(57)【要約】      （修正有）【課題】平滑面を有する反射電極を備えた発光ダイオード（ＬＥＤ）構造体を提供する。【解決手段】発光ダイオードは、基板１０６と、第１面と第２面を有するエピタキシャル層構造体と、エピタキシャル層構造体の第１面上に堆積されるｎ側電極１０１と、エピタキシャル層構造体の第２面と基板との間に位置し、反射層を成す銀層を含むｐ側電極１０５と、を備える。エピタキシャル層構造体は、ｎ型エピタキシャル層１０２とｐ型窒化ガリウムベース層１０４とを有し、銀層は、ｐ型窒化ガリウムベース層１０４上にｐ型窒化ガリウムベース層１０４表面に合致するようにして接して形成され、銀層とｐ型窒化ガリウムベース層１０４との界面において、銀層が形成されるｐ型窒化ガリウムベース層１０４の表面は、３ｎｍ未満の二乗平均粗さを有する。【選択図】図１Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に位置し、第１面と第２面を有するエピタキシャル層構造体と；
前記エピタキシャル層構造体の前記第１面上に堆積されるｎ側電極と；
前記エピタキシャル層構造体の前記第２面と前記基板との間に位置し、反射層を成す銀層を含むｐ側電極と；
を備え、
前記エピタキシャル層構造体は、ｎ型エピタキシャル層とｐ型窒化ガリウムベース層とを有し、
前記ｎ型エピタキシャル層は、前記ｎ側電極と前記ｐ型窒化ガリウムベース層の間に位置し、
前記ｐ型窒化ガリウムベース層は、前記ｐ側電極と前記ｎ型エピタキシャル層の間に位置し、
前記銀層は、前記ｐ型窒化ガリウムベース層上に前記ｐ型窒化ガリウムベース層表面に合致するようにして接して形成され、
前記銀層と前記ｐ型窒化ガリウムベース層との界面において、前記銀層が形成される前記ｐ型窒化ガリウムベース層の表面は、３ｎｍ未満の二乗平均粗さを有する発光ダイオード。
【請求項２】
前記ｐ側電極は、Ａｇ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｐｄ、Ｗ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｍｏおよびそれらの合金からなる群から選択される金属を有する請求項１記載の発光ダイオード。
【請求項３】
前記ｐ型窒化ガリウムベース層は、有機金属化合物溶液を使用した有機金属化学気相成長法によって堆積される請求項１または２に記載の発光ダイオード。
【請求項４】
前記ｐ型窒化ガリウムベース層は、９５０℃よりも高い温度で、且つ１５０Å／ｍｉｎ未満の成長率で形成される請求項３記載の発光ダイオード。
【請求項５】
前記基板は、金属、半導体材料、およびセラミックスからなる群から選択される請求項１〜４のいずれか１つに記載の発光ダイオード。
【請求項６】
前記金属は、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、およびＡｌからなる群から選択される少なくとも１つを有し、
前記半導体材料は、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰ、およびＧｅからなる群から選択される少なくとも１つを有し、
前記セラミックスは、Ａｌ２Ｏ３およびＡｌＮからなる群から選択される少なくとも１つを有する請求項５記載の発光ダイオード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、発光ダイオード（ＬＥＤ）構造体に関する。より詳細には本開示は、平滑面を有する反射電極を備えたＬＥＤ構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）は長年開発されており、様々な光製品に使用されている。ＬＥＤは軽量であり、消費エネルギーがより少なく、電気光変換効率が優れているため、幾つかの応用分野において、従来の光源（たとえば白熱灯および蛍光光源）をＬＥＤに代えようという試みがある。このようなＬＥＤは、パッケージ内の光学要素によって光が簡単に吸収されないように、側面光を生じることなく比較的狭い角度の拡散方向に光を生成する。換言すると、薄膜のアルミニウムインジウムガリウム窒化物（ＡｌＩｎＧａＮ）ＬＥＤは、ステラジアンあたりの光出力がより大きく、生じる光子は、サファイア基板が取付けられた従来の横型ＬＥＤに比べて効率的に利用可能である。しかし現在のＬＥＤの効率（ルーメン／Ｗ）は、依然として、全般照明または他の光製品のための従来の光源を置換できるほどには高くない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００５／０１８９５５１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
