(57)【要約】【課題】雷サージからの内部回路保護と、通信品質の低下防止をあわせて実現可能な雷サージ対策回路を得ることを目的とする。【解決手段】本発明の雷サージ対策回路は、外部と接続される信号線と、外部と接続されるグラウンド線と、信号線とグラウンド線とのいずれかに雷サージ電圧が進入する場合に、信号線とグラウンド線とを接続状態にするバイパス回路と、信号線と接続され、当該信号線を用いて送受信する信号の処理を行う内部回路と、信号線のバイパス回路との接続点より内部回路側に直列に接続されるコンデンサとを備える。【選択図】          図１
2014230330.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部と接続される信号線と、
外部と接続されるグラウンド線と、
前記信号線と前記グラウンド線とのいずれかに雷サージ電圧が進入する場合に、前記信号線と前記グラウンド線とを接続状態にするバイパス回路と、
前記信号線と接続され、当該信号線を用いて送受信する信号の処理を行う内部回路と、
前記信号線の前記バイパス回路との接続点より前記内部回路側に直列に接続されるコンデンサとを備える雷サージ対策回路。
【請求項２】
前記コンデンサと並列に接続する抵抗を備えること特徴とする請求項１に記載の雷サージ対策回路。
【請求項３】
前記信号線は、一対の第一の信号線と第二の信号線からなり、
前記第一の信号線と前記第二の信号線のそれぞれに直列に接続された前記コンデンサより前記内部回路側において、前記第一の信号線と前記第二の信号線とを接続する双方向型ダイオード
を備えることを特徴とする請求項２に記載の雷サージ対策回路。
【請求項４】
前記コンデンサは、雷の主な周波数において前記外部のインピーダンスより高いインピーダンスを有する
ことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の雷サージ対策回路。
【請求項５】
前記コンデンサの自己共振周波数が、前記信号の伝送に用いる主な周波数である
ことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の雷サージ対策回路。
【請求項６】
前記コンデンサの自己共振周波数が、前記信号の伝送に用いる主な周波数の３次低調波から３次高調波までに含まれる
ことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の雷サージ対策回路。
【請求項７】
前記コンデンサの雷の主な周波数におけるインピーダンスが、前記信号の伝送に用いる主な周波数におけるインピーダンスより高い
ことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の雷サージ対策回路。
【請求項８】
前記コンデンサがチップコンデンサであること
を特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の雷サージ対策回路。
【請求項９】
外部と接続される信号線と、
外部と接続されるグラウンド線と、
前記信号線と前記グラウンド線とのいずれかに雷サージ電圧が進入する場合に、前記信号線と前記グラウンド線とを接続状態にするバイパス回路と、
前記信号線と接続され、当該信号線を用いて送受信する信号の処理を行う内部回路と、
前記信号線の前記バイパス回路との接続点より前記内部回路側に直列に接続されるコンデンサとを有する雷サージ対策回路を基板上に備え、
前記信号線が、前記バイパス回路との接続点より前記外部側のパターンＡと、前記バイパス回路との接続点より前記内部回路側のパターンＢから成り、
前記パターンＡの幅より前記パターンＢの幅が細い
ことを特徴とするプリント基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、雷サージ対策回路、雷サージ対策回路を有するプリント基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
雷サージ対策としては、避雷針などの避雷設備を設けて雷サージ電圧による雷サージ電流を大地（アース）に流すことが一般的である。
【０００３】
雷サージ電流により磁界が発生し、二次的な雷サージ電圧が発生する。また、雲内放電や離れた場所への落雷でも二次的な雷サージ電圧が発生する。二次的な雷サージ電圧は、送電線、通信線などのケーブルを伝導し、ケーブルに接続する装置内に進入する。このような場合の雷サージ対策としては、装置の電位が安定しているフレーム（以降、フレームグラウンドと称する）を予めアース接続し、二次的な雷サージ電圧（以降、雷サージ電圧と称する）による二次的な雷サージ電流（以降、雷サージ電流と称する）をフレームグラウンド経由でアースに流すことが一般的である。
【０００４】
一方、フレームグラウンドを予めアース接続しない装置が存在する。例えば、通信装置がある。フレームグラウンドを予めアース接続しない通信装置の雷サージ対策としては、外部接続する線路と、別の外部接続する線路とをバイパス回路により接続することで、外部から進入した雷サージ電圧による雷サージ電流を外部へ流すことが一般的である。
【０００５】
図１７は、従来の雷サージ対策回路の構成例図である。図１７を用いて雷サージ対策回路を有する従来の回路図について説明する。トランス１７４のコネクタポート（コネクタポートＰａ、コネクタポートＰｂ）側をトランス一次側１７４ｂ、トランス１７４の内部回路１７５側をトランス二次側１７４ａとして説明する。トランス一次側１７４ｂの一方の端子に抵抗１７１ａと抵抗１７２ａとを直列に接続し、他方の端子に抵抗１７１ｂと抵抗１７２ｂとを直列に接続する。抵抗１７１ａと抵抗１７２ａとの接続点と、抵抗１７１ｂと抵抗１７２ｂとの接続点とをサージ保護デバイス１７０ａとサージ保護デバイス１７０ｂとの直列回路にて接続する。また、抵抗１７１ａと抵抗１７２ａとの接続点と、抵抗１７１ｂと抵抗１７２ｂとの接続点とをサージ保護デバイス１７０ｃにて接続する。トランス一次側１７４ｂと抵抗１７２ａとの接続点と、トランス一次側１７４ｂと抵抗１７２ｂとの接続点とを、双方向型ダイオード１７３で接続する。またサージ保護デバイス１７０ａとサージ保護デバイス１７０ｂとの接続点１７６は、アース回路へ接続する。
