(57)【要約】【課題】  電源回路の発振を抑制しつつ、高周波領域でのノイズ除去性能を向上することができ、かつ、小型・低背化することが可能な積層コンデンサを提供する。【解決手段】  積層コンデンサ１は、複数の誘電体層１０ａを含み、略直方体状に形成された誘電体素体１０と、一対の電源電極２０，２１、及び一対のグランド電極４０，４１と、一方の電源電極２０と誘電体素体１０との間に配設された抵抗層３０と、抵抗層３０を介して電源電極２０と接続される第１内部電極５１と、他方の電源電極２１と接続される第２内部電極５２と、一対のグランド電極４０，４１双方と接続される第３内部電極５３とを備えている。第１内部電極５１と第３内部電極５３とが誘電体層１０ａを挟んで交互に積層された第１コンデンサ部５は、第２内部電極５２と第３内部電極５３とが誘電体層１０ａを挟んで交互に積層された第２コンデンサ部６よりも容量が大きく形成されている。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の誘電体層を含み、略直方体状に形成された誘電体素体と、
前記誘電体素体の互いに対向する面に設けられた一対の電源電極、及び、該一対の電源電極が設けられた面と直交する面に設けられた一対のグランド電極と、
一方の前記電源電極と前記誘電体素体との間に配設された抵抗層と、
前記抵抗層を介して前記一方の電源電極と接続される第１内部電極と、
他方の前記電源電極と接続される第２内部電極と、
前記一対のグランド電極双方と接続される第３内部電極と、を備え、
前記第１内部電極と前記第３内部電極とが前記誘電体層を挟んで交互に積層された第１コンデンサ部は、前記第２内部電極と前記第３内部電極とが前記誘電体層を挟んで交互に積層された第２コンデンサ部よりも静電容量が大きく形成されていることを特徴とする積層コンデンサ。
【請求項２】
前記一対の電源電極は、前記誘電体素体の短手方向の側面に設けられ、
前記一対のグランド電極は、前記誘電体素体の長手方向の側面に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の積層コンデンサ。
【請求項３】
複数の誘電体層を含み、略直方体状に形成された誘電体素体と、
前記誘電体素体の互いに対向する面に設けられた一対の電源電極、及び、該一対の電源電極が設けられた面と直交する面に設けられた一対のグランド電極と、
一方の前記電源電極と前記誘電体素体との間に配設された第１抵抗層と、他方の前記電源電極と前記誘電体素体との間に配設された第２抵抗層と、
一端が前記第１抵抗層を介して前記一方の電源電極と接続され、かつ、他端が前記第２抵抗層を介して前記他方の電源電極と接続される第１内部電極と、
一端の少なくとも一部が前記第１抵抗層を介することなく前記一方の電源電極と接続され、かつ、他端の少なくとも一部が前記第２抵抗層を介することなく前記他方の電源電極と接続される第２内部電極と、
前記一対のグランド電極双方と接続される第３内部電極と、を備え、
前記第１内部電極と前記第３内部電極とが前記誘電体層を挟んで交互に積層された第１コンデンサ部は、前記第２内部電極と前記第３内部電極とが前記誘電体層を挟んで交互に積層された第２コンデンサ部よりも静電容量が大きく形成されていることを特徴とする積層コンデンサ。
【請求項４】
前記第１内部電極は、両端部の引き出し部の幅が、前記第２内部電極の引き出し部の幅より狭く形成されており、
前記第１抵抗層及び第２抵抗層は、その幅が、前記第１内部電極の引き出し部の幅よりも広く、前記第２内部電極の引き出し部の幅よりも狭く、かつ、前記第１内部電極及び第２内部電極の積層方向に沿って、上端から下端まで形成されていることを特徴とする請求項３に記載の積層コンデンサ。
【請求項５】
複数の誘電体層を含み、略直方体状に形成された誘電体素体と、
前記誘電体素体の互いに対向する面に設けられた一対の電源電極、及び、該一対の電源電極が設けられた面と直交する面に設けられた一対のグランド電極と、
一方の前記電源電極と前記誘電体素体との間に配設された抵抗層と、
一端が前記抵抗層を介して前記一方の電源電極と接続され、かつ、他端が直接的に前記他方の電源電極と接続される第１内部電極と、
一端の少なくとも一部が前記抵抗層を介することなく前記一方の電源電極と接続され、かつ、他端が直接的に前記他方の電源電極と接続される第２内部電極と、
前記一対のグランド電極双方と接続される第３内部電極と、を備え、
前記第１内部電極と前記第３内部電極とが前記誘電体層を挟んで交互に積層された第１コンデンサ部は、前記第２内部電極と前記第３内部電極とが前記誘電体層を挟んで交互に積層された第２コンデンサ部よりも静電容量が大きく形成されていることを特徴とする積層コンデンサ。
【請求項６】
前記第１内部電極は、前記抵抗層を介して前記一方の電源電極と接続される引き出し部の幅が、前記第２内部電極の引き出し部の幅より狭く形成されており、
