(57)【要約】【課題】ＬＥＤ素子からの出射光等を反射するための反射層の劣化が少なく、長期間に亘り、効率よく光を取り出すことが可能なＬＥＤ装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板と、前記基板上に実装されたＬＥＤ素子と、前記ＬＥＤ素子を被覆する波長変換層と、前記基板上かつ前記ＬＥＤ素子の実装領域の周縁部の外側に形成された反射層とを有するＬＥＤ装置の製造方法であって、前記基板に、前記ＬＥＤ素子を実装する実装工程と、前記基板上に、光拡散粒子、有機ケイ素化合物、及び溶媒を含む反射層形成用組成物を塗布し、前記有機ケイ素化合物を硬化させて反射層を形成する反射層形成工程と、前記ＬＥＤ素子を被覆するように、蛍光体粒子及びバインダを含む波長変換層を形成する波長変換層形成工程と、を有する方法とする。【選択図】図７
2014158011.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に実装されたＬＥＤ素子と、前記ＬＥＤ素子を被覆する波長変換層と、前記基板上かつ前記ＬＥＤ素子の実装領域の周縁部の外側に形成された反射層とを有するＬＥＤ装置の製造方法であって、
前記基板に、前記ＬＥＤ素子を実装する実装工程と、
前記基板上に、光拡散粒子、有機ケイ素化合物、及び溶媒を含む反射層形成用組成物を塗布し、前記反射層形成用組成物を乾燥・硬化させて前記反射層を形成する反射層形成工程と、
前記ＬＥＤ素子を被覆するように、蛍光体粒子及びバインダ成分を含む波長変換層用組成物を塗布し、前記波長変換層を形成する波長変換層形成工程と、
を含むＬＥＤ装置の製造方法。
【請求項２】
前記反射層形成工程が、
前記ＬＥＤ素子の実装領域及びその周縁部を板状マスクで覆うステップと、
前記基板上に前記反射層形成用組成物を塗布し、前記反射層形成用組成物を乾燥・硬化させるステップと
をこの順に含む、請求項１に記載のＬＥＤ装置の製造方法。
【請求項３】
前記反射層形成工程が、
前記ＬＥＤ素子の実装領域及びその周縁部をレジスト材料で被覆するステップと、
前記基板上に前記反射層形成用組成物を塗布し、前記反射層形成用組成物を乾燥・硬化させるステップと、
前記レジスト材料及び前記レジスト材料上の反射層形成用組成物を除去するステップと、
をこの順に含む、請求項１に記載のＬＥＤ装置の製造方法。
【請求項４】
前記反射層形成工程が、
前記ＬＥＤ素子の実装領域及びその周縁部を水または溶媒に可溶な可溶性樹脂で被覆するステップと、
前記基板上に前記反射層形成用組成物を塗布し、前記反射層形成用組成物を乾燥・硬化させるステップと、
前記可溶性樹脂を水または溶媒に溶解させて、前記可溶性樹脂及び前記可溶性樹脂上の反射層形成用組成物を除去するステップと、
をこの順に含む、請求項１に記載のＬＥＤ装置の製造方法。
【請求項５】
前記反射層形成工程が、
前記ＬＥＤ素子の実装領域及びその周縁部に撥液剤を塗布するステップと、
前記基板上に前記反射層形成用組成物を塗布し、前記反射層形成用組成物を乾燥・硬化させるステップと、
をこの順に含む、請求項１に記載のＬＥＤ装置の製造方法。
【請求項６】
前記実装工程、前記波長変換層形成工程、及び前記反射層形成工程の順に行われ、
前記波長変換層形成工程が、前記ＬＥＤ素子の実装領域及びその周縁部を被覆するように前記波長変換層を形成する工程であり、
前記反射層形成工程が、前記基板上かつ前記ＬＥＤ素子の実装領域の周縁部の外側に、前記ＬＥＤ素子を被覆する前記波長変換層の上面より、高さの低い反射層を形成する工程である、請求項１に記載のＬＥＤ装置の製造方法。
【請求項７】
前記波長変換層形成工程が、前記基板のＬＥＤ素子の発光面を鉛直下方に向けて配置し、前記波長変換層用組成物を硬化させるステップを含む、請求項６に記載のＬＥＤ装置の製造方法。
【請求項８】
前記波長変換層形成工程が、前記基板のＬＥＤ素子の発光面を鉛直下方に向けて配置し、前記波長変換層用組成物を塗布するステップを含む、請求項６または７に記載のＬＥＤ装置の製造方法。
【請求項９】
前記ＬＥＤ素子を被覆する透光層を形成する透光層形成工程をさらに有し、
前記実装工程、前記透光層形成工程、前記反射層形成工程、及び前記波長変換層形成工程の順に行われ、
前記透光層形成工程が、前記ＬＥＤ素子の実装領域及びその周縁部を被覆するように、透光性材料を含む透光層用組成物を塗布し、透光層を形成する工程であり、
前記反射層形成工程が、前記基板上かつ前記ＬＥＤ素子の実装領域の周縁部の外側に、前記ＬＥＤ素子を被覆する前記透光層の上面より、高さの低い反射層を形成する工程である、請求項１に記載のＬＥＤ装置の製造方法。
【請求項１０】
前記透光層形成工程が、前記基板のＬＥＤ素子の発光面を鉛直下方に向けて配置し、前記透光層用組成物を硬化させるステップを含む、請求項９に記載のＬＥＤ装置の製造方法。
【請求項１１】
前記透光層形成工程が、前記基板のＬＥＤ素子の発光面を鉛直下方に向けて配置し、前記透光層用組成物を塗布するステップを含む、請求項９または１０に記載のＬＥＤ装置の製造方法。
【請求項１２】
前記反射層形成工程が、
前記ＬＥＤ素子の実装領域の周縁部を囲む隔壁を形成するステップと、
前記隔壁の外側に、前記隔壁より高さの低い反射層を形成するステップと、
を含む、請求項１に記載のＬＥＤ装置の製造方法。
【請求項１３】
前記基板が、前記ＬＥＤ素子の実装領域の周縁部を囲む溝部を有する、請求項１に記載のＬＥＤ装置の製造方法。
【請求項１４】
前記基板は、前記ＬＥＤ素子の実装領域面が、前記反射層形成面より突出している、請求項１に記載のＬＥＤ装置の製造方法。
【請求項１５】
前記反射層形成工程が、前記ＬＥＤ素子の実装領域の周縁部の外側の一部の領域Ａに前記反射層形成用組成物を塗布するステップと、
前記領域Ａと離隔した前記ＬＥＤ素子の実装領域の周縁部の外側の一部の領域Ｂに前記反射層形成用組成物を塗布するステップと、
前記領域Ａ及び前記領域Ｂの間隙に前記反射層形成用組成物を塗布するステップと、
を含む、請求項１に記載のＬＥＤ装置の製造方法。
【請求項１６】
前記反射層形成工程が、
前記基板のＬＥＤ素子の発光面を鉛直下方に向けて配置し、前記基板と塗布装置とを相対的に移動させながら、前記反射層形成用組成物を塗布するステップを含む、請求項１に記載のＬＥＤ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＥＤ素子の近傍に蛍光体を配置し、ＬＥＤ素子からの光で蛍光体を励起させて白色光を得る白色ＬＥＤ装置が開発されている。このようなＬＥＤ装置の例には、青色ＬＥＤ素子からの青色光と、青色光を受けて蛍光体が発する黄色の蛍光とを組み合わせて白色光を得るＬＥＤ装置がある。また、紫外光を出射するＬＥＤ素子を光源とし、紫外光を受けて蛍光体が発する青色光、緑色光、及び赤色光を組み合わせて、白色光を得るＬＥＤ装置もある。
【０００３】
従来のＬＥＤ装置では、ＬＥＤ素子を実装する基板等が、ＬＥＤ素子の出射光や、蛍光体が発する蛍光を吸収しやすく、光取り出し性が十分でない、との問題があった。そこで、一般的なＬＥＤ装置には、ＬＥＤ素子の周囲に、光反射率が高いリフレクタが配置されている。このようなリフレクタは、一般的に金属メッキ等から形成されている。
【０００４】
しかし、金属メッキからなるリフレクタは、電気の導通防止の観点から、基板全面に形成することができない。そのため、リフレクタが形成されていない領域では、基板に光が吸収されてしまう、という問題があった。
【０００５】
一方、金属メッキを透明樹脂層で覆ったリフレクタや（特許文献１）、白色の樹脂層で、金属メッキを覆ったリフレクタも提案されている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−１３６３７９号公報
【特許文献２】特開２０１１−２３６２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、リフレクタ近傍では、光が多重散乱する。そのため、特許文献１及び２の技術のように、金属メッキからなるリフレクタ表面を樹脂で被覆した場合や、リフレクタが樹脂からなる場合、樹脂が熱や光により劣化する。その結果、経時で反射層の光反射性が低下したり、電気が導通してしまう、という問題があった。特に、車載用のヘッドライト等、大光量が必要とされる用途において、樹脂が劣化しやすかった。
【０００８】
本発明はこのような状況に鑑みてなされたものである。すなわち、ＬＥＤ素子からの出射光等を反射するための反射層の劣化が少なく、長期間に亘り、効率よく光を取り出すことが可能なＬＥＤ装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
即ち、本発明は、以下のＬＥＤ装置の製造方法に関する。
［１］基板と、前記基板上に実装されたＬＥＤ素子と、前記ＬＥＤ素子を被覆する波長変換層と、前記基板上かつ前記ＬＥＤ素子の実装領域の周縁部の外側に形成された反射層とを有するＬＥＤ装置の製造方法であって、前記基板に、前記ＬＥＤ素子を実装する実装工程と、前記基板上に、光拡散粒子、有機ケイ素化合物、及び溶媒を含む反射層形成用組成物を塗布し、前記反射層形成用組成物を乾燥・硬化させて前記反射層を形成する反射層形成工程と、前記ＬＥＤ素子を被覆するように、蛍光体粒子及びバインダ成分を含む波長変換層用組成物を塗布し、前記波長変換層を形成する波長変換層形成工程と、を含むＬＥＤ装置の製造方法。
【００１０】
［２］前記反射層形成工程が、前記ＬＥＤ素子の実装領域及びその周縁部を板状マスクで覆うステップと、前記基板上に前記反射層形成用組成物を塗布し、前記反射層形成用組成物を乾燥・硬化させるステップとをこの順に含む、［１］に記載のＬＥＤ装置の製造方法。
［３］前記反射層形成工程が、前記ＬＥＤ素子の実装領域及びその周縁部をレジスト材料で被覆するステップと、前記基板上に前記反射層形成用組成物を塗布し、前記反射層形成用組成物を乾燥・硬化させるステップと、前記レジスト材料及び前記レジスト材料上の反射層形成用組成物を除去するステップと、をこの順に含む、［１］に記載のＬＥＤ装置の製造方法。
［４］前記反射層形成工程が、前記ＬＥＤ素子の実装領域及びその周縁部を水または溶媒に可溶な可溶性樹脂で被覆するステップと、前記基板上に前記反射層形成用組成物を塗布し、前記反射層形成用組成物を乾燥・硬化させるステップと、前記可溶性樹脂を水または溶媒に溶解させて、前記可溶性樹脂及び前記可溶性樹脂上の反射層形成用組成物を除去するステップと、をこの順に含む、［１］に記載のＬＥＤ装置の製造方法。
［５］前記反射層形成工程が、前記ＬＥＤ素子の実装領域及びその周縁部に撥液剤を塗布するステップと、前記基板上に前記反射層形成用組成物を塗布し、前記反射層形成用組成物を乾燥・硬化させるステップと、をこの順に含む、［１］に記載のＬＥＤ装置の製造方法。
【００１１】
［６］前記実装工程、前記波長変換層形成工程、及び前記反射層形成工程の順に行われ、前記波長変換層形成工程が、前記ＬＥＤ素子の実装領域及びその周縁部を被覆するように前記波長変換層を形成する工程であり、前記反射層形成工程が、前記基板上かつ前記ＬＥＤ素子の実装領域の周縁部の外側に、前記ＬＥＤ素子を被覆する前記波長変換層の上面より、高さの低い反射層を形成する工程である、［１］に記載のＬＥＤ装置の製造方法。
［７］前記波長変換層形成工程が、前記基板のＬＥＤ素子の発光面を鉛直下方に向けて配置し、前記波長変換層用組成物を硬化させるステップを含む、［６］に記載のＬＥＤ装置の製造方法。
［８］前記波長変換層形成工程が、前記基板のＬＥＤ素子の発光面を鉛直下方に向けて配置し、前記波長変換層用組成物を塗布するステップを含む、［６］または［７］に記載のＬＥＤ装置の製造方法。
【００１２】
［９］前記ＬＥＤ素子を被覆する透光層を形成する透光層形成工程をさらに有し、前記実装工程、前記透光層形成工程、前記反射層形成工程、及び前記波長変換層形成工程の順に行われ、前記透光層形成工程が、前記ＬＥＤ素子の実装領域及びその周縁部を被覆するように、透光性材料を含む透光層用組成物を塗布し、透光層を形成する工程であり、前記反射層形成工程が、前記基板上かつ前記ＬＥＤ素子の実装領域の周縁部の外側に、前記ＬＥＤ素子を被覆する前記透光層の上面より、高さの低い反射層を形成する工程である、［１］に記載のＬＥＤ装置の製造方法。
［１０］前記透光層形成工程が、前記基板のＬＥＤ素子の発光面を鉛直下方に向けて配置し、前記透光層用組成物を硬化させるステップを含む、［９］に記載のＬＥＤ装置の製造方法。
［１１］前記透光層形成工程が、前記基板のＬＥＤ素子の発光面を鉛直下方に向けて配置し、前記透光層用組成物を塗布するステップを含む、［９］または［１０］に記載のＬＥＤ装置の製造方法。
【００１３】
［１２］前記反射層形成工程が、前記ＬＥＤ素子の実装領域の周縁部を囲む隔壁を形成するステップと、前記隔壁の外側に、前記隔壁より高さの低い反射層を形成するステップと、を含む、［１］に記載のＬＥＤ装置の製造方法。
［１３］前記基板が、前記ＬＥＤ素子の実装領域の周縁部を囲む溝部を有する、［１］に記載のＬＥＤ装置の製造方法。
【００１４】
［１４］前記基板は、前記ＬＥＤ素子の実装領域面が、前記反射層形成面より突出している、［１］に記載のＬＥＤ装置の製造方法。
［１５］前記反射層形成工程が、前記ＬＥＤ素子の実装領域の周縁部の外側の一部の領域Ａに前記反射層形成用組成物を塗布するステップと、前記領域Ａと分離した前記ＬＥＤ素子の実装領域の周縁部の外側の一部の領域Ｂに前記反射層形成用組成物を塗布するステップと、前記領域Ａ及び前記領域Ｂの間隙に前記反射層形成用組成物を塗布するステップと、を含む、［１］に記載のＬＥＤ装置の製造方法。
［１６］前記反射層形成工程が、前記基板のＬＥＤ素子の発光面を鉛直下方に向けて配置し、前記基板と塗布装置とを相対的に移動させながら、前記反射層形成用組成物を塗布するステップを含む、［１］に記載のＬＥＤ装置の製造方法。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の製造方法で得られるＬＥＤ装置では、反射層が熱や光等で劣化し難い。したがって、長期間に亘り、良好な光取り出し効率を維持できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の製造方法により得られるＬＥＤ装置の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の製造方法により得られるＬＥＤ装置の他の例を示す概略断面図である。
【図３】本発明の製造方法により得られるＬＥＤ装置の他の例を示す概略断面図である。
【図４】本発明の製造方法により得られるＬＥＤ装置の他の例を示す概略断面図である。
【図５】本発明の製造方法により得られるＬＥＤ装置の他の例を示す概略断面図である。
【図６】本発明の製造方法により得られるＬＥＤ装置の他の例を示す概略断面図である。
【図７】本発明のＬＥＤ装置の製造方法の一例を示す工程図である。
【図８】図８（ａ）は、本発明のＬＥＤ装置の製造方法において、ＬＥＤ素子の実装領域及びその周縁部を保護する板状マスクの例を示す上面図であり、図８（ｂ）は、当該板状マスクを配置して、反射層形成用組成物を塗布する方法の説明図である。
【図９】本発明のＬＥＤ装置の製造方法の他の例を示す工程図である。
【図１０】本発明のＬＥＤ装置の製造方法の他の例を示す工程図である。
【図１１】本発明のＬＥＤ装置の製造方法の他の例を示す工程図である。
【図１２】本発明のＬＥＤ装置の製造方法の他の例を示す工程図である。
【図１３】本発明のＬＥＤ装置の製造方法の他の例を示す工程図である。
【図１４】本発明のＬＥＤ装置の製造方法で形成する、隔壁の位置を示す上面図である。
