(57)【要約】【課題】レーザスクライブ法による分離ライン形成工程において、複数のレーザ加工装置を用いて処理を行う場合においても、高い位置精度で複数の分離溝を形成することが可能な薄膜太陽電池の製造装置を供給する。【解決手段】複数の第１分離溝形成装置、光電変換層形成装置、複数の第２分離溝形成装置及び制御装置を含み、第１分離溝形成装置は、基板上の透明電極層に複数の第１分離溝を形成し、光電変換層形成装置は、透明電極層上に光電変換層を形成し、第２分離溝形成装置は、光電変換層に複数の第２分離溝を形成し、制御装置は、第１分離溝形成装置、第２分離溝形成装置を制御する薄膜太陽電池の製造装置であって、第２分離溝形成装置は、第１分離溝と第２分離溝の間の距離を第１設定値に基づき形成し、制御装置は、薄膜太陽電池の処理履歴情報に基づいて第１設定値を設定する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１分離溝形成装置、光電変換層形成装置、複数の第２分離溝形成装置及び制御装置を含み、
前記第１分離溝形成装置は、基板上の透明電極層に複数の第１分離溝を形成し、
前記光電変換層形成装置は、前記透明電極層上に光電変換層を形成し、
前記第２分離溝形成装置は、前記光電変換層に複数の第２分離溝を形成し、
前記制御装置は、前記第１分離溝形成装置、前記第２分離溝形成装置を制御する薄膜太陽電池の製造装置であって、
前記第２分離溝形成装置は、前記第１分離溝と前記第２分離溝の間の距離を第１設定値に基づき形成し、
前記制御装置は、前記薄膜太陽電池の処理履歴情報に基づいて第１設定値を設定する薄膜太陽電池の製造装置。
【請求項２】
前記第１設定値は、各前記第１分離溝形成装置及び各前記第２分離溝形成装置の組み合わせに毎に設定されている請求項１に記載の薄膜太陽電池の製造装置。
【請求項３】
前記処理履歴情報は、個々の前記薄膜太陽電池を製造した第１分離溝形成装置、光電変換層形成装置及び第２分離溝形成装置を示す処理履歴情報であり、
前記制御装置は、前記処理履歴情報に基づいて、前記第１設定値を再設定し、
前記第２分離溝形成装置は、再設定された前記第１設定値に従って前記第２分離溝を形成する請求項１に記載の薄膜太陽電池の製造装置。
【請求項４】
前記薄膜太陽電池の製造装置は、第１距離測定装置を含み、
前記第１距離測定装置は、前記第１分離溝と前記第２分離溝の間の距離を第１実測値として測定し、
前記処理履歴情報は、前記第１実測値を含む請求項３に記載の薄膜太陽電池の製造装置。
【請求項５】
前記処理履歴情報は、第１設計値を含み、
前記第１設計値は、前記第１分離溝と前記第２分離溝の間の距離の設計値であり、
前記制御装置は、前記処理履歴情報の前記第１実測値と前記第１設計値の差に基づいて、前記第１設定値を再設定する請求項４に記載の薄膜太陽電池の製造装置。
【請求項６】
前記薄膜太陽電池の製造装置は、裏面電極層形成装置及び複数の第３分離溝形成装置を含み、
前記制御装置は、前記第３分離溝形成装置を制御し、
前記第３分離溝形成装置は、前記第１分離溝と前記第３分離溝との間の距離を第２設定値に基づき形成し、
前記裏面電極層形成装置は、前記光電変換層上に裏面電極を形成し、
前記制御装置は、前記処理履歴情報に基づいて前記第２設定値を設定する請求項１〜５のいずれかに記載の薄膜太陽電池の製造装置。
【請求項７】
複数の第１分離溝形成装置、光電変換層形成装置、複数の第２分離溝形成装置及び制御装置を含み、
前記第１分離溝形成装置は、基板上の透明電極層に複数の第１分離溝を形成し、
前記光電変換層形成装置は、前記透明電極層上に光電変換層を形成し、
前記第２分離溝形成装置は、前記光電変換層に複数の第２分離溝を形成し、
前記制御装置は、前記第１分離溝形成装置、前記第２分離溝形成装置を制御する薄膜太陽電池の製造方法であって、
前記第２分離溝形成装置は、前記第１分離溝と前記第２分離溝の間の距離を第１設定値に基づき形成し、
前記制御装置は、前記薄膜太陽電池の処理履歴情報に基づいて第１設定値を設定する薄膜太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜太陽電池の製造装置及び薄膜太陽電池の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽光のエネルギを直接電気エネルギに変換する太陽電池の種類としては各種のものが実用化されている。なかでも、アモルファスシリコン薄膜または微結晶シリコン薄膜を用いた薄膜太陽電池は、低温プロセスおよび大面積化が容易であるという特徴から低コストで製造可能であるため開発が進められている。
【０００３】
図１４は、特許文献１に記載の従来の薄膜太陽電池の構造を示す断面図である。薄膜太陽電池２００には、透光性絶縁基板２０１上に、透明導電膜２０２、光電変換層２０３、裏面電極層２０４が設けられており、バスバー２０９が、導電性テープ２０８を介して裏面電極層２０４と電気的に接続されている。
【０００４】
以下、図１４に示す従来の薄膜太陽電池２００の製造方法について説明する。まず、例えばガラス基板等の透光性絶縁基板２０１上に、透明導電膜２０２を熱ＣＶＤ法等で形成する。次に、ＹＡＧレーザの基本波等を用いて透明導電膜２０２のパターニングを行なう。レーザ光をガラス基板面から入射させることにより、透明導電膜２０２を短冊状に分離して、分離ライン２０５を形成する。次に、純水で超音波洗浄し、光電変換層２０３を形成する。次に、例えばＹＡＧレーザの第二高調波やＹＶＯ４レーザを用いて、光電変換層２０３をレーザでパターニングする。レーザ光をガラス基板面から入射させることにより、光電変換層２０３を短冊状に分離し、透明導電膜２０２と裏面電極層２０４とを電気的に接続するためのコンタクトライン２０６を形成する。次に、マグネトロンスパッタ法等により、裏面電極層２０４を成膜する。次に、裏面電極層２０４をレーザでパターニングする。レーザ光をガラス基板面から入射させることにより、裏面電極層２０４を短冊状に分離し、分離ライン２０７を形成する。次に、導電性テープ２０８を裏面電極層２０４の表面上に貼り付け、その上に、例えばメッキした金属箔からなるバスバー２０９を載置し、バスバー２０９上から圧力をかけた状態で、導電性テープ２０８を硬化させる温度の加熱を行なうことにより圧着する。以上のようにして、従来の薄膜太陽電池２００を製造できる。
【０００５】
ここで、特許文献１に記載の従来の薄膜太陽電池２００において、各層に形成された分離ライン２０５、コンタクトライン２０６及び分離ライン２０７は機能上お互いに重ならないようにされることが求められるので、各分離ライン間の間隔は余裕をみて設計されている。
【０００６】
一方、各分離ラインが存在する領域は、薄膜太陽電池の発電作用に寄与しない部分であるので、各分離ラインの加工位置の精度を向上させることにより、少しでも各分離ライン間の間隔を小さくすることが求められている。これに対応するため、例えば特許文献２に記載の製造方法が開示されている。
