(57)【要約】【課題】封止部材や基板に力が加わっても、封止部材と有機半導体素子とが接触することを抑制する。【解決手段】有機半導体素子２０は、基板１０の第１面１２に搭載されている。封止部材３０は、基板１０の第１面１２に一部（本図に示す例では端部）が接しており、有機半導体素子２０を含む空間を外部から遮蔽する。第１磁石５０は、封止部材３０に取り付けられている。第２磁石５２は、基板１０のうち第１面１２とは逆側の面である第２面１４に、第１磁石５０と反発しあう向きに取り付けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機半導体素子と、
第１面に前記有機半導体素子が搭載されている基板と、
前記基板の前記第１面に一部が接し、平面視で前記有機半導体素子と重なっている重なり領域を有し、かつ前記有機半導体素子を含む空間を外部から遮蔽する封止部材と、
前記重なり領域が前記第１面に近づくことを抑制する近接抑制部と、
を備える有機半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の有機半導体装置において、
前記近接抑制部は、
前記封止部材に取り付けられている第１磁石と、
前記基板の前記第１面とは逆側の面である第２面に、前記第１磁石と反発しあう向きに取り付けられている第２磁石と、
を有する有機半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載の有機半導体装置において、
前記有機半導体素子は、有機ＥＬ素子である有機半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載の有機半導体装置において、
前記封止部材及び前記基板の一方は、前記有機ＥＬ素子が発光した光を外部に出射する出射面を含んでおり、
前記第１磁石及び前記第２磁石のうち前記出射面に取り付けられている磁石は取り外し可能に取り付けられている有機半導体装置。
【請求項５】
請求項４に記載の有機半導体装置において、
前記出射面に剥離可能に取り付けられた剥離部材をさらに備え、
前記出射面に取り付けられている磁石は、前記剥離部材を介して前記出射面に取り付けられている有機半導体装置。
【請求項６】
請求項５に記載の有機半導体装置において、
前記出射面に取り付けられた光学フィルムを備え、
前記剥離部材は、前記光学フィルムに取り付けられている有機半導体装置。
【請求項７】
有機ＥＬ素子と、
第１面に前記有機ＥＬ素子が搭載されている基板と、
前記基板の前記第１面に一部が接し、前記有機ＥＬ素子を含む空間を外部から遮蔽する封止部材と、
前記封止部材に取り付けられている第１磁石と、
前記基板の前記第１面とは逆側の面である第２面に、前記第１磁石と反発しあう向きに取り付けられている第２磁石と、
を備える有機半導体装置を準備する工程と、
前記有機半導体装置を設置した後、前記第１磁石及び前記第２磁石のうち、前記有機ＥＬ素子が発光した光を外部に出射する出射面に取り付けられている磁石を取り外す工程と、
を備える有機半導体装置の取付方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機半導体装置及び有機半導体装置の取付方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年は、有機ＥＬ（Electroluminescence）装置などの有機半導体装置の開発が進んでいる。有機ＥＬ装置に関する技術としては、例えば特許文献１〜４に記載の技術がある。
【０００３】
特許文献１には、有機ＥＬ素子が形成された基板のうち光を取り出す側とは反対側の面に磁石層を設けることが記載されている。この磁石層は、有機ＥＬ装置を有する照明装置を他の物に取り付けるために用いられる。
【０００４】
特許文献２には、有機ＥＬシートを有する本体の裏面に、マグネットシートを装着することが記載されている。このマグネットシートも、本体を他の物に取り付けるために用いられる。
【０００５】
特許文献３には、有機ＥＬパネルを照明器具に取り付けた装置が記載されている。特許文献３には、有機ＥＬパネルを照明器具に取り付ける方法として、有機ＥＬパネルの電極と、照明器具の電極の双方を磁石にすることが記載されている。
【０００６】
なお、特許文献４には、強磁性体からなる基板に絶縁膜を接着させること、及び、この絶縁膜上に有機化合物を含む層を有する発光素子を設けておくことが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】国際公開第２００９／０２５２８６号パンフレット
【特許文献２】特開２００６−０１２７５８号公報
【特許文献３】特開２０１１−２４３４３１号公報
【特許文献４】国際公開第２００４／０４０６４９号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
