(57)【要約】【課題】  単結晶サファイア基板のａ面及び裏面に平行な複数の切断予定ラインのそれぞれに沿って形成された改質領域から発生した亀裂の蛇行量のばらつきを抑制し得る加工対象物切断方法を提供する。【解決手段】  この加工対象物切断方法は、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂを基板３１におけるレーザ光Ｌの入射面として、基板３１内にレーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせて、基板３１のａ面及び裏面３１ｂに平行となるように設定された複数の切断予定ライン５１のそれぞれに沿って一方の側から他方の側に集光点Ｐを相対的に移動させることで、各ライン５１に沿って基板３１内に改質領域７１を形成する工程と、その後に、各ライン５１に沿って加工対象物１に外力を作用させることで、改質領域７１から発生した亀裂８１を伸展させて、各ライン５１に沿って加工対象物１を切断する工程と、を備える。【選択図】  図１１
2014041925.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｃ面とオフ角分の角度を成す表面及び裏面を有する単結晶サファイア基板と、前記表面上にマトリックス状に配列された複数の発光素子部を含む素子層と、を備える加工対象物を前記発光素子部ごとに切断して複数の発光素子を製造するための加工対象物切断方法であって、
前記裏面を前記単結晶サファイア基板におけるレーザ光の入射面として、前記裏面から第１距離だけ離れた前記単結晶サファイア基板内の位置に前記レーザ光の集光点を合わせて、前記単結晶サファイア基板のａ面及び前記裏面に平行となるように設定された複数の第１切断予定ラインのそれぞれに沿って一方の側から他方の側に前記集光点を相対的に移動させることにより、前記第１切断予定ラインのそれぞれに沿って前記単結晶サファイア基板内に第１改質領域を形成する第１工程と、
前記第１工程の後に、前記第１切断予定ラインのそれぞれに沿って前記加工対象物に外力を作用させることにより、前記第１改質領域から発生した第１亀裂を伸展させて、前記第１切断予定ラインのそれぞれに沿って前記加工対象物を切断する第２工程と、を備える、加工対象物切断方法。
【請求項２】
前記第１工程では、前記単結晶サファイア基板のｒ面と前記裏面との成す角度が鋭角となる側を前記一方の側とし、且つ前記ｒ面と前記裏面との成す角度が鈍角となる側を前記他方の側として、前記第１切断予定ラインのそれぞれに沿って前記一方の側から前記他方の側に前記集光点を相対的に移動させることにより、前記第１切断予定ラインのそれぞれに沿って前記単結晶サファイア基板内に前記第１改質領域を形成すると共に、前記第１亀裂を前記裏面に到達させる、請求項１記載の加工対象物切断方法。
【請求項３】
前記第２工程では、前記第１切断予定ラインのそれぞれに沿って前記表面側から前記加工対象物にナイフエッジを押し当てることにより、前記第１切断予定ラインのそれぞれに沿って前記加工対象物に外力を作用させる、請求項２記載の加工対象物切断方法。
【請求項４】
前記第２工程の前に、前記裏面を前記入射面として、前記単結晶サファイア基板内に前記集光点を合わせて、前記単結晶サファイア基板のｍ面及び前記裏面に平行となるように設定された複数の第２切断予定ラインのそれぞれに沿って前記集光点を相対的に移動させることにより、前記第２切断予定ラインのそれぞれに沿って前記単結晶サファイア基板内に第２改質領域を形成する第３工程と、
前記第１工程及び前記第３工程の後に、前記第２切断予定ラインのそれぞれに沿って前記加工対象物に外力を作用させることにより、前記第２改質領域から発生した第２亀裂を伸展させて、前記第２切断予定ラインのそれぞれに沿って前記加工対象物を切断する第４工程と、を更に備える、請求項１〜３のいずれか一項記載の加工対象物切断方法。
【請求項５】
前記第１工程では、前記裏面を前記入射面として、前記裏面から前記第１距離よりも大きい第２距離だけ離れた前記単結晶サファイア基板内の位置に前記集光点を合わせて、前記第１切断予定ラインのそれぞれに沿って前記他方の側から前記一方の側に前記集光点を相対的に移動させることにより、前記第１切断予定ラインのそれぞれに沿って前記単結晶サファイア基板内に第３改質領域を形成し、
前記第２工程では、前記第１切断予定ラインのそれぞれに沿って前記加工対象物に外力を作用させることにより、前記第１亀裂、及び前記第３改質領域から発生した第３亀裂を伸展させて、前記第１切断予定ラインのそれぞれに沿って前記加工対象物を切断する、請求項１〜４のいずれか一項記載の加工対象物切断方法。
【請求項６】
前記第１工程では、前記裏面を前記入射面として、前記裏面から前記第１距離よりも大きい第２距離だけ離れた前記単結晶サファイア基板内の位置に前記集光点を合わせて、前記第１切断予定ラインのそれぞれに沿って前記一方の側から前記他方の側に前記集光点を相対的に移動させることにより、前記第１切断予定ラインのそれぞれに沿って前記単結晶サファイア基板内に第３改質領域を形成し、
前記第２工程では、前記第１切断予定ラインのそれぞれに沿って前記加工対象物に外力を作用させることにより、前記第１亀裂、及び前記第３改質領域から発生した第３亀裂を伸展させて、前記第１切断予定ラインのそれぞれに沿って前記加工対象物を切断する、請求項１〜４のいずれか一項記載の加工対象物切断方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、単結晶サファイア基板を備える加工対象物を発光素子部ごとに切断して複数の発光素子を製造するための加工対象物切断方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記技術分野における従来の加工対象物切断方法として、特許文献１には、ダイシングやスクライビングによってサファイア基板の表面及び裏面に分離溝を形成すると共に、レーザ光の照射によってサファイア基板内に加工変質部を多段的に形成し、分離溝及び加工変質部に沿ってサファイア基板を切断する方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２４５０４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ｃ面とオフ角分の角度を成す表面及び裏面を有する単結晶サファイア基板を備える加工対象物を発光素子部ごとに切断するために、レーザ光の照射によって単結晶サファイア基板内に改質領域を形成すると、単結晶サファイア基板のａ面及び裏面に平行な複数の切断予定ラインのそれぞれに沿って形成された改質領域から発生した亀裂の蛇行量（単結晶サファイア基板の表面又は裏面において蛇行する亀裂の振れ幅）にばらつきが生じ、それにより、製造された発光素子の品質が低下する場合があった。
【０００５】
そこで、本発明は、単結晶サファイア基板のａ面及び裏面に平行な複数の切断予定ラインのそれぞれに沿って形成された改質領域から発生した亀裂の蛇行量のばらつきを抑制することができる加工対象物切断方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、単結晶サファイア基板のａ面及び裏面に平行な複数の切断予定ラインのそれぞれに沿って形成された改質領域から発生した亀裂の蛇行量にばらつきが生じるのは、当該切断予定ラインに沿ってレーザ光の集光点を相対的に移動させる方向と、単結晶サファイア基板のｒ面が傾斜する方向との関係に起因していることを突き止めた。つまり、単結晶サファイア基板のｒ面と裏面との成す角度が鋭角となる側からその反対側にレーザ光の集光点を相対的に移動させた場合と、単結晶サファイア基板のｒ面と裏面との成す角度が鈍角となる側からその反対側にレーザ光の集光点を相対的に移動させた場合とで、改質領域の形成状態が変化し、その結果、改質領域から発生した亀裂の蛇行量が変化するのである。本発明者らは、この知見に基づいて更に検討を重ね、本発明を完成させるに至った。
【０００７】
すなわち、本発明の加工対象物切断方法は、ｃ面とオフ角分の角度を成す表面及び裏面を有する単結晶サファイア基板と、表面上にマトリックス状に配列された複数の発光素子部を含む素子層と、を備える加工対象物を発光素子部ごとに切断して複数の発光素子を製造するための加工対象物切断方法であって、裏面を単結晶サファイア基板におけるレーザ光の入射面として、裏面から第１距離だけ離れた単結晶サファイア基板内の位置にレーザ光の集光点を合わせて、単結晶サファイア基板のａ面及び裏面に平行となるように設定された複数の第１切断予定ラインのそれぞれに沿って一方の側から他方の側に集光点を相対的に移動させることにより、第１切断予定ラインのそれぞれに沿って単結晶サファイア基板内に第１改質領域を形成する第１工程と、第１工程の後に、第１切断予定ラインのそれぞれに沿って加工対象物に外力を作用させることにより、第１改質領域から発生した第１亀裂を伸展させて、第１切断予定ラインのそれぞれに沿って加工対象物を切断する第２工程と、を備える。
