(57)【要約】【課題】経時変化でダイが付着しない受渡用ステージを提供する。また、この受渡用ステージを用い、信頼性の高いダイピックアップ装置及びダイボンディング装置を提供する。【解決手段】吸着ノズルによって、ダイアタッチフィルムを裏面に張り付けたダイをピックアップして、ダイアタッチフィルムを裏面に張り付けたダイを載置する表面にポーラスな材料若しくは樹脂コーティング材料を形成し、所定の表面粗さを持たせ、前記ダイを吸着ノズルによってピックアップして載置し、前記受渡用ステージから前記吸着ノズルによって前記ダイを吸着して、基板の所定部分にダイアタッチする。【選択図】図５
2014053517.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイアタッチフィルムを裏面に張り付けたダイを載置する表面に所定の表面粗さを持たせ、前記ダイを吸着ノズルによってピックアップして載置することを特徴とする受渡用ステージ。
【請求項２】
請求項１記載の受渡用ステージにおいて、前記表面は、ポーラスな材料若しくは樹脂コーティング材料から成ることを特徴とする受渡用ステージ。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の受渡用ステージにおいて、前記樹脂コーティング材料は、前記受渡用ステージの基材にコーティング処理を施し、さらに前記コーティング処理を施した部分に所定の表面粗さを持たせたことを特徴とする受渡用ステージ。
【請求項４】
ウェハリングに保持されたウェハから、ダイアタッチフィルムを裏面に張り付けたダイをピックアップして受渡用ステージに載置するピックアップ装置において、
前記受渡用ステージは、前記ダイを載置する表面に所定の表面粗さを持たせたことを特徴とするダイピックアップ装置。
【請求項５】
請求項４記載のピックアップ装置において、前記表面は、ポーラスな材料若しくは樹脂コーティング材料から成ることを特徴とするダイピックアップ装置。
【請求項６】
吸着ノズルによって、ダイアタッチフィルムを裏面に張り付けたダイをピックアップして請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の受渡用ステージに載置し、さらに、前記受渡用ステージから前記吸着ノズルによって前記ダイを吸着して、基板の所定部分にダイアタッチすることを特徴とするダイボンディング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイボンディング装置並びにダイピックアップ装置及びダイピックアップ方法に係わり、特に信頼性の高い製品を製造するダイボンディング装置並びにピックアップ装置の受渡用ステージに関する。
【背景技術】
【０００２】
ダイ（半導体チップ、以下、単にダイと称する）を配線基板やリードフレームなどの被実装対象基板に搭載してパッケージを組み立て、半導体装置を生産する工程の一部に、半導体ウェハ（以下、単にウェハと称する）からダイを分割する工程と、分割したダイを基板上に搭載するダイボンディング工程がある。
【０００３】
ダイボンディング工程の中には、ウェハから分割されたダイを剥離してピックアップする剥離工程とピックアップしたダイを基板にボンディングするダイアタッチ工程がある。また、このほか、基板を搬入及び搬出する基板搬送工程がある。
剥離工程では、ピックアップ装置に保持されたダイシングテープからダイを１個ずつ剥離し、コレットと呼ばれる吸着治具（吸着ノズル）に吸着する。
また、ダイアタッチ工程では、吸着治具（吸着ノズル）に吸着されたダイを基板、パレット、またはリードフレーム等の被実装対象基板（以下、基板と総称する）の上に移動して、ダイを基板上に押し付ける。
