(57)【要約】【課題】  公知の手法よりも、Ｘ線束の位置ずれに対する感度を向上することのできるＸ線装置およびＸ線測定方法を提供することを目的とする。【解決手段】  分割素子により分割され、被検知物を透過したＸ線束の強度を検出する複数の画素を有する検出手段を有する。また、検出手段の２画素の間に配置され、Ｘ線束の一部を吸収する吸収素子を有する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線発生手段からのＸ線を空間的に分割してＸ線束を形成する分割素子と、
前記分割素子により分割され、被検知物を透過した前記Ｘ線束の強度を検出する複数の画素を有する検出手段と、
前記検出手段が有する前記複数の画素のうちの２画素の境界に配置され、前記Ｘ線束の一部を吸収する吸収素子と、
を有し、
前記Ｘ線束は、前記検出手段の前記２画素に照射されるように構成されていることを特徴とするＸ線装置。
【請求項２】
前記２画素のそれぞれには前記吸収素子が設けられていない領域を有し、前記分割素子により分割されたＸ線は、該吸収素子が設けられていない領域に照射されるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載のＸ線装置。
【請求項３】
前記Ｘ線束の強度の中心に前記吸収素子の中心が配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のＸ線装置。
【請求項４】
前記検出手段の前記２画素で検出されたＸ線の強度から、前記被検知物の位相情報を取得する演算装置を備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のＸ線装置。
【請求項５】
前記演算装置は、前記２画素で検出された前記Ｘ線束の強度比から前記Ｘ線束の位置変化量を取得することを特徴とする請求項４に記載のＸ線装置。
【請求項６】
前記分割素子は複数のＸ線束を形成し、
前記複数のＸ線束は、前記検出手段に対して離散的に照射されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のＸ線装置。
【請求項７】
前記吸収素子が矩形状であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のＸ線装置。
【請求項８】
前記吸収素子が円柱形状であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のＸ線装置。
【請求項９】
前記吸収素子が円錐形状であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のＸ線装置。
【請求項１０】
前記分割素子が、スリットアレイで構成されていることを特徴とする請求項７に記載のＸ線装置。
【請求項１１】
前記分割素子が、ピンホールアレイで構成されていることを特徴とする請求項８または９に記載のＸ線装置。
【請求項１２】
前記吸収素子が、前記検出手段のＸ線変換部材の中に埋設されていることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のＸ線装置。
【請求項１３】
前記演算装置は、前記検出手段の前記２画素で検出されたＸ線の強度から、前記被検知物の吸収コントラスト像を演算により取得することを特徴とする請求項４に記載のＸ線装置。
【請求項１４】
Ｘ線発生手段から発生したＸ線を分割素子によって空間的に分割してＸ線束を形成し、被検知物を透過した前記Ｘ線束の強度を複数の画素を有する検出手段によって検出する工程と、
前記検出手段の２画素で検出されたＸ線の強度から、前記被検知物の位相情報を演算により取得する工程と、を有し、
前記検出手段の前記２画素の境界に配置された吸収素子により、前記Ｘ線束が吸収され、
前記被検知物を透過した前記Ｘ線束は、前記検出手段の前記２画素に照射されることを特徴とするＸ線測定方法。
【請求項１５】
前記分割素子は複数のＸ線束を形成し、
前記複数のＸ線束は離散的に前記検出手段に照射され、