【０００８】
この加工対象物切断方法では、単結晶サファイア基板のａ面及び裏面に平行となるように設定された複数の第１切断予定ラインのそれぞれにおいて、一方の側から他方の側にレーザ光の集光点を相対的に移動させる。これにより、第１切断予定ラインのそれぞれに沿って形成された第１改質領域から発生した第１亀裂の蛇行量が変化するのを抑制することができる。よって、この加工対象物切断方法によれば、単結晶サファイア基板のａ面及び裏面に平行な複数の切断予定ラインのそれぞれに沿って形成された改質領域から発生した亀裂の蛇行量のばらつきを抑制することが可能となる。なお、オフ角は０°の場合を含むものとする。この場合、単結晶サファイア基板の表面及び裏面はｃ面に平行となる。
【０００９】
ここで、第１工程では、単結晶サファイア基板のｒ面と裏面との成す角度が鋭角となる側を一方の側とし、且つｒ面と裏面との成す角度が鈍角となる側を他方の側として、第１切断予定ラインのそれぞれに沿って一方の側から他方の側に集光点を相対的に移動させることにより、第１切断予定ラインのそれぞれに沿って単結晶サファイア基板内に第１改質領域を形成すると共に、第１亀裂を裏面に到達させてもよい。これによれば、単結晶サファイア基板のｒ面と裏面との成す角度が鈍角となる側から当該角度が鋭角となる側にレーザ光の集光点を相対的に移動させた場合に比べ、第１改質領域から単結晶サファイア基板の裏面に到達する第１亀裂の蛇行量を小さく抑えることができる。
【００１０】
このとき、第２工程では、第１切断予定ラインのそれぞれに沿って表面側から加工対象物にナイフエッジを押し当てることにより、第１切断予定ラインのそれぞれに沿って加工対象物に外力を作用させてもよい。これによれば、単結晶サファイア基板の裏面に到達した第１亀裂が開くように加工対象物に外力が作用することになるので、第１切断予定ラインに沿って容易に且つ精度良く加工対象物を切断することができる。
【００１１】
また、加工対象物切断方法は、第２工程の前に、裏面を入射面として、単結晶サファイア基板内に集光点を合わせて、単結晶サファイア基板のｍ面及び裏面に平行となるように設定された複数の第２切断予定ラインのそれぞれに沿って集光点を相対的に移動させることにより、第２切断予定ラインのそれぞれに沿って単結晶サファイア基板内に第２改質領域を形成する第３工程と、第１工程及び第３工程の後に、第２切断予定ラインのそれぞれに沿って加工対象物に外力を作用させることにより、第２改質領域から発生した第２亀裂を伸展させて、第２切断予定ラインのそれぞれに沿って加工対象物を切断する第４工程と、を更に備えてもよい。これによれば、第１切断予定ライン及び第２切断予定ラインに沿って容易に且つ精度良く加工対象物を切断することができる。なお、第３工程は、第２工程の前であれば、第１工程の前に実施してもよいし、第１工程の後に実施してもよい。また、第４工程は、第１工程及び第３工程の後であれば、第４工程の前に実施してもよいし、第４工程の後に実施してもよい。
【００１２】
また、第１工程では、裏面を入射面として、裏面から第１距離よりも大きい第２距離だけ離れた単結晶サファイア基板内の位置に集光点を合わせて、第１切断予定ラインのそれぞれに沿って他方の側から一方の側に集光点を相対的に移動させることにより、第１切断予定ラインのそれぞれに沿って単結晶サファイア基板内に第３改質領域を形成し、第２工程では、第１切断予定ラインのそれぞれに沿って加工対象物に外力を作用させることにより、第１亀裂、及び第３改質領域から発生した第３亀裂を伸展させて、第１切断予定ラインのそれぞれに沿って加工対象物を切断してもよい。これによれば、単結晶サファイア基板が比較的厚い場合であっても、第１切断予定ラインに沿って容易に且つ精度良く加工対象物を切断することができる。更に、第１改質領域の形成時と第３改質領域の形成時とで、レーザ光の集光点を逆の方向に移動させることで、例えば、第１切断予定ラインごとに、第３改質領域を形成し、その後連続して、第１改質領域を形成するような場合に、レーザ光の集光点を効率良く移動させることができる。
【００１３】
或いは、第１工程では、裏面を入射面として、裏面から第１距離よりも大きい第２距離だけ離れた単結晶サファイア基板内の位置に集光点を合わせて、第１切断予定ラインのそれぞれに沿って一方の側から他方の側に集光点を相対的に移動させることにより、第１切断予定ラインのそれぞれに沿って単結晶サファイア基板内に第３改質領域を形成し、第２工程では、第１切断予定ラインのそれぞれに沿って加工対象物に外力を作用させることにより、第１亀裂、及び第３改質領域から発生した第３亀裂を伸展させて、第１切断予定ラインのそれぞれに沿って加工対象物を切断してもよい。これによれば、単結晶サファイア基板が比較的厚い場合であっても、第１切断予定ラインに沿って容易に且つ精度良く加工対象物を切断することができる。更に、第１改質領域の形成時と第３改質領域の形成時とで、レーザ光の集光点を同じ方向に移動させることで、第１改質領域の形成時に第１亀裂を単結晶サファイア基板の裏面に確実に到達させることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、単結晶サファイア基板のａ面及び裏面に平行な複数の切断予定ラインのそれぞれに沿って形成された改質領域から発生した亀裂の蛇行量のばらつきを抑制することができる加工対象物切断方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】改質領域の形成に用いられるレーザ加工装置の概略構成図である。
【図２】改質領域の形成の対象となる加工対象物の平面図である。
【図３】図２の加工対象物のIII−III線に沿っての断面図である。
【図４】レーザ加工後の加工対象物の平面図である。
【図５】図４の加工対象物のV−V線に沿っての断面図である。
【図６】図４の加工対象物のVI−VI線に沿っての断面図である。
【図７】本発明の第１実施形態の加工対象物切断方法の対象となる加工対象物の平面図である。
【図８】図７の加工対象物の単結晶サファイア基板のユニットセル図である。
【図９】本発明の第１実施形態の加工対象物切断方法を説明するための加工対象物の断面図である。
【図１０】図７の加工対象物のストリート領域を説明するための加工対象物の平面図である。
【図１１】本発明の第１実施形態の加工対象物切断方法を説明するための加工対象物の断面図である。
【図１２】本発明の第１実施形態の加工対象物切断方法を説明するための加工対象物の断面図である。
【図１３】本発明の第１実施形態の加工対象物切断方法を説明するための加工対象物の断面図である。
【図１４】本発明の第１実施形態の加工対象物切断方法を説明するための加工対象物の断面図である。
【図１５】本発明の第２実施形態の加工対象物切断方法を説明するための加工対象物の断面図である。
【図１６】本発明の第２実施形態の加工対象物切断方法を説明するための加工対象物の断面図である。
【図１７】本発明の第２実施形態の加工対象物切断方法を説明するための加工対象物の断面図である。
【図１８】本発明の第２実施形態の加工対象物切断方法を説明するための加工対象物の断面図である。
【図１９】本発明の第３実施形態の加工対象物切断方法を説明するための加工対象物の断面図である。
【図２０】本発明の第３実施形態の加工対象物切断方法を説明するための加工対象物の断面図である。
【図２１】本発明の第３実施形態の加工対象物切断方法を説明するための加工対象物の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１７】
本発明の一実施形態の加工対象物切断方法では、切断予定ラインに沿って加工対象物にレーザ光を照射することにより、切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に改質領域を形成する。そこで、まず、この改質領域の形成について、図１〜図６を参照して説明する。
【００１８】
図１に示すように、レーザ加工装置１００は、レーザ光Ｌをパルス発振するレーザ光源１０１と、レーザ光Ｌの光軸（光路）の向きを９０°変えるように配置されたダイクロイックミラー１０３と、レーザ光Ｌを集光するための集光用レンズ１０５と、を備えている。また、レーザ加工装置１００は、集光用レンズ１０５で集光されたレーザ光Ｌが照射される加工対象物１を支持するための支持台１０７と、支持台１０７を移動させるためのステージ１１１と、レーザ光Ｌの出力やパルス幅等を調節するためにレーザ光源１０１を制御するレーザ光源制御部１０２と、ステージ１１１の移動を制御するステージ制御部１１５と、を備えている。
【００１９】
このレーザ加工装置１００においては、レーザ光源１０１から出射されたレーザ光Ｌは、ダイクロイックミラー１０３によってその光軸の向きを９０°変えられ、支持台１０７上に載置された加工対象物１の内部に集光用レンズ１０５によって集光される。これと共に、ステージ１１１が移動させられ、加工対象物１がレーザ光Ｌに対して切断予定ライン５に沿って相対移動させられる。これにより、切断予定ライン５に沿った改質領域が加工対象物１に形成されることとなる。
