(57)【要約】【課題】復号画素の画素情報のみから、画像内のオブジェクトによるエッジを誤判定することなく、符号化のブロック境界を高精度に検出する画素ブロック構造の検出装置を提供する。【解決手段】入力画素より、水平・垂直方向エッジ検出部1,2にて水平・垂直方向エッジを検出し、当該各方向のエッジを要素とするベクトルの大きさ及び偏角をそれぞれエッジ強度計算部3及びエッジ方向計算部4が計算する。偏角が水平・垂直方向に近い所定範囲内にある場合に、当該画素位置に対応する要素に総合エッジ強度の値を累積加算していくことによって、累積エッジ強度分布作成部5は水平・垂直方向の累積エッジ強度分布を作成し、当該分布の周期性に基づいてエッジ周期性導出部6がブロック境界の位置を決定する。【選択図】図1
2014064180.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
復号された画素情報のみを入力信号として使って圧縮符号化の処理ブロック境界を推定する画素ブロック構造の検出装置であって、
前記入力信号の各画素について水平方向のエッジ強度を計算する水平方向エッジ検出部と、
前記入力信号の各画素について垂直方向のエッジ強度を計算する垂直方向エッジ検出部と、
前記水平方向のエッジ強度及び前記垂直方向のエッジ強度より各画素における総合エッジ強度を計算するエッジ強度計算部と、
前記水平方向のエッジ強度及び前記垂直方向のエッジ強度より各画素におけるエッジ方向を計算するエッジ方向計算部と、
前記各画素の総合エッジ強度及びエッジ方向より、水平方向及び垂直方向のそれぞれに対する累積エッジ強度分布を作成する累積エッジ強度分布作成部と、
前記累積エッジ強度分布の周期性に基づいてブロック境界の位置を決定するエッジ周期性導出部と、を備えることを特徴とする画素ブロック構造の検出装置。
【請求項２】
前記エッジ方向計算部が、前記水平方向のエッジ強度及び前記垂直方向のエッジ強度を要素とするベクトルの偏角として前記エッジ方向を計算することを特徴とする請求項1に記載の画素ブロック構造の検出装置。
【請求項３】
前記累積エッジ強度分布作成部が、
水平方向に関する第１の所定範囲内に前記エッジ方向が存在する場合に、当該画素の前記総合エッジ強度を当該画素の水平位置に対応する要素に累積加算することで前記水平方向に対する累積エッジ強度分布を作成し、
垂直方向に関する第2の所定範囲内に前記エッジ方向が存在する場合に、当該画素の前記総合エッジ強度を当該画素の垂直位置に対応する要素に累積加算することで前記垂直方向に対する累積エッジ強度分布を作成することを特徴とする請求項1または2に記載の画素ブロック構造の検出装置。
【請求項４】
前記エッジ強度計算部が、前記水平方向のエッジ強度及び前記垂直方向のエッジ強度を要素とするベクトルの大きさとして前記総合エッジ強度を計算することを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の画素ブロック構造の検出装置。
【請求項５】
前記エッジ周期性導出部が、
前記累積エッジ強度分布における位置に所定周期を想定した際に当該位置を当該周期で割った剰余をビンとして、共通剰余における前記累積エッジ強度分布の分布値の和に基づいて当該ビンに割り当てる値を定めることで、水平方向及び垂直方向のそれぞれに対する局所エッジ強度分布を作成し、
さらに、当該局所エッジ強度分布のビンを1つシフトした分布を加算して得られる分布における最大強度のうち、前記所定周期を変動させた際の最大値を与える周期として水平方向及び垂直方向のそれぞれのブロックサイズを決定すると共に、当該最大値を与える周期における分布内における最大強度を与える位置として、水平方向及び垂直方向のブロック境界の開始位置であるオフセットを決定することを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の画素ブロック構造の検出装置。
【請求項６】
