(57)【要約】【課題】配線レイアウトの自由度を向上させた配線基板を提供すること。【解決手段】本発明に係る配線基板は、絶縁層及び導体層がそれぞれ１層以上積層された積層体を有する配線基板であって、前記積層体上に形成された複数の配線と、前記複数の配線の少なくとも一部の配線上に直接形成された柱状の接続端子と、を備え、前記少なくとも一部の配線の前記接続端子が形成される位置における幅は、前記接続端子の前記幅方向における長さ未満であることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層及び導体層がそれぞれ１層以上積層された積層体を有する配線基板であって、
前記積層体上に形成された複数の配線と、
前記複数の配線の少なくとも一部の配線上に直接形成された柱状の接続端子と、
を備え、
前記少なくとも一部の配線の前記接続端子が形成される位置における幅は、前記接続端子の前記幅方向における長さ未満であることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記少なくとも一部の配線の前記接続端子が形成される位置における幅は、前記接続端子の前記幅方向における長さの０．５倍以上１．０倍未満であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記少なくとも一部の配線は、前記接続端子が形成される位置に、配線幅が太くなった第１の幅太部を有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第１の幅太部の前記少なくとも一部の配線の延伸方向における長さは、前記接続端子の前記延伸方向における長さの０．５倍以上２．０倍以下であることを特徴とする請求項３に記載の配線基板。
【請求項５】
前記複数の配線を覆い、前記接続端子の少なくとも一部を露出させるソルダーレジスト層をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記接続端子は、少なくとも一部が前記ソルダーレジスト層の表面から突出していることを特徴とする請求項５に記載の配線基板。
【請求項７】
前記接続端子は、シグナル用接続端子として、前記積層体上に設定される矩形状の部品搭載領域の外周部にのみ複数配列され、前記部品搭載領域の中央部には、電源及びグランド用接続パッドが複数配列されることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項８】
前記積層体は、複数の前記導体層と複数の前記絶縁層とが交互に積層されてなるとともに、前記導体層を形成する複数の配線上に直接形成され、前記絶縁層を貫通して前記導体層間を接続するビア導体を備え、
前記導体層を形成する配線の前記ビア導体が形成される位置における幅は、前記ビア導体の前記幅方向における長さの０．５倍以上１．０倍未満であることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項９】
前記導体層を形成する配線は、前記ビア導体が形成される位置に、配線幅が太くなった第２の幅太部を有することを特徴とする請求項８に記載の配線基板。
【請求項１０】
前記第２の幅太部の前記導体層を形成する配線の延伸方向における長さは、前記ビア導体の前記延伸方向における長さの０．５倍以上２．０倍以下であることを特徴とする請求項９に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主面に半導体チップを接続するための接続端子が形成された配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、配線基板の主面（表面）には、半導体チップとの接続用の端子（以下、バンプと称する）が形成されている。このバンプは、ソルダーレジストの開口面積よりもサイズ（面積）の大きなランドと呼ばれる円形や四角形の銅箔上に、上端がソルダーレジストよりも高い位置となるように半田で形成されている。
【０００３】
ところで、近年では、このバンプの高密度化が進んでおり、配置されるバンプの間隔（ピッチ）を狭くすることが要求されている。しかしながら、上述のようにバンプを形成するためには、バンプよりも一回り大きなランドを下地配線に設ける必要がある。このため、バンプの高密度化が困難となっている。
【０００４】
また、ランドを避けて配線を引き回す必要があるため、配線のレイアウトが制限される。このため、引き回し切れない配線を形成するために配線層を余分に設ける必要がある。そこで、ランドを設けずに下地配線上に直接バンプを形成することで、高密度配線を得ることが提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−３４７３３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に提案される手法では、バンプの直径が配線幅よりも小さいため半導体チップとの接続信頼性が低下するという問題がある。また、バンプの直径を大きくする場合は、配線幅が太くなる為、配線レイアウトの自由度が制限されてしまうという問題がある。
【０００７】
本発明は、上記の事情に対処してなされたものであり、配線レイアウトの自由度を向上できる配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成すべく、本発明の配線基板は、絶縁層及び導体層がそれぞれ１層以上積層された積層体を有する配線基板であって、前記積層体上に形成された複数の配線と、前記複数の配線の少なくとも一部の配線上に直接形成された柱状の接続端子と、を備え、前記少なくとも一部の配線の前記接続端子が形成される位置における幅は、前記接続端子の前記幅方向における長さ未満であることを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば、配線上に接続端子を直接形成しているので、接続端子のためのランドを設ける必要がなく、配線レイアウトの自由度が向上する。また、接続端子が形成される位置における配線の幅を、配線の幅方向と一致する方向における接続端子の長さ未満とし、接続端子が小さくなり接続信頼性が低下するのを抑制することができる。
【００１０】
なお、本発明の一態様においては、接続端子が形成される位置における配線の幅は、配線の幅方向と一致する方向における接続端子の長さの０．５倍以上１．０倍未満であることを特徴とする。接続端子が形成される位置における配線の幅を、接続端子の配線の幅方向における長さの０．５倍以上１．０倍未満とすることで、接続端子が小さくなり接続信頼性が低下するのを抑制することができるとともに、配線幅に比べて接続端子が大きくなりすぎ、接続端子が傾いたり、倒れたりしてしまうことを抑制することができる。
