(57)【要約】      （修正有）【課題】基板に対して効率的な処理を行うことを可能とする基板カートリッジ、基板処理装置、基板処理システム、基板処理方法、制御装置及び表示素子の製造方法を提供する。【解決手段】基板ＦＢを収容するカートリッジ本体２と、少なくともカートリッジ本体に収容される基板の諸元値に関する諸元情報を含む情報を保持する情報保持部ＩＣとを備える。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容するカートリッジ本体と、
前記カートリッジ本体を識別する識別情報及び前記カートリッジ本体に収容される前記基板の処理情報のうち少なくとも一方の情報を保持する情報保持部と
を備える基板カートリッジ。
【請求項２】
前記処理情報は、前記基板の欠陥情報を含む
請求項１に記載の基板カートリッジ。
【請求項３】
前記情報保持部は、前記処理情報を有し、
前記処理情報は、前記基板の所定部分に関する位置情報を含む
請求項１又は請求項２に記載の基板カートリッジ。
【請求項４】
前記所定部分は、前記基板の欠陥部分を含む
請求項３に記載の基板カートリッジ。
【請求項５】
前記処理情報は、前記欠陥部分の欠陥履歴を含む
請求項４に記載の基板カートリッジ。
【請求項６】
前記位置情報は、前記基板の端部と前記所定部分との間の距離を含む
請求項３から請求項５のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジ。
【請求項７】
前記位置情報は、前記基板上のマークと前記所定部分との間の距離を含む
請求項３から請求項６のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジ。
【請求項８】
前記情報保持部は、前記処理情報を有し、
前記処理情報は、前記基板に対する所定処理の進捗情報を含む
請求項１から請求項７のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジ。
【請求項９】
前記情報保持部は、前記処理情報を有し、
前記処理情報は、前記基板に形成される形成層の形態情報を含む
請求項１から請求項８のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジ。
【請求項１０】
前記情報保持部は、前記処理情報を有し、
前記処理情報は、前記基板の形状に関する形状情報を含む
請求項１から請求項９のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジ。
【請求項１１】
前記情報保持部は、前記処理情報を有し、
前記基板は、単位基板が複数接続されて形成されており、
前記処理情報は、前記単位基板同士の接続部分の位置に関する情報を含む
請求項１から請求項１０のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジ。
【請求項１２】
前記情報保持部は、前記処理情報を有し、
前記処理情報の少なくとも一部は、前記基板に形成されている
請求項１から請求項１１のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジ。
【請求項１３】
前記情報保持部は、前記カートリッジ本体に対して分離可能に設けられる
請求項１から請求項１２のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジ。
【請求項１４】
前記情報保持部は、複数箇所に設けられている
請求項１から請求項１３のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジ。
【請求項１５】
前記情報保持部に接続され、前記情報の送信及び受信のうち少なくとも一方を行う通信部
を更に備える請求項１から請求項１４のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジ。
【請求項１６】
前記情報保持部は、前記識別情報を有し、
前記通信部は、前記識別情報に対応する前記処理情報を受信する
請求項１から請求項１５のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジ。
【請求項１７】
前記カートリッジ本体は、前記基板を処理する基板処理装置に対して着脱可能に接続されるマウント部を有する
請求項１から請求項１６のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジ。
【請求項１８】
前記マウント部は、前記基板処理装置の一部によって案内される被案内部を有する
請求項１７に記載の基板カートリッジ。
【請求項１９】
前記マウント部は、前記基板処理装置と前記情報保持部とを電気的に接続する端子部を有する
請求項１７又は請求項１８に記載の基板カートリッジ。
【請求項２０】
前記カートリッジ本体は、前記基板の引き込み又は前記基板の送り出しのうち少なくとも一方を行う基板駆動機構を有する
請求項１から請求項１９のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジ。
【請求項２１】
前記情報保持部は、前記情報を表示する表示部を有する
請求項１から請求項２０のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジ。
【請求項２２】
前記情報保持部は、前記識別情報に対応させて前記処理情報を有する
請求項１から請求項２１のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジ。
【請求項２３】
基板を処理する基板処理部と、
前記基板処理部に前記基板の搬入を行う基板搬入部と、
前記基板処理部から前記基板の搬出を行う基板搬出部と
を備え、
前記基板搬入部及び前記基板搬出部のうち少なくとも一方として、前記請求項１から請求項２２のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジが用いられる
基板処理装置。
【請求項２４】
前記基板処理部での前記処理には、前記基板カートリッジの前記情報保持部に保持される前記情報が用いられる
請求項２３に記載の基板処理装置。
【請求項２５】
前記基板カートリッジとの間で電気的に接続される装置側端子部
を更に備える請求項２３又は請求項２４に記載の基板処理装置。
【請求項２６】
前記基板処理部は、前記基板カートリッジとの間で前記情報の送信及び受信のうち少なくとも一方を行う装置側通信部を有する
請求項２３から請求項２５のうちいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項２７】
前記基板カートリッジの前記情報保持部に前記情報を送る制御部
を更に備える請求項２３から請求項２６のうちいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項２８】
前記基板処理部は、前記基板を切断する切断部を有し、
前記制御部は、前記切断部によって切断された前記基板の位置に関する情報を前記情報保持部に送る
請求項２７に記載の基板処理装置。
【請求項２９】
前記基板処理部は、前記基板上の異常部を検出する検出部を有し、
前記制御部は、前記検出部によって検出される前記基板の位置に関する情報を前記情報保持部に送る
請求項２７又は請求項２８に記載の基板処理装置。
【請求項３０】
前記基板処理部は、前記基板に付与された前記情報を検出する第２検出部を有する
請求項２９に記載の基板処理装置。
【請求項３１】
前記基板に前記情報を付与する情報付与部を更に備え、
前記情報付与部は、前記情報保持部に保持される前記情報に対応して前記基板に前記情報を付与する
請求項２３から請求項３０のうちいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項３２】
基板を処理する基板処理装置と、
前記基板処理装置に接続される、請求項１から請求項２２のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジと、
前記基板カートリッジの前記情報保持部から前記情報を受け取ると共に、前記情報に基づいて前記基板処理装置を制御する主制御装置と
を備える基板処理システム。
【請求項３３】
前記主制御装置は、前記識別情報に対応させて前記処理情報を記憶する主記憶部を備える
請求項３２に記載の基板処理システム。
【請求項３４】
基板を供給しつつ前記基板を処理し、処理後の前記基板を回収する基板処理方法であって、
請求項１から請求項２２のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジを用いて、前記基板の供給及び前記基板の回収のうち少なくとも一方を行い、
前記基板カートリッジを介して得られる前記情報を用いて前記基板を処理する
基板処理方法。
【請求項３５】
基板を処理する基板処理装置、及び、前記基板処理装置に接続される請求項１から請求項２２のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジ、を制御する主制御部を備える
制御装置。
【請求項３６】
基板処理部において基板を処理する工程と、
請求項１から請求項２２のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジを用いて、前記基板処理部に前記基板を供給する又は前記基板処理部から前記基板を回収する工程と、を有する
表示素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板カートリッジ、基板処理装置、基板処理システム、基板処理方法、制御装置及び表示素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ディスプレイ装置などの表示装置を構成する表示素子として、例えば有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）素子が知られている。有機ＥＬ素子は、基板上に陽極及び陰極を有すると共に、これら陽極と陰極との間に挟まれた有機発光層を有する構成となっている。有機ＥＬ素子は、陽極から有機発光層へ正孔を注入して有機発光層において正孔と電子とを結合させ、当該結合時の発光光によって表示光が得られるようになっている。有機ＥＬ素子は、基板上に例えば陽極及び陰極に接続される電気回路などが形成されている。
【０００３】
有機ＥＬ素子を作製する手法の１つとして、例えばロール・トゥー・ロール方式（以下、単に「ロール方式」と表記する）と呼ばれる手法が知られている（例えば、特許文献１参照）。ロール方式は、基板供給側のローラに巻かれた１枚のシート状の基板を送り出すと共に送り出された基板を基板回収側のローラで巻き取りながら基板を搬送し、基板が送り出されてから巻き取られるまでの間に、処理装置において、有機ＥＬ素子を構成する発光層や陽極、陰極、電気回路などを基板上に順次形成する手法である。
【０００４】
特許文献１に記載の構成では、例えば基板送り出し用のローラ及び基板巻き取り用のローラが処理装置に対して取り外し可能な構成になっている。取り外したローラは、例えば別の処理装置に搬送され、当該別の処理装置に取り付けて用いられることができるようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２００６／１００８６８号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記のように単に処理装置に対して着脱可能としただけの構成では、例えばローラに巻き取られた基板にどの段階まで処理がされているか判別することが困難である。このため、ローラを取り付ける毎に何らかの手段で基板を確認する作業が必要になり、手間が掛かってしまう。
【０００７】
上記のような事情に鑑み、本発明は、基板に対して効率的な処理を行うことを可能とする基板カートリッジ、基板処理装置、基板処理システム、基板処理方法、制御装置及び表示素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の態様に従えば、基板を収容するカートリッジ本体と、カートリッジ本体を識別する識別情報及びカートリッジ本体に収容される基板の処理情報のうち少なくとも一方の情報を保持する情報保持部とを備える基板カートリッジが提供される。
【０００９】
本発明の第２の態様に従えば、基板を処理する基板処理部と、当該基板処理部に基板の搬入を行う基板搬入部と、基板処理部から基板の搬出を行う基板搬出部とを備え、基板搬入部及び基板搬出部のうち少なくとも一方として、本発明の基板カートリッジが用いられる基板処理装置が提供される。
