(57)【要約】【課題】レーザー加工の際に生じるデブリが再度被加工物に付着することを抑制できるレーザー加工装置を提供すること。【解決手段】レーザー加工装置１は被加工物Ｗを保持するチャックテーブル１０と被加工物Ｗの表面ＷＳにレーザー光線Ｌを照射するレーザー光線照射手段２０とデブリ排出手段４０を備えている。デブリ排出手段４０は吸引路４５と液溜部４２と流出デブリ検出器４３を備えている。吸引路４５は吸引口４４から斜め上方に延出して吸引源４６と連通している。液溜部４２は吸引路４５の吸引口４４近傍の底面４５ａに設けられて底面４５ａを逆流して流れ落ちる液状デブリＤ２を貯留する。流出デブリ検出器４３は吸引路４５の液溜部４２と吸引口４４の間の液溜部４２近傍に設けられて液溜部４２の貯留量を超えて吸引口４４に向かって逆流する液状デブリＤ２を検出する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された該被加工物の表面に該被加工物に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成する集光器を備えたレーザー光線照射手段と、レーザー光線の照射によって加工点付近に生成されるデブリを該集光器の下方に設置した吸引口から吸引して排出するデブリ排出手段と、を備えたレーザー加工装置において、
該デブリ排出手段は、
該吸引口から斜め上方に延出して吸引源と連通する吸引路と、
斜め上方に延出する該吸引路の該吸引口近傍の底面に設けられ、該吸引路に付着して該底面を逆流して流れ落ちる該デブリを貯留する液溜部と、
該吸引路の該液溜部と該吸引口の間の該液溜部近傍に設けられ、該液溜部の貯留量を超え該液溜部から流出し該吸引口に向かって逆流する該デブリを検出する流出デブリ検出器と、を備えることを特徴とするレーザー加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザー加工装置に関する。特に、アブレーション加工を実施するレーザー加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等のデバイスが形成された半導体ウエーハや、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子等のデバイスが形成されたサファイヤウエーハの分割予定ラインをレーザー加工装置によってレーザー光線を照射し、表面に溝を形成することで個々のデバイスに分割し、携帯電話、ＰＣ（Personal Computer）、ＬＥＤライト等の電子機器が製造されている。
【０００３】
この加工工程において、半導体ウエーハやサファイヤウエーハにレーザー光線を照射するとデブリと呼ばれる微細な粉塵が発生・散してデバイスの表面に堆積し、デバイスの品質を低下させることが知られている。その対策として、保護膜を予め塗付してからレーザー加工を施し、保護膜とともに保護膜上に付着したデブリごと洗浄して除去してしまう加工方法や、対物レンズの光軸に沿ってエアーを噴出する噴出口を備えると共に噴出口の周りからデブリを吸引してデブリがデバイスの表面に堆積するのを防止するレーザー加工装置が提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２及び特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−６９２４９号公報
【特許文献２】特開２０１１−１８９４００号公報
【特許文献３】特開２００６−０３２４１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、実際に加工すると、保護膜やウエーハ自体から発生した気化したデブリが、デブリを吸引する機構に付着して液化して堆積し、堆積した液化したデブリが再度ウエーハ上に落下して、再度ウエーハに付着する虞があった。
