(57)【要約】【課題】シリコン含有ガスと炭素原子含有ガスとを夫々独立したガス供給ノズルにより供給する場合の夫々のガスの混合度の面内分布を均一化させる。【解決手段】シリコン原子含有ガスを供給する第１ガス供給ノズル６０と炭素原子含有ガス及び還元ガスを供給する第２ガス供給ノズル７０とを交互になるように奇数本配置する。また、第１ガス供給口６８は、そのガス噴出方向の交点（Ｂ）が第２ガス供給口７２のガス噴出方向の交点（Ａ）より遠くなるようにその向きが決められる。【選択図】図６
2014099427.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板を処理する反応室と、
前記反応室を囲むように設けられる加熱部と、
前記複数の基板を保持した状態で前記反応室内に載置されるボートと、
前記反応室内に設置される第１ガス供給ノズルと、
前記反応室内に前記第１ガス供給ノズルを挟むように設置される第２及び第３ガス供給ノズルと、
前記反応室内に前記第１ガス供給ノズルと前記第２ガス供給ノズルを挟むように設置される第４ガス供給ノズルと、
前記反応室内に前記第１ガス供給ノズルと前記第３ガス供給ノズルを挟むように設置される第５ガス供給ノズルと、
前記第１ガス供給ノズルに設けられ、前記複数の基板に向けて第１成膜ガスを含む第１ガスを供給する複数の第１ガス供給口と、
前記第２ガス供給ノズルに設けれ、前記複数の基板に向けて前記第１成膜ガスとは異なる第２成膜ガスを含む第２ガスを供給する複数の第２ガス供給口と、
前記第３ガス供給ノズルに設けれ、前記複数の基板に向けて前記第２成膜ガスを含む第３ガスを供給する複数の第３ガス供給口と、
前記第４ガス供給ノズルに設けられ、前記複数の基板に向けて前記第１成膜ガスを含む第４ガスを供給する複数の第４ガス供給口と、
前記第５ガス供給ノズルに設けられ、前記複数の基板に向けて前記第１成膜ガスを含む第５ガスを供給する複数の第５ガス供給口と、を具備し、
前記複数の第２ガス供給口の向いている方向と前記複数の第３ガス供給口の向いている方向とが交差する点は、前記複数の第４ガス供給口の向いている方向と前記複数の第５ガス供給口の向いている方向とが交差する点より、前記第１ガス供給ノズルに対し遠くなる基板処理装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１ガス、前記第４ガス、及び、前記第５ガスの流速は、前記第２ガス、及び、前記第３ガスの流速より速くなるように構成される基板処理装置。
【請求項３】
付記１又は２において、
前記第１乃至第５ガス供給ノズルの夫々は、対応するガスの噴出する部分が曲面状となっている基板処理装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第２ガス供給ノズルは、前記複数の第２ガス供給口から前記第２ガスの噴出方向に延びた壁を有し、
前記第３ガス供給ノズルは、前記複数の第３ガス供給口から前記第３ガスの噴出方向に延びた壁を有し、
前記第１ガス供給ノズルの前記噴出する部分の曲面は、前記第１ガスの噴出方向に向かって直線状に設けられた前記複数の第１ガス供給口の端から徐々に広がるように設けられ、
前記第４ガス供給ノズルの前記噴出する部分の曲面は、前記第４ガスの噴出方向に向かって直線状に設けられた前記複数の第４ガス供給口の端から徐々に広がるように設けられ、
前記第５ガス供給ノズルの前記噴出する部分の曲面は、前記第５ガスの噴出方向に向かって直線状に設けられた前記複数の第５ガス供給口の端から徐々に広がるように設けられ、
前記第１、第４、及び、第５ガス供給ノズルの対応するガス供給口の端から対応する曲面の端までの距離は、前記第２、及び、第３ガス供給ノズルの対応するガス供給口の端から対応する壁の端までの距離より短い基板処理装置。
【請求項５】
複数の基板をボートに保持した状態で反応室内に搬入するボートローディング工程と、
前記複数の基板に対し、少なくとも２本の第１ガス供給ノズルから互いに交差するような方向に第１成膜ガスが供給され、少なくとも２本の第２ガス供給ノズルから互いに交差するような方向に第２成膜ガスが供給され、前記第１成膜ガスと前記第２成膜ガスとが混合することによりに前記複数の基板に所定の膜を形成する成膜工程と、
前記成膜工程において成膜された前記複数の基板を前記反応室から搬出するボートアンローディング工程と、を有し、
前記第１成膜ガスは、前記第１成膜ガスが供給される方向が互いに交差する点が前記第２成膜ガスが供給される方向が互いに交差する点より遠くなるような方向に供給される基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理する基板処理装置、半導体デバイスの製造方法及び基板の製造方法、特に炭化ケイ素（以下、ＳｉＣとする）エピタキシャル膜を基板上に成膜する工程を有する基板処理装置、半導体デバイスの製造方法及び基板製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＳｉＣは、特にパワーデバイス用素子材料として注目されている。一方で、ＳｉＣはシリコン（以下Ｓｉとする）に比べて結晶基板やデバイスの作製が難しいことが知られている。
【０００３】
一方で、ＳｉＣを用いてデバイスを作製する場合は、ＳｉＣ基板の上にＳｉＣエピタキシャル膜を形成したウェーハを用いる。このＳｉＣ基板上にＳｉＣエピタキシャル膜を形成するＳｉＣエピタキシャル成長装置の一例として特許文献１がある。
【０００４】
特許文献１は、所謂縦型バッチ式熱処理装置により多数枚の基板に対して一度にＳｉＣエピタキシャル成長膜を形成することが記載される。
【０００５】
また、特許文献１には、シリコン原子含有ガスと、炭素原子含有ガスとを分離して供給し、ノズル内の閉塞を抑制することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−３８８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載されるように、シリコン原子含有ガスを供給するガス供給ノズルと、炭素原子含有ガスを供給するガス供給ノズルとを夫々独立に反応室内に設けた場合、ガス供給口から噴出した夫々のガスをウェーハに到達するまでに十分混合する必要がある。特に、ウェーハ面内で２種類のガスの混合度が異なってしまうと、ウェーハ面内での膜質が悪くなってしまう。
【０００８】
