否かを判定し、前記熱伝導性筐体の温度が所定の閾値以上であると判定した場合に、前記電子回路の消費電力を低下させる制御を行うことを特徴とする。
【００１０】
（５）また、本発明の一態様は、上記の電子機器において、前記変形部材は、前記熱伝導性筐体の温度が所定の閾値以上である場合に前記検出端子と接触するように、配置されていることを特徴とする。
【００１１】
（６）また、本発明の一態様は、上記の電子機器において、前記熱伝導性筐体には、前記電子回路をシールドするシールドケースが含まれることを特徴とする。
【００１２】
（７）また、本発明の一態様は、上記の電子機器において、前記検出端子には、第１検出端子と、第２検出端子とが含まれ、前記変形部材には、第１変形部材と、第２変形部材とが含まれ、前記電子回路は、前記制御部及び前記第１検出端子を備える第１電子回路と、前記第２検出端子、及び前記第２検出端子の電位に基づく検出信号を前記制御部に送信する通信部を備える第２電子回路とを含み、前記シールドケースには、前記第１変形部材の一端に接続され、前記第１電子回路をシールドする第１シールドケースと、前記第２変形部材の一端に接続され、前記第２電子回路をシールドする第２シールドケースとが含まれ、前記制御部は、前記第１検出端子の電位に基づいて前記第１電子回路の動作を制御するとともに、前記通信部から送信された前記検出信号に基づいて前記第２電子回路の動作を制御することを特徴とする。
【００１３】
（８）また、本発明の一態様は、上記の電子機器において、前記電子回路には、電子記憶媒体が含まれ、前記熱伝導性筐体には、前記記憶媒体を保持する保持筐体が含まれることを特徴とする。
【００１４】
（９）また、本発明の一態様は、上記の電子機器において、前記記憶媒体は、少なくとも前記記憶媒体を識別する識別情報を記憶しており、前記制御部は、前記接触状態に基づいて、前記保持筐体の温度が所定の閾値以上であるか否かを判定し、前記保持筐体の温度が所定の閾値以上であると判定した場合に、前記記憶媒体に記憶されている前記識別情報を記憶部に記憶させ、前記記憶媒体を動作させる際に、前記記憶媒体が記憶している前記識別情報が、前記記憶部が記憶している前記識別情報と一致した場合に、前記記憶媒体の動作を停止させることを特徴とする。
【００１５】
（１０）また、本発明の一態様は、上記の電子機器において、前記検出端子は、前記電子回路が実装されているプリント基板上に形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、部品点数の増加を抑えつつ、温度上昇を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】第１の実施形態による電子機器の構成を示す概略ブロック図である。
【図２】シールドケースに適用された第１の実施形態における熱検出部の構成を示す図である。
【図３】第１の実施形態における異常発熱が発生した場合のバイメタルと検出端子との接触状態の一例を示す図である。
【図４】第１の実施形態における電子機器の動作の一例を示すフローチャートである。
【図５】第２の実施形態による電子機器の構成を示す概略ブロック図である。
【図６】第２の実施形態における電子機器の動作の一例を示すフローチャートである。
【図７】第３の実施形態による電子機器の構成を示す概略ブロック図である。
【図８】カードスロットに適用された第３の実施形態における熱検出部の構成を示す図である。
【図９】第３の実施形態における電子機器の動作の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の一実施形態による電子機器について図面を参照して説明する。
［第１の実施形態］
図１は、本発明に係る第１の実施形態による電子機器の構成を示す概略ブロック図である。
図１において、電子機器１は、シールドケース１１、電子回路２１、熱検出部３１、及び電源部５０を備えている。また、電子回路２１（第１電子回路）は、プルアップ抵抗４１、及び制御部６０を備えている。
【００１９】
シールドケース１１（熱伝導性筐体）は、例えば、電子回路２１を覆う金属筐体（金属ケース）であり、電子回路２１をシールドする。すなわち、シールドケース１１は、内部に電子回路２１を備えている。また、シールドケース１１は、電子回路２１の動作によって生じた熱を後述するバイメタル３１１に伝導する。また、シールドケース１１は、導電性を有している。
【００２０】
電源部５０は、電子機器１に動作電力を供給する電源回路であり、ＧＮＤ（グランド）電位を印加するＧＮＤ線Ｌ１（第１の電源線）と、動作電圧（動作電位）を印加する電源線Ｌ２（第２の電源線）とが接続されている。ここで、ＧＮＤ線Ｌ１の電位と、電源線Ｌ２とは、異なる電位であり、電源線Ｌ２には、例えば、ＧＮＤ線Ｌ１よりも高い電位が印加されている。電源部５０は、ＧＮＤ線Ｌ１及び電源線Ｌ２を介して、電子回路２１に動作電力を供給する。
なお、ＧＮＤ線Ｌ１は、上述したシールドケース１１に接続されており、シールドケース１１には、ＧＮＤ電位が印加されている。
【００２１】
熱検出部３１は、電子回路２１の発熱によって生じる温度の上昇を検出するための検出部である。熱検出部３１は、例えば、バイメタル３１１と検出端子３２１とを備えている。
【００２２】
バイメタル３１１（変形部材）は、例えば、熱膨張率の異なる２種類の金属を貼り合わせて板状の形状に形成されており、温度に応じて板状の形状が変形する（例えば、曲がる）性質を有している。バイメタル３１１は、例えば、図２に示すように、シールドケース１１に一端が接続され、シールドケース１１の温度に応じて検出端子３２１との接触状態が変化する。また、バイメタル３１１は、シールドケース１１を介してＧＮＤ線Ｌ１に接続されている。
ここで、接触状態とは、バイメタル３１１と検出端子３２１との接触の状態を示している。また、接触状態には、バイメタル３１１と検出端子３２１とが接触し、電気的に導通している状態を示す導通状態と、バイメタル３１１と検出端子３２１とが接触していない状態を示す非導通状態とが含まれる。
