(57)【要約】【課題】  １つの磁気検知部で、４つのポジションの検出を可能とした磁気検知式スイッチおよび前記磁気検知式スイッチを使用したシフトレバー装置を提供することを目的としている。【解決手段】  磁石７（可動部５）は、平面内にて直交する第１の仮想線Ａと第２の仮想線Ｂとにより区分けされた４つのポジション（１）〜（４）間を移動可能に支持される。磁気検知部１０第１の仮想線と第２の仮想線との交差位置Ｃに固定支持されている。磁気検知部１０は、第１の磁気抵抗効果素子と、第２の磁気抵抗効果素子とを備え、各磁気抵抗効果素子の感度軸方向ＰＸ２，ＰＹ２は直交している。磁石７が４つのポジション間を移動した際、各磁気抵抗効果素子から得られる検知出力に基づいて、４つのポジション（１）〜（４）が検出可能とされる。【選択図】図１
2014106090.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定部と可動部の一方に磁界発生部が、他方に磁気検知部が設けられた磁気検知式スイッチにおいて、
前記可動部は、平面内にて直交する第１の仮想線と第２の仮想線とにより区分けされた４つのポジション間を移動可能に支持され、前記固定部に設けられた前記磁気検知部あるいは前記磁界発生部は、前記可動部と非接触にて前記第１の仮想線と前記第２の仮想線との交差位置に固定支持されており、
前記磁気検知部は、固定磁性層とフリー磁性層とが非磁性層を介して積層された構造を有する第１の磁気抵抗効果素子と、第２の磁気抵抗効果素子とを備え、前記第１の磁気抵抗効果素子の第１の感度軸方向と、前記第２の磁気抵抗効果素子の第２の感度軸方向とは直交しており、
前記可動部が４つの前記ポジション間を移動した際、前記第１の磁気抵抗効果素子から得られる第１の検知出力及び前記第２の磁気抵抗効果素子から得られる第２の検知出力に基づいて、４つの前記ポジションが検出可能とされることを特徴とする磁気検知式スイッチ。
【請求項２】
前記磁気検知部は前記固定部に設けられ、前記磁界発生部は前記可動部に設けられており、
前記第２の仮想線は１本で、前記第１の仮想線が前記第２の仮想線の方向に間隔を空けて２本設けられて前記平面内が６つの前記ポジションに区分けられており、各第１の仮想線と前記第２の仮想線との交差位置にそれぞれ前記磁気検知部が固定支持されており、前記可動部は、６つの前記ポジションのうち５つ以上の前記ポジション間を移動可能に支持されており、各磁気検知部における前記第１の磁気抵抗効果素子から得られる第１の検知出力及び前記第２の磁気抵抗効果素子から得られる第２の検知出力に基づいて、５つ以上の前記ポジションが検出可能とされる請求項１記載の磁気検知式スイッチ。
【請求項３】
前記第１の仮想線及び前記第２の仮想線がそれぞれ間隔をあけて複数本設けられて前記平面内が複数の前記ポジションに区分けされており、
前記可動部が移動可能とされた前記ポジションすべてを検出可能なように複数の前記磁気検知部が前記第１の仮想線と前記第２の仮想線との交差位置に配置されている請求項１又は２に記載の磁気検知式スイッチ。
【請求項４】
前記第１の仮想線と前記第２の仮想線との交差位置のすべてに前記磁気検知部が配置される請求項３記載の磁気検知式スイッチ。
【請求項５】
前記固定磁性層は、第１磁性層と第２磁性層とが非磁性中間層を介して積層され、前記第１磁性層と前記第２磁性層とが反平行に磁化固定されたセルフピン止め型である請求項１ないし４のいずれか１項に記載の磁気検知式スイッチ。
【請求項６】
前記第１の感度軸方向は前記第１の仮想線と平行な方向、前記第２の感度軸方向は前記第２の仮想線の平行な方向に向いている請求項１ないし５のいずれか１項に記載の磁気検知式スイッチ。
【請求項７】
前記磁界発生部は、前記可動部に設けられ、前記磁気検知部は前記固定部に設けられる請求項１ないし６のいずれか１項に記載の磁気検知式スイッチ。
【請求項８】
シフトレバーと、前記シフトレバーの傾きに伴って移動する可動部と、前記可動部に対向する固定部とを有しており、
前記可動部と前記固定部とが、請求項１ないし７のいずれかに記載の磁気検知式スイッチを構成していることを特徴とするシフトレバー装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、１つの磁気検知部で、４つのポジションの検出を可能とした磁気検知式スイッチおよび前記磁気検知式スイッチを使用したシフトレバー装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
以下の特許文献１には、ＭＲＥ素子と、バイアス磁石と、シフトレバー（カウンター磁石）とを有し、シフトレバーを操作した際に、素子によって検出された磁束の方向に基づいてレバーの位置を検出する位置検出装置が開示されている。特許文献１の［００３０］欄の記載を参照すれば、ＭＲＥ素子はＡＭＲ素子であると推測される。
【０００３】
特許文献１では、５つのポジションを検出するのに８つのＭＲＥ素子（センサチップ）を配置している。またバイアス磁石は４つ配置されている。このように５つのポジションを検出するのに基板上に多数の素子を配置しなければいけない構成となっている。
【０００４】
特許文献２には、バイアスマグネット、磁気抵抗素子及びシフトレバー（カウンタマグネット）を有し、シフトレバーを操作した際、カウンタマグネット、バイアスマグネットで生成される磁界の向きが変化したことに伴う磁気抵抗素子の出力結果に基づいてレバーの位置を検出する位置検出装置が開示されている。
【０００５】
特許文献２では、複数のバイアスマグネットが必要となり、また磁気抵抗素子にはホール素子が使用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−２０４３４０号公報
【特許文献２】特開２００７−３３３４９０号公報