そこで、本発明は、２種類のガスを夫々独立したガス供給ノズルで反応室に供給する際に、ウェーハ面内の当該２種類のガスの混合度を均一化することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様によれば、複数の基板を処理する反応室と、前記反応室を囲むように設けられる加熱部と、前記複数の基板を保持した状態で前記反応室内に載置されるボートと、前記反応室内に設置される第１ガス供給ノズルと、前記反応室内に前記第１ガス供給ノズルを挟むように設置される第２及び第３ガス供給ノズルと、前記反応室内に前記第１ガス供給ノズルと前記第２ガス供給ノズルを挟むように設置される第４ガス供給ノズルと、前記反応室内に前記第１ガス供給ノズルと前記第３ガス供給ノズルを挟むように設置される第５ガス供給ノズルと、前記第１ガス供給ノズルに設けられ、前記複数の基板に向けて第１成膜ガスを含む第１ガスを供給する複数の第１ガス供給口と、前記第２ガス供給ノズルに設けれ、前記複数の基板に向けて前記第１成膜ガスとは異なる第２成膜ガスを含む第２ガスを供給する複数の第２ガス供給口と、前記第３ガス供給ノズルに設けれ、前記複数の基板に向けて前記第２成膜ガスを含む第３ガスを供給する複数の第３ガス供給口と、前記第４ガス供給ノズルに設けられ、前記複数の基板に向けて前記第１成膜ガスを含む第４ガスを供給する複数の第４ガス供給口と、前記第５ガス供給ノズルに設けられ、前記複数の基板に向けて前記第１成膜ガスを含む第５ガスを供給する複数の第５ガス供給口と、を具備し、前記複数の第２ガス供給口の向いている方向と前記複数の第３ガス供給口の向いている方向とが交差する点は、前記複数の第４ガス供給口の向いている方向と前記複数の第５ガス供給口の向いている方向とが交差する点より、前記第１ガス供給ノズルに対し遠くなる基板処理装置が提供される。
【００１０】
また、本発明の他の一態様によれば、複数の基板をボートに保持した状態で反応室内に搬入するボートローディング工程と、前記複数の基板に対し、少なくとも２本の第１ガス供給ノズルから互いに交差するような方向に第１成膜ガスが供給され、少なくとも２本の第２ガス供給ノズルから互いに交差するような方向に第２成膜ガスが供給され、前記第１成膜ガスと前記第２成膜ガスとが混合することによりに前記複数の基板に所定の膜を形成する成膜工程と、前記成膜工程において成膜された前記複数の基板を前記反応室から搬出するボートアンローディング工程と、を有し、前記第１成膜ガスは、前記第１成膜ガスが供給される方向が互いに交差する点が前記第２成膜ガスが供給される方向が互いに交差する点より遠くなるような方向に供給される基板の製造方法又は半導体デバイスの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
ウェーハの膜質が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明が適用される半導体製造装置の斜視図である。
【図２】本発明が適用される処理炉の側面断面図である。
【図３】本発明が適用される処理炉の平面断面図である。
【図４】本発明が適用される半導体製造装置のガス供給ユニットを説明する図である。
【図５】本発明が適用される半導体製造装置の制御構成を示すブロック図である。
【図６】本発明を説明するために簡略化した処理炉の平面断面図である。
【図７】本発明が適用される半導体製造装置の処理炉及びその周辺構造の概略断面図である。
【図８】本発明の変形例を説明するために簡略化した処理炉の平面断面図である。
【図９】図８に示されるガス供給ノズルの構成例を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明する。以下の実施形態では、基板処理装置の一例であるＳｉＣエピタキシャル成長装置における、高さ方向にＳｉＣウェーハを並べる、所謂バッチ式縦型ＳｉＣエピタキシャル成長装置で説明する。なお、バッチ式縦型ＳｉＣエピタキシャル成長装置とすることで、一度に処理できるＳｉＣウェーハの数が多くなりスループットが向上する。
【００１４】
＜全体構成＞
先ず、図１に於いて、本発明の第１の実施形態に於けるＳｉＣエピタキシャル膜を成膜する基板処理装置、および、半導体デバイスの製造工程の一つであるＳｉＣエピタキシャル膜を成膜する基板の製造方法について説明する。
【００１５】
基板処理装置（成膜装置）としての半導体製造装置１０は、バッチ式縦型熱処理装置であり、主要部が配置される筐体１２を有する。前記半導体製造装置１０には、例えばＳｉＣ等で構成された基板としてのウェーハ１４（図２参照）を収納する基板収容器として、フープ（以下、ポッドと称す）１６がウェーハキャリアとして使用される。前記筐体１２の正面側には、ポッドステージ１８が配置されており、該ポッドステージ１８にポッド１６が搬送される。ポッド１６には、例えば２５枚のウェーハ１４が収納され、蓋が閉じられた状態で前記ポッドステージ１８にセットされる。
【００１６】
前記筐体１２内の正面であって、前記ポッドステージ１８に対向する位置には、ポッド搬送装置２０が配置されている。又、該ポッド搬送装置２０の近傍にはポッド収納棚２２、ポッドオープナ２４及び基板枚数検知器２６が配置されている。前記ポッド収納棚２２は前記ポッドオープナ２４の上方に配置され、ポッド１６を複数個載置した状態で保持する様に構成されている。前記基板枚数検知器２６は、前記ポッドオープナ２４に隣接して配置され、前記ポッド搬送装置２０は前記ポッドステージ１８と前記ポッド収納棚２２と前記ポッドオープナ２４との間でポッド１６を搬送する。前記ポッドオープナ２４はポッド１６の蓋を開けるものであり、前記基板枚数検知器２６は蓋を開けられたポッド１６内のウェーハ１４の枚数を検知する様になっている。
【００１７】
前記筐体１２内には、基板移載機２８、基板保持具としてのボート３０が配置されている。前記基板移載機２８は、アーム（ツイーザ）３２を有し、図示しない駆動手段により昇降可能且つ回転可能な構造となっている。前記アーム３２は、例えば５枚のウェーハ１４を取出すことができ、前記アーム３２を動かすことにより、前記ポッドオープナ２４の位置に置かれたポッド１６及びボート３０間にてウェーハ１４を搬送する。
【００１８】
前記ボート３０は、例えばカーボングラファイトやＳｉＣ等の耐熱性材料で構成されており、複数枚のウェーハ１４を水平姿勢で、且つ互いに中心を揃えた状態で整列させて縦方向に積上げ、保持する様に構成されている。尚、前記ボート３０の下部には、例えば石英やＳｉＣ等の耐熱性材料で構成された円盤形状の断熱部材としてボート断熱部３４が配置されており、後述する被加熱体４８からの熱が処理炉４０の下方側に伝わりにくくなる様に構成されている（図２参照）。
【００１９】
前記筐体１２内の背面側上部には前記処理炉４０が配置されている。該処理炉４０内に複数枚のウェーハ１４を装填した前記ボート３０が搬入され、熱処理が行われる。
【００２０】
