(57)【要約】【課題】露光条件ごとの結像特性変動を短時間で、かつ高精度に予測するのに有利な露光方法を提供する。【解決手段】この露光方法は、ある露光条件での投影光学系の結像特性変動を予測するための係数を求めるに際して、第１の露光条件を設定する工程（Ｓ１００）と、変動特性モデルに基づいて、係数と、収差計測再現性から求められる許容値とを決定する工程（Ｓ１０１）と、係数に基づいて、第１の露光条件での結像特性変動の予測量を算出する工程（Ｓ１０２）と、予測量が許容値よりも小さいかどうかを時刻ごとに判断する工程（Ｓ１０３）と、判断の工程にて小さいと判断された時刻から、第２の露光条件での結像特性変動の予測量の算出を開始する工程（Ｓ１０４）とを含む。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
原版に形成されているパターンを、投影光学系を介して基板上に露光する露光方法であって、
ある露光条件での前記投影光学系の結像特性変動を予測するための係数を求めるに際して、第１の露光条件を設定する工程と、
変動特性モデルに基づいて、前記係数と、収差計測再現性から求められる許容値とを決定する工程と、
前記係数に基づいて、前記第１の露光条件での前記結像特性変動の予測量を算出する工程と、
前記予測量が前記許容値よりも小さいかどうかを時刻ごとに判断する工程と、
前記判断の工程にて小さいと判断された前記時刻から、第２の露光条件での前記結像特性変動の予測量の算出を開始する工程と、
を含むことを特徴とする露光方法。
【請求項２】
前記許容値は、該許容値をＡとし、前記収差計測再現性をｆとし、定数をＣとすると、
Ａ＝Ｃ×（１／ｆ）
の条件を満たすことを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】
前記許容値は、該許容値をＡとし、前記収差計測再現性をｆとし、定数をＣ´とし、前記第１の露光条件での最大収差量をＦ１とすると、
Ａ＝Ｃ´×（Ｆ１／ｆ）
の条件を満たすことを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項４】
前記第１の露光条件にて複数の収差を独立して同時に評価する場合には、前記予測量が前記許容値よりも小さいかどうかの判断を、それぞれの前記収差に対して実行することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の露光方法。
【請求項５】
原版に形成されているパターンを、投影光学系を介して基板上に露光する露光装置であって、
前記原版を保持する原版保持部と、
前記基板を保持する基板保持部と、
ある露光条件での前記投影光学系の結像特性変動を予測するための係数を求めるに際して、第１の露光条件を設定し、変動特性モデルに基づいて、前記係数と、収差計測再現性から求められる許容値とを決定し、前記係数に基づいて、前記第１の露光条件での前記結像特性変動の予測量を算出し、前記予測量が前記許容値よりも小さいかどうかを時刻ごとに判断する工程と、前記判断の工程にて小さいと判断された前記時刻から、第２の露光条件での前記結像特性変動の予測量の算出し、前記予測量に基づいて、前記投影光学系、前記原版保持部、前記基板保持部の少なくともいずれか１つの位置姿勢を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項６】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の露光方法、または請求項５に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
その露光した基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光方法および露光装置、ならびにそれを用いたデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
