(57)【要約】【課題】単位面積当たりの光量を高めた発光装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、第１発光素子と、第２発光素子と、を含む発光装置が提供される。前記第１発光素子は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた第１発光層と、を含む。前記第２発光素子は、前記第１導電形の第３半導体層と、前記第２導電形の第４半導体層と、第２発光層と、を含む。前記第２半導体層が前記第３半導体層と前記第１発光層との間に配置される。前記第４半導体層は、前記第３半導体層と前記第２半導体層との間に設けられる。前記第２発光層は、前記第３半導体層と前記第４半導体層との間に設けられる。前記第１発光層から放出された第１光の少なくとも一部は、前記第２発光素子の少なくとも一部を通過して、前記第２発光素子の外部に出射する。【選択図】図１
2014096549.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電形の第１半導体層と、
第２導電形の第２半導体層と、
前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた第１発光層と、
を含む第１発光素子と、
前記第１導電形の第３半導体層であって、前記第２半導体層が前記第３半導体層と前記第１発光層との間に配置される前記第３半導体層と、
前記第３半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた前記第２導電形の第４半導体層と、
前記第３半導体層と前記第４半導体層との間に設けられた第２発光層と、
を含む第２発光素子と、
を備え、
前記第１発光層から放出された第１光の少なくとも一部は、前記第２発光素子の少なくとも一部を通過して、前記第２発光素子の外部に出射する発光装置。
【請求項２】
前記第２半導体層と前記第４半導体層との間に設けられ前記第１光に対して透過性で絶縁性の中間層をさらに備え、
前記第１光の前記少なくとも一部は、前記中間層をさらに通過する請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記第１発光素子は、
前記第２発光素子の側の第１主面と、
前記第１主面とは反対側の第２主面と、
を有し、
前記第１発光素子は、
前記第２主面の側に設けられ、前記第１半導体層と電気的に接続された第１電極と、
前記第２主面の側に設けられ、前記第２半導体層と電気的に接続された第２電極と、
をさらに含む請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第１電極及び前記第２電極の少なくともいずれかは、前記第２発光層から放出された第２光の少なくとも一部を反射する請求項３記載の発光装置。
【請求項５】
実装主面を有する実装基板と、
前記実装主面上に設けられた第１基板電極と
前記実装主面上に設けられ前記第１基板電極と離間した第２基板電極と、
を含む基板部と、
前記第１電極と前記第１基板電極との間に設けられ、前記第１電極と前記第１基板電極とを電気的に接続する第１接続部材と、
前記第２電極と前記第２基板電極との間に設けられ、前記第２電極と前記第２基板電極とを電気的に接続する第２接続部材と、
を含む実装部品をさらに備えた請求項３または４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記第２発光素子の少なくとも一部は、前記第１半導体層から前記第２半導体層に向かう方向に対して垂直な平面に投影したときに、前記第１基板電極及び前記第２基板電極の少なくともいずれかと重なる請求項５記載の発光装置。
【請求項７】
前記第２発光素子は、
前記第１発光素子の側の第３主面と、
前記第３主面とは反対側の第４主面と、
を有し、
前記第２発光素子は、
前記第４主面の側に設けられ、前記第３半導体層と電気的に接続された第３電極と、
前記第４主面の側に設けられ、前記第４半導体層と電気的に接続された第４電極と、
をさらに含む請求項５または６に記載の発光装置。
【請求項８】
前記基板部は、
前記実装主面上に設けられた第３基板電極と、
前記実装主面上に設けられ前記第３基板電極と離間する第４基板電極と、
をさらに含み、
前記実装部品は、
前記第３電極及び前記第４電極のいずれか一方と前記第３基板電極とを電気的に接続する第１配線と、
前記第３電極及び前記第４電極のいずれか他方と前記第４基板電極とを電気的に接続する第２配線と、
をさらに含む請求項７記載の発光装置。
【請求項９】
前記第１半導体層から前記第２半導体層に向かう方向に対して垂直な平面に投影したときに、前記第３電極及び前記第４電極のいずれか一方の少なくとも一部は、前記第１電極と重なり、前記第３電極及び前記第４電極のいずれか他方の少なくとも一部は、前記第２電極と重なる請求項７または８に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記第１発光素子は、第１素子基板をさらに含み、
前記第１素子基板と前記第１発光層との間に前記第２半導体層が配置され、
前記第１素子基板は、
前記第１半導体層から前記第２半導体層に向かう方向に対して垂直な平面に投影したときの第１縁部と、
前記第２発光素子に対向し少なくとも一部が前記第１縁部から離間する第１基板上面と、
前記第１基板上面とは反対側の第１基板下面と、
前記第１基板上面と前記第１縁部との間に設けられ前記平面に対して傾斜した斜面と、
を含み、
前記第１基板上面と前記第１基板下面との間の前記方向に沿った距離は、前記第１縁部の前記方向に沿った長さよりも長い請求項１〜９のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項１１】
前記第２発光素子は、第２素子基板をさらに含み、
前記第２素子基板と前記第２発光層との間に前記第４半導体層が配置され、
前記第２素子基板は、
前記第１半導体層から前記第２半導体層に向かう方向に対して垂直な平面に投影したときの第２縁部と、
前記第１発光素子に対向する第２基板下面と、
前記第２基板下面とは反対側であり少なくとも一部が前記第２縁部から離間する第２基板上面と、
前記第２基板上面と前記第２縁部との間に設けられ前記平面に対して傾斜した斜面と、
を含み、
前記第２基板上面と前記第２基板下面との間の前記方向に沿った距離は、前記第２縁部の前記方向に沿った長さよりも長い請求項１〜１０のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項１２】
前記第１発光素子の少なくとも一部と、前記第２発光素子の少なくとも一部と、を覆い、前記第１光の一部と、前記第２発光層から放出される第２光の一部と、を吸収して前記第１光とは異なり前記第２光とは異なる波長の光を放出する波長変換層をさらに備えた請求項１〜１１のいずれか１つに記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、青色光を発光する半導体発光素子と、光の波長を変換する蛍光体と、を組み合わせて白色光を発光する発光装置がある。このような発光装置は、照明装置などに応用される。発光装置において、単位面積当たりの光量を高めることが求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開昭５５−９３２７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、単位面積当たりの光量を高めた発光装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態によれば、第１発光素子と、第２発光素子と、を含む発光装置が提供される。前記第１発光素子は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた第１発光層と、を含む。前記第２発光素子は、前記第１導電形の第３半導体層と、前記第２導電形の第４半導体層と、第２発光層と、を含む。前記第２半導体層が前記第３半導体層と前記第１発光層との間に配置される。前記第４半導体層は、前記第３半導体層と前記第２半導体層との間に設けられる。前記第２発光層は、前記第３半導体層と前記第４半導体層との間に設けられる。前記第１発光層から放出された第１光の少なくとも一部は、前記第２発光素子の少なくとも一部を通過して、前記第２発光素子の外部に出射する。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の実施形態によれば、単位面積当たりの光量を高めた発光装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１（ａ）〜図１（ｃ）は、第１の実施形態に係る発光装置を示す模式図である。
【図２】図２は、第１の実施形態に係る発光装置を示す模式的断面図である。
【図３】図３（ａ）及び図３（ｂ）は、第１の実施形態に係る別の発光装置を示す模式的平面図である。
【図４】図４（ａ）及び図４（ｂ）は、第１の実施形態に係る別の発光装置を示す模式的平面図である。
【図５】図５（ａ）及び図５（ｂ）は、第１の実施形態に係る別の発光装置を示す模式的平面図である。
【図６】図６は、第１の実施形態に係る別の発光装置を示す模式的平面図である。
【図７】図７は、第１の実施形態に係る別の発光装置を示す模式的断面図である。
