(57)【要約】      （修正有）【課題】ガラス基板間の熱収縮斑が低減された熱収縮率の低いガラス基板を経済的に優位に製造する装置を提供する。【解決手段】オーバーフローダウンロード法により得られたシートガラスを切断して得られたガラス基板Ｇ内に残留する応力を緩和させるアニール工程を行う熱処理炉５００を含むガラス基板Ｇの製造装置である。切断装置により所定の寸法に切断された一枚のガラス基板Ｇをガラス基板Ｇの平面が鉛直方向（Ｚ方向）を保ちつつ収納するカセット４００と、カセット４００を等間隔で、ガラス基板Ｇの平面が鉛直方向を維持しつつ、熱処理炉５００内を走行させる走行手段７００と、カセット４００を熱処理炉５００の内外に循環させる循環機構と、一つのカセット４００に対して一枚のガラス基板Ｇを装着または脱着するためにガラス基板Ｇを受け渡す受渡装置６００と、を備えている。【選択図】図３
2014198651.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熔融ガラスを成形体からオーバーフローさせて連続して成形するオーバーフローダウンロード法によるシートガラスの製造装置と、得られたシートガラスを切断してガラス基板とする切断装置と、得られたガラス基板内に残留する応力を緩和させると共に熱収縮率を低減するアニール工程を行う熱処理炉とを含むガラス基板の製造装置であって、
前記切断装置により所定の寸法に切断された一枚のガラス基板をガラス基板の平面がオーバーフローダウンドロー法の流れ方向である鉛直方向を保ちつつ収納するカセットと、
当該カセットを等間隔で、前記ガラス基板の平面が鉛直方向を維持しつつ、前記熱処理炉内を走行させる走行手段と、
当該カセットを前記熱処理炉の内外に循環させる循環機構と、
前記一つのカセットに対して一枚のガラス基板を装着するために当該ガラス基板を受け渡す受渡装置と、
熱処理炉から送出されたカセットに収納されたガラス基板を取り出して次工程に受け渡す受渡装置と、
を備えていることを特徴とするガラス基板の製造装置。
【請求項２】
前記カセットは、ガラス基板の鉛直方向の収縮を可能に、ガラス基板の両側の耳部を保持する保持機構を備え、
当該保持機構は、動作方向が鉛直上方向に制限されるラチェット機構を備える一対または複数対の保持部を備えることにより前記ガラス基板を挟持して保持する構成であることを特徴とする請求項１記載のガラス基板の製造装置。
【請求項３】
前記カセットへのガラス基板の装着は、カセットの下から装着され、前記カセットからのガラス基板の取り出しは、カセットの上から抜き出す構成であることを特徴とする請求項２記載のガラス基板の製造装置。
【請求項４】
前記カセットは、熱変形が生起しない程度の剛性耐熱性材料により構成された枠体を備え、前記保持機構におけるガラス基板の挟持位置は、ガラス面に直交する方向の僅かな変動を許容する構成を備えることを特徴とする請求項２に記載のガラス基板の製造装置。
【請求項５】
前記熱処理炉内でのカセット間隔を可変とする構成を備え、これにより前記熱処理炉内でのガラス基板の滞留時間を調節することを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のガラス基板の製造装置。
【請求項６】
前記熱処理炉は、熱風による加熱手段と、ガラス基板の進行方向の中間部に配置された輻射熱による加熱手段との双方を備えていることを特徴とする請求項１記載のガラス基板の製造装置。
【請求項７】
前記熱風による加熱手段の吹き出し口は、天井面側に設けられ、床面側には塵埃排出口が設けられていることを特徴とする請求項６記載のガラス基板の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス基板を製造するガラス基板の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイなどのフラットパネルディスプレイ用のガラス基板上には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などの半導体素子が形成されている。ＴＦＴ形成時には、ガラス基板が高温度で熱処理されるので、ガラス基板は構造緩和を起こし、熱収縮により体積が収縮する。このとき、熱収縮率が大きいと、ガラス基板上に形成される回路パターンがずれてしまうという問題が生じる。
【０００３】
このような液晶ディスプレイやプラズマディスプレイなどのフラットパネルディスプレイ（以下、「ＦＰＤ」という。）に用いるガラス基板には、厚さが例えば０．５〜０．７ｍｍと薄いガラス板が用いられている。このＦＰＤ用ガラス基板は、第１世代では３００×４００ｍｍのサイズであるが、例えば、第１０世代では２８５０×３０５０ｍｍのサイズとなるように年次大型化されている。
【０００４】
このように薄く、かつ、大きなサイズのＦＰＤ用ガラス基板を製造するには、オーバーフローダウンドロー法がよく使用される（例えば、特許文献1参照。）。このようなオーバーフローダウンドロー法は、成形炉において熔融ガラスを成形体の上部から溢れ（オーバーフロー）させることにより成形体の下方においてシートガラス（板状ガラス）を成形する工程と、シートガラスを徐冷炉において徐冷する冷却工程とを含む。徐冷炉では、対になったローラ間にシートガラスが引き込まれ、下方（鉛直方向）に搬送されることによりシートガラスは所望の厚さに引き伸ばされた状態で冷却され、シートガラスは徐冷される。この後、シートガラスは、所定の寸法に切断(切断工程)されてガラス基板とされて保管される。
【０００５】
ガラス基板内の熱収縮率を低減させるには、シートガラスを所望の温度域に十分な時間をかけて保持させること（いわゆるアニール処理）で解消できるが、オーバーフローダウンドロー法のような装置では、徐冷工程での十分な滞留時間を確保することが困難である。すなわち、オーバーフローダウンドロー法では、切断工程以前のシートガラスは鉛直方向に伸びる連続成形体であり、アニール処理に要する滞留時間を長く確保するためは、徐冷装置を収納する建屋を高くする、或いは地下に延ばす必要があり、装置の大型化を考慮すれば不経済で実用的ではない。
【０００６】
その一方で、いったん保管されたガラス基板をオフラインで熱処理する方法も行われている。しかしながら、オフラインで熱処理を行うと、オフライン工程で付着する虞のある塵埃等を厳密に除去する必要があることから、熱処理前にガラス基板を洗浄する工程が必要となり、同様に不経済なシステムとなる。
