(57)【要約】【課題】成膜する際のベーキング温度が低く、種々の成膜対象に対応することができるインク組成物を提供すること。【解決手段】本発明のインク組成物は、（Ａ）ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸水溶液と、（Ｂ）エポキシ基を含むシルセスキオキサンと、を含むことを特徴とする。また、本発明のインク組成物は、（Ｃ）エポキシ基を含むシランカップリング剤をさらに含んでいても良い。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸水溶液と、
（Ｂ）エポキシ基を含むシルセスキオキサンと、
を含むことを特徴とするインク組成物。
【請求項２】
（Ｃ）エポキシ基を含むシランカップリング剤をさらに含むことを特徴とする請求項１記載のインク組成物。
【請求項３】
前記（Ａ）の固形分を１としたときに前記（Ｂ）及び前記（Ｃ）の含有割合が０．７５〜１．００であり、かつ、前記（Ｂ）と前記（Ｃ）との含有割合がＢ：Ｃ＝１：１〜４：３であることを特徴とする請求項２記載のインク組成物。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載のインク組成物を用いて得られたことを特徴とする透明導電膜。
【請求項５】
請求項４記載の透明導電膜を備えたことを特徴とする電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インク組成物、それを用いた透明導電膜及び電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、プラズマディスプレイ、エレクトロクロミックディスプレイ、太陽電池、及びタッチパネルなどの分野においては、透明導電膜が用いられている。この透明導電膜の材料としては、ＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）などの導電性無機材料や、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）：ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）などの導電性有機材料が挙げられる。
【０００３】
導電性有機材料を用いた透明導電膜としては、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ水溶液とエポキシシラン化合物とを含むインク組成物を用いたものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。かかるインク組成物においては、カップリング剤としてのエポキシシラン化合物を含むことにより、インク組成物の塗布後にエポキシシラン化合物のエポキシ基とＰＳＳのスルホン酸基との間の開環付加反応及びアルコキシシランの加水分解反応及び縮合反応が進行する。これにより、エポキシシラン化合物とＰＥＤＯＴ：ＰＳＳとの分子鎖間に架橋結合を介した３次元的なネットワーク（クロスリンク）が形成されるので、耐摩耗性に優れた高い機械的強度を有する透明導電膜を実現できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００９−５０８３４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載されたインク組成物においては、成膜する際に、ホットプレートの予備乾燥後、オーブンによる１２０℃〜１３０℃焼成（２０分〜３０分）を実施する必要がある。このように、成膜時のベーキング温度が高いため、樹脂基板、例えばポリカーボネート基板やアクリル樹脂基板では、基板のそりと同時に微小な突起が生じるので、樹脂基板上に確実に成膜することができないという問題があった。
【０００６】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、成膜する際のベーキング温度が低く、種々の成膜対象に対応することができるインク組成物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のインク組成物は、（Ａ）ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸水溶液と、（Ｂ）エポキシ基を含むシルセスキオキサンと、を含むことを特徴とする。
【０００８】
このインク組成物によれば、エポキシ基含有のシルセスキオキサンにおけるエポキシ基やシラノール基がＰＳＳ（スルホン）酸による触媒作用により低温で反応するので、成膜する際のベーキング温度が低く、種々の成膜対象に対応することができるインク組成物を実現することができる。
【０００９】
本発明のインク組成物においては、（Ｃ）エポキシ基を含むシランカップリング剤をさらに含むことが好ましい。この構成によれば、インク組成物を用いて形成した透明導電膜の耐湿性を向上させることができる。