【００１０】
本発明の第３の態様に従えば、基板を処理する基板処理装置と、当該基板処理装置に接続される、本発明の基板カートリッジと、当該基板カートリッジの情報保持部から情報を受け取ると共に、当該情報に基づいて基板処理装置を制御する主制御装置とを備える基板処理システムが提供される。
【００１１】
本発明の第４の態様に従えば、基板を供給しつつ当該基板を処理し、処理後の基板を回収する基板処理方法であって、本発明の基板カートリッジを用いて、基板の供給及び基板の回収のうち少なくとも一方を行い、基板カートリッジを介して得られる情報を用いて基板を処理する基板処理方法が提供される。
【００１２】
本発明の第５の態様に従えば、基板を処理する基板処理装置、及び、当該基板処理装置に接続される本発明の基板カートリッジ、を制御する主制御部を備える制御装置が提供される。
【００１３】
本発明の第６の態様に従えば、基板処理部において基板を処理する工程と、本発明の基板カートリッジを用いて、基板処理部に基板を供給する又は基板処理部から基板を回収する工程と、を有する表示素子の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、基板に対して効率的な処理を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ素子の構成図。
【図２】本実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図。
【図３】本実施形態に係る基板処理部の構成を示す図。
【図４】本実施形態に係る液滴塗布装置の構成を示す図。
【図５】本実施形態に係る基板カートリッジの構成を示す斜視図。
【図６】本実施形態に係る基板カートリッジの構成を示す断面図。
【図７】本実施形態に係るシート基板の一部の構成を示す図。
【図８】本実施形態に係る基板カートリッジの収容動作を示す図。
【図９】本実施形態に係る基板カートリッジの収容動作を示す図。
【図１０】本実施形態に係る基板カートリッジの接続動作を示す図。
【図１１】本実施形態に係る基板カートリッジの接続動作を示す図。
【図１２】本実施形態に係る基板処理部の隔壁形成の工程を示す図。
【図１３】本実施形態に係るシート基板に形成される隔壁の形状及び配置を示す図。
【図１４】本実施形態に係るシート基板に形成される隔壁の断面図。
【図１５】本実施形態に係る液滴の塗布動作を示す図。
【図１６】本実施形態に係る隔壁間に形成される薄膜の構成を示す図。
【図１７】本実施形態に係るシート基板にゲート絶縁層を形成する工程を示す図。
【図１８】本実施形態に係るシート基板の配線を切断する工程を示す図。
【図１９】本実施形態に係るソースドレイン形成領域に薄膜を形成する工程を示す図。
【図２０】本実施形態に係る有機半導体層を形成する工程を示す図。
【図２１】本実施形態に係るアライメントの一例を示す図。
【図２２】本実施形態に係る基板カートリッジの取り外し動作を示す図。
【図２３】本発明の第２実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図。
【図２４】本実施形態に係るシート基板ＦＢの回収動作を説明する図。
【図２５】本実施形態に係るシート基板ＦＢの回収動作を説明する図。
【図２６】本実施形態に係るシート基板ＦＢの回収動作を説明する図。
【図２７】本発明の第３実施形態に係る基板処理システムの構成を示す図。
【図２８】本実施形態に係る処理情報の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照して、本発明の第１実施形態を説明する。
（有機ＥＬ素子）
図１（ａ）は、有機ＥＬ素子の構成を示す平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるｂ−ｂ断面図である。図１（ｃ）は、図１（ａ）におけるｃ−ｃ断面図である。
【００１７】
図１（ａ）〜図１（ｃ）に示すように、有機ＥＬ素子５０は、シート基板ＦＢにゲート電極Ｇ及びゲート絶縁層Ｉが形成され、さらにソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ及び画素電極Ｐが形成された後、有機半導体層ＯＳが形成されたボトムコンタクト型である。
【００１８】
図１（ｂ）に示すように、ゲート電極Ｇ上にゲート絶縁層Ｉが形成されている。ゲート絶縁層Ｉ上にはソースバスラインＳＢＬのソース電極Ｓが形成されると共に、画素電極Ｐと接続したドレイン電極Ｄが形成されている。ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間には有機半導体層ＯＳが形成されている。これで電界効果型トランジスタが完成することになる。また、画素電極Ｐの上には、図１（ｂ）及び図１（ｃ）に示すように、発光層ＩＲが形成され、その発光層ＩＲには透明電極ＩＴＯが形成される。
【００１９】
図１（ｂ）及び図１（ｃ）に示されるように、例えば、シート基板ＦＢには隔壁ＢＡ（バンク層）が形成されている。そして図１（ｃ）に示すようにソースバスラインＳＢＬが隔壁ＢＡ間に形成されている。このように、隔壁ＢＡが存在することにより、ソースバスラインＳＢＬが高精度に形成されると共に、画素電極Ｐ及び発光層ＩＲも正確に形成されている。なお、図１（ｂ）及び図１（ｃ）では示されていないが、ゲートバスラインＧＢＬもソースバスラインＳＢＬと同様に隔壁ＢＡ間に形成されている。
【００２０】
この有機ＥＬ素子５０は、例えばディスプレイ装置などの表示装置をはじめ、電子機器の表示部などにも好適に用いられる。この場合、例えば有機ＥＬ素子５０をパネル状に形成したものが用いられる。このような有機ＥＬ素子５０の製造においては、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、画素電極が形成された基板を形成する必要がある。その基板上の画素電極上に発光層を含む１以上の有機化合物層（発光素子層）を精度良く形成するために、画素電極の境界領域に隔壁ＢＡ（バンク層）を容易に精度良く形成することが望ましい。
【００２１】
（基板処理装置）
図２は、可撓性を有するシート基板ＦＢを用いて処理を行う基板処理装置１００の構成を示す概略図である。
基板処理装置１００は、帯状のシート基板ＦＢを用いて図１に示す有機ＥＬ素子５０を形成する装置である。図２に示すように、基板処理装置１００は、基板供給部１０１、基板処理部１０２、基板回収部１０３及び制御部１０４を有している。シート基板ＦＢは、基板供給部１０１から基板処理部１０２を経て基板回収部１０３へと搬送されるようになっている。制御部１０４は、基板処理装置１００の動作を統括的に制御する。また、制御部１０４は、情報を記憶する記憶部であるデータベース１０４ＤＢを有する。
【００２２】
以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内のうちシート基板ＦＢの搬送方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００２３】
シート基板ＦＢとしては、例えば耐熱性の樹脂フィルム、ステンレス鋼などを用いることができる。例えば、樹脂フィルムは、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、エチレンビニル共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、セルロース樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、酢酸ビニル樹脂、などの材料を用いることができる。シート基板ＦＢのＹ方向の寸法は例えば１ｍ〜２ｍ程度に形成されており、Ｘ方向の寸法は例えば１０ｍ以上に形成されている。勿論、この寸法は一例に過ぎず、これに限られることは無い。例えばシート基板ＦＢのＹ方向の寸法が５０ｃｍ以下であっても構わないし、２ｍ以上であっても構わない。また、シート基板ＦＢのＸ方向の寸法が１０ｍ以下であっても構わない。なお、本実施形態における可撓性とは、例えば基板に少なくとも自重程度の所定の力を加えても線断や破断することがなく、該基板を撓めることが可能な性質をいう。また、上記可撓性は、該基板の材質、大きさ、厚さ、又は温度などの環境、等に応じて変わる。なお、シート基板ＦＢとしては、１枚の帯状の基板を用いても構わないが、複数の単位基板を接続して帯状に形成される構成としても構わない。
【００２４】
シート基板ＦＢは、例えば２００℃程度の熱を受けても寸法が変わらないように熱膨張係数が小さい方が好ましい。例えば、無機フィラーを樹脂フィルムに混合して熱膨張係数を小さくすることができる。無機フィラーの例としては、酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナ、酸化ケイ素などが挙げられる。
【００２５】
基板供給部１０１は、基板処理部１０２に設けられる供給側接続部１０２Ａに接続されている。基板供給部１０１は、例えばロール状に巻かれたシート基板ＦＢを基板処理部１０２へ供給する。基板回収部１０３は、基板処理部１０２において処理された後のシート基板ＦＢを回収する。
【００２６】
図３は、基板処理部１０２の構成を示す図である。
図３に示すように、基板処理部１０２は、搬送部１０５、素子形成部１０６、アライメント部１０７及び基板切断部１０８を有している。基板処理部１０２は、基板供給部１０１から供給されるシート基板ＦＢを搬送しつつ、当該シート基板ＦＢに上記の有機ＥＬ素子５０の各構成要素を形成し、有機ＥＬ素子５０が形成されたシート基板ＦＢを基板回収部１０３へと送り出す部分である。
【００２７】
搬送部１０５は、Ｘ方向に沿った位置に配置される複数のローラＲＲを有している。ローラＲＲが回転することによっても、シート基板ＦＢがＸ軸方向に搬送されるようになっている。ローラＲＲはシート基板ＦＢを両面から挟み込むゴムローラであってもよいし、シート基板ＦＢがパーフォレーションを有するものであればラチェット付きのローラＲＲであってもよい。複数のローラＲＲのうち一部のローラＲＲは搬送方向と直交するＹ軸方向に移動可能である。
【００２８】
素子形成部１０６は、隔壁形成部９１、電極形成部９２及び発光層形成部９３を有している。隔壁形成部９１、電極形成部９２及び発光層形成部９３は、シート基板ＦＢの搬送方向の上流側から下流側にかけて、隔壁形成部９１、電極形成部９２及び発光層形成部９３の順に配置されている。以下、素子形成部１０６の各構成を説明する。
【００２９】
隔壁形成部９１は、インプリントローラ１１０及び熱転写ローラ１１５を有している。隔壁形成部９１は、基板供給部１０１から送り出されたシート基板ＦＢに対して隔壁ＢＡを形成する。隔壁形成部９１では、インプリントローラ１１０でシート基板ＦＢを押圧するとともに、押圧した隔壁ＢＡが形状を保つように熱転写ローラ１１５でシート基板ＦＢをガラス転移点以上に熱する。このため、インプリントローラ１１０のローラ表面に形成された型形状がシート基板ＦＢに転写されるようになっている。シート基板ＦＢは、熱転写ローラ１１５によって例えば２００℃程度に加熱されるようになっている。
【００３０】
インプリントローラ１１０のローラ表面は鏡面仕上げされており、そのローラ表面にＳｉＣ、Ｔａなどの材料で構成された微細インプリント用モールド１１１が取り付けられている。微細インプリント用モールド１１１は、薄膜トランジスタの配線用のスタンパー及びカラーフィルタ用のスタンパーを形成している。
【００３１】
インプリントローラ１１０は、微細インプリント用モールド１１１を用いて、シート基板ＦＢにアライメントマークＡＭを形成する。シート基板ＦＢの幅方向であるＹ軸方向の両側にアライメントマークＡＭを形成するため、微細インプリント用モールド１１１は、アライメントマークＡＭ用のスタンパーを有している。
【００３２】
電極形成部９２は、隔壁形成部９１の＋Ｘ側に設けられており、例えば有機半導体を用いた薄膜トランジスタを形成する。具体的には、図１で示すようなゲート電極Ｇ、ゲート絶縁層Ｉ、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ及び画素電極Ｐを形成した後、有機半導体層ＯＳを形成する。
【００３３】
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）としては、無機半導体系のものでも有機半導体を用いたものでも良い。無機半導体の薄膜トランジスタは、アモルファスシリコン系のものが知られているが、有機半導体を用いた薄膜トランジスタであってもよい。この有機半導体を用いて薄膜トランジスタを構成すれば、印刷技術や液滴塗布法技術を活用して薄膜トランジスタを形成できる。また、有機半導体を用いた薄膜トランジスタの内、図１で示したような電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）が特に好ましい。