前記抵抗層は、その幅が、前記第１内部電極の引き出し部の幅よりも広く、前記第２内部電極の引き出し部の幅よりも狭く、かつ、前記第１内部電極及び第２内部電極の積層方向に沿って、上端から下端まで形成されていることを特徴とする請求項５に記載の積層コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層コンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、例えばＤＣ−ＤＣコンバータ等の電源回路の平滑回路ではコンデンサが広く使用されている。ここで、特許文献１には、単一のコンデンサ本体内に形成された２つのコンデンサ部を有する積層型チップコンデンサが開示されている。この積層型チップコンデンサは、積層方向に沿って配列された第１コンデンサ部及び第２コンデンサ部を有するコンデンサ本体と、該コンデンサ本体の外側に形成された４つの外部電極とを有している。この積層型チップコンデンサでは、第２コンデンサ部内の内部電極の総積層数を、第１コンデンサ部内の内部電極の総積層数よりも多くすることにより、第２コンデンサ部を、大容量、低ＥＳＲ（Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ  Ｓｅｒｉｅｓ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ：等価直列抵抗）、低ＥＳＬ（Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ  Ｓｅｒｉｅｓ  Ｉｎｄｕｃｔａｎｃｅ：等価直列インダクタンス）とし、第１コンデンサ部を、小容量、高ＥＳＲ、高ＥＳＬとしている。
【０００３】
一方、特許文献２には、小容量積層セラミックコンデンサ素子と、ＥＳＲが大きな大容量積層セラミックコンデンサ素子とを組み合わせた複合積層セラミックコンデンサが開示されている。この複合積層セラミックコンデンサは、大容量積層セラミックコンデンサ素子の外部電極のＥＳＲを、小容量積層セラミックコンデンサ素子における外部電極のＥＳＲよりも大きくするとともに、大容量積層セラミックコンデンサ素子と小容量積層セラミックコンデンサ素子とを所定の間隔以上の隙間部を設けて結合したものである。
【０００４】
また、特許文献３には、回路基板の実装面の法線方向に沿って所定の間隔（例えば、５０μｍ〜２００μｍ程度）をもって配置された略直方体形状の第１コンデンサ部及び第２コンデンサ部を有する積層コンデンサが開示されている。この積層コンデンサでは、第１コンデンサ部の誘電体層が、常誘電体材料を含むセラミックグリーンシートの積層体を焼結することによって形成されている。また、第２コンデンサ部の誘電体層が、強誘電体材料を含むセラミックグリーンシートの積層体を焼結することによって形成されている。よって、第２コンデンサ部の容量は、第１コンデンサ部の容量よりも大きくなっている。また、樹脂電極層が第２コンデンサ部のＥＳＲ成分として機能するような高さのハンダフィレットによって、積層コンデンサと回路基板との接続がなされている。これにより、樹脂電極層の厚みに応じたＥＳＲ成分が第２コンデンサ部に付与される。そのため、静電容量が大きい第２コンデンサ部が、第１コンデンサ部よりも高ＥＳＲとなっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−６０１１４号公報
【特許文献２】特開２００１−１８５４４６号公報
【特許文献３】特開２０１２−４３９４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、特許文献１記載の積層型チップコンデンサでは、上述したように、大容量の第２コンデンサ部のＥＳＲが低いため、低周波数領域でインピーダンスが低くなる。そのため、例えば、ＤＣ−ＤＣコンバータ等の電源回路の平滑コンデンサとして使用すると、電源回路が発振してしまうおそれがある。また、小容量の第１コンデンサ部のＥＳＲ，ＥＳＬが高いため、高周波数領域におけるノイズ除去性能が低くなる。
【０００７】
一方、特許文献２記載の複合積層セラミックコンデンサによれば、大容量積層セラミックコンデンサ素子のＥＳＲが大きいため、上述した電源回路の発振を抑制することができる。しかしながら、この複合積層セラミックコンデンサでは、大容量積層セラミックコンデンサ素子と小容量積層セラミックコンデンサ素子とが、上下に配置され、かつ、互いに所定の間隔として０．１５ｍｍ以上離間された隙間部を有して配備されている。より詳細には、２つの金属端子により各積層体の両側面近傍部分を挟み込んで半田で接続を行うことで各金属端子が外部電極に対して電気的に接続されて構成されている。そのため、特許文献２記載の複合積層セラミックコンデンサでは、部品の小型化・低背化を図ることが困難である。
【０００８】
同様に、特許文献３記載の積層コンデンサによれば、大容量の第２コンデンサ部のＥＳＲが大きいため、上述した電源回路の発振を抑制することができる。しかしながら、この積層コンデンサでは、回路基板の変形応力や第１コンデンサ部の電歪振動による応力を第２コンデンサ部に伝達しにくくして、クラックの発生を抑制するために、第１コンデンサ部と第２コンデンサ部との間に所定の間隔が設けられている。そのため、特許文献３記載の積層コンデンサについても、部品の小型化・低背化を図ることが困難である。
【０００９】
