(57)【要約】【課題】パターンを高精度に基板に形成するのに有利なリソグラフィ装置を提供する。【解決手段】パターンを基板に形成するリソグラフィ装置であって、前記パターンに対応するデータに基づいて前記基板に第１ドーズを適用する第１適用部と、前記第１適用部による前記第１ドーズの適用を介して形成される前記パターンの寸法の誤差に関する情報を取得する取得部と、前記取得部で取得された前記誤差に関する情報に基づいて前記基板に第２ドーズを適用する第２適用部と、を有することを特徴とするリソグラフィ装置を提供する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンを基板に形成するリソグラフィ装置であって、
前記パターンに対応するデータに基づいて前記基板に第１ドーズを適用する第１適用部と、
前記第１適用部による前記第１ドーズの適用を介して形成される前記パターンの寸法の誤差に関する情報を取得する取得部と、
前記取得部で取得された前記誤差に関する情報に基づいて前記基板に第２ドーズを適用する第２適用部と、
を有することを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記情報は、前記基板上のレジストの膜厚、及び、該レジストに施される処理の条件の少なくとも一方を含む、ことを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記取得部は、前記膜厚を計測する計測部を含む、ことを特徴とする請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記情報は、前記誤差の計測値を含む、ことを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記誤差に関する情報から前記第２ドーズを得る処理部を有する、ことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記処理部は、前記誤差に関する情報から前記第２ドーズを算出し、負の値として算出された前記第２ドーズを０とする、ことを特徴とする請求項５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記第１適用部は、第１間隔で前記基板にドーズを適用し、
前記第２適用部は、前記第１間隔より大きい第２間隔で前記基板にドーズを適用する、ことを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記第１適用部は、荷電粒子線で前記基板にドーズを適用し、
前記第２適用部は、光で前記基板にドーズを適用する、ことを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
パターンを基板に形成するリソグラフィ方法であって、
前記パターンに対応するデータに基づいて前記基板に第１ドーズを適用し、
前記第１ドーズの適用を介して形成される前記パターンの寸法の誤差に関する情報を取得し、
取得された前記誤差に関する情報に基づいて前記基板に第２ドーズを適用する、
ことを特徴とするリソグラフィ方法。
【請求項１０】
パターンを基板に形成するリソグラフィシステムであって、
前記パターンに対応するデータに基づいて前記基板に第１ドーズを適用する第１リソグラフィ装置と、
前記第１リソグラフィ装置による前記第１ドーズの適用を介して形成される前記パターンの寸法の誤差に関する情報を取得する取得装置と、
前記取得装置で取得された前記誤差に関する情報に基づいて、前記基板に第２ドーズを適用する第２リソグラフィ装置と、
を有することを特徴とするリソグラフィシステム。
【請求項１１】
請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置又は請求項１０に記載のリソグラフィシステムを用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、リソグラフィシステム、及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体製造技術の進展に伴い、回路パターンの更なる微細化や高集積度化が求められている。
【０００３】
