(57)【要約】【課題】サブ画素間の短絡やリーク電流の発生を低減可能な有機ＥＬ装置の製造方法、有機ＥＬ装置、該有機ＥＬ装置を備えた電子機器を提供すること。【解決手段】本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法は、サブ画素ごとに設けられた陽極上に有機発光層を含む機能層を形成する工程（ステップＳ１）と、複数のサブ画素に亘って機能層を覆う共通陰極を形成する工程（ステップＳ２）と、共通陰極を覆う第１封止層を形成する工程（ステップＳ３）と、第１封止層におけるサブ画素に相当する部分をマスクして、マスクされていない第１封止層を介して共通陰極にイオン注入を行って、イオン注入された共通陰極の部分を高抵抗化するイオン注入工程（ステップＳ４）と、を含む。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に有機ＥＬ素子を含むサブ画素が複数配置された有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記サブ画素の陽極上に有機発光層を含む機能層を形成する工程と、
複数の前記サブ画素に亘って前記機能層を覆う共通陰極を形成する工程と、
前記共通陰極を覆う第１封止層を形成する工程と、
前記第１封止層における前記サブ画素に相当する部分をマスクして、マスクされていない前記第１封止層を介して前記共通陰極にイオン注入を行って、イオン注入された前記共通陰極の部分を高抵抗化するイオン注入工程と、を含むことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
前記イオン注入工程は、少なくともイオン注入中に前記基板を冷却することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３】
前記イオン注入工程は、イオン注入後に前記基板を加熱する工程を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
前記共通陰極を形成する工程は、ＭｇとＡｇとの合金からなる前記共通陰極を形成し、
前記イオン注入工程は、酸素イオンまたはイオウイオンを注入することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項５】
無機絶縁材料を用いて前記第１封止層を形成し、
前記イオン注入工程の後に、有機絶縁材料を用いて第２封止層を前記第１封止層に積層して形成する工程と、
無機絶縁材料を用いて第３封止層を前記第２封止層に積層して形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項６】
基板上に有機ＥＬ素子を含むサブ画素が複数配置された有機ＥＬ装置であって、
前記有機ＥＬ素子は、陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に形成された有機発光層を含む機能層とを有し、
前記陰極は複数の前記サブ画素に亘る共通陰極として形成され、
前記共通陰極を覆う封止層を備え、
隣り合う前記サブ画素の間の前記封止層に接する前記共通陰極の少なくとも一部が高抵抗化されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項７】
前記サブ画素は平面視で略矩形状であって、前記サブ画素の短手方向において隣り合う前記サブ画素の間の前記封止層に接する前記共通陰極の部分が高抵抗化されていることを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項８】
前記有機ＥＬ素子に流れる電流を制御する駆動用トランジスターを有し、
前記共通陰極のうち、前記駆動用トランジスターと前記陽極とを電気的に接続するコンタクト部と平面視で重なる前記共通陰極の部分がさらに高抵抗化されていることを特徴とする請求項６または７に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項９】
前記サブ画素は、第１の方向と前記第１の方向と交差する第２の方向とに配置され、
前記共通陰極の高抵抗化された部分が、前記第１の方向または前記第２の方向において連続していることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１０】
前記封止層は、前記共通陰極側から順に積層された第１封止層、第２封止層、第３封止層により構成され、
前記第１封止層及び前記第３封止層が無機絶縁材料からなり、
前記第２封止層が有機絶縁材料からなることを特徴とする請求項６乃至９のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１１】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法によって製造された有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１２】
請求項６乃至１０のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を有する有機ＥＬ装置の製造方法、有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に有機発光層を含む機能層を備え、陽極から正孔を、陰極から電子を有機発光層に注入し、正孔と電子との再結合によって有機発光層から蛍光や燐光の発光が得られる。機能層は、有機発光層以外にも正孔注入層や電子輸送層などを含んでおり、機能層の膜厚はおよそ２５０ｎｍ未満である。それゆえに、ＬＥＤなどの固体発光素子に比べて小型化、薄型化が可能であることから、表示装置への利用が注目されている。
一方で、表示品質を高めるために表示領域における画素数を増やすと、画素ピッチは当然小さくなり、機能層の膜厚が上述したように極薄いことから、有機ＥＬ素子を備えた画素間における電界集中による短絡や、画素間のリーク電流に起因して意図しない発光が生ずる可能性が高くなる。
【０００３】
そこで、例えば、特許文献１には、有機ＥＬ素子における一対の電極のうち一方の電極が複数の有機ＥＬ素子に共通した共通層として形成され、共通層が有機ＥＬ素子に対応する低抵抗部と低抵抗部に接した高抵抗部とからなる有機エレクトロルミネッセンス表示パネルが開示されている。特許文献１によれば、共通層の画素間に相当する部分に高抵抗部が設けられていることから、上記短絡が起こり難くなったり、上記リーク電流が流れ難くなるものと考えられる。
また、特許文献１には、共通層に高抵抗部を形成する方法として、共通層を部分的に酸化させる方法が挙げられている。具体的には、ＩＴＯ膜を用いて共通層を構成し、画素に相当するＩＴＯ膜の部分をフォトレジストでマスクした状態で、酸素イオンを露出したＩＴＯ膜に注入し、部分的にＩＴＯ膜の酸化度合いを高めて高抵抗部としている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２００５／００４５５０号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に示された酸素イオンをＩＴＯ膜に注入して高抵抗部を形成する際に、注入された酸素イオンによって画素の機能層の一部の機能が低下するおそれがあった。また、マスクとして使用したフォトレジストを除去する際に、有機溶媒などの溶液を用いると、該溶液の影響を受けて、やはり機能層全体の機能が低下するおそれがあった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、基板上に有機ＥＬ素子を含むサブ画素が複数配置された有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記サブ画素の陽極上に有機発光層を含む機能層を形成する工程と、複数の前記サブ画素に亘って前記機能層を覆う共通陰極を形成する工程と、前記共通陰極を覆う第１封止層を形成する工程と、前記第１封止層における前記サブ画素に相当する部分をマスクして、マスクされていない前記第１封止層を介して前記共通陰極にイオン注入を行って、イオン注入された前記共通陰極の部分を高抵抗化するイオン注入工程と、を含むことを特徴とする。
