(57)【要約】【課題】 水晶素子の接合部材から発生したガスが付着することを抑え、水晶素子の発振周波数が変動することを低減することが可能な水晶振動子を提供する。【解決手段】 水晶振動子は、基板１１０と、基板１１０上に実装された水晶素子１２０と、基板１１０上に設けられ、平面視したときに外縁が矩形状であって、水晶素子１２０を封止するように覆った封止蓋体１３０と、を備え、封止蓋体１３０は、外側面から下面にかけて切り欠いた凹部１３１が形成されており、封止蓋体１３０の下面は基板１１０の上面と当接するとともに、凹部１３１内から基板１１０上にかけて接合部材１５０が設けられている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に実装された水晶素子と、
前記基板上に設けられ、平面視したときに外縁が矩形状であって、前記水晶素子を封止するように覆った封止蓋体と、を備え、
前記封止蓋体は、外側面から下面にかけて切り欠いた凹部が形成されており、前記封止蓋体の下面は前記基板の上面と当接するとともに、前記凹部内から前記基板上にかけて接合部材が設けられていることを特徴とする水晶デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の水晶デバイスであって、
前記凹部は、前記封止蓋体の外縁に沿って連続して形成されていることを特徴とする水晶デバイス。
【請求項３】
請求項１に記載の水晶デバイスであって、
前記凹部の内面は、断面視したときに円弧状に形成されていることを特徴とする水晶デバイス。
【請求項４】
請求項１に記載の水晶デバイスであって、
平面視した前記封止蓋体の四隅の少なくとも一つに上下方向に貫通した切欠き部が設けられていることを特徴とする水晶デバイス。
【請求項５】
基板と、
前記基板上に設けられた枠体と、
前記基板上であって前記枠体内に実装された水晶素子と、
前記枠体上に設けられ、平面視したときに外縁が矩形状であって、前記水晶素子を封止するように覆った封止蓋体と、を備え、
前記封止蓋体は、外側面から下面にかけて切り欠いた凹部が形成されており、前記封止蓋体の下面は前記枠体の上面と当接するとともに、前記凹部内から前記枠体上にかけて接合部材が設けられていることを特徴とする水晶デバイス。
【請求項６】
請求項５に記載の水晶デバイスであって、
前記凹部は、前記封止蓋体の外縁に沿って連続して形成されていることを特徴とする水晶デバイス。
【請求項７】
請求項５に記載の水晶デバイスであって、
前記凹部の内面は、断面視したときに円弧状に形成されていることを特徴とする水晶デバイス。
【請求項８】
請求項５に記載の水晶デバイスであって、
平面視した前記封止蓋体の四隅の少なくとも一つに、上下方向に貫通した切欠き部が設けられていることを特徴とする水晶デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば電子機器等に用いられる水晶デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
水晶デバイスは、水晶素子の圧電効果を利用して、特定の周波数を発生させるものである。例えば、基板の上面に設けられた電極パッドに実装された水晶素子と、基板の上面に接合部材を介して接合され、水晶素子を気密封止するための蓋体と、を備えた水晶振動子が提案されている（例えば、下記特許文献１参照）。接合部材は、ガラスが用いられ、熱を印加することで、蓋体の下面と基板の上面とを接合することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１４１２３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した水晶デバイスは、蓋体と基板とが接合部材を介して接合されているため、接合部材から発生したガスが、水晶素子に付着してしまう。水晶素子にガスが付着することで、水晶素子の厚みすべり振動が阻害され、水晶素子の発振周波数が変動してしまう虞があった。
【０００５】
