(57)【要約】      （修正有）【課題】隣接画素間の混色の防止に有利な固体撮像装置、その製造方法、およびカメラを提供する。【解決手段】基板の第１面Ｓ１の側に複数の画素に対応して設けられた複数のマイクロレンズＭＬを含む光学系と、前記基板の第２面Ｓ２の側に前記複数の画素のそれぞれに対応して設けられ、光を吸収する複数の光吸収部３０とを備え、前記複数の画素は、第１波長の光を検出するための第１種類の画素と、前記第１波長より波長が短い第２波長の光を検出するための第２種類の画素とを含んでおり、前記第１種類の画素に対しては、当該画素に対応する前記光吸収部３０と前記基板との間に第１部分４１をさらに備え、前記第２種類の画素に対しては、当該画素に対応する前記光吸収部と前記基板との間に第２部分４２をさらに備え、前記第１部分４１は前記第１波長の光の反射率が前記第２部分４２よりも大きい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を有する固体撮像装置であって、
互いに反対の側に配された第１面及び第２面を有し、前記複数の画素のそれぞれに対応する複数の光電変換部が形成された基板と、
前記基板の前記第１面の側に前記複数の画素のそれぞれに対応して設けられた複数のマイクロレンズを含む光学系と、
前記基板の前記第２面の側に前記複数の画素のそれぞれに対応して設けられ、光を吸収する複数の光吸収部と、を備え、
前記複数の画素は、第１波長の光を検出するための第１種類の画素と、前記第１波長より波長が短い第２波長の光を検出するための第２種類の画素とを含んでおり、
前記固体撮像装置は、前記第１種類の画素のそれぞれに対しては、当該画素に対応する前記光吸収部と前記基板との間に第１部分をさらに備え、前記第２種類の画素のそれぞれに対しては、当該画素に対応する前記光吸収部と前記基板との間に第２部分をさらに備え、前記第１部分は前記第１波長の光の反射率が前記第２部分よりも大きい、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記第１部分は、前記基板の側から前記光吸収部の側に向かって、第１誘電膜と、第２誘電膜と、絶縁部分と、を含み、
前記第２部分は、前記基板の側から前記光吸収部の側に向かって、前記第１誘電膜と前記絶縁部分とを含み、
前記第１誘電膜は前記基板よりも屈折率が小さく、前記第２誘電膜は前記第１誘電膜よりも屈折率が大きく、前記絶縁部分は前記第２誘電膜よりも屈折率が小さく、前記第１誘電膜の光学膜厚および前記第２誘電膜の光学膜厚は、前記第１波長の１／４の±３０％の範囲内である、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記光吸収部は、前記基板に近い側から順に、光を吸収するための部材と導電性を有する部材とが積層されて構成されており、前記光を吸収するための部材で構成された部分は、前記導電性を有する部材で構成された部分よりも底面積が大きい、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記光を吸収する部材で構成された部分は、前記導電性を有する部材で構成された部分の側面を覆っている、
ことを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
【請求項６】
複数の画素を有する固体撮像装置の製造方法であって、
前記固体撮像装置は、互いに反対の側に配された第１面及び第２面を有し、前記複数の画素のそれぞれに対応する複数の光電変換部が形成された基板と、前記基板の前記第１面の側に前記複数の画素のそれぞれに対応して設けられた複数のマイクロレンズを含む光学系と、前記基板の前記第２面の側に前記複数の画素のそれぞれに対応して設けられ、光を吸収する複数の光吸収部と、を備え、
前記複数の画素は、第１波長の光を検出するための第１種類の画素と、前記第１波長より波長が短い第２波長の光を検出するための第２種類の画素とを含んでおり、
前記固体撮像装置の製造方法は、
前記第１種類および前記第２種類の画素のそれぞれに対して、前記基板の上に誘電性を有する第１誘電膜を形成する工程と、
