(57)【要約】【課題】樹脂バリ除去工程で樹脂バリを十分に除去することを可能とし、放熱面のめっき工程でのめっき付着不良を低減して樹脂封止型半導体装置の歩留まりを向上させる。【解決手段】ダイパッド３１とリード３４とを有し且つダイパッド３１の搭載面３２に半導体チップ４０が搭載されたリードフレーム３０をクランプし、ダイパッド３１の放熱面３３が露出するようにダイパッド３１及び半導体チップ４０を樹脂封止するモールド金型１であって、クランプ状態において半導体チップ４０を収容するキャビティ部２１が設けられた下側モールド金型２０と、クランプ状態においてダイパッド１の放熱面３３に当接する当接面１１を有する上側モールド金型１０とを備え、周辺部から中央部に行くにつれて深くなるように傾斜した底面１３を有する凹部１２が、クランプ状態においてダイパッド３１の端部から所定の距離を隔てるように当接面１１に設けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイパッドと前記ダイパッドから延在するリードとを有し且つ前記ダイパッドの搭載面に半導体チップが搭載されたリードフレームを、クランプし、前記ダイパッドの放熱面が露出するように前記ダイパッド及び前記半導体チップを樹脂封止する一対のモールド金型であって、
前記リードフレームがクランプされたクランプ状態において、前記ダイパッドの放熱面に当接する当接面を有する一方のモールド金型と、
前記クランプ状態において、前記半導体チップを収容するキャビティ部が設けられた他方のモールド金型と、
を備え、
周辺部から中央部に行くにつれて深くなるように傾斜した底面を有する凹部が、前記クランプ状態において前記ダイパッドの端部から所定の距離を隔てるように、前記一方のモールド金型の前記当接面に設けられていることを特徴とするモールド金型。
【請求項２】
前記凹部は、前記一方のモールド金型の前記当接面と接続し、かつ前記当接面と直交する内壁面を有することを特徴とする請求項１に記載のモールド金型。
【請求項３】
前記凹部の前記内壁面の高さは、前記ダイパッドおよび前記半導体チップを樹脂封止した後に行われる樹脂バリ除去工程において除去可能な樹脂バリの厚さの最大値より小さいことを特徴とする請求項２に記載のモールド金型。
【請求項４】
前記凹部は、前記当接面の一部であり前記当接面と面一の押圧面を挟んで、複数設けられ、前記クランプ状態において前記押圧面が前記ダイパッドの前記放熱面の中央領域を押圧することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のモールド金型。
【請求項５】
前記一方のモールド金型は、上面が前記当接面と面一であり前記凹部の底面から突設された柱状の押圧部を有し、前記クランプ状態において前記押圧部の前記上面が前記ダイパッドの前記放熱面の中央領域を押圧することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のモールド金型。
【請求項６】
前記凹部の底面は、円錐の側面に一致する形状であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のモールド金型。
【請求項７】
前記凹部の底面は、角錐の側面に一致する形状であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のモールド金型。
【請求項８】
前記凹部の底面には、封止用樹脂の付着を抑制するための細かい凹凸が形成されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のモールド金型。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載のモールド金型により樹脂封止型半導体装置を製造する方法であって、
前記半導体チップが前記他方のモールド金型の前記キャビティ部に収納され且つ前記一方のモールド金型の前記凹部が前記放熱面の上方に位置するように、前記一方のモールド金型と前記他方のモールド金型とで前記リードフレームをクランプする工程と、
前記キャビティ部に樹脂を注入して、前記半導体チップおよび前記ダイパッドを前記放熱面が露出するように樹脂封止する工程と、
