(57)【要約】【課題】モノフルオロメチル置換インドール化合物の触媒的エナンチオ選択的製造法【解決手段】発明者らは鍵反応として，シンコナアルカロイド相間移動触媒を用いて，フルオロビス（フェニルスルホニル）メタンからのカルボアニオンの3−(アレーンスルホニルメチル)インドールへの高エナンチオ選択的共役付加反応に成功した。また得られた化合物のフェニルスルホニル基の還元反応を行うことで，高エナンチオ選択的にモノフルオロメチル置換インドール化合物を得ることに成功した。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の一般式（１）で表されるモノフルオロメチル置換インドール化合物。
【化１】
2014005257.tif 000018
（式中，Ｒ１，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5及びＲ6は置換もしくは未置換のアルキル基，アルケニル基，アルキニル基，アラルキル基，アリール基を示す。）
【請求項２】
下記の一般式（２）で表される3−(アレーンスルホニルメチル)インドールと，下記の一般式（３）で表されるフルオロビス（フェニルスルホニル）メタンを溶媒中，塩基存在下，触媒量のシンコナアルカロイド相間移動触媒存在下で反応させることにより，高エナンチオ選択的に下記一般式（４）で表される，3−(フルオロビス(フェニルスルホニル)エチル)インドール化合物を合成する方法。
【化２】
2014005257.tif 000019
（式中，Ｒ１，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5，Ｒ6及びＲ7は置換もしくは未置換のアルキル基，アルケニル基，アルキニル基，アラルキル基，アリール基を示す。）
【化３】
2014005257.tif 000020
（式中，Ｒ１，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5及びＲ6は式（１）に記載の通りである。）
【化４】
2014005257.tif 000021
（式中，Ｒ１，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5及びＲ6は式（１）に記載の通りである。）
【請求項３】
上記の一般式（４）で表される3−(フルオロビス(フェニルスルホニル)エチル)インドール化合物のフェニルスルホニル基の還元反応を行うことで，高エナンチオ選択的に，上記の一般式（１）で表されるモノフルオロメチル置換インドール化合物を得ることを特徴とする製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，モノフルオロメチル置換インドール化合物及びその触媒的エナンチオ選択的製造法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
フルオロアルキル基を有する複素環化合物は医薬・農薬分子の骨格として多く見られ，このため簡便かつ広範囲な合成法の開発が望まれている。特に複素環化合物であるインドール骨格をもつ化合物の合成法や生理活性物質への応用は，その有用性から非常に多くの研究が行われている（非特許文献１，２）。一方で光学活性体になり得る化合物の場合は，片方のエナンチオマーがもう一方のエナンチオマーの生理活性を低下させる，あるいは片方のエナンチオマーには生理活性が皆無である場合があり，エナンチオ選択的な化合物の合成方法の開発技術は多く望まれている。モノフルオロメチル基は化合物に生理活性を与える可能性のあるフルオロアルキル基のひとつであるが，モノフルオロメチル基に直結した不斉中心炭素をもつ化合物群の不斉合成の例はその重要性に反して十分に検討されておらず，困難な課題と言える（非特許文献３，４）。以上の事から，生理活性物質を設計していく上でより実践的であるインドール化合物に対して，触媒的かつエナンチオ選択的なモノフルオロメチル化反応の手法を開発することが求められていた。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】Farr, R. N. ; Alabaster, R. J. ; Chung, J. Y. L. ; Craig, B. ; Edwards, J. S. ; Gibson, A. W. ; Ho, G.-J. ; Humphrey, G. R. ; Johnson, S. A. ; Grabowski, E. J. J. Tetrahedron: Asymmetry 2003, 14, 3503.
【非特許文献２】Bandini, M. ; Eichholzer, A. Angew. Chem. Int. Ed. 2009, 48, 9608.
【非特許文献３】Li, Y. ; Ni, C. ; Liu, J. ; Zhang, L. ; Zheng, J. ; Zhu, L. ; Hu, J. Org. Lett.2006, 8, 1693.
