(57)【要約】【課題】軽量化を図ることのできる熱アシスト磁気記録ヘッド及びそれに用いられる半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】レーザ光の出射面３０ａを前面に有した半導体レーザ素子３０と、設置面２５ａ上に半導体レーザ素子３０を設置する基板２５を有したサブマウント２１とを備え、出射面３０ａから設置面２５ａに沿ってレーザ光を出射する熱アシスト磁気記録ヘッド１用の半導体レーザ装置２０において、サブマウント２１が炭素を主成分とした放熱材料を基板２５の設置面２５ａに対向する対向面２５ｂに積層される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光の出射面を前面に有した半導体レーザ素子と、設置面上に前記半導体レーザ素子を設置する基板を有したサブマウントとを備え、前記出射面から前記設置面に沿ってレーザ光を出射する熱アシスト磁気記録ヘッド用の半導体レーザ装置において、前記サブマウントが炭素を主成分とした放熱材料を前記基板の前記設置面に対向する対向面に積層されることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記放熱材料の端面が前記サブマウントの前面に露出することを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記基板の前記設置面、前記基板の前面と前記設置面とに直交する側面、または前記半導体レーザ素子の前記サブマウントと反対側の面、に前記放熱材料を積層したことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記放熱材料がダイヤモンド、ＤＬＣまたはカーボンナノチューブを主成分とすることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれかに記載の半導体レーザ装置と、磁気記録を行うヘッド部とを備え、前記サブマウントの前面を前記ヘッド部に接着したことを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱アシスト磁気記録を行う熱アシスト磁気記録ヘッド及びそれに用いられる半導体レーザ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＨＤＤ装置等に搭載される従来の熱アシスト磁気記録ヘッドは特許文献１に開示される。この熱アシスト磁気記録ヘッドは磁気ディスク上に配置され、ヘッド部、ヒートシンク及び半導体レーザ装置を備えている。ヘッド部は回転する磁気ディスク上を浮上し、一端に磁気記録を行う磁気記録部が設けられる。磁気記録部の近傍には光導波路が設けられ、光導波路内には近接場光を発生させる素子が配される。
【０００３】
ヒートシンクはヘッド部の背面側（磁気ディスクと反対側）に設置される。半導体レーザ装置はヒートシンクの磁気ディスクに垂直な面に取り付けられ、ヘッド部の光導波路に向けて磁気ディスクの軸方向にレーザ光を出射する。半導体レーザ装置の故障確率は温度が上昇することにより指数関数的に増加することが知られる。このため、半導体レーザ装置はヒートシンクに取付けられ、レーザ光の発生による半導体レーザ装置の発熱がヒートシンクを介して放熱される。
【０００４】
上記構成の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、半導体レーザ装置から出射されたレーザ光はヘッド部の光導波路を導波して近接場光を発生する。磁気ディスクは近接場光の熱により局所的に保持力が低下し、磁気記録部によって磁気記録される。これにより、保持力の高い磁気ディスクを用いることができ、磁気ディスクの記録密度を向上することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１８５５４８号公報（第９頁〜第１５頁、第１図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記従来の熱アシスト磁気記録ヘッドによると、金属等のヒートシンクが設けられるため重量及び体積が大きくなる。このため、磁気ディスク上で浮上する熱アシスト磁気記録ヘッドの姿勢制御が困難となる問題があった。
【０００７】
