(57)【要約】【課題】高密度に実装された複数の発光素子を互いに異なる波長変換材料を含有する２種類の封止樹脂にて封止する場合に、クロストーク量を抑制し得る発光装置、及び発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】ＬＥＤ発光装置（１０Ａ）は、基板（１）と、基板（１）に実装された複数のＬＥＤチップ（２）と、複数のＬＥＤチップ（２）を封止すべく互いに異なる波長変換材料が含有された第１封止樹脂（６）及び第２封止樹脂（７）とを備えている。第１封止樹脂（６）と第２封止樹脂（７）とは、互いに異なる複数のＬＥＤチップ（２）にそれぞれ直接接触して少なくとも該複数のＬＥＤチップ２をそれぞれ封止している。少なくとも第１封止樹脂（６）と基板（１）との接触角（θ）が６５度以下である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、上記基板に実装された複数の発光素子と、上記複数の発光素子を封止すべく互いに異なる波長変換材料が含有された第１封止樹脂及び第２封止樹脂とを備えた発光装置において、
上記第１封止樹脂と上記第２封止樹脂とは、互いに異なる複数の発光素子にそれぞれ直接接触して少なくとも該複数の発光素子を封止していると共に、
少なくとも上記第１封止樹脂と基板との接触角が６５度以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
上記第１封止樹脂は、外周が撥液剤によって区画形成されていることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記第１封止樹脂の縦断面形状は、略半円形状であることを特徴とする請求項１又は２記載の発光装置。
【請求項４】
前記第２封止樹脂は、前記複数の発光素子とは異なる他の複数の発光素子を該発光素子の高さよりも高い位置まで覆うように封止し、かつ前記第１封止樹脂に接して該第１封止樹脂の一部又は全部を封止していると共に、
上記第２封止樹脂の表面には、凹凸形状が形成されていることを特徴とする請求項１，２又は３記載の発光装置。
【請求項５】
基板と、上記基板に実装された複数の発光素子と、上記複数の発光素子を封止すべく互いに異なる波長変換材料が含有された第１封止樹脂及び第２封止樹脂とを備えた発光装置の製造方法において、
上記基板に閉形状を有する撥液剤パターンを形成する撥液剤パターン形成工程と、
上記閉形状を有する撥液剤パターンの内側及び外側に複数の発光素子を実装する実装工程と、
上記閉形状を有する撥液剤パターンの内側に少なくとも上記第１封止樹脂を基板との接触角が６５度以下となるように塗布する第１封止樹脂塗布工程と、
上記複数の発光素子を全て囲うように反射壁を形成する反射壁形成工程と、
第２封止樹脂を上記発光素子の高さよりも高い位置まで覆うように塗布する第２封止樹脂塗布工程とを含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子が樹脂層によって封止されている発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法に関するものあり、特に、高密度に多数実装されたＬＥＤチップと、複数の蛍光体を異なる混合比率で含有した２種類の樹脂層とを使用することで実現される高輝度かつ小型でありながら調色機能を有する発光素子パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）は照明用器具又は液晶ディスプレイの光源として広く使用されている。特に、照明用途の需要拡大に伴い、庭用の電球又はシーリングライトから、屋外照明又は店舗用ダウンライト等にもＬＥＤが使用されるようになってきている。店舗用ダウンライト照明においては、小型かつ２，０００ｌｍを超える高輝度の発光素子パッケージが必要とされるばかりでなく、演色性（Ｒａ）９０以上を実現するために青色ＬＥＤを緑色蛍光体と赤色蛍光体とにより封止してなるパッケージ、さらには、昼・夜又は夏・冬等のように、簡単に演出を変えることができる調色機能を有するパッケージ等が付加価値として求められている。
【０００３】
ここで、調色可能なパッケージ構造については、例えば特許文献１に開示された波長変換型半導体発光素子が知られている。
【０００４】
この波長変換型半導体発光素子１００は、図１３に示すように、半導体発光素子１０１上に第１の蛍光体を含む第１の蛍光体封止樹脂１０２と、第２の蛍光体を含む第２の蛍光体封止樹脂１０３とが別々に封止されて設けられている。これにより、半導体発光素子１０１からの光の波長を第１の蛍光体にて第１波長に変換して出射する一方、半導体発光素子１０１からの光の波長を第２の蛍光体にて上記第１波長よりも短い波長の第２波長に変換して出射するようになっている。
【０００５】
この結果、異なる発光色を持つ封止樹脂を少なくとも２種類用意し、単一パッケージ内に収める構成を取ることによって、単一のパッケージから少なくとも２色の発光色を発して、調色可能なパッケージ構造を提供するとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−２４４２２６号公報（２００５年９月８日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記従来の特許文献１に記載の波長変換型半導体発光素子１００では、２種類の異なる発光色を持つ第１の蛍光体封止樹脂１０２と第２の蛍光体封止樹脂１０３とを単一パッケージ内に収める構成を取っている。
【０００８】
この場合、異なる発光を持つ封止樹脂同士はなるべく独立して発色することによって、より異なる発色を生成することができ、その結果、調色範囲の広いパッケージを構成することができる。
【０００９】
例えば、第１の蛍光体封止樹脂１０２が２７００Ｋの発光を持ち、第２の蛍光体封止樹脂１０３が７０００Ｋの発光を持つ場合、それぞれの封止樹脂で封止されたＬＥＤチップを独立して発光させることによって、単一パッケージを用いて２７００Ｋ〜７０００Ｋの光を発色することができる構成となる。
