(57)【要約】【課題】光電変換部を備える半導体装置のカラーフィルター膜として着色ガラスを用いたときに生じる課題を、少なくとも１つ解決する。【解決手段】フォトダイオード等の光電変換部と、金属イオンが添加された無機材料のカラーフィルターと、前記光電変換部と前記カラーフィルターの間に形成された金属ゲッター膜と、を備えた半導体装置。【選択図】図１
2014143376.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体の光電変換部と、
金属イオンが添加された無機材料のカラーフィルターと、
前記光電変換部と前記カラーフィルターの間に形成された金属ゲッター膜と、
を備える半導体装置。
【請求項２】
前記ゲッター膜は、ＢＰＳＧ（Boron Phosphor Silicate Glass）膜又はＰＳＧ（Phosphor Silicate Glass）膜である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記光電変換部と前記カラーフィルターの間には金属イオンの拡散を防止する拡散防止膜が形成されている請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記拡散防止膜は、シリコン窒化膜又はシリコン酸窒化膜である請求項１〜請求項３の何れか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
複数の前記光電変換部と、
前記光電変換部と交互に並べて形成される複数の転送部とを更に備え、
前記カラーフィルターは、前記光電変換部に隣接して形成される前記転送部から徐々に突出量が大きくなる山型の凸部を有する
請求項１〜請求項４の何れか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体の光電変換部を形成する第１工程と、
金属イオンが添加された無機材料でカラーフィルターを形成する第２工程と、
前記光電変換部と前記カラーフィルターの間に金属ゲッター膜を形成する第３工程と、
を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２工程においては、テトラアルコキシシランと金属アルコキシドの加水分解反応により生成した金属入りシリコン酸化物を結晶化させて前記カラーフィルターとする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＣＣＤやＣＭＯＳのカラーイメージセンサは、入光部と光電変換部の間にカラーフィルターを有する。カラーフィルターは、必要な色の顔料若しくは染料を含むカラーレジストを、フォトリソグラフィー技術でコーティング、露光及び現像することにより形成される。
【０００３】
しかしながら、カラーレジストを用いてフォトリソグラフィーで作成されたカラーフィルターは高熱に弱いため、約３００℃前後で焦げてしまう。従って、カラーフィルターを形成した後は高温プロセスを用いることができない。
【０００４】
例えば、ＣＭＯＳカラーイメージセンサの典型的な構造における光電変換素子部、配線部、無機レンズ部、パッシベーション膜等はその形成に高温プロセスを必要とする部位であるため、カラーフィルターはこれらよりも後に形成される必要が有り、その結果、これらよりも上層に形成される。
【０００５】
その他、カラーレジストを用いてフォトリソグラフィーで作成されたカラーフィルターは、耐光性が弱いため、長時間動作により退色の懸念がある。また、レジストに分散された色素（顔料や染料）の大きさや凝集によって、微小黒点欠陥等の不良になる可能性がある。
【０００６】
このような欠点を改善する技術として特許文献１，２が開示されている。
【０００７】
特許文献１は、カラーフィルター膜となる着色ガラスを、アルコキシシランと有機金属を用いた減圧ＣＶＤ法等の気相成長法あるいは塗布法を用いて形成する技術である。この着色ガラスは酸化ケイ素を主成分とし、Ａｕ，Ｃｕ，Ｓｅ，Ｃｄ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｃｏ等の金属元素またはこれら金属元素の酸化物、硫化物、ハロゲン化物等の化合物を着色材として用いている。
【０００８】
特許文献２には、酸化アルミニウム等の透明性のある無機酸化物を主成分とする無機材料膜に、遷移金属を所定のドーズ量で、スパッタ法やＣＶＤ法を用いてドープする技術が開示されている。ドープする遷移金属としては、赤用カラーフィルターにはクロム、緑用カラーフィルターにはベリリウムとケイ素、青用カラーフィルターにはチタンと鉄が例示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平４−７３９６８号公報
【特許文献２】特開２０００−３４７０２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上述した従来の技術においては、カラーフィルター膜として着色ガラスを用いることについては開示されているものの、光電変換部を備える半導体装置のカラーフィルター膜として着色ガラスを用いたときに生じる課題については、何ら考慮されていない。
【００１１】
本技術は、前記課題に鑑みてなされたもので、光電変換部を備える半導体装置のカラーフィルター膜として着色ガラスを用いたときに生じる課題を検討し、その少なくとも１つが解決された半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本技術に係る半導体装置は、半導体の光電変換部と、金属イオンが添加された無機材料のカラーフィルターと、前記光電変換部と前記カラーフィルターの間に形成された金属ゲッター膜と、を備える構成としてある。
【００１３】
以上説明した半導体装置は、他の機器に組み込まれた状態で実施されたり他の方法とともに実施されたりする等の各種の態様を含む。また、本技術は、上述した装置の構成に対応した工程を有する半導体装置の製造方法、当該製造方法を実現するための半導体装置の製造装置、当該製造装置の構成に対応した機能をコンピュータに実現させるプログラム、該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体、等としても実現可能である。
