(57)【要約】【課題】本発明は、優れた誘電特性を有する薄膜キャパシタを提供することを目的とするものである。【解決手段】そして、この目的を達成するために、本発明の薄膜キャパシタは、下部電極部１１と誘電体層１０との界面に耐腐食性が高い合金層１３を設けることにより、下部電極部１１の電極機能が維持され、さらには形成される誘電体層１０の品質が向上する。これにより、高容量密度を有する、薄膜キャパシタを実現することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｕの標準酸化還元電位以下の標準酸化還元電位を有する金属元素のうち、少なくとも１種以上の金属を含む下部電極部と、前記下部電極部上に薄片状酸化物粒子を集積させてからなる誘電体層と、前記誘電体層上に設けられた上部電極部と、を含むキャパシタにおいて、前記下部電極部と前記誘電体層との界面に、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄのうち、少なくとも１種以上の金属を含む合金層を設けることを特徴とするキャパシタ。
【請求項２】
Ｃｕの標準酸化還元電位以下の標準酸化還元電位を有する金属元素のうち、少なくとも１種以上の金属を含む下部電極部と、前記下部電極部上に薄片状酸化物粒子を集積させてからなる誘電体層と、前記誘電体層上に設けられた上部電極部と、を含むキャパシタにおいて、前記下部電極部と前記誘電体層との界面に、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄのうち、少なくとも１種以上の金属を含む合金層を設けたキャパシタを内蔵することを特徴とする回路基板。
【請求項３】
前記薄片状酸化物粒子は、Ｔｉ−Ｎｂ−Ｏ系酸化物、Ｃａ−Ｎｂ−Ｏ系酸化物、Ｓｒ−Ｎｂ−Ｏ系酸化物のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載のキャパシタ。
【請求項４】
前記合金層は、表面の算術平均粗さが５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のキャパシタ。
【請求項５】
Ｃｕの標準酸化還元電位以下の標準酸化還元電位を有する金属元素のうち、少なくとも１種以上の金属を含む下部電極部上に、スパッタリング法あるいはめっき法によって、Ｔｉ、Ｃｒのうち少なくとも１種以上の金属を含むレベリング層を形成し、さらにＡｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄのうち少なくとも１種以上の金属を含む合金層を前記レベリング層上に形成した後、カチオン性高分子溶液と薄片状酸化物粒子が懸濁したコロイド溶液に前記下部電極部を交互に浸漬する動作を繰り返すことにより、
前記下部電極部上に前記高分子からなる第一の層と、前記薄片状酸化物粒子からなる第二の層を、それぞれの厚みで吸着させて、これら第一、第二の層を交互に繰り返す多層膜からなる誘電体層を形成する第一のステップと、
前記誘電体層に熱処理あるいは紫外光照射を施すことにより前記第一の層を選択的に除去する第二のステップと、
前記誘電体層上に上部電極部を設ける第三のステップと、
を少なくとも備えたキャパシタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャパシタに関するものであり、特にキャパシタ内蔵基板をはじめ、各種電子機器用の薄膜キャパシタに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、モバイル機器の高機能化が著しく、これらに搭載される中央処理装置（以下、ＣＰＵと記載する）の低電圧化・高速駆動化（高周波化）が急速に進んでいる。これに伴い、ＣＰＵ周囲において、電源電圧レベルの変動、高周波ノイズの発生などの問題が顕在化してきている。
【０００３】
現状、多数のチップ積層セラミックキャパシタ（以下、ＭＬＣＣと記載する）が対策部品として実装されており、ＣＰＵへの電荷供給や発生ノイズのグランドへのバイパスを行うことで、ＣＰＵの安定動作を実現している。
【０００４】
