(57)【要約】【課題】測定ヘッドの高さの調整を正確に行うことができるゲイン校正試料を提供する。【解決手段】ゲイン校正試料（６０）は、高さ調整部（６１）とゲイン調整部（６２）とを有する。高さ調整部（６１）は、変位センサの測定により測定ヘッドの高さを調整するための部分である。ゲイン調整部（６２）は、測定ヘッドのゲインを調整するための部分である。【選択図】図７Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜された製品基板との距離を測定するための変位センサと、上記製品基板の膜の厚みを測定するための測定ヘッドとを有する膜厚測定装置の校正に用いられる校正試料であって、
上記変位センサの測定により上記測定ヘッドの高さを調整するための高さ調整部と、
上記測定ヘッドのゲインを調整するためのゲイン調整部と
を備えることを特徴とするゲイン校正試料。
【請求項２】
基台と、
上記基台に設けられると共に、成膜された製品基板を載置する基板ステージと、
上記基台に設けられると共に、請求項１に記載の上記ゲイン校正試料を載置する校正ステージと、
上記基板ステージおよび上記校正ステージに対して第１方向に延在すると共に、上記基板ステージおよび上記校正ステージに対して第２方向に移動可能となるように上記基台に取り付けられるガントリーと、
上記ガントリーに上記第１方向に移動可能に取り付けられるスライダーと、
上記スライダーに固定されると共に、上記基板ステージに載置された上記製品基板との距離を測定するための変位センサと、
上記スライダーに固定されると共に、上記基板ステージに載置された上記製品基板の膜の厚みを測定するための測定ヘッドと、
上記変位センサおよび上記測定ヘッドを上記校正ステージに移動し、上記ゲイン校正試料の上記高さ調整部を用いて、上記変位センサの測定により上記測定ヘッドの高さを調整してから、上記ゲイン校正試料の上記ゲイン調整部を用いて、上記測定ヘッドのゲインを調整する測定機器校正手段と
を備えることを特徴とする膜厚測定装置。
【請求項３】
成膜された製品基板との距離を測定するための変位センサと、上記製品基板の膜の厚みを測定するための測定ヘッドとを、ゲイン校正試料を載置している校正ステージに移動する工程と、
上記ゲイン校正試料の高さ調整部を用いて、上記変位センサの測定により上記測定ヘッドの高さを調整する工程と、
上記ゲイン校正試料のゲイン調整部を用いて、上記測定ヘッドのゲインを調整する工程と
を備えることを特徴とするゲイン校正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ゲイン校正試料、膜厚測定装置およびゲイン校正方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、膜厚測定装置に用いられるゲイン校正試料としては、特開２００５−１５６２１３号公報（特許文献１）に記載されたものがある。図９に示すように、この校正試料１００は、試料材１０１と、この試料材１０１を覆うガラス１０２とを有する。
【０００３】
ところで、上記校正試料１００で、上記膜厚測定装置の膜厚を測定するための測定ヘッドのゲインを調整しようとすると、まず、測定ヘッドと校正試料１００との間の距離が、予め定めた設定値となるように、測定ヘッドの高さ方向の位置を調整する必要がある。
【０００４】
このとき、上記膜厚測定装置の変位センサにより、上記校正試料１００との距離を測定し、この測定値に基づいて、測定ヘッドの高さ方向の位置を調整する。この変位センサは、校正試料１００に光線を照射し、この校正試料１００からの反射光を検出して、校正試料１００との距離を測定する。
【０００５】
しかしながら、上記変位センサからの光線は、ガラス１０２の上面１０２ａよりも下面１０２ｂで多く反射するため、変位センサは、ガラス１０２の上面１０２ａでなく下面１０２ｂとの距離を測定する。このため、測定ヘッドと校正試料１００との間の距離が、上記設定値よりも小さくなって、測定ヘッドの高さの調整を正確に行うことができない問題がある。このため、測定ヘッドのゲインの調整も、正確に行うことができない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−１５６２１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、この発明の課題は、測定ヘッドの高さの調整を正確に行うことができるゲイン校正試料、膜厚測定装置およびゲイン校正方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、この発明のゲイン校正試料は、