【００１０】
しかしながら、上記調色機構を構成するためには、第１の蛍光体封止樹脂１０２と第２の蛍光体封止樹脂１０３との高い独立性が求められる。例えば第１の蛍光体封止樹脂１０２と第２の蛍光体封止樹脂１０３とが、接近や接触等の要因で５０％の割合で樹脂が混合している場合、又は封止樹脂から出射した光が混合する場合、調色範囲は単純に計算して７０００Ｋ−２７００Ｋ÷２＝５６５０Ｋから２７００Ｋ＋７０００Ｋ÷２＝６２００Ｋまでというように大変狭くなってしまうことが予想できる。
【００１１】
実際に２７００Ｋ〜７０００Ｋの調色範囲を持つパッケージについて、それぞれの樹脂で封止されたＬＥＤチップを独立して発光させるのではなくすべてのＬＥＤチップを同時に点灯させた場合の色温度は４０００Ｋとなる。
【００１２】
この点、１つの発光素子に対して２種類の異なる発光色を持つ第１の蛍光体封止樹脂１０２と第２の蛍光体封止樹脂１０３とを単一パッケージ内に収める構成を取っている。したがって、複数の発光素子を互いに異なる波長変換材料を含有する２種類の封止樹脂にて封止する場合のクロストークの影響については、考慮していない。
【００１３】
本発明は、上記の問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、高密度に実装された複数の発光素子を互いに異なる波長変換材料を含有する２種類の封止樹脂にて封止する場合に、クロストーク量を抑制し得る発光装置、及び発光装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の一態様に係る発光装置は、上記課題を解決するために、基板と、上記基板に実装された複数の発光素子と、上記複数の発光素子を封止すべく互いに異なる波長変換材料が含有された第１封止樹脂及び第２封止樹脂とを備えた発光装置において、上記第１封止樹脂と上記第２封止樹脂とは、互いに異なる複数の発光素子にそれぞれ直接接触して少なくとも該複数の発光素子を封止していると共に、少なくとも上記第１封止樹脂と基板との接触角が６５度以下であることを特徴としている。尚、第１封止樹脂と第２封止樹脂とが互いに独立して存在する場合には、第２封止樹脂と基板との接触角が６５度以下であることを特徴としている。
【００１５】
本発明の一態様に係る発光装置の製造方法は、上記課題を解決するために、基板と、上記基板に実装された複数の発光素子と、上記複数の発光素子を封止すべく互いに異なる波長変換材料が含有された第１封止樹脂及び第２封止樹脂とを備えた発光装置の製造方法において、上記基板に閉形状を有する撥液剤パターンを形成する撥液剤パターン形成工程と、上記閉形状を有する撥液剤パターンの内側及び外側に複数の発光素子を実装する実装工程と、上記閉形状を有する撥液剤パターンの内側に少なくとも上記第１封止樹脂を基板との接触角が６５度以下となるように塗布する第１封止樹脂塗布工程と、上記複数の発光素子を全て囲うように反射壁を形成する反射壁形成工程と、第２封止樹脂を上記発光素子の高さよりも高い位置まで覆うように塗布する第２封止樹脂塗布工程とを含むことを特徴としている。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の一態様に係る発光装置、及び発光装置の製造方法によれば、高密度に実装された複数の発光素子を互いに異なる波長変換材料を含有する２種類の封止樹脂にて封止する場合に、クロストーク量を抑制し得る発光装置、及び発光装置の製造方法を提供するという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】（ａ）は本発明における実施の形態１に係る発光装置を示すものであって、発光装置としてのＬＥＤ発光装置における樹脂封止前の構成を示す平面図であり、（ｂ）は上記ＬＥＤ発光装置の樹脂封止後の全体構成を示す平面図であり、（ｃ）は（ｂ）のＡ−Ａ線矢視断面図である。
【図２】（ａ）は本発明における実施の形態１に係る発光装置を示すものであって、上記ＬＥＤ発光装置のＬＥＤチップから出射した光がどの程度入射してクロストークとなるかを示すための模式図であり、（ｂ）は上記ＬＥＤ発光装置の第１封止樹脂から出射される光を示すための模式図である。
【図３】本発明における実施の形態１に係る発光装置を示すものであって、上記第１封止樹脂の高さとクロストーク量との関係を示すグラフである。
【図４】（ａ）は本発明における実施の形態１に係る発光装置を示すものであって、上記第１封止樹脂の高さが４００μｍである場合における、ＬＥＤチップ及び第１封止樹脂から出射される光の波長と出力との関係つまり発光スペクトル強度分布を示す波形図であり、（ｂ）はその拡大図であり、（ｃ）はそのデータを示す図である。
【図５】（ａ）は本発明における実施の形態１に係る発光装置を示すものであって、上記第１封止樹脂の高さが８００μｍである場合における、ＬＥＤチップから出射した光がどの程度入射してクロストークとなるかを示すための模式図であり、（ｂ）は第１封止樹脂の高さが８００μｍである場合における、第１封止樹脂から出射される光を示すための模式図である。
【図６】（ａ）は本発明における実施の形態１に係る発光装置を示すものであって、上記第１封止樹脂の高さが８００μｍである場合における、ＬＥＤチップ及び第１封止樹脂から出射される光の波長と出力との関係つまり発光スペクトル強度分布を示す波形図であり、（ｂ）はその拡大図であり、（ｃ）はそのデータを示す図である。
【図７】（ａ）は本発明における実施の形態１に係る発光装置を示すものであって、上記ＬＥＤ発光装置の調色範囲を示す色度図であり、（ｂ）はＬＥＤ発光装置の調色範囲のデータを示す図である。
【図８】（ａ）は本発明における実施の形態１に係る発光装置を示すものであって、第１封止樹脂と基板との接触角を示す断面図であり、（ｂ）は接触角と第１封止樹脂の高さとの関係を示すグラフである。
【図９】（ａ）〜（ｆ）は、本発明における実施の形態１に係る発光装置を示すものであって、上記ＬＥＤ発光装置の製造方法を示す説明図である。