＜処理炉構成＞
次に、図２、図３、図４に於いて、ＳｉＣエピタキシャル膜を成膜する前記半導体製造装置１０の前記処理炉４０について説明する。処理炉４０には、第１のガス供給口６８を有する第１のガス供給ノズル６０、第２のガス供給口７２を有する第２のガス供給ノズル７０、及び第１のガス排気口９０が設けられる。又、不活性ガスを供給する第３のガス供給口３６０、第２のガス排気口３９０が図示されている。
【００２１】
処理炉４０は、石英又はＳｉＣ等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成された反応管４２を備えている。反応管４２の下方には、反応管４２と同心円状にマニホールド３６が配設されている。該マニホールド３６は、例えばステンレス等からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。該マニホールド３６は、反応管４２を支持する様に設けられている。尚、マニホールド３６と反応管４２との間には、シール部材としてのＯリング（図示せず）が設けられている。マニホールド３６が図示しない保持体に支持されることにより、反応管４２は垂直に据付けられた状態になっている。該反応管４２とマニホールド３６により、反応容器が形成されている。
【００２２】
処理炉４０は、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成された被誘導体４８及び磁場発生部としての誘導コイル５０を具備している。被誘導体４８の筒中空部には、反応室４４が形成れており、ＳｉＣ等で構成された基板としてのウェーハ１４を保持したボート３０を収納可能に構成されている。また、図２の下枠内に示されるように、ウェーハ１４は、円環状の下部ウェーハホルダ１５ｂに保持され、上面を円板状の上部ウェーハホルダ１５ａで覆われた状態でボート３０に保持されるとよい。これにより、ウェーハ上部から落下しているパーティクルからウェーハ１４を守ることができると共に、成膜面（ウェーハ１４の下面）に対して裏面側の成膜を抑制することができる。また、ウェーハホルダ１５の分ボート柱から成膜面を離すことができ、ボート柱の影響を小さくすることができる。ボート３０は、水平姿勢で、且つ、互いに中心を揃えた状態で縦方向に整列するようにウェーハホルダ１５に保持されたウェーハ１４を保持するよう構成されている。被誘導体４８は、該反応管４２の外側に設けられた誘導コイル５０により発生される磁場によって加熱される様になっており、被誘導体４８が発熱することにより、反応室４４内が加熱される様になっている。
【００２３】
被誘導体４８の近傍には、反応室４４内の温度を検出する温度検出体として図示しない温度センサが設けられている。誘導コイル５０及び温度センサは、温度制御部５２と電気的に接続されており、温度センサにより検出された温度情報に基づき、誘導コイル５０への通電具合が調節されることで、反応室４４内の温度が所望の温度分布となる様所定のタイミングにて制御される様構成されている（図５参照）。
【００２４】
尚、好ましくは、反応室４４内に於いて前記第１及び第２のガス供給ノズル６０，７０と第１のガス排気口９０との間であって、前記被加熱体４８とウェーハ１４との間には、被加熱体４８とウェーハ１４との間の空間を埋める様、鉛直方向に延在し断面が円弧状の構造物３００を反応室４４内に設けるのがよい。例えば、図３に示す様に、対向する位置にそれぞれ構造物３００を設けることで、第１及び第２のガス供給ノズル６０，７０から供給されるガスが、被誘導体４８の内壁に沿ってウェーハ１４を迂回するのを防止することができる。構造物３００としては、好ましくは断熱材若しくはカーボンフェルト等で構成すると、耐熱及びパーティクルの発生を抑制することができる。
【００２５】
反応管４２と被誘導体４８との間には、例えば誘電されにくいカーボンフェルト等で構成された断熱材５４が設けられ、該断熱材５４を設けることにより、被誘導体４８の熱が反応管４２或は該反応管４２の外側へ伝達するのを抑制することができる。
【００２６】
又、誘導コイル５０の外側には、反応室４４内の熱が外側に伝達するのを抑制する為の、例えば水冷構造である外側断熱壁５５が反応室４４を囲む様に設けられている。更に、外側断熱壁５５の外側には、誘導コイル５０により発生された磁場が外側に漏れるのを防止する磁気シール５８が設けられている。
【００２７】
図２に示す様に、被誘導体４８とウェーハ１４との間には、少なくとも１つの第１のガス供給口６８が設けられた第１のガス供給ノズル６０が設置される。又、被誘導体４８とウェーハ１４との間の第１のガス供給ノズル６０とは異なる箇所には、少なくとも１つの第２のガス供給口７２が設けられた第２のガス供給ノズル７０が設けられる。また、第１のガス排気口９０も同様に被加熱体４８とウェーハ１４との間に配置される。又、反応管４２と断熱材５４との間に、第３のガス供給口３６０及び第２のガス排気口３９０が配置されている。なお、第１のガス供給ノズル６０及び第２のガス供給ノズル７０から供給されるガス種については、後述する。
【００２８】
第１のガス供給口６８及び第１のガス供給ノズル６０は、例えばカーボングラファイトで構成され、反応室４４内に設けられる。又、第１のガス供給ノズル６０は、マニホールド３６を貫通する様に該マニホールド３６に取付けられている。該第１のガス供給ノズル６０は、第１のガスライン２２２を介してガス供給ユニット２００に接続される。
【００２９】
前記第２のガス供給口７２は、例えばカーボングラファイトで構成され、反応室４４内に設けられる。また、第２のガス供給ノズル７０は、マニホールド３６を貫通する様に、該マニホールド３６に取付けられている。また、第２のガス供給ノズル７０は、第２のガスライン２６０を介してガス供給ユニット２００に接続されている。
【００３０】
又、第１のガス供給ノズル６０及び第２のガス供給ノズル７０に於いて、基板の配列領域に第１のガス供給口６８及び第２のガス供給口７２が１つ設けられていてもよく、ウェーハ１４の所定枚数毎に設けられていてもよい。
【００３１】
＜排気系＞
図３に示す様に、第１のガス排気口９０が、ボート３０より下部に設けられ、マニホールド３６には、第１のガス排気口９０に接続されたガス排気管２３０が貫通する様設けられている。該ガス排気管２３０の下流側には、図示しない圧力検出器としての圧力センサ及び、圧力調整器としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ２１４を介して真空ポンプ等の真空排気装置２２０が接続されている。圧力センサ及びＡＰＣバルブ２１４には、圧力制御部９８が電気的に接続されており、該圧力制御部９８は圧力センサにより検出された圧力に基づいてＡＰＣバルブ２１４の開度を調整し、処理炉４０内の圧力が所定の圧力となる様所定のタイミングにて制御する様に構成されている（図５参照）。