【発明の効果】
【００１４】
本技術によれば、光電変換部を備える半導体装置のカラーフィルター膜として着色ガラスを用いたときに生じる課題を、少なくとも１つ解決することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第１の実施形態に係るカラーイメージセンサの構造を示す図である。
【図２】図１に示すカラーイメージセンサの製造方法の流れを示す図である。
【図３】図２に示す製造方法の各工程におけるカラーイメージセンサの状態を断面的に示した模式図である。
【図４】図２に示す製造方法の各工程におけるカラーイメージセンサの状態を断面的に示した模式図である。
【図５】図２に示す製造方法の各工程におけるカラーイメージセンサの状態を断面的に示した模式図である。
【図６】カラーフィルターの形成時におけるＴＥＯＳ装置の概要を示す図である。
【図７】ＲＧＢ各色のカラーフィルターの製造方法の流れを示すフローチャートである。
【図８】図７の各製造工程におけるカラーフィルターの断面を模式的に示した図である。
【図９】図２に示す製造方法の各工程におけるカラーイメージセンサの状態を断面的に示した模式図である。
【図１０】図２に示す製造方法の各工程におけるカラーイメージセンサの状態を断面的に示した模式図である。
【図１１】ＣＭＯＳイメージセンサーの断面構造を模式的に示した図である。
【図１２】ＣＭＯＳイメージセンサーの断面構造を模式的に示した図である。
【図１３】ＣＭＯＳイメージセンサーの断面構造を模式的に示した図である。
【図１４】ＣＭＯＳイメージセンサーの断面構造を模式的に示した図である。
【図１５】ＣＭＯＳイメージセンサーの断面構造を模式的に示した図である。
【図１６】ＣＭＯＳイメージセンサーの断面構造を模式的に示した図である。
【図１７】ＣＭＯＳイメージセンサーの断面構造を模式的に示した図である。
【図１８】ＣＭＯＳイメージセンサーの断面構造を模式的に示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、下記の順序に従って本技術を説明する。
（１）半導体装置の第１実施形態：
（２）半導体装置の第２実施形態：
（３）他の実施形態：
（４）まとめ：
【００１７】
（１）第１の実施形態：
図１は、第１の実施形態に係るカラーイメージセンサの構造を示す図である。同図に示すように、カラーイメージセンサ１００は、基板１０の上に、光電変換部１１と転送部１２が左右方向に交互に形成されている。この転送部１２の上には遮光膜１３が形成されている。遮光膜１３は、光を遮光する材料であれば良いが、遮光性が強く、かつ微細加工、例えばエッチングで精度よく加工できる金属や合金の膜で形成することが好ましい。
【００１８】
一方、光電変換部１１の上層側には、カラーフィルター１４が形成されている。本実施形態において、カラーフィルター１４は、無機材料である酸化膜に金属成分を添加した金属入り酸化膜である。金属入り酸化膜で形成されたカラーフィルター１４は、様々な方法で作製することが可能であり、例えば、後述するＴＥＯＳ装置を用いて作製することができる。
【００１９】
カラーフィルター１４の酸化膜に導入する金属成分は、実現したいカラーフィルター１４の色に応じて適宜に選択される。具体的には、例えば、http://www.nittech.co.jp/E04/E0404.htmlに記載の組成比や、特開平１０−６１１６９号公報や特開２０００−１０３６４４号公報に開示されている組成比で金属成分を添加することにより、所望の色のカラーフィルターを実現することができる。
【００２０】
光電変換部１１とカラーフィルター１４の間には、ゲッター膜１５と拡散防止膜１６が順次に形成されている。ゲッター膜１５は、例えば、ＢＰＳＧ膜（Boron Phosphor Silicate Glass膜）又はＰＳＧ膜（Phosphor Silicate Glass膜）で形成することができる。拡散防止膜１６は、例えば、ＳｉＮ膜又はＳｉＯＮ膜等の絶縁膜で形成することができる。
【００２１】
ゲッター膜１５は、不純物をトラップするゲッタリング機能を有しており、金属イオンをトラップする機能を有する。従って、カラーフィルター１４の金属イオンが光電変換部１１の方向に拡散しても、この金属イオンをゲッター膜１５がトラップし、光電変換部１１方向への金属イオンの拡散を防止できる。これにより、光電変換部１１の金属汚染が防止される。
【００２２】
また、拡散防止膜１６は、緻密で水分や不純物を通しにくい性質を有しており、金属イオンのストッパとして機能する。従って、カラーフィルター１４の金属イオンの拡散は拡散防止膜１６によって阻止され、ゲッター膜１５や光電変換部１１に向けて金属イオンが拡散しにくくなる。これにより、光電変換部１１の金属汚染を、より確実に防止することができる。
【００２３】
また、光電変換部１１の側から順にゲッター膜１５と拡散防止膜１６とが形成されており、カラーフィルター１４に近い側に拡散防止膜１６が形成され、カラーフィルター１４から遠い側（光電変換部１１に近い側）にゲッター膜１５が形成されている。このとき、ゲッター膜１５に到達する金属イオンは、この位置関係を逆にした場合に比べて低減されるため、ゲッター膜１５のトラップ機能が有効活用される。
【００２４】
各カラーフィルター１４の上層側には、オンチップレンズ１７がそれぞれ形成されている。オンチップレンズ１７は有機材料で形成してもよいが、本実施形態では、無機材料の酸化膜で形成してある。無機材料のオンチップレンズ１７は、上述した無機材料の酸化膜で形成可能であり、例えば、後述するＴＥＯＳ装置を用いて作製することができる。なお、オンチップレンズ１７を有機材料で形成する場合は、上述の背景技術に記載のように、カラーレジストを用いてカラーフィルターを作製することになる。
【００２５】
カラーフィルター１４とオンチップレンズ１７の間には、拡散防止膜１８とゲッター膜１９が、カラーフィルター１４に近い側から順に形成されている。なお、図１に示す例では、ゲッター膜１９とオンチップレンズ１７の間に更にパッシベーション膜２０としてのＳｉＮ膜も形成されている。
【００２６】
