(57)【要約】【課題】変換効率の悪化を抑制し、かつ歩留まりが高い構造を有する太陽電池を提供する。【解決手段】太陽電池は、金属基材と絶縁層を有する可撓性金属基板と、可撓性金属基板の絶縁層上に所定の間隔に設けられた複数の第１の溝で互いに分離された裏面電極と、第１の溝を埋め、かつ裏面電極上に形成された光電変換層と、光電変換層上に形成されたバッファ層と、第１の溝とは異なる位置に所定の間隔で複数形成された、バッファ層から裏面電極に達する第２の溝と、バッファ層上に形成された透明電極と、第１の溝および第２の溝とは異なる位置に形成された透明電極から裏面電極に達する第３の溝とを有することにより、可撓性金属基板上に直列接続された複数の光電変換セルが形成されている。第１の溝、第２の溝および第３の溝は互いに略平行に形成されており、第１の溝と直交する方向で裏面電極および透明電極が除去されている。【選択図】図１
2014229736.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基材と絶縁層を有する可撓性金属基板と、前記可撓性金属基板の前記絶縁層上に所定の間隔に設けられた複数の第１の溝で互いに分離された複数の裏面電極と、前記第１の溝を埋め、かつ前記裏面電極上に形成された光電変換層と、前記光電変換層上に形成されたバッファ層と、前記第１の溝とは異なる位置に所定の間隔で複数形成された、前記バッファ層から前記裏面電極に達する第２の溝と、前記バッファ層上に形成された透明電極と、前記第１の溝および前記第２の溝とは異なる位置に形成された前記透明電極から前記裏面電極に達する第３の溝とを有することにより、前記可撓性金属基板上に直列接続された複数の光電変換セルが形成された太陽電池であって、前記第１の溝、前記第２の溝および前記第３の溝は互いに略平行に形成されており、
前記第１の溝と直交する方向で、前記裏面電極および前記透明電極が除去されていることを特徴とする太陽電池。
【請求項２】
前記第１の溝が伸びる方向において、少なくとも２箇所で、前記裏面電極および前記透明電極が除去されている請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
前記裏面電極および前記透明電極を除去する幅は、前記第１の溝の幅よりも広い請求項１または２に記載の太陽電池。
【請求項４】
前記可撓性金属基板の前記絶縁層上にアルカリ金属を含む層が形成されており、前記裏面電極はアルカリ金属を含む層上に形成されている請求項１〜３のいずれか１項に記載の太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、可撓性を有する基板上に複数の光電変換セルが直列接続された太陽電池に関し、特に、複数の光電変換セルの接続方向に略平行な方向に、光電変換セルの電極が除去された太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、カルコパイライト構造のＣｕＩｎＳｅ２、またはＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２を光電変換層に用いた太陽電池が盛んに研究されている。
カルコパイライト構造の光電変換層を用いた太陽電池の構造としては、基板上に複数の光電変換セルを直列接続した集積構造が一般的である。例えば、特許文献１、２に集積接続された複数の光電変換セルを含む集積型太陽電池が開示されている。
【０００３】
