(57)【要約】【課題】製造歩留まりの低下を抑制するとともに薄型化が可能な有機ＥＬ装置の製造方法を提供する。【解決手段】第１ガラス基板の上に半導体層を含むスイッチング素子を形成し、前記スイッチング素子に接続された画素電極を含む有機ＥＬ素子を形成した第１基板を製造し、第２ガラス基板の一方の主面に凹部を形成し、前記第２ガラス基板に第１アニール処理を施し、前記凹部に乾燥剤を配置した第２基板を製造し、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせ、前記第１ガラス基板及び前記第２ガラス基板を研磨する、有機ＥＬ装置の製造方法。【選択図】      図３
2014229447.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ガラス基板の上に半導体層を含むスイッチング素子を形成し、前記スイッチング素子に接続された画素電極を含む有機ＥＬ素子を形成した第１基板を製造し、
第２ガラス基板の一方の主面に凹部を形成し、前記第２ガラス基板に第１アニール処理を施し、前記凹部に乾燥剤を配置した第２基板を製造し、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせ、
前記第１ガラス基板及び前記第２ガラス基板を研磨する、有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
前記スイッチング素子を形成する工程は、前記半導体層に不純物を注入し、前記不純物を活性化するために第２アニール処理を施す、ことを含み、
前記第１アニール処理のアニール条件は、前記第２アニール処理のアニール温度と同等のアニール温度であり、前記第２アニール処理のアニール時間よりも長いアニール時間である、請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２アニール処理のアニール時間は、前記第１アニール処理のアニール時間の２倍以上である、請求項１または２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
前記研磨によって残った前記第２ガラス基板の厚さは、前記第１ガラス基板の厚さと同等以上である、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、有機ＥＬ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を備えた有機ＥＬ装置は、表示装置のみならず、照明装置などの各種分野で利用されている。有機ＥＬ素子は、電流量に依存して発光する素子であるため、所望の電流を流すことが必要となる。有機ＥＬ素子に所望の電流を流すためには、水分などの影響による素子性能の劣化を抑制することが重要であり、水分対策の一つとして、一対の基板間に乾燥剤を挿入する技術が知られている。
【０００３】
近年、有機ＥＬ装置を表示装置として搭載した携帯端末機器が実用化されているが、機器本体の小型化に伴い、有機ＥＬ装置の薄型化への要望が高まっている。有機ＥＬ装置の薄型化は、有機ＥＬ装置を構成するガラス基板を化学研磨や機械研磨などの手法で研磨することで実現可能である。
【０００４】
ガラス基板を研磨するに際して、ガラス基板にアニール処理を実施することで予めガラス基板に生じている変形を矯正する技術が提案されている。また、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板をアニールすることによって、ガラス基板に発生した残留応力を低減する技術も提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−３３８２８３号公報
【特許文献２】特開２０００−１６８４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本実施形態の目的は、製造歩留まりの低下を抑制するとともに薄型化が可能な有機ＥＬ装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本実施形態によれば、
第１ガラス基板の上に半導体層を含むスイッチング素子を形成し、前記スイッチング素子に接続された画素電極を含む有機ＥＬ素子を形成した第１基板を製造し、第２ガラス基板の一方の主面に凹部を形成し、前記第２ガラス基板に第１アニール処理を施し、前記凹部に乾燥剤を配置した第２基板を製造し、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせ、前記第１ガラス基板及び前記第２ガラス基板を研磨する、有機ＥＬ装置の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、本実施形態の有機ＥＬ装置１の構造例を概略的に示す断面図である。
