(57)【要約】【課題】本発明の目的は、ガスバリア性及び耐熱性に優れ、さらに光取り出し効率が高いワイヤボンディング型のＬＥＤ装置、及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】複数のリードフレームが配設された基板と、前記基板上に配置され、特定波長の光を出射するＬＥＤチップと、前記リードフレームと前記ＬＥＤチップ上面とを電気的に接続するワイヤと、前記リードフレームを被覆し、かつポリシロキサンを含む透光層と、前記透光層上に配置され、かつ透明樹脂及び蛍光体を含有するＬＥＤ装置において、前記透光層が、前記ワイヤの前記リードフレームとの接続端部、及び／または前記ワイヤの前記ＬＥＤチップとの接続端部に接触しない、ＬＥＤ装置とする。【選択図】図１
2014041955.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のリードフレームが配設された基板と、前記基板上に配置され、特定波長の光を出射するＬＥＤチップと、前記リードフレームと前記ＬＥＤチップ上面とを電気的に接続するワイヤと、前記リードフレームを被覆し、かつポリシロキサンを含む透光層と、前記ＬＥＤチップを被覆し、かつ透明樹脂及び蛍光体粒子を含む波長変換層とを有するＬＥＤ装置において、
前記透光層が、前記ワイヤの前記リードフレームとの接続端部及び／または前記ワイヤの前記ＬＥＤチップとの接続端部に接触しない、ＬＥＤ装置。
【請求項２】
前記波長変換層が、前記ワイヤの前記リードフレームとの接続端部及び／または前記ワイヤの前記ＬＥＤチップとの接続端部に接触する、請求項１に記載のＬＥＤ装置。
【請求項３】
前記ワイヤの前記リードフレームとの接続端部及び／または前記ワイヤの前記ＬＥＤチップとの接続端部を被覆する被覆部材をさらに有する、請求項１に記載のＬＥＤ装置。
【請求項４】
前記透光層に、金属酸化物微粒子が含まれる、請求項１〜３のいずれか一項に記載のＬＥＤ装置。
【請求項５】
請求項１に記載のＬＥＤ装置の製造方法であって、
複数のリードフレームが配設された基板上に、ＬＥＤチップを配置し、前記リードフレームと前記ＬＥＤチップ上面とをワイヤを介して電気的に接続する工程と、
前記ワイヤの前記リードフレームとの接続端部及び／または前記ワイヤの前記ＬＥＤチップとの接続端部に、マスクを配置する工程と、
ポリシロキサン前駆体及び溶媒を含む透光層用組成物を、前記リードフレーム上に塗布し、硬化させて透光層を形成する工程と、
前記マスクを除去する工程と、
透明樹脂及び蛍光体粒子を含む波長変換層用組成物を、前記ＬＥＤチップを被覆するように塗布し、硬化させて波長変換層を形成する工程と
を有する、ＬＥＤ装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載のＬＥＤ装置の製造方法であって、
複数のリードフレームが配設された基板上に、ＬＥＤチップを配置し、前記リードフレームと前記ＬＥＤチップ上面とをワイヤを介して電気的に接続する工程と、
樹脂を含む被覆部材用組成物を、前記ワイヤの前記リードフレームとの接続端部及び／または前記ワイヤの前記ＬＥＤチップとの接続端部上に塗布し、硬化させて被覆部材を形成する工程と、
ポリシロキサン前駆体及び溶媒を含む透光層用組成物を、前記リードフレーム上に塗布し、硬化させて透光層を形成する工程と、
透明樹脂及び蛍光体粒子を含む波長変換層用組成物を、前記ＬＥＤチップを被覆するように塗布し、硬化させて波長変換層を形成する工程と
を有する、ＬＥＤ装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１に記載のＬＥＤ装置の製造方法であって、
複数のリードフレームが配設された基板上に、ＬＥＤチップを配置し、前記リードフレームと前記ＬＥＤチップ上面とをワイヤを介して電気的に接続する工程と、
前記リードフレームどうしの隙間に隔壁を形成する工程と、
前記隔壁で隔てられた一方の領域に、ポリシロキサン前駆体及び溶媒を含む透光層用組成物を塗布し、硬化させて透光層を形成する工程と、
透明樹脂及び蛍光体粒子を含む波長変換層用組成物を、前記ＬＥＤチップを被覆するように塗布し、硬化させて波長変換層を形成する工程と
を有する、ＬＥＤ装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１に記載のＬＥＤ装置の製造方法であって、
複数のリードフレームが配設された基板上に、ＬＥＤチップを配置し、前記リードフレームと前記ＬＥＤチップ上面とをワイヤを介して電気的に接続する工程と、
撥液性化合物を前記ワイヤの前記リードフレームとの接続端部及び／または前記ワイヤの前記ＬＥＤチップとの接続端部に塗布し、乾燥させる工程と、
ポリシロキサン前駆体及び溶媒を含む透光層用組成物を前記リードフレーム上に塗布し、硬化させて透光層を形成する工程と、
透明樹脂及び蛍光体粒子を含む波長変換層用組成物を、前記ＬＥＤチップを被覆するように塗布し、硬化させて波長変換層を形成する工程と
を有する、ＬＥＤ装置の製造方法。
【請求項９】
前記撥液性化合物が、フッ素系化合物である、請求項８に記載のＬＥＤ装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１に記載のＬＥＤ装置の製造方法であって、
複数のリードフレームが配設された基板上に、ＬＥＤチップを配置し、前記リードフレームと前記ＬＥＤチップ上面とをワイヤを介して電気的に接続する工程と、
ポリシロキサン前駆体及び溶媒を含む透光層用組成物を、前記ＬＥＤチップ上面を避けて前記リードフレーム上に塗布し、硬化させて前記ＬＥＤチップの高さより厚みが薄い透光層を形成する工程と、
透明樹脂及び蛍光体粒子を含む波長変換層用組成物を、前記ＬＥＤチップを被覆するように塗布し、硬化させて波長変換層を形成する工程と
を有する、ＬＥＤ装置の製造方法。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＬＥＤ装置、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、窒化ガリウム（ＧａＮ）系の青色ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ：発光ダイオード）チップの近傍に、ＹＡＧ蛍光体等の蛍光体を配置し、青色ＬＥＤチップが出射する青色光と、青色光を受けて蛍光体が出射する黄色光とを混色して白色光を得るＬＥＤ装置が開発されている。また、青色ＬＥＤチップの近傍に各種蛍光体を配置し、青色ＬＥＤチップが出射する青色光と、青色光を受けて蛍光体が出射する赤色光や緑色光を混色して白色光を得るＬＥＤ装置も開発されている。
【０００３】
白色ＬＥＤ装置は、各種照明装置に広く適用されており、照明装置のコスト低減や長寿命化を実現する上で、白色ＬＥＤ装置からの光取り出し効率の向上、及び長寿命化が求められている。
【０００４】
一般的な白色ＬＥＤ装置では、ＬＥＤチップやその実装部（例えば、光を光取り出し面側に反射する金属反射板等）を、蛍光体を分散させた透明樹脂層（波長変換層）で封止している（例えば特許文献１参照）。しかし、ＬＥＤチップと封止樹脂との屈折率差が大きく、ＬＥＤチップからの出射光が透明樹脂層に入射する際に、これらの層の界面で反射する。そのため、ＬＥＤ装置からの光取り出し効率（外部量子効率）が低い、との問題があった。
【０００５】
そこで、光取り出し効率を向上させるべく、透明樹脂層の光取り出し面側に凹凸構造を設けることが提案されている（特許文献２）。この技術では、透明樹脂層の表面で光を散乱・分散・回折させ、光取り出し効率を高めている。しかし、この技術でも、ＬＥＤチップと透明樹脂層との界面で光の反射が生じるため、光取り出し効率が十分ではなかった。
【０００６】
また、特許文献１及び特許文献２の技術では、ＬＥＤチップや、金属反射板等を透明樹脂で被覆している。透明樹脂は高いガス透過性を有する。そのため、金属反射板が大気中の硫化ガス等によって腐食し、光取り出し効率が低下するという問題もあった。
【０００７】
そこで、ＬＥＤチップ及び金属反射板をゾルゲルガラスからなる無機材料層で被覆することが提案されている（特許文献３）。この技術によれば、ガス透過性の低い無機材料層で金属反射板等を被覆するため、金属反射板の腐食が抑制される。また、無機材料層は、ＬＥＤチップとの屈折率差が比較的小さいため、ＬＥＤチップと無機材料層との界面での光の反射が少なくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−３１４１４２号公報
【特許文献２】特開２０１１−１６６１４８号公報
【特許文献３】特開２００７−３２４２５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ここで、ＬＥＤチップをＬＥＤ装置の基板に実装する態様の一つに、ワイヤボンディング型がある。例えば図６（Ａ）に示されるように、ワイヤボンディング型のＬＥＤ装置では、ＬＥＤチップ３と、基板１に配設されたリードフレーム（配線部）２，２’とを、金属ワイヤ４で接続する。ワイヤボンディング型のＬＥＤ装置では、ＬＥＤチップ３が発する熱や、外部からの熱によって、ＬＥＤ装置の温度が上昇すると、基板が熱膨張する。このとき、基板１に固定された金属ワイヤ４の接続端部も、熱膨張する基板１に追従する。
【００１０】
このようなワイヤボンディング型のＬＥＤ装置に、特許文献３に記載の無機材料層を形成すると、無機材料層は基板の熱膨張に追従しない。そのため、基板に追従して変形しようとする金属ワイヤによって無機材料層にストレスがかかり、無機材料層にクラックが発生しやすかった。
【００１１】
本発明は、上述の課題に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、ガスバリア性及び耐熱性に優れ、さらに光取り出し効率が高いワイヤボンディング型のＬＥＤ装置、及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
即ち、本発明の第１は、以下のＬＥＤ装置に関する。