【特許文献３】ＷＯ２０１１/１１１４９４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら特許文献１〜３には、１つの磁気検知部で、４つのポジションの検出を可能とした磁気検知式スイッチについて開示されていない。
【０００８】
そこで本発明は、上記従来の課題を解決するものであり、１つの磁気検知部で、４つのポジションの検出を可能とした磁気検知式スイッチおよび前記磁気検知式スイッチを使用したシフトレバー装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、固定部と可動部の一方に磁界発生部が、他方に磁気検知部が設けられた磁気検知式スイッチにおいて、
前記可動部は、平面内にて直交する第１の仮想線と第２の仮想線とにより区分けされた４つのポジション間を移動可能に支持され、前記固定部に設けられた前記磁気検知部あるいは前記磁界発生部は、前記可動部と非接触にて前記第１の仮想線と前記第２の仮想線との交差位置に固定支持されており、
前記磁気検知部は、固定磁性層とフリー磁性層とが非磁性層を介して積層された構造を有する第１の磁気抵抗効果素子と、第２の磁気抵抗効果素子とを備え、前記第１の磁気抵抗効果素子の第１の感度軸方向と、前記第２の磁気抵抗効果素子の第２の感度軸方向とは直交しており、
前記可動部が４つの前記ポジション間を移動した際、前記第１の磁気抵抗効果素子から得られる第１の検知出力及び前記第２の磁気抵抗効果素子から得られる第２の検知出力に基づいて、４つの前記ポジションが検出可能とされることを特徴とするものである。このように本発明では、１つの磁気検知部にて、４つのポジションを検出することができる。
【００１０】
本発明では、前記磁気検知部は前記固定部に設けられ、前記磁界発生部は前記可動部に設けられており、前記第２の仮想線は１本で、前記第１の仮想線が前記第２の仮想線の方向に間隔を空けて２本設けられて前記平面内が６つの前記ポジションに区分けられており、各第１の仮想線と前記第２の仮想線との交差位置にそれぞれ前記磁気検知部が固定支持されており、前記可動部は、６つの前記ポジションのうち５つ以上の前記ポジション間を移動可能に支持されており、各磁気検知部における前記第１の磁気抵抗効果素子から得られる第１の検知出力及び前記第２の磁気抵抗効果素子から得られる第２の検知出力に基づいて、５つ以上の前記ポジションが検出可能とされることが好ましい。このように本発明では５つ以上のポジションを検出することができる。また故障検知冗長性を付加することができる。
【００１１】
また本発明では、前記第１の仮想線及び前記第２の仮想線がそれぞれ間隔をあけて複数本設けられて前記平面内が複数の前記ポジションに区分けされており、
前記可動部が移動可能とされた前記ポジションすべてを検出可能なように複数の前記磁気検知部が前記第１の仮想線と前記第２の仮想線との交差位置に配置されている構成にできる。かかる場合、前記第１の仮想線と前記第２の仮想線との交差位置のすべてに前記磁気検知部が配置される構成にできる。
【００１２】
また本発明では、前記固定磁性層は、第１磁性層と第２磁性層とが非磁性中間層を介して積層され、前記第１磁性層と前記第２磁性層とが反平行に磁化固定されたセルフピン止め型であることが好ましい。これにより、感度軸方向が直交する第１の磁気抵抗効果素子と第２の磁気抵抗効果素子とを適切かつ簡単に形成することができる。
【００１３】
また本発明では、前記第１の感度軸方向は前記第１の仮想線と平行な方向、前記第２の感度軸方向は前記第２の仮想線の平行な方向に向いていることが好ましい。
【００１４】
また本発明では、前記磁界発生部は、前記可動部に設けられ、前記磁気検知部は前記固定部に設けられることが好ましい。
【００１５】
また本発明におけるシフトレバー装置は、シフトレバーと、前記シフトレバーの傾きに伴って移動する可動部と、前記可動部に対向する固定部とを有しており、
前記可動部と前記固定部とが、上記に記載の磁気検知式スイッチを構成していることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、１つの磁気検知部にて、４つのポジションを検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態における磁気検知式スイッチの平面図であり、特に磁石が（１）のポジションにあるときの説明図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施の形態における磁気検知式スイッチの平面図であり、特に磁石が（２）のポジションにあるときの説明図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施の形態における磁気検知式スイッチの平面図であり、特に磁石が（３）のポジションにあるときの説明図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施の形態における磁気検知式スイッチの平面図であり、特に磁石が（４）のポジションにあるときの説明図である。
【図５】図５は、本発明の第２の実施の形態における磁気検知式スイッチの平面図であり、特に磁石が（１）のポジションにあるときの説明図である。
【図６】図６は、本発明の第２の実施の形態における磁気検知式スイッチの平面図であり、特に磁石が（２）のポジションにあるときの説明図である。
【図７】図７は、本発明の第２の実施の形態における磁気検知式スイッチの平面図であり、特に磁石が（３）のポジションにあるときの説明図である。
【図８】図８は、本発明の第２の実施の形態における磁気検知式スイッチの平面図であり、特に磁石が（４）のポジションにあるときの説明図である。
【図９】図９は、本発明の第２の実施の形態における磁気検知式スイッチの平面図であり、特に磁石が（５）のポジションにあるときの説明図である。
