(57)【要約】    【課題】  製造プロセスが簡易で、芯部メタル層に、電気的に独立した複数のビアランドを配置できるプリント配線板を提供する。    【解決手段】  コア基板３０の中心に芯部導体層３８Ｃを備えるメタルコア構造を取るため、厚みの厚い芯部導体層３８Ｃの剛性により反りを抑制でき、薄板化の要求に応えることができる。芯部導体層３８Ｃに電気的に独立した複数のビアランドを配置でき、配線設計の自由度が高まり、高集積化が可能となる。【選択図】  図１０
2014086651.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持板の少なくとも一方の面に、下部金属箔を形成することと、
前記下部金属箔上に下部絶縁層を形成することと、
前記下部絶縁層上に芯部金属層を積層し、該芯部金属層をパターニングして芯部導体層を形成することと、
前記芯部導体層及び前記下部絶縁層上に、上部絶縁層を形成することと、
前記上部絶縁層上に、上部金属箔を積層することと、
前記支持板を剥離して、前記下部絶縁層、前記上部絶縁層を備えるコア基板を形成することと、
前記コア基板上に絶縁層及び導体層からなるビルドアップ層を形成することと、を含むプリント配線板の製造方法であって、
前記芯部金属層は、前記下部金属箔、前記上部金属箔のいずれよりも厚い。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板の製造方法であって、
さらに、該下部絶縁層に開口を設けることと、該開口にめっきによりビア導体を形成することと、を含み、該ビア導体を形成した後、該芯部金属層をパターニングして前記芯部導体層を形成する。
【請求項３】
請求項１又は請求項２のプリント配線板の製造方法であって、
さらに、該上部絶縁層に開口を設けることと、該開口にめっきによりビア導体を形成することと、該ビア導体を形成した後、該上部金属箔をパターニングして上部導体層を形成することと、を含む。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか１のプリント配線板の製造方法であって、
前記支持板を剥離した後、さらに、前記下部金属箔をパターニングして下部導体層を形成することを含む。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれか１のプリント配線板の製造方法であって、
前記支持板を剥離した後、さらに、前記上部金属箔上、前記下部金属箔上にめっき層を設けることと、前記上部金属箔及び前記上部金属箔上のめっき層をパターニングして上部導体層を形成することと、前記下部金属箔及び前記下部金属箔上のめっき層をパターニングして下部導体層を形成することと、を含む。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のいずれか１のプリント配線板の製造方法であって、
さらに、前記支持板上に積層されている状態で前記上部金属箔上にめっき層を設けることと、前記支持板を剥離した後、前記上部金属箔及び前記めっき層をパターニングして上部導体層を形成することと、を含む。
【請求項７】
請求項５又は６のプリント配線板の製造方法であって、
前記下部導体層と前記上部導体層とは厚さが略同一で、且つ、
前記下部導体層を構成する前記下部金属箔が、前記上部導体層を構成する前記上部金属箔よりも厚い。
【請求項８】
芯部導体層と、
前記芯部導体層の上面に形成される上部絶縁層及び上部導体層と、
前記芯部導体層の下面に形成される下部絶縁層及び下部導体層と、
前記上部絶縁層に形成され、前記芯部導体層と前記上部導体層とを接続する上部ビア導体と、
前記下部絶縁層に形成され、前記芯部導体層と前記下部導体層とを接続する下部ビア導体と、を有するコア基板と、
前記コア基板上に形成された絶縁層及び導体層からなるビルドアップ層と、を有するプリント配線板であって、
