(57)【要約】【課題】インダクタンスを低減させること。【解決手段】コンデンサ装置２０は、直方体状をなす収容体２１にコンデンサを収容してなる。第１の半導体モジュール５１〜５３は、第１の熱交換器４１を介して、収容体２１の第１の搭載面Ｍ１に接合されている。第１の半導体モジュール５１〜５３の第１の正極側入力端子５４と第１の正極用バスバー３１は、第１の正極側入力端子５４及び第１の正極用バスバー３１を挿通して第１の台座２５に螺合されるネジ部材５８によって、第１の台座２５上で電気的に接続されている。第２の半導体モジュールは、第２の熱交換器８１を介して収容体２１の第２の搭載面Ｍ２に接合されている。第２の半導体モジュールの第２の正極側入力端子と第２の正極用バスバー７５も同様に第２の台座７２上で電気的に接続されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂製の収容体にコンデンサを収容したコンデンサ装置と、
前記収容体に配置される第１の半導体モジュールと、
前記収容体の前記第１の半導体モジュールが搭載される第１の搭載面とは反対側の第２の搭載面に配置される第２の半導体モジュールと、を備え、
前記収容体は、前記第１の搭載面及び前記第２の搭載面に端子台を有し、該端子台には、前記コンデンサと前記第１の半導体モジュール及び前記第２の半導体モジュールとを電気的に接続する配線が設けられることを特徴とするインバータ装置。
【請求項２】
前記第１の半導体モジュールと前記収容体の間には、前記コンデンサ及び前記第１の半導体モジュールを冷却する第１の熱交換部が設けられ、前記第２の半導体モジュールと前記収容体の間には、前記コンデンサ及び前記第２の半導体モジュールを冷却する第２の熱交換部が設けられることを特徴とする請求項１に記載のインバータ装置。
【請求項３】
前記第１の半導体モジュールと前記第２の半導体モジュールは並列接続されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のインバータ装置。
【請求項４】
前記コンデンサは、前記収容体の内部で分岐して、前記第１の半導体モジュール及び前記第２の半導体モジュールの正極側入力端子に電気的に接続される第１の接続端子と、前記収容体の内部で分岐して、前記第１の半導体モジュール及び前記第２の半導体モジュールの負極側入力端子に電気的に接続される第２の接続端子と、を有し、
前記コンデンサは、複数並設されるとともに、並設方向に隣り合う前記コンデンサの第１の接続端子と第２の接続端子は逆向きとなるように配置されることを特徴とする請求項３に記載のインバータ装置。
【請求項５】
前記第１の熱交換部に冷媒を供給する第１の供給部と、前記第２の熱交換部に冷媒を供給する第２の供給部には、冷媒供給源と接続される共通の供給管が接続されることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載のインバータ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンデンサを収容した収容体に半導体モジュールを設けたインバータ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンデンサに発熱体を配置したインバータ装置としては、例えば、特許文献１に記載の冷却流体冷却型回路装置が知られている。
特許文献１に記載の冷却流体冷却型回路装置では、コンデンサの一面に三相インバータ回路をなす半導体モジュールが配置されるとともに、コンデンサの他面に降圧型ＤＣ−ＤＣインバータ回路が配置されている。コンデンサは、三相インバータに接続され、三相インバータの平滑コンデンサとして機能している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−９２１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、インバータ装置においては、インバータ装置の駆動に伴う発熱量の低減などのためにインダクタンスを低減させることが望まれている。
