(57)【要約】【課題】酸素含有量が比較的少なく、加工時の割れを抑制することができるＣｕ−Ｇａ系合金ターゲット及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の一実施形態に係るＣｕ−Ｇａ系合金ターゲットの製造方法は、銅及びガリウムを含む金属材料を溶解し、上記金属材料を溶融状態で鍛造し、上記金属材料を凝固させる。これにより、金属間化合物相の生成による脆化を抑制し、高濃度（例えば３０〜６０原子％以上）のガリウムを含有するＣｕ−Ｇａ系合金ターゲットを、割れやクラック、空孔を生じさせることなく安定して製造することができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅及びガリウムを含む金属材料を溶解し、
前記金属材料を溶融状態で鍛造し、
前記金属材料を凝固させる
Ｃｕ−Ｇａ系合金ターゲットの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のＣｕ−Ｇａ系合金ターゲットの製造方法であって、
前記金属材料を鍛造する工程は、前記金属材料の溶湯を鋳型へ注ぐ工程と、前記鋳型内で前記溶湯をプレス成形する工程とを有し、
前記金属材料を凝固させる工程は、前記溶湯へのプレス圧力を緩和した状態で成形体を炉冷する
Ｃｕ−Ｇａ系合金ターゲットの製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載のＣｕ−Ｇａ系合金ターゲットの製造方法であって、
前記成形体を炉冷する工程は、前記成形体を前記鋳型内で徐冷する
Ｃｕ−Ｇａ系合金ターゲットの製造方法。
【請求項４】
請求項２に記載のＣｕ−Ｇａ系合金ターゲットの製造方法であって、
前記成形体を炉冷する工程は、前記成形体を温度調整された電気炉内で徐冷する
Ｃｕ−Ｇａ系合金ターゲットの製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１つに記載のＣｕ−Ｇａ系合金ターゲットの製造方法であって、
前記金属材料を溶解する工程は、前記金属材料を真空中で溶解する
Ｃｕ−Ｇａ系合金ターゲットの製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１つに記載のＣｕ−Ｇａ系合金ターゲットの製造方法であって、
前記金属材料を鍛造する工程は、前記金属材料を真空中でプレスする
Ｃｕ−Ｇａ系合金ターゲットの製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか１つに記載のＣｕ−Ｇａ系合金ターゲットの製造方法であって、
前記金属材料は、ガリウムを３０原子％以上６０原子％以下含有する
Ｃｕ−Ｇａ系合金ターゲットの製造方法。
【請求項８】
銅及びガリウムを含む合金材料からなり、
２０ｐｐｍ以下の酸素含有量を有する
Ｃｕ−Ｇａ系合金ターゲット。
【請求項９】
請求項８に記載のＣｕ−Ｇａ系合金ターゲットであって、
前記合金材料は、５００μｍ以下の平均粒径を有する
Ｃｕ−Ｇａ系合金ターゲット。
【請求項１０】
請求項８又は請求項９に記載のＣｕ−Ｇａ系合金ターゲットであって、
前記合金材料は、３０原子％以上６０原子％以下のガリウムを含有する
Ｃｕ−Ｇａ系合金ターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば薄膜太陽電池の光吸収層のスパッタ成膜に使用されるＣｕ−Ｇａ系合金ターゲット及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、Ｃｕ−Ｇａ、Ｃｕ−Ｇａ−Ｉｎ等のＣｕ−Ｇａ系ターゲットは、例えば薄膜太陽電池の光吸収層のスパッタ成膜に使用される。この種の合金ターゲットの製造方法として、溶解法、粉末焼結法等が知られている。
【０００３】
