(57)【要約】【課題】遮光枠の反射率を上昇させることなく、回路パターン領域とマスク外部の導通が取れた反射型マスクおよび反射型マスクブランクを提供することを課題とする。【解決手段】基板１と、基板表面に形成された多層反射層２と、前記多層反射層２の上に形成された保護層３と、前記保護層３の上に形成された吸収層４を備え、前記吸収層４に形成された回路パターン領域１０の外側に、前記吸収層４および前記保護層３および前記多層反射層２が除去されたＥＵＶ光の反射率の低い遮光枠１１を有する構成のＥＵＶリソグラフィに用いられる反射型マスクにおいて、前記回路パターン領域１０の１つ以上の任意の場所に、裏面との電気的導通をとるための導通箇所１３を有することを特徴とする反射型マスク。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、基板表面に形成された多層反射層と、前記多層反射層の上に形成された保護層と、前記保護層の上に形成された吸収層を備え、
前記吸収層に形成された回路パターン領域の外側に、前記吸収層および前記保護層および前記多層反射層が除去されたＥＵＶ光の反射率の低い遮光枠を有する構成のＥＵＶリソグラフィに用いられる反射型マスクにおいて、
前記回路パターン領域の少なくとも１つ以上の任意の場所に、裏面との電気的導通をとるための導通箇所を有することを特徴とする反射型マスク。
【請求項２】
前記導通箇所は、基板に裏面から貫通孔が設けられ、その貫通孔内に導電材料が充填されたことによって形成されたことを特徴とする請求項１記載の反射型マスク。
【請求項３】
基板と、基板表面に形成された多層反射層と、前記多層反射層の上に形成された保護層と、前記保護層の上に形成された吸収層を備えた反射型マスクブランクであって、
前記反射型マスクブランクの裏面の任意の場所に、１つ以上の表面との電気的導通をとるための導通箇所を備えていることを特徴とする反射型マスクブランク。
【請求項４】
前記導通箇所は、前記基板の裏面から表面に貫通する貫通孔が設けられ、前記貫通孔内に導電材料が充填されていることを特徴とする請求項３に記載の反射型マスクブランク。
【請求項５】
基板の表面に多層反射層と保護層と吸収層をこの順に備えた反射型マスクブランクを使用した反射型マスクの製造方法であって、
回路パターンを規定するように前記吸収層をパターニングして回路パターン領域を構成する工程と、
前記回路パターン領域の外周部に、枠状のパターンでエッチング加工することにより吸収層、保護層、多層反射層を除去し前記基板の表面まで掘り込むことで、前記吸収層の表面よりもＥＵＶ光の反射率が低い遮光枠を形成する工程と、
前記基板の裏面から基板表面の前記多層反射層に至る貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔を導電材料で充填する工程を備えていることを特徴とする反射型マスクの製造方法。
【請求項６】
前記貫通孔を形成する工程が、前記回路パターン領域を構成する工程の後にくることを特徴とする請求項５に記載の反射型マスクの製造方法。
【請求項７】
前記貫通孔を形成する工程が、機械加工、ウォータージェットまたはドライエッチングによってなされることを特徴とする請求項５または６に記載の反射型マスクの製造方法。
【請求項８】
前記貫通孔を導電材料で充填する工程が、めっき法またはＣＶＤ法のいずれかによってなされることを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載の反射型マスクの製造方法。
【請求項９】
請求項３または４に記載の反射型マスクブランクの製造方法であって、
基板の表面に、少なくとも多層反射層、保護層、吸収層を形成する以前または以後に
前記基板の裏面から基板の表面に至る貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔内に導電材料を充填する工程と、を備えていることを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。  
【請求項１０】
前記貫通孔を形成する工程が、機械加工またはウォータージェットまたはレーザー加工またはドライエッチングのいずれかによってなされることを特徴とする請求項９に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項１１】
