(57)【要約】【課題】両面研磨時にウエハ１がキャリア２のウエハ保持部３から逸脱することなく安定して研磨する。【解決手段】本発明のウエハ研磨方法は、板厚方向に開口する開口部９に、ウエハ１が装着されるキャリア２を上定盤４と下定盤５との間に挟み、下定盤５に対して上定盤４を相対的に押圧し、キャリア２に対して上定盤４及び下定盤５を相対的に移動させてウエハ１の両面を同時に研磨する。この場合に、キャリア２の開口部９の周囲の領域をウエハ保持部３とし、ウエハ１の厚さよりも厚いウエハ保持部３をウエハ１の厚さとなるまで研磨する第一研磨工程Ｓ１と、ウエハ保持部３とウエハ１とを同じ厚さで共に研磨する第二研磨工程Ｓ２とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
板厚方向に開口する開口部にウエハが装着されるキャリアを上定盤と下定盤との間に挟み、前記下定盤に対して前記上定盤を相対的に押圧し、前記キャリアに対して前記上定盤及び前記下定盤を相対的に移動させて前記ウエハの両面を同時に研磨するウエハ研磨方法において、
前記キャリアの前記開口部の周囲の領域をウエハ保持部として、前記ウエハの厚さよりも厚い前記ウエハ保持部を前記ウエハの厚さとなるまで研磨する第一研磨工程と、
前記ウエハ保持部と前記ウエハとを共に研磨する第二研磨工程と、を備えるウエハ研磨方法。
【請求項２】
前記第一研磨工程において、前記キャリアは全体が前記ウエハ保持部の厚さを有する請求項１に記載のウエハ研磨方法。
【請求項３】
前記第一研磨工程において、前記キャリアは前記ウエハ保持部の厚さが前記ウエハ保持部以外の厚さよりも厚い請求項１に記載のウエハ研磨方法。
【請求項４】
前記キャリアは合成樹脂から形成される請求項１〜３のいずれか一項に記載のウエハ研磨方法。
【請求項５】
前記キャリアはガラスエポキシ樹脂からなる請求項４に記載のウエハ研磨方法。
【請求項６】
前記ウエハの直径は４インチ〜８インチであり、前記ウエハの厚さは前記第一研磨工程の前が１ｍｍ〜０．５ｍｍの範囲であり、前記第二研磨工程の後が０．５ｍｍ〜０．２ｍｍの範囲である請求項１〜５のいずれか一項に記載のウエハ研磨方法。
【請求項７】
前記キャリアは、サンギアとインターナルギアとの間に装着され、自転しかつ前記サンギアの周囲を相対的に公転する請求項１〜６のいずれか一項に記載のウエハ研磨方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載のウエハ研磨方法を実行してガラス基板を形成するガラス基板形成工程と、前記ガラス基板に電子素子を実装する電子素子実装工程と、前記ガラス基板にガラスからなる蓋体を接合するガラス蓋体設置工程と、を備える電子デバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス等のウエハを両面同時に研磨するウエハ研磨方法、及びこのウエハ研磨方法を用いる電子デバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ガラスウエハや半導体ウエハは両面研磨機により薄く研磨される。この種のウエハは厚さが１ｍｍ以下であり、直径が４インチ〜８インチの大きさを有する。これらのウエハは、電子素子の基板として、或いは電子素子を収納するパッケージとして使用され、平坦性がよく、厚みが均一で、表面に傷や欠けの無い高精度の表面に仕上げることが要求される。
【０００３】
研磨装置としてウエハの両面を同時に研磨することができる両面研磨機が使用される。両面研磨機の一例として、上下の２枚の定盤の間にウエハが保持されるキャリアを挟み、研磨剤を流して研磨する装置が使用される。具体的には、下定盤と、下定盤に押圧される上定盤と、下定盤と上定盤の間に挟まれ、板厚方向に貫通する開口部に、ウエハが装着されるキャリアと、下定盤の中央に突出するように設置され下定盤とは独立して回転するサンギアと、下定盤の外周に設置され下定盤及びサンギアとは独立して回転するインターナルギアと、を備える。キャリアは、その外周に歯が形成され、中央のサンギアと外周のインターナルギアの間に歯合される。従って、キャリアは、サンギアとインターナルギアの回転に応じて自転しながらサンギアの周りを公転する。ウエハは、上面が上定盤との間の研磨剤により、下面が下定盤との間の研磨剤により同時に研磨される。キャリアはウエハの厚さよりも薄く形成し、ウエハの上面及び下面がそれぞれ上定盤及び下定盤に接するようにする。
