(57)【要約】      （修正有）【課題】ゲート配線に与える負荷を低減させるとともに、コントラストの低下による表示品位を抑制する。【解決手段】液晶表示装置１は、第１基板21および第２基板22の間に配置された液晶層23と、第２基板22の主面22ａ上の複数のゲート配線221に交差するように設けられた複数のソース配線223と、画素ごとに半導体層、ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタTFTと、それらを覆って設けられた第１絶縁膜226と、第１絶縁膜226上の画素に位置した信号電極との間で電界を発生させる共通電極227を備え、半導体層はゲート配線221上に第２絶縁膜223を介して配置するとともに第１導電型不純物を含むチャネル領域CHを有し、その上に第３絶縁膜225を介して第２遮光膜BM２が設けられ、第１基板21の主面21ａ上には、ゲート配線221と重なるように第１遮光膜ＢＭ１が設けられている。【選択図】図５
2014106322.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面同士を対向させて配置された第１基板および第２基板と、前記第１基板および前記第２基板の間に配置された液晶層と、前記第２基板の前記主面上に設けられた複数のゲート配線と、複数の該ゲート配線に交差するように前記第２基板の前記主面上に設けられた複数のソース配線と、前記ゲート配線と前記ソース配線とによって囲まれた画素ごとに設けられた、半導体層、ソース電極およびドレイン電極を有する複数の薄膜トランジスタと、複数の前記ゲート配線、複数の前記ソース配線および複数の薄膜トランジスタを覆うように前記第２基板の前記主面上に設けられた第１絶縁膜と、該第１絶縁膜上のうち前記画素に位置した、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された信号電極と、該信号電極との間で電界を発生させるための共通電極とを備え、
前記半導体層は、前記ゲート配線上に第２絶縁膜を介して位置するとともに第１導電型不純物を含有するチャネル領域と、前記ソース電極が位置するとともに第２導電型不純物を含有するソース領域と、前記ドレイン電極が位置するとともに第２導電型不純物を含有するドレイン領域とを有し、
前記第１基板の前記主面上には、前記ゲート配線と重なるように第１遮光膜が設けられており、
前記薄膜トランジスタ上には、第３絶縁膜を介して前記チャネル領域と重なるように第２遮光膜が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１基板の前記主面上には前記第１遮光膜を介して柱状スペーサが設けられている請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記薄膜トランジスタと信号電極とはコンタクトホールを介して電気的に接続されており、
前記第１遮光膜は該コンタクトホールと重なるように位置している請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第２基板の前記主面上には、前記ソース配線を覆うように第３遮光膜が設けられている請求項１〜３のいずれか記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第２遮光膜と前記第３遮光膜とは接触していない請求項４に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話、デジタルカメラ、携帯ゲーム機または携帯情報端末などの様々な用途に用いられる液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、互いに対向する一対の基板と、一対の基板間に介在する液晶層とを備える。この一対の基板のうち一方の基板の主面上には、薄膜トランジスタと、複数のゲート配線と、複数のゲート配線に交差するように設けられた複数のソース配線と、薄膜トランジスタ、複数のゲート配線および複数のソース配線を覆うように設けられた絶縁膜と、この絶縁膜上に設けられた信号電極などが形成されている。
【０００３】
