(57)【要約】【課題】本発明は、多層回路基板及びその製作方法を提供する。【解決手段】本発明の多層回路基板は、ベース層、ベース層の一方側の面に形成される第一導電回路層、第一導電回路層の上に順次に交互に積層される複数の第一絶縁材料層及び複数の第三導電回路層を備え、複数の第一絶縁材料層及び複数の第三導電回路層の内部に第一収容部が形成され、一部分の第一導電回路層は第一収容部から露出されて複数の第一電気接触パッドを構成する多層基板と、交互に設置される複数の第一高密度回路層及び複数の第三絶縁材料層を備える第一高密度回路基板であって、第一高密度回路基板の一方側の最外層の第一高密度回路層は複数の第三電気接触パッドを備え、第一高密度回路基板は第一収容部に設置されて、複数の第三電気接触パッドは複数の第一電気接触パッドのそれぞれに電気的に接続される第一高密度回路基板と、を備える。【選択図】図９
2014107552.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース層と、前記ベース層の一方側の面に形成される第一導電回路層と、前記第一導電回路層の上に順次に交互に積層される複数の第一絶縁材料層及び複数の第三導電回路層と、を備える多層基板を提供するステップと、
複数の前記第一絶縁材料層及び複数の前記第三導電回路層の内部に第一収容部を形成して、一部分の前記第一導電回路層を前記第一収容部から露出させて複数の第一電気接触パッドを構成するステップと、
交互に設置される複数の第一高密度回路層及び複数の第三絶縁材料層を備える第一高密度回路基板を提供し、前記第一高密度回路基板の一方側の最外層の第一高密度回路層は複数の第三電気接触パッドを備え、前記第一高密度回路層の回路密度は前記第一導電回路層の回路密度より大きいステップと、
前記第一高密度回路基板を前記多層基板の第一収容部に設置して、複数の前記第三電気接触パッドを複数の第一電気接触パッドのそれぞれに電気的に接続させて多層回路基板を形成するステップと、
を備えることを特徴とする多層回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記多層基板は、前記ベース層の一方側の反対側の他方側の面に形成される第二導電回路層と、前記第二導電回路層の上に順次に交互に積層される複数の第二絶縁材料層及び複数の第四導電回路層と、をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項３】
複数の前記第二絶縁材料層及び複数の前記第四導電回路層の内部に第二収容部を形成して、一部分の前記第二導電回路層を前記第二収容部から露出させて複数の第二電気接触パッドを構成するステップと、
交互に設置される複数の第二高密度回路層及び複数の第四絶縁材料層を備える第二高密度回路基板を提供し、前記第二高密度回路基板の一方側の最外層の第二高密度回路層は複数の第五電気接触パッドを備えるステップと、
前記第二高密度回路基板を前記多層基板の第二収容部に設置して、複数の前記第五電気接触パッドを複数の第二電気接触パッドのそれぞれに電気的に接続させて多層回路基板を形成するステップと、
をさらに備えることを特徴とする請求項２に記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記第一高密度回路基板及び前記第二高密度回路基板を別々に第一テープ及び第二テープに取り付けた後、前記第一テープ及び前記第二テープを高速チップマウンターに装着して、前記第一高密度回路基板及び前記第二高密度回路基板は、高速チップマウンターによって別々に前記第一収容部及び前記第二収容部に設置されることを特徴とする請求項３に記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記第一高密度回路基板の前記第三電気接触パッドが所在する一方側の反対側の他方側の最外層の第一高密度回路層は複数の第四電気接触パッドを備え、前記第二高密度回路基板の前記第五電気接触パッドが所在する一方側の反対側の他方側の最外層の第二高密度回路層は複数の第六電気接触パッドを備え、前記第四電気接触パッド及び前記第六電気接触パッドは、電子素子を溶接するために用いられることを特徴とする請求項３に記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項６】