前記芯部導体層は、前記下部導体層、前記上部導体層のいずれよりも厚い。
【請求項９】
請求項８のプリント配線板であって、
前記上部ビア導体と前記下部ビア導体は、同じ向きのテーパー形状をなす。
【請求項１０】
請求項８又は請求項９のプリント配線板であって、
前記下部導体層と前記上部導体層とは厚さが略同一で、且つ、
前記下部導体層を構成する下部金属箔が、前記上部導体層を構成する前記上部金属箔よりも厚い。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、支持板を用いる逐次積層の多層ビルドアップ式のプリント配線板の製造方法、及び、該プリント配線板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の薄型化に対応するため、内蔵されるプリント配線板の厚みを薄くすることが求められている。プリント配線板の厚みを薄くすると、絶縁層の剛性が下がり反り等が発生し易くなる。これに対応するため、コア基板にビルドアップ層を設けるビルドアップ多層プリント配線板において、コア基板内に剛性の高い金属板を入れる構成が種々提案されている。
【０００３】
特許文献１では、コア基板に金属板を収容するメタルコアタイプのプリント配線板を開示している。該プリント配線板では、金属板にスルーホール導体を通すための開口を設け、該開口内に樹脂を充填し、該充填樹脂内にスルーホール導体を設けることで、金属板とスルーホール導体との絶縁を保ち、該金属板をプレーン導体層として利用している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１９３１８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来のメタルコアタイプのプリント配線板は製造プロセスが複雑であり、製造コストが嵩むと共に、歩留まりを高めることが困難であった。また、芯部の金属板がプレーン導体でしか利用できないとの制約があった。
【０００６】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、製造プロセスが簡易で、芯部メタル層に、電気的に独立した複数のビアランドを配置できるプリント配線板、及び、該プリント配線板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願発明のプリント配線板の製造方法は、支持板の少なくとも一方の面に、下部金属箔を形成することと、
前記下部金属箔上に下部絶縁層を形成することと、
前記下部絶縁層上に芯部金属層を積層し、該芯部金属層をパターニングして芯部導体層を形成することと、
前記芯部導体層及び前記下部絶縁層上に、上部絶縁層を形成することと、
前記上部絶縁層上に、上部金属箔を積層することと、
前記支持板を剥離して、前記下部絶縁層、前記上部絶縁層を備えるコア基板を形成することと、
前記コア基板上に絶縁層及び導体層からなるビルドアップ層を形成することと、を含み、
前記芯部金属層は、前記下部金属箔、前記上部金属箔のいずれよりも厚いことを技術的特徴とする。
【０００８】
本願発明のプリント配線板は、芯部導体層と、
前記芯部導体層の上面に形成される上部絶縁層及び上部導体層と、
前記芯部導体層の下面に形成される下部絶縁層及び下部導体層と、
前記上部絶縁層に形成され、前記芯部導体層と前記上部導体層とを接続する上部ビア導体と、
前記下部絶縁層に形成され、前記芯部導体層と前記下部導体層とを接続する下部ビア導体と、を有するコア基板と、
前記コア基板上に形成された絶縁層及び導体層からなるビルドアップ層と、を有するプリント配線板であって、
