(57)【要約】【課題】制御配線の引き回しが容易である半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置１は、第１主面１１に少なくともソース電極１４及びゲート電極１５が形成されかつ第２主面１２にドレイン電極１３が形成されたスイッチング素子１０と、ソース電極に接続する第１電極端子４０と、ドレイン電極１３に接続する第２電極端子５０と、ゲート電極１５に接続する制御配線２１とを備え、スイッチング素子１０が封止樹脂６０により封止されている。スイッチング素子１０の第１主面１１に面する第１電極端子４０の第１面４１には、制御配線２１が形成された配線シート２０が設けられ、配線シート２０は第１電極端子４０の第１面４１に半田７０で固定されている。【選択図】図１
2014086658.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面に少なくとも第１電極及び制御電極が形成されかつ第２主面に第２電極が形成されたスイッチング素子と、
前記第１電極に接続する第１電極端子と、
前記第２電極に接続する第２電極端子と、
前記制御電極に接続する制御配線とを備え、
前記スイッチング素子が封止樹脂により封止された半導体装置であって、
前記スイッチング素子の前記第１主面に面する前記第１電極端子の第１面には、前記制御配線が形成された配線シートが設けられ、
前記配線シートは前記第１電極端子の前記第１面に半田で固定されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記配線シートには、前記第１電極端子に接続する電極配線が設けられ、
前記電極配線と前記第１電極端子とが半田接続されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体装置において、
前記配線シートはランド部を有し、
前記配線シートはこのランド部を介して前記第１電極端子に半田接続されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記配線シートの外形は、前記スイッチング素子の前記第１主面を内包するように形成され、
前記配線シートには、前記スイッチング素子の前記第１電極に対応する部分に貫通孔が形成され、
前記第１電極と前記第１電極端子とが半田接続されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記配線シートのうちで前記第１電極端子の前記第１面に半田で固定される半田固定部は、少なくとも２箇所あり、
複数個の前記半田固定部のうちの２個は、前記スイッチング素子が配置される部分を間にして互いに相対する位置に配置されている
ことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スイッチング素子を備える半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電力制御用の半導体装置は、スイッチング素子と、第１電極端子と、第２電極端子と、スイッチング素子を制御するための制御配線とを備えている。第１電極端子は、スイッチング素子の第１の電極に接続している。第２電極端子は、スイッチング素子の第２の電極に接続している。第１電極端子から第２電極端子に流れる大電流をスイッチング素子が制御する。
【０００３】
電力制御用のスイッチング素子には高耐圧特性が要求されている。
高耐圧のスイッチング素子として、シリコン（Ｓｉ）系のＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）が挙げられる。近年、シリコンに比べて高耐圧・低損失が可能なワイドバンドギャップ半導体材料（例えば、炭化珪素若しくは窒化ガリウム）により形成されたＳｉＣ系のＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）やＧａＮ系のＭＯＳＦＥＴが開発されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１１７４２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、電力制御用の半導体装置の用途が広がるにつれて、スイッチング素子を制御するための制御配線の引き回しの容易性が要求されている。従来の電力制御用の半導体装置では制御配線がリードバーにより構成されているため、その引き回しが難しいといった問題がある。