そのような微細パターンを形成するためには、リソグラフィ装置が有する解像性能に加えて、レジスト塗布装置によって基板に塗布されたレジスト（感光剤）の膜厚を高精度に管理する必要がある。例えば、最先端プロセスにおいては、レジストの膜厚が数ｎｍ変化するだけでも、その膜厚に対する最適な露光量が大きく変化してしまうため、パターンサイズ（例えば、線幅）の均一性を低下させることになる。一方、基板に対して、レジストを数ｎｍ未満の誤差で均一に（即ち、膜厚むらなく）塗布するためには、高価なレジスト塗布装置が必要となる。
【０００４】
レジスト塗布装置にスピンコーターを用いた場合、構造上、基板の周方向（回転方向）には膜厚むらが発生しにくいが、基板の径方向には膜厚むらが発生しやすい。また、基板の径が３００ｍｍから４５０ｍｍへと大きくなると、基板に対してレジストを均一に塗布することが更に難しくなる。
【０００５】
そのため、リソグラフィ装置では、レジストの膜厚を計測し、計測されたレジストの膜厚に基づいて適正な露光量を算出する技術が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−１１９５７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来技術には、以下のように幾つかの問題がある。例えば、リソグラフィ装置の１つであるマスクレス描画装置は、マスクを用いるのではなく、荷電粒子線のブランキングにより、パターンを基板に描画する。当該描画装置は、当該ブランキングによって露光量を制御する。そのような描画装置において、２６ｍｍ×３３ｍｍのサイズのパターンを描画する場合、ブランカを制御するために必要となる描画データのサイズは、３２ｎｍノードでは１５ＴＢ以上、２２ｎｍノードでは３０ＴＢ以上と非常に大きくなってしまう。
【０００８】
例えば、描画装置が１時間に処理できる基板の枚数を１０枚とすると、オーバーヘッドを考慮せずに描画時間だけを考えても、３２ｎｍノードで３３３Ｇｂｐｓ以上のレート、２２ｎｍノードで６６７Ｇｂｐｓ以上のレートで描画データを転送しなければならない。これは、描画データの処理系にかかる負荷が非常に大きいことを意味する。
【０００９】
微細化に伴って、描画データのサイズが大きくなっていくことは避けられない。従って、現実的な規模とコストで描画装置（描画データの処理系）を構築するためには、描画データの処理にかかる負荷、描画データの転送にかかる負荷、及び、ＡＳＩＣやＦＰＧＡなどの論理デバイスやＤＲＡＭなどのメモリの物量を減少させなければならない。更に、時間的にも、基板にレジストが塗布されてから実際に描画が開始されるまでの短い時間に、レジストの膜厚の誤差を描画データに反映させることは、描画データのサイズが膨大であるため、処理系に非常に高い能力がなければ実現困難である。また、一般には、描画データはショット単位で保持され、かかる描画データをショットごとに繰り返し用いているが、ショットごとに描画データを変更（補正）して用いることは、描画データのサイズを考慮すると、時間の制約上、現実的ではない。なお、基板上における線幅等のパターン寸法の不均一性は、レジスト膜厚分布に限らず、レジストに施される処理（現像等）の条件が基板上で均一でないこと等、種々の原因により生じうるものである。
【００１０】
本発明は、以上の背景に鑑みてなされ、パターンを高精度に基板に形成するのに有利なリソグラフィ装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのリソグラフィ装置は、パターンを基板に形成するリソグラフィ装置であって、前記パターンに対応するデータに基づいて前記基板に第１ドーズを適用する第１適用部と、前記第１適用部による前記第１ドーズの適用を介して形成される前記パターンの寸法の誤差に関する情報を取得する取得部と、前記取得部で取得された前記誤差に関する情報に基づいて前記基板に第２ドーズを適用する第２適用部と、を有することを特徴とする。
【００１２】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、例えば、パターンを高精度に基板に形成するのに有利なリソグラフィ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一側面としてのリソグラフィ方法の一例を説明するためのフローチャートである。