また、特許文献１には、カルコパイライト構造の集積型太陽電池の製造方法が開示されている。特許文献１では、ガラスなどの絶縁性基板上に第１の電極膜をスパッタリング法により形成した後、レーザビームを照射することによって第１の電極膜をストライプ状に除去して短冊状の第１の電極を形成する。次に、Ｐ型薄膜半導体を形成し、半導体膜を短冊状に分割する。その後、第２の電極膜として透明電極膜を形成する。この第２の電極膜を短冊状に分割する。特許文献１の図１（ｅ）に示すように、集積型太陽電池では各光電変換セルの第２の電極膜が隣接する光電変換セルの第１の電極膜と接続することによって各光電変換セルが直列接続されている。このような集積型太陽電池ではＳＵＳ基材のような可撓性基板を用いることによって、ガラス基板を用いた太陽電池と比較して切断長さを変えることによって必要な発電量に応じた太陽電池モジュールを製作できる利点がある。特許文献１では、その図２に示すように、その長手方向の切断は、短冊状のライン内を基材ごとカッター等によって切断する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−３０３９８１号公報
【特許文献２】特開２００９−４６８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１では、基板に可撓性を有するステンレスの薄板を用いることが開示され、絶縁膜にＳｉＯ２膜、Ａｌ２Ｏ３膜、ＴｉＯ２膜などを用いることが開示されている。このため、上述の長手方向の切断の際に生じる第１の電極膜のバリまたは切断応力による絶縁層破壊（クラック）によって、第１の電極膜とステンレスの基板が短絡してしまうことがあり、発電効率を悪化させていた。また、短絡の発生により、歩留まりが悪化するという問題点もある。
【０００６】
本発明の目的は、前記従来技術に基づく問題点を解消し、変換効率の悪化を抑制し、かつ歩留まりが高い構造を有する太陽電池を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明は、金属基材と絶縁層を有する可撓性金属基板と、可撓性金属基板の絶縁層上に所定の間隔に設けられた複数の第１の溝で互いに分離された複数の裏面電極と、第１の溝を埋め、かつ裏面電極上に形成された光電変換層と、光電変換層上に形成されたバッファ層と、第１の溝とは異なる位置に所定の間隔で複数形成された、バッファ層から裏面電極に達する第２の溝と、バッファ層上に形成された透明電極と、第１の溝および第２の溝とは異なる位置に形成された透明電極から裏面電極に達する第３の溝とを有することにより、可撓性金属基板上に直列接続された複数の光電変換セルが形成された太陽電池であって、第１の溝、第２の溝および第３の溝は互いに略平行に形成されており、第１の溝と直交する方向で、裏面電極および透明電極が除去されていることを特徴とする太陽電池を提供するものである。
【０００８】
第１の溝が伸びる方向において、少なくとも２箇所で、裏面電極および透明電極が除去されていることが好ましい。
裏面電極および透明電極を除去する幅は、第１の溝の幅よりも広いことが好ましい。
可撓性金属基板の絶縁層上にアルカリ金属を含む層が形成されており、裏面電極はアルカリ金属を含む層上に形成されていることが好ましい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、変換効率の悪化を抑制することができ、かつ歩留まりが高い。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態の太陽電池を示す模式的斜視図である。
【図２】本発明の実施形態の太陽電池を示す平面図である。
【図３】（ａ）〜（ｈ）は、図１に示す太陽電池の光電変換セルの製造方法を工程順に示す模式的断面図である。
【図４】図３（ｈ）の模式的斜視図である。
【図５】本発明の実施形態の他の太陽電池を示す模式的側断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の太陽電池を詳細に説明する。
図１は本発明の実施形態の太陽電池を示す模式的斜視図であり、図２は本発明の実施形態の太陽電池を示す平面図である。
【００１２】
図１に示す太陽電池１０は、可撓性金属基板１２（以下、単に基板１２という）上に光電変換素子である光電変換セル２０が複数直列に接続されている。