前記貫通孔内に導電材料を充填する工程が、めっき法またはＣＶＤ法によってなされることを特徴とする請求項９または１０に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクの製造方法および反射型マスクブランクの製造方法に関し、特に極端紫外線（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ；以下「ＥＵＶ」と表記する）を光源とするＥＵＶリソグラフィを用いた半導体製造装置などに利用される反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクの製造方法および反射型マスクブランクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
（ＥＵＶリソグラフィの説明）
近年、半導体デバイスの微細化に伴い、波長が１３．５ｎｍ近傍のＥＵＶを光源に用いたＥＵＶリソグラフィが提案されている。ＥＵＶリソグラフィは光源波長が短く光吸収性が非常に高いため、真空中で行われる必要がある。またＥＵＶの波長領域においては、ほとんどの物質の屈折率は１よりもわずかに小さい値である。このため、ＥＵＶリソグラフィにおいては従来から用いられてきた透過型の屈折光学系を使用することができず、反射光学系となる。従って、原版となるフォトマスク（以下、マスクと呼ぶ）も、従来の透過型のマスクは使用できないため、反射型のマスクとする必要がある。
【０００３】
（ＥＵＶマスクとブランク構造の説明）
このような反射型マスクの元となる反射型マスクブランクは、低熱膨張基板の上に、露光光源波長に対して高い反射率を示す多層反射層と、露光光源波長の吸収層とが順次形成されており、更に基板の裏面には露光機内における静電チャックのための裏面導電膜が形成されている。また、多層反射層と、吸収層の間に緩衝層を有する構造を持つＥＵＶマスクもある。反射形マスクブランクから反射形マスクへ加工する際には、ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅａｍ）リソグラフィとエッチング技術とにより吸収層を部分的に除去し、緩衝層を有する構造の場合はこれも同じく除去し、吸収部と反射部とからなる回路パターンを形成する。このように作製された反射型マスクによって反射された光像が反射光学系を経て半導体基板上に転写される。
【０００４】
（ＥＵＶマスクの吸収層の膜厚と反射率の説明）
反射光学系を用いた露光方法では、マスク面に対して垂直方向から所定角度傾いた入射角（通常６°）で照射されるため、吸収層の膜厚が厚い場合、パターン自身の影が生じてしまい、この影となった部分における反射強度は、影になっていない部分よりも小さいため、コントラストが低下し、転写パターンには、エッジ部のぼやけや設計寸法からのずれが生じてしまう。これはシャドーイングと呼ばれ、反射マスクの原理的課題の一つである。
【０００５】
このようなパターンエッジ部のぼやけや設計寸法からのずれを防ぐためには、吸収層の膜厚は小さくし、パターンの高さを低くすることが有効であるが、吸収層の膜厚が小さくなると、吸収層における遮光性が低下し、転写コントラストが低下し、転写パターンの精度低下となる。つまり吸収層を薄くし過ぎると転写パターンの精度を保つための必要なコントラストが得られなくなってしまう。つまり、吸収層の膜厚は厚すぎても薄すぎても問題になるので、現在は概ね５０〜９０ｎｍの間になっており、ＥＵＶ光（極端紫外光）の吸収層での反射率は０．５〜２％程度である。
【０００６】
（隣接するチップの多重露光の説明）
一方、反射型マスクを用いて半導体基板上に転写回路パターンを形成する際、一枚の半導体基板上には複数の回路パターンのチップが形成される。隣接するチップ間において、チ
ップ外周部が重なる領域が存在する場合がある。これはウェハ１枚あたりに取れるチップを出来るだけ増加したいという生産性向上のために、チップを高密度に配置するためである。この場合、この領域については複数回（チップコーナー部が最大４回（自チップの露光＋隣のチップの露光が３回））に渡り露光（多重露光）されることになる。この転写パターンのチップ外周部はマスク上でも外周部であり、通常、吸収層の部分である。しかしながら、上述したように吸収層上でのＥＵＶ光の反射率は、０．５〜２％程度あるために、多重露光によりチップ外周部が感光してしまう問題があった。このため、マスク上のチップ外周部に通常の吸収層よりもＥＵＶ光の遮光性の高い領域（以下、遮光枠と呼ぶ）を設ける必要性が出てきた。