前記第１種類の画素のそれぞれに対して、前記第１誘電膜の上に誘電性を有する第２誘電膜を形成する工程と、
前記第１種類および前記第２種類の画素のそれぞれに対して、前記第１誘電膜および前記第２誘電膜を覆うように絶縁性を有する絶縁部分を堆積する工程と、を含み、
前記第１誘電膜は前記基板よりも屈折率が小さく、前記第２誘電膜は前記第１誘電膜よりも屈折率が大きく、前記絶縁部分は前記第２誘電膜よりも屈折率が小さく、前記第１誘電膜の光学膜厚および前記第２誘電膜の光学膜厚は、前記第１波長の１／４の±３０％の範囲内である、
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置、その製造方法、およびカメラに関する。
【背景技術】
【０００２】
裏面照射型の固体撮像装置において、光電変換部が設けられる基板は、厚さが、例えば３μｍ程度であり、入射光のうち波長の大きい成分（例えば、緑色光や赤色光）は表面側へ透過してしまう。
【０００３】
特許文献１には、光電変換素子１１１を有する基板（素子層１１０）を覆うように反射膜１４０が配された構造が開示されている。特許文献１の構造によると、基板を透過する光は反射膜１４０によって反射され、光電変換素子１１１において光電変換されるため、光感度を向上させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２６１３７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の構造によると、基板を透過する光は、一律に反射膜１４０によって光電変換素子１１１に向けて反射される。即ち、例えば、緑色光や赤色光が青色光を検知すべき画素（青色画素）に混入した場合には、この青色画素において緑色光や赤色光が検知されてしまう。このことは、取得すべき画像の品質を低下させうる。
【０００６】
本発明の目的は、固体撮像装置における隣接画素間の混色の防止に有利な技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一つの側面は固体撮像装置にかかり、前記固体撮像装置は、複数の画素を有する固体撮像装置であって、互いに反対の側に配された第１面及び第２面を有し、前記複数の画素のそれぞれに対応する複数の光電変換部が形成された基板と、前記基板の前記第１面の側に前記複数の画素のそれぞれに対応して設けられた複数のマイクロレンズを含む光学系と、前記基板の前記第２面の側に前記複数の画素のそれぞれに対応して設けられ、光を吸収する複数の光吸収部と、を備え、前記複数の画素は、第１波長の光を検出するための第１種類の画素と、前記第１波長より波長が短い第２波長の光を検出するための第２種類の画素とを含んでおり、前記固体撮像装置は、前記第１種類の画素のそれぞれに対しては、当該画素に対応する前記光吸収部と前記基板との間に第１部分をさらに備え、前記第２種類の画素のそれぞれに対しては、当該画素に対応する前記光吸収部と前記基板との間に第２部分をさらに備え、前記第１部分は前記第１波長の光の反射率が前記第２部分よりも大きい、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、固体撮像装置における隣接画素間の混色の防止に有利である。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態の固体撮像装置の構成例を説明する図。
【図２】第１実施形態の固体撮像装置の構成による効果を説明する図。
【図３】第１実施形態の固体撮像装置の製造方法の例の一部を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（第１実施形態）
図１乃至３を参照しながら、第１実施形態の固体撮像装置１００を説明する。図１は、固体撮像装置１００の断面構造を模式的に例示している。固体撮像装置１００は、複数の画素Ｐを有しており、基板１と光学系２０と光吸収部３０とを備え、裏面照射型の構造を有する。ここでは、説明の簡易化のため、２つの画素Ｐ（ＰＧ／ＲおよびＰＢ）を例示している。