【図２】図２は、図１に示した有機ＥＬ装置１に適用可能なアレイ基板ＡＲの構造例を概略的に示す断面図である。
【図３】図３は、図１に示した有機ＥＬ装置１の製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。
【図４】図４は、ステップＳＴ２２におけるアニール条件と、第２ガラス基板３０の除去量との関係を説明するための図である。
【図５】図５は、ステップＳＴ４の研磨工程での第１ガラス基板１０と第２ガラス基板３０との除去量の比率と、アニール温度との関係を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１０】
図１は、本実施形態の有機ＥＬ装置１の構造例を概略的に示す断面図である。なお、ここでは、説明に必要な主要部の構成を模式的に示している。
【００１１】
有機ＥＬ装置１は、表示素子部１００を備えたアレイ基板ＡＲと、アレイ基板ＡＲに対向配置された対向基板ＣＴとを備えている。アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、接着剤ＢＡによって接着されている。アレイ基板ＡＲは、第１ガラス基板１０を用いて形成されている。表示素子部１００は、第１ガラス基板１０の対向基板ＣＴと向かい合う側に形成されている。この表示素子部１００は、後述する複数の有機ＥＬ素子などによって構成されている。
【００１２】
対向基板ＣＴは、第２ガラス基板３０を用いて形成されている。第２ガラス基板３０は、アレイ基板ＡＲと向かい合う側に凹部ＣＣを有している。この凹部ＣＣには、乾燥剤ＤＲが配置されている。なお、表示素子部１００で発光した光が第２ガラス基板３０を介して出射するトップエミッションタイプの有機ＥＬ装置１においては、表示素子部１００と対向する位置にある乾燥剤ＤＲは、透明、あるいは、ほぼ透明な材料によって形成されている。一方で、表示素子部１００で発光した光が第１ガラス基板１０を介して出射するボトムエミッションタイプの有機ＥＬ装置１においては、乾燥剤ＤＲは、必ずしも透明な材料で形成する必要はなく、有色で透過率の低い材料で形成しても良く、材料の選択肢が増える。
【００１３】
図中の（ａ）に示した例では、凹部ＣＣは、表示素子部１００と対向する略全面に亘って形成されている。この凹部ＣＣの深さは略一定である。乾燥剤ＤＲは、凹部ＣＣに配置されており、表示素子部１００の略全面に対向している。
【００１４】
図中の（ｂ）に示した例では、第２ガラス基板３０は、第１凹部ＣＣ１及び第２凹部ＣＣ２を有している。第１凹部ＣＣ１は、表示素子部１００と対向する略全面に亘って形成されている。第２凹部ＣＣ２は、第１凹部ＣＣ１よりもさらに窪んでおり、表示素子部１００と対向する位置からずれた位置に形成されている。乾燥剤ＤＲは、第２凹部ＣＣ２に配置されている。
【００１５】
第１ガラス基板１０は、厚さｔ１を有している。第２ガラス基板３０は、凹部ＣＣが形成されていない位置で厚さｔ２を有している。例えば、厚さｔ２は、厚さｔ１と同等以上である。ここで、第１ガラス基板１０及び第２ガラス基板３０の厚さの一例について述べる。例えば、厚さｔ１及び厚さｔ２は、約０．３ｍｍである。（ａ）に示した凹部ＣＣの深さは０．１ｍｍであり、凹部ＣＣが形成された位置での第２ガラス基板３０の厚さｔ２１は約０．２ｍｍである。（ｂ）に示した第１凹部ＣＣ１の深さは約０．１ｍｍであり、第２凹部ＣＣ２の深さは約０．１ｍｍであり、第２凹部ＣＣ２が形成された位置での第２ガラス基板３０の厚さｔ２２は約０．１ｍｍである。このように、凹部ＣＣが形成された第２ガラス基板３０は、局所的に比較的薄い厚さを有している。
【００１６】
図２は、図１に示した有機ＥＬ装置１に適用可能なアレイ基板ＡＲの構造例を概略的に示す断面図である。
【００１７】
アレイ基板ＡＲは、第１ガラス基板１０を用いて形成されている。アレイ基板ＡＲは、第１ガラス基板１０の内面１０Ａ側に、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第４絶縁膜１４、リブ１５、スイッチング素子ＳＷ１乃至ＳＷ３、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３、封止膜２０などを備えている。