本発明は前記課題に鑑みてなされたものであり、水晶素子に接合部材から発生したガスが付着することを抑え、水晶素子の発振周波数が変動することを低減することが可能な水晶デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一つの態様による水晶デバイスは、基板と、基板上に実装された水晶素子と、基板上に設けられ、平面視したときに外縁が矩形状であって、水晶素子を封止するように覆った封止蓋体と、を備え、封止蓋体は、凹部内の外側面から下面にかけて切り欠いた凹部が形成されており、封止蓋体の下面は基板の上面と当接するとともに、凹部内から基板上にかけて接合部材が設けられていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一つの態様による水晶デバイスは、封止蓋体は、外側面から下面にかけて切り欠いた凹部が形成されており、封止蓋体の下面は基板の上面と当接するとともに、凹部内から基板上にかけて接合部材が設けられている。このようにすることによって、接合部材から発生したガスが蓋体の凹部の内周側面にて遮られるため水晶素子に被着しにくくなる。よって、水晶デバイスは、水晶素子にガスが付着することを抑制し、水晶素子の厚みすべり振動が阻害されないため、水晶素子の発振周波数が変動することを低減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本実施形態における水晶デバイスを示す分解斜視図である。
【図２】図１に示された水晶デバイスのＡ−Ａにおける断面図である。
【図３】本実施形態の第一変形例における水晶デバイスの断面図である。
【図４】本実施形態の第二変形例における水晶デバイスを示す分解斜視図である。
【図５】図４に示された水晶デバイスのＢ−Ｂにおける断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本実施形態における水晶デバイスは、図１及び図２に示されているように、基板１１０と、基板１１０の上面に接合された水晶素子１２０と、水晶素子１２０を気密封止するための封止蓋体１３０と、を含んでいる。このような水晶振動子は、電子機器等で使用する基準信号を出力するのに用いられる。
【００１０】
基板１１０は、矩形状であり、上面で実装された水晶素子１２０を実装するための実装部材として機能するものである。基板１１０の上面には、水晶素子１２０を接合するための電極パッド１１１が設けられ、基板１１０の下面の四隅には、外部端子Ｇが設けられている。
【００１１】
基板１１０は、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料である絶縁層からなる。基板１１０は、絶縁層を一層用いたものであっても、絶縁層を複数層積層したものであってもよい。基板１１０の表面及び内部には、上面に設けられた電極パッド１１１と下面の外部端子Ｇとを電気的に接続するための配線パターン及びビア導体が設けられている。
【００１２】
電極パッド１１１は、水晶素子１２０を実装するためのものである。電極パッド１１１は、基板１１０の上面に一対で設けられており、基板１１０の一辺に沿うように隣接して設けられている。電極パッド１１１は、基板１１０に設けられた配線パターン及びビア導体を介して、基板１１０の下面に設けられた外部端子Ｇのいずれかと電気的に接続されている。外部端子Ｇは、基板１１０の下面の四隅に、基板１１０の外周縁に沿って設けられている。外部端子Ｇは、マザーボード上に実装する際に、半田を介して接合するためのものである。
【００１３】
ここで、基板１１０の作製方法について説明する。基板１１０がアルミナセラミックスから成る場合、まず所定のセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して得た複数のセラミックグリーンシートを準備する。また、セラミックグリーンシートの表面或いはセラミックグリーンシートに打ち抜き等を施して予め穿設しておいた貫通孔内に、従来周知のスクリーン印刷等によって所定の導体ペーストを塗布する。さらに、これらのグリーンシートを積層してプレス成形したものを、高温で焼成する。最後に、導体パターンの所定部位、具体的には、一対の電極パッド１１１又は外部端子Ｇとなる部位にニッケルメッキ又は金メッキ等を施すことにより作製される。また、導体ペーストは、例えばタングステン、モリブデン、銅、銀又は銀パラジウム等の金属粉末の焼結体等から構成されている。
【００１４】
水晶素子１２０は、図２に示されているように、導電性接着剤１４０を介して電極パッド１１１上に接合されている。水晶素子１２０は、安定した機械振動と圧電効果により、電子装置等の基準信号を発振する役割を果たしている。