例えば下記特許文献１には、溶解法により鋳造したＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットが記載されている。一方、下記特許文献２には、高Ｇａ含有Ｃｕ−Ｇａ二元系合金粉末と、低Ｇａ含有Ｃｕ−Ｇａ二元系合金粉末との混合粉末をホットプレスして作製された、高Ｇａ含有Ｃｕ−Ｇａ二元系合金スパッタリングターゲットの製造方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−７３１６３号公報
【特許文献２】特開２００８−１３８２３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
溶解法で作製されたＣｕ−Ｇａ合金ターゲットにおいては、Ｇａが比較的低濃度（例えば３０％未満）では、鍛造、圧延などの処理が可能である。しかしながらＧａが比較的高濃度（例えば３０〜６０％）になると、金属間化合物相が多くなることで脆化し、割れやクラックを生じさせることなく鍛造、圧延処理を施すことが非常に困難である。
【０００６】
一方、粉末焼結法で作製されたＣｕ−Ｇａ合金ターゲットにおいては、微細な空孔を多く内在するため相対密度が低く、含有酸素も多いため、スパッタ時の異常放電やパーティクルが発生しやすいという問題がある。
【０００７】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、酸素含有量が比較的少なく、加工時の割れを抑制することができるＣｕ−Ｇａ系合金ターゲット及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るＣｕ−Ｇａ系合金ターゲットの製造方法は、銅及びガリウムを含む金属材料を溶解し、上記金属材料を溶融状態で鍛造し、上記金属材料を凝固させる。
【０００９】
本発明の一形態に係るＣｕ−Ｇａ系合金ターゲットは、銅及びガリウムを含む合金材料からなり、２０ｐｐｍ以下の酸素含有量を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態に係るターゲット製造装置の概略構成図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るＣｕ−Ｇａ系合金ターゲットの製造方法を説明する工程フローである。
【図３】本発明の一実施形態に係るＣｕ−Ｇａ系合金ターゲットの溶融鍛造工程を説明する工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の一実施形態に係るＣｕ−Ｇａ系合金ターゲットの製造方法は、銅及びガリウムを含む金属材料を溶解し、上記金属材料を溶融状態で鍛造し、上記金属材料を凝固させる。
【００１２】
上記製造方法は、金属材料を溶融又は半溶融状態で鍛造する、溶融鍛造法でＣｕ−Ｇａ系合金ターゲットを製造する。これにより、金属間化合物相の生成による脆化を抑制し、高濃度（例えば３０〜６０原子％以上）のガリウムを含有するＣｕ−Ｇａ系合金ターゲットを、割れやクラック、空孔を生じさせることなく安定して製造することができる。
【００１３】
一実施形態として、上記金属材料を鍛造する工程は、上記金属材料の溶湯を鋳型へ注ぐ工程と、上記鋳型内で上記溶湯をプレス成形する工程とを有する。この場合、上記金属材料を凝固させる工程は、上記溶湯へのプレス圧力を緩和した状態で成形体を炉冷する。
これにより、成形体を比較的低い冷却速度で冷却（徐冷）することができるため、成形体の冷却凝固時における成形体の割れやクラックの発生をより一層抑えることが可能となる。
【００１４】
上記成形体の炉冷工程は、上記鋳型内で行うことができる。これにより、プレス成形工程と冷却工程とを連続して行うことができる。また、成形体の炉冷工程は、温度調整された電気炉内で行われてもよい。
【００１５】
一実施形態として、上記合金溶湯の作製工程では、上記金属材料は真空中で溶解される。これにより合金溶湯内への酸素の混入を抑制でき、酸素含有量の低いＣｕ−Ｇａ系合金ターゲットを製造することができる。
これに限られず、金属材料の溶解は大気中で行われてもよい。この場合、雰囲気をアルゴン等の不活性ガスに置換することで、同様に、酸素含有量の低いＣｕ−Ｇａ系合金ターゲットを製造することができる。