［１］複数のリードフレームが配設された基板と、前記基板上に配置され、特定波長の光を出射するＬＥＤチップと、前記リードフレームと前記ＬＥＤチップ上面とを電気的に接続するワイヤと、前記リードフレームを被覆し、かつポリシロキサンを含む透光層と、前記ＬＥＤチップを被覆し、かつ透明樹脂及び蛍光体粒子を含む波長変換層とを有するＬＥＤ装置において、前記透光層が、前記ワイヤの前記リードフレームとの接続端部、及び／または前記ワイヤの前記ＬＥＤチップとの接続端部に接触しない、ＬＥＤ装置。
【００１３】
［２］前記波長変換層が、前記ワイヤの前記リードフレームとの接続端部及び／または前記ワイヤの前記ＬＥＤチップとの接続端部に接触する、［１］に記載のＬＥＤ装置。
［３］前記ワイヤの前記リードフレームとの接続端部、及び／または前記ワイヤの前記ＬＥＤチップとの接続端部を被覆する被覆部材をさらに有する、［１］に記載のＬＥＤ装置。
［４］前記透光層に、金属酸化物微粒子が含まれる、［１］〜［３］のいずれかに記載のＬＥＤ装置。
【００１４】
本発明の第２は、以下のＬＥＤ装置の製造方法に関する。
［５］前記［１］に記載のＬＥＤ装置の製造方法であって、複数のリードフレームが配設された基板上に、ＬＥＤチップを配置し、前記リードフレームと前記ＬＥＤチップ上面とをワイヤを介して電気的に接続する工程と、前記ワイヤの前記リードフレームとの接続端部、及び／または前記ワイヤの前記ＬＥＤチップとの接続端部に、マスクを配置する工程と、ポリシロキサン前駆体及び溶媒を含む透光層用組成物を、前記リードフレーム上に塗布し、硬化させて透光層を形成する工程と、前記マスクを除去する工程と、透明樹脂及び蛍光体粒子を含む波長変換層用組成物を、前記ＬＥＤチップを被覆するように塗布し、硬化させて波長変換層を形成する工程とを有する、ＬＥＤ装置の製造方法。
【００１５】
［６］前記［１］に記載のＬＥＤ装置の製造方法であって、複数のリードフレームが配設された基板上に、ＬＥＤチップを配置し、前記リードフレームと前記ＬＥＤチップ上面とをワイヤを介して電気的に接続する工程と、樹脂を含む被覆部材用組成物を、前記ワイヤの前記リードフレームとの接続端部及び／または前記ワイヤの前記ＬＥＤチップとの接続端部上に塗布し、硬化させて被覆部材を形成する工程と、ポリシロキサン前駆体及び溶媒を含む透光層用組成物を、前記リードフレーム上に塗布し、硬化させて透光層を形成する工程と、透明樹脂及び蛍光体粒子を含む波長変換層用組成物を、前記ＬＥＤチップを被覆するように塗布し、硬化させて波長変換層を形成する工程とを有する、ＬＥＤ装置の製造方法。
【００１６】
［７］前記［１］に記載のＬＥＤ装置の製造方法であって、複数のリードフレームが配設された基板上に、ＬＥＤチップを配置し、前記リードフレームと前記ＬＥＤチップ上面とをワイヤを介して電気的に接続する工程と、前記リードフレームどうしの隙間に隔壁を形成する工程と、前記隔壁で隔てられた一方の領域に、ポリシロキサン前駆体及び溶媒を含む透光層用組成物を塗布し、硬化させて透光層を形成する工程と、透明樹脂及び蛍光体粒子を含む波長変換層用組成物を、前記ＬＥＤチップを被覆するように塗布し、硬化させて波長変換層を形成する工程とを有する、ＬＥＤ装置の製造方法。
【００１７】
［８］前記［１］に記載のＬＥＤ装置の製造方法であって、複数のリードフレームが配設された基板上に、ＬＥＤチップを配置し、前記リードフレームと前記ＬＥＤチップ上面とをワイヤを介して電気的に接続する工程と、撥液性化合物を前記ワイヤの前記リードフレームとの接続端部及び／または前記ワイヤの前記ＬＥＤチップとの接続端部に塗布し、乾燥させる工程と、ポリシロキサン前駆体及び溶媒を含む透光層用組成物を前記リードフレーム上に塗布し、硬化させて透光層を形成する工程と、透明樹脂及び蛍光体粒子を含む波長変換層用組成物を、前記ＬＥＤチップを被覆するように塗布し、硬化させて波長変換層を形成する工程とを有する、ＬＥＤ装置の製造方法。
［９］前記撥液性化合物が、フッ素系化合物である、［８］に記載のＬＥＤ装置の製造方法。
【００１８】
［１０］前記［１］に記載のＬＥＤ装置の製造方法であって、複数のリードフレームが配設された基板上に、ＬＥＤチップを配置し、前記リードフレームと前記ＬＥＤチップ上面とをワイヤを介して電気的に接続する工程と、ポリシロキサン前駆体及び溶媒を含む透光層用組成物を、前記ＬＥＤチップ上面を避けて前記リードフレーム上に塗布し、硬化させて前記ＬＥＤチップの高さより厚みが薄い透光層を形成する工程と、透明樹脂及び蛍光体粒子を含む波長変換層用組成物を、前記ＬＥＤチップを被覆するように塗布し、硬化させて波長変換層を形成する工程とを有する、ＬＥＤ装置の製造方法。
【発明の効果】
【００１９】
本発明のＬＥＤ装置では、ワイヤのリードフレームとの接続端部や、ワイヤのＬＥＤチップとの接続端部近傍から、透光層にクラックが入り難い。したがって、長期間に亘ってガスバリア性が高く、さらに光取り出し効率も高いＬＥＤ装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明のＬＥＤ装置の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明のＬＥＤ装置の他の例を示す概略断面図である。
【図３】本発明のＬＥＤ装置の他の例を示す概略断面図である。
【図４】本発明のＬＥＤ装置の他の例を示す概略断面図である。
【図５】本発明のＬＥＤ装置の他の例を示す概略断面図である。
【図６】図６（Ａ）は従来のＬＥＤ装置の上面図であり、図６（Ｂ）は当該ＬＥＤ装置の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明を詳細に説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内であれば種々に変更して実施することができる。
【００２２】
１．ＬＥＤ装置
本発明のＬＥＤ装置の構造の例を、図１〜図５の概略断面図に示す。本発明のＬＥＤ装置は、複数のリードフレーム２、２’が配設された基板１と、基板１に実装されたＬＥＤチップ３と、ＬＥＤチップ３及びリードフレーム２、２’を電気的に接続するワイヤ４と、リードフレーム２、２’を覆う透光層５と、ＬＥＤチップ３を覆う波長変換層６とを有する。本発明のＬＥＤ装置は、例えば図２に示されるように、ワイヤ４のリードフレーム２，２’との接続端部１０や、ワイヤ４のＬＥＤチップ３との接続端部１１を被覆するための被覆部材をさらに有してもよく；図３に示されるように複数のリードフレーム２，２’どうしの隙間に形成された隔壁８をさらに有してもよい。
【００２３】
従来のワイヤボンディング型のＬＥＤ装置では、例えば図６（Ｂ）に示されるように、ワイヤ４のリードフレーム２との接続端部１０、及びワイヤのＬＥＤチップとの接続端部１１に、透光層５が接触している。このようなＬＥＤ装置では、基板１やＬＥＤチップ３が熱膨張すると、ワイヤ４もこれに追従しようとする。一方、透光層５は、基板１やＬＥＤチップ３の熱膨張に追従しない。そのため、基板１やＬＥＤチップ３の熱膨張に追従しようとするワイヤ４によって透光層５にストレスがかかり、ワイヤ４の接続端部１０，１１近傍の透光層５にクラックが発生しやすかった。
【００２４】
これに対し、本発明のＬＥＤ装置では、図１〜４に示されるように、透光層５が、ワイヤ４のリードフレーム２，２’との接続端部１０に接触しない；もしくは図５に示されるように、透光層５がワイヤ４のＬＥＤチップ３との接続端部１１に接触しない箇所を有する。そのため、ＬＥＤ装置の温度が上昇し、基板１やＬＥＤチップ３が熱膨張しても、透光層５がその影響を受け難く、透光層５にクラックが入り難い。なお、クラック抑制の観点からは、全てのワイヤ４の接続端部１０，１１に透光層５が接触しないことが好ましい。
【００２５】
（１）基板について
本発明のＬＥＤ装置における基板１は、絶縁性基板２１の表面に、例えば金属からなる複数のリードフレーム２，２’が配設された部材でありうる。複数のリードフレーム２，２’は、外部の電源（図示せず）と接続され、ＬＥＤチップ３に電流を供給する。リードフレーム２，２’の形状は、基板１の形状等に応じて適宜選択されるが、複数のリードフレーム２，２’は、互いに導通しないよう、間隙をあけて形成される。図１〜図５に示されるＬＥＤ装置は２つのリードフレーム２，２’を有するが、ＬＥＤ装置は３つ以上のリードフレームを有していてもよい。
【００２６】
リードフレーム２，２’は、ＬＥＤチップ３からの光をＬＥＤ装置の光取り出し面側に反射する反射板としての機能をさらに有することが好ましく、反射効率向上のため、表面に銀メッキ等が施されていることが好ましい。
【００２７】
絶縁性基板２１は、絶縁性及び耐熱性を有するものであれば、その材質は特に制限されない。絶縁性基板２１は、例えば耐熱性樹脂やセラミックからなる基板でありうる。熱性樹脂の例には、液晶ポリマー、ポリフェニレンスルフィド、芳香族ポリアミド、エポキシ樹脂、硬質シリコーンレジン等が含まれる。
【００２８】
絶縁性基板２１の形状は特に制限されず、平板状であってもよく、図１〜図５に示されるように、キャビティ（凹部）を有するものであってもよい。キャビティの形状は特に制限されない。例えば図１〜図５に示されるように、円錐台状であってもよく、角錐台状や円柱状、角柱状等であってもよい。
【００２９】
基板１は、リードフレーム２，２’と絶縁性基板２１と一体成型、もしくは絶縁性基板２１にリードフレーム２，２’を貼着して得られる。
【００３０】
（２）ＬＥＤチップ及びワイヤについて
ＬＥＤチップ３は、前記基板１上に固定され、ＬＥＤチップ３上面のカソード電極、及びアノード電極が、それぞれ前記基板１のリードフレーム２，２’とワイヤ４を介して電気的に接続される。
【００３１】
ＬＥＤチップ３が出射する光の波長は特に制限されない。ＬＥＤチップ３は、例えば青色光（４２０ｎｍ〜４８５ｎｍ程度の光）を発する素子であってもよく、紫外光を発する素子であってもよい。
【００３２】
ＬＥＤチップ３の構成は、特に制限されない。ＬＥＤチップ３が、青色光を発する素子である場合、ＬＥＤチップ３は、サファイア等のＬＥＤ用基板と、ｎ−ＧａＮ系化合物半導体層（クラッド層）と、ＩｎＧａＮ系化合物半導体層（発光層）と、ｐ−ＧａＮ系化合物半導体層（クラッド層）と、電極層との積層体でありうる。ＬＥＤチップ３は、例えば２００〜３００μｍ×２００〜３００μｍの発光面を有するものでありうる。またＬＥＤチップ３の高さは、通常５０〜２００μｍ程度である。図１〜５に示されるＬＥＤ装置には、基板１に１つのＬＥＤチップ３のみが配置されているが、基板１に複数のＬＥＤチップ３が配置されていてもよい。
【００３３】