有機半導体装置が有する有機半導体素子は、耐久性を向上させるために、封止部材によって密閉される場合が多い。例えば、有機半導体素子を形成した基板の上に封止部材を設け、有機半導体素子を含む空間を外部から遮蔽する。この場合、封止部材や基板に力が加わると封止部材や基板が変形し、その結果、封止部材と有機半導体素子が接触する可能性が出てくる。封止部材と有機半導体素子が接触すると、有機半導体素子が破損してしまう。
【０００９】
本発明が解決しようとする課題としては、封止部材や基板に力が加わっても、封止部材と有機半導体素子とが接触することを抑制することが一例として挙げられる。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１に記載の発明は、有機半導体素子と、
第１面に前記有機半導体素子が搭載されている基板と、
前記基板の前記第１面に一部が接し、平面視で前記有機半導体素子と重なっている重なり領域を有し、かつ前記有機半導体素子を含む空間を外部から遮蔽する封止部材と、
前記重なり領域が前記第１面に近づくことを抑制する近接抑制部と、
を備える有機半導体装置である。
【００１１】
請求項７に記載の発明は、有機ＥＬ素子と、
第１面に前記有機ＥＬ素子が搭載されている基板と、
前記基板の前記第１面に一部が接し、前記有機ＥＬ素子を含む空間を外部から遮蔽する封止部材と、
前記封止部材に取り付けられている第１磁石と、
前記基板の前記第１面とは逆側の面である第２面に、前記第１磁石と反発しあう向きに取り付けられている第２磁石と、
を備える有機半導体装置を準備する工程と、
前記有機半導体装置を設置した後、前記第１磁石及び前記第２磁石のうち、前記有機ＥＬ素子が発光した光を外部に出射する出射面に取り付けられている磁石を取り外す工程と、
を備える有機半導体装置の取付方法である。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１の実施形態に係る有機半導体装置の構成を示す断面図である。
【図２】有機半導体素子の一例である有機ＥＬ素子の構造を示す断面図である。
【図３】有機半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図４】有機半導体装置の使用方法を説明するための図である。
【図５】有機半導体装置の使用方法を説明するための図である。
【図６】第１磁石、第２磁石、及び乾燥剤の平面レイアウトの第１例を説明するための図である。
【図７】第１磁石、第２磁石、及び乾燥剤の平面レイアウトの第２例を説明するための図である。
【図８】図１の変形例を示す断面図である。
【図９】第２の実施形態に係る有機半導体装置の構成を示す断面図である。
【図１０】第３の実施形態に係る有機半導体装置の構成を示す断面図である。
【図１１】図１０の変形例を示す断面図である。
【図１２】第４の実施形態に係る有機半導体装置の構成を示す断面図である。
【図１３】第５の実施形態に係る有機半導体装置の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１４】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る有機半導体装置１００の構成を示す断面図である。有機半導体装置１００は、有機半導体素子２０、基板１０、封止部材３０、及び近接抑制部（第１磁石５０、及び第２磁石５２）を有している。有機半導体素子２０は、基板１０の第１面１２に搭載されている。封止部材３０は、基板１０の第１面１２に一部（本図に示す例では端部）が接しており、平面視で有機半導体素子２０と重なっている重なり領域３２を有している。封止部材３０は、有機半導体素子２０を含む空間を外部から遮蔽する。近接抑制部は、重なり領域３２が第１面１２に近づくことを抑制する。このため、基板１０又は封止部材３０に力が加わっても、封止部材３０と有機半導体素子２０が接触することを抑制できる。以下、詳細に説明する。
【００１５】
本図に示す例において、近接抑制部は、第１磁石５０、及び第２磁石５２を備えている。第１磁石５０は、封止部材３０に取り付けられている。第２磁石５２は、基板１０のうち第１面１２とは逆側の面である第２面１４に、第１磁石５０と反発しあう向きに取り付けられている。このため、基板１０又は封止部材３０に力が加わっても、第１磁石５０と第２磁石５２が反発しあうため、封止部材３０と有機半導体素子２０が接触することを抑制できる。
【００１６】
有機半導体素子２０は、複数の有機層を有している。有機半導体素子２０は、これら複数の有機層を基板１０上で積層させることにより、形成されている。有機半導体素子２０は、例えば有機ＥＬ素子、有機メモリ、及び有機太陽電池である。基板１０は、例えば石英、ガラス、金属、またはプラスチックなどの樹脂によって形成されている。
