(57)【要約】      （修正有）【課題】活性層に異方的な応力を付与でき、かつ製造が容易な面発光レーザ素子を提供する。【解決手段】面発光レーザ素子１００は、基板１０１と、該基板１０１上に積層された第１反射鏡１０３と、該第１反射鏡１０３上に積層された活性層１０５と、該活性層１０５上に積層され、Ａｌを組成に含む選択酸化層１０８が内部に配置された第２反射鏡１０７とを含む積層体が、少なくとも選択酸化層１０８の活性層１０５側の面に達するまでエッチングされて形成されたメサを備え、メサの周辺部には、酸化処理が施されている。そして、第２反射鏡１０７は、交互に積層された、Ａｌの組成が互いに異なる高屈折率層及び低屈折率層を含み、該低屈折率層の周辺部が酸化されてなる酸化物が部分的に除去されている。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に垂直な方向にレーザ光を射出する面発光レーザ素子であって、
前記基板と、該基板上に積層された第１反射鏡と、該第１反射鏡上に積層された活性層と、該活性層上に積層され、Ａｌを組成に含む選択酸化層が内部に配置された第２反射鏡とを含む積層体が、少なくとも前記選択酸化層の前記活性層側の面に達するまでエッチングされて形成されたメサを備え、
前記メサの周辺部には、酸化処理が施されており、
前記第２反射鏡は、交互に積層された、Ａｌの組成が互いに異なる高屈折率層及び低屈折率層を含み、
前記低屈折率層の周辺部が酸化されてなる酸化物が部分的に除去されていることを特徴とする面発光レーザ素子。
【請求項２】
前記メサの底面は、前記第１反射鏡上に位置していることを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ素子。
【請求項３】
前記第１反射鏡は、ＡｌＡｓからなる層を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の面発光レーザ素子。
【請求項４】
前記低屈折率層及び前記高屈折率層は、ＡｌＧａＡｓ系の化合物からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子。
【請求項５】
前記酸化物は、前記基板の法線に直交し、かつ互いに直交する２軸方向のうちの一軸方向の両端に位置する部分が除去され、前記２軸方向のうちの他軸方向の両端に位置する部分が残留していることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子。
【請求項６】
アレイ状に配列された複数の請求項１〜５のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子を含む面発光レーザアレイ。
【請求項７】
レーザ光によって被走査面を走査する光走査装置であって、
請求項１〜５のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子又は請求項６に記載の面発光レーザアレイを有する光源装置と、
前記光源装置からのレーザ光を偏向する光偏向器と、
前記光偏向器で偏向されたレーザ光を前記被走査面上に集光する走査光学系と、を備える光走査装置。
【請求項８】
少なくとも１つの像担持体と、
前記少なくとも１つの像担持体に対して画像情報に応じて変調された光を走査する少なくとも１つの請求項７に記載の光走査装置と、を備える画像形成装置。
【請求項９】
基板に垂直な方向にレーザ光を射出する面発光レーザ素子の製造方法であって、
前記基板上に第１反射鏡と、活性層と、交互に積層された、Ａｌの組成が互いに異なる高屈折率層及び低屈折率層を含み、Ａｌを組成に含む選択酸化層が内部に配置された第２反射鏡を、この順に積層して積層体を作成する工程と、
前記積層体を、少なくとも前記選択酸化層の前記活性層側の面に達するまでエッチングしてメサを形成する工程と、
前記メサの周辺部を酸化する工程と、
前記低屈折率層の周辺部が酸化されてなる酸化物を部分的に除去する工程と、を含む面発光レーザ素子の製造方法。
【請求項１０】
前記除去する工程では、前記酸化物の一部に保護膜が形成された後、エッチングによって、前記酸化物の残部のみが除去されることを特徴とする請求項９に記載の面発光レーザ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置、画像形成装置及び面発光レーザ素子の製造方法に係り、更に詳しくは、基板に垂直な方向にレーザ光を射出する面発光レーザ素子、アレイ状に配列された複数の前記面発光レーザ素子を含む面発光レーザアレイ、前記面発光レーザ素子又は前記面発光レーザアレイを備える光走査装置、該光走査装置を備える画像形成装置、及び前記面発光レーザ素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板上に活性層を含む複数の半導体層が積層されて成る積層体がエッチングされて形成されたメサを備える面発光型のレーザが知られている（例えば特許文献１及び２参照）。
【０００３】
このレーザでは、活性層に異方的な応力が付与されることで、レーザ光（射出光）の偏光方向が制御されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１及び２に開示されているレーザでは、活性層に異方的な応力を付与するために、メサの周辺部を不均一に酸化する必要があり、製造が容易でなかった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、基板に垂直な方向にレーザ光を射出する面発光レーザ素子であって、前記基板と、該基板上に積層された第１反射鏡と、該第１反射鏡上に積層された活性層と、該活性層上に積層され、Ａｌを組成に含む選択酸化層が内部に配置された第２反射鏡とを含む積層体が、少なくとも前記選択酸化層の前記活性層側の面に達するまでエッチングされて形成されたメサを備え、前記メサの周辺部には、酸化処理が施されており、前記第２反射鏡は、交互に積層された、Ａｌの組成が互いに異なる高屈折率層及び低屈折率層を含み、前記低屈折率層の周辺部が酸化されてなる酸化物が部分的に除去されていることを特徴とする面発光レーザ素子である。
【発明の効果】
【０００６】