【０００４】
特許文献１には、この種の両面研磨機を使用して厚さ１ｍｍ以下の薄いガラスウエハを研磨することが記載される。ガラスウエハの厚さが薄くなるとキャリアも薄く形成しなければならない。キャリアが薄くなると強度が不足し、研磨に必要な荷重がかけられず、また、定盤の回転速度も低下させるので、研磨時間が長くなる。合成樹脂製のキャリアから金属製のキャリアに変更すればキャリアの強度を高くすることができるが、金属製のキャリアはガラスウエハと接触するとガラスウエハの端面に傷がつきやすく、この傷からガラスウエハが破壊されやすくなる。
【０００５】
そこで、キャリアの外周に形成される歯を金属製の歯とし、キャリアの開口部をガラス繊維樹脂とする。そして、金属製の歯の厚さをガラス繊維樹脂の厚さよりも０．１ｍｍ〜０．２ｍｍ厚くする。インターナルギアと歯合するキャリアの外周の歯が金属製なので、キャリアの歯は摩耗や破損することが無く、また、ガラスウエハにはガラス繊維樹脂が接触するので、ガラスウエハに傷がつき難い、ことが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平６−５５４３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ガラスウエハは直径を大きくして取個数を増やすことにより製造コストを低下させることができる。そのため、ガラスウエハの直径は大きくなる。しかし、ガラスウエハの直径が大きくなるほどその反り量も大きくなる。図７は両面研磨の状態を表す断面模式図である。図７（ａ）は、両面研磨機１００によりガラスウエハ１０５の両面研磨を行っている状態を表す。上定盤１０１と下定盤１０２の間にキャリア１０３が挟まれる。キャリア１０３の開口穴１０４にガラスウエハ１０５が装着される。下定盤１０２に対して上定盤１０１を相対的に押圧し、キャリア１０３に対して上定盤１０１及び下定盤１０２を相対的に移動させる。しかし、ガラスウエハ１０５が大きくなるにつれて、その反り量も大きくなる。この状態で、キャリア１０３に対して上定盤１０１及び下定盤１０２を相対的に移動させて研磨すると、ガラスウエハ１０５はキャリア１０３に乗り上げてガラスウエハ１０５が破壊される場合がある。
【０００８】
図７（ｂ）は、両面研磨機１００によりガラスウエハ１０５の両面研磨を行っている他の状態を表す。ガラスウエハ１０５は端面が面取りされ、丸みを帯びている。ガラスウエハ１０５の端面が角張っていると端面の角部が欠けやすく、この欠けたガラスの破片によりガラスウエハ１０５の表面に傷が発生する、或いは欠けた部分からクラックが成長し、ガラスの破壊に至る場合がある。これを防止するために予めガラスウエハ１０５の端面を面取りする。しかし、ガラスウエハ１０５の面取りを行うと、ガラスウエハ１０５がキャリア１０３に乗り上がりやすくなる。また、面取りを行っていないガラスウエハ１０５でも、研磨が進むと端面が丸みを帯びてくる。ガラスウエハ１０５の厚さがキャリア１０３の厚さよりも厚い状態でガラスウエハ１０５の端面が丸みを帯びると、ガラスウエハ１０５がキャリア１０３に乗り上がりやすくなる。つまり、ガラスウエハ１０５の厚さとキャリア１０３の厚さの差が大きいほど、ガラスウエハ１０５がキャリア１０３に乗り上がり、開口穴１０４から逸脱する確率が高い。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のウエハ研磨方法は、板厚方向に開口する開口部にウエハが装着されるキャリアを上定盤と下定盤との間に挟み、前記下定盤に対して前記上定盤を相対的に押圧し、前記キャリアに対して前記上定盤及び前記下定盤を相対的に移動させて前記ウエハの両面を同時に研磨するウエハ研磨方法において、前記キャリアの前記開口部の周囲の領域をウエハ保持部として、前記ウエハの厚さよりも厚い前記ウエハ保持部を前記ウエハの厚さとなるまで研磨する第一研磨工程と、前記ウエハ保持部と前記ウエハとを共に研磨する第二研磨工程と、を備えることとした。