近年、剥離工程において、受渡用ステージを使用する場合も多くなっている。この場合には、ウェハからダイを１個ずつピックアップして受渡用ステージに載置し、所定の数のダイを受渡用ステージに一時的に載置するものである。ダイの受渡用ステージは、例えば、高速化のために、上記において、複数の吸着ノズルを用いて、複数の基板または、基板の複数の部分に、同時にダイを基板上に押し付ける場合等に使用される。また例えば、受渡用ステージは、ダイの吸着位置を補正し、ダイアタッチを正確に実行するために使用される。
【０００４】
図７は、従来のダイボンディング装置の一実施例の主要部の概略側面図である。図４のダイボンディング装置は、ダイの吸着位置を補正し、ダイアタッチを正確に実行するために受渡用ステージを使用している例である。７００はダイボンディング装置本体、１２はピックアップ装置、４４は受渡用ステージ、３はダイアタッチ作業をするためのダイボンディング部、４はダイ、６はダイ４を吸着し基板にアタッチする吸着ノズルである。また、５はウェハ、１４はウェハ５を保持するウェハリング、４５０はダイ４を下から突き上げダイシングテープからダイを剥離する突き上げユニット、４６は受渡用ステージ４４に載置されたダイ４を真空吸着するための真空室、Ｐはダイ４を実装する被実装部材である基板、１３はダイボンディング部３のアタッチテーブルである。また、４５は受渡用ステージ４４の上面の樹脂コーティング部、６２はアタッチテーブル１３の上面、１３０はアタッチテーブル１３の上面の開口部、１４０はアタッチテーブル１３を加熱する加熱装置である。
【０００５】
図７において、ピックアップ装置１２のウェハリング１４には、多数のダイ４が集合した半導体のウェハ（本明細書では、ウェハという）５が保持されている。ウェハ５は、ダイ４毎に分離してピックアップできるようにダイシングされている。突き上げユニット４５０は、ウェハ５上のピックアップ対象のダイ４を下から突き上げ、ウェハ５の裏面に貼りつけられているダイシングテープからダイ４を剥離する。一方、吸着ノズル６は、ピックアップ対象のダイ４の直上まで下降し、ダイシングテープから剥離されたダイ４を真空吸着する。吸着ノズル６は、ダイ４を真空吸着後、上昇動作、平行移動動作、及び下降動作を行って受渡用ステージ４４の所定箇所にダイ４を載置する。
【０００６】
図８によって、従来の受渡用ステージについて説明する。図８は、従来の受渡用ステージの一例を説明するための断面図である。４４は従来の受渡用ステージ、４５は受渡用ステージ４４の上面（表面）部、４６は図示しない真空ポンプから室内のエアーを吸引されて真空状態にされる真空室である。
受渡用ステージ４４の上面部４５は、受渡用ステージ４４の基材（例えば、ステンレス鋼、アルミニウム等の金属）の上面（表面）に樹脂コーティングを施した部分である。例えば、上面部４５は、２０〜３０（単位：μｍ）程度の厚さのフッ素樹脂をコーティングされている部分である。また、例えば、上面部４５は、セラミック樹脂複合材をコーティングされている部分である。
【０００７】
図７に戻って、受渡用ステージ４４は、この受渡用ステージ４４の内部に真空室４６を備えている。吸着ノズルによってピックアップされ、受渡用ステージ４４に載置されたダイ４は、受渡用ステージ４４の真空室４６の真空吸着によって、所定箇所に固定される。
受渡用ステージ４４に載置されたダイ４は、図示しないダイ位置確認用の撮像装置Ｃ１に撮像され、撮像された画像は、ダイボンディング装置の制御部に送信される。制御部は、画像処理によって、ダイボンディング装置のダイ位置基準点からの受渡用ステージ４４上のダイ４のずれ量（Ｘ、Ｙ、θ方向）を算出する。なお、ダイ位置基準点は、予め、通常受渡用ステージ４４の所定の位置を装置の初期設定として保持している。
制御部は、算出したダイ４のずれ量から吸着ノズル６の吸着位置を補正してダイ４を吸着する。受渡用ステージ４４からダイ４を吸着した吸着ノズル６は、ダイ４を真空吸着後、上昇、平行移動、及び下降を行ってダイボンディング部３のダイアタッチテーブル１３上の基板Ｐの所定箇所にダイ４をアタッチする。
