(57)【要約】【課題】書き込み時の浮上高の僅かな上昇でリードエラー率が高くなるのを防止する。【解決手段】実施形態によれば、２つ以上の記録面を備えた１つ以上のディスクと前記２つ以上の記録面にそれぞれ対応する２つ以上のヘッドとを備えた磁気ディスク装置に適用される線記録密度調整方法が提供される。前記方法は、前記２つ以上のヘッドの各々について、当該ヘッドのライト時の浮上高の変化に対応するリードエラー率の変化を表す第１の浮上依存エラー感度を取得する。前記方法はまた、前記第１の浮上依存エラー感度が、閾値よりも高い第２の浮上依存エラー感度であり、且つ前記２つ以上のヘッドのうちの第１のヘッドに対応する場合、前記第１のヘッドに対応する第１の記録面の線記録密度を下げる。【選択図】      図５
2014106991.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つ以上の記録面を備えた１つ以上のディスクと前記２つ以上の記録面にそれぞれ対応する２つ以上のヘッドとを備えた磁気ディスク装置に適用される線記録密度調整方法であって、
前記２つ以上のヘッドの各々について、当該ヘッドのライト時の浮上高の変化に対応するリードエラー率の変化を表す第１の浮上依存エラー感度を取得し、
前記２つ以上のヘッドの各々の前記第１の浮上依存エラー感度を閾値と比較し、
前記第１の浮上依存エラー感度が、前記閾値よりも高い第２の浮上依存エラー感度であり、且つ前記２つ以上のヘッドのうちの第１のヘッドに対応する場合、前記第１のヘッドに対応する第１の記録面の線記録密度を下げる
線記録密度調整方法。
【請求項２】
前記２つ以上の記録面の各々は複数のゾーンを備えており、
前記２つ以上のヘッド及び前記複数のゾーンの組み合わせ毎に前記第１の浮上依存エラー感度が取得され、
前記第２の浮上依存エラー感度が前記第１のヘッド及び第１のゾーンの組み合わせに対応する場合、前記第１の記録面の前記第１のゾーンの前記線記録密度が下げられる
請求項１記載の線記録密度調整方法。
【請求項３】
前記第１の浮上依存エラー感度を取得することは、
前記２つ以上のヘッド及び前記複数のゾーンの組み合わせ毎に、前記ヘッドの浮上高が異なる第１及び第２の状態で前記ヘッドに対応する記録面の前記ゾーンにデータを書き込んで、当該書き込まれたデータを読み出した際にリードエラーが発生する割合を示す第１のリードエラー率及び第２のリードエラー率を測定し、
前記２つ以上のヘッド及び前記複数のゾーンの組み合わせ毎に、前記第１のリードエラー率及び第２のリードエラー率に基づいて前記第１の浮上依存エラー感度を取得する
請求項２記載の線記録密度調整方法。
【請求項４】
前記第１の記録面の前記第１のゾーンの前記線記録密度が下げられた状態における前記磁気ディスク装置の容量を計算し、
前記計算された容量が目標容量に満たない場合、前記第１の浮上依存エラー感度が前記第２の浮上依存エラー感度を除いて最も低い第２のヘッド及び第２のゾーンの組み合わせに基づき、前記第２のヘッドに対応する第２の記録面の前記第２のゾーンの前記線記録密度を上げる
請求項２記載の線記録密度調整方法。
【請求項５】
前記線記録密度が上げられる毎に、前記磁気ディスク装置の容量を再計算し、
前記線記録密度を上げることは、前記再計算された容量が目標容量を超えるまで、前記第１の浮上依存エラー感度が２番目に低いヘッド及びゾーンの組み合わせから順に、対応する記録面の対応するゾーンの前記線記録密度を上げる
請求項４記載の線記録密度調整方法。
【請求項６】
前記第１の記録面の前記線記録密度は、前記第１の記録面にデータを書き込んで、当該書き込まれたデータを読み出した際にリードエラーが発生する割合を示すエラー率を指定値だけ低下させるのに必要な第１の量だけ下げられる
請求項１記載の線記録密度調整方法。
【請求項７】
前記２つ以上の記録面の各々は複数のゾーンを備えており、
前記第１の浮上依存エラー感度を取得することは、
前記２つ以上のヘッド及び前記複数のゾーンの組み合わせ毎に、前記ヘッドの浮上高が異なる第１及び第２の状態で前記ヘッドに対応する記録面の前記ゾーンにデータを書き込んで、当該書き込まれたデータを読み出した際にリードエラーが発生する割合を示す第１のリードエラー率及び第２のリードエラー率を測定し、
前記２つ以上のヘッド及び前記複数のゾーンの組み合わせ毎に、前記第１のリードエラー率及び第２のリードエラー率に基づいて、前記ヘッドのライト時の浮上高の変化に対応するリードエラー率の変化を表す第３の浮上依存エラー感度を取得し、
前記２つ以上のヘッドの各々について、前記ヘッド及び前記複数のゾーンそれぞれの組み合わせの前記第３の浮上依存エラー感度の平均値を前記第１の浮上依存エラー感度として取得する
請求項１記載の線記録密度調整方法。
【請求項８】
２つ以上の記録面を備えた１つ以上のディスクと、
前記２つ以上の記録面にそれぞれ対応する２つ以上のヘッドと、
前記２つ以上のヘッドの各々について、当該ヘッドのライト時の浮上高の変化に対応するリードエラー率の変化を表す第１の浮上依存エラー感度を取得する浮上依存エラー感度取得手段と、
前記２つ以上のヘッドの各々の前記第１の浮上依存エラー感度を閾値と比較し、前記第１の浮上依存エラー感度が前記閾値よりも高いかを判定する判定手段と、
前記第１の浮上依存エラー感度が、前記閾値よりも高い第２の浮上依存エラー感度であり、且つ前記２つ以上のヘッドのうちの第１のヘッドに対応する場合、前記第１のヘッドに対応する第１の記録面の線記録密度を下げる線記録密度調整手段と
を具備する磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、線記録密度調整方法及び磁気ディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置の記録密度が著しく向上している。磁気ディスク装置の記録密度の向上に伴い、磁気ヘッド（より詳細には、磁気ヘッドのリード素子及びライト素子）と磁気ディスク（磁気ディスク媒体）の記録面との間の低スペーシング化が進んでいる。例えば、磁気ヘッド（以下、ヘッドと称する）と磁気ディスク（以下、ディスクと称する）の記録面との間の間隔、つまりヘッドの浮上高が１ナノメートル（ｎｍ）前後の磁気ディスク装置も出現している。
【０００３】
低スペーシング化が進むと、高浮上書き込み（High Fly Write）障害（以下、ＨＦＷ障害と称する）を誘発する可能性が高くなる。ＨＦＷ障害とは、通常設定されているスペーシングよりも高いスペーシングでヘッドによりデータがディスクに書かれる現象をいう。ヘッドのスペーシング（浮上高）が高くなる要因として、当該ヘッドが、ディスク上の表面潤滑剤もしくは当該ディスク上に飛散したグリースに衝突して、当該ヘッドが跳ね上がることが挙げられる。
【０００４】
高いスペーシングでヘッドによりデータがディスクに書かれると、当該データを読み出す際にエラー（つまり、リードエラー）を引き起こす可能性が高くなる。リードエラーの発生率を示す指標として、セクタエラーレート（ＳＥＲ）が知られている。ＳＥＲは、例えば、ディスクの記録面に対応して配置されるヘッド毎に測定される。この場合のＳＥＲは、ヘッドによって対応するディスクの記録面からセクタ単位でデータが読み出される際にリードエラーが発生する割合を示す。また、ディスクの記録面が複数のゾーンに区分して管理される磁気ディスク装置では、ＳＥＲが、ヘッド及びゾーンの組み合わせ毎に測定されることもある。この場合のＳＥＲは、ヘッドによって対応するディスクのゾーンからセクタ単位でデータが読み出される際にリードエラーが発生する割合を示す。
【０００５】