成膜された製品基板との距離を測定するための変位センサと、上記製品基板の膜の厚みを測定するための測定ヘッドとを有する膜厚測定装置の校正に用いられる校正試料であって、
上記変位センサの測定により上記測定ヘッドの高さを調整するための高さ調整部と、
上記測定ヘッドのゲインを調整するためのゲイン調整部と
を備えることを特徴としている。
【０００９】
ここで、上記製品基板は、基板と、この基板上に形成された一層以上の膜とを有する。
【００１０】
この発明のゲイン校正試料によれば、上記高さ調整部と上記ゲイン調整部とを備えるので、測定ヘッドの高さの調整を、測定ヘッドのゲインの調整とは異なる部分で、行うことができる。これによって、測定ヘッドの高さの調整を正確に行うことができる。
【００１１】
また、一実施形態の膜厚測定装置では、
基台と、
上記基台に設けられると共に、成膜された製品基板を載置する基板ステージと、
上記基台に設けられると共に、請求項１に記載の上記ゲイン校正試料を載置する校正ステージと、
上記基板ステージおよび上記校正ステージに対して第１方向に延在すると共に、上記基板ステージおよび上記校正ステージに対して第２方向に移動可能となるように上記基台に取り付けられるガントリーと、
上記ガントリーに上記第１方向に移動可能に取り付けられるスライダーと、
上記スライダーに固定されると共に、上記基板ステージに載置された上記製品基板との距離を測定するための変位センサと、
上記スライダーに固定されると共に、上記基板ステージに載置された上記製品基板の膜の厚みを測定するための測定ヘッドと、
上記変位センサおよび上記測定ヘッドを上記校正ステージに移動し、上記ゲイン校正試料の上記高さ調整部を用いて、上記変位センサの測定により上記測定ヘッドの高さを調整してから、上記ゲイン校正試料の上記ゲイン調整部を用いて、上記測定ヘッドのゲインを調整する測定機器校正手段と
を備える。
【００１２】
ここで、上記製品基板は、基板と、この基板上に形成された一層以上の膜とを有する。
【００１３】
この実施形態の膜厚測定装置によれば、上記測定機器校正手段は、上記ゲイン校正試料の上記高さ調整部を用いて、上記変位センサの測定により上記測定ヘッドの高さを調整してから、上記ゲイン校正試料の上記ゲイン調整部を用いて、上記測定ヘッドのゲインを調整する。これによって、測定ヘッドの高さの調整を正確に行うことができ、さらに、測定ヘッドのゲインの調整を正確に行うことができる。
【００１４】
また、一実施形態のゲイン校正方法では、
成膜された製品基板との距離を測定するための変位センサと、上記製品基板の膜の厚みを測定するための測定ヘッドとを、ゲイン校正試料を載置している校正ステージに移動する工程と、
上記ゲイン校正試料の高さ調整部を用いて、上記変位センサの測定により上記測定ヘッドの高さを調整する工程と、
上記ゲイン校正試料のゲイン調整部を用いて、上記測定ヘッドのゲインを調整する工程と
を備える。
【００１５】
ここで、上記製品基板は、基板と、この基板上に形成された一層以上の膜とを有する。
【００１６】
この実施形態のゲイン校正方法によれば、上記ゲイン校正試料の上記高さ調整部を用いて、上記変位センサの測定により上記測定ヘッドの高さを調整してから、上記ゲイン校正試料の上記ゲイン調整部を用いて、上記測定ヘッドのゲインを調整する。これによって、測定ヘッドの高さの調整を正確に行うことができ、さらに、測定ヘッドのゲインの調整を正確に行うことができる。
【発明の効果】
【００１７】
この発明のゲイン校正試料によれば、上記高さ調整部と上記ゲイン調整部とを備えるので、測定ヘッドの高さの調整を正確に行うことができる。
【００１８】
この発明の膜厚測定装置によれば、上記測定機器校正手段は、上記ゲイン校正試料の上記高さ調整部を用いて、上記変位センサの測定により上記測定ヘッドの高さを調整してから、上記ゲイン校正試料の上記ゲイン調整部を用いて、上記測定ヘッドのゲインを調整する。これによって、測定ヘッドの高さの調整を正確に行うことができ、さらに、測定ヘッドのゲインの調整を正確に行うことができる。