【００２０】
図２に示すように、加工対象物１には、加工対象物１を切断するための切断予定ライン５が設定されている。切断予定ライン５は、直線状に延びた仮想線である。加工対象物１の内部に改質領域を形成する場合、図３に示すように、加工対象物１の内部に集光点Ｐを合わせた状態で、レーザ光Ｌを切断予定ライン５に沿って（すなわち、図２の矢印Ａ方向に）相対的に移動させる。これにより、図４〜図６に示すように、改質領域７が切断予定ライン５に沿って加工対象物１の内部に形成され、切断予定ライン５に沿って形成された改質領域７が切断起点領域８となる。
【００２１】
なお、集光点Ｐとは、レーザ光Ｌが集光する箇所のことである。また、切断予定ライン５は、直線状に限らず曲線状であってもよいし、仮想線に限らず加工対象物１の表面３に実際に引かれた線であってもよい。また、改質領域７は、連続的に形成される場合もあるし、断続的に形成される場合もある。また、改質領域７は列状でも点状でもよく、要は、改質領域７は少なくとも加工対象物１の内部に形成されていればよい。また、改質領域７を起点に亀裂が形成される場合があり、亀裂及び改質領域７は、加工対象物１の外表面（表面、裏面、若しくは外周面）に露出していてもよい。
【００２２】
ちなみに、ここでのレーザ光Ｌは、加工対象物１を透過すると共に加工対象物１の内部の集光点近傍にて特に吸収され、これにより、加工対象物１に改質領域７が形成される（すなわち、内部吸収型レーザ加工）。よって、加工対象物１の表面３ではレーザ光Ｌが殆ど吸収されないので、加工対象物１の表面３が溶融することはない。一般的に、表面３から溶融され除去されて穴や溝等の除去部が形成される（表面吸収型レーザ加工）場合、加工領域は表面３側から徐々に裏面側に進行する。
【００２３】
ところで、本実施形態で形成される改質領域は、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域をいう。改質領域としては、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域等があり、これらが混在した領域もある。更に、改質領域としては、加工対象物の材料において改質領域の密度が非改質領域の密度と比較して変化した領域や、格子欠陥が形成された領域がある（これらをまとめて高密転移領域ともいう）。
【００２４】
また、溶融処理領域や屈折率変化領域、改質領域の密度が非改質領域の密度と比較して変化した領域、格子欠陥が形成された領域は、更に、それら領域の内部や改質領域と非改質領域との界面に亀裂（割れ、マイクロクラック）を内包している場合がある。内包される亀裂は改質領域の全面に渡る場合や一部分のみや複数部分に形成される場合がある。
【００２５】
また、本実施形態においては、切断予定ライン５に沿って改質スポット（加工痕）を複数形成することによって、改質領域７を形成している。改質スポットとは、パルスレーザ光の１パルスのショット（つまり１パルスのレーザ照射：レーザショット）で形成される改質部分であり、改質スポットが集まることにより改質領域７となる。改質スポットとしては、クラックスポット、溶融処理スポット若しくは屈折率変化スポット、又はこれらの少なくとも１つが混在するもの等が挙げられる。
【００２６】
この改質スポットについては、要求される切断精度、要求される切断面の平坦性、加工対象物の厚さ、種類、結晶方位等を考慮して、その大きさや発生する亀裂の長さを適宜制御することが好ましい。
［第１実施形態］
【００２７】
次に、本発明の第１実施形態の加工対象物切断方法について詳細に説明する。図７に示すように、加工対象物１は、円形板状（例えば、直径２〜６インチ、厚さ５０〜２００μｍ）の単結晶サファイア基板３１を備えるウェハである。図８に示すように、単結晶サファイア基板３１は、六方晶系の結晶構造を有しており、そのｃ軸は、単結晶サファイア基板３１の厚さ方向に対して角度θ（例えば０．１°）傾斜している。つまり、単結晶サファイア基板３１は、角度θのオフ角を有している。図９に示すように、単結晶サファイア基板３１は、ｃ面とオフ角分の角度θを成す表面３１ａ及び裏面３１ｂを有している。単結晶サファイア基板３１においては、ｍ面は、単結晶サファイア基板３１の厚さ方向に対して角度θ傾斜しており（図９（ａ）参照）、ａ面は、単結晶サファイア基板３１の厚さ方向に平行となっている（図９（ｂ）参照）。
【００２８】
図７及び図９に示すように、加工対象物１は、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａ上にマトリックス状に配列された複数の発光素子部３２を含む素子層３３を備えている。加工対象物１には、加工対象物１を発光素子部３２ごとに切断するための切断予定ライン（第１切断予定ライン）５１及び切断予定ライン（第２切断予定ライン）５２が格子状（例えば３００μｍ×３００μｍ）に設定されている。切断予定ライン５１は、ａ面及び裏面３１ｂに平行となるように（換言すれば、ａ面及び表面３１ａに平行となるように）複数設定されている。切断予定ライン５２は、ｍ面及び裏面３１ｂに平行となるように（換言すれば、ｍ面及び表面３１ａに平行となるように）複数設定されている。なお、単結晶サファイア基板３１には、ａ面に平行となるようにオリエンテーションフラット３１ｃが形成されている。
【００２９】
図９に示すように、各発光素子部３２は、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａ上に積層されたｎ型半導体層（第１導電型半導体層）３４と、ｎ型半導体層３４上に積層されたｐ型半導体層（第２導電型半導体層）３５と、を有している。ｎ型半導体層３４は、全ての発光素子部３２に渡って一続きに形成されており、ｐ型半導体層３５は、発光素子部３２ごとに分離されてアイランド状に形成されている。ｎ型半導体層３４及びｐ型半導体層３５は、例えばＧａＮ等のIII−V族化合物半導体からなり、互いにｐｎ接合されている。図１０に示すように、ｎ型半導体層３４には、発光素子部３２ごとに電極パッド３６が形成されており、ｐ型半導体層３５には、発光素子部３２ごとに電極パッド３７が形成されている。なお、ｎ型半導体層３４の厚さは例えば６μｍ程度であり、ｐ型半導体層３５の厚さは例えば１μｍ程度である。
【００３０】
素子層３３において隣り合う発光素子部３２，３２間には、所定の幅（例えば１０〜３０μｍ）を有するストリート領域３８が格子状に延在している。ストリート領域３８は、隣り合う発光素子部３２Ａ，３２Ｂに着目した場合に、一方の発光素子部３２Ａが専有する部材のうち他方の発光素子部３２Ｂに最も近い外縁を有する部材と、他方の発光素子部３２Ｂが専有する部材のうち一方の発光素子部３２Ａに最も近い外縁を有する部材との間の領域である。
【００３１】
例えば、図１０（ａ）の場合、発光素子部３２Ａが専有する部材のうち発光素子部３２Ｂに最も近い外縁を有する部材はｐ型半導体層３５であり、発光素子部３２Ｂが専有する部材のうち発光素子部３２Ａに最も近い外縁を有する部材は電極パッド３６及びｐ型半導体層３５である。従って、この場合におけるストリート領域３８は、発光素子部３２Ａのｐ型半導体層３５と、発光素子部３２Ｂの電極パッド３６及びｐ型半導体層３５との間の領域となる。なお、図１０（ａ）の場合、ストリート領域３８には、発光素子部３２Ａ及び発光素子部３２Ｂが共有するｎ型半導体層３４が露出している。
【００３２】
また、図１０（ｂ）の場合、発光素子部３２Ａが専有する部材のうち発光素子部３２Ｂに最も近い外縁を有する部材はｎ型半導体層３４であり、発光素子部３２Ｂが専有する部材のうち発光素子部３２Ａに最も近い外縁を有する部材はｎ型半導体層３４である。従って、この場合におけるストリート領域３８は、発光素子部３２Ａのｎ型半導体層３４と、発光素子部３２Ｂのｎ型半導体層３４との間の領域となる。なお、図１０（ｂ）の場合、ストリート領域３８には、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａが露出している。
【００３３】
以上のように構成された加工対象物１を発光素子部３２ごとに切断して複数の発光素子を製造するための加工対象物切断方法について、以下、説明する。まず、図１１に示すように、素子層３３を覆うように加工対象物１に保護テープ４１を貼り付け、上述したレーザ加工装置１００の支持台１０７上に、保護テープ４１を介して加工対象物１を載置する。そして、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂを単結晶サファイア基板３１におけるレーザ光Ｌの入射面として、単結晶サファイア基板３１内にレーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせて、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って集光点Ｐを相対的に移動させる。これにより、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って単結晶サファイア基板３１内に改質領域（第１改質領域）７１を形成すると共に、改質領域７１から発生した亀裂（第１亀裂）８１を裏面３１ｂに到達させる（第１工程）。このとき、亀裂８１は、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａには到達しないものの、改質領域７１から表面３１ａ側にも伸展する。