従来の磁気ディスク装置では、全てのヘッド（または全てのヘッド及びゾーンの組み合わせ）に対応するＳＥＲが同等となるように、ディスクの記録面のフォーマット、例えばヘッド毎（またはヘッド及びゾーン毎）の線記録密度ＢＰＩ（bits per inch）が調整される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−１１４１４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したように、高いスペーシングでヘッドによりデータがディスクに書かれると、当該データの読み出しでエラーが発生する可能性が高くなる。このようなヘッドでは、当該ヘッドの浮上高を上げてＳＥＲを測定すると、当該ＳＥＲが大きく悪化する。ここで、ヘッドの浮上高の変化（より詳細には、単位長、例えば１ｎｍの変化）に対応するＳＥＲ（リードエラー率）の変化（悪化）を表す指標を、浮上依存エラー感度［ＳＥＲ／ｎｍ］と呼ぶものとする。
【０００８】
浮上依存エラー感度［ＳＥＲ／ｎｍ］は、ヘッドに依存してばらつく。ヘッドは、浮上依存エラー感度［ＳＥＲ／ｎｍ］に関し、第１のタイプのヘッドと第２のタイプのヘッドとに大別される。第１のタイプのヘッドは、浮上依存エラー感度［ＳＥＲ／ｎｍ］が高く、したがって書き込み時の浮上高の僅かな上昇でＳＥＲが著しく高くなる（つまり悪化する）ようなヘッドである。第２のタイプのヘッドは、浮上依存エラー感度［ＳＥＲ／ｎｍ］が低く、したがって書き込み時の浮上高の僅かな上昇ではＳＥＲはさほど高くならないようなヘッドである。
【０００９】
しかしながら従来技術では、ディスクの記録面のフォーマットの調整に、当該記録面に対応するヘッドが、書き込み時の浮上高の僅かな上昇でＳＥＲが著しく高くなるような第１のタイプのヘッドであるかは考慮されていない。このため従来技術では、第１のタイプのヘッドの場合に、ＨＦＷ障害に起因してリードエラー率が高くなるのを防止することは難しい。
【００１０】
本発明が解決しようとする課題は、書き込み時の浮上高の僅かな上昇でリードエラー率が高くなるのを防止できる、線記録密度調整方法及び磁気ディスク装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
実施形態によれば、２つ以上の記録面を備えた１つ以上のディスクと前記２つ以上の記録面にそれぞれ対応する２つ以上のヘッドとを備えた磁気ディスク装置に適用される線記録密度調整方法が提供される。前記線記録密度調整方法は、前記２つ以上のヘッドの各々について、当該ヘッドのライト時の浮上高の変化に対応するリードエラー率の変化を表す第１の浮上依存エラー感度を取得する。前記線記録密度調整方法はまた、前記２つ以上のヘッドの各々の前記第１の浮上依存エラー感度を閾値と比較する。前記線記録密度調整方法は更に、前記第１の浮上依存エラー感度が、前記閾値よりも高い第２の浮上依存エラー感度であり、且つ前記２つ以上のヘッドのうちの第１のヘッドに対応する場合、前記第１のヘッドに対応する第１の記録面の線記録密度を下げる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施形態に係る磁気ディスク装置の典型的な構成を示すブロック図。
【図２】同実施形態で適用されるディスクの記録面の典型的なフォーマットの概要を示す図。
【図３】図１に示される磁気ディスク装置を含む複数の磁気ディスク装置を製造する工程で測定された浮上依存エラー感度の分布の例を示す図。
【図４】同実施形態におけるディスクの記録面のフォーマットの調整の概要を説明するための図。
【図５】同実施形態で適用されるフォーマット調整の手順を説明するためのフローチャートの一部を示す図。
【図６】同実施形態で適用されるフォーマット調整の手順を説明するためのフローチャートの残りを示す図。
【図７】同実施形態で適用される全てのヘッド及び全てのゾーンの組み合わせ毎の浮上依存エラー感度を測定する処理の手順を示すフローチャート。
【図８】同実施形態で適用されるヒータパワー依存エラー感度を取得する方法を説明するための図。
【図９】同実施形態で適用される線記録密度感度を取得する方法を説明するための図。
【図１０】同実施形態の変形例で適用されるフォーマット調整の手順を説明するためのフローチャートの一部を示す図。
【図１１】同変形例で適用されるフォーマット調整の手順を説明するためのフローチャートの残りを示す図。
【図１２】同変形例で適用されるヘッド毎の浮上依存エラー感度を測定する処理の手順を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、実施の形態につき図面を参照して説明する。  
図１は実施形態に係る磁気ディスク装置の典型的な構成を示すブロック図である。図１に示す磁気ディスク装置は、１つ以上のディスク（磁気ディスク）、例えば２つのディスク１１-0及び１１-1と、２つ以上のヘッド（磁気ヘッド）、例えば４つのヘッドＨ０，Ｈ１，Ｈ２及びＨ３と、スピンドルモータ（ＳＰＭ）１２と、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）アクチュエータ１３とを備えている。
【００１４】
ディスク１１-0及び１１-1は一定の間隔を保って配置された磁気記録媒体である。ディスク１１-0の下面（つまり下側ディスク面）及び上面（つまり上側ディスク面）は、データが磁気記録される記録面ＲＳ０及びＲＳ１をなしている。つまりディスク１１-0は、２つの記録面ＲＳ０及びＲＳ１を備えている。ディスク１１-1の下面及び上面は、データが磁気記録される記録面ＲＳ２及びＲＳ３をなしている。つまりディスク１１-1は、２つの記録面ＲＳ２及びＲＳ３を備えている。ディスク１１-0及び１１-1はＳＰＭ１２によって高速に回転させられる。ＳＰＭ１２は、後述するドライバＩＣ１５から供給される例えば駆動電流により駆動される。
【００１５】
図２は、本実施形態で適用されるディスク１１-r（ｒ＝０，１）の記録面の典型的なフォーマットの概要を示す図である。図２に示されるように、ディスク１１-rの記録面は、当該ディスク１１-rの半径方向にｍ＋１個のゾーンＺ０，Ｚ１，…，Ｚｍに区分して管理される。つまり、ディスク１１-rの記録面は、ｍ＋１個のゾーンＺ０乃至Ｚｍを備えている。ゾーンＺ０乃至Ｚｍの各々は、複数のトラックを備えている。
【００１６】
再び図１を参照すると、ヘッドＨ０及びＨ１は、ディスク１１-0のそれぞれ下面（記録面ＲＳ０）及び上面（記録面ＲＳ１）に対応して配置され、ヘッドＨ２及びＨ３は、ディスク１１-1のそれぞれ下面（記録面ＲＳ２）及び上面（記録面ＲＳ３）に対応して配置される。ヘッドＨ０乃至Ｈ３はそれぞれ、図示せぬリード素子、ライト素子及びヒータ素子を備えている。ヘッドＨ０及びＨ１（より詳細には、ヘッドＨ０及びＨ１のライト素子及びリード素子）はディスク１１-0のそれぞれ記録面ＲＳ０及びＳ１へのデータの書き込み及び当該記録面ＲＳ０及びＳ１からのデータの読み出しに用いられる。ヘッドＨ２及びＨ３（より詳細には、ヘッドＨ２及びＨ３のライト素子及びリード素子）はディスク１１-1のそれぞれ記録面ＲＳ２及びＳ３へのデータの書き込み及び当該記録面ＲＳ２及びＳ３からのデータの読み出しに用いられる。
【００１７】
ヘッドＨｉ（ｉ＝０，１，２，３）のヒータ素子は、コントローラ２２の制御に基づいてドライバＩＣ１６から電力が供給されることにより発熱し、当該ヘッドＨｉの当該ヒータ素子に対応する部分をディスクの記録面ＲＳｉ側に熱膨張させる。これによりヘッドＨｉとディスクの記録面ＲＳｉとの間隔、つまりヘッドＨｉの浮上高が調整される。
