(57)【要約】【課題】  予期せぬ加熱を防止しつつ、導電膜に所望の大きさの電気抵抗を得ることにある。【解決手段】  基板上に所望の大きさの表面抵抗率を有する有機導電膜を形成するにあたり、まず、基板上の膜形成領域に有機導電性物質を含有する塗布液を所定のパターンで塗布して塗布液膜を形成する。次いで、塗布液膜を乾燥させて有機導電膜を形成する。この後、有機導電膜が形成された基板をオゾン水に所定の時間浸漬させて、基板上の有機導電膜にオゾン処理を施し、有機導電膜に所望の大きさの表面抵抗率を付与する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に有機導電膜を形成する導電膜の形成方法において、
前記基板上の膜形成領域に有機導電性物質を含有する塗布液を塗布する塗布工程と、
前記基板上に塗布された前記塗布液によって形成された前記有機導電膜に、前記有機導電膜の電気抵抗を高めるオゾン処理を施すオゾン処理工程と、を有することを特徴とする導電膜の形成方法。
【請求項２】
前記オゾン処理工程によって前記オゾン処理が施された前記有機導電膜の電気抵抗の大きさを測定する測定工程と、
この測定工程での測定値と予め設定された基準値とを比較し、前記有機導電膜に付与された電気抵抗の大きさの適否を判定する判定工程と、
をさらに有することを特徴とする請求項１記載の導電膜の形成方法。
【請求項３】
前記判定工程での比較の結果、前記測定値が基準値に満たない場合に、当該有機導電膜に対して前記オゾン処理工程を再度実行することを特徴とする請求項２記載の導電膜の形成方法。
【請求項４】
前記オゾン処理を再度実行するときには、前回のオゾン処理工程でのオゾン濃度よりも低いオゾン濃度とすることを特徴とする請求項３記載の導電膜の形成方法。
【請求項５】
前記前記オゾン処理工程におけるオゾン処理は、前記基板をオゾン水に浸漬させて行なうことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の導電膜の形成方法。
【請求項６】
基板上に有機導電膜を形成する導電膜の形成装置において、
前記基板上の膜形成領域に有機導電性物質を含有する塗布液を塗布する塗布装置と、
前記基板上に塗布された前記塗布液によって形成された有機導電膜に、オゾン処理を施すオゾン処理装置と、を有することを特徴とする導電膜の形成装置。
【請求項７】
前記有機導電膜の電気抵抗の大きさを測定する測定装置と、
この測定装置による測定値に基づいて、前記有機導電膜に付与された電気抵抗の大きさの適否を判定する判定装置と、をさらに有することを特徴とする請求項６記載の導電膜の形成装置。
【請求項８】
前記オゾン処理装置は、基板を出し入れする開口部が上部に形成され、かつ、オゾン水を貯留可能に構成されたオゾン水収容槽と、このオゾン水収容槽にオゾン水を供給するオゾン水供給装置と、
を有することを特徴とする請求項６または７記載の導電膜の形成装置。
【請求項９】
前記オゾン水収容槽内のオゾン水のオゾン濃度を測定するオゾン濃度測定装置と、
前記オゾン濃度測定装置によって測定されたオゾン濃度に基づいて前記オゾン水収容槽内のオゾン水のオゾン濃度を調整するオゾン濃度調整装置と、
を有することを特徴とする請求項８記載の導電膜の形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電膜の形成方法および導電膜の形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上に所望の電気抵抗値を備えた導電膜を形成する方法として、特許文献１に記載されているような、基板上に有機導電性ポリマー組成物からなる導電膜を形成し、この導電膜に紫外線（以下ＵＶという）を照射して該導電膜の電気抵抗値を高めるものがある。
【０００３】
例えば、タッチパネルを構成する導電膜については、所望の帯電防止機能を確保するに必要な電気抵抗値を該導電膜に付与する必要がある。そこで、このような基板に対して所定時間ＵＶ照射を行ない、導電膜に所望の電気抵抗を付与することが行なわれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−３０５７０１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ＵＶの照射によって導電膜や基板に熱が発生するため、導電膜や基板が加熱されてしまうことがあり、基板等に熱に弱い材料を用いている場合には適用することが困難となる。
【０００６】
本発明の課題は、基板に熱が加わることを防止しつつ、導電膜の電気抵抗を高めることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態に係る導電膜の形成方法は、基板上に有機導電膜を形成する導電膜の形成方法において、前記基板上の膜形成領域に有機導電性物質を含有する塗布液を塗布する塗布工程と、前記基板上に形成された前記有機導電膜にオゾン処理を施し、前記有機導電膜の電気抵抗を前記オゾン処理前よりも高めるオゾン処理工程と、を有することを特徴とする。
【０００８】
本発明の一実施形態に係る導電膜の形成装置は、基板上に有機導電膜を形成する導電膜の形成装置において、前記基板上の膜形成領域に有機導電性物質を含有する塗布液を塗布する塗布装置と、前記塗布液が塗布されて前記基板上に形成された有機導電膜に、オゾン処理を施すオゾン処理装置と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、基板に熱が加わることを防止しつつ、導電膜の電気抵抗を高めることができるので、熱に弱い材料を用いている場合でも、品質の低下が防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、導電膜の形成装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】図２は、塗布装置の構成を示す正面図である。