前記水平方向エッジ検出部及び前記垂直方向エッジ検出部が、隣接画素の輝度値の重み付き差分を求めるソーベルオペレータを用いて、それぞれ前記水平方向のエッジ強度及び前記垂直方向のエッジ強度を計算することを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の画素ブロック構造の検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、動画像の圧縮符号化の制御単位である画素ブロックの境界位置を、圧縮ビットストリームを参照せず、復号画像の画素情報のみから推定する画素ブロック構造の検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタル映像の蓄積・伝送には、通常、圧縮符号化が伴う。これにより、復号された画像は圧縮率（ビットレート）に応じた劣化を含むようになる。こうした劣化は、圧縮率が高くなるほど顕著になるため、その劣化の視覚的の影響を客観評価により測定したり、その劣化の程度を軽減するための後処理を適用したりする試みが行われる。こうした処理の多くは、復号後の画素信号に対して適用されるが、一般に符号化ブロック（直交変換や動き補償予測の処理単位となる画素ブロック）の構造、すなわちどの画素位置にブロックの境界があるのかを正確に前提しないとその効果が適切に得られないという課題がある。
【０００３】
しかし実際には、符号化ブロックの構造の正確な把握は、ビットストリーム情報を参照しなければ不可能である。無論、デコーダが出力する各フレームの左上端点とエンコード時の原画像のそれが一致するという理想的な状況においては、容易に特定が可能ではあるが、実際の映像システム／機器ではデコーダ出力後の処理の過程で図6のようなクロッピング（画素削減に伴う空間方向の移動）やシフト（画素挿入に伴う空間方向の移動）が発生することがあり、境界位置は必ずしも理想的な状況に一致しない。
【０００４】
すなわち、図6では[1]にクロッピングが示され、[1-1]に当初の画素位置が、[1-2]にクロッピング後の画素位置が示されている。当初、[1-1]のように画素A〜Hが1ブロック分であり、点線にて示される左端(画素Aの左側)及び左端から8,9番目の画素間(画素H,I間)がブロック境界である。画素A,Bがクロッピングによって欠けることで、ブロック境界は[1-2]に示すように、左端においては消失し、また、画素H,I間に存在するブロック境界については、左端から8,9番目間に存在していたのが左端から6,7番目へと移動している。さらに、欠けた画素A,Bの分に対応して新たに画素x,yが補充されている。
【０００５】
また、図6では[2]にシフトが示され、[2-1]に[1-1]の例と同様の当初の画素位置が、[2-2]にシフト後の画素位置が示されている。[2-2]では、シフトに伴って左端から1,2番目に新たな画素z,wが挿入されたことにより、ブロック境界が左端から2,3番目の画素間(画素w,A間)及び左端から10,11番目の画素間(画素H,I間)へと移動している。
【０００６】
こうしたブロック境界位置が移動してしまう課題に鑑み、特許文献1及び2では、圧縮符号化された映像の符号化ブロックを検出する手法を提供している。
【０００７】
特許文献1では、各画素位置において、ブロック歪みによるブロック境界での信号の不連続性の検出を目的として隣接画素との信号値の差分平均値を求め、その平均値を水平または垂直位置ごとに累積加算器に蓄積し（水平方向の境界を検出したい場合は、各ラインの同一水平画素位置における信号差分平均値の総和を求める操作に等しい。垂直方向も同様。）、その蓄積された加算値の周期性を検出することによりブロック境界の識別を行う。
【０００８】
特許文献2では、特許文献1で使用している累積加算器の回路規模が累積するサンプルの数（解像度の向上）に応じて増加するという課題に鑑み、隣接画素との信号差分により定義されるブロック歪み強度の所与の近傍画素区間内での順位に基づきブロック歪み強度の周期性を検出している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開2002-232889号公報 (ブロック歪低減回路、再生装置、受信装置、ブロック歪低減方法)
【特許文献２】特許4475196号 (ブロックノイズ検出装置及びブロックノイズ検出プログラム)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
特許文献2では、ハードウェア実装の観点から回路規模の増大する累積加算器の使用を忌避しているが、近年のハードウェアの実装形態は汎用計算機のそれに近いものが多く、信号値の蓄積加算にかかる規模増加が装置実現に深刻な影響を与えることが少ない。ただし、特許文献1の手法では、ブロック歪みの検出を単に隣接画素間の差分平均値に基づいて行っているため、画像内のオブジェクトが本来持っているエッジ（大きな信号値の変化）をブロック境界と誤判定する可能性がある点に課題がある。これは特許文献1より後発の出願に係る特許文献2においても指摘されている。
【００１１】