【００１７】
本図に示す例では、有機半導体装置１００は照明装置であり、有機半導体素子２０は有機ＥＬ素子である。有機半導体素子２０が発光した光は、基板１０を通って外部に放射される。このため、基板１０は、有機半導体素子２０が発光する光を透過させる必要がある。この場合、基板１０は、石英、ガラス、又は透明な樹脂によって形成されている。
【００１８】
封止部材３０は、有機半導体素子２０を外気から遮断している。封止部材３０は、例えば石英、ガラス、金属、またはプラスチックなどの樹脂によって形成されている。封止部材３０は、平板の縁を基板１０に向けて略９０°折れ曲がった形状を有している。そして封止部材３０は、折れ曲がった部分の端面が固定層６４を介して基板１０に固定されている。固定層６４は、例えば接着層である。なお、封止部材３０及び基板１０で囲まれた空間には、特定の気体又は液体が充填されている。
【００１９】
第１磁石５０は、例えば接着剤や両面テープを用いて封止部材３０に固定されている。封止部材３０のうち第１磁石５０が取り付けられる部分には、凹部が形成されていても良い。この場合、この凹部内に接着剤や両面テープが設けられる。なお、凹部の深さは、第１磁石５０の上面が封止部材３０の外面と同一面を形成するように設定されても良いし、第１磁石５０の上面が封止部材３０の外面よりもとび出すように設定されても良い。
【００２０】
また本実施形態では、第１磁石５０は封止部材３０の外側の面に固定されている。このため、第１磁石５０を封止部材３０に取り付けても、第１磁石５０が有機半導体素子２０に接触することはない。
【００２１】
第２磁石５２は、基板１０の第２面１４に取り付けられている。上記したように、有機半導体素子２０が発光した光は、基板１０を通って外部に放射される。このため、第２磁石５２が基板１０に取り付けられたままだと、有機半導体素子２０が発光した光が第２磁石５２によって遮られてしまう。これに対して本実施形態では、第２磁石５２は基板１０に対して取り外し可能に設けられている。具体的には、第２磁石５２は、剥離シート７０（剥離部材）を介して基板１０の第２面１４（出射面）に取り付けられている。剥離シート７０は、基板１０に対して剥離できるように設けられている。このため、基板１０及び封止部材３０に力が加わる恐れがなくなった後は、基板１０の第２面１４から剥離シート７０を剥がすことによって、基板１０から第２磁石５２を取り除くことができる。この場合、有機半導体素子２０から出射する光が第２磁石５２によって遮られることは無くなる。
【００２２】
なお、第２磁石５２は、固定層６２を介して剥離シート７０に固定されている。固定層６２は、例えば接着剤や両面テープである。
【００２３】
また本実施形態では、平面視で、第１磁石５０と第２磁石５２は少なくとも一部が互いに重なっている。このようにすると、第１磁石５０と第２磁石５２の反発力は大きくなるため、封止部材３０と有機半導体素子２０が接触することをさらに抑制できる。
【００２４】
封止部材３０と基板１０によって囲まれた空間の中には、有機半導体素子２０の他に乾燥剤４０も配置されている。本図に示す例では、乾燥剤４０は、封止部材３０の内面すなわち基板１０に対向する面に固定されている。この場合、乾燥剤４０は、封止部材３０の内面から有機半導体素子２０に向けて突出した状態になるため、封止部材３０よりも有機半導体素子２０に接触しやすい。しかし本実施形態では、第１磁石５０と第２磁石５２は互いに反発しあう向きに固定されているため、乾燥剤４０と有機半導体素子２０が接触することを抑制できる。
【００２５】
特に本実施形態では、乾燥剤４０は、平面視で第１磁石５０及び第２磁石５２と少なくとも一部が重なっている。このため、乾燥剤４０が有機半導体素子２０に接触することをさらに抑制できる。
【００２６】
図２は、有機半導体素子２０の一例である有機ＥＬ素子の構造を示す断面図である。この有機ＥＬ素子は、基板１０上に、陽極２０２、正孔注入層２０４、正孔輸送層２０６、発光層２０８、電子輸送層２１０、電子注入層２１２、及び陰極２１４をこの順に積層した積層構造を有している。これらのうち陽極２０２、正孔注入層２０４、正孔輸送層２０６、発光層２０８、電子輸送層２１０、及び電子注入層２１２は、塗布法及び蒸着法のいずれの方法で形成されても良い。なお、蒸着法により形成される場合、各層の材料としては、以下が例示される。
【００２７】
