(57)【要約】【課題】ターゲット物質を安定して供給できるターゲット供給装置を提供すること。【解決手段】ターゲット供給装置は、ノズルを備えたタンクと、前記タンク内部に配置された第１電極と、前記第１電極の電位を第１電位に設定するように構成された第１電位設定部と、第１貫通孔が設けられ、前記第１貫通孔内に前記ノズルの中心軸が位置するように配置された第２電極と、前記第２電極の電位を前記第１電位と異なる第２電位に設定するように構成された第２電位設定部と、前記第２電極と前記プラズマ生成領域との間の第１領域を通過するターゲット物質の電荷を中和する電荷中和部とを備えてもよい。【選択図】図２
2014143150.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ生成領域にターゲット物質を供給するターゲット供給装置であって、
ノズルを備えたタンクと、
前記タンク内部に配置された第１電極と、
前記第１電極の電位を第１電位に設定するように構成された第１電位設定部と、
第１貫通孔が設けられ、前記第１貫通孔内に前記ノズルの中心軸が位置するように配置された第２電極と、
前記第２電極の電位を前記第１電位と異なる第２電位に設定するように構成された第２電位設定部と、
前記第２電極と前記プラズマ生成領域との間の第１領域を通過するターゲット物質の電荷を中和する電荷中和部とを備えるターゲット供給装置。
【請求項２】
請求項１に記載のターゲット供給装置において、
前記第２電極と前記第１領域との間の第２領域に前記ノズルの中心軸と直交する方向の電位差を生じさせる偏向部を備えるターゲット供給装置。
【請求項３】
請求項１に記載のターゲット供給装置において、
第２貫通孔が設けられ、前記第２貫通孔内に前記ノズルの中心軸が位置するように前記第２電極と前記第１領域との間に配置された第３電極と、
前記第３電極の電位を前記第１電位および前記第２電位と異なる第３電位に設定するように構成された第３電位設定部とを備え、
前記第２電位は、前記第１電位と前記第３電位との間の大きさであるターゲット供給装置。
【請求項４】
請求項３に記載のターゲット供給装置において、
前記第２電位の極性は、前記第３電位の極性と異なるターゲット供給装置。
【請求項５】
請求項１に記載のターゲット供給装置において、
前記電荷中和部は、
前記第１領域に熱電子を放出する熱電子放出部と、
前記ノズルの中心軸を挟んで前記熱電子放出部と対向して配置され、前記熱電子を捕集する熱電子捕集部とを備えるターゲット供給装置。
【請求項６】
請求項１に記載のターゲット供給装置において、
前記電荷中和部は、
前記第１領域に電子ビームを照射する電子ビーム照射部を備えるターゲット供給装置。
【請求項７】
請求項１に記載のターゲット供給装置において、
前記電荷中和部は、
前記第１領域にイオンビームを照射するイオンビーム照射部を備えるターゲット供給装置。
【請求項８】
プラズマ生成領域に供給されたターゲット物質にレーザ光を照射するためのＥＵＶ光生成チャンバであって、
レーザ光を導入する導入孔を有するチャンバと、
ノズルを備え、前記ノズルが前記チャンバ内に位置するように前記チャンバに固定されたタンクと、
前記タンク内部に配置された第１電極と、
第１貫通孔が設けられ、前記第１貫通孔内に前記ノズルの中心軸が位置するように配置された第２電極と、
前記第２電極と前記プラズマ生成領域との間の第１領域を通過するターゲット物質の電荷を中和する電荷中和部とを備えるＥＵＶ光生成チャンバ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、ターゲット供給装置およびＥＵＶ光生成チャンバに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外光（以下、ＥＵＶ光という場合がある。）を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ  Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）方式の装置との３種類の装置が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第７４０５４１６号明細書
【概要】
【０００５】
本開示の一態様によるターゲット供給装置は、プラズマ生成領域にターゲット物質を供給するターゲット供給装置であって、ノズルを備えたタンクと、タンク内部に配置された第１電極と、第１電極の電位を第１電位に設定するように構成された第１電位設定部と、第１貫通孔が設けられ、第１貫通孔内にノズルの中心軸が位置するように配置された第２電極と、第２電極の電位を第１電位と異なる第２電位に設定するように構成された第２電位設定部と、第２電極とプラズマ生成領域との間の第１領域を通過するターゲット物質の電荷を中和する電荷中和部とを備えてもよい。
【０００６】
本開示の一態様によるＥＵＶ光生成チャンバは、プラズマ生成領域に供給されたターゲット物質にレーザ光を照射するためのＥＵＶ光生成チャンバであって、レーザ光を導入する導入孔を有するチャンバと、ノズルを備え、ノズルがチャンバ内に位置するようにチャンバに固定されたタンクと、タンク内部に配置された第１電極と、第１貫通孔が設けられ、第１貫通孔内にノズルの中心軸が位置するように配置された第２電極と、第２電極とプラズマ生成領域との間の第１領域を通過するターゲット物質の電荷を中和する電荷中和部とを備えてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、例示的なＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
【図２】図２は、第１実施形態に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
【図３】図３は、第１実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
【図４】図４は、ドロップレットの軌道がずれる現象を説明するための図であり、ターゲット供給装置がドロップレットを出力しているときの状態を示す。
【図５】図５は、第２実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
【図６】図６は、第３実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
【図７】図７は、第４実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
【図８】図８は、第５実施形態および第６実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
【図９】図９は、第７実施形態に係るＥＵＶ光生成チャンバの構成を概略的に示す。
【図１０】図１０は、第８実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
【実施形態】
【０００８】
内容
１．概要
２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１  構成
２．２  動作