を備えることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記リードフレームを前記モールド金型から取り外し、前記放熱面に付着した樹脂バリを除去する工程をさらに備えることを特徴とする請求項９に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記放熱面にめっき処理を施す工程をさらに備えることを特徴とする請求項９または１０に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜８のいずれかに記載のモールド金型を用いて樹脂封止された樹脂封止型半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モールド金型、より詳しくは、ダイパッドの片方の面を放熱面として露出させた樹脂封止型半導体装置の樹脂封止に用いるモールド金型、および該モールド金型を用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法、並びに樹脂封止型半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ダイパッドの一方の面に半導体チップを搭載し、半導体チップの電極とリードフレームのリードとをボンディングワイヤ等で電気的に接続した後、半導体チップを樹脂封止してなる半導体装置が知られている。
【０００３】
上記半導体チップがパワーＭＯＳＦＥＴ等の発熱量の多い半導体デバイスの場合には、放熱性を向上させるため、ダイパッドの他方の面を樹脂で覆わず、放熱面（ヒートシンク部）として露出させている。この放熱面は、通常、防錆等のため、めっき処理される。以下、このような放熱面を有する半導体装置を「樹脂封止型半導体装置」と呼ぶ。
【０００４】
従来、例えば特許文献１には、モールド金型とダイパッドとの接触面積を減らして面圧を高めるための凹状の面圧逃げ構造が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平７−９４５３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、ダイパッドに搭載された半導体チップを封止する樹脂封止工程においては、リードフレームは上下一対のモールド金型でクランプ（型締め）される。
【０００７】
図７および図８は、上下一対のモールド金型１００、およびモールド金型１００によりクランプされたリードフレーム１３０の断面図を示している。より詳しくは、図７は、リードフレーム１３０のリード１３４の延在する方向に沿う断面図であり、図８は、リード１３４の延在する方向と直交する方向に沿う断面図である。
【０００８】
図７および図８に示すように、モールド金型１００は、上側モールド金型１１０と下側モールド金型１２０からなる。リードフレーム１３０のダイパッド１３１には半導体チップ１４０が搭載されている。
【０００９】
リードフレーム１３０は、板状のダイパッド１３１と、折り曲げ部１３５を介してダイパッド１３１に接続されたリード１３４とを有する。ダイパッド１３１は、半導体チップ１４０が搭載される搭載面１３２と、搭載面１３２とは反対側の放熱面１３３とを有する。
【００１０】
半導体チップ１４０は、リードフレーム１３０がクランプされた状態（クランプ状態）において、下側モールド金型１２０に設けられたキャビティ部１２１に収容されている。なお、半導体チップ１４０は、はんだ等によりダイパッド１３１に電気的に接続されるとともに、ボンディングワイヤ（図示せず）により、リードフレーム１３０のパッド部（図示せず）に電気的に接続されている。
【００１１】
従来、クランプ状態において、モールド金型１００とダイパッド１３１との間の当接部分Ａ（図７、図８）に隙間が生じる場合があった。この隙間は、例えば、繰り返し使用に伴ってモールド金型１００に付着する樹脂バリ（フラッシュバリ）等の異物や、リードフレーム１３０の折り曲げ部１３５の変形、あるいはダイパッド１３１の反り等によって発生する。このような隙間が発生した場合、キャビティ部１２１に注入された封止用樹脂がダイパッド１３１の放熱面１３３に漏出し、樹脂バリとなってしまう。
【００１２】
そこで、従来は、図７および図８に示すように、上側モールド金型１１０の当接面１１１に、フラットな底面１１３を有する凹部１１２を設けることで、上側モールド金型１１０とダイパッド１３１との接触面積を減らして面圧を高め、封止用樹脂の放熱面１３３への漏出量を減らそうとしていた。
