(57)【要約】      （修正有）【課題】機能部の電気的な保護が可能な弾性波デバイス及び弾性波デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】圧電基板１０と、圧電基板１０の上面に設けられたＩＤＴ２４と、圧電基板１０の上面に設けられ、ＩＤＴ２４と電気的に接続された信号配線１６ａと、圧電基板１０の上面に設けられ、信号配線１６ａと接触し、ＩＤＴ２４を完全に囲む金属壁１２と、ＩＤＴ２４の上に密閉された空隙２１が形成されるようにＩＤＴ２４の上に設けられ、金属壁１２と電気的に接続され、金属壁１２に支持され、金属により形成された天井１４と、天井１４の上に設けられ、ＩＤＴ２４を覆うカバー部２０と、を具備する弾性波デバイス、及び弾性波デバイスの製造方法である。【選択図】図５
2014158100.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上面に設けられ、弾性波を励振する機能部と、
前記基板の上面に設けられ、前記機能部と電気的に接続された信号配線と、
前記基板の上面に設けられ、前記信号配線と接触し、１又は複数の前記機能部を完全に囲む金属壁と、
前記機能部の上に密閉された空隙が形成されるように前記機能部の上に設けられ、前記金属壁と電気的に接続され、前記金属壁に支持され、金属により形成された天井と、
前記天井の上に設けられ、前記機能部を覆うカバー部と、を具備することを特徴とする弾性波デバイス。
【請求項２】
前記機能部の一端に接続された第１配線と、
前記機能部の他端に接続された第２配線と、
前記第２配線の上に設けられた絶縁層と、を具備し、
前記金属壁は前記第１配線と接触し、前記第２配線と接触しないように前記絶縁層の上に設けられていることを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記カバー部の上に設けられ、前記天井と電気的に接続された端子を具備することを特徴とする請求項１又は２記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記カバー部は液晶ポリマーにより形成されていることを特徴とする請求項１から３いずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
複数の前記機能部はラダー型に接続されていることを特徴とする請求項１から４いずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項６】
前記基板は圧電基板であり、前記機能部はＩＤＴであることを特徴とする請求項１から５いずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項７】
基板の上面に機能部を設ける工程と、
前記基板の上面に、前記機能部と電気的に接続される信号配線を設ける工程と、
前記基板の上面に、前記信号配線と接触し、かつ１又は複数の前記機能部を完全に囲む金属壁を設ける工程と、
前記機能部の上に、前記金属壁と電気的に接続され、前記金属壁に支持され、かつ前記機能部の上に密閉された空隙が形成されるように、金属の天井を設ける工程と、
前記天井の上に前記機能部を覆うカバー部を設ける工程と、を有することを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記金属壁を設ける工程は、開口部を有する第１金属壁を設ける工程と、前記開口部を塞ぐ第２金属壁を設ける工程と、を含み、
前記第１金属壁を設ける工程の前に行われ、前記基板及び前記機能部の上に、前記基板の前記第１金属壁の設けられるべき領域が露出するようにフォトレジストを設ける工程と、
前記第１金属壁を設ける工程の後に行われ、前記機能部の上から前記フォトレジストを除去する工程と、を有し、
前記フォトレジストを除去する工程の後に、前記第２金属壁を設ける工程が行われることを特徴とする請求項７記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記天井を設ける工程は、第１天井を設ける工程と、前記第１天井の上に第２天井を設ける工程とを含み、
前記第１金属壁を設ける工程と前記第１天井を設ける工程とは同時に行われ、
