(57)【要約】【課題】処理済の被処理体の回収方法を適正化することで、スループットを向上させる。【解決手段】被処理体を収納する複数の容器と、内部にて被処理体に所望の処理が施される複数の処理室と、被処理体を一時的に保管する一時保管室と、被処理体を搬送する搬送装置とを有する処理装置を用いて被処理体を処理する方法であって、前記複数の容器から前記複数の処理室に未処理の被処理体を搬送する第１の工程と、前記複数の処理室から前記一時保管室に処理済の被処理体を搬送する第２の工程と、いずれかの容器の最終の被処理体に対する処理のタイミングに応じて、前記一時保管室から処理済の被処理体の回収を開始した容器に、他の容器に優先して順に処理済の被処理体を回収し、前記容器への回収を終了させる第３の工程と、を含むことを特徴とする処理方法が提供される。【選択図】図７
2014096420.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体を収納する複数の容器と、内部にて被処理体に所望の処理が施される複数の処理室と、被処理体を一時的に保管する一時保管室と、被処理体を搬送する搬送装置と、を有する処理装置を用いて被処理体を処理する方法であって、
前記複数の容器から前記複数の処理室に未処理の被処理体を搬送する第１の工程と、
前記複数の処理室から前記一時保管室に処理済の被処理体を搬送する第２の工程と、
いずれかの容器の最終の被処理体に対する処理のタイミングに応じて、前記一時保管室から処理済の被処理体の回収を開始した容器に、他の容器に優先して順に処理済の被処理体を回収し、前記容器への回収を終了させる第３の工程と、
を含むことを特徴とする処理方法。
【請求項２】
前記いずれかの容器の最終の被処理体に対する処理のタイミングは、
前記いずれかの容器から最終の被処理体を搬出したタイミング、前記最終の被処理体をいずれかの処理室に搬入したタイミング、前記最終の被処理体をいずれかの処理室から搬出したタイミング、又は前記最終の被処理体を前記一時保管室に搬入したタイミングのいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の処理方法。
【請求項３】
前記第１の工程では、前記複数の容器と前記複数の処理室とを一対一に対応させて被処理体を搬送することを特徴とする請求項１又は２に記載の処理方法。
【請求項４】
前記第１の工程では、前記複数の容器から被処理体の処理が可能な前記処理室に被処理体を搬送することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の処理方法。
【請求項５】
前記第３の工程では、前記いずれかの容器に処理済の被処理体を回収している間、他の容器に処理済の被処理体を回収しないことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の処理方法。
【請求項６】
被処理体を収納する複数の容器と、
内部にて被処理体に所望の処理が施される複数の処理室と、
被処理体を一時的に保管する一時保管室と、
被処理体を搬送する搬送装置と、
前記複数の容器から前記複数の処理室に未処理の被処理体を搬送し、
前記複数の処理室から前記一時保管室に処理済の被処理体を搬送し、
いずれかの容器の最終の被処理体に対する処理のタイミングに応じて、前記一時保管室から処理済の被処理体の回収を開始した容器に、他の容器に優先して順に処理済の被処理体を回収し、前記容器への回収を終了させるように制御する制御部と、
を有する処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理方法及び処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやＦＰＤ（Flat Panel Display）の製造において、被処理体としての半導体ウェハ（以下、単にウェハという）や液晶用基板等には、成膜、エッチング、酸化、拡散等の各種の処理が施される。近年、これらの処理を高いスループットで行うために、マルチチャンバシステムと呼ばれる基板処理装置が用いられている。
【０００３】
基板処理装置の一例としては、ウェハを収納するフープ（容器）を載置可能な複数のロードポートと、ウェハを処理する複数のプロセスモジュールと、処理済のウェハを一時的に保管するストレージと、ウェハを搬送する搬送装置とを有するクラスタ型構造の装置が提案されている（例えば、特許文献１参照)。