露光装置は、半導体デバイスや液晶表示デバイスなどの製造工程に含まれるリソグラフィー工程において、原版（レチクルなど）のパターンを投影光学系を介して感光性の基板（表面にレジスト層が形成されたウエハなど）に転写する装置である。このような露光装置の重要な光学特性の１つに、例えば、複数工程にわたる各パターンを正確に重ね合わせるときのアライメント精度がある。このアライメント精度に影響を与える重要な要素としては、例えば投影光学系の倍率誤差がある。近年、要求されるパターンの大きさは、微細化の傾向を強め、それに伴いアライメント精度の向上も求められており、投影光学系の倍率を所定の値に保つことは、極めて重要である。ここで、投影光学系が露光エネルギーの一部を吸収すると、発生した熱に起因して投影光学系に温度変化が生じ、投影光学系の屈折率などの光学特性が変化する、いわゆる熱収差（露光収差）が発生することが知られている。特に、投影光学系に露光光が長時間照射され続けると、投影光学系の結像特性（例えば、フォーカス、倍率、歪曲収差、非点収差、波面収差）が変動し、その結果、アライメント計測時に発生し得る計測誤差が無視し得ない量だけ発生する可能性がある。
【０００３】
そこで、特許文献１は、投影光学系ヘの露光エネルギー照射状態による結像特性の変動量を、露光量、露光時間、および非露光時間などを変数とするモデル式で算出し、算出結果に基づいて投影光学系の結像特性変動を補正する投影光学装置を開示している。ここでのモデル式は、投影光学系固有の結像特性ごとの係数を有し、その係数を適切に設定することで上記結像特性変動を求める。また、特許文献２は、第１の露光条件で発生する収差変動が収まる前に、連続的に第２の露光条件で露光を行い、それぞれの露光条件での収差変動を予測する収差変動係数を決定することで、露光条件ごとの結像特性変動を効率的に予測する方法を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開昭６３−５８３４９号公報
【特許文献２】特開２００９−３２８７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に示す方法では、露光条件ごとに個別に係数を算出する際、決定精度を上げるために、第１の露光条件で発生した収差変動がほぼなくなるまで放置（冷却）する必要がある。したがって、考慮すべき露光条件が多い場合、熱的緩和現象の特性から収差変動が収まるまで多くの時間を要する。また、特許文献２に示す方法では、第１の露光条件での収差変動が収まる前に第２の露光条件で露光を開始するものであるが、この第２の露光条件の開始判断は、予め設定された所要時間が経過したか、または予め設定された必要な計測点数を取得したかに基づく。すなわち、この方法では、例えば所要時間が経過した後には、第１の露光条件での計測状態に関わらず、強制的に第２の露光条件での露光が開始される。したがって、例えば、計測誤差などの要因により第１の露光条件での収差変動係数に誤差が生じたときには、誤差を含んだまま第２の露光条件に移行することになり、第２の露光条件の収差変動係数を高精度に決定することが難しくなる。
【０００６】
本発明は、このような状況を鑑みてなされたものであり、例えば、露光条件ごとの結像特性変動を短時間で、かつ高精度に予測するのに有利な露光方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、原版に形成されているパターンを、投影光学系を介して基板上に露光する露光方法であって、ある露光条件での投影光学系の結像特性変動を予測するための係数を求めるに際して、第１の露光条件を設定する工程と、変動特性モデルに基づいて、係数と、収差計測再現性から求められる許容値とを決定する工程と、係数に基づいて、第１の露光条件での結像特性変動の予測量を算出する工程と、予測量が許容値よりも小さいかどうかを時刻ごとに判断する工程と、判断の工程にて小さいと判断された時刻から、第２の露光条件での結像特性変動の予測量の算出を開始する工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、例えば、露光条件ごとの結像特性変動を短時間で、かつ高精度に予測するのに有利な露光方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係る露光装置の構成を示す図である。
【図２】投影光学系の収差変動の例を示すグラフである。
【図３】収差変動の予測の流れを示すフローチャートである。