【図１５】本発明のＬＥＤ装置の製造方法の他の例を示す工程図である。
【図１６】本発明のＬＥＤ装置の製造方法の他の例を示す工程図である。
【図１７】本発明のＬＥＤ装置の製造方法の他の例を示す工程図である。
【図１８】本発明のＬＥＤ装置の製造方法の他の例を示す工程図である。
【図１９】本発明のＬＥＤ装置の製造方法の他の例を示す工程図である。
【図２０】本発明のＬＥＤ装置の製造方法の他の例を示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
１．ＬＥＤ装置
本発明の方法で得られるＬＥＤ装置は、ＬＥＤ素子の出射光等を、光取り出し面側に反射する反射層を有する。本発明のＬＥＤ装置の構造の例を、図１〜６の概略断面図に示す。図１〜６に示されるように、ＬＥＤ装置１００には、基板１と、基板１に実装されたＬＥＤ素子２と、基板１上かつＬＥＤ素子２の実装領域の周縁部の外側に形成された反射層２１と、ＬＥＤ素子２を覆う波長変換層１１とが含まれる。波長変換層１１は、蛍光体粒子を含み、ＬＥＤ素子２が出射する特定波長の光を、他の波長の光に変換する層である。また、反射層２１は、ＬＥＤ素子２が出射する光や蛍光体粒子が発する蛍光を、ＬＥＤ装置１００の光取り出し面側に反射する層である。
【００１８】
前述のように、反射層が樹脂からなる場合には、反射層が熱や光により劣化し、経時で反射層の光反射性が低下する等の問題があった。これに対し、本発明の方法で得られるＬＥＤ装置１００では、反射層２１のバインダが有機ケイ素化合物の硬化物；つまり透光性セラミックである。そのため、熱や光によって劣化し難く、経時で反射層２１の光反射性が低下することがない。
【００１９】
１−１．基板
基板１は、図１〜６に示されるようにキャビティ（凹部）を有していてもよく、平板状であってもよい。キャビティの形状は特に制限されない。例えば図１等に示されるように円錐台状であってもよく、角錐台状や、円柱状、角柱状等であってもよい。
また、図１５（ａ）の概略断面図に示されるように、ＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部を囲むように、溝部１０を有してもよい。さらに、図１６（ａ）の概略断面図に示されるように、ＬＥＤ素子２の実装面１ａが、反射層３の形成面１ｂより突出していてもよい。
【００２０】
基板１は、絶縁性及び耐熱性を有することが好ましく、セラミック樹脂や耐熱性樹脂からなることが好ましい。耐熱性樹脂の例には、液晶ポリマー、ポリフェニレンスルフィド、芳香族ナイロン、エポキシ樹脂、硬質シリコーンレジン、ポリフタル酸アミド等が含まれる。
【００２１】
基板１には、無機フィラーが含まれていてもよい。無機フィラーは、酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナ、シリカ、チタン酸バリウム、リン酸カルシウム、炭酸カルシウム、ホワイトカーボン、タルク、炭酸マグネシウム、窒化ホウ素、グラスファイバー等でありうる。
【００２２】
基板１には通常、メタル部３が配設される。メタル部３は、銀等の金属からなる。メタル部３は、外部の電源（不図示）とＬＥＤ素子２とを電気的に接続する一対の金属電極部でありうる。また図２及び図４に示されるように、メタル部３はＬＥＤ素子２からの光を、ＬＥＤ装置１００の光取り出し面側に反射する金属反射膜でもありうる。
【００２３】
基板１及びメタル部３は、一般的な方法で作製され、例えば樹脂と金属板とを一体成型して得られる。
【００２４】
１−２．ＬＥＤ素子
ＬＥＤ素子２は、基板１に配設されたメタル部（メタル配線）３と電気的に接続されて、特定の波長の光を発する。ＬＥＤ素子２が出射する光の波長は特に制限されない。ＬＥＤ素子２は、例えば青色光（４２０ｎｍ〜４８５ｎｍ程度の光）を発する素子であってもよく、紫外光を発する素子であってもよい。
【００２５】
ＬＥＤ素子２の構成は、特に制限されない。ＬＥＤ素子２が、青色光を発する素子である場合、ＬＥＤ素子２は、ｎ−ＧａＮ系化合物半導体層（クラッド層）と、ＩｎＧａＮ系化合物半導体層（発光層）と、ｐ−ＧａＮ系化合物半導体層（クラッド層）と、透明電極層との積層体でありうる。ＬＥＤ素子２は、例えば２００〜３００μｍ×２００〜３００μｍの発光面を有するものでありうる。またＬＥＤ素子２の高さは、通常５０〜２００μｍ程度である。図１〜６に示されるＬＥＤ装置１００には、基板１に１つのＬＥＤ素子２のみが配置されているが、基板１に複数のＬＥＤ素子２が配置されていてもよい。
【００２６】
ＬＥＤ素子２と基板１に配設されたメタル部（金属電極部）３との接続方法は特に制限されない。例えば図１に示されるように、ＬＥＤ素子２とメタル部３とが、ワイヤ４を介して接続されてもよい。また、図３に示されるように、ＬＥＤ素子２とメタル部３とが、突起電極５を介して接続されてもよい。ＬＥＤ素子２とメタル部３とが、ワイヤ４を介して接続される態様をワイヤボンディング型といい、ＬＥＤ素子２とメタル部３とが、突起電極５を介して接続される態様をフリップチップ型という。
【００２７】
１−３．反射層
反射層２１は、ＬＥＤ素子２が出射する光や、波長変換層１１に含まれる蛍光体粒子が発する蛍光を、ＬＥＤ装置１００の光取り出し面側に反射する層である。反射層２１が配設されることで、ＬＥＤ装置１００から取り出される光量が増加する。
【００２８】
反射層２１は、基板１上かつＬＥＤ素子２の実装領域の周縁部の外側に形成される。ＬＥＤ素子２の実装領域とは、ＬＥＤ素子２の発光面、及びＬＥＤ素子２とメタル部３との接続部をいう。ＬＥＤ素子２の実装領域の周縁部とは、実装領域の外縁から幅１μｍ外側までの領域をいう。つまり、反射層２１は、ＬＥＤ素子２の光の出射、及びＬＥＤ素子２とメタル部（金属電極部）３との接続を阻害しない領域に形成される。
【００２９】
図１に示されるように、基板１がキャビティを有する場合、キャビティの底面にのみ反射層２１が形成されてもよく、図２に示されるように、キャビティの側面６及び底面に反射層２１が形成されてもよい。反射層２１がキャビティ内壁面６に形成されると、波長変換層１１表面に水平な方向に進む光を、反射層２１で反射させて、取り出すことができる。
【００３０】
また、図２及び図４に示されるように、反射層２１はメタル部３を被覆しないように形成されてもよい。この場合、ＬＥＤ素子２等からの光は、メタル部３及び反射層２１によって反射される。
【００３１】
反射層２１は、後述の反射層形成用組成物を硬化させて得られ、光拡散粒子が透光性セラミック（有機ケイ素化合物の硬化物）に分散された層である。反射層２１の厚みは、５〜５０μｍであることが好ましく、より好ましくは５〜３０μｍである。反射層２１の厚みが、５０μｍを超えると、反射層２１にクラックが発生しやすくなる。一方、反射層２１の厚みが５μｍ未満であると、反射層２１の光反射性が十分ではなく、ＬＥＤ装置１００からの光取り出し効率が高まらない場合がある。
【００３２】
１−４．波長変換層
波長変換層１１には、蛍光体粒子及びバインダが含まれる。蛍光体粒子はＬＥＤ素子２が出射する光（励起光）を受けて、蛍光を発する。励起光と蛍光とが混ざることで、ＬＥＤ装置１００からの光の色が所望の色となる。例えば、ＬＥＤ素子２からの光が青色であり、波長変換層１１に含まれる蛍光体が発する蛍光が黄色であると、ＬＥＤ装置１００からの光が白色となる。
【００３３】
波長変換層１１は、ＬＥＤ素子２を被覆すればよく、例えば図１〜４及び図６に示されるように、ＬＥＤ素子２とともに、反射層２１やメタル部３を被覆してもよい。また例えば図５に示されるように、ＬＥＤ素子２のみを被覆してもよい。
【００３４】
波長変換層１１に含まれる蛍光体粒子は、ＬＥＤ素子２から出射する光により励起されて、ＬＥＤ素子２からの出射光と異なる波長の蛍光を発するものであればよい。例えば、黄色の蛍光を発する蛍光体粒子の例には、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）蛍光体等がある。ＹＡＧ蛍光体は、青色ＬＥＤ素子から出射される青色光（波長４２０ｎｍ〜４８５ｎｍ）を受けて、黄色の蛍光（波長５５０ｎｍ〜６５０ｎｍ）を発する。
【００３５】
蛍光体粒子は、例えば１）所定の組成を有する混合原料に、フラックス（フッ化アンモニウム等のフッ化物）を適量混合して加圧し、これを成形体とする。２）得られた成形体を坩堝に詰め、空気中で１３５０〜１４５０℃の温度範囲で、２〜５時間焼成し、焼結体とすることで得られる。
【００３６】
所定の組成を有する混合原料は、Ｙ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ａｌ、Ｌａ、Ｇａ等の酸化物、または高温で容易に酸化物となる化合物を、化学両論比で十分に混合して得られる。また、所定の組成を有する混合原料は、１）Ｙ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｓｍの希土類元素を化学両論比で酸に溶解した溶液と、シュウ酸とを混合し、共沈酸化物を得られる。２）この共沈酸化物と、酸化アルミニウム、または酸化ガリウムとを混合しても得られる。
【００３７】
蛍光体の種類は、ＹＡＧ蛍光体に限定されるものではなく、例えばＣｅを含まない非ガーネット系蛍光体等、他の蛍光体であってもよい。
【００３８】
蛍光体粒子の平均粒径は１μｍ〜５０μｍであることが好ましく、１０μｍ以下であることがより好ましい。蛍光体粒子の粒径が大きいほど発光効率（波長変換効率）が高くなる。一方、蛍光体粒子の粒径が大きすぎると、蛍光体粒子とバインダとの界面に生じる隙間が大きくなる。これにより、波長変換層の硬化膜の強度が低下しやすい。蛍光体粒子の平均粒径は、レーザー回折式粒度分布計で測定されるＤ５０の値をいう。レーザー回折式粒度分布測定装置の例には、島津製作所製のレーザー回折式粒度分布測定装置等がある。
【００３９】
波長変換層１１に含まれるバインダは、透明樹脂または透光性セラミックでありうる。透明樹脂は、例えばシリコーン樹脂及びエポキシ樹脂等でありうる。バインダが透明樹脂である場合、波長変換層１１の厚みは２５μｍ〜５ｍｍ程度であることが好ましい。波長変換層１１の厚みが厚すぎると、蛍光体粒子の濃度が過剰に低くなり、蛍光体粒子が均一に分散されない場合がある。波長変換層１１の厚みは、ＬＥＤ素子２の発光面上に成膜された波長変換層１１の最大厚みを意味する。波長変換層１１の厚みは、レーザホロゲージで測定することができる。また、バインダが透明樹脂である場合、波長変換層１１中に含まれる蛍光体粒子の量は、一般には５〜１５質量％である。
【００４０】
一方、透光性セラミックは、反射層に含まれる透光性セラミックと同様でありうる。つまり、有機ケイ素化合物の硬化物（ポリシロキサン等）でありうる。バインダが透光性セラミックである場合、波長変換層１１の厚みは５〜２００μｍであることが好ましい。バインダが透光性セラミックである場合に、波長変換層１１の厚みが過剰に厚いと、波長変換層１１にクラック等が生じやすくなる。バインダが透光性セラミックである場合も、波長変換層１１の厚みは、ＬＥＤ素子２の発光面上に成膜された波長変換層１１の最大厚みを意味する。波長変換層１１の厚みは、レーザホロゲージで測定することができる。
【００４１】
また、バインダが透光性セラミックである場合、波長変換層１１に含まれる蛍光体粒子の量は６０〜９５質量％であることが好ましい。波長変換層１１に含まれる蛍光体粒子の濃度は高いほど好ましい。蛍光体粒子の濃度が高いと、波長変換層１１の強度が高まりやすい。ただし、透光性セラミックの含有比率が少な過ぎると、蛍光体粒子を十分に保持できない場合がある。
【００４２】
１−５．透光層
図５または図６に示されるように、ＬＥＤ装置１００には、透光層３１が含まれてもよい。透光層３１は、ＬＥＤ素子２を外部の衝撃やガス等から保護する機能を果たす。透光層３１には、透光性材料が含まれる。透光性材料は、透明樹脂であってもよく、透光性セラミックであってもよい。
【００４３】
透光性材料が透明樹脂である場合、透明樹脂は、例えばシリコーン樹脂及びエポキシ樹脂等でありうる。この場合、透光層３１の厚みが通常２５μｍ〜５ｍｍであることが好ましく、さらに１〜３ｍｍであることが好ましい。一般的に、透明樹脂が含まれる透光層３１の厚みを２５μｍ以下とすることは難しい。一方、ＬＥＤ装置の小型化との観点から、透光層３１の厚みは５ｍｍ以下であることが好ましい。透光層３１の厚みは、ＬＥＤ素子２の発光面上に成膜された透光層３１の最大厚みを意味する。透光層３１の厚みは、レーザホロゲージで測定することができる。
【００４４】
一方、透光性材料が透光性セラミックである場合、透光性セラミックは、反射層２１に含まれる透光性セラミックと同様でありうる。つまり、有機ケイ素化合物の硬化物（ポリシロキサン等）でありうる。この場合、透光層３１の厚みは０．５〜１０μｍであることが好ましい。透光層３１の厚みが０．５μｍ未満であると、ＬＥＤ素子２を外部の衝撃やガス等から保護する効果が十分に得られない場合がある。一方、透光層３１の厚みが１０μｍを超えると、透光層３１にクラックが生じる場合がある。透光性材料がセラミックである場合も、透光層３１の厚みとは、ＬＥＤ素子２の発光面上に形成された透光層３１の最大厚みを意味する。透光層３１の厚みは、レーザホロゲージで測定される。
【００４５】
２．反射層形成用組成物
前述の反射層は、有機ケイ素化合物、光拡散粒子、及び溶媒を含む反射層形成用組成物を塗布し、これを乾燥・硬化させることで得られる。反射層形成用組成物には、必要に応じて、金属酸化物微粒子や、無機粒子、粘土鉱物粒子、金属アルコキシドまたは金属キレート、シランカップリング剤、反応促進剤等が含まれてもよい。
【００４６】
２−１．有機ケイ素化合物
有機ケイ素化合物は（ｉ）ポリシラザンオリゴマー、並びに（ii）シラン化合物のモノマーまたはそのオリゴマーでありうる。
【００４７】
（ｉ）ポリシラザンは、一般式（Ｉ）：（Ｒ１Ｒ２ＳｉＮＲ３）ｎで表されるポリシラザンオリゴマーでありうる。一般式（Ｉ）中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立して水素原子またはアルキル基、アリール基、ビニル基、またはシクロアルキル基を表すが、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３のうち少なくとも１つは水素原子であり、好ましくはすべてが水素原子である。ｎは１〜６０の整数を表す。ポリシラザンオリゴマーの分子形状はいかなる形状であってもよく、例えば、直鎖状または環状であってもよい。
【００４８】
（ii）シラン化合物のモノマーまたはオリゴマーは、２官能シラン化合物、３官能シラン化合物、または４官能シラン化合物、またはそのオリゴマーでありうる。シラン化合物のオリゴマーは、後述するように、シラン化合物のモノマーを縮合反応させて得られる。
【００４９】
シラン化合物のオリゴマーは、特に３官能シラン化合物及び４官能シラン化合物のモノマーまたはそのオリゴマーであることが好ましい。３官能シラン化合物及び４官能シラン化合物の重合比率は、３：７〜７：３であることが好ましく、４：６〜６：４であることがより好ましい。４官能シラン化合物の重合比率が過剰であると、硬化物の架橋度が大きくなる。そのため、得られる反射層にクラックが生じやすくなる。一方、３官能シラン化合物の重合比率が過剰であると、ポリシロキサン中に、３官能シラン化合物由来の有機基が多量に残存する。そのため、得られる反射層が、後述の波長変換層用組成物をはじきやすくなり、得られる反射層と波長変換層との密着性が低下しやすい。
【００５０】
４官能シラン化合物の例には、下記一般式（II）で表される化合物が含まれる。
Ｓｉ（ＯＲ４）４      …（II）
