(57)【要約】【課題】感光性樹脂と封止樹脂層との隙間に部品と配線基板とを接続する半田が流出して、隣接する実装電極同士が短絡するのを防止することができるモジュールを提供する。【解決手段】モジュール１は、配線基板２と、該配線基板２の一方主面に形成された部品実装用の複数の実装電極３と、配線基板２の一方主面に実装され、実装電極３に半田接続された複数の部品４と、実装電極３を構成するめっき電極層３ｂが露出した状態で、配線基板２の一方主面を被覆して設けられた感光性樹脂であるソルダーレジスト５と、配線基板２の一方主面に実装電極３に接続された部品４およびソルダーレジスト５を被覆して設けられた封止樹脂層６とを備え、実装電極３のめっき電極層３ｂとソルダーレジスト５との境界に断面楔形状の凹部９を有し、封止樹脂層６の樹脂が、凹部９に充填されている。【選択図】図２
2014229689.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、
前記配線基板の一方主面に形成された部品実装用の実装電極と、
前記配線基板の一方主面に実装され、前記実装電極に半田接続された部品と、
少なくとも前記実装電極の前記部品との接続面が露出した状態で、前記配線基板の一方主面を被覆して設けられた感光性樹脂と、
前記配線基板の一方主面に前記実装電極に接続された前記部品および前記感光性樹脂を被覆して設けられた封止樹脂層とを備え、
前記実装電極と前記感光性樹脂との境界に断面楔形状の凹部を有し、
前記封止樹脂層の樹脂が、前記凹部に充填されている
ことを特徴とするモジュール。
【請求項２】
前記実装電極は、
前記配線基板上に形成された表面電極層と、
前記表面電極に積層されためっき電極層との２層構造で形成されていることを特徴とする請求項１に記載のモジュール。
【請求項３】
前記一方主面に直交する方向から見た前記めっき電極層の面積が、前記表面電極層の面積よりも小さく、
前記凹部は、前記めっき電極層と前記感光性樹脂との境界に形成されていることを特徴とする請求項２に記載のモジュール。
【請求項４】
前記めっき電極層が、前記表面電極層の前記配線基板との接触面を除く外側面を被覆して形成されることを特徴とする請求項２に記載のモジュール。
【請求項５】
前記実装電極の表面が、半田膜で被覆されていることを特徴とする請求項１に記載のモジュール。
【請求項６】
前記感光性樹脂の表面が粗面化されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載のモジュール。
【請求項７】
前記配線基板が、樹脂基板、ガラスエポキシ樹脂基板、セラミック基板のいずれかであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載のモジュール。
【請求項８】
前記感光性樹脂が、ソルダーレジストであることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載のモジュール。
【請求項９】
配線基板を準備する工程と、
前記配線基板の一方主面に部品実装用の実装電極を構成する表面電極層を形成する工程と、
前記配線基板の前記一方主面に、前記表面電極層上に開口部を有する感光性樹脂を形成する工程と、
前記開口部に前記実装電極を構成するめっき電極層を形成する工程と、
熱処理により前記感光性樹脂を縮合させて、前記感光性樹脂と前記めっき電極層との境界に間隙を形成する工程と、
前記実装電極の前記めっき電極層表面に半田を塗布する工程と、
前記配線基板の前記実装電極に部品を搭載する工程と、
リフローによる熱処理を行うことにより、前記部品と前記実装電極とを半田接続させるとともに、前記感光性樹脂を軟化させて、前記感光性樹脂と前記めっき電極層との間隙に断面楔形状の凹部を形成する工程と、
前記実装電極に実装された前記部品および前記感光性樹脂を封止樹脂により被覆し、前記凹部に前記封止樹脂を充填して封止樹脂層を形成する工程と
を備えることを特徴とするモジュールの製造方法。
【請求項１０】
配線基板を準備する工程と、
前記配線基板の一方主面に部品実装用の実装電極を構成する表面電極層を形成する工程と、
前記配線基板の前記一方主面に、ネガ型の感光性樹脂を形成する工程と、
前記感光性樹脂に対して行う、前記表面電極層に積層される前記実装電極を構成するめっき電極層を形成するためのパターンニング露光を、前記感光性樹脂が完全に光反応する露光量よりも低い露光量で行う工程と、
現像処理およびアフターベーキングを行って、前記感光性樹脂の前記表面電極上の領域に開口部を形成する工程と、
前記開口部に前記めっき電極層を形成する工程と、