【００１８】
ＶＣＭアクチュエータ１３は、例えば３つのアーム１３１，１３２及び１３３を備えている。ヘッドＨ０は、ＶＣＭアクチュエータ１３のアーム１３１から延出したサスペンションＳ０の先端（より詳細には、サスペンションＳ０の先端に備えられたヘッドスライダ）に取り付けられている。ヘッドＨ１及びＨ２は、ＶＣＭアクチュエータ１３のアーム１３２から延出したサスペンションＳ１及びＳ２の先端に取り付けられている。ヘッドＨ３は、ＶＣＭアクチュエータ１３のアーム１３３から延出したサスペンションＳ３の先端に取り付けられている。
【００１９】
ＶＣＭアクチュエータ１３のアーム１３１乃至１３３は枢軸１３４の回りで回動自在に支持されている。ＶＣＭアクチュエータ１３はＶＣＭ１３５を備えている。ＶＣＭ１３５は、ＶＣＭアクチュエータ１３の駆動源である。ＶＣＭ１３５は、ドライバＩＣ１５により供給される駆動電流に応じて駆動して、ＶＣＭアクチュエータ１３のアーム１３１乃至１３３を同時に枢軸１３４の回りに回動させる。つまりＶＣＭ１３５は、アーム１３１乃至１３３をディスク１１-0及び１１-1の半径方向に移動させる。これによりヘッドＨ０乃至Ｈ３は、ディスク１１-0及び１１-1の半径方向に円弧を描くように移動させられる。
【００２０】
図１に示す磁気ディスク装置は更に、ドライバＩＣ１５と、ヘッドＩＣ１６と、コントロール部２０とを備えている。  
ドライバＩＣ１５は、コントロール部２０（より詳細には、コントロール部２０内の後述するコントローラ２２）の制御に従い、ＳＰＭ１２と、ＶＣＭ１３５（ＶＣＭアクチュエータ１３）とを駆動する。ドライバＩＣ１５はまた、コントロール部２０（コントローラ２２）の制御に従い、ヘッドＨｉ（ｉ＝０，１，２，３）のヒータ素子のヒータ素子に供給される電力を制御する。
【００２１】
ヘッドＩＣ１６はヘッドアンプとも呼ばれており、ヘッドＨ０乃至Ｈ３の中から選択された単一のヘッドにより読み出された信号（つまり単一のリード信号）を増幅する。ヘッドＩＣ１６はまた、コントロール部２０（より詳細には、コントロール部２０内の後述するＲ／Ｗチャネル２１）から出力されるライトデータをライト電流に変換し、当該ライト電流を選択された単一のヘッドに出力する。
【００２２】
コントロール部２０は、複数の要素が単一チップに集積されたシステムＬＳＩによって実現される。コントロール部２０は、リード／ライトチャネル（Ｒ／Ｗチャネル）２１と、コントローラ２２と、メモリ部２３とを備えている。
【００２３】
Ｒ／Ｗチャネル２１は、リード／ライトに関連する信号を処理する。即ちＲ／Ｗチャネル２１は、ヘッドＩＣ１６によって増幅された単一のリード信号をデジタルデータに変換し、このデジタルデータからリードデータを復号する。Ｒ／Ｗチャネル２１はまた、上記デジタルデータからサーボデータを抽出する。Ｒ／Ｗチャネル２１はまた、コントローラ２２から転送されるライトデータを符号化し、この符号化されたライトデータをヘッドＩＣ１６に転送する。
【００２４】
コントローラ２２は、ディスク１１-0及び１１-1へのデータの書き込み及びディスク１１-0及び１１-1からのデータの読み出しを制御する。つまりコントローラ２２は、ディスクコントローラとして機能する。コントローラ２２はまた、ホストデバイス（以下、ホストと称する）と当該コントローラ２２との間で外部インターフェース（ストレージインタフェース）を介して信号を授受する。つまりコントローラ２２は、ホストコントローラとしても機能する。具体的には、コントローラ２２は、ホストから外部インターフェースを介して転送されるコマンド（ライトコマンド、リードコマンド等）を受信する。コントローラ２２はまた、ホストと当該コントローラ２２との間のデータ転送を制御する。
【００２５】
ホストは、図１に示される磁気ディスク装置を自身のストレージ装置として利用する。ホスト及び図１に示される磁気ディスク装置は、パーソナルコンピュータ、ビデオカメラ、音楽プレーヤー、携帯端末、携帯電話機、或いはプリンタ装置のような電子機器に備えられている。
【００２６】
コントローラ２２はまた、ヘッドＨ０乃至Ｈ３の中から選択されたヘッドを対応するディスク上の目標位置に位置付けるために、ドライバＩＣ１５を介してＶＣＭ１３５を制御する。コントローラ２２はまた、選択されたヘッドを目標トラックに移動させるためのシーク動作を制御する。つまりコントローラ２２は、サーボコントローラとして機能する。
【００２７】
コントローラ２２はまた、ドライバＩＣ１５を制御することにより、当該ドライバＩＣ１５からヘッドＨｉ（ｉ＝０，１，２，３）のヒータ素子に供給される電力を制御する。この制御により、ヘッドＨｉの浮上高が制御される。ディスクからのデータの読み出しでエラー（リードエラー）が発生する割合（リードエラー率）、つまりＳＥＲは、当該データがディスクに書かれる際の当該ヘッドＨｉの浮上高に依存する。データ書き込み時においてヘッドＨｉの浮上高を目標の高さに制御するために当該ヘッドＨｉのヒータ素子に供給される電力を、ライトヒータパワーｗｈｐと称する。
【００２８】
コントローラ２２は更に、ヘッドＨｉ（ｉ＝０，１，２，３）及びゾーンＺｊ（ｊ＝０，１，…，ｍ）の組み合わせ（またはヘッドＨｉ）毎に、浮上依存エラー感度［ＳＥＲ／ｎｍ］を測定する。コントローラ２２は、ヘッドＨｉ及びゾーンＺｊの組み合わせ（またはヘッドＨｉ）毎の浮上依存エラー感度［ＳＥＲ／ｎｍ］に基づいて、記録面ＲＳｉのゾーンＺｊ（または記録面ＲＳｉ）の線記録密度ＢＰＩを調整する。
【００２９】
本実施形態において、コントローラ２２は、マイクロプロセッサユニット（ＭＰＵ）を備えている。ＭＰＵは、後述するＦＲＯＭ２３１に格納されている制御プログラムを実行することにより、当該コントローラ２２としての機能を実現する。
【００３０】
メモリ部２３は、フラッシュＲＯＭ（ＦＲＯＭ）２３１及びＲＡＭ２３２を備えている。ＦＲＯＭ２３１は書き換え可能な不揮発性メモリである。ＦＲＯＭ２３１の記憶領域の一部には、コントローラ２２を含むコントロール部２０の機能を実現するための制御プログラム（ファームウェア）が予め格納されている。ＦＲＯＭ２３１の記憶領域の他の一部は、ディスク１１-0及び１１-1の記録面ＲＳ０乃至ＲＳ３のフォーマットの調整に用いられた調整パラメータを格納するのに用いられる。ＲＡＭ２３２の記憶領域の少なくとも一部は、コントローラ２２のための作業領域として用いられる。
【００３１】
図３は、図１に示される磁気ディスク装置を含む複数の磁気ディスク装置を製造する工程で測定された浮上依存エラー感度［ＳＥＲ／ｎｍ］の分布の例を示す。図３において、横軸は浮上依存エラー感度［ＳＥＲ／ｎｍ］を示し、縦軸はヘッド数（ヘッドカウント）を示す。浮上依存エラー感度［ＳＥＲ／ｎｍ］は、ヘッドＨｉの浮上高が単位長（例えば、１ｎｍ）変化した場合のエラー率（より詳細には、セクタエラー率ＳＥＲ）の変化を表す。本実施形態では、エラー率（セクタエラー率ＳＥＲ）は、後述するように負の値で表される。このため、浮上依存エラー感度［ＳＥＲ／ｎｍ］も負の値で表される。値の絶対値が大きい浮上依存エラー感度［ＳＥＲ／ｎｍ］ほど、セクタエラー率ＳＥＲの変化が大きいこと、つまり浮上依存エラー感度が高いことを示す。
【００３２】
ここでセクタエラー率ＳＥＲは、エラーセクタ数が０でない場合、次式
ＳＥＲ＝ｌｏｇ（エラーセクタ数／リードセクタ数）
で表される。また、エラーセクタ数が０の場合、セクタエラー率ＳＥＲは便宜的に、次式
ＳＥＲ＝ｌｏｇ（１／リードセクタ数）
で表される。
【００３３】