【図１０】（ａ）（ｂ）は、本発明における実施の形態２に係る発光装置を示すものであって、ＬＥＤチップを封止する第１封止樹脂とＬＥＤチップを覆う第２封止樹脂とを並べて設けたＬＥＤ発光装置の構成を示す断面図である。
【図１１】（ａ）は本発明における実施の形態３に係る発光装置を示すものであって、ＬＥＤ発光装置の要部構成を示す断面図であり、（ｂ）は本発明における実施の形態２に係る発光装置を示すものであって、発光装置としてのＬＥＤ発光装置の要部構成を示す断面図である。
【図１２】本発明における実施の形態３に係る発光装置を示すものであって、上記ＬＥＤ発光装置の製造方法を示す断面図である。
【図１３】従来の発光装置の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
〔実施の形態１〕
本発明の一実施形態について図１〜図９に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
【００１９】
（ＬＥＤ発光装置の構成）
最初に、本実施の形態の発光装置としてのＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）発光装置の構成を、図１（ａ）〜（ｃ）に基づいて説明する。図１（ａ）は電極配線パターンが反射壁により封止される前、かつＬＥＤチップが第１封止樹脂及び第２封止樹脂によって封止される前のＬＥＤ発光装置の構成を示す平面図であり、図１（ｂ）はＬＥＤ発光装置の全体構成を示す平面図であり、図１（ｃ）は、図１（ｂ）のＡ−Ａ線矢視断面図である。
【００２０】
本実施の形態のＬＥＤ発光装置１０Ａは、図１（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように、基板１と、青色光を放出する発光素子としてのＬＥＤチップ２と、ワイヤ３と、ボンディングペースト４と、撥液剤パターン５と、第１蛍光体を含有した第１封止樹脂６と、第２蛍光体を含有した第２封止樹脂７と、二対の電極８と、電極配線パターン９と、反射壁１１とから主に構成されている。
【００２１】
本実施の形態では、図１（ａ）に示すように、基板１の上に複数の発光素子としてのＬＥＤチップ２が高密度に配置されている。
【００２２】
上記基板１は、ＬＥＤチップ２が実装されるセラミック基板であり、大きさは例えば図中Ｘ方向２４ｍｍ×Ｙ方向２０ｍｍとなっている。この基板１は、例えばガラス基板、プリント基板又はアルミ基板等を用いることができるが、特に限定されるものはない。
【００２３】
上記複数のＬＥＤチップ２は、上記基板１において、例えば、Ｘ軸と平行な方向に１２個直列接続されており、この直列接続ＬＥＤチップ群はＹ軸方向に合計１４本存在する。
【００２４】
また、Ｙ軸方向の両円周付近に位置する一部のＬＥＤチップ２は、そのＹ値におけるＸ軸方向の円内幅が狭いために、Ｘ軸と平行な直線とはなっていない。しかし、その直列接続ＬＥＤチップ群に含まれるＬＥＤチップ２の数は全て同数になるよう構成されている。この理由は、各々のＬＥＤチップ２に極力均一な電力を投入することによって、発光強度ばらつきを抑制するためである。
【００２５】
また、本実施の形態では、前述したＹ方向の総１４本の直列接続ＬＥＤチップ群は２本を１セットとして交互に電極配線パターン９に接続されている。したがって、本構造では、１４本の直列接続ＬＥＤチップ群において、６本と８本とは別々の電極８に接続されており、６本の直列接続ＬＥＤチップ群と８本の直列接続ＬＥＤチップ群とを個別に発光させることが可能となっている。尚、本構成はあくまで一例であり、ＬＥＤチップ２のサイズ、個数、パッケージサイズ、ＬＥＤチップ２の間隔等は特定されるものではない。
【００２６】
上記電極配線パターン９は、基板１上において二対の電極８・８を備えていると共に、直径１６ｍｍの略円形内に形成されている。
【００２７】
ここで、ＬＥＤチップ２は、Ｘ方向０．７ｍｍ×Ｙ方向０．５ｍｍ×高さ方向０．１４ｍｍの大きさである。したがって、約２００個のＬＥＤチップ２が、Ｘ方向１．０ｍｍ、Ｙ方向０．８ｍｍの間隔で規則正しくボンディングペースト４によって基板１上に固着されている。
【００２８】
尚、本実施の形態では、発光素子は、必ずしもＬＥＤチップ２に限らず、例えば、半導体レーザ、有機ＥＬ素子等の他の発光素子を用いることも可能である。
【００２９】
次に、本実施の形態のＬＥＤ発光装置１０Ａでは、上記ＬＥＤチップ２及び電極配線パターン９は、図１（ｂ）に示すように、白色の高反射性樹脂からなる反射壁１１によって周囲を封止されている。
【００３０】
そして、反射壁１１内では、上記１４本の直列接続されたＬＥＤチップ群のうちの８本に含まれるＬＥＤチップ２を第１封止樹脂６によって封止し、残りの６本に含まれるＬＥＤチップ２を第２封止樹脂７によって封止している。正確には、第１封止樹脂６に覆い被さるように第２封止樹脂７が形成されているため、図１（ｂ）に示すＬＥＤ発光装置１０Ａの第１封止樹脂６は、第２封止樹脂７から透けて見えた状態となっている。
【００３１】
上記第１封止樹脂６及び第２封止樹脂７は、それぞれ、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ変性シリコーン樹脂、アルキッド変性シリコーン樹脂、アクリル変性シリコーン樹脂、ポリエステル変性シリコーン樹脂、フェニルシリコーン樹脂等のシリコーン樹脂、又はエポキシ樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ウレタン樹脂等の透明樹脂から形成されている。尚、第１封止樹脂６及び第２封止樹脂７は、それぞれ、透明であることが好ましいが、ＬＥＤチップ２の発光、及び各封止樹脂中の後述する蛍光体の発光の大部分を透過することができれば、必ずしも透明である必要はない。
【００３２】
また、第１封止樹脂６及び第２封止樹脂７を構成する透明樹脂は、透過率が高いほど好ましく、屈折率は外部（空気）との屈折率差が小さいことが望ましい。
【００３３】
本実施の形態では、図１（ｃ）に示すように、上記第１封止樹脂６の外周に沿ってフッ素を主成分とする撥液剤としての撥液剤パターン５が配置されている。