【０００６】
本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、制御配線の引き回しが容易である半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）上記課題を解決する半導体装置は、第１主面に少なくとも第１電極及び制御電極が形成されかつ第２主面に第２電極が形成されたスイッチング素子と、前記第１電極に接続する第１電極端子と、前記第２電極に接続する第２電極端子と、前記制御電極に接続する制御配線とを備え、前記スイッチング素子が封止樹脂により封止されたものであり、前記スイッチング素子の前記第１主面に面する前記第１電極端子の第１面には、前記制御配線が形成された配線シートが設けられ、前記配線シートは前記第１電極端子の前記第１面に半田で固定されている。
【０００８】
この構成によれば、制御配線が配線シートに形成されているため、制御配線の引き回しが容易である。
また、配線シートは前記第１電極端子の前記第１面に半田で固定されているため、周囲の温度変化にともなう半導体装置の膨張収縮において、配線シートと第１電極端子との間の剥離の発生を抑制することができる。
【０００９】
（２）上記の半導体装置において、前記配線シートには、前記第１電極端子に接続する電極配線が設けられ、前記電極配線と前記第１電極端子とが半田接続されていることが好ましい。
【００１０】
この構成によれば、配線シートに制御配線と電極配線とを設けている。すなわち、制御配線と電極配線とは同じ経路を辿って、当該半導体装置を制御するための制御装置に接続される。このため、制御配線が電極配線とは異なる経路を辿って制御装置に接続される場合に比べて、制御配線と電極配線との間のインピーダンスの差が小さくなる。これにより、異常発振等のノイズの発生を抑制することができる。
【００１１】
（３）上記の半導体装置において、前記配線シートはランド部を有し、前記配線シートはこのランド部を介して前記第１電極端子に半田接続されていることが好ましい。
配線シートにスルーホールを設け、このスルーホールを介して第１電極端子と配線シートとを半田接続すると、スルーホールの孔周縁部（スルーホールランド）と第１電極端子との間に半田が介在するため、配線シートと第１電極端子との間に隙間が大きくなる可能性が高い。この点、上記構成によれば、ランド部の孔終焉部は、配線シートの表面よりも内部に存在するため、このようは隙間を小さくすることができる。
【００１２】
（４）上記の半導体装置において、前記配線シートの外形は、前記スイッチング素子の前記第１主面を内包するように形成され、前記配線シートには、前記スイッチング素子の前記第１電極に対応する部分に貫通孔が形成され、前記第１電極と前記第１電極端子とが半田接続されていることが好ましい。
【００１３】
この構成によれば、スイッチング素子の第１電極と第１電極端子とを接続する半田の広がりが、貫通孔の範囲に制限される。すなわち、第１電極端子と他の電極との間に跨るように半田が広がることが抑制される。このため、第１電極端子と他の電極とが半田で導通するといったショートの発生を抑制することができる。
【００１４】
（５）上記の半導体装置において、前記配線シートのうちで前記第１電極端子の前記第１面に半田で固定される半田固定部は、少なくとも２箇所あり、複数個の前記半田固定部のうちの２個は、前記スイッチング素子が配置される部分を間にして互いに相対する位置に配置されていることが好ましい。
【００１５】