【００１５】
水晶素子１２０は、図１及び図２に示されているように、水晶素板１２１の上面及び下面のそれぞれに励振用電極１２２、接続用電極１２３及び引き出し電極１２４を被着させた構造を有している。励振用電極１２２は、水晶素板１２１の上面及び下面のそれぞれに金属を所定のパターンで被着・形成したものである。引き出し電極１２４は、励振用電極１２２から水晶素板１２１の短辺に向かって延出されている。接続用電極１２３は、引き出し電極１２４と接続されており、水晶素板１２１の長辺又は短辺に沿った形状で設けられている。
【００１６】
本実施形態においては、電極パッド１１１と接続されている水晶素子１２０の一端を基板１１０の上面と接続した固定端とし、他端を基板１１０の上面と間を空けた自由端とした片持ち支持構造にて水晶素子１２０が基板１１０上に固定されている。ここで、水晶素子１２０の動作について説明する。水晶素子１２０は、外部からの交番電圧が接続用電極１２３から引き出し電極１２４及び励振用電極１２２を介して水晶素板１２１に印加されると、水晶素板１２１が所定の振動モード及び周波数で励振を起こすようになっている。
【００１７】
ここで、水晶素子１２０の作製方法について説明する。まず、水晶素子１２０は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し、水晶素板１２１の外周の厚みを薄くし、水晶素板１２１の外周部と比べて水晶素板１２１の中央部が厚くなるように設けるベベル加工を行う。そして、水晶素子１２０は、水晶素板１２１の両主面にフォトリソグラフィー技術、蒸着技術又はスパッタリング技術によって、金属膜を被着させることにより、励振用電極１２２、接続用電極１２３及び引き出し電極１２４を形成することにより作製される。
【００１８】
水晶素子１２０の基板１１０への接合方法について説明する。まず、導電性接着剤１４０は、例えばディスペンサによって電極パッド１１１上に塗布される。水晶素子１２０は、導電性接着剤１４０上に搬送され、導電性接着剤１４０上に載置される。そして導電性接着剤１４０は、加熱硬化させることによって、硬化収縮される。水晶素子１２０は、一対の電極パッド１１１に接合される。
【００１９】
導電性接着剤１４０は、シリコーン樹脂等のバインダーの中に導電フィラーとして導電性粉末が含有されているものであり、導電性粉末としては、アルミニウム、モリブデン、タングステン、白金、パラジウム、銀、チタン、ニッケル又はニッケル鉄のうちのいずれか、或いはこれらの組み合わせを含むものが用いられている。また、バインダーとしては、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂又はビスマレイミド樹脂が用いられる。
【００２０】
封止蓋体１３０は、矩形状の封止基部１３０ａと、封止枠部１３０ｂとで構成されており、封止基部１３０ａの下面と封止枠部１３０ｂの内側側面とで収容空間Ｋが形成されている。封止枠部１３０ｂは、封止基部１３０ａの下面に収容空間Ｋを形成するためのものである。封止枠部１３０ｂは、封止基部１３０ａの下面の外縁に沿って設けられている。
【００２１】
封止基部１３０ａ及び封止枠部１３０ｂは、例えば、鉄、ニッケル又はコバルトの少なくともいずれかを含む合金からなり、一体的に形成されている。このような封止蓋体１３０は、真空状態にある収容空間Ｋ又は窒素ガスなどが充填された収容空間Ｋを気密的に封止するためのものである。具体的には、封止蓋体１３０は、所定雰囲気で、基板１１０の上面に載置され、基板１１０の上面と封止蓋体１３０の凹部１３１内に設けられた接合部材１５０とが熱が印加されることで、溶融接合される。
【００２２】
凹部１３１は、封止蓋体１３０の封止枠部１３０ｂの外側面から下面にかけて切り欠くようにして設けられている。このようにすることにより、接合部材１５０より発生したガスは、封止蓋体１３０の凹部１３１の内側側面にて遮られることになるので、封止蓋体１３０の収容空間Ｋ内に入り込むことを低減することができる。よって、収容空間Ｋ内の気密封止性を向上させることができる。また、収容空間Ｋ内に実装されている水晶素子１２０に接合部材１５０から発生したガスが被着しにくくなる。よって、水晶素子１２０の厚みすべり振動が阻害されないため、水晶素子１２０の発振周波数が変動することを低減することが可能となる。
