(57)【要約】【課題】被処理基板を基板支持部材に確実かつ容易に仮接着し、処理済の被処理基板に損傷や反りを与えることなく被処理基板に対する仮接着を容易に解除する。【解決手段】基板支持部材は、接着性層１９が形成される平坦支持面１７上に、被処理基板を着脱可能に支持する。接着性層１９は、第１接着性領域４１と、第１接着性領域より高い接着力を有する複数の第２接着性領域４３とを少なくとも有する。複数の第２着性領域４３は、平坦支持面１７にそれぞれ離散配置され、第１接着性領域４１は、接着性層１９の外周側縁部１９ａからこの平坦支持面１７の中心位置に向かって連続して配置されている。【選択図】図５
2014096422.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接着性層が形成される平坦支持面に被処理基板を着脱可能に支持する基板支持部材であって、
前記接着性層は、第１接着性領域と、該第１接着性領域より高い接着力を有する複数の第２接着性領域とを少なくとも有し、
前記複数の第２接着性領域は、それぞれ前記平坦支持面上で前記第1接着性領域に囲まれて離散配置され、
前記第１接着性領域は、前記接着性層の外周側縁部の少なくとも一部から該接着性層の中心位置に向かって連続して配置される基板支持部材。
【請求項２】
請求項１記載の基板支持部材であって、
前記第２接着性領域は、前記平坦支持面の外周に沿って配置され、前記平坦支持面の外周上の少なくとも一部が前記第１接着性領域によって分断されている基板支持部材。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の基板支持部材であって、
１つの前記第２接着性領域の面積をＳ、周長をＬとしたときの指標Ｓ／Ｌは、前記接着性層の膜厚の１０倍以下である基板支持部材。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項記載の基板支持部材であって、
前記第１接着性領域と前記複数の第２接着性領域との合計面積に対する前記複数の第２接着性領域の占有面積の比率が３０％以下である基板支持部材。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項記載の基板支持部材であって、
前記第２接着性領域は、前記接着性層の外周側縁部に近いほど、隣接する前記第２接着性領域同士の間隔が広い基板支持部材。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項記載の基板支持部材であって、
１つの前記第２接着性領域は、前記接着性層の外周側縁部に沿う方向の最大サイズが、０．００５ｍｍ以上、１５ｍｍ以下である基板支持部材。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項記載の基板支持部材であって、
前記第１接着性領域と前記第２接着性領域は、前記接着性層上で網点模様を為し、前記第１接着性領域が前記網点模様の網点域を取り囲む周辺域に対応し、前記第２接着性領域が前記網点域に対応する基板支持部材。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項記載の基板支持部材であって、
前記平坦支持面は、円形状である基板支持部材。
【請求項９】
請求項８記載の基板支持部材であって、
前記複数の第２接着性領域は、それぞれ前記平坦支持面の中心位置に対する点対称位置に配置される基板支持部材。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項記載の基板支持部材であって、
前記被処理基板は、半導体基板である基板支持部材。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項記載の基板支持部材であって、
前記平坦支持面は、少なくとも表面が前記被処理基板と同じ材料からなる基板支持部材。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項記載の基板支持部材と、
前記基板支持部材に支持された前記被処理基板に対して、機械的処理と化学的処理の少なくともいずれかの処理を施す基板処理部と、
前記処理が施された前記被処理基板を前記基板支持部材から脱離させる脱離処理部と、
を備える基板処理装置。
【請求項１３】
接着性層が形成される平坦支持面に被処理基板を着脱可能に支持する基板支持部材の製造方法であって、
前記平坦支持面上に、第１接着性領域と、前記第１接着性領域より高い接着力を有する複数の第２接着性領域とをそれぞれ画成する際、
前記複数の第２接着性領域を、それぞれ前記平坦支持面上で前記第1接着性領域を囲んで離散配置し、
前記第１接着性領域を、前記接着性層の外周側縁部から該接着性層の中心位置に向かって連続して配置する基板支持部材の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の基板支持部材の製造方法であって、
前記接着性層上に特定パターンの表面コート層を形成し、該表面コート層の形成される領域と形成されない領域に応じて、前記第１接着性領域と前記第２接着性領域とを前記特定パターン状に画成する基板支持部材の製造方法。
【請求項１５】
接着性層が形成される平坦支持面に被処理基板を着脱可能に支持する基板支持部材を用いて、前記被処理基板を処理する基板処理方法であって、
前記平坦支持面上に、第１接着性領域と、前記第１接着性領域より高い接着力を有する複数の第２接着性領域とをそれぞれ画成するにあたり、前記複数の第２接着性領域を、それぞれ前記平坦支持面上で前記第1接着性領域を囲んで離散配置し、前記第１接着性領域を、前記接着性層の外周側縁部から該接着性層の中心位置に向かって連続して配置する接着性層形成工程と、
前記接着性層が形成された前記平坦支持面に前記被処理基板を仮接着する仮接着工程と、
前記基板支持部材に仮接着された前記被処理基板に、機械的処理と化学的処理との少なくともいずれかの処理を施す基板処理工程と、
前記処理が施された被処理基板を前記基板支持部材から脱離させる基板脱離工程と、
を有する基板処理方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の基板処理方法であって、
前記基板処理工程は、前記被処理基板の薄肉化処理を含む基板処理方法。
【請求項１７】
請求項１５又は請求項１６記載の基板処理方法であって、
前記基板脱離工程は、前記平坦支持面に支持された前記被処理基板を、前記平坦支持面から機械的に剥離する処理を含む基板処理方法。
【請求項１８】
請求項１５又は請求項１６記載の基板処理方法であって、
前記基板脱離工程は、前記平坦支持面に支持された前記被処理基板に、剥離液を接触させて前記接着性層を溶解除去する処理を含む基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板支持部材、基板処理装置、基板支持部材の製造方法、及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路、電力半導体、発光ダイオード、フォトニック回路、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）素子、埋込み受動アレイ、パッケージングインタポーザー、ＣＣＤ，ＣＭＯＳイメージセンサ、並びに多くの他のシリコン及び化合物半導体をベースとした各種のマイクロデバイスがある。これらマイクロデバイスは、被処理基板であるデバイスウエハ上に多数形成され、ダイシングにより個片化される。電子機器に搭載されるマイクロデバイスは、電子機器の更なる小型化及び高性能化のニーズに伴い、更なる小型化及び高集積化が求められている。しかし、マイクロデバイスの製造において、デバイスウエハの基板面方向における高集積化は限界に近づいている。
【０００３】
そこで近年、デバイスウエハに貫通孔を設け、この貫通孔内に外部端子としての貫通電極（ＴＳＶ：Tab-Separated Values）を設置して、外部との電気的接続を行う３次元実装技術が注目されている。この３次元実装においては、基板支持部材（キャリア）となる保護ガラス又はシリコン基板と接着し、熱硬化させた後、集積回路等を有するデバイスウエハの裏面を研磨することで、そのデバイスウエハの厚みを薄膜化することが必須となる。一般に、半導体デバイスの製造プロセスに用いられるシリコンウエハとしては、約７００〜９００μｍの厚さを有するものが広く知られているが、上記の３次元実装では２００μｍ以下、更には５０μｍ以下に薄肉化することが試みられている。
【０００４】
しかし、厚さ２００μｍ以下のシリコンウエハは非常に薄く、このような脆性材料からなる部材に対して更なる処理や移動をする場合、部材を損傷させずに安定して支持することは困難である。この問題を解決するため、デバイスウエハのマイクロデバイスが設けられたデバイス面と、デバイスウエハを支持するキャリア基板とを仮接着する際に、デバイス面の中央域とキャリア基板との間に、接合に寄与しない充填層を介装させ、デバイス面の外周部とキャリア基板との間を粘着剤により仮接着する技術がある（例えば特許文献１参照）。また、仮接着をする際に液状の接着剤を使用せずにシート状の接着剤を用いる技術がある（例えば特許文献２参照）。これらの技術によれば、デバイスウエハからキャリア基板を脱離させる際に、デバイスウエハの破損及びデバイスの内部損傷を低減することが可能であるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表２０１１−５１０５１８号公報
【特許文献２】特開２００７−１３１７９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
デバイスウエハの表面とキャリア基板とを、特許文献１、特許文献２等で知られる接着性層を介して仮接着する場合、デバイスウエハを安定的に支持するために、接着性層には一定の強さの粘着度が要求される。このため、十分な接着強度で安定的にデバイスウエハを支持しようとするほど、デバイスウエハとキャリア基板との接着強度が過剰となってしまう。その結果、キャリア基板からデバイスウエハを脱離する際、脱離後のデバイスウエハに破損が生じ易くなる。
【０００７】