前記実装電極の前記めっき電極層表面に半田を塗布する工程と、
前記配線基板の前記実装電極に部品を搭載する工程と、
熱処理により、前記部品と前記実装電極とを半田接続するとともに、前記感光性樹脂の前記露光による未反応部分を軟化させて前記感光性樹脂と前記めっき電極層との境界に断面楔形状の凹部を形成する工程と、
ウェット式またはドライ式の洗浄処理により、前記感光性樹脂の前記未反応部分を除去する工程と、
前記実装電極に実装された前記部品および前記感光性樹脂を封止樹脂により被覆し、前記凹部に前記封止樹脂を充填して封止樹脂層を形成する工程と
を備えることを特徴とするモジュールの製造方法。
【請求項１１】
前記配線基板の一方主面に前記感光性樹脂を形成した後に、プラズマ処理により前記感光性樹脂の表面を粗面化する工程をさらに備えることを特徴とする請求項８または９に記載のモジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板に部品を実装し、該部品を封止樹脂で被覆したモジュールおよびこのモジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、配線基板に半田を用いて部品が実装されたモジュールが知られている。この種のモジュールは、配線基板の表面に形成された配線電極を保護するなどの目的で、配線基板の主面に感光性樹脂であるソルダーレジストなどの保護膜が形成されるとともに、配線基板に実装された部品を保護するなどの目的で、ソルダーレジストおよび部品を被覆する封止樹脂が設けられる。このようなモジュールの構造においては、ソルダーレジストと封止樹脂との界面およびソルダーレジストと配線基板との界面に浸透した水分が、モジュールを外部のマザー基板等に実装した際に水蒸気となって、そのときの水蒸気の膨張力により、これらの界面に隙間が発生する場合がある。このような場合、モジュールのマザー基板への実装時の熱により再溶融した、部品と配線基板とを接続する半田が、これらの界面の隙間に流れ出し、隣接する部品間などが短絡する、所謂、半田スプラッシュが発生するという問題があった。
【０００３】
そこで、特許文献１では、この半田スプラッシュの防止を目的としたモジュールが開示されている。このモジュール１００は、図１０に示すように、配線基板１０１の一方主面の外周部上のソルダーレジスト１０２を除去して、配線基板１０１に実装された部品１０３、ソルダーレジスト１０２および該ソルダーレジスト１０２の除去により露出した配線基板１０１の一方主面の外周部を、封止樹脂層１０４により被覆している。封止樹脂層１０４と配線基板１０１との密着力は、ソルダーレジスト１０２と配線基板１０１との密着力よりも強いことが知られており、このように、配線基板１０１の外周部のソルダーレジスト１０２を除去して、配線基板１０１の外周部を封止樹脂層１０４で被覆することで、モジュール１００の外部から水分が浸透するのを防止するとともに、封止樹脂層１０４と配線基板１０１との密着力を強くすることができるため、半田スプラッシュの原因となる配線基板１０１と封止樹脂層１０４との界面に隙間が発生するのを防止することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１８３４３０号公報（段落００３０〜００４０、図１等参照）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来のモジュール１００の構造でも、配線基板１０１と封止樹脂層１０４との界面に水分が浸透して、モジュール１００をマザー基板に実装した際に、この界面に隙間が発生する場合がある。そうすると、水分が蒸気化したときの膨張力が、内部のソルダーレジスト１０２と封止樹脂層１０４との界面に伝搬し、ソルダーレジスト１０２と封止樹脂層１０４との界面に隙間ができる。また、封止樹脂層１０４とソルダーレジスト１０２との線膨張係数の違いなどから両者の界面で剥離が生じて隙間ができる場合もあり、このような場合には、半田スプラッシュの問題が発生する。
【０００６】
本発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、感光性樹脂と封止樹脂層との隙間に部品と配線基板とを接続する半田が流出して、隣接する実装電極同士が短絡するのを防止することができるモジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記した目的を達成するために、本発明のモジュールは、配線基板と、前記配線基板の一方主面に形成された部品実装用の実装電極と、前記配線基板の一方主面に実装され、前記実装電極に半田接続された部品と、少なくとも前記実装電極の前記部品との接続面が露出した状態で、前記配線基板の一方主面を被覆して設けられた感光性樹脂と、前記配線基板の一方主面に前記実装電極に接続された前記部品および前記感光性樹脂を被覆して設けられた封止樹脂層とを備え、前記実装電極と前記感光性樹脂との境界に断面楔形状の凹部を有し、前記封止樹脂層の樹脂が、前記凹部に充填されていることを特徴としている。