【０００７】
図１５〜図１７は、特許文献２に記載の半導体装置の製造方法を示す図である。
【０００８】
まず、図１５を参照して説明する。基板ＳＢ上の膜２３１に、複数の溝Ｔｎ（形状）として溝Ｔ０〜Ｔ９がレーザスクライブによって形成される。複数の溝Ｔｎは、第１方向（図１５の横方向）に沿うピッチＰＤＴで配列され、かつ第１の方向と直交する第２方向（図１５の縦方向）に延びるように形成される。これにより複数の溝Ｔｎの形状は、溝Ｔ０から溝Ｔ１〜Ｔ９のそれぞれまでの第１方向に沿う寸法ＤＴ１〜ＤＴ９を有する。また複数の溝Ｔｎの形状の一部である溝Ｔ０の形状は、第２方向に沿って延びることで、第２方向を示すアライメントマークＡＴとしての機能を有する。
【０００９】
次に、図１６においては、基板ＳＢ上に被加工膜２３２が堆積される。アライメントマークＡＴの画像認識結果を用いて第２方向を検出することで、基板ＳＢのアライメントが行なわれる。寸法ＤＴ１〜ＤＴ９（図１５）の少なくとも１つの寸法を測定することによって、寸法ＤＴ１〜ＤＴ９のそれぞれに対応する測定値ＲＴ１〜ＲＴ９の少なくとも１つが得られる。
【００１０】
図１７においては、測定値ＲＴ１〜ＲＴ９の少なくとも１つに基づいて、加工ピッチＰＤＵが算出される。例えば測定値ＲＴ９が測定される場合、基板の第１方向における伸縮の程度を表す伸縮度Ｅが、例えば以下の式（３０１）によって算出される。
【００１１】
Ｅ＝ＲＴ９／ＤＴ９    ・・・（３０１）
そして加工ピッチＰＤＵは、例えば以下の式（３０２）によって算出される。
【００１２】
ＰＤＵ＝Ｅ・ＰＤＴ    ・・・（３０２）
次に複数の溝Ｕｎとして溝Ｕ０〜Ｕ９がレーザスクライブによって形成される。複数の溝Ｕｎは、第１方向（図１７の横方向）に沿う加工ピッチＰＤＵで配列され、かつ第２方向（図１７の縦方向）に延びるよう形成される。また溝Ｕ０は、溝Ｔ０に対して第１方向に寸法ＳＴだけずさらされて形成される。
【００１３】
特許文献２に開示された方法によれば、被加工膜２３２の加工ピッチＰＤＵ（図１７）が、第１方向に沿う寸法ＤＴ１〜ＤＴ９（図１５）の測定値ＲＴ１〜ＲＴ９（図１６）に基づいて算出される。これにより、基板ＳＢが第１方向に伸縮していても、複数の溝Ｕｎ（図１５）の加工の第１方向における位置精度を高めることができる。よって温度の影響による基板ＳＢの伸縮や、膜応力による基板ＳＢの反りがあっても、加工位置の精度を高くすることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】ＷＯ２００８／１５２８６５号公報
【特許文献２】特開２０１０−２５１６６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
薄膜太陽電池の製造において、大量生産を行うためには各工程に対して、複数台の製造装置を用いて生産を行う必要がある。図１８は、図１４で示した薄膜太陽電池２００の製造方法の各工程がそれぞれ複数台の装置で構成された、薄膜太陽電池の製造装置の概略図である。薄膜太陽電池の製造装置Ｌ１０は、透明導電膜形成装置２１１、分離ライン２０５を形成する第１分離ライン形成装置２１２、光電変換層形成装置２１３、コンタクトライン形成装置２１４、裏面電極層形成装置２１５、分離ライン２０７を形成する第２分離ライン形成工程装置２１６及びバスバー形成装置２１７から構成されている。各工程は、それぞれ処理時間が異なるため、各工程用に用意されている装置の台数は工程によって異なる。図１８では、透明導電膜形成装置２１１、光電変換層形成装置２１３及び裏面電極層形成装置２１５は各２台、第１分離ライン形成装置２１２、コンタクトライン形成装置２１４及び第２分離ライン形成工程装置２１６は各３台、バスバー形成装置２１７は４台の装置で形成されている。そして、各工程の複数の装置のうちの一部が定期的な保守点検や故障などにより使用できなくなる場合を考慮して、薄膜太陽電池の製造装置Ｌ１０は、被処理物である基板を各工程における全ての装置で処理可能な構造となっている。
【００１６】
しかしながら、図１８に示すように、第１分離ライン形成装置２１２、コンタクトライン形成装置２１４及び第２分離ライン形成装置２１６にそれぞれ複数台のレーザ加工装置を用いた場合、同じ設定条件で加工を行っても処理したレーザ加工装置により出来上がり寸法の違いが発生する。したがって、各分離ライン間の間隔を設計する際、各分離ラインの形成をそれぞれ単一のレーザ加工装置のみを用いて処理する場合に比べ、複数のレーザ加工装置を用いて処理する場合は、複数のレーザ加工装置間の寸法のバラツキを考慮する必要があり、精度を向上することが出来ないという問題が有った。
【００１７】
本発明は、レーザスクライブ法による分離ライン形成工程において、複数のレーザ加工装置を用いて処理を行う場合においても、高い位置精度で複数の分離溝を形成することが可能な薄膜太陽電池の製造装置及び薄膜太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明に係る多薄膜太陽電池の製造装置は、複数の第１分離溝形成装置、光電変換層形成装置、複数の第２分離溝形成装置及び制御装置を含み、第１分離溝形成装置は、基板上の透明電極層に複数の第１分離溝を形成し、光電変換層形成装置は、透明電極層上に光電変換層を形成し、第２分離溝形成装置は、光電変換層に複数の第２分離溝を形成し、制御装置は、第１分離溝形成装置、第２分離溝形成装置を制御する薄膜太陽電池の製造装置であって、第２分離溝形成装置は、第１分離溝と第２分離溝の間の距離を第１設定値に基づき形成し、制御装置は、薄膜太陽電池の処理履歴情報に基づいて第１設定値を設定することを特徴とする。
【００１９】
ここで、本発明に係る薄膜太陽電池の製造装置においては、第１設定値は、各第１分離溝形成装置及び各第２分離溝形成装置の組み合わせ毎に設定されていることが好ましい。
【００２０】
また、本発明に係る薄膜太陽電池の製造装置においては、処理履歴情報は、個々の前記薄膜太陽電池を製造した第１分離溝形成装置、光電変換層形成装置及び第２分離溝形成装置を示す処理履歴情報であり、制御装置は、処理履歴情報に基づいて、第１設定値を再設定し、第２分離溝形成装置は、再設定された第１設定値に従って前記第２分離溝を形成することが好ましい。
【００２１】
また、本発明に係る薄膜太陽電池の製造装置は、第１距離測定装置を含み、第１距離測定装置は、第１分離溝と第２分離溝の間の距離を第１実測値として測定し、処理履歴情報は、第１実測値を含むことが好ましい。
【００２２】
また、本発明に係る薄膜太陽電池の製造装置においては、処理履歴情報は、第１設計値を含み、第１設計値は、第１分離溝と第２分離溝の間の距離の設計値であり、制御装置は、処理履歴情報の第１実測値と第１設計値の差に基づいて、第１設定値を再設定することが好ましい。
【００２３】