カラーフィルター１４とオンチップレンズ１７の間にゲッター膜１９を設けることにより、ゲッター膜１９が、カラーフィルター１４からオンチップレンズ１７の方向に拡散する金属イオンをトラップする。これにより、オンチップレンズ１７方向への金属イオンの拡散を防止し、オンチップレンズ１７の金属汚染を防止することができる。
【００２７】
また、カラーフィルター１４とオンチップレンズ１７の間に拡散防止膜１８を介在させることにより、カラーフィルター１４に含まれる金属イオンの拡散が拡散防止膜１８によって阻止され、ゲッター膜１９やオンチップレンズ１７に向けて金属イオンが拡散しにくくなる。これにより、オンチップレンズ１７の金属汚染を、より確実に防止することができる。
【００２８】
また、ゲッター膜１９と拡散防止膜１８は、カラーフィルター１４により近い位置に拡散防止膜１８を形成し、オンチップレンズ１７により近い位置にゲッター膜１９を形成してある。これにより、ゲッター膜１９と拡散防止膜１８の位置関係を逆にして形成した場合に比べて、ゲッター膜１９に到達する金属イオンが低減され、ゲッター膜１９のゲッタリング機能が有効活用される。
【００２９】
さらに、隣接して設けられるカラーフィルター１４の間にも、上述した拡散防止膜１８が入り込んで、一方のカラーフィルター１４に含まれる金属イオンが、他方のカラーフィルター１４に拡散しないようになっている。なお、カラーフィルター１４の間に入り込むようにゲッター膜１９を形成し、カラーフィルター１４間で拡散する金属イオンをトラップするようにしてもよい。
【００３０】
転送部１２や光電変換部１１の上に形成されるゲッター膜１５や拡散防止膜１６の上面は、光電変換部１１の左右方向の略中央に向けて徐々に凹む断面すり鉢状の凹みが形成されており、転送部１２の上に比べて光電変換部１１に近くなっている。カラーフィルター１４は、その中心がこの凹みの位置に略一致するように形成されている。
【００３１】
すなわち、カラーフィルター１４は、その下面の光電変換部１１に面した部位に、光電変換部１１に向かって突出した山型の凸部１４ａが形成されている。このため、カラーフィルター１４の上下面を共に平坦に形成する場合に比べて、光電変換部１１に最接近する部位から上面までの距離を稼ぐことができる。
【００３２】
これにより、拡散防止膜１６の上面からカラーフィルター１４の上面までの距離が、カラーフィルター１４の上下面を共に平坦に形成する場合に比して短縮され、その分、カラーイメージセンサ１００の総厚を薄くすることができる。
【００３３】
また、カラーフィルター１４が、より光電変換部１１の近くに形成されるため、隣接するカラーフィルター１４との混色が防止される。
【００３４】
以上説明したように、本実施形態に係るカラーフィルター１４は、無機材料に金属成分を組み込んだ金属入り酸化膜で形成されており、その周囲に形成される各種素子との間には、適宜にゲッター膜１５，１９や拡散防止膜１６，１８が形成されている。従って、これら各種素子の、カラーフィルター１４の金属イオンによる金属汚染を防止することが可能になっている。
【００３５】
（２）第２の実施形態：
次に、上述した第１の実施形態に係るカラーイメージセンサ１００の製造方法について説明する。図２は、図１に示すカラーイメージセンサ１００の製造方法の流れを示す図であり、図３〜図５，図９，図１０は、図２に示す製造方法の各工程におけるカラーイメージセンサ１００の状態を断面的に示した模式図である。
【００３６】
図２に示す製造方法では、まず、基板１０の上に、光電変換部１１及び転送部１２を形成する（Ｓ１０）。光電変換部１１と転送部１２は、公知の各種の製法で形成することができる。光電変換部１１と転送部１２は、図１の左右方向に交互に並ぶように形成されている。
【００３７】
光電変換部１１は、図１の奥行き方向に複数の光電変換素子が並ぶように形成されている。光電変換素子は、例えばＰＮ接合のフォトダイオードであり、受光した光を光電変換することにより、受光量に応じた信号電荷を発生することができる。
【００３８】
転送部１２は、いわゆる垂直転送レジスタであり、基板１０の表面の酸化膜上に複数の電極を図１の奥行き方向に並べて設けたＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）で構成される。転送部１２は、複数電極の各電極に対して隣同士で異なる電圧を与えて各電極の間にポテンシャル障壁を形成し、各電極に電荷を保持することができる。転送部１２の上には遮光膜１３を形成する。
【００３９】
次に、図３に示すように、光電変換部１１や転送部１２の上に、ゲッター膜１５としてのＢＰＳＧ膜を形成する（Ｓ２０）。ただし、転送部１２の上に遮光膜１３が形成されて転送部１２が光電変換部１１より盛り上がった形状になっているため、光電変換部１１はその両側（転送部１２や遮光膜１３の形成範囲）に比べて凹んだ形状になっている。
【００４０】
このため、ゲッター膜１５の表面を平坦化するためのＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）等を行わない場合は、光電変換部１１や転送部１２の上に形成されたゲッター膜１５は、すり鉢状に光電変換部１１に向けて凹む凹部１５ａを有することになる。
【００４１】
次に、図４に示すように、ゲッター膜１５の上に、拡散防止膜１６としてのＳｉＮ膜を形成する（Ｓ３０）。この拡散防止膜１６も、表面を平坦化するためのＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）等を行わない場合は、光電変換部１１の位置に、すり鉢状に光電変換部１１に向けて凹む凹部１６ａが形成されることになる。
【００４２】
次に、図５に示すように、拡散防止膜１６の上にカラーフィルター１４を形成する（Ｓ４０）。ここで、拡散防止膜１６が凹部１６ａを有するため、カラーフィルター１４は、その下面の光電変換部１１に面した部位に、光電変換部１１に向かって断面山型に突出した凸部１４ａが形成されることになる。
【００４３】
カラーフィルター１４の形成は、塗布法（液体の塗布（スピンコート、ディップコート、スプレーコート等）とキュア）を用いて行い、本実施形態ではその一種であるゾル−ゲル法を用いて行う場合を例に取り説明を行う。
