(57)【要約】【課題】外部から衝撃（応力）が加わった場合でも、半田ボールの剥がれが生じ難いＢＧＡ(Ball Grid Array)型半導体装置を提供する。【解決手段】ＢＧＡ型半導体装置は、平面形状が四角形からなり、上面に複数のボンディングリードが形成され、下面に複数のバンプランドが形成された配線基板と、配線基板の上面に搭載され、複数のボンディングリードに電気的に接続された半導体チップと、配線基板の上面および半導体チップを封止する封止体と、配線基板の複数のバンプランドに形成された複数の半田ボールとを有し、配線基板の上面の中央部は、前記封止体で覆われており、配線基板の上面の各角部は、前記封止体で覆われていない。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面形状が、一対の第１上面辺および前記第１上面辺と交差する一対の第２上面辺を有する四角形からなる上面、前記上面に形成された複数のボンディングリード、平面形状が一対の第１下面辺および前記第１下面辺と交差する一対の第２下面辺を有する四角形からなり、かつ、前記上面とは反対側の下面、前記下面に形成された複数のバンプランド、前記上面および前記下面のうちの一方から他方に向かって形成された貫通孔、前記複数のボンディングリードのそれぞれを露出し、かつ、前記貫通孔の一方の開口を塞ぐように前記上面上に形成された上面側絶縁膜、および前記複数のバンプランドのそれぞれを露出し、かつ、前記貫通孔の他方の開口を塞ぐように前記下面上に形成された下面側絶縁膜を有する配線基板と、
主面、前記主面に形成された複数のボンディングパッド、および前記主面とは反対側の裏面を有し、前記配線基板の前記上面に搭載された半導体チップと、
前記配線基板の前記上面および前記半導体チップを封止する封止体と、
前記複数のバンプランドにそれぞれ形成された複数の外部端子と、
を含み、
前記第１上面辺の中央部および前記第２上面辺の中央部は、前記封止体で覆われており、
前記配線基板の前記上面のうちの各角部は、前記封止体で覆われていない半導体装置。
【請求項２】
前記複数のバンプランドは、前記第１下面辺および前記第２下面辺に沿って、複数列に亘って配置されており、
前記封止体は、前記複数の外部端子のうち、最も前記配線基板の前記下面の角部側に配置された第１外部端子の一部と重なっている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記複数のバンプランドは、前記第１下面辺および前記第２下面辺に沿って、複数列に亘って配置されており、
前記封止体は、前記複数の外部端子のうち、最も前記配線基板の前記下面の角部側に配置された第１外部端子と重なっていない請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記複数のバンプランドは、前記第１下面辺および前記第２下面辺に沿って、複数列に亘って配置されており、
前記封止体は、前記複数の外部端子のうち、最も前記配線基板の前記下面の角部側に配置された第１外部端子、および前記第１外部端子の隣に配置された第２外部端子とは重なっておらず、かつ前記複数の第２外部端子のそれぞれよりも前記第１外部端子から遠い第３外部端子と重なっている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記封止体の各角部における平面形状は、前記配線基板の前記上面における一対の第１辺から、前記第１辺と交差する一対の第２辺に向かって、それぞれ前記配線基板の前記上面における中央部側に弧を描いている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記封止体の各角部における平面形状は、前記配線基板の前記上面における一対の第１辺から、前記第１辺と交差する一対の第２辺に向かって、直線である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記封止体の各角部における平面形状は、前記配線基板の前記上面における一対の第１辺から、前記第１辺と交差する一対の第２辺に向かって、それぞれ前記配線基板の前記上面における中央部側に屈曲している請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）平面形状が、一対の第１辺および前記第１辺と交差する一対の第２辺を有する四角形から成る複数のデバイス領域と、前記複数のデバイス領域のうちの互いに隣り合うデバイス領域間に設けられた切断領域と、を備えた配線基板を準備する工程；
（ｂ）前記（ａ）工程の後、前記配線基板の前記複数のデバイス領域のそれぞれの上面に半導体チップを搭載する工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記配線基板の前記複数のデバイス領域のそれぞれの前記上面および前記複数のデバイス領域のそれぞれの前記上面に搭載された前記半導体チップを樹脂により封止する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記配線基板の前記複数のデバイス領域のそれぞれの前記上面とは反対側の下面に、複数の外部端子を形成する工程；
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記配線基板の前記切断領域と、前記（ｃ）工程により前記切断領域上に形成された封止体を切断する工程；
ここで、
前記複数のデバイス領域のそれぞれの前記上面は、一対の第１上面辺と、前記第１上面辺と交差する一対の第２上面辺とを有しており、
前記（ｃ）工程では、前記複数のデバイス領域のそれぞれの前記上面において、前記第１上面辺の中央部および前記第２上面辺の中央部は前記樹脂で覆い、前記上面のうちの各角部は前記樹脂で覆わない。
【請求項９】
前記（ｃ）工程では、第１キャビティおよび前記第１キャビティの底面に設けられた複数の突起を有する第１金型と、前記第１金型と対向する第２金型と、を備えた成形金型を準備し、
さらに、前記（ｃ）工程では、前記配線基板の前記複数のデバイス領域のそれぞれの前記上面における各角部に前記複数の突起をそれぞれ接触させた状態で、前記樹脂を前記第１キャビティ内に供給する請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記配線基板の前記複数のデバイス領域のそれぞれの前記下面において、前記複数の外部端子は、前記第１下面辺および前記第２下面辺に沿って、複数列に亘って配置されており、
前記（ｃ）工程では、前記複数の突起のそれぞれが、前記複数の外部端子のうち、最も前記複数のデバイス領域のそれぞれの前記下面の角部側に配置された第１外部端子と、前記第１外部端子の隣に配置された第２外部端子と重なり、かつ前記複数の第２外部端子のそれぞれよりも前記第１外部端子から遠い第３外部端子と重ならないように、前記複数の突起のそれぞれを前記配線基板に接触しており、
