(57)【要約】  【課題】  本発明に係る液晶表示装置によれば、広視野角化を実現させるとともに、画素の開口率の低下を抑制できる。  【解決手段】  液晶表示装置１は、第１信号電極228ａの第１部位ａ１には、Ｙ方向に沿って配列した、Ｘ方向に対して傾斜する第１方向に延在する複数の第１スリットＳ１が設けられているとともに、第１信号電極228ａの第２部位ａ２には、Ｙ方向に沿って配列した、第１方向と異なる第２方向に延在する複数の第２スリットＳ２が設けられており、第２信号電極228ｂの第４部位ａ４には、Ｙ方向に沿って配列した、第２方向に延在する複数の第３スリットＳ３が設けられていることを特徴とする。【選択図】  図３
2014048360.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面同士を対向させて配置された第１基板および第２基板と、前記第１基板および前記第２基板の間に配置された液晶層と、前記第２基板の前記主面上にＹ方向に順次配列して設けられた線状の第１ゲート配線、第２ゲート配線および第３ゲート配線と、前記第２基板の前記主面上にＹ方向と直交するＸ方向に順次配列して設けられた、前記第１ゲート配線〜第３ゲート配線に交差する線状の第１ソース配線および第２ソース配線と、前記第１ゲート配線〜第３ゲート配線、前記第１ソース配線および前記第２ソース配線を覆うように前記第２基板の前記主面上に設けられた第１絶縁膜と、該第１絶縁膜上に設けられた共通電極と、第２絶縁膜を介して前記共通電極上に設けられた、Ｙ方向に隣り合う第１信号電極および第２信号電極とを備え、
前記第１信号電極は、前記第１ゲート配線、前記第２ゲート配線、前記第１ソース配線および前記第２ソース配線によって囲まれた第１領域に位置する第１部位と、前記第２ゲート配線、前記第３ゲート配線、前記第１ソース配線および前記第２ソース配線によって囲まれた第２領域に位置する第２部位と、前記第２ゲート配線と重なるように位置する、前記第１部位と前記第２部位とを接続する第３部位とを有し、
前記第２信号電極は、前記第２領域に設けられた、前記第１信号電極の前記第２部位に隣接する第４部位を有し、
前記第１信号電極の前記第１部位には、Ｙ方向に沿って配列した、Ｘ方向に対して傾斜する第１方向に延在する複数の第１スリットが設けられているとともに、前記第１信号電極の前記第２部位には、Ｙ方向に沿って配列した、前記第１方向と異なる第２方向に延在する複数の第２スリットが設けられており、
前記第２信号電極の前記第４部位には、Ｙ方向に沿って配列した、前記第２方向に延在する複数の第３スリットが設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第２信号電極には、前記第３ゲート配線の前記第２領域とは反対側の第３領域に位置する第５部位と、前記第３ゲート配線と重なるように位置する、前記第４部位と前記第５部位とを接続する第６部位とを有し、
前記第２信号電極の前記第５部位には、Ｙ方向に沿って配列した、前記第１方向に延在する複数の第４スリットが設けられている請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１ゲート配線〜第３ゲート配線に交差するように設けられた、前記第２ソース配線に対して前記第１ソース配線とは反対側で隣り合う線状の第３ソース配線と、
前記第２絶縁膜を介して前記共通電極上に設けられた、前記第１信号電極とＸ方向に隣り合う第３信号電極とをさらに備え、
該第３信号電極は、前記第１ゲート配線、前記第２ゲート配線、前記第２ソース配線および前記第３ソース配線によって囲まれた第４領域に設けられた第７部位と、前記第２ゲート配線、前記第３ゲート配線、前記第２ソース配線および前記第３ソース配線によって囲まれた第５領域に位置する第８部位と、前記第２ゲート配線と重なるように位置する、前記第７部位と前記第８部位とを接続する第９部位とを有し、
前記第３信号電極の前記第７部位には、Ｙ方向に沿って配列した、前記第２ソース配線を基準に前記第１方向と線対称となる方向である第３方向に延在する複数の第５スリットが設けられているとともに、前記第３信号電極の前記第８部位には、前記第２ソース配線を基準に前記第２方向と線対称となる方向である第４方向に延在する複数の第６スリットが設えられている請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第２方向は、前記第２ゲート配線を基準に前記第１方向と線対称となる方向である請求項１〜３のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項５】