本発明の目的は、インダクタンスを低減させることができるインバータ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するインバータ装置は、樹脂製の収容体にコンデンサを収容したコンデンサ装置と、前記収容体に配置される第１の半導体モジュールと、前記収容体の前記第１の半導体モジュールが搭載される第１の搭載面とは反対側の第２の搭載面に配置される第２の半導体モジュールと、を備え、前記収容体は、前記第１の搭載面及び前記第２の搭載面に端子台を有し、該端子台には、前記コンデンサと前記第１の半導体モジュール及び前記第２の半導体モジュールとを電気的に接続する配線が設けられることを要旨とする。
【０００６】
これによれば、コンデンサを収容する収容体の第１の搭載面及び第２の搭載面に第１の半導体モジュール及び第２の半導体モジュールが配置されることで、コンデンサと各半導体モジュールが隣接した状態で配置され、各半導体モジュールと、コンデンサとの離間距離が短い。コンデンサと各半導体モジュールは、端子台に設けられた配線によって接続されるため、コンデンサと各半導体モジュールを接続するために配線を迂回させたりする必要がなく、配線長が長くなりにくい。このため、第１の半導体モジュール及び第２の半導体モジュールと、コンデンサとの配線距離が短くなり、配線インダクタンスが低減される。
【０００７】
上記インバータ装置について、前記第１の半導体モジュールと前記収容体の間には、前記コンデンサ及び前記第１の半導体モジュールを冷却する第１の熱交換部が設けられ、前記第２の半導体モジュールと前記収容体の間には、前記コンデンサ及び前記第２の半導体モジュールを冷却する第２の熱交換部が設けられることが好ましい。
【０００８】
これによれば、第１の熱交換部及び第２の熱交換部によって、第１の半導体モジュール、第２の半導体モジュール及びコンデンサを冷却することができる。
上記インバータ装置について、前記第１の半導体モジュールと前記第２の半導体モジュールは並列接続されることが好ましい。
【０００９】
これによれば、第１の半導体モジュールと第２の半導体モジュールが並列接続され、かつ、コンデンサが第１の半導体モジュールと第２の半導体モジュールの中間位置に配置されるため、第１の半導体モジュールからコンデンサまでの距離と、第２の半導体モジュールからコンデンサまでの距離との差が小さくなる。このため、配線インダクタンスのバランスが偏ることが抑制され、片方の半導体モジュールに電流が偏って流れることが抑制される。
【００１０】
上記インバータ装置について、前記コンデンサは、前記収容体の内部で分岐して、前記第１の半導体モジュール及び前記第２の半導体モジュールの正極側入力端子に電気的に接続される第１の接続端子と、前記収容体の内部で分岐して、前記第１の半導体モジュール及び前記第２の半導体モジュールの負極側入力端子に電気的に接続される第２の接続端子と、を有し、前記コンデンサは、複数並設されるとともに、並設方向に隣り合う前記コンデンサの第１の接続端子と第２の接続端子は逆向きとなるように配置されることが好ましい。
【００１１】
これによれば、第１の半導体モジュール及び第２の半導体モジュールの正極側入力端子に接続される第１の接続端子と負極側入力端子に接続される第２の接続端子が隣り合うように配置されることで、第１の半導体モジュールから各コンデンサまでの配線距離と、第２の半導体モジュールから各コンデンサまでの配線距離との差を小さくすることができる。このため、配線インダクタンスのバランスが偏ることが更に抑制され、片方の半導体モジュールに電流が偏って流れることが抑制される。また、配線距離自体が短くなるため、配線インダクタンスの絶対値も低減できる。
【００１２】
上記インバータ装置について、前記第１の熱交換部に冷媒を供給する第１の供給部と、前記第２の熱交換部に冷媒を供給する第２の供給部には、冷媒供給源と接続される共通の供給管が接続されることが好ましい。
【００１３】