【００１３】
しかしながら、キャビティ部１２１に注入された封止用樹脂が、当接部分Ａのわずかな隙間を介して毛細管現象により凹部１１２に吸引され、放熱面１３３に多く漏出することが避けられなかった。
【００１４】
さらに、放熱面１３３に漏出した樹脂が固化した樹脂バリを、樹脂バリ除去工程で除去できない場合があるという課題もあった。これについて図９を用いて詳しく説明する。
【００１５】
図９は、樹脂封止工程後の樹脂封止型半導体装置の、図８に対応する断面図である。図９に示すように、封止用樹脂１５０が半導体チップ１４０を封止している。また、図９に示すように、放熱面１３３に漏出した樹脂が固化した樹脂バリ１５１が、凹部１１２の縁部に対応する領域（放熱面１３３の周縁領域）に残存してしまう。この樹脂バリ１５１の厚みは、凹部１１２の内壁面１１４の高さ程度（約２０〜３０μｍ）である。樹脂バリ１５１が厚い場合は、樹脂封止工程の後に行う樹脂バリ除去工程において完全に除去できない場合がある。この場合、放熱面１３３のめっき工程においてめっきの付着不良が発生し、その結果、樹脂封止型半導体装置の歩留まりが低下するおそれがある。
【００１６】
本発明は、上記の技術的認識に基づいてなされたものであり、樹脂バリ除去工程で樹脂バリを十分に除去することを可能とし、放熱面のめっき工程でのめっき付着不良を低減して樹脂封止型半導体装置の歩留まりを向上させることが可能なモールド金型、該モールド金型を用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法、および樹脂封止型半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の一態様に係るモールド金型は、
ダイパッドと前記ダイパッドから延在するリードとを有し且つ前記ダイパッドの搭載面に半導体チップが搭載されたリードフレームを、クランプし、前記ダイパッドの放熱面が露出するように前記ダイパッド及び前記半導体チップを樹脂封止する一対のモールド金型であって、
前記リードフレームがクランプされたクランプ状態において、前記ダイパッドの放熱面に当接する当接面を有する一方のモールド金型と、
前記クランプ状態において、前記半導体チップを収容するキャビティ部が設けられた他方のモールド金型と、
を備え、
周辺部から中央部に行くにつれて深くなるように傾斜した底面を有する凹部が、前記クランプ状態において前記ダイパッドの端部から所定の距離を隔てるように、前記一方のモールド金型の前記当接面に設けられていることを特徴とする。
【００１８】
また、前記モールド金型において、
前記凹部は、前記一方のモールド金型の前記当接面と接続し、かつ前記当接面と直交する内壁面を有するようにしてもよい。
【００１９】
また、前記モールド金型において、
前記凹部の前記内壁面の高さは、前記ダイパッドおよび前記半導体チップを樹脂封止した後に行われる樹脂バリ除去工程において除去可能な樹脂バリの厚さの最大値より小さいようにしてもよい。
【００２０】
また、前記モールド金型において、
前記凹部は、前記当接面の一部であり前記当接面と面一の押圧面を挟んで、複数設けられ、前記クランプ状態において前記押圧面が前記ダイパッドの前記放熱面の中央領域を押圧するようにしてもよい。
【００２１】
また、前記モールド金型において、
前記一方のモールド金型は、上面が前記当接面と面一であり前記凹部の底面から突設された柱状の押圧部を有し、前記クランプ状態において前記押圧部の前記上面が前記ダイパッドの前記放熱面の中央領域を押圧するようにしてもよい。
【００２２】
また、前記モールド金型において、
前記凹部の底面は、円錐の側面に一致する形状であるようにしてもよい。
【００２３】
また、前記モールド金型において、
前記凹部の底面は、角錐の側面に一致する形状であるようにしてもよい。
【００２４】
また、前記モールド金型において、
前記凹部の底面には、封止用樹脂の付着を抑制するための細かい凹凸が形成されているようにしてもよい。
【００２５】
本発明の一態様に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法は、
本発明のモールド金型により樹脂封止型半導体装置を製造する方法であって、