【０００６】
図１７で示した回路の動作を説明する。雷サージ電圧がコネクタポートＰａから進入した場合、サージ保護デバイス１７０ａ、サージ保護デバイス１７０ｂ、サージ保護デバイス１７０ｃが動作を開始する前は、低電圧で動作する双方向型ダイオード１７３が動作を開始する。これにより、トランス１７４にかかる電圧を低電圧でクリップしてトランス１７４及び内部回路１７５を保護する。双方向型ダイオード１７３として、低電流容量のダイオードを選択可能となるよう、抵抗１７１ａ、抵抗１７１ｂ、抵抗１７２ａ、抵抗１７２ｂによって双方向型ダイオード１７３に流れる電流量を制限する。次にサージ保護デバイス１７０ａとサージ保護デバイス１７０ｂとの両端電圧がサージ保護デバイスのインパルス放電開始電圧に到達し、サージ保護デバイス１７０ａとサージ保護デバイス１７０ｂとの動作が開始した後は、雷サージ電流は接続点１７６ａ、接続点１７６ｂからアース回路へと流れる。雷サージ電流をアース回路へ流すことにより、トランス１７４にかかる電圧を低電圧でクリップしてトランス１７４及び内部回路１７５を保護する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−０７７４５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来技術では、内部回路側に流れ込む電流容量を抑制するために、信号線に直列に接続する抵抗の抵抗値を大きくしていた。信号線に直列に接続する抵抗の抵抗値を大きくすると、信号線を伝送する信号の振幅が減衰し通信品質が低下する問題がある。この発明は上記のような問題を解決する雷サージ対策回路を得ることを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
雷サージ対策回路であって、外部と接続される信号線と、外部と接続されるグラウンド線と、信号線とグラウンド線とのいずれかに雷サージ電圧が進入する場合に、信号線とグラウンド線とを接続状態にするバイパス回路と、信号線と接続され、当該信号線を用いて送受信する信号の処理を行う内部回路と、信号線のバイパス回路との接続点より内部回路側に直列に接続されるコンデンサとを備える。
【発明の効果】
【００１０】
インピーダンスが周波数によって変化するコンデンサを、信号線に直列に接続することで、信号線のインピーダンスを調整することができる。信号線のインピーダンスを、雷の主な周波数では高いインピーダンスとし、信号伝送に用いる主な周波数では低いインピーダンスに調整可能となる。信号伝送に用いる主な周波数では、信号線のインピーダンスを低いインピーダンスに調整可能なことから、信号の振幅が信号線のインピーダンスによる減衰を低減することができる。また、雷の主な周波数では、信号線のインピーダンスを高いインピーダンスに調整可能なことから、内部回路側への雷サージの影響を防ぐことができる。これにより、雷サージからの内部回路保護と、通信品質の低下防止をあわせて実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施の形態１におけるプリント基板の回路図である。
【図２】雷サージ保護基本回路にグラウンド線１７から雷サージ電圧が進入した場合の電流経路図である。
【図３】雷サージ保護基本回路１１にグラウンド線１７から雷サージ電圧が進入した場合の、接続点８０における電圧・電流の応答波形である。
【図４】雷サージ保護基本回路１１に信号線から雷サージ電圧が進入した場合の電流経路図である。
【図５】雷サージ保護基本回路１１に信号線から雷サージ電圧が進入した場合の、接続点８０における電圧・電流の応答波形である。
【図６】雷サージ保護基本回路１１、雷サージ保護基本回路１２にグラウンド線１７から雷サージ電圧が進入した場合の接続点８０における電圧の応答波形である。
【図７】Ｔ５でのトランス一次側６ｂ、雷サージ保護基本回路１１、雷サージ保護基本回路１２の等価回路である。
【図８】Ｔ６でのトランス一次側６ｂ、雷サージ保護基本回路１１、雷サージ保護基本回路１２の等価回路である。
【図９】Ｔ７でのトランス一次側６ｂ、雷サージ保護基本回路１１、雷サージ保護基本回路１２の等価回路である。
【図１０】一般的なコンデンサのインピーダンスの周波数特性図である。
【図１１】実施の形態１によるアイパターン解析結果を示す図である。
【図１２】図１の回路図を実装したプリント基板のＣ面を上から見た図である。
【図１３】図１２の１２３線断面図である。
【図１４】実施形態３におけるプリント基板の回路図である。
【図１５】実施の形態３によるアイパターン解析結果を示す図である。
【図１６】実施形態４におけるプリント基板の回路図である。
【図１７】従来の雷サージ対策回路の構成例図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施形態１におけるプリント基板の回路図である。図１を用いて、通信装置におけるプリント基板の雷サージ対策回路について説明する。３ａ、３ｂは外部信号線を接続するためのポート、２ｃは外部電源線（図１では図示省略）のグラウンド線を接続するためのグラウンドポート、２ｄは外部電源線の電源線を接続するための電源ポート（Ｖｃｃポート）を示す。例えば外部信号線は、差動通信線である。Ｖｃｃポート２ｄはプリント基板１に電源を供給している。プリント基板１には３ａ、３ｂ用の信号線用コネクタ３と、２ｃ、２ｄ用の電源線用コネクタ２とが実装されている。
【００１３】