ベース層、前記ベース層の一方側の面に形成される第一導電回路層、前記第一導電回路層の上に順次に交互に積層される複数の第一絶縁材料層及び複数の第三導電回路層を備え、複数の前記第一絶縁材料層及び複数の前記第三導電回路層の内部に第一収容部が形成され、一部分の前記第一導電回路層は前記第一収容部から露出されて複数の第一電気接触パッドを構成する多層基板と、
交互に設置される複数の第一高密度回路層及び複数の第三絶縁材料層を備える第一高密度回路基板であって、前記第一高密度回路層の回路密度は前記第一導電回路層の回路密度より大きく、前記第一高密度回路基板の一方側の最外層の第一高密度回路層は複数の第三電気接触パッドを備え、前記第一高密度回路基板は前記第一収容部に設置されて、複数の前記第三電気接触パッドは複数の第一電気接触パッドのそれぞれに電気的に接続される第一高密度回路基板と、
を備えることを特徴とする多層回路基板。
【請求項７】
前記多層基板は、前記ベース層の一方側の反対側の他方側の面に形成される第二導電回路層と、前記第二導電回路層の上に順次に交互に積層される複数の第二絶縁材料層及び複数の第四導電回路層と、をさらに備え、複数の前記第二絶縁材料層及び複数の前記第四導電回路層の内部に第二収容部が形成され、一部分の前記第二導電回路層は前記第二収容部から露出されて複数の第二電気接触パッドを構成し、
前記多層回路基板は、交互に設置される複数の第二高密度回路層及び複数の第四絶縁材料層を備える第二高密度回路基板をさらに備え、前記第二高密度回路層の回路密度は前記第二導電回路層の回路密度より大きく、前記第二高密度回路基板の一方側の最外層の第二高密度回路層は複数の第五電気接触パッドを備え、前記第二高密度回路基板は前記第二収容部に設置されて、複数の前記第五電気接触パッドは複数の第二電気接触パッドのそれぞれに電気的に接続されることを特徴とする請求項６に記載の多層回路基板。
【請求項８】
前記第一高密度回路基板の前記第三電気接触パッドが所在する一方側の反対側の他方側の最外層の第一高密度回路層は複数の第四電気接触パッドを備え、前記第二高密度回路基板の前記第五電気接触パッドが所在する一方側の反対側の他方側の最外層の第二高密度回路層は複数の第六電気接触パッドを備え、前記第四電気接触パッド及び前記第六電気接触パッドは、電子素子を溶接するために用いられることを特徴とする請求項７に記載の多層回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層回路基板及びその製作方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プリント回路基板は、実装密度が高い美点を有するので広く応用されている。回路基板の応用に関しては、非特許文献１を参照することができる。
【０００３】
従来の高密度多層回路基板において、高密度導電回路領域は回路基板の比較的小さい局部領域に集中される。高密度多層回路基板の製作過程において、回路基板全体に対して加工し、高密度領域の導電回路の製作歩留まり率が低密度領域の導電回路の製作歩留まり率より低く、高密度領域の導電回路に不良が存在する場合、回路基板全体の不良を招き、従って回路基板の製作歩留まり率が低下してしまう。又、高密度回路製作技術を利用して低密度回路領域を製作する場合は、製造コストが高くなってしまう。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】Ｔａｋａｈａｓｈｉ，Ａ．Ｏｏｋｉ，Ｎ．Ｎａｇａｉ，Ａ．Ａｋａｈｏｓｈｉ，Ｈ．Ｍｕｋｏｈ，Ａ．Ｗａｊｉｍａ，Ｍ．Ｒｅｓ．Ｌａｂ，Ｈｉｇｈ  ｄｅｎｓｉｔｙ  ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ  ｆｏｒ  ＨＩＴＡＣ  Ｍ−８８０，ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓ．ｏｎ  Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ，Ｐａｃｋａｇｉｎｇ，ａｎｄ  Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，１９９２，１５（４）：１４１８−１４２５