発光層２０８に用いられる燐光性の有機化合物としては、イリジウム錯体であるBis (3,5-difluoro-2- (2-pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) iridium （III）、Tris (2-phenylpyridine) iridium(III)、Bis (2-phenylbenzothiazolato) (acetylacetonate) iridium(III)、オスミウム錯体であるOsmium(II) bis(3-trifluoromethyl -5-(2-pyridyl) -pyrazolate)dimethylphenylphosphine、希土類化合物のTris (dibenzoylmethane) phenanthroline europium(III)、白金錯体である2,3,7,8,12,13,17,18-Octaethyl-21H, 23H- porphine,platinum(II)等を例示することができる。
【００２８】
また、発光層２０８、電子輸送層２１０、及び電子注入層２１２の主成分となる電子輸送性を有する有機化合物としては、ｐ−テルフェニルやクアテルフェニル等の多環化合物およびそれらの誘導体、ナフタレン、テトラセン、ピレン、コロネン、クリセン、アントラセン、ジフェニルアントラセン、ナフタセン、フェナントレン等の縮合多環炭化水素化合物及びそれらの誘導体、フェナントロリン、バソフェナントロリン、フェナントリジン、アクリジン、キノリン、キノキサリン、フェナジン等の縮合複素環化合物およびそれらの誘導体や、フルオロセイン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、オキサジアゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジエン、オキシン、アミノキノリン、イミン、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、キナクリドン、ルブレン等およびそれらの誘導体等を例示することができる。
【００２９】
さらに、電子輸送性を有する有機化合物として、金属キレート錯体化合物、特に金属キレート化オキサノイド化合物では、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム、ビス（８−キノリノラト）マグネシウム、ビス［ベンゾ（ｆ）−８−キノリノラト］亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニル−フェノラト）アルミニウム、トリス（８−キノリノラト）インジウム、トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム、８−キノリノラトリチウム、トリス（５−クロロ−８−キノリノラト）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−キノリノラト）カルシウム等の８−キノリノラト或いはその誘導体を配位子として少なくとも一つ有する金属錯体も例示することができる。
【００３０】
また、電子輸送性を有する有機化合物として、オキサジアゾール類、トリアジン類、スチルベン誘導体およびジスチリルアリーレン誘導体、スチリル誘導体、ジオレフィン誘導体も好適に使用され得る。
【００３１】
さらに、電子輸送性を有する有機化合物として使用できる有機化合物として、２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ベンチル−２−ベンゾオキサゾリル）−１，３，４−チアゾール、４，４'−ビス（５，７−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）スチルベン、４，４'−ビス［５，７−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリル］スチルベン、２，５−ビス（５．７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、２，５−ビス［５−（α，α−ジメチルベンジル）−２−ベンゾオキサゾリル］チオフェン、２，５−ビス［５，７−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリル］−３，４−ジフェニルチオフェン、２，５−ビス（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、４，４'−ビス（２−ベンゾオキサゾリル）ビフェニル、５−メチル−２−｛２−［４−（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）フェニル］ビニル｝ベンゾオキサゾール、２−［２−（４−クロロフェニル）ビニル］ナフト（１，２−ｄ）オキサゾール等のベンゾオキサゾール系、２，２'−（ｐ−フェニレンジピニレン）−ビスベンゾチアゾール等のベンゾチアゾール系、２−｛２−［４−（２−ベンゾイミダゾリル）フェニル〕ビニル｝ベンゾイミダゾール、２−［２−（４−カルボキシフェニル）ビニル］ベンゾイミダゾール等も挙げられる。
【００３２】