【００３４】
上記撥液剤パターン５は、第１封止樹脂６を形成するときに、該第１封止樹脂６の広がりを抑制するための堰となるパターンである。この目的のために、撥液剤パターン５は、少なくともセラミックからなる基板１の表面に対する接触角（撥液性）よりも第１封止樹脂６に対する接触角（撥液性）が大きいことが望ましい。これにより、後述する第１封止樹脂塗布工程において、第１封止樹脂６が撥液剤パターン５よりも外側に広がらないように該第１封止樹脂６の広がりを留めると共に、その縦断面形状を半円状に保持することが容易となる。
【００３５】
上記撥液剤パターン５の線幅は例えば０．２ｍｍ〜０．４ｍｍであり、高密度に実装された複雑なＬＥＤチップ２の間を任意に区画形成することがきる。これにより、第１封止樹脂６の領域が特定される。
【００３６】
尚、撥液剤パターン５は第２封止樹脂７に覆われた構造になっているが、必ずしもこれに限らず、撥液剤パターン５が第２封止樹脂７を塗布する前にプラズマ処理によって除去されていても構わない。
【００３７】
また、図１（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すＬＥＤ発光装置１０Ａにおいて、一つの第１封止樹脂６又は第２封止樹脂７の中に含まれるＬＥＤチップ２のチップの数は図に示したものに限定するわけではない。
【００３８】
次に、本実施の形態のＬＥＤ発光装置１０Ａでは、第１封止樹脂６に混練された波長変換材料は、第２封止樹脂７に混練された波長変換材料よりも相対的に長い波長の２次光を発する波長変換材料から構成されている。
【００３９】
すなわち、蛍光体含有樹脂等の波長変換材料は、エネルギーの高い短波長光を吸収してエネルギーの低い長波長の光へ変換する性質を有する。そのため、上記の構成によれば、第１封止樹脂６に覆われたＬＥＤチップ２の放射光は、第１封止樹脂６において相対的に長い波長の２次光へ変換された後に第２封止樹脂７へ再入光することになる。この場合、既に長波長へ変換されているために第２封止樹脂７において変換される量は少量となる。
【００４０】
したがって、第１封止樹脂６に覆われたＬＥＤチップ２の発光色を決定する因子は第１封止樹脂６に含まれた波長変換材料が支配的となるため、第１封止樹脂６及び第２封止樹脂７において独立した調整が容易になる。
【００４１】
（第１封止樹脂高さとクロストーク）
本実施の形態のＬＥＤ発光装置１０Ａにおける第１封止樹脂６の高さとクロストークとの関係について、図２（ａ）（ｂ）〜図５に基づいて説明する。図２（ａ）はＬＥＤチップ２から出射した光がどの程度入射してクロストークとなるかを示すための模式図であり、図２（ｂ）は第１封止樹脂６から出射される光を示すための模式図である。図３は、第１封止樹脂６の高さとクロストーク量との関係を示すグラフである。図４（ａ）は第１封止樹脂６の高さが４００μｍである場合における、ＬＥＤチップ２及び第１封止樹脂６から出射される光の波長と出力との関係つまり発光スペクトル強度分布を示す波形図であり、図４（ｂ）はその拡大図であり、図４（ｃ）は、そのデータを示す図である。図５（ａ）は第１封止樹脂６の高さが８００μｍである場合における、ＬＥＤチップ２から出射した光がどの程度入射してクロストークとなるかを示すための模式図であり、図５（ｂ）は第１封止樹脂６の高さが８００μｍである場合における、第１封止樹脂６から出射される光を示すための模式図である。図６（ａ）は第１封止樹脂６の高さが８００μｍである場合における、ＬＥＤチップ２及び第１封止樹脂６から出射される光の波長と出力との関係つまり発光スペクトル強度分布を示す波形図であり、図６（ｂ）はその拡大図であり、図６（ｃ）は、そのデータを示す図である。
【００４２】
例えば、図２（ａ）（ｂ）に示すモデルを用いて、ＬＥＤチップ２が発光したときに、隣接する第１封止樹脂６にＬＥＤチップ２から出射した光がどの程度入射してクロストークとなるか見積りを行った。具体的には、図２（ａ）（ｂ）に示すモデルにおいて、第１封止樹脂６の高さを変化させたときのクロストーク量の変化を解析した。
【００４３】
その結果、図３において黒四角及び破線で示すように、第１封止樹脂６の高さが高くなるに伴ってクロストーク量（％）が増加していることから、ＬＥＤチップ２を点灯したときに隣接する第１封止樹脂６に入射する光量は、第１封止樹脂６の高さが高くなるに伴って増加することが判る。
【００４４】
このとき、第１封止樹脂６に入射した光のうち第１封止樹脂６にて波長変換される光の割合は、図３において実線で示すように、第１封止樹脂６にて波長変換される光についても、第１封止樹脂６の高さに伴ってクロストーク量（％）が多くなり、延いては第１封止樹脂６の高さに伴って増加することが判る。
【００４５】
次に、実際に、ＬＥＤチップ２を第１封止樹脂６にて封止したサンプルを作製してクロストーク量と調色範囲との相関を検討した。
【００４６】
その結果、第１封止樹脂６の高さが４００μｍである場合における図２（ａ）に示すＬＥＤチップ２からの光は、図４（ａ）（ｂ）において実線で示される一方、第１封止樹脂６の高さが４００μｍである場合における図２（ｂ）に示す第１封止樹脂６からの光は、図４（ａ）（ｂ）において破線で示される。したがって、本来、図２（ａ）に示すモデルでは、ＬＥＤチップ２からの青色光のみの発光であるはずが、図４（ａ）（ｂ）に示すように、５３０ｎｍ〜７８０ｎｍにも若干のピークが出現している。
【００４７】
図４（ｂ）に示す拡大図から算出されるピーク強度とクロストーク量とを記載した図４（ｃ）から判るように、６３０ｎｍにおける破線の強度を１００％としたときの実線の強度をクロストーク量とすると、クロストーク量は１０．１％となる。
【００４８】
一方、第１封止樹脂６の高さが８００μｍの場合についても同様の検討を行った。具体的には、第１封止樹脂６の高さが８００μｍである場合における図５（ａ）に示すＬＥＤチップ２からの光は、図６（ａ）（ｂ）において実線で示される一方、第１封止樹脂６の高さが８００μｍである場合における図５（ｂ）に示す第１封止樹脂６からの光は、図６（ａ）（ｂ）において破線で示される。したがって、本来、図５（ａ）に示すモデルでは、ＬＥＤチップ２からの青色光のみの発光であるはずが、図６（ａ）（ｂ）に示すように、５４０ｎｍ近辺にも若干のピークが出現している。