【０００７】
オーバーフローダウンドロー法を用いるガラス基板の製造方法であって、熱収縮を低減させる手法も提案されている（例えば、特許文献２または特許文献３参照。）。
これらの特許文献に開示されているガラス基板の製造方法によれば、徐冷工程における温度管理を適切に保つことにより熱収縮率が低減され、また、この製造方法に適したガラス組成が提案されている。
【０００８】
一方、ガラスシートの切断工程に連続させて、一連の工程中に熱処理工程を導入したインラインのガラス基板の製造方法も提案されている（例えば、特許文献４または特許文献５参照。）。
【０００９】
特許文献４に記載のガラス熱処理システムによれば、特表２０１２-５２８０７３号公報の図１に示すように、鉛直方向に降下するガラスシートが連続的に切断され、切断により得られたガラス基板がエアベアリングによりハンドリングされる。これによりガラス基板の平面が鉛直方向から水平状態に変更されて連続的にコンベア上に搬入される。これによりガラス基板は、コンベア上を平面が水平状態に維持されながら、熱処理炉の内部に搬入され、熱処理炉内で所望の熱処理が行われている。
【００１０】
特許文献５に記載のガラス熱処理システムによれば、特開２００３−１３７５７４号公報の図３に示すように、複数枚のガラス基板を同時に収容できるカセットが用意されている。鉛直方向に降下するガラスシートが連続的に切断され、切断により得られたガラス基板は平面が鉛直方向に維持された状態(垂下された状態)で縦型垂直搬送装置に搬送される。ついで、この縦型垂直搬送装置により上述のカセットの上方向から当該カセット内に複数枚のガラス基板が一枚ずつ収納される。複数枚のガラス基板を収納したカセットが、熱処理炉の入り口から内部に逐次搬入される。熱処理炉内では、複数枚のガラス基板を搭載した各カセットが所定間隔を離間して出口側に向けて順次送り出される。熱処理が終了したガラス基板は、カセット毎熱処理炉の出口から搬出され、ついで、当該カセットから熱処理後のガラス基板が一枚ずつベルトコンベア上に移載され加工部へ向けて搬送される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特許第３０９３０００号明細書
【特許文献２】特開２００９−１９６８７９号公報
【特許文献３】ＷＯ２０１２／１３３８３８号公報
【特許文献４】特表２０１２-５２８０７３号公報(図１)
【特許文献５】特開２００３−１３７５７４号公報（図３）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
特許文献２または３に開示されている製造方法によれば、徐冷工程における温度管理を適切に保つ手法が採用されているので、装置を大型化させることがなく経済的に熱収縮率が低減されたガラス基板を製造できる。しかしながら、近年のＬＣＤ画面の高精細化の進展とともにガラス基板に要求される熱収縮率の低減にこの手法のみで対応するのには限界がある。
【００１３】
特許文献４に開示される手法のように、ガラス基板を水平に運搬しつつ熱処理する手法では、ガラス基板が撓む虞があり、撓んだ状態で熱処理すると、撓んだ状態での応力緩和となり、また、最終的にはガラス基板の反りの発生が懸念される。そしてこれらの傾向は、ガラス基板の大型化や薄型化につれて顕在化される。
【００１４】
また、特許文献５に開示されるカセットを利用する手法では、特許文献４に記載の手法と比較してガラス基板は平面が鉛直方向に保持されて熱処理工程に付されるので、撓んだ状態での応力緩和や反りの発生等の懸念は低減される。しかしながら、複数枚のガラス基板が１つのカセット内に収納されるので、カセットの中心部に位置するガラス基板と前後方向に位置するガラス基板とでは厳密には熱処理に付される熱履歴が異なることになり、これに伴うガラス基板間での熱処理斑の発生が懸念される。
【００１５】
また、一つのカセット内に多数のガラス基板を所定の間隔で、かつ、接触しないように保持させるのはガラス基板の厚みが薄くなればなるほど、また、ガラス基板のサイズが大型化すればするほど困難になり、カセット内に収納できるガラス基板の枚数には限界がある。
また、カセットの中心部に位置するガラス基板と前後方向に位置するガラス基板との間に生じている熱履歴の差異は、熱処理工程に維持される時間を短縮させるにつれて顕在化される。
今後ＬＣＤ画面の高精細化がさらに進むにともない、熱収縮率への要求もいっそう厳しくなることが予想されると同時にいっそう経済的なプロセスの開発は常に望まれている。ガラス基板間での熱処理斑の発生は、熱収縮率の低いガラス基板の製造コストの低減化を阻害すると予想される。
【００１６】
そこで、本発明は、ガラス基板間の熱収縮斑が低減された熱収縮率の低いガラス基板を経済的に優位に製造する装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明者は、特許文献５に開示される複数枚のガラス基板を同時収納させるカセットに換えて、一つのカセットに対し一枚のガラス基板を収納させることにより、従来の課題が解決できるのではないかと考えた。
すなわち、複数枚のガラス基板を同時に収納するカセットを用いる場合には、カセット内に収納されるガラス基板の収納位置の相違がガラス基板間の熱履歴の相違を発生させているので、一枚のガラス基板に対して一つのカセットを適用させれば、カセット内に収納されるガラス基板の収納位置の相違が解消され、したがってガラス基板の各一枚ずつは同一熱履歴を有することになり、結果として、ガラス基板間の熱収縮斑の発生が抑制されるインラインアニール装置が提供できることを見出し、以下の構成の発明を想到するに至った。
【００１８】
また、本発明者は、オーバーフローダウンロード法により連続して製造されるシートガラスにおいて、流れ方向と幅方向との間の品質（性質）誤差を想定したところ、流れ方向に比較して幅方向での変動が大きいと予想した。それゆえ、ガラス基板の平面が鉛直方向になるような縦型で熱処理を行うに際しては、自重によるガラス基板の破壊リスクは、ガラスの流れ方向を重力方向に合致させることにより低減できることを確認した。そこで、さらに、当該ガラス基板の両側に耳部を残した状態で、この耳部をラチェット機構を備えた保持部により挟持して保持する構成とすれば、ガラス基板の表面の素子形成領域（製品領域）に触れることなくガラスを保持することができ、製品品質に影響を与えるキズの発生を防止できる。また、破壊リスクがいっそう低減され、かつ、垂下されたガラス基板が熱収縮により重力方向に収縮しても応力を掛けることなくガラス基板を保持した状態で維持することができることを見出した。
