(57)【要約】【課題】凹凸の新規な作製方法を提供する。または、新規な封止体を提供する。または、新規な発光装置を提供する。【解決手段】エッチング速度が異なる少なくとも２種類の金属を含む膜を表面に成膜する第１のステップと、膜を加熱してエッチング速度の遅い金属を偏析させる第２のステップと、エッチング速度の速い金属を選択的にエッチングする第３のステップと、表面をエッチング速度の遅い金属を含む残渣をレジストマスクに用いて選択的にエッチングする第４のステップと、を有する。【選択図】図１
2014225444.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の金属および前記第１の金属よりエッチング速度が遅い第２の金属を含む膜を、一の表面に成膜する第１のステップと、
前記膜を加熱する第２のステップと、
前記第１の金属を選択的にエッチングする第３のステップと、
前記一の表面を、前記第２の金属を含む残渣をレジストマスクにして選択的にエッチングする第４のステップと、を有する凹凸の作製方法。
【請求項２】
前記第１のステップにおいて、前記第１の金属としてのアルミニウムおよび前記第２の金属としてのニッケルを含む前記膜を成膜し、
前記第３のステップおよび前記第４のステップにおいて、エッチングに塩素を含むガスを用いる請求項１記載の凹凸の作製方法。
【請求項３】
前記第３のステップにおいて、
前記膜を選択的にエッチングする請求項１記載の凹凸の作製方法。
【請求項４】
基板と、
前記基板の一方の面に対向する封止基板と、
前記基板と前記封止基板を貼り合わせる封止材と、
前記基板、前記封止基板および前記封止材で囲まれた領域に封止される被封止体と、を有し、
前記基板の一方の面は、凹凸、前記凹凸に隣接し前記凹凸より平滑な面および前記平滑な面に重なる島状の膜を備え、
前記封止材は、前記凹凸に接する封止体。
【請求項５】
前記封止基板が、凹凸、前記封止基板の凹凸に隣接し前記封止基板の凹凸より平滑な面および前記平滑な面に重なる島状の膜を一方の面に備え、
前記封止材が、融点が３００℃以上７００℃以下のガラスを含み且つ前記膜に接する請求項４記載の封止体。
【請求項６】
基板と、
前記基板の一方の面に対向する封止基板と、
前記基板と前記封止基板を貼り合わせる封止材と、
前記基板、前記封止基板および前記封止材で囲まれた領域に封止される発光素子と、を有し、
前記基板の一方の面は、凹凸、前記凹凸に隣接し前記凹凸より平滑な面および前記平滑な面に重なる島状の導電性の膜を備え、
前記発光素子は、前記導電性の膜と電気的に接続され、
前記封止材は、前記凹凸に接する発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物、方法、または、製造方法に関する。または、本発明は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。特に、本発明は、例えば、半導体装置、表示装置、発光装置、または、それらの製造方法に関する。特に、本発明は、凹凸の作製方法、封止体または発光装置に関する。特に、表面に凹凸を備える基板の作製方法、凹凸が設けられた基板、封止基板およびこれらを貼り合わせる封止材で囲まれた空間を有する封止体、発光素子が封止された発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面に凹凸が設けられた基板がさまざまな装置に利用されている。例えば、表面に凹凸が設けられた基板は、発光装置の拡散板に用いることができる。
【０００３】
また、不純物が拡散することにより、その機能が損なわれてしまう機能素子がある。このような機能素子の機能を維持するために、機能素子をそれが設けられた基板、封止基板および前記基板と前記封止基板を貼り合わせる封止材に囲まれた空間に封止する発明が知られている。（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２００８３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
装置の機能を高めることができる凹凸を選択的に形成する方法が求められている。
【０００６】
被封止体への不純物の拡散が抑制された封止体が求められている。
【０００７】
本発明の一態様は、このような技術的背景のもとでなされたものである。したがって、凹凸の新規な作製方法を提供することを課題の一とする。または、新規な封止体を提供することを課題の一とする。または、新規な発光装置を提供することを課題の一とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様は、第１の金属および第１の金属よりエッチング速度が遅い第２の金属を含む膜を、一の表面に成膜する第１のステップと、膜を加熱して第２の金属を偏析させる第２のステップと、第１の金属を選択的にエッチングする第３のステップと、一の表面を、第２の金属を含む残渣をレジストマスクにして選択的にエッチングする第４のステップと、を有する凹凸の作製方法である。
【０００９】
また、本発明の一態様は、第１のステップにおいて、第１の金属としてのアルミニウムおよび第２の金属としてのニッケルを含む膜を成膜し、第３のステップおよび第４のステップにおいて、エッチングに塩素を含むガスを用いる上記の凹凸の作製方法である。
【００１０】
上記本発明の一態様の凹凸の作製方法は、エッチング速度が異なる金属を含む膜を表面に成膜するステップと、膜を加熱してエッチング速度の遅い金属を偏析させるステップと、エッチング速度の速い金属を選択的にエッチングするステップと、表面をエッチング速度の遅い金属を含む残渣をレジストマスクに用いて選択的にエッチングするステップと、を有する。これにより、一の表面に凹凸の作製することができる。その結果、凹凸の新規な作製方法を提供できる。
【００１１】
また、本発明の一態様は、第３のステップにおいて、膜を選択的にエッチングする上記の凹凸の作製方法である。
【００１２】
上記本発明の一態様の凹凸の作製方法は、膜を島状等に形成されたレジストマスク等を用いて選択的にエッチングするステップを有する。これにより、一の表面に島状の膜およびこれに隣接して凹凸を形成することができる。その結果、膜に隣接する凹凸の新規な作製方法を提供できる。
【００１３】
また、本発明の一態様は、基板と、基板の一方の面に対向する封止基板と、基板と封止基板を貼り合わせる封止材と、基板、封止基板および封止材で囲まれた領域に封止される被封止体と、を有する封止体である。そして、基板の一方の面は、凹凸、凹凸に隣接し凹凸より平滑な面および平滑な面に重なる島状の膜を備え、封止材は、凹凸に接する。
【００１４】
上記本発明の一態様の封止体は、膜に隣接する凹凸に接する封止材が、基板と封止基板を貼り合わせる。これにより、封止材が基板と接する面積が広がり、基板を貼り合わせる強度を高めることができる。その結果、新規な封止体を提供できる。
【００１５】
また、本発明の一態様は、封止基板が、凹凸、凹凸に隣接し凹凸より平滑な面および平滑な面に重なる島状の膜を一方の面に備え、封止材が、融点が３００℃以上７００℃以下のガラスを含み且つ膜に接する上記の封止体である。
【００１６】
上記本発明の一態様の封止体は、低融点のガラスを含む封止材が封止基板の膜に隣接して設けられた凹凸に接し、封止基板と基板を貼り合わせる構成を有する。これにより、封止材は基板に融着し、膜に隣接する凹凸が設けられた基板に強く融着する。また、封止材に重なる膜の面積を調整することができる。その結果、新規な封止体を提供できる。
【００１７】
また、本発明の一態様は、基板と、基板の一方の面に対向する封止基板と、基板と封止基板を貼り合わせる封止材と、基板、封止基板および封止材で囲まれた領域に封止される発光素子と、を有する発光装置である。そして、基板の一方の面は、凹凸、凹凸に隣接し凹凸より平滑な面および平滑な面に重なる島状の導電性の膜を備え、発光素子は、導電性の膜と電気的に接続され、封止材は、凹凸に接する。
【００１８】
上記本発明の一態様の発光装置は、発光素子と、発光素子と電気的に接続される導電性の膜と、導電性の膜に隣接して設けられた凹凸に接する封止材と、を有し、封止材、基板および封止基板で囲まれる領域に発光素子が封止される発光装置である。これにより、電力を発光素子に導電性の膜を介して供給することができる。また、封止材が基板に接する面積が広がり、貼り合わせる強度を高めることができる。その結果、不純物の発光素子への拡散が抑制された新規な発光装置を提供できる。
【００１９】
なお、本明細書において、ＥＬ層とは発光素子の一対の電極間に設けられた層を示すものとする。従って、電極間に挟まれた発光物質である有機化合物を含む発光層はＥＬ層の一態様である。
【００２０】
また、本明細書において、物質Ａを他の物質Ｂからなるマトリクス中に分散する場合、マトリクスを構成する物質Ｂをホスト材料と呼び、マトリクス中に分散される物質Ａをゲスト材料と呼ぶものとする。なお、物質Ａ並びに物質Ｂは、それぞれ単一の物質であっても良いし、２種類以上の物質の混合物であっても良いものとする。
【００２１】
なお、本明細書中において、発光装置とは画像表示デバイスもしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子が形成された基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の一態様によれば、凹凸の新規な作製方法を提供できる。または、新規な封止体を提供できる。または、新規な発光装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】実施の形態に係る凹凸の作製方法を説明する図。
【図２】実施の形態に係る凹凸の作製方法を用いて発光素子付き基板を作製する方法を説明する図。
【図３】実施の形態に係る凹凸の作製方法を説明する図。
【図４】実施の形態に係る凹凸の作製方法を用いて封止基板を作製する方法を説明する図。
【図５】実施の形態に係る封止体を説明する図。
【図６】実施の形態に係る発光装置を説明する図。
【図７】実施の形態に係る発光素子を説明する図。
【図８】実施の形態に係る電子機器を説明する図。
