(57)【要約】  【課題】  アイソレーション特性を向上させるとともに、小型化することができる弾性表面波装置を提供する。  【解決手段】  配線基板５と、第１の素子基板２ａと第１の機能体２ｂと第１の素子基板２ａの外周側に延びる第１の配線パターン２ｃと第１の配線パターン２ｃに電気的に接続された第１の素子パッド２ｄとからなる第１の電子素子２と、第１の素子基板２ａの外周よりも内側に位置する第２の素子基板３ａと第２の機能体３ｂと第２の素子基板３ａの外周側に延びる第２の配線パターン３ｃと第２の配線パターン３ｃに電気的に接続された第２の素子パッド３ｄとからなる第２の電子素子３とを備え、配線基板５を介して配線基板５の上面５ａａ側に第１の電子素子２が配置され、配線基板５の下面５ａｂ側に第２の電子素子３が配置されている。【選択図】  図２
2014230079.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の接続導体層を有する配線基板と、
第１の絶縁層を介して前記配線基板の上面側に前記配線基板との間に空間を形成するように配置された、第１の素子基板と、該第１の素子基板に設けられた第１の機能体と、該第１の機能体から前記第１の素子基板の外周側に延びる第１の配線パターンと、該第１の配線パターンに電気的に接続された第１の素子パッドとからなる第１の電子素子と、
第２の絶縁層を介して前記配線基板の下面側に前記配線基板との間に空間を形成するように配置された、前記第１の素子基板の外周よりも内側に位置する第２の素子基板と、該第２の素子基板に設けられた第２の機能体と、該第２の機能体から前記第２の素子基板の外周側に延びる第２の配線パターンと、該第２の配線パターンに電気的に接続された第２の素子パッドとからなる第２の電子素子と、
前記第２の素子基板の前記第２の機能体が設けられた主面と反対側の主面および側面を覆うように前記第２の素子基板の外周部に設けられた封止樹脂層と
を備え、
前記第１の絶縁層は、前記第１の素子パッドに接続される第１の接続導体が設けられており、前記第２の絶縁層は、前記第２の素子パッドに接続される第２の接続導体が設けられており、前記封止樹脂層は、一端が前記接続導体層に電気的に接続される複数の内部貫通導体が前記第２の素子基板の外周部に位置するように設けられており、前記第１の配線パターンは、前記第１の接続導体に対応する位置に設けられた前記接続導体層を介して前記内部貫通導体に電気的に接続され、前記第２の配線パターンは、前記第２の接続導体に対応する位置に設けられた前記接続導体層を介して前記内部貫通導体に電気的に接続されていることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項２】
前記第１の素子基板、第１の絶縁層、第２の絶縁層および配線基板の外周側面は同一平面に位置していることを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波装置。
【請求項３】
前記第１の電子素子および前記第２の電子素子は、互いに異なる周波数成分の信号を出力するフィルタ特性と有していることを特徴とする請求項１および請求項２に記載の弾性表面波装置。
【請求項４】
前記第１の電子素子は受信フィルタであり、前記第２の電子素子は送信フィルタであることを特徴とする請求項３に記載の弾性表面波装置。
【請求項５】
前記配線基板は、前記第１の機能体と対向する主面または前記第２の機能体と対向する主面にグランド電位パターンが設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の弾性表面波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）素子等の電子素子を含む弾
性表面波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
同一の素子基板上に通過帯域周波数が異なる弾性表面波素子が形成された弾性表面波装置が知られている。このような装置としては、例えば、特許文献１に開示されているものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−３０３６８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、通過帯域周波数が異なる弾性表面波素子が、例えば、送信用フィルタおよび受信用フィルタである場合には、送信用フィルタおよび受信用フィルタが同一の素子基板上に形成されているため、送信信号と受信信号とが互いに干渉しアイソレーション特性が低下しやすく、また、素子基板の寸法が大きくなるという問題点があった。
【０００５】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、アイソレーション特性を向上させるとともに、小型化が可能な弾性表面波装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係る弾性表面波装置は、複数の接続導体層を有する配線基板と、第１の絶縁層を介して前記配線基板の上面側に前記配線基板との間に空間を形成するように配置された、第１の素子基板と、該第１の素子基板に設けられた第１の機能体と、該第１の機能体から前記第１の素子基板の外周側に延びる第１の配線パターンと、該第１の配線パターンに電気的に接続された第１の素子パッドとからなる第１の電子素子と、第２の絶縁層を介して前記配線基板の下面側に前記配線基板との間に空間を形成するように配置された、前記第１の素子基板の外周よりも内側に位置する第２の素子基板と、該第２の素子基板に設けられた第２の機能体と、該第２の機能体から前記第２の素子基板の外周側に延びる第２の配線パターンと、該第２の配線パターンに電気的に接続された第２の素子パッドとからなる第２の電子素子と、前記第２の素子基板の前記第２の機能体が設けられた主面と反対側の主面および側面を覆うように前記第２の素子基板の外周部に設けられた封止樹脂層とを備え、前記第１の絶縁層は、前記第１の素子パッドに接続される第１の接続導体が設けられており、前記第２の絶縁層は、前記第２の素子パッドに接続される第２の接続導体が設けられており、前記封止樹脂層は、一端が前記接続導体層に電気的に接続される複数の内部貫通導体が前記第２の素子基板の外周部に位置するように設けられており、前記第１の配線パターンは、前記第１の接続導体に対応する位置に設けられた前記接続導体層を介して前記内部貫通導体に電気的に接続され、前記第２の配線パターンは、前記第２の接続導体に対応する位置に設けられた前記接続導体層を介して前記内部貫通導体に電気的に接続されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の弾性表面波装置によれば、アイソレーション特性を向上させるとともに、小型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】（ａ）および（ｂ）は、本発明の実施形態に係る弾性表面波装置の外観を示す斜視図、（ｃ）は、（ａ）および（ｂ）の弾性表面波装置の平面図である。
【図２】（ａ）は、図１（ｃ）に示す弾性表面波装置のＡ−Ａにおける断面図、（ｂ）は、（ａ）の弾性表面波装置の配線基板の断面図である。
【図３】図１（ａ）に示す弾性表面波装置の受信フィルタを説明するための説明図である。
【図４】図１（ａ）に示す弾性表面波装置の送信フィルタを説明するための説明図である。
【図５】（ａ）は、本発明の実施形態の他の例を示す弾性表面波装置の断面図、（ｂ）は、（ａ）の弾性表面波装置の配線基板の断面図である。
【図６】（ａ）は、図１に示す弾性表面波装置の配線基板の断面図、（ｂ）は、配線基板上に設けられた回路パターンを説明するための平面図である。
【図７】（ａ）および（ｂ）は、配線基板上のグランド電位パターンを説明するための説明図である。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は、電子素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｅ）は、配線基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】図５に示す弾性表面波装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】（ａ）および（ｂ）は、図５に示す弾性表面波装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】（ａ）および（ｂ）は、図５に示す弾性表面波装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１３】（ａ）および（ｂ）は、図５に示す弾性表面波装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１４】（ａ）〜（ｄ）は、他の電子素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図１５】図５に示す弾性表面波装置の他の製造方法を説明するための断面図である。
【図１６】第１の電子素子の素子母基板を説明するための説明図である。
【図１７】第２の電子素子の素子母基板を説明するための説明図である。
【図１８】配線基板の配線母基板を説明するための説明図である。
【図１９】素子母基板と配線母基板とから製造される弾性表面波装置の製造方法を説明するための説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態に係る弾性表面波装置について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
【００１０】
また、実施形態等の説明において、既に説明した構成と同一若しくは類似する構成については、同一の符号を付して説明を省略することがある。
＜実施形態＞
以下、本発明の実施形態に係る弾性表面波装置について、図１乃至図６を参照しながら以下に説明する。