明らかなように、セクタエラー率ＳＥＲは零より小さく、したがって負の値となる。また、セクタエラー率ＳＥＲは、リードセクタ数が同一であれば、エラーセクタ数が少ないほど小さくなり、エラーセクタ数が多いほど大きくなる（零に近づく）。セクタエラー率ＳＥＲが小さい状態をセクタエラー率ＳＥＲが低いと称し、セクタエラー率ＳＥＲが大きい状態をセクタエラー率ＳＥＲが高いと称する。
【００３４】
上述したように、本実施形態ではセクタエラー率ＳＥＲの計算に関し、エラーセクタ数０は、エラーセクタ数１と同等に扱われる。しかし、エラーセクタ数０を１とすることは、後述する浮上依存エラー感度［ＳＥＲ／ｎｍ］の大小の判定に影響を及ぼさない。
【００３５】
次に本実施形態におけるディスクの記録面のフォーマットの調整の概要について、図４を参照して説明する。図４は、第１のタイプのヘッドの浮上依存エラー感度特性と第２のタイプのヘッドの浮上依存エラー感度特性とを示す。
【００３６】
図４において、ｘ軸（横軸）はライト時におけるヘッドの浮上高（ライト浮上高）ｗｆｈ［ｎｍ］を示し、ｙ軸（縦軸）はセクタエラー率ＳＥＲを示す。ｙ軸の矢印の方向は負の方向を示す。直線４１は第１のタイプのヘッドの浮上依存エラー感度特性を示し、直線４２は第２のタイプのヘッドの浮上依存エラー感度特性を示す。浮上依存エラー感度特性は、ライト浮上高ｗｆｈ［ｎｍ］とセクタエラー率ＳＥＲとの関係を示す。したがって、直線４１及び４２の傾きは浮上依存エラー感度［ＳＥＲ／ｎｍ］を示す。
【００３７】
図４の例では、従来技術と同様の手法によりディスクの記録面のフォーマット調整が行われており、第１のタイプのヘッドのセクタエラー率ＳＥＲは、ライト浮上高ｗｆｈが１ｎｍの場合、第２のタイプのヘッドのセクタエラー率ＳＥＲと同等であり、十分低いものとする。
【００３８】
しかし、直線４１の傾きは直線４２の傾きよりも急である。つまり、第１のタイプのヘッドの浮上依存エラー感度［ＳＥＲ／ｎｍ］は第２のタイプのヘッドの浮上依存エラー感度［ＳＥＲ／ｎｍ］よりも高い。しかも、第１のタイプのヘッドのセクタエラー率ＳＥＲは、ライト浮上高ｗｆｈが１ｎｍよりも高くなると、第２のタイプのヘッドのセクタエラー率ＳＥＲよりも高くなる。
【００３９】
ここで、直線４１の示す第１のタイプのヘッドの浮上依存エラー感度［ＳＥＲ／ｎｍ］が閾値ＴＨよりも大きいものとする。この場合、コントローラ２２は、第１のタイプのヘッドを用いたデータ読み出しにおけるＳＥＲ（セクタエラー率）をΔＳＥＲだけ減らすために、当該第１のタイプのヘッドに対応するディスクの記録面（より詳細には、記録面内のゾーン）の線記録密度ＢＰＩを低くする。このフォーマット調整により、第１のタイプのヘッドの浮上依存エラー感度特性を表す直線は、図４において矢印４３によって示されるようにＳＥＲがΔＳＥＲだけ低くなる方向に移動される。つまり、第１のタイプのヘッドの浮上依存エラー感度特性は、直線４１で示される浮上依存エラー感度特性から、直線４４で示される浮上依存エラー感度特性にΔＳＥＲだけ改善される。これによりＨＦＷ障害に起因するリードエラー発生を低減することが可能となる。
【００４０】
このように本実施形態では、浮上依存エラー感度を考慮したフォーマット調整は、従来のフォーマット調整の後に行われる。従来のフォーマット調整とは、全てのヘッドＨｉ（ｉ＝０，１，２，３）及び全てのゾーンＺｊ（ｊ＝０，１，…，ｍ）の組み合わせで、デフォルトの浮上高（ライト浮上高）に対応するＳＥＲが同等となるように、当該組み合わせ毎の線記録密度ＢＰＩを調整することである。ＳＥＲが同等とは、全てのヘッドＨｉ及び全てのゾーンＺｊの組み合わせのＳＥＲが一定の範囲内に収まることである。
【００４１】
以下、本実施形態で適用されるフォーマット調整の詳細について、図５及び図６のフローチャートを参照して説明する。まずコントローラ２２は、全てのヘッドＨｉ（ｉ＝０，１，２，３）及び全てのゾーンＺｊ（ｊ＝０，１，…，ｍ）の組み合わせＨｉ／Ｚｊ毎の浮上依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ，ｊ］／ｎｍを測定する（ステップ５０１）。このＨｉ／Ｚｊ毎の浮上依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ，ｊ］／ｎｍを測定する処理（ステップ５０１）の手順について、図７のフローチャートを参照して説明する。
【００４２】
まずコントローラ２２は、ヘッドＨｉを示す変数ｉ及びゾーンＺｊを示す変数ｊを、何れも初期値０に設定する（ステップ７０１）。次にコントローラ２２は、ドライバＩＣ１５を制御することにより、当該ドライバＩＣ１５からヘッドＨｉのヒータ素子に供給されるヒータパワーを、ライトのためのデフォルトのヒータパワー（つまり、デフォルトのライトヒータパワーｗｈｐ１（ｘ＝ｗｈｐ＝ｗｈｐ１）に設定する（ステップ７０２）。より詳細に述べるならば、コントローラ２２は、ライトヒータパワーｗｈｐ１を示すパラメータ値（ライトヒータパワーパラメータ値）を、ドライバＩＣ１５の所定のレジスタ（ヒータパワーレジスタ）に設定する。これによりドライバＩＣ１５は、ヘッドＨｉのヒータ素子にライトヒータパワーｗｈｐ１を供給する。本実施形態においてヒータパワーの単位はミリワット（ｍＷ）であるものとする。
【００４３】
次に、コントローラ２２は、Ｈｉ／Ｚｊのセクタエラー率ＳＥＲ（ｙ＝ＳＥＲ）を次のように測定する（ステップ７０３）。まずコントローラ２２は、ヘッドＨｉのヒータ素子にライトヒータパワーｗｈｐ１が供給されている状態で、当該ヘッドＨｉに対応するディスクの記録面ＲＳｉのゾーンＺｊに当該ヘッドＨｉによりデータを書き込む。本実施形態では、記録面ＲＳｉのゾーンＺｊの例えば内周、中周及び外周の予め定められた個数のセクタにデータが書かれるものとする。しかし、記録面ＲＳｉのゾーンＺｊの内周、中周または外周のいずれかの周、或いは当該ゾーンＺｊの任意の周の予め定められた個数のセクタにデータが書かれても良い。また、前記ゾーンＺｊの全域（全セクタ）にデータが書かれても良い。
【００４４】
次にコントローラ２２は、ドライバＩＣ１５を制御することにより、当該ドライバＩＣ１５からヘッドＨｉのヒータ素子に供給されるヒータパワーの値を、リードのためのヒータパワーの値に切り替える。この状態でコントローラ２２は、前記ゾーンＺｊに書かれたデータを読み出す。コントローラ２２は、この読み出しにおいてリードセクタ数とエラーセクタ数とをカウントし、当該リードセクタ数とエラーセクタ数とに基づいてＨｉ／Ｚｊのセクタエラー率ＳＥＲを算出（測定）する。ステップ７０３で測定されたセクタエラー率ＳＥＲ（ｘ＝ＳＥＲ）をｓｅｒ１と表記する。
【００４５】
次にコントローラ２２は、ドライバＩＣ１５を制御することにより、当該ドライバＩＣ１５からヘッドＨｉのヒータ素子に供給されるヒータパワーを、ライトヒータパワーｗｈｐ２（ｘ＝ｗｈｐ＝ｗｈｐ２）に切り替える（ステップ７０４）。ｗｈｐ２は、ｗｈｐ１よりも予め定められた値αだけ低い。つまりｗｈｐ２＝ｗｈｐ１−αである。これにより、ヘッドＨｉの浮上高は上昇する。この状態でコントローラ２２は、上記ステップ７０３と同様に、Ｈｉ／Ｚｊのセクタエラー率ＳＥＲを測定する（ステップ７０５）。ステップ７０５で測定されたセクタエラー率ＳＥＲ（ｘ＝ＳＥＲ）をｓｅｒ２と表記する。セクタエラー率ｓｅｒ２は、ステップ７０３で測定されたセクタエラー率ｓｅｒ１よりも一般に高くなる。
【００４６】