【０００４】
この基板処理装置は、ウェハをロードポートに載置されたフープ→プロセスモジュール→ストレージ→ロードポートに載置されたフープの順に搬送する。プロセスモジュールでは、エッチング処理等の所望の処理がウェハに施される。例えばＣＦ系ガスとＨＢｒガスをエッチングガスとしてプラズマエッチングしたウェハ表面にはＣＦ系ガスやＨＢｒガス等の残留ガスが吸着している。この状態でプロセスモジュールから搬出されたウェハ表面のＣＦ系ガスやＨＢｒガス等の残留ガスは空気中の水分と反応する。その結果、腐食性ガスが発生する。腐食性ガスはウェハに吸着し、ウェハ及びその周辺を腐食するおそれがある。特に、ロードポートに載置されたフープ内は空気で満たされているため処理済のウェハから腐食性ガスが発生する場合がある。
【０００５】
そこで、ウェハをロードポートに載置されたフープに回収する前に、ストレージと呼ばれる一時保管室に一時的に保管することが行われている。このストレージにおいてウェハはＮ２ガス等のガスによりウェハ周辺部の雰囲気のパージが行われる。これにより、腐食性ガスをストレージ内で除去し、ウェハがロードポートに載置されたフープに回収されたときにフープ内及びその周辺が腐食性ガスにより汚染されることを防ぐ。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−２７８３９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、未処理のウェハが残っているフープ内に処理済のウェハを回収すると、ストレージ内で除去し切れなかった腐食性ガスにより、未処理のウェハが腐食される場合がある。
【０００８】
そこで、ロードポートに載置されたフープから最終の未処理のウェハが搬出された後、所定のタイミングに処理済のウェハをストレージから回収する動作を開始することで、未処理のウェハと処理済のウェハとが同一フープ内に混在しないように制御することが行われている。
【０００９】
ロードポートに載置されたフープへのウェハの回収方法として、例えば４つのロードポートＬＰ１〜ＬＰ４にそれぞれ載置されたフープが存在する場合について考える。未処理のウェハの搬出はロードポートＬＰ１〜ＬＰ４に載置されたフープでほぼ同時にスタートしている。よって、通常、処理済のウェハのロードポートＬＰ１〜ＬＰ４に載置されたフープへの回収もほぼ同時にスタートする。そうすると、ストレージから各ロードポートＬＰに載置されたフープへの回収は、１番目のウェハをＬＰ１に載置されたフープへ回収→２番目のウェハをＬＰ２に載置されたフープへ回収→３番目のウェハをＬＰ３に載置されたフープへ回収→４番目のウェハをＬＰ４に載置されたフープへ回収→５番目のウェハをＬＰ１に載置されたフープへ回収→６番目のウェハをＬＰ２に載置されたフープへ回収→・・・の順に行われる。
【００１０】
上記ロードポートに載置されたフープへの回収方法では、ウェハは、ロードポートＬＰ１〜ＬＰ４に載置されたフープのそれぞれに並列的に平均化されて回収されていくため、ロードポートに載置されたフープにウェハの全てが回収されるまで、いずれのロードポートに載置されたフープへの回収も終了しない。このため、回収を開始後、フープを搬出するまでに長時間を要することとなり、次ロットの処理が滞る。これにより、スループットが低下するとともに、プロセスモジュールが長時間使用されず、アイドル状態になる。その間にプロセスモジュール内のコンディションが変わるため、新たなウェハを処理する前にプロセスモジュール内のコンディションを整えるためのダミー処理が必要になり、更に生産性が低下する。
【００１１】
上記課題に対して、本発明の一態様は、処理済の被処理体の回収方法を適正化することで、スループットを向上させることが可能な処理方法及び処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明の一の態様によれば、
被処理体を収納する複数の容器と、内部にて被処理体に所望の処理が施される複数の処理室と、被処理体を一時的に保管する一時保管室と、被処理体を搬送する搬送装置とを有する処理装置を用いて被処理体を処理する方法であって、
前記複数の容器から前記複数の処理室に未処理の被処理体を搬送する第１の工程と、
前記複数の処理室から前記一時保管室に処理済の被処理体を搬送する第２の工程と、
