(57)【要約】【課題】微細回路パターンとともに電力信号送信の信頼性を具現することができる印刷回路基板及び印刷回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の印刷回路基板１００は、ベース基板１１０と、ベース基板１１０を貫通して形成された貫通ビア１５３と、ベース基板１１０の一側及び他側に形成され、貫通ビア１５３の内壁より薄く形成された回路パターン１５１，１５２と、を含むものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、
前記ベース基板を貫通して形成された貫通ビアと、
前記ベース基板の一側及び他側に形成され、前記貫通ビアの内壁より薄く形成された回路パターンと、を含む印刷回路基板。
【請求項２】
前記貫通ビア及び前記回路パターン上に形成された絶縁層をさらに含む、請求項１に記載の印刷回路基板。
【請求項３】
前記貫通ビアの内部は絶縁材で充填される、請求項１に記載の印刷回路基板。
【請求項４】
前記ベース基板の一側に形成された回路パターンは前記第１シード層及び第１メッキ層で構成される、請求項１に記載の印刷回路基板。
【請求項５】
前記ベース基板の他側に形成された回路パターンは前記第３シード層及び第２メッキ層で構成される、請求項１に記載の印刷回路基板。
【請求項６】
前記貫通ビアの内壁は第２シード層及びメッキ層で構成される、請求項１に記載の印刷回路基板。
【請求項７】
前記メッキ層は、第１メッキ層及び第２メッキ層を含む二重構造に形成される、請求項４に記載の印刷回路基板。
【請求項８】
前記ベース基板の両側に形成された絶縁膜をさらに含む、請求項１に記載の印刷回路基板。
【請求項９】
前記絶縁膜は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、エポキシ樹脂、アクリレート（ａｃｒｙｌａｔｅ）樹脂、ＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅｓ）、ＰＢＯ（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）、及びＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ  ｕｐ  Ｆｉｌｍ）のうち少なくとも一つを含む、請求項８に記載の印刷回路基板。
【請求項１０】
ベース基板を提供する段階と、
前記ベース基板に貫通ビアホールを形成する段階と、
前記ベース基板の一側及び前記貫通ビアホールの内壁に第１メッキ層を形成することにより第１回路パターンを形成する段階と、
前記ベース基板の他側及び前記貫通ビアホールの前記第１メッキ層に第２メッキ層を形成することにより第２回路パターン及び貫通ビアを形成する段階と、を含む印刷回路基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第１回路パターンを形成する段階は、
前記ベース基板の一側に第１シード層を形成する段階と、
前記貫通ビアホールの内壁に第２シード層を形成する段階と、
前記第１シード層上に第１開口部が形成された第１メッキレジストを形成する段階と、
前記第１開口部及び前記貫通ビアホールの内壁に第１メッキ層を形成する段階と、
前記第１メッキレジストを除去する段階と、を含む、請求項１０に記載の印刷回路基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第１シード層はスパッタリング（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方式で形成される、請求項１１に記載の印刷回路基板の製造方法。
【請求項１３】
前記第２シード層は無電解メッキ方法で形成される、請求項１１に記載の印刷回路基板の製造方法。
【請求項１４】
前記第１メッキ層は電解メッキ方法で形成される、請求項１１に記載の印刷回路基板の製造方法。
【請求項１５】
前記第２回路パターンを形成する段階は、
前記ベース基板の他側に第３シード層を形成する段階と、
前記第３シード層上に第２開口部が形成された第２メッキレジストを形成する段階と、  前記第２開口部及び前記貫通ビアホールの第１メッキ層に第２メッキ層を形成する段階と、
前記第２メッキレジストを除去する段階と、を含む、請求項１０に記載の印刷回路基板の製造方法。
【請求項１６】
前記第３シード層はスパッタリング（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方式で形成される、請求項１５に記載の印刷回路基板の製造方法。
【請求項１７】
前記第２メッキ層は電解メッキ方法で形成される、請求項１５に記載の印刷回路基板の製造方法。
【請求項１８】
前記貫通ビアホールの内壁は、前記第１回路パターン及び前記第２回路パターンより厚く形成される、請求項１０に記載の印刷回路基板の製造方法。
【請求項１９】
前記第１回路パターン及び前記第２回路パターンに絶縁層を形成する段階をさらに含む、請求項１０に記載の印刷回路基板の製造方法。
【請求項２０】
前記貫通ビアの内部は絶縁材で充填される、請求項１０に記載の印刷回路基板の製造方法。
【請求項２１】