本発明は、上記問題点を解消する為になされたものであり、電源回路の発振を抑制しつつ、高周波領域でのノイズ除去性能を向上することができ、かつ、小型・低背化することが可能な積層コンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る積層コンデンサは、複数の誘電体層を含み、略直方体状に形成された誘電体素体と、誘電体素体の互いに対向する面に設けられた一対の電源電極、及び、該一対の電源電極が設けられた面と直交する面に設けられた一対のグランド電極と、一方の電源電極と誘電体素体との間に配設された抵抗層と、抵抗層を介して一方の電源電極と接続される第１内部電極と、他方の電源電極と接続される第２内部電極と、一対のグランド電極双方と接続される第３内部電極とを備え、第１内部電極と第３内部電極とが誘電体層を挟んで交互に積層された第１コンデンサ部が、第２内部電極と第３内部電極とが誘電体層を挟んで交互に積層された第２コンデンサ部よりも静電容量が大きく形成されていることを特徴とする。
【００１１】
本発明に係る積層コンデンサによれば、第１内部電極と第３内部電極とが誘電体層を挟んで交互に積層されて形成された第１コンデンサ部と、第２内部電極と第３内部電極とが誘電体層を挟んで交互に積層されて形成された第２コンデンサ部とを有している。ここで、第１コンデンサ部は、第２コンデンサ部よりも静電容量が大きく形成されている。また、第１コンデンサ部を構成する第１内部電極は、抵抗層を介して一方の外部電極と接続されている。そのため、第１コンデンサ部は第２コンデンサ部よりもＥＳＲが高くなっている。さらに、本発明に係る積層コンデンサでは、一対のグランド電極双方を接続するように内部電極が形成されているため、電源電極からグランド電極への経路が２つになり、よりＥＳＬが低減される。その結果、本発明に係る積層コンデンサでは、１つの誘電体素体の中に静電容量及びＥＳＲの異なる２つのコンデンサ部、すなわち、大容量、高ＥＳＲ、低ＥＳＬの第１コンデンサ部、及び、小容量、低ＥＳＲ、低ＥＳＬの第２コンデンサ部が形成される。そのため、例えばＤＣ−ＤＣコンバータ等の電源回路の平滑用コンデンサとして使用した場合、大容量、高ＥＳＲの第１コンデンサ部により、電源回路の発振が抑制され、かつ、小容量、低ＥＳＲ、低ＥＳＬの第２コンデンサ部により高周波数領域におけるノイズが低減される。
【００１２】
一方、上述したように、本発明に係る積層コンデンサによれば、１つの誘電体素体の中に静電容量及びＥＳＲの異なる２つのコンデンサが形成されるため、サイズの小型、低背化を図ることができる。以上の結果、電源回路の発振を抑制しつつ、高周波領域でのノイズ除去性能を向上することができ、かつ、小型・低背化することが可能となる。
【００１３】
なお、本発明に係る積層コンデンサでは、一対の電源電極が、誘電体素体の短手方向の側面に設けられ、一対のグランド電極が、誘電体素体の長手方向の側面に設けられていることが好ましい。
【００１４】
本発明に係る積層コンデンサは、複数の誘電体層を含み、略直方体状に形成された誘電体素体と、誘電体素体の互いに対向する面に設けられた一対の電源電極、及び、該一対の電源電極が設けられた面と直交する面に設けられた一対のグランド電極と、一方の電源電極と誘電体素体との間に配設された第１抵抗層と、他方の電源電極と誘電体素体との間に配設された第２抵抗層と、一端が第１抵抗層を介して一方の電源電極と接続され、かつ、他端が第２抵抗層を介して他方の電源電極と接続される第１内部電極と、一端の少なくとも一部が第１抵抗層を介することなく一方の電源電極と接続され、かつ、他端の少なくとも一部が第２抵抗層を介することなく他方の電源電極と接続される第２内部電極と、一対のグランド電極双方と接続される第３内部電極とを備え、第１内部電極と第３内部電極とが誘電体層を挟んで交互に積層された第１コンデンサ部が、第２内部電極と第３内部電極とが誘電体層を挟んで交互に積層された第２コンデンサ部よりも静電容量が大きく形成されていることを特徴とする。
【００１５】
本発明に係る積層コンデンサによれば、上述した積層コンデンサと同様の効果を奏することができる。すなわち、電源回路の発振を抑制しつつ、高周波領域でのノイズ除去性能を向上することができ、かつ、小型・低背化することが可能となる。さらに、本発明に係る積層コンデンサによれば、電源電極（第１内部電極、第２内部電極）を貫通電極とすることで、ＥＳＬをより低減することができる。そのため、高周波数領域でのノイズ除去性能をより向上させることが可能となる。
【００１６】
本発明に係る積層コンデンサでは、第１内部電極の両端部の引き出し部の幅が、第２内部電極の引き出し部の幅より狭く形成されており、第１抵抗層及び第２抵抗層の幅が、第１内部電極の引き出し部の幅よりも広く、第２内部電極の引き出し部の幅よりも狭く、かつ、第１内部電極及び第２内部電極の積層方向に沿って、上端から下端まで形成されていることが好ましい。
【００１７】
このようにすれば、引き出し部の幅が狭い第１内部電極が、第１抵抗層、第２抵抗層を介して双方の電源電極に接続されるため、該第１内部電極により形成される第１コンデンサ部は、ＥＳＲが高くなる。一方、引き出し部の幅が広い第２内部電極は、少なくとも一部分は直接的に双方の電源電極に接続されるため、該第２内部電極により形成される第２コンデンサ部は、ＥＳＲが低くなる。よって、第１コンデンサ部のＥＳＲを第２コンデンサ部のＥＳＲよりも効果的に高めることができる。