また、特許文献１においては、キャリア基板からデバイスウエハを脱離する際、カミソリ刃や尖らせた円形ディスクを用いて機械的に剥離している。このような機械的剥離を行うと、研磨により薄肉化されて外力に特に弱くなっているデバイスや、デバイスに設けられたバンプ等にダメージを与えかねない。また、デバイスウエハの背面研磨の際、接着性の弱いウエハ中央部と接着性の強い外周部との間で研磨圧力に差が生じ、その結果、研磨後にデバイスウエハの厚さに分布が生じたり、反りが生じたりすることもある。
このことは、デバイスウエハの薄型化が進むほど、デバイスウエハが大口径（特に８インチ以上）であるほど顕著となり、最終的に得られる半導体デバイスの品質面において無視し難くなる。
特許文献２においてはシートの支持台となるシリコーンゴム又はフッ素系ゴムの表面粗さに基づく凹凸により研磨後のデバイスウエハの厚さに分布が生じることや、デバイスウエハの加工時における２００〜３００℃の高温プロセスに対し、キャリア基板とシートの熱膨張係数の差に基づく反りが生じることで精度の高い加工が難しくなる。
【０００８】
本発明は、上記背景を鑑みてなされたものであり、被処理基板を基板支持部材に確実かつ容易に仮接着し、処理済の被処理基板に損傷や反りを与えることなく被処理基板に対する仮接着を容易に解除できる、基板支持部材、基板処理装置、基板支持部材の製造方法、及び基板処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、下記構成からなる。
（１）  接着性層が形成される平坦支持面に被処理基板を着脱可能に支持する基板支持部材であって、
上記接着性層は、第１接着性領域と、その第１接着性領域より高い接着力を有する複数の第２接着性領域とを少なくとも有し、
上記複数の第２接着性領域は、それぞれ上記平坦支持面上で上記第1接着性領域に囲まれて離散配置され、
上記第１接着性領域は、上記接着性層の外周側縁部の少なくとも一部からその接着性層の中心位置に向かって連続して配置される基板支持部材。
（２）  上記基板支持部材と、
上記基板支持部材に支持された上記被処理基板に対して、機械的処理と化学的処理の少なくともいずれかの処理を施す基板処理部と、
上記処理が施された上記被処理基板を上記基板支持部材から脱離させる脱離処理部と、
を備える基板処理装置。
（３）接着性層が形成される平坦支持面に被処理基板を着脱可能に支持する基板支持部材の製造方法であって、
上記平坦支持面上に、第１接着性領域と、上記第１接着性領域より高い接着力を有する複数の第２接着性領域とをそれぞれ画成するにあたり、
上記複数の第２接着性領域を、それぞれ上記平坦支持面上で上記第1接着性領域を囲んで離散配置し、
上記第１接着性領域を、上記接着性層の外周側縁部からその接着性層の中心位置に向かって連続して配置する基板支持部材の製造方法。
（４）  接着性層が形成される平坦支持面に被処理基板を着脱可能に支持する基板支持部材を用いて、上記被処理基板を処理する基板処理方法であって、
上記平坦支持面上に、第１接着性領域と、上記第１接着性領域より高い接着力を有する複数の第２接着性領域とをそれぞれ画成するにあたり、上記複数の第２接着性領域を、それぞれ上記平坦支持面上で上記第1接着性領域を囲んで離散配置し、上記第１接着性領域を、上記接着性層の外周側縁部からその接着性層の中心位置に向かって連続して配置する接着性層形成工程と、
上記接着性層が形成された上記平坦支持面に上記被処理基板を仮接着する仮接着工程と、
上記基板支持部材に仮接着された上記被処理基板に、機械的処理と化学的処理との少なくともいずれかの処理を施す基板処理工程と、
上記処理が施された被処理基板を上記基板支持部材から脱離させる基板脱離工程と、
を有する基板処理方法。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、被処理基板を基板支持部材に確実かつ容易に仮接着し、処理済の被処理基板に損傷や反りを与えることなく被処理基板に対する仮接着を容易に解除できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】（Ａ）は、本発明の実施形態を説明するための図で、基板支持部材とデバイスウエハとの仮接着前の状態を示す概略断面図、（Ｂ）は基板支持部材とデバイスウエハとの仮接着後の状態を示す概略断面図、（Ｃ）は（Ｂ）に示す仮接着されたデバイスウエハが薄肉化された状態を示す概略断面図である。
【図２】デバイスウエハの平面図である。
【図３】（Ａ）はデバイスウエハにテープを貼り付ける工程を説明する概略断面図、（Ｂ）は基板支持部材から薄型デバイスウエハを剥離する工程を説明する概略断面図である。
【図４】基板処理装置のブロック構成図である。
【図５】キャリア部材の平坦支持面に形成される接着性層の平面図である。
【図６】図５のＡ−Ａ断面図である。
【図７】（Ａ），（Ｂ）は接着性層の剥離の様子を段階的に示す模式図である。
【図８】デバイスウエハの剥離時の様子を一部拡大して示す説明図である。
【図９】高接着性ドットサイズに対する剥離力の率の変化の様子を示す図で、高接着性ドットの膜厚を２μｍとした場合の解析結果を示すグラフである。
【図１０】高接着性ドットサイズに対する剥離力の率の変化の様子を示す図で、高接着性ドットの膜厚を５μｍとした場合の解析結果を示すグラフである。
【図１１】高接着性ドットの接着力を２０Ｎ／ｃｍ２とした場合の高接着性ドットの面積率と剥離力との関係を示すグラフである。
【図１２】（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）は基板支持部材とデバイスウエハとの仮接着を説明する概略斜視図である。
【図１３】図１２（Ｃ）における薄型デバイスウエハと基板支持部材との界面の概略上視図である。
【図１４】（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）は高接着領域の溶解の様子を段階的に示す説明図である。
【図１５】溶解速度を４５ｍｉｎ／ｍｍとした場合の、高接着性ドットサイズに対する剥離時間の変化の様子を示すグラフである。
【図１６】溶解速度を９０ｍｉｎ／ｍｍとした場合の、高接着性ドットサイズに対する剥離時間の変化の様子を示すグラフである。
【図１７】接着性層の第２の構成例を示す平面図である。
【図１８】接着性層の第３の構成例を示す平面図である。
【図１９】接着性層の第４の構成例を示す平面図である。
【図２０】接着性層の第５の構成例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
ここでは、接着性層が形成される平坦支持面に被処理基板を着脱可能に支持する基板支持部材の構成について、一例として半導体基板の製造に適用した場合を詳細に説明する。
【００１３】
図１（Ａ）は、本発明の実施形態を説明するための図で、基板支持部材１１とデバイスウエハ１３との仮接着前の状態を示す概略断面図、図１（Ｂ）は基板支持部材１１とデバイスウエハ１３との仮接着後の状態を示す概略断面図、図１（Ｃ）は図１（Ｂ）に示す仮接着されたデバイスウエハ１３が薄肉化された状態を示す概略断面図である。なお、以下に説明する実施の形態において、既に参照した図面において説明した部材等については、同一の符号を付与することにより説明を簡略化又は省略する。
【００１４】
本基板処理方法においては、まず、基板支持部材１１と半導体基板であるデバイスウエハ（被処理基板）１３とが準備される。基板支持部材１１は、図１（Ａ）に示すように、キャリア部材１５の平坦支持面１７上に接着性層１９が設けてある。
【００１５】
デバイスウエハ１３は、図２にデバイスウエハの平面図を示すように円形形状であり、一方の面に多数のデバイスチップ２１が配列される。デバイスウエハ１３は、その形状に関わりなく、デバイスチップ２１が配置されるデバイス面２３に、外縁を含む領域である外縁域２５、及び外縁域２５の内側の中央部を含む中央域２７を有する。仮接着前のデバイスウエハ１３の厚さは、例えば、２００〜１２００μｍの範囲内となっている。
【００１６】
デバイスチップ２１は、集積回路、ＭＥＭＳ、マイクロセンサー、動力半導体、発光ダイオード、フォトニック回路、インタポーザー、ＣＣＤ，ＣＭＯＳイメージセンサ、埋込受動素子等のデバイスである。また、上記デバイスの他、シリコン、シリコン−ゲルマニウム、ガリウム砒素、窒化ガリウム等の他の半導体素材から加工されたもの、又はその半導体素材上に加工されたものであってもよい。デバイスチップ２１は、上記のいずれか選択されたもの、又は選択された複数のものを組み合わせたものであってもよい。
【００１７】
デバイスチップ２１の表面は、一般に以下の素材の１つ以上から形成された構造体を含む：シリコン、ポリシリコン、二酸化シリコン、（オキシ）窒化ケイ素、金属（例えば、銅、アルミニウム、金、タングステン、タンタルム）、低誘電体（Ｌｏｗ−ｋ）、高分子誘電体、各種窒化金属類及び金属シリサイド類。デバイスチップ２１の表面は、更にハンダの盛り上がり、金属ポスト、ピラーのような持ち上がった構造体を含むこともある。
【００１８】
キャリア部材１５は、その素材は特に限定されないが、例えば、ケイ素(例えば、ブランクのシリコンウエハ)、サファイヤ、水晶、金属（例えば、アルミニウム、銅、鋼）、ソーダ石灰ガラスや硼珪酸ガラス等の種々のガラス、及びセラミックスから成る群から選択された素材から構成される。
【００１９】
キャリア部材１５は、基板処理装置の基板として代表的に用いられるシリコンウエハを汚染しにくい点や、基板処理装置の製造工程において汎用されている静電チャックを使用できる点、熱膨張率がシリコンウエハと同じ点などを鑑みると、シリコン基板であることが好ましい。なお、キャリア部材１５は、方形又は矩形でもよいが、より一般的にはデバイスウエハ１３に合う寸法の円形であることが好ましい。キャリア部材１５は、更に基板面上に堆積された他の素材を含むこともできる。例えば、シリコン基板上に窒化ケイ素を蒸着することも可能であり、その場合には、接着性層１９の粘着特性を変更できる。
【００２０】
キャリア部材１５の厚みは、例えば、０．３ｍｍ〜５ｍｍの範囲内とされるが、特に限定されるものではない。
【００２１】
キャリア部材１５の円形状の平坦支持面１７には、接着性層１９が形成される。接着性層１９は、その膜厚（最も厚い点で測定）が約０．５μｍ以上、約１００μｍ以下であることが好ましく、約０．５μｍ以上約５０μｍ以下がより好ましく、約１μｍ以上約２０μｍ以下が更により好ましい。
【００２２】