上記一般式（II）中、Ｒ４はそれぞれ独立にアルキル基またはフェニル基を表し、好ましくは炭素数１〜５のアルキル基、またはフェニル基を表す。
【００５１】
４官能シラン化合物の具体例には、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシランテトラブトキシシラン、テトラペンチルオキシシラン、テトラフェニルオキシシラン、トリメトキシモノエトキシシラン、ジメトキシジエトキシシラン、トリエトキシモノメトキシシラン、トリメトキシモノプロポキシシラン、モノメトキシトリブトキシシラン、モノメトキシトリペンチルオキシシラン、モノメトキシトリフェニルオキシシラン、ジメトキシジプロポキシシラン、トリプロポキシモノメトキシシラン、トリメトキシモノブトキシシラン、ジメトキシジブトキシシラン、トリエトキシモノプロポキシシラン、ジエトキシジプロポキシシラン、トリブトキシモノプロポキシシラン、ジメトキシモノエトキシモノブトキシシラン、ジエトキシモノメトキシモノブトキシシラン、ジエトキシモノプロポキシモノブトキシシラン、ジプロポキシモノメトキシモノエトキシシラン、ジプロポキシモノメトキシモノブトキシシラン、ジプロポキシモノエトキシモノブトキシシラン、ジブトキシモノメトキシモノエトキシシラン、ジブトキシモノエトキシモノプロポキシシラン、モノメトキシモノエトキシモノプロポキシモノブトキシシランなどのアルコキシシラン、またはアリールオキシシラン等が含まれる。これらの中でもテトラメトキシシラン、テトラエトキシシランが好ましい。
【００５２】
３官能シラン化合物の例には、下記一般式（III）で表される化合物が含まれる。
Ｒ５Ｓｉ（ＯＲ６）３      …（III）
上記一般式（III）中、Ｒ５は、それぞれ独立にアルキル基またはフェニル基を表し、好ましくは炭素数１〜５のアルキル基、またはフェニル基を表す。また、Ｒ６は、水素原子またはアルキル基を表す。
【００５３】
３官能シラン化合物の具体例には、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリプロポキシシラン、トリペンチルオキシシラン、トリフェニルオキシシラン、ジメトキシモノエトキシシラン、ジエトキシモノメトキシシラン、ジプロポキシモノメトキシシラン、ジプロポキシモノエトキシシラン、ジペンチルオキシルモノメトキシシラン、ジペンチルオキシモノエトキシシラン、ジペンチルオキシモノプロポキシシラン、ジフェニルオキシルモノメトキシシラン、ジフェニルオキシモノエトキシシラン、ジフェニルオキシモノプロポキシシラン、メトキシエトキシプロポキシシラン、モノプロポキシジメトキシシラン、モノプロポキシジエトキシシラン、モノブトキシジメトキシシラン、モノペンチルオキシジエトキシシラン、モノフェニルオキシジエトキシシラン等のモノヒドロシラン化合物；メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、メチルトリペンチルオキシシラン、メチルモノメトキシジエトキシシラン、メチルモノメトキシジプロポキシシラン、メチルモノメトキシジペンチルオキシシラン、メチルモノメトキシジフェニルオキシシラン、メチルメトキシエトキシプロポキシシラン、メチルモノメトキシモノエトキシモノブトキシシラン等のモノメチルシラン化合物；エチルトリメトキシシラン、エチルトリプロポキシシラン、エチルトリペンチルオキシシラン、エチルトリフェニルオキシシラン、エチルモノメトキシジエトキシシラン、エチルモノメトキシジプロポキシシラン、エチルモノメトキシジペンチルオキシシラン、エチルモノメトキシジフェニルオキシシラン、エチルモノメトキシモノエトキシモノブトキシシラン等のモノエチルシラン化合物；プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、プロピルトリペンチルオキシシラン、プロピルトリフェニルオキシシラン、プロピルモノメトキシジエトキシシラン、プロピルモノメトキシジプロポキシシラン、プロピルモノメトキシジペンチルオキシシラン、プロピルモノメトキシジフェニルオキシシラン、プロピルメトキシエトキシプロポキシシラン、プロピルモノメトキシモノエトキシモノブトキシシラン等のモノプロピルシラン化合物；ブチルトリメトキシシラン、ブチルトリエトキシシラン、ブチルトリプロポキシシラン、ブチルトリペンチルオキシシラン、ブチルトリフェニルオキシシラン、ブチルモノメトキシジエトキシシラン、ブチルモノメトキシジプロポキシシラン、ブチルモノメトキシジペンチルオキシシラン、ブチルモノメトキシジフェニルオキシシラン、ブチルメトキシエトキシプロポキシシラン、ブチルモノメトキシモノエトキシモノブトキシシラン等のモノブチルシラン化合物が含まれる。
【００５４】
これらの３官能シラン化合物の一般式（III）で表されるＲ５がメチル基であると、反射層表面の疎水性が低くなる。その結果、反射層上に波長変換層を成膜する場合に、波長変換層用組成物が濡れ広がりやすくなり、得られる反射層と波長変換層との密着性が高まる。一般式（III）で表されるＲ５がメチル基である３官能シラン化合物の例には、メチルトリメトキシシラン、及びメチルトリエトキシシランが含まれ、メチルトリメトキシシランであることが特に好ましい。
【００５５】
反射層形成用組成物に含まれる有機ケイ素化合物が、（ｉ）ポリシラザンオリゴマーである場合、反射層形成用組成物におけるポリシラザンオリゴマーの濃度は高い方が好ましい。ただし、これらの濃度が高すぎると反射層形成用組成物の保存安定性が低下する。そのため、ポリシラザンオリゴマーの量は、反射層形成用組成物の全質量に対して５〜５０質量％であることが好ましい。
【００５６】
また、反射層形成用組成物に含まれる有機ケイ素化合物が（ii）シラン化合物のモノマーまたはそのオリゴマーである場合、反射層形成用組成物に含まれるシラン化合物のモノマーまたはそのオリゴマーの量も、反射層形成用組成物の全質量に対して５〜５０質量％であることが好ましい。
【００５７】
（シラン化合物のオリゴマーの調製方法）
前述の反射層形成用組成物に含まれるシラン化合物のオリゴマー（ポリシロキサンオリゴマー）は、以下の方法で調製される。シラン化合物のモノマーを、酸触媒、水、有機溶媒の存在下で加水分解し、縮合反応させる。シラン化合物のオリゴマーの質量平均分子量は、反応条件（特に反応時間）等で調整する。
【００５８】
反射層形成用組成物に含まれるシラン化合物のオリゴマーの質量平均分子量は、好ましくは１０００〜３０００であり、より好ましくは１２００〜２７００であり、さらに好ましくは１５００〜２０００である。反射層形成用組成物に含まれるシラン化合物のオリゴマーの質量平均分子量が１０００未満であると、反射層形成用組成物の粘度が低くなり、反射層形成時に、液はじき等が生じやすくなる。一方、反射層形成用組成物に含まれるシラン化合物のオリゴマーの質量平均分子量が３０００を超えると、反射層形成用組成物の粘度が高くなり、均一な膜形成が困難となる場合がある。質量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定される値（ポリスチレン換算）である。
【００５９】
シラン化合物のオリゴマー調製用の酸触媒は、シラン化合物の加水分解時に触媒として作用するものであればよく、有機酸または無機酸のいずれであってもよい。無機酸の例には、硫酸、リン酸、硝酸、塩酸等が含まれ、リン酸及び硝酸が特に好ましい。また、有機酸の例には、ギ酸、シュウ酸、フマル酸、マレイン酸、氷酢酸、無水酢酸、プロピオン酸、及びｎ−酪酸など、カルボン酸残基を有する化合物；有機スルホン酸、及び有機スルホン酸のエステル化物（有機硫酸エステル、有機亜硫酸エステル）など、硫黄含有酸残基を有する化合物が含まれる。
【００６０】
シラン化合物のオリゴマー調製用の酸触媒は、下記一般式（IV）で表わされる有機スルホン酸であることが特に好ましい。
Ｒ８−ＳＯ３Ｈ      …（IV）
上記一般式（IV）において、Ｒ８で表される炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、環状の飽和もしくは不飽和の炭素数１〜２０の炭化水素基である。環状の炭化水素基の例には、フェニル基、ナフチル基、またはアントリル基等の芳香族炭化水素基が含まれ、好ましくはフェニル基である。また、一般式（IV）においてＲ８で表される炭化水素基は、置換基を有してもよい。置換基の例には、直鎖状、分岐鎖状、または環状の、炭素数１〜２０の飽和若しくは不飽和の炭化水素基；フッ素原子等のハロゲン原子；スルホン酸基；カルボキシル基；水酸基；アミノ基；シアノ基等が含まれる。
【００６１】
上記一般式（IV）で表わされる有機スルホン酸は、特にノナフルオロブタンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、またはドデシルベンゼンスルホン酸であることが好ましい。
【００６２】
シラン化合物のオリゴマー調製時に添加する酸触媒の量は、オリゴマー調製液全量に対して１〜１０００質量ｐｐｍであることが好ましく、より好ましくは５〜８００質量ｐｐｍである。
【００６３】
シラン化合物のオリゴマーの調製時に添加する水の量によって、得られるポリシロキサンの膜質が変化する。したがって、目的とする膜質に応じて、オリゴマー調製時の水添加率を調整することが好ましい。水添加率とは、オリゴマー調製液に含まれるシラン化合物のアルコキシ基またはアリールオキシ基のモル数に対する、添加する水分子のモル数の割合（％）である。水添加率は、５０〜２００％であることが好ましく、より好ましくは７５〜１８０％である。水添加率を、５０％以上とすることで、得られる反射層の膜質が安定する。また２００％以下とすることで反射層形成用組成物の保存安定性が良好となる。
【００６４】
シラン化合物のオリゴマー調製時に添加する溶媒の例には、メタノール、エタノール、プロパノール、ｎ−ブタノール等の一価アルコール；メチル−３−メトキシプロピオネート、エチル−３−エトキシプロピオネート等のアルキルカルボン酸エステル；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、トリメチロールプロパン、ヘキサントリオール等の多価アルコール；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等の多価アルコールのモノエーテル類、あるいはこれらのモノアセテート類；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソアミルケトン等のケトン類；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジプロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル等の多価アルコールの水酸基をすべてアルキルエーテル化した多価アルコールエーテル類；等が含まれる。これらは１種単独で添加してもよく、また２種以上を添加してもよい。
【００６５】
２−２．光拡散粒子
反射層形成用組成物に含まれる光拡散粒子は、光拡散性の高い粒子であれば、特に制限されない。光拡散粒子の全反射率は、８０％以上であることが好ましく、さらに好ましくは９０％以上である。全反射率は日立ハイテク社製、日立分光光度計Ｕ４１００により測定できる。
【００６６】
光拡散粒子の例には、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、窒化ホウ素（ＢｒＮ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）等が含まれる。中でも、光拡散粒子は、二酸化チタン、硫酸バリウム、チタン酸バリウム、窒化ホウ素、酸化亜鉛、及び酸化アルミニウムであることが好ましい。これらの粒子は、全反射率が大きく、取り扱い易い。反射層形成用組成物には、光拡散粒子が１種のみ含まれてもよく、また２種以上が含まれてもよい。
【００６７】
光拡散粒子の平均一次粒径は、１００ｎｍより大きく、２０μｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍより大きく１０μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは２００ｎｍ〜２．５μｍである。本発明における平均一次粒径とは、レーザー回折式粒度分布計で測定されるＤ５０の値をいう。レーザー回折式粒度分布測定装置の例には、島津製作所製のレーザー回折式粒度分布測定装置等がある。
【００６８】
反射層形成用組成物に含まれる光拡散粒子の量は、反射層形成用組成物の固形分全質量（溶剤以外の成分の総量）に対して、６０〜９５質量％であり、さらに好ましくは７０〜９０質量％である。光拡散粒子の量が６０質量％未満であると、得られる反射層の光反射性が不十分となる場合がある。一方、光拡散粒子の量が９５質量％を超えると、得られる反射層において、バインダ量が相対的に少なくなり、反射層の強度が低くなる場合がある。
【００６９】
２−３．金属酸化物微粒子
反射層形成用組成物には、平均一次粒径が５〜１００ｎｍである金属酸化物微粒子が含まれてもよい。反射層形成用組成物に金属酸化物微粒子が含まれると、得られる反射層表面に微少な凹凸が生じる。この凹凸により、得られる反射層と波長変換層との間に、アンカー効果が生じ、反射層と波長変換層との密着性が高まる。また、得られる反射層において、光拡散粒子同士の隙間が埋まるため、反射層の強度が高まり、反射層にクラックが生じ難くなる。
【００７０】
金属酸化物微粒子の種類は、特に制限されないが、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化セリウム、酸化ニオブ、及び酸化亜鉛の群から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。特に、膜強度が高くなるとの観点から、酸化ジルコニウム微粒子が含まれることが好ましい。反射層には、金属酸化物微粒子が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。
【００７１】
金属酸化物微粒子は、表面がシランカップリング剤やチタンカップリング剤で処理されたものであってもよい。金属酸化物微粒子の表面が処理されていると、金属酸化物微粒子が反射層形成用組成物中に均一に分散されやすくなる。
【００７２】
金属酸化物微粒子の平均一次粒径は５〜１００ｎｍであり、好ましくは５〜８０ｎｍ、より好ましくは５〜５０ｎｍである。金属酸化物微粒子の平均一次粒径が１００ｎｍ以下であると、光拡散粒子同士の隙間に金属酸化物微粒子が入り込みやすくなり、得られる反射層の強度が高まりやすい。また、金属酸化物微粒子の平均一次粒径が５ｎｍ以上であると、反射層表面に適度な凹凸が形成されやすく、前述のアンカー効果が得られやすい。
【００７３】
反射層形成用組成物に含まれる金属酸化物微粒子の量は、反射層形成用組成物の固形分全質量（溶剤以外の成分の総量）に対して、０．５〜３０質量％であることが好ましく、より好ましくは０．５〜２０質量％であり、さらに好ましくは１〜１０質量％であり、特に好ましくは２〜１０質量％である。金属酸化物微粒子の含有量が０．５質量％未満であると、得られる反射層と波長変換層との界面におけるアンカー効果や、膜の強度が十分に高まらない。一方、金属酸化物微粒子の含有量が３０質量％を超えると、相対的に有機ケイ素化合物の量が少なくなり、膜強度が低下するおそれがある。
【００７４】
２−４．無機粒子