この構成によれば、第１電極端子に対して配線シートを２箇所で半田固定するため、半田固定部が１箇所である場合に比べて、第１電極端子に対して配線シートを強固に固定することができる。また、２個の半田固定部を、スイッチング素子が配置される部分を間にして互いに相対する位置に配置するため、互いに隣り合うように２個の半田固定部を配置する場合に比べて、配線シートにおいて半田固定部から離れた部分が第１電極端子から剥がれるといった剥離の発生を抑制することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本半導体装置は、配線シートを備えるため、制御配線の引き回しが容易である。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施形態に係る半導体装置の断面図。
【図２】スイッチング素子が配置される面側からみた配線シートの平面図。
【図３】第１電極端子が配置される面側からみた配線シートの平面図
【図４】半導体装置において、スイッチング素子と配線シートとを分解した状態を模式的に示す斜視図。
【図５】図４のＡ−Ａ線に沿う半導体装置の断面図
【図６】図６（ａ）は、比較対象の半導体装置と制御装置とを備える電力制御回路の模式図、図６（ｂ）は、実施形態に係る半導体装置と制御装置とを備える電力制御回路の模式図。
【図７】配線シートの変形例を示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図１を参照して、本実施形態に係る半導体装置の一例について説明する。以下に説明する半導体装置１は、モータを制御するインバータ回路等に用いられる。
半導体装置１は、スイッチング素子１０と、第１電極端子４０と、第２電極端子５０と、制御配線２１及び電極配線２２を含む配線シート２０（図２参照）とを備えている。スイッチング素子１０は封止樹脂６０により封止されている。封止樹脂６０としては、例えば、酸化ケイ素等のフィラ含有のエポキシ樹脂、ＰＰＳ樹脂（ポリフェニレンサルファイド樹脂）等が用いられる。
【００１９】
スイッチング素子１０は、ＳｉＣのｎ型ＭＯＳＦＥＴにより形成されている。スイッチング素子１０の厚さは、２００μｍ〜３００μｍである。
スイッチング素子１０の第１主面１１には、図４に示すように、ソース電極１４（第１電極）と、ゲート電極１５（制御電極）が形成されている。ソース電極１４の大きさは、ゲート電極１５の大きさよりも大きい。ゲート電極１５は、第１主面１１の端側に配置されている。スイッチング素子１０の第２主面１２にはドレイン電極１３（第２電極）が形成されている。
【００２０】
第１電極端子４０について説明する。
第１電極端子４０は、スイッチング素子１０のソース電極１４に接続する端子である。
第１電極端子４０の第１面４１と、スイッチング素子１０のソース電極１４とは半田７０で接続されている。
【００２１】
第１電極端子４０の第１面４１には、配線シート２０が取り付けられている。
第１電極端子４０の第２面４２、すなわちスイッチング素子１０に接続する第１面４１と反対側の面には、絶縁シート４３が貼り付けられている。絶縁シート４３は、ポリイミド樹脂により形成されている。また、絶縁シート４３の外面には金属シート４４が貼り付けられている。金属シート４４の外面は外部に露出する。すなわち、第１電極端子４０の第１面４１側が封止樹脂６０により封止される一方、第１電極端子４０の第２面４２側の金属シート４４が外部に露出する。絶縁シート４３と金属シート４４との積層体は、銅張ポリイミド積層シートを用いて形成されている。なお、半導体装置１の冷却が必要な場合には、この金属シート４４にヒートシンク等の冷却装置が取り付けられる。
【００２２】
第１電極端子４０の材料としては、導電性及び熱伝導性の観点から銅が用いられる。例えば、タフピッチ銅、無酸素銅等、高純度の銅により形成される。なお、軽量化のために、第１電極端子４０の材料として、アルミニウム材を採用してもよい。第１電極端子４０の断面積の大きさは、第１電極端子４０の材質、第１電極端子４０に流す電流量により設定される。第１電極端子４０の厚さは、５００μｍ〜５０００μｍに設定されている。
【００２３】
第２電極端子５０について説明する。
第２電極端子５０は、スイッチング素子１０のドレイン電極１３に接続する端子である。第２電極端子５０の第１面５１とスイッチング素子１０のドレイン電極１３とは半田７０で接続されている。
【００２４】
