(57)【要約】【課題】パターンの破壊や欠陥を抑制したモールド洗浄装置及びモールド洗浄方法を提供すること。【解決手段】実施形態に係るモールド洗浄装置は、保持部と、媒体供給部と、エネルギー供給部と、エネルギー制御部と、を備える。前記保持部は、基材の第１面に設けられた少なくとも凹パターンを有するモールドを、前記第１面を下方に向けて保持する。前記媒体供給部は、前記凹パターンに媒体を供給する。前記エネルギー供給部は、前記基材の前記第１面とは反対側から前記モールドに向けてエネルギーを供給する。前記エネルギー制御部は、前記凹パターンに到達する前記エネルギーの量を制御する。【選択図】図１
2014051051.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の第１面に設けられた少なくとも凹パターンを有するモールドを保持する保持部と、
前記凹パターンに媒体を供給する媒体供給部と、
前記基材の前記第１面とは反対側から前記モールドに向けて超音波またはレーザ光を供給するエネルギー供給部と、
前記凹パターンに到達する前記エネルギーの量を制御するエネルギー制御部と、
を備え、
前記保持部は、前記第１面を下方に向けて前記モールドを保持し、  前記モールドは、前記基材の前記凹パターンが形成された領域とは反対側に凹部を有し、
前記エネルギー供給部の先端は、前記凹部内に配置されるモールド洗浄装置。
【請求項２】
基材の第１面に設けられた少なくとも凹パターンを有するモールドを、前記第１面を下方に向けて保持する保持部と、
前記凹パターンに媒体を供給する媒体供給部と、
前記基材の前記第１面とは反対側から前記モールドに向けてエネルギーを供給するエネルギー供給部と、
前記凹パターンに到達する前記エネルギーの量を制御するエネルギー制御部と、
を備えたモールド洗浄装置。
【請求項３】
前記エネルギー供給部の先端は、前記モールドの前記基材の前記凹パターンが形成された領域とは反対側に設けられた凹部内に配置される請求項２記載のモールド洗浄装置。
【請求項４】
前記エネルギー供給部は、前記エネルギーとして超音波またはレーザ光を供給する請求項２または３に記載のモールド洗浄装置。
【請求項５】
基材の第１面に設けられた少なくとも凹パターンを有するモールドを洗浄する方法であって、
前記凹パターンに媒体を供給する工程と、
前記基材の前記第１面とは反対側から前記モールドに向けてエネルギーを供給して前記媒体を活性化させる工程と、
を備え、
前記媒体を供給する工程では、前記第１面を下方に向けた状態で前記媒体を前記第１面に向けて供給し、
前記媒体を活性化させる工程では、前記エネルギーの供給量を制御するモールド洗浄方法。
【請求項６】
前記媒体を活性化させる工程では、前記エネルギーを供給するエネルギー供給部の先端を、前記モールドの前記基材の前記凹パターンが形成された領域とは反対側に設けられた凹部内に配置して前記エネルギーを供給する請求項５記載のモールド洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、モールド洗浄装置及びモールド洗浄方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パターンの形成に関して、形成するパターンの凹凸形状が設けられた型（モールド）を用いたインプリント法と呼ばれる微細パターンの転写技術が注目されている。インプリント法で使用されるモールドは、石英などの光透過性を有する基材の表面に凹凸パターンが形成されたものである。基材の凹凸パターンは、電子線リソグラフィ法などで基材の表面にレジストパターンを形成した後、基材をエッチングすることにより形成される。
【０００３】
モールドを用いたパターン形成では、凹凸パターンに異物が付着していると転写によって形成されるパターンに不良が発生する可能性がある。モールドを繰り返し使用するインプリント法では、モールドの洗浄が重要である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−７６１３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の実施形態は、パターンの破壊や欠陥を抑制したモールド洗浄装置及びモールド洗浄方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態に係るモールド洗浄装置は、保持部と、媒体供給部と、エネルギー供給部と、エネルギー制御部と、を備える。