反射層形成用組成物には、平均粒径が１００ｎｍ以上１００μｍ以下である無機粒子が含まれてもよい。反射層形成用組成物に無機粒子が含まれると、反射層形成用組成物の粘度が高まりやすい。さらに、得られる反射層の強度も高まりやすい。無機粒子は、酸化ケイ素等の酸化物粒子、フッ化マグネシウム等のフッ化物粒子、さらにはこれらの混合物等でありうる。これらの中でも特に好ましくは酸化ケイ素である。無機粒子の表面は、シランカップリング剤やチタンカップリング剤で処理されていてもよい。表面処理によって、無機粒子と、有機ケイ素化合物や溶媒との相溶性が高まる。
【００７５】
反射層形成用組成物に含まれる無機粒子の量は、反射層形成用組成物の全質量に対して、０．１〜１０質量％であることが好ましく、０．２〜５質量％であることが、より好ましい。無機粒子の量が１０質量％を超えると、反射層の成膜時にクラックを生じ易くなる。一方、無機粒子の量が０．１％未満であると反射層形成用組成物の増粘効果が低くなる。
【００７６】
無機粒子の平均粒径は、得られる反射層の強度が高まるとの観点から、１００ｎｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上３０μｍ以下であることが、より好ましい。無機粒子の平均粒径は、例えばコールターカウンター法によって測定することができる。
【００７７】
無機粒子の形状は特に制限されず、針状や平板状であってもよく、中空構造であってもよい。
【００７８】
２−５．粘土鉱物粒子
反射層形成用組成物には、粘土鉱物粒子が含まれてもよい。反射層形成用組成物に粘土鉱物粒子が含まれると、反射層形成用組成物の粘度が高まり、光拡散粒子の沈降が抑制される。
【００７９】
粘土鉱物粒子の例には、層状ケイ酸塩鉱物、イモゴライト、アロフェン等が含まれる。層状ケイ酸塩鉱物は、雲母構造、カオリナイト構造、またはスメクタイト構造を有する粘土鉱物が好ましい。
【００８０】
層状ケイ酸塩鉱物粒子は、反射層形成用組成物の静置状態でカードハウス構造を形成しやすい。層状ケイ酸塩鉱物粒子がカードハウス構造を形成すると、反射層形成用組成物の粘度が大幅に高まる。一方で、カードハウス構造は、一定の圧力を加える崩れやすく、これにより反射層形成用組成物の粘度が低下する。すなわち、反射層形成溶組成物に層状ケイ酸塩鉱物粒子が含まれると、静置状態では反射層形成用組成物の粘度が高くなり、一定の圧力をかけた場合には反射層形成用組成物の粘度が低くなる。
【００８１】
このような層状ケイ酸塩鉱物の例には、天然または合成の、ヘクトライト、サポナイト、スチブンサイト、ハイデライト、モンモリロナイト、ノントライト、ベントナイト、ラポナイト等のスメクタイト属粘土鉱物や、Ｎａ型テトラシリシックフッ素雲母、Ｌｉ型テトラシリシックフッ素雲母、Ｎａ型フッ素テニオライト、Ｌｉ型フッ素テニオライト等の膨潤性雲母属粘土鉱物、白雲母、金雲母、フッ素金雲母、絹雲母、カリウム四ケイ素雲母等の非膨潤性雲母属粘土鉱物、およびバーミキュラライトやカオリナイト、またはこれらの混合物が含まれる。
【００８２】
粘土鉱物粒子の市販品の例には、ラポナイトＸＬＧ（英国、ラポート社製合成ヘクトライト類似物質）、ラポナイトＲＤ（英国、ラポート社製合成ヘクトライト類似物質）、サーマビス（独国、ヘンケル社製合成ヘクトライト類似物質）、スメクトンＳＡ−１（クニミネ工業（株）製サポナイト類似物質）、ベンゲル（ホージュン（株）販売の天然ベントナイト）、クニビアＦ（クニミネ工業（株）販売の天然モンモリロナイト）、ビーガム（米国、バンダービルト社製の天然ヘクトライト）、ダイモナイト（トピー工業（株）製の合成膨潤性雲母）、ミクロマイカ（コープケミカル（株）製の合成非膨潤性雲母）、ソマシフ（コープケミカル（株）製の合成膨潤性雲母）、ＳＷＮ（コープケミカル（株）製の合成スメクタイト）、ＳＷＦ（コープケミカル（株）製の合成スメクタイト）、Ｍ−ＸＦ（（株）レプコ製の白雲母）、Ｓ−ＸＦ（（株）レプコ製の金雲母）、ＰＤＭ−８００（トピー工業（株）製のフッ素金雲母）、セリサイトＯＣ−１００Ｒ（オーケム通商（株）製の絹雲母）、ＰＤＭ−Ｋ（Ｇ）３２５（トピー工業（株）製のカリウム四ケイ素雲母）等が含まれる。
【００８３】
粘土鉱物粒子は、層状ケイ酸塩鉱物、イモゴライト、アロフェン、からなる群から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。これらの粒子は、表面積が非常に大きく、少量で反射層形成用組成物の粘度が高まりやすい。
【００８４】
粘土鉱物粒子の含有量は、反射層形成用組成物全質量に対して０．１〜５質量％であることが好ましく、０．２〜２質量％であることがより好ましい。粘土鉱物粒子の含有量が少ないと、反射層形成用組成物の粘度が高まりにくく、光拡散粒子が沈降しやすくなる。一方、粘土鉱物粒子の含有量が過剰であると、反射層形成用組成物の粘度が過剰に高くなり、反射層形成用組成物が塗布装置から均一に吐出されないおそれがある。
【００８５】
粘土鉱物粒子の表面は、反射層形成用組成物中での溶媒との相溶性を考慮して、アンモニウム塩等で修飾（表面処理）されていてもよい。
【００８６】
２−６．金属アルコキシドまたは金属キレート
反射層形成用組成物には、Ｓｉ元素以外の２価以上の金属元素の金属アルコキシドまたは金属キレートが含まれてもよい。反射層形成用組成物に金属アルコキシドまたは金属キレートが含まれると、得られる反射層と基板との密着性が高まる。金属アルコキシドまたは金属キレートに含まれる金属が、基板の表面の水酸基と、メタロキサン結合を形成するため、反射層と基板との密着性が高まる。
【００８７】
金属アルコキシドまたは金属キレートに含まれる金属元素の種類は、２価以上の金属元素（Ｓｉを除く）であれば特に制限されないが、４族または１３族の元素であることが好ましい。すなわち、金属アルコキシドまたは金属キレートは、具体的には、下記の一般式（Ｖ）で表される化合物であることが好ましい。
Ｍｍ＋ＸｎＹｍ−ｎ      （Ｖ）
一般式（Ｖ）中、Ｍは４族または１３族の金属元素を表し、ｍはＭの価数（３または４）を表す。Ｘは加水分解性基を表し、ｎはＸ基の数（２以上４以下の整数）を表す。ただし、ｍ≧ｎである。Ｙは１価の有機基を表す。
【００８８】
一般式（Ｖ）において、Ｍで表される４族または１３族の金属元素は、アルミニウム、ジルコニウム、チタンであることが好ましく、ジルコニウムであることが特に好ましい。ジルコニウム元素を含むアルコキシドまたはキレートの硬化物は、一般的なＬＥＤ素子の発光波長域（特に青色光（波長４２０〜４８５ｎｍ）に吸収波長を有さない。そのためジルコニウムのアルコキシドまたはキレートの硬化物には、ＬＥＤ素子２からの光等が吸収され難い。
【００８９】
一般式（Ｖ）において、Ｘで表される加水分解性基は、水で加水分解され、水酸基を生成する基でありうる。加水分解性基の好ましい例には、炭素数が１〜５の低級アルコキシ基、アセトキシ基、ブタノキシム基、クロル基等が含まれる。一般式（Ｖ）において、Ｘで表される基は、全て同一の基であってもよく、異なる基であってもよい。
【００９０】
Ｘで表される加水分解性基は、前述のように、金属元素が基板の表面の水酸基等とメタロキサン結合を形成する際に、加水分解される。そのため加水分解後に生成される化合物は、中性かつ軽沸であることが好ましい。そこで、Ｘで表される基は、炭素数１〜５の低級アルコキシ基であることが好ましく、より好ましくはメトキシ基、またはエトキシ基である。
【００９１】
一般式（Ｖ）において、Ｙで表される１価の有機基は、一般的なシランカップリング剤に含まれる１価の有機基でありうる。具体的には、炭素数が１〜１０００、好ましくは５００以下、より好ましくは１００以下、さらに好ましくは４０以下、特に好ましくは６以下である脂肪族基、脂環族基、芳香族基、脂環芳香族基でありうる。Ｙで表される有機基は、脂肪族基、脂環族基、芳香族基、及び脂環芳香族基が連結基を介して結合した基であってもよい。連結基は、Ｏ、Ｎ、Ｓ等の原子またはこれらを含む原子団であってもよい。
【００９２】
Ｙで表される有機基は、置換基を有してもよい。置換基の例には、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ等のハロゲン原子；ビニル基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、スチリル基、メルカプト基、エポキシ基、エポキシシクロヘキシル基、グリシドキシ基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基、スルホン酸基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、アシル基、アルコキシ基、イミノ基、フェニル基等の有機基が含まれる。
【００９３】
一般式（Ｖ）で表される、アルミニウム元素を含む金属アルコキシドまたは金属キレートの具体例には、アルミニウムトリイソプロポキシド、アルミニウムトリｎ−ブトキシド、アルミニウムトリｔ−ブトシキド、アルミニウムトリエトキシド等が含まれる。
【００９４】
一般式（Ｖ）で表される、ジルコニウム元素を含む金属アルコキシドまたは金属キレートの具体例には、ジルコニウムテトラメトキシド、ジルコニウムテトラエトキシド、ジルコニウムテトラｎ−プロポキシド、ジルコニウムテトラｉ−プロポキシド、ジルコニウムテトラｎ−ブトキシド、ジルコニウムテトラｉ−ブトキシド、ジルコニウムテトラｔ−ブトキシド、ジルコニウムジメタクリレートジブトキシド、ジブトキシジルコニウムビス（エチルアセトアセテート）等が含まれる。
【００９５】
一般式（Ｖ）で表されるチタン元素を含む金属アルコキシドまたは金属キレートの具体例には、チタンテトライソプロポキシド、チタンテトラｎ−ブトキシド、チタンテトラｉ−ブトキシド、チタンメタクリレートトリイソプロポキシド、チタンテトラメトキシプロポキシド、チタンテトラｎ−プロポキシド、チタンテトラエトキシド、チタンラクテート、チタニウムビス（エチルヘキソキシ）ビス（２−エチル−３−ヒドロキシヘキソキシド）、チタンアセチルアセトネート等が含まれる。
【００９６】
ただし、上記で例示した金属アルコキシドまたは金属キレートは、入手容易な市販の有機金属アルコキシドまたは金属キレートの一部である。科学技術総合研究所発行の「カップリング剤最適利用技術」９章のカップリング剤及び関連製品一覧表に示される金属アルコキシドまたは金属キレートも、反射層形成用組成物に適用される。
【００９７】
反射層形成用組成物に含まれる金属アルコキシドまたは金属キレートの量は、反射層形成用組成物の固形分の全質量（溶剤以外の成分の総量）に対して１〜３０質量％であることが好ましく、より好ましくは５〜２０質量％、さらに好ましくは５〜１５質量％である。金属アルコキシドまたは金属キレートの量が１質量％未満であると、得られる反射層と基板との密着性が高まり難い。一方、金属アルコキシドまたは金属キレートの量が３０質量％を超えると、得られる反射層において、相対的にバインダ成分の量が低下し、強度が低下する場合がある。
【００９８】
また、得られる反射層に含まれる、金属アルコキシドまたは金属キレート由来の金属元素（Ｓｉ元素を除く）の量は、反射層形成用組成物に含まれるＳｉ元素のモル数に対して、０．５〜２０モル％であることが好ましく、より好ましくは１〜１０モル％である。金属元素の量が、０．５モル％未満であると、得られる反射層と基板との密着性が高まらない。一方、金属アルコキシドまたは金属キレートの量が多くなると光拡散粒子の量が相対的に減少するため、反射層の光反射性が低下するおそれがある。金属元素の量、及びＳｉ元素の量は、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ）で算出できる。
【００９９】
２−７．シランカップリング剤
反射層形成用組成物には、さらにシランカップリング剤が含まれてもよい。反射層形成用組成物にシランカップリング剤が含まれると、得られる反射層と基板との密着性や、反射層と波長変換層が高まり、ＬＥＤ装置の耐久性が向上する。
【０１００】
シランカップリング剤の例には、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチル−ブチリデン）プロピルアミン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（ビニルベンジル）−２−アミノエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシランの塩酸塩、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン等が含まれる。反射層形成用組成物には、これらが一種のみで含まれてもよく、二種以上含まれてもよい。
【０１０１】
反射層形成用組成物に含まれるシランカップリング剤の量は、反射層形成用組成物の固形分の全質量（溶剤以外の成分の総量）に対して１〜１０質量％であることが好ましく、３〜７質量％であることがより好ましい。シランカップリング剤が少なすぎると、得られる反射層と基板との密着性や、反射層と波長変換層との密着性が十分に高まらず、多すぎると得られる反射層の耐熱性が低下する恐れがある。
【０１０２】
２−８．溶媒
反射層形成用組成物に含まれる溶媒は、有機ケイ素化合物を溶解または分散可能なものであれば特に制限されない。例えば水との相溶性に優れた水性溶剤であってもよく、また、水との相溶性が低い非水性溶剤であってもよい。
【０１０３】
反射層形成用組成物に含まれる有機ケイ素化合物が、ポリシラザンオリゴマーである場合、溶媒は脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、ハロゲン炭化水素、エーテル類、エステル類でありうる。具体的には、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ジメチルフルオライド、クロロホルム、四塩化炭素、エチルエーテル、イソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、エチルブチルエーテル等が挙げられる。
【０１０４】
一方、反射層形成用組成物に含まれる有機ケイ素化合物がシラン化合物のモノマーまたはそのオリゴマーである場合、溶媒は特に制限されないが、アルコール類が好ましく、特に多価アルコールが好ましい。反射層形成用組成物にアルコールが含まれると、反射層形成用組成物の粘度が高まり、光拡散粒子の沈殿が抑制される。多価アルコールの例には、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、グリセリン、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール等が含まれ、特にエチレングリコール、プロピレングリコール、１，３−ブタンジオール、または１，４−ブタンジオールであることが好ましい。
【０１０５】
反射層形成用組成物に含まれる有機ケイ素化合物がいずれである場合においても、反射層形成用組成物に含まれる溶媒は、沸点が２５０℃以下であることが好ましい。溶媒の沸点が高すぎると、反射層形成用組成物の乾燥が遅くなる。
【０１０６】
反射層形成用組成物に含まれる溶媒の量は、反射層形成用組成物の全質量に対して、１〜１５質量％であることが好ましく、より好ましくは１〜１０質量％であり、さらに好ましくは３〜１０質量％である。
【０１０７】
２−９．反応促進剤