【００２３】
また、バイメタル３１１は、シールドケース１１の温度が所定の閾値以上である場合に検出端子３２１と接触するように配置されている。すなわち、バイメタル３１１は、シールドケース１１の温度が所定の閾値以上である場合に、検出端子３２１との接触状態が導通状態になり、シールドケース１１の温度が所定の閾値未満である場合に、検出端子３２１との接触状態が導通状態になる。なお、所定の閾値は、例えば、電子回路２１の動作保証範囲超えない温度値などであり、電子機器１として問題の生じない温度値に定められている。
【００２４】
検出端子３２１は、シールドケース１１の温度が所定の閾値以上である場合に、バイメタル３１１と接触するように配置された端子である。検出端子３２１は、ノードＮ１と接続されており、後述するプルアップ抵抗４１を介して電源線Ｌ２に接続されている。
なお、熱検出部３１（バイメタル３１１及び検出端子３２１）の配置については、図２を参照して後述する。
【００２５】
プルアップ抵抗４１（抵抗素子）は、一端が電源線Ｌ２に接続され、他端がノードＮ１に接続されている。すなわち、プルアップ抵抗４１は、他端がノードＮ１を介して検出端子３２１に接続されている。プルアップ抵抗４１は、バイメタル３１１と検出端子３２１との接触状態が非導通状態である場合に、ノードＮ１を電源線Ｌ２の電位に保持する。なお、ノードＮ１の電位は、検出信号として制御部６０の入力ポート６１（入力端子）に出力される。
【００２６】
ここでノードＮ１の電位（検出信号）は、バイメタル３１１と検出端子３２１との接触状態に応じて変化する。例えば、上述したようにバイメタル３１１と検出端子３２１との接触状態が非導通状態である場合に、検出端子３２１は、電気的に未接続（オープン）の状態になる。そのため、ノードＮ１の電位は、プルアップ抵抗４１を介して印加された電源線Ｌ２の電位（Ｈ（ハイ）レベル）になる。また、例えば、バイメタル３１１と検出端子３２１との接触状態が導通状態である場合に、検出端子３２１は、シールドケース１１及びバイメタル３１１を介して印加されたＧＮＤ線Ｌ１の電位（Ｌ（ロウ）レベル）になる。そのため、ノードＮ１の電位は、ＧＮＤ線Ｌ１の電位になる。
【００２７】
制御部６０は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やマイクロプロセッサなどを含み、電子機器１を統括的に制御する。制御部６０は、例えば、バイメタル３１１と検出端子３２１との接触状態に基づいて、電子回路２１の動作を制御する。
【００２８】
具体的に、制御部６０は、検出端子３２１の電位に基づいて、バイメタル３１１と検出端子３２１との接触状態を判定する。ここで、検出端子３２１の電位は、上述したように検出信号として入力ポート６１に出力される。そのため、制御部６０は、入力ポート６１に出力された検出信号に基づいて、バイメタル３１１と検出端子３２１との接触状態を判定する。例えば、検出信号がＬレベルである場合に、制御部６０は、接触状態が導通状態であると判定する。また、例えば、検出信号がＨレベルである場合に、制御部６０は、接触状態が非導通状態であると判定する。
【００２９】
また、制御部６０は、接触状態に基づいて、シールドケース１１の温度が所定の閾値以上であるか否かを判定する。例えば、制御部６０は、接触状態が導通状態である場合に、シールドケース１１の温度が所定の閾値以上であると判定し、接触状態が導通状態である場合に、シールドケース１１の温度が所定の閾値未満であると判定する。
さらに、制御部６０は、シールドケース１１の温度が所定の閾値以上であると判定した場合に、電子回路２１の消費電力を低下させる制御を行う。すなわち、制御部６０は、バイメタル３１１と検出端子３２１との接触状態が導通状態である場合に、異常発熱などによる温度上昇が発生していると判定し、電子回路２１の動作を制限する制御を行う。
【００３０】
制御部６０は、電子回路２１の消費電力を低下させる制御として、以下のような制御を行う。
例えば、制御部６０は、電子回路２１の動作クロックを低い周波数に切り替えたり、電子回路２１の全体又は部分的に動作クロックを停止させたりしてもよい。また、例えば、制御部６０は、電子回路２１の電源電圧（電源線Ｌ２の電位）を低い電圧に切り替えたり、電子回路２１の全体又は部分的に電源電圧を停止させたりしてもよい。
【００３１】
また、制御部６０は、シールドケース１１の温度が所定の閾値未満であると判定した場合に、上述した、動作クロックの周波数低下や電源電圧の停止などの電子回路２１の動作制限を解除する制御を行う。
また、制御部６０は、入力ポート６１を備えている。入力ポート６１は、上述したように、検出端子３２１の電位を検出信号として取得する。
【００３２】
次に、図２を参照して、本実施形態における熱検出部３１（バイメタル３１１及び検出端子３２１）の配置について説明する。
図２は、シールドケース１１に適用された本実施形態における熱検出部３１の構成を示す図である。なお、この図において、シールドケース１１の温度は所定の閾値未満であり、バイメタル３１１と検出端子３２１との接触状態は、非接触状態である。
【００３３】
この図において、シールドケース１１は、プリント基板Ｐ１上に実装されている電子回路２１を覆うように、プリント基板Ｐ１上に配置されている。また、シールドケース１１の側面のうちのプリント基板Ｐ１面と直行する側面の少なくとも１つには、バイメタル３１１の一端（第１端部Ｔ１）が接続され、バイメタル３１１を支持している。
【００３４】
バイメタル３１１は、シールドケース１１に支持され、シールドケース１１の温度の上昇に応じて、プリント基板Ｐ１側に曲がるように配置されている。バイメタル３１１は、第１端部Ｔ１を支点として、プリント基板Ｐ１側に曲がる（変形する）。
検出端子３２１は、例えば、プリント基板Ｐ１上に金属パターンとして形成されている。検出端子３２１には、ノードＮ１に対応する信号線Ｌ３が接続されている。