【００１８】
第１ガラス基板１０の内面１０Ａは、第１絶縁膜１１によって覆われている。このような第１絶縁膜１１は、シリコン窒化物（ＳｉＮ）やシリコン酸化物（ＳｉＯ）やシリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）などの無機系材料によって形成され、単層もしくは積層体によって構成されている。一例として、第１絶縁膜１１は、シリコン窒化物及びシリコン酸化物を積層した多層膜によって構成されている。
【００１９】
スイッチング素子ＳＷ１乃至ＳＷ３は、第１絶縁膜１１の上に形成されている。これらのスイッチング素子ＳＷ１乃至ＳＷ３は、例えば、それぞれ半導体層ＳＣを備えた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。スイッチング素子ＳＷ１乃至ＳＷ３は、いずれも同一構造であるが、ここでは、スイッチング素子ＳＷ１に着目してその構造をより具体的に説明する。
【００２０】
図示した例では、スイッチング素子ＳＷ１は、トップゲート型であるが、ボトムゲート型であっても良い。半導体層ＳＣは、例えば、ポリシリコンによって形成されている。この半導体層ＳＣは、不純物を含むソース領域ＳＣＳ及びドレイン領域ＳＣＤと、ソース領域ＳＣＳとドレイン領域ＳＣＤとの間に位置するチャネル領域ＳＣＣとを有している。半導体層ＳＣは、第１絶縁膜１１の上に形成され、第２絶縁膜１２によって覆われている。第２絶縁膜１２は、第１絶縁膜１１の上にも配置されている。このような第２絶縁膜１２は、シリコン酸化物（ＳｉＯ）などの無機系材料によって形成されている。
【００２１】
スイッチング素子ＳＷ１のゲート電極ＷＧは、第２絶縁膜１２の上に形成され、チャネル領域ＳＣＣの直上に位置している。ゲート電極ＷＧは、第３絶縁膜１３によって覆われている。第３絶縁膜１３は、第２絶縁膜１２の上にも配置されている。このような第３絶縁膜１３は、シリコン窒化物（ＳｉＮ）やシリコン酸化物（ＳｉＯ）などの無機系材料によって形成されている。
【００２２】
スイッチング素子ＳＷ１のソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、第３絶縁膜１３の上に形成されている。ソース電極ＷＳは半導体層ＳＣのソース領域ＳＣＳにコンタクトし、ドレイン電極ＷＤは半導体層ＳＣのドレイン領域ＳＣＤにコンタクトしている。ソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、第４絶縁膜１４によって覆われている。第４絶縁膜１４は、第３絶縁膜１３の上にも配置されている。このような第４絶縁膜１４は、例えば樹脂などの有機系材料によって形成されている。なお、第３絶縁膜１３と第４絶縁膜１４との間にさらにパッシベーション膜が介在しても良い。
【００２３】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、第４絶縁膜１４の上に形成されている。図示した例では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１はスイッチング素子ＳＷ１と電気的に接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２はスイッチング素子ＳＷ２と電気的に接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３はスイッチング素子ＳＷ３と電気的に接続されている。これらの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、例えばそれぞれ異なる色に発光する。
【００２４】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は、スイッチング素子ＳＷ１と電気的に接続された画素電極ＰＥ１、画素電極ＰＥ１の上方に位置する有機発光層ＯＲＧ（Ｂ）、及び、有機発光層ＯＲＧ（Ｂ）の上方に位置する共通電極ＣＥによって構成されている。
【００２５】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２は、スイッチング素子ＳＷ２と電気的に接続された画素電極ＰＥ２、画素電極ＰＥ２の上方に位置する有機発光層ＯＲＧ（Ｇ）、及び、有機発光層ＯＲＧ（Ｇ）の上方に位置する共通電極ＣＥによって構成されている。