ＬＥＤチップ３とリードフレーム２，２’とを接続するワイヤ４は特に制限されず、公知の金ワイヤ等でありうる。
【００３４】
（３）透光層
透光層５は、リードフレーム２，２’を被覆するように形成され、リードフレーム２，２’が硫化水素ガス等で腐食することを抑制する。透光層５は、リードフレーム２，２’の一部を被覆していればよく、前述のように、前記ワイヤ４の前記リードフレーム２，２’との接続端部１０、及び前記ワイヤ４の前記ＬＥＤチップ３との接続端部１１には接触していないことが好ましい。
【００３５】
透光層５には、ポリシロキサンが含まれる。ポリシロキサンは、シラン化合物が鎖状または環状にシロキサン結合した化合物である。透光層５は、ポリシロキサンのみからなるものであってもよく、金属酸化物微粒子等が含まれていてもよい。
【００３６】
透光層５の厚みは、０．５〜１０μｍであることが好ましく、より好ましくは０．８〜５μｍであり、さらに好ましくは１〜２μｍである。透光層５の厚みが０．５μｍ未満であると、前述の腐食抑制効果が十分とならない場合がある。一方、透光層５の厚みが１０μｍを超えると、透光層５にクラックが生じやすく、この場合も腐食抑制効果が十分に得られないおそれがある。透光層５の厚みとは、ＬＥＤチップ３のリードフレーム２，２’上に形成された透光層５の最大厚みを意味する。透光層５の厚みは、レーザホロゲージで測定される。
【００３７】
（４）波長変換層について
波長変換層６は、ＬＥＤチップ３の光取り出し面を被覆する。波長変換層６は、ＬＥＤチップ３の光取り出し面を直接被覆していてもよく、透光層５を介してＬＥＤチップ３の光取り出し面を被覆していてもよい。
【００３８】
波長変換層６は、ＬＥＤチップ３が出射する光（励起光）を受けて、蛍光を発する。励起光と蛍光とが混ざることで、ＬＥＤ装置からの光の色が所望の色となる。例えば、ＬＥＤチップ３からの光が青色であり、波長変換層６に含まれる蛍光体が発する蛍光が黄色であると、ＬＥＤ装置からの光が白色となる。
【００３９】
波長変換層６に含まれる透明樹脂は、特に制限されず、例えばシリコーン樹脂及びエポキシ樹脂等でありうる。
【００４０】
波長変換層６に含まれる蛍光体粒子は、ＬＥＤチップ３から出射する光により励起されて、ＬＥＤチップ３からの出射光と異なる波長の蛍光を発するものであればよい。例えば、黄色の蛍光を発する蛍光体粒子の例には、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）蛍光体等がある。ＹＡＧ蛍光体は、青色ＬＥＤ素子から出射される青色光（波長４２０ｎｍ〜４８５ｎｍ）を受けて、黄色の蛍光（波長５５０ｎｍ〜６５０ｎｍ）を発する。
【００４１】
蛍光体粒子は、例えば１）所定の組成を有する混合原料に、フラックス（フッ化アンモニウム等のフッ化物）を適量混合して加圧し、これを成形体とする。２）得られた成形体を坩堝に詰め、空気中で１３５０〜１４５０℃の温度範囲で、２〜５時間焼成し、焼結体とすることで得られる。
【００４２】
所定の組成を有する混合原料は、Ｙ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ａｌ、Ｌａ、Ｇａ等の酸化物、または高温で容易に酸化物となる化合物を、化学両論比で十分に混合して得られる。また、所定の組成を有する混合原料は、１）Ｙ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｓｍの希土類元素を化学両論比で酸に溶解した溶液と、シュウ酸とを混合し、共沈酸化物を得る。２）この共沈酸化物と、酸化アルミニウム、または酸化ガリウムとを混合しても得られる。
【００４３】
蛍光体の種類は、ＹＡＧ蛍光体に限定されるものではなく、例えばＣｅを含まない非ガーネット系蛍光体等、他の蛍光体であってもよい。
【００４４】
蛍光体粒子の平均粒径は１μｍ〜５０μｍであることが好ましく、２０μｍ以下であることがより好ましい。蛍光体粒子の粒径が大きいほど発光効率（波長変換効率）は高くなる。一方、蛍光体粒子の粒径が大きすぎると、蛍光体粒子と透明樹脂（エポキシ樹脂やシリコーン樹脂）との界面に生じる隙間が大きくなる。これにより、波長変換層６の強度が低下したり、ＬＥＤ装置の外部から、ＬＥＤチップ３側にガスが侵入しやすくなる。蛍光体粒子の平均粒径は、例えばコールターカウンター法によって測定することができる。
【００４５】
波長変換層中に含まれる蛍光体粒子の量は、波長変換層の固形分全質量に対して、一般には５〜１５質量％である。波長変換層の厚みは、一般には２５μｍ〜５ｍｍである。
【００４６】
（５）被覆部材
前述のように、ＬＥＤ装置は、ワイヤ４のリードフレーム２との接続端部１０、またはワイヤ４のＬＥＤチップ３との接続端部１１を被覆する被覆部材７を有してもよい。ＬＥＤ装置に被覆部材７が含まれると、被覆部材７がワイヤ４の接続端部１０，１１の変形に追従して変形する。そのため、透光層５にストレスがかかり難く、透光層５にクラックが生じ難い。
【００４７】
被覆部材７の材料は、上記接続端部１０，１１の変形に追従して変形可能なものであれば特に制限されず、例えばシリコーン樹脂やエポキシ樹脂等でありうる。また被覆部材７の形状は、上記接続端部１０，１１を被覆可能な形状であれば特に制限されないが、被覆部材の厚みは、０．５〜１０μｍであることが好ましく、より好ましくは１〜２μｍである。被覆部材７の厚みが薄すぎると、接続端部１０，１１の変形によって発生する応力が被覆部材７で十分に緩和されず、被覆部材７の周囲の透光層５にクラックが生じる場合がある。
【００４８】
（６）隔壁
前述のように、ＬＥＤ装置は、ＬＥＤ装置は、複数のリードフレーム２，２’どうしの隙間に形成された隔壁８を有してもよい。ＬＥＤ装置に隔壁８が形成されていると、後述のＬＥＤ装置の製造方法で説明するように、所望の領域にのみ、透光層５を形成することができる。
【００４９】
隔壁８の材料は特に制限されず、例えば前述の絶縁性基板２１と同一の材料や、波長変換層６に含まれる樹脂と同一でありうる。また、隔壁８の形状は、透光層５を形成するための透光層用組成物を堰止めることが可能な形状であれば特に制限されないが、隔壁８の高さは、５〜１００μｍであることが好ましく、より好ましくは２０〜５０μｍである。隔壁８の高さが低すぎると、透光層用組成物を十分に堰き止められず、所望の領域にのみ透光層５が形成されなくなるおそれがある。
【００５０】
２．ＬＥＤ装置の製造方法
本発明のＬＥＤ装置の製造方法には、以下の５種類の態様がある。
【００５１】
（１）第１の態様
第１の態様の製造方法では、以下の５つの工程（ｉ）〜（ｖ）を行う。
ｉ）複数のリードフレームが配設された基板上に、ＬＥＤチップを配置し、リードフレームとＬＥＤチップ上面とをワイヤを介して電気的に接続する工程
ii）ワイヤのリードフレームとの接続端部、及び／またはワイヤのＬＥＤチップとの接続端部に、マスクを配置する工程
iii）ポリシロキサン前駆体及び溶媒を含む透光層用組成物を、前記リードフレーム上に塗布し、硬化させて透光層を形成する工程
iv）マスクを除去する工程
ｖ）ＬＥＤチップの光取り出し面を被覆するように、透明樹脂及び蛍光体粒子を含む波長変換層用組成物を塗布し、硬化させて波長変換層を形成する工程
【００５２】
本態様の製造方法では、ワイヤ４の前記リードフレーム２，２’との接続端部、及び／または前記ワイヤ４の前記ＬＥＤチップ５との接続端部に、マスクを配置して、透光層用組成物を塗布する。したがって、上記ワイヤ４の接続端部１０，１１上に透光層５が形成されず、図１に示されるＬＥＤ装置；つまり、波長変換層６が、ワイヤ４のリードフレーム２，２’との接続端部１０及び／またはワイヤ４のＬＥＤチップ３との接続端部１１に接するＬＥＤ装置が得られる。なお、図１に示されるＬＥＤ装置では、上記接続端部１０，１１のうち、１つの接続端部１０のみが、波長変換層６と接している。
【００５３】
ｉ）ＬＥＤチップ実装工程
複数のリードフレーム２，２’が配設された基板１に、ＬＥＤチップ３を固定し、このＬＥＤチップ３の上面とリードフレーム２，２’とをワイヤ４を介して電気的に接続する。ＬＥＤチップ３の基板１への固定方法は特に制限されず、例えばダイボンド等でＬＥＤチップ３を固定する方法でありうる。また、ＬＥＤチップ３とワイヤ４との接続、及びリードフレーム２，２’とワイヤ４との接続方法は特に制限されず、例えば超音波接合等、公知の方法でありうる。
【００５４】
ii）マスク配置工程
ワイヤ４のリードフレーム２，２’との接続端部１０、もしくはワイヤ４のＬＥＤチップ３との接続端部１１に、マスクを配置する。このとき、全ての接続端部１０，１１にマスクを配置してもよく、一部の接続端部１０，１１にのみマスクを配置してもよい。
【００５５】
マスクの種類は、後述のiii）透光層形成工程で、接続端部１０，１１に透光層用組成物が付着することを防止可能なものであれば特に制限されない。例えば、基板１上に直接塗布されるレジストマスク等であってもよく、透光層用組成物の塗布装置と基板１との間に配置する板状マスクであってもよい。
【００５６】
iii）透光層形成工程
ワイヤ４の接続端部１０，１１にマスクが配置された状態で、透光層用組成物を塗布し、これを硬化させて透光層を得る。マスクが配置された接続端部１０，１１には、透光層用組成物が付着せず、当該接続端部１０，１１上には透光層５が形成されない。
【００５７】
iii−１）透光層用組成物について
透光層用組成物には、ポリシロキサン前駆体、金属酸化物微粒子、及び有機溶媒等が含まれる。必要に応じて、金属アルコキシドまたは金属キレートや各種添加剤が含まれる。
【００５８】
（ポリシロキサン前駆体）
透光層用組成物に含まれるポリシロキサン前駆体は、アルコキシシラン化合物またはア
リールオキシシラン化合物、またはその重合体（オリゴマー）でありうる。アルコキシシラン化合物またはアリールオキシシラン化合物は、例えば以下の一般式（I）で表される。
Ｓｉ（ＯＲ）ｎＹ４−ｎ      （I）
【００５９】
一般式（I）中、ｎはアルコキシ基またはアリールオキシ基（ＯＲ）の数を表し、２以上４以下の整数である。また、Ｒは、それぞれ独立にアルキル基またはフェニル基を表し、好ましくは炭素数１〜５のアルキル基、またはフェニル基を表す。
【００６０】