ここで、バイメタル３１１と検出端子３２１とは、シールドケース１１の温度が所定の閾値以上に上昇して、バイメタル３１１がプリント基板Ｐ１側に曲がった場合に、互いに接触して電気的な導通状態になるように配置されている。
【００３５】
次に、本実施形態における電子機器１の動作について説明する。
まず、本実施形態における熱検出部３１の動作について説明する。
図２は、上述したように、異常発熱が発生していない場合（温度が所定の閾値未満の場合）におけるバイメタル３１１と検出端子３２１との接触状態を示している。この場合、バイメタル３１１の熱による変形（曲がる変形）が不十分であるため、バイメタル３１１と検出端子３２１との接触状態は、非導通状態となる。ここで、検出端子３２１の電位には、プルアップ抵抗４１を介して電源線Ｌ２の電位（Ｈレベル）が印加されるので、熱検出部３１の検出信号は、Ｈレベルが維持される。
【００３６】
また、図３は、異常発熱が発生している場合（温度が所定の閾値以上の場合）におけるバイメタル３１１と検出端子３２１との接触状態を示している。
なお、この図において、図２と同一の構成については同一の符号を付している。
例えば、電子回路２１に異常が発生し、消費電力が増大した場合に、電子回路２１は、消費電力の増大による温度の上昇（異常発熱）が発生する。このような場合に、電子回路２１の異常発熱は、シールドケース１１に伝導し、さらに、バイメタル３１１に伝導する。その結果、バイメタル３１１が、第１端部Ｔ１を支点に屈曲し、温度が所定の閾値以上になった場合に、図３に示すように、バイメタル３１１の端部（第２端部Ｔ２）と検出端子３２１とが接触する。この場合、バイメタル３１１の熱による変形（曲がる変形）が十分であるため、バイメタル３１１と検出端子３２１との接触状態は、導通状態となる。ここで、シールドケース１１は、ＧＮＤ線Ｌ１に接続されており、バイメタル３１１には、シールドケース１１を介してＧＮＤ線Ｌ１の電位が印加されている。そのため、検出端子３２１の電位には、バイメタル３１１を介してＧＮＤ線Ｌ１の電位（Ｌレベル）が印加され、熱検出部３１の検出信号は、Ｌレベルに変化する。
【００３７】
なお、図３の状態から、シールドケース１１の温度が所定の閾値未満に低下した場合には、バイメタル３１１と検出端子３２１との接触状態は、上述した図２に示す非導通状態に戻る。
このように、熱検出部３１は、シールドケース１１の温度に応じて、バイメタル３１１と検出端子３２１との接触状態が変化する。
【００３８】
次に、本実施形態における制御部６０の動作について説明する。
図４は、実施形態における電子機器１の動作の一例を示すフローチャートである。
図４において、まず、制御部６０は、バイメタル３１１と検出端子３２１との接触状態が導通状態であるか否かを判定する（ステップＳ１０１）。制御部６０は、例えば、入力ポート６１をポーリング又は、割り込み検出により監視し、入力ポート６１に供給された熱検出部３１の検出信号に基づいて、接触状態が導通状態であるか否かを判定する。ここで、バイメタル３１１と検出端子３２１との接触状態が導通状態であると判定した場合には、シールドケース１１の温度が所定の閾値以上であり、電子回路２１に異常発熱が発生していることを示している。制御部６０は、接触状態が導通状態でない（非導通状態である）と判定した場合（ステップＳ１０１：ＮＯ）に、処理をステップＳ１０２に進める。また、制御部６０は、接触状態が導通状態であると判定した場合（ステップＳ１０１：ＹＥＳ）に、処理をステップＳ１０３に進める。
【００３９】
次に、ステップＳ１０２において、制御部６０は、電子回路２１の動作制限を解除し、通常動作を実行する。なお、すでに、電子回路２１の動作制限が解除されている場合には、制御部６０は、ステップＳ１０２の処理を省略してもよい。制御部６０は、ステップＳ１０２の処理を実行した後、処理をステップＳ１０１に戻す。
【００４０】
また、ステップＳ１０３において、制御部６０は、電子回路２１の動作を制限する。すなわち、電子回路２１に異常発熱が発生している状態であるため、制御部６０は、電子回路２１の発熱を低減して温度を低下させるように、電子回路２１の動作を制限する。制御部６０は、例えば、電子回路２１の動作クロックを低い周波数に切り替える、又は動作クロックを電子回路２１の部分的に停止させる。あるいは、制御部６０は、例えば、電源部５０から供給される電源電圧を、電子回路２１の部分的に停止させる。これにより、電子回路２１が低下するので、電子回路２１の発熱が緩和（抑制）される。その結果、電子回路２１の温度が低下する。制御部６０は、ステップＳ１０３の処理を実行した後、処理をステップＳ１０１に戻す。
【００４１】
なお、ステップＳ１０３の処理を実行した後に、シールドケース１１の温度が所定の閾値未満になった場合には、制御部６０は、処理をステップＳ１０１からステップＳ１０２に進めるので、電子回路２１の動作制限を解除する。
このように、本実施形態における電子機器１では、ステップＳ１０１〜ステップＳ１０３の処理が繰り返される。
【００４２】
以上説明したように、本実施形態における電子機器１は、熱伝導性筐体（例、シールドケース１１）と、バイメタル３１１と、制御部６０とを備えている。熱伝導性筐体は、内部に電子回路２１を備え、電子回路２１の動作によって生じた熱を伝導する。バイメタル３１１は、熱伝導性筐体に一端が接続され、熱伝導性筐体の温度に応じて検出端子３２１との接触状態が変化する。そして、制御部６０は、バイメタル３１１と検出端子３２１との接触状態に基づいて、電子回路２１の動作を制御する。
これにより、本実施形態における電子機器１は、熱伝導性筐体、バイメタル３１１、及び検出端子３２１による簡易な構成により、電子回路２１の温度上昇を検出することができる。そして、本実施形態における電子機器１は、電子回路２１の温度上昇に応じた制御を行うことにより、温度上昇を抑制することができる。よって、本実施形態における電子機器１は、部品点数の増加を抑えつつ、温度上昇を抑制することができる。
【００４３】