【００２６】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３は、スイッチング素子ＳＷ３と電気的に接続された画素電極ＰＥ３、画素電極ＰＥ３の上方に位置する有機発光層ＯＲＧ（Ｒ）、及び、有機発光層ＯＲＧ（Ｒ）の上方に位置する共通電極ＣＥによって構成されている。
【００２７】
画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３は、例えば陽極として機能する。画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３は、それぞれ第４絶縁膜１４の上に形成されている。このような画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３は、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成されても良いし、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、あるいはこれらの合金などの金属材料によって形成されても良い。トップエミッションタイプの場合、画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３は、反射性の高い金属材料によって形成された反射層を含むことが望ましい。
【００２８】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、それぞれリブ１５によって区画されている。リブ１５は、第４絶縁膜１４の上に形成され、画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３のそれぞれのエッジをカバーしている。なお、このリブ１５については、詳述していないが、例えば、第４絶縁膜１４の上において格子状またはストライプ状に形成されている。
【００２９】
有機発光層ＯＲＧ（Ｂ）は、青色に発光するドーパント材料を含んでいる。有機発光層ＯＲＧ（Ｇ）は、緑色に発光するドーパント材料を含んでいる。有機発光層ＯＲＧ（Ｒ）は、赤色に発光するドーパント材料を含んでいる。有機発光層ＯＲＧ（Ｂ）、有機発光層ＯＲＧ（Ｇ）、及び、有機発光層ＯＲＧ（Ｒ）は、いずれもリブ１５の上で途切れている。
【００３０】
共通電極ＣＥは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３に亘って途切れることなく連続的に形成され、有機発光層から露出したリブ１５の上も覆っている。このような共通電極ＣＥは、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料の他に、画素電極用の材料として先に述べた他の金属材料などによって形成されている。
【００３１】
なお、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３において、画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３の各々と有機発光層ＯＲＧ（Ｂ）、有機発光層ＯＲＧ（Ｇ）、及び、有機発光層ＯＲＧ（Ｒ）との間には、さらに、ホール注入層やホール輸送層が介在していても良いし、また、有機発光層ＯＲＧ（Ｂ）、有機発光層ＯＲＧ（Ｇ）、及び、有機発光層ＯＲＧ（Ｒ）と共通電極ＣＥとの間には、さらに、電子注入層や電子輸送層が介在していても良い。
【００３２】
図示した例では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、封止膜２０によって封止されている。封止膜２０は、水分、酸素、水素などの汚染物質から有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３を保護するバリア膜として機能する。このような封止膜２０は、シリコン窒化物（ＳｉＮ）やシリコン酸化物（ＳｉＯ）やシリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）などの無機系材料によって形成され、単層もしくは積層体によって構成されている。
【００３３】