また、本発明に係る薄膜太陽電池の製造装置は、裏面電極層形成装置及び複数の第３分離溝形成装置を含み、制御装置は、第３分離溝形成装置を制御し、第３分離溝形成装置は、第１分離溝と第３分離溝の間の距離を第２設定値に基づき形成し、裏面電極層形成装置は、光電変換層上に裏面電極を形成し、制御装置は、処理履歴情報に基づいて第２設定値を設定することが好ましい。
【００２４】
本発明に係る多薄膜太陽電池の製造方法は、複数の第１分離溝形成装置、光電変換層形成装置、複数の第２分離溝形成装置及び制御装置を含み、第１分離溝形成装置は、基板上の透明電極層に複数の第１分離溝を形成し、光電変換層形成装置は、透明電極層上に光電変換層を形成し、第２分離溝形成装置は、光電変換層に複数の第２分離溝を形成し、制御装置は、第１分離溝形成装置、第２分離溝形成装置を制御する薄膜太陽電池の製造方法であって、第２分離溝形成装置は、第１分離溝と第２分離溝の間の距離を第１設定値に基づき形成し、制御装置は、薄膜太陽電池の処理履歴情報に基づいて第１設定値を設定することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、レーザスクライブ法による分離ライン形成工程において、複数のレーザ加工装置を用いて処理を行う場合においても、高い位置精度で複数の分離溝を形成することが可能な薄膜太陽電池の製造装置及び薄膜太陽電池の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の実施形態に係る薄膜太陽電池を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る薄膜太陽電池の製造方法を示すフロー図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る薄膜太陽電池の製造装置を示す図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る第１設定値Ｐ１Ｓ１の設定に用いる、処理履歴情報データベース７０及び処理装置履歴別設定値データベース７１の一例である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る第２設定値Ｐ２Ｓ１の設定に用いる、処理履歴情報データベース７０及び処理装置履歴別設定値データベース７１の一例である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る薄膜太陽電池の製造方法を示すフロー図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る薄膜太陽電池の製造装置を示す図である。
【図８】本発明の実施形態に係る薄膜太陽電池の製造装置の第１距離測定装置を示す斜視図である。
【図９】本発明の第２の実施形態に係る第１設定値Ｐ１Ｓ２の設定に用いる、処理履歴情報データベース１７０の一例である。
【図１０】実施例２における第１設定値Ｐ１Ｓ２の設定方法を示した図である。
【図１１】本発明の第２の実施形態に係る第２設定値Ｐ２Ｓ２の設定に用いる、処理履歴情報データベース１７０の一例である。
【図１２】本発明の第２の実施形態に係る第１設定値Ｐ１Ｓ２の設定に用いる、処理履歴情報データベース１７０の他の例である。
【図１３】本発明の第２の実施形態に係る第２設定値Ｐ２Ｓ２の設定に用いる、処理履歴情報データベース１７０内の他の例である。
【図１４】特許文献１に記載の薄膜太陽電池の構造を示す断面図である。
【図１５】特許文献２に記載の半導体装置の製造方法を概略的に示す平面図である。
【図１６】特許文献２に記載の半導体装置の製造方法を概略的に示す平面図である。
【図１７】特許文献２に記載の半導体装置の製造方法を概略的に示す平面図である。
【図１８】各工程に複数の装置を用いた、従来の薄膜太陽電池の製造装置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の実施形態に係る薄膜太陽電池の製造装置及び製造方法について説明する。本発明の実施形態の説明において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。本発明の実施形態の説明において、同一の部品、相当部品に対しては、同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さない場合がある。
【００２８】
（薄膜太陽電池１００）
まず、本発明の実施形態に係る薄膜太陽電池の製造装置によって製造される薄膜太陽電池について説明する。
【００２９】
図１は、本発明の実施形態に係る薄膜太陽電池の製造装置により製造される薄膜太陽電池を示す図であり、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。
【００３０】
薄膜太陽電池１００は、基板１０、透明電極層１１、光電変換層１２、裏面電極層１３及び電極１４を備える。また、透明電極層１１、光電変換層１２及び裏面電極層１３は、この順序で基板１０上に積層される。
【００３１】
基板１０は、例えばガラス製の透明基板などである。基板１０は、図１（ａ）のｘ方向及びｙ方向の各々に平行な辺を有する長方形の形状を有している。また、基板１０には、基板名１６が付けられている。基板名１６は、例えば、文字列やバーコード及び２次元コードなどに置き換えられた文字列であり、個々の基板には固有の基板名が付けられている。
【００３２】
透明電極層１１には、複数の第１分離溝１が形成される。複数の第１分離溝１は、図１（ａ）のｘ方向に互いに略一定の間隔を空け、かつｙ方向に沿って延在する。複数の第１分離溝１が透明電極層１１に設けられることによって、透明電極層１１は複数の領域に分離される。複数の第１分離溝１は、透明電極層１１の上に積層された光電変換層１２によって埋められる。
【００３３】
光電変換層１２には、複数の第２分離溝２が形成される。複数の第２分離溝２は、図１（ａ）のｘ方向に互いに略一定の間隔を空け、かつｙ方向に沿って延在する。また、複数の第２分離溝２は、複数の第１分離溝１に沿って形成されており、第１分離溝１から第２分離溝までの距離の設計値である第１設計値はＰ１Ｄである。複数の第２分離溝２が光電変換層１２に設けられることによって、光電変換層１２は複数の領域に分離される。複数の第２分離溝２は、光電変換層１２の上に積層された裏面電極層１３によって埋められる。
【００３４】
光電変換層１２及び裏面電極層１３には、複数の第３分離溝３が形成される。複数の第３分離溝３は、図１（ａ）のｘ方向に互いに略一定の間隔を空け、かつｙ方向に沿って延在する。また、複数の第３分離溝３は、複数の第１分離溝１及び複数の第２分離溝２に沿って形成されており、第１分離溝１から第３分離溝３までの距離の設計値である第２設計値はＰ２Ｄである。複数の第３分離溝３が光電変換層１２および裏面電極層１３に設けられることによって、裏面電極層１３及び光電変換層１２は、複数の領域に分離される。