３．ターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置
３．１  用語の説明
３．２  第１実施形態
３．２．１  概略
３．２．２  構成
３．２．３  動作
３．３  第２実施形態
３．３．１  概略
３．３．２  構成
３．３．３  動作
３．４  第３実施形態
３．４．１  概略
３．４．２  構成
３．４．３  動作
３．５  第４実施形態
３．５．１  概略
３．５．２  構成
３．５．３  動作
３．６  第５実施形態
３．６．１  概略
３．６．２  構成
３．６．３  動作
３．７  第６実施形態
３．７．１  概略
３．７．２  構成
３．７．３  動作
３．８  第７実施形態
３．８．１  構成
３．９  第８実施形態
３．９．１  構成
３．９．２  動作
３．１０  変形例
【０００９】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成および動作の全てが本開示の構成および動作として必須であるとは限らない。また、図１以外の図面を用いて説明する実施形態において、図１に示す構成要素のうち、本開示の説明に必須でない構成については、図示を省略する場合がある。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【００１０】
１．概要
本開示の実施形態においては、ターゲット供給装置は、プラズマ生成領域にターゲット物質を供給するターゲット供給装置であって、ノズルを備えたタンクと、タンク内部に配置された第１電極と、第１電極の電位を第１電位に設定するように構成された第１電位設定部と、第１貫通孔が設けられ、第１貫通孔内にノズルの中心軸が位置するように配置された第２電極と、第２電極の電位を第１電位と異なる第２電位に設定するように構成された第２電位設定部と、第２電極とプラズマ生成領域との間の第１領域を通過するターゲット物質の電荷を中和する電荷中和部とを備えてもよい。
【００１１】
本開示の実施形態においては、ＥＵＶ光生成チャンバは、プラズマ生成領域に供給されたターゲット物質にレーザ光を照射するためのＥＵＶ光生成チャンバであって、レーザ光を導入する導入孔を有するチャンバと、ノズルを備え、ノズルがチャンバ内に位置するようにチャンバに固定されたタンクと、タンク内部に配置された第１電極と、第１貫通孔が設けられ、第１貫通孔内にノズルの中心軸が位置するように配置された第２電極と、第２電極とプラズマ生成領域との間の第１領域を通過するターゲット物質の電荷を中和する電荷中和部とを備えてもよい。
【００１２】
２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１  構成
図１は、例示的なＥＵＶ光生成装置１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。ＥＵＶ光生成装置１およびレーザ装置３を含むシステムを、以下、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。ＥＵＶ光生成システム１１は、ＬＰＰ方式のシステムであってもよい。図１を参照に、以下に詳細に説明されるように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲット供給装置７をさらに含んでもよい。ターゲット供給装置７は、例えばチャンバ２に取り付けられていてもよい。ターゲット供給装置７から供給されるターゲットの材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、またはそれらのうちのいずれか２つ以上の組合せ等を含んでもよいが、これらに限定されない。
【００１３】
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔をパルスレーザ光３２が通過するように、レーザ装置３等が配置されてもよい。あるいは、チャンバ２には、その貫通孔を塞ぐように、かつ、パルスレーザ光３２が透過するように、少なくとも１つのウインドウ２１が設けられてもよい。チャンバ２の内部には例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１焦点および第２焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１焦点がプラズマ生成位置またはその近傍のプラズマ生成領域２５に位置し、その第２焦点が露光装置の仕様によって規定される所望の集光位置（中間焦点（ＩＦ）２９２）に位置するように配置されるのが好ましい。所望の集光位置は中間焦点（ＩＦ）２９２と呼んでもよい。なお、プラズマの生成については、後に説明する。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には、貫通孔２４が設けられてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、パルスレーザ光３３が貫通孔２４を通過するように配置されてもよい。
【００１４】
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御システム５を含んでいてもよい。また、ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲットセンサ４を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、ターゲットの存在、軌道、位置等を検出してもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよい。
【００１５】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２内部と露光装置６内部とを連通させるための接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２焦点位置に位置するように配置されてもよい。
【００１６】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光光学系２２、ドロップレット２７を回収するためのターゲット回収装置２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置や姿勢等を調節するためのアクチュエータとを備えてもよい。
【００１７】
２．２  動作
図１を参照すると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過して、チャンバ２に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光光学系２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのドロップレット２７に照射されてもよい。
【００１８】
