(57)【要約】【課題】パターンを歩留まり良く形成するモールド、モールド用ブランク基板及びモールドの製造方法を提供すること。【解決手段】実施形態に係るモールドは、基材と、台座部と、パターン部と、を備える。前記基材は、第１面と、前記第１面とは反対側の第２面と、を有する。前記台座部は、前記基材の前記第１面から突出して設けられ側面を有する。前記パターン部は、前記台座部に設けられ凹凸パターンを有する。前記台座部は、前記凹凸パターンが設けられた第１領域と、前記第１領域と前記側面との間に設けられた第２領域と、を有する。第１領域の最大高さは、第２領域の最大高さと等しい。前記第２領域の前記側面側の部分の第１高さは、前記第２領域の前記第１領域側の部分の第２高さよりも低い。【選択図】図１
2014051050.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と、前記第１面とは反対側の第２面と、を有し、中央部に前記第２面から後退した凹部を有する基材と、
前記基材の厚さ方向にみて前記凹部と重なる領域に設けられ、前記基材の前記第１面から突出して設けられ、側面を有する台座部と、
前記台座部に設けられ凹凸パターンを有するパターン部と、
を備え、
前記台座部は、
前記凹凸パターンが設けられた第１領域と、
前記第１領域と前記側面との間に設けられ、前記第１領域の最大高さと等しい最大高さを有し、表面に湾曲面を有する第２領域と、を有し、
前記第２領域の前記側面側の部分の第１高さは、前記第２領域の前記第１領域側の部分の第２高さよりも低いモールド。
【請求項２】
第１面と、前記第１面とは反対側の第２面と、を有する基材と、
前記基材の前記第１面から突出して設けられ側面を有する台座部と、
前記台座部に設けられ凹凸パターンを有するパターン部と、
を備え、
前記台座部は、
前記凹凸パターンが設けられた第１領域と、
前記第１領域と前記側面との間に設けられ、前記第１領域の最大高さと等しい最大高さを有する第２領域と、を有し、
前記第２領域の前記側面側の部分の第１高さは、前記第２領域の前記第１領域側の部分の第２高さよりも低いモールド。
【請求項３】
前記基材は、前記基材の中央部に設けられ前記第２面から後退した凹部を有し、
前記台座部は、前記基材の厚さ方向にみて前記凹部と重なる領域に設けられた請求項２記載のモールド。
【請求項４】
前記第２領域の表面は、湾曲面を有する請求項２または３に記載のモールド。
【請求項５】
第１面を有する基材と、
前記基材の前記第１面から突出して設けられた台座部と、
前記台座部に設けられ凹凸パターンを有するパターン部と、
前記台座部の振動を抑制する制振部と、
を備えたモールド。
【請求項６】
第１面を有する基材と、
前記基材の前記第１面から突出して設けられ側面を有する台座部と、
を備え、
前記台座部は、
第１領域と、
前記第１領域と前記側面との間に設けられ、前記第１領域の最大高さと等しい最大高さを有する第２領域と、を有し、
前記第２領域の前記側面側の部分の第１高さは、前記第２領域の前記第１領域側の部分の第２高さよりも低いモールド用ブランク基板。
【請求項７】
第１面を有する基材と、前記基材の前記第１面から突出して設けられた台座部と、を含み、前記台座部は、凸型の湾曲面を有するモールド用ブランク基板を用意する工程と、
前記湾曲面が平坦になるように前記モールド用ブランク基板を反らせた状態で前記湾曲面上にパターンを形成する工程と、
を備えたモールドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、モールド、モールド用ブランク基板及びモールドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パターンの形成方法として、形成するパターンの凹凸形状が設けられた原版（モールド）を用いたインプリント法が注目されている。インプリント法では、基板上に例えば光硬化性の有機材料を塗布し、この有機材料の層にモールドを接触させて光照射によって硬化させる。これにより、有機材料の層にモールドの凹凸形状が転写されたパターンが形成される。