【０００７】
このような問題を解決するために、反射型マスクの吸収層から多層反射層までを掘り込んだ溝を形成することで多層反射層の反射率を低下させることにより、露光光源波長に対する遮光性の高い遮光枠を設けた反射型マスクが提案されている（例えば、特許文献１参照）。遮光枠の無い反射型マスク１００の概略平面図を図１（ａ）に、概略断面図を図２（ａ）に示す。これに対して、多層反射層までを掘り込んだ遮光枠１１を有する反射型マスク１０１の概略平面図を図１（ｂ）に、概略断面図を図２（ｂ）に示す。回路パターン領域１０を取り囲むように遮光枠１１が形成されている。
【０００８】
しかしながら、単に吸収層と多層反射層を掘り込んだタイプの遮光枠では、遮光枠よりも内側の回路パターン領域と、遮光枠の外側は、電気的に浮遊しており導通が取れていない。このマスクをＥＵＶ露光機で使用すると、ＥＵＶ光（極端紫外光）の光電効果によって、ＥＵＶマスクに使用される金属材料（主としてＴａ，Ｍｏ，Ｓｉ等）から光電子が放出され、電気的に正に帯電（チャージアップ）する。これによって、露光機内の異物の付着を招き、転写欠陥を誘発するという問題が生じる。また、マスク製造工程中の電子線を使った測長ＳＥＭや電子ビーム検査機においても、電子線が照射された際の負の帯電が生じ、電子ビーム検査が出来ないという問題が生じる。
【０００９】
特許文献１では、このような露光時の帯電の対策として、多層反射層の最下層の数層（導電性を有するＭｏを少なくとも含む）を残す方法や、多層反射層の下地にＴａもしくはＣｒを含む導電層を予め１層設ける構造を提案している。
【００１０】
しかしながら、多層反射層を数層残す方法は、ドライエッチングやウェットエッチングによる多層反射層を掘り込む際のエッチングレートがマスク面内で均一でないため、残したい層数を均一にすることが出来ない。本来ＥＵＶ反射率を極力ゼロに下げるための遮光枠のある領域では、多層反射層を残し過ぎてしまい、逆にＥＵＶ反射率が上がってしまう問題が生じる。例えば、Ｍｏ／Ｓｉが２ペア残った場合の反射率は、計算上約１．８％程度であり、ＥＵＶマスクの遮光枠のＥＵＶ反射率規格である０．３％以下をはるかに上回ってしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００９−２１２２２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は上記問題点を鑑みてなされたものであり、遮光枠の反射率を上昇させることなく、回路パターン領域とマスク外部の導通が取れた反射型マスクおよび反射型マスクブランクを提供することを課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の課題を解決する手段として、請求項１に記載の発明は、基板と、基板表面に形成された多層反射層と、前記多層反射層の上に形成された保護層と、前記保護層の上に形成された吸収層を備え、
前記吸収層に形成された回路パターン領域の外側に、前記吸収層および前記保護層および前記多層反射層が除去されたＥＵＶ光の反射率の低い遮光枠を有する構成のＥＵＶリソグラフィに用いられる反射型マスクにおいて、
前記回路パターン領域の少なくとも１つ以上の任意の場所に、裏面との電気的導通をとるための導通箇所を有することを特徴とする反射型マスクである。
【００１４】
また請求項２に記載の発明は、前記導通箇所は、基板の裏面から貫通孔が設けられ、その貫通孔内に導電材料が充填されたことによって形成されたことを特徴とする請求項１記載の反射型マスクである。
【００１５】
また請求項３に記載の発明は、基板と、基板表面に形成された多層反射層と、前記多層反射層の上に形成された保護層と、前記保護層の上に形成された吸収層を備えた反射型マスクブランクであって、
前記反射型マスクブランクの裏面の任意の場所に、１つ以上の表面との電気的導通をとるための導通箇所を備えていることを特徴とする反射型マスクブランクである。
【００１６】
また請求項４に記載の発明は、前記導通箇所は、前記基板の裏面から表面に貫通する貫通孔が設けられ、前記貫通孔内に導電材料が充填されていることを特徴とする請求項３に記載の反射型マスクブランクである。