【図９】実施例に係る凹凸が作製された基板の断面の走査透過電子顕微鏡による観察像の写真。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
＜本発明の一態様が解決することができる課題の例＞
基板および基板と対向する封止基板並びに基板と封止基板を貼り合わせる封止材に囲まれた空間に、被封止体を封止する封止体が知られている。封止材が基板と封止基板を貼り合わせる強度が不足すると、封止体が破壊され、被封止体が外部の環境に暴露されてしまう場合がある。
【００２５】
特に、封止材が接する基板の表面が平滑だと、封止材が基板から剥がれ易くなってしまう場合がある。
【００２６】
＜本発明の一態様＞
そこで、本発明の一態様は、基板の表面の形態に着眼した。以下に説明する実施の形態には、封止材と接する基板の表面に凹凸を有する構成に着眼して創作された本発明の一態様が含まれる。
【００２７】
本発明の一態様の凹凸の作成方法は、エッチング速度が異なる金属を含む膜を表面に成膜する第１のステップと、膜を加熱してエッチング速度の遅い金属を偏析させる第２のステップと、エッチング速度の速い金属を選択的にエッチングする第３のステップと、基板をエッチング速度の遅い金属を含む残渣をレジストマスクに用いて選択的にエッチングする第４のステップと、を有する。
【００２８】
これにより、基板の表面に凹凸の作製することができる。その結果、凹凸の新規な作製方法を提供できる。
【００２９】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００３０】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の凹凸の作製方法について、図１を参照しながら説明する。具体的には、一方の面に凹凸を備える基板の作製方法を例示して説明する。
【００３１】
図１（Ａ−１）乃至図１（Ｄ−１）は、本発明の一態様の凹凸の作製方法を説明するための基板の上面図である。また、図１（Ａ−２）乃至図１（Ｄ−２）は、対応する図１（Ａ−１）乃至図１（Ｄ−１）の切断線Ｘ１−Ｘ２における基板の断面図である。
【００３２】
＜凹凸の作製方法＞
本発明の一態様の凹凸の作製方法は、以下の４つのステップを有する。
【００３３】
《第１のステップ》
第１のステップにおいて、第１の金属および第１の金属よりエッチング速度が遅い第２の金属を含む膜２５１ａを、基板２１０に形成した絶縁膜の表面２１１に成膜する（図１（Ａ−１）および図１（Ａ−２）参照）。
【００３４】
なお、本実施の形態では、基板２１０に形成した絶縁膜の表面２１１に凹凸を形成する場合について説明するが、これに限られない。例えば、基板２１０の表面に直接凹凸を形成することもできる。
【００３５】
《第２のステップ》
第２のステップにおいて、膜２５１ａを加熱して第２の金属を偏析させる。膜２５１ｂは第２の金属が偏析した膜である（図１（Ｂ−１）および図１（Ｂ−２）参照）。
【００３６】
なお、第２の金属が偏析することにより、第２の金属の元素は膜２５１ｂに不均一に分布する。
【００３７】
《第３のステップ》
第３のステップにおいて、第１の金属を選択的または優先的にエッチングする。これにより、第２の金属を含む残渣２５１ｄが形成される（図１（Ｃ−１）および図１（Ｃ−２）参照）。
【００３８】
なお、第２のステップにおいて、第２の金属を偏析させるため、表面２１１上の残渣２５１ｄの分布は不均一なものとなる。
【００３９】
《第４のステップ》
第４のステップにおいて、残渣２５１ｄをレジストマスクに用いて、一の表面２１１を選択的にエッチングする（図１（Ｄ−１）および図１（Ｄ−２）参照）。
【００４０】
第２の金属を含む残渣２５１ｄは、エッチングされにくい。これにより、その下にある表面２１１のレジストマスクとして働く。また、残渣２５１ｄは表面２１１上に不均一に分布する。その結果、不規則な凹凸２１１ｂを表面２１１に形成できる。なお、残渣２５１ｄは、第１の金属より遅い速度でエッチングされる場合や、洗浄により取り除かれる場合がある。
【００４１】
本実施の形態の凹凸の作製方法は、エッチング速度が異なる金属を含む膜を表面に成膜するステップと、膜を加熱してエッチング速度の遅い金属を偏析させるステップと、エッチング速度の速い金属を選択的にエッチングするステップと、表面をエッチング速度の遅い金属を含む残渣をレジストマスクに用いて選択的にエッチングするステップと、を有する。これにより、一の表面に凹凸の作製することができる。その結果、凹凸の新規な作製方法を提供できる。
【００４２】
以下に、本実施の形態の作製方法の個々のステップについて説明する。
【００４３】
本発明の一態様の凹凸の作製方法は、第１の金属および第１の金属よりエッチング速度が遅く且つ偏析させることができる第２の金属を含む膜を用いる。
【００４４】
具体的には、第１のステップにおいて、第１の金属としてのアルミニウムおよび第２の金属としてのニッケルを含む膜２５１ａを成膜する。
【００４５】
なお、膜２５１ａが含むアルミニウムに対するニッケルの量は、原子百分率で０．１ａｔｏｍ％以上１０ａｔｏｍ％以下、特に０．１ａｔｏｍ％以上５ａｔｏｍ％以下であると、反射率を高くすることができる。
【００４６】
例えば、２ａｔｏｍ％のニッケルと０．３５ａｔｏｍ％のランタンを含むアルミニウムをターゲットに用いて、スパッタリング法により成膜された膜を用いることができる。
【００４７】
膜２５１ｂにニッケルを偏析させる方法としては、例えば、成膜された膜２５１ａに加熱処理を施す方法を挙げることができる。具体的には、２００℃以上３５０℃以下の加熱処理を挙げることができる。
【００４８】
なお、成膜後の膜に加熱処理を施すことなく第２の金属が偏析する材料を用いる場合は、第２の金属を偏析させるためのステップを省くことができる。
【００４９】
本発明の一態様の凹凸の作製方法に用いることができるエッチングガスは、膜が含む金属、特に第１の金属と偏析する第２の金属の性質に合わせて選択する。
【００５０】
好ましくは、第１の金属についてのエッチングレートが第２の金属についてのエッチングレートの０．５倍以上０．８倍以下になるように、第１の金属、第２の金属およびエッチングガスを選択する。
【００５１】
例えば、第１の金属にアルミニウムを、第２の金属にニッケルを用いる場合、第３のステップおよび第４のステップにおいて、塩素を含むガスをエッチングに用いることができる。具体的には、三塩化硼素ガス、塩素ガス等またはこれらの混合ガスを用いることができる。塩素を含むガスにエッチングされにくい第２の金属としては、ニッケルの他クロム、鉄などが挙げられる。
【００５２】
また、第３のステップにおいて、レジストマスクＰＲを用いて膜２５１ｂから島状の膜２５１ｃを形成することができる（図１（Ｃ−１）および図１（Ｃ−２）参照）。なお、膜２５１ｃを形成した後にレジストマスクＰＲを取り除く。
【００５３】
レジストマスクＰＲが重なる島状の膜２５１ｃは、エッチングガスから保護される。
【００５４】
第４のステップにおいて、表面２１１上に不均一に分布する第２の金属を含む残渣２５１ｄは、その下にある表面２１１のレジストマスクとして働く。その結果、不規則な凹凸２１１ｂを表面２１１に形成できる。なお、レジストマスクＰＲおよび島状の膜２５１ｃが重なる面２１１ａは、その状態が保たれる。その結果、凹凸２１１ｂが設けられた表面より平滑な面２１１ａと、面２１１ａに重なる島状の膜２５１ｃを形成できる。
【００５５】
＜変形例：発光素子付き基板の作製方法＞
本実施の形態の変形例として、凹凸を備える発光素子付き基板の作製方法について、図２を参照しながら説明する。
【００５６】
図２（Ａ−１）乃至図２（Ｃ−１）は、本実施の形態の変形例の凹凸を備える発光素子付き基板の作製方法を説明するための基板の上面図である。また、図２（Ａ−２）乃至図２（Ｃ−２）は、対応する図２（Ａ−１）乃至図２（Ｃ−１）の切断線Ｘ１−Ｘ２における基板の断面図である。
【００５７】
本実施の形態の変形例では、膜２５１ｃが導電性を有する点が異なる他は、上述の説明と同様の方法を第４のステップまで用いることができる。よって、第４のステップまで、上述の説明を援用し、第５のステップ以降について以下に説明する。なお、第４のステップを終えた基板の構成を図２（Ａ−１）および図２（Ａ−２）に示す。
【００５８】
導電性を有する膜から形成された島状の膜は、後に形成される発光素子の下部電極２５１、下部電極２５１に電力を供給することができる第１の端子２１８ａ、発光素子の上部電極と電気的に接続することができる接続部２５２ｃおよび接続部２５２ｃに電力を供給することができる第２の端子２１８ｂを含む。
【００５９】
《第５のステップ》
第５のステップにおいて、絶縁性の隔壁２２８を形成する（図２（Ｂ−１）および図２（Ｂ−２）参照）。
【００６０】
隔壁２２８は、下部電極２５１の端部および接続部２５２ｃの端部を覆い、下部電極２５１と重なる開口部を有する。
【００６１】
《第６のステップ》
第６のステップにおいて、発光素子２５０を形成する（図２（Ｃ−１）および図２（Ｃ−２）参照）。
【００６２】
発光性の有機化合物を含む層２５３を、隔壁２２８の開口部から露出する下部電極２５１を覆うように成膜する。なお、発光性の有機化合物を含む層２５３が接続部２５２ｃを覆わないようにする。
【００６３】
次いで、上部電極２５２を成膜する。上部電極２５２は発光性の有機化合物を含む層２５３を下部電極２５１との間で挟持し、接続部２５２ｃと電気的に接続される。
【００６４】
本実施の形態の変形例では、上部電極２５２に可視光を透過する導電性の膜を用いる。これにより、発光素子２５０は光を上部電極２５２側に射出することができる。
【００６５】
なお、凹凸２１１ｂを形成するために用いる膜とは別に透光性を有する膜を成膜し、島状に形成して下部電極に用いてもよい。これにより、光を下部電極側に射出する発光素子を作製できる。
【００６６】
以上のステップにより、基板２１０上に発光素子２５０を形成できる。なお、この段階では発光素子２５０は封止されていない。
【００６７】
本実施の形態に適用することができる発光素子の構成並びに下部電極および上部電極等の材料については、実施の形態４において詳細に説明する。
