(57)【要約】【課題】バリア性能が高く、リーク電流が少ない配線構造及びその形成方法を提供する。【解決手段】まず、支持部材２１上にフォトレジスト膜２３を形成し、露光及び現像処理して溝２３ａを形成する。その後、溝２３ａの壁面を覆うように、且つ溝２３ａの底部に支持部材２１が露出するように無機絶縁膜２４を形成する。次に、導電性材料により溝２３ａの壁面及び溝２３ａの底部を覆うバリア膜２４を形成する。そして、支持部材２１の上側全面に導電性材料を堆積させた後、フォトレジスト膜２３上に堆積した導電性材料を研磨により除去して配線２７を得る。次いで、フォトレジスト膜２３を除去した後、支持部材２１の上側全面に感光性絶縁樹脂を付着させて、配線２７の側部及び上部を覆う感光性絶縁膜２９を形成する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持部材上にフォトレジスト膜を形成する工程と、
前記フォトレジスト膜を露光及び現像処理して、前記フォトレジスト膜の表面から前記支持部材に到達する溝を形成する工程と、
前記溝の壁面を覆うように、且つ前記溝の底部に前記支持部材が露出するように無機絶縁膜を形成する工程と、
導電性材料により、前記溝の壁面及び前記溝の底部を覆うバリア膜を形成する工程と、
前記支持部材の上側全面に導電性材料を堆積させて前記溝内に前記導電性材料を埋め込む工程と、
前記フォトレジスト膜上に堆積した前記導電性材料を研磨して前記フォトレジスト膜を露出させ、前記溝内に残留する前記導電性材料よりなる配線を得る工程と、
前記フォトレジスト膜を除去する工程と、
前記支持部材の上側全面に感光性絶縁樹脂を付着させて前記配線の側部及び上部を覆う感光性絶縁膜を形成する工程と
を有することを特徴とする配線構造の形成方法。
【請求項２】
前記導電性材料が銅であることを特徴とする請求項１に記載の配線構造の形成方法。
【請求項３】
前記無機絶縁膜を形成する工程では、前記フォトレジスト膜の表面をＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）、ＴＭＤＳ（テトラメチルジシラザン）又はＴＭＣＳ（トリメチルクロロシラン）の蒸気に曝し、その後ＴＥＭＳ（テトラエトキシシラン）又はＴＥＳ（トリエチルシラン）をスピンコートすることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線構造の形成方法。
【請求項４】
前記無機絶縁膜を形成する工程では、前記支持部材の上側全面に無機絶縁物を堆積させ、その後異方性エッチングを実施することを特徴とする請求項１又は２に記載の配線構造の形成方法。
【請求項５】
支持部材と、
前記支持部材の上に形成された配線と、
前記配線の側方及び上方を覆う絶縁樹脂膜と、
前記配線の側部と前記絶縁樹脂膜との間に配置された導電性のバリア膜と、
前記バリア膜と前記絶縁樹脂膜との間に配置された無機絶縁膜と
を有することを特徴とする配線構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線構造及びその形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、高性能化及び低価格化等の要求にともない、半導体チップのより一層の高密度化及び多端子化、並びに端子の狭ピッチ化が進んでいる。そして、半導体チップの多端子化や端子の狭ピッチ化にともない、多層プリント基板、ＬＳＩパッケージ基板、ウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）及びマルチチップパッケージ（ＭＣＰ）などに形成される配線のより一層の微細化が求められている。
【０００３】
このような要求に対応して、近年、絶縁膜材料として感光性絶縁樹脂（感光性永久レジスト）を使用し、絶縁膜に形成された溝内にＣｕ（銅）等の導電材料を埋め込んで配線層を形成することが提案されている。このような方法によれば、幅が５μｍ以下の配線の形成も可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−２５８８７１号公報