主面同士を対向させて配置された第１基板および第２基板と、前記第１基板および前記
第２基板の間に配置された液晶層と、前記第２基板の前記主面上にＹ方向に順次配列して設けられた線状の第１ゲート配線、第２ゲート配線および第３ゲート配線と、前記第２基板の前記主面上にＹ方向と直交するＸ方向に順次配列して設けられた、前記第１ゲート配線〜第３ゲート配線に交差する線状の第１ソース配線および第２ソース配線と、前記第１ゲート配線〜第３ゲート配線、前記第１ソース配線および前記第２ソース配線を覆うように前記第２基板の前記主面上に設けられた第１絶縁膜と、該第１絶縁膜上に設けられたＹ方向に隣り合う第１信号電極および第２信号電極と、第２絶縁膜を介して前記第１信号電極、前記第２信号電極および前記第１信号電極と前記第２信号電極との間の領域に重なるように設けられた共通電極とを備え、
前記第１信号電極は、前記第１ゲート配線、前記第２ゲート配線、前記第１ソース配線および前記第２ソース配線によって囲まれた第１領域に位置する第１部位と、前記第２ゲート配線、前記第３ゲート配線、前記第１ソース配線および前記第２ソース配線によって囲まれた第２領域に位置する第２部位と、前記第２ゲート配線と重なるように位置する、前記第１部位と前記第２部位とを接続する第３部位とを有し、
前記第２信号電極は、前記第２領域に設けられた、前記第１信号電極の前記第２部位に隣接する第４部位を有し、
前記共通電極には、前記第１信号電極の前記第１部位に重なる領域にＹ方向に沿って配列した、Ｘ方向に対して傾斜する第１方向に延在する複数の第１スリットと、前記第１信号電極の前記第２部位に重なる領域および前記第２信号電極の前記第４部位に重なる領域にＹ方向に沿って配列した、前記第１方向と異なる第２方向に延在する複数の第２スリットとが設けられていること特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話、デジタルカメラ、携帯ゲーム機または携帯情報端末などの様々な用途に用いられる液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、互いに対向配置させた一対の基板と、これら一対の基板間に設けられた液晶層とを備える。また、一対の基板のうち一方の基板上には複数のゲート配線および複数のソース配線が互いに交差するように設けられており、複数のゲート配線および複数のソース配線を覆うように平坦化膜が設けられている。また、この平坦化膜上であって、複数のゲート配線および複数のソース配線によって囲まれた画素には共通電極が設けられており、この共通電極上には絶縁膜を介して信号電極が設けられている（例えば、特許文献１参照）。この信号電極には、信号電極の長辺方向に配列し、信号電極の短辺方向に対し傾斜して延在する複数のスリットが形成されている。
【０００３】
このような液晶表示装置では、一方の基板上に設けられた信号電極および共通電極に対し電圧を印加することで、信号電極と共通電極との間でスリットを通る電界を発生させ、この電界によって液晶層中の液晶分子の配向を制御して、広視野角化を実現させている。
【０００４】
近年では、液晶表示装置に対しさらなる広視野角化が求められている。これに対して、図８に示す液晶表示装置のように、画素Ｐ内で信号電極228に対して異なる方向に延在する複数の第１スリットＳ１および複数の第２スリットＳ２を形成し、複数の第１スリットＳ１が形成された領域と複数の第２スリットＳ２が形成された領域とで、電界印加時の液晶分子の配向を変え、さらなる広視野角化を実現させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２２６１７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、図８に示す液晶表示装置のように、信号電極228をゲート配線221およびソース配線223に近接して形成した場合は、信号電極228が長方形状となるので、信号電極228の長辺方向（Ｙ方向）に配列するとともに短辺方向（Ｘ方向）に対して傾斜する複数の第１スリットＳ１および第２スリットＳ２を信号電極228に形成しようとすると、信号電極228のＹ方向の端部においてスリットＳが形成されにくい領域Ｄが存在する。第１スリットＳ１および第２スリットＳ２が形成されず、この領域Ｄでの電極部分の面積が大きくなった場合は、この部分で画素の開口率が低下し、光の透過率が低下しやすくなるという問題点があった。