したがって、ＬＥＤが従来のＬＥＤよりも効率的な方法で発光するように、本技術分野においてＬＥＤの構造体を改善する必要がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様において、発光ダイオードは、基板と、前記基板上に位置し、第１面と第２面を有するエピタキシャル層構造体と、前記エピタキシャル層構造体の前記第１面上に堆積されるｎ側電極と、前記エピタキシャル層構造体の前記第２面と前記基板との間に位置し、反射層を成す銀層を含むｐ側電極と、を備える。前記エピタキシャル層構造体は、ｎ型エピタキシャル層とｐ型窒化ガリウムベース層とを有し、前記ｎ型エピタキシャル層は、前記ｎ側電極と前記ｐ型窒化ガリウムベース層の間に位置し、前記ｐ型窒化ガリウムベース層は、前記ｐ側電極と前記ｎ型エピタキシャル層の間に位置し、前記銀層は、前記ｐ型窒化ガリウムベース層上に前記ｐ型窒化ガリウムベース層表面に合致するようにして接して形成され、前記銀層と前記ｐ型窒化ガリウムベース層との界面において、前記銀層が形成される前記ｐ型窒化ガリウムベース層の表面は、３ｎｍ未満の二乗平均粗さを有する。
【０００６】
本発明の他の態様は、本発明の例示的な態様のみを例として示し記載する以下の詳細な説明から、当業者に容易に明白となることが理解される。具現化されるように、本発明は他の態様および異なる態様を有し、幾つかの詳細は、本発明の趣旨および範囲からすべて逸脱することなく、様々な他の点において変更可能である。したがって図面および詳細な説明は、実際は例示であって限定的ではないものとして見なされる。
【０００７】
本発明の様々な態様は、添付の図面において、限定としてではなく例として示される。添付の図面に関連して以下に記載する詳細な説明は、本発明の様々な態様を記載するように意図されており、本発明を実行可能なすべての態様を表すようには意図されない。詳細な説明は、本発明についての理解を深めさせるための特定の詳細を含む。しかし当業者には、これらの特定の詳細なく本発明は実施され得ることが明らかであろう。幾つかの例において、本発明の概念を不明瞭にしないように、既知の構造体と要素をブロック図の形式で示す。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１Ａ】縦型ＬＥＤ構造体の断面図。
【図１Ｂ】パターン化されたｎコンタクトを示す縦型ＬＥＤ構造体の平面図。
【図２Ａ】金属接合部とサブマウントを有するフリップチップ実装横型ＬＥＤ構造体の断面図。
【図２Ｂ】サブマウントにフリップチップ実装される前のｐ電極とｎ電極の両方を有するフリップチップ実装横型ＬＥＤ構造体の平面図。
【図３】縦型ＬＥＤ構造体において生じる光抽出の一例。
【図４】入射光線を散乱させることと、光を表面プラズモンモードに結合することとを示す、ｐ型窒化ガリウム層と銀（Ａｇ）層の間の粗い界面。
【図５Ａ】反射電極を形成するための平滑面を有する縦型ＬＥＤを製造するプロセス。
【図５Ｂ】反射電極を形成するための平滑面を有する縦型ＬＥＤを製造するプロセス。
【図５Ｃ】反射電極を形成するための平滑面を有する縦型ＬＥＤを製造するプロセス。
【図６Ａ】反射電極を形成するための平滑面を有するフリップチップ実装横型ＬＥＤ構造体を製造するプロセス。
【図６Ｂ】反射電極を形成するための平滑面を有するフリップチップ実装横型ＬＥＤ構造体を製造するプロセス。
【図６Ｃ】反射電極を形成するための平滑面を有するフリップチップ実装横型ＬＥＤ構造体を製造するプロセス。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