また、本実施形態における電子機器１は、ＧＮＤ線Ｌ１と、ＧＮＤ線Ｌ１とは異なる電位が印加されている電源線Ｌ２とを備えている。バイメタル３１１は、ＧＮＤ線Ｌ１に接続され、検出端子３２１は、プルアップ抵抗４１を介して電源線Ｌ２に接続されている。制御部６０は、検出端子３２１の電位に基づいて、バイメタル３１１と検出端子３２１との接触状態を判定する。
これにより、バイメタル３１１と検出端子３２１との接触状態の変化に応じて、検出端子３２１の電位は、ＧＮＤ線Ｌ１の電位（例、Ｌレベル）、又は電源線Ｌ２の電位（例、Ｈレベル）となる。そのため、制御部６０は、接触状態の変化をデジタル値に基づいて検出することができる。このように、制御部６０は、デジタル値の判定という簡易な方法により、電子回路２１の温度上昇を検出することができる。
【００４４】
また、本実施形態では、熱伝導性筐体（例、シールドケース１１）は、導電性を有し、バイメタル３１１は、熱伝導性筐体を介してＧＮＤ線Ｌ１に接続されている。
これにより、本実施形態における電子機器１は、バイメタル３１１に配線によりＧＮＤ線Ｌ１に接続する必要がなくなり、構成を簡略化することができる。
【００４５】
また、本実施形態では、上述した熱伝導性筐体には、電子回路２１をシールドするシールドケース１１が含まれる。
これにより、制御部６０は、シールドケース１１の温度が上昇したことを検出することにより、電子回路２１の温度上昇（異常発熱）を検出する。したがって、本実施形態における電子機器１は、電子回路２１の温度上昇を抑制するとともに、シールドケース１１の表面温度が上昇することも抑制することができる。すなわち、本実施形態における電子機器１は、自機器の表面（シールドケース１１の表面）が適切な温度に維持されるように制御することができる。また、この場合、元々備えられている構成であるシールドケース１１を熱伝導性筐体として流用するので、本実施形態における電子機器１は、温度上昇の検出のための部品点数の増加を抑えることができる。
また、シールドケース１１を利用することで、発熱部（電子回路２１）と熱検出部３１との距離が短くなるため、本実施形態における電子機器１は、検出の遅延時間が短く、かつ正確に電子回路２１の温度上昇（異常発熱）を検出することができる。
【００４６】
また、本実施形態では、制御部６０は、バイメタル３１１と検出端子３２１との接触状態に基づいて、シールドケース１１の温度が所定の閾値以上であるか否かを判定し、シールドケース１１の温度が所定の閾値以上であると判定した場合に、電子回路２１の消費電力を低下させる制御を行う。
これにより、シールドケース１１の温度が上昇した場合に、電子回路２１の消費電力を低下させるので、本実施形態における電子機器１は、適切に温度上昇を抑制することができる。
【００４７】
また、本実施形態では、バイメタル３１１は、シールドケース１１の温度が所定の閾値以上である場合に検出端子３２１と接触するように配置されている。
これにより、本実施形態における電子機器１は、シールドケース１１の温度が所定の閾値以上であるか否かによって、バイメタル３１１と検出端子３２１との接触状態が変化する。この場合、接触状態の変化として温度上昇を検出することができるので、本実施形態における電子機器１は、簡易な手段により、電子回路２１の温度上昇を検出することができる。
【００４８】
また、本実施形態では、検出端子３２１は、電子回路２１が実装されているプリント基板Ｐ１上に形成されている。
これにより、検出端子３２１をプリント基板Ｐ１と一体形成することができるので、本実施形態における電子機器１は、温度上昇の検出のための部品点数の増加を抑えることができる。
【００４９】
次に、本発明に係る第２の実施形態による電子機器について図面を参照して説明する。
［第２の実施形態］
図５は、第２の実施形態による電子機器の構成を示す概略ブロック図である。
図５において、電子機器１ａは、シールドケース１１（第１シールドケース）及びシールドケース１２（第２シールドケース）と、電子回路（２１ａ，２２）と、熱検出部（３１，３２）と、電源部５０とを備えている。電子回路２１ａ（第１電子回路）は、プルアップ抵抗４１、及び制御部６０ａを備えている。また、電子回路２２（第２電子回路）は、プルアップ抵抗４２、及び通信部７０を備えている。
なお、この図において、図２と同一の構成については同一の符号を付し、その説明を省略する。また、シールドケース１１及びシールドケース１２のうちの任意のシールドケース、又は単に電子機器１ａが備えるシールドケースを示す場合には、シールドケース１０と称して以下説明する。また、電子回路２１ａ及び電子回路２２のうちの任意の電子回路、又は単に電子機器１ａが備える電子回路を示す場合には、電子回路２０と称して以下説明する。
【００５０】
本実施形態では、電子機器１ａが複数（例、２つ）のシールドケース（１１，１２）及び電子回路（２１ａ，２２）を備え、シールドケース（１１，１２）のそれぞれにおいて、温度上昇を検出する場合の一例を説明する。
【００５１】
シールドケース１２（熱伝導性筐体）は、例えば、電子回路２２を覆う金属筐体（金属ケース）であり、電子回路２２をシールドする。また、シールドケース１２は、電子回路２２の動作によって生じた熱をバイメタル３１２に伝導する。また、シールドケース１２は、導電性を有している。
【００５２】
なお、本実施形態では、電源部５０は、ＧＮＤ線Ｌ１及び電源線Ｌ２を介して、電子回路２１ａ及び電子回路２２に動作電力を供給する。
また、ＧＮＤ線Ｌ１は、シールドケース１１及びシールドケース１２に接続されており、シールドケース１１及びシールドケース１２には、ＧＮＤ電位が印加されている。
【００５３】
熱検出部３２は、熱検出部３１と同様の構成である。熱検出部３２は、例えば、バイメタル３１２と検出端子３２２とを備えている。
なお、本実施形態において、熱検出部３１が備えるバイメタル３１１は、第１変形部材に対応し、検出端子３２１は、第２検出端子に対応する。
【００５４】