【００６８】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【００６９】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の凹凸の作製方法について、図３を参照しながら説明する。具体的には、一方の面に凹凸を備える基板の作製方法を例示して説明する。
【００７０】
図３（Ａ−１）乃至図３（Ｄ−１）は、本発明の一態様の凹凸の作製方法を説明するための基板の上面図である。また、図３（Ａ−２）乃至図３（Ｄ−２）は、対応する図３（Ａ−１）乃至図３（Ｄ−１）の切断線Ｙ１−Ｙ２における基板の断面図である。
【００７１】
＜凹凸の作製方法＞
本発明の一態様の凹凸の作製方法は、以下の４つのステップを有する。
【００７２】
《第１のステップ》
第１のステップにおいて、アルミニウムおよびアルミニウムよりエッチング速度が遅いニッケルを含む膜２８１ａを、封止基板２７０の一の表面に成膜する（図３（Ａ−１）および図３（Ａ−２）参照）。
【００７３】
《第２のステップ》
第２のステップにおいて、膜２８１ａを加熱してニッケルを偏析させる。膜２８１ｂはニッケルが偏析した膜である（図３（Ｂ−１）および図３（Ｂ−２）参照）。
【００７４】
なお、ニッケルは偏析することにより膜２８１ｂにおいて不均一に分布する。
【００７５】
《第３のステップ》
第３のステップにおいて、膜２８１ｂに含まれるアルミニウムを、塩素を含むガスを用いて選択的にまたは優先的にエッチングする。これにより、ニッケルを含む残渣２８１ｄが形成される（図３（Ｃ−１）および図３（Ｃ−２）参照）。また、レジストマスクＰＲを用いて、島状の膜２８１ｃを膜２８１ｂから形成する。
【００７６】
レジストマスクＰＲと重なる島状の膜２８１ｃは、エッチングガスから保護される。
【００７７】
なお、第２のステップにおいて、ニッケルを偏析させるため、封止基板２７０上の残渣２８１ｄの分布は不均一なものとなる。
【００７８】
《第４のステップ》
第４のステップにおいて、残渣２８１ｄをレジストマスクに用いて、封止基板２７０の一の表面を選択的にエッチングする（図３（Ｄ−１）および図３（Ｄ−２）参照）。
【００７９】
ニッケルを含む残渣２８１ｄは、エッチングされにくい。これにより、その下にある封止基板２７０の表面のレジストマスクとして働く。また、残渣２８１ｄは封止基板２７０の表面に不均一に分布する。その結果、封止基板２７０の表面に不規則な凹凸２７０ｂを形成できる。
【００８０】
また、第４のステップにおいて、島状の膜２８１ｃが重なる封止基板２７０の面２７０ａの状態が保たれる。その結果、凹凸２７０ｂに隣接する平滑な面２７０ａと面２７０ａに重なる島状の膜２８１ｃを形成できる。
【００８１】
本実施の形態の凹凸の作製方法は、エッチング速度が異なる金属を含む膜を表面に成膜するステップと、膜を加熱してエッチング速度の遅い金属を偏析させるステップと、エッチング速度の速い金属を選択的にエッチングするステップと、表面をエッチング速度の遅い金属を含む残渣をレジストマスクに用いて選択的にエッチングするステップと、を有する。これにより、一の表面に凹凸の作製することができる。その結果、凹凸の新規な作製方法を提供できる。
【００８２】
＜変形例：封止基板の作製方法＞
本実施の形態の変形例として、凹凸を備える封止基板の作製方法について、図４を参照しながら説明する。
【００８３】
図４（Ａ−１）乃至図４（Ｃ−１）は、本実施の形態の変形例の凹凸を備える発光素子を封止する封止体の封止基板の作製方法を説明するための封止基板の上面図である。また、図４（Ａ−２）乃至図４（Ｃ−２）は、対応する図４（Ａ−１）乃至図４（Ｃ−１）の切断線Ｙ１−Ｙ２における封止基板の断面図である。
【００８４】
本実施の形態の変形例では、上述の説明と同様の方法を用いる。よって、上述の第４のステップまでの説明を援用し、第５のステップ以降について以下に説明する。なお、第４のステップを終えた封止基板の構成を図４（Ａ−１）及び図４（Ａ−２）に示す。
【００８５】
アルミニウムとニッケルを含む膜を選択的にエッチングして、閉曲線を描く形状に島状の膜２８１ｃを形成する。具体的には、レジストマスクＰＲを用いて、島状の膜２８１ｃを後に形成される封止材と重なる位置に形成する。
【００８６】
《第５のステップ》
第５のステップにおいて、遮光層２６７ＢＭと着色層２６７ＣＦを形成する（図４（Ｂ−１）および図４（Ｂ−２）参照）。
【００８７】
なお、遮光層２６７ＢＭおよび着色層２６７ＣＦは、塗布法、印刷法、インクジェット法またはフォトリソグラフィ法等の他、公知の技術を用いて形成することができる。
【００８８】
《第６のステップ》
第６のステップにおいて、封止材２０５を形成する（図４（Ｃ−１）および図４（Ｃ−２）参照）。
【００８９】
封止材２０５は、塗布法、印刷法またはディスペンス法等の他、公知の技術を用いて形成することができる。
【００９０】
一例として、スクリーン印刷法を用いて低融点のガラスを含む封止材２０５を形成する方法について説明する。
【００９１】
スクリーン印刷法を用いて、低融点のガラスの粉末、樹脂および溶剤を含むペーストを、膜２８１ｃに重なるように印刷する。具体的には、封止材２０５が閉曲線を描く形状にする。
【００９２】
次いで、レーザビームを例えば矢印の方向から、印刷されたペーストに照射し、ペーストを局所的に加熱する。これにより、ペースト中に残留する樹脂または／および溶剤の量を低減することができる。また、低融点のガラス粉末を互い融着することができ、スクリーン印刷を用いて形成した形態を保持することができる。
【００９３】
なお、レーザビームを用いるとペーストを局所的に加熱することができる。これにより、加熱により損傷を受けやすい遮光層２６７ＢＭや着色層２６７ＣＦを、封止基板２７０にあらかじめ形成しておくことができる。なお、凹凸２７０ｂが形成されているため、遮光層２６７ＢＭまたは／および着色層２６７ＣＦは封止基板２７０と良好に密着する。
【００９４】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【００９５】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の封止体の構成について、図５を参照しながら説明する。具体的には、基板、封止基板および封止材で囲まれた領域に被封止体として発光素子を封止した封止体の構成について説明する。
【００９６】
図５（Ａ）は、本発明の一態様の封止体の構成を説明するための基板の上面図である。また、図５（Ｂ）は、図５（Ａ）における切断線Ｙ１−Ｙ２における封止体の断面図である。
【００９７】
＜封止体＞
本発明の一態様の封止体は、基板２１０と、基板２１０の一方の面に対向する封止基板２７０と、基板２１０と封止基板２７０を貼り合わせる封止材２０５と、基板２１０、封止基板２７０および封止材２０５で囲まれた領域２６０に封止される被封止体（例えば発光素子２５０）と、を有する（図５（Ａ）および図５（Ｂ）参照）。
【００９８】
そして、基板２１０の一方の面は、凹凸２１１ｂ、凹凸２１１ｂに隣接し凹凸２１１ｂより平滑な面２１１ａおよび平滑な面２１１ａに重なる島状の膜２５１ｃを備える。
【００９９】
また、封止材２０５が、凹凸２１１ｂに接する。
【０１００】
上記本発明の一態様の封止体２００は、膜２５１ｃに隣接する凹凸２１１ｂに接する封止材２０５が、封止基板２７０と基板２１０を貼り合わせる。これにより、封止材が基板に接する面積が広がり、貼り合わせる強度を高めることができる。その結果、新規な封止体を提供できる。
【０１０１】
なお、発光素子２５０は、導電性を有する膜２５１ｃを下部電極とし、下部電極と重なる上部電極２５２と、下部電極と上部電極の間に発光性の有機化合物を含む層２５３を有する。
【０１０２】
発光素子２５０が設けられた基板２１０は、発光素子付き基板ということができる。発光素子付き基板は、例えば実施の形態１で説明する方法で作製することができる。
【０１０３】
また、封止基板２７０は、発光素子２５０と重なる位置に着色層２６７ＣＦを備え、着色層２６７ＣＦを囲むように遮光層２６７ＢＭを備える。
【０１０４】
以下に、本発明の一態様の封止体を構成する個々の要素について説明する。
【０１０５】
《凹凸》
基板２１０の一方の面が備える凹凸２１１ｂは、Ｐ−Ｖ値（Ｐ−Ｖ値は最大山高さと最大谷深さの差を意味する）が５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。
【０１０６】
基板２１０の一方の面が備える凹凸２１１ｂより平坦な面２１１ａは、Ｐ−Ｖ値が０ｎｍより大きく２０ｎｍ以下である。
【０１０７】
《封止材》
基板２１０と封止基板２７０を貼り合わせることができる材料を、封止材２０５に用いることができる。
【０１０８】
封止材２０５は、不純物（例えば水蒸気）の透過率が低いものがよく、例えば、封止体を囲む方向についての長さ０．１ｍｍあたりの透過率が、１００ｇ／ｍ２／２４ｈｒより低い材料が望ましい。
【０１０９】
封止材２０５に用いることができる材料としては、例えば無機材料または有機材料を用いることができる。無機材料としては、具体的には比較的低い融点（３００℃以上７００℃以下）のハンダ若しくはガラスを挙げることができる。または有機材料としては、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、エポキシ樹脂若しくはアクリル樹脂等の樹脂またはこれらから選択された複数の樹脂の複合体を用いることができる。またはこれらから選択される複数の封止材を２重以上に用いてもよい。
【０１１０】
封止材２０５に用いることができる低融点ガラスは、例えば、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化リチウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化ホウ素、酸化バナジウム、酸化亜鉛、酸化テルル、酸化アルミニウム、二酸化シリコン、酸化鉛、酸化スズ、酸化リン、酸化ルテニウム、酸化ロジウム、酸化鉄、酸化銅、酸化チタン、酸化タングステン、酸化ビスマス、酸化アンチモン、ホウ酸鉛ガラス、リン酸スズガラス、バナジン酸塩ガラスおよびホウケイ酸ガラスよりなる群から選択された１以上の化合物を含むことが望ましい。また、これに光を吸収する材料を添加してもよい。