【０００７】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、広視野角化を実現させるとともに、画素の開口率の低下を抑制した液晶表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る液晶表示装置は、主面同士を対向させて配置された第１基板および第２基板と、前記第１基板および前記第２基板の間に配置された液晶層と、前記第２基板の前記主面上にＹ方向に順次配列して設けられた線状の第１ゲート配線、第２ゲート配線および第３ゲート配線と、前記第２基板の前記主面上にＹ方向と直交するＸ方向に順次配列して
設けられた、前記第１ゲート配線〜第３ゲート配線に交差する線状の第１ソース配線および第２ソース配線と、前記第１ゲート配線〜第３ゲート配線、前記第１ソース配線および前記第２ソース配線を覆うように前記第２基板の前記主面上に設けられた第１絶縁膜と、該第１絶縁膜上に設けられた共通電極と、第２絶縁膜を介して前記共通電極上に設けられた、Ｙ方向に隣り合う第１信号電極および第２信号電極とを備え、前記第１信号電極は、前記第１ゲート配線、前記第２ゲート配線、前記第１ソース配線および前記第２ソース配線によって囲まれた第１領域に位置する第１部位と、前記第２ゲート配線、前記第３ゲート配線、前記第１ソース配線および前記第２ソース配線によって囲まれた第２領域に位置する第２部位と、前記第２ゲート配線と重なるように位置する、前記第１部位と前記第２部位とを接続する第３部位とを有し、前記第２信号電極は、前記第２領域に設けられた、前記第１信号電極の前記第２部位に隣接する第４部位を有し、前記第１信号電極の前記第１部位には、Ｙ方向に沿って配列した、Ｘ方向に対して傾斜する第１方向に延在する複数の第１スリットが設けられているとともに、前記第１信号電極の前記第２部位には、Ｙ方向に沿って配列した、前記第１方向と異なる第２方向に延在する複数の第２スリットが設けられており、前記第２信号電極の前記第４部位には、Ｙ方向に沿って配列した、前記第２方向に延在する複数の第３スリットが設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係る液晶表示装置によれば、広視野角化を実現させるとともに、画素の開口率の低下を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１の実施形態における液晶表示装置を示す平面図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。
【図３】第２基板上の配線、電極および薄膜トランジスタを示す平面図である。
【図４】図３のII−II線に沿った断面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態における液晶表示装置の要部を示す平面図である。
【図６】本発明の第３の実施形態における液晶表示装置の要部を示す平面図である。
【図７】図６のIII−III線に沿った断面図である。
【図８】従来の液晶表示装置を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［第１の実施形態］
本発明の第１の実施形態における液晶表示装置１について、図１〜図４を参照しながら説明する。
【００１２】
液晶表示装置１は、液晶パネル２と、液晶パネル２に向けて光を出射する光源装置３と、液晶パネル２上に配置される第１偏光板４と、液晶パネル２と光源装置３との間に配置される第２偏光板５とを備えている。
【００１３】
液晶パネル２では、第１基板21と第２基板22とが対向配置され、第１基板21と第２基板22との間に液晶層23が設けられているとともに、この液晶層23を取り囲むように第１基板21と第２基板22とを接合するシール材24が設けられている。
【００１４】
第１基板21は、画像表示の際に表示面として用いられる第１主面21ａと、第１主面21ａとは反対側に位置する第２主面21ｂとを有している。第１基板21は、例えばガラス、プラスチックなどの透光性を有する材料によって形成される。
【００１５】
第１基板21の第２主面21ｂ上には、遮光膜211およびカラーフィルタ212が設けられている。
【００１６】
遮光膜211は光を遮光する機能を有する。遮光膜211は、第１基板21の第２主面21ｂ上に設けられている。また。遮光膜211は、画素Ｐの外周に沿って格子状に設けられており、すなわち、ゲート配線221およびソース配線223に平面視して重なるように設けられている。なお、本実施形態における遮光膜211は第２主面21ｂ上に格子状に形成されているが、これには限られない。遮光膜211の材料は、例えば、遮光性の高い色（例えば黒色）の染料もしくは顔料が添加された樹脂、またはクロムなどの金属が挙げられる。