【図３】図３は、図２の平面図である。
【図４】図４は、測定装置の構成を示す正面図である。
【図５】図５は、図４の平面図である。
【図６】図６は、オゾン処理装置の構成を示す正面図である。
【図７】図７は、オゾン処理時間と導電膜の表面抵抗率の関係を示す線図である。
【図８】図８は、本発明による有機導電膜の製造手順を示す流れ図である。
【図９】図９は、基板上に形成された導電膜の抵抗測定位置の一例を示す平面図である。
【図１０】図１０は、基板上に形成された導電膜の抵抗測定位置の他の例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１に示すように、基板Ｇ上に所望の大きさの電気抵抗を備えた有機導電膜を形成する導電膜の形成装置１は、例えば、携帯端末などのタッチパネル基板の表面に所望の大きさの電気抵抗を備えた有機導電膜を形成するものであり、塗布装置１０、乾燥装置２０、測定装置３０、オゾン処理装置４０および制御装置５０を有して構成される。
【００１２】
塗布装置１０は、図２、図３に示すように、架台１１を有し、この架台１１上に、基板Ｇを載置する基板ステージ１２と、塗布液を吐出するインクジェット方式の塗布ヘッド１３とを設けて構成される。ここで、基板Ｇは、透明性が高い材料からなることが好ましく、具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリアクリル（ＰＡＣ）、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、脂肪族環状ポリオレフィン、ノルボルネン系の熱可塑性透明樹脂などの可撓性フィルムやこれら２種以上の積層体、或いは、ガラス板などを挙げることができる。
【００１３】
基板ステージ１２は、架台１１上に設置されたＹ軸移動装置１４に搭載されて、このＹ軸移動装置１４によりＹ軸方向に沿って移動可能とされる。
【００１４】
塗布ヘッド１３は、架台１１に、基板ステージ１２の移動領域を跨ぐようにＹ軸方向に対して直交するＸ軸方向に沿って設けられた門型支持フレーム１５に取付けられる。この実施形態においては、門型支持フレーム１５に３つの塗布ヘッド１３Ａ〜１３Ｃが取付けられる。これら３つの塗布ヘッド１３Ａ〜１３Ｃは、Ｘ軸方向に沿って千烏状に配置される。
【００１５】
各塗布ヘッド１３は、その下面を吐出面１３ａとして構成され、吐出面には複数のノズル（不図示）がＸ軸方向に沿って配列して設けられている。各ノズルは、それぞれ液室に連通されてなり、各液室は液室内に容積変化を生じさせるための圧電素子が付随されている。また、各液室は、塗布液が供給される給液流路にそれぞれ接続される。このような塗布ヘッド１３は、圧電素子を作動させることで液室内に容積変化を生じさせ、この容積変化に応じた量の塗布液を当該液室に連通するノズルから吐出させることが可能とされる。
【００１６】
なお、この塗布ヘッド１３のノズルから吐出される塗布液としては、有機導電性ポリマー組成物などの有機導電性物質を含有する塗布液が用いられる。ここで、有機導電性ポリマー組成物は、例えば、ポリチオフェンまたはポリチオフェン誘導体、ポリアニリンまたはポリアニリン誘導体、ポリピロール、ポリアセチレン、ポリパラフェニレン、ポリフェニレンビニレンなどの高分子マトリクス中に、ハロゲン系、ルイス酸系、プロトン酸系、遷移金属ハライド系などのドーパントをドープしたものであり、優れた導電性を示す。有機導電性ポリマーとしては、特にポリチオフェンあるいはポリチオフェン誘導体、ポリアニリンまたはポリアニリン誘導体等が好ましい。
【００１７】
このような塗布装置１０は、制御部１６を有する。制御部１６は、塗布情報（吐出量、吐出間隔、塗布速度等）が予め設定されており、基板ステージ１２に基板Ｇが載置されると、この制御部１６の制御下において、基板ステージ１２がＹ軸移動装置１４によってＹ軸方向に移動され、基板Ｇが塗布ヘッド１３Ａ〜１３Ｃの下を通過するタイミングに合わせて３つの塗布ヘッド１３Ａ〜１３Ｃのノズルから塗布液が吐出され、基板Ｇ上の膜形成領域Ｋ（図９参照）に所定のパターンで塗布液が塗布される。
【００１８】
基板Ｇ上の膜形成領域Ｋに塗布された塗布液は、それぞれ濡れ広がって一体化して塗布液膜となり、この塗布液膜が乾燥して導電膜Ｆ（図９参照）を形成する。導電膜Ｆは、例えば、有機導電性ポリマー組成物などの有機導電性物質膜（ＰＥＤＯＴ膜）である。
【００１９】
乾燥装置２０は、ヒータや温風などによる加熱を用いた公知の乾燥装置である。
【００２０】
測定装置３０は、図４、図５に示すように、基板Ｇが載置される基板ステージ３１と、基板ステージ３１に載置された基板Ｇの導電膜Ｆの表面抵抗率を測定する抵抗測定ヘッド３２とを備える。
【００２１】
基板ステージ３１は、架台３３上の略中央位置に固定配置される。
【００２２】
抵抗測定ヘッド３２は、Ｘ軸方向に直交するＹ軸方向に延設された門型支持フレーム３４に、Ｙ軸移動装置３５およびＺ軸移動装置３６を順に介して支持される。これにより、抵抗測定ヘッド３２は、Ｙ軸方向とＺ軸方向に移動可能とされる。
【００２３】
門型支持フレーム３４は、一対の脚部３４ａと、この脚部４３ａ同士を上部で連結する水平部３４ｂとを備えた逆凹形状をなしており、架台３３上に基板ステージ３１を挟んで配置された一対のＸ軸移動装置３７に脚部３４ａが支持される。これにより、支持フレーム３４は、Ｘ軸方向に移動可能とされる。したがって、門型支持フレーム３４に支持される抵抗測定ヘッド３２も、Ｘ軸方向に移動可能とされる。
【００２４】