【００４４】
また、本実施形態では、特に、半導体で使用される酸化膜形成工程のＣＶＤ工程のＴＥＯＳ装置を用いてカラーフィルター１４を形成する場合を例に取り説明を行う。なお、ＴＥＯＳとは、ＴＥＯＳ装置を用いて行うＣＶＤ工程の原材料の液体ソースであるテトラエトキシシランを意味する。
【００４５】
図６は、カラーフィルター１４の形成時におけるＴＥＯＳ装置の概要を示す図である。同図に示すように、本実施形態に係るＴＥＳＯ装置は、光電変換部１１や転送部１２を形成した基板１０を、ベルトコンベア等の搬送装置によって成膜チャンバー内を搬送しつつ、ＴＥＯＳ供給系から供給される成膜材料を当該成膜チャンバー内でガスインジェクタを用いて基板１０（ウェハ）の表面に塗布する。
【００４６】
成膜材料は、原料を溶解又は分散させた溶液であり、ＴＥＳＯソースに金属アルコキシドを混合した溶液を用いる。金属アルコキシドのアルコキシド基には、エタノール、メタノール、イソプロパノール等の各種のアルコールに対応するアルコキシド基とすることができる。ＴＥＯＳソースのエトキシ基も各種のアルコキシド基としてもよく、テトラエトキシシランに限らずテトラアルコキシシランを用いることもできる。ＴＥＯＳは、常温・常圧で液体であるため、通常、キャリアガスでバブリングしてガスインジェクタに供給する。
【００４７】
金属アルコキシドの金属イオンは、形成したいカラーフィルター１４の色に応じて、所定の金属イオンが適宜の配合比で含まれるように選択する。金属イオンの種類は、例えば、赤色のカラーフィルターを形成する場合はＡｕ，Ｃｕ，Ｃｏ，Ｓｅ＋Ｃｄを用い、青色のカラーフィルターを形成する場合はＣｏ，Ｃｕを用い、緑色のカラーフィルターを形成する場合はＣｒ，Ｆｅ，Ｃｕを用いる。
【００４８】
ＴＥＯＳソースと金属アルコキシドは、基板１０上で下記（１）式に示す加水分解反応により、金属入りシリコン酸化物のアモルファス膜と反応副生成物としてのエタノールに変化する。なお、下記（１）式に示すＥｔＯはエトキシ基（Ｃ２Ｈ５−Ｏ−）を表す。なお、下記（１）式では、金属アルコキシドの金属が銅（Ｃｕ）イオンの場合を例示してある。
【００４９】
【化１】
2014143376.tif 000003
【００５０】
その後、必要に応じて、例えば約４００℃程度の加熱を行って金属入りシリコン酸化物のアモルファス膜を結晶化させて金属入りシリコン酸化物結晶を形成する。ただし、塗布後のエージング条件次第では室温でも結晶化させることができる。金属入りシリコン酸化物結晶は、金属アルコキシドに含まれていた金属イオンの配合比に応じて釉薬のように発色する。
【００５１】
なお、以上説明したＴＥＯＳ装置を用いて形成した金属入りシリコン酸化膜（以下、ＴＥＯＳ系酸化膜）は、ＳｉＨ４を用いて形成した金属入りシリコン酸化膜（以下、ＳｉＨ４系酸化膜）に比べて、膜の緻密性やカバレッジにおいて優れており、パーティクルの発生に有利である。
【００５２】
また、ＴＥＯＳ系酸化膜は、基板表面（下地）の状態が反応に強く影響するが、一緒に流すＯ３ガス濃度の調整により膜質の制御が可能であり、４００℃付近でも流動性のある膜を成膜することができる。このため、ＴＥＯＳ系酸化膜は、ＳｉＨ４系酸化膜に比べて、反応中間体の基板表面上でのマイグレーションが大きく、埋め込み能力が高くなる。
【００５３】
また、ＴＥＯＳ系酸化膜の場合、ＳｉＨ４系酸化膜に比べて、金属入りシリコン酸化物のアモルファス膜が基板表面にコンフォーマルに配列される。
【００５４】
これは、ＳｉＨ４系酸化膜は気相反応で形成されるのに対し、ＴＥＯＳ系酸化膜は表面反応で形成されることに起因する。すなわち、ＳｉＨ４系酸化膜の場合、原料ガスが気相反応して主生成物である膜材料と副生成物であるエタノール等が生成され、この主生成物が基板表面に堆積することにより形成されるが、ＴＥＯＳ系酸化膜の場合、常圧下且つＯ３濃度が高い状態では、気相中に疎水性ポリマーが形成されて表面吸着してマイグレーションにより金属入りシリコン酸化物が基板表面にコンフォーマルに配列された後、表面反応によって主生成物である膜材料を残して、副生成物であるエタノール等が脱離するためである。
【００５５】
また、ＴＥＯＳは、常温で自燃性ではないため比較的安定しており、取り扱いが安全であり、且つ、高純度なものを入手しやすいが、ＳｉＨ４は、自燃性であり、毒性があるため取り扱いに細心の注意を要する。
【００５６】
なお、上述した実施形態では、常圧ＣＶＤの場合を例に取り説明を行ったが、これに限るものではなく、例えば、準常圧ＣＶＤやプラズマＣＶＤを用いても構わない。
【００５７】
次に、図７と図８を参照しつつ、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルター１４を、同じ１つの基板上に形成するための製造方法について説明する。図７は、ＲＧＢ各色のカラーフィルターの製造方法の流れを示すフローチャートであり、図８は、図７の各製造工程におけるカラーフィルターの断面を模式的に示した図である。なお、図８には、説明の便宜上、カラーフィルター１４の下部に凸部１４ａが無い場合を示してある。また、各カラーフィルターの色は赤、緑、青に限らず様々に変更可能であるし、各色のカラーフィルターの配置についても様々に変更可能である。
【００５８】
まず、ＲＧＢ各色のカラーフィルターの製造においては、緑色のカラーフィルター１４Ｇを形成位置に、緑色のカラーフィルター１４Ｇを形成する（Ｓ４０５）。具体的には、緑色発色用の金属アルコキシドを混合したＴＥＯＳソースを基板上に成膜及び結晶化させ、図８（ａ）に示すように、フォトリソグラフィー技術やドライエッチング技術を用いて金属入り酸化物結晶を緑色のカラーフィルター１４Ｇの形成位置にのみ残す。
【００５９】
次に、緑色のカラーフィルター１４Ｇの上に、図８（ｂ）に示すように、拡散防止膜１８Ｇを成膜する（Ｓ４１０）。そして、図８（ｃ）に示すように、赤色のカラーフィルター１４Ｒの形成位置に成膜されている拡散防止膜１８Ｇを、フォトリソグラフィー技術やドライエッチング技術を用いて除去する（Ｓ４１５）。このとき、青色のカラーフィルター１４Ｂの形成位置の拡散防止膜１８Ｇはそのまま残しておく。
【００６０】
