(57)【要約】【課題】信頼性の高い半導体装置を実現する。【解決手段】半導体装置１は、絶縁性の樹脂組成物１１の層（樹脂組成物層１０）内に設けられた半導体チップ２０及びプリント基板３０を有する。樹脂組成物層１０上には、半導体チップ２０、プリント基板３０に電気的に接続された導電部４１を有する再配線層４０ａ、再配線層４０ｂが設けられる。樹脂組成物層１０内のプリント基板３０は、内壁に導電膜３１ｂを備えるスルーホール３１を有し、そのスルーホール３１内には樹脂組成物１１が含まれる。これにより、スルーホール３１上に設けられる導電部４１の剥離が抑制可能になり、信頼性の高い半導体装置１が実現可能になる。【選択図】図１
2014099526.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性の樹脂組成物の層と、
前記層内に設けられた半導体素子と、
前記層内に設けられ、内壁に導電膜を備えるスルーホールを有し、前記スルーホール内に前記樹脂組成物を含むプリント基板と、
前記層上に設けられ、前記半導体素子又は前記プリント基板に電気的に接続された導電部を有する配線層と
を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記導電部は、前記スルーホール上に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記配線層は、
前記層の第１面上に設けられた第１配線層と、
前記層の、前記第１面と反対側の第２面上に設けられた第２配線層と
を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記樹脂組成物は、樹脂と、前記スルーホールの中空部の径よりも小さいフィラーとを含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
支持体上に、半導体素子及び、内壁に導電膜を備える中空のスルーホールを有するプリント基板を設ける工程と、
前記半導体素子及び前記プリント基板が設けられた前記支持体上に絶縁性の樹脂組成物を設け、前記半導体素子及び前記プリント基板が前記樹脂組成物の層内に含まれ、前記スルーホール内に前記樹脂組成物が含まれる基板を形成する工程と、
前記基板を前記支持体から分離する工程と、
前記支持体から分離された前記基板上に、前記半導体素子又は前記プリント基板に電気的に接続された導電部を有する配線層を形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
電子部品と、
前記電子部品に実装された第１半導体装置と
を含み、
前記第１半導体装置は、
絶縁性の樹脂組成物の層と、
前記層内に設けられた半導体素子と、
前記層内に設けられ、内壁に導電膜を備えるスルーホールを有し、前記スルーホール内に前記樹脂組成物を含むプリント基板と、
前記層上に設けられ、前記半導体素子又は前記プリント基板に電気的に接続された導電部を有する配線層と
を含むことを特徴とする電子装置。
【請求項７】
前記第１半導体装置に実装された第２半導体装置を更に含むことを特徴とする請求項６に記載の電子装置。
【請求項８】
半導体装置を準備する工程と、
前記半導体装置を電子部品に実装する工程と
を有し、
前記半導体装置は、
絶縁性の樹脂組成物の層と、
前記層内に設けられた半導体素子と、
前記層内に設けられ、内壁に導電膜を備えるスルーホールを有し、前記スルーホール内に前記樹脂組成物を含むプリント基板と、
前記層上に設けられ、前記半導体素子又は前記プリント基板に電気的に接続された導電部を有する配線層と