これによれば、活性層に異方的な応力を付与でき、かつ製造が容易な面発光レーザ素子を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施形態のレーザプリンタの概略構成を示す図である。
【図２】図１における光走査装置を説明するための図である。
【図３】図２における光源装置が有する面発光レーザ素子のＸＺ断面図である。
【図４】図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、それぞれ面発光レーザ素子の傾斜基板について説明するための図（その１及びその２）である。
【図５】面発光レーザ素子のＹＺ断面図である。
【図６】図６（Ａ）は、面発光レーザ素子の平面図であり、図６（Ｂ）は、面発光レーザ素子の第２反射鏡の低屈折率層のＸＹ断面図である。
【図７】図７（Ａ）〜図７（Ｃ）は、それぞれ面発光レーザ素子の製造方法を説明するための図（その１〜その３）である。
【図８】図８（Ａ）及び図８（Ｂ）は、それぞれ面発光レーザ素子の製造方法を説明するための図（その４）である。
【図９】図９（Ａ）及び図９（Ｂ）は、それぞれ面発光レーザ素子の製造方法を説明するための図（その５）である。
【図１０】図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）は、それぞれ面発光レーザ素子の製造方法を説明するための図（その６）である。
【図１１】図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）は、それぞれ面発光レーザ素子の製造方法を説明するための図（その７）である。
【図１２】図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）は、それぞれ面発光レーザ素子の製造方法を説明するための図（その８）である。
【図１３】図１３（Ａ）は、変形例の面発光レーザ素子の平面図であり、図１３（Ｂ）は、変形例の面発光レーザ素子の第２反射鏡の低屈折率層のＸＹ断面図である。
【図１４】変形例の面発光レーザアレイを説明するための図である。
【図１５】カラープリンタの概略構成を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の一実施形態を、図１〜図１２（Ｂ）を用いて説明する。図１には、一実施形態に係るレーザプリンタ１０００の概略構成が示されている。
【０００９】
このレーザプリンタ１０００は、光走査装置１０１０、感光体ドラム１０３０、帯電チャージャ１０３１、現像ローラ１０３２、転写チャージャ１０３３、除電ユニット１０３４、クリーニングユニット１０３５、トナーカートリッジ１０３６、給紙コロ１０３７、給紙トレイ１０３８、レジストローラ対１０３９、定着ローラ１０４１、排紙ローラ１０４２、排紙トレイ１０４３、通信制御装置１０５０、及び上記各部を統括的に制御するプリンタ制御装置１０６０などを備えている。なお、これらは、プリンタ筐体１０４４の中の所定位置に収容されている。
【００１０】
通信制御装置１０５０は、ネットワークなどを介した上位装置（例えばパソコン）との双方向の通信を制御する。
【００１１】
感光体ドラム１０３０は、円柱状の部材であり、その表面には感光層が形成されている。すなわち、感光体ドラム１０３０の表面が被走査面である。そして、感光体ドラム１０３０は、図１における矢印方向に回転するようになっている。
【００１２】
帯電チャージャ１０３１、現像ローラ１０３２、転写チャージャ１０３３、除電ユニット１０３４及びクリーニングユニット１０３５は、それぞれ感光体ドラム１０３０の表面近傍に配置されている。そして、感光体ドラム１０３０の回転方向に沿って、帯電チャージャ１０３１→現像ローラ１０３２→転写チャージャ１０３３→除電ユニット１０３４→クリーニングユニット１０３５の順に配置されている。
【００１３】
帯電チャージャ１０３１は、感光体ドラム１０３０の表面を均一に帯電させる。
【００１４】
光走査装置１０１０は、帯電チャージャ１０３１で帯電された感光体ドラム１０３０の表面を、上位装置からの画像情報に基づいて変調されたレーザ光により走査し、感光体ドラム１０３０の表面に画像情報に対応した潜像を形成する。ここで形成された潜像は、感光体ドラム１０３０の回転に伴って現像ローラ１０３２の方向に移動する。なお、この光走査装置１０１０の構成については後述する。
【００１５】
トナーカートリッジ１０３６にはトナーが格納されており、該トナーは現像ローラ１０３２に供給される。
【００１６】
現像ローラ１０３２は、感光体ドラム１０３０の表面に形成された潜像にトナーカートリッジ１０３６から供給されたトナーを付着させて画像情報を顕像化させる。ここでトナーが付着した潜像（以下では、便宜上「トナー像」ともいう）は、感光体ドラム１０３０の回転に伴って転写チャージャ１０３３の方向に移動する。
【００１７】
給紙トレイ１０３８には記録紙１０４０が格納されている。この給紙トレイ１０３８の近傍には給紙コロ１０３７が配置されており、該給紙コロ１０３７は、記録紙１０４０を給紙トレイ１０３８から１枚ずつ取り出し、レジストローラ対１０３９に搬送する。該レジストローラ対１０３９は、給紙コロ１０３７によって取り出された記録紙１０４０を一旦保持するとともに、該記録紙１０４０を感光体ドラム１０３０の回転に合わせて感光体ドラム１０３０と転写チャージャ１０３３との間隙に向けて送り出す。
【００１８】
転写チャージャ１０３３には、感光体ドラム１０３０の表面のトナーを電気的に記録紙１０４０に引きつけるために、トナーとは逆極性の電圧が印加されている。この電圧により、感光体ドラム１０３０の表面のトナー像が記録紙１０４０に転写される。ここで転写された記録紙１０４０は、定着ローラ１０４１に送られる。
【００１９】
定着ローラ１０４１では、熱と圧力とが記録紙１０４０に加えられ、これによってトナーが記録紙１０４０上に定着される。ここで定着された記録紙１０４０は、排紙ローラ１０４２を介して排紙トレイ１０４３に送られ、排紙トレイ１０４３上に順次スタックされる。
【００２０】
除電ユニット１０３４は、感光体ドラム１０３０の表面を除電する。
【００２１】