本発明は、軽量化を図ることのできる熱アシスト磁気記録ヘッド及びそれに用いられる半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために本発明は、レーザ光の出射面を前面に有した半導体レーザ素子と、設置面上に前記半導体レーザ素子を設置する基板を有したサブマウントとを備え、前記出射面から前記設置面に沿ってレーザ光を出射する熱アシスト磁気記録ヘッド用の半導体レーザ装置において、前記サブマウントが炭素を主成分とした放熱材料を前記基板の前記設置面に対向する対向面に積層されることを特徴としている。この構成によると、サブマウントの基板の設置面上に半導体レーザ素子が設置され、レーザ光の発生による半導体レーザ素子の発熱は設置面の対向面に積層した放熱材料を介して放熱される。
【０００９】
また本発明は、上記構成の半導体レーザ装置において、前記放熱材料の端面が前記サブマウントの前面に露出することを特徴としている。
【００１０】
また本発明は、上記構成の半導体レーザ装置において、前記基板の前記設置面、前記基板の前面と前記設置面とに直交する側面、または前記半導体レーザ素子の前記サブマウントと反対側の面、に前記放熱材料を積層したことを特徴としている。
【００１１】
また本発明は、上記構成の半導体レーザ装置において、前記放熱材料が前記基板の前記設置面に設けられ、前記放熱材料が絶縁性を有することを特徴としている。
【００１２】
また本発明は、上記構成の半導体レーザ装置において、前記放熱材料がダイヤモンド、ＤＬＣまたはカーボンナノチューブを主成分とすることを特徴としている。
【００１３】
また本発明は、上記構成の半導体レーザ装置において、前記サブマウントの前記基板がＳｉから成ることを特徴としている。
【００１４】
また本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドは、上記構成の半導体レーザ装置と、磁気記録を行うヘッド部とを備え、前記サブマウントの前面を前記ヘッド部に接着したことを特徴としている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によると、サブマウントが半導体レーザ素子を設置する設置面の対向面に炭素を主成分とする放熱材料を積層されるので、軽量で放熱性の高い半導体レーザ装置を実現することができる。従って、熱アシスト磁気記録ヘッドの信頼性を向上するとともに、軽量化により浮上時の姿勢を容易に制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッドを示す側面断面図
【図２】本発明の第１実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッドの半導体レーザ装置を示す正面図
【図３】本発明の第１実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッドの半導体レーザ装置のエピタキシャル成長工程を示す正面図
【図４】本発明の第１実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッドの半導体レーザ装置の電極形成工程を示す正面図
【図５】本発明の第１実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッドのサブマウントの製造工程を示す正面図
【図６】本発明の第２実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッドの半導体レーザ装置を示す正面図
【図７】本発明の第２実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッドのサブマウントの溝部形成工程を示す正面図
【図８】本発明の第２実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッドのサブマウントの側面放熱層形成工程を示す正面図
【図９】本発明の第２実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッドのサブマウントの下面放熱層形成工程を示す正面図
【図１０】本発明の第３実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッドの半導体レーザ装置を示す正面図
【図１１】本発明の第４実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッドの半導体レーザ装置を示す正面図
【図１２】本発明の第４実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッドの半導体レーザ装置の素子放熱層形成工程を示す正面図
【発明を実施するための形態】
【００１７】
＜第１実施形態＞
以下に図面を参照して本発明の実施形態を説明する。図１は第１実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッドの側面断面図を示している。熱アシスト磁気記録ヘッド１はＨＤＤ装置等に搭載され、サスペンション（不図示）の支持によって磁気ディスクＤ上に軸方向移動可能に配置される。
