(57)【要約】【課題】増幅器をドリフト状態からより速く回復させる。【解決手段】検出回路７が入力信号の信号レベルの低下を検出してから一定時間経過後に制御部８は、信号２をオンからオフに切り替える。信号２がオフになると、ドレイン電圧が印加されない状態となる。その後に、制御部８は、信号３をオンからオフに切り替える。信号３がオフになると、可変抵抗５２が低抵抗状態となり、ゲート電圧が第１の電位から、接地電位以上の値である第２の電位となる。ゲート電圧が接地電位以上の値であり、ドレイン電圧が印加されない状態を予め定められた時間継続した後に、制御部８は、信号３をオンにして、ゲート電圧を第１の電位にする。そして、制御部８は、信号２をオンにして、ドレイン電圧が印加される状態にする。【選択図】図１
2014230133.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力信号を増幅して出力する増幅器と、
前記増幅器のゲート電極に、ゲートバイアス電圧として、第１の電位、または、前記第１の電位より高く、接地電位以上の電位である第２の電位、のいずれかを選択して印加するゲートバイアス回路と、
前記増幅器のドレイン電極にドレインバイアス電圧を印加する状態と印加しない状態とを切り替えるドレインバイアス回路と、
前記入力信号の信号レベルの低下を検出する検出回路と、
前記検出回路で前記入力信号の信号レベルの低下を検出した場合には、前記ゲートバイアス回路が前記第２の電位を印加し、前記ドレインバイアス回路が前記ドレインバイアス電圧を印加しない状態を予め定められた時間継続した後に、前記ゲートバイアス回路に前記第１の電位を印加させ、前記ドレインバイアス回路に前記ドレインバイアス電圧を印加させる制御部と、
を備える増幅装置。
【請求項２】
前記ゲートバイアス回路は、可変抵抗を備え、前記可変抵抗の抵抗値を切り替えることにより、前記第１の電位または前記第２の電位、のいずれかを選択し、
前記ドレインバイアス回路は、前記ドレインバイアス電圧を印加する状態と印加しない状態とを切り替えるスイッチを備える、
請求項１に記載の増幅装置。
【請求項３】
前記ゲートバイアス回路は、抵抗値が一定である複数の抵抗と、電路を切り替えるスイッチを備え、前記スイッチを切り替えることにより、前記第１の電位または前記第２の電位、のいずれかを選択し、
前記ドレインバイアス回路は、前記ドレインバイアス電圧を印加する状態と印加しない状態とを切り替えるスイッチを備える、
請求項１に記載の増幅装置。
【請求項４】
前記ゲートバイアス回路は、演算増幅器と前記演算増幅器の入力端子に電圧を印加する状態と印加しない状態とを切り替えるスイッチを備え、前記スイッチを切り替えることにより、前記第１の電位または前記第２の電位、のいずれかを選択し、
前記ドレインバイアス回路は、前記ドレインバイアス電圧を印加する状態と印加しない状態とを切り替えるスイッチを備える、
請求項１に記載の増幅装置。
【請求項５】
入力信号を増幅して出力する増幅器を備える増幅装置の制御方法であって、
前記入力信号の信号レベルの低下を検出する検出ステップと、
前記検出ステップで前記入力信号の信号レベルの低下を検出した場合には、前記増幅器のゲート電極に印加されるゲートバイアス電圧を接地電位以上の値である電位とし、前記増幅器のドレイン電極にドレインバイアス電圧を印加しない状態を予め定められた時間継続した後に、前記ゲートバイアス電圧を前記電位より低い電位とし、前記ドレインバイアス電圧を印加する制御ステップを備える、
