(57)【要約】【課題】  光素子と光ファイバとの位置ずれが生じにくい光ファイバを提供する。【解決手段】  クラッドがコアコアを覆う。端面に凹部が形成されている。この凹部に、メサ部の上面から光を射出する発光素子のメサ部が挿入される。メサ部の上面から射出された光が凹部の底面に入射することにより、コアに発光素子が光学的に結合する。【選択図】  図２
2014052530.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コアと、
前記コアを覆うクラッドと、
端面に形成された凹部と
を有し、
前記凹部に、メサ部を有し、当該メサ部の上面から光を射出する発光素子の前記メサ部が挿入され、前記メサ部の上面から射出された光が少なくとも前記凹部の底面に入射することにより、前記コアに前記発光素子が光学的に結合する光ファイバ。
【請求項２】
前記光ファイバは、複数のコアを含み、
前記複数のコアの各々に対応して、前記凹部が形成されており、
前記複数の凹部の各々に、同一の基板上に形成された複数の発光素子の各々のメサ部が挿入される請求項１に記載の光ファイバ。
【請求項３】
前記発光素子の前記メサ部の上面を、前記光ファイバの中心軸に垂直な断面へ投影した図形が、前記凹部の底面を、前記断面へ投影した図形に内包される請求項１または２に記載の光ファイバ。
【請求項４】
前記凹部の底面が、前記コアの端面で構成される請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光ファイバ。
【請求項５】
前記凹部の側面に前記クラッドが露出している請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光ファイバ。
【請求項６】
上面から光を射出する少なくとも１つのメサ部を含む発光素子と、
前記発光素子と光学的に結合する光ファイバと
を有し、
前記光ファイバは、
少なくとも１本のコアと、
クラッドと、
端面に形成された凹部と
を有し、
前記発光素子の前記メサ部が前記凹部に挿入されており、前記発光素子から射出した光が、前記凹部の底面に入射することにより、前記発光素子が前記コアに光学的に結合する光モジュール。
【請求項７】
前記光ファイバは、複数のコア、及び前記複数のコアにそれぞれ対応する複数の凹部を含み、
前記発光素子は、複数のメサ部を含み、
前記複数のメサ部が、それぞれ前記複数の凹部に収容されている請求項６に記載の光モジュール。
【請求項８】
前記発光素子は、面発光型半導体レーザ素子または発光ダイオードである請求項６または７に記載の光モジュール。
【請求項９】
前記メサ部と前記凹部との間に充填された透明媒体を含み、前記透明媒体と前記コアとの屈折率の差が、前記コアと大気との屈折率の差よりも小さい請求項６乃至８のいずれか１項に記載の光モジュール。
【請求項１０】
前記光ファイバは、さらに、
前記光ファイバの断面内において、前記コアと重ならない位置に配置されたコア識別用のマーカと、
前記光ファイバの前記端面の、前記マーカの位置に形成された位置合わせ用凹部と
を有し、
前記発光素子は、さらに、
前記位置合わせ用凹部に挿入された凸部を有する請求項６乃至９のいずれか１項に記載の光モジュール。
【請求項１１】
クラッドと、少なくとも１本のコアとを有する光ファイバの端面から、前記コアのエッチングレートが前記クラッドのエッチングレートよりも速い条件で、前記コア及び前記クラッドをエッチングすることにより、前記コアに対応する部分に凹部を形成する工程と、
上面から光を射出する少なくとも１つのメサ部を含む発光素子の前記メサ部を、前記光ファイバの前記凹部に挿入する工程と、
前記メサ部が前記凹部に挿入された状態で、前記光ファイバを前記発光素子に固定する工程と
を有する光モジュールの製造方法。
【請求項１２】