【００３２】
上記した様に、第１のガス供給口６８及び第２のガス供給口７２から供給されたガスはＳｉ又はＳｉＣで構成されたウェーハ１４に対し平行に流れ、第１のガス排気口９０より排気されるので、ウェーハ１４全体が効率的且つ均一にガスに晒される。
【００３３】
また、ボート３０の下には、反応室からの輻射熱によりマニホールド３６等が加熱されないようにボート断熱部３４Ａが設けられる。また、本実施形態では、反応室にて加熱された成膜ガスが高温のままマニホールド３６等に到達しないように、成膜ガスと熱交換を行い、成膜ガスの温度を下げるための熱交換部が設けられている。具体的には、ボート断熱部３４Ａを中空筒状とし、その側面に沿って成膜ガスが排気されるようにしている。このようにボート断熱部３４Ａを筒状とすることで排気される成膜ガスとの接触面積が大きくなり熱交換の効率が向上する。また、当該ボート断熱部３４Ａを囲むように、第１熱交換部３４Ｂ、及び、ガス供給ノズル６０（７０）の下部に設けられた第２熱交換部が設けられる。これらの第１熱交換部３４Ｂ及び第２熱交換部３４Ｃは、ボート断熱部３４Ａと間隙を有するように配置され、また、排気される成膜ガスの流路を反応質内における成膜ガスの流路より狭くしている。これにより、成膜ガスは、狭い流路を介して排気されるので、より熱交換の効率が良くなる。
【００３４】
又、図３に示す様に、第３のガス供給口３６０は反応管４２と断熱材５４との間に配置され、マニホールド３６を貫通する様に取付けられている。更に、第２のガス排気口３９０が、反応管４２と断熱材５４との間であり、第３のガス供給口３６０に対して対向する様に配置され、第２のガス排気口３９０はガス排気管２３０に接続されている。第３のガス供給口３６０は、マニホールド３６を貫通する第３のガスライン２４０に形成され、第３のガスラインは、ガス供給ユニット２００に接続される。また、図４に示されるように、第３のガスラインは、バルブ２１２ｆ、ＭＦＣ２１１ｆを介してガス供給源２１０ｆと接続されている。該ガス供給源２１０ｆからは不活性ガスとして、例えば希ガスのＡｒガスが供給され、ＳｉＣエピタキシャル膜成長に寄与するガスが反応管４２と断熱材５４との間に進入するのを防ぎ、反応管４２の内壁又は断熱材５４の外壁に不要な生成物が付着するのを防止することができる。
【００３５】
又、反応管４２と断熱材５４との間に供給された不活性ガスは、第２のガス排気口３９０よりガス排気管２３０の下流側にあるＡＰＣバルブ２１４を介して真空排気装置２２０から排気される。
＜各ガス供給系に供給されるガスの詳細＞
次に、図４を用いて、第１のガス供給系及び第２のガス供給系について説明する。図４に示されるように、該第１のガスライン２２２は、ＳｉＨ４ガス、ＨＣｌガス、不活性ガスに対して流量制御器（流量制御手段）としてのマスフローコントローラ（以下ＭＦＣとする）２１１ａ，２１１ｂ，２１１ｃ、及び、バルブ２１２ａ，２１２ｂ，２１２ｃを介して、例えばＳｉＨ４ガス供給源２１０ａ、ＨＣｌガス供給源２１０ｂ、不活性ガス供給源２１０ｃに接続されている。
【００３６】
上記構成により、ＳｉＨ４ガス、ＨＣｌガス、不活性ガスのそれぞれの供給流量、濃度、分圧、供給タイミングを反応室４４内に於いて制御することができる。バルブ２１２ａ，２１２ｂ，２１２ｃ、ＭＦＣ２１１ａ，２１１ｂ，２１１ｃは、ガス流量制御部７８に電気的に接続されており、それぞれ供給するガスの流量が所定流量となる様に、所定のタイミングにて制御される様になっている（図５参照）。尚、ＳｉＨ４ガス、ＨＣｌガス、不活性ガスのそれぞれのガス供給源２１０ａ，２１０ｂ、２１０ｃ、バルブ２１２ａ，２１２ｂ、２１２ｃ、ＭＦＣ２１１ａ，２１１ｂ，２１１ｃ、第１のガスライン２２２、第１のガス供給ノズル６０及び該第１のガス供給ノズル６０に少なくとも１つ設けられる第１のガス供給口６８により、ガス供給系として第１のガス供給系が構成される。
【００３７】
また、第２のガスライン２６０は、Ｃ（炭素）原子含有ガスとして、例えばＣ３Ｈ８ガスに対して流量制御手段としてのＭＦＣ２１１ｄ及びバルブ２１２ｄを介してＣ３Ｈ８ガス供給源２１０ｄに接続され、還元ガスとして、例えばＨ２ガスに対して流量制御手段としてのＭＦＣ２１１ｅ及びバルブ２１２ｅを介してＨ２ガス供給源２１０ｅに接続されている。
【００３８】
上記構成により、Ｃ３Ｈ８ガス、Ｈ２ガスの供給流量、濃度、分圧を反応室４４内に於いて制御することができる。バルブ２１２ｄ，２１２ｅ、ＭＦＣ２１１ｄ，２１１ｅは、ガス流量制御部７８に電気的に接続されており、供給するガス流量が所定の流量となる様、所定のタイミングにて制御される様になっている（図５参照）。尚、Ｃ３Ｈ８ガス、Ｈ２ガスのガス供給源２１０ｄ，２１０ｅ、バルブ２１２ｄ，２１２ｅ、ＭＦＣ２１１ｄ，２１１ｅ、第２のガスライン２６０、第２のガス供給ノズル７０、第２のガス供給口７２により、ガス供給系として第２のガス供給系が構成される。
【００３９】
このように、Ｓｉ原子含有ガスとＣ原子含有ガスを異なるガス供給ノズルから供給することにより、ガス供給ノズル内では、ＳｉＣ膜が堆積しないようにすることができる。なお、Ｓｉ原子含有ガス及びＣ原子含有ガスの濃度や流速を調整したい場合は、夫々適切なキャリアガスを供給すればよい。
【００４０】
更に、Ｓｉ原子含有ガスを、より効率的に使用するため水素ガスのような還元ガスを用いる場合がある。この場合、還元ガスは、Ｃ原子含有ガスを供給する第２のガス供給ノズル７０を介して供給することが望ましい。このように還元ガスをＣ原子含有ガスと共に供給し、反応室４４内でＳｉ原子含有ガスと混合することにより、還元ガスが少ない状態となるためＳｉ原子含有ガスの分解を成膜時と比較して抑制することができ、第１のガス供給ノズル内におけるＳｉ膜の堆積を抑制することが可能となる。この場合、還元ガスをＣ原子含有ガスのキャリアガスとして用いることが可能となる。なお、Ｓｉ原子含有ガスのキャリアとしては、アルゴン（Ａｒ）のような不活性ガス（特に希ガス）を用いることにより、Ｓｉ膜の堆積を抑制することが可能となる。
【００４１】
更に、第１のガス供給ノズル６０には、ＨＣｌのような塩素原子含有ガスを供給することが望ましい。このようにすると、Ｓｉ原子含有ガスが熱により分解し、第１のガス供給ノズル内に堆積可能な状態となったとしても、塩素によりエッチングモードとすることが可能となり、第１のガス供給ノズル内へのＳｉ膜の堆積をより抑制することが可能になる。また、塩素原子含有ガスには、堆積した膜をエッチングする効果もあり、第１のガス供給口６８の閉塞を抑制することが可能となる。