を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法、並びに、電子装置及び電子装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップ（半導体素子）を含む半導体パッケージ（半導体装置）の１つとして、ＷＬＰ（Wafer Level Package）（ＷＬ−ＣＳＰ（Wafer Level-Chip Size Package）、Ｗ−ＣＳＰ（Wafer-Chip Size Package）とも称される）が知られている。ＷＬＰは、半導体チップの端部にある端子をチップエリア内に再配置（ファンイン（Fan-in））することを可能にする。また、半導体チップの多端子化に伴いチップエリアだけでは端子の再配置が困難になることに鑑み、チップエリア外に端子を再配置（ファンアウト（Fan-out））するＷＬＰも開発されている。
【０００３】
このような半導体パッケージの製造に関し、支持体上に半導体素子を配置し、その半導体素子をシリカ等のフィラーを含む樹脂組成物で封止して擬似ウェハとし、その擬似ウェハを支持体から剥離する方法を用いる技術が知られている。そして、その擬似ウェハの、支持体から剥離した面上に配線層が設けられ、ダイシングにより個片化され、半導体パッケージが得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００６／０１８３２６９号明細書
【特許文献２】特開２０１１−２５８８４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のような半導体パッケージの表裏面に配線層を形成し、３次元積層を行おうとした場合、表裏面の配線層間を電気的に接続するためにはスルーホールが設けられる。スルーホールは、例えば、半導体パッケージ製造過程の擬似ウェハの樹脂組成物部分にレーザ加工で孔を形成し、その孔に導電材料を充填することで形成できる。この方法では、レーザ加工を行う樹脂組成物部分の厚みによっては、その加工時間が長くなる場合がある。
【０００６】
一方、予めスルーホールが形成されているプリント基板を半導体チップと共に樹脂組成物で封止して擬似ウェハとし、その表裏面に配線層を設け、個片化して半導体パッケージを製造する方法もある。しかし、スルーホール内に比較的熱膨張率の大きい樹脂を含むプリント基板を用い、そのスルーホール上に銅等の導電部が設けられると、樹脂と導電部の熱膨張率差のために、後に加えられる熱によって、スルーホール上の導電部が剥離する場合がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一観点によれば、絶縁性の樹脂組成物の層と、前記層内に設けられた半導体素子と、前記層内に設けられ、内壁に導電膜を備えるスルーホールを有し、前記スルーホール内に前記樹脂組成物を含むプリント基板と、前記層上に設けられ、前記半導体素子又は前記プリント基板に電気的に接続された導電部を有する配線層とを含む半導体装置が提供される。
【０００８】
また、本発明の一観点によれば、支持体上に、半導体素子及び、内壁に導電膜を備える中空のスルーホールを有するプリント基板を設ける工程と、前記半導体素子及び前記プリント基板が設けられた前記支持体上に絶縁性の樹脂組成物を設け、前記半導体素子及び前記プリント基板が前記樹脂組成物の層内に含まれ、前記スルーホール内に前記樹脂組成物が含まれる基板を形成する工程と、前記基板を前記支持体から分離する工程と、前記支持体から分離された前記基板上に、前記半導体素子又は前記プリント基板に電気的に接続された導電部を有する配線層を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法が提供される。
【０００９】
また、本発明の一観点によれば、上記のような半導体装置を備える電子装置、及びそのような電子装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
開示の技術によれば、樹脂組成物の層内に半導体素子と共に設けられるプリント基板のスルーホールにその樹脂組成物を設けることで、スルーホール上に設けられる導電部の剥離が抑制可能になり、信頼性の高い半導体装置が実現可能になる。また、そのような半導体装置を備えた、信頼性の高い電子装置が実現可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】半導体装置の一例を示す図である。