【００１１】
実施形態に係る弾性表面波装置１は、図１乃至図４に示すような構成であり、複数の接続導体層５ｃを有する配線基板５と、第１の絶縁層４ａを介して配線基板５の上面側に配線基板５との間に空間Ｓを形成するように配置された、第１の素子基板２ａと、第１の素子基板２ａに設けられた第１の機能体２ｂと、第１の機能体２ｂから第１の素子基板２ａ
の外周側に延びる第１の配線パターン２ｃと、第１の配線パターン２ｃに電気的に接続された第１の素子パッド２ｄとからなる第１の電子素子２と、第２の絶縁層４ｂを介して配線基板５の下面側に配線基板５との間に空間Ｓを形成するように配置された、第１の素子基板２ａの外周よりも内側に位置する第２の素子基板３ａと、第２の素子基板３ａに設けられた第２の機能体３ｂと、第２の機能体３ｂから第２の素子基板３ａの外周側に延びる第２の配線パターン３ｃと、第２の配線パターン３ｃに電気的に接続された第２の素子パッド３ｄとからなる第２の電子素子３と、第２の素子基板３ａの第２の機能体３ｂが設けられた主面３ａａと反対側の主面３ａｂおよび側面３ａｃを覆うように第２の素子基板３ａの外周部に設けられた封止樹脂層６とを備え、第１の絶縁層４ａは、第１の素子パッド２ｄに接続される第１の接続導体４ａ１が設けられており、第２の絶縁層４ｂは、第２の素子パッド３ｄに接続される第２の接続導体４ｂ１が設けられており、封止樹脂層６は、一端が接続導体層５ｃに電気的に接続される複数の内部貫通導体６ａが第２の素子基板３ａの外周部に位置するように設けられており、第１の配線パターン２ｃは、第１の接続導体４ａ１に対応する位置に設けられた接続導体層５ｃを介して内部貫通導体６ａに電気的に接続され、第２の配線パターン３ｃは、第２の接続導体４ｂ１に対応する位置に設けられた接続導体層５ｃを介して内部貫通導体６ａに電気的に接続されている。
【００１２】
図１は、本発明の実施形態に係る弾性表面波装置の外観を示す概略斜視図であり、図１（ａ）は、弾性表面波装置１の外観を上面１ａ側から見た斜視図であり、図１（ｂ）は、弾性表面波装置１の外観を下面１ｂ側から見た斜視図である。また、図１（ｃ）は、弾性表面波装置１の平面図であり、第１の素子基板２ａ、第２の素子基板３ａおよび内部貫通導体６ａの弾性表面波装置１での位置関係を示している。図２は、図１（ｃ）に示す弾性表面波装置１のＡ−Ａ線における断面図である。
【００１３】
なお、弾性表面波装置１は、いずれの方向を上方もしくは下方としてもよいが、説明の便宜上、直交座標系ＸＹＺを定義するとともに、Ｚ方向の正側を上方として、上面もしくは下面の語を用いるものとする。
【００１４】
弾性表面波装置１は、図１に示すように、例えば、概ね直方体状に形成されており、その下面１ｂには、複数の外部端子１２が適宜な形状および適宜な数で設けられており、複数の外部端子１２がその下面１ｂから露出している。複数の外部端子１２の数、位置および役割等は、弾性表面波装置１の内部の構成等に応じて適宜に設定されてよい。例えば、複数の外部端子１２は四角形状で設けられているが、円形状で設けられていてもよい。また、外部接続端子１２を設けない構成であってもよい。なお、本実施形態では、４つの外部端子１２が弾性表面波装置１の下面１ｂの４隅に設けられている場合を例示している。なお、弾性表面波装置１の上面１ａと第１の素子基板２ａの上面２ａａとは同じ面であり、弾性表面波装置１の下面１ｂと封止樹脂層６の下面とは同じ面である。
【００１５】
また、弾性表面波装置１は、厚みが、例えば、０．４（ｍｍ）〜１．５（ｍｍ）であり、また、１辺の長さが、例えば、０．５（ｍｍ）〜２（ｍｍ）である。なお、弾性表面波装置１の厚みおよび１辺の長さは適宜な厚みおよび長さとすることができる。
【００１６】
弾性表面波装置１は、実装基板（図示せず）に対して下面１ｂが対向して配置され、外部接続端子１２と実装基板に設けられた接続パッド（図示せず）とがはんだバンプ等を介して電気的に接合されることによって実装基板上に実装される。
【００１７】
そして、弾性表面波装置１は、例えば、複数の外部端子１２のいずれかを介して信号が入力され、入力された信号に所定の処理を施して複数の外部端子１２のいずれかから信号を出力する。
【００１８】
弾性表面波装置１は、図１に示すように、下面１ｂ側から、封止樹脂層６と、第２の電子素子３と、第２の絶縁層４ｂと、配線基板５と、第１の絶縁層４ａと、第１の電子素子２とを有している。また、弾性表面波装置１は、図２に示すように、第１の素子基板２ａの第１の機能体２ｂが配線基板５の上面５ａａとの間に空間Ｓを形成するように、また、第２の素子基板３ａの第２の機能体３ｂが配線基板５の下面５ａｂとの間に空間Ｓを形成するように配置されている。
【００１９】
第１の電子素子２は、図２に示すように、第１の素子基板２ａと、第１の素子基板２ａの下面２ａｂ（配線基板５の上面５ａａとの対向面）に設けられた第１の機能体２ｂと、第１の機能体２ｂから第１の素子基板２ａの外周側に延びる第１の配線パターン２ｃと、第１の配線パターン２ｃに電気的に接続された第１の素子パッド２ｄとからなる。そして、第１の素子基板２ａは、第１の絶縁層４ａを介して配線基板５の上面５ａａ側に配線基板５の上面５ａａとの間に空間Ｓを形成するように対向して配置されている。また、第１の電子素子２は、この他、第１の素子基板２ａの上面２ａａを覆う電極および／または保護層等の適宜な部材を有していてもよい。
【００２０】
一方、第２の電子素子３は、図２に示すように、第２の素子基板３ａと、第２の素子基板３ａの上面３ａａ（配線基板５の下面５ａｂとの対向面）に設けられた第２の機能体３ｂと、第２の機能体３ｂから第２の素子基板３ａの外周側に延びる第２の配線パターン３ｃと、第２の配線パターン３ｃに電気的に接続された第２の素子パッド３ｄとからなる。そして、第２の素子基板３ａは、第２の絶縁層４ｂを介して配線基板５の下面５ａｂ側に配線基板５の下面５ａｂとの間に空間Ｓを形成するように対向して配置されている。すなわち、第２の素子基板３ａは、配線基板５を間に介して第１の素子基板２ａに対向して配置されている。
【００２１】
また、第２の素子基板３ａは、外形寸法が第１の素子基板２ａの外形寸法よりも小さく、第１の素子基板２ａの外周よりも内側に位置するように設けられている。
【００２２】
第１の素子基板２ａと配線基板５との間には、図２に示すように、第１の絶縁層４ａが設けられており、第１の絶縁層４ａは、第１の素子パッド２ｄの少なくとも一部を露出するように設けられている。そして、第１の絶縁層４ａは、図２に示すように、第１の機能体２ｂを囲むように第１の素子基板２ａと配線基板５との間に設けられている。第１の絶縁層４ａには、第１の接続導体４ａ１が設けられている。そして、この第１の接続導体４ａ１は、第１の絶縁層４ａから露出した第１の素子パッド２ｄ上に設けられており、第１の素子パッド２ｄに電気的に接続されている。このように、第１の接続導体４ａ１は、第１の素子パッド２ｄと配線基板５との間に介在してこれらを電気的に接合するものである。
【００２３】
また、第２の素子基板３ａと配線基板５との間には、図２に示すように、第２の絶縁層４ｂが設けられており、第２の絶縁層４ｂは、第２の素子パッド３ｄの少なくも一部を露出するように設けられている。そして、第２の絶縁層４ｂは、図２に示すように、第２の機能体３ｂを囲むように第２の素子基板３ａと配線基板５との間に設けられている。第２の絶縁層４ｂには、第２の接続導体４ｂ１が設けられている。そして、この第２の接続導体４ｂ１は、第２の絶縁層４ｂから露出した第２の素子パッド３ｄ上に設けられており、第２の接続導体４ｂ１は第２の素子パッド３ｄに電気的に接続されている。このように、第２の接続導体４ｂ１は、第２の素子パッド３ｄと配線基板５との間に介在してこれらを電気的に接合するものである。また、第１の接続導体４ａ１および第２の接続導体４ｂ１は、例えば、Ａｇペースト等の導電性の材料からなる。
【００２４】
このように、第１の接続導体４ａ１は、第１の素子パッド２ｄ上に形成された第１の絶
縁層４ａの開口部を埋めるように設けられている。また、第２の接続導体４ｂ１は、第２の素子パッド３ｄ上に形成された第２の絶縁層４ｂの開口部を埋めるように設けられている。すなわち、第１の接続導体４ａ１は、第１の絶縁層４から露出した第１の素子パッド２ｄに設けられ、第２の接続導体４ｂ１は、第２の絶縁層４ｂから露出した第２の素子パッド３ｄ上に設けられている。
【００２５】
第１の絶縁層４ａは、第１の機能体２ｂと配線基板５との間に空間Ｓを形成するために、第１の素子基板２ａと配線基板５との間に、第１の機能体２ｂを囲むように設けられている。したがって、第１の素子基板２ａと配線基板５とを対向して配置した際に、第１の絶縁層４ａが設けられていない領域が空間Ｓとなる。
【００２６】
また、第１の絶縁層４ｂは、第２の機能体３ｂと配線基板５との間に空間Ｓを形成するために、第２の素子基板３ａと配線基板５との間に、第２の機能体３ｂを囲むように設けられている。したがって、第２の素子基板３ａと配線基板５とを対向して配置した際に、第２の絶縁層４ｂが設けられていない領域が空間Ｓとなる。
【００２７】
したがって、第１の絶縁層４ａは、第１の機能体２ｂと配線基板５との間に空間Ｓを確保するとともに第１の絶縁層４ａで囲まれた第１の機能体２ｂを保護、気密封止することができる。また、第２の絶縁層４ｂは、第２の機能体３ｂと配線基板５との間に空間Ｓを確保するとともに第２の絶縁層４ｂで囲まれた第２の機能体３ｂを保護、気密封止することができる。第１の絶縁層４ａおよび第２の絶縁層４ｂは、第１の機能体２ｂおよび第２の機能体３ｂ上に振動のための空間Ｓを確保するとともに、第１の機能体２ｂおよび第２の機能体３ｂを気密封止するために、厚みが、例えば、５（μｍ）〜１０（μｍ）である。なお、第１の絶縁層４ａおよび第２の絶縁層４ｂの厚みは、互いに異なって設けられていてもよい。
【００２８】
このように、第１の絶縁層４ａおよび第２の絶縁層４ｂは、耐久性に優れた弾性表面波装置１を得るために、第１の機能体２ｂおよび第２の機能体３ｂを囲むように第１の素子基板２ａと配線基板５との間および第２の素子基板３ａと配線基板５との間に設けられている。また、第１の絶縁層４ａおよび第２の絶縁層４ｂは、例えば、感光性ポリイミド樹脂等の樹脂材料からなる。