【０００８】
この場合、モジュールは、部品実装用の実装電極と感光性樹脂との境界に断面楔形状の凹部を有し、該凹部に封止樹脂層の樹脂が充填される。このようにすると、凹部に封止樹脂層の樹脂が充填されることにより得られるアンカー効果で、当該凹部において、封止樹脂層と感光性樹脂との密着強度が向上するため、封止樹脂層と感光性樹脂との界面に水分が浸透するのを防止することができ、これにより、モジュールを外部のマザー基板等に実装する際に封止樹脂層と感光性樹脂との界面に隙間が発生するのを抑制することができる。また、上記した界面に隙間が発生した場合であっても、隣接する実装電極間を繋ぐ隙間の経路が一直線状にならず、該経路が、楔形状の凹部を有する分、長くなるため、溶融した半田が、隣接する実装電極に到達して両実装電極間が短絡するのを防止することができる。さらに、凹部に発生する感光性樹脂と封止樹脂層との隙間の経路はＶ字状になるため、凹部の隙間の経路中で溶融した半田をせき止める効果も期待できる。
【０００９】
また、前記実装電極は、前記配線基板上に形成された表面電極層と、前記表面電極に積層されためっき電極層との２層構造で形成されていてもよい。例えば、表面電極層をＣｕ層で形成するとともに、めっき電極層をＮｉ／Ａｕ層で形成すると、めっき電極層により表面電極層が酸化または腐食するのを防止することができる。また、Ｎｉ／Ａｕ層はＣｕ層よりも半田との相互拡散係数が高いため、実装電極の半田の濡れ性が向上する。
【００１０】
また、前記一方主面に直交する方向から見た前記めっき電極層の面積が、前記表面電極層の面積よりも小さく、前記凹部は、前記めっき電極層と前記感光性樹脂との境界に形成されていてもよい。このように、実装電極が、表面電極と、配線基板の一方主面に直交する方向から見た面積が表面電極層よりも小さいめっき電極層とで構成されている場合であっても、めっき電極層と感光性樹脂との境界に断面楔形状の凹部が形成することにより、上記同様、当該凹部により得られるアンカー効果で、感光性樹脂と封止樹脂層との界面の密着強度が向上するため、この界面に半田スプラッシュの原因となる隙間が発生するのを防止することができる。また、感光性樹脂と封止樹脂層との界面に隙間が発生しても、隣接する実装電極間を繋ぐ隙間の経路が長くなるため、半田スプラッシュの発生を防止することができる。
【００１１】
また、前記めっき電極層が、前記表面電極層の前記配線基板との接触面を除く外側面を被覆して形成されていてもよい。このような構成でも、めっき電極層と感光性樹脂との境界で断面楔形状の凹部が形成されるため、半田スプラッシュが発生するのを防止することができる。
【００１２】
前記実装電極の表面が、半田膜で被覆されていてもよい。このようにすると、半田膜と感光性樹脂との境界に断面楔形状の凹部が形成されることになるため、上記同様、半田スプラッシュが発生するのを防止することができる。
【００１３】
また、前記感光性樹脂の表面が粗面化されていてもよい。このように、感光性樹脂の表面が粗面化されていると、感光性樹脂と封止樹脂層との密着強度がさらに向上するため、半田スプラッシュの防止効果がさらに向上する。
【００１４】
また、前記配線基板が、樹脂基板、ガラスエポキシ樹脂基板、セラミック基板のいずれかであってもかまわない。この場合、配線基板として一般的に用いられる基板を用いることができるため実用的である。また、前記感光性樹脂が、ソルダーレジストであってもよい。この場合、感光性樹脂としてソルダーレジストを用いることができる。
【００１５】
また、本発明のモジュールの製造方法は、配線基板を準備する工程と、前記配線基板の一方主面に部品実装用の実装電極を構成する表面電極層を形成する工程と、前記配線基板の前記一方主面に、前記表面電極層上に開口部を有する感光性樹脂を形成する工程と、前記開口部に前記実装電極を構成するめっき電極層を形成する工程と、熱処理により前記感光性樹脂を縮合させて、前記感光性樹脂と前記めっき電極層との境界に間隙を形成する工程と、前記実装電極の前記めっき電極層表面に半田を塗布する工程と、前記配線基板の前記実装電極に部品を搭載する工程と、リフローによる熱処理を行うことにより、前記部品と前記実装電極とを半田接続させるとともに、前記感光性樹脂を軟化させて、前記感光性樹脂と前記めっき電極層との間隙に断面楔形状の凹部を形成する工程と、前記実装電極に実装された前記部品および前記感光性樹脂を封止樹脂により被覆し、前記凹部に前記封止樹脂を充填して封止樹脂層を形成する工程とを備えることを特徴としている。