前記被検知物を透過した前記複数のＸ線束のそれぞれは、前記検出器の前記２画素に照射されることを特徴とする請求項１４に記載のＸ線測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＸ線を用いたＸ線装置、およびＸ線測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線を用いた非破壊検査法は工業利用から医療利用まで幅広い分野で用いられている。例えば、放射線の一つであるＸ線は波長が約１０−１２〜１０−８ｍ程度の電磁波であり、このうちエネルギーの高いＸ線（約２ｋｅＶ〜１００ｋｅＶ）を硬Ｘ線、エネルギーの低いＸ線（約０．１ｋｅＶ〜２ｋｅＶ）を軟Ｘ線という。
【０００３】
Ｘ線による吸収能の違いを用いた吸収コントラスト法は、鉄鋼材料などの内部亀裂検査や手荷物検査などのセキュリティ分野の用途として実用化されている。
【０００４】
一方、Ｘ線の吸収によるコントラストが形成されにくい被検知物（例えば、低密度の被検知物）に対しては、被検知物によるＸ線の位相変化を検出するＸ線位相コントラスト法が有効である。このようなＸ線位相コントラスト法は、高分子材料の相分離構造体のイメージングや医療等への応用が検討されている。
【０００５】
特許文献１に示されたＸ線位相コントラスト法は、分割したＸ線（Ｘ線束）を被検知物に入射させ、被検知物を透過したＸ線束の屈折角を計測する手法である。
【０００６】
図９は、特許文献１に記載されている装置の概略図を示したものである。Ｘ線源９０１から発生したＸ線は、分割素子９０２により空間的に分割される。空間的に分割されたそれぞれのＸ線束は、被検知物９０３を透過した後に、Ｘ線検出器９０４に照射される。
【０００７】
図１０は、Ｘ線検出器９０４の概略図を示したものである。Ｘ線検出器９０４は、複数の画素１００１によって構成されている。例えば分割素子９０２によって分割された基準Ｘ線束１００２（被検知物９０３が光路中に配置されていない場合のＸ線束）は、Ｘ方向およびＹ方向に対して、離散的に照射される。
【０００８】
Ｘ線検出器９０４はこの照射されたそれぞれのＸ線束の各画素における強度を検出する。Ｘ線束１００３は被検知物９０３を透過することによって屈折したＸ線束を示している。屈折効果により、Ｘ線束１００３は基準Ｘ線束１００２に対して、Ｘ線検出器９０４への入射位置が変化する。また、吸収効果により、Ｘ線束１００３の積分強度は、基準Ｘ線束１００２の積分強度よりも小さくなる。
【０００９】
基準Ｘ線束１００２が照射されている画素におけるＸ線検出強度を足した値と、Ｘ線１００３束が照射されている画素におけるＸ線検出強度を足した値から、被検知物９０３のＸ線透過率を求めることができる。このようにＸ線の強度変化を像にすることにより、被検知物９０３の吸収コントラスト像を得ることができる。
【００１０】
また、Ｘ、Ｙ方向に対するＸ線束１００３の位置変化量ΔＸ、ΔＹは、Ｘ線束１００３の強度の重心と基準Ｘ線束１００２の強度の重心とを比較することによって求めることができる。このようにＸ線束の重心位置変化から被検知物９０３によるＸ線の位相変化に対応した、情報を取得することができる。また、Ｘ線束の重心位置変化を像にすると、被検知物９０３によるＸ線の位相情報の像（位相コントラスト像）を取得することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】米国特許５８０２１３７号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上記のように、特許文献１の手法によれば、被検知物の位相コントラスト像を取得することができる。しかしながら、さらにＸ線束の位置ずれに対する感度が要求される可能性がある。そこで、本発明は、特許文献１に記載された手法よりも、Ｘ線束の位置ずれに対する感度を向上することのできるＸ線装置およびＸ線測定方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一側面としてのＸ線装置は、Ｘ線発生手段からのＸ線を空間的に分割してＸ線束を形成する分割素子と、前記分割素子により分割され、被検知物を透過した前記Ｘ線束の強度を検出する複数の画素を有する検出手段と、前記検出手段が有する前記複数の画素のうちの２画素の境界に配置され、前記Ｘ線束の一部を吸収する吸収素子と、を有し、前記Ｘ線束は、前記検出手段の前記２画素に照射されるように構成されていることを特徴とする。