上記一般式（I）式中、Ｙは、水素原子、または１価の有機基を表す。Ｙで表される１価の有機基の具体例には、炭素数が１〜１０００、好ましくは５００以下、より好ましくは１００以下、さらに好ましくは５０以下、特に好ましくは６以下の脂肪族基、脂環族基、芳香族基、脂環芳香族基が含まれる。これらの１価の有機基は、肪族基、脂環族基、芳香族基、及び脂環芳香族基が連結基を介して結合した基であってもよい。連結基は、Ｏ、Ｎ、Ｓ等の原子またはこれらを含む原子団であってもよい。また、Ｙで表される１価の有機基は、置換基を有していてもよい。置換基の例には、例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ等のハロゲン原子；ビニル基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、スチリル基、メルカプト基、エポキシ基、エポキシシクロヘキシル基、グリシドキシ基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基、スルホン酸基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、アシル基、アルコキシ基、イミノ基、フェニル基等の有機官能基等が含まれる。
【００６１】
一般式（I）において、Ｙで表される基は、特にメチル基であることが好ましい。Ｙがメチル基であると、得られる透光層５の耐光性及び耐熱性が良好になる。
【００６２】
上記一般式（I）で表されるアルコキシシランまたはアリールオキシシランには、以下の４官能のシラン化合物、３官能のシラン化合物、２官能のシラン化合物が含まれる。
４官能のシラン化合物の例には、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、テトラペンチルオキシシラン、テトラフェニルオキシシラン、トリメトキシモノエトキシシラン、ジメトキシジエトキシシラン、トリエトキシモノメトキシシラン、トリメトキシモノプロポキシシラン、モノメトキシトリブトキシシラン、モノメトキシトリペンチルオキシシラン、モノメトキシトリフェニルオキシシラン、ジメトキシジプロポキシシラン、トリプロポキシモノメトキシシラン、トリメトキシモノブトキシシラン、ジメトキシジブトキシシラン、トリエトキシモノプロポキシシラン、ジエトキシジプロポキシシラン、トリブトキシモノプロポキシシラン、ジメトキシモノエトキシモノブトキシシラン、ジエトキシモノメトキシモノブトキシシラン、ジエトキシモノプロポキシモノブトキシシラン、ジプロポキシモノメトキシモノエトキシシラン、ジプロポキシモノメトキシモノブトキシシラン、ジプロポキシモノエトキシモノブトキシシラン、ジブトキシモノメトキシモノエトキシシラン、ジブトキシモノエトキシモノプロポキシシラン、モノメトキシモノエトキシモノプロポキシモノブトキシシランなどのテトラアルコキシシラン、テトラアリールオキシシラン等が含まれる。これらの中でもテトラメトキシシラン、テトラエトキシシランが好ましい。
【００６３】
３官能のシラン化合物の例には、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリプロポキシシラン、トリペンチルオキシシラン、トリフェニルオキシシラン、ジメトキシモノエトキシシラン、ジエトキシモノメトキシシラン、ジプロポキシモノメトキシシラン、ジプロポキシモノエトキシシラン、ジペンチルオキシルモノメトキシシラン、ジペンチルオキシモノエトキシシラン、ジペンチルオキシモノプロポキシシラン、ジフェニルオキシルモノメトキシシラン、ジフェニルオキシモノエトキシシラン、ジフェニルオキシモノプロポキシシラン、メトキシエトキシプロポキシシラン、モノプロポキシジメトキシシラン、モノプロポキシジエトキシシラン、モノブトキシジメトキシシラン、モノペンチルオキシジエトキシシラン、モノフェニルオキシジエトキシシラン等のモノヒドロシラン化合物；メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、メチルトリペンチルオキシシラン、メチルモノメトキシジエトキシシラン、メチルモノメトキシジプロポキシシラン、メチルモノメトキシジペンチルオキシシラン、メチルモノメトキシジフェニルオキシシラン、メチルメトキシエトキシプロポキシシラン、メチルモノメトキシモノエトキシモノブトキシシラン等のモノメチルシラン化合物；エチルトリメトキシシラン、エチルトリプロポキシシラン、エチルトリペンチルオキシシラン、エチルトリフェニルオキシシラン、エチルモノメトキシジエトキシシラン、エチルモノメトキシジプロポキシシラン、エチルモノメトキシジペンチルオキシシラン、エチルモノメトキシジフェニルオキシシラン、エチルモノメトキシモノエトキシモノブトキシシラン等のモノエチルシラン化合物；プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、プロピルトリペンチルオキシシラン、プロピルトリフェニルオキシシラン、プロピルモノメトキシジエトキシシラン、プロピルモノメトキシジプロポキシシラン、プロピルモノメトキシジペンチルオキシシラン、プロピルモノメトキシジフェニルオキシシラン、プロピルメトキシエトキシプロポキシシラン、プロピルモノメトキシモノエトキシモノブトキシシラン等のモノプロピルシラン化合物；ブチルトリメトキシシラン、ブチルトリエトキシシラン、ブチルトリプロポキシシラン、ブチルトリペンチルオキシシラン、ブチルトリフェニルオキシシラン、ブチルモノメトキシジエトキシシラン、ブチルモノメトキシジプロポキシシラン、ブチルモノメトキシジペンチルオキシシラン、ブチルモノメトキシジフェニルオキシシラン、ブチルメトキシエトキシプロポキシシラン、ブチルモノメトキシモノエトキシモノブトキシシラン等のモノブチルシラン化合物が含まれる。これらの中でも、メチルトリメトキシシランおよびメチルトリエトキシシランがより好ましく、メチルトリメトキシシランがさらに好ましい。
【００６４】
２官能のシラン化合物の具体例には、ジメトキシシラン、ジエトキシシラン、ジプロポキシシラン、ジペンチルオキシシラン、ジフェニルオキシシラン、メトキシエトキシシラン、メトキシプロポキシシラン、メトキシペンチルオキシシラン、メトキシフェニルオキシシラン、エトキシプロポキシシラン、エトキシペンチルオキシシラン、エトキシフェニルオキシシラン、メチルジメトキシシラン、メチルメトキシエトキシシラン、メチルジエトキシシラン、メチルメトキシプロポキシシラン、メチルメトキシペンチルオキシシラン、メチルメトキシフェニルオキシシラン、エチルジプロポキシシラン、エチルメトキシプロポキシシラン、エチルジペンチルオキシシラン、エチルジフェニルオキシシラン、プロピルジメトキシシラン、プロピルメトキシエトキシシラン、プロピルエトキシプロポキシシラン、プロピルジエトキシシラン、プロピルジペンチルオキシシラン、プロピルジフェニルオキシシラン、ブチルジメトキシシラン、ブチルメトキシエトキシシラン、ブチルジエトキシシラン、ブチルエトキシプロポキシシシラン、ブチルジプロポキシシラン、ブチルメチルジペンチルオキシシラン、ブチルメチルジフェニルオキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルメトキシエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジペンチルオキシシラン、ジメチルジフェニルオキシシラン、ジメチルエトキシプロポキシシラン、ジメチルジプロポキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルメトキシプロポキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルエトキシプロポキシシラン、ジプロピルジメトキシシラン、ジプロピルジエトキシシラン、ジプロピルジペンチルオキシシラン、ジプロピルジフェニルオキシシラン、ジブチルジメトキシシラン、ジブチルジエトキシシラン、ジブチルジプロポキシシラン、ジブチルメトキシペンチルオキシシラン、ジブチルメトキシフェニルオキシシラン、メチルエチルジメトキシシラン、メチルエチルジエトキシシラン、メチルエチルジプロポキシシラン、メチルエチルジペンチルオキシシラン、メチルエチルジフェニルオキシシラン、メチルプロピルジメトキシシラン、メチルプロピルジエトキシシラン、メチルブチルジメトキシシラン、メチルブチルジエトキシシラン、メチルブチルジプロポキシシラン、メチルエチルエトキシプロポキシシラン、エチルプロピルジメトキシシラン、エチルプロピルメトキシエトキシシラン、ジプロピルジメトキシシラン、ジプロピルメトキシエトキシシラン、プロピルブチルジメトキシシラン、プロピルブチルジエトキシシラン、ジブチルメトキシエトキシシラン、ジブチルメトキシプロポキシシラン、ジブチルエトキシプロポキシシラン等が含まれる。中でもジメトキシシラン、ジエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシランが好ましい。
【００６５】
アルコキシシラン化合物またはアリールオキシシラン化合物の重合体（オリゴマー）は、上記シラン化合物を、酸触媒、水、有機溶媒の存在下で加水分解し、縮合反応させて得られる。ポリシロキサン前駆体の質量平均分子量は、反応条件（特に反応時間）等で、調整可能である。
【００６６】
ポリシロキサン前駆体（オリゴマー）の調製用の酸触媒は、下記一般式（II）で表わされる有機スルホン酸であることが特に好ましい。
Ｒ８−ＳＯ３Ｈ      …（II）
上記一般式（II）において、Ｒ８で表される炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、環状の飽和もしくは不飽和の炭素数１〜２０の炭化水素基である。環状の炭化水素基の例には、フェニル基、ナフチル基、またはアントリル基等の芳香族炭化水素基が含まれ、好ましくはフェニル基である。また、一般式（II）においてＲ８で表される炭化水素基は、置換基を有してもよい。置換基の例には、直鎖状、分岐鎖状、または環状の、炭素数１〜２０の飽和若しくは不飽和の炭化水素基；フッ素原子等のハロゲン原子；スルホン酸基；カルボキシル基；水酸基；アミノ基；シアノ基等が含まれる。
【００６７】
上記一般式（II）で表わされる有機スルホン酸は、特にノナフルオロブタンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、またはドデシルベンゼンスルホン酸であることが好ましい。