【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、レーザー加工の際に生じるデブリが再度被加工物に付着することを抑制できるレーザー加工装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のレーザー加工装置は、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された該被加工物の表面に該被加工物に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成する集光器を備えたレーザー光線照射手段と、レーザー光線の照射によって加工点付近に生成されるデブリを該集光器の下方に設置した吸引口から吸引して排出するデブリ排出手段と、を備えたレーザー加工装置において、該デブリ排出手段は、該吸引口から斜め上方に延出して吸引源と連通する吸引路と、斜め上方に延出する該吸引路の該吸引口近傍の底面に設けられ、該吸引路に付着して該底面を逆流して流れ落ちる該デブリを貯留する液溜部と、該吸引路の該液溜部と該吸引口の間の該液溜部近傍に設けられ、該液溜部の貯留量を超え該液溜部から流出し該吸引口に向かって逆流する該デブリを検出する流出デブリ検出器と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のレーザー加工装置は、吸引路の内面に付着した液化したデブリが液溜部に貯留されるので、液化したデブリが吸引路を逆流して被加工物に向かって逆流することを抑制できる。また、レーザー加工装置は、万が一、液溜部から液化したデブリが流出した場合、流出デブリ検出器によってデブリが流出したことを一早く確認できる。このために、流出デブリ検出器によってデブリが流出したことを確認すると、早急に加工を停止し、被加工物を退避させることができるため、被加工物に流出したデブリが付着する事を抑制することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、実施形態に係るレーザー加工装置の構成例を示す図である。
【図２】図２は、実施形態に係るレーザー加工装置のレーザー光線照射手段とデブリ排出手段などの構成を模式的に示す断面図である。
【図３】図３は、実施形態に係るレーザー加工装置のデブリ排出手段の液溜部からデブリが流出した状態を模式的に示す断面図である。
【図４】図４は、実施形態に係るレーザー加工装置の液溜部のデブリを検出するフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１１】
〔実施形態〕
本発明の実施形態に係るレーザー加工装置を図面に基いて説明する。図１は、実施形態に係るレーザー加工装置の構成例を示す図である。図２は、実施形態に係るレーザー加工装置のレーザー光線照射手段とデブリ排出手段などの構成を模式的に示す断面図である。図３は、実施形態に係るレーザー加工装置のデブリ排出手段の液溜部からデブリが流出した状態を模式的に示す断面図である。
【００１２】
実施形態１に係るレーザー加工装置１は、被加工物Ｗに一旦保護膜Ｐ（図２及び図３に示す）を被覆した後、この保護膜Ｐが被覆された被加工物Ｗを保持したチャックテーブル１０と、レーザー光線照射手段２０とを相対移動させることで、被加工物Ｗにアブレーション加工を施して、被加工物Ｗにレーザー加工溝Ｓ（図２及び図３に示す）を形成するものである。
【００１３】
ここで、被加工物Ｗは、レーザー加工装置１によりレーザー加工される被加工物であり、本実施形態ではシリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。被加工物Ｗは、図１に示すように、表面ＷＳに形成された複数のデバイスＤが複数のストリートによって格子状に区画されている。被加工物Ｗは、図１に示すように、デバイスＤが複数形成されている表面ＷＳの反対側の裏面が粘着テープＴに貼着され、被加工物Ｗに貼着された粘着テープＴに環状フレームＦが貼着されることで、環状フレームＦに固定される。また、被加工物Ｗの表面ＷＳには、層間絶縁膜材料としてＬｏｗ−ｋ材料（主に、ポーラス材料）で構成された図示しない所謂Ｌｏｗ−ｋ膜が形成されている。
【００１４】
