(57)【要約】【課題】製品基板の基板に含まれるＡｌの影響を排除でき、Ａｌ膜の厚みを正確に求めることができる膜厚測定装置を提供する。【解決手段】基板Ａｌ検出手段は、成膜前の基板（１１）に、測定ヘッド（２３）から１次Ｘ線を照射し、この基板（１１）から発生する蛍光Ｘ線を、測定ヘッド（２３）により検出して、この基板（１１）に含まれるアルミニウム成分を検出する。Ａｌ膜補正手段は、基板（１１）にＡｌ膜が成膜されたとき、測定ヘッド（２３）によりＡｌ膜から検出された蛍光Ｘ線の強度を、基板Ａｌ検出手段の検出結果に基づいて、補正して、Ａｌ膜の厚みを求める。【選択図】図７
2014052312.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基台と、
上記基台に設けられると共に、成膜された製品基板を載置する基板ステージと、
上記基板ステージに対して第１方向に延在すると共に、上記基板ステージに対して第２方向に移動可能となるように上記基台に取り付けられるガントリーと、
上記ガントリーに上記第１方向に移動可能に取り付けられるスライダーと、
上記スライダーに固定されると共に、上記基板ステージに載置された上記製品基板の膜に１次Ｘ線を照射してこの膜から発生する蛍光Ｘ線を検出する測定ヘッドと、
上記測定ヘッドにより検出された上記蛍光Ｘ線の強度から上記膜の厚みを求める解析手段と
を備え、
上記解析手段は、
上記製品基板の成膜前の基板に、上記測定ヘッドから１次Ｘ線を照射し、この基板から発生する蛍光Ｘ線を、上記測定ヘッドにより検出して、この基板に含まれるアルミニウム成分を検出する基板Ａｌ検出手段と、
上記製品基板の上記膜のうち、アルミニウムから構成されるＡｌ膜があるとき、上記測定ヘッドにより上記Ａｌ膜から検出された蛍光Ｘ線の強度を、上記基板Ａｌ検出手段の検出結果に基づいて、補正して、上記Ａｌ膜の厚みを求めるＡｌ膜補正手段と
を有することを特徴とする膜厚測定装置。
【請求項２】
請求項１に記載の膜厚測定装置において、
上記基板Ａｌ検出手段は、全ての上記製品基板毎に、成膜前の上記基板のアルミニウム成分を検出することを特徴とする膜厚測定装置。
【請求項３】
請求項１に記載の膜厚測定装置において、
上記基板Ａｌ検出手段は、全ての上記製品基板のロット毎に、成膜前の上記基板のアルミニウム成分を検出することを特徴とする膜厚測定装置。
【請求項４】
請求項１に記載の膜厚測定装置において、
上記基板Ａｌ検出手段は、全ての上記製品基板のうちの少なくとも一つの製品基板について、成膜前の上記基板のアルミニウム成分を検出することを特徴とする膜厚測定装置。
【請求項５】
請求項１から４の何れか一つに記載の膜厚測定装置において、
上記基板Ａｌ検出手段が、上記基板のアルミニウム成分を検出するとき、
上記測定ヘッドによって測定される上記基板の測定位置は、上記基板ステージに設けられる空間領域に重なることを特徴とする膜厚測定装置。
【請求項６】
請求項５に記載の膜厚測定装置において、
上記基板ステージに設けられる空間領域は、エアを吸い込みまたはエアを吹き出すための空気孔であることを特徴とする膜厚測定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板上の膜厚を測定する膜厚測定装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、膜厚測定装置としては、特開平３−９４４４４号公報（特許文献１）に記載されたものがある。この膜厚測定装置では、基板上の膜に１次Ｘ線を照射し、この膜から発生する蛍光Ｘ線を検出し、この蛍光Ｘ線の強度から膜厚を求めている。
【０００３】