ポート３ａ、３ｂは信号線用コネクタ３を介して、プリント基板１上のコネクタポート４ａ、コネクタポート４ｂにそれぞれ接続する。コネクタポート４ａは、基板上の第一の信号線１３と接続される。第一の信号線１３は、コネクタポート４ａとトランス一次側６ｂとを接続する。
コネクタポート４ｂは、基板上の第二の信号線１４と接続される。第二の信号線１４は、コネクタポート４ｂとトランス一次側６ｂとを接続する。
ポート２ｃは電源線用コネクタ２を介して、基板上のグラウンド線１７（以降、グラウンド線と称する）と接続される。グラウンド線１７は、シグナルグラウンドなどである。
ポート２ｄは電源線用コネクタ２を介して、基板上の電源供給線１８と接続される。電源供給線１８は、外部電源線から供給された電源をプリント基板１上の各部に供給する。
【００１４】
内部回路５は、第一の信号線１３と第二の信号線１４を用いて送受信する信号の処理を行う集積回路を含み構成する。
【００１５】
トランス６は、Ｖｃｃポート２ｄから供給される電源の電圧を、内部回路５で使用する電圧に変換する。トランス６のトランス二次側６ａは、内部回路５と接続する。トランス６の内部回路５と接続しない側をトランス一次側６ｂと称する。例えばトランス６は、パルストランスである。
【００１６】
サージ保護デバイス７ａとサージ保護デバイス７ｂとの直列回路により、第一の信号線１３と第二の信号線１４とを接続する。サージ保護デバイスとは、雷サージ電圧や雷サージ電流から、雷サージ保護対象回路を保護する目的で使用する電子部品（素子）である。本発明における雷サージ保護対象回路は、内部回路５となる。サージ保護デバイスは、例えば部品端電圧が閾値未満の場合に部品端を接続せず、部品端の電圧が閾値以上の場合に部品端を接続するような電子部品である。閾値は、インパルス放電開始電圧と称されることもある。サージ保護デバイスの具体例としては、ＳＰＤ（Surge Protective Device）などがある。ＳＰＤは、過渡的な電圧（サージ電圧）を印加していない場合は高インピーダンスであるが、サージ電圧に応答して瞬時にインピーダンスが低くなる電圧スイッチング形ＳＰＤ、サージ電圧を印加していない場合は、高インピーダンスであるが、サージ電流及びサージ電圧が増加するに従い連続的にインピーダンスが低くなる電圧制限形ＳＰＤなどがある。
【００１７】
サージ保護デバイス７ａとサージ保護デバイス７ｂの接続点を８０とする。サージ保護デバイス７ａと第一の信号線１３との接続点を８１ａとする。サージ保護デバイス７ｂと第二の信号線１４との接続点を８１ｂとする。
【００１８】
バイパスパターン９は、接続点８０とグラウンドポート２ｃ、あるいはグラウンド線１７とを接続する。バイパスパターン９は、プリント基板のシグナルグラウンド（ベタグラウンド）であってもよい。
【００１９】
バイパス回路１６は、信号線（第一の信号線１３、第二の信号線１４）とグラウンド線１７とのいずれかに雷サージ電圧が進入した場合に、信号線とグラウンド線とを接続状態にする回路である。バイパス回路１６は、例えば、サージ保護デバイス７ａとサージ保護デバイス７ｂとバイパスパターン９とを含み構成する。バイパス回路１６は、第一の信号線１３に雷サージ電圧が進入し、サージ保護デバイス７ａの部品端が接続する場合に、第一の信号線１３とグラウンド線１７とを接続する経路である。また、第二の信号線１４に雷サージ電圧が進入し、サージ保護デバイス７ｂの部品端が接続する場合に、第二の信号線１４とグラウンド線１７とを接続する経路である。また、グラウンド線１７に雷サージ電圧が進入し、サージ保護デバイス７ａの部品端が接続し、サージ保護デバイス７ｂの部品端が接続する場合に、第一の信号線１３と第二の信号線１４とグラウンド線１７とを接続する経路である。
【００２０】
第一のコンデンサ１０ａは、接続点８１ａより内部回路５側であって、第一の信号線１３に直列に接続する。第一のコンデンサ１０ａは、接続点８１ａ近傍に接続する。コネクタポート４ａからトランス一次側６ｂまでの第一の信号線１３上にコンデンサ１０ａを接続する。
【００２１】
第二のコンデンサ１０ｂは、接続点８１ｂより内部回路５側であって、第二の信号線１４に直列に接続する。第二のコンデンサ１０ｂは、接続点８１ｂ近傍に接続する。コネクタポート４ｂからトランス一次側６ｂまでの第二の信号線１４上に直列にコンデンサ１０ｂを接続する。
【００２２】
トランス一次側６ｂと第一のコンデンサ１０ａの接続点を接続点８２ａとする。トランス一次側６ｂと第二のコンデンサ１０ｂの接続点を接続点８２ｂとする。
【００２３】
雷サージ保護基本回路１１（図２（ａ）にて図示）は、例えば、コンデンサ１０ａとサージ保護デバイス７ａを含み構成する。雷サージ保護基本回路１２（図２（ｂ）にて図示）は、コンデンサ１０ｂとサージ保護デバイス７ｂを含み構成する。
雷サージ対策回路は、雷サージ保護基本回路１１と雷サージ保護基本回路１２とバイパス回路１６とを含み構成する。
【００２４】
次に動作について雷サージ保護基本回路１１を用いて説明する。雷サージ保護基本回路１２の動作は、雷サージ保護基本回路１１の動作と同様であるので、説明を省略する。
まず、グラウンド線１７から雷サージ電圧が進入した場合の動作について図１、図２、図３を用いて説明する。図２（ａ）は、グラウンド線１７から雷サージ電圧が進入した場合の電流経路図である。図２（ｂ）は、雷サージ保護基本回路１２にグラウンド線１７から雷サージ電圧が進入した場合の電流経路図である。図３（ａ）は、グラウンド線１７から雷サージ電圧が進入した場合の、接続点８０における電圧の応答波形である。図３（ｂ）は、グラウンド線１７から雷サージ電圧が進入した場合の、接続点８０における電流の応答波形である。
【００２５】
