(57)【要約】【課題】  半導体装置の製造に必要な貯蔵弾性率と高い接着力を併せ持つ熱硬化型ダイボンドフィルム、及び当該熱硬化型ダイボンドフィルムを備えたダイシング・ダイボンドフィルムの提供を目的とする。【解決手段】  本発明の熱硬化型ダイボンドフィルムは、半導体装置の製造の際に用いる熱硬化型ダイボンドフィルムであって、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル共重合体及びフィラーを少なくとも含み、８０℃〜１４０℃における熱硬化前の貯蔵弾性率が１０ｋＰａ〜１０ＭＰａの範囲内であり、１７５℃における熱硬化前の貯蔵弾性率が０．１ＭＰａ〜３ＭＰａの範囲内である。【選択図】  図１
2014158046.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の製造の際に用いる熱硬化型ダイボンドフィルムであって、
エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル共重合体及びフィラーを少なくとも含み、８
０℃〜１４０℃における熱硬化前の貯蔵弾性率が１０ｋＰａ〜１０ＭＰａの範囲内であり
、１７５℃における熱硬化前の貯蔵弾性率が０．１ＭＰａ〜３ＭＰａの範囲内であり、
前記エポキシ樹脂、前記フェノール樹脂及び前記アクリル共重合体以外の架橋剤を含まない熱硬化型ダイボンドフィルム。
【請求項２】
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の合計重量をＸ重量部とし、アクリル共重合体の重
量をＹ重量部としたときの比率Ｘ／Ｙが、０．１１〜４である請求項１に記載の熱硬化型
ダイボンドフィルム。
【請求項３】
前記エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル共重合体の合計重量をＡ重量部とし、
フィラーの重量をＢ重量部としたときのＢ／（Ａ＋Ｂ）が、０．８以下である請求項１又
は２に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。
【請求項４】
前記エポキシ樹脂が芳香族環を有するエポキシ樹脂であり、前記フェノール樹脂がフェ
ノールノボラック樹脂、フェノールビフェニル樹脂又はフェノールアラルキル樹脂の少な
くとも何れかであり、前記アクリル共重合体がカルボキシル基含有アクリル共重合体又は
エポキシ基含有アクリル共重合体の少なくとも何れかである請求項１〜３の何れか１項に
記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。
【請求項５】
前記フィラーの平均粒径が０．００５μｍ〜１０μｍの範囲内である請求項１〜４の何
れか１項に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。
【請求項６】
前記エポキシ樹脂の重量平均分子量が３００〜１５００の範囲内である請求項１〜５の
何れか１項に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。
【請求項７】
前記フェノール樹脂の重量平均分子量が３００〜１５００の範囲内である請求項１〜６
の何れか１項に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。
【請求項８】
前記アクリル共重合体の重量平均分子量が１０万〜１００万の範囲内である請求項１〜
７の何れか１項に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。
【請求項９】
ガラス転移温度が１０℃〜５０℃以下の範囲内である請求項１〜８の何れか１項に記載
の熱硬化型ダイボンドフィルム。
【請求項１０】
前記エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル共重合体の合計重量をＡ重量部とし、
フィラーの重量をＢ重量部としたときのＢ／（Ａ＋Ｂ）が、０．３１以上である請求項１〜９の何れか１項に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。
【請求項１１】
請求項１〜１０の何れか１項に記載の熱硬化型ダイボンドフィルムが、ダイシングフィルム上に積層された構造であるダイシング・ダイボンドフィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体チップ等の半導体素子を基板やリードフレーム等の被着体上に
固着する際に用いられる熱硬化型ダイボンドフィルムに関する。また本発明は、当該熱硬
化型ダイボンドフィルムがダイシングフィルム上に積層されたダイシング・ダイボンドフ
ィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の製造の際に於けるリードフレームや電極部材への半導体チップの固
着には、銀ペーストが用いられている。かかる固着処理は、リードフレームのダイパッド
等の上にペースト状接着剤を塗工し、それに半導体チップを搭載してペースト状接着剤層
を硬化させて行っている。
【０００３】
しかしながら、ペースト状接着剤はその粘度挙動や劣化等により塗工量や塗工形状等に
大きなバラツキを生じる。その結果、形成されるペースト状接着剤厚は不均一となる為、
半導体チップに係わる固着強度の信頼性が乏しい。即ち、ペースト状接着剤の塗工量が不
足すると、半導体チップと電極部材との間の固着強度が低くなり、その後のワイヤーボン
ディング工程で半導体チップが剥離する。一方、ペースト状接着剤の塗工量が多すぎると
半導体チップの上までペースト状接着剤が流延して特性不良を生じ、歩留まりや信頼性が
低下する。この様な固着処理に於ける問題は、半導体チップの大型化に伴って特に顕著な
ものとなっている。その為、ペースト状接着剤の塗工量の制御を頻繁に行う必要があり、
作業性や生産性に支障をきたしている。
【０００４】
このペースト状接着剤の塗工工程に於いて、ペースト状接着剤をリードフレームや形成
チップに別途塗布する方法がある。しかし、この方法では、ペースト状接着剤層の均一化
が困難であり、またペースト状接着剤の塗布に特殊装置や長時間を必要とする。この為、
ダイシングエ程で半導体ウェハを接着保持するとともに、マウント工程に必要なチップ固
着用の接着剤層をも付与するダイシング・ダイボンドフィルムが開示されている（例えば
、下記特許文献１参照）。
【０００５】
この種のダイシング・ダイボンドフィルムは、ダイシングフィルム上に接着剤層（ダイ
ボンドフィルム）が積層された構造を有している。また、ダイシングフィルムは支持基材
上に粘着剤層積層された構造である。このダイシング・ダイボンドフィルムは次のように
して使用される。即ち、ダイボンドフィルムによる保持下に半導体ウェハをダイシングし
た後、支持基材を延伸して半導体チップをダイボンドフィルムと共に剥離しこれを個々に
回収する。更に、半導体チップを、ダイボンドフィルムを介して、ＢＴ基板やリードフレ
ーム等の被着体に接着固定させる。
【０００６】
ここで、従来のダイボンドフィルムは、ダイボンド工程の際のダイボンド温度（例えば
、８０〜１４０℃）下での貯蔵弾性率が高いため、前記被着体に対し十分な濡れ性を示さ
ず、接着力が小さくなる場合がある。その結果、工程内又は各工程間の搬送中に加えられ
る振動や被着体の湾曲により、半導体チップが被着体から脱落するという問題がある。
【０００７】
また、ワイヤーボンディング工程の際のワイヤーボンディング温度（例えば、１７５℃
）下においても高い貯蔵弾性率を示すため、接着力が不十分な場合がある。その結果、ダ
イボンドフィルム上に接着固定された半導体チップに対してワイヤーボンディングを行う
際にも、超音波振動や加熱によりダイボンドフィルムと被着体との接着面でずり変形が生
じ、ワイヤーボンディングの成功率が低下するという問題がある。
【０００８】
更に、被着体にダイボンドされた半導体チップを封止（モールド）樹脂により封止する
モールド工程の際、当該半導体チップが封止樹脂の注入の際に押し流され、歩留まりが低
下するという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開昭６０−５７３４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は前記の問題点に鑑みなされたものであり、半導体装置の製造に必要な貯蔵弾性
率と高い接着力を併せ持つ熱硬化型ダイボンドフィルム、及び当該熱硬化型ダイボンドフ
ィルムを備えたダイシング・ダイボンドフィルムの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願発明者等は、前記従来の課題を解決すべく、熱硬化型ダイボンドフィルムについて
検討した。その結果、貯蔵弾性率を所定の数値範囲に制御することにより、当該熱硬化型
ダイボンドフィルムが、半導体装置を製造する為の所定の各工程において良好な濡れ性及
び接着性を示すことを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１２】
即ち、本発明に係る熱硬化型ダイボンドフィルムは、半導体装置の製造の際に用いる熱
硬化型ダイボンドフィルムであって、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル共重合体
及びフィラーを少なくとも含み、８０℃〜１４０℃における熱硬化前の貯蔵弾性率が１０
ｋＰａ〜１０ＭＰａの範囲内であり、１７５℃における熱硬化前の貯蔵弾性率が０．１Ｍ
Ｐａ〜３ＭＰａの範囲内であることを特徴とする。
【００１３】
前記構成であると、８０℃〜１４０℃における貯蔵弾性率を１０ｋＰａ〜１０ＭＰａに
することにより、熱硬化型ダイボンドフィルム（以下、「ダイボンドフィルム」という場
合がある。）を介して半導体チップをＢＴ基板やリードフレーム等の被着体にダイボンド
する際に、当該被着体に対し十分な濡れ性を示し、接着力の低下を防止する。その結果、
ダイボンド後の搬送中に加えられる振動や被着体の湾曲により、半導体チップが被着体か
ら脱落するのを防止することができる。
【００１４】
また、前記構成においては１７５℃における貯蔵弾性率を０．１ＭＰａ〜３ＭＰａにす
ることにより、半導体チップに対するワイヤーボンディングの際にも十分な接着力を維持
させることができる。その結果、ダイボンドフィルム上に接着固定した半導体チップに対
してワイヤーボンディングを行う際にも、超音波振動や加熱によるダイボンドフィルムと
被着体との接着面でのずり変形を防止し、ワイヤーボンディングの成功率を向上させるこ
とができる。
【００１５】
更に、被着体にダイボンドされた半導体チップを封止（モールド）樹脂により封止する
際にも、当該半導体チップが封止樹脂の注入の際に押し流されるのを防止することができ
る。
【００１６】
前記構成に於いては、前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の合計重量をＸ重量部とし、
アクリル共重合体の重量をＹ重量部としたときの比率Ｘ／Ｙが、０．１１〜４であること
が好ましい。エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計重量（Ｘ重量部）と、アクリル共重