【００１６】
この場合、熱処理により感光性樹脂を縮合させて、感光性樹脂と実装電極を構成するめっき電極層との境界に間隙を形成した上で、リフローによる熱処理を行うことにより、部品と実装電極とを半田接続させるとともに、感光性樹脂を軟化させて、感光性樹脂とめっき電極層との間隙に断面楔形状の凹部を形成することができる。したがって、実装電極と感光性樹脂との境界に断面楔形状の凹部を有し、半田スプラッシュを防止することができるモジュールを製造することができる。
【００１７】
また、本発明のモジュールの他の製造方法は、配線基板を準備する工程と、前記配線基板の一方主面に部品実装用の実装電極を構成する表面電極層を形成する工程と、前記配線基板の前記一方主面に、ネガ型の感光性樹脂を形成する工程と、前記感光性樹脂に対して行う、前記表面電極層に積層される前記実装電極を構成するめっき電極層を形成するためのパターンニング露光を、前記感光性樹脂が完全に光反応する露光量よりも低い露光量で行う工程と、現像処理およびアフターベーキングを行って、前記感光性樹脂の前記表面電極上の領域に開口部を形成する工程と、前記開口部に前記めっき電極層を形成する工程と、前記実装電極の前記めっき電極層表面に半田を塗布する工程と、前記配線基板の前記実装電極に部品を搭載する工程と、熱処理により、前記部品と前記実装電極とを半田接続するとともに、前記感光性樹脂の前記露光による未反応部分を軟化させて前記感光性樹脂と前記めっき電極層との境界に断面楔形状の凹部を形成する工程と、ウェット式またはドライ式の洗浄処理により、前記感光性樹脂の前記未反応部分を除去する工程と、前記実装電極に実装された前記部品および前記感光性樹脂を封止樹脂により被覆し、前記凹部に前記封止樹脂を充填して封止樹脂層を形成する工程とを備えることを特徴としている。
【００１８】
この場合、ネガ型の感光性樹脂に対して行う、表面電極層に積層されるめっき電極層を形成するためのパターンニング露光を、感光性樹脂が完全に光反応する露光量よりも低い露光量で行い、熱処理により、部品と実装電極とを半田接続するとともに、感光性樹脂の露光による未反応部分を軟化させて感光性樹脂とめっき電極層との境界に断面楔形状の凹部を形成することで、実装電極と感光性樹脂との境界に、断面楔形状の凹部を有するモジュールを製造することができるため、半田スプラッシュを防止することができるモジュールを製造することができる。
【００１９】
また、前記配線基板の一方主面に前記感光性樹脂を形成した後に、プラズマ処理により前記感光性樹脂の表面を粗面化する工程をさらに備えていてもよい。このようにすることで、感光性樹脂と封止樹脂層との密着強度が向上するため、半田スプラッシュの防止効果がさらに向上したモジュールを製造することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、モジュールは、部品実装用の実装電極と感光性樹脂との境界に断面楔形状の凹部を有し、該凹部に封止樹脂層の樹脂が充填される。このようにすると、凹部に封止樹脂層の樹脂が充填されることにより得られるアンカー効果で、当該凹部において、封止樹脂層と感光性樹脂との密着強度が向上するため、封止樹脂層と感光性樹脂との界面に水分が浸透するのを防止することができ、これにより、モジュールを外部のマザー基板等に実装する際に封止樹脂層と感光性樹脂との界面に隙間が発生するのを防止することができる。また、仮に、上記した界面に隙間が発生した場合であっても、隣接する実装電極間を繋ぐ隙間の経路が一直線状にならず、該経路が、楔形状の凹部を有する分、長くなるため、溶融した半田が、隣接する実装電極に到達して両実装電極間が短絡するのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の第１実施形態にかかるモジュールの断面図である。
【図２】図１のモジュールの部分断面図である。
【図３】図１のモジュールの製造方法を説明するための図である。
【図４】図１のモジュールの製造方法を説明するための図である。
【図５】本発明の第２実施形態にかかるモジュールの製造方法の説明図である。
【図６】本発明の第２実施形態にかかるモジュールの製造方法の説明図である。
【図７】本発明の第３実施形態にかかるモジュールの部分断面図である。
【図８】本発明の第４実施形態にかかるモジュールの部分断面図である。