これによれば、第１の熱交換部及び第２の熱交換部には、冷媒供給源から直接冷媒が供給される。例えば、第１の熱交換部に供給された後の冷媒を第２の供給部から第２の熱交換部に供給する場合、第２の熱交換部に供給される冷媒は、第１の熱交換部で熱交換を行った後の冷媒となるため（冷媒供給源から直接供給されないため）、第２の熱交換部の冷却性能が低下する。この場合には、第２の熱交換部によって冷却される第２の半導体モジュールと第１の熱交換部によって冷却される第１の半導体モジュールとの温度差が大きくなり、第１の半導体モジュールと第２の半導体モジュールの動作バランス及び劣化に偏りが生じるおそれがある。本発明のように、第１の熱交換部及び第２の熱交換部に冷媒供給源から直接冷媒を供給することで、第１の熱交換部と第２の熱交換部の冷却性能の偏りを抑制して、第１の半導体モジュールと第２の半導体モジュールの動作バランス及び劣化に偏りが生じることを抑制することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、インダクタンスを低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施形態におけるインバータ装置を示す概略的に示す斜視図。
【図２】実施形態におけるインバータ装置を示す図１の２−２線断面図。
【図３】実施形態におけるインバータ装置を示す図１の３−３線断面図。
【図４】実施形態におけるインバータ装置を示す図１の４−４線断面図。
【図５】別例のインバータ装置を示す断面図。
【図６】実施形態におけるインバータ装置の電気的構成を示す回路図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、インバータ装置の一実施形態について説明する。
図１及び図２に示すように、インバータ装置１０は、コンデンサ装置２０を備えている。
【００１７】
コンデンサ装置２０は、直方体状をなす収容体２１にコンデンサ２２を収容してなる。収容体２１は、樹脂製のケースに樹脂（ポッティング材）を充填することで形成されている。以下の説明において、収容体２１の長手方向及び短手方向に直交する方向を収容体２１の高さ方向として説明を行う。なお、図１は後述する供給管９１，排出管９５の図示を省略している。
【００１８】
収容体２１の第１の搭載面Ｍ１（高さ方向一面）には、短手方向両端部２１ａ，２１ｂからそれぞれ収容体２１の高さ方向に突出する直方体状の第１の信号端子開口部２４，第１の台座２５が形成されている。第１の信号端子開口部２４，第１の台座２５は、収容体２１の長手方向全体にわたって延びている。収容体２１の長手方向と第１の信号端子開口部２４，第１の台座２５の長手方向は一致している。第１の信号端子開口部２４，第１の台座２５の長手方向両端部には、第１の信号端子開口部２４，第１の台座２５が突出する方向（収容体２１の高さ方向）に向けて更に突出する第１の突起部２６，２７が形成されている。
【００１９】
第１の台座２５には、配線としての第１の正極用バスバー３１及び第１の負極用バスバー３２が設けられている。第１の正極用バスバー３１及び第１の負極用バスバー３２は、第１の台座２５の長手方向に交互に３個ずつ設けられている。第１の正極用バスバー３１及び第１の負極用バスバー３２は、同一の形状をなしている。第１の正極用バスバー３１及び第１の負極用バスバー３２は、板状をなしており、第１の台座２５上から、折り曲げ形成されて、収容体２１の側面まで延びて、収容体２１の側面から収容体２１の内部に入り込んでいる。第１の正極用バスバー３１及び第１の負極用バスバー３２は、収容体２１の内部に収容されたコンデンサ２２と電気的に接続されている。
【００２０】
図１及び図３に示すように、収容体２１の第１の搭載面Ｍ１には、第１の熱交換部としての第１の熱交換器４１が設けられている。第１の熱交換器４１は、収容体２１の第１の搭載面Ｍ１において、第１の信号端子開口部２４と、第１の台座２５との間に設けられている。第１の熱交換器４１は、外形が矩形扁平状に形成されている。第１の熱交換器４１の内部には、第１の熱交換器４１の長手方向に延びるフィン４２が設けられている。フィン４２は、第１の熱交換器４１の短手方向に間隔をおいて複数設けられている。なお、第１の熱交換器４１は図示しない固定手段（例えばボルト締め）によって第１の搭載面Ｍ１に面するように収容体２１に固定されている。
【００２１】
第１の熱交換器４１の長手方向第１端部４１ａには、第１の熱交換器４１の内部と外部とを連通させるとともに、第１の熱交換器４１に冷媒を供給する第１の供給部４３が設けられている。また、第１の熱交換器４１の長手方向第２端部４１ｂには、第１の熱交換器４１の内部と外部とを連通させるとともに、第１の熱交換器４１から冷媒を排出する第１の排出部４４が設けられている。第１の供給部４３と、第１の排出部４４としては、例えば、パイプが用いられる。
【００２２】