いずれかの容器の最終の被処理体に対する処理のタイミングに応じて、前記一時保管室から処理済の被処理体の回収を開始した容器に、他の容器に優先して順に処理済の被処理体を回収し、前記容器への回収を終了させる第３の工程と、
を含むことを特徴とする処理方法が提供される。
【００１３】
前記いずれかの容器の最終の被処理体に対する処理のタイミングは、
前記いずれかの容器から最終の被処理体を搬出したタイミング、前記最終の被処理体をいずれかの処理室に搬入したタイミング、前記最終の被処理体をいずれかの処理室から搬出したタイミング、又は前記最終の被処理体を前記一時保管室に搬入したタイミングのいずれかであってもよい。
【００１４】
前記第１の工程では、前記複数の容器と前記複数の処理室とを一対一に対応させて被処理体を搬送してもよい。
【００１５】
前記第１の工程では、前記複数の容器から被処理体の処理が可能な前記処理室に被処理体を搬送してもよい。
【００１６】
前記第３の工程では、前記いずれかの容器に処理済の被処理体を回収している間、他の容器に処理済の被処理体を回収しなくてもよい。
【００１７】
また、上記課題を解決するために、本発明の他の態様によれば、
被処理体を収納する複数の容器と、
内部にて被処理体に所望の処理が施される複数の処理室と、
被処理体を一時的に保管する一時保管室と、
被処理体を搬送する搬送装置と、
前記複数の容器から前記複数の処理室に未処理の被処理体を搬送し、
前記複数の処理室から前記一時保管室に処理済の被処理体を搬送し、
いずれかの容器の最終の被処理体に対する処理のタイミングに応じて、前記一時保管室から処理済の被処理体の回収を開始した容器に、他の容器に優先して順に処理済の被処理体を回収し、前記容器への回収を終了させるように制御する制御部と、
を有する処理装置が提供される。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の一実施形態によれば、処理済の被処理体の回収方法を適正化することで、スループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】一実施形態に係る処理装置の全体構成図。
【図２】一実施形態に係る処理装置を用いた搬送ルート例を示した図。
【図３】一実施形態に係る処理装置を用いた搬送ルートの説明図。
【図４】ストレージからロードポートへの搬送ルート例を示した図。
【図５】ストレージからロードポートへの搬送ルート例の説明図。
【図６】一実施形態に係るストレージからロードポートへの搬送ルート例を示した図。
【図７】一実施形態に係るストレージからロードポートへの搬送ルート例の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明するが、本発明は、下記の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱しない範囲で、下記の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
【００２１】
［処理装置の全体構成］
まず、本発明の一実施形態に係る処理装置の全体構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、一実施形態に係る処理装置の全体構成図である。処理装置１０は、ウェハＷを搬送する搬送側システムＨとウェハＷに成膜やエッチング等の処理を行う処理側システムＳとを有している。搬送側システムＨと処理側システムＳとは、２つのロードロックモジュールＬＬＭを介して連結されている。本実施形態では、ロードロックモジュールＬＬＭは２つであるが、これに限らず３以上設置されてもよい。
【００２２】
搬送側システムＨは、ロードポートＬＰ１〜ＬＰ４（以下、総称してロードポートＬＰとも呼ぶ。）とロードモジュールＬＭとを有している。ロードポートＬＰ１〜ＬＰ４には、４つのフープＦ１〜Ｆ４（以下、総称してフープＦとも呼ぶ。）がそれぞれ載置されている。フープＦ１〜Ｆ４は、複数のウェハＷを収納する容器である。例えば、フープＦ内には２５枚の未処理のウェハＷが多段に収納可能である。
【００２３】
ロードモジュールＬＭには、屈伸および旋回可能な２本の搬送アームＡｒ１、Ａｒ２が磁気駆動によりスライド移動するように支持されている。搬送アームＡｒ１、Ａｒ２は、先端に取り付けられたフォーク上にウェハＷを保持し、ロードモジュールＬＭ上のレールを摺動する。
【００２４】