【０００８】
ダイボンディング部３は、載置された基板Ｐの周囲を覆うと共に上面６２側に開口部１３０が形成されたアタッチテーブル１３と、このアタッチテーブル１３に設けられた加熱装置１４０とを備えている。
基板Ｐの所定箇所にアタッチされたダイ４は、吸着ノズル６に上から押えられながら加熱装置１４０により加熱される。この結果、ダイ４の下面（裏面）に貼りつけられたダイアタッチフィルム１０８が熱硬化することによって、基板Ｐの所定箇所にダイ４が接着される。
なお、ダイ位置確認用の撮像装置Ｃ１と同様に、アタッチテーブル１３上に載置された基板Ｐもまた、図示しない基板位置確認用の撮像装置Ｃ２に撮像され、撮像された画像はダイボンディング装置の制御部に送信される。制御部は、画像処理によって、ダイボンディング装置の基板位置基準点からの基板Ｐのずれ量（Ｘ、Ｙ、θ方向）を算出している。なお、基板位置基準点は、予め、基板チェック部の所定の位置を装置の初期設定として保持している。
基板Ｐは、アタッチテーブル１３上を図示しない搬送機構によって上流から搬送され、ダイ４の実装作業（ダイボンディング）の終了後、下流へ搬送される。
【０００９】
図７において、受渡用ステージ４４に真空吸着によって固定されるダイ４の裏面（下面）には、ダイ４を基板Ｐに接着するための接着材として、ダイアタッチフィルム１８が貼り付けられている。このため、ダイ４が長時間受渡用ステージ４４に固定されていると、ダイ４の自重と受渡用ステージ４４の真空吸着により、経時変化で受渡用ステージ４４の表面に貼りついてしまう。
また、上述したように、ダイ４と基板Ｐを接着する際の熱硬化時に、吸着ノズル６には、加熱装置１４０からの熱が伝えられ、吸着ノズル６の温度が上昇する。ダイ４をウェハ５から受渡用ステージ４４にピックアップするときに、この吸着ノズル６の熱がダイ４に伝わってダイ４の温度及びダイアタッチフィルム１８の温度が上昇する。このダイアタッチフィルム１８の温度上昇も、ダイ４が長時間受渡用ステージ４４に固定されていることにより、経時変化で受渡用ステージ４４の表面に貼りついてしまう原因となる。
なお、上述の説明では、ダイアタッチ後に熱硬化する例を用いたが、ダイボンディング装置でダイアタッチ後に熱硬化しない場合であっても、上述のように、自重等によって継時的に受渡用ステージにダイが貼り付く。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００４−６５９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上述のように、従来のダイアタッチフィルム付ダイ受渡用ステージでは、受渡用ステージ４４に固定されたダイ４が経時変化で受渡用ステージ４４の表面に貼りついてしまう惧れがあった。
特許文献１には、熱圧着フィルム搬送用のコレットの吸着面が、凸面と、凸面の頂部を外した側方部のテーパ面とから構成され、その吸着面に、フッ素樹脂コーティング、あるいはフッ素樹脂フィルムの貼り付けなどの表面処理部が設けられている。このようにして、熱圧着フィルムの移載に際してリリースが容易に行われ、熱圧着フィルムの貼り付きが防止できるとしている。しかし、特許文献１は、コレット（吸着ノズル）に対する貼り付き防止対策であり、また吸着の対象がフィルム等の可撓性がある材料であり、本願のダイのように、可撓性がないものには適用できない。さらに、当該フィルを載置するダイパッド（本願の受渡用ステージに相当）に、フィルムを貼り付ける必要があるため、本願発明の受渡用ステージと同様に考えるわけにはいかない。