【００６８】
ポリシロキサン前駆体の調製時に添加する酸触媒の量は、ポリシロキサン前駆体の調製液全量に対して１〜１０００質量ｐｐｍであることが好ましく、より好ましくは５〜８００質量ｐｐｍである。
【００６９】
ポリシロキサン前駆体（オリゴマー）の調製時に添加する水の量によって、最終的に得られるポリシロキサンの膜質が変化する。したがって、目的とする膜質に応じて、ポリシロキサン前駆体の調製時の水添加率を調整することが好ましい。水添加率とは、ポリシロキサン前駆体調製液に含まれるシラン化合物のアルコキシ基またはアリールオキシ基のモル数に対する、添加する水分子のモル数の割合（％）である。水添加率は、５０〜２００％であることが好ましく、より好ましくは７５〜１８０％である。水添加率を、５０％以上とすることで、透光層の膜質が安定する。また２００％以下とすることで透光層用組成物の保存安定性が良好となる。
【００７０】
ポリシロキサン前駆体の調製時に添加する溶媒の例には、メタノール、エタノール、プロパノール、ｎ−ブタノール等の一価アルコール；メチル−３−メトキシプロピオネート、エチル−３−エトキシプロピオネート等のアルキルカルボン酸エステル；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、トリメチロールプロパン、ヘキサントリオール等の多価アルコール；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等の多価アルコールのモノエーテル類、あるいはこれらのモノアセテート類；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソアミルケトン等のケトン類；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジプロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル等の多価アルコールの水酸基をすべてアルキルエーテル化した多価アルコールエーテル類；等が含まれる。これらは１種単独で添加してもよく、また２種以上を添加してもよい。
【００７１】
透光層用組成物に含まれるポリシロキサン前駆体は、透光層用組成物の粘度等の観点から、アルコキシシランまたはアリールオキシシランのオリゴマーであることが好ましい。オリゴマーの質量平均分子量は、好ましくは１０００〜３０００であり、より好ましくは１２００〜２７００であり、さらに好ましくは１５００〜２０００である。ポリシロキサン前駆体の質量平均分子量が１０００未満であると、透光層用組成物の粘度が低くなり、透光層用組成物がリードフレーム２，２’上やＬＥＤチップ３上ではじかれるおそれがある。一方、質量平均分子量が３０００を超えると、透光層用組成物の粘度が高くなり、透光層用組成物の塗布が困難となる場合がある。質量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定される値（ポリスチレン換算）である。
【００７２】
透光層用組成物に含まれるポリシロキサン前駆体の量は、透光層用組成物全質量に対して１〜４０質量％であることが好ましく、より好ましくは２〜３０質量％である。ポリシロキサン前駆体の量が１質量％未満であると、透光層用組成物の粘度が低くなり過ぎる場合がある。一方、ポリシロキサン前駆体の量が４０質量％を超えると、透光層用組成物の粘度が過剰に高くなり、透光層用組成物の塗布が困難となる場合がある。
【００７３】
（溶媒）
透光層用組成物に含まれる溶媒は、前述のポリシロキサン前駆体を溶解、もしくは均一に分散可能なものであればよい。溶媒の例には、メタノール、エタノール、プロパノール、ｎ−ブタノール等の一価アルコール；メチル−３−メトキシプロピオネート、エチル−３−エトキシプロピオネート等のアルキルカルボン酸エステル；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、トリメチロールプロパン、ヘキサントリオール等の多価アルコール；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等の多価アルコールのモノエーテル類、あるいはこれらのモノアセテート類；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジプロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル等の多価アルコールの水酸基をすべてアルキルエーテル化した多価アルコールエーテル類；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソアミルケトン等のケトン類；等が含まれる。透光層用組成物中には、溶媒が１種のみ含まれてもよく、２種以上含まれてもよい。
【００７４】
溶媒には、水が含まれることが好ましい。水の量は、透光層用組成物全質量に対して、３〜１５質量％であることが好ましく、より好ましくは５〜１０質量％である。また、水の量がポリシロキサン前駆体１００質量部に対して１０〜１２０質量部であることが好ましく、８０〜１００質量部であることがより好ましい。透光層用組成物に含まれる水の量が少な過ぎると、透光層の成膜時にポリシロキサン前駆体を十分に加水分解できない場合がある。一方、透光用組成物に含まれる水の量が過剰であると、透光層用組成物の保存中にポリシロキサン前駆体が加水分解され、透光層用組成物がゲル化するおそれがある。
【００７５】
溶媒には、沸点が１５０℃以上である有機溶媒（例えばエチレングリコールや、プロピレングリコール等）が含まれることも好ましい。沸点が１５０℃以上の有機溶媒が含まれると、透光層用組成物の保存安定性が高まる。また、塗布装置内で溶媒が揮発し難くなり、透光層用組成物を安定して塗布できる。一方、透光層用組成物に含まれる溶媒の沸点は２５０℃以下であることが好ましい。溶媒の沸点が２５０℃を超えると、透光層用組成物の乾燥性が低下する。
【００７６】
（金属酸化物微粒子）
透光層用組成物には、金属酸化物微粒子が含まれてもよい。透光層用組成物に金属酸化物微粒子が含まれると、ポリシロキサン前駆体の脱水・縮合に伴う応力が緩和され、得られる透光層５にクラックが発生し難くなる。また、透光層用組成物に金属酸化物微粒子が含まれると、得られる透光層５表面に凹凸が形成される。この凹凸によって、透光層５と波長変換層６との界面にアンカー効果が生じ、透光層５と波長変換層６との密着性が高まる。
【００７７】
金属酸化物微粒子の種類は特に制限されないが、金属酸化物微粒子の屈折率が、ポリシロキサンの屈折率より高いことが好ましい。屈折率の高い金属酸化物微粒子が含まれると、得られる透光層５の屈折率が高まる。一般的にＬＥＤチップの屈折率は、ポリシロキサンと比較してかなり高い。そこで、透光層５の屈折率が高まると、ＬＥＤチップ３と透光層５との屈折率差が小さくなり、ＬＥＤチップ３と透光層５との界面での光の反射が少なくなる。つまり、ＬＥＤ装置の光取り出し効率が高まる。
【００７８】
金属酸化物微粒子は、多孔質状の粒子であってもよく、その比表面積は２００ｍ２/ｇ以上であることが好ましい。金属酸化物微粒子が多孔質であると、多孔質の空隙部に溶媒が入り込み、透光層用組成物の粘度が高まる。ただし、透光層用組成物の粘度は、単に金属酸化物微粒子の量によって定まるものではなく、金属酸化物微粒子と溶媒との比率や、その他の成分の量等によっても変化する。
【００７９】
金属酸化物微粒子の平均一次粒径は、５〜１００ｎｍであることが好ましく、より好ましくは５〜８０ｎｍ、さらに好ましくは５〜５０ｎｍである。金属酸化物微粒子の平均一次粒径が、５ｎｍ以上であると、前述のクラック抑制効果、屈折率向上効果が得られやすい。金属酸化物微粒子の平均一次粒径は、コールターカウンター法で測定される。
【００８０】
金属酸化物微粒子の例には、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化スズ、酸化セリウム、酸化ニオブ、及び酸化亜鉛等が含まれる。これらの中でも、屈折率が高いことから、金属酸化物微粒子は酸化ジルコニウム微粒子であることが好ましい。透光層用組成物には、金属酸化物微粒子が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。
【００８１】
金属酸化物微粒子は、表面がシランカップリング剤やチタンカップリング剤で処理されたものであってもよい。表面処理された金属酸化物微粒子は、透光層用組成物に均一に分散されやすい。
【００８２】
透光層用組成物中の金属酸化物微粒子の量は、透光層用組成物の固形分全量に対して１０〜６０質量％であることが好ましく、より好ましくは１５〜４５質量％、さらに好ましくは２０〜３０質量％である。金属酸化物微粒子の量が少なすぎると、前述のクラック抑制効果が高まらず、屈折率向上効果も十分とならない。一方で、金属酸化物微粒子の量が多すぎると、相対的にポリシロキサンの量が減少し、透光層のガスバリア性や、透光層の強度が低下するおそれがある。
【００８３】
（有機金属化合物）
透光層用組成物には、２価以上の金属（Ｓｉを除く）の有機金属化合物が含まれてもよい。有機金属化合物は、Ｓｉ元素以外の２価以上の金属元素の金属アルコキシドまたは金属キレートでありうる。金属アルコキシドまたは金属キレートは、透光層成膜時に、ポリシロキサン前駆体や、ＬＥＤチップ、波長変換層の表面に存在する水酸基と、メタロキサン結合を形成する。当該メタロキサン結合は非常に強固である。そのため、透光層用組成物に金属アルコキシドまたは金属キレートが含まれると、透光層及びＬＥＤチップ、並びに透光層及び波長変換層の密着性が高まる。
【００８４】
一方、金属アルコキシドまたは金属キレートの一部は、透光層内で、メタロキサン結合からなるナノサイズのクラスタを形成する。このクラスタは、金属腐食性の高い硫化水素ガスを腐食性の低い二酸化硫黄ガスに変化させる光触媒として機能する。そのため、透光層用組成物に、金属アルコキシドまたは金属キレートが含まれると、ＬＥＤ装置の硫化ガス耐性も高まる。
【００８５】
金属アルコキシドまたは金属キレートに含まれる金属元素は、Ｓｉ元素以外の４族または１３族の金属元素であることが好ましく、以下の一般式（III）で表される化合物が好ましい。
Ｍｍ＋ＸｎＹｍ−ｎ      （III）