【００３４】
この工程では、単結晶サファイア基板３１のｒ面と裏面３１ｂとの成す角度が鋭角となる側を一方の側とし、且つ単結晶サファイア基板３１のｒ面と裏面３１ｂとの成す角度が鈍角となる側を他方の側として、全ての切断予定ライン５１において、一方の側から他方の側にレーザ光Ｌの集光点Ｐを相対的に移動させる。なお、裏面３１ｂから集光点Ｐを合わせる位置までの距離（第１距離）は、例えば単結晶サファイア基板３１の厚さの半分以下の距離であり、例えば３０〜５０μｍである。
【００３５】
続いて、図１２に示すように、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂを単結晶サファイア基板３１におけるレーザ光Ｌの入射面として、単結晶サファイア基板３１内にレーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせて、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って集光点Ｐを相対的に移動させる。これにより、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って単結晶サファイア基板３１内に改質領域（第２改質領域）７２を形成すると共に、改質領域７２から発生した亀裂（第２亀裂）８２を裏面３１ｂに到達させる（第３工程）。このとき、亀裂８２は、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａには到達しないものの、改質領域７２から表面３１ａ側にも伸展する。
【００３６】
この工程では、隣り合う発光素子部３２，３２間においてｍ面に平行な方向に延在するストリート領域３８の中心線ＣＬから、集光点Ｐを合わせる位置までの「裏面３１ｂに垂直な方向から見た場合における距離」：ΔＹ、単結晶サファイア基板３１の厚さ：ｔ、裏面３１ｂから集光点Ｐを合わせる位置までの距離：Ｚ、ストリート領域３８の幅：ｄ、表面３１ａにおける亀裂８２の蛇行量：ｍ、裏面３１ｂに垂直な方向（すなわち、単結晶サファイア基板３１の厚さ方向）と亀裂８２が伸展する方向との成す角度：αとした場合に、ΔＹ＝（tanα）・（ｔ−Ｚ）±［（ｄ／２）−ｍ］を満たすように、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って加工対象物１にレーザ光Ｌを照射する。
【００３７】
ここで、中心線ＣＬは、ストリート領域３８の幅方向（すなわち、隣り合う発光素子部３２，３２が並ぶ方向）における中心線である。また、表面３１ａにおける亀裂８２の蛇行量ｍは、表面３１ａにおいて蛇行する亀裂８２の振れ幅（ストリート領域３８の幅方向における振れ幅）の「想定される最大値」であり、例えば−５〜＋５μｍである。また、亀裂８２が伸展する方向は、裏面３１ｂに垂直な方向に対してｒ面が傾斜する側に傾斜する方向であるが、裏面３１ｂに垂直な方向と亀裂８２が伸展する方向との成す角度αは、裏面３１ｂに垂直な方向とｒ面とのなす角度に必ずしも一致するものではなく、例えば５〜７°である。
【００３８】
この工程でのレーザ加工装置１００の動作は次のとおりである。まず、レーザ加工装置１００は、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂ側から、隣り合う発光素子部３２，３２間においてｍ面に平行な方向に延在するストリート領域３８を検出する。続いて、レーザ加工装置１００は、裏面３１ｂに垂直な方向から見た場合に、集光点Ｐを合わせる位置がストリート領域３８の中心線ＣＬ上に位置するように、加工対象物１に対するレーザ光Ｌの照射位置を調整する。続いて、レーザ加工装置１００は、裏面３１ｂに垂直な方向から見た場合に、集光点Ｐを合わせる位置がΔＹだけ中心線ＣＬに対してオフセットするように、加工対象物１に対するレーザ光Ｌの照射位置を調整する。続いて、レーザ加工装置１００は、加工対象物１に対するレーザ光Ｌの照射を開始し、裏面３１ｂに垂直な方向から見た場合に、集光点Ｐを合わせる位置が中心線ＣＬ（ここでは、切断予定ライン５２に一致する）に対してΔＹだけオフセットした状態で、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って集光点Ｐを相対的に移動させる。
【００３９】
なお、単結晶サファイア基板３１内に形成される改質領域７１，７２は、溶融処理領域を含むものとなる。また、改質領域７１から発生した亀裂８１、及び改質領域７２から発生した亀裂８２は、レーザ光Ｌの照射条件を適宜調整することによって単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂに到達させることが可能である。亀裂８１，８２を裏面３１ｂに到達させるためのレーザ光Ｌの照射条件としては、例えば、裏面３１ｂからレーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせる位置までの距離、レーザ光Ｌのパルス幅、レーザ光Ｌのパルスピッチ（「加工対象物１に対するレーザ光Ｌの集光点Ｐの移動速度」を「レーザ光Ｌの繰り返し周波数」で除した値）、レーザ光Ｌのパルスエネルギー等がある。また、単結晶サファイア基板３１では、ａ面及び裏面１２ｂに平行となるように設定された切断予定ライン５１においては、亀裂８１が伸展し難く、亀裂８１が蛇行し易い。一方、ｍ面及び裏面１２ｂに平行となるように設定された切断予定ライン５２においては、亀裂８２が伸展し易く、亀裂８２が蛇行し難い。その観点から、切断予定ライン５１側でのレーザ光Ｌのパルスピッチは、切断予定ライン５２側でのレーザ光Ｌのパルスピッチよりも小さくしてもよい。
【００４０】
以上のように改質領域７１，７２を形成した後、図１３に示すように、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂを覆うように加工対象物１にエキスパンドテープ４２を貼り付け、三点曲げブレーク装置の受け部材４３上に、当該エキスパンドテープ４２を介して加工対象物１を載置する。そして、図１３（ａ）に示すように、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａ側から、保護テープ４１を介して加工対象物１にナイフエッジ４４を押し当てることで、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って加工対象物１に外力を作用させる。これにより、改質領域７１から発生した亀裂８１を表面３１ａ側に伸展させて、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って加工対象物１をバー状に切断する（第２工程）。
【００４１】
続いて、図１３（ｂ）に示すように、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａ側から、保護テープ４１を介して加工対象物１にナイフエッジ４４を押し当てることで、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って加工対象物１に外力を作用させる。これにより、改質領域７２から発生した亀裂８２を表面３１ａ側に伸展させて、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って加工対象物１をチップ状に切断する（第４工程）。
【００４２】
加工対象物１を切断した後、図１４に示すように、加工対象物１から保護テープ４１を取り除き、エキスパンドテープ４２を外側に拡張させる。これにより、加工対象物１がチップ状に切断されることで得られた複数の発光素子１０を互いに離間させる。
【００４３】