【００４２】
なお、ＳｉＣエピタキシャル膜を形成する際に流すＣｌ（塩素）原子含有ガスとしてＨＣｌガスを例示したが、塩素ガスを用いてもよい。
【００４３】
又、上述ではＳｉＣエピタキシャル膜を形成する際に、Ｓｉ（シリコン）原子含有ガスとＣｌ（塩素）原子含有ガスとを供給したが、Ｓｉ原子とＣｌ原子を含むガス、例えばテトラクロロシラン（以下ＳｉＣｌ４とする）ガス、トリクロロシラン（以下ＳｉＨＣｌ３）ガス、ジクロロシラン（以下ＳｉＨ２Ｃｌ２）ガスを供給してもよい。また、言うまでもないが、これらのＳｉ原子及びＣｌ原子を含むガスは、Ｓｉ原子含有ガスでも有り、又は、Ｓｉ原子含有ガス及びＣｌ原子含有ガスの混合ガスともいえる。特に、ＳｉＣｌ４は、熱分解される温度が比較的高いため、ノズル内のＳｉ消費抑制の観点から望ましい。
【００４４】
又、上述ではＣ（炭素）原子含有ガスとしてＣ３Ｈ８ガスを例示したが、エチレン（以下Ｃ２Ｈ４とする）ガス、アセチレン（以下Ｃ２Ｈ２とする）ガスを用いてもよい。
【００４５】
また、還元ガスとしてＨ２ガスを例示したが、これに限らず他のＨ（水素）原子含有ガスを用いても良い。更には、キャリアガスとしては、Ａｒ（アルゴン）ガス、Ｈｅ（ヘリウム）ガス、Ｎｅ（ネオン）ガス、Ｋｒ（クリプトン）ガス、Ｘｅ（キセノン）ガス等の希ガスのうち少なくとも１つを用いてもよいし、上記したガスを組合わせた混合ガスを用いてもよい。
【００４６】
次に、図６を用いて、第１のガス供給ノズル６０、第２のガス供給ノズルの最適な配置について説明する。図６は、説明をわかりやすくするため必要な部材のみを記載した模式図となっている。上述したように、２種類の異なるガスを独立したガス供給ノズルで反応室まで供給し、反応室内で混合する場合は、ウェーハ面内の２種類のガスの混合度の分布（ＳｉＣエピタキシャル成長の場合は、のＣ／Ｓｉ比のウェーハ面内分布）が重要となる。
【００４７】
そこで本実施形態では、図６に示されるように、第２のガス供給ノズル７０を３本設けると共に、第２のガス供給ノズル７０に挟まれるように第１のガス供給ノズル６０が設けられるように構成している。このように交互に配置することにより、第１のガス供給ノズル６０及び第２のガス供給ノズル７０から異なるガス種を供給したとしても、該異なるガス種の混合を促進することができる。また、第１のガス供給ノズル６０及び第２のガス供給ノズル７０を奇数本とすることにより、中央の第２のガス供給ノズル７０を中心に成膜ガス供給を左右対称とすることができ、ウェーハ１４内の均一性を高めることができる。
【００４８】
また、両端、及び、中央に配置される第２のガス供給ノズル７０から反応室内の主流を形成するガス（本実施形態では、Ｈ２ガス）を供給することにより、場の主流となるガスの流量比（中央／両端）を調整することでウェーハ上のガス流れをコントロールすることができ、面内膜厚の制御が容易となる。
【００４９】
更に、本実施形態では、図６に示されるように、第１のガス供給口６８の向きが第２のガス供給口７２の向きに対して外側を向くように配置される。即ち、図６に示されるように、両端の第２のガス供給口７２が向いている方向の交点（Ａ）より、第１のガス供給口６８が向いている方向の交点（Ｂ）がガス供給ノズルより遠くなるように配置している。このように配置する理由は、以下の通りである。第１のガス供給口６８から供給されたシリコン原子含有ガスは、拡散しながら、場の主流となる第２のガス供給口７２から供給される成膜ガスと共にウェーハ１４に向かうことになる。ここで、中央に配置される第２のガス供給口７２から供給される成膜ガス（炭素原子含有ガス及び水素ガス）に対しては、左右に配置された第１のガス供給口６８から供給されるシリコン原子含有ガスが拡散する。一方、両端に配置された第２のガス供給口７２から供給される成膜ガスに対しては、隣接する第１のガス供給口６８から供給されるシリコン原子含有ガスが拡散する。従って、中央に配置された第２のガス供給口７２に向かって拡散するシリコン原子含有ガスの量は、両端に向かって拡散するシリコン原子含有ガスの量より多くなる。そこで、第１のガス供給口６８を中央から外側に向けることにより、第２のガス供給口７２から供給される夫々の成膜ガスに対して、第１のガス供給口６８から供給されるシリコン原子含有ガスの拡散の量を調整することができ、ウェーハ面内で均一なＣ／Ｓｉ比を実現できる。
【００５０】
なお、第１のガス供給口６８が向いている方向が交差しない程度まで外側に向けてしまうと、中央に拡散する量が著しく減少してしまうため好ましくない。従って、第１のガス供給口６８の夫々は、少なくとも交差するような方向に向けることが望ましい。
【００５１】
また、第１のガス供給口６８から供給される成膜ガス（シリコン原子含有ガス等）の流速は、場の主流となる第２のガス供給口７２から供給される成膜ガス（炭素原子含有ガスや水素ガス）の流速より遅いほうがよい。流速が遅いほうがシリコン原子含有ガスの拡散が大きくなるため２種類のガスの混合度が向上する。
【００５２】
＜処理炉の周辺構成＞
次に、図７に於いて、処理炉４０及びその周辺の構成について説明する。該処理炉４０の下方には、該処理炉４０の下端開口を気密に閉塞する為の炉口蓋体としてシールキャップ１０２が設けられている。該シールキャップ１０２は、例えばステンレス等の金属製であり、円盤状に形成されている。該シールキャップ１０２の上面には、処理炉４０の下端と当接するシール材としてのＯリング（図示せず）が設けられている。シールキャップ１０２には回転機構１０４が設けられ、該回転機構１０４の回転軸１０６はシールキャップ１０２を貫通してボート３０に接続されており、該ボート３０を回転させることでウェーハ１４を回転させる様に構成されている。
【００５３】
又、シールキャップ１０２は処理炉４０の外側に設けられた昇降機構として、後述する昇降モータ１２２によって垂直方向に昇降される様に構成されており、これにより前記ボート３０を処理炉４０に対して搬入搬出することが可能となっている。回転機構１０４及び昇降モータ１２２には、駆動制御部１０８が電気的に接続されており、所定の動作をする様所定のタイミングにて制御する様構成されている（図５参照）。
【００５４】
予備室としてのロードロック室１１０の外面に下基板１１２が設けられている。該下基板１１２には、昇降台１１４と摺動自在に嵌合するガイドシャフト１１６及び昇降台１１４と螺合するボール螺子１１８が設けられている。又、下基板１１２に立設した前記ガイドシャフト１１６及びボール螺子１１８の上端には上基板１２０が設けられている。ボール螺子１１８は、上基板１２０に設けられた昇降モータ１２２によって回転され、ボール螺子１１８が回転されることで昇降台１１４が昇降する様になっている。