前記半導体チップが前記他方のモールド金型の前記キャビティ部に収納され且つ前記一方のモールド金型の前記凹部が前記放熱面の上方に位置するように、前記一方のモールド金型と前記他方のモールド金型とで前記リードフレームをクランプする工程と、
前記キャビティ部に樹脂を注入して、前記半導体チップおよび前記ダイパッドを前記放熱面が露出するように樹脂封止する工程と、
を備えることを特徴とする。
【００２６】
また、前記樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
前記リードフレームを前記モールド金型から取り外し、前記放熱面に付着した樹脂バリを除去する工程をさらに備えるようにしてもよい。
【００２７】
また、前記樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
前記放熱面にめっき処理を施す工程をさらに備えるようにしてもよい。
【００２８】
本発明の一態様に係る樹脂封止型半導体装置は、
本発明のモールド金型を用いて樹脂封止されたものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２９】
本発明の一態様に係るモールド金型においては、周辺部から中央部に行くにつれて深くなるように傾斜した底面を有する凹部が、クランプ状態においてダイパッドの端部から所定の距離を隔てるように、一方のモールド金型の当接面に設けられている。これにより、毛細管現象が抑制され、ダイパッドの放熱面に吸引される封止用樹脂の量を減らすことができる。
【００３０】
よって、本発明によれば、樹脂バリ除去工程で樹脂バリを十分に除去することを可能とし、放熱面のめっき工程でのめっき付着不良を低減して樹脂封止型半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】第１の実施形態に係るモールド金型、および該モールド金型によりクランプされたリードフレームの縦断面図である。
【図２】第１の実施形態に係るモールド金型、および該モールド金型によりクランプされたリードフレームの横断面図である。
【図３】リードフレームと、第１の実施形態に係る上側モールド金型に設けられた凹部との間の、クランプ状態における位置関係を示す平面図である。
【図４】一実施形態に係るモールド金型により樹脂封止型半導体装置を製造する方法を示すフローチャートである。
【図５】第２の実施形態に係るモールド金型、および該モールド金型によりクランプされたリードフレームの横断面図である。
【図６】リードフレームと、第２の実施形態に係る上側モールド金型に設けられた凹部との間の、クランプ状態における位置関係を示す平面図である。
【図７】従来のモールド金型、および該モールド金型によりクランプされたリードフレームの縦断面図である。
【図８】従来のモールド金型、および該モールド金型によりクランプされたリードフレームの横断面図である。
【図９】樹脂封止工程後の樹脂封止型半導体装置の、図８に対応する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態について説明する。なお、各図において同等の機能を有する構成要素には同一の符号を付し、同一符号の構成要素の詳しい説明は繰り返さない。
【００３３】
（第１の実施形態）
図１〜図３を参照して、第１の実施形態に係るモールド金型１について説明する。図１および図２は、モールド金型１、およびモールド金型１によりクランプされたリードフレーム３０の断面図を示している。より詳しくは、図１は、リードフレーム３０のリード３４の延在する方向に沿う断面図であり、図２は、リード３４の延在する方向と直交する方向に沿う断面図である。図３は、リードフレーム３０と、上側モールド金型１０に設けられた凹部１２との間の、クランプ状態における位置関係を示す平面図を示している。ここで、クランプ状態とは、リードフレーム３０が一対のモールド金型１によりクランプされた状態をいう。
【００３４】
本実施形態に係るモールド金型１は、上側モールド金型（一方のモールド金型）１０と、下側モールド金型（他方のモールド金型）２０とを備える上下一対のモールド金型である。図１および図２に示すように、モールド金型１は、半導体チップ４０が搭載されたリードフレーム３０をクランプし、ダイパッド３１の放熱面３３が露出するように、ダイパッド３１及び半導体チップ４を樹脂封止する。