以上説明したように、第１実施形態の加工対象物切断方法では、単結晶サファイア基板３１のａ面及び裏面３１ｂに平行となるように設定された複数の切断予定ライン５１のそれぞれにおいて、一方の側から他方の側にレーザ光Ｌの集光点Ｐを相対的に移動させる。これにより、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って形成された改質領域７１から発生した亀裂８１の蛇行量が変化するのを抑制することができる。これは、「単結晶サファイア基板３１では、ｒ面と裏面３１ｂとの成す角度が鋭角となる側からその反対側にレーザ光Ｌの集光点Ｐを相対的に移動させた場合と、ｒ面と裏面３１ｂとの成す角度が鈍角となる側からその反対側にレーザ光Ｌの集光点Ｐを相対的に移動させた場合とで、改質領域７１の形成状態が変化し、その結果、改質領域７１から発生した亀裂８１の蛇行量が変化する」との知見に基づくものである。よって、この加工対象物切断方法によれば、単結晶サファイア基板３１のａ面及び裏面３１ｂに平行な複数の切断予定ライン５１のそれぞれに沿って形成された改質領域７１から発生した亀裂８２の蛇行量のばらつきを抑制することが可能となる。なお、改質領域７１から発生した亀裂８１の蛇行量とは、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａ又は裏面３１ｂにおいて蛇行する亀裂８１の振れ幅（ストリート領域３８の幅方向における振れ幅）である。
【００４４】
また、改質領域７１を形成する工程では、単結晶サファイア基板３１のｒ面と裏面３１ｂとの成す角度が鋭角となる側を一方の側とし、且つ当該角度が鈍角となる側を他方の側として、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って一方の側から他方の側にレーザ光Ｌの集光点Ｐを相対的に移動させ、単結晶サファイア基板３１内に改質領域７１を形成すると共に、改質領域７１から発生した亀裂８１を裏面３１ｂに到達させる。これにより、単結晶サファイア基板３１のｒ面と裏面３１ｂとの成す角度が鈍角となる側から当該角度が鋭角となる側にレーザ光Ｌの集光点Ｐを相対的に移動させた場合に比べ、改質領域７１から単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂに到達する亀裂８１の蛇行量を小さく抑えることができる。
【００４５】
また、加工対象物１を切断する工程では、切断予定ライン５１，５２のそれぞれに沿って単結晶サファイア基板３１の表面３１ａ側から加工対象物１にナイフエッジ４４を押し当てることにより、切断予定ライン５１，５２のそれぞれに沿って加工対象物１に外力を作用させる。これにより、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂに到達した亀裂８１，８２が開くように加工対象物１に外力が作用することになるので、切断予定ライン５１，５２に沿って容易に且つ精度良く加工対象物１を切断することができる。
【００４６】
なお、単結晶サファイア基板３１のｍ面及び裏面３１ｂに平行となるように設定された複数の切断予定ライン５２のそれぞれにおいては、ΔＹ＝（tanα）・（ｔ−Ｚ）±［（ｄ／２）−ｍ］を満たすように加工対象物１にレーザ光Ｌを照射し、単結晶サファイア基板３１内に改質領域７２を形成すると共に、改質領域７２から発生した亀裂８２を裏面３１ｂに到達させる。これにより、改質領域７２から発生した亀裂８２の伸展方向がｒ面の傾斜方向に引っ張られても、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａにおいて亀裂８２をストリート領域３８内に収めることができ、当該亀裂８１が発光素子部３２に至るのを防止することが可能となる。これは、「単結晶サファイア基板３１のｍ面及び裏面３１ｂに平行な切断予定ライン５２に沿って形成された改質領域７２から発生した亀裂８２の伸展方向は、ｍ面の影響よりも、ｍ面に対して傾斜するｒ面の影響を強く受けて、ｒ面の傾斜方向に引っ張られる」との知見に基づくものである。そして、裏面３１ｂに垂直な方向から見た場合に、ストリート領域３８の中心線ＣＬに対して、集光点Ｐを合わせる位置をΔＹだけオフセットさせることで、集光点Ｐを合わせる位置を単結晶サファイア基板３１の表面３１ａから離しても、改質領域７２から発生した亀裂８２をストリート領域３８内に収めることができるので、レーザ光Ｌの照射に起因して発光素子部３２の特性が劣化するのを防止ことが可能となる。
【００４７】
例えば、ｔ（単結晶サファイア基板３１の厚さ）：１５０μｍ、Ｚ（裏面３１ｂから集光点Ｐを合わせる位置までの距離）：５０μｍ、ｄ（ストリート領域３８の幅）：２０μｍ、ｍ（表面３１ａにおける亀裂８２の蛇行量）：３μｍ、α（裏面３１ｂに垂直な方向と亀裂８２が伸展する方向との成す角度）の正接：１／１０であれば、ΔＹ＝（tanα）・（ｔ−Ｚ）±［（ｄ／２）−ｍ］より、ΔＹ＝１０±７μｍとなる。従って、裏面３１ｂに垂直な方向から見た場合に、ストリート領域３８の中心線ＣＬに対して、集光点Ｐを合わせる位置を３〜１７μｍオフセットさせた状態で、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って集光点Ｐを相対的に移動させればよい。
［第２実施形態］
【００４８】
次に、本発明の第２実施形態の加工対象物切断方法について詳細に説明する。第２実施形態の加工対象物切断方法は、改質領域７２を形成する工程、及び加工対象物１を切断する工程において、上述した第１実施形態の加工対象物切断方法と相違する。以下、この相違する工程を主として、第２実施形態の加工対象物切断方法について説明する。
【００４９】
まず、上述した第１実施形態の加工対象物切断方法と同様に、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って加工対象物１にレーザ光Ｌを照射することにより、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って単結晶サファイア基板３１内に改質領域７１を形成すると共に、改質領域７１から発生した亀裂８１を単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂに到達させる（第１工程）。
【００５０】
続いて、図１５に示すように、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂを単結晶サファイア基板３１におけるレーザ光Ｌの入射面として、単結晶サファイア基板３１内にレーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせて、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って集光点Ｐを相対的に移動させる。これにより、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って単結晶サファイア基板３１内に改質領域７２を形成すると共に、改質領域７２から発生した亀裂８２を単結晶サファイア基板３１の表面３１ａに到達させる（第３工程）。このとき、亀裂８２は、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂには到達しないものの、改質領域７２から裏面３１ｂ側にも伸展する。
【００５１】
この工程では、集光点Ｐを合わせる位置から表面３１ａまでの許容最小距離：ｅ、単結晶サファイア基板３１の厚さ：ｔ、裏面３１ｂから集光点Ｐを合わせる位置までの距離：Ｚ、隣り合う発光素子部３２，３２間においてｍ面に平行な方向に延在するストリート領域３８の幅：ｄ、表面３１ａにおける亀裂８２の蛇行量：ｍ、裏面３１ｂに垂直な方向（すなわち、単結晶サファイア基板３１の厚さ方向）と亀裂８２が伸展する方向との成す角度：αとした場合に、ｔ−［（ｄ／２）−ｍ］／tanα＜Ｚ＜ｔ−ｅを満たすように、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って加工対象物１にレーザ光Ｌを照射する。
【００５２】
ここで、集光点Ｐを合わせる位置から表面３１ａまでの許容最小距離ｅは、集光点Ｐを合わせる位置から表面３１ａまでの距離が許容最小距離ｅよりも小さくなると、レーザ光Ｌの照射によって発光素子部３２の特性を劣化させるおそれのある距離であり、例えば４０〜６０μｍである。
【００５３】
なお、改質領域７２から発生した亀裂８２は、レーザ光Ｌの照射条件を適宜調整することによって単結晶サファイア基板３１の表面３１ａに到達させることが可能である。亀裂８２を表面３１ａに到達させるためのレーザ光Ｌの照射条件としては、例えば、裏面３１ｂからレーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせる位置までの距離、レーザ光Ｌのパルス幅、レーザ光Ｌのパルスピッチ、レーザ光Ｌのパルスエネルギー等がある。
【００５４】