【００１９】
この発明のゲイン校正方法によれば、上記ゲイン校正試料の上記高さ調整部を用いて、上記変位センサの測定により上記測定ヘッドの高さを調整してから、上記ゲイン校正試料の上記ゲイン調整部を用いて、上記測定ヘッドのゲインを調整する。これによって、測定ヘッドの高さの調整を正確に行うことができ、さらに、測定ヘッドのゲインの調整を正確に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施形態の膜厚測定装置を示す平面図である。
【図２】図１の矢印Ｕ方向からみた膜厚測定装置の側面図である。
【図３】変位センサの動作を説明する説明図である。
【図４】測定ヘッドの動作を説明する説明図である。
【図５】１次Ｘ線の照射により蛍光Ｘ線が発生する状態を説明する説明図である。
【図６Ａ】チタン膜とモリブデン膜におけるＸ線強度と膜厚との関係を示す表である。
【図６Ｂ】図６Ａのデータをプロットしたグラフである。
【図７Ａ】本発明の一実施形態のゲイン校正試料を示す平面図である。
【図７Ｂ】本発明の一実施形態のゲイン校正試料を示す断面図である。
【図８Ａ】変位センサの測定により測定ヘッドの高さを調整する方法を説明する説明図である。
【図８Ｂ】測定ヘッドのゲインを調整する方法を説明する説明図である。
【図９】従来のゲインを調整する方法を説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００２２】
図１は、この発明の一実施形態の膜厚測定装置を示す平面図である。図２は、図１の矢印Ｕ方向からみた側面図である。図１と図２に示すように、この膜厚測定装置は、基台１と、基板ステージ２と、校正ステージ３と、ガンドリー４と、スライダー５と、複数の測定機器２１，２２，２３と、制御手段３０とを有する。
【００２３】
上記基板ステージ２は、上記基台１に設けられ、複数に分割されたステージからなる。基板ステージ２上には、成膜された製品基板１０が載置される。
【００２４】
上記基板ステージ２には、複数の空気孔２ａが設けられ、この空気孔２ａからエアを吸い込むことで、製品基板１０を基板ステージ２に密着でき、一方、空気孔２ａからエアを吹き出すことで、製品基板１０を基板ステージ２から浮上できる。
【００２５】
上記製品基板１０は、例えば、液晶ディスプレイに用いられる液晶ＴＦＴである。この製品基板１０は、基板と、この基板上に形成された一層以上の膜とを有する。上記膜は、例えば、スパッタリング工法や蒸着工法やメッキ工法により、上記基板に成膜される。上記基板は、例えば、ガラス基板であり、上記膜は、例えば、アルミニウム、チタン、タングステン、モリブデンなどの金属膜である。
【００２６】
上記校正ステージ３は、上記基台１に設けられ、上記基板ステージ２とは別に設けられる。この校正ステージ３には、複数の凹部３ａが設けられ、この凹部３ａに様々な種類の校正試料６０，７０が嵌め込まれ、この校正試料６０，７０を用いて上記測定機器２１，２２，２３の校正が行われる。
【００２７】
上記ガントリー４は、上記基板ステージ２および上記校正ステージ３に対して第１方向に延在する。ガンドリー４は、基板ステージ２および校正ステージ３に対して第２方向に移動可能となるように、基台１に取り付けられる。第１方向とは、矢印Ａ方向をいい、第２方向とは、矢印Ｂ方向をいう。第１方向と第２方向とは、互いに直交する。
【００２８】
つまり、上記基台１には、第２方向（矢印Ｂ方向）に延在する２本のレール部６，６が設けられている。この２本のレール部６，６は、基板ステージ２および校正ステージ３を挟むように、配置されている。上記ガンドリー４は、この２本のレール部６，６に架け渡され、このレール部６，６に沿って第２方向に移動可能となる。
【００２９】
上記スライダー５は、上記ガントリー４に第１方向（矢印Ａ方向）に移動可能に取り付けられる。このスライダー５には、上記測定機器としてのカメラ２１、変位センサ２２および測定ヘッド２３が、固定されている。
【００３０】