ところで、図８に示すように、基板１０１上に、アルミニウムから構成されるＡｌ膜１０２が積層され、この基板１０１が、例えばＡｌ２Ｏ３のガラス基板であって、アルミニウム成分を含む場合、Ａｌ膜１０２に１次Ｘ線１５０を照射すると、Ａｌ膜１０２のＡｌから発生する蛍光Ｘ線１５２に加えて、基板１０１のＡｌから発生する蛍光Ｘ線１５１が、検出される。
【０００４】
このように、上記基板１０１に含まれるアルミニウム成分の影響で、上記Ａｌ膜１０２の厚みを正確に求めることができない問題があった。特に、基板１０１に含まれるアルミニウム成分は、基板１０１毎に変動する場合があり、画一的に補正することができなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平３−９４４４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、この発明の課題は、製品基板の基板に含まれるＡｌの影響を排除でき、Ａｌ膜の厚みを正確に求めることができる膜厚測定装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、この発明の膜厚測定装置は、
基台と、
上記基台に設けられると共に、成膜された製品基板を載置する基板ステージと、
上記基板ステージに対して第１方向に延在すると共に、上記基板ステージに対して第２方向に移動可能となるように上記基台に取り付けられるガントリーと、
上記ガントリーに上記第１方向に移動可能に取り付けられるスライダーと、
上記スライダーに固定されると共に、上記基板ステージに載置された上記製品基板の膜に１次Ｘ線を照射してこの膜から発生する蛍光Ｘ線を検出する測定ヘッドと、
上記測定ヘッドにより検出された上記蛍光Ｘ線の強度から上記膜の厚みを求める解析手段と
を備え、
上記解析手段は、
上記製品基板の成膜前の基板に、上記測定ヘッドから１次Ｘ線を照射し、この基板から発生する蛍光Ｘ線を、上記測定ヘッドにより検出して、この基板に含まれるアルミニウム成分を検出する基板Ａｌ検出手段と、
上記製品基板の上記膜のうち、アルミニウムから構成されるＡｌ膜があるとき、上記測定ヘッドにより上記Ａｌ膜から検出された蛍光Ｘ線の強度を、上記基板Ａｌ検出手段の検出結果に基づいて、補正して、上記Ａｌ膜の厚みを求めるＡｌ膜補正手段と
を有することを特徴としている。
【０００８】
ここで、上記製品基板は、基板と、この基板上に形成された一層以上の膜とを有する。
【０００９】
この発明の膜厚測定装置によれば、上記基板Ａｌ検出手段は、上記製品基板の成膜前の基板に、上記測定ヘッドから１次Ｘ線を照射し、この基板から発生する蛍光Ｘ線を、上記測定ヘッドにより検出して、この基板に含まれるアルミニウム成分を検出する。上記Ａｌ膜補正手段は、上記製品基板の上記膜のうち、アルミニウムから構成されるＡｌ膜があるとき、上記測定ヘッドにより上記Ａｌ膜から検出された蛍光Ｘ線の強度を、上記基板Ａｌ検出手段の検出結果に基づいて、補正して、上記Ａｌ膜の厚みを求める。
【００１０】
これによって、上記測定ヘッドにより検出されるＡｌ膜の蛍光Ｘ線の強度から、Ａｌ膜の厚みを求めるとき、製品基板の基板に含まれるＡｌの影響を排除でき、Ａｌ膜の厚みを正確に求めることができる。
【００１１】
また、一実施形態の膜厚測定装置では、上記基板Ａｌ検出手段は、全ての上記製品基板毎に、成膜前の上記基板のアルミニウム成分を検出する。
【００１２】
この実施形態の膜厚測定装置によれば、上記基板Ａｌ検出手段は、全ての上記製品基板毎に、成膜前の上記基板のアルミニウム成分を検出する。これにより、全ての製品基板について、Ａｌ膜の厚みを一層精度よく求めることができる。
【００１３】
また、一実施形態の膜厚測定装置では、上記基板Ａｌ検出手段は、全ての上記製品基板のロット毎に、成膜前の上記基板のアルミニウム成分を検出する。
【００１４】