レーザー加工装置１は、図１に示すように、チャックテーブル１０と、レーザー光線照射手段２０と、デブリ排出手段４０と、制御手段９０とを含んで構成されている。レーザー加工装置１は、更に、レーザー加工前後の被加工物Ｗを収容するカセット５０が載置されたカセットエレベータ（図示せず）と、レーザー加工前後の被加工物Ｗを一時的に載置する仮置き手段６０と、レーザー加工前の被加工物Ｗに保護膜Ｐを被覆しかつレーザー加工後の被加工物Ｗから保護膜Ｐを除去する保護膜形成兼洗浄手段７０と、を含んで構成されている。さらに、レーザー加工装置１は、チャックテーブル１０とレーザー光線照射手段２０とをＸ軸方向に相対移動させる図示しないＸ軸移動手段と、チャックテーブル１０とレーザー光線照射手段２０とをＹ軸方向に相対移動させる図示しないＹ軸移動手段と、チャックテーブル１０とレーザー光線照射手段２０とをＺ軸方向に相対移動させる図示しないＺ軸移動手段とを含んで構成されている。
【００１５】
カセット５０は、粘着テープＴを介して環状フレームＦに貼着された被加工物Ｗを複数枚収容するものである。カセット５０は、レーザー加工装置１の装置本体２にＺ軸方向に昇降自在に設けられている。
【００１６】
仮置き手段６０は、カセット５０からレーザー加工前の被加工物Ｗを一枚取り出すとともに、レーザー加工後の被加工物Ｗをカセット５０内に収容するものである。仮置き手段６０は、レーザー加工前の被加工物Ｗをカセット５０から取り出すとともにレーザー加工後の被加工物Ｗをカセット５０内に挿入する搬出入手段６１と、レーザー加工前後の被加工物Ｗを一時的に載置する一対のレール６２とを含んで構成されている。
【００１７】
保護膜形成兼洗浄手段７０は、一対のレール６２上のレーザー加工前の被加工物Ｗが第１の搬送手段８１により搬送されてきて、このレーザー加工前の被加工物Ｗに保護膜Ｐを被覆するものである。また、保護膜形成兼洗浄手段７０は、レーザー加工後の被加工物Ｗが第２の搬送手段８２により搬送されてきて、このレーザー加工後の被加工物Ｗの保護膜Ｐを除去するものである。保護膜形成兼洗浄手段７０は、スピンナテーブル７１を有し、レーザー加工前後の被加工物Ｗを保持しＺ軸方向と平行な軸心回りに回転するスピンナテーブル７１と、スピンナテーブル７１上のレーザー加工前の被加工物Ｗに保護膜Ｐを構成するＰＶＡ、ＰＥＧやＰＥＯ等の水溶性樹脂を含んだ液状樹脂を噴射する塗布ノズル（図示せず）と、スピンナテーブル７１上のレーザー加工後の被加工物Ｗから保護膜Ｐを除去する洗浄液を噴射する洗浄ノズル（図示せず）とを備えている。
【００１８】
チャックテーブル１０は、保護膜形成兼洗浄手段７０のスピンナテーブル７１上のレーザー加工前の保護膜Ｐが形成された被加工物Ｗが第２の搬送手段８２により載置されてきて、当該被加工物Ｗを保持するものである。チャックテーブル１０は、表面を構成する部分がポーラスセラミック等から形成された円盤形状であり、図示しない真空吸引経路を介して図示しない真空吸引源と接続され、表面に載置された被加工物Ｗを吸引することで保持する。チャックテーブル１０は、Ｘ軸移動手段により、カセット５０近傍の搬出入領域ＴＲとレーザー光線照射手段２０近傍の加工領域ＰＲとに亘ってＸ軸方向に移動自在に設けられ、かつＹ軸移動手段によりＹ軸方向に移動自在に設けられているとともに図示しない基台駆動源により中心軸線（Ｚ軸と平行である）回りに回転自在に設けられている。
【００１９】
レーザー光線照射手段２０は、装置本体２に設けられた加工領域ＰＲに設けられ、かつチャックテーブル１０に保持された被加工物Ｗの表面ＷＳにレーザー光線Ｌ（図２などに示す）を照射して、アブレーション加工によりレーザー加工溝Ｓを形成するものである。レーザー光線Ｌは、被加工物Ｗに対して吸収性を有する波長のレーザー光線である。レーザー光線照射手段２０は、チャックテーブル１０に保持された被加工物Ｗに対して、Ｚ軸移動手段によりＺ軸方向に移動自在に設けられている。レーザー光線照射手段２０は、下方が開口したケース２１と、レーザー光線Ｌを発振する発振器（図示せず）と、ケース２１内に収容されかつ発振器により発振されたレーザー光線Ｌを被加工物Ｗの表面ＷＳに照射してレーザー加工溝Ｓを形成する集光器２２とを備えている。
【００２０】
ケース２１のＸ軸方向に搬出入領域ＴＲから離れた側の側壁２１ａの下端部には、排出口２３が開口している。発振器は、被加工物Ｗの種類、加工形態などに応じて、発振するレーザー光線Ｌの周波数が適宜調整される。発振器として、例えば、ＹＡＧレーザー発振器やＹＶＯレーザー発振器などを用いることができる。集光器２２は、発振器により発振されたレーザー光線Ｌの進行方向を変更する全反射ミラーやレーザー光線Ｌを集光する集光レンズなどを含んで構成される。
【００２１】