【図９】本発明の第５実施形態にかかるモジュールの部分断面図である。
【図１０】従来のモジュールの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態にかかるモジュール１について、図１および図２を参照して説明する。なお、図１は第１実施形態にかかるモジュール１の断面図、図２はモジュール１の部分断面拡大図である。
【００２３】
この実施形態にかかるモジュールは１、図１に示すように、配線基板２と、該配線基板２の一方主面に形成された複数の実装電極３と、配線基板２の一方主面に実装され、所定の実装電極３に半田接続された複数の部品４と、配線基板２の一方主面を被覆して設けられた感光性樹脂の一例であるソルダーレジスト５と、各部品４およびソルダーレジスト５を被覆して設けられた封止樹脂層６とを備え、例えば、携帯電話などの電子機器のマザー基板に実装される。
【００２４】
配線基板２は、それぞれ、ガラスエポキシ樹脂や低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）などの絶縁材料で形成された複数の絶縁層が積層されて成る多層基板であり、上記したように、その一方主面に各実装電極３が形成される。また、内部にはビア導体（図示せず）や各種配線電極（図示せず）が形成されるとともに、他方主面には、外部との接続用の複数の外部電極７が形成される。なお、配線基板２は、単層基板であってもかまわない。
【００２５】
各実装電極３は、図１および図２に示すように、配線基板２の一方主面上に形成された表面電極層３ａと、該表面電極層３ａに積層されためっき電極層３ｂとの２層構造で形成されており、配線基板２の一方主面に直交する方向から見ためっき電極層３ｂの面積が、表面電極層３ａの面積よりも小さく形成される。なお、この実施形態では、表面電極層３ａがＣｕ、めっき電極層３ｂがＮｉ／Ａｕめっきで形成されている。
【００２６】
各部品４は、ＳｉやＧａＡｓなどで形成された半導体素子であるＩＣや、チップキャパシタやチップインダクタなどのチップ部品であり、配線基板２の一方主面に周知の表面実装技術を用いて実装される。このとき、各部品４が有する端子が所定の実装電極３に半田８により接続される。
【００２７】
ソルダーレジスト５は、少なくとも各実装電極３の各部品４との接続面が露出した状態で、配線基板２の一方主面を被覆し、各実装電極３それぞれにおいて、ソルダーレジスト５との境界の、当該実装電極３の接続面寄りの位置に断面楔形状の凹部９が形成される。ここで、断面楔形状とは、図２に示すように、配線基板２の一方主面に平行な方向から見た凹部９の断面形状が楔型の形状であることを指す。以下、断面楔形状と呼ぶ。具体的には、ソルダーレジスト５は、表面電極層３ａの表面のうち、めっき電極層３ｂと接触していない部分を被覆した状態で、配線基板２の一方主面を被覆しており、これにより、めっき電極層３ｂとソルダーレジスト５との境界に、断面楔形状の凹部９が形成される。なお、ソルダーレジスト５に代えて、感光性ポリイミドなどの種々の感光性樹脂を用いてもよい。
【００２８】
封止樹脂層６は、例えば、エポキシ樹脂で形成され、配線基板２の一方主面に実装された各部品４およびソルダーレジスト５を被覆して設けられる。このとき、上記した凹部９にも、封止樹脂層６の樹脂（本発明の封止樹脂に相当）が充填される。
【００２９】
（モジュール１の製造方法１）
次に、モジュール１の製造方法について、図３および図４を参照して説明する。なお、図３および図４はモジュール１の製造方法の説明図であり、モジュール１の部分断面図である。また、図３（ａ）〜（ｄ）は製造方法の各工程を示し、図４（ａ）および（ｂ）は、図３に続く各工程を示す。
【００３０】
まず、その内部にビア導体や各種配線電極が形成された配線基板２を準備し、その一方主面に部品実装用の実装電極３を構成する複数の表面電極層３ａを形成するとともに、他方主面に外部接続用の複数の外部電極７を形成する。このとき、各表面電極層３ａを、Ｃｕなどを含む導体ペーストを使用した印刷技術や、フォトリソグラフィ技術などを用いたパターンエッチングにより形成する。なお、各表面電極層３ａおよび各外部電極７は、積層される前の各絶縁層が単体状態のときに形成してもかまわない。
【００３１】
次に、図３（ａ）に示すように、配線基板２の一方主面に、表面電極層３ａ上に開口部１０を有するソルダーレジスト５を形成する。この場合、例えば、印刷技術などを用いて配線基板２の一方主面の全面にソルダーレジスト５を形成した後、フォトリソグラフィ技術などを用いて表面電極層３ａ上のソルダーレジスト５を除去して開口部１０を形成する。
【００３２】