ロードモジュールＬＭには、位置合わせ機構１２５が取り付けられている。未処理のウェハＷは、ロードポートＬＰ１〜ＬＰ４に載置されているフープＦ１〜Ｆ４から搬出され、搬送アームＡｒ１、Ａｒ２のいずれかに保持されながら搬送され、位置合わせ機構１２５の回転載置台１２５ａに載置される。回転載置台１２５ａはウェハＷを載置した状態で回転し、光学センサ１２５ｂがウェハＷの周縁部の状態を検出することにより、ウェハＷの位置を合わせる。
【００２５】
２つのロードロックモジュールＬＬＭの両端には、ゲートバルブＶが設けられている。位置合わせ後、ウェハＷは、ロードモジュールＬＭを経由して２つのロードロックモジュールＬＬＭのいずれかに搬送される。ロードロックモジュールＬＬＭは、ゲートバルブＶの開閉を制御することにより、ウェハＷを大気側（搬送側システムＨ）と真空側（処理側システムＳ）との間で受け渡す。
【００２６】
処理側システムＳには、トランスファーチャンバＴＣおよび４つのプロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ４（以下、総称してプロセスモジュールＰＭとも呼ぶ。）が設けられている。プロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ４は、内部にてウェハＷに所望の処理が施される複数の処理室の一例である。本実施形態では、処理室は４つであるが、これに限らず、６つであってもよいし複数であればよい。
【００２７】
トランスファーチャンバＴＣは、ゲートバルブＶを介してプロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ４と連結されている。トランスファーチャンバＴＣは、屈伸および旋回可能な搬送アームＡｒ３、Ａｒ４を有している。ウェハＷは、搬送アームＡｒ３、Ａｒ４に保持されながらプロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ４に搬送される。なお、トランスファーチャンバＴＣ及びロードモジュールＬＭは、ウェハＷを搬送する搬送装置の一例である。
【００２８】
処理済のウェハＷは、搬送アームＡｒ３，Ａｒ４及び搬送アームＡｒ１、Ａｒ２を用いて、ロードポートＬＰに載置されたフープ→ロードモジュールＬＭ→ロードロックモジュールＬＬＭ→トランスファーチャンバＴＣ→プロセスモジュールＰＭ→トランスファーチャンバＴＣ→ロードロックモジュールＬＬＭ→ロードモジュールＬＭ→ストレージＳＴに搬送される。ストレージＳＴは、ロードモジュールＬＭ（大気側）に取り付けられている。ストレージＳＴは、ウェハＷを一時的に保管する一時保管室の一例である。ストレージＳＴは、内部にＮ２ガスを供給し、処理済のウェハＷをＮ２ガスによりパージしてもよいし、ガスパージをせずに一定時間、処理済のウェハＷを載置してもよい。これにより、処理のウェハＷに吸着した腐食性ガスをストレージＳＴ内で除去する。
（装置コンピュータ）
ここで、装置コンピュータＥＣ等の構成について説明する。装置コンピュータＥＣは、複数のマシンコンピュータＭＣに接続され、複数のマシンコンピュータＭＣを統括し、処理装置１０全体の動作を制御する。装置コンピュータＥＣはマスタ制御部、マシンコンピュータＭＣはスレーブ制御部として機能する。装置コンピュータＥＣは、複数のマシンコンピュータＭＣに制御信号を送信することで、各マシンコンピュータＭＣに処理装置１０の各部の制御を指示する。
【００２９】
装置コンピュータＥＣは、処理装置１０を制御する制御部の一例である。複数のマシンコンピュータＭＣの制御機能も含めて、装置コンピュータＥＣとマシンコンピュータＭＣにより処理装置１０を制御する制御部を構成してもよい。
【００３０】
装置コンピュータＥＣは、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）２０５、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）２１０、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）２２０、バス２２５、内部インタフェース（内部Ｉ／Ｆ）２３０および外部インタフェース（外部Ｉ／Ｆ）２３５を有する。ＲＯＭ２０５およびＲＡＭ２１０には、ウェハＷの搬送や処理を制御するプログラム、各種レシピ、各種データが蓄積されている。なお、ＲＯＭ２０５およびＲＡＭ２１０は、記憶装置の一例であり、ＥＥＰＲＯＭ、光ディスク、光磁気ディスクなどの記憶装置であってもよい。