【図８】図８（ａ）〜図８（ｆ）は、第１の実施形態に係る別の発光装置を示す模式図である。
【図９】図９（ａ）及び図９（ｂ）は、第１の実施形態に係る別の発光装置を示す模式図である。
【図１０】図１０は、第１の実施形態に係る別の発光装置を示す模式的断面図である。
【図１１】図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、第２の実施形態に係る発光装置を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。  
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。  
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００９】
（第１の実施形態）
図１（ａ）〜図１（ｃ）は、第１の実施形態に係る発光装置を例示する模式図である。  図１（ｃ）は平面図である。図１（ａ）は、図１（ｃ）のＡ１−Ａ２線断面図である。図１（ｂ）は、図１（ｃ）のＢ１−Ｂ２線断面図である。
【００１０】
図１（ａ）〜図１（ｃ）に表したように、本実施形態に係る発光装置１１０は、第１発光素子１０と、第２発光素子２０と、を含む。
【００１１】
この例では、発光装置１１０は、実装部品５０をさらに含む。実装部品５０は、基板部５５を含む。
【００１２】
基板部５５の上に、第１発光素子１０が設けられる。第１発光素子１０の上に第２発光素子２０が設けられる。
【００１３】
本願明細書において、上に設けられる状態は、直接接して設けられる状態と、間に別の要素が挿入されて設けられる状態と、を含む。
【００１４】
第１発光素子１０から第２発光素子２０に向かう方向（積層方向）をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向及びＸ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。
【００１５】
第１発光素子１０は、第１導電形の第１半導体層１１と、第２導電形の第２半導体層１２と、第１発光層１５と、を含む。第１発光層１５は、第１半導体層１１と第２半導体層１２との間に設けられる。この例では、第１半導体層１１の上に、第１発光層１５が設けられる。第１発光層１５の上に、第２半導体層１２が設けられる。
【００１６】
例えば、第１導電形はｐ形であり、第２導電形はｎ形である。第１導電形がｎ形であり、第２導電形がｐ形でも良い。以下では、第１導電形がｐ形であり、第２導電形がｎ形であるとする。
【００１７】
第１発光素子１０は、第１主面１０ａと、第２主面１０ｂと、を有する。第１主面１０ａは、第２発光素子２０の側の主面である。第２主面１０ｂは、第１主面１０ａとは反対側の主面である。第１主面１０ａは、例えば上面である。第２主面１０ｂは、例えば、下面である。第２主面１０ｂは、基板部５５に対向する。
【００１８】
第１発光素子１０は、第１電極１１ｅと第２電極１２ｅとを含む。第１電極１１ｅ及び第２電極１２ｅは、第２主面１０ｂの側に設けられる。第１電極１１ｅは、第１半導体層１１と電気的に接続される。第２電極１２ｅは、第２半導体層１２と電気的に接続される。第１電極１１ｅ及び第２電極１２ｅは、基板部５５に対向する。
【００１９】
図１（ａ）に表したように、例えば、第２半導体層１２は、第１部分１２ｐと、第２部分１２ｑと、を含む。第２部分１２ｑは、Ｘ−Ｙ平面（第１半導体層１１から第２半導体層１２に向かう方向に対して垂直な第１平面）に沿って、第１部分１２ｐと並ぶ。第１発光層１５は、第１部分１２ｐと第１半導体層１１との間に配置される。
【００２０】
第１発光素子１０は、例えば、フリップチップ構造の半導体発光素子である。第１発光素子１０は、例えば、フェースダウン構造の半導体発光素子である。第１発光素子１０の下面（第２主面１０ｂ）に、ｐ形半導体層に接続された少なくとも１つの電極と、ｎ形半導体層に接続された少なくとも１つの電極と、が設けられている。
【００２１】
第２発光素子２０は、第１導電形の第３半導体層２３と、第２導電形の第４半導体層２４と、第２発光層２５と、を含む。第２発光層２５は、第３半導体層２３と第４半導体層２４との間に設けられる。第１発光素子１０の第２半導体層１２が、第３半導体層２３と第１発光層１５との間に配置される。第４半導体層２４は、第３半導体層２３と第２半導体層１２との間に設けられる。すなわち、第１発光素子１０の上に、第４半導体層２４が設けられる。第４半導体層２４の上に第２発光層２５が設けられる。第２発光層２５の上に第３半導体層２３が設けられる。
【００２２】
第２発光素子２０は、第３主面２０ａと、第４主面２０ｂと、を有する。第３主面２０ａは、第１発光素子１０の側の主面である。第４主面２０ｂは、第３主面２０ａとは反対側の主面である。第３主面２０ａは、例えば、下面であり、第４主面２０ｂは、例えば、上面である。
【００２３】
第２発光素子２０は、第３電極２３ｅと、第４電極２４ｅと、を含む。第３電極２３ｅ及び第４電極２４ｅは、第４主面２０ｂ（上面）の側に設けられる。第３電極２３ｅは、第３半導体層２３と電気的に接続されている。第４電極２４ｅは、第４半導体層２４と電気的に接続されている。
【００２４】
図１（ｂ）に表したように、例えば、第４半導体層２４は、第３部分２４ｐと、第４部分２４ｑと、を含む。第４部分２４ｑは、Ｘ−Ｙ平面（第４半導体層２４から第３半導体層２３に向かう方向に対して垂直な第２平面）に沿って、第３部分２４ｐと並ぶ。第２発光層２５は、第３部分２４ｐと第３半導体層２３との間に配置される。
【００２５】
第２発光素子２０は、例えば、フェースアップ構造の半導体発光素子である。第２発光素子２０は、例えば、ボンディングワイヤ構造の半導体発光素子である。第２発光素子２０の上面（第４主面２０ｂ）に、ｐ形半導体層に接続された少なくとも１つの電極と、ｎ形半導体層に接続された少なくとも１つの電極と、が設けられている。
【００２６】
この例では、実装部品５０は、基板部５５に加えて、第１〜第４接続部材５１ｃ〜５４ｃをさらに含む。
【００２７】
基板部５５は、例えば、実装基板５０ｓと、第１〜第４基板電極５１〜５４と、を含む。実装基板５０ｓは、実装主面５０ａを有する。第１〜第４基板電極５１〜５４は、実装主面５０ａ上に設けられる。第２基板電極５２は、実装主面５０ａ上において、第１基板電極５１と離間している。第３基板電極５３は、実装主面５０ａ上において、第１基板電極５１及び第２基板電極５２と離間する。第４基板電極５４は、実装主面５０ａ上において、第１基板電極５１、第２基板電極５２及び第３基板電極５３と離間する。
【００２８】
実装基板５０ｓの実装主面５０ａは、第１発光素子１０に対向する。実装主面５０ａは、Ｚ軸方向に対して実質的に垂直である。
【００２９】
この例では、実装基板５０ｓの実装主面５０ａの平面形状は、矩形である。この例では、実装主面５０ａの１つの辺は、Ｘ軸方向に沿う。実装主面５０ａの他の１つの辺は、Ｙ軸方向に沿う。
【００３０】
この例では、第２基板電極５２は、第１基板電極５１とＸ軸方向に沿って離間する。第１基板電極５１及び第２基板電極５２の実装主面５０ａ内のＹ軸方向の位置は、実装主面５０ａのＹ軸方向の中心部である。
【００３１】
この例では、第４基板電極５４は、第３基板電極５３とＹ軸方向に沿って離間する。第３基板電極５３及び第４基板電極５４の実装主面５０ａ内のＸ軸方向の位置は、実装主面５０ａのＸ軸方向の中心部である。  
後述するように、基板電極の形状及び配置は、種々の変形が可能である。
【００３２】
第１接続部材５１ｃの少なくとも一部は、第１基板電極５１の上に設けられる。第２接続部材５２ｃの少なくとも一部は、第２基板電極５２の上に設けられる。
【００３３】
第１接続部材５１ｃの少なくとも一部は、第１電極１１ｅと第１基板電極５１との間に設けられる。第１接続部材５１ｃは、第１電極１１ｅと第１基板電極５１とを電気的に接続する。
【００３４】
第２接続部材５２ｃの少なくとも一部は、第２電極１２ｅと第２基板電極５２との間に設けられる。第２接続部材５２ｃは、第２電極１２ｅと第２基板電極５２とを電気的に接続する。
【００３５】
第３接続部材５３ｃは、第３基板電極５３と、第３電極２３ｅと、を電気的に接続する。第４接続部材５４ｃは、第４基板電極５４と、第４電極２４ｅと、を電気的に接続する。第３接続部材５３ｃ及び第４接続部材５４ｃは、例えば、導電性のワイヤである。第３接続部材５３ｃは、例えば、第１配線であり、第４接続部材５４ｃは、例えば第２配線である。
【００３６】
この例では、第２発光素子２０は、第３電極２３ｅの上に設けられた第１のパッド部２３ｆと、第４電極２４ｅの上に設けられた第２のパッド部２４ｆと、をさらに含む。
【００３７】
第３接続部材５３ｃの一端は、第３基板電極５３に接続され、他端は、第１パッド部２３ｆに接続されている。第４接続部材５４ｃの一端は、第４基板電極５４に接続され、他端は、第２のパッド部２４ｆに接続されている。
【００３８】
発光装置１１０においては、第１発光層１５から放出された光（第１光）の少なくとも一部は、第２発光素子２０の少なくとも一部を通過して、第２発光素子２０の外部に出射する。例えば、第１光は、第４半導体層２４、第２発光層２５及び第３半導体層２３を順次通過する。
【００３９】
第２発光層２５から放出された光（第２光）は、上面（第４主面２０ｂ）から、主として出射する。
【００４０】