なお、抵抗測定ヘッド３２は、２本一組の測定端子３２ａを備えており、この測定端子３２ａを基板Ｇ上の導電膜Ｆの表面に接触させ、端子間に生じる電位差に基づいて導電膜Ｆの表面抵抗率を測定する。
【００２５】
測定装置３０は、制御部３８を有し、この制御部３８によって、Ｘ軸移動装置３７、Ｙ軸移動装置３５およびＺ軸移動装置３６を制御するとともに、抵抗測定ヘッド３２を制御して、制御部３８に予め設定された位置において、基板Ｇ上の導電膜Ｆの表面抵抗率を測定する。
【００２６】
オゾン処理装置４０は、図６に示すように、オゾン水Ｗを貯留するオゾン水収容槽４１と、オゾン水収容槽４１にオゾン水Ｗを供給するオゾン水供給装置４２と、オゾン水収容槽４１内に貯留されたオゾン水Ｗのオゾン濃度を測定するオゾン濃度測定装置４３とを有して構成される。
【００２７】
オゾン水収容槽４１は、上端側を開口部とした矩形箱状の形状を有し、この開口部を通して基板Ｇをオゾン水収容槽４１に出し入れできるように構成される。このオゾン水収容槽４１内には、オゾン水Ｗの液面が所定の液面高さとなるようにオゾン水Ｗが収容される。
【００２８】
オゾン水供給装置４２は、純水を供給するための純水タンク４２ａと、オゾンガスを供給するためのオゾンガス供給部４２ｂと、オゾン水収容槽４１から排出されたオゾン水Ｗを収容する排出タンク４２ｃとを備えて構成される。
【００２９】
純水タンク４２ａは、純水を蓄えるタンクであり、供給管４２ｄを介してオゾン水収容槽４１に接続される。供給管４２ｄにおけるオゾン水収容槽４１側の端部は、オゾン水収容槽４１の側壁に接続される。その高さ位置は、オゾン水収容槽４１内に所定の液面高さでオゾン水Ｗが貯留されたときの液面位置よりもやや低い位置である。また、供給管４２ｄの途中には、純水の供給流路の開閉および流量の調整が可能な制御弁４２ｅが設けられる。
【００３０】
オゾンガス供給部４２ｂは、オゾンガスを生成するイオナイザ等のオゾンガス発生装置によって構成されてなり、オゾンガスの濃度と供給量を調整して供給する機能を備える。このオゾンガス供給部４２ｂは、オゾンガス供給管４２ｆを介して、供給管４２ｄにおける制御弁４２ｅとオゾン水収容槽４１との接続部との間に接続される。なお、オゾンガス供給管４２ｆと供給管４２ｄとは溶解部４２ｇを介して接続される。溶解部４２ｇは、オゾンガス供給管４２ｆから導入されるオゾンガスと供給管４２ｄから導入される純水とを接触させる溶解モジュールを備える。溶解モジュールとしては、例えば、高分子膜等の溶解膜、エジェクタ、マイクロリアクタなどオゾンガスを水に溶解させる装置を用いることができる。溶解モジュールにおいては、純水にオゾンガスが溶解し、高濃度のオゾン水が生成される。生成されたオゾン水は、供給管４２ｄを通じてオゾン水収容槽４１に供給される。なお、オゾンガス供給管４２ｆの途中には、オゾンガスの供給流路の開閉を行なう制御弁４２ｈが設けられる。
【００３１】
排出タンク４２ｃは、排出管４２ｉを介してオゾン水収容槽４１に接続される。排出管４２ｉにおけるオゾン水収容槽４１側の端部は、オゾン水収容槽４１の底部に接続される。そして、排出管４２ｉの途中には、排出タンク４２ｃ内へのオゾン水Ｗの排出流路の開閉を行う制御弁４２ｊが設けられる。また、排出管４２ｉにおける制御弁４２ｊとオゾン水収容槽４１との接続部との間には、循環ポンプ４２ｋが設けられる。さらに、排出管４２ｉにおける制御弁４２ｊと循環ポンプ４２ｋとの間には、還流管４２ｌが接続される。この還流管４２ｌの他方の端部は、供給管４２ｄにおける制御弁４２ｅと溶解部４２ｇとの間に接続される。これにより、排出管４２ｉ、還流管４２ｌ、供給管４２ｄの経路で、オゾン水収容槽４１内のオゾン水Ｗの循環路が形成される。なお、還流管４２ｌの途中には、還流管４２ｌ内のオゾン水Ｗの流路を開閉する制御弁４２ｍが設けられる。
【００３２】
このようなオゾン水供給装置４２においては、純水タンク４２ａ、オゾンガス供給部４２ｂ、溶解部４２ｇ、循環ポンプ４２ｋ、管４２ｄ、４２ｆ、４２ｉ、４２ｌ、制御弁４２ｅ、４２ｈ、４２ｍによってオゾン濃度調整装置を構成し、排出タンク４２ｃ、循環ポンプ４２ｋ、排出管４２ｉ、制御弁４２ｊによってオゾン水排出装置を構成する。つまり、オゾン水供給装置４２は、オゾン濃度調整装置とオゾン水排出装置を兼ねている。
【００３３】
オゾン濃度測定装置４３は、オゾン水収容槽４１の側壁面に取付けられる。その取付け高さは、オゾン水収容槽４１内に所定の液面高さで貯留されたオゾン水Ｗの液面位置よりもやや低い高さ位置とされる。このオゾン濃度測定装置４３は、例えば、公知の紫外線吸収法を利用したオゾン濃度測定装置であり、オゾン水収容槽４１から取り込んだオゾン水Ｗに紫外線を透過させ、そのオゾン水Ｗによる紫外線の吸光度を測定し、測定した吸光度に基づいてオゾン濃度を測定する。
【００３４】
このオゾン処理装置４０は、制御部４４を有し、この制御部４４の制御下において、予め設定されたオゾン濃度のオゾン水Ｗをオゾン水収容槽４１内に蓄積する。
【００３５】
すなわち、制御部４４は、制御弁４２ｅを制御して純水タンク４２ａから純水を所定の流量で供給するとともに、制御弁４２ｈを開放してオゾンガス供給部４２ｂから所定の供給量で所定濃度のオゾンガスを供給する。オゾンガスは溶解部４２ｇによって微細気泡となって純水内に取り込まれ、純水はオゾン水Ｗとなってオゾン水収容槽４１内に供給されて蓄積される。オゾン水収容槽４１内のオゾン水Ｗの水位が所定の水位に達すると、そのことが不図示の液位センサによって検知され、制御弁４２ｅ、４２ｈが閉じられる。
【００３６】
オゾン水収容槽４１内にオゾン水Ｗが蓄積されると、オゾン濃度測定装置４３によってオゾン水Ｗのオゾン濃度が測定される。
【００３７】