【００４９】
図６（ｂ）に示す拡大図から算出されるピーク強度とクロストーク量とを記載した図６（ｃ）から判るように、５４０ｎｍにおける破線の強度を１００％としたときの実線の強度をクロストーク量とすると、クロストーク量は２０．４％となる。
【００５０】
この実測結果を、図３において黒丸でプロットすると、解析結果である実線とほぼ一致する結果となった。
【００５１】
この結果、第１封止樹脂６の高さが高くなる程、クロストーク量が増加することがいえ、第１封止樹脂６の高さを４００μｍとすることによって、クロストークを１０％に抑制することができたといえる。
【００５２】
ここで、第１封止樹脂６の高さをより低く形成することによって、さらにクロストーク量を抑制することができる。しかし、ＬＥＤチップ２が露出するのはＬＥＤチップ２の保護の面から望ましくないため、第１封止樹脂６の最適な高さは、ＬＥＤチップ２の高さから４００μｍまでの範囲、具体的には１４０μｍ〜４００μｍの範囲とすることによって、クロストーク量を１０％以下にすることが可能となる。
【００５３】
次に、図２（ａ）（ｂ）及び図５（ａ）（ｂ）に示す第１封止樹脂６に対して、図１（ｃ）に示すように、第２封止樹脂７を形成したＬＥＤ発光装置１０Ａについて、実際の調色範囲を、図７（ａ）（ｂ）に基づいて説明する。図７（ａ）はＬＥＤ発光装置の調色範囲を示す色度図であり、図７（ｂ）はＬＥＤ発光装置の調色範囲のデータを示す図である。
【００５４】
図７（ａ）において実線で示すように、図２（ａ）（ｂ）に示す第１封止樹脂６の高さが４００μｍの場合と、図７（ａ）において破線で示すように、図５（ａ）（ｂ）に示す第１封止樹脂６の高さが８００μｍの場合とを比較すると、図７（ａ）に示す色度図においては類似している。しかしながら、図７（ｂ）に示すように、調色範囲を色温度（Ｋ）にて示した場合には、第１封止樹脂６の高さが４００μｍの方が、これよりも第１封止樹脂６の高さが高い８００μｍのものに比べて、広い調色範囲を実現しているといえる。
【００５５】
次に、第１封止樹脂６の作製方法について、図８（ａ）（ｂ）に基づいて説明する。図８（ａ）は、第１封止樹脂６と基板１との接触角を示す断面図であり、図８（ｂ）は、接触角と第１封止樹脂６の高さとの関係を示すグラフである。
【００５６】
第１封止樹脂６は、図８（ａ）に示すように、撥液剤パターン５に囲まれた部分に円弧状に形成され、円弧と基板１との接触角θは撥液剤パターン５の種類と第１封止樹脂６の種類とによって決まる。ただし、図８（ａ）に示すθ２ のような臨界角度が存在し、ある一定以上の角度を超えて第１封止樹脂６を塗布すると、撥液剤パターン５を超えて樹脂流れが発生し、所望の形状に樹脂を塗布することが不可能となる。ここで、臨界角度θ２ が９０度とすると、図８（ｂ）に示すように、第１封止樹脂６の最大樹脂高さは６００μｍとなる。撥液剤パターン５を用いて第１封止樹脂６を形成する場合、高さは６００μｍ程度が限界であるといえる。この結果、第１封止樹脂６は、ＬＥＤチップ２の高さ以上、かつ６００μｍ以下であることが望ましく、さらに、第１封止樹脂６と第２封止樹脂７との混色を避けるためには、ＬＥＤチップ２の高さ以上、かつ４００μｍ以下が望ましい。この場合の第１封止樹脂６と基板１との接触角θ１ は６５度となる。
【００５７】
尚、第１封止樹脂６が８００μｍの場合の作製方法については、ＬＥＤチップ２の封止樹脂に用いられる一般的な手法を用いて行うことが可能である。すなわち、第１封止樹脂中に粒径が数百ｎｍ〜数μｍの微粒子を混練し、樹脂のチクソ性を向上させて形状保持機能を付与している。チクソ性が向上すると、樹脂粘度の上昇と接触角とが大きくなるという効果がある。そのため、同じ幅でも高さの高い樹脂構造を形成することが可能である。
【００５８】
本実施の形態では、撥液剤パターン５を用いて第１封止樹脂６を形成するため、接触角θつまり第１封止樹脂６の樹脂高さを低く抑えることができ、調色範囲の広いパッケージ構造が可能となる。また、第１封止樹脂６の樹脂中に微粒子を混練する必要がなく、安価に作製でき、微粒子混練の時間が必要なく、タクトタイムを短縮できる。さらに、微粒子分の重量が削減でき、軽量化を図ることができる。
【００５９】
（ＬＥＤ発光装置の製造方法）
上記ＬＥＤ発光装置１０Ａの製造方法について、図９（ａ）〜（ｆ）に基づいて説明する。図９（ａ）〜（ｆ）は、ＬＥＤ発光装置１０Ａの製造工程を示す断面図と、それに対応する平面図である。
【００６０】
まず、図９（ａ）に示すように、二対の電極８と電極配線パターン９とを有する基板１を準備する。次に、図９（ｂ）に示すように、撥液剤パターン形成工程において、ＬＥＤチップ２が実装される基板１上に閉じられた区画領域を形成するように、透明の撥液インクを塗布することによって撥液剤パターン５を形成する。尚、撥液剤パターン工程は、例えばフレキソ印刷等によって形成することができる。
【００６１】
次に、図９（ｃ）に示すように、実装工程において、ＬＥＤチップ２を基板１上に実装する。このとき、前述した撥液剤パターン５によって閉じられた複数の区画領域内のＬＥＤチップ２は一対の電極８に全て導通するようにワイヤ３によって電極配線パターン９に接続される。区画領域外のＬＥＤチップ２は他方の一対の電極８に全て導通するように同様に接続される。
【００６２】
その後、図９（ｄ）に示すように、第１封止樹脂６の塗布工程において、撥液剤パターン５によって形成された区画領域の内側におけるＬＥＤチップ２の周囲に蛍光体を混練した第１封止樹脂６を塗布する。
【００６３】