【０１１１】
低融点のガラスを含む封止材２０５を用いる場合、低融点ガラスを溶融し、基板２１０と封止基板２７０を溶融した低融点ガラスを用いて融着する。なお、局所的な加熱装置（例えば、エネルギー線を発する装置、具体的には半導体レーザ等）を用いると、被封止体に与える加熱による損傷を低減することができるため好ましい。
【０１１２】
硬化性の樹脂を用いる場合、熱硬化型または光硬化型等を用いることができる。光硬化型は短時間で硬化することができる。また、熱硬化型は紫外光などの光を照射することができない部分に用いることができる。
【０１１３】
《基板または封止基板》
基板２１０または封止基板２７０は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性を備え、その厚さおよび大きさは製造装置に適用可能であれば特に限定されない。また、単層構造であっても、２層以上の層が積層された構造であってもよい。例えば、機能層を耐熱性の優れた基板の表面に形成し、形成された機能層を他の可撓性を有する基板に転置してもよい。この方法によれば、作製に耐熱性を要する機能層を、耐熱性が劣る基板に形成できる。
【０１１４】
意図しない不純物が被封止体に拡散する現象を防ぐことができる材料を、基板２１０または封止基板２７０に好適に用いることができる。例えば、水蒸気の透過率が１０−５ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下、好ましくは１０−６ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下のガスバリア性を有するものが好ましい。
【０１１５】
基板２１０または封止基板２７０に適用可能な材料としては、板状または膜状のガラス、セラミックス、金属、無機材料、若しくは樹脂またはこれらから選ばれた複数の材料の積層体などを適用できる。
【０１１６】
＜変形例：封止体＞
本実施の形態の変形例として、凹凸を備える封止基板を有する封止体２００Ｂの構成について図５（Ｃ）および図５（Ｄ）を参照しながら説明する。なお、図５（Ｃ）は、図５（Ａ）における切断線Ｙ１−Ｙ２における封止体の断面図である。また、図５（Ｄ）は、中心の光の強度が高すぎるレーザビームの強度分布を、光を反射する島状の膜を用いて補正する方法を説明する概念図である。
【０１１７】
本実施の形態の変形例で例示する封止体２００Ｂは、凹凸２７０ｂ、凹凸２７０ｂに隣接し凹凸２７０ｂより平滑な面２７０ａおよび平滑な面２７０ａに重なり、光を反射する島状の膜２８１ｃを、封止基板２７０の一方の面に備える。
【０１１８】
また、封止材２０５が、融点が３００℃以上７００℃以下のガラスを含み且つ膜２８１ｃに接する。
【０１１９】
封止体２００Ｂは、低融点のガラスを含む封止材２０５が、封止基板２７０の光を反射する膜２８１ｃに隣接して設けられた凹凸２７０ｂに接し、封止基板２７０と基板２１０を貼り合わせる。これにより、封止材２０５は膜２８１ｃに隣接する凹凸２７０ｂに強く融着する。また、封止材２０５に重なる膜２８１ｃの面積を調整することができる。その結果、新規な封止体を提供できる。
【０１２０】
なお、封止基板２７０は発光素子２５０と重なる位置に開口部を有する遮光層２６７ＢＭと、発光素子２５０と重なる位置に着色層２６７ＣＦを有する。
【０１２１】
以下に、本発明の一態様の封止体を構成する個々の要素について説明する。
【０１２２】
《島状の膜》
島状の膜２８１ｃは、封止材２０５が凹凸２７０ｂと接する面積を調整することができる。また、光を反射する島状の膜２８１ｃは、封止材２０５に照射する光の強度または／および分布を調整できる。
【０１２３】
融点が３００℃以上７００℃以下のガラスを含む封止材２０５を、光を反射する島状の膜２８１ｃに重ねて設ける。これにより、当該封止材２０５を局所的に加熱するために照射する光の分布を調整できる。具体的には、レーザビームの強度の分布を補正して、封止材２０５の溶融不良を防止することができる。
【０１２４】
中心の強度が高すぎるレーザビームの強度分布Ｉ（０）の一例を、図５（Ｄ）に模式的に示す。また、レーザビームの中央が封止基板２７０を走査する領域に沿って、光を反射する島状の膜２８１ｃが設けられている。
【０１２５】
光を反射する島状の膜２８１ｃは、レーザビームの中央部分を反射する。また、残りのレーザビームは島状の膜２８１ｃの左右から回り込む。これにより、封止材２０５に到達するレーザビームの強度分布が、例えば強度分布Ｉ（１）と強度分布Ｉ（２）を重ね合わせた強度分布Ｉ（３）に補正される。その結果、封止材２０５がレーザビームの中央付近で過剰に加熱されることがなくなり、良好な封止をすることができる。
【０１２６】
その結果、封止材２０５が不均一に溶融される現象を改善することができる。
【０１２７】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０１２８】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置の構成について、図６を参照しながら説明する。具体的には、基板、封止基板および封止材で囲まれた領域に発光素子を封止した発光装置の構成について説明する。
【０１２９】
図６（Ａ）は、本発明の一態様の発光装置の構成を説明するための上面図である。また、図６（Ｂ）は、切断線Ａ−Ｂおよび切断線Ｃ−Ｄにおける発光装置の断面図である。
【０１３０】
＜発光装置＞
本発明の一態様の発光装置５００は、基板５１０と、基板５１０の一方の面に対向する封止基板５７０と、基板５１０と封止基板５７０を貼り合わせる封止材５０５と、基板５１０、封止基板５７０および封止材５０５で囲まれた領域に封止される発光素子５５０Ｒと、を有する。
【０１３１】
そして、基板５１０の一方の面は、凹凸５１１ｂ、凹凸５１１ｂに隣接し凹凸５１１ｂより平滑な面５１１ａおよび平滑な面５１１ａに重なる島状の導電性の膜５１８ａを備える。
【０１３２】
発光素子５５０Ｒは、導電性の膜５１８ａと電気的に接続される。
【０１３３】
封止材５０５が、凹凸５１１ｂに接する。
【０１３４】
本実施の形態に例示する発光装置５００は、発光素子５５０Ｒと、発光素子５５０Ｒと電気的に接続される導電性の膜５１８ａと、導電性の膜５１８ａに隣接して設けられた凹凸５１１ｂに接する封止材５０５と、を有し、封止材５０５、基板５１０および封止基板５７０で囲まれる領域に発光素子５５０Ｒが封止される。これにより、電力を導電性の膜５１８ａを介して発光素子５５０Ｒに供給することができる。また、封止材５０５が基板５１０に接する面積が広がり、貼り合わせる強度を高めることができる。その結果、不純物の拡散が抑制された新規な発光装置を提供できる。
【０１３５】
《他の構成》
発光装置５００は、封止基板５７０を有する。封止基板５７０は、凹凸５７０ｂ、凹凸５７０ｂに隣接し凹凸５７０ｂより平滑な面５７０ａおよび平滑な面５７０ａに重なる島状の膜５８１ｃを一方の面に備える。
【０１３６】
発光装置５００は、封止材５０５を備える。封止材５０５は、融点が３００℃以上７００℃以下のガラスを含み且つ島状の膜５８１ｃに接する。
【０１３７】
発光装置５００は、信号を供給することができる導電性の膜５１８ａと、発光素子に電力を供給する膜５５１ｃを備える。膜５１８ａと膜５５１ｃに隣接して凹凸が形成されている。
【０１３８】
端子５１９が導電性の膜５１８ａに設けられている。また、データ信号、同期信号等の信号を供給することができるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）５０９が、端子５１９に電気的に接続されている。
【０１３９】
なお、ＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣまたはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
【０１４０】
《データ線駆動回路の構成》
発光装置５００は、走査線駆動回路５０３ｇとデータ線駆動回路５０３ｓを有する。データ線駆動回路５０３ｓは、トランジスタ５０３ｔおよび容量５０３ｃを含む。また、データ線駆動回路５０３ｓを、走査線駆動回路５０３ｇおよび画素回路と同一の工程で、同一基板上に形成することもできる。
【０１４１】
《副画素の構成》
発光装置５００は、着色層５６７Ｒを有する。着色層５６７Ｒは発光素子５５０Ｒと重なる位置にある。これにより、発光素子５５０Ｒが発する光の一部は着色層５６７Ｒを透過して発光装置５００の外部に射出される。
【０１４２】
発光装置５００は、遮光層５６７ＢＭを有する。遮光層５６７ＢＭは、着色層５６７Ｒを囲むように設けられている。
【０１４３】
なお、光学接合層５６０が発光素子５５０Ｒと着色層５６７Ｒに接して配置されていてもよい。光学接合層５６０は空気より高い屈折率を有する。これにより、発光素子５５０Ｒが発する光を、効率よく着色層５６７Ｒ側に取り出すことができる。
【０１４４】
発光素子５５０Ｒ、光学接合層５６０および着色層５６７Ｒは、発光モジュール５８０Ｒを構成する。
【０１４５】
なお、発光装置５００は、反射防止層５６７ｐを表示領域５０１に重なる位置に備える。反射防止層５６７ｐとしては、例えば円偏光板等を用いることができる。
【０１４６】
また、副画素５０２Ｒは、発光モジュール５８０Ｒに電力を供給することができるトランジスタ５０２ｔを含む画素回路を備える。
【０１４７】
発光装置５００は、発光素子５５０Ｒを絶縁膜５２１上に有する。絶縁膜５２１はトランジスタ５０２ｔを覆って設けられている。なお、絶縁膜５２１は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用いることができる。また、不純物がトランジスタ５０２ｔ等に拡散する現象を抑制することができる層が積層された絶縁膜を絶縁膜５２１に適用することができる。
【０１４８】