【００１１】
また、本発明の他の態様においては、接続端子が形成される位置に、配線幅が太くなった第１の幅太部を有することを特徴とする。接続端子が形成される位置に配線幅が太くなった第１の幅太部を有することで、径の大きい接続端子を配線上に直接形成することができる。また、接続端子と導体層を形成する配線との接続信頼性が向上する。
【００１２】
また、本発明のその他の態様においては、配線の延伸方向における第１の幅太部の長さは、前記延伸方向における接続端子の長さの０．５倍以上２．０倍以下であることを特徴とする。配線の延伸方向における第１の幅太部の長さを、配線の延伸方向と一致する方向における接続端子の長さの０．５倍以上２．０倍以下とすることで、第１の幅太部が延伸方向に長くなりすぎ、配線レイアウトの自由度が低下することを抑制することができる。
【００１３】
また、本発明のその他の態様においては、複数の配線を覆い、接続端子の少なくとも一部を露出させるソルダーレジスト層をさらに備えることを特徴とする。接続端子の少なくとも一部を露出させるソルダーレジスト層を備えることで、接続端子が剥がれにくくなる。
【００１４】
また、本発明のその他の態様においては、接続端子は、少なくとも一部がソルダーレジスト層の表面から突出していることを特徴とする。接続端子を、ソルダーレジスト層の表面から突出させることで、相手側端子との接続が容易となる。
【００１５】
また、本発明のその他の態様においては、前記接続端子は、シグナル用接続端子として、積層体上に設定される矩形状の部品搭載領域の外周部にのみ複数配列され、部品搭載領域の中央部には、電源及びグランド用接続パッドが複数配列されることを特徴とする。
【００１６】
接続端子を、部品搭載領域の外周部にのみ複数配列されるため、配線長が長くなり配線の引き回しが難しいシグナル用接続端子として使用することで、配線の引き回しが容易となり、配線レイアウトの自由度を向上することができる。また、部品搭載領域の中央部に、電源及びグランド用接続パッドが複数配列することで、電源及びグランド用の配線長を短くすることができる。
【００１７】
また、本発明のその他の態様においては、前記積層体は、複数の前記導体層と複数の前記絶縁層とが交互に積層されてなるとともに、前記導体層を形成する複数の配線上に直接形成され、前記絶縁層を貫通して前記導体層間を接続するビア導体を備え、前記導体層を形成する配線の前記ビア導体が形成される位置における幅は、前記ビア導体の前記幅方向における長さの０．５倍以上１．０倍未満であることを特徴とする。
【００１８】
導体層を形成する配線のビア導体が形成される位置における幅を、ビア導体の幅方向における長さの０．５倍以上１．０倍未満とすることで、ビア導体間の狭ピッチ化を可能とし、配線レイアウトの自由度が向上する。また、ビア導体と導体層を形成する配線との接続信頼性が低下するのを抑制することができる。
【００１９】
また、本発明のその他の態様においては、前記導体層を形成する配線は、前記ビア導体が形成される位置に、配線幅が太くなった第２の幅太部を有することを特徴とする。ビア導体が形成される位置に配線幅が太くなった第２の幅太部を有することで、径の大きいビア導体を配線上に直接形成することができる。また、ビア導体と導体層を形成する配線との接続信頼性が向上する。
【００２０】
さらに、本発明のその他の態様においては、前記第２の幅太部の前記導体層を形成する配線の延伸方向における長さは、前記ビア導体の前記延伸方向における長さの０．５倍以上２．０倍以下であることを特徴とする。第２の幅太部の導体層を形成する配線の延伸方向における長さを、ビア導体の延伸方向における長さの０．５倍以上２．０倍以下とすることで、第２の幅太部が延伸方向に長くなりすぎ、配線レイアウトの自由度が低下することを抑制することができる。
【発明の効果】
【００２１】
以上説明したように、本発明によれば、配線レイアウトの自由度を向上できる配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】第１の実施形態に係る配線基板の平面図（表面側）。
【図２】第１の実施形態に係る配線基板の一部断面図。
【図３】第１の実施形態に係る配線基板の表面側の接続端子の構成図。
【図４】第１の実施形態に係る配線基板の表面側の接続端子と配線との平面図。
【図５】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図（コア基板工程）。
【図６】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図（ビルドアップ工程）。
【図７】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図（凸めっき層形成工程）。
【図８】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図（充填工程）。
【図９】第４の充填方法の説明図である。
【図１０】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図（ソルダーレジスト層工程）。
【図１１】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図（めっき工程）。
【図１２】第１の実施形態の変形例に係る配線基板の一部断面図。
【図１３】第１の実施形態の変形例に係る配線基板の配線とビア導体との平面図。
【図１４】第１の実施形態の変形例に係る配線基板の配線とビア導体との拡大平面図。
【図１５】第１の実施形態の変形例に係る配線基板の製造工程図（ビルドアップ工程）。
【図１６】第１の実施形態の変形例に係る配線基板の製造工程図（ビルドアップ工程）。
【図１７】第２の実施形態に係る配線基板の平面図（表面側）。
【図１８】第３の実施形態に係る配線基板の平面図（表面側）。
【図１９】第３の実施形態に係る配線基板の一部断面図。
【図２０】第４の実施形態に係る配線基板の平面図（表面側）。
【図２１】第５の実施形態に係る配線基板の一部拡大図。
【図２２】その他の実施形態に係る配線基板の充填部材の上面形状を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下の説明では、コア基板上にビルドアップ層を形成した配線基板を例に、本発明の実施形態を説明するが、複数の接続端子が形成された配線基板であればよく、例えば、コア基板を有しない配線基板であってもよい。
