(57)【要約】【課題】基板の表面に積層された機能層によってデバイスが形成されたウエーハを、デバイスを区画する複数のストリートに沿ってデバイス側に機能層の剥離を発生させることなく分割することができるウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】基板の表面に積層された機能層によってデバイスが形成されたウエーハを、デバイスを区画する複数のストリートに沿って分割するウエーハの加工方法であって、ストリートの両側に沿ってレーザー光線を照射し、基板に至る２条のレーザー加工溝を形成して機能層を分断する機能層分断工程と、ストリートに沿って形成された２条のレーザー加工溝の中央部に機能層および基板に分割溝を形成する分割溝形成工程とを含み、機能層分断工程において照射されるレーザー光線は、波長がパシベーション膜に対して吸収性を有する３００nm以下に設定されている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に積層された機能層によってデバイスが形成されたウエーハを、該デバイスを区画する複数のストリートに沿って分割するウエーハの加工方法であって、
ストリートの両側に沿ってレーザー光線を照射し、基板に至る２条のレーザー加工溝を形成して機能層を分断する機能層分断工程と、
ストリートに沿って形成された２条のレーザー加工溝の中央部に機能層および基板に分割溝を形成する分割溝形成工程と、を含み、
該機能層分断工程において照射されるレーザー光線は、波長がパシベーション膜に対して吸収性を有する３００nm以下に設定されている、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。
【請求項２】
該分割溝形成工程は、ストリートに沿って形成された該２条のレーザー加工溝の中央部にレーザー光線を照射し、機能層および基板に分割溝を形成する、請求項１記載のウエーハの加工方法。
【請求項３】
該機能層分断工程において照射されるレーザー光線の波長は２６６nmに設定され、上記分割溝形成工程において照射されるレーザー光線の波長は５３２nmに設定されている、請求項２記載のウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の表面に積層された機能層によってデバイスが形成されたウエーハを、デバイスを区画する複数のストリートに沿って分割するウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
当業者には周知の如く、半導体デバイス製造工程においては、シリコン等の基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された機能層によって複数のＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスをマトリックス状に形成した半導体ウエーハが形成される。このように形成された半導体ウエーハは上記デバイスがストリートと呼ばれる分割予定ラインによって区画されており、このストリートに沿って分割することによって個々の半導体デバイスを製造している。
【０００３】
近時においては、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体チップの処理能力を向上するために、シリコン等の基板の表面にＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）が積層された機能層によって半導体デバイスを形成せしめた形態の半導体ウエーハが実用化されている。
【０００４】
このような半導体ウエーハのストリートに沿った分割は、通常、ダイサーと呼ばれている切削装置によって行われている。この切削装置は、被加工物である半導体ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された半導体ウエーハを切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる移動手段とを具備している。切削手段は、高速回転せしめられる回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードを含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径３μｍ程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって固定して形成されている。
【０００５】
しかるに、上述したＬｏｗ−ｋ膜はウエーハの素材と異なるため、切削ブレードによって同時に切削することが困難である。即ち、Ｌｏｗ−ｋ膜は雲母のように非常に脆いことから、切削ブレードによりストリートに沿って切削すると、Ｌｏｗ−ｋ膜が剥離し、この剥離が回路にまで達しデバイスに致命的な損傷を与えるという問題がある。
【０００６】
上記問題を解消するために、半導体ウエーハに形成されたストリートの両側にストリートに沿ってレーザー光線を照射し、ストリートに沿って２条のレーザー加工溝を形成して積層体を分断し、この２条のレーザー加工溝の外側間に切削ブレードを位置付けて切削ブレードと半導体ウエーハを相対移動することにより、半導体ウエーハをストリートに沿って切断するウエーハの分割方法が下記特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−１４２３９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