合体の重量（Ｙ重量部）との重量の比率Ｘ／Ｙを０．１１以上にすることにより、１７５
℃で１時間の熱処理をした後の２６０℃における貯蔵弾性率を０．１ＭＰａ以上にするこ
とができる。その結果、半導体関連部品の信頼性評価に用いられる耐湿半田リフロー試験
においても、ダイボンドフィルムの剥離の発生を防止することができ、信頼性の向上が図
れる。その一方、前記Ｘ／Ｙを４以下にすることにより、ダイボンドフィルムのフィルム
としての機械的強度を増し自己支持性を確保することができる。
【００１７】
また、前記構成に於いては、前記エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル共重合体
の合計重量をＡ重量部とし、フィラーの重量をＢ重量部としたときのＢ／（Ａ＋Ｂ）が、
０．８以下であることが好ましい。フィラーの含有量を、エポキシ樹脂、フェノール樹脂
及びアクリル共重合体の合計重量に対し０．８以下にすることにより、貯蔵弾性率が大き
くなり過ぎるのを抑制し、被着体に対する濡れ性及び接着性を一層良好に維持することが
できる。
【００１８】
前記構成に於いては、前記エポキシ樹脂が芳香族環を有するエポキシ樹脂であり、前記
フェノール樹脂がフェノールノボラック樹脂、フェノールビフェニル樹脂又はフェノール
アラルキル樹脂の少なくとも何れかであり、前記アクリル共重合体がカルボキシル基含有
アクリル共重合体又はエポキシ基含有アクリル共重合体の少なくとも何れかであることが
好ましい。
【００１９】
前記構成に於いては、前記フィラーの平均粒径が０．００５μｍ〜１０μｍの範囲内で
あることが好ましい。フィラーの平均粒径を０．００５μｍ以上にすることにより、貯蔵
弾性率が大きくなり過ぎるのを抑制し、被着体に対する濡れ性及び接着性を一層良好に維
持することができる。その一方、前記平均粒径を１０μｍ以下にすることにより、ダイボ
ンドフィルムに対する補強効果を付与し、耐熱性の向上が図れる。
【００２０】
また前記構成に於いては、前記エポキシ樹脂の重量平均分子量が３００〜１５００の範
囲内であることが好ましい。エポキシ樹脂の重量平均分子量を３００以上にすることによ
り、熱硬化後のダイボンドフィルムの機械的強度、耐熱性、耐湿性が低下するのを防止す
ることができる。その一方、前記重量平均分子量を１５００以下にすることにより、熱硬
化後のダイボンドフィルムが剛直になって脆弱となるのを防止することができる。
【００２１】
また前記構成においては、前記フェノール樹脂の重量平均分子量が３００〜１５００の
範囲内であることが好ましい。フェノール樹脂の重量平均分子量を３００以上にすること
により、前記エポキシ樹脂の硬化物に対し十分な強靱性を付与することができる。その一
方、前記重量平均分子量を１５００以下にすることにより、高粘度となるのを抑制して、
良好な作業性を維持することができる。
【００２２】
また前記構成においては、前記アクリル共重合体の重量平均分子量が１０万〜１００万
の範囲内であることが好ましい。アクリル共重合体の重量平均分子量を１０万以上にする
ことにより、配線基板等の被着体表面に対する高温時の接着性に優れ、かつ、耐熱性も向
上させることができる。その一方、前記重量平均分子量を１００万以下にすることにより
、容易に有機溶剤への溶解することができる。
【００２３】
また前記構成に於いては、ガラス転移温度が１０℃〜５０℃以下の範囲内であることが
好ましい。ダイボンドフィルムのガラス転移温度を１０℃以上にすることで、半導体チッ
プのダイボンドの際にダイボンドフィルムを構成する接着剤のはみ出しが生じるのを防止
することができる。その一方、前記ガラス転移温度を５０℃以下にすることにより、被着
体に対する濡れ性及び接着性を一層良好に維持することができる。
【００２４】
本発明に係るダイシング・ダイボンドフィルムは、前記の課題を解決する為に、前記の
何れか１項に記載の熱硬化型ダイボンドフィルムが、ダイシングフィルム上に積層された
構造であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】
本発明は、前記に説明した手段により、以下に述べるような効果を奏する。
即ち、本発明によれば、８０℃〜１４０℃における貯蔵弾性率を１０ｋＰａ〜１０ＭＰ
ａの範囲内とし、１７５℃における貯蔵弾性率を０．１ＭＰａ〜３ＭＰａの範囲内とする
ので、ＢＴ基板やリードフレーム等の被着体に対し良好な濡れ性及び接着性を発揮するこ
とができる。その結果、例えば、本発明の熱硬化型ダイボンドフィルムを介して半導体チ
ップを被着体にダイボンドする場合や、ダイボンド後の半導体チップに対しワイヤーボン
ディングをする場合、更に被着体にダイボンドされた半導体チップを樹脂封止する場合に
も、半導体チップを被着体に接着固定させ続けることができる。即ち、本発明の構成であ
ると、歩留まりを向上させて半導体装置を製造することが可能な熱硬化型ダイボンドフィ
ルムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の実施の一形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。
【図２】前記実施の形態に係る他のダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。
【図３】前記ダイシング・ダイボンドフィルムに於けるダイボンドフィルムを介して半導体チップを実装した例を示す断面模式図である。
【図４】前記ダイシング・ダイボンドフィルムに於けるダイボンドフィルムを介して半導体チップを３次元実装した例を示す断面模式図である。
【図５】前記ダイシング・ダイボンドフィルムを用いて、２つの半導体チップをスペーサを介してダイボンドフィルムにより３次元実装した例を示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
本発明の熱硬化型ダイボンドフィルム（以下、「ダイボンドフィルム」という。）につ
いて、ダイシング・ダイボンドフィルムの態様を例にして以下に説明する。本実施の形態
に係るダイシング・ダイボンドフィルム１０は、ダイシングフィルム上にダイボンドフィ
ルム３が積層された構造である（図１参照）。前記ダイシングフィルムは、基材１上に粘
着剤層２が積層された構造である。ダイボンドフィルム３はダイシングフィルムの粘着剤
層２上に積層されている。
【００２８】
本発明のダイボンドフィルム３は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル共重合体
及びフィラーを少なくとも含み構成される。前記ダイボンドフィルム３の８０℃〜１４０
℃における熱硬化前の貯蔵弾性率は、１０ｋＰａ〜１０ＭＰａの範囲内であり、好ましく
は１０ｋＰａ〜５ＭＰａ、より好ましくは１０ｋＰａ〜３ＭＰａである。前記貯蔵弾性率
を１０ｋＰａ以上にすることにより、フィルムとしての機械的強度を増し自己支持性を確
保することができる。その一方、前記貯蔵弾性率を１０ＭＰａ以下にすることにより、被
着体に対する濡れ性を確保し、接着力の維持が図れる。その結果、ダイボンド後の搬送中
に加えられる振動や被着体の湾曲により、半導体チップが被着体から脱落するのを防止す
ることができる。
【００２９】
また、ダイボンドフィルム３の１７５℃における熱硬化前の貯蔵弾性率は０．１ＭＰａ
〜３ＭＰａの範囲内であり、好ましくは０．５ｋＰａ〜２．５ＭＰａ、より好ましくは０
．７ｋＰａ〜２．３ＭＰａである。１７５℃における熱硬化前の貯蔵弾性率を前記数値範
囲内にすることにより、半導体チップに対するワイヤーボンディングの際にも十分な接着
力を維持させることができる。その結果、ダイボンドフィルム上に接着固定した半導体チ
ップに対してワイヤーボンディングを行う際にも、超音波振動や加熱によるダイボンドフ
ィルムと被着体との接着面でのずり変形を防止し、ワイヤーボンディングの成功率を向上
させることができる。
【００３０】
前記ダイボンドフィルム３のガラス転移温度は１０℃〜５０℃であることが好ましく、
２０℃〜４５℃であることがより好ましい。前記ガラス転移温度が１０℃以上にすること
により、半導体チップのダイボンドの際にダイボンドフィルムを構成する接着剤のはみ出
しが生じるのを防止することができる。その一方、前記ガラス転移温度を５０℃以下にす
ることにより、被着体に対する濡れ性及び接着性を一層良好に維持することができる。
【００３１】
また、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の合計重量をＸ重量部とし、アクリル共重合体の
重量をＹ重量部とした場合に、その配合比率Ｘ／Ｙ（−）は０．１１〜４が好ましく、０
．１１〜１．５がより好ましく、０．１１〜１．４が更に好ましく、０．１１〜１が特に
好ましく、０．１１〜０．５が一層好ましい。配合比率Ｘ／Ｙを０．１１以上にすること
により、１７５℃で１時間の熱処理を行った後の２６０℃に於ける貯蔵弾性率を０．１Ｍ
Ｐａ以上にすることができ、耐湿半田リフロー試験においてもダイボンドフィルム３の剥
離の発生を防止することができ、信頼性の向上が図れる。その一方、配合比率を４以下に
することにより、ダイボンドフィルム３のフィルムとしての機械的強度を増し、その自己
支持性を確保することができる。
【００３２】
前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無
く、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビス
フェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフ
タレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、
トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹
脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若
しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は２種以
上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうち本発明においては、ベン
ゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環等の芳香族環を有するエポキシ樹脂が特に好ましい
。具体的には、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂、キシリレン骨格含有フェノールノボ
ラック型エポキシ樹脂、ビフェニル骨格含有ノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール
Ａ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、テトラメチルビフェノール型エポ
キシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂などが挙げられる。これらのエポキシ樹脂
は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。尚