【非特許文献４】Furukawa, T. ; Kawazoe, J. ; Zhang, W. ; Nishimine, T. ; Tokunaga, E. ; Matsumoto, T. ; Shiro, M. ; Shibata, N. Angew. Chem. Int. Ed. 2011, 50, 9684.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は上記点に鑑みて，フルオロビス（フェニルスルホニル）メタンによるカルボアニオンの3−(アレーンスルホニルメチル)インドールへの高エナンチオ選択的共役付加反応を鍵反応とした，モノフルオロメチル置換インドール化合物の触媒的エナンチオ選択的合成法の開発を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するため，発明者らは鍵反応として，シンコナアルカロイド相間移動触媒を用いて，フルオロビス（フェニルスルホニル）メタンによるカルボアニオンの3−(アレーンスルホニルメチル)インドールへの高エナンチオ選択的共役付加反応に成功した。
【０００６】
また得られた化合物のフェニルスルホニル基の還元反応を行うことで，高エナンチオ選択的にモノフルオロメチル置換インドール化合物を得ることに成功した。すなわち
請求項１に記載の発明は，下記の一般式（１）で表わされるモノフルオロメチル置換インドール化合物にある。
【０００７】
【化１】
2014005257.tif 000002
【０００８】
（式中，Ｒ１，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5及びＲ6は置換もしくは未置換のアルキル基，アルケニル基，アルキニル基，アラルキル基，アリール基を示す。）
【０００９】
請求項２に記載の発明は，下記の一般式（２）で表される3−(アレーンスルホニルメチル)インドールと，下記の一般式（３）で表されるフルオロビス（フェニルスルホニル）メタンを溶媒中，塩基存在下，触媒量のシンコナアルカロイド相間移動触媒存在下で反応させることにより，高エナンチオ選択的に下記一般式（４）で表される，3−(フルオロビス(フェニルスルホニル)エチル)インドール化合物が得られることを特徴とする製造方法にある。
【００１０】
【化２】
2014005257.tif 000003
【００１１】
（式中，Ｒ１，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5，Ｒ6及びＲ7は置換もしくは未置換のアルキル基，アルケニル基，アルキニル基，アラルキル基，アリール基を示す。）
【００１２】
【化３】
2014005257.tif 000004
【００１３】
（式中，Ｒ１，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5及びＲ6は式（１）に記載の通りである。）
【００１４】
【化４】
2014005257.tif 000005
【００１５】
（式中，Ｒ１，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5及びＲ6は式（１）に記載の通りである。）
【００１６】
請求項３に記載の発明は上記一般式（４）で表される，3−(フルオロビス(フェニルスルホニル)エチル)インドール化合物を還元することにより、高エナンチオ選択的に上記一般式（１）で表される，モノフルオロメチル置換インドール化合物が得られることを特徴とする製造方法にある。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本明細書において，Ｒ１，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5，Ｒ6及びＲ7のアルキル基としては，例えば，炭素数１乃至２０程度のアルキル基を用いることができる。具体的には，メチル基，エチル基，プロピル基，ブチル基，ペンチル基，ヘキシル基，ヘプチル基，オクチル基，ノニル基，デシル基，ウンデシル基，ドデシル基，トリデシル基，テトラデシル基，ペンタデシル基，ヘキサデシル基，ヘプタデシル基，オクタデシル基，ノナデシル基，イコシル基，又はこれらの環状アルキル基，分鎖アルキル基などを用いることができる。