図１Ａと図１Ｂは、縦型ＬＥＤ装置１００の断面図と平面図をそれぞれ示す。図１Ａに示す縦型ＬＥＤ装置１００は、縦型電流注入構造体を有する。この縦型電流注入構造体は、装置構造体を機械的に支持するために、第１電極としてのパターン化されたｎ型コンタクト（またはｎ型電極）１０１と、粗面を有する第１エピタキシャル層としてのｎ型窒化ガリウム（ｎ−ＧａＮ）ベース層１０２と、活性領域１０３と、第２エピタキシャル層としてのｐ型窒化ガリウム（ｐ−ＧａＮ）ベース層１０４と、第２電極としての広域反射ｐ型コンタクト（またはｐ型電極または反射ｐ電極）１０５と、熱伝導性および／または導電性の基板１０６とを有する。
【００１０】
製造プロセスでは、ｎ型窒化ガリウムベース層１０２は基板（図示略）上に形成され、活性領域１０３はｎ型窒化ガリウムベース層１０２上に形成され、ｐ型窒化ガリウムベース層１０４は活性領域１０３上に形成されるが、他の層が含まれてもよい。ｐ型電極１０５は、ｐ型窒化ガリウムベース層１０４上に直接的または間接的に形成される。ｎ型窒化ガリウムベース層１０２が形成された基板は除去され、この除去された基板が取付けられていたｎ型窒化ガリウムベース層１０２の表面に、パターン化されたｎ型電極１０１が形成可能となる。反射ｐ型電極１０５は、機械的支持を行うために熱伝導性の基板１０６上に搭載される。
【００１１】
ｎ型窒化ガリウムベース層１０２とｐ型窒化ガリウムベース層１０４は、互いに対向しているため、共に活性領域１０３に対して１組のキャリア注入部を形成する。したがってＬＥＤ装置１００に電源が供給されると、活性領域１０３において電子とホールが結合され、エネルギーを光の形で放出する。図１Ａにおいて、ＬＥＤ装置１００内部の矢印は、通常ｐ型電極１０５から、パターン化されたｎ型電極１０１に向かって垂直方向に電気路が形成されることを示す。図１Ｂは、図１Ａの縦型ＬＥＤ１００の平面図であり、４本の指状部分と１つのクロスバーを有するｎ型コンタクト１０５を示す。当業者は、ｎ型コンタクト１０５の電極パターンが、図示する電極パターンに限定されないことを理解するであろう。
【００１２】
図２Ａは、フリップチップ実装横型ＬＥＤ装置２００の断面図を示す。図に示すように、フリップチップ実装横型ＬＥＤ装置２００は、横型電流注入構造体を有する横型ＬＥＤ装置２００’として形成される。この横型ＬＥＤ装置２００’は、裏返され、金属コンタクトパッド２０８に整合してサブマウント基板２０７に搭載される。サブマウント基板２０７は、電気的に絶縁されてもよく、または導電性があってもよい。電気絶縁性サブマウント２０７を形成することによって、または導電性サブマウントの上に絶縁誘電被膜（図示略）を形成することによって、２つの金属コンタクトパッド２０８は、互いに電気的に分離される。横型ＬＥＤ装置２００’は、粗面を有するｎ型エピタキシャル層としてのｎ型窒化ガリウムベース層２０１と、ｎ型窒化ガリウムベース層２０１上に形成された活性領域２０２と、ｐ型エピタキシャル層としてのｐ型窒化ガリウムベース層２０３と、ｐ型電極２０４と、ｎ型電極２０５とを有する。
【００１３】
製造プロセスでは、ｎ型電極２０５の形成前にｐ型電極２０４、活性領域２０２、およびｐ型窒化ガリウムベース層２０３を部分的に除去することによって、ｎ型電極２０５は、ｎ型窒化ガリウムベース層２０１上に形成可能となる。図２Ａにおいて、ＬＥＤ装置２００’内部の矢印は、ｐ型電極２０４からｎ型電極２０５に電気路が形成されることを示す。フリップチップ実装横型ＬＥＤ装置２００を形成するために、ｎ型電極２０５の形成後、ＬＥＤ装置２００’は、裏返されることによって、ハンダまたは金属配線構造体２０６を介してサブマウント基板２０７上に搭載される。
【００１４】
図２Ｂは、サブマウント基板２０７上に搭載すべく裏返される前の図２ＡのＬＥＤ装置２００’の平面図を示す。図２Ｂは、ｐ型電極２０４の領域が、ｎ型電極２０５の領域よりも大きいことを示す。
【００１５】
