(57)【要約】【課題】量産性に優れ、優れた表示性能を有する表示装置を提供する。【解決手段】この表示装置は、基板上に複数の発光素子を備える。複数の発光素子は、それぞれ、第１電極層と、発光層を含む有機層と、第２電極層と、導電性封止層と、第３電極層とが順に積層された積層構造を有する。【選択図】図１
2014229356.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極層と、
発光層を含む有機層と、
第２電極層と、
導電性封止層と、
第３電極層と
が順に積層された積層構造を有する発光素子。
【請求項２】
前記導電性封止層は、透明樹脂に分散された複数の導電性ナノ粒子を含む
請求項１記載の発光素子。
【請求項３】
前記透明樹脂は、熱硬化型接着剤または紫外線硬化型接着剤であり、
前記導電性ナノ粒子は、Ａｕ（金），Ａｇ（銀），Ａｇナノワイヤー，Ｃｕ（銅），Ａｌ（アルミニウム），Ｐｔ（白金）およびＩＴＯ（酸化インジウムスズ）のうちの１種以上を含む
請求項２記載の発光素子。
【請求項４】
前記導電性封止層は、透明樹脂に分散された複数の導電性フィラーを含む
請求項１記載の発光素子。
【請求項５】
前記透明樹脂は、熱硬化型接着剤または紫外線硬化型接着剤であり、
前記導電性フィラーは、透明高分子材料に透明導電膜を被覆したものである
請求項４記載の発光素子。
【請求項６】
基板上に複数の発光素子を備え、
前記複数の発光素子は、それぞれ、
第１電極層と、
発光層を含む有機層と、
第２電極層と、
導電性封止層と、
第３電極層と
が順に積層された積層構造を有する
表示装置。
【請求項７】
前記第２電極層、前記導電性封止層、および前記第３電極層は、前記複数の発光素子によって共有された共通層である
請求項６記載の表示装置。
【請求項８】
前記発光層が前記発光素子ごとに分離される分離領域と、
前記発光層が占める発光領域と
を有し、
前記分離領域には、前記第３電極層と接続された補助配線層が設けられている
請求項７記載の表示装置。
【請求項９】
第１基板の上に、第１電極層と、発光層を含む有機層と、第２電極層とを順に積層形成することと、
第２基板の上に第３電極層を形成することと、
前記第２電極層と前記第３電極層とを、導電性封止層を介して貼り合わせることと
を含む発光素子の製造方法。
【請求項１０】
複数の導電性ナノ粒子または複数の導電性フィラーを分散させた熱硬化型接着剤または紫外線硬化型接着剤を含む透明樹脂を、加熱により、または紫外線照射により硬化させることで前記導電性封止層を得る
請求項９記載の発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、有機層を含む自発光型の発光素子およびその製造方法、ならびにそのような発光素子を備えた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機層を含む自発光型の有機発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイが実用化されている。有機ＥＬディスプレイは、自発光型であるので、例えば液晶ディスプレイなどに比較して視野角が広く、また、高精細度の高速ビデオ信号に対しても十分な応答性を有するものである。
【０００３】
これまで有機発光素子については、共振器構造を導入し、発光色の色純度を向上させたり発光効率を高めたりするなど発光層で発生する光を制御することにより、表示性能を向上させる試みがなされている。有機発光素子は、例えば基板の上に、駆動トランジスタなどを含む駆動回路を介して第１電極層と有機層と第２電極層とが順に積層された構造を採用している。上面発光型（トップエミッション方式）の有機発光素子では、第２電極層を透明導電材料により構成し、第１電極層と第２電極層との間で有機層からの光を多重反射させ、基板と反対側の面（上面）から光を取り出すようになっている。第２電極層として用いる透明導電材料は、一般に、金属材料よりも高い抵抗値を有するものである。したがって、より大型の有機発光表示装置では、表示部において端部領域から中央領域に向かうほど電圧降下の影響により表示性能が低下してしまう場合がある。第２電極層の膜厚を厚くすると、抵抗値が下がり、表示面内での電圧降下が緩和されるものの、第２電極層の可視光透過率が低下し、発光素子の光取出し効率を低下させてしまうことになる。
【０００４】
このような問題を解決するため、例えば導電体や、導電性を有するリブ、あるいは導電性樹脂層を介して第２電極層と第２基板上に形成された補助電極層とを接続することにより、第２電極層の電圧降下を緩和する手法が提案されている（例えば特許文献１，２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−０３３１９８号公報
【特許文献２】特開２０１１−１０３２０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１，２の方法では、導電体やリブを形成する工程が付加されるので製造工程が複雑化するうえ、コストの面でも不利となる。
【０００７】
本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、量産性に優れ、高い発光性能を有する発光素子およびその製造方法、ならびにそのような発光素子を備え、優れた表示性能を有する表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示の一実施形態としての発光素子は、第１電極層と、発光層を含む有機層と、第２電極層と、導電性封止層と、第３電極層とが順に積層された積層構造を有する。また、本開示の一実施形態としての表示装置は、基板上に上記発光素子を複数備えたものである。
【０００９】
本開示の一実施形態としての発光素子の製造方法は、第１基板の上に、第１電極層と発光層を含む有機層と第２電極層とを順に積層して積層体を形成することと、第２基板の上に第３電極層を形成することと、積層体が形成された第１基板と第３電極層が形成された第２基板とを導電性封止層を介して貼り合わせることとを含む。
【００１０】
本開示の一実施形態としての発光素子およびその製造方法、ならびに表示装置では、第２電極層と第３電極層とが導電性封止層を介して接続される。このため、第２電極層における電圧降下が緩和される。そのうえ、簡素な構成であるので、製造性にも優れる。
【発明の効果】
【００１１】
本開示の一実施形態としての発光素子およびその製造方法、ならびに表示装置によれば、第２電極層と第３電極層との間を導電性封止層によって封止するようにした。これにより、簡素な構成でありながら、光透過性を損なうことなく、面内方向の電圧降下を緩和することができる。よって、大型化した場合であっても量産性に優れ、高い動作性能および信頼性を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本技術の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した表示装置の全体構成を表す図である。
【図３】図２に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図４】図１に示した導電性封止層における膜厚、抵抗率および電圧降下の関係を表す特性図である。
【図５Ａ】図１に示した表示装置のうちの素子パネルの製造方法における一工程を表す断面図である。
【図５Ｂ】図５Ａに続く一工程を表す断面図である。
【図５Ｃ】図５Ｂに続く一工程を表す断面図である。
【図６】図１に示した表示装置のうちの封止パネルの製造方法における一工程を表す断面図である。