而して、上記特許文献１に記載されたウエーハの分割方法のように半導体ウエーハに形成されたストリートの両側にストリートに沿ってレーザー光線を照射することによりストリートに沿って２条のレーザー加工溝を形成すると、デバイス側に機能層の剥離が生じてデバイスの品質を低下させるという問題がある。即ち、機能層の表面にはSiO2、SiO、SiN、SiNOを含むパシベーション膜が形成されているため、レーザー光線を照射するとパシベーション膜を透過して機能層の内部に達する。この結果、機能層の内部に達したレーザー光線の照射によって発生する熱がパシベーション膜によって一時的に閉じ込められるため、回路が形成され密度が低いデバイス側に剥離が発生するものと考えられる。
【０００９】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、基板の表面に積層された機能層によってデバイスが形成されたウエーハを、デバイスを区画する複数のストリートに沿ってデバイス側に機能層の剥離を発生させることなく分割することができるウエーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、基板の表面に積層された機能層によってデバイスが形成されたウエーハを、該デバイスを区画する複数のストリートに沿って分割するウエーハの加工方法であって、
ストリートの両側に沿ってレーザー光線を照射し、基板に至る２条のレーザー加工溝を形成して機能層を分断する機能層分断工程と、
ストリートに沿って形成された２条のレーザー加工溝の中央部に機能層および基板に分割溝を形成する分割溝形成工程と、を含み、
該機能層分断工程において照射されるレーザー光線は、波長がパシベーション膜に対して吸収性を有する３００nm以下に設定されている、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
【００１１】
上記分割溝形成工程は、ストリートに沿って形成された２条のレーザー加工溝の中央部にレーザー光線を照射し、機能層および基板に分割溝を形成する。
上記機能層分断工程において照射されるレーザー光線の波長は２６６nmに設定され、上記分割溝形成工程において照射されるレーザー光線の波長は５３２nmに設定されていることが望ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によるウエーハの加工方法においては、ストリートの両側に沿ってレーザー光線を照射し、基板に至る２条のレーザー加工溝を形成して機能層を分断する機能層分断工程と、ストリートに沿って形成された２条のレーザー加工溝の中央部に機能層および基板に分割溝を形成する分割溝形成工程とを含み、機能層分断工程において照射されるレーザー光線は、波長がパシベーション膜に対して吸収性を有する３００nm以下に設定されているので、機能層の表面に形成されたパシベーション膜はレーザー光線が照射されると瞬時にアブレーション加工され機能層の内部に熱を閉じ込めることがないため、回路が形成され密度が低いデバイス側に剥離を発生させることがない。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明によるウエーハの加工方法によって分割される半導体ウエーハを示す斜視図および要部拡大断面図。
【図２】本発明によるウエーハの加工方法におけるウエーハ支持工程が実施された半導体ウエーハが環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着された状態を示す斜視図。
【図３】本発明によるウエーハの加工方法における機能層分断工程を実施するためのレーザー加工装置の要部斜視図。
【図４】本発明によるウエーハの加工方法における機能層分断工程の説明図。
【図５】レーザー光線の波長に対する二酸化珪素（SiO2）の吸収率を示すグラフ。
【図６】本発明によるウエーハの加工方法における分割溝形成工程の第１の実施形態を実施するためのレーザー加工装置の要部斜視図。
【図７】本発明によるウエーハの加工方法における分割溝形成工程の第１の実施形態を示す説明図。
【図８】本発明によるウエーハの加工方法における分割溝形成工程の第２の実施形態を実施するための切削装置の要部斜視図。
【図９】本発明によるウエーハの加工方法における分割溝形成工程の第２の実施形態を示す説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明によるウエーハの加工方法について添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
【００１５】
図１の（a）および(b)には、本発明によるウエーハの加工方法によって個々のデバイスに分割される半導体ウエーハの斜視図および要部拡大断面図が示されている。図１の（a）および(b)に示す半導体ウエーハ２は、厚みが１４０μmのシリコン等の基板２０の表面２０aに絶縁膜と回路を形成する機能膜が積層された機能層２１によって複数のＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス２２がマトリックス状に形成されている。そして、各デバイス２２は、格子状に形成されたストリート２３によって区画されている。なお、図示の実施形態においては、機能層２１を形成する絶縁膜は、ＳｉＯ２膜または、ＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）からなっており、厚みが１０μmに設定されている。このようにして構成された機能層２１は、表面にSiO2、SiO、SiN、SiNOを含むパシベーション膜が形成されている。