【００１６】
一実施形態として、上記合金溶湯をプレス成形する工程では、上記合金溶湯は真空中でプレスされる。これにより成形体内への酸素の混入を抑制でき、酸素含有量の低いＣｕ−Ｇａ系合金ターゲットを製造することができる。
これに限られず、合金溶湯のプレスは、大気中で行われてもよい。この場合、雰囲気をアルゴン等の不活性ガスに置換することで、同様に、酸素含有量の低いＣｕ−Ｇａ系合金ターゲットを製造することができる。
【００１７】
上記金属材料のガリウムの含有量は特に制限されず、例えば３０原子％以上６０％原子％以下とすることができる。
これにより高性能な薄膜太陽電池用の光吸収層を安定に成膜することができる。
【００１８】
本発明の一実施形態に係るＣｕ−Ｇａ系合金ターゲットは、銅及びガリウムを含む合金材料からなり、２０ｐｐｍ以下の酸素含有量を有する。
【００１９】
上記Ｃｕ−Ｇａ系合金ターゲットによれば、酸素含有量を少なく抑えられるため、スパッタ時の異常放電やパーティクルの発生、更には酸化物による汚染を抑制することができる。
【００２０】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。
【００２１】
図１は、本発明の一実施形態に係るターゲットの製造装置を示す概略構成図である。本実施形態に係る製造装置１００は、真空チャンバ１を有する。真空チャンバ１は、真空ポンプ２に接続されており、内部を所定の減圧雰囲気に排気又は維持されることが可能に構成されている。
【００２２】
真空チャンバ１の内部には、ターゲット原料を溶解するためのルツボ３が設置されている。ルツボ３は、金属、セラミックス等の耐熱性材料で構成されており、周囲に誘導コイル４が巻回されている。すなわち本実施形態のルツボ３は、誘導加熱によりターゲット原料を加熱、溶解し、ターゲット原料の溶湯を作製するように構成されている。材料の溶解方法はこれに限られず、プラズマ溶解法、アーク溶解法等が適用されてもよい。
【００２３】
ターゲット原料として本実施形態では、Ｃｕ（銅）−Ｇａ（ガリウム）合金を構成する種々の金属材料が用いられる。例えば、Ｃｕインゴット、Ｇａインゴット、Ｃｕ−Ｇａ合金インゴットなどが用いられる。また、酸素の吸着量が少なければ、粉末材料が用いられてもよい。さらに、ＣｕとＧａ以外の第３元素が添加されてもよい。添加元素は、例えばＩｎ（インジウム）、セレン（Ｓｅ）、Ｔｅ（テルル）等の単一元素あるいは複数元素であってもよい。
【００２４】
ルツボ３は、真空チャンバ１の内部において、回動軸５の回りに回動可能に構成されている。回動軸５は、図示しない駆動源に接続されており、ルツボ３の所定箇所に固定されている。上記駆動源は、回動軸５を駆動することで、ルツボ３を図示する実線の位置（溶解位置）から二点鎖線で示す位置（注型位置）へ回動可能に構成されている。
【００２５】
製造装置１００は、鋳型６を有している。鋳型６は、ルツボ３に隣接して真空チャンバ１の底部に配置されている。鋳型６は、炭素系複合材料、金属材料、セラミックス材料等で構成されており、ルツボ３から注がれたターゲット原料の合金溶湯を板状に成形するように構成されている。
【００２６】
鋳型６の底面形状は、円形でもよいし、矩形状でもよい。また、鋳型６はヒータ６ａ等の熱源を備えていてもよく、これにより鋳型６の温度調整が可能となる。
【００２７】
製造装置１００はさらに、鋳型６に注型された合金溶湯を鍛造するためのプレス型７を備えている。プレス型７は、炭素系複合材料、金属材料、セラミックス材料等で構成される。プレス型７は、鋳型６の直上に設置されており、昇降機構８によって昇降可能に構成されている。プレス型７は、鋳型６の開口形状と同様な形状を有しており、鋳型６の底部に向かって下降することで、鋳型６内で合金溶湯をプレス（溶融鍛造プレス）する。
【００２８】
昇降機構８は、エアシリンダ、油圧シリンダ、モータ等で構成されており、真空チャンバ１の外部に設置されている。昇降機構８の駆動軸８ａは、真空チャンバ１の壁部を気密に貫通してプレス型７に固定されている。昇降機構８は、プレス型７が鋳型６の上方で待機する上昇位置と、プレス型７が鋳型６の内部に進入する下降位置との間を往復移動させる。