発光装置５００は、絶縁膜５２１上に導電膜と導電膜の端部を覆う隔壁５２８を有する。また、開口部が隔壁５２８に設けられ、開口部に重なる導電膜は、発光素子５５０Ｒの下部電極になる。
【０１４９】
発光素子５５０Ｒは、下部電極、下部電極と重なる上部電極および下部電極と上部電極の間に発光性の有機化合物を含む層を有する。
【０１５０】
なお、本発明の一態様の発光装置に適用可能な発光素子の構成は、実施の形態５において詳細に説明する。
【０１５１】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０１５２】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置に用いることができる発光素子の構成について説明する。具体的には、一対の電極に発光性の有機化合物を含む層が挟持された発光素子の一例について、図７を参照しながら説明する。
【０１５３】
本実施の形態で例示する発光素子は、下部電極、上部電極及び下部電極と上部電極の間に発光性の有機化合物を含む層（以下ＥＬ層という）を備える。ＥＬ層は、単層であっても複数の層が積層されたものであってもよく、少なくとも一の層が発光性の有機化合物を含む。下部電極または上部電極のいずれか一方は陽極、他方は陰極として機能する。ＥＬ層は下部電極と上部電極の間に設けられ、該ＥＬ層の構成は下部電極と上部電極の材質に合わせて適宜選択すればよい。以下に発光素子の構成の一例を例示するが、発光素子の構成がこれに限定されないことはいうまでもない。
【０１５４】
＜発光素子の構成例１．＞
発光素子の構成の一例を図７（Ａ）に示す。図７（Ａ）に示す発光素子は、陽極１１０１と陰極１１０２の間にＥＬ層が挟まれている。
【０１５５】
陽極１１０１と陰極１１０２の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層に陽極１１０１の側から正孔が注入され、陰極１１０２の側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層において再結合し、ＥＬ層に含まれる発光物質が発光する。
【０１５６】
本明細書においては、両端から注入された電子と正孔が再結合する領域にある層を発光層といい、発光層を１つ有する層または積層体を発光ユニットという。よって、当該発光素子の構成例１は発光ユニットを１つ備えるということができる。
【０１５７】
発光ユニット１１０３は、少なくとも発光物質を含む発光層を１つ以上備えていればよく、発光層以外の層と積層された構造であっても良い。発光層以外の層としては、例えば正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔輸送性に乏しい（ブロッキングする）物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、並びにバイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い）の物質等を含む層が挙げられる。
【０１５８】
発光ユニット１１０３の具体的な構成の一例を図７（Ｂ）に示す。図７（Ｂ）に示す発光ユニット１１０３は、正孔注入層１１１３、正孔輸送層１１１４、発光層１１１５、電子輸送層１１１６、並びに電子注入層１１１７が陽極１１０１側からこの順に積層されている。
【０１５９】
＜発光素子の構成例２．＞
発光素子の構成の他の一例を図７（Ｃ）に示す。図７（Ｃ）に例示する発光素子は、陽極１１０１と陰極１１０２の間に発光ユニット１１０３を含むＥＬ層が挟まれている。さらに、陰極１１０２と発光ユニット１１０３との間には中間層１１０４が設けられている。なお、当該発光素子の構成例２の発光ユニット１１０３には、上述の発光素子の構成例１が備える発光ユニットと同様の構成が適用可能であり、詳細については、発光素子の構成例１の記載を参酌できる。
【０１６０】
中間層１１０４は少なくとも電荷発生領域を含んで形成されていればよく、電荷発生領域以外の層と積層された構成であってもよい。例えば、第１の電荷発生領域１１０４ｃ、電子リレー層１１０４ｂ、及び電子注入バッファー１１０４ａが陰極１１０２側から順次積層された構造を適用することができる。
【０１６１】
中間層１１０４における電子と正孔の挙動について説明する。陽極１１０１と陰極１１０２の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、第１の電荷発生領域１１０４ｃにおいて、正孔と電子が発生し、正孔は陰極１１０２へ移動し、電子は電子リレー層１１０４ｂへ移動する。電子リレー層１１０４ｂは電子輸送性が高く、第１の電荷発生領域１１０４ｃで生じた電子を電子注入バッファー１１０４ａに速やかに受け渡す。電子注入バッファー１１０４ａは発光ユニット１１０３に電子を注入する障壁を緩和し、発光ユニット１１０３への電子注入効率を高める。従って、第１の電荷発生領域１１０４ｃで発生した電子は、電子リレー層１１０４ｂと電子注入バッファー１１０４ａを経て、発光ユニット１１０３のＬＵＭＯ準位に注入される。
【０１６２】
また、電子リレー層１１０４ｂは、第１の電荷発生領域１１０４ｃを構成する物質と電子注入バッファー１１０４ａを構成する物質が界面で反応し、互いの機能が損なわれてしまう等の相互作用を防ぐことができる。
【０１６３】
当該発光素子の構成例２の陰極に用いることができる材料の選択の幅は、構成例１の陰極に用いることができる材料の選択の幅に比べて、広い。なぜなら、構成例２の陰極は中間層が発生する正孔を受け取ればよく、仕事関数が比較的大きな材料を適用できるからである。
【０１６４】
＜発光素子の構成例３．＞
発光素子の構成の他の一例を図７（Ｄ）に示す。図７（Ｄ）に例示する発光素子は、陽極１１０１と陰極１１０２の間に２つの発光ユニットが設けられたＥＬ層を備えている。さらに、第１の発光ユニット１１０３ａと、第２の発光ユニット１１０３ｂとの間には中間層１１０４が設けられている。
【０１６５】
なお、陽極と陰極の間に設ける発光ユニットの数は２つに限定されない。図７（Ｅ）に例示する発光素子は、発光ユニット１１０３が複数積層された構造、所謂、タンデム型の発光素子の構成を備える。但し、例えば陽極と陰極の間にｎ（ｎは２以上の自然数）層の発光ユニット１１０３を設ける場合には、ｍ（ｍは自然数、１以上（ｎ−１）以下）番目の発光ユニットと、（ｍ＋１）番目の発光ユニットとの間に、それぞれ中間層１１０４を設ける構成とする。
【０１６６】
また、当該発光素子の構成例３の発光ユニット１１０３には、上述の発光素子の構成例１と同様の構成を適用することが可能であり、また当該発光素子の構成例３の中間層１１０４には、上述の発光素子の構成例２と同様の構成が適用可能である。よって、詳細については、発光素子の構成例１、または発光素子の構成例２の記載を参酌できる。
【０１６７】
発光ユニットの間に設けられた中間層１１０４における電子と正孔の挙動について説明する。陽極１１０１と陰極１１０２の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、中間層１１０４において正孔と電子が発生し、正孔は陰極１１０２側に設けられた発光ユニットへ移動し、電子は陽極側に設けられた発光ユニットへ移動する。陰極側に設けられた発光ユニットに注入された正孔は、陰極側から注入された電子と再結合し、当該発光ユニットに含まれる発光物質が発光する。また、陽極側に設けられた発光ユニットに注入された電子は、陽極側から注入された正孔と再結合し、当該発光ユニットに含まれる発光物質が発光する。よって、中間層１１０４において発生した正孔と電子は、それぞれ異なる発光ユニットにおいて発光に至る。
【０１６８】
なお、発光ユニット同士を接して設けることで、両者の間に中間層と同じ構成が形成される場合は、発光ユニット同士を接して設けることができる。具体的には、発光ユニットの一方の面に電荷発生領域が形成されていると、当該電荷発生領域は中間層の第１の電荷発生領域として機能するため、発光ユニット同士を接して設けることができる。
【０１６９】
発光素子の構成例１乃至構成例３は、互いに組み合わせて用いることができる。例えば、発光素子の構成例３の陰極と発光ユニットの間に中間層を設けることもできる。
【０１７０】
＜微小共振器を含む構成＞
なお、反射膜と反射膜に重なる半透過・半反射膜とで構成された微小共振器（マイクロキャビティ）を、発光素子を挟むように配置してもよい。微小共振器の内部に発光素子を配置することにより、発光素子が発する光が干渉し合い、特定の色を呈する光を効率よく取り出すことができる。
【０１７１】
なお、本明細書において半透過・半反射膜は入射する光の一部を透過し、一部を反射する膜をいう。また、微小共振器に用いる半透過・半反射膜は、光の吸収が少ない膜が好ましい。
【０１７２】
取り出す光の波長は、反射膜と半透過・半反射膜の間の距離に依存する。反射膜と半透過・半反射膜の距離を調整するための光学調整層を、発光素子に設ける場合がある。
【０１７３】
光学調整層に用いることができる材料としては、可視光に対して透光性を有する導電膜の他、ＥＬ層を適用できる。
【０１７４】
例えば、透光性を有する導電膜と反射膜の積層膜または透光性を有する導電膜と半透過・半反射膜の積層膜を、光学調整層を兼ねる下部電極または上部電極に用いることができる。
【０１７５】
また、厚さが調整された中間層を光学調整層に用いてもよい。または、正孔輸送性の高い物質と当該正孔輸送性の高い物質に対してアクセプター性の物質を含み、その厚さが調整された領域を光学調整層に用いてもよい。この構成の電気抵抗はＥＬ層を構成する他の構成に比べて低い。これにより、光学調整のために厚さを厚くしても、発光素子の駆動電圧の上昇を抑制できるため好ましい。
【０１７６】
＜発光素子に用いることができる材料＞
次に、上述した構成を備える発光素子に用いることができる具体的な材料について、陽極、陰極、並びにＥＬ層の順に説明する。
【０１７７】
《１．陽極に用いることができる材料》
陽極１１０１は導電性を有する金属、合金、電気伝導性化合物等およびこれらの混合物の単層または積層体で構成される。特に、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）材料をＥＬ層に接する構成が好ましい。