前記保持部は、基材の第１面に設けられた少なくとも凹パターンを有するモールドを、前記第１面を下方に向けて保持する。
前記媒体供給部は、前記凹パターンに媒体を供給する。
前記エネルギー供給部は、前記基材の前記第１面とは反対側から前記モールドに向けてエネルギーを供給する。
前記エネルギー制御部は、前記凹パターンに到達する前記エネルギーの量を制御する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１の実施形態に係るモールド洗浄装置の構成を例示する模式図である。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は、モールドの構成を例示する模式図である。
【図３】異物の除去について例示する模式図である。
【図４】モールド洗浄方法を例示するフローチャートである。
【図５】（ａ）〜（ｅ）は、インプリント法を例示する模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の実施形態を図に基づき説明する。なお、以下の説明では、同一の部材には同一の符号を付し、一度説明した部材については適宜その説明を省略する。
【０００９】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係るモールド洗浄装置の構成を例示する模式図である。
図２（ａ）及び（ｂ）は、モールドの構成を例示する模式図である。
図２（ａ）はモールド１００の平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【００１０】
図１に表したように、第１の実施形態に係るモールド洗浄装置１１０は、インプリント法で用いられるモールド１００を洗浄する装置である。モールド洗浄装置１１０は、保持部１０と、媒体供給部２０と、エネルギー供給部３０と、エネルギー制御部３５と、を備える。
【００１１】
保持部１０は、モールド１００を保持する部分である。媒体供給部２０は、モールド１００に液体及び気体のうちの少なくともいずれかである媒体Ｍｄをモールド１００に向けて供給する部分である。エネルギー供給部３０は、モールド１００に向けてエネルギーを供給する部分である。
【００１２】
モールド洗浄装置１１０では、モールド１００に供給した媒体Ｍｄをエネルギーによって活性化させて凹パターンＰ１内の異物を除去する。エネルギーはモールド１００の凹パターンＰ１が形成された側とは反対側から供給される。すなわち、エネルギーは凹パターンＰ１に到達するまでに減衰することから、凹パターンＰ１に影響を与えずに異物だけが除去される。
【００１３】
ここで、モールド洗浄装置１１０で洗浄を行うモールド１００について説明する。
図２（ａ）及び（ｂ）に表したように、モールド１００は、基材１０１と、パターン部１０２と、を備える。基材１０１は、第１面１０１ａを有する。パターン部１０２は、第１面１０１ａに設けられ、少なくとも凹パターンＰ１を有する。
【００１４】
基材１０１の凹パターンＰ１が形成された領域の反対側には凹部１０３が設けられる。凹部１０３は、例えば基材１０１の第１面１０１ａとは反対側の第２面１０１ｂの一部を削った部分である。基材１０１の凹部１０３よりも外側には周縁部１０５が設けられる。
【００１５】
基材１０１の凹部１０３の底面１０３ｂとは反対側には台座部１０４が設けられる。台座部１０４は、第１面１０１ａに対して凸型に設けられる。パターン部１０２は、台座部１０４の上に設けられる。パターン部１０２は、少なくとも１つの凹パターンＰ１を有する。凹パターンＰ１は、例えば一方向に延在するライン状に設けられる。凹パターンＰ１は、開口の形状が円形、楕円形、長円形、矩形などの島状に設けられていてもよい。複数の凹パターンＰ１を有する場合、隣り合う２つの凹パターンＰ１の間には凸パターンＰ２が設けられる。