【００２９】
製造装置１００はさらに、真空ポンプ２の駆動、誘導コイル４への通電、回動軸５の駆動、ヒータ６ａへの通電、昇降機構８によるプレス型７の昇降移動等をそれぞれ制御するコントローラ９を備えている。
【００３０】
次に、以上のように構成される製造装置１００を用いたターゲットの製造方法を説明する。
【００３１】
図２は、ターゲットの製造工程を示す工程フローである。本実施形態におけるターゲットの製造方法は、合金材料の溶解工程（ＳＴ１）と、合金溶湯の鍛造工程（ＳＴ２）と、凝固工程（ＳＴ３）とを有する。
【００３２】
（溶解工程）
真空チャンバ１の内部は所定の減圧雰囲気（例えば、１．０×１０−3〜９．０×１０4Ｐａ）に維持される。真空チャンバ１の内部はアルゴン雰囲気で置換されてもよい。ルツボ３の内部には、所定の組成比で秤量されたＣｕ−Ｇａ合金材料が収容されている。ガリウムの含有量は特に限定されず、例えば３０原子％〜６０原子％である。
【００３３】
Ｃｕ−Ｇａ合金材料は、ルツボ３で溶解される。溶解温度は特に限定されず、ガリウムの含有量等に応じて適宜設定可能であり、例えば８００〜１０００℃である。このとき、真空チャンバ１内は所定の減圧雰囲気に維持されているので、溶解時における金属材料の酸化、あるいは溶湯へのガスの混入を抑制でき、これにより高純度の合金溶湯を作製することができる。
【００３４】
合金材料の溶解工程は、真空中に限られず、大気圧下で実施されてもよい。この場合、合金材料の酸化を抑制する観点から、雰囲気はアルゴン等の不活性ガスに置換される。
【００３５】
（溶融鍛造工程）
合金材料が溶解した後、ルツボ３を回動軸５の回りに回動させることで、合金溶湯が鋳型６へ注がれる。その後、昇降機構８の駆動により、プレス型７が下降し、鋳型６内で合金溶湯を鍛造する。
【００３６】
図３（Ａ），（Ｂ）は、合金溶湯の鍛造処理を説明する工程図である。鋳型６に注がれた合金溶湯Ｍ１は、プレス型７により所定の圧力で板状にプレス成形されつつ、冷却される。合金溶湯Ｍ１は、鋳型６及びプレス型７に急冷され、これにより合金溶湯Ｍ１の表面に微細な結晶粒が形成される。一方、プレス型７によるプレス圧力により合金溶湯Ｍ１の内部密度は上昇し、これにより合金溶湯Ｍ１の内部に均一かつ微細な結晶粒が形成される。これにより、５００μｍ以下の平均
【００３７】
プレス圧力、プレス時間は特に限定されず、冷却速度や冷却温度等に応じて適宜設定可能である。例えば、プレス圧力は３０〜１３０ＭＰａ、プレス時間は１秒〜１２０秒とすることができる。
【００３８】
また、この溶融鍛造工程により、合金溶湯Ｍ１は板状の成形体Ｍ２に成形される。成形体Ｍ２の形状は円形でもよいし、矩形でもよい。成形体Ｍ２の厚みは、合金溶湯Ｍ１の量で調整することができる。
【００３９】
また、真空チャンバ１は所定の減圧雰囲気に維持されているため、合金溶湯Ｍ１は真空中でプレス成形される。これにより、成形時における金属材料の酸化を抑制でき、高純度の成形体Ｍ２を作製することができる。
【００４０】
合金溶湯Ｍ１の成形工程は、真空中に限られず、大気圧下で実施されてもよい。この場合、合金材料の酸化を抑制する観点から、雰囲気はアルゴン等の不活性ガスに置換される。
【００４１】
（凝固工程）
成形体Ｍ２は、凝固工程（ＳＴ３）で室温に冷却される。このとき成形体Ｍ２は、比較的低い冷却速度で冷却（徐冷）されることで、クラックや割れを生じさせることなく成形体Ｍ２を冷却することができる。
【００４２】
本実施形態では、成形体Ｍ２は、鋳型６内で炉冷される。この場合、鋳型６に内蔵されたヒータ６ａを発熱することで鋳型６の温度が調整される。ここではヒータ６ａにより鋳型６の温度を徐々に低下させることで、成形体Ｍ２の冷却速度が調整される。
【００４３】
一方、昇降機構８は、成形体Ｍ２の凝固の進行に応じてプレス型７によるプレス圧力を緩和する。この場合、凝固工程と同時にプレス圧力を解除してもよいし、成形体Ｍ２の温度に応じてプレス圧力を段階的に低下させるようにしてもよい。これにより、外部応力による成形体Ｍ２の割れやクラックの発生を防止することができる。