【００１０】
また、前記第一研磨工程において、前記キャリアは全体が前記ウエハ保持部の厚さを有することとした。
【００１１】
また、前記第一研磨工程において、前記キャリアは前記ウエハ保持部の厚さが前記ウエハ保持部以外の厚さよりも厚いこととした。
【００１２】
また、前記キャリアは合成樹脂から形成されることとした。
【００１３】
また、前記キャリアはガラスエポキシ樹脂からなることとした。
【００１４】
また、前記ウエハの直径は４インチ〜８インチであり、前記ウエハの厚さは前記第一研磨工程の前が１ｍｍ〜０．５ｍｍの範囲であり、前記第二研磨工程の後が０．５ｍｍ〜０．２ｍｍの範囲であることとした。
【００１５】
また、前記キャリアは、サンギアとインターナルギアとの間に装着され、自転しかつ前記サンギアの周囲を相対的に公転することとした。
【００１６】
本発明の電子デバイス製造方法は、上記いずれかに記載のウエハ研磨方法を実行してガラス基板を形成するガラス基板形成工程と、前記ガラス基板に電子素子を実装する電子素子実装工程と、前記ガラス基板にガラスからなる蓋体を接合するガラス蓋体設置工程と、を備えることとした。
【発明の効果】
【００１７】
本発明のウエハ研磨方法は、板厚方向に開口する開口部にウエハが装着されるキャリアを上定盤と下定盤との間に挟み、下定盤に対して上定盤を相対的に押圧し、キャリアに対して上定盤及び下定盤を相対的に移動させてウエハの両面を同時に研磨する。この場合に、キャリアの開口部の周囲の領域をウエハ保持部として、ウエハの厚さよりも厚いウエハ保持部をウエハの厚さとなるまで研磨する第一研磨工程と、ウエハ保持部とウエハとを同じ厚さで共に研磨する第二研磨工程と、を備える。これにより、ウエハがウエハ保持部から逸脱してキャリアに乗り上がり、破壊することなく安定して研磨することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第一実施形態に係るウエハ研磨方法を説明するための図である。
【図２】本発明の第二実施形態に係るウエハ研磨方法を説明するための図である。
【図３】本発明のウエハ研磨方法に使用されるキャリアの断面模式図である。
【図４】本発明の第三実施形態に係る電子デバイスの製造方法を表す工程図である。
【図５】本発明の第三実施形態において製造される電子デバイスの断面模式図である。
【図６】本発明の第四実施形態に係る発振器の上面模式図である。
【図７】従来公知の両面研磨の状態を表す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
（第一実施形態）
図１は、本発明の第一実施形態に係るウエハ研磨方法を説明するための図である。図１（ａ）が第一研磨工程におけるウエハ研磨装置１０の断面模式図であり、図１（ｂ）が第二研磨工程におけるウエハ研磨装置１０の断面模式図である。
【００２０】
本発明のウエハ研磨方法は、板厚方向に開口する開口部にウエハ１が装着されるキャリア２を上定盤４と下定盤５との間に挟む。そして、下定盤５に対して上定盤４を相対的に押圧し、キャリア２に対して上定盤４及び下定盤５を相対的に移動させてウエハ１の両面を同時に研磨する。この場合に、図１（ａ）に示すように、第一研磨工程において、キャリア２の開口部９の周囲の領域をウエハ保持部３として、ウエハ１の厚さよりも厚いウエハ保持部３をウエハの厚さとなるまで研磨する。次に、図１（ｂ）に示すように、第二研磨工程において、ウエハ保持部３とウエハ１とを同じ厚さで共に研磨する。
【００２１】
具体的に説明する。研磨工程を実施する前に、ウエハ保持部３の板厚方向の厚さが研磨を行うウエハ１の板厚より厚いキャリア２を準備する。このウエハ１をウエハ保持部３に装着し、キャリア２を上定盤４と下定盤５の間に挟み荷重をかけて押圧する。そして、上定盤４と下定盤５の間に研磨剤を供給し、キャリア２に対して下定盤５と上定盤４を定盤面に対して面方向に相対的に移動させて第一研磨工程を実施する。ウエハ保持部３の厚さがウエハ１よりも厚いので、この第一研磨工程において荷重は主にウエハ保持部３に印加されウエハ保持部３が研磨される。このように、第一研磨工程ではウエハ保持部３がウエハ１よりも板厚方向の厚さが厚い（深い）ので、ウエハ１がウエハ保持部３から逸脱することが無い。そして、ウエハ保持部３はウエハ１と同じ厚さとなるまで研磨される。次に、第二研磨工程においては、ウエハ保持部３とウエハ１とは同じ厚さの状態で研磨される。そのため、ウエハ１がウエハ保持部３から逸脱しキャリア２に乗り上がることが無い。