バイメタル３１２（第２変形部材）は、図２に示すバイメタル３１１の場合と同様に、シールドケース１２に一端が接続され、シールドケース１２の温度に応じて検出端子３２２との接触状態が変化する。また、バイメタル３１２は、シールドケース１２を介してＧＮＤ線Ｌ１に接続されている。
【００５５】
検出端子３２２（第２検出端子）は、図２に示す検出端子３２１の場合と同様に、シールドケース１２の温度が所定の閾値以上である場合に、バイメタル３１２と接触するように配置された端子である。検出端子３２２は、ノードＮ２と接続されており、後述するプルアップ抵抗４２を介して電源線Ｌ２に接続されている。
なお、本実施形態において、バイメタル３１１及びバイメタル３１２のうちの任意のバイメタル、又は単に電子機器１ａが備えるバイメタルを示す場合には、バイメタル３１０と称して以下説明する。また、検出端子３２１及び検出端子３２２のうちの任意の検出端子、又は単に電子機器１ａが備える検出端子を示す場合には、検出端子３２０と称して以下説明する。
【００５６】
プルアップ抵抗４２（抵抗素子）は、一端が電源線Ｌ２に接続され、他端がノードＮ２に接続されている。すなわち、プルアップ抵抗４２は、他端がノードＮ２を介して検出端子３２２に接続されている。プルアップ抵抗４２は、バイメタル３１２と検出端子３２２との接触状態が非導通状態である場合に、ノードＮ２を電源線Ｌ２の電位に保持する。なお、ノードＮ２の電位は、検出信号として通信部７０の入力ポート７１（入力端子）に出力される。
なお、接触状態の変化に対するノードＮ２の電位（検出信号）の変化は、上述したノードＮ１の場合と同様であるので、ここでは説明を省略する。
【００５７】
通信部７０は、検出端子３２２の電位に基づく検出信号を制御部６０ａに送信する。すなわち、通信部７０は、ノードＮ２の電位（検出信号）を入力ポート７１から取得し、取得した検出信号を、信号線Ｌ４を介して制御部６０ａに送信する。
入力ポート７１は、例えば、上述した入力ポート６１と同様の構成であり、熱検出部３２の検出信号が出力される。
【００５８】
制御部６０ａは、検出端子３２１の電位に基づいて電子回路２１ａの動作を制御するとともに、通信部７０から送信された検出信号に基づいて、電子回路２２の動作を制御する。
ここで、制御部６０ａにおける電子回路２１ａの動作の制御は、第１の実施形態における制御部６０の制御と同様である。また、制御部６０ａにおける電子回路２２の動作の制御は、検出端子３２１の電位の変わりに、検出端子３２２の電位に基づいている点を除いて、電子回路２１ａの動作の制御と同様である。
【００５９】
次に、本実施形態における電子機器１ａの動作について説明する。
なお、本実施形態における熱検出部３２の動作は、熱検出部３１の動作と同様であり、ここでは説明を省略する。
【００６０】
次に、本実施形態における制御部６０ａの動作について説明する。
図６は、実施形態における電子機器１ａの動作の一例を示すフローチャートである。
図６において、まず、制御部６０ａは、バイメタル３１０と検出端子３２０との接触状態が導通状態であるか否かを判定する（ステップＳ２０１）。なお、ここでの接触状態は、バイメタル３１１と検出端子３２１との接触状態と、バイメタル３１２と検出端子３２２との接触状態との両方である。制御部６０ａは、例えば、割り込み検出により入力ポート６１及び入力ポート７１を監視し、接触状態が導通状態であるか否かを判定する。ここで、接触状態が導通状態であると判定した場合には、シールドケース１１又はシールドケース１２の温度が所定の閾値以上であり、電子回路２１ａ又は電子回路２２に異常発熱が発生していることを示している。制御部６０ａは、接触状態が導通状態でない（非導通状態である）と判定した場合（ステップＳ２０１：ＮＯ）に、処理をステップＳ２０２に進める。また、制御部６０ａは、接触状態が導通状態であると判定した場合（ステップＳ２０１：ＹＥＳ）に、処理をステップＳ２０３に進める。
【００６１】
次に、ステップＳ２０２において、制御部６０ａは、電子回路２１ａ及び電子回路２２の動作制限を解除し、通常動作を実行する。制御部６０ａは、ステップＳ２０２の処理を実行した後、処理をステップＳ２０１に戻す。
【００６２】
また、ステップＳ２０３において、制御部６０ａは、導通状態を示す入力ポート（６１，７１）を確認する。すなわち、制御部６０ａは、異常発熱が発生しているシールドケース１０が、シールドケース１１（電子回路２１ａ）及びシールドケース１２（電子回路２２）のいずれかであるかを確認する。
【００６３】
次に、制御部６０ａは、導通状態を示す入力ポート（６１，７１）に対応する電子回路２０（２１ａ，２２）の動作を制限する（ステップＳ２０４）。すなわち、制御部６０ａは、異常発熱が発生している電子回路２０（２１ａ，２２）に対して、発熱を低減して温度を低下させるように、電子回路２０（２１ａ，２２）の動作を制限する。なお、各電子回路２０に対して動作を制限する処理は、図４のステップＳ１０３の処理と同様であるので、ここでは説明を省略する。制御部６０ａは、ステップＳ２０４の処理を実行した後、処理をステップＳ２０１に戻す。
このように、本実施形態における電子機器１ａでは、ステップＳ２０１〜ステップＳ２０４の処理が繰り返される。
【００６４】
以上説明したように、本実施形態では、検出端子３２０には、検出端子３２１（第１検出端子）と、検出端子３２２（第２検出端子）とが含まれ、バイメタル３１０には、バイメタル３１１（第１変形部材）と、バイメタル３１２（第２変形部材）とが含まれる。また、電子回路２０は、制御部６０ａ及び検出端子３２１を備える電子回路２１ａと、検出端子３２２、及び検出端子３２２の電位に基づく検出信号を制御部６０ａに送信する通信部７０を備える電子回路２２とを含む。また、シールドケース１０には、バイメタル３１１の一端に接続され、電子回路２１ａをシールドするシールドケース１１と、バイメタル３１２の一端に接続され、電子回路２２をシールドするシールドケース１２とが含まれる。そして、制御部６０ａは、検出端子３２１の電位に基づいて電子回路２１ａの動作を制御するとともに、通信部７０から送信された検出信号に基づいて電子回路２２ａの動作を制御する。