ＣＰＵ２２０は、ＲＯＭ２０５又はＲＡＭ２１０に記憶されたレシピに従い、指定されたウェハＷの搬送および処理を制御する。ＣＰＵ２２０は、例えば、複数枚のウェハＷの搬送順番、搬送ルート、搬送タイミング等を制御する。バス２２５は、ＲＯＭ２０５、ＲＡＭ２１０、ＣＰＵ２２０、内部インタフェース２３０および外部インタフェース２３５の各デバイス間でデータをやりとりする経路である。内部インタフェース２３０は、処理装置１０内の各部を動作させるためのインタフェースである。外部インタフェース２３５は、ホストコンピュータ２４５、管理サーバ２５０および複数のマシーンコントローラＭＣの間でデータを送受信するためのインタフェースである。
【００３１】
装置コンピュータＥＣは、ＬＡＮ(local Area Network)を介して処理装置１０が設置されている工場全体の製造工程を管理するＭＥＳ(Manufacturing Execution System)としてのホストコンピュータ２４５に接続されている。ホストコンピュータ２４５は、装置コンピュータＥＣと連携して工場における工程に関するリアルタイム情報を管理サーバ２５０に送る。なお、装置コンピュータＥＣ及びマシンコンピュータＭＣの機能は、ソフトウエアで実現されてもよく、ハードウエアで実現されてもよい。
【００３２】
以上、本実施形態に係る処理装置１０の全体構成について説明した。次に、本実施形態に係るウェハＷの搬送について、図２及び図３を参照しながら説明する。
【００３３】
［ウェハの搬送］
図２は、一実施形態に係る処理装置１０におけるロードポートＬＰ１〜ＬＰ４に載置されたフープＦからストレージＳＴまでの搬送ルート例を示す。図３は、一実施形態に係る処理装置１０における搬送ルートを説明するための図である。なお、以下の説明において、ロードポートＬＰ上には既にフープＦが載置されている状態とし、「ロードポートＬＰからウェハＷを搬出」という記載は、ロードポートＬＰに載置されたフープＦからウェハＷを搬出の意味とする。また、「ロードポートＬＰにウェハＷを回収」という記載は、ロードポートＬＰに載置されたフープＦにウェハＷを回収の意味とする。
【００３４】
本実施形態では、４つのロードポートＬＰ１〜ＬＰ４と４つのプロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ４とが１対１に対応してウェハＷを搬送する。また、ストレージＳＴ内は４つのブロックＳＴＡ，ＳＴＢ，ＳＴＣ，ＳＴＤに仕切られ、４つのプロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ４と４つのブロックＳＴＡ，ＳＴＢ，ＳＴＣ，ＳＴＤとが１対１に対応してウェハＷを搬送する。従って、ロードポートＬＰ１から搬出されたすべてのウェハＷは、プロセスモジュールＰＭ１に搬送され、プロセスモジュールＰＭ１内にて所望の処理が施され、ストレージＳＴのボックスＳＴＡに一時保管される。よって、ロードポートＬＰ１から搬出されたウェハＷは、他のプロセスモジュールＰＭ２〜ＰＭ４，他のストレージＳＴのボックスＳＴＢ，ＳＴＣ，ＳＴＤ，他のロードポートＬＰ２〜ＬＰ４に搬送されることはない。同様に、ロードポートＬＰ２，ＬＰ３，ＬＰ４から搬出されたウェハＷは、プロセスモジュールＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４にそれぞれ搬送され、所望の処理が施された後、ストレージＳＴのボックスＳＴＢ，ＳＴＣ，ＳＴＤにてそれぞれ一時保管される。以上、複数のロードポートＬＰから複数のプロセスモジュールＰＭに未処理のウェハＷを搬送する第１の工程の一例、及び複数のプロセスモジュールＰＭからストレージＳＴに処理済のウェハＷを搬送する第２の工程の一例を説明した。ここで、搬送の説明を簡略化するために、ロードポートＬＰとプロセスモジュールＰＭ間の搬送経路、プロセスモジュールＰＭとストレージＳＴ間の搬送経路、ストレージＳＴとロードポートＬＰの搬送経路の途中にあるロードモジュールＬＭ、ロードロックモジュールＬＬＭ、トランスファーチャンバＴＣへの搬送の記載は省略して説明している。以下の説明においても同様に搬送経路を省略した説明により行う。
【００３５】
図３に示したように、１番目に搬送されるウェハＷ（搬送順番１、ウェハＮＯ．１０１）は、ロードポートＬＰ１から搬出され、ロードポートＬＰ１→プロセスモジュールＰＭ１→ストレージＳＴ内のブロックＳＴＡに搬送され、一時保管される。
【００３６】