増幅装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、増幅装置および増幅装置の制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高出力のレーダ装置および通信機器などに用いられる増幅器において、小型化、低消費電力化、および長寿命化などの観点から、マグネトロンおよびクライストロンなどの電子管から、化合物半導体への置き換えが進んでいる。化合物半導体としては、従来、高出力特性、低雑音特性、および高利得特性を有する、ＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）を用いたＦＥＴ（Field-Effect Transistor：電界効果トランジスタ）またはＨＦＥＴ（Hetrostructure Field-Effect Transistor：ヘテロ構造電界効果トランジスタ）が用いられてきた。近年では、ＧａＡｓを用いたデバイスと比べて、高出力動作、高周波動作、および高温動作が期待できる新たな材料として、ＧａＮ（窒化ガリウム）が注目されている。
【０００３】
ＧａＮを用いた増幅器においては、高周波信号を入力する前にゲート電極に負電位を印加し、ドレイン電極に正電位を印加して待機状態とする。待機状態においては、一定のドレイン電流（Ｉｄｑ）が流れる。待機状態となった増幅器の入力端子から高周波信号を入力すると、ゲート電極に印加される電圧が変化する。この電圧の変化により、ゲート・ソース間の電圧が変化し、ソース・ドレイン間の電流を制御することで増幅機能を実現することができる。
【０００４】
増幅器に高周波信号を入力した後に、高周波信号の信号レベルが小さくなった場合または高周波信号の入力が停止された場合に、ドレイン電流が低下するＩｄｑドリフトと呼ばれる現象が起こる。この現象は、高周波信号の信号レベルが小さくなった場合または高周波信号の入力が停止された場合に、バッファ層トラップに電子が捕獲された状態となり、二次元電子層が空乏化するために、発生する。捕獲された電子は時間が経過するとトラップから放出され、ドレイン電流は元の水準に戻る。上記現象が生じて増幅器がドリフト状態となっている間は、ドレイン電流が低下しているため、増幅器の利得も低下する。時間が経過するとドレイン電流は再び上昇するが、十分に回復するまでには、数秒から数十分を要する場合がある。また増幅動作のオンとオフを繰り返す場合、または、入力信号が変化する場合において、安定した増幅器の利得を得ることができない。
【０００５】
特許文献１に開示される利得・歪み特性安定化回路は、高周波信号が供給されていない期間の内、所定の時間、信号増幅用トランジスタのゲート端子に印加される負電位のゲートバイアス電圧を浅くすることで、ハイパワーアンプをドリフト状態から回復させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第２０１２／１１１４５１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に開示される利得・歪み特性安定化回路において所定の時間が長いほど、確実にハイパワーアンプをドリフト状態から回復させることができる。しかし、ドレインバイアス電圧を印加している状態でゲートバイアス電圧を高くするため、所定の時間が長くなるにつれて、待機電流が増加し、消費電力が増加する。
【０００８】
本発明は上述の事情に鑑みてなされたものであり、増幅器をドリフト状態からより速く回復させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の増幅装置は、増幅器、ゲートバイアス回路、ドレインバイアス回路、検出回路、および制御部を備える。増幅器は入力信号を増幅して出力する。ゲートバイアス回路は、増幅器のゲート電極に、ゲートバイアス電圧として、第１の電位、または、第１の電位より高く、接地電位以上の電位である第２の電位、のいずれかを選択して印加する。ドレインバイアス回路は、増幅器のドレイン電極にドレインバイアス電圧を印加する状態と印加しない状態とを切り替える。検出回路は、入力信号の信号レベルの低下を検出する。制御部は、検出回路で入力信号の信号レベルの低下を検出した場合には、ゲートバイアス回路が第２の電位を印加し、ドレインバイアス回路がドレインバイアス電圧を印加しない状態を予め定められた時間継続した後に、ゲートバイアス回路に第１の電位を印加させ、ドレインバイアス回路にドレインバイアス電圧を印加させる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ゲートバイアス電圧を接地電位以上の値とし、ドレインバイアス電圧を印加しない状態を予め定められた時間継続させることで、増幅器をドリフト状態からより速く回復させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態１に係る増幅装置の構成例を示すブロック図である。