【００１７】
カラーフィルタ212は、可視光のうち特定の波長のみを透過させる機能を有する。複数のカラーフィルタ212は、第１基板21の第２主面21ｂ上に位置しており、各画素Ｐごとに設けられている。各カラーフィルタ212は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）のいずれかの色を有している。また、カラーフィルタ212は、上記の色に限られず、例えば、黄色（Ｙ）、白（Ｗ）などの色を有してもよい。カラーフィルタ212の材料としては、例えば染料または顔料を添加した樹脂が挙げられる。
【００１８】
第２基板22は、第１基板21の第２主面21ｂに対向する第１主面22ａと、第１主面22ａの反対側に位置する第２主面22ｂとを有している。第２基板22は第１基板21と同様の材料で形成できる。
【００１９】
第２基板22の第１主面22ａ上には、複数のゲート配線221が設けられており、複数のゲート配線221を覆うようにゲート絶縁膜222が設けられている。このゲート絶縁膜222上には複数のソース配線223が設けられているとともに、複数のソース配線223を覆うように第１層間絶縁膜224が設けられている。また、第１層間絶縁膜224上には平坦化膜225が設けられている。また、平坦化膜225上には共通電極226が設けられている。共通電極226を覆うように平坦化膜225上には第２層間絶縁膜227が設けられており、この第２層間絶縁膜227上には複数の信号電極228が設けられている。
【００２０】
ゲート配線221は、駆動ＩＣ（図示せず）から供給される電圧を薄膜トランジスタTFTに印加する機能を有する。図３に示すように、複数のゲート配線221はＹ方向に沿って配列されている。また、ゲート配線221は線状であって、Ｘ方向に沿って延在している。また、ゲート配線221は信号電極228のＹ方向の中央部を通過するように延在している。
【００２１】
また、図３には、３つのゲート配線221が示されている。説明の便宜上、これらを第１ゲート配線221ａ、第２ゲート配線221ｂおよび第３ゲート配線221ｃとする（図５および図６でも同様である）。
【００２２】
ゲート配線221は、導電性を有する材料によって形成され、例えば、アルミニウム、モリブデン、チタン、ネオジム、クロム、銅またはこれらを含む合金によって形成される。
【００２３】
なお、ゲート配線221は例えば下記方法によって形成される。
【００２４】
まず、スパッタリング法、蒸着法、または化学気相成長法によって、金属材料を第２基板22の第１主面22ａ上に金属膜として形成する。この金属膜の表面に対して感光性樹脂を塗布し、塗布した感光性樹脂に対して露光処理および現像処理を行なうことで、感光性樹脂に所望の形状のパターンを形成する。次いで、金属膜をエッチング液でエッチングして、金属膜を所望の形状にした後、塗布した感光性樹脂を剥離する。このように、金属材料を成膜およびパターニングすることでゲート配線221を形成できる。
【００２５】
ゲート絶縁膜222はゲート配線221を覆うように第１主面22ａ上に設けられている。ゲート絶縁膜222は、窒化シリコン、酸化シリコンなどの絶縁性を有する材料によって形成さ
れる。なお、ゲート絶縁膜222は、上記のスパッタリング法、蒸着法または化学気相成長法などによって第２基板22の第１主面22ａ上に形成できる。
【００２６】
ソース配線223は、駆動ＩＣから供給される信号電圧を薄膜トランジスタTFTを介して信号電極228に印加する機能を有する。ソース配線223はゲート絶縁膜222上に設けられている。図３に示すように、複数のソース配線223は線状に形成されているとともに、Ｙ方向に延在している。また、複数のソース配線223はＸ方向に沿って配列されている。ソース配線223はゲート配線221と同様の材料で形成してもよい。なお、ソース配線223はゲート配線221と同様の方法によって形成できる。
【００２７】
また、図３には、複数のソース配線223が記載されている。説明の便宜上、これらを第１ソース配線223ａ、第２ソース配線223ｂ、第３ソース配線223ｃおよび第４ソース配線223ｄとする（図５および図６でも同様である）。
【００２８】