一般式（III）中、Ｍは４族または１３族の金属元素を表し、ｍはＭの価数（３または４）を表す。Ｘは加水分解性基を表し、ｎはＸ基の数（２以上４以下の整数）を表す。ただし、ｍ≧ｎである。Ｙは１価の有機基を表す。
【００８６】
一般式（III）において、Ｍで表される４族または１３族の金属元素は、アルミニウム、ジルコニウム、チタンであることが好ましく、ジルコニウムであることが特に好ましい。ジルコニウムのアルコキシドまたはキレートの硬化物は、一般的なＬＥＤチップ３の発光波長域（特に青色光（波長４２０〜４８５ｎｍ）に吸収波長を有さない。つまり、ジルコニウムのアルコキシドまたはキレートの硬化物には、ＬＥＤチップの出射光が吸収され難い。
【００８７】
一般式（III）において、Ｘで表される加水分解性基は、水で加水分解され、水酸基を生成する基でありうる。加水分解性基の好ましい例には、炭素数が１〜５の低級アルコキシ基、アセトキシ基、ブタノキシム基、クロル基等が含まれる。一般式（III）において、Ｘで表される基は、全て同一の基であってもよく、異なる基であってもよい。
【００８８】
Ｘで表される加水分解性基は、加水分解されて遊離する。そのため加水分解後に生成される化合物が中性であり、かつ軽沸である基が好ましい。そこで、Ｘで表される基は、炭素数１〜５の低級アルコキシ基であることが好ましく、より好ましくはメトキシ基、またはエトキシ基である。
【００８９】
一般式（III）において、Ｙで表される１価の有機基は、一般的なシランカップリング剤に含まれる１価の有機基でありうる。具体的には、炭素数が１〜１０００、好ましくは５００以下、より好ましくは１００以下、さらに好ましくは４０以下、特に好ましくは６以下である脂肪族基、脂環族基、芳香族基、脂環芳香族基でありうる。Ｙで表される有機基は、脂肪族基、脂環族基、芳香族基、及び脂環芳香族基が連結基を介して結合した基であってもよい。連結基は、Ｏ、Ｎ、Ｓ等の原子またはこれらを含む原子団であってもよい。
【００９０】
Ｙで表される有機基は、置換基を有してもよい。置換基の例には、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ等のハロゲン原子；ビニル基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、スチリル基、メルカプト基、エポキシ基、エポキシシクロヘキシル基、グリシドキシ基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基、スルホン酸基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、アシル基、アルコキシ基、イミノ基、フェニル基等の有機基が含まれる。
【００９１】
一般式（III）で表されるアルミニウムの金属アルコキシドまたは金属キレートの具体例には、アルミニウムトリイソプロポキシド、アルミニウムトリｎ−ブトキシド、アルミニウムトリｔ−ブトシキド、アルミニウムトリエトキシド等が含まれる。
【００９２】
一般式（III）で表されるジルコニウムの金属アルコキシドまたは金属キレートの具体例には、ジルコニウムテトラメトキシド、ジルコニウムテトラエトキシド、ジルコニウムテトラｎ−プロポキシド、ジルコニウムテトラｉ−プロポキシド、ジルコニウムテトラｎ−ブトキシド、ジルコニウムテトラｉ−ブトキシド、ジルコニウムテトラｔ−ブトキシド、ジルコニウムジメタクリレートジブトキシド、ジブトキシジルコニウムビス（エチルアセトアセテート）等が含まれる。
【００９３】
一般式（III）で表されるチタン元素の金属アルコキシドまたは金属キレートの具体例には、チタンテトライソプロポキシド、チタンテトラｎ−ブトキシド、チタンテトラｉ−ブトキシド、チタンメタクリレートトリイソプロポキシド、チタンテトラメトキシプロポキシド、チタンテトラｎ−プロポキシド、チタンテトラエトキシド、チタンラクテート、チタニウムビス（エチルヘキソキシ）ビス（２−エチル−３−ヒドロキシヘキソキシド）、チタンアセチルアセトネート等が含まれる。
【００９４】
ただし、上記で例示した金属アルコキシドまたは金属キレートは、入手容易な市販の有機金属アルコキシドまたは金属キレートの一部である。科学技術総合研究所発行の「カップリング剤最適利用技術」９章のカップリング剤及び関連製品一覧表に示される金属アルコキシドまたは金属キレートも、本発明に適用できる。
【００９５】
透光層用組成物に含まれる金属アルコキシドまたは金属キレート（有機金属化合物）の量は、ポリシロキサン前駆体１００質量部に対して、５〜１００質量部であることが好ましく、より好ましくは８〜４０質量部、さらに好ましくは１０〜１５質量部である。金属アルコキシドまたは金属キレートの上記量が５質量部未満であると、前述の密着性向上効果等が得られない。一方で、金属アルコキシドまたは金属キレートの量が１００質量部を超えると、透光層用組成物の保存性が低下する。
【００９６】
iii−２）透光層用組成物の塗布及び硬化について
本態様における、透光層用組成物の塗布方法は、特に制限されない。例えば、ブレード塗布、スピンコート塗布、ディスペンサ塗布、スプレー塗布などでありうるが、スプレー塗布によれば、厚みの薄い透光層を成膜できる。
【００９７】
透光層用組成物の塗布後、塗膜を１００℃以上、好ましくは１５０〜３００℃に加熱し、透光層用組成物を乾燥・硬化させる。加熱温度が１００℃未満であると、ポリシロキサン前駆体の脱水縮合時に生じる水等を十分に除去できず、透光層の耐光性等が低下する可能性がある。
【００９８】
（iv）マスク除去工程
透光層成膜後、ワイヤ４の接続端部１０，１１に配置したマスクを除去する。マスクの除去方法は、マスクの種類等によって適宜選択され、レジストマスクであれば、エッチングにより除去すればよい。板状マスクであれば、これを除去すればよい。
【００９９】
（ｖ）波長変換層形成工程
波長変換層６は、ＬＥＤチップ３の光取り出し面を少なくとも被覆するように形成すればよいが、基板１全面に波長変換層６を形成することが好ましい。波長変換層６は、透明樹脂もしくはその前駆体と、蛍光体粒子とを含有する波長変換層形成用組成物を調製し、これを塗布し、硬化させることで得られる。
【０１００】
波長変換層形成用組成物には、透明樹脂もしくはその前駆体と、蛍光体粒子とが含まれる。必要に応じて溶媒や各種添加剤等が含まれてもよい。溶媒は、上記透明樹脂またはその前駆体を溶解させることが可能なものであれば、特に制限されず、例えばトルエン、キシレンなどの炭化水素類；アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン類；ジエチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルアセテートなどのエステル類等でありうる。
【０１０１】
波長変換層形成用組成物の混合は、例えば、撹拌ミル、ブレード混練撹拌装置、自転・公転ミキサー等で行うことができる。撹拌条件を調整することで、波長変換層形成用組成物における蛍光体粒子の沈降を抑制することができる。
【０１０２】
波長変換層形成用組成物の塗布方法は、特に制限はない。例えばディスペンサ等の一般的な塗布装置により波長変換層形成用組成物を塗布することができる。また、波長変換層形成用組成物の硬化方法や硬化条件は、透明樹脂の種類により適宜選択する。硬化方法の一例として、加熱硬化が挙げられる。
【０１０３】
（２）第２の態様
第２の態様の製造方法では、以下の４つの工程を行う。
ｉ）複数のリードフレームが配設された基板上に、ＬＥＤチップを配置し、リードフレームとＬＥＤチップ上面とをワイヤを介して電気的に接続する工程
ii）ワイヤのリードフレームとの接続端部、及び／またはワイヤのＬＥＤチップとの接続端部上に、樹脂を含む被覆部材用組成物を塗布し、これを硬化させて被覆部材を形成する工程
iii）ポリシロキサン前駆体及び溶媒を含む透光層用組成物を、前記リードフレーム上に塗布し、これを硬化させて透光層を形成する工程
iv）ＬＥＤチップの光取り出し面を被覆するように、透明樹脂及び蛍光体粒子を含む波長変換層用組成物を塗布し、これを硬化させて波長変換層を形成する工程
【０１０４】
本態様の製造方法では、透光層５の形成前に、被覆部材７を形成する。したがって、図２に示されるＬＥＤ装置；つまり、被覆部材７が、ワイヤ４のリードフレーム２，２’との接続端部１０、及び／またはワイヤ４のＬＥＤチップ３との接続端部１１を被覆するＬＥＤ装置が得られる。なお、図２に示されるＬＥＤ装置では、２つの接続端部１０上を、被覆部材７が被覆している。
【０１０５】
ｉ）ＬＥＤチップ実装工程
複数のリードフレーム２，２’が配設された基板１に、ＬＥＤチップ３を固定し、このＬＥＤチップ３の上面とリードフレーム２，２’とをワイヤ４を介して電気的に接続する。ＬＥＤチップ３の基板１への固定方法や、ＬＥＤチップ３とワイヤ４との接続、リードフレーム２，２’とワイヤ４との接続方法は、第１の態様のＬＥＤチップ実装工程と同様でありうる。
【０１０６】
ii）被覆部材形成工程
ワイヤ４のリードフレーム２，２’との接続端部１０、及びワイヤ４のＬＥＤチップ３との接続端部１１に、被覆部材７を形成する。このとき、全ての接続端部１０，１１に被覆部材７を形成してもよく、一部の接続端部１０，１１にのみ被覆部材７を形成してもよい。
【０１０７】
被覆部材７の形成方法は、特に制限されない。樹脂及び溶媒が含まれる被覆部材用組成物を調製し、これを塗布し、硬化させる方法等でありうる。樹脂は、シリコーン樹脂またはエポキシ樹脂等でありうる。溶媒は、上記樹脂またはその前駆体を溶解させることが可能なものであれば、特に制限されず、例えばトルエン、キシレンなどの炭化水素類；アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン類；ジエチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルアセテートなどのエステル類等でありうる。
【０１０８】
被覆部材用組成物の塗布方法は、特に制限されず、ディスペンサ等の一般的な塗布装置で、所望の接続端部１０，１１上に被覆部材用組成物を塗布する方法等でありうる。被覆部材用組成物の硬化方法や硬化条件は、樹脂の種類により適宜選択する。硬化方法の一例として、加熱硬化が挙げられる。
【０１０９】
iii）透光層形成工程