【００２２】
このように、ウエハ保持部３の厚さ（深さ）をウエハ１の厚さよりも厚くしたので、反りがあるウエハ１や、端部を面取りしたウエハ１であっても、ウエハ保持部３から逸脱することなく研磨することができる。例えば、直径が４インチ〜８インチ、厚さが１ｍｍ〜０．５ｍｍのように薄くて大きなウエハ１を、最終厚さを０．５ｍｍ〜０．２ｍｍまで容易に研磨することができる。
【００２３】
なお、キャリア２に対して上定盤４又は下定盤５を相対的に直線状に移動させてもよいし、相対的に回転するように移動させてもよい。また、第一研磨工程において、キャリア２は全体がウエハ保持部３の厚さのものを使用してもよいし、ウエハ保持部３の厚さがウエハ保持部３以外の領域の厚さよりも厚いものを使用してもよい。ウエハ保持部３には研磨速度の速い合成樹脂を使用し、それ以外の領域には剛性の大きな金属板を使用することができる。ウエハ１は、半導体ウエハやガラスウエハを使用することができる。ガラスウエハは、多数の金属電極が埋め込まれ、電子素子が実装されるパッケージ用に使用することができる。ウエハ１は円盤状であっても矩形状であってもよい。キャリア２のウエハ保持部３とウエハ１との間には隙間を設け、ウエハ１がウエハ保持部３において変位可能に装着することが好ましい。
【００２４】
（第二実施形態）
図２は、本発明の第二実施形態に係るウエハ研磨方法を説明するための図である。図２（ａ）は、ウエハ研磨装置１０の上定盤４を除いた上面模式図であり、図２（ｂ）は、ウエハ研磨装置１０の断面模式図である。同一の部分又は同一の機能を有する部分には同一の符号を付している。
【００２５】
ウエハ研磨装置１０は、板厚方向に開口する開口部９を備え、この開口部９の周囲の領域をウエハ保持部３とするキャリア２と、このキャリア２を上下方向から挟むドーナツ状の上定盤４と下定盤５と、中央に設置されるサンギア６と、外周に設置されるインターナルギア７とを備える。キャリア２は、その全外周には歯８が形成され、サンギア６とインターナルギア７の内周の歯８’に歯合して装着される。サンギア６とインターナルギア７は相対的に回動する。従って、キャリア２は自転しかつサンギア６の周囲を相対的に公転する。更に、上定盤４と下定盤５は独立し又は従属して回動する。なお、全周に形成される歯８、８’は図を見やすくするために一部のみ図示している。
【００２６】
１枚のキャリア２には３個のウエハ保持部３が形成され、３枚のウエハ１を装着することができ、１台のウエハ研磨装置１０に５枚のキャリア２を設置することができる。従って、一度に１５枚のウエハ１の両面を研磨することができる。各キャリア２の各ウエハ保持部３は、研磨する前はウエハ１の厚さよりも厚い。各キャリア２は、全体がウエハ保持部３と均一な厚さを有する。キャリア２の開口部９は円形の形状を有し、開口部９の内周とウエハ１の外周との間に隙間を設けて研磨時にウエハ１を回転可能とする。上定盤４と下定盤５の間に研磨剤を供給するための図示しない研磨剤供給部が設置される。ウエハ保持部３は、４インチ〜８インチのウエハ１を装着可能に構成される。
【００２７】
まず、第一研磨工程において、ウエハ１の厚さよりも厚いウエハ保持部３をウエハ１の厚さとなるまで研磨する。本実施形態の場合は全体が均一な厚さのキャリア２を使用するので、各キャリア２の全体の厚さがウエハ１の厚さとなるまでキャリア２を研磨する。次に、第二研磨工程において、各キャリア２のウエハ保持部３と各ウエハ１とを同じ厚さで共に研磨する。これにより、各ウエハ１がウエハ保持部３から逸脱してキャリア２に乗り上がり、破壊することなく安定して研磨することができる。また、各ウエハ１の厚さのばらつきが少なく平坦性の優れた研磨を行うことができる。なお、キャリア２のウエハ装着用の開口部９は、円形であることが必須要件ではなく、四角形や他の多角形であってもよい。
【００２８】
