(57)【要約】【課題】導電性と光透過性とを兼ね備えた透明電極を提供する。【解決手段】透明部材と、透明部材上に設けられた導電層１２とを備える透明電極１０を構成する。透明部材は、プラズマ処理されたプラズマ処理面を有する。導電層１２は、透明部材のプラズマ処理面上に形成され、導電層１２が、プラズマ処理をした後、透明部材のプラズマ処理面を大気中に暴露することなく形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明部材と、
前記透明部材上に設けられた導電層と、を備え、
前記透明部材は、プラズマ処理されたプラズマ処理面を有し、
前記導電層は、前記透明部材の前記プラズマ処理面上に形成され、
前記導電層が、前記プラズマ処理をした後、前記透明部材のプラズマ処理面を大気中に暴露することなく 形成されている
透明電極。
【請求項２】
前記導電層が、前記プラズマ処理の終了から５分以内に 形成開始される請求項１に記載の透明電極。
【請求項３】
前記導電層が、銀（Ａｇ）又は銀（Ａｇ）を主成分とする合金から構成される請求項１に記載の透明電極。
【請求項４】
前記導電層が、４ｎｍ以上１５ｎｍ以下に形成されている請求項３に記載の透明電極。
【請求項５】
前記透明部材が透明基材である請求項１に記載の透明電極。
【請求項６】
前記透明部材が高屈折率層である請求項１に記載の透明電極。
【請求項７】
前記高屈折率層が、二酸化チタン、酸化ニオブ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、及び、ＺｎＯから選ばれる少なくとも１種以上を含む請求項６に記載の透明電極。
【請求項８】
前記請求項１から７のいずれかに記載の透明電極を備える電子デバイス。
【請求項９】
有機発光層を備える請求項８に記載の電子デバイス。
【請求項１０】
透明部材の表面にプラズマ処理を行う工程と、
前記プラズマ処理を行った後、前記透明部材のプラズマ処理面を大気中に暴露することなく、前記プラズマ処理面上に導電層を形成する工程と、を有する
透明電極の製造方法。
【請求項１１】
前記プラズマ処理の終了から５分以内に前記導電層の形成が開始される請求項１０に記載の透明電極の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明電極、この透明電極の製造方法、及び、この透明電極を用いた電子デバイスに係わる。
【背景技術】
【０００２】
有機材料のエレクトロルミネッセンス（electroluminescence：以下ＥＬと記す）を利用した有機電界発光素子（いわゆる有機ＥＬ素子）は、数Ｖ〜数十Ｖ程度の低電圧で発光が可能な薄膜型の完全固体素子であり、高輝度、高発光効率、薄型、軽量といった多くの優れた特徴を有する。このため、各種ディスプレイのバックライト、看板や非常灯等の表示板、照明光源等の面発光体として近年注目されている。
【０００３】
このような有機ＥＬ素子は、２枚の電極間に有機材料を用いて構成された発光層を挟持した構成であり、発光層で生じた発光光は電極を透過して外部に取り出される。このため、２枚の電極のうちの少なくとも一方は透明電極として構成される。
【０００４】
透明電極としては、酸化インジウムスズ（ＳｎＯ２−Ｉｎ２Ｏ３：Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）等の酸化物半導体系の材料が一般的に用いられているが、ＩＴＯと銀とを積層して低抵抗化を狙った検討もなされている（例えば下記特許文献１，２参照）。しかしながら、ＩＴＯはレアメタルのインジウムを使用しているため、材料コストが高く、また抵抗を下げるために成膜後に３００℃程度でアニール処理する必要がある。そこで、電気伝導率の高い銀等の金属材料を薄膜化した構成や、銀にアルミニウムを混ぜることにより銀単独よりも薄い膜厚で導電性を確保する構成も提案されている（例えば下記特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１５６２３号公報
【特許文献２】特開２００６−１６４９６１号公報
【特許文献３】特開２００９−１５１９６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、電気伝導率の高い銀やアルミニウムを用いて構成された透明電極であっても、十分な導電性と光透過性との両立を図ることは困難であり、有機ＥＬ素子のような電子デバイスの特性の向上を妨げる要因となっている。
【０００７】
上述した問題の解決のため、本発明においては、導電性と光透過性とを兼ね備えた透明電極、透明電極の製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の透明電極は、透明部材と、透明部材上に設けられた導電層とを備える。透明部材は、プラズマ処理されたプラズマ処理面を有する。導電層は、透明部材のプラズマ処理面上に形成され、導電層が、プラズマ処理をした後、透明部材のプラズマ処理面を大気中に暴露することなく形成されている。
また、本発明の電子デバイスは、上記透明電極を備える。
【０００９】
また、本発明の透明電極の製造方法は、透明部材の表面にプラズマ処理を行う工程と、プラズマ処理を行った後、透明部材のプラズマ処理面を大気中に暴露することなく、プラズマ処理面上に導電層を形成する工程とを有する。
【００１０】
本発明の透明電極、及び、透明電極の製造方法によれば、プラズマ処理をした後、透明部材のプラズマ処理面を大気中に暴露することなく導電層を形成することにより、プラズマ処理した透明部材と、導電層との相互作用により、薄いながらも均一な厚さの導電層が得られる。
従って、透明電極において、導電性の向上と光透過性の向上との両立が可能となる。また、この透明電極を用いて、導電性と光透過性とに優れる電子デバイスを構成することができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、導電性と光透過性とに優れた透明電極、及び、電子デバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施形態の透明電極の概略構成を示す図である。
【図２】第２実施形態の透明電極の概略構成を示す図である。
【図３】第２実施形態の変形例の透明電極の概略構成を示す図である。
【図４】第３実施形態の有機ＥＬ素子の概略構成を示す図である。
【図５】実施例２で作製したボトムエミッション型の有機ＥＬ素子の概略構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明を実施するための最良の形態の例を説明するが、本発明は以下の例に限定されるものではない。
なお、説明は以下の順序で行う。
１．透明電極（第１実施形態）
２．透明電極（第２実施形態）
３．透明電極（第２実施形態の変形例）
４．電子デバイス（第３実施形態）
【００１４】
〈１．透明電極（第１実施形態）〉
本発明の第１実施形態について説明する。図１に、第１実施形態の透明電極の概略構成図（断面図）を示す。
【００１５】
［構成］
図１に示すように、透明電極１０は、透明部材としての透明基材１１と、導電層１２とを備える。なお、本例の透明電極１０において、透明とは波長５５０ｎｍでの光透過率が５０％以上であることをいう。
透明電極１０において、導電層１２が形成される面は、プラズマ処理が施されている。つまり、本例では、透明基材１１の導電層１２が形成されている面が、プラズマ処理面である。そして、この透明基材１１のプラズマ処理面上に導電層１２が形成されている。
また、この導電層１２は、透明基材１１のプラズマ処理が終了した後、透明基材１１のプラズマ処理面を大気中に暴露することなく形成されている。さらに、導電層１２の形成は、透明基材１１のプラズマ処理が終了した時点から５分以内に開始される。つまり、透明電極１０において、透明基材１１のプラズマ処理面が露出される時間は、５分以内である。
【００１６】
透明部材は、導電層１２が形成される下地となる層である。透明部材としては、特に限定されず、例えば、透明電極１０の基材や、透明電極１０の光学的作用を調整するための層により構成することができる。また、透明部材は、例えば、有機、無機、高分子等のいずれの材料から構成することができる。透明部材は、導電層１２の形成に際し、プラズマ処理を行うことから、プラズマ処理による変性等の少ない材料を用いることが好ましい。本例では、透明部材として透明基材１１を用いている。
以下に、本例の透明電極１０について、透明基材１１、導電層１２の順に、詳細な構成を説明する。
【００１７】
［透明基材］
透明基材１１は、少なくとも導電層１２が形成される面が、プラズマ処理されている。透明基材１１としては、例えば、ガラス、プラスチック等を挙げることができるが、これらに限定されない。透明基材１１としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを用いることが好ましい。
【００１８】
ガラスとしては、例えば、シリカガラス、ソーダ石灰シリカガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、無アルカリガラス等が挙げられる。これらのガラス材料の表面には、透明電極１０の積層構造との密着性、耐久性、平滑性の観点から、必要に応じて研磨等の物理的処理や、無機物又は有機物からなる被膜、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成される。
【００１９】
樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート（ＴＡＣ）、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）又はアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等が挙げられる。
【００２０】
樹脂フィルムの表面には、無機物又は有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成されていてもよい。このような被膜及びハイブリッド被膜は、ＪＩＳ−Ｋ−７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度９０±２％ＲＨ）が０．０１ｇ／（ｍ２・２４時間）以下のバリア性フィルム（バリア膜等ともいう）であることが好ましい。またさらには、ＪＩＳ−Ｋ−７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１０−３ｍｌ／（ｍ２・２４時間・ａｔｍ）以下、水蒸気透過度が１０−５ｇ／（ｍ２・２４時間）以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。
【００２１】
以上のようなバリア性フィルムを形成する材料としては、樹脂フィルムの劣化をもたらす水分や酸素等素子の浸入を抑制する機能を有する材料を用いる。例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。さらに当該バリア性フィルムの脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層（有機層）の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。
【００２２】
バリア性フィルムの形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。特に、特開２００４−６８１４３号公報に記載の大気圧プラズマ重合法を好ましく用いることができる。
【００２３】
［導電層］
透明電極１０において、導電層１２は、透光性の導電性材料により形成される必要がある。この導電層１２は、透明基材１１のプラズマ処理が終了した後、透明基材１１のプラズマ処理面を大気中に暴露することなく形成されている。より好ましくは、導電層１２は、透明基材１１のプラズマ処理終了時から、５分以内に形成が開始される。
【００２４】
導電層１２は、例えば、銀を主成分として構成された層であって、銀又は銀を主成分とした合金を用いて構成された層である。このような導電層１２の形成方法としては、塗布法、インクジェット法、コーティング法、及び、ディップ法等のウェットプロセス、並びに、抵抗加熱やＥＢ（Electron Beam）等の蒸着法、スパッタ法、及び、ＣＶＤ法等のドライプロセスを用いる方法等が挙げられる。なかでも蒸着法が好ましく適用される。
【００２５】
導電層１２を構成する銀（Ａｇ）を主成分とする合金は、一例として銀マグネシウム（ＡｇＭｇ）、銀銅（ＡｇＣｕ）、銀パラジウム（ＡｇＰｄ）、銀パラジウム銅（ＡｇＰｄＣｕ）、銀インジウム（ＡｇＩｎ）、ＡｇＡｕ等が挙げられる。
【００２６】
以上のような導電層１２は、銀又は銀を主成分とした合金の層が、必要に応じて複数の層に分けて積層された構成であってもよい。
【００２７】
さらに、この導電層１２は、厚さが４〜１５ｎｍの範囲にあることが好ましい。厚さ１５ｎｍ以下、特に１２ｎｍ以下であることにより、導電層１２の吸収成分及び反射成分が低く抑えられ、透明電極１０の光透過率が維持されるため好ましい。また、厚さが４ｎｍ以上であることにより、導電層１２の導電性も確保される。
【００２８】
なお、以上のような、導電層１２は、上部が保護膜で覆われていてもよく、別の導電性材料が積層されていてもよい。この場合、透明電極１０の光透過性を損なうことのないように、保護膜及び導電層が光透過性を有することが好ましい。
【００２９】
［透明電極の製造方法］
次に、透明電極１０の製造方法について説明する。
まず、導電層１２を形成するための透明部材を準備する。本例では、透明部材として、上述の透明基材１１を準備する。
【００３０】
次に、透明基材１１の導電層１２を形成する面に、プラズマ処理を行う。
透明基材１１のプラズマ処理は、適宜最適化を施すことにより一般に公知の方法で行うことができる。例えば、ＲＦプラズマを用いることが好ましい。
【００３１】
プラズマ処理に使用する処理気体としては、酸素や酸化窒素等の酸素原子を含有する気体、及び、窒素、Ａｒ等の不活性ガスを用いることができる。また、酸素原子、不活性ガスから複数種類のガスを用いてもよい。
処理気体の圧力としては０．１〜２Ｐａ程度が好ましい。
【００３２】
プラズマ発生方法は誘導結合型（ＩＣＰ：Inductive Coupled Plasma）や容量結合型（ＣＣＰ：Capacitive Coupled Plasma）などがあるが、プラズマが発生であればこれらに限定されない。
プラズマ発生装置に印加される高周波としては、一般に周波数１３．５６ＭＨｚ程度、電力０．１〜５ｋＷｈ程度の高周波電力が印加されるが、プラズマを発生することが可能な周波数、電力であればこれらに限定されない。
【００３３】
次に、透明基材１１のプラズマ処理を施した面に、導電層１２を形成する。導電層１２の形成は、透明基材１１のプラズマ処理が終了した後、透明基材１１のプラズマ処理面を大気中に暴露することなく行う。さらに、透明基材１１のプラズマ処理の終了後から、５分以内に開始される。
【００３４】
導電層１２は、上述の導電性材料、例えば銀を主成分とする導電性材料を用いて、形成する。また、導電層１２は、上述のウェットプロセスやドライプロセスを用いて形成することができる。特に、抵抗加熱やＥＢ法等の蒸着法を用いることが好ましい。
【００３５】
［効果］
第１実施形態の透明電極によれば、透明部材の表面をプラズマ処理した後、このプラズマ処理の終了から５分以内に導電層の形成が開始される。
導電層を形成する透明部材の表面をプラズマ処理することにより、表面の汚染物質を除去して導電層を緻密化することができる。
【００３６】
また、プラズマ処理のスパッタリング効果により、透明部材の表面が不安な状態となる。このような不安定な状態表面に導電層を形成すると、導電層の形成で最初に発生する成長核の発生数が増加する。
【００３７】
透明部材の表面は、プラズマのスパッタリングによって、表面洗浄だけでなく、欠陥の発生による形状不安定化と、エネルギーレベルの不安定化が発生すると推測される。