【０１７８】
金属、または合金材料としては、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）等の金属材料またはこれらを含む合金材料が挙げられる。
【０１７９】
電気伝導性化合物としては、例えば、金属材料の酸化物、金属材料の窒化物、導電性高分子が挙げられる。
【０１８０】
金属材料の酸化物の具体例として、インジウム−錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有したインジウム−錫酸化物、チタンを含有したインジウム−錫酸化物、インジウム−チタン酸化物、インジウム−タングステン酸化物、インジウム−亜鉛酸化物、タングステンを含有したインジウム−亜鉛酸化物等が挙げられる。また、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物、チタン酸化物等が挙げられる。
【０１８１】
金属材料の酸化物を含む膜は、通常スパッタリング法により成膜されるが、ゾル−ゲル法などを応用して作製しても構わない。
【０１８２】
金属材料の窒化物の具体例として、窒化チタン、窒化タンタル等が挙げられる。
【０１８３】
導電性高分子の具体例として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等が挙げられる。
【０１８４】
なお、陽極１１０１と接して第２の電荷発生領域を設ける場合には、仕事関数の大きさを考慮せずに様々な導電性材料を陽極１１０１に用いることができる。具体的には、仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事関数の小さい材料を用いることもできる。第２の電荷発生領域および第１の電荷発生領域に適用することができる材料は、後述する。
【０１８５】
《２．陰極に用いることができる材料》
陰極１１０２に接して第１の電荷発生領域１１０４ｃを、発光ユニット１１０３との間に設ける場合、陰極１１０２は仕事関数の大小に関わらず様々な導電性材料を用いることができる。
【０１８６】
なお、陰極１１０２および陽極１１０１のうち少なくとも一方を、可視光を透過する導電膜を用いて形成する。例えば、陰極１１０２または陽極１１０１の一方を、可視光を透過する導電膜を用いて形成し、他方を、可視光を反射する導電膜を用いて形成すると、一方の面に光を射出する発光素子を構成できる。また、陰極１１０２および陽極１１０１の両方を、可視光を透過する導電膜を用いて形成すると、両方の面に光を射出する発光素子を構成できる。
【０１８７】
可視光を透過する導電膜としては、例えば、インジウム−錫酸化物、珪素若しくは酸化珪素を含有したインジウム−錫酸化物、チタンを含有したインジウム−錫酸化物、インジウム−チタン酸化物、インジウム−タングステン酸化物、インジウム−亜鉛酸化物、タングステンを含有したインジウム−亜鉛酸化物等が挙げられる。また、光を透過する程度（好ましくは、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下程度）の金属薄膜を用いることもできる。
【０１８８】
可視光を反射する導電膜としては、例えば金属を用いれば良く、具体的には、銀、アルミニウム、白金、金、銅等の金属材料またはこれらを含む合金材料が挙げられる。銀を含む合金としては、銀−ネオジム合金、マグネシウム−銀合金等を挙げることができる。アルミニウムの合金としては、アルミニウム−ニッケル−ランタン合金、アルミニウム−チタン合金、アルミニウム−ネオジム合金等が挙げられる。
【０１８９】
《３ＥＬ層に用いることができる材料》
上述した発光ユニット１１０３を構成する各層に用いることができる材料について、以下に具体例を示す。
【０１９０】
正孔注入層は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、或いはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層を形成することができる。
【０１９１】
なお、第２の電荷発生領域を用いて正孔注入層を形成してもよい。正孔注入層に第２の電荷発生領域を用いると、仕事関数を考慮せずに様々な導電性材料を陽極１１０１に用いることができるのは前述の通りである。第２の電荷発生領域を構成する材料については第１の電荷発生領域と共に後述する。
【０１９２】
《３．１正孔輸送層》
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送層は、単層に限られず正孔輸送性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。電子よりも正孔の輸送性の高い物質であればよく、特に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が、発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。
【０１９３】
正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物（例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ））やカルバゾール誘導体（例えば、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ））などが挙げられる。また、高分子化合物（例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ））等を用いることができる。
【０１９４】
《３．２発光層》
発光層は、発光物質を含む層である。発光層は、単層に限られず発光物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。発光物質は蛍光性化合物や、燐光性化合物を用いることができる。発光物質に燐光性化合物を用いると、発光素子の発光効率を高められるため好ましい。
【０１９５】
発光物質として蛍光性化合物（例えば、クマリン５４５Ｔ）や燐光性化合物（例えば、トリス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３））等を用いることができる。
【０１９６】
発光物質は、ホスト材料に分散させて用いるのが好ましい。ホスト材料としては、その励起エネルギーが、発光物質の励起エネルギーよりも大きなものが好ましい。
【０１９７】
ホスト材料として用いることができる材料としては、上述の正孔輸送性の高い物質（例えば、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、高分子化合物等）、後述の電子輸送性の高い物質（例えば、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール系やチアゾール系配位子を有する金属錯体等）などを用いることができる。
【０１９８】
《３．３電子輸送層》
電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層は、単層に限られず電子輸送性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。正孔よりも電子の輸送性の高い物質であればよく、特に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が、発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。
【０１９９】
電子輸送性の高い物質としては、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体（例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ））、オキサゾール系やチアゾール系配位子を有する金属錯体（例えば、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンズオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２））、その他の化合物（例えば、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ））などが挙げられる。また、高分子化合物（例えば、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ））等を用いることができる。
【０２００】
《３．４電子注入層》
電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層は、単層に限られず電子注入性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。電子注入層を設ける構成とすることで陰極１１０２からの電子の注入効率が高まり、発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。
【０２０１】
電子注入性の高い物質としては、アルカリ金属（例えば、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ））、アルカリ土類金属（例えば、カルシウム（Ｃａ））、またはこれらの化合物（例えば、酸化物（具体的には酸化リチウム等）、炭酸塩（具体的には炭酸リチウムや炭酸セシウム等）、ハロゲン化物（具体的にはフッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）））などが挙げられる。
【０２０２】
また、電子注入性の高い物質を含む層を電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含む層（具体的には、Ａｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたものなど）で形成してもよい。なお、電子輸送性の高い物質に対するドナー性物質の添加量の質量比は０．００１以上０．１以下の比率が好ましい。