【００２９】
ここで、第１の電子素子２と第２の電子素子３について以下に説明する。
【００３０】
第１の電子素子２および第２の電子素子３は、例えば、弾性表面波素子等であり、本実施形態では、弾性表面波素子（ＳＷＡ素子）の場合を例示している。
【００３１】
第１の電子素子２の第１の素子基板２ａおよび第２の電子素子３の第２の素子基板３ａは、圧電基板であり、図１に示すように、例えば、概ね薄型の直方体形状に形成されている。第１の素子基板２ａおよび第２の素子基板３ａは、例えば、タンタル酸リチウム単結晶またはニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する単結晶の基板により構成されている。第１の素子基板２ａおよび第２の素子基板３ａの形状は適宜に設定されてよいが、例えば、矩形状である。また、第１の素子基板２ａおよび第２の素子基板３ａの大きさは適宜に設定されてよいが、例えば、厚さは、０．２（ｍｍ）〜０．５（ｍｍ）、1辺の長さは
、０．５（ｍｍ）〜２（ｍｍ）である。
【００３２】
また、第１の素子基板２ａの１辺の長さは、第２の素子基板３ａの１辺の長さよりも大きくなるように設定されている。すなわち、第２の素子基板３ａの１辺の長さは、平面視にて第２の素子基板３ａの外周が第１の素子基板２ａの外周よりも内側に位置するように設定される。
【００３３】
第１の機能体２ｂは第１の素子基板２ａの下面２ａｂに設けられ、第２の機能体３ｂは第２の素子基板３ａの上面３ａａに設けられており、第１の機能体２ｂおよび第２の機能体３ｂはＳＡＷ共振子である。
【００３４】
本実施形態では、第１の機能体２ｂおよび第２の機能体３ｂがラダー型弾性表面波フィルタまたは２重モード型弾性表面波フィルタで構成されている場合を例示している。２重モード型弾性表面波フィルタは分波器の受信フィルタ２０であり、ラダー型弾性表面波フィルタは分波器の送信フィルタ３０であり、これらのフィルタは異なる通過帯域周波数を有しており、受信フィルタ２０の通過帯域周波数は、送信フィルタ３０の通過帯域周波数よりも大きい。すなわち、弾性表面波装置１は、異なる周波数を通過させるフィルタ特性を有している。したがって、弾性表面波装置１は、送信信号や受信信号と言った異なる周波数の信号を分波するアンテナ分波器として携帯電話端末等に用いることができる。
【００３５】
図３は、２重モード型弾性表面波フィルタを示しており、図４は、ラダー型弾性表面波フィルタを示している。本実施形態では、例えば、受信フィルタ２０が２重モード型弾性表面波フィルタで構成され、送信フィルタ３０がラダー型弾性表面波フィルタで構成されている。すなわち、弾性表面波装置１は、第１の電子素子２および第２の電子素子３の一方が受信フィルタ２０であり、他方が送信フィルタ３０である。以下の説明では、２重モード型弾性表面波フィルタを受信フィルタ２０とし、ラダー型弾性表面波フィルタを送信フィルタ３０とする。
【００３６】
受信フィルタ２０は、図３に示すように、例えば、ＩＤＴ（InterDigital transducer
）２０ａおよび２つのＩＤＴ２０ｂと２つの反射器２０ｃとを有しており、ＩＤＴ２０ａおよびＩＤＴ２ｂは弾性表面波の伝播方向に隣り合うように配置されている。また、反射器２０ｃは、外側に位置するＩＤＴ２０ｂに隣り合うように、すなわち、ＩＤＴ２０ｂを両側から挟みこむように配置されている。また、図３に示すように、２つのＩＤＴ２０ｂの各々の一方の櫛歯電極は相互に電気的に接続されている。
【００３７】
また、ＩＤＴ２０ａは、図３に示すように、互いに噛み合うように(複数の電極指２０
ａａが互いに交互するように)配置された１対の櫛歯電極を有している。ＩＤＴ２０ａの
各櫛歯電極は、バスバー２０ａｂと、バスバー２０ａｂからバスバー２０ａｂの長手方向に直交する方向に延びる複数の電極指２０ａａとを有している。複数の電極指２０ａａのピッチは概ね一定である。実際には、ＩＤＴ２０ａは、これより多くの電極指２０ａａを有する複数対の櫛歯電極が設けられていてもよい。
【００３８】
また、ＩＤＴ２０ｂは、図３に示すように、互いに噛み合うように(複数の電極指２０
ｂａが互いに交互するように)配置された１対の櫛歯電極を有している。ＩＤＴ２０ｂの
各櫛歯電極は、バスバー２０ｂｂと、バスバー２０ｂｂからバスバー２０ｂｂの長手方向に直交する方向に延びる複数の電極指２０ｂａとを有している。複数の電極指２０ｂａのピッチは概ね一定である。実際には、ＩＤＴ２０ｂは、これより多くの電極指２０ｂａを有する複数対の櫛歯電極が設けられていてもよい。
【００３９】
反射器２０ｃは、図３に示すように、ＩＤＴ２０ｂを両側から挟むように設けられており、１対のバスバー２０ｃｂと、１対のバスバー２０ｃｂ間において延びる複数の電極指２０ｃａとを有している。複数の電極指２０ｃａのピッチは概ね一定であるとともに、ＩＤＴ２０ａおよびＩＤＴ２０ｂの複数の電極指２０ａａおよび２０ｂａのピッチと概ね同一である。
【００４０】
図３に示すように、ＩＤＴ２０ａの櫛歯電極のバスバー２０ａｂに入力された電気信号
は、ＳＡＷ（弾性表面波）に変換されて、複数の電極指２０ａａおよび２０ｂａに直交する方向に伝搬する。そして、このＳＡＷ（弾性表面波）は、再度電気信号に変換されてＩＤＴ２０ｂの櫛歯電極のバスバー２０ｂｂから出力される。この過程において、電気信号は、通過帯域外の周波数成分が減衰される。通過帯域は、複数の電極指２０ａａのピッチを概ね半波長とするＳＡＷ（弾性表面波）の周波数帯に相当する。なお、受信フィルタ２０は、所望される特性に応じてＩＤＴ２０ａａのピッチ等の設計が最適化される。例えば、ＩＤＴ２０ａのピッチを狭くすると通過帯域周波数が高くなる。
【００４１】
送信フィルタ３０は、図４に示すように、ＩＤＴ３０ａと２つの反射器３０ｂとからなるＳＡＷ共振子３０Ａを有しており、反射器３０ｂはＩＤＴ３０ａを両側から挟みこむように配置されている。ラダー型弾性表面波フィルタは、図３に示すように、複数個のＳＡＷ共振子３０Ａが梯子型（ラダー型）に接続されて構成されている。本実施形態では、５つのＳＡＷ共振子３０Ａが接続されている場合を例示している。
【００４２】
また、ＩＤＴ３０ａは、図４に示すように、互いに噛み合うように(複数の電極指３０
ａａが互いに交互するように)配置された１対の櫛歯電極を有している。ＩＤＴ３０ａの
各櫛歯電極は、バスバー３０ａｂと、バスバー３０ａｂからバスバー３０ａｂの長手方向に直交する方向に延びる複数の電極指３０ａａとを有している。複数の電極指３０ａａのピッチは概ね一定である。実際には、ＩＤＴ３０ａは、これより多くの電極指３０ａａを有する複数対の櫛歯電極が設けられていてもよい。
【００４３】
反射器３０ｂは、図４に示すように、ＩＤＴ３０ａを両側から挟むように設けられており、１対のバスバー３０ｂｂと、１対のバスバー３０ｂｂ間において延びる複数の電極指３０ｂａとを有している。複数の電極指３０ｂａのピッチは概ね一定であるとともに、ＩＤＴ３０ａの複数の電極指３０ａａのピッチと概ね同一である。
【００４４】
ＳＡＷ共振子３０Ａ１の櫛歯電極の一方のバスバー３０ａｂに入力された電気信号は、ＳＡＷ（弾性表面波）に変換されて、複数の電極指３０ａａに直交する方向に伝搬する。そして、このＳＡＷ（弾性表面波）は、再度電気信号に変換されてＳＡＷ共振子３０Ａ１の櫛歯電極の他方のバスバー３０ａｂから出力される。ＳＡＷ共振子３０Ａ１のバスバー３０ａｂから出力された電気信号は、同様に、ＳＡＷ共振子３０Ａ２の一方のバスバー３０ａｂに入力されて、他方のバスバー３０ａｂから出力される。また、ＳＡＷ共振子３０Ａ３も同様に、ＳＡＷ共振子３０Ａ３の一方のバスバー３０ａｂに入力されて、他方のバスバー３０ａｂから出力される。
【００４５】
また、送信フィルタ３０は、図４に示すように、直列のＳＡＷ共振子３０Ａ１、ＳＡＷ共振子３０Ａ２およびＳＡＷ共振子３０Ａ３の共振周波数と並列のＳＡＷ共振子３０Ａ４およびＳＡＷ共振子３０Ａ５の反共振周波数とを一致させるように組み合わせることでバンドパスフィルタとしての特性を得ることができる。
【００４６】
この過程において、電気信号は、通過帯域外の周波数成分が減衰される。通過帯域周波数は、複数の電極指３０ａａのピッチを概ね半波長とするＳＡＷ（弾性表面波）の周波数帯に相当する。なお、送信フィルタ３０は、所望される特性に応じてＩＤＴ３０ａのピッチ等の設計が最適化される。
【００４７】
第１の素子基板２ａには、第１の機能体２ｂから延出される第１の配線パターン２ｃが設けられている。第１の配線パターン２ｃは、第１の機能体２ｂから第１の素子基板２ａの外周側に延びるように設けられている。また、第２の素子基板３ａには、図２に示すように、第２の機能体３ｂから延出される第２の配線パターン３ｃが設けられている。第２の配線パターン３ｃは、第２の機能体３ｂから第２の素子基板３ａの外周側に延びるよう
に設けられている。第１の配線パターン２ｃおよび第２の配線パターン３ｃは、ＳＡＷ共振子の電極への電気信号の入出力の経路となる。
【００４８】
そして、第１の素子パッド２ｄは、第１の配線パターン２ｃ上に設けられており、第１の配線パターン２ｃに電気的に接続されている。また、第２の素子パッド３ｄは、第２の配線パターン３ｃ上に設けられており、第２の配線パターン３ｃに電気的に接続されている。すなわち、第１の配線パターン２ｃは、第１の機能体２ｂと第１の素子パッド２ｄとを電気的に接続しており、第２の配線パターン３ｃは、第２の機能体３ｂと第２の素子パッド３ｄとを電気的に接続している。
【００４９】
例えば、第１の電子素子２が、受信フィルタ２０であるとすると、第１の配線パターン配線２ｃは、バスバー２０ａｂと第１の素子パッド２ｄとを電気的に接続している。そして、第１の配線パターン２ｃは、第１の機能体２ｂ（受信フィルタ２０）から第１の素子基板２ａの外周側に延びている。また、第１の素子基板２ａには、ＩＤＴ２０ｂ同士を接続する中間配線が設けられている。
【００５０】