発光装置１１０においては、第１発光素子１０と第２発光素子２０とが互いに積層されている。そして、第１発光素子１０から出射した光（第１光）と、第２発光素子２０から出射した光（第２光）と、は、発光装置１１０において、主として、上方向に出射する。発光装置１１０においては、単位面積当たりの光量を高めることができる。
【００４１】
例えば、第１発光素子１０及び第２発光素子２０のいずれかだけが設けられる構成に比べて、発光装置１１０における単位面積値の光量は高い。第１発光素子１０と第２発光素子２０とが積層されずにＸ−Ｙ平面内に並置される構成に比べて、発光装置１１０における単位面積値の光量は高い。
【００４２】
複数の半導体発光素子をＸ−Ｙ平面内で高密度に実装し、狭い発光面積で高強度の光を発光する発光装置を得ようとする試みがある。このような構成においては、得られる光量は、発光素子の発光効率に依存する。このため、発光素子のそれぞれの発光効率に対応する値を超えた明るさは得られない。このような構成においては、単位面積当たりの光量には限界がある。
【００４３】
これに対して、実施形態に係る発光装置においては、複数の発光素子を互いに積層する。このため、単位面積当たりの光量を高めることができる。
【００４４】
第１発光素子１０の下面に、第１電極１１ｅ及び第２電極１２ｅが設けられている。例えば、第１電極１１ｅ及び第２電極１２ｅの少なくともいずれかとして、光反射性の材料を用いることができる。第１電極１１ｅ及び第１電極１２ｅの少なくともいずれかは、第１発光層１５から出射した光（第１光）の少なくとも一部を反射する。反射した第１光は、第２発光素子２０の少なくとも一部を通過して、第２発光素子２０の外部に出射する。
【００４５】
一方、第２発光層２５から出射した光（第２光）の一部の光は、上方向に進行し、第２発光素子２０の外部に出射する。第２光の別の一部の光は、下方向に進行し、第１発光素子１０に入射する。そして、その光は、光反射性の第１電極１１ｅ及び第２電極１２ｅで反射する。すなわち、第１電極１１ｅ及び第２電極１２ｅの少なくともいずれかは、第２発光層２５から放出された第２光の少なくとも一部を反射する。反射した光は、第１発光素子１０の上面から出射し、第２発光素子２０を通過して、第２発光素子２０の外部に出射する。
【００４６】
このように、実施形態において、第１電極１１ｅ及び第２電極１２ｅの少なくともいずれかが光反射性であり、第１電極１１ｅ及び第２電極１２ｅの少なくともいずれかが、第２発光層２５から放出された第２光の少なくとも一部を反射することができる。これにより、単位面積当たりの光量をより高めることができる。
【００４７】
第１発光素子１０で発生した熱は、例えば、第１接続部材５１ｃ及び第２接続部材５２ｃを介して、それぞれ、第１基板電極５１及び第２基板電極５２に伝達される。そして、熱は、さらに実装基板５０ｓに伝達される。効率良く放熱される。これにより、第１発光素子１０において、高い発光率が得られる。第１発光素子１０における寿命が長くなる。
【００４８】
第１接続部材５１ｃ及び第２接続部材５２ｃの断面積（Ｘ−Ｙ平面で切断したときの面積）が広いと、放熱性が高まる。第１接続部材５１ｃ及び第２接続部材５２ｃの長さ（Ｚ軸方向の長さ）が短いと、放熱性が高まる。
【００４９】
図１（ｃ）に例示したように、この例では、第２発光素子２０の少なくとも一部は、Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第１基板電極５１及び第２基板電極５２の少なくともいずれかと重なる。第２発光素子２０の少なくとも一部は、Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第１接続部材５１ｃ及び第２接続部材５２ｃの少なくともいずれかと重なる。
【００５０】
第２発光素子２０で発生した熱は、例えば、第１発光素子１０、第１接続部材５１ｃ及び第２接続部材５２ｃを介して、さらに実装基板５０ｓに伝達される。これにより、効率良く放熱される。第２発光素子２０において、高い発光率が得られ、第２発光素子２０における寿命が長くなる。
【００５１】
図１（ａ）及び図１（ｂ）に表したように、この例では、発光装置１１０は中間層４０をさらに含む。中間層４０は、第１発光素子１０と第２発光素子２０との間に設けられる。中間層４０は、第２半導体層１２と第４半導体層２４との間に設けられる。中間層４０は、第１発光層１５から放出される光（第１光）に対して透過性である。中間層４０（の少なくとも一部）は、電気的に絶縁性である。
【００５２】
第１発光層１５から出射した光（第１光）の少なくとも一部は、中間層４０をさらに通過する。中間層４０を通過した光は、第２発光素子２０の少なくとも一部を通過して、第２発光素子２０の外部に出射する。
【００５３】
中間層４０には、熱伝導性の高い材料を用いることができる。中間層４０は、第１発光素子１０と第２発光素子２０とを互いに接合する。中間層４０には、例えば、シリコーン樹脂などが用いられる。
【００５４】
第２発光素子２０で発生した熱は、例えば、中間層４０、第１発光素子１０、第１接続部材５１ｃ及び第２接続部材５２ｃを介して、実装基板５０ｓに伝達される。これにより、効率良く放熱される。第２発光素子２０において、高い発光率が得られ、第２発光素子２０における寿命が長くなる。
【００５５】
図１（ａ）及び図１（ｂ）に表したように、第１発光素子１０は、第１素子基板１０ｓをさらに含んでも良い。第１素子基板１０ｓと第１発光層１５との間に第２半導体層１２が配置される。第２発光素子２０は、第２素子基板２０ｓをさらに含んでも良い。第２素子基板２０ｓと第２発光層２５との間に第４半導体層２４が配置される。第１素子基板１０ｓ及び第２素子基板２０ｓは、省略しても良い。
【００５６】
図１（ａ）及び図１（ｂ）に表したように、基板部５５は、反射層５７をさらに含んでも良い。図１（ｃ）においては、図を見易くするために、反射層５７は省略されている。反射層５７は、実装主面５０ａ上に設けられる。第１〜第４基板電極５１〜５４のそれぞれの少なくとも一部は、反射層５７で覆われていない。反射層５７は、第１発光層１５から出射した光の少なくとも一部を反射する。反射層５７は、第２発光層２５から出射した光の少なくとも一部を反射する。反射層５７を設けることで、単位面積当たりの光量をより高めることができる。
【００５７】
この例では、反射層５７は、第１〜第４基板電極５１〜５４のそれぞれの外縁部を覆っている。実施形態において、反射層５７は、第１〜第４基板電極５１〜５４の少なくともいずれかと離間しても良い。反射層５７の一部は、第１〜第４基板電極５１〜５４の少なくともいずれかと、実装基板５０ｓと、の間に設けられても良い。
【００５８】
反射層５７は、絶縁性を有することが好ましい。反射層５７には、例えば、光を反射する樹脂などが用いられる。反射層５７は、例えば、金属化合物（例えば金属酸化物などを含み、セラミックも含む）の複数の微粒子と、その微粒子が分散された樹脂と、を含む。
【００５９】
基板部５５は、裏面層５８をさらに含んでも良い。裏面層５８は、実装基板５０ｓの裏面５０ｂ（下面）上に設けられる。裏面５０ｂは、実装主面５０ａ（第１発光素子１０と対向する側の面）とは反対側である。裏面層５８の上に、実装基板５０ｓが設けられ、実装基板５０ｓの上に、第１〜第４基板電極５１〜５４が設けられる。
【００６０】
裏面層５８には、例えば金属層が用いられる。発光装置１１０が用いられる例えば照明装置などに含まれる部品に、裏面層５８が固定される。発光装置１１０で発生する熱が、裏面層５８を介して、その部品に伝わり、放熱される。
【００６１】
この例では、第１電極１１ｅから第２電極１２ｅに向かう方向は、Ｘ軸方向に沿う。第３電極２３ｅから第４電極２４ｅに向かう方向は、Ｙ軸方向に沿う。例えば、第３電極２３ｅから第４電極２４ｅに向かう方向と、第１電極１１ｅから第２電極１２ｅに向かう方向と、の間の角度は、約９０度である。第３電極２３ｅから第４電極２４ｅに向かう方向は、第１電極１１ｅから第２電極１２ｅに向かう方向に対して交差している。第３電極２３ｅから第４電極２４ｅに向かう方向と、第１電極１１ｅから第２電極１２ｅに向かう方向と、の間の角度は、４５度以上９０度以下でも良い。
【００６２】
後述するように、実施形態において、第１電極１１ｅから第２電極１２ｅに向かう方向と、第３電極２３ｅから第４電極２４ｅに向かう方向と、の関係は、任意である。
【００６３】
図２は、第１の実施形態に係る発光装置を例示する模式的断面図である。  
図２は、図１（ｃ）のＡ１−Ａ２線及びＢ１−Ｂ２線を含む領域の模式的断面図である。図２は、中間層４０、第１素子基板１０ｓ及び第２素子基板２０ｓが設けられる例を示している。
【００６４】
図２に表したように、第１電極１１ｅの上に、第１半導体層１１が設けられる。第１半導体層１１の上に第１発光層１５が設けられる。第１発光層１５の上に第２半導体層１２が設けられる。第２半導体層１２の上に第１素子基板１０ｓが設けられる。第１素子基板１０ｓの上に中間層４０が設けられる。中間層４０の上に第２素子基板２０ｓが設けられる。第２素子基板２０ｓの上に第４半導体層２４が設けられる。第４半導体層２４の上に、第２発光層２５が設けられる。第２発光層２５の上に第３半導体層２３が設けられる。第３半導体層２３の上に第３電極２３ｅが設けられる。
【００６５】