ターゲット供給装置７からは、ドロップレット２７がチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力されてもよい。ドロップレット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスレーザ光が照射され得る。パルスレーザ光３３が照射されたドロップレット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶを含む光２５１が放射され得る。以下、「ＥＵＶ光を含む光」を「ＥＵＶ光」と表現する場合がある。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって集光されるとともに反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３で反射されたＥＵＶ光２５２は、中間焦点２９２を通って露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのドロップレット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスレーザ光が照射されてもよい。
【００１９】
ＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたドロップレット２７のイメージデータ等を処理してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、ドロップレット２７を出力するタイミングやドロップレット２７の出力速度等を制御してもよい。また、ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、レーザ装置３のレーザ発振タイミングやパルスレーザ光３２の進行方向やパルスレーザ光３３の集光位置等を制御してもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御を追加してもよい。
【００２０】
３．ターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置
３．１  用語の説明
以下、図１以外の図面を用いた説明において、各図に示したＸＹＺ軸を基準として方向を説明する場合がある。なお、この表現は、重力方向１０Ｂとの関係を表すものではない。
【００２１】
３．２  第１実施形態
３．２．１  概略
本開示の第１実施形態のターゲット供給装置において、電荷中和部は、第１領域に熱電子を放出する熱電子放出部と、ノズルの中心軸を挟んで熱電子放出部と対向して配置され、熱電子を捕集する熱電子捕集部とを備えてもよい。
【００２２】
３．２．２  構成
図２は、第１実施形態に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。図３は、第１実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
【００２３】
ＥＵＶ光生成装置１Ａは、図２に示すように、チャンバ２と、ターゲット供給装置７Ａとを備えてもよい。ターゲット供給装置７Ａは、ターゲット生成部７０Ａと、ターゲット制御装置７１Ａとを備えてもよい。チャンバ２は、接地されてもよい。ターゲット制御装置７１Ａには、レーザ装置３と、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａとが電気的に接続されてもよい。
【００２４】
ターゲット生成部７０Ａは、図２および図３に示すように、ターゲット生成器７２Ａと、圧力制御部７３Ａと、静電引出部７４Ａと、電荷中和部８０Ａと、ホルダ部８１Ａと、図示しない温度制御部とを備えてもよい。
ターゲット生成器７２Ａは、内部にターゲット物質２７０を収容するためのタンク７２１Ａを備えてもよい。タンク７２１Ａは、筒状であってもよい。タンク７２１Ａには、当該タンク７２１Ａ内のターゲット物質２７０を、ドロップレット２７１Ａとしてチャンバ２内に出力するためのノズル７２２Ａが設けられていてもよい。ターゲット生成器７２Ａは、タンク７２１Ａがチャンバ２外部に位置し、ノズル７２２Ａがチャンバ２内部に位置するように設けられてもよい。圧力制御部７３Ａは、タンク７２１Ａに連結されてもよい。
【００２５】
予め設定されるドロップレット２７１Ａの出力方向を設定出力方向１０Ａとすると、チャンバ２の設置形態によっては、設定出力方向１０Ａは、必ずしも重力方向１０Ｂと一致するとは限らない。重力方向１０Ｂに対して、斜め方向や水平方向に、ドロップレット２７１Ａが出力されるよう構成されてもよい。なお、第１〜第８実施形態においては、ドロップレット２７１Ａの設定出力方向１０Ａが重力方向１０Ｂに対して斜めとなるようにチャンバ２が設置される場合を例示する。
【００２６】
ノズル７２２Ａは、ノズル本体７２３Ａと、保持部７２４Ａと、出力部７２５Ａとを備えてもよい。ノズル本体７２３Ａは、タンク７２１Ａの−Ｚ方向側の第２端部からチャンバ２内に突出するように設けられてもよい。保持部７２４Ａは、ノズル本体７２３Ａの先端に設けられてもよい。保持部７２４Ａは、ノズル本体７２３Ａよりも直径が大きい円筒状に形成されてもよい。
【００２７】
出力部７２５Ａは、略円板状に形成されてもよい。出力部７２５Ａは、ノズル本体７２３Ａの−Ｚ方向側の端面に密着するように、保持部７２４Ａによって保持されてもよい。出力部７２５Ａの中央部分には、円錐台状の突出部７２６Ａが設けられてもよい。出力部７２５Ａは、突出部７２６Ａがチャンバ２内に突出するように設けられてもよい。突出部７２６Ａは、そこに電界が集中し易いようにするために設けられてもよい。突出部７２６Ａには、突出部７２６Ａにおける円錐台上面部を構成する先端部の略中央部に開口するノズル孔が設けられてもよい。ノズル孔の直径は、６μｍ〜１５μｍであってもよい。出力部７２５Ａの少なくともターゲット物質２７０に接する部分は、ターゲット物質２７０に対して濡れ性の低い材料で構成されてもよい。例えば、出力部７２５Ａは、出力部７２５Ａとターゲット物質２７０との接触角が９０°以上の材料で構成されるのが好ましい。あるいは、出力部７２５Ａの少なくとも表面が、当該接触角が９０°以上の材料でコーティングされてもよい。接触角が９０°以上の材料は、ＳｉＣ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、モリブデン、タングステンであってもよい。
【００２８】
タンク７２１Ａと、ノズル７２２Ａと、出力部７２５Ａとは、電気絶縁材料で構成されてもよい。これらが、電気絶縁材料ではない材料、例えばモリブデンなどの金属材料で構成される場合には、チャンバ２とターゲット生成器７２Ａとの間や、出力部７２５Ａと後述する第２電極７４２Ａとの間に電気絶縁材料が配置されてもよい。この場合、タンク７２１Ａと後述するパルス電圧生成器７４４Ａとが電気的に接続されてもよい。
【００２９】
圧力制御部７３Ａは、アクチュエータ７３２Ａと、圧力センサ７３３Ａとを備えてもよい。アクチュエータ７３２Ａは、配管７３４Ａを介して、タンク７２１Ａの＋Ｚ方向側の第１端部に連結されてもよい。アクチュエータ７３２Ａには、配管７３５Ａを介して、不活性ガスボンベ７３１Ａが接続されてもよい。アクチュエータ７３２Ａは、ターゲット制御装置７１Ａに電気的に接続されてもよい。アクチュエータ７３２Ａは、ターゲット制御装置７１Ａから送信される信号に基づいて、不活性ガスボンベ７３１Ａから供給される不活性ガスの圧力を制御して、タンク７２１Ａ内の圧力を調節するよう構成されてもよい。
