(57)【要約】【課題】本発明は、印刷回路基板及び印刷回路基板を表面処理して金薄膜を形成する方法に関する。【解決手段】本発明は、対象物の表面にニッケル（Ｎｉ）を無電解メッキしてニッケルメッキ層を形成する段階と、上記ニッケルメッキ層上にパラジウム‐銅（Ｐｄ‐Ｃｕ）混合物を無電解メッキしてパラジウム‐銅混合メッキ層を形成する段階と、上記パラジウム‐銅混合メッキ層を金（Ａｕ）ガルバニック電解液に浸漬して置換反応により上記パラジウム‐銅混合物のうち銅（Ｃｕ）成分を金に置換して第１の金薄膜層を形成する段階と、を含む金薄膜形成方法を提供する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象物の表面にニッケル（Ｎｉ）を無電解メッキしてニッケルメッキ層を形成する段階と、
前記ニッケルメッキ層上にパラジウム‐銅（Ｐｄ‐Ｃｕ）混合物を無電解メッキしてパラジウム‐銅混合メッキ層を形成する段階と、
前記パラジウム‐銅混合メッキ層を金（Ａｕ）ガルバニック電解液に浸漬して置換反応により前記パラジウム‐銅混合物のうち銅（Ｃｕ）成分を金に置換して第１の金薄膜層を形成する段階と
を含む、金薄膜形成方法。
【請求項２】
前記パラジウム‐銅混合メッキ層を形成する段階の前に、前記ニッケルメッキ層上にパラジウム（Ｐｄ）を無電解メッキしてパラジウムメッキ層を形成する段階をさらに含む、請求項１に記載の金薄膜形成方法。
【請求項３】
前記パラジウム‐銅混合メッキ層を金ガルバニック電解液に浸漬して置換反応により第１の金薄膜層を形成する段階の後に、前記第１の金薄膜層上に金（Ａｕ）を無電解メッキして第２の金薄膜層を形成する段階をさらに含む、請求項１または２に記載の金薄膜形成方法。
【請求項４】
前記パラジウム‐銅混合物は、パラジウム塩、銅塩、錯化剤及び還元剤を含む、請求項１から３の何れか１項に記載の金薄膜形成方法。
【請求項５】
前記パラジウム塩は、塩化パラジウム、硫酸パラジウム及びジクロロテトラアミンパラジウムで構成される群から選択された１種を含む、請求項４に記載の金薄膜形成方法。
【請求項６】
前記銅塩は、硫酸銅（ＣｕＳＯ４）及び塩化銅（ＣｕＣｌ２）で構成される群から選択された１種を含む、請求項４または５に記載の金薄膜形成方法。
【請求項７】
前記還元剤は、ホルムアルデヒド、ヒドラジン及びジメチルアミンボランで構成される群から選択された１種を含む、請求項４から６の何れか１項に記載の金薄膜形成方法。
【請求項８】
基板と、
前記基板の表面に形成された銅回路パターンと、
前記銅回路パターン上に形成されたニッケルメッキ層と、
前記ニッケルメッキ層上に形成されたパラジウム‐銅混合メッキ層と、
前記パラジウム‐銅混合メッキ層上に形成された第１の金薄膜層と
を含む、印刷回路基板。
【請求項９】
前記ニッケルメッキ層と前記パラジウム‐銅混合メッキ層の間にパラジウムメッキ層が介在される、請求項８に記載の印刷回路基板。
【請求項１０】
前記第１の金薄膜層上に第２の金薄膜層が形成される、請求項８または９に記載の印刷回路基板。
【請求項１１】
前記パラジウム‐銅混合メッキ層は、パラジウム塩、銅塩、錯化剤及び還元剤を含む、請求項８から１０の何れか１項に記載の印刷回路基板。
【請求項１２】
前記パラジウム塩は、塩化パラジウム、硫酸パラジウム及びジクロロテトラアミンパラジウムで構成される群から選択された１種を含む、請求項１１に記載の印刷回路基板。
【請求項１３】
前記銅塩は、硫酸銅（ＣｕＳＯ４）及び塩化銅（ＣｕＣｌ２）で構成される群から選択された１種を含む、請求項１１または１２に記載の印刷回路基板。
【請求項１４】
前記還元剤は、ホルムアルデヒド、ヒドラジン及びジメチルアミンボランで構成される群から選択された１種を含む、請求項１１から１３の何れか１項に記載の印刷回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、印刷回路基板及び印刷回路基板を表面処理して金薄膜を形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピューター、半導体、ディスプレイ又は通信機器などの多様な電子製品には特定の回路パターンが印刷された基板が用いられる。