第１発光層１５は、例えば、複数の第１障壁層１５ａと、２つの第１障壁層１５ａの間に設けられた第２井戸層１５ｂと、を含む。第１発光層１５は、例えば、多重量子井戸（ＭＱＷ：Multiple Quantum Well）構造を有する。ＭＱＷ構造においては、複数の障壁層と、複数の井戸層と、が交互に積層される。第１発光層１５は、例えば、単一量子井戸（ＳＱＷ：Single Quantum Well）構造を有しても良い。ＳＱＷ構造においては、井戸層の数は１である。
【００６６】
第２発光層２５は、例えば、複数の第２障壁層２５ａと、２つの第２障壁層２５ａの間に設けられた第２井戸層２５ｂと、を含む。第２発光層２５は、例えば、多重量子井戸構造、または、単一量子井戸構造を有する。
【００６７】
複数の第１障壁層１５ａは、Ｚ軸方向に沿って、互いに積層される。複数の第２障壁層２５ａは、Ｚ軸方向に沿って、互いに積層される。本願明細書において、積層される状態は、直接重なって設けられる状態と、間に別の層が挿入されて設けられる場合と、を含む。
【００６８】
第１発光素子１０及び第２発光素子２０の例について説明する。  
第１素子基板１０ｓ及び第２素子基板２０ｓには、例えば、サファイア、スピネル、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＺｎＯ、Ｇｅ、Ｓｉ、ＳｉＧｅ、または、ＳｉＣなどが用いられる。
【００６９】
第１素子基板１０ｓは、例えば結晶成長用の基板である。例えば、第１素子基板１０ｓの上に、第２半導体層１２、第１発光層１５及び第１半導体層１１が、順次、この順で、エピタキシャル成長される。第２半導体層１２は、例えば、ｎ形の窒化物半導体（例えば、ｎ形のＧａＮなど）を含む。第１半導体層１１は、例えば、ｐ形の窒化物半導体（例えば、ｐ形のＧａＮなど）を含む。第１障壁層１５ａは、例えば、窒化物半導体（例えば、ＧａＮなど）を含む。第１井戸層１５ｂは、例えば、Ｉｎを含む窒化物半導体（例えば、ＩｎＧａＮなど）を含む。第１井戸層１５ｂのバンドギャップエネルギーは、第１障壁層１５ａのバンドギャップエネルギーよりも小さい。
【００７０】
第１半導体層１１、第１発光層１５及び第２半導体層１２含む積層体（第１積層体）において、第１半導体層１１の一部及び第１発光層１５の一部が除去されて、第２半導体層１２の一部が露出する。第１半導体層１１の上に第１電極１１ｅが形成される。第２半導体層１２の上に第２電極１２ｅが形成される。
【００７１】
これにより、第１発光素子１０が形成される。第１発光素子１０の上下が反転されて、第１発光素子１０が基板部５５の上に配置される。
【００７２】
第２素子基板２０ｓは、例えば結晶成長用の基板である。例えば、第２素子基板２０ｓの上に、第４半導体層２４、第２発光層２５及び第３半導体層２３が、順次、この順で、エピタキシャル成長される。第４半導体層２４は、例えば、ｎ形の窒化物半導体（例えば、ｎ形のＧａＮなど）を含む。第３半導体層２３は、例えば、ｐ形の窒化物半導体（例えば、ｐ形のＧａＮなど）を含む。第２障壁層２５ａは、例えば、窒化物半導体（例えば、ＧａＮなど）を含む。第２井戸層２５ｂは、例えば、Ｉｎを含む窒化物半導体（例えば、ＩｎＧａＮなど）を含む。第２井戸層２５ｂのバンドギャップエネルギーは、第２障壁層２５ａのバンドギャップエネルギーよりも小さい。
【００７３】
第４半導体層２４、第２発光層２５及び第３半導体層２３含む積層体（第２積層体）において、第３半導体層２３の一部及び第２発光層２５の一部が除去されて、第４半導体層２４の一部が露出する。第４半導体層２４の上に第４電極２４ｅが形成される。第３半導体層２３の上に第３電極２３ｅが形成される。
【００７４】
第１〜第４電極１１ｅ、１２ｅ、２３ｅ及び２４ｅの少なくともいずれかは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）及びロジウム（Ｒｈ）の少なくともいずれかを含むことができる。第１〜第４電極１１ｅ、１２ｅ、２３ｅ及び２４ｅの少なくともいずれかには、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ及びＲｈのいずれか２つ以上を含む合金を用いても良い。第１〜第４電極１１ｅ、１２ｅ、２３ｅ及び２４ｅの少なくともいずれかには、Ａｌ膜、Ａｇ膜、Ａｕ膜、Ｐｄ膜及びＲｈ膜の少なくともいずれかを含む層と、その層と積層された導電層と、の積層膜を用いることができる。第１〜第４電極１１ｅ、１２ｅ、２３ｅ及び２４ｅにおいて、高い光反射性を得ることができる。さらに、半導体層との間のオーミック接触を得ることができる。
【００７５】
第１電極１１ｅは、第１半導体層１１に接するＴｉ層を含んでも良い。第２電極１２ｅは、第２半導体層１２に接するＴｉ層を含んでも良い。第３電極２３ｅは、第３半導体層２３に接するＴｉ層を含んでも良い。第４電極２４ｅは、第４半導体層２４に接するＴｉ層を含んでも良い。Ｔｉ層を用いることで、電極層と半導体層との間において、高いオーミック接触性を得ることができる。
【００７６】
第１〜第４電極１１ｅ、１２ｅ、２３ｅ及び２４ｅの少なくともいずれかは、光透過性を有する導電膜を含んでも良い。第１〜第４電極１１ｅ、１２ｅ、２３ｅ及び２４ｅの少なくともいずれかは、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ及びＴｉよりなる群から選択された少なくともいずれかの元素を含む酸化物を含むことができる。第１〜第４電極１１ｅ、１２ｅ、２３ｅ及び２４ｅの少なくともいずれかは、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜を含んでも良い。
【００７７】
例えば、第１電極１１ｅは、Ａｌ膜、Ａｇ膜、Ａｕ膜、Ｐｄ膜及びＲｈ膜の少なくともいずれかを含む反射膜と、その反射膜と第１半導体層１１との間に設けられた、光透過性導電膜と、を含むことができる。第２電極１２ｅは、Ａｌ膜、Ａｇ膜、Ａｕ膜、Ｐｄ膜及びＲｈ膜の少なくともいずれかを含む反射膜と、その反射膜と第２半導体層１２との間に設けられた、光透過性導電膜と、を含むことができる。第３電極２３ｅは、Ａｌ膜、Ａｇ膜、Ａｕ膜、Ｐｄ膜及びＲｈ膜の少なくともいずれかを含む反射膜と、その反射膜と第３半導体層２３との間に設けられた、光透過性導電膜と、を含むことができる。第４電極２４ｅは、Ａｌ膜、Ａｇ膜、Ａｕ膜、Ｐｄ膜及びＲｈ膜の少なくともいずれかを含む反射膜と、その反射膜と第４半導体層２４との間に設けられた、光透過性導電膜と、を含むことができる。
【００７８】
第１のパッド部２３ｆ及び第２のパッド部２４ｆの少なくともいずれかは、例えば、Ａｕ膜を含むことができる。第１のパッド部２３ｆと第３接続部材５３ｃとの間、及び、第２のパッド部２４ｆと第４接続部材５４ｃとの間において、良好な接続性が得られる。
【００７９】
第１〜第４基板電極５１〜５４は、互いに同じ材料を用いることができる。第１〜第４基板電極５１〜５４の少なくとも一部は、例えば、めっきにより形成できる。第１〜第４基板電極５１〜５４の少なくとも一部は、例えば、スパッタなどの気相形成法により形成できる。
【００８０】
第１〜第４基板電極５１〜５４のそれぞれは、例えば、銅（Ｃｕ）を含むことができる。
【００８１】
第１〜第４基板電極５１〜５４のそれぞれは、例えば、実装基板５０ｓの実装主面５０ａの上に設けられた第１金属膜と、第１金属膜の上に設けられた第２金属膜と、を含むことができる。第１金属膜には、例えば、Ｔｉを用いることができる。第１金属膜は、例えば、スパッタにより形成できる。第２金属膜には、例えば、Ｃｕを用いることができる。第２金属膜は、例えば、めっきにより形成できる。
【００８２】
第１〜第４基板電極５１〜５４のそれぞれは、例えば、第２金属膜の上に設けられた第３金属膜をさらに含んでも良い。第３金属膜は、ニッケル（Ｎｉ）膜と、Ｎｉ膜の上に設けられたＡｕ膜と、を含むことができる。第３金属膜には、Ｎｉ膜と、Ｎｉ膜の上に設けられたパラジウム（Ｐｄ）と、Ｐｄ膜の上に設けられたＡｕ膜と、を含むことができる。第３金属膜の少なくとも一部は、例えば、めっきにより形成できる。
【００８３】
第１〜第４基板電極５１〜５４のそれぞれの厚さは、例えば、１６μｍ以上５００μｍ以下（例えば約５０μｍ）である。
【００８４】
裏面層５８には、第１〜第４基板電極５１〜５４に関して説明した構成及び材料を適用することができる。
【００８５】
第１接続部材５１ｃ及び第２接続部材５２ｃの少なくともいずれかには、例えば、はんだを用いることができる。第１接続部材５１ｃ及び第２接続部材５２ｃの少なくともいずれかは、例えば、ＡｕＳｎ合金を含む。
【００８６】
第３接続部材５３ｃ及び第４接続部材５４ｃの少なくともいずれかには、例えば、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｌの少なくともいずれかを含む導電性のワイヤを用いることができる。
【００８７】
実装基板５０ｓには、樹脂基板、または、セラミック基板を用いることができる。実装基板５０ｓには、例えば、導電性基板と、その導電性基板の上に設けられた絶縁層と、を含む基板を用いても良い。実装基板５０ｓの厚さは、例えば１５０μｍ以上３，０００μｍ以下（例えば、約１，０００μｍ）である。
【００８８】
本実施形態において、例えば、第１発光層１５の面積は、第２発光層２５の面積よりも大きい。例えば、第１発光層１５から出射した光の一部は、第２発光層２５を通過して第２発光層２５の外部に出射する。第１発光層１５から出射した光の他の一部は、第２発光層２５を通過せずに、発光装置の外部に出射しても良い。
【００８９】
