(57)【要約】【課題】  安定して水晶素子の発振周波数を出力することが可能な水晶デバイスを提供する。【解決手段】  水晶デバイスは、矩形状の基板１１０と、基板１１０の上面の四隅に設けられた電極パッド１１１と、基板１１０の下面の四隅に設けられた、それぞれが平面透視して重なる四隅の電極パッド１１１と電気的に接続された電極端子１１２と、基板１１０上であって、対角に位置する電極パッド１１１のそれぞれに設けられた一対の導電性接着剤１４０と、基板１１０上であって、一対の導電性接着剤１４０に跨って設けられた水晶素子１２０と、基板１１０上の外縁に沿って設けられた、水晶素子１２０を封止した封止蓋体１３０と、を備えている。【選択図】図２
2014229912.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形状の基板と、
前記基板の上面の四隅に設けられた電極パッドと、
前記基板の下面の四隅に設けられた、それぞれが平面透視して重なる前記四隅の電極パッドと電気的に接続された電極端子と、
前記基板上であって、対角に位置する電極パッドのそれぞれに設けられた一対の導電性接着剤と、
前記基板上であって、前記一対の導電性接着剤に跨って設けられた水晶素子と、
前記基板上の外縁に沿って設けられた、前記水晶素子を封止した封止蓋体と、を備えたことを特徴とする水晶デバイス。
【請求項２】
矩形状の基板と、
前記基板の上面の四隅に設けられた電極パッドと、
前記基板の下面の四隅に設けられた、それぞれが平面透視して重なる前記四隅の電極パッドと電気的に接続された電極端子と、
前記基板上であって、前記基板の一辺に隣接するように位置する電極パッドのそれぞれに設けられた一対の導電性接着剤と、
前記基板上であって、前記一対の導電性接着剤に跨って設けられた水晶素子と、
前記基板上の外縁に沿って設けられた、前記水晶素子を封止した封止蓋体と、を備えたことを特徴とする水晶デバイス。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の水晶デバイスであって、
前記電極パッド及び前記電極端子は矩形状であり、
平面視して、前記電極パッド及び前記電極端子の角に面取り部が設けられていることを特徴とする水晶デバイス。
【請求項４】
請求項１又は請求項２記載の水晶デバイスであって、
前記電極パッドには、第一凸部が設けられ、前記電極端子には、第二凸部が設けられていることを特徴とする水晶デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば電子機器等に用いられる水晶デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
水晶デバイスは、水晶素子の圧電効果を利用して、特定の周波数を発生させるものである。例えば、矩形状の基板の上面の一辺に沿って設けられた一対の電極パッドに導電性接着剤を介して実装された水晶素子と、基板の上面に接合部材を介して接合され、水晶素子を気密封止するための蓋体と、を備えた水晶振動子が提案されている（例えば、下記特許文献１参照）。接合部材は、ガラスが用いられ、熱を印加することで、蓋体と基板の上面とを接合することができる。また、水晶デバイスを構成する基板の下面の四隅には、外部端子が設けられており、電子機器等のマザーボードに実装されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１４１２３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した水晶デバイスは、小型化が顕著であるが、基板に導電性接着剤を用いて実装する水晶素子も小型化になっている。このような水晶デバイスに熱を印加すると、熱膨張係数の差異によって、基板が反ってしまうことがあり、基板を介して導電性接着剤にも応力がかかることになる。また、導電性接着剤に応力がかかることによって、導電性接着剤にかかる応力が直線的に水晶素子の励振用電極に伝播する。よって、導電性接着剤にかかる応力を十分に低減できず、水晶素子の発振周波数が変動してしまう虞があった。
【０００５】