また、薄膜トランジスタなどが形成された一方の基板側にブラックマトリクスを形成するブラックマトリクスオンアレイ（以下、ＢＯＡと呼ぶ）技術が存在する（特許文献１参照）。ＢＯＡ技術では、一方の基板側に薄膜トランジスタ、ゲート配線などの配線を覆うようにブラックマトリクスが形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−３０１５０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ブラックマトリクスは一般的に絶縁材料に炭素を含有させて形成されるので、ブラックマトリクスが完全な絶縁体として機能しにくい。そのため、ブラックマトリクスがゲート配線を覆うことで、ブラックマトリクスとゲート配線との間の容量が増大してしまい、ゲート配線に与える負荷が大きくなる可能性があった。
【０００６】
一方、ブラックマトリクスを他方の基板側のみに設けると、ブラックマトリクスが薄膜トランジスタに対して離れてしまうので、外光、および光源装置からの出射光のうち一対の基板間で反射した光が薄膜トランジスタにおける半導体層のチャネル領域へ入射しやすくなる。チャネル領域に光が入射すると、光導電効果によってソース領域とドレイン領域との間でリーク電流が発生しやすくなる。このリーク電流によって、薄膜トランジスタを介して信号電極に印加される画像信号の電圧が変動してしまい、各画素ごとに輝度が異なってしまうことで、コントラストが低下し、表示品位が低下してしまう可能性があるという問題点があった。
【０００７】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ゲート配線に与える負荷を低減させるとともに、コントラストの低下による表示品位の低下を抑制することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の液晶表示装置は、主面同士を対向させて配置された第１基板および第２基板と、前記第１基板および前記第２基板の間に配置された液晶層と、前記第２基板の前記主面上に設けられた複数のゲート配線と、複数の該ゲート配線に交差するように前記第２基板の前記主面上に設けられた複数のソース配線と、前記ゲート配線と前記ソース配線とによって囲まれた画素ごとに設けられた、半導体層、ソース電極およびドレイン電極を有する複数の薄膜トランジスタと、複数の前記ゲート配線、複数の前記ソース配線および複数の薄膜トランジスタを覆うように前記第２基板の前記主面上に設けられた第１絶縁膜と、該第１絶縁膜上のうち前記画素に位置した、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された信号電極と、該信号電極との間で電界を発生させるための共通電極とを備え、前記半導体層は、前記ゲート配線上に第２絶縁膜を介して位置するとともに第１導電型不純物を含有するチャネル領域と、前記ソース電極が位置するとともに第２導電型不純物を含有するソース領域と、前記ドレイン電極が位置するとともに第２導電型不純物を含有するドレイン領域とを有し、前記第１基板の前記主面上には、前記ゲート配線と重なるように第１遮光膜が設けられており、前記薄膜トランジスタ上には、第３絶縁膜を介して前記チャネル領域と重なるように第２遮光膜が設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の液晶表示装置によれば、ゲート配線に与える負荷を低減させるとともに、コントラストの低下による表示品位を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１の実施形態における液晶表示装置を示す平面図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。
【図３】画素における第２基板上の配線、電極および第２遮光膜ならびに第１基板上の第１遮光膜を表す平面図である。
【図４】薄膜トランジスタと第２遮光膜との関係を表した平面図である。
【図５】図３のII−II線に沿った断面図である。
【図６】図３のIII−III線に沿った断面図である。
【図７】図３のIV−IV線に沿った断面図である。
【図８】本発明の第２の実施形態における液晶表示装置を示す平面図である。
【図９】図８の液晶表示装置において、表示領域の外側領域に位置する周辺配線、コンタクトホール、薄膜トランジスタ、第４遮光膜および第５遮光膜を表す断面図である。
【図１０】表示領域の外側領域における薄膜トランジスタと第５遮光膜との関係を表した平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［第１の実施形態］
本発明の第１の実施形態における液晶表示装置１について、図１〜図７を参照しながら説明する。
【００１２】