測定の結果、オゾン濃度が制御部４４に予め設定されたオゾン濃度（以下「設定オゾン濃度」）であれば、オゾン処理に向けて待機する。
【００３８】
なお、測定したオゾン濃度が設定オゾン濃度よりも低い場合には、制御部４４は、制御弁４２ｅ、４２ｊを閉じた状態で、制御弁４２ｈ、４２ｍを開放し、循環ポンプ４２ｋを駆動させて、オゾン水収容槽４１内のオゾン水Ｗを循環路に循環させる。この循環中、オゾン水Ｗには溶解部４２ｇにおいてオゾン供給部４２ｂから供給されるオゾンガスが取り込まれるので、ゾン水収容槽４１内のオゾン水Ｗのオゾン濃度が徐々に高くなる。そこで、この循環中に、オゾン水収容槽４１内のオゾン水Ｗのオゾン濃度をオゾン濃度測定装置４３によって定期的に測定し、オゾン濃度が設定オゾン濃度に達したか否かを制御部４４によって判別する。判別の結果、オゾン濃度が設定オゾン濃度に達していたら、その時点で制御弁４２ｈ、４２ｍを閉鎖するとともに循環ポンプ４２ｋを停止させ、オゾン処理に向けて待機する。
【００３９】
一方、測定したオゾン濃度が設定オゾン濃度よりも高い場合には、制御弁４２ｈ、４２ｍを閉じた状態で、制御弁４２ｅ、４２ｊを所定時間開放するとともに循環ポンプ４２ｋを所定時間駆動させ、オゾン水収容槽４１内に所定量の純水を供給し、純水を供給した分だけオゾン水収容槽４１内のオゾン水Ｗを排出タンク４２ｃへ排出する。これにより、オゾン水収容槽４１内のオゾン水Ｗのオゾン濃度は、純水が供給された分だけ低下する。
【００４０】
所定時間の制御弁４２ｅ、４２ｊの開放と循環ポンプ４２ｋの駆動が完了したら、オゾン水収容槽４１内のオゾン水Ｗのオゾン濃度をオゾン濃度測定装置４３によって測定する。測定したオゾン濃度が設定オゾン濃度に達していたら、オゾン処理に向けて待機する。
【００４１】
また、測定したオゾン濃度が設定オゾン濃度に達していなければ、設定オゾン濃度に達するまで、所定時間ずつの制御弁４２ｅ、４２ｊの開放と循環ポンプ４２ｋの駆動、およびとオゾン濃度の測定を繰り返す。
【００４２】
このようにすることで、オゾン処理装置４０は、制御部４４に設定したオゾン濃度のオゾン水Ｗをオゾン水収容槽４１内に蓄積することができる。
【００４３】
なお、オゾン濃度の測定に先立ち、制御弁４２ｅ、４２ｈ、４２ｊを閉じた状態で、適当な時間だけ制御弁４２ｍを開放し、循環ポンプ４２ｋを駆動させてオゾン水収容槽４１内のオゾン水Ｗを循環路に循環させ、オゾン水収容槽４１内のオゾン水Ｗを攪拌するようにしても良い。このように、オゾン水収容槽４１内のオゾン水Ｗを攪拌することで、オゾン水収容槽４１内のオゾン水Ｗのオゾン濃度の均一化が図れる。
【００４４】
制御装置５０は、塗布装置１０、乾燥装置２０、測定装置３０およびオゾン処理装置４０を統括的に制御するものである。この制御装置５０には、基準値と、オゾン処理時間と表面抵抗率との関係のデータが予め記憶されている。
【００４５】
ここで、基準値とは、今回の製造ロットの基板Ｇに形成された導電膜Ｆに付与すべき表面抵抗率の値、つまり、目標値である。
【００４６】
また、オゾン処理時間と表面抵抗率との関係のデータとは、所定のオゾン濃度、例えば、１５ｐｐｍのオゾン水Ｗに浸漬された基板Ｇの導電膜Ｆについて、浸漬時間（処理時間）と表面抵抗率との関係を示した、図７に示すような線図である。この線図は、実験によって得ることができる。
【００４７】
次に、本実施形態における、基板Ｇ上に形成された導電膜Ｆに所望の大きさの電気抵抗を付与する手順を、図８を用いて説明する。
（１）塗布装置１０に導電膜Ｆを形成するための基板Ｇを投入する（Ｓ１）。
【００４８】
基板Ｇをロボットハンドによって塗布装置１０に搬送し、塗布装置１０の基板ステージ１２上に載置する。
（２）塗布装置１０により基板Ｇ上に塗布液を塗布する（Ｓ２）。
【００４９】
塗布装置１０は、基板Ｇ上の各膜形成領域（表示領域）Ｋに対して、予め設定された塗布情報に従って有機導電性物質を含有する塗布液を塗布し、各膜形成領域Ｋに塗布液膜を形成する。
（３）基板Ｇ上に形成された塗布液膜を乾燥する（Ｓ３）。
【００５０】
塗布装置１０によって塗布液が塗布された基板Ｇをロボットハンドによって乾燥装置２０に搬送し、基板Ｇ上に形成された塗布液膜を乾燥させて硬化させ導電膜Ｆを形成する。
（４）基板Ｇが、今回のロットの最初の基板か否かを判別する（Ｓ４）。
【００５１】
乾燥ステップ（Ｓ３）が完了した基板Ｇが、今回の製造ロット内の最初の基板か否かを判別する。
【００５２】
最初の基板である（ＹＥＳ）場合、下記（５）の抵抗測定のステップ（Ｓ５）へ移行する。
【００５３】
最初の基板でない（ＮＯ）、つまり、２枚目以降の基板である場合、下記（７）のオゾン処理のステップ（Ｓ７）へ移行する。
（５）測定装置３０により導電膜Ｆの表面抵抗率を測定する（Ｓ５）。
【００５４】
判別するステップ（Ｓ４）でＹＥＳと判定された基板Ｇをロボットハンドによって測定装置３０に搬送し、基板ステージ３１上に載置する。
【００５５】
測定装置３０は、図９に示すように、基板Ｇ上の９個の膜形成領域Ｋに形成された導電膜Ｆのうち中央に位置する導電膜Ｆ上における予め設定された位置（中央位置）Ｐに抵抗測定ヘッド３２の測定端子３２ａを接触させて、当該導電膜Ｆの表面抵抗率を測定する。つまり、制御部３８には、測定位置として、中央に位置する導電膜Ｆ上の中央位置Ｐが予め記憶されている。
【００５６】
ここで、表面抵抗率とは、日本工業規格ＪＩＳＫ６９１１に定義される用語であり、試験片の表面に沿って流れる電流と平行方向の電位傾度を、表面の単位幅当たりの電流で除した数値である。表面抵抗率は、シート抵抗または表面抵抗とも呼ばれるもので、単なる抵抗と区別するために［Ω／□］または［Ω／ｓｑ］（オーム・パー・スクエア）と表記されることもある。
（６）オゾン処理装置４０による処理条件を設定する（Ｓ６）。
【００５７】