図２では、接続点８０から接続点８１ａへ流れる電流をＩ１ａ、接続点８１ａから接続点８２ａへ流れる電流をＩ１２ａ、接続点８１ａからコネクタポート４ａへ流れる電流をＩ１１ａとして説明する。図３では、接続点８０の電圧をＶ１０ａ、サージ保護デバイス７ａのインパルス放電開始電圧をＶｔｈ、雷サージ電圧が接続点８０に進入を開始した時間をｔ１、サージ保護デバイス７ａが放電を開始した時間をｔ２、ｔ１からｔ２までをＴ１、ｔ２からＶ１０ａが正常値（雷サージ電圧が接続点８０に進入する前の値）となるまでをＴ２として説明する。
【００２６】
グラウンド線１７から進入した雷サージ電圧は、プリント基板１上のバイパスパターン９を経由して接続点８０に進入する。接続点８０の電圧であるＶ１０ａがサージ保護デバイス７ａのインパルス放電開始電圧Ｖｔｈを超えるまでは、接続点８０から接続点８１ａへ電流（Ｉ１ａ）は流れない、あるいはほとんど流れない。よって、Ｔ１では接続点８０の電圧Ｖ１０ａは上昇する。
【００２７】
Ｖ１０ａがＶｔｈに到達した後、つまりサージ保護デバイス７ａの部品端電圧がＶｔｈに到達するＴ２では、接続点８０と接続点８１ａの間は接続状態（短絡状態、ショート状態）となる。これにより、電流Ｉ１ａが流れ、Ｖ１０ａは下降する。
【００２８】
接続点８１ａで電流Ｉ１ａは分流する。一般的に、コネクタポート４ａは低インピーダンスである。ここで、後述するように、雷の主な周波数においてコンデンサ１０ａのインピーダンスが、コネクタポート４ａのインピーダンスより高くなるようにコンデンサ１０ａを選択している場合、高インピーダンスのコンデンサ１０ａ方向の電流Ｉ１２ａは、低インピーダンスのコネクタポート４ａ方向の電流Ｉ１１ａと比較して小さくなる。よって、電流Ｉ１ａは、主に電流Ｉ１１ａへ分流しコネクタポート４ａを経由してポート３ａへ流れる。グラウンド線１７から進入した雷サージ電流は、主にポート３ａへ流れる。つまり、雷の主な周波数においてコンデンサ１０ａのインピーダンスを高くすることで、トランス一次側６ｂに電流が流れるのを抑制し、トランス二次側６ａに接続している内部回路５内の一般的に低耐圧部品である集積回路などの故障を防ぐことが可能となる。
【００２９】
次に、信号線から雷サージ電圧が進入した場合の動作について図１、図４、図５を用いて説明する。図４は、信号線から雷サージ電圧が進入した場合の電流経路図である。図５（ａ）は、信号線から雷サージ電圧が進入した場合の、コネクタポート４ａにおける電圧の応答波形である。図５（ｂ）は、信号線から雷サージ電圧が進入した場合の、コネクタポート４ａにおける電流の応答波形である。
【００３０】
図４では、コネクタポート４ａから接続点８１ａへ流れる電流をＩ２ａ、接続点８１ａから接続点８２ａへ流れる電流をＩ２２ａ、接続点８１ａから接続点８０へ流れる電流をＩ２０ａとして説明する。図５では、コネクタポート４ａの電圧をＶ２０ａ、サージ保護デバイス７ａのインパルス放電開始電圧をＶｔｈ、雷サージ電圧がコネクタポート４ａに進入を開始した時間をｔ３、サージ保護デバイス７ａが放電を開始した時間をｔ４、ｔ３からｔ４までをＴ３、ｔ４からＶ２０ａが正常値（雷サージ電圧がコネクタポート４ａに進入する前の値）となるまでをＴ４として説明する。
【００３１】
信号線から進入した雷サージ電圧は、信号線のポート３ａからコネクタポート４ａに進入する。コネクタポート４ａの電圧であるＶ２０ａがサージ保護デバイス７ａのインパルス放電開始電圧Ｖｔｈを超えるまでは、接続点８１ａから接続点８０へ電流（Ｉ２０ａ）は流れない、あるいはほとんど流れない。後述するように、雷の主な周波数においてコンデンサ１０ａのインピーダンスが十分高くなるようにコンデンサ１０ａを選択している場合、高インピーダンスのコンデンサ１０ａ方向の電流Ｉ２２ａは、ほとんど流れない。よって、Ｔ３ではコネクタポート４ａの電圧Ｖ２０ａは上昇する。
【００３２】
Ｖ２０ａがＶｔｈに到達した後、つまりサージ保護デバイス７ａの部品端電圧がＶｔｈに到達し、Ｔ４では、接続点８１ａと接続点８０の間は接続状態となる。電流Ｉ２０ａが流れ、Ｖ２０ａは下降する。
【００３３】
接続点８１ａで電流Ｉ２ａは分流する。一般的に、グラウンド線１７、バイパスパターン９は低インピーダンスである。コンデンサ１０ａのインピーダンスは十分に高く選択しているので、高インピーダンスのコンデンサ１０ａ方向の電流Ｉ２２ａは、低インピーダンスのグラウンド線１７、バイパスパターン９方向（接続点８０方向）の電流Ｉ２０ａと比較して小さくなる。よって、電流Ｉ２ａは、主に電流Ｉ２０ａへ分流し、接続点８０、グラウンド線１７、バイパスパターン９を経由して電源線のグラウンドポート２ｃへ流れる。信号線から進入した雷サージ電流は、主にグラウンドポート２ｃへ流れる。つまり、雷の主な周波数におけるコンデンサ１０ａのインピーダンスを高くすることで、トランス一次側６ｂに電流が流れるのを抑制し、トランス二次側６ａに接続している内部回路５内の一般的に低耐圧部品である集積回路などの故障を防ぐことが可能となる。
【００３４】
上記では、雷サージ保護基本回路１１を用いて動作について説明した。次に差動通信線における雷サージ保護基本回路１１と雷サージ保護基本回路１２とを組み合わせた場合の動作について説明する。例えば、サージ保護デバイスにガス入り放電管を利用した場合を考える。ガス入り放電管は、気体電離作用を利用しているため、インパルス放電開始電圧が同じでも放電現象が発生するまでの時間に個体差（一般的に数ｎｓ）が生じる。サージ保護デバイス７ａとサージ保護デバイス７ｂとの動作開始時間、つまりインパルス放電開始時間差を考慮する必要がある。
【００３５】
以降、先に動作するサージ保護デバイスをサージ保護デバイス７ａ、後に動作するサージ保護デバイスをサージ保護デバイス７ｂとして説明する。グラウンド線１７から雷サージ電圧が進入した場合の動作について図１、図６、図７、図８、図９を用いて説明する。
【００３６】