【００１６】
基材１０１の平面視外形は、例えば縦約１５０ミリメートル（ｍｍ）、横約１５０ｍｍの矩形である。凹部１０３の平面視外形は、例えば直径約５０ｍｍの円形である。台座部１０４の平面視外形は、例えば縦３２ｍｍ、横２６ｍｍの矩形である。台座部１０４の高さは、約３０マイクロメートル（μｍ）である。基材１０１における凹部１０３の台座部１０４が設けられていない部分の厚さは、約１ｍｍである。基材１０１における周縁部１０５の厚さは、約６ｍｍである。
【００１７】
凹パターンＰ１の深さは、例えば５０ナノメートル（ｎｍ）以上７０ｎｍ以下である。凹パターンＰ１の幅は、例えば１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。凸パターンＰ２の高さは、約５０ｎｍ以上７０ｎｍ以下である。凸パターンＰ２の幅は、約１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。パターン部１０２には、例えば複数の凸パターンＰ２及び複数の凹パターンＰ１によるラインアンドスペースのパターンが設けられる。
【００１８】
図１に表したモールド洗浄装置１１０において、保持部１０は、基材１０１の周縁部１０５を例えば真空吸着することでモールド１００を保持する。保持部１０は、基材１０１の周縁部を上下や左右から挟持することでモールド１００を保持してもよい。
【００１９】
保持部１０は、基材１０１の第１面１０１ａを下方に向けてモールド１００を保持する。すなわち、保持部１０によってモールド１００を保持すると、基材１０１の第１面１０１ａが下向き、第２面１０１ｂが上向きになる。保持部１０は、モールド１００を斜めに保持してもよい。この場合、基材１０１の第１面１０１ａが、基材１０１の第２面１０１ｂよりも下側に位置するようにモールド１００を保持する。
【００２０】
なお、図１に示されないが、モールド洗浄装置１１０には、洗浄対象のモールド１００を搬送する搬送部が設けられている。搬送部は、洗浄対象のモールド１００を装置の外部から保持部１０まで搬送する。
【００２１】
媒体供給部２０は、保持部１０で保持されたモールド１００の凹パターンＰ１に媒体Ｍｄを供給する。媒体供給部２０は例えばノズル２１を有する。ノズル２１は、下向きに配置された基材１０１の第１面１０１ａに向けて、上向きに媒体Ｍｄを噴出する。第１面１０１ａが下向きになっていると、噴出した媒体Ｍｄが第１面１０１ａに過剰に溜まることを避けられる。
【００２２】
媒体Ｍｄとしては、液体及び気体のうち少なくともいずれかである。液体としては、例えば超純水（例えば、比抵抗１８ＭΩ・ｃｍ程度）が用いられる。気体としては、例えばアルゴンなどの不活性ガスが用いられる。
【００２３】
エネルギー供給部３０は、基材１０１の第１面１０１ａとは反対側からモールド１００に向けてエネルギーを供給する。エネルギー供給部３０の先端３０ａは、モールド１００の凹部１０３内に配置される。エネルギー供給部３０から供給されるエネルギーは、凹部１０３の底面１０３ｂから第１面１０１ａの凹パターンＰ１に伝達される。
【００２４】
エネルギー供給部３０から供給されるエネルギーは、例えば超音波及びレーザ光のいずれかである。エネルギーが超音波の場合、エネルギー供給部３０は超音波発生装置を含む。エネルギーがレーザ光の場合、エネルギー供給部３０はレーザ光源（例えば、ＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）レーザ光源）を含む。
【００２５】
モールド洗浄装置１１０は、媒体制御部２５、エネルギー制御部３５及び処理槽４０をさらに備える。媒体制御部２５は、媒体供給部２０のノズル２１から供給する媒体Ｍｄの供給量及び供給タイミングなどを制御する。
【００２６】
エネルギー制御部３５は、凹パターンＰ１に到達するエネルギーの量及び照射タイミングなどを制御する。例えば、エネルギー制御部３５は、エネルギー供給部３０の先端３０ａから出射するエネルギーの量の制御及びエネルギー供給部３０の先端３０ａと凹パターンＰ１との距離の制御、の少なくともいずれかを行う。