前記芯部導体層は、前記下部導体層、前記上部導体層のいずれよりも厚いことを技術的特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本願発明のプリント配線板の製造方法は、コア基板の中心に芯部金属層を備えるメタルコア構造を取るため、芯部金属層の剛性により反りを抑制でき、薄板化の要求に応えることができる。支持板上にコア基板を形成し、剥離する構成であるため、メタルコア構造のコア基板を簡易なプロセスで製造でき、製造コストを低減できると共に、歩留まりを高めることができる。芯部金属層をパターニングして芯部導体層を形成するため、該芯部導体層に電気的に独立した複数のビアランドを配置でき、配線設計の自由度が高まり、高集積化が可能となる。コア基板が、芯部導体層、下部金属箔から成る下部導体層、上部金属箔から成る上部導体層との３層を備えるので、上下対称にビルドアップ層（導体層）を設けても、奇数層の導体層を持つプリント配線板が実現できる。
【００１０】
本願発明のプリント配線板は、コア基板の中心に芯部金属層を備えるメタルコア構造を取るため、芯部金属層の剛性により反りを抑制でき、薄板化の要求に応えることができる。芯部導体層に電気的に独立した複数のビアランドを配置でき、配線設計の自由度が高まり、高集積化が可能となる。コア基板が、芯部導体層、下部導体層、上部導体層との３層を備えるので、上下対称にビルドアップ層（導体層）を設けても、奇数層の導体層を持つプリント配線板が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図２】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図３】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図４】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図５】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図６】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図７】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図８】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図９】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１０】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１１】第２実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１２】第２実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１３】第３実施形態のプリント配線板の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
[第１実施形態]
図１０（Ｂ）は第１実施形態のプリント配線板を示す。プリント配線板１０は、上部絶縁層２０Ｆ、下部絶縁層２０Ｓを有するコア基板３０を備える。
図６（Ｃ）は該コア基板３０を示す。上部絶縁層２０Ｆ上に上部導体層３８Ｆが形成され、下部絶縁層２０Ｓ下に下部導体層３８Ｓが形成されている。上部絶縁層と下部絶縁層との間には、芯部導体層３８Ｃが形成されている。上部絶縁層２０Ｆの開口３１Ｆには、上部導体層３８Ｆと芯部導体層３８Ｃとを接続する上部ビア導体３６Ｆが形成されている。下部絶縁層２０Ｓの開口３１Ｓには、下部導体層３８Ｓと芯部導体層３８Ｃとを接続する下部ビア導体３６Ｓが形成されている。下部導体層３８Ｓは、下部絶縁層２０Ｓ上に積層された下部金属箔２２Ｓをパターニングすることにより形成されている。芯部導体層３８Ｃは、芯部金属層２６及び該芯部金属層２６上に形成された無電解めっき膜３２、電解めっき膜３４をパターニングすることにより形成されている。上部導体層３８Ｆは、該上部金属箔２２Ｆ及び該金属箔２２Ｆ上に形成された無電解めっき膜４２、電解めっき膜４４をパターニングすることにより形成されている。上部ビア導体３６Ｆと下部ビア導体３６Ｓとは下方の向かって縮径するテーパー形状に形成されている。