このような有機ＥＬ装置１によれば、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３のそれぞれが発光した際、それぞれの放射光が外部に出射される。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１からは青色光が出射され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２からは緑色光が出射され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３からは赤色光が出射される。これにより、カラー表示が実現される。
【００３４】
なお、アレイ基板ＡＲは、上記の構造例に限定されるものではなく、例えば、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３に亘って途切れることなく連続的に形成され且つ白色光を発光する有機層を適用しても良い。このようなアレイ基板ＡＲに対しては、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３に対向するカラーフィルタを組み合わせることでカラー表示が実現可能となる。
【００３５】
上記のアレイ基板ＡＲは、主として以下のような熱工程を経て製造されている。例えば、第１ガラス基板１０の上に第１絶縁膜１１及びアモルファスシリコンを連続的に成膜する工程では、約３００℃程度の高温環境の下でのＣＶＤ法が適用される。その後、アモルファスシリコンの脱水素処理を行う工程では、約４００度程度の高温環境の下でのアニール処理が適用される。その後、アモルファスシリコンをポリシリコン化するために、エキシマレーザー装置からアモルファスシリコンに向けて局所的にパルスレーザー光が照射されるが、照射時間が極短時間であるため、アレイ基板ＡＲを製造する過程での熱履歴にはほとんど影響を与えない。ポリシリコンは、スイッチング素子ＳＷの半導体層ＳＣを形成するようにパターニングされる。その後、第２絶縁膜１２を成膜する工程では、約３００℃程度の高温環境の下でのＣＶＤ法が適用される。その後、ゲート電極ＷＧなどを形成する工程では、比較的低温のスパッタ法が適用されるため、アレイ基板ＡＲを製造する過程での熱履歴にはほとんど影響を与えない。その後、第３絶縁膜１３を成膜する工程では、約３００℃程度の高温環境の下でのＣＶＤ法が適用される。ゲート電極ＷＧを形成した後に、ゲート電極ＷＧをマスクとして半導体層ＳＣに不純物が注入される。その後、半導体層ＳＣに注入された不純物を活性化するためのアニール処理が適用される（活性化アニール処理）。このアニール処理は、例えば、約５００℃程度の高温環境下の下で約１時間に亘って行われる。その後、ソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤなどを形成する工程では、比較的低温のスパッタ法が適用されるため、アレイ基板ＡＲを製造する過程での熱履歴にはほとんど影響を与えない。その後、第４絶縁膜１４を形成したり、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３を形成したり、リブ１５を形成したり、封止膜２０を形成したりする工程がある。
【００３６】
発明者が検討したところでは、アレイ基板ＡＲの熱履歴において、最も高温で長時間に亘る工程、上記した例では活性化アニール処理の工程の後に、第１ガラス基板１０がその面方向及び厚さ方向に約１０ｐｐｍ程度収縮することが確認された。つまり、第１ガラス基板１０は、アレイ基板を製造する過程での種々の熱工程を経ることで次第に収縮するというよりは、むしろ、製造過程で最も高温且つ長時間の熱工程の前後での第１ガラス基板１０の収縮率が極めて高いことが確認された。このようにして収縮した第１ガラス基板１０は、収縮前と比較して、高密度化している。
【００３７】
一方で、対向基板ＣＴを構成する第２ガラス基板３０については、凹部ＣＣを形成する工程や、乾燥剤ＤＲを配置する工程などを経るものの、高温の熱工程に意図的に曝されることはない。このため、第２ガラス基板３０は、第１ガラス基板１０と比較して、低密度となる傾向がある。
【００３８】
図３は、図１に示した有機ＥＬ装置１の製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。
【００３９】
まず、第１ガラス基板１０を用いてスイッチング素子ＳＷ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３などを形成したアレイ基板ＡＲを製造する（ＳＴ１）。
【００４０】