【０００８】
本適用例によれば、第１封止層を介して共通陰極にイオン注入するので、共通陰極に直接イオン注入する場合に比べて、イオン注入によって機能層の一部の機能が低下することを抑制することができる。また、例えばフォトレジスト（感光性樹脂）を用いてマスクして、後にフォトレジストを有機溶媒などの溶液を用いて除去したとしても、共通陰極は第１封止層で覆われているので、該溶液によって機能層全部の機能が低下するなどの影響を避けることができる。つまり、サブ画素間の電界集中による短絡やサブ画素間にリーク電流が流れて意図しない発光が生ずるなどの不具合が低減され、優れた表示品質を有する有機ＥＬ装置を歩留まりよく製造することができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記イオン注入工程は、少なくともイオン注入中に前記基板を冷却することが好ましい。
この方法によれば、イオン注入により機能層が加熱されて、機能層の機能が低下することを抑制することができる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記イオン注入工程は、イオン注入後に前記基板を加熱する工程を含んでもよい。
この方法によれば、イオン注入後の加熱によって、イオン注入時には共通陰極まで届かなかったイオンを共通陰極まで行き渡らせることができる。言い換えれば、イオン注入時には、すべてのイオンが共通陰極まで届かなくてもよいので、イオン注入により機能層の一部の機能が低下するなどの不具合を確実に避けることができる。
【００１１】
［適用例４］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記共通陰極を形成する工程は、ＭｇとＡｇとの合金からなる前記共通陰極を形成し、前記イオン注入工程は、酸素イオンまたはイオウイオンを注入することを特徴とする。
この方法によれば、ＭｇとＡｇとの合金（以降、ＭｇＡｇ合金と表記する）の膜厚を制御することで共通陰極に透光性を持たせたり、透光性と反射性の両方の特性を持たせたりすることができる。また、ＭｇＡｇ合金に酸素イオンまたはイオウイオンを注入することで、イオン注入された部分を容易に高抵抗化することができる。
【００１２】
［適用例５］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、無機絶縁材料を用いて前記第１封止層を形成し、前記イオン注入工程の後に、有機絶縁材料を用いて第２封止層を前記第１封止層に積層して形成する工程と、無機絶縁材料を用いて第３封止層を前記第２封止層に積層して形成する工程と、を含むことを特徴とする。
この方法によれば、第１封止層と第３封止層との間に有機絶縁材料からなる第２封止層が形成される。したがって、無機絶縁材料からなる第１封止層と第３封止層とを直接に積層する場合に比べて、例えば熱の影響で無機絶縁材料が膨張収縮することによるクラックなどの不具合の発生を低減して、発光寿命において高い信頼性品質を有する有機ＥＬ装置を製造することができる。
【００１３】
［適用例６］本適用例に係る有機ＥＬ装置は、基板上に有機ＥＬ素子を含むサブ画素が複数配置された有機ＥＬ装置であって、前記有機ＥＬ素子は、陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に形成された有機発光層を含む機能層とを有し、前記陰極は複数の前記サブ画素に亘る共通陰極として形成され、前記共通陰極を覆う封止層を備え、隣り合う前記サブ画素の間の前記封止層に接する前記共通陰極の少なくとも一部が高抵抗化されていることを特徴とする。
【００１４】
本適用例の構成によれば、サブ画素間の電界集中による短絡や、サブ画素間のリーク電流による意図しない発光が発生し難い有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００１５】
［適用例７］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記サブ画素は平面視で略矩形状であって、前記サブ画素の短手方向において隣り合う前記サブ画素の間の前記封止層に接する前記共通陰極の部分が高抵抗化されていることが好ましい。
この構成によれば、サブ画素の長手方向に沿って高抵抗化された部分を有するので、サブ画素間の電界集中による短絡や、サブ画素間のリーク電流による意図しない発光を効果的に抑制することができる。
【００１６】
［適用例８］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記有機ＥＬ素子に流れる電流を制御する駆動用トランジスターを有し、前記共通陰極のうち、前記駆動用トランジスターと前記陽極とを電気的に接続するコンタクト部と平面視で重なる前記共通陰極の部分がさらに高抵抗化されていることが好ましい。
上記コンタクト部とその周辺には凹凸が生じ易く、当該凹凸を覆う機能層の膜厚が変動し易い。とりわけ機能層の膜厚が薄くなった部分に集中して電流が流れると当該部分で輝点が生ずることがある。この構成によれば、コンタクト部と平面視で重なる共通陰極の部分を高抵抗化することで、コンタクト部を含むその周辺において電流が流れ難くなり、輝度むらを低減できる。
【００１７】
［適用例９］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記サブ画素は、第１の方向と前記第１の方向と交差する第２の方向とに配置され、前記共通陰極の高抵抗化された部分が、前記第１の方向または前記第２の方向において連続していることが好ましい。
この構成によれば、サブ画素の配置ピッチが微細になっても、優れた表示品質を有する有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００１８】
［適用例１０］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記封止層は、前記共通陰極側から順に積層された第１封止層、第２封止層、第３封止層により構成され、前記第１封止層及び前記第３封止層が無機絶縁材料からなり、前記第２封止層が有機絶縁材料からなることを特徴とする。
この構成によれば、外部からの水分や酸素などの浸入に対して高い封止性能を有する有機ＥＬ装置、すなわち発光寿命において高い信頼性品質を有する有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００１９】
［適用例１１］本適用例に係る電子機器は、上記適用例の有機ＥＬ装置の製造方法によって製造された有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、優れた表示品質とコストパフォーマンスとを有する電子機器を提供することができる。