【００１０】
本発明のインク組成物においては、前記（Ａ）の固形分を１としたときに前記（Ｂ）及び前記（Ｃ）の含有割合が０．７５〜１．００であり、かつ、前記（Ｂ）と前記（Ｃ）との含有割合がＢ：Ｃ＝１：１〜４：３であることが好ましい。
【００１１】
本発明の透明導電膜は、上記インク組成物を用いて得られたことを特徴とする。
【００１２】
本発明の電子部品は、上記透明導電膜を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、成膜する際のベーキング温度が低く、種々の成膜対象に対応することができるインク組成物を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】透明導電膜の耐摩耗性の試験結果を示す図である。
【図２】透明導電膜の面積抵抗値の試験結果を示す図である。
【図３】透明導電膜の全光線透過率の試験結果を示す図である。
【図４】透明導電膜の膜厚の均一性・濡れ性の試験結果を示す図である。
【図５】透明導電膜の抵抗変化率の試験結果を示す図である。
【図６】透明導電膜の耐湿性の試験結果を示す図である。
【図７】シルセスキオキサンとシランカップリング剤の最適な混合割合を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の一実施の形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１６】
（インク組成物）
まず、本発明に係るインク組成物の概要について説明する。本発明に係るインク組成物は、（Ａ）ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）／ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）水溶液と、（Ｂ）エポキシ基を含むシルセスキオキサンと、を含有する。このインク組成物は、各種電子部品に用いられる透明導電膜の形成に使用されるものである。透明導電膜は、基材上に塗布したインク組成物をベーク（焼成）することにより得られる。このベーク時にＰＥＤＯＴ：ＰＳＳとエポキシ基を含むシルセスキオキサンとの間で架橋結合を介した３次元的なネットワークが形成されるので、機械的強度が高い透明導電膜が得られる。
【００１７】
本発明に係るインク組成物においては、基材上に塗布されたインク組成物をベークする際に、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの分子内のスルホン酸基とエポキ基を有するシルセスキオキサンのエポキシ基との間で開環付加反応が進行してＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ分子とエポキシ基を含むシルセスキオキサンとが結合する。このＰＥＤＯＴ：ＰＳＳが結合したシルセスキオキサンは、アルコキルシラン基の加水分解反応、及びこの加水分解反応によって生成した水酸基と他のシルセスキオキサンとの間で縮合反応し、シロキサン結合を介して２分子のシルセスキオキサンが結合する。そして、これらの開環付加反応、加水分解反応及び縮合反応が繰り返される結果、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳとシルセスキオキサンとの間でスルホン酸エステル結合による架橋結合を介した３次元的なネットワーク（クロスリンク）が形成される。
【００１８】
電子部品に設けられるＰＥＤＯＴ：ＰＳＳベースの透明導電膜（印刷透明電極）については、基材（成膜対象である基板）として樹脂基板、例えば、ポリカーボネート基板やアクリル樹脂基板等の低耐熱性樹脂が使えることで使用用途が広がり、従来から透明電極の主流であるＩＴＯ膜に対して優位になる。また、ベーキング温度の低温化による工程コストの削減も可能となる。
【００１９】
ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳベースの透明導電膜の場合、膜強度を得るために、熱反応性クロスリンク剤や熱硬化性樹脂などがインク組成物に添加されており、その反応には活性化エネルギーを上回る加熱温度と時間が必要となる。このため、必然的に成膜時のベーキング温度が高くなってしまう。
【００２０】
本発明者らは、エポキシ基含有のシルセスキオキサンをＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ水溶液に、特定の割合で添加することにより、成膜時のベーキング温度を低温化できることを見出し本発明をするに至った。エポキシ基含有のシルセスキオキサンにおけるエポキシ基やシラノール基は、ＰＳＳ（スルホン）酸による触媒作用により反応が低温で起こる。これにより、１００℃レベルのベーキング温度が実現できることが分かった。このため、本発明に係るインク組成物は、エポキシシランカップリング剤添加のインク組成物を含め従来のＰＥＤＯＴ：ＰＳＳインク組成物では達成できないベーキング温度の低温化を実現した。