クリーニングユニット１０３５は、感光体ドラム１０３０の表面に残ったトナー（残留トナー）を除去する。残留トナーが除去された感光体ドラム１０３０の表面は、再度帯電チャージャ１０３１に対向する位置に戻る。
【００２２】
次に、前記光走査装置１０１０の構成について説明する。この光走査装置１０１０は、一例として図２に示されるように、光源装置１４、カップリングレンズ１５、開口板１６、シリンドリカルレンズ１７、反射ミラー１８、ポリゴンミラー１３、偏向器側走査レンズ１１ａ、像面側走査レンズ１１ｂ、及び走査制御装置（図示省略）などを備えている。そして、これらは、ハウジング３０の中の所定位置に組み付けられている。
【００２３】
なお、以下では、便宜上、主走査方向に対応する方向を「主走査対応方向」と略述し、副走査方向に対応する方向を「副走査対応方向」と略述する。そして、図２に示されるようなＸＹＺ３次元直交座標系を用いて説明する。この場合、Ｘ軸方向が主走査対向方向であり、Ｙ軸方向が副走査対応方向である。
【００２４】
光源装置１４は、レーザ光をＺ軸方向に射出する。光源装置１４については、後に詳述する。
【００２５】
カップリングレンズ１５は、光源装置１４からのレーザ光を略平行光とする。
【００２６】
開口板１６は、開口部を有し、カップリングレンズ１５を介したレーザ光のビーム径を規定する。
【００２７】
シリンドリカルレンズ１７は、開口板１６の開口部を通過したレーザ光を、反射ミラー１８を介してポリゴンミラー１３の偏向反射面近傍に副走査対応方向に関して結像する。
【００２８】
光源装置１４とポリゴンミラー１３との間の光路上に配置される光学系は、偏向器前光学系とも呼ばれている。本実施形態では、偏向器前光学系は、カップリングレンズ１５と開口板１６とシリンドリカルレンズ１７と反射ミラー１８とから構成されている。
【００２９】
ポリゴンミラー１３は、一例として内接円の半径が１８ｍｍの６面鏡を有し、各鏡がそれぞれ偏向反射面となる。このポリゴンミラー１３は、副走査対応方向に平行な軸の周りを等速回転しながら、反射ミラー１８からのレーザ光を偏向する。
【００３０】
偏向器側走査レンズ１１ａは、ポリゴンミラー１３で偏向されたレーザ光の光路上に配置されている。
【００３１】
像面側走査レンズ１１ｂは、偏向器側走査レンズ１１ａを介したレーザ光の光路上に配置されている。そして、この像面側走査レンズ１１ｂを介したレーザ光が、感光体ドラム１０３０の表面に照射（集光）され、光スポットが形成される。この光スポットは、ポリゴンミラー１３の回転に伴って感光体ドラム１０３０の長手方向に移動する。すなわち、感光体ドラム１０３０上を走査する。このときの光スポットの移動方向が「主走査方向」である。また、感光体ドラム１０３０の回転方向が「副走査方向」である。
【００３２】
ポリゴンミラー１３と感光体ドラム１０３０との間の光路上に配置された光学系は、走査光学系とも呼ばれている。本実施形態では、走査光学系は、偏向器側走査レンズ１１ａと像面側走査レンズ１１ｂとから構成されている。なお、偏向器側走査レンズ１１ａと像面側走査レンズ１１ｂの間の光路上、及び像面側走査レンズ１１ｂと感光体ドラム１０３０の間の光路上の少なくとも一方に、少なくとも１つの折り返しミラーが配置されても良い。
【００３３】
光源装置１４は、一例として、図３に示されるように、メサ構造を有する発光部１００ａを含む面発光レーザ素子１００、該面発光レーザ素子１００が実装されるパッケージ（不図示）などを有している。
【００３４】
各面発光レーザ素子１００は、一例として、発振波長が７８０ｎｍ帯の面発光レーザ素子であり、基板１０１、バッファ層１０２、第１反射鏡１０３、下部スペーサ層１０４、活性層１０５、上部スペーサ層１０６、第２反射鏡１０７、コンタクト層１０９、ｐ側電極１１０ａ、保護層１１１、ｎ側電極１１２などを有している。
【００３５】
基板１０１は、表面が鏡面研磨面であり、図４（Ａ）に示されるように、鏡面研磨面（主面）の法線方向（Ｚ軸方向）が、結晶方位［１  ０  ０］方向に対して、結晶方位［１  １  １］Ａ方向に向かってθ（例えば１５°）傾斜したｎ−ＧａＡｓ単結晶基板である。すなわち、基板１０１はいわゆる傾斜基板である。ここでは、図４（Ｂ）に示されるように、結晶方位［０  −１  １］方向が＋Ｘ方向、結晶方位［０  １  −１］方向が−Ｘ方向となるように配置されている。
【００３６】
図３に戻り、バッファ層１０２は、例えばｎ−ＧａＡｓからなる層であり、基板１０１の＋Ｚ側に積層されている。
【００３７】
第１反射鏡１０３は、一例として、Ｚ軸方向に交互に積層された低屈折率層及び高屈折率層を含む半導体多層膜反射鏡であり、バッファ層１０２の＋Ｚ側に積層されている。詳述すると、第１反射鏡１０３は、発振波長をλとしたとき、光学的厚さがλ／４となる膜厚のｎ−ＡｌＡｓからなる低屈折率層と、光学的厚さがλ／４となる膜厚のｎ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる高屈折率層のペアがｎ−ＡｌＡｓから始まり、４０．５ペア積層されている。なお、光学的厚さがλ／４のとき、その層の実際の厚さＤは、Ｄ＝λ／４ｎ（但し、ｎはその層の媒質の屈折率）である。
【００３８】
各屈折率層の間には、電気抵抗を低減するため、一方の組成から他方の組成へ向かって組成を徐々に変化させた厚さ２０ｎｍの組成傾斜層が設けられている。なお、上記各屈折率層の膜厚はいずれも、隣接する組成傾斜層の１／２を含んでいる。
【００３９】
下部スペーサ層１０４は、例えば（Ａｌ０．１Ｇａ０．９）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなる層であり、第１反射鏡１０３の＋Ｚ側に積層されている。
【００４０】
活性層１０５は、例えばＧａＩｎＡｓＰ／ＧａＩｎＰからなる３重量子井戸構造の活性層であり、下部スペーサ層１０４の＋Ｚ側に積層されている。
【００４１】
上部スペーサ層１０６は、例えば（Ａｌ０．１Ｇａ０．９）０．５Ｉｎ０．５ＰＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓからなる層であり、活性層１０５の＋Ｚ側に積層されている。
【００４２】