次に、赤色のカラーフィルター１４Ｒの形成位置に、赤色のカラーフィルター１４Ｒを形成する（Ｓ４２０）。具体的には、図８（ｄ）に示すように、赤色用の金属アルコキシドを混合したＴＥＯＳソースを基板上に成膜及び結晶化させ、フォトリソグラフィー技術やドライエッチング技術を用いて金属入り酸化物結晶を、図８（ｅ）に示すように、赤色のカラーフィルター１４Ｒの形成位置にのみ残す。
【００６１】
次に、カラーフィルター１４Ｇ，１４Ｒの上に形成されている拡散防止膜１８Ｇを、図８（ｆ）に示すようにいったん除去し（Ｓ４２５）、その後、図８（ｇ）に示すように、カラーフィルター１４Ｇ，１４Ｒ上に拡散防止膜１８Ｒを成膜しなおす（Ｓ４３０）。
【００６２】
次に、図８（ｈ）に示すように、青色のカラーフィルター１４Ｂの形成位置に成膜されている拡散防止膜１８Ｒを、フォトリソグラフィー技術やドライエッチング技術を用いて除去する（Ｓ４３５）。
【００６３】
次に、青色のカラーフィルター１４Ｂの形成位置に、青色のカラーフィルター１４Ｂを形成する（Ｓ４４０）。具体的には、図８（ｉ）に示すように、青色用の金属アルコキシドを混合したＴＥＯＳソースを基板上に成膜及び結晶化させ、フォトリソグラフィー技術やドライエッチング技術を用いて金属入り酸化物結晶を、図８（ｊ）に示すように、青色のカラーフィルター１４Ｂの形成位置にのみ残す。
【００６４】
次に、カラーフィルター１４Ｇ，１４Ｒの上に形成されている拡散防止膜１８Ｒを、図８（ｋ）に示すようにいったん除去することで、カラーフィルター１４が完成する（Ｓ４４５）。これにより、各色のカラーフィルターの側壁間に拡散防止膜１８Ｇ，１８Ｒが形成された状態でカラーフィルター１４Ｇ，１４Ｒ，１４Ｂが所定位置にそれぞれ形成される。
【００６５】
これにより、各色のカラーフィルター間での金属イオンの拡散による混色を防止することができる。むろん、混色のおそれがなければ、カラーフィルター１４Ｇ，１４Ｒ，１４Ｂの側壁間の拡散防止膜１８Ｇ，１８Ｒを形成する工程は省略してもよい。
【００６６】
その後、図９に示すように、カラーフィルター１４Ｇ，１４Ｒ，１４Ｂ上に拡散防止膜１８（１８ｘ）を再び成膜し（Ｓ５０）、その上に、ゲッター膜１９としてのＢＰＳＧ膜を成膜する（Ｓ６０）。そして、ゲッター膜１９の上にパッシベーション膜２０としてのＳｉＮ膜を成膜する（Ｓ７０）。
【００６７】
次に、図１０に示すように、パッシベーション膜２０の上にオンチップレンズ１７を形成する（Ｓ８０）。オンチップレンズ１７は、ＴＥＯＳ装置を用いて無機材料で形成され、オンチップレンズの最大厚み以上の厚みでパッシベーション膜の上に形成した後、レジストでレンズの形状をパターニングし、エッチバックによりＴＥＯＳ装置で形成した無機材料の層に転写する。以上の製造方法により、上述した第１の実施形態に係るカラーイメージセンサ１００を作成することができる。
【００６８】
（３）他の実施形態： 
本技術は、上述したＣＣＤイメージセンサーのみならず、ＣＭＯＳイメージセンサーに適用することもできる。以下、図１１〜１８を参照して、本技術をＣＭＯＳイメージセンサーに適用した場合のカラーフィルター及びその周辺の構造について説明する。図１１〜１８は、各種ＣＭＯＳイメージセンサーの断面構造を模式的に示した図である。
【００６９】
図１１〜１８に示すように、ＣＭＯＳイメージセンサーでは、各種の位置にカラーフィルターを形成することができる。
【００７０】
（３−１）第３の実施形態：
図１１に示すＣＭＯＳイメージセンサー２００では、半導体基板２０１のｐウェル領域に、画素ごとにｎ型電荷蓄積層２０２とその表層のｐ＋型表面層２０３が形成され、ｐｎ接合によりフォトダイオードＰＤが構成されている。さらに、フォトダイオードＰＤに隣接して半導体基板２０１上にゲート絶縁膜２０４及びゲート電極２０５が形成されている。
【００７１】
半導体基板２０１上には、フォトダイオードＰＤやゲート電極２０５を被覆して、例えば酸化シリコンからなる第１層間絶縁膜２０６が形成されている。また、第１層間絶縁膜２０６の上層には、少なくともフォトダイオードＰＤの形成領域を被覆して、炭化シリコン（ＳｉＣ）からなるエッチングストッパ膜２０７が形成されている。
【００７２】
エッチングストッパ膜２０７の上層に、例えば、第２層間絶縁膜２０８、第３層間絶縁膜２１２、第４層間絶縁膜２１６、第５層間絶縁膜２２０、第１拡散防止膜２１１、第２拡散防止膜２１５、第３拡散防止膜２１９、及び、絶縁膜２２１が形成されている。
【００７３】
第２層間絶縁膜２０８、第３層間絶縁膜２１２、第４層間絶縁膜２１６、第５層間絶縁膜２２０、及び絶縁膜２２１は、例えば酸化シリコンから形成されている。第１拡散防止膜２１１と第２拡散防止膜２１５は、例えば炭化シリコンから形成されている。第３拡散防止膜２１９は、例えば窒化シリコンから形成されている。
【００７４】
第２層間絶縁膜２０８には配線用溝が形成されており、配線用溝の内壁を被覆してタンタル／窒化タンタルなどからなるバリアメタル層２０９が形成されており、その内側の領域において埋め込まれて銅からなる第１配線２１０が形成されている。
【００７５】
同様に、例えば、第３層間絶縁膜２１２にも配線用溝が形成されており、配線用溝の内壁を被覆してタンタル／窒化タンタルなどからなるバリアメタル層２１３が形成され、その内側の領域に埋め込まれて銅からなる第２配線２１４が形成されている。
【００７６】
同様に、例えば、第４層間絶縁膜２１６にも配線用溝が形成されており、配線用溝の内壁を被覆してタンタル／窒化タンタルなどからなるバリアメタル層２１７が形成され、その内側の領域に埋め込まれて銅からなる第３配線２１８が形成されている。第３配線２１８は、遮光膜としての機能も有している。
【００７７】
フォトダイオードＰＤの上方部分において、上述のように積層して形成された絶縁膜において、第２〜第４層間絶縁膜及び第１〜第３拡散防止膜を貫通し、エッチングストッパ膜２０７に達するようにビアホールＨが形成されている。ビアホールＨは、例えば、エッチングストッパ膜２０７の途中の深さにまで達しており、エッチングストッパ膜２０７がビアホールＨの底面を構成している。
【００７８】