【００１４】
本発明のその他の側面については、以下で説明する実施の形態で明らかにする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、特許文献１に記載された手法よりも、Ｘ線束の位置変化量に対する感度を向上することのできるＸ線装置およびＸ線測定方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施形態における装置構成を説明する図。
【図２】実施形態における吸収手段を説明する図。
【図３】実施形態における吸収手段を説明する図。
【図４】Ｘ線の位置変化量に対する検出強度比の関係を説明する図。
【図５】実施例１における吸収手段を説明する図。
【図６】実施例１におけるＸ線の位置変化量に対する検出強度比の関係を説明する図。
【図７】実施例１におけるポリスチレンの位相コントラスト像のエッジ部分のラインプロファイルを説明する図。
【図８】実施例２における吸収手段を説明する図。
【図９】特許文献１に記載の装置を説明する図。
【図１０】特許文献１に記載の装置における検出器を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の実施形態では、Ｘ線発生手段で発生したＸ線を空間的に分割してＸ線束を形成するための分割素子と、Ｘ線束の一部を吸収する吸収手段を用いて、被検知物によるＸ線の屈折効果によるＸ線の位置変化情報を取得する。ここで分割素子によって分割されたＸ線束のそれぞれは検出手段の２画素以上にわたって照射される。また、吸収手段は検出手段が有する複数の画素のうち、２画素以上の境界を含む領域に配置されており、Ｘ線束の一部（Ｘ線束を形成するＸ線のうち、吸収手段に入射したＸ線）を吸収する。尚、Ｘ線束の一部を吸収するとは、Ｘ線束を形成するＸ線の一部を吸収することだけでなく、Ｘ線束を形成するＸ線が照射されることによりに発生する光の一部を吸収することも含む。つまり、検出手段がシンチレータを有する場合、吸収手段はシンチレータと画素の間に配置され、シンチレータからの光の一部を吸収することで、Ｘ線束の一部を吸収しても良い。
【００１８】
更に、Ｘ線装置は、吸収手段により一部を吸収されたＸ線束が照射された各画素の強度情報から、被検知物の位相情報を取得する演算装置を有している。なお、本願明細書において、「位相情報」とは、被検体によるＸ線の位相変化を微分した情報（微分位相情報）と、この微分位相情報を積分した情報と一致する、被検体によるＸ線の位相変化の情報と、の両方を含む。また、「位相コントラスト像」とは、微分位相情報に基づく像である微分位相コントラスト像と、この微分位相コントラスト像を積分した位相コントラスト像の両方を含む概念である。以下、具体的な実施形態について説明する。
【００１９】
（装置の基本的構成）
実施形態においては、Ｘ線の位相変化から位相コントラスト像を得るＸ線装置の構成例とＸ線測定方法について説明する。
【００２０】
図１に本実施形態におけるＸ線装置の構成図を示す。Ｘ線発生手段としてのＸ線源１０１で発生したＸ線は分割素子１０３により線状に分割される。分割素子１０３は、Ｘ線源からのＸ線を空間的に分割して複数のＸ線束を形成する。この複数のＸ線束は、検出手段に離散的に照射される。分割素子１０３として、例えば、ラインアンドスペースを有したスリットアレイを用いることができる。また、分割素子１０３は、スリットが設けられている周期方向に対して垂直な方向に分割されている２次元スリットや、ピンホールアレイ（円開口が二次元的に配列されたもの）であっても構わない。ピンホールアレイの場合、少なくとも２方向の位置変化量を得ることができる。
【００２１】
スリットやピンホールは、分割素子の基板を貫通していてもよいし、貫通していなくともよい。それらが貫通していない場合、分割素子の基板としてＸ線用のフィルタ材料を用いてもかまわない。分割素子１０３を構成する材料としては、Ｘ線の吸収率が高いＰｔ、Ａｕ、Ｐｂ、Ｔａ、Ｗなどから選択される。あるいは、これらの材料を含む化合物であってもよい。
【００２２】