第１の熱交換器４１において、第１の搭載面Ｍ１との接合面とは反対側の素子搭載面４１ｃには、第１の半導体モジュール５１〜５３が接合されている。第１の半導体モジュール５１〜５３は、第１の熱交換器４１の長手方向に間隔をあけて３個並んで設けられている。第１の半導体モジュール５１〜５３には、それぞれ、電源の正極に電気的に接続される第１の正極側入力端子５４、電源の負極に電気的に接続される第１の負極側入力端子５６及び負荷に電気的に接続される第１の出力端子５５が設けられている。また、第１の半導体モジュール５１〜５３には、第１の信号端子開口部２４を介して制御装置に接続される第１の信号端子５７が設けられている。第１の正極側入力端子５４、第１の負極側入力端子５６及び第１の出力端子５５は、第１の半導体モジュール５１〜５３の側面に並んで設けられている。第１の半導体モジュール５１〜５３は、第１の正極側入力端子５４、第１の負極側入力端子５６及び第１の出力端子５５が、第１の正極用バスバー３１及び第１の負極用バスバー３２が設けられた第１の台座２５側を向くように第１の熱交換器４１の素子搭載面４１ｃに設けられる。
【００２３】
第１の半導体モジュール５１〜５３の第１の正極側入力端子５４と、第１の正極用バスバー３１とは、第１の台座２５上で重なり合い、第１の負極側入力端子５６と、第１の負極用バスバー３２とは、第１の台座２５上で重なり合う。そして、第１の正極側入力端子５４と第１の正極用バスバー３１は、第１の正極側入力端子５４及び第１の正極用バスバー３１を挿通して第１の台座２５に螺合されるネジ部材５８によって、第１の台座２５上で電気的に接続されている。同様に、第１の負極側入力端子５６と第１の負極用バスバー３２は、ネジ部材５８によって第１の台座２５上で電気的に接続されている。したがって、第１の台座２５が、端子台となる。なお、第１の出力端子５５も同様に、第１の台座２５上でバスバー（図示せず）と接続される。第１の出力端子５５に接続されるバスバーは、負荷に電気的に接続される。このバスバーは、収容体２１の内部に入り込んだあとに負荷に接続されてもよいし、収容体２１の内部に入り込むことなく、負荷に接続されてもよい。
【００２４】
第１の半導体モジュール５１〜５３において、第１の熱交換器４１と対向する面とは反対側の面には、板バネ６０が設けられている。板バネ６０は、略矩形平板状をなす基部６１と、基部６１の長手方向に沿って基部６１の短手方向両側に向けて３箇所から延びる押さえ部６２とからなる。押さえ部６２は、板状をなすとともに、その厚み方向に若干屈曲している。
【００２５】
第１の突起部２６，２７の先端面には、矩形状の板部材６３が設けられている。板部材６３は、板バネ６０の基部６１を押圧している。これにより、押さえ部６２が、第１の半導体モジュール５１〜５３に押しつけられ、第１の半導体モジュール５１〜５３は、第１の熱交換器４１の素子搭載面４１ｃに接合されている。
【００２６】
収容体２１は、収容体２１の高さ方向に対して対称構造となっている。具体的にいえば、収容体２１の第１の搭載面Ｍ１とは反対側の第２の搭載面Ｍ２には、収容体２１の短手方向両端部２１ａ，２１ｂからそれぞれ収容体２１の高さ方向に突出する直方体状の第２の信号端子開口部７１，第２の台座７２が形成されている。第２の信号端子開口部７１，第２の台座７２の長手方向両端部には、第２の信号端子開口部７１，第２の台座７２が突出する方向（収容体２１の高さ方向）に向けて更に突出する第２の突起部７３，７４が形成されている。
【００２７】
第２の台座７２には、配線としての第２の正極用バスバー７５及び第２の負極用バスバー７６が設けられている。第２の正極用バスバー７５及び第２の負極用バスバー７６は、第１の正極用バスバー３１及び第１の負極用バスバー３２が設けられた第１の台座２５と同一方向（短手方向第１端部２１ｂ）に設けられた第２の台座７２に設けられている。第２の正極用バスバー７５及び第２の負極用バスバー７６は、第２の台座７２の長手方向に交互に３個ずつ設けられている。第２の正極用バスバー７５及び第２の負極用バスバー７６は、第１の正極用バスバー３１及び第１の負極用バスバー３２と同一の形状をなしている。第２の正極用バスバー７５と第２の負極用バスバー７６は、収容体２１の側面から収容体２１の内部に入り込んで、コンデンサ２２と電気的に接続されている。
【００２８】