上記のような従来技術の課題に鑑み、本発明は、ブロック境界を高精度に検出することのできる画素ブロック構造の検出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明は、復号された画素情報のみを入力信号として使って圧縮符号化の処理ブロック境界を推定する画素ブロック構造の検出装置であって、前記入力信号の各画素について水平方向のエッジ強度を計算する水平方向エッジ検出部と、前記入力信号の各画素について垂直方向のエッジ強度を計算する垂直方向エッジ検出部と、前記水平方向のエッジ強度及び前記垂直方向のエッジ強度より各画素における総合エッジ強度を計算するエッジ強度計算部と、前記水平方向のエッジ強度及び前記垂直方向のエッジ強度より各画素におけるエッジ方向を計算するエッジ方向計算部と、前記各画素の総合エッジ強度及びエッジ方向より、水平方向及び垂直方向のそれぞれに対する累積エッジ強度分布を作成する累積エッジ強度分布作成部と、前記累積エッジ強度分布の周期性に基づいてブロック境界の位置を決定するエッジ周期性導出部と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、当該画像位置と隣接画素との間にブロック境界が存在するかを、当該画素位置における水平方向及び垂直方向のエッジ強度をもとに判定する。このとき、水平、垂直方向のエッジ強度から総合エッジ強度を求めその大小を考慮するのみでなく、エッジの方向をも求めて考慮した、累積エッジ強度分布を作成する。従って当該分布内においては、エッジ方向を考慮したことによって当該画像内のオブジェクトが本来持っているエッジの影響は低減され、且つ、累積分布を取ったことによってブロック歪みにより発生したエッジの影響が周期性として反映されており、当該分布の周期性からブロック境界の位置を高精度に推定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】一実施形態に係る画素ブロック構造の検出装置の機能ブロックを示す図である。
【図２】総合エッジ強度及び偏角を求めるための、水平エッジ強度及び垂直エッジ強度を要素とするベクトルを示した図である。
【図３】フレーム内の各画素に対する、水平・垂直エッジ強度の計算から累積エッジ強度分布作成までの処理の流れを示すフローチャートである。
【図４】オフセット等を説明するための図である。
【図５】局所エッジ強度ヒストグラムの例を示す図である。
【図６】クロッピング及びシフトによるブロック境界の移動を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図1に、本発明の一実施形態に係る画素ブロック構造の検出装置の機能ブロックを示す。画素ブロック構造の検出装置10は、水平方向エッジ検出部1、垂直方向エッジ検出部2、エッジ強度計算部3、エッジ方向計算部4、累積エッジ強度分布作成部5及びエッジ周期性導出部6を備え、符号化ブロックの位置をブロックサイズ及びオフセットとして出力する。
【００１６】
本発明により、非圧縮画像信号のみを参照する客観画質評価装置や符号化劣化を抑制するための画質改善処理装置に対し、正しい符号化ブロックの構造情報を提供することが可能になる。これにより、前述の客観画質評価、画質改善処理において適正な性能・効果を得ることが可能になる。
【００１７】
以下、図1の各部について説明する。
【００１８】
[入力映像信号について]
画素ブロック構造の検出装置10に対する入力映像信号としての非圧縮映像信号(復号された映像における画素信号)は、フレーム番号順に、水平方向エッジ検出部1及び垂直方向エッジ検出部2へと入力される。なお、画素ブロック構造の検出装置10は１フレーム分の入力映像信号を用いて、当該フレームにおける符号化ブロックの位置を出力する。
【００１９】
[水平方向エッジ検出部1及び垂直方向エッジ検出部2について]
水平方向エッジ検出部1及び垂直方向エッジ検出部2は、入力映像信号の各画素に対してエッジ検出処理を適用し、それぞれ水平エッジ強度及び垂直エッジ強度を求める。当該各部1及び2は共に、求めた水平及び垂直エッジ強度を、エッジ強度計算部3及びエッジ方向計算部4へと入力する。
【００２０】
当該各部1及び2によるエッジ検出には、視覚的なエッジ強度の増加に応じてその強度指標が増加する任意の処理を用いることができる。一例として、Sobel(ソーベル)オペレータを適用する場合、以下の(式1)及び(式2)の係数がカーネルにそれぞれ用いられる。
【００２１】
【数１】
2014064180.tif 000003
【００２２】
【数２】
2014064180.tif 000004
【００２３】