モールドを用いたパターンの形成方法では、モールドによる押印時に有機材料の膜厚を制御することが歩留まりを向上する上で重要である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−３２７７８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、パターンを歩留まり良く形成するモールド、モールド用ブランク基板及びモールドの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係るモールドは、基材と、台座部と、パターン部と、を備える。
前記基材は、第１面と、前記第１面とは反対側の第２面と、を有する。
前記台座部は、前記基材の前記第１面から突出して設けられ側面を有する。
前記パターン部は、前記台座部に設けられ凹凸パターンを有する。
前記台座部は、前記凹凸パターンが設けられた第１領域と、前記第１領域と前記側面との間に設けられた第２領域と、を有する。第１領域の最大高さは、第２領域の最大高さと等しい。
前記第２領域の前記側面側の部分の第１高さは、前記第２領域の前記第１領域側の部分の第２高さよりも低い。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態に係るモールドの構成を例示する模式的断面図である。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は、台座部を例示する模式的断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）はインプリント法を例示する模式的断面図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は、レジストの拡がりについて例示する模式的断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、台座部の形状の例を示す模式的断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、第２の実施形態に係るモールドの構成を例示する模式的断面図である。
【図７】第３の実施形態に係るモールドの製造方法を例示するフローチャートである。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は、モールドの製造について例示する模式的断面図である。
【図９】第４の実施形態に係るモールドの製造方法を例示するフローチャートである。
【図１０】（ａ）及び（ｂ）は、モールドの製造について例示する模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本発明の実施形態を図に基づき説明する。なお、以下の説明では、同一の部材には同一の符号を付し、一度説明した部材については適宜その説明を省略する。
【０００８】
（第１の実施形態）
図１（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態に係るモールドの構成を例示する模式的断面図である。
図１（ａ）には、モールド１１０の全体の概略を例示する模式的断面図が表されている。図１（ｂ）及び（ｃ）には、パターン部Ｐを拡大した模式的断面図が表されている。
図２（ａ）及び（ｂ）は、台座部を例示する模式的断面図である。
図２（ａ）には、図１（ａ）に表した台座部の一部を拡大した模式的断面図が表されている。図２（ｂ）には、図１（ｂ）に表した台座部の一部を拡大した模式的断面図が表されている。
【０００９】
図１（ａ）に表したように、本実施形態に係るモールド１１０は、基材１０と、台座部２０と、パターン部Ｐと、を備える。モールド１１０は、インプリント法によりパターンを形成する際に用いる原版である。
【００１０】
基材１０は、第１面１０ａと、第２面１０ｂと、を有する。第２面１０ｂは、第１面１０ａとは反対側の面である。本実施形態では、第１面１０ａと第２面１０ｂとを結ぶ方向をＺ方向という。Ｚ方向は、基材１０の厚さ方向でもある。基材１０には、例えば光透過性を有する材料が用いられる。基材１０の材料は、例えば石英である。