【図７Ａ】素子パネルと封止パネルとの貼り合わせ方法のうちの一工程を表す概略図である。
【図７Ｂ】図７Ａに続く一工程を表す概略図である。
【図７Ｃ】図７Ｂに続く一工程を表す概略図である。
【図８】図１に示した表示装置の変形例を表す断面図である。
【図９】本技術の第２の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図１０】図１などの表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図１１Ａ】図１などの表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図１１Ｂ】適用例１の外観を表す他の斜視図である。
【図１２】適用例２の外観を表す斜視図である。
【図１３】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図１４Ａ】適用例４の表側から見た外観を表す斜視図である
【図１４Ｂ】適用例４の裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図１５】適用例５の外観を表す斜視図である。
【図１６】適用例６の外観を表す斜視図である。
【図１７Ａ】適用例７の閉じた状態を表す図である。
【図１７Ｂ】適用例７の開いた状態を表す図である。
【図１８】図１などに示した有機層の他の例を表す断面図である。
【図１９】比較例としての表示装置の構成を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態
第２電極層と第３電極層との間を、導電性ナノ粒子を分散させた透明樹脂を含む導電性封止層により封止するようにした表示装置。
２．第１の実施の形態の変形例
第２電極層と第３電極層との間を、導電性フィラーを分散させた透明樹脂を含む導電性封止層により封止するようにした表示装置。
３．第２の実施の形態
素子分離領域に補助配線層を選択的に設けるようにした表示装置。
４．適用例
表示装置含むモジュールおよび、それを搭載した電子機器。
【００１４】
＜第１の実施の形態＞
［表示装置１の全体構成］
図１は、本技術の第１の実施の形態としての有機ＥＬ表示装置（表示装置１）の要部断面構成を表したものである。表示装置１は、素子パネル１０と封止パネル２０とを有し、封止パネル２０を透過した光を取り出す、いわゆるトップエミッション型の表示装置である。
【００１５】
素子パネル１０は、素子基板１１（第１基板）上に、赤色の光を発生する有機発光素子１０Ｒの下部構造、緑色の光を発生する有機発光素子１０Ｇの下部構造、および青色の光を発生する有機発光素子１０Ｂの下部構造が設けられたものである。ここでいう下部構造とは、例えば第１電極層１４、有機層１６、高抵抗層１７および第２電極層１８からなる積層構造をいう。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの下部構造と素子基板１１との間にはＴＦＴ１２および平坦化層１３が設けられている。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの下部構造は、封止パネル２０との間に設けられた導電性封止層１９に覆われている。封止パネル２０は、素子基板１１と対向する封止基板２１（第２基板）を有しており、その封止基板２１の素子基板１１との対向面に、遮光層２２、カラーフィルタ２３、オーバーコート層２４、および第３電極層２５がこの順に設けられたものである。
【００１６】
表示装置１では、導電性封止層１９を介して封止パネル２０における第３電極層２５と、素子パネル１０における第２電極層１８とが電気的に接続されている。
【００１７】
図２は、表示装置１の全体構成を表すものである。表示装置１は、中央部に有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に二次元配置された表示領域１１０を有している。表示領域１１０の周辺には、例えば映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０、走査線駆動回路１３０および電源供給線駆動回路１４０が設けられている。
【００１８】
表示領域１１０には、複数の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂと共に、それらを駆動するための画素駆動回路１５０が形成されている。画素駆動回路１５０において、列方向（Ｙ方向）には複数の信号線１２０Ａ（１２０Ａ１，１２０Ａ２，・・・，１２０Ａｍ，・・・）が配置され、行方向（Ｘ方向）には複数の走査線１３０Ａ（１３０Ａ１，・・・，１３０Ａｎ，・・・）および複数の電源供給線１４０Ａ（１４０Ａ１，・・・，１４０Ａｎ，・・・）が配置されている。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、信号線１２０Ａと走査線１３０Ａとの交差点にそれぞれ設けられている。信号線１２０Ａはその両端が信号線駆動回路１２０に接続され、走査線１３０Ａはその両端が走査線駆動回路１３０に接続され、電源供給線１４０Ａはその両端が電源供給線駆動回路１４０に接続されている。
【００１９】
信号線駆動回路１２０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を、信号線１２０Ａを介して選択された有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに供給する。走査線駆動回路１３０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどを含む。走査線駆動回路１３０は、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂへの映像信号の書き込みに際し、行単位でそれらを走査し各走査線１３０Ａに走査信号を順次供給する。信号線１２０Ａには信号線駆動回路１２０からの信号電圧が、走査線１３０Ａには走査線駆動回路１３０からの走査信号がそれぞれ供給される。
【００２０】
電源供給線駆動回路１４０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどを含む。電源供給線駆動回路１４０は、走査線駆動回路１３０による行単位の走査と同期して、各電源供給線１４０Ａに対し、各々の両端から、互いに異なる第１電位および第２電位のいずれかを適宜供給する。これにより、後述するトランジスタＴｒ１の導通状態または非導通状態の選択が行われる。
【００２１】
図３に、画素駆動回路１５０の一構成例を表す。画素駆動回路１５０は、トランジスタＴｒ１およびトランジスタＴｒ２と、キャパシタ（保持容量）Ｃｓと、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂとを有するアクティブ型の駆動回路である。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、電源供給線１４０Ａおよび共通電源供給線（ＧＮＤ）の間においてトランジスタＴｒ１と直列に接続されている。トランジスタＴｒ１およびトランジスタＴｒ２は、逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）であってもスタガ構造（トップゲート型）であってもよい。
【００２２】
トランジスタＴｒ２は、例えばドレイン電極が信号線１２０Ａと接続されており、信号線駆動回路１２０からの映像信号が供給されるようになっている。また、トランジスタＴｒ２のゲート電極は走査線１３０Ａと接続されており、走査線駆動回路１３０からの走査信号が供給されるようになっている。さらに、トランジスタＴｒ２のソース電極は、駆動トランジスタＴｒ１のゲート電極と接続されている。
