(57)【要約】【課題】  不溶性陽極を用いた電解銅めっき浴に対して、銅源である酸化銅粉の溶解に起因する溶存酸素量の増加あるいは減少を抑制し、めっき浴中の添加剤分析値の減少あるいは増加を抑制することで安定しためっき被膜が得られる銅めっき方法を提供する。【解決手段】  溶解前後の酸化銅粉１ｇ当たりのめっき浴中溶存酸素変化量が−０．０２ｍｇ／Ｌ〜０．０２ｍｇ／Ｌである電解銅めっき浴であり、特に、ＸＰＳ分析にて得られたＣｕＬＭＭピークエネルギー値とＣ１Ｓピークエネルギー値の差が、２８４．０〜２８４．３ｅＶの範囲内である酸化銅粉を用いた銅めっき方法。【選択図】図１
2014111811.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不溶性陽極を用いる電解銅めっきにおける電解銅めっき浴の管理方法であって、
銅源として供給する酸化銅粉を電解銅めっき浴に溶解させた時に、溶解前後の酸化銅粉１ｇ当たりのめっき浴中の溶存酸素変化量が、−０．０２ｍｇ／Ｌ〜０．０２ｍｇ／Ｌの範囲であることを特徴とする電解銅めっき浴の管理方法。
【請求項２】
前記酸化銅粉が、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）分析にて得られたＣｕＬＭＭピークエネルギー値とＣ１Ｓピークエネルギー値の差が、２８４．０〜２８４．３ｅＶであることを特徴とする請求項１記載の銅めっき浴の管理方法。
【請求項３】
前記銅めっき浴が、少なくともブライトナーを含む添加剤、及び硫酸銅を含有するめっき液からなることを特徴とする請求項１又は２記載の銅めっき浴の管理方法。
【請求項４】
不溶性陽極を用い、少なくともブライトナーを含む添加剤及び硫酸銅を含有する銅めっき浴を用いる電解銅めっき方法において、
銅源として供給する酸化銅粉を銅めっき浴に溶解させた時に、溶解前後の酸化銅粉１ｇ当たりのめっき浴中溶存酸素変化量が、−０．０２ｍｇ／Ｌ〜０．０２ｍｇ／Ｌの範囲であるとともに、少なくとも銅めっき浴中の添加剤濃度を管理することを特徴とする電解銅めっき方法。
【請求項５】
前記酸化銅粉が、ＸＰＳ分析にて得られたＣｕＬＭＭピークエネルギー値とＣ１Ｓピークエネルギー値の差が、２８４．０〜２８４．３ｅＶの範囲であることを特徴とする請求項４記載の電解銅めっき方法。
【請求項６】
絶縁体フィルムの少なくとも一方の面に接着剤を介することなくニッケルを含む合金からなる下地金属層と、前記下地金属層上に乾式めっき法で形成される銅薄膜層と、前記銅薄膜層上に電解めっき法で形成される銅めっき層を備える２層フレキシブル基板の製造方法において、
前記電解めっき法が、不溶性陽極と、少なくともブライトナーを含む添加剤及び硫酸銅を含有する銅めっき浴を用い、銅源として供給する酸化銅粉を銅めっき浴に溶解させた時に、溶解前後の酸化銅粉１ｇ当たりの銅めっき浴中の溶存酸素変化量が、−０．０２ｍｇ／Ｌ〜０．０２ｍｇ／Ｌの範囲であるとともに、少なくとも添加剤濃度を管理することを特徴とする２層フレキシブル基板の製造方法。
【請求項７】
前記酸化銅粉が、ＸＰＳ分析にて得られたＣｕＬＭＭピークエネルギー値とＣ１Ｓピークエネルギー値の差が、２８４．０〜２８４．３ｅＶであることを特徴とする請求項６記載の２層フレキシブル基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、不溶性陽極を用いる電解銅めっき浴において、銅の供給に使われる酸化銅粉を用いた銅めっき方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電解銅めっき、特に硫酸銅を銅めっき浴の成分として用いた電解銅めっきは、配線基板の配線パターン形成等、広く用いられている。
その電解銅めっきにおいて、従来可溶性陽極が主流であったが、この可溶性陽極である銅ボールからのスラッジなどによる品質低下やメンテナンスの負荷から、管理が容易な不溶性陽極に移行しつつある。
【０００３】