【特許文献２】特開２０１１−００３８８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
バリア性能が高く、リーク電流が少ない配線構造及びその形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
開示の技術の一観点によれば、支持部材上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記フォトレジスト膜を露光及び現像処理して、前記フォトレジスト膜の表面から前記支持部材に到達する溝を形成する工程と、前記溝の壁面を覆うように、且つ前記溝の底部に前記支持部材が露出するように無機絶縁膜を形成する工程と、導電性材料により、前記溝の壁面及び前記溝の底部を覆うバリア膜を形成する工程と、前記支持部材の上側全面に導電性材料を堆積させて前記溝内に前記導電性材料を埋め込む工程と、前記フォトレジスト膜上に堆積した前記導電性材料を研磨して前記フォトレジスト膜を露出させ、前記溝内に残留する前記導電性材料よりなる配線を得る工程と、前記フォトレジスト膜を除去する工程と、前記支持部材の上側全面に感光性絶縁樹脂を付着させて前記配線の側部及び上部を覆う感光性絶縁膜を形成する工程とを有する配線構造の形成方法が提供される。
【０００７】
また、開示の技術の他の一観点によれば、支持部材と、前記支持部材の上に形成された配線と、前記配線の側方及び上方を覆う絶縁樹脂膜と、前記配線の側部と前記絶縁樹脂膜との間に配置された導電性のバリア膜と、前記バリア膜と前記絶縁樹脂膜との間に配置された無機絶縁膜とを有する配線構造が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
上記一観点に係る配線構造の形成方法及び配線構造によれば、配線の側方に無機絶縁膜及びバリア膜を配置しているので、バリア性能が高い。また、配線の上部にリークパスとなる絶縁樹脂膜の界面がないので、リーク電流が少ない。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、配線構造の形成方法の一例を示す模式断面図（その１）である。
【図２】図２は、配線構造の形成方法の一例を示す模式断面図（その２）である。
【図３】図３は、実施形態に係る配線構造の形成方法を示す模式断面図（その１）である。
【図４】図４は、実施形態に係る配線構造の形成方法を示す模式断面図（その２）である。
【図５】図５は、実施形態に係る配線構造の形成方法を示す模式断面図（その３）である。
【図６】図６は、実施形態に係る配線構造の形成方法をウェハレベルパッケージに適用した例を示す断面図（その１）である。
【図７】図７は、実施形態に係る配線構造の形成方法をウェハレベルパッケージに適用した例を示す断面図（その２）である。
【図８】図８は、実施形態に係る配線構造の形成方法をウェハレベルパッケージに適用した例を示す断面図（その３）である。
【図９】図９は、実施形態に係る配線構造の形成方法をウェハレベルパッケージに適用した例を示す断面図（その４）である。
【図１０】図１０は、無機絶縁膜の他の形成方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、実施形態について説明する前に、実施形態の理解を容易にするための予備的事項について説明する。
【００１１】
図１〜図２は、配線構造の形成方法の一例を示す模式断面図である。
【００１２】
まず、図１（ａ）に示すように、下層絶縁膜１２が形成された支持基板１１の下層絶縁膜１２上に感光性絶縁樹脂（感光性永久レジスト）を塗布して、感光性絶縁樹脂膜１３を形成する。そして、所定のパターンが設けられた露光マスクを使用して感光性絶縁樹脂膜１３を露光した後、現像処理を実施して、支持基板１１が露出する溝１３ａを形成する。以下、現像処理後の感光性絶縁樹脂膜１３を、単に絶縁樹脂膜１３と呼ぶ。
【００１３】