【図１０】図１０は、本発明の第３の実施の形態における磁気検知式スイッチの平面図（概念図）である。
【図１１】図１１は、本実施形態における磁気抵抗効果素子の素子構造を示す部分縦断面図である。
【図１２】図１２は、磁気検知部の斜視図である。
【図１３】図１３は、第１の磁気抵抗効果素子の部分平面図である。
【図１４】図１４は、第１の検知部と第２の検知部を構成するスイッチ回路の回路図である。
【図１５】図１５は、スイッチ回路の出力波形図である。
【図１６】図１６は、本発明の実施の形態のシフトレバー装置を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図１に示す磁気検知式スイッチ１は、１つの磁石（磁界発生部）７と、１つの磁気検知部１０とを有して構成される。磁石７と磁気検知部１０とは非接触に配置されている。
【００１９】
図１のように磁石７は、例えば平面視が円形状であるが、形状を限定するものではない。また磁石７は所定の厚みを有しており、上面と下面がそれぞれ異極に着磁されている。
【００２０】
図１に示す磁石７は可動部５に設けられ、磁気検知部１０は固定部２（基板）に設けられている。
【００２１】
図１に示すように固定部２の表面２ａは、平面内にて直交する１本の第１の仮想線Ａと１本の第２の仮想線Ｂにて４つのポジション（１）〜（４）に区分けされている。図１に示すように第１の仮想線ＡはＸ１−Ｘ２方向に平行に延出し、第２の仮想線Ｂは、Ｙ１−Ｙ２方向に平行に延出している。
【００２２】
またポジション（１）〜（４）とは磁石７の検知位置を指し、図１では磁石７が移動可能な領域内であって、磁石７の中心７ａが、第１の仮想線Ａと第２の仮想線Ｂとが交わる交差位置Ｃから最も離れた４つの位置を指している。例えば磁石７の中心７ａは一点鎖線で示したパターンＤに沿って移動可能に支持されている。
【００２３】
磁気検知部１０（の中心）は、第１の仮想線Ａと第２の仮想線Ｂとの交差位置Ｃに設けられる。
【００２４】
磁気検知部１０は、第１の磁気抵抗効果素子と第２の磁気抵抗効果素子とを有している。
【００２５】
図１１に、第１の磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）１１を構成する素子部１１ａの積層構造を示す。図１１に示すように、第１の磁気抵抗効果素子１１は、下からシード層１２、固定磁性層１３、非磁性材料層１４、フリー磁性層１５及び保護層１６の順に積層されて成膜される。第１の磁気抵抗効果素子１１を構成する各層は、例えばスパッタにて成膜される。
【００２６】
シード層１２は、ＮｉＦｅＣｒあるいはＣｒ等で形成される。またシード層１２の膜厚は、３６〜６０Å程度である。シード層１２と、基板との間に、Ｔａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ等からなる下地層が形成されていてもよい。
【００２７】
固定磁性層１３は、第１磁性層１３ａと第２磁性層１３ｃと、第１磁性層１３ａ及び第２磁性層１３ｃ間に介在する非磁性中間層１３ｂとのＳＦＰ（Synthetic Ferri Pin）構造である。
【００２８】
図１に示すように第１磁性層１３ａの固定磁化方向（ＰＸ１）と、第２磁性層１３ｃの固定磁化方向（ＰＸ２）は反平行となっている。
【００２９】
図１に示すように、第１磁性層１３ａはシード層１２上に形成されており、第２磁性層１３ｃは、後述する非磁性材料層１４に接して形成されている。
【００３０】
本実施形態における固定磁性層１３は、ＳＦＰ構造によるセルフピン止め型である。すなわち反強磁性層を備えない構成である。かかる場合でも固定磁性層１３／非磁性材料層１４／フリー磁性層１５の積層構造を有している。
【００３１】
固定磁性層１３、フリー磁性層１５はＮｉＦｅやＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ等の軟磁性材料で形成される。非磁性材料層１４はＣｕ等の非磁性導電材料やＡｌ２Ｏ３等の絶縁層で形成される。フリー磁性層１５は符号１５ａと符号１５ｂの２層構造である。例えば符号１５ａがＣｏＦｅで符号１５ｂがＮｉＦｅで形成される。ただしフリー磁性層１５は単層構造でもよい。
【００３２】
固定磁性層１３の磁化固定力を高めるには、第１磁性層１３ａの保磁力Ｈｃを高めること、第１磁性層１３ａと第２磁性層１３ｃの磁化量の差を実質的にゼロに調整すること、さらには非磁性中間層１３ｂの膜厚を調整して第１磁性層１３ａと第２磁性層１３ｃ間に生じるＲＫＫＹ相互作用により反平行結合磁界を強めることが重要とされている。
【００３３】
第１の磁気抵抗効果素子１１の感度軸方向は、図１１に示す固定磁性層１３を構成する第２磁性層１３ｃの固定磁化方向ＰＸ２である。
【００３４】
一方、第２の磁気抵抗効果素子を構成する素子部は、図１１と同じ積層構造であるが、図１に示すように感度軸方向ＰＹ２が第１の磁気抵抗効果素子１１の第１の感度軸方向ＰＸ２に対して直交する方向とされている。
【００３５】
図１２に示すように、磁気検知部１０は、ＩＣパッケージ２０の上面２０ａに、一対の第１の磁気抵抗効果素子１１と、一対の第２の磁気抵抗効果素子１７、ならびに４個の固定抵抗素子１８が薄膜形成プロセスによって搭載されている。
【００３６】
図１３に示すように、第１の磁気抵抗効果素子１１は、Ｙ１−Ｙ２方向に間隔を空けてＸ１−Ｘ２方向に長く形成された複数の素子部１１ａと、隣り合う素子部１１ａの端部間を接続する導電性の接続部１９とを有して構成される。第１の磁気抵抗効果素子１１は素子部１１ａと接続部１９によりミアンダ形状とされる。
【００３７】
第２の磁気抵抗効果素子１７も第１の磁気抵抗効果素子１１と同様にミアンダ形状で形成されるが、第２の磁気抵抗効果素子１７は、図１３のミアンダ形状を９０度回転させた形態となっている。
【００３８】