前記（ｅ）工程では、前記封止体の表面をダイシングテープに貼り付けている請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、例えば半導体チップを搭載した基材の実装面に外部端子が形成された一括モールド型の半導体装置およびその製造に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１（特開２０００−１２４２３９号公報）は、リードフレーム、樹脂基板などの基材の上面に搭載された多数の半導体チップを一括モールド方式で樹脂封止する半導体装置の製造技術を開示している。
【０００３】
特許文献２（特開２０１０−１４７０９０号公報）は、下段側半導体パッケージ上に上段側半導体パッケージを積層したＰＯＰ(Package On Package)型半導体装置において、下段側半導体パッケージの配線基板の主面側ランドをこの主面の中央部のチップ搭載領域の両側に振り分けて配置し、この主面上の樹脂封止体を配線基板の一端から他端に亘って形成することにより、配線基板の反りを抑制する技術を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１２４２３９号公報
【特許文献２】特開２０１０−１４７０９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本願発明者は、半導体チップが搭載される基材（配線基板）の下面（実装面）に半田ボール（半田材、バンプ電極）からなる外部端子が形成された、いわゆるＢＧＡ(Ball Grid Array)型半導体装置において、半導体チップを封止する樹脂封止体を一括モールド方式（１つの基材に形成された複数のデバイス領域を１つのキャビティで覆った状態で樹脂封止する方式）で形成する、いわゆるＭＡＰ−ＢＧＡ(Mold Array Process-Ball Grid Array)について検討している。そして、この検討の結果、ＭＡＰ−ＢＧＡには、以下のような課題があることが明らかとなった。
【０００６】
すなわち、完成したＢＧＡを半田ボールを介して実装基板（マザーボード）に実装した後において、この実装基板に落下などによる衝撃（応力）が加わると、この実装基板に実装されたＢＧＡにも上記の衝撃が伝わる。このときの衝撃（応力）は、特に、ＢＧＡの角部に集中し易く、それ故、基材の下面の角部に配置（接続）された半田ボールの剥がれが発生する。
【０００７】
上記の課題（半田ボールの剥がれ）は、ＢＧＡのなかでも、特にＭＡＰ−ＢＧＡにおいて顕著に発生する。その理由は、個片モールド方式（１つの基材に形成された複数のデバイス領域を複数のキャビティで個々に覆った状態で樹脂封止する方式）により形成されるＢＧＡの場合は、キャビティの構造上、基材の上面（チップ搭載面）の角部に封止体が配置されないのに対し、ＭＡＰ−ＢＧＡの場合は、基材の上面の角部にも封止体が配置されるためである。
【０００８】
すなわち、ＭＡＰ−ＢＧＡの場合は、基材の上面の角部が剛体（ここでは、基材に比べて変形し難い物体であって、力を加えても変形しないものではない）によって固定される、言い換えると、基材の上面における角部に剛体が接触しているために、基材の角部は個片モールド方式のＢＧＡに比べて変形し難い。この結果、基材の角部に衝撃（応力）が集中したときに、この衝撃（応力）を基材の変形によって緩和することができないため、基材の下面の角部に配置された半田ボールの接合部に衝撃（応力）が集中し、半田ボールの剥がれが発生する。
【０００９】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願において開示される課題を解決するための手段のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１１】
本願の一実施の形態における半導体装置は、
平面形状が四角形からなり、上面に複数のボンディングリードが形成され、下面に複数のバンプランドが形成された配線基板と、
前記配線基板の前記上面に搭載され、前記複数のボンディングリードに電気的に接続された半導体チップと、
前記配線基板の前記上面および前記半導体チップを封止する封止体と、
前記配線基板の前記複数のバンプランドにそれぞれ形成された複数の外部端子と、
を含み、
前記配線基板の前記上面の中央部は、前記封止体で覆われており、
前記配線基板の前記上面の各角部は、前記封止体で覆われていない。
【発明の効果】
【００１２】
本願において開示される課題を解決するための手段のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下の通りである。
【００１３】
配線基板の上面の各角部が封止体で固定されていないことにより、配線基板の各角部は、上面が封止体で固定された部分（場合）に比べて容易に変形する。この変形により、配線基板の角部に加わる衝撃（応力）が緩和されるので、配線基板の下面の角部に配置された外部端子の接合部に対する衝撃（応力）の集中が回避される。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施の形態１の半導体装置の斜視図である。
【図２】実施の形態１の半導体装置の上面側平面図である。
【図３】実施の形態１の半導体装置の下面側平面図である。
【図４】図２のＡ−Ａ線断面図である。
【図５】図２のＢ−Ｂ線断面図である。
【図６】実施の形態１の半導体装置の封止体を取り除いた状態を示す上面側平面図である。
【図７】配線基板の上方から見た封止体と複数の半田ボールとの重なり状態を示す平面図である。
【図８】実施の形態１の半導体装置の製造に用いる大型配線基板の上面を示す平面図である。
【図９】実施の形態１の半導体装置の製造に用いる大型配線基板の下面を示す平面図である。
【図１０】図８のＣ−Ｃ線断面図である。
【図１１】実施の形態１の半導体装置の製造方法（ダイボンディング工程）を示す平面図である。
【図１２】実施の形態１の半導体装置の製造方法（ダイボンディング工程）を示す拡大断面図である。
【図１３】実施の形態１の半導体装置の製造方法（ワイヤボンディング工程）を示す平面図である。
【図１４】実施の形態１の半導体装置の製造方法（ワイヤボンディング工程）を示す拡大断面図である。
【図１５】モールド工程で使用する一括モールド方式の成形金型の概略平面図である。
【図１６】図１５のＤ−Ｄ線断面図である。
【図１７】図１５のＥ−Ｅ線断面図である。
【図１８】実施の形態１の半導体装置の製造方法（モールド工程）を示す平面図である。
【図１９】図１８のＦ−Ｆ線断面図である。
【図２０】図１８のＧ−Ｇ線断面図である。
【図２１】図１８〜図２０に続く実施の形態１の半導体装置の製造方法（モールド工程）を示す断面図である。
