(57)【要約】【課題】  安定化時間を周囲温度に関係なく短縮できる発振器を提供する。【解決手段】  発振器１０は、圧電素子としての水晶振動素子１１と、周囲温度Ｔを検出する温度センサ１２と、発振部２０と、周波数補正部３０と、を備えている。発振部２０は、水晶振動素子１１を用いて所定の発振周波数ｆからなる出力信号Ｆｏｕｔを生成するとともに、補正電圧Ｖｃを入力して発振周波数ｆを補正する。周波数補正部３０は、温度センサ１２で検出された周囲温度Ｔ、及び、周囲温度Ｔと出力信号Ｆｏｕｔの周波数偏差ｄｆ／ｆの収束値ｃとの既知の関係に基づき、起動時に周波数偏差ｄｆ／ｆを収束値ｃに近づける補正電圧Ｖｃを発振部２０へ出力する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電素子と、
周囲温度を検出する温度センサと、
前記圧電素子を用いて所定の発振周波数からなる出力信号を生成するとともに、補正電圧を入力して前記発振周波数を補正する発振部と、
前記温度センサで検出された前記周囲温度、及び、前記周囲温度と前記出力信号の周波数偏差の収束値との既知の関係に基づき、起動時に前記周波数偏差を前記収束値に近づける前記補正電圧を前記発振部へ出力する周波数補正部と、
を備えた発振器。
【請求項２】
前記周波数補正部は、
前記周囲温度ごとの前記補正電圧に関するデータを予め記憶するメモリと、
前記温度センサで検出された前記周囲温度のデータを入力し、このデータと前記補正電圧に関するデータとに基づき前記周囲温度に対応する前記補正電圧を生成し、この補正電圧を前記発振部へ出力する補正電圧出力回路とを有する、
請求項１記載の発振器。
【請求項３】
前記発振部は、
温度補償電圧を生成する温度補償回路と、
この温度補償回路で生成された前記温度補償電圧を前記補正電圧出力回路から出力された前記補正電圧に加算する加算回路と、
前記圧電素子を含む発振ループ内に設けられ、前記温度補償電圧が加算された前記補正電圧によって前記発振周波数を補正する可変容量素子とを有する、
請求項２記載の発振器。
【請求項４】
前記発振部は、
前記圧電素子に並列接続された発振用のインバータと、
前記インバータへ定電流を供給するとともに、前記補正電圧によって前記定電流の値を変えることにより前記発振周波数を補正する可変定電流源とを有する、
請求項２記載の発振器。
【請求項５】
前記周波数補正部は、
前記出力信号の振幅を検出し、この振幅が一定以上の場合に前記補正電圧の出力を停止させる補正電圧停止回路を更に有する、
請求項２乃至４のいずれか一つに記載の発振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電素子を用いた発振器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、発振器としては、種々のものが開発されており、例えば温度補償水晶発振器（ＴＣＸＯ：Temperature Compensated Crystal Oscillator）がある。この温度補償水晶発振器は、圧電素子として使用する水晶振動子の周波数温度特性を補償するための温度補償回路を有し、例えば携帯電話機やパーソナル・ナビゲーション・デバイス（ＰＮＤ）などの電子機器に搭載され使用される。
【０００３】
図４に、従来の温度補償水晶発振器の一例として、特許文献１に開示された発振器１００の構成を示す。発振器１００は、圧電素子としての水晶振動子１１０と、水晶振動子１１０と電気的に接続されたＩＣチップ１２０とを有し、所望の発振周波数を有する出力信号Ｆｏｕｔを生成する。
【０００４】
ＩＣチップ１２０の内部には、水晶振動子１１０に接続された水晶発振回路１３０と、水晶振動子１１０の周波数温度特性を補償するための温度補償回路１４０とが形成されている。
【０００５】
より具体的には、水晶振動子１１０の一端は、水晶発振回路１３０のうち、帰還抵抗としての抵抗素子１３１の一端に接続されるとともに、インバータ１３２の入力端子に接続されている。また、水晶振動子１１０の一端とグランドＧＮＤとの間には、可変容量素子１３４が接続されている。