【００５５】
該昇降台１１４には中空の昇降シャフト１２４が垂設され、昇降台１１４と昇降シャフト１２４の連結部は気密となっており、該昇降シャフト１２４は昇降台１１４と共に昇降する様になっている。昇降シャフト１２４はロードロック室１１０の天板１２６を遊貫し、昇降シャフト１２４が貫通する天板１２６の貫通孔は、昇降シャフト１２４が天板１２６と接触することがない様充分な隙間が形成されている。
【００５６】
又、ロードロック室１１０と昇降台１１４との間には、昇降シャフト１２４の周囲を覆う様に伸縮性を有する中空伸縮体としてベローズ１２８が設けられ、該ベローズ１２８によりロードロック室１１０が気密に保たれる様になっている。尚、ベローズ１２８は昇降台１１４の昇降量に対応できる充分な伸縮量を有し、ベローズ１２８の内径は昇降シャフト１２４の外径に比べて充分に大きく、伸縮の際に前記ベローズ１２８と昇降シャフト１２４が接触することがない様に構成されている。
【００５７】
該昇降シャフト１２４の下端には、昇降基板１３０が水平に固着され、該昇降基板１３０の下面にはＯリング等のシール部材を介して駆動部カバー１３２が気密に取付けられる。昇降基板１３０と駆動部カバー１３２とで駆動部収納ケース１３４が構成され、この構成により該駆動部収納ケース１３４内部はロードロック室１１０内の雰囲気と隔離される。
【００５８】
又、駆動部収納ケース１３４の内部には前記ボート３０の回転機構１０４が設けられ、該回転機構１０４の周辺は冷却機構１３５によって冷却される様になっている。
【００５９】
電力ケーブル１３８は、昇降シャフト１２４の上端から中空部を通り、回転機構１０４に導かれて接続されている。又、冷却機構１３５及びシールキャップ１０２には冷却水流路１４０が形成されている。更に、冷却水配管１４２が昇降シャフト１２４の上端から中空部を通り冷却水流路１４０に導かれて接続されている。
【００６０】
昇降モータ１２２が駆動され、ボール螺子１１８が回転することで、昇降台１１４及び昇降シャフト１２４を介して駆動部収納ケース１３４を昇降させる。
【００６１】
該駆動部収納ケース１３４が上昇することにより、昇降基板１３０に気密に設けられているシールキャップ１０２が処理炉４０の開口部である炉口１４４を閉塞し、ウェーハ処理が可能な状態となる。又、駆動部収納ケース１３４が下降することにより、シールキャップ１０２と共にボート３０が降下され、ウェーハ１４を外部に搬出できる状態となる。
【００６２】
＜制御部＞
次に、図５に於いて、ＳｉＣエピタキシャル膜を成膜する半導体製造装置１０を構成する各部の制御構成について説明する。
【００６３】
温度制御部５２、ガス流量制御部７８、圧力制御部９８、駆動制御部１０８は、操作部及び入出力部を構成し、半導体製造装置１０全体を制御する主制御部１５０に電気的に接続されている。又、温度制御部５２、ガス流量制御部７８、圧力制御部９８、駆動制御部１０８は、コントローラ１５２として構成されている。
【００６４】
＜ＳｉＣ膜の形成方法＞
次に、上述した半導体製造装置１０を用い、半導体デバイスの製造工程の一工程として、ＳｉＣ等で構成されるウェーハ１４等の基板上に、例えばＳｉＣ膜を形成する基板の製造方法について説明する。尚、以下の説明に於いて半導体製造装置１０を構成する各部の動作は、コントローラ１５２により制御される。
【００６５】
先ず、ポッドステージ１８に複数枚のウェーハ１４を収納したポッド１６がセットされると、ポッド搬送装置２０によりポッド１６をポッドステージ１８からポッド収納棚２２へ搬送し、ストックする。次に、ポッド搬送装置２０により、ポッド収納棚２２にストックされたポッド１６をポッドオープナ２４に搬送してセットし、該ポッドオープナ２４によりポッド１６の蓋を開き、基板枚数検知器２６によりポッド１６に収納されているウェーハ１４の枚数を検知する。
【００６６】
次に、基板移載機２８により、ポッドオープナ２４の位置にあるポッド１６からウェーハ１４を取出し、ボート３０に移載する。
【００６７】
複数枚のウェーハ１４がボート３０に装填されると、ウェーハ１４を保持したボート３０は、昇降モータ１２２による昇降台１１４及び昇降シャフト１２４の昇降動作により反応室４４内に搬入（ボートローディング）される。この状態では、シールキャップ１０２はＯリング（図示せず）を介してマニホールド３６の下端をシールした状態となる。
【００６８】
ボート３０搬入後、反応室４４内が所定の圧力（真空度）となる様に、真空排気装置２２０によって真空排気される。この時、反応室４４内の圧力は、圧力センサ（図示せず）によって測定され、測定された圧力に基づき第１のガス排気口９０及び第２のガス排気口３９０に連通するＡＰＣバルブ２１４がフィードバック制御される。又、ウェーハ１４及び反応室４４内が所定の温度となる様前記被誘導体４８が加熱される。この時、反応室４４内が所定の温度分布となる様、温度センサ（図示せず）が検出した温度情報に基づき誘導コイル５０への通電具合がフィードバック制御される。続いて、回転機構１０４により、ボート３０が回転されることで、ウェーハ１４が周方向に回転される。
【００６９】
続いて、ＳｉＣエピタキシャル成長反応に寄与するＳｉ（シリコン）原子含有ガス及びＣｌ（塩素）原子含有ガスは、それぞれガス供給源２１０ａ，２１０ｂから供給され、前記第１のガス供給口６８より前記反応室４４内に噴出される。又、Ｃ（炭素）原子含有ガス及び還元ガスであるＨ２ガスが、所定の流量となる様に対応する前記ＭＦＣ２１１ｄ，２１１ｅの開度が調整された後、バルブ２１２ｄ，２１２ｅが開かれ、それぞれのガスが第２のガスライン２６０に流通し、第２のガス供給ノズル７０に流通して第２のガス供給口７２より反応室４４内に導入される。
【００７０】
第１のガス供給口６８及び第２のガス供給口７２より供給されたガスは、反応室４４内の被誘導体４８の内側を通り、第１のガス排気口９０からガス排気管２３０を通って排気される。第１のガス供給口６８及び第２のガス供給口７２より供給されたガスは、反応室４４内を通過する際に、ＳｉＣ等で構成されるウェーハ１４と接触し、ウェーハ１４表面上にＳｉＣエピタキシャル膜成長がなされる。ここで、２本の第１のガス供給ノズル６０から供給される成膜ガスは、その噴出方向が交差するような方向に噴出される。また、３本の第２のガス供給ノズル７０から供給される成膜ガスは、その噴出方向が交差するような方向に噴出される。更には、第１のガス供給ノズル６０から供給される成膜ガスの交差する点は、第２のガス供給ノズル７０から供給される成膜ガスの交差する点より遠くなるように供給される。これにより、ウェーハ１４面内の濃度分布を均一化させることが可能となる。
【００７１】