本発明は前記課題に鑑みてなされたものであり、安定して水晶素子の発振周波数を出力することが可能な水晶デバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一つの態様による水晶デバイスは、矩形状の基板と、基板の上面の四隅に設けられた電極パッドと、基板の下面の四隅に設けられた、それぞれが平面透視して重なる四隅の電極パッドと電気的に接続された電極端子と、基板上であって、対角に位置する電極パッドのそれぞれに設けられた一対の導電性接着剤と、基板上であって、一対の導電性接着剤に跨って設けられた水晶素子と、基板上の外縁に沿って設けられた、水晶素子を封止した封止蓋体と、を備えたことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一つの態様による水晶デバイスは、矩形状の基板と、基板の上面の四隅に設けられた電極パッドと、基板の下面の四隅に設けられた、それぞれが平面透視して重なる四隅の電極パッドと電気的に接続された電極端子とを備えている。このようにすることにより、基板の上面と下面との熱膨張係数を近似させることになるので、熱を印加することによる基板の反りを低減することができる。よって、基板を介して導電性接着剤にかかる応力が水晶素子に伝わることを低減し、安定して水晶素子の発振周波数を出力することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本実施形態における水晶デバイスを示す分解斜視図である。
【図２】（ａ）図１に示された水晶デバイスのＡ−Ａにおける断面図であり、（ｂ）図１に示された水晶デバイスのＢ−Ｂにおける断面図である。
【図３】（ａ）本実施形態における水晶デバイスの大型の水晶素子を実装した状態を示す平面図であり、（ｂ）本実施形態における水晶デバイスの小型の水晶素子を実装した状態を示す平面図である。
【図４】（ａ）本実施形態における水晶デバイスを構成する基板を上面から見た平面図であり、（ｂ）本実施形態における水晶デバイスを構成する基板を下面から見た平面図である。
【図５】本実施形態の第一変形例における水晶デバイスを示す分解斜視図である。
【図６】（ａ）本実施形態の第一変形例における水晶デバイスを構成する基板を上面から見た平面図であり、（ｂ）本実施形態の第一変形例における水晶デバイスを構成する基板を下面から見た平面図である。
【図７】（ａ）本実施形態の第二変形例における水晶デバイスを構成する基板を上面から見た平面図であり、（ｂ）本実施形態の第二変形例における水晶デバイスを構成する基板を下面から見た平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本実施形態における水晶デバイスは、図１及び図２に示されているように、基板１１０と、基板１１０の上面に接合された水晶素子１２０と、水晶素子１２０を気密封止するための蓋体１３０と、を含んでいる。このような水晶デバイスは、電子機器等で使用する基準信号を出力するのに用いられる。
【００１０】
基板１１０は、矩形状であり、上面で実装された水晶素子１２０を実装するための実装部材として機能するものである。基板１１０の上面の四隅には、水晶素子１２０を接合するための電極パッド１１１が設けられ、基板１１０の下面の四隅には、電極端子１１２が設けられている。また、四つの電極端子１１２の内の二つが、水晶素子１２０と電気的に接続されて、水晶素子１２０の入出力端子として用いられる。
【００１１】
基板１１０は、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料である絶縁層からなる。基板１１０は、絶縁層を一層用いたものであっても、絶縁層を複数層積層したものであってもよい。基板１１０の内部には、上面に設けられた電極パッド１１１と下面の電極端子１１２とを電気的に接続するためのビア導体１１３がそれぞれ設けられている。
【００１２】
電極パッド１１１は、図３に示すように、基板１１０の上面の四隅に設けられている。電極パッド１１１は、基板１１０に設けられたビア導体１１３を介して、電極パッド１１１と平面視して重なる位置に設けられた電極端子１１２と電気的に接続されている。電極端子１１２は、基板１１０の下面の四隅に、基板１１０の外周縁に沿って設けられている。
【００１３】