【００１９】
すなわち、本発明者は、カセットに収納されるガラス基板として、両側面に耳が付された耳付のままのガラス基板の状態でインラインアニール装置によりアニール処理を行い、かつ、当該耳部を両側面から保持するラチェット機構のカセットを採用すれば、ガラス基板の搬送・移載の際の破壊リスクが低減される装置が提供できることを見出し、以下の構成の発明を想到するに至った。
【００２０】
（構成１の発明）
熔融ガラスを成形体からオーバーフローさせて連続して成形するオーバーフローダウンロード法によるシートガラスの製造装置と、得られたシートガラスを切断してガラス基板とする切断装置と、得られたガラス基板内に残留する応力を緩和させると共に、デバイス製造工程におけるガラス基板の熱収縮率を小さくするためのアニール工程を行う熱処理炉とを含むガラス基板の製造装置であって、
前記切断装置により所定の寸法に切断された一枚のガラス基板をガラス基板の平面がオーバーフローダウンドロー法の流れ方向である鉛直方向を保ちつつ収納するカセットと、当該カセットを等間隔で、前記ガラス基板の平面が鉛直方向を維持しつつ、前記熱処理炉内を走行させる走行手段と、当該カセットを前記熱処理炉の内外に循環させる循環機構と、前記一つのカセットに対して一枚のガラス基板を装着するために当該ガラス基板を受け渡す受渡装置と、熱処理炉から送出されたカセットに収納されたガラス基板を取り出して次工程に受け渡す受渡装置と、を備えていることを特徴とするガラス基板の製造装置である。
【００２１】
（構成２の発明）
前記カセットは、ガラス基板の鉛直方向の収縮を可能に、ガラス基板の両側の耳部を保持する保持機構を備え、当該保持機構は、動作方向が鉛直上方向に制限されるラチェット機構を備える一対または複数対の保持部を備えることにより前記ガラス基板を挟持して保持する構成であることを特徴とする。
【００２２】
（構成３の発明）
前記カセットへのガラス基板の装着は、カセットの下から装着され、前記カセットからのガラス基板の取り出しは、カセットの上から抜き出す構成であることを特徴とする。
（構成４の発明）
前記カセットは、熱変形が生起しない程度の剛性耐熱性材料により構成された枠体を備え、前記保持機構におけるガラス基板の挟持位置は、ガラス面に直交する方向の僅かな変動を許容する構成を備えることを特徴とする。
【００２３】
（構成５の発明）
前記熱処理炉内でのカセット間隔を可変とする構成を備え、これにより前記熱処理炉内でのガラス基板の滞留時間を調節することを特徴とする。
(構成６の発明)
前記熱処理炉は、熱風による加熱手段と、ガラス基板の進行方向の中間部に配置された輻射熱による加熱手段との双方を備えていることを特徴とする。
（構成７の発明）
前記熱風による加熱手段の吹き出し口は、天井面側に設けられ、床面側には塵埃排出口が設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、ガラス基板間の熱収縮斑が低減された熱収縮率の低いガラス基板を経済的に優位に製造する装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明のガラス基板の製造方法のフローの一例を示す図である。
【図２】本発明における熔解工程乃至切断工程を行う装置の一例を模式的に示す図である。
【図３】本発明におけるアニール工程を行う装置の一例を模式的に示す図である。
【図４】図３における枠体のラチェット機構を備えた保持部の機構を説明する図である。
【図５】アニール装置内における断面を模式的に示す図である。
【図６】枠体のラチェット機構を備えた保持部の機構を説明する図であり、図６（ａ）はガラス基板が無い状態、図６（ｂ）はガラス基板を挟持した状態である。
【図７】本発明におけるアニール工程を行う装置の変形例を側面から模式的に示す図である。
【図８】本発明におけるアニール工程を行う装置の変形例を平面から模式的に示す図である。
【図９】本発明におけるアニール工程に用いられる熱処理炉の構造の変形例を説明する図である。
【図１０】ガラス基板の平面が水平方向に維持されて撓んだ状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
（ガラス基板の製造方法の全体概要）
図１は、本発明の実施形態であるガラス基板の製造方法のフローを示す図である。
ガラス基板の製造方法は、熔解工程（ＳＴ１）と、清澄工程（ＳＴ２）と、均質化工程（ＳＴ３）と、供給工程（ＳＴ４）と、成形工程（ＳＴ５）と、冷却工程（ＳＴ６）と、切断工程（ＳＴ７）と、アニーリング工程（ＳＴ８）とを主に有する。また、ガラス基板の製造方法は、研削工程、研磨工程、洗浄工程、検査工程、梱包工程等の他の工程を有する。梱包工程で積層された複数のガラス板は、納入先の業者（顧客）に搬送される。
【００２７】
図２は、熔解工程（ＳＴ１）〜切断工程（ＳＴ７）を行う装置を模式的に示す図である。当該装置は、図２に示すように、熔解装置１００と、成形装置２００と、切断装置３００とを主に有する。熔解装置１００は、熔解槽１０１と、清澄槽１０２と、攪拌槽１０３と、第１配管１０４と、第２配管１０５と、第３配管１０６とを有する。
【００２８】
熔解工程（ＳＴ１）では、熔解槽１０１内に供給されたガラス原料を、図示されない火焔及び電気ヒータで加熱して熔解することで熔融ガラスＭＧを得る。清澄工程（ＳＴ２）は、清澄槽１０２において行われ、熔解槽１０１から第１配管１０４を通って供給された清澄槽１０２内の熔融ガラスＭＧを加熱することにより、熔融ガラスＭＧ中に含まれる酸素やＳＯ2の気泡が、清澄剤の酸化還元反応により成長し液面に浮上して放出される、あるいは、気泡中のガス成分が熔融ガラスＭＧ中に吸収されて、気泡が消滅する。
均質化工程（ＳＴ３）では、清澄槽１０２から第２配管１０５を通って供給された攪拌槽１０３内の熔融ガラスＭＧを、スターラ１０３ａを用いて攪拌することにより、ガラス成分の均質化を行う。
供給工程（ＳＴ４）では、熔融ガラスＭＧが、攪拌槽１０３から第３配管１０６を通って成形装置２００に供給される。
【００２９】