【００１６】
上述した半導体ウエーハ２をストリートに沿って分割するウエーハの加工方法について説明する。
先ず、半導体ウエーハ２を構成する基板２０の裏面２０bを環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程を実施する。即ち、図２に示すように、環状のフレーム３の内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープ３０の表面に半導体ウエーハ２を構成する基板２０の裏面２０bを貼着する。従って、ダイシングテープ３０の表面に貼着された半導体ウエーハ２は、機能層２１の表面２１aが上側となる。
【００１７】
上述したウエーハ支持工程を実施したならば、半導体ウエーハ２のストリート２３の両側に沿ってレーザー光線を照射し、基板２０に至る２条のレーザー加工溝を形成して機能層２１を分断する機能層分断工程を実施する。この機能層分断工程は、図３に示すレーザー加工装置４を用いて実施する。図３に示すレーザー加工装置４は、被加工物を保持するチャックテーブル４１と、該チャックテーブル４１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４２と、チャックテーブル４１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段４３を具備している。チャックテーブル４１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない加工送り手段によって図３において矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって図３において矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
【００１８】
上記レーザー光線照射手段４２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング４２１を含んでいる。ケーシング４２１内には図示しないパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング４２１の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器４２２が装着されている。なお、レーザー光線照射手段４２は、集光器４２２によって集光されるパルスレーザー光線の集光点位置を調整するための集光点位置調整手段（図示せず）を備えている。
【００１９】
上記レーザー光線照射手段４２を構成するケーシング４２１の先端部に装着された撮像手段４３は、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子（ＣＣＤ）等を備え、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００２０】
上述したレーザー加工装置４を用いて、半導体ウエーハ２のストリート２３の両側に沿ってレーザー光線を照射し、基板２０に至る２条のレーザー加工溝を形成して機能層２１を分断する機能層分断工程について、図３および図４を参照して説明する。
先ず、上述した図３に示すレーザー加工装置４のチャックテーブル４１上に半導体ウエーハ２が貼着されたダイシングテープ３０側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、ダイシングテープ３０を介して半導体ウエーハ２をチャックテーブル４１上に保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル４１に保持された半導体ウエーハ２は、機能層２１の表面２１aが上側となる。なお、図３においてはダイシングテープ３０が装着された環状のフレーム３を省いて示しているが、環状のフレーム３はチャックテーブル４１に配設された適宜のフレーム保持手段に保持される。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル４１は、図示しない加工送り手段によって撮像手段４３の直下に位置付けられる。
【００２１】
チャックテーブル４１が撮像手段４３の直下に位置付けられると、撮像手段４３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段４３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されているストリート２３と、該ストリート２３に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４２の集光器４２２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、半導体ウエーハ２に上記所定方向と直交する方向に形成されたストリート２３に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。
【００２２】