前記ベース基板を提供する段階で、前記ベース基板の両側に絶縁膜を形成する段階をさらに含む、請求項１０に記載の印刷回路基板の製造方法。
【請求項２２】
前記絶縁膜は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、エポキシ樹脂、アクリレート（ａｃｒｙｌａｔｅ）樹脂、ＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅｓ）、ＰＢＯ（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）、及びＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ  ｕｐ  Ｆｉｌｍ）のうち少なくとも一つを含む、請求項２１に記載の印刷回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、印刷回路基板及び印刷回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、印刷回路基板は、各種熱硬化性合成樹脂からなるボードの片面または両面に銅箔で配線を施した後、ボード上にＩＣまたは電子部品を配置して固定し、これらの間の電気的配線を具現して絶縁体でコーティングしたものである。
【０００３】
近年、電子産業の発達に伴い、電子部品の高機能化、軽薄短小化に対する要求が急増しており、このような電子部品を搭載する印刷回路基板にも、高密度配線及び薄板が要求されている。
【０００４】
印刷回路基板は、貫通ビアを含むことができる。貫通ビアは、両面印刷回路基板または多層印刷回路基板の層間配線を連結するためのものである。
【０００５】
従来は、印刷回路基板の両面に形成された回路パターンと貫通ビアが同時に形成され、回路パターンの厚さと貫通ビアの内壁の厚さとが同一に形成されていた（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
この場合、回路パターンの微細化のためにメッキ厚さを薄くすると、貫通ビアの内壁の厚さもともに薄くなるため、電力信号の送信に対する信頼性が低下する。また、貫通ビアの内壁の十分な厚さのためにメッキを厚くすると、回路パターンもともに厚く形成されるため、微細パターン化が困難となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】米国特許第６３１６７３８号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の一側面によると、回路パターンより厚い厚さの内壁を有する貫通ビアを含む印刷回路基板及び印刷回路基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
本発明の他の側面によると、微細回路パターンとともに電力信号送信の信頼性を具現することができる印刷回路基板及び印刷回路基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の実施例によると、ベース基板と、ベース基板を貫通して形成された貫通ビアと、ベース基板の一側及び他側に形成され、貫通ビアの内壁より薄く形成された回路パターンと、を含む印刷回路基板が提供される。
【００１１】
本発明の実施例による印刷回路基板は、貫通ビア及び回路パターン上に形成された絶縁層をさらに含むことができる。
【００１２】
貫通ビアの内部は、絶縁材で充填されることができる。
【００１３】
ベース基板の一側に形成された回路パターンは、第１シード層及び第１メッキ層で構成されることができる。
【００１４】
ベース基板の他側に形成された回路パターンは、第３シード層及び第２メッキ層で構成されることができる。
【００１５】
貫通ビアの内壁は、第２シード層及びメッキ層で構成されることができる。
【００１６】
メッキ層は、第１メッキ層及び第２メッキ層を含む二重構造に形成されることができる。
【００１７】
本発明の実施例による印刷回路基板は、ベース基板の両側に形成された絶縁膜をさらに含むことができる。
【００１８】
絶縁膜は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、エポキシ樹脂、アクリレート（ａｃｒｙｌａｔｅ）樹脂、ＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅｓ）、ＰＢＯ（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）、及びＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ  ｕｐ  Ｆｉｌｍ）のうち少なくとも一つを含むことができる。
【００１９】
本発明の他の実施例によると、ベース基板を提供する段階と、ベース基板に貫通ビアホールを形成する段階と、ベース基板の一側及び貫通ビアホールの内壁に第１メッキ層を形成することにより第１回路パターンを形成する段階と、ベース基板の他側及び貫通ビアホールの第１メッキ層に第２メッキ層を形成することにより第２回路パターン及び貫通ビアを形成する段階と、を含む印刷回路基板の製造方法が提供される。
