(57)【要約】      （修正有）【課題】ターゲットのエロージョンの発生を抑制し、均一な膜厚が形成された基板を得ることができる、マグネトロンスパッタリング装置およびスパッタリング方法を提供する。【解決手段】チャンバー１０と、前記チャンバーの内部に向けて一方の面を露出して配置されるターゲット４０と、前記ターゲットの他方の面に配置され、前記ターゲットの内部を磁界が透過するように極性配置された磁石６０と、前記ターゲットと前記磁石との間に配置される磁束密度調整部７０と、を備えるマグネトロンスパッタリング装置１００とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバーと、
前記チャンバーの内部に向けて一方の面を露出して配置されるターゲットと、
前記ターゲットの他方の面に配置され、前記ターゲットの内部を磁界が透過するように極性配置された磁石と、
前記ターゲットと前記磁石との間に配置される磁束密度調整部と、を備える、
ことを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置。
【請求項２】
前記磁束密度調整部は、前記磁石からの透過磁力線方向に交差する方向に複数の磁束密度調整領域を有している、
ことを特徴とする請求項１に記載のマグネトロンスパッタリング装置。
【請求項３】
前記磁束密度調整領域は、透過磁力線方向に磁束密度調整手段を保持する調整手段保持部を備えている、
ことを特徴とする請求項２に記載のマグネトロンスパッタリング装置。
【請求項４】
前記磁束密度調整手段は、磁性材料により形成された磁束密度調整部材を含む、
ことを特徴とする請求項３に記載のマグネトロンスパッタリング装置。
【請求項５】
チャンバーと、
前記チャンバーの内部に向けて一方の面を露出して配置されるターゲットと、
前記ターゲットの他方の面に配置され、前記ターゲットの内部を磁界が透過する極性配置された磁石と、
前記ターゲットと前記磁石との間に配置される磁束密度調整部と、を備え、
前記磁束密度調整部は、前記磁石からの透過磁力線方向に交差する方向に複数の磁束密度調整領域を有し、
前記磁束密度調整領域は、透過磁力線方向に磁束密度調整手段を保持する調整手段保持部を備えているマグネトロンスパッタリング装置による基板へのスパッタリング方法であって、
前記磁束密度調整領域を透過する磁束密度を測定する、磁束密度測定工程と、
前記磁束密度測定工程における前記磁束密度調整領域での磁束密度測定結果に基づき前記磁束密度調整手段を前記調整手段保持部へ装着する、磁束密度調整工程と、を含む、
ことを特徴とするスパッタリング方法。
【請求項６】
前記磁束密度調整手段は磁性材料により形成された透磁部材を少なくとも１以上、透過磁力線方向に配置されている、
ことを特徴とする請求項５に記載のスパッタリング方法。
【請求項７】
前記磁束密度調整手段は、透磁率が同等、もしくは異なる前記透磁部材を透過磁力線方向に複数配置されている、
ことを特徴とする請求項６に記載のスパッタリング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マグネトロンスパッタリング装置およびスパッタリング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体あるいはセンサー素子など、電子デバイスの電子部品素子には電極、ピエゾなどの被膜が形成されている。これら被膜は、電子部品の小型、薄型化、更には省資源、生産性向上から、より薄膜化が進んでいる。より薄膜化が進むことで、被膜の厚さにばらつきが生じると、電子部品の性能に顕著に影響してしまう。従って、より均一な膜厚の被膜形成技術、および装置が要求されてきている。
【０００３】