【００２３】
トランジスタＴｒ１は、例えばドレイン電極が電源供給線１４０Ａと接続されており、電源供給線駆動回路１４０による第１電位または第２電位のいずれかに設定される。トランジスタＴｒ１のソース電極は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂと接続されている。
【００２４】
保持容量Ｃｓは、トランジスタＴｒ１のゲート電極（トランジスタＴｒ２のソース電極）と、トランジスタＴｒ１のソース電極との間に形成されるものである。
【００２５】
[表示装置１の要部構成]
次に、再び図１を参照して、素子パネル１０および封止パネル２０の詳細な構成について説明する。
【００２６】
素子基板１１は、例えば、水分（水蒸気）および酸素の透過を遮断可能なガラスまたはプラスチック材料などにより形成されている。素子基板１１は、その一主面に有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが配列形成される支持体である。素子基板１１の構成材料としては、例えば高歪点ガラス、ソーダガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2）、硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）および鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）等のガラス基板、石英基板あるいはシリコン基板が挙げられる。このようなガラス基板、石英基板およびシリコン基板の表面に絶縁膜を設けて素子基板１１を構成してもよい。素子基板１１には、金属箔もしくは樹脂製のフィルムやシートなどを用いることも可能である。樹脂の材質としては、例えば、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル，ＰＭＭＡ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）およびポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）などの有機ポリマーが挙げられる。なお、トップエミッション型では封止基板２１から光が取り出されるため、素子基板１１は、透過性材料または非透過性材料のいずれにより形成されていてもよい。封止基板２１には素子基板１１と同じ材料を用いるようにしてもよく、あるいは、異なる材料を用いるようにしてもよい。また、可撓性材料により素子基板１１を構成してもよい。
【００２７】
ＴＦＴ１２は、例えば、上記トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２のいずれかに対応するトランジスタであり、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの能動素子として機能するものである。例えば、ＴＦＴ１２のソース電極およびドレイン電極は、酸化シリコン等からなる層間絶縁膜１２Ａを介して配線１２Ｂに電気的に接続されている。ＴＦＴ１２が例えばトランジスタＴｒ２であるとき、配線１２Ｂは信号線１２０Ａに接続され、ＴＦＴ１２が例えばトランジスタＴｒ１であるとき、配線１２Ｂは平坦化層１３の接続孔１３Ａを介して有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ（の第１電極層１４）に接続される。層間絶縁膜１２Ａには、例えば、ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（ＳｉＮ）などの無機材料を用いることができる。例えばＢＰＳＧ（Boro-phospho silicate glass）、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＳｉＯＮ、ＳＯＧ（Spin on glass）、低融点ガラスおよびガラスペースト等のＳｉＯ2系材料を層間絶縁膜１２Ａに用いるようにしてもよい。配線１２Ｂは、例えばアルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム―銅（Ｃｕ）合金等により構成されている。
【００２８】
平坦化層１３は、ＴＦＴ１２が形成された素子基板１１の表面を平坦化するためのものであり、配線１２Ｂと下部電極１２とを接続するための微細な接続孔１３Ａが形成されるためパターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。吸水率の低い材料を平坦化層１３に用いると、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの水分による劣化を防ぐことができる。平坦化層１３には、例えば、ポリイミド等の有機材料を用いることができる。平坦化層１３に、青色光またはＵＶ光を遮光する機能を加えることで、ＴＦＴ１２の劣化を抑制できる。
【００２９】
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、素子基板１１（平坦化層１３）の上に、第１電極層１４、発光層を含む有機層１６、高抵抗層１７、第２電極層１８、導電性封止層１９および第３電極層２５が順に積層されてなるものである。隣り合う有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの間には絶縁膜１５が配置されている。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの配列は特に限定されず、例えばストライプ配列、ダイアゴナル配列、デルタ配列あるいはレクタングル配列などが採用される。
【００３０】
第１電極層１４は有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々に応じて設けられているため、複数の第１電極層１４が平坦化層１３上に互いに離間して配置されている。第１電極層１４は例えばアノード電極としての機能および反射層としての機能を兼ね備えたものであり、反射率が高く、かつ、正孔注入性も高い材料により構成されていることが望ましい。このような第１電極層１４としては、例えば、積層方向の厚み（以下、単に厚みと言う）が０．１μｍ以上１μｍ以下であり、クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），モリブデン（Ｍｏ），タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ），タンタル（Ｔａ），アルミニウム（Ａｌ），鉄（Ｆｅ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金が挙げられる。第１電極層１４は、このような金属膜を複数積層したものであってもよい。銀に０．３重量％〜１重量％のパラジウム（Ｐｄ）と０．３重量％〜１重量％の銅とを含有させたＡｇ―Ｐｄ―Ｃｕ合金あるいはＡｌ―ネオジム（Ｎｄ）合金を第１電極層１４に用いるようにしてもよい。第１電極層１４には仕事関数の高い材料を用いることが好ましいが、アルミニウムおよびアルミニウム合金等の仕事関数の小さい金属であっても、適切な有機層１６（特に、後述の正孔注入層）を選択することにより、第１電極層１４として用いることが可能となる。
【００３１】