一方で、対向基板ＣＴを製造する（ＳＴ２）。この対向基板ＣＴの製造工程は、第２ガラス基板３０の一方の主面に凹部ＣＣを形成する工程（ＳＴ２１）と、凹部ＣＣを形成した第２ガラス基板３０にアニール処理を施す工程（ＳＴ２２）と、凹部ＣＣに乾燥剤ＤＲを配置する工程（ＳＴ２３）と、を含んでいる。対向基板ＣＴを製造するに際して、ステップＳＴ２２のアニール処理を施すことにより、第２ガラス基板３０についても収縮して高密度化するとともに、凹部ＣＣを形成する工程に起因した残留応力が除去される。より具体的には、ステップＳＴ２２におけるアニール処理のアニール条件は、活性化アニール処理のアニール条件と同等以上に設定される。例えば、ステップＳＴ２２におけるアニール処理のアニール条件は、活性化アニール処理のアニール温度と同等のアニール温度（約５００℃）であり、活性化アニール処理のアニール時間（約１時間）よりも長いアニール時間に設定される。
【００４１】
その後、ステップＳＴ１で製造したアレイ基板ＡＲと、ステップＳＴ２で製造した対向基板ＣＴとを貼り合わせる（ＳＴ３）。
【００４２】
その後、貼り合わせたアレイ基板ＡＲ及び対向基板ＣＴのうちの第１ガラス基板１０及び第２ガラス基板３０を研磨する（ＳＴ４）。ステップＳＴ４における研磨では、化学研磨や機械研磨などの手法が適用される。一例として、第１ガラス基板１０及び第２ガラス基板３０は、元々の厚さから約０．４〜０．５ｍｍ程度の厚さ分が研磨によって除去される。
【００４３】
図４は、ステップＳＴ２２におけるアニール条件と、第２ガラス基板３０の除去量との関係を説明するための図である。
【００４４】
なお、ここに示した例では、第１ガラス基板１０は、アレイ基板ＡＲの製造過程において、最も高温で且つ最も長時間の熱履歴として、５００℃で１時間の活性化アニール処理の熱履歴を有している。ステップＳＴ４の研磨工程では、第１ガラス基板１０及び第２ガラス基板３０は、いずれも化学研磨によって研磨した。このとき、第１ガラス基板１０の除去量は０．５ｍｍであった。
【００４５】
図示したように、対向基板ＣＴの製造過程でアニール処理を施さなかった場合には、第２ガラス基板３０の除去量は極めて多くなった。また、活性化アニール処理と同一のアニール時間（１時間）に設定し、アニール温度を変えて第２ガラス基板３０の除去量を測定したところ、アニール温度が３００℃、４００℃、及び、５００℃の場合には、いずれも第２ガラス基板３０の除去量は第１ガラス基板１０の除去量を上回った。アニール温度が活性化アニール処理よりも高温である６００℃に設定した場合には、アニール時間が活性化アニール処理と同一であっても、第２ガラス基板３０の除去量は第１ガラス基板１０の除去量を下回った。
【００４６】
一方、活性化アニール処理と同一のアニール温度（５００℃）に設定し、アニール時間を変えて第２ガラス基板３０の除去量を測定したところ、アニール時間が３０分、及び、１時間の場合には、いずれも第２ガラス基板３０の除去量は第１ガラス基板１０の除去量を上回った。アニール時間が２時間、４時間、及び、８時間の場合には、アニール温度が活性化アニール処理と同一であっても、第２ガラス基板３０の除去量は第１ガラス基板１０の除去量を下回った。
【００４７】
上記の結果から明らかなように、対向基板ＣＴの製造過程でアニール処理を施すことにより、第２ガラス基板３０の除去量が減少することが確認された。しかも、対向基板ＣＴを製造するに際して、より高温の環境でアニール処理を施すこと、及び、より長時間のアニール処理を施すことにより、第２ガラス基板３０の除去量がさらに減少することが確認された。特に、アレイ基板ＡＲの製造過程で最も高温で且つ最も長時間の熱履歴となる活性化アニール処理と同等以上の高温環境で、且つ、活性化アニール処理と同程度の時間以上に亘って対向基板ＣＴのアニール処理を施すことにより、研磨工程での第２ガラス基板３０の除去量は第１ガラス基板１０の除去量よりも減少することが確認された。
【００４８】
図５は、ステップＳＴ４の研磨工程での第１ガラス基板１０と第２ガラス基板３０との除去量の比率と、アニール温度との関係を説明するための図である。
【００４９】
なお、ここに示した例では、第１ガラス基板１０は、アレイ基板ＡＲの製造過程において、最も高温で且つ最も長時間の熱履歴として、４００℃、４５０℃、５００℃、５５０℃、６００℃のそれぞれのアニール温度で１時間のアニール処理の熱履歴を有している。第２ガラス基板３０は、対向基板ＣＴの製造過程におけるステップＳＴ２２において、第１ガラス基板１０のアニール処理と同一のアニール温度で２時間のアニール処理の熱履歴を有している。つまり、ここに示した例では、第１ガラス基板１０及び第２ガラス基板３０は、いずれも同一温度でアニールされており、しかも、第２ガラス基板３０のアニール時間は第１ガラス基板１０のアニール時間の２倍に設定した。