不溶性陽極による電解銅めっきでは、可溶性陽極のように銅ボールの溶解による銅供給がないため、銅めっきの進行により銅めっき浴中の銅濃度が低下してくる。そこで、銅濃度を維持するために銅源を供給する必要がある。
通常、その銅源としては酸化銅粉を用いるが、酸化銅粉の中で酸化第一銅（Ｃｕ２Ｏ）では、硫酸及び硫酸銅が添加されためっき浴には溶解しないため、酸化第二銅（ＣｕＯ）が形成されるまで十分に酸化させる必要がある。
この酸化第二銅を製造する方法としては、特許文献１や特許文献２等で、湿式法や乾式法などさまざまな方法が提案され、これらの方法を用いることによりめっき液への溶解性が良好な酸化銅粉が得られることが開示されている。
【０００４】
しかしながら、本発明者の検討によれば、電解銅めっき浴に銅源として市販の酸化第二銅の酸化銅粉を供給したときに、めっき浴中の溶存酸素量が増加または減少する挙動が観察された。さらに、めっき浴中の溶存酸素量の増減の影響として、溶存酸素量が増加したときにはめっき浴中の添加剤分析値が減少し、溶存酸素量が減少したときにはめっき浴中の添加剤分析値が増加することが判明した。
【０００５】
特許文献３では、めっき浴中の溶存酸素量の増加を抑制する方法としてめっき浴中に硫酸鉄を添加する方法が示されているが、本発明者の検討によればめっき浴中に鉄成分が加わると添加剤の消耗を引起すことがわかっている。従って、めっき浴中への硫酸鉄の添加により溶存酸素量の増加は抑制できるかも知れないが、目的である添加剤消耗の十分な抑制は難しいと考える。また特許文献３には、溶存酸素量が減少する現象については何ら記載されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許４０３３６１６号公報
【特許文献２】特許４１８０６３２号公報
【特許文献３】特開２０１０−１３８４２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
添加剤は、めっき電析作用を向上させるために一般的に添加されるものであるが、その種類は目標とするめっき被膜特性に応じて、凹部のめっき電析作用を促進して光沢性を増す効果があるブライトナー、凸部のめっき電析作用を抑制するレベラー、めっき電析作用の均一性を向上させるポリマー等を適宜選択して構成されている。
特にブライトナーは、添加剤の構成成分に加えられるのが一般的である。
また、電解銅めっき浴には、電析しためっき被膜特性を向上させるために必要となる添加剤が含まれ、目標とするめっき被膜状態を形成、維持するために、その添加剤濃度を分析して一定範囲内に管理することが通例である。
【０００８】
さらに、銅めっき中の添加剤濃度の変化に関して、銅めっき浴中の溶存酸素量がめっき被膜状態に大きく影響することを本発明者は見出しており、その溶存酸素量の増加による添加剤分析値の減少は、過剰な酸素による添加剤の分解、消耗であり、めっき被膜の光沢が低下するため添加剤を追加投入する必要がある。一方、溶存酸素量の減少による添加剤分析値の増加は、添加剤の一部成分が還元されることにより起こり、実濃度と分析濃度の乖離が発生して電析の進行とともに進む添加剤の消耗が検知できず、めっき被膜の光沢の低下を招くものである。
【０００９】
そこで、本発明は、不溶性陽極を用いた電解銅めっき浴に対して、銅源である酸化銅粉を供給するときに、酸化銅の溶解に起因する溶存酸素量の増加、あるいは減少を抑制し、めっき浴中の添加剤分析値の減少あるいは増加を抑制することで安定しためっき被膜が得られる銅めっき方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は、上記課題を解決すべく検討を重ねた結果、本発明の第１の発明は、不溶性陽極を用いる電解銅めっきにおける電解銅めっき浴の管理方法であって、銅源として供給する酸化銅粉を電解銅めっき浴に溶解させる時に、溶解前後の酸化銅粉１ｇ当たりのめっき浴中の溶存酸素変化量が、−０．０２ｍｇ／Ｌ〜０．０２ｍｇ／Ｌの範囲であるめっき浴の管理方法である。
【００１１】