プラズマのスパッタリングにより、透明部材の表面に発生する欠陥は、時間経過により自己整合に補正される程度の欠陥と推測される。また、透明部材の表面は、プラズマでスパッタリングされた部分が局所的に高いエネルギーレベル状態になると推測される。この局所的なエネルギーレベルの状態も、時間経過により自己整合に補正されると推測される。
このような、欠陥の存在と、局所的な高いエネルギーレベルの存在とにより、透明部材の表面が不安定になると考えられる。
【００３８】
そこで、欠陥が補正される前、つまりプラズマ処理から一定時間以内に導電層の形成を開始すると、銀との相互作用により透明部材の欠陥が修復される。このため、自己整合により欠陥が修復される前に銀を供給することで、銀との透明部材の全面に渡って、局所的な欠陥を補正するために微小な銀粒子が一様に形成されると考えられる。
また、プラズマ処理により、局所的にエネルギーレベルが高い状態となった透明部材の表面に、導電層を形成することで、導電層を構成する銀との相互作用により表面のエネルギーレベルを安定化させることができると推測される。このため、透明部材の表面に微小な銀粒子が一様に形成され、導電層を形成する起点となる成長核の数を多く発生しやすくなり、銀粒子の拡散長が短くなる。
従って、プラズマ処理した後に導電層を形成すると、表面への銀原子の付着が起こりやすく、導電層を形成する起点となる成長核が発生しやすくなる。このため、この成長核を起点とする導電層の形成が安定化する。
【００３９】
また、大気に暴露すると欠陥に酸素や水等の活性な物質との作用により、安定な状態となってしまう。このため、プラズマ処理後、大気中に暴露せずに導電層を形成する必要がある。また、一定時間経過した後、自己整合的に、欠陥やエネルギー状態が安定化するため、プラズマ処理による不安定な状態が安定化する前に、導電層を形成する。
【００４０】
さらに、プラズマ処理後に導電層を形成することで、透明部材の表面が銀との接触により安定化するため、表面に付着した銀の移動が抑制される。このため、銀の拡散距離が減少し、凝集が抑えられる。これにより、一般的には核成長型（Volumer-Weber：ＶＷ型）での成長により島状に孤立し易い銀が、単層成長型（Frank-van der Merwe：ＦＭ型）の成長によって形成されるようになる。
【００４１】
特に、プラズマ処理の終了から導電層の形成開始までの時間を５分以内とすることにより、上記の効果が顕著になる。プラズマ処理後は、時間経過とともに、自己整合により表面が安定な状態となる。このため、プラズマ処理からある程度の時間が経過した後、導電層を形成すると、表面に形成される成長核の数が減少する。このため、プラズマ処理の終了から５分以内に導電層を形成することで、薄く均一な厚さの導電層が得られ、十分な導電性と光透過性とを兼ね備えた透明電極を作製することができる。
【００４２】
〈２．透明電極（第２実施形態）〉
次に、本発明の第２実施形態について説明する。図２に、第２実施形態の透明電極の概略構成図（断面図）を示す。以下、第１実施形態と同様の構成要素についての重複する詳細な説明は省略し、第２実施形態の透明電極について説明する。
【００４３】
［構成］
図２に示すように、透明電極２０は、透明基材１１と、透明基材１１上に形成された高屈折率層１３、及び、高屈折率層１３上に形成された導電層１２とを備える。なお、本例では導電層１２が形成される透明部材として、透明基材１１、及び、この透明基材１１上に設けられた高屈折率層１３を用いている。
【００４４】
透明電極２０において、導電層１２が形成される面は、プラズマ処理が施されている。つまり、本例では、高屈折率層１３の導電層１２が形成されている面が、プラズマ処理面である。そして、この高屈折率層１３のプラズマ処理面上に導電層１２が形成されている。また、この導電層１２は、高屈折率層１３のプラズマ処理が終了した後、高屈折率層１３のプラズマ処理面を大気中に暴露することなく形成されている。さらに、導電層１２の形成は、高屈折率層１３のプラズマ処理が終了した時点から５分以内に開始される。つまり、透明電極２０において、高屈折率層１３のプラズマ処理面が露出される時間は、５分以内である。
【００４５】
以下、透明電極２０の各構成について説明する。なお、透明電極２０において、透明基材１１、及び、導電層１２は、上述の第１実施形態で説明した構成と同様の構成を用いることができる。このため、これらの第１実施形態と同様の構成は説明を省略する。
【００４６】
［高屈折率層］
高屈折率層１３は、少なくとも導電層１２が形成される面が、プラズマ処理されている。
高屈折率層１３は、波長５５０ｎｍにおける屈折率（ｎ）が１．９以上の層である。特に好ましくは、波長５５０ｎｍにおける屈折率（ｎ）が２．０以上の層である。このような高屈折率層１３には金属酸化物が用いられ、例えば、二酸化チタン（ＴｉＯ２：ｎ＝２．３〜２．４）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２：ｎ＝２．４）、酸化カドミウム（ＣｄＯ：ｎ＝２．４９）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ：ｎ＝２．１〜２．２）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２：ｎ＝２．１）、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５：ｎ＝２．１６）、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５：ｎ＝２．２〜２．４）、酸化セリウム（ＣｅＯ２：ｎ＝２．２）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ：ｎ＝２．０〜２．４）、酸化亜鉛（ＺｎＯ：ｎ＝１．９〜２．０）、酸化錫（ＳｎＯ２：ｎ＝１．９〜２．０）、硫化亜鉛（ＺｎＳ：ｎ＝２．０〜２．２）等の光学フィルムに一般的に用いられる高屈折率材料が用いられる。屈折率や生産性の観点からＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５であることが好ましい。
また、高屈折率層１３は、１０〜１００ｎｍの厚さで形成されていることが好ましい。特に、２０ｎｍ程度の厚さとすることにより、透明電極２０の反射抑制に効果的である。
【００４７】
高屈折率層１３は、例えば、スパッタリング法、イオンアシストＥＢ蒸着法等の製法を用いることにより、緻密な層を形成することができる。このように、導電層１２に接して高屈折率層１３を設けることにより、透明電極２０の光透過性が向上する。
【００４８】
［透明電極の製造方法］
次に、透明電極２０の製造方法について説明する。
まず、導電層１２を形成するための透明部材を準備する。本例では、透明部材として、上述の透明基材１１を準備し、この透明基材１１上に、高屈折率層１３を形成する。
高屈折率層１３は、一般的に公知な方法により形成することができる。例えば、上述の金属酸化物を用いたＥＢ蒸着法により形成することができる。
【００４９】
次に、高屈折率層１３の導電層１２を形成する面に、プラズマ処理を行う。
高屈折率層１３のプラズマ処理は、適宜最適化を施すことにより一般に公知の方法で行うことができる。例えば、ＲＦプラズマを用いることが好ましい。
【００５０】
プラズマ処理に使用する処理気体としては、酸素や酸化窒素等の酸素原子を含有する気体、及び、Ａｒ等の不活性ガスを用いることができる。また、酸素原子を含有する気体と不活性ガスとの混合物を用いてもよい。
処理気体の圧力としては０．１〜２Ｐａ程度が好ましい。
【００５１】
高周波誘導コイルに印加される高周波としては、一般に周波数１３．５６ＭＨｚ程度、電力０．１〜５ｋＷｈ程度の高周波電力が印加されるが、プラズマを発生するに可能な周波数、電力であればこれらに限定されない。
【００５２】
次に、高屈折率層１３のプラズマ処理を施した面に、導電層１２を形成する。導電層１２の形成は、透明基材１１のプラズマ処理の終了後から、５分以内に開始される。好ましくは、３分以内に開始される。
【００５３】
導電層１２は、上述の導電性材料、例えば銀を主成分とする導電性材料を用いて、形成する。また、導電層１２は、上述のウェットプロセスやドライプロセスを用いて形成することができる。特に、抵抗加熱やＥＢ法等の蒸着法を用いることが好ましい。
【００５４】
［効果］
第２実施形態の透明電極によれば、透明部材として透明基材と高屈折率層とを用い、高屈折率層の表面をプラズマ処理した後、このプラズマ処理の終了から５分以内に導電層の形成が開始される。
このように、透明部材を複数の層からなる積層体とした場合にも、導電層の形成面をプラズマ処理できる構成であれば、透明電極に適用することができる。
【００５５】
導電層を形成する透明部材の表面をプラズマ処理することにより、表面の汚染物質の除去による導電層の緻密化することができる。また、プラズマ処理のスパッタリング効果により、透明部材の表面が不安な状態となる。このような不安定な状態表面に導電層を形成すると、導電層の形成で最初に発生する成長核の発生数が増加する。このため、この成長核を起点とする導電層の形成が安定化する。さらに、プラズマ処理により改質された透明部材の表面との相互作用により、導電性材料の拡散距離が減少し、凝集が抑えられる。これにより、一般的には核成長型（Volumer-Weber：ＶＷ型）での成長により島状に孤立し易い導電性材料が、単層成長型（Frank-van der Merwe：ＦＭ型）の成長によって形成されるようになる。
特に、プラズマ処理の終了から導電層の形成開始までの時間を５分以内とすることにより、上記の効果が顕著になる。
従って、薄く均一な厚さの導電層が得られ、十分な導電性と光透過性とを兼ね備えた透明電極を作製することができる。
【００５６】
〈３．透明電極（第２実施形態の変形例）〉
［変形例］
次に、本発明の第２実施形態の変形例について説明する。図３に、第２実施形態の変形例の透明電極の概略構成図（断面図）を示す。以下、第２実施形態の透明電極と同様の構成要素についての重複する詳細な説明は省略し、変形例の透明電極について説明する。
【００５７】
図３に示すように、透明電極２５は、透明基材１１と、透明基材１１上に形成された第１高屈折率層１６、第１高屈折率層１６上に形成された導電層１２、及び、導電層１２上に形成された第２高屈折率層１７とを備える。なお、本例では導電層が形成される透明部材として、透明基材１１、及び、この透明基材１１上に設けられた第１高屈折率層１６を用いている。
【００５８】
透明電極２５においても、上述の第２実施形態と同様に、導電層１２を形成する第１高屈折率層１６の表面がプラズマ処理されている。また、透明基材１１、及び、導電層１２は、上述の第２実施形態と同様の構成である。さらに、第１高屈折率層１６は、上述の第２実施形態の高屈折率層と同様の構成である。
第２高屈折率層１７も、第２実施形態の高屈折率層と同様の構成を用いることができる。
【００５９】
第２高屈折率層１７は、例えば、スパッタリング法、イオンアシストＥＢ蒸着法等の製法を用いることにより、緻密な層を形成することができる。このように、導電層１２上に接して緻密な第２高屈折率層１７を形成することにより、導電層１２を構成する銀又は銀合金を安定化（不動態化）することができる。このため、導電層１２上に、第２高屈折率層１７を形成することにより、導電層１２の信頼性が向上し、透明電極２５の信頼性や、この透明電極２５を備える電子機器の信頼性が向上する。
【００６０】
また、導電層１２が、第１高屈折率層１６及び第２高屈折率層１７に挟持されている。このため、導電層１２と第１高屈折率層及び第２高屈折率層１７との界面での反射を抑制することができる。
【００６１】
また、プラズマ処理面上に導電層１２を形成することにより、上述の第２実施形態の透明電極と同様の効果を得ることができる。従って、薄く均一な厚さの導電層が得られ、十分な導電性と光透過性とを兼ね備えた透明電極を作製することができる。
【００６２】
〈４．電子デバイス（第３実施形態）〉
次に、本発明の第３実施形態について説明する。第３実施形態は、電子デバイスの一例として、上述の第２実施形態の透明電極を用いたボトムエミッション型の有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）について説明する。図４に、本実施形態の有機ＥＬ素子の断面構成図を示す。以下にこの図に基づいて有機ＥＬ素子の構成を説明する。
【００６３】
［有機ＥＬ素子の構成］
図４に示す有機ＥＬ素子３０は、透明基材１１上に設けられており、透明基材１１側から順に、高屈折率層１３、アノードとなる導電層１２、発光機能層１４、及びカソードとなる対向電極１５が積層されている。有機ＥＬ素子３０は、発生させた光を、少なくとも透明基材１１側から取り出すボトムエミッション型として構成されている。
【００６４】
このうち、透明基材１１、高屈折率層１３及び導電層１２は、上述の第２実施形態の透明電極２０と同様の構成である。このため、高屈折率層１３の導電層１２が形成されている面が、プラズマ処理面である。そして、この高屈折率層１３のプラズマ処理面上に導電層１２が形成されている。また、この導電層１２の形成は、高屈折率層１３のプラズマ処理が終了した時点から５分以内に開始される。
【００６５】
また、有機ＥＬ素子３０の全体的な層構造は、上記に限定されることはなく、一般的な層構造であってもよい。ここでは、透明電極２０の導電層１２がアノード（すなわち陽極）側に配置され、この導電層１２がアノードとして機能する一方、対向電極１５がカソード（すなわち陰極）として機能する。
【００６６】
この場合、例えば発光機能層１４は、アノードである導電層１２の上部に［正孔注入層１４ａ／正孔輸送層１４ｂ／発光層１４ｃ／電子輸送層１４ｄ／電子注入層１４ｅ］をこの順に積層した構成を例示できるが、このうち少なくとも有機材料を用いて構成された発光層１４ｃを有する。正孔注入層１４ａ及び正孔輸送層１４ｂは、正孔輸送性と正孔注入性とを有する正孔輸送／注入層として設けられてもよい。電子輸送層１４ｄ及び電子注入層１４ｅは、電子輸送性と電子注入性とを有する単一層として設けられてもよい。また、これらの発光機能層１４のうち、例えば電子注入層１４ｅは無機材料で構成されていてもよい。
【００６７】
また、発光機能層１４は、これらの層の他にも正孔阻止層や電子阻止層等が必要に応じて必要箇所に積層されていてもよい。さらに、発光層１４ｃは、各波長領域の発光光を発生させる各色発光層を有し、これらの各色発光層を、非発光性の中間層を介して積層させて発光層ユニットとして形成されていてもよい。中間層は、正孔阻止層、電子阻止層として機能してもよい。さらにカソードである対向電極１５も、必要に応じた積層構造であってもよい。このような構成において、透明電極２０の導電層１２と対向電極１５とで発光機能層１４が挟持されている部分のみが、有機ＥＬ素子３０における発光領域となる。
また、以上のような層構成においては、透明電極２０の導電層１２の低抵抗化を図ることを目的とし、導電層１２に接して補助電極が設けられていてもよい。
【００６８】
以下、上述した有機ＥＬ素子３０を構成する各層の構成を説明する。なお、透明電極２０、並びに、透明電極２０を構成する透明基材１１、高屈折率層１３、及び、導電層１２は、上述の第２実施形態で説明した構成と同様の構成を用いることができる。このため、これらの第２実施形態と同様の構成は説明を省略する。
【００６９】
［対向電極（カソード）］
対向電極１５は、発光機能層１４に電子を供給するためのカソードとして機能する導電層であり、金属、合金、有機又は無機の導電性化合物、及びこれらの混合物が用いられる。具体的には、金、アルミニウム、銀、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２等の酸化物半導体等が挙げられる。
【００７０】
対向電極１５は、これらの導電性材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄層を形成させることにより作製することができる。また、対向電極１５としてのシート抵抗は、数百Ω／ｓｑ．以下が好ましく、厚さは通常５ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