【００２４】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る配線基板１００の平面図（表面側）である。図２は、図１の線分Ｉ−Ｉにおける配線基板１００の一部断面図である。図３は、配線基板１００の表面側に形成された接続端子Ｔ１の構成図である。図３（ａ）は、接続端子Ｔ１の上面図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）の線分ＩＩ−ＩＩにおける断面図である。なお、以下の説明では、半導体チップ（部品）が接続される側を表面側とし、マザーボードやソケット等（以下、マザーボード等と称する）が接続される側を裏面側とする。
【００２５】
（配線基板１００の構成）
図１〜３に示す配線基板１００は、コア基板２と、半導体チップ（不図示）との接続端子Ｔ１が複数形成され、コア基板２の表面側に積層されるビルドアップ層３（表面側）と、ビルドアップ層３に積層され、複数の接続端子Ｔ１間を充填する充填部材４と、充填部材４に積層され、接続端子Ｔ１を露出する開口５ａが形成されたソルダーレジスト層５と、マザーボード等（不図示）との接続端子Ｔ１１が複数形成され、コア基板２の裏面側に積層されるビルドアップ層１３（裏面側）と、ビルドアップ層１３に積層され、接続端子Ｔ１１の少なくとも一部を露出する開口１４ａが形成されたソルダーレジスト層１４と、を備える。
【００２６】
コア基板２は、耐熱性樹脂板（たとえばビスマレイミド−トリアジン樹脂板）や、繊維強化樹脂板（たとえばガラス繊維強化エポキシ樹脂）等で構成された板状の樹脂製基板である。コア基板２の表面及び裏面には、金属配線Ｌ１，Ｌ１１をなすコア導体層２１，２２がそれぞれ形成されている。また、コア基板２には、ドリル等により穿設されたスルーホール２３が形成され、その内壁面にはコア導体層２１，２２を互いに導通させるスルーホール導体２４が形成されている。さらに、スルーホール２３は、エポキシ樹脂等の樹脂製穴埋め材２５により充填されている。
【００２７】
（表面側の構成）
配線基板１００の表面側は、コア導体層２１と電気的に接続する蓋めっき層４１が形成され、この蓋めっき４１と金属配線Ｌ２を構成する導体層３２とが、フィルドビア４２により電気的に接続されている。フィルドビア４２は、ビアホール４２ａとビアホール４２ａ内側にめっきにより充填されたビア導体４２ｂとを有する。
【００２８】
配線基板１００の導体層３２上に形成された接続端子Ｔ１は、半導体チップとの接続端子である。半導体チップは、この接続端子Ｔ１と電気的に接続されることにより配線基板１００に実装される。接続端子Ｔ１は、半導体チップの実装領域（部品搭載領域）全体に略等間隔に配置されている。接続端子Ｔ１は、上面視で円形をなす柱状形状であり、上部が充填部材４の表面から突出した状態で導体層３２上に直接形成されている。接続端子Ｔ１を導体層３２上に直接形成しているので、接続端子Ｔ１のためのランドを設ける必要がなく、配線レイアウトの自由度が向上する。
【００２９】
図４は、接続端子Ｔ１と金属配線Ｌ２との平面図である。図４（ａ）は、接続端子Ｔ１が形成される位置に配線幅が太くなった幅太部Ｌ２ａを有さない金属配線Ｌ２の平面図である。図４（ｂ）は、接続端子Ｔ１が形成される位置に配線幅が太くなった幅太部（第１の幅太部）Ｌ２ａを有する金属配線Ｌ２の平面図である。
【００３０】
図４（ａ）に示すように、金属配線Ｌ２の接続端子Ｔ１が形成される位置における幅Ｗは、接続端子Ｔ１の、金属配線Ｌ２の幅方向と一致する方向における長さ（径）Ｗ１未満であることが好ましい。金属配線Ｌ２の接続端子Ｔ１が形成される位置における幅Ｗを、接続端子Ｔ１の、金属配線Ｌ２の幅方向と一致する方向における長さ（径）Ｗ１未満とすることで、接続端子Ｔ１の幅が細くなりすぎ、半導体チップとの接続信頼性が低下するのを抑制することができるためである。
【００３１】
また、接続端子Ｔ１が形成される位置における金属配線Ｌ２の幅Ｗは、接続端子Ｔ１の、金属配線Ｌ２の幅方向と一致する方向における長さＷ１の０．５倍以上１．０倍未満であることが好ましい。接続端子Ｔ１が形成される位置における金属配線Ｌ２の幅Ｗを、接続端子Ｔ１の配線の幅方向における長さＷ１の０．５倍以上１．０倍未満とすることで、接続端子Ｔ１が細くなり半導体チップとの接続信頼性が低下するのを抑制することができるとともに、配線幅Ｗに比べて接続端子Ｔ１の幅方向における長さＷ１が長くなりすぎて、金属配線Ｌ２上に形成されている接続端子Ｔ１が傾いたり、倒れたりしてしまうことを抑制することができる。
【００３２】
また、金属配線Ｌ２が細く、金属配線Ｌ２上に直接接続端子Ｔ１を形成した場合、接続端子Ｔ１が傾いたり、倒れたりしてしまう虞がある際には、図４（ｂ）に示すように、接続端子Ｔ１が形成される位置に、配線幅Ｗが太くなった幅太部Ｌ２ａを設けることができる。接続端子Ｔ１が形成される位置に、配線幅が太くなった幅太部Ｌ２ａを有することで、金属配線Ｌ２の線幅が狭い場合や、接続端子Ｔ１の幅方向における長さＷ１が長い、つまり接続端子Ｔ１の径が大きい場合にも、金属配線Ｌ２上に直接接続端子Ｔ１を形成することができる。
【００３３】
また、金属配線Ｌ２の幅太部Ｌ２ａの延伸方向における長さＷ２は、接続端子Ｔ１の、金属配線Ｌ２の延伸方向と一致する方向における長さＷ１の０．５倍以上２．０倍以下とすることが好ましい。金属配線Ｌ２の延伸方向における幅太部Ｌ２ａの長さＷ２を、金属配線Ｌ２の延伸方向における接続端子Ｔ１の長さＷ１の０．５倍以上２．０倍以下とすることで、幅太部Ｌ２ａが延伸方向に長くなり、配線レイアウトの自由度が低下することを抑制することができる。
【００３４】
また、幅太部Ｌ２ａが設けられた金属配線Ｌ２についても、金属配線Ｌ２の接続端子Ｔ１が形成される位置における幅Ｗは、接続端子Ｔ１の、金属配線Ｌ２の幅方向と一致する方向における長さ（径）Ｌ１未満であることが好ましく、接続端子Ｔ１の、金属配線Ｌ２の幅方向と一致する方向における長さの０．５倍以上１．０倍未満であることがより好ましい。
【００３５】
各接続端子Ｔ１は、充填部材４との接着性を向上させるために、その表面が粗化されている。接続端子Ｔ１の表面は、例えば、メックエッチボンド（メック社製）等のエッチング液で処理することで粗化することができる。
【００３６】
なお、各接続端子Ｔ１の表面を粗化しない場合でも、Ｓｎ（錫）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）のいずれか１つの金属元素を各接続端子Ｔ１の表面にコーティングして金属層を形成した後、この金属層の上にカップリング剤処理を施すことで充填部材４との接着性を向上させてもよい。
【００３７】
さらに、図３（ｂ）に示すように、各接続端子Ｔ１は、第１の主面Ｆの外周に段差Ｌが形成され、この段差Ｌを含む接続端子Ｔ１の露出面が、金属めっき層Ｍにより覆われている。半導体チップを配線基板１００に実装する際には、半導体チップの接続端子にコートされた半田をリフローすることで半導体チップの接続端子と接続端子Ｔ１とが電気的に接続される。なお、金属めっき層Ｍは、例えば、Ｎｉ層、Ｓｎ層、Ａｇ層、Ｐｄ層、Ａｕ層等の金属層から選択される単一又は複数の層（例えば、Ｎｉ層／Ａｕ層、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｕ層）で構成される。