【００１８】
本発明に係る積層コンデンサは、複数の誘電体層を含み、略直方体状に形成された誘電体素体と、誘電体素体の互いに対向する面に設けられた一対の電源電極、及び、該一対の電源電極が設けられた面と直交する面に設けられた一対のグランド電極と、一方の電源電極と誘電体素体との間に配設された抵抗層と、一端が抵抗層を介して一方の電源電極と接続され、かつ、他端が直接的に他方の電源電極と接続される第１内部電極と、一端の少なくとも一部が抵抗層を介することなく一方の電源電極と接続され、かつ、他端が直接的に他方の電源電極と接続される第２内部電極と、一対のグランド電極双方と接続される第３内部電極とを備え、第１内部電極と第３内部電極とが誘電体層を挟んで交互に積層された第１コンデンサ部が、第２内部電極と第３内部電極とが誘電体層を挟んで交互に積層された第２コンデンサ部よりも静電容量が大きく形成されていることを特徴とする。
【００１９】
本発明に係る積層コンデンサによれば、上述した積層コンデンサと同様の効果を奏することができる。すなわち、電源回路の発振を抑制しつつ、高周波領域でのノイズ除去性能を向上することができ、かつ、小型・低背化することが可能となる。また、電源電極（第１内部電極、第２内部電極）を貫通電極とすることで、ＥＳＬをより低減することができる。そのため、高周波数領域でのノイズ除去性能をより向上させることが可能となる。さらに、本発明に係る積層コンデンサによれば、一方の電源電極側にのみ抵抗層を形成することにより、電源電極の貫通電極化と第１コンデンサ部の高ＥＳＲ化の両立を図ることができる。
【００２０】
本発明に係る積層コンデンサでは、第１内部電極は、抵抗層を介して一方の電源電極と接続される引き出し部の幅が、第２内部電極の引き出し部の幅より狭く形成されており、第１抵抗層は、その幅が、第１内部電極の引き出し部の幅よりも広く、第２内部電極の引き出し部の幅よりも狭く、かつ、第１内部電極及び第２内部電極の積層方向に沿って、上端から下端まで形成されていることが好ましい。
【００２１】
このようにすれば、引き出し部の幅が狭い第１内部電極は、抵抗層を介して一方の電源電極に接続されるため、該第１内部電極により形成される第１コンデンサ部は、ＥＳＲが高くなる。一方、引き出し部の幅が広い第２内部電極は、少なくとも一部分が直接的に双方の電源電極に接続されるため、該第２内部電極により形成される第２コンデンサ部は、ＥＳＲが低くなる。よって、第１コンデンサ部のＥＳＲを第２コンデンサ部のＥＳＲよりも効果的に高めることができる。また、この場合、一方の電源電極側にのみ抵抗層を形成すればよいため、抵抗層の形成を比較的容易に行うことができ、積層コンデンサの製造効率の向上、製造コストの低減等を図ることが可能となる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、電源回路の発振を抑制しつつ、高周波領域でのノイズ除去性能を向上することができ、かつ、小型・低背化することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】第１実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。
【図３】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。
【図４】第１実施形態に係る積層コンデンサの等価回路を示す図である。
【図５】第１実施形態に係る積層コンデンサのインピーダンス特性を示す図である。
【図６】第２実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。
【図７】図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿った断面図である。
【図８】図６のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿った断面図である。
【図９】図６のＩＸ−ＩＸ線に沿った断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、各図において、同一要素には同一符号を付して重複する説明を省略する。
【００２５】
（第１実施形態）
まず、図１〜４を併せて用いて、第１実施形態に係る積層コンデンサ１の構成について説明する。ここで、図１は、積層コンデンサ１の外観を示す斜視図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図であり、図３は、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。また、図４は、積層コンデンサ１の等価回路を示す図である。
【００２６】
積層コンデンサ１は、直方体形状の誘電体素体（積層体）１０と、該誘電体素体１０の互いに対向する、短手方向の側面１０ｂ，１０ｃそれぞれに設けられた一対の電源電極（外部電極）２０，２１と、該側面１０ｂ，１０ｃと直交する長手方向の側面１０ｄ，１０ｅそれぞれに設けられた一対のグランド電極（外部電極）４０，４１とを備えている。
