(57)【要約】【課題】封止材が配されている領域の撥液膜の残渣が残ることを防止する。【解決手段】発光装置（１１）は、セラミックからなる基板（２）に、ＬＥＤチップ（４）が載置されているガラス部（１４）と配線（１２・１３）とが配され、封止樹脂（７）形成領域における基板（２）の表面は、封止樹脂（７）と非接触である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、当該発光素子と接続されている配線と、上記発光素子を包含することで封止する封止材とを備えている発光装置であって、
セラミックからなる基板と、
上記基板の上記配線が配されている面に配されており、ガラス又は樹脂からなり、上記発光素子が載置されている載置部とを備え、
上記封止材は、少なくとも上記載置部に配されることで上記載置部に載置されている上記発光素子を包含することで封止し、
上記封止材が配されている領域における上記基板の表面は、上記載置部と上記配線とで覆われており、かつ、上記封止材と非接触である
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
上記配線の表面は、光沢を有するように処理された光沢面であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
上記封止材は、蛍光体が含まれており上記発光素子を包含する第１封止材と、蛍光体が含まれておらず上記第１封止材を包含する第２封止材とを有することを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項４】
上記封止材は略半球状であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
発光素子と、当該発光素子と接続されている配線と、上記発光素子を包含することで封止する封止材とを備えている発光装置の製造方法であって、
セラミックからなる基板に上記配線を形成する工程と、
上記基板の上記配線が配されている面であり、上記封止材が配される領域における上記基板の表面を、上記配線と共に覆いかつ露出しないように、上記発光素子を載置するためのガラス又は樹脂からなる載置部を配する工程と、
上記載置部を配した後、上記封止材が配される領域における基板の表面と非接触となるように撥液膜を成膜する工程と、
上記撥液膜のうち、上記封止材を形成する領域を除去し開口部を形成することで上記載置部を露出させる工程と、
上記載置部に上記発光素子を配する工程と、
上記発光素子を包含し、上記基板と非接触となるように、少なくとも上記載置部に上記封止材を形成する工程とを有することを特徴とする発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置及び発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面実装型の半導体発光装置が開発されている。
【０００３】
図１６の（ａ）は従来の発光装置の製造に用いられる、ＬＥＤチップ実装前の配線基板の構成を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す配線基板を紙面下側から見た側面図であり、（ｃ）は（ａ）に示す配線基板を紙面右側からみた側面図である。
【０００４】
図１７の（ａ）は従来の発光装置を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す発光装置を紙面下側から見た側面図であり、（ｃ）は（ａ）に示す発光装置を紙面右側からみた側面図である。
【０００５】
図１６に示す配線基板１０１は、近年多用されている配光特性を考慮した半導体発光装置の製造に用いられる。
【０００６】
図１６に示すように、配線基板１０１は、セラミックからなる基板１０２と、基板１０２の裏面に配されている配線１０３と、基板１０２の表面に配されている一対の配線１１２・配線１１３と、基板１０２の表面に配されているガラス部１１４とを備えている。配線１０３・１１２・１１３は金属材料からなる。
【０００７】
図１６の（ａ）に示すように、ガラス部１１４の表面のＬＥＤチップ搭載位置１００Ｐが発光素子としてのＬＥＤチップが搭載される位置である。図１６の（ａ）に示す封止樹脂形成領域１００Ｒは封止樹脂が形成される領域である。封止樹脂形成領域１００Ｒは、ガラス部１１４を円形に囲み、当該ガラス部１１４、基板１０２表面の一部や、配線１１２・１１３の表面の一部を包含する。
【０００８】
図１７に示すように、図１６で示したＬＥＤチップ搭載位置１００ＰにＬＥＤチップ１０４を搭載する。ＬＥＤチップ１０４は接着剤によりガラス部１１４と接着される。ガラス部１１４に搭載されたＬＥＤチップ１０４の電極パッド部（不図示）と、配線１１２・１１３それぞれとは、金からなるワイヤ１０６によって結線される。そして、図１６で示した封止樹脂形成領域１００Ｒに、半球形状の封止樹脂１０７を形成することで、発光装置が製造される。
【０００９】
封止樹脂１０７はＬＥＤチップ１０４を封止することで、ＬＥＤチップ１０４を熱的及び機械的外力からの影響を緩和したり、酸素や水分から遮蔽したりするものである。
【００１０】
封止樹脂１０７の形成方法として、図１８に示すような金型を用いた方法を挙げることができる。
【００１１】
図１８を用いて、現在多用されている、金型を用いて封止樹脂を形成する方法について説明する。
【００１２】
図１８は、金型を用いて封止樹脂を形成する従来の発光装置の製造方法を表す図であり（ａ）は封止樹脂形成前の基板を表す断面図であり、（ｂ）は（ａ）で示す基板を金型で挟んでいる様子を表す断面図であり、（ｃ）は（ｂ）で示す金型内に封止樹脂剤を充填した様子を表す断面図であり、（ｄ）は封止樹脂が形成された発光装置を表す断面図である。
【００１３】
図１８の（ａ）に示すように配線基板１０１のＬＥＤチップ搭載位置１００ＰにＬＥＤチップ１０４を搭載し、当該ＬＥＤチップ１０４と、配線１１２・１１３それぞれとをワイヤ１０６で結線した後、図１８の（ｂ）に示すように、下金型１８１と、上金型１８２との間に、ＬＥＤチップ１０４が搭載された配線基板１０１を配する。上金型１８２には、ＬＥＤチップ１０４が搭載された配線基板１０１に形成される封止樹脂１０７の半球形状と対応する形状の空隙１８２ａが設けられている。
【００１４】
図１８の（ｃ）に示すように、上金型１８２の空隙１８２ａに封止樹脂１０７となる封止樹脂剤を充填する。そして、加熱により当該封止樹脂剤を硬化することで封止樹脂１０７を形成する。
【００１５】
図１８の（ｄ）に示すように、封止樹脂１０７の形状を保つように下金型１８１及び上金型１８２から封止樹脂１０７が形成された発光装置を取り出す。このようにして、半球形状の封止樹脂１０７が形成された発光装置が得られる。
【００１６】
しかし、封止樹脂の形成に必要な金型は、高価であり作製に手間がかかる。特許文献１〜５には、金型を用いず、封止樹脂の形状を規定する撥液膜を形成する方法が開示されている。これについて、図１９を用いて説明する。
【００１７】
図１９は、従来の撥液膜が形成された配線基板を表す平面図である。図１９に示すように、封止樹脂を形成する前に、封止樹脂形成領域の縁に沿う円環形状の撥液膜１０５を形成する。
【００１８】
この撥液膜１０５を形成した後、ガラス部１１４のＬＥＤチップ搭載位置１００ＰにＬＥＤチップを搭載し、当該ＬＥＤチップの電極パッド部と配線１１２・１１３それぞれとを結線した後、撥液膜１０５が囲む領域内に封止樹脂剤を適量滴下する。当該滴下された封止樹脂剤は撥液膜１０５表面と接触し、撥液膜１０５の表面によって半球形状に保持される。そして、加熱することで封止樹脂剤は硬化し、封止樹脂が形成される。
【００１９】
このように撥液膜１０５は、撥液性を利用することで、従来用いられていた金型に換えて封止樹脂の形状を規定する。
【００２０】
この撥液膜１０５は、孔版を用いた印刷法やスタンプによりパターンすることができる。しかし、孔版やスタンプは、使用するごとに物理的な外力を受けて摩耗し変形するため、その結果としてパターン形成された撥液膜１０５の形状や寸法が変化するという課題を生じる。
【００２１】
また、印刷法やスタンプを用いた方法は、配線基板と、孔版又はスタンプとの位置合せが必要であり、さらに、合せた位置を保持するために、それぞれの位置を固定する装置や固定作業が必要となる。
【００２２】
すなわち、孔版の孔部から、撥液膜１０５となる液状の撥液剤を押し出したときに、孔版と配線基板との位置がずれたり、孔版と基板との間に空隙が発生しないように、それぞれの位置を固定する必要がある。また、スタンプを用いた方法でも、スタンプから基板に撥液膜１０５を転写するとき、基板とスタンプとの相対位置がずれたり、配線基板とスタンプとの間に空隙が発生しないように、それぞれの位置を固定する必要がある。
【００２３】
このように、撥液膜１０５を印刷法やスタンプを用いて形成するには、費用や作業効率の面で課題が生じる。
【００２４】
そこで、撥液膜を、金型を用いた方法や、印刷法、又はスタンプを用いた方法では無く、図２０に示すように液状の撥液材を基板全面に塗布し硬化させることで撥液膜１０５を成膜した後、図２１に示すように、封止樹脂を形成する領域の撥液膜１０５に開口部１０５ａを設け、その開口部１０５ａに封止樹脂を形成する方法が開発されている。
【００２５】
特許文献６には、基板の全面に液状の撥水性材料を塗布し硬化させた後、リソグラフィによりエッチングして、所望の位置に、所望の形状の撥水性の膜を形成する方法が開示されている。
【００２６】
特許文献６では、まず、フッ素をドープしたＳｉＯ２からなる基板の全面に、撥水性の保護膜を形成する。そしてリソグラフィ技術により、上記保護膜の所望の位置に開口部を設ける。次に、形成した開口部を含み上記保護膜上に加水分解溶液をスピンコーティングする。そして、加熱し、上記保護膜を熱分解させる。これにより、基板上の保護膜は除去され、上記保護膜の開口部であった領域に、加水分解溶液が硬化したコア部が形成される。
【００２７】
ここで、近年、製造コストを抑えるため、発光装置に用いられる基板はセラミックが用いられている。特許文献６ではフッ素をドープしたＳｉＯ２からなる基板が使用されており、製造コスト増加を招く。
【００２８】
特許文献７では、セラミックからなる基板の全面に、アルミナ系絶縁膜、及び酸化シリコン系絶縁膜を順に積層する。アルミナ系絶縁膜、及び酸化シリコン系絶縁膜は、基板と封止樹脂との密着性を向上させるための薄い膜である。さらに、酸化シリコン系絶縁膜に、ナノプリント技術を用いてフッ素系撥水膜を積層する。
【００２９】
そして、フッ素系撥水膜にパターンマスクを設置し、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）プラズマ装置によって、蛍光体含有封止樹脂の搭載領域に対応する位置のフッ素系撥水膜を部分的に除去することで、フッ素系撥水膜に開口部を設ける。
【００３０】
この後、フッ素系撥水膜の開口部内の酸化シリコン系撥水膜に、ＬＥＤチップをダイボンディングする。さらに、金線により、基板上の配線とＬＥＤチップとをワイヤボンディングする。ここで、基板上の配線は、アルミナ系絶縁膜及び酸化シリコン系絶縁膜により覆われている。しかし、アルミナ系絶縁膜及び酸化シリコン系絶縁膜は薄く、加熱された金線が、これらアルミナ系絶縁膜及び酸化シリコン系絶縁膜を突き破り、基板上の配線と接触するとされている。
【００３１】
そして、ＬＥＤチップがダイボンディングされたフッ素系撥水膜の開口部に、ディスペンサーを用いて液状の樹脂を注入し硬化する。これにより、フッ素系撥水膜の開口部内に、ＬＥＤチップを封止する半球形状の封止樹脂が形成されるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００３２】
【特許文献１】特開昭６２-２２９８６２号公報（１９８７年１０月８日公開）
【特許文献２】特開平７-２３１１２０号公報（１９９５年８月２９日公開）
【特許文献３】特開２００４-８７８１２号公報（２００４年３月１８日公開）
【特許文献４】特開２００８-２５８２９６号公報（２００８年１０月２３日公開）
【特許文献５】特開２０１２-１１６６５号公報（２０１２年１月１９日公開）
【特許文献６】特開平６‐２５００３７号公報（１９９４年９月９日公開）
【特許文献７】特開２０１２‐４９２２９号公報（２０１２年３月８日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００３３】
しかし、セラミックからなる基板は、表面に焼結体特有の微小な多数の空隙が存在する。
【００３４】