例えば、第３電極２３ｅ及び第４電極２４ｅは遮光性である。例えば、Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第３電極２３ｅ及び第４電極２４ｅの少なくともいずれかが第１発光層１５と重なると、光取り出し効率が低下する場合がある。例えば、Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第３電極２３ｅ及び第４電極２４ｅの少なくともいずれかが第１発光層１５と重なる領域の面積を小さくすると、光取り出し効率の低下が抑制できる。第１発光層１５の面積を、第２発光層２５の面積よりも大きく設定すると、光取り出し効率の低下が抑制できる。
【００９０】
図１（ｃ）に例示したように、この例では、Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第１発光素子１０の外形は、矩形である。第１発光素子１０の外縁の辺は、実装基板５０ｓの辺に対して、実質的に平行、または、実質的に垂直である。この例では、Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第２発光素子２０の外形は、矩形である。第２発光素子２０の外縁の辺は、実装基板５０ｓの辺に対して、実質的に平行、または、実質的に垂直である。後述するように、第１発光素子１０の外縁の辺の延在方向、及び、第２発光素子２０の外縁の辺の延在方向、及び、実装基板５０ｓの辺の延在方向と、の互いの関係は任意である。
【００９１】
図３（ａ）及び図３（ｂ）は、第１の実施形態に係る別の発光装置を例示する模式的平面図である。  
図３（ａ）に表したように、本実施形態に係る別の発光装置１１１においては、第１電極１１ｅから第２電極１２ｅに向かう方向は、Ｘ軸方向に沿う。第３電極２３ｅから第４電極２４ｅに向かう方向も、Ｘ軸方向に沿う。これ以外の構成は、発光装置１１０と同様である。
【００９２】
発光装置１１１においては、例えば、Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第３電極２３ｅの少なくとも一部は、第１電極１１ｅの少なくとも一部と重なる。例えば、Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第４電極２４ｅの少なくとも一部は、第２電極１２ｅの少なくとも一部と重なる。この構成においては、例えば、第１導電形（例えばｐ形）の第１半導体層１１の上に、第１導電形の第３半導体層２３が配置される。一方、第２導電形（例えばｎ形）の第２半導体層１２の一部（第２部分１２ｑ）の上に、第２導電形の第４半導体層２４の一部（第４部分２４ｑ）が配置される。
【００９３】
半導体発光素子において、例えば、第１導電形（例えばｐ形）の半導体層に接続された電極およびその周辺において発生する熱が、第２導電形（例えばｎ形）の半導体層に接続された電極およびその周辺において発生する熱よりも大きいことがある。このとき、第１導電形の半導体層に接続された電極及びその電極に接続される接続部材の断面積を大きくして、熱伝導率を高める構成がある。すなわち、導電形によって、電極及び接続部材の断面積を変える構成がある。このとき、発光装置１１１においては、例えば断面積が広く熱伝導性を高めた２つの電極（例えば第１電極１１ｅ及び第３電極２３ｅ）を互いに積層する。これにより、厚さ方向（Ｚ軸方向）への熱伝導の効率を高めることができる。これにより、放熱の効率が高まる。
【００９４】
図３（ｂ）に表したように、本実施形態に係る別の発光装置１１２においては、第１電極１１ｅから第２電極１２ｅに向かう方向は、Ｘ軸方向に沿う。第３電極２３ｅから第４電極２４ｅに向かう方向は、Ｘ軸方向に対して逆方向である。これ以外の構成は、発光装置１１０と同様である。
【００９５】
発光装置１１２においては、例えば、Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第３電極２３ｅの少なくとも一部は、第２電極１２ｅの少なくとも一部と重なる。例えば、Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第４電極２４ｅの少なくとも一部は、第１電極１１ｅの少なくとも一部と重なる。例えば、第１導電形（例えばｐ形）の第１半導体層１１の上に、第２導電形（例えばｎ形）の第４半導体層２４の一部（第４部分２４ｑ）が配置される。例えば、第２導電形の第２半導体層１２の一部（第２部分１２ｑ）の上に、第１導電形の第３半導体層２３が配置される。
【００９６】
既に説明したように、半導体発光素子において、例えば、第１導電形（例えばｐ形）の半導体層に接続された電極およびその周辺において発生する熱が、第２導電形（例えばｎ形）の半導体層に接続された電極およびその周辺において発生する熱よりも大きいことがある。発光装置１１２においては、第３電極２３ｅ（例えば発熱量が大）の少なくとも一部が、第２電極１２ｅ（例えば発熱量が小）と、積層される。第４電極２４ｅ（例えば発熱量が小）の少なくとも一部が、第１電極１１ｅ（例えば発熱量が大）と積層される。このため、発生する熱が平均化され、局部的な温度上昇が抑制される。これにより、放熱の効率が高まり、高い発光効率を得ることができる。
【００９７】
このように、実施形態において、第１半導体層１１から第２半導体層１２に向かう方向に対して垂直な平面に投影したときに、第３電極２３及び前記第４電極２４のいずれか一方の少なくとも一部は、第１電極１１ｅと重なり、第３電極２３及び第４電極２４のいずれか他方の少なくとも一部は、第２電極１２ｅと重なるように配置することができる。
【００９８】
例えば、第３電極２３ｅから第４電極２４ｅに向かう方向と、第１電極１１ｅから第２電極１２ｅに向かう方向と、の間の角度は、約０度、または、約１８０度である。例えば、第３電極２３ｅから第４電極２４ｅに向かう方向と、第１電極１１ｅから第２電極１２ｅに向かう方向と、の間の角度の絶対値は、４５度未満である。
【００９９】
上記の発光装置１１０〜１１２においては、第１電極１１ｅから第２電極１２ｅに向かう方向は、実装主面５０ａの外縁の辺に対して、平行または垂直である。そして、第３電極２３ｅから第４電極２４ｅに向かう方向は、実装主面５０ａの外縁の辺に対して、平行または垂直である。
【０１００】
図４（ａ）及び図４（ｂ）は、第１の実施形態に係る別の発光装置を例示する模式的平面図である。  
図４（ａ）に表したように、本実施形態に係る別の発光装置１１３においては、第１電極１１ｅから第２電極１２ｅに向かう方向は、Ｘ軸方向に沿う。第３電極２３ｅから第４電極２４ｅに向かう方向は、Ｙ軸方向に沿う。実装基板５０ｓの実装主面５０ａは、矩形であり、実装主面５０ａの外縁の辺が、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に対して傾斜している。これ以外の構成は、発光装置１１０と同様である。
【０１０１】
発光装置１１３において、実装主面５０ａの外縁の辺を基準方向とすると、第１電極１１ｅから第２電極１２ｅに向かう方向、及び、第３電極２３ｅから第４電極２４ｅに向かう方向は、その基準方向に対して傾斜している。
【０１０２】
このように、第１電極１１ｅから第２電極１２ｅに向かう方向と、実装主面５０ａの辺の方向と、の関係は、任意である。第３電極２３ｅから第４電極２４ｅに向かう方向と、実装主面５０ａの辺の方向と、の関係は、任意である。
【０１０３】
発光装置１１３及び１１４においては、Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第１発光素子１０の外形は、矩形である。第１発光素子１０の外縁の辺は、実装基板５０ｓの辺に対して、傾斜している。Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第２発光素子２０の外形は、矩形である。第２発光素子２０の外縁の辺は、実装基板５０ｓの辺に対して傾斜している。この例では、第１発光素子１０の外縁の辺の延在方向は、第２発光素子２０の外縁の辺の延在方向に対して平行または垂直である。実施形態において、第１発光素子１０の外縁の辺の延在方向が、第２発光素子２０の外縁の辺の延在方向に対して傾斜しても良い。
【０１０４】
図５（ａ）及び図５（ｂ）は、第１の実施形態に係る別の発光装置を例示する模式的平面図である。  
図５（ａ）に表したように、本実施形態に係る別の発光装置１１５においては、実装部品５０において、第１〜第３基板電極５１〜５３、及び、第１〜第３接続部材５１ｃ〜５３ｃが設けられている。第４基板電極５４は、設けられていない。第３接続部材５３ｃ（例えば、第１配線）は、第３電極２３ｅと第３基板電極５３と、を電気的に接続する。第４接続部材５４ｃ（例えば第２配線）がさらに設けられている。第４接続部材５４ｃは、第４電極２４ｅに電気的に接続され、第２基板電極５２に電気的に接続されている。これ以外の構成は、例えば、発光装置１１１と同様である。
【０１０５】
図５（ｂ）に表したように、本実施形態に係る別の発光装置１１６においては、実装部品５０において、第１〜第３基板電極５１〜５３、及び、第１〜第３接続部材５１ｃ〜５３ｃが設けられている。この例では、第３接続部材５３ｃ（例えば、第１配線）は、第４電極２４ｅと第３基板電極５３と、を電気的に接続する。第４接続部材５４ｃ（例えば第２配線）がさらに設けられている。第４接続部材５４ｃは、第３電極２３ｅに電気的に接続され、第１基板電極５１に電気的に接続されている。
【０１０６】