【００１３】
図１０（Ｂ）に示すように第１実施形態のプリント配線板は、コア基板３０の第１面Ｆ上に、第１導体層５８Ｆ、第１ビア導体６０Ｆを備える第１絶縁層５０Ｆが３層ビルドアップ積層されている。コア基板の第２面Ｓ上には、第２導体層５８Ｓ、第２ビア導体６０Ｓを備える第２絶縁層５０Ｓが３層ビルドアップ積層されている。最上層の第１絶縁層５０Ｆ上には、ソルダーレジスト層７０Ｆが形成され、ソルダーレジスト層７０Ｆの開口７１Ｆには半田バンプ７６Ｆが形成されている。最下層の第２絶縁層５０Ｓ上には、ソルダーレジスト層７０Ｓが形成され、ソルダーレジスト層７０Ｓの開口７１Ｓには半田バンプ７６Ｓが形成されている。
【００１４】
第１実施形態のプリント配線板１０は、コア基板３０の中心に芯部導体層３８Ｃを備えるメタルコア構造を取るため、厚みの厚い芯部導体層３８Ｃの剛性により反りを抑制でき、薄板化の要求に応えることができる。芯部導体層３８Ｃに電気的に独立した複数のビアランドを配置でき、配線設計の自由度が高まり、高集積化が可能となる。コア基板３０が、芯部導体層３８Ｃ、下部導体層３８Ｓ、上部導体層３８Ｆとの３層を備えるので、上下対称にビルドアップ層（導体層）を設けても、奇数層の導体層を持つプリント配線板が実現できる。
【００１５】
[第１実施形態の製造方法]
第１実施形態のプリント配線板１０の製造方法が図１〜図１０に示される。
（１）支持板１０が準備される。例えば、支持板１０は、絶縁基材１０ｚとその絶縁基材１０ｚの両面に積層されている銅箔１２とからなる銅張積層板（両面銅張積層板）である。支持板は第１面と第１面と反対側の第２面を有する。支持板１０の第１面上に下層金属箔（第１の金属箔）２２Ｓが積層される。金属箔２２Ｓは例えば銅箔であり、厚みは２５μｍである。支持板１０と金属箔２２Ｓが外周で固定される。銅張積層板と金属箔は超音波で接合される。金属箔と支持板は固定部分１４で接合されている。固定部分の巾は数mmである。固定部分は枠状に形成されている（図１（Ａ））。金属箔２２Ｓはマット面（凹凸面）を有し、マット面と支持板が対向しないように金属箔が支持板上に積層される。
【００１６】
（２）下層金属箔２２Ｓ上にＢステージの樹脂フィルムが積層され、芯部金属層２６が積層される（図１（Ｂ））。芯部金属層２６の厚みは３６μｍである。下層金属箔２２Ｓのマット面は下部絶縁層と対向している。その後、樹脂フィルムは硬化され、支持板上に下部絶縁層２０Ｓが形成される。下部絶縁層２０Ｓは、補強材と無機粒子の一方もしくは両方を含む。補強材としては、例えばガラスクロス、アラミド繊維、ガラス繊維などが挙げられる。ガラスクロスが好適である。無機粒子として、シリカやアルミナや水酸化物からなる粒子が挙げられる。水酸化物としては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、水酸化バリウム等の金属水酸化物が挙げられる。水酸化物は熱で分解されることで水が生成する。このため、水酸化物は、絶縁層を構成する材料から熱を奪うことが可能であると考えられる。すなわち、下部絶縁層２０Ｓが水酸化物を含むことで、レーザの加工性が向上すると推測される。下部絶縁層は第１面と第１面と反対側の第２面を有し、第２面は金属箔のマット面と対向している。下部絶縁層は支持板上に形成される。第１実施形態では、下部絶縁層は支持板上に金属箔２２Ｓを介して積層されている。
【００１７】
（３）下部絶縁層２０Ｓの第１面からレーザが照射される。下部金属箔２２Ｓに至る下部開口３１Ｓが下部絶縁層に形成される（図１（Ｃ））。下部開口３１Ｓは下部絶縁層の第１面から下部金属箔２２Ｓに向かってテーパーしている。