電極パッド１１１は、第一電極パッド１１１ａ、第二電極パッド１１１ｂ、第三電極パッド１１１ｃ及び第四電極パッド１１１ｄによって構成されている。また、電極端子１１２は、第一電極端子１１２ａ、第二電極端子１１２ｂ、第三電極端子１１２ｃ及び第四電極端子１１２ｄによって構成されている。ビア導体１１３は、第一ビア導体１１３ａ、第二ビア導体１１３ｂ、第三ビア導体１１３ｃ及び第四ビア導体１１３ｄによって構成されている。第一電極パッド１１１ａと第一電極端子１１２ａとは、基板１１０に設けられた第一ビア導体１１３ａとにより接続されており、第二電極パッド１１１ｂと第二電極端子１１２ｂとは、基板１１０に設けられた第二ビア導体１１３ｂとにより接続されている。また、第三電極パッド１１１ｃと第三電極端子１１２ｃとは、基板１１０に設けられた第三ビア導体１１３ｃとにより接続されており、第四電極パッド１１１ｄと第四電極端子１１２ｄとは、基板１１０に設けられた第四ビア導体１１３ｄとにより接続されている。
【００１４】
基板１１０の電極パッド１１１は、図２に示すように、水晶素子１２０を実装するために用いられている。電極端子１１２は、外部の実装基板上に実装するための外部端子として用いられている。また、基板１１０の電極端子１１２は、水晶素子１２０を実装するために用いて、電極パッド１１１は、外部の実装基板上に実装するための外部端子として用いられるように使用しても構わない。このようにすることで、基板１１０を上下面のどちらに水晶素子１２０を実装してもよいため、取り扱いが簡便であり、水晶デバイスの生産性を向上させることができる。
【００１５】
また、電極パッド１１１及び電極端子１１２は、基板１１０に沿って設けられた形状となっている。ここでパッケージ１１０を平面視したときの長辺の寸法が、１．２〜２．５ｍｍであり、短辺の寸法が、１．０〜２．０ｍｍである場合を例にして、電極パッド１１１及び電極端子１１２の大きさを説明する。電極パッド１１１及び電極端子１１２の長辺の長さは、０．４０〜０．９０ｍｍであり、短辺の長さは、０．３０〜０．６０ｍｍとなっている。
【００１６】
また、電極パッド１１１と電極端子１１２とが、それぞれ平面視して重なる位置に配置され、重なる位置にある電極パッド１１１と電極端子１１２が電気的に接続されている。このようにすることにより、基板１１０の上面と下面との熱膨張係数が近似することになるので、基板１１０の反りを低減することができる。また、仮に、基板１１０が反ったとしても、水晶素子１２０を対角にて保持することにより、水晶素子１２０にかかる応力を両保持により均等にすることができる。よって、導電性接着剤１４０にかかる応力が水晶素子１２０に伝わることにより生じる水晶素子１２０の発振周波数の変動を低減することができる。
【００１７】
また、本発明の水晶デバイスに構成されている基板１１０は、上面及び下面に設けられている電極パッド１１１と電極端子１１２が平面透視して重なる位置に設けられている。また、基板１１０の上面及び下面は、基板１１０の長辺の中間点を通る軸線に対して左右対称となっている。この基板１１０を製造装置に搬入させる際に、整列治具に整列させると、基板１１０の上面及び下面の確認や基板１１０の方向の確認を画像処理で確認する必要がない。仮に、従来の水晶デバイスで使用されている基板を用いた場合、製造装置に搬入する際に、整列治具に基板を整列させると、基板の上面及び下面の確認や基板の方向の確認を画像処理等で行う必要があり、生産性が低下してしまう。このようにすることで、整列させた基板１１０を画像処理で確認する必要がないので、水晶デバイスの生産性を向上させることができる。
【００１８】
ここで、基板１１０の作製方法について説明する。基板１１０がアルミナセラミックスから成る場合、まず所定のセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して得た複数のセラミックグリーンシートを準備する。また、セラミックグリーンシートの表面或いはセラミックグリーンシートに打ち抜き等を施して予め穿設しておいた貫通孔内に、従来周知のスクリーン印刷等によって所定の導体ペーストを塗布する。さらに、これらのグリーンシートを積層してプレス成形したものを、高温で焼成する。最後に、導体パターンの所定部位、具体的には、電極パッド１１１又は電極端子１１２となる部位にニッケルメッキ又、金メッキ、銀パラジウム等を施すことにより作製される。また、導体ペーストは、例えばタングステン、モリブデン、銅、銀又は銀パラジウム等の金属粉末の焼結体等から構成されている。
【００１９】
水晶素子１２０は、図２に示されているように、導電性接着剤１４０を介して電極パッド１１１上に接合されている。水晶素子１２０は、安定した機械振動と圧電効果により、電子装置等の基準信号を発振する役割を果たしている。