このように、実施形態において、基板部５５は、第１、第２基板電極５１及び５２に加えて、実装主面５０ａ上に設けられた第３基板電極５３をさらに含むことができる。実装部品５０は、第３電極２３ｅ及び第４電極２４ｅのいずれか一方と第３基板電極５３とを電気的に接続する第１配線（例えば第３接続部材５３ｃ）をさらに含むことができる。発光装置１１５においては、第１配線（例えば第３接続部材５３ｃ）は、第３電極２３ｅと第３基板電極５３とを電気的に接続する。発光装置１１６においては、第１配線（例えば第３接続部材５３ｃ）は、第４電極２４ｅと第３基板電極５３とを電気的に接続する。
【０１０７】
第２配線（第４接続部材５４ｃ）は、第３電極２３ｅ及び第４電極２４ｅのいずれか他方と電気的に接続される。発光装置１１５においては、第２配線（第４接続部材５４ｃ）は、第４電極２４ｅと接続される。発光装置１１６においては、第２配線（第４接続部材５４ｃ）は、第３電極２３ｅと接続される。
【０１０８】
第２配線（第４接続部材５４ｃ）は、第１基板電極及び第２基板電極のいずれかと電気的に接続されることができる。発光装置１１５においては、第２配線（第４接続部材５４ｃ）は、第２基板電極５２と接続される。発光装置１１５において、第２配線（第４接続部材５４ｃ）は、第１基板電極５１と接続されても良い。発光装置１１６においては、第２配線（第４接続部材５４ｃ）は、第１基板電極５１と接続される。発光装置１１６において、第２配線（第４接続部材５４ｃ）は、第２基板電極５２と接続されても良い。  
このように、発光装置１１５及び１１６においては、実装主面５０ａ上に３つの基板電極が設けられる。
【０１０９】
既に説明した発光装置１１０〜１１４においては、実装主面５０ａ上に４つの基板電極が設けられる。すなわち、基板部５５は、実装主面５０ａ上に設けられた第３基板電極５３と第４基板電極５４と、を含む。実装部品５０は、第３電極２３ｅ及び第４電極２４ｅのいずれか一方と第３基板電極５３とを電気的に接続する第１配線（例えば第３接続部材５３ｃ）を含む。実装部品５０は、第３電極２３ｅ及び第４電極２４ｅのいずれか他方と第４基板電極５４とを電気的に接続する第２配線（例えば第４接続部材５４ｃ）をさらに含む。
【０１１０】
図６は、第１の実施形態に係る別の発光装置を例示する模式的平面図である。  
図６に表したように、本実施形態に係る別の発光装置１１７においては、実装主面５０ａ上に２つの基板電極（第１基板電極５１及び第２基板電極５２）が設けられている。第３基板電極５３及び第４基板電極５４は設けられていない。発光装置１１７においては、第１配線（例えば第３接続部材５３ｃ）は、例えば、第３電極２３ｅと、第１基板電極５１と、を電気的に接続する。第２配線（例えば第４接続部材５４ｃ）は、例えば、第４電極２４ｅと、第２基板電極５２と、を電気的に接続する。
【０１１１】
実施形態において、第１発光素子１０が第１の電源により駆動され、第２発光素子２０は、第１の電源とは異なる第２の電源で駆動されても良い。実施形態において、第１発光素子１０が第１の電源により駆動され、第２発光素子２０も、第１の電源で駆動されても良い。
【０１１２】
図５（ａ）、図５（ｂ）及び図６に例示した半導体発光素子１１５、１１６、１１７においては、例えば、回路を単純化できる。これにより、小型化できる。
【０１１３】
図７は、第１の実施形態に係る別の発光装置を例示する模式的断面図である。  
図７は、図１（ｃ）のＡ１−Ａ２線断面に相当する断面図である。  
図７に表したように、本実施形態に係る別の発光装置１１０ａにおいては、第１発光素子１０の側面がテーパ形状である。例えば、第１発光素子１０に含まれる第１素子基板１０ｓの第１主面１０ａの側の面の面積は、第１素子基板１０ｓの第２主面１０ｂの側の面の面積よりも大きい。第１素子基板１０ｓの側面は、Ｚ軸方向に沿って傾斜したテーパ状である。
【０１１４】
さらに、第２発光素子２０の側面がテーパ形状である。例えば、第２発光素子２０に含まれる第２素子基板２０ｓの第３主面２０ａの側の面の面積は、第２素子基板２０ｓの第４主面２０ｂの側の面の面積よりも大きい。第２素子基板２０ｓの側面は、Ｚ軸方向に沿って傾斜したテーパ状である。
【０１１５】
発光素子の側面をテーパ形状とすることで、発光素子の側面における保護層などのカバレッジが向上し、例えば信頼性が向上する。発光素子の側面をテーパ形状とすることで、例えば、発光素子の側面における光の反射または出射を制御でき、発光素子からの光取り出し効率が向上する。  
テーパ形状の側面は、発光装置１１１〜１１７において設けても良い。
【０１１６】
図８（ａ）〜図８（ｆ）は、第１の実施形態に係る別の発光装置を例示する模式的断面図である。  
これらの図は、第１素子基板１０ｓ及び第２素子基板２０ｓの構成を示しており、他の部分は省略している。
【０１１７】
図８（ｃ）は、発光装置１１０ｂを例示する平面図である。図８（ａ）は、図８（ｃ）のＡ１−Ａ２線断面に相当する断面図である。図８（ｂ）は、図８（ｃ）のＢ１−Ｂ２線断面に相当する断面図である。  
図８（ａ）〜図８（ｃ）に表したように、本実施形態に係る別の発光装置１１０ｂにおいては、第１発光素子１０の第１素子基板１０ｓの周辺部の一部の厚さが、第１素子基板１０ｓの内側部の厚さよりも薄い。
【０１１８】
第１素子基板１０ｓは、第１縁部７０ｒを有する。第１縁部７０ｒは、第１素子基板１０ｓをＸ−Ｙ平面に投影したときの外縁に対応する。第１縁部７０ｒは、外縁に沿っている。第１縁部７０ｒは、Ｘ−Ｙ平面内に実質的に延在する。第１縁部７０ｒは、例えば、第１下基板辺７１、第２下基板辺７２、第３下基板辺７３及び第４下基板辺７４を含む。第２下基板辺７２は、第１下基板辺７１と離間する。第３下基板辺７３は、第１下基板辺７１の一端と、第２下基板辺７２の一端と、接続される。第４下基板辺７４は、第３下基板辺７３と離間し、第１下基板辺７１の他端と、第２下基板辺７２の他端と、接続される。
【０１１９】
第１素子基板１０ｓは、第１基板上面１０ｓａと第１基板下面１０ｓｂとを有する。第１基板上面１０ｓａは、第２発光素子２０に対向する面である。第１基板上面１０ｓａは、第１素子基板１０ｓの第１主面１０ａの側の面である。第１基板下面１０ｓｂは、第１基板上面１０ｓａとは反対側の面である。第１基板下面１０ｓｂは、第１素子基板１０ｓの第２主面１０ｂの側の面である。第１基板上面１０ｓａ及び第１基板下面１０ｓｂは、Ｘ−Ｙ平面に対して実質的に垂直である。第１基板上面１０ｓａの少なくとも一部は、第１縁部７０から離間している。
【０１２０】
この例では、第１素子基板１０ｓは、第１下基板斜面７１ｓ及び第２下基板斜面７２ｓをさらに含む。第１下基板斜面７１ｓは、第１基板上面１０ｓａと第１下基板辺７１とに接続されている。第２下基板斜面７２ｓは、第１基板上面１０ｓａと第２下基板辺７２とに接続されている。第１下基板斜面７１ｓ及び第２下基板斜面７２ｓは、Ｘ−Ｙ平面に対して傾斜している。
【０１２１】
第１下基板斜面７１ｓとＸ−Ｙ平面との間の角度θ１は、例えば、１０度以上８９度以下である。第２下基板斜面７２ｓとＸ−Ｙ平面との間の角度は、第１下基板斜面７１ｓとＸ−Ｙ平面との間の角度θ１と、同じでも良く、異なっても良い。
【０１２２】
第１基板上面１０ｓａと第１基板下面１０ｓｂとの間のＺ軸方向に沿った距離は、第１縁部７０ｒのＺ軸方向に沿った長さよりも長い。第１素子基板１０ｓは、上に凸の凸状の形状を有している。
【０１２３】
第１素子基板１０ｓに斜面が設けられることで、第１基板上面１０ｓａの面積は、第１基板下面１０ｓｂの面積よりも小さくなる。
【０１２４】
第１素子基板１０ｓに斜面を設けることで、第１素子基板１０ｓの周辺部における光の反射または出射を制御でき、第１発光素子１０からの光取り出し効率が向上する。特に、発光装置の上側への光取り出し効率が向上する。
【０１２５】
すなわち、第１素子基板１０ｓの主面を周辺部において傾斜させる（テーパ形状とする）ことで、第１素子基板１０ｓの周辺部における光の反射または出射を制御でき、第１発光素子１０からの光取り出し効率が向上する。
【０１２６】
第１発光素子１０の第１素子基板１０ｓの周辺部は、第１縁部７０ｒに接続される部分である。第１素子基板１０ｓの内側部は、第１縁部７０ｒから離間し、例えば、第１基板上面１０ｓａと第１基板下面１０ｓｂとの間の部分である。内側部と第１縁部７０ｒとの距離は、周辺部と第１縁部７０ｒとの距離よりも長い。周辺部において、第２素子基板２０ｓの主面がＺ軸方向に対して傾斜している。
【０１２７】
この例では、第２発光素子２０の第２素子基板２０ｓの周辺部の一部の厚さが、第２素子基板２０ｓの内側部の厚さよりも薄い。
【０１２８】
第２素子基板２０ｓは、第２縁部８０ｒを有する。第２縁部８０ｒは、第２素子基板２０ｓをＸ−Ｙ平面に投影したときの外縁に対応する。第２縁部８０ｒは、外縁に沿っている。第２縁部８０ｒは、Ｘ−Ｙ平面内に実質的に延在する。第２縁部８０ｒは、例えば、第１上基板辺８１、第２上基板辺８２、第３上基板辺８３及び第４上基板辺８４を含む。第２上基板辺８２は、第１上基板辺８１と離間する。第３上基板辺８３は、第１上基板辺８１の一端と、第２上基板辺８２の一端と、接続される。第４上基板辺８４は、第３上基板辺８３と離間し、第１上基板辺８１の他端と、第２上基板辺８２の他端と、接続される。
【０１２９】