本発明の目的は、上記のような問題に鑑み、経時変化でダイが付着しない受渡用ステージを提供することにある。また、この受渡用ステージを用い、信頼性の高いダイピックアップ装置及びダイボンディング装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の目的を達成するために、本発明の受渡用ステージは、ダイアタッチフィルムを裏面に張り付けたダイを載置する表面に所定の表面粗さを持たせ、前記ダイを吸着ノズルによってピックアップして載置することを本発明の第１の特徴とする。
【００１３】
上記本発明の第１の特徴の受渡用ステージにおいて、前記表面は、ポーラスな材料若しくは樹脂コーティング材料から成ることを本発明の第２の特徴とする。
【００１４】
上記本発明の第１の特徴または第２の特徴の受渡用ステージにおいて、前記樹脂コーティング材料は、前記受渡用ステージの基材にコーティング処理を施し、さらに前記コーティング処理を施した部分に所定の表面粗さを持たせたことを本発明の第３の特徴とする。
【００１５】
また、上記の目的を達成するために、本発明のダイピックアップ装置は、ウェハリングに保持されたウェハから、ダイアタッチフィルムを裏面に張り付けたダイをピックアップして受渡用ステージに載置するピックアップ装置において、前記受渡用ステージは、前記ダイを載置する表面に所定の表面粗さを持たせたことを本発明の第４の特徴とする。
【００１６】
上記の目的を達成するために、本発明のダイボンディング装置は、吸着ノズルによって、ダイアタッチフィルムを裏面に張り付けたダイをピックアップして上記本発明の第１の特徴乃至本発明の第４の特徴のいずれかに記載の受渡用ステージに載置し、さらに、前記受渡用ステージから前記吸着ノズルによって前記ダイを吸着して、基板の所定部分にダイアタッチすることを本発明の第５の特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、経時変化でダイが付着しない受渡用ステージを実現することができる。また本発明によれば、上記のダイ受渡用ステージを用い、信頼性の高いダイピックアップ装置及びダイボンディング装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の一実施形態であるダイボンディング装置を上から見た概念図である。
【図２】本発明の一実施形態であるピックアップ装置の外観斜視図を示す図である。
【図３】本発明の一実施形態であるピックアップ装置の主要部を示す概略断面図である。
【図４】本発明のダイボンディング装置の一実施例の主要部の概略側面図である。
【図５】本発明の受渡用ステージの一実施例を説明するための断面図である。
【図６】本発明の受渡用ステージの一実施例について、表面粗さＲｚを横軸にとって、滑り／剥離荷重）及び真空室の吸着真空圧を測定した実験データをグラフ化した図である。
【図７】従来のダイボンディング装置の一実施例の主要部の概略側面図である。
【図８】従来の受渡用ステージの一例を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下に本発明の一実施形態を、図面等を用いて説明する。なお、以下の説明は、本発明の一実施形態を説明するためのものであり、本願発明の範囲を制限するものではない。従って、当業者であればこれらの各要素若しくは全要素をこれと均等なものに置換した実施形態を採用することが可能であり、これらの実施形態も本願発明の範囲に含まれる。
なお、本書では、既に説明した図８及び図４を含め、各図の説明において、共通な機能を有する構成要素には同一の参照番号を付し、説明の重複をできるだけ避ける。
【００２０】
図１によって本発明のダイボンディング装置の一実施例を説明する。図１は、本発明のダイボンディング装置の一実施例を上から見た概念図である。１００はダイボンディング装置、１はウェハ供給部、２はワーク供給・搬送部、３はダイボンディング部、１０はダイボンディング装置の動作を制御する制御部である。
ダイボンディング装置は、大別して、ウェハ供給部１と、ワーク供給・搬送部２と、ダイボンディング部３とを有する。