【０００６】
一方、水晶振動子１１０の他端は、水晶発振回路１３０のうち、抵抗素子１３１の他端に接続されるとともに、インバータ１３２の出力端子に接続されている。また、水晶振動子１１０の他端とグランドＧＮＤとの間には、可変容量素子１３５が接続されている。
【０００７】
インバータ１３２の出力端子には、バッファとしてのインバータ１３３の入力端子が接続され、インバータ１３２の出力端子から、所望の発振周波数を有する出力信号Ｆｏｕｔが出力される。
【０００８】
温度補償回路１４０は、温度の変化にかかわらず、一定の発振周波数を有する出力信号Ｆｏｕｔを発振器１００から出力させるため、水晶振動子１１０の周波数温度特性を補償するための回路である。
【０００９】
具体的には、温度補償回路１４０は、水晶振動子１１０の周囲の温度を測定するための温度センサを有し、当該温度センサによって得られた温度に基づいて、所定の温度補償電圧を生成する。
【００１０】
そして、温度補償回路１４０は、この温度補償電圧を可変容量素子１３４，１３５に印加し、可変容量素子１３４，１３５の容量を変化させることにより、出力信号Ｆｏｕｔの発振周波数を調整して温度補償を行う。
【００１１】
このようにして、発振器１００は、所望の発振周波数を有する出力信号Ｆｏｕｔを生成し、これを外部に出力する。すなわち、発振器１００では、周波数温度特性を補償することにより、周囲温度が変化しても所望の発振周波数が得られるように動作を調整している。
【００１２】
ところで、発振器が搭載される電子機器から見れば、起動から発振周波数が安定するまでの時間（以下「安定化時間」という。）はできるだけ短いことが望まれる。しかし、温度補償水晶振動子といえども、起動から発振周波数が安定するまでにはある程度の時間を要する。一方、起動時の温度補償動作を良好にして周波数変動を防止する温度補償水晶振動子が、特許文献２に開示されている。この温度補償水晶振動子は、温度補償電圧の起動時における誤差を予め計測し、この誤差を打ち消すような起動時補正電圧を可変容量素子に印加するものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２０１１−０３５４８２号公報（図３）
【特許文献２】特開２００８−２７１３５５号公報（図１）
【特許文献３】特開２００７−３２５０３３号公報（図３）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、特許文献２の技術では、安定化時間が長くなる場合があった。その理由を以下に説明する。
【００１５】
図５は、従来の発振器における、起動時の周波数偏差の変化を示すグラフである。横軸は電源投入時からの時間ｔであり、縦軸は所望の発振周波数からのずれを示す周波数偏差ｄｆ／ｆであり、周囲温度Ｔが−３０℃、＋２５℃、＋８５℃の場合の測定データがプロットされている。各周囲温度Ｔにおける周波数偏差ｄｆ／ｆは、起動時から時間ｔの経過に伴い、温度補償によってそれぞれの収束値ｃに近づく。一般に、周囲温度Ｔが＋２５℃の場合に収束値ｃが周波数偏差ｄｆ／ｆ＝０となるように、発振器が設計される。そのため、周囲温度Ｔが−３０℃や＋８５℃の場合の収束値ｃは、必ずしも周波数偏差ｄｆ／ｆ＝０とはならない。なお、周波数偏差ｄｆ／ｆの収束値ｃは、許容範囲内に入っていればよいので、その大小はあまり重要ではない。
【００１６】
一方、図５に示すように、周波数偏差ｄｆ／ｆは、周囲温度Ｔごとに異なる時間で収束値ｃに達する。例えば、周囲温度Ｔが＋８５℃の場合は、周囲温度Ｔが−３０℃の場合に比べて、発振周波数ｆが安定するまでに３倍程度の時間を要する。
【００１７】
特許文献２の技術では、このような起動時における周囲温度の影響が考慮されていないので、周囲温度によっては安定化時間が長くなるのである。
【００１８】