収容体２１の第２の搭載面Ｍ２には、第２の熱交換部としての第２の熱交換器８１が設けられている。第２の熱交換器８１は、収容体２１の第２の搭載面Ｍ２において、第２の信号端子開口部７１と、第２の台座７２との間に設けられている。なお、第２の熱交換器８１は図示しない固定手段（例えばボルト締め）によって第２の搭載面Ｍ２に面するように収容体２１に固定されている。
【００２９】
図２に示すように、第２の熱交換器８１の構造は、第１の熱交換器４１と同様である。第２の熱交換器８１の長手方向第１端部８１ａ（第１の熱交換器４１の長手方向第１端部４１ａと同一方向の端部）には、第２の熱交換器８１の内部と外部とを連通させるとともに、第２の熱交換器８１に冷媒を供給する第２の供給部８２が設けられている。第２の熱交換器８１の長手方向第２端部８１ｂには、第２の熱交換器８１の内部と外部とを連通させるとともに、第２の熱交換器８１から冷媒を排出する第２の排出部８３が設けられている。第２の供給部８２と、第２の排出部８３としては、例えば、パイプが用いられる。
【００３０】
第１の熱交換器４１の第１の供給部４３と第２の熱交換器８１の第２の供給部８２には、供給管９１を介して冷媒供給源９９が接続されている。供給管９１は、冷媒供給源９９に接続される供給源接続部９２と、供給源接続部９２から枝分かれして第１の供給部４３に接続される第１の接続部９３と、供給源接続部９２から枝分かれして第２の供給部８２に接続される第２の接続部９４とからなる。すなわち、第１の熱交換器４１の第１の供給部４３と、第２の熱交換器８１の第２の供給部８２とは、同一の管部材（供給管９１）によって冷媒供給源９９と接続されている。また、供給源接続部９２は第１の供給部４３と第２の供給部８２と等しい距離の位置に配置され、第１の熱交換器４１と第２の熱交換器８１により均等に冷媒が分配されるようになっている。
【００３１】
第１の熱交換器４１の第１の排出部４４と第２の熱交換器８１の第２の排出部８３は、供給管９１と同一形状の排出管９５によって接続されている。排出管９５は、第１の排出部４４に接続される第１の接続部９６と、第２の排出部８３に接続される第２の接続部９７と、冷媒供給源９９に接続される供給源接続部９８とからなる。そして、冷媒供給源９９から供給される冷媒は、供給管９１及び排出管９５を介して第１の熱交換器４１及び第２の熱交換器８１を循環する。
【００３２】
図４に示すように、第２の熱交換器８１において、第２の搭載面Ｍ２との接合面とは反対側の素子搭載面８１ｃには、第２の半導体モジュール１０１〜１０３が接合されている。第２の半導体モジュール１０１〜１０３は、収容体２１が高さ方向に対して対象構造になっているのに合わせて、第１の半導体モジュール５１〜５３とは対象構造になっている。第２の半導体モジュール１０１〜１０３は、第２の熱交換器８１の長手方向に間隔をあけて３個並んで設けられている。第２の半導体モジュール１０１〜１０３には、それぞれ、電源の正極に電気的に接続される第２の正極側入力端子１０４、電源の負極に電気的に接続される第２の負極側入力端子１０６及び負荷に電気的に接続される第２の出力端子１０５が設けられている。また、第２の半導体モジュール１０１〜１０３には、第２の信号端子開口部７１を介して制御装置に接続される第２の信号端子１０７（図３参照）が設けられている。第２の正極側入力端子１０４、第２の負極側入力端子１０６及び第２の出力端子１０５は、第２の半導体モジュール１０１〜１０３の側面に並んで設けられている。第２の半導体モジュール１０１〜１０３は、第２の正極側入力端子１０４、第２の負極側入力端子１０６及び第２の出力端子１０５が、第２の正極用バスバー７５及び第２の負極用バスバー７６が設けられた第２の台座７２側を向くように第２の熱交換器８１の素子搭載面８１ｃに設けられる。
【００３３】
図３に示すように、第２の半導体モジュール１０１〜１０３は、第１の半導体モジュール５１〜５３と同様に、第２の正極側入力端子１０４と第２の正極用バスバー７５、第２の負極側入力端子１０６と第２の負極用バスバー７６のそれぞれが第２の台座７２（端子台）上で電気的に接続される。
【００３４】
各第２の半導体モジュール１０１〜１０３において、素子搭載面８１ｃに接合される面と反対側の面には、板バネ６０が設けられている。第２の半導体モジュール１０１〜１０３は、第１の半導体モジュール５１〜５３と同様に、第２の突起部７３，７４の先端面に設けられた板部材６３が板バネ６０を第２の半導体モジュール１０１〜１０３に押しつけることで第２の熱交換器８１に接合されている。