第２素子基板２０ｓは、第２基板下面２０ｓａと第２基板上面２０ｓｂとを有する。第２基板下面２０ｓａは、第１発光素子１０に対向する面である。第２基板下面２０ｓａは、第２素子基板２０ｓの第３主面２０ａの側の面である。第２基板上面２０ｓｂは、第２基板下面２０ｓａとは反対側の面である。第２基板上面２０ｓｂは、第２素子基板２０ｓの第４主面２０ｂの側の面である。第２基板下面２０ｓａ及び第２基板上面２０ｓｂは、Ｘ−Ｙ平面に対して実質的に垂直である。第２基板上面２０ｓｂの少なくとも一部は、第２縁部８０から離間している。
【０１３０】
この例では、第２素子基板２０ｓは、第１上基板斜面８１ｓ及び第２上基板斜面８２ｓをさらに含む。第２上基板斜面８１ｓは、第２基板上面２０ｓｂと第１上基板辺８１とに接続されている。第２上基板斜面８２ｓは、第２基板上面２０ｓｂと第２上基板辺８２とに接続されている。第１上基板斜面８１ｓ及び第２上基板斜面８２ｓは、Ｘ−Ｙ平面に対して傾斜している。
【０１３１】
第１上基板斜面８１ｓとＸ−Ｙ平面との間の角度θ２は、例えば、１０度以上８９度以下である。第２上基板斜面８２ｓとＸ−Ｙ平面との間の角度は、第１上基板斜面８１ｓとＸ−Ｙ平面との間の角度θ２と、同じでも良く、異なっても良い。
【０１３２】
第２基板上面２０ｓｂと第２基板下面２０ｓａとの間のＺ軸方向に沿った距離は、第２縁部８０ｒのＺ軸方向に沿った長さよりも長い。第２素子基板２０ｓは、上に凸の凸状の形状を有している。
【０１３３】
第２素子基板２０ｓに斜面が設けられることで、第２基板上面２０ｓｂの面積は、第２基板下面２０ｓａの面積よりも小さくなる。
【０１３４】
第２素子基板２０ｓに斜面を設けることで、第２素子基板２０ｓの周辺部における光の反射または出射を制御でき、第２発光素子２０からの光取り出し効率が向上する。特に、発光装置の上側への光取り出し効率が向上する。
【０１３５】
すなわち、第２素子基板２０ｓの主面を周辺部において傾斜させる（テーパ形状とする）ことで、第２素子基板２０ｓの周辺部における光の反射または出射を制御でき、第２発光素子２０からの光取り出し効率が向上する。
【０１３６】
第２発光素子２０の第２素子基板２０ｓの周辺部は、第２縁部８０ｒに接続される部分である。第２素子基板２０ｓの内側部は、第２縁部８０ｒから離間し、例えば、第２基板上面２０ｓｂと第２基板下面２０ｓａとの間の部分である。内側部と第２縁部８０ｒとの距離は、周辺部と第２縁部８０ｒとの距離よりも長い。周辺部において、第２素子基板２０ｓの主面がＺ軸方向に対して傾斜している。
【０１３７】
この例では、Ｘ−Ｙ平面に投影したときの第２素子基板２０ｓの形状は、長方形である。すなわち、第１上基板辺８１の長さは、第３上基板辺８３の長さよりも長く、第４上基板辺８４の長さよりも長い。すなわち、第２上基板辺８２の長さは、第３上基板辺８３の長さよりも長く、第４上基板辺８４の長さよりも長い。第１上基板辺８１及び第２上基板辺８２は、長方形の長辺である。
【０１３８】
このように、第２素子基板２０ｓの形状が長方形である場合において、長方形の長辺に沿って、第１素子基板１０ｓに斜面（第１下基板斜面７１ｓ及び第２下基板斜面７２ｓ）を設ける。長方形の長辺に沿って第１素子基板１０ｓに斜面を設けると、長方形の短辺に沿って第１素子基板１０ｓに斜面を設ける場合よりも、光取り出し効率の向上の効果が高い。
【０１３９】
図８（ｆ）は、発光装置１１０ｃを例示する平面図である。図８（ｄ）は、図８（ｆ）のＡ１−Ａ２線断面に相当する断面図である。図８（ｅ）は、図８（ｆ）のＢ１−Ｂ２線断面に相当する断面図である。  
図８（ｄ）〜図８（ｆ）に表したように、本実施形態に係る別の発光装置１１０ｃにおいては、第１素子基板１０ｓの周辺部の４辺の近傍部分の厚さが、第１素子基板１０ｓの内側部の厚さよりも薄い。
【０１４０】
この例では、第１素子基板１０ｓは、第３下基板斜面７３ｓ及び第４下基板斜面７４ｓをさらに含む。第３下基板斜面７３ｓは、第１基板上面１０ｓａと第３下基板辺７３とに接続されている。第４下基板斜面７４ｓは、第１基板上面１０ｓａと第４下基板辺７４とに接続されている。第３下基板斜面７３ｓ及び第４下基板斜面７４ｓは、Ｘ−Ｙ平面に対して傾斜している。
【０１４１】
第３下基板斜面７３ｓとＸ−Ｙ平面との間の角度θ３は、例えば、１０度以上８９度以下である。第４下基板斜面７４ｓとＸ−Ｙ平面との間の角度は、第３下基板斜面７３ｓとＸ−Ｙ平面との間の角度θ３と、同じでも良く、異なっても良い。
【０１４２】
この場合も、第１基板上面１０ｓａの面積は、第１基板下面１０ｓｂの面積よりも小さくなる。
【０１４３】
第１素子基板１０ｓに斜面を設けることで、第１素子基板１０ｓの周辺部における光の反射または出射を制御でき、第１発光素子１０からの光取り出し効率が向上する。特に、発光装置の上側への光取り出し効率が向上する。
【０１４４】
この例では、第２発光素子２０の第２素子基板２０ｓの周辺部の４辺の近傍部分の厚さが、第２素子基板２０ｓの内側部の厚さよりも薄い。
【０１４５】
この例では、第２素子基板２０ｓは、第３上基板斜面８３ｓ及び第４上基板斜面８４ｓをさらに含む。第３上基板斜面８３ｓは、第２基板上面２０ｓｂと第３上基板辺８３とに接続されている。第４上基板斜面８４ｓは、第２基板上面２０ｓｂと第４上基板辺８４とに接続されている。第３上基板斜面８３ｓ及び第４上基板斜面８４ｓは、Ｘ−Ｙ平面に対して傾斜している。
【０１４６】
第３上基板斜面８３ｓとＸ−Ｙ平面との間の角度θ４は、例えば、１０度以上８９度以下である。第４上基板斜面８４ｓとＸ−Ｙ平面との間の角度は、第３上基板斜面８３ｓとＸ−Ｙ平面との間の角度θ４と、同じでも良く、異なっても良い。
【０１４７】
この場合も、第２基板上面２０ｓｂの面積は、第２基板下面２０ｓａの面積よりも小さくなる。
【０１４８】
第２素子基板２０ｓに斜面を設けることで、第２素子基板２０ｓの周辺部における光の反射または出射を制御でき、第２発光素子２０からの光取り出し効率が向上する。特に、発光装置の上側への光取り出し効率が向上する。
【０１４９】
このような斜面は、第１素子基板１０ｓに設け、第２素子基板２０ｓに設けなくても良い。このような斜面は、第２素子基板２０ｓに設け、第１素子基板１０ｓに設けなくても良い。このような斜面は、発光装置１１１〜１１７、及び、後述する発光装置１１８において設けても良い。
【０１５０】
図９（ａ）及び図９（ｂ）は、第１の実施形態に係る別の発光装置を例示する模式図である。  
図９（ｂ）は、平面図である。図９（ａ）は、図９（ｂ）のＡ１−Ａ２線断面に相当する断面図である。  
図９（ａ）及び図９（ｂ）に表したように、本実施形態に係る別の発光装置１１８においては、Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第２発光素子２０は、第１電極１１ｅと重なり、第１接続部材５１ｃと重なる。Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第２発光素子２０は、第２電極１２ｅと重ならず、第２接続部材５２ｃと重ならない。  
発光装置１１８においても、単位面積当たりの光量を向上できる。
【０１５１】
発光装置１１８においては、第１電極１１ｅの面積は、第２電極１２ｅの面積よりも大きい。第１電極１１ｅに対応する第１半導体層１１がｐ形であり、第２電極１２ｅに対応する第２半導体層１２がｎ形である。第２半導体層１２の面積が大きく設計されている。すなわち、第１発光層１５の面積を拡大できる。これにより、第１発光素子１０における発光効率が向上できる。
【０１５２】
発光装置１１８においては、例えば、第２発光素子２０の放熱経路を大きくできる。これにより、第２発光素子２０における発光効率が向上できる。
【０１５３】
図１０は、第１の実施形態に係る別の発光装置を例示する模式的断面図である。  
図１０は、図１（ｃ）のＡ１−Ａ２線断面に相当する断面図である。  
図１０に表したように、本実施形態に係る発光装置１１０ｄにおいては、波長変換層６０がさらに設けられる。波長変換層６０は、第１発光素子１０の少なくとも一部を覆う。波長変換層６０は、第２発光素子２０の少なくとも一部をさらに覆っても良い。波長変換層６０は、第１発光層１５から放出された第１光の少なくとも一部を吸収し、第１光の波長（例えばピーク波長）とは異なる波長（例えばピーク波長）の光を放出する。波長変換層６０は、第２発光層２５から放出された第２光の少なくとも一部を吸収し、第２光の波長（例えばピーク波長）とは異なる波長（例えばピーク波長）の光をさらに放出しても良い。
【０１５４】
波長変換層６０は、例えば、蛍光体粒子と、その蛍光体粒子が分散された樹脂（例えばシリコーン樹脂）と、を含む。
【０１５５】
波長変換層６０から放出される光の波長（例えばピーク波長）は、第１光の波長（例えばピーク波長）よりも長い。波長変換層６０から放出される光の波長（例えばピーク波長）は、第２光の波長（例えばピーク波長）よりも長い。
【０１５６】
波長変換層６０は、発光装置１１０〜１１８、１１０ａ〜１１０ｃにおいて設けても良い。
【０１５７】
発光装置１１０〜１１８、及び、１１０ａ〜１１０ｄにおいて、第２発光層２５から放出される第２光のピーク波長は、第１発光層１５から放出される第１光のピーク波長と同じとすることができる。例えば、第２光のピーク波長と、第１光のピーク波長と、の差の絶対値は、１０ｎｍ以下である。この場合は、そのピーク波長の光に関して、より強度を高めることができる。
【０１５８】
第２光のピーク波長は、第１光のピーク波長と異なっても良い。例えば、第２光のピーク波長は、第１光のピーク波長よりも長く、両者の差は１０ｎｍを超える。両者の差は、３０ｎｍ以上でも良い。例えば、第１光が第２発光層２５を通過するときに、第１光の一部が第２発光層２５で吸収されることが抑制できる。これにより、効率が向上できる。