デブリ排出手段４０は、レーザー光線Ｌの照射によって加工点ＲＰ（図２及び図３に示す）付近に生成される液状又は気化したデブリＤ１（図２及び図３に示す）を吸引口４４から吸引して排出するものである。デブリ排出手段４０は、図２及び図３に示すように、吸引筒４１と、液溜部４２と、流出デブリ検出器４３とを備えている。吸引筒４１は、四角筒状に形成され、一端の吸引口４４がレーザー光線照射手段２０の排出口２３と連通するように、一端がケース２１に取り付けられる。吸引口４４は、集光器２２の下方に設置される。吸引筒４１は、ケース２１に着脱自在である。吸引筒４１の内側には、吸引路４５が形成されている。吸引筒４１即ち吸引路４５は、吸引口４４から斜め上方に延出して真空ポンプなどの吸引源４６と連通している。吸引筒４１即ち吸引路４５は、搬出入領域ＴＲから離れる方向に、ケース２１即ち吸引口４４から延びている。
【００２２】
液溜部４２は、吸引口４４から吸引源４６に向かって斜め上方に延出する吸引路４５の吸引口４４近傍の底面４５ａに設けられている。液溜部４２は、吸引路４５の内面に付着して底面４５ａを吸引口４４に向かって逆流して流れ落ちる液状デブリＤ２を貯留するものである。液溜部４２は、底面４５ａに形成された段部４７により形成された空間である。
【００２３】
流出デブリ検出器４３は、吸引路４５の液溜部４２と吸引口４４の間の液溜部４２近傍に設けられている。流出デブリ検出器４３は、液溜部４２の貯留量を超えて液溜部４２から流出して、吸引口４４に向かって逆流する液状デブリＤ２を検出するものである。流出デブリ検出器４３は、ＬＤ（Laser Diode）などの発光素子４８と、発光素子４８が出射した光を受光するＰＤ（Photodiode）などの受光素子４９とを備えている。流出デブリ検出器４３は、受光素子４９が受光した発光素子４８からの光の強さは、所定の強さを下回ると、吸引口４４に向かって逆流する液状デブリＤ２を検出する。
【００２４】
なお、この所定の強さは、発光素子４８と受光素子４９との間に吸引口４４に向かって逆流する液状デブリＤ２が位置した時に、受光素子４９が受光する光の強さである。吸引口４４から吸引された液状又は気化したデブリＤ１（図２及び図３に示す）が発光素子４８と受光素子４９との間を通った時に受光素子４９が受光する光の強さよりも、所定の強さは下回る。本実施形態では、液溜部４２と吸引口４４との間の底面４５ａに発光素子４８を設け、液溜部４２と吸引口４４との間の底面４５ａに対向する天井面４５ｂに受光素子４９を設けている。
【００２５】
制御手段９０は、レーザー加工装置１を構成する上述した構成要素をそれぞれ制御するものである。制御手段９０は、被加工物Ｗに対する加工動作をレーザー加工装置１に行わせるものである。また、制御手段９０は、被加工物Ｗに対する加工動作をレーザー加工装置１に行わせる際、即ち、レーザー光線照射手段２０から被加工物Ｗの表面ＷＳにレーザー光線Ｌを照射する際に、デブリ排出手段４０の吸引源４６に吸引口４４から気体を吸引させるものでもある。なお、制御手段９０は、例えばＣＰＵ等で構成された演算処理装置やＲＯＭ、ＲＡＭ等を備える図示しないマイクロプロセッサを主体として構成されており、加工動作の状態を表示する表示手段８３や、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる図示しない操作手段と接続されている。
【００２６】
次に、実施形態に係るレーザー加工装置１を用いた被加工物Ｗのレーザー加工方法について説明する。まず、デバイスＤが形成された表面ＷＳの裏面に粘着テープＴを貼着し、さらに、粘着テープＴに環状フレームＦを貼着する。そして、環状フレームＦに粘着テープＴを介して貼着された被加工物Ｗをカセット５０内に収容する。
【００２７】
