(57)【要約】【課題】温度変化による変形量が小さく、接着剤にせん断力の作用する加工を経ても圧電層と支持層との接着強度を高く維持することができる圧電基板の提供を目的とする。【解決手段】本発明の圧電基板は、圧電層と、この圧電層の裏面に接着剤層を介して積層され、上記圧電層よりも線膨張係数が小さい支持層とを備え、上記接着剤層の硬化収縮率が５％以下である。上記接着剤層の１５０℃におけるヤング率が１ＧＰａ以下であるとよい。上記接着剤層の２５℃における引張せん断接着強さが１００ｋｇｆ／ｃｍ２以上であるとよい。上記圧電層の主成分がタンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウムであるとよい。上記支持層の主成分がサファイア、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、スピネル、ムライト又はシリコンであるとよい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電層と、
この圧電層の裏面に接着剤層を介して積層され、上記圧電層よりも線膨張係数が小さい支持層と
を備え、
上記接着剤層の硬化収縮率が５％以下である圧電基板。
【請求項２】
上記接着剤層の１５０℃におけるヤング率が１ＧＰａ以下である請求項１に記載の圧電基板。
【請求項３】
上記接着剤層の２５℃における引張せん断接着強さが１００ｋｇｆ／ｃｍ２以上である請求項１又は請求項２に記載の圧電基板。
【請求項４】
上記圧電層の主成分がタンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウムである請求項１、請求項２又は請求項３に記載の圧電基板。
【請求項５】
上記支持層の主成分がサファイア、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、スピネル、ムライト又はシリコンである請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の圧電基板。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の圧電基板を用いた弾性表面波素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電基板及び弾性表面波素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話等の通信端末や、基地局等で用いられる通信機器には、任意の周波数の電気信号を取り出すために弾性表面波を利用したフィルタ（ＳＡＷフィルタ）が一般に備えられる。このＳＡＷフィルタは、圧電基板の表面に櫛型電極が配設されたもので、櫛形電極のピッチに応じた周波数の表面弾性波信号を受発信するものである。このＳＡＷフィルタに用いられる圧電基板が熱により膨張すると、櫛形電極のピッチが変化しフィルタの中心周波数が変化してしまうため、圧電基板には、電気信号から機械的振動への変換効率（電気機械結合係数）の高さに加えて温度変化による変形量の低さが求められる。
【０００３】
上記圧電基板の材料としては、一般にニオブ酸リチウム（ＬＮ）やタンタル酸リチウム（ＬＴ）に代表される高結合圧電単結晶が用いられる。これらの結晶は、選択周波数の帯域幅が大きくかつ電気信号の損失も少ないため、これらの結晶を用いることで高性能の圧電基板を得ることができる。
【０００４】
しかし、ＬＮやＬＴの単結晶板は劈開割れが生じやすいため、加工性が悪く、小さな応力や衝撃によっても破損するおそれがある。また、線膨張係数（熱膨張率）が比較的大きいため、温度変化によってＳＡＷフィルタの中心周波数が著しく変化する。さらには、結晶内の方位によって線膨張係数が異なるため、加熱により内部に応力歪みが生じて基板が割れるという不都合がある。
【０００５】