第１電極層１４の表面（第２電極層１８との対向面）から側面は、絶縁膜１５で覆われており、この絶縁膜１５には有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光領域を規定するための開口が設けられている。絶縁膜１５は、発光領域を正確に所望の形状に制御すると共に、第１電極層１４と第２電極層１８との間の絶縁性を確保する役割を担っている。絶縁膜１５には例えば、ポリイミド等の有機材料または酸化シリコン（ＳｉＯ2），窒化シリコン（ＳｉＮｘ）および酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等の無機材料を用いることができる。絶縁膜１５の厚みは例えば５０ｎｍ〜２５００ｎｍである。
【００３２】
有機層１６は、例えば、全ての有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通して設けられ、第１電極層１４側から、正孔注入層，正孔輸送層，発光層，電子輸送層および電子注入層（いずれも図示せず）をこの順に有している。正孔輸送層，発光層および電子輸送層により有機層１６を構成するようにしてもよく、このとき、発光層が電子輸送層を兼ねるようにしてもよい。このような一連の積層構造（いわゆるタンデムユニット）が接続層を介して複数重なることで有機層１６が構成されてもよい。例えば、赤色、緑色および青色の色毎にタンデムユニットを有し、これらを積層して有機層１６を構成するようにしてもよい。
【００３３】
正孔注入層は、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔注入層は、例えば、厚みが１ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、化１または化２に示したヘキサアザトリフェニレン誘導体により構成されている。
【００３４】
【化１】
2014229356.tif 000003
（化１において、Ｒ１〜Ｒ６それぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、アミノ基、アルールアミノ基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニルエステル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルコキシル基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアリール基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換の複素環基、ニトリル基、シアノ基、ニトロ基、またはシリル基から選ばれる置換基であり、隣接するＲｍ（ｍ＝１〜６）は環状構造を通じて互いに結合してもよい。また、Ｘ１〜Ｘ６はそれぞれ独立に炭素もしくは窒素原子である。）
【００３５】
【化２】
2014229356.tif 000004
【００３６】
正孔輸送層は、発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。正孔輸送層は、例えば、厚みが４０ｎｍ程度であり、４，４′，４″−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）またはα−ナフチルフェニルジアミン（αＮＰＤ）により構成されている。
【００３７】
発光層は例えば白色発光用の発光層であり、第１電極層１４と第２電極層１８との間に例えば赤色発光層、緑色発光層および青色発光層（いずれも図示せず）の積層体を有している。赤色発光層，緑色発光層および青色発光層は、電界をかけることにより、第１電極層１４から正孔注入層および正孔輸送層を介して注入された正孔の一部と、第２電極層１８から電子注入層および電子輸送層を介して注入された電子の一部とが再結合して、それぞれ赤色，緑色および青色の光を発生させるものである。
【００３８】
赤色発光層は、例えば、赤色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。赤色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。赤色発光層は、例えば、厚みが５ｎｍ程度であり、４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス［（４’−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。
【００３９】
緑色発光層は、例えば、緑色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。緑色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。緑色発光層は、例えば、厚みが１０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉにクマリン６を５重量％混合したものにより構成されている。
【００４０】
青色発光層は、例えば、青色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。青色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。青色発光層は、例えば、厚みが３０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉに４，４’−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。
【００４１】
電子輸送層は、発光層への電子輸送効率を高めるためのものであり、例えば厚みが２０ｎｍ程度の８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）により構成されている。電子注入層は、発光層への電子注入効率を高めるためのものであり、例えば厚みが０．３ｎｍ程度のＬｉＦあるいはＬｉ2Ｏ等により構成されている。
【００４２】
高抵抗層１７は、第１電極層１４と第２電極層１８との間の短絡の発生を防止するためのものであり、全ての有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通して設けられている。高抵抗層１７は、第１電極層１４および第２電極層１８よりも電気抵抗が高く、電荷の輸送機能あるいは電荷の注入機能を備えている。第１電極層１４上に意図せずパーティクル（異物）や突起物が付着し、その状態で有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成した場合、第１電極層１４と第２電極層１８との接触による短絡が生じるおそれがある。高抵抗層１７により、このような第１電極層１４と第２電極層１８との接触を防ぐことができる。
【００４３】