また、例えば、第２の電子素子が、送信フィルタ３０であるとすると、第２の配線パターン配線３ｃは、バスバー３０ａｂと第２の素子パッド３ｄとを電気的に接続している。そして、第２の配線パターン３ｃは、第２の機能体３ｂ（送信フィルタ３０）から第２の素子基板３ａの外周側に延びている。また、第２の素子基板３ａには、ＩＤＴ３０ａ同士を接続する中間配線が設けられている。
【００５１】
また、第１の配線パターン２ｃおよび第２の配線パターン３ｃは、外周側に直線状に、または、曲線状に延びていてもよいし、屈曲していてもよい。また、第１の配線パターン２ｃおよび第２の配線パターン３ｃは、一定の幅で延びていてもよいし、徐々に幅が変化していてもよいし、段階的に幅が変化していてもよい。したがって、第１の配線パターン２ｃおよび第２の配線パターン３ｃは、第１の素子基板２ａおよび第２の素子基板３ａに設けられた第１の機能体２ｂおよび第２の機能体３ｂの配置または第１の素子パッド２ｄおよび第２の素子パッド３ｄの配置等に応じて適宜に設定される。
【００５２】
第１の素子パッド２ｄは、例えば、ＩＤＴ２０ａに電力を供給するためのものであり、第１の配線パターン２ｃと電気的に接続するように、第１の配線パターン２ｃ上に設けられている。また、第２の素子パッド３ｄは、例えば、ＩＤＴ３０ａに電力を供給するためのものであり、第２の配線パターン３ｃと電気的に接続するように、第２の配線パターン３ｃ上に設けられている。
【００５３】
また、第１の素子パッド２ｄは、第１の素子基板２ａの下面２ａｂの周辺部に設けられており、第２の素子パッド３ｄは、第２の素子基板３ａの上面３ａａの周辺部に設けられている。なお、第１の素子パッド２ｄおよび第２の素子パッド３ｄの大きさは、第１の機能体２ｂおよび第２の機能体３ｂの構成等に応じて適宜設定される。
【００５４】
第１の機能体２ｂおよび第１の配線パターン２ｃは、例えば、同一の材料によって形成することができる。また、第１の機能体２ｂおよび第１の配線パターン２ｃは、同時に形成することができる。
【００５５】
同様に、第２の機能体３ｂおよび第２の配線パターン３ｃは、例えば、同一の材料によって形成することができる。また、第２の機能体３ｂおよび第２の配線パターン３ｃは、同時に形成することができる。
【００５６】
第１の機能体２ｂおよび第１の配線パターン２ｃは、いずれも、ＡｌまたはＡｌ合金（
例えば、Ａｌ−Ｃｕ系またはＡｌ−Ｔｉ系）、ＣｕまたはＣｕ合金（例えば、Ｃｕ−Ｍｇ系、Ｃｕ−Ｔｉ系またはＣｕ−Ｒｄ系）、ＡｇまたはＡｇ合金（例えば、Ａｇ−Ｍｇ系、Ａｇ−Ｔｉ系またはＡｇ−Ｒｄ系）等の金属材料で形成することができる。また、第１の機能体２ｂおよび第１の配線パターン２ｃは、一部は異なる材料によって形成されていてもよい。
【００５７】
第２の機能体３ｂおよび第２の配線パターン３ｃは、第１の機能体２ｂおよび第１の配線パターン２ｃと同様な材料でもって形成することができる。
【００５８】
また、第１の素子パッド２ｄおよび第２の素子パッド３ｄは、例えば、ＡｌまたはＡｌ合金（例えば、Ａｌ−Ｃｕ系またはＡｌ−Ｔｉ系）、ＣｕまたはＣｕ合金（例えば、Ｃｕ−Ｍｇ系、Ｃｕ−Ｔｉ系またはＣｕ−Ｒｄ系）、ＡｇまたはＡｇ合金（例えば、Ａｇ−Ｍｇ系、Ａｇ−Ｔｉ系またはＡｇ−Ｒｄ系）等の金属材料で形成することができる。
【００５９】
また、第１の素子パッド２ｄは、対応する第１の接続導体４ａ１との接合性の向上を目的として、表面にめっき層を形成することが好ましい。同様に、第２の素パッド３ｄは、対応する第２の接続導体４ｂ１との接合性の向上等を目的として、表面にめっき層を形成することが好ましい。めっき層は、例えば、第１の素子パッド２ｄおよび第２の素子パッド３ｄの表面にクロムめっき、ニッケルめっきおよびその上から金めっきメッキを施すことで形成される。
【００６０】
また、弾性表面波装置１は、図２に示すように、第１の素子基板２ａの第１の機能体２ｂを覆うように保護膜２ｅが設けられ、第２の素子基板３ａの第２の機能体３ｂを覆うように保護膜３ｅが設けられている。保護膜２ｅおよび保護膜３ｅは、第１の機能体２ｂおよび第２の機能体３ｂの酸化防止等に寄与するものである。また、保護膜２ｅおよび保護膜３ｅは、例えば、ＩＤＴ２０ａ、ＩＤＴ２０ｂおよび反射器２０ｃの電極指間またはＩＤＴ３０ａおよび反射器３０ｂの電極指間に導電性の異物が付着することによって発生する短絡を抑制することができる。
【００６１】
保護膜２ｅおよび保護膜３ｅは、例えば、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン、窒化珪素またはシリコン等の絶縁材料からなる。保護膜２ｅおよび保護膜３ｅの厚みは、例えば、８（ｎｍ）〜１５（ｎｍ）である。また、保護膜２ｅおよび保護膜３ｅの厚みは互いに異なって設けられていてもよい。
【００６２】
保護膜２ｅは、第１の素子基板２ａの下面２ａｂの概ね全面にわたって設けて、第１の機能体２ｂおよび第１の配線パターン２ｃを覆い、第１の素子パッド２ｄが形成される領域のみを露出させるように設けられている。
【００６３】
また、保護膜３ｅは、第２の素子基板３ａの上面３ａａの概ね全面にわたって設けて、第２の機能体３ｂおよび第２の配線パターン３ｃを覆い、第２の素子パッド３ｄが形成される領域のみを露出させるように設けられている。
【００６４】
すなわち、保護膜２ｅは、第１の素子パッド２ｄが設けられる領域を除いて、第１の素子基板２ａの下面２ａｂの概ね全面にわたって設けられている。また、保護膜３ｅは、第２の素子パッド３ｄが設けられる領域を除いて、第２の素子基板３ａの上面３ａａの概ね全面にわたって設けられている。
【００６５】
この場合には、保護膜２ｅは、第１の機能体２ｂおよび第１の配線パターン２ｃに覆うように設けられて、第１の素子パッド２ｄの形成領域が周知のフォトリソグラフィー法等を用いて露出された後、第１の素子パッド２ｄは、保護膜２ｅから露出している第１の配
線パターン２ｃ上に設けられる。同様に、保護膜３ｅは、第２の機能体３ｂおよび第２の配線パターン３ｃに覆うように設けられて、第２の素子パッド３ｄの形成領域が周知のフォトリソグラフィー法等を用いて露出された後、第２の素子パッド３ｄは、保護膜３ｅから露出している第２の配線パターン２ｃ上に設けられる。なお、弾性表面波装置１は、保護膜２ｅおよび保護膜３ｅを設けていない構成であってもよい。
【００６６】
ここで、配線基板５について以下に説明する。
【００６７】
配線基板５は、第１の絶縁層４ａを介して第１に素子基板２ａに対向するように配置されているとともに第２の絶縁層４ｂを介して第２の素子基板３ａに対向するように配置されている。また、配線基板５は、図２に示すように、第１の素子基板２ａおよび第２の素子基板３ａと電気的な接続するための複数の接続導体層５ｃを有している。接続導体層５ｃは、図２に示すように、配線基板５の上下面を貫通する貫通導体５ｃ３と貫通導体５ｃ３の上面に設けられた導体層５ｃ１および貫通導体５ｃ３の下面に設けられた導体層５ｃ２から構成されている。
【００６８】
このように、配線基板５は、絶縁体５ａと、絶縁体５ａを上下方向に貫通する貫通導体５ｃ３と、貫通導体５ｃ３の上面に形成された導体層５ｃ１と、貫通導体５ｃ３の下面に形成された導体層５ｃ２とを有している。さらに、配線基板５は、絶縁体５ａの下面５ａｂに形成された導体層５ｃ２に接続端子パッド５ｄが設けられている。
【００６９】
接続導体層５ｃの導体層５ｃ１は、第１の接続導体４ａ１に電気的に接続され、導体層５ｃ２は、第２の接続導体４ｂ１に電気的に接続される。
【００７０】
配線基板５の絶縁体５ａは、図１に示すように、例えば、概ね薄型の直方体状に形成されている。また、絶縁体５ａは、例えば、樹脂、セラミックおよび／またはアモルファス状態の無機材料を含んで形成されている。絶縁体５ａは、単一の材料からなるものであってもよいし、基材に樹脂を含浸させた基板のように複合材料からなるものであってもよい。また、絶縁体５ａは、剛性の優れた繊維層を樹脂の内部に設けたものであってもよい。
【００７１】
また、配線基板５では、絶縁体５ａは、具体的には、酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体またはガラスセラミック焼結体等のセラミック材料が用いられる。あるいは、配線基板５では、絶縁体５ａは、ポリイミド樹脂、シアネート樹脂、エポキシ樹脂またはポリフェニレンエーテル樹脂等の有機樹脂材料が用いられる。さらに、セラミックまたはガラス等の無機材料をエポキシ樹脂等の有機樹脂材料に混合させてなる複合材料を用いることもできる。
【００７２】
導体層５ｃ１および導体層５ｃ２は、例えば、銅、タングステンまたはモリブデン等の金属材料で形成されている。また、貫通導体５ｃ３は、同様に、例えば、銅、タングステンまたはモリブデン等の金属材料で形成されている。
【００７３】
配線基板５は、一般的な配線基板の製造方法と同様でよく、配線基板６の製造方法の一例を以下に示す。
【００７４】
配線基板５は、まず、絶縁体５ａは、下面５ａｂに周知のフォトリソグラフィー法等を用いて導体層５ｃ２が形成される。そして、この絶縁体５ａは、上面５ａａからレーザー加工またはドリル加工等を用いて絶縁体５ａを貫通する貫通孔が導体層５ｃ２上に形成される。次に、絶縁体５ａは、上面５ａａに銅等の金属材料を設けた後に、周知のフォトリソグラフィー法等を用いて、貫通孔に貫通導体５ｃ３が形成されるとともに上面５ａａに導体層５ｃ１が形成される。このような製造工程を経ることによって、配線基板５が得ら
れる。
【００７５】
封止樹脂層６は、図２に示すように、第２の素子基板３ａの下面３ａｂ（第２の機能体３ｂが設けられた主面と反対側の主面）および側面３ａｃを覆うように設けられている。すなわち、封止樹脂層６は、第２の素子基板２ａの下面３ａｂを覆うとともに第２の素子基板２の側面３ａｃを覆うように設けられている。このように、封止樹脂層６は、第２の機能体３ｂが設けられた主面を除いた領域を覆って第２の素子基板３ａを囲むように第２の素子基板３ａの外周部に設けられている。
【００７６】