この実施形態の膜厚測定装置によれば、上記基板Ａｌ検出手段は、全ての上記製品基板のロット毎に、成膜前の上記基板のアルミニウム成分を検出する。これにより、全ての製品基板のロット毎の成膜前の基板のアルミニウム成分に基づいて、Ａｌ膜の厚みを求めることになり、Ａｌ膜の厚みを迅速かつ精度よく求めることができる。
【００１５】
また、一実施形態の膜厚測定装置では、上記基板Ａｌ検出手段は、全ての上記製品基板のうちの少なくとも一つの製品基板について、成膜前の上記基板のアルミニウム成分を検出する。
【００１６】
この実施形態の膜厚測定装置によれば、上記基板Ａｌ検出手段は、全ての上記製品基板のうちの少なくとも一つの製品基板について、成膜前の上記基板のアルミニウム成分を検出する。これにより、少なくとも一つの製品基板の成膜前の基板のアルミニウム成分に基づいて、Ａｌ膜の厚みを求めることになり、Ａｌ膜の厚みを迅速に求めることができる。
【００１７】
また、一実施形態の膜厚測定装置では、
上記基板Ａｌ検出手段が、上記基板のアルミニウム成分を検出するとき、
上記測定ヘッドによって測定される上記基板の測定位置は、上記基板ステージに設けられる空間領域に重なる。
【００１８】
この実施形態の膜厚測定装置によれば、上記測定ヘッドによって測定される上記基板の測定位置は、上記基板ステージに設けられる空間領域に重なる。これにより、測定ヘッドから１次Ｘ線を基板に照射して基板から蛍光Ｘ線を検出する際、多くの１次Ｘ線が基板を透過しても、この透過した１次Ｘ線は、基板ステージの空間領域を通過することになる。
【００１９】
したがって、この基板を透過した１次Ｘ線が、基板ステージを照射することを回避して、測定ヘッドが、この基板ステージを構成する物質から発生する蛍光Ｘ線を検出することを防止できる。したがって、基板のアルミニウム成分を精度よく検出することができる。
【００２０】
また、一実施形態の膜厚測定装置では、上記基板ステージに設けられる空間領域は、エアを吸い込みまたはエアを吹き出すための空気孔である。
【００２１】
この実施形態の膜厚測定装置によれば、上記基板ステージに設けられる空間領域は、空気孔である。これにより、測定ヘッドによって基板を測定するとき、空気孔からエアを吸い込んで、基板を基板ステージに密着できる。したがって、基板の測定位置の高さを安定した状態で、基板の測定位置を測定できる。
【発明の効果】
【００２２】
この発明の膜厚測定装置によれば、上記基板Ａｌ検出手段と上記Ａｌ膜補正手段を有するので、製品基板の基板に含まれるＡｌの影響を排除でき、Ａｌ膜の厚みを正確に求めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一実施形態の膜厚測定装置を示す平面図である。
【図２】図１の矢印Ｕ方向からみた膜厚測定装置の側面図である。
【図３】変位センサの動作を説明する説明図である。
【図４】測定ヘッドの動作を説明する説明図である。
【図５】１次Ｘ線の照射により蛍光Ｘ線が発生する状態を説明する説明図である。
【図６Ａ】チタン膜とモリブデン膜におけるＸ線強度と膜厚との関係を示す表である。
【図６Ｂ】図６Ａのデータをプロットしたグラフである。
【図７】製品基板の成膜前の基板を測定ヘッドによって測定する状態を説明する説明図である。
【図８】従来の膜厚測定を説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００２５】
図１は、この発明の一実施形態の膜厚測定装置を示す平面図である。図２は、図１の矢印Ｕ方向からみた側面図である。図１と図２に示すように、この膜厚測定装置は、基台１と、基板ステージ２と、校正ステージ３と、ガンドリー４と、スライダー５と、複数の測定機器２１，２２，２３と、制御手段３０とを有する。
【００２６】
上記基板ステージ２は、上記基台１に設けられ、複数に分割されたステージからなる。基板ステージ２上には、成膜された製品基板１０が載置される。