【００１１】
基板１は、互いに反対の側に配された第１面Ｓ１及び第２面Ｓ２を有し、複数の画素Ｐのそれぞれに対応する複数の光電変換部ＰＤが形成されている。例えば、基板１はＰ型不純物を含むシリコンで構成され、光電変換部ＰＤは基板１にＮ型の不純物が注入されて形成される。また、基板１には、例えば、光電変換部ＰＤから画素信号を読み出すためのＭＯＳトランジスタが設けられ、図１には、当該ＭＯＳトランジスタのゲート酸化膜２およびゲート電極３を例示している。ゲート酸化膜２は、例えばＳｉＯ２で構成される。ゲート電極３は、例えばポリシリコンで構成される。また、これらの上には、絶縁性の部材を堆積することにより、絶縁部分６（層間絶縁層）が設けられ、その内部に電源供給用ないし信号伝達用の配線パターン（不図示）が配されうる。
【００１２】
光学系２０は、基板１の第１面の側（Ｓ１側）に各画素Ｐに対応して設けられた複数のマイクロレンズＭＬを含む。また、光学系２０はカラーフィルタ１０（１０Ｇ／Ｒおよび１０Ｂ）を有し、複数の画素Ｐが波長の異なる光を検知することが可能な構成になっている。複数の画素Ｐは、第１波長の光を検出するための第１種類の画素ＰＧ／Ｒと、第１波長より波長が短い第２波長の光を検出するための第２種類の画素ＰＢと、を含む。本実施形態では、第１波長の光として赤色光（λＲ＝６１０〜７８０［ｎｍ］程度）や緑色光（λＧ＝５００〜５７０［ｎｍ］程度）を例示し、第２波長の光として青色光（λＢ＝４３０〜４８０［ｎｍ］程度）を例示する。
【００１３】
カラーフィルタ１０Ｇ／Ｒが配された画素を画素ＰＧ／Ｒと示し、カラーフィルタ１０Ｂが配された画素を画素ＰＢと示す。カラーフィルタ１０Ｇ／Ｒは赤色光ないし緑色光を透過させ、カラーフィルタ１０Ｂは青色光を透過させる。即ち、画素ＰＧ／Ｒは、波長（λＧ／Ｒ）の長い緑色光ないし赤色光を検知し、画素ＰＢは、波長（λＢ）の短い青色光を検知する。また、光学系２０は、光を透過させる材料で構成された平坦化層９を含んでもよく、基板１の裏面側を平坦化するために形成されうる。
【００１４】
光吸収部３０は、光を吸収する部材で構成され、第２面の側（Ｓ２側）に各画素Ｐに対応してそれぞれ設けられる。光吸収部３０は絶縁部分６の内部に設けられうる。光吸収部３０は、例えば２つの部材が積層されて構成されてもよく、基板１に近い側から順に、光を吸収するための部材で構成された部分８と、導電性を有する部材で構成された金属部分７とで構成されうる。光吸収部３０は、例えば、信号を伝達するための配線パターンが配された配線層に設けられうる。金属部分７は、例えば、アルミニウムや銅などの金属部材で構成された配線パターンでもよく、制御信号用ないし信号読出用の信号線を形成しうる。部分８は、例えばＴｉＮ（チタンナイトライド）を用いて、金属配線７の原子が拡散することを防止するための層として設けられてもよい。
【００１５】
固体撮像装置１００は、第１部分４１と第２部分４２とをさらに備える。第１部分４１は、画素ＰＧ／Ｒのそれぞれにおいて、光吸収部３０と基板１との間に配される。第２部分４２は、画素ＰＢのそれぞれにおいて、光吸収部３０と基板１との間に配される。第１部分４１は、赤色光ないし緑色光に対する反射率が第２部分４２よりも大きくなるように設けられている。第１部分４１は、例えば、基板１の側から光吸収部３０の側に向かって、誘電性を有する誘電体膜４（第１誘電膜）と、誘電性を有する高屈折率膜５（第２誘電膜）と、絶縁部分６と、を含む。一方、第２部分４２は、例えば、基板１の側から光吸収部３０の側に向かって、誘電体膜４と絶縁部分６とを含む。つまり、画素ＰＧ／Ｒには高屈折率膜５が配されているが、画素ＰＢには高屈折率膜５が配されていない。
【００１６】