圧力センサ７３３Ａは、配管７３５Ａに設けられてもよい。圧力センサ７３３Ａは、ターゲット制御装置７１Ａに電気的に接続されてもよい。圧力センサ７３３Ａは、配管７３５Ａ内に存在する不活性ガスの圧力を検出して、この検出した圧力に対応する信号をターゲット制御装置７１Ａに送信してもよい。
【００３０】
静電引出部７４Ａは、第１電極７４１Ａと、第２電極７４２Ａと、電圧源７４３Ａと、パルス電圧生成器７４４Ａとを備えてもよい。後に説明するように、第１電極７４１Ａに印加する第１電位と第２電極７４２Ａに印加する第２電位との間の電位差を利用して、ドロップレット２７１Ａを出力部７２５Ａから引き出してもよい。
【００３１】
第１電極７４１Ａは、タンク７２１Ａ内のターゲット物質２７０中に配置されてもよい。第１電極７４１Ａには、フィードスルー７４５Ａを介して電圧源７４３Ａが電気的に接続されてもよい。
第２電極７４２Ａは、略円板状に形成されてもよい。第２電極７４２Ａの中央には、円形状の第１貫通孔７４６Ａが形成されてもよい。第２電極７４２Ａは、保持部７２４Ａに固定されてもよい。このとき、第２電極７４２Ａが、出力部７２５Ａから所定距離離れた位置で当該出力部７２５Ａと対向してもよい。ノズル７２２Ａの中心軸が、第１貫通孔７４６Ａ内に位置してもよい。第２電極７４２Ａには、フィードスルー７４７Ａを介してパルス電圧生成器７４４Ａが電気的に接続されてもよい。
【００３２】
電圧源７４３Ａは、本開示の第１電位設定部であってもよい。
パルス電圧生成器７４４Ａは、本開示の第２電位設定部であってもよい。
電圧源７４３Ａおよびパルス電圧生成器７４４Ａの機器アースは、接地されてもよい。電圧源７４３Ａおよびパルス電圧生成器７４４Ａには、ターゲット制御装置７１Ａが電気的に接続されてもよい。
【００３３】
電荷中和部８０Ａは、熱電子放出部８０１Ａと、熱電子捕集部８０２Ａと、電源８０３Ａと、電源８０４Ａとを備えてもよい。
熱電子放出部８０１Ａは、タングステンによって構成されたフィラメントであってもよい。熱電子放出部８０１Ａの第１端部には、フィードスルー８０５Ａを介して電源８０３Ａが電気的に接続されてもよい。熱電子放出部８０１Ａの第２端部は、接地されてもよい。
熱電子捕集部８０２Ａは、導電性の材料で形成されてもよい。熱電子捕集部８０２Ａには、フィードスルー８０５Ａを介して電源８０４Ａが電気的に接続されてもよい。
電源８０３Ａおよび電源８０４Ａの機器アースは、接地されてもよい。電源８０３Ａおよび電源８０４Ａには、ターゲット制御装置７１Ａが電気的に接続されてもよい。
【００３４】
ホルダ部８１Ａは、絶縁性の材料によって略円筒状に形成されてもよい。ホルダ部８１Ａの内径は、保持部７２４Ａの外径と略等しくてもよい。ホルダ部８１Ａの軸方向の寸法は、保持部７２４Ａの軸方向の寸法よりも大きくてもよい。
ホルダ部８１Ａは、当該ホルダ部８１Ａの内部に保持部７２４Ａが嵌め込まれるように、保持部７２４Ａに固定されてもよい。ホルダ部８１Ａの−Ｚ方向側の第２端部は、保持部７２４Ａの−Ｚ方向側の第２端部よりも−Ｚ方向側に位置してもよい。
ホルダ部８１Ａの内側には、熱電子放出部８０１Ａおよび熱電子捕集部８０２Ａが固定されてもよい。熱電子放出部８０１Ａは、ノズル７２２Ａの中心軸を挟んで熱電子捕集部８０２Ａと対向してもよい。
このような構成によって、熱電子放出部８０１Ａおよび熱電子捕集部８０２Ａは、ノズル７２２Ａの−Ｚ方向側において、第２電極７４２Ａとプラズマ生成領域２５との間に位置するように固定され得る。
【００３５】
温度制御部は、タンク７２１Ａ内のターゲット物質２７０の温度を制御するよう構成されてもよい。例えば、温度制御部は、タンク７２１Ａの外周部に配置されるヒータと、ヒータに電力を供給する電源と、タンク７２１Ａの温度を検出する温度センサと、温度センサによる検出結果を入力して電源の供給電力を制御する温度制御装置とを含んでもよい。
ターゲット制御装置７１Ａは、温度制御部に信号を送信して、ターゲット生成器７２Ａ内のターゲット物質２７０の温度を制御してもよい。これにより、ターゲット制御装置７１Ａは、ターゲット物質２７０を液体の状態に保持してもよい。ターゲット制御装置７１Ａは、圧力制御部７３Ａのアクチュエータ７３２Ａに信号を送信して、ターゲット生成器７２Ａ内の圧力を制御してもよい。ターゲット制御装置７１Ａは、電圧源７４３Ａおよびパルス電圧生成器７４４Ａに信号をそれぞれ送信して、第１電極７４１Ａおよび第２電極７４２Ａに印加する電位を制御してもよい。ターゲット制御装置７１Ａは、電源８０３Ａおよび電源８０４Ａに信号をそれぞれ送信して、熱電子放出部８０１Ａおよび熱電子捕集部８０２Ａに印加する電位を制御してもよい。
【００３６】
３．２．３  動作
図４は、ドロップレットの軌道がずれる現象を説明するための図であり、ターゲット供給装置がドロップレットを出力しているときの状態を示す。
なお、以下において、ターゲット物質２７０がスズの場合を例示して、ターゲット供給装置７Ａの動作を説明する。
【００３７】
ターゲット供給装置は、図４に示すように、電荷中和部８０Ａおよびホルダ部８１Ａ以外の構成については、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ａと同様のものを適用してもよい。
【００３８】
このようなターゲット供給装置において、ターゲット制御装置７１Ａは、温度制御部に信号を送信して、ターゲット生成器７２Ａ内のターゲット物質２７０を当該ターゲット物質２７０の融点以上の所定の温度まで加熱してもよい。ターゲット制御装置７１Ａは、電圧源７４３Ａに信号を送信して、ターゲット生成器７２Ａ内のターゲット物質２７０に正の第１電位を印加してもよい。ターゲット制御装置７１Ａは、パルス電圧生成器７４４Ａに信号を送信して、第２電極７４２Ａに正の第１電位を印加してもよい。第１電位は、例えば、５０ｋＶであってもよい。
そして、ターゲット物質２７０に第１電位を印加した状態において、ターゲット制御装置７１Ａは、パルス電圧生成器７４４Ａに信号を送信して、第２電極７４２Ａに印加する電位を第１電位から第２電位に降下させ、所定時間保持して、再び第１電位に戻してもよい。第２電位は、例えば、４５ｋＶであってもよい。このとき、第２電極７４２Ａの電位降下のタイミングに同期して、ターゲット物質２７０が静電気力によってドロップレット２７１Ａの形状で引き出され得る。第１電極７４１Ａの第１電位に対する第２電極７４２Ａの第２電位が低いため、ドロップレット２７１Ａは、正に帯電し、第２電極７４２Ａの第１貫通孔７４６Ａを通過し得る。第１貫通孔７４６Ａを通過したドロップレット２７１Ａには、プラズマ生成領域２５に到達したときにパルスレーザ光３３が照射され得る。パルスレーザ光３３が照射されたドロップレット２７１Ａはプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光が放射され得る。
【００３９】
ここで、ターゲット生成器７２Ａ内のターゲット物質２７０がノズル７２２Ａからドロップレット２７１Ａの形状で引き出されるとき、ドロップレット２７１Ａの軌道が設定軌道ＣＡから当該設定軌道ＣＡと略直交する方向（Ｚ軸方向と略直交する方向）にずれることがあり得る。ドロップレット２７１Ａの軌道が設定軌道ＣＡからずれる原因は、以下のように推測し得る。