特許文献７の技術では、セラミックからなる基板に形成されたアルミナ系絶縁膜、酸化シリコン系絶縁膜、及びフッ素系撥水膜は、基板の微小な多数の空隙に浸透することになる。このため、リアクティブイオンエッチングプラズマ装置によって、蛍光体含有封止樹脂の搭載領域に対応する位置のフッ素系撥水膜を部分的に除去する際、完全に除去できず、フッ素系撥水膜の残渣が残ることになる。さらに、後工程で、ＬＥＤチップをダイボンドしたりワイヤボンドしたりする際の熱で、基板の微小な多数の空隙に浸透していたフッ素系撥水膜が浮き出て、発光装置の色特性に影響を与える場合がある。
【００３５】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、その目的は、封止材が配されている領域の撥液膜の残渣が残ることが防止された発光装置及び発光装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００３６】
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る発光装置は、発光素子と、当該発光素子と接続されている配線と、上記発光素子を包含することで封止する封止材とを備えている発光装置であって、セラミックからなる基板と、上記基板の上記配線が配されている面と同一面に配されており、ガラス又は樹脂からなり、上記発光素子が載置されている載置部とを備え、上記封止材は、少なくとも上記載置部に配されることで上記載置部に載置されている上記発光素子を包含し、上記封止材が配されている領域における上記基板の表面は、上記載置部と上記配線とで覆われており、かつ、上記封止材と非接触である。
【００３７】
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る発光装置の製造方法は、  発光素子と、当該発光素子と接続されている配線と、上記発光素子を包含することで封止する封止材とを備えている発光装置の製造方法であって、セラミックからなる基板に上記配線を形成する工程と、上記基板の上記配線が配されている面であり、上記封止材が配される領域における上記基板の表面を、上記配線と共に覆いかつ露出しないように、上記発光素子を載置するためのガラス又は樹脂からなる載置部を配する工程と、上記載置部を配した後、上記封止材が配される領域における基板の表面と非接触となるように撥液膜を成膜する工程と、上記撥液膜のうち、上記封止材を形成する領域を除去し開口部を形成することで上記載置部を露出させる工程と、上記載置部に上記発光素子を配する工程と、上記発光素子を包含し、上記基板と非接触となるように、少なくとも上記載置部に上記封止材を形成する工程とを有する。
【発明の効果】
【００３８】
本発明の一態様によれば、封止材が配されている領域の撥液膜の残渣が残ることを防止することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】実施の形態１に係る発光装置の構成を表す図であり、（ａ）は発光装置の構成を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ‐Ａ’線矢視断面図であり、（ｃ）は（ａ）に示すＢ‐Ｂ’線矢視断面図である。
【図２】上記発光装置に用いられる基板の平面図である。
【図３】配線がパターン形成された上記基板の平面図である。
【図４】上記発光装置に用いられる配線基板の構成を表し（ａ）は配線基板の平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す配線基板を紙面下側から見た側面図であり（ｃ）は（ａ）に示す配線基板を紙面右側から見た側面図である。
【図５】（ａ）は撥液膜が全面に形成された配線基板を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の撥液膜のうち封止樹脂形成領域を除去した配線基板を表す平面図であり、（ｃ）は（ｂ）の封止樹脂形成領域内にＬＥＤチップを実装した配線基板を表す平面図である。
【図６】実施形態２に係る発光装置に用いられる配線基板の構成を表し（ａ）は配線基板の平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す配線基板を紙面下側から見た側面図であり（ｃ）は（ａ）に示す配線基板を紙面右側から見た側面図である。
【図７】（ａ）は封止樹脂形成領域が除去された撥液膜が形成された配線基板を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の封止樹脂形成領域内にＬＥＤチップを実装した配線基板を表す平面図である。
【図８】実施の形態に係る発光装置の構成を表す図であり、（ａ）は発光装置の構成を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＣ‐Ｃ’線矢視断面図であり、（ｃ）は（ａ）に示すＤ‐Ｄ’線矢視断面図である。
【図９】実施形態３に係る発光装置に用いられる配線基板の構成を表し（ａ）は配線基板の平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す配線基板を紙面下側から見た側面図であり（ｃ）は（ａ）に示す配線基板を紙面右側から見た側面図である。
【図１０】実施形態３に係る発光装置に用いられる配線基板にガラス部が形成される前の平面図である。
【図１１】封止樹脂形成領域が除去された撥液膜が形成された配線基板を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の封止樹脂形成領域内にＬＥＤチップを実装した配線基板を表す平面図である。
【図１２】実施の形態３に係る発光装置の構成を表す図であり、（ａ）は発光装置の構成を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＥ‐Ｅ’線矢視断面図であり、（ｃ）は（ａ）に示すＦ‐Ｆ’線矢視断面図である。
【図１３】実施の形態４に係る発光装置の構成を表す図であり、（ａ）は発光装置の構成を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＧ‐Ｇ’線矢視断面図であり、（ｃ）は（ａ）に示すＨ‐Ｈ’線矢視断面図である。
【図１４】（ａ）は１次封止樹脂形成領域が除去された撥液膜が形成された配線基板を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の１次封止樹脂形成領域内にＬＥＤチップを実装した配線基板を表す平面図であり、（ｃ）は（ｂ）の配線基板に１次封止樹脂を形成し撥液膜を除去した様子を表す平面図である。
【図１５】実施の形態５に係る発光装置の構成を表す図であり、（ａ）は発光装置の構成を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＩ‐Ｉ’線矢視断面図であり、（ｃ）は（ａ）に示すＪ‐Ｊ’線矢視断面図である。
【図１６】（ａ）は従来の発光装置の製造に用いられる、ＬＥＤチップ実装前の配線基板の構成を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す配線基板を紙面下側から見た側面図であり、（ｃ）は（ａ）に示す配線基板を紙面右側からみた側面図である。
【図１７】（ａ）は従来の発光装置を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す発光装置を紙面下側から見た側面図であり、（ｃ）は（ａ）に示す発光装置を紙面右側からみた側面図である。
【図１８】金型を用いて封止樹脂を形成する従来の発光装置の製造方法を表す図であり（ａ）は封止樹脂形成前の基板を表す断面図であり、（ｂ）は（ａ）で示す基板を金型で挟んでいる様子を表す断面図であり、（ｃ）は（ｂ）で示す金型内に封止樹脂剤を充填した様子を表す断面図であり、（ｄ）は封止樹脂が形成された発光装置を表す断面図である。
【図１９】従来の撥液膜が形成された配線基板を表す平面図である。
【図２０】従来の撥液材が全面に成膜された基板の平面図である。
【図２１】従来の撥液膜のうち封止樹脂を形成する領域に開口部が形成された基板の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
〔実施形態１〕
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
【００４１】
（発光装置の構成）
まず、図１を用いて発光装置の構成について説明する。
【００４２】
図１は、実施の形態１に係る発光装置の構成を表す図であり、（ａ）は発光装置の構成を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ‐Ａ’線矢視断面図であり、（ｃ）は（ａ）に示すＢ‐Ｂ’線矢視断面図である。
【００４３】
発光装置１１は、本実施の形態では発光素子としてＬＥＤ素子を用いた、いわゆる表面実装型のＬＥＤパッケージである。
【００４４】
発光装置１１は、セラミックからなる基板２と、基板２の裏面に配されている裏面配線３と、基板２の同一の表面に配されている配線１２・１３及びガラス部（載置部）１４と、ガラス部１４の表面に配されている発光素子であるＬＥＤチップ４と、ＬＥＤチップ４と配線１２・１３それぞれとを接続する接続部分である複数のワイヤ６と、ＬＥＤチップ４及び複数のワイヤ６を包含することで封止しガラス部１４の表面の一部及び配線１２・１３の表面の一部に配されている封止樹脂（封止材）７とを備えている。また、封止樹脂７の外側であって、基板２、配線１２・１３の表面の一部、及びガラス部１４の表面の一部には撥液膜５が配されている。なお、撥液膜５は、発光装置１１の製造途中で完全に除去されていてもよい。
【００４５】
封止樹脂７が配されている領域における基板２の表面は、ガラス部１４と配線１２・１３とで覆われており、かつ、封止樹脂７と非接触となっている。
【００４６】
発光装置１１では、封止樹脂７が配されている領域における基板２の表面は、ガラス部１４と配線１２・１３とで覆われている。このため、ガラス部１４に載置されたＬＥＤチップ４と、配線１２・１３とを接続するワイヤ６を封止樹脂７に包含させることができる。これにより、熱的、機械的に強い発光装置１１を得ることができる。
【００４７】
封止樹脂７は、少なくともガラス部１４に配されている。本実施の形態では、封止樹脂７は、ガラス部１４と配線１２・１３とに跨って配されている。
【００４８】
そして、封止樹脂７が配されている領域における基板２の表面は、ガラス部１４と配線１２・１３とで覆われており、かつ、封止樹脂７と非接触となっている。
【００４９】
このため、封止樹脂７を配するために封止樹脂の形成前に設けられる撥液膜５のうち、封止樹脂を配するために除去される領域は、ガラスからなることでセラミックより表面がなめらかであるガラス部１４と少なくとも接触し、セラミックからなる基板２とは非接触となっている。このため、撥液膜５のうち封止樹脂７材を配するために除去される領域である開口部５ａに撥液膜５の残渣が残ることが防止されている。
【００５０】
発光装置１１では、封止樹脂７は、ガラス部１４と、配線１２・１３とに跨って配されているため、基板２に配される配線１２・１３の形状の自由度を向上させることができる。
【００５１】
ここで、ＬＥＤパッケージに用いられている基板として、いわゆる「リード」と呼ばれる所望の形状にカットした金属板が用いられたり、又は、コスト削減、サイズの大型化のため白色の添加剤を多量に混合した樹脂基板が用いられたりする場合がある。
【００５２】
基板２をセラミックで構成すると、表面に、焼結体特有の微小な空隙が存在することになり表面の凹凸形状が粗くなるものの、上記「リード」と呼ばれる金属板を用いる場合と比べて、小型化、軽量化することができる。
【００５３】
さらに、基板２をセラミックで構成することで、大判の基板２にＬＥＤチップ４を複数配する場合、当該基板内にＬＥＤチップ４を飛び飛びでは無く、密集させて配置することができる。すなわち、基板２をセラミックで構成することで、金属板で構成する場合と比べて、ＬＥＤチップ４の配置密度を向上させることができるため、コスト及び材料の使用量削減をすることもできる。
【００５４】
なお、基板２をセラミックで構成することで、導通に伴い発生する熱の伝導率は金属より低いため、金属板で構成する場合と比べて過熱し易くはなる。
【００５５】
基板２をセラミックで構成することで、上記樹脂基板で構成する場合と比べて多少コストは高くなるものの、上記樹脂基板より伝導率が高く、過熱しにくい。また、上記樹脂基板は粉末の添加剤が多く含まれるため脆い性質がある。このため、基板２をセラミックで構成することで、上記樹脂基板で構成する場合と比べて強度を向上させることができる。
【００５６】
裏面配線３と、配線１２・１３とは、金属材料からなる。裏面配線３は基板２の裏面にパターン形成されている。配線１２・１３は、基板２の表面にパターン形成されている。
【００５７】
裏面配線３と配線１３とは後述するように、基板２の側面を通じて接続されている。また、配線１２も、基板２の裏面に配された金属からなる配線と接続されていてもよい。