太陽電池１０は、基板１２上に形成されたアルカリ供給層１４の表面１４ａに、例えば、裏面電極３０、光電変換層３２、バッファ層３４、および透明電極３６で構成される光電変換セル２０が、方向Ｗにおいて電気的に直列に接続されている。光電変換セル２０は、方向Ｗと直交する方向Ｈに長く伸びている。
【００１３】
太陽電池１０では、光電変換セル２０に、透明電極３６側から光が入射されると、この光が透明電極３６およびバッファ層３４を通過し、光電変換層３２で起電力が発生し、例えば、透明電極３６から裏面電極３０に向かう電流が発生する。なお、図１では、左側の光電変換セル２０がプラス側であり、右側の光電変換セル２０がマイナス側である。太陽電池１０で発生した電力は、露出された裏面電極３０から太陽電池１０の外部に取り出される。
【００１４】
太陽電池１０の極性は、光電変換セル２０の構成等に応じて適宜変わるものであるため、図１に示す例に限定されるものではない。
図２に示すように太陽電池１０は、基板端面１２ｅで切断されて、１つの太陽電池１０となる。
太陽電池１０においては、基板１２上に形成された第５の溝Ｐ５および第６の溝Ｐ６により、その外縁部１２ｄと電気的に分離された領域Ｄが発電領域である。
領域Ｄの外縁である外縁部１２ｄは、例えば、太陽電池１０を封止する際の接着領域として利用することができる。この場合、外縁部１２ｄの裏面電極３０上に接着剤等が塗布される。また、外縁部１２ｄでは裏面電極３０が除去されていてもよい。
【００１５】
図１に示す裏面電極３０は、例えば、基板１２の方向Ｗに、所定の間隔に複数設けられた第１の溝Ｐ１により、隣り合う裏面電極３０と互いに分離されている。第１の溝Ｐ１は、方向Ｈに沿って形成されたものであり、裏面電極３０はストライプ状に形成される。
光電変換層３２は、第１の溝Ｐ１を埋めつつ裏面電極３０上に形成されている。この光電変換層３２の表面にバッファ層３４が形成されている。バッファ層３４および光電変換層３２を貫き裏面電極３０の表面に達する第２の溝Ｐ２が、方向Ｗにおいて、第１の溝Ｐ１の形成位置とは異なり、かつ第１の溝Ｐ１、第２の溝Ｐ２の順番となる位置に形成されている。第２の溝Ｐ２は第１の溝Ｐ１と略平行に形成されている。バッファ層３４上に、第２の溝Ｐ２を埋めるようにして透明電極３６が形成されている。
【００１６】
透明電極３６、バッファ層３４および光電変換層３２を貫き裏面電極３０の表面に達する第３の溝Ｐ３が、方向Ｗにおいて、第１の溝Ｐ１および第２の溝Ｐ２の形成位置とは異なり、かつ第１の溝Ｐ１、第２の溝Ｐ２、第３の溝Ｐ３の順番となる位置に形成されている。この第３の溝Ｐ３により、複数の光電変換セル２０に素子分離される。第３の溝Ｐ３は第２の溝Ｐ２と略平行に形成されている。このように第１の溝Ｐ１、第２の第１の溝Ｐ２および第３の溝Ｐ３は、互いに略平行に形成されている。
【００１７】
太陽電池１０では、図１中左側の光電変換セル２０の基板１２の外縁部１２ｄ側の裏面電極３０が露出している。また、図１中右側の光電変換セル２０の基板１２の外縁部１２ｄ側の裏面電極３０が露出している。裏面電極３０は、後述する第４の溝Ｐ４を形成することにより露出される。
各光電変換セル２０において、露出した裏面電極３０は、基板１２の外縁部１２ｄの裏面電極３０と第６の溝Ｐ６により分離されている。
また、光電変換セル２０の第１の溝Ｐ１が伸びる方向、すなわち方向Ｈと直交する方向Ｗにおいて、裏面電極３０および透明電極３６が所定の幅で除去されている。この裏面電極３０および透明電極３６の除去は、例えば、基板１２の表面に達する第５の溝Ｐ５を形成することによりなされる。第５の溝Ｐ５および第６の溝Ｐ６により、領域Ｄにある光電変換セル２０は、基板１２の外縁部１２ｄにある裏面電極３０から電気的に分離される。
【００１８】