誘電体膜４は基板１よりも屈折率が小さい。高屈折率膜５は誘電体膜４よりも屈折率が大きい。絶縁部分６は基板１よりも屈折率が小さい。また、絶縁部分６は誘電体膜４よりも屈折率が小さい若しくは等しい。また、誘電体膜４および高屈折率膜５は、それらの光学膜厚のそれぞれが、赤色光ないし緑色光の波長の１／４の±３０％の範囲内になるように設けられるとよい。これらの光学膜厚は、好ましくは、当該波長の１／４の±２０％、さらに好ましくは、±１０％の範囲内であるとよい。具体的には、誘電体膜４は、例えばＳｉ３Ｎ４で構成され（屈折率１．９〜２．２程度）、膜厚は５０〜８０ｎｍ程度とすればよい。高屈折率膜５は、例えばポリシリコンで構成され（屈折率３．９〜４．２）、膜厚は３０〜４５ｎｍ程度とすればよい。絶縁部分６は、例えばＳｉＯ２等の誘電性の部材で構成され（屈折率１．４〜１．５）、厚さは４００ｎｍ〜１０００ｎｍ（１０００ｎｍ以上でもよい）とすればよい。以上のような構成により、赤色光ないし緑色光に対する反射率は第１部分４１の方が第２部分４２よりも大きくなるように設計できる。
【００１７】
以下、固体撮像装置１００の構成による作用・効果について、図２を参照しながら述べる。基板１の屈折率をｎ１とし、誘電体膜４の屈折率をｎ４とし、誘電体膜４の厚さをｄ４とし、高屈折率層膜５の屈折率をｎ５とし、高屈折率層膜５の厚さをｄ５とし、絶縁部分６の屈折率をｎ６とする。本実施形態では、ｎ１＞ｎ４＞ｎ６、ｎ５＞ｎ４、ｎ５＞ｎ６の関係が成立している場合について考える。なお、光を吸収する物質による消衰係数ｋ（複素屈折率の虚数成分）は、実数成分よりも十分に小さいものとする。
【００１８】
裏面照射型の固体撮像装置は、一般に、表面照射型の固体撮像装置よりも基板の厚さが薄く、例えば３μｍ程度の厚さである。よって、固体撮像装置１００において、基板１の第１面Ｓ１側から入射した光のうち波長の長い赤色光ないし緑色光は、基板１の第２面Ｓ２側に達しうる。ここでは、例として、画素ＰＧ／Ｒに垂直に入射した光が、隣接画素ＰＢに混入した場合の波長λＧ／Ｒの混色光について考える。
【００１９】
図２は、第１面Ｓ１側から入射して第２面Ｓ２側に到達した光の反射ないし透過の様子を説明するための第１部分４１および第２部分４２の拡大図である。基板１から基板１と誘電体膜４との界面Ｓ１４に到達した透過波の振幅をＡ１４とし、界面Ｓ１４において基板１に向かって反射された光の反射波成分をＲ１４とする。誘電体膜４から誘電体膜４と高屈折率膜５との界面Ｓ４５に到達した透過波の振幅をＡ４５とし、界面Ｓ４５において誘電体膜４に向かって反射された光の反射波成分をＲ４５とする。高屈折率膜５から高屈折率膜５と絶縁部分６との界面Ｓ５６に到達した透過波の振幅をＡ５６とし、界面Ｓ５６において高屈折率膜５に向かって反射された光の反射波成分をＲ５６とする。誘電体膜４から誘電体膜４と絶縁部分６との界面Ｓ４６に到達した透過波の振幅をＡ４６とし、界面Ｓ４６において誘電体膜４に向かって反射された光の反射波成分をＲ４６とする。なお、界面Ｓ４５等を代表して「界面Ｓ」と称する。
【００２０】
反射波は、屈折率の高い部材から低い部材に到達して反射される場合は位相のずれは生じず、屈折率の低い部材から高い部材に到達して反射される場合は位相が１８０°ずれる。このことは、フレネルの式を用いると、Ｒ１４＝Ａ１４×（ｎ１−ｎ４）／（ｎ１＋ｎ４）＞０と表せる。同様にして、Ｒ４５＝Ａ４５×（ｎ４−ｎ５）／（ｎ４＋ｎ５）＜０と表せ、Ｒ５６＝Ａ５６×（ｎ５−ｎ６）／（ｎ５＋ｎ６）＞０と表せ、Ｒ４６＝Ａ４６×（ｎ４−ｎ６）／（ｎ４＋ｎ６）＞０と表せる。以下では、理解を容易にするため、Ａ４５＝Ａ５６＝Ａ４６＝Ａ１４とする。この仮定（ないし近似）は、各界面Ｓにおける反射率が１よりも十分に小さい場合に成り立ち、本実施形態の構造においては妥当な近似といえる。
【００２１】
まず、図２の右側に示された画素ＰＢについて述べる。画素ＰＢに第１面Ｓ１側から垂直に入射した光（波長λＢ）は、基板１においてほぼ１００％吸収される。一方、画素ＰＧ／Ｒからの混色光（波長λＧ／Ｒ）は、第２面Ｓ２に到達しうる。光の反射を効果的に防止する条件からｎ４＝（ｎ１×ｎ６）１／２と設計すると、Ｒ１４＝Ｒ４６となる。また、ｄ４×ｎ４＝λＧ／Ｒ／４、即ち、ｄ４が波長λＧ／Ｒの１／４の光路長になるように設計すると、界面Ｓ４６における反射光の位相は、界面Ｓ１４に戻ってきたときに１８０°ずれる。よって、これらの反射光成分は、正負が逆になって打ち消し合い、即ち、第２部分４２は、混色光（波長λＧ／Ｒ）を透過させる。現実に、ｎ４＝（ｎ１×ｎ６）１／２にすることは難しいが、ｎ１＞ｎ４＞ｎ６、ｄ４×ｎ４＝λＧ／Ｒ／４になるように設計することで、反射光成分Ｒ１４と反射光成分Ｒ４６とは打ち消し合う。このようにして、第２部分４２においては、波長λＧ／Ｒの光の反射を防止し、光を透過させる。