その後、熱処理（熱キュア）を実施して絶縁樹脂膜１３を硬化させる。この熱処理により、図１（ｂ）のように、絶縁樹脂膜１３が縮小して角部が丸くなる。
【００１４】
次に、図１（ｃ）に示すように、支持基板１１の上側全面にＴｉ（チタン）等をスパッタリングしてバリア膜１４を形成し、更にその上にＣｕ（銅）をスパッタリングしてシード層（図示せず）を形成する。そして、シード層の上にＣｕを電解めっきしてＣｕ膜１５を形成する。このＣｕの電解めっきにより、溝１３ａ内にＣｕが充填される。
【００１５】
次に、図２（ａ）に示すように、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法により絶縁樹脂膜１３が露出するまでＣｕ膜１５、シード層及びバリア膜１４を研磨して、表面を平坦化する。この研磨後に溝１３ａ内に残ったＣｕにより、銅配線１６が形成される。
【００１６】
その後、図２（ｂ）に示すように、無電解めっき法により銅配線１６の上にＮｉＰ等からなるバリア膜１７を選択的に形成する。このようにして、１層分の配線が形成される。
【００１７】
次いで、図２（ｃ）に示すように、支持基板１１の上側全面に感光性絶縁樹脂を塗布して感光性絶縁樹脂膜１８を形成する。そして、上述した方法と同様にして、上層の銅配線を形成する。
【００１８】
ところで、図２（ｃ）に示す配線構造では、銅配線１６の側面及び底部はスパッタ法により形成したバリア膜１４で覆われている。このバリア膜１４は、銅配線１６の腐食を防止する効果と、銅配線１６から絶縁樹脂膜１３中へのＣｕの拡散を防止する効果とを有する。しかし、スパッタ法では、溝底部のバリア膜の膜厚に比べて側壁部のバリア膜の膜厚が薄くなり、バリア性能が低くなる。
【００１９】
また、図２（ｃ）に示す配線構造では、絶縁樹脂膜１３と絶縁樹脂膜１８との界面と、絶縁樹脂膜１３と銅配線１６との界面とが同一平面上にあり、且つ連続している。このため、銅配線１６から絶縁樹脂膜１３と絶縁樹脂膜１８との界面に銅が溶出するイオンマイグレーションと呼ばれる現象が発生する。そして、絶縁樹脂膜１３と絶縁樹脂膜１８との界面に溶出した銅が隣り合う銅配線１６間のリークパスとなってリーク電流が増加する。
【００２０】
以下の実施形態では、バリア性能が高く、リーク電流が少ない配線構造について説明する。
【００２１】
なお、本願明細書では、絶縁性と安定性とを十分に備え層間絶縁膜等の材料として使用される感光性樹脂を感光性絶縁樹脂と呼び、他の膜のパターニングに使用されてその後剥離されるフォトレジストと区別している。感光性絶縁樹脂は感光性永久レジストとも呼ばれる。
【００２２】
（実施形態）
図３〜図５は、実施形態に係る配線構造の形成方法を示す模式断面図である。
【００２３】
まず、図３（ａ）に示すように、下層絶縁膜２２が形成された支持基板２１の下層絶縁膜２２上にフォトレジスト（感光性ノボラック樹脂）を塗布して、フォトレジスト膜２３を形成する。そして、所定のパターンが設けられた露光マスクを使用してフォトレジスト膜２３を露光した後、現像処理を実施して、溝２３ａを形成する。下層絶縁膜２２が形成された支持基板２１は、支持部材の一例である。
【００２４】
次に、図３（ｂ）に示すように、フォトレジスト膜２３の表面を選択的に覆う無機絶縁膜２４を形成する。
【００２５】
具体的には、フォトレジスト膜２３をシランカップリング剤の蒸気（ベーパー）に曝すベーパー処理を実施する。シランカップリング剤には、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）、ＴＭＤＳ（テトラメチルジシラザン）及びＴＭＣＳ（トリメチルクロロシラン）などがある。なお、ベーパー処理に替えて、フォトレジスト膜２３の表面にＨＭＤＳ、ＴＭＤＳ又はＴＭＣＳをスピンコートしてもよい。
【００２６】
その後、フォトレジスト膜２３の上にＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）又はＴＥＳ(トリエチルシラン)を滴下してスピンコートする。これにより、フォトレジスト膜２３の表面のＯＨ基にＳｉＯ2が結合して、フォトレジスト膜２３の表面を選択的に覆う無機絶縁膜（酸化シリコン膜）２４が形成される。