図６は、雷サージ保護基本回路１１、雷サージ保護基本回路１２にグラウンド線１７から雷サージ電圧が進入した場合の、接続点８０における電圧の応答波形である。図６では、接続点８０の電圧をＶ１０ａｂ、サージ保護デバイス７ａとサージ保護デバイス７ｂとのインパルス放電開始電圧をＶｔｈ、雷サージ電圧が接続点８０に進入を開始した時間をｔ５、サージ保護デバイス７ａが放電を開始した時間をｔ６、ｔ５からｔ６までをＴ５、サージ保護デバイス７ｂが放電を開始した時間をｔ７、ｔ６からｔ７までをＴ６、ｔ７からＶ１０ａｂが正常値（雷サージ電圧が接続点８０に進入する前の値）となるまでをＴ７として説明する。
【００３７】
図７は、Ｔ５でのトランス一次側６ｂ、雷サージ保護基本回路１１、雷サージ保護基本回路１２の等価回路である。図７では、コネクタポート４ａと接続点８１ａの間のパターン寄生抵抗をＲｐａ、コネクタポート４ｂと接続点８１ｂの間のパターン寄生抵抗をＲｐｂ、トランス一次側６ｂのインダクタンスをＬ６、コンデンサ１０ａとコンデンサ１０ｂとの静電容量をＣ１０とする。また雷サージが接続点８０から進入する場合、コネクタポート４ａとコネクタポート４ｂはアース回路（図１では図示省略）にバイパスされるとする。Ｔ５では、接続点８１ａと接続点８０間、および接続点８１ｂと接続点８０間はオープン状態であるため、電流は流れない。よって、Ｔ５では接続点８０の電圧Ｖ１０ａは上昇する。
【００３８】
図８は、Ｔ６でのトランス一次側６ｂ、雷サージ保護基本回路１１、雷サージ保護基本回路１２の等価回路である。図８では、接続点８０から接続点８１ａへ流れる電流をＩ１ａ、接続点８１ａからコンデンサ１０ａへ流れる電流をＩ１２ａ、接続点８１ａからコネクタポート４ａへ流れる電流をＩ１１ａとして説明する。
【００３９】
Ｖ１０ａｂがＶｔｈに到達にてサージ保護デバイス７ａとサージ保護デバイス７ｂとの部品端電圧がＶｔｈに到達する。但し、Ｔ６間は、インパルス放電開始時間のずれからサージ保護デバイス７ａのみが動作し、接続点８０と接続点８１ａの間が接続状態となる。電流Ｉ１ａが流れ、Ｖ１０ａは下降する。接続点８１ａで電流Ｉ１ａは、電流Ｉ１２ａと電流Ｉ１１ａに分流する。一般的に、コネクタポート４ａは低インピーダンスである。後述するように、雷の主な周波数においてコンデンサ１０ａのインピーダンスが、コネクタポート４ａ方向のインピーダンス（パターン寄生抵抗Ｒｐａを含む）より高くなるようにコンデンサ１０ａを選択している場合、高インピーダンスのコンデンサ１０ａ方向の電流Ｉ１２ａは、低インピーダンスのコネクタポート４ａ方向の電流Ｉ１１ａと比較して小さくなる。よって、電流Ｉ１ａは、主に電流Ｉ１１ａへ分流しコネクタポート４ａを経由してポート３ａへ流れる。グラウンド線１７から進入した雷サージ電流は、主にポート３ａへ流れる。つまり、雷の主な周波数においてコンデンサ１０ａのインピーダンスを高くすることで、トランス一次側６ｂに電流が流れるのを抑制し、トランス二次側６ａに接続している内部回路５内の一般的に低耐圧部品である集積回路などの故障を防ぐことが可能となる。
【００４０】
図９は、Ｔ７でのトランス一次側６ｂ、雷サージ保護基本回路１１、雷サージ保護基本回路１２の等価回路である。図９では、接続点８０から接続点８１ａへ流れる電流をＩ１ａ、接続点８１ａからコネクタポート４ａへ流れる電流をＩ１１ａ、接続点８０から接続点８１ｂへ流れる電流をＩ１ｂ、接続点８１ｂからコネクタポート４ｂへ流れる電流をＩ１１ｂとして説明する。
【００４１】
ｔ７でサージ保護デバイス７ｂが動作し、Ｔ７間では、接続点８０と接続点８１ａの間、接続点８０と接続点８１ｂの間は接続状態となる。電流Ｉ１ａ、電流Ｉ１ｂが流れ、Ｖ１０ａは下降する。このとき、接続点８１ａと接続点８１ｂは同電位となるため、コンデンサ１０ａ、コンデンサ１０ｂ、トランス一次側６ｂに電流は流れず、電流Ｉ１ａは電流Ｉ１１ａへ、電流Ｉ１ｂは電流Ｉ１１ｂへ流れる。グラウンド線１７から進入した雷サージ電流は、主にポート３ａ、ポート３ｂへ流れる。つまり、トランス一次側６ｂに電流が流れるのを抑制し、トランス二次側６ａに接続している内部回路５内の一般的に低耐圧部品である集積回路などの故障を防ぐことが可能となる。
【００４２】
次に雷サージ対策回路を構成する部品の具体的な選択方法例について開示する。
【００４３】
サージ保護デバイス７ａ、サージ保護デバイス７ｂの選択方法について開示する。サージ保護デバイス７ａ、サージ保護デバイス７ｂは、静電容量が小さい部品を選択するとよい。静電容量が小さいほど、部品を伝導して信号線から漏洩する電流が小さくなる。よって、通品品質が低下しないとの効果を得ることが出来る。サージ保護デバイス７ａ、サージ保護デバイス７ｂに大きなサージ電流が流れる場合は、耐電流容量が大きいガス入り放電管などを使用したサージ保護デバイスを選択するとよい。
【００４４】
コンデンサ１０ａ、コンデンサ１０ｂの選択方法について開示する。コンデンサ１０ａ、コンデンサ１０ｂは、雷の主な周波数において、外部側のインピーダンスより高くなるコンデンサを選択する。外部側のインピーダンスとは、例えば、ポート３ａのインピーダンス、ポート３ｂのインピーダンス、バイパスパターン９のインピーダンスである。
図１０は、一般的なコンデンサのインピーダンスの周波数特性図である。図１０において、自己共振周波数ｆより低い周波数帯域１０１ではコンデンサのインピーダンスは、１／ωＣとなり、自己共振周波数より高い周波数帯域１０２ではコンデンサのインピーダンスは、ωＬとなる。ここで、Ｃはコンデンサの静電容量、Ｌはコンデンサのインダクタンス成分を示す。自己共振周波数は式（１）に示すとおりＣ、Ｌに依存する。
【００４５】
【数１】
2014230330.tif 000003
【００４６】
コンデンサは、抵抗などと異なり周波数によってインピーダンスが変化する素子である。このコンデンサのインピーダンスが周波数によって変化する性質を用いたコンデンサ１０ａ、コンデンサ１０ｂの選択方法の具体例を（１）〜（４）の４つ以下開示する。コンデンサのインピーダンスが自己共振周波数にて最も低いインピーダンスとなる性質を用いたコンデンサ１０ａ、コンデンサ１０ｂの選択方法の具体例を以下（１）〜（４）の４つ開示する。