【００２０】
［適用例１２］本適用例に係る電子機器は、上記適用例の有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、優れた表示品質を有する電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】第１実施形態の有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図２】第１実施形態の有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図。
【図３】サブ画素の配置を示す概略平面図。
【図４】図３のＡ−Ａ’線に沿ったサブ画素の構造を示す概略断面図。
【図５】第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。
【図７】（ｄ）〜（ｆ）は第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。
【図８】第２実施形態の有機ＥＬ装置におけるサブ画素の構成を示す概略平面図。
【図９】図８のＣ−Ｃ’線に沿った概略断面図。
【図１０】電子機器としてのヘッドマウントディスプレイを示す概略図。
【図１１】変形例の高抵抗部の配置を示す概略平面図。
【図１２】変形例の高抵抗部の配置を示す概略平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２３】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００２４】
（第１実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
まず、本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置について、図１〜図４を参照して説明する。図１は第１実施形態の有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図、図２は第１実施形態の有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図、図３はサブ画素の配置を示す概略平面図、図４は図３のＡ−Ａ’線に沿ったサブ画素の構造を示す概略断面図である。
【００２５】
図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、互いに交差する複数の走査線１２及び複数のデータ線１３と、複数のデータ線１３のそれぞれに対して並列する複数の電源線１４とを有している。複数の走査線１２が接続される走査線駆動回路１６と、複数のデータ線１３が接続されるデータ線駆動回路１５とを有している。また、複数の走査線１２と複数のデータ線１３との各交差部に対応してマトリックス状に配置された発光画素としての複数のサブ画素１８を有している。
【００２６】
サブ画素１８は、発光素子としての有機ＥＬ素子３０と、有機ＥＬ素子３０の駆動を制御する画素回路２０とを有している。
【００２７】
有機ＥＬ素子３０は、陽極としての画素電極３１と、陰極としての対向電極３３と、画素電極３１と対向電極３３との間に設けられた機能層３２とを有している。このような有機ＥＬ素子３０は電気的にダイオードとして表記することができる。なお、詳しくは後述するが、対向電極３３は複数のサブ画素１８に亘る共通陰極として形成されている。
【００２８】
画素回路２０は、スイッチング用トランジスター２１と、蓄積容量２２と、駆動用トランジスター２３とを含んでいる。２つのトランジスター２１，２３は、例えばｎチャネル型もしくはｐチャネル型の薄膜トランジスター（ＴＦＴ；Thin  Film  transistor）やＭＯＳトランジスターを用いて構成することができる。
【００２９】
スイッチング用トランジスター２１のゲートは走査線１２に接続され、ソースまたはドレインのうち一方がデータ線１３に接続され、ソースまたはドレインのうち他方が駆動用トランジスター２３のゲートに接続されている。
駆動用トランジスター２３のソースまたはドレインのうち一方が有機ＥＬ素子３０の画素電極３１に接続され、ソースまたはドレインのうち他方が電源線１４に接続されている。駆動用トランジスター２３のゲートと電源線１４との間に蓄積容量２２が接続されている。
【００３０】
走査線１２が駆動されてスイッチング用トランジスター２１がオン状態になると、そのときにデータ線１３から供給される画像信号に基づく電位がスイッチング用トランジスター２１を介して蓄積容量２２に保持される。該蓄積容量２２の電位すなわち駆動用トランジスター２３のゲート電位に応じて、駆動用トランジスター２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用トランジスター２３がオン状態になると、電源線１４から駆動用トランジスター２３を介して画素電極３１と対向電極３３とに挟まれた機能層３２にゲート電位に応じた量の電流が流れる。有機ＥＬ素子３０は、機能層３２を流れる電流量に応じて発光する。
【００３１】
なお、サブ画素１８における画素回路２０の構成は、これに限定されない。例えば、画素電極３１と駆動用トランジスター２３との間の導通を制御する発光制御用トランジスターを備えていてもよい。
【００３２】
図２に示すように、有機ＥＬ装置１００は、素子基板１０を有している。素子基板１０には、表示領域Ｅ０（図中、一点鎖線で表示）と、表示領域Ｅ０の外側に非表示領域Ｅ３とが設けられている。表示領域Ｅ０は、実表示領域Ｅ１（図中、二点鎖線で表示）と、実表示領域Ｅ１を囲むダミー領域Ｅ２とを有している。
【００３３】
実表示領域Ｅ１には、発光画素としてのサブ画素１８がマトリックス状に配置されている。サブ画素１８は、前述したように発光素子としての有機ＥＬ素子３０を備えており、スイッチング用トランジスター２１及び駆動用トランジスター２３の動作に伴って、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）のうちいずれかの色の発光が得られる構成となっている。
【００３４】
本実施形態では、同色の発光が得られるサブ画素１８が第１の方向に配列し、異なる色の発光が得られるサブ画素１８が第１の方向に対して交差（直交）する第２の方向に配列した、所謂ストライプ方式のサブ画素１８の配置となっている。以降、上記第１の方向をＹ方向とし、上記第２の方向をＸ方向として説明する。なお、素子基板１０におけるサブ画素１８の配置はストライプ方式に限定されず、モザイク方式、デルタ方式であってもよい。
【００３５】
ダミー領域Ｅ２には、主として各サブ画素１８の有機ＥＬ素子３０を発光させるための周辺回路が設けられている。例えば、図２に示すように、Ｘ方向において実表示領域Ｅ１を挟んだ位置にＹ方向に延在して一対の走査線駆動回路１６が設けられている。一対の走査線駆動回路１６の間で実表示領域Ｅ１に沿った位置に検査回路１７が設けられている。
【００３６】
素子基板１０のＸ方向に平行な一辺部（図中の下方の辺部）に、外部駆動回路との電気的な接続を図るためのフレキシブル回路基板（ＦＰＣ）４３が接続されている。ＦＰＣ４３には、ＦＰＣ４３の配線を介して素子基板１０側の周辺回路と接続される駆動用ＩＣ４４が実装されている。駆動用ＩＣ４４は前述したデータ線駆動回路１５を含むものであり、素子基板１０側のデータ線１３や電源線１４は、フレキシブル回路基板４３を介して駆動用ＩＣ４４に電気的に接続されている。