【００１１】
本実施形態に係るモールド１１０では、基材１０に凹部１３が設けられている。凹部１３は、凹部１３は、基材１０の第２面１０ｂからＺ方向に後退した部分である。凹部１３は、基材１０の中央部１２に設けられる。基材１０は、中央部１２の周辺に周辺部１１を有する。周辺部１１は、基材１０の外周を囲むように枠型に設けられる。凹部１３は、基材１０の中央部１２に、Ｚ方向にみて例えば円形に設けられる。
【００１２】
基材１０のＺ方向にみた外形は例えば矩形である。基材１０のＺ方向にみた外形の大きさは、例えば縦１５０ミリメートル（ｍｍ）、横１５０ｍｍである。周辺部１１の厚さは、例えば６．４ｍｍである。中央部１２の厚さは、例えば１ｍｍである。
【００１３】
台座部２０は、基材１０の第１面１０ａから突出して設けられる。台座部２０は側面２０ｓを有する。側面２０ｓは、Ｚ方向に延在した面である。台座部２０は、例えば基材１０と一体的に設けられている。台座部２０は、基材１０と別体に設けられていてもよい。台座部２０のＺ方向にみた外形は、例えば矩形である。台座部２０のＺ方向にみた外形の大きさは、例えば縦３３ｍｍ、横２６ｍｍである。台座部２０の高さは、例えば３マイクロメートル（μｍ）である。
【００１４】
図１（ｂ）及び（ｃ）に表したように、パターン部Ｐは、台座部２０に設けられた凹パターンＰ１及び凸パターンＰ２（凹凸パターン）を有する。図１（ｂ）に表したパターン部Ｐは、最も外側に凹パターンＰ１を有するパターンである。このパターン部Ｐでは、台座部２０の面２０ａからＺ方向に後退して凹パターンＰ１が設けられる。台座部２０の面２０ａは、凹凸パターンの基準面である。複数の凹パターンＰ１が並ぶ場合、隣り合う２つの凹パターンＰ１の間は凸パターンＰ２になる。図１（ｂ）に表したパターン部Ｐでは、台座部２０の内部にパターンＰが設けられる。
【００１５】
図１（ｃ）に表したパターン部Ｐ、最も外側に凸パターンＰ２を有するパターンである。このパターン部Ｐでは、台座部２０の面２０ａからＺ方向に突出して凸パターンＰ２が設けられる。複数の凸パターンＰ２が並ぶ場合、隣り合う２つの凸パターンＰ２の間は凹パターンＰ１になる。図１（ｃ）に表したパターン部Ｐでは、台座部２０の外部にパターンＰが設けられる。
【００１６】
図２（ａ）及び（ｂ）に表したように、台座部２０は、第１領域Ｒ１と、第２領域Ｒ２と、を有する。第１領域Ｒ１は、台座部２０の凹凸パターンが設けられた領域である。第１領域Ｒ１は、台座部２０のうちＺ方向にパターン部Ｐと重なる領域である。第２領域Ｒ２は、第１領域Ｒ１と側面２０ｓとの間に設けられた領域である。第２領域Ｒ２は、台座部２０のうちＺ方向にパターン部Ｐと重ならない領域である。
【００１７】
第１領域Ｒ１の最大高さは、第２領域Ｒ２の最大高さと等しい。ここで、高さとは、第１面１０ａを基準にしたＺ方向の高さをいう。また、「等しい」は、実質的に等しいことを含む。
【００１８】
本実施形態に係るモールド１１０において、第２領域Ｒ２の側面２０ｓ側の部分の第１高さｈ１は、第２領域Ｒ２の第１領域Ｒ１側の部分の第２高さｈ２よりも低い。ここで、高さｈ１及びｈ２は、第１面１０ａの延長面を基準にしたＺ方向の高さである。
【００１９】
図２（ａ）に表した例では、第２高さｈ２は、凹パターンＰ１ａの開口端の位置での高さと等しい。凹パターンＰ１ａは、パターン部Ｐのうち最も第２領域Ｒ２側の凹パターンＰ１である。第２高さｈ２は、例えば台座部２０の高さｈ２０と等しい。第１高さｈ１は、例えば側面２０ｓの高さと等しい。
【００２０】
図２（ｂ）に表した例では、第２高さｈ２は、凸パターンＰ２ａの付け根の位置での高さと等しい。凸パターンＰ２ａは、パターン部Ｐのうち最も第２領域Ｒ２側の凸パターンＰ２である。第２高さｈ２は、例えば台座部２０の高さｈ２０と等しい。第１高さｈ１は、例えば側面２０ｓの高さと等しい。
【００２１】
第２高さｈ２と第１高さｈ１との差は、凹凸パターンの段差よりも小さい。例えば、図２（ａ）に表した例では、第２高さｈ２と第１高さｈ１との差は、凹パターンＰ１の深さｈＰ１よりも小さい。例えば、図２（ｂ）に表した例では、第２高さｈ２と第１高さｈ１との差ｈ２１は、凸パターンＰ２の高さｈＰ２よりも小さい。