そこで、上記単結晶板（圧電層）にこの単結晶板よりも線膨張係数の小さい支持板（支持層）を張り合わせることで、圧電層の温度変化による変形を抑えてフィルタ中心周波数の変化（周波数温度係数の絶対値）の低減及び割れ防止を図った圧電基板が提案されている（特開平０２−６２１０８号公報参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平０２−６２１０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述のような圧電基板は、その製造段階において支持層の研磨作業により接着剤にせん断力が加わる。また、圧電基板を弾性表面波素子に加工する際、金属膜形成工程や無機絶縁保護膜形成工程等では例えば約１２０℃で１時間程度加熱され、ハンダリフロー工程では例えば約２６０℃で２０秒程度加熱される。この加熱によって、圧電基板に各層の線膨張係数の差に起因する反りが発生し、この反りによって接着剤にせん断力が加わる。しかし、従来の圧電基板では、上述のような加工時のせん断力によって接着剤に亀裂等が発生し接着強度が低下するおそれがあった。
【０００８】
本発明は、上述のような事情に基づいてなされたものであり、温度変化による変形量が小さく、接着剤にせん断力の作用する加工を経ても圧電層と支持層との接着強度を高く維持することができる圧電基板及びこの圧電基板を用いた弾性表面波素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために鋭意検討した結果、本発明者らは、硬化収縮率の小さい接着剤を用いることで、接着剤の残留応力を低減し、加工時のせん断応力による圧電層と支持層との接着強度の低下を抑制できることを見出した。
【００１０】
すなわち、上記課題を解決するためになされた発明は、
圧電層と、
この圧電層の裏面に接着剤層を介して積層され、上記圧電層よりも線膨張係数が小さい支持層と
を備え、
上記接着剤層の硬化収縮率が５％以下である圧電基板である。
【００１１】
また、上記課題を解決するためになされた別の発明は、
当該圧電基板を用いた弾性表面波素子である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の圧電基板及びこの圧電基板を用いた弾性表面波素子は、温度変化による変形量が小さい。また、本発明の圧電基板及びこの圧電基板を用いた弾性表面波素子は、接着剤にせん断力の作用する加工を経ても接着剤に亀裂等の欠陥が発生することを防止することができるため、圧電層と支持層との接着強度を高く維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本発明の一実施形態の圧電基板を示す模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
［本発明の実施形態の説明］
本発明は、
圧電層と、
この圧電層の裏面に接着剤層を介して積層され、上記圧電層よりも線膨張係数が小さい支持層と
を備え、
上記接着剤層の硬化収縮率が５％以下である圧電基板である。
【００１５】
当該圧電基板は、圧電層よりも線膨張係数が小さい支持層を備えるため、温度変化による変形量が小さい。また当該圧電基板は、接着剤層の硬化収縮率を上記上限以下とすることで、圧電層と支持層との間に積層した接着剤を硬化して得られる接着剤層の残留応力を低く抑えることができる。その結果、接着剤層にせん断応力が作用しても亀裂等の欠陥の発生が防止される。これにより当該圧電基板は、様々な加工を経た後の圧電層及び支持層間の接着強度を高く維持することができる。
【００１６】
上記接着剤層の１５０℃におけるヤング率としては１ＧＰａ以下が好ましい。このように接着剤層のヤング率を上記上限以下とすることで、接着剤層と支持層との線膨張係数の差による高温加熱時の歪みを接着剤層が変形して吸収することができる。その結果、高温加熱時に接着剤層に作用するせん断力を小さくすることができる。また、研磨加工等においても変形を吸収してせん断力を低減することができる。そのため、上述の残留応力低減効果と相まって、当該圧電基板の圧電層と支持層との接着強度をより高く維持することができる。
【００１７】
上記接着剤層の２５℃における引張せん断接着強さとしては１００ｋｇｆ／ｃｍ２以上が好ましい。このように接着剤層の２５℃における引張せん断接着強さを上記下限以上とすることで、高硬度の支持層の研磨時に圧電層と支持層とが剥離することを防止して、当該圧電基板の歩留りを向上させることができる。また、高温加熱時に発生する反りに起因するせん断力に対する強度も高めることができる。これにより、当該圧電基板の圧電層と支持層との接着強度をより高めることができる。
【００１８】