【００２７】
処理槽４０は、保持部１０で保持されるモールド１００及び媒体供給部２０のノズル２１の少なくとも下方に設けられる。本実施形態では、保持部１０、媒体供給部２０及びエネルギー供給部３０の周りを囲むように設けられる。処理槽４０は、媒体供給部２０から供給された媒体Ｍｄを受ける役目を果たす。
【００２８】
図３は、異物の除去について例示する模式図である。
図３では、モールド１００の凹パターンＰ１に異物Ｆが入り込んでいる状態を表している。本実施形態に係るモールド洗浄装置１１０では、モールド１００の凹パターンＰ１と異物Ｆとの間に媒体Ｍｄを供給し、モールド１００の凹パターンＰ１とは反対側からエネルギーＥｇを供給する。
【００２９】
エネルギー供給部３０の先端３０ａは、モールド１００の凹パターンＰ１とは反対側に設けられた凹部１０３内に配置される。例えば、エネルギー供給部３０の先端３０ａと凹部１０３の底面１０３ｂとの距離は、２ｍｍ以上３ｍｍ以下程度である。エネルギー制御部３５は、例えばエネルギー供給部３０の先端３０ａと凹部１０３の底面１０３ｂとの距離によりエネルギー供給部３０と凹パターンＰ１との距離を制御して、凹パターンＰ１に到達するエネルギーＥｇ’の量を調整する。
【００３０】
本実施形態に係るモールド洗浄装置１１０では、モールド１００の凹部１０３内にエネルギー供給部３０の先端３０ａが挿入されるため、先端３０ａを凹パターンＰ１に非常に近づけられる。このため、モールド１００のパターン部１０２とは反対側から少ない量のエネルギーＥｇを照射した場合でも、凹パターンＰ１内の異物Ｆを除去するために十分なエネルギーＥｇ’を与えられる。
【００３１】
エネルギー供給部３０から供給されたエネルギーＥｇは、モールド１００の基材１０１で減衰するものの、凹パターンＰ１内まで到達する。そして、凹パターンＰ１内まで到達したエネルギーＥｇ’は、凹パターンＰ１と異物Ｆとの間に充填された媒体Ｍｄを活性化させる。
【００３２】
例えば、エネルギーが超音波の場合、媒体Ｍｄが活性化すると、媒体Ｍｄにキャビテーションが発生する。このキャビテーションによって凹パターンＰ１内に入り込んでいる異物Ｆは凹パターンＰ１の開口側に押し出される。
【００３３】
例えば、エネルギーがレーザ光の場合、レーザ光の媒体Ｍｄに対する誘起衝撃が発生する。この誘起衝撃によって凹パターンＰ１内に入り込んでいる異物Ｆは凹パターンＰ１の開口側に押し出される。
【００３４】
なお、媒体Ｍｄのキャビテーションを利用して異物Ｆを除去する場合、媒体Ｍｄとしてキャビテーションにより発生する気泡の制御を行いやすいものを用いることが望ましい。
【００３５】
凹パターンＰ１の側面には傾斜が設けられている。例えば、基材１０１の第１面１０１ａに対する凹パターンＰ１の側面の角度は、８８°以上８９°以下程度である。凹パターンＰ１の幅は、基材１０１の第１面１０１ａから離れるに従い広くなる。モールド１００の凹パターンＰ１とは反対側からエネルギーを与えることで、異物Ｆが凹パターンＰ１の幅の広くなる方向へ押し出される。これにより、異物Ｆは凹パターンＰ１内から容易に除去される。
【００３６】
このように、本実施形態に係るモールド洗浄装置１１０では、モールド１００に設けられた凹部１０３を利用して、少ないエネルギー量であっても確実に凹パターンＰ１から異物Ｆが除去される。エネルギーは、少ない量で、しかもモールド１００の凹パターンＰ１とは反対側から照射されることから、凹パターンＰ１の破壊や欠陥は発生しない。
【００３７】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係るモールド洗浄方法について説明する。
図４は、モールド洗浄方法を例示するフローチャートである。
図５（ａ）〜（ｅ）は、インプリント法を例示する模式的断面図である。
【００３８】
本実施形態に係るモールド洗浄方法の説明を行うに先立ち、モールドを用いたインプリント法について説明する。