【００２２】
図２（ａ）及び（ｂ）に表した例では、第２領域Ｒ２は、第１領域Ｒ１から側面２０ｓにかけて凸型に湾曲した湾曲面２０ｃを有する。湾曲面２０ｃが設けられていることで、台座部２０の肩部分は丸みを帯びた形状になる。
【００２３】
台座部２０の肩部分は、後述するインプリント法においてモールド１１０をレジスト（感光性有機材料）に押印した際、レジストの接触が予定されている最も外側の部分である。第２領域Ｒ２の高さは、第１領域Ｒ１側から側面２０ｓ側に向けて徐々に低くなる。
【００２４】
図２（ａ）に表した例において、凹パターンＰ１の深さｈＰ１は例えば１０ナノメートル（ｎｍ）以上１００ｎｍ以下である。凹パターンＰ１の開口幅ｗＰ１は例えば５ｎｍ以上である。図２（ｂ）に表した例において、凸パターンＰ２の高さｈＰ２は例えば１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。凸パターンＰ２の幅ｗＰ２は例えば５ｎｍ以上である。
【００２５】
第２高さｈ２と第１高さｈ１との差ｈ２１は、例えば１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。第２領域Ｒ２の高さが変化する部分の長さ（第１面１０ａと平行な方向の長さＬ２１）は例えば５ｍｍである。図２（ａ）及び（ｂ）に表した例では、湾曲面２０ｃの設けられた部分の長さＬ２１が例えば５ｍｍである。
第２高さｈ２と第１高さｈ１との差ｈ２１は、例えば、段差計やＡＦＭ（Atomic Force Microscope）によって測定される。
【００２６】
本実施形態に係るモールド１１０では、上記のような台座部２０が設けられていることで、後述するインプリント法においてモールド１１０をレジストに押印した際、レジストが台座部２０の側面２０ｓから外側へはみ出すことを抑制する。例えば、台座部２０の肩部分に丸みが設けられていることで、肩部分に丸みが設けられていない場合に比べてレジストを収容する空間が形成される。これにより、レジストが側面２０ｓよりも外側にはみ出すことを抑制する。
【００２７】
ここで、モールド１１０を用いたインプリント法について説明する。
図３（ａ）〜（ｄ）はインプリント法を例示する模式的断面図である。
図３（ａ）〜（ｄ）では、本実施形態に係るモールド１１０によってパターンを形成する例を模式的に表している。
【００２８】
先ず、図３（ａ）に表したように、基板２５０の上に、感光性有機材料であるレジスト７０を塗布する。レジスト７０は、例えばノズルＮからインクジェット法によって基板２５０上に塗布される。レジスト７０の液滴の大きさは、例えば数μｍ程度である。レジスト７０の液滴の間隔は、例えば１０μｍ以上１００μｍ以下である。なお、レジスト７０は、スピンコート等によって基板２５０上に一様な厚さで塗布されてもよい。
【００２９】
次に、図３（ｂ）に表したように、本実施形態に係るモールド１１０を用意する。そして、このモールド１１０のパターン部Ｐを、レジスト７０に接触させる。レジスト７０は、毛細管現象により凹パターンＰ１の内部に侵入する。凹パターンＰ１内にはレジスト７０が充填される。
【００３０】
次に、モールド１１０のパターン部Ｐをレジスト７０に接触させた状態で、モールド１１０の基材１０側から光Ｃを照射する。光Ｃは、例えば、紫外線光である。光Ｃは、基材１０及びパターン部Ｐを透過して、レジスト７０に照射される。レジスト７０は、光Ｃが照射されることで硬化する。
【００３１】
次に、図３（ｃ）に表したように、モールド１１０を、レジスト７０から離型する。これにより、基板２５０の上にはモールド１１０のパターン部Ｐの凹凸形状が転写された転写パターン７０ａが形成される。モールド１１０をレジスト７０に接触させる際、モールド１１０と基板２５０との間に僅かな隙間が設けられる。この隙間に侵入したレジスト７０は、硬化後に残膜７０ｂとして残る。
【００３２】
次に、この残膜７０ｂを除去する処理を行う。例えば、転写パターン７０ａ及び残膜７０ｂをＲＩＥ（）によってエッチバックする。これにより、図３（ｄ）に表したように、転写パターン７０ａのみ基板２５０上に残ることになる。