反射層形成用組成物には、有機ケイ素化合物（特にポリシラザンオリゴマー）と共に、反応促進剤が含まれてもよい。反応促進剤は、酸または塩基のいずれであってもよい。反応促進剤の例には、トリエチルアミン、ジエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、及びトリエチルアミン等のアミン；塩酸、シュウ酸、フマル酸、スルホン酸、及び酢酸等の酸；ニッケル、鉄、パラジウム、イリジウム、白金、チタン、アルミニウムを含む金属カルボン酸塩等が含まれる。反応促進剤は、金属カルボン酸塩であることが、特に好ましい。反射層形成用組成物に含まれる反応促進剤の量は、ポリシラザンオリゴマーの質量に対して０．０１〜５ｍｏｌ％であることが好ましい。
【０１０８】
３．ＬＥＤ装置の製造方法
前述のＬＥＤ装置を製造する方法には、少なくとも以下の３つの工程が含まれる。
ａ）基板にＬＥＤ素子を実装する実装工程
ｂ）前述の反射層形成用組成物を塗布し、当該反射層形成用組成物を乾燥・硬化させて反射層を形成する反射層形成工程
ｃ）ＬＥＤ素子を被覆するように、蛍光体粒子及びバインダ成分を含む波長変換層用組成物を塗布し、波長変換層を形成する波長変換層形成工程
本発明の方法では、必要に応じて、ｄ）ＬＥＤ素子を被覆するように透光層を形成する透光層形成工程、が含まれる。
【０１０９】
本発明のＬＥＤ装置の製造方法には、上記工程を行う順序に応じて、以下の４つの態様がありうる。
（１）実装工程、反射層形成工程、及び波長変換層形成工程の順に行う第一の態様
（２）反射層形成工程、実装工程、及び波長変換層形成工程の順に行う第二の態様
（３）実装工程、波長変換層形成工程、及び反射層形成工程の順に行う第三の態様
（４）実装工程、透光層形成工程、反射層形成工程、及び波長変換層形成工程の順に行う第四の態様
【０１１０】
３−１）第一の態様
第一の態様では、例えば図７に示されるように、基板１にＬＥＤ素子２を実装する実装工程（図７（ａ））、ＬＥＤ素子２の実装領域の周縁部の外側に反射層２１を形成する反射層形成工程（図７（ｂ））、ＬＥＤ素子２及び反射層２１を被覆するように波長変換層１１を形成する波長変換層形成工程（図７（ｃ））の順に行う。
【０１１１】
３−１−１）実装工程
第一の態様の実装工程では、メタル部３（金属配線）が形成された基板１を準備する。そして、当該基板１にＬＥＤ素子２を固定し、ＬＥＤ素子２と基板１のメタル部３とを電気的に接続する。ＬＥＤ素子２を基板１に固定する方法は特に制限されず、例えばダイボンド等でＬＥＤ素子２を固定する方法でありうる。また、ＬＥＤ素子２とメタル部３との接続方法も特に制限されない。例えば、図７（ａ）に示されるように突起電極５を介して接続する方法でありうる。また、ＬＥＤ素子２とメタル部３とをワイヤ等を介して接続する方法でもありうる。
【０１１２】
３−１−２）反射層形成工程
第一の態様の反射層形成工程では、ＬＥＤ素子２の実装領域（前述の実装工程で実装されたＬＥＤ素子２の発光面やＬＥＤ素子２とメタル部３との接続部）及びその周縁部に反射層形成用組成物が付着しないように反射層形成用組成物を塗布し、硬化させる。
【０１１３】
所望の領域のみに反射層２１を形成する方法には、（ｉ）反射層を形成しない領域を他の部材で被覆し、反射層を特定の領域に形成する方法；（ii）反射層形成用組成物を塗布する部材（つまり、ＬＥＤ素子が実装された基板等）の形状によって、反射層を特定の領域に形成する方法；（iii）反射層形成用組成物の塗布方法によって、反射層を特定の領域に形成する方法がある。
【０１１４】
（ｉ）反射層を形成しない領域を他の部材で被覆し、反射層を特定の領域に形成する方法では、ＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部（反射層を形成しない領域）を保護するステップ、反射層形成用組成物２１’を塗布し、硬化させるステップ、及び必要に応じてＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部を保護する部材を除去するステップを行うことによって、所望の領域のみに反射層２１を形成することができる。
【０１１５】
（ｉ）の方法において、ＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部を保護する方法は特に制限されない。例えば、図８（ａ）の上面図及び図８（ｂ）の断面図に示されるように、板状マスク１１０でＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部を覆う方法でありうる。板状マスク１１０の形状は、ＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部の形状に応じて適宜選択される。また、マスク１１０の素材は、反射層形成用組成物を透過させない材料であれば特に制限されず、樹脂や金属、セラミック等でありうる。
【０１１６】
（ｉ）の方法において、ＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部を保護する方法の他の例は、図９（ｃ）に示されるように、レジスト材料１２０でＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部を覆う方法でありうる。具体的には、図９（ａ）に示されるように、基板１及びＬＥＤ素子２をレジスト材料１２０で被覆する。そして、図９（ｂ）に示されるように、遮光マスク１２１等で、ＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部を遮光しながら、レジスト材料１２０を露光する。その後、図９（ｃ）に示されるように、レジスト材料を現像；つまり反射層を形成する領域のレジスト材料１２０を除去する。これにより、レジスト材料１２０でＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部が保護される。
【０１１７】
上記では、ポジ型のレジスト材料１２０を例に説明したが、レジスト材料１２０は、ネガ型であってもよい。レジスト材料の例には、一般的なナフトキノンジアジド化合物等のポジ型感光性材料やビスアジド化合物等のネガ型感光性材料等が含まれる。
【０１１８】
上記レジスト材料１２０の塗布方法は特に制限されず、例えばスプレー塗布やディスペンサー塗布等でありうる。また、レジスト材料１２０の硬化方法は、レジスト材料の種類に応じて適宜選択され、特定波長の光の照射や、加熱処理等でありうる。レジスト材料の現像方法は、レジスト現像液等で溶解除去する方法等でありうる。
【０１１９】
なお、上記露光・現像を行うことなく、ＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部をレジスト材料１２０で保護してもよい。例えば、レジスト材料１２０をＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部のみに塗布し、硬化させることによって、上記実装領域及びその周縁部をレジスト材料１２０で覆うことができる。レジスト材料１２０の塗布方法は、所望の領域のみにレジスト材料１２０を塗布可能な方法であればよく、ディスペンサー塗布やインクジェット塗布等でありうる。このとき、レジスト材料１２０を塗布しない領域を、板状マスク等で保護してもよい。
【０１２０】
また、（ｉ）の方法において、ＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部を保護する方法の他の例は、水または溶媒に可溶な可溶性樹脂をＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部のみに塗布し、硬化させる方法でもありうる。
【０１２１】
可溶性樹脂は、水または溶媒に可溶であり、反射層の形成後に除去可能な樹脂であれば特に制限されない。可用性樹脂の例には、ポリビニルアルコール、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）やジクロロメタンに可溶なアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂等がある。
【０１２２】
可溶性樹脂の塗布方法は、所望の領域のみに可溶性樹脂を塗布可能な方法であればよく、ディスペンサー塗布やインクジェット塗布等でありうる。このとき、可溶性樹脂を塗布しない領域を、板状マスク等で保護してもよい。
【０１２３】
また、（ｉ）の方法において、ＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部を保護する方法のさらに他の例は、撥液剤をＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部のみに塗布し、乾燥させる方法でもありうる。
【０１２４】
撥液剤は、反射層形成用組成物の塗布時に当該組成物がＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部に付着することを抑制可能であり、さらに透明な材料であれば特に制限されない。撥液剤の例には、フッ素系コーティング剤（例えば信越化学工業社製のＫＰ−９１１やＸ−２４−９４８１、フロロテクノロジー社製のＦＳ−１０９０やＦＳ−５０６０、ダイキン社製のオプトエース等）；シリコーン系コーティング剤（例えば信越化学工業社製のＫＳ−７０２やＫＳ−７２５）；酸化チタン系コーティング剤（例えばＣＴＣ  ナノテクノロジー社製のＮＡＮＯ  ＩＮＤＥＮＴ等）が含まれる。
【０１２５】
撥液剤の塗布方法は、所望の領域のみに撥液剤を塗布可能な方法であればよく、ディスペンサー塗布やインクジェット塗布等でありうる。このとき、撥液剤を塗布しない領域を、板状マスク等で保護してもよい。
【０１２６】
（ｉ）の方法では、反射層を形成しない領域を他の部材（板状マスクや、レジストマスク、可溶性樹脂、撥液剤等）で保護した後、図８（ｂ）や図９（ｄ）に示されるように、基板１上に前述の反射層形成用組成物２１’を塗布する。
【０１２７】
反射層形成用組成物２１’の塗布方法は特に制限されず、ディスペンサー塗布や、スプレー塗布でありうる。スプレー塗布で反射層形成用組成物を塗布すると、反射層２１の厚みを薄くしやすい。また基板１がキャビティを有する場合に、そのキャビティ内壁面６にも反射層形成用組成物を塗布しやすい。
【０１２８】
基板１に反射層形成用組成物２１’を塗布した後、反射層形成用組成物を乾燥・硬化させる。反射層形成用組成物２１’を乾燥・硬化させる際の温度は、２０〜２００℃であることが好ましく、より好ましくは２５〜１５０℃である。温度が２０℃未満であると、溶媒が十分に揮発しない可能性がある。一方、温度が２００℃を超えると、ＬＥＤ素子２に悪影響を及ぼす可能性がある。また、乾燥・硬化時間は、製造効率の面から、０．１〜３０分であることが好ましく、より好ましくは０．１〜１５分である。反射層形成用組成物２１’に含まれる有機ケイ素化合物がポリシラザンオリゴマーである場合には、波長１７０〜２３０ｎｍの範囲のＵＶＵ放射線（例えばエキシマ光）を塗膜に照射して硬化させた後に、さらに加熱硬化を行うことで、より緻密な膜が形成される。
【０１２９】
（ｉ）の方法では、反射層形成用組成物２１’の硬化後、必要に応じて板状マスクや、レジスト材料、可溶性樹脂等、ＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部を保護していた保護部材を除去する。レジスト材料１２０や可溶性樹脂を除去する場合、図９（ｅ）に示されるように、これらの上に積層されている反射層形成用組成物２１’も除去する。これにより、所望の領域のみに反射層２１が形成される。なお、板状マスクは、反射層形成用組成物２１’の硬化前に除去してもよい。
【０１３０】
保護部材の除去方法は、保護部材の種類によって適宜選択する。板状マスクは、これを基板１上から除去すればよい。また、レジスト材料１２０は、一般的なドライエッチング法、またはウェットエッチング法で除去する。可溶性樹脂は、水または溶媒で基板１を洗浄して除去する。
【０１３１】
（ii）反射層形成用組成物を塗布する部材（つまり、ＬＥＤ素子が実装された基板等）の形状によって、反射層を特定の領域に形成する方法は、図１３に示されるように、ＬＥＤ素子２の実装領域の周縁部（反射層を形成しない領域）の周囲に隔壁２００を形成するステップ（図１３（ａ））と、隔壁２００の外側の領域に、隔壁２００より高さの低い反射層２１を形成するするステップ（図１３（ｂ））と、を行う方法でありうる。
【０１３２】
当該方法では、図１３（ｂ）に示されるように、ＬＥＤ素子２の周囲に形成した隔壁２００によって、反射層形成用組成物２１’が堰き止められるため、反射層形成用組成物２１’がＬＥＤ素子の実装領域及びその周縁部に付着しない。
【０１３３】
隔壁２００は、例えば図１４の上面図に示されるように、ＬＥＤ素子２の実装領域の周縁部を囲むように形成することが好ましい。また、隔壁２００は、ＬＥＤ装置１００の光取り出し性の観点から、可視光に対する透過性が高い部材、もしくは白色の部材であることが好ましい。
【０１３４】
形成する隔壁２００の高さは、反射層形成用組成物２１’の塗布厚みより高ければよく；５〜２００μｍであることが好ましく、より好ましくは２０〜１００μｍである。一方、隔壁の幅は、通常１０〜１０００μｍであることが好ましく、より好ましくは５０〜５００μｍである。
【０１３５】
隔壁２００の形成方法は特に制限されず、公知の方法で成形した樹脂製またはセラミック製の枠状の部材を、実装領域の周縁部を囲むように配置する方法であってもよく；ＬＥＤ素子２の実装領域の周縁部を囲むように隔壁形成用組成物を、塗布し、硬化させる方法であってもよい。
【０１３６】
隔壁形成用組成物は、透明もしくは白色の隔壁を形成可能な材料であれば特に制限されず、例えば反射層形成用組成物と同様の組成物でありうる。
【０１３７】
隔壁形成用組成物の塗布方法は、所望の領域にのみ隔壁形成用組成物を塗布可能な方法であれば特に制限されず、ディスペンサー塗布や、ジェットディスペンサー塗布、インクジェット塗布等でありうる。また、隔壁形成用組成物の硬化方法は、隔壁形成用組成物に含まれる成分に応じて適宜選択される。硬化方法の一例として、加熱硬化が挙げられる。
【０１３８】
当該方法では、隔壁２００の形成後、隔壁２００の外側の領域に、反射層形成用組成物２１’を塗布する。このとき、反射層形成用組成物２１’の厚みが、隔壁２００の高さを超えないように反射層形成用組成物の塗布量を調整する。反射層形成用組成物２１’の塗布方法は特に制限されず、ディスペンサー塗布や、ジェットディスペンサー塗布、インクジェット塗布等でありうる。また、反射層形成用組成物２１’の硬化方法は、（ｉ）の方法における反射層形成用組成物２１’の硬化方法と同様でありうる。
【０１３９】
一方、（ii）反射層形成用組成物２１’を塗布する部材（つまり、ＬＥＤ素子が実装された基板等）の形状によって、反射層を特定の領域に形成する方法の他の例は、図１５に示されるように、ＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部を囲むように溝部１０を有する基板１に、波長変換層用組成物２１’を塗布し、硬化させる方法でありうる。
【０１４０】
当該方法では、図１５（ｂ）に示されるように、反射層形成用組成物２１’を塗布した際、ＬＥＤ素子２の実装領域の近傍で反射層形成用組成物２１’が溝部１０に流れ込む。その結果、反射層形成用組成物２１’がＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部に付着せず、所望の領域のみに、反射層２１が成膜される。
【０１４１】
基板に設ける溝部１０の深さは、塗布する反射層形成用組成物を十分に溜められる深さであればよく、５０〜１０００μｍであることが好ましく、より好ましくは１００〜５００μｍである。一方、溝の幅は通常５０〜１０００μｍであることが好ましく、より好ましくは１００〜５００μｍである。溝部１０は、基板１の作製時に形成しておくことが好ましい。