【図２】別形態に係る半導体装置を示す図である。
【図３】プリント基板の形成方法の一例を示す図である。
【図４】半導体装置の製造方法の説明図（その１）である。
【図５】半導体装置の製造方法の説明図（その２）である。
【図６】半導体装置の製造方法の説明図（その３）である。
【図７】半導体装置の製造方法の説明図（その４）である。
【図８】半導体装置の製造方法の説明図（その５）である。
【図９】半導体装置の製造方法の説明図（その６）である。
【図１０】半導体装置の製造方法の説明図（その７）である。
【図１１】粘着層の説明図である。
【図１２】粘着部材及びそれを用いた擬似ウェハの分離工程の説明図である。
【図１３】半導体装置の別例を示す図である。
【図１４】電子装置の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１は半導体装置の一例を示す図である。図１には、半導体装置の一例の要部断面を模式的に図示している。
図１に示す半導体装置１は、樹脂組成物１１の層（樹脂組成物層）１０内に設けられた半導体素子（半導体チップ）２０及びプリント基板３０を有している。更に、半導体装置１は、樹脂組成物層１０の表面１０ａ及び裏面１０ｂにそれぞれ設けられた配線層（再配線層）４０ａ及び配線層（再配線層）４０ｂを有している。
【００１３】
樹脂組成物層１０には、半導体チップ２０の封止樹脂（モールド樹脂）として用いられる様々な非導電性の樹脂組成物１１を用いることができ、例えば、樹脂及びフィラーを含む樹脂組成物１１を用いることができる。樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、紫外線照射によって硬化する樹脂等を用いることができる。フィラーとしては、非導電性フィラー、例えば、酸化アルミニウム（アルミナ）、酸化シリコン（シリカ）、水酸化アルミニウム、若しくは窒化アルミニウム、又はこれらのうちの少なくとも１種を含む無機フィラーを用いることができる。
【００１４】
半導体チップ２０には、シリコン、ガリウムヒ素等の半導体材料を用いたＬＳＩ（Large Scale Integration）等のベアチップを用いることができる。半導体チップ２０は、外部接続端子となる電極２１を有している。半導体チップ２０は、その電極２１が設けられている面（電極面２０ａ）が、樹脂組成物層１０から露出するように、樹脂組成物層１０内に設けられている。図１の例では、半導体チップ２０は、その電極面２０ａと反対側の面（背面）２０ｂ及び側面２０ｃが樹脂組成物層１０で被覆（封止）されている。尚、半導体チップ２０の背面２０ｂは、必ずしも樹脂組成物層１０で被覆されていることを要せず、半導体チップ２０は、その電極面２０ａと背面２０ｂが、共に樹脂組成物層１０から露出するように、樹脂組成物層１０内に設けられていてもよい。
【００１５】
プリント基板３０は、半導体チップ２０に並設されて樹脂組成物層１０内に設けられている。プリント基板３０には、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂等の樹脂を用いたものを用いることができ、このような樹脂をガラスクロス等の織物に含浸したものを用いることもできる。プリント基板３０は、その表裏面（表面３０ａ及び裏面３０ｂ）間を貫通するスルーホール３１を有している。尚、図１には、１つのスルーホール３１を有するプリント基板３０を例示するが、プリント基板３０は、複数のスルーホール３１を有していてもよい。
【００１６】