【００１８】
（４）下部金属箔２２Ｓ上及び下部開口３１Ｓの内壁に無電解めっき膜３２が形成される（図２（Ａ））。
【００１９】
（５）無電解めっき膜をシード層として、無電解めっき膜３２上に電解めっき膜３４が形成される。下部開口３１Ｓは電解めっき膜３４で充填され、下部金属箔２２Ｓ上層の無電解めっき膜３２上に電解めっき膜３４が形成される（図２（Ｂ））。
【００２０】
（６）電解めっき膜３４上に所定パターンのエッチングレジスト３３が形成される（図２（Ｃ））。
【００２１】
（７）エッチングレジスト非形成部の電解めっき膜３４、無電解めっき膜３２、芯部金属層２６がエッチングにより除去され、エッチングレジストが除去され、下部開口３１Ｓ内に下部ビア導体３６Ｓが形成され、下部絶縁層の第１面上に、電解めっき膜３４、無電解めっき膜３２、芯部金属層２６から成る芯部導体層３８Ｃが形成される（図３（Ａ））。下部ビア導体は下部絶縁層の第１面から下部金属箔２２Ｓに向かってテーパーしている。
【００２２】
（８）下部絶縁層の第１面と芯部導体層３８Ｃ上に上部絶縁層２０Ｆ及び上部金属箔２２Ｆが形成される（図３（Ｂ））。上部絶縁層は下部絶縁層と同様な補強材や無機粒子を含む。上部金属箔２２Ｓは、下部金属箔と同様に例えば銅箔であり、厚みは９μｍである。
【００２３】
（９）上部絶縁層２０Ｆの第１面からレーザが照射される。芯部導体層３８Ｃに至る上部開口３１Ｆが上部絶縁層に形成される（図４（Ａ））。
【００２４】
（１０）上部金属箔２２Ｆ上及び上部開口３１Ｆの内壁に無電解めっき膜４２が形成される（図４（Ｂ））。
【００２５】
（１１）無電解めっき膜をシード層として、無電解めっき膜４２上に電解めっき膜４４が形成される。上部開口３１Ｆは電解めっき膜３４で充填され、上部金属箔２２Ｆ上層の無電解めっき膜４２上に電解めっき膜４４が形成される（図５（Ａ））。このとき、上部金属箔２２Ｆと無電解めっき膜４２と電解めっき膜４４との合計の厚さが下部金属箔２２Ｓと略同じ厚さとなる。
【００２６】
（１２）図５（Ａ）中のＸ−Ｘ線に沿って、支持板付き中間体は切断される。切断箇所は固定部分１４より内側である。中間体３０αが、支持板１０から分離される（図５（Ｂ）、図６（Ａ））。
【００２７】
（１３）第１面Ｆ側の電解めっき膜４４上、第２面Ｓ側の下部金属箔２２Ｓ上に所定パターンのエッチングレジスト４６が形成される（図６（Ｂ））。
【００２８】
（１４）第１面Ｆ側のエッチングレジスト非形成部の電解めっき膜４４、無電解めっき膜４２、上部金属箔２２Ｆ、第２面Ｓ側のエッチングレジスト非形成部の下部金属箔２２Ｓがエッチングにより除去された後、エッチングレジストが剥離され、第１面Ｆ上に電解めっき膜４４、無電解めっき膜４２、上部金属箔２２Ｆから成る上部導体層３８Ｆが、第２面Ｓ上に下部金属箔２２Ｓからなる下部導体層３８Ｓ形成され、コア基板３０が完成する（図６（Ｃ））。
【００２９】
中間基板は２層の絶縁層とそれらの絶縁層で挟まれる厚みの厚い芯部導体層と表裏の上部導体層、下部導体層を有するので、支持板無しで中間基板を加工することができる。１層の絶縁層の厚みや下部導体層、上部導体層の厚みが薄くても中間基板を支持板無しで加工することができる。
【００３０】
（１５）コア基板３０の第１面Ｆに第１絶縁層５０Ｆ及び金属箔５３が、第２面Ｓに第２絶縁層５０Ｓ及び金属箔５３が形成される（図７（Ａ））。第１絶縁層５０Ｆは上部絶縁層の第１面と上部導体層３８Ｆ上に形成されている。第２絶縁層５０Ｓは下部絶縁層の第２面と下部導体層３８Ｓ上に形成されている。絶縁層の厚みは１０μｍから３５μｍである。金属箔５３は、上部金属箔、下部金属箔と同様に例えば銅箔であり、厚みは９μｍである。絶縁層の厚みＬＦ、ＬＳは、導体層の上面から絶縁層の上面までの距離である。第１脂絶縁層、第２絶縁層は無機粒子もしくは無機粒子と補強材を有し、上部絶縁層、下部絶縁層と同一の厚み、材質であることが望ましい。
【００３１】