【０１４２】
反射層形成用組成物２１’の塗布方法は特に制限されず、ディスペンサー塗布や、インクジェット塗布等でありうる。このとき、反射層形成用組成物２１’を、溝部１０の外側の領域から塗布することが好ましい。また、溝部１０から反射層形成用組成物２１’が溢れないように、反射層形成用組成物２１’の塗布量を調整する。反射層形成用組成物２１’の硬化方法は、（ｉ）の方法における反射層形成用組成物２１’の硬化方法と同様でありうる。
【０１４３】
また、（ii）反射層形成用組成物２１’を塗布する部材（つまり、ＬＥＤ素子が実装された基板等）の形状によって、反射層を特定の領域に形成する方法の他の例は、図１６に示されるように、基板１のＬＥＤ素子実装面１ａが、反射層の形成面１ｂより突出している基板１に、反射層形成用組成物２１’を塗布し、硬化させる方法でありうる。
【０１４４】
当該方法では、ＬＥＤ素子２の実装面１ａと反射層の形成面１ｂとの間に段差がある。そのため、反射層形成用組成物２１’を塗布した際に、反射層形成用組成物２１’がＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部に付着せず、所望の領域のみに、反射層２１が成膜される。
【０１４５】
ＬＥＤ素子の実装面１ａと、反射層の形成面１ｂとの高さの差（段差）は、反射層形成用組成物２１’の塗布厚みより大きければよく；５〜５００μｍであることが好ましく、より好ましくは２０〜１００μｍである。当該段差は、基板１の作製時に形成しておくことが好ましい。
【０１４６】
反射層形成用組成物２１’の塗布方法は、反射層の形成面のみに、反射層形成用組成物２１’を塗布可能な方法であれば特に制限されず、ディスペンサー塗布や、インクジェット塗布等でありうる。また、反射層形成用組成物２１’の硬化方法は、（ｉ）の方法における反射層形成用組成物２１’の硬化方法と同様でありうる。
【０１４７】
（iii）反射層形成用組成物の塗布方法によって、反射層を特定の領域のみに形成する方法は、図１７に示されるように、ＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部の外側の一部の領域Ａに反射層形成用組成物２１’Ａを塗布した後（図１７（ａ））；領域Ａとは離隔した領域Ｂに反射層形成用組成物２１’Ｂを塗布し（図１７（ｂ））；さらに領域Ａと領域Ｂとの間の領域に、反射層形成用組成物を塗布する（図１７（ｃ））方法でありうる。
【０１４８】
一般的な方法で、ＬＥＤ素子の実装領域の周囲に反射層形成用組成物を連続して塗布すると、反射層形成用組成物が流動しやすく；反射層形成用組成物が基板全体に濡れ広がりやすい。その結果、反射層形成用組成物がＬＥＤ素子の実装領域やその周縁部にも付着しやすい。これに対し、反射層形成用組成物２１’を少量ずつ離れた領域（領域Ａ及びＢ）に塗布すると、反射層形成用組成物２１’の表面張力によって、反射層形成用組成物２１’が濡れ広がり難い。そして、領域Ａ及び領域Ｂの隙間を埋めるように、反射層形成用組成物２１’を少量ずつ塗布すると、反射層形成用組成物２１’の塗布面積が大きくなっても、反射層形成用組成物２１’が流動し難い。したがって、当該方法によれば、反射層形成用組成物２１’を所望の領域にのみ塗布することができる。
【０１４９】
領域Ａ及び領域Ｂの面積や、各領域に塗布する反射層形成用組成物２１’の量は、作製するＬＥＤ装置１００の大きさ等に応じて適宜選択される。なお、図１７に示される例では、ＬＥＤ素子２を挟んで対向する２つの領域Ａ及び領域Ｂに反射層形成用組成物２１’を塗布してから、その間隙に、反射層形成用組成物２１’を塗布しているが；反射層形成用組成物２１’を互いに離隔した３箇所以上に塗布してから、その間隙に反射層形成用組成物２１’を塗布してもよい。
【０１５０】
反射層形成用組成物２１’の塗布方法は、所望の領域に所望の量の反射層形成用組成物を塗布することが可能であれば特に制限されず、例えばディスペンサー塗布や、インクジェット塗布でありうる。また、反射層形成用組成物２１’の硬化方法は、（ｉ）の方法における反射層形成用組成物２１’の硬化方法と同様でありうる。
【０１５１】
（iii）反射層形成用組成物の塗布方法によって、反射層を特定の領域のみに形成する方法の他の例は、図１８に示されるように、基板１のＬＥＤ素子の発光面２ａを鉛直下方に向けて配置し；反射層形成用組成物２１’の塗布装置１１０と基板１とを相対的に移動させながら、反射層形成用組成物２１’を所望の領域に塗布し、硬化させる方法でありうる。
【０１５２】
当該方法では、基板１に塗布した反射層形成用組成物２１’が水平方向に移動し難い。したがって、反射層形成用組成物２１’の濡れ広がりを抑制することができ、反射層形成用組成物２１’を所望の領域にのみ塗布することができる。
【０１５３】
反射層形成用組成物２１’の塗布方法は、所望の領域に所望の量の反射層形成用組成物を塗布することが可能であれば特に制限されず、例えばディスペンサー塗布や、インクジェット塗布でありうる。また、反射層形成用組成物２１’の硬化方法は、（ｉ）の方法における反射層形成用組成物２１’の硬化方法と同様でありうる。なお、反射層形成用組成物２１’の硬化も、基板１のＬＥＤ素子の発光面２ａを鉛直下方に向けたまま行うことが好ましい。
【０１５４】
３−１−３）波長変換層形成工程
第一の態様の波長変換層形成工程では、反射層２１が形成された基板１上に、波長変換層１１を形成する（図９（ｆ））。波長変換層１１の形成方法は、バインダ成分と蛍光体粒子とが含まれる波長変換層用組成物を調製し、これをＬＥＤ素子２及び反射層２１を被覆するように塗布し、硬化させる方法でありうる。
【０１５５】
波長変換層用組成物に含まれるバインダ成分は、前述の透明樹脂またはその前駆体、もしくは有機ケイ素化合物でありうる。また、波長変換層用組成物には、必要に応じて溶媒が含まれる。波長変換層用組成物に含まれる溶媒は、バインダ成分を溶解または分散させることが可能なものであれば、特に制限されない。バインダ成分が前述の透明樹脂またはその前駆体である場合、溶媒はトルエン、キシレンなどの炭化水素類；アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン類；ジエチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルアセテートなどのエステル類等でありうる。一方、バインダ成分が有機ケイ素化合物である場合、溶媒は反射層形成用組成物に含まれる溶媒と同様でありうる。
【０１５６】
波長変換層用組成物の混合は、例えば、撹拌ミル、ブレード混練撹拌装置、薄膜旋回型分散機等で行うことができる。撹拌条件を調整することで、波長変換層用組成物における蛍光体粒子の沈降が抑制される。
【０１５７】
波長変換層用組成物の塗布方法は、バインダ成分の種類に応じて適宜選択される。バインダ成分が透明樹脂またはその前駆体である場合、ディスペンサー塗布等でありうる。一方、バインダ成分が有機ケイ素化合物である場合、ディスペンサー塗布やスプレー塗布等でありうる。
【０１５８】
波長変換層用組成物の塗布後、これを硬化させる。波長変換層用組成物の硬化方法や硬化条件は、バインダ成分の種類により適宜選択される。硬化方法の一例として、加熱硬化が挙げられる。
【０１５９】
３−２）第二の態様
第二の態様では、例えば図１０に示されるように、ＬＥＤ素子２の実装領の周縁部の外側に射層を形成する反射層形成工程（図１０（ａ））、ＬＥＤ素子２を、基板１に実装する工程（及びＬＥＤ素子２を被覆するように波長変換層１１を形成する波長変換層形成工程（図７（ｃ））の順に行う。
【０１６０】
３−２−１）反射層形成工程
第二の態様の反射層形成工程では、メタル部３とＬＥＤ素子２との接続領域２’（実装領域）及びその周縁部に、反射層形成用組成物が付着しないように、反射層形成用組成物を塗布し、硬化させる。
【０１６１】
所望の領域のみに反射層を形成する方法には、（ｉ）反射層を形成しない領域を他の部材で被覆し、反射層を特定の領域のみに形成する方法；（ii）反射層形成用組成物を塗布する部材（つまり、ＬＥＤ素子が実装された基板等）の形状によって、反射層を特定の領域のみに形成する方法；（iii）反射層形成用組成物の塗布方法によって、反射層を特定の領域のみに形成する方法がある。いずれの方法も、前述の第一の態様の各方法と同様でありうる。
【０１６２】
３−２−２）実装工程
第二の態様の実装工程では、図１０（ｂ）に示されるように、反射層２１が形成された基板１上に、ＬＥＤ素子２を固定し、ＬＥＤ素子２とメタル部３とを電気的に接続する。ＬＥＤ素子の実装方法は、第一の態様の実装方法と同様である。
【０１６３】
３−２−３）波長変換層形成工程
第二の態様の波長変換層形成工程では、図１０（ｃ）に示されるように、反射層２１が形成された基板１上に、波長変換層１１を形成する。波長変換層１１の形成方法は、バインダ成分と蛍光体粒子とが含まれる波長変換層用組成物を調製し、これをＬＥＤ素子２及び反射層２１を被覆するように塗布し、硬化させる方法でありうる。波長変換層用組成物や、その塗布・硬化方法は第１の態様の波長変換層用組成物や、塗布・硬化方法と同様である。
【０１６４】
３−３）第三の態様
第三の態様では、図１１に示されるように、ＬＥＤ素子２を実装する実装工程（図１１（ａ））、ＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部を被覆するように、波長変換層を形成する波長変換層形成工程（図１１（ｂ））、ＬＥＤ素子２の実装領域の周縁部の外側に反射層２１を形成する反射層形成工程（図１１（ｃ））の順に行う。第三の態様では、波長変換層１１でＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部を保護してから（図１１（ｂ））、反射層２１を形成する（図１１（ｃ））。したがって、反射層２１を形成するための反射層形成用組成物がＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部に付着しない。
【０１６５】
３−３−１）実装工程
第三の態様の実装工程では、図１１（ａ）に示されるように、基板１上に、ＬＥＤ素子２を固定し、ＬＥＤ素子２とメタル部３とを電気的に接続する。ＬＥＤ素子の実装方法は、第一の態様の実装方法と同様である。本態様では、図１１（ａ）に示されるように、ＬＥＤ素子２とメタル部３とを、突起電極５を介して接続することがより好ましい。ＬＥＤ素子２とメタル部３とが突起電極５を介して接続すると、後述の波長変換層形成工程において、波長変換層用組成物で、ＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部を容易に被覆できる。
【０１６６】
３−３−２）波長変換層形成工程
第三の態様の波長変換層形成工程では、ＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部；つまりＬＥＤ素子２及びＬＥＤ素子２とメタル部３との接続領域及びその周縁部を少なくとも被覆するように、波長変換層１１を形成する。このとき、ＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部のみを被覆するように波長変換層１１を形成してもよい。
【０１６７】
また、ＬＥＤ素子２の実装領域の周縁部の外側の基板１も覆うように波長変換層１１形成してもよい。ただし、ＬＥＤ素子２の実装領域の周縁部の外側にも波長変換層１１を形成する場合、波長変換層１１の厚みが、ＬＥＤ素子２の厚みより薄くなるように形成する。ＬＥＤ素子２が波長変換層１１中に埋まってしまうと、後述の反射層形成工程で、反射層形成用組成物がＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部に付着しやすくなる。
【０１６８】
波長変換層１１は、例えば図１１（ｂ）に示されるように、ＬＥＤ素子２の上面だけでなく、側面にも形成することが好ましい。波長変換層１１をＬＥＤ素子２の側面にも形成すると、ＬＥＤ素子２の側面から出射する光も取り出すことができ、ＬＥＤ装置１００の光取り出し効率が高まる。
【０１６９】
波長変換層１１の形成方法は、バインダ成分と蛍光体粒子とが含まれる波長変換層用組成物を調製し、これを、ＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部を被覆するように塗布し、硬化させる方法でありうる。波長変換層用組成物の塗布方法は、波長変換層用組成物に含まれるバインダ成分に応じて適宜選択される。例えばバインダ成分が樹脂またはその前駆体である場合には、ディスペンサー塗布等でありうる。また、バインダ成分が有機ケイ素化合物である場合には、ディスペンサー塗布やスプレー塗布等でありうる。
【０１７０】
波長変換層用組成物の塗布は、図１１（ａ）に示されるように、ＬＥＤ素子２の発光面を鉛直上方に向けて行ってもよく、図１９（ａ）に示されるように、ＬＥＤ素子２の発光面２ａを鉛直下方に向けて行ってもよい。図１１（ａ）に示されるように、ＬＥＤ素子２の発光面を鉛直上方に向けて、波長変換層用組成物をＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部に塗布する場合、波長変換層用組成物を塗布しない領域を保護しながら波長変換層用組成物を塗布することが好ましい。波長変換層用組成物が濡れ広がり、所望の領域以外にも、波長変換層用組成物が付着する場合がある。波長変換層用組成物を塗布しない領域の保護方法は、第一の態様の反射層形成工程において、ＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部を保護する方法と同様でありうる。
【０１７１】
一方、図１９（ａ）に示されるように、ＬＥＤ素子２の発光面２ａを鉛直下方に向けて波長変換層用組成物を塗布すると、波長変換層用組成物が水平方向に濡れ広がり難い。したがってこの場合は、波長変換層用組成物を塗布しない領域を保護しなくともよい。
【０１７２】
波長変換層用組成物の塗布後、波長変換層用組成物を硬化させる。波長変換層用組成物の硬化は、図１１（ｂ）に示されるように、ＬＥＤ素子２の発光面を鉛直上方に向けて行ってもよく、図１９（ｂ）に示されるように、ＬＥＤ素子２の発光面２ａを鉛直下方に向けて行ってもよい。図１９（ｂ）に示されるように、ＬＥＤ素子２の発光面２ａを鉛直下方に向けると、波長変換層用組成物が水平方向に濡れ広がり難いため、所望の領域のみに波長変換層１１を成膜しやすい。
【０１７３】
なお、波長変換層用組成物や、その硬化方法は第１の態様の波長変換層用組成物や、塗布・硬化方法と同様である。
【０１７４】
３−３−３）反射層形成工程
第三の態様の反射層形成工程では、ＬＥＤ素子２の実装領域の周縁部の外側にのみ反射層形成用組成物を塗布し、反射層２１を形成する。このとき、反射層２１の高さがＬＥＤ素子２を被覆する波長変換層１１の上面を超えないように、反射層２１を形成する。ＬＥＤ素子２及び波長変換層１１の積層領域はある程度の厚みがあるため、ＬＥＤ素子２を被覆する波長変換層１１の上面を超えないように反射層形成用組成物を塗布すれば、反射層２１がＬＥＤ素子２の実装領域の周縁部の外側のみに形成される。
【０１７５】
ＬＥＤ素子２の実装領域の周縁部の外側にのみ反射層形成用組成物を塗布する方法としては、ディスペンサー塗布等でありうる。また、反射層形成用組成物や、反射層形成用組成物の硬化方法は、第一の態様の反射層形成用組成物や、その硬化方法と同様である。