次に、図３（ｂ）に示すように、ソルダーレジスト５の開口部１０に実装電極３を構成するめっき電極層３ｂを形成する。具体的には、開口部１０により露出した表面電極層３ａ上に無電解めっきにより、Ｎｉ膜を成膜し、同じく、無電解めっきにより、Ｎｉ膜上にＡｕ膜を成膜して、Ｎｉ／Ａｕ膜から成るめっき電極層３ｂを表面電極層３ａ上に積層する。
【００３３】
次に、図３（ｃ）に示すように、熱処理により、ソルダーレジスト５の硬化度を上げるとともに、ソルダーレジスト５を縮合させて、ソルダーレジスト５とめっき電極層３ｂとの境界に間隙１１を形成する。このとき、めっき電極層３ｂ形成時においては、めっき電極層３ｂとソルダーレジスト５とが接着した状態であるため、上記した熱処理により、めっき電極層３ｂとソルダーレジスト５との界面剥離を行う。なお、熱処理の条件は、１００℃以上、３０分間以上に設定するのが好ましい。
【００３４】
次に、図３（ｄ）に示すように、印刷技術などを用いて、めっき電極層３ｂ表面に半田８を塗布し、配線基板２の所定の実装電極３上に、部品搭載装置などを用いて各部品４を搭載する。
【００３５】
次に、図４（ａ）に示すように、リフロー炉などを用いた熱処理を行うことで、各部品４と所定の実装電極３とを半田接続させるとともに、ソルダーレジスト５を軟化させて、ソルダーレジスト５とめっき電極層３ｂとの間隙１１に断面楔形状の凹部９を形成する。このとき、リフロー炉の温度を、ソルダーレジスト５の軟化する温度であるガラス転移温度（例えば、２００℃〜２３０℃）以上に設定する。このようにすることで、ソルダーレジスト５の開口部１０の内壁の傾斜が鈍化し、上記した間隙１１に断面楔形状の凹部９が形成される。
【００３６】
次に、フラックスの残渣等の有機物を、ウェット式やドライ式の洗浄処理により洗浄・除去する。このとき、ウェット式の洗浄処理としては、例えば、有機溶剤を含有する洗浄液による洗浄が挙げられ、ドライ式の洗浄処理としては、例えば、プラズマ洗浄が挙げられる。
【００３７】
最後に、図４（ｂ）に示すように、各部品４およびソルダーレジスト５を、エポキシ樹脂などにより被覆し、凹部９に当該エポキシ樹脂を充填して封止樹脂層６を形成することでモジュール１を製造する。なお、封止樹脂層６は、塗布方式、印刷方式、コンプレッションモールド方式、トランスファモールド方式などにより形成することができる。
【００３８】
なお、ソルダーレジスト５を形成した後に、プラズマ処理（プラズマアッシング）により、ソルダーレジスト５の表面を粗面化するようにしてもよい。このようにすると、ソルダーレジスト５と封止樹脂層６との密着強度がさらに向上するため、半田スプラッシュの防止効果がさらに向上する。なお、プラズマ処理としては、酸素プラズマやアルゴンプラズマ処理などが挙げられる。
【００３９】
したがって、上記した実施形態によれば、モジュール１は、実装電極３を構成するめっき電極層３ｂとソルダーレジスト５との境界に断面楔形状の凹部９を有し、該凹部９に封止樹脂層６の樹脂が充填される。このようにすると、凹部９に封止樹脂層６の樹脂が充填されることにより得られるアンカー効果で、凹部９において、封止樹脂層６とソルダーレジスト５との密着強度が向上するため、封止樹脂層６とソルダーレジスト５との界面に水分が浸透するのを防止することができ、これにより、モジュール１を外部のマザー基板等に実装する際に封止樹脂層６とソルダーレジスト５との界面に隙間が発生するのを防止することができる。また、仮に両者の界面に隙間が発生した場合であっても、隣接する実装電極３間を繋ぐ隙間の経路が一直線状にならず、凹部９における隙間の経路がＶ字状になる分だけ、長くなるため、溶融した半田８が、隣接する実装電極３に到達して両実装電極３間が短絡するのを防止することができる。さらに、凹部９に発生する隙間の経路がＶ字状になることにより、凹部９の隙間の経路中で溶融した半田８をせき止める効果も期待できる。
【００４０】
また、表面電極層３ａがＣｕで形成されるとともに、めっき電極層３ｂがＮｉ／Ａｕ膜で形成されるため、めっき電極層３ｂにより表面電極層３ａが酸化または腐食するのを防止することができる。また、Ｎｉ／Ａｕ膜はＣｕよりも半田８との相互拡散係数が高いため、実装電極３の半田８の濡れ性が向上する。
【００４１】
また、上記したモジュール１の製造方法によれば、熱処理によりソルダーレジスト５を縮合させて、ソルダーレジスト５と実装電極３を構成するめっき電極層３ｂとの境界に間隙１１を形成した上で、リフロー炉などを用いた熱処理により、ソルダーレジスト５とめっき電極層３ｂとの間隙１１に、断面楔形状の凹部９を形成することができるため、半田スプラッシュを防止することができるモジュール１を製造することができる。