また、図３において、第１ゲート配線221ａ、第２ゲート配線221ｂ、第１ソース配線223ａおよび第２ソース配線223ｂによって囲まれた領域を第１領域Ｒ１とし、第２ゲート配線221ｂ、第３ゲート配線221ｃ、第１ソース配線223ａおよび第２ソース配線223ｂによって囲まれた領域を第２領域Ｒ２とし、第３ゲート配線221ｃの第２領域Ｒ２とは反対側の領域を第３領域Ｒ３とし、第１ゲート配線221ａ、第２ゲート配線221ｂ、第２ソース配線223ｂおよび第３ソース配線223ｃによって囲まれた領域を第４領域Ｒ４とし、第２ゲート配線221ｂ、第３ゲート配線221ｃ、第２ソース配線223ｂおよび第３ソース配線223ｃによって囲まれた領域を第５領域Ｒ５とする（図５および図６でも同様である）。
【００２９】
なお、本実施形態における画素Ｐとは、各信号電極228が位置する領域であり、図３に示された破線で囲まれた領域である（図５および図６でも同様である）。
【００３０】
第１層間絶縁膜224はソース配線223を覆うようにゲート絶縁膜222上に設けられている。第１層間絶縁膜224は絶縁性を有する材料によって形成され、例えば、窒化シリコン、酸化シリコンなどの無機材料が挙げられる。
【００３１】
薄膜トランジスタTFTは、非晶質シリコン、多結晶シリコンまたは酸化物半導体などの半導体層と、この半導体層上に設けられるとともに、ソース配線223に接続されたソース電極と、ドレイン電極とを有する。薄膜トランジスタTFTはゲート配線221に隣接して設けられている。また、薄膜トランジスタTFTのドレイン電極はコンタクトホール（図示せず）を介して信号電極228に接続されている。なお、図３に示すように、ソース電極はソース配線223からＸ方向に延在している。
【００３２】
薄膜トランジスタTFTでは、ゲート配線221を介して半導体層に印加される電圧に応じてソース電極およびドレイン電極間の半導体層の抵抗が変化することで、信号電極228への画像信号の書き込みまたは非書き込みが制御される。
【００３３】
平坦化膜225は、有機材料によって形成され、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂またはポリイミド系樹脂などの樹脂で形成される。なお、平坦化膜225の膜厚は例えば１μｍ〜５μｍの範囲で設定されている。
【００３４】
共通電極226は、駆動ＩＣから印加された電圧によって信号電極228との間で電界を発生させる機能を有する。共通電極226は平坦化膜225上に設けられている。共通電極226は、透光性および導電性を有する材料によって形成され、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＡＴＯ（Ａntimony Tin Oxide）、ＡＺＯ（Ａl-Doped Zinc Oxide）、酸化錫、酸化亜鉛または導電性高分子によって形成される。
【００３５】
第２層間絶縁膜227は、信号電極228と共通電極226とを電気的に絶縁する機能を有する。第２層間絶縁膜227は第１層間絶縁膜224と同様の材料で形成してもよい。
【００３６】
信号電極228は、駆動ＩＣから印加された信号電圧によって共通電極226との間で電界を発生させる機能を有する。複数の信号電極228は第２層間絶縁膜227上に設けられている。また、平面視して、複数の信号電極228は共通電極226と重なっている。各信号電極228にはスリットＳが形成されている。本実施形態ではスリットＳが長方形状であるが、これには限定されず、例えば楕円状などでもよい。なお、信号電極228は共通電極226と同様の材料で形成してもよい。
【００３７】
また、図３に示すように、各信号電極228はゲート配線221を跨って設けられている。ここで、説明の便宜上、第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２の両方に位置する信号電極228を第１信号電極228ａとし、第２領域Ｒ２および第３領域Ｒ３の両方に位置する信号電極228を第２信号電極228ｂとし、第４領域Ｒ４および第５領域Ｒ５の両方に位置する信号電極228を第３信号電極228ｃとする（図５および図６でも同様である）。
【００３８】
第１信号電極228ａは、第１領域Ｒ１に位置する第１部位ａ１と、第２領域Ｒ２に位置する第２部位ａ２と、第２ゲート配線221ｂと平面視して重なるように位置して第１部位ａ１と第２部位ａ２とを接続する第３部位ａ３とを有する。
【００３９】
第２信号電極228ｂは、第２領域Ｒ２に位置し、第１信号電極228ａの第２部位ａ２に隣接する第４部位ａ４と、第３領域Ｒ３に位置する第５部位ａ５と、第３ゲート配線221ｃと平面視して重なるように位置して第４部位ａ４と第５部位ａ５とを接続する第６部位ａ６とを有している。