【図２】実施の形態１における各電圧および信号の変化を示すタイムチャートである。
【図３】実施の形態１に係る増幅装置の異なる構成例を示すブロック図である。
【図４】実施の形態１における各電圧および信号の変化を示すタイムチャートである。
【図５】実施の形態１に係る増幅装置が行う制御の動作の一例を示すフローチャートである。
【図６】本発明の実施の形態２に係る増幅装置の構成例を示すブロック図である。
【図７】実施の形態２における各電圧および信号の変化を示すタイムチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお図中、同一または同等の部分には同一の符号を付す。
【００１３】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係る増幅装置の構成例を示すブロック図である。増幅装置１は、入力端子２から入力された高周波信号を増幅して出力端子３から出力する。増幅装置１は、信号を増幅する増幅器４、増幅器４のゲート電極にゲートバイアス電圧を印加するゲートバイアス回路５、増幅器４のドレイン電極にドレインバイアス電圧を印加するドレインバイアス回路６、入力信号の信号レベルを検出する検出回路７、および信号１、２、３の制御を行う制御部８を備える。増幅器４は、例えばＧａＮ（窒化ガリウム）を材料とするＨＦＥＴ（Hetrostructure Field-Effect Transistor：ヘテロ構造電界効果トランジスタ）である。制御部８は、例えばコンパレータなどを用いて構成することができる。また制御部８は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）および内部メモリなどから構成されるプロセッサ、およびＲＡＭ（Random Access Memory）およびフラッシュメモリなどから構成されるメモリを備え、メモリに記憶されている制御プログラムを実行して信号１、２、３の制御を行ってもよい。
【００１４】
ゲートバイアス回路５は、増幅器４のゲート電極に、ゲートバイアス電圧として、第１の電位、または、第１の電位より高く、接地電位以上の電位である第２の電位、のいずれかを選択して印加する。ゲートバイアス回路５は、信号１によってオンとオフが切り替えられるトランジスタ５１、信号３によって抵抗値が制御される可変抵抗５２、抵抗５３、および演算増幅器（以下、オペアンプという）５４を備える。トランジスタ５１は、信号１に応じて、接地電位または正電位が印加された電源端子１０と可変抵抗５２との間を導通状態または非導通状態とする。実施の形態１においては、例えば信号１がオンの場合に電源端子１０と可変抵抗５２との間が導通状態になり、信号１がオフの場合に電源端子１０と可変抵抗５２との間が非導通状態となる。可変抵抗５２は、例えば直列接続された複数の抵抗を備え、信号３に応じたトランジスタのオンとオフの切り替えにより接続点が切り替わることにより、抵抗値が変化する。本実施の形態１においては、例えば信号３がオンの場合に可変抵抗５２の抵抗値は高抵抗状態であり、信号３がオフの場合に可変抵抗５２の抵抗値は低抵抗状態である。
【００１５】
抵抗５３の一端は、負電位が印加された電源端子９に接続され、他端は可変抵抗５２に接続される。可変抵抗５２と抵抗５３の接続点は、オペアンプ５４の非反転入力端子に接続される。オペアンプ５４の出力端子と反転入力端子は、接続される。図１の例では、ゲートバイアス回路５は、オペアンプ５４を用いたボルテージフォロアであり、オペアンプ５４の非反転入力端子に印加された電圧をオペアンプ５４を介し、増幅器４のゲート電極にゲートバイアス電圧として供給する。