前記第２金属壁を設ける工程と前記第２天井を設ける工程とは同時に行われることを特徴とする請求項８記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記金属壁及び前記天井は、メッキ法により形成されることを特徴とする請求項７から９いずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は弾性波デバイス及び弾性波デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話などの通信機器に搭載されるフィルタ及びデュプレクサとして弾性波デバイスが用いられる。弾性波デバイスには、弾性表面波（Surface Acoustic Wave：ＳＡＷ）デバイス、及び圧電薄膜共振子（Film Bulk Acoustic Resonator：ＦＢＡＲ）などがある。ＳＡＷデバイスにおいて弾性波を励振する機能部は、例えば弾性表面波デバイスではＩＤＴ（Inter Digital Transducer）の電極指が開口長を形成するように交差する領域である。ＦＢＡＲでは圧電薄膜と、圧電薄膜を挟みこむ電極とが厚さ方向に重なる領域である。所望の周波数特性を得るためには、機能部を保護することが重要である。特許文献１には、金属の壁、天井の上に液晶ポリマーを設けることで弾性波素子を保護する技術が記載されている。特許文献２にはＩＤＴをカバー体により保護する技術が記載されている。特許文献３には、ＩＤＴの上に金属のキャップを被せる技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−１９９８３３号公報
【特許文献２】特開２００９−２４７０１２号公報
【特許文献３】特開２０１０−１４７５９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のような保護により、機能部への水分及び異物などの付着を抑制する。しかしながら従来の技術では、機能部を電気的に保護することは困難であった。このため、例えば外部のノイズにより周波数特性の悪化が生じることがある。本発明は上記課題に鑑み、機能部の電気的な保護が可能な弾性波デバイス及び弾性波デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、基板と、前記基板の上面に設けられ、弾性波を励振する機能部と、前記基板の上面に設けられ、前記機能部と電気的に接続された信号配線と、前記基板の上面に設けられ、前記信号配線と接触し、１又は複数の前記機能部を完全に囲む金属壁と、前記機能部の上に密閉された空隙が形成されるように前記機能部の上に設けられ、前記金属壁と電気的に接続され、前記金属壁に支持され、金属により形成された天井と、前記天井の上に設けられ、前記機能部を覆うカバー部と、を具備する弾性波デバイスである。
【０００６】
上記構成において、前記機能部の一端に接続された第１配線と、前記機能部の他端に接続された第２配線と、前記第２配線の上に設けられた絶縁層と、を具備し、前記金属壁は前記第１配線と接触し、前記第２配線と接触しないように前記絶縁層の上に設けられている構成とすることができる。
【０００７】
上記構成において、前記カバー部の上に設けられ、前記天井と電気的に接続された端子を具備する構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記カバー部は液晶ポリマーにより形成されている構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、複数の前記機能部はラダー型に接続されている構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記基板は圧電基板であり、前記機能部はＩＤＴである構成とすることができる。
【００１１】
本発明は、基板の上面に機能部を設ける工程と、前記基板の上面に、前記機能部と電気的に接続される信号配線を設ける工程と、前記基板の上面に、前記信号配線と接触し、かつ１又は複数の前記機能部を完全に囲む金属壁を設ける工程と、前記機能部の上に、前記金属壁と電気的に接続され、前記金属壁に支持され、かつ前記機能部の上に密閉された空隙が形成されるように、金属の天井を設ける工程と、前記天井の上に前記機能部を覆うカバー部を設ける工程と、を有する弾性波デバイスの製造方法である。
【００１２】