【０１７６】
３−４．第四の態様
第四の態様では、図１２に示されるように、ＬＥＤ素子２を実装する実装工程（図１２（ａ））、ＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部を被覆するように、透光層３１を形成する透光層形成工程（図１２（ｂ））、及びＬＥＤ素子２の実装領域の周縁部の外側に反射層２１を形成する工程（図１２（ｃ））、ＬＥＤ素子２を被覆する波長変換層１１を形成する波長変換層形成工程（図１２（ｄ））の順に行う。第四の態様では、透光層３１でＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部を保護してから（図１２（ｂ））、反射層２１を形成する（図１１（ｃ））。そのため、反射層２１を形成するための反射層形成用組成物がＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部に付着し難く、反射層２１を容易に形成できる。
【０１７７】
３−４−１）実装工程
第四の態様の実装工程では、図１２（ａ）に示されるように、基板１上に、ＬＥＤ素子２を固定し、ＬＥＤ素子２とメタル部３とを電気的に接続する。ＬＥＤ素子の実装方法は、第一の態様の実装方法と同様である。本態様では、図１３（ａ）に示されるように、ＬＥＤ素子２とメタル部３とを、突起電極５を介して接続することがより好ましい。ＬＥＤ素子２とメタル部３とが突起電極５を介して接続すると、後述の波長変換層形成工程において、波長変換層用組成物で、ＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部を容易に被覆できる。
【０１７８】
３−４−２）透光層形成工程
第四の態様の透光層形成工程では、ＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部；つまりＬＥＤ素子２及びＬＥＤ素子２とメタル部３との接続領域及びその周縁部を少なくとも被覆するように、透光層３１を形成する（図１２（ｂ））。このとき、ＬＥＤ素子２の実装領域のみを被覆するように透光層３１を形成してもよい。また、ＬＥＤ素子の実装領域の周縁部の外側の基板１も覆うように透光層３１形成してもよい。ただし、ＬＥＤ素子２の実装領域の周縁部の外側にも透光層３１を形成する場合、透光層３１の厚みが、ＬＥＤ素子２の厚みより薄くなるように形成する。ＬＥＤ素子２が透光層３１中に埋まってしまうと、後述の反射層形成工程で、反射層形成用組成物がＬＥＤ素子２の実装領域やその周縁部に付着しやすくなる。
【０１７９】
透光層３１は、例えば図１２（ｂ）に示されるように、ＬＥＤ素子２の上面だけでなく、側面にも形成することが好ましい。透光層３１をＬＥＤ素子２の側面にも形成すると、ＬＥＤ素子２の側面から出射する光も取り出すことができ、ＬＥＤ装置１００の光取り出し効率が高まる。
【０１８０】
透光層３１の形成方法は、透光性材料が含まれる透光層用組成物を調製し、これを、ＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部を被覆するように塗布し、硬化させる方法でありうる。
【０１８１】
透光層用組成物に含まれる透光性材料は、前述の透明樹脂またはその前駆体、もしくは有機ケイ素化合物でありうる。透光層用組成物には、溶媒が含まれてもよい。透光層用組成物に含まれる溶媒は、透光性材料を溶解または分散させることが可能なものであれば、特に制限されない。透光性材料が前述の透明樹脂またはその前駆体である場合、溶媒はトルエン、キシレンなどの炭化水素類；アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン類；ジエチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルアセテートなどのエステル類等でありうる。一方、透光性材料が有機ケイ素化合物である場合、溶媒は反射層形成用組成物に含まれる溶媒と同様でありうる。
【０１８２】
透光層用組成物の塗布方法は特に制限されず、透光層用組成物に含まれる透光性材料に応じて適宜選択される。例えば透光性材料が樹脂またはその前駆体である場合には、ディスペンサー塗布等でありうる。また、透光性材料が有機ケイ素化合物である場合には、ディスペンサー塗布やスプレー塗布等でありうる。
【０１８３】
透光層用組成物の塗布は、図１２（ａ）に示されるように、ＬＥＤ素子２の発光面を鉛直上方に向けて行ってもよく、図２０（ａ）に示されるように、ＬＥＤ素子２の発光面を鉛直下方に向けて行ってもよい。ＬＥＤ素子２の発光面を鉛直上方に向けて、透光層用組成物をＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部上にのみ塗布する場合、透光層用組成物を塗布しない領域を保護しながら透光層用組成物を塗布することが好ましい。透光層用組成物が濡れ広がり、所望の領域以外にも、透光層用組成物が付着する場合がある。透光用組成物を塗布しない領域を保護する方法は、第一の態様の反射層形成工程において、ＬＥＤ素子２の実装領域及びその周縁部を保護する方法と同様でありうる。
【０１８４】
一方、図２０（ａ）に示されるように、ＬＥＤ素子２の発光面２ａを鉛直下方に向けて透光層用組成物を塗布すると、透光層用組成物が水平方向に濡れ広がり難い。したがってこの場合は、透光層用組成物を塗布しない領域を保護しなくともよい。
【０１８５】
透光層用組成物の塗布後、透光層用組成物を硬化させる。透光層用組成物の硬化は、図１２（ｂ）に示されるように、ＬＥＤ素子２の発光面を鉛直上方に向けて行ってもよく、図２０（ｂ）に示されるように、ＬＥＤ素子２の発光面を鉛直下方に向けて行ってもよい。図２０（ｂ）に示されるように、ＬＥＤ素子２の発光面を鉛直下方に向けて行うと、透光層用組成物が水平方向に濡れ広がり難い。そのため、所望の領域のみに透光層３１を成膜しやすい。
【０１８６】
透光層用組成物の硬化方法や硬化条件は、バインダ成分の種類により適宜選択する。硬化方法の一例として、加熱硬化が挙げられる。
【０１８７】
３−４−３）反射層形成工程
第四の態様の反射層形成工程では、ＬＥＤ素子２の実装領域の周縁部の外側にのみ反射層形成用組成物を塗布し、反射層２１を形成する（図１２（ｃ））。このとき、反射層２１の高さがＬＥＤ素子２を被覆する透光層３１の上面を超えないように、反射層２１を形成する。ＬＥＤ素子２及び透光層３１の積層領域はある程度の厚みがあるため、ＬＥＤ素子２を被覆する透光層３１の上面を超えないように反射層形成用組成物を塗布すれば、反射層２１がＬＥＤ素子２の実装領域の周縁部の外側のみに形成される。
【０１８８】
ＬＥＤ素子２の実装領域の周縁部の外側にのみ反射層形成用組成物を塗布する方法としては、ディスペンサー塗布等でありうる。また、反射層形成用組成物や、反射層形成用組成物の硬化方法は、第一の態様の反射層形成用組成物やその硬化方法と同様でありうる。
【０１８９】
３−４−４）波長変換層形成工程
第四の態様の波長変換層形成工程では、反射層２１や透光層３１が形成された基板１上に、波長変換層１１を形成する（図１２（ｄ））。波長変換層１１の形成方法は、バインダ成分と蛍光体粒子とが含まれる波長変換層用組成物を調製し、これをＬＥＤ素子２、透光層３１、及び反射層２１を被覆するように塗布し、硬化させる方法でありうる。波長変換層用組成物や、その塗布・硬化方法は第１の態様の波長変換層用組成物や塗布・硬化方法と同様でありうる。
【実施例】
【０１９０】
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明する。しかしながら、本発明の範囲はこれによって何ら制限を受けない。
【０１９１】
（１）波長変換層用組成物の調製
（波長変換層用組成物Ａ）
シリコーン樹脂（信越シリコーン社製、ＫＥＲ２６００）と、黄色蛍光体（根本特殊化学製、ＹＡＧ  ４５０Ｃ２０５（体積平均粒径  粒径Ｄ５０  ２０．５μｍ））とを混合し、波長変換層用組成物を得た。波長変換層用組成物における黄色蛍光体の濃度は、５質量％とした。
【０１９２】
（波長変換層用組成物Ｂ）
テトラメトキシシラン３．２５ｇと、メタノール４．００ｇと、アセトン４．００ｇとを混合し、これを撹拌した。この混合液にさらに、水５．４６ｇ、及び６０％硝酸４．７μＬを加えて３時間撹拌し、ポリシロキサン溶液を得た。続いてポリシロキサン溶液に、黄色蛍光体（根本特殊化学製、ＹＡＧ  ４５０Ｃ２０５（体積平均粒径  粒径Ｄ５０  ２０．５μｍ））６．５ｇを混合し、波長変換層用組成物Ｂを得た。
【０１９３】
（２）反射層形成用組成物の調製
メチルトリメトキシシラン２．１０ｇ、テトラメトキシシラン０．９８ｇ、メタノール４．００ｇ、及びアセトン４．００ｇを混合し、これを撹拌した。この混合液に水５．４６ｇ及び濃度６０質量％の硝酸水溶液４．７μＬを加えた。この混合液をさらに３時間撹拌し、３官能成分：４官能成分（重合比）＝７：３のポリシロキサンオリゴマーを含むポリシロキサンオリゴマー溶液を得た。続いて前記ポリシロキサンオリゴマー溶液に、酸化チタン１２．０ｇ（富士チタン工業  ＴＡ−１００  粒径６００ｎｍ）、及び１，３−ブタンジオール１ｇを混合して反射層形成用組成物を得た。
【０１９４】
（３）ＬＥＤ装置の作製
［実施例１］
図１に示される、キャビティを有する基板を準備した。基板は、ポリフタル酸アミド（ＰＰＡ）樹脂からなるものとした。基板は、３．２ｍｍ×２．８ｍｍ×１．８ｍｍの直方体に、開口径２．４ｍｍ、壁面角度４５°、深さ０．８５ｍｍの円錐台状のキャビティが形成されたものとした。この基板に配設されたメタル部とＬＥＤ素子とをワイヤで接続してパッケージを得た。ＬＥＤ素子の外形は、３０５μｍ×３３０μｍ×１００μｍとした。また、ＬＥＤ素子の出射光のピーク波長は、４７５ｎｍとした。
【０１９５】
当該ＬＥＤ素子の発光面、ＬＥＤ素子とメタル部の接続部、及びこれらの周縁部を被覆するように、図８に示される板状のマスクを配置した。当該パッケージの上部から、前述の反射層形成用組成物をスプレー塗布した。この時のスプレー条件はノズル先端からパッケージまでの距離を６０ｍｍ、吐出圧力を０．１ＭＰａ、ノズルの移動速度は１００ｍｍ/ｓとした。スプレー塗布後、板状マスクを取り外し、１５０℃で１時間焼成することで反射層を形成した。得られた反射層の厚みは１５μｍであった。反射層の厚みは、レーザホロゲージ（ミツトヨ社製）で測定した。
【０１９６】
当該パッケージに、波長変換層用組成物Ａをディスペンサーによりポッティングした。そして、波長変換層用組成物Ａを１００℃で１時間加熱後、１５０℃で２時間加熱して波長変換層を得た。得られた波長変換層の厚み（ＬＥＤ素子の上面に形成された波長変換層の厚み）は７５０μｍであった。
【０１９７】
［実施例２］
図３に示される、キャビティを有する基板を準備した。基板は、ポリフタル酸アミド（ＰＰＡ）樹脂からなるものとした。基板は、３．２ｍｍ×２．８ｍｍ×１．８ｍｍの直方体に、開口径２．４ｍｍ、壁面角度４５°、深さ０．８５ｍｍの円錐台状のキャビティが形成されたものとした。この基板に配設されたメタル部とＬＥＤ素子とを突起電極で接続してパッケージを得た。ＬＥＤ素子の外形は、３０５μｍ×３３０μｍ×１００μｍとした。また、ＬＥＤ素子の出射光のピーク波長は、４７５ｎｍとした。
【０１９８】
ＬＥＤ素子を被覆するように、ポジ型レジスト材料（東京応化工業製  ＯＦＰＲ−８００ＬＢ）を塗布した。当該パッケージを窒素雰囲気下、１１０℃で３０分間加熱した。そして、パッケージ上に、ＬＥＤ素子の実装領域及びその周縁部を遮光する遮光マスクを配置し、当該遮光マスクを介してＵＶ光を照射した。その後、アルカリ現像液でレジスト材料を除去し、ＬＥＤ素子の実装領域及びその周縁部のみにレジスト材料からなる膜（レジスト膜）を形成した。パッケージをさらに純水で洗浄した。
【０１９９】
その後、パッケージ内部に、前述の反射層形成用組成物をスプレー塗布した。この時のスプレー条件は、ノズル先端からパッケージまでの距離を６０ｍｍ、吐出圧力を０．１ＭＰａ、ノズルの移動速度は１００ｍｍ/ｓとした。スプレー塗布後、１５０℃で１時間焼成した。得られた反射層の厚みは１５μｍであった。
【０２００】
反射層を形成したパッケージを、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）で洗浄し、レジスト膜、及びレジスト膜上に形成された反射層を除去した。当該パッケージに、さらに波長変換層用組成物Ａをディスペンサーでポッティングした。そして、波長変換層用組成物Ａを１００℃で１時間加熱後、１５０℃で２時間加熱して波長変換層を得た。得られた波長変換層の厚み（ＬＥＤ素子の上面に形成された波長変換層の厚み）は７５０μｍであった。
【０２０１】
［実施例３］
実施例２と同様の、メタル部とＬＥＤ素子とが突起電極で接続されたパッケージを準備した。日本酢ビ・ポバール社製  ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）ＪＣ−２５を１０重量％の濃度で水に溶解してＰＶＡ水溶液を調製した。調製したＰＶＡ水溶液をディスペンサーにてＬＥＤ素子及びその周縁部上にポッティングし、８０℃で１時間乾燥し、可溶性樹脂からなる膜（ＰＶＡ皮膜）を形成した。得られた可溶性樹脂からなる膜の厚みは２００μｍであった。
【０２０２】
その後、パッケージ内部に、前述の反射層形成用組成物をスプレー塗布した。この時のスプレー条件はノズル先端からパッケージまでの距離を６０ｍｍ、吐出圧力を０．１ＭＰａ、ノズルの移動速度は１００ｍｍ/ｓとした。スプレー塗布後、１５０℃で１時間焼成した。得られた反射層の厚みは１５μｍであった。反射層を形成したパッケージを水中で洗浄し、可溶性樹脂と、可溶性樹脂上に形成された反射層を除去した。
【０２０３】
反射層を形成したパッケージに前述の波長変換層用組成物Ａをディスペンサーによりポッティングし、１００℃で１時間加熱後、１５０℃で２時間加熱することで硬化して波長変換層を形成した。得られた波長変換層の厚み（ＬＥＤ素子の上面に形成された波長変換層の厚み）は７５０μｍであった。
【０２０４】
［実施例４］
実施例２と同様の、メタル部とＬＥＤ素子とが突起電極で接続されたパッケージを準備した。当該パッケージのＬＥＤ素子の実装領域及びその周縁部のみに開口部を有する板状のマスクを配置した。当該マスクの上から、前述の波長変換層用組成物Ｂをスプレー塗布した。この時のスプレー条件はノズル先端からパッケージまでの距離を６０ｍｍ、吐出圧力を０．１ＭＰａ、ノズルの移動速度は１００ｍｍ/ｓとした。スプレー塗布後、板状マスクを取り外し、１５０℃で１時間焼成することでＬＥＤ素子の実装領域及びその周縁部にのみ波長変換層を形成した。得られた波長変換層の厚み（ＬＥＤ素子の上面に形成された波長変換層の厚み）は５０μｍであった。
【０２０５】
当該パッケージのキャビティ側から前述の反射層形成用組成物をディスペンサーで流し込んだ。当該反射層形成用組成物を１５０℃で１時間焼成して、ＬＥＤ素子の実装領域の周縁部の外側に反射層を形成した。得られた反射層の厚みは１５μｍであった。
【０２０６】
その後、シリコーン樹脂（信越シリコーン社製、ＫＥＲ２６００）をディスペンサーにてポッティングした。当該シリコーン樹脂を１００℃で１時間加熱後、１５０℃で２時間加熱して、封止層を形成した。封止層の厚み（ＬＥＤ素子の上面に形成された封止層の厚み）は７００μｍであった。
【０２０７】
［実施例５］