先ず、図５（ａ）に表したように、モールド１００を用意する。モールド１００は、石英などの透光性の材料からなる基材１０１と、基材１０１に設けられたパターン部１０２と、を備える。パターン部１０２は、基材１０１に電子線リソグラフィ法などでレジストパターンを形成した後、エッチングを行うことで形成される。パターン部１０２には少なくとも凹パターンＰ１が含まれる。
【００３９】
次に、図５（ｂ）に表したように、基板Ｓの上に光硬化性を有する材料Ｍを塗布する。材料Ｍは、例えばインクジェット法によって基板Ｓの上に滴下される。そして、図５（ｃ）に表したように、モールド１００のパターン部１０２を基板Ｓの上の材料Ｍと接触させる。材料Ｍは、毛細管現象によってモールド１００の凹パターンＰ１内に充填される。
【００４０】
次に、図５（ｃ）に表したように、モールド１００の裏面側（パターン部１０２が形成されていない側）から光（例えば紫外線光）を照射する。光は、モールド１００を通過して材料Ｍに到達する。これにより材料Ｍが硬化する。材料Ｍが硬化した後は、モールド１００を離型する。
【００４１】
モールド１００を離型すると、図５（ｄ）に表したように、基板Ｓの上にパターン部１０２のパターン形状が反転した転写パターンＰ１０が形成される。次に、転写パターンＰ１０の基板Ｓ側に設けられた残膜を、例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etching）によって除去する。これにより、図５（ｅ）に表したように、基板Ｓ上に凸パターンＰ１１が形成される。
【００４２】
インプリント法においては、図５（ｂ）〜（ｅ）で表した各工程を繰り返し行うことで、モールド１００のパターン部１０２の凹凸形状を材料Ｍに転写する。これにより、同じパターンが繰り返し形成される。
【００４３】
上述のように、インプリント法によるパターンの形成方法では、モールド１００と材料Ｍとが接触することから、モールド１００の凹パターンＰ１内に材料Ｍが異物Ｆとして付着することがある。また、モールド１００には、基板Ｓ上に付着した異物Ｆがモールド１００側に移ることもある。モールド１００に異物Ｆが付着していると、インプリント法によってパターンを形成する際に、その異物Ｆによる影響を受けて歩留まりの低下を招くことになる。そこで、定期的にモールド１００を洗浄する必要がある。
【００４４】
ここで、洗浄方法の一つに、硫酸と過酸化水素水との混合液を用いて樹脂等の有機物からなる異物Ｆを溶解し、その後、アルカリ溶液や純水でリンスを行い、最後に残存する薬液を振り切って乾燥を行う方法が行われている。
【００４５】
アルカリ溶液や純水によるリンスには、微小異物を除去する役割を担っている。一方、微小なパターンが設けられたモールド１００へダメージを与えることなく、確実に異物を除去することは難しい。
【００４６】
次に、本実施形態に係るモールド洗浄方法を説明する。
図４に表したように、本実施形態に係るモールド洗浄方法は、媒体を供給する工程（ステップＳ１０２）と、エネルギーを供給する工程（ステップＳ１０３）と、を備える。本実施形態では、媒体を供給する工程（ステップＳ１０２）の前に、有機物を除去する工程（ステップＳ１０１）をさらに備え、エネルギーを供給する工程（ステップＳ１０３）の後に、第１のリンス工程（ステップＳ１０４）、第２のリンス工程（ステップＳ１０５）及び乾燥工程（ステップＳ１０６）をさらに備える。
【００４７】
有機物を除去する工程（ステップＳ１０１）では、硫酸及び過酸化水素水の混合液によりモールド１００を洗浄する処理を行う。これにより、モールド１００に付着した有機物が除去される。
【００４８】
媒体を供給する工程（ステップＳ１０２）では、モールド１００の凹パターンＰ１に媒体Ｍｄを供給する処理を行う。媒体Ｍｄとしては、液体及び気体のうち少なくともいずれかである。液体としては、例えば超純水（例えば、比抵抗１８ＭΩ・ｃｍ程度）が用いられる。気体としては、例えばアルゴンなどの不活性ガスが用いられる。
【００４９】
なお、媒体を供給する工程（ステップＳ１０２）では、モールド１００の基材１０１の第１面１０１ａを下方に向けた状態で媒体Ｍｄを第１面１０１ａに向けて供給することが望ましい。これにより、供給した媒体Ｍｄが第１面１０１ａに過剰に溜まることを抑制する。
【００５０】