【００２７】
上記基板ステージ２には、複数の空気孔２ａが設けられ、この空気孔２ａからエアを吸い込むことで、製品基板１０を基板ステージ２に密着でき、一方、空気孔２ａからエアを吹き出すことで、製品基板１０を基板ステージ２から浮上できる。
【００２８】
上記製品基板１０は、例えば、液晶ディスプレイに用いられる液晶ＴＦＴである。この製品基板１０は、基板と、この基板上に形成された一層以上の膜とを有する。上記膜は、例えば、スパッタリング工法や蒸着工法やメッキ工法により、上記基板に成膜される。上記基板は、例えば、ガラス基板であり、上記膜は、例えば、アルミニウム、チタン、タングステン、モリブデンなどの金属膜である。
【００２９】
上記校正ステージ３は、上記基台１に設けられ、上記基板ステージ２とは別に設けられる。この校正ステージ３には、複数の凹部３ａが設けられ、この凹部３ａに様々な種類の校正試料６０，７０が嵌め込まれ、この校正試料６０，７０を用いて上記測定機器２１，２２，２３の校正が行われる。
【００３０】
上記ガントリー４は、上記基板ステージ２および上記校正ステージ３に対して第１方向に延在する。ガンドリー４は、基板ステージ２および校正ステージ３に対して第２方向に移動可能となるように、基台１に取り付けられる。第１方向とは、矢印Ａ方向をいい、第２方向とは、矢印Ｂ方向をいう。第１方向と第２方向とは、互いに直交する。
【００３１】
つまり、上記基台１には、第２方向（矢印Ｂ方向）に延在する２本のレール部６，６が設けられている。この２本のレール部６，６は、基板ステージ２および校正ステージ３を挟むように、配置されている。上記ガンドリー４は、この２本のレール部６，６に架け渡され、このレール部６，６に沿って第２方向に移動可能となる。
【００３２】
上記スライダー５は、上記ガントリー４に第１方向（矢印Ａ方向）に移動可能に取り付けられる。このスライダー５には、上記測定機器としてのカメラ２１、変位センサ２２および測定ヘッド２３が、固定されている。
【００３３】
そして、上記測定機器２１，２２，２３は、ガンドリー４の可動範囲Ｚ１により、基板ステージ２および校正ステージ３の第２方向（矢印Ｂ方向）の全範囲をカバーできる。また、上記測定機器２１，２２，２３は、スライダー５の可動範囲Ｚ２により、基板ステージ２および校正ステージ３の第１方向（矢印Ａ方向）の全範囲をカバーできる。
【００３４】
上記制御手段３０は、基板位置補正手段３１と、ヘッド位置調整手段３２と、解析手段３３と、測定機器校正手段３４とを有する。
【００３５】
上記カメラ２１は、基板ステージ２に載置された製品基板１０のアライメントマークを検出する。このアライメントマークは、カメラ２１で判別可能なマークであり、例えば、製品基板１０の四隅に設けられる。
【００３６】
上記基板位置補正手段３１は、上記カメラ２１の検出結果に基づいて、基板ステージ２に載置された製品基板１０の平面方向（第１、第２方向）の位置情報を補正する。具体的に述べると、上記基台１には、製品基板１０の周囲の各辺を押圧するように、複数のクランプ７が設けられている。クランプ７により製品基板１０を所定の位置に固定後、カメラ２１にてアライメントマークを検出し、この検出結果に基づいて基板位置補正手段３１によって、製品基板１０の位置情報を補正する。
【００３７】
上記変位センサ２２は、図３に示すように、基板ステージ２に載置された製品基板１０との高さ方向の距離を測定する。変位センサ２２は、例えば赤外線などの光線を用いて、製品基板１０の予め定めた測定ポイントＰとの距離を測定する。
【００３８】