上記構成において、前記金属壁を設ける工程は、開口部を有する第１金属壁を設ける工程と、前記開口部を塞ぐ第２金属壁を設ける工程と、を含み、前記第１金属壁を設ける工程の前に行われ、前記基板及び前記機能部の上に、前記基板の前記第１金属壁の設けられるべき領域が露出するようにフォトレジストを設ける工程と、前記第１金属壁を設ける工程の後に行われ、前記機能部の上から前記フォトレジストを除去する工程と、を有し、前記フォトレジストを除去する工程の後に、前記第２金属壁を設ける工程が行われる構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記天井を設ける工程は、第１天井を設ける工程と、前記第１天井の上に第２天井を設ける工程とを含み、前記第１金属壁を設ける工程と前記第１天井を設ける工程とは同時に行われ、前記第２金属壁を設ける工程と前記第２天井を設ける工程とは同時に行われる構成とすることができる。
【００１４】
上記構成において、前記金属壁及び前記天井は、メッキ法により形成される構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、機能部の電気的な保護が可能な弾性波デバイス及び弾性波デバイスの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は実施例１に係る弾性波デバイスを例示する回路図である。
【図２】図２は実施例１に係る弾性波デバイスを例示する平面図である。
【図３】図３は実施例１に係る弾性波デバイスを例示する平面図である。
【図４】図４は実施例１に係る弾性波デバイスを例示する平面図である。
【図５】図５（ａ）から図５（ｃ）は弾性波デバイスを例示する断面図である。
【図６】図６（ａ）は弾性波デバイスの製造方法を例示する平面図である。図６（ｂ）は図６（ａ）の線Ａ−Ａに沿った断面図である。図６（ｃ）は図６（ａ）の線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。
【図７】図７（ａ）は弾性波デバイスの製造方法を例示する平面図である。図７（ｂ）は図７（ａ）の線Ａ−Ａに沿った断面図である。図７（ｃ）は図７（ａ）の線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。
【図８】図８（ａ）は弾性波デバイスの製造方法を例示する平面図である。図８（ｂ）は図８（ａ）の線Ａ−Ａに沿った断面図である。図８（ｃ）は図８（ａ）の線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。
【図９】図９（ａ）は弾性波デバイスの製造方法を例示する平面図である。図９（ｂ）は図９（ａ）の線Ａ−Ａに沿った断面図である。図９（ｃ）は図９（ａ）の線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。
【図１０】図１０（ａ）は弾性波デバイスの製造方法を例示する平面図である。図１０（ｂ）は図１０（ａ）の線Ａ−Ａに沿った断面図である。図１０（ｃ）は図１０（ａ）の線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。
【図１１】図１１（ａ）は弾性波デバイスの製造方法を例示する平面図である。図１１（ｂ）は図１１（ａ）の線Ａ−Ａに沿った断面図である。図１１（ｃ）は図１１（ａ）の線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。
【図１２】図１２（ａ）は弾性波デバイスの製造方法を例示する平面図である。図１２（ｂ）は図１２（ａ）の線Ａ−Ａに沿った断面図である。図１２（ｃ）は図１２（ａ）の線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。
【図１３】図１３（ａ）は弾性波デバイスの製造方法を例示する平面図である。図１３（ｂ）は図１３（ａ）の線Ａ−Ａに沿った断面図である。図１３（ｃ）は図１３（ａ）の線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。
【図１４】図１４（ａ）は弾性波デバイスの製造方法を例示する平面図である。図１４（ｂ）は図１４（ａ）の線Ａ−Ａに沿った断面図である。図１４（ｃ）は図１４（ａ）の線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。
【図１５】図１５は弾性波デバイスの製造方法を例示する平面図である。
【図１６】図１６（ａ）は図１５の線Ａ−Ａに沿った断面図である。図１６（ｂ）は図１５の線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。