【００３５】
第３分離溝によって、複数の領域に分離された透明電極層１１、光電変換層１２及び裏面電極層１３は、複数の太陽電池セル１５となる。隣り合う太陽電池セル１５同士は、第２分離溝２を通して電気的に直列接続されている。電極１４は、直列接続された複数の太陽電池セル１５の出力端子として、両端に位置する裏面電極層１３上にそれぞれ設けられる。
【００３６】
複数の第３分離溝３及び裏面電極層１３の表面は、樹脂（図示せず）などによって必要に応じて封止される。
【００３７】
（薄膜太陽電池の製造装置及び製造方法）
次に、本発明の実施形態における薄膜太陽電池の製造装置及び製造方法について図を用いて説明する。
【００３８】
〔第１の実施形態〕
図２は、本発明の第１の実施形態に係る薄膜太陽電池の製造方法を示すフロー図である。薄膜太陽電池１００は、基板洗浄工程ＳＴ１、透明電極層形成工程ＳＴ２、第１分離溝形成工程ＳＴ３、光電変換層形成工程ＳＴ４、第２分離溝形成工程ＳＴ５、裏面電極層形成工程ＳＴ６、第３分離溝形成工程ＳＴ７及び電極形成工程ＳＴ８によって製造される。
【００３９】
図３は、本発明の第１の実施形態に係る薄膜太陽電池の製造装置を示す図である。薄膜太陽電池の製造装置Ｌ１は、基板洗浄装置２１、透明電極形成装置２２、第１分離溝形成装置２３、光電変換層形成装置２４、第２分離溝形成装置２５、裏面電極層形成装置２６、第３分離溝形成装置２７、電極形成装置２８及び制御装置５０で構成されている。基板洗浄装置２１から電極形成装置２８は、それぞれ図２の基板洗浄工程ＳＴ１から電極形成工程ＳＴ８の各工程用の装置であり、それぞれ複数の同じ装置で構成されている。本実施形態では、基板洗浄装置２１、透明電極形成装置２２、光電変換層形成装置２４及び裏面電極層形成装置２６はそれぞれ２台、第１分離溝形成装置２３、第２分離溝形成装置２５、第３分離溝形成装置２７及び電極形成装置２８はそれぞれ３台から構成されている。また、基板洗浄装置２１〜電極形成装置２８の全てには、それぞれを特定するための名称である装置名３１〜３８が付けられている。そして、第１分離溝形成装置２３、第２分離溝形成装置２５及び第３分離溝形成装置２７は、制御装置５０と回線で接続されており、情報の送受信が可能となっている。
【００４０】
制御装置５０は、情報送受信部５１、制御部５２及び記憶部５３で構成されている。情報送受信部５１は、第１分離溝形成装置２３、第２分離溝形成装置２５及び第３分離溝形成装置２７と情報を送受信する機能を有している。また、制御部５２は、情報送受信部５１が受信した各装置からの情報、及び記憶部５３に記憶している情報を制御及び演算する機能を有している。また、記憶部５３は制御部５２からの書き込み命令により情報を記憶したり、制御部５２からの読み出し命令により記憶している情報を提供したりする機能を有している。そして、記憶部５３内には、情報送受信部５１と回線で接続されている各装置が処理した時の各種情報を、処理した基板の基板名を親データとして記録し、保存している処理履歴情報データベース７０を有している。また、記憶部５３内には、第２分離溝形成装置２５及び第３分離溝形成装置２７が処理を行う際に用いる分離溝間距離の設定値を、第１分離溝形成装置２３、第２分離溝形成装置２５及び第３分離溝形成装置２７の組み合わせごとに保存した、処理履歴情報別設定値データベース７１を有している。
【００４１】
以下、基板洗浄工程ＳＴ１〜電極形成工程ＳＴ８について説明する。以降、特に限定をしない限り、基板１０は今回処理する基板のことを指すものとする。
【００４２】
（基板洗浄工程ＳＴ１）
基板洗浄工程ＳＴ１においては、基板洗浄装置２１によって基板１０が洗浄される。基板１０は、例えばガラス製の透明基板などが用いられる。基板１０は長方形の形状を有している。基板１０の長辺の寸法は、例えば１．４ｍであり、基板１０の短辺の寸法は、例えば１．０ｍである。また、基板１０には、個々の基板を識別するための基板名１６が付与されている。
【００４３】
（透明電極層形成工程ＳＴ２）
透明電極層形成工程ＳＴ２においては、例えばＣＶＤ法を用いる透明電極層形成装置２２によって、基板１０上に透明電極層１１が堆積される。透明電極層１１の材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化インジウムスズ（Indium  Tin  Oxide ，ＩＴＯ）、または酸化亜鉛（ＺｎＯ）などが用いられる。なお、透明電極層形成装置２２は、ＣＶＤ法を用いた装置に限るものではなく、例えば、スパッタリング法を用いた装置であっても良い。
【００４４】
（第１分離溝形成工程ＳＴ３）
第１分離溝形成工程ＳＴ３においては、例えばレーザ光線を照射して薄膜の一部を除去するレーザスクライブ法を用いる第１分離溝形成装置２３により、透明電極層１１の複数の箇所に、第１分離溝１が形成される。
【００４５】
また、第１分離溝形成装置２３は、基板１０を受け取った際、基板名１６及び第１分離溝形成装置名３３の各データを制御装置５０に送信する。制御装置５０は、各データを情報送受信部５１で受信した後、制御部５２に取り込む。そして、制御部５２は、記憶部５３内の処理履歴情報データベース７０内に、基板名１６を親データとする基板１０の処理履歴情報を新たに作成し、それに第１分離溝形成装置名３３を書き込み、保存する。
【００４６】
（光電変換層形成工程ＳＴ４）
光電変換層形成工程ＳＴ４においては、例えばＣＶＤ法を用いる光電変換層形成装置２４により、第１分離溝１が形成された透明電極層１１の上に、光電変換層１２が成膜される。
【００４７】
光電変換層１２は、非晶質シリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層、及びｎ層が順次積層されることによって形成される。この時、複数の第１分離溝１の内部は、光電変換層１２によって埋められる。
【００４８】
（第２分離溝形成工程ＳＴ５）
第２分離溝形成工程ＳＴ５においては、例えばレーザスクライブ法を用いる第２分離溝形成装置２５により、光電変換層１２の複数の箇所に第２分離溝２が形成される。
【００４９】
第２分離溝形成装置２５は、基板１０を受け取った際、基板名１６及び第２分離溝形成装置名３５の各データを制御装置５０に送信し、制御装置５０から後述する第１設定値Ｐ１Ｓ１を受信する。
【００５０】
第１設定値Ｐ１Ｓ１は、第２分離溝形成装置２５が第２分離溝２を形成する際に第１分離溝１と第２分離溝２との距離として設定される値である。そして、第１設定値Ｐ１Ｓ１は、第２分離溝形成装置２５が基板１０を受け取る度に制御装置５０により送信される。
【００５１】