【００２３】
また、凹部１３１は、封止蓋体１３０の外縁に沿って連続して形成されている。このようにすることで、収容空間Ｋ内を囲むようにして、封止蓋体１３０の凹部１３１内と基板１１０の上面とを接合部材１５０により確実に接合することができる。よって、封止蓋体１３０の収容空間Ｋ内の気密封止性をさらに向上させることができる。
【００２４】
ここで封止蓋体１３０を平面視したときの一辺の寸法が、１．０〜３．０ｍｍであり、封止蓋体１３０の厚み方向の寸法が、０．２〜０．４ｍｍであり、封止枠部１３０ｂの内側面と外側面との間隔が、０．１５〜０．３０ｍｍである場合を例にして、凹部１３１の大きさを説明する。凹部１３１の外縁と凹部１３１内の内側面との間隔は、０．０１５〜０．２７０ｍｍとなっている。凹部１３１の深さ方向の長さは、０．０５〜０．２０ｍｍとなっている。
【００２５】
接合部材１５０は、凹部１３１内から基板１１０上にかけて設けられている。接合部材１５０は、例えば、ガラスの場合には、３５０℃〜４００℃で溶融する鉛フリーガラスである例えばバナジウムを含有した低融点ガラスから構成されている。鉛フリーガラスは、バインダーと溶剤とが加えられペースト状であり、溶融された後固化されることで他の部材と接着する。接合部材１５０は、例えば、ガラスフリットペーストがスクリーン印刷法で塗布され乾燥することで設けられる。
【００２６】
接合部材１５０は、例えば、絶縁性樹脂の場合には、エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂から構成されている。凹部１３１内に設けられている接合部材１５０の厚みは、４０μｍ〜１２５μｍとなっており、枠部１１０ｂと蓋体１３０との間に設けられた接合部材１５０の厚みは、３０〜１００μｍとなっている。
【００２７】
接合部材１５０は、例えば、金錫の場合には、接合部材１５０の層の厚みは、１０〜４０μｍであり、例えば、成分比率が、金が７０〜８０％、錫が２０〜３０％のものを使用しても良い。また、接合部材１５０は、例えば、銀ロウの場合には、接合部材１５０の層の厚みは、１０〜４０μｍであり、例えば、成分比率が、銀が７０〜８０％、銅が２０〜３０％のものを使用しても良い。
【００２８】
また、切欠き部１３２は、平面視した封止蓋体１３０の四隅の少なくとも一つに上下方向に貫通するようにして設けられている。また、切欠き部１３２の上下方向の長さは、０．２〜０．４ｍｍとなっている。切欠き部１３２は、平面視した封止基部１３０ａと封止枠部１３０ｂの四隅の少なくとも一つに上下方向に貫通するように設けられ、凹部１３１と繋がるようにして設けられている。よって、封止蓋体１３０と基板１１０とを接合部材１５０にて接合する際に、溶融した接合部材１５０が、切欠き部１３２の外側面を這い上がるようにして接合されるので、接合部材１５０と封止蓋体１３０との接合強度を向上させることができる。
【００２９】
また、切欠き部１３２は、封止蓋体１３０と基板１１０とを接合部材１５０にて接合する際に、溶融した接合部材１５０から発生したガスを切欠き部１３２の上方向に逃がすことで、水晶素子１２０には、接合部材１５０から発生したガスが付着することをさらに低減することができる。よって、水晶素子１２０の厚みすべり振動が阻害されないため、水晶素子１２０の発振周波数が変動することをさらに低減することが可能となる。
【００３０】
本実施形態における水晶デバイスは、封止蓋体１３０には外側面から下面にかけて切り欠いた凹部１３１が形成されており、封止蓋体１３０の下面は基板１１０の上面と当接するとともに、凹部１３１内から基板１１０上にかけて接合部材１５０が設けられている。このようにすることによって、接合部材１５０から発生したガスが封止蓋体１３０の凹部１３１の内側側面にて遮られるため、封止蓋体１３０の収容空間Ｋ内に発生したガスが入り込むことを低減することができる。よって、収容空間Ｋ内に実装されている水晶素子１２０には、接合部材１５０から発生したガスが被着しにくくなる。このような水晶デバイスは、水晶素子１２０に接合部材１５０から発生したガスが付着することを抑制し、水晶素子１２０の厚みすべり振動が阻害されないため、水晶素子１２０の発振周波数が変動することを低減することが可能となる。
【００３１】
（第一変形例）