ここで、(式1)のSH[i]が水平方向に対応し、(式2)のSV[j]が垂直方向に対応し、当該画素位置がi=0, j=0であるとする。すなわち、(式1)は当該画素の左右両隣の2画素から、(式2)は当該画素の上下両隣の2画素から、エッジ強度を求めるための係数である。フィルタのタップ数は3タップが計算量の観点から好適であるが、それ以上のタップ数であってもよい。ただし、以下の記述では、エッジ検出の特性を鑑み、そのタップ数は奇数であると前提する。
【００２４】
所与のカーネルに対し、画素位置(i ,j)における水平・垂直エッジ強度EH, EVはそれぞれ、以下の(式3)及び(式4)の通り与えられる。ここで、Ntapはエッジ検出カーネルのタップ数とする。
【００２５】
【数３】
2014064180.tif 000005
【００２６】
【数４】
2014064180.tif 000006
【００２７】
[エッジ強度計算部3及びエッジ方向計算部4について]
各画素において定義されるエッジ強度に対し、単にその数値の大小で当該画素がブロック境界に該当するか否かを判定した場合、入力画像のオブジェクトが本来持っているエッジと圧縮符号化により発生したブロック歪みを区別することが難しい。
【００２８】
よって、本発明では、水平方向エッジ検出部1及び垂直方向エッジ検出部2にてそれぞれ求めた、水平及び垂直エッジ強度EH, 及びEVをベクトルの要素とみなし、その各要素のなす角が水平、垂直に近いと判定される場合のみ、当該画素においてブロック歪みによりエッジが発生したと判定する。
【００２９】
当該判定のために、前記ベクトルの偏角をエッジ方向argとしてエッジ方向計算部4が求め、前記ベクトルの大きさを総合エッジ強度Etotalとしてエッジ強度計算部3が求める。各画素における水平・垂直エッジ強度EH, EVを要素とするベクトルは図2に示すように構成されるので、当該各部3及び4はそれぞれ、ベクトル(EH, EV)の総合エッジ強度Etotal及び偏角argを、以下の(式5)及び(式6)によりそれぞれ当該ベクトルの大きさ及び偏角として求め、共に累積エッジ強度分布作成部5へと入力する。
【００３０】
【数５】
2014064180.tif 000007
【００３１】
【数６】
2014064180.tif 000008
【００３２】
[累積エッジ強度分布作成部5について]
累積エッジ強度分布作成部5は、水平方向及び垂直方向のそれぞれに対する累積エッジ強度分布DH[i]及びDV[j]を作成する。当該作成された各分布は後段のエッジ周期性導出部6に入力され、各方向のブロック境界の検出が行われることとなる。
【００３３】
当該各分布の作成は具体的には、各画素(i ,j)におけるエッジ方向が水平又は垂直に近い、すなわち、エッジ方向計算部4で求められた偏角が水平又は垂直に近い所与の範囲にあると判定される場合、そのエッジがブロック歪みにより発生したものとして、当該方向（水平または垂直）の累積エッジ強度分布のうち当該画素位置(i ,j)に相当する要素に当該画素の総合エッジ強度Etotalを加算する。
【００３４】
当該加算においては、以下の(式7)に示すように水平方向に近いと判定された場合、当該画素(i ,j)の当該水平位置iに対応する要素DH[i]に加算(式中、「＋＝」にて表記)し、(式8)に示すように垂直方向に近いと判定された場合、当該画素(i ,j)の当該垂直位置jに対応する要素DV[j]に加算する。ここで、θHTH0及びθHTH1は水平方向に近いことを判定する偏角の範囲を表すための閾値、θVTH0及びθVTH1は垂直方向に近いことを判定する偏角の範囲を表すための閾値である。
【００３５】
【数７】
2014064180.tif 000009
【００３６】
【数８】
2014064180.tif 000010
【００３７】
すなわち、エッジ強度の累積とは、例えば水平方向のブロック境界検出に利用される水平方向の累積エッジ強度分布DH[i]を作成する場合であれば、フレーム内の各画素(i ,j)に対し前記条件判定のもとに総合エッジ強度Etotalの加算を行う際、水平画素位置i が同一で垂直画素位置j（ライン番号）が異なる画素においては、同一の水平位置iに対応する累積エッジ強度分布の要素DH[i]に累積加算することを意味する。
【００３８】
ブロック境界のうち縦方向の境界においては、同一の水平位置iであって異なる垂直画素位置jに当該境界に起因する一連の水平方向エッジが現れると想定されるので、上記累積加算によって当該境界位置の要素DH[i]の値が顕著に大きくなる。横方向のブロック境界についても垂直方向エッジによって同様のことが成立する。
【００３９】