上記圧電層の主成分としてはタンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウムが好ましい。このようにタンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウムを圧電層に用いることで、圧電層の電気機械結合係数を高め、当該圧電基板の周波数フィルタ特性を向上させることができる。
【００１９】
上記支持層の主成分としてはサファイア、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、スピネル、ムライト又はシリコンが好ましい。このようにサファイア、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、スピネル、ムライト又はシリコンを支持層に用いることで、当該圧電基板の温度変化による変形及び機械的強度をより改善することができる。
【００２０】
従って、当該圧電基板を用いた弾性表面波素子は、温度変化による変形量が小さく、接着剤層にせん断力の作用する加工を経ても圧電層と支持層とが高い接着強度を有するため、高い信頼性を備える。
【００２１】
ここで、「硬化収縮率」とは、ＪＩＳ−Ｋ７１１２（１９９９）に記載のＢ法に準拠して測定した硬化前の接着剤の比重をＧ１、硬化後の接着剤の比重をＧ２としたときに（Ｇ１−Ｇ２）／Ｇ１×１００より求められる値である。「引張せん断接着強さ」とは、ＪＩＳ−Ｋ６８５０（１９９９）に準拠して測定される値である。
【００２２】
［本発明の実施形態の詳細］
以下、本発明に係る圧電基板の各実施形態について図面を参照しつつ詳説する。
【００２３】
図１の圧電基板１は、圧電層２と、この圧電層２の裏面側に積層され、上記圧電層２よりも線膨張係数が小さい支持層３と、圧電層２と支持層３との間に配設される接着剤層４とを備えている。
【００２４】
＜圧電層＞
圧電層２は、電気信号を機械的振動へ変換する圧電効果を奏する層である。圧電層２の主成分としては、例えばタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ホウ酸リチウム等を用いることができる。これらの中でも、電気機械結合係数に優れるタンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウムが好ましい。圧電層２は、例えばチョクラルスキー法で上記成分の単結晶棒を生成し、これをスライスすることで得ることができる。なお、基板方位（カット角度）としては、例えば３６°〜５０°とすることができ、ＳＡＷフィルタの用途等に応じて適宜選択することができる。
【００２５】
圧電層２の平均厚さの下限としては、１０μｍが好ましく、１５μｍがより好ましく、２０μｍがさらに好ましい。圧電層２の平均厚さが上記下限未満の場合、弾性表面波の伝搬ロスが大きくなるおそれや、圧電層２の加工等が困難になるおそれがある。一方、圧電層２の平均厚さの上限としては、５０μｍが好ましく、４０μｍがより好ましく、３０μｍがさらに好ましい。圧電層２の平均厚さが上記上限を超える場合、圧電層２の温度変化による膨張又は収縮が大きくなるおそれや、当該圧電基板１が不要に厚くなるおそれがある。
【００２６】
圧電層２裏面の算術平均粗さ（Ｒａ）の上限としては、１μｍが好ましく、０．８μｍがより好ましい。圧電層２裏面の算術平均粗さ（Ｒａ）が上記上限を超える場合、接着剤層４の厚さのバラツキが大きくなり、接着強度が低下するおそれがある。一方、圧電層２裏面の算術平均粗さ（Ｒａ）の下限としては、０．０５μｍが好ましい。圧電層２裏面の算術平均粗さ（Ｒａ）が上記下限未満の場合、バルク波が圧電層２と支持層３との間で反射し易くなってスプリアス応答が増加するおそれや、接着剤層４と圧電層２との接着面積や接着剤のアンカー効果が低減し圧電層２と接着剤層４との接着強度が低下するおそれがある。
【００２７】
なお圧電層２は、上記主成分以外の成分を含んでいてもよく、例えば金属等の元素を添加してもよい。金属元素を添加することで圧電層２の機械的強度や耐熱性等を改善することができる。
【００２８】
＜支持層＞