【００７１】
［発光層］
本実施形態の有機ＥＬ素子に用いられる発光層１４ｃは、発光材料として例えば燐光発光化合物が含有されている。
【００７２】
この発光層１４ｃは、電極又は電子輸送層１４ｄから注入された電子と、正孔輸送層１４ｂから注入された正孔とが再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層１４ｃの層内であっても発光層１４ｃにおける隣接する層との界面であってもよい。
【００７３】
このような発光層１４ｃとしては、含まれる発光材料が発光要件を満たしていれば、その構成には特に制限はない。また、同一の発光スペクトルや発光極大波長を有する層が複数層あってもよい。この場合、各発光層１４ｃ間には非発光性の中間層（図示せず）を有していることが好ましい。
【００７４】
発光層１４ｃの厚さの総和は１〜１００ｎｍの範囲にあることが好ましく、さらに好ましくは、より低い電圧で駆動することができることから１〜３０ｎｍである。なお、発光層１４ｃの厚さの総和とは、発光層１４ｃ間に非発光性の中間層が存在する場合には、当該中間層も含む厚さである。
【００７５】
複数層を積層した構成の発光層１４ｃの場合、個々の発光層の厚さとしては、１〜５０ｎｍの範囲に調整することが好ましく、１〜２０ｎｍの範囲に調整することがより好ましい。積層された複数の発光層が、青、緑、赤のそれぞれの発光色に対応する場合、青、緑、赤の各発光層の厚さの関係については、特に制限はない。
【００７６】
以上のような発光層１４ｃは、後述する発光材料やホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等の公知の薄膜形成方法により形成することができる。
【００７７】
また発光層１４ｃは、複数の発光材料を混合してもよく、また燐光発光材料と蛍光発光材料（蛍光ドーパント、蛍光性化合物ともいう）を同一発光層１４ｃ中に混合して用いてもよい。
【００７８】
発光層１４ｃの構成として、ホスト化合物（発光ホストともいう）、発光材料（発光ドーパント化合物、ゲスト材料ともいう）を含有し、発光材料より発光させることが好ましい。
【００７９】
（ホスト化合物）
発光層１４ｃに含有されるホスト化合物としては、室温（２５℃）における燐光発光の燐光量子収率が０．１未満の化合物が好ましい。さらに、燐光量子収率が０．０１未満である化合物が好ましい。また、ホスト化合物は、発光層１４ｃに含有される化合物の中で、層中での体積比が５０％以上であることが好ましい。
【００８０】
ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、又は複数種用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子３０を高効率化することができる。また、後述する発光材料を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。
【００８１】
用いられるホスト化合物としては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（蒸着重合性発光ホスト）でもよい。
【００８２】
公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、発光の長波長化を防ぎ、かつ高Ｔｇ（ガラス転移温度）化合物が好ましい。ここでいうガラス転移点（Ｔｇ）とは、ＤＳＣ（Differential Scanning Colorimetry：示差走査熱量法）を用いて、ＪＩＳ−Ｋ−７１２１に準拠した方法により求められる値である。
【００８３】
以下に、有機ＥＬ素子に適用可能なホスト化合物の具体例（Ｈ１〜Ｈ７９）を示す。なお、有機ＥＬ素子に適用可能なホスト化合物は、これらに限定されない。
ホスト化合物Ｈ６８〜Ｈ７９において、ｘ及びｙはランダム共重合体の比率を表す。その比率は、例えば、ｘ：ｙ＝１：１０などとすることができる。
【００８４】
【化１】
2014229555.tif 000003
【００８５】
【化２】
2014229555.tif 000004
【００８６】
【化３】
2014229555.tif 000005
【００８７】
【化４】
2014229555.tif 000006
【００８８】
【化５】
2014229555.tif 000007
【００８９】
【化６】
2014229555.tif 000008
【００９０】
【化７】
2014229555.tif 000009
【００９１】
【化８】
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【００９２】
【化９】
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【００９３】
【化１０】
2014229555.tif 000012
【００９４】
【化１１】
2014229555.tif 000013
【００９５】
【化１２】
2014229555.tif 000014
【００９６】
【化１３】
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【００９７】
【化１４】
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【００９８】
【化１５】
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【００９９】
公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物を用いることもできる。例えば、特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等が挙げられる。
【０１００】
（発光材料）
本実施形態の有機ＥＬ素子に用いることのできる発光材料としては、燐光発光性化合物（燐光性化合物、燐光発光材料ともいう）が挙げられる。
【０１０１】
燐光発光性化合物とは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温（２５℃）にて燐光発光する化合物であり、燐光量子収率が２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましい燐光量子収率は０．１以上である。
【０１０２】
上記燐光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光ＩＩの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中での燐光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本例において燐光発光性化合物を用いる場合、任意の溶媒のいずれかにおいて上記燐光量子収率（０．０１以上）が達成されればよい。
【０１０３】
燐光発光性化合物の発光の原理としては２種挙げられる。一つは、キャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーを燐光発光性化合物に移動させることで燐光発光性化合物からの発光を得るというエネルギー移動型であり、もう一つは、燐光発光性化合物がキャリアトラップとなり、燐光発光性化合物上でキャリアの再結合が起こり燐光発光性化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型である。いずれの場合においても、燐光発光性化合物の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件となる。
【０１０４】
燐光発光性化合物は、一般的な有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができるが、好ましくは元素の周期表で８〜１０族の金属を含有する錯体系化合物である。さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、又は白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
【０１０５】
本実施形態の有機ＥＬ素子においては、少なくとも一つの発光層１４ｃに２種以上の燐光発光性化合物を含有していてもよく、発光層１４ｃにおける燐光発光性化合物の濃度比が発光層１４ｃの厚さ方向で変化していてもよい。
【０１０６】
燐光発光性化合物は好ましくは発光層１４ｃの総量に対し０．１体積％以上３０体積％未満である。
【０１０７】
（一般式（１）で表される化合物）
発光層１４ｃに含まれる化合物（燐光発光性化合物）は、下記一般式（１）で表される化合物であることが好ましい。
【０１０８】
なお、一般式（１）で表される燐光発光性化合物（燐光発光性の金属錯体ともいう）は、有機ＥＬ素子３０の発光層１４ｃに発光ドーパントとして含有されることが好ましい態様であるが、発光層１４ｃ以外の発光機能層に含有されていてもよい。
【０１０９】
【化１６】
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【０１１０】
上記一般式（１）中、Ｐ、Ｑは、各々炭素原子又は窒素原子を表し、Ａ１はＰ−Ｃと共に芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を形成する原子群を表す。Ａ２はＱ−Ｎと共に芳香族複素環を形成する原子群を表す。Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２は２座の配位子を表し、Ｐ１、Ｐ２は各々独立に炭素原子、窒素原子又は酸素原子を表す。Ｌ１はＰ１、Ｐ２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｊ１は１〜３の整数を表し、ｊ２は０〜２の整数を表すが、ｊ１＋ｊ２は２又は３である。Ｍ１は元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。
【０１１１】
そして、一般式（１）において、Ａ１が、Ｐ−Ｃと共に形成する芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ−テルフェニル環、ｍ−テルフェニル環、ｐ−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。
これらの環はさらに、置換基を有してもよい。置換基の例としては、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素基（芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、フタラジニル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基、ピペリジル基（ピペリジニル基ともいう）、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニル基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、リン酸エステル基（例えば、ジヘキシルホスホリル基等）、亜リン酸エステル基（例えばジフェニルホスフィニル基等）、ホスホノ基等が挙げられる。
これらの置換基の一部は、上記の置換基によってさらに置換されていてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。
【０１１２】
一般式（１）において、Ａ１が、Ｐ−Ｃと共に形成する芳香族複素環としては、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、アザカルバゾール環等が挙げられる。
ここで、アザカルバゾール環とは、上記カルバゾール環を構成するベンゼン環の炭素原子が１つ以上窒素原子で置き換わったものを示す。
これらの環はさらに、先に例示した置換基を有してもよい。
【０１１３】
一般式（１）において、Ａ２が、Ｑ−Ｎと共に形成する芳香族複素環としては、オキサゾール環、オキサジアゾール環、オキサトリアゾール環、イソオキサゾール環、テトラゾール環、チアジアゾール環、チアトリアゾール環、イソチアゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。
これらの環はさらに、先に例示した置換基を有してもよい。
【０１１４】
Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２で表される２座の配位子としては、フェニルピリジン、フェニルピラゾール、フェニルイミダゾール、フェニルトリアゾール、フェニルテトラゾール、ピラザボール、アセチルアセトン、ピコリン酸等が挙げられる。
【０１１５】
一般式（１）において、ｊ１は１〜３の整数を表し、ｊ２は０〜２の整数を表すが、ｊ１＋ｊ２は２又は３を表す、中でも、ｊ２は０である場合が好ましい。
【０１１６】
一般式（１）において、Ｍ１は元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素（単に遷移金属ともいう）が用いられるが、中でも、イリジウム好ましい。
【０１１７】
（一般式（２）で表される化合物）
一般式（１）で表される化合物の中でも、下記一般式（２）で表される化合物であることがさらに好ましい。
【０１１８】
【化１７】
2014229555.tif 000019
【０１１９】
上記一般式（２）中、Ｚは、炭化水素環基又は複素環基を表す。Ｐ、Ｑは、各々炭素原子又は窒素原子を表し、Ａ１はＰ−Ｃと共に芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を形成する原子群を表す。Ａ３は−Ｃ（Ｒ０１）＝Ｃ（Ｒ０２）−、−Ｎ＝Ｃ（Ｒ０２）−、−Ｃ（Ｒ０１）＝Ｎ−又は−Ｎ＝Ｎ−を表し、Ｒ０１、Ｒ０２は、各々水素原子又は置換基を表す。Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２は２座の配位子を表し、Ｐ１、Ｐ２は各々独立に炭素原子、窒素原子、又は酸素原子を表す。Ｌ１はＰ１、Ｐ２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｊ１は１〜３の整数を表し、ｊ２は０〜２の整数を表すが、ｊ１＋ｊ２は２又は３である。Ｍ１は元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。
【０１２０】
一般式（２）において、Ｚで表される炭化水素環基としては、非芳香族炭化水素環基、芳香族炭化水素環基が挙げられ、非芳香族炭化水素環基としては、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。これらの基は、無置換でもよく、一般式（１）で例示した置換基を有してもよい。好ましくは、Ｚで表される基は、芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基である。
【０１２１】
また、芳香族炭化水素環基（芳香族炭化水素基、アリール基等ともいう）としては、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等が挙げられる。
これらの基は、無置換でもよく、一般式（１）で例示した置換基を有してもよい。
【０１２２】
一般式（２）において、Ｚで表される複素環基としては、非芳香族複素環基、芳香族複素環基等が挙げられ、非芳香族複素環基としては、例えば、エポキシ環、アジリジン環、チイラン環、オキセタン環、アゼチジン環、チエタン環、テトラヒドロフラン環、ジオキソラン環、ピロリジン環、ピラゾリジン環、イミダゾリジン環、オキサゾリジン環、テトラヒドロチオフェン環、スルホラン環、チアゾリジン環、ε−カプロラクトン環、ε−カプロラクタム環、ピペリジン環、ヘキサヒドロピリダジン環、ヘキサヒドロピリミジン環、ピペラジン環、モルホリン環、テトラヒドロピラン環、１，３−ジオキサン環、１，４−ジオキサン環、トリオキサン環、テトラヒドロチオピラン環、チオモルホリン環、チオモルホリン−１，１−ジオキシド環、ピラノース環、ジアザビシクロ［２，２，２］−オクタン環等から導出される基を挙げられる。