次にコントローラ２２は、ライトヒータパワーｗｈｐ１及びｗｈｐ２と、ライトヒータパワーｗｈｐ１及びｗｈｐ２が設定された際のセクタエラー率ｓｅｒ１及びｓｅｒ２とに基づいて、Ｈｉ／Ｚｊのヒータパワー依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ，ｊ］／ｗｈｐを取得する（ステップ７０６）。Ｈｉ／Ｚｊのヒータパワー依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ，ｊ］／ｗｈｐとは、ライトヒータパワーｗｈｐの変化αに対応するＳＥＲの変化を指す指標である。
【００４７】
以下、ステップ７０６で適用されるヒータパワー依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ，ｊ］／ｗｈｐを取得（算出）する方法について、図８を参照して説明する。コントローラ２２は、ライトヒータパワーｗｈｐをｘ軸）、セクタエラー率ＳＥＲをｙ軸とする図８に示される２次元平面において、点（ｗｈｐ１，ｓｅｒ１）及び点（ｗｈｐ２，ｓｅｒ２）を通る直線８０（ｙ＝Ａｘ＋Ｂ）を求める。ｙ軸の矢印の方向は負の方向を示す。点（ｗｈｐ１，ｓｅｒ１）のｘ座標及びｙ座標は、それぞれ、ステップ７０２で設定されたライトヒータパワーｗｈｐ１及びステップ７０３で測定されたセクタエラー率ｓｅｒ１である。点（ｗｈｐ２，ｓｅｒ２）のｘ座標及びｙ座標は、それぞれ、ステップ７０４で設定されたライトヒータパワーｗｈｐ２（＝ｗｈｐ１−α）及びステップ７０５で測定されたセクタエラー率ｓｅｒ２である。
【００４８】
コントローラ２２は、直線８０の傾きＡを、Ｈｉ／Ｚｊのヒータパワー依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ，ｊ］／ｗｈｐとして取得する。本実施形態では、このヒータパワー依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ，ｊ］／ｗｈｐの取得のために、ライトヒータパワーｗｈｐ１及びｗｈｐ２の差分αは、ヒータパワー依存エラー感度特性（つまり、図４に示した浮上依存エラー感度特性に相当するヒータパワー依存エラー感度特性）が直線で近似される範囲内に予め設定されている。
【００４９】
次にコントローラ２２は、Ｈｉ／Ｚｊのヒータパワー依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ，ｊ］／ｗｈｐ及びヘッドＨｉの浮上感度ｎｍ／ｗｈｐに基づいて、次式
ＳＥＲ［ｉ，ｊ］／ｎｍ＝（ＳＥＲ［ｉ，ｊ］／ｗｈｐ）×（ｗｈｐ／ｎｍ）
により、当該Ｈｉ／Ｚｊの浮上依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ，ｊ］／ｎｍを算出する（ステップ７０７）。ここで、ｗｈｐ／ｎｍは、ヘッドＨｉの浮上感度ｎｍ／ｗｈｐの逆数である。ヘッドＨｉの浮上感度ｎｍ／ｗｈｐとは、当該ヘッドＨｉのヒータ素子に供給されるライトヒータパワーの変化に対応する当該ヘッドＨｉの浮上高の変化を表す指標である。本実施形態では、ヘッドＨ０乃至Ｈ３の各々の浮上感度ｎｍ／ｗｈｐが図１に示される磁気ディスク装置の製造工程で取得されて、ＦＲＯＭ２３１に格納されているものとする。
【００５０】
ステップ７０７で算出された浮上依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ，ｊ］／ｎｍは、Ｈｉ／Ｚｊに対応付けてＲＡＭ２３２の所定の領域に格納される。するとコントローラ２２は、変数ｊを１インクリメントする（ステップ７０８）。そしてコントローラ２２は、インクリメント後の変数ｊが当該変数ｊの最大値ｊmax（つまり、ｍ）を超えているかを判定する（ステップ７０９）。もし、インクリメント後の変数ｊがｊmax（＝ｍ）を超えていないならば（ステップ７０９のＮｏ）、コントローラ２２は、インクリメント後の変数ｊで示されるＨｉ／Ｚｊの浮上依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ，ｊ］／ｎｍを取得（測定）するために、上述のステップ７０２乃至７０７を再度実行する。
【００５１】
一方、インクリメント後の変数ｊがｊmax（＝ｍ）を超えているならば（ステップ７０９のＹｅｓ）、コントローラ２２は、現在の変数ｉで示されるヘッドＨｉと全てのゾーンＺｊ（ｊ＝０，１，…，ｍ）との組み合わせＨｉ／Ｚｊについて、浮上依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ，ｊ］／ｎｍを取得したと判定する。この場合、コントローラ２２は、変数ｉを１インクリメントし、且つ変数ｊを初期値０に戻す（ステップ７１０）。
【００５２】
コントローラ２２は、インクリメント後の変数ｉが当該変数ｉの最大値ｉmax（つまり、３）を超えているかを判定する（ステップ７１１）。もし、インクリメント後の変数ｉがｉmax（＝３）を超えていないならば（ステップ７１１のＮｏ）、コントローラ２２は、インクリメント後の変数ｉ及び変数ｊの初期値で示されるＨｉ／Ｚｊ（つまりＨｉ／Ｚ０）の浮上依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ，ｊ］／ｎｍを取得（測定）するために、上述のステップ７０２乃至７０７を再度実行する。
【００５３】
一方、変数ｉがｉmax（＝３）を超えているならば（ステップ７１１のＹｅｓ）、コントローラ２２は、全てのヘッドＨｉ（ｉ＝０，１，２，３）と全てのゾーンＺｊ（ｊ＝０，１，…，ｍ）との組み合わせＨｉ／Ｚｊについて、浮上依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ，ｊ］／ｎｍを取得したと判定する。
【００５４】
このようにコントローラ２２は、全てのヘッドＨｉ（ｉ＝０，１，２，３）及び全てのゾーンＺｊ（ｊ＝０，１，…，ｍ）の組み合わせＨｉ／Ｚｊについて、上述のステップ７０２乃至７０７を実行する。これによりコントローラ２２は、全てのヘッドＨｉ（ｉ＝０，１，２，３）及び全てのゾーンＺｊ（ｊ＝０，１，…，ｍ）の組み合わせＨｉ／Ｚｊの各々について、浮上依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ，ｊ］／ｎｍを取得（測定）する。するとコントローラ２２は、ライトヒータパワーｗｈｐを指定するＦＲＯＭ２３１内の調整パラメータを通常値に戻す（ステップ７１２）。これにより、図５のフローチャートにおけるステップ５０１は終了する。
【００５５】
次にコントローラ２２は、変数ｉ及びｊを、何れも初期値０に設定する（ステップ５０２）。そしてコントローラ２２は、ステップ５０１で測定されたＨｉ／Ｚｊの浮上依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ，ｊ］／ｎｍ（つまり、変数ｉ及びｊで指定されるヘッドＨｉ及びゾーンＺｊの組み合わせの浮上依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ，ｊ］／ｎｍ）が、予め定められた閾値ＴＨよりも高いかを判定する（ステップ５０３）。つまりコントローラ２２は、ヘッドＨｉの僅かな上昇でもＳＥＲ（リードエラー率）が悪化するかを判定する。
【００５６】
もし、Ｈｉ／Ｚｊの浮上依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ，ｊ］／ｎｍが閾値ＴＨよりも高いならば（ステップ５０３のＹｅｓ）、コントローラ２２は、当該浮上依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ，ｊ］／ｎｍを下げるために、Ｈｉ／ＺｊのＢＰＩ［ｉ，ｊ］をΔＢＰＩだけ下げる（ステップ５０４）。ΔＢＰＩは、Ｈｉ／ＺｊのＳＥＲを目標ＳＥＲ低下量ΔＳＥＲだけ低下させるのに必要な、ＢＰＩの低下量を表す。目標ＳＥＲ低下量ΔＳＥＲは、Ｈｉ／ＺｊのＳＥＲをどの程度下げるべきかを示す。本実施形態において、目標ＳＥＲ低下量ΔＳＥＲは、ユーザの指示によりホストから指定可能であるものとする。