【００２０】
水晶素子１２０は、図２に示されているように、水晶素板１２１の上面及び下面のそれぞれに励振用電極１２２及び引き出し電極１２３を被着させた構造を有している。励振用電極１２２は、水晶素板１２１の上下面のそれぞれに金属を所定のパターンで被着・形成したものである。励振用電極１２２は、上面に第一励振用電極１２２ａと、下面に第二励振用電極１２２ｂを備えている。引き出し電極１２３は、励振用電極１２２から水晶素板１２１の向かい合う辺に向かってそれぞれ延出されている。引き出し電極１２３は、上面に第一引き出し電極１２３ａと、下面に第二引き出し電極１２３ｂとを備えている。第一引き出し電極１２３ａは、第一励振用電極１２２ａから引き出されており、水晶素板１２１の一方の辺に向かって延出するように設けられている。第二引き出し電極１２３ｂは、第二励振用電極１２２ｂから引き出されており、水晶素板１２１の他方の辺に向かって延出するように設けられている。
【００２１】
ここで、水晶素子１２０の動作について説明する。水晶素子１２０は、外部からの交番電圧が引き出し電極１２３から励振用電極１２２を介して水晶素板１２１に印加されると、水晶素板１２１が所定の振動モード及び周波数で励振を起こすようになっている。
【００２２】
ここで、水晶素子１２０の作製方法について説明する。まず、水晶素子１２０は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し、水晶素板１２１の外周の厚みを薄くし、水晶素板１２１の外周部と比べて水晶素板１２１の中央部が厚くなるように設けるベベル加工を行う。そして、水晶素子１２０は、水晶素板１２１の両主面にフォトリソグラフィー技術、蒸着技術又はスパッタリング技術によって、金属膜を被着させることにより、励振用電極１２２、引き出し電極１２３を形成することにより作製される。
【００２３】
水晶素子１２０の基板１１０への接合方法について説明する。まず、導電性接着剤１４０は、例えばディスペンサによって電極パッド１１１上に塗布される。水晶素子１２０は、導電性接着剤１４０上に搬送され、導電性接着剤１４０上に載置される。そして導電性接着剤１４０は、加熱硬化させることによって、硬化収縮される。水晶素子１２０は、電極パッド１１１に接合される。
【００２４】
水晶素子１２０の第一引き出し電極１２３ａ及び第二引き出し電極１２３ｂは、第一電極パッド１１１ａ及び第三電極パッド１１１ｃと接合される。これによって、第一電極端子１１２ａと第三電極端子１１２ｃが水晶素子１２０と電気的に接続されることになる。また、水晶素子１２０の外形寸法が異なる場合においても、図３に示すように、電極パッド１１１に実装することができる。よって、水晶素子１２０の引き出し電極１２３が電極パッド１１１の上面に位置する場合には、外形寸法が異なる水晶素子を使用することができる。よって、外形寸法が異なる水晶素子の実装に合わせた電極パッドを形成した基板の設計をやり直す必要がない。
【００２５】
また、水晶素子１２０の第一引き出し電極１２３ａ及び第二引き出し電極１２３ｂと、第一電極パッド１１１ａ及び第三電極パッド１１１ｃとが接合している箇所を軸として傾いても、水晶素子１２０の接合していない角が第二電極パッド１１１ｂ又は第四電極パッド１１１ｃに接触するので、基板１１０の上面に水晶素子１２０の接合していない角が接触することを抑制することできる。仮に、水晶素子１２０の接合していない角が基板１１０に接触した状態で、落下試験等を行うと、水晶素子１２０の接合していない角が欠けてしまう虞がある。このようにすることで、水晶素子１２０の角が欠けてしまうことを抑え、水晶素子１２０の発振周波数が変動することを低減することができる。
【００２６】
導電性接着剤１４０は、シリコーン樹脂等のバインダーの中に導電フィラーとして導電性粉末が含有されているものであり、導電性粉末としては、アルミニウム、モリブデン、タングステン、白金、パラジウム、銀、チタン、ニッケル又はニッケル鉄のうちのいずれか、或いはこれらの組み合わせを含むものが用いられている。また、バインダーとしては、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂又はビスマレイミド樹脂が用いられる。
【００２７】