【００３８】
また、金属めっき層Ｍの代わりに、防錆用のＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理を施してもよい。また、段差Ｌを含む接続端子Ｔ１の露出面に半田をコートしてもよく、さらに、段差Ｌを含む接続端子Ｔ１の露出面を金属めっき層Ｍで覆った後、この金属めっき層Ｍに半田をコートしてもよい。なお、接続端子Ｔ１の露出面に半田をコートする方法については、後述する。
【００３９】
充填部材４は、ビルドアップ層３の表層に形成された各接続端子Ｔ１の側面と密着した状態で、接続端子Ｔ１間に充填されている。充填部材４の厚みＤ２は、接続端子Ｔ１の厚み（高さ）Ｄ１よりも薄くなっている。なお、充填部材４の充填方法については後述する。
【００４０】
ソルダーレジスト層５は、接続端子Ｔ１と接続される配線パターンの表面側を覆うとともに、半導体チップの実装領域に略等間隔で配置された接続端子Ｔ１を露出させる開口５ａと、チップキャパシタ実装用のパッドＰ１を露出させる開口５ｂとを有している。ソルダーレジスト層５の開口５ａは、同一開口内に複数の接続端子Ｔ１を配置するＮＳＭＤ（ノン・ソルダー・マスク・ディファインド）形状となっている。また、ソルダーレジスト層５上にはアライメントマークＡＭが形成されている。なお、アライメントマークＡＭは、必ずしも必要ではない。
【００４１】
（裏面側の構成）
配線基板１００の裏面側は、コア導体層２２と電気的に接続する蓋めっき層１４１が形成され、この蓋めっき１４１と導体層１３２とが、フィルドビア１４２により電気的に接続されている。フィルドビア１４２は、ビアホール１４２ａとビアホール１４２ａ内側にめっきにより充填されたビア導体１４２ｂとを有する。また、導体層１３２上には、ビアを介さずに、マザーボード等（不図示）との接続端子Ｔ１１が直接形成されている。
【００４２】
接続端子Ｔ１１は、配線基板１００をマザーボード等に接続するための裏面ランド（ＰＧＡパッド、ＢＧＡパッド）として利用されるものであり、配線基板１００の略中心部を除く外周領域に形成され、前記略中央部を囲むようにして矩形状に配列されている。また、接続端子Ｔ１１の表面の少なくとも一部は、金属めっき層Ｍにより覆われている。
【００４３】
ソルダーレジスト層１４は、フィルム状のソルダーレジストをビルドアップ層１３の表面上に積層して形成されている。ソルダーレジスト層１４には、各接続端子Ｔ１１の表面の一部を露出させる開口１４ａが形成されている。このため、各接続端子Ｔ１１は、表面の一部が開口１４ａによりソルダーレジスト層１４から露出した状態となっている。つまり、ソルダーレジスト層１４の開口１４ａは、各接続端子Ｔ１１の表面の一部を露出したＳＭＤ形状となっている。なお、ソルダーレジスト層５の開口５ａとは異なり、ソルダーレジスト層１４の開口１４ａは、接続端子Ｔ１１毎に形成されている。
【００４４】
開口１４ａ内には、たとえばＳｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｓｂなど実質的にＰｂを含有しない半田からなる半田ボールＢが、金属めっき層Ｍを介して接続端子Ｔ１１と電気的に接続するようにして形成されている。なお、配線基板１００をマザーボード等に実装する際は、配線基板１００の半田ボールＢをリフローすることで、接続端子Ｔ１１をマザーボード等の接続端子に電気的に接続する。
【００４５】
（配線基板の製造方法）
図２、図５〜図１１は、第１の実施形態に係る配線基板１００の製造工程を示す図である。以下、図２、図５〜図１１を参照して、配線基板１００の製造方法について説明する。
【００４６】
（コア基板工程：図５）
板状の樹脂製基板の表面及び裏面に銅箔が貼付された銅張積層板を準備する。また、銅張積層板に対してドリルを用いて孔あけ加工を行い、スルーホール２３となる貫通孔を所定位置にあらかじめ形成しておく。そして、従来公知の手法に従って無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことでスルーホール２３内壁にスルーホール導体２４を形成し、銅張積層板の両面に銅めっき層を形成する（図５（ａ）参照）。
【００４７】
その後、スルーホール導体２４内をエポキシ樹脂等の樹脂穴埋め材２５で充填する。さらに、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、蓋めっき層４１を形成する。次に、銅張積層板の両面の銅箔上に形成された（蓋めっき層４１を含む）銅めっきを所望の形状にエッチングして銅張積層板の表面及び裏面に金属配線Ｌ１，Ｌ１１をなすコア導体層２１，２２をそれぞれ形成し、コア基板２を得る（図５（ｂ）参照）。なお、スルーホール２３形成工程の後、加工部分のスミアを除去するデスミア処理を行うことが望ましい。
【００４８】
（ビルドアップ工程：図６）
コア基板２の表面及び裏面に、樹脂絶縁層３１，１３１となるエポキシ樹脂を主成分とするフィルム状絶縁樹脂材料をそれぞれ重ね合わせて配置する。そして、この積層物を真空圧着熱プレス機で加圧加熱し、フィルム状絶縁樹脂材料を熱硬化させながら圧着する。次に、従来周知のレーザー加工装置を用いてレーザー照射を行い、樹脂絶縁層３１，１３１にビアホール４２ａ，１４２ａをそれぞれ形成する（図６参照（ａ））。
【００４９】
続いて、樹脂絶縁層３１，１３１の表面を粗化した後、無電解めっきを行い、ビアホール４２ａ，１４２ａの内壁を含む樹脂絶縁層３１，１３１上に無電解銅めっき層を形成する。次に感光性樹脂を樹脂絶縁層３１，１３１上に形成された無電解銅めっき層上にラミネートして、露光・現像を行い、所望の形状に、樹脂マスクＭＲ１，ＭＲ１１を形成する。その後、この樹脂マスクＭＲ１，ＭＲ１１をマスクとして、電解めっきにより、銅をめっきして、所望の銅めっきパターン（金属配線Ｌ２，Ｌ１２）を得る（図６（ｂ）参照）。
【００５０】
（凸めっき層形成工程：図７）
次に、樹脂マスクＭＲ１，ＭＲ１１を剥離せずに、フォトレジストをラミネートして、露光・現像を行い、所望の形状に樹脂マスクＭＲ２，ＭＲ１２を形成する。その後、この樹脂マスクＭＲ２，ＭＲ１２をマスクとして、電解めっきにより、銅をめっきして、所望の銅めっきパターンを得る（図７（ａ）参照）。
【００５１】
次に、樹脂マスクＭＲ１、ＭＲ２、ＭＲ１１、ＭＲ１２を剥離し、樹脂マスクＭＲ１、ＭＲ１１下に存在している無電解銅めっき層を除去して、導体層３２，１３２上に接続端子Ｔ１、パッドＰ１を有する導体層３４及び接続端子Ｔ１１を有する導体層１３４それぞれ形成する（図７（ｂ）参照）。
【００５２】
（充填工程：図８）