【００５７】
ΔＢＰＩは、目標ＳＥＲ低下量ΔＳＥＲ及びＨｉ／ＺｊのＢＰＩ感度ＢＰＩ／ＳＥＲに基づいて決定される。Ｈｉ／ＺｊのＢＰＩ感度ＢＰＩ／ＳＥＲは、Ｈｉ／ＺｊのＳＥＲを一定量だけ変化させるのに必要なＢＰＩの変化量を示す。コントローラ２２は、ΔＢＰＩを、次式
ΔＢＰＩ＝ΔＳＥＲ×（ＢＰＩ／ＳＥＲ）
により算出する。
【００５８】
以下、ＢＰＩ（線記録密度）感度ＢＰＩ／ＳＥＲを取得（算出）する方法について、図９を参照して説明する。まずコントローラ２２は、フォーマット調整により、Ｈｉ／ＺｊのＢＰＩ［ｉ，ｊ］（つまりヘッドＨｉに対応する記録面ＲＳｉのゾーンＺｊのＢＰＩ）をＢＰＩ１に設定する。より詳細に述べるならば、コントローラ２２は、ＢＰＩ１を指定するパラメータ値（ＢＰＩパラメータ値）を所定のレジスタ（ＢＰＩレジスタ）に設定する。これにより、Ｈｉ／ＺｊのＢＰＩ［ｉ，ｊ］がＢＰＩ１となるように、記録面ＲＳｉのゾーンＺｊがフォーマットされる。ＢＰＩ１は、例えばデフォルトのＢＰＩである。次にコントローラ２２は、ヘッドＨｉに対応する記録面ＲＳｉのゾーンＺｊに当該ヘッドＨｉによりデータを書き込み、しかる後に当該ゾーンＺｊからデータを読み出すことにより、ＢＰＩ１におけるセクタエラー率ＳＥＲ＝ｓｅｒ１を測定する。
【００５９】
次にコントローラ２２は、フォーマット調整により、Ｈｉ／ＺｊのＢＰＩ［ｉ，ｊ］をＢＰＩ１からＢＰＩ２に減らす。このＢＰＩ２を指定するＢＰＩパラメータ値は、ＢＰＩ１を指定するＢＰＩパラメータ値よりも例えば最小値（１ビットに相当する値）だけ小さいものとする。つまりコントローラ２２は、Ｈｉ／ＺｊのＢＰＩをＢＰＩ１からＢＰＩ２に１段階だけ下げる。次にコントローラ２２は、ＢＰＩ１におけるセクタエラー率ＳＥＲ＝ｓｅｒ１の測定と同様に、ＢＰＩ２におけるセクタエラー率ＳＥＲ＝ｓｅｒ２を測定する。
【００６０】
次にコントローラ２２は、ＢＰＩをｘ軸、セクタエラー率ＳＥＲをｙ軸とする図９に示される２次元平面において、点（ＢＰＩ１，ｓｅｒ１）及び点（ＢＰＩ２，ｓｅｒ２）を通る直線９０（ｙ＝Ａｘ＋Ｂ）を求める。コントローラ２２は、直線９０の傾きＡの逆数１／Ａを、Ｈｉ／ＺｊのＢＰＩ感度ＢＰＩ／ＳＥＲとして取得する。コントローラ２２は、ＢＰＩ感度ＢＰＩ／ＳＥＲ及び目標ＳＥＲ低下量ΔＳＥＲに基づき前述したようにΔＢＰＩを算出する。そしてコントローラ２２は、前記ステップ５０４により、Ｈｉ／ＺｊのＢＰＩ［ｉ，ｊ］をΔＢＰＩだけ下げる。
【００６１】
次にコントローラ２２は、Ｈｉ／ＺｊのパフォーマンスＰＦＭ［ｉ，ｊ］を測定する（ステップ５０５）。本実施形態において、Ｈｉ／ＺｊのパフォーマンスＰＦＭ［ｉ，ｊ］は、ヘッドＨｉに対応するディスクの記録面ＲＳｉのゾーンＺｊにシーケンシャルにアクセスする場合のアクセス速度（つまり、データ転送速度）である。次にコントローラ２２は、測定されたパフォーマンスＰＦＭ［ｉ，ｊ］が条件を満たしているかを判定する（ステップ５０６）。測定されたパフォーマンスＰＦＭ［ｉ，ｊ］が条件を満たしているならば（ステップ５０６のＹｅｓ）、つまりＨｉ／ＺｊのＢＰＩ［ｉ，ｊ］をΔＢＰＩ下げても、条件を満たすパフォーマンスＰＦＭ［ｉ，ｊ］が得られるならば、コントローラ２２はステップ５０７に進む。
【００６２】
ステップ５０７においてコントローラ２２は、Ｈｉ／ＺｊのＢＰＩ［ｉ，ｊ］がΔＢＰＩだけ下げられた状態における、図１に示される磁気ディスク装置の容量（つまりドライブ容量）Ｃを算出する。次にコントローラ２２は、算出された容量Ｃが目標とする容量Ｃｔ以上であるかを判定する（ステップ５０８）。もし、容量Ｃが目標とする容量Ｃｔ以上でないならば（ステップ５０８のＮｏ）、つまり、パフォーマンスＰＦＭ［ｉ，ｊ］が条件を満たしていても（ステップ５０６のＹｅｓ）、ＢＰＩ［ｉ，ｊ］が下げられたために容量Ｃが目標とする容量Ｃｔに満たないならば、コントローラ２２はステップ５０９に進む。
【００６３】
これに対し、容量Ｃが目標とする容量Ｃｔ以上であるならば（ステップ５０８のＹｅｓ）、コントローラ２２は、現在までのフォーマットの調整内容がＦＲＯＭ２３１内の調整パラメータに反映されるように、当該調整パラメータを更新する（ステップ６０７）。また、Ｈｉ／Ｚｊの浮上依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ，ｊ］／ｎｍが閾値ＴＨよりも高くないか（ステップ５０３のＮｏ）、或いはパフォーマンスＰＦＭ［ｉ，ｊ］が条件を満たしていないならば（ステップ５０６のＮｏ）、コントローラ２２は、調整パラメータの更新を抑止する（ステップ６０６）。
【００６４】
さて、ステップ５０９においてコントローラ２２は、変数ｎを初期値０に設定する。そしてコントローラ２２は、ステップ５０１で取得された浮上依存エラー感度のうち１＋ｎ番目に低い浮上依存エラー感度ＳＥＲ［ｕ，ｖ］／ｎｍを特定する。ここで、ｕは０乃至３のいずれかであり、ｖは０乃至ｍのいずれかである。但し、ｕ≠ｉ且つｖ≠ｊである。つまり、現在設定されている変数ｉ及びｊにより示されるＨｉ／Ｚｊの浮上依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ，ｊ］／ｎｍは除かれる。なお、１＋ｎ番目に低い浮上依存エラー感度ＳＥＲ［ｕ，ｖ］／ｎｍを特定するために、ステップ５０１で取得された浮上依存エラー感度を、浮上依存エラー感度の低い順にコントローラ２２がソートしておくと良い。
【００６５】
コントローラ２２は図１に示される磁気ディスク装置の容量Ｃを増やすために、特定された浮上依存エラー感度ＳＥＲ［ｕ，ｖ］／ｎｍに対応するヘッドＨｕ及びゾーンＺｖのＢＰＩ、つまり浮上依存エラー感度が１＋ｎ番目に低いヘッドＨｕ及びゾーンＺｖ（Ｈｕ／Ｚｖ）のＢＰＩを１段階上げる（ステップ６０１）。最初のステップ６０１では、ｎ＝０であることから、浮上依存エラー感度が最も低いＨｕ／ＺｖのＢＰＩが１段階上げられる。
【００６６】
次にコントローラ２２は、容量Ｃを再び算出する（ステップ６０２）。即ちコントローラ２２は、Ｈｕ／ＺｖのＢＰＩが１段階だけ上げられた状態における容量Ｃを算出する。次にコントローラ２２は、算出された容量Ｃが目標とする容量Ｃｔ以上であるかを判定する（ステップ６０３）。
【００６７】
もし、容量Ｃが目標とする容量Ｃｔ以上でないならば（ステップ６０３のＮｏ）、コントローラ２２は変数ｎを１インクリメントする（ステップ６０４）。そして、インクリメント後の変数ｎが当該変数ｎの最大値ｎmaxを超えているかを判定する（ステップ６０５）。ここで、ｎmaxは全てのゾーン及び全てのヘッドの組み合わせの数より２少ない数（ｉmax＋１）×（ｊmax＋１）−２、つまり４（ｍ＋１）−２である。
【００６８】
もし、インクリメント後の変数ｎがｎmaxを超えていないならば（ステップ６０５のＮｏ）、コントローラ２２は容量Ｃを更に増やすために、ステップ６０１を再度実行する。２回目のステップ６０１では、ｎ＝１であることから、浮上依存エラー感度が２番目に低いＨｕ／ＺｖのＢＰＩが１段階上げられる。このとき、浮上依存エラー感度が１番目に低いヘッド／ゾーンのＢＰＩは、先のステップ６０１で既に１段階上げられている。
【００６９】