ここで、撥液剤パターン５内におけるＬＥＤチップ２が搭載された領域は、第１封止樹脂６に対する濡れ性の高い親液性領域である。一方、撥液剤パターン５は、第１封止樹脂６に対する濡れ性の低い撥液性領域である。これにより、撥液剤パターン５内のＬＥＤチップ２の周囲に第１封止樹脂６を塗布すると、第１封止樹脂６は、基板１上を拡がり、撥液剤パターン５の内壁面に接する。すなわち、撥液剤パターン５が、第１封止樹脂６の拡がりを堰き止める。このため、第１封止樹脂６の塗布量が撥液剤パターン５内に収まる程度であれば、第１封止樹脂６の外縁部の全域が、撥液剤パターン５の内側面に当接した状態となる。第１封止樹脂６の塗布量は、第１封止樹脂６が撥液剤パターン５を越えて、撥液剤パターン５の外へ出ない程度であればよい。このようにして、撥液剤パターン５が第１封止樹脂６の拡がりを制御する結果、硬化後の第１封止樹脂６の断面が半円状になる。
【００６４】
また、本実施の形態のように、ＬＥＤチップ２が密に配置されたＬＥＤ発光装置１０Ａにおいては、図９（ｄ）に示すように、ＬＥＤチップ２を一列ずつ塗布するのではなく、二列を一度に塗布するのが好ましい。これは、一列毎に撥液剤パターン５を形成した場合、ＬＥＤチップ２が密に配置されているためにＬＥＤチップ２を完全に覆うような半円形状を形成することが困難になるからである。また、二列を一度に塗布することによって、塗布ニードルの位置ズレに対する許容幅も広く確保することができる。第１封止樹脂６の形成後は、撥液剤パターン５をプラズマ処理装置等によって除去してしまっても問題無い。
【００６５】
第１封止樹脂６の焼成仮硬化後は、図９（ｅ）に示す反射壁塗布工程に移る。反射壁１１を電極配線パターン９に沿って塗布することによって、電極配線パターン９とワイヤ３との接点を保護する。第１封止樹脂６の塗布工程と反射壁１１の塗布工程とは順序を逆にしてもよいが、第１封止樹脂６が反射壁１１の近接部において決壊することを防ぐために、第１封止樹脂６を先に塗布し、仮硬化させる方が好ましい。
【００６６】
最後に、第２封止樹脂７の塗布工程において、反射壁１１の内側に蛍光体を混練した第２封止樹脂７を塗布する。図９（ｆ）の断面図のように、塗布ニードルを略中心に配置して一括吐出することによって第１封止樹脂６を覆うように塗布する。これによって、反射壁１１によって仕切られた領域内を第２封止樹脂７が均一に拡がることができるため工程の簡易化に繋がる。ただし、第１封止樹脂６が大気中に露わになるように複数の第１封止樹脂６の各隙間に第２封止樹脂７を個別に塗布しても構わない。
【００６７】
〔実施の形態２〕
本発明の他の実施の形態について図１０に基づいて説明すれば、以下のとおりである。尚、本実施の形態において説明すること以外の構成は、前記実施の形態１と同じである。また、説明の便宜上、前記の実施の形態１の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００６８】
本実施の形態の発光装置としてのＬＥＤ発光装置は、前記実施の形態１のＬＥＤ発光装置１０Ａでは、第２封止樹脂７が第１封止樹脂６を覆うように形成されていた。しかし、本実施の形態の発光装置としてのＬＥＤ発光装置は、第１封止樹脂６及び第２封止樹脂７がそれぞれ独立して設けられている点が異なっている。
【００６９】
本実施の形態のＬＥＤ発光装置１０Ｂの構成について、図１０（ａ）（ｂ）に基づいて説明する。図１０（ａ）（ｂ）は、ＬＥＤチップを封止する第１封止樹脂とＬＥＤチップを覆う第２封止樹脂とを独立して並べて設けたＬＥＤ発光装置の構成を示す断面図である。
【００７０】
上記ＬＥＤ発光装置１０Ｂは、図１０（ａ）（ｂ）に示すように、ＬＥＤチップ２を封止する第１封止樹脂６とＬＥＤチップ２を覆う第２封止樹脂７とが独立して並べて設けられている。すなわち、ＬＥＤ発光装置１０Ｂにおいては、ＬＥＤチップ２の周囲が封止樹脂である第１封止樹脂６及び第２封止樹脂７に充分に覆われ、かつ第１封止樹脂６と第２封止樹脂７とが撥液剤パターン５によって隔離形成された構造となっている。
【００７１】
尚、図１０（ａ）（ｂ）に示すＬＥＤ発光装置１０Ｂにおいて、一つの第１封止樹脂６又は第２封止樹脂７の中に含まれるＬＥＤチップ２のチップの数は図に示したものに限定するわけではない。
【００７２】
このような構成とすることによって、第１封止樹脂６と第２封止樹脂７とのいずれにも、前記上記で説明したように、高さのコントロールを行って形成することができる。具体的には、第１封止樹脂６と基板１との接触角が６５度以下となるようにしている。さらに、第２封止樹脂７と基板１との接触角も６５度以下となるようにしている。
【００７３】
これにより、第１封止樹脂６及び第２封止樹脂７の高さを低く抑えることができるので、第１封止樹脂６又は第２封止樹脂７の外側に存在するＬＥＤチップ２からの光によって波長変換される量(クロストーク量)を抑制することができる。
【００７４】
〔実施の形態３〕
本発明のさらに他の実施の形態について図１１〜図１２に基づいて説明すれば、以下のとおりである。尚、本実施の形態において説明すること以外の構成は、前記実施の形態１及び実施の形態２と同じである。また、説明の便宜上、前記の実施の形態１及び実施の形態２の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００７５】
本実施の形態のＬＥＤ発光装置２０は、前記実施の形態１のＬＥＤ発光装置１０Ａにおける第２封止樹脂７の表面に凹凸構造を付した点が異なっている。
【００７６】
本実施の形態のＬＥＤ発光装置２０の構成について、図１１（ａ）（ｂ）に基づいて説明する。図１１（ａ）は実施の形態１のＬＥＤ発光装置１０Ａの要部構成を示す断面図であり、図１１（ｂ）は本発明における発光装置の他の実施の形態を示すものであって、発光装置としてのＬＥＤ発光装置２０の要部構成を示す断面図である。
【００７７】
まず、図１１（ａ）に示すように、前記実施の形態１のＬＥＤ発光装置１０Ａにおいて、第１封止樹脂６と第２封止樹脂７とをそれぞれ電球色２７００Ｋの発光色と昼白色７５００Ｋの発光色とが得られるように構成したとする。
【００７８】
この場合、この状態で得られる第２封止樹脂７に覆われたＬＥＤチップ２のみの発光光（昼白色発光光）は、第２封止樹脂７の表面の平面形状によって一部の光が空気界面で全反射されて第１封止樹脂６（電球色）へ再入光して色変換された成分も含まれている。全反射された光のさらに一部は反射率の低いＬＥＤチップ２等に吸収される。