【００３４】
電極形成部９２は、液滴塗布装置１２０や熱処理装置ＢＫ、切断装置１３０などを有している。
本実施形態では、液滴塗布装置１２０として、例えばゲート電極Ｇを形成する際に用いられる液滴塗布装置１２０Ｇ、ゲート絶縁層Ｉを形成する際に用いられる液滴塗布装置１２０Ｉ、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ及び画素電極Ｐを形成する際に用いられる液滴塗布装置１２０ＳＤ、有機半導体ＯＳを形成する際に用いられる液滴塗布装置１２０ＯＳなどが用いられている。
【００３５】
図４は、液滴塗布装置１２０の構成を示す平面図である。図４では、液滴塗布装置１２０を＋Ｚ側から見たときの構成を示している。液滴塗布装置１２０は、Ｙ軸方向に長く形成されている。液滴塗布装置１２０には不図示の駆動装置が設けられている。液滴塗布装置１２０は、当該駆動装置により、例えばＸ方向、Ｙ方向及びθＺ方向に移動可能になっている。
【００３６】
液滴塗布装置１２０には、複数のノズル１２２が形成されている。ノズル１２２は、液滴塗布装置１２０のうちシート基板ＦＢとの対向面に設けられている。ノズル１２２は、例えばＹ軸方向に沿って配列されており、当該ノズル１２２の列（ノズル列）が例えば２列形成されている。制御部１０４は、全ノズル１２２に一括して液滴を塗布させることもできるし、各ノズル１２２について液滴を塗布させるタイミングを個別に調整することもできるようになっている。
【００３７】
液滴塗布装置１２０としては、例えばインクジェット方式やディスペンサー方式などを採用することができる。インクジェット方式としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。液滴塗布法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できる。なお、液滴塗布法により塗布されるメタルインクの一滴の量は、例えば１〜３００ナノグラムである。
【００３８】
図２に戻って、液滴塗布装置１２０Ｇは、ゲートバスラインＧＢＬの隔壁ＢＡ内にメタルインクを塗布する。液滴塗布装置１２０Ｉは、スイッチング部にポリイミド系樹脂又はウレタン系樹脂の電気絶縁性インクを塗布する。液滴塗布装置１２０ＳＤは、ソースバスラインＳＢＬの隔壁ＢＡ内及び画素電極Ｐの隔壁ＢＡ内にメタルインクを塗布する。液滴塗布装置１２０ＯＳは、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間のスイッチング部に有機半導体インクを塗布する。
【００３９】
メタルインクは、粒子径が約５ｎｍほどの導電体が室温の溶媒中で安定して分散をする液体であり、導電体として、カーボン、銀（Ａｇ）又は金（Ａｕ）などが用いられる。有機半導体インクを形成する化合物は、単結晶材科でもアモルファス材料でもよく、低分子でも高分子でもよい。有機半導体インクを形成する化合物のうち特に好ましいものとしては、ペンタセンやトリフェニレン、アントラセン等に代表される縮環系芳香族炭化水素化合物の単結晶又はπ共役系高分子などが挙げられる。
【００４０】
熱処理装置ＢＫは、各液滴塗布装置１２０の＋Ｘ側（基板搬送方向下流側）にそれぞれ配置されている。熱処理装置ＢＫは、シート基板ＦＢに対して例えば熱風や遠赤外線などを放射可能になっている。熱処理装置ＢＫは、これらの放射熱を用いて、シート基板ＦＢに塗布された液滴を乾燥又は焼成（ベーキング）し硬化させる。
【００４１】
切断装置１３０は、液滴塗布装置１２０ＳＤの＋Ｘ側であって液滴塗布装置１２０ＯＳの上流側に設けられている。切断装置１３０は、例えばレーザ光などを用いて、液滴塗布装置１２０ＳＤによって形成されるソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとを切断する。切断装置１３０は、不図示の光源と、当該光源からのレーザ光をシート基板ＦＢ上に照射させるガルバノミラー１３１とを有している。
【００４２】
レーザ光の種類としては、切断する金属膜に対し、吸収する波長のレーザが好ましく、波長変換レーザで、ＹＡＧなどの２，３，４倍高調波がよい。またパルス型レーザを用いることで熱拡散を防止し、切断部以外の損傷を低減することができる。材料がアルミの場合、７６０ｎｍ波長のフェムト秒レーザが好ましい。
【００４３】
本実施形態では、例えば光源としてチタンサファイアレーザを使ったフェムト秒レーザ照射部を用いている。当該フェムト秒レーザ照射部は、レーザ光ＬＬを例えば１０ＫＨｚから４０ＫＨｚのパルスで照射するようになっている。
【００４４】
本実施形態ではフェムト秒レーザを使用するため、サブミクロンオーダの加工が可能であり、電界効果型トランジスタの性能を決めるソース電極Ｓとドレイン電極Ｄと間隔を正確に切断することができるようになっている。ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄと間隔は、例えば３μｍ程度から３０μｍ程度である。
【００４５】
上述したフェムト秒レーザ以外にも、例えば炭酸ガスレーザ又はグリーンレーザなどを使用することも可能である。また、レーザ以外にもダイシングソーなどで機械的に切断する構成としてもよい。
【００４６】
ガルバノミラー１３１は、レーザ光ＬＬの光路に配置されている。ガルバノミラー１３１は、光源からのレーザ光ＬＬをシート基板ＦＢ上に反射させる。ガルバノミラー１３１は、例えばθＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向に回転可能に設けられている。ガルバノミラー１３１が回転することにより、レーザ光ＬＬの照射位置が変化するようになっている。
【００４７】
上記の隔壁形成部９１及び電極形成部９２の両方を用いることにより、いわゆるフォトリソグラフィ工程を使用しなくても、印刷技術や液滴塗布法技術を活用して薄膜トランジスタ等を形成できるようになっている。例えば印刷技術や液滴塗布法技術などが用いられる電極形成部９２のみを用いた場合、インクのにじみや広がりのため精度よく薄膜トランジスタ等ができない場合がある。
【００４８】
これに対して、隔壁形成部９１を用いることで隔壁ＢＡが形成されるため、インクのにじみや広がりが防止されるようになっている。また薄膜トランジスタの性能を決めるソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間隔は、レーザ加工又は機械加工により形成されるようになっている。
【００４９】
発光層形成部９３は、電極形成部９２の＋Ｘ側に配置されている。発光層形成部９３は、電極が形成されたシート基板ＦＢ上に、例えば有機ＥＬ装置の構成要素である発光層ＩＲや画素電極ＩＴＯなどを形成する。発光層形成部９３は、液滴塗布装置１４０及び熱処理装置ＢＫを有している。
【００５０】
発光層形成部９３で形成される発光層ＩＲは、ホスト化合物とリン光性化合物（リン光発光性化合物ともいう）が含有される。ホスト化合物とは、発光層に含有される化合物である。リン光性化合物は、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、室温においてリン光発光する。
【００５１】
本実施形態では、液滴塗布装置１４０として、例えば赤色発光層を形成する液滴塗布装置１４０Ｒｅ、緑色発光層を形成する液滴塗布装置１４０Ｇｒ、青色発光層を形成する液滴塗布装置１４０Ｂｌ、絶縁層を形成する液滴塗布装置１４０Ｉ及び画素電極ＩＴＯを形成する液滴塗布装置１４０ＩＴなどが用いられている。
【００５２】
液滴塗布装置１４０としては、上記の液滴塗布装置１２０と同様、インクジェット方式又はディスペンサー方式を採用することができる。有機ＥＬ素子５０の構成要素として例えば正孔輸送層及び電子輸送層などを設ける場合には、これらの層を形成する装置（例えば、液滴塗布装置など）を別途設けるようにする。
【００５３】
液滴塗布装置１４０Ｒｅは、Ｒ溶液を画素電極Ｐ上に塗布する。液滴塗布装置１４０Ｒｅは、乾燥後の膜厚が１００ｎｍになるようにＲ溶液の吐出量が調整されるようになっている。Ｒ溶液としては、例えばホスト材のポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）に赤ドーパント材を１、２−ジクロロエタン中に溶解した溶液が用いられる。
【００５４】
液滴塗布装置１４０Ｇｒは、Ｇ溶液を画素電極Ｐ上に塗布する。Ｇ溶液としては、例えばホスト材ＰＶＫに緑ドーパント材を１、２−ジクロロエタン中に溶解した溶液が用いられる。
【００５５】
液滴塗布装置１４０Ｂｌは、Ｂ溶液を画素電極Ｐ上に塗布する。Ｂ溶液としては、例えばホスト材ＰＶＫに青ドーパント材を１、２−ジクロロエタン中に溶解した溶液が用いられる。
【００５６】
液滴塗布装置１２０Ｉは、ゲートバスラインＧＢＬ又はソースバスラインＳＢＬの一部に電気絶縁性インクを塗布する。電気絶縁性インクとしては、例えばポリイミド系樹脂又はウレタン系樹脂のインクが用いられる。
【００５７】
液滴塗布装置１２０ＩＴは、赤色、緑色及び青色発光層の上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウムスズ酸化物）インクを塗布する。ＩＴＯインクとしては、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）に数％の酸化スズ（ＳｎＯ２）を添加した化合物などが用いられる。また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。透明導電膜は、透過率が９０％以上であることが好ましい。
【００５８】
熱処理装置ＢＫは、各液滴塗布装置１４０の＋Ｘ側（基板搬送方向下流側）にそれぞれ配置されている。熱処理装置ＢＫは、電極形成部９２で用いられる熱処理装置ＢＫと同様、シート基板ＦＢに対して例えば熱風や遠赤外線などを放射可能になっている。熱処理装置ＢＫは、これらの放射熱を用いて、シート基板ＦＢに塗布された液滴を乾燥又は焼成（ベーキング）し硬化させる。
【００５９】
アライメント部１０７は、Ｘ方向に沿って設けられた複数のアライメントカメラＣＡ（ＣＡ１〜ＣＡ８）を有している。アライメントカメラＣＡは、可視光照明下でＣＣＤ又はＣＭＯＳで撮像し、その撮像画像を処理してアライメントマークＡＭの位置を検出してもよいし、レーザ光をアライメントマークＡＭに照射して、その散乱光を受光してもアライメントマークＡＭの位置を検出しても良い。
【００６０】
アライメントカメラＣＡ１は、熱転写ローラ１１５の＋Ｘ側に配置されている。アライメントカメラＣＡ１は、シート基板ＦＢ上に熱転写ローラ１１５によって形成されるアライメントマークＡＭの位置を検出する。アライメントカメラＣＡ２〜ＣＡ８は、それぞれ熱処理装置ＢＫの＋Ｘ側に配置されている。アライメントカメラＣＡ２〜ＣＡ８は、熱処理装置ＢＫを経たシート基板ＦＢのアライメントマークＡＭの位置を検出する。
【００６１】
熱転写ローラ１１５及び熱処理装置ＢＫを経ることにより、シート基板ＦＢがＸ軸方向及びＹ軸方向に伸縮したりする場合がある。このように熱処理を行う熱転写ローラ１１５の＋Ｘ側や、熱処理装置ＢＫの＋Ｘ側にアライメントカメラＣＡを配置することにより、熱変形などによるシート基板ＦＢの位置ずれを検出することができるようになっている。
【００６２】
アライメントカメラＣＡ１〜ＣＡ８による検出結果は、制御部１０４に送信されるようになっている。制御部１０４は、アライメントカメラＣＡ１〜ＣＡ８の検出結果に基づいて、例えば液滴塗布装置１２０や液滴塗布装置１４０のインクの塗布位置とタイミングの調整、基板供給部１０１からのシート基板ＦＢの供給速度やローラＲＲの搬送速度の調整、ローラＲＲによるＹ方向への移動の調整、切断装置１３０の切断位置やタイミングなどの調整が行われるようになっている。
【００６３】
（基板カートリッジ）
本実施形態では、基板供給部１０１及び基板回収部１０３として、基板カートリッジ１が用いられている。以下の説明においては、説明の便宜上、図２と共通のＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。以下のＸＹＺ直交座標系は、基板供給部１０１が基板処理部１０２に接続されている状態において基板カートリッジ１が当該基板供給部１０１として用いられる場合を例に挙げて説明する。
【００６４】