以上のように改質領域７１，７２を形成した後、図１６（ａ）に示すように、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂを覆うように加工対象物１にエキスパンドテープ４２を貼り付け、三点曲げブレーク装置の受け部材４３上に、当該エキスパンドテープ４２を介して加工対象物１を載置する。そして、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａ側から、保護テープ４１を介して加工対象物１にナイフエッジ４４を押し当てることで、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って加工対象物１に外力を作用させる。これにより、改質領域７１から発生した亀裂８１を表面３１ａ側に伸展させて、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って加工対象物１をバー状に切断する（第２工程）。
【００５５】
続いて、図１６（ｂ）に示すように、加工対象物１を反転させて、三点曲げブレーク装置の受け部材４３上に、保護テープ４１を介して加工対象物１を載置する。そして、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂ側から、エキスパンドテープ４２を介して加工対象物１にナイフエッジ４４を押し当てることで、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って加工対象物１に外力を作用させる。これにより、改質領域７２から発生した亀裂８２を裏面３１ｂ側に伸展させて、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って加工対象物１をチップ状に切断する（第４工程）。
【００５６】
加工対象物１を切断した後、加工対象物１から保護テープ４１を取り除き、エキスパンドテープ４２を外側に拡張させる。これにより、加工対象物１がチップ状に切断されることで得られた複数の発光素子１０を互いに離間させる。
【００５７】
以上説明した第２実施形態の加工対象物切断方法によっても、単結晶サファイア基板３１のａ面及び裏面３１ｂに平行となるように設定された複数の切断予定ライン５１に関し、上述した第１実施形態の加工対象物切断方法と同様の効果が奏される。
【００５８】
加えて、加工対象物１を切断する工程では、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂ側から加工対象物１にナイフエッジ４４を押し当てることにより、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って加工対象物１に外力を作用させる。これにより、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａに到達した亀裂８２が開くように加工対象物１に外力が作用することになるので、切断予定ライン５２に沿って容易に且つ精度良く加工対象物１を切断することができる。
【００５９】
なお、単結晶サファイア基板３１のｍ面及び裏面３１ｂに平行となるように設定された複数の切断予定ライン５２のそれぞれにおいては、ｔ−［（ｄ／２）−ｍ］／tanα＜Ｚ＜ｔ−ｅを満たすように、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って加工対象物１にレーザ光Ｌを照射し、単結晶サファイア基板３１内に改質領域７２を形成すると共に、改質領域７２から発生した亀裂８２を単結晶サファイア基板３１の表面３１ａに到達させる。これにより、レーザ光Ｌの照射に起因して発光素子部３２の特性が劣化するのを防止しつつ、改質領域７２から発生した亀裂８２の伸展方向がｒ面の傾斜方向に引っ張られても、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａにおいて亀裂８２をストリート領域３８内に収めることができ、当該亀裂８１が発光素子部３２に至るのを防止することが可能となる。そして、改質領域７２から発生した亀裂８２を単結晶サファイア基板３１の表面３１ａに到達させることで、特に素子層３３の切断品質を向上させることができる。
【００６０】
例えば、ｅ（集光点Ｐを合わせる位置から表面３１ａまでの許容最小距離）：５０μｍ、ｔ（単結晶サファイア基板３１の厚さ）：１５０μｍ、ｄ（ストリート領域３８の幅）：３０μｍ、ｍ（表面３１ａにおける亀裂８２の蛇行量）：３μｍ、α（裏面３１ｂに垂直な方向と亀裂８２が伸展する方向との成す角度）の正接：１／１０であれば、ｔ−［（ｄ／２）−ｍ］／tanα＜Ｚ＜ｔ−ｅより、３０μｍ＜Ｚ＜１００μｍとなる。従って、裏面３１ｂから３０〜１００μｍだけ離れた単結晶サファイア基板３１内の位置にレーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせて、切断予定ライン５２に沿って集光点Ｐを相対的に移動させればよい。
【００６１】
ところで、次のように切断予定ライン５１に沿って改質領域７１を形成すれば、加工対象物１を切断する工程において、加工対象物１を反転させることが不要となる。すなわち、図１７に示すように、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂを単結晶サファイア基板３１におけるレーザ光Ｌの入射面として、単結晶サファイア基板３１内にレーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせて、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って集光点Ｐを相対的に移動させる。これにより、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って単結晶サファイア基板３１内に改質領域７１を形成すると共に、第１実施形態の加工対象物切断方法の場合とは逆に、改質領域７１から発生した亀裂８１を単結晶サファイア基板３１の表面３１ａに到達させる（第１工程）。このとき、亀裂８１は、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂには到達しないものの、改質領域７１から裏面３１ｂ側にも伸展する。
【００６２】
この工程では、単結晶サファイア基板３１のｒ面と裏面３１ｂとの成す角度が鋭角となる側を一方の側とし、且つ単結晶サファイア基板３１のｒ面と裏面３１ｂとの成す角度が鈍角となる側を他方の側とすると、第１実施形態の加工対象物切断方法の場合とは逆に、全ての切断予定ライン５１において、他方の側から一方の側にレーザ光Ｌの集光点Ｐを相対的に移動させる。なお、集光点Ｐを合わせる位置から表面３１ａまでの距離は、例えば単結晶サファイア基板３１の厚さの半分以下の距離であり、例えば５０〜７０μｍである。ただし、集光点Ｐを合わせる位置から表面３１ａまでの距離は、許容最小距離ｅよりも小さくならないようにする。
【００６３】
これにより、改質領域７２から発生した亀裂８２だけでなく、改質領域７１から発生した亀裂８１も、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａに到達することになる。従って、図１８に示すように、切断予定ライン５１，５２のそれぞれに沿って、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂ側から、エキスパンドテープ４２を介して加工対象物１にナイフエッジ４４を押し当てて、切断予定ライン５１，５２のそれぞれに沿って加工対象物１を切断することができる。このように、加工対象物１を切断する工程において、加工対象物１を反転させることが不要となる。
【００６４】
なお、切断予定ライン５１に沿って改質領域７１を形成する工程においては、第１実施形態の加工対象物切断方法の場合とは逆に、他方の側から一方の側にレーザ光Ｌの集光点Ｐを相対的に移動させることで、改質領域７１から単結晶サファイア基板３１の表面３１ａに到達する亀裂８１の蛇行量を小さく抑えることができる。このように、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａ及び裏面３１ｂのうち、改質領域７１から発生した亀裂８１を到達させるべき面に着目し、単結晶サファイア基板３１のｒ面と当該面との成す角度が鋭角となる側から、単結晶サファイア基板３１のｒ面と当該面との成す角度が鈍角となる側に、レーザ光Ｌの集光点Ｐを相対的に移動させれば、当該面に到達する亀裂８１の蛇行量を小さく抑えることができる。
［第３実施形態］
【００６５】
次に、本発明の第３実施形態の加工対象物切断方法について詳細に説明する。第３実施形態の加工対象物切断方法は、改質領域７１，７２を形成する工程において、上述した第１実施形態の加工対象物切断方法と相違する。以下、この相違する工程を主として、第３実施形態の加工対象物切断方法について説明する。
【００６６】