そこで、本発明の目的は、安定化時間を周囲温度に関係なく短縮できる発振器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明に係る発振器は、
圧電素子と、
周囲温度を検出する温度センサと、
前記圧電素子を用いて所定の発振周波数からなる出力信号を生成するとともに、補正電圧を入力して前記発振周波数を補正する発振部と、
前記温度センサで検出された前記周囲温度、及び、前記周囲温度と前記出力信号の周波数偏差の収束値との既知の関係に基づき、起動時に前記周波数偏差を前記収束値に近づける前記補正電圧を前記発振部へ出力する周波数補正部と、
を備えたものである。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、温度センサで検出された周囲温度、及び、周囲温度と出力信号の周波数偏差の収束値との既知の関係に基づき、起動時に周波数偏差を収束値に近づけるようにしたことにより、どのような周囲温度の場合でも速やかに周波数偏差を収束できるので、周囲温度に関係なく安定化時間を短縮できる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】実施形態１の発振器を示す回路図である。
【図２】実施形態１の発振器における、起動時の周波数偏差の変化を示すグラフである。
【図３】実施形態２の発振器を示す回路図である。
【図４】従来の発振器を示す回路図である。
【図５】従来の発振器における、起動時の周波数偏差の変化を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、添付図面を参照しながら、本発明を実施するための形態（以下「実施形態」という。）について説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成要素については同一の符号を用いる。
【００２３】
図１は、実施形態１の発振器を示す回路図である。以下、この図面に基づき説明する。
【００２４】
本実施形態１の発振器１０は、圧電素子としての水晶振動素子１１と、周囲温度Ｔを検出する温度センサ１２と、発振部２０と、周波数補正部３０と、を備えている。発振部２０は、水晶振動素子１１を用いて所定の発振周波数ｆからなる出力信号Ｆｏｕｔを生成するとともに、補正電圧Ｖｃを入力して発振周波数ｆを補正する。周波数補正部３０は、温度センサ１２で検出された周囲温度Ｔ、及び、周囲温度Ｔと出力信号Ｆｏｕｔの周波数偏差ｄｆ／ｆの収束値ｃとの既知の関係に基づき、起動時に周波数偏差ｄｆ／ｆを収束値ｃに近づける補正電圧Ｖｃを発振部２０へ出力する。
【００２５】
周波数補正部３０は、補正電圧出力回路３１とメモリ３２とを有する。メモリ３２は、周囲温度Ｔごとの補正電圧Ｖｃに関するデータを予め記憶している。補正電圧出力回路３１は、温度センサ１２で検出された周囲温度Ｔのデータを入力し、このデータとメモリ３２のデータとに基づき周囲温度Ｔに対応する補正電圧Ｖｃを生成し、補正電圧Ｖｃを発振部２０へ出力する。本実施形態１における、周囲温度Ｔごとの補正電圧Ｖｃに関するデータは、後述するようにオペアンプのゲインである。
【００２６】
発振部２０は、温度補償電圧Ｖａを生成する温度補償回路２１と、温度補償回路２１で生成された温度補償電圧Ｖａを補正電圧出力回路３１から出力された補正電圧Ｖｃに加算する加算回路２２と、水晶振動素子１１を含む発振ループ内に設けられ、温度補償電圧Ｖａが加算された補正電圧Ｖｃによって発振周波数ｆを補正する可変容量素子２６，２７とを有する。
【００２７】
周波数補正部３０は、出力信号Ｆｏｕｔの振幅を検出し、この振幅が一定以上の場合に補正電圧Ｖｃの出力を停止させる補正電圧停止回路３３を更に有する。
【００２８】
次に、各構成要素について更に詳しく説明する。
【００２９】