Ｒ１，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5，Ｒ6及びＲ7のアルケニル基又はアルキニル基に含まれる不飽和結合の数は特に限定されないが，好ましくは１乃至２個程度である。該アルケニル基又はアルキニル基は，直鎖状又は分枝鎖状のいずれでもよい。
Ｒ１，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5，Ｒ6及びＲ7が示すアリール基としては，ヘテロアリール基も含有し，具体例としては，例えば炭素数2〜30のアリール基，具体的にはフェニル基，ナフチル基，アンスラニル基，ピレニル基，ビフェニル基，インデニル基，テトラヒドロナフチル基，ピリジル基，ピリミジニル基，ピラジニル基，ピリダニジル基，ピペラジニル基，ピラゾリル基，イミダゾリル基，キニリル基，ピロリル基，インドリル基，フリル基などが挙げることができる。
アルキル基はフッ素原子，塩素原子，臭素原子，ヨウ素原子，シアノ基，ニトロ基，アリール基，アシル基，アルコキシ基，アリールオキシ基，アシルオキシ基などの置換基で置換されていてもよく，２個以上の置換基を有する場合には，それらは同一でも異なっていてもよい。
【００１８】
アルケニル基はフッ素原子，塩素原子，臭素原子，ヨウ素原子，シアノ基，ニトロ基，アリール基，アシル基，アルコキシ基，アリールオキシ基，アシルオキシ基などの置換基で置換されていてもよく，２個以上の置換基を有する場合には，それらは同一でも異なっていてもよい。
アルキニル基はフッ素原子，塩素原子，臭素原子，ヨウ素原子，シアノ基，ニトロ基，アリール基，アシル基，アルコキシ基，アリールオキシ基，アシルオキシ基などの置換基で置換されていてもよく，２個以上の置換基を有する場合には，それらは同一でも異なっていてもよい。
【００１９】
アラルキル基は，例としてベンジル基，ペンタフルオロベンジル基，ｏ−メチルベンジル基，ｍ−メチルベンジル基，ｐ−メチルベンジル基，ｐ−ニトロベンジル基，ナフチルメチル基，フルフリル基，α−フェネチル基等が挙げられる。
アリール基はアルキル基，フッ素原子，塩素原子，臭素原子，ヨウ素原子，シアノ基，ニトロ基，アリール基，アシル基，アルコキシ基，アリールオキシ基，アシルオキシ基などの置換基で置換されていてもよく，２個以上の置換基を有する場合には，それらは同一でも異なっていてもよい。
シンコナアルカロイド相間移動触媒は特に限定されないが，下記の一般式（５），（６），（７）及び（８）で表される。
【００２０】
【化５】
2014005257.tif 000006
【００２１】
（式中，Ｒ8は置換もしくは未置換のアルコキシ基またはアミノ基，ウレア基，チオウレア基を示す。式中，Ｒ9は，エチル基もしくはビニル基を示す。式中，R10はアルキル基，アルケニル基，アルキニル基，アリール基を示す。式中，Ｒ11は，置換もしくは未置換のアルキル基，アルケニル基，アラルキル基，アルキニル基，アリール基，アルコキシ基またはアミノ基を示す。）
本明細書において，Ｒ10及びＲ11のアルキル基としては，例えば，炭素数１乃至２０程度のアルキル基を用いることができる。具体的には，メチル基，エチル基，プロピル基，ブチル基，ペンチル基，ヘキシル基，ヘプチル基，オクチル基，ノニル基，デシル基，ウンデシル基，ドデシル基，トリデシル基，テトラデシル基，ペンタデシル基，ヘキサデシル基，ヘプタデシル基，オクタデシル基，ノナデシル基，イコシル基，又はこれらの環状アルキル基，分鎖アルキル基などを用いることができる。
Ｒ10及びＲ11のアルケニル基又はアルキニル基に含まれる不飽和結合の数は特に限定されないが，好ましくは１乃至２個程度である。該アルケニル基又はアルキニル基は，直鎖状又は分枝鎖状のいずれでもよい。
Ｒ10及びＲ11が示すアリール基としては，ヘテロアリール基も含有し，具体例としては，例えば炭素数2〜30のアリール基，具体的にはフェニル基，ナフチル基，アンスラニル基，ピレニル基，ビフェニル基，インデニル基，テトラヒドロナフチル基，ピリジル基，ピリミジニル基，ピラジニル基，ピリダニジル基，ピペラジニル基，ピラゾリル基，イミダゾリル基，キニリル基，ピロリル基，インドリル基，フリル基などが挙げることができる。
アルキル基はフッ素原子，塩素原子，臭素原子，ヨウ素原子，シアノ基，ニトロ基，アリール基，アシル基，アルコキシ基，アリールオキシ基，アシルオキシ基などの置換基で置換されていてもよく，２個以上の置換基を有する場合には，それらは同一でも異なっていてもよい。