前記光ファイバは、複数のコアを含み、
前記凹部を形成する工程において、前記複数のコアに対応して複数の凹部を形成し、
前記発光素子は、前記コアに対応して複数のメサ部を含み、
前記メサ部を前記凹部に挿入する工程において、前記複数のメサ部を、それぞれ対応する凹部に挿入する請求項１１に記載の光モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子に光学的に結合する光ファイバ、相互に光学的に結合した光ファイバと発光素子とを含む光モジュール、及び光モジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ファイバと発光素子とを結合する際に、両者の位置ずれが生じると、結合効率が著しく低下してしまう。下記の特許文献１に、光ファイバと光素子との位置合わせを容易に行うことが可能な光モジュールが開示されている。特許文献１に開示された光モジュールにおいては、面発光レーザが形成されている基板の表面に融着層が配置される。融着層の表面と光ファイバの端面とを接合させた状態で両者を融着する。
【０００３】
融着層の表面に、凸部が形成されている。光ファイバは、その端面に、融着層の凸部と嵌合する形状の嵌合部を有する。光ファイバの嵌合部と、融着層の凸部とを嵌合させることにより、両者を容易に位置合わせすることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１０７５８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
融着層に形成される凸部が、面発光レーザの位置に対してずれると、面発光レーザに対する光ファイバの位置が、目標位置からずれてしまう。
【０００６】
本発明の目的は、光素子と光ファイバとの位置ずれが生じにくい光ファイバを提供することである。本発明の他の目的は、光素子と光ファイバとの位置ずれが生じにくい光モジュールを提供することである。本発明のさらに他の目的は、光素子と光ファイバとの位置ずれが生じにくい光モジュールの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一観点によると、
コアと、
前記コアを覆うクラッドと、
端面に形成された凹部と
を有し、
前記凹部に、メサ部の上面から光を射出する発光素子の前記メサ部が挿入され、前記メサ部の上面から射出された光が前記凹部の底面に入射することにより、前記コアに前記発光素子が光学的に結合する光ファイバが提供される。
【０００８】
本発明の他の観点によると、
上面から光を射出する少なくとも１つのメサ部を含む発光素子と、
前記発光素子と光学的に結合する光ファイバと
を有し、
前記光ファイバは、
少なくとも１本のコアと、
クラッドと、
端面に形成された凹部と
を有し、
前記発光素子の前記メサ部が前記凹部に挿入されており、前記発光素子から射出した光が、前記凹部の底面に入射することにより、前記発光素子が前記コアに光学的に結合する光モジュールが提供される。
【０００９】
本発明のさらに他の観点によると、
クラッドと、少なくとも１本のコアとを有する光ファイバの端面から、前記コアのエッチングレートが前記クラッドのエッチングレートよりも速い条件で、前記コア及び前記クラッドをエッチングすることにより、前記コアに対応する部分に凹部を形成する工程と、
上面から光を射出する少なくとも１つのメサ部を含む発光素子の前記メサ部を、前記光ファイバの前記凹部に挿入する工程と、
前記メサ部が前記凹部に挿入された状態で、前記光ファイバを前記発光素子に固定する工程と
を有する光モジュールの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