【０００３】
一般的な印刷回路基板は、銅覆積層板（ＣＣＬ：ｃｏｐｐｅｒ  ｃｌａｄ  ｌａｍｉｎａｔｅｓ）上に銅（Ｃｕ）からなる回路パターンを形成した後に上記回路パターン上にニッケルメッキ層と金メッキ層を順次積層して最終表面処理される。
【０００４】
上記ニッケルメッキ層はメッキ下地層として用いられ、銅と銅回路パターンと金メッキ層間の相互拡散を防止する役割をする。
【０００５】
上記金メッキ層は、基板と電子部品の接点部位の電気抵抗を減少させ結合性を向上するためのものである。
【０００６】
このような金メッキ層は、通常、無電解ニッケル／金メッキ（ＥＮＩＧ：ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ  ｎｉｃｋｅｌ／ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  ｇｏｌｄ）により形成され、この工程で形成される金薄膜には、約１μｍの厚さで多量の金が用いられる。
【０００７】
よって、金の使用量を減らすために、パラジウムメッキがさらに行われる無電解ニッケル／パラジウム／金メッキ（ＥＮＥＰＩＧ：ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ  ｎｉｃｋｅｌ／ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ  ｐａｌｌａｄｉｕｍ／ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  ｇｏｌｄ）が開発されて量産にも適用されている。
【０００８】
しかしながら、上記ＥＮＥＰＩＧ方法はパラジウム薄膜と金薄膜の密着特性が低いため、ワイヤボンディングを行うためには金薄膜の厚さが少なくとも０．１μｍ以上でなければならないという限界がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、基板表面処理時に形成される金薄膜の厚さを１μｍ以下とすることにより、金使用量を減少させて製造コストを節減することができる金薄膜形成方法及びこれを用いる印刷回路基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一側面は、対象物の表面にニッケル（Ｎｉ）を無電解メッキしてニッケルメッキ層を形成する段階と、上記ニッケルメッキ層上にパラジウム‐銅（Ｐｄ‐Ｃｕ）混合物を無電解メッキしてパラジウム‐銅混合メッキ層を形成する段階と、上記パラジウム‐銅混合メッキ層を金（Ａｕ）ガルバニック電解液に浸漬して置換反応により上記パラジウム‐銅混合物のうち銅（Ｃｕ）成分を金に置換して第１の金薄膜層を形成する段階と、を含む金薄膜形成方法を提供する。
【００１１】
本発明の一実施例において、上記パラジウム‐銅混合メッキ層を形成する段階の前に、上記ニッケルメッキ層上にパラジウム（Ｐｄ）を無電解メッキしてパラジウムメッキ層を形成する段階をさらに含むことができる。
【００１２】
本発明の一実施例において、上記パラジウム‐銅混合メッキ層を金ガルバニック電解液に浸漬して置換反応により第１の金薄膜層を形成する段階の後に、上記第１の金薄膜層上に金（Ａｕ）を無電解メッキして第２の金薄膜層を形成する段階をさらに含むことができる。
【００１３】
本発明の一実施例において、上記パラジウム‐銅混合物は、パラジウム塩、銅塩、錯化剤及び還元剤を含むことができる。
【００１４】
本発明の一実施例において、上記パラジウム塩は、塩化パラジウム、硫酸パラジウム及びジクロロテトラアミンパラジウムで構成される群から選択された１種を含むことができる。
【００１５】
本発明の一実施例において、上記銅塩は、硫酸銅（ＣｕＳＯ４）及び塩化銅（ＣｕＣｌ２）で構成される群から選択された１種を含むことができる。
【００１６】
本発明の一実施例において、上記還元剤は、ホルムアルデヒド、ヒドラジン及びジメチルアミンボランで構成される群から選択された１種を含むことができる。
【００１７】