封止蓋体１３０は、矩形状の封止基部１３０ａと、封止枠部１３０ｂとで構成されており、封止基部１３０ａの下面と封止枠部１３０ｂの内側側面とで収容空間Ｋが形成されている。封止枠部１３０ｂは、封止基部１３０ａの下面に収容空間Ｋを形成するためのものである。封止枠部１３０ｂは、封止基部１３０ａの下面の外縁に沿って設けられている。
【００２８】
封止基部１３０ａ及び封止枠部１３０ｂは、例えば、鉄、ニッケル又はコバルトの少なくともいずれかを含む合金からなり、一体的に形成されている。このような封止蓋体１３０は、真空状態にある収容空間Ｋ又は窒素ガスなどが充填された収容空間Ｋを気密的に封止するためのものである。具体的には、封止蓋体１３０は、所定雰囲気で、基板１１０の上面に載置され、基板１１０の上面と封止蓋体１３０の封止枠部１３０ｂの下面との間に設けられた接合部材１５０とが熱が印加されることで、溶融接合される。
【００２９】
接合部材１５０は、図２に示すように、封止枠部１３０ｂの下面から基板１１０上にかけて設けられている。接合部材１５０は、例えば、ガラスの場合には、３５０℃〜４００℃で溶融する鉛フリーガラスである例えばバナジウムを含有した低融点ガラスから構成されている。鉛フリーガラスは、バインダーと溶剤とが加えられペースト状であり、溶融された後固化されることで他の部材と接着する。接合部材１５０は、例えば、ガラスフリットペーストがスクリーン印刷法で塗布され乾燥することで設けられる。
【００３０】
接合部材１５０は、例えば、絶縁性樹脂の場合には、エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂から構成されている。封止枠部１３０ｂの下面と基板１１０の上面との間に設けられた接合部材１５０の厚みは、３０〜１００μｍとなっている。
【００３１】
接合部材１５０は、例えば、金錫の場合には、接合部材１５０の層の厚みは、１０〜４０μｍであり、例えば、成分比率が、金が７０〜８０％、錫が２０〜３０％のものを使用しても良い。また、接合部材１５０は、例えば、銀ロウの場合には、接合部材１５０の層の厚みは、１０〜４０μｍであり、例えば、成分比率が、銀が７０〜８０％、銅が２０〜３０％のものを使用しても良い。
【００３２】
本実施形態における水晶デバイスは、矩形状の基板１１０と、基板１１０の上面の四隅に設けられた電極パッド１１１と、基板１１０の下面の四隅に設けられた、それぞれが平面透視して重なる四隅の電極パッド１１１と電気的に接続された電極端子１１２とを備えている。このようにすることにより、基板１１０の上面と下面との熱膨張係数を近似させることになるので、熱を印加することによる基板１１０の反りを低減することができる。よって、基板１１０を介して導電性接着剤１４０にかかる応力が水晶素子１２０に伝わることを低減し、安定して水晶素子１２０の発振周波数を出力することが可能となる。
【００３３】
また、本実施形態における水晶デバイスは、基板１１０の上面の四隅に設けられている電極パッド１１１と、基板１１０の下面の四隅に設けられている電極端子１１２と、を有し、電極パッド１１１と電極端子１１２とが、それぞれ平面視して重なる位置に配置され、それぞれが電気的に接続されている。このようにすることによって、外形寸法が異なる水晶素子を使用しても、その実装に合わせた電極パッドを形成した基板の設計をやり直す必要がない。よって、水晶デバイスの生産性を向上させることができる。
【００３４】
（第一変形例）
以下、本実施形態の第一変形例における水晶デバイスについて説明する。なお、本実施形態の第一変形例における水晶デバイスのうち、上述した水晶デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。本実施形態の第一変形例における水晶デバイスは、図５に示されているように、水晶素子２２０が励振用電極２２２から水晶素板２２１の一辺にそれぞれ延出するようにして設けられている引き出し電極２２３を備えている点において、本実施形態と異なる。
【００３５】
本実施形態の第一変形例においては、電極パッド１１１と接続されている水晶素子２２０の一端を基板１１０の上面と接続した固定端とし、他端を基板１１０の上面と間を空けた自由端とした片持ち支持構造にて水晶素子２２０が基板１１０上に固定されている。
【００３６】