メサ部を光ファイバの凹部に挿入することにより、発光素子と光ファイバとの位置合わせを容易に行うことができる。位置合わせが完了した後は、両者の位置ずれが生じにくい。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１Ａは、実施例１による光モジュールに用いられる光ファイバの端面近傍の斜視図であり、図１Ｂは、実施例１による光モジュールの正面図であり、図１Ｃは、図１Ｂの一点鎖線１Ｃ−１Ｃにおける断面図である。
【図２】図２は、実施例１による光ファイバと、それに光学的に結合した発光素子との断面図である。
【図３】図３Ａは、光ファイバに凹部を形成する方法を説明するための光ファイバの端部近傍の断面図、及びエッチングレートの分布を示すグラフであり、図３Ｂ及び図３Ｃは、それぞれコアのエッチングレートが図３Ａのエッチングレートより遅い場合及び速い場合の光ファイバの端部近傍の断面図である。
【図４】図４Ａは、実施例１による光モジュールに用いられる発光素子の平面図であり、図４Ｂは、図４Ａの一点鎖線４Ｂ−４Ｂにおける断面図である。
【図５】図５Ａは、実施例２による光モジュールに用いられる光ファイバの端面の正面図であり、図５Ｂは、図５Ａの一点鎖線５Ｂ−５Ｂにおける光モジュールの断面図である。
【図６】図６は、実施例２による光モジュールに用いられる発光素子及びその基板の平面図である。
【図７】図７Ａは、実施例３による光モジュールに用いられる光ファイバの端面の正面図であり、図７Ｂは、図７Ａの一点鎖線７Ｂ−７Ｂにおける光モジュールの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
［実施例１］
図１Ａに、実施例１による光モジュールに用いられる光ファイバ１０の端面近傍の斜視図を示し、図１Ｂに、光ファイバ１０の正面図を示す。コア１１の側面がクラッド１２で覆われている。クラッド１２の側面が被覆層１３で覆われている。
【００１３】
図１Ｃに、図１Ｂの一点鎖線１Ｃ−１Ｃにおける断面図、すなわち光ファイバ１０の中心軸を含む端部近傍の断面図を示す。コア１１の側面がクラッド１２で覆われている。光ファイバ１０の一方の端面１４に凹部１５が形成されている。凹部１５は、コア１１の位
置に形成される。このため、凹部１５の底面は、コア１１の端面で構成される。また、コア１５の側面には、クラッド１２が露出する。
【００１４】
図２に、実施例１による光モジュールの断面図を示す。支持基板３０の表面にメサ部２０が形成されている。メサ部２０は、発光素子２１の一部を構成する。発光素子２１は、メサ部２０の上面から光を射出する。発光素子２１として、例えば面発光型レーザ素子、発光ダイオード等が用いられる。
【００１５】
メサ部２０が、光ファイバ１０の凹部１５に挿入されている（嵌合している）。メサ部２０の表面と凹部１５の内面との間に、透明媒体１６が充填されている。ここで、透明媒体における「透明」とは、発光素子２１から射出される光に対して透明という意味である。また、基板３０の上面と光ファイバ１０の端面１４との間にも、透明媒体１６が充填されている。支持基板３０の上面を基準として、光ファイバ１０の端面１４はメサ部２０の上面より低い位置に固定されている。発光素子２１から射出した光が、メサ部２０の上面及び透明媒体１６を通過して凹部１５の底面に入射する。これにより、発光素子２１が、コア１１に光学的に結合する。
【００１６】
透明媒体１６の屈折率とコア１１の屈折率との差が、大気の屈折率とコア１１の屈折率との差より小さい。これにより、発光素子２１から射出した光を、効率的にコア１１に入射させることができる。透明媒体１６には、例えばマッチングオイル、透明接着剤等が用いられる。
【００１７】