本発明の他の側面は、基板と、上記基板の表面に形成された銅回路パターンと、上記回路パターン上に形成されたニッケルメッキ層と、上記ニッケル層上に形成されたパラジウム‐銅混合メッキ層と、上記パラジウム‐銅混合メッキ層上に形成された第１の金薄膜層と、を含む印刷回路基板を提供する。
【００１８】
本発明の一実施例において、上記ニッケルメッキ層と上記パラジウム‐銅混合メッキ層の間にパラジウムメッキ層が介在されることができる。
【００１９】
本発明の一実施例において、上記第１の金薄膜層上に第２の金薄膜層が形成されることができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の一実施例によると、印刷回路基板のワイヤボンディングのための表面処理を湿式工程である無電解メッキ及びガルバニック置換反応を用いて行うことにより、既存の印刷回路基板に比べて金薄膜層の厚さを顕著に薄く形成することができ、金使用量を減らすことにより印刷回路基板の表面処理費用を節減することができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一実施形態による印刷回路基板の表面処理構造を概略的に示した断面図である。
【図２】本発明の他の実施形態による印刷回路基板の表面処理構造を概略的に示した断面図である。
【図３】本発明の一実施形態による印刷回路基板の表面処理工程を示した工程図である。
【図４】本発明に適用されるガルバニック置換反応を示した模式図である。
【図５ａ】本発明の一実施形態による印刷回路基板の表面のガルバニック置換反応前のＦＩＢ  ＳＥＭ写真である。
【図５ｂ】本発明の一実施形態による印刷回路基板の表面のガルバニック置換反応後のＦＩＢ  ＳＥＭ写真である。
【図６】本発明の一実施形態による印刷回路基板の表面のＸ線光電子分光法の結果を示したグラフである。
【図７ａ】本発明の一実施形態による印刷回路基板の表面のＦＩＢ  ＳＥＭ写真である。
【図７ｂ】本発明の他の実施形態による印刷回路基板の表面のＦＩＢ  ＳＥＭ写真である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
【００２３】
本実施形態による印刷回路基板は、基板上に搭載された電子部品間の電気的な信号を銅からなる回路パターンを用いて接続させる。
【００２４】
この際、印刷回路基板の上面は金導線と半導体を接続し、印刷回路基板の下面にはリードの役割をするはんだボール（ｓｏｌｄｅｒ  ｂａｌｌ）を付着する形態であることができる。
【００２５】
このような印刷回路基板は必要に応じて単層構造又は２層以上の複層構造で形成することができる。
【００２６】
以下、このような印刷回路基板の表面処理構造について詳細に説明する。
【００２７】
図１を参照すると、本実施形態による印刷回路基板の表面は、回路パターン１００と、回路パターン１００上に形成されたニッケル（Ｎｉ）メッキ層２００と、ニッケルメッキ層２００上に形成されたパラジウム‐銅（Ｐｄ‐Ｃｕ）混合メッキ層４００と、パラジウム‐銅混合メッキ層４００上に形成された第１の金（Ａｕ）薄膜層５００と、を含む。
【００２８】
回路パターン１００は、電気伝導度に優れた銅（Ｃｕ）からなることができる。
【００２９】
回路パターン１００は基板の両面に形成されることができ、基板を垂直に貫通してビア電極（図示せず）を形成して、上記ビア電極が両面に形成された回路パターン１００を電気的に連結させることができる。
【００３０】
この際、ニッケルメッキ層２００とパラジウム‐銅混合メッキ層４００の間にパラジウム（Ｐｄ）メッキ層３００が介在されることができる。
【００３１】
第１の金薄膜層５００は印刷回路基板においてワイヤを電気的に連結するためのボンディング部の役割を行うことができ、パラジウム‐銅混合メッキ層４００をガルバニック置換反応してパラジウム‐銅混合物の一部の銅成分を金に置換して形成されることができる。
【００３２】
この際、図２を参照すると、第１の金薄膜層５００上には、必要に応じて、所定厚さの第２の金薄膜層６００がさらに形成されることができる。
【００３３】
以下、図３を参照して、本発明の一実施形態による印刷回路基板の表面処理工程について具体的に説明する。
【００３４】
まず、銅からなる回路パターンが形成された印刷回路基板の表面の銅酸化膜を除去し洗浄する（Ｓ１０）。