これらの基は、無置換でもよく、一般式（１）で例示した置換基を有してもよい。
【０１２３】
芳香族複素環基としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基（例えば、１，２，４−トリアゾール−１−イル基、１，２，３−トリアゾール−１−イル基等）、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等が挙げられる。
これらの基は、無置換でもよく、一般式（１）で例示した置換基を有してもよい。
【０１２４】
一般式（２）において、Ａ１が、Ｐ−Ｃと共に形成する芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ−テルフェニル環、ｍ−テルフェニル環、ｐ−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。
これらの環はさらに、一般式（１）で例示した置換基を有してもよい。
【０１２５】
一般式（２）において、Ａ１がＰ−Ｃと共に形成する芳香族複素環としては、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、カルボリン環、アザカルバゾール環等が挙げられる。
ここで、アザカルバゾール環とは、上記カルバゾール環を構成するベンゼン環の炭素原子が１つ以上窒素原子で置き換わったものを示す。
これらの環はさらに、一般式（１）で例示した置換基を有してもよい。
【０１２６】
一般式（２）のＡ３で表される、−Ｃ（Ｒ０１）＝Ｃ（Ｒ０２）−、−Ｎ＝Ｃ（Ｒ０２）−、−Ｃ（Ｒ０１）＝Ｎ−において、Ｒ０１、Ｒ０２で各々表される置換基は、一般式（１）で例示した置換基と同義である。
【０１２７】
一般式（２）において、Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２で表される２座の配位子としては、フェニルピリジン、フェニルピラゾール、フェニルイミダゾール、フェニルトリアゾール、フェニルテトラゾール、ピラザボール、アセチルアセトン、ピコリン酸等が挙げられる。
【０１２８】
また、ｊ１は１〜３の整数を表し、ｊ２は０〜２の整数を表すが、ｊ１＋ｊ２は２又は３を表す、中でも、ｊ２は０である場合が好ましい。
【０１２９】
一般式（２）において、Ｍ１で表される元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素（単に遷移金属ともいう）は、一般式（１）において、Ｍ１で表される元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素と同義である。
【０１３０】
（一般式（３）で表される化合物）
上記一般式（２）で表される化合物の好ましい態様の一つとして、下記一般式（３）で表される化合物が挙げられる。
【０１３１】
【化１８】
2014229555.tif 000020
【０１３２】
上記一般式（３）中、Ｒ０３は置換基を表し、Ｒ０４は水素原子又は置換基を表し、複数のＲ０４は互いに結合して環を形成してもよい。ｎ０１は１〜４の整数を表す。Ｒ０５は水素原子又は置換基を表し、複数のＲ０５は互いに結合して環を形成してもよい。ｎ０２は１〜２の整数を表す。Ｒ０６は水素原子又は置換基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。ｎ０３は１〜４の整数を表す。Ｚ１はＣ−Ｃと共に６員の芳香族炭化水素環若しくは、５員又は６員の芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｚ２は炭化水素環基又は複素環基を形成するのに必要な原子群を表す。Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２は２座の配位子を表し、Ｐ１、Ｐ２は各々独立に炭素原子、窒素原子又は酸素原子を表す。Ｌ１はＰ１、Ｐ２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｊ１は１〜３の整数を表し、ｊ２は０〜２の整数を表すが、ｊ１＋ｊ２は２又は３である。Ｍ１は元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。Ｒ０３とＲ０６、Ｒ０４とＲ０６及びＲ０５とＲ０６は互いに結合して環を形成していてもよい。
【０１３３】
一般式（３）において、Ｒ０３、Ｒ０４、Ｒ０５、Ｒ０６で各々表される置換基は、一般式（１）で例示した置換基を有してもよい。
【０１３４】
一般式（３）において、Ｚ１がＣ−Ｃと共に形成する６員の芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環等が挙げられる。
これらの環はさらに、一般式（１）で例示した置換基を有してもよい。
【０１３５】
一般式（３）において、Ｚ１がＣ−Ｃと共に形成する５員又は６員の芳香族複素環としては、例えば、オキサゾール環、オキサジアゾール環、オキサトリアゾール環、イソオキサゾール環、テトラゾール環、チアジアゾール環、チアトリアゾール環、イソチアゾール環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。
これらの環はさらに、一般式（１）で例示した置換基を有してもよい。
【０１３６】
一般式（３）において、Ｚ２で表される炭化水素環基としては、非芳香族炭化水素環基、芳香族炭化水素環基が挙げられ、非芳香族炭化水素環基としては、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。これらの基は、無置換でもよく、一般式（１）で例示した置換基を有してもよい。
【０１３７】
また、芳香族炭化水素環基（芳香族炭化水素基、アリール基等ともいう）としては、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等が挙げられる。これらの基は、無置換でもよく、一般式（１）で例示した置換基を有してもよい。
【０１３８】
一般式（３）において、Ｚ２で表される複素環基としては、非芳香族複素環基、芳香族複素環基等が挙げられ、非芳香族複素環基としては、例えば、エポキシ環、アジリジン環、チイラン環、オキセタン環、アゼチジン環、チエタン環、テトラヒドロフラン環、ジオキソラン環、ピロリジン環、ピラゾリジン環、イミダゾリジン環、オキサゾリジン環、テトラヒドロチオフェン環、スルホラン環、チアゾリジン環、ε−カプロラクトン環、ε−カプロラクタム環、ピペリジン環、ヘキサヒドロピリダジン環、ヘキサヒドロピリミジン環、ピペラジン環、モルホリン環、テトラヒドロピラン環、１，３−ジオキサン環、１，４−ジオキサン環、トリオキサン環、テトラヒドロチオピラン環、チオモルホリン環、チオモルホリン−１，１−ジオキシド環、ピラノース環、ジアザビシクロ［２，２，２］−オクタン環等から導出される基を挙げることができる。これらの基は無置換でもよく、また、一般式（１）で例示した置換基を有してもよい。
【０１３９】
芳香族複素環基としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基（例えば、１，２，４−トリアゾール−１−イル基、１，２，３−トリアゾール−１−イル基等）、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等が挙げられる。
【０１４０】
これらの環は無置換でもよく、さらに一般式（１）で例示した置換基を有してもよい。
【０１４１】
一般式（３）において、Ｚ１及びＺ２で形成される基としては、ベンゼン環が好ましい。
【０１４２】
一般式（３）において、Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２で表される２座の配位子は、一般式（１）において、Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２で表される２座の配位子と同義である。
【０１４３】
一般式（３）において、Ｍ１で表される元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素は、一般式（１）において、Ｍ１で表される元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素と同義である。
【０１４４】
また、燐光発光性化合物は、有機ＥＬ素子３０の発光層１４ｃに使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。
【０１４５】
本実施形態の有機ＥＬ素子に適用される燐光発光性化合物は、好ましくは元素の周期表で８〜１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、又は白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
【０１４６】
以下に燐光発光性化合物の具体例（Ｐｔ−１〜Ｐｔ−３、Ａ−１、Ｉｒ−１〜Ｉｒ−５０）を示す。なお、本実施形態の有機ＥＬ素子に適用される燐光発光性化合物は、これらに限定されない。なお、これらの化合物において、ｍ及びｎは繰り返し数を表す。
【０１４７】
【化１９】
2014229555.tif 000021
【０１４８】
【化２０】
2014229555.tif 000022
【０１４９】
【化２１】
2014229555.tif 000023
【０１５０】
【化２２】
2014229555.tif 000024
【０１５１】
【化２３】
2014229555.tif 000025
【０１５２】
【化２４】
2014229555.tif 000026
【０１５３】
【化２５】
2014229555.tif 000027
【０１５４】
【化２６】
2014229555.tif 000028
【０１５５】
【化２７】
2014229555.tif 000029
【０１５６】
上記の燐光発光性化合物（燐光発光性金属錯体等ともいう）は、例えば、Organic Letters誌 vol.3 No.16 2579〜2581頁(2001)、Inorganic Chemistry,第30巻 第8号 1685〜1687頁(1991年)、J.Am.Chem.Soc.,123巻 4304頁(2001年)、Inorganic Chemistry,第40巻第7号 1704〜1711頁(2001年)、Inorganic Chemistry,第41巻 第12号 3055〜3066頁(2002年)、New Journal of Chemistry.,第26巻 1171頁(2002年)、European Journal of Organic Chemistry,第4巻 695〜709頁(2004年)、さらにこれらの文献中に記載の参考文献等の方法を適用することにより合成できる。
【０１５７】
（蛍光発光材料）
蛍光発光材料としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、又は希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
【０１５８】
［注入層：正孔注入層、電子注入層］
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と発光層１４ｃの間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されており、正孔注入層１４ａと電子注入層１４ｅとがある。
【０１５９】
注入層は、必要に応じて設けることができる。正孔注入層１４ａであれば、アノードと発光層１４ｃ又は正孔輸送層１４ｂの間、電子注入層１４ｅであればカソードと発光層１４ｃ又は電子輸送層１４ｄとの間に配置される。
【０１６０】
正孔注入層１４ａは、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニン層、酸化バナジウムに代表される酸化物層、アモルファスカーボン層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子層等が挙げられる。
【０１６１】
電子注入層１４ｅは、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属層、フッ化カリウムに代表されるアルカリ金属ハライド層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物層、酸化モリブデンに代表される酸化物層等が挙げられる。電子注入層１４ｅはごく薄い層であることが望ましく、素材にもよるがその厚さは１ｎｍ〜１０μｍの範囲が好ましい。
【０１６２】
［正孔輸送層］
正孔輸送層１４ｂは、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層１４ａ、電子阻止層も正孔輸送層１４ｂに含まれる。正孔輸送層１４ｂは単層又は複数層設けることができる。
【０１６３】
正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。
【０１６４】
正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。
【０１６５】
芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾール、さらには米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
【０１６６】
さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。
【０１６７】
また、特開平１１−２５１０６７号公報、J.Huang et.al.,Applied Physics Letters,80(2002),p.139に記載されているような、いわゆるｐ型正孔輸送材料を用いることもできる。高効率の発光素子が得られることから、これらの材料を用いることが好ましい。
【０１６８】
正孔輸送層１４ｂは、上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層１４ｂの厚さについては特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。この正孔輸送層１４ｂは、上記材料の１種又は２種以上からなる一層構造であってもよい。
【０１６９】
また、正孔輸送層１４ｂの材料に不純物をドープしてｐ性を高くすることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。
【０１７０】
このように、正孔輸送層１４ｂのｐ性を高くすると、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。
【０１７１】
［電子輸送層］
電子輸送層１４ｄは、電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層１４ｅ、正孔阻止層（図示せず）も電子輸送層１４ｄに含まれる。電子輸送層１４ｄは単層構造又は複数層の積層構造として設けることができる。
【０１７２】
単層構造の電子輸送層１４ｄ、及び積層構造の電子輸送層１４ｄにおいて発光層１４ｃに隣接する層部分を構成する電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、カソードより注入された電子を発光層１４ｃに伝達する機能を有していればよい。このような材料としては従来公知の化合物の中から任意に選択して用いることができる。例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン、アントロン誘導体及びオキサジアゾール誘導体等が挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送層１４ｄの材料として用いることができる。さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