第２電極端子５０の第２面５２、すなわちスイッチング素子１０に接続する面と反対側の面には、絶縁シート５３が貼り付けられている。また、絶縁シート５３には金属シート５４が貼り付けられている。第２電極端子５０の第１面５１側は樹脂で封止されている。第２電極端子５０の第２面５２側の金属シート５４は外部に露出する。第２電極端子５０の材質及び寸法については、第１電極端子４０と同様である。また、絶縁シート５３と金属シート５４との積層体についても、その用途は、絶縁シート４３と金属シート４４との積層体と同様である。
【００２５】
図２及び図３を参照して、配線シート２０について説明する。
図２は、配線シート２０において、スイッチング素子１０が配置される面を示す図である。図３は、配線シート２０において、第１電極端子４０が配置される面を示す図である。図２及び図３において、２点鎖線で囲われた領域は、スイッチング素子１０が配置される部分を示す。
【００２６】
配線シート２０は、フレキシブルプリント基板により形成されている。具体的には配線シート２０は、制御配線２１と、電極配線２２と、これら配線２１，２２の一面を覆う第１ポリイミド層３１と、これら配線２１，２２の他面を覆う第２ポリイミド層３２とを備えている（図１参照）。第１ポリイミド層３１は、配線シート２０においてスイッチング素子１０が配置される面側を構成し、第２ポリイミド層３２は、配線シート２０において第１電極端子４０が配置される面側を構成する。制御配線２１及び電極配線２２は、金属箔のエッチングにより形成されている。配線シート２０の厚さは５０μｍ〜１００μｍである。
【００２７】
配線シート２０は、第１電極端子４０に固定される固定部２０ａと、制御配線２１及び電極配線２２を外部に引き出すリード部２０ｂとにより区分される。固定部２０ａの外形は、スイッチング素子１０が配置される部分（２点鎖線で囲われた部分）を内包する。この固定部２０ａには貫通孔２７が形成されている。貫通孔２７は、スイッチング素子１０のソース電極１４と略同じ形状に形成されている。
【００２８】
図３に示すように、固定部２０ａの外面（第１電極端子４０が配置される面）には、ランド部２８が形成されている。
ランド部２８は、第１ポリイミド層３１と第２ポリイミド層３２との間に設けられた金属箔２８ａと、第２ポリイミド層３２に設けられた第１開口部２８ｂとを備えている。第１開口部２８ｂは、第１電極端子４０側に金属箔２８ａを露出する。
【００２９】
ランド部２８は、配線シート２０を第１電極端子４０に対して固定するための固定手段である。すなわち、図１に示すように、第１電極端子４０の第１面４１とランド部２８の金属箔２８ａとの間に半田７０が充填され、第１電極端子４０とランド部２８とが半田７０で接続される。これにより、第１電極端子４０に配線シート２０が固定される。
【００３０】
リード部２０ｂは封止樹脂６０の外側に引き出されている。
リード部２０ｂの一端部には、第１ポリイミド層３１の一部が除去された部分すなわち第２開口部２０ｃが形成されている。第２開口部２０ｃには、ゲート端子２４が形成されている。ゲート端子２４は制御配線２１の先端部に形成されている。このゲート端子２４はゲート電極１５に半田７０で接続されている（図４参照）。
【００３１】
また、図３に示すように、リード部２０ｂには電極端子接続部２９が形成されている。
電極端子接続部２９は、電極配線２２の先端部に形成された接続端子２６と、第２ポリイミド層３２に設けられた第３開口部２９ａとにより構成されている。第３開口部２９ａは、第１電極端子４０側に接続端子２６を露出させるための孔である。接続端子２６は、第１電極端子４０に半田７０で接続されている（図５参照）。
【００３２】
電極端子接続部２９は、配線シート２０を第１電極端子４０に固定する機能をも有する。電極端子接続部２９の第３開口部２９ａの大きさは、ゲート端子２４の大きさと等しく設定してもよいが、配線シート２０を第１電極端子４０に強固に固定させるために、電極端子接続部２９の第３開口部２９ａの大きさは、ゲート端子２４よりも大きめに設定されている。また、電極端子接続部２９は、スイッチング素子１０が配置する部分を間にして、ランド部２８とは反対側の部分に配置されている。
【００３３】
図４を参照して、ゲート端子２４と貫通孔２７との配置関係を説明する。