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、前記課題を解決し、製作歩留まり率が高く且つコストが低い多層回路基板及びその製作方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る多層回路基板は、ベース層、ベース層の一方側の面に形成される第一導電回路層、第一導電回路層の上に順次に交互に積層される複数の第一絶縁材料層及び複数の第三導電回路層を備え、複数の第一絶縁材料層及び複数の第三導電回路層の内部に第一収容部が形成され、一部分の第一導電回路層は第一収容部から露出されて複数の第一電気接触パッドを構成する多層基板と、交互に設置される複数の第一高密度回路層及び複数の第三絶縁材料層を備える第一高密度回路基板であって、第一高密度回路層の回路密度は第一導電回路層の回路密度より大きく、第一高密度回路基板の一方側の最外層の第一高密度回路層は複数の第三電気接触パッドを備え、第一高密度回路基板は第一収容部に設置されて、複数の第三電気接触パッドは複数の第一電気接触パッドのそれぞれに電気的に接続される第一高密度回路基板と、を備える。
【０００７】
本発明に係る多層回路基板の製作方法は、ベース層と、ベース層の一方側の面に形成される第一導電回路層と、第一導電回路層の上に順次に交互に積層される複数の第一絶縁材料層及び複数の第三導電回路層と、を備える多層基板を提供するステップと、複数の第一絶縁材料層及び複数の第三導電回路層の内部に第一収容部を形成して、一部分の第一導電回路層を第一収容部から露出させて複数の第一電気接触パッドを構成するステップと、交互に設置される複数の第一高密度回路層及び複数の第三絶縁材料層を備える第一高密度回路基板を提供し、第一高密度回路基板の一方側の最外層の第一高密度回路層は複数の第三電気接触パッドを備え、第一高密度回路層の回路密度は第一導電回路層の回路密度より大きいステップと、第一高密度回路基板を多層基板の第一収容部に設置して、複数の第三電気接触パッドを複数の第一電気接触パッドのそれぞれに電気的に接続させて多層回路基板を形成するステップと、を備える。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の多層回路基板及びその製作方法は、第一高密度回路基板を独立に製作してから電気回路基板の高密度回路領域として多層基板に設置するので、第一高密度回路基板の導電回路に不良が存在する場合、ただ第一高密度回路基板を捨てるだけで良く、多層回路基板全体を捨てることを必要としない。従って多層回路基板の製作歩留まり率を高め、製作コストを下げることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態に係る多層回路基板の製作過程で提供される回路基板の断面図である。
【図２】図１に示す回路基板における互いに反対側の２つの表面に別々に多層導電回路層及び多層絶縁材料層を形成してなる多層基板の断面図である。
【図３】図２に示す多層基板における互いに反対側の両側に別々に収容部を形成した後の断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る多層回路基板の製作過程で提供される第一高密度回路基板の断面図である。
【図５】複数の図４に示す第一高密度回路基板を第一テープに取り付けた後の平面図である。
【図６】本発明の実施形態に係る多層回路基板の製作過程で提供される第二高密度回路基板の断面図である。