【００１７】
また請求項５に記載の発明は、基板の表面に多層反射層と保護層と吸収層をこの順に備えた反射型マスクブランクを使用した反射型マスクの製造方法であって、
回路パターンを規定するように前記吸収層をパターニングして回路パターン領域を構成する工程と、
前記回路パターン領域の外周部に、枠状のパターンでエッチング加工することにより吸収層、保護層、多層反射層を除去し前記基板の表面まで掘り込むことで、前記吸収層の表面よりもＥＵＶ光の反射率が低い遮光枠を形成する工程と、
前記基板の裏面から表面の前記多層反射層に至る貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔を導電材料で充填する工程を備えていることを特徴とする反射型マスクの製造方法である。
【００１８】
また請求項６に記載の発明は、前記貫通孔を形成する工程が、前記回路パターン領域を構成する工程の後にくることを特徴とする請求項５に記載の反射型マスクの製造方法である。
【００１９】
また請求項７に記載の発明は、前記貫通孔を形成する工程が、機械加工、ウォータージェットまたはドライエッチングによってなされることを特徴とする請求項５または６に記載の反射型マスクの製造方法である。
【００２０】
また請求項８に記載の発明は、前記貫通孔を導電材料で充填する工程が、めっき法またはＣＶＤ法のいずれかによってなされることを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載の反射型マスクの製造方法である。
【００２１】
また請求項９に記載の発明は、請求項３または４に記載の反射型マスクブランクの製造方法であって、
基板の表面に、少なくとも多層反射層、保護層、吸収層を形成する以前または以後に
前記基板の裏面から表面に至る貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔内に導電材料を充填する工程と、を備えていることを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法である。
【００２２】
また請求項１０に記載の発明は、前記貫通孔を形成する工程が、機械加工またはウォータージェットまたはレーザー加工またはドライエッチングのいずれかによってなされることを特徴とする請求項９に記載の反射型マスクブランクの製造方法である。
【００２３】
また請求項１１に記載の発明は、前記貫通孔内に導電材料を充填する工程が、めっき法またはＣＶＤ法によってなされることを特徴とする請求項９または１０に記載の反射型マスクブランクの製造方法である
【発明の効果】
【００２４】
本発明は、多層反射層を除去し遮光枠を形成したＥＵＶマスクにおいて、遮光枠の内側の回路パターン領域とマスク外部を、導電材料が充填された貫通孔を通じ、電気的に繋ぐことで導通が取れるため、電子線を使った測長ＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）による測定時、電子ビーム検査機によるパターン検査時及びＥＵＶ露光時において、帯電を防止することが出来る。このため高品質のマスクを提供できるとともに、本マスクを用いたＥＵＶ露光において異物を付着することを低減できるため、高品質のウェハ転写パターンを得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】（ａ）は従来の遮光枠のない反射型マスクの一例を示す概略平面図、（ｂ）は遮光枠のある反射型マスクの一例を示す概略平面図。
【図２】（ａ）は従来の遮光枠のない反射型マスクの一例を示す概略平面図、（ｂ）は遮光枠のある反射型マスクの一例を示す概略断面図。
【図３】（ａ）は本発明の反射型マスクの一例を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）における破線Ａ−Ａ’に沿った概略断面図の一例。
【図４】本発明の反射型マスクの概略断面図の例であって、（ａ）と（ｂ）は表面と裏面の導通箇所が１箇所の場合で、それぞれ導通箇所の位置が異なる例、（ｃ）は導通箇所が２箇所の例を示している。
【図５】本発明の実施例の反射型マスクの作製工程（パターン形成まで）を示す概略断面図であって、それぞれ、（ａ）は反射型マスクブランク、（ｂ）は反射型マスクブランクの表面にレジストが塗布された状態、（ｃ）は回路パターン部のレジストがパターン化された状態、（ｄ）はパターン化されたレジストをエッチングマスクとして吸収層がエッチング除去された状態、（ｅ）はパターン化されたレジストが剥離された状態を示している。