次に、キャリア部材１５上の平坦支持面１７上の接着性層１９に対して、デバイスウエハ１３のデバイスチップ２１が配置されるデバイス面２３を押し当てる。すると、図１（Ｂ）に基板支持部材１１とデバイスウエハ１３との仮接着後の状態を示すように、デバイスウエハ１３のデバイス面２３と接着性層１９とが密着される。これにより、基板支持部材１１とデバイスウエハ１３とが仮接着された状態になる。
【００２３】
その後、必要に応じて、基板支持部材１１とデバイスウエハ１３との接着体を加熱し（例えば、熱線の照射）、接着性層１９をより強靭なものとしても良い。これにより、デバイスウエハ１３の後述する機械的又は化学的な処理を施している時などに生じやすい接着性層１９の凝集破壊を抑制でき、基板支持部材１１の接着性を高めることができる。特に、熱により架橋性基を有する反応性化合物における架橋反応を促進できる観点から、接着性層１９は、熱重合開始剤を含有していることが好ましい。なお、このときの加熱温度は５０℃〜３００℃であることが好ましい。
【００２４】
次いで、デバイスウエハ１３のデバイス面２３とは反対側の裏面２９に対して、基板処理部３１による機械的又は化学的な処理、例えば、グライディングや化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）等の薄肉化処理を施す。これにより、図１（Ｃ）に示すように、デバイスウエハ１３の厚さを薄くし（例えば、厚さ１μｍ以上２００μｍ以下）、薄型デバイスウエハ３３を得る。
【００２５】
上記の機械的又は化学的な処理としては、薄肉化処理の後に、薄型デバイスウエハ３３の裏面２９からデバイスウエハ１３を貫通する貫通孔（図示せず）を形成し、この貫通孔内にシリコン貫通電極（図示せず）を形成する処理を必要に応じて行ってもよい。
【００２６】
次いで、基板支持部材１１の接着性層１９から薄型デバイスウエハ３３を剥離することで、薄型デバイスウエハ３３を基板支持部材１１から脱離させる。
【００２７】
図３（Ａ）はデバイスウエハ１３にテープを貼り付ける工程を説明する概略断面図、図３（Ｂ）は基板支持部材１１から薄型デバイスウエハ３３を剥離する工程を説明する概略断面図である。
【００２８】
次いで、図３（Ａ）に示すように、薄型デバイスウエハ３３の裏面２９に粘着性を有するテープ３５を貼り付け、図３（Ｂ）に示すように、テープ３５を基板面の法線方向に向けて引き上げることで、基板支持部材１１から薄型デバイスウエハ３３を剥離する。また、剥離処理に関しては、基板支持部材１１に対して薄型デバイスウエハ３３を基板面に平行な方向に摺動させることで行ってもよい。
【００２９】
更に基板支持部材１１とデバイスウエハ１３は、相互の接合面における連続性を機械的に分離又は破壊することによっても分離できる。これにはレーザー切断、プラズマエッチング、ウォータージェット等の高エネルギー技法が用いられる。その他にも、鋸挽き、カミソリ刃を相互の接合面に挿入する等、種々の手法を用いることができる。
【００３０】
上記の機械的に剥離する方法の他、化学的に剥離する方法を採用することもできる。化学的な剥離方法では、接着された基板支持部材１１とデバイスウエハ１３を剥離液中に浸漬、又は剥離液をジェットスプレーして、高分子接着剤を溶解又は分解する。この剥離処理に用いることができる剥離液の溶媒は、乳酸エチル、シクロヘキサノン、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、脂肪族溶媒（例えば、ヘキサン、デカン、ドデカン、及びドデセン）、２−ブタノン、メチルアミルケトン、リモネン及びこれらの混合物から成る群から選択されるものを含む。
【００３１】
この化学的な剥離方法によれば、接着性層１９の剥離液に対する親和性が高いため、接着性層１９と薄型デバイスウエハ３３のデバイス面２３との仮接着を容易に解除できる。
【００３２】
化学的な剥離方法では、次に低機械力（例えば、指の圧力、穏やかな割り裂き）を加えることにより、デバイスウエハ１３を基板支持部材１１から完全に分離できる。分離されたデバイスウエハ１３と基板支持部材１１は、剥離面の残渣物を、適切な溶媒で容易に洗い落とすことができる。
【００３３】
その他の剥離方法としては、例えば下記の方法が挙げられる。
（１）光分解・・基板支持部材に仮接着したデバイスウエハに透光性を有するキャリア部材を透して光源光を照射し、キャリア部材に隣接する接着剤境界層を光分解する。これでキャリア部材をデバイスウエハから分離でき、残りの高分子接着剤はデバイスウエハがチャックに固定されている間に剥ぎとられる。
（２）熱力学的・・基板支持部材に仮接着したデバイスウエハを高分子接着剤の軟化点を超えて加熱し、次いでデバイスウエハをチャックで支えた状態でキャリア部材から滑り離すか又は引き離す。
（３）熱分解・・基板支持部材に仮接着したデバイスウエハを高分子接着剤の分解温度より高く加熱し、これを気化させてデバイスウエハとキャリア部材との接着性を失わせる。
【００３４】
上記のように基板支持部材１１と薄型デバイスウエハ３３とを剥離することで、目的とする半導体基板が製造されることになる。そして、薄型デバイスウエハ３３の剥離後、必要に応じて、薄型デバイスウエハ３３に対してダイシングやモールディング等の種々の公知の処理を施すことで、薄型デバイスウエハ３３のデバイスチップを搭載した半導体装置を製造できる。
【００３５】
次に、基板処理装置について説明する。
上記の基板支持部材１１は、接着性層１９を形成する接着性層形成工程が施された後、図４に模式的に示す基板処理装置１００に搭載される。基板処理装置１００は、前述のキャリア部材１５と接着性層１９とを有する基板支持部材１１と、基板支持部材１１に仮接着されて固定されるデバイスウエハ１３に対してグライディングや化学機械研磨（ＣＭＰ）等の機械的又は化学的な処理を行う前述の基板処理部３１を備える。また、基板処理装置１００は、更に、基板処理部３１による処理に合わせて基板支持部材１１を回転駆動又はスライド駆動を行うためのアクチュエータを含む駆動部４７と、剥離用のテープ３５をデバイスウエハ１３に貼着して剥がし取る機構又は化学的に剥離するための剥離液を供給する機構を有する脱離処理部４９と、操作者によるスイッチ操作等を受け付ける入力部５１と、これら各部へ信号を入出力して制御する制御部５３とを備える。
【００３６】
制御部５３は、予め内部メモリに記憶された制御プログラムや、外部から入力された制御プログラムによって各部を制御する。例えば、操作者により基板支持部材１１にデバイスウエハ１３が固定され、入力部５１がセット完了の操作を受け付けると、入力部５１からセット完了信号が制御部５３に出力される。制御部５３は、入力部５１からのセット完了信号を受けて、駆動部４７を駆動する駆動信号と、基板処理部３１に処理を行わせる処理信号とを出力する。
【００３７】
駆動部４７は、例えば、制御部５３からの駆動信号を受けて、基板支持部材１１を回転駆動し、基板処理部３１は、制御部５３からの処理信号を受けて、デバイスウエハ１３を研磨する（基板処理工程）。研磨処理を完了すると、制御部５３は基板支持部材１１の回転を停止させ、脱離処理部４９に脱離開始信号を出力する。脱離処理部４９は、制御部５３からの脱離開始信号を受けて、処理済みのデバイスウエハ１３を剥離する（基板脱離工程）。
【００３８】
上記の基板処理は、予め用意された制御プログラムに従って行ってもよく、各処理を手動にて行ってもよい。
【００３９】
次に、上記の基板支持部材１１とデバイスウエハ１３との仮接着を、剥離後のデバイスウエハ１３に損傷や反りを生じさせることなく、容易に解除するための接着性層１９の構成について説明する。
＜第１の構成例＞
図５はキャリア部材１５の平坦支持面１７に形成される接着性層１９の平面図、図６は図５のＡ−Ａ断面図である。接着性層１９には第１接着性領域である低接着性領域４１と、第１接着性領域より高い接着力を有する第２接着性領域である高接着性領域４３が存在する。本明細書中における「低接着性領域」とは、「高接着性領域」と比較して低い接着性を有する領域を意味し、接着性を有さない領域（すなわち、「非接着性領域」）を包含する。これら各接着性領域の材料については詳細を後述する。
【００４０】
本構成例における高接着性領域４３は、キャリア部材１５の平坦支持面１７に複数個がそれぞれ離散して存在している。個々の高接着性領域４３は、それぞれ同じ円形状であって、その最大サイズは、０．００５ｍｍ以上１５ｍｍ以下である。より好ましくは０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下で、更に好ましくは１ｍｍ以上５ｍｍ以下である。
【００４１】
個々の高接着性領域４３は、それぞれ平坦支持面１７の中心位置に対して点対称となる位置に配置されることで、キャリア部材１５が回転駆動された場合に、デバイスウエハ１３を周方向に対して均等な接着力で固定する。これにより、デバイスウエハ１３を安定して支持でき、例えば、図１（Ｂ）に示す基板処理部３１による処理を施す際に、デバイスウエハ１３の全周にわたって均質な処理が行える。
【００４２】
低接着性領域４１は、平坦支持面１７の高接着性領域４３の位置を除く領域に存在しており、高接着性領域４３が離散配置されるため、低接着性領域４１は、高接着性領域４３同士間の隙間に沿って配置される。従って、低接着性領域４１は、平坦支持面１７上の接着性層１９の外周側縁部１９ａから平坦支持面１７の中心位置に向かって分断されることなく、連続して存在することになる。
【００４３】
低接着性領域４１と高接着性領域４３は、接着性層１９の面上で網点模様を為し、低接着性領域４１が網点模様の網点域を取り囲む周辺域に対応し、高接着性領域４３が網点域に対応する。図示例では、高接着性領域４３が５個存在するパターンであるが、任意個数の網点模様のパターンであってもよい。
【００４４】
これら低接着性領域４１と高接着性領域４３は、例えば次のようにして形成できる。即ち、高接着性を有する接着性組成物をキャリア部材１５の平坦支持面１７上に表面コートする。この表面コートされた面に対して、高接着性領域として残す部分のみ開口する特定パターンのレジストマスクを形成し、フッ化シランの溶液を塗布する。フッ化シランと接触した領域は、化学的に接着性が改質されて低接着性領域４１となり、レジストで覆われてフッ化シランと接触しない領域は、高接着性領域４３となる。このため、レジストマスクにより表面コートが形成された領域と形成されない領域に応じて、低接着性領域４１と高接着性領域４３が特定パターン状に画成される。
【００４５】