【図７】複数の図６に示す第二高密度回路基板を第二テープに取り付けた後の平面図である。
【図８】図３に示す多層基板における互いに反対側の両側の収容部に導電粘着剤を設置した後の断面図である。
【図９】図８に示す多層基板における互いに反対側の両側の収容部に図４に示す第一高密度回路基板及び図６に示す第二高密度回路基板を設置した後の断面図である。
【図１０】図３に示す多層基板における互いに反対側の両側の収容部に異方性導電フィルムを設置した後の断面図である。
【図１１】図３に示す多層基板における互いに反対側の両側の収容部に導電溶接剤を設置した後の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。
【００１１】
本発明の実施形態に係る多層回路基板の製作方法は、以下のステップを備える。
【００１２】
第一ステップ：図１に示されたように、回路基板１０を提供する。
【００１３】
回路基板１０は、対向する第一表面１１１及び第二表面１１２を有するベース層１１と、第一表面１１１に形成される第一導電回路層１２と、第二表面１１２に形成される第二導電回路層１３と、を備える。第一導電回路層１２及び第二導電回路層１３は、イメージ転写及びエッチングによって形成される。
【００１４】
第二ステップ：図２に示されたように、回路基板１０の第一導電回路層１２側に複数の第一絶縁材料層１５及び複数の第三導電回路層１４を交互に圧合形成して、第一導電回路層１２と第三導電回路層１４との間及び隣り合う２つの第三導電回路層１４の間は、それぞれ第一絶縁材料層１５によって隔てられ、回路基板１０の第二導電回路層１３側に複数の第二絶縁材料層１７及び複数の第四導電回路層１６を交互に圧合形成して、第二導電回路層１３と第四導電回路層１６との間及び隣り合う２つの第四導電回路層１６の間は、それぞれ第二絶縁材料層１７によって隔てられる。第一導電回路層１２、第二導電回路層１３、第三導電回路層１４及び第四導電回路層１６は、導電貫通孔１８及び導電ブラインドビア（ＢｌｉｎｄＶｉａ）１９によって層間電気接続を実現して、多層基板２０を形成する。
【００１５】
多層基板２０のベース層１１の対向する両側は、全て高密度回路領域及び低密度回路領域を備える。ベース層１１の第一表面１１１側は第一高密度回路領域２１及び第一低密度回路領域２２を備え、ベース層１１の第二表面１１２側は第二高密度回路領域２３及び第二低密度回路領域２４を備える。本実施形態においては、第一高密度回路領域２１及び第二高密度回路領域２３に導電回路を設置しなかった。複数の第一絶縁材料層１５、複数の第三導電回路層１４、複数の第二絶縁材料層１７及び複数の第四導電回路層１６は、他の製造方法でも形成することができ、本実施形態の圧合方法で形成されることに制限されるものではない。
【００１６】
第三ステップ：図３に示されたように、多層基板２０の第一高密度回路領域２１の複数の第一絶縁材料層１５を除去して第一収容部２０１を形成し、一部分の第一導電回路層１２は第一収容部２０１から露出されて複数の第一電気接触パッド２５を構成し、多層基板２０の第二高密度回路領域２３の複数の第二絶縁材料層１７を除去して第二収容部２０２を形成し、一部分の第二導電回路層１３は第二収容部２０２から露出されて複数の第二電気接触パッド２６を構成する。
【００１７】
レーザー切断方式又は機械切断方式を採用して複数の第一絶縁材料層１５及び複数の第二絶縁材料層１７を除去することができる。第一高密度回路領域２１及び第二高密度回路領域２３に導電回路が設置される場合、対応する導電回路を一緒に除去する。
【００１８】
第四ステップ：図４及び図５に示されたように、第一高密度回路基板２７を提供する。第一高密度回路基板２７は、交互に設置される複数の第一高密度回路層２８及び複数の第三絶縁材料層２９を備え、複数の第一高密度回路層２８は、複数の第三絶縁材料層２９の内部に設置された複数の第一導電孔３０によって電気的に接続される。第一高密度回路基板２７の最外層の第一高密度回路層２８の一部分は露出されて複数の第三電気接触パッド２８２を構成し、第三電気接触パッド２８２と第一電気接触パッド２５の数量及び位置は対応する。