本発明の第１の実施形態に係る薄膜太陽電池の製造装置Ｌ１においては、処理履歴情報別設定値データベース７１に、第１分離溝形成装置２３及び第２分離溝形成装置２５の全ての組み合わせ毎に、第１設計値Ｐ１Ｄからのずれ量が最少になるよう予め設定された第１設定値Ｐ１Ｓ１の値が保存されている。そして、制御装置５０は、基板１０を処理した第１分離溝形成装置２３、及び基板１０を受け取った第２分離溝形成装置２５の装置履歴を参照した上で、該当する組み合わせ用の値を基板１０用の第２設定値Ｐ１Ｓ１として設定し、第２分離溝形成装置２５に送信する。そして、第２分離溝形成装置２５は受信した第１設定値Ｐ１Ｓ１に基づいて第２分離溝２を形成する。これにより、実際に出来あがった第１分離溝〜第２分離溝間の距離と第１設計値Ｐ１Ｄのずれを小さくすることが可能となる。
【００５２】
（工程ＳＴ６：裏面電極層形成工程）
裏面電極層形成工程ＳＴ６においては、裏面電極形成装置２６により、複数の第２分離溝２が形成された光電変換層１２の上に、裏面電極層１３が成膜される。
【００５３】
裏面電極層１３は、例えばＣＶＤ法またはスパッタリング法を使用することによって形成される。裏面電極層１３は、例えば酸化亜鉛（ＺｎＯ）層と銀（Ａｇ)層との積層体である。この時、複数の第２分離溝２の内部は、裏面電極層１３によって埋められ、コンタクトラインが形成される。
【００５４】
（工程ＳＴ７：第３分離溝形成工程）
第３分離溝形成工程ＳＴ７においては、レーザスクライブ法を用いた第３分離溝形成装置２７により、裏面電極層１３の複数の箇所に第３分離溝３が形成される。第３分離溝形成装置２７には、第１分離溝形成装置２３、第２分離溝形成装置２５と同様の装置を用いることができる。
【００５５】
第３分離溝形成装置２７は、基板１０を受け取った際、基板名１６及び第３分離溝形成装置名３７の各データを制御装置５０に送信し、制御装置５０から後述する第２設定値Ｐ２Ｓ１を受信する。
【００５６】
第２設定値Ｐ２Ｓ１は、第３分離溝形成装置２７が第３分離溝３を形成する際に第１分離溝１と第３分離溝３との距離として設定される値である。そして、第２設定値Ｐ２Ｓ１は、第３分離溝形成装置２７が基板１０を受け取る度に制御装置５０より送信される。
【００５７】
本発明の第１の実施形態に係る薄膜太陽電池の製造装置Ｌ１においては、処理履歴情報別設定値データベース７１に、第１分離溝形成装置２３及び第３分離溝形成装置２７の全ての組み合わせ毎に、第２設計値Ｐ２Ｄからのずれ量が最少になるよう予め設定された第２設定値Ｐ２Ｓ１の値が保存されている。そして、制御装置５０は、基板１０を処理した第１分離溝形成装置２３、及び基板１０を受け取った第３分離溝形成装置２７の装置履歴を参照した上で、該当する組み合わせ用の値を基板１０用の第２設定値Ｐ２Ｓ１として設定し、第３分離溝形成装置２７に送信する。そして、第３分離溝形成装置２７は受信した第２設定値Ｐ２Ｓ１に基づいて第３分離溝３を形成する。これにより、実際に出来あがった第１分離溝１〜第３分離溝３間の距離と第２設計値Ｐ２Ｄのずれを小さくすることが可能となる。
【００５８】
（工程ＳＴ８：電極形成工程）
電極形成工程ＳＴ８においては、図１（ａ）におけるｘ方向の両端の裏面電極層１３の表面上に、ｙ方向に延在する電極１４が形成される。これにより、図１に示した薄膜太陽電池１００が得られる。
【００５９】
以下、本発明の第１の実施形態に係る薄膜太陽電池の製造装置Ｌ１における第１設定値Ｐ１Ｓ１及び第２設定値Ｐ２Ｓ１の設定方法について実施例１を用いて説明する。
【００６０】
〔実施例１〕
以下、第１の実施形態に基づく、第１設定値Ｐ１Ｓ１、第２設定値Ｐ２Ｓ１の設定方法について説明する。
【００６１】
（第１設定値Ｐ１Ｓ１の設定方法）
図４は、処理履歴情報データベース７０及び処理履歴情報別設定値データベース７１内のデータのうち、実施例１における第１設定値Ｐ１Ｓ１の設定に必要なデータを表で示したものである。
【００６２】
制御装置５０は、今回処理を行う基板１０の処理履歴情報７２を、第２分離溝形成装置２５から送信されてきた基板１０の基板名１６から特定し、同時に送信されてきた第２分離溝形成装置２５の装置名３５を基板１０の処理履歴情報７２に書き込み、保存する。
【００６３】
次に、処理履歴情報別設定値データベース７１の中から、基板１０の処理履歴情報７２の第１分離溝形成装置名及び第２分離溝形成装置名と一致する処理履歴情報別設定値データ７３を特定し、そこに保存されている第１設定値の値を基板１０用の第１設定値Ｐ１Ｓ１に設定する。
【００６４】
最後に、制御装置５０は設定された第１設定値Ｐ１Ｓ１を第２分離溝形成装置２５に送信する。
【００６５】
（第２設定値Ｐ２Ｓ１の設定方法）
第２設定値Ｐ２Ｓ１も第１設定値Ｐ１Ｓ１と同様に設定を行う。
【００６６】
図５は、処理履歴情報データベース７０及び処理履歴情報別設定値データベース７１内の、実施例１における第２設定値Ｐ２Ｓ１の設定に必要なデータを表で示したものである。
【００６７】
制御装置５０は、今回処理を行う基板１０の処理履歴情報７４を、第３分離溝形成装置２７から送信されてきた基板１０の基板名１６から特定し、同時に送信されてきた第３分離溝形成装置２７の装置名３７を基板１０の処理履歴情報７４に書き込み、保存する。
【００６８】
次に、処理履歴情報別設定値データベース７１の中から、基板１０の処理履歴情報７４の第１分離溝形成装置名及び第３分離溝形成装置名と一致する処理履歴情報別設定値データ７５を特定し、そこに保存されている第２設定値の値を基板１０用の第２設定値Ｐ２Ｓ１に設定する。
【００６９】
最後に、制御装置５０は設定された第２設定値Ｐ２Ｓ１を第３分離溝形成装置２７に送信する。
【００７０】
〔第２の実施形態〕
図６は、本発明の第２の実施形態に係る薄膜太陽電池の製造方法を示すフロー図である。薄膜太陽電池１００は、基板洗浄工程ＳＴ１１、透明電極層形成工程ＳＴ１２、第１分離溝形成工程ＳＴ１３、光電変換層形成工程ＳＴ１４、第２分離溝形成工程ＳＴ１５、第１分離溝‐第２分離溝間距離測定工程ＳＴ１６、裏面電極層形成工程ＳＴ１７、第３分離溝形成工程ＳＴ１８、第１分離溝‐第３分離溝間距離測定工程ＳＴ１９及び電極形成工程ＳＴ２０によって製造される。
【００７１】
第１の実施形態との違いは、第２分離溝形成工程ＳＴ１５及び第３分離溝形成工程ＳＴ１７の後に、それぞれ第１分離溝‐第２分離溝間距離測定工程ＳＴ１６及び第１分離溝−第３分離溝間距離測定工程ＳＴ１９が有る点である。また、これらの工程があることによって、第１設定値Ｐ１Ｓ１，及び第２設定値Ｐ２Ｓ２の設定方法が異なる。
【００７２】