【００１８】
熱アシスト磁気記録ヘッド１は磁気ディスクＤに対向するヘッド部１０と、ヘッド部１０に接着剤１９により接着される半導体レーザ装置２０とを備えている。ヘッド部１０は矢印Ａ方向に回転する磁気ディスクＤ上を浮上するスライダ部１１を有し、スライダ部１１の媒体退出側の端部に素子部１２が設けられる。
【００１９】
素子部１２は磁気記録を行う磁気記録部１３及び磁気ディスクＤの磁化を検出して出力する磁気再生部１４を有している。磁気記録部１３の近傍には半導体レーザ装置２０から出射されるレーザ光を導波する光導波路１５が設けられる。光導波路１５内には近接場光を発生させる素子（不図示）が配される。
【００２０】
図２は半導体レーザ装置２０の正面図を示している。図２、図３において、半導体レーザ装置２０はサブマウント２１を形成する基板２５の設置面２５ａ上に半導体レーザ素子３０がＡｕＳｎ等のロウ材２９を介して接着される。半導体レーザ素子３０は設置面２５ａ上に立設される前面の出射面３０ａから光導波路１５に向かってレーザ光を出射する。サブマウント２１の基板２５はＳｉ等により形成され、サブマウント２１は設置面２５ａに直交する前面２１ａをヘッド部１０に接着剤１９を介して接着される。
【００２１】
サブマウント２１は基板２５の設置面２５ａに対向する対向面２５ｂ上に放熱材料から成る下面放熱層２２が積層される。下面放熱層２２を形成する放熱材料として、炭素を主成分とした絶縁材料のダイヤモンド、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、カーボンナノチューブ等が用いられる。放熱材料として、炭素を主成分とした導電性材料を用いてもよい。また、放熱材料から成る下面放熱層２２の端面はサブマウント２１の前面２１ａに露出し、接着剤１９に接する。
【００２２】
次に、半導体レーザ素子３０の製造工程について説明する。半導体レーザ素子３０はウェハ状の基板３１（図３参照）に対してエピタキシャル成長工程、リッジ部形成工程、ｐ側電極形成工程、ｎ側電極形成工程が順に行われる。その後、第１切断工程、コート膜形成工程、第２切断工程が順に行われ、ウェハを分割して半導体レーザ素子３０が個片化される。
【００２３】
図３はエピタキシャル成長工程を示す正面図である。エピタキシャル成長工程ではｎ型ＧａＡｓから成る基板３１上に有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）や分子線結晶成長法（ＭＢＥ法）等により半導体積層膜３２をエピタキシャル成長させる。
【００２４】
半導体積層膜３２は基板３１側から順に第１バッファ層３２ａ、第２バッファ層３２ｂ、ｎ型クラッド層３２ｃ、ｎ側光ガイド層３２ｄ、正孔障壁層３２ｅ、多重量子井戸活性層３２ｆ、ｐ側光ガイド層３２ｇ、第１ｐ型クラッド層３２ｈ、エッチストップ層３２ｉ、第２ｐ型クラッド層３２ｊ、中間層３２ｋ、キャップ層３２ｍを積層して形成される。
【００２５】
第１バッファ層３２ａはｎ型ＧａＡｓにより形成される。第２バッファ層３２ｂはｎ型ＧａＩｎＰにより形成される。ｎ型クラッド層３２ｃはｎ型ＡｌＧａＩｎＰにより形成される。ｎ側光ガイド層３２ｄはｎ型ＡｌＧａＡｓにより形成される。正孔障壁層３２ｅはＡｌＧａＡｓにより形成される。多重量子井戸活性層３２ｆはＩｎＧａＡｓ及びＡｌＧａＡｓにより形成される。ｐ側光ガイド層３２ｇはｐ型ＡｌＧａＡｓにより形成される。
【００２６】
第１ｐ型クラッド層３２ｈはｐ型ＡｌＧａＩｎＰにより形成される。エッチストップ層３２ｉはｐ型ＧａＩｎＰにより形成される。第２ｐ型クラッド層３２ｊはｐ型ＡｌＧａＩｎＰにより形成される。中間層３２ｋはｐ型ＧａＩｎＰにより形成される。キャップ層３２ｍはｐ型ＧａＡｓにより形成される。尚、各層の順序や組成は半導体レーザ素子３０の設計に最適な内容に適宜変更することが可能である。
【００２７】
図４はリッジ部形成工程、ｐ側電極形成工程及びｎ側電極形成工程を示す正面図である。リッジ部形成工程では半導体積層膜３２上の所定領域にフォトリソグラフィ技術によりストライプ状のエッチングマスク（不図示）が形成される。次に、ドライエッチング等によりエッチストップ層３２ｉよりも上層の半導体積層膜３２を除去した後、エッチングマスクが除去される。これにより、出射面３０ａに垂直な方向に延びるメサ形状のリッジ部３３が形成される。リッジ部３３の幅Ｗは例えば、２μｍに形成される。リッジ部３３によって半導体レーザ素子３０の前後方向に延びる光導波路３９（図１、図２参照）が形成される。
【００２８】