【００２１】
すなわち本発明の骨子は、（Ａ）ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸水溶液と、（Ｂ）エポキシ基を含むシルセスキオキサン（ＳＱ剤）と、を含むインク組成物により、１００℃レベルのベーキング温度を実現することである。
【００２２】
本発明のインク組成物においては、さらに、（Ｃ）エポキシ基を含むシランカップリング剤（Ｃ剤）を含むことにより、耐湿性を向上させることが可能となる。この場合において、（Ａ）の固形分を１としたときに（Ｂ）及び（Ｃ）の含有割合が０．７５〜１．００であり、かつ、（Ｂ）と（Ｃ）との含有割合がＢ：Ｃ＝１：１〜４：３であることが好ましい。これにより、ベーキング温度が低く、導電率が高く、耐湿性に優れ、膜強度が高い透明導電膜を実現することができる。
【００２３】
以下、各構成要素について詳細に説明する。
（Ａ）ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ水溶液
ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ水溶液としては、本発明の効果を奏する範囲であれば特に制限ない。また、このＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ水溶液としては、市販品をそのまま用いてもよい。ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ水溶液の市販品としては、例えば、Ｃｌｅｖｉｏｓ（登録商標：Ｈｅｒａｅｕｓ社製）  Ｐ、Ｃｌｅｖｉｏｓ  ＰＨ５００、Ｃｌｅｖｉｏｓ  ＰＨ１０００などが挙げられる。
【００２４】
（Ｂ）エポキシ基を含むシルセスキオキサン
エポキシ基を含むシルセスキオキサンとしては、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳとの間でエポキシ基を介した開環付加反応、並びに、加水分解反応及び縮合反応するものであれば、本発明の効果を奏する範囲で各種シルセスキオキサンを用いることができる。シルセスキオキサンとしては、例えば、荒川化学工業製コンポセランＳＱ５０２−８等が挙げられる。
【００２５】
ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ水溶液における、エポキシ基を含むシルセスキオキサンの含有割合は、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ固形分を１．０とすると、０．７５〜１．０であることが好ましい。このような範囲でエポキシ基を含むシルセスキオキサンをＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ水溶液に含有させることにより、１００℃レベルのベーキング温度で成膜が可能なインク組成物を得ることができる。
【００２６】
（Ｃ）エポキシ基を含むシランカップリング剤
エポキシ基を含むシランカップリング剤としては、例えば、エポキシ基を有するジアルコキシシランや、エポキシ基を有するトリアルコキシシランなどのシランカップリング剤を用いることができる。エポキシ基を含有するジアルコキシシランとしては、例えば、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシランなどを用いることができる。また、エポキシ基を含有するトリエポキシシランとしては、例えば、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン等が挙げられる。
【００２７】
（Ｄ）その他成分
本発明に係るインク組成物においては、本発明の効果を奏する範囲でエンハンサーとしての高粘性化合物を用いてもよい。このような高粘性化合物としては、例えば、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）などが挙げられる。
【００２８】
（Ｅ）溶媒
本発明に係るインク組成物においては、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ水溶液、エポキシシラン化合物及びアミン化合物との間で相溶性を有するものであれば、インク組成物により得られる透明導電膜の物性を満たす範囲で各種溶媒を含むことができる。溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）などの各種アルコールを用いることができる。
【００２９】