被膜成形方法としては、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法等が知られており、中でもスパッタリング法は膜厚の制御が比較的容易であることから、電子部品の成膜方法として広く用いられている。スパッタリング法の中でもマグネトロンスパッタリング装置を用いたスパッタリング法では、低い真空度で、低電圧でも高いイオン密度の放電が可能となり、膜厚の制御が容易であることから工業的に広範に利用されている。しかし、マグネトロンスパッタ装置によるスパッタリングでは、被膜原料のターゲット裏面にマグネットを配置しプラズマを収束させる手法を用いることから、マグネット形状および配置によってターゲット材料の消耗の多い部位、いわゆるエロージョンが生じてしまう問題があった。エロージョンが生じることにより、膜厚さの不均一、あるいはターゲットの交換を頻繁に行わなければならないことによる生産性の低下とコストアップ、等の課題があった。
【０００４】
このターゲットのエロージョンに対して、ターゲットの短辺側にエロージョン部位近傍まで磁力低減用の磁性材をターゲット上に配置することによりエロージョンの発生を抑制する方法が開示されている（特許文献１）。また、エロージョンによる被膜の膜厚不均一が生じないように、ターゲットと被処理物の基材との間に遮蔽部により囲まれた開口部を有する補正板を配置し、ターゲットのエロージョン部から強く放出されるスパッタリング粒子の一部を基材に到達させないようにすることで膜厚の均一な被膜を形成する方法も開示されている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−３５３０２０号公報
【特許文献２】特開２０１２−１７４９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１では、エロージョンの少ない部位であるターゲットの短辺部における中央部近傍ではスパッタリング粒子の放出が弱くなり、不均一な膜厚の被膜が形成される課題がある。また、特許文献２では、ターゲットのエロージョンによる消耗が多く、ターゲットの交換を頻繁に行わなければならず、更に補正板にもターゲット材料が積層するために、補正板のメンテナンスも頻繁に行わなければならず、生産性を著しく低下させる課題があった。
【０００７】
そこで、ターゲットのエロージョンの発生を抑制し、均一な膜厚が形成された基板を得ることができる、マグネトロンスパッタリング装置およびスパッタリング方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００９】
〔適用例１〕本適用例に係るマグネトロンスパッタリング装置は、チャンバーと、前記チャンバーの内部に向けて一方の面を露出して配置されるターゲットと、前記ターゲットの他方の面に配置され、前記ターゲットの内部を磁界が透過するように極性配置された磁石と、前記ターゲットと前記磁石との間に配置される磁束密度調整部と、を備えることを特徴とする。
【００１０】
本適用例のマグネトロンスパッタリング装置によれば、ターゲットにかかる磁石からの磁力線の強度の分布によって発生するターゲットの不均一な消耗、すなわちターゲットのエロージョンを、ターゲットと磁石の間に磁束密度調整部を備えることにより、チャンバーを開放することなく、磁界の強度を調整することが可能となる。従って、ターゲットのエロージョンを抑制することができることで、ターゲットの交換頻度を減少させることが可能となり、生産性の高いマグネトロンスパッタリング装置を得ることができる。更に、ターゲットのエロージョンが抑制できる磁束密度分布を容易に得ることができるため、均一な膜厚を有する被処理物を得ることができる。
【００１１】