さらに、電子輸送性を有する有機化合物として、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（３−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（４−メチルスチリル）ベンゼン、ジスチリルベンゼン、１，４−ビス（２−エチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（３−エチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（２−メチルスチリル）−２−メチルベンゼン、１，４−ビス（２−メチルスチリル）−２−エチルベンゼン等も挙げられる。
【００３３】
また、さらに、電子輸送性を有する有機化合物として、２，５−ビス（４−メチルスチリル）ピラジン、２，５−ビス（４−エチルスチリル）ピラジン、２，５−ビス［２−（１−ナフチル）ビニル］ピラジン、２，５−ビス（４−メトキシスチリル）ピラジン、２，５−ビス［２−（４−ビフェニル）ビニル］ピラジン、２，５−ビス［２−（１−ピレニル）ビニル］ピラジン等が挙げられる。
【００３４】
その他、さらに、電子輸送性を有する有機化合物として、１，４−フェニレンジメチリディン、４，４'−フェニレンジメチリディン、２，５−キシリレンジメチリディン、２，６−ナフチレンジメチリディン、１，４−ビフェニレンジメチリディン、１，４−ｐ−テレフェニレンジメチリディン、９，１０−アントラセンジイルジメチリディン、４，４'−（２，２−ジ−ｔ−ブチルフェニルビニル）ビフェニル、４，４'−（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル等、従来有機ＥＬ素子の作製に使用されている公知のものを適宜用いることができる。
【００３５】
一方、正孔輸送層２０６や正孔輸送性の発光層に用いられ、正孔輸送性を有する有機化合物としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラフェニル−４，４'−ジアミノフェニル、Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−Ｎ，Ｎ'−ジ（３−メチルフェニル）−４，４'−ジアミノビフェニル、２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラ−ｐ−トリル−４，４'−ジアミノビフェニル、ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン、Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−Ｎ，Ｎ'−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４'−ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラフェニル−４，４'−ジアミノジフェニルエーテル、４，４'−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル、４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン、３−メトキシ−４'−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン、Ｎ−フェニルカルバゾール、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリアミノフェニル）−シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン、ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）−フェニルメタン、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４'−［４（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］スチルベン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラ−ｐ−トリル−４，４'−ジアミノ−ビフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラフェニル−４，４'−ジアミノ−ビフェニルＮ−フェニルカルバゾール、４，４'−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル、４，４''−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