【００３５】
ここで、リードフレーム３０の構成について詳しく説明する。
【００３６】
リードフレーム３０は、図３に示すように、板状のダイパッド３１と、折り曲げ部３５を介してダイパッド３１に接続されたリード３４と、タイバー３７によりリード３４に結合されたリード３４Ａとを有する。ダイパッド３１は、図１および図２に示すように、一方の主面としての搭載面３２と、他方の主面としての放熱面３３とを有する。
【００３７】
リード３４Ａの先端には、図３に示すように、半導体チップ４０の電極と電気的に接続されるパッド部３８が設けられている。タイバー３７は、変形防止のため、リード３４およびリード３４Ａを結合している。このタイバー３７は、最終的にカットされ、リード３４，３４Ａは独立したリード端子となる。
【００３８】
図１および図２に示すように、ダイパッド３１の搭載面３２には、半導体チップ４０が搭載されている。なお、半導体チップ４０は、はんだ又は導電性ペースト等によりダイパッド３１に電気的に接続されるとともに、ボンディングワイヤ（図示せず）により、パッド部３８に電気的に接続されている。
【００３９】
なお、上記のリードフレーム３０の構成は一例に過ぎず、本発明は、上記の構成に限定されるものではない。
【００４０】
下側モールド金型２０には、図１および図２に示すように、クランプ状態において半導体チップ４０を収容するキャビティ部２１が設けられている。樹脂封止工程では、封止用樹脂が下側モールド金型２０に設けられた注入口（図示せず）を通ってキャビティ部２１内に注入される。
【００４１】
上側モールド金型１０は、図１および図２に示すように、クランプ状態においてダイパッド３１の放熱面３３に当接する当接面１１を有する。ダイパッド３１は、当接部分Ｂで上側モールド金型１０に当接している。
【００４２】
この当接面１１には、凹部１２が、クランプ状態においてダイパッド３１の端部から所定の距離を隔てるように設けられている。図３に示すように、凹部１２はダイパッド３１の下端部３６ａから距離Ｄ１を隔てるように設けられ、凹部１２はダイパッド３１の側端部３６ｂから距離Ｄ２を隔てるように設けられている。
【００４３】
図１および図２に示すように、凹部１２は、クランプ状態においてダイパッド３１の放熱面３３の上方に位置するように、上側モールド金型１０の当接面１１に設けられている。
【００４４】
また、凹部１２は、図１および図２に示すように、当接面１１と接続し、かつ当接面１１と直交する内壁面１４を有する。
【００４５】
この内壁面１４の高さは、樹脂バリ除去工程で除去可能な樹脂バリの厚さの最大値より小さいことが好ましい。内壁面１４の高さは、好ましくは１０μｍ以下であり、例えば３〜７μｍである。これにより、樹脂バリ除去工程において、樹脂バリを確実に除去し、めっき工程におけるめっき付着不良をより一層低減することができる。
【００４６】
なお、内壁面１４を有しないように凹部１２を設けてもよい。
【００４７】
凹部１２は、図１〜図３に示すように、四角錐の側面に一致する形状の底面１３を有する。また、図３に示すように、凹部１２の開口辺１５は、ダイパッド３１の下端部３６ａまたは側端部３６ｂに対して平行になるように配置されている。
【００４８】
なお、底面１３の形状は四角錐状に限るものではなく、四角錐以外の角錐の側面に一致する形状であってもよいし、あるいは、円錐の側面に一致する形状であってもよい。より一般的には、底面１３は、周辺部から中央部に行くにつれて深くなるように傾斜していればよい。
【００４９】
また、凹部１２の内面（底面１３、内壁面１４）には、封止用樹脂の付着を抑制するための細かい凹凸が形成されていることが好ましい。これにより、封止用樹脂が凹部１２に付着することに伴って当接部分Ｂに隙間が生じることを防止できる。この細かい凹凸は、例えば、梨地加工により形成されたものである。
【００５０】
上記のように、本実施形態では、面圧を高めるために上側モールド金型１０の当接面１１に設けられた凹部１２が、周辺部から中央部に行くにつれて深くなるように傾斜した底面１３を有する。即ち、凹部１２はテーパー状の底面１３を有する。これにより、毛細管現象が抑制され、当接部分Ｂを介して放熱面３３に吸引される封止用樹脂の量を減らすことができる。底面１３の傾斜が急であるほど、放熱面３３に吸引される封止用樹脂の量は減少する。
【００５１】