、エポキシ樹脂は、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等の含有が少ない。
【００３３】
前記エポキシ樹脂の重量平均分子量が３００〜１５００の範囲内であることが好ましく
、３５０〜１０００の範囲内であることがより好ましい。重量平均分子量が３００未満で
あると、熱硬化後のダイボンドフィルム３の機械的強度、耐熱性、耐湿性が低下する場合
がある。その一方、１５００より大きいと、熱硬化後のダイボンドフィルムが剛直になっ
て脆弱になる場合がある。尚、本発明に於ける重量平均分子量とは、ゲルパーミエーショ
ンクロトマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチ
レン換算値を意味する。
【００３４】
更に、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、
例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールビフェニル樹脂、フェノールアラルキル
樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニル
フェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂
、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又
は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうち、下記化学式
で表されるビフェニル型フェノールノボラック樹脂や、フェノールアラルキル樹脂が好ま
しい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。
【００３５】
【化１】
2014158046.tif 000003
【００３６】
尚、前記ｎは０〜１０の自然数であることが好ましく、０〜５の自然数であることがよ
り好ましい。前記数値範囲内にすることにより、ダイボンドフィルム３の流動性の確保が
図れる。
【００３７】
前記フェノール樹脂の重量平均分子量が３００〜１５００の範囲内であることが好まし
く、３５０〜１０００の範囲内であることがより好ましい。重量平均分子量が３００未満
であると、前記エポキシ樹脂の熱硬化が不十分となり十分な強靱性が得られない場合があ
る。その一方、重量平均分子量が１５００より大きいと、高粘度となって、ダイボンドフ
ィルムの作製時の作業性が低下する場合がある。
【００３８】
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中の
エポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配
合することが好適である。より好適なのは、０．８〜１．２当量である。即ち、両者の配
合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣
化し易くなるからである。
【００３９】
前記アクリル共重合体としては特に限定されないが、本発明においてはカルボキシル基
含有アクリル共重合体、エポキシ基含有アクリル共重合体が好ましい。前記カルボキシル
基含有アクリル共重合体に用いる官能基モノマーとしてはアクリル酸又はメタクリル酸が
挙げられる。アクリル酸又はメタクリル酸の含有量は酸価が１〜４の範囲内となる様に調
節される。その残部は、メチルアクリレート、メチルメタクリレートなどの炭素数１〜８
のアルキル基を有するアルキルアクリレート、アルキルメタクリレート、スチレン、又は
アクリロニトリル等の混合物を用いることができる。これらの中でも、エチル（メタ）ア
クリレート及び／又はブチル（メタ）アクリレートが特に好ましい。混合比率は、後述す
る前記アクリル共重合体のガラス転移点（Ｔｇ）を考慮して調整することが好ましい。ま
た、重合方法としては特に限定されず、例えば、溶液重合法、隗状重合法、懸濁重合法、
乳化重合法等の従来公知の方法を採用することができる。
【００４０】
また、前記モノマー成分と共重合可能な他のモノマー成分としては特に限定されず、例
えば、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分の使用量は、
全モノマー成分に対し１〜２０重量％の範囲内であることが好ましい。当該数値範囲内の
他のモノマー成分を含有させることにより、凝集力、接着性などの改質が図れる。
【００４１】
アクリル共重合体の重合方法としては特に限定されず、例えば、溶液重合法、隗状重合
法、懸濁重合法、乳化重合法等の従来公知の方法を採用することができる。
【００４２】
前記アクリル共重合体のガラス転移点（Ｔｇ）は、−３０〜３０℃であることが好まし
く、−２０〜１５℃であることがより好ましい。ガラス転移点が−３０℃以上にすること
により耐熱性が確保され得る。その一方、３０℃以下にすることにより、表面状態が粗い
ウェハにおけるダイシング後のチップ飛びの防止効果が向上する。
【００４３】
前記アクリル共重合体の重量平均分子量は、１０万〜１００万であることが好ましく、
３５万〜９０万であることがより好ましい。重量平均分子量を１０万以上にすることによ
り、被着体表面に対する高温時の接着性に優れ、かつ、耐熱性も向上させることができる
。その一方、重量平均分子量を１００万以下にすることにより、容易に有機溶剤への溶解
することができる。
【００４４】
前記フィラーとしては、無機フィラー又は有機フィラーが挙げられる。取り扱い性及び
熱伝導性の向上、溶融粘度の調整、並びにチキソトロピック性の付与等の観点からは、無
機フィラーが好ましい。
【００４５】
前記無機フィラーとしては特に限定されず、例えば、シリカ、水酸化アルミニウム、水
酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、三酸化アンチモン、炭酸カルシウム、炭酸マグネ
シウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、
酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミニウム、窒化ホウ素、結晶質シリカ
、非晶質シリカ等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることが
できる。熱伝導性の向上の観点からは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ
素、結晶性シリカ、非晶質シリカ等が好ましい。また、ダイボンドフィルム３の接着性と
のバランスの観点からは、シリカが好ましい。また、前記有機フィラーとしては、ポリイ
ミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリエス
テルイミド、ナイロン、シリコーン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併
用して用いることができる。
【００４６】
前記フィラーの平均粒径は、０．００５〜１０μｍが好ましく、０．０５〜１μｍがよ
り好ましい。フィラーの平均粒径が０．００５μｍ以上であると、被着体に対する濡れ性
を良好なものにし、接着性の低下を抑制することができる。その一方、前記平均粒径を１
０μｍ以下にすることにより、フィラーの添加によるダイボンドフィルム３に対する補強
効果を高め、耐熱性の向上が図れる。尚、平均粒径が相互に異なるフィラー同士を組み合
わせて使用してもよい。また、フィラーの平均粒径は、例えば、光度式の粒度分布計（Ｈ
ＯＲＩＢＡ製、装置名；ＬＡ−９１０）により求めた値である。
【００４７】
前記フィラーの形状は特に限定されず、例えば球状、楕円体状のものを使用することが
できる。
【００４８】
また、エポキシ、フェノール樹脂及びアクリル共重合体の合計重量をＡ重量部とし、フ
ィラーの重量をＢ重量部とした場合に、比率Ｂ／（Ａ＋Ｂ）は０を超えて０．８以下であ
ることが好ましく、０を超えて７以下であることがより好ましい。前記比率が０であると
フィラー添加による補強効果がなく、ダイボンドフィルム３の耐熱性が低下する傾向があ
る。その一方、前記比率が０．８を超えると、被着体に対する濡れ性及び接着性が低下す
る場合がある。
【００４９】
また、ダイボンドフィルム３、３’には、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合するこ
とができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラ
ップ剤等が挙げられる。
【００５０】
前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ
樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。
【００５１】
前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル
）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリ
シドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又
は２種以上を併用して用いることができる。
【００５２】
前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙
げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。
【００５３】
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の熱硬化促進触媒としては特に限定されず、例えば
、トリフェニルフォスフィン骨格、アミン骨格、トリフェニルボラン骨格、トリハロゲン
ボラン骨格等の何れかからなる塩が好ましい。
【００５４】
ダイボンドフィルム３の厚さ（積層体の場合は、総厚）は特に限定されないが、例えば
、５〜１００μｍ程度、好ましくは５〜５０μｍ程度である。
【００５５】
尚、ダイボンドフィルムは、例えば接着剤層の単層のみからなる構成とすることができ
る。また、ガラス転移温度の異なる熱可塑性樹脂、熱硬化温度の異なる熱硬化性樹脂を適
宜に組み合わせて、２層以上の多層構造にしてもよい。尚、半導体ウェハのダイシング工
程では切削水を使用することから、ダイボンドフィルムが吸湿して、常態以上の含水率に
なる場合がある。この様な高含水率のまま、基板等に接着させると、アフターキュアの段
階で接着界面に水蒸気が溜まり、浮きが発生する場合がある。従って、ダイボンドフィル
ムとしては、透湿性の高いコア材料を接着剤層で挟んだ構成とすることにより、アフター
キュアの段階では、水蒸気がフィルムを通じて拡散して、かかる問題を回避することが可
能となる。かかる観点から、ダイボンドフィルムはコア材料の片面又は両面に接着剤層を
形成した多層構造にしてもよい。
【００５６】
前記コア材料としては、フィルム（例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム
、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカー
ボネートフィルム等）、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、ミ
ラーシリコンウェハ、シリコン基板又はガラス基板等が挙げられる。
【００５７】
また、ダイボンドフィルム３は、セパレータにより保護されていることが好ましい（図
示せず）。セパレータは、実用に供するまでダイボンドフィルムを保護する保護材として
の機能を有している。また、セパレータは、更に、ダイシングフィルムにダイボンドフィ
ルム３、３’を転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータはダイボン
ドフィルム上にワークを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレンテ
レフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アル
キルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙
等も使用可能である。
【００５８】
尚、本発明に係るダイシング・ダイボンドフィルムとしては、図１に示すダイボンドフ
ィルム３の他に、図２に示す様に半導体ウェハ貼り付け部分にのみダイボンドフィルム３
’を積層したダイシング・ダイボンドフィルム１１の構成であってもよい。
【００５９】
前記基材１はダイシング・ダイボンドフィルム１０、１１の強度母体となるものである
。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリ
エチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリ
プロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、
エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重
合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−
ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポ
リエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポ
リアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹
脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（
箔）、紙等が挙げられる。粘着剤層２が紫外線硬化型である場合、基材１は紫外線に対し
透過性を有するものが好ましい。
【００６０】
また基材１の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラス
チックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施し
たものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイ
シング後にその基材１を熱収縮させることにより粘着剤層２とダイボンドフィルム３、３
’との接着面積を低下させて、半導体チップの回収の容易化を図ることができる。
【００６１】
基材１の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例え
ば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学
的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施す
ことができる。
【００６２】
前記基材１は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じ
て数種をブレンドしたものを用いることができる。また、基材１には、帯電防止能を付与
する為、前記の基材１上に金属、合金、これらの酸化物等からなる厚さが３０〜５００Å
程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。基材１は単層又は２種以上の複層でも
よい。
【００６３】
基材１の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５〜２００μｍ程度
である。
【００６４】
前記粘着剤層２は紫外線硬化型粘着剤を含み構成されている。紫外線硬化型粘着剤は、
紫外線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができ、図２
に示す粘着剤層２の半導体ウェハ貼り付け部分に対応する部分２ａのみを紫外線照射する
ことにより他の部分２ｂとの粘着力の差を設けることができる。
【００６５】
また、図２に示すダイボンドフィルム３’に合わせて紫外線硬化型の粘着剤層２を硬化
させることにより、粘着力が著しく低下した前記部分２ａを容易に形成できる。硬化し、
粘着力の低下した前記部分２ａにダイボンドフィルム３’が貼付けられる為、粘着剤層２
の前記部分２ａとダイボンドフィルム３’との界面は、ピックアップ時に容易に剥がれる
性質を有する。一方、紫外線を照射していない部分は十分な粘着力を有しており、前記部
分２ｂを形成する。
【００６６】
前述の通り、図１に示すダイシング・ダイボンドフィルム１０の粘着剤層２に於いて、
未硬化の紫外線硬化型粘着剤により形成されている前記部分２ｂはダイボンドフィルム３
と粘着し、ダイシングする際の保持力を確保できる。この様に紫外線硬化型粘着剤は、半
導体チップを被着体に固着する為のダイボンドフィルム３を、接着・剥離のバランスよく
支持することができる。図２に示すダイシング・ダイボンドフィルム１１の粘着剤層２に
於いては、前記部分２ｂがウェハリング１６を固定することができる。前記被着体６とし
ては特に限定されず、例えば、ＢＧＡ基板等の各種基板、リードフレーム、半導体素子、
スペーサ等が挙げられる。
【００６７】
前記紫外線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合等の紫外線硬化性の官能基を有し、か
つ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。紫外線硬化型粘着剤としては
、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、紫外線硬化性
のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の紫外線硬化型粘着剤を例示できる。
【００６８】
前記感圧性粘着剤としては、半導体ウェハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水
やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポ
リマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。
【００６９】
前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例
えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブ
チルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチ
ルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエ
ステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシル
エステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエ
ステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコ
シルエステル等のアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖
状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シ
クロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）の１種又は２種以上を単量体成分と
して用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。尚、（メタ）アクリル酸エステルとはア
クリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同
様の意味である。
【００７０】
前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記
（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモ
ノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、
アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチ
ル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキ
シル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）
アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ
）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メ
タ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、
（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル
）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、
アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メ
タ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ
）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロ
キシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アク
リロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使
用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が
好ましい。
【００７１】
更に、前記アクリル系ポリマーは、架橋させる為、多官能性モノマー等も、必要に応じ