図１Ａ〜図１Ｂと図２Ａ〜図２ＢのＬＥＤ装置１００，２００のｎ型窒化ガリウムベース層と、ｐ型窒化ガリウムベース層１０４，２０３と、活性層１０３，２０２とは、窒化ガリウムベース材料を用いて形成される。ＬＥＤ装置１００，２００に電圧が印加されると、注入されたキャリア（すなわちホールと電子）は、活性層１０３，２０２において再結合し、その結果として発光する。窒化ガリウムベース材料の反射率は、４６０ｎｍの波長で約２．４である。窒化ガリウムベース層と周囲空気（または他の封入材料）の間の界面における光の入射角が臨界角よりも大きい場合、全反射（ＴＩＲ）のために、ＬＥＤ装置１００，２００の内部で生成された光のかなりの部分は、ＬＥＤ装置１００，２００内部に閉じ込められる可能性がある。スネルの法則によると、窒化ガリウム／空気界面の臨界角は約２４．６度である。従来、ＬＥＤ装置１００，２００から出る光の確率を上げるべく、ＬＥＤ装置１００，２００の上面は、全反射の制限を解消するように任意に粗面化される。
【００１６】
ＬＥＤ装置３００の光抽出を、図３に基づき記載する。図３のＬＥＤ装置３００は、エピタキシャル層構造体である窒化ガリウムベース材料構造体３１０を有する縦型ＬＥＤ装置であり、この窒化ガリウムベース材料構造体３１０は、ｎ型窒化ガリウムベース層３０２と、活性領域３０３と、ｐ型窒化ガリウムベース層３０４と、ｎ型電極３０１と、基板３０６上に搭載されたｐ型電極３０５とを有する。参照番号３２０は、ＬＥＤ装置３００内部で生成された光の進行方向を示す。通常、活性領域３０３から放出される光は、ほぼ１／２の確率でＬＥＤ装置３００の上面または下面に向かって伝播する。ｐ型電極（本明細書において、互換的に反射電極とも言う）３０５は、図３に示すように、ＬＥＤ装置３００の上面に戻るように光を再び誘導するのに使用される。反射電極３０５は通常は金属を有し、図３に示すように、発光は複数回反射されてからＬＥＤ装置３００を出る傾向にあるため、反射の損失が削減されるように反射電極３０５の反射率はできるだけ高くされる。
【００１７】
銀（Ａｇ）は、アルミニウムインジウムガリウム窒化物（ＡｌＩｎＧａＮ）ＬＥＤ装置の反射電極３０５を形成するのに適した金属である。なぜなら銀は、関心のある波長範囲（すなわち４００ｎｍ〜７００ｎｍ）において、高い反射率を有するためであり、ｐ型窒化ガリウムベース層３０４にオーム接触をなし得るためである。エピタキシャル成長プロセスと、窒化ガリウムベース材料構造体を製造するのに使用される成長条件とのため、通常、ｐ型窒化ガリウムベース層には幾分の粗さがある。
【００１８】
図４は、銀と図３のｐ型窒化ガリウムベース層３０４とを有するｐ型電極３０５の拡大図であり、ＬＥＤ装置３００内部の光抽出を示す。図４に示す粗い窒化ガリウム／銀界面４１０に生じる散乱効果４０３と表面プラズモン（ＳＰ）吸収４２０のために、ｐ型窒化ガリウムベース層の側面から測定される銀の垂直入射反射率は、通常、単純な光学モデルの計算の期待値よりも低い。粗い界面４１０は、垂直入射光線を任意の方向に散乱させ、すべての波長において鏡面反射を抑える。光（ｐｈｏｔｏｎ）は、ＬＥＤ装置内部で反射され続け、最終的にはたとえばＬＥＤ装置３００から周囲空気に出るため、典型的には散乱プロセスでは失われない。しかし表面プラズモン（ＳＰ）モード４２０において結合された光（ｐｈｏｔｏｎ）は、典型的には出ることができず、最終的に失われる。結果として表面プラズモン吸収は反射率測定に有意に影響し得る。実験測定下において、通常、表面プラズモン吸収の強度は界面の粗さの程度に相関する。表面プラズモン吸収のピークが４００ｎｍ未満であっても、吸収の幅はなお、波長約４６０ｎｍの銀反射率を有意に低下させる程に十分に大きくなるおそれがある。
【００１９】
ｐ型電極３０５（たとえば銀電極）は、物理（たとえば電子ビームまたは熱）蒸着プロセスによってｐ型窒化ガリウムベース層３０４上に堆積されてもよい。また、堆積が適切に行われた場合、銀は、間隙なくｐ型窒化ガリウムベース層３０４表面に合致する（ｃｏｎｆｏｒｍ）。ｐ型窒化ガリウムベース層３０４／銀３０５界面の粗さは、ｐ型窒化ガリウムベース層３０４の質によって決定される。しかし堆積プロセス時、または接触アニーリング（ｃｏｎｔａｃｔ ａｎｎｅａｌｉｎｇ）プロセス時に生成した間隙の存在によって界面の粗さが増加し、更に表面プラズモン吸収が増加するおそれがある。
【００２０】