【０１７３】
また、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送層１４ｄの材料として用いることができる。
【０１７４】
その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されていても、電子輸送層１４ｄの材料として好ましく用いることができる。また、発光層１４ｃの材料としても例示されるジスチリルピラジン誘導体も電子輸送層１４ｄの材料として用いることができ、正孔注入層１４ａ、正孔輸送層１４ｂと同様にｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送層１４ｄの材料として用いることができる。
【０１７５】
電子輸送層１４ｄは、上記材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層１４ｄの厚さについては特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。電子輸送層１４ｄは上記材料の１種又は２種以上からなる一層構造であってもよい。
【０１７６】
また、電子輸送層１４ｄに不純物をドープし、ｎ性を高くすることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、同１０−２７０１７２号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。さらに電子輸送層１４ｄには、カリウムやカリウム化合物などを含有させることが好ましい。カリウム化合物としては、例えば、フッ化カリウム等を用いることができる。このように電子輸送層１４ｄのｎ性を高くすると、より低消費電力の素子を作製することができる。
【０１７７】
また電子輸送層１４ｄの材料（電子輸送性化合物）として、好ましくは、下記一般式（４）で表される化合物を用いることができる。
【０１７８】
（Ａｒ１）ｎ１−Ｙ１  ・・・一般式（４）
【０１７９】
一般式（４）の式中、ｎ１は１以上の整数を表し、Ｙ１はｎ１が１の場合は置換基を表し、ｎ１が２以上の場合は単なる結合手又はｎ１価の連結基を表す。Ａｒ１は後記する一般式（Ａ）で表される基を表し、ｎ１が２以上の場合、複数のＡｒ１は同一でも異なっていてもよい。ただし、上記一般式（４）で表される化合物は分子内に３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環を少なくとも２つ有する。
【０１８０】
一般式（４）において、Ｙ１で表される置換基の例としては、一般式（１）で例示した置換基と同義である。
【０１８１】
一般式（４）において、Ｙ１で表されるｎ１価の連結基としては、具体的には、２価の連結基、３価の連結基、４価の連結基等が挙げられる。
【０１８２】
一般式（４）において、Ｙ１で表される２価の連結基としては、アルキレン基（例えば、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、プロピレン基、エチルエチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、２，２，４−トリメチルヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、ウンデカメチレン基、ドデカメチレン基、シクロヘキシレン基（例えば、１，６−シクロヘキサンジイル基等）、シクロペンチレン基（例えば、１，５−シクロペンタンジイル基など）等）、アルケニレン基（例えば、ビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、ペンテニレン基、１−メチルビニレン基、１−メチルプロペニレン基、２−メチルプロペニレン基、１−メチルペンテニレン基、３−メチルペンテニレン基、１−エチルビニレン基、１−エチルプロペニレン基、１−エチルブテニレン基、３−エチルブテニレン基等）、アルキニレン基（例えば、エチニレン基、１−プロピニレン基、１−ブチニレン基、１−ペンチニレン基、１−ヘキシニレン基、２−ブチニレン基、２−ペンチニレン基、１−メチルエチニレン基、３−メチル−１−プロピニレン基、３−メチル−１−ブチニレン基等）、アリーレン基（例えば、ｏ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、ナフタセンジイル基、ピレンジイル基、ナフチルナフタレンジイル基、ビフェニルジイル基（例えば、［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジイル基、３，３’−ビフェニルジイル基、３，６−ビフェニルジイル基等）、テルフェニルジイル基、クアテルフェニルジイル基、キンクフェニルジイル基、セキシフェニルジイル基、セプチフェニルジイル基、オクチフェニルジイル基、ノビフェニルジイル基、デシフェニルジイル基等）、ヘテロアリーレン基（例えば、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環（モノアザカルボリン環ともいい、カルボリン環を構成する炭素原子のひとつが窒素原子で置き換わった構成の環構成を示す）、トリアゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピラジン環、キノキサリン環、チオフェン環、オキサジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インドール環からなる群から導出される２価の基等）、酸素や硫黄などのカルコゲン原子、３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基等（ここで、３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環としては、好ましくはＮ、Ｏ及びＳから選択されたヘテロ原子を、縮合環を構成する元素として含有する芳香族複素縮合環であることが好ましく、具体的には、アクリジン環、ベンゾキノリン環、カルバゾール環、フェナジン環、フェナントリジン環、フェナントロリン環、カルボリン環、サイクラジン環、キンドリン環、テペニジン環、キニンドリン環、トリフェノジチアジン環、トリフェノジオキサジン環、フェナントラジン環、アントラジン環、ペリミジン環、ジアザカルバゾール環（カルボリン環を構成する炭素原子の任意の一つが窒素原子で置き換わったものを表す）、フェナントロリン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ナフトフラン環、ナフトチオフェン環、ベンゾジフラン環、ベンゾジチオフェン環、ナフトジフラン環、ナフトジチオフェン環、アントラフラン環、アントラジフラン環、アントラチオフェン環、アントラジチオフェン環、チアントレン環、フェノキサチイン環、チオファントレン環（ナフトチオフェン環）等）が挙げられる。
【０１８３】
一般式（４）において、Ｙ１で表される３価の連結基としては、例えば、エタントリイル基、プロパントリイル基、ブタントリイル基、ペンタントリイル基、ヘキサントリイル基、ヘプタントリイル基、オクタントリイル基、ノナントリイル基、デカントリイル基、ウンデカントリイル基、ドデカントリイル基、シクロヘキサントリイル基、シクロペンタントリイル基、ベンゼントリイル基、ナフタレントリイル基、ピリジントリイル基、カルバゾールトリイル基等が挙げられる。
【０１８４】
一般式（４）において、Ｙ１で表される４価の連結基としては、上記の３価の基にさらにひとつ結合基がついたものであり、例えば、プロパンジイリデン基、１，３−プロパンジイル−２−イリデン基、ブタンジイリデン基、ペンタンジイリデン基、ヘキサンジイリデン基、ヘプタンジイリデン基、オクタンジイリデン基、ノナンジイリデン基、デカンジイリデン基、ウンデカンジイリデン基、ドデカンジイリデン基、シクロヘキサンジイリデン基、シクロペンタンジイリデン基、ベンゼンテトライル基、ナフタレンテトライル基、ピリジンテトライル基、カルバゾールテトライル基等が挙げられる。
【０１８５】
なお、上記の２価の連結基、３価の連結基、４価の連結基は、各々さらに一般式（１）で例示した置換基を有してもよい。
【０１８６】
一般式（４）で表される化合物の好ましい態様としては、Ｙ１が３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基を表すことが好ましく、当該３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環としては、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環が好ましい。また、ｎ１が２以上であることが好ましい。
【０１８７】
さらに、一般式（４）で表される化合物は、分子内に上記の３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環を少なくとも２つ有する。
【０１８８】
また、Ｙ１がｎ１価の連結基を表す場合、一般式（４）で表される化合物の三重項励起エネルギーを高く保つために、Ｙ１は非共役であることが好ましく、さらに、Ｔｇ（ガラス転移点、ガラス転移温度ともいう）を向上させる点から、芳香環（芳香族炭化水素環＋芳香族複素環）で構成されていることが好ましい。
【０１８９】
ここで、非共役とは、連結基が単結合（一重結合ともいう）と二重結合の繰り返しによって表記できないか、又は連結基を構成する芳香環同士の共役が立体的に切断されている場合を意味する。
【０１９０】
（一般式（Ａ）で表される基）
一般式（４）中におけるＡｒ１は、下記一般式（Ａ）で表される基を表す。
【０１９１】
【化２８】
2014229555.tif 000030
【０１９２】
式中、Ｘは、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ｓｉ（Ｒ）（Ｒ′）−を表し、Ｅ１〜Ｅ８は、−Ｃ（Ｒ１）＝又は−Ｎ＝を表し、Ｒ、Ｒ′及びＲ１は水素原子、置換基又はＹ１との連結部位を表す。＊はＹ１との連結部位を表す。Ｙ２は単なる結合手又は２価の連結基を表す。Ｙ３及びＹ４は、各々５員又は６員の芳香族環から導出される基を表し、少なくとも一方は環構成原子として窒素原子を含む芳香族複素環から導出される基を表す。ｎ２は１〜４の整数を表す。
【０１９３】
ここで、一般式（Ａ）のＸで表される−Ｎ（Ｒ）−又は−Ｓｉ（Ｒ）（Ｒ′）−において、さらに、Ｅ１〜Ｅ８で表される−Ｃ（Ｒ１）＝において、Ｒ、Ｒ′及びＲ１で各々表される置換基は、一般式（１）で例示した置換基と同義である。
【０１９４】
また、一般式（Ａ）において、Ｙ２で表される２価の連結基としては、一般式（４）において、Ｙ１で表される２価の連結基と同義である。
【０１９５】
さらに、一般式（Ａ）において、Ｙ３及びＹ４で各々表される５員又は６員の芳香族環から導出される基の形成に用いられる５員又は６員の芳香族環としては、ベンゼン環、オキサゾール環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ジアジン環、トリアジン環、イミダゾール環、イソオキサゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。
【０１９６】
さらに、Ｙ３及びＹ４で各々表される５員又は６員の芳香族環から導出される基の少なくとも一方は、環構成原子として窒素原子を含む芳香族複素環から導出される基を表すが、当該環構成原子として窒素原子を含む芳香族複素環としては、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ジアジン環、トリアジン環、イミダゾール環、イソオキサゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。
【０１９７】
（Ｙ３で表される基の好ましい態様）
一般式（Ａ）において、Ｙ３で表される基としては、上記６員の芳香族環から導出される基であることが好ましく、さらに好ましくは、ベンゼン環から導出される基である。
【０１９８】
（Ｙ４で表される基の好ましい態様）
一般式（Ａ）において、Ｙ４で表される基としては、上記６員の芳香族環から導出される基であることが好ましく、さらに好ましくは、窒素原子を環構成原子として含む芳香族複素環から導出される基であり、特に好ましくは、Ｙ４がピリジン環から導出される基である。
【０１９９】
（一般式（Ａ）で表される基の好ましい態様）
一般式（Ａ）で表される基の好ましい態様としては、下記一般式（Ａ−１）、（Ａ−２）、（Ａ−３）、又は（Ａ−４）のいずれかで表される基が挙げられる。
【０２００】
【化２９】
2014229555.tif 000031
【０２０１】
上記一般式（Ａ−１）の式中、Ｘは−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ｓｉ（Ｒ）（Ｒ′）−を表し、Ｅ１〜Ｅ８は−Ｃ（Ｒ１）＝又は−Ｎ＝を表し、Ｒ、Ｒ′及びＲ１は水素原子、置換基又はＹ１との連結部位を表す。Ｙ２は単なる結合手又は２価の連結基を表す。Ｅ１１〜Ｅ２０は、−Ｃ（Ｒ２）＝又は−Ｎ＝を表し、少なくとも１つは−Ｎ＝を表す。Ｒ２は、水素原子、置換基又は連結部位を表す。但し、Ｅ１１、Ｅ１２の少なくとも１つは−Ｃ（Ｒ２）＝を表し、Ｒ２は連結部位を表す。ｎ２は１〜４の整数を表す。＊は、上記一般式（４）のＹ１との連結部位を表す。
【０２０２】
【化３０】
2014229555.tif 000032
【０２０３】
上記一般式（Ａ−２）の式中、Ｘは−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ｓｉ（Ｒ）（Ｒ′）−を表し、Ｅ１〜Ｅ８は−Ｃ（Ｒ１）＝又は−Ｎ＝を表し、Ｒ、Ｒ′及びＲ１は水素原子、置換基又はＹ１との連結部位を表す。Ｙ２は単なる結合手又は２価の連結基を表す。Ｅ２１〜Ｅ２５は−Ｃ（Ｒ２）＝又は−Ｎ＝を表し、Ｅ２６〜Ｅ３０は−Ｃ（Ｒ２）＝、−Ｎ＝、−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ｓｉ（Ｒ３）（Ｒ４）−を表し、Ｅ２１〜Ｅ３０の少なくとも１つは−Ｎ＝を表す。Ｒ２は、水素原子、置換基又は連結部位を表し、Ｒ３及びＲ４は水素原子又は置換基を表す。但し、Ｅ２１又はＥ２２の少なくとも１つは−Ｃ（Ｒ２）＝を表し、Ｒ２は連結部位を表す。ｎ２は１〜４の整数を表す。＊は、上記一般式（４）のＹ１との連結部位を表す。
【０２０４】
【化３１】
2014229555.tif 000033
【０２０５】
上記一般式（Ａ−３）の式中、Ｘは−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ｓｉ（Ｒ）（Ｒ′）−を表し、Ｅ１〜Ｅ８は−Ｃ（Ｒ１）＝又は−Ｎ＝を表し、Ｒ、Ｒ′及びＲ１は水素原子、置換基又はＹ１との連結部位を表す。Ｙ２は単なる結合手又は２価の連結基を表す。Ｅ３１〜Ｅ３５は−Ｃ（Ｒ２）＝、−Ｎ＝、−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ｓｉ（Ｒ３）（Ｒ４）−を表し、Ｅ３６〜Ｅ４０は−Ｃ（Ｒ２）＝又は−Ｎ＝を表し、Ｅ３１〜Ｅ４０の少なくとも１つは−Ｎ＝を表す。Ｒ２は、水素原子、置換基又は連結部位を表し、Ｒ３及びＲ４は水素原子又は置換基を表す。但し、Ｅ３２又はＥ３３の少なくとも１つは−Ｃ（Ｒ２）＝で表され、Ｒ２は連結部位を表す。ｎ２は１〜４の整数を表す。＊は、上記一般式（４）のＹ１との連結部位を表す。
【０２０６】
【化３２】
2014229555.tif 000034
【０２０７】