測定装置３０によって測定された基板Ｇの導電膜Ｆの表面抵抗率が制御装置５０（不図示）に取り込まれる。
【００５８】
制御装置５０は、測定装置３０によって得られた表面抵抗率と基準値とに基づいてオゾン処理装置４０による処理時間を決定する。
【００５９】
制御装置５０は、測定された表面抵抗率と基準値とに基づき、オゾン処理装置４０による処理時間を決定する。例えば、測定された表面抵抗率が０．０１ＭΩ、基準値が１０００ＭΩであった場合、図７に示した処理時間と表面抵抗率の関係に基づいて、処理時間は３０秒と求められる。
【００６０】
制御装置５０は、求めた処理時間をオゾン処理装置４０の制御部４４に設定する。なおこの処理時間は、今回のロットの各基板Ｇに対する初回のオゾン処理を実行する際の処理時間、つまり、初回処理時間として設定され、今回のロットの基板Ｇが終了するまで保持されるものとする。
【００６１】
なお、導電膜Ｆの表面抵抗率が基準値をオーバーすることは好ましくないため、処理時間の設定に際しては、図７の関係に基づいて求めた処理時間も短めに設定するようにすると良い。
【００６２】
ここで、処理時間と表面抵抗率との関係は、基板Ｇを浸漬させるオゾン水Ｗのオゾン濃度が変わると変化するので、オゾン処理装置４０のオゾン水Ｗのオゾン濃度を変更するときには、処理時間と表面抵抗率との関係のデータを新たに取り直すことが好ましい。
【００６３】
なお、乾燥のステップＳ３で形成された直後の導電膜Ｆの表面抵抗率が経験的にわかっている場合には、経験値に基づいてオゾン処理装置４０での処理時間を設定し、前述の最初の基板Ｇに対して行った測定するステップＳ５と設定するステップＳ６を省いても良い。
（７）オゾン処理装置４０により導電膜Ｆをオゾン処理する（Ｓ７）。
【００６４】
測定装置３０での測定が完了した基板Ｇをロボットハンドによってオゾン処理装置４０に搬送し、オゾン処理装置４０のオゾン水収容槽４１内に貯留された所定のオゾン濃度のオゾン水Ｗに、制御装置５０にて設定された処理時間だけ浸漬させる。
【００６５】
ここでは、オゾン水収容槽４１内のオゾン水Ｗは、例えば、オゾン濃度１５ｐｐｍに予め調整されている。
【００６６】
なお、判別するステップＳ４において、ＮＯと判定された、２枚目以降の基板Ｇの場合、最初の基板Ｇに対して設定された処理時間（初回処理時間）にてオゾン処理を行う。
（８）測定装置３０によりオゾン処理が完了した導電膜Ｆの表面抵抗率を測定する（Ｓ８）。
【００６７】
オゾン処理が完了した基板Ｇをロボットハンドによって測定装置３０に搬送し、基板ステージ３１上に載置する。
【００６８】
測定装置３０は、ステップＳ５と同様に、基板Ｇの中央の膜形成領域Ｋに形成された導電膜Ｆ上の中央位置Ｐに抵抗測定ヘッド３２の測定端子３２ａを接触させて、当該導電膜Ｆの表面抵抗率を測定する。
（９）測定した表面抵抗率が基準値以上か否かを判別する（Ｓ９）。
【００６９】
制御装置５０は、測定装置３０によって得られた表面抵抗率の値と基準値とを比較して、測定した表面抵抗率が基準値の許容範囲内であるか否かを判別する。制御装置５０は、判別装置としての機能も備える。
【００７０】
判定の結果、表面抵抗率が基準値の許容範囲内であった場合、所望の表面抵抗率を有する導電膜Ｆが得られたとして、ＹＥＳの判定を行い、後述の搬出のステップＳ１０へ移行する。
【００７１】
また、判定の結果、表面抵抗率が基準値の許容範囲の下限値に満たない場合、ＮＯの判定を行い、表面抵抗率を基準値の許容範囲内に入れるべく、再度のオゾン処理のステップＳ７を実行するために、処理条件設定のステップＳ６へと処理を戻す。
【００７２】
なお、判定の結果、表面抵抗率が基準値の許容範囲の上限値を上回った場合、オゾン処理によって表面抵抗率を低下させることはできないことから、この場合もＹＥＳの判定を行い、搬出のステップＳ１０へ移行する。しかしながら、この基板Ｇを良品とすることは好ましくないので、全ての導電膜Ｆに所望の表面抵抗率が得られた良品の基板Ｇとは別の場所へ搬出すると良い。
【００７３】
判別するステップＳ９を経た後の処理条件設定のステップＳ６においては、制御装置５０は、測定された表面抵抗率、基準値およびオゾン処理時間と表面抵抗率との関係のデータに基づいて、表面抵抗率を基準値の許容範囲内に入れるための処理時間を求める。つまり、オゾン処理時間と表面抵抗率との関係のデータを参照して、測定された表面抵抗率の値を基準値に到達させ得る処理時間を求める。そして、求めた処理時間を、オゾン処理装置４０による処理時間として、オゾン処理装置４０の制御部４４に設定する。例えば、測定によって得られた表面抵抗率が８００ＭΩであった場合、図７に示した処理時間と表面抵抗率の関係から、表面抵抗率を１０００ＭΩとする処理時間は５秒程度と求められる。なお、この処理時間は、一度オゾン処理が施された基板Ｇに対する２回目以降のオゾン処理のための再処理時間として初回処理時間とは別に、都度書き換えられる値として、制御部４４に設定される。また、２回目以降のオゾン処理は、初回のオゾン処理に比べて、得ようとする表面抵抗率の増加量がはるかに小さいため、この再処理時間は、初回のオゾン処理の処理時間に比べて短いものとなる。
【００７４】
再処理時間が設定されたならば、設定された処理時間にて、オゾン処理装置４０においてオゾン処理を実行する（Ｓ７）。
【００７５】
このオゾン処理が完了したら、測定装置３０により導電膜Ｆの表面抵抗率の測定を行い（Ｓ８）、続いて、測定した表面抵抗率が基準値以上か否かを判別する（Ｓ９）。
【００７６】
判別の結果、測定した表面抵抗率が基準値内であれば、処理を完了して搬出のステップＳ１０へ移行する。
【００７７】
なお、この判別においても、表面抵抗率が基準値の許容範囲に満たない場合には、許容範囲内となるまでステップＳ６〜Ｓ９を繰り返す。