しかしながら、基板表面に実装されたＭＬＣＣは、ＣＰＵとの配線距離が長いため、導線周囲の形成磁場に起因する配線インダクタンスと呼ばれる交流抵抗成分が大きくなる。今後、ＣＰＵの低電圧化・高周波化が更に進めば、配線インダクタンスの影響によりバイパス機能が失われてしまうため、表面実装ＭＬＣＣに代わる、配線インダクタンスの影響を最小限に抑えたキャパシタ内蔵基板の開発が望まれる。
【０００５】
キャパシタ内蔵基板用薄膜キャパシタの開発は盛んに行われているものの、誘電体層自体の比誘電率が低いため、所望の容量密度を得ることができていないのが現状である。
【０００６】
一方、近年では、厚さ数ナノメートル程度の薄膜でありながら比誘電率が１００以上を有する材料として、ナノシートと呼ばれる薄片状酸化物粒子が注目されている。ナノシートは、層状無機化合物の粉末に溶液中で層間イオン交換（インターカレーション）反応を施すことによりコロイド溶液として得られる。その厚みは１ｎｍ前後（原子数個分）と極めて薄いのに対し、面方向サイズはμｍオーダーの広がりを持った異方性の高い２次元単結晶である。キャパシタとして用いる際には、下部電極部上にナノシートを複数層積層させて誘電体層を形成し、上部電極部を設ける。ナノシートの積層方法としては、交互吸着法やラングミュア・ブロジェット法が知られている。
【０００７】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献としては、例えば、特許文献１〜４が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−２７００２２号公報
【特許文献２】国際公開第２００７／０９４２４４号
【特許文献３】国際公開第２００８／０７８６５２号
【特許文献４】国際公開第２００９／１４２３２５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記従来のナノシートの積層方法では、積層時に下部電極部がコロイド溶液に晒されるため、Ｃｕの標準酸化還元電位以下の標準酸化還元電位を有する金属元素を含む下部電極部を用いた場合に、溶液によって下部電極部表面の腐食が起こり易く、キャパシタの誘電特性が劣化するという問題を有していた。
【００１０】
本発明は、前記課題を解決するものであり、優れた誘電特性を有する薄膜キャパシタを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記目的を達成するために、本発明は、以下のことを特徴としている。
【００１２】
本発明は、Ｃｕの標準酸化還元電位以下の標準酸化還元電位を有する金属元素のうち、少なくとも１種以上の金属を含む下部電極部と、前記下部電極部上に薄片状酸化物粒子を集積させてからなる誘電体層と、前記誘電体層上に設けられた上部電極部と、を含むキャパシタにおいて、前記下部電極部と前記誘電体層との界面に、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄのうち、少なくとも１種以上の金属を含む合金層を設けることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明は、前記薄片状酸化物粒子が、Ｔｉ−Ｎｂ−Ｏ系酸化物、Ｃａ−Ｎｂ−Ｏ系酸化物、Ｓｒ−Ｎｂ−Ｏ系酸化物のいずれかであることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明は、前記下部電極部と前記合金層との間に、レベリング層をさらに設けることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明は、前記レベリング層が、Ｔｉ、Ｃｒのうち少なくとも１種以上の金属により形成されていることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明は、前記合金層１３の表面の算術平均粗さが５ｎｍ以下になるように前記レベリング層を形成することを特徴とする。
【００１７】
また、本発明に係るキャパシタの製造方法は、以下のことを特徴としている。
【００１８】