【００４４】
成形体Ｍ２の凝固工程には、別途用意された電気炉が用いられてもよい。この場合、溶融鍛造された成形体Ｍ２は鋳型６から取り出され、電気炉に装填される。そして当該電気炉を温度調整しつつ成形体Ｍ２を炉冷（徐冷）する。電気炉の内部は、真空でもよいし大気圧でもよい。
【００４５】
以上のようにして作製された成形体Ｍ２は、必要に応じて所定のサイズに外形加工された後、スパッタリング用ターゲットとして供される。
【００４６】
本実施形態によれば、合金溶湯Ｍ１を溶融又は半溶融状態でプレス鍛造するので、金属間化合物相の生成による脆化を抑制し、高濃度（例えば３０〜６０原子％以上）のガリウムを含有するＣｕ−Ｇａ系合金ターゲットを、割れやクラック、空孔を生じさせることなく安定して製造することができる。また、平均結晶粒径が５００μｍ以下の微細な結晶粒を均一に形成することができる。
【００４７】
また、以上のように製造されるＣｕ−Ｇａ合金ターゲットは、真空中あるいはアルゴン雰囲気中で溶解、溶融鍛造プレスの各処理を行っているため、酸素含有量を２０ｐｐｍ以下に抑えることができる。これにより、当該ターゲットのスパッタ時に異常放電やパーティクルの発生を抑制でき、安定したスパッタ成膜を実現することができる。さらにガリウム含有量が３０原子％以上と比較的高いため、高性能な薄膜太陽電池用の光吸収層を形成することができる。
【００４８】
［実験例］
以下、本発明者らが実施した実験例について説明する。
【００４９】
（実験例１）
純度４Ｎの銅４０ｋｇと純度４Ｎのガリウム１９ｋｇとをルツボに装填し、真空中で溶解することで、ガリウム含有量が３０原子％のＣｕ−Ｇａ合金溶湯を作製した。溶湯温度は９５０℃とした。ステンレス製の鋳型に合金溶湯を４．２ｋｇ注ぎ、鋳型内で合金溶湯をプレスした。プレス型の直径は２０５ｍｍ、厚みは１５ｍｍとし、プレス圧力は７０ＭＰａ、プレス時間は数秒とした。成形体の直径は２０５ｍｍ、厚み１５ｍｍであり、これをワイヤカット法で直径２００ｍｍ、厚み１０ｍｍに加工することで、Ｃｕ−Ｇａ合金ターゲットを作製した。作製された合金ターゲットの平均結晶粒径、酸素濃度、相対密度を測定した。
【００５０】
平均結晶粒径の測定には、求積法を用いた。この方法は、金属顕微鏡を用いた結晶粒の平均粒径を算出する方法である。具体的には、金属顕微鏡で結晶粒写真を撮影し、写真上に5000mm2前後の長方形を描く。この面積内に完全に含まれた結晶粒の数と、長方形の周辺で切断されている結晶粒の数の半分との和を全結晶粒とし、次の式で平均結晶粒径を算出する。
ｄ＝（１／Ｍ）√（Ａ／ｎ）  …（１）
ｎ＝ｚ＋（ｗ／２）          …（２）
ここで、ｄは平均結晶粒径、Ｍは使用倍率、Ａは測定面積、ｚはＡ内に完全に含まれる結晶粒数、ｗは周辺部の結晶粒数、ｎは全結晶粒数である。
【００５１】
上記合金ターゲットをスパッタ装置に組み込み、スパッタ時の異常放電回数をカウントした。テスト条件は、電力１．６ｋＷ／ｃｍ2、スパッタ圧力３×１０−3Torr（アルゴン雰囲気）、積算電力は１６ｋＷｈとした。測定結果を表１に示す。
【００５２】
（実験例２）
プレス圧力を３０ＭＰａとした以外は、実験例１と同様な条件で、Ｇａ含有量３０原子％のＣｕ−Ｇａ合金ターゲットを作製し、その平均結晶粒径、酸素濃度、相対密度を測定した。また、実験例１と同一の条件でターゲットのスパッタテストを実施し、異常放電回数をカウントした。その結果を表１に示す。
【００５３】
（実験例３）
銅の投入量を２９．５ｋｇ、ガリウムの投入量２９．５ｋｇ、溶湯温度を９００℃、プレス圧力を３０ＭＰａとした以外は、実験例１と同様な条件で、Ｇａ含有量５０原子％のＣｕ−Ｇａ合金ターゲットを作製し、その平均結晶粒径、酸素濃度、相対密度を測定した。また、実験例１と同一の条件でターゲットのスパッタテストを実施し、異常放電回数をカウントした。その結果を表１に示す。
【００５４】
（実験例４）