ここで、エポキシ基を含むシルセスキオキサンを含むＰＥＤＯＴ：ＰＳＳのインク組成物についての特性について説明する。
【００３０】
本発明に係るインク組成物としては、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ水溶液（固形分濃度が１．１重量％の市販品（商品名：Ｃｌｅｖｉｏｓ  ＰＨ１０００、Ｈｅｒａｅｕｓ社製））５ｍｌ、エポキシ基を含むシルセスキオキサン（商品名：コンポセランＳＱ５０２−８、荒川化学工業社製）のＩＰＡ５０％溶液を１５７μｌ、エンハンサーとしてのジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）０．６２５ｍｌ、溶媒としてのイソプロピルアルコール６．２５ｍｌ及び水１．２５ｍｌを混合してインク組成物を作製した。具体的には、まず、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ原液（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳのみを含む水溶液）にＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの固形分と等量のエポキシ基を含むシルセスキオキサンを添加した混合溶液を調製した。次に、混合溶液に、溶媒としてのイソプロパノール及びエンハンサーとしてのジメチルスルホキシドなどを添加してインク組成物を作製した。その後、作製したインク組成物を濾過した。
【００３１】
このようにして作製したインク組成物を基材であるＰＥＴフィルム上にスピンコート法により成膜した。次いで、インク組成物を成膜したＰＥＴフィルムをホットプレート上に載せ、９０℃で１０分間加熱して透明導電膜を形成した。また、インク組成物を成膜したＰＥＴフィルムをホットプレート上に載せ、１００℃で１０分間加熱して形成した透明導電膜、１１０℃で１０分間加熱して形成した透明導電膜をそれぞれ準備した。
【００３２】
比較例として、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ水溶液（固形分濃度が１．１重量％の市販品（商品名：Ｃｌｅｖｉｏｓ  ＰＨ１０００、Ｈｅｒａｅｕｓ社製））５ｍｌ、エポキシシラン化合物としての３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（商品名：Ｚ−６０４０、東レダウコーニング社製）のＩＰＡ５０％溶液を１１０μｌ、エンハンサーとしてのジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）０．６２５ｍｌ、溶媒としてのイソプロピルアルコール６．２５ｍｌ及び水１．２５ｍｌを混合してインク組成物を作製した。このようにして作製したインク組成物を基材であるガラス基板上にスピンコート法により成膜し、ガラス基板をホットプレート上に載せ、９０℃で１０分間加熱して形成した透明導電膜、１００℃で１０分間加熱して形成した透明導電膜、１１０℃で１０分間加熱して形成した透明導電膜をそれぞれ準備した。
【００３３】
このようにして準備した透明導電膜について、耐摩耗性、面積抵抗値、全光線透過率及び膜厚の均一性・濡れ性を調べた。その結果をそれぞれ図１〜図４に示す。なお、耐摩耗性、面積抵抗値、全光線透過率及び膜厚の均一性・濡れ性は、以下のようにして調べた。
【００３４】
（耐摩耗性評価）
耐摩耗性は、ウエット綿棒磨耗試験機を用いた摩耗試験により評価した。このウエット綿棒摩耗試験機は、バネ秤で２５０ｇの荷重に制御しながら３０ｍｍ／ｓの条件で、十分に濡らした綿棒を透明導電膜の表面に押し当てながら前後に擦る装置である。摩耗試験後に透明導電膜のキズや擦り取られた状況を目視にて観察し、ダメージが感知された時点の擦り回数で評価した。
【００３５】
（面積抵抗値）
透明導電膜の面積抵抗値（シート抵抗値）は、透明導電膜の表面抵抗を４探針式面積抵抗計（三菱化学社製、ＬＯＲＥＳＴＡ  ＥＰ  ＭＣＰ−１３６０）を用いて測定した。
【００３６】
（全光線透過率）
透明導電膜の全光線透過率は、ヘイズメータ（商品名：ＨＺ−２、スガ試験機社製）を用いて測定し、ＪＩＳ−Ｋ７３６１−１に基づく計測を実施した。
【００３７】
（膜厚の均一性及び濡れ性）
膜厚の均一性及び濡れ性は、基板エッジからの距離と膜厚との関係を調べることにより評価した。膜厚は、接触式段差計ＤＥＫＴＡＫにより測定した。
【００３８】