〔適用例２〕上述の適用例において、前記磁束密度調整部は、前記磁石からの透過磁力線方向に交差する方向に複数の磁束密度調整領域を有していることを特徴とする。
【００１２】
上述の適用例によれば、複数の磁束密度調整領域を設けることで、磁石の形状、装着位置等によって変化する磁束密度の分布に対応して、ターゲットのエロージョンが抑制できる磁束密度分布を形成させることができる。
【００１３】
〔適用例３〕上述の適用例において、前記磁束密度調整領域は、透過磁力線方向に磁束密度調整手段を保持する調整手段保持部を備えていることを特徴とする。
【００１４】
上述の適用例によれば、磁束密度調整手段を透過磁力線方向に配置することにより、磁束密度調整手段に透過磁力線方向に交差する方向へ磁力線が流れ、透過磁力線の強度を確実に下げることができる。更に、磁束密度調整手段を透過磁力線方向に複数配置させることで、透過磁力線の強度を配置される磁束密度調整手段のきめ細かな低減を図ることができる。従って、ターゲットのエロージョンが抑制できる磁束密度分布に容易に調整することができる。
【００１５】
〔適用例４〕上述の適用例において、前記磁束密度調整手段は、磁性材料により形成された磁束密度調整部材を含むことを特徴とする。
【００１６】
上述の適用例によれば、磁性材料、たとえば鉄、ニッケルなどの磁性金属など、から磁束密度調整部材を形成することにより、磁束密度調整部材の組み替えることで、透過する磁束密度を調整することができる。また、磁束密度調整手段としての取り扱い性も容易になり、作業性、生産性の向上を図ることができる。
【００１７】
〔適用例５〕本適用例のスパッタリング方法は、チャンバーと、前記チャンバーの内部に向けて一方の面を露出して配置されるターゲットと、前記ターゲットの他方の面に配置され、前記ターゲットの内部を磁界が透過する極性配置された磁石と、前記ターゲットと前記磁石との間に配置される磁束密度調整部と、を備え、前記磁束密度調整部は、前記磁石からの透過磁力線方向に交差する方向に複数の磁束密度調整領域を有し、前記磁束密度調整領域は、透過磁力線方向に磁束密度調整手段を保持する調整手段保持部を備えているマグネトロンスパッタリング装置による基板へのスパッタリング方法であって、前記磁束密度調整領域を透過する磁束密度を測定する、磁束密度測定工程と、前記磁束密度測定工程における前記磁束密度調整領域での磁束密度測定結果に基づき前記磁束密度調整手段を前記調整手段保持部へ装着する、磁束密度調整工程と、を含むことを特徴とする。
【００１８】
本適用例のスパッタリング方法によれば、ターゲットにかかる磁石からの磁力線の強度の分布によって発生するターゲットの不均一な消耗、すなわちターゲットのエロージョンを、ターゲットと磁石の間に磁束密度調整部を備えることにより、チャンバーを開放することなく、磁界の強度を調整することが可能となる。従って、ターゲットのエロージョンを抑制することができることで、ターゲットの交換頻度を減少させることが可能となり、生産性の高い膜形成をすることができる。更に、複数の磁束密度調整領域が設けられていることで、磁石の形状、装着位置等によって変化する磁束密度の分布に対応して、ターゲットのエロージョンが抑制できる磁束密度分布を容易に得ることができるため、均一な膜厚を有する被処理物を得ることができる。
【００１９】
〔適用例６〕上述の適用例において、記磁束密度調整手段は磁性材料により形成された透磁部材を少なくとも１以上、透過磁力線方向に配置されていることを特徴とする。
【００２０】
上述の適用例によれば、透磁部材の組み合わせ、例えば透磁率の異なる材料から形成される透磁部材の組み合わせ、によって、容易に所定の磁束密度分布を形成させることが可能となり、均一な膜厚を有する被処理物を得ることができる。
【００２１】