よって、本実施形態に係るモールド金型によれば、樹脂封止工程の後に行われる樹脂バリ除去工程において樹脂バリを十分に除去することが可能となり、その後のめっき工程におけるめっき付着不良を低減することができる。その結果、樹脂封止型半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
【００５２】
次に、本実施形態に係るモールド金型１により樹脂封止型半導体装置を製造する方法について、図４のフローチャートを参照して説明する。
【００５３】
まず、半導体チップ４０をリードフレーム３０のダイパッド３１に搭載し、半導体チップ４０の電極とリードフレーム３０とを電気的に接続する（ステップＳ１）。より詳しくは、はんだ又は導電性ペースト等により、半導体チップ４０の一方の面に設けられた電極とダイパッド３１とを電気的に接続するとともに、ボンディングワイヤにより、半導体チップ４０の他方の面に設けられた電極とパッド部３８とを電気的に接続する。
【００５４】
次に、図１および図２に示すように、半導体チップ４０が下側モールド金型２０のキャビティ部２１に収納され且つ上側モールド金型１０の凹部１２が放熱面３３の上方に位置するように、上側モールド金型１０と下側モールド金型２０とでリードフレーム３０をクランプする（ステップＳ２）。
【００５５】
次に、注入口を介してキャビティ部２１に樹脂を注入して、半導体チップ４０およびダイパッド３１を放熱面３３が露出するように樹脂封止する（ステップＳ３）。なお、図２から分かるように、ダイパッド３１の側面も樹脂封止される。
【００５６】
次に、リードフレーム３０をモールド金型１から取り外し、ダイパッド３０の放熱面３３に付着した樹脂バリを除去する（ステップＳ４）。本樹脂バリ除去工程は、例えば、ガラスビーズ等の研磨材で放熱面３３を研磨することにより行う。
【００５７】
樹脂バリを除去した後、ダイパッド３０の放熱面３３にめっき処理を施す（ステップＳ５）。なお、本めっき処理工程により、リードフレーム３０のうち樹脂封止されていない部分（リード３４、ダイパッド３１の先端部分等）にも、めっき層が形成される。
【００５８】
上記のステップＳ３の工程において、毛細管現象が抑制されるため、当接部分Ｂ（図１、図２）を介してキャビティ部２１からダイパッド３１の放熱面３３に吸引される封止用樹脂の量を減らすことができる。このため、ステップＳ４の樹脂バリ除去工程において、樹脂バリを十分に除去することができる。その結果、ステップＳ５のめっき処理工程において、めっき付着不良を低減することができる。よって、本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法によれば、樹脂封止型半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
【００５９】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態に係るモールド金型１Ａについて、図５および図６を参照して説明する。図５は、モールド金型１Ａ、およびモールド金型１Ａによりクランプされたリードフレーム３０の断面図を示している。より詳しくは、図５は、リードフレーム３０のリード３４の延在する方向と直交する方向に沿う断面図である。なお、リード３４の延在する方向に沿う断面図は図１と同様であるため省略する。図６は、リードフレーム３０と、上側モールド金型１０Ａに設けられた凹部１２との間の、クランプ状態における位置関係を示す平面図を示している。
【００６０】
第２の実施形態に係るモールド金型１Ａは、上側モールド金型（一方のモールド金型）１０Ａと、下側モールド金型（他方のモールド金型）２０とを備えている。下側モールド金型２０については、第１の実施形態と同様の構成であるので詳しい説明を省略する。
【００６１】
上側モールド金型１０Ａの当接面１１には、図５および図６に示すように、２つの凹部１２が設けられている。各凹部１２は、周辺部から中央部に行くにつれて深くなるように傾斜する底面１３と、当接面１１と接続し、かつ当接面１１と直交する内壁面１４とを有する。
【００６２】
図５に示すように、２つの凹部１２は押圧面１１ａを挟んで設けられている。この押圧面１１ａは当接面１１の一部であり、押圧面１１ａおよび当接面１１は面一である。
【００６３】