【００５８】
配線１２・１３のうち一方がアノード、他方がカソードである。配線１２と配線１３とは離間している。
【００５９】
配線１２は、平面視で基板２の一辺の延伸方向に沿って延伸している。配線１３は、配線１２と対向する基板２の表面の他方の一辺の延伸方向に沿って延伸している。平面視で、配線１２・１３のそれぞれの略中央部には、平基板２の中心方向に突出する突出部がそれぞれ設けられている。配線１２・１３のそれぞれの上記突出部に、ワイヤ６が接続されており、配線１２・１３それぞれは、ワイヤ６を通じてＬＥＤチップ４と接続されている。
【００６０】
裏面配線３と、配線１２・１３とは、表面又は全体が金属材料から構成されている。裏面配線３と、配線１２・１３とのうち、少なくとも配線１２・１３の表面は、光沢を有するように処理された光沢面である。
【００６１】
このため、撥液膜５のうち、封止樹脂７を配するために除去される領域である開口部５ａに形成されていた撥液膜５が配線１２・１３と接触していたとしても、配線の表面が光沢面では無い場合と比べて、残渣が残ることを防止することができる。
【００６２】
配線１２・１３の表面である光沢面は、後述のように光沢剤が添加された金属材料をめっきすることで形成することができる。または、圧延銅箔の光沢面が配線１２・１３の表面となるように、配線１２・１３を形成してもよい。圧延銅箔は銅の塊を圧延機によって薄く伸ばしたものである。
【００６３】
配線１２・１３は、内側から外側の層にかけて、銅、ニッケルが順に積層され、ニッケルの表面に、最表面となり光沢剤が添加された薄い金が積層されていることが好ましい。これは、裏面配線３と、配線１２・１３の酸化防止、金からなるワイヤ６との接合性、外部電極との接合性で信頼性が高いためである。
【００６４】
しかし、配線１２・１３を構成する複数の金属材料はこれに限定されず、他の金属材料であってもよい。例えば、内側から外側の層にかけて、銅、亜鉛が順に積層され、ニッケルの表面に最表面となり光沢剤が添加された薄い金が積層されていてもよい。または、内側の層から外側の層にかけて、銅、ニッケル、及び光沢剤が添加されたパラジウムの順に積層されていてもよい。この場合、パラジウムが最表面の金属材料となる。又は、最表面の金属を、金やパラジウムに換えて光沢剤が添加された銀を積層してもよい。パラジウムや銀は金より安価であるため、発光装置の製造コストを低減することができる。
【００６５】
配線１２・１３は、最表面（配線１２・１３の表面）となる金属膜が光沢めっきとなるようにめっき処理されている。もしくは、裏面配線３と、配線１２・１３とは、最表面となる金属膜が、圧延銅箔の光沢面が表面となるように構成されている。これにより、裏面配線３と、配線１２・１３表面を、無光沢めっきとなるようにめっき処理された場合と比べて、金属の粒界（粒）を細かくすることができる。また、裏面配線３と、配線１２・１３との表面の粗さを、基板２の表面より、凹凸形状が細かい構造とすることができる。
【００６６】
ガラス部１４は、ＬＥＤチップ４を搭載するための載置部である。一例としてガラス部１４は透明な板状部材である。ガラス部１４は、配線１２と配線１３との間の隙間に嵌合する形状である。ガラス部１４は、基板２の表面であって、配線１２と、配線１３との間の隙間を埋めるように配されている。基板２の表面のうち、封止樹脂７が形成されている領域は、ガラス部１４及び配線１２・１３によって覆われており、基板２の表面は露出していない。
【００６７】
ガラス部１４の表面は、基板２の表面の粗さよりも凹凸形状が細かい構造である。
【００６８】
ＬＥＤチップ４を、基板２に直接配するのではなく、ガラス部１４に配することで、ＬＥＤチップ４と基板２との接合強度を確保することができる。
【００６９】
ここで、ＬＥＤチップ４を基板２に直接配することでＬＥＤチップ４と基板２とが密着している場合、ＬＥＤチップ４から発光された光のうち、ＬＥＤチップ４の下方である基板２の方向に向かった光は出口を失い、光量を損失することになる。一方、ＬＥＤチップ４を透明なガラス部１４表面に配することで、ＬＥＤチップ４から発光された光のうち下方の基板２の方向に向かった光は基板２の表面で反射されてガラス部１４の側面からガラス部１４外に抜けていく。この結果、ＬＥＤチップ４の光量の損失を防止することができる。
【００７０】
ガラス部１４は、石英ガラスなどの光の透過率が高いガラスからなる。特に、ガラス部１４の材質として、紫外光から赤外光までの透過率が高い高純度の石英ガラスが好ましい。
【００７１】
または、ＬＥＤチップ４を載置する載置部は、表面の凹凸形状の粗さが、基板２の表面の凹凸形状の粗さよりも細かく、また透明な材料から構成されていればよく、ガラス以外の材料から構成してもよい。
【００７２】
ＬＥＤチップ４を載置する載置部として、ガラス部１４に換えて、例えば、フッ素樹脂（フッ化樹脂）により構成してもよい。フッ素樹脂（フッ化樹脂）は光の透過率が他の樹脂と比較して高いためコストを低減することができる。ＬＥＤチップ４が配されている位置が、後述するＬＥＤチップ搭載位置Ｐである。なお、本実施の形態では、ＬＥＤチップ４を発光素子としているが、半導体レーザ、有機ＥＬ素子等の他の発光素子を用いることも可能である。
【００７３】
撥液膜５は、封止樹脂７を囲むように配されている。撥液膜５は、封止樹脂７の外側であって、基板２、配線１２・１３、及びガラス部１４の表面に配されている。撥液膜５には、開口部５ａが形成されており封止樹脂７は開口部５ａに形成されている。換言すると、開口部５ａが封止樹脂７の形成領域である。
【００７４】
撥液膜５は、基板２や配線１２・１３及びガラス部１４よりも、封止樹脂７となる液状の封止樹脂剤に対する濡れ性が低い性質を有する材料からなる。すなわち、撥液膜５は、封止樹脂７となる上記封止樹脂剤に対する親和性が相対的に低くなる。撥液膜５は、このような基板２や配線１２・１３及びガラス部１４とは異なる上記封止樹脂剤に対する親和性を利用して、封止樹脂７の形状を制御する役割を果たす。これにより、封止樹脂７の形状のばらつきが抑制されている。撥液膜５は、例えばフッ素系樹脂を用いることができる。
【００７５】
また、撥液膜５の開口部５ａの平面形状は、特に限定されるものではないが、本実施形態のように円状であることが好ましい。これにより、封止樹脂７の表面形状を、形状が安定している半球形状とすることができる。また、封止樹脂７の使用量を最小にすることができ、コストを低下させることができる。
【００７６】
撥液膜５は、後述するように、配線１２・１３及びガラス部１４が配された基板２の全面に液状の撥液剤が塗布され硬化された後、後述するエッチング工程にて開口部５ａとなる撥液膜５が除去されることでパターン形成される。
【００７７】
発光装置１１では、撥液膜５の開口部５ａが形成される領域内は、上記撥液剤が浸透し易い基板２の表面は露出しておらず、上記撥液剤が浸透し難い配線１２・１３及びガラス部１４で、基板２の表面は全て覆われている。このため、発光装置１１は、エッチング工程で、例えば乾式のドライエッチングがなされていたとしても、開口部５ａ内に撥液膜５の残渣が残ることが抑制されている。このように、発光装置１１によると、開口部５ａ内が配線１２・１３及びガラス部１４で全て覆われているため、撥液膜５の開口部５ａを形成する際のエッチング方法として乾式のドライエッチングを使用することができ、湿式のエッチングに限定されない。この結果、製造コストを低減することができる。
【００７８】
封止樹脂７は、ＬＥＤチップ４を熱的及び機械的外力から緩和したり、ＬＥＤチップ４を酸素や水分などから遮蔽したりするものである。封止樹脂７は、ＬＥＤチップ４およびワイヤ６を封止している。
【００７９】
封止樹脂７は、撥液膜５の開口部５ａ内であって、基板２上に配されているＬＥＤチップ４、ガラス部１４、及び配線１２・１３に配されている。封止樹脂７と基板２とは接触していない。封止樹脂７には、ＬＥＤチップ４からの光により励起発光する蛍光体が含まれている。これにより、発光装置１１から、所望の光を発光させることができる。封止樹脂７は、例えば、透明なシリコーン等の樹脂材料に蛍光体を含めた材料を用いることができる。
【００８０】
封止樹脂７は略半球状である。これにより、封止樹脂７の形状は安定し歩留低下を防止し、また、封止樹脂７の使用量を抑えコスト低下を実現することができる。
【００８１】
（発光装置１１の製造方法）
次に、図１〜５を用いて発光装置１１の製造方法について説明する。
【００８２】
図２は発光装置１１に用いられる基板２の平面図である。図３は、配線１２・１３がパターン形成された基板２の平面図である。図４は発光装置１１に用いられる配線基板の構成を表し（ａ）は配線基板の平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す配線基板を紙面下側から見た側面図であり（ｃ）は（ａ）に示す配線基板を紙面右側から見た側面図である。
【００８３】
図２に示すように、所望の大きさであり、一例としてセラミックからなる基板２を準備する。
【００８４】
次に、図３に示すように、基板２の表面に配線１２・１３をめっきによりパターン形成する（配線形成工程）。
【００８５】
配線形成工程では、配線１２・１３の表面となる金属膜が光沢めっきとなるようにめっきする。
【００８６】
配線１２・１３は、基板２に銅をめっきし、当該銅の表面にニッケルをめっきし、当該ニッケルの表面に、最表面となり光沢剤が添加された薄い金をめっきすることで得られる。又は、配線１２・１３は、基板２に銅をめっきし、当該銅の表面に亜鉛をめっきし、当該亜鉛の表面に、最表面となり光沢剤が添加された薄い金をめっきすることで得てもよい。又は、配線１２・１３は、基板２に銅をめっきし、当該銅の表面にニッケルをめっきし、当該ニッケルの表面に、最表面となり光沢剤が添加されたパラジウムをめっきすることで得てもよい。又は、最表面の金属として、金やパラジウムに換えて光沢剤が添加された銀をめっきしてもよい。
【００８７】
もしくは、圧延銅箔を準備し、当該圧延銅箔の光沢面が最表面となるように配線１２・１３を形成してもよい。
【００８８】
これにより、最表面が光沢面となるように配線１２・１３を、基板２の表面にパターン形成することができる。
【００８９】
なお、配線形成工程では、配線１２・１３の形成と同時に、配線１２・１３と同材料及び同方法により、基板２の裏面に裏面配線３をパターン形成する（配線形成工程）。
【００９０】
次に、基板２の表面に形成された配線１２と、配線１３との間に嵌合する形状に切断されたガラス部１４を準備する。
【００９１】
そして、ガラス部１４を、配線１２と、配線１３との間に嵌るように、基板２の表面に配し、ガラス部１４と基板２とを接着剤等により接着する。
【００９２】
このように、基板２のうち配線１２・１３を形成した面であり、封止樹脂形成領域Ｒにおける基板２の表面を、配線１２・１３と共に覆いかつ露出しないように、ガラス部１４を配する。これにより、配線基板１０が得られる。
【００９３】
図５の（ａ）は撥液膜が全面に形成された配線基板を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の撥液膜のうち封止樹脂形成領域を除去した配線基板を表す平面図であり、（ｃ）は（ｂ）の封止樹脂形成領域内にＬＥＤチップを実装した配線基板を表す平面図である。
【００９４】
次に、図５の（ａ）に示すように、図４で示した配線基板１０の表面全面、すなわち、基板２、配線１２・配線１３、及びガラス部１４の表面に、撥液膜５となる液状の撥液剤を塗布する（塗布工程）。
【００９５】
塗布方法は種々の方法を用いることができ、浸漬での全面塗布や、スプレーによる噴霧、スピンコート法等、基板全面に塗布できる方法であればよい。
【００９６】
撥液剤としては、一例として、菱江化学製マーベルコート、信越化学製ＫＹ‐１０８、又はダイキン工業製ユニダイン等を用いることができる。
【００９７】
ここで、図４に示したように、配線基板１０のうち、封止樹脂形成領域Ｒ内は、表面の凹凸形状の粗さがセラミックからなる基板２より細かい配線１２・１３及びガラス部１４によって覆われており、セラミックからなり凹凸形状の粗さが粗い基板２の表面は露出していない。このため、封止樹脂形成領域Ｒ内は、基板２の表面が露出している封止樹脂形成領域Ｒ外と比べて、液状の撥液剤の配線基板１０内への浸透を防止することができる。
【００９８】
次に、撥液剤を表面全面に塗布した配線基板１０を乾燥機に入れる。そして、約１２５℃６０分程度の熱を加えることで、撥液剤を硬化する。これにより、配線基板１０の表面全面に撥液膜５を成膜する（撥液膜成膜工程）。撥液膜５は、封止樹脂形成領域Ｒ内では、基板２表面と非接触となる。
【００９９】