支持層３は、当該圧電基板１の強度を高めると共に、温度変化による変形を抑えるための支持基材である。支持層３の主成分としては、圧電層２よりも線膨張係数が小さい単結晶やセラミックスを用いることができ、例えばサファイア、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、スピネル（酸化アルミニウムと酸化マグネシウムとの混合焼結体）、シリコン、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、コージェライト、チタン酸アルミニウム、ムライト（酸化アルミニウムと酸化ケイ素との混合焼結体）等を挙げることができる。これらの中でも、線膨張係数が小さく、ヤング率及び硬度が高いサファイア、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、スピネル、ムライト又はシリコンが好ましく、機械的特性とコストや加工性とのバランスに優れたスピネル又はムライトが特に好ましい。
【００２９】
支持層３の平均厚さの下限としては、１００μｍが好ましく、１５０μｍがより好ましく、２００μｍがさらに好ましい。支持層３の平均厚さが上記下限未満の場合、当該圧電基板１の温度変化による変形を十分に低減させることができないおそれがある。一方、支持層３の平均厚さの上限としては、５００μｍが好ましく、４００μｍがより好ましく、３００μｍがさらに好ましい。支持層３の平均厚さが上記上限を超える場合、バルク波が圧電層２と支持層３との境界で反射を起こしやすくなるおそれや、当該圧電基板１が不要に厚くなるおそれがある。
【００３０】
支持層３表面の算術平均粗さ（Ｒａ）の下限としては、０．０５μｍが好ましく、０．１μｍがより好ましい。支持層３表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が上記下限未満の場合、バルク波が圧電層２と支持層３との間で反射し易くなってスプリアス応答が増加するおそれや、接着剤層４と支持層３との接着面積や接着剤のアンカー効果が低減し支持層３と接着剤層４との接着強度が低下するおそれがある。一方、支持層３表面の算術平均粗さ（Ｒａ）の上限としては、１μｍが好ましく、０．５μｍがより好ましい。支持層３表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が上記上限を超える場合、接着剤層４の厚さのバラツキが大きくなり、接着強度が低下するおそれがある。
【００３１】
支持層３の線膨張係数の上限としては、１６×１０−６／℃が好ましく、８×１０−６／℃がより好ましい。支持層３の線膨張係数が上記上限を超える場合、当該圧電基板１の温度変化による変形量を十分に低減させることができないおそれがある。一方、支持層３の線膨張係数の下限としては、１×１０−６／℃が好ましい。支持層３の線膨張係数が上記下限未満の場合、圧電層２と線膨張係数の差が大きくなって温度変化時に支持層３の歪みが大きくなるおそれがある。
【００３２】
また、支持層３と圧電層２との線膨張係数の差の下限としては、５×１０−６／℃が好ましく、７×１０−６／℃がより好ましい。支持層３と圧電層２との線膨張係数の差が上記下限未満の場合、当該圧電基板１の温度変化による変形量を十分に低減させることができないおそれがある。一方、支持層３と圧電層２との線膨張係数の差の上限としては、２０×１０−６／℃が好ましい。支持層３と圧電層２との線膨張係数の差が上記上限を超える場合、温度変化時に支持層３の歪みが大きくなるおそれがある。
【００３３】
支持層３のヤング率の下限としては、１００ＧＰａが好ましく、２００ＧＰａがより好ましい。支持層３のヤング率が上記下限未満の場合、支持層３が割れやすくなるおそれがある。一方、支持層３のヤング率の上限としては、５００ＧＰａが好ましく、４００ＧＰａがより好ましい。支持層３のヤング率が上記上限を超える場合、支持層３の加工が困難になるおそれがある。
【００３４】
支持層３のヌープ硬度の下限としては、１０００が好ましく、１２００がより好ましい。支持層３のヌープ硬度が上記下限未満の場合、支持層３が割れやすくなるおそれがある。一方、支持層３のヌープ硬度の上限としては、２５００が好ましく、１８００がより好ましい。支持層３のヌープ硬度が上記上限を超える場合、支持層３の加工が困難になるおそれがある。
【００３５】
＜接着剤層＞