以下、本実施形態の第一変形例における水晶デバイスについて説明する。なお、本実施形態の第一変形例における水晶デバイスのうち、上述した水晶デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。本実施形態の第一変形例における水晶デバイスは、図３に示されているように、凹部１３１の内面が、断面視したときに円弧状に形成されている点において、本実施形態と異なる。
【００３２】
凹部１３１の内面は、断面視したときに円弧状になるように設けられている。ここで封止蓋体１３０を平面視したときの一辺の寸法が、１．０〜３．０ｍｍであり、封止蓋体１３０の厚み方向の寸法が、０．２〜０．４ｍｍであり、封止枠部１３０ｂの内側面と外側面との間隔は、０．１５〜０．３０ｍｍである場合を例にして、断面視した際の凹部１３１の曲率半径は、０．０１５〜０．２７０ｍｍとなっている。このように、凹部１３１の内面を円弧状にすることによって、接合部材１５０が熱膨張したとしても、凹部１３１の内面に均等に応力がかかることになる。よって、このような封止蓋体１３０は、接合部材１５０の熱膨張による応力の緩和をすることができる。
【００３３】
本実施形態の第一変形例における水晶デバイスは、封止蓋体１３０の凹部１３１の内面が断面視したときに円弧状になるように設けられている。接合部材１５０に熱が印加し、接合部材１５０が熱膨張した場合には、凹部１３１の内面が、断面視したときに円弧状になっているため、凹部１３１の内面に均等に接合部材１５０の応力がかかることになる。よって、基板１１０から封止蓋体１３０が剥がれることをさらに低減することができる。
【００３４】
（第二変形例）
以下、本実施形態の第二変形例における水晶デバイスについて説明する。なお、本実施形態の第二変形例における水晶デバイスのうち、上述した水晶デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。本実施形態の第二変形例における水晶デバイスは、図４及び図５に示されているように、基板２１０ａの上面に枠体２１０ｂが設けられている点と、板状の封止蓋体２３０の外縁に凹部２３１が設けられている点において本実施形態と異なる。
【００３５】
本実施形態の第二変形例における水晶デバイスは、図１及び図２に示されているように、パッケージ２１０と、パッケージ２１０の上面に接合された水晶素子１２０と、水晶素子１２０を気密封止する封止蓋体２３０とを含んでいる。パッケージ２１０は、基板２１０ａの上面と枠体２１０ｂの内側面によって囲まれた収容空間Ｋが形成されている。
【００３６】
枠体２１０ｂは、基板２１０ａの上面に配置され、基板２１０ａの上面に収容空間Ｋを形成するためのものである。枠体２１０ｂは、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料からなり、基板２１０ａと一体的に形成されている。
【００３７】
封止蓋体２３０は、矩形状であり、真空状態にある収容空間Ｋ、あるいは窒素ガスなどが充填された収容空間Ｋを気密的に封止するためのものである。具体的には、封止蓋体２３０は、所定雰囲気で、パッケージ２１０の枠体２１０ｂ上に載置される。枠体２１０ｂの上面と封止蓋体２３０の凹部２３１内に設けられた接合部材１５０とが熱が印加されることで、溶融接合される。
【００３８】
凹部２３１は、封止蓋体２３０の外側面から下面にかけて切り欠くようにして設けられている。凹部２３１は、封止蓋体２３０の外縁に沿って連続して形成されている。このようにすることで、収容空間Ｋ内を囲むようにして、封止蓋体２３０の下面と枠体２１０ｂの上面とを接合することができるので、収容空間Ｋ内の気密封止性を向上させることができる。
【００３９】
また、切欠き部２３２は、平面視した封止蓋体２３０の四隅の少なくとも一つに上下方向に貫通するようにして設けられている。また、切欠き部２３２の上下方向の長さは、０．２〜０．４ｍｍとなっている。切欠き部２３２は、平面視した封止蓋体２３０の四隅の少なくとも１つに上下方向に貫通するように設けられ、凹部２３１と繋がるようにして設けられている。よって、封止蓋体２３０と枠体２１０ｂとを接合部材１５０にて接合する際に、溶融した接合部材１５０が、切欠き部２３２の外側面を這い上がるようにして接合されるので、接合部材１５０と封止蓋体２３０との接合強度を向上させることができる。
【００４０】