図３は、本発明のウエハ研磨方法に使用されるキャリア２の断面模式図である。図３（ａ）は、全体がウエハ１の厚さよりも厚いキャリア２の断面模式図である。従って、ウエハ保持部３の厚さもウエハ１の厚さよりも厚い。図３（ｂ）は、ウエハ保持部３の厚さがウエハ１よりも厚く、ウエハ保持部３以外の領域はウエハ保持部３の厚さよりも薄く形成されるキャリア２の断面模式図である。第一研磨工程において、上定盤４に印加される荷重はウエハ保持部３に印加される。そのため、図３（ａ）に示すキャリア２と比較して、第一研磨工程の研磨時間が短縮される。
【００２９】
図３（ｃ）は、ウエハ保持部３をキャリア２本体とは異なる材料を使用したキャリア２の断面模式図である。例えば、キャリア２の本体を金属や合金により形成し、ウエハ保持部３を合成樹脂により形成する。キャリア２の本体の強度が向上し、その分キャリア２の厚さを薄くすることが可能となる。例えば、キャリア２の本体をウエハ１よりも薄いステンレス鋼により形成し、ウエハ保持部３をガラスエポキシ樹脂により形成すれば、第一研磨工程の他に第二研磨工程の研磨時間も短縮させることができる。なお、一枚のキャリア２に装着するウエハ１の数や一台のウエハ研磨装置１０に設置するキャリア２の数は第二実施形態に限定されず、必要に応じて変更することができる。
【００３０】
（第三実施形態）
図４は、本発明の第三実施形態に係る電子デバイス２０の製造方法を表す工程図である。図５は、本第三実施形態において製造される電子デバイス２０の断面模式図である。電子素子２３として圧電振動片を実装した圧電振動子からなる電子デバイス２０を製造する具体例である。
【００３１】
まず、図５を用いて電子デバイス２０を説明する。電子デバイス２０は、ガラス基板２１と、ガラス基板２１の上面に実装される圧電振動片からなる電子素子２３と、電子素子２３を収納して密封するガラス蓋体２２とを備える。ガラス基板２１には上面から下面に貫通する貫通電極２５と、ガラス基板２１の下面に形成され、貫通電極２５に電気的に接続する外部電極２４と、ガラス基板２１の上面に形成され、貫通電極２５に電気的に接続する配線電極２６とを備える。電子素子２３は金属バンプ２７又は導電性接着剤を介してガラス基板２１の上面に片持ち状に実装される。ガラス蓋体２２はガラス基板２１に接合材２８を介して接合され、電子素子２３を収納する内部は真空に維持される。電子素子２３と外部との信号の入出力は貫通電極２５及び外部電極２４を介して行われる。
【００３２】
次に、図４を参照して電子デバイス２０の製造方法について説明する。なお、本実施形態は、多数の窪みが形成されるガラスウエハと、多数の電子素子２３が実装されるガラスウエハとを重ね合わせて接合し、多数の電子デバイス２０を同時に形成する製造方法である。同一の工程又は同一の部分には同一の符号を付している。
【００３３】
ガラス基板２１に実装する電子素子２３は水晶振動子などからなる圧電振動片である。蓋体形成工程Ｓ２０を説明する。ソーダ石灰ガラスからなる板状のガラスウエハを準備する。まず、研磨、洗浄、エッチング工程Ｓ２１においてガラスウエハを所定の厚さまで研磨し、洗浄した後にエッチング処理を行って最表面の加工変質層を除去する。次に、窪み形成工程Ｓ２２において、各電子素子２３が形成される領域の中央部に加熱プレスの型成形により窪みを形成する。次に、研磨工程Ｓ２３において、窪みの周囲の上端面を平坦な鏡面に研磨加工する。次に、接合材堆積工程Ｓ２４において、蓋体の窪みを形成した表面にスパッタリング法又は蒸着法により、例えばアルミニウムからなる接合材２８を５０ｎｍ〜１５０ｎｍの厚さで堆積する。次に、パターン形成工程Ｓ２５において、フォトリソグラフィ及びエッチング法により、窪みの周囲の上端面以外の表面から接合材を除去する。このようにしてガラスウエハからなるガラス蓋体２２を形成する。
【００３４】
圧電振動片作成工程Ｓ３０を説明する。水晶の原石を所定角度でスライスし、水晶ウエハを形成し、次に、水晶ウエハを研削及び研磨加工して一定の厚みとする。次に、水晶ウエハの加工変質層をエッチング処理を行って除去する。次に、水晶ウエハの両表面に金属膜を堆積し、フォトリソグラフィ及びエッチング法により金属膜をパターニングし、所定形状の励振電極、配線電極、マウント電極に加工する。次にフォトリソグラフィ及びエッチング法あるいはダイシングにより水晶ウエハを圧電振動片の外形形状に加工し、電子素子２３とする。