【００３３】
図４（ａ）及び（ｂ）は、レジストの拡がりについて例示する模式的断面図である。
図４（ａ）には参考例に係るモールド１９０を用いた場合のレジストの拡がりが例示されている。図４（ｂ）には本実施形態に係るモールド１１０を用いた場合のレジストの拡がりが例示されている。
【００３４】
図４（ａ）に表した参考例に係るモールド１９０では、第２領域Ｒ２の高さが一定である。モールド１９０では、台座部２０の肩部に丸みは設けられていない。インプリント法において、モールド１９０をレジスト７０に接触させる初期の段階では、モールド１９０の中央部が下向きに凸型になるよう、モールド１９０に圧力を加える。モールド１９０の中央部がレジスト７０に接触した後、モールド１９０に加えていた圧力を開放する。これにより、モールド１９０と基板２５０との間に充填されたレジスト７０は、モールド１９０の中央部から周辺部に向けて拡がっていく。
【００３５】
モールド１９０への圧力の印加、開放を行う際、モールド１９０が振動し、台座部２０の下向きの凹型に反ることがある。この反りによって台座部２０の外縁部と基板２５０との距離が短くなった際、レジスト７０が台座部２０の外縁部から外側にはみ出すことがある。外側にはみ出したレジスト７０は、表面張力によって台座部２０の側面２０ｓを立ち上がる。側面２０ｓに沿ってレジスト７０が立ち上がると、その反作用で台座部２０の外縁部がさらに下向きに曲がろうとする。これによって、更なるレジスト７０のはみ出しが生じる。
【００３６】
モールド１９０の反りは、転写パターン７０ａの形状や向きに影響を与える。さらに、モールド１９０の反りは、モールド１９０を離型する際の離型性に影響を与える。離型性の悪化は、転写パターン７０ａへ過度な負荷をかけることになる。転写パターン７０ａに過度な負荷がかかると、転写パターン７０ａの破損の原因になる。
【００３７】
図４（ｂ）に表した本実施形態に係るモールド１１０では、第２領域Ｒ２に湾曲面２０ｃなどが設けられている。モールド１１０を用いてインプリント法により転写パターン７０ａを形成すると、モールド１１０が振動しても台座部２０の外縁部が必要以上に基板２５０に接近しない。このため、モールド１１０の中央部から周辺部に拡がるレジスト７０は、側面２０ｓから外側にはみ出ることはない。
【００３８】
レジスト７０が外側にはみ出ないため、側面２０ｓに沿ってレジスト７０が立ち上がることはない。湾曲面２０ｃに沿ってレジスト７０は立ち上がるが、側面２０ｓに沿ってレジスト７０が立ち上がる場合に比べて反作用のＺ方向成分は少ない。したがって、モールド１１０の反り量は少ない。
【００３９】
このように、本実施形態に係るモールド１１０を用いることで、インプリント法においてレジスト７０のはみ出し、及びモールド１１０の反りが抑制される。これにより、正確な位置及び方向に転写パターン７０ａが形成される。モールド１１０を離型する際、転写パターン７０ａに過度な負荷がかからない。したがって、モールド１１０の離型時での転写パターン７０ａの破損が抑制され、パターン形成の歩留まりが向上する。
【００４０】
図５（ａ）〜（ｄ）は、台座部の形状の例を示す模式的断面図である。
図５（ａ）〜（ｄ）では、パターン部Ｐの凹凸パターンを省略し、台座部の外形を概略的に表している。
【００４１】
図５（ａ）に表した例は、図２（ａ）及び（ｂ）に表した例と同様に、第２領域Ｒ２の表面に湾曲面２０ｃを設けた例である。湾曲面２０ｃは、第２領域Ｒ２の第１領域Ｒ１側から側面２０ｓにかけて設けられる。湾曲面２０ｃは、台座部２０の外周の一部に設けられていても、台座部２０の外周の全周に設けられていてもよい。
【００４２】
湾曲面２０ｃは、台座部２０のＺ方向にみた少なくとも隅部に設けられていることが望ましい。隅部では、拡がったレジスト７０がはみ出しやすい。隅部に湾曲面２０ｃが設けられていると、レジスト７０のはみ出しが効果的に抑制される。
【００４３】
図５（ｂ）に表した例では、台座部２０の面２０ａは湾曲面２０ｃ’を有する。湾曲面２０ｃ’は、第１領域Ｒ１から第２領域Ｒ２にかけて第１面１０ａから離れる方向に凸型に湾曲している。すなわち、台座部２０の面２０ａの全体は、下向きに凸型に湾曲している。湾曲面２０ｃ’は、円筒状に湾曲していても、球面状に湾曲していてもよい。