【図２２】成形金型から取り出した大型配線基板を示す斜視図である。
【図２３】実施の形態１の半導体装置の製造方法（ボールマウント工程）を示す拡大断面図である。
【図２４】実施の形態１の半導体装置の製造方法（切断工程）を示す断面図である。
【図２５】実施の形態１の半導体装置をマザーボードの上面に搭載した状態を示す斜視図である。
【図２６】実施の形態１の半導体装置をマザーボードの上面に搭載した状態を示す断面図である。
【図２７】実施の形態１の変形例である半導体装置の断面図である。
【図２８】実施の形態１の変形例である半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図２９】配線基板の上方から見た封止体と複数の半田ボールとの重なり状態の変形例を示す平面図である。
【図３０】配線基板の上方から見た封止体と複数の半田ボールとの重なり状態の他の変形例を示す平面図である。
【図３１】配線基板の上方から見た封止体と複数の半田ボールとの重なり状態の他の変形例を示す平面図である。
【図３２】配線基板の上方から見た封止体と複数の半田ボールとの重なり状態の他の変形例を示す平面図である。
【図３３】実施の形態２の半導体装置の斜視図である。
【図３４】図３３のＨ−Ｈ線断面図である。
【図３５】配線基板の上方から見たエラストマー層と、配線基板の下面に配置された複数の半田ボールとの重なり状態を示す平面図である。
【図３６】実施の形態２の半導体装置の製造方法（エラストマー層配置工程）を示す平面図である。
【図３７】実施の形態２の変形例である半導体装置の斜視図である。
【図３８】図３７のＩ−Ｉ線断面図である。
【図３９】実施の形態２の変形例である半導体装置の製造方法（エラストマー層配置工程）を示す平面図である。
【図４０】実施の形態２の他の変形例である半導体装置の斜視図である。
【図４１】図４０のＪ−Ｊ線断面図である。
【図４２】実施の形態２の他の変形例である半導体装置の斜視図である。
【図４３】図４２のＫ−Ｋ線断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、実施の形態では、特に必要なときを除き、同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。さらに、実施の形態を説明する図面においては、構成を分かり易くするために、平面図であってもハッチングを付す場合や、断面図であってもハッチングを省略する場合がある。
【００１６】
（実施の形態１）
＜半導体装置＞
図１は、実施の形態１の半導体装置の斜視図である。図２は、この半導体装置の上面側平面図である。図３は、この半導体装置の下面側平面図である。図４は、図２のＡ−Ａ線断面図である。図５は、図２のＢ−Ｂ線断面図である。図６は、この半導体装置の封止体を取り除いた状態を示す上面側平面図である。
【００１７】
本実施の形態１の半導体装置１０Ａは、配線基板（基材）１１の上面（チップ搭載面）に１枚の半導体チップ１２を搭載し、配線基板１１の下面（実装面）に半導体装置１０Ａの外部端子である複数の半田ボール（半田材）１３を接続したＢＧＡ(Ball Grid Array)型半導体装置である。
【００１８】
配線基板１１は、例えばガラス繊維にエポキシ樹脂などの合成樹脂を含浸させて成形した絶縁材（いわゆるガラエポ樹脂）と、この絶縁材の両面に形成した２層の配線層とを備えており、その平面形状は、一対の第１辺と、これらの第１辺と交差する一対の第２辺とを有する四角形からなる。また、配線基板１１の平面寸法は、例えば縦×横＝２３ｍｍ×２３ｍｍである。
【００１９】
配線基板１１の上面には、銅（Ｃｕ）からなる複数の上面配線１４が形成されており、配線基板１１の下面には、同じく銅（Ｃｕ）からなる複数の下面配線１６が形成されている。また、複数の上面配線１４と複数の下面配線１６のそれぞれは、配線基板１１の上面および下面のうちの一方から他方に向かって開口された複数の貫通孔１８を通じて互いに電気的に接続されている。
【００２０】
配線基板１１の上面は、複数の上面配線１４を保護する上面側ソルダーレジスト（上面側絶縁膜）２１で覆われており、配線基板１１の下面は、複数の下面配線１６を保護する下面側ソルダーレジスト（下面側絶縁膜）２２で覆われている。上面側ソルダーレジスト２１は、複数の上面配線１４のそれぞれの表面を覆い、かつ複数の貫通孔１８のそれぞれの一方の開口を塞ぐように形成されている。また、下面側ソルダーレジスト２２は、複数の下面配線１６のそれぞれの表面を覆い、かつ複数の貫通孔１８のそれぞれの他方の開口を塞ぐように形成されている。
【００２１】
配線基板１１の上面には、上面側ソルダーレジスト２１の一部を開口し、複数の上面配線１４のそれぞれの一部を露出させて形成した複数のボンディングリード（電極パッド）１５が形成されている。また、配線基板１１の下面には、下面側ソルダーレジスト２２の一部を開口し、複数の下面配線１６のそれぞれの一部を露出させて形成した複数のバンプランド（電極パッド）１７が形成されている。なお、図示は省略するが、複数のボンディングリード１５および複数のバンプランド１７のそれぞれの表面には、例えばニッケル（Ｎｉ）膜と金（Ａｕ）膜の積層膜で構成されたメッキ膜が形成されている。
【００２２】
上記配線基板１１の上面上には、平面形状が四角形からなる１個の半導体チップ１２が搭載されている。半導体チップ１２は、その裏面を配線基板１１の上面に対向させた状態で配線基板１１の上面の中央部に搭載されており、接着剤２３を介して配線基板１１の上面（上面側ソルダーレジスト２１の表面）に固定されている。
【００２３】
上記半導体チップ１２は単結晶シリコンからなり、その主面（表面）には複数の半導体素子とそれらを電気的に接続する複数の配線層とからなる集積回路（図示せず）が形成されている。また、半導体チップ１２の主面（表面）の周辺部には、上記集積回路に電気的に接続された複数のボンディングパッド（電極パッド）２４が各辺に沿って一列に形成されている。さらに、複数のボンディングパッド２４のそれぞれと、配線基板１１の上面に形成された複数のボンディングリード１５のそれぞれは、例えば金（Ａｕ）からなるワイヤ（導電性部材）２５を介して互いに電気的に接続されている。
【００２４】
上記配線基板１１の上面、半導体チップ１２および複数のワイヤ２５は、剛体である封止体２６によって封止されている。なお、本実施の形態１における剛体とは、配線基板（基材）１１に比べて変形し難い物体を指し、力を加えても変形しないものではない。
【００２５】
封止体２６は、例えばシリコンフィラーを含有するエポキシ樹脂系の熱硬化性樹脂からなる。また、封止体２６は、後述する成形金型を用いた一括モールド方式（トランスファー成形）によって成形されたものであり、配線基板１１の各辺（一対の第１辺および一対の第２辺）において、配線基板１１の側面と封止体２６の側面とは面一になっている。