【図２】本発明の一側面としてのリソグラフィ方法の一例を説明するためのフローチャートである。
【図３】本発明の一側面としてのリソグラフィ方法の一例を説明するためのフローチャートである。
【図４】本発明の一側面としてのリソグラフィ装置の構成を示す概略図である。
【図５】図４に示すリソグラフィ装置と、外部装置とを含むリソグラフィシステムの構成の一例を示す図である。
【図６】図５に示すリソグラフィシステムにおける各部間の基板の受け渡し、及び、各部での処理のシーケンスの一例を示す図である。
【図７】図５に示すリソグラフィシステムにおける各部間の基板の受け渡し、及び、各部での処理のシーケンスの一例を示す図である。
【図８】本発明の一側面としてのリソグラフィシステムの構成の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１６】
図１乃至図３を参照して、本発明の一側面としてのリソグラフィ方法について説明する。本実施形態のリソグラフィ方法は、例えば、半導体デバイスの製造に用いられ、基板にパターンを形成するための方法である。
【００１７】
Ｓ１０１では、基板に塗布されたレジスト（感光剤）の膜厚を取得する。具体的には、基板に塗布されたレジストの膜厚を計測して、基板面内のレジストの膜厚分布を取得する。
【００１８】
Ｓ１０２では、Ｓ１０１で取得したレジストの膜厚（膜厚分布）に基づいて、基板上の複数の位置のそれぞれついて、パターンを形成するために予め設定された設定露光量（露光量はドーズ又は線量ともいう）に対する補助露光量を算出する。具体的には、レジストの膜厚分布に対応する基板面内の補助露光量分布を算出する。なお、露光量を与えるのは、光（線）に限定されるものではなく、レジストに潜像を形成するものであれば、荷電粒子線等、いかなるエネルギー線であってもよい。
【００１９】
Ｓ１０３では、Ｓ１０２で算出した補助露光量に基づいて、レジストが塗布された基板を露光する。具体的には、基板上の複数の位置のそれぞれを、Ｓ１０２で算出した補助露光量で露光する（即ち、基板上の露光量分布が算出した補助露光量分布となるように基板を露光する）。
【００２０】
Ｓ１０４では、パターンを形成するために予め設定された設定露光量に基づいて、レジストが塗布された基板を露光する。具体的には、基板上の複数の位置のそれぞれを設定露光量で露光する。これにより、基板にパターンが形成（描画）される。
【００２１】
但し、Ｓ１０１乃至Ｓ１０４の処理の順番は、図１に示す順番に限定されるものではない。例えば、図２に示すように、基板上の複数の位置のそれぞれを、補助露光量で露光する前に、パターンを形成するために予め設定された設定露光量で露光してもよい。図２を参照するに、Ｓ２０１では、パターンを形成するために予め設定された設定露光量に基づいて、レジストが塗布された基板を露光する。Ｓ２０２では、基板に塗布されたレジストの膜厚（膜厚分布）を取得する。Ｓ２０３では、Ｓ２０２で取得したレジストの膜厚に基づいて、基板上の複数の位置のそれぞれついて、設定露光量に加える補助露光量（補助露光量分布）を算出する。Ｓ２０４では、Ｓ２０３で算出した補助露光量に基づいて、レジストが塗布された基板を露光する。
【００２２】
また、図３に示すように、基板に塗布されたレジストの膜厚を取得した後に、基板上の複数の位置のそれぞれを、パターンを形成するために予め設定された設定露光量で露光して、更に、補助露光量で露光してもよい。図３を参照するに、Ｓ３０１では、基板に塗布されたレジストの膜厚（膜厚分布）を取得する。Ｓ３０２では、パターンを形成するために予め設定された設定露光量に基づいて、レジストが塗布された基板を露光する。Ｓ３０３では、Ｓ３０２で取得したレジストの膜厚に基づいて、基板上の複数の位置のそれぞれついて、設定露光量に加える補助露光量（補助露光量分布）を算出する。Ｓ３０４では、Ｓ３０３で算出した補助露光量に基づいて、レジストが塗布された基板を露光する。但し、Ｓ３０２の処理の前に、Ｓ３０３の処理が行われてもよい。
【００２３】