【００２７】
次に、図３（ｃ）に示すように、支持基板２１の上側全面にＴｉ又はＴｉＮ等をスパッタリングしてバリア膜２５を形成し、更にその上にＣｕをスパッタリングしてシード層（図示せず）を形成する。
【００２８】
その後、シード層の上にＣｕを電解めっきして、図４（ａ）に示すように、Ｃｕ膜２６を形成する。このＣｕの電解めっきにより、フォトレジスト膜２３の開口部２３ａ内にＣｕが充填される。
【００２９】
次に、図４（ｂ）に示すように、ＣＭＰ法により、無機絶縁膜２４が露出するまでＣｕ膜２６、シード層及びバリア膜２５を研磨する。このとき、ＳｉＯ2により形成された無機絶縁膜２４がストッパ膜となる。このＣＭＰ研磨により各開口部２３ａ内に残ったＣｕにより、銅配線２７が形成される。
【００３０】
次に、図４（ｃ）に示すように、研磨条件を変えて更にフォトレジスト膜２３が露出するまで無機絶縁膜２４を研磨する。
【００３１】
このように、Ｃｕ膜２６等を研磨するときと無機絶縁膜２４を研磨するときとで研磨条件を変えることにより、フォトレジスト膜２３の表面にスクラッチ等の不良が発生することを回避でき、精度が高いＣＭＰ研磨が可能となる。
【００３２】
次に、図５（ａ）に示すように、Ｎｉ、ＮｉＰ又はＣｏＷＰ等を無電解めっきして、銅配線２７の上にバリア膜２８を選択的に形成する。
【００３３】
次に、図５（ｂ）に示すように、剥離液を使用してフォトレジスト膜２３を除去する。そして、図５（ｃ）に示すように、全面に感光性絶縁樹脂を塗布して感光性絶縁樹脂膜２９を形成する。このようにして、銅配線２７の側部がバリア膜２５と無機絶縁膜２４とにより２重に覆われた配線構造が完成する。
【００３４】
本実施形態では、図５（ｃ）に示すように、銅配線２７の側部にバリア膜２５及び無機絶縁膜２４を配置している。ＳｉＯ2により形成された無機絶縁膜２４は、一般的な樹脂絶縁膜よりも低誘電率且つ高硬度であり、イオン化した配線材料（本実施形態ではＣｕ）が溶出することを防ぐことができる。このため、図２（ｃ）に示す配線構造よりもバリア性能が高い。
【００３５】
また、図２（ｃ）に示す配線構造では、銅配線１６の上面と、絶縁樹脂膜１３と絶縁樹脂膜１８との界面とが同一平面上にあり、且つ連続している。このため、絶縁樹脂膜１３と絶縁樹脂膜１８との界面にＣｕが溶出してリークパスとなり、リーク電流が増加する原因となっている。それに対し、本実施形態では、図５（ｃ）に示すように銅配線２７の底部及び側部にはバリア膜２５及び無機絶縁膜２４が配置されており、上部にはリークパスとなる絶縁樹脂膜の界面がない。このため、図２（ｂ）に示す配線構造に比べて、リーク電流が少ない。
【００３６】
図６〜図９は、上述した実施形態に係る配線構造の形成方法をウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）に適用した例を示す断面図である。
【００３７】
図６（ａ）は、半導体チップ３２が樹脂に埋め込まれた構造の支持基板３１を示している。なお、支持基板３１は、支持部材の一例である。また、図６(ａ）において、符号３３は半導体チップ３２の電極である。
【００３８】
まず、図６（ｂ）に示すように、スパッタ法により支持基板３１の上側全面にバリア膜３４として例えばＴｉを２０ｎｍの厚さに形成し、続けてその上にシード層（図示せず）としてＣｕを例えば１００ｎｍの厚さに形成する。
【００３９】
次に、図６（ｃ）に示すように、シード層の上にフォトレジスト膜３５を例えば８μｍの厚さに形成し、露光及び現像処理を実施して、電極３３の上方にシード層が露出する開口部３５ａを形成する。
【００４０】
次に、プラズマ発生装置を使用してフォトレジスト膜３５の表面にＯ2プラズマを暴露し、フォトレジスト膜３５の表面を親水化処理する。Ｏ2プラズマに暴露する替りに、ＵＶ（紫外線）照射によりフォトレジスト膜３５の表面を親水化処理してもよい。
【００４１】