成形装置２００では、成形工程（ＳＴ５）及び冷却工程（ＳＴ６）が行われる。
成形工程（ＳＴ５）では、熔融ガラスＭＧをシートガラスＳＧに成形し、シートガラスＳＧの流れを作る。本実施形態では、成形体２１０を用いたオーバーフローダウンドロー法を用いている。この場合、シートガラスＳＧの流れ方向（Ｚ方向）は、鉛直下方となる。冷却工程（ＳＴ６）では、成形されて流れるシートガラスＳＧが所望の厚さになり、冷却に起因する反り及び歪が生じないように冷却される。
切断工程（ＳＴ７）では、切断装置３００において、成形装置２００から供給されたシートガラスＳＧが所定の長さに切断されることで、板状のガラス基板Ｇを得る。
【００３０】
つぎに、図３は、アニーリング工程を行う熱処理装置を模式的に示す図である。当該装置は、図３に示すように、切断工程（ＳＴ7）により切断されたガラス基板Ｇを収納するカセット４００と、ガラス基板Ｇのアニール処理を行うための熱処理炉５００と、カセット４００へのガラス基板Ｇの受け渡しを行う受渡装置６００と、カセット４００を熱処理炉５００の入り口側から出口側に向けて走行させる走行手段７００と、不図示の循環手段８００とから大略構成され、受渡装置６００は、熱処理炉５００の入り口および出口近傍にそれぞれ配設されている。ここで、このようなアニーリング工程を行う装置は、ガラス基板製造装置の一系列に対して、一系列のアニーリング装置を連続させて(インラインで)配設させてもよいが、ガラス基板製造装置の一系列に対して、二系列またはそれ以上の複数系列のアニーリング装置を連続させて（インラインで）配設してもよい。
【００３１】
カセット４００は熱処理条件下での熱変形が少ない耐熱性に優れた剛性材料（例えば、ビーム材、形鋼）から形成された枠体４１０により主に構成されることにより、熱処理中を含めて枠体の反りを抑えることができる。この枠体４１０は、両側の縦枠体４１１，４１２とそれらの縦枠体４１１，４１２間の上方を横架する横枠体４１３とから構成されている。枠体４１０は、周囲を囲む方形、すなわち、下方を横架する横枠体を備えていてもよい。枠体４１０の上部には走行補助部材４１６が固定され、いずれの部位部材もこれにより熱処理炉内の高温度下に耐える耐熱材料により形成されている。
【００３２】
両側の縦枠体４１２（及び４１１）は、図４に示すように、間にガラス基板Ｇの耳部Ｇ０１が縦枠体４１２内を通過するに十分な間隙を開けた表面側の平板部４１２Ａと裏面側の平板部４１２Ｂとを含んで構成され、平板部４１２Ａ，４１２Ｂ間には、それぞれ複数対（多数対）の保持機構４２０を備えている。ここで、この保持機構４２０は、図４に示すように、一対の保持部４２１，４２１´より構成され、それぞれの保持部４２１，４２１´はラチェット機構などにより互いに対称方向（矢印方向）へのみ回転を許容している。また、上方の枠体４１３は、縦枠４１１，４１２を横架しているが、横架する枠体は、ガラス基板Ｇの装脱着を阻害しない位置（吸着ハンドリング機構６１０がガラス基板を吸着保持した状態でカセット４００への装着および脱着を行う際に干渉しない位置）に配設されている。
【００３３】
これにより、ガラス基板Ｇのカセット４００の下方からの進入を許容し、カセット４００の上方からのガラス基板Ｇの脱出を許容する。また、ガラス基板Ｇがカセット４００内に収容された状態では、保持部４２１，４２１´が反対方向へは回転しないラチェット機構を備えているので、ガラス基板Ｇの落下を防ぐ。
このような保持機構４２０を縦枠体４１２（及び４１１）の上端から下端に向けて多数配設させれば、ガラス基板Ｇの両側の耳部Ｇ０１の全体を保持することによりガラス基板Ｇの自重による負荷（撓みの発生など）を低減させつつ、ガラス基板Ｇをカセット４００内に確実に保持することができる。
【００３４】
このように、一対の保持部４２１及び保持部４２１´は互いに概略対称位置に配設された対称の構造を備えており、一対の保持部４２１，４２１´が協動して保持機構４２０として機能する。以下、この保持部４２１、４２１´のように概略対称位置にあり、同一ないしは同等の機能を有する部位または部材については符号の末尾に（´）を付すことにより、本明細書中に(´)を付した部位部材については説明を省略することがある。
【００３５】
図５は熱処理炉の横断面により、走行補助部材４１６の好ましい構成を説明するための図である。この図において、熱処理炉５００の外壁は、厚い断熱材５３０により覆われ、両側壁には電熱ヒータやセラミックヒータなどの輻射加熱手段としてのヒータ５１０が取り付けられている。ここで、熱処理炉５００が長い場合には電熱ヒータを用いるのが経済的である。その一方で、セラミックヒータを用いれば、装置は高価となるが、省エネや高寿命が期待されるに加えて、ガラス基板Ｇを短時間で均一に面加熱することができ、熱処理炉の長さを短く設計できるという利点がある。これらの輻射加熱手段に換えて若しくは加えて他の加熱手段を併用してもよい。
【００３６】
また、熱処理炉５００の床面は、中央部に向けて下降する傾斜面５４０となり、ガラス等が熱処理炉内で破損した場合も含めて、熱処理炉内で発生する塵埃を排出できる構成とされ、この傾斜面５４０には、上下に２段の排出口となる扉５４１，５４２が設けられ、二つの扉５４１，５４２が設けられることにより、塵埃等の排出の際の熱処理炉内の温度低下を低減させている。
【００３７】
ここで、熱風による加熱手段の吹き出し口を天井面側に配設すれば、床面側には塵埃排出口が設けられていることにより、吹き出し口より熱風を送給させることにより、熱風の循環経路が上方から下方に向けているので、ガラス基板面を含む熱処理炉内の塵埃を天井面側から床面側に向けて落下させることができる。これにより、熱処理炉内で塵埃が発生しても速やかに集塵口などの排出口から排出されて清浄な空気の循環が容易となる。このような天井面側の噴出し口の配設位置の一例としては、天井面側の中央部に配設された構造物（例えば、誘導レール等）を利用することができる。ここで、単純に熱処理炉内の均一加熱のみが目的の熱風であれば、床面側に配設することが一般的には好ましいと考えられるが、本発明の好ましい態様では、熱風の吹き出し口は天井面側に設けられている。
【００３８】