そして、上記測定機器２１，２２，２３は、ガンドリー４の可動範囲Ｚ１により、基板ステージ２および校正ステージ３の第２方向（矢印Ｂ方向）の全範囲をカバーできる。また、上記測定機器２１，２２，２３は、スライダー５の可動範囲Ｚ２により、基板ステージ２および校正ステージ３の第１方向（矢印Ａ方向）の全範囲をカバーできる。
【００３１】
上記制御手段３０は、基板位置補正手段３１と、ヘッド位置調整手段３２と、解析手段３３と、測定機器校正手段３４とを有する。
【００３２】
上記カメラ２１は、基板ステージ２に載置された製品基板１０のアライメントマークを検出する。このアライメントマークは、カメラ２１で判別可能なマークであり、例えば、製品基板１０の四隅に設けられる。
【００３３】
上記基板位置補正手段３１は、上記カメラ２１の検出結果に基づいて、基板ステージ２に載置された製品基板１０の平面方向（第１、第２方向）の位置情報を補正する。具体的に述べると、上記基台１には、製品基板１０の周囲の各辺を押圧するように、複数のクランプ７が設けられている。クランプ７により製品基板１０を所定の位置に固定後、カメラ２１にてアライメントマークを検出し、この検出結果に基づいて基板位置補正手段３１によって、製品基板１０の位置情報を補正する。
【００３４】
上記変位センサ２２は、図３に示すように、基板ステージ２に載置された製品基板１０との高さ方向の距離を測定する。変位センサ２２は、例えば赤外線などの光線を、製品基板１０の予め定めた測定ポイントＰに照射し、この測定ポイントＰからの反射光を検出して、測定ポイントＰとの距離を測定する。
【００３５】
上記ヘッド位置調整手段３２は、上記変位センサ２２の測定値に基づいて、基板ステージに載置された製品基板１０と測定ヘッド２３との間の距離が予め定められた設定値となるように、測定ヘッド２３の高さ方向の位置を調整する。具体的に述べると、製品基板１０の測定ポイントＰと測定ヘッド２３の受発光部２３ａとの間の高さ方向の距離が、２ｍｍ±３０μｍとなるように、調整される。
【００３６】
また、上記ヘッド位置調整手段３２は、測定ヘッド２３の高さ方向の位置を調整した後、測定ヘッド２３が製品基板１０の測定ポイントＰを測定できる位置に、測定ヘッド２３を移動する。
【００３７】
上記測定ヘッド２３は、図４に示すように、Ｘ線照射部２３１と蛍光Ｘ線検出部２３２とを有する。
【００３８】
上記Ｘ線照射部２３１は、受発光部２３ａから製品基板１０の測定ポイントＰへ、１次Ｘ線５１を照射する。１次Ｘ線５１は、例えば、ロジウムや、モリブデンや、タングステンなどである。すると、図５に示すように、製品基板１０の基板１１上の膜１２は、１次Ｘ線５１の照射により、蛍光Ｘ線５２を発生する。
【００３９】
上記蛍光Ｘ線検出部２３２は、上記膜１２から発生した上記蛍光Ｘ線５２を、受発光部２３ａから検出する。蛍光Ｘ線検出部２３２は、例えば、シリコンドリフト検出器である。
【００４０】
上記解析手段３３は、上記測定ヘッド２３により検出された上記蛍光Ｘ線５２の強度から上記膜１２の厚みを求める。具体的に述べると、解析手段３３は、プリアンプ３３１とマルチ・チャンネル・アナライザ（以下、ＭＣＡという）３３２とを有する。
【００４１】
上記プリアンプ３３１は、蛍光Ｘ線検出部２３２から出力される電気信号を増幅する。上記ＭＣＡ３３２は、プリアンプ３３１で増幅された電気信号を解析する。ＭＣＡ３３２では、蛍光Ｘ線検出部２３２から出力されたエネルギーを選別し、パルスを計測することで、膜１２を構成する元素のＸ線強度を求める。そして、このＸ線強度に基づいて、既知のデータから、膜１２の厚みを求める。なお、ＭＣＡ３３２を用いているため、膜１２に混入する異物や不純物を検出できる。
【００４２】
例えば、上記膜１２が、チタン膜、または、モリブデン膜である場合、Ｘ線強度と膜厚との関係は、図６Ａと図６Ｂに示すような関係となる。
【００４３】
なお、上述では、単層の膜（図５）の厚みの測定を説明したが、複数層の膜の厚みを測定することもできる。この場合、各膜から発生する蛍光Ｘ線を測定ヘッド２３によって検出し、解析手段３３によって、各膜を構成する各元素のＸ線強度を求め、このＸ線強度に基づいて、各膜の厚みを求める。さらに、この各元素のＸ線強度から、各元素の組成比をも、求めることができる。
【００４４】