【００７８】
このようにして、基板Ｇ上に形成された各導電膜Ｆの表面抵抗率が付与され、各導電膜Ｆに所望の大きさの電気抵抗を得ることができる。
【００７９】
上述した実施形態によれば、基板Ｇ上に塗布された導電膜Ｆの電気抵抗を高めるために、基板Ｇをオゾン水Ｗに浸漬させることによるオゾン処理を行っている。オゾン水Ｗは、積極的に加熱しない限り、周囲の環境温度と同等、或いはそれ以下の温度であるため、このオゾン処理中に基板Ｇやその上に形成された導電膜Ｆが熱にさらされることがない。そのため、基板等が熱に弱い材料を用いて構成されている場合にであっても、品質の低下を防止しつつ、導電膜Ｆに所望の大きさの電気抵抗を付与することが可能となる。例えば、タッチパネル基板が液晶基板である場合、紫外線が照射や加熱によって液晶の機能が低下するといった不具合が生じることが考えられるが、このような品質の低下を防止することができ好適である。
【００８０】
また、オゾン処理を行う前に、基板Ｇ上の導電膜Ｆの表面抵抗率を測定し、その測定値と導電膜Ｆに付与すべき表面抵抗率の値（基準値）、およびオゾン処理時間と表面抵抗率との関係のデータに基づいて、オゾン処理装置４０によるオゾン処理の処理時間（初回処理時間）を設定するようにしたので、処理時間を的確に設定することが可能となる。
【００８１】
また、オゾン処理を行った後、基板Ｇ上の導電膜Ｆの表面抵抗率を測定し、測定した表面抵抗率と基準値とを比較し、表面抵抗率が基準値に満たない場合には、オゾン処理時間と表面抵抗率との関係のデータに基づいて、導電膜Ｆの表面抵抗率を基準値内とすべく、２回目以降のオゾン処理のための処理時間（再処理時間）を設定するようにした。そのため、１回目のオゾン処理で導電膜Ｆに付与された表面抵抗率が基準値に満たなかった場合でも、２回目以降のオゾン処理によって基準値に確実に到達させることが可能となり、歩留を向上させることができる。
【００８２】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明の具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があっても本発明に含まれる。
【００８３】
例えば、塗布装置による塗布方式は、インクジェット法に限らず、スピンコート法、ディスペンサ法、印刷（スキージ）法等のいずれでも良い。しかしながら、インクジェット法を用いた塗布装置は、必要な部分に必要量を塗布することができるため液の無駄が少ない利点がある。
【００８４】
また、上述の実施形態において、測定するステップＳ８における、測定装置３０による導電膜Ｆの表面抵抗率の測定位置を、基板Ｇ上における中央に位置する膜形成領域Ｋに設けられた導電膜Ｆ上の１箇所のみとしたが、これに限られるものではなく、複数個所としても良い。例えば、膜形成領域Ｋ毎に導電膜ＦのそれぞれＮ箇所（Ｎは、自然数）ずつの合計Ｎ×９箇所で表面抵抗率を測定するようにしても良いし、基板Ｇ上に導電膜Ｆが１つだけ形成されている場合にはその導電膜Ｆ上における複数の位置で表面抵抗率を測定するようにしても良い。
【００８５】
ここで、基板Ｇ上の複数の膜形成領域Ｋ毎に導電膜Ｆの中央１箇所で表面抵抗率を測定する場合について、図１０を用いて説明する。
【００８６】
まず、測定するステップＳ８においては、図１０に示す導電膜Ｆの各測定位置（中央位置）Ｐに抵抗測定ヘッド３２の測定端子３２ａを順次移動させて接触させる。つまり、制御部４４には、各膜形成領域Ｋにおける導電膜Ｆの中央位置の座標データが記憶されており、この座標データを頼りに抵抗測定ヘッド３２を移動させる。
【００８７】
このようにして、導電膜Ｆ毎に表面抵抗率を測定した場合、９個の表面抵抗率が測定されることになるので、ステップＳ９の判別する工程は、次のようにして行う。
【００８８】
まず、制御装置５０に、測定装置３０によって得られた９個の表面抵抗率の値を取り込む。制御装置５０は、この９個の表面抵抗率の値から最大値と最小値を選択し、それぞれを基準値と比較する。このとき、表面抵抗率の値と基準値との関係の組み合わせは、次のａ〜ｅの５通りとなる。
ａ．最大値、最小値共に基準値の許容範囲内である。
ｂ．最大値、最小値共に基準値に満たない（許容範囲の下限値よりも小さい）。
ｃ．最大値は基準値の許容範囲内であるが、最小値が基準値に満たない（許容範囲の下限値よりも小さい）。
ｄ．最小値は基準値の許容範囲内であるが、最大値が基準値を超えている（許容範囲の上限値よりも大きい）。
ｅ．最大値、最小値共に基準値を超えている（許容範囲の上限値よりも大きい）。
【００８９】
なお、最大値と最小値のみを基準値と比較するのは、最大値と最小値が共に基準値の許容範囲内であれば、その間の値は当然に基準値の許容範囲内に入るからである。
【００９０】
制御装置５０は、判定結果が「ａ」に該当する場合、所望の表面抵抗率を有する導電膜Ｆが得られたとして、ＹＥＳの判定を行い、搬出のステップＳ１０へ移行する。
【００９１】
また、判定結果が「ｂ」または「ｃ」に該当する場合、基板Ｇ上の全部または一部の導電膜Ｆの表面抵抗率が基準値に満たない状態にあるため、ＮＯの判定を行い、処理条件設定のステップＳ６へと処理を戻し、全ての導電膜Ｆの表面抵抗率を基準値の許容範囲内に入れるべく、再度のオゾン処理のステップＳ７を実行する。
【００９２】
この場合、最大値を示した導電膜Ｆの表面抵抗率の値が、再度のオゾン処理によって、基準値を超えてしまうことは好ましくないので、次のような手順で、再度のオゾン処理での処理条件を設定すると良い。
【００９３】