【００２０】
第１回路パターンを形成する段階は、ベース基板の一側に第１シード層を形成する段階と、貫通ビアホールの内壁に第２シード層を形成する段階と、第１シード層上に第１開口部が形成された第１メッキレジストを形成する段階と、第１開口部及び貫通ビアホールの内壁に第１メッキ層を形成する段階と、第１メッキレジストを除去する段階と、を含むことができる。
【００２１】
第１シード層は、スパッタリング（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方式で形成されることができる。
【００２２】
第２シード層は、無電解メッキ方法で形成されることができる。
【００２３】
第１メッキ層は、電解メッキ方法で形成されることができる。
【００２４】
第２回路パターンを形成する段階は、ベース基板の他側に第３シード層を形成する段階と、第３シード層上に第２開口部が形成された第２メッキレジストを形成する段階と、第２開口部及び貫通ビアホールの第１メッキ層に第２メッキ層を形成する段階と、第２メッキレジストを除去する段階と、を含むことができる。
【００２５】
第３シード層は、スパッタリング（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方式で形成されることができる。
【００２６】
第２メッキ層は、電解メッキ方法で形成されることができる。
【００２７】
貫通ビアホールの内壁は、第１回路パターン及び第２回路パターンより厚く形成されることができる。
【００２８】
本発明の他の実施例による印刷回路基板の製造方法は、第１回路パターン及び第２回路パターンに絶縁層を形成する段階をさらに含むことができる。
【００２９】
貫通ビアの内部は、絶縁材で充填されることができる。
【００３０】
ベース基板を提供する段階で、ベース基板の両側に絶縁膜を形成する段階をさらに含むことができる。
【００３１】
絶縁膜は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、エポキシ樹脂、アクリレート（ａｃｒｙｌａｔｅ）樹脂、ＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅｓ）、ＰＢＯ（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）、及びＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ  ｕｐ  Ｆｉｌｍ）のうち少なくとも一つを含むことができる。
【発明の効果】
【００３２】
本発明の実施例による印刷回路基板及び印刷回路基板の製造方法は、微細回路パターンとともに電力信号送信の信頼性を具現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の実施例による印刷回路基板を示した例示図である。
【図２】本発明の実施例による印刷回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図３】本発明の実施例による印刷回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図４】本発明の実施例による印刷回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図５】本発明の実施例による印刷回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図６】本発明の実施例による印刷回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図７】本発明の実施例による印刷回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図８】本発明の実施例による印刷回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図９】本発明の実施例による印刷回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図１０】本発明の実施例による印刷回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図１１】本発明の実施例による印刷回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図１２】本発明の実施例による印刷回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図１３】本発明の実施例による印刷回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図１４】本発明の実施例による印刷回路基板の製造方法を示した例示図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