上記一般式（Ａ−４）の式中、Ｘは−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ｓｉ（Ｒ）（Ｒ′）−を表し、Ｅ１〜Ｅ８は−Ｃ（Ｒ１）＝又は−Ｎ＝を表し、Ｒ、Ｒ′及びＲ１は水素原子、置換基又はＹ１との連結部位を表す。Ｙ２は単なる結合手又は２価の連結基を表す。Ｅ４１〜Ｅ５０は−Ｃ（Ｒ２）＝、−Ｎ＝、−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ｓｉ（Ｒ３）（Ｒ４）−を表し、少なくとも１つは−Ｎ＝を表す。Ｒ２は、水素原子、置換基又は連結部位を表し、Ｒ３及びＲ４は水素原子又は置換基を表す。但し、Ｅ４２又はＥ４３の少なくとも１つは−Ｃ（Ｒ２）＝で表され、Ｒ２は連結部位を表す。ｎ２は１〜４の整数を表す。＊は、上記一般式（４）のＹ１との連結部位を表す。
【０２０８】
以下、一般式（Ａ−１）〜（Ａ−４）のいずれかで表される基について説明する。
【０２０９】
一般式（Ａ−１）〜（Ａ−４）で表される基のいずれかのＸで表される−Ｎ（Ｒ）−又は−Ｓｉ（Ｒ）（Ｒ′）−において、さらにＥ１〜Ｅ８で表される−Ｃ（Ｒ１）＝において、Ｒ、Ｒ′及びＲ１で各々表される置換基は、一般式（１）で例示した置換基と同義である。
【０２１０】
一般式（Ａ−１）〜（Ａ−４）で表される基のいずれかにおいて、Ｙ２で表される２価の連結基としては、一般式（４）において、Ｙ１で表される２価の連結基と同義である。
【０２１１】
一般式（Ａ−１）のＥ１１〜Ｅ２０、一般式（Ａ−２）のＥ２１〜Ｅ３０、一般式（Ａ−３）のＥ３１〜Ｅ４０、一般式（Ａ−４）のＥ４１〜Ｅ５０で、各々表される−Ｃ（Ｒ２）＝のＲ２で表される置換基は、一般式（１）で例示した置換基と同義である。
【０２１２】
次に、一般式（４）で表される化合物のさらに好ましい態様について説明する。
【０２１３】
（一般式（５）で表される化合物）
上記一般式（４）で表される化合物の中でも、下記一般式（５）で表される化合物が好ましい。以下、一般式（５）で表される化合物について説明する。
【０２１４】
【化３３】
2014229555.tif 000035
【０２１５】
上記一般式（５）の式中、Ｙ５は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基又はそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。Ｅ５１〜Ｅ６６は、各々−Ｃ（Ｒ３）＝又は−Ｎ＝を表し、Ｒ３は水素原子又は置換基を表す。Ｙ６〜Ｙ９は、各々芳香族炭化水素環から導出される基又は芳香族複素環から導出される基を表し、Ｙ６又はＹ７の少なくとも一方、及びＹ８又はＹ９の少なくとも一方は、Ｎ原子を含む芳香族複素環から導出される基を表す。ｎ３及びｎ４は０〜４の整数を表すが、ｎ３＋ｎ４は２以上の整数である。
【０２１６】
一般式（５）におけるＹ５で表されるアリーレン基としては、例えば、ｏ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、ナフタセンジイル基、ピレンジイル基、ナフチルナフタレンジイル基、ビフェニルジイル基（例えば、［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジイル基、３，３’−ビフェニルジイル基、３，６−ビフェニルジイル基等）、テルフェニルジイル基、クアテルフェニルジイル基、キンクフェニルジイル基、セキシフェニルジイル基、セプチフェニルジイル基、オクチフェニルジイル基、ノビフェニルジイル基、デシフェニルジイル基等が例示される。
【０２１７】
また一般式（５）におけるＹ５で表されるヘテロアリーレン基としては、例えば、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環（モノアザカルボリン環ともいい、カルボリン環を構成する炭素原子のひとつが窒素原子で置き換わった構成の環構成を示す）、トリアゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピラジン環、キノキサリン環、チオフェン環、オキサジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インドール環からなる群から導出される２価の基等が例示される。
【０２１８】
Ｙ５で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基又はそれらの組み合わせからなる２価の連結基の好ましい態様としては、ヘテロアリーレン基の中でも、３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基を含むことが好ましく、また、当該３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基としては、ジベンゾフラン環から導出される基又はジベンゾチオフェン環から導出される基が好ましい。
【０２１９】
一般式（５）においてＥ５１〜Ｅ６６で各々表される−Ｃ（Ｒ３）＝のＲ３が置換基である場合、その置換基の例としては、一般式（１）で例示した置換基が適用される。
【０２２０】
一般式（５）において、Ｅ５１〜Ｅ６６で各々表される基としては、Ｅ５１〜Ｅ５８のうちの６つ以上及びＥ５９〜Ｅ６６のうちの６つ以上が、各々−Ｃ（Ｒ３）＝で表されることが好ましい。
【０２２１】
一般式（５）において、Ｙ６〜Ｙ９は、各々芳香族炭化水素環から導出される基の形成に用いられる芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ−テルフェニル環、ｍ−テルフェニル環、ｐ−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。
【０２２２】
さらに、上記芳香族炭化水素環は、一般式（１）で例示した置換基を有してもよい。
【０２２３】
一般式（５）において、Ｙ６〜Ｙ９は、各々芳香族複素環から導出される基の形成に用いられる芳香族複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環（カルボリン環を構成する炭素原子の一つがさらに窒素原子で置換されている環を示す）等が挙げられる。
【０２２４】
さらに、上記芳香族炭化水素環は、一般式（１）で例示した置換基を有してもよい。
【０２２５】
一般式（５）において、Ｙ６又はＹ７の少なくとも一方、及びＹ８又はＹ９の少なくとも一方で表されるＮ原子を含む芳香族複素環から導出される基の形成に用いられるＮ原子を含む芳香族複素環としては、例えば、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環（カルボリン環を構成する炭素原子の一つがさらに窒素原子で置換されている環を示す）等が挙げられる。
【０２２６】
一般式（５）において、Ｙ７、Ｙ９で表される基としては、各々ピリジン環から導出される基を表すことが好ましい。
【０２２７】
また、一般式（５）において、Ｙ６及びＹ８で表される基としては、各々ベンゼン環から導出される基を表すことが好ましい。
【０２２８】
（一般式（６）で表される化合物）
上記一般式（５）で表される化合物の中でも、下記一般式（６）で表される化合物が好ましい。
【０２２９】
【化３４】
2014229555.tif 000036
【０２３０】
上記一般式（６）の式中、Ｙ２１は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。Ｅ２０１〜Ｅ２１６、Ｅ２２１〜Ｅ２３８は、各々−Ｃ（Ｒ２１）＝または−Ｎ＝を表し、Ｒ２１は水素原子または置換基を表す。ただし、Ｅ２２１〜Ｅ２２９の少なくとも１つおよびＥ２３０〜Ｅ２３８の少なくとも１つは−Ｎ＝を表す。ｋ２１およびｋ２２は０〜４の整数を表すが、ｋ２１＋ｋ２２は２以上の整数である。
【０２３１】
一般式（６）におけるＹ２１は、一般式（５）におけるＹ５と同義である。
【０２３２】
一般式（６）において、Ｅ２０１〜Ｅ２１６、Ｅ２２１〜Ｅ２３８で各々表される−Ｃ（Ｒ２１）＝のＲ２１が置換基である場合、その置換基の例としては、一般式（１）で例示した置換基が同様に適用される。
【０２３３】
一般式（６）において、Ｅ２０１〜Ｅ２０８のうちの６つ以上、およびＥ２０９〜Ｅ２１６のうちの６つ以上が、各々−Ｃ（Ｒ２１）＝で表されることが好ましい。
【０２３４】
一般式（６）において、Ｅ２２５〜Ｅ２２９の少なくとも１つ、およびＥ２３４〜Ｅ２３８の少なくとも１つが−Ｎ＝を表すことが好ましい。
【０２３５】
さらには、一般式（６）において、Ｅ２２５〜Ｅ２２９のいずれか１つ、およびＥ２３４〜Ｅ２３８のいずれか１つが−Ｎ＝を表すことが好ましい。
【０２３６】
また、一般式（６）において、Ｅ２２１〜Ｅ２２４およびＥ２３０〜Ｅ２３３が、各々−Ｃ（Ｒ２１）＝で表されることが好ましい態様として挙げられる。
【０２３７】
さらに、一般式（６）で表される化合物において、Ｅ２０３が−Ｃ（Ｒ２１）＝で表され、かつＲ２１が連結部位を表すことが好ましく、さらに、Ｅ２１１も同時に−Ｃ（Ｒ２１）＝で表され、かつＲ２１が連結部位を表すことが好ましい。
【０２３８】
さらに、Ｅ２２５及びＥ２３４が−Ｎ＝で表されることが好ましく、Ｅ２２１〜Ｅ２２４およびＥ２３０〜Ｅ２３３が、各々−Ｃ（Ｒ２１）＝で表されることが好ましい。
【０２３９】
以上のような一般式（４）、（５）、または（６）で表される化合物の具体例として、下記に示す化合物（１〜１３４）が例示される。
【０２４０】
【化３５】
2014229555.tif 000037
【０２４１】
【化３６】
2014229555.tif 000038
【０２４２】
【化３７】
2014229555.tif 000039
【０２４３】
【化３８】
2014229555.tif 000040
【０２４４】
【化３９】
2014229555.tif 000041
【０２４５】
【化４０】
2014229555.tif 000042
【０２４６】
【化４１】
2014229555.tif 000043
【０２４７】
【化４２】
2014229555.tif 000044
【０２４８】
【化４３】
2014229555.tif 000045
【０２４９】
【化４４】
2014229555.tif 000046
【０２５０】
【化４５】
2014229555.tif 000047
【０２５１】
【化４６】
2014229555.tif 000048
【０２５２】
【化４７】
2014229555.tif 000049
【０２５３】
【化４８】
2014229555.tif 000050
【０２５４】
【化４９】
2014229555.tif 000051
【０２５５】
【化５０】
2014229555.tif 000052
【０２５６】
【化５１】
2014229555.tif 000053
【０２５７】
【化５２】
2014229555.tif 000054
【０２５８】
【化５３】
2014229555.tif 000055
【０２５９】
【化５４】
2014229555.tif 000056
【０２６０】
【化５５】
2014229555.tif 000057
【０２６１】
【化５６】
2014229555.tif 000058
【０２６２】
【化５７】
2014229555.tif 000059
【０２６３】
【化５８】
2014229555.tif 000060
【０２６４】
【化５９】
2014229555.tif 000061
【０２６５】
【化６０】
2014229555.tif 000062
【０２６６】
【化６１】
2014229555.tif 000063
【０２６７】
【化６２】
2014229555.tif 000064
【０２６８】
【化６３】
2014229555.tif 000065
【０２６９】
【化６４】
2014229555.tif 000066
【０２７０】
［阻止層：正孔阻止層、電子阻止層］
阻止層は、上述のように有機化合物薄膜の基本構成層の他に、必要に応じて設けられる。例えば、特開平１１−２０４２５８号公報、同１１−２０４３５９号公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層がある。
【０２７１】
正孔阻止層とは、広い意味では、電子輸送層１４ｄの機能を有する。正孔阻止層は、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する電子輸送層１４ｄの構成を必要に応じて、正孔阻止層として用いることができる。正孔阻止層は、発光層１４ｃに隣接して設けられていることが好ましい。
【０２７２】
一方、電子阻止層とは、広い意味では、正孔輸送層１４ｂの機能を有する。電子阻止層は、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層１４ｂの構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。阻止層の厚さとしては、好ましくは３〜１００ｎｍであり、さらに好ましくは５〜３０ｎｍである。
【０２７３】
［補助電極］
補助電極は、透明電極２０の抵抗を下げる目的で設けられ、透明電極２０の導電層１２に接して設けられる。補助電極を形成する材料は、金、白金、銀、銅、アルミニウム等の抵抗が低い金属が好ましい。これらの金属は光透過性が低いため、光取り出し面からの発光光の取り出しの影響のない範囲でパターン形成される。このような補助電極の形成方法としては、蒸着法、スパッタリング法、印刷法、インクジェット法、エアロゾルジェット法などが挙げられる。補助電極の線幅は、光を取り出す開口率の観点から５０μｍ以下であることが好ましく、補助電極の厚さは、導電性の観点から１μｍ以上であることが好ましい。
【０２７４】
［封止材］
封止材は、有機ＥＬ素子３０を覆うものであって、板状（フィルム状）の封止部材であって接着剤によって透明基材１１側に固定されていてもよく、封止層であってもよい。この封止材は、有機ＥＬ素子３０における透明電極２０及び対向電極１５の端子部分を露出させる状態で、少なくとも発光機能層１４を覆う状態で設けられている。また封止材に電極を設け、有機ＥＬ素子３０の透明電極２０及び対向電極１５の端子部分と、この電極とを導通させるように構成されていてもよい。
【０２７５】
板状（フィルム状）の封止材としては、具体的には、ガラス基板、ポリマー基板が挙げられ、これらの基板材料をさらに薄型のフィルム状にして用いてもよい。ガラス基板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー基板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。
【０２７６】
なかでも、素子を薄型化できるということから、封止材として薄型のフィルム状にしたポリマー基板を好ましく使用することができる。
【０２７７】
さらには、フィルム状としたポリマー基板は、ＪＩＳ−Ｋ−７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０−３ｍｌ／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、ＪＩＳ−Ｋ−７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が、１×１０−３ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下であることが好ましい。
【０２７８】
また、以上のような基板材料は、凹板状に加工して封止材として用いてもよい。この場合、上述した基板部材に対してサンドブラスト加工、化学エッチング加工等の加工が施され、凹状が形成される。
【０２７９】
また、これに限らず、金属材料を用いてもよい。金属材料としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブデン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属又は合金が挙げられる。このような金属材料は、薄型のフィルム状にして封止材として用いることにより、有機ＥＬ素子が設けられた発光パネル全体を薄型化できる。
【０２８０】