【００２２】
次に、図２の左側に示された画素ＰＧ／Ｒについて述べる。基板１、誘電体膜４および高屈折率膜５のそれぞれの屈折率について、ｎ１＞ｎ４、ｎ５＞ｎ４の関係が成り立つとき、Ｒ１４とＲ４５とは正負が逆になる。反射光成分Ｒ４５＜０であり、即ち、位相が１８０°ずれている。また、ｄ４×ｎ４＝λＧ／Ｒ／４と設計されている。よって、これら２つの反射光は強めあう。さらに、高屈折率膜５の厚さをｄ５×ｎ５=λＧ／Ｒ／４、即ち、ｄ５を波長λＧ／Ｒの１／４の光路長になるように設計すると、界面Ｓ５６における反射光Ｒ５６の位相は、界面Ｓ１４に到達したときには３６０°ずれている。結果として、３つの反射光は強めあう。このようにして、第１部分４１においては、波長λＧ／Ｒの光を反射させる。
【００２３】
高屈折率膜５の屈折率ｎ５を大きくすると上述の反射効率を高くすることができる。高屈折率膜５には、例えばポリシリコンが用いられうるが、ポリシリコンそのものによる光の吸収を小さくするように、ポリシリコンのドーパント密度を調整するとよい（例えば、１×１０１９［ｃｍ−３］以下）。
【００２４】
図３は、固体撮像装置１００の製造方法を説明するための図である。図３（ａ）は、基板１の上に、ゲート酸化膜２およびゲート電極３を形成した後、誘電性部材４’、ポリシリコン５’、および誘電性部材１２’を堆積して、さらにフォトレジストパターン１３を形成した後の構造を示している。ゲート電極３を形成した後の基板の全面を覆うように誘電性部材４’、ポリシリコン５’、誘電性部材１２’をそれぞれ順に形成する。その後、さらにフォトレジストを形成し、公知の半導体製造プロセスによってパターニングして、フォトレジストパターン１３を形成する。
【００２５】
図３（ｂ）は、フォトレジストパターン１３をマスクとして誘電性部材１２’をエッチングによりパターニングし、誘電性の部分１２が形成された後の構造を示している。図３（ｃ）は、誘電性の部分１２をマスクとしてポリシリコン５’をエッチングによりパターニングし、高屈折率膜５が形成された後の構造を示している。その後は、公知の半導体製造プロセスによって、絶縁部分６と金属配線７とを含む配線領域を形成すればよい。誘電性部材１２’（ないし誘電性の部分１２）には、絶縁部分６と同じ部材を用いてもよいが、その屈折率ｎ１２は、少なくとも高屈折率膜５の屈折率ｎ５よりも小さくする。ここでは、ポリシリコン５’をパターニングするときのマスクとして誘電性の部分１２を用いる場合を例示したが、通常の露光工程と同様にレジストパターンを形成して行ってもよい。
【００２６】
以上では、画素ＰＢにおける各部材の屈折率について関係式ｎ１＞ｎ４＞ｎ６と、画素ＰＧ／Ｒにおける各部材の屈折率について関係式ｎ１＞ｎ４かつｎ５＞ｎ４と、ｄ４×ｎ４＝λＧ／Ｒ／４と、ｄ５×ｎ５=λＧ／Ｒ／４と設定した場合について検討した。この構成により、画素ＰＢにおいては波長λＧ／Ｒの光（混色光）を透過させ、画素ＰＧ／Ｒにおいては波長λＧ／Ｒの光（入射光）を反射させる。これにより、画素ＰＧ／Ｒにおいては光感度を向上させ、画素ＰＢにおいては、隣接画素からの混色を低減する。
【００２７】
また、固体撮像装置１００は、透過した混色光が光吸収部３０によって吸収されて基板１に向かって再び反射されないような構成を採っている。光吸収部３０について、部分８は、金属部分７よりも底面積が大きくなるように設けられてもよい。これにより、絶縁部分６の領域における光の乱反射が防止され、迷光を防ぎうる。例えば、部分８は、金属部分７の側面を覆うように設けられてもよい。
【００２８】
また、既に述べたように、誘電体膜４および高屈折率膜５の光学膜厚は、赤色光ないし緑色光の波長の１／４の±３０％の範囲内になるように設計すればよい。光学膜厚は、上記構造のパラメータに応じて適宜変更してもよく、例えば、画素Ｐのピッチ、各構成部材の厚さや屈折率を考慮して、斜入射光に対して効果が得られるように調整してもよい。