図４は、本発明の一側面としてのリソグラフィ装置４００の構成を示す概略図である。リソグラフィ装置４００は、基板にパターンを形成する装置であって、図１乃至図３に示したリソグラフィ方法の各処理を行う。ここでは、リソグラフィ装置４００は、図２に示すリソグラフィ方法の各処理を行うものとして説明する。リソグラフィ装置４００は、基板上の複数の位置のそれぞれを補助露光量で露光する第１露光部４０１と、基板上の複数の位置のそれぞれを予め設定された設定露光量で露光する第２露光部４０２とを有する。また、リソグラフィ装置４００は、計測部４０３と、ＣＰＵやメモリなどを含み、リソグラフィ装置４００の全体（動作）を制御する制御部４２０とを有する。ここで、第２露光部４０２は、パターンに対応するデータに基づいて基板に第１ドーズを適用する第１適用部として機能する。第１露光部４０１は、第１ドーズの適用を介して形成されるパターンの寸法の誤差に関する情報に基づいて基板に第２ドーズを適用する第２適用部として機能する。
【００２４】
本実施形態では、第１露光部４０１及び第２露光部４０２は、荷電粒子線を用いて基板を露光する（即ち、荷電粒子線で基板に描画を行う）描画装置として構成される。また、第１露光部４０１が基板にパターンを描画する際の描画単位（第１間隔）は、第２露光部４０１が基板にパターンを描画する際の描画単位（第２間隔）よりも大きくなるように設定されている。但し、第１露光部４０１及び第２露光部４０２の構成は、描画装置に限定されるものではなく、第１露光部４０１の露光における基板上のグリッドが第２露光部４０２の露光における基板上のグリッドよりも大きければよい。例えば、光を用いて基板を一括して露光する露光装置やインプリント装置で第１露光部４０１を構成し、荷電粒子線を用いて基板をグリッド単位で露光する描画装置で第２露光部４０２を構成してもよい。
【００２５】
計測部４０３は、基板に塗布されたレジストの膜厚を計測する膜厚計測器であって、例えば、分光干渉反射率計測器で構成される。このように、計測部４０３は、基板に塗布されたレジストに関する情報として、レジストの膜厚を取得する取得部として機能する。
【００２６】
計測部４０３は、リソグラフィ装置４００に搬入された基板上の複数の位置のそれぞれにおけるレジストの膜厚を計測し、基板面内のレジストの膜厚分布を生成する。レジストの膜厚を計測する間隔は、例えば、数ｍｍとすればよいが、レジスト塗布装置（スピンコーターなど）の性能に応じて、レジストの膜厚むらの空間周波数が計測点の数よりも高い場合には、数ｍｍよりも細かくすればよい。
【００２７】
制御部４２０は、計測部４０３で計測されたレジストの膜厚に基づいて、基板上の複数の位置のそれぞれついて、パターンを形成するために予め設定された設定露光量に加える補助露光量を得る処理部として機能する。具体的には、まず、制御部４２０は、計測部４０３で計測されたレジストの膜厚で所定の寸法のパターンを形成するために必要な露光量を、例えば、計算式やテーブルなどを参照して求める。かかる計算式やテーブルは、レジストの種類や感度、下地材などに応じて適宜選択される。そして、制御部４２０は、このようにして求めた第１露光量から、レジストの膜厚が設計値である場合に所定の寸法のパターンを形成するために必要となる設定露光量を差し引いた露光量を、補助露光量として求める。ここで、設定露光量とは、第２露光部４０２で基板に照射される露光量である。また、レジストに荷電粒子線が照射されてから現像されるまでの引き置き時間を考慮して補助露光量を求めてもよい。
【００２８】
補助露光量を求める際に、第１露光量から設定露光量を差し引くと露光量がマイナス（負の値）となる場合、即ち、基板に塗布されたレジストの実際の膜厚が設計値よりも薄い場合も考えられる。このような場合、即ち、基板上の複数の位置のうち、第１露光量から設定露光量を差し引くと露光量がマイナスとなる位置については、補助露光量を０とすればよい。また、第１露光量から設定露光量を差し引くと露光量がマイナスとなる位置を第２露光部４０２に通知して、第２露光部４０２において設定露光量を補正するようにしてもよい。但し、基板に塗布されたレジストの実際の膜厚が設計値よりも薄くならないように、レジスト塗布装置において、レジストの膜厚むらを考慮して最も薄くなるレジストの膜厚が設計値以上となるように、レジストを基板に塗布するようにしてもよい。
【００２９】