２番目に搬送されるウェハＷ（搬送順番２、ウェハＮＯ．２０１）は、ロードポートＬＰ２から搬出され、ロードポートＬＰ２→プロセスモジュールＰＭ２→ストレージＳＴ内のブロックＳＴＢに搬送され、一時保管される。
【００３７】
同様にして、３、４番目に搬送されるウェハＷ（搬送順番３、４、ウェハＮＯ．３０１，４０１）は、ロードポートＬＰ３、ＬＰ４から搬出され、ロードポートＬＰ３→プロセスモジュールＰＭ３→ストレージＳＴ（ブロックＳＴＣ）、ロードポートＬＰ４→プロセスモジュールＰＭ４→ストレージＳＴ（ブロックＳＴＤ）にそれぞれ搬送され、ストレージＳＴの各ブロックＳＴＣ，ＳＴＤに一時保管される。
【００３８】
５番目に搬送されるウェハＷ（搬送順番５、ウェハＮＯ．１０２）は、再びロードポートＬＰ１から搬出され、ロードポートＬＰ１→プロセスモジュールＰＭ１→ストレージＳＴ（ブロックＳＴＡ）に一時保管される。
【００３９】
このようにして、ロードポートＬＰに載置された同一フープＦ内に収納されたウェハＷは同一プロセスモジュールＰＭで処理され、同一ルートを経てストレージＳＴ内の同一ブロックに収納される。よって、本実施形態では、ロードポートＬＰに載置された一のフープＦ内に収納されたウェハＷは、他のフープＦ内に収納されたウェハＷと混在して処理やストレージＳＴに保管されることはない。
【００４０】
ストレージＳＴ内のブロックＳＴＡ〜ＳＴＤに一時保管された処理済のウェハＷは、所定のタイミングにロードポートＬＰ１〜ＬＰ４にそれぞれ回収され、フープＦ１〜Ｆ４内に収められる。その回収タイミングについて説明する。
【００４１】
未処理のウェハＷが残っているフープＦに処理済のウェハＷを回収すると、処理済のウェハＷの表面に付着している残留ガスと空気中の水が反応して発生する腐食性ガスにより未処理のウェハＷが腐食されるおそれがある。そこで、本実施形態では、ロードポートＬＰ１〜ＬＰ４からそれぞれ搬出された最終の未処理済のウェハＷが、プロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ４にそれぞれ搬入したタイミングを、ストレージＳＴからロードポートＬＰ１〜ＬＰ４のそれぞれに処理済のウェハＷを回収する開始タイミングとする。これにより、未処理のウェハＷハと処理済のウェハＷとがロードポートＬＰに載置された同一フープＦ内に混在しないようにすることができる。
【００４２】
ただし、ストレージＳＴからそれぞれのロードポートＬＰ１〜ＬＰ４へのウェハＷの回収開始タイミングは、これに限られず、最終の未処理のウェハＷがそれぞれのロードポートＬＰ１〜ＬＰ４から搬出されたタイミングであってもよいし、最終の未処理のウェハＷがそれぞれのプロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ４から搬出されたタイミングであってもよいし、最終の未処理のウェハＷがプロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ４で処理後ストレージＳＴの各ブロックに搬入されたタイミングであってもよい。
【００４３】
［ウェハの回収］
さらに、本実施形態では、いずれかのフープＦの最終の未処理のウェハＷに対する処理のタイミングに応じて、ストレージＳＴから処理済のウェハＷの回収を開始したフープＦに、他のフープＦに優先して順に処理済のウェハＷを回収し、前記フープＦへの回収を先に終了させる回収方法を採用する（第３の工程）。つまり、第３の工程では、いずれかのフープＦに処理済のウェハＷを回収している間、そのフープＦの回収が終わるまで、ロードポートＬＰに載置された他のフープに処理済のウェハＷを回収しない。
【００４４】
以上に説明した本実施形態の一のフープＦに優先的にウェハＷを回収する方法と、各フープに平均的にウェハＷを回収する方法について、その相違を以下に説明する。
【００４５】
前述したように、未処理のウェハＷの搬出はロードポートＬＰ１〜ＬＰ４でほぼ同時にスタートしている。よって、処理済のウェハＷのロードポートＬＰ１〜ＬＰ４への回収もほぼ同時にスタートする。そうすると、ストレージＳＴの各ボックスＳＴＡ，ＳＴＢ，ＳＴＣ，ＳＴＤから各ロードポートＬＰ１、ＬＰ２，ＬＰ３，ＬＰ４への回収は、図４及び図５（ａ）に示したように、以下の順に行われる。
（１）ボックスＳＴＡの１番目のウェハ１０１をロードポートＬＰ１へ回収
（２）ボックスＳＴＢの２番目のウェハ２０１をロードポートＬＰ２へ回収