【００２９】
さらに、上述の構造は、本実施形態のように、基板１、誘電体膜４、高屈折率層膜５、絶縁部分６等、誘電性の部材および半導体を用いて構成されうる。よって、基板１への汚染源となりうる金属部材を用いないで構成することができる。よって、光電変換部ＰＤ表面に金属が混入することを防止し、その結果、暗電流によるノイズを低減することもできる。以上、本実施形態によると、固体撮像装置１００の光感度を向上させ、混色を低減し、ノイズを低減することが可能であり、固体撮像装置１００の高品質化に有利である。
【００３０】
（第２実施形態）
以下では、第２実施形態について説明する。第１実施形態では、ｎ４＞ｎ６の場合を示したが、例えば誘電体膜４としてＳｉＯ２を用いて、関係式ｎ４≦ｎ６が成り立つように構成してもよい。この場合、固体撮像装置１００は、画素ＰＢに入射した混色光（波長λＧ／Ｒ）の界面Ｓ１４における反射を防止せず、当該混色光の界面Ｓ１４における透過率は、第１実施形態よりも低い。一方、画素ＰＧ／Ｒにおいては、反射光振幅Ｒ１４およびＲ４５が第１実施形態より大きく、入射光（波長λＧ／Ｒ）の界面Ｓ１４および界面Ｓ４５における光反射の効果は第１実施形態よりも大きい。よって、本実施形態の構造は、斜入射光や迷光による混色の低減よりも、光感度の向上を優先できる場合において好適である。このことは、例えば、基板１の厚さが薄い場合や、波長がより長い光についての感度を向上させたい場合や、隣接画素間の混色に対する対策が別途なされる場合に好適である。よって、本実施形態によっても、第１実施形態と同様の効果が得られる。
【００３１】
以上、２つの実施形態を述べたが、本発明はこれらに限られるものではなく、目的、状態、用途及び機能その他の仕様に応じて、適宜、変更が可能であり、他の実施形態によっても為されうる。例えば、第１ないし第２実施形態において、誘電体膜４は、１種類の誘電性部材で構成される必要はなく、例えば、２種類の誘電性部材を用いて２層構造にしてもよいし、３層以上の構造にしてもよい。この場合、２層（ないし３層以上の）構造の誘電体膜４の合計の光学膜厚について、前述のような設計をすればよい。２層構造の場合、２種類の部材のうちの屈折率が高い方（ｎ４１とする）については、ｎ４１＜ｎ１、ｎ４１＜ｎ５となり、平均屈折率ｎ４ａｖｅがｎ４ａｖｅ＞ｎ６となるようにすれば、第１実施形態と同様の効果が得られる。また、ｎ４１＜ｎ１、ｎ４１＜ｎ５、ｎ４ａｖｅ＜ｎ６となるようにすれば、第２実施形態と同様の効果が得られる。また、実際に多く採られる構造として、２種類の部材のうち屈折率の小さい方の部材は、絶縁部分６と同じ材料としてもよい。誘電体膜４の形成は、各画素に形成されるトランジスタの各々のゲート電極が形成された後に為されればよい。
【００３２】
また、第１ないし第２実施形態では、誘電体膜４が単層構成の場合について例示したが、厳密には、例えば、ＳｉＯ２で構成されるゲート酸化膜と、Ｓｉ３Ｎ４等の誘電性部材とで構成された２層構造となる。しかし、ゲート酸化膜の厚さは、例えば数［ｎｍ］程度であり、誘電体膜４の厚さより十分に小さく、上述の関係式においてゲート酸化膜の厚さは考慮しなくてもよい。
【００３３】
以上では、カメラに含まれる固体撮像装置について述べたが、カメラの概念には、撮影を主目的とする装置のみならず、撮影機能を補助的に備える装置（例えば、パーソナルコンピュータ、携帯端末）も含まれる。カメラは、上記の実施形態として例示された本発明に係る固体撮像装置と、この固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部とを含みうる。この処理部は、例えば、Ａ／Ｄ変換器、および、このＡ／Ｄ変換器から出力されるデジタルデータを処理するプロセッサを含みうる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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