下部スペーサ層１０４と活性層１０５と上部スペーサ層１０６とからなる部分は、共振器構造体とも呼ばれており、その厚さが１波長の光学的厚さとなるように設定されている。なお、活性層１０５は、高い誘導放出確率が得られるように、電界の定在波分布における腹に対応する位置である共振器構造体の中央に設けられている。
【００４３】
第２反射鏡１０７は、一例として、Ｚ軸方向に交互に積層された低屈折率層及び高屈折率層を含む半導体多層膜反射鏡であり、上部スペーサ層１０６の＋Ｚ側に積層されている。
【００４４】
詳述すると、第２反射鏡１０７では、一例として、ｐ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓからなる低屈折率層とｐ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる高屈折率層のペアが、ｐ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓからなる低屈折率層から始まり、２５ペア積層されている。各屈折率層の間には組成傾斜層が設けられている。そして、各屈折率層はいずれも、隣接する組成傾斜層の１／２を含んで、λ／４の光学的厚さとなるように設定されている。
【００４５】
第２反射鏡１０７には、例えばｐ−ＡｌＡｓからなる選択酸化層１０８が厚さ３０ｎｍで挿入されている。なお、選択酸化層１０８は、ｐ−ＡｌＡｓ層の＋Ｚ側及び−Ｚ側の少なくとも一方に例えば組成傾斜層、中間層などの層を含んでいても良く、ここでは、酸化されている領域（酸化領域１０８ａ）及び酸化されていない領域（非酸化領域１０８ｂ）を併せて選択酸化層１０８と呼ぶ。
【００４６】
この選択酸化層１０８の挿入位置は、一例として、電界の定在波分布において、活性層１０５から３番目となる節に対応する位置である。なお、酸化領域１０８ａは、発光部１００ａに注入される駆動電流の経路をメサの中央部（非酸化領域１０８ｂ）だけに制限するため、電流狭窄領域とも呼ばれる。一方、非酸化領域１０８ｂは、電流通過領域とも呼ばれる。
【００４７】
コンタクト層１０９は、例えばｐ−ＧａＡｓからなる層であり、第２反射鏡１０７の＋Ｚ側に積層されている。なお、コンタクト層の材料は、ｐ−ＧａＡｓ以外であっても良い。
【００４８】
コンタクト層１０９からは、電極パッド（不図示）に延伸する、例えばｐ−ＳｉＮ、ｐ−ＳｉＯＮ又はｐ−ＳｉＯ２からなる光学的に透明な誘電体層である保護層１１１によって絶縁された、リング状のｐ側電極１１０ａを含む金属配線１１０が形成されている（図６（Ａ）参照）。金属配線１１０及び電極パッドは、オーミック材料のＡｕＺｎと配線材としてのＡｕがリフトオフ法により形成される。
【００４９】
以上のように構成される面発光レーザ素子１００は、基板１０１に垂直な方向（Ｚ軸方向）にレーザ光を射出する。面発光レーザ素子１００では、一例として、射出光の所望の偏光方向がＹ軸方向とされている。
【００５０】
ここで、上述の如く、第２反射鏡１０７は、交互に積層され、Ａｌ組成が互いに異なるＡｌＧａＡｓからなる高屈折率層及び低屈折率層を含み、電流狭窄領域を有する選択酸化層１０８が内部に配置されている。
【００５１】
一般に、半導体多層膜反射鏡は、高い反射率を得るために、低屈折率層と高屈折率層のＡｌの組成差が大きくなるように設計される。例えば、ＡｌＧａＡｓ系の材料（化合物）は、Ａｌ組成が高いほど屈折率が低くなる性質があるため、低屈折率層には、高屈折率層よりもＡｌ組成が高いものが用いられる。また、ＡｌＧａＡｓ系の材料は、Ａｌ組成が高いほど酸化し易い性質があるため、電流狭窄領域が形成される層（選択酸化層）には、Ａｌ組成が高いものが用いられる。
【００５２】
そこで、本実施形態では、Ａｌ組成は、選択酸化層１０８、第２反射鏡１０７の高屈折率層及び低屈折率層のうち、選択酸化層１０８が最も高くされ、低屈折率層が最も低くされている。
【００５３】
また、本実施形態では、後述するように、面発光レーザ素子１００の製造時に、高温水蒸気雰囲気中に発光部１００ａとなるメサを曝す酸化処理が行われる。この酸化処理では、Ａｌ組成が高い層ほど、メサ側面から中央にかけて酸化される距離（以下では、酸化距離とも称する）が長くなる。すなわち、酸化距離は、選択酸化層１０８、高屈折率層及び低屈折率層のうち、選択酸化層１０８が最も長くなり、高屈折率層が最も短くなる（図３参照）。結果として、選択酸化層１０８の周辺部に酸化領域１０８ａが形成される。また、低屈折率層の周辺部に酸化領域１０８ａよりも小さい、外周から中央に向けて凸状の酸化物が生成される。なお、高屈折率層の周辺部は、ほとんど酸化されない。
【００５４】
ところで、第２反射鏡１０７の低屈折率層の周辺部が酸化すると、該周辺部の体積が収縮するため、該周辺部に対してほぼ均等に引っ張り応力が作用する。この結果、活性層１０５の周辺部に対してもほぼ均等に引っ張り応力が作用する。
【００５５】
そこで、第２反射鏡１０７の各低屈折率層の周辺部（酸化物）のＹ軸方向の両端部分を除去すると（図５参照）、活性層１０５のＸ軸方向の両端部分に作用する引っ張り応力は、活性層１０５のＹ軸方向の両端部分に作用する引っ張り応力よりも大きくなる。すなわち、活性層１０５に対して、異方性の応力が付与される。
【００５６】
この場合、Ｘ軸及びＹ軸方向間で光学利得に差を生じさせることができ、偏光方向を制御することができる。具体的には、引っ張り応力が小さい方向であるＹ軸方向の偏光成分を強くすることができ、引っ張り応力が大きい方向であるＸ軸方向の偏光成分を弱くすることができる。この結果、偏光方向を所望の偏光方向であるＹ軸方向に安定化させることができる
【００５７】
そこで、本実施形態では、上述の如く、第２反射鏡１０７の各低屈折率層の酸化物のうち、Ｙ軸方向の両端部分を除去し、Ｘ軸方向の両端部分を残留させることとしている（図６（Ｂ）参照）。
【００５８】
次に、面発光レーザ素子１００の製造方法について説明する。なお、基板１０１上に複数の半導体層が積層されたものを、以下では、便宜上「積層体」ともいう。
【００５９】