プリント基板３０のスルーホール３１は、貫通孔３１ａと、その貫通孔３１ａの内壁に形成された導電膜３１ｂを備えている。プリント基板３０は、その表面３０ａ及び裏面３０ｂにそれぞれ、スルーホール３１の導電膜３１ｂと連続する配線層３２ａ及び配線層３２ｂを備えている。尚、配線層３２ａ及び配線層３２ｂは、所定のパターン形状でもよく、スルーホール３１を除き表面３０ａ及び裏面３０ｂに全体的に形成された所謂ベタパターンでもよい。導電膜３１ｂ、配線層３２ａ及び配線層３２ｂには、銅、銅を含む合金（銅合金）等の導電材料を用いることができる。プリント基板３０では、スルーホール３１の導電膜３１ｂによってその表裏面間、即ち配線層３２ａと配線層３２ｂの間の導通が確保されている。
【００１７】
図１の例では、プリント基板３０は、配線層３２ａ及び配線層３２ｂが樹脂組成物層１０から露出するように、樹脂組成物層１０内に設けられ、プリント基板３０の側面３０ｃが樹脂組成物層１０で被覆（封止）されている。プリント基板３０のスルーホール３１内（導電膜３１ｂが設けられた貫通孔３１ａ内）には、プリント基板３０及び上記半導体チップ２０を被覆する樹脂組成物層１０に用いられている樹脂組成物１１が充填されている。
【００１８】
樹脂組成物層１０の表面１０ａ及び裏面１０ｂにそれぞれ設けられた再配線層４０ａ及び再配線層４０ｂは、ビア及び配線等の導電部４１、並びに、導電部４１の周りに設けられた絶縁部４２を有している。導電部４１には、銅、銅合金、アルミニウム等の導電材料を用いることができる。絶縁部４２には、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の絶縁材料を用いることができる。
【００１９】
再配線層４０ａ及び再配線層４０ｂの導電部４１は、半導体チップ２０の電極２１、或いは、プリント基板３０の配線層３２ａ及び配線層３２ｂに電気的に接続されている。導電部４１は、例えば、プリント基板３０の、樹脂組成物１１が充填されたスルーホール３１上（表面３０ａ側と裏面３０ｂ側の双方）に設けられた導電部４１ａ及び導電部４１ｂを有している。
【００２０】
半導体装置１では、上記のように、プリント基板３０のスルーホール３１内に、プリント基板３０及び半導体チップ２０を被覆する樹脂組成物層１０に用いられる樹脂組成物１１が充填されている。樹脂組成物１１は、樹脂にフィラーが含まれていることで、フィラーが含まれていないもの（即ち樹脂単体）又はフィラーが比較的少量のものに比べて、熱膨張率が小さく抑えられている。このように熱膨張率が小さく抑えられている樹脂組成物１１がプリント基板３０のスルーホール３１内に充填されていることで、その後の加熱工程でのスルーホール３１上の導電部４１ａ及び導電部４１ｂの剥離が抑えられるようになっている。
【００２１】
ここで比較のため、別形態の半導体装置について述べる。
図２は別形態に係る半導体装置を示す図である。図２には、別形態に係る半導体装置の要部断面を模式的に図示している。また、図３はプリント基板の形成方法の一例を示す図である。
【００２２】
図２に示す半導体装置１Ａは、上記図１に示した半導体装置１と同様、樹脂組成物層１０（樹脂組成物１１）内に設けられた半導体チップ２０及びプリント基板３０Ａ、並びに、再配線層４０ａ及び再配線層４０ｂを有している。ここで、この図２の半導体装置１Ａでは、プリント基板３０Ａのスルーホール３１内に、樹脂組成物１１よりも熱膨張率の大きな材料、例えば、フィラーを含まない樹脂、或いは樹脂組成物１１よりもフィラーの量が少ない樹脂組成物が充填されている。この点で、図２の半導体装置１Ａは、上記図１の半導体装置１と相違する。
【００２３】
半導体装置１Ａに用いられるようなプリント基板３０Ａは、例えば、図３に示すような方法で形成される。