銅の投入量を２３．６ｋｇ、ガリウムの投入量を３５．４ｋｇ、溶湯温度を８００℃、プレス圧力を３０ＭＰａとした以外は、実験例１と同様な条件で、Ｇａ含有量６０原子％のＣｕ−Ｇａ合金ターゲットを作製し、その平均結晶粒径、酸素濃度、相対密度を測定した。また、実験例１と同一の条件でターゲットのスパッタテストを実施し、異常放電回数をカウントした。その結果を表１に示す。
【００５５】
（実験例５）
純度４Ｎの銅１３ｋｇと純度４Ｎのガリウム６ｋｇとをルツボに装填し、真空中で溶解することで、ガリウム含有量３０原子％のＣｕ−Ｇａ合金溶湯を作製した。溶湯温度は９５０℃とした。カーボン製の鋳型に合金溶湯を注ぎ、鋳造した。成形体の直径は２０５ｍｍ、厚み１５ｍｍであり、これをワイヤカット法で直径２００ｍｍ、厚み１０ｍｍに加工することで、Ｃｕ−Ｇａ合金ターゲットを作製した。作製された合金ターゲットの平均結晶粒径、酸素濃度、相対密度を測定した。また、実験例１と同一の条件でターゲットのスパッタテストを実施し、異常放電回数をカウントした。その結果を表１に示す。
【００５６】
（実験例６）
平均粒径１〜１０μｍの銅粉末１６．８ｋｇと、平均粒径１〜１０μｍのガリウム粉末７．２ｋｇとを、真空中で、圧力６００ＭＰａ、温度２００℃、２時間の条件でホットプレスし、Ｇａ含有量３０原子％のＣｕ−Ｇａ合金ターゲットを作製した。得られた合金ターゲットの平均結晶粒径、酸素濃度、相対密度を測定した。また、実験例１と同一の条件でターゲットのスパッタテストを実施し、異常放電回数をカウントした。その結果を表１に示す。
【００５７】
（実験例７）
溶解雰囲気を大気、溶湯温度を９００℃、プレス圧力を３０ＭＰａとした以外は、実験例１と同様な条件で、Ｇａ含有量３０原子％のＣｕ−Ｇａ合金ターゲットを作製し、その平均結晶粒径、酸素濃度、相対密度を測定した。また、実験例１と同一の条件でターゲットのスパッタテストを実施し、異常放電回数をカウントした。その結果を表１に示す。
【００５８】
【表１】
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【００５９】
表１に示すように、溶湯鍛造プレス法によって作製された実験例１〜４、７に係るターゲットにおいては、平均結晶粒径が５００μｍ以下、酸素濃度が２０ｐｐｍ以下、異常放電回数が１０回未満であった。また、真空中で合金溶湯を作製した実験例１〜４においては、酸素濃度が１０ｐｐｍ以下と低かったため、異常放電回数は２回以下であった。
【００６０】
これに対して、鋳造法で作製された実験例５に係るターゲットにおいては、平均結晶粒径が５０００μｍと大きく、異常放電回数も１５回と多かった。また、ホットプレス法で作製された実験例６に係るターゲットにおいては、酸素濃度が２００ｐｐｍと多く、また、相対密度も９５％と低かったため、異常放電回数は１３回と多かった。
【００６１】
以上の結果から明らかなように,溶湯鍛造プレス法によって作製されたスパッタリング用ターゲットによれば、安定したスパッタ性を得られることが確認された。
【００６２】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００６３】
例えば以上の実施形態では、合金材料の溶解工程と合金溶湯の鍛造プレス工程とが同一のチャンバ内で行われたが、これらの工程は別々のチャンバ内で行われてもよい。
【００６４】
また以上の実施形態では、Ｃｕ−Ｇａ合金のＧａ含有量を３０〜６０原子％としたが、Ｇａ含有量は、成膜するべき膜特性に応じて適宜変更可能であり、例えば３０原子％未満でもよいし、６０原子％を超えてもよい。
【符号の説明】
【００６５】
１…真空チャンバ
３…ルツボ
６…鋳型
７…プレス型
１００…製造装置
Ｍ１…合金溶湯
Ｍ２…成形体
【図１】
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【図２】
2014051712.tif 000005
【図３】
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