上記測定機器校正手段３４は、図１に示すように、上記測定機器２１，２２，２３を校正ステージ３に移動して、測定機器２１，２２，２３の校正を行う。測定機器２１，２２，２３の校正は、所定間隔で、行う。この所定間隔とは、例えば、１日に１回の校正を行うといった所定時間毎や、所定枚数の製品基板１０の膜厚を測定した後に校正を行うといった所定処理数毎である。
【００４５】
上記校正ステージ３には、ゲイン校正試料６０とオフセット量校正試料７０とが、設置されている。ゲイン校正試料６０は、測定ヘッド２３の蛍光Ｘ線検出部２３２のゲインを調整するための試料である。オフセット量校正試料７０は、各測定機器２１，２２，２３のオフセット量を調整するための試料である。
【００４６】
上記ゲイン校正試料６０は、図７Ａと図７Ｂに示すように、高さ調整部６１とゲイン調整部６２とを有する。上記高さ調整部６１は、上記変位センサ２２の測定により上記測定ヘッド２３の高さを調整するための部分である。上記ゲイン調整部６２は、上記測定ヘッド２３のゲインを調整するための部分である。
【００４７】
上記高さ調整部６１は、直方体に形成され、この上面には、円柱状の凹部６１ａが設けられている。この凹部６１ａに、上記ゲイン調整部６２が嵌め込まれている。高さ調整部６１は、変位センサ２２の光線を略全反射する材料から構成されている。高さ調整部６１は、例えば、ステンレスやアルミなどの金属からなる。
【００４８】
上記ゲイン調整部６２は、試料材６２１と、この試料材６２１を覆うガラス６２２とを有する。試料材６２１は、測定ヘッド２３からの１次Ｘ線の照射により蛍光Ｘ線を発生する。この試料材６２１の特性は既知であるため、この試料材６２１に基づいて、測定ヘッド２３のゲインを調整することができる。ガラス６２２は、試料材６２１を保護する。ゲイン調整部６２は、円柱状に形成され、上記高さ調整部６１の上記凹部６１ａに嵌め込まれた状態で、ガラス６２２の上面と、高さ調整部６１の上面とは、同じ高さとなる。
【００４９】
上記ゲイン校正試料６０を用いて、上記測定ヘッド２３のゲインを調整する方法を説明する。
【００５０】
まず、上記測定ヘッド２３と上記ゲイン校正試料６０との間の距離が、予め定めた設定値となるように、測定ヘッド２３の高さ方向の位置を調整する。このとき、図８Ａに示すように、上記変位センサ２２により、上記ゲイン校正試料６０の上記高さ調整部６１との距離を測定し、この測定値に基づいて、測定ヘッド２３の高さ方向の位置を調整する。
【００５１】
その後、図８Ｂに示すように、上記測定ヘッド２３を上記ゲイン校正試料６０の上記ゲイン調整部６２に対向する位置に移動して、ゲイン調整部６２を用いて、測定ヘッド２３のゲインを調整する。
【００５２】
次に、上記構成の膜厚測定装置の動作を説明する。
【００５３】
図１に示すように、まず、上記製品基板１０が、膜厚測定装置の右方向（矢印Ｒ方向）から基板ステージ２上に、搬送される。基板ステージ２上に搬送された製品基板１０は、クランプ７により所定の位置に固定される。その後、カメラ２１にてアライメントマークを検出し、この検出結果に基づいて基板位置補正手段３１によって、製品基板１０の位置情報を補正する。
【００５４】
その後、上記製品基板１０の複数の測定ポイントのうちの第１の測定ポイントにおいて、変位センサ２２により、第１の測定ポイントと変位センサ２２との間の高さ方向の距離を測定する。そして、上記ヘッド位置調整手段３２は、この測定値に基づいて、第１の測定ポイントと測定ヘッド２３との間の距離が設定値となるように、測定ヘッド２３の高さ方向の位置を調整する。
【００５５】
その後、上記測定ヘッド２３は、ヘッド位置調整手段３２により、第１の測定ポイントの直上に移動され、製品基板１０の膜に１次Ｘ線を照射してこの膜から発生する蛍光Ｘ線を検出する。そして、上記解析手段３３は、この検出された蛍光Ｘ線の強度から膜の厚みを求める。
【００５６】
その後、上記製品基板１０の他の測定ポイントについても、同様に、測定ヘッド２３の高さを調整してから、測定ヘッド２３によって他の測定ポイントの膜厚を測定する。
【００５７】
このようにして、上記製品基板１０の全ての測定ポイントの膜厚を測定し、この測定結果に基づいて、製品基板１０が不良品であるか否かを判断する。
【００５８】
その後、上記測定機器校正手段３４は、所定間隔で、上記測定機器２１，２２，２３を校正ステージ３に移動して、校正試料６０，７０を用いて測定機器２１，２２，２３の校正を行う。