次に、ビルドアップ層３の表層をなす複数の接続端子Ｔ１間を、接続端子Ｔ１の主面Ｆよりも低い位置まで充填部材４で充填する。なお、接続端子Ｔ１間を充填部材４で充填するために、接続端子Ｔ１の表面（特に、側面）を粗化しておくことが好ましい。接続端子Ｔ１の表面は、例えば、メックエッチボンド（メック社製）等のエッチング液で処理することで粗化することができる。また、各接続端子Ｔ１の表面を粗化する代わりに、Ｓｎ（錫）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）のいずれか１つの金属元素を各接続端子Ｔ１の表面にコーティングして金属層を形成した後、この金属層の上にカップリング剤処理を施し、充填部材４との接着性を向上させてもよい。
【００５３】
接続端子Ｔ１間に充填部材４を充填する方法としては、種々の手法を採用することができる。以下、この充填部材４を接続端子Ｔ１間に充填する充填方法について説明する。なお、下記の第１〜第４の充填方法において、充填部材４となる絶縁性樹脂をコートする方法として、印刷、ラミネート、ロールコート、スピンコート等種々の手法を用いることができる。
【００５４】
（第１の充填方法）
この第１の充填方法では、表層に接続端子Ｔ１が形成されたビルドアップ層３の表面に熱硬化性の絶縁性樹脂を薄くコートして熱硬化させた後、硬化した絶縁性樹脂を接続端子Ｔ１よりも低くなるまで研磨することで、充填部材４を接続端子Ｔ１間に充填する。
【００５５】
（第２の充填方法）
この第２の充填方法では、表層に接続端子Ｔ１が形成されたビルドアップ層３の表面に熱硬化性の絶縁性樹脂を薄くコートした後、絶縁性樹脂を溶融する溶剤で、接続端子Ｔ１上面を覆う余分な絶縁性樹脂を除去した後、熱硬化させることで充填部材４を接続端子Ｔ１間に充填する。
【００５６】
（第３の充填方法）
この第３の充填方法では、表層に接続端子Ｔ１が形成されたビルドアップ層３の表面に熱硬化性の絶縁性樹脂を厚くコートして熱硬化させた後、半導体素子の実装領域以外の領域をマスクし、接続端子Ｔ１よりも低くなるまで絶縁性樹脂をＲＩＥ（Reactive Ion Etching）等によりドライエッチングすることで、充填部材４を接続端子Ｔ１間に充填する。なお、この第３の充填方法で、充填部材４を接続端子Ｔ１間に充填する場合、充填部材４とソルダーレジスト層５とが一体的に形成される。
【００５７】
（第４の充填方法）
図９は、第４の充填方法の説明図である。以下、図９を参照して、第４の充填方法について説明する。第４の充填方法では、表層に配線導体Ｔ１が形成されたビルドアップ層３の表面に光硬化性の絶縁性樹脂を厚くコートした後（図９（ａ）参照）、後にソルダーレジスト層の開口５ａとなるべき領域の内側領域をマスクして絶縁性樹脂を露光・現像して、開口５ａの外側領域となるべき絶縁性樹脂を光硬化させる（図９（ｂ）参照）。次に、炭酸ナトリウム水溶液（濃度１重量％）に、この製造途中の配線基板１００を短時間（未感光部の絶縁性樹脂表面が若干膨潤する程度の時間）浸漬する（図９（ｃ）参照）。その後、水洗して膨潤した絶縁性樹脂を乳化させる（図９（ｄ）参照）。次に、膨潤・乳化した絶縁性樹脂を製造途中の配線基板１００から除去する（図９（ｅ）参照）。光硬化していない絶縁性樹脂の上端の位置が、各配線導体Ｔ１の上端より低い位置となるまで上記浸漬及び水洗を、それぞれ１回、又はそれぞれ数回繰り返す。その後、熱または紫外線により絶縁性樹脂を硬化させる。なお、この第４の充填方法で、充填部材４を接続端子Ｔ１間に充填する場合、充填部材４とソルダーレジスト層５とが一体的に形成される。
【００５８】
（ソルダーレジスト層工程：図１０）
充填部材４及びビルドアップ層１３の表面に、それぞれフィルム状のソルダーレジストをプレスして積層する。積層したフィルム状のソルダーレジストを露光・現像して、各接続端子Ｔ１の表面及び側面を露出させるＮＳＭＤ形状の開口５ａが形成されたソルダーレジスト層５と、各接続端子Ｔ１１の表面の一部を露出させるＳＭＤ形状の開口１４ａが形成されたソルダーレジスト層１４とを得る。なお、充填工程において上述した第３，第４の充填方法を採用した場合、充填部材４及びソルダーレジスト層５が一体的に形成されるため、この工程において、ソルダーレジスト層５を積層する必要はない。
【００５９】
（めっき工程：図１１）
次に、接続端子Ｔ１の露出面を過硫酸ナトリウム等によりエッチングして、接続端子Ｔ１表面の酸化膜等の不純物を除去するとともに、接続端子Ｔ１の主面Ｆの周囲に段差Ｌを形成する（図３参照）。その後、還元剤を用いた無電解還元めっきにより、接続端子Ｔ１，Ｔ１１の露出面に金属めっき層Ｍを形成する。無電解置換めっきにより接続端子Ｔ１の露出面に金属めっき層Ｍを形成する場合は、接続端子Ｔ１の露出面の金属が置換されて金属めっき層Ｍが形成される。このため、接続端子Ｔ１の露出面を過硫酸ナトリウム等によりエッチングしなくとも、接続端子Ｔ１の主面Ｆの周囲に段差Ｌが形成される。
【００６０】
また、接続端子Ｔ１の露出面に半田をコートする場合は、コートする半田層の厚みに応じて、以下の２通りの方法を選択することができる。
【００６１】
（第１のコート方法）
厚みが５〜３０μｍの半田層を接続端子Ｔ１の露出面にコートする場合、接続端子Ｔ１の露出面を少しだけエッチング（ソフトエッチング）し、接続端子Ｔ１の露出面に形成された酸化膜を除去する。この際、接続端子Ｔ１の主面Ｆの周囲に段差Ｌが形成される。次にＳｎ（錫）粉末、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）などの金属を含むイオン性化合物及びフラックスを混合したペースト（例えば、ハリマ化成株式会社：スーパーソルダー（製品名））を、接続端子Ｔ１の露出面全面を覆うように、ＳＭＤ形状の開口５ａ内全体に薄く塗布する。その後、リフローを行い、接続端子Ｔ１の露出面にＳｎとＡｇ、もしくは、Ｓｎ、Ａｇ及びＣｕの合金からなる半田層を形成する。
【００６２】
（第２のコート方法）
厚みが１０μｍ以下の半田層を接続端子Ｔ１の露出面にコートする場合、接続端子Ｔ１の露出面を少しだけエッチング（ソフトエッチング）し、接続端子Ｔ１の露出面に形成された酸化膜を除去する。この際、接続端子Ｔ１の主面Ｆの周囲に段差Ｌが形成される。次に、接続端子Ｔ１の露出面に無電解Ｓｎ（錫）めっきを行うことによりＳｎめっき層を形成し、このＳｎめっき層の全面を覆うようにしてフラックスを塗布する。その後、リフローを行い、接続端子Ｔ１にめっきされたＳｎめっき層を溶融させて接続端子Ｔ１の主面Ｆに半田層を形成する。この際、溶融したＳｎは、表面張力により、接続端子Ｔ１の主面Ｆに凝集する。
【００６３】
（バックエンド工程：図２）
半田印刷により、接続端子Ｔ１１上に形成された金属めっき層Ｍ上に半田ペーストを塗布した後、所定の温度と時間でリフローを行い、接続端子Ｔ１１上に半田ボールＢを形成する。