このように、太陽電池１０では、基板１２の基板端面１２ｅに相当する位置をカットラインとして、例えば、基板１２を方向Ｈにおいて所定の長さに切断した際に、裏面電極３０と透明電極３６とが接触しても、また、裏面電極３０が基板１２のＡｌ基材１２ｂおよび基材１２ａの少なくとも一方と接触しても光電変換セル２０が短絡することがなく、光電変換セル２０に対して何ら悪影響を与えることがない。
このため、太陽電池１０の変換効率の悪化が抑制される。これにより、基板１２の基板端面１２ｅの切断の状態によらず、所定の変換効率を得ることができるため、歩留まりの低下を抑制することができる。
また、太陽電池１０では、第５の溝Ｐ５の幅ｄ５は、第１の溝Ｐ１の幅ｄ１よりも広いことが好ましい。また、第６の溝Ｐ６の幅ｄ６は、第１の溝Ｐ１の幅ｄ１よりも広いことが好ましい。これにより、複数の光電変換セル２０が直列接続されて取出し電圧が高くなっても十分な耐圧を確保することができる。
【００１９】
次に、太陽電池１０の構成について説明する。
まず、基板１２について説明する。
基板１２は、例えば、基材１２ａと、Ａｌ（アルミニウム）基材１２ｂと、絶縁層１２ｃとから構成される金属基板である。
基材１２ａは、アルミニウムまたはアルミニウム合金以外の金属で構成されるものであり、基材１２ａとＡｌ基材１２ｂとは、一体的に形成されている。さらに、絶縁層１２ｃは、Ａｌ基材１２ｂの表面を陽極酸化してなる、Ａｌのポーラス構造の陽極酸化膜である。なお、基材１２ａとＡｌ基材１２ｂとが積層されて一体化されたクラッド基材を金属基材５４という。
基板１２は、例えば、平板状であり、その形状および大きさ等は太陽電池１０の大きさ等に応じて適宜決定される。
【００２０】
基材１２ａとしては、炭素鋼、耐熱鋼、ステンレス鋼、チタンまたはチタン合金が用いられる。ステンレス鋼としては、ＳＵＳ４３０、ＳＵＳ４０５、ＳＵＳ４１０、ＳＵＳ４３６またはＳＵＳ４４４等を用いることができる。
基材１２ａの厚さは、例えば、１０〜８００μｍであり、好ましくは３０〜３００μｍである。より好ましくは５０〜１５０μｍである。基材１２ａの厚さを薄くすることは、原材料コストの面からも望ましく、表面に形成した層のクラック発生曲げ半径も小さくできる。
【００２１】
Ａｌ基材１２ｂには、各種のＡｌおよびＡｌ合金が利用可能である。Ａｌ基材１２ｂの厚さは、特に限定はなく、適宜、選択できるが、太陽電池１０となった状態において、０．１μｍ以上であり、かつ基材１２ａの厚さ以下であるのが好ましい。なお、Ａｌ基材１２ｂの厚さとしては、陽極酸化による絶縁層１２ｃを形成するため１０〜５０μｍ必要とされる。
【００２２】
絶縁層１２ｃの厚さは２μｍ以上が好ましく、５μｍ以上がさらに好ましい。絶縁層１２ｃの厚さが過度に厚い場合、可撓性が低下すること、および絶縁層１２ｃの形成に要するコスト、時間がかかるため好ましくない。現実的には、絶縁層１２ｃの厚さは、最大５０μｍ以下、好ましくは３０μｍ以下である。このため、絶縁層１２ｃの好ましい厚さは、２〜５０μｍである。
また、絶縁層１２ｃの表面４４ａの表面粗さは、例えば、算術平均粗さＲａで１μｍ以下であり、好ましくは、０．５μｍ以下、より好ましくは、０．１μｍ以下である。
基板１２は、基材１２ａ、Ａｌ基材１２ｂおよび絶縁層１２ｃを可撓性を有するものとすることにより、基板１２全体として可撓性を有し、例えば、ロールツーロール方式による搬送が可能である。
【００２３】
基板１２としては、陽極酸化により金属基板表面上に生成する金属酸化膜が絶縁体である材料を利用することができる。このため、Ａｌ基材１２ｂ以外にも、具体的には、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銅（Ｃｕ）、ニオブ（Ｎｂ）およびタンタル（Ｔａ）等、並びにそれらの合金の基材を用いることができる。このため、Ａｌ基材１２ｂに限定されるものではない。しかし、コストおよび太陽電池１０に要求される特性の観点から、Ａｌ基材１２ｂが最も好ましい。