分割素子１０３により空間的に分割された、Ｘ線束を形成するＸ線は、被検知物１０４によって位相が変化して屈折する。また、Ｘ線束を形成するＸ線の一部は被検知物１０４によって吸収される。被検知物を透過したＸ線束は吸収手段１０５に入射する。上述のように、Ｘ線束の代わりに、Ｘ線束が入射することによってシンチレータから発生した光が吸収手段に入射しても良い。
【００２３】
吸収手段１０５により一部が吸収されたＸ線の強度が検出手段１０６で検出される。検出手段１０６により得たＸ線に関する情報は演算装置１０７により数的処理がなされ、モニタ等の表示手段１０８に出力される。
【００２４】
被検知物１０４としては、人体、生体、無機材料、無機有機複合材料等が挙げられる。
【００２５】
なお、分割素子１０３と、被検知物１０４と、吸収手段１０５と、検出手段１０６を移動させるステッピングモータなどの移動手段１０９、１１０、１１１、１１２を別途設けてもよい。例えば、移動手段を設ければ、被検知物１０４を適宜移動することができるため、被検知物１０４の特定個所についての像を得ることができる。分割素子１０３はＸ線を被検知物１０４に離散的に照射するため、被検知物１０４の照射されていない個所の情報を得ることができない。そこで、被検知物１０４をＸ線に対して走査しながら測定することにより、被検知物１０４のすべての情報を得ることができる。この結果、出力画像の高分解能化を実現することができる。
【００２６】
検出手段１０６は、複数の画素を有しており、間接変換型、直接変換型を問わず種々のＸ線検出器を用いることができる。例えば、Ｘ線ＣＣＤカメラ、間接変換型フラットパネル検出器、直接変換型フラットパネル検出器などから選択される。２方向におけるＸ線束の位置変化量を取得する場合や被検知物の情報を取得する領域（撮像範囲）の確保のためには、２次元のＸ線検出器を用いることが好ましい。
【００２７】
検出手段１０６は吸収手段１０５と近接していてもよいし、一定の間隔を隔てて配置してもよい。また、吸収手段１０５と検出手段１０６を一体化しても良いし、検出手段が有するシンチレータと画素の間に吸収手段が設けられていても良い。
【００２８】
なお、単色Ｘ線を用いる場合には、Ｘ線源１０１と分割素子１０３の間に単色化手段１０２を配置してもよい。単色化手段１０２としては、スリットと組み合わせたモノクロメータやＸ線多層膜ミラーなどを用いることができる。
【００２９】
（吸収手段１０５）
次に、図２を用いて、本実施形態における吸収手段１０５を更に説明する。図２では吸収手段１０５が検出手段１０６に接した例を示している。検出手段１０６は複数の画素２０１，２１１を有し、画素２０１，２１１の上にＸ線変換部材２０２が設けられている。間接変換型検出器であれば、Ｘ線変換部材２０２はシンチレータであり、直接変換型検出器であれば、Ｘ線変換部材２０２は光電変換部に相当する。２つの画素（画素２０１と画素２１１）の境界上（２つの画素の境界の上流）には、吸収素子２０３が設けられている。
【００３０】
吸収手段１０５は吸収素子２０３を複数有し、Ｘ線束２０４の照射領域に吸収素子２０３が含まれるように（つまり、Ｘ線束２０４の一部が、吸収素子２０３に入射するように）セッティングされる。例えば、分割素子１０３がスリット形状のものであれば吸収素子２０３は分割素子１０３の形状に対応した矩形状とする。また、例えば、図３に示すように、開口部が２方向に配列した形状を有する分割素子を用いる場合は、Ｘ線束３０２の照射領域内に吸収素子３０３が含まれるように、吸収素子３０３が２方向に配列した形状を有する吸収手段を用いる。開口部が２方向に配列した形状を有する分割素子を用いる場合、吸収素子３０３のそれぞれを４角柱形状として、画素３０１、画素３０６、画素３０４、画素３０５の境界上に配置してもよい。なお、吸収素子３０３は、多角柱形状、円柱形状、角錐形状又は円錐形状としてもよい。このように分割素子の開口部が２方向に配列していれば、２方向におけるＸ線束の位置変化量を取得することができる。よって、２方向の位相情報と位相コントラスト像を取得することができる。
【００３１】
吸収手段１０５を検出手段１０６から離して配置する場合、吸収素子２０３の周期は検出手段１０６に投影される拡大率を考慮する。例えば、吸収素子を検出手段上に投影したとき、検出器の２画素分の周期と一致するように吸収素子の周期を設計する。
【００３２】