即ち、まず図３（Ａ）に示すように、貫通孔３１ａの内壁に導電膜３１Ａが設けられたスルーホール３１が形成され、表面３０ａ及び裏面３０ｂにも導電膜３１Ａが形成されたプリント基板３０Ａａを準備する。導電膜３１Ａは、貫通孔３１ａを形成した基材に、めっき法を用いて形成される。次いで、図３（Ｂ）に示すように、プリント基板３０Ａａのスルーホール３１内に、穴埋め材３３Ａが、印刷等の手法で充填される。穴埋め材３３Ａには、スルーホール３１内への充填が良好に行われるように、例えば、フィラーを含まない樹脂、或いは、樹脂組成物１１に比べてフィラーの量が少ない樹脂組成物が用いられる。次いで、図３（Ｃ）に示すように、プリント基板３０Ａａの表面３０ａ及び裏面３０ｂに突出する余分な穴埋め材３３Ａが、研磨等の手法で除去される。次いで、プリント基板３０Ａａの、スルーホール３１上を含む表面３０ａ及び裏面３０ｂの全体に、図３（Ｄ）に示すように、銅等の蓋めっき層３４Ａがめっき法を用いて形成される。その後、蓋めっき層３４Ａ、並びに表面３０ａ及び裏面３０ｂの導電膜３１Ａのエッチングを行い、表面３０ａ及び裏面３０ｂに所定のパターン形状の配線層を形成してもよい。
【００２４】
このようにして形成されるプリント基板３０Ａが用いられ、上記図２に示したような半導体装置１Ａが形成される。例えば、支持体上に半導体チップ２０及びプリント基板３０Ａを配置し、これらを樹脂組成物１１で封止して擬似ウェハとし、擬似ウェハを支持体から剥離した後、その表裏面に再配線層４０ａ及び再配線層４０ｂを形成し、個片化することで、形成される。
【００２５】
半導体装置１Ａでは、その形成過程や形成後に行われる加熱工程において、穴埋め材３３Ａで埋められたスルーホール３１上の導電部（ここでは蓋めっき層３４Ａ）に剥離が生じる恐れがある。即ち、スルーホール３１を埋める穴埋め材３３Ａの熱膨張率と、そのスルーホール３１上の導電部の熱膨張率との差により、加熱されその後冷却される過程で、スルーホール３１上の導電部に剥離が生じる恐れがある。ここで、加熱工程とは、プリント基板３０Ａを半導体チップ２０と共に樹脂組成物１１で封止する工程、再配線層４０ａ及び再配線層４０ｂを形成する工程、形成された半導体装置１Ａと別の電子部品とを接続する工程（実装工程）等である。スルーホール３１上の導電部の剥離は、半導体装置１Ａ、更には半導体装置１Ａを用いた電子装置の信頼性を低下させてしまう。
【００２６】
尚、上記図３（Ｄ）に示したような蓋めっき層３４Ａを形成しないプリント基板３０Ａを用い、スルーホール３１（穴埋め材３３Ａ）上の導電部を含む再配線層４０ａ及び再配線層４０ｂを形成した場合にも、その後の加熱工程で上記同様の剥離が生じ得る。
【００２７】
これに対し、上記図１に示した半導体装置１では、プリント基板３０のスルーホール３１内に、プリント基板３０及び上記半導体チップ２０を封止する樹脂組成物層１０に用いる、比較的熱膨張率の小さい樹脂組成物１１が充填される。そのため、プリント基板３０では、スルーホール３１内に比較的熱膨張率の大きい穴埋め材３３Ａが充填された上記プリント基板３０Ａに比べ、加熱工程においても、スルーホール３１内の熱膨張が抑えられる。その結果、スルーホール３１上に設けられる導電部４１ａ及び導電部４１ｂの剥離が抑えられ、信頼性の高い半導体装置１、及びそれを用いた信頼性の高い電子装置が実現可能になる。
【００２８】
ここで、樹脂組成物１１は、その熱膨張率が、再配線層４０ａ及び再配線層４０ｂの熱膨張率、或いは再配線層４０ａ及び再配線層４０ｂに用いられている材料の熱膨張率よりも低いことが好ましい。このような樹脂組成物１１を用いると、加熱工程においても、スルーホール３１上に設けられる導電部４１ａ及び導電部４１ｂの剥離が効果的に抑えられるようになる。
【００２９】
続いて、上記構成を有する半導体装置１の製造方法の一例について説明する。
図４〜図１０は半導体装置の製造方法の説明図である。以下、図４〜図１０を参照して、半導体装置１の製造方法の一例について順に説明する。
【００３０】
図４（Ａ）は半導体チップ及びプリント基板配置工程の説明図、図４（Ｂ）は樹脂組成物配置工程の説明図、図４（Ｃ）は樹脂組成物成型工程の説明図である。
半導体装置１の製造では、まず、図４（Ａ）に示すように、支持体５０上に粘着フィルム６０が設けられ、この粘着フィルム６０上に、半導体チップ２０及びプリント基板３０が並設される。
【００３１】