第１露光部４０１は、レジストが塗布された基板に対して、真空環境下において、電子線やイオンビームなどの荷電粒子線を、補助露光量（補助露光量分布）に従って照射する。第１露光部４０１における露光（補助露光）は、レジストの膜厚むらを補正することを目的としており、微細加工性は要求されていない。そこで、本実施形態では、第１露光部４０１は、基板上の大きな領域を一度に描画し、補助露光に要する時間を短くしている。
【００３０】
第１露光部４０１の構成の詳細を説明する。荷電粒子源４０４からの荷電粒子線は、荷電粒子光学系４０５を介して、真空チャンバ４０６の内部空間に配置された基板ステージ４０７に保持された基板に照射される。荷電粒子光学系４０５は、例えば、第１成形絞り、成形偏向器、第２成形絞り、荷電粒子線を収束させる荷電粒子レンズ、描画すべき領域以外の領域への荷電粒子線の照射を遮断するブランキング機構、荷電粒子線の位置を調整する偏向器などを含む。
【００３１】
レジスト塗布装置は、基板を回転させながらレジストを塗布するため、周方向よりも径方向にレジストの膜厚むらが発生しやすい。そこで、第１露光部４０１は、基板の周方向よりも径方向に対して露光量を変化させやすいベクタ走査（λθ）描画法（極座標系ビーム走査法）を採用する。
【００３２】
第２露光部４０２は、第１露光部４０１で補助露光された基板に対して、真空環境下において、電子線やイオンビームなどの荷電粒子線を、設定露光量に従って照射する。第２露光部４０２における露光は、微細なパターンを高速に描画することを目的としているため、第２露光部４０２は、複数の荷電粒子線で描画を行う、所謂、マルチビーム型の描画装置で構成される。
【００３３】
第２露光部４０２の構成の詳細を説明する。荷電粒子源４０８からの荷電粒子線は、荷電粒子光学系４０９を介して、真空チャンバ４０６の内部空間に配置された基板ステージ４１０に保持された基板に照射される。荷電粒子光学系４０９は、例えば、荷電粒子線を収束させる荷電粒子レンズ、描画すべき領域以外の領域への荷電粒子線の照射を遮断するブランキング機構、荷電粒子線の位置を調整する偏向器などを含む。
【００３４】
このように、リソグラフィ装置４００は、基板に塗布されたレジストの膜厚分布に基づいて、基板上の複数の位置のそれぞれを補助露光量で露光する。従って、リソグラフィ装置４００は、基板に塗布されたレジストの膜厚むらにかかわらず、所定の寸法のパターンを基板に高精度に形成（描画）することができる。なお、リソグラフィ装置４００でパターンが形成された基板は、次の工程を行う装置（現像装置など）に搬送される。
【００３５】
リソグラフィ装置４００では、第１露光部４０１において基板を補助露光量で露光した後に、第２露光部４０２において基板を設定露光量で露光している。但し、第２露光部４０２において基板を設定露光量で露光した後に、第１露光部４０１において基板を補助露光量で露光してもよい。
【００３６】
図５は、図４に示すリソグラフィ装置４００、詳細には、第１露光部４０１及び第２露光部４０２と、レジスト塗布装置や現像装置（デベロッパー）などの外部装置５０１とを含むリソグラフィシステムの構成の一例を示す図である。図６は、図５に示すリソグラフィシステムにおける各部間の基板の受け渡し、及び、各部での処理のシーケンスの一例を示す図である。ここでは、基板に塗布されたレジストの膜厚を計測する機能は、外部装置５０１が有するものとする。但し、上述したように、リソグラフィ装置４００の計測部４０３において、基板に塗布されたレジストの膜厚を計測することも可能である。
【００３７】
図５及び図６を参照するに、まず、基板が外部装置５０１に搬入され、外部装置５０１において基板にレジストが塗布される。次いで、外部装置５０１において基板に塗布されたレジストの膜厚（膜厚分布）が計測される。このようにして計測されたレジストの膜厚分布は、その膜厚分布を有する基板と関連付けられた情報として、第１露光部４０１や制御部４２０に入力される。外部装置５０１においてレジストの膜厚が計測された基板は、第１露光部４０１に搬送される。
【００３８】
外部装置５０１から基板が搬送された第１露光部４０１では、搬送された基板に対応する補助露光量（基板上の複数の位置のそれぞれについて、パターンを形成するために予め設定された設定露光量に加える補助露光量）を制御部４２０から取得する。そして、第１露光部４０１において、基板上の複数の位置のそれぞれが補助露光量で露光（補助露光）される。第１露光部４０１において補助露光された基板は、第２露光部４０２に搬送される。