発振部２０は、帰還用の抵抗素子２３、発振用のインバータ２４、緩衝用のインバータ２５も有する。水晶振動子１１の一端には抵抗素子２３の一端、インバータ２４の入力端及び可変容量素子２６の一端が接続され、水晶振動子１１の他端には抵抗素子２３の他端、インバータ２４の出力端及び可変容量素子２６の一端が接続され、可変容量素子２６，２７の他端にはグランドＧＮＤが接続されている。水晶振動子１１、抵抗素子２３、インバータ２４及び可変容量素子２６，２７によって、発振ループが構成されている。
【００３０】
可変容量素子２６，２７は例えば可変容量ダイオードである。その場合、可変容量ダイオードのカソードが可変容量素子２６，２７の一端に相当し、可変容量ダイオードのアノードが可変容量素子２６，２７の他端に相当し、可変容量ダイオードのカソードに補正電圧Ｖｃ及び温度補償電圧Ｖａが印加される。可変容量ダイオードに印加される逆方向電圧が大きいほど、可変容量ダイオードの容量値が増加するので、発振周波数ｆは低下する。
【００３１】
温度補償回路２１は、例えば周囲温度を測定する温度センサを内蔵した一般的なものである。水晶振動子１１がＡＴカットの水晶片を使用している場合、その周波数温度特性は例えば三次関数となる。このとき、その周波数偏差は、周囲温度に対して正の三次曲線となる。そこで、温度補償回路２１は、周囲温度に対して正の三次曲線となる周波数偏差を打ち消すような、周囲温度に対して負の三次曲線となる温度補償電圧Ｖａを生成する。このような三次曲線の温度補償電圧Ｖａは、例えば温度領域ごとの直線を合わせて折れ線近似した温度補償電圧Ｖａとして生成できる（例えば特許文献３参照）。加算回路２２は、例えばオペアンプを中心とした演算回路である。
【００３２】
温度センサ１２は、周囲温度Ｔに対応する検出電圧Ｖｔを周囲温度Ｔのデータとして出力する、例えばＩＣチップ化に適した半導体温度センサである。半導体温度センサには、半導体の抵抗値の温度依存性やｐｎ接合の順方向電圧の温度依存性を利用したものが知られている。例えば、シリコンのｐｎ接合の場合、その順方向電圧は−２ｍＶ／℃で変化する。また、温度センサ１２は、抵抗値や順方向電圧の温度情報（周囲温度Ｔ）を使いやすい大きさのアナログ電圧（検出電圧Ｖｔ）に変換する回路を内蔵したものとしてもよい。
【００３３】
補正電圧出力回路３１は、例えば、オペアンプなどからなり、検出電圧Ｖｔを入力すると、これに対応する補正電圧Ｖｃを出力する。メモリ３２は、例えば、不揮発性半導体メモリ付きのディジタル・ポテンショメータであり、補正電圧出力回路３１を構成するオペアンプのゲインを書き込むための書込み端子を有する。メモリ３２には、周囲温度Ｔごとの補正電圧Ｖｃに関するデータに相当する、オペアンプのゲインが書き込まれている。一例を述べれば、周囲温度Ｔのある値をＴ１，Ｔ２，Ｔ３（Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ３）としたとき、Ｔ１≦Ｔ＜Ｔ２ではゲインをαすなわち補正電圧Ｖｃ＝αＶｔとし、Ｔ２≦Ｔ≦Ｔ３ではゲインをβすなわち補正電圧Ｖｃ＝βＶｔとする。このように温度領域ごとに異なるゲインを有する補正電圧出力回路３１の具体的な構成は、前述の温度補償回路２１の構成に準じて得ることができる。
【００３４】
ここで、ゲインの決定方法について説明する。まず、周波数補正部３０の無い状態又は周波数補正部３０を動作させない状態で、周囲温度Ｔと周波数偏差ｄｆ／ｆの収束値ｃとの関係を測定し、例えば図５に示すようなグラフを得る。具体的には、起動時に周波数偏差ｄｆ／ｆが変化して収束値ｃに至るまで、周囲温度Ｔごと及び時間ｔごとに周波数偏差ｄｆ／ｆを測定する。そして、どのような補正電圧Ｖｃをいつ出力すれば、起動時に周波数偏差ｄｆ／ｆを収束値ｃに最も早く近づけられるか、又は、起動時に周波数偏差ｄｆ／ｆが収束値ｃに至る時間を一定にできるか、計算及び実験を繰り返すことにより、最適な補正電圧Ｖｃを決定する。例えば、周囲温度Ｔが＋８５℃の場合は、収束値ｃに至るまでの時間ｔが長いため、起動直後に収束値ｃを飛び越え、その後に収束値ｃに落ち着く、オーバーシュート状の周波数偏差ｄｆ／ｆとなるような補正電圧Ｖｃとする。最後に、決定された最適な補正電圧Ｖｃに対応するゲインをメモリ３２に書き込む。なお、このゲインは、複数の発振器１０に対して品種が同じであれば全部同じ値としてもよいし、発振器１０の一個ごとに別々の値としてもよい。