図１１に示すセルフピン止め型の磁気抵抗効果素子とすることで、第１の磁気抵抗効果素子１１と第２の磁気抵抗効果素子１７の双方を同一の基板上に形成できる。ただし、第１の磁気抵抗効果素子１１の第１の感度軸方向ＰＸ２と、第２の磁気抵抗効果素子１７の第２の感度軸方向ＰＹ２とを直交させることができれば、セルフピン止め型以外としてもよい。例えば基板は別々になるが反強磁性層を用いて磁場中熱処理により固定磁性層の磁化方向（感度軸方向）を所定方向に固定する方式とすることもできる。
【００３９】
図１４（Ａ）に示すように、第１のスイッチ回路２１は、２個の第１の磁気抵抗効果素子１１と２個の固定抵抗素子１８によりブリッジ回路２３が構成される。第１の磁気抵抗効果素子１１と固定抵抗素子１８との間の２つの中点電位が差動アンプ２４に与えられて差動出力が得られる。この差動出力がシュミットトリガー回路２５に与えられる。
【００４０】
図１４（Ｂ）に示すように、第２のスイッチ回路２２は、２個の第２の磁気抵抗効果素子１７と２個の固定抵抗素子１８によりブリッジ回路２６が構成される。第２の磁気抵抗効果素子１７と固定抵抗素子１８との間の２つの中点電位が差動アンプ２７に与えられて差動出力が得られる。この差動出力がシュミットトリガー回路２８に与えられる。
【００４１】
図１１に示す第１の磁気抵抗効果素子１１の素子部１１ａに対してＸ２方向に外部磁界Ｈが及ぶと、フリー磁性層１５の磁化方向がＸ２方向に向くため、フリー磁性層１５と固定磁性層１３の磁化方向が平行になり図１５に示すように電気抵抗値（素子両端電圧値）が低下する。一方、第１の磁気抵抗効果素子１１の素子部１１ａに対してＸ１方向に外部磁界Ｈが及ぶと、フリー磁性層１５の磁化方向がＸ１方向に向くため、フリー磁性層１５と固定磁性層１３の磁化方向が反平行になり図１５に示すように電気抵抗値（素子両端電圧値）が増大する。
【００４２】
図１５に示すようにシュミットトリガー回路２５には閾値ＬＶが定められており、電気抵抗値が閾値ＬＶを下回ると例えばＯＮ信号が、電気抵抗値が閾値ＬＶを上回ると例えばＯＦＦ信号がそれぞれ第１の検知出力Ｓ１として出力される。
【００４３】
第２の磁気抵抗効果素子１７に対しては、Ｙ１方向に外部磁界Ｈが及ぶと、フリー磁性層１５の磁化方向がＹ１方向に向くため、フリー磁性層１５と固定磁性層１３の磁化方向（Ｙ２方向）が反平行になり電気値が増大する。一方、第２の磁気抵抗効果素子１７に対してＹ２方向に外部磁界Ｈが及ぶと、フリー磁性層１５の磁化方向がＹ２方向に向くため、フリー磁性層１５と固定磁性層１３の磁化方向が平行になり電気値が低下する。
【００４４】
そして図１５と同じように、シュミットトリガー回路には閾値ＬＶが定められており、電気抵抗値が閾値ＬＶを下回ると例えばＯＮ信号が、電気抵抗値が閾値ＬＶを上回ると例えばＯＦＦ信号がそれぞれ第２の検知出力Ｓ２として出力される。
【００４５】
なお図１５に示すヒステリシスループは一例である。層間結合磁界Ｈｉｎの大きさ等によってヒステリシスループを異なるものにできる。このとき、外部磁界の方向の違いでＯＮ信号／ＯＦＦ信号を切り換えることが可能であれば、特にヒステリシスループの形を限定するものではない。
【００４６】
今、図１に示すように、磁石７が、第１のポジション（１）に存在すると、磁石７から磁気検知部１０に対して第１の外部磁界Ｈ１が作用する。図１に示すように第１の外部磁界Ｈ１の方向は、Ｘ２方向及びＹ２方向に対して斜めに傾いている。
【００４７】
磁気検知部１０が第１の外部磁界Ｈ１を受けると、第１の磁気抵抗効果素子１１及び第２の磁気抵抗効果素子１７の双方のフリー磁性層１５の磁化方向が第１の外部磁界Ｈ１の方向を向く。
【００４８】
これにより第１の磁気抵抗効果素子１１では、フリー磁性層１５の磁化方向が第１の感度軸方向ＰＸ２に近づき、したがって第１の磁気抵抗効果素子１１の電気抵抗値は低下する。このとき電気抵抗値が閾値ＬＶを下回り、ＯＮ信号の第１の検知出力Ｓ１が出力される。
【００４９】
また、第２の磁気抵抗効果素子１７でも、フリー磁性層１５の磁化方向が第２の感度軸方向ＰＹ２に近づき、したがって第１の磁気抵抗効果素子１１の電気抵抗値は低下する。このとき電気抵抗値が閾値ＬＶを下回り、ＯＮ信号の第２の検知出力Ｓ２が出力される。
【００５０】
次に、図２に示すように、磁石７が、第２のポジション（２）に存在すると、磁石７から磁気検知部１０に対して第２の外部磁界Ｈ２が作用する。図２に示すように第２の外部磁界Ｈ２の方向は、Ｘ２方向及びＹ１方向に対して斜めに傾いている。
【００５１】
磁気検知部１０が第２の外部磁界Ｈ２を受けると、第１の磁気抵抗効果素子１１及び第２の磁気抵抗効果素子１７の双方のフリー磁性層１５の磁化方向が第２の外部磁界Ｈ２の方向を向く。
【００５２】
これにより第１の磁気抵抗効果素子１１では、フリー磁性層１５の磁化方向が第１の感度軸方向ＰＸ２に近づき、したがって第１の磁気抵抗効果素子１１の電気抵抗値は低下する。このとき電気抵抗値が閾値ＬＶを下回り、ＯＮ信号の第１の検知出力Ｓ１が出力される。
【００５３】
また、第２の磁気抵抗効果素子１７では、フリー磁性層１５の磁化方向が第２の感度軸方向ＰＹ２から遠ざかり、したがって第２の磁気抵抗効果素子１７の電気抵抗値は増大する。このとき電気抵抗値が閾値ＬＶを上回り、ＯＦＦ信号の第２の検知出力Ｓ２が出力される。
【００５４】
次に、図３に示すように、磁石７が、第３のポジション（３）に存在すると、磁石７から磁気検知部１０に対して第３の外部磁界Ｈ３が作用する。図３に示すように第３の外部磁界Ｈ３の方向は、Ｘ１方向及びＹ１方向に対して斜めに傾いている。
【００５５】
磁気検知部１０が第３の外部磁界Ｈ３を受けると、第１の磁気抵抗効果素子１１及び第２の磁気抵抗効果素子１７の双方のフリー磁性層１５の磁化方向が第３の外部磁界Ｈ３の方向を向く。
【００５６】