貫通孔２７はスイッチング素子１０のソース電極１４に対応するように配置されている。ゲート端子２４はスイッチング素子１０のゲート電極１５に対応するように配置されている。すなわち、ゲート端子２４と貫通孔２７の配置関係は、ゲート電極１５とソース電極１４の配置関係と一致する。
【００３４】
図５及び図６を参照して、半導体装置１の２つの作用について説明する。
まず、図５を参照して、半導体装置１の第１の作用について説明する。図５は、図４のＡ−Ａ線に沿う断面、すなわち、貫通孔２７と接続端子２６とを横切る線に沿って切断した断面を示す。
【００３５】
半導体装置１は大電流を制御する。具体的には、スイッチング素子１０の動作により、第１電極端子４０と第２電極端子５０との間を導通状態にしたり、第１電極端子４０と第２電極端子５０との間を遮断状態にしたりする。
【００３６】
第１電極端子４０、第２電極端子５０及びスイッチング素子１０には大電流が流れるため、半導体装置１が動作するとき、半導体装置１が高温（例えば、１００℃以上）になる。一方、半導体装置１が動作しないときは、半導体装置１の周囲の空気により冷やされるため、半導体装置１の温度は周囲の空気の温度（例えば、−２０℃〜４０℃）と略等しくなる。このように、半導体装置１の温度は、使用上において、低温から高温まで変化する。半導体装置１の各構成部品の線膨張係数は夫々異なるため、温度変化により構成部品同士の接触部分には応力が加わる。特に、接触面積が大きく、かつ線膨張係数に大きな差がある部分、すなわち第１電極端子４０と配線シート２０との間の接触部分には、温度変化によって大きな応力が加わる。この応力の大きさが第１電極端子４０と配線シート２０との間の接着力を超えると、第１電極端子４０に対して配線シート２０がずれ、第１電極端子４０と配線シート２０との間に剥離が生じる。
【００３７】
本実施形態の半導体装置１では、図５に示すように、配線シート２０において、スイッチング素子１０が配置される部分を間にして相対する２箇所の部分において、配線シート２０と第１電極端子４０とを半田７０で接続する。具体的には、ランド部２８により配線シート２０と第１電極端子４０とを半田接続し、かつ電極端子接続部２９とにより配線シート２０と第１電極端子４０とを半田接続する。これにより、配線シート２０に対し、当該配線シート２０の面に沿う方向に応力が加わる場合において、当該応力に対する抗力が大きくなるため、当該応力に起因する剥離の発生を抑制することができる。
【００３８】
図６を参照して、半導体装置１の第２の作用について説明する。
電力制御回路において、半導体装置１の各電極端子４０，５０及び各配線は、図６に示すように、次のように接続される。
【００３９】
半導体装置１の第１電極端子４０と第２電極端子５０はそれぞれ電源、モータ等に接続される。半導体装置１の配線シート２０の各配線は、制御装置１１０に接続される。電力制御回路では、ソース電極１４の電位を考慮してゲート電極１５に入力する信号を設定する。このため、電力制御回路の制御装置１１０には、ゲート電極１５に接続されている制御配線２１と、ソース電極１４と等電位である第１電極端子４０とが接続されている。
【００４０】
図６（ａ）に、電極端子接続部２９が存在しない半導体装置（以下、「比較対象の半導体装置１００」）を用いた電力制御回路を示す。
図６（ａ）に示すように、比較対象の半導体装置１００では、ソース電極１４の電位を制御装置１１０に入力するために、ソース電極１４に接続されている第１電極端子４０にソース信号配線１２２の一端を接続し、このソース信号配線１２２の他端を制御装置１１０に接続する。
【００４１】
このような電力制御回路の場合、図６（ａ）に示すように、ゲート電極１５に接続されている制御配線２１と、制御装置１１０と、ソース信号配線１２２と、半導体装置１００とにより構成されるループが大きくなる。この結果、電力制御回路の配線インダクタンスが大きくなり、ゲート信号の遅延やリンギング、サージが大きくなり、また、外部からのノイズを受けやすくなる。そして、これが原因となって、電力制御回路の誤動作が発生する。
【００４２】
図６（ｂ）に、本実施形態に係る半導体装置１を用いた電力制御回路を示す。