一方、走行補助部材４１６は、ガイド溝４１５を備え、このガイド溝４１５は、重力方向下方に向けた凹溝から形成されている。一方、走行手段７００は多数の駆動輪７０１と、フリーローラ７０２と、熱処理炉５００の入り口側５０１から出口側５０２に向かって直線状にのびる駆動軸７０３とを備えている。また、これらの駆動輪７０１は、不図示の支持体に回転可能に固定され、駆動軸７０３に係合して回転するように配設されている。これにより、ガイド溝４１５を駆動輪７０１に勘合させてカセット４００を熱処理炉５００の長手方向に垂下させれば、駆動軸７０３の回転数に応じて、すべてのカセット４００を同速度で入り口側５０１から出口側５０２に向けて走行させることができる。このとき、フリーローラ７０２は、横枠体４１３及び（又は）補助走行部材４１６に当接して自由回転することによりカセット４００の姿勢が鉛直方向を保つように制御している。
【００３９】
また、図３に示す受渡装置６００では、平面視「王」形状の各先端に吸着ハンドを備えた吸着ハンドリング機構６１０などを備えており、この吸着ハンドリング機構６１０によりガラス基板Ｇの周辺部近傍であって後述する保持機構４２０と干渉しない部位（例えば、耳部または両側部などを除く中央側の部位である周辺部位）を吸着させて一面側よりガラス基板を保持させることができる。
【００４０】
つぎに、以上のように構成されたアニーリング工程（ＳＴ８)について説明する。
切断装置３００により切断された板状のガラス基板Ｇは必要に応じて表面等に付着した切断屑（パーティクル、カレット等）の除去が行われた後、図３に示すように、受渡装置６００を用いてガラス基板Ｇを吸着ハンドリング機構６１０により保持しつつ、カセット４００の下方から装着させる。
すなわち、吸着ハンドリング機構６１０を用い、耳部Ｇ０１を除くガラス基板Ｇを吸着させた状態で、保持機構４２０の直下にガラス基板Ｇを配置する。不図示の昇降手段により吸着ハンドリング機構６１０を上昇させることによりガラス基板Ｇを一対の保持部４２１，４２１´間に送給することによりカセット４００へのガラス基板Ｇの装着を行う。
【００４１】
保持部はガラス基板の耳部Ｇ０１を挟持して保持はするが、保持部４２１，４２１´は、協動して作用するラチェット機構が採用されているので、一方向、すなわち重力上方向には自由に移動を行え、これにより、ガラス基板Ｇの保持部４２１，４２１´への進入を許容する。保持部４２１，４２１´によりガラス基板Ｇが挟持された状態で吸着ハンドリング機構６１０の吸着を解除すると、ガラス基板Ｇの重力によりガラス基板Ｇが重力方向下方に落下しようとするが、保持部４２１，４２１´には、矢印方向のみに回転可能なラチェット機構が採用されているので、ガラス基板Ｇの落下を阻止して保持状態を継続する。
【００４２】
ガラス基板Ｇがカセット４００の所定位置に装着されると、駆動軸７０３が所定量回転され、駆動輪７０１の回転数に応じてカセットが熱処理炉５００に向かって進行する。それと同期して、ガラス基板Ｇを受け入れるための所定位置に空のカセット４００が配設される。
切断装置３００により次のガラス基板Ｇが切り出されると、同様な操作により受渡装置６００を駆動させて当該ガラス基板Ｇを空のカセット４００に装着させる。
ガラス基板Ｇを装着されたカセット４００は、同様に駆動軸７０３の所定量が回転され、順次熱処理炉５００の入り口側５０１から内部に進入し、熱処理炉５００内で所定の熱処理（アニーリング処理）が行える。
【００４３】
以上の構成に従う熱処理では、ガラス基板Ｇの平面が鉛直方向に保たれているので、図１０に示すように、ガラス基板Ｇの平面が水平方向に維持された場合の撓んだ状態での応力緩和を受けるおそれがない。
また、鉛直方向に保持されたガラス基板Ｇは、熱処理に伴い鉛直方向（Ｚ方向）に収縮されても、その収縮量に応じて保持部４２１，４２１´が矢印方向に回転することにより、ガラス基板Ｇの収縮の妨げとなることなくガラス基板Ｇを確実に保持しつづけることができる。
また、カセットの間隔が一定に保たれていることに加えて、一つのカセットに対して一枚のガラス基板が保持されていることから、全てのガラス基板Ｇは、同一経路を通過することにより、全てのガラス基板を同一条件で加熱処理を行える。これにより、カセット内の位置の相違に基づく熱履歴の相違が熱処理後のガラス基板Ｇ間で発生せずに、ガラス基板間の熱処理斑を限りなく軽減できる。
【００４４】
また、オーバーフローダウンロード法により連続して製造されるシートガラスＳＧにおいて、流れ方向と幅方向との間の品質（性質）誤差を想定すると、流れ方向に比較して幅方向での変動が大きいと予想される。それゆえ、ガラス基板の平面が鉛直方向になるような縦型で熱処理を行うに際しては、自重によるガラス基板の破壊リスクは、ガラスの流れ方向を重力方向に合致させることにより低減できる。さらに、本実施の形態では、ラチェット機構を備えた保持部により、両耳部Ｇ０１を挟持しつつガラス基板の装脱着を行う構成とすることにより、破壊リスクがいっそう低減されている。
【００４５】
また、本実施の形態では、縦枠体４１１，４１２の上下の方向に渡って多数の保持部４２１，４２１´を備えることにより、ガラス基板Ｇは、その両側全体が保持されるので、自重が全体に分散保持される。これにより、熱処理の際に自重による応力の偏りを軽減させることができる。
【００４６】
ここで、熱処理炉の全長は一定であるので、ガラス基板Ｇが熱処理炉内に滞留される時間（熱処理時間）は、カセット間の配設間隔とカセットの単位時間当たりの送り出し個数に反比例して増減する。ガラス基板Ｇが切断装置３００により切り出される速度は、オーバーフローダウンドロー法の生産・運転条件に左右されるが、仮にこれを一定とするとカセットの単位時間当たりの送り出し個数は一定となるので、カセット間の配設間隔により増減できる。このカセットの配設間隔は、駆動軸７０３の一送り単位当たりの駆動量に比例するので、駆動軸７０３の一送り当たりの駆動数により所望の熱処理時間を設定することができる。
【００４７】
熱処理炉の全長（スペース）は、ガラス基板Ｇの間隔が、例えば１０〜１００ｍｍとなる範囲内で熱処理時間が制御できるように予め予想して設計することができる。これにより、熱処理炉内に滞留するガラス基板の適切な枚数（バッファ量）を確保することができる。シートガラスＳＧの製造装置の一系列に対して、例えば、熱処理炉を二系列配設する構成とすれば、熱処理炉の全長を概略半分に短くすることができることはいうまでもない。
【００４８】