次に、配線基板１０を乾燥機から取り出し、成膜した撥液膜５表面に、封止樹脂形成領域Ｒの形状の開口を有するマスクを載置しプラズマ装置に入れる。一例として、マスクはステンレスからなる。そして、プラズマ装置にアルゴンガスを流入させてプラズマ処理を行うことでドライエッチングを行う（エッチング工程）。一例として、このときのプラズマ放電の出力は２５０Ｗ程度、プラズマ処理を行う時間は２０秒程度である。
【０１００】
これにより、図５の（ｂ）に示すように、撥液膜５のうち不要部分である封止樹脂形成領域Ｒ内の撥液膜５が除去され開口部５ａが形成される。この開口部５ａが形成されることで、開口部５ａ内の配線１２・１３それぞれの突出部及びガラス部１４が露出する。
【０１０１】
ここで、湿式（ウェット）エッチングは、エッチング液も内部まで浸透し、撥液剤を溶解し除去することができる。
【０１０２】
一方、ＲＩＥ（乾式・ドライ）エッチングは、プラズマ装置内において、撥液剤による撥液膜５が形成されている基板２が載置されている電極面と、対向する電極（対向電極）との間で電圧により発生させた例えばプラズマ状態のＡｒ（アルゴン）イオンが、基板２が載置されている電極面に垂直に衝突するときの運動エネルギーを利用するものである。
【０１０３】
すなわち、運動エネルギーは上記対向電極から基板２が載置された上記電極に対し並行に移動するため、セラミックのような焼結体特有の微細な空隙には入り込むことができない。このため、ＲＩＥによるエッチングはセラミックからなる基板の内部に残渣が残りやすい。
【０１０４】
これは、基板をセラミックから構成しているから生じる課題である。なお、基板をセラミックではなく、例えば、ガラスエポキシ基板（ガラス布にエポキシ樹脂を含浸させ、加熱加圧で硬化させた板）で構成した場合は、基板内部に液状の撥液剤が浸透することに起因して、封止樹脂形成領域となる撥液膜の開口部に残渣が残る課題は生じない。
【０１０５】
そこで、配線基板１０においては、開口部５ａ内、すなわち、封止樹脂形成領域Ｒ内は、基板２の表面を覆う表面の粗さが細かい配線１２・１３の表面及びガラス部１４の表面のみが撥液膜５と接触しており、基板２の表面は撥液膜５と接触していない。このため、エッチング工程では、ウエットエッチングでは無く、乾式のドライエッチングであっても、残渣を残さず、封止樹脂形成領域Ｒ内の配線基板１０表面の撥液膜５を除去することができる。
【０１０６】
このため、湿式のエッチング方法を用いる場合と比べて、材料や工数削減により製造コストを削減することができる。
【０１０７】
さらに、配線基板１０では、配線１２・１３の最表面が光沢面となっている。このため撥液膜５のうち封止樹脂形成領域Ｒの撥液膜５が配線１２・１３と接触していたとしても、配線の表面が無光沢めっき処理されている場合と比べて、残渣が残り難くなる。このため、配線１２・１３の形状の自由度を向上させると共に、製造方法の汎用性を向上させることができる。
【０１０８】
次に、図５の（ｃ）に示すように、開口部５ａをパターン形成した撥液膜５が積層された配線基板１０のうち、ガラス部１４のＬＥＤチップ搭載位置ＰにＬＥＤチップ４を接着剤により貼り合せる。これにより、ガラス部１４の表面のＬＥＤチップ搭載位置ＰにＬＥＤチップ４を搭載する。
【０１０９】
そして、ガラス部１４の表面に搭載されたＬＥＤチップ４の電極パッド部と、配線１２・１３それぞれの突出部とを、一例として金からなるワイヤ６で結線する。このように、ＬＥＤチップ４を配線基板１０に実装する（発光素子実装工程）。
【０１１０】
次に、ＬＥＤチップ４を実装した配線基板１０のうち、撥液膜５の開口部５ａ内、すなわち、封止樹脂形成領域Ｒ内に、封止樹脂７となる液状の封止樹脂剤を塗布する。封止樹脂剤としては、一例として、信越化学製シリコーン樹脂ＡＳＰ‐１０４２、東レ・ダウコーニング製シリコーン樹脂ＯＥ７６２０、又は信越化学製シリコーン樹脂ＫＥＲ‐２５００等に蛍光体を混入させた樹脂材料を用いることができる。なお、封止樹脂７に蛍光体を含めない構成としてもよい。この場合、信越化学製シリコーン樹脂ＡＳＰ‐１０４２、東レ・ダウコーニング製シリコーン樹脂ＯＥ７６２０、又は信越化学製シリコーン樹脂ＫＥＲ‐２５００等をそのまま使用することができる。
【０１１１】
そして、封止樹脂形成領域Ｒ内に封止樹脂剤を塗布した配線基板１０を、乾燥機に入れ、約１００℃１２０分程度加熱し、続けて、約１５０℃２４０分程度の加熱することで封止樹脂剤を硬化させる。
【０１１２】
これにより、図１で示したように、ＬＥＤチップ４、ワイヤ６を包含し、封止樹脂形成領域Ｒ内のガラス部１４、及び配線１２・１３上に半球形状の封止樹脂７が形成された発光装置１１を得ることができる（封止樹脂形成工程）。
【０１１３】
なお、封止樹脂７を形成した後、発光装置１１をプラズマ装置に入れ、プラズマ処理することで、封止樹脂７の外側に配されている撥液膜５を除去してもよい。
【０１１４】
このように発光装置１１の製造方法によると、ガラス部１４は、基板２の配線１２・１３が配されている面であり、封止樹脂形成領域Ｒにおける基板２の表面を、配線１２・１３と共に覆うように配される。このため、ガラス部１４に載置されたＬＥＤチップ４と、配線１２・１３とを接続するワイヤ６を封止樹脂７に包含させることができる。これにより、熱的、機械的に強い発光装置１１を得ることができる。
【０１１５】
さらに、ガラス部１４を、基板２の配線１２・１３が配されている面であり、封止樹脂形成領域Ｒにおける基板２の表面を、配線１２・１３と共に覆いかつ露出しないように配される。そして、封止樹脂７は、基板２の表面と非接触となるように、少なくともガラス部１４に形成される。
【０１１６】
このため、封止樹脂７を形成するために封止樹脂７の形成前に設けられる撥液膜５のうち開口部５ａとして除去される領域は、ガラスからなることでセラミックより表面が滑らかであるガラス部１４と少なくとも接触し、セラミックからなる基板２とは非接触となる。このため、撥液膜５の開口部５ａとなる領域の残渣が残ることを防止することができる。このため、発光装置１１によると、封止樹脂７が形成されている領域に、不要な撥液膜５の残渣が残っていないため、安定した発光色が得られる。
【０１１７】
このように、配線基板１０、又は配線基板１０を備える発光装置１１は、撥液膜５のうち開口部５ａとなる領域の撥液膜５を簡便かつ確実な方法で除去可能である。さらに、発光装置１１では、封止樹脂７に蛍光体を含有しているためＬＥＤチップ４が発光する光を直接発光装置１１外へ射出するだけでなく、所望の波長を得るためにＬＥＤチップ４から発光された光を蛍光体に当て蛍光体から異なる波長の光を蛍光させることが可能である。
【０１１８】
特にＬＥＤチップ４を青色の光を発光するＬＥＤチップとすると、短波長の光を発することから全光束が大きく、蛍光体による波長変換後も高い全光束を得ることが可能である。
【０１１９】
なお、発光装置１１から外部へ出射される光は、蛍光体で波長変換された光だけでなく、ＬＥＤチップ４から蛍光体に当たらずに発光装置１１外へと射出される光や、複数回蛍光体に当たってから発光装置１１外へと射出される光が混合したものである。
【０１２０】
また、本実施の形態に係る配線基板１０から発光装置１１を製造する方法によると、蛍光体を含む封止樹脂７の形成に撥液膜５を用いることで、高価な金型の使用が不要である。
【０１２１】
撥液膜５となる液状の撥液剤を配線基板１０に塗布する方法として、浸漬での全面塗布やスプレーによる全面塗布で塗布するため、スタンプや印刷法での孔版が必要なく、スタンプや孔版の摩耗や劣化、印刷時における機械的な外力から版と基板とを固定する装置も必要ない。加えて、リソグラフィに必要な感光性樹脂や感光性樹脂を所望の形状に形成するための感光工程やエッチング工程も不要である。
【０１２２】
本実施の形態に係る配線基板１０及び配線基板１０を備える発光装置１１は撥液膜５の開口部５ａを所望の形状とするためにエッチングを行う場合に、基板２に液状の撥液剤が浸透することを防止できる。このため、マスクやエッチング液などの冶具や消耗部材の消費を抑制しエッチング液の管理などを必要としない乾式エッチングにより封止樹脂形成領域Ｒ内の撥液膜５を安価で簡便で、かつ確実に除去することができる。
【０１２３】
以上により、本実施の形態に係る配線基板１０および配線基板１０を備える発光装置１１は乾式エッチングにより、安価で簡便であり、かつ確実に、封止樹脂形成領域Ｒ内の撥液膜５を除去することで、安定した色度を発する発光装置、及び当該発光装置１１を備えた電子機器を提供することができる。
【０１２４】
〔実施形態２〕
本発明の実施形態２について、図６〜図８に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記実施形態１にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
【０１２５】
図６は実施形態２に係る発光装置２１に用いられる配線基板２０の構成を表し（ａ）は配線基板２０の平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す配線基板２０を紙面下側から見た側面図であり（ｃ）は（ａ）に示す配線基板を紙面右側から見た側面図である。
【０１２６】
図６に示す配線基板２０は、図４で示した配線基板１０と、ガラス部１４を、大きさが異なるガラス部（載置部）２４に変更した点で相違する。配線基板２０の他の構成は配線基板１０と同様である。
【０１２７】
ガラス部２４は、基板２の表面に配された配線１２・１３の間に嵌合する形状では無く、配線１２と配線１３との距離よりも一辺の長さが長い。ガラス部２４は、配線１２・１３間の基板２の表面を覆うと共に、配線１２・１３の表面も覆っている。ガラス部２４の面積は封止樹脂形成領域Ｒよりも大きい。
【０１２８】
ガラス部２４のうち、配線１２の突出部と重なる位置に開口部２４ａが形成されており、配線１２の突出部が露出している。また、ガラス部２４のうち、配線１３の突出部と重なる位置に開口部２４ｂが形成されており、配線１３の突出部が露出している。ガラス部２４に開口部２４ａ・２４ｂが設けられ、配線１２・１３が露出することで配線１２・１３と、ワイヤ６を接続可能となっている。
【０１２９】
配線基板２０も、配線基板１０と同様に、封止樹脂形成領域Ｒ内は、撥液剤が浸透し易い基板２の表面は露出しておらず、上記撥液剤が浸透し難い配線１２・１３及びガラス部２４で、基板２の表面は全て覆われている。この配線基板２０によっても発光装置の製造が可能である。
【０１３０】
配線基板２０は、配線基板１０と同様に、配線形成工程にて、基板２の表面に金属材料をめっきすることで配線１２・１３をパターン形成したあと、配線１２・１３と重なる程度の大きさであり開口部２４ａ・２４ｂが形成されたガラス部２４を、基板２及び配線１２・１３の表面に貼り合せることで得られる。
【０１３１】
このようにして、ガラス部２４を、基板２の配線１２・１３が配されている面であり、封止樹脂形成領域Ｒにおける基板２の表面を、配線１２・１３と共に覆いかつ露出しないよう配する。
【０１３２】
なお、開口部２４ａ・２４ｂの大きさをワイヤ６の径と略同じ大きさとしてもよい。これにより、ワイヤ６を開口部２４ａ・２４ｂを通したとき、配線１２・１３が開口部２４ａ・２４から露出しなくなる。この結果、封止樹脂７は、配線１２・１３上には配されず、ガラス部２４の表面のみに配される。
【０１３３】
図７の（ａ）は封止樹脂形成領域が除去された撥液膜が形成された配線基板２０を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の封止樹脂形成領域内にＬＥＤチップを実装した配線基板２０を表す平面図である。
【０１３４】
上記塗布工程にて、配線基板２０の表面全面に、撥液膜５となる液状の撥液剤を塗布する。
【０１３５】
上述したように、配線基板２０のうち、封止樹脂形成領域Ｒ内では基板２の表面は、表面の凹凸形状の粗さが細かい配線１２・１３及びガラス部２４によって覆われており、凹凸形状の粗さが粗い基板２の表面が露出していない。このため、封止樹脂形成領域Ｒ内は、基板２の表面が露出している封止樹脂形成領域Ｒ外と比べて、液状の撥液剤の配線基板２０内への浸透を防止することができる。
【０１３６】
次に、上記撥液膜成膜工程にて配線基板２０上の撥液剤を硬化し撥液膜５を成膜した後、上記エッチング工程にて封止樹脂形成領域Ｒ内の撥液膜５を除去する。
【０１３７】
配線基板２０では、封止樹脂形成領域Ｒ内は、表面の凹凸形状の粗さが細かいガラス部２４及びガラス部２４の開口部２４ａ・２４ｂから露出する配線１２・１３の突出部が撥液膜５と接触しており、凹凸形状の粗さが粗い基板２の表面は撥液膜５と接触していない。このため、エッチング工程では、ウエットエッチングでは無く、乾式のドライエッチングであっても、残渣を残さず、封止樹脂形成領域Ｒ内の配線基板２０表面の撥液膜５を除去することができる。
【０１３８】
これにより、図７の（ａ）に示すように、封止樹脂形成領域Ｒが開口部５ａとなっている撥液膜５が表面に形成された配線基板２０が得られる。