このように、封止樹脂層６は、第２の素子基板３ａの外周部に設けられており、その封止樹脂層６には、複数の内部貫通導体６ａが第２の素子基板３ａの外周部に位置するように設けられている。そして、内部貫通導体６ａは、一端が配線基板５の接続導体層５ｃに電気的に接続され、他端が外部端子１２に接続されている。なお、本実施形態の場合は、図１（ｃ）に示すように、４つの内部貫通導体６ａが第２の素子基板３ａの周囲に設けられている場合を例示している。そして、第１の配線パターン２ｃは、第１の接続導体４ａ１および接続導体層５ｃを介して内部貫通導体６ａに電気的に接続されている。
【００７７】
また、弾性表面波装置１は、平面視にて第１の素子基板２ａに重なるように内部貫通導体６ａが設けられており、配線基板５が内部貫通導体６ａを介して電子機器等の実装基板に電気的に接続される。このように、弾性表面波装置１は、実装基板との接続部が第１の素子基板２ａの外周の内側に位置するように設けられており、この接続部が第１の素子基板２ａの外周よりも外側に位置することがないので、小型化することができる。
【００７８】
そして、第２の配線パターン３ｃは、第２の接続導体４ｂ１および接続導体層５ｃを介して内部貫通導体６ａに電気的に接続されている。封止樹脂層６の厚みは、例えば、０．３（ｍｍ）〜０．４（ｍｍ）である。また、封止樹脂層６は、例えば、エポキシ樹脂等の樹脂材料からなる。
【００７９】
また、図２に示すように、接続導体層５ｃと内部貫通導体６ａとの間には接続端子パッド５ｄが設けられており、この接続端子パッド５ｄは、内部貫通導体６ａとの電気的接続を確実にするために設けられている。また、接続端子パッド５ｄを設けていない構成であってもよい。
【００８０】
このように、弾性表面波装置１は、図１および図２に示すように、第１の素子基板２、第１の絶縁層４ａ、配線基板５および封止樹脂層６の外周側面が同一平面内に位置するように設けられる。これによって、弾性表面波装置１は、外周側面が揃っているので、電子機器等の実装基板上に実装する際に実装の精度が向上して、より高密度の実装が可能になる。
【００８１】
弾性表面波装置１では、配線基板５の上面５ａａ側に第１の電子素子２が設けられ、配線基板５の下面５ａｂ側に第２の電子素子３が設けられており、そして、第１の電子素子２および第２の電子素子３が配線基板５を挟んで上面５ａａ側および下面５ａｂ側に配置されているので、第１の電子素子２および第２の電子素子３の信号が互いに干渉しにくくなり、アイソレーション特性を向上させることができる。すなわち、弾性表面波装置１は、第１の素子基板２ａと第２の素子基板３ａとが配線基板５を介して対向して配置されており、受信フィルタ２０および送信フィルタ３０の一方が第１の素子基板２ａに設けられ、他方が第２の素子基板３ａに設けられているので、受信信号と送信信号とが互いに干渉しにくくなり、アイソレーション特性を向上させることができる。
【００８２】
また、弾性表面波装置１では、第１の電子素子２が第１の素子基板２ａに設けられ、第
２の電子素子３が第２の素子基板３ａに設けられており、第１の電子素子２および第２の電子素子３が互いに異なる第１の素子基板２ａおよび第２の素子基板３ａにそれぞれ設けられているので、第１の素子基板２ａおよび第２の素子基板３ａの寸法を小さくすることができる。これによって、弾性表面波装置１は、高密度実装への対応が容易となる。
【００８３】
また、弾性表面波装置１では、配線基板５を挟んで第１の電子素子２と第２の電子素子３とが対向する構成を有しており、各々にフィルタ機能を持たせることでデュプレクサとすることができる。そして、弾性表面波装置１は、第１の電子素子２と配線基板５とを空間Ｓを介して、そして、第２の電子素子３と配線基板５とを空間Ｓを介して対向して配置されており、第１の電子素子２と第２の電子素子３とを縦方向に配置する構成にすることで小型化にすることができる。
【００８４】
また、弾性表面波装置１では、第１の電子素子２を受信フィルタ２０で構成して、第２の電子素子３を送信フィルタ３０で構成することが好ましい。送信フィルタ３０は受信フィルタ２０よりも発熱性が高いため、弾性表面波装置１は、第２の電子素子３を送信フィルタ３０とすることによって、第２の電子素子２を囲むように設けられた封止樹脂層６を介して、第２の電子素子３で発生した熱を効果的に放熱することができる。これによって、弾性表面波装置１は、第２の電子素子３の送信フィルタ３０の放熱性を向上させることができる。このような構成にすることによって、弾性表面波装置１は、安定した電気性能を得ることができる。
【００８５】
弾性表面波装置１は、図２に示すように、１層からなる配線基板５で構成されているが、図５に示すように、絶縁体５ａと絶縁体５ｂとからなる２層配線基板５Ａで構成されていてもよい。また、図５では、弾性表面波装置１Ａが、絶縁体５ａと絶縁体５ｂ７とからなる２層配線基板５Ａで構成されている場合を例示している。なお、弾性表面波装置１Ａは、配線基板５Ａの構成が弾性表面波装置１とは異なっている。
【００８６】
配線基板５Ａは、図５（ｂ）に示すように、絶縁体５ａ上に、絶縁体５ｂと、絶縁体５ｂの上面５ｂａに形成された導体層５ｃ４と、絶縁体５ｂを上下方向に貫通する貫通導体５ｃ５とを有している。また、導体層５ｃ１と導体層５ｃ４とは、貫通導体５ｃ５を介して電気的に接合されている。接続導体層５ｃは、貫通導体５ｃ５と貫通導体５ｃ５の上面の導体層５ｃ４と貫通導体５ｃ５の下面の導体層５ｃ１とで構成されている。なお、配線基板５Ａの材料等の構成は配線基板５と同様な構成にすることができる。
【００８７】
このように、弾性表面波装置１Ａは、絶縁体５ａと絶縁体５ｂとからなる２層線基板５Ａ、すなわち、いわゆる多層配線基板で構成されているが、さらに、３層以上からなる絶縁体を積層する多層配線基板で構成されていてもよい。
【００８８】
また、２層配線基板５Ａは、絶縁体５ａおよび絶縁体５ｂが、例えば、ガラス繊維からなる基材に有機樹脂を含浸硬化させた絶縁体上に銅箔をパターン化した導体層を形成して、絶縁体と導体層とを交互に積層させたものであってもよい。絶縁体５ａと絶縁体５ｂとからなる２層配線基板５Ａは、例えば、ビルドアップ法を用いて、絶縁体５ａと絶縁体５ｂとを積層して製造される。
【００８９】
また、２層配線基板５Ａは、絶縁体５ａおよび絶縁体５ｂが、例えば、支持基板（コア基板）に絶縁体（絶縁層）と導体層とを積層して、さらに、ビルドアップ方式で絶縁体（絶縁層）と導体層とを積層した後に、支持基板（コア基板）を取り除く、いわゆるコアレス基板の構成を有するものであってもよい。なお、ビルドアップ方式によって積層される絶縁体の積層数は、弾性表面波装置１の内部の構成等に応じて適宜に設定することができる。コアレス基板を採用することによって、２層配線基板５Ａは、絶縁体５ａおよび絶縁
体６ａが薄型になり、さらに全体として薄型のものにすることができる。
【００９０】
弾性表面波装置１Ａは、図６に示すように、２層配線基板５Ａを用いることによって、絶縁体５ａの上面５ａａに回路パターン８を設けることができる。
【００９１】
ここで、回路パターン８の一例について図６を参照しながら説明する。
【００９２】
回路パターン８は、図６に示すように、絶縁体５ａの上面５ａａに設けられている。すなわち、回路パターン８は、絶縁体５ａと絶縁体５ｂとの間に設けられている。回路パターン８は、図６に示すように、絶縁体５ａ上に導体層５ｃ１と同時に形成されており、導体層５ｃ１に電気的に接続されている。すなわち、回路パターン８は、絶縁体５ａ上の同一平面上に導体層５ｃ１から連続して設けられており、貫通導体５ｃ５および導体層５ｃ４を介して第１の電子素子２の第１の素子パッド２ａに電気的に接続されている。また、回路パターンは、貫通導体５ａ３および導体層５ｃ２を介して第２の電子素子３の第２の素子パッド３ｄに電気的に接続されている。
【００９３】
また、回路パターン８は、例えば、容量パターン８ａであり、また、スパイラル線路状のインダクタパターン８ｂである。そして、インダクタパターン８ｂはインダクタを形成するものであり、容量パターン８ａは容量を形成するものである。
【００９４】
弾性表面波装置１Ａは、第１の電子素子２と第２の電子素子３とに組み合わせて周辺回路を構成する場合には、周辺回路が、例えば、インダクタ用のインダクタ素子、容量用の容量素子または抵抗用の抵抗素子等の組み合わせで構成される。周辺回路は、例えば、整合素子またはＬＣフィルタ等である。
【００９５】
回路パターン８は、例えば、絶縁体５ａの下面５ａｂに容量パターン８ａと対向するようにＧＮＤパターン８Ａを形成して、このＧＮＤパターン８Ａと容量パターン８ａとの間で容量を形成することができる。
【００９６】
このように、弾性表面波装置１Ａは、例えば、絶縁体５ａ上に回路パターン８でインダクタと容量とからなるＬＣフィルタを構成することができるので、このＬＣフィルタを周辺回路として第１の機能体２ｂと第２の機能体３ｂとに組み合わせて設けることができる。また、回路パターン８は、容量パターン８ａまたはインダクタパターン８ｂに限らず、例えば、抵抗パターン等が絶縁体５ａの上面５ａａに設けられていてもよい。
【００９７】
したがって、弾性表面波装置１Ａは、回路パターン８が絶縁体５ａと絶縁体５ｂとの間の同一平面上に設けられて容量またはインダクタを形成しているので、外付け部品としてのコンデンサやインダクタが不要となる。したがって、弾性表面波装置１Ａは、大型化が抑制され、小型化、薄型化にすることができる。また、回路パターン８は、絶縁体５ａと絶縁体５ｂとの間に内蔵するように設けられているので、弾性表面波装置１Ａは、回路パターン８を設ける前と同様に平面方向（ＸＹ面）の大きさが維持されるので、基板寸法の大型化が抑制される。
【００９８】
また、弾性表面波装置１Ａは、２層配線基板５Ａを用いることによって、絶縁体５ａと絶縁体５ｂとの間に回路パターン８を設けることができるので、回路パターン８の設計の自由度が高くなる。
【００９９】
また、弾性表面波装置１Ａは、外付け部品を使用する場合に比べて、弾性表面波装置１Ａの内部に容量またはインダクタ等を形成することができるので配線長が短くなり、不要な容量成分あるいは不要なインダクタ成分の発生を抑制することができる。このように、
弾性表面波装置１Ａは、小型化、薄型化することができるとともに高性能化することができる。