アルケニル基はフッ素原子，塩素原子，臭素原子，ヨウ素原子，シアノ基，ニトロ基，アリール基，アシル基，アルコキシ基，アリールオキシ基，アシルオキシ基などの置換基で置換されていてもよく，２個以上の置換基を有する場合には，それらは同一でも異なっていてもよい。
アルキニル基はフッ素原子，塩素原子，臭素原子，ヨウ素原子，シアノ基，ニトロ基，アリール基，アシル基，アルコキシ基，アリールオキシ基，アシルオキシ基などの置換基で置換されていてもよく，２個以上の置換基を有する場合には，それらは同一でも異なっていてもよい。
アラルキル基は，例としてベンジル基，ペンタフルオロベンジル基，ｏ−メチルベンジル基，ｍ−メチルベンジル基，ｐ−メチルベンジル基，ｐ−ニトロベンジル基，ナフチルメチル基，フルフリル基，α−フェネチル基等が挙げられる。
アリール基はアルキル基，フッ素原子，塩素原子，臭素原子，ヨウ素原子，シアノ基，ニトロ基，アリール基，アシル基，アルコキシ基，アリールオキシ基，アシルオキシ基などの置換基で置換されていてもよく，２個以上の置換基を有する場合には，それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｒ8及びＲ11が示すアミノ基は，Ｎ上に水素，置換もしくは未置換のアルキル基，アルケニル基，アラルキル基，アルキニル基，アリール基の置換基が１つか２つ置換しているものが挙げられる。置換基はそれぞれ独立しており，同一である必要はない。アミノ基は，置換基を組み合わせて形成されうる環状構造を形成することができる。特に３員環から２０員環でなる単環，双環，またはそれ以上の多環の構造を示すことができる。また，ヘテロ原子の介在もしくは非介在で環状構造の一部を形成してもよい。
Ｒ8及びＲ11が示すアルコキシ基は炭素数が１〜２０のアルコキシ基が好ましく，炭素数が１〜１０のアルコキシ基がさらに好ましい。アルコキシ基の場合も上記のアルキル基の場合と同様の置換基により置換されていてもよい。
Ｒ8が示すウレア基は置換もしくは未置換のアルキル基，アルケニル基，アルキニル基，アラルキル基，アリール基を有する。
Ｒ8が示すチオウレア基は置換もしくは未置換のアルキル基，アルケニル基，アルキニル基，アラルキル基，アリール基を有する。
Ｘが示すカウンターアニオンはフロリド，クロリド，ブロミド，ヨード，フェノキシド，トリフルオロボレート（BF4），ヘキサフルオロフォスフェート(PF6)などが挙げられる。
【００２２】
溶媒の種類は特に限定されないが，ジエチルエーテル，ジイソプロピルエーテル，ｎ−ブチルメチルエーテル，ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル，テトラヒドロフラン，ジオキサン等のエーテル系溶媒；ヘプタン，ヘキサン，シクロペンタン，シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒；クロロホルム，四塩化炭素，塩化メチレン，ジクロロエタン，トリクロロエタン等のハロゲン化炭化水素系溶媒；ベンゼン，トルエン，キシレン，クメン，シメン，メシチレン，ジイソプロピルベンゼン，ピリジン,ピリミジン,ピラジン,ピリダジン等の芳香族系溶媒；ジメチルスルホキシド，ジメチルホルムアミド等の溶媒；メタノール,エタノール,プロパノール，i-プロピルアルコール，アミノエタノール，N,N-ジメチルアミノエタノール等のアルコール系溶媒が挙げられる。これらは単独で使用し得るのみならず，２種類以上を混合して用いることも可能である。3−(フルオロビス(フェニルスルホニル)エチル)インドール化合物のエナンチオ選択的合成にはトルエンが最も好ましく，フェニルスルホニル基の還元反応による，モノフルオロメチル置換インドール化合物の合成にはメタノールが好ましい。
用いる塩基は無機塩基，有機塩基，有機金属試薬等が使用できるが，例えば，炭酸カリウム，炭酸セシウム等の炭酸塩；酢酸ナトリウム，酢酸カリウムなどの酢酸塩；テトラメチルアンモニウムフロリド，テトラエチルアンモニウムフロリド，テトラブチルアンモニウムフロリドなどのアンモニウムフロリド；フッ化カリウム，フッ化セシウムなどのフッ化アルカリ金属類；水酸化ナトリウム，水酸化カリウム等の水酸化物；ナトリウムメトキシド，カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド等のアルコキシド化合物；DABCO，DBU，トリエチルアミン，Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン等の有機塩基；ｎ−ブチルリチウム，ｓｅｃ−ブチルリチウム，ｔｅｒｔ−ブチルリチウム，リチウムジイソプロピルアミド，ヘキサメチルジシラザンリチウム塩などのリチウム塩などが挙げられるが炭酸セシウムが最も好ましい。使用量は一般的に式（２）に対して，１〜１０当量で，好ましくは１．２当量である。