実施例２と同様の、メタル部とＬＥＤ素子とが突起電極で接続されたパッケージを準備した。当該パッケージのＬＥＤ素子（実装領域）及びその周縁部を被覆するように、シリコーン樹脂（信越シリコーン社製、ＫＥＲ２６００）をディスペンサーでポッティングした。当該シリコーン樹脂を１００℃で１時間加熱後、１５０℃で２時間加熱して透光層を得た。得られた透光層の厚み（ＬＥＤ素子の上面に形成された透光層の厚み）は５０μｍであった。
【０２０８】
当該パッケージのキャビティ側から、前述の反射層形成用組成物をディスペンサーから流し込んだ。当該反射層形成用組成物を１５０℃で１時間焼成して、ＬＥＤ素子の実装領域の周縁部の外側に、反射層を形成した。得られた反射層の厚みは１５μｍであった。
【０２０９】
さらに、波長変換層用組成物Ａをディスペンサーにてポッティングした。当該波長変換層用組成物Ａを１００℃で１時間加熱後、１５０℃で２時間加熱して、波長変換層を形成した。得られた波長変換層の厚み（ＬＥＤ素子の上面に形成された波長変換層の厚み）は７５０μｍであった。
【０２１０】
［実施例６］
図１に示される、キャビティを有する基板を準備した。基板は、ポリフタル酸アミド（ＰＰＡ）樹脂からなるものとした。基板は、３．２ｍｍ×２．８ｍｍ×１．８ｍｍの直方体に、開口径２．４ｍｍ、壁面角度４５°、深さ０．８５ｍｍの円錐台状のキャビティが形成されたものとした。
【０２１１】
当該パッケージのＬＥＤ素子の実装領域及びその周縁部；つまりＬＥＤ素子を載置する領域、及びＬＥＤ素子とメタル部とを接続する領域を被覆するように、板状マスクを配置した。当該パッケージの上部から、前述の反射層形成用組成物をスプレー塗布した。この時のスプレー条件はノズル先端からパッケージまでの距離を６０ｍｍ、吐出圧力を０．１ＭＰａ、ノズルの移動速度は１００ｍｍ/ｓとした。スプレー塗布後、板状マスクを取り外し、１５０℃で１時間焼成することで反射層を形成した。得られた反射層の厚みは１５μｍであった。反射層の厚みは、レーザホロゲージ（ミツトヨ社製）で測定した。
【０２１２】
反射層を形成したパッケージのメタル部とＬＥＤ素子とをワイヤで接続した。ＬＥＤ素子の外形は、３０５μｍ×３３０μｍ×１００μｍとした。また、ＬＥＤ素子の発光ピーク波長は、４７５ｎｍとした。
【０２１３】
当該パッケージに、波長変換層用組成物Ａをディスペンサーによりポッティングした。そして、波長変換層用組成物Ａを１００℃で１時間加熱後、１５０℃で２時間加熱して波長変換層を得た。得られた波長変換層の厚み（ＬＥＤ素子の上面に形成された波長変換層の厚み）は７５０μｍであった。
【０２１４】
［実施例７］
図１に示される、キャビティを有する基板を準備した。基板は、ポリフタル酸アミド（ＰＰＡ）樹脂からなるものとした。基板は、３．２ｍｍ×２．８ｍｍ×１．８ｍｍの直方体に、開口径２．４ｍｍ、壁面角度４５°、深さ０．８５ｍｍの円錐台状のキャビティが形成されたものとした。
【０２１５】
当該パッケージにおけるＬＥＤ素子の実装領域及びその周縁部；つまりＬＥＤ素子を載置する領域、ＬＥＤ素子とメタル部とを接続する領域、及びその周縁部を被覆するように、ポジ型レジスト材料（東京応化工業製  ＯＦＰＲ−８００ＬＢ）をディスペンサーで塗布した。当該パッケージを窒素雰囲気下、１１０℃で３０分間加熱した。そして、パッケージ上に、ＬＥＤ素子の実装領域及びその周縁部のみを遮光する遮光マスクを配置し、当該遮光マスクを介してＵＶ光を照射した。その後、アルカリ現像液でレジスト膜を除去し、ＬＥＤ素子の実装領域及びその周縁部のみにレジスト材料からなる膜（レジスト膜）を形成した。当該パッケージを純水で洗浄した。
【０２１６】
当該パッケージの上部から、前述の反射層形成用組成物をスプレー塗布した。この時のスプレー条件はノズル先端からパッケージまでの距離を６０ｍｍ、吐出圧力を０．１ＭＰａ、ノズルの移動速度は１００ｍｍ/ｓとした。スプレー塗布後、板状マスクを取り外し、１５０℃で１時間焼成することで反射層を形成した。得られた反射層の厚みは１５μｍであった。反射層の厚みは、レーザホロゲージ（ミツトヨ社製）で測定した。
【０２１７】
反射層を形成したパッケージを、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）で洗浄し、レジスト膜、及びレジスト膜上に形成された反射層を除去した。その後、反射層を形成したパッケージのメタル部とＬＥＤ素子とをワイヤで接続した。ＬＥＤ素子の外形は、３０５μｍ×３３０μｍ×１００μｍとした。また、ＬＥＤ素子の発光ピーク波長は、４７５ｎｍとした。
【０２１８】
当該パッケージに、波長変換層用組成物Ａをディスペンサーによりポッティングした。そして、波長変換層用組成物Ａを１００℃で１時間加熱後、１５０℃で２時間加熱して波長変換層を得た。得られた波長変換層の厚み（ＬＥＤ素子の上面に形成された波長変換層の厚み）は７５０μｍであった。
【０２１９】
［実施例８］
図１に示される、キャビティを有する基板を準備した。基板は、ポリフタル酸アミド（ＰＰＡ）樹脂からなるものとした。基板は、３．２ｍｍ×２．８ｍｍ×１．８ｍｍの直方体に、開口径２．４ｍｍ、壁面角度４５°、深さ０．８５ｍｍの円錐台状のキャビティが形成されたものとした。
【０２２０】
当該パッケージにおけるＬＥＤ素子の実装領域及びその周縁部；つまりＬＥＤ素子を実装する領域、ＬＥＤ素子とメタル部とを接続する領域、及びその周縁部を被覆するように、実施例３と同様のＰＶＡ水溶液をディスペンサーにて塗布した。当該塗膜を、８０℃で１時間乾燥し、可溶性樹脂からなる膜（ＰＶＡ皮膜）を形成した。得られた可溶性樹脂からなる膜の厚みは２００μｍであった。
【０２２１】
当該パッケージの上部から、前述の反射層形成用組成物をスプレー塗布した。この時のスプレー条件はノズル先端からパッケージまでの距離を６０ｍｍ、吐出圧力を０．１ＭＰａ、ノズルの移動速度は１００ｍｍ/ｓとした。スプレー塗布後、１５０℃で１時間焼成することで反射層を形成した。得られた反射層の厚みは１５μｍであった。反射層の厚みは、レーザホロゲージ（ミツトヨ社製）で測定した。
【０２２２】
反射層を形成したパッケージを、水中に浸漬し、可溶性樹脂、及び可溶性樹脂上に形成された反射層を除去した。その後、反射層を形成したパッケージのメタル部とＬＥＤ素子とをワイヤで接続した。ＬＥＤ素子の外形は、３０５μｍ×３３０μｍ×１００μｍとした。また、ＬＥＤ素子のピーク波長は、４７５ｎｍとした。
【０２２３】
当該パッケージに、波長変換層用組成物Ａをディスペンサーによりポッティングした。そして、波長変換層用組成物Ａを１００℃で１時間加熱後、１５０℃で２時間加熱して波長変換層を得た。得られた波長変換層の厚み（ＬＥＤ素子の上面に形成された波長変換層の厚み）は７５０μｍであった。
【０２２４】
［実施例９］
図１に示される、キャビティを有する基板を準備した。基板は、ポリフタル酸アミド（ＰＰＡ）樹脂からなるものとした。基板は、３．２ｍｍ×２．８ｍｍ×１．８ｍｍの直方体に、開口径２．４ｍｍ、壁面角度４５°、深さ０．８５ｍｍの円錐台状のキャビティが形成されたものとした。この基板に配設されたメタル部とＬＥＤ素子とをワイヤで接続してパッケージを得た。ＬＥＤ素子の外形は、３０５μｍ×３３０μｍ×１００μｍとした。また、ＬＥＤ素子の出射光のピーク波長は、４７５ｎｍとした。
【０２２５】
一方、隔壁形成用組成物を調製した。具体的には、前述の反射層形成用組成物１０ｇに１，３−ブタンジオール１０ｇとシリカ（日本アエロジル社製  ＲＸ３００）２ｇとを混合し、粘度が２５０ｍＰａ・ｓになるまで、ホモジナイザー（プライミクス社製  ミニミクサー）で分散させた。
【０２２６】
上記パッケージのＬＥＤ素子の実装領域の周縁部を囲むように隔壁形成用組成物を、ジェットディスペンサーにより塗布した。その後、１５０℃で１時間、隔壁形成用組成物を焼成して隔壁を得た。隔壁は、幅２５０μｍ、厚み１００μｍであり、隔壁の内周とＬＥＤ素子の外周との距離は１００μｍとした。
続いて、隔壁で囲まれた領域の外側の領域（キャビティの底面）を全て覆うように、反射層形成用組成物をディスペンサーにてポッティングした。このとき、ディスペンサーを移動させずに、一点から反射層形成用組成物をポッティングしたが、反射層形成用組成物は、隔壁で囲まれた領域内に侵入せず、ＬＥＤ素子の側面にも付着しなかった。当該反射層形成用組成物を１５０℃で１時間焼成し、隔壁の外側に反射層を形成した。反射層の厚みは５０μｍであった。
【０２２７】
当該パッケージに、前述の波長変換層用組成物Ａをディスペンサーによりポッティングした。そして、波長変換層用組成物Ａを１００℃で１時間加熱後、１５０℃で２時間加熱して波長変換層を得た。得られた波長変換層の厚み（ＬＥＤ素子の上面に形成された波長変換層の厚み）は７５０μｍであった。
【０２２８】
［実施例１０］
図１に示される、キャビティを有する基板を準備した。基板は、ポリフタル酸アミド（ＰＰＡ）樹脂からなるものとした。基板は、３．２ｍｍ×２．８ｍｍ×１．８ｍｍの直方体に、開口径２．４ｍｍ、壁面角度４５°、深さ０．８５ｍｍの円錐台状のキャビティが形成されたものとした。この基板に配設されたメタル部とＬＥＤ素子とをワイヤで接続してパッケージを得た。ＬＥＤ素子の外形は、３０５μｍ×３３０μｍ×１００μｍであり、当該ＬＥＤ素子の出射光のピーク波長は、４７５ｎｍとした。上記基板には、ＬＥＤ素子の実装領域の外周を囲むように、機械加工によって溝が形成されているものとした。当該溝の幅は５００μｍ、深さ１００μｍであり、溝の内周とＬＥＤ素子の外周との距離は１００μｍとした。
【０２２９】
続いて、溝および、溝の外側の領域（キャビティの底面）を全て覆うように、前述の反射層形成用組成物をディスペンサーにてポッティングした。このとき、ディスペンサーを移動させずに、一点から反射層形成用組成物をポッティングしたが、溝より内側に反射層形成用組成物が侵入することはなく、ＬＥＤ素子の側面に反射層形成用組成物は付着しなかった。当該反射層形成用組成物を１５０℃で１時間焼成し、反射層を形成した。反射層の厚みは３０μｍであった。
【０２３０】
当該パッケージに、前述の波長変換層用組成物Ａをディスペンサーによりポッティングした。そして、波長変換層用組成物Ａを１００℃で１時間加熱後、１５０℃で２時間加熱して波長変換層を得た。得られた波長変換層の厚み（ＬＥＤ素子の上面に形成された波長変換層の厚み）は７５０μｍであった。
【０２３１】
［実施例１１］
図１に示される、キャビティを有する基板を準備した。基板は、ポリフタル酸アミド（ＰＰＡ）樹脂からなるものとした。基板は、３．２ｍｍ×２．８ｍｍ×１．８ｍｍの直方体に、開口径２．４ｍｍ、壁面角度４５°、深さ０．８５ｍｍの円錐台状のキャビティが形成されたものとした。この基板のＬＥＤ素子実装領域に、４００μｍ×４００μｍ×１００μｍの銅板を接着した。そして、当該銅板上にＬＥＤ素子を実装し、メタル部とＬＥＤ素子とをワイヤで接続してパッケージを得た。ＬＥＤ素子の外形は、３０５μｍ×３３０μｍ×１００μｍとし、ＬＥＤ素子の出射光のピーク波長は、４７５ｎｍとした。
【０２３２】
銅板の外側の領域（キャビティの底面）を全て覆うように、前述の反射層形成用組成物をディスペンサーにてポッティングした。このとき、ディスペンサーを移動させずに、一点から反射層形成用組成物をポッティングしたが、ＬＥＤ素子の側面に反射層形成用組成物は付着しなかった。当該反射層形成用組成物を１５０℃で１時間焼成し、反射層を形成した。反射層の厚みは３０μｍであった。
【０２３３】
当該パッケージに、前述の波長変換層用組成物Ａをディスペンサーによりポッティングした。そして、波長変換層用組成物Ａを１００℃で１時間加熱後、１５０℃で２時間加熱して波長変換層を得た。得られた波長変換層の厚み（ＬＥＤ素子の上面に形成された波長変換層の厚み）は７５０μｍであった。
【０２３４】
［実施例１２］
図１に示される、キャビティを有する基板を準備した。基板は、ポリフタル酸アミド（ＰＰＡ）樹脂からなるものとした。基板は、３．２ｍｍ×２．８ｍｍ×１．８ｍｍの直方体に、開口径２．４ｍｍ、壁面角度４５°、深さ０．８５ｍｍの円錐台状のキャビティが形成されたものとした。この基板に配設されたメタル部とＬＥＤ素子とをワイヤで接続してパッケージを得た。ＬＥＤ素子の外形は、３０５μｍ×３３０μｍ×１００μｍとした。また、ＬＥＤ素子の出射光のピーク波長は、４７５ｎｍとした。
【０２３５】
このパッケージを上下反転させて、ＬＥＤ素子の発光面を鉛直下方に向けて設置した。そして、前述の波長変換層用組成物Ａをシリンジに充填し、当該シリンジにプランジャを装填してからエアアダプターを装着した。当該シリンジのニードルを上方に向けて固定し、ニードル先端とＬＥＤ素子の発光面とのクリアランスを５０μｍとし、ＬＥＤ素子及びその周縁部に、波長変換層用組成物Ａを塗布した。塗布条件は、ＬＥＤ素子全体およびその周縁部が被覆されるよう、適宜調整した。
【０２３６】
波長変換層用組成物Ａを塗布したパッケージをＬＥＤ素子の発光面を鉛直下方に向けたまま、１００℃で１時間加熱し、さらに１５０℃で２時間加熱して波長変換層を得た。その後、当該パッケージを上下反転させて、ＬＥＤ素子の発光面を鉛直上方に向けて設置した。そして波長変換層の外側の領域（キャビティの底面）を全て覆うように、前述の反射層形成用組成物を、波長変換層の周囲にディスペンサーでポッティングした。当該反射層形成用組成物を１５０℃で１時間焼成して、ＬＥＤ素子の実装領域の周縁部の外側に反射層を形成した。得られた反射層の厚みは３０μｍであった。
その後、シリコーン樹脂（信越シリコーン社製、ＫＥＲ２６００）をディスペンサーにてポッティングした。当該シリコーン樹脂を１００℃で１時間加熱後、１５０℃で２時間加熱して、封止層を形成した。封止層の厚み（ＬＥＤ素子の上面に形成された封止層の厚み）は７００μｍであった。
【０２３７】
［実施例１３］
実施例２と同様の、メタル部とＬＥＤ素子とが突起電極で接続されたパッケージを準備した。当該パッケージのＬＥＤ素子（実装領域）及びその周縁部を被覆するように、フッ素シリコーンコーティング剤（信越化学工業社製、ＫＰ−９１１）をディスペンサーでポッティングした。当該フッ素シリコーンコーティング剤を常温で乾燥し、ＬＥＤ素子の実装領域及びその周縁部を撥液剤で保護した。
【０２３８】
ＬＥＤ素子の実装領域の外側の領域（キャビティの底面）を全て覆うように、前述の反射層形成用組成物を、ディスペンサーでポッティングした。このとき、ディスペンサーを移動させずに、一点から反射層形成用組成物をポッティングしたが、ＬＥＤ素子の側面に反射層形成用組成物は付着しなかった。当該反射層形成用組成物を１５０℃で１時間焼成して、ＬＥＤ素子の実装領域の周縁部の外側に、反射層を形成した。得られた反射層の厚みは２５μｍであった。
【０２３９】
続いて、波長変換層用組成物Ａをディスペンサーにてポッティングした。当該波長変換層用組成物Ａを１００℃で１時間加熱後、１５０℃で２時間加熱して、波長変換層を形成した。得られた波長変換層の厚み（ＬＥＤ素子の上面に形成された波長変換層の厚み）は７５０μｍであった。
【産業上の利用可能性】
【０２４０】
本発明の方法で得られるＬＥＤ装置は、反射層が経時劣化することがない。そのため、ＬＥＤ装置からの光取り出し効率が、長期間に亘って良好である。したがって、大光量が必要とされる自動車用ヘッドライトをはじめ、屋内、屋外で使用される各種照明装置に好適である。
【符号の説明】
【０２４１】
１  基板
２  ＬＥＤ素子
３  メタル部
４  ワイヤ
５  突起電極
６  キャビティ内壁面
１１  波長変換層
２１  反射層
３１  透光層
１００  ＬＥＤ装置
【図１】
2014158011.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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