【図４】収差変動の予測を説明するグラフである。
【図５】複数種の露光条件での収差変動の同時予測を説明するグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。
【００１１】
まず、本発明の一実施形態に係る露光装置の構成について説明する。図１は、本実施形態の露光装置１の構成を示す概略図である。この露光装置１は、一例として、半導体デバイスの製造工程に使用され、ステップ・アンド・リピート方式にてレチクル（原版）２に形成されているパターン（例えば回路パターン）をウエハ３上（基板上）に露光する投影型露光装置とする。まず、露光装置１は、パルスレーザー光源４と、照明系５と、レチクルステージ６と、投影光学系７と、ウエハステージ８と、制御部９とを備える。
【００１２】
パルスレーザー光源４は、ＫｒＦやＡｒＦなどのガスが封入され、例えば２４８ｎｍ波長の遠紫外領域の光（レーザー）を発光する。照明系５は、共に不図示であるが、ビーム整形光学系およびオプティカルインテグレーターと、開口絞り１０を含む。ビーム整形光学系は、パルスレーザー光源４から射出された光を、所定のビーム形状に整形する。オプティカルインテグレーターは、その整形された光がレチクル２を均一な照度分布で照明するよう多数の２次光源を形成する。開口絞り１０は、その開口部の形状をほぼ円形としつつ可変とする。また、照明系５の光路上には、レチクル２を照明する光の一部を反射して取り出すハーフミラー１１が配置されている。さらに、ハーフミラー１１の反射光の光路上には、光の強度（露光エネルギー）に対応した出力を発生させる紫外光用のフォトセンサー１２が配置されている。レチクルステージ（原版保持部）６は、レチクル２を載置および保持し、３次元方向に移動可能である。投影光学系７は、レチクル２に形成されているパターンの像を縮小倍率β（例えば１／４）で縮小し、感光性のレジストが塗布されたウエハ３上の１つのショット（パターン転写領域）に投影する。投影光学系７の瞳面（レチクル２に対するフーリエ変換面）上には、開口部がほぼ円形の開口絞り１３が配置されており、モーターなどの駆動手段１４により、その開口部の直径が制御される。また、投影光学系７の瞳面の上流側には、フィールドレンズ駆動装置１５が配置されている。フィールドレンズ駆動装置１５は、投影光学系７のレンズ系の一部を構成しているフィールドレンズを、空気圧や圧電素子などを利用して投影光学系７の光軸上に移動させることで、投影光学系７に発生する諸収差の悪化を抑える。ウエハステージ（基板保持部）８は、ウエハ３を載置および保持し、３次元方向に移動可能であり、モーターなどの駆動手段１６により、投影光学系７の光軸方向（Ｚ軸方向）、およびこの方向に直交する面内（Ｘ−Ｙ面）を移動できる。ウエハステージ８のＸ−Ｙ面位置は、ウエハステージ８に固定された移動鏡１７との間の距離をレーザー干渉計１８で計測することで求められる。
【００１３】
制御部９は、主制御部２０と、レーザー制御部２１と、照明系制御部２２と、撮影レンズ制御部２３と、ウエハステージ制御部２４とを含む。主制御部２０は、露光装置１の各構成要素の制御部（各制御回路）に回線を介して接続され、各構成要素を統括的に制御し得る。レーザー制御部２１は、パルスレーザー光源４の動作を制御するものであり、具体的には、ガス交換動作の制御、波長安定化のための制御、または放電印加電圧の制御などを実行する。照明系制御部２２は、開口絞り１０の開口部の直径を所望の径となるように制御し、照明系５の開口数（ＮＡ）を所望の値に設定可能する。さらに、照明系制御部２２は、フォトセンサー１２の出力を主制御部２０へ送信する。撮影レンズ制御部２３は、開口絞り１３用の駆動手段１４およびフィールドレンズ駆動装置１５の動作を制御する。ウエハステージ制御部２４は、レーザー干渉計１８からの出力に基づいてウエハステージ８の位置を求め、この位置に基づいて駆動手段１６を制御することで、ウエハステージ８を所定のＸ−Ｙ面位置へ移動させる。
【００１４】