本発明の目的、特定の長所及び新規の特徴は、添付図面に係る以下の詳細な説明及び好ましい実施例によってさらに明らかになるであろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるに際し、同一の構成要素に限っては、たとえ異なる図面に示されても、できるだけ同一の番号を付けるようにしていることに留意しなければならない。また、「一面」、「他面」、「第１」、「第２」などの用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別するために用いられるものであり、構成要素が前記用語によって限定されるものではない。以下、本発明を説明するにあたり、本発明の要旨を不明瞭にする可能性がある係る公知技術についての詳細な説明は省略する。
【００３５】
以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。
【００３６】
（印刷回路基板）
図１は、本発明の実施例による印刷回路基板を示した例示図である。
【００３７】
図１を参照すると、印刷回路基板１００は、ベース基板１１０と、絶縁膜１２０と、第１回路パターン１５１と、第２回路パターン１５２と、貫通ビア１５３と、絶縁層１６０と、を含む。
【００３８】
ベース基板１１０は、層間絶縁材料として通常的に用いられる複合高分子樹脂で形成することができる。
【００３９】
例えば、プリプレグを採用してベース基板１１０を形成することで、印刷回路基板をより薄く製作することができる。または、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ  ｕｐ  Ｆｉｌｍ）を採用してベース基板１１０を形成することで、微細回路を容易に具現することができる。その他にも、ベース基板は、ＦＲ−４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ  Ｔｒｉａｚｉｎｅ）などのエポキシ系樹脂を用いて形成することができるが、特にこれに限定されるものではない。
【００４０】
また、ベース基板１１０として、銅張積層板（ＣＣＬ）を用いることも可能である。本発明の実施例では、ベース基板１１０が単一の絶縁層で構成された場合を図示したが、本発明はこれに限定されない。即ち、ベース基板１１０は、多層または単層の絶縁層、回路層、及びビアで構成されたビルドアップ層であってもよい。
【００４１】
絶縁膜１２０は、ベース基板１１０の平坦性を向上させるために、ベース基板１１０の両側表面に形成することができる。
【００４２】
したがって、絶縁膜１２０は、低い粗さを有する絶縁材料で形成することができ、例えば、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、エポキシ樹脂、アクリレート（ａｃｒｙｌａｔｅ）樹脂、ＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅｓ）、ＰＢＯ（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）、及びＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ  ｕｐ  Ｆｉｌｍ）のうち少なくとも一つを含むものであることができる。
【００４３】
このように、ベース基板１１０に絶縁膜１２０を形成して平坦性を向上させると、微細パターンを容易に形成することができる。本発明の実施例では、ベース基板１１０に絶縁膜１２０を形成したが、これは当業者の選択に応じて省略することができる。
【００４４】
第１回路パターン１５１は、ベース基板１１０の一側に形成することができる。第１回路パターン１５１は、第１シード層１３１及び第１メッキ層１４１で構成することができる。第１メッキ層１４１は、ベース基板１１０の一側に形成された第１シード層１３１上に形成することができる。
【００４５】
第１シード層１３１及び第１メッキ層１４１は、電気伝導性材料で形成することができ、例えば、銅、ニッケル、金など、回路パターンの形成に通常的に用いられる材料で形成することができる。第１シード層１３１及び第１メッキ層１４１は、同一の材料で形成されてもよく、互いに異なる材料で形成されてもよい。
【００４６】
第２回路パターン１５２は、ベース基板１１０の他側に形成することができる。第２回路パターン１５２は、第３シード層１３３及び第２メッキ層１４２で構成することができる。第２メッキ層１４２は、ベース基板１１０の他側に形成された第３シード層１３３上に形成することができる。
【００４７】
第３シード層１３３及び第２メッキ層１４２は、電気伝導性材料で形成することができ、例えば、銅、ニッケル、金など、回路パターンの形成に通常的に用いられる材料で形成することができる。第３シード層１３３及び第２メッキ層１４２は、同一の材料で形成されてもよく、互いに異なる材料で形成されてもよい。ここで、第１メッキ層１４１及び第２メッキ層１４２は、同時に形成するものではなく、個別的に形成することができる。
【００４８】
貫通ビア１５３は、ベース基板１１０を貫通するように形成することができる。
【００４９】
貫通ビア１５３の内壁は、第２シード層１３２、第１メッキ層１４１、及び第２メッキ層１４２で構成することができる。貫通ビア１５３の内壁を構成する第１メッキ層１４１は、第２シード層１３２上に形成することができる。貫通ビア１５３の第１メッキ層１４１は、第１回路パターン１５１の第１メッキ層１４１と同時に形成することができる。また、貫通ビア１５３の第２メッキ層１４２は、第２回路パターン１５２の第２メッキ層１４２と同時に形成することができる。