上記ヘッド位置調整手段３２は、上記変位センサ２２の測定値に基づいて、基板ステージに載置された製品基板１０と測定ヘッド２３との間の距離が予め定められた設定値となるように、測定ヘッド２３の高さ方向の位置を調整する。具体的に述べると、製品基板１０の測定ポイントＰと測定ヘッド２３の受発光部２３ａとの間の高さ方向の距離が、２ｍｍ±３０μｍとなるように、調整される。
【００３９】
また、上記ヘッド位置調整手段３２は、測定ヘッド２３の高さ方向の位置を調整した後、測定ヘッド２３が製品基板１０の測定ポイントＰを測定できる位置に、測定ヘッド２３を移動する。
【００４０】
上記測定ヘッド２３は、図４に示すように、Ｘ線照射部２３１と蛍光Ｘ線検出部２３２とを有する。
【００４１】
上記Ｘ線照射部２３１は、受発光部２３ａから製品基板１０の測定ポイントＰへ、１次Ｘ線５１を照射する。１次Ｘ線５１は、例えば、ロジウムや、モリブデンや、タングステンなどである。すると、図５に示すように、製品基板１０の基板１１上の膜１２は、１次Ｘ線５１の照射により、蛍光Ｘ線５２を発生する。
【００４２】
上記蛍光Ｘ線検出部２３２は、上記膜１２から発生した上記蛍光Ｘ線５２を、受発光部２３ａから検出する。蛍光Ｘ線検出部２３２は、例えば、シリコンドリフト検出器である。
【００４３】
上記解析手段３３は、上記測定ヘッド２３により検出された上記蛍光Ｘ線５２の強度から上記膜１２の厚みを求める。具体的に述べると、解析手段３３は、プリアンプ３３１とマルチ・チャンネル・アナライザ（以下、ＭＣＡという）３３２とを有する。
【００４４】
上記プリアンプ３３１は、蛍光Ｘ線検出部２３２から出力される電気信号を増幅する。上記ＭＣＡ３３２は、プリアンプ３３１で増幅された電気信号を解析する。ＭＣＡ３３２では、蛍光Ｘ線検出部２３２から出力されたエネルギーを選別し、パルスを計測することで、膜１２を構成する元素のＸ線強度を求める。そして、このＸ線強度に基づいて、既知のデータから、膜１２の厚みを求める。なお、ＭＣＡ３３２を用いているため、膜１２に混入する異物や不純物を検出できる。
【００４５】
例えば、上記膜１２が、チタン膜、または、モリブデン膜である場合、Ｘ線強度と膜厚との関係は、図６Ａと図６Ｂに示すような関係となる。
【００４６】
なお、上述では、単層の膜（図５）の厚みの測定を説明したが、複数層の膜の厚みを測定することもできる。この場合、各膜から発生する蛍光Ｘ線を測定ヘッド２３によって検出し、解析手段３３によって、各膜を構成する各元素のＸ線強度を求め、このＸ線強度に基づいて、各膜の厚みを求める。さらに、この各元素のＸ線強度から、各元素の組成比をも、求めることができる。
【００４７】
上記解析手段３３は、さらに、図１に示すように、基板Ａｌ検出手段３３ａとＡｌ膜補正手段３３ｂを有する。
【００４８】
上記基板Ａｌ検出手段３３ａは、製品基板１０の成膜前の基板１１に、測定ヘッド２３から１次Ｘ線を照射し、この基板１１から発生する蛍光Ｘ線を、測定ヘッド２３により検出して、この基板１１に含まれるアルミニウム成分を検出する。
【００４９】
上記Ａｌ膜補正手段３３ｂは、製品基板１０の膜１２のうち、アルミニウムから構成されるＡｌ膜があるとき、測定ヘッド２３によりＡｌ膜から検出された蛍光Ｘ線の強度を、上記基板Ａｌ検出手段３３ａの検出結果に基づいて、補正して、Ａｌ膜の厚みを求める。
【００５０】
具体的に述べると、図７に示すように、上記製品基板１０の成膜前の基板１１が、例えばＡｌ２Ｏ３のガラス基板であって、アルミニウム成分を含む場合、基板１１を、基板ステージ２に載置する。そして、変位センサ２２により測定ヘッド２３の高さを調整してから、測定ヘッド２３によって基板１１の測定位置Ｌの蛍光Ｘ線を測定する。基板Ａｌ検出手段３３ａは、この測定値に基づいて、基板１１のアルミニウム成分を検出する。
【００５１】
その後、上記基板１１にＡｌ膜が成膜された場合、図３に示すように、測定ヘッド２３によって製品基板１０の測定ポイントＰの蛍光Ｘ線を測定するが、Ａｌ膜補正手段３３ｂは、この蛍光Ｘ線の強度を、基板Ａｌ検出手段３３ａの検出結果に基づいて、補正して、Ａｌ膜の厚みを求める。