【００２７】
誘電体素体１０は、矩形に形成された複数の誘電体層１０ａと、複数の、第１内部電極５１、第２内部電極５２Ａ，５２Ｂ、第３内部電極５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃとが交互に積層されることにより構成されている。誘電体層１０ａは、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３などを主成分とする誘電体セラミックから形成される。なお、これらの主成分にＭｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの副成分が添加されていてもよい。
【００２８】
第１内部電極５１、第２内部電極５２Ａ，５２Ｂ、及び、第３内部電極５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃそれぞれは、矩形の薄膜状に形成されている。第１内部電極５１、第２内部電極５２Ａ，５２Ｂ、及び第３内部電極５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃそれぞれは、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕなどから形成される。
【００２９】
第１内部電極５１と第３内部電極５３Ｃとは、誘電体層１０ａを挟んで互いに対向するように、交互に積層されている。これらの第１内部電極５１、第３内部電極５３Ｃ、及び誘電体層１０ａにより第１コンデンサ部５が形成されている。同様に、第２内部電極５２Ａ，５２Ｂと、第３内部電極５３Ａ，５３Ｂとは、誘電体層１０ａを挟んで互いに対向するように、交互に積層されている。これらの第２内部電極５２Ａ，５２Ｂ、第３内部電極５３Ａ，５３Ｂ、及び誘電体層１０ａにより第２コンデンサ部６Ａ，６Ｂが形成されている。
【００３０】
第１内部電極５１は、誘電体素体１０の短手方向の一方の側面１０ｂに引き出され、第２内部電極５２Ａ，５２Ｂは、短手方向の他方の側面１０ｃに引き出されている。また、第３内部電極５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃは、誘電体素体１０の長手方向の両側面１０ｄ，１０ｅに引き出されている。
【００３１】
誘電体素体１０の一方の短手方向の側面１０ｂには、該側面１０ｂに引き出された第１内部電極５１の引き出し部５１ａを全て覆うように、抵抗層３０が形成されている。なお、誘電体素体１０の他方の短手方向の側面１０ｃ、及び、長手方向の側面１０ｄ，１０ｅには、抵抗層は形成されていない。
【００３２】
ここで、抵抗層３０は、抵抗成分を含有する抵抗ペーストを焼き付けることによって形成される。なお、抵抗成分としては、例えば、Ｉｎ−Ｓｎ複合酸化物（ＩＴＯ）、Ｌａ−Ｃｕ複合酸化物、Ｓｒ−Ｆｅ複合酸化物、Ｃａ−Ｓｒ−Ｒｕ複合酸化物などの複合酸化物が用いられる。また、抵抗層３０には、例えばＢ−Ｓｉ系ガラス、Ｂ−Ｓｉ−Ｚｎ系ガラスなどのガラスが添加される。さらに、抵抗層３０に、Ｎｉ，Ｃｕ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｂなどの金属や、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＺｎＯ２などの金属酸化物を添加することにより、比抵抗等を調整してもよい。
【００３３】
上述したように、誘電体素体１０の短手方向の両側面１０ｂ，１０ｃそれぞれには一対の電源電極２０，２１が形成されている。電源電極２０は、抵抗層３０を介して、第１内部電極５１の引き出し部５１ａと接続されている。一方、電源電極２１は、第２内部電極５２Ａ，５２Ｂの引き出し部５２ａ，５２ｂ全体と直接的に接続されている。
【００３４】
また、上述したように、誘電体素体１０の長手方向の両側面１０ｄ，１０ｅそれぞれには一対のグランド電極４０，４１が形成されている。一対のグランド電極４０，４１それぞれは、第３内部電極５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃそれぞれの引き出し部５３ａ，５３ｂ，５３ｃ全体と直接的に接続されている。
【００３５】
ここで、電源電極２０，２１、グランド電極４０，４１それぞれは、複数のメッキ層から構成されることが好ましく、例えば、耐はんだ喰われ性を有するニッケルメッキ層と、該ニッケルメッキ層を覆うように形成されるスズメッキ層とを含んで構成される。
【００３６】
また、抵抗層３０を介して電源電極２０に接続された第１内部電極５１、第３内部電極５３Ｃ、及び誘電体層１０ａによって形成された第１コンデンサ部５は、電源電極２１に直接接続された第２内部電極５２Ａ，５２Ｂ、第３内部電極５３Ａ，５３Ｂ、及び誘電体層１０ａによって形成された第２コンデンサ部６Ａ，６Ｂよりも静電容量が大きく形成されている。よって、以下、第１コンデンサ部５を大容量コンデンサ部５とも呼び、第２コンデンサ部６Ａ，６Ｂを小容量コンデンサ部６Ａ，６Ｂとも呼ぶ。なお、第１コンデンサ部５、及び第２コンデンサ部６Ａ，６Ｂの静電容量は、例えば、第１内部電極５１，第２内部電極５２Ａ，５２Ｂ、並びに第３内部電極５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃそれぞれの面積や積層数、及び、誘電体層１０ａの厚みや誘電率などを変えることにより調節することができる。