【００４２】
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態にかかるモジュール１について、図５および図６を参照して説明する。なお、図５および図６はモジュール１の製造方法の説明図であり、それぞれモジュール１の部分断面図である。また、図５（ａ）〜（ｅ）は製造方法の各工程を示し、図６（ａ）〜（ｃ）は図５（ｅ）に続く各工程を示す。
【００４３】
この実施形態にかかるモジュール１が、図１〜図４を参照して説明した第１実施形態のモジュールと異なるところは、その製造方法が異なる点である。その他の構成は第１実施形態のモジュール１と同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。以下、その製造方法について説明する。
【００４４】
（モジュール１の製造方法２）
まず、その内部にビア導体や各種配線電極が形成された配線基板２を準備し、その一方主面に部品実装用の実装電極３を構成する複数の表面電極層３ａを形成するとともに、他方主面に外部接続用の複数の外部電極７を形成する。このとき、各表面電極層３ａを、Ｃｕなどを含む導体ペーストを使用した印刷技術や、各表面電極層３ａを、Ｃｕなどを含む導体ペーストを使用した印刷技術や、フォトリソグラフィ技術などを用いたパターンエッチングにより形成する。なお、各表面電極層３ａおよび各外部電極７は、積層される前の各絶縁層が、単体状態のときに形成してもかまわない。
【００４５】
次に、図５（ａ）に示すように、印刷技術などを用いて配線基板２の一方主面の全面にネガ型のソルダーレジスト５を形成した後、図５（ｂ）に示すように、マスク１２を用いて、ソルダーレジスト５に対して、表面電極層３ａに積層されるめっき電極層３ｂを形成するためのパターンニング露光を行う。このとき、その露光量をソルダーレジスト５が完全に光反応する露光量よりも低い露光量、例えば、ソルダーレジスト５の光反応度が８０〜９０％程度になるように設定する。
【００４６】
次に、図５（ｃ）に示すように、現像処理およびアフターベーキングを行って、ソルダーレジスト５の表面電極層３ａ上の領域に開口部１０を形成する。
【００４７】
次に、図５（ｄ）に示すように、第１実施形態のモジュール１の製造方法（図３（ｂ）参照）と同じ要領で、ソルダーレジスト５の開口部１０にめっき電極層３ｂを形成し、図５（ｅ）に示すように、めっき電極層３ｂの表面に半田８を塗布する。この場合も第１実施形態のモジュール１の製造方法と同じ要領で半田８を塗布する（図３（ｄ）参照）。
【００４８】
次に、図６（ａ）に示すように、第１実施形態のモジュール１の製造方法（図４（ａ）参照）と同じ要領で、配線基板２の所定の実装電極３上に、各部品４を搭載し、リフロー炉などを用いた熱処理により、各部品４と所定の実装電極３とを半田接続させる。このとき、熱によりソルダーレジスト５のパターニング露光による未反応部分が軟化するとともに縮合反応が進んで、ソルダーレジスト５とめっき電極層３ｂとの境界に断面楔形状の凹部９が形成される。
【００４９】
次に、図６（ｂ）に示すように、第１実施形態のモジュール１の製造方法と同じ要領で洗浄処理を行う。このとき、ソルダーレジスト５のパターンニング露光による未反応部分を除去する。このとき、凹部９のソルダーレジスト５の未反応部分が除去されることにより、凹部９の深さが深くなる。最後に、図６（ｃ）に示すように、第１実施形態のモジュール１の製造方法（図４（ｂ）参照）と同じ要領で、封止樹脂層６を形成して、モジュール１を製造する。なお、この実施形態でも、ソルダーレジスト５を形成した後に、プラズマ処理（プラズマアッシング）により、ソルダーレジスト５の表面を粗面化するようにしてもよい。
【００５０】
以上のように、ネガ型のソルダーレジスト５を用いて、パターンニング露光時に、ソルダーレジスト５の光未反応部分を形成して、洗浄処理により当該未反応部分を除去することで、ソルダーレジスト５と実装電極３を構成するめっき電極層３ｂとの境界に断面楔形状の凹部９を形成することができるため、第１実施形態と同様の効果を得ることができるモジュール１を製造することができる。
【００５１】
＜第３実施形態＞
本発明の第３実施形態にかかるモジュール１ａについて、図７を参照して説明する。なお、図７はモジュール１ａの部分断面図である。
【００５２】
この実施形態にかかるモジュール１ａが、図１および図２を参照して説明した第１実施形態と異なるところは、図７に示すように、モジュール１ａが、実装電極３を構成する表面電極層３ａとソルダーレジスト５との境界に断面楔形状の凹部９を有する点である。その他の構成は、第１実施形態と同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００５３】