ｐ側電極形成工程ではリッジ部３３を含む半導体積層膜３２上にＳｉＯ2から成る埋め込み層３４が積層される。そして、リッジ部３３の上面の所定領域の埋め込み層３４を除去して開口部（不図示）を形成する。次に、開口部を覆うｐ側電極３５が形成される。ｐ側電極３５はＡｕを主体とし、開口部を含む所定領域にフォトリソグラフィ、スパッタ法やＥＢ蒸着法、メッキ法等を組み合わせて適宜設計に応じて形成される。
【００２９】
ｎ側電極形成工程では基板３１の裏面が研磨され、基板３１を所定の厚みに形成する。次に、基板３１の裏面にＡｕを主体とするｎ側電極３６がｐ側電極３５と同様に形成される。
【００３０】
次に、第１切断工程では基板３１を形成するウェハを出射面３０ａに平行方向に切断して短冊状部材を形成する。次に、コート膜形成工程では出射面３０ａ及び出射面３０ａに対向する面に端面コート膜（不図示）を形成する。端面コート膜によって半導体レーザ素子３０の端面を保護するとともに端面の反射率を調整する。次に、第２切断工程で短冊状部材を出射面３０ａに直交する方向に切断線Ｂ１で切断し、半導体レーザ素子３０が個片化される。
【００３１】
図５はサブマウント２１の製造工程を示す正面図である。サブマウント２１は電極形成工程、下面放熱層形成工程及び切断工程が順に行われる。サブマウント２１はＳｉのインゴットからウェハ状の基板２５が切り出される。電極形成工程では基板２５の上面（設置面２５ａ）に所定の電極パターニングを施したロウ材２９が設けられる。
【００３２】
下面放熱層形成工程では基板２５の裏面（対向面２５ｂ）が研磨され、基板２５を所定の厚みに形成する。次に、基板２５の対向面２５ｂにプラズマＣＶＤ等によりダイヤモンドやＤＬＣ等の放熱材料を成膜して下面放熱層２２が形成される。
【００３３】
切断工程では基板２５及び下面放熱層２２を切断線Ｂ２で格子状に切断し、サブマウント２１が個片化される。これにより、サブマウント２１の前面２１ａ（図１参照）に放熱材料から成る下面放熱層２２の端面が露出する。
【００３４】
そして、ロウ材２９上に半導体レーザ素子３０のｐ側電極３５を接着する。これにより、前述の図１、図２に示す半導体レーザ装置２０が得られる。
【００３５】
半導体レーザ装置２０はサブマウント２１の前面２１ａに塗布された熱伝導性を有する接着剤１９によりヘッド部１０上に立設して接着される。この時、サブマウント２１の前面２１ａに金属膜や下面放熱層２２と同様の放熱材料の積層膜を配してもよい。これにより、サブマウント２１からヘッド部１０への熱伝導性を向上させることができる。
【００３６】
また、半導体レーザ素子３０のｐ側電極３５に導通するロウ材２９及び半導体レーザ素子３０のｎ側電極３６にそれぞれ電力供給用のリード線（不図示）が接続される。これにより、前述の図１に示す熱アシスト磁気記録ヘッド１が得られる。
【００３７】
上記構成の熱アシスト磁気記録ヘッド１は磁気記録部１３及び磁気再生部１４を磁気ディスクＤに対向し、スライダ部１１により磁気ディスクＤ上を浮上する。半導体レーザ素子３０の光導波路３９を導波して出射面３０ａから前方（ヘッド部１０の方向）に出射されたレーザ光はヘッド部１０の光導波路１５を導波して近接場光を発生する。
【００３８】
磁気ディスクＤは近接場光の熱により局所的に保持力が低下し、磁気記録部１３によって磁気記録される。これにより、保持力の高い磁気ディスクＤを用いることができ、磁気ディスクＤの記録密度を向上することができる。
【００３９】
また、磁気ディスクＤの磁化が磁気再生部１４により検出され、磁気ディスクＤに記録されたデータを読み出すことができる。
【００４０】
レーザ光の発生による半導体レーザ素子３０の発熱はサブマウント２１に伝えられる。サブマウント２１に伝えられた熱は下面放熱層２２を介して放熱されるとともに、熱伝導性の接着剤１９を介してヘッド部１０に伝えられて放熱される。
【００４１】
基板２５の設置面２５ａは半導体レーザ素子３０を設置するため広い面積を有し、対向面２５ｂが設置面２５ａと同じく広い面積を有する。これにより、下面放熱層２２の放熱面積を広く確保することができる。また、下面放熱層２２を形成する放熱材料が炭素を主成分とするため、サブマウント２１の基板２５や半導体レーザ素子３０の基板３１よりも熱伝導率が高い。
【００４２】
このため、従来例のようなヒートシンクを必要とせず、サブマウント２１の面積の狭い前面２１ａをヘッド部１０に接着しても半導体レーザ素子３０の発熱を十分放熱することができる。この時、下面放熱層２２の放熱材料の端面がサブマウント２１の前面２１ａに露出するため、下面放熱層２２と接着剤１９とが接する。このため、半導体レーザ装置２０の放熱性をより向上することができる。
【００４３】
加えて、ヒートシンクを不要として炭素を主成分とする下面放熱層２２の比重が小さいため、熱アシスト磁気記録ヘッド１の軽量化を図ることができる。