【０１３９】
配線基板２０では、撥液膜５の開口部５ａ内のガラス部２４及びガラス部２４の開口部２４ａ・２４ｂ内の配線１２・１３それぞれの突出部が露出している。
【０１４０】
次に、図７の（ｂ）に示すように、上記発光素子実装工程にて、配線基板２０のうち、開口部５ａ内のＬＥＤチップ搭載位置ＰにＬＥＤチップ４を搭載する。そして、ＬＥＤチップ４の電極パッド部と、ガラス部２４の開口部２４ａ・２４ｂから露出している配線１２・１３それぞれの突出部とを、ワイヤ６で結線する。このように、ＬＥＤチップ４を配線基板２０に実装する。
【０１４１】
次に、上記封止樹脂形成工程にて、ＬＥＤチップ４を実装した配線基板２０の撥液膜５の開口部５ａ内、すなわち、封止樹脂形成領域Ｒ内に、封止樹脂７となる液状の封止樹脂剤を塗布する。そして、封止樹脂剤が塗布された配線基板２０を加熱することで、上記封止樹脂剤を硬化する。
【０１４２】
これにより、図８に示すように発光装置２１が得られる。図８は、実施の形態２に係る発光装置の構成を表す図であり、（ａ）は発光装置の構成を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＣ‐Ｃ’線矢視断面図であり、（ｃ）は（ａ）に示すＤ‐Ｄ’線矢視断面図である。
【０１４３】
発光装置２１では、封止樹脂７が形成されている領域は、ガラス部２４及びガラス部２４の開口部２４ａ・２４ｂから露出する配線１２・１３の突出部が基板２を覆い、基板２の表面は露出していない。
【０１４４】
封止樹脂７は、ＬＥＤチップ４及びワイヤ６を封止する共に、ガラス部２４及びガラス部２４の開口部２４ａ・２４ｂから露出する配線１２・１３の突出部表面に形成されており、凹凸形状の粗さが粗い基板２の表面とは接触していない。
【０１４５】
このため、発光装置２１は、エッチング工程で、例えば乾式のドライエッチングがなされていたとしても、封止樹脂７下に撥液膜５の残渣が残ることが抑制されている。これにより、エッチング工程で湿式のエッチングに限定されず、製造コストを低減することができる。
【０１４６】
〔実施形態３〕
本発明の実施形態３について、図９〜図１２に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記実施形態１、２にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
【０１４７】
図９は実施形態３に係る発光装置３１に用いられる配線基板３０の構成を表し（ａ）は配線基板３０の平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す配線基板３０を紙面下側から見た側面図であり（ｃ）は（ａ）に示す配線基板３０を紙面右側から見た側面図である。
【０１４８】
図９に示す配線基板３０は、図４で示した配線基板１０と、基板上の配線の幅及びガラスの形状が相違する。配線基板３０のその他の構成は配線基板１０と同様である。
【０１４９】
配線基板３０は、配線基板１０の配線１２・１３に換えて配線３２・３３を備え、また、ガラス部１４に換えてガラス部（載置部）３４を備える。配線３２・３３は、配線１２・１３と形状が相違し、材質は同じである。ガラス部３４はガラス部１４と形状が相違し、材質は同じである。
【０１５０】
配線３２・３３は帯状であり、長手方向と直交する短手方向の長さが、配線１２・１３の短手方向の長さより長い。配線３２・３３の短手方向の長さは、配線１２・１３の突出部を含む長さとなっている。配線３２・３３には突出部が設けられていないため、配線３２・３３間の隙間、すなわち配線３２・３３間の基板２の表面は長方形状となっている。
【０１５１】
ガラス部３４は、配線３２・３３間の隙間に嵌合する長方形状である。ガラス部３４は配線３２・３３間に嵌合するように基板２の表面に配されている。
【０１５２】
配線基板３０でも、配線基板１０・２０と同様に、封止樹脂形成領域Ｒ内は、撥液剤が浸透し易い基板２の表面は露出しておらず、上記撥液剤が浸透し難い配線３２・３３及びガラス部３４で、基板２の表面は全て覆われている。この配線基板３０によっても発光装置の製造が可能である。
【０１５３】
図１０は実施形態３に係る発光装置に用いられる配線基板にガラス部が形成される前の平面図である。
【０１５４】
図１０に示すように、配線基板３０を製造するには、まず、セラミック等からなる基板２に、上記配線形成工程にて配線３２・３３をめっきにより基板２の表面にパターン形成する。またこのときに、基板２の裏面にも裏面配線３をパターン形成する。
【０１５５】
次に、基板２の表面に形成された配線３２と、配線３３との間に嵌合する長方形状に切断されたガラス部３４を準備する。
【０１５６】
そして、ガラス部３４を、配線３２と、配線３３との間に嵌るように、基板２の表面に配し、ガラス部３４と基板２とを接着剤等により接着する。
【０１５７】
このように、ガラス部３４を、基板２の配線３２・３３が配されている面であり、封止樹脂形成領域Ｒにおける基板２の表面を、配線３２・３３と共に覆いかつ露出しないように配する。これにより、図９に示した配線基板３０が得られる。
【０１５８】
図１１の（ａ）は封止樹脂形成領域が除去された撥液膜が形成された配線基板３０を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の封止樹脂形成領域内にＬＥＤチップを実装した配線基板３０を表す平面図である。
【０１５９】
上記塗布工程にて、配線基板３０の表面全面に、撥液膜５となる液状の撥液剤を塗布する。上述したように、配線基板３０のうち、封止樹脂形成領域Ｒ内では、基板２の表面は、表面の凹凸形状の粗さが細かい配線３２・３３及びガラス部３４によって覆われており、凹凸形状の粗さが粗い基板２の表面が露出していない。このため、封止樹脂形成領域Ｒ内は、基板２の表面が露出している封止樹脂形成領域Ｒ外と比べて、液状の撥液剤の配線基板３０内への浸透を防止することができる。
【０１６０】
次に、上記撥液膜成膜工程にて配線基板３０上の撥液剤を硬化し撥液膜５を成膜した後、上記エッチング工程にて封止樹脂形成領域Ｒ内の撥液膜５を除去する。
【０１６１】
配線基板３０では、封止樹脂形成領域Ｒ内は、表面の凹凸形状の粗さが細かいガラス部３４及び配線３２・３３が撥液膜５と接触しており、凹凸形状の粗さが粗い基板２の表面は撥液膜５と接触していない。このため、エッチング工程では、ウエットエッチングでは無く、乾式のドライエッチングであっても、残渣を残さず、封止樹脂形成領域Ｒ内の配線基板３０表面の撥液膜５を除去することができる。
【０１６２】
これにより、図１１の（ａ）に示すように、封止樹脂形成領域Ｒが開口部５ａとなっている撥液膜５が表面に形成された配線基板３０が得られる。
【０１６３】
配線基板３０では、撥液膜５の開口部５ａ内のガラス部３４及び配線１２・１３が露出している。
【０１６４】
次に、図１１の（ｂ）に示すように、上記発光素子実装工程にて、配線基板３０のうち、開口部５ａ内のＬＥＤチップ搭載位置ＰにＬＥＤチップ４を搭載する。そして、ＬＥＤチップ４の電極パッド部と、開口部５ａ内の配線３２・３３とを、ワイヤ６で結線する。このように、ＬＥＤチップ４を配線基板３０に実装する。
【０１６５】
次に、上記封止樹脂形成工程にて、ＬＥＤチップ４を実装した配線基板３０の撥液膜５の開口部５ａ内、すなわち、封止樹脂形成領域Ｒ内に、封止樹脂７となる液状の封止樹脂剤を塗布する。そして、封止樹脂剤が塗布された配線基板３０を加熱することで、上記封止樹脂剤を硬化する。
【０１６６】
これにより、図１２に示すように発光装置３１が得られる。図１２は、実施の形態３に係る発光装置の構成を表す図であり、（ａ）は発光装置の構成を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＥ‐Ｅ’線矢視断面図であり、（ｃ）は（ａ）に示すＦ‐Ｆ’線矢視断面図である。
【０１６７】
発光装置３１では、封止樹脂７が形成されている領域は、ガラス部３４及び配線３２・３３が基板２を覆い、基板２の表面は露出していない。
【０１６８】
封止樹脂７は、ＬＥＤチップ４及びワイヤ６を封止する共に、ガラス部３４及び配線３２・３３表面に形成されており、凹凸形状の粗さが粗い基板２の表面とは接触していない。
【０１６９】
このため、発光装置３１は、エッチング工程で、例えば乾式のドライエッチングがなされていたとしても、封止樹脂７下に撥液膜５の残渣が残ることが抑制されている。これにより、エッチング工程で湿式のエッチングに限定されず、製造コストを低減することができる。
【０１７０】
ここで、ＬＥＤチップ４から発光された光は、配線３２・３３で反射され、封止樹脂７の外部へ出射する。このため、配線３２・３３の平面形状を異ならせることで、ＬＥＤチップ４から発光された光の反射率や反射方向を異ならせることができる。この結果、封止樹脂７の外部に出射される光のスペクトル形状（色や明るさ等）を変化させることが可能となる。
【０１７１】
本実施の形態のように、配線３２・３３を、ワイヤ６を結線するための領域を含む長方形状（帯状）とすることで、実施形態１で説明した、ワイヤ６を結線するための突出部を有する配線１２・１３より、面積を大きくすることができる。この結果、ＬＥＤチップ４から発光された光の反射率を向上させることができ、発光装置３１の輝度向上を図ることができる。
【０１７２】
なお、この配線３２・３３の平面形状や面積は、発光装置３１の用途に応じて、製造上及び設計上有利なかつ、要求仕様を満たすように適宜設計すればよい。
【０１７３】
〔実施形態４〕
本発明の実施形態４について、図１３、図１４に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記実施形態１〜３にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
【０１７４】
図１３は、実施の形態４に係る発光装置４１の構成を表す図であり、（ａ）は発光装置の構成を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＧ‐Ｇ’線矢視断面図であり、（ｃ）は（ａ）に示すＨ‐Ｈ’線矢視断面図である。
【０１７５】
発光装置４１は、図１２に示した発光装置３１と、封止樹脂７に換えて１次封止樹脂（第１封止材）４７及び２次封止樹脂（第２封止材）４８を備えている点と、封止樹脂７の外側の撥液膜５が除去されている点で相違する。発光装置４１の他の構成は発光装置３１と同様である。
【０１７６】
１次封止樹脂４７はＬＥＤチップ４及びワイヤ６を封止し、ガラス部３４及び配線３２・３３の表面に配されている。１次封止樹脂４７は、ＬＥＤチップ４の光で励起される蛍光体が含有された樹脂材料からなる。１次封止樹脂４７として一例として蛍光体を含有させたシリコーン樹脂材料を使用することができる。
【０１７７】
２次封止樹脂４８は１次封止樹脂４７を覆い、ガラス部３４及び配線３２・３３の表面に配されている。２次封止樹脂４８には蛍光体が含有されておらず透明な樹脂材料からなる。一例として、２次封止樹脂４８にはシリコーン樹脂材料を使用することができる。
【０１７８】
発光装置４１では、封止樹脂を、蛍光体を含有する１次封止樹脂４７と蛍光体を含有しない２次封止樹脂４８との２層構造とすることで、高価な蛍光体の使用量を減らすことでコスト低下させることができる。かつ、ＬＥＤチップ４を熱的及び機械的外力から緩和したり、ＬＥＤチップ４を酸素や水分などから遮蔽したりすることができる。
【０１７９】
１次封止樹脂４７及び２次封止樹脂４８が形成されている領域は、ガラス部３４及び配線３２・３３が基板２を覆い、基板２の表面は露出していない。
【０１８０】
すなわち、１次封止樹脂４７及び２次封止樹脂４８は、ガラス部３４及び配線３２・３３表面に形成されており、凹凸形状の粗さが粗い基板２の表面とは接触していない。
【０１８１】
このため、発光装置４１は、エッチング工程で、例えば乾式のドライエッチングがなされていたとしても、１次封止樹脂４７や２次封止樹脂４８下に撥液膜５の残渣が残ることが抑制されている。これにより、エッチング工程で湿式のエッチングに限定されず、製造コストを低減することができる。なお、発光装置４１では、撥液膜５は、１次封止樹脂４７が形成された後、１次封止樹脂４７の外側部分も除去されている。
【０１８２】
次に、主に図１３及び図１４を用いて、発光装置４１の製造方法について説明する。
【０１８３】
図１４の（ａ）は１次封止樹脂形成領域が除去された撥液膜が形成された配線基板３０を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の１次封止樹脂形成領域内にＬＥＤチップを実装した配線基板３０を表す平面図であり、（ｃ）は（ｂ）の配線基板３０に１次封止樹脂を形成し撥液膜を除去した様子を表す平面図である。
【０１８４】