支持体５０には、シリコン等の半導体基板、ガラス基板、ステンレス（ＳＵＳ）等の金属基板、セラミック基板等の平坦性の良い基板を用いることができる。粘着フィルム６０には、粘着性を示す材料を用いることができる。粘着フィルム６０には、後述のように擬似ウェハ７０を剥離するまでの間、擬似ウェハ７０とその中に含まれる半導体チップ２０及びプリント基板３０を、位置ずれを抑えて付着しておくことができるような粘着力を有するものが用いられる。例えば、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂等の比較的耐熱性の高い基材上に所定の粘着剤が形成されたものを用いることができる。粘着剤の材料としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂等の樹脂材料を用いることができる。
【００３２】
支持体５０上に設けられたこのような粘着フィルム６０の上に、半導体チップ２０及びプリント基板３０が配置される。半導体チップ２０は、その電極２１が設けられた電極面２０ａを粘着フィルム６０側に向けて、粘着フィルム６０上に貼付される。半導体チップ２０及びプリント基板３０は、フリップチップボンダ、マウンター等を用いて、粘着フィルム６０上に配置し、貼付することができる。
【００３３】
粘着フィルム６０上に貼付するプリント基板３０には、貫通孔３１ａの内壁に導電膜３１ｂを備えるスルーホール３１が形成され、表面３０ａ及び裏面３０ｂに配線層３２ａ及び配線層３２ｂが形成されたものを用いることができる。尚、このプリント基板３０は、上記図３（Ａ）で述べたプリント基板３０Ａａに相当する。図４（Ａ）に示すように粘着フィルム６０上に配置、貼付するプリント基板３０は、そのスルーホール３１内（導電膜３１ｂより内側の部分）が中空であり、上記図３（Ｂ）〜（Ｄ）に示したような穴埋め材３３Ａ、蓋めっき層３４Ａは形成されていない。
【００３４】
上記のようにして粘着フィルム６０上に半導体チップ２０及びプリント基板３０を貼付した後、図４（Ｂ）に示すように、粘着フィルム６０上に樹脂組成物１１が設けられる。樹脂組成物１１は、上記のように、所定の樹脂及びフィラーを含む。樹脂組成物１１は、所定量の樹脂組成物１１を粘着フィルム６０上に供給するディスペンス装置等を用いて、粘着フィルム６０上に設けることができる。
【００３５】
樹脂組成物１１は、粘着フィルム６０上の半導体チップ２０及びプリント基板３０の周囲のほか、プリント基板３０のスルーホール３１内（導電膜３１ｂより内側の中空部）にも充填される。このようにスルーホール３１内にも充填されるように、樹脂組成物１１には、スルーホール３１の中空部よりも径の小さいフィラーが用いられる。或いは、プリント基板３０のスルーホール３１の中空部のサイズを、樹脂組成物１１に含まれるフィラーよりも径の大きなサイズとすることもできる。
【００３６】
粘着フィルム６０上に設けられた樹脂組成物１１は、図４（Ｃ）に示すように成型される。粘着フィルム６０上の樹脂組成物１１の成型は、形成する樹脂組成物層１０の形状に合わせて設けられた凹部（内面）を備える金型（モールド）を用いて行われる（モールド成型）。
【００３７】
モールド成型では、樹脂組成物１１が金型によって加圧され、プリント基板３０のスルーホール３１内に充填される。樹脂組成物１１は、上記のようなプリント基板３０Ａの穴埋め材３３Ａに比べて多量のフィラーを含み、穴埋め材３３Ａよりも高い粘度を示すが、モールド成型時に加圧されることで、プリント基板３０のスルーホール３１内にも良好に充填される。また、モールド成型時には、樹脂組成物１１に含まれる樹脂の種類に応じて温度を制御することで、加圧される樹脂組成物１１の粘度を制御し、樹脂組成物１１をスルーホール３１内に良好に充填することができる。
【００３８】