【図１７】図１７（ａ）は弾性波デバイスの製造方法を例示する平面図である。図１７（ｂ）は図１７（ａ）の線Ａ−Ａに沿った断面図である。
【図１８】図１８（ａ）は弾性波デバイスの製造方法を例示する平面図である。図１８（ｂ）は図１８（ａ）の線Ａ−Ａに沿った断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図面を用いて、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１８】
実施例１は金属壁が機能部を完全に囲む例である。図１は実施例１に係る弾性波デバイス１００を例示する回路図である。図１に示すように、弾性波デバイス１００は直列共振子Ｓ１〜Ｓ３、並列共振子Ｐ１及びＰ２を含むラダー型フィルタである。入力端子Ｉｎと出力端子Ｏｕｔとの間に直列共振子Ｓ１〜Ｓ３が直列接続されている。直列共振子Ｓ１及びＳ２間に並列共振子Ｐ１の一端が接続されている。直列共振子Ｓ３と出力端子Ｏｕｔとの間に並列共振子Ｐ２の一端が接続されている。並列共振子Ｐ１及びＰ２それぞれの他端は共通して接地されている。入力端子Ｉｎから入力されたＲＦ（Radio Frequency）信号はラダー型フィルタによりフィルタリングされ、出力端子Ｏｕｔから出力される。共振子Ｓ１〜Ｓ３、Ｐ１及びＰ２をＳＡＷ共振子とした例について説明する。
【００１９】
図２から図４は実施例１に係る弾性波デバイス１００を例示する平面図である。図３はカバー部２０を透視した図であり、図４はカバー部２０及び天井１４を透視した図である。図５（ａ）から図５（ｃ）は弾性波デバイス１００を例示する断面図である。図５（ａ）は線Ａ−Ａ、図５（ｂ）は線Ｂ−Ｂ，図５（ｃ）は線Ｃ−Ｃに沿った断面を図示している。
【００２０】
図２から図５（ｃ）に示すように、弾性波デバイス１００は、圧電基板１０、共振子Ｓ１〜Ｓ３及びＰ１並びにＰ２、金属壁１２、天井１４、接地配線１５、信号配線１６、絶縁層１８、カバー部２０、及び半田ボール２２を含む。詳細な説明は後述する。
【００２１】
図４に示すように、各共振子は、圧電基板１０の上面に設けられたＩＤＴ２４及び反射器２６を含む。ＩＤＴ２４は弾性波の一種であるＳＡＷ（以下、単に弾性波とも記載する）を励振し、機能部となっている。反射器２６は弾性波の伝播方向に沿ってＩＤＴ２４の両側に設けられ、弾性波をＩＤＴ２４に向けて反射する。共振子Ｓ１〜Ｓ２間、Ｓ１〜Ｐ１間、Ｓ２〜Ｓ３間、及びＳ３〜Ｐ２間においてＩＤＴ２４同士は信号配線１６により接続されている。共振子Ｐ１〜Ｐ２間においてＩＤＴ２４同士が接地配線１５により接続されている。
【００２２】
図４及び図５（ａ）に示すように、複数の信号配線１６のうち、直列共振子Ｓ１のＩＤＴ２４の一端に接続されたものを信号配線１６ａ、他端に接続されたものを信号配線１６ｂとする。信号配線１６ａは先端に幅広のパッド部１６ｃを有する。共振子Ｓ１〜Ｓ２間及びＳ１〜Ｐ１間は、信号配線１６ｂにより電気的に接続されている。
【００２３】
図３及び４に示すように、圧電基板１０の上面には、ＩＤＴ２４及び反射器２６を完全に囲む金属壁１２が設けられている。完全に囲むとは、図４の上下左右方向からＩＤＴ２４及び反射器２６を３６０°囲むことである。図３に示すように、共振子Ｓ１、Ｓ３及びＰ２のそれぞれは、１つの金属壁１２に囲まれ、１つの天井１４の下に位置する。共振子Ｓ２及びＰ２は、１つの金属壁１２に囲まれ、１つの天井１４に下に位置する。天井１４は金属壁１２の上に設けられており、金属壁１２と天井１４とにより、機能部を完全に密閉している。図５（ａ）から図５（ｃ）に示すように、ＩＤＴ２４及び反射器２６と天井１４との間の密閉された空間には空隙２１が形成されている。このため弾性波の励振は妨げられない。
【００２４】
各共振子において、金属壁１２はＩＤＴ２４の一端に接続された配線と接触し、かつＩＤＴ２４の他端に接続された配線とは絶縁される。このため、金属壁１２及び天井１４を介した配線間のショートが防止される。直列共振子Ｓ１を例に説明する。複数の金属壁１２のうち直列共振子Ｓ１に設けられたものを金属壁１２ａ、複数の天井１４のうち直列共振子Ｓ１に設けられたものを天井１４ａとする。図４及び図５（ｂ）に示すように、金属壁１２ａは、信号配線１６ａのパッド部１６ｃと接触する。このため、直列共振子Ｓ１において、ＩＤＴ２４、信号配線１６ａ、金属壁１２ａ、及び天井１４ａは同電位となる。絶縁層１８が信号配線１６ｂの上に設けられ、金属壁１２ａは絶縁層１８の上に設けられている。つまり金属壁１２ａ及び天井１４ａは信号配線１６ｂと接触せず、絶縁される。また、並列共振子Ｐ２に対応する金属壁１２は接地配線１５と接触する。このため並列共振子Ｐ２に対応する金属壁１２及び天井１４は接地電位を有する。直列共振子Ｓ２、並列共振子Ｐ１及び直列共振子Ｓ３に対応する金属壁１２は、それぞれ信号配線１６と接触し、これらと同電位となる。