また、このような板状の封止材を透明基材１１側に固定するための接着剤は、封止材と透明基材１１との間に挟持された有機ＥＬ素子３０を封止するためのシール剤として用いられる。このような接着剤は、具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、２−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。
【０２８１】
また、このような接着剤としては、エポキシ系等の熱及び化学硬化型（二液混合）を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。
【０２８２】
なお、有機ＥＬ素子３０を構成する有機材料は、熱処理により劣化する場合がある。このため、室温から８０℃までに接着硬化できる接着剤を使用することが好ましい。また、接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。
【０２８３】
封止材と透明基材１１との接着部分への接着剤の塗布は、市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。
【０２８４】
また、板状の封止材と透明基材１１と接着剤との間に隙間が形成される場合、この間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。
【０２８５】
吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等）、硫酸塩（例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等）、金属ハロゲン化物（例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等）、過塩素酸類（例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等）等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。
【０２８６】
一方、封止材として封止層を用いる場合、有機ＥＬ素子３０における発光機能層１４を完全に覆い、かつ有機ＥＬ素子３０における透明電極２０及び対向電極１５の端子部分を露出させる状態で、透明基材１１上に封止層が設けられる。
【０２８７】
このような封止層は、無機材料や有機材料を用いて構成される。特に、水分や酸素等、有機ＥＬ素子３０における発光機能層１４の劣化をもたらす物質の浸入を抑制する機能を有する材料で構成されることとする。このような材料として、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等の無機材料が用いられる。さらに封止層の脆弱性を改良するために、これら無機材料からなる層と共に、有機材料からなる層を用いて積層構造としてもよい。
【０２８８】
これらの層の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。
【０２８９】
［保護層、保護板］
尚、ここでの図示は省略したが、透明基材１１との間に有機ＥＬ素子ＥＬ及び封止材を挟んで保護層若しくは保護板を設けてもよい。この保護層若しくは保護板は、有機ＥＬ素子ＥＬを機械的に保護するためのものであり、特に封止材が封止層である場合には、有機ＥＬ素子ＥＬに対する機械的な保護が十分ではないため、このような保護層若しくは保護板を設けることが好ましい。
【０２９０】
以上のような保護層若しくは保護板は、ガラス板、ポリマー板、これよりも薄型のポリマーフィルム、金属板、これよりも薄型の金属フィルム、又はポリマー材料膜や金属材料膜が適用される。このうち特に、軽量かつ薄型化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。
【０２９１】
なお、上述の各実施形態の透明電極において、例えば、導電層１２上に、有機保護層や無機保護層等の保護層を形成するための形成部や、透明電極の光学的作用を調整する高屈折率層等を形成するための形成部を設けてもよい。
【０２９２】
また、上述の第３実施形態では、透明基材１１、高屈折率層１３、及び、導電層１２からなる透明電極３０をボトミエミッション型の有機ＥＬ素子５０に適用した構成について説明しているが、この透明電極３０が適用される有機ＥＬ素子は、ボトムエミッション型に限られず、例えば、対向電極側から光を取り出すトップエミッション型の構成や、両面から光を取り出す両面発光型の構成としてもよい。有機ＥＬ素子がトップエミッション型であれば、対向電極に透明な材料を用いると共に、透明電極の基材に換えて反射性を有する不透明な基材を用い、発光光を基板で反射させて対向電極側から取り出す構成としてもよい。また、有機ＥＬ素子が両面発光型であれば、対向電極に透明電極と同様に透明な材料を用い、発光光を両面から取り出す構成としてもよい。
また、ボトミエミッション型、トップエミッション型及び両面発光型の有機ＥＬ素子においても、透明電極をカソードとする構成にも適用可能である。
【実施例１】
【０２９３】
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
［透明電極の作製］
試料１０１〜１２６の各透明電極を、導電性領域の面積が５ｃｍ×５ｃｍとなるように作製した。下記表１に、試料１０１〜１２６の各透明電極の構成を示す。
【０２９４】
［試料１０１の透明電極の作製］
以下のようにして、透明な無アルカリガラス製の透明基材上に、８ｎｍの厚さで銀からなる導電層を形成した。
【０２９５】
まず、透明な無アルカリガラス製の透明基材を、市販の真空蒸着装置の基材ホルダに固定し、真空蒸着装置の真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀（Ａｇ）を入れ、当該真空槽内に取り付けた。次に、真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で、銀からなる導電層を８ｎｍの厚さで形成した。これにより、透明基材と、この透明基材上に形成された導電層とからなる試料１０１の透明電極を得た。
【０２９６】
［試料１０２の透明電極の作製］
以下のようにして、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製の透明基材上に、８ｎｍの厚さで銀からなる導電層を形成した。
【０２９７】
まず、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製の透明基材を、市販の真空蒸着装置の基材ホルダに固定し、真空蒸着装置の真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀（Ａｇ）を入れ、当該真空槽内に取り付けた。次に、真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で、銀からなる導電層を８ｎｍの厚さで形成した。これにより、透明基材と、この透明基材上に形成された導電層とからなる試料１０２の透明電極を得た。
【０２９８】
［試料１０３の透明電極の作製］
以下のようにして、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）製の透明基材上に、８ｎｍの厚さで銀からなる導電層を形成した。
【０２９９】
まず、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）製の透明基材を、市販の真空蒸着装置の基材ホルダに固定し、真空蒸着装置の真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀（Ａｇ）を入れ、当該真空槽内に取り付けた。次に、真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で、銀からなる導電層を８ｎｍの厚さで形成した。これにより、透明基材と、この透明基材上に形成された導電層とからなる試料１０３の透明電極を得た。
【０３００】
［試料１０４の透明電極の作製］
以下のようにして、透明な無アルカリガラス製の透明基材上に、酸化チタン（ＴｉＯ２）からなる高屈折率層を３０ｎｍの厚さで形成し、この上部に銀からなる導電層を８ｎｍの厚さで形成した。
【０３０１】
まず、透明な無アルカリガラス製の透明基材を市販の電子ビーム蒸着装置の基材ホルダに固定し、酸化チタン（ＴｉＯ２）を加熱ボートに入れ、これらの基板ホルダと加熱ボートとを電子ビーム蒸着装置の真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀（Ａｇ）を入れ、市販の真空蒸着装置の真空槽に取り付けた。
【０３０２】
次に、電子ビーム蒸着装置の真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、酸化チタン（ＴｉＯ２）の入った加熱ボートに電子ビームを照射して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で透明基材上に厚さ３０ｎｍのＴｉＯ２からなる高屈折率層を設けた。
【０３０３】
次に、高屈折率層まで形成した透明基材を真空のまま真空蒸着装置の真空槽に移し、当該真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、銀の入った加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で厚さ８ｎｍの銀からなる導電層を形成した。これにより、透明基材と、高屈折率層と、この高屈折率層上に形成された導電層とからなる試料１０４の透明電極を得た。
【０３０４】
［試料１０５の透明電極の作製］
高屈折率層を酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）で構成した以外は、上記試料１０４と同様の手順で試料１０５の透明電極を得た。
【０３０５】
［試料１０６の透明電極の作製］
高屈折率層を酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）で構成した以外は、上記試料１０４と同様の手順で試料１０６の透明電極を得た。
【０３０６】
［試料１０７の透明電極の作製］
高屈折率層を、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）で構成した以外は、上記試料１０４と同様の手順で試料１０７の透明電極を得た。
【０３０７】
［試料１０８の透明電極の作製］
高屈折率層を酸化亜鉛（ＺｎＯ）で構成した以外は、上記試料１０４と同様の手順で試料１０８の透明電極を得た。
【０３０８】
［試料１０９の透明電極の作製］
以下のようにして、透明な無アルカリガラス製の透明基材の表面にプラズマ処理をした後、銀からなる導電層を８ｎｍの厚さで形成した。
【０３０９】
まず、透明な無アルカリガラス製の透明基材を、市販の真空蒸着装置に接続するプラズマ処理用チャンバ内の基板ホルダに固定した。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀（Ａｇ）を入れ、当該真空槽内に取り付けた。
【０３１０】
次に、プラズマ処理用チャンバにおいて、処理気体（Ａｒ，Ｏ２）酸素圧力１Ｐａ、電力５０Ｗ（電極面積  約４５０ｃｍ２）で６０秒間、プラズマ処理を行った。そして、基板を大気に曝露することなく、プラズマ処理用チャンバから、真空蒸着装置の真空槽に移送した。
【０３１１】
次に、真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で、銀からなる導電層を８ｎｍの厚さで形成した。上記プラズマ処理終了から導電層の形成開始までの間隔は、１分間とした。
これにより、表面がプラズマ処理された透明基材と、この透明基材の表面に形成された導電層とからなる試料１０９の透明電極を得た。
【０３１２】
［試料１１０の透明電極の作製］
透明基材をポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）で構成した以外は、上記試料１０９と同様の手順で試料１１０の透明電極を得た。
【０３１３】
［試料１１１の透明電極の作製］
透明基材をポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）で構成した以外は、上記試料１０９と同様の手順で試料１１１の透明電極を得た。
【０３１４】
［試料１１２の透明電極の作製］
以下のようにして、透明な無アルカリガラス製の透明基材上に、酸化チタン（ＴｉＯ２）からなる高屈折率層を３０ｎｍの厚さで形成し、この高屈折率層の表面にプラズマ処理をした後、銀からなる導電層を８ｎｍの厚さで形成した。
【０３１５】
まず、透明な無アルカリガラス製の透明基材を市販の電子ビーム蒸着装置の基材ホルダに固定し、酸化チタン（ＴｉＯ２）を加熱ボートに入れ、これらの基板ホルダと加熱ボートとを電子ビーム蒸着装置の真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀（Ａｇ）を入れ、市販の真空蒸着装置の真空槽に取り付けた。
【０３１６】
次に、電子ビーム蒸着装置の真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、酸化チタン（ＴｉＯ２）の入った加熱ボートに電子ビームを照射して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で透明基材上に厚さ３０ｎｍのＴｉＯ２からなる高屈折率層を設けた。
【０３１７】
次に、高屈折率層まで形成した透明基材を、市販の真空蒸着装置に接続するプラズマ処理用チャンバ内の基板ホルダに固定した。プラズマ処理用チャンバにおいて、酸素圧力１Ｐａ、電力５０Ｗ（電極面積  約４５０ｃｍ２）で６０秒間、プラズマ処理を行った。そして、基板を大気に曝露することなく、プラズマ処理用チャンバから、真空蒸着装置の真空槽に移送した。
【０３１８】
次に、真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で、銀からなる導電層を８ｎｍの厚さで形成した。上記プラズマ処理終了から導電層の形成開始までの間隔は、１分間とした。
これにより、透明基材と、表面がプラズマ処理された高屈折率層と、この高屈折率層の表面に形成された導電層とからなる試料１１２の透明電極を得た。
【０３１９】
［試料１１３の透明電極の作製］
高屈折率層を酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）で構成した以外は、上記試料１１２と同様の手順で試料１１３の透明電極を得た。
【０３２０】
［試料１１４の透明電極の作製］
高屈折率層を酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）で構成した以外は、上記試料１１２と同様の手順で試料１１４の透明電極を得た。
【０３２１】
［試料１１５の透明電極の作製］
高屈折率層を、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）で構成した以外は、上記試料１１２と同様の手順で試料１１５の透明電極を得た。
【０３２２】
［試料１１６の透明電極の作製］
高屈折率層を酸化亜鉛（ＺｎＯ）で構成した以外は、上記試料１１２と同様の手順で試料１１６の透明電極を得た。
【０３２３】
［試料１１７の透明電極の作製］
導電層を銀パラジウム（ＡｇＰｄ）で構成した以外は、上記試料１１３と同様の手順で試料１１７の透明電極を得た。
【０３２４】
［試料１１８の透明電極の作製］
導電層をＡｇＡｕで構成した以外は、上記試料１１３と同様の手順で試料１１８の透明電極を得た。
【０３２５】
［試料１１９の透明電極の作製］
導電層を銀銅（ＡｇＣｕ）で構成した以外は、上記試料１１３と同様の手順で試料１１９の透明電極を得た。
【０３２６】
［試料１２０の透明電極の作製］
プラズマ処理において、処理気体を酸素（Ｏ２）のみとした以外は、上記試料１１３と同様の手順で試料１２０の透明電極を得た。