【００２３】
一般式（４）で表される3−(フルオロビス(フェニルスルホニル)エチル)インドール化合物のフェニルスルホニル基の還元反応による，モノフルオロメチル置換インドール化合物の合成には，還元剤の種類は特に限定されず，SmI2，Na/Hg，Al/Mg ，Zn，Zn/Cu，Mg/MeOHなどが挙げられが，Mg/MeOHの反応系が最も好ましい。
本発明の化合物の絶対配置はS及びR配置のいずれであってもよく，光学異性体又はジアステレオ異性体などの立体異性体はいずれも本発明の範囲に包含される。光学的に純粋な形態の異性体は本発明の好ましい態様である。また，立体異性体の任意の混合物，ラセミ体なども本発明の範囲に包含される。
反応温度は特に限定されるものではないが、通常−８０℃〜１２０℃であり，より好ましくは室温付近である。反応器は大気開放型の反応器，またはオートクレーブ等の密閉型の反応器のいずれも可能である。反応圧力は大気圧下，または加圧下のいずれも可能である。反応時間は特に限定されるものではないが，通常１時間〜５日で反応は完結する。
反応後，前記一般式（４）で示される3−(フルオロビス(フェニルスルホニル)エチル)インドール化合物は一般的な手法によって反応液から単離および精製することができ，例えば反応液を濃縮した後，シリカゲル，アルミナ等の吸着剤を用いたカラムクロマトグラフ法での精製，塩析，再結晶等が挙げられる。
反応後，前記一般式（１）で示されるモノフルオロメチル置換インドール化合物の合成は一般的な手法によって反応液から単離および精製することができ，例えば反応液を濃縮した後，シリカゲル，アルミナ等の吸着剤を用いたカラムクロマトグラフ法での精製，塩析，再結晶等が挙げられる。
以下，実施形態により本発明をさらに具体的に説明するが，本発明の範囲は下記の実施形態に限定されることはない。
（第１実施形態）
【００２４】
前記一般式（４）の一般的な製造方法：
3−(アレーンスルホニルメチル)インドール2 (0.100 mmol)，炭酸セシウム (0.120 mmol)，下記の構造式 5aで示すシンコナアルカロイド相間移動触媒（0.0100 mmol）をトルエン(2.5 ml)に溶かし，−10 ℃においてフルオロビス（フェニルスルホニル）メタン3 (34.6 mg, 0.110 mmol)を加えた。72〜120時間撹拌した後，飽和塩化アンモニウム水溶液を加え，ジクロロメタンを抽出し，有機相を飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄した後，硫酸ナトリウムで乾燥させた。続いて減圧下で溶媒を留去し，シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して3−(フルオロビス(フェニルスルホニル)エチル)インドール化合物4を得た。
【００２５】
【化６】
2014005257.tif 000007
【００２６】
【化７】
2014005257.tif 000008
【００２７】
Compound 4a: 3−(2−フルオロ−1−フェニル−2,2−ビス(フェニルスルホニル)エチル)−2−フェニル−1H−インドール
1H NMR (CDCl3, 300 MHz) δ 6.00 (d, J = 43.5 Hz, 1H), 6.89-6.96 (m, 4H), 6.99-7.05 (m, 4H), 7.12 (t, J = 7.5 Hz, 1H), 7.28-7.31 (m, 3H), 7.38 (t, J = 7.8 Hz, 2H), 7.46 (d, J= 8.4 Hz, 2H), 7.51-7.64 (m, 4H), 7.69 (d, J= 8.1 Hz, 2H), δ7.78 (d, J = 6.9 Hz, 2H), 7.91 (s, 1H); 19F NMR (CDCl3, 282 MHz) δ -139.2 (d, J = 43.4 Hz, 1F), 94% 収率，90% ee.