【図６】本発明の実施例の反射型マスクの作製工程（遮光枠形成）を示す概略断面図であって、それぞれ、（ａ）は図５の（ｅ）の状態、（ｂ）は（ａ）の表面にレジストが塗布された状態、（ｃ）は遮光枠となる部分のレジストが露光、現像処理によってパターン化され開口部が形成された状態、（ｄ）は（ｃ）の開口部の吸収層をエッチング除去した結果、保護層が露出した状態、（ｅ）は（ｄ）で露出した保護層とその下地の多層反射層をエッチング除去した状態、（ｆ）はレジストを剥離した状態、を示している。
【図７】本発明の実施例の反射型マスクの作製工程（導通箇所作製）の一例を示す概略断面図であって、（ａ）は図６（ｆ）の状態、（ｂ）は（ａ）の裏面から表面の多層反射層に至る導通孔を形成した状態、（ｃ）は導通孔に導電材料を充填し導通箇所を形成した状態、を示している。
【図８】（ａ）は本発明の実施例における反射型マスクの概略平面図の一例、（ｂ）はその概略断面図を示している。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
（本発明の反射型マスクの構成・レイアウト） 
以下、本発明に係る実施形態について、図面を参照しながら説明する。 
【００２７】
まず、本発明の反射型マスクの構成について説明する。
図３は、本発明の遮光枠を有する反射型マスクの構造の概略平面図（ａ）と、概略平面図（ａ）の破線Ａ−Ａ’に沿った概略断面図（ｂ）である。
【００２８】
回路パターン領域１０を取り囲むように吸収層４、保護層３および多層反射層２を掘り込んだ遮光枠１１が形成されている。また回路パターン領域１０が電気的に浮遊することを避けるため、導電材料が充填された貫通孔により、導通箇所１３が形成されている。この導通箇所１３は、本発明の反射型マスク１０２の裏面に形成されている裏面導電膜５と表面にある多層反射層２の導通をとる役割を果す。
【００２９】
本発明の遮光枠１１を有する反射型マスク１０２の導通箇所１３は、少なくとも１箇所あれば良いが、１箇所に限定する必要はなく、形成する場所も適宜決めることができる。これは、使用する反射型マスクブランクの表面のシート抵抗と、電子線を使った測長ＳＥＭや電子ビーム欠陥検査機やＥＵＶ露光機等の使用環境に応じて適宜設定すれば良い。
【００３０】
導通箇所１３は、基板１に設けられているため、多層反射層２、保護層３、吸収層４は通常の反射型マスクと相違ないため、パターン寸法、ＥＵＶ反射率等のマスク特性は変わらない。従って、ウェハＣＤ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）への影響は発生しない。
【００３１】
反射型マスクブランクの表面のシート抵抗は、反射型マスクブランクの表面に使用される材料であるＴａ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｓｉの膜厚や、それらを成膜した際の膜質によって決定されるので、反射型マスクブランクの品種毎にシート抵抗は異なる。従って、反射型マスクを製造する前に予めシート抵抗を測定しておくと良い。
【００３２】
例えば、反射型マスクブランク材料表面のシート抵抗が高い場合は、導通箇所１３を複数設けるなどするのが効果的である。
【００３３】
また電子線を使った測長ＳＥＭで測定する場合や電子ビーム検査機で検査する場合、照射電子線量が多い条件であれば、同様に導通箇所１３を複数設けるなどするのが効果的である。
【００３４】
ＥＵＶ露光機で検査する場合、光電効果によって放出される電子の運動エネルギーは、式１で表されるが、ＥＵＶ光を用いているため波長は一定（１３．５ｎｍ）であるため、一定である。照射されるＥＵＶ光の強度（光の量）が大きい場合、放出される電子の量も比例するため、チャージアップしやすくなる。従って、ＥＵＶ露光機で使用するＥＵＶ光の強度が高い場合ほど、同様に導通箇所を複数設けるなどするのが効果的である。ちなみに式１のＰは仕事関数と呼ばれ、電子を材料から飛び出すのに最低限必要な仕事量（エネルギー）であり、材料固有の値を持つ。
【００３５】
【数１】
2014143385.tif 000003
ｅＶ：放出される電子が持つ運動エネルギー
ｅ  ：電子の電荷、