【００３５】
収容体２１の内部のコンデンサ２２は、複数並設されている。コンデンサ２２は、第１の接続端子２２ａと第２の接続端子２２ｂとを有している。並設方向に隣り合うコンデンサ２２は、第１の接続端子２２ａと第２の接続端子２２ｂとが逆向きになっている。具体的にいえば、第１の接続端子２２ａが第１の半導体モジュール５１〜５３を向き、第２の接続端子２２ｂが第２の半導体モジュール１０１〜１０３を向くように配設されたコンデンサ２２と、第１の接続端子２２ａが第２の半導体モジュール１０１〜１０３を向き、第２の接続端子２２ｂが第１の半導体モジュール５１〜５３を向くように配設されたコンデンサ２２が隣り合っている。
【００３６】
同一方向を向いている第１の接続端子２２ａ同士は、バスバーなどの配線によって接続されている。同一方向を向いている第２の接続端子２２ｂ同士は、バスバーなどの配線によって接続されている。
【００３７】
そして、各第１の接続端子２２ａは、収容体２１の内部で分岐して、第１の半導体モジュール５１〜５３の第１の正極側入力端子５４及び第２の半導体モジュール１０１〜１０３の第２の正極側入力端子１０４に接続されている。また、図示は省略するが、各第２の接続端子２２ｂは、収容体２１の内部で分岐して、第１の半導体モジュール５１〜５３の第１の負極側入力端子５６及び第２の半導体モジュール１０１〜１０３の第２の負極側入力端子１０６に接続されている。
【００３８】
次に、インバータ装置１０の電気的構成を説明する。
図６に示すように、第１の半導体モジュール５１〜５３は、第１のスイッチング素子Ｑ１と第２のスイッチング素子Ｑ２を備えている。また、第２の半導体モジュール１０１〜１０３は、第３のスイッチング素子Ｑ３と第４のスイッチング素子Ｑ４を備えている。各スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４としては、例えば絶縁ゲートバイポーラ型トランジスタ（insulated gate bipolar transistor：ＩＧＢＴ）やパワーＭＯＳＦＥＴ（metal oxide semiconductor field effect transistor）等のパワー半導体素子が用いられる。
【００３９】
第１のスイッチング素子Ｑ１と第２のスイッチング素子Ｑ２は、直列接続されている。第３のスイッチング素子Ｑ３と第４のスイッチング素子Ｑ４は、直列接続されている。各スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４には、ダイオードＤが並列に接続されている。
【００４０】
第１の半導体モジュール５１〜５３において２つのスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の間の接続点は、第１の出力端子５５に接続されている。第２の半導体モジュール１０１〜１０３において２つのスイッチング素子Ｑ３，Ｑ４の間の接続点は、第２の出力端子１０５に接続されている。第１の出力端子５５と第２の出力端子１０５は、バスバーなどによって電気的に接続されるとともに、負荷に接続される。
【００４１】
第１のスイッチング素子Ｑ１のコレクタは、第１の正極側入力端子５４に接続されている。第３のスイッチング素子Ｑ３のコレクタは、第２の正極側入力端子１０４に接続されている。第１の正極側入力端子５４及び第２の正極側入力端子１０４は、バスバーなどによって電気的に接続されるとともに、電源としてのバッテリＢの正極に接続されている。
【００４２】
第２のスイッチング素子Ｑ２のエミッタは、第１の負極側入力端子５６に接続されている。第４のスイッチング素子Ｑ４のエミッタは、第２の負極側入力端子１０６に接続されている。第１の負極側入力端子５６と第２の負極側入力端子１０６は、バスバーなどによって電気的に接続されるとともに、バッテリＢの負極に接続されている。バッテリＢの負極と正極の間には、コンデンサ２２が接続されている。第１のスイッチング素子Ｑ１と第３のスイッチング素子Ｑ３により上アームが構成されており、第２のスイッチング素子Ｑ２と第４のスイッチング素子Ｑ４により下アームが構成されている。そして、第１の半導体モジュール５１と第２の半導体モジュール１０１、第１の半導体モジュール５２と第２の半導体モジュール１０２、第１の半導体モジュール５３と第２の半導体モジュール１０３のそれぞれによってインバータ装置１０の３相分の上下アームが構成されて、本実施形態のインバータ装置１０は、３相インバータ装置を構成している。つまり、半導体モジュール５１〜５３，１０１〜１０３はそれぞれ２つのスイッチング素子とダイオードＤを有してパッケージングされたユニットである。インバータ装置１０は、各スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４がスイッチング動作することで、直流電力を交流電力に変換して負荷に出力する。