そして、オペレータが加工内容情報を制御手段９０に登録し、オペレータから加工動作の開始指示があった場合に、レーザー加工装置１が加工動作を開始する。加工動作において、制御手段９０が、レーザー加工前の被加工物Ｗを搬出入手段６１によりカセット５０から仮置き手段６０まで搬出し、仮置き手段６０の一対のレール６２上に載置した後、第１の搬送手段８１により保護膜形成兼洗浄手段７０のスピンナテーブル７１まで搬送し、スピンナテーブル７１に保持させる。そして、制御手段９０が、スピンナテーブル７１を降下した後、スピンナテーブル７１を中心軸線回りに回転させながら、塗布ノズルから液状樹脂をスピンナテーブル７１上の被加工物Ｗに噴出させる。すると、遠心力により液状樹脂がスピンナテーブル７１に保持された被加工物Ｗの外周に移動する。所定時間経過後に、スピンナテーブル７１を停止し、塗布ノズルからの液状樹脂の塗布を停止する。被加工物Ｗの表面ＷＳに塗付された液状樹脂が硬化することで、被加工物Ｗの表面ＷＳは、液状樹脂で構成された保護膜Ｐに被覆される。保護膜Ｐの被覆が終了すると、制御手段９０が、スピンナテーブル７１を上昇させ、第２の搬送手段８２にスピンナテーブル７１から保護膜Ｐが被覆された被加工物Ｗを、搬出入領域ＴＲのチャックテーブル１０まで搬送させ、チャックテーブル１０に保持させる。
【００２８】
次に、制御手段９０は、Ｘ軸移動手段及びＹ軸移動手段によりチャックテーブル１０を加工領域ＰＲに向かって移動して、撮像手段でチャックテーブル１０に保持された被加工物Ｗを撮像し、チャックテーブル１０に保持された被加工物Ｗのストリートと、レーザー光線Ｌを照射するレーザー光線照射手段２０の集光器２２との位置合わせを行なうためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射手段２０のアライメントを遂行する。
【００２９】
次に、制御手段９０は、アライメント情報などに基づいて、Ｘ軸移動手段及びＹ軸移動手段によりチャックテーブル１０を加工領域ＰＲに移動させ、基台駆動源によりチャックテーブル１０を加工領域ＰＲにおいて中心軸線回りに回転させ、Ｚ軸移動手段によりレーザー光線照射手段２０を移動させて、所定のストリートの一端を集光器２２の直下に位置付ける。そして、制御手段９０は、レーザー光線照射手段２０の集光器２２からレーザー光線Ｌを照射しつつ、吸引源４６に吸引口４４から気体を吸引させて、被加工物Ｗを保持したチャックテーブル１０を、Ｘ軸移動手段によりレーザー光線照射手段２０に対して所定のストリートに沿って、所定の加工速度で移動させる。こうして、制御手段９０は、被加工物Ｗの表面ＷＳ上を矢印Ｘ１（図２及び図３に示す）方向に、レーザー光線Ｌを相対的に移動させる。
【００３０】
すると、レーザー光線Ｌが照射された所定のストリートには、被加工物Ｗ及び保護膜Ｐの一部が昇華して、図２に示すように、レーザー加工溝Ｓが形成される。所定のストリートの他端が集光器２２の直下に達したら、レーザー光線照射手段２０からのレーザー光線Ｌの照射を停止するとともに、Ｘ軸移動手段によるチャックテーブル１０の移動を停止する。制御手段９０は、前述したように、順にストリートにレーザー光線Ｌを照射して、これらのストリートにレーザー加工溝Ｓを形成して、被加工物Ｗの全てのストリートにレーザー加工溝Ｓを形成する。
【００３１】
また、レーザー加工溝Ｓを形成している間、制御手段９０は、吸引源４６に吸引口４４から気体を吸引させているので、被加工物Ｗ及び保護膜Ｐの一部が昇華して生成された液状又は気化したデブリＤ１は、図２に示すように、吸引口４４を通して吸引路４５内に吸い込まれる。さらに、吸引口４４を通して吸引源４６に吸引される際に、液状又は気化したデブリＤ１の一部は、吸引路４５の内面に凝縮・付着して、液状デブリＤ２となる。この吸引路４５の内面に凝縮・付着した液状デブリＤ２は、底面４５ａを吸引口４４に向かって逆流して流れ落ち、液溜部４２内に導入されて貯留される。
【００３２】
全てのストリートにレーザー加工溝Ｓが形成されると、制御手段９０は、Ｘ軸移動手段によりチャックテーブル１０を搬出入領域ＴＲまで移動させ、第２の搬送手段８２にチャックテーブル１０上のレーザー加工が施された被加工物Ｗを保護膜形成兼洗浄手段７０のスピンナテーブル７１上に載置させ、スピンナテーブル７１に保持させる。そして、制御手段９０は、スピンナテーブル７１を降下させた後、スピンナテーブル７１を中心軸線回りに回転させながら、洗浄ノズルから洗浄液をスピンナテーブル７１上の被加工物Ｗに噴出させる。すると、保護膜Ｐが水溶性樹脂で構成されているので、洗浄液及び遠心力により、保護膜Ｐがレーザー加工の際に付着したデブリＤ１，Ｄ２とともに被加工物Ｗの表面ＷＳから除去される（洗い流される）。保護膜Ｐの除去が終了すると、制御手段９０は、スピンナテーブル７１の中心軸線回りの回転及び洗浄ノズルからの洗浄液の噴出を停止した後、スピンナテーブル７１を上昇させて、第１の搬送手段８１により仮置き手段６０まで搬送する。制御手段９０は、レーザー加工などが施された被加工物Ｗを搬出入手段６１により仮置き手段６０からカセット５０内に搬入する。