【００２６】
配線基板１１の下面（実装面）に形成された複数のバンプランド１７のそれぞれの表面には、半田ボール１３が接続されている。複数のバンプランド１７および複数の半田ボール１３は、配線基板１１の下面の一対の第１辺（第１下面辺）、および第１下面辺と交差する一対の第２辺（第２下面辺）に沿って行列状に配置されている。
【００２７】
本実施の形態１の半導体装置１０Ａは、これらの半田ボール１３を介して図示しない実装基板（マザーボード）に実装される。すなわち、半導体装置１０Ａの配線基板１１は、その上面上に搭載された半導体チップ１２をマザーボード（実装基板）に接続するためのインターポーザ基板として機能している。
【００２８】
上記半田ボール１３は、例えば錫（Ｓｎ）のみ、錫−ビスマス（Ｓｎ−Ｂｉ）合金、または錫−銅−銀（Ｓｎ−Ｃｕ−Ａｇ）合金など、鉛（Ｐｂ）を実質的に含まない、いわゆる鉛フリー半田で構成されている。ここで、鉛フリー半田とは、鉛（Ｐｂ）の含有量が０．１ｗｔ％以下のものを意味し、この含有量は、ＲｏＨＳ（Restriction of Hazardous Substances）指令の基準として定められている。
【００２９】
図１、図２および図６に示すように、本実施の形態１の半導体装置１０Ａは、配線基板１１の上面の一対の第１辺（第１上面辺）の中央部、および第１辺と交差する一対の第２辺（第２上面辺）の中央部が封止体２６で覆われているが、配線基板１１の上面のうちの各角部は、封止体２６で覆われておらず、封止体２６の外部に露出している。言い換えると、配線基板１１の上面において、配線基板１１の下面の角部に配置された半田ボール１３と重なる領域は、封止体２６で覆われておらず、封止体２６の外部に露出した状態になっている。
【００３０】
図１および図２に示すように、配線基板１１の各角部における封止体２６の外縁部の平面形状は、配線基板１１の第１上面辺からこれと交差する第２上面辺に向かって、配線基板１１の上面における中央部側に弧を描いた形状になっている。
【００３１】
図７は、配線基板１１の上方から見た封止体２６と複数の半田ボール１３との重なり状態を示す平面図である。ここでは、封止体２６をハッチングで示し、半田ボール１３を破線で示している。
【００３２】
図示のように、配線基板１１の下面に配置された複数の半田ボール１３のうち、少なくとも配線基板１１の最も角部側に配置された４個（各角部あたり１個）の半田ボール１３（角部端子、角部ボール）は、平面視において封止体２６と重なり合っていない。言い換えると、封止体２６は、平面視において配線基板１１の角部に配置された４個の半田ボール１３と重なり合わないように、配線基板１１の上面を覆っている。
【００３３】
＜半導体装置の製造方法＞
次に、本実施の形態１の半導体装置１０Ａの製造方法について、図面を参照しながら工程順に説明する。
【００３４】
１．基材準備工程：
図８は、本実施の形態１の半導体装置１０Ａの製造に用いる大型配線基板の上面（チップ搭載面）を示す平面図である。、図９は、この大型配線基板の下面を示す平面図である。図１０は、図８のＣ−Ｃ線断面図（１個のデバイス領域を示す断面図）である。
【００３５】
大型配線基板１００は、平面形状が長方形からなる配線基板であり、複数（ここでは６個）のデバイス領域（デバイス形成部）と、複数のデバイス領域のうちの互いに隣り合うデバイス領域間に設けられたダイシングライン（切断領域）ＤＬとを備えている。ダイシングラインＤＬは、図８〜図１０の二点鎖線で示す仮想的な領域である。
【００３６】
ダイシングラインＤＬによって区画された複数のデバイス領域のそれぞれは、大型配線基板１００をダイシングラインＤＬに沿って切断したときに、前述した半導体装置１０Ａの配線基板１１となる領域であり、配線基板１１と同一の構造および同一の外形寸法を有している。すなわち、大型配線基板１００の各デバイス領域は、その上面に複数の上面配線１４およびボンディングリード１５を備えており、下面に複数の下面配線１６およびバンプランド１７を備えている。また、各デバイス領域の平面形状は、大型配線基板１００の上面側および下面側共に、一対の第１辺およびこれらの第１辺と交差する一対の第２辺を有する四角形からなる。
【００３７】
２．ダイボンディング工程：
上記大型配線基板１００を使って半導体装置１０Ａを製造するには、まず、図１１および図１２（１個のデバイス領域を示す断面図）に示すように、大型配線基板１００の各デバイス領域の上面に接着剤２３を介して半導体チップ１２を搭載する。
【００３８】
半導体チップ１２の搭載は、半導体チップ１２の裏面を大型配線基板１００の上面と対向させる、いわゆるフェイスアップ実装方式によって行う。すなわち、大型配線基板１００の各デバイス領域の上面（上面側ソルダーレジスト２１の表面）に接着剤２３を塗布した後、各デバイス領域の上面に半導体チップ１２の裏面を貼り付ける。その後、大型配線基板１００を加熱し、接着剤２３を硬化させることによって、半導体チップ１２を大型配線基板１００の上面（上面側ソルダーレジスト２１の表面）に固定する。
【００３９】
３．ワイヤボンディング工程：
次に、図１３および図１４に示すように、大型配線基板１００の各デバイス領域の上面に形成された複数のボンディングリード１５と、半導体チップ１２の主面に形成された複数のボンディングパッド２４をワイヤ２５によって電気的に接続する。ワイヤ２５のボンディングは、熱と超音波を利用した周知のボールボンディング法によって行う。ここでは、金（Ａｕ）からなるワイヤ２５を使用するが、例えば銅（Ｃｕ）からなるワイヤを使用してもよい。
【００４０】
４．モールド工程：
次に、大型配線基板１００の上面、大型配線基板１００の各デバイス領域の上面に搭載された半導体チップ１２およびワイヤ２５を樹脂封止する。図１５は、モールド工程で使用する一括モールド方式の成形金型の概略平面図である。図１６は、図１５のＤ−Ｄ線断面図である。図１７は、図１５のＥ−Ｅ線断面図である。なお、図１５は、上型の底面に設けられたキャビティを透過して示している。
【００４１】
ここで、一括モールド方式とは、一枚の大型配線基板１００の複数（ここでは６個）のデバイス領域を単一のキャビティで覆った状態で樹脂封止を行う方式を意味している。すなわち、成形金型３０は、底面に一つのキャビティ（凹部）３３が設けられた上型（第１金型）３１、およびこの上型３１に対向する下型（第２金型）３２を有している。
【００４２】
また、本実施の形態１で使用する成形金型３０の上型３１の底面には、上型３１と一体に構成され、かつ、先端が下型３２に向かって突出する複数の突起（柱）３４が所定の間隔で設けられている。これらの突起３４は、大型配線基板１００を成形金型３０に位置決めしたとき、デバイス領域の上面の角部と対向する位置、言い換えると、大型配線基板１００の長辺方向に延在するダイシングラインＤＬと短辺方向に延在するダイシングラインＤＬとが交差する領域と対向する位置に設けられている。