高抵抗層１７は、例えば、電気抵抗率が１×１０6Ω・ｍ以上１×１０8Ω・ｍ以下の材料により構成されていることが好ましい。この範囲内であれば、十分に短絡の発生を防止し、かつ、駆動電圧を低く抑えることができるためである。高抵抗層１７は、例えば、酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5），酸化チタン（ＴｉＯ2），酸化モリブデン（ＭｏＯ2，ＭｏＯ3），酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5），酸化ハフニウム（ＨｆＯ），酸化マグネシウム（ＭｇＯ），ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯx），酸化ニオブと酸化チタンとの混合物，酸化チタンと酸化亜鉛（ＺｎＯ）との混合物，酸化ケイ素（ＳｉＯ2）と酸化錫（ＳｎＯ2）との混合物または酸化亜鉛に酸化マグネシウム、酸化ケイ素あるいは酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）のうちから少なくとも１つを混合した混合物により構成されている。これらの材料を適宜組み合わせて高抵抗層１７を構成するようにしてもよい。有機層１６および第２電極層１８の屈折率に近い値、例えば屈折率１．７以上の高抵抗層１７を用いることが好ましく、１．９以上であることがより好ましい。これにより、有機層１６の発光層の外部量子効率が向上する。高抵抗層１７の厚みは、例えば１００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度である。
【００４４】
第２電極層１８は、有機層１６を間にして第１電極層１４と対をなし、例えば電子注入層の上に全ての有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通して設けられている。第２電極層１８は例えばカソード電極としての機能および光透過層としての機能を兼ね備えたものであり、導電性が高く、かつ、光透過率も高い材料により構成されていることが望ましい。したがって、第２電極層１８は、例えば、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），銀（Ａｇ），カルシウム（Ｃａ）またはナトリウム（Ｎａ）の合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（Ｍｇ−Ａｇ合金）は、薄膜での導電性と吸収の小ささとを兼ね備えているので好ましい。Ｍｇ−Ａｇ合金におけるマグネシウムと銀との比率は特に限定されないが、膜厚比でＭｇ：Ａｇ＝２０：１〜１：１の範囲であることが望ましい。また、第２電極層１８の材料には、アルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（Ａｌ−Ｌｉ合金）を用いるようにしてもよく、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），アルミナドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ），ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ），インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ），インジウムチタン酸化物（ＩＴｉＯ）またはインジウムタングステン酸化物（ＩＷＯ）等を用いてもよい。詳細は後述するが、表示装置１には補助電極層２５が設けられているので、第２電極層１８を薄膜化することが可能であり、第２電極層１８の厚みは、例えば１０〜５００ｎｍ程度である。第２電極層１８および高抵抗層１７は、有機層１６への水分の浸入を防ぐ機能も有している。
【００４５】
導電性封止層１９は、第２電極層１８を覆うように素子基板１１の全面を覆い、素子パネル１０と封止パネル２０との間を封止している。導電性封止層１９は、外部から表示領域１１０への水分浸入を防ぐと共に、素子パネル１０と封止パネル２０との間の距離を規定するように機能する。導電性封止層１９は、さらに、第３電極層２５と有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極層１８とを電気的に接続する機能をも有しており、第３電極層２５と第２電極層１８との双方に密着して設けられている。導電性封止層１９は、例えば透明樹脂に分散された複数の導電性ナノ粒子を含んでいる。透明樹脂としては、例えば熱硬化型接着剤または紫外線硬化型接着剤が用いられる。そのような接着剤としては、例えば、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤またはシアノアクリレート系接着剤などが挙げられる。また、導電性ナノ粒子は、例えばＡｕ（金），Ａｇ（銀），Ａｇナノワイヤー，Ｃｕ（銅），Ａｌ（アルミニウム），Ｐｔ（白金）およびＩＴＯ（酸化インジウムスズ）のうちの１種以上を含むものである。
【００４６】
導電性封止層１９の厚さ（膜厚）は例えば３μｍ以上２０μｍ以下である。図４は、導電性封止層１９の厚さを３μｍ，５μｍ，２０μｍの３水準とし、各々の膜厚での抵抗率［Ω・ｃｍ］と電圧降下［Ｖ］との関係を表している。導電性封止層１９の厚さ（膜厚）を例えば３μｍとするとき、導電性封止層１９の電気抵抗率を１×１０5Ω・ｃｍ以下とすることで、導電性封止層１９の厚さ方向における電圧降下を１Ｖ以下に抑えることができる（図４参照）。あるいは導電性封止層１９の厚さを５μｍとする場合、導電性封止層１９の厚さ方向における電圧降下を１Ｖ以下に抑えるには、おおよそ５×１０4Ω・ｃｍ以下の電気抵抗率とすればよい。ここで、導電性封止層１９の電気抵抗率の調整は、例えば、透明樹脂に分散させる導電性ナノ粒子の材質および重量を適宜選択することにより行う。また、導電性ナノ粒子は、その外寸が１μｍ以下であることから、接着剤などの透明樹脂に分散させても導電性封止層１９は十分な透明性を有する。さらに、導電性ナノ粒子はそのような微小なサイズを有することから、透明樹脂において十分に分散する。このため、導電性封止層１９は、より均質な光透過性および導電性を有する。なお、導電性封止層１９は、有機層１６で発生した光を例えば８０％以上透過することが望ましい。
【００４７】
封止パネル２０の遮光層２２は、いわゆるブラックマトリクス（ＢＭ）であり、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの配置に合わせて、例えばマトリクス状にパターニングされ、開口２２Ｋが複数形成されている。遮光層２２に設けられた複数の開口２２Ｋから有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光がそれぞれ取り出されるようになっている。遮光層２２は、例えばカーボンブラックにより構成される。遮光性と導電性を兼ねた材料、クロムおよびグラファイト等を遮光層２２に用いるようにしてもよい。あるいは、薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより遮光層２２を構成するようにしてもよい。この薄膜フィルタは、例えば、金属、金属窒化物または金属酸化物等の薄膜を１層以上積層することにより、薄膜の干渉を生じさせて光を減衰させるものである。このような薄膜フィルタとしては、例えば、封止基板２１側から、窒化シリコン（ＳｉＮ）６５ｎｍ、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）２０ｎｍおよびモリブデン（Ｍｏ）５０ｎｍ以上をこの順に積層させたもの、あるいは、封止基板２１側から、酸化モリブデン（ＭｏＯx）４５ｎｍ、モリブデン１０ｎｍ、酸化モリブデン４０ｎｍおよびモリブデン（Ｍｏ）５０ｎｍ以上をこの順に積層させたもの等を挙げることができる。
【００４８】