【００６４】
以上のように、第１の実施形態に係る配線基板１００は、接続端子Ｔ１を、ビアを介さずに導体層３２上に直接形成している。このため、接続端子Ｔ１のためのランドを設ける必要がなく、配線レイアウトの自由度が向上する。また、金属配線Ｌ２の接続端子Ｔ１が形成される位置における幅Ｗを、接続端子Ｔ１の、金属配線Ｌ２の幅方向と一致する方向における長さ（径）Ｗ１未満としている。このため、接続端子Ｔ１が小さくなりすぎ、半導体チップとの接続信頼性が低下するのを抑制することができる。
【００６５】
また、接続端子Ｔ１が形成される位置における金属配線Ｌ２の幅Ｗを、接続端子Ｔ１の、金属配線Ｌ２の幅方向と一致する方向における長さＷ１の０．５倍以上１．０倍未満としている。このため、接続端子Ｔ１が小さくなり半導体チップとの接続信頼性が低下するのを抑制することができるとともに、配線幅Ｗに比べて接続端子Ｔ１の、金属配線Ｌ２の幅方向と一致する方向における長さＷ１が長くなりすぎて、金属配線Ｌ２上に形成されている接続端子Ｔ１が傾いたり、倒れたりしてしまうことを抑制することができる。
【００６６】
また、接続端子Ｔ１が形成される位置に、配線幅Ｗが太くなった幅太部Ｌ２ａを設けている。このため、金属配線Ｌ２の線幅が狭い場合や、接続端子Ｔ１の、金属配線Ｌ２の幅方向と一致する方向における長さＷ１が長い、つまり接続端子Ｔ１の径が大きい場合にも、金属配線Ｌ２上に直接接続端子Ｔ１を形成することができる。
【００６７】
さらに、金属配線Ｌ２の幅太部Ｌ２ａの延伸方向における長さＷ２は、接続端子Ｔ１の金属配線Ｌ２の延伸方向と一致する方向における長さＷ１の０．５倍以上２．０倍以下としている。このため、幅太部Ｌ２ａが延伸方向に長くなり、配線レイアウトの自由度が低下することを抑制することができる。
【００６８】
その他の効果としては、接続端子Ｔ１間を充填部材４で充填しているので、半導体チップと接続した際に、半導体チップと配線基板との隙間に充填されることとなるアンダーフィルやＮＣＰ（Ｎｏｎ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）、ＮＣＦ（Ｎｏｎ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）の接続端子Ｔ１間におけるボイドの発生を防止することができる。このため、リフロー時に、このボイドに半田が流出して接続端子間が短絡（ショート）することを防止できる。また、接続端子Ｔ１の露出面積が小さくなるので、接続端子にコートする半田の直径が大きくならず、接続端子Ｔ１を狭ピッチ化することができる。
【００６９】
さらに、接続端子Ｔ１の表面に金属めっき層Ｍを形成する際に、接続端子Ｔ１間のめっきダレや、接続端子Ｔ１の底部がエッチングされるアンダーカットを防止することができる。さらに、接続端子Ｔ１の第１の主面Ｆの外周に段差Ｌを形成しているので、接続端子Ｔ１にコートする半田の直径が大きくならず、接続端子Ｔ１をさらに狭ピッチ化することができる。
【００７０】
また、接続端子Ｔ１の充填部材４との当接面を粗化したうえで、接続端子Ｔ１間に充填部材４を充填しているので、接続端子Ｔ１と充填部材４との接着強度が向上する。このため、接続端子１が途中の製造工程で剥がれてしまう虞を抑制できる。また、充填部材４の材質をソルダーレジスト層５と同じとすることで、充填部材４の半田の流れ性がソルダーレジスト層５と同程度となり、充填部材４上に半田が残留して接続端子Ｔ１間が短絡（ショート）することを抑制できる。
【００７１】
また、接続端子Ｔ１間に充填される充填部材４の厚みＤ２を接続端子Ｔ１の厚み（高さ）Ｄ１よりも薄くしている。つまり、接続端子Ｔ１が充填部材４の上面から少し突き出た状態となるようにしている。このため、半導体チップの接続端子の中心と、接続端子Ｔ１の中心とがずれた場合でも、半導体チップの接続端子が接続端子Ｔ１の端部と当接するので、接続端子Ｔ１と半導体チップの接続端子との接続信頼性が向上する。
【００７２】
（第１の実施形態の変形例）
図１〜図１１を参照して説明した第１の実施形態では、接続端子Ｔ１を導体層３２の金属配線Ｌ２上に直接形成した配線基板１００について説明したが、ビア導体を導体層の金属配線上に直接形成するようにしてもよい。この第１の実施形態の変形例では、ビア導体を導体層の金属配線上に直接形成した配線基板について説明する。
【００７３】
図１２は、第１の実施形態の変形例に係る配線基板１００Ａの一部断面図である。図１３は、配線基板１００Ａの配線及びビア導体の平面図である。以下、図１２及び図１３を参照して第１の実施形態の変形例に係る配線基板１００Ａの構成について説明する。なお、図１〜図１１を参照して説明した構成と同じ構成には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。
【００７４】
図１２及び図１３に示すように、配線基板１００Ａは、ビルドアップ層３に、樹脂絶縁層３１に積層された金属配線Ｌ３を構成する導体層３６と、導体層３６に積層された樹脂絶縁層３７と、導体層３６を形成する金属配線Ｌ３上に直接形成され、樹脂絶縁層３７を貫通して導体層３６，３２間を接続するフィルドビア４３をさらに備えている。フィルドビア４３は、ビアホール４３ａとビアホール４３ａ内側にめっきにより充填されたビア導体４３ｂとを有する。すなわち、導体層３６，３２間は、ビア導体４３ｂにより電気的に接続される。
【００７５】
また、配線基板１００Ａは、ビルドアップ層１３に、樹脂絶縁層１３１に積層された金属配線Ｌ１３を構成する導体層１３６と、導体層１３６に積層された樹脂絶縁層１３７と、導体層１３６を形成する金属配線Ｌ１３上に直接形成され、樹脂絶縁層１３７を貫通して導体層１３６，１３２間を接続するフィルドビア１４３をさらに備えている。フィルドビア１４３は、ビアホール１４３ａとビアホール１４３ａ内側にめっきにより充填されたビア導体１４３ｂとを有する。すなわち、導体層１３６，１３２間は、ビア導体１４３ｂにより電気的に接続される。
【００７６】
図１４は、フィルドビア４３，１４３と金属配線Ｌ３，Ｌ１３との平面図である。図１４（ａ）は、フィルドビア４３，１４３が形成される位置に配線幅が太くなった幅太部Ｌ３ａ，Ｌ１３ａを有さない金属配線Ｌ３，Ｌ１３の平面図である。図１４（ｂ）は、フィルドビア４３，１４３が形成される位置に配線幅が太くなった幅太部（第２の幅太部）Ｌ３ａ，Ｌ１３ａを有する金属配線Ｌ３，Ｌ１３の平面図である。
【００７７】
図１４（ａ）に示すように、金属配線Ｌ３，Ｌ１３のフィルドビア４３，１４３が形成される位置における幅Ｗは、フィルドビア４３，１４３の、金属配線Ｌ３，Ｌ１３の幅方向と一致する方向における長さ（径）Ｗ１未満であることが好ましい。金属配線Ｌ３，Ｌ１３のフィルドビア４３，１４３が形成される位置における幅Ｗを、フィルドビア４３，１４３の、金属配線Ｌ３，Ｌ１３の幅方向と一致する方向における長さ（径）Ｗ１未満とすることで、フィルドビア４３，１４３の幅が細くなりすぎ、導体層３６と導体層３２及び導体層１３６と導体層１３２の接続信頼性が低下するのを抑制することができる。