これにより第１の磁気抵抗効果素子１１では、フリー磁性層１５の磁化方向が第１の感度軸方向ＰＸ２から遠ざかり、したがって第１の磁気抵抗効果素子１１の電気抵抗値は増大する。このとき電気抵抗値が閾値ＬＶを上回り、ＯＦＦ信号の第１の検知出力Ｓ１が出力される。
【００５７】
また、第２の磁気抵抗効果素子１７でも、フリー磁性層１５の磁化方向が第２の感度軸方向ＰＹ２から遠ざかり、したがって第２の磁気抵抗効果素子１７の電気抵抗値は増大する。このとき電気抵抗値が閾値ＬＶを上回り、ＯＦＦ信号の第２の検知出力Ｓ２が出力される。
【００５８】
次に、図４に示すように、磁石７が、第４のポジション（４）に存在すると、磁石７から磁気検知部１０に対して第４の外部磁界Ｈ４が作用する。図４に示すように第４の外部磁界Ｈ４の方向は、Ｘ１方向及びＹ２方向に対して斜めに傾いている。
【００５９】
磁気検知部１０が第４の外部磁界Ｈ４を受けると、第１の磁気抵抗効果素子１１及び第２の磁気抵抗効果素子１７の双方のフリー磁性層１５の磁化方向が第４の外部磁界Ｈ４の方向を向く。
【００６０】
これにより第１の磁気抵抗効果素子１１では、フリー磁性層１５の磁化方向が第１の感度軸方向ＰＸ２から遠ざかり、したがって第１の磁気抵抗効果素子１１の電気抵抗値は増大する。このとき電気抵抗値が閾値ＬＶを上回り、ＯＦＦ信号の第１の検知出力Ｓ１が出力される。
【００６１】
一方、第２の磁気抵抗効果素子１７では、フリー磁性層１５の磁化方向が第２の感度軸方向ＰＹ２に近づき、したがって第２の磁気抵抗効果素子１７の電気抵抗値は低下する。このとき電気抵抗値が閾値ＬＶを下回り、ＯＮ信号の第２の検知出力Ｓ２が出力される。
【００６２】
上記した各ポジション（１）〜（４）と、第１の検知出力Ｓ１及び第２の検知出力Ｓ２との関係について以下の表１に示す。
【００６３】
【表１】
2014106090.tif 000003
【００６４】
表１に示すように第１の検知出力Ｓ１及び第２の検知出力Ｓ２のＯＮ信号／ＯＦＦ信号の組み合わせは、各ポジション（１）〜（４）にて異なっている（一致していない）。したがって、第１の検知出力Ｓ１及び第２の検知出力Ｓ２にて得られるＯＮ信号／ＯＦＦ信号により、４つのポジション（１）〜（４）を検出することができる。
【００６５】
図５ないし図９には第２の実施形態の磁気検知式スイッチ３０が示されている。図１と同じ部分については同じ符号を付した。
【００６６】
図５に示すように、磁気検知式スイッチ３０は、１つの磁石（磁界発生部）７と、２つの磁気検知部３１，３２とを有して構成される。磁石７と各磁気検知部３１，３２とは非接触に配置されている。
【００６７】
図５に示す磁石７は可動部５に設けられ、各磁気検知部３１，３２は固定部２（基板）に設けられている。
【００６８】
図５に示すように固定部２の表面２ａは、平面内にて直交する２本の第１の仮想線Ａと１本の第２の仮想線Ｂにて６つのポジション（１）〜（６）に区分けされている。各第１の仮想線Ａは、第２の仮想線Ｂが向く方向であるＹ１−Ｙ２方向に間隔を空けて設けられる。
【００６９】
そして各磁気検知部３１，３２（の中心）は、各第１の仮想線Ａと第２の仮想線Ｂとが交わる交差位置Ｃ１，Ｃ２に設けられる。
【００７０】
第１の磁気検知部３１及び第２の磁気検知部３２は、図１で示した磁気検知部１０と同様に、図１２に示す第１の磁気抵抗効果素子１１及び第２の磁気抵抗効果素子１７を備え、各磁気抵抗効果素子１１，１７の平面パターン、素子部の積層構成、スイッチ回路の構成等は図１１〜図１５に示したものと同じである。
【００７１】
磁石７は可動部５により、一点鎖線Ｅに沿って移動可能に支持されている。
図５に示すように、磁石７が、第１のポジション（１）にあるとき、第１の磁気検知部３１及び第２の磁気検知部３２に対してそれぞれ第１の外部磁界Ｈ１ａ，Ｈ１ｂが作用する。
【００７２】
このとき、第１の磁気検知部３１に作用する第１の外部磁界Ｈ１ａの方向は、Ｘ２方向及びＹ２方向に対して斜めに傾いている。
【００７３】
第１の磁気検知部３１が第１の外部磁界Ｈ１ａを受けると、第１の磁気抵抗効果素子１１及び第２の磁気抵抗効果素子１７の双方のフリー磁性層１５の磁化方向が第１の外部磁界Ｈ１ａの方向を向く。
【００７４】
これにより第１の磁気検知部３１を構成する第１の磁気抵抗効果素子１１では、フリー磁性層１５の磁化方向が第１の感度軸方向ＰＸ２に近づき、したがって第１の磁気抵抗効果素子１１の電気抵抗値は低下する。このとき電気抵抗値が閾値ＬＶを下回り、ＯＮ信号の第１の検知出力Ｓ１が出力される。なお以下では、第１の磁気検知部３１からの第１の検知出力を「第１の検知出力（１−Ｓ１）」と表記することとする。
【００７５】
また、第１の磁気検知部３１を構成する第２の磁気抵抗効果素子１７では、フリー磁性層１５の磁化方向が第２の感度軸方向ＰＹ２に近づき、したがって第２の磁気抵抗効果素子１７の電気抵抗値は低下する。このとき電気抵抗値が閾値ＬＶを下回り、ＯＮ信号の第２の検知出力Ｓ２が出力される。なお以下では、第１の磁気検知部３１からの第２の検知出力を「第２の検知出力（１−Ｓ２）」と表記することとする。
【００７６】
一方、第２の磁気検知部３２に作用する第１の外部磁界Ｈ１ｂの方向は、Ｘ２方向及びＹ１方向に対して斜めに傾いている。
【００７７】
第２の磁気検知部３２が第１の外部磁界Ｈ１ｂを受けると、第１の磁気抵抗効果素子１１及び第２の磁気抵抗効果素子１７の双方のフリー磁性層１５の磁化方向が第１の外部磁界Ｈ１ｂの方向を向く。
【００７８】
これにより第２の磁気検知部３２における第１の磁気抵抗効果素子１１では、フリー磁性層１５の磁化方向が第１の感度軸方向ＰＸ２に近づき、したがって第１の磁気抵抗効果素子１１の電気抵抗値は低下する。このとき電気抵抗値が閾値ＬＶを下回り、ＯＮ信号の第１の検知出力Ｓ１が出力される。なお以下では、第２の磁気検知部３２からの第１の検知出力を「第１の検知出力（２−Ｓ１）」と表記することとする。
【００７９】