半導体装置１では、配線シート２０に、ゲート電極１５に接続される制御配線２１と第１電極端子４０に接続される電極配線２２とを設けている。このため、制御配線２１と、制御装置１１０と、電極配線２２と、半導体装置１とによりにより構成されるループが、比較対象の半導体装置１００を用いた電極制御回路に比べて、小さくなる。この結果、電力制御回路の配線インダクタンスが小さくなり、ゲート信号の遅延やリンギング、サージの発生またはその程度が抑制され、また、外部からのノイズを受けにくくなる。このようなことから、電力制御回路における誤動作の発生が抑制される。
【００４３】
上記実施形態によれば次の効果が得られる。
（１）本実施形態では、第１電極端子４０の第１面４１に、制御配線２１を有する配線シート２０を設けている。リードバー等に比べると、配線シート２０は可撓性が高く、引き回しが容易である。このため、制御配線２１の引き回しが容易である。
【００４４】
また、配線シート２０を第１電極端子４０に半田７０で固定する。このため、配線シート２０を第１電極端子４０に熱圧着等で固定する場合に比べて、周囲の温度変化にともなう半導体装置１の膨張収縮において、配線シート２０と第１電極端子４０との間の剥離の発生を抑制することができる。
【００４５】
また、配線シート２０と第１電極端子とを半田で接続するため、配線シート２０と第１電極端子とを熱圧着により接着する場合に比べて、配線シート２０と第１電極端子との間の密着力を大きくすることができる。
【００４６】
なお、配線シート２０を第１電極端子４０に半田７０で固定し、かつ配線シート２０と第１電極端子４０とを熱圧着または接着剤により接着してもよい。この構成によれば、半田接続以外の部分で、配線シート２０と第１電極端子４０との間の隙間を小さくすることができる。
【００４７】
（２）本実施形態では、配線シート２０に、第１電極端子４０に接続する電極配線２２を設けている。そして、電極配線２２と第１電極端子４０とを半田接続する。すなわち、配線シート２０に、制御配線２１と電極配線２２とを設けている。
【００４８】
この構成によれば、図６（ｂ）に示すように、制御配線２１と電極配線２２とを略同じ経路で制御装置１１０に接続することができる。このため、制御配線２１と電極配線２２とを異なる経路で制御装置１１０に接続する場合に比べて、ループの大きさを小さくすることができる。これにより、電力制御回路の配線インダクタンスが小さくなり、ゲート信号の遅延やリンギング、サージの発生またはその程度が抑制され、また、外部からのノイズを受けにくくなる。この結果、電力制御回路における誤動作の発生が抑制される。
【００４９】
（３）本実施形態では、配線シート２０はランド部２８を介して第１電極端子４０に半田接続されている。
ランド部２８以外の半田接続方法として、スルーホールを利用することも考えられる。しかし、スルーホールの孔周縁部（スルーホールランド）は、配線シート２０の表面から突出したところにある。このため、配線シート２０にスルーホールを設け、このスルーホールを介して第１電極端子４０と配線シート２０とを半田接続すると、配線シート２０と第１電極端子４０との間の隙間が大きくなる。この点、上記構成によれば、ランド部２８の孔周縁部は、配線シート２０の表面よりも内部に存在するため、配線シート２０と第１電極端子４０との間の隙間を小さくすることができる。
【００５０】
（４）本実施形態では、配線シート２０の外形を、スイッチング素子１０の第１主面１１に対応する部分（図２の２点鎖線で囲んだ部分）を内包するように形成する。また、配線シート２０において、スイッチング素子１０のソース電極１４に対応する部分に貫通孔２７を形成する。そして、ソース電極１４と第１電極端子４０とを半田接続する。
【００５１】
この構成によれば、スイッチング素子１０のソース電極１４と第１電極端子４０とを接続する半田７０の広がりが、貫通孔２７の範囲に制限される。すなわち、第１電極端子４０と他の電極との間に跨るように半田７０が広がることが抑制される。このため、第１電極端子４０と他の電極とが半田７０で導通するといったショートの発生を抑制することができる。
【００５２】
（５）本実施形態では、配線シート２０に、第１電極端子４０の第１面４１に半田７０で固定される半田固定部を少なくとも２箇所設けている。具体的には、本実施形態では、半田固定部として、ランド部２８と電極端子接続部２９とを配線シート２０に設けている。そして、これらの半田固定部を、スイッチング素子１０が配置される部分を間にして互いに相対する位置に配置する。