上述したアライメント工程を実施したならば、図４で示すようにチャックテーブル４１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４２の集光器４２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート２３を集光器４２２の直下に位置付ける。このとき、図４の（ａ）で示すように半導体ウエーハ２は、ストリート２３の一端(図４の（ａ）において左端)が集光器４２２の直下に位置するように位置付けられる。次に、レーザー光線照射手段４２の集光器４２２からパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル４１を図４の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図４の（ｂ）で示すようにストリート２３の他端（図４の（ｂ）において右端）が集光器４２２の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル４１の移動を停止する。このレーザー加工溝形成工程においては、パルスレーザー光線の集光点Ｐをストリート２３の表面付近に合わせる。
【００２３】
次に、チャックテーブル４１を紙面に垂直な方向（割り出し送り方向）に図示の実施形態においては４０μｍ移動する。そして、レーザー光線照射手段４２の集光器４２２からパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル４１を図４の（ｂ）において矢印Ｘ２で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめ、図４の（ａ）に示す位置に達したらパルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル４１の移動を停止する。
【００２４】
上述した機能層分断工程を実施することにより、半導体ウエーハ２のストリート２３には図４の（c）に示すように機能層２１の厚さより深い、即ち基板２０に至る２条のレーザー加工溝２４、２４が形成される。この結果、機能層２１は、２条のレーザー加工溝２４、２４によって分断される。そして、上述した機能層分断工程を半導体ウエーハ２に形成された全てのストリート２３に沿って実施する。
【００２５】
上記機能層分断工程において、機能層２１の表面（上面）側からパルスレーザー光線を照射すると、機能層２１の表面にはパシベーション膜が形成されているため、パシベーション膜を透過して機能層２１の内部に達する。この結果、機能層２１の内部に達したレーザー光線の照射によって発生する熱がパシベーション膜によって一時的に閉じ込められるため、回路が形成され密度が低いデバイス側に剥離が発生するという問題がある。そこで本発明においては、機能層２１の表面に形成されたパシベーション膜に対して吸収性を有する３００nm以下の波長を有するレーザー光線を照射する。図５には、レーザー光線の波長に対するパシベーションの吸収率が示されている。図５において横軸はレーザー光線の波長を示し、縦軸はパシベーションの吸収率が示されている。図５からレーザー光線の波長が３００nm以下になるとパシベーションの吸収率が急激に上昇することが判る。従って、機能層分断工程において照射するパルスレーザー光線の波長は３００nm以下に設定することが重要である。この結果、機能層２１の表面に形成されたパシベーション膜はレーザー光線が照射されると瞬時にアブレーション加工され機能層２１の内部に熱を閉じ込めることがないため、回路が形成され密度が低いデバイス側に剥離を発生させることがない。
【００２６】
なお、上記機能層分断工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
レーザー光線の波長  ：２６６ｎｍ
パルス幅            ：１２ps
繰り返し周波数      ：２００ｋＨｚ
出力                ：２W
集光スポット径      ：φ１０μｍ
加工送り速度        ：４００ｍｍ／秒
【００２７】
上述したように機能層分断工程を実施したならば、ストリート２３に沿って形成された２条のレーザー加工溝２４、２４の中央部に機能層２１および基板２０に分割溝を形成する分割溝形成工程を実施する。この分割溝形成工程の第１の実施形態について、図６および図７を参照して説明する。
【００２８】
分割溝形成工程の第１の実施形態は、上記図３に示すレーザー加工装置４と同様のレーザー加工装置を用いて実施することができる。即ち、分割溝形成工程を実施するには、図６に示すようにレーザー加工装置４のチャックテーブル４１上に上記機能層分断工程が実施された半導体ウエーハ２が貼着されたダイシングテープ３０側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、ダイシングテープ３０を介して半導体ウエーハ２をチャックテーブル４１上に保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル４１に保持された半導体ウエーハ２は、表面２aが上側となる。なお、図６においてはダイシングテープ３０が装着された環状のフレーム３を省いて示しているが、環状のフレーム３はチャックテーブル４１に配設された適宜のフレーム保持手段に保持される。このようにして、光デバイスウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル４１は、図示しない加工送り手段によって撮像手段４３の直下に位置付けられる。そして、上述したアライメント工程が実施される。
【００２９】