【００４３】
上記成形金型３０の上型３１は、平面形状が長方形からなり、その長辺の一方には、複数のゲート３５が設けられている。成形金型３０の外部の射出スリーブ（図示せず）内で溶融された樹脂は、これらのゲート３５を通じてキャビティ３３内に圧入される。一方、上型３１の長辺の他方には、キャビティ３３内のガスを排出するための複数のエアベント３６が設けられている。すなわち、この成形金型３０は、キャビティ３３の一辺側から、この一辺と対向する他辺側に向かって樹脂を注入する、いわゆるサイドゲート方式を採用している。
【００４４】
上記成形金型３０を使って樹脂封止を行うには、まず、図１８、図１９（図１８のＦ−Ｆ線断面図）および図２０（図１８のＧ−Ｇ線断面図）に示すように、大型配線基板１００の外周部（６個のデバイス領域の外側の領域）を上型３１と下型３２とでクランプすることによって、大型配線基板１００を成形金型３０に位置決めする。このとき、大型配線基板１００は、各デバイス領域の上面がキャビティ３３内に露出し、かつ各デバイス領域の上面の角部と、上型３１の底面に設けられた突起３４の先端（底面）とが互いに接触するように位置決めされる。
【００４５】
次に、図示しないポットに樹脂タブレットをセットし、この樹脂タブレットに圧力を加えることで、図２１に示すように、成形金型３０の上型３１に設けられたゲート３５を通じてキャビティ３３内に溶融した樹脂を注入することによって、封止体２６を形成する。すなわち、大型配線基板１００の上面およびこの上面の各デバイス領域に搭載された複数の半導体チップ１２および複数のワイヤ２５を樹脂で一括モールドし、封止体２６を形成する。
【００４６】
このとき、大型配線基板１００は、図１８に示すように、各デバイス領域の上面の４つの角部が上型３１に設けられた突起３４の先端と接触した状態になっている。従って、この状態で成形金型３０のキャビティ３３内に樹脂を注入すると、大型配線基板１００の各デバイス領域の上面のうち、突起３４と接触している４つの角部には樹脂が入り込まない。
【００４７】
図２２は、上記モールド工程の完了後、成形金型３０から取り出した大型配線基板１００を示す斜視図である。図２２に示すように、大型配線基板１００の各デバイス領域の上面は、４つの角部を除いた領域のみが封止体２６で覆われており、上型３１の突起３４と接触していた４つの角部は、大型配線基板１００の上面が封止体２６から露出している。
【００４８】
５．ボールマウント工程：
次に、封止体２６の表面に製品情報（製品型名、顧客ロゴマーク、製造コード等）を表示するマーク（図示せず）を刻印した後、図２３に示すように、大型配線基板１００の各デバイス領域の下面に形成された複数のバンプランド１７のそれぞれの表面に半田ボール１３を接続する。バンプランド１７の表面に半田ボール１３を接続するには、まず、バンプランド１７の表面にフラックスを供給し、続いてバンプランド１７の表面にフラックスを介して半田ボール１３を仮固定した後、大型配線基板１００を加熱炉内で加熱することによって、半田ボール１３をリフローさせる。
【００４９】
６．切断（ダイシング）工程：
次に、図２４に示すように、封止体２６の表面にダイシングテープ４０を貼り付けることによって、大型配線基板１００および封止体２６をダイシングテープ４０に固定した後、ダイシングブレード（切断刃）４１を用いて大型配線基板１００および封止体２６（ダイシングラインＤＬと重なる部分）を切断（ダイシング）する。大型配線基板１００および封止樹脂２６の切断は、大型配線基板１００の切断面（側面）と封止体２６の切断面（側面）とが面一になるよう、ダイシングラインＤＬに沿って行なう。
【００５０】
ここまでの工程より、図１〜図６に示す本実施の形態１の半導体装置１０Ａが取得される。大型配線基板１００は、６個のデバイス領域を備えているので、１枚の大型配線基板１００から６個の半導体装置１０Ａが取得される。
【００５１】
その後、大型配線基板１００から取得された複数個の半導体装置１０Ａを電気特性検査工程に搬送し、配線基板１１の配線（上面配線１４、下面配線１６）およびワイヤ２５の断線、短絡の有無、半田ボール１３の剥がれの有無などを含む半導体チップ１２の動作確認を行う。続いて半導体装置１０Ａの外観観検査を行って良品を選別することにより、半導体装置１０Ａの製造工程が完了し、半導体装置１０Ａが完成する。
【００５２】
図２５および図２６は、完成した半導体装置１０Ａをマザーボード（実装基板）５０の上面に搭載した状態を示している。半導体装置１０Ａは、配線基板１１の下面に形成された複数の半田ボール１３を介して、マザーボード５０の上面の複数の電極パッド５１に電気的に接続される。
【００５３】
このように、本実施の形態１の半導体装置１０Ａは、配線基板１１の上面のうちの各角部、すなわち、配線基板１１の上面において、配線基板１１の下面の角部に配置された半田ボール１３と重なる領域は、剛体（ここでは封止体２６）によって固定されていない。換言すれば、配線基板１１の上面において、配線基板１１の下面の角部に配置された半田ボール１３と重なる領域には、剛体が接しておらず、この剛体から露出している。このため、配線基板１１の各角部は、配線基板１１の他の領域（上面が封止体２６によって固定された領域）、言い換えると、剛体である封止体２６が配線基板１１に直に接する部分（場合）比べて変形し易くなっている。
【００５４】
これにより、半田ボール１３を介して半導体装置１０Ａをマザーボード５０に搭載した後において、外部から半導体装置１０Ａに加わった衝撃（応力）が配線基板１１の各角部に集中した場合、配線基板１１の各角部が変形することによって、この衝撃（応力）を緩和するので、配線基板１１の下面の各角部に配置された半田ボール１３の接合部に衝撃（応力）が集中することがない。
【００５５】
従って、これらの半田ボール１３の剥がれを有効に抑制することができる。ここで言う半田ボール１３の接合部とは、配線基板１１の下面に形成されたバンプランド１７と半田ボール１３との接合部、およびマザーボード５０の上面に形成された電極パッド５１と半田ボール１３との接合部（図２６参照）を意味している。
【００５６】
なお、配線基板１１の上面の各角部は、配線基板１１の上面の中央部に搭載された半導体チップ１２やワイヤ２５から最も離れた位置にある。そのため、本実施の形態１の半導体装置１０Ａのように、配線基板１１の上面の各角部が封止体２６から露出していても、半導体チップ１２およびワイヤ２５の気密性や耐湿性に及ぼす影響は、ほとんど無視することができる。
【００５７】
＜実施の形態１の変形例１＞