【００５０】
即ち、貫通ビア１５３の内壁は、第１メッキ層１４１及び第２メッキ層１４２の二重構造を有することができる。このような二重構造の貫通ビア１５３の内壁は、第１回路パターン１５１及び第２回路パターン１５２より厚く形成することができる。貫通ビア１５３の内部は、絶縁層１６０で充填することができる。または、貫通ビア１５３の内部は、絶縁層１６０と異なる材料の絶縁材で充填することができる。
【００５１】
絶縁層１６０は、ベース基板１１０の両側に形成することができる。または、絶縁層１６０は、貫通ビアホール１１５（図１３参照）の内部にも形成することができる。絶縁層１６０は、層間絶縁材料として通常的に用いられる複合高分子樹脂で形成することができる。
【００５２】
例えば、絶縁層１６０は、プリプレグ、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ  ｕｐ  Ｆｉｌｍ）及びＦＲ−４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ  Ｔｒｉａｚｉｎｅ）などのエポキシ系の非感光性樹脂で形成することができる。
【００５３】
また、絶縁層１６０は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、エポキシ樹脂、アクリレート（ａｃｒｙｌａｔｅ）樹脂、ＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅｓ）、及びＰＢＯ（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）のうち少なくとも一つを含む感光性樹脂で形成することができる。
【００５４】
本発明の実施例による印刷回路基板１００は、第１回路パターン１５１及び第２回路パターン１５２より厚い厚さの内壁を有する貫通ビア１５３を含む。
【００５５】
即ち、第１回路パターン１５１及び第２回路パターン１５２が微細パターンに具現される場合にも、貫通ビア１５３の内壁が二重構造に形成されるため、電力信号送信のための十分な厚さを有することができる。
【００５６】
（印刷回路基板の製造方法）
図２から図１４は、本発明の実施例による印刷回路基板の製造方法を示した例示図である。
【００５７】
まず、図２を参照すると、ベース基板１１０を提供することができる。
【００５８】
ベース基板１１０は、層間絶縁材料として通常的に用いられる複合高分子樹脂で形成することができる。
【００５９】
例えば、プリプレグを採用してベース基板１１０を形成することで、印刷回路基板をより薄く製作することができる。または、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ  ｕｐ  Ｆｉｌｍ）を採用してベース基板１１０を形成することで、微細回路を容易に具現することができる。その他にも、ベース基板は、ＦＲ−４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ  Ｔｒｉａｚｉｎｅ）などのエポキシ系樹脂を用いて形成することができるが、特にこれに限定されるものではない。
【００６０】
また、ベース基板１１０として、銅張積層板（ＣＣＬ）を用いることも可能である。本発明の実施例では、ベース基板１１０が単一の絶縁層で構成された場合を図示したが、本発明はこれに限定されない。即ち、ベース基板１１０は、多層または単層の絶縁層、回路層、及びビアで構成されたビルドアップ層であってもよい。
【００６１】
また、ベース基板１１０には、絶縁膜１２０を形成することができる。絶縁膜１２０は、ベース基板１１０の平坦性を向上させるために、ベース基板１１０の両側表面に形成することができる。
【００６２】
したがって、絶縁膜１２０は、低い粗さを有する絶縁材料で形成することができ、例えば、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、エポキシ樹脂、アクリレート（ａｃｒｙｌａｔｅ）樹脂、ＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅｓ）、ＰＢＯ（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）、及びＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ  ｕｐ  Ｆｉｌｍ）のうち少なくとも一つを含むものであることができる。
【００６３】
このように、ベース基板１１０に絶縁膜１２０を形成して平坦性が向上されると、微細パターンを容易に形成することができる。本発明の実施例では、ベース基板１１０に絶縁膜１２０を形成したが、これは当業者の選択に応じて省略することができる。
【００６４】
ベース基板１１０には、貫通ビアホール１１５を形成することができる。
【００６５】