上記塗布工程にて、図９に示した配線基板３０の表面全面に、撥液膜５となる液状の撥液剤を塗布する。次に、上記撥液膜成膜工程にて配線基板３０上の撥液剤を硬化し撥液膜５を成膜する。
【０１８５】
次に、上記エッチング工程で、成膜した撥液膜５表面に、１次封止樹脂４７の形状の開口を有するマスクを載置しプラズマ装置に入れプラズマ処理を行うことでドライエッチングを行う。
【０１８６】
これにより、図１４の（ａ）に示すように、１次封止樹脂４７が形成される領域が開口部５ｂとなった撥液膜５が表面に形成された配線基板３０が得られる。
【０１８７】
次に、図１４の（ｂ）に示すように、上記発光素子実装工程にて、配線基板３０のうち、開口部５ｂ内のＬＥＤチップ搭載位置ＰにＬＥＤチップ４を搭載する。そして、ＬＥＤチップ４の電極パッド部と、開口部５ｂ内の配線３２・３３とを、ワイヤ６で結線する。このように、ＬＥＤチップ４を配線基板３０に実装する。
【０１８８】
次に、上記封止樹脂形成工程にて、ＬＥＤチップ４を実装した配線基板３０の撥液膜５の開口部５ｂ内、すなわち、１次封止樹脂形成領域内に、１次封止樹脂４７となる液状の封止樹脂剤を塗布する。一例として、１次封止樹脂４７の形成には、信越化学製シリコーン樹脂ＡＳＰ‐１０４２、東レ・ダウコーニング製シリコーン樹脂ＯＥ７６２０、又は信越化学製シリコーン樹脂ＫＥＲ‐２５００等に蛍光体を含有させた樹脂を用いることができる。
【０１８９】
そして、封止樹脂剤が塗布された配線基板３０を加熱することで、上記封止樹脂剤を硬化する。これにより、配線基板３０に半球形状の１次封止樹脂４７が形成される。
【０１９０】
次に、１次封止樹脂４７が形成された配線基板３０を、プラズマ装置に入れる。そして、プラズマ装置にアルゴンガスを流入させてプラズマ処理を行うことでドライエッチングを行う（第２エッチング工程）。一例として、このときのプラズマ放電の出力は２５０Ｗ程度、プラズマ処理を行う時間は２０秒程度である。
【０１９１】
これにより、図１４の（ｃ）に示すように、１次封止樹脂４７の外側に残っていた撥液膜５が除去された配線基板３０が得られる。
【０１９２】
次に、１次封止樹脂４７を覆うように、２次封止樹脂４８となる液状の封止樹脂剤を、例えばスピンコーター等により塗布する。ここで使用する２次封止樹脂４８となる液状の封止樹脂剤は、蛍光体が含有されていない液状の樹脂材料である。一例として、２次封止樹脂４８の形成に、信越化学製シリコーン樹脂ＡＳＰ‐１０４２、東レ・ダウコーニング製シリコーン樹脂ＯＥ７６２０、又は信越化学製シリコーン樹脂ＫＥＲ‐２５００等を用いることができる。
【０１９３】
そして、１次封止樹脂４７を覆って２次封止樹脂４８となる液状の封止樹脂剤が塗布された配線基板３０を、乾燥機に入れ、約９５℃９０分程度加熱し、続けて、約１５５℃３００分程度の加熱することで上記封止樹脂剤を硬化させる。
【０１９４】
これにより、図１３に示したように、１次封止樹脂４７を覆う半球形状の２次封止樹脂４８が形成された発光装置４１を得ることができる（２次封止樹脂形成工程）。
【０１９５】
波長変換に使用する蛍光体は発光装置１個に用いられる材料のうちでも高価である。そこで発光装置４１によると、封止樹脂に含まれる蛍光体の量を抑えることができ、製造コストの引き下げ及び安定した色度の両立を実現することが可能である。
【０１９６】
〔実施形態５〕
本発明の実施形態５について、図１５に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記実施形態１〜４にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
【０１９７】
図１５は、実施の形態５に係る発光装置５１の構成を表す図であり、（ａ）は発光装置５１の構成を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＩ‐Ｉ’線矢視断面図であり、（ｃ）は（ａ）に示すＪ‐Ｊ’線矢視断面図である。
【０１９８】
発光装置５１は、図１３に示した発光装置４１と、ＬＥＤチップ４に換えて複数のＬＥＤチップ（発光素子）５４・５５を備え、ＬＥＤチップ５４・５５それぞれが配線３２・３３とワイヤ６で接続されている点で相違する。発光装置５１の他の構成は発光装置４１と同様である。
【０１９９】
ＬＥＤチップ５４・５５は、ガラス部３４の表面であって、１次封止樹脂４７が形成される領域内に配されている。ＬＥＤチップ５４はワイヤ６で配線３２・３３それぞれと結線されている。ＬＥＤチップ５５はワイヤ６で配線３２・３３それぞれと結線されている。１次封止樹脂４７はＬＥＤチップ５４・５５及びワイヤ６を封止し、ガラス部３４及び配線３２・３３の表面に配されている。
【０２００】
発光装置５１は、複数のＬＥＤチップ５４・５５を備えるため、高輝度の発光装置を構成することができる。なお、発光装置５１が備えるＬＥＤチップの個数は２個に限定されず、３個以上であってもよい。
【０２０１】
発光装置５１は、配線基板３０を用いて、実施の形態４で説明した上記塗布工程を経た後、上記発光素子実装工程にて、配線基板３０のうち、開口部５ｂ内のガラス部３４の表面に、ＬＥＤチップ４では無く２個のＬＥＤチップ５４・５５を、互いに離間させて接着剤で接着する。これにより、ガラス部３４に２個のＬＥＤチップ５４・５５を搭載する。次に、ＬＥＤチップ５４の電極パッド部と、開口部５ｂ内の配線３２・３３とを、ワイヤ６で結線する。さらに、ＬＥＤチップ５５の電極パッド部と、開口部５ｂ内の配線３２・３３とを、ワイヤ６で結線する。このように、ＬＥＤチップ５４・５５を配線基板３０に実装する。
【０２０２】
この後、実施の形態４で説明した上記封止樹脂形成工程、上記第２エッチング工程、上記２次封止樹脂形成工程を経ることで発光装置５１が完成する。
【０２０３】
〔実施例１〕
次に、本発明の実施例１について説明する。
【０２０４】
本実施例では、図４に示した配線基板１０を使用した。本実施例１に係る配線基板１０はセラミックからなる基板２に、銅、ニッケル、及び光沢剤が添加された薄い金が順にめっきされたことで構成さている配線１２・１３が、基板２の表面にパターン形成されたものである。配線１２．１３の表面は光沢面となっている。基板２の表面であって配線１２・１３間にはガラス部１４が配されている。
【０２０５】
配線基板１０の封止樹脂形成領域Ｒ内は、撥液剤が浸透し易い基板２の表面は露出しておらず、上記撥液剤が浸透し難い配線１２・１３及びガラス部１４で、基板２の表面は全て覆われている。
【０２０６】
塗布工程にて、撥液膜５となる撥液剤をステンレス製バットに適量満たし、配線基板１０を浸漬させることで撥液剤を配線基板１０の全面に塗布した。撥液剤としては、菱江化学製マーベルコートを使用した。
【０２０７】
次に、撥液膜成膜工程にて、撥液剤を全面に塗布した配線基板１０を庫内の温度が１２５℃となるように設定した乾燥機に入れ６０分間、撥液剤を乾燥させた。
【０２０８】
これにより、図５の（ａ）に示したように、撥液剤が硬化することで配線基板１０の全面に撥液膜５が成膜された。
【０２０９】
そして、乾燥機から撥液膜５が全面に成膜された配線基板１０を取り出し、エッチング工程にて、封止樹脂形成領域Ｒの形状の開口を有するステンレス製のマスクを撥液膜５に重ねプラズマクリーニング装置内に配線基板１０を設置した。プラズマクリーニング装置内部の雰囲気を脱気することで減圧しつつ、アルゴンガスを１５ｍＬ/ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）でプラズマクリーニング装置内に流入させて、プラズマ放電の出力を２５０Ｗとし、２０秒間、プラズマクリーニング装置内の電極間に電圧を印加することでプラズマ処理を行った。
【０２１０】
２０分経過後、アルゴンガスの流入を止め、プラズマクリーニング装置内を減圧した後脱気を終了し、プラズマクリーニング装置内に窒素を流入させることで、プラズマクリーニング装置内を大気圧に開放した。
【０２１１】
プラズマクリーニング装置から配線基板１０を取り出すと、図５の（ｂ）に示したように、撥液膜５のうち封止樹脂形成領域Ｒに開口部５ａが形成されていた。このようにして、封止樹脂形成領域Ｒの撥液膜５がドライエッチングにより除去されることで開口部５ａが形成された撥液膜５を表面に有する配線基板１０が得られた。
【０２１２】
配線基板１０では、封止樹脂形成領域Ｒ内は、撥液膜５は基板２の表面と接触しておらず、撥液膜５は表面の粗さが基板２より細かい配線１２・１３の表面及びガラス部１４の表面とのみ接触していた。このため、エッチング工程で、ドライエッチングによって、封止樹脂形成領域Ｒ内に撥液膜５の残渣を残さず、撥液膜５を除去することで開口部５ａを形成することができた。
【０２１３】
次に、図５の（ｃ）に示したように、発光素子実装工程にて、ガラス部１４のＬＥＤチップ搭載位置ＰにＬＥＤチップ４を接着剤で接合させ、次いで、金からなるワイヤ６によりＬＥＤチップ４の電極パッド部と、開口部５ａ内の配線１２・１３とを結線した。
【０２１４】
そして、封止樹脂形成工程にて、配線基板１０の撥液膜５の開口部５ａ内に封止樹脂剤として、蛍光体を含む信越化学製シリコーン樹脂ＡＳＰ‐１０４２を適量滴下した。そして、当該配線基板１０を、庫内を１００℃に設定した乾燥機内にて１２０分間加熱し、次いで１５０℃で２４０分間加熱した。これにより封止樹脂剤は熱硬化し、図１に示したように、開口部５ａに半球形状の封止樹脂７が形成された発光装置１１が得られた。
【０２１５】
このようにして、意図した形状及び大きさに封止樹脂７が形成され、安価で確実に安定した色度を発する半導体発光装置である発光装置１１が得られた。
【０２１６】
〔実施例２〕
次に、本発明の実施例２について説明する。
【０２１７】
本実施例では、図６に示した配線基板２０を使用した。本実施例２に係る配線基板２０はセラミックからなる基板２に、銅、ニッケル、光沢剤が添加された薄い金が順にめっきされたことで構成さている配線１２・１３が、基板２の表面にパターン形成されたものである。配線基板１２・１３の表面は光沢面となっている。基板２の表面及び配線１２・１３の表面にはガラス部２４が配されている。
【０２１８】
ガラス部２４のうち、配線１２の突出部と重なる位置に開口部２４ａが形成されており、配線１２の突出部が露出している。また、ガラス部２４のうち、配線１３の突出部と重なる位置に開口部２４ｂが形成されており、配線１３の突出部が露出している。
【０２１９】
配線基板２０の封止樹脂形成領域Ｒ内は、撥液剤が浸透し易い基板２の表面は露出しておらず、上記撥液剤が浸透し難い配線１２・１３及びガラス部２４で、基板２の表面は全て覆われている。
【０２２０】
塗布工程にて、撥液膜５となる撥液剤をステンレス製バットに適量満たし、配線基板２０を浸漬させることで撥液剤を配線基板２０の全面に塗布した。撥液剤としては、菱江化学製マーベルコートを使用した。
【０２２１】
次に、撥液膜成膜工程にて、撥液剤を全面に塗布した配線基板２０を庫内の温度が１２５℃となるように設定した乾燥機に入れ６０分間、撥液剤を乾燥させた。これにより、撥液剤が硬化することで配線基板２０の全面に撥液膜５が成膜された。
【０２２２】
そして、乾燥機から撥液膜５が全面に成膜された配線基板２０を取り出し、エッチング工程にて、封止樹脂形成領域Ｒの形状の開口を有するステンレス製のマスクを撥液膜５に重ねプラズマクリーニング装置内に配線基板２０を設置した。プラズマクリーニング装置内部の雰囲気を脱気することで減圧しつつ、アルゴンガスを１５ｍＬ/ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）でプラズマクリーニング装置内に流入させて、プラズマ放電の出力を２５０Ｗとし、２０秒間、プラズマクリーニング装置内の電極間に電圧を印加することでプラズマ処理を行った。
【０２２３】
２０分経過後、アルゴンガスの流入を止め、プラズマクリーニング装置内を減圧した後脱気を終了し、プラズマクリーニング装置内に窒素を流入させることで、プラズマクリーニング装置内を大気圧に開放した。
【０２２４】
プラズマクリーニング装置から配線基板２０を取り出すと、図７の（ａ）に示したように、撥液膜５のうち封止樹脂形成領域Ｒに開口部５ａが形成されていた。このようにして、封止樹脂形成領域Ｒの撥液膜５がドライエッチングにより除去されることで開口部５ａが形成された撥液膜５を表面に有する配線基板２０が得られた。
【０２２５】
配線基板２０では、封止樹脂形成領域Ｒ内は、撥液膜５は基板２の表面と接触しておらず、撥液膜５は表面の粗さが基板２より細かい配線１２・１３の表面及びガラス部１４の表面とのみ接触していた。このため、エッチング工程で、ドライエッチングによって、封止樹脂形成領域Ｒ内に撥液膜５の残渣を残さず、撥液膜５を除去することで開口部５ａを形成することができた。
【０２２６】