【００５９】
上記構成のゲイン校正試料６０によれば、上記高さ調整部６１と上記ゲイン調整部６２とを備えるので、測定ヘッド２３の高さの調整を、測定ヘッド２３のゲインの調整とは異なる部分で、行うことができる。これによって、測定ヘッド２３の高さの調整を正確に行うことができる。
【００６０】
上記構成の膜厚測定装置によれば、上記測定機器校正手段は、上記ゲイン校正試料６０の上記高さ調整部６１を用いて、上記変位センサ２２の測定により上記測定ヘッド２３の高さを調整してから、上記ゲイン校正試料６０の上記ゲイン調整部６２を用いて、上記測定ヘッド２３のゲインを調整する。これによって、測定ヘッド２３の高さの調整を正確に行うことができ、さらに、測定ヘッド２３のゲインの調整を正確に行うことができる。
【００６１】
上記構成のゲイン校正方法によれば、上記ゲイン校正試料６０の上記高さ調整部６１を用いて、上記変位センサ２２の測定により上記測定ヘッド２３の高さを調整してから、上記ゲイン校正試料６０の上記ゲイン調整部６２を用いて、上記測定ヘッド２３のゲインを調整する。これによって、測定ヘッド２３の高さの調整を正確に行うことができ、さらに、測定ヘッド２３のゲインの調整を正確に行うことができる。
【００６２】
また、蛍光Ｘ線分析法により膜厚を求めるので、製品基板１０の膜１２の微小領域を測定できて、膜厚の測定精度を向上できる。また、蛍光Ｘ線分析法では、Ｘ線反射率法に比べて、膜厚の測定時間を短縮できる。
【００６３】
また、上記測定ヘッド２３は、上記基板ステージ２に対して第１方向および第２方向に移動可能であるので、この測定ヘッド２３で、製品基板１０の複数箇所の膜厚を測定できる。これにより、大型の製品基板１０の膜厚測定に好適となる。
【００６４】
なお、この発明は上述の実施形態に限定されない。例えば、高さ調整部６１を、ゲイン校正試料６０のゲイン調整部６２以外の全ての部分としたが、ゲイン校正試料６０のゲイン調整部６２を除く上面部分としてもよい。
【００６５】
また、ガントリー４の延在方向である第１方向と、ガントリー４の移動方向である第２方向とは、互いに直交しないで、交差するようにしてもよい。
【００６６】
また、カメラ２１、変位センサ２２および測定ヘッド２３の数量は、一つに限らず、複数であってもよい。また、カメラ２１を省略してもよい。
【００６７】
また、校正ステージ３には、２つの校正試料６０，７０を設置しているが、校正試料の数量の増減は、自由である。また、他の種類の校正試料であってもよく、例えば、Ｘ線強度のドリフトを校正するための校正試料であってもよい。
【００６８】
また、本発明の膜厚測定装置にて、小型の製品基板の膜厚を測定するようにしてもよく、また、液晶ＴＦＴ以外に、有機ＥＬなどの半導体基板の膜厚を測定するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００６９】
１  基台
２  基板ステージ
３  校正ステージ
４  ガントリー
５  スライダー
６  レール部
７  クランプ
１０  製品基板
２１  カメラ
２２  変位センサ
２３  測定ヘッド
３０  制御手段
３１  基板位置補正手段
３２  ヘッド位置調整手段
３３  解析手段
３４  測定機器校正手段
６０  ゲイン校正試料
６１  高さ調整部
６２  ゲイン調整部
６２１  試料材
６２２  ガラス
７０  オフセット量校正試料
Ａ  第１方向
Ｂ  第２方向
【図１】
2014052291.tif 000003
【図２】
2014052291.tif 000004
【図３】
2014052291.tif 000005
【図４】
2014052291.tif 000006
【図５】
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【図６Ａ】
2014052291.tif 000008
【図６Ｂ】
2014052291.tif 000009
【図７Ａ】
2014052291.tif 000010
【図７Ｂ】
2014052291.tif 000011
【図８Ａ】
2014052291.tif 000012
【図８Ｂ】
2014052291.tif 000013
【図９】
2014052291.tif 000014