また、基板１２は、基材１２ａの片面にＡｌ基材１２ｂが形成された構成に限定されるものではなく、基材１２ａの両面にＡｌ基材１２ｂが形成され、さらにそのＡｌ基材１２ｂ上に絶縁層１２ｃが形成された構成であってもよい。
【００２４】
アルカリ供給層１４は、光電変換層３２にアルカリ金属を供給するための層であり、アルカリ金属を含む層で構成される。アルカリ金属、特にＮａが、ＣＩＧＳで構成された光電変換層３２に拡散されると光電変換効率が高くなることが知られている。
アルカリ供給層１４を有することにより、光電変換層３２の形成時に裏面電極３０を通してアルカリ金属が光電変換層３２に拡散し、光電変換層３２の変換効率を向上させることができる。
【００２５】
アルカリ供給層１４は、特に限定されるものではなく、ＮａＯ２、Ｎａ２Ｓ、Ｎａ２Ｓｅ、ＮａＣｌ、ＮａＦ、モリブデン酸ナトリウム塩等、アルカリ金属を含む化合物（アルカリ金属化合物を含む組成物）を主成分とするものを各種利用可能である。特に、ＳｉＯ２を主成分としてＮａＯ２を含む化合物であるのが好ましい。なお、ＳｉＯ２とＮａＯ２の化合物は、耐湿性に乏しく、Ｎａ成分が分離して炭酸塩になり易いので、Ｃａを添加した金属成分はＳｉ−Ｎａ−Ｃａの３成分とした酸化物がより好ましい。アルカリ供給層１４は、例えば、スパッタ法、塗布法等により形成することができる。
なお、光電変換層３２へのアルカリ金属供給源は、アルカリ供給層１４に限定されるものではない。
【００２６】
裏面電極３０は、例えば、Ｍｏ、Ｃｒ、またはＷ、およびこれらを組合わせたものにより構成される。この裏面電極３０は、単層構造でもよいし、２層構造等の積層構造でもよい。裏面電極３０は、Ｍｏで構成することが好ましい。裏面電極３０の膜厚は、２００〜１０００ｎｍ程度が好ましい。
【００２７】
光電変換層３２は、透明電極３６およびバッファ層３４を通過して到達した光を吸収して電流が発生する層である。
光電変換層３２は、高光電変換効率が得られることから、例えば、カルコゲン化合物半導体、カルコパイライト構造の化合物半導体および欠陥スタナイト型構造の化合物半導体が用いられる。光電変換層３２の膜厚は、好ましくは１．０〜３．０μｍであり、１．５〜２．０μｍが特に好ましい。
【００２８】
カルコゲン化合物（Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅを含む化合物）半導体としては、ＩＩ−ＶＩ化合物：ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ等、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ２族化合物：ＣｕＩｎＳｅ２、ＣｕＧａＳｅ２、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２、ＣｕＩｎＳ２、ＣｕＧａＳｅ２、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）２等、Ｉ−ＩＩＩ３−ＶＩ５族化合物：Ｃｕｌｎ３Ｓｅ５、ＣｕＧａ３Ｓｅ５、Ｃｕ（ｌｎ，Ｇａ）３Ｓｅ５等を好ましく挙げることができる。
【００２９】
カルコパイライト型構造および欠陥スタナイト型構造の化合物半導体としては、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ２族化合物：ＣｕＩｎＳｅ２、ＣｕＧａＳｅ２、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２、ＣｕＩｎＳ２、ＣｕＧａＳｅ２、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）２等、Ｉ−ＩＩＩ３−ＶＩ５族化合物：ＣｕＩｎ３Ｓｅ５、ＣｕＧａ３Ｓｅ５、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）３Ｓｅ５等を好ましく挙げることができる。