【００４０】
ターゲット物質２７０がプラズマ化するとき、プラズマからターゲット物質２７０のイオン２７２Ａと電子とが放出され得る。イオン２７２Ａがチャンバ２内に配置された電気絶縁部材や、接地されていない部材に付着すると、イオン２７２Ａが付着した部分が正に帯電し得る。正に帯電した部分付近の電位が高くなり、ドロップレット２７１Ａの設定軌道ＣＡ上の電位分布が変化し得る。
例えば、接地されていない集光ミラー２３にイオン２７２Ａが付着すると、当該イオン２７２Ａが付着した部分が正に帯電し、集光ミラー２３付近の設定軌道ＣＡ上の電位分布が変化し得る。ドロップレット２７１Ａが正に帯電している場合、ドロップレット２７１Ａの極性と集光ミラー２３の極性とが同じとなるため、両者の間に反発力が生じ得る。その結果、ドロップレット２７１Ａの軌道ＣＡ１が設定軌道ＣＡより−Ｘ方向側にずれ得る。
図４を用いて説明した現象を抑制するために、図３に示すように、ターゲット供給装置７Ａに電荷中和部８０Ａおよびホルダ部８１Ａを設けてもよい。
【００４１】
図３に示すターゲット供給装置７Ａにおいて、ターゲット制御装置７１Ａは、電源８０３Ａおよび電源８０４Ａにそれぞれ信号を送信して、熱電子放出部８０１Ａおよび熱電子捕集部８０２Ａにそれぞれ正の電位を印加してもよい。熱電子放出部８０１Ａに印加する電位は、当該熱電子放出部８０１Ａから熱電子が放出される大きさであってもよい。熱電子捕集部８０２Ａに印加する電位は、熱電子放出部８０１Ａから放出された熱電子を捕集できる大きさであってもよい。熱電子捕集部８０２Ａに印加する電位は、ドロップレット２７１Ａの軌道をずらすような反発力が、熱電子捕集部８０２Ａとドロップレット２７１Ａとの間に生じないような大きさであってもよい。熱電子捕集部８０２Ａに印加する電位は、例えば、１０Ｖ以上１００Ｖ以下であってもよい。
【００４２】
熱電子放出部８０１Ａおよび熱電子捕集部８０２Ａに電位を印加すると、熱電子放出部８０１Ａと熱電子捕集部８０２Ａとの間の第１領域ＡＲ１内において、熱電子が熱電子捕集部８０２Ａに向かって移動し得る。正に帯電したドロップレット２７１Ａが第１領域ＡＲ１に進入すると、当該ドロップレット２７１Ａに熱電子が照射され得る。その結果、ドロップレット２７１Ａの電荷が中和され、ドロップレット２７１Ａの帯電量が小さくなり得る。このように、第１領域ＡＲ１は、帯電したドロップレット２７１Ａの帯電量を緩和する領域として作用してよい。
集光ミラー２３に付着したイオン２７２Ａの影響によって、設定軌道ＣＡ上の電位分布が変化した場合、ドロップレット２７１Ａと集光ミラー２３との間に生じる反発力が、図４に示す場合と比べて小さくなり得る。その結果、ドロップレット２７１Ａの軌道が設定軌道ＣＡからずれることが抑制され得る。
【００４３】
３．３  第２実施形態
３．３．１  概略
本開示の第２実施形態のターゲット供給装置において、第２貫通孔が設けられ、第２貫通孔内にノズルの中心軸が位置するように第２電極と第１領域との間に配置された第３電極と、第３電極の電位を第１電位および第２電位と異なる第３電位に設定するように構成された第３電位設定部とを備え、第２電位は、第１電位と第３電位との間の大きさであってもよい。
【００４４】
３．３．２  構成
図５は、第２実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
第２実施形態のターゲット供給装置は、ターゲット生成器、静電引出部７４Ｂ、ホルダ部８１Ｂ以外の構成については、第１実施形態のターゲット供給装置７Ａと同様のものを適用してもよい。
【００４５】
ターゲット生成器のノズル７２２Ｂは、図５に示すように、ノズル本体７２３Ｂと、保持部７２４Ｂと、出力部７２５Ａとを備えてもよい。
ノズル本体７２３Ｂは、略円筒状に形成されてもよい。ノズル本体７２３Ｂの外径は、出力部７２５Ａの外径と略等しくてもよい。
保持部７２４Ｂは、略円筒状に形成されてもよい。保持部７２４Ｂは、当該保持部７２４Ｂの＋Ｚ方向側の第１端部にノズル本体７２３Ｂおよび出力部７２５Ａが嵌合するように、ノズル本体７２３Ｂに固定されてもよい。保持部７２４Ｂの第１端部側には、当該保持部７２４Ｂの径方向外側に突出する突出部７２８Ｂが設けられてもよい。保持部７２４Ｂの内周面には、複数の溝７２９Ｂが設けられてもよい。これらの複数の溝７２９Ｂは、保持部７２４Ｂ内に保持された第２電極７４２Ａおよび後述する第３電極７４８Ｂからの沿面放電を抑制し得る。
【００４６】
静電引出部７４Ｂは、第１実施形態の静電引出部７４Ａと同様の各構成に加え、第３電極７４８Ｂを備えてもよい。
第３電極７４８Ｂは、略円板状に形成されてもよい。第３電極７４８Ｂの中央には、円形状の第２貫通孔７４９Ｂが形成されてもよい。第３電極７４８Ｂは、保持部７２４Ｂの−Ｚ方向側の第２端部に固定されてもよい。このとき、第３電極７４８Ｂが、第２電極７４２Ａと第１領域ＡＲ１との間に配置されてもよい。ノズル７２２Ｂの中心軸が、第２貫通孔７４９Ｂ内に位置してもよい。
【００４７】
ホルダ部８１Ｂは、第１ホルダ８１１Ｂと、第２ホルダ８１２Ｂとを備えてもよい。
第１ホルダ８１１Ｂは、導電性の材料で形成されてもよい。第１ホルダ８１１Ｂは、円筒部８１３Ｂと、円板部８１４Ｂとを備えてもよい。円筒部８１３Ｂは、当該円筒部８１３Ｂの＋Ｚ方向側の第１端部に突出部７２８Ｂが嵌合するように、保持部７２４Ｂに固定されてもよい。円板部８１４Ｂは、円筒部８１３Ｂの−Ｚ方向側の第２端部を覆うように設けられてもよい。円板部８１４Ｂの中央には、円形状の貫通孔８１５Ｂが設けられてもよい。ノズル７２２Ｂの中心軸が、貫通孔８１５Ｂ内に位置してもよい。
第１ホルダ８１１Ｂは、接地されてもよい。第１ホルダ８１１Ｂには、第３電極７４８Ｂが電気的に接続されてもよい。この第１ホルダ８１１Ｂと第３電極７４８Ｂとの電気的な接続によって、第３電極７４８Ｂの電位が０Ｖに設定され得る。すなわち、第１ホルダ８１１Ｂは、本開示の第３電位設定部であってもよい。０Ｖは、本開示の第３電位であってもよい。
【００４８】
第２ホルダ８１２Ｂは、絶縁性の材料によって円筒状に形成されてもよいが、これに限らず四角筒状であってもよい。第２ホルダ８１２Ｂは、円板部８１４Ｂの＋Ｚ方向側の第１面に固定されてもよい。第２ホルダ８１２Ｂの中心軸は、貫通孔８１５Ｂの中心軸と略一致してもよい。第２ホルダ８１２Ｂの内側には、熱電子放出部８０１Ａおよび熱電子捕集部８０２Ａが固定されてもよい。第２ホルダ８１２Ｂは、熱電子放出部８０１Ａと、熱電子捕集部８０２Ａとの間に設定軌道ＣＡが位置するよう配置されるとよい。
【００４９】
３．３．３  動作
次に、ターゲット供給装置の動作について説明する。
以下において、第１実施形態と同様の動作については、説明を省略する。
【００５０】
ターゲット制御装置７１Ａは、ターゲット生成器内のターゲット物質２７０が溶融している状態において、当該ターゲット物質２７０および第２電極７４２Ａに、それぞれ正の第１電位を印加してもよい。ターゲット制御装置７１Ａは、第１領域ＡＲ１内において熱電子を発生させてもよい。
【００５１】