本発明の実施例によると、貫通ビアホール１１５は、ベース基板１１０の両面を全て貫通するように形成することができる。このように形成された貫通ビアホール１１５の内部には、後でベース基板１１０の両面に形成される回路層の間を電気的に導通させるための貫通ビアを形成することができる。例えば、貫通ビアホール１１５は、ＣＮＣドリルまたはレーザードリルなどの物理的な方法で形成することができる。
【００６６】
次に、図３を参照すると、ベース基板１１０の一側に第１シード層１３１を形成することができる。
【００６７】
第１シード層１３１を形成する方法は、特に限定されず、当業界に公知された通常の方法で形成することができる。
【００６８】
本発明の実施例では、第１シード層１３１をスパッタリング（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方法で形成することができる。スパッタリング方法で形成された第１シード層１３１は、後で形成される回路パターンとの密着力を向上させるためのものである。また、第１シード層１３１をスパッタリング方法で形成することにより、低い粗さでも密着力を向上させることができるため、微細パターンの形成に有利である。
【００６９】
第１シード層１３１は、伝導性材料で形成することができ、例えば、銅、ニッケル、金など、回路パターンの形成に通常的に用いられる材料で形成することができる。
【００７０】
次に、図４を参照すると、貫通ビアホール１１５の内壁に第２シード層１３２を形成することができる。
【００７１】
本発明の実施例では、第２シード層１３２を無電解メッキ方法で形成することができる。第２シード層１３２は、伝導性材料で形成することができ、例えば、銅、ニッケル、金など、回路パターンの形成に通常的に用いられる材料で形成することができる。
【００７２】
次に、図５を参照すると、第１シード層１３１に第１メッキレジスト２１０を形成することができる。
【００７３】
第１メッキレジスト２１０には、第１開口部２１５をパターニングすることができる。第１開口部２１５は、回路パターンが形成される領域と貫通ビアが形成される領域が開放されるように形成することができる。
【００７４】
次に、図６を参照すると、第１メッキ層１４１を形成することができる。
【００７５】
第１メッキ層１４１は、第１メッキレジスト２１０の第１開口部２１５に形成することができる。即ち、第１メッキ層１４１は、第１メッキレジスト２１０の第１開口部２１５によって露出した第１シード層１３１及び貫通ビアホール１１５の第２シード層１３２に形成することができる。
【００７６】
第１メッキ層１４１は、電解メッキ方法で形成することができる。第１メッキ層１４１は、電気伝導性材料で形成することができ、例えば、銅、ニッケル、金など、回路パターンの形成に通常的に用いられる材料で形成することができる。
【００７７】
次に、図７を参照すると、第１メッキレジスト（図６の２１０）を除去することができる。
【００７８】
第１メッキレジスト（図６の２１０）を除去することにより、第１シード層１３１の一部が外部に露出することができる。
【００７９】
次に、図８を参照すると、第１メッキレジスト（図６の２１０）の除去によって露出した第１シード層１３１を除去することができる。これにより、第１シード層１３１及び第１メッキ層１４１で構成された第１回路パターン１５１を形成することができる。また、貫通ビアホール１１５は、１次的に第２シード層１３２及び第１メッキ層１４１で構成することができる。
【００８０】
次に、図９を参照すると、ベース基板１１０の他側に第３シード層１３３を形成することができる。
【００８１】
第３シード層１３３を形成する方法は、特に限定されず、当業界に公知された通常の方法で形成することができる。
【００８２】
本発明の実施例では、第３シード層１３３をスパッタリング（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方法で形成することができる。スパッタリング方法で形成された第１シード層１３１は、後で形成される回路パターンとの密着力を向上させるためのものである。また、第１シード層１３１をスパッタリング方法で形成することにより、低い粗さでも密着力を向上させることができて、微細パターンの形成に有利である。
【００８３】
第３シード層１３３は、伝導性材料で形成することができ、例えば、銅、ニッケル、金など、回路パターンの形成に通常的に用いられる材料で形成することができる。
【００８４】
本発明の実施例では、第３シード層１３３がベース基板１１０の下部に形成されることで図示されている。しかし、第３シード層１３３の形成後の工程は、ベース基板１１０を反転させた後、反転されたベース基板１１０の上部で行うことができる。
【００８５】
また、第３シード層１３３は、第１シード層１３１の形成時に同時に形成することができる。即ち、第１シード層１３１をベース基板１１０の両側に同時に形成することができる。このように第１シード層１３１をベース基板１１０の両側に同時に形成する場合、第３シード層１３３を個別的に形成する工程を省略することができる。
【００８６】
次に、図１０を参照すると、第３シード層１３３に第２メッキレジスト２２０を形成することができる。
【００８７】
第２メッキレジスト２２０には、第２開口部２２５をパターニングすることができる。第２開口部２２５は、回路パターンが形成される領域と貫通ビアが形成される領域が開放されるように形成することができる。