また、第２の磁気検知部３２における第２の磁気抵抗効果素子１７では、フリー磁性層１５の磁化方向が第２の感度軸方向ＰＹ２から遠ざかり、したがって第２の磁気抵抗効果素子１７の電気抵抗値は増大する。このとき電気抵抗値が閾値ＬＶを上回り、ＯＦＦ信号の第２の検知出力Ｓ２が出力される。なお以下では、第２の磁気検知部３２からの第２の検知出力を「第２の検知出力（２−Ｓ２）」と表記することとする。
【００８０】
次に、図６に示すように、磁石７が、第２のポジション（２）に存在すると、磁石７から各磁気検知部３１，３２に対して第２の外部磁界Ｈ２ａ，Ｈ２ｂが作用する。
【００８１】
このとき第１の磁気検知部３１に作用する第２の外部磁界Ｈ２ａの方向は、Ｘ２方向及びＹ１方向に対して斜めに傾いている。
【００８２】
第１の磁気検知部３１が第２の外部磁界Ｈ２ａを受けると、第１の磁気検知部３１を構成する第１の磁気抵抗効果素子１１及び第２の磁気抵抗効果素子１７の双方のフリー磁性層１５の磁化方向が第２の外部磁界Ｈ２ａの方向を向く。
【００８３】
これにより第１の磁気検知部３１を構成する第１の磁気抵抗効果素子１１では、フリー磁性層１５の磁化方向が第１の感度軸方向ＰＸ２に近づき、したがって第１の磁気抵抗効果素子１１の電気抵抗値は低下する。このとき電気抵抗値が閾値ＬＶを下回り、ＯＮ信号の第１の検知出力（１−Ｓ１）が出力される。
【００８４】
また、第１の磁気検知部３１を構成する第２の磁気抵抗効果素子１７では、フリー磁性層１５の磁化方向が第２の感度軸方向ＰＹ２から遠ざかり、したがって第２の磁気抵抗効果素子１７の電気抵抗値は増大する。このとき電気抵抗値が閾値ＬＶを上回り、ＯＦＦ信号の第２の検知出力（１−Ｓ２）が出力される。
【００８５】
また、第２の磁気検知部３２に作用する第２の外部磁界Ｈ２ｂの方向は、Ｘ２方向及びＹ１方向に対して斜めに傾いている。
【００８６】
第２の磁気検知部３２が第２の外部磁界Ｈ２ｂを受けると、第１の磁気抵抗効果素子１１及び第２の磁気抵抗効果素子１７の双方のフリー磁性層１５の磁化方向が第２の外部磁界Ｈ２ｂの方向を向く。
【００８７】
これにより第２の磁気検知部３２における第１の磁気抵抗効果素子１１では、フリー磁性層１５の磁化方向が第１の感度軸方向ＰＸ２に近づき、したがって第１の磁気抵抗効果素子１１の電気抵抗値は低下する。このとき電気抵抗値が閾値ＬＶを下回り、ＯＮ信号の第１の検知出力（２−Ｓ１）が出力される。
【００８８】
一方、第２の磁気検知部３２における第２の磁気抵抗効果素子１７では、フリー磁性層１５の磁化方向が第２の感度軸方向ＰＹ２から遠ざかり、したがって第２の磁気抵抗効果素子１７の電気抵抗値は増大する。このとき電気抵抗値が閾値ＬＶを上回り、ＯＦＦ信号の第２の検知出力（２−Ｓ２）が出力される。
【００８９】
次に、図７に示すように、磁石７が、第３のポジション（３）に存在すると、磁石７から各磁気検知部３１，３２に対して第３の外部磁界Ｈ３ａ，Ｈ３ｂが作用する。
【００９０】
このとき図７に示すように第１の磁気検知部３１に作用する第３の外部磁界Ｈ３ａの方向は、Ｘ１方向及びＹ１方向に対して斜めに傾いている。
【００９１】
第１の磁気検知部３１が第３の外部磁界Ｈ３ａを受けると、第１の磁気抵抗効果素子１１及び第２の磁気抵抗効果素子１７の双方のフリー磁性層１５の磁化方向が第３の外部磁界Ｈ３ａの方向を向く。
【００９２】
これにより第１の磁気検知部３１を構成する第１の磁気抵抗効果素子１１では、フリー磁性層１５の磁化方向が第１の感度軸方向ＰＸ２から遠ざかり、したがって第１の磁気抵抗効果素子１１の電気抵抗値は増大する。このとき電気抵抗値が閾値ＬＶを上回り、ＯＦＦ信号の第１の検知出力（１−Ｓ１）が出力される。
【００９３】
また、第１の磁気検知部３１を構成する第２の磁気抵抗効果素子１７でも、フリー磁性層１５の磁化方向が第２の感度軸方向ＰＹ２から遠ざかり、したがって第２の磁気抵抗効果素子１７の電気抵抗値は増大する。このとき電気抵抗値が閾値ＬＶを上回り、ＯＦＦ信号の第２の検知出力（１−Ｓ２）が出力される。
【００９４】
また、第２の磁気検知部３２に作用する第３の外部磁界Ｈ３ｂの方向は、Ｘ１方向及びＹ１方向に対して斜めに傾いている。
【００９５】
第２の磁気検知部３２が第３の外部磁界Ｈ３ｂを受けると、第１の磁気抵抗効果素子１１及び第２の磁気抵抗効果素子１７の双方のフリー磁性層１５の磁化方向が第３の外部磁界Ｈ３ｂの方向を向く。
【００９６】
これにより第２の磁気検知部３２における第１の磁気抵抗効果素子１１では、フリー磁性層１５の磁化方向が第１の感度軸方向ＰＸ２から遠ざかり、したがって第１の磁気抵抗効果素子１１の電気抵抗値は増大する。このとき電気抵抗値が閾値ＬＶを上回り、ＯＦＦ信号の第１の検知出力（２−Ｓ１）が出力される。
【００９７】
また、第２の磁気検知部３２における第２の磁気抵抗効果素子１７でも、フリー磁性層１５の磁化方向が第２の感度軸方向ＰＹ２から遠ざかり、したがって第２の磁気抵抗効果素子１７の電気抵抗値は増大する。このとき電気抵抗値が閾値ＬＶを上回り、ＯＦＦ信号の第２の検知出力（２−Ｓ２）が出力される。
【００９８】
次に、図８に示すように、磁石７が、第４のポジション（４）に存在すると、磁石７から各磁気検知部３１，３２に対して第４の外部磁界Ｈ４ａ，Ｈ４ｂが作用する。
【００９９】
このとき図８に示すように第１の磁気検知部３１に作用する第４の外部磁界Ｈ４ａの方向は、Ｘ１方向及びＹ２方向に対して斜めに傾いている。
【０１００】
第１の磁気検知部３１が第４の外部磁界Ｈ４ａを受けると、第１の磁気抵抗効果素子１１及び第２の磁気抵抗効果素子１７の双方のフリー磁性層１５の磁化方向が第４の外部磁界Ｈ４ａの方向を向く。
【０１０１】
これにより第１の磁気検知部３１を構成する第１の磁気抵抗効果素子１１では、フリー磁性層１５の磁化方向が第１の感度軸方向ＰＸ２から遠ざかり、したがって第１の磁気抵抗効果素子１１の電気抵抗値は増大する。このとき電気抵抗値が閾値ＬＶを上回り、ＯＦＦ信号の第１の検知出力（１−Ｓ１）が出力される。