図３Ａを参照して、凹部１５を形成する方法について説明する。図３Ａに、光ファイバ１０の端面近傍の断面図及び半径方向に関するエッチングレートの分布のグラフを示す。図３Ａにおいて、コア１１の半径をｒ１とし、クラッド１２の外周面の半径をｒ２とする。光ファイバ１０を、その端面からエッチングすることにより凹部１５を形成することができる。凹部１５を形成する前の光ファイバ１０の端面は、実線で示すように平坦な面である。エッチング後の端面１４を破線で示す。
【００１８】
凹部１５を形成するときのエッチング条件におけるコア１１とクラッド１２とのエッチングートを、それぞれＲ２及びＲ１で表す。Ｒ２＞Ｒ１となるエッチング条件で光ファイバ１０をエッチングすることにより、コア１１の箇所が相対的に深く掘り下げられることとなるので、凹部１５を形成することができる。このエッチングには、例えば緩衝弗化水素水溶液（バッファード弗酸）を用いることができる。
【００１９】
なお、光ファイバの長さ方向のエッチングレートが、横方向（半径方向）のエッチングレートよりも一般的に速いので、エッチングによって、図３Ａに示したように断面が等脚台形状の凹部１５が形成される。このように、コア１１とクラッド１２とのエッチングレートの差を利用して凹部１５を形成することにより、凹部１５の位置をコア１１に自己整合させることができる。凹部１５の形成は、エッチングによる手法だけではなく、コア１１の部分のみを削るような加工を行って形成してもよい。
【００２０】
さらに、凹部１５の深さは、発光素子のメサ部を凹部１５に挿入した場合に、メサ部の上面が凹部１５の底面と当接する程度に浅くても良いし、当接しない程度に深くても良い。
【００２１】
凹部１５の深さがメサ部の上面が凹部１５の底面と当接する程度の深さの場合には、メサ部の上面から射出された光のほぼすべてが光ファイバ１０のコア１１に入射する。
【００２２】
なお、凹部１５の深さがメサ部の上面が凹部１５の底面と当接しない程度の深さであっ
ても、発光素子から射出される光が凹部１５の底面に至ったとき、光の広がりが大きくなければ、射出された光の大部分を光ファイバ１０のコア１１に入射させることができる。
【００２３】
また、エッチングによって形成される凹部１５の底面の外周と、コア１１の外周とが、必ずしも一致していなくてもよい。すなわち、エッチングレートＲ２が比較的遅い場合には、コア１１のエッチングが進行しにくいので、図３Ｂに示したように、凹部１５の底面の径が、コア１１の径より小さくなる場合がある。また、エッチングレートＲ２が比較的速い場合には、図３Ｃに示したように、クラッド１２の側壁方向にもエッチングが進行するので、凹部１５の底面の径が、コア１１の径より大きくなる場合もある。なお、エッチングレートが図３Ａに示したような場合でも、エッチング時間を適宜調整することによって、図３Ｂや図３Ｃに示したような端部形状とすることが可能である。
【００２４】
図４Ａに、発光素子２１（図２）の平面図を示す。平面形状がほぼ円形のメサ部２０の内側に、円形の上部分布ブラッグ反射（上部ＤＢＲ）膜５３が形成されている。上部ＤＢＲ膜５３を、リング状の上部電極５６が取り囲んでいる。上部電極５６から半径方向（図４Ａにおいて右方向）に、引出線５７が伸びる。引出線５７は、メサ部２０よりも外側まで伸びている。メサ部２０を取り囲むように、リング状の下部電極５５が形成されている。上部電極５６の引出線５７と下部電極５５との交差箇所において、下部電極５５が切断されており、下部電極５５と引出線５７との絶縁が確保されている。
【００２５】
図４Ｂに、図４Ａの一点鎖線４Ｂ−４Ｂにおける断面図を示す。面方位（００１）のｎ型ＧａＡｓからなる基板４０の上に、下部分布ブラッグ反射（下部ＤＢＲ）膜４１、及びｎ型コンタクト層４２が、この順番に形成されている。ｎ型コンタクト層４２の一部の領域に、メサ部２０が形成されている。
【００２６】