Ｖ  ：電子がもつエネルギーを電位差に換算した場合の電位差
ｈν：入射する光のエネルギー
ｈ  ：プランク定数
ν  ：光の振動数＝１／λ（λは波長：ＥＵＶ光の場合は１３．５ｎｍ）
Ｐ  ：ブランク材料の仕事関数
【００３６】
次いで、本発明の反射型マスクのブランク構造について説明する。
図３（ａ）、図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す本発明の反射型マスク１０２、１０３、１０４、１０５は、いずれも基板１の表面に、多層反射層２、保護層３、吸収層４が順次形成されている。これらは、それぞれ導通箇所１３が形成されている位置や数が異なる場合を示している。
【００３７】
基板の裏面には導電膜５が形成された構造となっている。保護層３と吸収層４の間には、緩衝層が有る場合もある。緩衝層は、吸収膜４のマスクパターン修正時に、下地の保護層３にダメージを与えないために設けられた層である。
【００３８】
本発明の反射型マスク１０２、１０３、１０４、１０５は、吸収層４が加工された回路パターン領域１０と、その外周部に吸収層４、保護層３、多層反射層２（緩衝層がある場合は緩衝層も）が除去された遮光枠１１を有する。
【００３９】
（本発明の反射型マスクの構成の詳細：多層反射層，保護層，緩衝層）
図３（ｂ）の多層反射層２は、ＥＵＶ光に対して６０％程度の反射率を達成できるように設計されており、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）が交互に４０〜５０ペア積層した積層膜で、さらにその上に形成される保護層３は２〜３ｎｍ厚のルテニウム（Ｒｕ）あるいは厚さ１０ｎｍ程度のシリコン（Ｓｉ）で構成されている。
Ｒｕ層の下に隣接する層はＳｉ層である。ＭｏやＳｉが使われている理由は、ＥＵＶ光に対する吸収（消衰係数）が小さく、且つＭｏとＳｉのＥＵＶ光での屈折率差が大きいために、ＳｉとＭｏの界面での反射率を高く出来るためである。
保護層３がＲｕの場合は、吸収層４のエッチング加工におけるエッチングストッパーとしての役割やマスク洗浄時の薬液に対する保護層としての役割を果たしている。保護層３がＳｉの場合は、その上に形成される吸収層４との間に、緩衝層が有る場合もある。緩衝層は、吸収層４のエッチングやパターン修正時に、緩衝層の下に隣接する多層反射層２の最上層であるＳｉ層を保護するために設けられており、クロム（Ｃｒ）の窒素化合物（ＣｒＮ）で構成されている。
【００４０】
（本発明の反射型マスクの構成の詳細：吸収層）
図３（ｂ）の吸収層４は、ＥＵＶ光に対して吸収率の高いタンタル（Ｔａ）の窒素化合物（ＴａＮ）で構成されている。他の材料として、タンタルホウ素窒化物（ＴａＢＮ）、タンタルシリサイド（ＴａＳｉ）、タンタル（Ｔａ）や、それらの酸化物（ＴａＢＯＮ、ＴａＳｉＯ、ＴａＯ）でも良い。
【００４１】
図３（ｂ）の吸収層４は、その上層に波長１９０〜２６０ｎｍの紫外光に対して反射防止機能を有する低反射層を設けた２層構造から成る吸収層であっても良い。低反射層は、マスクの欠陥検査機の検査波長に対して、コントラストを高くし、検査性を向上させるためのものである。
【００４２】
（本発明の反射型マスクの構成の詳細：裏面導電膜）
図３（ｂ）の導電膜５は、一般にはＣｒＮで構成されているが、導電性があれば良いので、金属材料からなる材料が好適に使用できる。
尚、図３（ｂ）では導電膜５を有する構成のマスクを記載したが、導電膜５を有さないマスクブランク及びマスクとしても良い。
【００４３】
（本発明の反射型マスクの構成の詳細：多層反射層の掘り込み）
本発明の反射型マスクの遮光枠の形成方法について説明する。図６（ａ）に示すような、回路パターン領域１０にパターンが形成された反射型マスク、あるいは後にパターンが形成される予定の反射型マスクブランクに対して、フォトリソグラフィもしくは電子線リソグラフィによって、回路パターン領域１０の周辺部が開口したレジストパターンを形成する（図６（ｃ）参照）。次に、フッ素系もしくは塩素系ガス（あるいはその両方）を用いたドライエッチングによって、そのレジストパターンの開口部の吸収膜４をエッチング除去する（図６（ｄ）参照）。次いで、保護層３と多層反射層２を、フッ素系ガスもしくは塩素系ガスもしくはその両方を用いたドライエッチングか、アルカリ性溶液あるは酸性溶液を用いたウェットエッチングによって、エッチング除去する（図６（ｅ）参照）。このあと、レジスト２９を除去することによって遮光枠付きの反射型マスク１０１が完成する（図６（ｆ）参照）。