【００４４】
図５（ｃ）に表した台座部２０の第２領域Ｒ２の表面は、第２領域Ｒ２の第１領域Ｒ１側から側面２０ｓにかけて第１面１０ａに対して傾斜した傾斜面２０ｐを有する。傾斜面２０ｐは、台座部２０の外周の一部に設けられていても、台座部２０の外周の全周に設けられていてもよい。
【００４５】
傾斜面２０ｐは、台座部２０のＺ方向にみた少なくとも隅部に設けられていることが望ましい。隅部では、拡がったレジスト７０がはみ出しやすい。隅部に傾斜面２０ｐが設けられていると、レジスト７０のはみ出しが効果的に抑制される。
【００４６】
図５（ｄ）に表した台座部２０の第１領域Ｒ１は、第１面１０ａと平行な第１平面ＦＳ１を有する。ここで、「平行」は、実質的に平行を含む。第２領域Ｒ２は、第１面１０ａと平行な平面ＦＳ１’と、第１面１０ａと平行な第２平面ＦＳ２と、を有する。平面ＦＳ１’は、第１平面ＦＳ１と連続する面である。第２平面ＦＳ２は、第１平面ＦＳ１と連続しない面である。
【００４７】
第２領域Ｒ２は、平面ＦＳ１’と、第２平面ＦＳ２と、の間に段差を有する。インプリントを行う際、拡がったレジスト７０は、第２領域Ｒ２の上記段差による空間に入り込む。これにより、レジスト７０が、台座部２０の側面２０ｓから外側にはみ出すことを抑制する。
【００４８】
図５（ａ）〜（ｄ）のいずれのモールド１１０であっても、第２領域Ｒ２の側面２０ｓ側の部分の第１高さｈ１は、第２領域Ｒ２の第１領域Ｒ１側の部分の第２高さｈ２よりも低い。
【００４９】
図５（ａ）〜（ｄ）に表した台座部２０の形状は、台座部２０にパターン部Ｐが設けられていないモールド用ブランク基板１００にも適用可能である。モールド用ブランク基板１００は、基材１０と、台座部２０と、を備える。基材１０は第１面１０ａを有する。台座部２０は、基材１０の第１面から突出して設けられる。台座部２０は側面２０ｓを有する。台座部２０は、第１領域Ｒ１と、第１領域Ｒ１と側面２０ｓとの間に設けられた第２領域Ｒ２と、を有する。第１領域Ｒ１の最大高さは、第２領域Ｒ２の最大高さと等しい。第２領域Ｒ２の側面２０ｓ側の部分の第１高さは、第２領域Ｒ２の第１領域Ｒ１側の部分の第２高さよりも低い。第２領域Ｒ２の第１高さを第２高さよりも低くする構成として、図５（ａ）〜（ｄ）に表した台座部２０の形状が適用される。
【００５０】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係るモールドについて説明する。
図６（ａ）〜（ｃ）は、第２の実施形態に係るモールドの構成を例示する模式的断面図である。
【００５１】
図６（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）に表したモールド１２１、１２２及び１２３は、基材１０と、台座部２０と、パターン部Ｐと、制振部４０と、を備える。基材１０の中央部１２は、台座部２０と制振部４０との間に設けられる。制振部４０は、台座部２０の振動を抑制する機能を有する。
【００５２】
図６（ａ）に表した制振部４０は、制振ダンパ４０１及び支持部４０２を含む。支持部４０２は、基材１０の凹部１３内に設けられる。支持部４０２は、中央部１２と離間して設けられる。支持部４０２は、凹部１３の向かい合う側壁の間に嵌め込まれている。制振ダンパ４０１は、支持部４０２と中央部１２との間に設けられる。制振ダンパ４０１は複数設けられていてもよい。
【００５３】
モールド１２１において中央部１２の厚さは周辺部１１の厚さに比べて薄い。これにより中央部１２は撓みやすくなっている。インプリント法では、凹部１３から中央部１２に圧力を加えて中央部１２を撓ませ、台座部２０を下向きに凸型にする。
【００５４】
この状態でパターン部Ｐの中央をレジスト７０と接触させた後、中央部１２に加えていた圧力を徐々に開放する。これにより、パターン部Ｐとレジスト７０との接触領域が、中央から周辺に向けて拡がる。このような方法によって、パターン部Ｐとレジスト７０との間に気泡が混入することを抑制する。
【００５５】