また、露光装置１は、投光光学系３０と検出光学系３１とで構成されるフォーカス面検出手段を備える。投光光学系３０は、ウエハ３上のレジストを感光させない非露光光からなる複数個の光束を投光する。投光された光束は、ウエハ３上にそれぞれ集光されて反射する。そして、検出光学系３１は、その内部に、ウエハ３上で反射した各光束に対応する複数個の位置検出用の受光素子を有し、それぞれ反射光束を受光する。各受光素子の受光面とウエハ３上での各光束の反射点とは、結像光学系によりほぼ共役となるように構成されている。したがって、投影光学系７の光軸方向におけるウエハ３上での位置ずれは、検出光学系３１内の受光素子上の入射光束の位置ずれとして計測される。
【００１５】
このような構成のもと、露光装置１は、ウエハ３上にパターンを露光するのであるが、この露光において投影光学系７が露光エネルギーの一部を吸収すると、発生した熱に起因して、投影光学系７の屈折率などの光学特性が変化する場合がある。これにより、いわゆる熱収差（露光収差）が発生し、特に、投影光学系に露光光が長時間照射され続けると、投影光学系７の結像特性が変動し、その結果、例えば、アライメント計測時に発生し得る計測誤差が無視し得ない量だけ発生する可能性がある。ここで、「結像特性」とは、フォーカス、倍率、歪曲収差、非点収差、球面収差、コマ収差、または波面収差のうちの少なくともいずれか１つをいう。そして、これらの収差は、それぞれその露光時の露光条件により変化する。ここで、「露光条件」とは、有効光源の形状、レチクル２に形成されているパターン形状、または露光領域などをいう。そこで、本実施形態では、露光条件ごとの変化に対応して、以下のように収差変動（結像特性変動）を効率的に予測することで、特に投影光学系７に関する収差変動の影響を抑える。
【００１６】
まず、本実施形態に係る露光エネルギー照射による投影光学系７の収差変動のモデル式と、このモデル式を定量化し、露光条件ごとの収差変動を補償するための収差変動係数（係数）について説明する。図２は、露光による投影光学系７の収差変動の一例を示すグラフである。ここで、横軸は、時間（時刻）ｔを示し、縦軸は、投影光学系７のある像高における収差量Ｆを示している。また、Ｆ１−Ｆ０は、収差変化量を表し、一般的には像高ごとに異なる値をとる。投影光学系７の結像特性値としての初期の収差量を初期収差量Ｆ０として、時刻ｔ０からパルスレーザー光源４より投影光学系７に対して光の照射が開始されると、時間とともに収差が変動し、時刻ｔ１で一定の最大収差量Ｆ１に安定する。その後、引き続き光を投影光学系７に照射しても、投影光学系７に吸収されて熱となるエネルギーと、投影光学系７より放出される熱エネルギーとが平衡状態に達し、収差量は、最大収差量Ｆ１から変化しない。そして、時刻ｔ２で露光が停止されると、収差量は、時間とともに元の状態に戻り、時刻ｔ３では初期収差量Ｆ０になる。さらに、図２に示すＴＳ１およびＴＳ２は、時定数であり、投影光学系７の熱伝達特性上の時定数と等価である。これらの時定数ＴＳ１、ＴＳ２は、投影光学系７に固有の値であり、かつ収差ごとに異なる値であるので、投影光学系７の検査時に、装置ごと、かつ収差ごとに取得される。
【００１７】
図２に示される最大収差量Ｆ１は、単位光量（単位露光エネルギー）あたりの収差変動量Ｋと、実露光エネルギーを決定する露光条件（露光時間、露光量、走査速度、または露光領域情報など）のパラメーターＱとを用いて、式（１）で表される。
Ｆ１＝Ｋ×Ｑ      （１）
ここで、ある時刻ｔにおける収差量をΔＦ（ｔ）とすると、それから時間Δｔ露光した後の収差量ΔＦ（ｔ＋Δｔ）は、最大収差量Ｆ１と、収差ごとに保存している時定数ＴＳ１、ＴＳ２とより、式（２）のように近似される。
ΔＦ（ｔ＋Δｔ）＝ΔＦ（ｔ）＋Ｆ１×（１−ｅｘｐ（−Δｔ／ＴＳ１））      （２）
同様に、時間Δｔ露光しなかった場合は、式（３）のように近似される。
ΔＦ（ｔ＋Δｔ）＝ΔＦ（ｔ）×ｅｘｐ（−Δｔ／ＴＳ２）      （３）
【００１８】
そして、図２に示される曲線を、上記の式（１）〜（３）の関数でモデル化することにより、露光熱により発生し得る投影光学系７の収差変動を予測することができる。この例で言えば、得られる変動特性モデルは、投影光学系７への光の照射中における収差変動を表す露光モデルと、その照射を停止した状態における収差変動を表す非露光モデルとを含み、前者は、式（２）で、後者は、式（３）で表されることになる。なお、上記の式（１）〜（３）は、一例であり、他の式を用いてモデル化することもあり得る。
【００１９】