このようにしてフォトレジスト膜３５の表面を親水化処理した後、開口部３５ａ内のシード層上にＣｕを電解めっきして、図６（ｄ）に示すように、Ｃｕ柱３６を形成する。その後、図６（ｅ）に示すようにフォトレジスト膜３５を剥離し、更に支持基板３１の上面が露出するまでシード層及びバリア膜３４をエッチングする。
【００４２】
次に、図７（ａ）に示すように、支持基板３１の上側全面に絶縁性樹脂を例えば４μｍの厚さにスピンコートして、絶縁膜３７を形成する。その後、図７（ｂ）に示すように、ＣＭＰ法によりＣｕ柱３６が露出するまで絶縁膜３７を研磨し、表面を平坦化する。
【００４３】
次に、図７（ｃ）に示すように、絶縁膜３７の上にフォトレジストを例えば３μｍの厚さにスピンコートして、フォトレジスト膜３８を形成する。そして、所定のパターンが設けられた露光マスクを介してフォトレジスト膜３８を露光し、その後現像処理を実施して、図７（ｄ）に示すように配線を形成すべき部分に絶縁膜３７が露出する溝３８ａを形成する。
【００４４】
次に、図７（ｅ）に示すように、フォトレジスト膜３８の表面に無機絶縁膜３９を形成する。この無機絶縁膜３９は、前述したように、ＨＭＤＳ、ＴＭＤＳ又はＴＭＣＳを用いてベーパー処理した後、ＴＥＯＳ又はＴＥＳを滴下してスピンコートすることにより形成できる。
【００４５】
その後、図８（ａ）に示すように、支持基板３１の上側全面にＴｉ又はＴｉＮ等をスパッタリングしてバリア膜４０を形成し、更にその上にＣｕをスパッタリングしてシード層（図示せず）を形成する。
【００４６】
次に、図８（ｂ）に示すように、シード層の上にＣｕを例えば４μｍの厚さに電解めっきして、Ｃｕ膜４１を形成する。このとき、フォトレジスト膜３８の溝３８ａ内にＣｕが充填される。
【００４７】
次に、図８（ｃ）に示すように、ＣＭＰ法により無機絶縁膜３９が露出するまでＣｕ膜４１、シード層及びバリア膜４０を研磨し、更に研磨条件を変えてフォトレジスト膜３８が露出するまで無機絶縁膜３９を研磨する。この研磨後に溝３８ａ内に残ったＣｕにより、銅配線４２が形成される。
【００４８】
次に、図８（ｄ）に示すように、剥離液を使用してフォトレジスト膜３８を除去する。
【００４９】
次に、図８（ｅ）に示すように、スピンコート法により支持基板３１の上側全面に感光性絶縁樹脂を例えば５μｍの厚さに塗布して、感光性絶縁樹脂膜４３を形成する。
【００５０】
その後、所定のパターンが設けられた露光マスクを介して感光性絶縁樹脂膜４３を露光し、現像処理を実施して、図９（ａ）に示すように、銅配線４２の一部が露出する開口部４３ａを形成する。以下、現像処理後の感光性絶縁樹脂膜４３を、単に絶縁樹脂膜４３と呼ぶ。
【００５１】
次に、Ｏ2プラズマ処理を実施して絶縁樹脂膜４３の表面を親水化処理した後、スパッタ法によりバリア膜（図示せず）及びシード層（図示せず）を形成する。そして、シード層上にＣｕを電解めっきして、図９（ｂ）に示すように、Ｃｕ膜４４を形成する。その後、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を実施してＣｕ膜４４をパターニングし、図９（ｃ）に示すように銅配線４２と電気的に接続する電極４５を形成する。
【００５２】
次いで、図９（ｄ）に示すように、電極４５の表面をバリア膜４６で覆った後、支持基板３１の上側全面に感光性絶縁樹脂を塗布して感光性絶縁樹脂膜４７を形成し、フォトリソグラフィ法を使用して電極４５に対応する部分に開口部を形成する。その後、電極４５上のバリア膜４６の上にはんだボール４８を形成する。このようにして、ウェハレベルパッケージが完成する。
【００５３】
本実施形態によれば、銅配線４２の側方に無機絶縁膜３９及びバリア膜４０を配置しているので、バリア性能が高く、銅配線４２の側部から絶縁樹脂膜４３へのＣｕの拡散、及びそれにともなう特性の劣化が回避される。また、本実施形態によれば、銅配線４２の上部にリークパスとなる絶縁樹脂膜の界面がないので、リーク電流が少ない。
【００５４】
（変形例）