このように、熱処理炉内でのガラス基板の滞留時間をカセット間の配設間隔で調節することとすれば、オーバーフローダウンフロー法により連続的に製造されたガラス基板は、ガラスの組成やガラスの厚み等の変更によりアニールの目的での熱処理時間が異なっても、カセット間の配設間隔を調節することにより熱処理炉内での滞留時間を可変とすることができ、これにより、オーバーフローダウンフロー法のよるガラス基板の製造装置とアニールの目的での熱処理炉を直結した（インライン装置として組み込んだ）連続運転が容易となる。
【００４９】
所定のアニーリング処理が行われたカセット４００は、出口側５０２から送り出され、受渡可能な所定位置で停止する。ガラス基板Ｇのカセット４００からの脱着は、図３に示すと同様な吸着ハンドリング機構６１０を有する受渡装置６００を用いてガラス基板Ｇの両側を除く部位を保持させつつ、カセット４００の上方から抜き出すことにより行える。
受渡装置６００により抜き出された熱処理後のガラス基板Ｇは、その後、耳部Ｇ０１の切断、ガラス基板Ｇの端面の研削・研磨が行われた後、ガラス基板Ｇの洗浄が行われ、さらに、気泡や脈理等の異常欠陥の有無が検査された後、検査合格品のガラス基板Ｇが最終製品として梱包される。
【００５０】
空となったカセット４００は、不図示の循環手段により、出口側５０２から入り口側５０１に向けて運搬され、走行可能に走行手段７００にセットされて、熱処理前のガラス基板Ｇの受け入れ態勢となる。
【００５１】
（変形例１）
保持機構４２０の変形例１が図6に示されている。この図6において、符号４２３及び４２４は保持機構４２０を支持する支持部であり、これらの支持部４２３及び４２４は、両側の枠体４１１または４１２（いずれも不図示）に固定されている。ここで、支持部４２３は垂直支持面４２３ａを備え、支持部４２４は傾斜支持面４２４ａを備えている。また、符号４２１は、それぞれ円筒状の保持面４２１ａを有する保持部を示している。
【００５２】
それぞれの支軸４２２も外周面４２２ａがそれぞれ円筒状であり保持面４２１ａの回転中心Ｏと外周面４２２ａの回転中心Ｏとは一致している。また、図6（ａ）に示すようにガラス基板Ｇなどの挟持物がない状態で、概略保持面４２１ａと保持面４２１ａ´は当接する。また、この状態で保持部４２１は、外周面４２２ａが傾斜支持面４２４ａ及び垂直支持面４２３ａに当接されて支持されている。
一方、互いの保持面４２１ａ，４２１ａ´間にガラス基板Ｇなどが挿入されて、保持面４２１ａがガラス基板Ｇの表面に当接した状態では、図6（ｂ）に示すように、外周面４２２ａが傾斜支持面４２４ａ面を駆け上った状態となり、ガラス基板Ｇの厚みを符号ｔとすると、垂直支持面４２３ａと外周面４２２ａとは、ガラス基板Ｇの厚みｔの半分（ｔ／２）の距離だけ離間している。
【００５３】
以上の構成の保持機構の変形例に従えば、互いの保持面４２１ａ，４２１ａ´間にガラス基板Ｇなどが強制的に挿入されると、保持部４２１，４２１´のそれぞれに離間する方向の応力（回転中心Ｏと回転中心Ｏ´とが離間する方向の応力）が作用する。これにより、支軸４２２及び４２２´のそれぞれが符号Ｏ及び符号Ｏ´を回転中心として相対抗する方向に回転しつつ傾斜支持面４２４ａ，４２４ａ´を駆け上がる（図6（ｂ））。これにより、ガラス基板Ｇの厚みを符号ｔとすると、回転中心ＯまたはＯ´は、水平方向に対しガラス基板Ｇの厚みｔの半分（ｔ／２）の距離だけ移動することによりガラス基板Ｇの挿入を可能とする。このときの外周面４２２ａと垂直支持面４２３ａとの間には、回転中心Ｏ（またはＯ´）の移動距離と等しくガラス基板Ｇの厚みｔの半分（ｔ/2）だけ離間することとなる。
【００５４】
この状態で、ガラス基板Ｇが下方から押し上げられると、保持面４２１ａが矢印ａ方向に回転しガラス基板Ｇの上方への移動を許容する。
反対に、この状態でガラス基板Ｇが上方から押し下げられると、保持面４２１ａが矢印ａ方向とは反対方向に回転しようとするが、保持面４２１ａの反対方向への回転は、重力により傾斜支持面４２４ａを駆け落ちる方向となる。これにより、一対の保持面４２１ａ、４２１ａ´は、互いにその距離が狭まる方向に移動しようとする。しかしながら、保持面４２１ａ、４２１ａ´間にはガラス基板Ｇが介在されているので保持面４２１ａ、４２１ａ´間の距離が狭まることはできずに、結果として保持面４２１ａの反対方向への回転を制限することになる。これにより、保持面４２１ａの回転には、ラチェット機構と同等の作用が生じて、ガラス基板Ｇは、自重が作用しても落下することなく所定位置を保持することができる。
【００５５】
つぎに、ガラス基板Ｇを上方から引き抜いた場合など、ガラス基板Ｇが無くなった状態では、保持機構４２０などの重力により、支軸４２２及び４２２´のそれぞれが符号Ｏ及び符号Ｏ´を回転中心として相対抗する逆方向に回転しつつ傾斜支持面４２４ａ，４２４ａ´を駆け下り、外周面４２２ａが垂直支持面４２３ａに当接した状態では、支軸４２２の傾斜下降は垂直支持面４２３ａで規制される。この状態では、回転支軸４２２及び４２２´は、図6（ａ）に示すように、垂直支持面４２３ａおよび傾斜支持面４２４ａとの協動により支持され、互いの保持面４２１ａ，４２１ａ´はほぼ当接された状態となる。
【００５６】
このように構成すれば、保持部はガラス基板を挟持して保持はするが、挟持にラチェット機構と同等の機能を有することにより、一方向、すなわち重力上方向には自由に移動を行える。これにより、このような構成の保持部を備えれば、カセット４００へのガラス基板の装脱着が行えるとともに、熱処理の間にガラス基板Ｇの鉛直方向の収縮が生起しても、保持機構４２０によりガラス基板Ｇを保持しつつ、ガラス基板Ｇの収縮を妨げることがない。
そして、この作用効果は、カセット４００への保持機構４２０の配設箇所をカセット４２０の両側とするとともに、その数を増やすことによりカセット４００へのガラス基板Ｇの保持を確実にしても、熱処理中のガラス基板Ｇの収縮を妨げることがない。
【００５７】
また、このように構成すれば、この保持機構４２０において、保持面４２１ａと保持面４２１ａ´は、それぞれ傾斜面４２２ａ，４２２ａ´を駆け上がり、または駆け下りることにより、ガラス基板Ｇは、ガラス基板の表裏面に配設された一対の保持機構４２０，４２０´に挟持されてガラス基板Ｇは保持されることになる。これにより、ガラス基板Ｇの厚みｔが変化しても、特別の調整を必要としないので、銘柄変更などによりガラス基板Ｇの厚みｔが多少変化しても、保持間隔の調整が不要となる。
【００５８】