Ｃｕの標準酸化還元電位以下の標準酸化還元電位を有する金属元素のうち、少なくとも１種以上の金属を含む下部電極部上に、スパッタリング法あるいはめっき法によって、Ｔｉ、Ｃｒのうち少なくとも１種以上の金属を含むレベリング層を形成し、さらにＡｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄのうち少なくとも１種以上の金属を含む合金層を前記レベリング層上に形成した後、カチオン性高分子溶液と薄片状酸化物粒子が懸濁したコロイド溶液に前記下部電極部を交互に浸漬する動作を繰り返すことにより、前記下部電極部上に前記高分子からなる第一の層と、前記薄片状酸化物粒子からなる第二の層を、それぞれの厚みで吸着させて、これら第一、第二の層を交互に繰り返す多層膜からなる誘電体層を形成する第一のステップと、前記誘電体層に熱処理あるいは紫外光照射を施すことにより前記第一の層を選択的に除去する第二のステップと、前記誘電体層上に上部電極部を設ける第三のステップと、を少なくとも備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明のキャパシタは、下部電極部と誘電体層との界面に耐腐食性が高い合金層を設けることにより、下部電極部の電極機能の維持、さらには形成される誘電体層の高品質化により、高容量密度を有する薄膜キャパシタを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施の形態におけるキャパシタの断面図
【図２】本発明の一実施の形態におけるキャパシタの製造工程図
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態の一例について、図面を参照しながら説明する。ただし、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。
【００２２】
図１は本発明におけるキャパシタの断面図である。
【００２３】
図１において、誘電体層１０は、下部電極部１１と上部電極部１４との間に配されており、誘電体層１０と下部電極部１１の界面には、レベリング層１２と合金層１３とがそれぞれ設けられている。
【００２４】
誘電体層１０としては、Ｔｉ−Ｎｂ−Ｏ系酸化物、Ｃａ−Ｎｂ−Ｏ系酸化物、Ｓｒ−Ｎｂ−Ｏ系酸化物のうち、いずれかの酸化物よりなる、ナノシートと呼ばれる薄片状酸化物粒子を集積させた多層膜から構成される。ここで、薄片状酸化物粒子は、厚みが０．５ｎｍ〜３ｎｍ、面方向サイズが数μｍであることが好ましい。誘電体層１０は、これら薄片状酸化物粒子をラングミュア・ブロジェット法、交互吸着法、ディップコート法、スピンコート法などの方法で緻密に集積・積層することにより形成できる。
【００２５】
下部電極部１１としては、各種金属箔、金属スパッタ膜、金属基板などの一般的な電極基材を用いることができる。
【００２６】
レベリング層１２は、下部電極部１１と合金層１３との密着性を確保するため、Ｔｉ、Ｃｒのうち、いずれか１種以上の金属を含む膜であることが好ましい。レベリング層１２は、これら金属を物理的気相法（ＰＶＤ）、化学的気相法（ＣＶＤ）、めっき法などの方法で成膜することにより形成できる。
【００２７】
レベリング層１２は、合金層１３の表面の算術平均粗さが５ｎｍ以下になるように形成される。合金層１３の表面の算術平均粗さが５ｎｍよりも大きいと、キャパシタのショート率が顕著に増加する傾向にある。
【００２８】
合金層１３は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄのうち、少なくとも１種以上の金属を含む膜であり、これら金属を物理的気相法（ＰＶＤ）、化学的気相法（ＣＶＤ）、めっき法などの方法で成膜することにより形成できる。
【００２９】
上部電極部１４は、スパッタ法、めっき法などの方法により形成された金属膜であり、金属膜を構成する元素としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等が好ましい。
【００３０】
次に本実施の形態におけるキャパシタの製造方法についてその一例を説明する。
【００３１】
図２は本実施の形態におけるキャパシタの製造工程図であり、特に誘電体層１０の製造方法に関して以下に詳細を示す。
【００３２】
本実施の形態における誘電体層１０の製造方法は大別して以下の四つのステップからなる。
(1) 薄片状酸化物粒子の前駆体である層状化合物を精製する第一のステップ
(2) インターカレーション反応を利用して層状化合物を多数の薄片状酸化物粒子に分離する第二のステップ