（１）自己共振周波数が、信号伝送の主な周波数成分となるコンデンサを選択する。主な周波数成分とは、キャリア周波数、メイン周波数である。
（２）自己共振周波数が、信号伝送の主な周波数成分の３次低調波ｆ/3から３次高調波３ｆまでの周波数帯域に含まれるコンデンサを選択する。
（３）雷サージの主な周波数成分（例えば１ＭＨｚ）以下の帯域では高いインピーダンスを持ち、信号伝送の使用周波数帯域では低いインピーダンスとなるコンデンサを選択する。雷サージの主な周波数成分（例えば１ＭＨｚ）以下の帯域でのインピーダンスと、信号伝送の使用周波数帯域でのインピーダンスを比較した場合、信号伝送の使用周波数帯域でのインピーダンスが小さくなるコンデンサを選択する。具体例としては、雷サージの主な周波数成分である１ＭＨｚ以下までは１０Ω以上のインピーダンスを持ち，信号伝送の使用周波数帯域を１０ＭＨｚ以上とした場合、周波数１０ＭＨｚ以上でのインピーダンスが１Ω以下のコンデンサを選択するなどがよい。
（４）上記（１）〜（３）の組合せ。
【００４７】
雷サージの主な周波数成分にて高インピーダンスであれば、雷サージ電流がコンデンサ１０ａ、コンデンサ１０ｂ側へ流れ込むのを防ぐことができる。また、信号伝送の使用周波数帯域にて低いインピーダンスであれば、信号の振幅が減衰することなく、通信品質に悪影響をあたえないとの効果を得ることができる。これは、抵抗などと異なり周波数によってインピーダンスが変化するコンデンサを雷サージ対策回路に用いることにより得られる効果である。
【００４８】
例えば、通信速度１Gｂｐｓの信号伝送に用いられる主な周波数成分ｆが５００ＭＨｚである、ギガビットイーサネット（登録商標）の規格の１つである１０００ＢＡＳＥ−ＴＸに準拠するシステムについて検討する。自己共振周波数が、信号伝送に用いられる主な周波数成分ｆの３次低調波ｆ／３から３次高調波３ｆまでの周波数帯域である、１６７ＭＨｚ〜１５００ＭＨｚに含まれるコンデンサを選択する。例えば容量１５ｎＦ、インダクタンス成分０．０４ｎＨのコンデンサでは、自己共振周波数が２０５ＭＨｚとなり自己共振周波数が、信号伝送に用いられる周波数帯域（例えば、３次低調波ｆ／３から３次高調波３ｆまでの周波数帯域）に含まれる。容量１５ｎＦのコンデンサ、インダクタンス成分０．０４ｎＨのコンデンサは、１００５サイズ（１．０ｍｍ×０．５mm）のチップコンデンサが存在する。チップコンデンサを用いることで、プリント基板上の実装面積を小さくできるとの効果を得ることができる。例えば、容量１５ｎＦの１００５サイズ（１．０ｍｍ×０．５mm）のチップコンデンサでは、周波数１ＭＨｚ以下でインピーダンスは１０Ω以上となり、信号伝送に用いられる周波数２０５ＭＨｚでインピーダンスは０．０５Ωとなる。
【００４９】
また、信号線から雷サージが進入してくる場合、サージ保護デバイス７ａが動作開始するまで、接続点８１ａの電圧は上昇する。よって、コンデンサ１０ａ、コンデンサ１０ｂとしては、サージ保護デバイス７ａのインパルス放電開始電圧をＶｔｈよりも耐圧が大きい部品を選択する。これにより、コンデンサ１０ａ、コンデンサ１０ｂが雷サージ電圧により破損することを防ぐことができる。
【００５０】
プリント基板上のパターンには寄生抵抗が存在する。寄生抵抗は、以下のように選択する。電流Ｉ１２ａが流れる可能性がある図８の場合を考える。電流Ｉ１２ａの関係式を式（２）に示す。
【００５１】
【数２】
2014230330.tif 000004
【００５２】
例えば、Ｃ１０を１５ｎＦ、Ｌ６が０．６６ｎＨとした場合を考える。雷サージによる電流Ｉ１ａに対して電流Ｉ１２ａを１００分の１以下とする場合、寄生抵抗Ｒｐａ、Ｒｐｂは１Ω以下となる。電流Ｉ１ａに対して電流Ｉ１２ａが１００分の１以下であるので、電流Ｉ１ａは、主に電流Ｉ１１ａへ分流しコネクタポート４ａを経由してポート３ａへ流れる。つまり、トランス一次側６ｂに電流が流れるのを抑制し、トランス二次側６ａに接続している内部回路５内の一般的に低耐圧部品である集積回路などの故障を防ぐことが可能となる。
【００５３】
さらに、通信品質が満たされているか否かを確認する方法としてアイパターン解析がある。アイパターンとは、信号波形の遷移を多数サンプリングし、重ね合わせてグラフ化したものである。波形が同じ位置で重なっているほど、品質の良い信号波形となる。つまり中央の空き部分が大きいほど受信信号の符号識別余裕度が大きい。受信デバイスによって定められた中央の空き部分の限界値をアイマスクといい、アイパターンがアイマスクに重なると、受信デバイスでの受信性能を満たさないことになる。
【００５４】
図１１は、ギガビットイーサネット（登録商標）の規格の１つである１０００ＢＡＳＥ−ＴＸにおけるメイン周波数１２５ＭＨｚ、符号化方式を４Ｄ−ＰＡＭ５とした場合のアイパターン解析結果を示す図である。図１１（ａ）はコンデンサ１０ａ（容量１５ｎＦ）、コンデンサ１０ｂ（容量１５ｎＦ）を接続した場合、図１１（ｂ）はコンデンサを接続しない場合のアイパターン解析結果である。図１１より、アイパターンの中央部分の大きさは、図１１（ａ）と図１１（ｂ）が、ほぼ同等であることがわかる。また、アイマスク１１１と重なっていないことから、受信信号が受信デバイスでの受信性能を満たしていることもわかる。このように最適なコンデンサの容量を選択することによって、通信品質についても確保できる。
【００５５】
以上説明したように、本実施の形態では、以下効果を得ることができる。信号線に直列に、インピーダンスが周波数によって変化するコンデンサを接続することで、信号線のインピーダンスを調整することができる。これにより、信号線のインピーダンスを、信号伝送に用いる主な周波数、信号伝送の使用周波数帯域では低いインピーダンスとし、雷サージの主な周波数成分にて高インピーダンスとすることができる。よって、雷サージからの内部回路保護と、通信品質の低下防止をあわせて実現することができる。