なお、(式7)の水平方向分布の累積加算においては加算する総合エッジ強度Etotalとして水平方向エッジ強度EH,の絶対値を採用してもよく、(式8)の垂直方向分布の累積加算においては加算する総合エッジ強度Etotalとして垂直方向エッジ強度EVの絶対値を採用してもよい。当初から累積エッジ強度分布作成部5にて総合エッジ強度EtotalをEH, EVの絶対値のうち大きい方(チェス盤距離)として求めてもよいし、市街地距離などその他の距離関数を用いてもよい。なおまた、(式6)にて偏角argを求めるarctanの値域(−π/2, π/2)に合わせて、±π/2付近のそれぞれについて(式8)の閾値判定を行うようにしてもよい。
【００４０】
[各画素(i ,j)を対象としたエッジ強度検出から累積エッジ強度分布作成までの流れについて]
以上説明した、フレーム内の各画素(i ,j)に対する水平・垂直エッジ強度の計算から累積エッジ強度分布作成までのフローチャートを、図3に示す。ここで、NH, NVは入力画像の水平、垂直画素数である。図示するステップS1〜S8のうち、強度計算等の実体的な処理ステップはステップS3及びS4であり、残りのステップは処理対象の画素(i ,j)を順次切り替える制御のステップである。
【００４１】
すなわち、ステップS1,S7及びS8(それぞれ、jの初期値設定、上限値到達判定及びインクリメントの処理に対応)で構成される外側ループによって垂直方向の位置jの移動制御が行われ、ステップS2,S5及びS6(それぞれ、iの初期値設定、上限値到達判定及びインクリメントの処理に対応)で構成される内側ループによって水平方向の位置iの移動制御が行われる。当該両ループにより、
各画素(i ,j)∈[(Ntap−1)/2, NH −(Ntap−1)/2−1]×[(Ntap−1)/2, NV −(Ntap−1)/2 −1]  …(式9)
がラスタースキャン順に、ステップS3及びS4の処理対象とされることとなる。
【００４２】
なお、本来の全画素(i ,j)は、
画素(i ,j)∈[0, NH −1]×[0, NV −1]  …(式10)
として構成されているが、エッジ強度算出の際にタップ幅Ntapを要することから、各端(上端、下端、左端及び右端)から(Ntap−1)/2画素未満の領域はエッジ強度算出ができない。このため、当該端部を除いたエッジ強度算出可能な(式9)で示される各画素が処理対象となる。以下、実体的処理を行うステップS3及びS4を説明する。
【００４３】
ステップS3では、画素(i ,j)に対して水平方向エッジ検出部1及び垂直方向エッジ検出部2がそれぞれ、水平エッジ強度及び垂直エッジ強度を求める。ステップS4では、画素(i ,j)に対して、エッジ強度計算部3が総合エッジ強度Etotalを計算し、またエッジ方向計算部4がエッジ方向(偏角)argを計算し、当該偏角及び強度を用いて(式7)及び(式8)の判定及び加算処理を累積エッジ強度分布作成部5が実行する。
【００４４】
なお、当該図3のフローを開始する際、水平方向及び垂直方向の累積エッジ強度分布DH[i]及びDV[j]は共に全ての要素の値をゼロとした初期状態で用意され、各画素(i ,j)につき順次判定及び当該判定下での累積的加算が行われることで、図3のフローの終了時点において各方向の累積エッジ強度分布の作成が完了することとなる。
【００４５】
[エッジ周期性導出部6について]
水平及び垂直方向累積エッジ強度分布DH[i]及びDV[j]は、ブロック境界位置に一致する要素(当該境界に対して互いに反対側から接して互いに隣接する2つの画素)でピーク値を持つものと想定される。ブロック境界は一定間隔で出現するため、エッジ周期性導出部6は、上記水平及び垂直方向のそれぞれにおけるピーク値の周期を検出することによって、ブロックサイズおよびオフセットを特定する。
【００４６】
ここで、オフセットとは、図4に示すように、フレームの最も左上(直線L1がフレームの上端、直線L2がフレームの左端)に位置する符号化ブロックB1の左上端点とフレームの左上端点と間におけるシフト量(KH, KV)を意味し、本発明においては特に0≦KH＜BH及び0≦KV＜BVの範囲の値としてオフセットを求める。ここで図示するように、符号化ブロックサイズがBH×BVである。実際に符号化がなされた最左端の符号化ブロックは必ずしもブロックB1ではないが、当該実際に符号化がなされた最左端の符号化ブロックの左上端点とフレームの左上端点との間のシフト量はn,mを非負整数として(KH+nBH, KV+mBV)となる。
【００４７】
周期性の検出のため、エッジ周期性導出部6はまず、各方向の累積エッジ強度分布DH[i]及びDV[j]に対し、ある周期pH及びpVをそれぞれ仮定した場合の局所エッジ強度ヒストグラム(局所エッジ強度分布)LH[kH]及びLV[kV]を以下(式11)及び(式12)のように求める。なおここで、分母の分母に存在することで積として作用するpH及びpVは、異なる周期のpH及びpVの間で適切に大小比較を行って最大強度を求めることができるようにするための規格化項である。