このように、容量Ｃが目標とする容量Ｃｔ以上となるまで、コントローラ２２は変数ｎを１インクリメントしながら（ステップ６０４）、ステップ６０１乃至６０３を繰り返す（ステップ６０５）。但し、容量Ｃが目標とする容量Ｃｔ以上とならなくても（ステップ６０３のＮｏ）、インクリメント後の変数ｎがｎmaxを超えた場合には（ステップ６０５のＹｅｓ）、コントローラ２２はステップ６０１乃至６０３の繰り返しを終了して、ステップ６０６に進む。ステップ６０６においてコントローラ２２は、調整パラメータの更新を抑止する。
【００７０】
一方、容量Ｃが目標とする容量Ｃｔ以上となったならば（ステップ６０３のＹｅｓ）、コントローラ２２はステップ６０７に進む。ステップ６０７においてコントローラ２２は、現在までのフォーマットの調整内容が調整パラメータに反映されるように、当該調整パラメータを更新する。
【００７１】
コントローラ２２は、ステップ６０６または６０７を実行すると、変数ｊを１インクリメントする（ステップ６０８）。そしてコントローラ２２は、インクリメント後の変数ｊがｊmax（つまり、ｍ）を超えているかを判定する（ステップ６０９）。もし、インクリメント後の変数ｊがｊmax（＝ｍ）を超えていないならば（ステップ６０９のＮｏ）、コントローラ２２はインクリメント後の変数ｊで示されるＨｉ／Ｚｊの浮上依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ，ｊ］／ｎｍを評価するためにステップ５０３に戻る。このようにして、ヘッドＨｉ及び全てのゾーンＺ０乃至Ｚｍの組み合わせ毎の浮上依存エラー感度が評価され、その評価結果に基づいてフォーマット調整が行われる。
【００７２】
これに対し、インクリメント後の変数ｊがｊmax（＝ｍ）を超えているならば（ステップ６０９のＹｅｓ）、コントローラ２２は変数ｉを１インクリメントし、且つ変数ｊを初期値０に戻す（ステップ６１０）。コントローラ２２は、インクリメント後の変数ｉが当該変数ｉの最大値ｉmax（つまり、３）を超えているかを判定する（ステップ６１１）。もし、インクリメント後の変数ｉがｉmax（＝３）を超えていないならば（ステップ６１１のＮｏ）、コントローラ２２は、インクリメント後の変数ｉ及び変数ｊの初期値で示されるＨｉ／Ｚｊ（つまりＨｉ／Ｚ０）の浮上依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ，ｊ］／ｎｍを評価するためにステップ５０３に戻る。
【００７３】
このようにして、全てのヘッドＨ０乃至Ｈ３及び全てのゾーンＺ０乃至Ｚｍの組み合わせ毎の浮上依存エラー感度が評価され、その評価結果に基づいてフォーマット調整が行われる。このように本実施形態においては、全てのヘッドＨｉ（ｉ＝０，１，２，３）及び全てのゾーンＺｊ（ｊ＝０，１，…，ｍ）の組み合わせＨｉ／ＺｊのＳＥＲが同等になるようにフォーマット（ＢＰＩ）の調整がされた後に、当該Ｈｉ／Ｚｊの浮上依存エラー感度に応じて当該Ｈｉ／Ｚｊのフォーマット（ＢＰＩ）が微調整される。よって本実施形態によれば、例えばＨＦＷ障害に起因する書き込み時のヘッド浮上高の僅かな上昇でリードエラー率が高くなるのを防止することができる。これにより、磁気ディスク装置の製造工程における歩留まりの向上、更には磁気ディスク装置の品質の向上を図ることができる。
【００７４】
＜変形例＞
次に、前記実施形態の変形例について説明する。前記実施形態では、全てのヘッドＨｉ（ｉ＝０，１，２，３）及び全てのゾーンＺｊ（ｊ＝０，１，…，ｍ）の組み合わせＨｉ／Ｚｊ毎に浮上依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ，ｊ］／ｎｍが取得される。そして浮上依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ，ｊ］／ｎｍに基づいて、Ｈｉ／Ｚｊ毎にＢＰＩが調整される。これに対して本変形例では、ヘッドＨｉ毎に浮上依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ］／ｎｍが取得される。そして浮上依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ］／ｎｍに基づいて、Ｈｉ毎にＢＰＩが調整される。
【００７５】
以下、本変形例で適用されるフォーマット調整について、前記実施形態と相違する点を中心に、図１０及び図１１のフローチャートを参照して説明する。まずコントローラ２２は、ヘッドＨｉ（ｉ＝０，１，２，３）毎の浮上依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ］／ｎｍを測定する（ステップＡ１）。このＨｉ毎の浮上依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ］／ｎｍを測定する処理（ステップＡ１）の手順について、前記実施形態と相違する点を中心に、図１２のフローチャートを参照して説明する。
【００７６】
コントローラ２２は、図７のステップ７０１に相当するステップＣ１を実行し、しかる後に図７のステップ７０２乃至７０９に相当するステップＣ２乃至Ｃ５をｊmax（＝ｍ）＋１回繰り返すことにより、ヘッドＨｉ及び全てのゾーンＺｊ（ｊ＝０，１，…，ｍ）の組み合わせＨｉ／Ｚｊについて、浮上依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ，ｊ］／ｎｍを取得する。するとコントローラ２２は、ヘッドＨｉ及び全てのゾーンＺｊ（ｊ＝０，１，…，ｍ）の組み合わせＨｉ／Ｚ０，Ｈｉ／Ｚ１，…，Ｈｉ／Ｚｍの浮上依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ，０］／ｎｍ，ＳＥＲ［ｉ，１］／ｎｍ，…，ＳＥＲ［ｉ，ｍ］／ｎｍの平均値を算出し、当該平均値をヘッドＨｉの浮上依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ］／ｎｍとして取得する（ステップＣ６）。
【００７７】
コントローラ２２は、上述のヘッドＨｉの浮上依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ］／ｎｍを取得する処理を、全てのヘッドＨ０乃至Ｈ３について繰り返す（ステップＣ７及びＣ９）。そして全てのヘッドＨｉ（ｉ＝０，１，２，３）の浮上依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ］／ｎｍを取得すると、コントローラ２２はライトヒータパワーｗｈｐを指定するＦＲＯＭ２３１内の調整パラメータを通常値に戻す（ステップＣ９）。これにより、図１０のフローチャートにおけるステップＡ１は終了する。
【００７８】
以降の動作は、前記実施形態と同様である。但し、前記実施形態では、ヘッドＨｉ及びゾーンＺｊの組み合わせＨｉ／Ｚｊ毎に浮上依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ，ｊ］／ｎｍが評価され、その評価結果に基づいてＨｉ／Ｚｊ毎にＢＰＩ［ｉ，ｊ］が調整される（ステップ５０２乃至５０９及び６０１乃至６１１）。これに対して本変形例では、以下に述べるように、ヘッドＨｉ毎に浮上依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ］／ｎｍが評価され、その評価結果に基づいてＨｉ毎にＢＰＩが調整される（ステップＡ２乃至Ａ９及びＢ１乃至Ｂ９）。
【００７９】