【００５６】
本実施の形態の従来技術である図１７と比較した効果を以下にて具体的に説明する。例えば接続点１７６ｃへ雷サージ電圧が進入する場合を考える。サージ保護デバイス１７０ｂの動作開始により、接続点１７６ｃから接続点１７６ｂへ電流Ｉ０が流れる。接続点１７６ｂで電流Ｉ０は、ＩａとＩｂに分流する。接続点１７６ｂから見てポートＰｂ側は電流制限用の抵抗１７１ｂにより、高インピーダンスとなる。よって、電流Ｉｂは小さくなる。これにより、本来電流を流したくないパルストランス一次側１７４ｂに電流Ｉａが流れ込む。つまり、雷サージがグラウンド線１７から進入した場合、外部と接続されるグラウンド線から外部と接続される信号線へのバイパス回路に直列に抵抗を接続しているため、電流の分流法則によって本来電流を流したくないパルストランス一次側に電流が流れ込むとの課題がある。パルストランス一次側に電流が流れ込むことで、パルストランス二次側に接続している内部回路１７５内の一般的に低耐圧部品である集積回路などが故障する可能性がある。これに対して本発明では、信号線に直列にコンデンサを接続することで、該コンデンサを雷サージの主な周波数成分にて高インピーダンスとすることで、雷サージ電流が内部回路側へ流れ込むのを防ぐことができる。
【００５７】
また、従来技術である図１７の回路では、雷サージ電流経路の直列抵抗は、通常のチップ部品では耐電流容量が足りずに破損するため、耐電流容量の大きいセメント抵抗など大型部品を使用する必要があった。よってプリント回路板上の実装面積が大きくなる課題があった。一方、本発明では上記の通り、チップ部品を用いて雷サージ保護対象回路を雷サージから保護することが可能となるので、プリント基板上の実装面積を小さくすることができ、装置全体のサイズダウンを可能にするとの効果を得ることができる。
【００５８】
実施の形態２．
本実施の形態２では、実施の形態１を実現するためのプリント基板の構造について開示する。図１２は、図１の回路図を実装したプリント基板のＣ面（部品が実装される面、部品実装面）を上から見た図である。図１と同一の符号に関しては共通する説明を省略する。サージ保護デバイス７ａ、サージ保護デバイス７ｂ、コンデンサ１０ａ、コンデンサ１０ｂ、トランス６、信号線用コネクタ３、電源線用コネクタ２が実装されている。バイパスパターン９は、サージ保護デバイス７ａ側とサージ保護デバイス７ｂ側に分かれている。分かれているバイパスパターン９は、スルーホール１２１とスルーホール１２２とによって内層配線で接続されている。
【００５９】
実施の形態１にて説明した通り、進入した雷サージ電圧による雷サージ電流の経路は、バイパス回路１６（バイパスパターン９、接続点８０、サージ保護デバイス７ａ、サージ保護デバイス７ｂ、接続点８１ａ、接続点８１ｂ）とコネクタポート４ａ、コネクタポート４ｂである（図１に太線で図示）。コネクタポート４ａと接続点８１ａ間、コネクタポート４ｂと接続点８１ｂ間の信号パターンについて太くする。これにより、雷サージ電流によるジュール熱によってパターンが損傷しないとの効果を得ることができる。
【００６０】
第一の信号線１３とバイパス回路１６との接続点８１ａより外部側（信号線用コネクタ３側）のパターンをＡとし、第一の信号線１３とバイパス回路１６との接続点８１ａより内部回路５側のパターンをＢとすれば、パターンＢの幅をパターンＡの幅より細くする。同様に、第二の信号線１４とバイパス回路１６との接続点８１ｂより外部側（信号線用コネクタ３側）のパターンをＡとし、第二の信号線１４とバイパス回路１６との接続点８１ｂより内部回路５側のパターンをＢとすれば、パターンＢの幅をパターンＡの幅より細くする。
【００６１】
図１３は、図１２の１２３線断面図である。差動インピーダンス１００Ωの信号パターンは、基材の誘電率を４．０、導体を銅とする構造で、導体幅Ｗを１．５ｍｍ、間隙Ｓを０．５ｍｍ、導体厚Ｔを０．０３５ｍｍ、層間厚Ｈを１．６ｍｍで設計が可能である。これにより、例えば、最大１ｋＡの電流が流れるときに必要な導体幅が１ｍｍ以上を確保することができる。
【００６２】
コンデンサ１０ａと接続点８１ａ間の信号パターンを、雷サージ電流の経路と比較して細くする。コンデンサ１０ａと接続点８１ａ間の信号パターンを、接続点８１ａとコネクタポート４ａ間の信号パターンと比較して細くする。コンデンサ１０ｂと接続点８１ｂ間の信号パターンを、雷サージ電流の経路と比較して細くする。コンデンサ１０ｂと接続点８１ｂ間の信号パターンを、接続点８１ｂとコネクタポート４ｂ間の信号パターンと比較して細くする。
【００６３】
コンデンサ１０ａとサージ保護デバイス７ａ間の信号パターンを、サージ保護デバイス７ａとコネクタポート４ａ間の信号パターンと比較して細くする。コンデンサ１０ｂとサージ保護デバイス７ｂ間の信号パターンを、サージ保護デバイス７ｂとコネクタポート４ｂ間の信号パターンと比較して細くする。
【００６４】
例えば、図１３の構造におけるコネクタポート４ａと接続点８１ａ間の寄生抵抗Ｒｐａ、コネクタポート４ｂと接続点８１ｂの寄生抵抗Ｒｐｂはパターン長１０ｍｍで約３．３ｍΩとなる。実施の形態１のＴ６（図６、図８）での接続点８１ａからコンデンサ１０ａへ流れる電流Ｉ１２ａは、Ｃ１０を１５ｎＦ、Ｌ６を０．６６ｎＨとすると、電流Ｉ１ａの千分の一となる。このように接続点８１ｂとコンデンサ１０ｂ間の信号パターンを、雷サージ電流の経路と比較して細くすることで、雷サージ電流経路の寄生抵抗（インピーダンス）を小さくすることができ、トランス一次側に流れ込む電流量を抑制できる。
【００６５】
以上説明したように、本実施の形態では、以下効果を得ることができる。
雷サージ電流の経路の信号パターンを太くすることで、雷サージ電流のジュール熱によるパターンの損傷を防止することができる。これによりプリント基板を搭載した機器の品質向上との効果を得ることが出来る。