すなわち、まず、表面抵抗率の最大値と許容範囲の上限値とを比較して両者の差の値ａを求めるとともに、表面抵抗率の最小値と許容範囲の下限値とを比較して両者の差の値ｂを求める。次に、求めた２つの差の値ａ、ｂを比較する。比較の結果、差の値ａの方が大きい場合は、表面抵抗率の最小値が許容範囲の下限値以上となり、かつ、表面抵抗率の最大値が許容範囲の上限値を超えない範囲で、再処理時間を設定する。
【００９４】
一方、差の値ｂの方が大きい場合は、表面抵抗率の最小値が許容範囲の下限値以上となるように再度のオゾン処理を行なうと、表面抵抗率の最大値と許容範囲の上限値を超えてしまうことになる。そこで、９個の表面抵抗率の値のうち、２番目に小さい値と基準値とを比較し、２番目に小さい値が基準値の許容範囲か否かを判別する。２番目に小さい値が基準値の許容範囲内であれば、オゾン処理を完了して搬出のステップＳ１０に移行する。
【００９５】
また、２番目に小さい値が基準値の許容範囲の下限値に満たないのであれば、２番目に小さい値と基準値と差の値ｃを求め、この差の値ｃと前述の差の値ａとを比較する。比較の結果、差の値ａの方が大きい場合は、表面抵抗率の２番目に小さい値が許容範囲の下限値以上となり、かつ、表面抵抗率の最大値が許容範囲の上限値を超えない範囲で、再処理時間を設定する。一方、差の値ｃの方が大きい場合は、表面抵抗率の２番目に小さい値に対して行なった上述の動作を、９個の表面抵抗率の値のうち３番目に小さい値に対して行なう。
【００９６】
なお、上述において、少なくとも表面抵抗率が最小値を示した導電膜Ｆの表面抵抗率は、基準値に達していないので、この基板Ｇを良品として搬出することは好ましくない。そこで、全ての導電膜Ｆに所望の表面抵抗率が得られた良品の基板Ｇとは別の場所へ搬出するようにすると良い。または、表面抵抗率が最小値の導電膜Ｆ（膜形成領域Ｋ）に対して、バッドマーク等の物理的な識別情報を付与するか、或いは、基板Ｇの管理番号に対して不良の膜形成領域Ｋの位置情報を付加する等の電気的な識別情報を付与するなどして、後工程において当該基板Ｇ上の導電膜Ｆの良否が判別できるようにし、良品の導電膜Ｆのみをタッチパネル等の製品の生産に用いるようにしても良い。
【００９７】
さらに、判定結果が「ｄ」または「ｅ」に該当する場合、基板Ｇに形成された導電膜Ｆの中に、許容範囲を超えて基準値よりも大きい表面抵抗率を有する導電膜Ｆが存在していることとなる。この場合、オゾン処理によって表面抵抗率を低下させることはできないことから、ＹＥＳの判定を行い、搬出のステップＳ１０へ移行する。
【００９８】
この場合にも、この基板Ｇを良品とすることは好ましくないので、全ての導電膜Ｆに所望の表面抵抗率が得られた良品の基板Ｇとは別の場所へ搬出すると良い。
【００９９】
なお、判定結果が「ｄ」の場合には、測定した９個の表面抵抗率の値のそれぞれと基準値とを比較し、基準値を超えた表面抵抗率を示した導電膜Ｆ（膜形成領域Ｋ）に対して、バッドマーク等の物理的な識別情報を付与、或いは、基板Ｇの管理番号に対して不良の膜形成領域Ｋの位置情報を付加する等の電気的な識別情報を付与するなどして、後工程において当該基板Ｇ上の導電膜Ｆの良否が判別できるようにし、良品の導電膜Ｆのみをタッチパネル等の製品の生産に用いるようにしても良い。
【０１００】
このようにすることで、基板Ｇ上に複数ある膜形成領域Ｋ（導電膜Ｆ）間で得られる表面抵抗率にばらつきが生じる場合でも、全ての導電膜Ｆに所望の表面抵抗率を得ることが可能となる。
【０１０１】
また、導電膜Ｆに所望の表面抵抗率が得られなかった基板Ｇを排除することができるので、不良品が生産される不具合を低減させることができる。
【０１０２】
また、基板Ｇ上の複数の導電膜Ｆのうち所望の表面抵抗率が得られなかった導電膜Ｆを識別することができるようにしたので、表面抵抗率が不良の導電膜Ｆが製品の製造に用いられることを防止することができ、これによっても、不良品が生産される不具合を低減させることが可能となる。
【０１０３】
なお、上述の例において、複数の表面抵抗率の値の最大値と最小値を選択する代わりに平均値を求め、この平均値と基準値との比較に基づいて再度のオゾン処理装置４０の際の処理時間を決定するようにしても良い。平均値を求める場合には、基板Ｇ上の１箇所のみで表面抵抗率を測定した上述の実施形態と同様にして、各ステップＳ５〜Ｓ９を実行することができる。
【０１０４】
また、基板Ｇに形成された導電膜Ｆの膜厚の大小によって同じオゾン処理時間でも得られる表面抵抗率に差が生じる、例えば、膜厚が厚くなるほど得られる表面抵抗率が小さくなることが考えられる。そこで、オゾン処理時間と表面抵抗率との関係に導電膜Ｆの膜厚が与える影響を予め実験等によって求めておき、処理条件設定のステップＳ６の実行の前に導電膜Ｆの膜厚を測定し、測定した膜厚を考慮してオゾン処理装置４０による処理時間（初回処理時間）を決定するようにしても良い。
【０１０５】
また、導電膜Ｆに所望の大きさの電気抵抗が得られたか否かを、導電膜Ｆに所望の表面抵抗率が得られたか否かで判定するものとしたが、これに限られるものではなく、導電膜Ｆの体積抵抗率や電気抵抗値を測定した結果に基づいて判定しても良い。
【０１０６】
また、オゾン処理装置４０は、初回のオゾン処理のステップと再度のオゾン処理のステップとで、オゾン水収容槽４１内のオゾン水Ｗのオゾン濃度を切り替えるようにしても良い。例えば、再度のオゾン処理を行うときには、初回のオゾン処理のときよりもオゾン水Ｗのオゾン濃度が低くなるように設定する。オゾン処理は、オゾン水Ｗのオゾン濃度が低いほど処理時間の経過に対する表面抵抗率の上昇の割合が小さくなると考えられるので、このようにすることで、再度のオゾン処理のステップでの処理時間に対する表面抵抗率の増加の割合を、初回のオゾン処理のステップでのそれに比べて小さく設定することができる。
【０１０７】