液晶表示装置１は、複数の画素Ｐからなる表示領域ＥＤを有する液晶パネル２と、液晶パネル２に向けて光を出射する光源装置３と、液晶パネル２上に配置される第１偏光板４と、液晶パネル２と光源装置３との間に配置される第２偏光板５とを備えている。
【００１３】
液晶パネル２では、第１基板21と第２基板22とが対向配置され、第１基板21と第２基板22との間に液晶層23および複数の柱状スペーサ24が設けられ、この液晶層23および複数の柱状スペーサ24を取り囲むように第１基板21と第２基板22とを接合するシール材25が設けられている。
【００１４】
図３〜図７を参照して、液晶パネル２の各部材について説明する。
【００１５】
第１基板21は、画像表示の際に表示面として用いられる第１主面21ａと、第１主面21ａとは反対側に位置する第２主面21ｂとを有している。第１基板21は、例えばガラス、プラスチックなどによって形成される。
【００１６】
第１基板21の第２主面21ｂ上には、第１遮光膜BM１、カラーフィルタ211および第１平
坦化膜212が設けられている。
【００１７】
第１遮光膜BM１は光を遮る機能を有している。第１遮光膜BM１は第１基板21の第２主面21ｂ上に設けられている。第１遮光膜BM１は、平面視して、ゲート配線211、コンタクト
ホールＣ１，Ｃ２および柱状スペーサ24に重なるように位置している。第１遮光膜BM１の材料は、例えば、遮光性の高い色（例えば黒色）の染料または顔料が添加された樹脂またはクロムなどの金属が挙げられる。なお、第２の実施形態で説明するが、表示領域ＥＤの外側に位置する領域には第４遮光膜BM４が配置されている。なお、図３において、第１遮光膜BM１と重なる領域を斜線（破線）で示している。
【００１８】
カラーフィルタ211は、可視光のうち特定の波長のみを透過させる機能を有する。複数
のカラーフィルタ211は、第１基板21の第２主面21ｂ上に位置しており、画素Ｐごとに設
けられている。各カラーフィルタ211は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）のいずれか
の色を有している。また、カラーフィルタ211は、上記の色に限られず、例えば、黄色（
Ｙ）、白（Ｗ）などの色を有してもよい。カラーフィルタ211の材料としては、例えば染
料または顔料を添加した樹脂が挙げられる。
【００１９】
第１平坦化膜212は、カラーフィルタ211および第１遮光膜BM1を覆うように第１基板21
の第２主面21ｂ上に設けられている。第１平坦化膜212は、有機材料によって形成され、
アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂またはポリイミド系樹脂などが挙げられる。第１平坦化膜212の膜厚は例えば１μｍ〜５μｍの範囲で設定されている。
【００２０】
第２基板22は、第１基板21の第２主面21ｂに対向する第１主面22ａと、第１主面22ａの反対側に位置する第２主面22ｂとを有している。なお、第２基板22は第１基板21と同様の材料で形成できる。
【００２１】
第２基板22の第１主面22ａ上には、複数のゲート配線221および補助容量配線222が設けられており、複数のゲート配線221および補助容量配線222を覆うようにゲート絶縁膜223
が設けられている。ゲート絶縁膜223上には複数のソース配線224が設けられている。また、複数のソース配線224を覆うようにゲート絶縁膜223上には層間絶縁膜225が設けられている。この層間絶縁膜225上には第２遮光膜BM２および第３遮光膜BM３が設けられている。また、第２遮光膜BM２および第３遮光膜BM３を覆うように層間絶縁膜225上には第２平坦化膜226が設けられている。この第２平坦化膜226上には共通電極227および信号電極228が設けられている。
【００２２】
ゲート配線221は、駆動ＩＣ（図示せず）から供給されるゲート電圧を薄膜トランジス
タTFTに印加する機能を有する。図３に示すように、ゲート配線221は第２基板22の第１主面22ａ上に位置しているとともに、Ｘ方向に延在している。また、複数のゲート配線221
はＹ方向に沿って配列されている。ゲート配線221は、導電性を有する材料によって形成
され、例えば、アルミニウム、モリブデン、チタン、ネオジム、クロム、銅またはこれらを含む合金によって形成される。
【００２３】
ゲート配線221は例えば下記方法によって形成される。
【００２４】