(3) 分離した薄片状酸化物粒子が安定に分散するコロイド溶液を作製し、下部電極部１１をこのコロイド溶液と高分子溶液に交互に浸漬することにより、高分子からなる第一の層と薄片状酸化物粒子からなる第二の層からなる積層体を形成する第三のステップ
(4) 上記積層体に熱処理あるいは紫外光照射を施して第一の層を選択的に除去する第四のステップ
である。
【００３３】
第一のステップでは、酸化チタン、酸化ニオブ、炭酸カルシウム、炭酸ストロンチウム、炭酸カリウム、炭酸セシウムなどを、目的とする化合物のモル比で配合し、混合、焼成することで、単層剥離可能な層状無機化合物を合成する。
【００３４】
単層剥離可能な層状無機化合物の一例として、例えばＫＴｉＮｂＯ5、ＣｓＴｉ2ＮｂＯ7、Ｋ3Ｔｉ5ＮｂＯ14、ＫＣａ2Ｎｂ3Ｏ10、ＫＳｒ2Ｎｂ3Ｏ10などが知られている。
【００３５】
焼成の際、フラックス（融剤）成分としてモリブデン酸カリウム、塩化カリウムなどを用いることで、結晶育成を促進させることができる。これらフラックス成分は、焼成以降の工程では不純物となり得るため、焼成後の粉末を水洗して除去する方が好ましい。
【００３６】
第二のステップでは、第一のステップで合成した層状無機化合物を、所定濃度の塩酸、硝酸などの酸溶液中に投入して撹拌し、結晶中からアルカリ金属イオン（カリウムイオン、セシウムイオン）を酸溶液中に溶出させ、代わりにプロトン（水素イオン）あるいはオキソニウムイオンを結晶中に取り込ませるインターカレーション反応を行った。インターカレーション反応後の酸溶液は、ろ過等の方法により除去し、さらに水洗・乾燥後、プロトン交換体が得られる。
【００３７】
得られたプロトン交換体を、アミン化合物を含む水溶液中に投入し、プロトン（Ｈ+）と有機アンモニウムイオンとのイオン交換反応を行うことにより、層間が膨潤し、いずれは層状構造の１層１層が単層剥離したコロイド溶液が得られる。
【００３８】
第三のステップでは、単層剥離が十分に進んだコロイド溶液に遠心分離を施した後、上澄み液を回収することで薄片状酸化物粒子が安定に分散するコロイド溶液を得ることができる。そして、得られたコロイド溶液とカチオン性高分子溶液を用いて、薄片状酸化物粒子の集積・積層を行う。
【００３９】
より具体的には、レベリング層１２、合金層１３が設けられた下部電極部１１をポリ塩化ジアリルジメチルアンモニウム（ＰＤＤＡ）、ポリエチレンイミン（ＰＥＩ）などのカチオン性高分子を含む水溶液に一定時間浸漬させ、純水洗浄後、コロイド溶液に一定時間浸漬させることにより、負に帯電した薄片状酸化物粒子が正に帯電した高分子膜に静電気的に吸着する。上記操作を所定回数繰り返すことにより、高分子からなる第一の層と薄片状酸化物粒子からなる第二の層とが交互に積層された誘電体層１０を合金層１３上に形成することができる。
【００４０】
次に第四のステップとして誘電体層１０に熱処理あるいは紫外光照射を施す。この処理により、第二の層の厚みを変えることなく、第一の層である高分子膜を選択的に除去することができる。
【００４１】
以上のようにして作製された誘電体層１０上に上部電極部１４を形成することにより得られるキャパシタは、合金層１３により溶液からの腐食を抑制することができ、さらにレベリング層１２により薄片状酸化物粒子が隙間無く集積した高品質な誘電体層１０ができるため、高容量密度を有する薄膜キャパシタを形成することができる。
【００４２】
以下、実施例及び比較例を挙げて本発明についてより具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００４３】
（実施例１）
本実施例では、酸化チタン、酸化ニオブ、炭酸カリウムを配合し、１１００℃で２０時間焼成することで、ＫＴｉＮｂＯ5単相を得た。焼成の際、フラックス（融剤）成分としてモリブデン酸カリウムを用いることで、ＫＴｉＮｂＯ5の結晶育成を促進させた。モリブデン酸カリウムは、焼成以降の工程では不純物となり得るため、焼成後に得られた試料を水洗して除去した。
【００４４】
１規定の塩酸溶液中にＫＴｉＮｂＯ5層状結晶粉末を投入して撹拌し、層状結晶の層間イオンであるカリウムイオンをプロトン（水素イオン）とイオン交換させるインターカレーション反応を行った。反応後の酸溶液は、ろ過により除去し、さらに水洗・乾燥後、プロトン交換体（ＨＴｉＮｂＯ5）を得た。
【００４５】