【００３７】
表示領域Ｅ０と素子基板１０の外縁との間、つまり非表示領域Ｅ３には、例えば各サブ画素１８の有機ＥＬ素子３０の対向電極３３に電位を与えるための配線２９などが形成されている。配線２９は、ＦＰＣ４３が接続される素子基板１０の辺部を除いて、表示領域Ｅ０を囲むように素子基板１０に設けられている。
【００３８】
次に、図３を参照してサブ画素１８の平面的な配置、とりわけ画素電極３１の平面的な配置について説明する。図３に示すように、青（Ｂ）の発光が得られるサブ画素１８Ｂ、緑（Ｇ）の発光が得られるサブ画素１８Ｇ、赤（Ｒ）の発光が得られるサブ画素１８ＲがＸ方向に順に配列している。同色の発光が得られるサブ画素１８はＹ方向に隣り合って配列している。Ｘ方向に配列した３つのサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒを１つの画素１９として表示がなされる構成になっている。
【００３９】
サブ画素１８における画素電極３１は略矩形状であって、長手方向がＹ方向に沿って配置されている。画素電極３１を発光色に対応させて画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒと呼ぶこともある。各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの外縁を覆って絶縁膜２７が形成されている。これによって、各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ上に開口部２７ａが形成され、開口部２７ａ内において画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒのそれぞれが露出している。開口部２７ａの平面形状もまた略矩形状となっている。なお、略矩形状とは、長方形に限らず、長方形の角部が丸くなった形状や、短辺が円弧の形状などを含むものである。
【００４０】
画素電極３１のＹ方向（長手方向）における一方の端部側に２つのコンタクトホール３５が設けられている。コンタクトホール３５は、画素電極３１と駆動用トランジスター２３（図１参照）とを電気的に接続させるために設けられたコンタクト部である。絶縁膜２７は、２つのコンタクトホール３５を覆っている。本実施形態では、画素電極３１と駆動用トランジスター２３との電気的な接続を確実にするために、２つのコンタクトホール３５が設けられているが、これに限定されるものではない。少なくとも１つのコンタクトホール３５が設けられていればよい。
なお、前述したように画素回路２０が画素電極３１と駆動用トランジスター２３との間の導通を制御する発光制御用トランジスターを有する場合、２つのコンタクトホール３５のうち少なくとも１つが画素電極３１と上記発光制御用トランジスターとを電気的に接続させるコンタクト部であってもよい。
【００４１】
前述したように、対向電極３３は、複数のサブ画素１８に亘る共通陰極として形成されている。また、対向電極３３は、Ｘ方向（サブ画素１８の短手方向または第２の方向）におけるサブ画素１８間のそれぞれに独立して形成された高抵抗部３３ｂを有する。言い換えれば、対向電極３３において複数の高抵抗部３３ｂ以外の部分が低抵抗部３３ａとなっている。矩形状のサブ画素１８の長手方向に沿って高抵抗部３３ｂが形成され、平面視ではサブ画素１８がＸ方向において一対の高抵抗部３３ｂによって挟まれた状態となっている。
【００４２】
次に、図４を参照してサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの構造について説明する。図４に示すように、有機ＥＬ装置１００は、本発明における基板としての基材１１と、基材１１上に順に形成された反射層２５、透明層２６、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ、機能層３２、共通陰極である対向電極３３を有する。また、対向電極３３を覆う封止層３４と、封止層３４上に形成されたカラーフィルター３６とを有する。さらに、カラーフィルター３６を保護するために、透明樹脂層４２を介して配置された対向基板４１を有する。素子基板１０は基材１１からカラーフィルター３６までを含むものである。なお、図４では、素子基板１０における画素回路２０の駆動用トランジスター２３などの構成について、図示を省略した。
【００４３】
有機ＥＬ装置１００は、機能層３２から発した光がカラーフィルター３６を透過して対向基板４１側から取り出されるトップエミッション方式が採用されている。したがって、基材１１は透明な例えばガラスなどの基板だけでなく、不透明な例えばシリコンやセラミックスなどの基板を用いることができる。対向基板４１は透明な例えばガラスなどの基板である。
【００４４】
基材１１上に形成される反射層２５は、Ａｌ（アルミニウム）やＡｇ（銀）、あるいはこれらの光反射性を有する金属の合金を用いることができる。
【００４５】
透明層２６は、後に形成される画素電極３１と反射層２５との電気的な絶縁を図るものであって、例えばＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機絶縁膜を用いることができる。
【００４６】
サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに対応して、透明層２６上に設けられた画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒは、例えばＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）やＩＺＯ（Indium  Zinc  Oxide）などの透明導電膜からなり、互いに膜厚が異なっている。青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の順に膜厚が厚くなっている。
【００４７】
機能層３２は白色光が得られる有機発光層を含み、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに跨って共通に形成されている。なお、白色光は、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の発光が得られる有機発光層を組み合わせることにより実現できる。また、青（Ｂ）と黄（Ｙ）の発光が得られる有機発光層を組み合わせても擬似白色光を得ることができる。
【００４８】
機能層３２を覆う対向電極３３は、例えばＭｇＡｇ（マグネシウム銀）合金からなり、光透過性と光反射性とを兼ね備えるように膜厚が制御されている。また、対向電極３３のうち、画素電極３１に対向する部分が低抵抗部３３ａとなっており、低抵抗部３３ａに対して画素電極３１間に相当する部分が高抵抗部３３ｂとなっている。詳しくは後述するが、対向電極３３に対して部分的に酸素イオンなどを注入することにより高抵抗部３３ｂが形成されている。
【００４９】
対向電極３３に高抵抗部３３ｂを形成することにより、Ｘ方向において隣り合う画素電極３１と対向電極３３との間で電界が集中して、Ｘ方向に隣り合うサブ画素１８が短絡することや、Ｘ方向において隣り合う画素電極３１と対向電極３３との間で機能層３２を介してリーク電流が流れて、サブ画素１８間において意図しない発光が生ずることが低減されている。