図３は、本実施形態における投影光学系７の収差変動の予測の流れを示すフローチャートである。まず、主制御部２０は、収差変動係数を求める露光条件を第１の露光条件として設定する（ステップＳ１００）。次に、主制御部２０は、変動特性モデル（ここでは露光モデル）に基づいて、第１の露光条件での収差変動を予測する収差変動係数（最適な補正モデル）と、許容値Ａとを決定する（ステップＳ１０１）。このとき、主制御部２０は、第１の露光条件に基づいて初期収差量Ｆ０も算出する。次に、主制御部２０は、ステップＳ１０１にて得られた収差変動係数を露光モデルと非露光モデルとのそれぞれの近似式に適用して、時刻Ｔにおける収差変動係数からの予測量（露光収差の予測量）Ｆ（Ｔ）を算出する（ステップＳ１０２）。
【００２０】
図４は、本実施形態における収差変動の予測を説明するためのグラフであり、図２と同様に、横軸は、時間（時刻）Ｔを示し、縦軸は、投影光学系７のある像高における収差量Ｆを示している。図４中の破線は、収差変動係数からの予測量を示し、一方、図４中の実線は、真の露光収差の発生量を示す。図４にて実線と破線とを比較するとわかるとおり、収差変動係数からの予測量は、真の露光収差の発生量と必ずしも一致しない。この収差変動係数からの予測量と真の露光収差の発生量との差は、収差を計測する際の計測器による誤差に起因するものである。以下、各露光条件によらない計測器精度から発生する収差計測再現性をｆと表す。
【００２１】
一方、許容値Ａは、収差計測再現性ｆと定数Ｃとを用いて、式（４）で表される。
Ａ＝Ｃ×（１／ｆ）      （４）
さらに、許容値Ａは、収差計測再現性ｆおよび定数Ｃ´に加え、第１の露光条件での最大収差量Ｆ１を用いて、式（５）で表される。
Ａ＝Ｃ´×（Ｆ１／ｆ）      （５）
ここで、定数Ｃおよび定数Ｃ´は、考慮する収差の種類に合わせて予め決定される。例えば、考慮する収差が倍率に関するものである場合には、投影光学系７を含む露光装置１の構成にて一意に決定される。ただし、許容値Ａは、計測誤差や必要な露光収差の補正精度により、適宜変更してもよい。
【００２２】
次に、主制御部２０は、ステップＳ１０２にて得られた予測量Ｆ（Ｔ）が許容値Ａよりも小さいかどうか判断する（ステップＳ１０３）。ここで、主制御部２０は、予測値Ｆ（Ｔ）が許容値Ａよりも小さい（Ｆ（Ｔ）＜Ａが成立する）と判断した場合（ＹＥＳ）、次に、第２の露光条件での収差変動の予測を開始する（ステップＳ１０４）。ここで、Ｆ（Ｔ）＝Ａとなる時刻ＴをＴｄ（図４参照）とする。時刻Ｔｄは、第１の露光条件や、収差の計測誤差や必要な露光収差の補正精度によって変化する。また、図４では、予測量Ｆ（Ｔ）が許容値Ａを下回ったら直ちに非露光モデルを終了し、第２の露光条件の予測を開始すること示している。一方、ステップＳ１０３において、主制御部２０は、予測値Ｆ（Ｔ）が許容値Ａよりも大きいと判断した場合には（ＮＯ）、ステップＳ１０２に戻り、Ｆ（Ｔ）＜Ａが成立する時刻Ｔｄまで判断を繰り返す。
【００２３】
このように、露光装置１は、まず、第１の露光条件で発生した収差変動がほぼなくなるまで放置（冷却）する必要がないため、第２の露光条件での収差変動の予測を早期に開始することでき、すなわち、露光条件ごとの収差変動を短時間で予測することができる。そして、第１の露光条件に引き続き、第２の露光条件での収差変動の予測を短時間で、かつ高精度に求めるためには、照射を停止した状態における収差変動を表す非露光モデルの時間を最適化することが要求される。これに対して、露光装置１は、予測値Ｆ（Ｔ）が許容値Ａを下回った時点で、第２の露光条件での収差変動の予測を開始する。特に、本実施形態にて使用する許容値Ａは、収差計測再現性を考慮して算出されたものである。したがって、従来の方法で考えられた、計測誤差などの要因により第１の露光条件での収差変動係数に誤差が生じたときに、第２の露光条件の収差変動係数を高精度に決定することが難しくなるという状況が発生しづらくなる。これは、露光装置１が露光条件ごとの収差変動を高精度に予測することができることを意味する。
【００２４】
以上のように、本実施形態によれば、露光条件ごとの収差変動、すなわち結像特性変動を短時間で、かつ高精度に予測するのに有利な露光方法または露光装置を提供することができる。
【００２５】