エポキシ基を含むシルセスキオキサンを含有する本発明に係るインク組成物で形成された透明導電膜は、図１に示すように、１００℃レベルのベーキング温度であっても優れた耐摩耗性を示しているのに対して、エポキシシランカップリング剤を含有する従来のインク組成物で形成された透明導電膜は、１００℃レベルのベーキング温度であると耐摩耗性が低かった。また、本発明に係るインク組成物で形成された透明導電膜は、図２及び図３に示すように、面積抵抗値及び全光線透過率について、従来のインク組成物で形成された透明導電膜と同等であった。また、本発明に係るインク組成物で形成された透明導電膜は、図４に示すように、基板エッジから膜厚が均一であり、基板に対する濡れ性が良好であるが、従来のインク組成物で形成された透明導電膜は、基板エッジでの膜厚が薄く均一性が悪く、基板に対する濡れ性が悪かった。このように、本発明に係るインク組成物は、ベーキング温度が低く、導電率が高く、膜強度が高く、膜厚の均一性・濡れ性が良い透明導電膜を得ることができる。
【００３９】
上述したように、本発明のインク組成物においては、（Ａ）ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ水溶液に、（Ｂ）エポキシ基を含むシルセスキオキサンと共に、（Ｃ）エポキシ基を含むシランカップリング剤を含んでも良い。これにより、ベーキング温度が低く、導電率が高く、耐湿性に優れ、膜強度が高い透明導電膜を実現することができる。例えば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ水溶液に、（Ｂ）エポキシ基を含むシルセスキオキサン及び（Ｃ）エポキシ基を含むシランカップリング剤を（Ｂ）：（Ｃ）＝１：１で混合した場合、図５に示すように、２００時間を超えて経過しても抵抗変化率が±１０％以下と小さかった。また、図６に示すように、６０℃×９５ＲＨ％の高温高湿下で３００時間経過しても膜厚変化率が小さく、耐湿性に優れていることが分かった。
【００４０】
この場合において、（Ａ）ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ水溶液に、（Ｂ）エポキシ基を含むシルセスキオキサン及び（Ｃ）エポキシ基を含むシランカップリング剤を混合する場合において、（Ａ）の固形分を１としたときに（Ｂ）及び（Ｃ）の含有割合が０．７５〜１．００であり、かつ、（Ｂ）と（Ｃ）との含有割合がＢ：Ｃ＝１：１〜４：３であることが好ましい(図７の斜線領域)。
【００４１】
次に、本発明の効果を明確にするために行った実施例について説明する。なお、本発明は、以下の実施例によって限定されるものではない。
【００４２】
以下の実施例においては、上記実施の形態に係るインク組成物及び比較例に係るインク組成物を作製し、作製したインク組成物を用いて透明導電膜を作製してその物性について評価した。
【００４３】
＜実施例１＞
（インク組成物の作製）
（Ａ）ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ水溶液としては、固形分の濃度が１．１重量％の市販品（商品名：ＰＨ１０００、Ｈｅｒａｅｕｓ社製）を用いた。このＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ水溶液５重量部に、（Ｂ）エポキシ基を含むシルセスキオキサン（商品名：コンポセランＳＱ５０２−８、荒川化学工業社製）の５０％ＩＰＡ溶液０．１１重量部、エンハンサーとしてのジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）０．６２５重量部、溶媒としてのイソプロパノール６．２５重量部、及び水１．２５重量部を混合してインク組成物を作製した。
【００４４】
（透明導電膜の作製）
ガラス基板上に回転数２０００ｒｐｍ〜４０００ｒｐｍにて１０秒間の条件で、インク組成物をスピンコートにより成膜した。成膜後のガラス基板をホットプレートに載せて、９０℃から１１０℃で１０分間加熱して透明導電膜（実施例１）を作製した。
【００４５】
実施例１の透明導電膜について、耐摩耗性、面積抵抗値、全光線透過率、基板濡れ性及び耐湿性を調べた。その結果を下記表１に示す。なお、耐摩耗性、面積抵抗値、全光線透過率、基板濡れ性及び耐湿性については、以下のようにして評価した。
【００４６】
耐摩耗性は、上述したウエット綿棒磨耗試験機を用いた摩耗試験により評価した。摩耗試験後に透明導電膜のキズや擦り取られた状況を目視にて観察し、ダメージが感知された時点の擦り回数で評価し、１０１回以上を◎とし、５１回以上１００回以下を○とし、２６回以上５０回以下を△とし、２５回以下を×とした。
【００４７】
面積抵抗値（シート抵抗値）は、透明導電膜の表面抵抗を４探針式面積抵抗計（三菱化学社製、ＬＯＲＥＳＴＡ  ＥＰ  ＭＣＰ−１３６０）を用いて測定し、４００Ω／□以下を◎とし、４３０Ω／□以下を○とし、４５０Ω／□以下を△とし、４５０Ω／□以上を×とした。
【００４８】
全光線透過率は、ヘイズメータ（商品名：ＨＺ−２、スガ試験機社製）を用いて測定し、ＪＩＳ−Ｋ７３６１−１に基づく計測を実施し、８９％以上を◎とし、８８．５％以上を○とし、８８％以上を△とし、８８％以下を×とした。
【００４９】