【００３３】
また、制御手段９０は、レーザー加工中、図４に示されたフローチャートを実行している。図４は、実施形態に係るレーザー加工装置の液溜部のデブリを検出するフローチャートである。
【００３４】
まず、制御手段９０は、液溜部４２から液状デブリＤ２が流出したか否かを判断する（ステップＳＴ１）。ここで、吸引口４４を通して吸引された液状又は気化したデブリＤ１が吸引路４５の内面に凝縮・付着した液状デブリＤ２が液溜部４２の貯留量を超えると、図３に示すように、液状デブリＤ２が、液溜部４２から流出して吸引口４４に向かって逆流する。なお、ステップＳＴ１では、受光素子４９が受光した発光素子４８からの光の強さが所定の強さを下回ると、液溜部４２から液状デブリＤ２が流出したと判断する。
【００３５】
次に、制御手段９０は、液溜部４２から液状デブリＤ２が流出したと判断する（ステップＳＴ１肯定）と、レーザー光線照射手段２０からのレーザー光線Ｌの照射を停止し、チャックテーブル１０を搬出入領域ＴＲに向けて退避させる。（ステップＳＴ２）。なお、液溜部４２から液状デブリＤ２が流出していないと判断する（ステップＳＴ１否定）と、液溜部４２から液状デブリＤ２が流出したと判断されるまで、ステップＳＴ１を繰り返す。
【００３６】
次に、制御手段９０は、チャックテーブル１０が搬出入領域ＴＲに位置するとＸ軸移動手段を停止し、吸引源４６を停止して、表示手段８３に液溜部４２から液状デブリＤ２が流出したことを示す警告を表示する（ステップＳＴ３）。そして、制御手段９０は、デブリ排出手段４０の洗浄をオペレータに促す。液溜部４２に溜まった液状デブリＤ２を洗浄除去する際には、吸引筒４１即ちデブリ排出手段４０をレーザー光線照射手段２０などから取り外し、純水や洗浄液中に浸漬（漬け置き）する。
【００３７】
以上のように、本実施形態に係るレーザー加工装置１によれば、液状又は気化したデブリＤ１を吸引除去するデブリ排出手段４０を備えているが、気化したデブリＤ１が多い場合、吸引路４５の内面に凝縮・付着し、吸引路４５を逆流して流れる液状デブリＤ２を液溜部４２に貯留する。このため、吸引路４５を逆流して流れる液状デブリＤ２が、被加工物Ｗ上に垂れて、再度被加工物Ｗに付着することを抑制できる。
【００３８】
また、レーザー加工装置１は、万が一、液溜部４２から液状デブリＤ２が流出した場合、流出デブリ検出器４３によって液状デブリＤ２が流出したことを一早く確認できる。このために、レーザー加工装置１は、流出デブリ検出器４３によって液状デブリＤ２が流出したことを確認すると、早急にレーザー加工を停止し、被加工物Ｗを搬出入領域ＴＲに退避させる。したがって、レーザー加工装置１は、レーザー加工の際に生じる液状デブリＤ２が再度被加工物Ｗに付着することを抑制することができる。
【００３９】
前述した実施形態では、被加工物Ｗの表面ＷＳに噴射されたＰＶＡ、ＰＥＧやＰＥＯ等の水溶性樹脂を含んだ液状樹脂を硬化させることで、保護膜Ｐを形成している。しかしながら、本発明では、かならずしも、液状樹脂を完全に硬化（乾燥）させないままの保護膜Ｐにアブレーション加工を施しても良い。また、本発明では、Ｘ軸移動手段、Ｙ軸移動手段及びＺ軸移動手段の構成を適宜変更しても良い。
【００４０】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【符号の説明】
【００４１】
１  レーザー加工装置
１０  チャックテーブル
２０  レーザー光線照射手段
２２  集光器
４０  デブリ排出手段
４２  液溜部
４３  流出デブリ検出器
４４  吸引口
４５  吸引路
４５ａ  底面
４６  吸引源
Ｄ１  液状又は気化したデブリ（デブリ）
Ｄ２  液状デブリ（デブリ）
ＲＰ  加工点
Ｌ  レーザー光線
Ｓ  レーザー加工溝
Ｗ  被加工物
ＷＳ  表面
【図１】
2014121729.tif 000003
【図２】
2014121729.tif 000004
【図３】
2014121729.tif 000005
【図４】
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