上記接着性層１９の構成によれば、図３（Ｂ）に示すようにデバイスウエハ１３を基板支持部材１１から機械的に剥離する際、図５に示す平坦支持面１７上の接着性層１９の外周側縁部のいずれかの周位置から剥離が始まる。図７（Ａ）、（Ｂ）は接着性層１９の剥離の様子を段階的に示す模式図である。具体的には、図７（Ａ）に示すように、まず平坦支持面の外周に近い高接着性領域４３Ａに剥離線Ｌ１が到達する。この剥離線Ｌ１は、剥離前の領域と剥離後の領域との境界線を意味する。剥離線Ｌ１は、高接着性領域４３Ａの両脇側が低接着性領域４１であるため、低接着性領域４１では図中Ｐ方向（剥離進行方向）への移動が高接着性領域４３Ａより速まる。その結果、剥離線Ｌ１は高接着性領域４３Ａの最外周位置の外縁部４３ａを頂点として屈曲して、この外縁部４３ａに剥離力が集中する。
【００４６】
最外周位置の外縁部４３ａに大きな剥離力が作用すると、外縁部４３ａに微小な剥離が生じ、この微小な剥離がきっかけとなって高接着性領域４３Ａが剥離し始める。そして、図７（Ｂ）に示すように、高接着性領域４３Ａ内に剥離線Ｌ２が入り、高接着性領域４３Ａと低接着性領域４１との境界に変曲点Ｐｉを形成しつつ、高接着性領域４３Ａ内の剥離が進む。変曲点Ｐｉには剥離力が集中して、剥離が促進される。上記の剥離線Ｌ２の状態を経て、高接着性領域４３Ａ、及び同時に剥離線Ｌ２に掛かっていた隣接の高接着性領域の剥離が完了すると、次の高接着性領域４３Ｂの外縁部４３ｂに剥離線Ｌ３が到達した状態となる。
【００４７】
このように、各高接着性領域４３Ａ，４３Ｂの外縁に低接着性領域４１が存在することで、低接着性領域４１の剥離線が常に高接着性領域４３Ａより先に接着性層１９の内周側に進行する。そして、各高接着性領域４３Ａ，４３Ｂの外縁部４３ａ，４３ｂの外周側が、順次、剥離線の屈曲する頂点となり、この局所的な狭い頂点に剥離力が集中する。そのため、剥離のきっかけとなる微小剥離が、大きな力を要することなく発生し、これにより、比較的小さな力でも高接着性領域を容易に剥離させることができる。逆に高接着性領域４３Ａの外縁に低接着性領域４１が存在せず、高接着性領域４３Ａの面積が大きくなると、剥離を生じさせきっかけが生じにくく、大きな剥離力が必要となる。その場合、デバイスウエハ１３に過大な力を加えることとなり、剥離後のデバイスウエハ１３に反りが生じやすくなる。
【００４８】
本構成においては、剥離時における剥離力が小さくて済むことで、デバイスウエハ１３を基板支持部材１１から剥離しても、デバイスウエハ１３に生じる曲げ応力が軽減される。また、剥離後のデバイスウエハ１３に対する反りの発生が抑えられる。
【００４９】
図示した個々の高接着性領域４３はそれぞれ円形状であるが、これに限らず、三角形、四角形等の多角形状や楕円形状等であってもよい。特に、平坦支持面１７の外周に近い側に角部や曲率半径の小さな部分を配置することで、剥離時における剥離力が角部に集中する。これによっても剥離力を軽減できる。
【００５０】
図８にデバイスウエハ１３の剥離時の様子を一部拡大して示した。薄型デバイスウエハ３３の各デバイスチップ２１に設けられる微小なバンプ４５は、接着性層１９の接着力が大きい場合に、一例として破線で示す一部のバンプ４５Ａが接着性層１９内に留置され易くなる。しかし、本構成によれば、接着性層１９の高接着性領域を、比較的小さな力で剥離できるので、バンプ４５が損傷を受け、接着性層１９側に留置されることがない。
【００５１】
次に、個々の高接着性領域４３の大きさと、機械剥離による剥離力との関係を解析的に求めた結果を説明する。
以下、個々の高接着性領域を「高接着性ドット」と呼称して説明する。ここでは、高接着性ドットが、直径３００ｍｍの円形領域中に３０％の面積率で存在するものを解析モデルとしている。ここでいう面積率とは、低接着性領域と高接着性領域との合計面積に対する高接着性領域の占有面積の比率を意味する。
【００５２】
まず、高接着性ドットの外縁部における膜厚に相当する領域、つまり、高接着性ドットの外縁から膜厚相当の部分は剥離し易いので、高接着性ドットの面積全体を１００％（外縁部を含めた高接着性ドット全面が高接着性である状態）とした場合の剥離力に対し、剥離力が１０％以上低減するドットサイズを求めた。図９は高接着性ドットサイズに対する剥離力の率の変化の様子を示すグラフで、高接着性ドットの膜厚を２μｍとした場合の解析結果、図１０は図９と同様のグラフで高接着性ドットの膜厚を５μｍとした場合の解析結果である。
【００５３】
図９、図１０に示すように、剥離力を高接着性ドットの全面が高接着性である状態より１０％以上低減するには、高接着性ドットの膜厚が２μｍでは強接着性ドットサイズを８０μｍ以下にすることが望ましく、膜厚が５μｍでは強接着性ドットサイズを２００μｍ以下にすることが望ましい。
【００５４】
次に、基板処理装置の能力を考慮した許容剥離力から高接着性ドットの面積率を解析的に求めた結果を説明する。
図４に示す基板処理装置１００の脱離処理部４９は、直径３００ｍｍの円形領域を剥離するための剥離力を毎秒０．５ｋＮ／ｓ以下に設定することが装置を低価格化するために好ましい。つまり、離脱処理部４９が毎秒３ｃｍ剥す場合、毎秒剥す面積はウエハ最大幅３０ｃｍ×３ｃｍ＝９０ｃｍ２となる。仮に２０Ｎ／ｃｍ２の材料を毎秒９０ｃｍ２剥すには、毎秒１．８ｋＮの剥離力が必要であるが、面積率が３０％であれば毎秒０．５ｋＮの剥離力で済む。
【００５５】
いま、高接着性ドットの接着力を２０Ｎ／ｃｍ２とした場合、高接着性ドットの面積率と剥離力との関係は、図１１に示すグラフのようになる。
【００５６】
図１１によれば、剥離力が０．５ｋＮとなる高接着性ドットの面積率は約２８％である。そのため、高接着性ドットの面積率は３０％以下にすることが好ましい。高接着性ドットの面積率が３０％以下であることで、剥離時における剥離力が過大にならず、脱離処理部４９の出力が０．５ｋＮ／ｓ以下の場合でも、円滑な剥離が可能となる。
【００５７】
次に、高接着性ドットの面積と周長の比と、高粘着性ドットの膜厚との関係を解析的に求めた結果を説明する。
＜高接着性ドットが円形の場合＞
強接着性ドットの外径を２ｒ（ｍｍ）、膜厚に相当するドット外縁部の幅をΔｒ（ｍｍ）、目標とする剥離力の、高接着性ドット全面が高接着性である状態での剥離力に対する比率をＦとすると、剥離力の比率Ｆは（１）式で表せる。
【００５８】
Ｆ＝π（ｒ−Δｒ）2 ／ πｒ2     ・・・（１）
（１）式をｒについて解くと（２）、（３）式となる
ｒ＝Ａ×Δｒ                    ・・・（２）
Ａ＝（１＋√Ｆ）／（１−Ｆ）    ・・・（３）
【００５９】
Ｆ＝９０％なら、剥離力低減効果が１０％見込めるので、その場合の高接着性ドットの直径を求める。Δｒが、接着性層の膜厚（ｔ）と略等しいとすると、
（２）式、（３）式より、
２ｒ＝３９×ｔ（ｔ：接着性層の膜厚）   ・・・（４）
【００６０】
ここで、高接着性ドットの面積をＳ（ｍｍ２）、高接着性ドットの周長をＬ（ｍｍ）としたときのＳ／Ｌの値を指標とすると、Ｓ／Ｌ＝９．７ｔとなり、
指標Ｓ／Ｌ ≦ １０ｔ  ・・・（５）
を満たすかどうかで、剥離力低減効果があると判定できる。
【００６１】
指標Ｓ／Ｌが（５）式を満足する場合に、デバイスウエハを基板支持部材から損傷や大きな反りを生じさせることなく剥離できる。
【００６２】
＜高接着性ドットが長方形の場合＞
強接着性ドットの長辺をｐ×ｒ（ｍｍ）、短辺をｒ（ｍｍ）、ドット外縁部の幅をΔｒ（ｍｍ）、目標とする剥離力の、ドット全面が高接着性である状態での剥離力に対する比率をＦとすると、剥離力の比率Ｆは（６）式で表せる。ここで、ｐは長方形の長辺と短辺の比である。
【００６３】
Ｆ＝（ｒ１−２Δｒ）（ｒ２−２Δｒ）／（ｒ１・ｒ２）   ・・・（６）
（６）式を、ｒ１＝ｒ、ｒ２＝ｐ×ｒ  とおくと（７）式となる。
Ｆ＝（ｒ−２Δｒ）（ｐ×ｒ−２Δｒ）／（ｐ×ｒ）2     ・・・（７）
（６）式をｒについて解くと（８）式となる
ｒ＝２Δｒ×（１＋ｐ＋√（ｐ２＋２（１−ｐ）＋１）／［２ｐ（１−Ｆ）］   ・・・（８）
【００６４】
Ｆ＝９０％であるならば、剥離力低減効果が１０％見込めるので、その場合の高接着性ドットの形状を求める。Δｒが、接着性層の膜厚（ｔ）と略等しいとすると、式（８）より、
ｒ＝２×Ｂ×ｔ  （ｔ：接着性層の膜厚）・・・（９）
Ｂ＝（１＋ｐ＋√（ｐ２＋２（１−ｐ）＋１）／０．２ｐ・・・（１０）
【００６５】
例えば、ｐ＝４（長辺が短辺の４倍）の場合、
ｒ＝２１×ｔ  （ｔ：接着性層の膜厚）・・・（１１）
となる。これは、円形の場合の式（４）と同様に、膜厚ｔに比例する結果となる。
この場合、指標Ｓ／Ｌ＝８．３ｔ  であり、円形の時と同じ
指標Ｓ／Ｌ≦１０ｔ・・・（１２）
を満たすかどうかで、剥離力低減効果があることを、判定できる。
【００６６】
以上のことより、高接着性ドットは、高接着性ドットの面積Ｓと周長Ｌとの比である指標Ｓ／Ｌが、接着性層の膜厚ｔの１０倍以下であることで、デバイスウエハを基板支持部材から損傷や大きな反りを生じさせることなく剥離できる。
【００６７】
次に、化学的剥離を行う場合の具体例を説明する。
図１２（Ａ）は基板支持部材１１とデバイスウエハ１３との仮接着を説明する概略斜視図、図１２（Ｂ）は基板支持部材１１に仮接着されただバイスウエハが薄肉化された状態を示す概略斜視図、図１２（Ｃ）は基板支持部材１１と薄型デバイスウエハ３３の接着界面に剥離液を接触させる工程を説明する概略斜視図である。
【００６８】
図１（Ａ）に示す場合と同様に、図１２（Ａ）に示すように、基板支持部材１１の接着性層１９に対して、デバイスウエハ１３のデバイス面２３を押し当てる。これにより、デバイスウエハ１３のデバイス面２３と、接着性層１９の高接着性領域４３とが接着し、基板支持部材１１とデバイスウエハ１３とが仮接着する。
【００６９】
次に、図１２（Ｂ）に示すように、デバイスウエハ１３の裏面２９に対して、前述同様の機械的又は化学的な処理（例えば、薄肉化処理）を施すことにより、デバイスウエハ１３を例えば１μｍ〜２００μｍに薄肉化して、薄型デバイスウエハ３３を得る。
【００７０】
なお、前述同様に機械的又は化学的な処理として、薄肉化処理の後、薄型デバイスウエハ３３の裏面から、この薄型デバイスウエハ３３を貫通する貫通孔（図示せず）を形成し、この貫通孔内にシリコン貫通電極（図示せず）を形成する処理を必要に応じて行ってもよい。
【００７１】
次に、図１２（Ｃ）に示すように、基板支持部材１１の接着性層１９の外縁部に、浸漬又はジェットスプレー等により剥離液Ｓを接触させて、高接着性領域４３を溶解除去する。その後、図３（Ａ），図３（Ｂ）に示すように、基板支持部材１１の接着性層１９から薄型デバイスウエハ３３を剥離することで、薄型デバイスウエハ３３を基板支持部材１１から脱離させる。以降の処理は前述同様であるため、説明を省略する。