【０３２７】
［試料１２１の透明電極の作製］
プラズマ処理において、処理気体をアルゴン（Ａｒ）のみとした以外は、上記試料１１３と同様の手順で試料１２１の透明電極を得た。
【０３２８】
［試料１２２の透明電極の作製］
プラズマ処理終了から導電層の形成開始までの間隔を、３分間とした以外は、上記試料１１３と同様の手順で試料１２２の透明電極を得た。
【０３２９】
［試料１２３の透明電極の作製］
プラズマ処理終了から導電層の形成開始までの間隔を、５分間とした以外は、上記試料１１３と同様の手順で試料１２３の透明電極を得た。
【０３３０】
［試料１２４の透明電極の作製］
プラズマ処理終了から導電層の形成開始までの間隔を、７分間とした以外は、上記試料１１３と同様の手順で試料１２４の透明電極を得た。
【０３３１】
［試料１２５の透明電極の作製］
プラズマ処理終了から導電層の形成開始までの間隔を、１０分間とした以外は、上記試料１１３と同様の手順で試料１２５の透明電極を得た。
【０３３２】
［試料１２６の透明電極の作製］
以下のようにして、透明な無アルカリガラス製の透明基材上に、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）からなる高屈折率層を３０ｎｍの厚さで形成し、この高屈折率層の表面にプラズマ処理をした後、銀からなる導電層を８ｎｍの厚さで形成し、さらに、導電層上に酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）をからなる高屈折率層を３０ｎｍの厚さで形成した。
【０３３３】
まず、透明な無アルカリガラス製の透明基材を市販の電子ビーム蒸着装置の基材ホルダに固定し、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）を加熱ボートに入れ、これらの基板ホルダと加熱ボートとを電子ビーム蒸着装置の真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀（Ａｇ）を入れ、市販の真空蒸着装置の真空槽に取り付けた。
【０３３４】
次に、電子ビーム蒸着装置の真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）の入った加熱ボートに電子ビームを照射して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で透明基材上に厚さ３０ｎｍのＮｂ２Ｏ５からなる高屈折率層を設けた。
【０３３５】
次に、高屈折率層まで形成した透明基材を、市販の真空蒸着装置に接続するプラズマ処理用チャンバ内の基板ホルダに固定した。プラズマ処理用チャンバにおいて、酸素圧力１Ｐａ、電力５０Ｗ（電極面積  約４５０ｃｍ２）で６０秒間、プラズマ処理を行った。そして、基板を大気に曝露することなく、プラズマ処理用チャンバから、真空蒸着装置の真空槽に移送した。
【０３３６】
次に、真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で、銀からなる導電層を８ｎｍの厚さで形成した。上記プラズマ処理終了から導電層の形成開始までの間隔は、１分間とした。
【０３３７】
次に、導電層まで形成した透明基材を、真空のまま再度電子ビーム蒸着装置の真空槽に移し、当該真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）の入った加熱ボートに電子ビームを照射して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で透明基材上に厚さ３０ｎｍのＮｂ２Ｏ５からなる高屈折率層を設けた。
【０３３８】
これにより、透明基材と、表面がプラズマ処理された高屈折率層と、この高屈折率層の表面に形成された導電層と、導電層上に形成された高屈折率層とからなる試料１２６の透明電極を得た。
【０３３９】
［実施例１の各試料の評価］
上記で作製した試料１０１〜１２６の各透明電極について、光透過率、及び、面抵抗値を測定した。
光透過率の測定は、分光光度計（日立製作所製Ｕ−３３００）を用い、試料と同じ透明基材をベースラインとして行った。
面抵抗値の測定は、抵抗率計（三菱化学社製ＭＣＰ−Ｔ６１０）を用い、４端子４探針法定電流印加方式で行った。
【０３４０】
上記試料１０１〜１２６の透明電極の構成、及び、各評価結果を表１に示す。
【０３４１】
【表１】
2014229555.tif 000067
【０３４２】
表１に示すように、透明基材や高屈折率層の導電層を形成する透明部材の表面をプラズマ処理した後、大気暴露せずに導電層を形成した試料１０９〜１２６は、光透過率が高く、面抵抗においても良好な結果が得られた。
これに対し、プラズマ処理を行わずに導電層を形成した試料１０１〜１０８では、試料１０９〜１２６よりも、光透過率で低い結果が得られ、面抵抗では測定できなかった。
【０３４３】
従って、プラズマ処理を行うことにより、薄く均一な厚さの導電層が得られる。
特に、導電層のプラズモン吸収を大幅に減少させ、光透過性に優れる透明電極を形成することができる。
この結果十分な導電性と光透過性とを兼ね備えた透明電極を作製することができる。
【０３４４】
試料１０１〜１０８では、プラズマ処理を行っていないため、導電層を構成するＡｇの凝集が起き、この導電層による光の吸収が大きい。また、Ａｇの凝集により導電層の連続性が低下し、抵抗値が測定できない。
【０３４５】
透明基材の表面をプラズマ処理して導電層を形成した試料１０９〜１１１と、高屈折率の表面をプラズマ処理して導電層を形成した試料１１２〜１２６とでは、面抵抗において、ほぼ同等の結果がえられた。この結果から、導電層を形成する透明部材としては、ＰＥＴ等の樹脂基材、ガラス等の無機透明基材、及び、金属酸化物等の高屈折率層のいずれを適用することができる。また、導電層を形成する前に、プラズマ処理を行うことが可能な透明部材であれば、いずれにも適用することができる。
【０３４６】
また、試料１０９〜１１１と試料１１２〜１１６とでは、高屈折率層を有する試料１１２〜１１６の方が、光透過率に優れている。また、高屈折率層をそれぞれ異なる材料で形成した試料１１２〜１１６においても、同様の結果が得られた。さらに、導電層を高屈折率層で挟んだ構成の試料１２６においても、同様の結果が得られた。
【０３４７】
導電層をＡｇで形成した試料１１３と、導電層をそれぞれ異なる材料で形成した試料１１７〜１１９とでは、同様の結果が得られた。この結果から、導電層として銀、銀を主成分とする合金を用いることができる。
【０３４８】
プラズマ処理の処理気体としてＯ２とＡｒとの混合気体を用いた試料１１３と、処理気体をＯ２のみ、Ａｒのみとした試料１２０、試料１２１とにおいても、光透過率、面抵抗共に同様の結果が得られた。
【０３４９】
プラズマ処理から導電層の形成開始までの時間を１分とした試料１１３に対し、プラズマ処理から導電層の形成開始までの時間をそれぞれ３分、５分、７分、１０分とした試料１２２〜１２５では、導電層の形成開始まで１〜５分の試料１１３、試料１２２、試料１２３では同等の結果が得られているものの、導電層の形成開始まで７分以上の試料１２４、試料１２５では時間が経過する毎に、光透過率、面抵抗共に低下している。
この結果から、プラズマ処理から導電層の形成開始までの時間は５分以内とすることが好ましい。
【実施例２】
【０３５０】
［ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子の作製］
実施例１で作製した透明電極の試料１０１〜１２５を、アノードとして発光機能層の下部に設けたボトムエミッション型の有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）の試料２０１〜２２５を作製した。図５を参照し、作製手順を説明する。尚、下記表２には、試料２０１〜２２５の有機ＥＬ素子に用いた透明電極の構成を示している。各有機ＥＬ素子の試料２０１〜２２５には、試料番号の下２ケタが一致する実施例１の各試料１０１〜１２５の透明電極を用いた。
【０３５１】
［試料２０１〜２２５の有機ＥＬ素子の作製手順］
（透明電極の形成）
先ず、試料２０１〜２２５の作製において、透明な無アルカリガラス製又はポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製の透明基材３２の上部に、導電層３３、又は、導電層３３と高屈折率層（図示省略）とからなる透明電極３１を形成した。各透明電極３１の形成は、実施例１の試料１０１〜１２５と同様の手順で行った。
【０３５２】
（正孔輸送・注入層の形成）
まず、正孔輸送注入材料として下記構造式に示すα−ＮＰＤが入った加熱ボートに通電して加熱し、α−ＮＰＤよりなる正孔注入層と正孔輸送層とを兼ねた正孔輸送・注入層３４を、透明電極３１上に形成した。この際、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒、厚さ２０ｎｍとした。
【０３５３】
【化６５】
2014229555.tif 000068
【０３５４】
（発光層の形成）
次に、先に構造式を示したホスト材料Ｈ４の入った加熱ボートと、先に構造式を示した燐光発光性化合物Ｉｒ−４の入った加熱ボートとを、それぞれ独立に通電し、ホスト材料Ｈ４と燐光発光性化合物Ｉｒ−４とよりなる発光層３５を、正孔輸送・注入層３４上に形成した。この際、蒸着速度がホスト材料Ｈ４：燐光発光性化合物Ｉｒ−４＝１００：６となるように、加熱ボートの通電を調節した。また厚さ３０ｎｍとした。
【０３５５】
（正孔阻止層の形成）
次に、正孔阻止材料として下記構造式に示すＢＡｌｑが入った加熱ボートに通電して加熱し、ＢＡｌｑよりなる正孔阻止層３６を、発光層３５上に形成した。この際、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒、厚さ１０ｎｍとした。
【０３５６】
【化６６】
2014229555.tif 000069
【０３５７】
（電子輸送・注入層の形成）
その後、電子輸送材料として先に構造式を示した化合物１０の入った加熱ボートと、フッ化カリウムの入った加熱ボートとを、それぞれ独立に通電し、化合物１０とフッ化カリウムとよりなる電子注入層と電子輸送層とを兼ねた電子輸送・注入層３７を、正孔阻止層３６上に形成した。この際、蒸着速度が化合物１０：フッ化カリウム＝７５：２５になるように、加熱ボートの通電を調節した。また厚さ３０ｎｍとした。
【０３５８】
（対向電極：カソードの形成）
以上の後には、発光機能層が形成された透明基材３２を、真空蒸着装置の第２真空槽内に移送し、第２真空槽内を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、第２真空槽内に取り付けられたアルミニウムの入った抵抗加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度０．３ｎｍ／秒で厚さ１００ｎｍのアルミニウムからなる対向電極３８を形成した。この対向電極３８は、カソードとして用いられる。以上により透明基材３２上に、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子を形成した。
【０３５９】
（素子の封止）
その後、有機ＥＬ素子を、厚さ３００μｍのガラス基板からなる封止材で覆い、有機ＥＬ素子を囲む状態で、透明封止材と透明基材３２との間に接着剤（シール材）を充填した。接着剤としては、エポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を用いた。透明封止材と透明基材３２との間に充填した接着剤に対して、ガラス基板（透明封止材）側からＵＶ光を照射し、接着剤を硬化させて有機ＥＬ素子を封止した。
【０３６０】
尚、有機ＥＬ素子の形成においては、各層の形成に蒸着マスクを使用し、５ｃｍ×５ｃｍの透明基材３２における中央の４．５ｃｍ×４．５ｃｍを発光領域とし、発光領域の全周に幅０．２５ｃｍの非発光領域を設けた。また、アノードである透明電極３１の導電層と、カソードである対向電極３８とは、正孔輸送・注入層３４から電子輸送・注入層３７によって絶縁された状態で、透明基材３２の周縁に端子部分を引き出された形状で形成した。
【０３６１】
以上のようにして、透明基材３２上に有機ＥＬ素子を設け、これを透明封止材と接着剤とで封止した試料２０１〜２２５の有機ＥＬ素子の各発光パネルを得た。これらの各発光パネルにおいては、発光層３５で発生した各色の発光光が、透明基材３２側から取り出される。
【０３６２】
［実施例２の各試料の評価］
試料２０１〜２２５で作製した有機ＥＬ素子について、駆動電圧（Ｖ）、及び、色度差（Δｘｙ）を測定した。この結果を下記表２に合わせて示す。
【０３６３】
［駆動電圧の測定方法］
駆動電圧の測定においては、各試料２０１〜２２５の有機ＥＬ素子の透明電極３１側（すなわち透明基材３２側）での正面輝度が１０００ｃｄ／ｍ２となるときの電圧を駆動電圧として測定した。なお、輝度の測定には分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング製）を用いた。得られた駆動電圧の数値が小さいほど、好ましい結果であることを表わす。
【０３６４】
［色変化の測定方法］
色変化の測定においては、各試料２０１〜２２５の有機ＥＬ素子に２．５ｍＡ／ｃｍ２の電流を加え、角度の異なる位置からＣＩＥ１９３１表色系における色度を測定した。この際、透明電極３１側の発光面に対する法線方向となる０°の位置と、垂直水平（上下左右）方向にそれぞれ４５°の各位置とで色度を測定した。角度の異なる位置において測定した色度の差を、色変化（Δｘｙ）として下記表２に示した。色変化は、色度の視野角特性を表し、数値が小さいほど好ましい結果となる。
【０３６５】
試料２０１〜２２５の構成、並びに、駆動電圧（Ｖ）、及び、色度差（Δｘｙ）の測定結果を下記表２に示す。
【０３６６】
【表２】
2014229555.tif 000070
【０３６７】
［実施例２の評価結果］
試料２０１〜２０８では、作製した有機ＥＬ素子の発光が得られなかった。これは、プラズマ処理を行っていない透明電極の導電層の形成不良による。
【０３６８】
透明部材にプラズマ処理を行った後に導電層を形成した透明電極を用いた試料２０９〜２２５は、駆動電圧、色変化において良好な結果が得られた。
【０３６９】
高屈折率層を有する試料２１２〜２１６は、試料２０９〜２１１に比べると駆動電圧が低い結果が得られた。これは、透明電極の面抵抗に依存する結果である。
また、プラズマ処理から導電層の形成開始までの時間を、それぞれ変更した試料２１３、試料２２２〜２２５では、プラズマ処理から導電層の形成開始までの時間が５分を超えると、駆動電圧、色変化共に悪化している。特に、７分以上での駆動電圧、色変化共に悪化が顕著になる。
この結果から、有機ＥＬ素子においても、透明電極において、プラズマ処理から導電層の形成開始までの時間を５分以内とすることが好ましい。
【０３７０】
以上の結果から、透明部材の表面にプラズマ処理をした後、導電層を形成した透明電極を用いた有機ＥＬ素子は、低い駆動電圧での高輝度発光と安定した面発光が可能であることが確認された。
【０３７１】
なお、本発明は上述の実施形態例において説明した構成に限定されるものではなく、その他本発明構成を逸脱しない範囲において種々の変形、変更が可能である。
【符号の説明】
【０３７２】
１０，２０，２５，３１  透明電極、１１，３２  透明基材、１２，３３  導電層、１３  高屈折率層、１４  発光機能層、１４ａ  正孔注入層、１４ｂ  正孔輸送層、１４ｃ，３５  発光層、１４ｄ  電子輸送層、１４ｅ  電子注入層、１５，３８  対向電極、１６  第１高屈折率層、１７  第２高屈折率層、３０  有機ＥＬ素子、３４  正孔輸送・注入層、３６  正孔阻止層、３７  電子輸送・注入層
【図１】
2014229555.tif 000071
【図２】
2014229555.tif 000072
【図３】
2014229555.tif 000073
【図４】
2014229555.tif 000074
【図５】
2014229555.tif 000075