〔適用例７〕上述の適用例において、前記磁束密度調整手段は、透磁率が同等、もしくは異なる前記透磁部材を透過磁力線方向に複数配置されていることを特徴とする。
【００２２】
上述の適用例によれば、透磁部材の組み合わせによって、容易に所定の磁束密度分布を形成させることが可能となり、均一な膜厚を有する被処理物を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】第１実施形態に係るマグネトロンスパッタリング装置の概略構成断面図。
【図２】（ａ）は図１に示すＡ−Ａ´部の断面図、（ｂ）は（ａ）に示すＤ−Ｄ´部の断面図。
【図３】（ａ）は図１に示すＢ−Ｂ´部の断面図、（ｂ）（ｃ）はその他の形態を示す断面図。
【図４】第１実施形態に係る磁束密度調整部の構成を示す模式図。
【図５】第２実施形態に係るスパッタリング方法を示すフローチャート。
【図６】第２実施形態に係るスパッタリング方法における準備工程でのマグネトロンスパッタリング装置の概略構成断面図。
【図７】第２実施形態に係るスパッタリング方法における磁束密度測定工程での測定方法を示す概略構成図。
【図８】第２実施形態に係るスパッタリング方法における磁束密度調整工程での磁束密度調整方法を示す概略構成図であり、（ａ）は調整前を示す構成図、（ｂ）は調整時を示す構成図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、図面を参照して、本発明に係る実施形態を説明する。
【００２５】
（第１実施形態）
第１実施形態に係るマグネトロンスパッタリング装置の概略構成断面を図１に示す。図１に示すマグネトロンスパッタリング装置１００（以下、スパッタ装置１００という）は、内部処理室１０ａを低圧に維持することができるチャンバー１０と、被処理物としての基板２０を保持する基板保持手段３０と、ターゲット４０と、ターゲット４０を保持するターゲット保持部５０と、磁石６０と、ターゲット保持部５０と磁石６０との間に配置される磁束密度調整部７０と、により構成されている。ターゲット４０がチャンバー１０の内部処理室１０ａに露出するように、チャンバー１０にはターゲット窓１０ｂが設けられており、ターゲット窓１０ｂと外気との気密を保持するため、ターゲット窓１０ｂの外側には、ターゲット保持部５０とチャンバー１０の外壁１０ｃとの間にパッキン５０ａが配置されて、内部処理室１０ａを気密に保つことができる。
【００２６】
減圧装置８０と、チャンバー１０の内部処理室１０ａとは連通するパイプ８０ａによって接続され、チャンバー１０内部の内部処理室１０ａが低圧に減圧、維持され、図示しない不活性ガス供給部より内部処理室１０ａに適量の、例えばアルゴンなどの不活性ガスが供給されている。また、チャンバー１０の外部に配置される磁石６０および磁束密度調整部７０などは図示しない開閉手段により開閉可能にチャンバー１０に装着されるカバー９０により覆われ、ターゲット４０の交換作業、後述する磁束密度調整部７０の部材交換作業、等における安全性および清浄性が確保される。
【００２７】
図２（ａ）は、図１に示すＡ−Ａ´部の断面を示す図である。図２（ａ）に示すように、磁石６０は、平面形状がトラック状の第１磁石６１と、平面形状が矩形状の第２磁石６２により構成されている。そしてターゲット４０の平面形状領域の範囲に磁石６０が配置される。なお、図２（ａ）に示すＣ−Ｃ´部の断面が図１に示すスパッタ装置１００の概略断面図に相当する。
【００２８】