【００５２】
これによって、上記測定ヘッド２３により検出されるＡｌ膜の蛍光Ｘ線の強度から、Ａｌ膜の厚みを求めるとき、製品基板１０の基板１１に含まれるＡｌの影響を排除でき、Ａｌ膜の厚みを正確に求めることができる。
【００５３】
上記測定ヘッド２３によって測定される上記基板１１の測定位置Ｌは、平面視、上記基板ステージ２に設けられる空気孔２ａに重なる。これによって、測定ヘッド２３から１次Ｘ線を基板１１に照射して基板１１から蛍光Ｘ線を検出する際、多くの１次Ｘ線が基板１１を透過しても、この透過した１次Ｘ線は、基板ステージ２の空間領域を通過することになる。
【００５４】
したがって、この基板１１を透過した１次Ｘ線が、基板ステージ２を照射することを回避して、測定ヘッド２３が、この基板ステージ２を構成する物質から発生する蛍光Ｘ線を検出することを防止できる。したがって、基板１１のアルミニウム成分を精度よく検出することができる。
【００５５】
また、上記測定ヘッド２３によって基板１１を測定するとき、空気孔２ａからエアを吸い込んで、基板１１を基板ステージ２に密着できる。したがって、基板１１の測定位置Ｌの高さを安定した状態で、基板１１の測定位置Ｌを測定できる。
【００５６】
上記測定位置Ｌ（図７参照）と上記測定ポイントＰ（図３参照）は、平面視、重なっていることが好ましく、Ａｌ膜の厚みを一層正確に求めることができる。なお、測定位置Ｌと測定ポイントＰとは、重なっていなくてもよい。
【００５７】
上記基板Ａｌ検出手段３３ａは、全ての製品基板１０毎に、成膜前の基板１１のアルミニウム成分を検出するようにしてもよい。これにより、全ての製品基板１０について、Ａｌ膜の厚みを一層精度よく求めることができる。
【００５８】
または、上記基板Ａｌ検出手段３３ａは、全ての製品基板１０のロット毎に、成膜前の基板１１のアルミニウム成分を検出するようにしてもよい。これにより、全ての製品基板１０のロット毎の成膜前の基板１１のアルミニウム成分に基づいて、Ａｌ膜の厚みを求めることになり、Ａｌ膜の厚みを迅速かつ精度よく求めることができる。
【００５９】
または、上記基板Ａｌ検出手段３３ａは、全ての製品基板１０のうちの少なくとも一つの製品基板１０について、成膜前の基板１１のアルミニウム成分を検出するようにしてもよい。これにより、少なくとも一つの製品基板１０の成膜前の基板１１のアルミニウム成分に基づいて、Ａｌ膜の厚みを求めることになり、Ａｌ膜の厚みを迅速に求めることができる。
【００６０】
上記測定機器校正手段３４は、図１に示すように、上記測定機器２１，２２，２３を校正ステージ３に移動して、測定機器２１，２２，２３の校正を行う。測定機器２１，２２，２３の校正は、所定間隔で、行う。この所定間隔とは、例えば、１日に１回の校正を行うといった所定時間毎や、所定枚数の製品基板１０の膜厚を測定した後に校正を行うといった所定処理数毎である。
【００６１】
上記校正ステージ３には、第１校正試料６０と第２校正試料７０とが、設置されている。第１校正試料６０は、例えば、測定ヘッド２３の蛍光Ｘ線検出部２３２のゲインを調整するための試料である。第２校正試料７０は、例えば、各測定機器２１，２２，２３のオフセット量を調整するための試料である。
【００６２】
次に、上記構成の膜厚測定装置の動作を説明する。
【００６３】
図１に示すように、まず、上記製品基板１０が、膜厚測定装置の右方向（矢印Ｒ方向）から基板ステージ２上に、搬送される。基板ステージ２上に搬送された製品基板１０は、クランプ７により所定の位置に固定される。その後、カメラ２１にてアライメントマークを検出し、この検出結果に基づいて基板位置補正手段３１によって、製品基板１０の位置情報を補正する。
【００６４】