【００７８】
また、フィルドビア４３，１４３が形成される位置における金属配線Ｌ３，Ｌ１３の幅Ｗは、フィルドビア４３，１４３の、金属配線Ｌ３，Ｌ１３の幅方向と一致する方向における長さＷ１の０．５倍以上１．０倍未満であることが好ましい。フィルドビア４３，１４３が形成される位置における金属配線Ｌ３，Ｌ１３の幅Ｗを、フィルドビア４３，１４３の配線の幅方向における長さＷ１の０．５倍以上１．０倍未満とすることで、フィルドビア４３，１４３が細くなり導体層３６と導体層３２及び導体層１３６と導体層１３２との接続信頼性が低下するのを抑制することができるとともに、配線幅Ｗに比べてフィルドビア４３，１４３の幅方向における長さＷ１が長くなりすぎて、金属配線Ｌ３，Ｌ１３上に形成されているフィルドビア４３，１４３が傾いたり、倒れたりしてしまうことを抑制することができる。
【００７９】
また、金属配線Ｌ３，Ｌ１３が細く、金属配線Ｌ３，Ｌ１３上に直接フィルドビア４３，１４３を形成した場合、フィルドビア４３，１４３が傾いたり、倒れたりしてしまう虞がある際には、図１４（ｂ）に示すように、フィルドビア４３，１４３が形成される位置に、配線幅Ｗが太くなった幅太部Ｌ３ａ，Ｌ１３ａを設けることができる。フィルドビア４３，１４３が形成される位置に、配線幅が太くなった幅太部Ｌ３ａ，Ｌ１３ａを有することで、金属配線Ｌ３，Ｌ１３の線幅が狭い場合や、フィルドビア４３，１４３の幅方向における長さＷ１が長い、つまりフィルドビア４３，１４３の径が大きい場合にも、金属配線Ｌ３，Ｌ１３上に直接フィルドビア４３，１４３を形成することができる。
【００８０】
また、金属配線Ｌ３，Ｌ１３の幅太部Ｌ３ａ，Ｌ１３ａの延伸方向における長さＷ２は、フィルドビア４３，１４３の、金属配線Ｌ３，Ｌ１３の延伸方向と一致する方向における長さＷ１の０．５倍以上２．０倍以下とすることが好ましい。金属配線Ｌ３，Ｌ１３の延伸方向における幅太部Ｌ３ａ，Ｌ１３ａの長さＷ２を、金属配線Ｌ３，Ｌ１３の延伸方向におけるフィルドビア４３，１４３の長さＷ１の０．５倍以上２．０倍以下とすることで、幅太部Ｌ３ａ，Ｌ１３ａが延伸方向に長くなり、配線レイアウトの自由度が低下することを抑制することができる。
【００８１】
また、幅太部Ｌ３ａ，Ｌ１３ａが設けられた金属配線Ｌ３，Ｌ１３についても、金属配線Ｌ３，Ｌ１３のフィルドビア４３，１４３が形成される位置における幅Ｗは、フィルドビア４３，１４３の、金属配線Ｌ３，Ｌ１３の幅方向と一致する方向における長さ（径）Ｗ１未満であることが好ましく、フィルドビア４３，１４３の、金属配線Ｌ３，Ｌ１３の幅方向と一致する方向における長さの０．５倍以上１．０倍未満であることがより好ましい。
【００８２】
図１５及び図１６は、配線基板１００Ａの製造工程図である。以下、図１５及び図１６を参照して配線基板１００Ａの製造方法について説明する。なお、ビルドアップ工程以外の工程については、図１〜図１１を参照して説明した配線基板１００の製造方法と同じである。ここでは、配線基板１００Ａの製造方法のうちビルドアップ工程についてのみ説明し、その他の工程については重複した説明を省略する。
【００８３】
（ビルドアップ工程：図１５）
コア基板２の表面及び裏面に、樹脂絶縁層３１，１３１となるエポキシ樹脂を主成分とするフィルム状絶縁樹脂材料をそれぞれ重ね合わせて配置する。そして、この積層物を真空圧着熱プレス機で加圧加熱し、フィルム状絶縁樹脂材料を熱硬化させながら圧着する。次に、従来周知のレーザー加工装置を用いてレーザー照射を行い、樹脂絶縁層３１，１３１にビアホール４２ａ，１４２ａをそれぞれ形成する（図１５参照（ａ））。
【００８４】
続いて、樹脂絶縁層３１，１３１の表面を粗化した後、無電解めっきを行い、ビアホール４２ａ，１４２ａの内壁を含む樹脂絶縁層３１，１３１上に無電解銅めっき層を形成する。次に絶縁性の感光性樹脂を樹脂絶縁層３１，１３１上に形成された無電解銅めっき層上にラミネートして、露光・現像を行い、所望の形状に樹脂マスクＭＲ３，ＭＲ１３を形成する。その後、この樹脂マスクＭＲ３，ＭＲ１３をマスクとして、電解めっきにより、銅をめっきして、所望の銅めっきパターン（金属配線Ｌ３，Ｌ１３）を得る（図１５（ｂ）参照）。
【００８５】
（ビルドアップ工程：図１６）
次に、樹脂マスクＭＲ３，ＭＲ１３を剥離せずに、絶縁性の感光性樹脂をラミネートして、露光・現像を行い、所望の形状に樹脂マスクＭＲ４，ＭＲ１４を形成する。その後、この樹脂マスクＭＲ４，ＭＲ１４をマスクとして、電解めっきにより、銅をめっきして、所望の銅めっきパターン（フィルドビア４３，１４３）を得る（図１６（ａ）参照）。なお、樹脂マスクＭＲ３とＭＲ４，及びＭＲ１３とＭＲ１４は、それぞれ絶縁樹脂層３７，１３７となる。
【００８６】
続いて、フォトレジストを樹脂絶縁層３７，１３７上にラミネートして、露光・現像を行い、所望の形状に樹脂マスクＭＲ５，ＭＲ１５を形成する。その後、この樹脂マスクＭＲ５，ＭＲ１５をマスクとして、電解めっきにより、銅をめっきして、所望の銅めっきパターン（金属配線Ｌ２，Ｌ１２）を得る（図１６（ｂ）参照）。
【００８７】
以上のように、第１の実施形態の変形例に係る配線基板１００Ａでは、フィルドビア４３，１４３の形成時にレーザー照射ではなく、露光・現像によりフィルドビア４３，１４３用のビアホール４３ａ，１４３ｂを形成しているので、レーザー照射のストッパとなるビアランドを形成する必要がない。このため、フィルドビア４３，１４３を、それぞれ導体層３６，１３６を形成する金属配線Ｌ３，Ｌ１３上に直接形成することができる。
【００８８】
また、導体層３６，１３６を形成する金属配線Ｌ３，Ｌ１３のフィルドビア４３，１４３が形成される位置における幅を、フィルドビア４３，１４３の幅方向における長さの０．５倍以上１．０倍未満としている。このため、フィルドビア４３間及びフィルドビア１４３間の狭ピッチ化を可能とし、配線レイアウトの自由度が向上する。また、フィルドビア４３，１４３と導体層３６，１３６を形成する金属配線Ｌ３，Ｌ１３、及びフィルドビア４３，１４３と導体層３２，１３２を形成する金属配線Ｌ２，Ｌ１２との接続信頼性が低下するのを抑制することができる。
【００８９】
また、図１４（ｂ）に示すように、配線基板１００Ａの導体層３６，１３６を形成する金属配線Ｌ３，Ｌ１３は、フィルドビア４３，１４３が形成される位置に、配線幅が太くなった幅太部Ｌ３ａ，Ｌ１３ａを有することができる。フィルドビア４３，１４３が形成される位置に配線幅が太くなった幅太部Ｌ３ａ，Ｌ１３ａを有することで、径の大きいフィルドビア４３，１４３を金属配線Ｌ３，Ｌ１３上に直接形成することができる。また、フィルドビア４３，１４３と導体層３６，１３６を形成する金属配線Ｌ３，Ｌ１３、及びフィルドビア４３，１４３と導体層３２，１３２を形成する金属配線Ｌ２，Ｌ１２との接続信頼性が向上する。