【００４３】
次に、インバータ装置１０の作用について説明する。
インバータ装置１０は、例えば、電気自動車や、ハイブリッド自動車に搭載され、供給されたバッテリＢの直流電力を交流電力に変換してモータ（負荷）に出力する。
【００４４】
このとき、第１の半導体モジュール５１〜５３及び第２の半導体モジュール１０１〜１０３は並設接続され、コンデンサ２２が第１の半導体モジュール５１〜５３と第２の半導体モジュール１０１〜１０３との間に位置しているため、配線インダクタンスの差が小さい。このため、第１の半導体モジュール５１〜５３及び第２の半導体モジュール１０１〜１０３に流れる電流の差は小さく、第１の半導体モジュール５１〜５３と第２の半導体モジュール１０１〜１０３の発熱量の差は小さい。
【００４５】
また、収容体２１の第１の搭載面Ｍ１及び第２の搭載面Ｍ２に第１の半導体モジュール５１〜５３及び第２の半導体モジュール１０１〜１０３が配置されることで、コンデンサ２２と第１の半導体モジュール５１〜５３及び第２の半導体モジュール１０１〜１０３は隣接配置されている。そして、隣接配置されたコンデンサ２２と、第１の半導体モジュール５１〜５３及び第２の半導体モジュール１０１〜１０３とを第１の台座２５及び第２の台座７２に設けられた第１の正極用バスバー３１、第１の負極用バスバー３２、第２の正極用バスバー７５及び第２の負極用バスバー７６で接続することで、配線長が短くなり、配線インダクタンスを小さくできる。
【００４６】
第１の半導体モジュール５１〜５３及び第２の半導体モジュール１０１〜１０３を冷却するために、冷媒供給源９９からは、第１の熱交換器４１及び第２の熱交換器８１に液体状又は気体状の冷媒が供給されている。第１の熱交換器４１及び第２の熱交換器８１には、冷媒供給源９９から直接冷媒が供給される。そして、第１の熱交換器４１に供給された冷媒は、第１の熱交換器４１を介して第１の半導体モジュール５１〜５３及びコンデンサ２２と熱交換を行う。第２の熱交換器８１に供給された冷媒は、第２の半導体モジュール１０１〜１０３及びコンデンサ２２と熱交換を行う。
【００４７】
したがって、上記実施形態によれば以下のような効果を得ることができる。
（１）コンデンサ装置２０の収容体２１の第１の搭載面Ｍ１には第１の半導体モジュール５１〜５３が接合されるとともに、第２の搭載面Ｍ２には第２の半導体モジュール１０１〜１０３が接合されている。このため、第１の半導体モジュール５１〜５３及び第２の半導体モジュール１０１〜１０３からコンデンサ２２までの配線長が短くなり、配線インダクタンスが低減される。このため、インバータ装置１０の発熱量が少なくなる。
【００４８】
（２）第１の熱交換器４１は、第１の半導体モジュール５１〜５３と収容体２１の間に設けられ、第２の熱交換器８１は、第２の半導体モジュール１０１〜１０３と収容体２１の間に設けられている。このため、第１の半導体モジュール５１〜５３、第２の半導体モジュール１０１〜１０３及びコンデンサ２２を冷却することができる。
【００４９】
（３）第１の半導体モジュール５１〜５３と第２の半導体モジュール１０１〜１０３はコンデンサ２２から同じ配線長で並列接続されている。このため、配線インダクタンスのバランスが偏ることが抑制され、第１の半導体モジュール５１〜５３に流れる電流と第２の半導体モジュール１０１〜１０３に流れる電流の差を小さくすることができる。
【００５０】