ターゲット制御装置７１Ａは、第２電極７４２Ａに印加する電位を制御して、ドロップレット２７１Ａを引き出してもよい。正に帯電したドロップレット２７１Ａは、第２電極７４２Ａの第１貫通孔７４６Ａを通過し得る。第２電極７４２Ａの第２電位と、第３電極７４８Ｂの第３電位との電位差により、第１貫通孔７４６Ａを通過したドロップレット２７１Ａは、加速し、第３電極７４８Ｂの第２貫通孔７４９Ｂを通過し得る。
ドロップレット２７１Ａは、第１領域ＡＲ１において熱電子によって電荷が中和され、帯電量が小さくなり得る。その結果、集光ミラー２３とドロップレット２７１Ａとの間に生じる反発力が、図４に示す場合と比べて小さくなり、ドロップレット２７１Ａの軌道が設定軌道ＣＡからずれることが抑制され得る。
【００５２】
上述のように、第２実施形態によれば、ターゲット供給装置は、第１実施形態と比べてドロップレット２７１Ａを高速化した状態で、当該ドロップレット２７１Ａの軌道が設定軌道ＣＡからずれることを抑制し得る。
【００５３】
３．４  第３実施形態
３．４．１  概略
本開示の第３実施形態のターゲット供給装置において、第２電位の極性は、第３電位の極性と異なってもよい。
【００５４】
３．４．２  構成
図６は、第３実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
第３実施形態のターゲット供給装置は、ターゲット制御装置７１Ｃ、ターゲット生成器、静電引出部７４Ｃ以外の構成については、第２実施形態のターゲット供給装置と同様のものを適用してもよい。
【００５５】
ターゲット生成器のノズル７２２Ｃは、図６に示すように、保持部７２４Ｃ以外の構成については、第２実施形態のノズル７２２Ｂと同様のものを適用してもよい。
保持部７２４Ｃは、第２実施形態の保持部７２４Ｂと比べてＺ軸方向の寸法が大きくてもよい。
【００５６】
静電引出部７４Ｃは、第２実施形態の静電引出部７４Ｂと同様の各構成に加え、第４電極７５０Ｃと、電圧源７５１Ｃとを備えてもよい。
第４電極７５０Ｃは、第３電極７４８Ｂと同様の構成を有してもよい。第４電極７５０Ｃは、第２電極７４２Ａと第３電極７４８Ｂとの間において、保持部７２４Ｃに固定されてもよい。ノズル７２２Ｃの中心軸が、第４電極７５０Ｃの第３貫通孔７５２Ｃ内に位置してもよい。第４電極７５０Ｃは、第１ホルダ８１１Ｂに電気的に接続されてもよい。第４電極７５０Ｃの電位は、０Ｖに設定され得る。
【００５７】
電圧源７５１Ｃは、本開示の第３電位設定部であってもよい。電圧源７５１Ｃの機器アースは、接地されてもよい。電圧源７５１Ｃには、第３電極７４８Ｂとターゲット制御装置７１Ｃとが電気的に接続されてもよい。
ターゲット制御装置７１Ｃは、電圧源７５１Ｃに信号を送信して、第３電極７４８Ｂに印加する電位を制御してもよい。
【００５８】
３．４．３  動作
次に、ターゲット供給装置の動作について説明する。
以下において、第２実施形態と同様の動作については、説明を省略する。
【００５９】
ターゲット制御装置７１Ｃは、ターゲット物質２７０および第２電極７４２Ａに、それぞれ正の第１電位を印加してもよい。ターゲット制御装置７１Ｃは、第３電極７４８Ｂに負の第３電位を設定してもよい。ターゲット制御装置７１Ｃは、第１領域ＡＲ１内において熱電子を発生させてもよい。
【００６０】
ターゲット制御装置７１Ｃは、第２電極７４２Ａに印加する電位を制御して、ドロップレット２７１Ａを引き出してもよい。正に帯電したドロップレット２７１Ａは、第２電極７４２Ａの第１貫通孔７４６Ａを通過し得る。第２電極７４２Ａの第２電位と、第４電極７５０Ｃの第４電位との電位差により、第１貫通孔７４６Ａを通過したドロップレット２７１Ａは、第２電極７４２Ａと第４電極７５０Ｃとの間において加速し、第４電極７５０Ｃの第３貫通孔７５２Ｃを通過し得る。第４電極７５０Ｃの第４電位と、第３電極７４８Ｂの第３電位との電位差により、第３貫通孔７５２Ｃを通過したドロップレット２７１Ａは、第４電極７５０Ｃと第３電極７４８Ｂとの間において加速し、第３電極７４８Ｂの第２貫通孔７４９Ｂを通過し得る。
ドロップレット２７１Ａは、第１領域ＡＲ１において熱電子によって電荷が中和され、帯電量が小さくなり得る。その結果、集光ミラー２３とドロップレット２７１Ａとの間に生じる反発力が、図４に示す場合と比べて小さくなり、ドロップレット２７１Ａの軌道が設定軌道ＣＡからずれることが抑制され得る。
【００６１】
上述のように、第３実施形態によれば、ターゲット供給装置は、第２実施形態と比べてドロップレット２７１Ａを高速化した状態で、当該ドロップレット２７１Ａの軌道が設定軌道ＣＡからずれることを抑制し得る。
【００６２】
第３電極７４８Ｂの第３電位は、負の電位であってもよい。ターゲット供給装置に電荷中和部８０Ａを設けない場合、正に帯電したドロップレット２７１Ａは、第２貫通孔７４９Ｂを通過してからプラズマ生成領域２５に到達するまでの間に減速し得る。
第３実施形態によれば、ドロップレット２７１Ａの帯電量を電荷中和部８０Ａが小さくするので、第２貫通孔７４９Ｂを通過してからプラズマ生成領域２５に到達するまでの間の減速が抑制され得る。
【００６３】
３．５  第４実施形態
３．５．１  概略
本開示の第４実施形態のターゲット供給装置において、第２電極と第１領域との間の第２領域にノズルの中心軸と直交する方向の電位差を生じさせる偏向部を備えてもよい。
【００６４】
３．５．２  構成
図７は、第４実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
ターゲット供給装置は、図７に示すように、ターゲット制御装置７１Ｄ、ホルダ部８１Ｄ、偏向部８２Ｄ以外の構成については、第２実施形態のターゲット供給装置と同様のものを適用してもよい。
【００６５】
ホルダ部８１Ｄは、第２ホルダ８１２ＤのＺ軸方向の寸法が第２実施形態の第２ホルダ８１２Ｂより大きいこと以外は、第２実施形態のホルダ部８１Ｂと同様のものを適用してもよい。
【００６６】
偏向部８２Ｄは、第１偏向電極８２１Ｄと、第２偏向電極８２２Ｄと、第３偏向電極８２３Ｄと、第４偏向電極８２４Ｄと、電源８２５Ｄとを備えてもよい。
第１〜第４偏向電極８２１Ｄ〜８２４Ｄは、第２ホルダ８１２Ｄにおける＋Ｚ方向側の第１端部の内周面に設けられてもよい。第１偏向電極８２１Ｄは、設定軌道ＣＡに対し＋Ｙ方向側の第１面に設けられてもよい。第２偏向電極８２２Ｄは、設定軌道ＣＡに対し−Ｘ方向側の第２面に設けられてもよい。第３偏向電極８２３Ｄは、第１面と対向する第３面に設けられてもよい。第４偏向電極８２４Ｄは、第２面と対向する第４面に設けられてもよい。第１〜第４偏向電極８２１Ｄ〜８２４Ｄで囲まれる領域は、第３電極７４８Ｂと第１領域ＡＲ１との間の第２領域ＡＲ２となり得る。
第１偏向電極８２１Ｄおよび第２偏向電極８２２Ｄは、電源８２５Ｄに電気的に接続されてもよい。第３偏向電極８２３Ｄと第４偏向電極８２４Ｄとは、円筒部８１３Ｂに電気的に接続されてもよい。円筒部８１３Ｂが接地されているため、第３偏向電極８２３Ｄの電位と、第４偏向電極８２４Ｄの電位とは、それぞれ０Ｖとなり得る。
電源８２５Ｄは、ターゲット制御装置７１Ｄに電気的に接続されてもよい。
【００６７】
熱電子放出部８０１Ａおよび熱電子捕集部８０２Ａは、第１〜第４偏向電極８２１Ｄ〜８２４Ｄより−Ｚ方向側に設けられてもよい。