【００９０】
さらに、幅太部Ｌ３ａ，Ｌ１３ａの導体層３６、１３６を形成する金属配線Ｌ３，Ｌ１３の延伸方向における長さは、フィルドビア４３，１４３の延伸方向における長さの０．５倍以上２．０倍以下とすることができる。幅太部Ｌ３ａ，Ｌ１３ａの導体層３６、１３６を形成する金属配線Ｌ３，Ｌ１３の延伸方向における長さを、フィルドビア４３，１４３の延伸方向における長さの０．５倍以上２．０倍以下とすることで、幅太部Ｌ３ａ，Ｌ１３ａが延伸方向に長くなりすぎ、配線レイアウトの自由度が低下することを抑制することができる。
【００９１】
なお、上記説明では、フィルドビア４３，１４３を導体層３６，１３６を形成する金属配線Ｌ３，Ｌ１３上に直接形成しているが、他のフィルドビア、例えば、フィルドビア４２，１４２についても導体層２１，２２を形成する金属配線Ｌ１，Ｌ１１上に直接形成するように構成してもよい。
【００９２】
（第２の実施形態）
図１７は、第２の実施形態に係る配線基板２００の平面図（表面側）である。図１７に示すように、接続端子Ｔ１は、シグナル用接続端子Ｔ１（破線で記載）として、該配線基板２００に実装される半導体チップ（部品）の実装領域（部品搭載領域）の外周部にのみ複数配列し、実装領域の中央部には、電源及びグランド用接続パッドＰ２（実線で記載）を複数配列する構成とすることが好ましい。接続端子Ｔ１を配線長が長くなり配線の引き回しが難しいシグナル用接続端子Ｔ１として使用することで、配線の引き回しが容易となり、配線レイアウトの自由度を向上することができる。また、実装領域の中央部に、電源及びグランド用接続パッドＰ２を複数配列することで、電源及びグランド用の配線長さを短くすることができる。
【００９３】
（第３の実施形態）
図１８は、第３の実施形態に係る配線基板３００の平面図（表面側）である。図１９は、図１８の線分Ｉ−Ｉにおける配線基板２００の一部断面図である。以下、図１８，図１９を参照して、配線基板３００の構成について説明するが、図１〜図１１を参照して説明した第１の実施形態に係る配線基板１００と同じ構成のものには同一の符号を付して重複した説明を省略する。
【００９４】
図１〜図１１を参照して説明した第１の実施形態に係る配線基板１００では、充填部材４の表面に、フィルム状のソルダーレジストをプレスして積層し、この積層したフィルム状のソルダーレジストを露光・現像して、各接続端子Ｔ１の表面及び側面を露出させるＮＳＭＤ形状の開口５ａが形成されたソルダーレジスト層５を形成している。しかしながら、図１８，図１９にソルダーレジスト層５を設けないようにしてもよい。なお、第３の実施形態に係る配線基板３００の効果については、第１の実施形態に係る配線基板１００と同じである。
【００９５】
（第４の実施形態）
図２０は、第４の実施形態に係る配線基板４００の平面図（表面側）である。図２１は、図２０の領域Ａの拡大平面図である。以下、図２０，図２１を参照して、配線基板４００の構成について説明するが、図１〜図１９を参照して説明した第１の実施形態〜第３の実施液体に係る配線基板１００〜３００と同じ構成のものには同一の符号を付して重複した説明を省略する。
【００９６】
この第４の実施形態に係る配線基板４００では、ソルダーレジスト層５の開口５ａを半導体チップの実装領域の周辺に設けたいわゆるペリフェラル形状としている。なお、第４の実施形態に係る配線基板４００の効果については、第１の実施形態に係る配線基板１００と同じである。
【００９７】
（その他の実施形態）
図１〜図２１を参照して説明した配線基板１００、１００Ａ、２００〜４００では、接続端子Ｔ１間にそれぞれ充填する充填部材４の上面は、平坦（フラット）となっていたが、充填部材４の上面は、必ずしも平坦（フラット）である必要はなく、例えば、図２２に示すように、充填部材４の上面が丸みを帯びた、いわゆるフィレット形状となっていても、同様の効果を得ることができる。
【００９８】
以上、本発明を具体例を挙げながら詳細に説明してきたが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。例えば、上記具体例では、配線基板１００、１００Ａ、２００〜４００が半田ボールＢを介してマザーボード等と接続するＢＧＡ基板である形態について説明しているが、半田ボールＢの代わりにピンもしくはランドを設けた、いわゆるＰＧＡ（Pin Grid Array）基板もしくはＬＧＡ（Land Grid Array）基板として配線基板１００、１００Ａ、２００〜４００をマザーボード等と接続するようにしてもよい。  
【００９９】
また、接続端子Ｔ１は、上面視で円形をなす柱状形状であったが、他の形状、例えば、上面視で四角をなす四角柱形状や上面視で三角をなす三角柱形状であってもよい。また、第１，第３の実施形態においても、図１７に示したように、接続端子Ｔ１は、シグナル用接続端子Ｔ１として、配線基板１００、１００Ａ，３００に実装される半導体チップ（部品）の実装領域（部品搭載領域）の外周側に配列し、実装領域の中央側には、電源及びグランド用接続パッドＰ２を配列する構成としてもよい。
【０１００】
さらに、本実施例では、第１の充填方法や第２の充填方法を採用した場合、充填部材４を形成した後にソルダーレジスト層５を形成しているが、ソルダーレジスト層５を形成した後に充填部材４を接続端子Ｔ１間に充填するようにしても良い。
【符号の説明】
【０１０１】
ＡＭ…アライメントマーク、Ｂ…半田ボール、Ｆ…主面、Ｌ…段差、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３…金属配線、Ｌ１１，Ｌ１２，Ｌ１３…金属配線、Ｌ２ａ，Ｌ３ａ，Ｌ１３ａ…幅太部、Ｍ…金属めっき層、ＭＲ１〜ＭＲ５，ＭＲ１１〜ＭＲ１５…樹脂マスク、Ｐ１，Ｐ２…パッド、Ｔ１，Ｔ１１…接続端子、１００，１００Ａ，２００〜４００…配線基板、２…コア基板、３…ビルドアップ層、４…充填部材、５…ソルダーレジスト層、５ａ，５ｂ…開口、１３…ビルドアップ層、１４…ソルダーレジスト層、１４ａ…開口、２１，２２…コア導体層、２３…スルーホール、２４…スルーホール導体、２５…樹脂製穴埋め材、３１…樹脂絶縁層、３１，１３１…樹脂絶縁層、３２，１３２…導体層、３４，１３４…導体層、３６，１３６…導体層、３７，１３７…樹脂絶縁層、４１…蓋めっき層、４２，４３，１４２，１４３…フィルドビア。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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