また、このように構成すれば、ガラス基板Ｇは、図面上左右対称の中心位置に保持されているが、この図6（ｂ）において、ガラス基板Ｇに係る応力は、それぞれの保持機構４２０,４２０´の自重に基づいている。それ故、何らかの原因により、ガラス基板Ｇの保持中心が図面視左右（ガラス平面に対して直行する方向）にずれたとしても、そのずれがわずかである場合には、保持機構４２０、４２０´の全体が左右に移動可能なことによりガラス基板Ｇに対して不要な応力をかけることなく、保持することができる。
【００５９】
ガラス基板Ｇの大きさが大きくなるに従ってカセット４００を構成する枠体４１０の剛性も要求される。製造段階でのわずかな寸法の相違や、経年変化などによる枠体４１０のわずかな反りの発生があっても、本実施の形態に係る保持機構によれば、自重により係支位置が微調整されることにより、この保持機構が剛性枠体とガラス基板との間の干渉材料としても機能する。また、その一方で、経年変化などによる枠体４１０のわずかな反りの発生があっても、ガラス基板Ｇに不要な応力を付加することなく、カセットへの装着、熱処理、カセットからの脱着を行える。
【００６０】
また、同様に、ガラス基板Ｇの耳部Ｇ０１を保持部とする場合、この耳部Ｇ０１にわずかな厚みの不均一さが生じても、確実に、かつ、ガラス基板Ｇに対して大きな応力をかけることなく、確実に保持することができる。
【００６１】
（変形例２）
図７及び図８に示すように、変形例２に係るカセット４００では、周囲を覆う枠体４１０が用いられ、走行補助部材４１６は、一方の縦枠体４１１の上端付近および下端付近の上下二箇所に設けられている。縦枠体４１１、４１２間を横架する上下の横枠体４１３が吸着ハンドリング機構６１０と干渉しない位置に配設されることは前述の実施の形態と同様である。
また、符号８００は、熱処理炉５００の内外を循環する環状の上下一対のレール８００Ａ及び８００Ｂから構成される循環手段であり、走行手段７００は図示されていない。これにより、カセット４００は、上下一対のレール８００Ａ及び８００Ｂと走行補助部材４１６とによる片支持により保持されつつ不図示の走行手段７００を駆動させることにより熱処理炉５００の内外を循環する。
【００６２】
また、各カセット４００の両側に位置する縦枠体４１１，４１２には、図３または図6に示すと同一乃至は均等の保持機構４２０が同様に縦方向の全体に亘って多数対となって固定されている。
このように構成すれば、符号Ｋ４００(図８)により示される空のカセットが入り口側５０１の所定位置に配設されると受渡装置６００が作動され、切断装置３００により切断された板状のガラス基板Ｇを吸着ハンドリング機構６１０を用いて保持しつつ、カセット４００の下方から装着させる。
【００６３】
ガラス基板Ｇがカセット４００の所定位置に装着されるとガラス基板Ｇを搭載したカセット４００は熱処理炉５００に向かって進行すると同時に不図示の走行手段７００により新たな空のカセットＫ４００が入り口側５０１の所定位置に配設される。
切断装置３００により切り出されたガラス基板Ｇが順次同様な操作により受渡装置６００により空のカセットＫ４００に装着させる。ガラス基板Ｇを装着されたカセット４００は、同様に順次熱処理炉５００の入り口側５０１から内部に進入し、熱処理炉５００内で所定の熱処理（アニーリング処理）が行える。
【００６４】
空のカセットＫ４００の送り出しと同期して、所定のアニーリング処理が行われたカセット４００は、出口側５０２から送り出され、受渡可能な所定位置で停止する。出口側に配設された受渡装置６００により熱処理を終えたガラス基板をカセットの上方から抜き出すことができる。空となったカセットＫ４００は、循環手段８００により、出口側５０２から入り口側５０１に向けて運搬され、熱処理前のガラス基板Ｇの受け入れ態勢となる。
【００６５】
以上の構成に従うカセット４００によれば、走行補助部材４１６の配設位置がカセット４００の横方向であり、当該カセット４００の直上に走行補助部材４１６を配設する必要がないので、カセット４００からガラス基板Ｇを抜き出すための装置の設計の自由度が高く、構造を簡易とすることができる。
【００６６】
また、以上の構成に従う熱処理では、ガラス基板Ｇを搭載したカセット４００が平面視で傾斜して配列できる、これにより熱処理炉５００の幅方向の長さを低減できるので、熱処理炉５００の内部スペースを低減化を達成できる。
また、その他の作用効果は、従前の実施の形態と同一乃至は均等であり、例えば、ガラス基板Ｇの平面が鉛直方向に保たれているので、従前の実施例と同様に、ガラス基板の破壊リスクが低減され、また、不要の応力を受けることなく熱処理が行える。
【００６７】
また、１つのカセットに対して一枚のガラス基板が保持されて熱処理されるので、得られるガラス基板間での熱処理斑の発生が抑制されることは同様である。
また、例えば、カセット間に一定幅のスペーサを介在させるなどの適宜の手法によりカセットの送り出し間隔を調整することにより、所望の熱処理時間を設定することも容易に行える。
【００６８】
これにより、オーバーフローダウンフロー法により連続的に製造されたガラス基板は、この変形例に係るカセットおよび走行手段を用いることによっても、オーバーフローダウンフロー法のよるガラス基板の製造装置とアニールの目的での熱処理炉を直結した（インライン装置として組み込んだ）連続運転が容易となる。
【００６９】
(変形例３)
図９は、熱処理炉の変形例３を説明する図である。この図９において、熱処理炉５００は、長手方向(進行方向)の中間部の両側壁にのみ加熱手段としてのヒータ５１０が設けられて昇温・維持区間が形成され、また、進行方向の後方部の両側壁の内壁面には高反射塗料などが塗布された反射面が形成され、これにより降温区間５０５が形成されている。また、輻射熱による加熱手段がない入り口側５０１に位置する前方部は助走区間５０３となる。
【００７０】
熱処理炉５００に求められる条件としては、入り口及び出口付近での温度低下をなるべく低減させることが求められている。このため、この実施の形態では、入り口には助走区間５０３を設け、中間位置にヒータを設けて確実に昇温させて高温域を形成させる昇温・維持区間５０４を形成し、さらに、経済性を考慮して降温区間５０５では、熱に対する反射率の高い塗料を内壁に塗布する構成を採用し、ヒータを敷設せずに自然降温させている。また、降温区間５０５の内壁面は反射された熱が散乱するランバート反射面にしてもよい。
【００７１】