また、水晶素子２２０の引き出し電極２２３は、第一電極パッド１１１ａ及び第二電極パッド１１１ｂと接合される。これによって、第一電極端子１１２ａと第二電極端子１１２ｂが水晶素子２２０と電気的に接続されることになる。また、水晶素子２２０の実装位置が異なる場合においても、図５に示すように、電極パッド１１１に実装することができる。よって、実装位置が異なる水晶素子２２０を使用しても、その実装に合わせた電極パッドを形成した基板の設計をやり直す必要がない。よって、水晶デバイスの生産性を向上させることができる。
【００３７】
また、水晶素子２２０の引き出し電極２２３と、電極パッド１１１とが接合している箇所を軸として傾いても、水晶素子２２０の自由端の角が第三電極パッド１１１ｃ又は第四電極パッド１１１ｃに接触するので、基板１１０の上面に水晶素子２２０の接合していない角が接触することを抑制することできる。仮に、水晶素子２２０の接合していない角が基板１１０に接触した状態で、落下試験等を行うと、水晶素子２２０の接合していない角が欠けてしまう虞がある。このようにすることで、水晶素子２２０の角が欠けてしまうことを抑え、水晶素子２２０の発振周波数が変動することを低減することができる。
【００３８】
（第二変形例）
以下、本実施形態の第二変形例における水晶デバイスについて説明する。なお、本実施形態の第一変形例における水晶デバイスのうち、上述した水晶デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。本実施形態の第二変形例における水晶デバイスは、図６に示されているように、電極パッド２１１及び電極端子２１２は矩形状であり、平面視して、励振用電極１２２と重なる位置にある電極パッド２１１及び電極端子２１２に面取り部２１４が設けられている点において本実施形態と異なる。
【００３９】
面取り部２１４は、励振用電極１２２側を向いている角に、電極パッド２１１の一辺から一辺と隣接する一辺にかけて横断するようにして直線状に設けられている。このようにすることによって、励振用電極１２２と電極パッド２１１との間で十分な距離が確保できているため、励振用電極１２２と電極パッド２１１との接触を低減することができる。
【００４０】
また、電極パッド２１１及び電極端子２１２は、基板２１０に沿って設けられた形状となっている。ここで基板２１０を平面視したときの長辺の寸法が、１．２〜２．５ｍｍであり、短辺の寸法が、１．０〜２．０ｍｍである場合を例にして、電極パッド２１１及び電極端子２１２の大きさを説明する。電極パッド２１１及び電極端子２１２の長辺の長さは、０．４０〜０．９０ｍｍであり、短辺の長さは、０．３０〜０．６０ｍｍとなっている。また、面取り部２１４は、矩形状の電極パッド２１１及び電極端子２１２の角を三角形状に除去したものであり、電極パッド２１１及び電極端子２１２を平面視したときの縦寸法と平行となる寸法が０．０５〜０．１５ｍｍであり、平面視したときの横寸法が０．０５〜０．１５ｍｍである。また、面取り部２１４が設けられた電極パッド２１１及び電極端子２１２は、矩形状の電極パッド２１１及び電極端子２１２に比べて、その面積が９７〜９９％となるように形成されている。
【００４１】
本実施形態の第二変形例における水晶デバイスは、電極パッド２１１及び電極端子２１２は矩形状であり、電極パッド２１１及び電極端子２１２に面取り部２１４が設けられている。このようにすることによって、励振用電極１２２と電極パッド２１１との間で十分な距離が確保できているため、励振用電極１２２と電極パッド２１１との接触を低減することができる。よって、水晶デバイスは、水晶素子１２０の発振周波数が変動することを低減することができる。
【００４２】
（第三変形例）
以下、本実施形態の第三変形例における水晶デバイスについて説明する。なお、本実施形態の第三変形例における水晶デバイスのうち、上述した水晶デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。本実施形態の第三変形例における水晶デバイスは、図７に示されているように、四つの電極パッド３１１には、第一凸部３１４が設けられ、四つの電極端子３１２には、第二凸部３１５が設けられている点において本実施形態と異なる。
【００４３】
第一凸部３１４は、各電極パッド３１１の上面には、基板３１０の短辺方向と平行となるように延出して設けられる。第一凸部３１４は、基板３１０の短辺に沿った同一直線状に設けられている。このようにすることによって、水晶素子１２０の引き出し電極１２３を第一凸部３１４に接触させながら電極パッド３１１に実装する際に、水晶素子１２０が傾くことなく安定した状態で実装することができる。
【００４４】