（３）ボックスＳＴＣの３番目のウェハ３０１をロードポートＬＰ３へ回収
（４）ボックスＳＴＤの４番目のウェハ４０１をロードポートＬＰ４へ回収
（５）ボックスＳＴＡの５番目のウェハ１０２をロードポートＬＰ１へ回収
・・・・
以上のように処理済のウェハＷの回収をロードポートＬＰ１〜ＬＰ４で平均的に行う方法では、すべてのロードポートＬＰに処理済のウェハＷの全てが回収されるまで、いずれのロードポートＬＰへの回収も終了しない。例えば、ロードポートＬＰ１〜ＬＰ４に載置されたフープＦ１〜Ｆ４に２５枚ずつのウェハＷが収納されている場合、図５（ｂ）に示したように、各ロードポートＬＰ１〜ＬＰ４にそれぞれ２４枚、合計で９６枚のウェハＷが回収された後、ロードポートＬＰ１に２５枚目（合計で９７枚目）のウェハＷが回収される。このときようやくロードポートＬＰ１に載置されたフープＦ１への回収が終了し、フープＦ１をロードポートＬＰ１から搬出でき、次ロットをロードポートＬＰ１に搬入して、ウェハＷ処理を始めることができる。このため、現ロットのウェハＷの回収から次ロットのウェハＷの処理開始まで長時間を要する。これにより、スループットが低下するとともに、プロセスモジュールＰＭが長時間アイドル状態になる。その間にプロセスモジュールＰＭ内のコンディションが変わり、新たなウェハＷを処理する前にプロセスモジュールＰＭ内のコンディションを整えるためのダミー処理が必要になり、生産性が低下する。
【００４６】
これに対して、本実施形態では、処理済のウェハＷの回収方法を適正化することで、スループットを向上させ、生産性を上げることができる。つまり、本実施形態に係る搬送方法では、図６及び図７（ａ）に示したように、次の順番でウェハＷが回収される。
（１）ロードポートＬＰ１へのウェハ回収
ストレージＳＴのボックスＳＴＡの１番目のウェハ１０１をロードポートＬＰ１へ回収→ボックスＳＴＡの２番目のウェハ１０２をロードポートＬＰ１へ回収、・・・・、ボックスＳＴＡの２５番目のウェハ１２５をロードポートＬＰ１へ回収、の順番でロードポートＬＰ１に載置された同一フープＦ１内にウェハＷを回収する。
【００４７】
これにより、ロードポートＬＰ１に載置されたフープＦ１へのウェハＷの回収が終了する。回収が終了したフープＦ１はロードポートＬＰ１から搬出され、次のフープＦ５がロードポートＬＰ１に搬入される。この結果、図７（ｂ）に示したように、フープＦ２へのウェハＷの回収と並行して、新たなフープＦ５のウェハＷ（次ロットのウェハＷ）が処理される。
【００４８】
このようにして、（１）ロードポートＬＰ１に載置されたフープＦ１へのウェハＷの回収終了後、（２）ロードポートＬＰ２に載置されたフープＦ２へのウェハＷの回収が開始される。
（２）ロードポートＬＰ２へのウェハ回収
ボックスＳＴＢの１番目のウェハ２０１をロードポートＬＰ２へ回収→ボックスＳＴＢの２番目のウェハ２０２をロードポートＬＰ２へ回収→・・・・→ボックスＳＴＢの２５番目のウェハ２２５をロードポートＬＰ２へ回収、というようにロードポートＬＰ２に載置されたフープＦ２への回収を、他のフープＦ３，Ｆ４に優先して行い、そのフープＦ２への回収を終了させてから、他のフープＦ３，Ｆ４への回収を順に開始する。つまり、（３）ロードポートＬＰ３へのウェハＷの回収を終了後、更に（４）ロードポートＬＰ４へのウェハＷの回収を行う。このようにして、一のフープＦへの回収を終了させてから、次のフープＦへの回収を開始する。
【００４９】
これによれば、まず、ロードポートＬＰ１に載置されたフープＦ１への全ウェハＷの回収を終了した後、フープＦ１はロードポートＬＰ１から搬出される。これにより、他のロードポートＬＰ２〜ＬＰ４のウェハＷの回収を待たずに、次ロットのフープＦ１をロードポートＬＰ１に搬入し、次ロットのウェハＷの処理を開始することができる。これにより、スループットを上げ、生産性を高めることができる。また、これにより、他のロードポートＬＰ２〜ＬＰ４のウェハＷの回収を待たずに、次ロットのフープＦ１内のウェハＷをプロセスモジュールＰＭ１に搬入し、処理を実行することができる。これにより、プロセスモジュールＰＭのアイドル時間を短縮することができる。
【００５０】