【００１６】
信号１がオン、すなわち電源端子９、１０が導通状態である場合には、電源端子９に印加された負電位Ｖ１と電源端子１０に印加された接地電位または正電位であるＶ２を、可変抵抗５２および抵抗５３により分圧した電位が、オペアンプ５４の非反転入力端子に印加される。一方、信号１がオフ、すなわち電源端子９、１０が非導通状態である場合には、負電位Ｖ１がオペアンプ５４の非反転入力端子に印加される。負電位Ｖ１は増幅器４の増幅動作を停止するためのピンチオフ電圧として用いられる。可変抵抗５２および抵抗５３の抵抗値によって、オペアンプ５４の非反転入力端子に印加される電圧を、Ｖ２からＶ１の範囲で制御することが可能となる。
【００１７】
ドレインバイアス回路６は、増幅器４のドレイン電極にドレインバイアス電圧を印加する状態と印加しない状態を切り替える。ドレインバイアス回路６は、信号２によってオンとオフが切り替えられるトランジスタ６１を備える。トランジスタ６１は、信号２に応じて、正電位が印加された電源端子１１と増幅器４のドレイン電極との間を導通状態または非導通状態とする。実施の形態１においては、例えば信号２がオンの場合に電源端子１１と増幅器４のドレイン電極との間が導通状態になり、信号２がオフの場合に電源端子１１と増幅器４のドレイン電極との間が非導通状態となる。
【００１８】
高周波信号が入力された後に、入力が停止した場合、または高周波信号の振幅が小さくなった場合には、増幅器４において、バッファ層トラップに電子が捕獲される。検出回路７は、例えば入力信号の振幅が閾値以上である状態から閾値未満に変化した場合に、入力信号の信号レベルが低下したことを検出する。閾値は、増幅器４の特性に応じて任意に定めることができる。検出回路７は、検出結果を制御部８に通知する。制御部８は、検出回路７が、入力信号の信号レベルの低下を検出した場合に、信号２をオンからオフに切り替える。信号２がオンからオフに切り替えられることで、ドレイン電圧が印加されない状態となる。その後、制御部８は、信号３をオンからオフに切り替える。信号３がオンからオフに切り替えられることで、可変抵抗５２が低抵抗状態となり、ゲート電圧が増加して接地電位以上の値となる。
【００１９】
ゲート電圧を接地電位以上の値とし、ドレイン電圧が印加されない状態とすることで、増幅器４においてバッファ層トラップに捕獲された電子を放出することが可能となる。そして予め定められた時間が経過した後に、制御部８は、信号３をオフからオンに切り替え、その後に、信号２をオフからオンに切り替える。予め定められた時間は、バッファ層トラップに捕獲された電子を放出するために必要な時間に応じて、任意に定めることができる。上述の動作により、増幅器４をドリフト状態からより速く回復させることが可能となる。
【００２０】
増幅装置１の各部の動作について説明する。図２は、実施の形態１における各電圧および信号の変化を示すタイムチャートである。図２において、横軸が時間であり、縦軸が各電圧および信号電圧の変化を示す。時刻Ｔ１までの間は、信号１がオフ、信号２、信号３がオンである。時刻Ｔ１までの間は、増幅器４にドレイン電圧Ｖ３とゲート電圧Ｖ１が印加された状態であり、増幅器４は停止状態である。
【００２１】
時刻Ｔ１において、信号１がオンになると、ゲート電圧が負電位である第１の電位Ｖｇ１となり、ドレイン電流がＩｄｑとなり、増幅器４は定常状態になる。時刻Ｔ２において、高周波信号が入力されると、ドレイン電流はＩｄ１まで増加する。その後、時刻Ｔ３において高周波信号の入力が停止されると、ドレイン電流はＩｄｑよりも小さいＩｄ２まで減少する。時刻Ｔ３において、増幅器４のバッファ層トラップに電子が捕獲される。
【００２２】