【００４４】
ドライエッチングによって、多層反射層２をエッチング除去する際に、フッ素系ガスもしくは塩素系ガスもしくはその両方を用いるのは、多層反射層２の材料であるＭｏとＳｉの両方に対して、エッチング性を有するためである。この際に用いるフッ素系ガスもしくは塩素系ガスは、ＣＦ４，Ｃ２Ｆ６，Ｃ４Ｆ８，Ｃ５Ｆ８，ＣＨＦ３，ＳＦ６，ＣｌＦ３，Ｃｌ２，ＨＣｌが挙げられる。
【００４５】
ウェットエッチングによって、多層反射層２をエッチング除去する際のエッチング液には、多層反射層２の材料であるＭｏとＳｉのエッチングに適している必要がある。例えば、アルカリ性溶液としては、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）、ＫＯＨ（水酸化カリウム）、ＥＤＰ（エチレンジアミンピロカテコール）が適している。酸性溶液としては、硝酸とリン酸の混合液が適しているが、これにフッ酸、硫酸、酢酸を加えても良い。
【００４６】
このようにして、遮光枠付きの反射型マスク１０１（図７（ａ）参照）を作製した後に、図７に示すように導通箇所１３を設ける場合には、基板１の裏面より機械加工またはウォータージェットまたはドライエッチングによる加工を用い、貫通孔１４を形成し（図７（ｂ）参照）、その貫通孔１４に、めっき法、またはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって導電材料を形成する方法や配線形成用に使用される超微粒子金属を使った導電性インクや超微粒子金属を直接的に貫通孔１４の中に形成して導通をとる方法などを採用することが可能である。これらの導電材料を充填することで、導通箇所１３が形成される（図７（ｃ）参照）。
【００４７】
めっきは、無電解めっきでも電解めっきでも良く、めっきの効率をあげるためにシード層を設けても良い。
【００４８】
あるいは、導通箇所１３を形成する工程は、遮光枠１１を作る前でも、更には回路パターン領域１０の形成以前、更には反射型マスクブランクの製造時に形成することもできる。
【００４９】
このようにして、多層反射層２までを除去し遮光枠１１を形成した反射型マスクにおいて、遮光枠１１の内側の回路パターン領域１０と遮光枠の外１２を、導電材料を充填した導通箇所１３を通じ、裏面導電膜５を介して電気的に繋ぐことでチャージアップを低減した反射型マスクを得ることができる（図８（ａ）、（ｂ）参照）。
【実施例】
【００５０】
以下、本発明の反射型マスクの製造方法の実施例を説明する。図５（ａ）に示す反射型マスクブランク２０１を用意した。このブランクは、基板１の上に、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光に対して反射率が６４％程度となるように設計されたＭｏとＳｉの４０ペアの多層反射層２が形成されており、その上に２．５ｎｍ厚のＲｕの保護層３が、更にその上に７０ｎｍ厚のタンタルシリサイド（ＴａＳｉ）からなる吸収層４が、順次形成されている。
【００５１】
上記の反射型マスクブランク２０１に対し、ポジ型化学増幅レジスト９（ＦＥＰ１７１：富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ）を３００ｎｍの膜厚で塗布し（図５（ｂ）参照）、電子線描画機（ＪＢＸ９０００：日本電子）によって描画後、１１０℃、１０分のＰＥＢおよびスプレー現像（ＳＦＧ３０００：シグマメルテック）により、レジスト部分にレジストパターンを形成した（図５（ｃ）参照）。
【００５２】
次いで、ドライエッチング装置を用いて、ＣＦ4とＣｌ2の混合ガスのプラズマにより、吸収層４をエッチングし（図５（ｄ）参照）、レジスト９を剥離後、洗浄することで、図５（ｅ）に示す回路パターン領域に回路パターンが形成された反射型マスク２１１を作製した。形成された回路パターンは評価パターンであり、寸法２００ｎｍの１：１のライン＆スペースパターンのチップを６面付けでマスク中心に配置した。回路パターン領域１０の大きさは、チップ６面の全体で１０ｃｍ×１０ｃｍとした。このとき各チップ間のスクライブラインの間隔は５ｍｍとした。
【００５３】