【００３９】
第１露光部４０１から基板が搬送された第２露光部４０２では、搬送された基板に対応する設定露光量を取得する。そして、第２露光部４０２において、基板上の複数の位置のそれぞれが設定露光量で露光される。第１露光部４０１において露光された基板は、外部装置５０１に搬送される。
【００４０】
第２露光部４０２から基板が搬送された外部装置５０１では、搬送された基板が現像される。
【００４１】
図６では、第１露光部４０１において基板を補助露光量で露光した後に、第２露光部４０２において基板を設定露光量で露光している。但し、図７に示すように、第２露光部４０２において基板を設定露光量で露光した後に、第１露光部４０１において基板を補助露光量で露光してもよい。
【００４２】
図８は、複数の第１露光部（第１リソグラフィ装置）４０１と、第２露光部（第２リソグラフィ装置）４０２と、レジスト塗布装置や現像装置（デベロッパー）などの外部装置５０１と、制御装置８０１とを含むリソグラフィシステムの構成の一例を示す図である。図８に示すリソグラフィシステムでは、複数の第１露光部４０１、第２露光部４０２及び外部装置５０１は、クラスタを構成している。
【００４３】
図８に示すリソグラフィシステムにおいて、複数の第１露光部４０１は、上述した計測部４０３や制御部４２０を有していてもよい。但し、クラスタ化によって、クラスタに搬入された基板のうちどの基板に補助露光が行われ、どの基板に補助露光が行われていないかを示す情報や各基板の補助露光量などを、第１露光部４０１のそれぞれで管理することは、非常に複雑になる。そこで、図８に示すリソグラフィシステムは、それらを管理する制御装置８０１を有している。また、制御装置８０１は、複数の第１露光部４０１のそれぞれや第２露光部４０２の処理状況に応じて、第１露光部４０１及び第２露光部４０２を制御する。例えば、制御装置８０１は、複数の第１露光部４０１及び第２露光部４０２の待ち時間が少なくなるように、第１露光部４０１のそれぞれや第２露光部４０２が行う処理として、図１乃至図３に示すリソグラフィ方法のうちのいずれかを選択する。
【００４４】
また、基板に形成されるパターンの寸法（線幅）に影響を与える要因は、基板に塗布されたレジストの膜厚むら（膜厚分布）に限らず、パターンを形成した後の加熱条件や現像条件などレジストに施される種々の処理の条件などが存在する。レジストの膜厚の代わりに、或いは、それに加えて、レジストに施される種々の処理の条件に基づいて、補助露光量を求めてもよい。換言すれば、レジストに関する情報（パターンの寸法の誤差に関する情報）として、レジストの膜厚（計測値）、及び、レジストに施される処理の条件の少なくとも一方に基づいて、補助露光量を求めてもよい。また、要因にかかわらず、基板に形成されるパターンの線幅の誤差を補償するように、補助露光量を求めてもよい。このように、補助露光量に関わる情報（補助露光量そのもの、或いは、補助露光量を求めるための情報）に基づいて、補助露光量を求めてもよい。
【００４５】
上述したように、リソグラフィ装置４００やリソグラフィシステムは、所定の寸法のパターンを基板に形成することができるため、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。ここでは、かかる物品の製造方法を、リソグラフィ装置４００を用いる場合を例に説明するが、上述したリソグラフィシステムを用いてもよい。物品の製造方法は、リソグラフィ装置４００を用いてパターンを基板に形成する工程（基板をパターニングするためのエネルギー又は型等に係るパターンを基板に付与する露光、描画又はインプリント等の工程）を含む。また、物品の製造方法は、かかる工程でパターンを形成された基板を処理（加工）する工程（例えば、現像又はエッチング等を行う工程）を含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００４６】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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