【００４０】
第３信号電極228ｃは、第４領域Ｒ４に位置する第７部位ａ７と、第５領域Ｒ５に位置する第８部位ａ８と、第２ゲート配線221ｂと平面視して重なるように位置して第７部位ａ７と第８部位ａ８とを接続する第９部位ａ９とを有している。
【００４１】
図３に示すように、第１信号電極228ａの第１部位ａ１には、Ｙ方向に沿って配列し、Ｘ方向に対して傾斜し延在する複数の第１スリットＳ１が設けられている。また、第１信号電極228ａの第２部位ａ２には、Ｙ方向に沿って配列し、第１スリットＳ１の延在方向と異なる方向に延在する複数の第２スリットＳ２が設けられている。
【００４２】
また、図３に示すように、第２信号電極228ｂの第４部位ａ４には、Ｙ方向に沿って配列し、第２スリットＳ２の延在方向に延在する複数の第３スリットＳ３が設けられている。また、第２信号電極228ｂの第５部位ａ５には、Ｙ方向に沿って配列し、第２スリットＳ２の延在方向と異なる方向に延在する複数の第４スリットＳ４が設けられている。なお、本実施形態では、第５部位ａ５の第４スリットＳ４が第１部位ａ１の第１スリットＳ１の延在方向と同じ方向に延在している。
【００４３】
さらに、図３に示すように、第３信号電極228ｃの第７部位ａ７には、Ｙ方向に沿って配列し、第１スリットＳ１の延在方向に延在する複数の第５スリットＳ５が設けられている。また、第３信号電極228ｃの第８部位ａ８には、Ｙ方向に沿って配列し、第２スリットＳ２の延在方向に延在する複数の第６スリットＳ６が設けられている。
【００４４】
液晶表示装置１では、第１信号電極228ａが、第１スリットＳ１が形成された第１部位ａ１と、第２スリットＳ２が形成された第２部位ａ２とを有する。すなわち、第１信号電極228ａには異なる方向に延在する第１スリットＳ１および第２スリットＳ２が形成され
ているので、第１部位ａ１の形成領域と第２部位ａ２の形成領域とで電界印加時の液晶分子の配向を変えることができ、液晶表示装置の広視野角化を実現できる。
【００４５】
また、第２ゲート配線221ｂが第１信号電極228ａの第３部位ａ３と重なるように位置し、第１信号電極228ａが第２ゲート配線221ｂに跨って設けられているので、隣接する第１信号電極228ａの第２部位ａ２と第２信号電極228ｂの第４部位ａ４との間には第２ゲート配線221ｂが形成されていない。すなわち、この領域では第２ゲート配線221ｂによって光源装置３からの光が遮られないので、第２部位ａ２と第４部位ａ４との間の領域を画像表示に寄与する領域として有効に利用できる。加えて、第２信号電極228ｂは第１信号電極228ａの第２部位ａ２に隣接する第４部位ａ４を有し、この第４部位ａ４には第２スリットＳ２の延在方向に延在する第３スリットＳ３が形成されている。すなわち、隣接する第２部位ａ２および第４部位ａ４には同一方向に延在するスリットＳ（第２スリットＳ２、第３スリットＳ３）が形成されているので、第１信号電極228ａのＹ方向の端辺および第２信号電極228ｂのＹ方向の端辺をスリットＳ（第２スリットＳ２、第３スリットＳ３）に対応させて傾斜させれば、第１信号電極228ａの第２部位ａ２におけるＹ方向の端辺近傍まで第２スリットＳ２を形成できるとともに、第２信号電極228ｂの第４部位ａ４におけるＹ方向の端辺近傍まで第３スリットＳ３を形成できる。第１信号電極228ａおよび第２信号電極228ｂの端辺近傍まで第２スリットＳ２を形成できることで、信号電極228におけるＹ方向の端辺近傍の電極部分の面積領域を小さくでき、画素Ｐでの開口率の低下を抑制し、光の透過率の低下を抑制できる。
【００４６】
また、第２ゲート配線221ｂは、第１スリットＳ１が形成された第１部位ａ１と第２スリットＳ２が形成された第２部位ａ２との間に位置している。ここで、第１部位ａ１と第２部位ａ２とでは異なる方向に延在するスリットＳ（第１スリットＳ１、第２スリットＳ２）が形成されているので、第１スリットＳ１および第２スリットＳ２の延在方向の関係によって第１部位ａ１と第２部位ａ２との間の領域には第１スリットＳ１および第２スリットＳ２を形成しにくいため、この領域では電極部分の面積が大きくなりやすく、この領域は画像表示に寄与しにくくなる。そのため、第２ゲート配線221ｂが、画像表示に寄与しにくく、異なる方向に延在するスリットＳが設けられた第１部位ａ１と第２部位ａ２との間に位置することで、第２ゲート配線221ｂが光を遮ることによって画素Ｐの開口率へ与える影響を低減できる。
【００４７】