カラーフィルタ２３は、例えば、赤色フィルタ２３Ｒ、緑色フィルタ２３Ｇおよび青色フィルタ２３Ｂを含み、これらが遮光層２２および有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのパターン毎に配色されている。遮光層２２に重なる位置にカラーフィルタ２３が設けられていてもよい。赤色フィルタ２３Ｒ、緑色フィルタ２３Ｇおよび青色フィルタ２３Ｂは、例えば顔料または染料を混入した樹脂により構成されている。この顔料または染料の種類を適宜選択することにより、赤色フィルタ２３Ｒ、緑色フィルタ２３Ｇおよび青色フィルタ２３Ｂではそれぞれ、赤色、緑色または青色それぞれの波長域の光透過率が高くなるように調整されている。赤色、緑色および青色の目的とする波長域以外では、カラーフィルタ２３の光透過率は低くなっている。カラーフィルタ２３の厚みは例えば、１〜４μｍである。カラーフィルタ２３は、封止基板２１のどちらの面（素子基板１１との対向面あるいはその反対側の面）に設けられてもよいが、素子基板１１との対向面に設けられることが好ましい。カラーフィルタ２３が表面に露出せず、導電性封止層１９や第３電極層２５により保護することができるからである。また、有機層１６とカラーフィルタ２３との間の距離が狭くなることにより、有機層１６から出射した光が隣接する他の色のカラーフィルタに入射して混色を生じることを避けることができるからである。
【００４９】
カラーフィルタ２３の表面（素子基板１１との対向面）はオーバーコート層２４に覆われている。オーバーコート層２４は、カラーフィルタ２３表面の平坦性を高め、保護するためのコーティング剤であり、例えば樹脂等の有機材料やＳｉＯ，ＳｉＮあるいはＩＴＯなどの無機材料により構成されている。
【００５０】
第３電極層２５は、第２電極層１８と第２電極層１８の給電点、すなわち、電子の供給箇所とを電気的に接続するものである。この第３電極層２５は、第２電極層１８と同様に、例えば全ての有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通して設けられている。したがって光透過率が高く、かつ、電気抵抗率の低い材料により構成されていることが好ましい。具体的には、第２電極層１８と同様の材料により構成される。上述したように、第３電極層２５は、導電性封止層１９を介して第２電極層１８と電気的に接続されている。よって、この第３電極層２５を設けることにより、表示画面内での電圧降下を低減することができる。
【００５１】
また、第２電極層１８は、絶縁膜１５の開口に対応する発光領域と、絶縁膜１５が設けられる素子分離領域との双方を覆うように形成されるため、それ自体の平坦性は低い。すなわち、第２電極層１８は厚さの大きな部分と厚さの小さな部分との差が大きいので、所望の電気抵抗率を得るために第２電極層１８の厚さを増加させると、表示装置１全体の厚さが嵩むことになりやすい。これに対し、封止パネル２０に含まれる第３電極層２５は、比較的凹凸の小さな面の上に設けられるため、高い平坦性を有する。よって、所望の電気抵抗率を得るにあたり、第２電極層１８と同一の材料を用いて第３電極層２５を構成すると、その第３電極層２５の厚さは、第２電極層１８の厚さを増加させる場合よりも薄くてすむこととなる。
【００５２】
[表示装置１の製造方法]
表示装置１は、例えば素子パネル１０および封止パネル２０をそれぞれ形成したのち、これら素子パネル１０と封止パネル２０とを貼り合わせて製造する。以下、素子パネル１０の形成工程（図５Ａ〜図５Ｃ）と、封止パネル２０の形成工程（図６）と、素子パネル１０および封止パネル２０の貼り合わせ工程（図７Ａ〜図７Ｃ）とを順に説明する。
【００５３】
[素子パネル１０の製造方法]
まず、素子基板１１上にＴＦＴ１２、層間絶縁膜１２Ａ、配線１２Ｂ、および平坦化層１３を形成する。平坦化層１３は例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、塗布法、スパッタリング法および各種印刷法等により形成することができる。平坦化層１３には接続孔１３Ａを設けておく。
【００５４】
次いで、平坦化層１３上に導電膜を例えばスパッタ法により成膜したのち、これをフォトリソグラフィ工程によりパターニングし、第１電極層１４を形成する。続いて、第１電極層１４上および平坦化層１３上に、例えばプラズマＣＶＤ法により例えば窒化シリコン膜を成膜した後、この窒化シリコン膜に開口１５Ｋを設けて絶縁膜１５を形成する（図５Ａ）。
【００５５】
続いて、例えば真空蒸着法等の物理的気相成長法（PVD法:Physical Vapor Deposition）により発光層を含む有機層１６、高抵抗層１７および第２電極層１８を素子基板１１の全面に形成する（図５Ｂ、図５Ｃ）。有機層１６、高抵抗層１７および第２電極層１８は、スクリーン印刷法およびインクジェット印刷法等の印刷法、レーザ転写法あるいは塗布法等により形成するようにしてもよい。レーザ転写法は、転写用基板上に形成されたレーザ吸収層と有機層１６との積層構造にレーザを照射し、有機層１６を素子基板１１に転写する方法である。
【００５６】
[封止パネル２０の製造方法]
表示装置１の封止パネル２０は、例えば以下のようにして形成する（図６）。まず、封止基板２１の全面に遮光層２２の構成材料を成膜したのち、これを例えばフォトリソグラフィ工程を用いてマトリクス状にパターニングすることで、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの配置に合わせて開口２２Ｋを複数形成する。次いで、この遮光層２２を設けた封止基板２１上に赤色フィルタ２３Ｒ、緑色フィルタ２３Ｇおよび青色フィルタ２３Ｂを順次パターニングして形成する。続いて、封止基板２１の全面にオーバーコート層２４を成膜し、さらにオーバーコート層２４上に第３電極層２５を全面に亘って形成する。以上により、封止パネル２０が完成する。
【００５７】
[素子パネル１０と封止パネル２０との貼り合わせ工程]
上記のようにして形成した素子パネル１０と封止パネル２０とは、例えば図７Ａ〜図７Ｃに示したように、ＯＤＦ（One Drop Fill）工程により貼り合わされる。具体的には、真空チャンバ内に一対の上プレート４１Ａおよび下プレート４１Ｂを準備し、上プレート４１Ａにおける下プレート４１Ｂと対向する面に封止パネル２０を、下プレート４１Ｂにける上プレート４１Ａと対向する面に素子パネル１０を、それぞれ固定する。次いで、下プレート４１Ｂ上の素子パネル１０の周縁部をシール材３０Ｂで囲み、このシール材３０で囲まれた領域内に、導電性封止材３０Ａを滴下する（図７Ａ）。導電性封止材３０Ａは、熱硬化型接着剤または紫外線硬化型接着剤などの硬化前の透明樹脂に、所定の導電性ナノ粒子を所定量分散させたものである。このとき、導電性封止材３０Ａの液滴を複数、等間隔に配置する。続いて、真空チャンバ内で素子パネル１０と封止パネル２０とを貼り合わせたのち（図７Ｂ）、チャンバ内を窒素（Ｎ2）雰囲気にして、素子パネル１０と封止パネル２０とを押し付ける。これにより、素子パネル１０と封止パネル２０との間に導電性封止材３０Ａが隙間なく充填され、さらに紫外線の照射、あるいは加熱により導電性封止材３０Ａに含まれる透明樹脂を硬化させることで導電性封止層１９が得られる（図７Ｃ）。以上により、図１に示した表示装置１が完成する。
【００５８】
[表示装置１の動作]
表示装置１では、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに、各色の映像信号に応じた駆動電流が印加されると、第１電極層１４および第２電極層１８を通じて、有機層１６に電子および正孔が注入される。これらの電子および正孔は、有機層１６に含まれる発光層においてそれぞれ再結合され、発光を生じる。この光は、第２電極層１８，カラーフィルタ２３および封止基板２１を透過して外部へ取り出される。このようにして、表示装置１では、例えばＲ，Ｇ，Ｂのフルカラーの映像表示がなされる。また、この映像表示動作の際に容量素子Ｃｓの一端に、映像信号に対応する電位が印加されることにより、容量素子Ｃｓには、映像信号に対応する電荷が蓄積される。
【００５９】
[表示装置１の作用・効果]