【００５０】
封止層３４は、対向電極３３側から第１封止層３４ａ、第２封止層３４ｂ、第３封止層３４ｃが順に積層された構造となっている。
第１封止層３４ａと第３封止層３４ｃとは、無機材料を用いて形成されている。無機材料としては、水分や酸素などを通し難い、例えばＳｉＯｘ（酸化シリコン）、ＳｉＮｘ（窒化シリコン）、ＳｉＯｘＮｙ（酸窒化シリコン）、ＡｌｘＯｙ（酸化アルミニウム）などが挙げられる。第１封止層３４ａ及び第３封止層３４ｃを形成する方法としては真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッター法、ＣＶＤ法などが挙げられる。有機ＥＬ素子３０に熱などのダメージを与え難い点で、真空蒸着法やイオンプレーティング法を採用することが望ましい。第１封止層３４ａ及び第３封止層３４ｃの膜厚は、成膜時にクラックなどが生じ難く、且つ透明性が得られるように、５０ｎｍ〜１０００ｎｍ、好ましくは２００ｎｍ〜４００ｎｍとなっている。
【００５１】
第２封止層３４ｂは、透明性を有し、熱または紫外線硬化型の、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂のいずれかの樹脂材料を用いて形成することができる。第２封止層３４ｂは、複数の有機ＥＬ素子３０を覆った第１封止層３４ａに積層して形成されている。第１封止層３４ａの表面は、厚みが異なる画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの影響を受けて凹凸が生ずるので、該凹凸を緩和するため、１μｍ〜５μｍの膜厚で第２封止層３４ｂを形成することが好ましい。これによって、封止層３４上に形成されるカラーフィルター３６が該凹凸の影響を受け難くなる。
なお、第２封止層３４ｂは、上記樹脂材料を用いて形成されることに限定されず、例えば塗布型の酸化シリコンなどの無機材料を用いて構成されていてもよい。
【００５２】
第２封止層３４ｂを覆う第３封止層３４ｃは、前述した無機材料を用いて形成されている。
【００５３】
カラーフィルター３６は、封止層３４の上に、フォトリソグラフィー法で形成された青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒを含んで構成されている。着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒは、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに対応して形成される。
【００５４】
本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、反射層２５と対向電極３３（低抵抗部３３ａ）との間で光共振器が構成されている。サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒごとの画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの膜厚が異なることにより、それぞれの光共振器における光学的な距離が異なっている。これにより、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒのそれぞれにおいて各色に対応した共振波長の光が得られる構成となっている。
なお、光共振器における光学的な距離の調整方法は、これに限定されず、例えばサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒごとに、基材１１上における透明層２６の膜厚を異ならせてもよい。
【００５５】
カラーフィルター３６の各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒは封止層３４上に直接形成されている。各サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの光共振器から発せられた共振光は、各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒを透過して透明な対向基板４１側から射出される。カラーフィルター３６が封止層３４上に形成されているため、カラーフィルター３６が対向基板４１側に形成される場合に比べて、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒ間での光漏れによる混色が低減される。このようなサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの構造は、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの平面的な大きさが小さいほど、つまりサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒが高精細になるほど混色を効果的に低減できる。
【００５６】
＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法について、図５〜図７を参照して説明する。図５は第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート、図６（ａ）〜（ｃ）及び図７（ｄ）〜（ｆ）は第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図である。詳しくは、図６及び図７は有機ＥＬ装置１００の製造方法における図３のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図である。また、素子基板１０における画素回路２０の駆動用トランジスター２３などや反射層２５、透明層２６は図示を省略した。
【００５７】
図５に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法は、機能層形成工程（ステップＳ１）と、共通陰極形成工程（ステップＳ２）と、第１封止層形成工程（ステップＳ３）と、イオン注入工程（ステップＳ４）と、第２封止層形成工程（ステップＳ５）と、第３封止層形成工程（ステップＳ６）と、カラーフィルター形成工程（ステップＳ７）と、基板貼り合わせ工程（ステップＳ８）とを含んでいる。
基材１１に画素回路２０やその周辺回路、陽極としての画素電極３１を形成する方法などは、公知の方法を適用することができる。したがって、本実施形態では、本発明の特徴部分である共通陰極形成工程及びイオン注入工程とその前後工程について説明する。
【００５８】
図５の機能層形成工程（ステップＳ１）では、図６（ａ）に示すように、各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒと絶縁膜２７とを覆って機能層３２を形成する。機能層３２は単一ではなく、実際には、例えば、画素電極３１上に正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層が順に積層された複層構造となっている。とりわけ、機能層３２から白色発光を得ようとする場合、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の発光が得られる有機発光層を含むものである。これらの層を構成する材料は、公知の材料を用いることができる。またこれらの層を形成する方法としては、例えば真空蒸着法を採用することができる。機能層３２の総膜厚はおよそ１００ｎｍ〜２５０ｎｍである。なお、機能層３２の層構成はこれに限定されず、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層の他に、有機発光層へのキャリア（正孔や電子）の注入性を制御する中間層を含む構成としてもよい。そして、ステップＳ２へ進む。