吸収素子２０３の材質は、作成方法に適したものを選択すればよい。但し、加工が容易であり、低アスペクトの構造体にするために、Ｘ線の吸収能の大きなＡｕ等の重元素を用いるのがよい。
【００３３】
吸収素子２０３は、照射されたＸ線のすべてを吸収してもよいし、一部を透過してもかまわない。例えば、透過率は１０％以下、好ましくは５％以下である。吸収素子２０３は、基板上に形成されていてもかまわないし、吸収素子２０３よりＸ線の吸収能の小さい材料中に埋設されていてもかまわない。また、検出手段が有するシンチレータと画素の間に吸収手段を設ける場合、吸収素子２０３をＸ線変換部材２０２の中に埋設してもよい。
【００３４】
図２において、Ｘ線束２０５はＸ線の光路中に被検知物１０４を配置した場合のＸ線束を示したものである。被検知物を透過したＸ線は屈折するため、検出手段１０６の上で照射位置が変化する。また、被検知物１０４によってＸ線が吸収されるため、検出手段で検出されるＸ線の強度が減少する。そのため、Ｘ線が照射されている各画素２０１の検出強度比から、Ｘ線の位置変化量を推定することが可能となる。
【００３５】
例えば、Ｘ線２０４が照射されている画素の左側の画素２１１の強度をＩｌ、右側の画素２０１の強度をＩｒとした場合、式（１）に示すｖの値を用いることにより、Ｘ線の位置変化量を推定することが可能である。
【００３６】
【数１】
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【００３７】
なお、ここでは、Ｘ線の吸収による影響を無くすために、ＩｌとＩｒとの和でＩｌとＩｒの差を除している。
【００３８】
また、被検知物によるＸ線の吸収量は、被検知物を透過していないＸ線束２０４のＩｌとＩｒの和と、被検知物透過したＸ線束２０５のＩｌとＩｒの和から求めることができる。また、吸収コントラスト像は、被検知物透過したＸ線束２０５のＩｌとＩｒの和を計算し、出力画像の画素値とすればよい。なお、ＩｌとＩｒの和を２で割った平均値を出力画像の画素値としてもよい。和に関する他の演算方法も含めて、これらを「和に基づいて」と表現することがある。
【００３９】
一般的に、Ｘ線束２０４の位置変化量が微量の場合、位置変化量と式（１）のｖは図４の実線で示すように直線的な関係となる。演算装置１０７を用いて、式（１）のｖを計算して、位相情報とする場合、感度を向上させるためには、図４の点線で示すように、直線の傾きを大きくすることが必要となる。
【００４０】
一般的に、Ｘ線束２０４は中心部の強度が強く、中心から周辺方向に従って、対称的に強度が減衰する。そして、Ｘ線束の中心部は、周辺部と比較してＸ線束の強度分布の勾配が小さい。そこで本実施形態では、Ｘ線束の中心部周辺のＸ線の寄与を減らすことで、位置変化量と式（１）のｖの関係の傾きを大きくする。
【００４１】
上記で説明した吸収手段１０５を設ければ、２つの画素２０１，２１１の境界上に吸収素子を設けることによって、透過率が低い領域を設けることができる。このため、Ｘ線束の中心部周辺のＸ線の寄与を減らし、直線の傾きを増大させることができる。この結果、Ｘ線装置は位相情報の感度を増大することができ、位相コントラスト像の画質を向上させることができる。
【００４２】
また、Ｘ線束の中心部周辺のＸ線の寄与を減らすためには、Ｘ線束２０４の中心部周辺のＸ線が照射される位置に吸収素子２０３を配置すればよい。
【００４３】
このような配置は、２画素（画素２０１と画素２１１）のそれぞれが、吸収素子が設けられていない領域を有し、この吸収素子が設けられていない領域にＸ線が照射されるように構成されていると実現できる。また、Ｘ線束の強度分布に関わらず、（中心から周辺方向に従って、対称的に強度が減衰しないＸ線束を用いる場合であっても）吸収素子２０３の中心とＸ線束の強度の中心との距離が小さくなるように吸収素子２０３を配置することが好ましい。尚、強度の中心とは、Ｘ線束の照射領域のうち、Ｘ線の強度分布の中心つまり、Ｘ線強度のピークのことを指す。また、吸収素子の中心とは、吸収素子をＸ線発生手段側からみたときの吸収素子（上面図における吸収素子）の重心であり、吸収素子の形状が円形であるときは円の中心、四角形である時は対角線が交わる点のことを指す。吸収素子２０３の中心をＸ線束２０４の強度の中心に配置することがより好ましい。