このインプリント法において、中央部１２へ圧力の印加及び開放によって中央部１２に振動が発生する場合がある。中央部１２が振動すると、レジスト７０が台座部２０の側面２０ｓから外側にはみ出しやすくなる。モールド１２１では、制振ダンパ４０１によって中央部１２の振動を抑制する。モールド１２１では、中央部１２の振動が抑制されるため、振動に起因したレジスト７０のはみ出しが抑制される。
【００５６】
図６（ｂ）に表した制振部４０は、ピラー部４０３及び支持部４０２を含む。ピラー部４０３は、制振材料を含む。制振材料には、例えばポーラスガラス、ジェル状エラストマーが用いられる。
【００５７】
ピラー部４０３は、支持部４０２と中央部１２との間に設けられる。ピラー部４０３は複数設けられていてもよい。ピラー部４０３は、制振材料を用いて柱形状に成型された部材である。モールド１２２では、ピラー部４０３によって中央部１２の振動を抑制する。ピラー部４０３は、制振ダンパ４０１に比べて簡素な構造で制振効果を得られる。
【００５８】
図６（ｃ）に表した制振部４０は、カバー部４０４を含む。カバー部４０４は、凹部１３内に設けられる。カバー部４０４は、凹部１３の底部分を覆うように設けられる。カバー部４０４は、制振材料を含む。制振材料には、例えばポーラスガラス、ジェル状エラストマーが用いられる。
【００５９】
モールド１２３では、カバー部４０４によって中央部１２の振動を抑制する。モールド１２３では、制振部４０に支持部４０２が不要である。モールド１２３では、カバー部４０４だけの簡単な構成で制振効果を得られる。
【００６０】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態に係るモールドの製造方法について説明する。
図７は、第３の実施形態に係るモールドの製造方法を例示するフローチャートである。
図８（ａ）及び（ｂ）は、モールドの製造について例示する模式的断面図である。
【００６１】
図７に表したように、本実施形態に係るモールドの製造方法は、ブランク基板を用意する工程（ステップＳ１０１）と、パターンを形成する工程（ステップＳ１０２）と、を備える。
【００６２】
ブランク基板を用意する工程（ステップＳ１０１）では、台座部２０に凸型の湾曲面２０ｃ’を有するモールド用ブランク基板１００を用意する。
パターンを形成する工程（ステップＳ１０２）では、台座部２０の湾曲面２０ｃ’を平坦面に沿わせた際に平坦面上に基準位置と合致する湾曲面２０ｃ’上にパターンを形成する。
【００６３】
図８（ａ）には、本実施形態に係るモールドを用いた場合のパターンの転写の例が模式的に表されている。図８（ａ）に表したモールド１１０は、例えば図５（ｂ）に例示したモールド１１０のように、台座部２０の面２０ａに湾曲面２０ｃ’している部分を有する。図８（ａ）では、湾曲している部分に凹パターンＰ１が設けられたモールド１１０を用いてパターン転写を行う場合を例示している。このモールド１１０を用いて基板Ｓの平坦面に転写パターン７０ａを形成する場合、モールド１１０の湾曲面２０ｃ’が基板Ｓの平坦面に沿う状態になる。これにより、基板Ｓの平坦面に形成される転写パターン７０ａは、台座部２０が平坦な場合に比べて外側に設けられる。転写パターン７０ａのずれ量をΔｔとする。
【００６４】
本実施形態に係るモールド１１０の製造方法では、湾曲面２０ｃ’を有する台座部２０にパターン部Ｐを形成する場合、図８（ａ）に表した転写パターン７０ａのずれ量Δｔを考慮した形成を行う。
【００６５】
図８（ｂ）に表したように、凸型の湾曲面２０ｃ’を有する台座部２０にパターン部Ｐを形成する場合、台座部２０の湾曲面２０ｃ’を基板Ｓの平坦面に沿わせた際に平坦面上の基準位置と合致する湾曲面２０ｃ’上にパターンを形成する。具体的には、湾曲面２０ｃ’上に例えば凹パターンＰ１を形成する場合、転写パターン７０ａのずれ量Δｔがなくなるように凹パターンＰ１の形成位置を内側に調整する。また、湾曲面２０ｃ’が平坦になるようにモールド用ブランク基板１００を反らせた状態でパターン部Ｐを形成してもよい。
【００６６】
これにより、湾曲面２０ｃ’を有する台座部２０にパターン部Ｐが設けられたモールド１１０を用いてパターン転写を行う場合、設計通りの位置に転写パターンが形成される。