【００５９】
図５の共通陰極形成工程（ステップＳ２）では、図６（ｂ）に示すように、機能層３２を覆う共通陰極としての対向電極３３を形成する。対向電極３３の形成方法としては、ＭｇとＡｇとを共蒸着して、ＭｇとＡｇの合金を成膜し、これを対向電極３３とする。対向電極３３の膜厚は、対向電極３３が透光性と反射性とを示すように、１０ｎｍ〜３０ｎｍとする。本実施形態では、面抵抗（シート抵抗）がおよそ１５Ω／□（square）となるようにＭｇＡｇ合金からなる対向電極３３を形成した。そして、ステップＳ３へ進む。
【００６０】
図５の第１封止層形成工程（ステップＳ３）では、図６（ｃ）に示すように、対向電極３３を覆う第１封止層３４ａを形成する。第１封止層３４ａを形成する方法としては、例えばシリコンの酸化物を真空蒸着する方法が挙げられる。第１封止層３４ａの膜厚はおよそ２００ｎｍ〜４００ｎｍである。そして、ステップＳ４へ進む。
【００６１】
図５のイオン注入工程（ステップＳ４）では、図３及び図７（ｄ）に示すように、Ｘ方向における画素電極３１間を除いた部分を覆うレジスト層４０を形成する。具体的には、例えば、感光性樹脂材料をスピンコート法で塗布して形成された感光性樹脂層をフォトリソグラフィー法を用いて露光・現像してレジスト層４０を形成する方法が挙げられる。レジスト層４０の膜厚はおよそ２μｍである。
【００６２】
次に、レジスト層４０が形成された基材１１をイオン注入装置にセットして、酸素イオンを注入する。酸素イオンはレジスト層４０で覆われていない第１封止層３４ａを介して対向電極３３に注入される。酸素イオンが対向電極３３に注入されることにより、ＭｇＡｇ合金は酸化が進んで、Ｍｇの酸化物とＡｇの酸化物となることから、酸素イオンが注入された部分の電気抵抗が上昇して高抵抗部３３ｂとなる。レジスト層４０で覆われた部分の対向電極３３には酸素イオンが注入されないので、導電性が維持されて低抵抗部３３ａとなる。なお、ＭｇＡｇ合金を高抵抗化するために注入されるイオン種は、酸素イオンに限定されず、イオウ（Ｓ）イオンでもよい。イオウ（Ｓ）イオンを注入することにより、Ｍｇ及びＡｇが硫化物となって、高抵抗化される。
【００６３】
対向電極３３の面抵抗（Ω／□）が初期に対して１００倍以上となるようにイオン注入を行えば、本発明における課題を解決することが可能である。具体的には、本実施形態における対向電極３３（低抵抗部３３ａ）の面抵抗は前述したようにおよそ１５Ω／□である。イオン注入を行わなかった場合、サブ画素１８間におよそ１ｍＡ／ｃｍ2程度のリーク電流が流れると、サブ画素１８における発光と同程度の輝度の発光がサブ画素１８間で発生した。それゆえに、サブ画素１８における発光輝度の階調性を考慮して、リーク電流を１／１０以下（０．１ｍＡ／ｃｍ2以下）にすれば、リーク電流に起因するサブ画素１８間の意図しない発光が目立ち難くなる。対向電極３３のサブ画素１８間に相当する部分の面抵抗を初期の値（１５Ω／□）の１００倍（１５００Ω／□）以上とすれば、上記のようにリーク電流を低下させてサブ画素１８間の意図しない発光を抑制することができた。すなわち、対向電極３３の材質や初期の電気抵抗の値によらず、高抵抗部３３ｂの電気抵抗が低抵抗部３３ａの１００倍以上となるようにすることで課題を解決できる。高抵抗化の程度は、イオン注入装置におけるドーズ量（ｉｏｎ／ｃｍ2）を制御することによって調整することができる。
【００６４】
一方で、加速されたイオンが基材１１と衝突することにより、基材１１の温度が必要以上に上昇することがある。それゆえに、イオン注入工程は、イオン注入中に基材１１を冷却することが好ましい。本実施形態では、イオン注入中の基材１１の温度が１００℃以下となるように基材１１を冷却した。冷却方法としては、水などの冷媒を内部に循環させたステージ上に基材１１を配置する方法が挙げられる。これにより、基材１１からステージに放熱され、基材１１の過剰な温度上昇が防止されるので、機能層３２が熱によりダメージを受けることを低減できる。
【００６５】
また、イオン注入工程は、イオン注入後に、基材１１を加熱する工程を含んでいてもよい。対向電極３３を高抵抗化させたうえに、さらに過度にイオン注入を実行すると、注入されたイオンによって機能層３２がダメージを受けて発光機能が低下したり、発光寿命が短くなったりするおそれがある。そこで、ドーズ量（ｉｏｎ／ｃｍ2）を抑えてイオン注入し、その後に基材１１を加熱することで、対向電極３３まで届かずに第１封止層３４ａに留まったイオンを対向電極３３に拡散させて、高抵抗化を進めることができる。すなわち、過度のイオン注入によって機能層３２がダメージを受けることを抑制することができる。基材１１の加熱方法としては、窒素などの不活性ガス雰囲気を１００℃〜１４０℃に加熱した炉（チャンバー）内に基材１１を３０分〜２時間程度放置する方法が挙げられる。なお、基材１１の加熱工程は、レジスト層４０を剥離した後に行う。そして、ステップＳ５へ進む。
【００６６】
図５の第２封止層形成工程（ステップＳ５）及び第３封止層形成工程（ステップＳ６）では、図７（ｅ）に示すように、まず、第１封止層３４ａを覆う第２封止層３４ｂを形成する。第２封止層３４ｂの形成方法としては、例えば、透明性を有するエポキシ樹脂と、エポキシ樹脂の溶媒とを含む溶液を用い、スピンコート法で該溶液を塗布して乾燥することにより、エポキシ樹脂からなる第２封止層３４ｂを形成する。第２封止層３４ｂの膜厚は１μｍ〜５μｍが好ましく、この場合、３μｍとした。なお、前述したように、樹脂材料を用いて第２封止層３４ｂを形成することに限定されず、塗布型の無機材料を印刷法などにより、少なくとも実表示領域Ｅ１（図２参照）を覆うように塗布して乾燥・焼成することにより、膜厚がおよそ３μｍの酸化シリコン膜からなる第２封止層３４ｂを形成してもよい。
そして、第２封止層３４ｂを覆う第３封止層３４ｃを形成する。第３封止層３４ｃの形成方法は、第１封止層３４ａと同じであって、例えばシリコンの酸化物を真空蒸着する方法が挙げられる。第３封止層３４ｃの膜厚もおよそ２００ｎｍ〜４００ｎｍである。そして、ステップＳ７へ進む。
【００６７】
図５のカラーフィルター形成工程（ステップＳ７）では、図７（ｆ）に示すように、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）に対応する色材を含む感光性樹脂材料の塗布・プレベーク・露光・現像を３回繰り返すことで、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）に対応する着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒを備えたカラーフィルター３６を封止層３４上に形成する。着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの膜厚はおよそ１．５μｍ〜２．０μｍである。そして、ステップＳ８へ進む。
【００６８】