また、ワーク供給・搬送部２において、２１はスタックローダ、２２はフレームフィーダ、２３はアンローダである。さらに、ダイボンディング部３において、３１は基板チェック部、３２はボンディングヘッド部である。またさらに、ウェハ供給部１において、１１はウェハカセットリフタ、１２はピックアップ装置である。
また、１０は制御部であり、ダイボンディング装置１００の各機器と相互にアクセスして、各機器を所定のプログラムに従って制御する。なお、図４では、各機器と相互にアクセスするための信号線は、省略している。
【００２１】
ワーク供給・搬送部２は、ダイボンディング工程中の基板搬送工程を担う。ワーク供給・搬送部２において、基板Ｐ（図示しない）は、スタックローダ２１によりフレームフィーダ２２に供給される。フレームフィーダ２２に供給された基板Ｐは、フレームフィーダ２２上の２箇所の処理位置を介してアンローダ２３に搬送される。
またダイボンディング部３は、ダイボンディング工程中のダイアタッチ工程を担う。ダイボンディング部３において、基板チェック部３１は、フレームフィーダ２２により搬送されてきた基板Ｐを撮像装置Ｃ２（図示しない）で撮像し、制御部１０に撮像した画像データを送信する。制御部１０は、ダイボンディング装置１００の原点と搬送された基板Ｐ上の基準点とのずれ量を画像処理によって算出する。算出されたずれ量から、ボンディング時の補正量を算出する。
【００２２】
ボンディングヘッド部３２は、ピックアップ装置１２の図示しない受渡用ステージからダイ４（図示しない）をピックアップして、ピックアップしたダイを上昇及び平行移動してフレームフィーダ２２上のボンディングポイントまで移動させる。そして、ボンディングヘッド部３２は、ダイ４を下降させ基板Ｐ上にボンディングする。このとき、制御部１０は、基板チェック部３１において撮像された画像による補正量を用いて、ダイ４をアタッチする位置を補正してボンディングする。
また、ウェハ供給部１は、ダイボンディング工程中の剥離工程を担う。ウェハ供給部１において、ウェハカセットリフタ１１は、ウェハリングが収納されたウェハカセット（図示しない）を有し、順次ウェハリングをピックアップ装置１２に供給する。ピックアップ装置１２の詳しい構成及び動作は、後述の図２及び図３によって説明する。
【００２３】
図２及び図３を用いてピックアップ装置１２の構成を説明する。図２は、ピックアップ装置１２の外観斜視図を示す図である。図３は、ピックアップ装置１２の主要部を示す概略断面図である。ピックアップ装置１２において、５はウェハ、４はウェハ５が有する個々のダイ、１４はウェハリング、１５はエキスパンドリング、１６はダイシングテープ、１７は支持リング、１８はダイアタッチフィルム（ダイボンディングテープ）、５０は突き上げユニットである。
【００２４】
図２、図３に示すように、ウェハ５の裏面（下面）には、ダイアタッチフィルム１８が貼り付けられ、更にその裏面（下面）にダイシングテープ１６が貼り付けられている。さらに、ダイシングテープ１６の縁辺は、ウェハリング１４とエキスパンドリング１５に挟み込まれて固定されている。
即ち、ピックアップ装置１２は、ウェハリング１４を保持するエキスパンドリング１５と、ウェハリング１４に保持され複数のダイ４（ウェハ５）が接着されたダイシングテープ１６を水平に位置決めする支持リング１７と、支持リング１７の内側に配置されダイ４を上方に突き上げるための突き上げユニット５０とを有する。突き上げユニット５０は、図示しない駆動機構によって、上下方向に移動するようになっている。ピックアップ対象のダイ４への突き上げユニット５０の位置合わせのための移動は、例えば、水平（Ｘ）方向にはウェハリング１４が移動し、奥行き（Ｙ）方向には突き上げユニット５０が移動するようになっているが、相対的にどちらが動いても良いことは自明である。また、図示しない吸着ノズル６とピックアップ対象のダイ４との位置合わせのための移動も、同様である。