本実施形態の第二変形例における水晶デバイスは、封止蓋体２３０に外側面から下面にかけて切り欠いた凹部２３１が形成されており、封止蓋体２３０の下面は枠体２１０ｂの上面と当接するとともに、凹部２３１内から枠体２１０ｂ上にかけて接合部材１５０が設けられている。このようにすることによって、接合部材１５０から発生したガスが封止蓋体２３０の凹部２３１の内側側面にて遮られるため水晶素子１２０に被着しにくくなる。よって、水晶振動子は、水晶素子１２０にガスが付着することを抑制し、水晶素子１２０の厚みすべり振動が阻害されないため、水晶素子１２０の発振周波数が変動することを低減することが可能となる。
【００４１】
また、切欠き部２３２は、封止蓋体２３０と枠体２１０ｂとを接合部材１５０にて接合する際に、溶融した接合部材１５０から発生したガスを切欠き部２３２の上方向に逃がすことで、水晶素子１２０に発生したガスが付着することをさらに低減することができる。よって、水晶素子１２０の厚みすべり振動が阻害されないため、水晶素子１２０の発振周波数が変動することをさらに低減することが可能となる。
【００４２】
尚、本実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。上記の実施形態の第二変形例では、枠体２１０ｂが基板２１０ａと同様にセラミック材で一体的に形成した場合を説明したが、枠体２１０ｂが金属製であっても構わない。この場合、枠体は、銀−銅等のロウ材を介して基板の導体膜に接合されている。上記実施形態では、基板の上面に枠体が設けられている場合について説明したが、基板に水晶素子を実装した後に、下面に壁部が設けられた蓋体を用いて、水晶素子を気密封止する構造であっても構わない。上記実施形態では、水晶素子は、ＡＴ用水晶素子を用いた場合を説明したが、基部と、基部の側面より同一の方向に延びる二本の平板形状の振動腕部とを有する音叉型屈曲水晶素子を用いても構わない。
【００４３】
また、水晶素子１２０は、水晶素板１２１の外周の厚みを薄くし、水晶素板１２１の外周部と比べて水晶素板１２１の中央部が厚くなるように設けるベベル加工を用いても構わない。また、水晶素子１２０のベベル加工方法について説明する。所定の粒度のメディアと砥粒とを備えた研磨材と、所定の大きさに形成された水晶素板１２１とを用意する。円筒体に用意した研磨材と水晶素板１２１とを入れ、円筒体の開口した端部をカバーで塞ぐ。研磨材と水晶素板１２１とを入れた円筒体を、円筒体の中心軸線を回転軸として回転させる水晶素板１２１が研磨材で研磨されてベベル加工が行われる。
【００４４】
また、本実施形態では、基板１１０の上面には、封止用導体パターンがない場合を説明したが、基板１１０の上面に封止用導体パターンを設けても構わない。この封止用導体パターンは、封止蓋体１３０と接合部材１５０を介して接合する際に、接合部材１５０の濡れ性をよくする役割を果たしている。
【００４５】
また、接合部材１５０が導電性部材を使用した際に、封止用導体パターンは、基板１１０の内部に形成されたビア導体（図示せず）及び配線パターン（図示せず）により少なくとも１つの外部端子Ｇに接続されている。少なくとも１つの外部端子Ｇは、外部の実装基板上のグランドと接続されている実装パッドと接続されることにより、グランド端子の役割を果たす。そのため、封止用導体パターンに接合される封止蓋体１３０がグランドに接続されることとなり、封止蓋体１３０による収容空間Ｋ内のシールド性が向上する。封止用導体パターンは、例えばタングステン又はモリブデン等から成る導体パターンの表面にニッケルメッキ及び金メッキを順次、基板１１０の上面の外周縁を環状に囲む形態で施すことによって、例えば１０μｍ〜２５μｍの厚みに形成されている。
【符号の説明】
【００４６】
１１０、２１０ａ・・・基板
２１０ｂ・・・枠体
２１０・・・パッケージ
１１１、２１１・・・電極パッド
１２０・・・水晶素子
１２１・・・水晶素板
１２２・・・励振用電極
１２３・・・接続用電極
１２４・・・引き出し電極
１３０、２３０・・・封止蓋体
１３１、２３１・・・凹部
１３２、２３２・・・切欠き部
１４０・・・導電性接着剤
１５０・・・接合部材
Ｋ・・・収容空間
Ｇ・・・外部端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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