【００１９】
複数の第一高密度回路層２８の回路密度は、第一導電回路層１２及び第二導電回路層１３の回路密度より大きい。図５に示されたように、第一高密度回路基板２７の製作を完了してから第一テープ３１に取り付けて、後に、高速チップマウンターで第一テープ３１の上の第一高密度回路基板２７を多層基板２０に装着する。第一高密度回路基板２７は圧合方法で形成されるが、これに限定されるものではない。本実施形態において、第一導電孔３０は導電ブラインドビアである。本実施形態において、第一高密度回路基板２７の第三電気接触パッド２８２から離れている最外層の第三絶縁材料層２９は第一溶接防止層２９２であり、第一溶接防止層２９２はそれに隣り合う第一高密度回路層２８を部分的に覆って、第一溶接防止層２９２から露出された最外層の第一高密度回路層２８は、レジスター、キャパシター、チップなどの電子素子を溶接するために用いられる第四電気接触パッド２８４を構成する。
【００２０】
第五ステップ：図６及び図７に示されたように、第二高密度回路基板３２を提供する。第二高密度回路基板３２は、交互に設置される複数の第二高密度回路層３３及び複数の第四絶縁材料層３４を備え、複数の第二高密度回路層３３は、複数の第四絶縁材料層３４の内部に設置された複数の第二導電孔３７によって電気的に接続される。第二高密度回路基板３２の最外層の第二高密度回路層３３の一部分は暴露されて複数の第五電気接触パッド３３２を構成し、第五電気接触パッド３３２と第二電気接触パッド２６の数量及び位置は対応する。
【００２１】
複数の第二高密度回路層３３の回路密度は、第一導電回路層１２及び第二導電回路層１３の回路密度より大きい。図７に示されたように、第二高密度回路基板３２の製作を完了してから第二テープ３５に取り付けて、後に、高速チップマウンターで第二テープ３５の上の第二高密度回路基板３２を多層基板２０に装着する。第二高密度回路基板３２は圧合方法で形成されるが、これに限定されるものではない。本実施形態において、第二導電孔３７は導電ブラインドビアである。本実施形態において、第二高密度回路基板３２の第五電気接触パッド３３２から離れている最外層の第四絶縁材料層３４は第二溶接防止層３４２であり、第二溶接防止層３４２はそれに隣り合う第二高密度回路層３３を部分的に覆って、第二溶接防止層３４２から露出された最外層の第二高密度回路層３３は、レジスター、キャパシター、チップなどの電子素子を溶接するために用いられる第六電気接触パッド３３４を構成する。
【００２２】
第六ステップ：図８に示されたように、多層基板２０の第一収容部２０１から露出された第一電気接触パッド２５及び第二収容部２０２から露出された第二電気接触パッド２６の端面のそれぞれに導電粘着層３６を形成する。本実施形態において、導電粘着層３６は、導電銀ペースト又は導電銅ペーストを印刷する方式によって形成される。
【００２３】
図１０に示されたように、導電粘着層３６は異方性導電フィルム３６１であることができる。図１１に示されたように、導電粘着層３６は錫導電膏のような導電溶接剤３６２であることができ、本実施形態において、導電溶接剤３６２を形成する前に、先ず第一電気接触パッド２５及び第二電気接触パッド２６の周囲に溶接防止構造３６３を形成してから、印刷方式によって導電溶接剤３６２を第一電気接触パッド２５及び第二電気接触パッド２６の端面に形成する。
【００２４】
第七ステップ：図９に示されたように、第一高密度回路基板２７を第一収容部２０１に固定して、複数の第三電気接触パッド２８２は導電粘着層３６によって複数の第一電気接触パッド２５のそれぞれに電気的に接続され、第二高密度回路基板３２を第二収容部２０２に固定して、複数の第五電気接触パッド３３２は導電粘着層３６によって複数の第二電気接触パッド２６のそれぞれに電気的に接続されて、多層回路基板４０を形成する。
【００２５】