【００５０】
図示したように、アニール温度が４００℃、４５０℃、５００℃、５５０℃、６００℃のいずれの場合も、第１ガラス基板１０と第２ガラス基板３０との除去量の比率は約１．０であった。つまり、アレイ基板ＡＲ及び対向基板ＣＴのそれぞれの製造過程において、略同一のアニール温度の熱履歴が含まれる場合、対向基板ＣＴのアニール時間をアレイ基板ＡＲのアニール時間の２倍とすることにより、ステップＳＴ４の研磨工程での第１ガラス基板１０の除去量と第２ガラス基板３０の除去量とを略同一とすることが可能となる。また、図示しないが、発明者が検討したところでは、対向基板ＣＴのアニール時間をアレイ基板ＡＲのアニール時間の２倍より長くすることにより、第２ガラス基板３０がより高密度化され、ステップＳＴ４の研磨工程での第２ガラス基板３０の除去量は、第１ガラス基板１０の除去量よりも低減できることが確認された。第２ガラス基板３０には、凹部ＣＣが形成されるために局所的に薄くなっており、第２ガラス基板３０の強度を確保する上で、第１ガラス基板１０の除去量よりも少ない除去量で第２ガラス基板３０を研磨する要望がある場合には、対向基板ＣＴのアニール時間をアレイ基板ＡＲのアニール時間の２倍より長くすることが望ましい。つまり、対向基板ＣＴのアニール時間は、アレイ基板ＡＲのアニール時間の２倍以上とすることが望ましい。
【００５１】
上記の通り、本実施形態によれば、第２ガラス基板３０は、対向基板ＣＴの製造過程でアニール処理を経ることで、収縮し、アニール処理を施さなかった場合と比較して、高密度化する。しかも、アレイ基板ＡＲを製造する過程での熱履歴のうち、最も高温で且つ最も長時間の熱履歴の条件と同等以上の高温環境で且つ同程度の時間以上に亘って対向基板ＣＴのアニール処理を施すことにより、第２ガラス基板３０は、第１ガラス基板１０と同等以上に高密度化される。このため、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとを貼り合わせた後の研磨工程において、第２ガラス基板３０の除去量は、第１ガラス基板１０の除去量と同等以下とすることが可能となる。したがって、これらのアレイ基板ＡＲ及び対向基板ＣＴを備えた有機ＥＬ装置１の薄型化が可能となる。
【００５２】
特に、第２ガラス基板３０については、対向基板ＣＴの製造過程で、凹部ＣＣを形成する工程（ＳＴ２１）を経ているため、凹部ＣＣの形成に起因した残留応力を含んでいる。しかも、凹部ＣＣを形成した箇所については、他の部位と比較して、第２ガラス基板３０が薄くなっている。このため、アニール処理（ＳＴ２２）を経ることなしに対向基板ＣＴを製造し、研磨した場合には、第２ガラス基板３０のエッチングレートが第１ガラス基板１０のエッチングレートよりも高くなり、しかも、残留応力の影響や局所的に薄い厚さになっていることに起因して、第２ガラス基板３０に割れや欠けが発生したり、第２ガラス基板３０の強度の低下を招いたりする。
【００５３】
本実施形態によれば、対向基板ＣＴの製造過程で凹部ＣＣを形成する工程（ＳＴ２１）の後にアニール処理（ＳＴ２２）を経ることにより、第２ガラス基板３０の残留応力を緩和することができ、しかも、上記通り、第２ガラス基板３０は第１ガラス基板１０よりも高密度化することができ、研磨工程（ＳＴ４）での第２ガラス基板３０の割れや欠けを抑制することが可能となるとともに、第２ガラス基板３０の過剰な除去の進行も抑制することが可能となり、凹部ＣＣを形成した位置の強度も確保することが可能となる。したがって、製造歩留まりの低下を抑制することが可能となる。
【００５４】
以上説明したように、本実施形態によれば、製造歩留まりの低下を抑制するとともに薄型化が可能な有機ＥＬ装置の製造方法を提供することができる。
【００５５】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５６】
１…有機ＥＬ装置
ＡＲ…アレイ基板  １０…第１ガラス基板  １００…表示素子部
ＣＴ…対向基板  ＣＣ…凹部（ＣＣ１…第１凹部、ＣＣ２…第２凹部）  ＤＲ…乾燥剤
１５…リブ  ２０…封止膜
３０…第２ガラス基板
【図１】
2014229447.tif 000003
【図２】
2014229447.tif 000004
【図３】
2014229447.tif 000005
【図４】
2014229447.tif 000006
【図５】
2014229447.tif 000007