上記実施の形態では、フォトレジスト膜２３をシランカップリング剤の蒸気に曝すベーパー処理により、フォトレジスト膜２３の溝２３ａの壁面を選択的に覆う無機絶縁膜２４を形成している（図２（ｂ）参照）。しかし、無機絶縁膜２４は、他の方法により形成することもできる。
【００５５】
例えば、図１０（ａ）に示すように、気相成長法により支持基板２１の上側全面にＳｉＯ2又はＳｉＮ等の無機絶縁物を堆積させて絶縁膜５１を形成する。その後、例えばＣＦ4等のガスを用いて異方性エッチングを施して、溝２３ａの底部の絶縁膜５１を除去し、残った絶縁膜５１を無機絶縁膜２４する。
【００５６】
上記実施形態ではウェハレベルパッケージの配線構造の形成方法について説明したが、開示の技術は、多層プリント基板、ＬＳＩパッケージ基板、及びマルチチップパッケージ（ＭＣＰ）等の配線構造にも適用できる。
【００５７】
以上の諸実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【００５８】
（付記１）支持部材上にフォトレジスト膜を形成する工程と、
前記フォトレジスト膜を露光及び現像処理して、前記フォトレジスト膜の表面から前記支持部材に到達する溝を形成する工程と、
前記溝の壁面を覆うように、且つ前記溝の底部に前記支持部材が露出するように無機絶縁膜を形成する工程と、
導電性材料により、前記溝の壁面及び前記溝の底部を覆うバリア膜を形成する工程と、
前記支持部材の上側全面に導電性材料を堆積させて前記溝内に前記導電性材料を埋め込む工程と、
前記フォトレジスト膜上に堆積した前記導電性材料を研磨して前記フォトレジスト膜を露出させ、前記溝内に残留する前記導電性材料よりなる配線を得る工程と、
前記フォトレジスト膜を除去する工程と、
前記支持部材の上側全面に感光性絶縁樹脂を付着させて前記配線の側部及び上部を覆う感光性絶縁膜を形成する工程と
を有することを特徴とする配線構造の形成方法。
【００５９】
（付記２）前記導電性材料が銅であることを特徴とする付記１に記載の配線構造の形成方法。
【００６０】
（付記３）前記無機絶縁膜を形成する工程では、前記フォトレジスト膜の表面をＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）、ＴＭＤＳ（テトラメチルジシラザン）又はＴＭＣＳ（トリメチルクロロシラン）の蒸気に曝し、その後ＴＥＭＳ（テトラエトキシシラン）又はＴＥＳ（トリエチルシラン）をスピンコートすることを特徴とする付記１又は２に記載の配線構造の形成方法。
【００６１】
（付記４）前記配線を得る工程では、前記導電性材料を研磨するときと、前記フォトレジスト膜上の前記無機絶縁膜を研磨するときとで研磨条件を変えることを特徴とする付記３に記載の配線構造の形成方法。
【００６２】
（付記５）前記無機絶縁膜を形成する工程では、前記支持部材の上側全面に無機絶縁物を堆積させ、その後異方性エッチングを実施することを特徴とする付記１又は２に記載の配線構造の形成方法。
【００６３】
（付記６）支持部材と、
前記支持部材の上に形成された配線と、
前記配線の側方及び上方を覆う絶縁樹脂膜と、
前記配線の側部と前記絶縁樹脂膜との間に配置された導電性のバリア膜と、
前記バリア膜と前記絶縁樹脂膜との間に配置された無機絶縁膜と
を有することを特徴とする配線構造。
【００６４】
（付記７）前記配線が銅により形成されていることを特徴とする付記６に記載の配線構造。
【符号の説明】
【００６５】
１１，２１，３１…支持基板、１２，２２…下層絶縁膜、１３，１８，２９，４３，４７…感光性絶縁樹脂膜（絶縁樹脂膜）、１４，１７，２５，２８，３４，４０，４６…バリア膜、１５，２６，４１，４４…Ｃｕ膜、１６，２７，４２…銅配線、２３，３５，３８…フォトレジスト膜、２４，３９…無機絶縁膜、３２…半導体チップ、３３，４５…電極、３６…Ｃｕ柱、３７…絶縁膜、４８…はんだボール、５１…絶縁膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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