【００３５】
補正電圧停止回路３３は、振幅比較回路３４及び電子スイッチ３５を有する。振幅比較回路３４は、例えば、出力信号Ｆｏｕｔを整流することにより出力信号Ｆｏｕｔの振幅に相当する直流電圧Ｖｄｃを検出し、直流電圧Ｖｄｃと基準電圧Ｖｒｅｆとを比較し、Ｖｄｃ≦Ｖｒｅｆであれば電子スイッチ３５の接点を閉にするスイッチ制御信号Ｖｓ１を出力し、Ｖｄｃ＞Ｖｒｅｆであれば電子スイッチ３５の接点を開にするスイッチ制御信号Ｖｓ０を出力する。電子スイッチ３５は、例えばトランジスタ等からなり、接点が閉のときに補正電圧Ｖｃの出力を許容し、接点が開のときに補正電圧Ｖｃの出力を遮断する。なお、補正電圧出力回路３１に一定時間だけ補正電圧Ｖｃを出力する機能を付与することにより、補正電圧停止回路３３を省略することも可能である。
【００３６】
次に、発振器１０の動作について説明する。
【００３７】
電源電圧を投入すると、発振器１０が起動する。つまり、発振部２０は出力信号Ｆｏｕｔを出力し始め、温度補償回路２１は温度補償電圧Ｖａを出力し始め、温度センサ１２は検出電圧Ｖｔを出力し始め、補正電圧出力回路３１は補正電圧Ｖｃを出力し始める。補正電圧Ｖｃは、加算回路２２で温度補償電圧Ｖａと加算され、Ｖｃ＋Ｖａとなって可変容量素子２６，２７に印加される。すると、水晶振動子１１を含む発振ループのインピーダンスが変化することにより、出力信号Ｆｏｕｔの発振周波数ｆが補正される。続いて、出力信号Ｆｏｕｔの振幅が一定以上になると、振幅比較回路３４からスイッチ制御信号Ｖｓ０が出力されることにより、電子スイッチ３５の接点が開となって、補正電圧Ｖｃが遮断される。
【００３８】
ここで、仮に補正電圧出力回路３１が動作しなければ、図５に示すように、周波数偏差ｄｆ／ｆは、周囲温度Ｔによっては長い時間を要して収束値ｃに至るとともに、収束値ｃに至る時間も周囲温度Ｔごとに異なることになる。これに対し、本実施形態１では、補正電圧出力回路３１が動作することにより、図２に示すように、周波数偏差ｄｆ／ｆは、周囲温度Ｔに関係なく、短い時間かつ同じ時間で収束値ｃに至る。なお、図２に示す例では、周囲温度Ｔが＋８５℃及び＋２５℃の場合は、収束値ｃに至るまでの時間ｔが長いので、オーバーシュート状の周波数偏差ｄｆ／ｆとなるような補正電圧Ｖｃとし、周囲温度Ｔが−３０℃の場合は、収束値ｃに至るまでの時間ｔが短いので、ほぼ０の補正電圧Ｖｃとしている。例えば、オーバーシュート状の周波数偏差ｄｆ／ｆは、収束値ｃよりも大きな周波数偏差ｄｆ／ｆとなる補正電圧Ｖｃを、振幅が一定以上になることにより遮断されるパルス幅又は予め定められたパルス幅で、瞬間的に出力することにより得られる。
【００３９】
次に、発振器１０の効果について説明する。
【００４０】
（１）温度センサ１２で検出された周囲温度Ｔ、及び、周囲温度Ｔと出力信号Ｆｏｕｔの周波数偏差ｄｆ／ｆの収束値ｃとの既知の関係に基づき、起動時に周波数偏差ｄｆ／ｆを収束値ｃに近づけるようにしたことにより、どのような周囲温度Ｔの場合でも速やかに周波数偏差ｄｆ／ｆを収束できるので、周囲温度Ｔに関係なく安定化時間を短縮できる。また、周囲温度Ｔに関係なく安定化時間を短縮できることから、周囲温度Ｔに関係なく安定化時間を一定にすることもできる。
【００４１】
（２）周波数補正部３０は、検出電圧Ｖｔを補正電圧Ｖｃに変換するアナログ演算回路で構成したことにより、迅速な応答が可能である。
【００４２】
（３）既存の温度補償回路２１や可変容量素子２６，２７を用いて、発振周波数ｆを補正することにより、既存の発振部の多くの部分を流用できるので、構成を簡素化できる。
【００４３】
（４）出力信号Ｆｏｕｔの振幅が一定以上になると補正電圧Ｖｃの出力を停止させる補正電圧停止回路３３を有することにより、発振周波数ｆの無駄な補正動作を防止できる。
【００４４】