図７は、本発明の第２の実施形態に係る薄膜太陽電池の製造装置を示す図である。薄膜太陽電池の製造装置Ｌ２は、基板洗浄装置１２１、透明電極形成装置１２２、第１分離溝形成装置１２３、光電変換層形成装置１２４、第２分離溝形成装置１２５、第１分離溝‐第２分離溝間の距離を測定する第１距離測定装置１２６、裏面電極層形成装置１２７、第３分離溝形成装置１２８、第１分離溝‐第３分離溝間の距離を測定する第２距離測定装置１２９、電極形成装置１３０及び制御装置１５０で構成されている。基板洗浄装置１２１から電極形成装置１３０は、それぞれ図６の基板洗浄工程ＳＴ１１〜電極形成工程ＳＴ２０の各工程用の装置であり、それぞれ複数の同じ装置で構成されている。本実施形態では、基板洗浄装置１２１、透明電極形成装置１２２、光電変換層形成装置１２４及び裏面電極層形成装置１２７はそれぞれ２台、第１分離溝形成装置１２３、第２分離溝形成装置１２５、第１距離測定装置１２６、第３分離溝形成装置１２８、第２距離測定装置１２９及び電極形成装置１３０は、それぞれ３台の装置から構成されている。また、基板洗浄装置１２１〜電極形成装置１３０の全ての装置には、それぞれを特定するための名称である装置名１３１〜１４０が付けられている。そして、第１分離溝形成装置１２３、第２分離溝形成装置１２５、第１距離測定装置１２６、第３分離溝形成装置１２８及び第２距離測定装置１２９は制御装置１５０と回線で接続されており、情報の送受信が可能となっている。そして、制御装置１５０は、情報送受信部１５１、制御部１５２及び記憶部１５３で構成されている。
【００７３】
情報送受信部１５１は、第１分離溝形成装置１２３、第２分離溝形成装置１２５、第１距離測定装置１２６、第３分離溝形成装置１２８及び第２距離装置１２９と情報を送受信する機能を有している。また、制御部１５２は、情報送受信部１５１が受け取った各装置からの情報及び記憶部１５３に記憶している情報を、制御及び演算する機能を有している。また、記憶部１５３は制御部１５２からの書き込み命令により情報を記憶したり、制御部１５２からの読み出し命令により記憶している情報を提供したりする機能を有している。そして、記憶部１５３内には、各装置が処理した時の各種情報を基板名を親データとして記録し、処理履歴情報データベース１７０が形成されている。
【００７４】
以下、各工程について説明する。なお、基板洗浄工程ＳＴ１１、透明電極層形成工程ＳＴ１２、光電変換層形成ＳＴ１４、裏面電極層形成工程ＳＴ１７、及び電極形成工程ＳＴ２０は、実施の形態１と同様なので、説明を省略する。
【００７５】
（第１分離溝形成工程ＳＴ１３）
第１分離溝形成工程ＳＴ１３においては、例えばレーザ光線を照射して薄膜の一部を除去するレーザスクライブ法を用いる第１分離溝形成装置１２３により、透明電極層１１の複数の箇所に、第１分離溝１が形成される。
【００７６】
また、第１分離溝形成装置１２３は、受け取った基板１０の基板名１６、基板１０を受け取った日時、第１分離溝形成装置２３の装置名１３３の各データを制御装置１５０に送信する。制御装置１５０は、各データを情報送受信部１５１で受信した後、制御部１５２に取り込む。そして、制御部１５２は、記憶部１５３内の処理履歴情報データベース７０内に、基板名１６を親データとする基板１０の処理履歴情報を新たに作成し、それに第１分離溝形成装置名１３３を書き込み、保存する。
【００７７】
（第２分離溝形成工程ＳＴ１５）
第２分離溝形成工程ＳＴ１５においては、例えばレーザスクライブ法を用いる第２分離溝形成装置２５により、光電変換層１２の複数の箇所に第２分離溝２が形成される。
【００７８】
また、第２分離溝形成装置１２５は、基板１０を受け取った際、基板名１６、基板１０を受け取った日時及び第２分離溝形成装置名１３５の各データを制御装置１５０に送信し、制御装置１５０から後述する第１設定値Ｐ１Ｓ２を受信する。
【００７９】
第１設定値Ｐ１Ｓ２は、第２分離溝形成装置１２５が第２分離溝２を形成する際に第１分離溝１と第２分離溝２との距離として設定される値である。そして、第１設定値Ｐ１Ｓ２は、第２分離溝形成装置１２５が基板１０を受け取る度に制御装置１５０により作成され、第２分離溝形成装置１２５に送信される。
【００８０】
第２分離溝形成装置１２５において、第１設定値Ｐ１Ｓ２を第１設計値Ｐ１Ｄとして作製しても、実際に出来あがった第１分離溝〜第２分離溝間の距離は第１設計値Ｐ１Ｄからずれた値となる場合がある。この原因は、第２分離溝形成装置１２５の周辺の気温変化やレーザ照射時の熱などにより、処理中の基板の寸法が基板ごとに変化するためである。また、第１分離溝形成工程及び第２分離溝形成工程をそれぞれ複数台の装置で処理する場合は、処理した装置が異なると、第１設計値Ｐ１Ｄからのずれ量も装置毎に異なる場合がある。処理した装置の違いによるずれ量の違いの原因には、例えば、装置を構成する各部品の精度がそれぞれの装置ごとに異なるためなどがある。
【００８１】
本発明の第２の実施形態に係る薄膜太陽電池製造装置Ｌ２においては、制御装置１５０により、基板１０を処理した第１分離溝形成装置１２３、及び基板１０を受け取った第２分離溝形成装置１２５と、同じ装置履歴をもつ、過去に処理された基板の処理履歴情報が特定される。そして、特定された処理履歴情報に基づいて再設定した第１設定値Ｐ１Ｓ２を用いて第２分離溝２を形成する。これにより、基板の違い及び処理した装置の違いを原因とする第１分離溝１と第２分離溝２との間の距離と第１設計値Ｐ１Ｄとの差を小さくすることが可能となる。
【００８２】
（第１分離溝〜第２分離溝間距離測定工程ＳＴ１６）
第１分離溝〜第２分離溝間距離測定工程ＳＴ１６は、第１距離測定装置１２６により、基板１０に形成された第１分離溝１と第２分離溝２との実際の距離である第１実測値ｐ１を測定する工程である。
【００８３】
これにより、第１設計値Ｐ１Ｄと、第１実測値ｐ１との差を算出することが出来る。そして、次回、工程ＳＴ５を処理する基板においては、第１設計値Ｐ１Ｄと第１実測値ｐ１との差に基づいて補正をした第１設定値Ｐ１Ｓ２を用いて処理することにより、第１設計値Ｐ１Ｄと第１実測値ｐ１との差を小さくすることが可能となる。
【００８４】
図８は、第１分離溝と第２分離溝との距離を測定する第１距離測定装置の斜視図である。第１距離測定装置１２６は、支持台１６１、ＸＹロボット１６２及び撮像装置１６３から構成される。ＸＹロボット１６２は支持台１６１の両端に設置された第１のレール１６２ａと、第１のレール１６２ａと直交するよう設置され、第１のレール１６２ａ上を移動する第２のレール１６２ｂから構成されている。撮像装置１６３は、第２のレール１６２ｂ上に撮像口１６３ａを支持台１６１側に向けて設置されている。上記構造により、撮像装置１６３は支持台１６１上方の任意の箇所に移動し、直下の領域を撮影し、撮影された領域内の任意の２点間距離を測定出来るようになっている。
【００８５】
まず、第１分離溝１及び第２分離溝２が形成された基板１０を支持台１６１上に載置する。次に、ＸＹロボット１６２により撮像装置１６３を、第１分離溝１及び第２分離溝２の有る位置の上に移動させ、これらを撮影する。次に、撮影された画像を用いて、第１分離溝１と第２分離溝２と間の実際の距離である第１実測値ｐ１を測定する。なお、測定箇所は１箇所に限るものではなく、例えば、一組の第１分離溝〜第２分離溝に対して複数箇所の距離を測定しても、複数組の第１分離溝〜第２分離溝の距離をそれぞれ測定しても良い。