その後、上記製品基板１０の複数の測定ポイントのうちの第１の測定ポイントにおいて、変位センサ２２により、第１の測定ポイントと変位センサ２２との間の高さ方向の距離を測定する。そして、上記ヘッド位置調整手段３２は、この測定値に基づいて、第１の測定ポイントと測定ヘッド２３との間の距離が設定値となるように、測定ヘッド２３の高さ方向の位置を調整する。
【００６５】
その後、上記測定ヘッド２３は、ヘッド位置調整手段３２により、第１の測定ポイントの直上に移動され、製品基板１０の膜に１次Ｘ線を照射してこの膜から発生する蛍光Ｘ線を検出する。そして、上記解析手段３３は、この検出された蛍光Ｘ線の強度から膜の厚みを求める。
【００６６】
その後、上記製品基板１０の他の測定ポイントについても、同様に、測定ヘッド２３の高さを調整してから、測定ヘッド２３によって他の測定ポイントの膜厚を測定する。
【００６７】
このようにして、上記製品基板１０の全ての測定ポイントの膜厚を測定し、この測定結果に基づいて、製品基板１０が不良品であるか否かを判断する。
【００６８】
ここで、上記基板１１がアルミニウム成分を含み、この基板１１上にＡｌ膜が積層される場合、基板Ａｌ検出手段３３ａは、成膜前の基板１１に、測定ヘッド２３から１次Ｘ線を照射し、この基板１１から発生する蛍光Ｘ線を、測定ヘッド２３により検出して、この基板１１に含まれるアルミニウム成分を検出する。そして、Ａｌ膜補正手段３３ｂは、Ａｌ膜成膜後の基板１１から、測定ヘッド２３により検出された蛍光Ｘ線の強度を、基板Ａｌ検出手段の検出結果に基づいて、補正して、Ａｌ膜の厚みを求める。
【００６９】
その後、上記測定機器校正手段３４は、所定間隔で、上記測定機器２１，２２，２３を校正ステージ３に移動して、測定機器２１，２２，２３の校正を行う。
【００７０】
なお、この発明は上述の実施形態に限定されない。例えば、製品基板１０に複数の膜を積層してもよく、この場合、少なくとも一つの膜が、Ａｌ膜となるようにしてもよい。
【００７１】
また、測定ヘッド２３によって測定される基板１１の測定位置Ｌは、基板ステージ２の空気孔２ａでなく、基板ステージ２に設けられる空間領域に重なるようにしてもよい。
【００７２】
また、カメラ２１や変位センサ２２や省略して、測定ヘッド２３のみを設けるようにしてもよい。また、校正ステージ３を省略して、基板ステージ２のみを設けるようにしてもよい。
【００７３】
また、ガントリー４の延在方向である第１方向と、ガントリー４の移動方向である第２方向とは、互いに直交しないで、交差するようにしてもよい。
【００７４】
また、カメラ２１、変位センサ２２および測定ヘッド２３の数量は、一つに限らず、複数であってもよい。
【００７５】
また、本発明の膜厚測定装置にて、大型や小型の製品基板の膜厚を測定するようにしてもよく、また、液晶ＴＦＴ以外に、有機ＥＬなどの半導体基板の膜厚を測定するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００７６】
１  基台
２  基板ステージ
２ａ  空気孔
３  校正ステージ
４  ガントリー
５  スライダー
６  レール部
７  クランプ
１０  製品基板
１１  基板
１２  膜
２１  カメラ
２２  変位センサ
２３  測定ヘッド
３０  制御手段
３１  基板位置補正手段
３２  ヘッド位置調整手段
３３  解析手段
３３ａ  基板Ａｌ検出手段
３３ｂ  Ａｌ膜補正手段
３４  測定機器校正手段
６０  第１校正試料
７０  第２校正試料
Ａ  第１方向
Ｂ  第２方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８】
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