図５の基板貼り合わせ工程（ステップＳ８）では、図４に示すように、カラーフィルター３６を覆うように接着性を有する透明樹脂材料を塗布する。そして、透明樹脂材料が塗布された基材１１に対して対向基板４１を所定の位置に対向配置して、例えば対向基板４１を基材１１側に押圧する。これにより、透明樹脂材料からなる透明樹脂層４２を介して素子基板１０と対向基板４１とを貼り合わせる。透明樹脂材料は、例えば熱硬化型のエポキシ樹脂である。
【００６９】
この後に、図２に示すように、素子基板１０の端子部にＦＰＣ４３を実装して、有機ＥＬ装置１００が完成する。
【００７０】
上記第１実施形態の有機ＥＬ装置１００及びその製造方法によれば、以下の効果が得られる。
（１）Ｘ方向におけるサブ画素１８間に相当する対向電極３３の部分に高抵抗部３３ｂが形成されている。平面視では一対の高抵抗部３３ｂの間にサブ画素１８が存在している。したがって、Ｘ方向において隣り合う画素電極３１と対向電極３３との間で電界が集中して、Ｘ方向に隣り合うサブ画素１８が短絡することや、Ｘ方向において隣り合う画素電極３１と対向電極３３との間で機能層３２を介してリーク電流が流れて、サブ画素１８間において意図しない発光が生ずることが低減される。つまり、優れた表示品質を有する有機ＥＬ装置１００を提供できると共に、歩留まりよく製造することができる。
（２）対向電極３３における高抵抗部３３ｂは、無機絶縁材料からなる第１封止層３４ａを介して対向電極３３に酸素イオンまたはイオウ（Ｓ）イオンを注入することにより形成される。したがって、対向電極３３に直接にイオンを注入する場合に比べて、注入されたイオンによって機能層３２がダメージを受けることを低減できる。
（３）また、対向電極３３に対して部分的にイオン注入するために形成されたレジスト層４０を剥離する際に、有機溶媒などの溶液を用いたとしても、当該溶液が直接に対向電極３３に触れないので、当該溶液が機能層３２に浸み込んで発光機能が失われたり、発光寿命が短くなったりすることを防止できる。
【００７１】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態の有機ＥＬ装置について、図８及び図９を参照して説明する。図８は第２実施形態の有機ＥＬ装置におけるサブ画素の構成を示す概略平面図、図９は図８のＣ−Ｃ’線に沿った概略断面図である。
第２実施形態の有機ＥＬ装置は、第１実施形態の有機ＥＬ装置１００に対して、高抵抗部の構成を異ならせたものである。したがって、第１実施形態と同一の構成には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
【００７２】
本実施形態の有機ＥＬ装置２００の対向電極３３は、Ｘ方向に隣り合うサブ画素１８間に形成された高抵抗部３３ｂと、Ｙ方向に隣り合うサブ画素１８間に形成され、Ｘ方向に隣り合うサブ画素１８の辺部に沿って延在する高抵抗部３３ｃとを有している。また、高抵抗部３３ｃが接するサブ画素１８の辺部に対して対向する辺部において、平面視で２つのコンタクトホール３５と重なると共に、Ｘ方向に複数のサブ画素１８に跨って延在する高抵抗部３３ｄとを有している。高抵抗部３３ｂ，３３ｃ，３３ｄは、平面視では、画素電極３１上の開口部２７ａをほぼ囲むようにして連続的に形成されている。対向電極３３において高抵抗部３３ｂ，３３ｃ，３３ｄを除く部分が低抵抗部３３ａとなっている。サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒでは、開口部２７ａに対向する低抵抗部３３ａが、Ｘ方向に延在する高抵抗部３３ｃの隙間を通じて互いに電気的に繋がっている。
【００７３】
図９に示すように、基材１１上には、画素回路２０の構成要素の１つである駆動用トランジスター２３と、反射層２５と、透明層２６と、画素電極３１（３１Ｂ）と、機能層３２と、対向電極３３と、封止層３４と、カラーフィルター３６とが、この順に形成される。なお、図９では、素子基板１０に透明樹脂層４２を介して対向配置される対向基板４１の図示を省略している。
【００７４】
駆動用トランジスター２３は、チャネル領域２３１と、チャネル領域２３１を挟むドレイン領域２３２及びソース領域２３３とを有する半導体層２３０を有している。
半導体層２３０は、例えば高温ポリシリコンであって、基材１１の表面を覆って形成された絶縁膜１１ａ上に形成される。半導体層２３０を覆うようにゲート絶縁膜１１ｂが形成され、ゲート絶縁膜１１ｂのチャネル領域２３１と重なる部分にゲート電極２３４が形成される。
【００７５】
ゲート絶縁膜１１ｂとゲート電極２３４とを覆って、層間絶縁膜２４が形成される。半導体層２３０のドレイン領域２３２及びソース領域２３３のそれぞれの端部と重なる位置において、ゲート絶縁膜１１ｂと層間絶縁膜２４とを貫通するコンタクトホール２４ａ，２４ｂが形成される。２つのコンタクトホール２４ａ，２４ｂを埋めると共に層間絶縁膜２４を覆って例えば光反射性を有するＡｌ（アルミニウム）膜が成膜される。このＡｌ膜をパターニングして、反射層２５と、コンタクトホール２４ａを埋めたドレイン電極２３５と、コンタクトホール２４ｂを埋めたソース電極２３６とが形成される。ソース電極２３６は電源線１４に電気的に接続される。
【００７６】
反射層２５と、ドレイン電極２３５と、ソース電極２３６とを覆って透明層２６が形成される。ドレイン電極２３５と重なる位置に透明層２６を貫通するコンタクトホール３５が形成される。透明層２６の表面と、コンタクトホール３５内とを覆って例えばＩＴＯ膜が形成される。このＩＴＯ膜をパターニングして、画素電極３１（３１Ｂ）が形成される。画素電極３１（３１Ｂ）は、コンタクトホール３５内のＩＴＯ膜によりドレイン電極２３５と電気的に接続される。ＩＴＯ膜の膜厚は、およそ１００ｎｍ程度であって、反射層２５と比べると薄いので、画素電極３１（３１Ｂ）のコンタクトホール３５と重なる部分には、凹部が生ずる。
【００７７】
画素電極３１（３１Ｂ）を覆って絶縁膜２７が形成される。絶縁膜２７は画素電極３１（３１Ｂ）の外縁部と重なるようにパターニングされ、画素電極３１（３１Ｂ）上に開口する開口部２７ａが形成される。絶縁膜２７の膜厚はおよそ５０ｎｍ程度であって、画素電極３１（３１Ｂ）の表面に生じた上記凹部を覆う絶縁膜２７の表面にも凹凸が生ずる。
【００７８】
開口部２７ａに露出した画素電極３１（３１Ｂ）と絶縁膜２７とを覆って機能層３２が形成される。機能層３２は、前述したように複数の層から構成され、各層を真空蒸着して積層することにより形成される。したがって、被形成面における凹凸の影響を受けて膜厚が変動する。とりわけ、画素電極３１（３１Ｂ）の外縁部やコンタクトホール３５と平面視で重なる部分において、機能層３２の膜厚がねらいの膜厚に対して薄くなりやすい。膜厚が薄くなった機能層３２を介して対向する画素電極３１（３１Ｂ）と、対向電極３３との間では、他の部分に比べてリーク電流が流れ易くなる。
【００７９】
本実施形態では、対向電極３３のＸ方向に隣り合うサブ画素１８間に形成された高抵抗部３３ｂと、コンタクトホール３５に重なる部分に形成された高抵抗部３３ｄとを有している。したがって、上記リーク電流が流れ難くなる。
【００８０】
上記第２実施形態によれば、第１実施形態の効果（１）〜（３）に加えて、以下の効果が得られる。
（４）有機ＥＬ装置２００とその製造方法によれば、平面視でコンタクトホール３５と重なると共に、開口部２７ａをほぼ囲むように高抵抗部３３ｂ，３３ｃ，３３ｄが形成される。したがって、第１実施形態の有機ＥＬ装置１００に比べて、膜厚が薄くなった機能層３２を介して対向する画素電極３１と、対向電極３３との間でリーク電流がより流れ難くなり、リーク電流に起因して意図しない発光が生ずることを抑制できる。つまり、より優れた表示品質を有する有機ＥＬ装置２００を提供あるいは製造することができる。