なお、上記説明では、複数の露光条件（第１の露光条件、第２の露光条件）があり、それらはそれぞれ１つの露光条件（このときの収差（収差量）は、例えば露光時間や露光量などの考慮すべき複数の要因をすべて含んだものである）で成り立っている。しかしながら、本発明は、これに限定するものではなく、例えば、第１の露光条件に独立した複数種の露光条件を含み、これらを同時に評価するものとしてもよい。ここでいう複数種の露光条件は、例えば、露光時間（第１ａの露光条件）と、露光量（第１ｂの露光条件）とである。このように複数の収差を独立して同時に評価する場合には、図３に示すフローチャートを参照すれば、主制御部２０は、ステップＳ１０３にて、それぞれの収差について同様な判断を実行すればよい。図５は、この場合の収差変動の予測を説明するためのグラフであり、図４と同様に、横軸は、時間（時刻）Ｔを示し、縦軸は、投影光学系７のある像高における収差量Ｆを示している。図５中の破線は、第１ａの露光条件に関する収差変動係数からの予測量を示し、この予測量Ｆ（Ｔ）が許容値Ａを下回ったら直ちに非露光モデルを終了し、第２の露光条件の予測を開始すること示す。そして、この時の時刻Ｔは、Ｔｄ１である。一方、図５中の一点鎖線は、第１ｂの露光条件に関する収差変動係数からの予測量を示し、この予測量Ｆ（Ｔ）が許容値Ａを下回ったら直ちに非露光モデルを終了し、第２の露光条件の予測を開始すること示す。そして、この時の時刻Ｔは、Ｔｄ２である。
【００２６】
さらに、ここまで収差変動の予測について説明したが、露光装置１は、次にこの予測に基づいて収差変化量を実際に補正することになる。この補正方法（またはこれを行う補正機構）は、収差の種類などにより異なるが、本発明では、特に限定するものではない。いくつかの例として、まず、投影光学系７に、その投影光学系７を構成するレンズ（光学素子）を所望の方向に精密駆動させる駆動機構が存在する場合、その駆動機構により、例えば、光軸に非対称に発生している収差を補正することができる。また、ウエハステージ８の駆動量の制御と合わせることにより、投影光学系７内のレンズの偏心に伴う像のアライメント誤差を低減させることができる。さらに、フォーカスを補正する場合には、投影光学系７だけでなく、レチクルステージ６またはウエハステージ８をＺ軸方向または傾斜駆動させることにより、位置姿勢を補正することができる。
【００２７】
（デバイスの製造方法）
次に、本発明の一実施形態のデバイス（半導体デバイス、液晶表示デバイスなど）の製造方法について説明する。半導体デバイスは、ウエハに集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程を経ることにより製造される。前工程は、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたウエハを露光する工程と、ウエハを現像する工程を含む。後工程は、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）と、パッケージング工程（封入）を含む。液晶表示デバイスは、透明電極を形成する工程を経ることにより製造される。透明電極を形成する工程は、透明導電膜が蒸着されたガラス基板に感光剤を塗布する工程と、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたガラス基板を露光する工程と、ガラス基板を現像する工程を含む。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。
【００２８】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００２９】
１    露光装置
２    レチクル
３    ウエハ
７    投影光学系
【図１】
2014143306.tif 000003
【図２】
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【図３】
2014143306.tif 000005
【図４】
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【図５】
2014143306.tif 000007