【００２５】
図２、及び図５（ａ）から図５（ｃ）に示すように、圧電基板１０及び天井１４の上にカバー部２０が設けられている。カバー部２０は、圧電基板１０の上面、金属壁１２の側面及び天井１４の上面に接し、ＩＤＴ２４及び反射器２６を覆う。カバー部２０を貫通する３つの半田ボール２２が設けられている。３つの半田ボール２２のうち、直列共振子Ｓ１上の天井１４ａと電気的に接続されるものは入力端子Ｉｎ、直列共振子Ｓ３上の天井１４と電気的に接続されるものは出力端子Ｏｕｔ、並列共振子Ｐ２上の天井１４と電気的に接続されるものは接地端子ＧＮＤとして機能する。
【００２６】
圧電基板１０は例えばタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）又はニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）などの圧電体により形成されている。接地配線１５、信号配線１６、ＩＤＴ２４、及び反射器２６は例えばアルミニウム（Ａｌ）などの金属により形成されている。金属壁１２及び天井１４は例えば銅（Ｃｕ）などの金属により形成されている。カバー部２０は例えば液晶ポリマー（Liquid Crystal Polymer：ＬＣＰ）、ポリイミド、又はエポキシ樹脂などの絶縁体により形成されている。液晶ポリマーとして例えばクラレ株式会社の製品「ベクスター」、又はジャパンゴアテックス株式会社の製品「ＢＩＡＣ」などを用いることができる。半田ボール２２は例えば錫銀（Ｓｎ−Ａｇ）などを主成分とする半田により形成されている。絶縁層１８は例えば酸化シリコン（ＳｉＯ２）又は窒化シリコン（ＳｉＮ）などの絶縁体により形成されている。
【００２７】
図３及び図４に示したように、共振子Ｓ１〜Ｓ３及びＰ２において、信号配線１６と同電位の金属壁１２がＩＤＴ２４及び反射器２６を完全に囲み、かつ天井１４がＩＤＴ２４及び反射器２６を覆う。金属壁１２及び天井１４によりＩＤＴ２４及び反射器２６はノイズから電気的に保護されるため、弾性波デバイス１００の周波数特性の劣化が抑制される。また金属壁１２がＩＤＴ２４を完全に囲むため、後述する製造工程において溶融したカバー部２０が金属壁の内側に流れ込むことがなくなる。従ってＩＤＴ２４とカバー部２０との接触が抑制され、弾性波デバイス１００の信頼性が高くなる。また、隣り合う共振子を含め各共振子が金属により完全に覆われるため、共振子がハーメチックシールに近い構造となり、耐湿性が向上する。４つの金属壁１２のうち３つは信号配線１６と接続し、並列共振子Ｐ２に対応する１つの金属壁１２のみが接地配線１５と接続する。このため、並列共振子Ｐ２以外の共振子では金属壁１２、天井１４及びＩＤＴ２４が同電位となり、ＩＤＴ２４と接地電位との間に寄生容量が実質的に付かない。寄生容量が実質的になくなるため、各共振子において金属壁１２及び天井１４が接地電位を有する場合と比べ、接地配線１５を通じて接地端子ＧＮＤに流れ込む信号が小さくなり、信号の損失が抑制される。
【００２８】
天井１４上に端子（入力端子Ｉｎ、出力端子Ｏｕｔ及び接地端子ＧＮＤ）を形成するため、弾性波デバイス１００の小型化が可能である。端子として機能する複数の半田ボール２２を、互いに接触しない程度に大きくすることができる。端子を大きくすることで、電気的な接続を安定して行うことができる。パッド部１６ｃに金属壁１２ａが接触する。入力端子Ｉｎから入力された信号は、天井１４ａ、金属壁１２ａ及びパッド部１６ｃを介して、直列共振子Ｓ１に入力される。幅の広いパッド部１６ｃは小さな電気抵抗を有するため、信号の損失が小さくなる。共振子Ｓ２及びＰ１を１つの金属壁１２及び１つの天井１４により囲むため、弾性波デバイス１００の小型化が可能となる。このように同電位の金属壁１２及び天井１４は１つにまとめることができる。なお、共振子Ｓ２及びＰ１を互いに別の金属壁１２及び天井１４で囲んでもよい。
【００２９】