【００８１】
（第３実施形態）
＜電子機器＞
次に、本実施形態の電子機器について、図１０を参照して説明する。図１０は、電子機器としてのヘッドマウントディスプレイを示す概略図である。
図１０に示すように、本実施形態の電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）１０００は、左右の目に対応して設けられた２つの表示部１００１を有している。観察者Ｍはヘッドマウントディスプレイ１０００を眼鏡のように頭部に装着することにより、表示部１００１に表示された文字や画像などを見ることができる。例えば、左右の表示部１００１に視差を考慮した画像を表示すれば、立体的な映像を見て楽しむこともできる。
【００８２】
表示部１００１には、上記第１実施形態の有機ＥＬ装置１００（あるいは上記第２実施形態の有機ＥＬ装置２００）が搭載されている。したがって、優れた表示品質を有すると共に、コストパフォーマンスに優れ小型で軽量なヘッドマウントディスプレイ１０００を提供することができる。
【００８３】
ヘッドマウントディスプレイ１０００は、２つの表示部１００１を有することに限定されず、左右のいずれかに対応させた１つの表示部１００１を備える構成としてもよい。
【００８４】
なお、上記有機ＥＬ装置１００または上記有機ＥＬ装置２００が搭載される電子機器は、ヘッドマウントディスプレイ１０００に限定されない。例えば、パーソナルコンピューターや携帯型情報端末、ナビゲーター、ビューワー、ヘッドアップディスプレイなどの表示部を有する電子機器が挙げられる。
【００８５】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う有機ＥＬ装置及び該有機ＥＬ装置の製造方法ならびに該有機ＥＬ装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【００８６】
（変形例１）対向電極３３における高抵抗部の配置は、上記第１実施形態または上記第２実施形態に限定されない。図１１及び図１２は変形例の高抵抗部の配置を示す概略平面図である。例えば、図１１に示すように、変形例の有機ＥＬ装置３００は、平面視で、画素電極３１（３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ）の長辺部に沿って形成される高抵抗部３３ｂと、Ｘ方向に隣り合う画素電極３１の短辺部に沿って形成される高抵抗部３３ｃとを有している。Ｙ方向において対向する一対の高抵抗部３３ｃの一方は、コンタクトホール３５が設けられた側の画素電極３１の角部と重なって形成されている。このようにすれば、画素電極３１の角部を含めた長辺部の付近で生じ易い機能層３２の薄膜化に起因するリーク電流の発生を抑制できる。
【００８７】
また、例えば、図１２に示すように、変形例の有機ＥＬ装置４００は、平面視で、Ｘ方向に隣り合う画素電極３１の間において、Ｙ方向に連続して形成された高抵抗部３３ｆを有している。この場合、高抵抗部３３ｆは、図２に示した表示領域Ｅ０の外側の非表示領域Ｅ３まで延在するように形成される。表示領域Ｅ０では、低抵抗部３３ｅがＹ方向に延在し、Ｘ方向において分割された状態になっているので、非表示領域Ｅ３では低抵抗部３３ｅ同士が電気的に接続される。このようにすれば、上記第１実施形態のようにサブ画素１８ごとに独立した高抵抗部３３ｂを形成する場合に比べて、低抵抗部３３ｅの表示領域Ｅ０における電気抵抗が上昇するものの、高抵抗部３３ｆのパターニングがし易い。また、Ｙ方向と交差する斜め方向に隣り合うサブ画素１８間における電界集中による短絡やリーク電流の発生を抑制できる。
【００８８】
なお、図１２では、Ｙ方向（第１の方向）に延在するように高抵抗部３３ｆを形成したが、これは、サブ画素１８（画素電極３１）がＹ方向に長い矩形状だからである。また、３つのサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒによって構成された１つの画素１９は、ほぼ正方形であることから、高抵抗部３３ｆをＸ方向（第２の方向）に延在するように形成してもよい。言い換えれば、高抵抗部は、サブ画素１８を単位として形成することに限定されず、画素１９を単位として、Ｘ方向またはＹ方向に隣り合う画素１９の間に形成するとしてもよい。このような構成は、サブ画素１８がより高精細となり、サブ画素１８を単位として高抵抗部を設けることが困難な場合に有効である。また、リーク電流によって意図しない発光が視認し易いサブ画素１８間に高抵抗部を形成しても、表示品質を向上させる効果が得られる。
【００８９】
（変形例２）上記第１実施形態及び上記第２実施形態では、封止層３４は、無機絶縁材料からなる第１封止層３４ａと第３封止層３４ｃとの間に有機絶縁材料からなる第２封止層３４ｂを挟む三層構造としたが、これに限定されない。封止層３４を無機絶縁材料からなる単一層または複層としてもよい。
【００９０】
（変形例３）上記第１実施形態の有機ＥＬ装置１００及び上記第２実施形態の有機ＥＬ装置２００において、実表示領域Ｅ１に設けられる発光画素は、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の発光に対応したサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに限定されない。例えば、上記３色以外の黄（Ｙ）の発光が得られるサブ画素１８Ｙを備えてもよい。これにより、色再現性をさらに高めることが可能となる。
【００９１】
（変形例４）上記有機ＥＬ装置１００，２００の構成は、これに限定されない。例えば、カラー表示による色純度を重要視しなければ、カラーフィルター３６を除いたとしても、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒごとに光共振器を有しているのでカラー表示は可能である。また、カラーフィルター３６を有していれば、光共振器は必ずしも必要ではない。
【００９２】
（変形例５）上記実施形態の有機ＥＬ装置１００，２００は、トップエミッション型に限定されない。例えば、対向電極３３を反射層とし、画素電極３１と基材１１との間に半透過反射層を設け、機能層３２からの発光を基材１１側から取り出すボトムエミッション型の有機ＥＬ装置にも適用することができる。
【符号の説明】
【００９３】
１１…基板としての基材、１８，１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒ…サブ画素、１９…画素、２３…駆動用トランジスター、３０…有機ＥＬ素子、３１，３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ…陽極としての画素電極、３２…機能層、３３…共通陰極としての対向電極、３３ａ，３３ｅ…低抵抗部、３３ｂ，３３ｃ，３３ｄ，３３ｆ…高抵抗部、３４…封止層、３４ａ…第１封止層、３４ｂ…第２封止層、３４ｃ…第３封止層、３５…コンタクト部としてのコンタクトホール、１００，２００，３００，４００…有機ＥＬ装置、１０００…電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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