て共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例
えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ
）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチル
グリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、ト
リメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）ア
クリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）ア
クリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等が挙
げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性
モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい
。
【００７２】
前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付す
ことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式
で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小
さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０
万以上、更に好ましくは４０万〜３００万程度である。
【００７３】
また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を
高める為、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段として
は、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤
等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、
その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての
使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対し
て、５重量部程度以下、更には０．１〜５重量部配合するのが好ましい。更に、粘着剤に
は、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加
剤を用いてもよい。
【００７４】
配合する前記紫外線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウ
レタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テト
ラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）ア
クリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモ
ノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アク
リレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。また紫外線
硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネ
ート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００
００程度の範囲のものが適当である。紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配
合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定
することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマ
ー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度
である。
【００７５】
また、紫外線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の紫外線硬化型粘着剤のほか
に、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖
末端に有するものを用いた内在型の紫外線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の紫外線硬
化型粘着剤は、低分子量成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くは
含まない為、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤中を移動することなく、安定した層構造
の粘着剤層を形成することができる為好ましい。
【００７６】
前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ
粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アク
リル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格として
は、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。
【００７７】
前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方
法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計において
容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した
後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭
素二重結合の紫外線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。
【００７８】
これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジ
リジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せの
なかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適で
ある。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリ
ル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合
物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマー
がヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。こ
の場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリ
ロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロ
ペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポ
リマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエ
ーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテ
ルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。
【００７９】
前記内在型の紫外線硬化型粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー
（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度
に前記紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。紫外線硬
化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲
内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。
【００８０】
前記紫外線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有
させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２
−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェ
ノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフ
ェニルケトン等のα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ
−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−
［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系
化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチ
ルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系
化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物；１
−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等の光
活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４
−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチ
オキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロ
ピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソ
ン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物；カンファーキ
ノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等が挙げられ
る。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー
１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。
【００８１】
また紫外線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示さ
れている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキ
シシラン等の光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン
、オニウム塩系化合物等の光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤等
が挙げられる。
【００８２】
前記粘着剤層２に前記部分２ａを形成する方法としては、基材１に紫外線硬化型の粘着
剤層２を形成した後、前記部分２ａに部分的に紫外線を照射し硬化させる方法が挙げられ
る。部分的な紫外線照射は、半導体ウェハ貼り付け部分３ａ以外の部分３ｂ等に対応する
パターンを形成したフォトマスクを介して行うことができる。また、スポット的に紫外線
を照射し硬化させる方法等が挙げられる。紫外線硬化型の粘着剤層２の形成は、セパレー
タ上に設けたものを基材１上に転写することにより行うことができる。部分的な紫外線硬
化はセパレータ上に設けた紫外線硬化型の粘着剤層２に行うこともできる。
【００８３】
ダイシング・ダイボンドフィルム１０の粘着剤層２に於いては、前記部分２ａの粘着力
＜その他の部分２ｂの粘着力、となるように粘着剤層２の一部を紫外線照射してもよい。
即ち、基材１の少なくとも片面の、半導体ウェハ貼り付け部分３ａに対応する部分以外の
部分の全部又は一部が遮光されたものを用い、これに紫外線硬化型の粘着剤層２を形成し
た後に紫外線照射して、半導体ウェハ貼り付け部分３ａに対応する部分を硬化させ、粘着
力を低下させた前記部分２ａを形成することができる。遮光材料としては、支持フィルム
上でフォトマスクになりえるものを印刷や蒸着等で作製することができる。これにより、
効率よく本発明のダイシング・ダイボンドフィルム１０を製造可能である。
【００８４】
尚、紫外線照射の際に、酸素による硬化阻害が起こる場合は、紫外線硬化型の粘着剤層
２の表面から酸素（空気）を遮断するのが望ましい。その方法としては、例えば粘着剤層
２の表面をセパレータで被覆する方法や、窒素ガス雰囲気中で紫外線等の紫外線の照射を
行う方法等が挙げられる。
【００８５】
粘着剤層２の厚さは、特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着層の固定保
持の両立性等の点よりは、１〜５０μｍ程度であるのが好ましい。好ましくは２〜３０μ
ｍ、更には５〜２５μｍが好ましい。
【００８６】
（半導体装置の製造方法）
次に、本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルム１０を用いた半導体装置の
製造方法について、以下に説明する。
【００８７】
先ず、図１に示すように、ダイシング・ダイボンドフィルム１０に於ける接着剤層３の
半導体ウェハ貼り付け部分３ａ上に半導体ウェハ４を圧着し、これを接着保持させて固定
する（マウント工程）。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。
【００８８】
次に、半導体ウェハ４のダイシングを行う。これにより、半導体ウェハ４を所定のサイ
ズに切断して個片化し、半導体チップ５を製造する。ダイシングは、例えば半導体ウェハ
４の回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えばダイシング・ダイボン
ドフィルム１０まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工
程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができ
る。また、半導体ウェハは、ダイシング・ダイボンドフィルム１０により接着固定されて
いるので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウェハ４の破損も抑制で
きる。
【００８９】
ダイシング・ダイボンドフィルム１０に接着固定された半導体チップを剥離する為に、
半導体チップ５のピックアップを行う。ピックアップの方法としては特に限定されず、従
来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ５をダイシング・ダイボ
ンドフィルム１０側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ５をピ
ックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。
【００９０】
ここでピックアップは、粘着剤層２が紫外線硬化型の場合、該粘着剤層２に紫外線を照
射した後に行う。これにより、粘着剤層２の接着剤層３ａに対する粘着力が低下し、半導
体チップ５の剥離が容易になる。その結果、半導体チップを損傷させることなくピックア
ップが可能となる。紫外線照射の際の照射強度、照射時間等の条件は特に限定されず、適
宜必要に応じて設定すればよい。また、紫外線照射に使用する光源としては、前述のもの
を使用することができる。
【００９１】
次に、図３に示すように、ダイシングにより形成された半導体チップ５を、ダイボンド
フィルム３ａを介して被着体６にダイボンドする。ダイボンドは圧着により行われる。ダ
イボンドの条件としては特に限定されず、適宜必要に応じて設定することができる。具体
的には、例えば、ダイボンド温度８０〜１６０℃、ボンディング圧力５Ｎ〜１５Ｎ、ボン
ディング時間１〜１０秒の範囲内で行うことができる。
【００９２】
続いて、ダイボンドフィルム３ａを加熱処理することによりこれを熱硬化させ、半導体
チップ５と被着体６とを接着させる。加熱処理条件としては、温度８０〜１８０℃の範囲
内であり、かつ、加熱時間０．１〜２４時間、好ましくは０．１〜４時間、より好ましく
は０．１〜１時間の範囲内であることが好ましい。
【００９３】
次に、被着体６の端子部（インナーリード）の先端と半導体チップ５上の電極パッド（
図示しない）とをボンディングワイヤー７で電気的に接続するワイヤーボンディング工程
を行う。前記ボンディングワイヤー７としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線等
が用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、８０〜２５０℃、好ましくは８
０〜２２０℃の範囲内で行われる。また、その加熱時間は数秒〜数分間行われる。結線は
、前記温度範囲内となる様に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧
による圧着エネルギーの併用により行われる。
【００９４】
ここで、熱硬化後のダイボンドフィルム３ａは、１７５℃において０．０１ＭＰａ以上
の剪断接着力を有していることが好ましく、０．０１〜５ＭＰａがより好ましい。熱硬化
後の１７５℃における剪断接着力を０．０１ＭＰａ以上にすることにより、ワイヤーボン
ディング工程の際の超音波振動や加熱に起因して、ダイボンドフィルム３ａと半導体チッ
プ５又は被着体６との接着面でずり変形が生じるのを防止できる。即ち、ワイヤーボンデ
ィングの際の超音波振動により半導体素子が動くことがなく、これにより、ワイヤーボン
ディングの成功率が低下するのを防止する。
【００９５】
尚、ワイヤーボンディング工程は、加熱処理によりダイボンドフィルム３を熱硬化させ
ることなく行ってもよい。この場合、ダイボンドフィルム３ａの２５℃における剪断接着
力は、被着体６に対し０．２ＭＰａ以上であることが好ましく、０．２〜１０ＭＰａであ
ることがより好ましい。前記剪断接着力を０．２ＭＰａ以上にすることにより、ダイボン
ドフィルム３ａを熱硬化させることなくワイヤーボンディング工程を行っても、当該工程
に於ける超音波振動や加熱により、ダイボンドフィルム３ａと半導体チップ５又は被着体
６との接着面でずり変形を生じることがない。即ち、ワイヤーボンディングの際の超音波
振動により半導体素子が動くことがなく、これにより、ワイヤーボンディングの成功率が
低下するのを防止する。
【００９６】
また、未硬化のダイボンドフィルム３ａは、ワイヤーボンディング工程を行っても完全
に熱硬化することはない。更に、ダイボンドフィルム３ａの剪断接着力は、８０〜２５０
℃の温度範囲内であっても、０．２ＭＰａ以上であることが必要である。当該温度範囲内
で剪断接着力が０．２ＭＰａ未満であると、ワイヤーボンディングの際の超音波振動によ
り半導体素子が動き、ワイヤーボンディングを行うことができず、歩留まりが低下するか
らである。
【００９７】
続いて、封止樹脂８により半導体チップ５を封止する封止工程を行う。本工程は、被着
体６に搭載された半導体チップ５やボンディングワイヤー７を保護する為に行われる。本
工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行う。封止樹脂８としては、例えばエ
ポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、通常１７５℃で６０〜９０秒間
行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５〜１８５℃で、数分間キュアする
ことができる。これにより、封止樹脂を硬化させると共に、ダイボンドフィルム３ａが熱
硬化されていない場合は当該ダイボンドフィルム３ａも熱硬化させる。即ち、本発明に於
いては、後述する後硬化工程が行われない場合に於いても、本工程に於いてダイボンドフ
ィルム３ａを熱硬化させて接着させることが可能であり、製造工程数の減少及び半導体装
置の製造期間の短縮に寄与することができる。
【００９８】
前記後硬化工程に於いては、前記封止工程で硬化不足の封止樹脂８を完全に硬化させる
。封止工程に於いてダイボンドフィルム３ａが熱硬化されない場合でも、本工程に於いて
封止樹脂８の硬化と共にダイボンドフィルム３ａを熱硬化させて接着固定が可能になる。
本工程に於ける加熱温度は、封止樹脂の種類により異なるが、例えば１６５〜１８５℃の
範囲内であり、加熱時間は０．５〜８時間程度である。
【００９９】
また、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、図４に示すように、複数の半導体
チップを積層して３次元実装をする場合にも好適に用いることができる。図４は、ダイボ
ンドフィルムを介して半導体チップを３次元実装した例を示す断面模式図である。図４に
示す３次元実装の場合、先ず半導体チップと同サイズとなる様に切り出した少なくとも１
つのダイボンドフィルム３ａを被着体６上に貼り付けた後、ダイボンドフィルム３ａを介
して半導体チップ５を、そのワイヤーボンド面が上側となる様にしてダイボンドする。次
に、ダイボンドフィルム１３を半導体チップ５の電極パッド部分を避けて貼り付ける。更
に、他の半導体チップ１５をダイボンドフィルム１３上に、そのワイヤーボンド面が上側
となる様にしてダイボンドする。その後、ダイボンドフィルム３ａ、１３を加熱すること