基板濡れ性は、基板エッジからの距離と膜厚との関係を調べることにより評価し、膜ムラが３ｍｍ以下を◎とし、４ｍｍ以下を○とし、５ｍｍ以下を△とし、５ｍｍ以上を×とした。なお、膜厚は、接触式段差計ＤＥＫＴＡＫにより測定した。
【００５０】
耐湿性は、抵抗値の変化により評価し、１０％以下を◎とし、１５％以下を○とし、２０％以下を△とし、２０％以上を×とした。
【００５１】
＜実施例２＞
（Ａ）ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ水溶液としては、固形分の濃度が１．１重量％の市販品（商品名：ＰＨ１０００、Ｈｅｒａｅｕｓ社製）を用いた。このＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ水溶液５重量部に、（Ｂ）エポキシ基を含むシルセスキオキサン（商品名：コンポセランＳＱ５０２−８、荒川化学工業社製）の５０％ＩＰＡ溶液０．０５５重量部、（Ｃ）エポキシシラン化合物としての３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（商品名：Ｚ−６０４０、東レダウコーニング社製）の５０％ＩＰＡ溶液０．０５５重量部、エンハンサーとしてのジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）０．６２５重量部、溶媒としてのイソプロパノール６．２５重量部、及び水１．２５重量部を混合してインク組成物を作製した。
【００５２】
このインク組成物を実施例１と同様にしてＰＥＴフィルム基板上に成膜して透明導電膜（実施例２）を形成した。この透明導電膜について、実施例１と同様にして、耐摩耗性、面積抵抗値、全光線透過率、基板濡れ性及び耐湿性を調べた。その結果を下記表１に併記する。
【００５３】
＜比較例＞
（Ａ）ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ水溶液としては、固形分の濃度が１．１重量％の市販品（商品名：ＰＨ１０００、Ｈｅｒａｅｕｓ社製）を用いた。このＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ水溶液５重量部に、（Ｃ）エポキシシラン化合物としての３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（商品名：Ｚ−６０４０、東レダウコーニング社製）０．１１重量部、エンハンサーとしてのジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）０．６２５重量部、溶媒としてのイソプロパノール６．２５重量部、及び水１．２５重量部を混合してインク組成物を作製した。
【００５４】
このインク組成物を実施例１と同様にしてＰＥＴフィルム基板上に成膜して透明導電膜（比較例）を形成した。この透明導電膜について、実施例１と同様にして、耐摩耗性、面積抵抗値、全光線透過率、基板濡れ性及び耐湿性を調べた。その結果を下記表１に併記する。
【００５５】
【表１】
2014162832.tif 000002
【００５６】
表１から分かるように、実施例１、実施例２の透明導電膜は、低温で成膜したにも拘わらず、耐摩耗性に優れていた。これは、エポキシ基含有のシルセスキオキサンにおけるエポキシ基やシラノール基がＰＳＳ（スルホン）酸による触媒作用により反応が低温で起こり、１００℃レベルの温度でベーキングが完了したためであると考えられる。一方、比較例の透明導電膜は耐摩耗性が低かった。これは、エポキシ基含有のシルセスキオキサンを含まないために、１００℃レベルの温度では十分にベーキングされなかったためであると考えられる。
【００５７】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ水溶液、エポキシ基を含むシルセスキオキサンについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更して用いることが可能である。その他、本発明は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明は、成膜する際のベーキング温度が低く、種々の成膜対象に対応することができるインク組成物を実現できるという効果を有し、特に、液晶ディスプレイ、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、プラズマディスプレイ、エレクトロクロミックディスプレイ、太陽電池、タッチパネル、電子ペーパー等に用いられる透明電極及び電磁波シールド等、各種透明導電膜を用いたデバイスに適用可能である。
【図１】
2014162832.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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