図２（ｂ）は図２（ａ）に示すＤ−Ｄ´部断面の模式図であり、磁石６０の極性配置を示す。図２（ｂ）に示すように、磁石６０の極性配置は、ターゲット４０側に第１磁石６１のＳ極面、第２磁石６２のＮ極面を配置させる。このように第１磁石６１および第２磁石６２を配置することにより、磁力線Ｍｇが図示するように第２磁石６２のＮ極面から、第１磁石６１のＳ極面に向かって形成される。この磁力線Ｍｇを、図２（ａ）で示すと、第２磁石６２から第１磁石６１に向けた磁力線Ｍｇの磁場が形成される。このとき、磁石６０のコーナー部の図示Ｅ部において磁力線Ｍｇが密集する、すなわち磁束密度の高い領域が形成される。この磁束密度の高いＥ部においてターゲット４０からスパッタ粒子の放出が他の部位より多くなり、ターゲット４０の消耗を多くするエロージョンを発生させる。
【００２９】
図１に示す磁束密度調整部７０は、磁束密度調整手段の一形態の磁束密度調整部材としての磁性板７１が配置されている。磁性板７１は、調整手段保持部としての磁性板保持部７２によって、本実施形態に係るスパッタ装置１００では、図１の図示上下に３段に配置され、更に磁石６０からターゲット４０への方向に３列の第１磁束密度調整群７０ａ、第２磁束密度調整群７０ｂ、そして第３磁束密度調整群７０ｃとして配置されている。更に、図１に示すＢ−Ｂ´部の断面模式図の図３（ａ）に示すように、各調整群７０ａ，７０ｂ，７０ｃは各段に２個の磁性板７１が配置されている。従って、本実施形態に係るスパッタ装置１００においては、磁性板７１は磁束密度調整群に１群当たり６個の磁性板７１を備えることから、合計で１８個の磁性板７１を備えることができる構成となっている。
【００３０】
図３（ａ）に示すように、各磁性板７１が配置される領域、すなわち磁束密度調整領域Ｐであり、本実施形態に係るスパッタ装置１００においては、磁性板７１の配置される６領域の磁束密度調整領域Ｐ11，Ｐ12，Ｐ21，Ｐ22，Ｐ31，Ｐ32が構成される。上述の磁束密度調整群７０ａ，７０ｂ，７０ｃと磁束密度調整領域Ｐ11，Ｐ12，Ｐ21，Ｐ22，Ｐ31，Ｐ32の関係を示す模式図を図４に示す。図４に示すように、磁束密度調整群７０ａ，７０ｂ，７０ｃは磁石６０からターゲット４０の方向に順に配置されている。そして、各磁束密度調整群７０ａ，７０ｂ，７０ｃに配置される磁性板７１は、磁束密度調整領域Ｐ11，Ｐ12，Ｐ21，Ｐ22，Ｐ31，Ｐ32にも対応して配置されている。
【００３１】
磁性板７１は、磁性材料により形成されており、磁性板保持部７２に着脱可能に保持される。また磁性板７１は、透磁率の異なる磁性材料、たとえば銅、ニッケル、鉄など、により形成される透磁率の異なる磁性板７１も含むことがでる。詳細は後述するが磁性板７１を、図４に示す磁束密度調整群７０ａ，７０ｂ，７０ｃおよび磁束密度調整領域Ｐ11，Ｐ12，Ｐ21，Ｐ22，Ｐ31，Ｐ32において、磁性板７１を種々組み替えることにより、磁石６０からのターゲット４０を透過する磁界の強さ、すなわちターゲット４０での磁束密度を調整可能にする。なお、磁束密度調整群７０ａ，７０ｂ，７０ｃは３群に限定されず、１群以上備えていれば良い。また、磁束密度調整群１群当たりの磁性板７１の配置は、本実施形態に例示した３段２列の６個配置に限定されず、少なくとも上述した図２（ａ）に示す磁束密度が高くなるＥ部領域に相当する領域が含まれるように配置されていれば良く、例えば図３（ｂ）に示す３段３列、あるいは図３（ｃ）に示す４段３列であっても良い。
【００３２】
（第２実施形態）
第２実施形態として、第１実施形態に係るスパッタ装置１００によるスパッタリング方法について説明する。図５は第２実施形態に係るスパッタリング方法のフローチャートである。
【００３３】
〔準備工程〕
第２実施形態に係るスパッタリング方法は準備工程（Ｓ１）から行われる。準備工程（Ｓ１）では、図６に示すように、スパッタリングされる基板２０がスパッタ装置１００のチャンバー１０の内部処理室１０ａに備える基板保持手段３０に固定される。また、ターゲット４０が装着されたターゲット保持部５０がチャンバー１０に図示しない手段により装着され、チャンバー１０の内部処理室１０ａにターゲット窓１０ｂからターゲット４０が挿入される。