ビアホールＨの内壁には、酸化シリコン（屈折率１．４５）よりも高い屈折率を有するパッシベーション膜２２２が形成されている。パッシベーション膜２２２は、例えば窒化シリコン（屈折率２．０）からなり、０．５μｍ程度の膜厚である。
【００７９】
パッシベーション膜２２２の上層には、ビアホールＨに埋め込まれて、パッシベーション膜２２２よりも高い屈折率を有する埋め込み層２２３が形成されている。埋め込み層２２３はビアホールＨ内を埋め込んでおり、ビアホールＨの外部での膜厚が０．５μｍ程度となっている。
【００８０】
埋め込み層２２３は、例えばシロキサン系樹脂（屈折率１．７）、あるいはポリイミドなどの高屈折率樹脂で構成され、シロキサン系樹脂が特に好ましい。この樹脂には、例えば酸化チタン、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化タングステン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化ハフニウムなどの金属酸化物微粒子が含有されており、屈折率が高められている。ビアホールＨに埋め込まれたパッシベーション膜２２２と埋め込み層２２３は、光導波路を構成する。
【００８１】
埋め込み層２２３の上層には、第５層間絶縁膜２２４、ゲッター膜２２５、第６層間絶縁膜２２６、各色のカラーフィルター２２７、オンチップレンズ２２８が順次に形成されている。カラーフィルター２２７とオンチップレンズ２２８の間には、更にインナーレンズを設けてもよい。
【００８２】
第５層間絶縁膜２２４及び第６層間絶縁膜２２６は、上述した第１実施形態における拡散防止膜１６，１８と同様にＳｉＮ膜又はＳｉＯＮ膜で形成され、ゲッター膜２２５は、上述した第１実施形態におけるゲッター膜１５と同様にＢＰＳＧ膜又はＰＳＧ膜で形成されている。各色のカラーフィルター２２７の間には、上述した第１実施形態と同様にカラーフィルター間絶縁膜としてのＳｉＮ膜が形成されている。
【００８３】
このように、ビアホールＨに形成された光導波路を介してフォトダイオードＰＤに光を入射するタイプのＣＭＯＳイメージセンサー２００においては、光導波路とオンチップレンズの間に、光導波路側に第５層間絶縁膜２２４、ゲッター膜２２５及び第６層間絶縁膜２２６を形成することにより、無機材料で形成したカラーフィルター２２７を設けつつ、光導波路方向への金属イオンの拡散を防止し、光導波路等の金属汚染を防止することができる。
【００８４】
なお本実施形態では、ビアホールＨを形成してフォトダイオードＰＤへの光導波路を形成する場合について説明を行ったが、光導波路を形成しないタイプのＣＭＯＳイメージセンサーであっても、本実施形態のように無機材料のカラーフィルターを設けることができることは言うまでも無い。
【００８５】
（３−２）第４の実施形態：
図１２に示すＣＭＯＳイメージセンサー３００は、上述した第３の実施形態に係るＣＭＯＳイメージセンサー２００におけるカラーフィルター２２７とオンチップレンズ２２８の間に、層間絶縁膜３０１とゲッター膜３０２が順に形成されたものである。層間絶縁膜３０１は、上述した第１実施形態における拡散防止膜１６，１８と同様にＳｉＮ膜又はＳｉＯＮ膜で形成され、ゲッター膜３０２は、上述した第１実施形態におけるゲッター膜１５と同様にＢＰＳＧ膜又はＰＳＧ膜で形成されている。
【００８６】
このように、カラーフィルター２２７とオンチップレンズ２２８の間にも層間絶縁膜３０１とゲッター膜３０２を設けることにより、上述した第１実施形態のようにオンチップレンズを無機材料で形成したときに、オンチップレンズ２２８の方向への金属イオンの拡散を防止し、オンチップレンズ２２８の金属汚染を防止することができる。
【００８７】
（３−３）第５の実施形態：
図１３に示すＣＭＯＳイメージセンサー４００は、上述した第３の実施形態に係るＣＭＯＳイメージセンサー２００のゲッター膜２２５、第６層間絶縁膜２２６及び各色のカラーフィルター２２７を形成せず、第１層間絶縁膜２０６とエッチングストッパ膜２０７の間に、カラーフィルター４０１を設けたものである。カラーフィルター４０１は、上述した第１実施形態に係るカラーフィルター１４と同様に無機材料で形成してある。
【００８８】
すなわち、無機材料でカラーフィルター４０１を形成することにより、高温プロセスが必要な配線層よりも下層側にカラーフィルター４０１を設けることができる。そして、配線層よりもフォトダイオードＰＤ寄りの位置にカラーフィルター４０１を設けることにより、フォトダイオードＰＤに入射する光の混色を防止したＣＭＯＳイメージセンサー４００を実現することができる。
【００８９】
このとき、第１層間絶縁膜２０６とカラーフィルター４０１の間に、順にゲッター膜４０２と層間絶縁膜４０３を形成し、カラーフィルター４０１とエッチングストッパ膜２０７の間にもゲッター膜４０４を設けてある。層間絶縁膜４０３は、上述した第１実施形態における拡散防止膜１６，１８と同様にＳｉＮ膜又はＳｉＯＮ膜で形成され、ゲッター膜４０２，４０４は、上述した第１実施形態におけるゲッター膜１５と同様にＢＰＳＧ膜又はＰＳＧ膜で形成されている。
【００９０】
このように、ゲッター膜４０２、層間絶縁膜４０３及びゲッター膜４０４を設けることにより、カラーフィルター４０１から、下層側のフォトダイオードＰＤや上層側の配線層等への金属イオンの拡散を防止し、金属汚染を防止することができる。
【００９１】
（３−４）第６の実施形態：
図１４に示すＣＭＯＳイメージセンサー５００は、上述した第５の実施形態に係るＣＭＯＳイメージセンサー４００のゲッター膜４０４とエッチングストッパ膜２０７の間に、層間絶縁膜５０１を設けたものである。この層間絶縁膜５０１は、上述した第１実施形態における拡散防止膜１６，１８と同様にＳｉＮ膜又はＳｉＯＮ膜で形成されている。
【００９２】
このように、層間絶縁膜５０１を設けることにより、カラーフィルター４０１から、上層側の配線層等への金属イオンの拡散をより確実に防止し、金属汚染を防止することができる。
【００９３】
（３−５）第７の実施形態：
図１５に示すＣＭＯＳイメージセンサー６００は、上述した第３の実施形態に係るＣＭＯＳイメージセンサー２００に光導波路を設けず、第２層間絶縁膜２０８の中にカラーフィルター６０１を設けたものである。
【００９４】