【００２５】
ダイ４の薄型化に伴い、ダイボンディング用の接着剤は、液状からフィルム状に替わり、ウェハ５とダイシングテープ１６との間に、ダイアタッチフィルム１８と呼ばれるフィルム状の接着材料を貼り付けた構造となっている。ダイアタッチフィルム１８を裏面に有するウェハ５では、ダイシングはウェハ５とダイアタッチフィルム１８に対して行なわれる。なお、近年は、ダイシングテープ１６とダイアタッチフィルム１８が一体化されたテープも存在するが、この場合にも、ダイシングは、ウェハ５とダイアタッチフィルム１８に対して行なわれる。
【００２６】
ピックアップ装置１２は、ダイ４を突き上げる時に、ウェハリング１４を保持しているエキスパンドリング１５を下降させる。この時支持リング１７は下降しないため、ウェハリング１４に保持されているダイシングテープ１６が引き伸ばされダイ４同士の間隔が広がり、各ダイ４が認識し易くなると共に、ピックアップ対象のダイが離れ突上げ易くなる。
突き上げユニット５０は、下方よりダイ４を突き上げ、吸着ノズル６によるダイ４のピックアップ性を向上させている。ダイアタッチフィルム１８を有するウェハでは、ダイシングは、ウェハとダイアタッチフィルム１８に対して行なわれる。従って、剥離（突き上げ）工程では、ダイ４とダイアタッチフィルム１８をダイシングテープ１６から剥離すると共に、吸着ノズル６がダイ４を吸着してピックアップする。
【００２７】
図４は、本発明のダイボンディング装置の一実施例の主要部の概略側面図である。図４のダイボンディング装置は、ダイの吸着位置を補正し、ダイアタッチを正確に実行するために受渡用ステージを使用している例である。図７と異なる点は、受渡用ステージ４４の替りに受渡用ステージ４４４を設けた点である。他は変わらないので、受渡用ステージ４４４ついて、特に説明する。
【００２８】
なお、図７と同様に、受渡用ステージ４４４に載置されたダイ４は、図示しないダイ位置確認用の撮像装置Ｃ１に撮像され、撮像された画像は、ダイボンディング装置の制御部に送信される。制御部１０は、画像処理によって、ダイボンディング装置のダイ位置基準点からの受渡用ステージ４４上のダイ４のずれ量（Ｘ、Ｙ、θ方向）を算出する。なお、ダイ位置基準点は、予め、通常受渡用ステージ４４の所定の位置を装置の初期設定として保持している。
制御部１０は、算出したダイ４のずれ量から吸着ノズル６の吸着位置を補正してダイ４を吸着する。受渡用ステージ４４からダイ４を吸着した吸着ノズル６は、ダイ４を真空吸着後、上昇、平行移動、及び下降を行ってダイボンディング部３のダイアタッチテーブル１３上の基板Ｐの所定箇所にダイ４をアタッチする。
【００２９】
さらに、ダイ位置確認用の撮像装置Ｃ１と同様に、アタッチテーブル１３上に載置された基板Ｐもまた、図示しない基板位置確認用の撮像装置Ｃ２に撮像され、撮像された画像はダイボンディング装置の制御部に送信される。制御部１０は、画像処理によって、ダイボンディング装置の基板位置基準点からの基板Ｐのずれ量（Ｘ、Ｙ、θ方向）を算出している。なお、基板位置基準点は、予め、基板チェック部の所定の位置を装置の初期設定として保持している。
【００３０】
ここで、図５によって、本発明の受渡用ステージの一実施例について説明する。図５は、本発明の受渡用ステージの一実施例を説明するための断面図である。４４４は受渡用ステージ、４４５は受渡用ステージ４４４の上面（表面）部である。
受渡用ステージ４４４の上面部４４５は、受渡用ステージ４４４の基材（例えば、ステンレス鋼、アルミニウム等の金属）の上面（表面）に施した樹脂コーティング部分に、さらに、表面粗さＲｚを持たせるようにサンドブラスト等の表面処理を施した部分である。
【００３１】