【００３７】
上述したように構成されることにより、第１内部電極５１、第３内部電極５３Ｃ、及び誘電体層１０ａによって形成される大容量コンデンサ部５は、第１内部電極５１が抵抗層３０を介して電源電極２０と接続されているため、図４に示されるように、容量成分Ｃ１に対して抵抗成分Ｒ１が直列に挿入されることとなり、ＥＳＲの値が大きくなる。一方、第２内部電極５２Ａ，５２Ｂと第３内部電極５３Ａ，５３Ｂとによって形成される小容量コンデンサ部６Ａ，６Ｂは、第２内部電極５２Ａ，５２Ｂが直接的に電源電極２１と接続されているため、ＥＳＲの値は、大容量コンデンサ部５よりも小さくなる。
【００３８】
また、一対のグランド電極４０，４１それぞれが、第３内部電極５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃそれぞれと直接的に接続されているため、電源電極２０，２１からグランド電極４０，４１への経路が２つなり、大容量コンデンサ部５、少容量コンデンサ部６Ａ，６Ｂ共に、ＥＳＬが低減される（図４参照）。
【００３９】
以上の結果、上述したように構成されることにより、１つの誘電体素体１０の中に、大容量、高ＥＳＲ、低ＥＳＬの第１コンデンサ部（大容量コンデンサ部）５、及び、２つの小容量、低ＥＳＲ、低ＥＳＬの第２コンデンサ部（小容量コンデンサ部）６Ａ，６Ｂが形成される。ここで、第１コンデンサ部（大容量コンデンサ部）５は、容量成分が数μ〜数十μＦ、ＥＳＲが数百ｍ〜数千ｍΩ程度に調節されることが好ましい。一方、第２コンデンサ部（小容量コンデンサ部）６Ａ，６Ｂは、容量成分が数十ｎ〜数百ｎＦ、ＥＳＲが数十ｍΩ程度に調節されることが好ましい。なお、本実施形態では、誘電層１０ａ等の積層方向に沿って、第２コンデンサ部（小容量コンデンサ部）６Ａ、第１コンデンサ部（大容量コンデンサ部）５、第２コンデンサ部（小容量コンデンサ部）６Ｂの順で形成した。
【００４０】
ここで、積層コンデンサ１のインピーダンス特性の一例を図５に示す。図５に示されたグラフの横軸は周波数（Ｈｚ）であり、縦軸はインピーダンス（Ω）である。なお、ここでは、大容量コンデンサ部５の容量Ｃを１０（μＦ）、ＥＳＲを５００（ｍΩ）、ＥＳＬを１００（ｐＨ）とし、小容量コンデンサ部６Ａ，６Ｂの容量Ｃを０．１（μＦ）、ＥＳＲを２０（ｍΩ）、ＥＳＬを１００（ｐＨ）とした。図５に示されるように、本実施形態に係る積層コンデンサ１によれば、０．１〜１０（ＭＨｚ）の周波数領域でインピーダンスが比較的大きく、５０（ＭＨｚ）以上の周波数領域でインピーダンスが比較的小さい特性が得られることが確認された。
【００４１】
以上、詳細に説明したように、本実施形態によれば、１つの誘電体素体１０の中に静電容量及びＥＳＲの異なる２つのコンデンサ部、すなわち、大容量、高ＥＳＲ、低ＥＳＬの第１コンデンサ部（大容量コンデンサ部）５、及び、小容量、低ＥＳＲ、低ＥＳＬの第２コンデンサ部（小容量コンデンサ部）６Ａ，６Ｂが形成される。そのため、例えばＤＣ−ＤＣコンバータ等の電源回路の平滑用コンデンサとして使用した場合、大容量、高ＥＳＲの第１コンデンサ部５により、電源回路の発振が抑制され、かつ、小容量、低ＥＳＲ、低ＥＳＬの第２コンデンサ部６Ａ，６Ｂにより高周波数領域におけるノイズが低減される。また、本実施形態によれば、１つの誘電体素体１０の中に静電容量（ＥＳＣ）及びＥＳＲの異なるコンデンサ部５，６Ａ，６Ｂが形成されるため、小型、低背化を図ることができる。以上の結果、本実施形態によれば、電源回路の発振を抑制しつつ、高周波領域でのノイズ除去性能を向上することができ、かつ、小型・低背化することが可能となる。
【００４２】
（第２実施形態）
次に、図６〜９を併せて用いて、第２実施形態に係る積層コンデンサ２の構成について説明する。ここで、図６は、積層コンデンサ２の外観を示す斜視図である。図７は、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿った断面図であり、図８は、図６のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿った断面図である。また、図９は、図６のＩＸ−ＩＸ線に沿った断面図である。なお、図６〜９において第１実施形態と同一又は同等の構成要素については同一の符号が付されている。
【００４３】
積層コンデンサ２は、主として、上述した抵抗層３０に代えて、形状が異なる（詳細は後述する）第１抵抗層３１を有している点、電源電極２３と誘電体素体１１との間に第２抵抗層３２がさらに形成されている点、及び、第１内部電極５５、第２内部電極５６Ａ，５６Ｂが貫通電極とされている点、すなわち、第１内部電極５１に代えて第１内部電極５５が用いられ、第２内部電極５２Ａ，５２Ｂに代えて第２内部電極５６Ａ，５６Ｂが用いられている点で上述した積層コンデンサ１と異なっている。