【００３４】
装着されたターゲット保持部５０に磁束密度調整部７０が装着される。このとき、磁束密度調整部７０の磁性板保持部７２には磁性板７１は装着されていなくてよい。後述する、磁束密度を調整する工程において磁性板７１が装着される。
【００３５】
〔磁束密度測定工程〕
準備工程（Ｓ１）によって、チャンバー１０の内部処理室１０ａに、処理される基板２０が配置されると、磁束密度測定工程（Ｓ２）に移行する。磁束密度測定工程（Ｓ２）では、図７の模式図に示すように、磁束密度調整領域Ｐ11，Ｐ12，Ｐ21，Ｐ22，Ｐ31，Ｐ32における磁束密度を、磁束密度調整領域Ｐ11，Ｐ12，Ｐ21，Ｐ22，Ｐ31，Ｐ32に対応する位置に配置された磁力測定器２００のセンサー端子２００ａにより、ターゲット４０を透過する磁束密度、すなわち磁界の強さをセンシングし、その検出データから図示しない表示部を含む本体２００ｂにおいて磁束密度を演算させ、測定結果を表示部に表示させる。なお、磁束密度測定工程（Ｓ２）において用いられる磁束密度測定の方法は、磁束密度調整領域Ｐ11，Ｐ12，Ｐ21，Ｐ22，Ｐ31，Ｐ32における磁束密度が測定できれば、本例に示す方法に限定はされない。
【００３６】
〔磁束密度分布判定工程〕
次に、磁束密度測定工程（Ｓ２）によって得られた磁束密度調整領域Ｐ11，Ｐ12，Ｐ21，Ｐ22，Ｐ31，Ｐ32における磁束密度の測定結果を判定する磁束密度判定工程（Ｓ３）に移行する。磁束密度判定工程（Ｓ３）では、磁束密度測定工程（Ｓ２）において得られた磁束密度調整領域Ｐ11，Ｐ12，Ｐ21，Ｐ22，Ｐ31，Ｐ32における磁束密度を比較し、所定の磁束密度の値であるか、それぞれの磁束密度の差が所定範囲内であるか、を比較判定する。磁束密度はスパッタリングによって得られる基板２０に形成される被膜の厚さ、密度に影響し、磁束密度調整領域Ｐ11，Ｐ12，Ｐ21，Ｐ22，Ｐ31，Ｐ32における磁束密度の分布の差は、ターゲット４０の消耗量の不均一につながり、その結果、被膜厚さの不均一として現れる。
【００３７】
磁束密度判定工程（Ｓ３）において、所定の磁束密度、および所定の磁束密度の分布差であると判定（ＹＥＳ）されると、次のスパッタリング工程へ移行する。しかし、磁束密度および磁束密度の分布差の、どちらか一方、もしくは両方が所定値を外れている（ＮＯ）と判定されると、磁束密度調整工程（Ｓ４）に移行する。
【００３８】
〔磁束密度調整工程〕
磁束密度調整工程（Ｓ４）では、磁束密度測定工程（Ｓ２）において測定された磁束密度調整領域Ｐ11，Ｐ12，Ｐ21，Ｐ22，Ｐ31，Ｐ32における磁束密度に応じて、磁性板７１を用いて磁束密度調整領域Ｐ11，Ｐ12，Ｐ21，Ｐ22，Ｐ31，Ｐ32における磁束密度を所定の値になるように調整する。磁束密度の調整方法について、図８を用いて具体的に説明する。なお、図８は説明を簡略化するため、磁束密度調整部７０における図２、図３および図４に示すＣ−Ｃ´部の断面部分を用いて説明し、更に、磁性板７１は、透磁率大の磁性板７１Ａ、透磁率小の磁性板７１Ｂの２種類を例示して説明する。
【００３９】