【００５３】
この構成によれば、第１電極端子４０に対して配線シート２０を２箇所で半田固定するため、半田固定部が１箇所である場合に比べて、第１電極端子４０に対して配線シート２０を強固に固定することができる。
【００５４】
また、２個の半田固定部を、スイッチング素子１０が配置される部分を間にして互いに相対する位置に配置するため、互いに隣り合うように２個の半田固定部を配置する場合に比べて、配線シート２０において半田固定部から離れた部分が第１電極端子４０から剥がれるいった剥離の発生を抑制することができる。
【００５５】
（その他の実施形態）
なお、本技術の実施態様は上記に示した態様に限られるものではなく、これを例えば以下に示すように変更して実施することもできる。また以下の各変形例は、異なる変形例同士を互いに組み合わせて実施することもできる。
【００５６】
・本実施形態では、第１電極端子４０に対して配線シート２０を２箇所で半田接続するが、半田７０により固定する部分（ランド部２８）の形態はこれに限定されない。
図７に示すように、第１電極端子４０に対して配線シート２０を４箇所で半田接続してもよい。具体的には、配線シート２０の第１電極端子４０側の面に３個のランド部２８と電極端子接続部２９とを設けている。また、半田接続するためのランド部２８を、貫通孔２７の周囲に沿う形状に形成してもよい。
【００５７】
・上記実施形態では、第１電極端子４０の第２面４２及び第２電極端子５０の第２面５２に貼り付けている絶縁シート４３、５３（図１参照）として、ポリイミド樹脂シートを用いているが、絶縁シート４３、５３の材料はこれに限定されない。例えば、絶縁シート４３、５３の材料として、エポキシ樹脂、ＰＰＳ樹脂、ＰＥＴ樹脂（ポリエチレンテレフタレート樹脂）、ＰＥＥＫ樹脂（ポリエーテルエーテルケトン樹脂）、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、液晶ポリマー、これら樹脂に絶縁性フィラを含有した樹脂を用いることができる。また、セラミックス基板を用いることもできる。セラミックス基板としては、例えばＳｉＮ、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＳｉＯ２等を用いることができる。
【００５８】
・上記実施形態では、配線シート２０としてフレキシブルプリント基板を用いているが、所謂フラットケーブルを用いることもできる。この構成の場合においても、少なくとも上記（１）及び（２）に準じた効果が得られる。
【００５９】
・上記実施形態では、スイッチング素子１０としてＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴを用いているが、スイッチング素子１０の種類は限定されない。すなわち、スイッチング素子１０の他の例としては、例えば、ＧａＮ等のＩＩＩ族窒化物材料を用いたＭＯＳＦＥＴ、Ｓｉ−ＩＧＢＴ（ｎチャンネルＩＧＢＴ）、ＳｉＣ−ＩＧＢＴ等が挙げられる。
【符号の説明】
【００６０】
１…半導体装置、１０…スイッチング素子、１１…第１主面、１２…第２主面、１３…ドレイン電極、１４…ソース電極、１５…ゲート電極、２０…配線シート、２０ａ…固定部、２０ｂ…リード部、２０ｃ…第２開口部、２１…制御配線、２２…電極配線、２４…ゲート端子、２６…接続端子、２７…貫通孔、２８…ランド部、２８ａ…金属箔、２８ｂ…第１開口部、２９…電極端子接続部、２９ａ…第３開口部、３１…第１ポリイミド層、３２…第２ポリイミド層、４０…第１電極端子、４１…第１面、４２…第２面、４３…絶縁シート、４４…金属シート、５０…第２電極端子、５１…第１面、５２…第２面、５３…絶縁シート、５４…金属シート、６０…封止樹脂、７０…半田、１００…半導体装置、１１０…制御装置、１２２…ソース信号配線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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