本実施の形態１では、半導体チップ１２をフェイスアップ実装方式で配線基板１１の上面に搭載し、配線基板１１に形成された複数のボンディングリード１５と半導体チップ１２に形成された複数のボンディングパッド２４をワイヤ２５を介して電気的に接続したが、半導体チップ１２の実装方式は、これに限定されるものではない。
【００５８】
例えば図２７に示すように、半導体チップ１２の複数のボンディングパッド２４のそれぞれに金（Ａｕ）からなるバンプ電極（突起電極）４２を接続し、これらのバンプ電極４２を介して半導体チップ１２のボンディングパッド２４と配線基板１１のボンディングリード１５を電気的に接続する、いわゆるフリップチップ実装方式を採用してもよい。なお、バンプ電極４２は、金（Ａｕ）の突起電極に限定されず、例えば銅（Ｃｕ）ピラーや、金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）合金系半田材などであってもよい。
【００５９】
＜実施の形態１の変形例２＞
本実施の形態１のモールド工程では、上型３１の底面に上型３１と一体形成された複数の突起３４を備えた成形金型３０を使用することにより、大型配線基板１００の各デバイス領域の上面の角部を封止体２６で覆わないようにしたが、これらの突起３４は、上型３１と別体に構成することもできる。
【００６０】
例えば図２８に示すように、上型３１の底面において、大型配線基板１００の各デバイス領域の角部と対向する領域にシリコーンゴムなどからなる突起（柱）４３を着脱自在に取り付けることによって、大型配線基板１００の各デバイス領域の角部を封止体２６で覆わないようにすることもできる。この場合は、一括モールド方式を採用する既存の成形金型（大型配線基板１００の各デバイス領域の上面全体を封止体２６で被覆する成形金型）を利用することができるので、新たに成形金型を製作する必要がない。
【００６１】
＜実施の形態１の変形例３＞
本実施の形態１の半導体装置１０Ａの封止体２６は、配線基板１１の下面に配置された複数の半田ボール１３のうち、最も角部側に配置された４個（各角部あたり１個）の半田ボール１３と重なり合わないように、配線基板１１の上面を覆っている（図７参照）が、封止体２６と半田ボール１３との重なりは、この例に限定されるものではない。
【００６２】
例えば図２９に示すように、封止体２６は、平面視において、配線基板１１の４つの角部に配置された４個（各角部あたり１個）の半田ボール１３のそれぞれの一部と重なっていてもよい。ただし、この場合は、図７に示す例に比べると、角部に配置された半田ボール１３の接合部に加わる応力が若干大きくなる。
【００６３】
また、例えば図３０に示すように、封止体２６は、平面視において、少なくとも各角部に配置された半田ボール１３と、この半田ボール１３の隣りに配置された２個の半田ボール１３ａのそれぞれとは重なっておらず、これら２個の半田ボール１３ａのそれぞれよりも内側（角部に配置された半田ボール１３から遠い位置）に配置された半田ボール１３ｂと重なっていてもよい。換言すれば、各角部に配置された半田ボール１３と、それから１個以上連続して配置された半田ボール１３の全てまたは一部と重なり合わず、かつ、最外周で各辺における中央部のうちの１つ以上連続する半田ボール１３と重なっている構造であってもよい。
【００６４】
この場合は、図７に示す例に比べると、半田ボール１３の接合部における機械的強度の低下がさらに抑制される。その反面、封止体２６の表面積が小さくなるので、前述した切断（ダイシング）工程で封止体２６の表面に貼り付けるダイシングテープ４０と封止体２６との接触面積が小さくなる。そのため、ダイシングブレード４１を用いて大型配線基板１００および封止体２６を切断（ダイシング）する際（図２４参照）、大型配線基板１００または封止体２６のガタつきが大きくなり、切断（ダイシング）工程の作業性が若干低下する。また、この場合は、図７に示す例に比べると、配線基板１１の上面のうち、封止体２６から露出する領域の面積が大きくなるので、半導体チップ１２およびワイヤ２５の気密性、耐湿性が若干低下する。
【００６５】
＜実施の形態１の変形例４＞
本実施の形態１の半導体装置１０Ａの場合、配線基板１１の各角部における封止体２６の平面形状は、配線基板１１の第１上面辺からこれと交差する第２上面辺に向かって、配線基板１１の上面における中央部側に弧を描いた形状になっている（図１、図２参照）が、配線基板１１の各角部における封止体２６の平面形状は、これに限定されるものではない。
【００６６】
例えば図３１に示すように、配線基板１１の各角部における封止体２６の平面形状は、配線基板１１の上面における一対の第１辺から、これらの第１辺と交差する一対の第２辺に向かって、直線状に延びる形状であってもよい。言い換えると、封止体２６の平面形状は、四角形の４つの角部を面取りした形状であってもよい。
【００６７】
また、例えば図３２に示すように、配線基板１１の各角部における封止体２６の平面形状は、配線基板１１の上面における一対の第１辺から、これらの第１辺と交差する一対の第２辺に向かって、それぞれ配線基板１１の上面における中央部側に屈曲した形状であってもよい。なお、この場合は、前述したモールド工程において、成形金型３０の上型３１に設けられたゲート３１を通じてキャビティ３３内に樹脂を注入する際、大型配線基板１００の各デバイス領域の角部において、樹脂の流動性が若干低下するので、図７に示す例に比べると、封止体２６の内部にボイド（空隙）が発生し易くなる。
【００６８】
また、図３１および図３２に示す本変形例４においても、配線基板１１の下面の角部に配置された半田ボール１３と封止体２６との重なりは、図２９および図３０に示す変形例３のように変更することができる。
【００６９】
＜実施の形態１の変形例５＞
本実施の形態１の半導体装置１０Ａの場合、配線基板１１の上面のうちの各角部、すなわち、配線基板１１の上面において、配線基板１１の下面の角部に配置された半田ボール１３と重なる領域は、剛体である封止体２６によって固定されていないが、これに限定されるものではない。
【００７０】
例えば、封止体２６を形成するために使用する樹脂材料（樹脂タブレット）のうち、樹脂のみで構成され、フィラーは含まない、所謂、樹脂バリ（成形金型のクランプ領域から染み出した樹脂の一部からなり、その厚さは上記のソルダ―レジスト２１の厚さとほぼ同じ、またはそれ以下）であれば、上記角部に形成されていてもよい。
【００７１】
しかしながら、配線基板１１の変形の容易性を考慮すると、上記実施の形態１のように、配線基板１１の上面のうちの各角部を封止体２６から露出させておく、言い換えると、樹脂バリであっても、配線基板１１の各角部に接触させないことが好ましい。
【００７２】
（実施の形態２）
図３３は、実施の形態２の半導体装置の斜視図である。図３４は、図３３のＨ−Ｈ線断面図である。
【００７３】