【００８８】
次に、図１１を参照すると、第２メッキ層１４２を形成することができる。
【００８９】
第２メッキ層１４２は、第２メッキレジスト２２０の第２開口部２２５に形成することができる。即ち、第２メッキ層１４２は、第２メッキレジスト２２０の第２開口部２２５によって露出した第３シード層１３３及び貫通ビアホール１１５の第１メッキ層１４１に形成することができる。
【００９０】
第２メッキ層１４２は、電解メッキ方法で形成することができる。第２メッキ層１４２は、電気伝導性材料で形成することができ、例えば、銅、ニッケル、金など、回路パターンの形成に通常的に用いられる材料で形成することができる。
【００９１】
次に、図１２を参照すると、第２メッキレジスト（図１１の２２０）を除去することができる。第２メッキレジスト（図１１の２２０）を除去することにより、第３シード層１３３の一部が外部に露出することができる。
【００９２】
次に、図１３を参照すると、第２メッキレジスト（図１１の２２０）の除去によって露出した第３シード層１３３を除去することができる。これにより、第３シード層１３３及び第２メッキ層１４２で構成された第２回路パターン１５２を形成することができる。
【００９３】
また、貫通ビアホール１１５は、１次的に形成された第２シード層１３２及び第１メッキ層１４１に第２メッキ層１４２がさらに形成されて、厚い内壁を有することができる。
【００９４】
次に、図１４を参照すると、絶縁層１６０を形成することができる。
【００９５】
絶縁層１６０は、層間絶縁材料として通常的に用いられる複合高分子樹脂で形成することができ、例えば、プリプレグ、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ  ｕｐ  Ｆｉｌｍ）及びＦＲ−４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ  Ｔｒｉａｚｉｎｅ）などのエポキシ系の悲感光性樹脂で形成することができる。
【００９６】
また、絶縁層１６０は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、エポキシ樹脂、アクリレート（ａｃｒｙｌａｔｅ）樹脂、ＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅｓ）、及びＰＢＯ（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）のうち少なくとも一つを含む感光性樹脂で形成することができる。
【００９７】
本発明の実施例では、絶縁層１６０がベース基板１１０の両側及び貫通ビアホール１１５の内部に形成することができる。または、図示していないが、貫通ビアホール１１５の内部を異なる材料の絶縁材で充填した後、ベース基板１１０の両側に絶縁層１６０を形成することもできる。このように、絶縁層１６０または不図示の絶縁材で貫通ビアホール１１５の内部が充填されることにより、貫通ビア１５３を形成することができる。
【００９８】
本発明の実施例によると、第１回路パターン１５１と第２回路パターン１５２を個別的に形成することができる。この際、第１回路パターン１５１及び第２回路パターン１５２を形成するためにメッキを行う際に、貫通ビア１５３の内壁にもそれぞれメッキを行うことができる。これにより、貫通ビア１５３の内壁はメッキが二重に行われるため、厚い内壁を有することができる。したがって、本発明の実施例による印刷回路基板の製造方法は、微細パターンを具現することができるとともに、電力信号送信に十分な厚さを有する貫通ビア１５３を具現することができる。
【００９９】
以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのものであり、本発明はこれに限定されず、該当分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想内にての変形や改良が可能であることは明白であろう。
【０１００】
本発明の単純な変形乃至変更はいずれも本発明の領域に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は添付の特許請求の範囲により明確になるであろう。
【産業上の利用可能性】
【０１０１】
本発明は、印刷回路基板及び印刷回路基板の製造方法に適用可能である。
【符号の説明】
【０１０２】
１００  印刷回路基板
１１０  ベース基板
１１５  貫通ビアホール
１２０  絶縁膜
１３１  第１シード層
１３２  第２シード層
１３３  第３シード層
１４１  第１メッキ層
１４２  第２メッキ層
１５１  第１回路パターン（回路パターン）
１５２  第２回路パターン（回路パターン）
１５３  貫通ビア
１６０  絶縁層
２１０  第１メッキレジスト
２１５  第１開口部
２２０  第２メッキレジスト
２２５  第２開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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