次に、チャックテーブル４１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４２の集光器４２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート２３を集光器４２２の直下に位置付ける。そして、ストリート２３に形成された上記２条のレーザー加工溝２４、２４間の中央位置が集光器４２２から照射されるレーザー光線の照射位置となるようにする。このとき、図７の（ａ）で示すように半導体ウエーハ２は、ストリート２３の一端(図７の（ａ）において左端)が集光器４２２の直下に位置するように位置付けられる。次に、レーザー光線照射手段４２の集光器４２２からパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル４１を図７の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。この分割溝形成工程において照射されるパルスレーザー光線は、シリコン基板に対して吸収性を有する波長に設定されているとともに、出力が上記機能層分断工程より大きい値に設定されている。そして、図７の（ｂ）で示すようにストリート２３の他端（図７の（ｂ）において右端）が集光器４２２の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル４１の移動を停止する。この分割工程においては、パルスレーザー光線の集光点Ｐをストリート２３の表面付近に合わせる。
【００３０】
上述した分割溝形成工程を実施することにより、半導体ウエーハ２のストリート２３には図７の（c）に示すように２条のレーザー加工溝２４、２４間の中央位置において機能層２１および基板２０に所定深さの分割溝２５が形成される。分割工程において、ストリート２３の機能層２１は半導体ウエーハ２によって分断されているので、パルスレーザー光線を照射することによって機能層２１が剥離しても、その剥離が２条のレーザー加工溝２４、２４の外側即ちデバイス２２側に影響することはない。従って、パルスレーザー光線の出力を増大することが可能となり、分割溝２５を分割が容易となる所望の深さに形成することができる。そして、上述した分割工程を第１のレーザー加工溝形成工程が実施された半導体ウエーハ２の全てのストリート２３に実施する。
【００３１】
なお、上記分割溝形成工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
レーザー光線の光源  ：ＹＶＯ４レーザーまたはＹＡＧレーザー
波長                ：５３２ｎｍ
パルス幅            ：１２ps
繰り返し周波数      ：２００ｋＨｚ
出力                ：３０W
集光スポット径      ：φ１０μｍ
加工送り速度        ：４００ｍｍ／秒
【００３２】
以上のようにして、分割溝形成工程が実施された半導体ウエーハ２は、次工程である分割工程に搬送される。そして、分割工程においては、半導体ウエーハ２のストリートに２３に沿って形成された分割溝２５が容易に分割できる深さに形成されているので、メカニカルブレーキングによって容易に分割することができる。
【００３３】
次に、分割溝形成工程の第２の実施形態について、図８および図９を参照して説明する。この分割溝形成工程の第２の実施形態は、図示の実施形態においては図８に示す切削装置５を用いて実施する。図８に示す切削装置５は、被加工物を保持するチャックテーブル５１と、該チャックテーブル５１に保持された被加工物を切削する切削手段５２と、該チャックテーブル５１に保持された被加工物を撮像する撮像手段５３を具備している。チャックテーブル５１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない加工送り手段によって図８において矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
【００３４】
上記切削手段５２は、実質上水平に配置されたスピンドルハウジング５２１と、該スピンドルハウジング５２１に回転自在に支持された回転スピンドル５２２と、該回転スピンドル５２２の先端部に装着された切削ブレード５２３を含んでおり、回転スピンドル５２２がスピンドルハウジング５２１内に配設された図示しないサーボモータによって矢印５２３aで示す方向に回転せしめられるようになっている。切削ブレード５２３は、アルミニウムによって形成された円盤状の基台５２４と、該基台５２４の側面外周部に装着された環状の切れ刃５２５とからなっている。環状の切れ刃５２５は、基台５２４の側面外周部に粒径が３〜４μｍのダイヤモンド砥粒をニッケルメッキで固めた電鋳ブレードからなっており、図示の実施形態においては厚みが３０μｍで外径が５２mmに形成されている。
【００３５】
上記撮像手段５３は、スピンドルハウジング５２１の先端部に装着されており、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子（ＣＣＤ）等を備え、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００３６】
上述した切削装置５を用いて分割溝形成工程を実施するには、図８に示すようにチャックテーブル５１上に上記機能層分断工程が実施された半導体ウエーハ２が貼着されたダイシングテープ３０側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、ダイシングテープ３０を介して半導体ウエーハ２をチャックテーブル５１上に保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル５１に保持された半導体ウエーハ２は、表面２aが上側となる。なお、図８においてはダイシングテープ３０が装着された環状のフレーム３を省いて示しているが、環状のフレーム３はチャックテーブル５１に配設された適宜のフレーム保持手段に保持される。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル５１は、図示しない加工送り手段によって撮像手段５３の直下に位置付けられる。