本実施の形態２の半導体装置１０Ｂは、前記実施の形態１の半導体装置１０Ａと同じく、配線基板１１の上面の一対の第１辺（第１上面辺）の中央部、および第１上面辺と交差する一対の第２辺（第２上面辺）の中央部が封止体２６によって覆われている。一方、配線基板１１の上面のうちの各角部は、封止体２６を構成する材料よりも剛性の低い部材（弾性体）によって覆われている。なお、本実施の形態１の弾性体は、例えばシリコーンゴムからなるエラストマー層である（以下、この弾性体をエラストマー層４５と呼ぶ）。
【００７４】
上記エラストマー層４５は、配線基板１１の上面の一対の第１辺の中央部および一対の第２辺の中央部を覆う封止体２６よりも厚さが薄く、エラストマー層４５の側面の一部と上面は、封止体２６によって覆われている。すなわち、エラストマー層４５は、半導体装置１０Ｂの側面に位置する部分のみが外部に露出しており、他の部分は、封止体２６によって覆われている。また、エラストマー層４５の外部に露出した部分と配線基板１１の側面と封止体２６の側面とは面一になっている。
【００７５】
配線基板１１の各角部におけるエラストマー層４５の平面形状は、前記実施の形態１の配線基板１１の各角部における封止体２６の平面形状（図１および図２参照）と同じである。すなわち、配線基板１１の各角部におけるエラストマー層４５の平面形状は、配線基板１１の第１上面辺からこれと交差する第２上面辺に向かって、配線基板１１の上面における中央部側に弧を描いた形状になっている。
【００７６】
図３５は、配線基板１１の上方から見たエラストマー層４５と、配線基板１１の下面に配置された複数の半田ボール１３との重なり状態を示す平面図である。ここでは、エラストマー層４５をハッチングで示し、半田ボール１３を破線で示している。
【００７７】
図示のように、配線基板１１の下面に配置された複数の半田ボール１３のうち、配線基板１１の角部に配置された４個（各角部あたり１個）の半田ボール１３は、平面視においてエラストマー層４５と重なり合っている。言い換えると、封止体２６は、平面視において、配線基板１１の上面の一対の第１辺の中央部および一対の第２辺の中央部を覆っているが、角部では、エラストマー層４５を介して覆っている。すなわち、配線基板１１の上面における各角部では、弾性体であるエラストマー層４５が配線基板１１と接しており、剛体である封止体２６は、配線基板１１（角部）とは接していない。
【００７８】
なお、本実施の形態２における剛体とは、配線基板（基材）１１に比べて変形し難い物体を指し、力を加えても変形しないものではない。また、エラストマー層４５と半田ボール１３との重なりは、上記の例に限定されるものではなく、例えば前記実施の形態１の変形例３（図２９、図３０）で説明した配線基板１１の角部における半田ボール１３と封止体２６との重なりと同様の変更が可能である。
【００７９】
また、エラストマー層４５の平面形状も、上記の例に限定されるものではなく、例えば前記実施の形態１の変形例４（図３１、図３２）で説明した配線基板１１の角部における封止体２６の平面形状と同様の変更が可能である。
【００８０】
さらに、配線基板１１の上面の角部に配置する部材は、シリコーンゴムからなるエラストマー層４５に限定されるものではなく、フィラーを有する樹脂を用いてトランスファー成形により形成された封止体２６よりも剛性の低い、言い換えるとヤング率などの弾性率が小さい各種材料のうちから適宜選択することができる。例えば、フィラーを有していない液状樹脂（ポッティング樹脂）を選択することができる。また、配線基板１１の上面の角部に配置する部材として、配線基板１１を構成する材料（例えばガラエポ樹脂）よりも剛性の低い材料からなる部材を選択すれば、配線基板１１の各角部がさらに変形し易くなる。
【００８１】
本実施の形態２の半導体装置１０Ｂの上記以外の構成は、前記実施の形態１の半導体装置１０Ａと同じであるため、その説明は省略する。
【００８２】
図３３および図３４に示した本実施の形態２の半導体装置１０Ｂを製造するには、前述した実施の形態１のワイヤボンディング工程が完了した後、例えば図３６に示すように、大型配線基板１００の各デバイス領域の上面の各角部にエラストマー層４５を貼り付ける。
【００８３】
次に、この状態で大型配線基板１００をモールド工程に搬送し、大型配線基板１００の上面およびこの上面の各デバイス領域に搭載された半導体チップ１２およびワイヤ２５を封止体２６で一括モールドする。このとき使用する成形金型は、一括モールド方式を採用する既存の成形金型である。なお、その後の製造工程は、前記実施の形態１と同じである。
【００８４】
また、上記した方法に代えて、大型配線基板１００の各デバイス領域の上面の角部にポッティング方式により液状のシリコーンゴムを滴下し、その後、このシリコーンゴムを熱硬化させてエラストマー層４５を形成してもよい。
【００８５】
上記した本実施の形態２の製造方法によれば、前述した実施の形態１の変形例２と同様、専用の成形金型（上型３１の底面に複数の突起３４を設けた成形金型）を製作する必要がないので、半導体装置１０Ｂの製造コストを低減することができる。
【００８６】
このように、本実施の形態２の半導体装置１０Ｂは、配線基板１１の上面の各角部が封止体２６よりも剛性の低いエラストマー層４５で覆われている。すなわち、配線基板１１の上面の各角部にはエラストマー層４５が接しているため、配線基板１１の各角部は、配線基板１１の他の領域（上面が封止体２６によって固定された領域）、言い換えると、剛体である封止体２６が配線基板１１に直に接する部分（場合）に比べて変形し易くなっている。
【００８７】
これにより、外部から半導体装置１０Ｂに加わった衝撃（応力）が配線基板１１の各角部に集中したとしても、配線基板１１の各角部が変形することによって、この衝撃（応力）を緩和するので、配線基板１１の下面の各角部に配置された半田ボール１３の接合部に衝撃（応力）が集中することがない。従って、これらの半田ボール１３の剥がれを有効に抑制することができる。
【００８８】
＜実施の形態２の変形例１＞
本実施の形態２では、配線基板１１の上面の各角部にエラストマー層４５を配置したが、例えば図３７および図３８（図３７のＩ−Ｉ線断面図）に示すように、配線基板１１の上面の外周部全体、すなわち各角部、一対の第１辺および一対の第２辺に沿ってエラストマー層４５を配置してもよい。このエラストマー層４５は、配線基板１１の上面の一対の第１辺の中央部および一対の第２辺の中央部を覆う封止体２６よりも厚さが薄く、その平面形状は、四角枠状からなる。
【００８９】
本変形例１の半導体装置１０Ｂを製造するには、前述した実施の形態１のワイヤボンディング工程が完了した後、例えば図３９に示すように、大型配線基板１００の各デバイス領域の上面のダイシングラインＤＬに沿って、平面形状が格子状からなるエラストマー層４５を貼り付ける。その後、一括モールド方式を採用する既存の成形金型を使って、大型配線基板１００の上面およびこの上面の各デバイス領域に搭載された半導体チップ１２およびワイヤ２５を封止体２６で一括モールドする。なお、その後の製造工程は、前記実施の形態１と同じである。