（１）有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）あるいは分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ法）による結晶成長によって、積層体を作成する。ここでは、ＭＯＣＶＤ法を用いた例を示す。また、ここでは、ＩＩＩ族の原料には、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）を用い、Ｖ族の原料には、フォスフィン（ＰＨ３）、アルシン（ＡｓＨ３）を用いている。また、ＡｌＧａＡｓ系のｐ型ドーパントの原料には四臭化炭素（ＣＢｒ４）、ＡｌＧａＩｎＰ系のｐ型ドーパントにはジメチルジンク（ＤＭＺｎ）を用い、ｎ型ドーパントの原料にはセレン化水素（Ｈ２Ｓｅ）を用いている。
【００６０】
ここでは、有機金属気層成長法を用いて、基板１０１上にバッファ層１０２、第１反射鏡１０３、下部スペーサ層１０４、活性層１０５、上部スペーサ層１０６、第２反射鏡１０７及びコンタクト層１０９を、この順に積層して積層体を作成する（図７（Ａ）参照）。
【００６１】
（２）積層体の＋Ｚ側の面上に、例えば直径が２５μｍの円形のレジストパターンＰ１を形成する（図７（Ｂ）参照）。
【００６２】
（３）積層体を、レジストパターンＰ１をフォトマスクとして、ＩＣＰドライエッチング法を用いてエッチングする。ここでは、エッチングは、上部スペーサ層１０６の内部に達するまで行われる。すなわち、本実施形態では、上部スペーサ層１０６及び活性層１０５に、難エッチング材料であるＩｎを含む化合物を用いてエッチングレートを低下させることで、エッチング底面を、上部スペーサ層１０６内に位置させている。結果として、上部スペーサ層１０６内に底面が位置する円柱形状（又は円柱台形状）のメサが形成される（図７（Ｃ）参照）。
【００６３】
（４）レジストパターンＰ１を除去する。
【００６４】
（５）メサを酸化対象として、酸化処理を行う。ここでは、メサが加熱水蒸気雰囲気に曝されることで、Ａｌを含む選択酸化層１０８、第２反射鏡１０７のＡｌを含む低屈折率層及び高屈折率層がそれぞれ外周から中央にかけて酸化される（図８（Ａ）及び図８（Ｂ）参照）。この場合、Ａｌの組成が高い層ほど、酸化距離が長くなる。すなわち、酸化距離は、選択酸化層１０８、低屈折率層及び高屈折率層のうち、選択酸化層１０８が最も長く、高屈折率層が最も短い。
【００６５】
結果として、選択酸化層１０８の周辺部が酸化領域１０８ａ（電流狭窄領域）となり、選択酸化層１０８の中央部に、酸化領域１０８ａによって囲まれた直径が４μｍ〜６μｍの円形の非酸化領域１０８ｂ（電流通過領域）が残留する。また、第２反射鏡１０７の低屈折率層の周辺部が酸化され、外周から中央に向けて凸状の酸化物が生成される。なお、第２反射鏡１０７の高屈折率層は、Ａｌの組成が低いため、ほとんど酸化されない。
【００６６】
（６）フォトリソグラフィ技術を用いて、メサが形成された積層体にレジストパターンＰ２を形成する。ここでは、レジストパターンＰ２は、Ｘ軸方向に関してメサ側面にレジストが形成され、Ｙ軸方向に関してメサ側面にレジストが形成されないようなレジストパターンとされている（図９（Ａ）及び図９（Ｂ）参照）。
【００６７】
（７）レジストパターンＰ２をマスクとして、一例として、フッ酸系の化合物（例えばＢＨＦ）をエッチャントに用いたウエットエッチングを施し、第２反射鏡１０７の低屈折率層の酸化物を除去する。この際、Ｙ軸方向に関しては、レジストがないため、酸化物がエッチングされるが（図１０（Ｂ）参照）、Ｘ軸方向に関しては、レジストがあるため、酸化物がエッチングされず、残留する（図１０（Ａ）参照）。この結果、第２反射鏡１０７の低屈折率層の周辺部には酸化物が残存している領域と酸化物が除去されている領域とが混在する（図６（Ｂ）参照）。すなわち、ここでは、第２反射鏡１０７の低屈折率層の周辺部に生成された酸化物の一部を残留させ、残部のみを除去する。
【００６８】
（８）レジストパターンＰ２を除去する。
【００６９】
（９）気相化学堆積法（ＣＶＤ法）を用いて、ＳｉＮ、ＳｉＯＮあるいはＳｉＯ２からなる保護層１１１を形成する（図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）参照）。
【００７０】
（１０）メサ頂部にｐ側電極コンタクトの窓開けを行う。すなわち、コンタクトホールを形成する。ここでは、メサ頂部上にレジストを均一に塗布し、該レジストの周辺部上にフォトマスクを形成した後、露光して該レジストの中央部のみを除去する。次いで、メサ頂部の中央の保護層１１１を、例えばＢＨＦ（バッファードフッ酸）をエッチャントに用いてウエットエッチングし、コンタクトホールを形成する（図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）参照）。
【００７１】
（１１）メサ頂部の光射出口となる領域に直径が１０μｍの円形のレジストパターンと、電極パッドとコンタクト層１０９とを電気的に接続する金属配線１１０を形成するためのレジストパターンを形成し、配線材料の蒸着を行い、リング状のｐ側電極１１０ａを含む金属配線１１０を形成する。ここでは、金属配線１１０の配線材料としてはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる多層膜が用いられる。
【００７２】
（１２）リフトオフ法によって、光射出口となる領域上の不要な配線材料をレジストと共に除去する。この結果、メサ頂部に、リング状のｐ側電極１１０ａで囲まれた光射出口が形成される（図６（Ａ）参照）。
【００７３】
（１３）基板１０１の裏側を所定の厚さ（例えば１００μｍなど）まで研磨した後、蒸着によってｎ側電極１１２を形成する。ここでは、ｎ側電極１１２はＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなる多層膜である。
【００７４】
（１４）アニールによって、ｐ側電極１１０ａとｎ側電極１１２のオーミック導通をとる。これにより、メサは発光部となる。
【００７５】
（１５）スクライブ工程、ブレーキング工程により、素子毎に分割する。
【００７６】
（１６）そして、種々の後工程を経て、チップ状の面発光レーザ素子１００が得られる（図３及び図５参照）。
【００７７】