【００３７】
チャックテーブル５１が撮像手段５３の直下に位置付けられると、撮像手段５３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２の切削すべき領域を検出するアライメント工程を実行する。このアライメント工程においては、上記レーザー加工溝形成工程によって半導体ウエーハ２のストリート２３に沿って形成された２条のレーザー加工溝２４、２４を撮像手段５３によって撮像して実行する。撮像手段５３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されているストリート２３に沿って形成された２条のレーザー加工溝２４、２４と、切削ブレード５２３との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、切削ブレード５２３による切削領域のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、半導体ウエーハ２に上記所定方向と直交する方向に形成された２条のレーザー加工溝２４、２４に対しても、同様に切削ブレード５２３による切削位置のアライメントが遂行される。
【００３８】
以上のようにしてチャックテーブル５１上に保持されている半導体ウエーハ２のストリート２３に沿って形成された２条のレーザー加工溝２４、２４を検出し、切削領域のアライメントが行われたならば、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル５１を切削領域の切削開始位置に移動する。このとき、図９の（ａ）で示すように半導体ウエーハ２は切削すべきストリート２３の一端（図９の（ａ）において左端）が切削ブレード５２３の直下より所定量右側に位置するように位置付けられる。このとき、図示の実施形態においては、上述したアライメント工程においてストリート２３に形成されている２条のレーザー加工溝２４、２４を直接撮像して切削領域を検出しているので、ストリート２３に形成されている２条のレーザー加工溝２４、２４中心位置間即ち中央部が切削ブレード５２３と対向する位置に確実に位置付けられる。
【００３９】
このようにしてチャックテーブル５１即ち半導体ウエーハ２が切削加工領域の切削開始位置に位置付けられたならば、切削ブレード５２３を図９（ａ）において２点鎖線で示す待機位置から矢印Z１で示すように下方に切り込み送りし、図９の（ａ）において実線で示すように所定の切り込み送り位置に位置付ける。この切り込み送り位置は、図９の（ａ）および図９の（ｃ）に示すように切削ブレード５２３の下端が半導体ウエーハ２の裏面に貼着されたダイシングテープ３０に達する位置に設定されている。
【００４０】
次に、切削ブレード５２３を図９の（ａ）において矢印５２３aで示す方向に所定の回転速度で回転せしめ、チャックテーブル５１を図９の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の切削送り速度で移動せしめる。そして、チャックテーブル５１が図９の（ｂ）で示すようにストリート２３の他端（図９の（ｂ）において右端）が切削ブレード５２３の直下より所定量左側に位置するまで達したら、チャックテーブル５１の移動を停止する。このようにチャックテーブル５１を切削送りすることにより、図９の（d）で示すように半導体ウエーハ２の基板２０はストリート２３に形成されたレーザー加工溝２４、２４の両側間に裏面に達する分割溝２６が形成され切断される(分割溝形成工程)。
【００４１】
次に、切削ブレード５２３を図９の（ｂ）において矢印Z2で示すように上昇させて２点鎖線で示す待機位置に位置付け、チャックテーブル５１を図９の（ｂ）において矢印Ｘ２で示す方向に移動して、図９の（ａ）に示す位置に戻す。そして、チャックテーブル５１を紙面に垂直な方向（割り出し送り方向）にストリート２３の間隔に相当する量だけ割り出し送りし、次に切削すべきストリート２３を切削ブレード５２３と対応する位置に位置付ける。このようにして、次に切削すべきストリート２３を切削ブレード５２３と対応する位置に位置付けたならば、上述した切断工程を実施する。
【００４２】
なお、上記分割溝形成工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
切削ブレード          ：外径５２ｍｍ、厚さ３０μｍ
切削ブレードの回転速度：４００００ｒｐｍ
切削送り速度          ：５０ｍｍ／秒
【００４３】
上述した分割溝形成工程を半導体ウエーハ２に形成された全てのストリート２３に実施する。この結果、半導体ウエーハ２はストリート２３に沿って切断され、個々のデバイス２２に分割される。
【符号の説明】
【００４４】
２：半導体ウエーハ
２０：基板
２１：機能層
２２：デバイス
２３：ストリート
２４、２４：レーザー加工溝
２５、２６：分割溝
３：環状のフレーム
３０：ダイシングテープ
４：レーザー加工装置
４１：レーザー加工装置のチャックテーブル
４２：レーザー光線照射手段
４２２：集光器
５：切削装置
５１：切削装置のチャックテーブル
５２：切削手段
５２３：切削ブレード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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