【０１０２】
一方、第１の磁気検知部３１を構成する第２の磁気抵抗効果素子１７では、フリー磁性層１５の磁化方向が第２の感度軸方向ＰＹ２に近づき、したがって第２の磁気抵抗効果素子１７の電気抵抗値は低下する。このとき電気抵抗値が閾値ＬＶを下回り、ＯＮ信号の第２の検知出力（１−Ｓ２）が出力される。
【０１０３】
また、第２の磁気検知部３２に作用する第４の外部磁界Ｈ４ｂの方向は、Ｘ１方向及びＹ１方向に対して斜めに傾いている。
【０１０４】
第２の磁気検知部３２が第４の外部磁界Ｈ４ｂを受けると、第１の磁気抵抗効果素子１１及び第２の磁気抵抗効果素子１７の双方のフリー磁性層１５の磁化方向が第４の外部磁界Ｈ４ｂの方向を向く。
【０１０５】
これにより第２の磁気検知部３２における第１の磁気抵抗効果素子１１では、フリー磁性層１５の磁化方向が第１の感度軸方向ＰＸ２から遠ざかり、したがって第１の磁気抵抗効果素子１１の電気抵抗値は増大する。このとき電気抵抗値が閾値ＬＶを上回り、ＯＦＦ信号の第１の検知出力（２−Ｓ１）が出力される。
【０１０６】
また、第２の磁気検知部３２における第２の磁気抵抗効果素子１７でも、フリー磁性層１５の磁化方向が第２の感度軸方向ＰＹ２から遠ざかり、したがって第２の磁気抵抗効果素子１７の電気抵抗値は増大する。このとき電気抵抗値が閾値ＬＶを上回り、ＯＦＦ信号の第２の検知出力（２−Ｓ２）が出力される。
【０１０７】
次に、図９に示すように、磁石７が、第５のポジション（５）に存在すると、磁石７から各磁気検知部３１，３２に対して第５の外部磁界Ｈ５ａ，Ｈ５ｂが作用する。
【０１０８】
このとき図９に示すように第１の磁気検知部３１に作用する第５の外部磁界Ｈ５ａの方向は、Ｘ１方向及びＹ２方向に対して斜めに傾いている。
【０１０９】
第１の磁気検知部３１が第５の外部磁界Ｈ５ａを受けると、第１の磁気抵抗効果素子１１及び第２の磁気抵抗効果素子１７の双方のフリー磁性層１５の磁化方向が第５の外部磁界Ｈ５ａの方向を向く。
【０１１０】
これにより第１の磁気検知部３１を構成する第１の磁気抵抗効果素子１１では、フリー磁性層１５の磁化方向が第１の感度軸方向ＰＸ２から遠ざかり、したがって第１の磁気抵抗効果素子１１の電気抵抗値は増大する。このとき電気抵抗値が閾値ＬＶを上回り、ＯＦＦ信号の第１の検知出力（１−Ｓ１）が出力される。
【０１１１】
一方、第１の磁気検知部３１を構成する第２の磁気抵抗効果素子１７では、フリー磁性層１５の磁化方向が第２の感度軸方向ＰＹ２に近づき、したがって第２の磁気抵抗効果素子１７の電気抵抗値は低下する。このとき電気抵抗値が閾値ＬＶを下回り、ＯＮ信号の第２の検知出力（１−Ｓ２）が出力される。
【０１１２】
また、第２の磁気検知部３２に作用する第５の外部磁界Ｈ５ｂの方向は、Ｘ１方向及びＹ２方向に対して斜めに傾いている。
【０１１３】
第２の磁気検知部３２が第５の外部磁界Ｈ５ｂを受けると、第１の磁気抵抗効果素子１１及び第２の磁気抵抗効果素子１７の双方のフリー磁性層１５の磁化方向が第５の外部磁界Ｈ５ｂの方向を向く。
【０１１４】
これにより第２の磁気検知部３２における第１の磁気抵抗効果素子１１では、フリー磁性層１５の磁化方向が第１の感度軸方向ＰＸ２から遠ざかり、したがって第１の磁気抵抗効果素子１１の電気抵抗値は増大する。このとき電気抵抗値が閾値ＬＶを上回り、ＯＦＦ信号の第１の検知出力（２−Ｓ１）が出力される。
【０１１５】
一方、第２の磁気検知部３２における第２の磁気抵抗効果素子１７では、フリー磁性層１５の磁化方向が第２の感度軸方向ＰＹ２に近づき、したがって第２の磁気抵抗効果素子１７の電気抵抗値は低下する。このとき電気抵抗値が閾値ＬＶを下回り、ＯＮ信号の第２の検知出力（２−Ｓ２）が出力される。
【０１１６】
上記した各ポジション（１）〜（５）と、各検知出力（１−Ｓ１）（２−Ｓ１）（１−Ｓ２）（２−Ｓ２）との関係について以下の表２に示す。
【０１１７】
【表２】
2014106090.tif 000004
【０１１８】
表２に示すように各検知出力（１−Ｓ１）（２−Ｓ２）（１−Ｓ２）（２−Ｓ２）のＯＮ信号／ＯＦＦ信号の組み合わせは、各ポジション（１）〜（５）にて異なっている（一致していない）。したがって、各検知出力（１−Ｓ１）（２−Ｓ１）（１−Ｓ２）（２−Ｓ２）にて得られるＯＮ信号／ＯＦＦ信号により、５つのポジション（１）〜（５）を検出することができる。
【０１１９】
また第１の磁気検知部３１と第２の磁気検知部３２との双方のＯＮ信号／ＯＦＦ信号の組み合わせで５つのポジション（１）〜（５）を検知するので、故障検知冗長性を付加できる。例えば、表２に示すように、検知出力（１−Ｓ１）（１−Ｓ２）（２−Ｓ２）を組み合わせたシステム−１、検知出力（１−Ｓ１）（２−Ｓ１）（２−Ｓ２）を組み合わせたシステム−２などを作る。このとき、何らかの原因で例えば第２の磁気検知部３２の第１の検知出力（２−Ｓ１）が故障して出力不能になっても、システム−１を起動させることで、５つのポジション（１）〜（５）を検知することが可能である。どのようなシステムを作るかについては任意に決定できるが、例えば上記のように、一方の磁気検知部の双方の検知出力と、他方の磁気検知部の一つの検知出力とを組み合わせる。
【０１２０】
図５ないし図９に示す実施形態では、磁石７（可動部５）がポジション（１）〜（５）を移動し、第６のポジション（６）には移動しないので、第６のポジション（６）の検知は不要であるが、図５ないし図９に示す磁気検知式スイッチ３０によれば、第６のポジション（６）（図５参照）も検知することが可能であるので、５つ以上のポジションの検知が可能とされている。
【０１２１】
図１０に示す第３の実施形態では、複数の第１の仮想線Ａと複数の第２の仮想線Ｂとにより多数のポジションＰ（図１０に示す丸印）に区分けされている。そして可動部（磁石７）が移動可能なポジションＰのすべてを検知可能なように複数の磁気検知部が第１の仮想線Ａと第２の仮想線Ｂの交差位置Ｃに配置されている。なお図１０では、一つのポジションＰ及び一つの交差位置Ｃにのみ符号を付した。