図３は、実施形態２の発振器を示す回路図である。以下、この図面に基づき説明する。
【００４５】
本実施形態２の発振器４０は、発振部５０の一部が実施形態１と異なる。つまり、発振部５０は、水晶振動子１１に並列接続された発振用のインバータ５１と、インバータ５１へ定電流Ｉｃを供給するとともに、補正電圧Ｖｃによって定電流Ｉｃの値を変えることにより発振周波数ｆを補正する可変定電流源５２とを有する。
【００４６】
インバータ５１は、例えばＣＭＯＳインバータである。可変定電流源５２は、例えばトランジスタの飽和領域を利用したものであり、電源電圧Ｖｄｄからインバータ５１へ供給される電流を補正電圧Ｖｃによって制御する機能を有する。ＣＭＯＳインバータを発振器に用いた場合、ＣＭＯＳインバータの動作電流を制限することにより発振周波数を変えることができる。本実施形態２では、定電流Ｉｃがインバータ５１の動作電流となっている。つまり、定電流Ｉｃを小さくすればインバータ５１の動作が遅くなって発振周波数ｆが減少し、定電流Ｉｃを大きくすればインバータ５１の動作が速くなって発振周波数ｆが増加する。
【００４７】
次に、発振器４０の動作について説明する。
【００４８】
電源電圧を投入すると、発振器４０が起動する。つまり、発振部５０は出力信号Ｆｏｕｔを出力し始め、温度補償回路２１は温度補償電圧Ｖａを出力し始め、温度センサ１２は検出電圧Ｖｔを出力し始め、補正電圧出力回路３１は補正電圧Ｖｃを出力し始める。補正電圧Ｖｃは可変定電流源５２に印加される。すると、可変定電流源５２からインバータ５１に、補正電圧Ｖｃに対応する定電流Ｉｃが動作電流として供給されることにより、出力信号Ｆｏｕｔの発振周波数ｆが補正される。例えば、補正電圧Ｖｃを大きくすれば定電流Ｉｃが減少して発振周波数ｆが低下し、補正電圧Ｖｃを小さくすれば定電流Ｉｃが増加して発振周波数ｆが増加する。続いて、出力信号Ｆｏｕｔの振幅が一定以上になると、振幅比較回路３４からスイッチ制御信号Ｖｓ０が出力されることにより、電子スイッチ３５の接点が開となって、補正電圧Ｖｃが遮断される。
【００４９】
本実施形態２のその他の構成、作用及び効果は、実施形態１のそれらと同じである。
【００５０】
以上、上記各実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細については、当業者が理解し得るさまざまな変更を加えることができる。また、本発明には、上記各実施形態の構成の一部又は全部を相互に適宜組み合わせたものも含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明は、例えば水晶やセラミックスからなる圧電素子を用いた発振器に利用可能である。
【符号の説明】
【００５２】
１０  発振器
１１  水晶振動素子
１２  温度センサ
２０  発振部
２１  温度補償回路
２２  加算回路
２３  抵抗素子
２４，２５  インバータ
２６，２７  可変容量素子
３０  周波数補正部
３１  補正電圧出力回路
３２  メモリ
３３  補正電圧停止回路
３４  振幅比較回路
３５  電子スイッチ
Ｔ  周囲温度
ｔ  時間
Ｖａ  温度補償電圧
Ｖｃ  補正電圧
Ｆｏｕｔ  出力信号
ｆ  発振周波数
ｄｆ／ｆ  周波数偏差
ｃ  収束値
ＧＮＤ  グランド
Ｖｔ  検出電圧
Ｖｄｃ  直流電圧
Ｖｒｅｆ  基準電圧
Ｖｓ０，Ｖｓ１  スイッチ制御信号
【００５３】
４０  発振器
５０  発振部
５１  インバータ
５２  可変定電流源
Ｉｃ  定電流
Ｖｄｄ  電源電圧
【００５４】
１００  発振器
１１０  水晶振動子
１２０  ＩＣチップ
１３０  水晶発振回路
１４０  温度補償回路
１３１  抵抗素子
１３２，１３３  インバータ
１３４，１３５  可変容量素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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