次に、図７の（ｂ）に示したように、発光素子実装工程にて、ガラス部１４のＬＥＤチップ搭載位置ＰにＬＥＤチップ４を接着剤で接合させ、次いで、金からなるワイヤ６によりＬＥＤチップ４の電極パッド部と、ガラス部２４の開口部２４ａ・２４ｂ内の配線１２・１３とを結線した。
【０２２７】
そして、封止樹脂形成工程にて、配線基板２０の撥液膜５の開口部５ａ内に封止樹脂剤として、蛍光体を含む東レ・ダウコーニング製シリコーン樹脂ＯＥ７６２０を適量滴下した。そして、当該配線基板１０を、庫内を１００℃に設定した乾燥機内にて６０分間加熱し、次いで１５０℃で１２０分間加熱した。これにより封止樹脂剤は熱硬化し、図８に示したように、開口部５ａに半球形状の封止樹脂７が形成された発光装置２１が得られた。
【０２２８】
このようにして、意図した形状及び大きさに封止樹脂７が形成され、安価で確実に安定した色度を発する半導体発光装置である発光装置２１が得られた。
【０２２９】
〔実施例３〕
次に、本発明の実施例３について説明する。
【０２３０】
本実施例では、図９に示した配線基板３０を使用した。本実施例３に係る配線基板３０はセラミックからなる基板２に、銅、ニッケル、光沢剤が添加された薄い金が順にめっきされたことで構成さている配線３２・３３が、基板２の表面にパターン形成されたものである。配線基板３２・３３の表面は光沢面となっている。配線３２・３３の短手方向の長さは配線１２・１３の短手方向の長さより長い。そして、配線３２・３３間の基板２表面には基板２の表面が露出しないように配線３２・３３間の隙間と嵌合する長方形状のガラス部３４が配されている。
【０２３１】
配線基板３０の封止樹脂形成領域Ｒ内は、撥液剤が浸透し易い基板２の表面は露出しておらず、上記撥液剤が浸透し難い配線３２・３３及びガラス部３４で、基板２の表面は全て覆われている。
【０２３２】
塗布工程にて、撥液膜５となる撥液剤をスプレーにより噴霧することで、撥液剤を配線基板３０の全面に塗布した。撥液剤としては、菱江化学製マーベルコートを使用した。なお、撥液剤として、菱江化学製マーベルコートに換えて、例えば信越化学製ＫＹ‐１０８又はダイキン工業製ユニダイン等を用いてもよい。
【０２３３】
次に、撥液膜成膜工程にて、撥液剤を全面に塗布した配線基板３０を庫内の温度が１２５℃となるように設定した乾燥機に入れ６０分間、撥液剤を乾燥させた。これにより、撥液剤が硬化することで配線基板３０の全面に撥液膜５が成膜された。
【０２３４】
そして、乾燥機から撥液膜５が全面に成膜された配線基板３０を取り出し、エッチング工程にて、封止樹脂形成領域Ｒの形状の開口を有するステンレス製のマスクを撥液膜５に重ねプラズマクリーニング装置内に配線基板２０を設置した。プラズマクリーニング装置内部の雰囲気を脱気することで減圧しつつ、アルゴンガスを１５ｍＬ/ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）でプラズマクリーニング装置内に流入させて、プラズマ放電の出力を２５０Ｗとし、２０秒間、プラズマクリーニング装置内の電極間に電圧を印加することでプラズマ処理を行った。
【０２３５】
２０分経過後、アルゴンガスの流入を止め、プラズマクリーニング装置内を減圧した後脱気を終了し、プラズマクリーニング装置内に窒素を流入させることで、プラズマクリーニング装置内を大気圧に開放した。
【０２３６】
プラズマクリーニング装置から配線基板２０を取り出すと、図１１の（ａ）に示したように、撥液膜５のうち封止樹脂形成領域Ｒに開口部５ａが形成されていた。このようにして、封止樹脂形成領域Ｒの撥液膜５がドライエッチングにより除去されることで開口部５ａが形成された撥液膜５を表面に有する配線基板３０が得られた。
【０２３７】
配線基板３０では、封止樹脂形成領域Ｒ内は、撥液膜５は基板２の表面と接触しておらず、撥液膜５は表面の粗さが基板２より細かい配線３２・３３の表面及びガラス部３４の表面とのみ接触していた。このため、エッチング工程で、ドライエッチングによって、封止樹脂形成領域Ｒ内に撥液膜５の残渣を残さず、撥液膜５を除去することで開口部５ａを形成することができた。
【０２３８】
次に、図１１の（ｂ）に示したように、発光素子実装工程にて、ガラス部３４のＬＥＤチップ搭載位置ＰにＬＥＤチップ４を接着剤で接合させ、次いで、金からなるワイヤ６によりＬＥＤチップ４の電極パッド部と、開口部５ａ内の配線３２・３３とを結線した。
【０２３９】
そして、封止樹脂形成工程にて、配線基板３０の撥液膜５の開口部５ａ内に封止樹脂剤として、蛍光体を含む東レ・ダウコーニング製シリコーン樹脂ＯＥ‐６５５０を適量滴下した。そして、当該配線基板３０を、庫内を１００℃に設定した乾燥機内にて６０分間加熱し、次いで１５０℃で１２０分間加熱した。これにより封止樹脂は熱硬化し、図１２に示したように、開口部５ａに半球形状の封止樹脂７が形成された発光装置３１が得られた。なお、上記封止樹脂剤として東レ・ダウコーニング製シリコーン樹脂ＯＥ‐６５５０に蛍光体を含有させた樹脂材料を用いたが、これに換えて、例えば信越化学製シリコーン樹脂ＡＳＰ‐１０４２又は信越化学製シリコーン樹脂ＫＥＲ‐２５００に蛍光体を含有させた樹脂材料等を用いてもよい。
【０２４０】
このようにして、意図した形状及び大きさに封止樹脂７が形成され、安価で確実に安定した色度を発する半導体発光装置である発光装置３１が得られた。
【０２４１】
〔実施例４〕
次に、本発明の実施例４について説明する。本実施例では、図９に示した実施例３と同じ配線基板３０を使用した。
【０２４２】
塗布工程にて、撥液膜５となる撥液剤をスプレーにより噴霧することで、撥液剤を配線基板３０の全面に塗布した。撥液剤としては、菱江化学製マーベルコートを使用した。なお、撥液剤として、菱江化学製マーベルコートに換えて、例えば信越化学製ＫＹ‐１０８又はダイキン工業製ユニダイン等を用いてもよい。
【０２４３】
次に、撥液膜成膜工程にて、撥液剤を全面に塗布した配線基板３０を庫内の温度が１２５℃となるように設定した乾燥機に入れ６０分間、撥液剤を乾燥させた。これにより、撥液剤が硬化することで配線基板３０の全面に撥液膜５が成膜された。
【０２４４】
そして、乾燥機から撥液膜５が全面に成膜された配線基板３０を取り出し、エッチング工程にて、１次封止樹脂４７の形状の開口を有するステンレス製のマスクを撥液膜５に重ねプラズマクリーニング装置内に配線基板３０を設置した。プラズマクリーニング装置内部の雰囲気を脱気することで減圧しつつ、アルゴンガスを１５ｍＬ/ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）でプラズマクリーニング装置内に流入させて、プラズマ放電の出力を２５０Ｗとし、２０秒間、プラズマクリーニング装置内の電極間に電圧を印加することでプラズマ処理を行った。
【０２４５】
２０分経過後、アルゴンガスの流入を止め、プラズマクリーニング装置内を減圧した後脱気を終了し、プラズマクリーニング装置内に窒素を流入させることで、プラズマクリーニング装置内を大気圧に開放した。
【０２４６】
プラズマクリーニング装置から配線基板２０を取り出すと、図１４の（ａ）に示したように、撥液膜５のうち１次封止樹脂４７が形成される領域に開口部５ｂが形成されていた。このようにして、１次封止樹脂４７が形成される領域の撥液膜５がドライエッチングにより除去されることで開口部５ｂが形成された撥液膜５を表面に有する配線基板３０が得られた。
【０２４７】
配線基板３０では、１次封止樹脂４７が形成される領域内では、撥液膜５は基板２の表面と接触しておらず、撥液膜５は表面の粗さが基板２より細かい配線３２・３３の表面及びガラス部３４の表面とのみ接触していた。このため、エッチング工程で、ドライエッチングによって、１次封止樹脂４７が形成される領域内に撥液膜５の残渣を残さず、撥液膜５を除去することで開口部５ｂを形成することができた。
【０２４８】
次に、図１４の（ｂ）に示したように、発光素子実装工程にて、ガラス部３４のＬＥＤチップ搭載位置ＰにＬＥＤチップ４を接着剤で接合させ、次いで、金からなるワイヤ６によりＬＥＤチップ４の電極パッド部と、開口部５ａ内の配線３２・３３とを結線した。
【０２４９】
そして、上記封止樹脂形成工程にて、配線基板３０の撥液膜５の開口部５ａ内に封止樹脂剤として、蛍光体を含む信越化学製シリコーン樹脂ＫＥＲ−２５００を適量滴下した。そして、当該配線基板３０を、庫内を８５℃に設定した乾燥機内にて７５分間加熱し、次いで１１５℃で９０分間加熱した。これにより封止樹脂剤は熱硬化し、開口部５ｂに半球形状の１次封止樹脂４７が形成された配線基板３０が得られた。
【０２５０】
なお、上記封止樹脂剤として信越化学製シリコーン樹脂ＫＥＲ−２５００に蛍光体を含有させた樹脂材料を用いたが、これに換えて、例えば信越化学製シリコーン樹脂ＡＳＰ‐１０４２又は東レ・ダウコーニング製シリコーン樹脂ＯＥ‐６５５０に蛍光体を含有させた樹脂材料等を用いてもよい。
【０２５１】
次に、第２エッチング工程にて、１次封止樹脂４７が形成された配線基板３０を、プラズマクリーニング装置に入れた。プラズマクリーニング装置内部の雰囲気を脱気することで減圧しつつ、アルゴンガスを１５ｍＬ/ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）でプラズマクリーニング装置内に流入させて、プラズマ放電の出力を２５０Ｗとし、２０秒間、プラズマクリーニング装置内の電極間に電圧を印加することでプラズマ処理を行った。
【０２５２】
２０分経過後、アルゴンガスの流入を止め、プラズマクリーニング装置内を減圧した後脱気を終了し、プラズマクリーニング装置内に窒素を流入させることで、プラズマクリーニング装置内を大気圧に開放した。
【０２５３】
プラズマクリーニング装置から配線基板３０を取り出すと、図１４の（ｃ）に示したように、１次封止樹脂４７の外側に残っていた撥液膜５が除去された配線基板３０が得られた。
【０２５４】
次に、２次封止樹脂形成工程にて、１次封止樹脂４７を覆うように、２次封止樹脂４８となる液状の封止樹脂剤を適量滴下した。当該封止樹脂剤として蛍光体が含有されていない信越化学製シリコーン樹脂ＫＥＲ‐２５００を用いた。そして、当該配線基板３０を、庫内を９５℃に設定した乾燥機内にて９０分間加熱し、次いで１５５℃で３００分間加熱した。これにより封止樹脂剤は熱硬化し、図１３に示したように、１次封止樹脂４７を覆う半球形状の２次封止樹脂４８が形成された発光装置４１が得られた。
【０２５５】
なお、２次封止樹脂４８となる液状の封止樹脂剤として、信越化学製シリコーン樹脂ＫＥＲ‐２５００に換えて信越化学製シリコーン樹脂ＡＳＰ‐１０４２又は東レ・ダウコーニング製シリコーン樹脂ＯＥ７６２０等を用いてもよい。
【０２５６】
このようにして、意図した形状及び大きさに１次封止樹脂４７及び２次封止樹脂４８が形成された。また、封止樹脂を１次封止樹脂４７及び２次封止樹脂４８の２層構造とすることで高価な蛍光体の使用量を減らすと共に、ＬＥＤチップ４を熱的及び機械的外力から緩和し、酸素や水分などから遮蔽しつつも安価で確実に安定した色度を発する半導体発光装置である発光装置４１が得られた。
【０２５７】
〔実施例５〕
次に、本発明の実施例５について説明する。
【０２５８】
本実施例では、図９に示した、実施例３、４と同じ配線基板３０を使用した。
【０２５９】
塗布工程にて、配線基板３０をスピンコーターに載置固定した。そして、撥液剤として菱光化学製マーベルコートを配線基板３０上に滴下し、当該配線基板３０を５００ｒｐｍ〜１５００ｒｐｍで回転させた。これにより、配線基板３０の全面に撥液剤を塗布した。なお、撥液剤として、菱江化学製マーベルコートに換えて、例えば信越化学製ＫＹ‐１０８又はダイキン工業製ユニダイン等を用いてもよい。
【０２６０】
次に、撥液膜成膜工程にて、撥液剤を全面に塗布した配線基板３０を庫内の温度が１２５℃となるように設定した乾燥機に入れ６０分間、撥液剤を乾燥させた。これにより、撥液剤が硬化することで配線基板３０の全面に撥液膜５が成膜された。
【０２６１】
そして、乾燥機から撥液膜５が全面に成膜された配線基板３０を取り出し、エッチング工程にて、１次封止樹脂４７の形状の開口を有するステンレス製のマスクを撥液膜５に重ねプラズマクリーニング装置内に配線基板３０を設置した。プラズマクリーニング装置内部の雰囲気を脱気することで減圧しつつ、アルゴンガスを１５ｍＬ/ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）でプラズマクリーニング装置内に流入させて、プラズマ放電の出力を２５０Ｗとし、２０秒間、プラズマクリーニング装置内の電極間に電圧を印加することでプラズマ処理を行った。
【０２６２】
２０分経過後、アルゴンガスの流入を止め、プラズマクリーニング装置内を減圧した後脱気を終了し、プラズマクリーニング装置内に窒素を流入させることで、プラズマクリーニング装置内を大気圧に開放した。
【０２６３】