【００３５】
上記銅酸化膜除去及び洗浄工程では、硫酸を含む酸性溶液に印刷回路基板を常温で浸漬して銅酸化膜を除去した後、超純水を用いて洗浄することができる。
【００３６】
次に、ニッケルメッキ層２００を形成するために、酸化膜が除去された回路パターン１００の触媒活性化工程を行う（Ｓ２０）。
【００３７】
上記触媒活性化工程では、スズとパラジウムコロイド溶液を用いて酸化膜が除去された回路パターン１００に吸着させる。
【００３８】
この際、パラジウムの代わりに貴金属類の白金、金又は銀を含有したコロイド溶液を用いることができる。
【００３９】
例えば、回路パターン１００を超純水（ＤＩ  ｗａｔｅｒ）に塩酸（ＨＣｌ）及び塩化スズ（ＳｎＣｌ２）を含む溶液に常温で浸漬した後、超純水に塩酸及び塩化パラジウム（ＰｄＣｌ２）を含む溶液に常温で浸漬してパラジウムを沈積することができる。
【００４０】
次に、基板の表面にニッケルを無電解メッキして回路パターン１００上に所定厚さのニッケルメッキ層２００を形成する（Ｓ３０）。
【００４１】
上記ニッケル無電解メッキは、例えば、塩化ニッケル（ＮｉＣｌ２）、次亜リン酸ナトリウム（ＮａＨ２ＰＯ２）、クエン酸ナトリウム（Ｎａ３Ｃ６Ｈ５Ｏ７）及び酢酸ナトリウム（ＮａＣ２Ｈ３Ｏ２）で無電解メッキ液を組成して先に触媒活性化された回路パターン１００上にニッケル薄膜を形成することができる。
【００４２】
この際に用いられるニッケル塩としては塩化ニッケルの代わりに硫酸ニッケルを用いることができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
【００４３】
また、必要に応じて、ニッケルメッキ層２００上にパラジウムを無電解メッキして所定厚さのパラジウムメッキ層３００を形成する段階をさらに行うことができる（Ｓ４０）。
【００４４】
上記パラジウム無電解メッキは、例えば、塩化パラジウム（ＰｄＣｌ２）、アンモニア水（ＮＨ４ＯＨ）、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、塩酸（ＨＣｌ）及びヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）を用いて無電解メッキ液を組成してニッケルメッキ層２００上にパラジウム薄膜を形成することができる。
【００４５】
この際に用いられるパラジウム塩としては塩化パラジウムの代わりに硫酸パラジウム（ＰｄＳＯ４）やジクロロテトラアミンパラジウム（Ｐｄ（ＮＨ３）４Ｃｌ２）を用いることができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
【００４６】
次に、ニッケルメッキ層２００又はニッケルメッキ層２００上に形成されたパラジウムメッキ層３００上にパラジウム‐銅混合物を無電解メッキして所定厚さのパラジウム‐銅混合メッキ層４００を形成する（Ｓ５０）。
【００４７】
パラジウム‐銅混合メッキ層４００は、次の過程であるガルバニック置換過程で金薄膜層を形成するための犠牲金属として用いるためのものである。
【００４８】
この際、上記パラジウム‐銅混合物は、パラジウム塩、銅塩、錯化剤及び還元剤を含むことができる。
【００４９】
上記パラジウム塩は、塩化パラジウム、硫酸パラジウム及びジクロロテトラアミンパラジウムで構成される群から選択された１種を含むことができる。
【００５０】
上記銅塩は、硫酸銅（ＣｕＳＯ４）及び塩化銅（ＣｕＣｌ２）で構成される群から選択された１種を含むことができる。
【００５１】
上記還元剤は、ホルムアルデヒド、ヒドラジン及びジメチルアミンボランで構成される群から選択された１種を含むことができる。
【００５２】
上記パラジウム‐銅混合物を無電解メッキするために、超純水に塩化パラジウム（ＰｄＣｌ２）、硫酸銅（ＣｕＳＯ４）、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）及びホルムアルデヒド（ＨＣＨＯ）を用いて無電解メッキ液を組成する。
【００５３】
この際、無電解メッキ液のｐＨを水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）を用いて適切に調整してパラジウムメッキ層３００上にパラジウム‐銅混合薄膜を形成する。