ターゲット制御装置７１Ｄは、電源８２５Ｄに信号を送信して、第１偏向電極８２１Ｄおよび第２偏向電極８２２Ｄに印加する電位を制御してもよい。
【００６８】
３．５．３  動作
次に、ターゲット供給装置の動作について説明する。
以下において、第２実施形態と同様の動作については、説明を省略する。
【００６９】
ターゲット制御装置７１Ｄは、ターゲット物質２７０および第２電極７４２Ａに、それぞれ正の第１電位を印加してもよい。ターゲット制御装置７１Ｄは、第１領域ＡＲ１内において熱電子を発生させてもよい。ターゲット制御装置７１Ｄは、電源８２５Ｄに信号を送信して、第１偏向電極８２１Ｄおよび第２偏向電極８２２Ｄに印加する電位を個別に制御してもよい。第２領域ＡＲ２には、Ｙ軸方向およびＸ軸方向にそれぞれ電位差が生じ得る。この電位差は、第２貫通孔７４９Ｂを通過したドロップレット２７１Ａの軌道を修正して、修正後の軌道が設定軌道ＣＡと略一致するような大きさであってもよい。
【００７０】
ターゲット制御装置７１Ｄは、第２電極７４２Ａに印加する電位を制御して、ドロップレット２７１Ａを引き出してもよい。正に帯電したドロップレット２７１Ａは、第２電極７４２Ａの第１貫通孔７４６Ａ、第２貫通孔７４９Ｂを通過し得る。ドロップレット２７１Ａが第２領域ＡＲ２内に進入すると、電位差によって軌道が変化し得る。例えば、第１偏向電極８２１Ｄに正の電位が印加されている場合、ドロップレット２７１Ａの軌道は、−Ｙ方向に変化し得る。第１偏向電極８２１Ｄに負の電位が印加されている場合、ドロップレット２７１Ａの軌道は、＋Ｙ方向に変化し得る。第２偏向電極８２２Ｄに正の電位が印加されている場合、ドロップレット２７１Ａの軌道は、＋Ｘ方向に変化し得る。第２偏向電極８２２Ｄに負の電位が印加されている場合、ドロップレット２７１Ａの軌道は、−Ｘ方向に変化し得る。ドロップレット２７１Ａの軌道の変化量は、電位差の大きさに対応し得る。
【００７１】
ここで、第２領域ＡＲ２内の電位差は、第１偏向電極８２１Ｄと第２偏向電極８２２Ｄに電位を印加しないときのドロップレット２７１Ａの軌道と、設定軌道ＣＡとのずれを調べておき、当該ずれをほぼなくすようにあらかじめ決定されてもよい。
あるいは、電位差は、ドロップレット２７１Ａの軌道を監視して、フィードバック制御によってリアルタイムで決定されてもよい。フィードバック制御を行うために、図１に示したようにＥＵＶ光生成装置１が、ターゲットセンサ４によりドロップレット２７１Ａの軌道を検出して、ターゲット制御装置７１Ｄを介して第１偏向電極８２１Ｄと第２偏向電極８２２Ｄの電位を制御してもよい。あるいは、図７に二点鎖線で示すように、第２ホルダ８１２Ｄ内における第１領域ＡＲ１の−Ｚ方向側に、第１撮影部８３１Ｄと、第２撮影部８３２Ｄとを設けてもよい。第１撮影部８３１Ｄは、第２ホルダ８１２Ｄの第３面に設けられてもよい。第２撮影部８３２Ｄは、第２ホルダ８１２Ｄの第２面に設けられてもよい。第１撮影部８３１Ｄおよび第２撮影部８３２Ｄは、ターゲット制御装置７１Ｄに電気的に接続されてもよい。第１撮影部８３１Ｄおよび第２撮影部８３２Ｄは、ドロップレット２７１Ａを撮影して、撮影した画像に対応する信号をターゲット制御装置７１Ｄに送信してもよい。ターゲット制御装置７１Ｄは、第１撮影部８３１Ｄおよび第２撮影部８３２Ｄから信号を受信して、ドロップレット２７１Ａの軌道と設定軌道ＣＡとのずれを計算してもよい。ドロップレット２７１Ａの軌道が設定軌道ＣＡに対してＹ軸方向にずれている場合、第１偏向電極８２１Ｄに印加する電位をずれ量に対応して制御してもよい。ドロップレット２７１Ａの軌道がＸ軸方向にずれている場合、第２偏向電極８２２Ｄに印加する電位をずれ量に対応して制御してもよい。
【００７２】
第２領域ＡＲ２で軌道が修正されたドロップレット２７１Ａは、第１領域ＡＲ１において熱電子によって電荷が中和され、帯電量が小さくなり得る。その結果、集光ミラー２３とドロップレット２７１Ａとの間に生じる反発力が、図４に示す場合と比べて小さくなり、ドロップレット２７１Ａの軌道が設定軌道ＣＡからずれることが抑制され得る。
【００７３】
上述のように、第４実施形態によれば、ターゲット供給装置は、偏向部８２Ｄがドロップレット２７１Ａの軌道を修正した後に、電荷中和部８０Ａがドロップレット２７１Ａの電荷を中和するため、ドロップレット２７１Ａの軌道の安定性が向上し得る。
【００７４】
３．６  第５実施形態
３．６．１  概略
本開示の第５実施形態のターゲット供給装置において、電荷中和部は、第１領域に電子ビームを照射する電子ビーム照射部を備えてもよい。
【００７５】
３．６．２  構成
図８は、第５実施形態および第６実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
ターゲット供給装置は、図８に示すように、ターゲット制御装置７１Ｅ、電荷中和部８０Ｅ以外の構成については、第２実施形態のターゲット供給装置と同様のものを適用してもよい。なお、第５実施形態のターゲット供給装置には、第２ホルダ８１２Ｂを設けなくてもよい。
【００７６】
電荷中和部８０Ｅは、電子ビーム照射部８０６Ｅを備えてもよい。電子ビーム照射部８０６Ｅは、第１ホルダ８１１Ｂの円筒部８１３Ｂに固定されてもよい。電子ビーム照射部８０６Ｅは、ターゲット制御装置７１Ｅに電気的に接続されてもよい。
ターゲット制御装置７１Ｅは、電子ビーム照射部８０６Ｅに信号を送信して、設定軌道ＣＡを含む第１領域ＡＲ１１に電子ビームを照射してもよい。
【００７７】
３．６．３  動作
次に、ターゲット供給装置の動作について説明する。
以下において、第２実施形態と同様の動作については、説明を省略する。
【００７８】
ターゲット制御装置７１Ｅは、ターゲット物質２７０および第２電極７４２Ａに、それぞれ正の第１電位を印加してもよい。ターゲット制御装置７１Ｅは、電子ビーム照射部８０６Ｅに信号を送信し、第１領域ＡＲ１１に電子ビームを照射してもよい。
ターゲット制御装置７１Ｅは、第２電極７４２Ａに印加する電位を制御して、ドロップレット２７１Ａを引き出してもよい。正に帯電したドロップレット２７１Ａは、第２電極７４２Ａの第１貫通孔７４６Ａ、第２貫通孔７４９Ｂを通過し得る。ドロップレット２７１Ａが第１領域ＡＲ１１内に進入すると、電子ビームによって電荷が中和され、帯電量が小さくなり得る。その結果、集光ミラー２３とドロップレット２７１Ａとの間に生じる反発力が、図４に示す場合と比べて小さくなり、ドロップレット２７１Ａの軌道が設定軌道ＣＡからずれることが抑制され得る。
【００７９】
３．７  第６実施形態
３．７．１  概略
本開示の第６実施形態のターゲット供給装置において、電荷中和部は、第１領域にイオンビームを照射するイオンビーム照射部を備えてもよい。
【００８０】
３．７．２  構成
ターゲット供給装置は、図８に示すように、ターゲット制御装置７１Ｆ、電荷中和部８０Ｆ以外の構成については、第５実施形態のターゲット供給装置と同様のものを適用してもよい。
【００８１】
第６実施形態のターゲット物質２７０Ｆは、ドロップレット２７１Ｆが負に帯電するような材料で構成されてもよい。例えば、ターゲット物質２７０Ｆの材料は、キセノンであってもよい。
電荷中和部８０Ｆは、イオンビーム照射部８０７Ｆを備えてもよい。イオンビーム照射部８０７Ｆは、円筒部８１３Ｂに固定されてもよい。イオンビーム照射部８０７Ｆは、ターゲット制御装置７１Ｆに電気的に接続されてもよい。