以上説明した本実施形態の面発光レーザ素子１００は、基板１０１と、該基板１０１上に積層された第１反射鏡１０３と、該１反射鏡１０３上に積層された活性層１０５と、該活性層１０５上に積層され、Ａｌを組成に含む選択酸化層１０８が内部に配置された第２反射鏡１０７とを含む積層体が、少なくとも選択酸化層１０８の活性層１０５側の面に達するまでエッチングされて形成されたメサを備えている。そして、メサの周辺部には、酸化処理が施されており、第２反射鏡１０７は、交互に積層された、Ａｌの組成が互いに異なるＡｌＧａＡｓからなる高屈折率層及び低屈折率層を含み、該低屈折率層の周辺部が酸化されてなる酸化物が部分的に除去されている。
【００７８】
この場合、各低屈折率層に、基板１０１の法線にそれぞれ直交する複数方向の大きさが異なる引っ張り応力が作用し、活性層１０５に異方的な応力が付与される。この結果、射出光（レーザ光）では、引っ張り応力が強い方向の偏光成分が弱められ、かつ引っ張り応力が弱い方向の偏光成分が強くなる。そこで、射出光の所望の偏光方向を引っ張り応力が弱い方向に設定することで、偏光方向を所望の偏光方向に安定化させることができる。
【００７９】
一方、仮に各低屈折率層の酸化物が全て残留している場合には、活性層に等方的な応力が付与されるため、偏光方向を安定化させることは、困難である。
【００８０】
また、面発光レーザ素子１００では、メサの周囲部に酸化処理を施し、一般的なフォトリソグラフィ法によってメサ側面に部分的に保護膜を形成し、エッチングによって酸化物を部分的に除去することによって、活性層１０５に異方的な応力を付与できるメサを形成できる。
【００８１】
結果として、本実施形態によると、活性層に異方的な応力を付与でき、かつ製造が容易な面発光レーザ素子１００を提供できる。
【００８２】
また、第２反射鏡１０７の各低屈折率層の酸化物は、基板１０１の法線（Ｚ軸）に直交し、かつ互いに直交する２軸方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向）のうちの一軸方向（Ｙ軸方向）の両端に位置する部分が除去され、他軸方向（Ｘ軸方向）の両端に位置する部分が残留している。この場合、偏光方向を所望の偏光方向であるＹ軸方向に確実に安定化させることができる。
【００８３】
一方、例えば特許文献１及び２では、偏光方向の制御のために、メサの第１反射鏡（下部反射鏡）の周辺部を不均一に酸化して、メサの第１反射鏡の周辺部に不均一に分布する酸化部を形成することによって、活性層に異方的な応力を付与している。この場合、ドライエッチングにてメサを形成する際に、積層体に幅及び深さが不均一な溝部を形成し、メサのＡｌＧａＡｓ層を不均一に酸化している。結果として、特許文献１及び２に開示されているレーザでは、溝部の終端を制御してメサを不均一に酸化する必要があり、製造が容易でなかった。
【００８４】
また、本実施形態では、第１反射鏡１０３の低屈折率層の材料に、ＡｌＧａＡｓよりも熱抵抗が低いＡｌＡｓを用いて、素子の放熱性を向上させることで、高い発光効率が得ることができる。
【００８５】
ところで、ＡｌＡｓは酸化され易いため、メサを形成するためのエッチング時に第１反射鏡（下部反射鏡）が露出すること、すなわちエッチング底面が第１反射鏡内に位置することは、好ましくない。
【００８６】
そこで、本実施形態では、上部スペーサ層１０６及び活性層１０５に、難エッチング材料であるＩｎを含む層を用い、エッチングレートを低下させることで、エッチング底面を上部スペーサ層１０６内に位置させている。すなわち、メサの底面を、第１反射鏡１０３上に位置させている。
【００８７】
ここで、第１反射鏡１０３の低屈折率層の材料にＡｌＡｓを用いる場合には、特許文献１及び２のようにメサの第１反射鏡（下部反射鏡）の周辺部に不均一に分布する酸化部を形成することは、困難である。ＡｌＡｓ層は、ＡｌＧａＡｓ層に比べて酸化する速度が非常に速いため、活性層下部での電流経路を狭めてしまうからである。
【００８８】
そこで、不均一に分布する酸化部を、メサの第２反射鏡（上部反射鏡）の周辺部に形成することが考えられる。
【００８９】
しかしながら、電流狭窄領域を有する酸化狭窄型の面発光レーザ素子の場合、不均一に分布する酸化部を形成するための幅及び深さが不均一な溝部を、メサの第２反射鏡（上部反射鏡）の周辺部に形成することは、困難である。以下に、その理由を説明する。
【００９０】
酸化狭窄型の面発光レーザ素子を製造する際には、選択酸化層を側面から均一に酸化して、電流経路をメサの中央に限定するための電流狭窄領域を形成する必要がある。このために、メサ形成時に積層体を少なくとも選択酸化層の活性層側（−Ｚ側）の面に達するまでエッチングする必要がある。すなわち、エッチングにより、積層体に形成される溝部の終端を選択酸化層よりも活性層側（−Ｚ側）に位置させる必要がある。
【００９１】
ここで、電流狭窄領域を有する選択酸化層は、活性層に近接している必要がある。選択酸化層が活性層から離れると電流経路が拡散し、発光効率の低下を招くからである。この場合、選択酸化層と第１反射鏡との間隔も、非常に短くなる。
【００９２】
この結果、不均一な幅及び深さの溝部の終端を選択酸化層と第１反射鏡との間に位置させるためには、非常にシビア（精密）に終端を制御する必要がある。
【００９３】
結果として、酸化狭窄型の面発光レーザ素子の場合、不均一な幅及び深さの溝部をメサの第２反射鏡の周辺部に形成することは、困難である。すなわち、不均一に分布する酸化部を、メサの第２反射鏡の周辺部に形成することは、困難である。
【００９４】
これに対して、本実施形態では、メサの第２反射鏡１０７の周辺部に生成された酸化物を部分的に除去することで活性層１０５に異方性の応力を付与することとしているため、メサの底面（エッチング底面）を第１反射鏡１０３上に位置させることができる。この結果、ＡｌＧａＡｓ系の化合物で最も熱抵抗率が低いＡｌＡｓを第１反射鏡１０３の低屈折率層に用いることができ、活性層１０５で発生した熱を基板１０１側に高効率で拡散させることができる。
【００９５】
また、面発光レーザ素子１００は、上述の如く、偏光方向が安定しているため、カップリングレンズ１５、シリンドリカルレンズ１７、偏向器側走査レンズ１１ａ、像面側走査レンズ１１ｂなどの光学素子における透過率の偏光依存性に影響を受けないため、光量変動が起こり難く、出力画像における濃度むらを低減することができる。
【００９６】