図５は、基板カートリッジ１の構成を示す斜視図である。また、図６は、図５におけるＡ−Ａ´断面に沿った構成を示す図である。図５及び図６に示すように、基板カートリッジ１は、カートリッジ本体２及びマウント部３を有している。
【００６５】
カートリッジ本体２は、シート基板ＦＢを収容する部分である。カートリッジ本体２は、収容部２０、搬送部（搬送機構）２１、基板案内部２２、第２基板搬送部３６及び第２基板案内部３７を有している。また、上記のマウント部３は、カートリッジ本体２に設けられている。また、例えば、カートリッジ本体２は、アルミニウム製又はジュラルミン製、等である。
【００６６】
収容部２０は、シート基板ＦＢを収容する部分である。収容部２０は、例えばロール状に巻き取られたシート基板ＦＢを収容できるように円筒状に形成されており、一部が＋Ｘ側に突出するように設けられている（突出部２３）。本実施形態では、図中Ｙ方向に延在する状態で配置されている。収容部２０は、蓋部２５及び基板駆動機構２４を有している。
【００６７】
蓋部２５は、収容部２０の＋Ｙ側端部あるいは−Ｙ側端部に設けられている。蓋部２５は収容部２０に対して着脱可能に設けられている。蓋部２５を収容部２０に対して着脱させることにより、収容部２０の内部に直接アクセスできるようになっている。蓋部２５の開閉機構としては、例えば蓋部２５及び収容部２０に互いに係合するネジ山が設けられている構成であっても構わないし、蓋部２５と収容部２０とをヒンジ機構によって接続する構成としても構わない。蓋部２５は、窓部２８及び表示部２９を有している。
【００６８】
窓部２８は、例えば可視光を透過可能な材料、例えばガラスやプラスチックなどによって形成されている。窓部２８を介して、収容部２０の内部が観察可能になっている。表示部２９は、シート基板ＦＢの状態などの情報を表示させる部分である。表示部２９には、例えば、収容部２０に収容されているシート基板ＦＢの長さ寸法やシート基板ＦＢの残長などが表示されるようになっている。
【００６９】
基板駆動機構２４は、シート基板ＦＢを巻き取る動作及びシート基板ＦＢを送り出す動作を行う部分である。基板駆動機構２４は、収容部２０の内部に設けられている。基板駆動機構２４は、ローラ部（軸部）２６及びガイド部２７を有している。ローラ部２６は、図６に示すように、回転軸部材２６ａ、拡径部２６ｂ及び接着部２６ｃを有している。
【００７０】
回転軸部材２６ａは、例えばアルミなどの剛性の高い金属によって形成された円柱状部材である。回転軸部材２６ａは、例えば蓋部２５の中央部に設けられた開口部２５ａ及びベアリング部材２５ｂを介して回転可能に支持されている。この場合、回転軸部材２６ａの中心軸は例えばＹ方向に平行な状態となり、回転軸部材２６ａはθＹ方向に回転することになる。
【００７１】
回転軸部材２６ａは、不図示の回転駆動機構に接続されている。回転駆動機構の駆動制御により、回転軸部材２６ａが中心軸を中心として回転するようになっている。回転駆動機構は、図６に示すように、回転軸部材２６ａを例えば＋θＹ方向及び−θＹ方向のいずれの方向にも回転させることができるようになっている。
【００７２】
拡径部２６ｂは、回転軸部材２６ａの表面に均一な厚さで形成されている。拡径部２６ｂは、回転軸部材２６ａと一体的に回転するように形成されている。接着部２６ｃは、断面視で拡径部２６ｂの表面に均一な厚さで形成されている。接着部２６ｃは、シート基板ＦＢを接着させる程度の粘着性を有する材料を用いて形成されている。
【００７３】
ガイド部２７は、回動部材（第１案内部材）２７ａ及び先端部材（第１案内部材）２７ｂを有している。回動部材２７ａは、例えば一端が軸部２７ｃを介して収容部２０に取り付けられており、当該軸部２７ｃを中心にθＹ方向に回動可能に設けられている。回動部材２７ａは、不図示の回転駆動機構に接続されている。
【００７４】
先端部材２７ｂは、断面視において回動部材２７ａの他端に接続されている。例えば、先端部材２７ｂは、断面視で円弧状の曲面を有するように形成されている。シート基板ＦＢは、先端部材２７ｂに設けられた当該断面視円弧状の＋Ｚ側の曲面を介してローラ部２６へと案内されるようになっている。先端部材２７ｂは、回動部材２７ａと一体的に回動するようになっている。例えば回動部材２７ａがローラ部２６から遠ざかる方向（ローラ部２６の径方向の外側方向）に回動する場合、収容部２０の内周に沿って当接するようになっている。このため、先端部材２７ｂとローラ部２６に巻き取られたシート基板ＦＢとの間の接触が回避されるようになっている。
【００７５】
マウント部３は、基板処理部１０２に接続される部分である。マウント部３は、例えば収容部２０に設けられる突出部２３の＋Ｘ側端部に設けられている。マウント部３は、基板処理部１０２との接続のための挿入部３ａを有している。挿入部３ａのうち基板処理部１０２側の端面３ｂには、基板処理部１０２との間で電気的に接続される端子３ｃが設けられている。
【００７６】
基板カートリッジ１が基板供給部１０１として用いられる場合、マウント部３は基板処理部１０２の供給側接続部１０２Ａに接続される。基板カートリッジ１が基板回収部１０３として用いられる場合、マウント部３は基板処理部１０２の回収側接続部１０２Ｂに接続される。マウント部３は、基板処理部１０２の基板供給部１０１及び基板回収部１０３のいずれに接続される場合においても、着脱可能に接続されるようになっている。
【００７７】
マウント部３には、開口部３４及び第２開口部３５が設けられている。開口部３４は、＋Ｚ側に設けられた開口部であり、カートリッジ本体２との間でシート基板ＦＢが出し入れされる部分である。カートリッジ本体２には、当該開口部３４を介したシート基板ＦＢが収容されるようになっている。カートリッジ本体２に収容されるシート基板ＦＢは、当該開口部３４を介してカートリッジ本体２外部に送り出されるようになっている。
【００７８】
第２開口部３５は、−Ｚ側に設けられた開口部であり、カートリッジ本体２との間でシート基板ＦＢとは異なる帯状の第２基板ＳＢが出し入れされる部分である。このような第２基板ＳＢとしては、例えばシート基板ＦＢの素子形成面を保護する保護基板などが挙げられる。保護基板としては、例えば合紙などを用いることができる。第２開口部３５は、例えば開口部３４に対して間隔を空けて配置されている。第２開口部３５は、例えば開口部３４と同一の寸法及び形状に形成されている。また、本実施形態における第２基板ＳＢとしては、ステンレス鋼の薄板（例、厚さが０．１ｍｍ以下等）などの導電性を有する材質を用いてもよい。この場合、第２基板ＳＢがカートリッジ本体２にシート基板ＦＢとともに収容された際に、第２基板ＳＢがカートリッジ本体２に電気的に接続されるようにすると、シート基板ＦＢの帯電防止ができる。
【００７９】
搬送部２１、基板案内部２２、第２基板搬送部３６及び第２基板案内部３７は、例えば突出部２３の内部に設けられている。基板案内部２２は、開口部３４と搬送部２１との間に設けられている。基板案内部２２は、開口部３４と搬送部２１との間でシート基板ＦＢを案内する部分である。基板案内部２２は、基板用案内部材２２ａ及び２２ｂを有している。基板用案内部材２２ａ及び２２ｂは、Ｚ方向に隙間２２ｃを空けるように対向配置されており、対向面がそれぞれＸＹ平面にほぼ平行となるように設けられている。当該隙間２２ｃは開口部３４に接続されており、シート基板ＦＢは開口部３４及び隙間２２ｃを移動するようになっている。
【００８０】
第２基板案内部３７は、マウント部３と搬送部２１との間で第２基板ＳＢを案内する部分である。第２基板案内部３７は、第２基板用案内部材３７ａ、３７ｂ及び３７ｃを有している。第２基板用案内部材３７ａ及び３７ｂは、Ｚ方向に隙間３７ｄを空けるように対向配置されており、対向面がそれぞれＸＹ平面にほぼ平行となるように設けられている。第２基板用案内部材３７ｃは、第２基板ＳＢが＋Ｚ側へ案内されるように傾いて配置されている。具体的には、第２基板用案内部材３７ｃの−Ｘ側端部が＋Ｘ側端部に対して＋Ｚ側に傾いた状態で配置されている。
【００８１】
第２基板搬送部３６は、マウント部３と搬送部２１との間で第２基板ＳＢを搬送する。第２基板搬送部３６は、第２基板用案内部材３７ａ及び３７ｂと、第２基板用案内部材３７ｃとの間に配置されている。第２基板搬送部３６は、主動ローラ３６ａ及び従動ローラ３６ｂを有している。主動ローラ３６ａは、例えばθＹ方向に回転可能に設けられており、不図示の回転駆動機構に接続されている。従動ローラ３６ｂは、主動ローラ３６ａとの間で第２基板ＳＢが挟持されるように主動ローラ３６ａとの間に隙間を空けて配置されている。
【００８２】
搬送部２１は、マウント部３と収容部２０との間でシート基板ＦＢ及び第２基板ＳＢを搬送する。搬送部２１は、テンションローラ（テンション機構）２１ａ及び測定ローラ（測定部）２１ｂを有している。テンションローラ２１ａは、ローラ部２６との間でシート基板ＦＢ及び第２基板に張力を与えるローラである。テンションローラ２１ａは、θＹ方向に回転可能に設けられている。テンションローラ２１ａには、例えば不図示の回転駆動機構が接続されている。なお、テンションローラ２１ａ及び測定ローラ２１ｂは、図６におけるＺ方向にそれぞれ移動可能に設けられてもよい。
【００８３】
測定ローラ２１ｂは、テンションローラ２１ａよりも小さい径を有するローラである。測定ローラ２１ｂは、テンションローラ２１ａとの間でシート基板ＦＢ及び第２基板ＳＢを挟持できるようにテンションローラ２１ａとの間に所定の隙間を空けて配置されている。シート基板ＦＢのみを挟持する場合とシート基板ＦＢ及び第２基板ＳＢを併せて挟持するように、測定ローラ２１ｂとテンションローラ２１ａとの間の隙間の大きさを調整可能とする構成であっても構わない。測定ローラ２１ｂは、テンションローラ２１ａの回転に伴って回転する従動ローラである。
【００８４】
テンションローラ２１ａと測定ローラ２１ｂとの間でシート基板ＦＢを挟んだ状態でテンションローラ２１ａを回転させることにより、シート基板ＦＢに張力を与えつつ、当該シート基板ＦＢの巻き取り方向及び送り出し方向にそれぞれシート基板ＦＢを搬送可能になっている。
【００８５】
搬送部２１は、例えば測定ローラ２１ｂの回転数や回転角度を検出する検出部２１ｃを有している。当該検出部２１ｃとしては、例えばエンコーダなどが用いられる。当該検出部２１ｃにより、例えば測定ローラ２１ｂを介したシート基板ＦＢの搬送距離などを計測することができるようになっている。
【００８６】
例えば開口部３４を介してシート基板ＦＢが挿入され、第２開口部３５を介して第２基板ＳＢが挿入される場合、シート基板ＦＢ及び第２基板ＳＢは、それぞれ基板案内部２２及び第２基板案内部３７で案内されることにより、合流部３９において合流するようになっている。合流部３９で合流したシート基板ＦＢ及び第２基板ＳＢは、合流した状態で搬送部２１によって搬送される。このとき、搬送部２１は、シート基板ＦＢと第２基板ＳＢとを押圧して密着させる。このため、搬送部２１は、第２基板ＳＢをシート基板ＦＢへ押圧する押圧機構を兼ねることになる。
【００８７】
カートリッジ本体２には、情報保持部ＩＣが設けられている（図５参照）。情報保持部ＩＣは、例えばＩＣチップ（例、読み込みのみ可能なタイプ、読み込みと書き込みとが可能なタイプなど）などから構成されており、例えばカートリッジ本体２に埋め込まれている。情報保持部ＩＣは、例えばカートリッジ本体２に収容されるシート基板ＦＢの処理情報や、カートリッジ本体２を識別する識別情報などの情報を記憶する記憶部ＭＲと、当該記憶部ＭＲに記憶される情報を通信する通信部ＣＲとを有している。記憶部ＭＲについては、本実施形態では処理情報及び識別情報の２つを含んだ情報を記憶する構成となっているが、いずれか一方のみを含んだ情報を記憶する構成であっても構わない。通信部ＣＲについては、本実施形態のように情報保持部ＩＣ内に設けられた構成に限られず、例えば情報保持部ＩＣとは独立して設けられた構成とすることもできる。
【００８８】
本実施形態では情報保持部ＩＣが１つ設けられている構成を例に示したが、例えば当該情報保持部ＩＣはカートリッジ本体２に複数設けられている構成であっても構わない。このような例として、例えば上記の情報を一次元又は二次元のバーコードなどとして保持し、当該バーコードの形成されたシールが上記の情報保持部ＩＣとは別の箇所に貼り付けられた構成などが挙げられる。また、情報保持部ＩＣがカートリッジ本体２に埋め込まれている構成に限られず、例えば情報保持部ＩＣをカートリッジ本体２に対して分離可能となるように装着されている構成としても構わない。このような構成としては、例えばＩＣチップなどを着脱可能に装着する構成などが挙げられる。また、例えば上記のバーコードが形成されたシールなどを用いる場合は、当該シールをカートリッジ本体２から剥がすことができるため、カートリッジ本体２に対して分離可能である。また、情報保持部ＩＣが表示部２９に電気的に接続された構成とし、情報保持部ＩＣに保持された当該情報が表示部２９に表示されるような構成であっても構わない。また、情報保持部ＩＣによって保持される情報の少なくとも一部が、シート基板ＦＢに保持させるように構成しても構わない。このような構成としては、例えばシート基板ＦＢに一次元又は二次元のバーコードなどを形成する構成や、シート基板ＦＢにＩＣタグなどを埋め込んだ構成などが挙げられる。