本発明の第２の発明は、第１の発明おける酸化銅粉が、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）分析にて得られたＣｕＬＭＭピークエネルギー値とＣ１Ｓピークエネルギー値の差が、２８４．０〜２８４．３ｅＶであるめっき浴管理方法である。
【００１２】
本発明の第３の発明は、第１及び第２の発明における電解銅めっき浴が、少なくともブライトナーを含む添加剤、及び硫酸銅を含有するめっき液からなるめっき浴管理方法である。
【００１３】
本発明の第４の発明は、不溶性陽極を用い、少なくともブライトナーを含む添加剤及び硫酸銅を含有する銅めっき浴を用いる電解銅めっき方法において、銅源として供給する酸化銅粉を銅めっき浴に溶解させる時に、溶解前後の酸化銅粉１ｇ当たりのめっき浴中溶存酸素変化量が、−０．０２ｍｇ／Ｌ〜０．０２ｍｇ／Ｌの範囲であるとともに、少なくともめっき浴中の添加剤濃度を管理する電解銅めっき方法である。
【００１４】
本発明の第５の発明は、第４の発明における酸化銅粉が、ＸＰＳ分析にて得られたＣｕＬＭＭピークエネルギー値とＣ１Ｓピークエネルギー値の差が、２８４．０〜２８４．３ｅＶとなる電解銅めっき方法である。
【００１５】
本発明の第６の発明は、絶縁体フィルムの少なくとも一方の面に接着剤を介することなくニッケルを含む合金からなる下地金属層と、その下地金属層上に乾式めっき法で形成される銅薄膜層と、その銅薄膜層上に電解めっき法で形成される銅めっき層を備える２層フレキシブル基板において、その電解めっき法が、不溶性陽極と、少なくともブライトナーを含む添加剤及び硫酸銅を含有する銅めっき浴を用い、銅源として供給する酸化銅粉を銅めっき浴に溶解させる時に、溶解前後の酸化銅粉１ｇ当たりの銅めっき浴中の溶存酸素変化量が、−０．０２ｍｇ／Ｌ〜０．０２ｍｇ／Ｌの範囲であるとともに、少なくとも添加剤濃度を管理する２層フレキシブル基板の製造方法である。
【００１６】
本発明の第７の発明は、第６の発明における酸化銅粉が、ＸＰＳ分析にて得られたＣｕＬＭＭピークエネルギー値とＣ１Ｓピークエネルギー値の差が、２８４．０〜２８４．３ｅＶとなる２層フレキシブル基板の製造方法である。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、銅源として酸化銅粉を供給する不溶性陽極を用いた電解銅めっきに際して、めっき中の銅めっき浴の溶存酸素量の増減が少なく、銅めっき浴中の添加剤分析値の変動を抑制でき、その結果、酸化銅粉の溶解時における銅めっき浴中の添加剤分析値が安定するため、添加剤の濃度管理を容易とし、安定して良好なめっき被膜が得られるもので、工業上顕著な効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】実施例１〜３及び比較例１〜３の酸化銅粉１ｇ当たりの溶解時の溶存酸素量変化とＸＰＳ分析のＣｕＬＭＭピークエネルギー値とＣ１Ｓピークエネルギー値の差の関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明における電解銅めっき浴は、硫酸銅を４０〜２８０ｇ／Ｌ、硫酸を４０〜２５０ｇ／Ｌ、少なくともブライトナーを含む添加剤を少なくとも含む構成とし、電析により消費される銅成分は、酸化銅粉を供給源に用いて適宜電解銅めっき浴に投入される。もちろん各成分の濃度は一般的な範囲を例示したものに過ぎず、目標とする銅めっき層に応じて適正な範囲に設定したり、１０〜８０ｐｐｍの塩素や、その他成分を添加しても良い。
【００２０】
使用するブライトナーとしては、３−メルカプトプロパンスルホン酸、そのナトリウム塩、ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド、その２ナトリウム塩、Ｎ，Ｎ−ジメチルジチオカルバミン酸（３−スルホプロピル）エステル、そのナトリウム塩等の硫黄化合物を用いることができる。
【００２１】
上記電解銅めっき浴にて酸化銅粉を溶解させた時に、その溶存酸素変化量が−０．０２ｍｇ／Ｌ〜０．０２ｍｇ／Ｌの範囲に制御することで、添加剤分析値の変動を抑えられる。