ｐ−ターフェニル、４，４'−ビス［Ｎ−（２−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル、４，４'−ビス［Ｎ−（３−アセナフテニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル、１，５−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ナフタレン、４，４'−ビス［Ｎ−（９−アントリル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル、４，４''−ビス［Ｎ−（１−アントリル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ｐ−ターフェニル、４，４'−ビス［Ｎ−（２−フェナントリル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル、４，４'−ビス［Ｎ−（８−フルオランテニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル、４，４'−ビス［Ｎ−（２−ピレニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル、４，４'−ビス［Ｎ−（２−ペリレニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル、４，４'−ビス［Ｎ−（１−コロネニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル、２，６−ビス（ジ−ｐ−トリルアミノ）ナフタレン、２，６−ビス［ジ−（１−ナフチル）アミノ］ナフタレン、２，６−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（２−ナフチル）アミノ］ナフタレン、４．４''−ビス［Ｎ，Ｎ−ジ（２−ナフチル）アミノ］ターフェニル、４．４'−ビス｛Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（１−ナフチル）フェニル］アミノ｝ビフェニル、４，４'−ビス［Ｎ−フェニル−Ｎ−（２−ピレニル）−アミノ］ビフェニル、２，６−ビス［Ｎ，Ｎ−ジ（２−ナフチル）アミノ］フルオレン、４，４''−ビス（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）ターフェニル、ビス（Ｎ−１−ナフチル）（Ｎ−２−ナフチル）アミン等を例示することが��きる。
【００３６】
さらに、正孔輸送性を有する有機化合物としては、上述の有機化合物をポリマ中に分散したものや、ポリマ化したものも使用できる。ポリパラフェニレンビニレンやその誘導体等のいわゆるπ共役ポリマ、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）に代表される正孔輸送性非共役ポリマ、ポリシラン類のシグマ共役ポリマも用いることができる。
【００３７】
正孔注入層２０４としては、特に限定はないが、銅フタロシアニン（CuPc:Copper Phthalocyanine）等の金属フタロシアニン類および無金属フタロシアニン類、カーボン膜、ポリアニリン等の導電性ポリマが好適に使用できる。
【００３８】
図３の各図は、有機半導体装置１００の製造方法を説明するための図である。まず、図３（ａ）に示すように、基板１０の第１面１２上に有機半導体素子２０を形成する。有機半導体素子２０は、図２に示した各層を第１面１２上に順に積層することにより、形成される。
【００３９】
また、封止部材３０を準備し、封止部材３０に乾燥剤４０及び第１磁石５０を固定する。次いで、固定層６４を用いて封止部材３０を基板１０の第１面１２に固定する。
【００４０】
次いで図３（ｂ）に示すように、基板１０の第２面１４上に、剥離シート７０を貼り付ける。その後、固定層６２を用いて剥離シート７０に第２磁石５２を固定する。なお、第２磁石５２は、剥離シート７０を基板１０に貼り付ける前に剥離シート７０に固定されていてもよい。このようにして有機半導体装置１００は形成される。
【００４１】
図３に示す例では、封止部材３０を基板１０に固定する工程では、第２磁石５２は基板１０に取り付けられていない。このため、封止部材３０を基板１０に固定する際に、封止部材３０と基板１０が互いに反発しあうことを抑制できる。
【００４２】
なお、基板１０を封止部材３０に取り付ける工程の前に、第２磁石５２を基板１０に取り付けておいて、その代わりに第１磁石５０を封止部材３０に取り付けないようにしても良い。また、第１磁石５０及び第２磁石５２の双方を、封止部材３０を基板１０に固定した後に取り付けても良い。
【００４３】