得られたプロトン交換体を、水酸化テトラブチルアンモニウム（ＴＢＡＯＨ）水溶液中に投入し、プロトン（Ｈ+）とテトラブチルアンモニウムイオン（ＴＢＡ+）のイオン交換反応を行った。Ｈ+と置き換わったＴＢＡ+は嵩高い分子構造をしているため、層間が膨潤してやがて１層１層が剥離し、ＴｉＮｂＯ5の組成を有する薄片状酸化物粒子が分散したコロイド溶液を得た。
【００４６】
得られたコロイド溶液に、２０００ｒｐｍ、１０分の遠心分離を施し、上澄み液を回収することで安定に分散したＴｉＮｂＯ5コロイド溶液を得た。
【００４７】
次に、下部電極部１１に対し、レベリング層１２の形成、合金層１３の形成を順次行った。
【００４８】
より具体的には、下部電極部１１として電解Ｃｕ箔を用い、レベリング層１２となるＴｉスパッタ膜を任意の厚みで形成し、さらにその上部に合金層１３となるＡｕスパッタ膜を厚み１００ｎｍとなるよう形成した。その際、Ｔｉスパッタ膜の厚みを調整することにより、Ａｕスパッタ膜の表面粗さが異なる試料を作製した。なお、比較例として、レベリング層１２、合金層１３を形成しない電解Ｃｕ箔についても用意した。
【００４９】
上記により表面を種々の条件でコーティングされた電解Ｃｕ箔の表面粗さを評価した。本実施例では、表面粗さの評価としてＪＩＳＢ０６０１に規定される算術平均粗さ（Ｒａ）を用いた。
【００５０】
算術平均粗さ（Ｒａ）は、基準長さｌｒにおける粗さ関数Ｚ（ｘ）の絶対値の平均として、以下の式で求められる。
【００５１】
【数１】
2014041949.tif 000003
【００５２】
次に、種々の電解Ｃｕ箔を、２ｗｔ％ポリ塩化ジアリルジメチルアンモニウム（ＰＤＤＡ）溶液とＴｉＮｂＯ5コロイド溶液に交互に浸漬させる操作を１サイクルとして１５回繰り返すことで、ＰＤＤＡ膜とＴｉＮｂＯ5薄片粒子の集積膜との交互積層膜を得た。
【００５３】
得られた交互積層膜に波長２５４ｎｍ、強度１ｍＷ／ｃｍ2の紫外光を１００時間照射し、ＰＤＤＡ膜のみを選択的に分解し、ＴｉＮｂＯ5薄片状粒子の集積膜を主成分とする誘電体層１０を得た。
【００５４】
以上のようにして形成された誘電体層１０の表面に、上部電極部１４として厚み２００ｎｍのＡｕのパターンを真空蒸着することにより、キャパシタを得た。得られたキャパシタについてその誘電特性を測定し、複数のＡｕパターンのうち短絡が発生したものの割合（ショート率）についても求めた。
【００５５】
なお、本実施例では上部電極部１４としてＡｕ蒸着膜を用いたが、Ａｇ、Ｃｕなどの蒸着膜や金属ペーストを用いてもよい。
【００５６】
上記キャパシタの誘電特性を評価した結果を（表１）に示す。
【００５７】
ここで、（表１）における容量密度は、周波数１ｋＨｚでの静電容量を計測し、上部電極部面積１ｃｍ2あたりの静電容量を算出した結果である。また、誘電正接とは、誘電体内部での電気エネルギー損失の度合いを表す指標であり、誘電正接が小さいほど低損失となり、キャパシタの高周波特性は良好なものとなる。また、（表１）における表面粗さ（Ｒａ）とは、誘電体層１０の下部と接する最表面の粗さであり、実施例においては、Ａｕスパッタ膜表面の粗さとなり、比較例においては、電解Ｃｕ箔表面の粗さとなる。
【００５８】
【表１】
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【００５９】
（表１）に示すように、電解Ｃｕ箔を合金層１３でコーティングした実施例Ｎｏ．１〜４については、比較例Ｎｏ．５のコーティングなしの電解Ｃｕ箔と比べ、容量密度が大幅に増加し、誘電正接についても０．１０以下に減少することが分かった。実際に、比較例の試料でのみ、誘電体層１０の形成時に電解Ｃｕ箔表面のＣｕの腐食が確認されており、合金層１３によるＣｕの腐食の抑制がキャパシタの誘電特性向上に直接寄与しているものと考えられる。
【００６０】
なお、本実施例では、合金層１３としてＡｕスパッタ膜を用いたが、Ａｕスパッタ膜を除く、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄのうちいずれか１種以上の金属を含む膜を合金層１３に用いた場合においても、同様の効果を奏することができる。
【００６１】