この各色のカラーフィルター６０１は第２層間絶縁膜２０８の中で、各色に対応したオンチップレンズとフォトダイオードＰＤの間に個別に形成されている。このとき、各色のカラーフィルター６０１は、上側面と左右側面を絶縁膜６０２で覆われており、カラーフィルター６０１から第２層間絶縁膜２０８への金属イオンの拡散を防止している。
【００９５】
また、カラーフィルター６０１の下層側には、第１層間絶縁膜２０６との間に、層間絶縁膜６０３とゲッター膜６０４が順次に形成されている。層間絶縁膜６０３及び絶縁膜６０２は、上述した第１実施形態における拡散防止膜１６，１８と同様にＳｉＮ膜又はＳｉＯＮ膜で形成され、ゲッター膜６０４は、上述した第１実施形態におけるゲッター膜１５と同様にＢＰＳＧ膜又はＰＳＧ膜で形成されている。
【００９６】
このように、層間絶縁膜６０３及びゲッター膜６０４を設けることにより、カラーフィルター６０１から、下層側のフォトダイオードＰＤへの金属イオンの拡散を防止し、金属汚染を防止することができる。
【００９７】
（３−６）第８の実施形態：
図１６に示すＣＭＯＳイメージセンサー７００は、上述した第７の実施形態に係るＣＭＯＳイメージセンサー６００において、カラーフィルター６０１と第２層間絶縁膜２０８との間にゲッター膜７０１と層間絶縁膜７０２を順に設けた構成になっている。
【００９８】
ゲッター膜７０１は、上述した第１実施形態におけるゲッター膜１５と同様にＢＰＳＧ膜又はＰＳＧ膜で形成されており、層間絶縁膜７０２は、上述した第１実施形態における拡散防止膜１６，１８と同様にＳｉＮ膜又はＳｉＯＮ膜で形成されている。
【００９９】
このように、ゲッター膜７０１及び層間絶縁膜７０２を設けることにより、カラーフィルター６０１から、上層側の第２層間絶縁膜２０８や第１配線２１０への金属イオンの拡散を防止し、金属汚染を防止することができる。
【０１００】
（３−７）第９の実施形態：
図１７に示すＣＭＯＳイメージセンサー８００は、裏面照射型の固体撮像装置である。同図に示すＣＭＯＳイメージセンサー８００は、例えばシリコンによる半導体基板８０１に複数の画素が配列された画素領域Ａと、図示しないが画素領域Ａの周辺に配置された周辺回路部を形成して構成される。周辺回路部にはロジック回路が形成される。
【０１０１】
単位画素Ｐは、光電変換部となるフォトダイオードＰＤと複数の画素トランジスタＴｒとから構成される。フォトダイオードＰＤは、半導体基板８０１の厚み方向の全域にわたるように形成され、ｎ型半導体領域８０２（第１導電型）とｐ型半導体領域８０３（第２導電型）とによるｐｎ接合型のフォトダイオードとして構成される。ｐ型半導体領域８０３は、基板の表裏両面に臨むように形成され、暗電流抑制のための電荷蓄積領域を兼ねている。
【０１０２】
画素トランジスタＴｒは、半導体基板８０１の表面側に形成したｐ型半導体ウェル領域８０２ａに、図示しないｎ型のソース領域及びドレイン領域を形成し、両領域間の基板表面にゲート絶縁膜を介してゲート電極８０１ａを形成して構成される。同図においては、複数の画素トランジスタを１つの画素トランジスタＴｒで代表して示すとともに、ゲート電極８０１ａで模式的に表している。
【０１０３】
半導体基板８０１の表面上には、層間絶縁膜８０４を介して複数層の配線Ｌを配置してなる、いわゆる多層配線層が形成される。多層配線層側は光入射されないので、配線８０４のレイアウトは自由に設計することができる。
【０１０４】
フォトダイオードＰＤの受光面８０５となる基板裏面上には、絶縁膜が形成される。この絶縁膜は、本例では反射防止膜で形成される。反射防止膜は、屈折率の異なる複数層膜で形成され、本例ではハフニウム酸化（ＨｆＯ２）膜８０６とシリコン酸化膜８０７の２層膜で形成される。
【０１０５】
そして、この反射防止膜上に絶縁膜８０８が形成され、この絶縁膜８０８上の画素境界に遮光膜８０９が形成される。絶縁膜８０８は、その膜種、膜厚が光学的に適切な値に設定される。絶縁膜８０８としては、例えばシリコン酸化膜で形成することが好ましく、その膜厚が少なくとも反射防止膜の膜厚より十分に厚く設定される。
【０１０６】
遮光膜８０９は、光を遮光する材料であれば良いが、遮光性が強く、かつ微細加工、例えばエッチングで精度よく加工できる金属や合金の膜で形成することが好ましい。
【０１０７】
絶縁膜８０８としては、反射防止膜を構成する上層の高屈折率膜、本例ではハフニウム酸化（ＨｆＯ２）膜８０６とは屈折率差が大きい膜が好ましく、例えばシリコン酸化膜が好ましい。例えば、絶縁膜８０８をハフニウム酸化（ＨｆＯ２）膜に近い屈折率を有するシリコン窒化（ＳｉＮ）膜で形成した場合には、ハフニウム酸化膜８０６の膜厚が実質的に厚くなった形になり、反射防止膜として不適切となる。
【０１０８】
遮光膜８０９を含む絶縁膜８０８上に、平坦化膜８１０が形成され、この平坦化膜８１０上に、順次に層間絶縁膜８１１、ゲッター膜８１２、オンチップカラーフィルター８１３及びその上のオンチップマイクロレンズ８１４が形成される。
【０１０９】
平坦化膜８１０は、例えば、樹脂などの有機材料で形成することができる。オンチップカラーフィルター８１３としては、例えばベイヤー配列のカラーフィルターが用いられ、上述した第１実施形態に係るカラーフィルター１４と同様に無機材料で形成することができる。フォトダイオードＰＤが受光する光は、基板裏面８０５の側から入射され、オンチップマイクロレンズ８１４で集光されてオンチップカラーフィルター８１３を介して各フォトダイオードＰＤに受光される。
【０１１０】
以上説明したように、本技術に係る無機材料を用いたカラーフィルターは、本実施形態のように裏面照射型のＣＭＯＳイメージセンサー８００にも適用可能である。
【０１１１】
（３−８）第１０の実施形態：
図１８に示すＣＭＯＳイメージセンサー９００は、上述した第９の実施形態に係るＣＭＯＳイメージセンサー８００と同様に裏面照射型の固体撮像装置である。同図に示すＣＭＯＳイメージセンサー８００は、オンチップカラーフィルター８１３とオンチップマイクロレンズ８１４の間に層間絶縁膜９０１とゲッター膜９０２を備える点で、ＣＭＯＳイメージセンサー８００と相違する。
【０１１２】