なお、上記（Ｉｎ，Ｇａ）、（Ｓ，Ｓｅ）は、それぞれ（Ｉｎ１−ｘＧａｘ）、（Ｓ１−ｙＳｅｙ）（ただし、ｘ＝０〜１、ｙ＝０〜１）を示す。
【００３０】
光電変換半導体層の形成方法は、特に制限されるものではない。例えば、Ｃｕ，Ｉｎ，（Ｇａ），Ｓを含むＣＩ（Ｇ）Ｓ系の光電変換層３２の形成方法には、セレン化法および多元蒸着法等の公知の方法を用いることができる。
【００３１】
バッファ層３４は、具体的には、ＣｄＳ、ＺｎＳ，Ｚｎ（Ｓ，Ｏ）および／またはＺｎ（Ｓ，Ｏ，ＯＨ）、ＳｎＳ，Ｓｎ（Ｓ，Ｏ）および／またはＳｎ（Ｓ，Ｏ，ＯＨ）、ＩｎＳ，Ｉｎ（Ｓ，Ｏ）および／またはＩｎ（Ｓ，Ｏ，ＯＨ）等の、Ｃｄ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｉｎからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属元素を含む金属硫化物を含むことが好ましい。バッファ層３４の膜厚は、１０ｎｍ〜２μｍが好ましく、１５〜２００ｎｍがより好ましい。
【００３２】
透明電極３６は、光を光電変換層３２に取り込むと共に、裏面電極３０と対になって、光電変換層３２で生成された電流が流れる電極として機能するものである。透明電極３６は、公知の組成で構成することができるが、ＺｎＯ：Ａｌ等のｎ−ＺｎＯ等で構成することが好ましい。透明電極３６の膜厚は、例えば、５０ｎｍ〜２μｍである。
なお、バッファ層３４と透明電極３６との間には、例えば、窓層を設けてもよい。この窓層は、例えば、厚さ１０ｎｍ程度のＺｎＯ層で構成される。
【００３３】
次に、図１に示す太陽電池１０の製造方法について、図３（ａ）〜（ｈ）および図４に基づいて説明する。図３（ａ）〜（ｈ）は、図１に示す太陽電池１０の製造工程を工程順に示す模式的断面図であり、図４は図３（ｈ）の模式的斜視図である。
【００３４】
まず、図３（ａ）に示すように、基材１２ａ、Ａｌ基材１２ｂおよび絶縁層１２ｃで構成された基板１２を用意する。基板１２は可撓性を有するものであるため、ロールツーロール方式で、基板１２を搬送しつつ、太陽電池１０を製造することができる。
基板１２の表面１３に、アルカリ供給層１４として、例えば、ソーダライムガラス層を塗布法により形成する。
次に、図３（ｂ）に示すように、アルカリ供給層１４の表面１４ａに導電膜１５として、例えば、モリブデン膜をスパッタ法により形成する。
次に、図３（ｃ）に示すように、導電膜１５に、例えば、レーザースクライブによりストライプ状に第１の溝Ｐ１を形成して、互いに分離されたストライプ状の裏面電極３０を形成する。
【００３５】
次に、図３（ｄ）に示すように、第１の溝Ｐ１を埋めつつ裏面電極３０上に光電変換層３２となるＣＩＧＳ膜１６を、例えば、上述のＣＩＧＳ膜のいずれかの形成方法で形成する。
次に、図３（ｅ）に示すように、光電変換層３２上にバッファ層３４となるＣｄＳ膜１７を、例えば、ＣＢＤ法で形成する。
【００３６】
次に、方向Ｗにおいて、第１の溝Ｐ１の形成位置とは異なり、かつ第１の溝Ｐ１、第２の溝Ｐ２の順番となる位置に、ＣｄＳ膜１７からＣＩＧＳ膜１６を経て裏面電極３０の表面に達する第２の溝Ｐ２を、スクライブ方法を用いて第１の溝Ｐ１と略平行に形成し、図３（ｆ）に示すように光電変換層３２およびバッファ層３４を形成する。この場合、スクライブ方法としては、レーザースクライブまたはメカスクライブを用いることができる。
【００３７】
次に、図３（ｇ）に示すように、透明電極３６となる、ＡｌがドープされたＺｎＯ（ＺｎＯ：Ａｌ）膜１８（以下、単にＺｎＯ膜１８という）を、例えば、スパッタ法で第２の溝Ｐ２を埋めつつバッファ層３４上に形成する。
次に、図３（ｈ）、図４に示すように、ＺｎＯ膜１８、バッファ層３４および光電変換層３２を経て裏面電極３０の表面に達する第３の溝Ｐ３を上述のスクライブ法により第１の溝Ｐ１および第２の溝Ｐ２と略平行に形成する。この第３の溝Ｐ３を形成する位置は、方向Ｗにおいて、第１の溝Ｐ１および第２の溝Ｐ２の形成位置とは異なり、かつ第１の溝Ｐ１、第２の溝Ｐ２、第３の溝Ｐ３の順番となる位置である。これにより、透明電極３６が形成されるとともに、基板１０の方向Ｗに直列接続された複数の光電変換セル２０が形成される。