これにより、本実施形態における電子機器１ａは、第１の実施形態の電子機器１と同様の効果を奏する。さらに、本実施形態における電子機器１ａは、電子回路２１ａの温度上昇と電子回路２２の温度上昇とを個別に検出することができるので、電子回路２０の温度上昇をシールドケース１０単位で抑制することができる。
【００６５】
次に、本発明に係る第３の実施形態による電子機器について図面を参照して説明する。
［第３の実施形態］
図７は、第３の実施形態による電子機器の構成を示す概略ブロック図である。
図７において、電子機器１ｂは、シールドケース（１１，１２）、電子回路（２１ｂ，２２）、熱検出部（３１，３２，３３）、電源部５０、スイッチ部５１、カードスロット１３、及びメモリカード２３を備えている。電子回路２１ｂ（第１電子回路）は、プルアップ抵抗（４１，４３）、制御部６０ｂ、及び記憶部８０を備えている。
なお、この図において、図２と同一の構成については同一の符号を付し、その説明を省略する。また、本実施形態において、電子回路２１ｂ及び電子回路２２のうちの任意の電子回路、又は単に電子機器１ｂが備える電子回路を示す場合には、電子回路２０と称して以下説明する。また、電子回路２０には、メモリカード２３が含まれる。
【００６６】
本実施形態では、電子機器１ｂが複数（例、２つ）のシールドケース（１１，１２）、電子回路（２１ｂ，２２）、カードスロット１３、及びメモリカード２３を備え、シールドケース（１１，１２）とともに、カードスロット１３の温度上昇を検出する場合の一例を説明する。
【００６７】
カードスロット１３（熱伝導性筐体）は、例えば、ＳＤメモリカードなどのメモリカード２３を保持する金属筐体（保持筐体）である。カードスロット１３は、例えば、メモリカード２３を格納する容器である。また、カードスロット１３は、メモリカード２３の動作によって生じた熱をバイメタル３１３に伝導する。また、カードスロット１３は、導電性を有している。
メモリカード２３（記憶媒体）は、例えば、ＳＤメモリカードなどの電子記憶媒体である。メモリカード２３は、電子機器１ｂに着脱可能に備えられている。また、メモリカード２３は、少なくともメモリカード２３を識別するカードＩＤ（識別情報）を記憶している。
【００６８】
なお、本実施形態では、電源部５０は、ＧＮＤ線Ｌ１及び電源線Ｌ２を介して、電子回路２１ｂ、電子回路２２、メモリカード２３に動作電力を供給する。ここで、電源部５０は、メモリカード２３に対して、スイッチ部５１を介して動作電力を供給する。
スイッチ部５１は、電源部５０からメモリカード２３への電力の停止（非導通状態）、又は供給（導通状態）を切り替えるスイッチである。スイッチ部５１は、後述する制御部６０ｂの出力ポート６３（出力端子）から出力されル制御信号に基づいて、導通状態と非導通状態とを切り替える。
【００６９】
また、ＧＮＤ線Ｌ１は、シールドケース１０及びカードスロット１３に接続されており、シールドケース１０及びカードスロット１３には、ＧＮＤ電位が印加されている。
【００７０】
熱検出部３３は、熱検出部３１及び熱検出部３２と同様の構成である。熱検出部３３は、例えば、バイメタル３１３と検出端子３２３とを備えている。
バイメタル３１３（第３変形部材）は、図８に示すようにカードスロット１３に一端が接続され、カードスロット１３の温度に応じて検出端子３２３との接触状態が変化する。また、バイメタル３１３は、カードスロット１３を介してＧＮＤ線Ｌ１に接続されている。
【００７１】
検出端子３２３（第３検出端子）は、図８に示すようにカードスロット１３の温度が所定の閾値以上である場合に、バイメタル３１３と接触するように配置された端子である。検出端子３２３は、ノードＮ３と接続されており、後述するプルアップ抵抗４３を介して電源線Ｌ２に接続されている。
なお、本実施形態において、バイメタル３１１〜３１３のうちの任意のバイメタル、又は単に電子機器１ｂが備えるバイメタルを示す場合には、バイメタル３１０と称して以下説明する。また、検出端子３２１〜３２３のうちの任意の検出端子、又は単に電子機器１ｂが備える検出端子を示す場合には、検出端子３２０と称して以下説明する。
【００７２】
プルアップ抵抗４３（抵抗素子）は、一端が電源線Ｌ２に接続され、他端がノードＮ３に接続されている。すなわち、プルアップ抵抗４３は、他端がノードＮ３を介して検出端子３２３に接続されている。プルアップ抵抗４３は、バイメタル３１３と検出端子３２３との接触状態が非導通状態である場合に、ノードＮ３を電源線Ｌ２の電位に保持する。なお、ノードＮ３の電位は、検出信号として制御部６０ｂの入力ポート６２に出力される。
なお、接触状態の変化に対するノードＮ３の電位（検出信号）の変化は、上述したノードＮ１及びノードＮ２の場合と同様であるので、ここでは説明を省略する。
【００７３】
記憶部８０は、故障しているメモリカード２３（ＮＧカード）のカードＩＤをＮＧカードリストとして記憶する。
【００７４】
制御部６０ｂは、第２の実施形態における制御部６０ａと同様の制御を行うとともに、メモリカード２３に対する制御を行う。制御部６０ｂは、例えば、バイメタル３１３と検出端子３２３と接触状態に基づいて、カードスロット１３の温度が所定の閾値以上であるか否かを判定する。制御部６０ｂは、カードスロット１３の温度が所定の閾値以上であると判定した場合に、メモリカード２３の動作を停止させるとともに、メモリカード２３に記憶されているカードＩＤを記憶部８０に記憶させる。また、制御部６０ｂは、メモリカード２３を動作させる際に、メモリカード２３が記憶しているカードＩＤが、記憶部８０が記憶しているカードＩＤと一致した場合に、メモリカード２３の動作を停止させる。
なお、メモリカード２３の動作を停止させる場合、制御部６０ｂは、例えば、出力ポート６３からスイッチ部５１を非導通状態にする制御信号を出力し、電源部５０からメモリカード２３への電源供給を停止させる。また、この場合、制御部６０ｂは、ユーザーに対して、メモリカード２３がＮＧカードである旨の警告（例えば、表示や音声による警告）を出力する。