【００８９】
本実施形態における処理情報は、一例として、シート基板ＦＢ上の欠陥情報が含まれる。この欠陥情報は、シート基板ＦＢ上の欠陥部分の位置情報、欠陥の修復が可能か又は不可能かという欠陥の程度、パターン欠損やパターンのはみ出し等の欠陥の種類、やシート基板ＦＢ上における欠陥の修復状況（例、修復有無）、などのうち少なくとも１つを含む。なお、シート基板ＦＢ上の欠陥部分の位置情報は、例えば、シート基板ＦＢ上における欠陥部分の位置座標であっても構わないし、シート基板ＦＢの端部から当該欠陥部分までの距離であっても構わない。
【００９０】
上述のシート基板ＦＢ上の欠陥情報は、通信部ＣＲを介して情報保持部ＩＣから基板処理部１０２の制御部１０４へ伝達される。該欠陥情報が伝達された制御部１０４は、その欠陥情報に基づき、電極形成部９２などの各処理を制御する。一例として、該欠陥情報に含まれる欠陥の程度から該欠陥部分の修復が不可能と判断された場合、制御部１０４は、該欠陥部分又は該欠陥部分を含む素子形成領域６０に対する電極形成処理を行わない情報を欠陥部分の位置情報とともに液滴塗布装置１２０に伝達する。他例として、該欠陥情報に含まれる欠陥部分の修復が終了している場合、制御部１０４は、該欠陥部分又は該欠陥部分を含む素子形成領域６０に対する電極形成処理を行う情報を液滴塗布装置１２０に伝達する。このように、制御部１０４は、上述の欠陥情報に基づいて、欠陥部分に対する処理を選択し、その選択した処理を予め液滴塗布装置１２０などに伝達することができる。
【００９１】
また、図７（ａ）に示すように、例えば基準位置となるマークなどのパターンＰＴＮをシート基板ＦＢのうちＹ方向の端辺に沿った位置にＸ方向に沿って形成し、当該パターンＰＴＮを用いて欠陥部分Ｐ１の位置を検出し、当該検出結果を欠陥部分Ｐ１の位置情報としても構わない。図７（ａ）に示す例では、シート基板ＦＢにエンコーダ（位置情報検出装置）のエンコーダパターンがパターンＰＴＮとして形成されている。エンコーダパターンは、例えばシート基板ＦＢのＸ方向の位置が判別できるようなパターンである。欠陥部分Ｐ１の位置情報がシート基板ＦＢのＸ方向の位置である場合であっても、欠陥部分Ｐ１の位置座標は、欠陥部分Ｐ１のＸ方向の位置をもとに、Ｙ方向に配置されたラインセンサ又はＹ方向に移動可能なカメラ等を用いて欠陥部分Ｐ１のＹ方向の位置を検出することで特定できる。
【００９２】
また、図７（ａ）に示すように、欠陥部分Ｐ１の位置情報は、シート基板ＦＢのうちＸ方向に沿って複数に区切られた領域（例、欠陥領域）ごとに付与された領域番号（例、Ａ１１０、Ａ１１１、Ａ１１２、等）であっても構わない。
【００９３】
なお、本実施形態における処理情報は、シート基板ＦＢ上の所定部分に関する位置情報、シート基板ＦＢに対する処理の進捗情報、シート基板ＦＢに形成される形成層（例、各電極層、ＴＦＴ層、発光層など）の形態情報、シート基板ＦＢの形状に関する形状情報なども含まれる。ここで、シート基板ＦＢ上の所定部分は、上述の欠陥部分、位置合わせの基準マークが形成された部分、シート基板ＦＢの長さや間隔の指標となる基準マークが形成された部分、などが挙げられる。また、シート基板ＦＢが複数の単位基板を接続して形成されている場合には、処理情報は当該単位基板同士の接続位置（つなぎ目の位置）に関する情報も含まれる。
【００９４】
進捗情報は、シート基板ＦＢに対してどの段階まで処理が進んでいるかを示す情報などが含まれる。進捗情報は、例えば、シート基板ＦＢに隔壁ＢＡのみが形成されている段階、シート基板ＦＢに隔壁及び電極が形成されている段階、シート基板ＦＢに隔壁、電極及び発光層が形成されている段階など、処理の段階を示す情報である。また、進捗情報は、シート基板ＦＢに対して前処理（例えば親液処理、撥液処理、保護膜形成処理など）が行われている段階を含んでいても構わないし、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極などの電極の形成段階を含んでいても構わない。この進捗情報は、通信部ＣＲを介して情報保持部ＩＣから基板処理部１０２の制御部１０４へ伝達され、基板処理部１０２においてシート基板ＦＢに対して行う処理を選択する情報の１つとして用いられる。
【００９５】
形態情報は、シート基板ＦＢに形成される形成層（例、電極層や発光層）の形状、形成層の位置ズレ、形成層の寸法（例えば大きさ、層厚など）、形成層の形成範囲、形成層の位置などの情報が含まれる。この形態情報は、通信部ＣＲを介して情報保持部ＩＣから基板処理部１０２の制御部１０４へ伝達される。例えば、このような形態情報は、装置のシステムダウンや装置のメンテナンスのため途中でシート基板ＦＢに対する処理が止まってしまった場合には、処理の開始位置を設定する情報の１つとして用いられる。また、一例として、上述の形態情報である形成層の位置ズレは、シート基板ＦＢにおける該位置ズレの個数や割合の情報をもとに装置のメンテナンス時期や装置の異常を知らせるための情報の１つとして用いられる。
【００９６】
また、形状情報は、シート基板ＦＢの全体の形状に関する情報が含まれる。例えばシート基板ＦＢの一部が切り欠かれていたり、シート基板ＦＢの一部に開口部を有する構成になっていたりする場合、形状情報は当該切り欠きや開口部の情報（例、形状の種類や位置情報）なども含まれる。この形状情報は、通信部ＣＲを介して情報保持部ＩＣから基板処理部１０２の制御部１０４へ伝達される。例えば、このような形状情報は、搬送部２１によるシート基板ＦＢの磨耗頻度や傷の度合いを把握することに用いられ、制御部１０４は、この形状情報に基づいて装置のメンテナンス時期や装置の異常を知らせる情報を出力する。
【００９７】
また、情報保持部ＩＣは、例えば上記の端子３ｃに電気的に接続されている。端子３ｃは、基板カートリッジ１が基板処理部１０２に接続される際、当該基板処理部１０２の供給側接続部１０２Ａに設けられた装置側端子１０２Ｃ（図２参照）に接続されるようになっている。この場合、情報保持部ＩＣは、端子３ｃを介して基板処理部１０２に電気的に接続され、端子３ｃを介して基板処理部１０２との間で情報の伝達が可能である。また、情報保持部ＩＣは、通信部ＣＲを介して、基板処理装置１００の制御部１０４に設けられた通信部１０４ＣＲ（図２参照）との間で情報の通信を行うことができる。この場合、基板カートリッジ１と基板処理部１０２との間の情報の伝達は制御部１０４によって制御されることになる。
【００９８】
なお、情報保持部ＩＣの記憶部ＭＲには、上記の各情報とは別に、例えば基板処理装置１００のタクト、スループットといった情報や、基板カートリッジ１の搬送速度、ローラ部２６の巻き取り・送り出し速度といった情報、シート基板ＦＢに関する情報など、各種参照情報を保持させておいても構わない。「タクト」については、単位処理領域（例えば上記の液滴塗布装置１２０、１４０などが１度に処理できる領域、又は有機ＥＬ素子５０のパネル１枚辺りの画面領域、パネル全面領域）あたりの処理時間を指す。「スループット」については、単位時間あたりに処理可能なシート基板ＦＢの分量（例えば長さ、パネル枚数、基板カートリッジ１の個数など）を指す。これらの参照情報は、識別情報や処理情報などと同様、通信部ＣＲを介して制御部１０４に伝達されるようになっている。
【００９９】
なお、本実施形態では、例えばシート基板ＦＢにパターンＰＴＮを形成する形成装置１０９Ａ、当該パターンＰＴＮを検出する検出装置１０９Ｂ、シート基板ＦＢの一部を切断して除去する切断除去装置１０９Ｃ、シート基板ＦＢ上の欠陥情報を含む異常を検知する異常検知装置１０９Ｄなどが基板処理部１０２に設けられている（図３参照）。
【０１００】
図３に示す実施形態においては、異常検知装置１０９Ｄによってシート基板ＦＢ上の欠陥部分などが検知された場合、その欠陥部分の位置情報を検出装置１０９Ｂによって検出できるようになっている。例えば、検出された欠陥部分の位置情報は、シート基板ＦＢの欠陥情報として制御部１０４によって基板回収部１０３（基板カートリッジ１）の情報保持部ＩＣに伝達される。
また、図３に示す実施形態においては、基板供給部１０２の情報保持部ＩＣに欠陥情報が記憶されている場合、該欠陥情報に含まれる欠陥部分は、該欠陥部分の位置情報に基づき、切断除去装置１０９Ｃによって切断されて除去される。この場合、例えば図７（ｂ）に示すように、シート基板ＦＢの一部に切り欠き部ＣＨが形成されることになる。
【０１０１】
（基板カートリッジへのシート基板の収容動作）
次に、上記のように構成された基板カートリッジ１にシート基板ＦＢを収容する収容動作を説明する。図８及び図９は、収容動作時の基板カートリッジ１の状態を示す図である。図８及び図９においては、図を判別しやすくするため、基板カートリッジ１の外形を破線で示している。
【０１０２】
図８及び図９に示すように、基板カートリッジ１にシート基板ＦＢを収容する際には、基板カートリッジ１をホルダＨＤ上に保持させる。この状態で、シート基板ＦＢを開口部３４から挿入する。シート基板ＦＢを挿入する際には、テンションローラ２１ａ及び回転軸部材２６ａ（ローラ部２６）を回転させた状態としておく。
【０１０３】
開口部３４を介して挿入されたシート基板ＦＢは、基板案内部２２によって搬送部２１へと案内される。搬送部２１では、シート基板ＦＢがテンションローラ２１ａと測定ローラ２１ｂとの間に挟まれて収容部２０側へ搬送される。測定ローラ２１ｂの回転と共に、例えば検出部２１ｃにおいて、シート基板ＦＢの搬送長さを検出する。
【０１０４】
搬送部２１を収容部２０側に通過したシート基板ＦＢは、自重によって−Ｚ方向に撓みながら案内される。本実施形態では、シート基板ＦＢの−Ｚ側にガイド部２７が設けられているため、シート基板ＦＢはガイド部２７の回動部材２７ａ及び先端部材２７ｂに沿ってローラ部２６へと案内されることになる。
【０１０５】
シート基板ＦＢの先端がローラ部２６の接着部２６ｃに到達すると、当該シート基板ＦＢの先端と接着部２６ｃとが接着される。この状態でローラ部２６が回転すると、シート基板ＦＢが徐々に接着部２６ｃに接着され、シート基板ＦＢがローラ部２６に巻き取られていく。シート基板ＦＢが接着部２６ｃに接着された後は、ローラ部２６と搬送部２１との間でシート基板ＦＢが撓まないように、例えばテンションローラ２１ａの回転速度と回転軸部材２６ａの回転速度とを調整しながらシート基板ＦＢを搬送する。
【０１０６】
シート基板ＦＢがローラ部２６に対して例えば１回転分巻き取られた後、図９に示すように、ガイド部２７を退避させる。この状態でローラ部２６を回転させることにより、シート基板ＦＢが徐々にローラ部２６に巻き取られていく。巻き取られたシート基板ＦＢの厚さは次第に厚くなっていくが、ガイド部２７が既に退避されているため、シート基板ＦＢとガイド部２７とが接触することは無い。
【０１０７】
所望の長さのシート基板ＦＢを巻き取った後、例えばシート基板ＦＢのうち開口部３４の外側の部分を切断する。このようにして、基板カートリッジ１にシート基板ＦＢを収容する。シート基板ＦＢの収容動作中、検出部２１ｃにおいて測定したシート基板ＦＢの測定長さを基に、例えば基板カートリッジ１内に収容されているシート基板ＦＢの全長を算出させても構わない。また、算出結果を表示部２９に表示させるようにしても構わない。また、算出結果を表示部２９に表示させるようにしても構わないし、記憶部ＭＲに記憶させたり、通信部ＣＲを用いて通信させたりしても構わない。
【０１０８】
また、例えば作業者が窓部２８から収容部２０の内部を観察しながらシート基板ＦＢの巻き取りを行っても構わない。この場合、例えばシート基板ＦＢが折れ曲がった状態で巻き取られているか否か、シート基板ＦＢの巻き取られた形状（ロール形状）が歪んだ状態となっているか否かを確認しながら巻き取り作業を行わせることができ、異常が発生した場合には即座に巻き取りを停止させることができる。
【０１０９】
（基板処理装置の動作）
次に、上記のように構成された基板処理装置１００の動作を説明する。
本実施形態では、シート基板ＦＢを収容した基板カートリッジ１を基板供給部１０１として供給側接続部１０２Ａに接続する接続動作、基板供給部１０１による基板カートリッジ１によるシート基板ＦＢの供給動作、基板処理部１０２による素子形成動作、基板カートリッジ１の取り外し動作、を順に行う。