【００２８】
【化８】
2014005257.tif 000009
【００２９】
Compound 4b: 3−(1−(4−クロロフェニル)−2−フルオロ−2,2−ビス(フェニルスルホニル)エチル)−2−フェニル−1H−インドール
1H NMR (CDCl3, 300 MHz) δ 5.99 (d, J = 42.6 Hz, 1H), 6.87-6.92 (m, 3H), 6.96-7.00 (m, 4H), 7.09 (t, J= 7.5 Hz, 1H), 7.18 (d, J = 8.4 Hz, 2H), 7.37-7.43(m, 4H), 7.51-7.61 (m, 5H), 7.70-7.75 (m, 4H), 7.99 (s, 1H); 19F NMR (CDCl3, 282 MHz) δ -139.91 (d, J = 42.5 Hz, 1H), 78% 収率，80% ee.
【００３０】
【化９】
2014005257.tif 000010
【００３１】
Compound 4c: 3−(1−(3−クロロフェニル)−2−フルオロ−2,2−ビス(フェニルスルホニル)エチル)−2−フェニル−1H−インドール
1H NMR (CDCl3, 300 MHz) δ 5.94 (d, J = 42.6 Hz, 1H), 6.91-7.05 (m, 7H), 7.10-7.18 (m, 3H), 7.38-7.46 (m, 4H), 7.51-7.63 (m, 5H), 7.70-7.77 (m, 4H), 7.99 (s, 1H); 19F NMR (CDCl3, 282 MHz) δ -139.44 (d, J = 42.6Hz, 1F), 77% 収率，87% ee.
【００３２】
【化１０】
2014005257.tif 000011
【００３３】
Compound 4d: 3−(1−(4−フルオロフェニル)−2−フルオロ−2,2−ビス(フェニルスルホニル)エチル)−2−フェニル−1H−インドール
1H NMR (CDCl3, 300 MHz) δ 6.01 (d, J = 42.9 Hz, 1H), 6.82-6.92 (m, 3H), 6.96-6.97 (m, 2H), 7.05 (t, J = 7.5 Hz, 1H), 7.22-7.26 (m, 2H), 7.34-7.39 (m, 4H), 7.45-7.63 (m, 5H),7.69-7.70 (m, 4H), 8.03 (s, 1H); 19F NMR (CDCl3, 282 MHz) δ -139.74 (d, J = 42.6 Hz, 1F), -115.82 (m, 1F),91% 収率，85% ee.
【００３４】
【化１１】
2014005257.tif 000012
【００３５】
Compound 4e: 3−(1−(3−フルオロフェニル)−2−フルオロ−2,2−ビス(フェニルスルホニル)エチル)−2−フェニル−1H−インドール
1H NMR (CDCl3, 300 MHz) δ 5.99 (d, J = 42.9 Hz, 1H), 6.68 (t, J = 7.8 Hz, 1H), 6.76-7.00 (m, 8H), 7.33 (t, J = 7.2 Hz, 4H), 7.41-7.56 (m, 5H), 7.71 (d, J = 7.5 Hz, 4H), 8.14-8.16 (m, 1H); 19F NMR (CDCl3, 282 MHz) δ -139.57 (d, J = 42.6 Hz), -113.12(m, 1H), 99% 収率，88% ee.
【００３６】
【化１２】
2014005257.tif 000013
【００３７】
Compound 4f: 3−(1−(3−ブロモフェニル)−2−フルオロ−2,2−ビス(フェニルスルホニル)エチル)−2−フェニル−1H−インドール
1H NMR (CDCl3, 300 MHz) δ 5.92 (d, J = 43.2 Hz, 1H), 6.86-7.04 (m, 6H), 7.10-7.17 (m, 3H), 7.30 (s, 1H), 7.36-7.46 (m, 4H), 7.50-7.62 (m, 5H), 7.68-7.75 (m, 4H), 8.01 (s, 1H); 19F NMR (CDCl3, 282 MHz) δ -139.34 (d, J = 42.6 Hz, 1H), 83% 収率，88% ee.