接着剤層４は、圧電層２と支持層３とを接着する接着剤で構成される層である。この接着剤としては後述の硬化収縮率が一定値以下のものであれば特に限定されず、公知の熱硬化型接着剤、光硬化型接着剤等を用いることができる。接着剤層４には、耐熱性及び耐久性に優れたエポキシ樹脂を主成分とした接着剤を好適に用いることができる。特に、加熱の必要がなく製造コストを低減することができる室温硬化型又はＵＶ硬化型のエポキシ樹脂を接着剤層４に用いることが好ましい。
【００３６】
接着剤層４を構成する接着剤の硬化収縮率の上限としては、５％であり、４．５％がより好ましく、４％がさらに好ましい。接着剤層４を構成する接着剤の硬化収縮率が上記上限を超える場合、接着剤層４の残留応力が大きくなるため、当該圧電基板１を加熱加工した際に生じる反りに起因するせん断力によって接着剤層４に亀裂等の欠陥が発生し、接着力が低下するおそれがある。なお、接着剤層４を構成する接着剤の硬化収縮率の下限は特に限定されないが、例えば０．０１％とすることができる。
【００３７】
接着剤層４を構成する接着剤の硬化後の１５０℃におけるヤング率の上限としては、１ＧＰａが好ましく、０．９ＧＰａがより好ましく、０．８ＧＰａがさらに好ましい。上記ヤング率が上記上限を超える場合、高温加熱時に接着剤層４と支持層３との線膨張係数の差による歪みが接着剤に吸収されず、その結果接着剤層４に大きなせん断力が作用するおそれがある。なお、接着剤層４を構成する接着剤の硬化後の１５０℃におけるヤング率の下限は特に限定されないが、例えば１ＭＰａとすることができる。
【００３８】
接着剤層４を構成する接着剤の硬化後の２５℃における引張せん断接着強さの下限としては、１００ｋｇｆ／ｃｍ２が好ましく、１２５ｋｇｆ／ｃｍ２がより好ましく、１５０ｋｇｆ／ｃｍ２がさらに好ましい。上記引張せん断接着強さが上記下限未満の場合、当該圧電基板１の製造において支持層３の研磨時に圧電層２と支持層３とが剥離するおそれや、高温加熱時に当該圧電基板１の反りに起因するせん断力によって圧電層２と支持層３とが剥離するおそれがある。なお、接着剤層４を構成する接着剤の硬化後の２５℃における引張せん断接着強さの上限は特に限定されないが、例えば１０００ｋｇｆ／ｃｍ２とすることができる。
【００３９】
接着剤層４の平均厚さの下限としては、０．８μｍが好ましく、１．２μｍがより好ましく、１．５μｍがさらに好ましい。接着剤層４の平均厚さが上記下限未満の場合、圧電層２と支持層３との接着強度が低下するおそれがある。一方、接着剤層４の平均厚さの上限としては、５μｍが好ましく、４μｍがより好ましく、３μｍがさらに好ましい。接着剤層４の平均厚さが上記上限を超える場合、支持層３による圧電層２の変形抑制効果が低下し、当該圧電基板１の温度変化による変形を十分に低減できないおそれや、不要に当該圧電基板１が厚くなるおそれがある。
【００４０】
＜利点＞
当該圧電基板１は、圧電層２よりも線膨張係数が小さい支持層３を備えるため、温度変化による変形量が小さい。また当該圧電基板１は、接着剤層４の硬化収縮率を一定値以下とすることで、圧電層２と支持層３との間に積層した接着剤を硬化して得られる接着剤層４の残留応力を低く抑えることができる。その結果、接着剤層４にせん断応力が作用しても亀裂等の欠陥の発生が防止される。これにより当該圧電基板１は、様々な加工を経た後の圧電層２及び支持層３間の接着強度を高く維持することができる。
【００４１】
＜圧電基板の製造方法＞
当該圧電基板１は、例えば以下の工程を有する製造方法により容易かつ確実に製造することができる。
（１）圧電層２、接着剤層４及び支持層３をこの順に積層する工程
（２）接着剤層４を硬化させる工程
（３）圧電層２の表面を研削する工程
【００４２】
＜（１）積層工程＞
積層工程において、圧電層２と支持層３とを接着剤層４を介して積層する。接着剤層４は、圧電層２裏面又は支持層３表面に接着剤を塗工することで積層してもよいし、シート状に形成した接着剤を圧電層２と支持層３との間に配設してもよい。なお、圧電層２裏面及び支持層３表面は、算術平均粗さ（Ｒａ）が上述した範囲内となるように研磨しておくことが好ましい。なお、密着性を向上させるために、圧電層２、接着剤層４及び支持層３を積層した後、真空下でこの積層体を加圧することが好ましい。
【００４３】
＜（２）接着剤層硬化工程＞
接着剤層硬化工程において、接着剤層４を硬化させて圧電層２と支持層３とを接着する。接着剤層４の硬化方法としては、例えば室温硬化型接着剤を用いる場合は室温条件下での一定時間静置、ＵＶ硬化型接着剤を用いる場合はＵＶ照射等が用いられる。