【００５４】
次に、パラジウム‐銅混合メッキ層４００を金ガルバニック電解液に浸漬して置換反応によりパラジウム‐銅混合物のうち上部の銅４２０成分を金５１０に置換してパラジウム‐銅混合メッキ層４００の上部を第１の金薄膜層５００として形成する（Ｓ６０）。
【００５５】
上記ガルバニック置換反応は金属イオン間の電位差を用いて置換する工程でパラジウム‐銅薄膜の銅を金に置換するもので、例えば、上記ガルバニック電解液は塩化金（ＨＡｕＣｌ４）及び過塩素酸（ＨＣｌＯ４）で組成し常温で置換反応を行って金薄膜を形成する。
【００５６】
図４はガルバニック置換反応が起こって銅成分が金に置換されることを示したものである。パラジウム粒子４１０と銅粒子４２０が分散されているパラジウム‐銅混合物からなるパラジウム‐銅混合物メッキ層４００を二つの金属間の電位差を用いてガルバニック置換反応させると、パラジウム‐銅混合メッキ層の一部、特に、上部に分布されている銅４２０成分の一部が金５１０に置換されてパラジウム‐銅混合メッキ層４００上に第１の金薄膜層５００が形成され、この際、第１の金属薄膜層５００の密着特性が向上することができる。
【００５７】
図５ａはガルバニック置換反応前の印刷回路基板の表面のＦＩＢ  ＳＥＭ写真であり、図５ｂはガルバニック置換反応後の印刷回路基板の表面のＦＩＢ  ＳＥＭ写真である。
【００５８】
図５ａと図５ｂの中で矢印で表示された同一部分の成分をエネルギー分散分光分析（ＥＤＳ：ｅｎｅｒｇｙ  ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｘ‐ｒａｙ  ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）で分析した結果、ガルバニック置換反応前の場合、該当部分の成分は、銅４４．８７重量％及び６０．４７ａｔ％、金１３．１０重量％及び５．６９ａｔ％、パラジウム４２．０３重量％及び３３．８３ａｔ％と示され、ガルバニック置換反応後の場合、該当部分の成分は、銅９．６５重量％及び２３．９９ａｔ％、金８５．１５重量％及び６８．２９ａｔ％、パラジウム５．２０重量％及び７．７２ａｔ％と示された。即ち、ガルバニック置換反応後にパラジウム‐銅混合メッキ層４００の上部が第１の金薄膜層５００として形成されたことが確認できる。
【００５９】
図６は本実施形態による印刷回路基板の表面のＸ線光電子分光法の結果を示したもので、類似したバインディングエネルギーにおいてパラジウム‐銅混合メッキ層４００と第１の金薄膜層５００の強度が類似し、ガルバニック置換反応後にバインディングエネルギーが９３０ｅＶ以上に増加すると、銅の強度（ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）が減ることが確認できる。
【００６０】
以上のように図５ａから図６に示された結果により、パラジウム‐銅混合メッキ層４００の上部が第１の金薄膜層５００に変換されることが確認できる。
【００６１】
次に、必要に応じて、第１の金薄膜層５００上に金を無電解メッキして所定厚さの第２の金薄膜層６００をさらに形成することができる（Ｓ７０）。
【００６２】
例えば、図７ａはガルバニック置換反応により第１の金薄膜層５００を形成したものであり、図７ｂは金無電解メッキをさらに行って第１の金薄膜層５００上に所定厚さの第２の金薄膜層６００をさらに形成したものである。第２の金薄膜層６００は、金薄膜の厚さをさらに確保し金薄膜の粗さを減少させるためのものである。
【００６３】
この際、無電解メッキ液はシアン化金カリウム（ＫＡｕ（ＣＮ）２）、シアン化カリウム（ＫＣＮ）、水酸化カリウム（ＫＯＨ）、ジメチルアミンボラン（ＤＭＡＢ）を用いて組成して第１の金薄膜層上に金薄膜をさらに形成する。
【実施例】
【００６４】
［実施例１］
印刷回路基板を硫酸９．８ｇ／Ｌが含まれた酸性溶液に常温で１分間処理して銅酸化膜を除去し蒸留水で洗浄した後、窒素ガスで乾燥させた。
【００６５】
乾燥された印刷回路基板を塩化スズ（ＳｎＣｌ２）１ｇ／Ｌと塩酸（ＨＣｌ）１ｍｌ／Ｌを含む溶液と塩化パラジウム（ＰｄＣｌ２）と塩酸１ｍｌ／Ｌを含む溶液に常温でそれぞれ５分ずつ反応させて触媒活性化した。