受渡用ステージ４４４は、この受渡用ステージ４４４の内部に真空室４６を備えている。吸着ノズル６は、ダイ４の載置直前には、ダイ４の真空吸着を止める。そして、ダイ４は、受渡用ステージ４４４の真空室４６の真空吸着によって、所定箇所に固定される。
従来の受渡用ステージ４４では、この場合、受渡用ステージ４４に固定されたダイ４が経時変化で受渡用ステージ４４の表面に貼りついてしまう惧れがあった。
しかし、図５の実施例のような受渡用ステージ４４４を使用した結果、受渡用ステージ４４４に固定されたダイ４の、受渡用ステージ４４４への経時変化による貼り付きを低減することができた。
【００３２】
図６は、本発明の受渡用ステージ４４４の一実施例について、上面部４４５の表面粗さＲｚを横軸にとって、滑り／剥離荷重（単位：ｇ）及び真空室４６の吸着真空圧（単位：ｋＰａ）を測定した実験データをグラフ化した図である。図６のデータは、ダイ温度を６０（単位：℃）、受渡用ステージ上の放置時間を５（単位：ｍｉｎ）の条件で採取したものである。なお、図６の実験データは、フッ素樹脂をコーティングしている。
このように、表面粗さＲｚが５０（単位：μｍ）以上になると、滑り／剥離荷重（即ち、吸着力／横滑り力）が小さくなる。また、表面粗さＲｚが９０（単位：μｍ）以上では、受渡用ステージ４４４の真空リーク量が大きくなり、吸着力が低下してしまう。従って、ダイ４の表面粗さＲｚは、好ましくは、Ｒｚ＝５０〜９０（単位：μｍ）が望ましい。
【００３３】
なお、図６の実施例では、フッ素樹脂をコーティングしているが、他の樹脂でも良く、また、セラミック樹脂複合材をコーティングしても良い。
また、図５、図６の実施例では、樹脂コーティングであるが、ポーラス状の材料をコーティングしても良い。またさらに、ポーラス状の材質の薄板を表面に接着することでも良い。
【００３４】
上述の実施例によれば、受渡用ステージに経時変化でダイが付着しないダイピックアップ装置及びダイピックアップ方法を実現することができる。
また、本発明によれば、上記のピックアップ装置またはピックアップ方法を用い、信頼性の高いダイボンディング装置を実現することができる。
なお、上述の実施例は、ダイボンディング装置において、ウェハから基板にダイをボンディングする場合の受渡用ステージを実施例として説明した。しかし、ダイアタッチフィルムが裏面に貼りつけられたダイ（ダイアタッチフィルム付ダイ）の検査試料台として、受渡用ステージが使用される場合にも適用できることは、言うまでもない。
【符号の説明】
【００３５】
１：ウェハ供給部、  ２：ワーク供給・搬送部、  ３：ダイボンディング部、  ４：ダイ、  ５：ウェハ、  ６：吸着ノズル、  １０：制御部、  １１：ウェハカセットリフタ、  １２：ピックアップ装置、  １３：アタッチテーブル、  １４：ウェハリング、  １５：エキスパンドリング、  １６：ダイシングテープ、  １７：支持リング、  １８：ダイアタッチフィルム、  ２１：スタックローダ、  ２２：フレームフィーダ、  ２３：アンローダ、  ３１：基板チェック部、  ３２：ボンディングヘッド部、  ４４：受渡用ステージ、  ４５：上面部、  ４６：真空室、  ５０：突き上げユニット、  ６２：上面、  １００：ダイボンディング装置、  １３０：開口部、  １４０：加熱装置、  ４４４：受渡用ステージ、  ４４５：上面部、  ４５０：突き上げユニット、  ７００：ダイボンディング装置、  Ｐ：基板。
【図１】
2014053517.tif 000003
【図２】
2014053517.tif 000004
【図３】
2014053517.tif 000005
【図４】
2014053517.tif 000006
【図５】
2014053517.tif 000007
【図６】
2014053517.tif 000008
【図７】
2014053517.tif 000009
【図８】
2014053517.tif 000010