メサ部２０は、基板側から順番に積層されたｎ型クラッド層４３、活性層４４、ｐ型クラッド層４５、下部組成傾斜層４６、電流狭窄層４７、上部組成傾斜層４８、ｐ型スペーサ層４９、ｐ型高導電率層５０、ｐ型スペーサ層５１、及びｐ型コンタクト層５２を含む。ｐ型コンタクト層５２の一部の領域の上に、上部ＤＢＲ膜５３が形成されている。
【００２７】
ｎ型コンタクト層４２に、下部電極５５がオーミック接触している。ｐ型コンタクト層５２に、上部電極５６がオーミック接触している。ｎ型コンタクト層４２のうち下部電極５５が形成されていない領域、メサ部２０の側面、メサ部２０の上面のうち上部ＤＢＲ膜５３及び上部電極５６のいずれも形成されていない領域が、絶縁膜５４で覆われている。上部電極５６に連続する引出線５７が、絶縁膜５４の上に形成されている。引出線５７は、メサ部２０の側面を通過して、メサ部２０が形成されていない領域まで引き出されている。基板４０、下部ＤＢＲ膜４１及びｎ型コンタクト層４２が、図２Ｂに示した支持基板３０に相当する。
【００２８】
下部ＤＢＲ膜４１は、交互に積層された複数の低屈折率層と複数の高屈折率層とを含む。例えば、低屈折率層にＡｌＧａＡｓが用いられ、高屈折率層にＧａＡｓが用いられる。下部ＤＢＲ膜４１は、活性層４４の発光波長域の光を反射する。
【００２９】
ｎ型コンタクト層４２は、例えばｎ型ＧａＡｓで形成され、ｎ型クラッド層４３は、例えばｎ型ＧａＡｓで形成される。
【００３０】
活性層４４は、３層の井戸層と２層の障壁層とが交互に積層された多重量子井戸構造を有する。井戸層及び障壁層の組成及び膜厚は、目標とする発振波長に基づいて、通常の設計手法により求められる。井戸層には、例えばＧａＩｎＡｓ系半導体材料が用いられる。井戸層には、例えばＧａＡｓが用いられる。
【００３１】
ｐ型クラッド層４５は、例えばｐ型ＡｌＧａＡｓで形成される。
【００３２】
下部組成傾斜層４６、電流狭窄層４７、及び上部組成傾斜層４８の構成について説明する。電流狭窄層４６は、電流通過部４７Ａと電流阻止部４７Ｂとを含む。電流通過部４７Ａは、平面視においてメサ部２０の中央部に配置され、電流阻止部４７Ｂは、電流通過部４７Ａを取り囲むように配置される。電流通過部４７ＡはＡｌＧａＡｓで形成される。電流阻止部４７Ｂは、ＡｌＧａＡｓを選択酸化することによって形成される。電流通過部４７Ａの直径は、例えば４μｍ〜１５μｍである。
【００３３】
下部組成傾斜層４６及び上部組成傾斜層４８は、ｐ型ＡｌＧａＡｓで形成される。下部組成傾斜層４６及び上部組成傾斜層４８のＡｌの組成比は、積層方向に関して電流狭窄層４７に近づくに従って、電流通過部４７ＡのＡｌの組成比に近づく。電流狭窄層４７は、上部電極５６から活性層４４に注入されるキャリアを、電流通過部４７Ａの直下の領域に集中させる。
【００３４】
ｐ型スペーサ層４９、５１は、例えばｐ型ＡｌＧａＡｓで形成される。ｐ型高導電率層５０は、例えばｐ型ＡｌＧａＡｓで形成される。ｐ型高導電率層５０は、上部電極５６から注入されたキャリアを面内方向に輸送する経路となる。ｐ型高導電率層５０を配置することにより、上部電極５６から注入されたキャリアを、より効率的に電流通過部４７Ａに集中させることができる。
【００３５】
ｐ型コンタクト層５２は、例えばｐ型ＧａＡｓで形成される。
【００３６】
上部ＤＢＲ膜５３は、交互に積層された複数の低屈折率層と複数の高屈折率層とを含む。例えば、低屈折率層にＳｉＯ２が用いられ、高屈折率層にＳｉＮが用いられる。上部ＤＢＲ膜５３は、下部ＤＢＲ膜４１と同様に、活性層４４の発光波長域の光を反射する。
【００３７】
実施例１においては、図２に示したように、光ファイバ１０と発光素子２１とを光学的に結合する際に、メサ部２０を凹部１５に挿入することにより、両者を容易に位置合わせすることができる。活性層４４（図４Ｂ）がメサ部２０内に位置するため、メサ部２０を凹部１５に挿入することにより、発光部位である活性層４４がコア１１に位置合わせされる。
【００３８】