【０２０３】
ドナー性の物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、またはこれらの化合物の他、テトラチアナフタセン（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を用いることもできる。
【０２０４】
《３．５電荷発生領域》
第１の電荷発生領域１１０４ｃ、及び第２の電荷発生領域は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含む領域である。なお、電荷発生領域は、同一膜中に正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含有する場合だけでなく、正孔輸送性の高い物質を含む層とアクセプター性物質を含む層とが積層されていても良い。但し、第１の電荷発生領域を陰極側に設ける積層構造の場合には、正孔輸送性の高い物質を含む層が陰極１１０２と接する構造となり、第２の電荷発生領域を陽極側に設ける積層構造の場合には、アクセプター性物質を含む層が陽極１１０１と接する構造となる。
【０２０５】
なお、電荷発生領域において、正孔輸送性の高い物質に対して質量比で、０．１以上４．０以下の比率でアクセプター性物質を添加することが好ましい。
【０２０６】
電荷発生領域に用いるアクセプター性物質としては、遷移金属酸化物や元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化モリブデンが特に好ましい。なお、酸化モリブデンは、吸湿性が低いという特徴を有している。
【０２０７】
また、電荷発生領域に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の有機化合物を用いることができる。具体的には、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。
【０２０８】
《電子リレー層》
電子リレー層１１０４ｂは、第１の電荷発生領域１１０４ｃにおいてアクセプター性物質がひき抜いた電子を速やかに受け取ることができる層である。従って、電子リレー層１１０４ｂは、電子輸送性の高い物質を含む層であり、またそのＬＵＭＯ準位は、第１の電荷発生領域１１０４ｃにおけるアクセプター性物質のアクセプター準位と、当該電子リレー層が接する発光ユニット１１０３のＬＵＭＯ準位との間に位置する。具体的には、およそ−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下とするのが好ましい。
【０２０９】
電子リレー層１１０４ｂに用いる物質としては、ペリレン誘導体（例えば、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物（略称：ＰＴＣＤＡ））や、含窒素縮合芳香族化合物（例えば、ピラジノ［２，３−ｆ］［１，１０］フェナントロリン−２，３−ジカルボニトリル（略称：ＰＰＤＮ））などが挙げられる。
【０２１０】
なお、含窒素縮合芳香族化合物は、安定な化合物であるため電子リレー層１１０４ｂに用いる物質として好ましい。さらに、含窒素縮合芳香族化合物のうち、シアノ基やフルオロ基などの電子吸引基を有する化合物を用いることにより、電子リレー層１１０４ｂにおける電子の受け取りがさらに容易になるため、好ましい。
【０２１１】
《電子注入バッファー》
電子注入バッファーは、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入バッファー１１０４ａは、第１の電荷発生領域１１０４ｃから発光ユニット１１０３への電子の注入を容易にする層である。電子注入バッファー１１０４ａを第１の電荷発生領域１１０４ｃと発光ユニット１１０３の間に設けることにより、両者の注入障壁を緩和することができる。
【０２１２】
電子注入性が高い物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、またはこれらの化合物などが挙げられる。
【０２１３】
また、電子注入性の高い物質を含む層を電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含む層で形成してもよい。
【０２１４】
＜発光素子の作製方法＞
発光素子の作製方法の一態様について説明する。下部電極上にこれらの層を適宜組み合わせてＥＬ層を形成する。ＥＬ層は、それに用いる材料に応じて種々の方法（例えば、乾式法や湿式法等）を用いることができ、例えば、真空蒸着法、転写法、印刷法、インクジェット法またはスピンコート法などを選んで用いればよい。また、各層で異なる方法を用いて形成してもよい。ＥＬ層上に上部電極を形成し、発光素子を作製する。
【０２１５】
以上のような材料を組み合わせることにより、本実施の形態に示す発光素子を作製することができる。この発光素子からは、上述した発光物質からの発光が得られ、その発光色は発光物質の種類を変えることにより選択できる。
【０２１６】
また、発光色の異なる複数の発光物質を用いることにより、発光スペクトルの幅を拡げて、例えば白色発光を得ることもできる。白色発光を得る場合には、例えば、発光物質を含む層を少なくとも２つ備える構成とし、それぞれの層を互いに補色の関係にある色を呈する光を発するように構成すればよい。具体的な補色の関係としては、例えば青色と黄色、あるいは青緑色と赤色等が挙げられる。
【０２１７】
さらに、演色性の良い白色発光を得る場合には、発光スペクトルが可視光全域に拡がるものが好ましく、例えば、一つの発光素子が、青色を呈する光を発する層、緑色を呈する光を発する層、赤色を呈する光を発する層を備える構成とすればよい。
【０２１８】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０２１９】
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について、図８を参照しながら説明する。
【０２２０】
本発明の一態様の電子機器は、本発明の一態様の発光装置を備える表示部を有し、当該表示部に画像を表示できる。例えば、放送もしくは配信される映像情報または情報記録媒体に保存された映像情報を表示できる。情報処理装置が処理した情報を表示できる。または、操作パネル等に操作の用に供される画像を表示できる。
【０２２１】
映像情報を表示する電子機器の一例として、テレビジョン装置やデジタルフォトフレームをその一例に挙げることができる。
【０２２２】
情報処理装置の一例として、コンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラまたは携帯情報端末などを挙げることができる。
【０２２３】
その他の電子機器として、時計、携帯電話機、携帯型ゲーム機および大型ゲーム機（パチンコ機など）、音響再生装置などを挙げることができる。
【０２２４】
＜テレビジョン装置＞
テレビジョン装置７１００は、スタンド７１０５が支持する筐体７１０１に組み込まれた表示部７１０３を有する（図８（Ａ）参照）。また、テレビジョン装置７１００は本発明の一態様の発光装置を備える表示部７１０３を有し、映像を表示できる。
【０２２５】
リモートコントローラ７１１０は、テレビジョン装置７１００を操作することができ、例えば表示部７１０３に表示する映像情報の選択または音量の調整等をすることができる。
【０２２６】
リモートコントローラ７１１０は情報入出力パネル７１０７および操作キー７１０９等を有する。
【０２２７】
表示部７１０３は、受信機が受信する放送またはモデムから供給される映像を表示できる。
【０２２８】
テレビジョン装置７１００をインターネットに接続し、情報を双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）に通信してもよい。
【０２２９】
＜情報処理装置＞
情報処理装置の一例として、コンピュータを図８（Ｂ）に示す。コンピュータは、本体７２０１、筐体７２０２、表示部７２０３、キーボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を備える。また、コンピュータは、本発明の一態様の発光装置を備える表示部７２０３を有し、画像を表示できる。
【０２３０】
＜遊技機＞
携帯型遊技機の一例を図８（Ｃ）に示す。例示する携帯型遊技機は、筐体７３０１と、連結部７３０３により開閉可能に連結されている筐体７３０２の２つの筐体で構成されている。筐体７３０１には第１の表示部７３０４が組み込まれ、筐体７３０２には第２の表示部７３０５が組み込まれている。また、携帯型遊技機は、本発明の一態様の発光装置を備える第１の表示部７３０４および第２の表示部７３０５を有し、画像を表示できる。
【０２３１】
また、携帯型遊技機は、スピーカ部７３０６、記録媒体挿入部７３０７、ＬＥＤランプ７３０８、入力手段（操作キー７３０９、接続端子７３１０、センサ７３１１（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、赤外線等の光、液体、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、またはにおいを測定する機能を含むもの）、マイクロフォン７３１２）等を備えている。
【０２３２】
携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して第１の表示部７３０４および第２の表示部７３０５に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。
【０２３３】
＜携帯電話＞
携帯電話機の一例を図８（Ｄ）に示す。携帯電話機７４００は、筐体７４０１に組み込まれた表示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、スピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。また、携帯電話機７４００は、本発明の一態様の発光装置を備える表示部７４０２を有し、画像を表示できる。