【００７２】
上記のように基板支持部材１１と薄型デバイスウエハ３３とを剥離液を用いて剥離する際、図５に示す低接着性領域４１と高接着性領域４３との配置パターンにすることにより、剥離液Ｓが平坦支持面１７の外周部から中央領域までいち早く浸透して、高接着性領域４３の溶解が促される。
【００７３】
図１３は、図１２（Ｃ）における薄型デバイスウエハ３３と基板支持部材１１との界面の概略上視図である。薄型デバイスウエハ３３の外周面に供給される剥離液Ｓは、主に低接着性領域４１を通じて平坦支持面１７（図１２（Ａ）参照）の外周部から中央領域に向けて拡散しながら浸透する。
【００７４】
低接着性領域４１は、高接着性領域４３と比較してその内部構造がより柔軟であるなどして剥離液Ｓを受け入れやすい場合が多い。更に、低接着性領域４１と薄型デバイスウエハ３３は、接着性が低い又は接着性が無いことから、剥離液Ｓは平坦支持面１７の外周部の低接着性領域４１を入り口として、中央領域の低接着性領域４１まで高速に進入する。
【００７５】
そのため、高接着性領域４３は、剥離液Ｓが高速浸透された低接着性領域４１に外縁が囲まれ、個々の高接着性領域４３の外縁部のエッジが剥離液Ｓと接触して、接着性層の溶解が急速に進行する。
【００７６】
図１４（Ａ）〜（Ｃ）に高接着領域４３の溶解の様子を段階的に示す。図１４（Ａ）に示す初期状態から、剥離液が低接着性領域４１の全体に高速浸透し、高接着性領域４３Ａ，４３Ｂの外縁部が剥離液と接触する。前述したように、高接着性領域４３は、接着性層１９内にそれぞれ離散して配置される。そのため、個々の高接着性領域４３は、それぞれの外縁全周にわたって、剥離液の浸入された低接着性領域４１により、剥離液と接触することになる。
【００７７】
すると、図１４（Ｂ）に示すように、高接着性領域４３Ａ，４３Ｂの溶解が全方位から進行して、図１４（Ｃ）に示すように、急速に高接着性領域４３Ａ，４３Ｂが等方的に溶解する。基板支持面１７の外周に近い高接着性領域４３Ａは、基板支持面１７の外周側から剥離液が浸入するために、高接着性領域４３Ｂより反応開始タイミング（剥離液の到達タイミング）が早くなる。これにより、高接着性領域は、基板支持面１７の外周に近い側である高接着性領域４３Ａの溶解が先に進む。そのため、特に基板支持面１７の外周部分における高接着性領域の面積が、基板支持面１７の中央部より大きい場合には、短時間で全接着性層の溶解を完了できる。
【００７８】
本構成によれば、上記のように高接着性領域４３の接着性層の溶解が早く完了し、引き続き行われる薄型デバイスウエハ３３の基板支持部材１１からの剥離処理を迅速に行える。
【００７９】
ここで、個々の高接着性領域４３の大きさと、溶解剥離による剥離時間との関係を解析的に求めた結果を説明する。
剥離処理に要する時間は、図４に示す基板処理装置１００の処理のサイクルタイムを短縮するために、１００秒以下とすることが望ましい。図１５は溶解速度を４５ｍｉｎ／ｍｍとした場合の、高接着性ドットサイズに対する剥離時間の変化の様子を示すグラフ、図１６は溶解速度を９０ｍｉｎ／ｍｍとした場合の、高接着性ドットサイズに対する剥離時間の変換の様子を示すグラフである。
【００８０】
図１５、図１６に示すように、溶解速度４５ｍｉｎ／ｍｍでは７５μｍ以下、溶解速度９０ｍｉｎ／ｍｍでは３８μｍ以下のドットサイズが好ましい。
【００８１】
以上説明したように、本構成の接着性層１９が、低接着性領域４１と高接着性領域とを平坦支持面１７上の接着性層１９内で均等に分散配置していることで、機械的剥離、化学的剥離のいずれの剥離方式であっても、基板支持部材１１からデバイスウエハ１３を剥離する際の剥離が円滑に行える。その結果、剥離後のデバイスウエハ１３に損傷を与えることなく、反りの発生も抑えられる。これにより、デバイスウエハ１３を、背面研削、化学機械研磨（ＣＭＰ）、リソグラフィー、エッチング、蒸着、アニーリング、又は洗浄処理を含むＴＳＶ形成工程等に耐えうる接着強度を維持しつつ、剥離によるデバイスウエハ１３自体やデバイスウエハ１３に形成されるデバイスチップ等がダメージを受けることを防止できる。
【００８２】
１００μｍ未満まで薄肉化されたデバイスウエハ、とりわけ６０μｍ未満まで薄肉化されたデバイスウエハは非常に脆いが、本構成の接着性層１９の構成によれば、デバイスウエハの全面積にわたって均一な接着性が得られ、剥離する際の剥離力も少なくて済む。そのため、薄いデバイスウエハであっても割れや破損を確実に防止でき、剥離後のデバイスウエハに対する損傷や反りの発生も抑制できる。
【００８３】
次に、接着性層１９の他の構成例を以下に順次説明する。
＜第２の構成例＞
図１７は接着性層の第２の構成例を示す平面図である。本構成の接着性層１９Ｂは、長方形状の高接着性領域が平坦支持面１７の外周側に配置される外周側高接着性領域４３Ｂ１と内周側に配置される内周側高接着性領域４３Ｂ２を有し、他の領域を低接着性領域４１としている。
【００８４】
外周側高接着性領域４３Ｂ１、内周側高接着性領域４３Ｂ２は、それぞれ短辺、長辺を有する複数の長方形状からなる高接着性領域である。各高接着性領域４３Ｂ１，４３Ｂ２は、平坦支持面１７の中心位置を中心に放射方向に沿った長辺と、円周方向に沿った短辺を有する。個々の高接着性領域４３Ｂ１，４３Ｂ２は、平坦支持面１７上で相互に重なり合うことなく分散配置される。外周側高接着性領域４３Ｂ１の面積は、内周側高接着性領域４３Ｂ２の面積より大きく、これにより外周側の接着性を高めている。
【００８５】
高接着性領域４３Ｂ１，４３Ｂ２は、円形の平坦支持面１７の外周に沿う方向（円周方向）となる短辺の最大サイズが、第１の構成例と同様に、０．００５ｍｍ以上１５ｍｍ以下とされている。より好ましくは０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下で、更に好ましくは１ｍｍ以上５ｍｍ以下である。また、高接着性領域４３Ｂ１，４３Ｂ２は、個々の高接着性領域の面積Ｓと周長Ｌとの比である指標Ｓ／Ｌが、接着性層１９Ｂの膜厚ｔの１０倍以下とされている。
【００８６】
そして、隣接する外周側高接着性領域４３Ｂ１同士の間隔は、内周側高接着性領域４３Ｂ２同士の間隔より広くなっている。つまり、各高接着性領域４３Ｂ１，４３Ｂ２は、平坦支持面１７の外周に近いほど、隣接する高接着性領域４３Ｂ１同士、隣接する高接着性領域４３Ｂ２同士の間隔が広く配されている。
【００８７】
上記接着性層１９Ｂの構成によれば、機械的剥離を行った場合、外周側高接着性領域４３Ｂ１の外周側端部から剥離が始まり、平坦支持面１７の内周側に向けて剥離が進行する。外周側高接着性領域４３Ｂ１の周囲には、接着性層１９Ｂの外周側外縁部１９ａから中心位置に向かって連続する低接着性領域４１が存在するため、外周側高接着性領域４３Ｂ１の端部に剥離力が集中する。このため、少ない駆動力であっても各高接着性領域４３Ｂ１（４３Ｂ２も同様）を剥離させることができ、剥離後のデバイスウエハに損傷を与えたり、反りが生じたりすることを抑制できる。
【００８８】
また、外周側高接着性領域４３Ｂ１と内周側高接着性領域４３Ｂ２が、それぞれ複数の高接着性領域を均等な間隔で環状に配列されているため、接着力の面内分布が周方向に均一化され、均質で強い仮接着が行える。
【００８９】
一方、化学的剥離を行った場合、隣接する外周側高接着性領域４３Ｂ１同士の間の低接着性領域４１に剥離液が浸透して、平坦支持面１７の内周側に向けて剥離液の浸透が進行する。外周側高接着性領域４３Ｂ１の周囲には低接着性領域４１が存在するため、外周側高接着性領域４３Ｂ１の外縁部が剥離液に接触する。その結果、外周側高接着性領域４３Ｂ１の溶解が促進される。内周側高接着性領域４３Ｂ２も同様に、剥離液が外縁部と接触して溶解が促進される。これにより、高接着性領域４３Ｂ１，４３Ｂ２の接着性層の溶解がいち早く完了し、引き続き行われる薄型デバイスウエハ３３の基板支持部材１１からの剥離処理を迅速に開始できる。
【００９０】
＜第３の構成例＞
図１８は接着性層の第３の構成例を示す平面図である。本構成の接着性層１９Ｃは、平坦支持面１７の外周に沿った円環状の一部を切り欠いた高接着性領域４３Ｃ１，４３Ｃ２を有し、他の領域を低接着性領域４１としている。高接着性領域４３Ｃ１の切り欠いた端部５３ａは、高接着性領域４３Ｃ２の切り欠いた端部５５ａに対峙し、反対側の端部５３ｂは端部５５ｂに対峙している。
【００９１】
これら端部５３ａ−５５ａの間と、端部５３ｂ−５５ｂの間の切り欠いた２箇所には、それぞれ接着性層１９Ｃの外周側外縁部から中心位置に向かって連続する低接着性領域４１ａ，４１ｂが設けてある。
【００９２】
本構成の接着性層１９Ｃは、平坦支持面１７の中央部より外周部に多く高接着性領域が配置されている。これにより、基板支持部材とデバイスウエハとの接着強度が高められ、双方を剥離させたくないときに剥がれてしまうトラブルの発生率を下げることができる。
【００９３】
なお、接着性層１９Ｃは、高接着性領域４３Ｃ１，４３Ｃ２の内側の低接着性領域４１に、図示はしないが更に高接着性領域を追加配置した構成としてもよい。その場合、接着力の面内分布がより均一化される。
【００９４】
高接着性領域４３Ｃ１，４３Ｃ２は、個々の高接着性領域の面積Ｓと周長Ｌとの比である指標Ｓ／Ｌが、接着性層１９Ｃの膜厚ｔの１０倍以下とされている。
【００９５】
上記構成の接着性層１９Ｃによれば、機械的剥離を行った場合、まず、高接着性領域４３Ｃ１，４３Ｃ２の切り欠いた端部５３ａ，５３ｂ，５５ａ，５５ｂの外周側角部から剥離が始まり、平坦支持面１７の内周側に向けて剥離が進行する。このように、高接着性領域４３Ｃ１，４３Ｃ２の外周側角部に剥離力が集中し、剥離のきっかけとなるため、図３（Ｂ）に示すテープ３５を引き上げる駆動力が小さくても高接着性領域４３Ｃ１，４３Ｃ２を容易に剥離させることができる。
【００９６】
一方、化学的剥離を行った場合、低接着性領域４１ａ，４１ｂに剥離液が浸透して、平坦支持面１７の内周側に向けて剥離液の浸透が進行する。高接着性領域４３Ｃ１，４３Ｃ２の内周側には低接着性領域４１が配置され、この低接着性領域４１に剥離液が浸透するため、個々の高接着性領域４３Ｃ１，４３Ｃ２の外縁全体が剥離液に接触するようになる。これにより、高接着性領域４３Ｃ１、４３Ｃ２の溶解が促進され、接着性層１９Ｄの溶解がいち早く完了し、引き続き行われる薄型デバイスウエハ３３の基板支持部材１１からの剥離処理を迅速に開始できる。