まず、スパッタリング法、蒸着法または化学気相成長法によって、材料を第２基板22の第１主面22ａ上に膜として形成する。この膜の表面に対して感光性樹脂を塗布し、塗布した感光性樹脂に対して露光処理および現像処理を行なうことで、感光性樹脂に所望の形状のパターンを形成する。次いで、この膜をエッチング液でエッチングして、膜を所望の形状にした後、塗布した感光性樹脂を剥離する。このように、材料を成膜およびパターニングすることでゲート配線221を形成できる。
【００２５】
補助容量配線222は第２基板22の第１主面22ａに設けられている。補助容量配線222はゲート配線221と同じ面上に位置している。図３に示すように、補助容量配線222はＸ方向に延在している。また、補助容量配線222は、ゲート配線221と同様の材料で形成してもよい。なお、本実施形態では、補助容量配線222がゲート配線221と同じ面上に形成されているが、これに限られない。すなわち、補助容量配線222はゲート配線221と異なる層に形成されていてもよい。
【００２６】
ゲート絶縁膜223は、ゲート配線221および補助容量配線222を覆うように第１主面22ａ
上に設けられている。ゲート絶縁膜223は、窒化シリコン、酸化シリコンなどの絶縁性を
有する材料によって形成される。なお、ゲート絶縁膜223は、上記のスパッタリング法、
蒸着法または化学気相成長法などによって第２基板22の第１主面22ａ上に形成できる。
【００２７】
ソース配線224は、駆動ＩＣから供給される信号電圧を薄膜トランジスタTFTを介して信号電極228に印加する機能を有する。図３に示すように、複数のソース配線224はＹ方向に延在している。また、複数のソース配線224はゲート絶縁膜223上に設けられているとともに、Ｘ方向に沿って配列されている。ソース配線224はゲート配線221と同様の材料で形成してもよい。ソース配線224はゲート配線221と同様の方法によって形成できる。
【００２８】
なお、ソース配線224は直線状に設けられているが、屈曲させて設けてもよい。
【００２９】
薄膜トランジスタTFTは、半導体層SCと、ソース電極SEと、ドレイン電極DEとを有して
いる。半導体層SCは、チャネル領域CH、ソース領域SAおよびドレイン領域DAを有している。
【００３０】
チャネル領域CH、ソース領域SAおよびドレイン領域DAは、シリコンまたはゲルマニウムなどに不純物が注入されて形成される領域である。
【００３１】
チャネル領域CHに注入される第１導電型不純物は例えばＰ型不純物であり、Ｐ型不純物としてはＢ、Ａｌが挙げられる。また、ソース領域SAおよびドレイン領域DAに注入される第２導電型不純物は例えばＮ型不純物であり、Ｎ型不純物としてはＰ、Ａｓが挙げられる。なお、薄膜トランジスタTFTは、Ｎ型不純物を含有するチャネル領域CH、Ｐ型不純物を含有するソース領域SAおよびドレイン領域DAを有する構成でもよい。
【００３２】
ソース電極SEは半導体層SCのソース領域SAに位置している。また、ソース電極SEはソース領域SAと接続されている。また、ソース電極SEはソース配線224に接続されている。
【００３３】
ドレイン電極DEは半導体層SCのドレイン領域DAに位置している。また、ドレイン電極DEはドレイン領域DAと接続されている。また、ドレイン電極DEはドレイン配線DLに接続されており、ドレイン配線DLはコンタクトホールＣ１を介して信号電極228と接続されている
。すなわち、薄膜トランジスタTFTと信号電極228とはドレイン配線DLおよびコンタクトホールＣ１を介して電気的に接続されている。
【００３４】
また、薄膜トランジスタTFTと信号電極228とを接続するコンタクトホールＣ１は第１遮光膜BM１と重なるように位置している。コンタクトホールＣ１は第２平坦化膜226上に位
置する信号電極228と接続されるため、第２平坦化膜226よりも下層に位置する第２遮光膜BM２または第３遮光膜BM３ではコンタクトホールＣ１への入射光およびコンタクトホールＣ１での反射光を遮りにくい。これに対して、コンタクトホールＣ１を第１基板21の第２主面21ｂ上に位置する第１遮光膜BM１と重なるように設けることで、第１遮光膜BM１によって、コンタクトホールＣ１への入射光およびコンタクトホールＣ１での反射光を遮りやすくなる。
【００３５】
層間絶縁膜225は、ソース配線224および薄膜トランジスタTFTを覆うように第１主面22
ａ上に設けられている。層間絶縁膜225はゲート絶縁膜223と同様の材料によって形成できる。
【００３６】
第２遮光膜BM２は光を遮る機能を有する。第２遮光膜BM２は、層間絶縁膜225上に設け