その酸化銅粉溶解時の溶存酸素変化量が、−０．０２ｍｇ／Ｌ未満では、実際の添加剤濃度とは関係なく添加剤分析値が上昇して実濃度との乖離が生じ、電析の進行とともに進む添加剤の消耗が検知できず、めっき被膜の光沢の低下を招くことがある。一方、酸化銅粉溶解時の溶存酸素変化量が、０．０２ｍｇ／Ｌを超えると、添加剤の分解、消耗による分析値の低下が起き、添加剤の追加投入を必要とすることがある。
【００２２】
酸化銅粉溶解時の溶存酸素量変化は、下記（１）式から分かる通り、酸化銅粉の酸化状態が酸化第二銅成分比のＣｕ：Ｏ＝１：１からわずかにずれたことによる溶解時の硫酸銅生成に必要な酸素過不足に起因すると考えられる。
【００２３】
【化１】
2014111811.tif 000003
【００２４】
このような酸化銅粉の酸化状態のわずかなずれは、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）を用いた分析によって、特定の２つのピーク（ＣｕＬＭＭとＣ１Ｓ）の差のエネルギー値により検出できる。
なお、ここでＣ１Ｓピークエネルギー値は、特に前処理を行っていない酸化銅粉の表面に付着したカーボンを分析したものであり、酸化銅粉表面をカーボンで蒸着した試料や別途用意したカーボンの標準試料のＣ１Ｓピークエネルギー値ではない。
【００２５】
そこで、ＸＰＳ分析を行い、酸化第一銅（Ｃｕ２Ｏ）標準物質、及び酸化第二銅（ＣｕＯ）標準物質（両者共に関東化学株式会社製特級試薬、粉末状）のＣｕＬＭＭピークエネルギー値、及びＣ１Ｓピークエネルギー値を測定し、両者の差を計算した結果を表１に示す。
【００２６】
【表１】
2014111811.tif 000004
【００２７】
表１からは、酸化銅のＸＰＳ分析にて、ＣｕＬＭＭピークエネルギー値とＣ１Ｓピークエネルギー値の差は、ＣｕとＯの比率でＯ（酸素）が少なくなるほど広がることになる。
また通常、ＣｕＯ標準物質では溶解時の溶存酸素量増減は皆無であることから、αをわずかなずれ（α＜＜１）とした時、酸素がわずかに過剰なＣｕＯ１＋αの場合（過酸化状態、ＣｕＬＭＭピークエネルギー値とＣ１Ｓピークエネルギー値の差が２８４．２ｅＶ未満）は、溶解時に過剰な酸素が、めっき浴中に溶け込み溶存酸素量の増加を示す。
一方、酸素がわずかに不足しているＣｕＯ１−αの場合（亜酸化状態、ＣｕＬＭＭピークエネルギー値とＣ１Ｓピークエネルギー値の差が２８４．２ｅＶを超過）は、溶解時に不足した酸素をめっき浴中から奪うため溶存酸素量の減少を示すと考えられる。
【００２８】
酸化銅粉のＸＰＳ分析にて得られたＣｕＬＭＭピークエネルギー値とＣ１Ｓピークエネルギー値の差は、２８４．０〜２８４．３ｅＶであることが、溶解時にめっき浴における溶存酸素量の増減を抑えるのに有効である。
酸化銅粉のＸＰＳ分析にて得られたＣｕＬＭＭピークエネルギー値とＣ１Ｓピークエネルギー値の差が、２８４．０ｅＶ未満では、溶解時にめっき浴における溶存酸素量が増加して添加剤の分解、消耗による分析値の低下が起き、添加剤の追加投入を必要とすることがある。
【００２９】
さらにＣｕＬＭＭピークエネルギー値とＣ１Ｓピークエネルギー値の差が、２８４．３ｅＶを超えると、溶解時にめっき浴における溶存酸素量が減少して、実際の添加剤濃度とは関係なく添加剤分析値が上昇し、添加剤の実濃度との乖離が生じ、電析の進行とともに進む添加剤の消耗が検知できず、めっき被膜の光沢の低下を招くこととなる。
【００３０】
したがって、不溶性陽極を用い、めっき浴に添加剤を含有するのが通例である電解銅めっき方法では、電析により得られるめっき被膜の安定を目的として、添加剤濃度を測定して管理するのが望ましく、添加剤濃度の管理方法は、要求されるめっき被膜特性、電析速度などの諸条件を加味して、センサー等による濃度の常時監視又はめっき浴からのサンプリングによる濃度測定等を適宜選択すればよい。もちろん濃度測定結果はフィードバックされて、添加剤の投入要否の判断や、作業条件等で決められた添加剤の投入が適切かの判断に活用されるべきであることは言うまでもない。
【００３１】