処理時間に対する表面抵抗率の増加の割合が小さいと、その割合が大きい場合に比べて、処理時間がばらついても表面抵抗率のばらつきが小さくて済むので、表面抵抗率の細かい調整を容易に行うことが可能となる。その結果、得ようとする表面抵抗率の増加量が初回のオゾン処理のステップに比べてはるかに小さく、精度の良い表面抵抗率の調整を必要とする再度のオゾン処理のステップにおいて、表面抵抗率の調整が容易となり、精度よく表面抵抗率を調整することが可能となる。なおここで、オゾン水Ｗのオゾン濃度の調整は、上述の実施形態において説明したように、オゾン水供給装置４２によって行うことが可能である。
【０１０８】
また、初回のオゾン処理のステップと再度のオゾン処理のステップとを同じオゾン処理装置４０を用いて行ったが、これに限られるものではなく、初回のオゾン処理のステップと再度のオゾン処理のステップとでオゾン処理装置４０を個別に設けるようにしても良い。このようにした場合、初回用のオゾン処理装置４０と、再度の処理用のオゾン処理装置４０とで、オゾン水収容槽４１内に貯留するオゾン水Ｗのオゾン濃度をそれぞれに応じた値に予め設定しておくことができるので、オゾン水収容槽４１内のオゾン水Ｗのオゾン濃度を切り替えながら１台のオゾン処理装置４０を使用する場合に比べて、切り替えに要する時間を削減できる分だけ、オゾン処理を効率よく行うことができ、その結果、生産性を向上させることが可能となる。
【０１０９】
また、上述の実施形態において、オゾン処理装置４０はオゾン水Ｗを用いて導電膜Ｆにオゾン処理を施すものとしたが、オゾン処理はこれに限られるものではなく、例えば、オゾンガスに導電膜Ｆを晒して行うものであっても良い。この場合のオゾン処理装置としては、基板Ｇを収容し、密閉可能なチャンバと、このチャンバ内に所定のオゾン濃度のオゾンガスを供給可能なオゾン供給装置と、チャンバ内のオゾンガスを排気する排気装置とを備えた構成のものを用いることが考えられる。
【０１１０】
また、オゾン処理装置４０は、オゾン水Ｗ中に基板Ｇを浸漬させるものに限られるものではなく、基板Ｇの導電膜Ｆに対してオゾン水Ｗをシャワーノズルやスプレーノズルなどのノズルを用いて、水平、鉛直、或いは傾斜配置した基板Ｇにおける導電膜Ｆの形成面に向けてオゾン水を噴射等によって供給するようにしても良い。
【０１１１】
また、上述の実施形態において、今回のロットの各基板Ｇに対する初回のオゾン処理を実行するための処理時間（初回処理時間）でオゾン処理された導電膜Ｆの表面抵抗率が基準値の許容範囲の下限値よりも予め設定された値以上小さい場合、初回処理時間を所定時間延長する補正を行っても良い。また、初回処理時間を変更する代わりに、オゾン水収容槽４１内のオゾン水Ｗのオゾン濃度を所定量高くする補正を行っても良い。なお、オゾン濃度を変更した場合には、図７に示したような、オゾン処理時間と表面抵抗率の関係についても変更することが好ましいが、オゾン濃度の補正量が小さい場合には変更することなく用いることも可能である。
【０１１２】
また、上述の実施形態において、オゾン水収容槽４１やオゾン水供給装置４２に冷却装置や加温装置を設け、オゾン水Ｗを冷却や加温するようにしても良い。
【符号の説明】
【０１１３】
１  導電膜の形成装置
１０  塗布装置
１３  塗布ヘッド
２０  乾燥装置
３０  測定装置
３２  抵抗測定ヘッド
３２ａ  測定端子
４０  オゾン処理装置
４１  オゾン水収容槽
４２  オゾン水供給装置（オゾン濃度調整装置）
４３  オゾン濃度測定装置
５０  制御装置
Ｇ  基板
Ｆ  導電膜
【図１】
2014035912.tif 000003
【図２】
2014035912.tif 000004
【図３】
2014035912.tif 000005
【図４】
2014035912.tif 000006
【図５】
2014035912.tif 000007
【図６】
2014035912.tif 000008
【図７】
2014035912.tif 000009
【図８】
2014035912.tif 000010
【図９】
2014035912.tif 000011
【図１０】
2014035912.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月21日(2012.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一実施形態に係る導電膜の形成方法は、基板上に有機導電膜を形成する導電膜の形成方法において、前記基板上の膜形成領域に有機導電性物質を含有する塗布液を塗布する塗布工程と、前記基板上に塗布された前記塗布液によって形成された前記有機導電膜に、前記有機導電膜の電気抵抗を高めるオゾン処理を施すオゾン処理工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一実施形態に係る導電膜の形成装置は、基板上に有機導電膜を形成する導電膜の形成装置において、前記基板上の膜形成領域に有機導電性物質を含有する塗布液を塗布する塗布装置と、前記基板上に塗布された前記塗布液によって形成された有機導電膜に、オゾン処理を施すオゾン処理装置と、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2014035912.tif 000013
【図２】
2014035912.tif 000014
【図３】
2014035912.tif 000015
【図４】
2014035912.tif 000016
【図５】
2014035912.tif 000017
【図６】
2014035912.tif 000018
【図７】
2014035912.tif 000019
【図８】
2014035912.tif 000020
【図９】
2014035912.tif 000021
【図１０】
2014035912.tif 000022