【００７５】
また、制御部６０ｂは、入力ポート（６１，６２）、出力ポート６３、及びカードコントローラ６４を備えている。
入力ポート６２は、例えば、上述した入力ポート６１と同様の構成であり、熱検出部３３の検出信号が出力される。
また、出力ポート６３は、上述したスイッチ部５１の制御信号を出力する。
【００７６】
カードコントローラ６４は、メモリカード２３のアクセスを制御する。すなわち、カードコントローラ６４は、制御部６０ｂとメモリカード２３との間のデータの読み出し及び書き込みを制御する。
【００７７】
図８は、カードスロット１３に適用された本実施形態における熱検出部３３の構成を示す図である。なお、この図において、シールドケース１１の温度は所定の閾値未満であり、バイメタル３１１と検出端子３２１との接触状態は、非接触状態である。
【００７８】
この図において、カードスロット１３（金属シェル）は、プリント基板Ｐ２上に実装されているメモリカード２３用の端子を覆うように、プリント基板Ｐ２上に配置されて、メモリカード２３が挿入される。また、カードスロット１３の側面のうちのプリント基板Ｐ２面と平行な側面には、バイメタル３１３の一端（第１端部Ｔ１ａ）が接続され、バイメタル３１３を支持している。
【００７９】
バイメタル３１３は、カードスロット１３に支持され、カードスロット１３の温度の上昇に応じて、プリント基板Ｐ２側に曲がるように配置されている。バイメタル３１３は、第１端部Ｔ１ａを支点として、プリント基板Ｐ２側に曲がる（変形する）。
検出端子３２３は、例えば、プリント基板Ｐ２上に金属パターンとして形成されている。検出端子３２３には、ノードＮ３に対応する信号線Ｌ５が接続されている。
ここで、バイメタル３１３と検出端子３２３とは、カードスロット１３の温度が所定の閾値以上に上昇して、バイメタル３１３がプリント基板Ｐ２側に曲がった場合に、互いに接触して電気的な導通状態になるように配置されている。
【００８０】
次に、本実施形態における電子機器１ｂの動作について説明する。
なお、本実施形態における熱検出部３３の動作は、熱検出部３１及び熱検出部３２の動作と同様であり、ここでは説明を省略する。
【００８１】
次に、本実施形態における制御部６０ｂの動作について説明する。
制御部６０ｂによる電子回路２１ｂ及び電子回路２２の制御は、図６に示す第２の実施形態と同様であるので、ここでは説明を省略する。以下、メモリカード２３に対する制御部６０ｂの動作について、説明する。
【００８２】
図９は、実施形態における電子機器１ｂの動作の一例を示すフローチャートである。
図９において、まず、制御部６０ｂは、メモリカード２３がＮＧカードであるか否かを判定する（ステップＳ３０１）。制御部６０ｂは、例えば、カードコントローラ６４を介して、メモリカード２３に記憶されているカードＩＤを読み出す（取得する）。制御部６０ｂは、メモリカード２３から取得したカードＩＤが、記憶部８０に記憶されているＮＧカードリストと一致するか否かを判定する。制御部６０ｂは、メモリカード２３から取得したカードＩＤが、記憶部８０に記憶されているＮＧカードリストと一致した場合（ステップＳ３０１：ＹＥＳ）に、処理をステップＳ３０２に進める。また、制御部６０ｂは、メモリカード２３から取得したカードＩＤが、記憶部８０に記憶されているＮＧカードリストと一致しない場合（ステップＳ３０１：ＮＯ）に、処理をステップＳ３０３に進める。
【００８３】
ステップＳ３０２において、制御部６０ｂは、メモリカード２３の電源を停止する。すなわち、メモリカード２３が以前に異常発熱を起こしたものであるので、制御部６０ｂは、メモリカード２３へのアクセスを中止して、出力ポート６３を介して、スイッチ部５１に電源供給を停止させる制御信号を出力する。これにより、スイッチ部５１が非導通状態になり、電源部５０からの電源供給が停止する。また、制御部６０ｂは、ユーザーに対して、メモリカード２３がＮＧカードである旨の警告（例えば、表示や音声による警告）を出力する。制御部６０ｂは、ステップＳ３０２の処理を実行した後、処理をステップＳ３０１に戻す。
【００８４】
次に、ステップＳ３０３において、制御部６０ｂは、カードＩＤが読めるか否かを判定する。すなわち、制御部６０ｂは、カードコントローラ６４を介して、メモリカード２３に記憶されているカードＩＤを再度読み出し、正常にカードＩＤが読み出せるか否かを判定する。制御部６０ｂは、正常にカードＩＤが読み出せた場合（ステップＳ３０３：ＹＥＳ）に、処理をステップＳ３０４に進め、通常のカードアクセスを実行する。また、制御部６０ｂは、正常にカードＩＤが読み出せなかった場合（ステップＳ３０３：ＮＯ）に、処理をステップＳ３０５に進める。
【００８５】
次に、ステップＳ３０５において、制御部６０ｂは、バイメタル３１３と検出端子３２３との接触状態が導通状態であるか否かを判定する。制御部６０ｂは、例えば、入力ポート６２を介して、バイメタル３１３と検出端子３２３との接触状態が導通状態であるか否かを判定する。ここで、接触状態が導通状態であると判定した場合には、カードスロット１３の温度が所定の閾値以上であり、メモリカード２３に異常発熱が発生していることを示している。制御部６０ｂは、接触状態が導通状態であると判定した場合（ステップＳ３０５：ＹＥＳ）に、処理をステップＳ３０６に進める。また、制御部６０ｂは、接触状態が導通状態でない（非導通状態である）と判定した場合（ステップＳ３０５：ＮＯ）に、処理をステップＳ３０１に戻す。
【００８６】
次に、ステップＳ３０６において、制御部６０ｂは、メモリカード２３の電源を停止する。この場合、制御部６０ｂは、ステップＳ３０２と同様の処理を実行する。
【００８７】
次に、制御部６０ｂは、ＮＧカードのリストを追記する（ステップＳ３０７）。すなわち、制御部６０ｂは、メモリカード２３に記憶されているカードＩＤを記憶部８０に記憶させる。なお、このカードＩＤは、ステップＳ３０３において、異常発熱が発生する以前に、メモリカード２３から予め読み出されているカードＩＤである。制御部６０ｂは、ステップＳ３０７の処理を実行した後、処理をステップＳ３０１に戻す。