【００４４】
本実施形態によると、サブマウント２１が半導体レーザ素子３０を設置する設置面２５ａの対向面２５ｂに炭素を主成分とする放熱材料を積層されるので、軽量で放熱性の高い半導体レーザ装置２０を実現することができる。従って、熱アシスト磁気記録ヘッド１の信頼性を向上するとともに、軽量化により浮上時の姿勢を容易に制御することができる。
【００４５】
また、サブマウント２１がＳｉ等の安価な基板２５上に炭素を主成分とする放熱材料の下面放熱層２２を形成したハイブリッド構造に形成される。このため、半導体レーザ装置２０及び熱アシスト磁気記録ヘッド１のコスト増加を抑制することができる。更に、基板２５としてＳｉを用いた場合はＳｉの加工方法が従来より確立されているため、半導体レーザ装置２０の製造工程が安定して高い寸法精度や歩留りが得られる。
【００４６】
また、下面放熱層２２の放熱材料の端面がサブマウント２１の前面２１ａに露出するので、前面２１ａをヘッド部１０に接着して下面放熱層２２からヘッド部１０に熱を伝えて放熱することができる。従って、半導体レーザ装置２０の放熱性をより向上することができる。
【００４７】
また、下面放熱層２２の放熱材料がダイヤモンド、ＤＬＣまたはカーボンナノチューブを主成分とするので、炭素を主成分として熱伝導性が高く軽量な下面放熱層２２を容易に実現することができる。
【００４８】
＜第２実施形態＞
次に、図６は第２実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッド１の半導体レーザ装置２０の正面図を示している。説明の便宜上、前述の図１〜図５に示す第１実施形態と同様の部分には同一の符号を付している。本実施形態はサブマウント２１の基板２５の側面２５ｃに側面放熱層２３が設けられる。その他の部分は第１実施形態と同様である。
【００４９】
基板２５の側面２５ｃは設置面２５ａ及びサブマウント２１の前面２１ａに直交する。基板２５の側面２５ｃに積層される側面放熱層２３は下面放熱層２２と同様の放熱材料により形成される。
【００５０】
側面放熱層２３はサブマウント２１の電極形成工程の後に溝部形成工程及び側面放熱層形成工程を行って形成される。図７は溝部形成工程を示している。溝部形成工程では基板２５の設置面２５ａに所定の深さの溝部２５ｄがドライエッチング等により所定のピッチで形成される。
【００５１】
図８は側面放熱層形成工程を示している。側面放熱層形成工程では溝部２５ｄ内に炭素を主成分とする放熱材料をプラズマＣＶＤ等により充填し、側面放熱層２３が形成される。
【００５２】
図９は下面放熱層形成工程を示している。下面放熱層形成工程では基板２５の裏面（対向面２５ｂ）が溝部２５ｄ内の放熱材料が露出するまで研磨され、基板２５を所定の厚みに形成する。次に、基板２５の対向面２５ｂにプラズマＣＶＤ等により放熱材料を成膜して下面放熱層２２が形成される。
【００５３】
そして、切断工程により溝部２５ｄ上及び溝部２５ｄに垂直方向に切断線Ｂ２で格子状に切断し、サブマウント２１が個片化される。これにより、サブマウント２１の前面２１ａ（図６参照）に放熱材料から成る下面放熱層２２及び側面放熱層２３の端面が露出する。
【００５４】
本実施形態によると、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。また、サブマウント２１の基板２５の側面２５ｃに下面放熱層２２と同様の放熱材料から成る側面放熱層２３を形成したので、半導体レーザ装置２０の放熱性をより向上することができる。
【００５５】
また、下面放熱層２２及び側面放熱層２３の放熱材料の端面がサブマウント２１の前面２１ａに露出するので、前面２１ａをヘッド部１０に接着して下面放熱層２２及び側面放熱層２３からヘッド部１０に熱を伝えて放熱することができる。従って、半導体レーザ装置２０の放熱性を更に向上することができる。
【００５６】
＜第３実施形態＞
次に、図１０は第３実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッド１の半導体レーザ装置２０の正面図を示している。説明の便宜上、前述の図１〜図５に示す第１実施形態と同様の部分には同一の符号を付している。本実施形態はサブマウント２１の基板２５の設置面２５ａに上面放熱層２４が設けられる。その他の部分は第１実施形態と同様である。
【００５７】
上面放熱層２４はサブマウント２１の電極形成工程の後に上面放熱層形成工程を行って形成される。上面放熱層形成工程では基板２５の設置面２５ａにプラズマＣＶＤ等により下面放熱層２２と同様の放熱材料を成膜して上面放熱層２４が形成される。この時、フォトリソグラフィによりマスク形成してエッチングを行い、ロウ材２９上に窓部２４ａが形成される。これにより、窓部２４ａを介してロウ材２９に電力供給用のリード線（不図示）が接続される。