【００３８】
次に、太陽電池１０から電圧を外部に取出すために、左右の光電変換セル２０のそれぞれの基板１２の外縁部１２ｄ側の裏面電極３０を露出させる。このため、第３の溝Ｐ３に略平行な第４の溝Ｐ４を、例えば、上述のスクライブ法により形成する。
そして、露出した裏面電極３０を基板１２の外縁部１２ｄの裏面電極３０と分離するために、透明電極３６から裏面電極３０に達し、かつ第３の溝Ｐ３に略平行な第６の溝Ｐ６を、例えば、レーザースクライブ法により形成する。
【００３９】
次に、方向Ｈにおいて、少なくとも２箇所で、裏面電極３０および透明電極３６を除去するための第５の溝Ｐ５を、例えば、上述のスクライブ法により形成する。この第５の溝Ｐ５は、光電変換セル２０の集積のパターン方向に平行な方向に形成されるものであり、例えば、透明電極３６から基板１２の表面に達するものである。
次に、方向Ｈにおいて、基板１２を、基板端面１２ｅに相当する位置をカットラインとして、例えば、カッターを用いて切断し、１つの太陽電池１０を得る。
第５の溝Ｐ５および第６の溝Ｐ６の形成順は、特に限定されるものではなく、いずれが先であってもよい。
【００４０】
太陽電池１０では、第５の溝Ｐ５および第６の溝Ｐ６により、領域Ｄの光電変換セル２０は電気的に分離されているため、基板端面１２ｅに相当する位置をカットラインとして基板１２を切断した場合、基板端面１２ｅで裏面電極３０が基板１２のＡｌ基材１２ｂおよび基材１２ａの少なくとも一方と接触しても光電変換セル２０に短絡が生じることはない。
なお、基板１２の外縁部１２ｄに、裏面電極３０が残存していてもよい。外縁部１２ｄの裏面電極３０は、例えば、太陽電池１０を封止する際、接着剤等を塗布する場所として利用される。また、基板１２の外縁部１２ｄにある裏面電極３０を、例えば、上述のスクライブ法を用いて除去してもよい。
【００４１】
太陽電池１０では第５の溝Ｐ５により、裏面電極３０および透明電極３６を除去したが、これに限定されるものではない。例えば、図５に示す太陽電池１０ａのように、裏面電極３０と透明電極３６とを、それぞれ別々に除去してもよい。この場合、裏面電極３０を除去するための第５の溝Ｐ５Ａの幅Ａ１、Ａ２は、それぞれ第１の溝Ｐ１の幅ｄ１よりも広いことが好ましい。これにより、短絡等を抑制し、光電変換セル２０を電気的に分離するができる。
また、透明電極３６を除去するための第５の溝Ｐ５Ｂの幅Ｂ１、Ｂ２は、それぞれ第３の溝Ｐ３の幅ｄ３よりも広いことが好ましい。これにより、短絡等を抑制し、光電変換セル２０を電気的に分離するができる。
なお、図５に示す太陽電池１０ａにおいて、図１に示す太陽電池１０と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
【００４２】
本発明は、基本的に以上のように構成されるものである。以上、本発明の太陽電池について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良または変更をしてもよいのはもちろんである。
【符号の説明】
【００４３】
１０、１０ａ  太陽電池
１２  可撓性金属基板（基板）
１２ａ  基材
１２ｂ  Ａｌ基材
１２ｃ  絶縁層
１４  アルカリ供給層
１５  導電膜
１６  ＣＩＧＳ膜
１８  ＺｎＯ（ＺｎＯ：Ａｌ）膜（ＺｎＯ膜）
２０  光電変換セル
３０  裏面電極
３２  光電変換層
３４  バッファ層
３６  透明電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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