まず、図１９に示すように、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂを単結晶サファイア基板３１におけるレーザ光Ｌの入射面として、裏面３１ｂから距離（第２距離）Ｚｄ１だけ離れた単結晶サファイア基板３１内の位置にレーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせて、一本の切断予定ライン５１に沿って集光点Ｐを相対的に移動させる。これにより、当該一本の切断予定ライン５１に沿って単結晶サファイア基板３１内に改質領域（第３改質領域）７３を形成する。このとき、改質領域７３から発生した亀裂（第３亀裂）８３は、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａ及び裏面３１ｂには到達しないものの、改質領域７３から表面３１ａ側及び裏面３１ｂ側に伸展する。
【００６７】
改質領域７３を形成するに際しては、単結晶サファイア基板３１のｒ面と裏面３１ｂとの成す角度が鋭角となる側を一方の側とし、且つ単結晶サファイア基板３１のｒ面と裏面３１ｂとの成す角度が鈍角となる側を他方の側とすると、当該一本の切断予定ライン５１に沿って他方の側から一方の側に集光点Ｐを相対的に移動させる。
【００６８】
続いて、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂを単結晶サファイア基板３１におけるレーザ光Ｌの入射面として、裏面３１ｂから距離Ｚｄ１よりも小さい距離（第１距離）Ｚｓ１だけ離れた単結晶サファイア基板３１内の位置にレーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせて、当該一本の切断予定ライン５１に沿って集光点Ｐを相対的に移動させる。これにより、当該一本の切断予定ライン５１に沿って単結晶サファイア基板３１内に改質領域７１を形成すると共に、改質領域７１から発生した亀裂８１を裏面３１ｂに到達させる。このとき、改質領域７１から発生した亀裂８１は、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａには到達しないものの、改質領域７１から表面３１ａ側にも伸展する。
【００６９】
改質領域７１を形成するに際しては、単結晶サファイア基板３１のｒ面と裏面３１ｂとの成す角度が鋭角となる側を一方の側とし、且つ単結晶サファイア基板３１のｒ面と裏面３１ｂとの成す角度が鈍角となる側を他方の側とすると、当該一本の切断予定ライン５１に沿って一方の側から他方の側に集光点Ｐを相対的に移動させる。
【００７０】
以上の改質領域７１，７３の形成を全ての切断予定ライン５１について切断予定ライン５１ごとに順次実施する（第１工程）。なお、改質領域７３を形成するに際し、集光点Ｐを合わせる位置から表面３１ａまでの距離は、許容最小距離ｅよりも小さくならないようにする。
【００７１】
続いて、図２０に示すように、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂを単結晶サファイア基板３１におけるレーザ光Ｌの入射面として、裏面３１ｂから距離Ｚｄ２だけ離れた単結晶サファイア基板３１内の位置にレーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせて、一本の切断予定ライン５２に沿って集光点Ｐを相対的に移動させる。これにより、当該一本の切断予定ライン５２に沿って単結晶サファイア基板３１内に改質領域（第２改質領域）７４を形成する。このとき、改質領域７４から発生した亀裂８４は、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａ及び裏面３１ｂには到達しないものの、改質領域７４から表面３１ａ側及び裏面３１ｂ側に伸展する。
【００７２】
改質領域７４を形成するに際しては、集光点Ｐを合わせる位置から表面３１ａまでの許容最小距離：ｅ、単結晶サファイア基板３１の厚さ：ｔ、裏面３１ｂから集光点Ｐを合わせる位置までの距離：Ｚ、隣り合う発光素子部３２，３２間においてｍ面に平行な方向に延在するストリート領域３８の幅：ｄ、表面３１ａにおける亀裂８２の蛇行量：ｍ、裏面３１ｂに垂直な方向（すなわち、単結晶サファイア基板３１の厚さ方向）と亀裂８２が伸展する方向との成す角度：αとした場合に、ｔ−［（ｄ／２）−ｍ］／tanα＜Ｚ＜ｔ−ｅを満たすように、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って加工対象物１にレーザ光Ｌを照射する。これにより、レーザ光Ｌの照射に起因して発光素子部３２の特性が劣化するのを防止することができる。また、切断予定ライン５２に沿って加工対象物１を切断する際に、改質領域７４から発生した亀裂８４の伸展方向がｒ面の傾斜方向に引っ張られても、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａにおいて亀裂８４をストリート領域３８内に収めることができ、当該亀裂８１が発光素子部３２に至るのを防止することが可能となる。
【００７３】
続いて、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂを単結晶サファイア基板３１におけるレーザ光Ｌの入射面として、裏面３１ｂから距離Ｚｄ２よりも小さい距離Ｚｓ２だけ離れた単結晶サファイア基板３１内の位置にレーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせて、当該一本の切断予定ライン５２に沿って集光点Ｐを相対的に移動させる。これにより、当該一本の切断予定ライン５２に沿って単結晶サファイア基板３１内に改質領域７２を形成すると共に、改質領域７２から発生した亀裂８２を裏面３１ｂに到達させる。このとき、改質領域７２から発生した亀裂８２は、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａには到達しないものの、改質領域７１から表面３１ａ側にも伸展する。
【００７４】
改質領域７２を形成するに際しては、切断予定ライン５２のそれぞれにおいて、改質領域７４を通り、且つ単結晶サファイア基板３１のｒ面に平行となる傾斜面４５に対して、傾斜面４５と裏面３１ｂとの成す角度が鋭角となる側に、改質領域７２を位置させる。より具体的には、裏面３１ｂに垂直な方向から見た場合に、裏面３１ｂに到達した亀裂８２がストリート領域３８の中心線ＣＬ（ここでは、切断予定ライン５２に一致する）上に位置するように、中心線ＣＬに対して傾斜面４５から離れる側に改質領域７２を位置させる。ただし、図２１に示すように、裏面３１ｂに垂直な方向から見た場合に、裏面３１ｂに到達した亀裂８２がストリート領域３８の中心線ＣＬと裏面３１ｂに到達した傾斜面４５との間に位置するように、中心線ＣＬに対して傾斜面４５に近付く側に改質領域７２を位置させてもよい。要は、裏面３１ｂに垂直な方向から見た場合に、ストリート領域３８内、又はストリート領域３８の中心線ＣＬと裏面３１ｂに到達した傾斜面４５との間に、裏面３１ｂに到達した亀裂８２が位置するように、切断予定ライン５２に沿って改質領域７２を形成すればよい。
【００７５】
以上の改質領域７２，７４の形成を全ての切断予定ライン５２について切断予定ライン５２ごとに順次実施する（第３工程）。なお、改質領域７２を形成するに際し、集光点Ｐを合わせる位置から裏面３１ｂまでの距離は、例えば単結晶サファイア基板３１の厚さの半分以下の距離であり、例えば３０〜５０μｍである。
【００７６】
以上のように改質領域７１〜７４を形成した後、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂを覆うように加工対象物１にエキスパンドテープ４２を貼り付ける。そして、三点曲げブレーク装置において、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａ側から、保護テープ４１を介して加工対象物１にナイフエッジ４４を押し当てることで、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って加工対象物１に外力を作用させる。これにより、改質領域７１から発生した亀裂８１、及び改質領域７３から発生した亀裂８３を伸展させて、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って加工対象物１をバー状に切断する（第２工程）。続いて、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａ側から、保護テープ４１を介して加工対象物１にナイフエッジ４４を押し当てることで、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って加工対象物１に外力を作用させる。これにより、改質領域７２から発生した亀裂８２、及び改質領域７４から発生した亀裂８４を表面３１ａ側に伸展させて、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って加工対象物１をチップ状に切断する（第４工程）。
【００７７】