また、光走査装置１０１０は、面発光レーザ素子１００を備えているため、感光体ドラム上を安定して高精度に走査することができる。
【００９７】
また、レーザプリンタ１０００は、光走査装置１０１０を備えているため、高精細な画像を安定して形成することができる。
【００９８】
なお、図１３（Ａ）に示されるように、例えばメサを平面視矩形状（正方形状を含む）に形成しても良い。ここでは、メサを平面視矩形に形成するために、積層体上に矩形のレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとしてドライエッチングを行っている。これに併せて、ｐ側電極も、四角形枠状に形成している。この場合も、第２反射鏡の各低屈折率層の周辺部に生成された酸化物を部分的に除去することで、活性層に対して異方性の応力を付与でき、偏光方向をより安定化させることができる。ここでは、射出光の所望の偏光方向がＸ軸方向とされている。
【００９９】
図１３（Ｂ）は、図１３（Ａ）に示されるメサの第２反射鏡の低屈折率層のＸＹ断面図である。ここでは、図１３（Ｂ）から分かるように、第２反射鏡の低屈折率層のＸ軸方向の両側の酸化物が除去され、Ｙ軸方向の両側の酸化物が残留している。この場合、活性層に作用するＸ軸方向の引っ張り応力は、活性層に作用するＹ軸方向の引っ張り応力よりも小さくなる。この結果、引っ張り応力が小さいＸ軸方向の偏光成分が強められ、かつ引っ張り応力が大きいＹ軸方向の偏光成分が弱められ、レーザ光（射出光）の偏光方向を、所望の偏光方向であるＸ軸方向に確実に安定化させることができる。また、ここでは、メサの平面形状は、矩形とされているため、例えば円形とされる場合に比べて、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の引っ張り応力の差を大きくできるため、偏光方向をＸ軸方向（所望の偏光方向）に、より安定化させることができる。
【０１００】
また、図１４に示されるように、光源装置は、２次元配列（アレイ状に配列）された複数（例えば４０個）の面発光レーザ素子１００を含む面発光レーザアレイＬＡを有していても良い。
【０１０１】
面発光レーザアレイＬＡでは、各面発光レーザ素子１００の発光部１００ａの中心から副走査方向に対応する方向に垂線を下ろしたときの副走査対応方向における発光部１００ａの中心の間隔が等間隔（間隔ｄ２とする）となるため、発光部１００ａの点灯タイミングを調整することで感光体ドラム１０３０上に複数の光源が副走査方向に等間隔（間隔ｄ２）で並んでいる場合と同様な構成と捉えることができる。
【０１０２】
例えば、副走査対応方向に関する発光部１００ａのピッチｄ１が２６．５μｍであれば、上記間隔ｄ２は２．６５μｍとなる。そして、光学系の倍率を２倍とすれば、感光体ドラム１０３０上では副走査方向に５．３μｍ間隔で書き込みドットを形成することができる。これは、４８００ｄｐｉ（ドット／インチ）に対応している。すなわち、４８００ｄｐｉ（ドット／インチ）の高密度書込みができる。もちろん、主走査対応方向の素子数を増加したり、上記ピッチｄ１を狭くして上記間隔ｄ２を更に小さくするアレイ配置としたり、光学系の倍率を下げる等を行えばより高密度化でき、より高品質の印刷が可能となる。なお、主走査方向の書き込み間隔は、発光部１００ａの点灯タイミングを調整することで容易に制御できる。
【０１０３】
ところで、２つの発光部の間の溝は、各発光部の電気的及び空間的分離のために、５μｍ以上とすることが好ましい。あまり狭いと製造時のエッチングの制御が難しくなるからである。また、メサの大きさ（１辺の長さ）は１０μｍ以上とすることが好ましい。あまり小さいと動作時に熱がこもり、特性が低下するおそれがあるからである。
【０１０４】
面発光レーザアレイＬＡは、前述した面発光レーザ素子１００の製造方法と同様の製造方法で製造することができる。すなわち、面発光レーザ素子１００の製造方法において、レジストパターンをアレイ用に変更することで、面発光レーザアレイＬＡを製造可能である。
【０１０５】
以上説明した面発光レーザアレイＬＡは、複数の面発光レーザ素子１００が集積された構成を有しているため、各面発光レーザ素子１００からのレーザ光（射出光）の偏光方向を安定化でき、かつ製造が容易である。
【０１０６】
また、面発光レーザアレイＬＡを有する光源装置を備える光走査装置は、感光体ドラム１０３０上を精度良く、かつ安定して高速で走査することができる。そして、この光走査装置を備える画像形成装置は、高精細な画像を安定して高速で形成することができる。
【０１０７】
なお、面発光レーザアレイＬＡでは、複数の面発光レーザ素子１００が２次元配列されているが、これに限らず、１次元配列されていても良い。
【０１０８】
また、上記実施形態及び変形例では、発光部（メサ）の平面形状は、円形又は矩形とされているが、これに限らず、例えば、楕円形、矩形以外の多角形などであっても良い。
【０１０９】
また、上記実施形態では、エッチング底面（メサの底面）を、上部スペーサ層１０６内に位置させているが、これに限らず、例えば、第２反射鏡１０７における選択酸化層１０８の−Ｚ側の低屈折率層内又は高屈折率層内、活性層１０５内、下部スペーサ層１０４内など、要は、選択酸化層１０８と第１反射鏡１０３との間の領域に位置させることが望ましい。
【０１１０】
また、上記実施形態では、難エッチング材料であるＩｎを含む化合物は、上部スペーサ層１０６、活性層１０５及び下部スペーサ層１０４のいずれにも用いられているが、要は、例えば、上部スペーサ層１０６、活性層１０５及び下部スペーサ層１０４の少なくとも１つに用いられていることが好ましく、いずれにも用いられていなくても良い。
【０１１１】
また、上記実施形態では、第２反射鏡１０７の低屈折率層にｐ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓが用いられ、第２反射鏡１０７の高屈折率層にｐ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓが用いられているが、これに限らず、要は、第２反射鏡の低屈折率層及び高屈折率層は、Ａｌの組成が互いに異なる化合物半導体からなれば良く、いずれもＡｌＧａＡｓ系の化合物半導体からなることが好ましい。