【００９７】
＜第４の構成例＞
図１９は接着性層の第４の構成例を示す平面図である。本構成の接着性層１９Ｄは、第３の構成例における円環状を切り欠いた高接着性領域４３Ｃ１，４３Ｃ２（図１８参照）の切り欠き数を更に増加させたものである。個々の高接着性領域４３Ｄはそれぞれ長方形であり、高接着性領域４３Ｄの配置領域以外の領域は、接着性層１９Ｄの外周側縁部１９ａから中心位置に向かって連続する低接着性領域４１が配置される。各高接着性領域４３Ｄは、平坦支持面１７の中心位置を中心とする放射方向に沿った長辺と、円周方向に沿った短辺とを有し、相互に重なり合うことなく分散配置されている。
【００９８】
各高接着性領域４３Ｄは、円形の平坦支持面１７の外周に沿う方向（円周方向）となる短辺の最大サイズが、第１の構成例と同様に、０．００５ｍｍ以上１５ｍｍ以下とされている。より好ましくは０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下で、更に好ましくは１ｍｍ以上５ｍｍ以下である。また、高接着性領域４３Ｄは、個々の高接着性領域の面積Ｓと周長Ｌとの比である指標Ｓ／Ｌが、接着性層１９Ｄの膜厚ｔの１０倍以下とされている。
【００９９】
上記構成の接着性層１９Ｄによれば、第３の構成例と同様に、中央部より外周部に多く高接着性領域が配置されている。これにより、基板支持部材とデバイスウエハとの接着強度を高め、双方を剥離させたくないときに剥がれてしまうトラブルの発生率を下げることができる。
【０１００】
また、機械的剥離を行った場合、個々の高接着性領域４３Ｄの外周側端部から剥離が始まり、前述同様に平坦支持面１７の内周側へ向けて剥離が進行する。高接着性領域４３Ｄの外周側端部に剥離力が集中して、この外周側端部が剥離のきっかけとなって剥離が進行するため、少ない駆動力であっても高接着性領域４３Ｄを容易に剥離させることができる。
【０１０１】
化学的剥離を行った場合、高接着性領域４３Ｄ同士間の低接着性領域４１に剥離液が浸透して、平坦支持面１７の内周側に向けて剥離液の浸透が進行する。個々の高接着性領域４３Ｄは低接着性領域４１で囲まれているため、個々の高接着性領域４３Ｄの外縁部全体が剥離液に接触する。これにより、高接着性領域４３Ｄの溶解が促進されて、接着性層１９Ｄの溶解がいち早く完了し、引き続き行われる薄型デバイスウエハ３３の基板支持部材１１からの剥離処理を迅速に開始できる。
【０１０２】
＜第５の構成例＞
図２０は接着性層の第５の構成例を示す平面図である。本構成の接着性層１９Ｅは、多数の円形の高接着性領域４３Ｅが相互に重なり合うことなく分散配置され、他の領域に、接着性層１９Ｅの外周側縁部１９ａから中心位置に向かって連続する低接着性領域４１が配置されることで、網点模様を形成している。高接着性領域４３Ｅは、図示例のように平坦支持面１７の中心位置から等距離となる複数の円環上に、それぞれ周方向に等間隔で配列された配置パターンである以外にも、ランダムな配置パターンであってもよい。
【０１０３】
個々の高接着性領域４３Ｅは、円形の平坦支持面１７の外側に沿う方向（円周方向）となる最大サイズが、第１の構成例と同様に、０．００５ｍｍ以上１５ｍｍ以下とされている。より好ましくは０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下で、更に好ましくは１ｍｍ以上５ｍｍ以下である。本構成の接着性層１９Ｅは、多数の高接着性領域４３Ｅが平坦支持面１７上に細かく分散配置されるので、接着力の面内分布がより均一化され、剥離後のデバイスウエハの損傷や反りの発生が抑制できる。
【０１０４】
また、高接着性領域４３Ｅは、個々の高接着性領域の面積Ｓと周長Ｌとの比である指標Ｓ／Ｌが、接着性層１９Ｅの膜厚ｔの１０倍以下とされている。指標Ｓ／Ｌを膜厚ｔの１０倍以下とすることで、デバイスウエハを基板支持部材から損傷や大きな反りを生じさせることなく剥離できる。
【０１０５】
高接着性領域４３Ｅの面積率（低接着性領域と高接着性領域との合計面積に対する高接着性領域の占有面積の比率）は、３０％以下にすることが好ましい。高接着性ドットの面積率が３０％以下であることで、剥離時における剥離力が過大にならず、図４に示す脱離処理部４９の出力が１ｋＮ／ｓ以下の低出力であっても、円滑な剥離が可能となる。
【０１０６】
また、上記網点模様における網点（高接着性領域４３Ｅ）の形態（大きさ、形状など）は、自由に選択でき、例えば、円形、正方形、長方形、ひし形、三角形、星型、又は、これらが２種以上組み合わされた形状を、任意の寸法で有するものであってもよい。
【０１０７】
上記した各接着性層１９，１９Ａ，１９Ｂ，１９Ｃ，１９Ｄ，１９Ｅの構成の他にも、例えば、図２に示すデバイス面２３におけるデバイスチップ２１の配置位置に対応させて、キャリア部材の平坦支持面上に低接着性領域を設けた構成にもできる。その場合、接着性層の、デバイスチップ２１の配置位置に対応しない領域については、その領域が高接着性領域となる。このため、デバイスウエハと基板支持部材との接着面積を充分に確保でき、デバイスウエハを基板支持部材によって、一層確実に仮支持できる。
【０１０８】
また、この仮支持状態において、デバイスチップ２１は、接着性層の低接着性領域に接触する。そのため、デバイスウエハに対する薄肉化処理等の機械的又は化学的な処理の後に、基板支持部材から薄型デバイスウエハを脱離させる際、薄型デバイスウエハに損傷や反りを与える虞れをより低減できる。
【０１０９】
なお、機械的な剥離を行う場合、同時に剥離する高接着性領域の個数を少なくすれば、剥離力を一層低減できる。従って、剥離線が高接着性領域の配列と平行にならないように、高接着性領域の剥離進行度合いを高接着性領域毎に異ならせることで、更に剥離力を低減できる。また、個々の高接着性領域の配列をランダムにした場合でも更に剥離力を低減できる。
【０１１０】
また、各高接着性領域に対し、略同時に剥離する高接着性領域の各面積を、隣接する高接着性領域同士で異ならせると、面積の小さい高接着性領域が先に剥離完了し、面積の大きい高接着性領域が後まで残る。こうすることで、剥離処理中の剥離力の変動を小さく抑えることができる。従って、各高接着性領域の配列をランダムにするだけでなく、個々の高接着性領域の面積をランダムにすることで、剥離中の剥離力を小さくでき、しかも、剥離力の変動も小さく抑えることができる。
【０１１１】
次に、上述した接着性層１９に用いる材料について詳細に説明する。
デバイスウエハ１３を基板支持部材１１に仮接着させるために用いる接着剤は、一般に、溶液からスピンコート又はスプレーコートにより塗布され高分子接着剤、又はドライフィルムのテープ（例えば、ダイボンディングテープ）としてラミネートされた高分子接着剤である。スピンコート又はスプレーコートにより塗布された接着剤の層は、テープから形成される接着剤の層に比べて膜厚の均一性に優れる。そのため、接着性層１９は、スピンコート又はスプレーコートにより形成したものであることが好ましい。
【０１１２】
接着性層１９の塗布は、スピンコート又はスプレーコートに限らず、溶液の流し込み（例えば、メニスカス塗工、ローラー塗工、フローコート、ドクターコート）、浸漬法、インクジェット法を含む、他の在来方法によっても実施できる。スピンコートにより塗布する場合、接着性層１９を形成する素材は、一般に約５００ｒｐｍから５０００ｒｐｍで約６０秒から約１２０秒の間スピンコートされる。次いでスピンコートされた層は、接着性層１９に存在する溶媒の沸点近く又は沸点以上（例えば、約８０℃から約２５０℃）で約１分から約１５分の間焼成して、接着性層１９内の残存溶媒含有量を重量で約１％未満まで減らす。
【０１１３】
接着性層１９は、一般にモノマー類、オリゴマー類、及び／又は溶媒系に分散又は溶解されたポリマー類を含む材料で形成される。接着性層１９がスピンコートにより塗布されるなら、この材料の固形分含有量は重量で約１％から重量で約５０％が好まれ、重量で約５％から重量で約４０％がより好ましく、重量で約１０％から重量で約３０％が更により好ましい。好適なモノマー類、オリゴマー類、及び／又はポリマー類には、環状オレフィンポリマー類及びコポリマー類並びに原子状フッ素含有量が高い（重量で約３０％超）フッ化シロキサンポリマー類のような非晶形フルオロポリマー類、フッ化エチレン−プロピレンコポリマー類、ペンダントペルフルオロアルコキシ基を持つポリマー類から成る群から選択されたものが含まれ、中でもテトラフルオロエチレン及び２，２−ビス−トリフルオロメチル−４，５−ジフルオロ−ｌ，３−ジオキソールのコポリマー類がとりわけ好まれる。これらの材料の接合力は、その固有の化学構造及びこれを塗布するのに用いた塗工及び焼成条件によることは当然である。
【０１１４】
環状オレフィンポリマー類及びコポリマー類のために好適な溶媒系にはヘキサン、デカン、ドデカン、及びドデセンのような脂肪族溶媒；メシチレンのようなアルキル置換芳香族溶媒；及びこれらの混合物から成る群から選択された溶媒が含まれる。非晶形フルオロポリマー類に好適な溶媒系には、例えば３Ｍ社製のＦＬＵＯＲＩＮＥＲＴＴＭ（登録商標）として市販されるフッ化炭素溶媒が含まれる。
【０１１５】
接着性層１９は、上記材料の他、分散されたナノ粒子を含む高分子材料で形成することもできる。好適なナノ粒子にはアルミナ、セリア、チタニア、シリカ、ジルコニア、グラファイト、及びこれらの混合物から成る群から選択されたものが含まれる。
【０１１６】
接着性層１９の材料は、約１５０℃から約３５０℃の温度で、好ましくは約２００℃から約３００℃で安定を保つべきである。更に、この材料は背面が受ける特定の背面処理工程で直面する化学的な暴露条件下でも安定でなくてはならない。つまり、接着性層１９は分解してはならず（すなわち、重量減が約１％未満）そうでなければ、例えばこれらの条件の下で溶けるなどして、その機械的な完全性を失ってしまう。
【０１１７】
接着性層１９は、更に薄いデバイスウエハ１３に膨れや変形を起こすガス放出をしてはならず、とりわけＣＶＤ誘電層の蒸着のような高真空処理を受けている際にはそうである。
【０１１８】