【０１００】
また、２層配線基板５Ａの製造方法は、一般的な２層配線基板の製造方法と同様であり、２層配線基板５Ａの製造方法の一例を以下に示す。
【０１０１】
上述の絶縁体５ａ上に絶縁体５ｂを積層した後に、同様にして、貫通導体５ｃ５および導体層５ｃ４が形成される。これによって、絶縁体５ａ上に絶縁体５ｂが積層された２層配線基板５Ａが製造される。
【０１０２】
上述したように、絶縁体５ａは、導体層５ｃ１が絶縁体５ａの上面５ａａに形成され、貫通導体５ｃ３が絶縁体５ａを上下方向に貫通して形成され、導体層５ｃ２が絶縁体５ａの下面５ａｂに形成されて、貫通導体５ｃ３と電気的に接続されている。このように、導体層５ｃ１および導体層５ｃ２が貫通導体５ｃ３の上下面に設けられることになる。
【０１０３】
そして、絶縁体５ｂは、導体層５ｃ４が絶縁体５ｂの上面５ｂａに形成され、貫通導体５ｃ５が絶縁体５ｂを上下方向に貫通して形成されている。このように、導体層５ｃ４および導体層５ｃ１が貫通導体５ｃ５の上下面に設けられることになる。このようにして、絶縁体５ａと絶縁体５ｂとからなる２層配線基板５Ａを製造することができる。
【０１０４】
弾性表面波装置１は、図７に示すように、配線基板５の上面（主面）５ａａ上にグランド電位パターン５ａｄが設けられている。また、弾性表面波装置１Ａは、図７に示すように、配線基板５Ａの上面（主面）５ｂａ上にグランド電位パターン５ｂｄが設けられている。すなわち、グランド電位パターン５ａｄは、第１の機能体２ｂと対向するように配線基板５の上面（主面）５ａａに設けられおり、同様に、グランド電位パターン５ｂｄは、第１の機能体２ｂと対向するように配線基板５Ａの上面（主面）５ｂａ上に設けられている。
【０１０５】
グランド電位パターン５ａｄ（５ｂｄ）は、シールド効果を持たせるために、グランド電位に保持されており、配線基板５の上面５ａａ（５ｂａ）の導体層５ｃ１（５ｃ４）等を除いた領域にベタパターンで設けられている。また、グランド電位パターン５ａｄ（５ｂｄ）は、より効果的なシールド効果を得るために、配線基板の上面５ａａ（５ｂａ）の広い領域に設けることが好ましい。
【０１０６】
このように、第１の電子素子２と第２の電子素子３との間の配線基板５（５Ａ）にグランド電位パターン５ａｄ（５ｂｄ）が設けられているので、グランド電位パターンのシールド効果によって、弾性表面波装置１（１Ａ）は、第１の電子素子２および第２の電子素子３の信号が互いに干渉しにくくなり、アイソレーション特性をさらに向上させることができる。
【０１０７】
すなわち、弾性表面波装置１（１Ａ）は、第１の素子基板２ａと第２の素子基板３ａとがグランド電位パターン５ａｄ（５ｂｄ）が設けられた配線基板５を介して対向して配置されており、受信フィルタ２０および送信フィルタ３０の一方が第１の素子基板２ａに設けられ、他方が第２の素子基板３ａに設けられているので、受信信号と送信信号とが互いに干渉しにくくなり、アイソレーション特性をさらに向上させることができる。
【０１０８】
また、グランド電位パターン５ａｄ（５ｂｄ）は、配線基板５（５Ａ）の下面５ａｂに設けられていてもよい。すなわち、グランド電位パターン５ａｄ（５ｂｄ）は、第２の機能体３ｂと対向するように配線基板５（５Ａ）の下面５ａｂに設けられていてもよい。
【０１０９】
ここで、弾性表面波装置１の製造方法について以下に説明する。
【０１１０】
まず、第１の電子素子２および第２の電子素子３の製造方法について以下に説明する。図８では、第１の電子素子２の製造方法を例にして説明する。なお、第２の電子素子３は、第１の電子素子２と同様の製造方法で製造することができる。
【０１１１】
図８（ａ）〜図８（ｄ）は、第１の電子素子２の製造方法を説明する図であり、図２に示す第１の電子素子２に対応する断面図である。なお、図８では、第１の素子基板２ａの下面２ａｂを上側にして示している。
【０１１２】
また、第１の電子素子２の製造工程は、図８（ａ）〜図８（ｄ）では、１つの弾性表面波装置１（１Ａ）の第１の素子基板２ａに対応する部分のみを図示している。また、分割によって複数の第１の電子素子２が得られる素子母基板２Ａを用いて第１の電子素子２ａを製造する場合にも、同様な製造工程が適用される。したがって、図８（ａ）〜図８（ｄ）の各製造工程を経ることによって、図１５および図１６に示すように、素子母基板２Ａには複数の第１の電子素子２を設けることができ、また、素子母基板３Ａには複数の第２の電子素子３を設けることができる。
【０１１３】
第１の電子素子２は、図７に示すように、図８（ａ）〜図８（ｄ）の各工程を経ることによって、第１の素子基板２ａの圧電基板の下面２ａｂ上に、第１の機能体２ｂ、第１の配線パターン２ｃ、第１の素子パッド２ｄおよび保護膜２ｅが形成される。
【０１１４】
第１の機能体２ｂおよび第１の配線パターン２ｃの形成においては、具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の薄膜形成
法を用いて、図８（ａ）に示すように、第１の素子基板２ａの下面２ａｂ上に金属層が形成される。次に、この金属層に対して周知のフォトリソグラフィー法等を用いてパターニングが行われる。このパターニングにより、図８（ｂ）に示すように、第１の機能体２ｂおよび第１の配線パターン２ｃが第１の素子基板２ａ上に形成される。第１の機能体２ｂは、例えば、ＩＤＴ２０ａおよび反射器２０ｂ（ＳＡＷ共振子）であり、これらが第１の素子基板２ａ上に形成されることになる。
【０１１５】
さらに、第１の機能体２ｂおよび第１の配線パターン２ｃが第１の素子基板２ａ上に形成されると、図８（ｃ）に示すように、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ等の薄膜形成法を用いて、第１の機能体２ｂおよび第１の配線パターン２ｃを覆うように第１の素子基板２ａ上に保護膜２ｅが形成される。そして、この保護膜２ｅに対して周知のフォトリソグラフィー法等を用いてパターニングが行われる。このパターンニングにより、第１の配線パターン２ｃ上に第１の素子パッド２ｄが設けられる開口部が形成される。
【０１１６】
そして、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ等の薄膜形成法を用いて、保護膜２ｅを覆うように第１の素子基板２ａ上に金属層が形成される。そして、この金属層に対して周知のフォトリソグラフィー法等を用いてパターニングが行われる。このパターンニングにより、図８（ｄ）に示すように、第１の素子パッド２ｄが第１の配線パターン２ｃ上に形成される。
【０１１７】
このようにして、図８（ａ）〜図８（ｄ）の各製造工程を経ることによって、第１の電子素子２が製造される。また、同様にして、図８（ａ）〜図８（ｄ）の各製造工程を経ることによって、第２の電子素子３が製造される。
【０１１８】
次に、配線基板５Ａの製造方法について以下に説明する。図９では、配線基板５Ａの製造方法を例にして説明する。なお、配線基板５は、配線基板５Ａと同様の製造方法で製造
することができる。図９では、第１の絶縁層４ａが配線基板５Ａに設けられる場合を例示している。
【０１１９】
図９（ａ）〜図９（ｅ）は、配線基板５Ａの製造方法を説明する図であり、図９に示す配線基板５Ａに対応する断面図である。
【０１２０】
また、配線基板５Ａの製造工程は、図９（ａ）〜図９（ｅ）では、１つの弾性表面波装置１Ａの配線基板５Ａに対応する部分のみを図示している。また、分割によって複数の配線基板５Ａが得られる配線母基板５ＡＡを用いて配線基板５Ａを製造する場合にも、同様な製造工程が適用される。したがって、図９（ａ）〜図９（ｅ）の各製造工程を経ることによって、図１８に示すように、配線母基板５ＡＡには複数の配線基板５Ａを設けることができる。
【０１２１】
まず、図９（ａ）に示すように、絶縁体５ａと絶縁体５ｂとからなる２層配線基板５Ａを準備する。２層配線基板５Ａは、例えば、ビルドアップ法を用いて、絶縁体５ａと絶縁体５ｂとを積層して製造される。
【０１２２】
次に、図９（ｂ）に示すように、例えば、導体層５ｃ４を覆うように、絶縁体５ｂの上面５ｂａに亘って絶縁材料が形成される。なお、第１の絶縁層４はこの絶縁材料で構成される。絶縁材料（第１の絶縁層４）は、例えば、塗布法、印刷法、蒸着法またはＣＶＤ等の薄膜形成法を用いて形成される。
【０１２３】
図９（ｃ）に示すように、絶縁体５ｂ上に絶縁材料が設けられると、この絶縁材料に対して、周知のフォトリソグラフィー等を用いてパターニングが行われ、パターニングされた絶縁材料が絶縁体５ｂ上に形成される。図９（ｃ）に示すように、このパターニングは、第１の接続導体４ａ１の形成領域が露出するように行なわれ、導体層５ｃ４上の絶縁材料に開口部が形成される。このようにして、第１の絶縁層４ａが絶縁体５ｂの上面５ｂａに導体層５ｃ４上に開口部を有して形成される。
【０１２４】
第１の接続導体４ａ１は、例えば、Ａｇペーストであり、図９（ｄ）に示すように、第１の絶縁層４ａから露出している導体層５ｃ４上に形成される。すなわち、第１の接続導体４ａ１は、導体層５ｃ４上の第１の絶縁層４ａの開口部を埋めるように設けられる。また、第１の接続導体４ａ１は、例えば、印刷法またはディスペンス法等を用いて導体層５ｃ４上に形成される。
【０１２５】
ここで、絶縁体５ｂ上の第１の絶縁層４ａの形成についての一例を以下に示す。
【０１２６】
第１の絶縁層４ａは、例えば、ソルダーレジストであり、絶縁体５ｂ上にソルダーレジストが印刷法を用いて形成される。そして、ソルダーレジストは、例えば、８０（℃）で２０〜３０（分）の加熱処理を行なって仮乾燥される。次に、ソルダーレジストは、ネガフィルムを介して紫外線が照射されて、第１の絶縁層４ａを設けるべき領域のみが硬化される。さらに、ソルダーレジストは、未硬化領域がアルカリ水溶液等で除去され、例えば、１５０（℃）で６０（分）の加熱処理を行なって本硬化される。そして、パターニングされたソルダーレジストが絶縁体５ｂ上に設けられる。このようにして、２層配線基板５Ａの絶縁体５ｂ上に第１の絶縁層４ａが設けられる。また、第１の絶縁層４ａは、ソルダーレジストの他に、例えば、エポキシ樹脂またはポリイミド樹脂等の材料からなる。