【０１１０】
まず、基板カートリッジ１の接続動作を説明する。図１０は、基板カートリッジ１の接続動作を示す図である。
図１０に示すように、供給側接続部１０２Ａについては、マウント部３に対応する形状に挿入口を形成しておく。
【０１１１】
接続動作では、基板カートリッジ１をホルダ（例えば図８及び図９に示すホルダＨＤと同様の構成）に保持させた状態で、マウント部３と供給側接続部１０２Ａとの位置合わせを行う。位置合わせの後、マウント部３を＋Ｘ側へ移動させて基板処理部１０２に挿入する。
【０１１２】
このとき、マウント部３の端子３Ｃと供給側接続部１０２Ａの装置側端子１０２Ｃとは互いに接触させるようにする。端子３Ｃと装置側端子１０２Ｃとが接触することで、基板カートリッジ１の情報保持部ＩＣと制御部１０４の１０４との間で情報の通信が行われる。この通信動作により、情報保持部ＩＣに保持された処理情報や参照情報が制御部１０４に伝達される。なお、カートリッジ１の接続動作に先立って、情報保持部ＩＣは、情報保持部ＩＣの通信部ＣＲと制御部１０４の通信部１０４ＣＲとの間で行う無線通信によって、上記情報を制御部１０４に伝達するようにしても構わない。
【０１１３】
次に、供給動作を説明する。基板処理部１０２にシート基板ＦＢを供給する際には、例えば基板カートリッジ１の回転軸部材２６ａ（ローラ部２６）及びテンションローラ２１ａを収容動作のときとは逆向きに回転させ、図１１に示すように、開口部３４を介してシート基板ＦＢを送り出すようにする。
【０１１４】
次に、素子形成動作を説明する。素子形成動作では、図２に示すように、基板供給部１０１から基板処理部１０２に対してシート基板ＦＢを供給しつつ、基板処理部１０２において当該シート基板ＦＢ上に素子を形成していく。基板処理部１０２では、図３に示すように、ローラＲＲによってシート基板ＦＢを搬送する。
【０１１５】
制御部１０４は、基板カートリッジ１から供給される参照情報に基づいて基板処理部１０２の動作を制御するようにしても構わない。例えば、制御部１０４は、基板カートリッジ１からのシート基板ＦＢの供給速度に合わせて、基板処理部１０２内の各ローラＲＲの回転速度を調整してもよい。また、制御部１０４は、ローラＲＲがＹ軸方向にずれているか否かを検出し、ずれている場合にはローラＲＲを移動させて位置を補正する。また、制御部１０４は、シート基板ＦＢの位置補正を併せて行わせる。
【０１１６】
基板供給部１０１から基板処理部１０２に供給されたシート基板ＦＢは、まず隔壁形成部９１に搬送される。隔壁形成部９１では、シート基板ＦＢがインプリントローラ１１０と熱転写ローラ１１５で挟まれて押圧され、熱転写によってシート基板に隔壁ＢＡ及びアライメントマークＡＭが形成される。
【０１１７】
図１２は、シート基板ＦＢに隔壁ＢＡ及びアライメントマークＡＭが形成された状態を示す図である。図１３は、図１２の一部を拡大して示した図である。図１４は、図１３におけるＤ−Ｄ断面に沿った構成を示す図である。図１２及び図１３は、シート基板ＦＢを＋Ｚ側から見たときの様子を示している。
【０１１８】
図１２に示すように、隔壁ＢＡは、シート基板ＦＢのＹ方向中央部の素子形成領域６０に形成される。図１３に示すように、隔壁ＢＡを形成することにより、素子形成領域６０には、ゲートバスラインＧＢＬ及びゲート電極Ｇを形成する領域（ゲート形成領域５２）とソースバスラインＳＢＬ、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ及び陽極Ｐを形成する領域（ソースドレイン形成領域５３）とが区画されることになる。図１４に示すように、ゲート形成領域５２は、断面視で台形状に形成されている。図示を省略するが、ソースドレイン形成領域５３についても同様の形状となっている。隔壁ＢＡ内の幅Ｗ（μｍ）は、ゲートバスラインＧＢＬの線幅となる。この幅Ｗとしては、液滴塗布装置１２０Ｇから塗布される液滴直径ｄ（μｍ）に対して２倍〜４倍程度とすることが好ましい。
【０１１９】
なお、ゲート形成領域５２及びソースドレイン形成領域５３の断面形状は、微細インプリント用モールド１１がシート基板ＦＢを押圧した後にシート基板ＦＢが剥離しやすいように、断面視でＶ字形状又はＵ字形状とすること好ましい。この他の形状として、例えば断面視で矩形形状としても構わない。
【０１２０】
一方、図１２に示すように、アライメントマークＡＭは、シート基板ＦＢのＹ方向両端部の縁領域６１に一対形成される。隔壁ＢＡ及びアライメントマークＡＭは、相互の位置関係が重要であるため同時に形成される。図１３に示すように、Ｙ軸方向には、アライメントマークＡＭとゲート形成領域５２との間の所定距離ＰＹが規定されており、Ｘ軸方向には、アライメントマークＡＭとソースドレイン形成領域５３との間の所定距離ＰＸが規定されている。このため、一対のアライメントマークＡＭの位置に基づいて、シート基板ＦＢのＸ軸方向のずれ、Ｙ軸方向のずれ及びθ回転が検出可能となる。
【０１２１】
図１２及び図１３では、アライメントマークＡＭが、Ｘ軸方向の複数行の隔壁ＢＡごとに一対設けられているが、これに限られることは無く、例えば隔壁ＢＡ１行ごとにアライメントマークＡＭを設けるようにしても良い。また、スペースがあれば、シート基板ＦＢの縁領域６１だけでなく素子形成領域６０にアライメントマークＡＭを設けても良い。また、図１２及び図１３では、アライメントマークＡＭは十字形状を示したが、円形マーク、斜めの直線マークなど他のマーク形状であってもよい。
【０１２２】
続いてシート基板ＦＢは、搬送ローラＲＲによって電極形成部９２に搬送される。電極形成部９２では、各液滴塗布装置１２０による液滴の塗布が行われ、シート基板ＦＢ上に電極が形成される。
【０１２３】
シート基板ＦＢ上には、まず液滴塗布装置１２０ＧによってゲートバスラインＧＢＬ及びゲート電極Ｇが形成される。図１５（ａ）及び図１５（ｂ）は、液滴塗布装置１２０Ｇによって液滴塗布が行われるシート基板ＦＢの様子を示す図である。
【０１２４】
図１５（ａ）に示すように、液滴塗布装置１２０Ｇは、隔壁ＢＡが形成されたシート基板ＦＢのゲート形成領域５２に例えば１〜９の順序でメタルインクを塗布する。この順序は、例えばメタルインク同士の張力で直線状に塗布される順序である。図１５（ｂ）は、例えば１滴のメタルインクが塗布された状態を示す図である。図１５（ｂ）に示すように、隔壁ＢＡが設けられているため、ゲート形成領域５２に塗布されたメタルインクは拡散せずに保持されることになる。このようにして、ゲート形成領域５２の全体にメタルインクを塗布する。
【０１２５】
ゲート形成領域５２にメタルインクが塗布された後、シート基板ＦＢは当該メタルインクの塗布された部分が熱処理装置ＢＫの−Ｚ側に位置するように搬送される。熱処理装置ＢＫは、シート基板ＦＢ上に塗布されたメタルインクに熱処理を行い、当該メタルインク乾燥させる。図１６（ａ）は、メタルインクを乾燥させた後のゲート形成領域５２の状態を示す図である。図１６（ａ）に示すように、メタルインクを乾燥させることにより、メタルインクに含まれる導電体が薄膜状に積層されることになる。このような薄膜状の導電体がゲート形成領域５２の全体に形成され、図１６（ｂ）に示すように、シート基板ＦＢ上にゲートバスラインＧＢＬ及びゲート電極Ｇが形成されることになる。
【０１２６】
次に、シート基板ＦＢは、液滴塗布装置１２０Ｉの−Ｚ側に搬送される。液滴塗布装置１２０Ｉではシート基板ＦＢに電気絶縁性インクが塗布される。液滴塗布装置１２０Ｉでは、例えば図１７に示すように、ソースドレイン形成領域５３を通過するゲートバスラインＧＢＬ上及びゲート電極Ｇ上に電気絶縁性インクが塗布される。
【０１２７】
電気絶縁性インクが塗布された後、シート基板ＦＢは熱処理装置ＢＫの−Ｚ側に搬送され、熱処理装置ＢＫによって当該電気絶縁性インクに熱処理が施される。この熱処理によって電気絶縁性インクが乾燥し、ゲート絶縁層Ｉが形成される。図１７では、ゲート絶縁層Ｉが隔壁ＢＡ上に跨るように円形状に形成された状態を示しているが、特に隔壁ＢＡを越えて形成する必要は無い。
【０１２８】
ゲート絶縁層Ｉが形成された後、シート基板ＦＢは液滴塗布装置１２０ＳＤの−Ｚ側に搬送される。液滴塗布装置１２０ＳＤでは、シート基板ＦＢのソースドレイン形成領域５３にメタルインクが塗布される。ソースドレイン形成領域５３のうちゲート絶縁層Ｉを跨ぐ部分については、例えば図１８に示す１〜９の順序でメタルインクが吐出される。
【０１２９】
メタルインクの吐出後、シート基板ＦＢは熱処理装置ＢＫの−Ｚ側に搬送され、メタルインクの乾燥処理が行われる。当該乾燥処理後、メタルインクに含まれる導電体が薄膜状に積層され、ソースバスラインＳＢＬ、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ及び陽極Ｐが形成される。ただし、この段階では、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間が接続された状態になっている。
【０１３０】
次に、シート基板ＦＢは、切断装置１３０の−Ｚ側に搬送される。シート基板ＦＢは、切断装置１３０において、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間が切断される。図１９は、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間隔を切断装置１３０で切断した状態を示す図である。切断装置１３０では、ガルバノミラー１３１を用いてレーザ光ＬＬのシート基板ＦＢへの照射位置を調整しながら切断を行う。
【０１３１】
ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間が切断された後、シート基板ＦＢは、液滴塗布装置ＯＳの−Ｚ側に搬送される。液滴塗布装置ＯＳでは、シート基板ＦＢ上に有機半導体層ＯＳが形成される。シート基板ＦＢ上のうちゲート電極Ｇに重なる領域には、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄに跨るように有機半導体インクが吐出される。
【０１３２】
有機半導体インクの吐出後、シート基板ＦＢは熱処理装置ＢＫの−Ｚ側に搬送され、有機半導体インクの乾燥処理が行われる。当該乾燥処理後、有機半導体インクに含まれる半導体が薄膜状に積層され、図２０に示すように、有機半導体ＯＳが形成される。以上の工程により、シート基板ＦＢ上に電界効果型トランジスタ及び接続配線が形成されることになる。
【０１３３】
続いてシート基板ＦＢは、搬送ローラＲＲによって発光層形成部９３に搬送される（図３参照）。発光層形成部９３では、液滴塗布装置１４０Ｒｅ、液滴塗布装置１４０Ｇｒ、液滴塗布装置１４０Ｂｌ及び熱処理装置ＢＫによって赤色、緑色、青色の発光層ＩＲがそれぞれ形成される。シート基板ＦＢ上には隔壁ＢＡが形成されているため、赤色、緑色及び青色の発光層ＩＲを熱処理装置ＢＫで熱処理することなく続けて塗布する場合であっても、隣接する画素領域へ溶液が溢れることにより、混色が生じることがない。
【０１３４】
発光層ＩＲの形成後、シート基板ＦＢは液滴塗布装置１４０Ｉ及び熱処理装置ＢＫを経て絶縁層Ｉが形成され、液滴塗布装置１４０ＩＴ及び熱処理装置ＢＫを経て透明電極ＩＴが形成される。このような工程を経て、シート基板ＦＢ上には図１で示した有機ＥＬ素子５０が形成される。
【０１３５】
素子形成動作では、上記のようにシート基板ＦＢを搬送させながら有機ＥＬ素子５０を形成する過程で、シート基板ＦＢがＸ方向、Ｙ方向及びθＺ方向にずれてしまうのを防ぐため、アライメント動作を行っている。以下、図２１を参照して、アライメント動作を説明する。
【０１３６】
アライメント動作においては、各部に設けられた複数のアライメントカメラＣＡ（ＣＡ１〜ＣＡ８）が適宜シート基板ＦＢに形成されたアライメントマークＡＭを検出し、制御部１０４に検出結果を送信する。制御部１０４では、送信された検出結果に基づいて、アライメント動作を行わせる。
【０１３７】
例えば、制御部１０４は、アライメントカメラＣＡ（ＣＡ１〜ＣＡ８）が検出するアライメントマークＡＭの撮像間隔などに基づいてシート基板ＦＢの送り速度を検出し、ローラＲＲが例えば所定速度で回転しているか否かを判断する。ローラＲＲが所定速度で回転していないと判断した場合、制御部１０４は、ローラＲＲの回転速度の調整の指令を出しフィードバックをかける。
【０１３８】
また、例えば制御部１０４は、アライメントマークＡＭの撮像結果に基づき、アライメントマークＡＭのＹ軸方向の位置がずれているか否かを検出し、シート基板ＦＢのＹ軸方向の位置ずれの有無を検出する。位置ずれが検出された場合、制御部１０４は、シート基板ＦＢを搬送させた状態で位置ずれがどの程度の時間継続しているかを検出する。