【実施例１】
【００４４】
本実施例では切削加工により作製した吸収素子を用いた例を示す。
【００４５】
本実施例においては、図１に示したＸ線装置を用いている。
【００４６】
Ｘ線源１０１は、タングステンターゲットの回転対陰極型のＸ線発生装置を用いた。分割素子１０３は、厚さ５００μｍのタングステンにスリット幅５０μｍでピッチが１２５μｍのスリットアレイである。
【００４７】
図５は、吸収手段１０５を示したものである。吸収手段１０５は、１ｍｍのアルミ基板５０１上に金メッキを設けた部材を切削加工することによって作製した。吸収素子５０２は、底辺の長さが３０μｍ、高さが１５μｍの金の三角柱が１９０μｍピッチで周期的に並んだ構造を有している。アルミ基板５０１はＸ線に対する吸収能が小さいため、アルミ基板５０１は吸収素子としては機能せず、アルミ基板５０１の厚みが異なることによる吸収能の差は無視できる程度である。
【００４８】
検出手段１０６は、画素サイズ１００μｍ×１００μｍの間接変換型フラットパネル検出器を用いた。移動手段１０９、１１０、１１１、１１２を用いて、分割素子１０３によって分割されたＸ線が、検出手段１０６に対して、画素境界上に照射されるように配置した。検出手段１０６におけるＸ線束の周期は２００μｍとなるように調整した。同様に、吸収手段１０５は三角柱の頂上がＸ線束の中心にかつ、検出手段１０６上への投影周期が２００μｍとなるように調整した。
【００４９】
図６は、分割素子１０３を移動させながら、検出手段１０６の各画素の検出強度を測定することにより、Ｘ線の位置変化量に対するｖの値を測定した結果を示したものである。図６において、■でプロットしたデータは吸収手段１０５を設けない場合の結果である。一方、●でプロットしたデータは吸収手段１０５を設けた場合の結果である。図からも理解されるように、吸収手段１０５を設けることにより、Ｘ線の位置変化量に対するｖの変化が大きくなっていることが分かる。
【００５０】
被検知物１０４として直径１ｍｍのポリスチレンを用いた。検出手段１０６の各画素で検出される強度の値から、演算装置１０７を用いて式（１）のｖを求め、ｖを被検知物の位相情報とした。また、そのｖの値を画素値とすることにより、位相コントラスト像を取得した。
【００５１】
また、各画素の検出強度の和から被検知物の吸収情報とし、これを画素値とすることにより、吸収コントラスト像を得た。得られた画像は表示手段１０８であるＰＣモニタに表示した。
【００５２】
図７に、ポリスチレン球の位相コントラスト像のエッジ部分におけるラインプロファイルを示す。点線で示したプロファイルは吸収手段１０５を設けない場合の実験結果である。一方、実線で示したプロファイルが吸収手段１０５を設けた場合の実験結果である。吸収手段１０５を設けることにより、コントラストが大きくなっていることが理解される。
【実施例２】
【００５３】
本実施例では、吸収素子としてワイヤーを等間隔にならべた形態についての例を示す。
【００５４】
基本的な装置構成は、実施例１と同様である。但し、Ｘ線発生源１０１と分割素子１０３の間に０．６ｍｍ厚さのアルミ板をフィルタとして設置した。図８に、吸収手段１０５の模式図を示した。基板８０１は、金型成型でＶ溝を作製したアクリルの板で溝のピッチは１９０μｍである。吸収素子８０２は直径５０μｍのモリブデンワイヤーで基板８０１の溝部に接着されている。
【００５５】
検出手段１０６は画素サイズ１００μｍ×１００μｍの間接変換型フラットパネル検出器を用いた。移動手段１０９、１１０、１１１、１１２を用いて分割素子１０３によって分割されたＸ線が検出手段１０６の画素境界かつ周期が２００μｍに投影されるように配置した。このような構成により実施例１と同様の測定を実施し、高感度な位相コントラスト像を得ることができた。
【符号の説明】
【００５６】
１０１  Ｘ線源
１０２  単色化手段
１０３  分割素子
１０４  被検知物
１０５  吸収手段
１０６  検出手段
１０７  演算装置
１０８  表示手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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