【０１２７】
接着材層７は、図９（ｅ）に示すように、第１の接続導体４ａ１が設けられている領域を除いて第１の絶縁層４ａ上に形成される。接着材層７は、例えば、エポキシ系樹脂等の絶縁性の材料からなり、例えば、印刷法またはフォトリソグラフィー法等を用いて第１の
絶縁層４ａ上に形成される。接着材層７は、第１の素子基板２ａに設けてもよい。また、第１の絶縁層４ａは接着機能を有する材料を用いることができ、これによって、接着材層７を省くことができる。
【０１２８】
ここで、配線基板５Ａと第１の素子基板２ａとの接合および配線基板５Ａと第２の素子基板３ａとの接合について、図１０〜図１３を参照しながら以下に説明する。なお、図１０〜図１３では、接着材層７は省略して示している。なお、図１０〜図１３では、１つの弾性表面波装置１Ａに対応する部分のみを示している。
【０１２９】
図１０に示すように、第１の素子基板２ａは配線基板５Ａの上面５ｂａ側に対向して配置され、第２の素子基板３ａは配線基板５Ａの下面５ａｂ側に対向して配置される。第１の素子基板２ａと配線基板５Ａとの間には、第１の絶縁層４ａによって空間Ｓが形成される。また、第２の素子基板３ａと配線基板５Ａとの間には、第２の絶縁層４ｂによって空間Ｓが形成される。
【０１３０】
図１１（ａ）に示すように、第１の素子基板２ａと配線基板５Ａとは、第１の絶縁層４ａ上の接着材層７を介して接合され、第２の素子基板３ａと配線基板５Ａとは、第２の絶縁層４ｂ上の接着材層７を介して接合される。この場合に、第１の素子基板２ａの第１の素子パッド２ｄと第１の絶縁体４ａの第１の接続導体４ａ１とが対向して接合されて電気的な接合が得られる。また、第２の素子基板３ａの第２の素子パッド３ｄと第２の絶縁層４ｂの第２の接続導体４ｂ１とが対向して接合されて電気的な接合が得られる。すなわち、第１の素子基板２ａの第１の素子パッド２ｄと配線基板５Ａの導体層５ｃ４とが第１の接続導体４ａ１を介して電気的に接合される。また、第２の素子基板３ａの第２の素子パッド３ｄと配線基板５Ａの導体層５ｃ２とが第２の接続導体４ｂ１を介して電気的に接合される。
【０１３１】
配線基板５Ａと第１の素子基板２ａおよび第２の素子基板３ａとは、例えば、加圧しながら１５０（℃）で６０(分)の加熱硬化によって接合される。第１の接続導体４ａ１および第２の接続導体４ｂ１による電気的な接合および接着材層７による接合は、例えば、加圧しながら１５０（℃）で６０(分)の加熱処理で同時に行なわれる。なお、加圧および加熱処理の条件は、配線基板５と第１の素子基板２ａおよび第３の素子基板３ａとの構成等を考慮して適宜設定される。
【０１３２】
このようにして、配線基板５Ａの上面５ｂａ側に第１の電子素子２が、そして、配線基板５Ａの下面５ａｂ側に第２の電子素子３が接合される。
【０１３３】
配線基板５Ａと第１の素子基板２ａおよび第２の素子基板３ａとを貼り合わせて接合することによって、第１の機能体２ｂおよび第２の機能体３ｂを収容する空間Ｓが配線基板５Ａの上面５ｂａ側および下面５ａｂ側にそれぞれ形成される。
【０１３４】
次に、図１１（ｂ）に示すように、第２の素子基板３ａは四辺の外周部を切断線Ｌに沿って切断される。すなわち、第２の素子基板３ａは、図１（ｃ）に示すように、外周が第１の素子基板２ａの外周よりも内側に位置するように四辺の外周部が切断される。これによって、第２の素子基板３ａは、第１の素子基板２ａよりも小さくなり、第１の素子基板２ａの外周よりも内側に位置するように配置される。また、第２の素子基板３ａを切断する切断線Ｌの位置は、第２の素子基板３ａに設けられる第２の配線パターン３ｃの配置構成等によって適宜設定される。
【０１３５】
また、第２の素子基板３ａを切断する前に、第１の素子基板２ａの上面２ａａおよび第２の素子基板３ａの下面３ａｂの少なくともいずれか一方を、バックグラインドホイール
等を用いて削ることによって、第１の素子基板２ａおよび第２の素子基板３ａの素子基板厚みを薄くすることができる。これによって、弾性表面波装置１は、より薄型にすることができる。また、第２の素子基板３ａを切断後に、第１の素子基板２ａの上面２ａａおよび第２の素子基板３ａの下面３ａｂの少なくともいずれか一方を削ってもよい。
【０１３６】
第２の素子基板３ａを切断した後、周知のフォトリソグラフィー法等を用いることによって、接続端子パッド５ｄが配線基板５Ａの導体層５ｃ２の下部に形成される。なお、接続端子パッド５ｄを形成しない構成であってもよい。
【０１３７】
次に、図１２（ａ）に示すように、封止樹脂層６が第２の素子基板３ａの下面３ａｂおよび側面３ａｃを覆うように設けられる。封止樹脂層６は、例えば、エポキシ樹脂等の樹脂材料であり、例えば、エポキシ樹脂をシート状に加工して、第２の素子基板３ａにシート状のエポキシ樹脂を加圧して設けられる。また、封止樹脂層６は、例えば、第２の素子基板３ａに感光性樹脂を塗布または印刷して、周知のフォトリソグラフィー法等を用いて形成してもよい。
【０１３８】
そして、図１２（ｂ）に示すように、封止樹脂層６は、第２の素子基板３ａの外周部に、レーザー加工法またはドリル加工法等を用いて、内部貫通導体６ａを設けるための貫通孔が設けられる。また、貫通孔は、接続端子パッド５ｄに対応する位置に封止樹脂層６を貫通して設けられる。
【０１３９】
次に、図１３（ａ）に示すように、内部貫通導体６ａが貫通孔内に設けられる。内部貫通導体６ａは、例えば、Ａｇペーストであり、印刷法等を用いて貫通孔内に設けられる。
【０１４０】
そして、図１３（ｂ）に示すように、周知のフォトリソグラフィー法等を用いて、外部端子１２が内部貫通導体６ａに形成される。これによって、弾性表面波装置１Ａを得ることができる。
【０１４１】
上述では、第１の絶縁層４ａが配線基板５Ａに設けられる場合について説明したが、第１の絶縁層４ａは第１の素子基板２ａに設けられていてもよい。図１４を参照しながら説明する。
【０１４２】
図１４（ｂ）までは、上述したように、図８の製造工程を経ることによって製造される。
【０１４３】
次に、絶縁材料が、保護膜２ｅを覆うように、第１の素子基板２ａの下面２ａｂに亘って設けられる。なお、第１の絶縁層４ａはこの絶縁材料で構成される。絶縁材料（第１の絶縁層４）は、例えば、塗布法、印刷法、蒸着法またはＣＶＤ等の薄膜形成法を用いて形成される。
【０１４４】
保護膜２ｅおよび第１の素子パッド２ｄが形成された第１の素子基板２ａ上に絶縁材料が設けられると、この絶縁材料に対して、周知のフォトリソグラフィー法等を用いてパターニングが行われ、パターニングされた絶縁材料が第１の素子基板２ａ上に形成される。このパターニングは、図１４（ｃ）に示すように、第１の素子パッド２ｄ上の第１の接続導体４ａ１の形成領域が露出するように行なわれ、第１の素子パッド２ｄ上の絶縁材料に開口部が形成される。このようにして、第１の絶縁層４ａは、第１の素子基板２ａの下面２ａｂの第１の素子パッド２ｄ上に開口部を有して形成される。
【０１４５】
第１の接続導体４ａ１は、例えば、Ａｇペーストであり、図１４（ｄ）に示すように、第１の絶縁層４ａから露出している第１の素子パッド２ｄ上に形成される。すなわち、第
１の接続導体４ａ１は、第１の素子パッド２ｄ上の第１の絶縁層４ａの開口部を埋めるように設けられる。また、第１の接続導体４ａ１は、例えば、印刷法またはディスペンス法等を用いて第１の素子パッド２ｄ上に形成される。
【０１４６】
ここで、第１の素子基板２ａ上の第１の絶縁層４ａの形成についての一例を以下に示す。
【０１４７】
第１の絶縁層４ａは、例えば、感光性樹脂であり、第１の素子パッド２ｄおよび保護膜２ｅが形成された第１の素子基板２ａ上に、感光性樹脂により構成された感光性樹脂フィルムを貼り付けて設けられる。次に、周知のフォトリソグラフィー法等を用いて、感光性樹脂フィルムは、フォトマスクを介して紫外線が照射される。そして、感光性樹脂フィルムは、第１の絶縁層４ａを設けるべき領域のみに感光性樹脂が形成されるように露光される。これによって、パターニングされた感光性樹脂が第１の素子基板２ａ上に設けられる。このようにして、第１の絶縁層４ａが第１の素子基板２ａ上に設けられる。
【０１４８】
また、第１の絶縁層４ａは、液状の感光性樹脂、例えば、感光性ポリイミド樹脂等を素子基板２ａ上にスピンコート法等を用いて塗布して、同様にして、周知のフォトリソグラフィー法等を用いて形成してもよい。また、感光性樹脂は、例えば、ウレタンアクリレート系樹脂、ポリエステルアクリレート系樹脂またはエポキシアクリレート系樹脂等である。
【０１４９】
接着材層７は、図１４（ｅ）に示すように、第１の接続導体４ａ１が設けられている領域を除いて第１の絶縁層４ａ上に形成される。接着材層７は、例えば、エポキシ系樹脂等の絶縁性の材料からなり、例えば、印刷法またはフォトリソグラフィー法等を用いて第１の絶縁層４ａ上に形成される。接着材層７は、第１の素子基板２ａに設けてもよい。また、第１の絶縁層４ａは接着機能を有する材料を用いることができ、これによって、接着材層７を省くことができる。
【０１５０】
このようにして、図１４（ａ）〜図１４（ｅ）の各製造工程を経ることによって、第１の素子基板２ａに第１の絶縁層４ａが設けられる。また、同様にして、図１４（ａ）〜図１４（ｅ）の各製造工程を経ることによって、第２の素子基板３ａに第２の絶縁層４ｂを設けることができる。
【０１５１】
図１５（ａ）に示すように、第１の素子基板２ａは配線基板５Ａの上面５ｂａ側に対向して配置され、第２の素子基板３ａは配線基板５Ａの下面５ａｂ側に対向して配置される。第１の素子基板２ａと配線基板５Ａとの間には、第１の絶縁層４ａによって空間Ｓが形成される。また、第２の素子基板３ａと配線基板５Ａとの間には、第２の絶縁層４ｂによって空間Ｓが形成される。
【０１５２】
図１５（ｂ）に示すように、第１の素子基板２ａと配線基板５Ａとは、第１の絶縁層４ａ上の接着材層７を介して接合され、第２の素子基板３ａと配線基板５Ａとは、第２の絶縁層４ｂ上の接着材層７を介して接合される。この場合に、配線基板５Ａの導体層５ｃ４と第１の絶縁体４ａの第１の接続導体４ａ１とが対向して接合されて電気的な接合が得られる。また、配線基板５Ａの導体層５ｃ２と第２の絶縁層４ｂの第２の接続導体４ｂ１とが対向して接合されて電気的な接合が得られる。