【００８６】
第１距離測定装置１２６は、第１実測値ｐ１を、測定した基板１０の基板名１６とともに制御装置１５０に送信する。制御装置１５０は送られてきた各データを制御部１５２に取り込む。制御部１５２は、処理履歴情報データベース１７０内の基板名１６を親データとする基板１０の処理履歴情報に、第１実測値ｐ１を書き込み、保存する。
【００８７】
（第３分離溝形成工程ＳＴ１８）
第３分離溝形成工程ＳＴ１８においては、レーザスクライブ法を用いた第３分離溝形成装置１２８により、裏面電極層１３の複数の箇所に第３分離溝３が形成される。
【００８８】
また、第３分離溝形成装置１２８は、基板１０を受け取った際、基板名１６、基板１０を受け取った日時及び第３分離溝形成装置名１３８の各データを制御装置１５０に送信し、制御装置１５０から後述する第２設定値Ｐ２Ｓ２を受信する。
【００８９】
第２設定値Ｐ２Ｓ２は、第３分離溝形成装置１２８が第３分離溝３を形成する際に第１分離溝１と第３分離溝３との距離として設定される値である。そして、第２設定値Ｐ２Ｓ２は、第３分離溝形成装置１２８が基板１０を受け取る度に制御装置１５０により作成され、第３分離溝形成装置１２８に送信される。第３分離溝形成の際には、上述した第２分離溝形成工程ＳＴ１５の時と同じ理由により、第３分離溝形成装置１２８において、第２設定値Ｐ２Ｓ２を第２設計値Ｐ２Ｄで作製しても、実際に出来あがった第１分離溝〜第３分離溝間の距離は、第２設計値Ｐ２Ｄからずれた値となる場合がある。
【００９０】
本発明の第２の実施形態に係る薄膜太陽電池製造装置Ｌ２においては、制御装置１５０により、基板１０を処理した第１分離溝形成装置１２３、及び基板１０を受け取った第３分離溝形成装置１２８と同じ装置履歴をもつ、過去に処理された基板の処理履歴情報が特定される。そして、特定された処理履歴情報に基づいて再設定した第２設定値Ｐ２Ｓ２を用いて第３分離溝３を形成する。これにより、基板の違い及び処理した装置の違いを原因とする、第１分離溝１と第３分離溝３との間の距離と第２設計値Ｐ２Ｄとの差を小さくすることが可能となる。
【００９１】
（第１分離溝〜第３分離溝間距離測定工程ＳＴ１９）
第１分離溝〜第３分離溝間距離測定工程ＳＴ１９は、第２距離測定装置１２９により、第１分離溝１と第３分離溝３との実際の距離である第２実測値ｐ２を測定する工程である。
【００９２】
これにより、第２設計値Ｐ２Ｄと第２実測値ｐ２との差を算出することが出来る。そして、次回、第３分離溝形成工程ＳＴ１８を処理する基板においては、第２設計値Ｐ２Ｄと第２実測値ｐ２との差に基づいて補正をした第２設計値Ｐ２Ｓ２を用いて処理することにより、第２設計値Ｐ２Ｄと第２実測値ｐ２との差を小さくすることが可能となる。
【００９３】
なお、第２距離測定装置１２９は、図５で示した第１距離測定装置１２６と同一構造のものを使用することが可能である。
【００９４】
また、第２実測値ｐ２の測定も、第１実測値ｐ１の測定方法と同様の方法により測定される。
【００９５】
また、測定箇所は１箇所に限るものではなく、例えば、一組の第１分離溝〜第３分離溝に対して複数箇所の距離を測定しても、複数組の第１分離溝〜第３分離溝の距離をそれぞれ測定しても良い。
【００９６】
第２距離測定装置１２９は、第２実測値ｐ２を、測定した基板１０の基板名１６とともに制御装置１５０に送信する。制御装置１５０は送られてきた各データを制御部１５２に取り込む。制御部１５２は、処理履歴情報データベース１７０内の基板名１６を親データとする基板１０の処理履歴情報に、第１実測値ｐ１を書き込み保存する。
【００９７】
最後に、電極形成工程ＳＴ２０において電極１４が形成され、図１に示した薄膜太陽電池１００が得られる。
【００９８】
以下、第１設定値Ｐ１Ｓ１及び第２設定値Ｐ２Ｓの設定方法について実施例を用いて説明する。
【００９９】
〔実施例２〕
以下、第２の実施形態に基づく、第１設定値Ｐ１Ｓ２、第２設定値Ｐ２Ｓ２の設定方法について説明する。
【０１００】
実施例２は、同じ装置履歴で処理された前回処理基板の設計値、設定値及び実測値を用いて補正を行うことで、今回処理する基板に対する第１設定値Ｐ１Ｓ２及び第２設定値Ｐ２Ｓ２を設定する方法の一例を示したものである。
【０１０１】
（第１設定値Ｐ１Ｓ２の設定方法）
図９は、処理履歴情報データベース１７０内のデータのうち、実施例２における第１設定値Ｐ１Ｓ２の設定に必要なデータを表で示したものである。
【０１０２】
制御装置１５０は、今回処理を行う基板１０の処理履歴情報１７１を、第２分離溝形成装置１２５から送信されてきた基板１０の基板名１６から特定し、同時に送信されてきた第２分離溝形成装置名１３５及び基板受け取り日時を基板１０の処理履歴情報１７１に追加して書き込み、保存する。
【０１０３】
次に、処理履歴情報データベース１７０に保存されている過去の処理履歴情報の中から、基板１０の処理履歴情報１７１の第１分離溝形成装置名及び第２分離溝形成装置名と一致し、かつ第２分離溝形成装置の基板受け取り日時が最新のデータを特定し、これを前回処理履歴情報１７２として特定する。
【０１０４】
次に、前回処理履歴情報１７２の第１設計値、第１設定値及び第１実測値を制御部１５２に呼び出し、これらの値を用いて基板１０用の第１設定値Ｐ１Ｓ２を設定する。
【０１０５】
図１０は、前回処理履歴情報を用いて第１設定値を設定する方法を示す図である。第１設計値Ｐ１Ｄが６０μｍの第２分離溝２を第１設定値が６０μｍで処理をした結果、第１実測値ｐ１が５５μｍと第１設計値より５μｍ小さく形成されたことを示している。図９に示す、前回処理履歴情報１７２には、第１設計値、第１設定値及び第１実測値が保存されている。そこで、今回処理する基板１０用の第１設定値は、前回処理履歴情報１７２の第１設定値６０μｍに第１設計値より小さく形成された分の５μｍを加えた６５μｍとする補正を行い、処理履歴情報１７１の第１設定値として書き込み、保存する。
【０１０６】
最後に制御装置１５０は、第１設定値Ｐ１Ｓ２を第２分離溝形成装置１２５に送信する。
【０１０７】
（第２設定値Ｐ２Ｓ２の設定方法）
第２設定値Ｐ２Ｓ２も第１設定値Ｐ２Ｓ１と同様に設定を行う。
【０１０８】
図１１は、処理履歴情報データベース１７０内のデータのうち、実施例２における第２設定値Ｐ２Ｓ２の設定に必要なデータを表で示したものである。
【０１０９】
制御装置１５０は、今回処理を行う基板１０の処理履歴情報１７３を、第３分離溝形成装置１２８から送信されてきた基板１０の基板名１６から特定し、同時に送信されてきた第３分離溝形成装置名１３８及び基板受け取り日時を基板１０の処理履歴情報１７３に追加して書き込み、保存する。
【０１１０】
次に、処理履歴情報データベース１７０に保存されている過去の処理履歴情報の中から、基板１０の処理履歴情報１７３の第１分離溝形成装置名及び第３分離溝形成装置名と一致し、かつ第３分離溝形成装置の基板受け取り日時が最新のデータを特定し、これを前回処理履歴情報１７４として特定する。