【００７９】
そこで、このような問題を解決すべく、本実施の形態のＬＥＤ発光装置２０では、図１１（ｂ）に示すように、第２封止樹脂７の表面に凹凸形状としての凹凸構造２１を付与している。このように、凹凸構造２１を付与することにより、空気界面で全反射される量が減少し、空気層へ放出される昼白色成分が増加する。その結果、７５００Ｋよりも高い色温度を再現することができ、さらには無駄な吸収を抑制できるので、光の取出し効率が向上する。言い換えると、蛍光体比率や濃度のレシピを新規に作成しなくても、凹凸構造２１を付与すれば、昼白色温度を一定量増加させることができることを意味している。したがって、凹凸構造２１の大きさや数により色温度の微調整が可能となる。
【００８０】
上記凹凸構造２１の付与したＬＥＤ発光装置２０の製造方法について、図１２（ａ）〜（ｄ）に基づいて説明する。図１２（ａ）〜（ｄ）は、ＬＥＤ発光装置２０の製造方法を示す断面図である。
【００８１】
すなわち、凹凸構造２１を付与する１つの方法は、図１２（ａ）に示すように、第２封止樹脂７を塗布した後、図１２（ｂ）に示すように、凹凸構造が形成された型２２を第２封止樹脂７の表面に押し当てた状態で第２封止樹脂７を高温硬化させる。その後、図１２（ｃ）に示すように、凹凸構造を形成した型２２を取り外すことによって、凹凸構造２１が第２封止樹脂７の表面に転写される。ここで、型２２は、離型性を良くするために、例えばテフロン（登録商標）系素材から構成されることが好ましい。
【００８２】
このように、本実施の形態のＬＥＤ発光装置２０では、第２封止樹脂７の表面形状は、凹凸形状としての凹凸構造２１が設けられている。
【００８３】
これにより、第２封止樹脂７に覆われたＬＥＤチップ２の２次光のうち、第２封止樹脂７と空気層との界面において全反射する光を減らすことができる。この結果、第１封止樹脂６へ再入光するクロストーク量を極力抑制することができることになるので、各封止樹脂に含まれる波長変換材料を独立して調整することが容易となる。
【００８４】
尚、本発明は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【００８５】
（まとめ）
本発明の一態様に係る発光装置（ＬＥＤ発光装置１０Ａ・１０Ｂ・２０）は、基板１と、上記基板１に実装された複数の発光素子（ＬＥＤチップ２）と、上記複数の発光素子（ＬＥＤチップ２）を封止すべく互いに異なる波長変換材料が含有された第１封止樹脂６及び第２封止樹脂７とを備えた発光装置（ＬＥＤ発光装置１０Ａ・１０Ｂ・２０）において、上記第１封止樹脂６と上記第２封止樹脂７とは、互いに異なる複数の発光素子（ＬＥＤチップ２）にそれぞれ直接接触して少なくとも該複数の発光素子（ＬＥＤチップ２）を封止していると共に、少なくとも上記第１封止樹脂６と基板１との接触角が６５度以下であることを特徴としている。尚、第１封止樹脂６と第２封止樹脂７とが互いに独立して存在する場合には、第２封止樹脂７と基板１との接触角が６５度以下であることを特徴としている。また、上記第１封止樹脂６と上記第２封止樹脂７とは、互いに異なる複数の発光素子（ＬＥＤチップ２）にそれぞれ直接接触して少なくとも該複数の発光素子（ＬＥＤチップ２）を封止しているとは、図１０（ａ）（ｂ）に示すように、第１封止樹脂６と第２封止樹脂７とが、互いに異なる複数の発光素子（ＬＥＤチップ２）にそれぞれ直接接触して該複数の発光素子（ＬＥＤチップ２）を互いに独立して封止している場合と、図１（ｃ）に示すように、第１封止樹脂６と第２封止樹脂７とが、互いに異なる複数の発光素子（ＬＥＤチップ２）にそれぞれ直接接触して該複数の発光素子（ＬＥＤチップ２）を封止しており、かつ例えば第２封止樹脂７が第１封止樹脂６を覆うような場合を含む主旨である。
【００８６】
上記の構成によれば、第１封止樹脂６と第２封止樹脂７とは、互いに異なる複数の発光素子（ＬＥＤチップ２）をそれぞれ封止している。このような発光装置（ＬＥＤ発光装置１０Ａ・１０Ｂ・２０）においては、第１封止樹脂６の外側に存在する発光素子（ＬＥＤチップ２）からの光が該第１封止樹脂６へ入光すると、波長変換される量(クロストーク量)が変わってくる。
【００８７】
そこで、本発明では、少なくとも第１封止樹脂６と基板１との接触角が６５度以下となるようにしている。これにより、第１封止樹脂６の高さを低く抑えることができるので、第１封止樹脂６の外側に存在する発光素子（ＬＥＤチップ２）からの光によって波長変換される量(クロストーク量)を抑制することができる。
【００８８】
このように、異なる発光を持つ封止樹脂同士はなるべく独立して発色することによって、より異なる発色を生成することができ、その結果、調色範囲の広い発光装置（ＬＥＤ発光装置１０Ａ・１０Ｂ・２０）を構成することができる。
【００８９】
したがって、高密度に実装された複数の発光素子（ＬＥＤチップ２）を互いに異なる波長変換材料を含有する２種類の第１封止樹脂６及び第２封止樹脂７にて封止する場合に、クロストーク量を抑制し得る発光装置（ＬＥＤ発光装置１０Ａ・１０Ｂ・２０）を提供することができる。
【００９０】
本発明の一態様に係る発光装置（ＬＥＤ発光装置１０Ａ・１０Ｂ・２０）では、上記第１封止樹脂６は、外周が撥液剤（撥液剤パターン５）によって区画形成されているとすることができる。
【００９１】
これにより、第１封止樹脂６と第２封止樹脂７との間に隔壁を設けていない。この結果、第１封止樹脂６に覆われた発光素子（ＬＥＤチップ２）のみを発光させた場合には、第１封止樹脂６に含まれる波長変換材料により特定される光波長を放出する。また、第２封止樹脂７に覆われた発光素子（ＬＥＤチップ２）のみを発光させた場合には、第２封止樹脂７に含まれる波長変換材料により特定される光波長を放出することができる。さらに、第１封止樹脂６に覆われた発光素子（ＬＥＤチップ２）と第２封止樹脂７に覆われた発光素子（ＬＥＤチップ２）とを同時に発光させた場合は、両者から放出された光がミキシングされることによって、中間色を再現することができる。この結果、発光素子（ＬＥＤチップ２）が基板１に高密度に実装された場合においても、所望の調色が可能な発光装置となる。尚、本発明においては、クロストーク量が抑制されるので、意図したとおりの所望の調色が可能となる。