【００４８】
【数９】
2014064180.tif 000011
【００４９】
【数１０】
2014064180.tif 000012
【００５０】
以上のように局所エッジ強度分布はすなわち、累積エッジ強度分布における位置に所定周期(pH及びpV)を想定して、当該位置を周期で割った剰余(kH及びkV)をビンとして、共通剰余における累積エッジ強度分布の値の和を規格化(規格化項はpH/NH及びpV/NV)した値を割り当てることによって作成される。
【００５１】
エッジ周期性導出部6はさらに、当該各pH及び pVにつき定まる局所エッジ強度ヒストグラム内の最大強度を最大とするようなpH及び pVを、当該方向（水平または垂直）のブロックサイズ(当該ブロックサイズが検出する周期性に対応する)となす。また、当該ブロックサイズにおける局所ヒストグラム内で最大強度を与える画素位置を左上端点からのオフセットとする。具体的には次の通りである。
【００５２】
まず、周期pH, pVを仮定した水平／垂直方向の局所エッジ強度ヒストグラムLH[kH]及びLV[kV]において、画素位置を1つシフトして得られる局所エッジ強度ヒストグラムを加算することで、シフト及び加算処理を施された局所エッジ強度ヒストグラムFH[k]及びFV[k]を、それぞれ以下(式13)及び(式14)のように求める。
【００５３】
【数１１】
2014064180.tif 000013
【００５４】
【数１２】
2014064180.tif 000014
【００５５】
ただしここで、シフトされたLH,pH[kH+1]等において、0≦kH≦pH−1であり、当該範囲を超えたkH+1=pHが引数となる場合が定義されていないので、この場合は以下(式15)及び(式16)のように引数を先頭の値に戻ったものとして0とする。
【００５６】
【数１３】
2014064180.tif 000015
【００５７】
【数１４】
2014064180.tif 000016
【００５８】
上記のように、シフト及び加算処理を施された局所エッジ強度ヒストグラムを各pH及び pVにつき求めたのち、エッジ周期性導出部6は最終的にブロックサイズBH, BVおよびオフセットKH,KVを以下(式17)及び(式18)により強度最大を与えるものとして求め、当該機能部の出力となす。
【００５９】
【数１５】
2014064180.tif 000017
【００６０】
【数１６】
2014064180.tif 000018
【００６１】
なお、(式13)及び(式14)等でシフト及び加算処理を行うことの意義は次の通りである。すなわち、当該処理によって、隣接する2つの画素位置のエッジ強度が加算されることとなるが、これは、エッジに該当する画素の両側（水平であれば左右、垂直であれば上下）でそれぞれエッジ強度が他の画素位置より大きくなることを考慮してのものである。
【００６２】
例えば、(式11)又は(式12)の局所エッジ強度ヒストグラム(分布)が図5のような分布を持つ場合、画素位置0および7の間に最も強いエッジが周期的に発生していると考えられる。この分布に(式13)又は(式14)を適用し、(式15)又は(式16)で最大値を探索することにより、最終的に画素位置0の左側にエッジがあるという結果が得られる。
【００６３】
なお、図5の分布例においては周期として画素8個を想定して分布を求め、なおかつ実際の符号化ブロックのサイズも8であった場合を示している。想定した周期が実際のサイズに合致した場合のみ、図5のような隣接する2つの位置0及び7にて明確なピークが見られるような分布となり、想定周期が実際のサイズと異なるとエッジ強度の累積値が各位置に分散してしまうので、明確な隣接する2つのピークを有するような分布ではなくなる。当該性質に基づいて、(式13)〜(式16)によってブロックのサイズも求めることができる。
【符号の説明】
【００６４】
10…画素ブロック構造の検出装置、1…水平方向エッジ検出部、2…垂直方向エッジ検出部、3…エッジ強度計算部、4…エッジ方向計算部、5…累積エッジ強度計算部、6…エッジ周期性導出部
【図１】
2014064180.tif 000019
【図２】
2014064180.tif 000020
【図３】
2014064180.tif 000021
【図４】
2014064180.tif 000022
【図５】
2014064180.tif 000023
【図６】
2014064180.tif 000024