また、液晶表示装置１では、第２ゲート配線221ｂを基準として第１信号電極228ａの第１部位ａ１の第１スリットＳ１の延在方向と第２部位ａ２の第２スリットＳ２の延在方向とは線対称となる。これによって、第１信号電極228ａが位置する画素Ｐにおける電界印加時の液晶分子の配向方向は対称的になるので、視野角特性が向上する。
【００４８】
加えて、液晶表示装置１では、第２信号電極228ｂの第５部位ａ５の第４スリットＳ４は第１スリットＳ１の延在方向に延在している。すなわち、第２信号電極228ｂの第４部位ａ４の第３スリットＳ３の延在方向と第５部位ａ５の第４スリットＳ４の延在方向とは線対称となる。これによって、第２信号電極228ｂが位置する画素Ｐにおける液晶層23の電界印加時の液晶分子の配向方向は対称的になるので、視野角特性が向上する。
【００４９】
液晶層23は、第１基板21と第２基板22との間に設けられている。液晶層23は、ネマティック液晶などを含んでいる。
【００５０】
シール材24は、第１基板21と第２基板22とを貼り合わせる機能を有する。シール材24は第１基板21と第２基板22との間に設けられている。このシール材24は、エポキシ樹脂などによって形成される。
【００５１】
光源装置３は、液晶パネル２に向けて光を出射する機能を有する。光源装置３は、光源31と、導光板32とを有している。なお、本実施形態における光源装置３では、光源31にＬＥＤなどの点光源を採用しているが、冷陰極管などの線光源を採用してもよい。
【００５２】
第１偏光板４は、所定の振動方向の光を選択的に透過させる機能を有する。この第１偏光板４は、液晶パネル２の第１基板21の第１主面21ａに対向するように配置されている。
【００５３】
第２偏光板５は、所定の振動方向の光を選択的に透過させる機能を有する。この第２偏光板５は、第２基板22の第２主面22ｂに対向するように配置されている。
【００５４】
［第２の実施形態］
図５は、第２の実施形態における液晶表示装置１Ａの要部を示す平面図である。
【００５５】
液晶表示装置１Ａは液晶表示装置１に比べて、第２ソース配線223ｂを基準として第３信号電極228ｃの第７部位ａ７の第５スリットＳ５の延在方向と第１信号電極228ａの第１部位ａ１の第１スリットＳ１の延在方向とが線対称になるとともに、第２ソース配線223ｂを基準として第３信号電極228ｃの第８部位ａ８の第６スリットＳ６の延在方向と第１信号電極228ａの第２部位ａ２の第２スリットＳ２の延在方向とが線対称となる点で異なる。
【００５６】
すなわち、Ｘ方向に隣り合う信号電極228において、隣り合う信号電極228の間に位置するソース配線223を基準としてスリットＳの延在方向が対称的になっている。これによって、液晶表示装置１Ａでは、第１信号電極228ａが位置する画素Ｐと第３信号電極228ｃが位置する画素Ｐとにおいて、電界印加時の液晶分子の配向方向が対称的になるので、視野角特性が向上する。
【００５７】
［第３の実施形態］
図６および図７は、第３の実施形態における液晶表示装置１Ｂの要部を示す図である。
【００５８】
液晶表示装置１Ｂは液晶表示装置１に比べて、下記点で異なっている。
【００５９】
図７に示すように、共通電極226は第２層間絶縁膜227を介して信号電極228上に設けられている。また、信号電極228にはスリットＳが形成されていない代わりに、共通電極226には複数のスリットＳが形成されている。
【００６０】
液晶表示装置１Ｂの共通電極226には、第１信号電極228ａの第１部位ａ１と重なる部位にＹ方向に沿って配列し、Ｘ方向に対し傾斜して延在する複数の第１スリットＳ１が設けられているとともに、第１信号電極228ａの第２部位ａ２と重なる部位にＹ方向に沿って配列し、第１スリットＳ１とは異なる方向に延在する複数の第２スリットＳ２が設けられている。すなわち、第１信号電極228ａと重なる共通電極226の部位には異なる方向に延在する第１スリットＳ１および第２スリットＳ２が形成されているので、第１部位ａ１が位置する領域と第２部位ａ２が位置する領域とで電界印加時の液晶分子の配向を変えることができるので、広視野角化を実現できる。
【００６１】
また、液晶表示装置１Ｂでは、第１信号電極228ａの第３部位ａ３が第２ゲート配線221ｂと平面視して重なるように位置し、第１信号電極228ａは第２ゲート配線221ｂを跨って設けられているので、隣接する第１信号電極228ａの第２部位ａ２と第２信号電極228ｂの第４部位ａ４との間の領域には第２ゲート配線221ｂが形成されていない。すなわち、この領域では第２ゲート配線221ｂによって光源装置３からの光が遮られず、第２部位ａ２と第４部位ａ４との間の領域を画像表示に寄与する領域として有効に利用できる。さらに