表示装置１では、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが、第１電極層１４と、有機層１６と、第２電極層１８と、導電性封止層１９と、第３電極層２５とが順に積層された積層構造を有する。ここで、第２電極層１８と第３電極層２５とが導電性封止層１９を介して電気的に接続される。このため、第３電極層２５を設けない場合と比較して、第２電極層１８における電圧降下が緩和される。また、仮に第３電極層２５を設ける場合であっても、例えば図１９に示した比較例としての表示装置１０１と比較して、表示装置１は簡素な構成となっており、製造性にも優れている。図１９の表示装置１０１は、導電性封止層１９の代わりに絶縁性樹脂層を設け、第２電極層１８の一部領域に第３電極層２５との電気的接続のための導電性ピラー１０１Ｐを立設させたものである。この場合、その処理を行うための工程が必要であるし、また、導電性ピラー１０１Ｐと封止パネル２０におけるブラックマトリクス（遮光層２２）との位置合わせにも高い精度が求められる。ところが、表示装置１ではそれらが不要となり、簡素化が実現される。このように表示装置１は、第２電極層１８と第３電極層２５との間を導電性封止層１９によって封止するようにしたので、簡素な構成でありながら、光透過性を損なうことなく面内方向の電圧降下を緩和することができる。よって、大型化した場合であっても量産性に優れ、高い動作性能および信頼性を確保することができる。
【００６０】
＜第１の実施の形態の変形例＞
本実施の形態では、導電性封止層１９として、例えば熱硬化型接着剤または紫外線硬化型接着剤などの透明樹脂に、複数の導電性ナノ粒子を分散させたものを例示して説明した。これに対し、図８に示した本変形例としての表示装置１Ａのように、導電性封止層１９Ａを用いることもできる。導電性封止層１９Ａは、透明樹脂３１に分散された複数の導電性フィラー３２を含むものである。透明樹脂３１は、例えば導電性封止層１９における透明樹脂と同様の熱硬化型接着剤または紫外線硬化型接着剤である。一方、導電性フィラー３２は、例えば粒子状の透明高分子材料３２Ａに透明導電膜３２Ｂを被覆したものである。透明高分子材料３２Ａとしては、例えばアクリル系粒子を用いることができる。透明導電膜３２Ｂは、ＩＴＯ，ＺｎＯ，あるいはＩＺＯなどの、第２電極層１８の構成材料と同種の材料によって構成される。なお、図８では、導電性フィラー３２が存在する様子を模式的に表したものであり、その位置や大きさ、数などはこれに限定されるものではない。この表示装置１Ａは、上記実施の形態の表示装置１と同様にして作製できる。この表示装置１Ａでは、透明樹脂３１の屈折率と導電性フィラー３２の屈折率との調和を図ることで、導電性封止層１９Ａを有機層１６からの光が透過する際に散乱するのを防ぐことができる。なお、導電性フィラー３２の外寸は、例えば導電性封止層１９Ａの厚さ以下とするとよい。このような表示装置１Ａにおいても、表示装置１と同様の作用および効果が期待できる。
【００６１】
＜第２の実施の形態＞
[表示装置２の構成]
図９は、本技術の第２の実施の形態としての有機ＥＬ表示装置（表示装置２）の要部断面構成を表したものである。この表示装置２は、補助配線層２６を設けるようにした点を除き、他は上記第１の実施の形態の表示装置１と同様の構成を有する。
【００６２】
補助配線層２６は、表示領域１１０において、封止パネル２０のオーバーコート層２４の表面に、素子パネル１０の絶縁膜１５が設けられた素子分離領域に対応して、例えば帯状もしくは格子状に選択的に設けられている。補助配線層２６は、自らを覆う第３電極層２５および導電性封止層１９を介して第２電極層１８と導通した状態となっている。補助配線層２６は、導電性が高く、かつ、空気中で酸化しにくい材料により構成されていることが好ましい。具体的には、補助配線層２６の構成材料として、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、鉄（Ｆｅ）、タングステン（Ｗ）およびコバルト（Ｃｏ）等が挙げられる。アルミニウムは比較的酸化しやすいので、表面をモリブデン（Ｍｏ）またはチタン（Ｔｉ）等で被覆して補助配線層２６を構成することが好ましい。
【００６３】
[表示装置２の作用・効果]
このような補助配線層２６を設けることにより、発光性能を低下させることなく、表示画面内での電圧降下の発生をよりいっそう抑えることが可能となる。以下、理由を述べる。
【００６４】
一般に、トップエミッション型の表示装置において透明な第２電極層として使用する光透過性の導電膜は抵抗率が高い。このため、給電点から各画素（各有機発光素子）までの距離に応じた配線抵抗の増加率が大きい。その一方で、第２電極層の厚みは薄い方が好ましい。ＩＴＯなどの光透過性の導電膜は、特に短波長領域（４５０ｎｍ以下の領域）の光を吸収しやすいため、他の色光と比較して外部へ取り出される青色の表示光の強度が不足する場合があるからである。その場合、青色の光源光の強度を高めることで青色の表示光の強度不足を補うこともできるが、消費電力が増大してしまう。また、光透過率を高めるため第２電極層の薄膜化を進めると、第２電極層の膜厚に応じて第２電極層の電気抵抗がさらに高くなる。その結果、画素と給電点との距離が長くなるほど、有機発光素子に印加される実効電圧が顕著に降下し、輝度が低下するおそれがある。
【００６５】
そこで表示装置２では、第２電極層１８とその給電点との間の電流バイパスとして機能するものとして、第３電極層２５に加えて補助電極層２６を設けることにより、このような電圧降下を低減するようにしている。補助電極層２６は、例えば遮光層２２と重なるように設けられているとよい。なお、導電性の遮光層２２を用いて、遮光層２２が補助配線層２６を兼ねるようにしてもよい。
【００６６】
表示装置２では、素子パネル１０ではなく、封止パネル２０に補助配線層２６が設けられている。このため、補助配線層２６の形成プロセスを、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの形成プロセスから独立させることができる。これに対し、例えば第２電極層１８の上に補助配線層を直接形成する場合には、補助配線層形成時の熱（例えばスパッタ蒸着などに起因するもの）や水分（例えばフォトリソグラフィ法で用いる現像液）による負荷が有機層１６にも及ぶことが懸念される。しかし、本実施の形態の表示装置２では、そのような問題を回避できる。
【００６７】
＜適用例＞
以下、上記のような表示装置（表示装置１，１Ａ，２）の電子機器への適用例について説明する。電子機器としては、例えばテレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラ等が挙げられる。すなわち、上記表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【００６８】
［モジュール］
上記表示装置は、例えば図１０に示したようなモジュールとして、後述の適用例１〜７などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、素子パネル１０または封止パネル２０の一辺に、封止用基板２１または素子基板１１から露出した領域６１を設け、この露出した領域６１に、信号線駆動回路１２０、走査線駆動回路１３０および電源線供給回路１４０の配線を延長して外部接続端子（第１周辺電極および第２周辺電極等）を形成したものである。この外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）６２が設けられていてもよい。
【００６９】
［適用例１］