図８（ａ）に示す状態は、準備工程（Ｓ１）直後の磁束密度測定工程（Ｓ２）における磁束密度調整部７０を示している。すなわち、磁束密度調整部７０の磁性板保持部７２には磁性板７１が装着されていない状態にある。この状態において磁束密度測定工程（Ｓ２）において測定された磁束密度が、図８（ａ）に図示するように、所定磁束密度Ｍ０に対して分布した状態の磁束密度分布Ｍ１となっている。そこで、磁束密度調整工程（Ｓ４）において、透磁率の異なる磁性板７１Ａ，７１Ｂを組み合わせて磁性板保持部７２に装着する。本例では、図８（ｂ）に示すように、磁束密度が高い磁束密度調整領域Ｐ11に対応する磁性板保持部７２には透磁率大の磁性板７１Ａが、第１磁束密度調整群７０ａ位置と第３磁束密度調整群７０ｃ位置に装着される。また、所定磁束密度Ｍ０に近い磁束密度調整領域Ｐ21に対応する磁性板保持部７２には透磁率小の磁性板７１Ｂが、第２磁束密度調整群７０ｂ位置に装着される。更に、磁束密度が高い磁束密度調整領域Ｐ31に対応する磁性板保持部７２には透磁率大の磁性板７１Ａが、第３磁束密度調整群７０ｃ位置に、透磁率小の磁性板７１Ｂが、第２磁束密度調整群７０ｂ位置に装着される。
【００４０】
このように透磁率の異なる磁性板７１Ａ，７１Ｂを、調整が必要な領域に組み合わせて装着することにより、調整後の磁束密度分布Ｍ２を得ることができる。同様に、図示しないが磁束密度調整領域Ｐ22，Ｐ31，Ｐ32においても磁性板７１Ａ，７１Ｂを装着して所定磁束密度Ｍ０に近づけた磁束密度の分布となるよう調整され、磁束密度調整工程（Ｓ４）が実行される。なお、本例では磁性板７１は透磁率の大小２種類を例示したが、これに限定はされず、スパッタ装置１００の仕様、ターゲット４０の材料、あるいは形成される膜厚、などによって適宜設定すればよい。磁束密度調整工程（Ｓ４）から、次に磁束密度測定工程（Ｓ２）に移行し、調整結果を測定する。
【００４１】
〔スパッタリング工程〕
磁束密度分布判定工程（Ｓ３）において、所定の磁束密度、および所定の磁束密度の分布差であると判定（ＹＥＳ）されると、スパッタリング工程（Ｓ５）に移行される。スパッタリング工程（Ｓ５）では、公知の方法によって基板２０の被処理面上にターゲット４０素材の被膜形成が実行される。
【００４２】
〔検査工程〕
スパッタリング工程（Ｓ３）によって被膜形成された基板２０をスパッタ装置１００から取り出し、形成された被膜が所定の品質であるかを検査する検査工程（Ｓ６）に移行される。検査工程（Ｓ６）において、所定の品質規格内、いわゆる良品、と判定されると、本実施形態に係るスパッタリング方法は終了する。しかし、所定の品質規格外、いわゆる不良品、と判定されると、新たな基板２０の準備、あるいはターゲット４０の取替えなどを行う準備工程（Ｓ１）に戻り、本実施形態に係るスパッタリング方法が実行される。
【００４３】
第２実施形態に係るスパッタリング方法では、ターゲット４０の不均一な消耗、いわゆるエロージョンを生じる磁石６０からの磁界の強さである磁束密度の不均一な分布を、ターゲット４０と磁石６０との間に配置された磁束密度調整部７０に、磁性板７１を組み合わせて装着することにより、ターゲット４０に係る磁界の強さ、すなわち磁束密度を所定の値に容易に調整することが可能となる。従って、ターゲット４０のエロージョンを抑制することが可能となり、ターゲット４０の消耗の偏りが抑制されることで、ターゲット４０の交換の頻度を削減することができるため、生産性の高いスパッタ装置１００を得ることができる。
【００４４】
また、ターゲット４０のエロージョンが抑制されている状態では、ターゲット４０から放出されるスパッタリング粒子の量も均一化されるため、基板２０に形成される被膜の均一性が維持され、高品質の被膜を有する基板２０を得ることができる。
【符号の説明】
【００４５】
１０…チャンバー、２０…基板、３０…基板保持手段、４０…ターゲット、５０…ターゲット保持部、６０…磁石、７０…磁束密度調整部、８０…減圧装置、９０…カバー、１００…マグネトロンスパッタリング装置（スパッタ装置）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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