第二凸部３１５は、各電極端子３１２の下面に、基板３１０の短辺方向に沿って延びるように設けられる。第二凸部３１５は、基板３１０の短辺に沿った同一直線状に設けられている。電極端子３１２が、外部の実装基板上に実装するため外部端子として用いられる際に、第二凸部３１５によって、電極端子３１２の表面積を大きくすることができるので、外部の実装基板上との接合強度を向上させることができる。
【００４５】
本実施形態の第三変形例における水晶デバイスは、四つの電極パッド３１１上には、第一凸部３１４が設けられていることによって、水晶素子１２０の引き出し電極１２３を第一凸部３１４に接触させながら電極パッド３１１に実装する場合に、水晶素子１２０が傾くことなく安定した状態で実装することができる。このようにすることで、安定して水晶素子１２０の発振周波数を出力することが可能となる。また、四つの電極端子３１２の下面には、第二凸部３１５が設けられていることによって、外部の実装基板上に実装するため外部端子として用いられる際に、第二凸部３１５によって、電極端子３１２の表面積を大きくすることができるので、外部の実装基板上との接合強度を向上させることができる。
【００４６】
尚、本実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。上記の実施形態では、電極パッド１１１と電極端子１１２とが基板１１０内に設けられたビア導体１１３によって電気的に接続されていたが、基板の側面に配線パターンを設けて、電極パッド１１１と電極端子１１２とを電気的に接続すするようにしても構わない。また、上記の実施形態の第一変形例では、水晶素子は、ＡＴ用水晶素子を用いた場合を説明したが、基部と、基部の側面より同一の方向に延びる二本の平板形状の振動腕部とを有する音叉型屈曲水晶素子を用いても構わない。
【００４７】
また、水晶素子１２０は、水晶素板１２１の外周の厚みを薄くし、水晶素板１２１の外周部と比べて水晶素板１２１の中央部が厚くなるように設けるベベル加工を用いても構わない。また、水晶素子１２０のベベル加工方法について説明する。所定の粒度のメディアと砥粒とを備えた研磨材と、所定の大きさに形成された水晶素板１２１とを用意する。円筒体に用意した研磨材と水晶素板１２１とを入れ、円筒体の開口した端部をカバーで塞ぐ。研磨材と水晶素板１２１とを入れた円筒体を、円筒体の中心軸線を回転軸として回転させる水晶素板１２１が研磨材で研磨されてベベル加工が行われる。
【００４８】
また、本実施形態では、基板１１０の上面には、封止用導体パターンがない場合を説明したが、基板１１０の上面に封止用導体パターンを設けても構わない。この封止用導体パターンは、封止蓋体１３０と接合部材１５０を介して接合する際に、接合部材１３１の濡れ性をよくする役割を果たしている。
【００４９】
また、接合部材１５０が導電性部材を使用した際に、封止用導体パターンは、基板１１０の内部に形成されたビア導体（図示せず）及び配線パターン（図示せず）により少なくとも一つの電極パッド１１１及び少なくとも一つの電極端子１１２に接続されている。少なくとも一つの電極パッド１１１及び少なくとも一つの電極端子１１２は、外部の実装基板上のグランドと接続されている実装パッドと接続されることにより、グランド端子の役割を果たす。そのため、封止用導体パターンに接合される封止蓋体１３０がグランドに接続されることとなり、封止蓋体１３０による収容空間Ｋ内のシールド性が向上する。封止用導体パターンは、例えばタングステン又はモリブデン等から成る導体パターンの表面にニッケルメッキ及び金メッキを順次、基板１１０の上面の外周縁を環状に囲む形態で施すことによって、例えば１０μｍ〜２５μｍの厚みに形成されている。
【符号の説明】
【００５０】
１１０、２１０、３１０・・・基板
１１１、２１１、３１１・・・電極パッド
１１２、２１２、３１２・・・電極端子
１１３、２１３、３１３・・・ビア導体
１２０、２２０・・・水晶素子
１２１、２２１・・・水晶素板
１２２、２２２・・・励振用電極
１２３、２２３・・・引き出し電極
１３０・・・封止蓋体
１３１・・・封止基部
１３２・・・封止枠部
１４０・・・導電性接着剤
１５０・・・接合部材
Ｋ・・・収容空間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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