以上に説明したように、本実施形態によれば、各ロードポートＬＰへの回収方法を変え、ウェハＷの回収を複数のロードポートＬＰで平均的に行うのではなく、ストレージＳＴのブロック単位で直列的に回収する。つまり、ロードポートＬＰに載置された、あるフープＦにそのフープＦの全ウェハＷが回収された後、他のフープＦへの回収を開始するように制御し、いずれかのフープＦにウェハＷを回収している間は他のフープＦにウェハＷを回収しないようにする。これにより、回収が終了したフープＦから順にロードポートＬＰから搬出することができる。この結果、次ロットのフープＦを早期に搬入することができ、次ロットの未処理のウェハＷの処理を迅速に開始することができる。例えば、１枚のウェハＷのストレージＳＴからロードポートＬＰへの回収処理にかかる時間を１５秒とすると、各ロードポートＬＰ１〜ＬＰ４に平均的にウェハＷを回収していたときと比べて、最初のフープＦがロードポートＬＰから搬出されるまでに、３（回収していない残りのロードポート数）×２４枚（残りの各ロードポートに回収していた枚数）×１５秒（一回の回収時間）＝１８分の時間を短縮することができる。
【００５１】
なお、本実施形態では、複数のロードポートＬＰと複数のプロセスモジュールＰＭとを一対一に対応させてウェハＷを搬送した。これによれば、ロードポートＬＰに載置された同一フープＦ内のウェハＷはすべて同一条件で処理されるため、プロセスモジュールＰＭ間の機差の影響がなく、同一ロット内での品質にバラツキが生じにくいという利点がある。この場合、各プロセスモジュールＰＭで実行される処理は、同じでも異なってもよい。
【００５２】
ただし、複数のロードポートＬＰと複数のプロセスモジュールＰＭとを一対一に対応させず、ウェハＷの処理が可能なプロセスモジュールＰＭに順次、ロードポートＬＰに載置された複数のフープＦからウェハＷを搬送するようにしてもよい。このような搬送方法によれば、スループットを上げ、生産性を更に高めることができる。
【００５３】
また、本実施形態では、未処理のウェハＷの搬出は各ロードポートＬＰでほぼ同時にスタートし、処理済のウェハＷの回収も各ロードポートＬＰでほぼ同時にスタートすると説明した。しかし、処理済のウェハＷのストレージＳＴからの回収タイミングがずれる場合もある。例えば、ロードポートＬＰに載置された一のフープＦ内に収納されたウェハＷの枚数が他のフープＦ内に収納されたウェハＷの枚数と異なる場合に回収タイミングがずれる。また、プロセスモジュールＰＭ毎で処理時間が均等でない場合にも回収タイミングがずれる。
【００５４】
以上、本発明の処理方法及び処理装置を実施例により説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。また、上記実施形態及び変形例が複数存在する場合、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
【００５５】
例えば、プロセスモジュールＰＭ（処理室）で行われる処理は、プラズマ処理であってもそれ以外であってもよい。プラズマ処理が行われる場合、プラズマを発生させる手段としては、容量結合型プラズマ(ＣＣＰ:Capacitively Coupled Plasma)発生手段、誘導結合型プラズマ(ＩＣＰ:Inductively Coupled Plasma)発生手段、ヘリコン波励起型プラズマ（ＨＷＰ：Helicon Wave Plasma）発生手段、ラジアルラインスロットアンテナ（Radial Line Slot Antenna）から生成したマイクロ波プラズマやＳＰＡ（Slot Plane Antenna）プラズマを含むマイクロ波励起表面波プラズマ発生手段、電子サイクロトロン共鳴プラズマ（ＥＣＲ：Electron Cyclotron resonance Plasma）発生手段、上記発生手段を用いたリモートプラズマ発生手段等を用いることができる。
【００５６】
本発明において処理を施される被処理体は、上記実施形態にて説明に使用した（半導体）ウェハに限られず、例えば、フラットパネルディスプレイ(FPD:Flat Panel Display)用の大型基板、ＥＬ素子又は太陽電池用の基板であってもよい。
【符号の説明】
【００５７】
１０：処理装置、１２５：位置合わせ機構、ＥＣ：装置コンピュータ、ＭＣ：マシンコンピュータ、Ｆ１〜Ｆ４：フープ、ＬＰ１〜ＬＰ４：ロードポート、ＬＭ：ロードモジュール、ＰＭ１〜ＰＭ４：プロセスモジュール、ＳＴ：ストレージ、ＴＣ：トランスファーチャンバ、ＬＬＭ：ロードロックモジュール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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