【０１５９】
第２光のピーク波長が、第１光のピーク波長とは異なる場合、第１光の強度、及び、第２光の強度の少なくともいずれかを変更することで、発光装置から得られる光の波長特性を制御できる。
【０１６０】
（第２の実施形態）  
図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、第２の実施形態に係る発光装置を例示する模式図である。  
図１１（ａ）は平面図である。図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＣ１−Ｃ２線断面図である。  
図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に表したように、本実施形態に係る発光装置１２０は、第１発光素子１０及び第２発光素子２０に加えて、第３発光素子３０をさらに含む。第１発光素子１０及び第２発光素子２０は、例えば、発光装置１１０と同様なので説明を省略する。
【０１６１】
第３発光素子３０は、第１導電形の第５半導体層３５と、第２導電形の第６半導体層３６と、第３発光層３０ｌと、を含む。第１発光素子１０の第２半導体層１２が、第５半導体層３５と、第１発光層１５との間に配置される。第６半導体層３６は、第５半導体層３５と第２半導体層１２との間に設けられる。第３発光層３０ｌは、第５半導体層３５と第６半導体層３６との間に設けられる。
【０１６２】
第３発光素子３０は、第５主面３０ａと、第６主面３０ｂと、を有する。第５主面３０ａは、第１発光素子１０の側の主面である。第６主面３０ｂは、第５主面３０ａとは反対側の主面である。第５主面３０ａは、例えば下面であり、第６主面３０ｂは、例えば、上面である。
【０１６３】
第３発光素子３０は、第５電極３５ｅと、第６電極３６ｅと、を含む。第５電極３５ｅ及び第６電極３６ｅは、第６主面３０ｂ（上面）の側に設けられる。第５電極３５ｅは、第５半導体層３５と電気的に接続されている。第６電極３６ｅは、第６半導体層３６と電気的に接続されている。
【０１６４】
例えば、第６半導体層３６は、第５部分３６ｐと、第６部分３６ｑと、を含む。第６部分３６ｑは、Ｘ−Ｙ平面（第６半導体層３６から第５半導体層３５に向かう方向に対して垂直な第３平面）に沿って、第５部分３６ｐと並ぶ。第３発光層３０ｌは、第５部分３６ｐと第５半導体層３５との間に配置される。
【０１６５】
この例では、第３発光素子３０は、第５電極３５ｅの上に設けられた第３のパッド部３５ｆと、第６電極３６ｅの上に設けられた第４のパッド部３６ｆと、をさらに含む。
【０１６６】
この例では、基板部５５は、実装主面５０ａの上に設けられた第５基板電極５５ｅ及び第６基板電極５６ｅをさらに含む。第５基板電極５５ｅは、例えば、第１〜第４基板電極５１〜５４と離間する。第６基板電極５６ｅは、例えば、第１〜第５基板電極５１〜５４、５５ｅと離間する。
【０１６７】
実装部品５０は、基板部５５に加えて、第５接続部材５５ｃ（例えば第３配線）及び第６接続部材５６ｃ（例えば第４配線）をさらに含む。第５接続部材５５ｃは、第５基板電極５５ｅと、第５電極３５ｅと、を電気的に接続する。第５接続部材５５ｃは、例えば、第３のパッド部３５ｆと接続される。第６接続部材５６ｃは、第６基板電極５６ｅと、第６電極３６ｅと、を電気的に接続する。第６接続部材５６ｃは、例えば、第４のパッド部３６ｆと接続される。
【０１６８】
例えば、第１発光層１５から放出された第１光の少なくとも一部は、第３発光素子３０の少なくとも一部を通過して、第３発光素子３０の外部に出射する。発光装置１２０においても、単位面積当たりの光量を高めた発光装置が提供できる。
【０１６９】
この例では、第１発光素子１０と第３発光素子３０との間に、中間層４０が延在している。第１発光層１５から放出された第１光の少なくとも一部は、中間層４０を通過して、第３発光素子３０に入射する。
【０１７０】
このように、第１発光素子１０の上に、複数の発光素子を設けることができる。第１発光素子１０の上に設けられる発光素子の数は任意である。
【０１７１】
発光装置１２０において、第３発光層３０ｌから放出される第３光のピーク波長と、第１発光層１５から放出される第１光のピーク波長と、第２発光層２５から放出される第２光のピーク波長と、の互いの関係は任意である。
【０１７２】
例えば、第３光のピーク波長は、第１光のピーク波長よりも長く、両者の差は１０ｎｍを超える。両者の差は、３０ｎｍ以上でも良い。例えば、第１光が第３発光層３０ｌを通過するときに、第１光の一部が第３発光層３０ｌで吸収されることが抑制できる。これにより、効率が向上できる。
【０１７３】
実施形態に係る発光装置は、例えば、照明装置や、表示装置などの光源として利用することができる。
【０１７４】
実施形態によれば、単位面積当たりの光量を高めた発光装置が提供される。
【０１７５】
なお、本明細書において「窒化物半導体」とは、ＢｘＩｎｙＡｌｚＧａ１−ｘ−ｙ−ｚＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１，ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）なる化学式において組成比ｘ、ｙ及びｚをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含むものとする。またさらに、上記化学式において、Ｎ（窒素）以外のＶ族元素もさらに含むもの、導電形などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、「窒化物半導体」に含まれるものとする。
【０１７６】
なお、本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれは良い。
【０１７７】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明の実施形態は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、発光装置に含まれる発光素子、半導体層、発光層、電極、パッド部、素子基板、実装部品、基板部、実装基板、基板電極、接続部材、配線、反射層及び裏面層などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。  
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【０１７８】
その他、本発明の実施の形態として上述した発光装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての発光装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【０１７９】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【０１８０】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１８１】
１０…第１発光素子、  １０ａ…第１主面、  １０ｂ…第２主面、  １０ｓ…第１素子基板、  １０ｓａ…第１基板上面、  １０ｓｂ…第１基板下面、  １１…第１半導体層、  １１ｅ…第１電極、  １２…第２半導体層、  １２ｅ…第２電極、  １２ｐ…第１部分、  １２ｑ…第２部分、  １５…第１発光層、  １５ａ…第１障壁層、  １５ｂ…第１井戸層、  ２０…第２発光素子、  ２０ａ…第３主面、  ２０ｂ…第４主面、  ２０ｓ…第２素子基板、  ２０ｓａ…第２基板下面、  ２０ｓｂ…第２基板上面、  ２３…第３半導体層、  ２３ｅ…第３電極、  ２３ｆ…第１のパッド部、  ２４…第４半導体層、  ２４ｅ…第４電極、  ２４ｆ…第２のパッド部、  ２４ｐ…第３部分、  ２４ｑ…第４部分、  ２５…第２発光層、  ２５ａ…第２障壁層、  ２５ｂ…第２井戸層、  ３０…第３発光素子、  ３０ａ…第５主面、  ３０ｂ…第６主面、  ３０ｌ…第３発光層、  ３５…第５半導体層、  ３５ｅ…第５電極、  ３５ｆ…第３のパッド部、  ３６…第６半導体層、  ３６ｅ…第６電極、  ３６ｆ…第４のパッド部、  ３６ｐ…第５部分、  ３６ｑ…第６部分、  ４０…中間層、  ５０…実装部品、  ５０ａ…実装主面、  ５０ｂ…裏面、  ５０ｓ…実装基板、  ５１〜５４…第１〜第４基板電極、  ５１ｃ…第１接続部材、  ５２ｃ…第２接続部材、  ５３ｃ…第３接続部材（第１配線）、  ５４ｃ…第４接続部材（第２配線）、  ５５…基板部、  ５５ｃ…第５接続部材、  ５５ｅ…第５基板電極、  ５６ｃ…第６接続部材、  ５６ｅ…第６基板電極、  ５７…反射層、  ５８…裏面層、  ６０…波長変換層、  ７０ｒ…第２縁部、  ７１〜７４…第１〜第４下基板辺、  ７１ｓ〜７４ｓ…第１〜第４下基板斜面、  ８０ｒ…第２縁部、  ８１〜８４…第１〜第４上基板辺、  ８１ｓ〜８４ｓ…第１〜第４上基板斜面、  θ１〜θ４…角度、  １１０〜１１８、１１０ａ〜１１０ｅ、１２０…発光装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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