【００９０】
また、上記した方法に代えて、大型配線基板１００の各デバイス領域の上面のダイシングラインＤＬに沿って、ポッティング方式により液状のシリコーンゴムを滴下し、その後、このシリコーンゴムを熱硬化させてエラストマー層４５を形成してもよい。さらに、エラストマー層４５に代えて、封止体２６を構成する材料よりも剛性の低い他の材料を使用することもできる。
【００９１】
本変形例１の半導体装置１０Ｂによれば、配線基板１１の各角部だけでなく、外周部全体が変形し易くなるので、配線基板１１の下面の外周部に配置された半田ボール１３の剥がれを有効に抑制することができる。
【００９２】
＜実施の形態２の変形例２＞
本実施の形態２では、配線基板１１の上面の各角部にエラストマー層４５を配置したが、大型配線基板１００および封止体２６の切断（ダイシング）工程が完了した後、例えば図４０および図４１（図４０のＪ−Ｊ線断面図）に示すように、配線基板１１の上面の各角部からエラストマー層４５を取り除いてもよい。
【００９３】
このようにした場合は、配線基板１１の上面の各角部が封止体２６の外部に露出する、言い換えると、剛体である封止体２６が配線基板１１の上面の各角部に接していないので、配線基板１１の上面の各角部は、実質的に前記実施の形態１の半導体装置１０Ａと同一の構造となる。従って、本変形例２によれば、配線基板１１の下面の角部に配置された半田ボール１３の剥がれ抑制効果は、実質的に前記実施の形態１の半導体装置１０Ａと同一になる。
【００９４】
また、本変形例２は、図３７および図３８に示した実施の形態２の変形例１に適用することもできる。すなわち、切断（ダイシング）工程が完了した後、図４２および図４３（図４２のＫ−Ｋ線断面図）に示すように、配線基板１１の上面の外周部からエラストマー層４５を取り除いてもよい。
【００９５】
これにより、配線基板１１の上面の外周部は、個片モールド方式（１つの基材に形成された複数のデバイス領域を複数のキャビティで個々に覆った状態で樹脂封止する方式）により形成されたＢＧＡと同じように、封止体２６によって固定されない構造となるので、半田ボール１３の剥がれ抑制効果がさらに向上する。
【００９６】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明はこれまで記載した実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００９７】
（変形例１）
例えば、前記実施の形態１、２では、配線基板（大型配線基板）として２層配線基板を例示したが、配線基板（大型配線基板）は、４層またはそれ以上の配線層を有する多層配線基板であってもよい。
【００９８】
（変形例２）
また、前記実施の形態１、２では、配線基板の下面の中央部にバンプランドが配置されていない、いわゆるペリフェラル構造の配線基板を例示したが、配線基板の下面の中央部にもバンプランドが配置された、いわゆるフルマトリクス構造の配線基板であってもよい。
【００９９】
（変形例３）
また、前記実施の形態１、２では、配線基板の下面の４つの角部に半田ボール（バンプランド）が配置された配線基板を例示したが、半田ボール（バンプランド）は、配線基板の下面の４つの角部のうち、少なくとも一箇所に配置されていればよい。また、この場合は、配線基板の上面の４つの角部のうち、下面に半田ボール（バンプランド）が配置されている角部のみを封止体で覆わないようにすればよい。
【０１００】
（変形例４）
また、前記実施の形態１、２では、平面形状が四角形からなる配線基板を備えたＭＡＰ−ＢＧＡについて説明したが、これに限定されるものではない。すなわち、少なくとも配線基板の下面の角部に半田ボールが配置されるＭＡＰ−ＢＧＡであれば、一対の第１辺と、これらの第１辺と交差する一対の第２辺とが直交しない配線基板、あるいは平面形状が四角形以外の多角形からなる配線基板を備えたものであってもよい。
【０１０１】
その他、実施の形態に記載された内容の一部を以下に記載する。
【０１０２】
（１）平面形状が、一対の第１上面辺および前記第１上面辺と交差する一対の第２上面辺を有する四角形からなる上面、前記上面に形成された複数のボンディングリード、平面形状が一対の第１下面辺および前記第１下面辺と交差する一対の第２下面辺を有する四角形からなり、かつ、前記上面とは反対側の下面、前記下面に形成された複数のバンプランド、前記上面および前記下面のうちの一方から他方に向かって形成された貫通孔、前記複数のボンディングリードのそれぞれを露出し、かつ、前記貫通孔の一方の開口を塞ぐように前記上面上に形成された上面側絶縁膜、および前記複数のバンプランドのそれぞれを露出し、かつ、前記貫通孔の他方の開口を塞ぐように前記下面上に形成された下面側絶縁膜を有する配線基板と、主面、前記主面に形成された複数のボンディングパッド、および前記主面とは反対側の裏面を有し、前記配線基板の前記上面に搭載された半導体チップと、前記配線基板の前記上面および前記半導体チップを封止する封止体と、前記複数のバンプランドにそれぞれ形成された複数の外部端子と、を含み、前記第１上面辺の中央部および前記第２上面辺の中央部は、前記封止体で覆われており、前記配線基板の前記上面のうちの各角部は、前記封止体よりも剛性の低い部材で覆われている。
【０１０３】
（２）前記複数のバンプランドは、前記第１下面辺および前記第２下面辺に沿って、複数列に亘って配置されており、前記封止体は、前記複数の外部端子のうち、最も前記配線基板の前記下面の角部側に配置された第１外部端子と重なっていない。
【符号の説明】
【０１０４】
１０Ａ、１０Ｂ  半導体装置
１１  配線基板（基材）
１２  半導体チップ
１３、１３ａ、１３ｂ  半田ボール（半田材、外部端子）
１４  上面配線
１５  ボンディングリード（電極パッド）
１６  下面配線
１７  バンプランド（電極パッド）
１８  貫通孔
２１  上面側ソルダーレジスト（上面側絶縁膜）
２２  下面側ソルダーレジスト（下面側絶縁膜）
２３  接着剤
２４  ボンディングパッド（電極パッド）
２５  ワイヤ（導電性部材）
２６  封止材
３０  成形金型
３１  上型（第１金型）
３２  下型（第２金型）
３３  キャビティ（凹部）
３４  突起（柱）
３５  ゲート
３６  エアベント
４０  ダイシングテープ
４１  ダイシングブレード（切断刃）
４２  バンプ電極（突起電極）
４３  突起（柱）
４５  エラストマー層
５０  マザーボード（実装基板）
５１  電極パッド
１００  大型配線基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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