【００６６】
また、雷サージ電流経路の導体幅を太くすることで、雷サージ電流経路の寄生抵抗（インピーダンス）を小さくすることができる。これにより、雷サージ電流が雷サージ保護対象回路側へ流れ込むのを防ぐことができる。よって、雷サージ保護対象回路を雷サージから保護することが可能となる。
【００６７】
実施の形態３．
図１４は、本発明の実施形態３におけるプリント基板の回路図である。図１と同一の符号に関しては共通する説明を省略する。コンデンサ１０ａに並行に抵抗１４１ａ、コンデンサ１０ｂに並行に抵抗１４１ｂを接続する。
【００６８】
次に動作について説明する。雷サージが進入し、サージ保護デバイス７ａ、雷サージ保護デバイス７ｂが動作を開始する過渡期間（例えば図６のＴ６間）においては、少量ではあるが、コンデンサ１０ａ、コンデンサ１０ｂ側にも雷サージ電流が流れる（例えば図８のＩ１２ａ）。コンデンサ１０ａ側に流れた雷サージ電流は、第一の抵抗１４１ａを経由してトランス一次側へ流れる。コンデンサ１０ｂ側に流れた雷サージ電流は、第二の抵抗１４１ｂを経由してトランス一次側へ流れる。
【００６９】
抵抗１４１ａ、抵抗１４１ｂの抵抗値は、雷の主な周波数におけるコネクタポート４ａ、４ｂのインピーダンスより十分に大きく、コンデンサ１０ａ、１０ｂの雷の主な周波数におけるインピーダンスより小さいもの（反射ノイズを抑制できる程度のもの）を選択する。これにより、トランス一次側６ｂへ流れる電流量を制限することができる。
【００７０】
図１１同様、図１５は、ギガビットイーサネット（登録商標）の規格の１つである１０００ＢＡＳＥ−ＴＸにおけるメイン周波数１２５ＭＨｚ、符号化方式を４Ｄ−ＰＡＭ５とした場合のアイパターン解析結果を示す図である。図１５はコンデンサ１０ａ、コンデンサ１０ｂの容量を１５ｎＦとし、抵抗１４１ａ、抵抗１４１ｂの抵抗値を１ｋΩとする場合のアイパターン解析結果である。図１５より、アイパターンの中央部分の大きさは図１１（ａ）、（ｂ）と比較してほぼ同等であることがわかる。また、アイマスク１１１と重なっていないことから、受信信号が受信デバイスでの受信性能を満たしていることがわかる。このように抵抗値の大きな抵抗１４１ａ、抵抗１４１ｂを並列に接続しても、信号は、信号伝送の使用周波数帯域にて低いインピーダンであるコンデンサ１０ａ、コンデンサ１０ｂを通過するため、通信品質について実施の形態１と同等に確保できる。
【００７１】
なお、本実施の形態３は、実施の形態２と組み合わせて用いることができる。
【００７２】
以上説明したように、本実施の形態３では、実施の形態１に加えて以下効果を得ることができる。実施の形態１では、サージ保護デバイス７ａ、雷サージ保護デバイス７ｂが動作を開始する過渡期間（例えば図６のＴ６間）、少量ではあるが、コンデンサ１０ａ、あるいはコンデンサ１０ｂ側にも雷サージ電流が流れる（例えば図８のＩ１２ａ）。しかし、少量の雷サージ電流は、コンデンサ１０ａ、コンデンサ１０ｂにより遮断されトランス一次側には流れず、反射される。コンデンサ１０ａからコネクタポート４ａの間、あるいはコンデンサ１０ｂとコネクタポート４ｂ間で反射ノイズが発生する。実施の形態３では、雷サージ保護デバイス７ａ、あるいは雷サージ保護デバイス７ｂが動作を開始するまでの過渡期間のコンデンサ１０ａ、あるいはコンデンサ１０ｂ側への雷サージ電流を、電流量を制限しつつトランス一次側へ流すことにより、反射ノイズを抑制することができる。雷サージが進入した場合の通信品質が安定するまでの時間を短くできるとの効果を得ることができる。
【００７３】
実施の形態４．
図１６は、本発明の実施形態４におけるプリント基板の回路図である。図１、図１４と同一の符号に関しては共通する説明を省略する。接続点８２ａと接続点８２ｂとを双方向型ダイオード１６１で接続する。
【００７４】
次に動作について説明する。雷サージが進入し、サージ保護デバイス７ａ、雷サージ保護デバイス７ｂが動作を開始する過渡期間（例えば図６のＴ６間）、少量ではあるが、抵抗１４１ａ、あるいは抵抗１４１ｂを経由して雷サージ電流は、トランス一次側へ流れる。該少量の電流により、パルストランス一次側の信号線間に電圧が発生する。該電圧により、低電圧で機能する双方向型ダイオード１６１が動作を開始する。これにより、双方向型ダイオード１６１に電流が流れ、パルストランス一次側の信号線間の電圧を低電圧でクリップしてトランス６及び内部回路５を保護する。
【００７５】
抵抗１４１ａ、１４１ｂの抵抗値は、大きいものを選択する。これにより、対電流容量が小さい双方向型ダイオードへ流れる電流を制限することができる。
【００７６】
なお、本実施の形態４は、実施の形態２と組み合わせて用いることができる。
【００７７】
以上説明したように、本実施の形態４では、実施の形態１、実施の形態３に加えて以下効果を得ることができる。
雷サージ保護デバイス７ａ、あるいは雷サージ保護デバイス７ｂが動作を開始する過渡期間（例えば図６のＴ６間）においても、パルストランス一次側６ｂの電圧上昇を抑制し、雷サージ電流が雷サージ保護対象回路側へ流れ込むのを防ぐことができる。
【符号の説明】
【００７８】
５  内部回路
１０ａ  第一のコンデンサ
１０ｂ  第二のコンデンサ
１３  第一の信号線
１４  第二の信号線
１６  バイパス回路
１７  グラウンド線
１４１ａ  第一の抵抗
１４１ｂ  第二の抵抗
１６１  双方向型ダイオード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2014230330.tif 000008
【図５】
2014230330.tif 000009
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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