【００４４】
＜（３）圧電層表面研削工程＞
圧電層表面研削工程において、圧電層２の表面を研削することで、圧電層２の厚さを調整する。
【００４５】
＜弾性表面波素子＞
当該圧電基板１は、上述のように温度変化による変形を起こし難く、かつ接着剤層にせん断応力が作用する加工を経ても圧電層と支持層とが高い接着強度を有する。そのため、当該圧電基板１を切断し、表面に櫛形電極及び保護膜を加熱形成した弾性表面波素子は、温度によるフィルタ中心波長の変化が小さく、機械的強度にも優れるため、ＳＡＷフィルタとして携帯電話等の通信機器に好適に用いることができる。
【実施例】
【００４６】
以下、実施例によって本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００４７】
［実施例１］
砥粒♯８００の緑色炭化ケイ素（ＧＣ）で両面をラップ加工した平均厚さ２５０μｍ、直径４インチ（１００ｍｍ）のスピネル製の基板（支持層）と、同様のラップ加工をした平均厚さ２５０μｍ、直径４インチ（１００ｍｍ）の回転４８°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウムの基板（圧電層）とを用意した。これらの基板の表面を硫酸と過酸化水素水とで洗浄して有機不純物を除去し、加熱乾燥した。次に上記支持層の表面にエポキシ系のＵＶ硬化型接着剤を滴下し、スピンコーターを用いて均一に塗布した後、上記圧電層をオリフラを用いて位置合わせをしながら積層し、３００Ｐａの真空下で３０Ｎ／ｃｍ２の圧力を加えた。その後照度２０ｍＷ／ｃｍ２の高圧水銀灯を１時間照射して接着剤を硬化させ接着剤層を形成し、圧電層と支持層とを接着した。その後、圧電層が任意の平均厚さ２５μｍになるまでその表面を研削しポリッシュ仕上げを行い実施例１の圧電基板を得た。上記接着剤層の硬化収縮率、１５０℃におけるヤング率、２５℃における引張せん断接着強さ、及び平均厚さは表１に示すとおりである。また、これらの数値は以下の方法で計測した。
【００４８】
（接着剤層の硬化収縮率）
接着剤層の硬化収縮率は、硬化前後の密度で算出した。
【００４９】
（接着剤層の１５０℃におけるヤング率）
接着剤層の１５０℃におけるヤング率は、引張試験機を用いて応力−歪カーブを求め導出した。
【００５０】
（接着剤層の２５℃における引張せん断接着強さ）
接着剤層の２５℃における引張せん断接着強さは、別途同素材から構成した試験サンプルを作製し、引張試験機を用いてせん断破壊強度を計測した。
【００５１】
（接着剤層の平均厚さ）
接着剤層の平均厚さは、基板を切断し、断面を研磨した後、測長顕微鏡を用いて複数個所を計測し導出した。
【００５２】
次に、上記圧電基板を１１０℃に加熱しながら圧電層の表面全体にチタン、アルミニウムの順に金属層を積層した。この金属層に対して一般的なフォトリソグラフィーによって周期が３．６μｍの櫛形電極のレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして塩素系ガスを用いたドライエッチング法により厚さが０．２μｍの櫛形電極を形成した。その後、圧電基板を１２０℃に加熱しながら電極の上から圧電層の表面全体にＳｉＯ２からなる保護膜をＣＶＤ法にて形成した。さらに、外部信号線と接続するための電極パッド部を開口し、中心周波数が１０２０ＭＨｚの１ポートＳＡＷ共振器と、この共振器を挟む形で両側に各々２つの反射器を有する実施例１の圧電基板を備える弾性表面波素子を得た。さらに、この弾性表面波素子をダイシングによってチップサイズに分割し、２６０℃で５秒間加熱して鉛フリー半田をリフローさせることでテスト基板に実装した。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
以上のように、本発明の圧電基板は、温度変化による変形量が小さく、接着剤にせん断力の作用する加工を経ても圧電層と支持層との接着強度を高く維持することができる。従って、当該圧電基板を用いた弾性表面波素子は、例えば携帯電話等の通信機器に好適に用いることができる。
【符号の説明】
【００５４】
１  圧電基板
２  圧電層
３  支持層
４  接着剤層
【図１】
2014229943.tif 000003