られているとともに、薄膜トランジスタTFTのチャネル領域CHと重なるように位置してい
る。また、本実施形態では、第２遮光膜BM２は薄膜トランジスタTFT全体と重なるように
設けられているが、これには限られない。第２遮光膜BM２は、薄膜トランジスタTFTのチ
ャネル領域CHに重なっていればよい。なお、図３において、第２遮光膜BM2の形成領域を
斜線（実線）で示している。第２遮光膜BM２は第１遮光膜BM１と同様の材料で形成できる。
【００３７】
第３遮光膜BM３は光を遮る機能を有する。第３遮光膜BM３は、層間絶縁膜225上に設け
られている。また、第３遮光膜BM３はソース配線224の形成領域と重なるように位置して
いる。また、本実施形態では、ソース配線224は第３遮光膜BM３の形成領域内に位置する
ように設けられている。なお、図３において、第３遮光膜BM３の形成領域を斜線（実線）で示している。第３遮光膜BM３は第１遮光膜BM１と同様の材料で形成できる。また、本実施形態では、第２遮光膜BM２と第３遮光膜BM３とは接触していない。
【００３８】
第２平坦化膜226は、第２遮光膜BM２および第３遮光膜BM３を覆うように層間絶縁膜225上に設けられている。第２平坦化膜226は、第１平坦化膜212と同様の材料で形成できる。なお、第２平坦化膜226の膜厚は例えば１μｍ〜５μｍの範囲で設定されている。なお、
寄生容量を低減させる観点では、第２平坦化膜226の膜厚を大きくするのが好ましい。
【００３９】
共通電極227は、駆動ＩＣから印加された電圧によって信号電極228との間で電界を発生させる機能を有する。共通電極227は第２平坦化膜226上に設けられている。共通電極227
は、導電性を有する透明材料によって形成され、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＴＯ、ＡＺＯ、酸化錫、酸化亜鉛または導電性高分子によって形成される。
【００４０】
また、共通電極227はコンタクトホールＣ２を介して補助容量配線222に接続されている。コンタクトホールＣ２は補助容量線222および共通電極228に重なる領域に位置している。
【００４１】
また、共通電極227と補助容量配線222とを接続するコンタクトホールＣ２は第１遮光膜BM１と重なるように位置している。コンタクトホールＣ２は第２平坦化膜226上に位置す
る共通電極227と接続されるため、第２平坦化膜226よりも下層に位置する第２遮光膜BM２または第３遮光膜BM３ではコンタクトホールＣ２への入射光およびコンタクトホールＣ２での反射光を遮りにくい。これに対して、コンタクトホールＣ２を第１基板21の第２主面21ｂ上に位置する第１遮光膜BM１と重なるように設けることで、第１遮光膜BM１によって、コンタクトホールＣ２への入射光およびコンタクトホールＣ２での反射光を遮りやすくなる。
【００４２】
信号電極228は、駆動ＩＣから印加された電圧によって共通電極227との間で電界を発生させる機能を有する。複数の信号電極228は第２平坦化膜226上に設けられており、Ｘ方向に沿って配列している。また、Ｘ方向における信号電極228の両側には共通電極227が位置している。すなわち、信号電極228と共通電極227とはＸ方向に交互に配置されている。
【００４３】
信号電極228の幅は例えば２μｍ〜５μｍの範囲に設定されている。信号電極228と共通
電極227との間隔は例えば５μｍ〜20μｍの範囲に設定されている。
【００４４】
柱状スペーサ24は、第１基板21と第２基板22との間隔を制御する機能を有する。複数の柱状スペーサ24は第１基板21と第２基板22との間に設けられている。また、柱状スペーサ24の一端は第１基板21に固定されている。なお、本実施形態では、柱状スペーサ24の一端は第１基板21に固定されているが、これに限られず、柱状スペーサ24の一端は第２基板22に固定されていてもよい。
【００４５】
また、柱状スペーサ24は、第１遮光膜BM１と重なるように位置している。一方、柱状スペーサ24は第２遮光膜BM２および第３遮光膜BM３とは重なっていない。なお、柱状スペーサ24の材料としては、例えば、感光性樹脂が挙げられ、アクリル樹脂である。
【００４６】