ｐ型窒化ガリウム層／銀電極界面において高い反射率の値を達成するために、ｐ型窒化ガリウムベース層／銀電極界面の適切な平滑度を保証すべく、したがって表面プラズモン吸収を最小にすべく、ｐ型窒化ガリウムベース層が約３ｎｍ未満の二乗平均粗さを有するＬＥＤ装置が提供される。
【００２１】
本変形形態では、平滑面を有するｐ型窒化ガリウムベース層を製造する製造方法が提供されることによって、表面プラズモン吸収を最大限抑えることができる。  
図５Ａ〜図５Ｃと図６Ａ〜図６Ｃは、縦型ＬＥＤ装置５００とフリップチップ実装横型ＬＥＤ装置６００それぞれの製造プロセスを示す。図５Ａと図６Ａのプロセスは、ｎ型電極形成と最後の搭載について以外は、基本的に同様の製造ステップにしたがう。
【００２２】
図５Ａにおいて、ｎ型窒化ガリウムベース層５０２は、基板（たとえばサファイア基板５０１）上に形成される。ｎ型窒化ガリウムベース層５０２上には、活性層５０３とｐ型窒化ガリウムベース層５０４が形成される。一例において、図５Ｂに示すようにｐ型電極５０５との界面を有するｐ型窒化ガリウムベース層５０４の表面の二乗平均粗さは、好ましくは約３ｎｍ未満となるように制御される。一例において、ｐ型窒化ガリウムベース層５０４は、金属有機化合物（たとえばトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ））、アンモニア、水素、窒素、およびシリコンとマグネシウムのドーパント前駆体を使用して、圧力と温度を制御した反応器チャンバ内でＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長）によって形成される。また、堆積プロセスにおける成長温度は、好ましくは約９５０℃よりも高く、成長率は、好ましくは約１５０Å／ｍｉｎ未満である。
【００２３】
二乗平均粗さが約３ｎｍ未満のｐ型窒化ガリウムベース層の堆積後、図５Ｂに示すように、ｐ型電極５０５は、ｐ型窒化ガリウムベース層５０４上に形成される。代替として、ｐ型電極５０５の堆積前に、透明オーム性接触層としての透明なオーム接触層（図示略）が、ｐ型窒化ガリウムベース層５０４上に形成されてもよい。透明なオーム接触層は、ドープした金属酸化膜（たとえばインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、またはアルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ））を用いて、たとえば電子ビーム蒸着法、スパッタリング、ＭＯＣＶＤなどによって形成されてもよい。同様に、透明なオーム接触層が示される場合、透明なオーム接触層の二乗平均粗さは、ｐ型窒化ガリウム表面の二乗平均粗さに拘らず、約３ｎｍ未満となるように制御されてもよい。
【００２４】
上記のように、図５Ｂと図５Ｃのｐ型電極５０５は、下方に放出された光をＬＥＤ装置の上面に反射するための反射層である（図５Ｂと図５Ｃに示す）。ｐ型電極５０５を形成するのに使用される金属の例として、Ａｇ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｍｏ、およびそれらの合金がある。
【００２５】
変形形態において、ｐ型電極５０５の形成後、基板５０１はｎ型窒化ガリウムベース層５０２から除去され、基板５０１に取付けられていたｎ型窒化ガリウムベース層５０２の表面にｎ型電極５０６が形成可能となる（図５Ｃに示す）。ｎ型電極５０６が形成されるｎ型窒化ガリウムベース層５０２の表面は、全反射（ＴＩＲ）の影響を最小にするためと、光抽出効率を高めるために、従来の粗面処理方法によって粗面化される。また図５Ｃに示すように、ｐ型電極５０５は、機械的支持を行うためにサブマウント基板５０８上に搭載されてもよい。サブマウント基板５０８は、基板５０１に使用されるものと類似した材料を有してもよい。すなわちサブマウント基板５０８は、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌなどの金属もしくはそれらの合金と、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰ、Ｇｅなどの半導体材料と、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮなどのセラミックスとのうちの少なくとも１つでもよい。