又、ガス供給源２１０ｆより、不活性ガスとしての希ガスであるＡｒガスが所定の流量となる様に対応するＭＦＣ２１１ｆの開度が調整された後、バルブ２１２ｆが開かれ、第３のガスライン２４０に流通し、第３のガス供給口３６０から反応室４４内に供給される。第３のガス供給口３６０から供給された不活性ガスとしての希ガスであるＡｒガスは、反応室４４内の断熱材５４と反応管４２との間を通過し、第２のガス排気口３９０から排気される。
【００７２】
次に、予め設定された時間が経過すると、上述したガスの供給が停止され、図示しない不活性ガス供給源より不活性ガスが供給され、反応室４４内の被加熱体４８の内側の空間が不活性ガスで置換されると共に、反応室４４内の圧力が常圧に復帰される。
【００７３】
その後、昇降モータ１２２によりシールキャップ１０２が下降され、マニホールド３６の下端が開口されると共に、処理済みのウェーハ１４がボート３０に保持された状態でマニホールド３６の下端から反応管４２の外部に搬出（ボートアンローディング）され、ボート３０に保持されたウェーハ１４が冷える迄、ボート３０を所定位置にて待機させる。待機させた該ボート３０のウェーハ１４が所定温度迄冷却されると、基板移載機２８により、ボート３０からウェーハ１４を取出し、ポッドオープナ２４にセットされている空のポッド１６に搬送して収納する。その後、ポッド搬送装置２０によりウェーハ１４が収納されたポッド１６をポッド収納棚２２、又は前記ポッドステージ１８に搬送する。この様にして、半導体製造装置１０の一連の作動が完了する。
【００７４】
次に図８及び図９を用いて、変形例を説明する。図８及び図９は、上述の実施形態と比較して、ガス供給ノズルの構成が異なる。本実施形態のようにガス供給ノズル内におけてＳｉＣ膜等の堆積物が付着しないように２種類の成膜ガスを分離供給する場合であっても、ガス供給口付近では、２種類の成膜ガスの混合が生じ、ガス供給口付近にＳｉＣ膜が堆積してしまう。その結果、ガス供給口の閉塞等が生じ、パーティクルの発生や流量の変化等が生じ、均質な膜が形成できない恐れがある。そこで、本変形例では、ガス供給口付近に堆積物が成膜して閉塞してしまうことを抑制するために、図９に示すように第１のガス供給口６８及び第２のガス供給口７２の両方において、成膜ガスが噴出する箇所を曲面としている。これにより、堆積物が付着する箇所がガス供給口に対して広くなり、ガス供給口の閉塞を抑制できる。
【００７５】
また、本変形例では、図９（ａ）に示すように、第１のガス供給ノズル６０では、第１のガス供給口６８から成膜ガスの噴出方向に延びた壁を有している。この壁を有することにより、第１のガス供給口から噴出した成膜ガスは、壁と接触し、その速度を落す。従って、反応室内に供給された後、拡散しやすい状態となっており、第２のガス供給口７２から供給される成膜ガスとの混合を促進することができる。また、当該壁のウェーハ表面と平行方向の壁の幅は、第１のガス供給口６８のウェーハ表面と平行方向の幅より大きくなっている。これにより、第１のガス供給口６８から噴出したガスの流れは、当該壁が設置される領域で少し広がることになり、その速度が更に低下する。
【００７６】
一方、図９（ｂ）に示すように、第２のガス供給ノズル７０は、第１のガス供給ノズル７０と異なり、成膜ガスの噴出方向に延びた壁を有さず、成膜ガスが噴出する付近を曲面とする構成を有する。第２のガス供給口７２は、場の主流となる還元ガス（水素ガス）を、速度の低下なく、反応室内に供給することができる。従って、第２のガス供給口７２から第２のガス供給ノズル７０の成膜ガスの噴出方向の先端までの距離は、第１のガス供給口６８から第１のガス供給ノズル６０の成膜ガスの噴出方向の先端までの距離より短くなっている。また、第２のガス供給ノズルに設けられた曲面は、ガス供給口７２を削ることにより設けるのではなく、筒状のガス供給ノズルのガス供給口側を厚くし、当該厚くした部分を削ることにより形成されている。従って、図９（ｂ）に示すように、第２のガス供給ノズル７０は、直線状の第２のガス供給口７２が形成され、当該第２のガス供給口７２の端からガスの噴出方向に向かって徐々に広がる面取り部を有する構成となっている。このように、面取り分を厚く構成することで、一つのガス供給ノズル７０に設けられた複数のガス供給口７２は、面取りの加工精度によらずほぼ同じにすることができる。
【００７７】
以上のように、第１のガス供給ノズル６０、及び、第２のガス供給ノズル７０とも成膜ガスの噴出部分を曲面状とすることにより、ガス供給口６８（７２）に対して、ガスの噴出部分を広くすることができ、堆積物の付着によるノズルの閉塞を抑制できる。また、第１のガス供給ノズルには、第１のガス供給口６８から成膜ガスの噴出方向に延びた壁を設けることにより、成膜ガスの速度を低下させ、反応室内での拡散を促進させることができる。また、第２のガス供給口７２には、壁を設けないことによりその流速を保つことができる。
【００７８】
なお、図９（ａ）では、第１のガス供給口６８から成膜ガスの噴出方向に延びる壁を第１のガス供給口６８を囲うように構成したが、複数の第１のガス供給口を挟み込むようにしてもよい。
【００７９】
以上、本発明を図面を用いて説明してきたが、本発明の趣旨を逸脱しない限り、様々な変更が可能である。例えば、５本のガス供給ノズルで説明したが、それ以上であっても良いことは言うまでもない。
【００８０】
また、図６において、第２のガス供給口７２の向きがウェーハ１４の中心で交わるように記載しているが、これに限らない。例えば、第１のガス供給口６８の向きをウェーハ１４の中心で交わるようにし、第２のガス供給口７２の向きがウェーハ１４の中心より手間で交わるようにしても良い。また、第２のガス供給口７２の向きがウェーハ１４の中心より遠くで交わるようにしてもよい。この場合であっても第１のガス供給口６８の向きは、第２のガス供給口７２の向きが交わる点より、遠くで交わるように構成する。
【００８１】
なお、第２のガス供給口７２は、図６に記載したようにウェーハ１４の中心で交わるように構成するのが望ましいと考えられる。その理由は、ウェーハ１４の中心より遠くで交わらせるように構成すると外側に配置された第２のガス供給口７２から供給されたガスがウェーハホルダ１５ａのほうに向かってしまい、また、ウェーハ１４の中心より近くで交わらせるように構成するとウェーハ１４の中心線（真ん中の第２のガス供給口が向いている方向）のガスの流れが強くなりすぎる可能性があるためである。
【００８２】
以上、本発明を実施形態に沿って説明してきたが、ここで本発明の主たる態様を付記する。
（付記１）
複数の基板を処理する反応室と、
前記反応室を囲むように設けられる加熱部と、
前記複数の基板を保持した状態で前記反応室内に載置されるボートと、