本発明の電解銅めっき方法は、２層フレキシブル基板の製造工程中の電解銅めっき工程に利用することも可能であり、ここで、２層フレキシブル基板の製造工程中の電解銅めっき工程を例に用いて、本発明を詳細する。
先ず、２層フレキシブル基板の製造工程について説明する。
２層フレキシブル基板の製造工程は、大きく分けて以下の３工程から構成され、（１）、（２）、（３）の工程番号順に順次実施される。
（１）絶縁体フィルムの少なくとも片面に、接着剤を介することなく、乾式めっき法によりニッケルを含む下地金属層を積層する工程、
（２）前記ニッケルを含む下地金属層へ、乾式めっき法により銅薄膜層を積層する工程、
（３）前記積層したニッケルを含む金属層および銅薄膜層を介して給電することで、電解めっき法により前記銅薄膜層へ銅めっき層を積層する工程、
から構成される。
【００３２】
（１）絶縁体フィルム及び下地金属層
先ず、基材となる絶縁体フィルムとしては、ポリイミド系フィルム、ポリアミド系フィルム、ポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレン系フィルム、ポリフィニレンサルファイド系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、液晶ポリマー系フィルムから選ばれる樹脂フィルムが挙げられるが、ポリイミド系のフィルムは、はんだリフローなどの高温の接続が必要な用途にも適用できる点で好ましい。
また、この絶縁体フィルムは、フィルム厚みが８〜７５μｍのものが、使用には好適である。
【００３３】
次に、この２層フレキシブル基板に用いる下地金属層としては、ニッケルを含む合金が挙げられる。また耐食性を向上させる目的で、他金属元素を添加させることもある。添加元素金属としては、クロム、バナジウム、チタン、モリブデン、コバルト、タングステンなどが好ましい。
【００３４】
下地金属層の形成工程に用いる乾式めっき法としては、特に限定されるものではなく、真空蒸着法、スパッタリング法、又はイオンプレーティング法のいずれかであることが好ましく、スパッタリング法を用いることが、より好ましい。
【００３５】
例えば、巻取式スパッタリング装置を用いて下地金属層を形成する場合、所望の下地金属層の組成を有する合金ターゲットをスパッタリング用カソードに装着し、絶縁体フィルムをセットし、装置内を真空排気後、Ａｒガスを導入して装置内を０．１３Ｐａ〜１.３Ｐａ程度に保持する。この状態で、巻出ロールから絶縁体フィルムを毎分１〜２０ｍ程度の速さで搬送しながら、カソードに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給して、スパッタリング放電を行い、絶縁体フィルム上に所望の下地金属層を連続成膜する。
【００３６】
また、乾式めっきを行う前に、絶縁体フィルム表面に、プラズマ処理、紫外線照射処理、コロナ放電処理、イオンビーム処理、フッ素ガス処理などの公知の種々の処理を施してもよい。
【００３７】
さらに下地金属層の膜厚は、３〜５０ｎｍとすることが好ましい。
この下地金属層の膜厚が３ｎｍ未満では、配線部以外の金属被膜層（下地金属層、銅薄膜層、銅めっき層）をフラッシュエッチングなどで除去して最終的に配線を作製したとき、エッチング液が下地金属層を浸食してポリイミドフィルムと下地金属層の間に染み込み、配線が浮いてしまう場合がある。
一方、下地金属層の膜厚が５０ｎｍを超えると、フラッシュエッチングなどで最終的に配線を作製する場合、下地金属層が完全に除去されず、残渣として配線間に残るため、配線間の絶縁不良を発生させる恐れがある。
【００３８】
（２）銅薄膜層
下地金属層の製造工程と同様に、銅ターゲットをスパッタリング用カソードに装着したスパッタリング装置を用い、乾式めっき法により銅薄膜層を形成することができ、さらに下地金属層と銅薄膜層を、同一真空室内で連続して形成することが好ましい。
【００３９】
この銅薄膜層の膜厚は、特に限定されるものではないが、１０ｎｍ〜０．３μｍであることが好ましい。
すなわち、その膜厚が１０ｎｍ未満では導電性が低く、電解銅めっき処理を行う際に充分な給電量を確保できないので好ましくない。一方、その膜厚が０．３μｍを超えると、成膜時の生産性が低下するので好ましくない。