接着性層１９は、高い接着接合を形成しないことが好ましく、これにより後の分離が容易になる。一般論として、非晶形高分子材料で：（１）表面自由エネルギーが低く；（２）不粘着性でガラス、シリコン、及び金属面に強くは接着しないことが知られ（すなわち、一般に水酸基又はカルボン酸基の濃度が非常に低いか、好ましくはそのような基が全くない）；（３）溶液から流し込めるか又はラミネート用に薄いフィルムに形成でき；（４）代表的な接合条件の下で流れ、デバイスウエハ面の凹凸部を満たし、基板間に気泡の無い接合線を形成し；かつ（５）背面処理工程中に、例え高温又は高真空条件下で実施されたとしても、遭遇する機械的応力の下で割れず、流れず、又は再配分しない、ものが望ましい。ここに用いた低い表面自由エネルギーとは水との接触角が少なくとも約９０°及び臨界表面張力が約４０×１０−５Ｎ／ｃｍ未満、好ましくは約３０×１０−５Ｎ／ｃｍ未満、より好ましくは約１２×１０−５Ｎ／ｃｍから約２５×１０−５Ｎ／ｃｍ、を示す高分子材料と定義され、接触角測定により判定される。
【０１１９】
低接着力とは、ベタ付かず又は接着剤付の便箋を剥がすのに用いる程度の、軽い手の圧力だけで基板から剥がせる高分子材料の接着力を指す。接着性層１９の低接着性領域の材料は、接着力が約７．２５×１０−３Ｐａ（５０ｐｓｉｇ）未満、好ましくは約５．０８×１０−３Ｐａ（３５ｐｓｉｇ）未満から、より好ましくは約０．１４５×１０−３Ｐａ（１ｐｓｉｇ）から約４．３５×１０−３Ｐａ（３０ｐｓｉｇ）のものが望ましい。ここに示す接着力はＡＳＴＭ Ｄ４５４１／Ｄ７２３４ により判定される。上記特性を示す好適な高分子材料の例には、幾つかの環状オレフィンポリマー類及びコポリマー類が含まれ、三井化学からＡＰＥＬ（登録商標）、Ｔｉｃｏｎａから ＴＯＰＡＳ（登録商標）、Ｚｅｏｎブランドの ＺＥＯＮＯＲ（登録商標）として販売されているものが含まれる。更に、溶媒可溶フッ化ポリマーの、旭硝子から販売されているＣＹＴＯＰ（登録商標） 及び ＤｕＰｏｎｔ から販売されている ＴＥＦＬＯＮ（登録商標） アモルファスフロロ（ＡＦ）ポリマー類が含まれる。これらの材料の接着力は、これらを塗布するのに用いられる塗工及び焼成条件によって変化する。
【０１２０】
また、上記以外にも、接着性層１９を形成する材料の良好な溶媒として知られる材料で、接着性層１９自身を溶解する溶媒も含まれる。そのような溶媒の例には、脂肪族溶媒（例えば、ヘキサン、デカン、ドデカン、及びドデセン）、フッ化カーボン溶媒、及びこれらの混合物から成る群から選択されたものが含まれる。
【０１２１】
高接着性領域の材料は、基板支持部材１１とデバイスウエハ１３とを共に強力な接着接合を形成できるものでなくてはならない。接着力は約７．２５×１０−３Ｐａ（５０ｐｓｉｇ）より大きなもの、好ましくは約１１．６×１０−３Ｐａ（８０ｐｓｉｇ）から約３６．２５×１０−３Ｐａ（２５０ｐｓｉｇ）、そしてより好ましくは約１４．５×１０−３Ｐａ（１００ｐｓｉｇ）から約２１．７５×１０−３Ｐａ（１５０ｐｓｉｇ） のものであれば高接着性領域の材料として望ましい。
【０１２２】
更に、この高接着性領域の接着力は、低接着性領域の接着剤より少なくとも約０．０７２５×１０−３Ｐａ（０．５ｐｓｉｇ）、好ましくは少なくとも約２９×１０−３Ｐａ（２０ｐｓｉｇ）、そしてより好ましくは約７．２５×１０−３Ｐａ（５０ｐｓｉｇ）から約３６．２５×１０−３Ｐａ（２５０ｐｓｉｇ） 大きい。更に、高接着性領域が形成されている材料は背面処理工程で求められる熱的及び化学的安定性を満たさなくてはならない。
【０１２３】
高接着性領域の材料は、約１５０℃から約３５０℃までの温度で、好ましくは約２００℃から約３００℃まで安定を保たなければならない。更に、この材料は接合されたデバイスウエハが曝される背面処理工程で受ける化学的暴露条件の下で安定でなくてはならない。高接着性領域の材料は分解してはならず（すなわち、重量減が約１％未満）、そうでなければ上に述べた背面処理工程温度でその機械的完全性が失われる。また、高接着性領域の材料は、薄いデバイスウエハに膨れを起こすような揮発性の化合物を放出してはならず、とりわけＣＶＤ誘電体の蒸着のような高真空処理を受けているときにそうである。
【０１２４】
好適な高接着性領域の材料には ＷａｆｅｒＢＯＮＤ（登録商標）材料（ブリューワーサイエンス社ミズーリー州ローラから販売）のような市販されている暫定ウエハ接合組成物を用いることができる。また、材料中には半導体素材、ガラス、及び金属に対し高い接着力を示すレジン類及びポリマー類が共に含まれていてもよい。
【０１２５】
とりわけ好まれるものは、
（１）高固形分、反応性エポキシ類及びアクリル系のような ＵＶ硬化レジン系
（２）２液性エポキシ及びシリコン接着剤のような同族の熱硬化レジン系
（３）熱可塑性のアクリル系、スチレン系、ハロゲン化ビニル（フッ素系不含）、並びにビニルエステルのポリマー類及びコポリマー類と共に、ポリアミド類、ポリイミド類、ポリスルホン類、ポリエーテルスルホン類、及びポリウレタン類で、溶融状態又は溶液塗膜として塗布し、塗工後に焼成して乾燥させたもの
（４）環状オレフィン類、ポリオレフィンゴム類（例えばポリイソブチレン）、及び炭化水素をベースとした粘着付与樹脂類
が挙げられる。
【０１２６】
これらの材料の接合力は、低接着性領域に用いる材料の場合と同様に、高接着性領域に用いる材料の接着強度も、その固有の化学構造及びこれを塗布するのに用いた塗工及び焼成条件によることは当然である。
【０１２７】
また、上述したデバイスウエハ１３は、デバイスチップを設けるデバイス面に、デバイスチップを保護する保護層を設け、この保護層を介して基板支持部材と仮接着するものであってもよい。保護層の膜厚は、例えば、１〜１０００μｍの範囲内である。保護層は、公知のものを制限なく使用できるが、デバイスチップを確実に保護できるものが好ましい。
【０１２８】
保護層を構成する材料としては、例えば、テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、変性テルペン樹脂、水添テルペン樹脂、水添テルペンフェノール樹脂、ロジン、ロジンエステル、水添ロジン、水添ロジンエステル、重合ロジン、重合ロジンエステル、変性ロジン、ロジン変性フェノール樹脂、アルキルフェノール樹脂、脂肪族石油樹脂、芳香族石油樹脂、水添石油樹脂、変性石油樹脂、脂環族石油樹脂、クマロン石油樹脂、インデン石油樹脂、オレフィンコポリマー（例えば、メチルペンテン共重合体）、シクロオレフィンコポリマー（例えば、ノルボルネン共重合体、ジシクロペンタジエン共重合体、テトラシクロドデセン共重合体）、ノボラック樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、テフロン（登録商標）、ABS樹脂、AS樹脂、アクリル樹脂、セルロース樹脂、ポリアミド、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリブチレンテラフタレート、ポリエチレンテレフタラート、環状ポリオレフィン、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミドイミドなどの合成樹脂や、天然ゴムなどの天然樹脂が挙げられる。中でも、セルロース樹脂、テルペン樹脂、ポリイミド、アクリル樹脂、ポリアミドが好ましく、ポリイミド、ポリアミドがより好ましく、ポリイミドが最も好ましい。保護層は、上記した樹脂の２種以上を組み合わせて構成されても良い。
【０１２９】
被処理部材として上記の保護層付デバイスウエハを用いることは、基板支持部材に仮接着されたデバイスウエハを薄肉化することにより得られる薄型デバイスウエハのＴＴＶ（Total Thickness Variation）を低下させ、薄型デバイスウエハの平坦性をより向上させたい場合に有効である。
【０１３０】
このように、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、実施形態の各構成を相互に組み合わせることや、明細書の記載、並びに周知の技術に基づいて、当業者が変更、応用することも本発明の予定するところであり、保護を求める範囲に含まれる。
【０１３１】
例えば、基板支持部材１１に支持される被処理基板としてシリコン基板を挙げたが、これに限定されるものではなく、機械的又は化学的な処理に供され得るいずれの被処理基板であっても良い。例えば、被処理基板としては、化合物半導体基板を挙げることもできる。化合物半導体基板の具体例としては、ＳｉＣ基板、ＳｉＧｅ基板、ＺｎＳ基板、ＺｎＳｅ基板、ＧａＡｓ基板、ＩｎＰ基板、及び、ＧａＮ基板等が挙げられる。
【０１３２】
更に、基板支持部材１１に支持される被処理基板に対する機械的又は化学的な処理として、デバイスウエハの薄肉化処理、及び、貫通電極の形成処理を挙げたが、これらに限定されるものではない。半導体装置の製造方法において施されるあらゆる処理であっても構わない。
【０１３３】
そして、基板支持部材１１は、半導体装置の製造に利用する以外にも、他の工業製品の機械的加工や化学的加工を行う際に、基板を支持する構造体として利用することも可能である。
【実施例】
【０１３４】
＜キャリア部材の接着性層の形成と、デバイスウエハとの接着及び剥離＞
エポキシベースの感光レジスト（ＳＵ−８ ２００２、Ｍｉｃｒｏｃｈｅｍ社、マサチューセッツ州ニュートン）を、８インチのシリコンウエハ（キャリア部材：ウエハ１）の表面上の高接着性領域となるべき領域（図５の符号４３の網点領域部分）に分注し、ウエハ面の約３〜５ｍｍ巾の部分を同心円弧形状に塗工した。
次に、フッ化シラン（（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドラデシル）トリクロロシラン）をＦＣ−４０溶媒（主にＣ１２を伴ったペルフルオロ化合物で、３Ｍ社製のＦｌｕｏｒｉｎｅｒｔ（商品名））として市販されるフッ素系不活性液体）を用い、濃度１％の溶液となるまで希釈した。希釈した溶液をウエハ１の表面上にスピンコートした。この溶液が塗布されたウエハ１を、ホットプレート上で１００℃にて１分間焼成した。これをスピンコーター内でＦＣ−４０溶媒ですすぎ、１００℃で更に１分間焼成した。エポキシベースのフォトレジストは、スピンコーター内でアセトンを用いて除去し、高接着性領域となるべき領域をフッ化シラン溶液の処理を受けないままに残した。
【０１３５】
別の８インチのシリコンウエハ（デバイスウエハ：ウエハ２）をスピンコートにより接着性組成物を塗布した。このウエハ２を１１０℃で２分間、続いて１６０℃で２分間焼成した。ウエハ２の接着性組成物が塗工された面とウエハ１の塗工面とを向かい合わせて重ね合わせ、加熱した真空加熱チャンバー内の真空下２２０℃で３分間保持した。これにより接合されたウエハ１，２を、それぞれ２つずつ作成し、一方はカミソリ刃を接着界面に挿入することで機械的に剥離させ、他方は剥離液により化学的に剥離させた。化学的に剥離する場合は、ＮＭＰ：Ｎ−メチルピロリドンの溶媒中に２５℃で６０分浸漬させた。