前記反応室内に設置される第１ガス供給ノズルと、
前記反応室内に前記第１ガス供給ノズルを挟むように設置される第２及び第３ガス供給ノズルと、
前記反応室内に前記第１ガス供給ノズルと前記第２ガス供給ノズルを挟むように設置される第４ガス供給ノズルと、
前記反応室内に前記第１ガス供給ノズルと前記第３ガス供給ノズルを挟むように設置される第５ガス供給ノズルと、
前記第１ガス供給ノズルに設けられ、前記複数の基板に向けて第１成膜ガスを含む第１ガスを供給する複数の第１ガス供給口と、
前記第２ガス供給ノズルに設けれ、前記複数の基板に向けて前記第１成膜ガスとは異なる第２成膜ガスを含む第２ガスを供給する複数の第２ガス供給口と、
前記第３ガス供給ノズルに設けれ、前記複数の基板に向けて前記第２成膜ガスを含む第３ガスを供給する複数の第３ガス供給口と、
前記第４ガス供給ノズルに設けられ、前記複数の基板に向けて前記第１成膜ガスを含む第４ガスを供給する複数の第４ガス供給口と、
前記第５ガス供給ノズルに設けられ、前記複数の基板に向けて前記第１成膜ガスを含む第５ガスを供給する複数の第５ガス供給口と、を具備し、
前記複数の第２ガス供給口の向いている方向と前記複数の第３ガス供給口の向いている方向とが交差する点は、前記複数の第４ガス供給口の向いている方向と前記複数の第５ガス供給口の向いている方向とが交差する点より、前記第１ガス供給ノズルに対し遠くなる基板処理装置。
（付記２）
付記１において、
前記第１ガス、前記第４ガス、及び、前記第５ガスの流速は、前記第２ガス、及び、前記第３ガスの流速より速くなるように構成される基板処理装置。
（付記３）
付記１又は付記２において、
前記第１成膜ガスは、炭素原子含有ガスであり、
前記第２成膜ガスは、シリコン原子含有ガスであり、
前記第１ガス、前記第４ガス、及び、前記第５ガスは、還元ガスを含む基板処理装置。
（付記４）
付記１乃至付記３のいずれか一つにおいて、
前記第１乃至第５ガス供給ノズルの夫々は、対応するガスの噴出する部分が曲面状となっている基板処理装置。
（付記５）
付記４において、
前記第２ガス供給ノズルは、前記複数の第２ガス供給口から前記第２ガスの噴出方向に延びた壁を有し、
前記第３ガス供給ノズルは、前記複数の第３ガス供給口から前記第３ガスの噴出方向に延びた壁を有する基板処理装置。
（付記６）
付記４又は５において、
前記第１ガス供給ノズルの前記噴出する部分の曲面は、前記第１ガスの噴出方向に向かって直線状に設けられた前記複数の第１ガス供給口の端から徐々に広がるように設けられ、
前記第４ガス供給ノズルの前記噴出する部分の曲面は、前記第４ガスの噴出方向に向かって直線状に設けられた前記複数の第４ガス供給口の端から徐々に広がるように設けられ、
前記第５ガス供給ノズルの前記噴出する部分の曲面は、前記第５ガスの噴出方向に向かって直線状に設けられた前記複数の第５ガス供給口の端から徐々に広がるように設けられる基板処理装置。
（付記７）
付記４において、
前記第２ガス供給ノズルは、前記複数の第２ガス供給口から前記第２ガスの噴出方向に延びた壁を有し、
前記第３ガス供給ノズルは、前記複数の第３ガス供給口から前記第３ガスの噴出方向に延びた壁を有し、
前記第１ガス供給ノズルの前記噴出する部分の曲面は、前記第１ガスの噴出方向に向かって直線状に設けられた前記複数の第１ガス供給口の端から徐々に広がるように設けられ、
前記第４ガス供給ノズルの前記噴出する部分の曲面は、前記第４ガスの噴出方向に向かって直線状に設けられた前記複数の第４ガス供給口の端から徐々に広がるように設けられ、
前記第５ガス供給ノズルの前記噴出する部分の曲面は、前記第５ガスの噴出方向に向かって直線状に設けられた前記複数の第５ガス供給口の端から徐々に広がるように設けられ、
前記第１、第４、及び、第５ガス供給ノズルの対応するガス供給口の端から対応する曲面の端までの距離は、前記第２、及び、第３ガス供給ノズルの対応するガス供給口の端から対応する壁の端までの距離より短い基板処理装置。
（付記８）
複数の基板をボートに保持した状態で反応室内に搬入するボートローディング工程と、
前記複数の基板に対し、少なくとも２本の第１ガス供給ノズルから互いに交差するような方向に第１成膜ガスが供給され、少なくとも２本の第２ガス供給ノズルから互いに交差するような方向に第２成膜ガスが供給され、前記第１成膜ガスと前記第２成膜ガスとが混合することによりに前記複数の基板に所定の膜を形成する成膜工程と、
前記成膜工程において成膜された前記複数の基板を前記反応室から搬出するボートアンローディング工程とを有し、
前記第１成膜ガスは、前記第１成膜ガスが供給される方向が互いに交差する点が前記第２成膜ガスが供給される方向が互いに交差する点より遠くなるような方向に供給される基板の製造方法又は半導体デバイスの製造方法。
【符号の説明】
【００８３】
１０：半導体製造装置、１２：筐体、１４：ウェーハ、１５：ウェーハホルダ、１５ａ：上部ウェーハホルダ、１５ｂ：下部ウェーハホルダ、１６：ポッド、１８：ポッドステージ、２０：ポッド搬送装置、２２：ポッド収納棚、２４：ポッドオープナ、２６：基板枚数検知器、２８：基板移載機、３０：ボート、３２：アーム、３４Ａ：ボート断熱部、３４Ｂ：第１熱交換部、３４Ｃ：第２熱交換部、３６：マニホールド、４０：処理炉、４２：反応管、４４：反応室、４８：被誘導体、５０：誘導コイル、５２：温度制御部、５４：断熱材、５５：外側断熱壁、５８：磁気シール、６０：第１のガス供給ノズル、６８：第１のガス供給口、７０：第２のガス供給ノズル、７２：第２のガス供給口７２、７８：ガス流量制御部、９０：第１のガス排気口、９８：圧力制御部、１０２：シールキャップ、１０４：回転機構、１０６：回転軸、１０８：駆動制御部、１１０：ロードロック室、１１２：下基板、１１４：昇降台、１１６：ガイドシャフト、１１８：ボール螺子、１２０：上基板、１２２：昇降モータ、１２４：昇降シャフト、１２８：ベローズ、１３０：昇降基板、１３２：駆動部カバー、１３４：駆動部収納ケース、１３５：冷却機構、１３８：電力ケーブル、１４０：冷却水流路、１４２：冷却水配管、１５０：主制御部、１５２：コントローラ、２００：ガス供給ユニット、２１０：ガス供給源、２１１：ＭＦＣ、２１２：バルブ、２１４：ＡＰＣバルブ、２２２：第１のガスライン、２３０：ガス排気管、２６０：第２のガスライン、３００：構造物、３６０：第３のガス供給口、３９０：第２のガス排気口。
【図１】
2014099427.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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