（１６）次に、ＣＯ２ガスレーザにて第１絶縁層５０Ｆ，第２絶縁層５０Ｓにそれぞれビア導体用の第１開口５１Ｆ，第２開口５１Ｓが形成される（図７（Ｂ））。
【００３２】
（１７）第１絶縁層５０Ｆ，第２絶縁層５０Ｓ上と第１開口５１Ｆ、第２開口５１Ｓ内に無電解めっき膜５２が形成される（図７（Ｃ））。
【００３３】
（１８）無電解めっき膜をシード層として、無電解めっき膜５２上に電解めっき膜５６が形成される。第１開口５１Ｆ、第２開口５１Ｓは電解めっき膜５６で充填され、金属箔５３上層の無電解めっき膜５２上に電解めっき膜５６が形成される（図８（Ａ））。
【００３４】
（１９）電解めっき膜５６上に所定パターンのエッチングレジスト５４が形成される（図８（Ｂ））。
【００３５】
（２０）エッチングレジスト非形成部の電解めっき膜５６、無電解めっき膜５２、金属箔５３がエッチングにより除去され、エッチングレジストが剥離され、第１開口５１Ｆ内に第１ビア導体６０Ｆが形成され、第２開口５１Ｓ内に第２ビア導体６０Ｓが形成され、第１絶縁層の第１面上に、電解めっき膜５６、無電解めっき膜５２、金属箔５３から成る第１導体層５８Ｆが、第２絶縁層の第２面上に、電解めっき膜５６、無電解めっき膜５２、金属箔５３から成る第２導体層５８Ｓが形成される（図８（Ｃ））。
【００３６】
（２１）図７（Ａ）〜図８（Ｃ）の処理が繰り返され、更に２層の第１導体層５８Ｆ、第１ビア導体６０Ｓを備える第１絶縁層５０Ｆ、第２導体層５８Ｓ、第２ビア導体６０Ｓを備える第２絶縁層５０Ｓがビルドアップ形成される（図９（Ａ））。
【００３７】
（２２）最上層の第１絶縁層５０Ｆ上に開口７１Ｆを有する上側のソルダーレジスト層７０Ｆが形成され、最下層の第２絶縁層５０Ｓ上に開口７１Ｓを有する下側のソルダーレジスト層７０Ｓが形成される（図９（Ｂ））。開口７１Ｆ，７１Ｓから露出される導体層５８Ｆ、５８Ｓとビア導体６０Ｆ、６０Ｓの上面がパッド７１ＦＰ、７１ＳＰとして機能する。
【００３８】
（２３）パッド７１ＦＰ、７１ＳＰ上にニッケルめっき層７２が形成され、さらにニッケルめっき層７２上に金めっき層７４が形成される（図１０（Ａ））。
【００３９】
（２４）開口７１Ｆ，７１Ｓ内に半田ボールが搭載され、リフローが行われ、上側のビルドアップ層上に半田バンプ７６Ｆが形成され、下側のビルドアップ層上に半田バンプ７６Ｓが形成される。プリント配線板１０を完成する（図１０（Ｂ））。
【００４０】
第１実施形態のプリント配線板の製造方法では、支持板１０上で中間体が形成される。１枚の絶縁層の厚みが薄くても、搬送などで中間体の絶縁層や導体層に折れやクラックが入らない。また、中間体は２層の絶縁層２０Ｆ、２０Ｓと１層の厚みの厚い芯部導体層３８Ｃを含むので、中間体の強度は高くなる。そのため、中間体が支持板から分離されても、中間体の反りやうねりは小さくなる。従って、支持板無で中間体が加工や搬送されても中間体はダメージを受けがたい。コア基板やプリント配線板の歩留りや接続信頼性が高くなる。また、薄いプリント配線板が効率よく製造される。第１実施形態の製造方法では治具を用いずビルドアップ層が形成される。微細な導体回路を形成することができる。
【００４１】
第１実施形態のプリント配線板の製造方法は、コア基板３０の中心に芯部導体層３８Ｃを備えるメタルコア構造を取るため、芯部導体層の剛性により反りを抑制でき、薄板化の要求に応えることができる。支持板１０上にコア基板を形成し、剥離する構成であるため、メタルコア構造のコア基板を簡易なプロセスで製造でき、製造コストを低減できると共に、歩留まりを高めることができる。芯部金属層２６をパターニングして芯部導体層３８Ｃを形成するため、該芯部導体層に電気的に独立した複数のビアランドを配置でき、配線設計の自由度が高まり、高集積化が可能となる。コア基板３０が、芯部導体層３８Ｃ、下部金属箔から成る下部導体層３８Ｓ、上部金属箔から成る上部導体層３８Ｆとの３層を備えるので、上下対称にビルドアップ層（導体層）を設けても、奇数層の導体層を持つプリント配線板が実現できる。第１実施形態のプリント配線板では、上部導体層３８Ｆが、電解めっき膜４４、無電解めっき膜４２、上部金属箔２２Ｆから成り、下部導体層３８Ｓが下部金属箔２２Ｓからなり、上部導体層３８Ｆと下部導体層３８Ｓとの厚みが等しいので、導体層の厚み差による反りが生じにくい。