プラズマクリーニング装置から配線基板２０を取り出すと、図１４の（ａ）に示したように、撥液膜５のうち１次封止樹脂４７が形成される領域に開口部５ｂが形成されていた。このようにして、１次封止樹脂４７が形成される領域の撥液膜５がドライエッチングにより除去されることで開口部５ｂが形成された撥液膜５を表面に有する配線基板３０が得られた。
【０２６４】
実施の形態５で説明した発光素子実装工程にて、ガラス部３４のＬＥＤチップ搭載位置に、ＬＥＤチップ５４と、ＬＥＤチップ５５とを載置する。そして、ガラス部３４とＬＥＤチップ５４とを接着剤で接合させ、ガラス部３４とＬＥＤチップ５５とを接着剤で接合させる。
【０２６５】
次いで、ＬＥＤチップ５４の電極パッド部と、開口部５ｂ内の配線３２・３３とを、ワイヤ６で結線した。さらに、ＬＥＤチップ５５の電極パッド部と、開口部５ｂ内の配線３２・３３とを、ワイヤ６で結線した。このように、ＬＥＤチップ５４・５５を配線基板３０に実装した。
【０２６６】
そして、上記封止樹脂形成工程にて、配線基板３０の撥液膜５の開口部５ｂ内に封止樹脂剤として、蛍光体を含む信越化学製シリコーン樹脂ＫＥＲ−２５００を適量滴下した。そして、当該配線基板３０を、庫内を８５℃に設定した乾燥機内にて７５分間加熱し、次いで１１５℃で９０分間加熱した。これにより封止樹脂剤は熱硬化し、開口部５ｂに半球形状の１次封止樹脂４７が形成された配線基板３０が得られた。
【０２６７】
なお、上記封止樹脂剤として信越化学製シリコーン樹脂ＫＥＲ−２５００に蛍光体を含有させた樹脂材料を用いたが、これに換えて、例えば東レ・ダウコーニング製シリコーン樹脂ＯＥ７６２０又は東レ・ダウコーニング製シリコーン樹脂ＯＥ−６５５０に蛍光体を含有させた樹脂材料等を用いてもよい。
【０２６８】
次に、第２エッチング工程にて、１次封止樹脂４７が形成された配線基板３０を、プラズマクリーニング装置に入れた。プラズマクリーニング装置内部の雰囲気を脱気することで減圧しつつ、アルゴンガスを１５ｍＬ/ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）でプラズマクリーニング装置内に流入させて、プラズマ放電の出力を２５０Ｗとし、２０秒間、プラズマクリーニング装置内の電極間に電圧を印加することでプラズマ処理を行った。
【０２６９】
２０分経過後、アルゴンガスの流入を止め、プラズマクリーニング装置内を減圧した後脱気を終了し、プラズマクリーニング装置内に窒素を流入させることで、プラズマクリーニング装置内を大気圧に開放した。
【０２７０】
プラズマクリーニング装置から配線基板３０を取り出すと、１次封止樹脂４７の外側に残っていた撥液膜５が除去された配線基板３０が得られた。
【０２７１】
次に、２次封止樹脂形成工程にて、１次封止樹脂４７を覆うように、２次封止樹脂４８となる液状の封止樹脂剤を適量滴下した。当該封止樹脂剤として蛍光体が含有されていない信越化学製シリコーン樹脂ＫＥＲ‐２５００を用いた。そして、当該配線基板３０を、庫内を９５℃に設定した乾燥機内にて９０分間加熱し、次いで１５５℃で３００分間加熱した。これにより封止樹脂剤は熱硬化し、図１５に示したように、１次封止樹脂４７を覆う半球形状の２次封止樹脂４８が形成された発光装置５１が得られた。
【０２７２】
なお、２次封止樹脂４８となる液状の封止樹脂剤として、信越化学製シリコーン樹脂ＫＥＲ‐２５００に換えて東レ・ダウコーニング製シリコーン樹脂ＯＥ７６２０又は東レ・ダウコーニング製シリコーン樹脂ＯＥ‐６５５０等を用いてもよい。
【０２７３】
このようにして、意図した形状及び大きさに１次封止樹脂４７及び２次封止樹脂４８が形成された。また、２個のＬＥＤチップ５４・５５を内包することで高輝度である発光装置５１が得られた。
【０２７４】
また、発光装置５１では、封止樹脂を１次封止樹脂４７及び２次封止樹脂４８の２層構造としたため、高価な蛍光体の使用量を減らすと共に、ＬＥＤチップ５４・５５を熱的及び機械的外力から緩和し、酸素や水分などから遮蔽しつつも安価で確実に安定した色度を発する半導体発光装置であった。
【０２７５】
〔まとめ〕
本発明の態様１に係る発光装置は、発光素子と、当該発光素子と接続されている配線と、上記発光素子を包含することで封止する封止材とを備えている発光装置であって、
セラミックからなる基板と、上記基板の上記配線が配されている面と同一面に配されており、ガラス又は樹脂からなり、上記発光素子が載置されている載置部とを備え、上記封止材は、少なくとも上記載置部に配されることで上記載置部に載置されている上記発光素子を包含し、上記封止材が配されている領域における上記基板の表面は、上記載置部と上記配線とで覆われており、かつ、上記封止材と非接触である。
【０２７６】
上記構成によると、上記封止材が配されている領域における上記基板の表面は、上記載置部と上記配線とで覆われている。このため、上記載置部に載置された上記発光素子と、上記配線とを接続する接続部分（ワイヤ等）を上記封止材に包含させることができる。これにより、熱的、機械的に強い発光装置を得ることができる。
【０２７７】
さらに、上記封止材は少なくとも上記載置部に配されている。そして、上記封止材が配されている領域における上記基板の表面は、上記載置部と上記配線とで覆われており、かつ、上記封止材と非接触である。
【０２７８】
このため、上記封止材を配するために上記封止材の形成前に設けられる撥液膜のうち、上記封止材を配するために除去される領域は、ガラス又は樹脂からなることでセラミックより表面が滑らかである上記載置部と少なくとも接触し、セラミックからなる上記基板とは非接触となる。このため、上記撥液膜のうち上記封止材を配するために除去される領域の残渣が残ることを防止することができる。
【０２７９】
また、本発明の態様２に係る発光装置では、上記配線の表面は、光沢を有するように処理された光沢面であってもよい。上記構成により、上記撥液膜のうち、上記封止材を配するために除去される領域が上記配線と接触していたとしても、配線の表面が光沢面では無い場合と比べて、残渣が残ることを防止することができる。
【０２８０】
また、本発明の態様３に係る発光装置では、上記封止材は、蛍光体が含まれており上記発光素子を包含する第１封止材と、蛍光体が含まれておらず上記第１封止材を包含する第２封止材とを有することが好ましい。上記構成により、蛍光体の使用量を抑えコスト低下を実現することができる。
【０２８１】
また、本発明の態様４に係る発光装置は、上記封止材は略半球状であることが好ましい。上記構成により、上記封止材の使用量を抑えコスト低下を実現することができる。
【０２８２】
本発明の態様５に係る発光装置の製造方法は、発光素子と、当該発光素子と接続されている配線と、上記発光素子を包含することで封止する封止材とを備えている発光装置の製造方法であって、セラミックからなる基板に上記配線を形成する工程と、上記基板の上記配線が配されている面であり、上記封止材が配される領域における上記基板の表面を、上記配線と共に覆いかつ露出しないように、上記発光素子を載置するためのガラス又は樹脂からなる載置部を配する工程と、上記載置部を配した後、上記封止材が配される領域における基板の表面と非接触となるように撥液膜を成膜する工程と、上記撥液膜のうち、上記封止材を形成する領域を除去し開口部を形成することで上記載置部を露出させる工程と、上記載置部に上記発光素子を配する工程と、上記発光素子を包含し、上記基板と非接触となるように、少なくとも上記載置部に上記封止材を形成する工程とを有する。
【０２８３】
上記構成によると、上記載置部は、上記基板の上記配線が配されている面であり、上記封止材が配される領域における上記基板の表面を、上記配線と共に覆うように配される。
このため、上記載置部に載置された上記発光素子と、上記配線とを接続するワイヤ等を上記封止材に包含させることができる。これにより、熱的、機械的に強い発光装置を得ることができる。
【０２８４】
さらに、上記構成によると、上記載置部を、上記基板の上記配線が配されている面であり、上記封止材が配される領域における上記基板の表面を、上記配線と共に覆いかつ露出しないように配する。
【０２８５】
そして、上記載置部を配した後、上記封止材が配される領域における基板の表面と非接触となるように撥液膜を成膜する。さらに、当該撥液膜のうち、上記封止材を形成する領域を除去し開口部を形成することで上記載置部を露出させる。
【０２８６】
これにより、上記封止材を形成するために上記封止材の形成前に設けられる上記撥液膜のうち、上記封止材を形成するために除去される領域は、ガラス又は樹脂からなることでセラミックより表面が滑らかである上記載置部と少なくとも接触し、セラミックからなる上記基板とは非接触となる。このため、上記撥液膜のうち上記封止材を形成するために除去される領域の残渣が残ることを防止することができる。
【０２８７】
そして、上記封止材は、上記基板の表面と非接触となるように、少なくとも上記載置部に形成される。これにより、上記載置部に配された上記発光素子を、上記封止材で封止することができる。
【０２８８】
また、本発明の態様６に係る発光装置では、上記封止材は、上記載置部と、上記配線とに跨って配されていてもよい。上記構成により、上記基板に配される配線の形状の自由度を向上させることができる。
【０２８９】
また、本発明の態様７に係る発光装置では、上記封止材には蛍光体が含まれていてもよい。上記構成により、所望の色の光を発光させることができる。
【０２９０】
また、本発明の態様８に係る発光装置の製造方法は、上記載置部を配した後、上記発光素子を配する前に、液状の撥液剤を塗布し硬化させることで撥液膜を成膜する工程と、
上記撥液膜のうち、上記封止材を形成する領域を除去し開口部を形成する工程とを有することが好ましい。
【０２９１】
上記構成によると、上記撥液膜のうち上記開口部となる領域は上記基板と非接触であるため、除去された後の残渣が残ることを防止することができる。
【０２９２】
また、本発明の態様９に係る発光装置の製造方法では、上記封止材を形成する工程では、上記封止材を、上記載置部と、上記配線とに跨って形成することが好ましい。上記構成により、上記基板に配される配線の形状の自由度を向上させることができる。
【０２９３】
また、本発明の態様１０に係る発光装置の製造方法では、上記配線を形成する工程では、光沢剤を添加した金属材料をめっきするか、又は、圧延銅箔により、上記配線の表面を光沢面とすることが好ましい。
【０２９４】
上記構成により、上記撥液膜のうち、上記封止材を形成するために除去される領域が上記配線と接触していたとしても、配線の表面が光沢面では無い場合と比べて、残渣が残り難くなる。このため、上記配線の形状の自由度を向上させると共に、製造方法の汎用性を向上させることができる。
【０２９５】
また、本発明の態様１１に係る発光装置の製造方法では、上記撥液膜に上記開口部を形成する工程では、プラズマ処理を行うことで、上記撥液膜の上記開口部を形成することが好ましい。これにより、湿式のエッチング方法を用いる場合と比べて、材料や工数削減により製造コストを削減することができる。
【０２９６】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
【産業上の利用可能性】
【０２９７】
本発明は、発光装置又は発光装置の製造方法に利用することができる。
【符号の説明】
【０２９８】
２  基板
４  ＬＥＤチップ（発光素子）
５  撥液膜
５ａ  開口部
５ｂ  開口部
６  ワイヤ
７  封止樹脂（封止材）
１０・２０・３０  配線基板
１１・２１・３１・４１・５１  発光装置
１２・１３  配線
１４・２４・３４  ガラス部（載置部）
２４ａ・２４ｂ  開口部
３２・３３  配線
４７  １次封止樹脂（第１封止材）
４８  ２次封止樹脂（第２封止材）
５４・５５  ＬＥＤチップ（発光素子）
Ｐ  ＬＥＤチップ搭載位置
Ｒ  封止樹脂形成領域
【図１】
2014229789.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2014229789.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2014229789.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
2014229789.tif 000017
【図１６】
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【図１７】
2014229789.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
2014229789.tif 000021
【図２０】
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【図２１】
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