ゲッター膜９０２は上述した第１実施形態におけるゲッター膜１５と同様にＢＰＳＧ膜又はＰＳＧ膜で形成されており、層間絶縁膜９０１は、上述した第１実施形態における拡散防止膜１６，１８と同様にＳｉＮ膜又はＳｉＯＮ膜で形成されている。
【０１１３】
このように、ゲッター膜９０２及び層間絶縁膜９０１を設けることにより、オンチップカラーフィルター８１３から、オンチップマイクロレンズ８１４への金属イオンの拡散を防止し、金属汚染を防止することができる。従って、オンチップマイクロレンズ８１４も、上述した第１実施形態に係るオンチップレンズ１７と同様に無機材料で形成することができる。
【０１１４】
（４）まとめ： 
以上説明したように、本技術に係る半導体装置は、フォトダイオード等の光電変換部と、金属イオンが添加された無機材料のカラーフィルターと、前記光電変換部と前記カラーフィルターの間に形成された金属ゲッター膜と、を備えている。従って、無機材料に金属イオンを添加して形成したカラーフィルターから、光電変換部への金属イオンの拡散を防止し、光電変換部の金属汚染を防止することができる。
【０１１５】
なお、本技術は上述した実施形態や変形例に限られず、上述した実施形態および変形例の中で開示した各構成を相互に置換したり組み合わせを変更したりした構成、公知技術並びに上述した実施形態および変形例の中で開示した各構成を相互に置換したり組み合わせを変更したりした構成、等も含まれる。また，本技術の技術的範囲は上述した実施形態に限定されず，特許請求の範囲に記載された事項とその均等物まで及ぶものである。
【０１１６】
そして、本技術は、以下のような構成を取ることができる。
【０１１７】
（Ａ）  半導体の光電変換部と、
金属イオンが添加された無機材料のカラーフィルターと、
前記光電変換部と前記カラーフィルターの間に形成された金属ゲッター膜と、
を備える半導体装置。
【０１１８】
（Ｂ）  前記ゲッター膜は、ＢＰＳＧ（Boron Phosphor Silicate Glass）膜又はＰＳＧ（Phosphor Silicate Glass）膜である前記（Ａ）に記載の半導体装置。
【０１１９】
（Ｃ）  前記光電変換部と前記カラーフィルターの間には金属イオンの拡散を防止する拡散防止膜が形成されている前記（Ａ）又は（Ｂ）に記載の半導体装置。
【０１２０】
（Ｄ）  前記拡散防止膜は、シリコン窒化膜又はシリコン酸窒化膜である前記（Ａ）〜（Ｃ）の何れか１つに記載の半導体装置。
【０１２１】
（Ｅ）  複数の前記光電変換部と、
前記光電変換部と交互に並べて形成される複数の転送部とを更に備え、
前記カラーフィルターは、前記光電変換部に隣接して形成される前記転送部から徐々に突出量が大きくなる山型の凸部を有する
前記（Ａ）〜（Ｄ）の何れか１つに記載の半導体装置。
【０１２２】
（Ｆ）  半導体の光電変換部を形成する第１工程と、
金属イオンが添加された無機材料でカラーフィルターを形成する第２工程と、
前記光電変換部と前記カラーフィルターの間に金属ゲッター膜を形成する第３工程と、
を含む、半導体装置の製造方法。
【０１２３】
（Ｇ）  前記第２工程においては、テトラアルコキシシランと金属アルコキシドの加水分解反応により生成した金属入りシリコン酸化物を結晶化させて前記カラーフィルターとする前記（Ｆ）に記載の半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【０１２４】
１０…基板、１１…光電変換部、１２…転送部、１３…遮光膜、１４…カラーフィルター、１４Ｂ…カラーフィルター、１４Ｇ…カラーフィルター、１４Ｒ…カラーフィルター、１４ａ…凸部、１５…ゲッター膜、１５ａ…凹部、１６…拡散防止膜、１６ａ…凹部、１７…オンチップレンズ、１８…拡散防止膜、１８Ｇ…拡散防止膜、１８Ｒ…拡散防止膜、１９…ゲッター膜、２０…パッシベーション膜、１００…カラーイメージセンサ、２００…ＣＭＯＳイメージセンサー、２０１…半導体基板、２０２…ｎ型電荷蓄積層、２０３…型表面層、２０４…ゲート絶縁膜、２０５…ゲート電極、２０６…第１層間絶縁膜、２０７…エッチングストッパ膜、２０８…第２層間絶縁膜、２０９…バリアメタル層、２１０…第１配線、２１１…第１拡散防止膜、２１２…第３層間絶縁膜、２１３…バリアメタル層、２１４…第２配線、２１５…第２拡散防止膜、２１６…第４層間絶縁膜、２１７…バリアメタル層、２１８…第３配線、２１９…第３拡散防止膜、２２０…第５層間絶縁膜、２２２…パッシベーション膜、２２３…埋め込み層、２２４…第５層間絶縁膜、２２５…ゲッター膜、２２６…第６層間絶縁膜、２２７…カラーフィルター、２２８…オンチップレンズ、３００…ＣＭＯＳイメージセンサー、３０１…層間絶縁膜、３０２…ゲッター膜、４００…ＣＭＯＳイメージセンサー、４０１…カラーフィルター、４０２…ゲッター膜、４０３…層間絶縁膜、４０４…ゲッター膜、５００…ＣＭＯＳイメージセンサー、５０１…層間絶縁膜、６００…ＣＭＯＳイメージセンサー、６０１…カラーフィルター、６０２…絶縁膜、６０３…層間絶縁膜、６０４…ゲッター膜、７００…ＣＭＯＳイメージセンサー、７０１…ゲッター膜、７０２…層間絶縁膜、８００…ＣＭＯＳイメージセンサー、８０１…半導体基板、８０１ａ…ゲート電極、８０２…ｎ型半導体領域、８０２ａ…ｐ型半導体ウェル領域、８０３…ｐ型半導体領域、８０４…層間絶縁膜、８０５…受光面、８０５…基板裏面、８０６…ハフニウム酸化膜、８０７…シリコン酸化膜、８０８…絶縁膜、８０９…遮光膜、８１０…平坦化膜、８１１…層間絶縁膜、８１２…ゲッター膜、８１３…オンチップカラーフィルター、８１４…オンチップマイクロレンズ、９００…ＣＭＯＳイメージセンサー、９０１…層間絶縁膜、９０２…ゲッター膜、Ａ…画素領域、ＣＶＤ…常圧、ＣＶＤ…準常圧、ＣＶＤ…プラズマ、ＣＭＯＳ…種、Ｈ…ビアホール、Ｌ…配線、Ｐ…単位画素、ＰＤ…フォトダイオード、Ｔｒ…画素トランジスタ
【図１】
2014143376.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2014143376.tif 000010
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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