【０１３９】
位置ずれの時間が短時間であれば、液滴塗布装置１２０の複数のノズル１２２のうち液滴を塗布するノズル１２２を切り替えることによって対応する。シート基板ＦＢのＹ軸方向のずれが長時間続くようであれば、ローラＲＲの移動によってシート基板ＦＢのＹ軸方向の位置補正を行う。
【０１４０】
また、例えば制御部１０４は、アライメントカメラＣＡが検出するアライメントマークＡＭのＸ軸及びＹ軸方向の位置に基づき、シート基板ＦＢがθＺ方向にずれているか否かを検出する。位置ずれが検出された場合、制御部１０４は、Ｙ軸方向の位置ずれの検出時と同様、シート基板ＦＢを搬送させた状態で位置ずれがどの程度の時間継続しているかを検出する。
位置ずれの時間が短時間であれば、液滴塗布装置１２０の複数のノズル１２２のうち液滴を塗布するノズル１２２を切り替えることによって対応する。ずれが長時間続くようであれば、当該ズレを検出したアライメントカメラＣＡを挟む位置に設けられる２つのローラＲＲをＸ方向又はＹ方向に移動させ、シート基板ＦＢのθＺ方向の位置補正を行う。
【０１４１】
次に、取り外し動作を説明する。例えばシート基板ＦＢに有機ＥＬ素子５０を形成し、シート基板ＦＢを回収した後、基板供給部１０１として用いられる基板カートリッジ１を基板処理部１０２から取り外す。
【０１４２】
上記の各動作を行うに先立って、制御部１０４は、基板カートリッジ１から伝達された情報を用いて処理を行わせることができる。例えば、制御部１０４は、基板カートリッジ１（基板供給部１０１）の情報保持部ＩＣから読み取った処理情報に応じてシート基板ＦＢの処理状態を判断し、当該処理状態に応じて以下の各動作（供給動作、素子形成動作等）を行わせるようにしても構わない。例えば、制御部１０４は、シート基板ＦＢの欠陥部分に対する修復の要否、又はシート基板ＦＢの欠陥部分を含む領域への素子形成の可否、又は切断除去装置１０９Ｃによるシート基板ＦＢの欠陥部分の切除の要否、などを、基板供給部１０１の情報保持部ＩＣから読み取った欠陥情報に基づいて判断する。シート基板ＦＢの欠陥部分が修復不可能と判断された場合、制御部１０４は該欠陥部分に対する処理を行わないように制御することができる。これにより、基板処理装置１００は、各処理に用いられるコスト（例、材料の使用量や材料の塗布時間など）を低減することができる。また、シート基板ＦＢ上の欠陥部分が修復可能である場合には、制御部１０４は、上記隔壁形成動作、電極形成動作、発光層形成動作の中で当該欠陥部分を修復する処理を行うように制御しても構わない。なお、制御部１０４は、基板処理部１０２において処理された該欠陥部分の修復に関する修復履歴を処理情報として基板回収部１０３の情報保持部ＩＣへ記憶させる処理を行うように制御して構わない。ここで、上記修復履歴は、欠陥の種類、欠陥部分の修復の成否、どういう修復を行ったかの修復内容（例、修復方法や手順）、や修復日時、などを含む。制御部１０４は、欠陥部分の修復時において、上記の修復履歴に基づいて、該欠陥部分の修復を行うように制御する。例えば、制御部１０４は、上記の修復履歴に含まれる欠陥の種類、修復の成否、修復内容の組み合わせに基づき、修復する欠陥部分に対する最適な修復内容を設定する。
【０１４３】
また、制御部１０４は、シート基板ＦＢの一部に異常が検知された部分（例、欠陥部分）、あるいは、基板カートリッジ１からの情報により異常があると判断された部分に対し、例えば液滴塗布装置１２０や液滴塗布装置１４０などを用いて、他の部分との間で識別可能なパターンを直接形成させるように制御することもできる。この場合、異常検知装置１０９Ｄは、当該パターンを検出すれば済むため、検出精度が向上することになる。
【０１４４】
また、上記の各動作を行う際において、図３に示す基板処理部１０２の上流側に設けられた異常検知装置１０９Ｄによってシート基板ＦＢの一部に欠陥部分が検知された場合、制御部１０４は、基板回収部１０３の情報保持部ＩＣに該欠陥部分に関する欠陥情報を伝達する。従って、制御部１０４は、上記の各動作の過程で得られた欠陥情報などの処理情報を基板回収部１０３の情報保持部ＩＣに記憶させることができる。このように、制御部１０４は、基板処理部１０２における各処理で得られる処理情報を基板回収部１０３に蓄積させることが可能である。なお、基板回収部１０３に蓄積された処理情報は、次の生産ラインなどにおいて上述のような情報として使用される。
【０１４５】
また、上記の各動作を行うに先立って、基板供給部１０１の情報保持部ＩＣから読み出した処理情報に基づきシート基板ＦＢに隔壁ＢＡが既に形成されていることが制御部１０４によって判別された場合、制御部１０４は当該隔壁形成動作を省いて次の電極形成動作を行わせることなどが可能となる。そして、制御部１０４は、上述のような隔壁形成動作を省いて次の電極形成動作を行わせた処理手順を処理情報として基板回収部１０３の情報保持部ＩＣに更新する。
【０１４６】
なお、上記の各動作を行った後に、制御部１０４は、基板供給部１０１の処理情報を基板回収部１０３へ伝達しても構わない。このような場合、制御部１０４は、基板処理部１０２においてシート基板ＦＢに対して行った各処理に基づく処理情報と基板供給部１０１の処理情報とを基板回収部１０３へ伝達するため、基板回収部１０３は、シート基板ＦＢに対してどのような処理を行ったか等の処理経過情報を処理情報として保持することができる。
【０１４７】
また、基板切断部１０８においてシート基板ＦＢの切断を行う場合、欠陥や切り欠きの形成されている部分を避けるように切断することで、基板切断部１０８は当該欠陥や切り欠きが設けられている部分を効率的に除去することができる。当該除去された部分のうち、素子として使用可能な部分は、別途再利用することもできる。
【０１４８】
次に、取り外し動作を説明する。例えばシート基板ＦＢに有機ＥＬ素子５０を形成し、シート基板ＦＢを回収した後、基板供給部１０１として用いられる基板カートリッジ１を基板処理部１０２から取り外す。
【０１４９】
図２２は、基板カートリッジ１の取り外し動作を示す図である。
図２２に示すように、取り外し動作では、マウント部３を−Ｘ方向に移動させて供給側接続部１０２Ａから外すことで、マウント部３を外すようにする。この動作において、マウント部３は、供給側接続部１０２Ａのガイドに沿って外れることになる。
【０１５０】
以上のように、本実施形態によれば、基板カートリッジ１が、シート基板ＦＢを収容するカートリッジ本体２と、カートリッジ本体２を識別する識別情報及びカートリッジ本体２に収容されるシート基板ＦＢの処理情報のうち少なくとも一方の情報を保持する情報保持部ＩＣとを備えることとしたので、基板処理部１０２は当該識別情報又は処理情報に基づいて当該シート基板ＦＢに対して適切な処理を行うことができる。
【０１５１】
また、本実施形態によれば、基板処理装置１００が、シート基板ＦＢを処理する基板処理部１０２と、基板処理部１０２にシート基板ＦＢの搬入を行う基板供給部１０１と、基板処理部１０２から基板の搬出を行う基板回収部１０３とを備え、基板供給部１０１として、基板カートリッジ１が用いられることとしたので、基板処理部１０２は基板カートリッジ１からの情報を用いてシート基板ＦＢに対して最適な処理を行うことができる。これにより、基板処理部１０２におけるシート基板ＦＢに対する処理は効率的に行うことができる。
【０１５２】
また、本実施形態によれば、表示素子の製造過程において、基板処理部１０２においてシート基板ＦＢを処理する工程と、基板カートリッジ１を用いて、基板処理部１０２にシート基板ＦＢを供給する又は基板処理部１０２からシート基板ＦＢを回収する工程と、を有することとしたので、高い水準の情報管理の下で効率的に表示素子を製造することができる。
【０１５３】
また、本実施形態によれば、制御部１０４は基板カートリッジ１の情報保持部ＩＣに保持させる処理情報などの情報を更新することが可能なので、基板供給部１０１として使用した基板カートリッジ１のリサイクルが可能である。
【０１５４】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態を説明する。
図２３は、本実施形態に係る基板処理装置２００の構成を示す図である。
図２３に示されるように、基板処理装置２００は、基板供給部２０１、基板処理部２０２、基板回収部２０３及び制御部２０４を有している。本実施形態では、基板供給部２０１及び基板回収部２０３のそれぞれに上記基板カートリッジ１が用いられている点で第１実施形態とは異なっている。
【０１５５】
基板処理部２０２は、例えば第１実施形態の基板処理部１０２において基板切断部１０８が設けられていない構成になっている。このため、当該基板処理部２０２で処理されたシート基板ＦＢは、切断されずにシート状のまま基板回収部２０３によって回収されるようになっている。
【０１５６】
また、例えば、シート基板ＦＢの識別情報、処理情報が保持されている構成や、情報保持部ＩＣと制御部２０４との間が通信可能となっている構成などは、第１実施形態で説明した構成と同様になっている。
【０１５７】
図２４〜図２６は、基板回収部１０３でのシート基板ＦＢの回収の様子を示す図である。図２４〜図２６では、図を判別しやすくするため、一部の構成を省略した状態で示している。
回収動作では、図２４に示すように、基板カートリッジ１の開口部３４にシート基板ＦＢを挿入すると同時に、第２開口部３５から保護基板ＰＢを挿入する。保護基板ＰＢは、例えば不図示の保護基板供給部から供給される。
【０１５８】
挿入されたシート基板ＦＢ及び保護基板ＰＢは、図２５に示すように、それぞれ基板案内部２２及び第２基板案内部３７で案内され、合流部３９において合流する。合流部３９で合流したシート基板ＦＢ及び保護基板ＰＢは、図２６に示すように、合流した状態で搬送部２１によって搬送され、テンションローラ２１ａと測定ローラ２１ｂとに押圧されて密着する。シート基板ＦＢ及び保護基板ＰＢは、密着した状態でローラ部２６によって巻き取られて回収される。
【０１５９】
制御部２０４は、基板回収部２０３によってシート基板ＦＢが回収される際、基板回収部２０３として用いられる基板カートリッジ１の情報保持部ＩＣに対して、処理後のシート基板ＦＢの処理情報を送信する。情報保持部ＩＣは、当該送信された情報を受信して記憶部ＭＲに記憶させる。
【０１６０】
このように、本実施形態によれば、基板処理装置２００が、シート基板ＦＢを処理する基板処理部２０２と、基板処理部２０２にシート基板ＦＢの搬入を行う基板供給部２０１と、基板処理部２０２から基板の搬出を行う基板回収部２０３とを備え、基板供給部２０１及び基板回収部２０３として、基板カートリッジ１が用いられることとしたので、基板カートリッジ１からの処理情報は、回収先の基板カートリッジ１へ伝達される。これにより、当該回収先の基板カートリッジ１を管理する場合や、回収先の基板カートリッジ１に収容されるシート基板ＦＢに対して処理を行う場合においても、基板処理装置２００が上記の情報を用いることができる。これにより、基板処理装置２００の情報管理能力を向上させることができ、処理効率が格段に向上することになる。
【０１６１】
なお、本実施形態では、基板処理部２０２が第１実施形態に記載の基板処理部１０２と同様の構成となっている例を挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば基板処理部２０２において、第１実施形態に記載の基板処理部１０２を構成する隔壁形成部９１、電極形成部９２及び発光層形成部９３のうち一部のみが設けられた構成であっても構わない。
【０１６２】
例えば、基板処理部２０２として、隔壁形成部９１のみが設けられており、電極形成部９２及び発光層形成部９３が設けられていない構成を例に挙げて説明する。この場合、基板処理部２０２においては、隔壁ＢＡの形成のみが行われた状態でシート基板ＦＢが基板回収部２０３に回収される。基板回収部２０３によって回収されたシート基板ＦＢは、他の基板処理部において電極形成処理及び発光層形成処理が行われる。
【０１６３】
基板カートリッジ１は、基板処理部２０２に対して着脱可能に設けられているため、このような場合には、基板処理部２０２から基板カートリッジ１を取り外し、他の基板処理部に基板カートリッジ１を搬送して接続させることができる。この基板カートリッジ１の情報保持部ＩＣには、基板カートリッジ１の識別情報、シート基板ＦＢの処理情報が保持されているため、接続先の基板処理部においても当該情報を用いて処理を行うことができる。このように、１つの製造ラインにおいて複数の基板処理部を跨ぐと共に、当該基板処理部同士において情報の通信が行われていない場合であっても、基板カートリッジ１を介してシート基板ＦＢの情報を通信することができる。この場合においても、情報管理能力を向上させることができ、処理効率が格段に向上することになる。