、第２層間絶縁膜227を介して第１信号電極228ａの第２部位ａ２および第２信号電極228ｂの第４部位ａ４に重なる共通電極226の部位に対して、第２スリットＳ２を形成することで、第２部位ａ２の端辺近傍および第４部位ａ４の端辺近傍の領域まで第２スリットＳ２を形成できるので、画素Ｐでの開口率の低下を抑制し、光の透過率の低下を抑制できる。加えて、第２部位ａ２と第４部位ａ４との間の領域と重なる共通電極226の部位にも第２スリットＳ２を形成することが可能になり、当該領域での電極形成領域を低減することで、画素Ｐでの開口率の低下を抑制し、光の透過率の低下を抑制できる。
【００６２】
また、第２ゲート配線221ｂは、第１スリットＳ１が形成された共通電極226の部位と第２スリットＳ２が形成された共通電極226の部位との間に位置している。ここで、第１スリットＳ１と第２スリットＳ２とは異なる方向に延在しているので、第１スリットＳ１と第２スリットＳ２との延在方向の関係によって第１スリットＳ１が形成された部位と第２スリットＳ２が形成された部位との間の領域には第１スリットＳ１および第２スリットＳ２を形成しにくいため、この領域で電極部分の面積が大きくなりやすく、この領域は画像表示に寄与しにくくなる。そのため、第２ゲート配線221ｂが、画像表示に寄与しにくく、第１スリットＳ１が形成された共通電極226の部位と第２スリットＳ２が形成された共通電極226の部位との間の領域に位置することで、第２ゲート配線221ｂが光を遮光することによって画素Ｐの開口率へ与える影響を低減できる。
【００６３】
また、液晶表示装置１Ｂでは、第２ゲート配線221ｂを基準として共通電極226の第１スリットＳ１の延在方向と第２スリットＳ２の延在方向とは線対称となる。これによって、第１信号電極228ａが位置する画素Ｐにおける液晶層23の電界印加時の液晶分子の配向方向が対称的になるので、視野角特性が向上する。
【００６４】
また、液晶表示装置１Ｂの共通電極226には、第３信号電極228ｃの第７部位ａ７と重なる領域に第１スリットＳ１が設けられているとともに、第３信号電極228ｃの第８部位ａ８と重なる領域に第２スリットＳ２が設けられている。すなわち、Ｘ方向に隣接する第１信号電極228ａおよび第３信号電極228ｃの領域に位置する共通電極226には同じ方向に延在するスリットＳが形成されるので、隣接する第１信号電極228ａと第３信号電極228ｃと重なる共通電極226の部位に対してスリットＳを形成しやすくなるので、液晶表示装置の製造工程を簡略化できる。
【００６５】
本発明は第１〜第３の実施形態に特に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変更および改良が可能である。
【符号の説明】
【００６６】
１、１Ａ、１Ｂ  液晶表示装置
２  液晶パネル
Ｐ  画素
Ｒ１  第１領域
Ｒ２  第２領域
Ｒ３  第３領域
Ｒ４  第４領域
Ｒ５  第５領域
21  第１基板
21ａ  第１主面
21ｂ  第２主面（主面）
211  遮光膜
212  カラーフィルタ
22  第２基板
22ａ  第１主面（主面）
22ｂ  第２主面
221  ゲート配線
221ａ  第１ゲート配線
221ｂ  第２ゲート配線
221ｃ  第３ゲート配線
222  ゲート絶縁膜
223  ソース配線
223ａ  第１ソース配線
223ｂ  第２ソース配線
223ｃ  第３ソース配線
223ｄ  第４ソース配線
224  第１層間絶縁膜
225  平坦化膜（第１絶縁膜）
226  共通電極
227  第２層間絶縁膜（第２絶縁膜）
228  信号電極
228ａ  第１信号電極
ａ１  第１部位
ａ２  第２部位
ａ３  第３部位
228ｂ  第２信号電極
ａ４  第４部位
ａ５  第５部位
ａ６  第６部位
228ｃ  第３信号電極
ａ７  第７部位
ａ８  第８部位
ａ９  第９部位
TFT  薄膜トランジスタ
Ｓ  スリット
Ｓ１  第１スリット
Ｓ２  第２スリット
Ｓ３  第３スリット
Ｓ４  第４スリット
Ｓ５  第５スリット
Ｓ６  第６スリット
23  液晶層
24  シール材
３  光源装置
31  光源
32  導光板
４  第１偏光板
５  第２偏光板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2014048360.tif 000009
【図８】
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