前述の被覆部材７が接続端部１０，１１に配置された基板１上に、透光層用組成物を塗布し、これを硬化させて透光層５を形成する。透光層用組成物の組成や、透光層用組成物の塗布・硬化方法は第１の態様と同様でありうる。
【０１１０】
iv）波長変換層形成工程
波長変換層６は、ＬＥＤチップ３の光取り出し面を少なくとも被覆するように形成すればよいが、基板１全面に波長変換層６を形成することが好ましい。波長変換層は、透明樹脂もしくはその前駆体と、蛍光体粒子とを含有する波長変換層形成用組成物を調製し、これを塗布し、硬化させることで得られる。波長変換層用組成物、及びその塗布方法や硬化方法は、第１の態様の波長変換層形成工程と同様でありうる。
【０１１１】
（３）第３の態様
第３の態様の製造方法では、以下の４つの工程を行う。
ｉ）複数のリードフレームが配設された基板上に、ＬＥＤチップを配置し、リードフレームとＬＥＤチップ上面とをワイヤを介して電気的に接続する工程
ii）リードフレームどうしの隙間に隔壁を形成する工程
iii）隔壁で隔てられた一方の領域に、ポリシロキサン前駆体及び溶媒を含む透光層用組成物を塗布し、これを硬化させて透光層を形成する工程
iv）ＬＥＤチップを覆うように透明樹脂及び蛍光体粒子を含む波長変換層用組成物を塗布し、これを硬化させて波長変換層を形成する工程
【０１１２】
本態様の製造方法では、リードフレーム２，２’どうしの隙間に隔壁８を形成する。そして、隔壁８で隔てられた一方の領域（図３では、リードフレーム２側）に、透光層用組成物を塗布する。したがって、本態様の製造方法によれば、図３に示されるＬＥＤ装置；所望のリードフレーム２側にのみ透光層５が形成されたＬＥＤ装置が得られる。
【０１１３】
ｉ）ＬＥＤチップ実装工程
複数のリードフレーム２，２’が配設された基板１に、ＬＥＤチップ３を固定し、このＬＥＤチップ３の上面とリードフレーム２，２’とをワイヤ４を介して電気的に接続する。ＬＥＤチップ３の基板１への固定方法や、ＬＥＤチップ３とワイヤ４との接続、リードフレーム２，２’とワイヤ４との接続方法は、第１の態様のＬＥＤチップ実装工程と同様でありうる。
【０１１４】
ii）隔壁形成工程
リードフレームどうしの隙間に、隔壁を形成する。隔壁の形成方法は、特に制限されない。例えば一対のリードフレームの隙間に、樹脂やその前駆体、溶媒等が含まれる隔壁用組成物を塗布し、これを硬化させる方法等でありうる。
【０１１５】
隔壁用組成物に含まれる樹脂の種類は、特に制限されず、例えば、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等でありうる。また、溶媒は、上記樹脂またはその前駆体を溶解させることが可能なものであれば、特に制限されず、例えばトルエン、キシレンなどの炭化水素類；アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン類；ジエチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルアセテートなどのエステル類等でありうる。
【０１１６】
隔壁用組成物を塗布方法は、特に制限はない。例えばディスペンサ等の塗布装置で、所望の幅に隔壁用組成物を塗布する。また、隔壁用組成物の硬化方法や硬化条件は、透明樹脂の種類により適宜選択され、硬化方法の一例として、加熱硬化が挙げられる。なお、隔壁用組成物の一回の塗布では、所望の厚みの隔壁が得られない場合には、隔壁用組成物の塗布・硬化を複数回にわけて行ってもよい。
【０１１７】
また、隔壁の形成方法は、上記方法に限定されず、例えば、所望の幅、長さ、及び高さに形成された樹脂製の部材を、リードフレームどうしの隙間に載置する方法等であってもよい。
【０１１８】
iii）透光層形成工程
隔壁８によって隔てられた領域のうち、一方の領域に透光層用組成物を塗布し、これを硬化させて透光層５を形成する。透光層用組成物の塗布方法は、透光層用組成物が隔壁８を越えて、他のリードフレーム２’側に侵入しない方法であればよく、例えば、ディスペンサで透光層用組成物を塗布する方法等でありうる。本態様で塗布する透光層用組成物や、透光層用組成物の硬化方法は第１の態様と同様でありうる。
【０１１９】
（iv）波長変換層形成工程
波長変換層６は、ＬＥＤチップ３の光取り出し面を少なくとも被覆するように形成すればよいが、基板１全面に波長変換層６を形成することが好ましい。波長変換層６は、透明樹脂もしくはその前駆体と、蛍光体粒子とを含有する波長変換層形成用組成物を調製し、これを塗布し、硬化させることで得られる。波長変換層用組成物、及びその塗布方法や硬化方法は、第１の態様の波長変換層工程と同様でありうる。
【０１２０】
（４）第４の態様
第４の態様の製造方法では、以下の４つの工程を行う。
ｉ）複数のリードフレームが配設された基板上に、ＬＥＤチップを配置し、リードフレームとＬＥＤチップ上面とをワイヤを介して電気的に接続する工程
ii）ワイヤのリードフレームとの接続端部、及び／またはワイヤのＬＥＤチップとの接続端部に、撥液性化合物を塗布し、乾燥させる工程
iii）リードフレーム上に、ポリシロキサン前駆体及び溶媒を含む透光層用組成物を塗布し、これを硬化させて透光層を形成する工程
iv）ＬＥＤチップの光取り出し面を被覆するように、透明樹脂及び蛍光体粒子を含む波長変換層用組成物を塗布し、硬化させて波長変換層を形成する工程
【０１２１】
本態様の製造方法では、ワイヤ４の接続端部１０，１１に撥液性化合物９を塗布する。したがって、透光層用組成物が接続端部１０，１１上に付着しない。したがって、透光層５が接続端部１０，１１上に形成されず、図４に示されるＬＥＤ装置；つまり、波長変換層６が、ワイヤ４のリードフレーム２，２’との接続端部１０、及び／またはワイヤ４のＬＥＤチップ３との接続端部１１と接するＬＥＤ装置が得られる。なお、図４に示されるＬＥＤ装置では、上記接続端部１０，１１のうち、１つの接続端部１０のみが、波長変換層６と接している。
【０１２２】
ｉ）ＬＥＤチップ実装工程
複数のリードフレーム２，２’が配設された基板１に、ＬＥＤチップ３を固定し、このＬＥＤチップ３の上面とリードフレーム２，２’とをワイヤ４を介して電気的に接続する。ＬＥＤチップ３の基板１への固定方法や、ＬＥＤチップ３とワイヤ４との接続、リードフレーム２，２’とワイヤ４との接続方法は、第１の態様のＬＥＤチップ実装工程と同様でありうる。
【０１２３】
ii）撥液性化合物塗布工程
ワイヤ４のリードフレーム２，２’との接続端部１０、及び／またはワイヤ４のＬＥＤチップ３との接続端部１１に、撥液性化合物９を塗布する。全ての接続端部１０，１１に撥液性化合物９を塗布してもよく、一部の接続端部１０，１１にのみ撥液性化合物９を塗布してもよい。
【０１２４】
撥液性化合物の例には、フッ素系化合物やシリコーン系化合物等が含まれる。フッ素系化合物の例には、オプツール（（商品名）ダイキン社製）や、デュラサーフ（（商品名）ハーベス社製）等が含まれる。シリコーン系化合物の例には、タカタクォンタム（（商品名）日本油脂社製）等が含まれる。透光層用組成物をより付着し難くするとの観点から、フッ素系化合物であることが好ましい。
【０１２５】
撥液性化合物９の塗布方法は、特に制限されず、ディスペンサ等で、所望の接続端部上に塗布する方法でありうる。撥液性化合物９は、上記接続端部１０，１１にのみ塗布してもよいが、上記接続端部１０，１１の周囲のリードフレーム２，２’、もしくはＬＥＤチップ３にも塗布することが好ましい。これにより、接続端部１０，１１近傍に透光層用組成物が付着することを確実に抑制することができる。
【０１２６】
撥液性化合物の乾燥方法や乾燥条件は、撥液性化合物の種類により適宜選択される。乾燥方法の一例として、加熱乾燥等が挙げられる。
【０１２７】
iii）透光層形成工程
前述の被覆部材７が接続端部１０，１１に配置された基板１上に、透光層用組成物を塗布し、これを硬化させて透光層５を形成する。透光層用組成物の組成や、透光層用組成物の塗布・硬化方法は第１の態様と同様でありうる。
【０１２８】
（iv）波長変換層形成工程
波長変換層６は、ＬＥＤチップ３の光取り出し面を少なくとも被覆するように形成すればよいが、基板１全面に波長変換層６を形成することが好ましい。波長変換層６は、透明樹脂もしくはその前駆体と、蛍光体粒子とを含有する波長変換層形成用組成物を調製し、これを塗布し、硬化させることで得られる。波長変換層用組成物、及びその塗布方法や硬化方法は、第１の態様の波長変換層工程と同様でありうる。
【０１２９】
（５）第５の態様
第５の態様の製造方法では、以下の３つの工程を行う。
ｉ）複数のリードフレームが配設された基板上に、ＬＥＤチップを配置し、リードフレームとＬＥＤチップ上面とをワイヤを介して電気的に接続する工程
ii）ＬＥＤチップの上面を避けてポリシロキサン前駆体及び溶媒を含む透光層用組成物を塗布し、これを硬化させて、ＬＥＤチップの高さより厚みが薄い透光層を形成する工程
iii）透光層上に、透明樹脂及び蛍光体粒子を含む波長変換層用組成物を塗布し、硬化させて波長変換層を形成する工程
【０１３０】
本態様の製造方法では、ＬＥＤチップ３の上面を避けて透光層用組成物を塗布し、さらに透光層５の厚みを、ＬＥＤチップ３の高さより薄くする。そのため、ＬＥＤチップ３の上面に、透光層５が形成されず、図５に示されるＬＥＤ装置；つまり、波長変換層６が、ワイヤ４のＬＥＤチップ３との接続端部１１と接するＬＥＤ装置が得られる。
【０１３１】
ｉ）ＬＥＤチップ実装工程
複数のリードフレーム２，２’が配設された基板１に、ＬＥＤチップ３を固定し、このＬＥＤチップ３の上面とリードフレーム２，２’とをワイヤ４を介して電気的に接続する。ＬＥＤチップ３の基板１への固定方法や、ＬＥＤチップ３とワイヤ４との接続、リードフレーム２，２’とワイヤ４との接続方法は、第１の態様のＬＥＤチップ実装工程と同様でありうる。
【０１３２】
ii）透光層形成工程
本態様では、ＬＥＤチップ３の上面を避ける；つまり、ＬＥＤチップ３の上面に透光層用組成物が付着しないように透光層用組成物を塗布する。透光層用組成物の塗布方法は、ＬＥＤチップ３の上面に透光層用組成物が付着しない方法であれば、特に制限されない。例えば、ＬＥＤチップ３から離れた位置から、ディスペンサ等で塗布する方法等でありうる。透光層用組成物の塗布の際には、透光層用組成物の塗布膜厚が、ＬＥＤチップ３の高さを超えないように調整する。本態様で塗布する透光層用組成物や、透光層用組成物の硬化方法は第１の態様と同様でありうる。