【０１１２】
また、上記実施形態の面発光レーザ素子１００を構成する各半導体層に用いられる材料は、適宜変更可能である。例えば、第１反射鏡１０３の低屈折率層は、ＡｌＡｓ以外のＡｌＧａＡｓ系の化合物半導体からなっても良い。
【０１１３】
また、上記実施形態では、面発光レーザ素子１００のメサの底面（エッチング底面）を第１反射鏡１０３上に位置させているが、これに限らず、例えば第１反射鏡１０３内に位置させても良い。
【０１１４】
また、上記実施形態では、基板１０１は、傾斜基板とされているが、傾斜基板でなくても良い。この場合であっても、本発明を適用することで、活性層に異方性の応力を付与し、偏光方向を制御することができる。
【０１１５】
また、上記実施形態では、発光部の発振波長が７８０ｎｍ帯の場合について説明したが、これに限定されるものではない。感光体の特性に応じて、発光部の発振波長を変更しても良い。
【０１１６】
また、上記面発光レーザ素子１００及び面発光レーザアレイＬＡは、画像形成装置以外の用途に用いることができる。その場合には、発振波長は、その用途に応じて、例えば６５０ｎｍ帯、８５０ｎｍ帯、９８０ｎｍ帯、１．３μｍ帯、１．５μｍ帯等の波長帯であっても良い。
【０１１７】
また、上記実施形態では、画像形成装置としてレーザプリンタ１０００の場合について説明したが、これに限定されるものではない。要するに、光走査装置１０１０を備えた画像形成装置であれば良い。
【０１１８】
また、本発明の画像形成装置は、例えば、レーザ光によって発色する媒体（例えば、用紙）に直接、レーザ光を照射する画像形成装置であっても良い。
【０１１９】
また、本発明の画像形成装置は、像担持体として銀塩フィルムを用いた画像形成装置であっても良い。この場合には、光走査により銀塩フィルム上に潜像が形成され、この潜像は通常の銀塩写真プロセスにおける現像処理と同等の処理で可視化することができる。そして、通常の銀塩写真プロセスにおける焼付け処理と同等の処理で印画紙に転写することができる。このような画像形成装置は光製版装置や、ＣＴスキャン画像等を描画する光描画装置として実施できる。
【０１２０】
また、本発明の画像形成装置は、一例として図１５に示されるように、複数の感光体ドラムを備えるカラープリンタ２０００であっても良い。
【０１２１】
このカラープリンタ２０００は、４色（ブラック、シアン、マゼンタ、イエロー）を重ね合わせてフルカラーの画像を形成するタンデム方式の多色カラープリンタであり、ブラック用のステーション（感光体ドラムＫ１、帯電装置Ｋ２、現像装置Ｋ４、クリーニングユニットＫ５、及び転写装置Ｋ６）と、シアン用のステーション（感光体ドラムＣ１、帯電装置Ｃ２、現像装置Ｃ４、クリーニングユニットＣ５、及び転写装置Ｃ６）と、マゼンタ用のステーション（感光体ドラムＭ１、帯電装置Ｍ２、現像装置Ｍ４、クリーニングユニットＭ５、及び転写装置Ｍ６）と、イエロー用のステーション（感光体ドラムＹ１、帯電装置Ｙ２、現像装置Ｙ４、クリーニングユニットＹ５、及び転写装置Ｙ６）と、光走査装置２０１０と、転写ベルト２０８０と、定着ユニット２０３０などを備えている。
【０１２２】
各感光体ドラムは、図１５中の矢印の方向に回転し、各感光体ドラムの周囲には、回転方向に沿って、それぞれ帯電装置、現像装置、転写装置、クリーニングユニットが配置されている。各帯電装置は、対応する感光体ドラムの表面を均一に帯電する。帯電装置によって帯電された各感光体ドラム表面に光走査装置２０１０によりレーザ光が照射され、各感光体ドラムに潜像が形成されるようになっている。そして、対応する現像装置により各感光体ドラム表面にトナー像が形成される。さらに、対応する転写装置により、転写ベルト２０８０上の記録紙に各色のトナー像が転写され、最終的に定着ユニット２０３０により記録紙に画像が定着される。
【０１２３】
光走査装置２０１０は、上記実施形態の光源装置と同様な光源装置を色毎に有している。そこで、上記光走査装置１０１０と同様な効果を得ることができる。また、カラープリンタ２０００は、光走査装置２０１０を備えているため、上記レーザプリンタ１０００と同様な効果を得ることができる。
【０１２４】
ところで、カラープリンタ２０００では、各部品の製造誤差や位置誤差等によって色ずれが発生する場合がある。このような場合であっても、光走査装置２０１０の各光源装置が前記面発光レーザアレイＬＡと同様な面発光レーザアレイを有していると、点灯させる発光部を変更することで色ずれを低減することができる。
【符号の説明】
【０１２５】
１１ａ…偏向器側走査レンズ（走査光学系の一部）、１１ｂ…像面側走査レンズ（走査光学系の一部）、１３…ポリゴンミラー（光偏向器）、１４…光源装置、１００…面発光レーザ素子、１０１…基板、１０３…第１反射鏡、１０５…活性層、１０７…第２反射鏡、１０８…選択酸化層、１０００…レーザプリンタ（画像形成装置）、１０１０…光走査装置、１０３０…感光体ドラム（像担持体）、２０００…カラープリンタ（画像形成装置）、２０１０…光走査装置、ＬＡ…面発光レーザアレイ、Ｋ１，Ｃ１，Ｍ１，Ｙ１…感光体ドラム（像担持体）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０１２６】
【特許文献１】特開２０１０−２１２３３２号公報
【特許文献２】特開２００８−１６８２４号公報
【図１】
2014096515.tif 000003
【図２】
2014096515.tif 000004
【図４】
2014096515.tif 000005
【図７】
2014096515.tif 000006
【図８】
2014096515.tif 000007
【図９】
2014096515.tif 000008
【図１０】
2014096515.tif 000009
【図１１】
2014096515.tif 000010
【図１２】
2014096515.tif 000011
【図１４】
2014096515.tif 000012
【図１５】
2014096515.tif 000013
【図３】
2014096515.tif 000014
【図５】
2014096515.tif 000015
【図６】
2014096515.tif 000016
【図１３】
2014096515.tif 000017