【００４４】
積層コンデンサ２は、直方体形状の誘電体素体（積層体）１１と、該誘電体素体１１の互いに対向する、短手方向の側面１１ｂ，１１ｃそれぞれに設けられた一対の電源電極（外部電極）２２，２３と、該側面１１ｂ，１１ｃと直交する長手方向の側面１０ｄ，１０ｅそれぞれに設けられた一対のグランド電極（外部電極）４０，４１とを備えている。
【００４５】
誘電体素体（積層体）１１は、矩形に形成された複数の誘電体層１１ａと、複数の、第１内部電極５５、第２内部電極５６Ａ，５６Ｂ、第３内部電極５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃとが交互に積層されることにより構成されている。
【００４６】
第１内部電極５５、第２内部電極５６Ａ，５６Ｂ、及び第３内部電極５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃそれぞれは、矩形の薄膜状に形成されている。第１内部電極５５と第３内部電極５３Ｃとは、誘電体層１１ａを挟んで互いに対向するように、交互に積層されている。これらの第１内部電極５５、第３内部電極５３Ｃ、及び誘電体層１１ａにより第１コンデンサ部７が形成されている。同様に、第２内部電極５６Ａ，５６Ｂと、第３内部電極５３Ａ，５３Ｂとは、誘電体層１１ａを挟んで互いに対向するように、交互に積層されている。これらの第２内部電極５６Ａ，５６Ｂ、第３内部電極５３Ａ，５３Ｂ、及び誘電体層１１ａにより第２コンデンサ部８Ａ，８Ｂが形成されている。
【００４７】
第１内部電極５５、及び、第２内部電極５６Ａ，５６Ｂは、誘電体素体１１の短手方向の両側面１１ｂ，１１ｃに引き出されている。また、第３内部電極５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃは、誘電体素体１０の長手方向の両側面１０ｄ，１０ｅに引き出されている。
【００４８】
第１内部電極５５は、両端の引き出し部５５ａ，５５ａの幅（誘電体素体体１１の短手方向に沿った長さ）が狭く形成されている。一方、第２内部電極５６Ａ，５６Ｂは、引き出し部５６ａ，５６ｂの幅が、第１内部電極５５の引き出し部５５ａよりも広く形成されている。
【００４９】
誘電体素体１１の短手方向の両側面１１ｂ，１１ｃそれぞれには、該両側面１１ｂ，１１ｃに引き出された第１内部電極５５の引き出し部５５ａを全て覆うように、かつ、第２内部電極５６Ａ，５６Ｂの引き出し部５６ａ，５６ｂの一部を覆うように第１抵抗層３１、及び第２抵抗層３２が形成されている。より具体的には、図８，９に示されるように、第１抵抗層３１及び第２抵抗層３２は、第１内部電極５５の引き出し部５５ａの幅よりも広く、かつ、第２内部電極５６Ａ，５６Ｂの引き出し部５６ａ，５６ｂの幅よりも狭い幅を有し、誘電体素体１１の積層方向に沿って、上端から下端に渡って形成されている。
【００５０】
上述したように、誘電体素体１１の短手方向の両側面１１ｂ，１１ｃそれぞれには一対の電源電極２２，２３が形成されている。一方の電源電極２２は、第１抵抗層３１を介して、第１内部電極５５の一方の引き出し部５５ａと接続されている。他方の電源電極２３は、第２抵抗層３２を介して、第１内部電極５５の他方の引き出し部５５ａと接続されている。
【００５１】
また、一方の電源電極２２は、第１抵抗層３１を介して第２内部電極５６Ａ，５６Ｂの一方の引き出し部５６ａ，５６ｂの中央部分と接続されるとともに、該第２内部電極５６Ａ，５６Ｂの引き出し部５６ａ，５６ｂの両端部分と直接的に接続されている。他方の電源電極２３は、第２抵抗層３２を介して第２内部電極５６Ａ，５６Ｂの他方の引き出し部５６ａ，５６ｂの中央部分と接続されるとともに、該第２内部電極５６Ａ，５６Ｂの引き出し部５６ａ，５６ｂの両端部分と直接的に接続されている。
【００５２】
また、上述したように、誘電体素体１１の長手方向の両側面１１ｄ，１１ｅそれぞれには一対のグランド電極４０，４１が形成されている。一対のグランド電極４０，４１それぞれは、第３内部電極５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃそれぞれの引き出し部５３ａ，５３ｂ，５３ｃ全体と直接的に接続されている。
【００５３】
第１抵抗層３１を介して電源電極２２に接続されるとともに、第２抵抗層３２を介して電源電極２３に接続されたた第１内部電極５５、第３内部電極５３Ｃ、及び誘電体層１１ａによって形成された第１コンデンサ部７は、電源電極２２及び電源電極２３に両端部が直接接続された第２内部電極５６Ａ，５６Ｂ、第３内部電極５３Ａ，５３Ｂ、及び誘電体層１１ａによって形成された第２コンデンサ部８Ａ，８Ｂよりも静電容量が大きく形成されている。よって、以下、第１コンデンサ部７を大容量コンデンサ部７とも呼び、第２コンデンサ部８Ａ，８Ｂを小容量コンデンサ部８Ａ，８Ｂとも呼ぶ。
【００５４】
なお、第１コンデンサ部７、及び第２コンデンサ部８Ａ，８Ｂの静電容量は、例えば、第１内部電極５５，第２内部電極５６Ａ，５６Ｂ、並びに第３内部電極５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃそれぞれの面積や積層数、及び、誘電体層１１ａの厚みや誘電率などを変えることにより調節することができる。