検出回路７は、時刻Ｔ３において入力信号の信号レベルの低下を検出する。制御部８は、検出回路７が入力信号の信号レベルの低下を検出してから一定時間経過後に信号２をオンからオフに切り替える。一定時間は任意に定めることができる。入力信号の信号レベルの低下の検出と同時に信号２がオンからオフに切り替えられるとみなせるように、一定時間を十分に小さい値としてもよい。信号２がオフになると、ドレイン電圧が印加されない状態となる。その後に、制御部８は、信号３をオンからオフに切り替える。信号２をオフにしてから信号３をオフにするまでの時間は、任意に定めることができる。信号３がオフになると、可変抵抗５２が低抵抗状態となり、ゲート電圧が接地電位以上の値である第２の電位となる。図２の例では、信号３がオフになると、ゲート電圧は第２の電位Ｖｇ２となる。この動作によって、増幅器４のバッファ層トラップに捕獲された電子を放出させることが可能となる。
【００２３】
ゲート電圧が接地電位以上の値であり、ドレイン電圧が印加されない状態を予め定められた時間継続した後に、制御部８は、信号３をオフからオンに切り替える。信号３がオンになると、ゲート電圧は減少し、第１の電位となる。図２の例では、信号３をオンにするとゲート電圧は負電位である第１の電位Ｖｇ１となる。その後、制御部８は、信号２をオフからオンに切り替える。信号２がオンになると、ドレイン電圧が印加される状態となる。図２の例では、ドレイン電圧がＶ３となる。その後ドレイン電流が増加し、定常状態と同じレベルまで回復する。図２の例では、時刻Ｔ５において、ドレイン電流がＩｄｑとなる。上述の動作により、増幅器４をドリフト状態から回復させることができる。ゲート電圧を接地電位以上の値とすることで、増幅器４がドリフト状態から回復するまでの時間、図２の例においては時刻Ｔ３から時刻Ｔ５までの時間、をより短くすることが可能となる。
【００２４】
図３は、実施の形態１に係る増幅装置の異なる構成例を示すブロック図である。ゲートバイアス回路５は、抵抗値が一定である複数の抵抗と、電路を切り替えるスイッチを備え、スイッチを切り替えることにより、第１の電位または第２の電位、のいずれかを選択してもよい。図３に示す増幅装置１が備えるゲートバイアス回路５は、並列に接続された抵抗５５、５７を備える。制御部８は、信号１、２、４の制御を行う。抵抗５５、５７にそれぞれ接続されたトランジスタ５１、５６のオンとオフを信号１、４によって切り替えることで、高抵抗状態と低抵抗状態とを切り替えることができる。
【００２５】
図４は、実施の形態１における各電圧および信号の変化を示すタイムチャートである。図の見方は図２と同様であり、信号１、２の切り替えは図２と同様である。検出回路７は、時刻Ｔ３において入力信号の信号レベルの低下を検出する。制御部８は、検出回路７が入力信号の信号レベルの低下を検出してから一定時間経過後に信号２をオンからオフに切り替えた後に、信号４をオフからオンに切り替える。信号２がオフになると、ドレイン電圧が印加されない状態となる。信号４がオンになると、抵抗５５、５７の合成抵抗が低抵抗状態となり、ゲート電圧が接地電位以上の値である第２の電位となる。図４の例では、信号４がオンになると、ゲート電圧は接地電位より大きい第２の電位Ｖｇ２となる。この動作によって、増幅器４のバッファ層トラップに捕獲された電子を放出させることが可能となる。
【００２６】
ゲート電圧が接地電位以上の値であり、ドレイン電圧が印加されない状態を予め定められた時間継続した後に、制御部８は、信号４をオンからオフに切り替える。信号４がオンからオフになると、抵抗５５、５７の合成抵抗は高抵抗状態となり、ゲート電圧は減少し、第１の電位となる。図４の例では、信号４をオフにするとゲート電圧は負電位である第１の電位Ｖｇ１となる。その後、制御部８は、信号２をオフからオンに切り替える。信号２がオンになると、ドレイン電圧が印加される状態となる。図４の例では、ドレイン電圧がＶ３となる。その後ドレイン電流が増加し、定常状態と同じレベルまで回復する。図４の例では、時刻Ｔ５において、ドレイン電流がＩｄｑとなる。上述の動作により、増幅器４をドリフト状態から回復させることができる。ゲート電圧を接地電位以上の値とすることで、増幅器４がドリフト状態から回復するまでの時間、図４の例においては時刻Ｔ３から時刻Ｔ５までの時間、をより短くすることが可能となる。