により熱硬化させて接着固定し、耐熱強度を向上させる。加熱条件としては、前述と同様
、温度８０〜２００℃の範囲内であり、かつ、加熱時間０．１〜２４時間の範囲内である
ことが好ましい。
【０１００】
また本発明においては、ダイボンドフィルム３ａ、１３を熱硬化させず、単にダイボン
ドさせてもよい。その後、加熱工程を経ることなくワイヤーボンディングを行い、更に半
導体チップを封止樹脂で封止して、当該封止樹脂をアフターキュアすることもできる。
【０１０１】
次に、ワイヤーボンディング工程を行う。これにより、半導体チップ５及び他の半導体
チップ１５に於けるそれぞれの電極パッドと、被着体６とをボンディングワイヤー７で電
気的に接続する。尚、本工程は、ダイボンドフィルム３ａ、１３の加熱工程を経ることな
く実施される。
【０１０２】
続いて、封止樹脂８により半導体チップ５等を封止する封止工程を行い、封止樹脂を硬
化させる。それと共に、熱硬化が行われていない場合は、ダイボンドフィルム３ａの熱硬
化により被着体６と半導体チップ５との間を接着固定する。また、ダイボンドフィルム１
３の熱硬化により、半導体チップ５と他の半導体チップ１５との間も接着固定させる。尚
、封止工程の後、後硬化工程を行ってもよい。
【０１０３】
半導体チップの３次元実装の場合に於いても、ダイボンドフィルム３ａ、１３の加熱に
よる加熱処理を行わないので、製造工程の簡素化及び歩留まりの向上が図れる。また、被
着体６に反りが生じたり、半導体チップ５及び他の半導体チップ１５にクラックが発生し
たりすることもないので、半導体素子の一層の薄型化が可能になる。
【０１０４】
また、図５に示すように、半導体チップ間にダイボンドフィルムを介してスペーサを積
層させた３次元実装としてもよい。図５は、２つの半導体チップをスペーサを介してダイ
ボンドフィルムにより３次元実装した例を示す断面模式図である。
【０１０５】
図５に示す３次元実装の場合、先ず被着体６上にダイボンドフィルム３、半導体チップ
５及びダイボンドフィルム２１を順次積層してダイボンドする。更に、ダイボンドフィル
ム２１上に、スペーサ９、ダイボンドフィルム２１、ダイボンドフィルム３ａ及び半導体
チップ５を順次積層してダイボンドする。その後、ダイボンドフィルム３ａ、２１を加熱
することにより熱硬化させて接着固定し、耐熱強度を向上させる。加熱条件としては、前
述と同様、温度８０〜２００℃の範囲内であり、かつ、加熱時間０．１〜２４時間の範囲
内であることが好ましい。
【０１０６】
また本発明においては、ダイボンドフィルム３ａ、２１を熱硬化させず、単にダイボン
ドさせてもよい。その後、加熱工程を経ることなくワイヤーボンディングを行い、更に半
導体チップを封止樹脂で封止して、当該封止樹脂をアフターキュアすることもできる。
【０１０７】
次に、図５に示すように、ワイヤーボンディング工程を行う。これにより、半導体チッ
プ５に於ける電極パッドと被着体６とをボンディングワイヤー７で電気的に接続する。尚
、本工程は、ダイボンドフィルム３ａ、２１の加熱工程を経ることなく実施される。
【０１０８】
続いて、封止樹脂８により半導体チップ５を封止する封止工程を行い、封止樹脂８を硬
化させると共に、ダイボンドフィルム３ａ、２１が未硬化の場合は、これらを熱硬化させ
ることにより、被着体６と半導体チップ５との間、及び半導体チップ５とスペーサ９との
間を接着固定させる。これにより、半導体パッケージが得られる。封止工程は、半導体チ
ップ５側のみを片面封止する一括封止法が好ましい。封止は粘着シート上に貼り付けられ
た半導体チップ５を保護するために行われ、その方法としては封止樹脂８を用いて金型中
で成型されるのが代表的である。その際、複数のキャビティを有する上金型と下金型から
なる金型を用いて、同時に封止工程を行うのが一般的である。樹脂封止時の加熱温度は、
例えば１７０〜１８０℃の範囲内であることが好ましい。封止工程の後に、後硬化工程を
行ってもよい。
【０１０９】
尚、前記スペーサ９としては、特に限定されるものではなく、例えば従来公知のシリコ
ンチップ、ポリイミドフィルム等を用いることができる。また、前記スペーサとしてコア
材料を用いることができる。コア材料としては特に限定されるものではなく、従来公知の
ものを用いることができる。具体的には、フィルム（例えばポリイミドフィルム、ポリエ
ステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィ
ルム、ポリカーボネートフィルム等）、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化され
た樹脂基板、ミラーシリコンウェハ、シリコン基板又はガラス被着体を使用できる。
【０１１０】
（その他の事項）
前記被着体上に半導体素子を３次元実装する場合、半導体素子の回路が形成される面側
には、バッファーコート膜が形成されている。当該バッファーコート膜としては、例えば
窒化珪素膜やポリイミド樹脂等の耐熱樹脂からなるものが挙げられる。
【０１１１】
また、半導体素子の３次元実装の際に、各段で使用されるダイボンドフィルムは同一組
成からなるものに限定されるものではなく、製造条件や用途等に応じて適宜変更可能であ
る。
【０１１２】
また、前記実施の形態に於いては、被着体に複数の半導体素子を積層させた後に、一括
してワイヤーボンディング工程を行う態様について述べたが、本発明はこれに限定される
ものではない。例えば、半導体素子を被着体の上に積層する度にワイヤーボンディング工
程を行うことも可能である。
【実施例】
【０１１３】
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載
されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれら
のみに限定する趣旨のものではなく、単なる説明例に過ぎない。また、部とあるのは、重
量部を意味する。
【０１１４】
（実施例１）
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル共重合体としてのア
クリル酸エステル系ポリマー（ナガセケムテックス（株）製、テイサンレジン  ＳＧ−７
０８−６、重量平均分子量８０万）１００部に対して、エポキシ樹脂（ＪＥＲ（株）製、
エピコート８３４、重量平均分子量４７０）６．２５部、フェノール樹脂（荒川化学（株
）製、タマノル１００Ｓ、重量平均分子量９００）１２．５部、平均粒径５００ｎｍの球
状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ）５４部をメチルエチルケトンに溶解
させ、濃度２０．７重量％の接着剤組成物を調製した。
【０１１５】
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレ
フタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０
℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ４０μｍの熱硬化型ダイボンドフィルムＡを作
製した。
【０１１６】
（実施例２）
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル共重合体としてのア
クリル酸エステル系ポリマー（ナガセケムテックス（株）製、テイサンレジン  ＳＧ−７
０８−６、重量平均分子量８０万）１００部に対して、エポキシ樹脂（ＪＥＲ（株）製、
エピコート８３４、重量平均分子量４７０）１２．５部、フェノール樹脂（荒川化学（株
）製、タマノル１００Ｓ、重量平均分子量９００）１２．５部、平均粒径５００ｎｍの球
状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ）８３部をメチルエチルケトンに溶解
させ、濃度２１．５重量％の接着剤組成物を調製した。
【０１１７】
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレ
フタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０
℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ４０μｍの熱硬化型ダイボンドフィルムＢを作
製した。
【０１１８】
（実施例３）
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル共重合体としてのア
クリル酸エステル系ポリマー（ナガセケムテックス（株）製、テイサンレジン  ＳＧ−７
０８−６、重量平均分子量８０万）１００部に対して、エポキシ樹脂（ＪＥＲ（株）製、
エピコート８３４、重量平均分子量４７０）７部、フェノール樹脂（荒川化学（株）製、
タマノル１００Ｓ、重量平均分子量９００）７部、平均粒径５００ｎｍの球状シリカ（ア
ドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ）８５部をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２
０．５重量％の接着剤組成物を調製した。
【０１１９】
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレ
フタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０
℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ４０μｍの熱硬化型ダイボンドフィルムＣを作
製した。
【０１２０】
（実施例４）
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル共重合体としてのア
クリル酸エステル系ポリマー（ナガセケムテックス（株）製、テイサンレジン  ＳＧ−７
０８−６、重量平均分子量４０万）１００部に対して、エポキシ樹脂（ＪＥＲ（株）製、
エピコート８３４、重量平均分子量４７０）８５部、フェノール樹脂（荒川化学（株）製
、タマノル１００Ｓ、重量平均分子量９００）４７部、平均粒径５００ｎｍの球状シリカ
（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ）２３２部をメチルエチルケトンに溶解させ、
濃度２１．０重量％の接着剤組成物を調製した。
【０１２１】
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレ
フタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０
℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ４０μｍの熱硬化型ダイボンドフィルムＤを作
製した。
【０１２２】
（実施例５）
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル共重合体としてのア
クリル酸エステル系ポリマー（ナガセケムテックス（株）製、テイサンレジン  ＳＧ−７
０８−６、重量平均分子量４０万）１００部に対して、エポキシ樹脂（ＪＥＲ（株）製、
エピコート８３４、重量平均分子量４７０）４３部、フェノール樹脂（荒川化学（株）製