【００９２】
したがって、発光素子（ＬＥＤチップ２）が高密度に実装された場合において、隔壁を使用せずに所望の調色を行い得る発光装置（ＬＥＤ発光装置１０Ａ・１０Ｂ・２０）を提供することができる。
【００９３】
本発明の一態様に係る発光装置（ＬＥＤ発光装置１０Ａ・１０Ｂ・２０）では、前記第１封止樹脂６の縦断面形状は、略半円形状であることが好ましい。
【００９４】
これにより、第１封止樹脂６の縦断面形状が例えば四角形等であるのに比べて、第２封止樹脂７に覆われた発光素子（ＬＥＤチップ２）の２次光が第１封止樹脂６へ再入光するクロストーク量を極力抑制することができる。したがって、第１封止樹脂６及び第２封止樹脂７に含まれる波長変換材料を独立して調整することが容易となる。
【００９５】
本発明の一態様に係る発光装置（ＬＥＤ発光装置２０）では、前記第２封止樹脂７は、前記複数の発光素子（ＬＥＤチップ２）とは異なる他の複数の発光素子（ＬＥＤチップ２）を該発光素子（ＬＥＤチップ２）の高さよりも高い位置まで覆うように封止し、かつ前記第１封止樹脂６に接して該第１封止樹脂６の一部又は全部を封止していると共に、上記第２封止樹脂７の表面には、凹凸形状（凹凸構造２１）が形成されていることが好ましい。
【００９６】
これにより、第２封止樹脂７に覆われた発光素子（ＬＥＤチップ２）の２次光のうち、第２封止樹脂７と空気層との界面において全反射する光を減らすことができる。この結果、第２封止樹脂７へ再入光するクロストーク量を極力抑制することができることになり、第１封止樹脂６及び第２封止樹脂７に含まれる波長変換材料を独立して調整することが容易となる。
【００９７】
本発明の一態様に係る発光装置（ＬＥＤ発光装置１０Ａ・１０Ｂ・２０）の製造方法は、基板１と、上記基板１に実装された複数の発光素子（ＬＥＤチップ２）と、上記複数の発光素子（ＬＥＤチップ２）を封止すべく互いに異なる波長変換材料が含有された第１封止樹脂６及び第２封止樹脂７とを備えた発光装置（ＬＥＤ発光装置１０Ａ・１０Ｂ・２０）の製造方法において、上記基板１に閉形状を有する撥液剤パターン５を形成する撥液剤パターン形成工程と、上記閉形状を有する撥液剤パターン５の内側及び外側に複数の発光素子（ＬＥＤチップ２）を実装する実装工程と、上記閉形状を有する撥液剤パターン５の内側に少なくとも上記第１封止樹脂６を基板１との接触角が６５度以下となるように塗布する第１封止樹脂塗布工程と、上記複数の発光素子（ＬＥＤチップ２）を全て囲うように反射壁１１を形成する反射壁形成工程と、第２封止樹脂７を上記発光素子（ＬＥＤチップ２）の高さよりも高い位置まで覆うように塗布する第２封止樹脂塗布工程とを含むことを特徴としている。
【００９８】
上記方法によれば、第１封止樹脂６の広がりは撥液剤パターン５によって抑制され、第１封止樹脂６は、撥液剤パターン５の内側だけに配置形成される。また、少なくとも第１封止樹脂６を基板１との接触角が６５度以下となるように塗布することによって、一方の発光素子（ＬＥＤチップ２）が発光したときに隣接する封止樹脂へ入光して波長変換されるクロストーク量を抑制することができる。その結果、第１封止樹脂６及び第２封止樹脂７に含まれる波長変換材料を独立して調整することが容易となる。
【００９９】
例えば、第１封止樹脂６と基板１との接触角が６５度以下となるように第１封止樹脂６を低形状に形成し、かつ第２封止樹脂７が第１封止樹脂６を覆うように形成したとする。この場合、第１封止樹脂６に封止された発光素子（ＬＥＤチップ２）が発光したときには、第１封止樹脂６に含まれる波長変換材料によって特定の光波長に変換された２次光の一部は、第２封止樹脂７へ再入光することによって３次光へと変換されることになる。しかし、第２封止樹脂７に封止された発光素子（ＬＥＤチップ２）の放射光は、第１封止樹脂６が低形状であるため、第１封止樹脂６へ入光、及び波長変換されるクロストーク量は抑制される。この結果、第２封止樹脂７に含まれる波長変換材料の調整は容易である。
【０１００】
さらに、第１封止樹脂６を覆うように第２封止樹脂７を形成する工程においては、例えば、全ての発光素子（ＬＥＤチップ２）を一括して包囲している反射壁１１の内部へ任意に第２封止樹脂７を塗布することができる。このため、第２封止樹脂７の形成工程における時間の短縮が可能である。
【０１０１】
したがって、高密度に実装された複数の発光素子（ＬＥＤチップ２）を互いに異なる波長変換材料を含有する２種類の第１封止樹脂６及び第２封止樹脂７にて封止する場合に、クロストーク量を抑制し得る発光装置（ＬＥＤ発光装置１０Ａ・１０Ｂ・２０）の製造方法を提供することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１０２】
本発明は、ＬＥＤ、半導体レーザ、有機ＥＬ素子等の発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法に適用できる。そして、高輝度かつ調光性能を有するため、家庭用から商業用まで幅広い範囲の照明器具等に適用することができる。
【符号の説明】
【０１０３】
１        基板
２        ＬＥＤチップ（発光素子）
３        ワイヤ
４        ボンディングペースト
５        撥液剤パターン（撥液剤）
６        第１封止樹脂
７        第２封止樹脂
８        電極
９        電極配線パターン
１０Ａ      ＬＥＤ発光装置
１０Ｂ      ＬＥＤ発光装置
１１        反射壁
２０        ＬＥＤ発光装置
２１        凹凸構造（凹凸形状）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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