次いで、上述の評価パターンを有する反射型マスク２１１の回路パターン領域１０の周辺に、遮光枠１１を形成する工程を行った。反射型マスク２１１（図６（ａ）参照）にｉ線用のレジスト２９を５００ｎｍの膜厚で塗布し（図６（ｂ）参照）、そのレジスト２９をｉ線描画機（レーザー描画装置ＡＬＴＡ：米国ＥＴＥＣ社）により描画、現像を行うことにより、後に遮光枠１１となる領域のレジストを除去したレジストパターンを形成した（図６（ｃ）参照）。
このときレジストパターンの開口幅は３ｍｍとし、マスク中心部の１０ｃｍ×１０ｃｍの回路パターン領域１０のパターンエッジから３μｍの距離に、幅３ｍｍの枠状パターンとして配置した。
【００５４】
次いで、ドライエッチング装置を用いてＣＨＦ３プラズマ（ドライエッチング装置内の圧力５０ｍＴｏｒｒ、ＩＣＰ（誘導結合プラズマ）パワー５００Ｗ、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）パワー２０００Ｗ、ＣＨＦ３：流量２０ｓｃｃｍ、処理時間６分、これらは、以下の表記で同じ。）により、上記レジストパターンの開口部の吸収層４と多層反射層２とを異方性ドライエッチングで除去し（図６（ｄ）および（ｅ）参照）、最後に、硫酸系の剥離液とアンモニア過酸化水素水により、レジスト剥離とその後の洗浄を実施し、ドライエッチングとウェットエッチングで残ったレジストを除去した（図６（ｆ）参照）。
【００５５】
次いで図７（ｂ）に示すように、基板１の裏面より切削加工にて、マスク表面から見て回路パターン領域１０内に直径１ｍｍの貫通孔１４（基板のみが貫通）を開けた。このとき予め基板１の厚みを計算し、多層反射層２まで到達したところで停止するように設定することで、多層反射層２へのダメージを防いだ。
【００５６】
このとき、万が一、多層反射層２や吸収層４にダメージが及んでもマスク特性に影響が無いように、回路パターン領域１０内であっても、スクライブラインと呼ばれるパターンの無い箇所に貫通孔１４が来るようにした。
【００５７】
次いで、反射型マスクの表面側の回路パターン領域１０の一部に、カソード電極を取り付け、ニッケル製アノード電極と反射型マスクの裏面側のみを、スルファミン酸ニッケル溶液で満たしためっき浴に浸漬させた。アノード電極とカソード電極に電流を流し、基板１に開けた貫通孔１４が完全に充填されるまで、ニッケルを電解めっきによって充填し、導通箇所１３を形成した（図７（ｃ）参照）。
【００５８】
めっきの条件は次の通りである。使用しためっき浴の成分は、スルファミン酸ニッケル溶液の濃度を５００ｇ／Ｌにして、緩衝材としてホウ酸を３０ｇ／Ｌ、ピット防止剤を０．１ｇ／Ｌを添加した。また、めっき浴温度４０度で、３０秒間０．２Ａの電流を流した。
【００５９】
図７（ａ）に本実施例で作製した反射型マスク１０１を、（ｃ）に反射型マスク１０１に導通箇所１３を形成した反射型マスク１０２を示す。これらの反射型マスクの遮光枠１１の幅は３ｍｍ、スクライブラインの幅は５ｍｍ、導通箇所１３の貫通孔１４の直径は１ｍｍである。
【００６０】
本実施例で作製した導通箇所１３を設けた遮光枠付きの反射型マスク１０２と、導通箇所１３を設けない遮光枠付き反射型マスク１０１の両方に関して、遮光枠１１の内部の回路パターンの寸法の測定を測長ＳＥＭにて実施した。その結果、導通箇所１３の無い反射型マスク１０１では、チャージアップによるＳＥＭ像のドリフトが大きく遮光枠１１の内部の測定が出来なかったが、本実施例の導通箇所１３を設けた反射型マスク１０２では、問題なく測定が出来た。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明は、反射型マスク等に有用である。
【符号の説明】
【００６２】
１ 基板
２ 多層反射層
３ 保護層
４ 吸収層
５ 裏面導電膜
９ レジスト
１０ 回路パターン領域
１１ 遮光枠
１２ 遮光枠の外
１３ 導通箇所
１４ 貫通孔
２９ レジスト
１００ 反射型マスク（遮光枠無し）
１０１ 反射型マスク（遮光枠有り）
１０２ 本発明の反射型マスク
１０３ 本発明の反射型マスク
１０４ 本発明の反射型マスク
１０５ 本発明の反射型マスク
２０１ 反射型マスクブランク
２１１ 回路パターン領域に回路パターンが形成された反射型マスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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