このように、本実施形態における電子機器１ｂでは、ステップＳ３０１〜ステップＳ３０７の処理が繰り返される。
【００８８】
以上説明したように、本実施形態における電子機器１ｂは、第２の実施形態の構成に、さらに、メモリカード２３のカードスロット１３と熱検出部３３（バイメタル３１３及び検出端子３２３）とを備える。そして、制御部６０ｂが、熱検出部（３１〜３３）の接触状態に基づいて、電子回路２０の動作を制御する。ここで、電子回路２０には、メモリカード２３が含まれ、熱伝導性筐体は、メモリカード２３を保持するカードスロット１３が含まれる。
これにより、本実施形態における電子機器１ｂは、第２の実施形態と同様の効果を奏するとともに、メモリカード２３の異常発熱に対しても温度上昇を抑制することができる。
【００８９】
また、本実施形態では、メモリカード２３は、少なくともメモリカード２３を識別するカードＩＤを記憶しており、制御部６０ｂは、バイメタル３１３と検出端子３２３との接触状態に基づいて、カードスロット１３の温度が所定の閾値以上であるか否かを判定する。制御部６０ｂは、カードスロット１３の温度が所定の閾値以上であると判定した場合に、メモリカード２３に記憶されているカードＩＤを記憶部８０に記憶させる。さらに、制御部６０ｂは、メモリカード２３を動作させる際に、メモリカード２３が記憶しているカードＩＤが、記憶部８０が記憶しているカードＩＤと一致した場合に、メモリカード２３の動作を停止させる。
これにより、過去に異常発熱を発生させたメモリカード２３がカードスロット１３に挿入された場合に、再び異常発熱が発生する前にメモリカード２３を停止させるので、本実施形態における電子機器１ｂは、メモリカード２３による異常発熱が発生する確率を低減することができる。
【００９０】
なお、本発明は、上記の各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更可能である。
上記の各実施形態において、バイメタル３１１（３１２，３１３）と検出端子３２１（３２２，３２３）との接触状態は、温度が所定の閾値以上である場合に導通状態（接触した状態）になり、温度が所定の閾値未満である場合に非導通状態（接触していない状態）になる形態を説明したが、これに限定されるものではない。例えば、接触状態は、温度が所定の閾値以上である場合に非導通状態（接触していない状態）になり、温度が所定の閾値未満である場合に導通状態（接触した状態）になる形態であってもよい。
【００９１】
また、上記の各実施形態において、第１の電源線がＧＮＤ線Ｌ１であり、第２の電源線が電源線Ｌ２である場合の例を説明したが、第１の電源線が電源線Ｌ２であり、第２の電源線がＧＮＤ線Ｌ１であってもよい。この場合、プルアップ抵抗４１（４２，４３）は、プルダウン抵抗となる。
【００９２】
また、上記の各実施形態において、熱伝導性筐体は、金属筐体（例、シールドケース１０、カードスロット１３）である場合の例を説明したが、熱伝導性筐体は、熱伝導性を有すれば他の材質の筐体であってもよい。また、バイメタル３１０は、シールドケース１０又はカードスロット１３を介してＧＮＤ線Ｌ１に接続される形態を説明したが、バイメタル３１０は、配線によりＧＮＤ線Ｌ１に接続される形態であってもよい。
また、検出端子３２０は、プリント基板Ｐ１（Ｐ２）上に形成される形態を説明したが、これに限定されるものではなく、プリント基板Ｐ１（Ｐ２）上に端子部品を搭載する形態でもよい。
【００９３】
また、上記の各実施形態において、１つの熱伝導性筐体に１つの熱検出部３１（３２，３３）が対応する形態を説明したが、１つの熱伝導性筐体に複数の熱検出部３１（３２，３３）が対応する形態であってもよい。例えば、１つのシールドケース１０に対して複数のバイメタル３１０が接続されてもよい。
【００９４】
また、上記の図９のフローチャートにおいて、ステップＳ３０３〜ステップＳ３０４の処理は、ステップＳ３０５において“ＮＯ”判定である場合に実行されてもよい。
また、上記の第３の実施形態は、第２の実施形態を基に適用する形態を説明したが第１の実施形態を基に適用する形態であってもよい。
【００９５】
上述の電子機器１（１ａ，１ｂ）は内部に、コンピュータシステムを有している。そして、上述した電子機器１（１ａ，１ｂ）の処理過程は、プログラムの形式でコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記憶されており、このプログラムをコンピュータが読み出して実行することによって、上記処理が行われる。ここでコンピュータ読み取り可能な記録媒体とは、磁気ディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、半導体メモリ等をいう。また、このコンピュータプログラムを通信回線によってコンピュータに配信し、この配信を受けたコンピュータが当該プログラムを実行するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００９６】
１、１ａ、１ｂ…電子機器
１０、１１、１２…シールドケース
１３…カードスロット
２０、２１、２１ａ、２１ｂ、２２…電子回路
２３…メモリカード
３１、３２、３３…熱検出部
４１、４２、４３…プルアップ抵抗
５０…電源部
５１…スイッチ部
６０、６０ａ、６０ｂ…制御部
６１、６２、７１…入力ポート
６３…出力ポート
６４…カードコントローラ
７０…通信部
８０…記憶部
３１０、３１１、３１２、３１３…バイメタル
３２０、３２１、３２２、３２３…検出端子
Ｌ１…ＧＮＤ線
Ｌ２…電源線
Ｐ１、Ｐ２…プリント基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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