【０１３３】
iii）波長変換層形成工程
波長変換層６は、ＬＥＤチップ３の光取り出し面を少なくとも被覆するように形成すればよいが、基板１全面に波長変換層６を形成することが好ましい。波長変換層６は、透明樹脂もしくはその前駆体と、蛍光体粒子とを含有する波長変換層形成用組成物を調製し、これを塗布し、硬化させることで得られる。波長変換層用組成物、及びその塗布方法や硬化方法は、第１の態様の波長変換層工程と同様でありうる。
【実施例】
【０１３４】
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明する。しかしながら、本発明の範囲はこれによって何ら制限を受けない。
【０１３５】
＜蛍光体粒子の調製＞
以下に、蛍光体粒子の調製方法を示す。
蛍光体原料として、Ｙ２Ｏ３７．４１ｇ、Ｇｄ２Ｏ３４．０１ｇ、ＣｅＯ２０．６３ｇ、及びＡｌ２Ｏ３７．７７ｇを十分に混合した。これにフラックスとしてフッ化アンモニウムを適量混合し、アルミ製の坩堝に充填した。当該充填物を、水素含有窒素ガスを流通させた還元雰囲気中において、１３５０〜１４５０℃の温度範囲で２〜５時間焼成して焼成品（（Ｙ０．７２Ｇｄ０．２４）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ０．０４）を得た。
【０１３６】
得られた焼成品を粉砕、洗浄、分離、乾燥して、平均粒径が１０μｍ程度の黄色蛍光体粒子を得た。波長４６５ｎｍの励起光における発光波長を測定したところ、おおよそ波長５７０ｎｍにピーク波長を有していた。
【０１３７】
＜透光層用組成物の調製＞
テトラメトキシシラン３６．０ｇ、メチルトリメトキシシラン１０．７ｇ、ジメトキシジメチルシラン９．４８ｇ、メタノール３７．５ｇ、及びアセトン３７．５ｇを混合、撹拌した。さらに、水５１．１ｇ、６０％硝酸４．４μＬを加え、さらに３時間撹拌した。その後、２６℃で２日間熟成させた。得られた組成物をポリシロキサン前駆体の固形分値が１０％となるようにメタノールで希釈し、４官能成分：３官能成分：２官能成分＝６：２：２のポリシロキサン前駆体を含むポリシロキサン溶液を得た。続いて、前記ポリシロキサン溶液２０．０ｇに、平均一次粒径が５ｎｍの酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）微粒子が分散したＺｒＯ２分散液（堺化学株式会社製）を３．０ｇ添加し、透光層用組成物とした。透光層用組成物の固形分に対する、酸化ジルコニウムの濃度は、４５質量％とした。
【０１３８】
（比較例１）
図６（Ａ）に示される、表面が銀メッキされたリードフレーム２及び２’を有する芳香族ポリアミド製円形パッケージ（基板）１（開口径３ｍｍ、底面直径２ｍｍ、開口部の壁面傾斜角度６０°）を準備した。円形パッケージの開口部中央に、１つの青色ＬＥＤチップ３（直方体状；２００μｍ×３００μｍ×１００μｍ）をダイボンド用接着剤で固定した。ＬＥＤチップ３のアノード電極を、一方のリードフレーム２にワイヤ４（金線）で接続した。ＬＥＤチップ３のカソード電極を他方のリードフレーム２’にワイヤ４で接続した。
【０１３９】
前記透光層用組成物を、図６（Ｂ）に示されるように、パッケージ１の開口部底面全体にスプレー塗布した。そして、１５０°で１時間焼成し、１．５μｍの透光層５を形成した。その後、シリコーン樹脂（ＯＥ６６３０）９ｇに前記蛍光体粒子１ｇを分散させた波長変換層用組成物を準備した。この波長変換層用組成物を、透光層５上にディスペンサで塗布した後、１５０℃で１時間加熱し、硬化させた。得られた波長変換層６の厚みは２．５ｍｍであった。
【０１４０】
（実施例１）
比較例１と同様のパッケージ１及びＬＥＤチップ３を準備し、パッケージ１のリードフレーム２及び２’とＬＥＤチップ３とをワイヤ４で接続した。その後、一方のワイヤ４のリードフレーム２’との接続端部１０上にマスクを配置し、前記透光層用組成物を、パッケージ１の開口部底面にスプレー塗布した。その後、１５０℃で１時間硬化させて透光層５を形成し、上記マスクを除去した。比較例１と同様の波長変換層用組成物を準備した。この波長変換層用組成物を透光層５上にディスペンサで塗布した後、１５０℃で１時間加熱して硬化させ、図１に示されるＬＥＤ装置を得た。得られた波長変換層６の厚みは２．５ｍｍであった。
【０１４１】
（実施例２）
比較例１と同様のパッケージ１及びＬＥＤチップ３を準備し、パッケージ１のリードフレーム２及び２’とＬＥＤチップ３とをワイヤ４で接続した。その後、ワイヤ４のリードフレーム２，２’との接続端部１０上にシリコーン樹脂（ＯＥ６６３０  東レダウ社製）をディスペンサで塗布し、１５０℃で１時間硬化させた。その後、マスクを配置しなかった以外は実施例１と同様に透光層５を形成し、さらに波長変換層６を形成して、図２に示されるＬＥＤ装置を得た。
【０１４２】
（実施例３）
比較例１と同様のパッケージ１及びＬＥＤチップ３を準備し、パッケージ１のリードフレーム２及び２’とＬＥＤチップ３とをワイヤ４で接続した。その後、一対のリードフレーム２及び２’の隙間に、シリコーン樹脂（ＯＥ６６３０  東レダウ社製）をディスペンサで塗布し、１５０℃で１時間硬化させて隔壁８を形成した。得られた隔壁の高さは５０μｍであった。そして、隔壁８で隔てられた領域のうち、ＬＥＤチップ３が配置されている側のリードフレーム２上に、透光層用組成物を、ディスペンサで塗布した。その後、１５０℃で１時間硬化させて透光層５を得た。さらに、比較例１と同様の波長変換層用組成物を準備した。この波長変換層用組成物を透光層５上にディスペンサで塗布した後、１５０℃で１時間加熱して硬化させ、図３に示されるＬＥＤ装置を得た。
【０１４３】
（実施例４）
比較例１と同様のパッケージ１及びＬＥＤチップ３を準備し、パッケージ１のリードフレーム２及び２’とＬＥＤチップ３とをワイヤ４で接続した。その後、一方のワイヤ４のリードフレーム２’との接続端部上に撥液性化合物（デュラサーフＤＳ１６００：ハーベス社製）をディスペンサで塗布し、１５０°で１時間加熱して乾燥させた。その後、マスクを配置しなかった以外は実施例１と同様に透光層５を形成し、さらに波長変換層６を形成して、図４に示されるＬＥＤ装置を得た。
【０１４４】
（実施例５）
比較例１と同様にリードフレーム２及び２’とＬＥＤチップ３とを接続した。その後、ＬＥＤチップ３の上面を避けて、透光層用組成物をディスペンサで塗布した。透光層用組成物は、パッケージ１の端部側から、注入した。得られた透光層用組成物の厚みは１．５μｍであった。さらに、実施例１と同様に波長変換層６を形成し、図５に示されるＬＥＤ装置を得た。
【０１４５】
＜耐熱性評価＞
実施例及び比較例のＬＥＤ装置をそれぞれ１００個ずつ作成した。１２０℃のオーブン中に、作製したＬＥＤ装置を入れて、１０００時間静置した。各ＬＥＤ装置について、オーブンに入れる前、入れた後の全光束測定を行った。全光束は、分光放射輝度計（ＣＳ−２０００、コニカミノルタセンシング社製）で測定した。
【０１４６】
そして、全光束対初期比（試験後全光束値／試験前全光束値×１００）が９５％以上であるＬＥＤ装置を合格、全光束対初期比（試験後全光束値／試験前全光束値×１００）が９５％未満であるＬＥＤ装置を不合格として判定した。
各実施例及び比較例で作製したＬＥＤ装置のうち、合格品の比率が９９％以上である場合を○、合格品の比率が９５％以上９９％未満である場合を△、合格品の比率が９５％未満である場合を×と評価した。結果を表１に示す。
【０１４７】
＜腐食耐性評価＞
各実施例及び比較例で作製したＬＥＤ装置の、腐食耐性を評価した。具体的には、ＪＩＳ規格のガス暴露試験（ＪＩＳ  Ｃ  ６００６８−２−４３）に基づき、硫化水素ガス１５ｐｐｍとした雰囲気（温度２５℃、相対湿度７５％ＲＨ）に、作製したＬＥＤ装置を１０００時間暴露した。各ＬＥＤ装置について、暴露の前後で全光束測定を行い、下記の基準で腐食耐性評価を行った。結果を表１に示す。
・全光束対初期比（硫化ガス暴露後全光束値／硫化ガス暴露前全光束値×１００）が９６％以上である：○
・全光束対初期比（硫化ガス暴露後全光束値／硫化ガス暴露前全光束値×１００）が９２％以上９６％未満である：△
・全光束対初期比（硫化ガス暴露後全光束値／硫化ガス暴露前全光束値×１００）が９２％未満である：×
【０１４８】
【表１】
2014041955.tif 000003
【０１４９】
上記表１に示されるように、透光層がワイヤのリードフレームとの接続端部に接触しない箇所を有する場合（実施例１〜４）、もしくは透光層がワイヤのＬＥＤチップ上面との接続端部に接触しない箇所を有する場合（実施例５）、耐熱性の評価が良好であった。実施例１〜５の態様では、ワイヤのリードフレームとの接続端部や、ワイヤのＬＥＤチップとの接続端部が、比較的柔軟性の高い波長変換層や被覆部材と接している。そのため、ＬＥＤ装置に熱がかかって、基板が熱膨張しても、影響が少なかったと推察される。
【０１５０】
一方、ワイヤのリードフレームとの接続端部、及びワイヤのＬＥＤチップ上面との接続端部の全てに透光層が接触している場合（比較例１）には、耐熱性の評価結果が低かった。この態様では、全てのワイヤの接続端部が透光層に接しているため、ＬＥＤ装置に熱がかかった際、基板の変形にワイヤが追従しようとして、透光層にストレスがかかりやすく、ワイヤの接続端部でクラックが発生しやすかったと推察される。
【０１５１】
なお、透光層がリードフレームの一部を被覆していなくても（実施例１〜５）、硫化耐性評価は比較的良好であった。透光層が上記接続端部以外の領域のリードフレームを被覆しているため、硫化水素ガスによって腐食された面積が少なかったと推察される。
【産業上の利用可能性】
【０１５２】
本発明のＬＥＤ装置は、長期間に亘って、ガスバリア性や光取り出し性が高い。したがって、屋内、屋外の照明装置等にいずれも適用可能である。
【符号の説明】
【０１５３】
１  基板
２  リードフレーム
３  ＬＥＤチップ
４  ワイヤ
５  透光層
６  波長変換層
７  被覆部材
８  隔壁
９  撥液性化合物
１０，１１  ワイヤの接続端部
２１  絶縁性基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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