【０１５３】
すなわち、第１の素子基板２ａの第１の素子パッド２ｄと配線基板５Ａの導体層５ｃ４とが第１の接続導体４ａ１を介して電気的に接合される。また、第２の素子基板３ａの第２の素子パッド３ｄと配線基板５Ａの導体層５ｃ２とが第２の接続導体４ｂ１を介して電気的に接合される。
【０１５４】
その後、上述したように、図１１〜図１３の製造工程を経ることによって、弾性表面波装置１Ａを製造することができる。
【０１５５】
ここで、素子母基板２Ａと素子母基板３Ａと配線母基板５ＡＡとを用いて、弾性表面波装置１Ａを製造する製造方法について説明する。
【０１５６】
素子母基板２Ａは、図１６に示すように、複数の第１の電子素子２が設けられている。したがって、素子母基板２Ａは、複数の第１の電子素子２が設けられた集合体であり、複数の第１の電子素子２が縦横に並ぶように設けられている。また、図１６では、素子母基板２Ａの複数の第１の電子素子２の１つを拡大した断面図を示している。なお、図１６では、素子母基板２Ａは、平面視の形状が円形状であるが、これに限らず、四角形状であってもよく、形状は適宜設定される。素子母基板２Ａは、平面視の形状が円形状の場合には、直径が、例えば、７０（ｍｍ）〜１３０（ｍｍ）である。
【０１５７】
また、素子母基板３Ａは、図１７に示すように、複数の第２の電子素子３が設けられている。したがって、素子母基板３Ａは、複数の第２の電子素子３が設けられた集合体であり、複数の第２の電子素子３が縦横に並ぶように設けられている。また、図１７では、素子母基板３Ａの複数の第２の電子素子３の１つを拡大した断面図を示している。なお、図１７では、素子母基板３Ａは、平面視の形状が円形状であるが、これに限らず、四角形状であってもよく、形状は適宜設定される。素子母基板３Ａは、平面視の形状が円形状の場合には、直径が、例えば、７０（ｍｍ）〜１３０（ｍｍ）である。図１７では、第２の素子基板３ａは切断線Ｌに沿って切断させる前の状態を示している。
【０１５８】
上述したように、第１の素子基板２ａおよび第２の素子基板３ａを対象にして、上述の図８（ａ）〜図８（ｄ）の各製造工程を行うことによって、素子母基板２Ａは、複数の第１の電子素子２が設けられ、素子母基板３Ａは、複数の第２の電子素子３が設けられる。これによって、素子母基板２Ａは複数の第１の電子素子２の集合体となり、素子母基板３Ａは複数の第２の電子素子３の集合体となる。なお、ここでは、第１の素子基板２ａは、複数の第１の電子素子２を設けることが可能な大きさを有しており、第２の素子基板３ａは、複数の第２の電子素子３を設けることが可能な大きさを有している。
【０１５９】
また、配線母基板５ＡＡは、図１８に示すように、複数の配線基板５Ａが設けられている。したがって、配線母基板６Ａは、複数の配線基板５Ａが設けられた集合体であり、複数の配線基５Ａが縦横に並ぶように配置されている。また、図１８では、配線母基板３Ａの複数の配線基板５Ａの１つを拡大した断面図を示している。なお、図１８では、配線母基板５ＡＡは、平面視の形状が四角形状であるが、これに限らず、円形状であってもよく、形状は適宜設定される。配線母基板５ＡＡは、平面視の形状が四角形状の場合には、一辺の長さが、例えば、１００（ｍｍ）〜１５０（ｍｍ）である。
【０１６０】
配線母基板５ＡＡと素子母基板２Ａと素子母基板３Ａとは、上述した製造方法と同様にして、図１９（ａ）に示すように、貼合基板１ＡＡは、配線母基板５ＡＡの上面側に素子母基板２Ａが接合され、下面側に素子母基板３Ａが接合されている。すなわち、素子母基板２Ａと配線母基板５ＡＡとは、第１の絶縁層４ａ上の接着材層７を介して接合され、素子母基板３Ａと配線基板５Ａとは、第２の絶縁層４ｂ上の接着材層７を介して接合される。この場合に、第１の素子基板２ａの第１の素子パッド２ｄと第１の絶縁体４ａの第１の接続導体４ａ１とが対向して接合されて電気的な接合が得られる。また、第２の素子基板３ａの第２の素子パッド３ｄと第２の接続導体４ｂ１とが対向して接合されて電気的な接合が得られる。
【０１６１】
そして、貼合基板１ＡＡは、図１１〜図１３の製造工程を経ることによって、図１９（ｂ）に示すような、複数の弾性表面波装置１Ａが設けられた集合体を得ることができる。また、図１９（ｂ）では、貼合基板１ＡＡに設けられた複数の弾性表面波装置１Ａの３つを拡大した断面図を示している。
【０１６２】
したがって、貼合基板１Ａは、図１９（ｂ）に示すように、複数の弾性表面波装置１Ａが設けられた集合体であり、複数の弾性表面波装置１が縦横に配置されている。また、貼合基板１ＡＡは、図１９（ｂ）に示すように、貼合基板１ＡＡから弾性表面波装置１を個片化するための切断ライン９が弾性表面波装置１ＡＡの形状に合わせて設けられている。すなわち、図１９では、貼合基板１Ａは、素子母基板２Ａおよび素子母基板３Ａよりも一回り大きい配線母基板５ＡＡに切断ライン９が設けられた場合を例示している。
【０１６３】
また、貼合基板１ＡＡは、配線母基板５ＡＡよりも一回り大きい素子母基板２Ａおよび素子母基板３Ａを設けて、素子母基板２Ａまたは素子母基板３Ａに切断ライン９を設けてもよい。また、切断ライン９は、素子母基板２Ａ、素子母基板３Ａまたは配線母基板Ａ５ＡＡの大きさ等を考慮して、素子母基板２Ａ、素子母基板３Ａまたは配線母基板５ＡＡに適宜設けられる。また、貼合基板１ＡＡの切断方法は、これに限らない。
【０１６４】
切断方法は、例えば、仮想の切断ラインの始点および終点を示すマーカーを素子母基板２Ａ、素子母基板３Ａまたは配線母基板５ＡＡに設けて、それらのマーカーに合わせて、例えば、ダイシング装置のダイシングブレード等を用いて貼合基板１ＡＡを切断する方法であってもよい。なお、ダイシングブレードの厚みは適宜選択される。また、貼合基板１ＡＡの切断方法は、貼合基板１ＡＡの大きさ等を考慮して周知の技術を適宜選択することができる。
【０１６５】
そして、貼合基板１ＡＡは、図１９（ｂ）に示すように、破線で示している切断ライン９に沿って切断されて、複数の弾性表面波装置１がそれぞれ個片化される。すなわち、貼合基板１ＡＡを切断することによって、個々の弾性表面波電装置１Ａが貼合基板１ＡＡから分離される。例えば、図１９（ｂ）に示すように、３つ並んでいる弾性表面波装置１Ａは、切断ライン９に沿って切断することによって貼合基板１ＡＡから個片化されて、３つの弾性表面波装置１Ａを得ることができる。なお、貼合基板１ＡＡの切断は、例えば、ダイシング装置等を用いて行なわれる。
【０１６６】
貼合基板１ＡＡから弾性表面波装置１を製造する場合には、一度に大量の弾性表面波装置１を製造することができるので、弾性表面波装置１Ａの生産性が向上する。すなわち、貼合基板１ＡＡは、個々の弾性表面波装置１Ａを一度に大量に製造することができるため、切断工程の生産性の効率の向上に伴い弾性表面波装置１の生産性を向上させる。
【０１６７】
素子母基板２Ａ、素子母基板３Ａおよび配線母基板５ＡＡの大きさは、貼合基板１ＡＡから得られる弾性表面波装置１Ａの数、すなわち、貼合基板１ＡＡからの弾性表面波装置１Ａの取数を考慮してそれぞれ設定される。
【０１６８】
また、貼合基板１ＡＡにおいて、貼合わされた素子母基板２Ａと素子母基板３Ａと配線母基板５ＡＡとが同時に切断されるので、弾性表面波装置１Ａは、外周側面が同一平面内に位置することになる。このように、弾性表面波装置１Ａの側面（ＸＺ面およびＹＺ面）が同一平面内に位置することになる。したがって、弾性表面波装置１Ａは、それぞれの外周側面を同一平面内に位置させることができるので、弾性表面波装置１Ａを電子機器の実装基板上に実装する際に、実装の精度が向上して、より高密度の実装が可能になる。
【０１６９】
また、貼合基板１ＡＡは、切断する場合、素子母基板２Ａ側から切断しても、封止樹脂
層６側から切断してもよい。また、素子母基板２Ａ側および封止樹脂層６側から同時に切断してもよい。切断方法は、貼合基板１ＡＡの大きさ等を考慮して適宜設定される。
【０１７０】
本発明は、上述した実施の形態に特に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変更および改良が可能である。
【０１７１】
弾性表面波装置は、ＳＡＷ素子に限定されない。すなわち、電子素子は、ＳＡＷ素子に限定されない。電子素子は、弾性波を利用しないものであってもよい。また、圧電薄膜共振器等のＳＡＷ以外の弾性波を利用するものであってもよい。
【０１７２】
また、配線基板は、電子素子と実装基板とを仲介するものに限定されない。配線基板は、例えば、携帯機器等の電子機器のマザーボード（メインボード、主基板）として機能するものであってもよい。また、配線基板は、複数の電子素子が実装されるものであってもよい。
【０１７３】
また、機能体は、導体により形成されたものであってもよいし、半導体によって形成されたものであってもよい。
【符号の説明】
【０１７４】
１、１Ａ  弾性表面波装置
２  第１の電子素子
２ａ  第１の素子基板
２ｂ  第１の機能体
２ｃ  第１の配線パターン
２ｄ  第１の素子パッド
２ｅ  保護膜
３  第２の電子素子
３ａ  第２の素子基板
３ｂ  第２の機能体
３ｃ  第２の配線パターン
３ｄ  第２の素子パッド
３ｅ  保護膜
４ａ  第１の絶縁層
４ａ１  第１の接続導体
４ｂ  第２の絶縁層
４ｂ１  第２の接続導体
５、５Ａ  配線基板
５ｃ  接続導体層
６  封止樹脂層
６ａ  内部貫通導体
７  接着材層
８  回路パターン
９  切断ライン
１２  外部端子
２０  受信フィルタ
２０ａ、２０ｂ  ＩＤＴ
２０ｂ  反射器
３０  送信フィルタ
３０Ａ  共振子
３０ａ  ＩＤＴ
３０ｂ  反射器
Ｓ  空間
Ｌ  切断線
１ＡＡ  貼合基板
２Ａ、３Ａ  素子母基板
５Ａ  配線母基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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