【００４２】
[第２実施形態]
本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の製造方法が図１１、図１２に示される。
第２実施形態の製造方法は、図１〜図４（Ｂ）を参照した工程までは第１実施形態と同様である。但し、下部金属箔２２Ｓは例えば銅箔であり、厚みは１６μｍである。上部金属箔２２Ｆは下部金属箔と同様に例えば銅箔であり、厚みは１２μｍである。
【００４３】
上部絶縁層２０Ｆに開口３１Ｆを形成した後（図１１（Ａ））、図１１（Ａ）中のＸ２−Ｘ２線に沿って、支持板付き中間体は切断される。切断箇所は固定部分１４より内側である。中間体３０αが、支持板１０から分離される（図１１（Ｂ）、図１２（Ａ））。
【００４４】
上部金属箔２２Ｆ上及び上部開口３１Ｆの内壁、下部金属層２２Ｓ上に無電解めっき膜４２が形成され、無電解めっき膜をシード層として、無電解めっき膜４２上に電解めっき膜４４が形成される。上部開口３１Ｆは電解めっき膜３４で充填され、上部金属箔２２Ｆ及び下部金属箔２２Ｓ上層の無電解めっき膜４２上に電解めっき膜４４が形成される（図１２（Ｂ））。
【００４５】
第１面Ｆ側の電解めっき膜４４上、第２面Ｓ側の下部金属箔２２Ｓ上に所定パターンのエッチングレジスト４６が形成される（図１２（Ｃ））。
【００４６】
第１面Ｆ側のエッチングレジスト非形成部の電解めっき膜４４、無電解めっき膜４２、上部金属箔２２Ｆ、第２面Ｓ側のエッチングレジスト非形成部の電解めっき膜４４、無電解めっき膜４２、下部金属箔２２Ｓがエッチングにより除去された後、エッチングレジストが剥離され、第１面Ｆ上に電解めっき膜４４、無電解めっき膜４２、上部金属箔２２Ｆから成る上部導体層３８Ｆが、第２面Ｓ上に電解めっき膜４４、無電解めっき膜４２、下部金属箔２２Ｓからなる下部導体層３８Ｓが形成され、コア基板３０が完成する（図１２（Ｄ））。以降の工程は、図７（Ａ）〜図１０（Ｂ）を参照して上述した第１実施形態と同様であるため、説明が省略される。
【００４７】
第２実施形態のプリント配線板では、上部導体層３８Ｆが、電解めっき膜４４、無電解めっき膜４２、上部金属箔２２Ｆから成り、下部導体層３８Ｓが電解めっき膜４４、無電解めっき膜４２、下部金属箔２２Ｓからなり、上部導体層３８Ｆと下部導体層３８Ｓとの厚みが等しいので、導体層の厚み差による反りが生じにくい。
【００４８】
[第３実施形態]
図１３は、第３実施形態のプリント配線板の断面図を示す。
第３実施形態では、プリント配線板を貫通するスルーホール導体１３６が形成され、該スルーホール導体にＬ字状のヒートシンク１４０が取り付けられ、該ヒートシンク１４０は半導体素子の上部と接する（図示せず）。第３実施形態では、ヒートシンク１４０及びスルーホール導体１３６により、半導体素子に発生した熱をプリント配線板の下方側に効率的に逃がすことができる。
【符号の説明】
【００４９】
１０  支持板
２０Ｆ  上部絶縁層
２０Ｓ  下部絶縁層
２２Ｆ  上部金属箔
２２Ｓ  下部金属箔
２６  金属層
３０  コア基板
３１Ｓ  下部開口
３１Ｆ  上部開口
３６Ｆ、３６Ｓ  ビア導体
３８Ｃ  芯部導体層
３８Ｆ  上部導体層
３８Ｓ  下部導体層
５０Ｆ  第１絶縁層
５０Ｓ  第２絶縁層
６０Ｆ、６０Ｓ  ビア導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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