【００３５】
ガラス基板形成工程Ｓ４０を説明する。ソーダ石灰ガラスからなる板状のガラスウエハを準備する。まず、研磨、洗浄、エッチング工程Ｓ４１においてガラスウエハを所定の厚さまで研磨し、洗浄した後にエッチング処理を行って最表面の加工変質層を除去する。次に、貫通電極形成工程Ｓ４２において、加熱プレスの型成形により、或いは表面にマスクを設置後にエッチング処理あるいはサンドブラストにより研削してガラスウエハの板厚方向に貫通孔を形成する。次に、この貫通孔に鉄−ニッケル系合金からなる貫通電極２５を埋め込む。次に、研磨を行うガラスウエハの厚さよりも厚さの厚いウエハ保持部３を有するキャリア２を準備する。このキャリア２のウエハ保持部３にガラスウエハを装着して両面研磨機の上定盤４と下定盤５の間に挟む。そして、第一研磨工程Ｓ１において、ガラスウエハの厚さよりも厚いウエハ保持部３をガラスウエハの厚さとなるまで研磨する。次に、第二研磨工程Ｓ２において、ウエハ保持部３とガラスウエハとを同じ厚さで共に研磨する。次に、配線電極形成工程Ｓ４３において、スパッタリング法あるいは蒸着法によりガラスウエハの一方の表面に金属膜を堆積し、フォトリソグラフィ及びエッチング法によりパターニングして外部電極２４を形成する。
【００３６】
次に、電子素子実装工程Ｓ４４において、電子素子２３をガラスウエハの一方の表面に実装する。実装の際に、ガラスウエハの配線電極２６に金属バンプ２７又は導電性接着剤を設置し、その上に電子素子２３のマウント電極を接合してガラスウエハ上に電子素子２３を片持ち状に固定する。これにより、貫通電極２５と電子素子２３の励振電極とを電気的に接続する。このように多数の圧電振動片からなる電子素子２３が実装されるガラスウエハからなるガラス基板２１を形成する。
【００３７】
次に、重ね合わせ工程Ｓ１１において、ガラス蓋体２２の各窪みに電子素子２３が収納されるようにガラス蓋体２２をガラス基板２１の上に載置し、上下方向から押圧する。次に、ガラス蓋体設置工程Ｓ１２において、ガラス基板２１及びガラス蓋体２２を２００℃以上の温度に加熱し、ガラス蓋体２２の接合材２８を陽極にガラス基板２１を陰極にして数百Ｖの電圧を印加し、接合材２８を介してガラス基板２１とガラス蓋体２２とを接合する。接合の際には周囲を真空に保持する。
【００３８】
次に、外部電極形成工程Ｓ１３において、ガラス基板２１の他方の表面に蒸着法、スパッタリング用、メッキ法又は印刷法により外部電極２４を形成する。次に、切断工程Ｓ１４において、接合体の表面にスクライブ線を設け、切断刃を押し当てて割断する、あるいはダイシングブレードやダイシングソーを用いて分割し、個々の電子デバイス２０を得る。次に、電気特性検査工程Ｓ１５において、電子デバイス２０の共振周波数や共振抵抗値等を測定して検査する。この電子デバイス２０は一定周期の電気信号を生成する圧電振動子として機能する。
【００３９】
（第四実施形態）
図６は、本発明の第四実施形態に係る発振器４０の上面模式図である。上記第三実施形態において説明した製造方法により製造した電子デバイス２０を組み込んでいる。図６に示すように、発振器４０は、基板４３、この基板上に設置した電子デバイス２０、集積回路４１及び電子部品４２を備えている。電子デバイス２０は、図示しない外部電極２４に与えられる駆動信号に基づいて一定周波数の信号を生成し、集積回路４１及び電子部品４２は、電子デバイス２０から供給される一定周波数の信号を処理して、クロック信号等の基準信号を生成する。本発明による電子デバイス２０は、高信頼性でかつ小型に形成することができるので、発振器４０の全体をコンパクトに構成することができる。
【符号の説明】
【００４０】
１  ウエハ
２  キャリア
３  ウエハ保持部
４  上定盤
５  下定盤
６  サンギア
７  インターナルギア
８  歯
９  開口部
１０  ウエハ研磨装置
２０  電子デバイス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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