ターゲット制御装置７１Ｆは、イオンビーム照射部８０７Ｆに信号を送信して、第１領域ＡＲ１１にイオンビームを照射してもよい。
【００８２】
３．７．３  動作
次に、ターゲット供給装置の動作について説明する。
以下において、第２実施形態と同様の動作については、説明を省略する。
【００８３】
ターゲット制御装置７１Ｆは、ターゲット物質２７０Ｆおよび第２電極７４２Ａに、それぞれ負の第１電位を印加してもよい。ターゲット制御装置７１Ｆは、イオンビーム照射部８０７Ｆに信号を送信し、第１領域ＡＲ１１にイオンビームを照射してもよい。
ターゲット制御装置７１Ｆは、第２電極７４２Ａに印加する電位を第１電位から負の第２電位に上昇させ、所定時間保持して、再び第１電位に戻してもよい。第２電位の大きさは、０Ｖ未満であり、かつ、第１電位を超える大きさであってもよい。このとき、第２電極７４２Ａの電位上昇のタイミングに同期して、ターゲット物質２７０Ｆが静電気力によってドロップレット２７１Ｆの形状で引き出され得る。第１電極７４１Ａの第１電位および第２電極７４２Ａの第２電位が負の電位であるため、ドロップレット２７１Ｆは、負に帯電し、第２電極７４２Ａの第１貫通孔７４６Ａを通過し得る。第２電極７４２Ａの第２電位が第３電極７４８Ｂの第３電位より小さいため、第１貫通孔７４６Ａを通過したドロップレット２７１Ｆは、加速し、第２貫通孔７４９Ｂを通過し得る。
【００８４】
ドロップレット２７１Ｆが第１領域ＡＲ１１内に進入すると、イオンビームによって電荷が中和され、帯電量が小さくなり得る。その結果、集光ミラー２３とドロップレット２７１Ｆとの間に生じる反発力が、図４に示す場合と比べて小さくなり、ドロップレット２７１Ｆの軌道が設定軌道ＣＡからずれることが抑制され得る。
【００８５】
３．８  第７実施形態
３．８．１  構成
図９は、第７実施形態に係るＥＵＶ光生成チャンバの構成を概略的に示す。なお、ＥＵＶ光生成チャンバの動作は、第１実施形態のターゲット供給装置と同様のため、説明を省略する。
ＥＵＶ光生成チャンバ２０Ｇは、図９に示すように、チャンバ２と、ターゲット生成器７２Ａと、第１電極７４１Ａと、第２電極７４２Ａと、電荷中和部８０Ａと、ホルダ部８１Ｇとを備えてもよい。
ホルダ部８１Ｇは、熱電子放出部８０１Ａおよび熱電子捕集部８０２Ａをチャンバ２に固定するように構成されてもよい。熱電子放出部８０１Ａおよび熱電子捕集部８０２Ａは、第１実施形態と同様の位置に配置されてもよい。
【００８６】
３．９  第８実施形態
３．９．１  構成
図１０は、第８実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
ターゲット供給装置は、図１０に示すように、ターゲット制御装置７１Ｈ、ターゲット生成器７２Ｈ、ホルダ部８１Ｈ以外の構成については、第１実施形態のターゲット供給装置と同様のものを適用してもよい。また、ターゲット供給装置は、静電引出部７４Ａの代わりに、ピエゾ部７６Ｈと、帯電部７７Ｈとを備えてもよい。
【００８７】
ターゲット生成器７２Ｈは、タンク７２１Ａと、ノズル７２２Ｈとを備えてもよい。ノズル７２２Ｈは、円筒状に形成されてもよい。
ピエゾ部７６Ｈは、ピエゾ素子７６１Ｈと、電源７６２Ｈとを備えてもよい。ピエゾ素子７６１Ｈは、チャンバ２内において、ノズル７２２Ｈの外周面に設けられてもよい。ピエゾ素子７６１Ｈの代わりに、高速でノズル７２２Ｈに振動を加えることが可能な機構が設けられてもよい。電源７６２Ｈは、フィードスルー７６３Ｈを介してピエゾ素子７６１Ｈに電気的に接続されてもよい。電源７６２Ｈは、ターゲット制御装置７１Ｈに電気的に接続されてもよい。
帯電部７７Ｈは、帯電電極７７１Ｈと、電源７７２Ｈとを備えてもよい。帯電電極７７１Ｈの中央には、貫通孔７７３Ｈが形成されてもよい。帯電電極７７１Ｈは、ノズル７２２Ｈの中心軸が貫通孔７７３Ｈ内に位置するようにホルダ部８１Ｈで保持されてもよい。電源７７２Ｈは、フィードスルー７７４Ｈを介して帯電電極７７１Ｈに電気的に接続されてもよい。電源７７２Ｈは、ターゲット制御装置７１Ｈに電気的に接続されてもよい。
ホルダ部８１Ｈは、帯電電極７７１Ｈと、熱電子放出部８０１Ａと、熱電子捕集部８０２Ａとをノズル７２２Ｈに固定してもよい。
【００８８】
ターゲット制御装置７１Ｈは、電源７６２Ｈ、電源７７２Ｈに信号を送信することで、コンティニュアスジェット方式でジェット２７２Ｈを生成し、ノズル７２２Ｈから出力したジェット２７２Ｈを振動させることで、ドロップレット２７１Ａを生成するよう構成されてもよい。
【００８９】
３．９．２  動作
次に、ターゲット供給装置の動作について説明する。
以下において、第１実施形態と同様の動作については、説明を省略する。
【００９０】
ターゲット制御装置７１Ｈは、第１領域ＡＲ１内において熱電子を発生させてもよい。ターゲット制御装置７１Ｈは、帯電電極７７１Ｈに正の電位を印加してもよい。ターゲット制御装置７１Ｈは、ターゲット物質２７０を溶融してもよい。ターゲット制御装置７１Ｈは、ジェット２７２Ｈを出力するために、ターゲット生成器７２Ｈ内の圧力を所定の圧力に上げてもよい。ターゲット生成器７２Ｈ内の圧力が所定の圧力に到達すると、ノズル７２２Ｈからジェット２７２Ｈが出力し得る。
ターゲット制御装置７１Ｈは、ピエゾ素子７６１Ｈを高速で振動させてもよい。これにより、ジェット２７２Ｈは、一定周期で分断され、ドロップレット２７１Ａとして出力され得る。ドロップレット２７１Ａは、貫通孔７７３Ｈを通過する際、正に帯電し得る。正に帯電したドロップレット２７１Ａは、第１領域ＡＲ１において熱電子によって電荷が中和され、帯電量が小さくなり得る。
【００９１】
３．１０  変形例
なお、ターゲット供給装置、ＥＵＶ光生成チャンバとしては、以下に示すような構成としてもよい。
例えば、熱電子放出部８０１Ａとして、電極と、紫外線照射部とを設けてもよい。紫外線照射部は、電極の仕事関数と同等以上のエネルギーを有する紫外線を電極に照射して、熱電子を放出してもよい。
第３実施形態において、第４電極７５０Ｃを設けなくてもよい。
【００９２】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【００９３】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【００９４】
７Ａ…ターゲット供給装置、２０Ｇ…ＥＵＶ光生成チャンバ、２５…プラズマ生成領域、８０Ａ，８０Ｅ，８０Ｆ…電荷中和部、８２Ｄ…偏向部、７２１Ａ…タンク、７２２Ａ，７２２Ｂ，７２２Ｃ，７２２Ｈ…ノズル、７４１Ａ…第１電極、７４２Ａ…第２電極、７４３Ａ…電圧源（第１電位設定部）、７４４Ａ…パルス電圧生成器（第２電位設定部）、７４６Ａ…第１貫通孔、７４８Ｂ…第３電極、７４９Ｂ…第２貫通孔、７５１Ｃ…電圧源（第３電位設定部）、８０１Ａ…熱電子放出部、８０２Ａ…熱電子捕集部、８０６Ｅ…電子ビーム照射部、８０７Ｆ…イオンビーム照射部、８１１Ｂ…第１ホルダ（第３電位設定部）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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