【０１３６】
＜剥離後のデバイスウエハの評価＞
剥離後のウエハ２に対し、反り量を観察した。バック研磨装置を用いて接合面とは反対側の面を、初期厚さ７２５μｍから６０μｍになるまで研磨を実施した。バック研磨前後の接合された８インチウエハの反り量を、ＦＬＸ−２３２０−Ｓ（東朋テクノロジー社製）にて測定した。
【０１３７】
上記のウエハ１，２の接合体を、接着性層の構成が異なる４種類のサンプルを作成した。構成例Ａ１は図５に示す接着性層１９の構成、構成例Ａ２は図１８に示す接着性層１９Ｃの構成、構成例Ａ３は図２０に示す接着性層１９Ｅの構成、構成例Ｂ１は図１８の高接着性領域４３Ｃ１，４３Ｃ２の端部同士（５３ａと５５ａ、５３ｂと５５ｂ）を接続して一つの円環状の高接着性領域とした構成である。
【０１３８】
ウエハ２を実装評価用のＴＥＧチップ（株式会社ウェル製 JCHIP158-150-SE(CS)-D：チップサイズ：５．０２ｍｍ、ＴＳＶ数：２５６、Cuピラー高さ：４５μｍ）に代え、上述の研磨と剥離を行った。剥離後のＴＥＧチップのバンプをＳＥＭ観察により確認した。化学的に剥離させたウエハ２に対しては、溶媒浸漬後の剥離に至るまでの時間を測定した。
【０１３９】
各構成例の反り量の評価基準は、反り量の測定値が３０μｍ以下であった場合はレベルＡとし、３０μｍ以上であった場合はレベルＢとした。バンプ欠損の評価基準は、バンプ欠損が皆無であった場合はレベルＡとし、欠損が一つでも確認された場合はレベルＢとした。剥離時間の評価基準は、１００分以下であった場合はレベルＡとし、１００分を超えた場合はレベルＢとした。
【０１４０】
評価結果を表１に示す。
【０１４１】
【表１】
2014096422.tif 000003
【０１４２】
構成例Ａ１，Ａ２，Ａ３は、機械的剥離、化学的剥離のいずれの場合でも、反り量はレベルＡであり、バンプ欠損と剥離時間についてもレベルＡであった。一方、構成例Ｂ１は、機械的剥離の場合、反り量、バンプ欠損のいずれもレベルＢとなり、化学的剥離の場合、反り量はレベルＡであったが、剥離時間がレベルＢとなった。
【０１４３】
次に、高接着性ドットの形状、膜厚に応じた剥離力の大きさを比較した結果を表２に示す。構成例Ｃ１〜Ｃ３、Ｄ１は円形の高接着性ドット、構成例Ｃ４〜Ｃ７，Ｄ２，Ｄ３は長方形の高接着性ドットで、それぞれ膜厚、サイズが異なっている。サイズは、円形の場合は直径、長方形の場合は短辺と長辺の長さを示している。高接着性ドットの全体の配列は、図２０に示すようにウエハ全面に均一に高接着性ドットを分布させた配列とした。高接着性ドットが長方形の場合は、全体の分布は図２０と同様であるが、各ドットの配置方向を、図１７に示すように長辺が半径方向に平行となるようにした。
【０１４４】
【表２】
2014096422.tif 000004
【０１４５】
Ｓ：高接着性ドットの面積（ｍｍ２）
Ｌ：高接着性ドットの周長（ｍｍ）
ｔ：接着性層の膜厚（ｍｍ）
【０１４６】
各構成例の剥離力の評価基準は、高接着性ドットが、外縁の影響が無くドット全面が高接着性の接着性層である時（実際上は、高接着性ドットが１０ｍｍ以上の非常に大きな時）に比べて、剥離力を１０％以上低減できた場合は有意な低減効果が認められるので、レベルＡとし、低減できなかった場合はレベルＢとした。
【０１４７】
以上の通り、本明細書には次の事項が開示されている。
（１）  接着性層が形成される平坦支持面に被処理基板を着脱可能に支持する基板支持部材であって、
上記接着性層は、第１接着性領域と、その第１接着性領域より高い接着力を有する複数の第２接着性領域とを少なくとも有し、
上記複数の第２接着性領域は、それぞれ上記平坦支持面上で上記第1接着性領域に囲まれて離散配置され、
上記第１接着性領域は、上記接着性層の外周側縁部の少なくとも一部からその接着性層の中心位置に向かって連続して配置される基板支持部材。
（２）  （１）記載の基板支持部材であって、
上記第２接着性領域は、上記平坦支持面の外周に沿って配置され、上記平坦支持面の外周上の少なくとも一部が上記第１接着性領域によって分断されている基板支持部材。
（３）  （１）又は（２）記載の基板支持部材であって、
１つの上記第２接着性領域の面積をＳ、周長をＬとしたときの指標Ｓ／Ｌは、上記接着性層の膜厚の１０倍以下である基板支持部材。
（４）  （１）乃至（３）のいずれか一項記載の基板支持部材であって、
上記第１接着性領域と上記複数の第２接着性領域との合計面積に対する上記複数の第２接着性領域の占有面積の比率が３０％以下である基板支持部材。
（５）  （１）乃至（４）のいずれか一項記載の基板支持部材であって、
上記第２接着性領域は、上記接着性層の外周側縁部に近いほど、隣接する上記第２接着性領域同士の間隔が広い基板支持部材。
（６）  （１）乃至（５）のいずれか一項記載の基板支持部材であって、
１つの上記第２接着性領域は、上記接着性層の外周側縁部に沿う方向の最大サイズが、０．００５ｍｍ以上、１５ｍｍ以下である基板支持部材。
（７）  （１）乃至（６）のいずれか一項記載の基板支持部材であって、
上記第１接着性領域と上記第２接着性領域は、上記接着性層上で網点模様を為し、上記第１接着性領域が上記網点模様の網点域を取り囲む周辺域に対応し、上記第２接着性領域が上記網点域に対応する基板支持部材。
（８）  （１）乃至（７）のいずれか一項記載の基板支持部材であって、
上記平坦支持面は、円形状である基板支持部材。
（９）  （８）記載の基板支持部材であって、
上記複数の第２接着性領域は、それぞれ上記平坦支持面の中心位置に対する点対称位置に配置される基板支持部材。
（１０）  （１）乃至（９）のいずれか一項記載の基板支持部材であって、
上記被処理基板は、半導体基板である基板支持部材。
（１１）  （１）乃至（１０）のいずれか一項記載の基板支持部材であって、
上記平坦支持面は、少なくとも表面が上記被処理基板と同じ材料からなる基板支持部材。
（１２）  （１）乃至（１１）のいずれか一項記載の基板支持部材と、
上記基板支持部材に支持された上記被処理基板に対して、機械的処理と化学的処理の少なくともいずれかの処理を施す基板処理部と、
上記処理が施された上記被処理基板を上記基板支持部材から脱離させる脱離処理部と、
を備える基板処理装置。
（１３）  接着性層が形成される平坦支持面に被処理基板を着脱可能に支持する基板支持部材の製造方法であって、
上記平坦支持面上に、第１接着性領域と、上記第１接着性領域より高い接着力を有する複数の第２接着性領域とをそれぞれ画成するにあたり、
上記複数の第２接着性領域を、それぞれ上記平坦支持面上で上記第1接着性領域を囲んで離散配置し、
上記第１接着性領域を、上記接着性層の外周側縁部からその接着性層の中心位置に向かって連続して配置する基板支持部材の製造方法。
（１４）  （１３）記載の基板支持部材の製造方法であって、
上記接着性層上に特定パターンの表面コート層を形成し、その表面コート層の形成される領域と形成されない領域に応じて、上記第１接着性領域と上記第２接着性領域とを上記特定パターン状に画成する基板支持部材の製造方法。
（１５）  接着性層が形成される平坦支持面に被処理基板を着脱可能に支持する基板支持部材を用いて、上記被処理基板を処理する基板処理方法であって、
上記平坦支持面上に、第１接着性領域と、上記第１接着性領域より高い接着力を有する複数の第２接着性領域とをそれぞれ画成するにあたり、上記複数の第２接着性領域を、それぞれ上記平坦支持面上で上記第1接着性領域を囲んで離散配置し、上記第１接着性領域を、上記接着性層の外周側縁部からその接着性層の中心位置に向かって連続して配置する接着性層形成工程と、
上記接着性層が形成された上記平坦支持面に上記被処理基板を仮接着する仮接着工程と、
上記基板支持部材に仮接着された上記被処理基板に、機械的処理と化学的処理との少なくともいずれかの処理を施す基板処理工程と、
上記処理が施された被処理基板を上記基板支持部材から脱離させる基板脱離工程と、
を有する基板処理方法。
（１６）  （１５）記載の基板処理方法であって、
上記基板処理工程は、上記被処理基板の薄肉化処理を含む基板処理方法。
（１７）  （１５）又は（１６）記載の基板処理方法であって、
上記基板脱離工程は、上記平坦支持面に支持された上記被処理基板を、上記平坦支持面から機械的に剥離する処理を含む基板処理方法。
（１８）  （１５）又は（１６）記載の基板処理方法であって、
上記基板脱離工程は、上記平坦支持面に支持された上記被処理基板に、剥離液を接触させて上記接着性層を溶解除去する処理を含む基板処理方法。
【符号の説明】
【０１４８】
１１  基板支持部材
１３  デバイスウエハ（被処理基板）
１５  キャリア部材
１７  平坦支持面
１９，１９Ｂ，１９Ｃ，１９Ｄ，１９Ｅ  接着性層
１９ａ  外周側縁部
２１  デバイスチップ
２３  デバイス面
３１  基板処理部
３３  薄型デバイスウエハ
３５  テープ
４１，４１ａ  低接着性領域
４３，４３Ａ，４３Ｃ１，４３Ｃ２，４３Ｄ，４３Ｅ  高接着性領域
４３ａ  外縁部
４３Ｂ１  外周側高接着性領域
４３Ｂ２  内周側高接着性領域
４７  駆動部
４９  脱離処理部
１００  基板処理装置
【図１】
2014096422.tif 000005
【図２】
2014096422.tif 000006
【図３】
2014096422.tif 000007
【図４】
2014096422.tif 000008
【図８】
2014096422.tif 000009
【図９】
2014096422.tif 000010
【図１０】
2014096422.tif 000011
【図１１】
2014096422.tif 000012
【図１５】
2014096422.tif 000013
【図１６】
2014096422.tif 000014
【図５】
2014096422.tif 000015
【図６】
2014096422.tif 000016
【図７】
2014096422.tif 000017
【図１２】
2014096422.tif 000018
【図１３】
2014096422.tif 000019
【図１４】
2014096422.tif 000020
【図１７】
2014096422.tif 000021
【図１８】
2014096422.tif 000022
【図１９】
2014096422.tif 000023
【図２０】
2014096422.tif 000024