更に、モールド成型では、スルーホール３１の表面３０ａ側が平坦性の良い支持体５０上の粘着フィルム６０で塞がれ、樹脂組成物１１が裏面３０ｂ側から平坦性の良い内面を有する金型で押されて充填される。そのため、モールド成型後には、プリント基板３０の表面３０ａ側、裏面３０ｂ側への突出が抑えられてスルーホール３１内に充填された樹脂組成物１１を得ることができる。従って、上記図３（Ｂ），（Ｃ）では穴埋め材３３Ａを研磨により除去するが、上記モールド成型では、プリント基板３０から突出する樹脂組成物１１を研磨により除去するといった工程を設けることを要しない。
【００３９】
粘着フィルム６０上の樹脂組成物１１は、その樹脂の種類に応じた手法で硬化される。これにより、半導体チップ２０及びプリント基板３０が樹脂組成物層１０内に設けられ、プリント基板３０のスルーホール３１内にもその樹脂組成物層１０と同じ樹脂組成物１１が充填された擬似ウェハ（基板）７０が、粘着フィルム６０上に形成される。尚、樹脂組成物１１は、この段階では必ずしも完全に硬化されていることを要せず、後述のように粘着フィルム６０から剥離した擬似ウェハ７０をそのウェハ状態を保持して取り扱うことのできる程度に硬化されていれば足りる。また、この段階での樹脂組成物１１の硬化条件は、樹脂組成物１１及び粘着フィルム６０の材料に基づき、粘着フィルム６０の粘着力が保持されるような条件に設定される。或いはまた、樹脂組成物１１の材料及び硬化条件に基づき、粘着フィルム６０の材料が設定される。
【００４０】
図５（Ａ）は擬似ウェハ剥離工程の説明図、図５（Ｂ）はバックグラインド工程の説明図、図５（Ｃ）は第１の絶縁膜形成工程の説明図である。
上記のようにして擬似ウェハ７０の形成まで行った後は、図５（Ａ）に示すように、擬似ウェハ７０が、粘着フィルム６０から剥離され、粘着フィルム６０及び支持体５０から分離される。擬似ウェハ７０を粘着フィルム６０及び支持体５０から分離する際には、例えば、その粘着フィルム６０に対し、紫外線照射、薬液処理、加熱処理等、その粘着力を低下させる処理を行う。このような処理によって粘着フィルム６０の粘着力を低下させ、擬似ウェハ７０を粘着フィルム６０及び支持体５０から分離する。分離された擬似ウェハ７０の樹脂組成物１１は、その樹脂の種類に応じた所定の手法で更に硬化（完全硬化）される。
【００４１】
分離された擬似ウェハ７０は、図５（Ｂ）に示すように、粘着フィルム６０及び支持体５０から分離された面と反対側の面、即ち樹脂組成物層１０の裏面１０ｂ側から研磨される（バックグラインド）。擬似ウェハ７０のバックグラインドは、砥石を用いた研削によって行うことができる。擬似ウェハ７０のバックグラインドは、例えば、プリント基板３０の配線層３２ｂが樹脂組成物層１０から露出する位置まで行われる。尚、ここでは半導体チップ２０がプリント基板３０よりも薄い場合を例示しているが、プリント基板３０よりも厚い半導体チップ２０が用いられてもよい。その場合は、配線層３２ｂを露出させる上記バックグラインドによって、半導体チップ２０が背面２０ｂ側から部分的に研磨されてもよい。
【００４２】
擬似ウェハ７０のバックグラインド後は、まずその樹脂組成物層１０の表面１０ａ側に、再配線層４０ａが形成される。再配線層４０ａの形成では、まず図５（Ｃ）に示すように、絶縁膜４２ａが形成される。絶縁膜４２ａには、感光性エポキシ、感光性ポリベンゾオキサゾール、感光性ポリイミド等の感光性樹脂を用いることができる。このような感光性樹脂を、擬似ウェハ７０の表面１０ａ側にスピンコート法等によって塗布する。そして、プリベーク、露光、現像、キュアを行い、半導体チップ２０の電極２１及びプリント基板３０のスルーホール３１に通じる開口部４２ａａを形成する。尚、この開口部４２ａａには、後述のように、電極２１及びスルーホール３１に接続されるビアが形成される。開口部４２ａａの形成後、酸素プラズマ等を用いたプラズマ処理を行ってもよい。このような方法により、図５（Ｃ）に示すような、電極２１及びスルーホール３１に通じる開口部４２ａａを有する絶縁膜４２ａを形成することができる。
【００４３】
図６（Ａ）は第１のシード層形成工程の説明図、図６（Ｂ）は第１のレジストパターン形成工程の説明図、図６（Ｃ）は第１のめっき層形成工程の説明図である。