また、比較例Ｎｏ．６において全測定箇所が短絡したように、誘電体層１０の下部と接する最表面の表面粗さが大きいほどキャパシタのショート率が顕著に高くなる傾向にある。これは、ＴｉＮｂＯ5薄片状粒子が下部電極部１１あるいは合金層１３の表面に吸着する際、粒子形状が表面の凹凸に追従しきれず、界面に構造欠陥を形成するためであると考えられる。本発明における誘電体層１０をキャパシタとして機能させるには、合金層１３の最表面を少なくともＲａ≦５ｎｍに平滑化することが重要であることが分かった。
【００６２】
以上のように、本実施例によれば、合金層１３による下部電極部１１表面の腐食抑制、レベリング層１２による合金層１３表面の平滑化を組み合わせることにより、高い容量密度を有する薄膜キャパシタを実現することができる。
【００６３】
（実施例２）
以下、本発明の別の実施例について説明する。
【００６４】
本実施例では、層状ペロブスカイト構造を有する組成の薄片状酸化物粒子を合成した。まず、実施例１と同様の手順で、原料粉混合、焼成、水洗、酸処理を行った。原料粉として、炭酸カルシウム、酸化ニオブ、炭酸カリウムを混合し、１１００℃で２０時間焼成することで、ＫＣａ2Ｎｂ3Ｏ10を合成した。ＫＣａ2Ｎｂ3Ｏ10を始めとする層状ペロブスカイト構造を有する層状無機化合物は、二次相を形成し易いため、焼成の際にフラックスは使用しなかった。また、酸処理については、ＫＣａ2Ｎｂ3Ｏ10に対して５規定の硝酸溶液を使用した。
【００６５】
酸処理以降の製造方法については、実施例１と同様である。
【００６６】
（表２）には、Ｃａ2Ｎｂ3Ｏ10薄片状粒子で誘電体層１０を形成したキャパシタの１ｋＨｚにおける誘電特性をそれぞれ示す。
【００６７】
【表２】
2014041949.tif 000005
【００６８】
（表２）の結果から、層状ペロブスカイト構造を有するＣａ2Ｎｂ3Ｏ10薄片状粒子においても、合金層１３により誘電体層１０形成時におけるＣｕの腐食が抑制され、得られるキャパシタの容量密度が大幅に増加することが確認できた。
【００６９】
また、層状ペロブスカイト構造を有するＣａ2Ｎｂ3Ｏ10薄片状粒子においても、誘電体層１０の下部と接する最表面の表面粗さが大きいほどキャパシタのショート率が顕著に高くなる傾向にあることが分かった。このことは、本発明において、薄片状酸化物粒子の組成に関わらず、合金層１３の最表面を少なくともＲａ≦５ｎｍに平滑化する必要性を裏付ける結果である。
【００７０】
なお、Ｃａ2Ｎｂ3Ｏ10と同じ層状ペロブスカイト構造を有するＳｒ2Ｎｂ3Ｏ10薄片状粒子においても、合金層１３により、同様の効果を奏することができる。
【００７１】
一般に、溶液中における金属の腐食は、酸化還元反応により表面の金属が電子を失ってイオン化することで進行する。イオン化傾向の大きい金属、すなわち、標準酸化還元電位の低い金属ほど、腐食が進行しやすい。実施例１、実施例２では下部電極部１１として電解Ｃｕ箔を用いているが、Ｃｕの標準酸化還元電位よりも小さい標準酸化還元電位を有する金属材料を下部電極部１１に用いた場合においても、合金層１３により同様の腐食抑制効果があることは言うまでもない。
【００７２】
以上の説明から明らかなように、本発明のキャパシタは、下部電極部１１と誘電体層１０との界面にレベリング層１２、さらには合金層１３を設けることにより、誘電体層１０直下の電極表面の平滑化、誘電体層１０形成時の下部電極部１１の腐食抑制の効果が得られる。その結果として、下部電極の機能を維持したまま高品質な超薄層誘電体が得られ、その薄さと材料の高い比誘電率から、薄膜キャパシタとして高容量密度を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
本発明の薄膜キャパシタは、非常に高い容量密度を有するという優れた誘電特性を有しており、キャパシタ内蔵基板用の薄膜キャパシタとして有用である。
【００７４】
さらに、本発明の誘電体層は、半導体プロセスに用いるような真空装置を必要としない、室温での安価な製膜プロセスで得られ、製膜後の熱処理（ポストアニール）なしで優れた誘電特性を有するため、樹脂基板などへの内蔵用キャパシタとして使用すれば、極めて有用であると考えられる。
【符号の説明】
【００７５】
１０  誘電体層
１１  下部電極部
１２  レベリング層
１３  合金層
１４  上部電極部
【図１】
2014041949.tif 000006
【図２】
2014041949.tif 000007