次に弾性波デバイス１００の製造方法を説明する。図６（ａ）は弾性波デバイス１００の製造方法を例示する平面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）の線Ａ−Ａ、図６（ｃ）は図６（ａ）の線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。図７（ａ）から図１４（ｃ）は、図６（ａ）から図６（ｃ）と同様に弾性波デバイス１００の製造方法を例示する。図１５は弾性波デバイス１００の製造方法を例示する平面図であり、図１６（ａ）は図１５の線Ａ−Ａ、図１６（ｂ）は図１５の線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。図１７（ａ）及び図１８（ａ）は弾性波デバイス１００の製造方法を例示する平面図である。図１７（ｂ）は図１７（ａ）の線Ｂ−Ｂに沿った断面図であり、図１８（ｂ）は図１８（ａ）の線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。
【００３０】
図６（ａ）から図６（ｃ）に示すように、例えば蒸着法又はスパッタリング法などにより、圧電基板１０に接地配線１５、信号配線１６、ＩＤＴ２４、及び反射器２６を設ける。図６（ａ）及び図６（ｃ）に示すように、接地配線１５及び信号配線１６の一部と重なるように絶縁層１８を設ける。図７（ａ）から図７（ｃ）に示すように、圧電基板１０の上にフォトレジスト３０を設ける。フォトレジスト３０には開口部３０ａが形成されており、圧電基板１０の一部及び絶縁層１８の一部が開口部３０ａから露出する。
【００３１】
図８（ａ）から図８（ｃ）に示すように、例えば蒸着法などにより、フォトレジスト３０上、及び開口部３０ａから露出する圧電基板１０並びに絶縁層１８の上に、シードメタル３２を設ける。シードメタル３２は図８（ａ）において格子斜線で示した。シードメタル３２は例えばＣｕなどの金属により形成されている。図９（ａ）から図９（ｃ）に示すように、フォトレジスト３０の上にさらにフォトレジスト３４を設ける。フォトレジスト３４には開口部３４ａが形成されている。開口部３４ａからは、シードメタル３２の共振子Ｓ１〜Ｐ２と重なる領域が露出する（図９（ａ）の格子斜線参照）。
【００３２】
図１０（ａ）から図１０（ｃ）に示すように、電解メッキ法により、開口部３４ａに金属壁１２ｂ（第１金属壁）及び天井１４ｂ（第１天井）を形成する。シードメタル３２は給電線として機能する。金属壁１２ｂはＩＤＴ２４及び反射器２６を完全に囲んではおらず、図１０（ａ）及び図１０（ｃ）に示す開口部１３を有している。フォトレジスト３０は、開口部１３を通じて、金属壁１２ｂの外側及び内側に位置する。シードメタル３２のうち金属壁１２ｂ及び天井１４ｂと接する部分は、金属壁１２ｂ及び天井１４ｂと一体となるため、図１１（ａ）以降ではシードメタル３２を図示しない。
【００３３】
図１１（ａ）から図１１（ｃ）に示すように、例えばレジスト剥離液を用いた超音波洗浄などにより、フォトレジスト３０及び３４、並びにシードメタル３２を除去する。レジスト剥離液は開口部１３を通じて天井１４ｂ下のフォトレジスト３０にも到達するため、ＩＤＴ２４及び反射器２６上のフォトレジスト３０も除去される。図１１（ｂ）及び図１１（ｃ）に示すように、フォトレジスト３０の除去により、空隙２１が形成される。図１２（ａ）から図１２（ｃ）に示すように、圧電基板１０、接地配線１５及び信号配線１６の上にフォトレジスト３６を設ける。フォトレジスト３６と金属壁１２ｂとの間には開口部３６ａが形成されている。開口部３６ａからは、圧電基板１０、接地配線１５、信号配線１６、及び絶縁層１８の一部が露出する。
【００３４】
図１３（ａ）から図１３（ｃ）に示すように、金属壁１２ｂ及び天井１４ｂの表面、並びに開口部３６ａにシードメタル３８を設ける。シードメタル３８を給電線に用いた電解メッキ法により、金属壁１２ｃ（第２金属壁）及び天井１４ｃ（第２天井）を設ける。金属壁１２ｃは開口部３６ａに設けられ、開口部１３を塞ぐ。このように、金属壁１２ｃは金属壁１２ｂと共に、ＩＤＴ２４及び反射器２６を完全に囲む金属壁１２を形成する。天井１４ｃは天井１４ｂの上に設けられ、天井１４ｂと共に天井１４を形成する。なおシードメタル３８は金属壁１２及び天井１４と一体になる。図１４（ａ）から図１４（ｃ）に示すように、フォトレジスト３６を除去する。
【００３５】