なお、当接面１１に設けられる凹部１２の数は２つに限らず、３つ以上でもよい。また、内壁面１４を有しないように凹部１２を設けてもよい。
【００６４】
クランプ状態において押圧面１１ａがダイパッド３１の放熱面３３の中央領域を押圧することで、モールド金型１Ａによる面圧がダイパッド３１の端部だけでなく中央領域にも加わる。これにより、リードフレーム３０の反りを矯正し、当接部分Ｂに大きな隙間が発生することを防止することができる。
【００６５】
なお、図５に示すように、複数の凹部１２が、押圧面１１ａに対して対称となるように設けられていることが好ましい。例えば、図６に示すように、２つの凹部１２は、クランプ状態においてリードフレーム３０の中心線Ｃに対して線対称となるように設けられている。
【００６６】
第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様、凹部１２の底面１３を周辺部から中央部に行くにつれて深くなるように傾斜するようにしたことで、毛細管現象が抑制され、当接部分Ｂを介して放熱面３３に吸引される封止用樹脂の量を減らすことができる。
【００６７】
よって、第２の実施形態に係るモールド金型によれば、樹脂バリ除去工程で樹脂バリを十分に除去することが可能となり、その後のめっき工程におけるめっき付着不良を低減することができる。その結果、樹脂封止型半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
【００６８】
さらに、第２の実施形態によれば、クランプ状態において放熱面３３の中央領域を押圧する押圧面１１ａを設けることで、リードフレーム３０の反りが矯正され、モールド金型１Ａとダイパッド３１間に大きな隙間が発生することを防止できる。その結果、大きな隙間を介して多量の封止用樹脂が放熱面３３に吸引されることを防ぐことができる。
【００６９】
なお、第２の実施形態に係るモールド金型を用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法は、第１の実施形態（図４）で説明した工程と同様にすることができる。
【００７０】
また、本実施形態では、凹部１２を複数設けて、凹部１２間の当接面１１を押圧面１１ａとしたが、押圧面１１ａを設ける方法はこれに限らない。例えば、上側モールド金型は、上面が当接面１１と面一であり凹部１２の底面から突設された柱状の押圧部を有してもよい。押圧部の上面がクランプ状態においてダイパッド３１の放熱面３３の中央領域を押圧する。即ち、押圧部の上面が押圧面１１ａとして機能する。この構成の場合、凹部１２の数が１つであっても、ダイパッド３１の放熱面３３の中央領域を押圧可能である。
【００７１】
上記の記載に基づいて、当業者であれば、本発明の追加の効果や種々の変形を想到できるかもしれないが、本発明の態様は、上述した個々の実施形態に限定されるものではない。異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。特許請求の範囲に規定された内容及びその均等物から導き出される本発明の概念的な思想と趣旨を逸脱しない範囲で種々の追加、変更及び部分的削除が可能である。
【符号の説明】
【００７２】
１，１Ａ  モールド金型
１０，１０Ａ  上側モールド金型
１１  当接面
１１ａ  押圧面
１２  凹部
１３  底面
１４  内壁面
１５  開口辺
２０  下側モールド金型
２１  キャビティ部
３０  リードフレーム
３１  ダイパッド
３２  搭載面
３３  放熱面
３４，３４Ａ  リード
３５  折り曲げ部
３６ａ  下端部
３６ｂ  側端部
３７  タイバー
３８  パッド部
４０  半導体チップ
１００  モールド金型
１１０  上側モールド金型
１１１  当接面
１１２  凹部
１１３  底面
１１４  内壁面
１２０  下側モールド金型
１２１  キャビティ部
１３０  リードフレーム
１３１  ダイパッド
１３２  載置面
１３３  放熱面
１３４  リード
１３５  折り曲げ部
１４０  半導体チップ
１５０  封止用樹脂
１５１  樹脂バリ
Ａ，Ｂ  当接部分
Ｃ  中心線
Ｄ１，Ｄ２  距離
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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