第四ステップ及び第五ステップにおいて、第一高密度回路基板２７及び第二高密度回路基板３２は別々に第一テープ３１及び第二テープ３５に取り付けられ、第一テープ３１及び第二テープ３５は高速チップマウンター（図示せず）に装着されるので、第七ステップにおいて、高速チップマウンターによって第一高密度回路基板２７及び第二高密度回路基板３２を別々に第一収容部２０１の第一電気接触パッド２５及び第二収容部２０２の第二電気接触パッド２６に接着する。高速チップマウンターの数量は一般的に２つであり、第一高密度回路基板２７の接着を完了してから、第一高密度回路基板２７を接着した多層基板２０を第一高速チップマウンターから退出して反転し、その後に第二高速チップマウンターに入って第二高密度回路基板３２を接着する。
【００２６】
第一高密度回路基板２７及び第二高密度回路基板３２を接着した後、第一高密度回路基板２７及び第二高密度回路基板３２の最外側表面は、多層基板２０の最外層表面と同じ平面にあるか又は多層基板２０の最外層表面から突出されるか又は多層基板２０の最外層表面から凹む。第一収容部２０１の内壁と第一高密度回路基板２７との間の隙間及び第二収容部２０２の内壁と第二高密度回路基板３２との間の隙間に樹脂を充填してもよく、又は充填しなくてもよい。
【００２７】
実際の生産過程においては、第一ステップ〜第三ステップ、第六ステップ及び第七ステップにおいて、回路基板１０は接続された複数の回路基板ユニットを備え、第七ステップで複数の多層回路基板４０を形成してから切断して、分離された複数の多層回路基板４０を形成する。本実施形態においては、説明を容易にするために、回路基板１０及び多層回路基板４０の数は１つである。
【００２８】
多層回路基板４０は、第四導電回路層１６、第二絶縁材料層１７及び第二高密度回路基板３２を設置しなくてもよく、ただ片側に高密度回路基板を設置することができ、本実施形態に限定されるものではない。
【００２９】
図９に示されたように、本実施形態に係る多層回路基板４０は、回路基板１０、複数の第三導電回路層１４、複数の第一絶縁材料層１５、複数の第四導電回路層１６、複数の第二絶縁材料層１７、第一高密度回路基板２７及び第二高密度回路基板３２を備える。
【００３０】
回路基板１０は、ベース層１１及びベース層１１における互いに反対側の２つの表面に形成される第一導電回路層１２及び第二導電回路層１３を備え、複数の第一絶縁材料層１５及び複数の第三導電回路層１４は、回路基板１０の第一導電回路層１２側に順次に交互に積層され、複数の第二絶縁材料層１７及び複数の第四導電回路層１６は、回路基板１０の第二導電回路層１３側に順次に交互に積層される。複数の第一絶縁材料層１５には第一収容部２０１が設けられて、一部分の第一導電回路層１２は第一収容部２０１から露出されて第一電気接触パッド２５を構成し、複数の第二絶縁材料層１７には第二収容部２０２が設けられて、一部分の第二導電回路層１３は第二収容部２０２から露出されて第二電気接触パッド２６を構成する。
【００３１】
第一高密度回路基板２７は、交互に設置される複数の第一高密度回路層２８及び複数の第三絶縁材料層２９を備え、複数の第一高密度回路層２８は、複数の第三絶縁材料層２９の内部に設置された複数の第一導電孔３０によって電気的に接続される。第一高密度回路基板２７の最外層の第一高密度回路層２８の一部分は露出されて複数の第三電気接触パッド２８２を形成し、第三電気接触パッド２８２と第一電気接触パッド２５の数量及び位置は対応する。第一高密度回路基板２７の第三電気接触パッド２８２から離れている最外層の第三絶縁材料層２９は第一溶接防止層２９２であり、第一溶接防止層２９２はそれに隣り合う第一高密度回路層２８を部分的に覆って、第一溶接防止層２９２から露出された最外層の第一高密度回路層２８は、レジスター、キャパシター、チップなどの電子素子を溶接するために用いられる第四電気接触パッド２８４を構成する。
【００３２】