【００６７】
（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態に係るモールドの製造方法について説明する。
図９は、第４の実施形態に係るモールドの製造方法を例示するフローチャートである。
図１０（ａ）及び（ｂ）は、モールドの製造について例示する模式的断面図である。
【００６８】
図９に表したように、本実施形態に係るモールドの製造方法は、ブランク基板を用意する工程（ステップＳ２０１）と、パターンを形成する工程（ステップＳ２０２）と、を備える。
【００６９】
ブランク基板を用意する工程（ステップＳ２０１）では、台座部２０に凸型の湾曲面２０ｃ’を有するモールド用ブランク基板１００を用意する。
パターンを形成する工程（ステップＳ２０２）では、台座部２０の湾曲面２０ｃ’が平坦になるようにモールド用ブランク基板１００を反らせた状態で湾曲面２０ｃ’上にパターンを形成する。
【００７０】
図１０（ａ）には、台座部２０の湾曲面２０ｃ’に凹パターンＰ１を形成した例が模式的に表されている。湾曲面２０ｃ’に凹パターンＰ１を形成するには、湾曲面２０ｃ’にマスク材８０を形成した後、例えばＲＩＥによって台座部２０をエッチングする。ここで、マスク材８０は湾曲面２０ｃ’に垂直に設けられている。つまり、マスク材８０は第１面１０ａの法線方向に対して傾いている。
【００７１】
マスク材８０の第１面１０ａの法線方向にみた開口幅は、マスク材８０の湾曲面２０ｃ’の法線方向にみた開口幅よりも狭い。この状態で、第１面１０ａに垂直な方向にＲＩＥを行うと、マスク材８０に対して斜めに反応性イオンが入射する。したがって、台座部２０に形成される凹パターンＰ１の開口幅ｗＰ１は、予定していた開口幅（マスク材８０の開口幅）よりも狭くなる。
【００７２】
そこで、図１０（ｂ）に表したように、本実施形態では、台座部２０の湾曲面２０ｃ’が平坦になるようにモールド用ブランク基板１００を反らせた状態でＲＩＥを行う。これにより、マスク材８０の第１面１０ａの法線方向にみた開口幅は、マスク材８０の湾曲面２０ｃ’の法線方向にみた開口幅と実質的に等しくなる。したがって、台座部２０に形成される凹パターンＰ１の開口幅ｗＰ１は、予定していた開口幅（マスク材８０の開口幅）と実質的に等しくなる。
【００７３】
このようにして形成されたモールド１１０を用いてパターン転写を行うと、設計通りの位置に転写パターンが形成されることになる。
【００７４】
以上説明したように、実施形態に係るモールド、モールド用ブランク基板及びモールドの製造方法によれば、パターンを歩留まり良く形成することができる。
【００７５】
なお、上記に本実施の形態およびその変形例を説明したが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。例えば、前述の各実施の形態またはその変形例に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、設計変更を行ったものや、各実施の形態の特徴を適宜組み合わせたものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。
【００７６】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００７７】
１０…基材、１０ａ…第１面、１０ｂ…第２面、１１…周辺部、１２…中央部、１３…凹部、２０…台座部、２０ａ…面、２０ｃ…湾曲面、２０ｐ…傾斜面、２０ｓ…側面、４０…制振部、１００…モールド用ブランク基板、１１０，１２１，１２２，１２３，１９０…モールド、２５０…基板、４０１…制振ダンパ、４０２…支持部、４０３…ピラー部、４０４…カバー部、ＦＳ１…第１平面、ＦＳ２…第２平面、Ｐ…パターン部、Ｐ１…凹パターン、Ｐ２…凸パターン、Ｒ１…第１領域、Ｒ２…第２領域、ｈ１…第１高さ、ｈ２…第２高さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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