【００５８】
また、サブマウント２１の前面２１ａに放熱材料から成る下面放熱層２２及び上面放熱層２４の端面が露出する。尚、ロウ材２９上に配される上面放熱層２４は前面２１ａに露出するため絶縁性を有する放熱材料によって形成され、ヘッド部１０（図１参照）への漏電が防止される。
【００５９】
本実施形態によると、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。また、サブマウント２１の基板２５の設置面２５ａに下面放熱層２２と同様の放熱材料から成る上面放熱層２４を形成したので、半導体レーザ装置２０の放熱性をより向上することができる。
【００６０】
また、下面放熱層２２及び上面放熱層２４の放熱材料の端面がサブマウント２１の前面２１ａに露出するので、前面２１ａをヘッド部１０に接着して下面放熱層２２及び上面放熱層２４からヘッド部１０に熱を伝えて放熱することができる。従って、半導体レーザ装置２０の放熱性を更に向上することができる。この時、上面放熱層２４の放熱材料が絶縁性を有するので、ロウ材２９から成る端子とヘッド部１０との導通を防止することができる。
【００６１】
尚、本実施形態において、第２実施形態と同様の側面放熱層２３（図６参照）を設けてもよい。
【００６２】
＜第４実施形態＞
次に、図１１は第４実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッド１の半導体レーザ装置２０の正面図を示している。説明の便宜上、前述の図１〜図５に示す第１実施形態と同様の部分には同一の符号を付している。本実施形態は半導体レーザ素子３０のサブマウント２１と反対側の面に素子放熱層３８が設けられる。その他の部分は第１実施形態と同様である。
【００６３】
素子放熱層３８はｎ側電極形成工程の後に素子放熱層形成工程を行って形成される。図１２は素子放熱層形成工程を示す正面図である。素子放熱層形成工程では基板３１の裏面に形成されたｎ側電極３６上にプラズマＣＶＤ等により下面放熱層２２と同様の放熱材料を成膜して素子放熱層３８が形成される。
【００６４】
この時、フォトリソグラフィによりマスク形成してエッチングを行い、ｎ側電極３６上に窓部３８ａが形成される。これにより、窓部３８ａを介してｎ側電極３６に電力供給用のリード線（不図示）が接続される。
【００６５】
本実施形態によると、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。また、半導体レーザ素子３０のサブマウント２１と反対側の面に下面放熱層２２と同様の放熱材料から成る素子放熱層３８を形成したので、半導体レーザ装置２０の放熱性をより向上することができる。
【００６６】
尚、本実施形態において、第２実施形態と同様の側面放熱層２３（図６参照）や第３実施形態と同様の上面放熱層２４（図１０参照）を設けてもよい。
【００６７】
第１〜第４実施形態において、炭素を主成分とした放熱材料の層に種々の変更を加えることが可能である。例えば、ヘッド部１０に接着されるサブマウント２１の前面２１ａに近い側の放熱材料の層を遠い側よりも薄く形成してもよい。これにより、サブマウント２１を介した放熱が前後方向でバランス化され、半導体レーザ素子３０にかかる熱を平均化することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
本発明によると、熱アシスト磁気記録を行う熱アシスト磁気記録ヘッドに利用することができる。
【符号の説明】
【００６９】
１    熱アシスト磁気記録ヘッド
１０    ヘッド部
１１    スライダ部
１２    素子部
１３    磁気記録部
１４    磁気再生部
１５    光導波路
１９    接着剤
２０    半導体レーザ装置
２１    サブマウント
２１ａ  前面
２２    下面放熱層
２３    側面放熱層
２４    上面放熱層
２４ａ  窓部
２５    基板
２５ａ  設置面
２５ｂ  対向面
２５ｃ  側面
２９    ロウ材
３０    半導体レーザ素子
３０ａ  出射面
３１    基板
３２    半導体積層膜
３３    リッジ部
３４    埋め込み層
３５    ｐ側電極
３６    ｎ側電極
３８    素子放熱層
３８ａ  窓部
３９    光導波路
Ｄ    磁気ディスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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