液晶表示装置１では、第１基板21の第２主面21ｂ上に位置する第１遮光膜BM１がゲート配線221と重なるように設けられているとともに、層間絶縁膜225上に位置する第２遮光膜BM２が薄膜トランジスタTFTのチャネル領域CHと重なるように設けられている。第１基板21の第２主面21ｂ上に位置する第１遮光膜BM１をゲート配線221と重なるように設けることで、第１遮光膜BM１とゲート配線221との距離を離すことができるので、第１遮光膜BM１とゲート配線221との間の容量を小さくでき、ゲート配線221に与える負荷を低減できる。さらに、薄膜トランジスタTFTのチャネル領域CHは層間絶縁膜225上に位置する第２遮光膜BM２の形成領域内に設けられているので、第２遮光膜BM２と薄膜トランジスタTFTのチャネル領域CHとの距離が近くなり、第２遮光膜BM２によってチャネル領域CHへ入射する光を遮りやすくなり、リーク電流によるコントラストの低下を低減し、表示品位が低下することを抑制できる。さらに、リーク電流の発生を低減することで、リーク電流によって信号電極228の信号電圧が変動することを抑制できるので、フリッカの発生が低減され、表示品位が低下することを抑制できる。
【００４７】
また、液晶表示装置１では、第２基板22の第１主面22ａ上には、ソース配線224を覆う
ように第３遮光膜BM３が設けられている。本実施形態の画素ＰはＹ方向を長辺方向とする長方形状であるため、画素Ｐの長辺方向に延在するソース配線224で反射した光は視認さ
れやすい。これに対して、第２基板22の第１主面22ａ上に設けられた第３遮光膜BM３によってソース配線224を覆うことで、第３遮光膜BM３とソース配線224との距離が小さくなり、第３遮光膜BM３によってソース配線224へ入射する外光などの光を遮ることができるので、コントラストの低下を低減し、表示品位が低下することを抑制できる。
【００４８】
また、液晶表示装置１では、第２遮光膜BM２と第３遮光膜BM３とが接触していない。第２遮光膜BM２と第３遮光膜BM３とを接触させると、第２遮光膜BM２によってソース配線224と第３遮光膜BM３との容量が増大する可能性があることに加えて、第３遮光膜BM3によって信号電極228と第２遮光膜BM２との容量が増大する可能性があり、さらに、ソース配線224(またはソース電極SE)と信号電極228(またはドレイン電極DE)との間の容量が増大する可能性がある。そのため、第２遮光膜BM２と第３遮光膜BM３とを接触させないことで、ソース配線224および信号電極228に加わる負荷が増大することを抑制している。
【００４９】
また、液晶表示装置１では、第１基板21の第２主面21ｂ上に位置する第１遮光膜BM１が柱状スペーサ24と重なっているとともに、柱状スペーサ24が第２遮光膜BM２または第３遮光膜BM３に重なっていない。柱状スペーサ24が第２遮光膜BM２または第３遮光膜BM３に重なっていると、第２遮光膜BM２または第３遮光膜BM３の膜厚の変動が第１基板21と第２基板22との間隔のばらつきに影響し、第１基板21と第２基板22との間隔が不均一になりやすい。これに対して、液晶表示装置１では、柱状スペーサ24が第２基板22の第１主面22ａ上に位置する第２遮光膜BM２および第３遮光膜BM３に重ならないとともに、第１基板21の第２主面21ｂ上に位置する第１遮光膜BM１と重なっているので、第２遮光膜BM２または第３
遮光膜BM３の膜厚の変動が第１基板21と第２基板22との間隔へ与える影響を低減できるとともに、柱状スペーサ24が視認されることを低減できる。
【００５０】
液晶層23は、第１基板21と第２基板22との間に設けられている。液晶層23は、ネマティック液晶などの液晶分子を含んでいる。
【００５１】
シール材25は、第１基板21と第２基板22とを貼り合わせる機能を有する。シール材25は、平面視して表示領域ＥＤを取り囲むようにして第１基板21と第２基板22との間に設けられている。このシール材25はエポキシ樹脂などによって形成される。
【００５２】
光源装置３は、液晶パネル２の表示領域ＥＤに向けて光を出射する機能を有する。光源装置３は、光源31および導光板32を有している。なお、本実施形態における光源装置３では、光源31にＬＥＤなどの点光源を採用しているが、冷陰極管などの線光源を採用してもよい。
【００５３】
第１偏光板４は、所定の振動方向の光を選択的に透過させる機能を有する。この第１偏光板４は、液晶パネル２の第１基板21の第１主面21ａに対向するように配置されている。
【００５４】
第２偏光板５は、所定の振動方向の光を選択的に透過させる機能を有する。この第２偏光板５は、第２基板22の第２主面22ｂに対向するように配置されている。
【００５５】
［第２の実施形態］
図８〜図10は、第２の実施形態における液晶表示装置１Ａの要部を示す図である。
【００５６】
液晶表示装置１Ａは、第１の実施形態における液晶表示装置１に比べて、下記点で異なる。