図１５、図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示すように、例えば液晶ポリマーシートを加熱及び加圧することで、カバー部２０を形成する。加熱により液晶ポリマーシートは溶融するが、金属壁１２がＩＤＴ２４及び反射器２６を完全に囲むため、金属壁１２の内側への流入は抑制される。図１７（ａ）及び図１７（ｂ）に示すように、例えばレーザードリリングなどにより、カバー部２０に天井１４ａまで到達する開口部２０ａを形成する。図１８（ａ）及び図１８（ｂ）に示すように、例えば半田ペーストの印刷及びリフロー処理などにより、開口部２０ａに半田ボール２２を設ける。半田ボール２２形成後、ダイシング処理により圧電基板１０及びカバー部２０を切断することで、個片化した弾性波デバイス１００が形成される。
【００３６】
図１０（ａ）から図１０（ｃ）及び図１３（ａ）から図１３（ｃ）に示すように、金属壁１２及び天井１４を二度の工程により形成する。図１０（ａ）から図１０（ｃ）の工程の後、フォトレジスト３０をＩＤＴ２４及び反射器２６の上から除去することで空隙２１を形成することができる。図１３（ａ）から図１３（ｃ）の工程により、ＩＤＴ２４及び反射器２６を完全に囲む金属壁１２を設けることができる。また、金属壁１２ａ及び天井１４ａを一度のメッキ処理により形成し、かつ金属壁１２ｂ及び天井１４ｂを一度のメッキ処理により形成することで、製造工程の簡略化が可能である。
【００３７】
ラダー型フィルタにおける共振子の数は変更してもよい。また、ＤＭＳ（Double Mode SAW filter：ダブルモードＳＡＷフィルタ）などラダー型フィルタ以外の弾性波デバイスの各共振子に実施例１を適用してもよい。弾性波デバイス１００はＳＡＷデバイス以外に、弾性境界波デバイス及びラブ波デバイスなどのように、ＩＤＴを用いる弾性波デバイスに適用してもよい。機能部であるＩＤＴが金属壁１２により完全に囲まれていればよい。また共振子を圧電薄膜共振子（Film Bulk Acoustic Resonator：ＦＢＡＲ）としてもよい。ＦＢＡＲにおいては、圧電薄膜と、圧電薄膜を挟む上部電極及び下部電極とが重なる共振領域が弾性波を励振する機能部である。共振領域が金属壁１２により完全に囲まれていればよい。
【００３８】
複数の金属壁１２のうち、１つが信号配線１６と接続し、他の金属壁１２は接地配線１５と接触してもよい。つまり少なくとも１つの金属壁１２が信号配線１６と接触すればよい。ただし、上記のように接地端子ＧＮＤに付く寄生容量を低減することが好ましい。寄生容量を低減するためには、１つの金属壁１２が接地配線１５と接触し、他の金属壁１２が信号配線１６と接触すればよい。また図３に示すように、金属壁１２は１つ又は複数の共振子を囲めばよい。
【００３９】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において変更可能である。圧電基板１０、金属壁１２、天井１４、接地配線１５、信号配線１６、カバー部２０、ＩＤＴ２４及び反射器２６の材料は変更可能である。上述のように、共振子の配置及び数などは変更可能である。
【符号の説明】
【００４０】
１０                                            圧電基板
１２、１２ａ、１２ｂ、１２ｃ                    金属壁
１３、２０ａ、３０ａ、３６ａ                    開口部
１４、１４ａ、１４ｂ、１４ｃ                    天井
１５                                            接地配線
１６、１６ａ、１６ｂ                            信号配線
１８                                            絶縁層
２０                                            カバー部
２１                                            空隙
２２                                            半田ボール
２４                                            ＩＤＴ
２６                                            反射器
３０、３４、３６                                フォトレジスト
１００                                          弾性波デバイス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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