図４及び図５は、有機半導体装置１００の使用方法を説明するための図である。ここで説明する例において、有機半導体装置１００は、有機半導体素子２０として有機ＥＬ素子を有している。
【００４４】
有機半導体装置１００は、照明やディスプレイとして使用されるとき、特定の場所、例えば壁や天井に固定される場合がある。この固定作業時に、基板１０や封止部材３０に、封止部材３０や乾燥剤４０が有機半導体素子２０に近づく方向の力が加わることがある。これに対して本実施形態では、基板１０には第２磁石５２が取り付けられており、封止部材３０には第１磁石５０が取り付けられている。このため、封止部材３０や乾燥剤４０が有機半導体素子２０に接触することを抑制できる。
【００４５】
そして有機半導体装置１００を壁や天井に固定した後、図４に示したように、剥離シート７０を基板１０から取り外す。これにより、図５に示すように、基板１０の第２面１４から第２磁石５２が取り除かれる。このため、有機半導体素子２０から出射する光が第２磁石５２によって遮られることは無くなる。
【００４６】
図６は、第１磁石５０、第２磁石５２、及び乾燥剤４０の平面レイアウトの第１例を説明するための図である。上記したように、封止部材３０の内面に乾燥剤４０が固定されていると、封止部材３０よりも乾燥剤４０が有機半導体素子２０に接触しやすくなる。これに対して本図に示すように、第１磁石５０及び第２磁石５２を乾燥剤４０と重ねると、乾燥剤４０は有機半導体素子２０に接触しにくくなる。
【００４７】
なお、複数の乾燥剤４０が封止部材３０の内面に固定されている場合、これら複数の乾燥剤４０それぞれと重なる位置に、第１磁石５０及び第２磁石５２を設けるのが好ましい。ただし、いずれかの乾燥剤４０には第１磁石５０及び第２磁石５２が重なっていなくても良い。
【００４８】
図７は、第１磁石５０、第２磁石５２、及び乾燥剤４０の平面レイアウトの第２例を説明するための図である。封止部材３０は、中央が最も有機半導体素子２０に近づきやすい。これに対して本図に示す例では、第１磁石５０及び第２磁石５２は、平面視で封止部材３０の中央と重なる位置に設けられている。このようにすると、封止部材３０は有機半導体素子２０に接触しにくくなる。
【００４９】
なお、図６に示したレイアウトにおいて、第１磁石５０及び第２磁石５２は、平面視で封止部材３０の中央と重なる位置にも設けられていてもよい。
【００５０】
以上、本実施形態によれば、有機半導体装置１００は近接抑制部（第１磁石５０、及び第２磁石５２）を有している。近接抑制部は、重なり領域３２が第１面１２に近づくことを抑制する。このため、封止部材３０又は基板１０に、有機半導体素子２０と封止部材３０が互いに近づく方向の力が加わっても、封止部材３０又は乾燥剤４０が有機半導体素子２０に接触することを抑制できる。また、本実施形態では、近接抑制部として第１磁石５０及び第２磁石５２を用いているが、有機半導体装置１００を固定した後、第２磁石５２を取り外すため、有機半導体素子２０が出射する光が第２磁石５２によって遮られることを防止できる。
【００５１】
特に有機半導体素子２０が有機ＥＬ素子である場合、有機半導体素子２０の一部に封止部材３０又は乾燥剤４０が接触すると、有機半導体素子２０のうち封止部材３０又は乾燥剤４０に接触した部分は光らなくなる可能性がある。この場合、有機半導体素子２０の他の部分が正常であっても、有機半導体装置１００は不良品として扱われる。本実施形態では、このような原因で有機半導体装置１００が不良になることを抑制できる。
【００５２】
なお図１においては、基板１０の第２面１４の全面に剥離シート７０が設けられていたが、図８に示すように、剥離シート７０は第２面１４のうち第２磁石５２が配置される領域及びその周囲にのみ設けられても良い。
【００５３】
（第２の実施形態）
図９は、第２の実施形態に係る有機半導体装置１００の構成を示す断面図である。本実施形態において、有機半導体素子２０は有機ＥＬ素子である。そして本実施形態に係る有機半導体装置１００は、光学シート８０を有している点を除いて、第１の実施形態に係る有機半導体装置１００と同様の構成である。
【００５４】
光学シート８０は、例えば光取り出しシートと呼ばれるシートであり、基板１０の第２面１４と剥離シート７０の間に取り付けられている。光学シート８０は、基板１０からの光の出射効率を向上させるために設けられており、例えば光を散乱させる層を有している。
【００５５】
本実施形態において、剥離シート７０は、光学シート８０の上に取り付けられている。このため、剥離シート７０を剥がしても、光学シート８０は基板１０の第２面１４に貼り付けられたままである。
【００５６】
本実施形態によっても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、光学シート８０を有しているため、基板１０からの光の取り出し効率を高くすることができる。また、剥離シート７０は光学シート８０の上に貼り付けられているため、剥離シート７０を剥がしても、光学シート８０を基板１０の第２面１４に残すことができる。