光ファイバ１０と発光素子２１との位置合わせが完了した後、発光素子２１を光ファイバ１０に固定する。発光素子２１と光ファイバ１０との固定は、両者をパッケージに装填することにより行うことができる。メサ部２０が凹部１５に挿入されているため、光ファイバ１０と発光素子２１との位置ずれが生じにくい。このため、パッケージへの装填の作業性を高めることができる。
【００３９】
凹部１５へのメサ部２０の挿入を容易にするために、発光素子２１のメサ部２０の上面を、光ファイバ１０の中心軸に垂直な断面へ投影した図形が、凹部１５の底面を、同一の断面へ投影した図形に内包されるようにすることが好ましい。一例として、メサ部２０の上面の径が、エッチングされた光ファイバ１０の凹部１５の底面の径より小さくなるようにすればよい。
【００４０】
さらに、実施例１においては、発光素子２１の、光を射出する面（メサ部２０の上面）が、コア１１の端面に近接して対向するため、両者の間の光の結合効率を高めることができる。
【００４１】
［実施例２］
図５Ａに、実施例２による光モジュールに用いられる光ファイバの端面の正面図を示す。以下、実施例１との相違点について説明し、同一の構成については説明を省略する。実施例２による光ファイバ１０には、クラッド１２内に複数のコア１１が配置されている。すなわち、実施例２による光ファイバ１０は、いわゆるマルチコアファイバである。一例として、実施例２による光ファイバ１０は、７本のコア１１を含む。１本のコア１１は、光ファイバ１１の中心軸と一致する位置に配置され、他の６本のコア１１は、図５Ａに示した例では、中心軸を回転中心とした６回回転対称となる位置に配置されている。
【００４２】
コア１１の本数を７本以外の本数としてもよい。例えば、４本のコア１１を配置する場合、１本のコア１１を光ファイバ１０の中心軸の位置に配置し、他の３本のコア１１を、光ファイバ１０の中心軸を回転中心として３回回転対称となる位置に配置するようにしてもよい。より一般的に、（ｎ＋１）本のコア１１を配置する場合、１本のコア１１を光ファイバ１０の中心軸の位置に配置し、他のｎ本のコア１１を、光ファイバ１０の中心軸を回転中心としてｎ回回転対称となる位置に配置するようにしてもよい。ここで、ｎは２以上の整数である。
【００４３】
光ファイバ１０の中心軸に沿って１本のコア１１を配置して、他の複数のコア１１を光ファイバ１０の中心軸を回転中心とした回転対称の位置に配置する形態だけではなく、光ファイバ１０の中心軸に沿ってコア１１を配置しない形態であってもよい。この場合は、光ファイバ１０内に配置された複数のコア１１の配置場所に対応して、支持基板３０の表面に複数の発光素子２１を形成するようにする。
【００４４】
図５Ｂに、図５Ａの一点鎖線５Ｂ−５Ｂにおける光モジュールの断面図を示す。光ファイバ１０の端面１４に、コア１１に対応して凹部１５が形成されている。支持基板３０の表面に、複数の発光素子２１が形成されている。発光素子２１の各々は、メサ部２０を含む。メサ部２０は、基板３０を光ファイバ１０の端面１４に対向させた状態で、凹部１５に対応する位置に配置されている。メサ部２０が、対応する凹部１５に挿入されている（嵌合している）。
【００４５】
図６に、実施例２による発光素子２１及び支持基板３０の平面図を示す。支持基板３０の表面に、複数、例えば７個の発光素子２１が形成されている。発光素子２１の各々は、図４Ａ及び図４Ｂに示した実施例１による発光素子２１と同一の構造を有する。発光素子２１の各々は、上部電極５６と下部電極５５とを含む。発光素子２１に対応して、一対のパッド６０、６１が基板３０の表面に形成されている。
【００４６】
引出線５８が、下部電極５５と一方のパッド６０とを接続する。引出線５７が、上部電極５６と他方のパッド６１とを接続する。パッド６０、６１から発光素子２１に電流が供給される。
【００４７】