また、このような構成を採用すれば、熱処理炉５００内の主な加熱源は中間に配置されるヒータ５１０に基づくが、昇温・維持区間で昇温された雰囲気は、ガラス基板Ｇの平面が進行方向に対して雰囲気ガスの拡散を阻害する交差する方向に配設されているので、例えば、入り口側５０１及び出口側５０２に開閉扉を設けなくても、斜め方向に配設されたガラス基板Ｇが、熱処理炉内の入り口方向または出口方向に向けての隔壁の役割を果たすことができ、これにより、助走区間５０３および降温区間での温度低下を抑制できるという、作用効果も備える。
【００７２】
このように構成された熱処理炉５００によれば、不図示のカセット４００に収納されたガラス基板Ｇは、変形例２と同様に、熱処理炉５００の内部を斜め搬送されつつ入り口側５０１から出口側５０２に向けて逐次搬送されつつ、例えば、図９に表示される熱履歴を維持しつつ適切な熱処理が行える。
ここで、図示のように、カセットの配列を平面視で傾斜(図面では４５度)させることにより、熱処理炉５００の内部に多数個のカセット（多数枚のガラス基板）を収容させることができ、これにより、搬送速度を速めても、熱処理時間を確保することができ、結果としてインライン装置としての熱処理炉５００の実用的な大きさ（小型化）を図ることができる。
なお、この変形例３において、熱処理炉は、熱風による加熱手段と、ガラス基板の進行方向の中間部に配置された輻射熱による加熱手段との双方を備えていてもよい。
【００７３】
以上説明したように、オーバーフローダウンロード法により連続して製造されるシートガラスにおいて、流れ方向と幅方向との間の品質（性質）誤差を想定すると、流れ方向に比較して幅方向での変動が大きいと予想される。それゆえ、ガラス基板の平面が鉛直方向になるような縦型で熱処理を行うに際しては、自重によるガラス基板の破壊リスクは、ガラスの流れ方向を重力方向に合致させることにより低減できる。
そこで、当該ガラス基板の両側に耳部を残した状態で、この耳部をラチェット機構を備えた保持部により挟持して保持するガラス基板の移動する構成とすれば、ガラス基板の表面の素子形成領域（製品領域）に触れることなくガラスを保持することができ、製品品質に影響を与えるキズの発生を防止できる。また、破壊リスクがいっそう低減され、かつ、垂下されたガラス基板が熱収縮により重力方向に収縮しても応力を掛けることなくガラス基板を保持した状態で維持することができる。
【００７４】
本実施形態において製造されるガラス基板Ｇは、例えば、液晶ディスプレイ用ガラス基板、有機ＥＬディスプレイ用ガラス基板、カバーガラスに好適に用いられる。また、このガラス基板は、その他、携帯端末機器などのディスプレイや筐体用のカバーガラス、タッチパネル板、太陽電池のガラス基板やカバーガラスとしても用いることができる。特に、ポリシリコンＴＦＴを用いた液晶ディスプレイ用ガラス基板に好適である。
【００７５】
また、ガラス基板Ｇの厚さは、例えば０．１ｍｍ〜１．５ｍｍである。好ましくは０．１〜１．２ｍｍ、より好ましくは０．３〜１．０ｍｍ、さらにより好ましくは０．３〜０．８ｍｍ、特に好ましくは０．３〜０．５ｍｍである。
さらに、ガラス基板Ｇの幅方向の長さは、例えば５００ｍｍ〜３５００ｍｍであり、１０００ｍｍ〜３５００ｍｍであることが好ましく、２０００ｍｍ〜３５００ｍｍであることがより好ましい。一方、ガラス基板Ｇの縦方向の長さも、例えば５００ｍｍ〜３５００ｍｍであり、１０００ｍｍ〜３５００ｍｍであることが好ましく、２０００ｍｍ〜３５００ｍｍであることがより好ましい。
【００７６】
（ガラス基板の組成）
ガラス基板Ｇに用いるガラスは、例えば、ボロシリケートガラス、アルミノシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラス、ソーダライムガラス、アルカリシリケートガラス、アルカリアルミノシリケートガラス、アルカリアルミノゲルマネイトガラスなどを適用することができる。なお、本発明に適用できるガラスは上記に限定されるものではない。
たとえば、ガラス基板Ｇを構成する材料は無アルカリガラスであっても、また、アルカリ金属を微量含んだアルカリ微量含有ガラスであってもよい。
【００７７】
以上、本発明のガラス基板の製造方法および製造装置について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。
【符号の説明】
【００７８】
熔解工程（ＳＴ１）
清澄工程（ＳＴ２）
均質化工程（ＳＴ３）
供給工程（ＳＴ４）
成形工程（ＳＴ５）
冷却工程（ＳＴ６）
切断工程（ＳＴ７）
アニーリング工程（ＳＴ８）
ＭＧ  熔融ガラス
ＳＧ  シートガラス
Ｇ    ガラス基板
Ｇ０１  耳部
Ｚ方向  鉛直下方
１００  熔解装置
１０１  熔解槽
１０２  清澄槽
１０３  攪拌槽
１０３ａ  スターラ
１０４  第１配管
１０５  第２配管
１０６  第３配管
２００  成形装置
３００  切断装置
２００  成形装置
２１０  成形体
３００  切断装置
４００  カセット
Ｋ４００  空のカセット
４１０  枠体
４１１，４１２  縦枠体
４１２Ａ，４１２Ｂ  平板部
４１３  横枠体
４１５  ガイド溝
４１６  走行補助部材
４２０，４２０´  保持機構
４２１，４２１´  保持部
４２１ａ，４２１ａ´  保持面
４２２，４２２´  支軸
４２２ａ，４２２ａ´  外周面
４２３，４２３´  支持部
４２３ａ，４２３ａ´  垂直支持面
４２４，４２４´  支持部
４２４ａ，４２４ａ´  傾斜支持面
５００  熱処理炉
５０１  入り口側
５０２  出口側
５０３  助走区間
５０４  昇温・維持区間
５０５  降温区間
５１０  ヒータ(輻射熱加熱手段)
５２０  反射面
５３０  断熱材
５４０  傾斜面
５４１，５４２  扉
６００  受渡装置
６１０  吸着ハンドリング機構
７００  走行手段
７０１  駆動輪
７０２    フリーローラ
７０３  駆動軸
８００  循環手段
【図１】
2014198651.tif 000003
【図２】
2014198651.tif 000004
【図３】
2014198651.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2014198651.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2014198651.tif 000012