【００４０】
（３）銅めっき層
次に、銅薄膜層の上に、更に電解めっき法により銅めっき層を積層する。
電解めっき法は、特に限定されるものではなく、めっき浴の構成、電流密度、搬送速度等、常法による諸条件を採用すればよい。
【００４１】
また、下地金属層上に形成された銅薄膜層と、その銅薄膜層の上に電解めっき法で形成された銅めっき層を合わせた銅被膜の膜厚は、２層フレキシブル基板を用いて製造されるプリント配線板の製造手法に応じて適宜設定されるが、０．５〜１８μｍであることが好ましい。
なお、プリント配線板の製造手法は、大別してセミアディティブ法とサブトラクティブ法があり、セミアディティブ法は比較的銅被膜の膜厚が薄い２層フレキシブル基板、サブトラクティブ法は比較的銅被膜の膜厚が厚い２層フレキシブル基板が用いられる。
【００４２】
この膜厚が０．５μｍよりも薄い場合、セミアディティブ法で配線を形成する時、電解めっき法での給電し難くなるため好ましくない。また、膜厚が１８μｍよりも厚くなると、サブトラクティブ法で配線を形成する時、エッチング時間が長くなり生産性が低下するため好ましくない。
【００４３】
もちろん本発明の不溶性陽極を用いる電解銅めっき方法は、上記２層フレキシブル基板の製造工程中の電解銅めっき工程への使用に限定されるものではなく、例えばプリント基板や銅箔の製造工程中の電解銅めっきにも利用可能である。
以下、実施例を用いて、本発明をより詳細に説明する。
【実施例】
【００４４】
電解銅めっきは、硫酸銅１５０ｇ／Ｌ、硫酸１２０ｇ／Ｌ、塩素５０ｐｐｍ、ブライトナーを含む添加剤から構成される電解銅めっき浴を浴温２８℃に保ち、攪拌しながら用いた。
一方、銅源として上記電解銅めっき浴に添加する酸化銅粉を、その酸化銅粉の加熱処理条件を調整して酸化状態の異なる６種類の酸化銅粉（サンプルＡ〜サンプルＦ）を作製した。
これら酸化状態の異なる６種類の酸化銅粉について、ＸＰＳ分析を実施し、ＣｕＬＭＭピークエネルギー値とＣ１Ｓピークエネルギー値との差を算出し、各サンプルを実施例１〜３（サンプルＣ〜Ｅ）、比較例1〜３（Ａ、Ｂ、Ｆ）とした。
【００４５】
次に、これら６種の酸化銅粉１０ｇを１種ずつ、電解銅めっき浴１Ｌに投入し、投入から２０分間の溶存酸素量変化を、メトラー社製溶存酸素濃度計ＳＧ６にて測定し、測定した酸化銅粉投入前の溶存酸素量値と、酸化銅粉投入から１５分後の溶存酸素量値から、その変化を算出した。
【００４６】
さらに、電解銅めっき浴中の添加剤濃度を測定し、酸化銅粉投入前の添加剤濃度と酸化銅粉投入から１５分後の添加剤濃度を比較した。
投入１５分後の添加剤濃度が、投入前の添加剤濃度から±１０％以内であれば「○」、±１０％を超えれば「×」とした。
この結果を表２にまとめる。
【００４７】
【表２】
2014111811.tif 000005
【００４８】
表２の結果を纏めて図１に示す。
図１において、横軸は酸化銅粉１ｇ当たりの溶存酸素量変化［ｍｇ／Ｌ］、縦軸はＣｕＬＭＭピークエネルギー値とＣ１Ｓエネルギー値の差［ｅＶ］で、破線は酸化第一銅（Ｃｕ２Ｏ）及び酸化第二銅（ＣｕＯ）のＣｕＬＭＭピークエネルギー値とＣ１Ｓエネルギー値の差を示すものである。
【００４９】
図１から明らかなように、ＣｕＬＭＭピークエネルギー値とＣ１Ｓエネルギー値との差から、酸化銅粉が過酸化状態（ＣｕＯ１＋α）である実施例１、２（サンプルＣ、Ｄ）、比較例１、２（サンプルＡ、Ｂ）は、溶解時に溶存酸素量が増加し、亜酸化状態（ＣｕＯ１−α）である実施例３（サンプルＥ）と比較例３（サンプルＦ）は、溶存酸素量が減少している。
【００５０】
また、酸化銅粉投入前後の溶存酸素量変化が、−０．０２ｍｇ／Ｌ〜０．０２ｍｇ／Ｌの範囲内である実施例１〜３（サンプルＣ〜Ｅ）は、酸化銅粉溶解時に添加剤濃度の差が小さいのに対し、−０．０２ｍｇ／Ｌ〜０．０２ｍｇ／Ｌの範囲外である比較例１〜３（サンプルＡ、Ｂ、Ｆ）は、酸化銅粉溶解時に添加剤濃度の差が大きいことが分かる。
【図１】
2014111811.tif 000006