【００５７】
表示領域ＥＤの外側における第２基板22の第２主面22ｂ上には、複数の周辺配線229が
設けられている。また、周辺配線229はコンタクトホールＣ３を介して各層に位置する導
体と電気的に接続されている。
【００５８】
また、表示領域ＥＤの外側に位置する領域における第４遮光膜BM４は、複数の周辺配線229およびコンタクトホールＣ３に重なっている。すなわち、表示領域ＥＤの外側に位置
する領域のコンタクトホールＣ３が、第１基板21の第２主面21ｂ上に位置する第１遮光膜BM１と重なっているので、第４遮光膜BM４によって、コンタクトホールＣ３への入射光およびコンタクトホールＣ３での反射光を遮りやすくなる。なお、図８において、第４遮光膜BM４の形成領域を斜線（実線）で示している。
【００５９】
また、表示領域ＥＤの外側に位置する領域における第２基板22の第１主面22ａ上には、薄膜トランジスタTFTが設けられている。なお、表示領域ＥＤの外側に位置する領域にお
ける薄膜トランジスタTFTは、第１の実施形態で説明した薄膜トランジスタTFTと同様の構成である。また、図９および図10に示すように、表示領域ＥＤの外側に位置する薄膜トランジスタTFTは、この薄膜トランジスタTFTに対しゲート電極として機能する周辺配線229
上に設けられている。
【００６０】
また、第５遮光膜BM５が、層間絶縁膜225上に設けられているとともに、薄膜トランジ
スタTFTのチャネル領域CHと重なるように位置している。なお、図10において、第５遮光
膜BM５の形成領域を斜線（実線）で示している。
【００６１】
液晶表示装置１Ａでは、表示領域ＥＤの外側に位置する領域において、第１基板21の第
２主面21ｂ上に位置する第４遮光膜BM４が周辺配線229と重なるように設けられている。
第１基板21の第２主面21ｂ上に位置する第４遮光膜BM４を周辺配線229と重なるように設
けることで、第４遮光膜BM４と周辺配線229との距離を離すことができるので、第４遮光
膜BM４と周辺配線229との間の容量を小さくでき、周辺配線229に与える負荷を低減できる。
【００６２】
さらに、薄膜トランジスタTFTのチャネル領域CHは層間絶縁膜225上に位置する第５遮光膜BM５の形成領域内に設けられているので、第５遮光膜BM５と薄膜トランジスタTFTのチ
ャネル領域CHとの距離が近くなり、第５遮光膜BM５によってチャネル領域CHへ入射する光を遮りやすくなり、リーク電流の発生を低減できる。
【００６３】
本発明は上記の第１および第２の実施形態に特に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変更および改良が可能である。
【００６４】
液晶表示装置１,１Ａでは、一対の基板のうち一方の基板（第２基板22）に設けられた
信号電極と、共通電極との間で電界を発生させて液晶層中の液晶分子の方向を制御する、いわゆる横電界方式を採用しているが、これに限定されるものではなく、いかなる方式であってもよい。例えば縦電界方式を採用してもよい。
【符号の説明】
【００６５】
１、１Ａ  液晶表示装置
２  液晶パネル
ＥＤ  表示領域
Ｐ  画素
21  第１基板
21ａ  第１主面
21ｂ  第２主面（主面）
211  カラーフィルタ
212  第１平坦化膜
22  第２基板
22ａ  第１主面（主面）
22ｂ  第２主面
221  ゲート配線
222  補助容量配線
223  ゲート絶縁膜（第２絶縁膜）
224  ソース配線
225  第１層間絶縁膜（第３絶縁膜）
226  第２平坦化膜（第１絶縁膜）
227  共通電極
228  信号電極
229  周辺配線
TFT  薄膜トランジスタ
SC  半導体層
CH  チャネル領域
SA  ソース領域
DA  ドレイン領域
SE  ソース電極
DE  ドレイン電極
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３  コンタクトホール
BM１  第１遮光膜
BM２  第２遮光膜
BM３  第３遮光膜
BM４  第４遮光膜
BM５  第５遮光膜
DL  ドレイン配線
23  液晶層
24  柱状スペーサ
25  シール材
３  光源装置
31  光源
32  導光板
４  第１偏光板
５  第２偏光板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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