このように、ソルダーレジスト５と実装電極３を構成する表面電極層３ａとの境界で断面楔形状の凹部９が形成された場合であっても、凹部９に封止樹脂層６の樹脂が充填されることにより得られるアンカー効果で、当該凹部において、封止樹脂層６とソルダーレジストとの密着強度が向上するため、封止樹脂層６とソルダーレジスト５との界面に水分が浸透するのを防止することができる。また、仮に封止樹脂層６とソルダーレジスト５との界面に水分が浸透し、この界面に隙間が発生した場合であっても、凹部９により、隣接する実装電極３とを繋ぐ隙間の経路の長さが、第１および第２実施形態のモジュール１と同様に長くなるため、半田スプラッシュを防止することができる。
【００５４】
なお、配線基板２の一方主面に直交する方向から見ためっき電極層３ｂの面積を、表面電極層３ａの面積と略同じになるように、表面電極層３ａおよびめっき電極層３ｂを形成してもよい。また、この場合は、ソルダーレジスト５が表面電極層３ａの側面を被覆した状態で、めっき電極層３ｂとソルダーレジスト５との境界に凹部９を形成してもよい。
【００５５】
＜第３実施形態＞
本発明の第３実施形態にかかるモジュール１ｂについて、図８を参照して説明する。なお。図８はモジュール１ｂの部分断面図である。
【００５６】
この実施形態にかかるモジュール１ｂが、図１および図２を参照して説明した第１実施形態のモジュール１と異なるところは、図８に示すように、実装電極３のめっき電極層３ｂが、表面電極層３ａの配線基板２との接触面を除く外側面を被覆して形成されている点である。その他の構成は、第１実施形態のモジュール１と同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００５７】
この場合、めっき電極層３ｂが表面電極層３ａの外側面を被覆し、表面電極層３ｂの側面を被覆するめっき電極層３ｂとソルダーレジスト５との境界に断面楔形状の凹部９が形成される。このように構成しても、第１実施形態のモジュール１と同様の効果を得ることができる。また、第１および第２実施形態のモジュール１と比較して、めっき電極層３ｂの表面積が増えるため、部品４との接続面積が増加して配線基板２（実装電極３）と部品４との接続強度が向上する。
【００５８】
＜第４実施形態＞
本発明の第４実施形態のモジュール１ｃについて、図９を参照して説明する。なお、図９はモジュール１ｃの部分断面図である。
【００５９】
この実施形態にかかるモジュール１ｃが、図８を参照して説明した第３実施形態のモジュール１ｂと異なるところは、図９に示すように、実装電極３の表面が、半田膜８ａで被覆されている点である。その他の構成は、第３実施形態のモジュール１ｂと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００６０】
この場合、実装電極３を構成するめっき電極層３ｂの表面が半田膜８ａで被覆されて、半田膜８ａとソルダーレジスト５との境界に断面楔形状の凹部９が形成される。このように構成しても、第３実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６１】
なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能である。
【００６２】
また、本発明は、配線基板に部品が半田接続されてなる種々のモジュールに適用することができる。
【符号の説明】
【００６３】
１，１ａ，１ｂ，１ｃ    モジュール
２                      配線基板
３                      実装電極
３ａ                    表面電極層
３ｂ                    めっき電極層
４                      部品
５                      ソルダーレジスト（感光性樹脂）
６                      封止樹脂層
８                      半田
８ａ                    半田膜
９                      凹部
１０                    開口部
１１                    間隙
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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