【００２７】
図５は、実施の形態１に係る増幅装置が行う制御の動作の一例を示すフローチャートである。図１に示す増幅装置１を用いて説明する。検出回路７は、入力信号のレベルの低下を検出しない場合には（ステップＳ１１０；Ｎ）、ステップＳ１１０の処理を繰り返す。検出回路７が入力信号のレベルの低下を検出した場合には（ステップＳ１１０；Ｙ）、制御部８は、信号２をオフにしてドレイン電圧が印加されない状態とし、信号３をオフにしてゲート電圧を接地電位以上の値である第２の電位にする（ステップＳ１２０）。予め定められた時間が経過していない場合には（ステップＳ１３０；Ｎ）、ステップＳ１３０の処理を繰り返す。予め定められた時間が経過した場合には（ステップＳ１３０；Ｙ）、制御部８は、信号３をオンにしてゲート電圧を第１の電位にし、信号２をオンにしてドレイン電圧が印加される状態にする（ステップＳ１４０）。
【００２８】
以上説明したとおり、実施の形態１に係る増幅装置１によれば、ゲートバイアス電圧が接地電位以上の値であり、ドレインバイアス電圧が印加されない状態を予め定められた時間継続させることで、増幅器４をドリフト状態からより速く回復させることが可能となる。
【００２９】
（実施の形態２）
図６は、本発明の実施の形態２に係る増幅装置の構成例を示すブロック図である。ゲートバイアス回路５は、オペアンプ５４とオペアンプ５４の入力端子に電圧を印加する状態と印加しない状態とを切り替えるスイッチを備え、スイッチを切り替えることにより、第１の電位または第２の電位、のいずれかを選択してもよい。実施の形態２に係る増幅装置１が備えるゲートバイアス回路５は、トランジスタ５１と抵抗５３に接続された抵抗５５を備える。実施の形態２においては、例えば信号１がオンの場合に電源端子１０と抵抗５５との間が導通状態になり、信号１がオフの場合に電源端子１０と抵抗５５との間が非導通状態となる。抵抗５３、５５の接続点はトランジスタ５８を介してオペアンプ５４の非反転入力端子に接続され、オペアンプ５４の出力端子は抵抗５９を介して接地されている。トランジスタ５８は、信号５に応じて、抵抗５３、５５の接続点とオペアンプ５４の非反転入力端子との間を導通状態または非導通状態とする。実施の形態２においては、例えば信号５がオンの場合に抵抗５３、５５の接続点とオペアンプ５４の非反転入力端子との間が導通状態になり、信号５がオフの場合に抵抗５３、５５の接続点とオペアンプ５４の非反転入力端子との間が非導通状態となる。制御部８は、信号１、２、５の制御を行う。
【００３０】
信号１がオン、すなわち電源端子９、１０が導通状態であり、信号５がオン、すなわち抵抗５３、５５の接続点とオペアンプ５４が導通状態である場合には、電源端子９に印加された負電位Ｖ１と電源端子１０に印加された接地電位または正電位であるＶ２を、抵抗５３、５５により分圧した電位が、オペアンプ５４の非反転入力端子に印加される。一方、信号１がオフ、すなわち電源端子９、１０が非導通状態であり、信号５がオン、すなわち抵抗５３、５５の接続点とオペアンプ５４が導通状態である場合には、負電位Ｖ１がオペアンプ５４の非反転入力端子に印加される。負電位Ｖ１は増幅器４の増幅動作を停止するためのピンチオフ電圧として用いられる。抵抗５３、５５の抵抗値によって、オペアンプ５４の非反転入力端子に印加される電圧を、Ｖ２からＶ１の範囲で制御することが可能となる。また信号５をオフにすることで、オペアンプ５４の非反転入力端子の電位をオープン状態とすることができる。
【００３１】
実施の形態１と同様に、高周波信号が入力された後に、入力が停止した場合、または高周波信号の振幅が小さくなった場合には、増幅器４において、バッファ層トラップに電子が捕獲される。検出回路７は、例えば入力信号の振幅が閾値以上である状態から閾値未満に変化した場合に、入力信号の信号レベルが低下したことを検出する。制御部８は、検出回路７が入力信号の信号レベルの低下を検出した場合に、信号２をオンからオフに切り替える。信号２がオンからオフに切り替えられることで、ドレイン電圧が印加されない状態となる。その後、制御部８は、信号５をオンからオフに切り替える。信号５がオンからオフに切り替えられることで、ゲート電圧が接地電位となる。