第二高密度回路基板３２は、交互に設置される複数の第二高密度回路層３３及び複数の第四絶縁材料層３４を備え、複数の第二高密度回路層３３は、複数の第四絶縁材料層３４の内部に設置された複数の第二導電孔３７によって電気的に接続される。第二高密度回路基板３２の最外層の第二高密度回路層３３の一部分は露出されて複数の第五電気接触パッド３３２を構成し、第五電気接触パッド３３２と第二電気接触パッド２６の数量及び位置は対応する。第二高密度回路基板３２の第五電気接触パッド３３２から離れている最外層の第四絶縁材料層３４は第二溶接防止層３４２であり、第二溶接防止層３４２はそれに隣り合う第二高密度回路層３３を部分的に覆って、第二溶接防止層３４２から露出された最外層の第二高密度回路層３３は、レジスター、キャパシター、チップなどの電子素子を溶接するために用いられる第六電気接触パッド３３４を構成する。
【００３３】
複数の第一高密度回路層２８及び複数の第二高密度回路層３３の回路密度は、第一導電回路層１２及び第二導電回路層１３の回路密度より大きい。第一高密度回路基板２７及び第二高密度回路基板３２は別々に第一収容部２０１及び第二収容部２０２の内部に設置され、第一高密度回路基板２７の複数の第三電気接触パッド２８２は導電粘着層３６によって複数の第一電気接触パッド２５のそれぞれに電気的に接続され、第二高密度回路基板３２の複数の第五電気接触パッド３３２は導電粘着層３６によって複数の第二電気接触パッド２６のそれぞれに電気的に接続される。導電粘着層３６は、導電銀ペースト、導電銅ペースト、異方性導電フィルム、錫導電膏のような導電溶接剤などであることができるが、これに限定されるものではない。第一収容部２０１の内壁と第一高密度回路基板２７との間の隙間及び第二収容部２０２の内壁と第二高密度回路基板３２との間の隙間に樹脂を充填することができる。
【００３４】
従来の技術に比べて、本実施形態に係る多層回路基板４０の製造方法において、第一高密度回路基板２７及び第二高密度回路基板３２を独立に製作した後に電気回路基板の高密度回路領域として多層基板２０に装着するので、第一高密度回路基板２７及び第二高密度回路基板３２の導電回路に不良が存在する場合、ただ第一高密度回路基板２７及び第二高密度回路基板３２を捨てるだけで良く、多層回路基板４０全体を捨てることを必要としない。従って多層回路基板４０の製作歩留まり率を高め、製作コストを下げることができる。
【符号の説明】
【００３５】
１０  回路基板
１１  ベース層
１２  第一導電回路層
１３  第二導電回路層
１４  第三導電回路層
１５  第一絶縁材料層
１６  第四導電回路層
１７  第二絶縁材料層
１８  導電貫通孔
１９  導電ブラインドビア
２０  多層基板
２１  第一高密度回路領域
２２  第一低密度回路領域
２３  第二高密度回路領域
２４  第二低密度回路領域
２５  第一電気接触パッド
２６  第二電気接触パッド
２７  第一高密度回路基板
２８  第一高密度回路層
２９  第三絶縁材料層
３０  第一導電孔
３１  第一テープ
３２  第二高密度回路基板
３３  第二高密度回路層
３４  第四絶縁材料層
３５  第二テープ
３６  導電粘着層
３７  第二導電孔
４０  多層回路基板
１１１  第一表面
１１２  第二表面
２０１  第一収容部
２０２  第二収容部
２８２  第三電気接触パッド
２８４  第四電気接触パッド
２９２  第一溶接防止層
３３２  第五電気接触パッド
３３４  第六電気接触パッド
３４２  第二溶接防止層
３６１  異方性導電フィルム
３６２  導電溶接剤
３６３  溶接防止構造
【図１】
2014107552.tif 000003
【図２】
2014107552.tif 000004
【図３】
2014107552.tif 000005
【図４】
2014107552.tif 000006
【図５】
2014107552.tif 000007
【図６】
2014107552.tif 000008
【図７】
2014107552.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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