図１１Ａおよび図１１Ｂはそれぞれ、上記実施の形態の表示装置が適用される電子ブックの外観を表したものである。この電子ブックは、例えば、表示部２１０および非表示部２２０を有しており、この表示部２１０が上記実施の形態の表示装置により構成されている。
【００７０】
［適用例２］
図１２は、上記実施の形態の表示装置が適用されるスマートフォンの外観を表したものである。このスマートフォンは、例えば、表示部２３０および非表示部２４０を有しており、この表示部２３０が上記実施の形態の表示装置により構成されている。
【００７１】
［適用例３］
図１３は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記実施の形態の表示装置により構成されている。
【００７２】
［適用例４］
図１４Ａ，図１４Ｂは、上記実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、この表示部４２０が上記実施の形態の表示装置により構成されている。
【００７３】
［適用例５］
図１５は、上記実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、この表示部５３０が上記実施の形態の表示装置により構成されている。
【００７４】
［適用例６］
図１６は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有している。そして、この表示部６４０が上記実施の形態の表示装置により構成されている。
【００７５】
［適用例７］
図１７Ａ，図１７Ｂは、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そして、これらのうちのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０が、上記実施の形態の表示装置により構成されている。
【００７６】
以上、実施の形態および変形例を挙げて本技術を説明したが、本技術はこれら実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、全ての有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが共通の有機層１６を有する場合を例に挙げて説明したが、有機層１６のうちの少なくとも一つの層が有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通していればよい。例えば、図１８に示したように、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇに赤色発光層１６Ｒ，緑色発光層１６Ｇを各々設け、青色発光層１６Ｂを有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通に設けるようにしてもよい。また、発光層を有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂごとに塗り分け、正孔注入層等を有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通に設けるようにしてもよい。
【００７７】
加えて、上記実施の形態等では、カラーフィルタ２３として赤色フィルタ２３Ｒ，緑色フィルタ２３Ｇ，青色フィルタ２３Ｂを設けて、赤色画素、緑色画素および青色画素を配置する場合について説明したが、これらに、黄色画素または白色画素を加えるようにしてもよい。これにより輝度を向上させることができる。
【００７８】
さらに、上記実施の形態等では高抵抗層１７およびオーバーコート層２４を設ける場合について説明したが、これらの高抵抗層およびオーバーコート層の一方または双方を省略してもよい。
【００７９】
また、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚さ、または成膜方法および成膜条件等は限定されるものではなく、他の材料および厚さとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００８０】
さらに、上記実施の形態等では、表示装置１，１Ａ，２の構成を具体的に挙げて説明したが、本発明の表示装置は、図示した構成要素を全て備えるものに限定されるものではない。また、一部の構成要素を他の構成要素に置換することもできる。
【００８１】
また、本技術は以下のような構成を取り得るものである。
（１）
第１電極層と、
発光層を含む有機層と、
第２電極層と、
導電性封止層と、
第３電極層と
が順に積層された積層構造を有する発光素子。
（２）
前記導電性封止層は、透明樹脂に分散された複数の導電性ナノ粒子を含む
上記（１）記載の発光素子。
（３）
前記透明樹脂は、熱硬化型接着剤または紫外線硬化型接着剤であり、
前記導電性ナノ粒子は、Ａｕ（金），Ａｇ（銀），Ａｇナノワイヤー，Ｃｕ（銅），Ａｌ（アルミニウム），Ｐｔ（白金）およびＩＴＯ（酸化インジウムスズ）のうちの１種以上を含む
上記（２）記載の発光素子。
（４）
前記導電性封止層は、透明樹脂に分散された複数の導電性フィラーを含む
上記（１）記載の発光素子。
（５）
前記透明樹脂は、熱硬化型接着剤または紫外線硬化型接着剤であり、
前記導電性フィラーは、透明高分子材料に透明導電膜を被覆したものである
上記（４）記載の発光素子。
（６）
基板上に複数の発光素子を備え、
前記複数の発光素子は、それぞれ、
第１電極層と、
発光層を含む有機層と、
第２電極層と、
導電性封止層と、
第３電極層と
が順に積層された積層構造を有する
表示装置。
（７）
前記第２電極層、前記導電性封止層、および前記第３電極層は、前記複数の発光素子によって共有された共通層である
上記（６）記載の表示装置。
（８）
前記発光層が前記発光素子ごとに分離される分離領域と、
前記発光層が占める発光領域と
を有し、
前記分離領域には、前記第３電極層と接続された補助配線層が設けられている
上記（７）記載の表示装置。
（９）
第１基板の上に、第１電極層と、発光層を含む有機層と、第２電極層とを順に積層形成することと、
第２基板の上に第３電極層を形成することと、
前記第２電極層と前記第３電極層とを、導電性封止層を介して貼り合わせることと
を含む発光素子の製造方法。
（１０）
複数の導電性ナノ粒子または複数の導電性フィラーを分散させた熱硬化型接着剤または紫外線硬化型接着剤を含む透明樹脂を、加熱により、または紫外線照射により硬化させることで前記導電性封止層を得る
上記（９）記載の発光素子の製造方法。
【符号の説明】
【００８２】
１，１Ａ，２…表示装置、１０…素子パネル、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機発光素子、１１…素子基板、１２…ＴＦＴ、１２Ａ…層間絶縁膜、１２Ｂ…配線、１３…平坦化層、１４…第１電極層、１５…絶縁膜、１６…有機層、１７…高抵抗層、１８…第２電極層、１９…導電性封止層、２０…封止パネル、２１…封止基板、２２…遮光層、２３…カラーフィルタ、２４…オーバーコート層、２５…第３電極層、２６…補助配線層、３１…透明樹脂、３２…導電性フィラー、３２Ａ…透明高分子材料、３２Ｂ…透明導電膜、１１０…表示領域、１２０…信号線駆動回路、１３０…走査線駆動回路、１４０…電源供給線駆動回路、１５０…画素駆動回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【図１８】
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【図１９】
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