、タマノル１００Ｓ、重量平均分子量９００）２３部、平均粒径５００ｎｍの球状シリカ
（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ）５８８部をメチルエチルケトンに溶解させ、
濃度２１．０重量％の接着剤組成物を調製した。
【０１２３】
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレ
フタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０
℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ４０μｍの熱硬化型ダイボンドフィルムＤを作
製した。
【０１２４】
（比較例１）
本比較例１においては、球状シリカの含有量を１１２５部に変更したこと以外は、実施
例１と同様にして本比較例１に係る熱硬化型ダイボンドフィルムＤを作製した。
【０１２５】
（比較例２）
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル共重合体としてのア
クリル酸エステル系ポリマー（根上工業（株）製、パラクロンＷ−１９７ＣＭ、重量平均
分子量４０万）１００部に対して、エポキシ樹脂１（ＪＥＲ（株）製、エピコート１００
４、重量平均分子量１４００）２５０部、エポキシ樹脂２（ＪＥＲ（株）製、エピコート
８２７、重量平均分子量３７０）２５０部、フェノール樹脂（三井化学（株）製、レミッ
クスＸＬＣ−４Ｌ、重量平均分子量１３８５）５００部、平均粒径５００ｎｍの球状シリ
カ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ）６６７部をメチルエチルケトンに溶解させ
、濃度２１．４重量％の接着剤組成物を調製した。
【０１２６】
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレ
フタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０
℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ４０μｍの熱硬化型ダイボンドフィルムＥを作
製した。
【０１２７】
（比較例３）
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル共重合体としてのア
クリル酸エステル系ポリマー（ナガセケムテックス（株）製、テイサンレジン  ＳＧ−７
０８−６、重量平均分子量４０万）１００部に対して、エポキシ樹脂（ＪＥＲ（株）製、
エピコート８３４、重量平均分子量４７０）３．３部、フェノール樹脂（荒川化学（株）
製、タマノル１００Ｓ、重量平均分子量９００）１．９部、平均粒径５００ｎｍの球状シ
リカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ）４５部をメチルエチルケトンに溶解させ
、濃度２０．９重量％の接着剤組成物を調製した。
【０１２８】
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレ
フタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０
℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ４０μｍの熱硬化型ダイボンドフィルムＧを作
製した。
【０１２９】
（比較例４）
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル共重合体としてのア
クリル酸エステル系ポリマー（ナガセケムテックス（株）製、テイサンレジン  ＳＧ−７
０８−６、重量平均分子量４０万）１００部に対して、エポキシ樹脂（ＪＥＲ（株）製、
エピコート８２８、重量平均分子量３７０）３００部、フェノール樹脂（明和化成（株）
製、ＭＥＨ−７５００−３Ｓ、重量平均分子量５００）１６５部、平均粒径５００ｎｍの
球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ）２５３部をメチルエチルケトンに
溶解させ、濃度２０．９重量％の接着剤組成物を調製した。
【０１３０】
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレ
フタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０
℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ４０μｍの熱硬化型ダイボンドフィルムＧを作
製した。
【０１３１】
（重量平均分子量の測定方法）
アクリル共重合体の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによ
るポリスチレン換算の値である。ゲルパーミエーションクロマトグラフィーは、ＴＳＫ  
Ｇ２０００Ｈ  ＨＲ、Ｇ３０００Ｈ  ＨＲ、Ｇ４０００Ｈ  ＨＲ、及びＧＭＨ−Ｈ  ＨＲ
の４本のカラム（いずれも東ソ株式会社製）を直列に接続して使用し、溶雛液にテトラヒ
ドロフランを用いて、流速１ｍｌ／分、温度４０℃、サンプル濃度０．１重量％テトラヒ
ドロフラン溶液、サンプル注入量５００μｌの条件で行い、検出器には示差屈折計を用い
た。
【０１３２】
（８０℃、１４０℃、１７５℃における貯蔵弾性率の測定）
各実施例及び比較例の熱硬化型ダイボンドフィルムから、厚さ２００μｍ、長さ２５ｍ
ｍ（測定長さ）、幅１０ｍｍの短冊状にカッターナイフで切り出し、固体粘弾性測定装置
（ＲＳＡIII、レオメトリックサイエンティフィック（株）製）を用いて、−５０〜３０
０℃における貯蔵弾性率を測定した。測定条件は、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／ｍｉ
ｎとした。８０℃、１４０℃、１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ１’、Ｅ２’、Ｅ３’の値
を下記表１に示す。
【０１３３】
（ガラス転移温度（Ｔｇ）の測定）
各実施例及び比較例に係る熱硬化型ダイボンドフィルムのガラス転移点は、先ず、前記
貯蔵弾性率の場合と同様にして貯蔵弾性率を測定した。更に、損失弾性率も測定した後、
ｔａｎδ（Ｇ”（損失弾性率）／Ｇ’（貯蔵弾性率））の値を算出することにより、ガラ
ス転移温度を求めた。結果を下記表１に示す。
【０１３４】
（室温における剪断接着力の測定）
前記実施例及び比較例に於いて作製した熱硬化型ダイボンドフィルムについて、半導体
素子に対する剪断接着力を以下の通り測定した。
【０１３５】
先ず、各熱硬化型ダイボンドフィルムを、貼り付け温度４０℃にて半導体チップ（縦１
０ｍｍ×横１０ｍｍ×厚さ０．５ｍｍ）に貼り付けた。次に、ＢＧＡ基板上に、ダイボン
ド温度１２０℃、ボンディング圧力０．１ＭＰａ、ボンディング時間１秒の条件下でダイ
アタッチした。次に、ボンドテスター（デイジ社製、dagy4000）を用いて、室温下におけ
る剪断接着力をそれぞれ測定した。結果を下記表１に示す。
【０１３６】
（１７５℃における剪断接着力の測定）
前記実施例及び比較例に於いて作製した熱硬化型ダイボンドフィルムについて、半導体
素子に対する剪断接着力を以下の通り測定した。
【０１３７】
前記室温下における剪断接着力の測定の場合と同様にして、ＢＧＡ基板上に、各実施例
及び比較例に係る熱硬化型ダイボンドフィルムを介して半導体チップ（縦１０ｍｍ×横１
０ｍｍ×厚さ０．５ｍｍ）をダイアタッチした。次に、ボンドテスター（デイジ社製、da
gy4000）を用いて、１７５℃における剪断接着力をそれぞれ測定した。結果を下記表１に
示す。
【０１３８】
（ワイヤーボンディング性の評価）
前記実施例及び比較例に於いて作製した熱硬化型ダイボンドフィルムを用い、ＢＧＡ基
板上にダイボンドしたミラーチップにワイヤーボンディングをした場合のワイヤーボンデ
ィング性を評価した。
【０１３９】
先ず、表面にＡｌ蒸着したシリコンウェハをダイシングして、１０ｍｍ角のミラーチッ
プを作製した。このミラーチップを、熱硬化型ダイボンドフィルムを介してＢＧＡ基板上
にダイボンドした。ダイボンドは、温度１２０℃、０．１ＭＰａ、１秒間の条件下で、ダ
イボンダー（（株）新川製ＳＰＡ−３００）を用いて行った。
【０１４０】
次に、ワイヤーボンディング装置（ＡＳＭ社製、商品名；Ｅａｇｌｅ６０）を用いて、
直径２５μｍのＡｕワイヤーでミラーチップの一辺にそれぞれ５０回のワイヤーボンディ
ングを行った。ワイヤーボンディング条件は、超音波出力時間２．５ｍｓｅｃ、超音波出
力０．７５Ｗ、ボンド荷重６０ｇ、ステージ温度は１７５℃とした。ワイヤーボンディン
グ性の評価は、ミラーチップの位置ズレ及びチップの割れの発生有無を確認することで行
った。位置ズレ及びチップ割れが発生していない場合を○、発生した場合を×とした。
【０１４１】
（モールド性の評価）
前記剪断接着力の測定の場合と同様にして、ＢＧＡ基板上に、各実施例及び比較例に係
る熱硬化型ダイボンドフィルムを介して半導体チップ（縦１０ｍｍ×横１０ｍｍ×厚さ０
．５ｍｍ）をダイアタッチした。次に、モールドマシン（ＴＯＷＡプレス社製、マニュア
ルプレスＹ−１）を用いて、成形温度１７５℃、クランプ圧力１８４ｋＮ、トランスファ
ー圧力５ｋＮ、時間１２０秒、封止樹脂ＧＥ−１００（日東電工（株）製）の条件下で封
止工程を行った。
【０１４２】
その後、ＢＧＡ基板上に固定されている半導体チップの状態を、超音波映像装置（日立
ファインテック社製、ＦＳ２００II）を用いて観察した。結果を表１に示す。尚、表１に
おいては、半導体チップの位置ズレや剥離による浮きが無い場合を○、何れかが確認され
た場合を×とした。
【０１４３】
（結果）
下記表１の結果から分かる通り、実施例１〜５の熱硬化型ダイボンドフィルムであると
、ダイボンド後の半導体チップが搬送中にＢＧＡ基板から脱落することがない。また、ワ
イヤーボンディング工程の際にも、ＢＧＡ基板に対してずり変形による位置ズレやチップ
割れが生じず、その結果、ワイヤーボンディング工程の際にも歩留まりの向上が図れる。
更に、封止樹脂による封止の際にも半導体チップが当該封止樹脂により押し流されること
がなかった。これにより、本実施例に係る熱硬化型ダイボンドフィルムが半導体装置の製
造に必要な貯蔵弾性率と高い接着力を併せ持つことが確認された。
【０１４４】
【表１】
2014158046.tif 000004
【符号の説明】
【０１４５】
１    基材
２    粘着剤層
３、３’、１３、２１    熱硬化型ダイボンドフィルム
４    半導体ウェハ
５    半導体チップ
６    被着体
７    ボンディングワイヤー
８    封止樹脂
９    スペーサ
１０、１１    ダイシング・ダイボンドフィルム
１５    半導体チップ
１６    ウェハリング
【図１】
2014158046.tif 000005
【図２】
2014158046.tif 000006
【図３】
2014158046.tif 000007
【図４】
2014158046.tif 000008
【図５】
2014158046.tif 000009