【０１６４】
［第３実施形態］
次に、本発明の第３実施形態を説明する。
本実施形態では、複数の基板処理部において情報の通信が行われる場合を例に挙げて説明する。
【０１６５】
図２７は、本実施形態に係る基板処理システムＳＹＳの構成を示す図である。
図２７に示されるように、基板処理システムＳＹＳは、第１基板処理装置３００、第２基板処理装置３１０及び主制御装置ＣＯＮＴを有している。この第１基板処理装置３００及び第２基板処理装置３１０は、例えば同一の敷地内や、同一の工場内に設置されている。
【０１６６】
第１基板処理装置３００は、例えば、シート基板ＦＢに有機ＥＬ素子５０の隔壁ＢＡを形成する装置である。第２基板処理装置３１０は、例えば、シート基板ＦＢに電極（ゲート電極Ｇなど）や有機ＥＬ素子５０の発光層ＩＲ、透明電極ＩＴＯを形成する装置である。このように基板処理システムＳＹＳは、有機ＥＬ素子５０を形成する装置が第１基板処理装置３００と第２基板処理装置３１０との２つの種類の装置に分かれた構成となっている。
【０１６７】
第１基板処理装置３００は、基板供給部３０１、基板処理部３０２及び基板回収部３０３を有している。本実施形態では、基板供給部３０１及び基板回収部３０３として、上記の基板カートリッジ１が用いられている。
【０１６８】
基板処理部３０２は、第１実施形態の基板処理装置１００における隔壁形成部９１と同一の構成をそれぞれ有しており、基板供給部３０１との接続部分には供給側接続部３０２Ａが設けられている。供給側接続部３０２Ａの構成は、第１実施形態における供給側接続部１０２Ａと同一の構成となっている。このように第１基板処理装置３００は、第１実施形態における基板処理装置１００の基板供給部１０１から基板処理部１０２の隔壁形成部９１までの構成と同一の構成を有している。
【０１６９】
基板処理部３０２のうち基板回収部３０３との接続部分には、基板カートリッジ１のマウント部３に接続される回収側接続部３０２Ｂが設けられている。回収側接続部３０２Ｂは、供給側接続部３０２Ａと同一の構成となっている。
【０１７０】
第２基板処理装置３１０は、基板供給部３１１、基板処理部３１２及び基板回収部３１３を有しており、各部において第１基板処理装置３００と同一の構成となっている。基板処理部３１２は、第１実施形態の基板処理装置１００における電極形成部９２及び発光層形成部９３と同一の構成を有している。
【０１７１】
第２基板処理装置３１０において、基板供給部３１１及び基板回収部３１３として、上記の基板カートリッジ１が用いられる。また、第１基板処理装置３００から取り外されて第２基板処理装置３１０に搬送された基板回収部３０３（基板カートリッジ１）は、第２基板処理装置３１０の基板供給部３１１として用いられるようになっている。したがって、基板カートリッジ１は、第１基板処理装置３００から第２基板処理装置３１０へとシート基板ＦＢを中継する中継装置としても機能している。
【０１７２】
主制御装置ＣＯＮＴは、第１基板処理装置３００及び第２基板処理装置３１０のそれぞれに対して有線又は無線の通信機構を介して接続されており、これら第１基板処理装置３００及び第２基板処理装置３１０を統括的に制御するようになっている。このため、主制御装置ＣＯＮＴでは、第１基板処理装置３００及び第２基板処理装置３１０に用いられる基板カートリッジ１の情報保持部ＩＣに保持される情報を、統括的に管理できるようになっている。
【０１７３】
このように、本実施形態では、主制御装置ＣＯＮＴが基板カートリッジ１の情報保持部ＩＣに保持される情報を統括的に管理することとしたので、基板処理システムＳＹＳの情報管理能力を向上させることができ、基板処理システムＳＹＳの処理効率が格段に向上することになる。
【０１７４】
例えば、本実施形態のように、有機ＥＬ素子５０の製造ラインを制御部１０４や主制御装置ＣＯＮＴなどで一括して管理する場合、基板カートリッジ１の情報保持部ＩＣは識別情報のみを保持する構成としても構わない。有機ＥＬ素子５０の製造ラインを主制御装置ＣＯＮＴで一括して管理する場合、例えば主制御装置ＣＯＮＴの主記憶部ＭＭＲ（図２７参照）は識別情報に対応した処理情報を有し、主制御装置ＣＯＮＴは、基板カートリッジ１の識別情報に基づいて処理情報を認識し、当該処理情報に基づく処理を行わせることができる。具体例として、図２８に示すように処理情報にシート基板ＦＢの欠陥情報を含む場合、主制御装置ＣＯＮＴは、情報保持部ＩＣから読み取った識別情報に対応する欠陥情報を主記憶部ＭＭＲから読み取り、当該欠陥情報に基づく処理（例、欠陥部分の修復）を行わせるために処理信号を第１基板処理装置３００又は第２基板処理装置３１０に送信する。処理信号は、例えば、第１基板処理装置３００などに各処理を行わせるための設定値等の指令信号である。なお、例えば有機ＥＬ素子５０の製造ラインを制御部１０４で一括して管理する場合、主制御装置ＣＯＮＴの代わりに制御部１０４を用いればよい。これにより、第１基板処理装置３００又は第２基板処理装置３１０の処理効率が向上することとなる。
【０１７５】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
例えば、第１実施形態の図３に示される形成装置１０９Ａ、検出装置１０９Ｂ、切断除去装置１０９Ｃ及び異常検知装置１０９Ｄは、一例に過ぎず、図３に示される配置とは異なる配置であっても構わないし、一部の装置を設けないようにする構成であっても構わない。
【０１７６】
例えば切断除去装置１０９Ｃを設けない場合、基板処理部１０２は、上記基板切断装置１０８を用いて当該シート基板ＦＢの一部を除去する構成としても構わない。また、形成装置１０９Ａ、検出装置１０９Ｂ及び切断除去装置１０９Ｃはそれぞれ複数配置されていても構わない。異常検知装置１０９Ｄは、隔壁形成部９１、電極形成部９２及び発光層形成部９３の各下流側に配置する構成に限られず、適宜省略あるいは個数を増やした構成としても構わない。
【０１７７】
また、上記のパターンＰＴＮなどは、例えば隔壁形成部９１のインプリントローラ１１０や熱転写ローラ１１５、電極形成部９２の液滴塗布装置１２０、発光層形成部９３の液滴塗布装置１４０などを用いてシート基板ＦＢに形成されてもよい。なお、パターンＰＴＮは、シート基板ＦＢに予め形成されていてもよい。
【０１７８】
また、上記説明におけるパターンＰＴＮとしてＸ方向の位置を示すエンコーダパターンを形成する構成は一例であって、エンコーダパターンは予めシート基板ＦＢに形成されていてもよい。また、例えばシート基板ＦＢのＹ方向の位置を検出する場合には、基板処理装置１０２は例えばシート基板ＦＢのＹ方向の端辺やパターンＰＴＮからの距離（Ｙ方向での距離）を計測する計測装置などを用いてＹ方向の位置を検出する構成としても構わない。また、シート基板ＦＢに設定されたＸＹ方向におけるグリッド状の位置座標を検出する検出装置を基板処理部１０２に別途設ける構成としても構わない。
【０１７９】
また、上記第１実施形態及び第２実施形態では、基板処理部の基板供給部のみに基板カートリッジ１を用いた構成、基板処理部の基板供給部及び基板回収部の両方に基板カートリッジ１を用いた構成を例に挙げて説明したが、例えば基板回収部のみに基板カートリッジ１を用いた構成としても構わない。
【符号の説明】
【０１８０】
５０…有機ＥＬ素子  ＦＢ…シート基板  ＩＣ…情報保持部  ＳＹＳ…基板処理システム  ＣＯＮＴ…主制御装置  １…基板カートリッジ  ２…カートリッジ本体  １００、２００…基板処理装置  ３００…第１基板処理装置  ３１０…第２基板処理装置  ３２０…処理装置  １０１、２０１、３０１、３１１…基板供給部  １０２、２０２、３０２、３１２…基板処理部  １０３、２０３、３０３、３１３…基板回収部  １０４、２０４…制御部
【図１】
2014208555.tif 000003
【図２】
2014208555.tif 000004
【図３】
2014208555.tif 000005
【図４】
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【図５】
2014208555.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
2014208555.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
2014208555.tif 000022
【図２１】
2014208555.tif 000023
【図２２】
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【図２３】
2014208555.tif 000025
【図２４】
2014208555.tif 000026
【図２５】
2014208555.tif 000027
【図２６】
2014208555.tif 000028
【図２７】
2014208555.tif 000029
【図２８】
2014208555.tif 000030
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月6日(2014.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する帯状のシート基板に薄膜トランジスタを含む表示素子を形成する表示素子の製造方法であって、
前記シート基板を巻き取る軸部材と、前記シート基板を前記軸部材に巻かれた状態で収容可能な収容部と、該収容部を、前記シート基板に前記表示素子を形成する為の処理装置の外部接続部に着脱可能に接続可能なマウント部と、該マウント部に設けられて前記シート基板を前記収容部から前記処理装置、又は前記処理装置から前記収容部に出し入れする開口部とを備えたカートリッジ本体と、前記カートリッジ本体に収容される前記シート基板の所定部分の位置情報を含む処理情報を記憶可能な情報保持部とで構成される複数の基板カートリッジを用意することと、
前記複数の基板カートリッジの１つに、未処理のシート基板を所定の長さ寸法に渡って収容し、前記情報保持部に前記処理情報を記憶させた供給用基板カートリッジを、前記マウント部を介して前記処理装置の供給側接続部に接続すると共に、前記シート基板が未収容の基板カートリッジを回収用基板カートリッジとして前記マウント部を介して前記処理装置の回収側接続部に接続することと、
前記供給用基板カートリッジの前記情報保持部に記憶された前記処理情報に基づいて前記処理装置に設定される処理条件のもとで、前記供給用基板カートリッジから供給される前記シート基板に前記表示素子を形成する為の処理を行ない、処理後のシート基板を前記回収用基板カートリッジに収容することと、
前記供給用基板カートリッジの前記情報保持部に記憶された前記処理情報、及び前記処理装置によって前記シート基板に対して行われた処理経過情報を、前記回収用基板カートリッジの前記情報保持部に記憶させることと、
を含む表示素子の製造方法。
【請求項２】
前記供給用基板カートリッジに収容される前記シート基板は、複数のシート基板を帯状の方向に接続して形成されており、前記処理情報として保持される前記所定部分の位置情報は、前記複数のシート基板の接続部分の位置を表す、
請求項１に記載の表示素子の製造方法。
【請求項３】
前記処理情報として保持される前記所定部分の位置情報は、前記シート基板上の欠陥部分を表す、
請求項１に記載の表示素子の製造方法。
【請求項４】
前記処理情報は、前記シート基板上の前記欠陥部分の欠陥履歴を含む、
請求項３に記載の表示素子の製造方法。
【請求項５】
前記位置情報は、前記シート基板の端部と前記所定部分との間の距離、又は、前記シート基板に形成されるマークと前記所定部分との間の距離を含む、
請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の表示素子の製造方法。
【請求項６】
前記処理情報は、さらに、前記シート基板に関する欠陥情報、前記シート基板に施された処理の進捗情報、前記シート基板上に形成される形成層に関する形態情報、及び前記シート基板の形状に関する形状情報の少なくとも１つを含む、
請求項１又は請求項２に記載の表示素子の製造方法。
【請求項７】
前記処理装置は、前記シート基板上に生じた異常部を検出する検出部を備え、該検出部によって検出される前記異常部の前記シート基板上の位置に関する情報を、前記所定部分の位置情報として前記回収用基板カートリッジの前記情報保持部に送る、
請求項１又は請求項２に記載の表示素子の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、表示素子の製造方法に関する。