実施例２においても、メサ部２０（図５Ｂ）を凹部１５（図５Ｂ）に挿入することにより、光ファイバ１０と発光素子２１との位置合わせを容易に行うことができる。また、複数のコア１１と複数の発光素子２１とを同時に位置合わせすることが可能であるため、シングルコアの光ファイバを１本ずつ発光素子と結合させる構成に比べて、作業効率を高めることができる。
【００４８】
実施例２によるマルチコアファイバ及び発光素子は、例えば、コンピュータ内の光配線（インターコネクション）等に適用することが可能である。
【００４９】
［実施例３］
図７Ａに、実施例３による光モジュールに用いられる光ファイバの端面の正面図を示す。以下、実施例２との相違点について説明し、同一の構成については説明を省略する。実施例３による光ファイバ１０は、クラッド１２内に、コア１１の他にコア識別用マーカ１７が配置されている。コア識別用マーカ１７は、コア１１と同様に光ファイバ１０の軸方向に沿って配置される。一例として、コア識別用マーカ１７はコア１１と同一の材料で形成される。また、コア識別用マーカ１７を空孔で形成してもよい。
【００５０】
７本のコア１１は、光ファイバ１０の断面内において６回回転対称となるパターンを構成している。コア識別用マーカ１７は、コア１１と重ならず、かつ光ファイバ１０の中心から外れた位置に配置されている。コア識別用マーカ１７は、コア１１の配置の回転対称性を崩している。コア識別用マーカ１７の位置を認識することにより、６回回転対称の位置に配置された６本のコア１１を相互に容易に区別することができる。
【００５１】
図７Ｂに、図７Ａの一点鎖線７Ｂ−７Ｂにおける光モジュールの断面図を示す。光ファイバ１０の端面１４に、コア１１に対応する凹部１５の他に、位置合わせ用凹部１８が形成されている。位置合わせ用凹部１８は、コア識別用マーカ１７に対応する位置に配置されている。マーカ１７がコア１１と同一の材料で形成されている場合には、凹部１５をエッチングによって形成するときに、位置合わせ用凹部１８も同時に形成される。マーカ１７が空孔で形成されているとき、凹部１５をエッチングによって形成するときに、空孔の開口部近傍（光ファイバ１０の端面１４の近傍）のクラッド１２がエッチングされることにより、位置合わせ用凹部１８が形成される。
【００５２】
発光素子２１が形成されている支持基板３０の表面に、発光素子２１を構成するメサ部２０の他に、位置合わせ用の凸部２２が形成されている。発光素子２１のメサ部２０が凹部１５に挿入されると同時に、凸部２２が、位置合わせ用凹部１８に挿入される。凸部２２を位置合わせ用凹部１８に位置合わせして挿入することにより、複数の発光素子２１が形成された基板３０と、光ファイバ１０との回転方向の位置合わせを容易に行うことができる。
【００５３】
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【符号の説明】
【００５４】
１０  光ファイバ
１１  コア
１２  クラッド
１３  被覆層
１４  端面
１５  凹部
１６  透明媒体
１７  コア識別用マーカ
１８  位置合わせ用凹部
２０  メサ部
２１  発光素子
２２  位置合わせ用の凸部
３０  支持基板
４０  基板
４１  下部ＤＢＲ膜
４２  ｎ型コンタクト層
４３  ｎ型クラッド層
４４  活性層
４５  ｐ型クラッド層
４６  下部組成傾斜層
４７  電流狭窄層
４８  上部組成傾斜層
４９  ｐ型スペーサ層
５０  ｐ型高導電率層  
５１  ｐ型スペーサ層
５２  ｐ型コンタクト層
５３  上部ＤＢＲ膜
５４  絶縁膜
５５  下部電極
５６  上部電極
５７  引出線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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