【００２６】
図６Ａ〜図６Ｃについて、以下に更に詳細に説明する。図５Ａと同様に図６Ａにおいて、ｎ型窒化ガリウムベース層６０２、活性層６０３、およびｐ型窒化ガリウムベース層６０４は、基板（たとえばサファイア基板６０１）上に形成される。図５Ａに基づき記載したように、ｐ型窒化ガリウムベース層５０４は、金属有機化合物（たとえばトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ））、アンモニア、水素、窒素、およびシリコンとマグネシウムのドーパント前駆体を使用して、圧力と温度を制御した反応器チャンバ内でＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長）によって形成されてもよい。また、堆積プロセスにおける成長温度は、好ましくは約９５０℃よりも高くてもよく、成長率は、好ましくは約１５０Å／ｍｉｎ未満である。またｐ型窒化ガリウムベース層６０４の二乗平均粗さは、たとえば約３ｎｍ未満であってもよい。
【００２７】
次に図６Ｂにおいて、透明なオーム接触層６０９と反射ｐ型電極６０５は、ｐ型窒化ガリウムベース層６０４上に形成される。上記のように、透明なオーム接触層６０９は随意によるものであり、本発明の範囲を限定しない。反射電極６０５に直接接触する表面（たとえばｐ型窒化ガリウム表面または透明なオーム接触層表面）の二乗平均粗さは、３ｎｍ未満であってもよい。
【００２８】
図６Ｃは、フリップチップ実装横型ＬＥＤ装置６００として、反射ｐ型電極６０５、透明なオーム接触層６０９、ｐ型窒化ガリウムベース層６０４が部分的にエッチングされていることによって、図６Ｃに示すようにｎ型電極６０６がｎ型窒化ガリウムベース層６０２の上部に形成可能となることを示す。このプロセスによって製造されたＬＥＤ構造体は、次いで裏返され、ハンダ接合部または金属配線構造体６１０を介して金属コンタクトパッド６１１に整合して、サブマウント基板６０８上に搭載される。金属コンタクトパッド６１１は、電気絶縁性サブマウント６０８によって、または電気絶縁性サブマウントの上に形成される絶縁誘電被膜（図示略）によって、互いに電気的に絶縁されている。
【００２９】
本発明の態様に係る実施形態を、上記の利点に従って記載してきた。これらの例は、本発明の態様の単に例示であることが理解されるであろう。数々の変形形態および変更形態が当業者には明らかであろう。
【００３０】
先の記載は、当業者が本明細書に記載の様々な態様を実施可能となるように提供される。これらの態様への様々な変更は、当業者に容易に明白となるであろう。また本明細書に定義する一般的な原理は、他の態様に適用されてもよい。したがって特許請求の範囲は、本明細書に示す態様に限定されるようには意図されず、請求項の文言（ｌａｎｇｕａｇｅ  ｃｌａｉｍｓ）にしたがう全範囲に一致するものである。単数の要素が記載される場合、特に記載のない限り、「１つおよび１つのみ」を意図するものではなく、むしろ「１つ以上」を意味する。特に記載のない限り、「幾つか」という文言は１つ以上を言う。既に知られている、または当業者に後に知られる、本開示において記載する様々な態様の要素の構造的および機能的な等価物はすべて参照によって明示的に本明細書に組込まれ、特許請求の範囲によって包含されるように意図される。また本明細書に記載するものは、このような開示が特許請求の範囲に明示的に記載されているか否かに拘らず、公衆のために設けられるように意図されている。「〜のための手段」という表現を用いて要素が明示的に記載されていなければ、あるいは方法請求項の場合、「〜ための工程」という表現を用いて要素が明示的に記載されていなければ、３５Ｕ．Ｓ．Ｃ．§１１２（第６項）の規定において解釈される請求項の要素はない。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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