（４）並設方向に隣り合うコンデンサ２２は、第１の接続端子２２ａと第２の接続端子２２ｂが隣り合うように配設されている。このため、コンデンサ２２を並設したときに、両側（第１の半導体モジュール５１〜５３側及び第２の半導体モジュール１０１〜１０３側）に第１の接続端子２２ａ及び第２の接続端子２２ｂが配置される。このため、第１の半導体モジュール５１〜５３側及び第２の半導体モジュール１０１〜１０３側のどちらか一方に第１の接続端子２２ａが配置され、他方に第２の接続端子２２ｂが配置される場合に比べて、第１の半導体モジュール５１〜５３から各コンデンサ２２までの配線距離と、第２の半導体モジュール１０１〜１０３から各コンデンサ２２までの配線距離の差が小さくなる。このため、配線インダクタンスのバランスが偏ることが抑制され、第１の半導体モジュール５１〜５３に流れる電流と第２の半導体モジュール１０１〜１０３に流れる電流の差が小さくなる。
【００５１】
（５）第１の熱交換器４１の第１の供給部４３及び第２の熱交換器８１の第２の供給部８２には、冷媒供給源９９と接続される共通の供給管９１が接続されている。このため、冷媒供給源９９から供給される冷媒は、第１の熱交換器４１及び第２の熱交換器８１に直接供給される。第１の熱交換器４１で熱交換を行った後の冷媒を第２の熱交換器８１に供給して冷却を行う場合に比べて、第１の熱交換器４１と第２の熱交換器８１の冷却性能の差が小さい。このため、第１の半導体モジュール５１〜５３と第２の半導体モジュール１０１〜１０３の温度差が小さくなる。
【００５２】
なお、実施形態は以下のように変更してもよい。
○  図５に示すように、第１の熱交換器４１を流れた後の冷媒が、第２の熱交換器８１に供給されるようにしてもよい。第２の熱交換器８１の長手方向第１端部８１ａには、第２の排出部８３が設けられ、長手方向第２端部８１ｂには、第２の供給部８２が設けられている。すなわち、実施形態とは、第２の供給部８２と第２の排出部８３の位置が逆になっている。そして、第１の排出部４４と第２の供給部８２を管部材１１０で接続する。第１の供給部４３と第２の排出部８３は、それぞれ冷媒供給源９９に接続される。
【００５３】
○  実施形態において、第１の半導体モジュール５１〜５３で１つのインバータを構成し、第２の半導体モジュール１０１〜１０３で１つのインバータを構成してもよい。すなわち、第１の半導体モジュール５１〜５３と第２の半導体モジュール１０１〜１０３は、並列接続されていなくてもよい。
【００５４】
○  実施形態において、第１の熱交換器４１の素子搭載面４１ｃに加え、素子搭載面４１ｃとは反対側の面（第１の搭載面Ｍ１と対向する面）にも第１の半導体モジュール５１〜５３を接合してもよい。同様に、第２の熱交換器８１の素子搭載面８１ｃに加え、素子搭載面８１ｃとは反対側の面（第２の搭載面Ｍ２と対向する面）にも第２の半導体モジュール１０１〜１０３を接合してもよい。この場合も、各半導体モジュールからコンデンサ２２までの配線長が短くなり、また、配線インダクタンスのバランスが偏ることが抑制され、各半導体モジュールに流れる電流の差を小さくすることができる。
【００５５】
○  実施形態において、第１の熱交換器４１及び第２の熱交換器８１を設けず、第１の半導体モジュール５１〜５３を収容体２１の第１の搭載面Ｍ１に直接接合し、第２の半導体モジュール１０１〜１０３を収容体２１の第２の搭載面Ｍ２に直接接合してもよい。
【００５６】
○  実施形態において、第１の半導体モジュール５１〜５３及び第２の半導体モジュール１０１〜１０３の数は、増やしてもよいし、減らしてもよい。
○  実施形態において、配線として板状のバスバーを用いたが、導線などを用いてもよい。
【符号の説明】
【００５７】
Ｍ１…第１の搭載面、Ｍ２…第２の搭載面、１０…インバータ装置、２０…コンデンサ装置、２１…収容体、２２…コンデンサ、２２ａ…第１の接続端子、２２ｂ…第２の接続端子、２５…第１の台座、３１…第１の正極用バスバー、３２…第１の負極用バスバー、４１…第１の熱交換器、４３…第１の供給部、５１，５２，５３…第１の半導体モジュール、５４…第１の正極側入力端子、５６…第１の負極側入力端子、７２…第２の台座、７５…第２の正極用バスバー、７６…第２の負極用バスバー、８１…第２の熱交換器、８２…第２の供給部、９１…供給管、９９…冷媒供給源、１０１，１０２，１０３…第２の半導体モジュール、１０４…第２の正極側入力端子、１０６…第２の負極側入力端子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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