【００３２】
ゲート電圧を接地電位とし、ドレイン電圧が印加されない状態とすることで、増幅器４においてバッファ層トラップに捕獲された電子を放出することが可能となる。そして予め定められた時間が経過した後に、制御部８は、信号５をオフからオンに切り替え、その後に、信号２をオフからオンに切り替える。予め定められた時間は、バッファ層トラップに捕獲された電子を放出するために必要な時間に応じて、任意に定めることができる。上述の動作により、増幅器４をドリフト状態からより速く回復させることが可能となる。
【００３３】
図７は、実施の形態２における各電圧および信号の変化を示すタイムチャートである。図の見方は図２と同様であり、信号１、２の切り替えは図２と同様であり、信号５の切り替えは図２の信号３と同様である。時刻Ｔ３までの動作は実施の形態１と同様であるので、時刻Ｔ３以降の増幅装置１の動作について説明する。
【００３４】
検出回路７は、時刻Ｔ３において入力信号の信号レベルの低下を検出する。制御部８は、検出回路７が入力信号の信号レベルの低下を検出してから一定時間経過後に信号２をオンからオフに切り替える。信号２がオフになると、ドレイン電圧が印加されない状態となる。その後に、制御部８は、信号５をオンからオフに切り替える。信号５がオフになると、オペアンプ５４の非反転入力端子の電位がオープン状態となり、ゲート電圧が接地電位となる。この動作によって、増幅器４のバッファ層トラップに捕獲された電子を放出させることが可能となる。
【００３５】
ゲート電圧が接地電位であり、ドレイン電圧が印加されない状態を予め定められた時間継続した後に、制御部８は、信号５をオフからオンに切り替える。信号５がオンになると、ゲート電圧は減少し、第１の電位となる。図７の例では、信号５をオンにするとゲート電圧は負電位である第１の電位Ｖｇ１となる。その後、制御部８は、信号２をオフからオンに切り替える。信号２がオンになると、ドレイン電圧が印加される状態となる。図７の例では、ドレイン電圧がＶ３となる。その後ドレイン電流が増加し、定常状態と同じレベルまで回復する。図７の例では、時刻Ｔ５において、ドレイン電流がＩｄｑとなる。上述の動作により、増幅器４をドリフト状態から回復させることができる。ゲート電圧を接地電位とすることで、増幅器４がドリフト状態から回復するまでの時間、図７の例においては時刻Ｔ３から時刻Ｔ５までの時間、をより短くすることが可能となる。実施の形態２に係る増幅装置１が行う制御の動作は、図５に示す実施の形態１に係る増幅装置１が行う制御の動作と同じである。
【００３６】
以上説明したとおり、実施の形態２に係る増幅装置１によれば、ゲートバイアス電圧が接地電位であり、ドレインバイアス電圧が印加されない状態を予め定められた時間継続させることで、増幅器をドリフト状態からより速く回復させることが可能となる。
【００３７】
本発明の実施の形態は上述の実施の形態に限られない。上述の実施の形態における回路構成例は一例である。
【符号の説明】
【００３８】
１  増幅装置、２  入力端子、３  出力端子、４  増幅器、５  ゲートバイアス回路、６  ドレインバイアス回路、７  検出回路、８  制御部、９、１０、１１  電源端子、５１、５６、５８、６１  トランジスタ、５２  可変抵抗、５３、５５、５７、５９  抵抗、５４  演算増幅器（オペアンプ）。
【図１】
2014230133.tif 000003
【図２】
2014230133.tif 000004
【図３】
2014230133.tif 000005
【図４】
2014230133.tif 000006
【図５】
2014230133.tif 000007
【図６】
2014230133.tif 000008
【図７】
2014230133.tif 000009