【００５５】
上述したように構成されることにより、第１内部電極５５、第３内部電極５３Ｃ、及び誘電体層１１ａによって形成される大容量コンデンサ部７は、第１内部電極５５が第１抵抗層３１を介して電源電極２２と接続されるとともに、第２抵抗層３２を介して電源電極２３と接続されているため、容量成分に対して抵抗成分が直列に挿入されることとなり、ＥＳＲの値が大きくなる。一方、第２内部電極５６Ａ，５６Ｂと第３内部電極５３Ａ，５３Ｂとによって形成される小容量コンデンサ部８Ａ，８Ｂは、第２内部電極５６Ａ，５６Ｂの両端部が直接的に電源電極２２、電源電極２３と接続されているため、ＥＳＲの値は、大容量コンデンサ部７よりも小さくなる。
【００５６】
また、一対のグランド電極４０，４１それぞれが、第３内部電極５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃそれぞれと直接的に接続されているため、電源電極２２，２３からグランド電極４０，４１への経路が２つなり、大容量コンデンサ部７、少容量コンデンサ部８Ａ，８Ｂ共に、ＥＳＬが低減される。さらに、第１内部電極５５、及び第２内部電極５６Ａ，５６Ｂが貫通電極とされているため、大容量コンデンサ部７、少容量コンデンサ部８Ａ，８Ｂ共に、より一層ＥＳＬが低減される。
【００５７】
以上の結果、上述したように構成されることにより、１つの誘電体素体１１の中に、大容量、高ＥＳＲ、低ＥＳＬの第１コンデンサ部（大容量コンデンサ部）７、及び、小容量、低ＥＳＲ、低ＥＳＬの第２コンデンサ部（小容量コンデンサ部）８Ａ，８Ｂが形成される。
【００５８】
本実施形態によれば、上述した積層コンデンサ１と同様の効果を奏することができる。すなわち、電源回路の発振を抑制しつつ、高周波領域でのノイズ除去性能を向上することができ、かつ、小型・低背化することが可能となる。さらに、本実施形態に係る積層コンデンサ２によれば、電源電極２２，２３（第１内部電極５５，第２内部電極５６Ａ，５６Ｂ）を貫通電極とすることで、ＥＳＬをより低減することができる。そのため、高周波数領域でのノイズ除去性能をより向上させることが可能となる。
【００５９】
また、本実施形態によれば、引き出し部５５ａの幅が狭い第１内部電極５５は、第１抵抗層３１、第２抵抗層３２を介して双方の電源電極２２，２３に接続されているため、該第１内部電極５５により形成される第１コンデンサ部７は、ＥＳＲが高くなる。一方、引き出し部５６ａ，５６ｂの幅が広い第２内部電極５６Ａ，５６Ｂは、両端部が直接的に双方の電源電極２２，２３に接続されているため、該第２内部電極５６Ａ，５６Ｂにより形成される第２コンデンサ部８Ａ，８Ｂは、ＥＳＲが低くなる。よって、第１コンデンサ部７のＥＳＲを第２コンデンサ部８Ａ，８ＢのＥＳＲよりも効果的に高めることができる。
【００６０】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態では、誘電体素体１０（１１）中に２つの小容量コンデンサ部６Ａ，６Ｂ（８Ａ，８Ｂ）を形成したが、形成する小容量コンデンサ部の数は１つでもよい。
【００６１】
上記第２実施形態では、第１内部電極５５の引き出し部５５ａの幅よりも広く、かつ、第２内部電極５６Ａ，５６Ｂの引き出し部５６ａ，５６ｂの幅よりも狭い第１抵抗層３１、第２抵抗層３２を、誘電体素体１１の積層方向に沿って、上端から下端まで形成したが、誘電体素体１１の側面１１ｂ，１１ｃに引き出された第１内部電極５５の引き出し部５５ａのみを覆うように第１抵抗層３１、第２抵抗層３２を形成してもよい。
【００６２】
上記第２実施形態では、誘電体素体１１の両側面１０ｂ，１０ｃそれぞれに第１抵抗層３１、第２抵抗層３２を設けたが、誘電体素体１１の両側面１０ｂ，１０ｃのうち、いずれか一方にのみ抵抗層を設ける構成とすることもできる。
【符号の説明】
【００６３】
１，２  積層コンデンサ
５，７  大容量コンデンサ部（第１コンデンサ部）
６Ａ，６Ｂ，８Ａ，８Ｂ  小容量コンデンサ部（第２コンデンサ部）
１０，１１  誘電体素体
１０ａ，１１ａ  誘電体層
２０，２１，２２，２３  電源電極
３０  抵抗層
３１  第１抵抗層
３２  第２抵抗層
４０，４１  グランド電極
５１，５５  第１内部電極
５２Ａ，５２Ｂ，５６Ａ，５６Ｂ  第２内部電極
５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃ  第３内部電極
【図１】
2014096541.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2014096541.tif 000007
【図６】
2014096541.tif 000008
【図７】
2014096541.tif 000009
【図８】
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【図９】
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