まず変数ｉが初期値０に設定され（ステップＡ２）、しかる後に浮上依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ］／ｎｍが評価される（ステップＡ３）。もし、浮上依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ］／ｎｍが閾値ＴＨよりも大きくないならば（ステップＡ３のＮｏ）、コントローラ２２はステップＢ６に進む。これに対し、浮上依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ］／ｎｍが閾値ＴＨよりも大きいならば（ステップＡ３のＹｅｓ）、コントローラ２２は、ヘッドＨｉに対応する記録面ＲＳｉ上の全てのゾーンＺ０乃至ＺｍのＢＰＩを、以下に述べるように一様に調整する（ステップＡ４）。
【００８０】
コントローラ２２は、ＢＰＩ［ｉ］の調整量、即ち低下量ΔＢＰＩを、目標ＳＥＲ低下量ΔＳＥＲと、記録面ＲＳｉ上の全てのゾーンＺ０乃至ＺｍのＢＰＩ感度ＢＰＩ／ＳＥＲの平均値ＡＶ（ＢＰＩ／ＳＥＲ）とに基づいて決定する。即ちコントローラ２２は、ΔＢＰＩを、次式
ΔＢＰＩ＝ΔＳＥＲ×ＡＶ（ＢＰＩ／ＳＥＲ）
により算出する。そしてコントローラ２２は、前記ステップＡ４により、ヘッドＨｉに対応する記録面ＲＳｉ上の全てのゾーンＺ０乃至ＺｍのＢＰＩをΔＢＰＩだけ一様に下げる。
【００８１】
次にコントローラ２２は、ヘッドＨｉのパフォーマンスＰＦＭ［ｉ］を測定する（ステップＡ５）。本実施形態において、ヘッドＨｉのパフォーマンスＰＦＭ［ｉ］は、ヘッドＨｉに対応するディスクの記録面ＲＳｉにシーケンシャルにアクセスする場合のデータ転送速度である。次にコントローラ２２は、測定されたパフォーマンスＰＦＭ［ｉ］が条件を満たしているかを判定する（ステップＡ６）。
【００８２】
測定されたパフォーマンスＰＦＭ［ｉ］が条件を満たしていないならば（ステップＡ６のＮｏ）、コントローラ２２はステップＢ６に進む。これに対し、測定されたパフォーマンスＰＦＭ［ｉ］が条件を満たしているならば（ステップＡ６のＹｅｓ）、コントローラ２２は、ヘッドＨｉの全ゾーンＺ０乃至ＺｍのＢＰＩがΔＢＰＩだけ下げられた状態におけるドライブ容量Ｃを算出する（ステップＡ７）。次にコントローラ２２は、算出された容量Ｃが目標とする容量Ｃｔ以上であるかを判定する（ステップＡ８）。もし、容量Ｃが目標とする容量Ｃｔ以上であるならば（ステップＡ８のＹｅｓ）、コントローラ２２は、現在までのフォーマットの調整内容がＦＲＯＭ２３１内の調整パラメータに反映されるように、当該調整パラメータを更新する（ステップＢ７）。
【００８３】
これに対し、容量Ｃが目標とする容量Ｃｔ以上でないならば（ステップＡ８のＮｏ）、コントローラ２２は、浮上依存エラー感度が最も低いヘッドＨｕの全ゾーンＺ０乃至ＺｍのＢＰＩを１段階上げる（ステップＡ９及びＢ１）。次にコントローラ２２は、容量Ｃを再び算出して（ステップＢ２）、算出された容量Ｃが目標とする容量Ｃｔ以上であるかを判定する（ステップＢ３）。もし、算出された容量Ｃが目標とする容量Ｃｔ以上であれば（ステップＢ３のＹｅｓ）、コントローラ２２は、現在までのフォーマットの調整内容がＦＲＯＭ２３１内の調整パラメータに反映されるように、当該調整パラメータを更新する（ステップＢ７）。
【００８４】
これに対し、容量Ｃが目標とする容量Ｃｔ以上でないならば（ステップＢ３のＮｏ）、コントローラ２２は、浮上依存エラー感度が２番目に低いヘッドＨｕの全ゾーンＺ０乃至ＺｍのＢＰＩを１段階上げる（ステップＢ４，Ｂ５及びＢ１）。このとき、浮上依存エラー感度が最も低いヘッドの全てのゾーンのＢＰＩは、先のステップＢ１で既に１段階上げられている。
【００８５】
このように、容量Ｃが目標とする容量Ｃｔ以上となるまで、コントローラ２２はステップＢ１乃至Ｂ３を繰り返す（ステップＢ４及びＢ５）。但し、浮上依存エラー感度が１番目乃至（１＋ｎmax）番目に低いヘッドの全てのゾーンのＢＰＩが下げられても、容量Ｃが目標とする容量Ｃｔ以上とならないならば（ステップＢ３のＮｏ及びステップＢ５のＹｅｓ）、コントローラ２２はステップＢ６に進む。ここで、ｎmaxは、ｊmax−１（＝２）である。ステップＢ６においてコントローラ２２は、調整パラメータの更新を抑止する。
【００８６】
コントローラ２２は、ステップＢ６またはＢ７を実行すると、変数ｉを１インクリメントする（ステップＢ８）。そしてコントローラ２２は、インクリメント後の変数ｉがｉmax（つまり、３）を超えているかを判定する（ステップＢ９）。もし、インクリメント後の変数ｉがｉmax（＝３）を超えていないならば（ステップＢ９のＮｏ）、コントローラ２２はインクリメント後の変数ｉで示されるヘッドＨｉの浮上依存エラー感度ＳＥＲ［ｉ］／ｎｍを評価するためにステップＡ３に戻る。
【００８７】
このようにして、全てのヘッドＨｉの浮上依存エラー感度が評価され、その評価結果に基づいてフォーマット調整が行われる。このように本変形例においては、全てのヘッドＨｉ（ｉ＝０，１，２，３）及び全てのゾーンＺｊ（ｊ＝０，１，…，ｍ）の組み合わせＨｉ／ＺｊのＳＥＲが同等になるようにフォーマット（ＢＰＩ）の調整がされた後に、当該ヘッドＨｉの浮上依存エラー感度に応じて当該ヘッドＨｉに対応する全てのゾーンのフォーマット（ＢＰＩ）が微調整される。よって本変形例によれば、書き込み時のヘッド浮上高の僅かな上昇でリードエラー率が高くなるのを防止することができる。
【００８８】
上述したように、前記実施形態及びその変形例では、浮上依存エラー感度を考慮したフォーマット（ＢＰＩ）の調整が、全てのヘッドＨｉ及び全てのゾーンＺｊの組み合わせＨｉ／ＺｊのＳＥＲが同等になるようにフォーマットの調整がされた後に行われる。しかし、浮上依存エラー感度を考慮したフォーマット（ＢＰＩ）の調整が、例えばゾーン毎に予め定められた（つまりデフォルトの）フォーマット（ＢＰＩ）に調整（設定）された後に行われても良い。
【００８９】
また、前記実施形態及びその変形例では、ディスク１１-0及び１１-1の各記録面がｍ＋１個のゾーンＺ０乃至Ｚｍに区分される場合を前提としている。しかし、ディスク１１-0及び１１-1の各記録面が必ずしも複数のゾーンに区分される必要はない。この場合、前記実施形態の変形例と同様に、ヘッドＨ０乃至Ｈ３の浮上依存エラー感度に応じて当該ヘッドＨ０乃至Ｈ３に対応する記録面ＲＳ０乃至ＲＳ３のフォーマット（ＢＰＩ）が微調整されれば良い。ここで、ヘッドＨｉ（ｉ＝０，１，２，３）の浮上依存エラー感度を取得するのに、記録面ＲＳｉの例えば、内周、中周及び外周へのデータの書き込み及び書かれたデータの読み出しを行うと良い。
【００９０】
また、前記実施形態及びその変形例では、２枚のディスク１１-0及び１１-1を備えた磁気ディスク装置を想定している。しかし、単一枚のディスクを備えた磁気ディスク装置、或いは２枚を超えるディスクが積層配置された磁気ディスク装置であっても構わない
以上説明した少なくとも１つの実施形態によれば、書き込み時のヘッド浮上高の僅かな上昇でリードエラー率が高くなるのを防止することができる。
【００９１】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００９２】
１１-0，１１-1…ディスク、Ｈ０〜Ｈ３…ヘッド、ＲＳ０〜ＲＳ３…記録面、１５…ドライバＩＣ、１６…ヘッドＩＣ、２０…コントロール部、２１…リード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル、２２…コントローラ、２３…メモリ部、２３１…フラッシュＲＯＭ（ＦＲＯＭ）、２３２…ＲＡＭ、Ｚ０〜Ｚｍ…ゾーン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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