エネルギーを供給する工程（ステップＳ１０３）では、モールド１００の基材１０１の第１面１０１ａとは反対側からモールド１００に向けてエネルギーを供給する処理を行う。エネルギーは、例えば超音波及びレーザ光のいずれかである。本実施形態では、モールド１００の凹部１０３の底面１０３ｂから凹パターンＰ１に向けてエネルギーが到達する。エネルギーの量は、エネルギーの供給量や、エネルギー供給部３０の先端３０ａと凹パターンＰ１との距離によって制御される。
【００５１】
エネルギーの照射によって媒体Ｍｄは活性化される。例えば、エネルギーが超音波の場合、媒体Ｍｄが活性化してキャビテーションが発生し、このキャビテーションによって凹パターンＰ１内に入り込んでいる異物Ｆを凹パターンＰ１の開口側に押し出す。
【００５２】
例えば、エネルギーがレーザ光の場合、レーザ光の媒体Ｍｄに対する誘起衝撃が発生し、この誘起衝撃によって凹パターンＰ１内に入り込んでいる異物Ｆを凹パターンＰ１の開口側に押し出す。これによって、異物Ｆが凹パターンＰ１内から除去される。
【００５３】
第１のリンス工程（ステップＳ１０４）では、アルカリ溶液によってモールド１００をリンスする処理を行う。これにより、凹パターンＰ１内から押し出された異物Ｆのうち、モールド１００の表面に再付着したものを確実に除去する。
【００５４】
第２のリンス工程（ステップＳ１０５）では、例えば超純水によってモールド１００をリンスする処理を行う。これにより、モールド１００に付着したアルカリ溶液を除去する。なお、第１のリンス工程では、ステップＳ１０４で用いたアルカリ溶液のアルカリ性よりも中性の溶液を用いてリンスを行う。最も好ましいのは超純水である。
【００５５】
乾燥工程（ステップＳ１０６）では、第２のリンス工程で用いた例えば超純水を乾燥させる処理を行う。
これらの工程によって、モールド１００の洗浄が行われる。
【００５６】
このような本実施形態に係るモールド洗浄方法では、モールド１００に供給した媒体Ｍｄをエネルギーによって活性化させて凹パターンＰ１内の異物Ｆを確実に除去する。エネルギーは、少ない量で、しかもモールド１００の凹パターンＰ１とは反対側から照射されることから、凹パターンＰ１の破壊や欠陥は発生しない。
【００５７】
以上説明したように、実施形態に係るモールド洗浄装置１１０及びモールド洗浄方法によれば、パターンの破壊や欠陥を抑制したモールド１００の洗浄が可能になる。
【００５８】
なお、上記に本実施の形態およびその変形例を説明したが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。例えば、上記説明したモールド洗浄装置１１０は、洗浄装置として単独の装置であってもよいが、インプリント装置内に組み込まれていてもよい。また、洗浄対象のモールド１００は、基材１０１として石英などの硬質の材料を用いたもののほか、樹脂製などの可撓性を有する材料を用いたものであってもよい。さらにまた、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、設計変更を行ったものや、各実施形態の特徴を適宜組み合わせたものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。
【００５９】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６０】
１０…保持部、２０…媒体供給部、２１…ノズル、２５…媒体制御部、３０…エネルギー供給部、３０ａ…先端、３５…エネルギー制御部、４０…処理槽、１００…モールド、１０１…基材、１０１ａ…第１面、１０１ｂ…第２面、１０２…パターン部、１０３…凹部、１０３ｂ…底面、１０４…台座部、１０５…周縁部、１１０…モールド洗浄装置、Ｆ…異物、Ｍｄ…媒体、Ｐ１…凹パターン、Ｐ２…凸パターン
【図１】
2014051051.tif 000003
【図２】
2014051051.tif 000004
【図３】
2014051051.tif 000005
【図４】
2014051051.tif 000006
【図５】
2014051051.tif 000007