加工対象物１を切断した後、加工対象物１から保護テープ４１を取り除き、エキスパンドテープ４２を外側に拡張させる。これにより、加工対象物１がチップ状に切断されることで得られた複数の発光素子１０を互いに離間させる。
【００７８】
以上説明した第３実施形態の加工対象物切断方法によっても、単結晶サファイア基板３１のａ面及び裏面３１ｂに平行となるように設定された複数の切断予定ライン５１に関し、上述した第１実施形態の加工対象物切断方法と同様の効果が奏される。
【００７９】
加えて、改質領域７１，７３を形成する工程では、切断予定ライン５１ごとに、改質領域７３を形成し、その後連続して、改質領域７１を形成する。そして、改質領域７３の形成時と改質領域７１の形成時とで、レーザ光Ｌの集光点Ｐを逆の方向に移動させる。これにより、レーザ光Ｌの集光点Ｐを効率良く移動させることができる。より具体的には、一本の切断予定ライン５１において、改質領域７３を形成する際に他方の側から一方の側に相対的に移動した集光点Ｐは、改質領域７１を形成する際に一方の側から他方の側に相対的に移動して、他方の側に戻ることになる。そのため、当該一本の切断予定ライン５１に隣り合う切断予定ライン５１において、迅速にレーザ光Ｌの照射を開始することができる。
【００８０】
また、一本の切断予定ライン５１に対して複数列の改質領域７１，７３を形成することで、単結晶サファイア基板３１が比較的厚い場合であっても、切断予定ライン５１に沿って容易に且つ精度良く加工対象物１を切断することができる。同様に、一本の切断予定ライン５２に対して複数列の改質領域７２，７４を形成することで、単結晶サファイア基板３１が比較的厚い場合であっても、切断予定ライン５２に沿って容易に且つ精度良く加工対象物１を切断することができる。また、改質領域７１，７３の一つや改質領域７２，７４の一つを形成するためのレーザ光Ｌのパルスエネルギーを落とすことができるので、レーザ光Ｌの照射に起因して発光素子部３２の特性が劣化するのを防止ことが可能となる。
【００８１】
また、加工対象物１を切断する工程では、切断予定ライン５１，５２のそれぞれに沿って単結晶サファイア基板３１の表面３１ａ側から加工対象物１にナイフエッジ４４を押し当てることにより、切断予定ライン５１，５２のそれぞれに沿って加工対象物１に外力を作用させる。これにより、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂに到達した亀裂８１，８２が開くように加工対象物１に外力が作用することになるので、切断予定ライン５１，５２に沿って容易に且つ精度良く加工対象物１を切断することができる。
【００８２】
なお、単結晶サファイア基板３１のｍ面及び裏面３１ｂに平行となるように設定された複数の切断予定ライン５２のそれぞれにおいては、改質領域７４を通り、且つ単結晶サファイア基板３１のｒ面に平行となる傾斜面４５に対して、傾斜面４５と裏面３１ｂとの成す角度が鋭角となる側に、改質領域７２を位置させる。これにより、改質領域７４から裏面３１ｂ側に伸展する亀裂８４が改質領域７２側に伸展し、改質領域７２から表面３１ａ側に伸展する亀裂８２が改質領域７４側に伸展し、当該亀裂８４と当該亀裂８２とが単結晶サファイア基板３１内において繋がることになる。従って、裏面３１ｂ側の改質領域７２から発生した亀裂８２が単結晶サファイア基板３１の表面３１ａに伸展するのを抑制しつつ、表面３１ａ側の改質領域７４から発生した亀裂８４をストリート領域３８内に収めることができ、亀裂８２，８４が発光素子部３２に至るのを防止することが可能となる。
【００８３】
以上、本発明の第１〜第３実施形態の加工対象物切断方法について説明したが、本発明の加工対象物切断方法は、上記第１〜第３実施形態の加工対象物切断方法に限定されるものではない。
【００８４】
例えば、改質領域７１を形成する工程では、切断予定ライン５１のそれぞれにおいて、単結晶サファイア基板３１のｒ面と裏面３１ｂとの成す角度が鈍角となる側から当該角度が鋭角となる側にレーザ光Ｌの集光点Ｐを相対的に移動させてもよい。更に、改質領域７１の形成時に改質領域７１から発生した亀裂８１を裏面３１ｂに到達させなくてもよい。これらの場合にも、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って形成された改質領域７１から発生した亀裂８１の蛇行量が変化するのを抑制することができる。なお、少なくともこの効果は、切断予定ライン５２に沿って改質領域をどのように形成するのかとは無関係に奏される。
【００８５】
また、上記第３実施形態で述べたように、単結晶サファイア基板３１が比較的厚い場合等には、一本の切断予定ラインに対して複数列（二列に限定されず、場合によっては、三列以上）の改質領域を形成してもよい。この場合、切断予定ライン５１においては、少なくとも裏面３１ｂに最も近い改質領域７１の形成時に、単結晶サファイア基板３１のｒ面と裏面３１ｂとの成す角度が鋭角となる側から当該角度が鈍角となる側にレーザ光Ｌの集光点Ｐを相対的に移動させれば、その反対方向にレーザ光Ｌの集光点Ｐを相対的に移動させた場合に比べ、裏面３１ｂに最も近い改質領域７１から単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂに到達する亀裂８１の蛇行量を小さく抑えることができる。更に、切断予定ライン５１においては、改質領域７１の形成時と同様に、改質領域７３等の他の改質領域の形成時にも、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って一方の側から他方の側にレーザ光Ｌの集光点Ｐを相対的に移動させてもよい。このように、改質領域７１の形成時と改質領域７３の形成時とで、レーザ光Ｌの集光点Ｐを同じ方向に移動させることで、改質領域７１の形成時に亀裂８１を単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂに確実に到達させることができる。
【００８６】
なお、一本の切断予定ラインに対して複数列の改質領域を形成する場合には、切断予定ラインごとに改質領域を連続して形成し、これを全ての切断予定ラインについて順次実施してもよい。或いは、裏面３１ｂから同じ距離に位置する改質領域を連続して形成し、続いて、裏面３１ｂから他の同じ距離に位置する改質領域を連続して形成するようにしてもよい。
【００８７】
また、加工対象物１を切断する工程の前であれば、切断予定ライン５１に沿って改質領域を形成する工程、及び切断予定ライン５２に沿って改質領域を形成する工程のうち、どちらの工程を先に実施してもよい。また、改質領域を形成する工程の後であれば、切断予定ライン５１に沿って加工対象物１を切断する工程、及び切断予定ライン５２に沿って加工対象物１を切断する工程のうち、どちらの工程を先に実施してもよい。
【００８８】
また、切断予定ライン５１，５２のそれぞれに沿ってレーザ光Ｌの集光点Ｐを相対的に移動させるために、レーザ加工装置１００の支持台１０７を移動させてもよいし、レーザ加工装置１００のレーザ光源１０１側（レーザ光源１０１、ダイクロイックミラー１０３及び集光用レンズ１０５等）を移動させてもよいし、或いは、支持台１０７及びレーザ光源１０１側の両方を移動させてもよい。
【００８９】
また、発光素子として半導体レーザを製造することができる。その場合、加工対象物１は、単結晶サファイア基板３１と、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａ上に積層されたｎ型半導体層（第１導電型半導体層）３４と、ｎ型半導体層３４上に積層された活性層と、活性層上に積層されたｐ型半導体層（第２導電型半導体層）３５と、を備えている。ｎ型半導体層３４、活性層及びｐ型半導体層３５は、例えばＧａＮ等のIII−V族化合物半導体からなり、量子井戸構造を構成している。
【００９０】
また、素子層３３は、電極パッド３６，３７との電気的な接続のためのコンタクト層等が更に備えていてもよい。また、第１導電型がｐ型とされ、第２導電型がｎ型とされてもよい。また、単結晶サファイア基板３１のオフ角は０°の場合もある。この場合、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａ及び裏面３１ｂはｃ面に平行となる。
【符号の説明】
【００９１】
１…加工対象物、１０…発光素子、３１…単結晶サファイア基板、３１ａ…表面、３１ｂ…裏面、３２…発光素子部、３３…素子層、４４…ナイフエッジ、５１…切断予定ライン（第１切断予定ライン）、５２…切断予定ライン（第２切断予定ライン）、７１…改質領域（第１改質領域）、７２，７４…改質領域（第２改質領域）、７３…改質領域（第３改質領域）、８１…亀裂（第１亀裂）、８２…亀裂（第２亀裂）、８３…亀裂（第３亀裂）、Ｌ…レーザ光、Ｐ…集光点。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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