【０２３４】
表示部７４０２は、近接センサを有し、指などで触れるまたは近づけることで、情報を入力することができる。
【０２３５】
また、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けて、携帯電話機７４００の向き（縦か横か）を判断して、表示部７４０２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
【０２３６】
表示部７４０２は、二次元型のイメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部７４０２に触れた掌の掌紋、指の指紋等、近赤外光を発光するバックライトまたはセンシング用光源を用いて撮像できる掌静脈、指静脈等の画像を用いて、本人認証を行うことができる。
【０２３７】
＜携帯情報端末＞
折りたたみ式の携帯情報端末の一例を図８（Ｅ）に示す。携帯情報端末７４５０は、ヒンジ７４５４で接続された筐体７４５１Ｌと筐体７４５１Ｒを備えている。また、携帯情報端末７４５０は、操作ボタン７４５３、左側スピーカ７４５５Ｌおよび右側スピーカ７４５５Ｒの他、携帯情報端末７４５０の側面には図示されていない外部接続ポート７４５６を備える。なお、筐体７４５１Ｌに設けられた表示部７４５２Ｌと、筐体７４５１Ｒに設けられた表示部７４５２Ｒが互いに対峙するようにヒンジ７４５４を折り畳むと、２つの表示部を筐体で保護することができる。また、携帯情報端末７４５０は、本発明の一態様の発光装置を備える表示部７４５２Ｌと表示部７４５２Ｒを有し、画像を表示できる。
【０２３８】
また、携帯情報端末７４５０に、ジャイロ、加速度センサ、ＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ  Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）受信機、ビデオカメラを搭載することもできる。例えば、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯情報端末７４５０の向き（縦か横か）を判断して、表示する画面の向きを自動的に切り替えるようにすることができる。
【０２３９】
また、携帯情報端末７４５０はネットワークに接続できる。携帯情報端末７４５０はインターネット上の情報を表示できる他、ネットワークに接続された他の電子機器を遠隔から操作する端末として用いることができる。
【０２４０】
＜照明装置＞
照明装置の一例を図８（Ｆ）に示す。照明装置７５００は、筐体７５０１に組み込まれた発光装置７５０３ａ、発光装置７５０３ｂ、発光装置７５０３ｃおよび発光装置７５０３ｄを備える。照明装置７５００は、天井や壁等に取り付けることが可能である。また、照明装置７５００は、本発明の一態様の発光装置を有する。
【０２４１】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【実施例】
【０２４２】
本実施例では、本発明の一態様の凹凸の作製方法を適用した基板について、図９を参照しながら説明する。
【０２４３】
図９は、本発明の一態様の凹凸の作製方法を用いて凹凸が作製された基板の断面の走査透過電子顕微鏡による観察像の写真である。
【０２４４】
＜凹凸の作製方法＞
本実施例では、２００ｎｍの酸化窒化珪素膜６１１と、１００ｎｍのチタン膜、６００ｎｍのアルミニウム膜および２００ｎｍのチタン膜の積層膜６１４と、２００ｎｍの酸化珪素膜６２１と、が積層された無アルカリガラス基板６１０を基板に用いた。
【０２４５】
《第１のステップ》
第１のステップにおいて、導電膜を、２ａｔｏｍ％のニッケル、０．３５ａｔｏｍ％のランタンを含むアルミニウムをターゲットに用いてスパッタリング法により、酸化窒化珪素膜６１１上に成膜した。
【０２４６】
《第２のステップ》
第２のステップにおいて、第１のステップで成膜した導電膜を、クリーンオーブンを用いて６０分間３００℃の大気雰囲気において加熱し、ニッケルを偏析させた。
【０２４７】
《第３のステップ》
第３のステップにおいて、第１のステップで成膜した導電膜に含まれるアルミニウムを、６０ｓｃｃｍの流量の三塩化硼素ガスと２０ｓｃｃｍの流量の塩素ガスを混合したガスを用いて、圧力１．２Ｐａにて選択的にドライエッチングした。なお、誘導結合型のプラズマエッチング装置を６００Ｗの電力で、２００Ｗのバイアスを加えて用いた。
【０２４８】
《第４のステップ》
第４のステップにおいて、酸化窒化珪素膜６１１と、チタン膜、アルミニウム膜およびチタン膜の積層膜６１４と、酸化珪素膜６２１を、ニッケルを含む残渣をレジストマスクにして選択的にエッチングし、凹凸６１１ｂを作製した。なお、第４のステップでは、第３のステップと同じ条件でエッチングを進めた。
【０２４９】
＜作製された凹凸＞
凹凸が作製された基板の断面を、図９を用いて説明する。
【０２５０】
酸化窒化珪素膜６１１が形成された無アルカリガラス基板６１０の一方の面に、凹凸６１１ｂ、凹凸６１１ｂに隣接し凹凸６１１ｂより平滑な面６１１ａおよび平滑な面６１１ａに重なる島状の膜６１８ａが形成されている。
【０２５１】
なお、平滑な面６１１ａと凹凸６１１ｂを原子間力顕微鏡法（ＡＦＭ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）により測定した結果を表１に示す。なお、表中において、Ｒａは算術平均粗さを、Ｐ−Ｖは最大山高さと最大谷深さの差を、Ｒｐは最大山高さを、Ｒｖは最大谷深さを、ＲＭＳは二乗平均粗さを、Ｒｚは十点平均粗さをそれぞれ意味する。なお、単位はマイクロメートルとする。
【０２５２】
【表１】
2014225444.tif 000003
【０２５３】
以上の結果の通り、一の表面に凹凸の作製することができた。
【０２５４】
また、凹凸６１１ｂが形成された基板を他の無アルカリガラス基板に４５０℃の低融点ガラスを含む封止材を用いて貼り合わせた試料と、凹凸６１１ｂが形成されていない基板を他の無アルカリガラス基板に同じ封止材を用いて貼り合わせた比較試料を作製した。凹凸６１１ｂが形成された基板を用いた試料から基板を剥がすには、比較試料から基板を剥がすのに要する力より大きな力を要した。
【符号の説明】
【０２５５】
２００    封止体
２００Ｂ    封止体
２０５    封止材
２１０    基板
２１１    表面
２１１ａ    面
２１１ｂ    凹凸
２１８ａ    端子
２１８ｂ    端子
２２８    隔壁
２５０    発光素子
２５１    下部電極
２５１ａ    膜
２５１ｂ    膜
２５１ｃ    膜
２５１ｄ    残渣
２５２    上部電極
２５２ｃ    接続部
２５３    層
２６０    領域
２６７ＢＭ    遮光層
２６７ＣＦ    着色層
２７０    封止基板
２７０ａ    面
２７０ｂ    凹凸
２８１ａ    膜
２８１ｂ    膜
２８１ｃ    膜
２８１ｄ    残渣
５００    発光装置
５０１    表示領域
５０２Ｒ    副画素
５０２ｔ    トランジスタ
５０３ｃ    容量
５０３ｓ    データ線駆動回路
５０３ｔ    トランジスタ
５０５    封止材
５１０    基板
５１１ａ    面
５１１ｂ    凹凸
５１８ａ    膜
５１９    端子
５２１    絶縁膜
５２８    隔壁
５４５Ｔ    クマリン
５５０Ｒ    発光素子
５５１ｃ    膜
５６０    光学接合層
５６７ＢＭ    遮光層
５６７ｐ    反射防止層
５６７Ｒ    着色層
５７０    封止基板
５７０ａ    面
５７０ｂ    凹凸
５８０Ｒ    発光モジュール
５８１ｃ    膜
６１０    無アルカリガラス基板
６１１    酸化窒化珪素膜
６１１ａ    面
６１１ｂ    凹凸
６１４    積層膜
６１８ａ    膜
６２１    酸化珪素膜
１１０１    陽極
１１０２    陰極
１１０３    発光ユニット
１１０３ａ    発光ユニット
１１０３ｂ    発光ユニット
１１０４    中間層
１１０４ａ    電子注入バッファー
１１０４ｂ    電子リレー層
１１０４ｃ    電荷発生領域
１１１３    正孔注入層
１１１４    正孔輸送層
１１１５    発光層
１１１６    電子輸送層
１１１７    電子注入層
７１００    テレビジョン装置
７１０１    筐体
７１０３    表示部
７１０５    スタンド
７１０７    情報入出力パネル
７１０９    操作キー
７１１０    リモートコントローラ
７２０１    本体
７２０２    筐体
７２０３    表示部
７２０４    キーボード
７２０５    外部接続ポート
７２０６    ポインティングデバイス
７３０１    筐体
７３０２    筐体
７３０３    連結部
７３０４    表示部
７３０５    表示部
７３０６    スピーカ部
７３０７    記録媒体挿入部
７３０８    ＬＥＤランプ
７３０９    操作キー
７３１０    接続端子
７３１１    センサ
７３１２    マイクロフォン
７４００    携帯電話機
７４０１    筐体
７４０２    表示部
７４０３    操作ボタン
７４０４    外部接続ポート
７４０５    スピーカ
７４０６    マイク
７４５０    携帯情報端末
７４５１Ｌ    筐体
７４５１Ｒ    筐体
７４５２Ｌ    表示部
７４５２Ｒ    表示部
７４５３    操作ボタン
７４５４    ヒンジ
７４５５Ｌ    左側スピーカ
７４５５Ｒ    右側スピーカ
７４５６    外部接続ポート
７５００    照明装置
７５０１    筐体
７５０３ａ    発光装置
７５０３ｂ    発光装置
７５０３ｃ    発光装置
７５０３ｄ    発光装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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