【００６６】
次に、ニッケル無電解メッキ液を塩化ニッケル（ＮｉＣｌ２）３０ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム（ＮａＨ２ＰＯ２）１０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム（Ｎａ３Ｃ６Ｈ５Ｏ７）１２．６ｇ／Ｌ、酢酸ナトリウム（ＮａＣ２Ｈ３Ｏ２）５ｇ／Ｌを用いて組成した後、８３℃で無電解メッキを行って印刷回路基板の回路パターン１００上に約５μｍのニッケルメッキ層２００を形成した。
【００６７】
次に、パラジウム無電解メッキ液を塩化パラジウム（ＰｄＣｌ２）４ｇ／Ｌ、アンモニア水（ＮＨ４ＯＨ）３００ｍｌ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）３０ｇ／Ｌ、塩酸（ＨＣｌ）５ｍｌ／Ｌ、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）０．１６ｇ／Ｌを用いて組成した後、７３℃で無電解メッキを行ってニッケルメッキ層２００上に約５４ｎｍのパラジウムメッキ層３００を形成した。
【００６８】
次に、パラジウム‐銅混合物メッキを行うために、塩化パラジウム（ＰｄＣｌ２）１．７７ｇ／Ｌ、硫酸銅（ＣｕＳＯ４）１．２５ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、ホルムアルデヒド（ＨＣＨＯ）３ｇ／Ｌを用いて電解液を組成した。
【００６９】
この際、ｐＨは水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）を用いてｐＨ２に滴定しメッキ槽の温度は７３℃に維持してパラジウムメッキ層３００上に約３６ｎｍのパラジウム‐銅混合メッキ層４００を形成し、全体的にパラジウムメッキ層３００とパラジウム‐銅混合メッキ層４００の厚さを約９０ｎｍに形成した。
【００７０】
次に、ガルバニック置換反応のために、塩化金（ＨＡｕＣｌ４）０．８ｇ／Ｌ及び過塩素酸（ＨＣｌＯ４）１０ｇ／Ｌで組成した電解液にパラジウム‐銅混合メッキ層４００を約３分間浸漬して銅成分の一部を金に置換させてパラジウム銅混合メッキ層４００の上部を約１８ｎｍの第１の金薄膜層５００として形成した。
【００７１】
次に、シアン化金カリウム（ＫＡｕ（ＣＮ）２）５．８ｇ／Ｌ、シアン化カリウム（ＫＣＮ）１．３ｇ／Ｌ、水酸化カリウム（ＫＯＨ）４５ｇ／Ｌ及びジメチルアミンボラン（ＤＭＡＢ）２３．５ｇ／Ｌで組成した金無電解メッキ液を用いてメッキ槽の温度を８０℃に維持しながら金無電解メッキを行って第１の金薄膜層５００上に約１８ｎｍの第２の金薄膜層６００をさらに形成した。
【００７２】
以上のように表面処理した印刷回路基板を用いてワイヤボンディング実験を行った。
【００７３】
この場合、ガルバニック置換反応と金無電解メッキにより全３６ｎｍ程度の金薄膜が形成された印刷回路基板上にワイヤボンディング実験を行ったとき、最大６ｇｄのワイヤボンディング引張値が得られるため、ワイヤボンディングを行う上で問題がないことが確認できた。
【００７４】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有するものには明らかである。
【符号の説明】
【００７５】
１００  回路パターン
２００  ニッケルメッキ層
３００  パラジウムメッキ層
４００  パラジウム‐銅混合メッキ層
４１０  パラジウム
４２０  銅
５００  第１の金薄膜層
５１０  金
６００  第２の金薄膜層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図６】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図７ａ】
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【図７ｂ】
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