【０１２２】
図１０の実施形態では、すべての交差位置Ｃに磁気検知部を配置しなくてもよい。すなわち可動部（磁石７）が移動しないポジションＰがあれば、そのポジションＰは検知しなくてもよいので、検知すべきポジションＰに合わせて、複数の磁気検知部を配置すればよい。例えば交差位置Ｃに対して一つ置きに磁気検知部を配置することができる。
【０１２３】
また全ての交差位置Ｃに磁気検知部を配置することも可能である。これによりすべてのポジションＰを２以上の磁気検知部からの検知出力の組み合わせで検知でき、故障検知冗長性を付加することが可能である。
【０１２４】
なお上記の実施形態では、可動部５に磁石７を、固定部２に磁気検知部を配置したが、固定部側に磁石を、可動部側に磁気検知部を設置してもよい。
【０１２５】
また第１の磁気抵抗効果素子１１の第１の感度軸方向ＰＸ２及び第２の磁気抵抗効果素子１７の第２の感度軸方向ＰＹ２は互いに直交関係にあれば、それぞれ、Ｘ１−Ｘ２方向及びＹ１−Ｙ２方向からずれていてもよいが、Ｘ１−Ｘ２方向及びＹ１−Ｙ２方向に各感度軸方向ＰＸ２，ＰＹ２を向けることで、各ポジションを適切に検知することが可能である。
【０１２６】
本実施形態における磁気検知式スイッチは、例えば図１６に示すシフトレバー装置４０に搭載される。
【０１２７】
シフトレバー装置４０は、シフトレバー（シャフト）４１と、軸受４２と、基板２と、シフトレバー４１に連結されＸ１−Ｘ２方向に延びる第１軸部４３と、Ｙ１−Ｙ２方向に延びる第２軸部４４と、ホームポジション復帰用バネ４５等を有して構成される。
【０１２８】
図１６に示すシフトレバー４１の上端部にシフトノブ４６が設けられている。シフトレバー４１の一部は、軸受４２内の空間に収納される。軸受４２の各側面には夫々、貫通孔４７ａ〜４７ｄが設けられており、シフトレバー４１に連結された第１軸部４３及び第２軸部４４が各貫通孔４７ａ〜４７ｄに通される。第２軸部４４が軸受４２の内部から貫通孔４７ｂ，４７ｄに向けて収納された状態で、規制部材４８が貫通孔４７ｂ，４７ｄの外側からはめ込まれる。また、第１軸部４３は、シフトレバー４１が軸受４２内に配置された状態で、外側から貫通孔４７ａを介して通され、第１軸部４３の貫通孔４７ｃ側では、螺子４９により抜け止めされる。
【０１２９】
シフトレバー４１は、図示しないシフトパターン用規制板に沿って移動操作できる。シフトレバー４１をシフトパターン５０に沿って移動操作しても、手を離すと、シフトレバー４１は、ホームポジション復帰用バネ４５によりホームポジションａに戻るように付勢されている。
【０１３０】
シフトレバー４１は、シフトレバー４１に連結される第１軸部４３及び第２軸部４４や、軸受４２等を組み立てた支持構造により、シフトレバー４１をシフトパターン５０に沿って各ポジションａ〜ｄに移動させることができる。ここでシフトレバー４１における各ポジションａ〜ｄと、図５に示した各ポジション（１）〜（５）とは対応している。
【０１３１】
図１６に示すシフトレバー４１は可動部５に該当し、可動部５の先端に磁石７が取り付けられている。基板２上には第１の磁気検知部３１と第２の磁気検知部３２とが設置されている。
【０１３２】
シフトレバー４１がホームポジションａにあるとき、磁石７は図５の第１のポジション（１）にある。シフトレバー４１を操作してポジションｂに移動させると、シフトレバー４１がＸ１−Ｘ２方向を回動軸としてＹ１−Ｙ２方向に回動して磁石７は、図６の第２のポジション（２）に移動する。また、シフトレバー４１をホームポジションａからポジションｄに移動させると、シフトレバー４１がＹ１−Ｙ２方向を回動軸としてＸ１−Ｘ２方向に回動して磁石７は、図８の第４のポジション（４）に移動する。その状態からシフトレバー４１をポジションｃに移動させると、磁石７は、図７の第３のポジション（３）に、シフトレバー４１をポジションｅに移動させると、磁石７は、図９の第５のポジション（５）に、それぞれ移動させることができる。
【０１３３】
したがってシフトレバー４１の各ポジションａ〜ｅを、本実施形態の磁気検知式スイッチを用いることで高精度に検知できる。特に故障検知冗長性を付加できるので、走行中の安全性を高めることが可能である。
【符号の説明】
【０１３４】
Ａ  第１の仮想線
Ｂ  第２の仮想線
Ｃ  交差位置
Ｈ  外部磁界
ＰＸ２、ＰＹ２  感度軸方向
ａ〜ｅ、（１）〜（６）  ポジション
１、３０  磁気検知式スイッチ
２  固定部
５  可動部
７  磁石
１０  磁気検知部
１１  第１の磁気抵抗効果素子
１３  固定磁性層
１４  非磁性材料層
１５  フリー磁性層
１７  第２の磁気抵抗効果素子
１８  固定抵抗素子
３１  第１の磁気検知部
３２  第２の磁気検知部
４１  シフトレバー
【図１】
2014106090.tif 000005
【図２】
2014106090.tif 000006
【図３】
2014106090.tif 000007
【図４】
2014106090.tif 000008
【図５】
2014106090.tif 000009
【図６】
2014106090.tif 000010
【図７】
2014106090.tif 000011
【図８】
2014106090.tif 000012
【図９】
2014106090.tif 000013
【図１０】
2014106090.tif 000014
【図１１】
2014106090.tif 000015
【図１２】
2014106090.tif 000016
【図１３】
2014106090.tif 000017
【図１４】
2014106090.tif 000018
【図１５】
2014106090.tif 000019
【図１６】
2014106090.tif 000020