【００５７】
（第３の実施形態）
図１０は、第３の実施形態に係る有機半導体装置１００の構成を示す断面図である。本実施形態に係る有機半導体装置１００は、以下の点を除いて第１の実施形態に係る有機半導体装置１００と同様の構成である。
【００５８】
まず、有機半導体素子２０は有機ＥＬ素子である。そして有機半導体素子２０が発光した光は、封止部材３０から外部に出射する。
【００５９】
また、第２磁石５２は基板１０に固定されている。第２磁石５２は、両面テープ又は接着層を用いて、基板１０に直接固定されている。なお、基板１０のうち第２磁石５２が取り付けられている部分には、凹部が形成されていても良い。凹部の深さは、第２磁石５２の上面が基板１０の第２面１４と同一面を形成するように設定されても良いし、第２磁石５２の上面が第２面１４よりもとび出すように設定されても良い。
【００６０】
また第１磁石５０は、剥離シート７０を介して封止部材３０の外面に取り付けられている。すなわち本実施形態では、有機半導体装置１００の基板１０を壁や天井などに取り付けた後、封止部材３０から剥離シート７０を剥がすことにより、第１磁石５０を封止部材３０から取り外す。
【００６１】
このため、本実施形態によれば、封止部材３０が光取り出し面になっていても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６２】
また、本実施形態において、基板１０に有機半導体素子２０を形成する前に、第２磁石５２を基板１０に取り付けおくと、第２磁石５２を用いて基板１０を搬送することができる。この場合、基板１０を搬送するための搬送機構を簡略化することができる。
【００６３】
なお、図１１に示すように、本実施形態において、封止部材３０と剥離シート７０の間に光学シート８０が設けられていても良い。このようにすると、第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６４】
（第４の実施形態）
図１２は、第４の実施形態に係る有機半導体装置１００の構成を示す断面図である。本実施形態に係る有機半導体装置１００は、封止部材３０に背面板９０が取り付けられている点を除いて、第１の実施形態に係る有機半導体装置１００と同様の構成である。背面板９０は、有機半導体装置１００を補強するために設けられている。背面板９０は、例えばアルミニウムなどの金属によって形成されている。
【００６５】
本実施形態によっても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、背面板９０が設けられているため、封止部材３０が撓むことを抑制できる。
【００６６】
また、背面板９０を封止部材３０に取り付ける際に、封止部材３０が撓んで封止部材３０又は乾燥剤４０が有機半導体素子２０に接触する可能性がある。これに対して本実施形態では、第１磁石５０及び第２磁石５２が設けられているため、この可能性を低くすることができる。
【００６７】
なお、本実施形態において、第２の実施形態と同様に光学シート８０が設けられていても良い。この場合、上述した効果に加えて、第２の実施形態に示した効果も得ることができる。
【００６８】
（第５の実施形態）
図１３は、第５の実施形態に係る有機半導体装置１００の構成を示す断面図である。本実施形態に係る有機半導体装置１００は、基板１０の第２面１４に背面板９０を取り付けている点を除いて、第３の実施形態に係る有機半導体装置１００と同様の構成である。なお、本図に示す例では剥離シート７０を設けていないが、図１１と同様に剥離シート７０を設けても良い。
【００６９】
本実施形態によっても、第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、背面板９０が設けられているため、基板１０が撓むことを抑制できる。また、第１磁石５０及び第２磁石５２が設けられているため、基板１０に背面板９０を取り付ける際に、封止部材３０又は乾燥剤４０が有機半導体素子２０に接触することを抑制できる。
【００７０】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【００７１】
１０ 基板
１２ 第１面
１４ 第２面
２０ 有機半導体素子
３０ 封止部材
３２ 重なり領域
４０ 乾燥剤
５０ 第１磁石（近接抑制部）
５２ 第２磁石（近接抑制部）
７０ 剥離シート（剥離部材）
８０ 光学シート
１００ 有機半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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