【０１１１】
次に、前回処理履歴情報１７４の第２設計値、第２設定値及び第２実測値を制御部５２に呼び出し、これらの値を用いて基板１０用の第２設定値Ｐ２Ｓ２を設定する。前回処理履歴情報１７４は、第２設計値Ｐ２Ｄが１２０μｍの所を第２設定値１２５μｍで第３分離溝３を形成した結果、第２実測値が１２５μｍと第２設計値より５μｍ大きく形成されたことを示している。よって、基板１０用の第２設定値は、前回処理履歴情報１７４の第２設定値１２５μｍに第２設計値より大きく形成された分の５μｍを引いた１２０μｍとする補正を行い、この値を処理履歴情報１７４の第２設定値として書き込み、保存する。
【０１１２】
最後に制御装置１５０は、第２設定値を第３分離溝形成装置１２８に送信する。
【０１１３】
〔実施例３〕
以下、第２の実施形態に基づく、第１設定値Ｐ１Ｓ２、第２設定値Ｐ２Ｓ２の設定方法の他の例について説明する。実施例２と異なる点は、処理３回毎に第１設定値及び第２設定値を算出する点である。すなわち、直近３回分の処理履歴情報を用いて、第１設定値Ｐ１Ｓ２、第２設定値Ｐ２Ｓ２を算出する。なお、実施例３では３回分の履歴を用いているが、これに限るものではない。
【０１１４】
（第１設定値Ｐ１Ｓ２の設定方法）
図１２は、処理履歴情報データベース１７０内のデータのうち、実施例３における第１設定値Ｐ１Ｓ２の設定に必要なデータを表で示したものである。
【０１１５】
制御装置１５０は、今回処理を行う基板１０の処理履歴情報１７５を、第２分離溝形成装置１２５から送信されてきた基板１０の基板名１６から特定し、同時に送信されてきた第２分離溝形成装置名１３５及び基板受け取り日時を基板１０の処理履歴情報１７５に追加して書き込み、保存する。
【０１１６】
次に、処理履歴情報データベース１７０に保存されている過去の処理履歴情報の中から、基板１０の処理履歴情報１７５の第１分離溝形成装置名及び第２分離溝形成装置名と一致し、かつ第２分離溝形成装置の基板受け取り日時が直近３回のデータを特定し、これらを直近３枚の過去に処理された基板の処理履歴情報１７６ａ、１７６ｂ及び１７６ｃとして特定する。
【０１１７】
次に、処理履歴情報１７６ａ〜１７６ｃの第１設計値、第１設定値及び第１実測値を制御部１５２に呼び出し、これらの値を用いて第１設定値Ｐ１Ｓ２を設定する。ここで、直近３枚の過去に処理された基板の処理時における、第１設計値と第１実測値との差の平均は＋１μｍであり、これは直近３枚の過去に処理された基板の処理時において、第１設定値の値を５５μｍで処理した結果、第１設計値６０μｍより平均で１μｍ大きく形成されたことを示している。そこで、基板１０を含む次に処理される３枚の基板の処理における第１設定値は、直近３枚の過去に処理された基板の処理時の第１設定値の値である５５μｍから１μｍを引いた値の５４μｍとする補正を行い、この値を記憶部１５３内の処理履歴情報データベース１７０の基板１０用の処理履歴情報１７５の第１設定値として書き込み、保存する。
【０１１８】
最後に制御装置１５０は、第１設定値を第２分離溝形成装置１２５に送信する。
【０１１９】
（第２設定値Ｐ２Ｓ２の設定方法）
第２設定値Ｐ２Ｓ２も第１設定値Ｐ２Ｓ１と同様に設定を行う。
【０１２０】
図１３は、処理履歴情報データベース１７０内のデータのうち、実施例３における第２設定値Ｐ２Ｓ２の設定に必要なデータを表で示したものである。
【０１２１】
制御装置１５０は、今回処理を行う基板１１０の処理履歴情報１７７を、第３分離溝形成装置１２８から送信されてきた基板１０の基板名１６から特定し、同時に送信されてきた第３分離溝形成装置名１３８及び基板受け取り日時を基板１０の処理履歴情報１７７に追加して書き込み、保存する。
【０１２２】
次に、処理履歴情報データベース１７０に保存されている過去の処理履歴情報の中から、基板１０の処理履歴情報１７７の第１分離溝形成装置名及び第３分離溝形成装置名と一致し、かつ第３分離溝形成装置の基板受け取り日時が直近３回のデータを特定し、これらを直近３枚の過去に処理された基板の処理履歴情報１７８ａ、１７８ｂ及び１７８ｃとして特定する。
【０１２３】
次に、処理履歴情報１７８ａ〜１７８ｃの第２設計値、第２設定値及び第２実測値を制御部５２に呼び出す。ここで、直近３枚の過去に処理された基板の処理時における、それぞれの第２設計値と第２実測値との差の平均は−２μｍであり、これは直近３枚の過去に処理された基板の処理時において、第２設定値の値を１２５μｍで処理した結果、第２設計値１２０μｍより平均で２μｍ小さく形成されたことを示している。そこで、基板１０を含む次に処理される３枚の基板の処理における第２設定値は、直近３枚の過去に処理された基板の処理時の第２設定値の値である１２５μｍに２μｍを加えた値の１２７μｍとする補正を行い、この値を記憶部１５３内の処理履歴情報データベース１７０の基板１０用の処理履歴情報１７７の第２設定値として書き込み、保存する。
【０１２４】
最後に制御装置１５０は、第２設定値を第３分離溝形成装置１２８に送信する。
【０１２５】
以上、本発明に基づいた実施の形態及び実施例について説明したが、今回開示された実施の形態及び実施例はすべての点で例示であって制限的なものではない。
【０１２６】
第１の実施形態及び実施例１における、第２設計値Ｐ２Ｄ及び第２設定値Ｐ２Ｓ１は、それぞれ第２分離溝２と第３分離溝３との間で規定される値であっても良い。
【０１２７】
また、第２の実施形態、実施例２及び実施例３における、第２設計値Ｐ２Ｄ、第２設定値Ｐ２Ｓ２及び第２実測値ｐ２は、それぞれ第２分離溝２と第３分離溝３との間で規定される値であっても良い。
【符号の説明】
【０１２８】
１  第１分離溝、２  第２分離溝、３  第３分離溝、１０  基板、１１  透明電極層、１２  光電変換層、１３  裏面電極層、１４  電極、１５  太陽電池セル、１６  基板名、２１，１２１基板洗浄装置、２２，１２２  透明電極形成装置、２３，１２３  第１分離溝形成装置、２４，１２４  光電変換層形成装置、２５，１２５  第２分離溝形成装置、２６，１２７裏面電極層形成装置、２７，１２８  第３分離溝形成装置、２８，１３０  電極形成装置、１２６  第１距離測定装置、１２９  第２距離測定装置、３１〜２８，１３１〜１４０  装置名、５０，１５０  制御装置、５１，１５１、情報送受信部、５２，１５２  制御部  、５３，１５３  記憶部、１６１  支持台、１６２  ＸＹロボット、１６３  撮像装置、７０，１７０  処理履歴情報データベース、７１  処理履歴情報別設定値データベース、１００  薄膜太陽電池、Ｌ１、Ｌ２  薄膜太陽電池の製造装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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