【００３８】
【化１３】
2014005257.tif 000014
【００３９】
Compound 4g: 3−(1−(4−メトキシフェニル)−2−フルオロ−2,2−ビス(フェニルスルホニル)エチル)−2−フェニル−1H−インドール
1H NMR (CDCl3, 300 MHz) δ 3.65 (s, 3H), 5.96 (d, J = 43.2 Hz, 1H), 6.55 (d, J = 8.4 Hz, 2H), 6.92-6.97 (m, 3H), 7.03 (d, J = 6.3 Hz, 2H), 7.13 (t, J = 7.2 Hz, 1H), 7.20 (d, J = 8.7 Hz, 2H), 7.38 (t, J = 7.5 Hz, 2H), 7.46 (d, J = 7.8 Hz, 2H), 7.60 (t, J = 7.5 Hz, 2H), 7.67-7.77 (m, 5H), 7.89 (s, 1H); 19F NMR (CDCl3, 282 MHz) δ -139.46 (d, J = 43.7 Hz, 1F), 80% 収率，86% ee.
【００４０】
【化１４】
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【００４１】
Compound 4h: 3−(1−(4−メチルフェニル)−2−フルオロ−2,2−ビス(フェニルスルホニル)エチル)−2−フェニル−1H−インドール
1H NMR (CDCl3, 300 MHz) δ 2.15 (s, 3H), 5.98 (d, J = 43.2 Hz, 1H), 6.82 (d, J = 7.8 Hz, 2H), 6.86-6.93 (m, 3H), 6.96-6.97 (m, 2H), 7.08 (t, J = 7.2 Hz, 1H), 7.17 (d, J= 8.1 Hz, 2H), 7.35 (t, J = 7.8 Hz, 2H), 7.42 (d, J = 7.2 Hz, 2H), 7.50-7.60 (m, 4H), 7.68 (d, J = 7.8 Hz, 3H), 7.75 (d, J = 7.8 Hz, 2H), 7.92 (s, 1H); 19F NMR (CDCl3, 282 MHz) δ -139.52 (d, J = 43.7 Hz, 1F), 74% 収率，84% ee.
【００４２】
【化１５】
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【００４３】
Compound 4i: 3−(1−(4−イソブチルフェニル)−2−フルオロ−2,2−ビス(フェニルスルホニル)エチル)−2−フェニル−1H−インドール
1H NMR (CDCl3, 300 MHz) δ 0.78 (d, J = 6.3 Hz, 6H), 1.63-1.76 (m, 1H), 2.26 (d, J = 7.2Hz, 2H), 5.97 (d, J = 43.2 Hz, 1H), 6.77-6.83 (m, 4H), 6.85-6.91 (m, 3H), 6.99 (t, J= 7.2 Hz, 1H), 7.18-7.19 (m, 2H), 7.26 (t, J= 7.8 Hz, 2H), 7.35 (d, J = 7.8 Hz, 2H), 7.42-7.52 (m, 4H), 7.60-7.70 (m, 5H), 8.05-8.07 (m, 1H); 19F NMR (CDCl3, 282 MHz) δ -138.72 (d, J = 43.4 Hz), 78% 収率，83% ee.
（第２実施形態）
【００４４】
前記一般式（１）の一般的な製造方法：
マグネシウムリボン (1.50 mmol)を窒素気流下ヒートガンで加熱し，室温に冷却した後にメタノール (1.0 ml)を加え，気泡が発生するまで静置した。気泡の発生を確認して，0 ℃に冷却し，上記の構造式4aで示す3−(フルオロビス(フェニルスルホニル)エチル)インドール化合物 (77.9 mg, 0.150 mmol)のテトラヒドロフラン (0.30 ml)溶液を加えて0 ℃にて2時間撹拌した後に，飽和塩化アンモニウム水溶液を加え，ジクロロメタンを抽出し，有機相を飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄した後，硫酸ナトリウムで乾燥させた。続いて減圧下で溶媒を留去し，シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製してモノフルオロメチル置換インドール化合物 1aを得た。
【００４５】
【化１６】
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【００４６】
1H NMR (CDCl3, 300 MHz) δ4.77-5.23 (m, 3H), 7.02-7.07 (m, 1H), 7.16-7.31(m, 5H), 7.38-7.51 (m, 8H), 8.14 (s, 1H); 19F NMR (CDCl3, 282 MHz) δ-211.59 (ddd, J = 18.3 Hz, 46.2 Hz, 46.8 Hz, 1F), 58% 収率，89% ee.