擬似ウェハ７０上への絶縁膜４２ａの形成後は、図６（Ａ）に示すように、その絶縁膜４２ａの形成面側に、シード層４１ｃが形成される。シード層４１ｃとしては、チタン、クロム等の金属密着層と、銅を、それぞれ所定膜厚でスパッタ法等によって形成することができる。
【００４４】
シード層４１ｃの形成後は、図６（Ｂ）に示すように、配線を形成する部分を開口したレジストパターン８１が形成される。このようなレジストパターン８１の形成後、先に形成したシード層４１ｃを用いた銅の電気めっきが行われ、図６（Ｃ）に示すような、めっき層４１ｄが形成される。
【００４５】
図７（Ａ）は第１のレジストパターン剥離工程の説明図、図７（Ｂ）は第１のシード層エッチング工程の説明図、図７（Ｃ）は第２の絶縁膜形成工程の説明図である。
めっき層４１ｄの形成後は、図７（Ａ）に示すように、レジストパターン８１が剥離される。そして、レジストパターン８１の剥離によって露出するシード層４１ｃが、図７（Ｂ）に示すように、エッチングにより除去される。シード層４１ｃのエッチングには、ウェットエッチングを用いてもよいし、ドライエッチングを用いてもよい。これにより、擬似ウェハ７０の樹脂組成物層１０の表面１０ａ側に、再配線層４０ａにおける第１層目の配線及びビア（導電部４１）が形成される。
【００４６】
その後、上記図５（Ｃ）〜図７（Ｂ）と同様の流れで、擬似ウェハ７０の樹脂組成物層１０の裏面１０ｂ側に再配線層４０ｂが形成される。再配線層４０ｂの形成では、まず図７（Ｃ）に示すように、絶縁膜４２ｂが形成される。絶縁膜４２ｂには、感光性エポキシ、感光性ポリベンゾオキサゾール、感光性ポリイミド等の感光性樹脂を用いることができる。感光性樹脂を、擬似ウェハ７０の裏面１０ｂ側にスピンコート法等によって塗布し、プリベーク、露光、現像、キュアを行い、プリント基板３０のスルーホール３１に通じる開口部４２ｂａを形成する。尚、この開口部４２ｂａには、後述のように、スルーホール３１に接続されるビアが形成される。開口部４２ｂａの形成後、酸素プラズマ等を用いたプラズマ処理を行ってもよい。このような方法により、図７（Ｃ）に示すような、スルーホール３１に通じる開口部４２ｂａを有する絶縁膜４２ｂが形成される。
【００４７】
図８（Ａ）は第２のシード層形成工程の説明図、図８（Ｂ）は第２のレジストパターン形成工程の説明図、図８（Ｃ）は第２のめっき層形成工程の説明図である。
擬似ウェハ７０上への絶縁膜４２ｂの形成後は、図８（Ａ）に示すように、その絶縁膜４２ｂの形成面側に、シード層４１ｅが形成される。シード層４１ｅとしては、チタン、クロム等の金属密着層と、銅を、それぞれ所定膜厚でスパッタ法等によって形成することができる。
【００４８】
シード層４１ｅの形成後は、図８（Ｂ）に示すように、配線を形成する部分を開口したレジストパターン８２が形成される。このようなレジストパターン８２の形成後、先に形成したシード層４１ｅを用いた銅の電気めっきが行われ、図８（Ｃ）に示すような、めっき層４１ｆが形成される。
【００４９】
図９（Ａ）は第２のレジストパターン剥離工程の説明図、図９（Ｂ）は第２のシード層エッチング工程の説明図、図９（Ｃ）は保護膜の形成工程の説明図である。
めっき層４１ｆの形成後は、図９（Ａ）に示すように、レジストパターン８２が剥離される。そして、レジストパターン８２の剥離によって露出するシード層４１ｅが、図９（Ｂ）に示すように、エッチングにより除去される。シード層４１ｅのエッチングには、ウェットエッチングを用いてもよいし、ドライエッチングを用いてもよい。これにより、擬似ウェハ７０の樹脂組成物層１０の裏面１０ｂ側に、再配線層４０ｂにおける第１層目の配線及びビア（導電部４１）が形成される。
【００５０】
擬似ウェハ７０の、表面１０ａ側及び裏面１０ｂ側にそれぞれ２層目以降の配線及びビア（導電部４１）を形成する場合には、上記の図５（Ｃ）〜図９（Ｂ）に示した工程と同様の工程を繰り返せばよい。尚、その際は、表面１０ａ側に２層目の配線及びビアを形成し、次いで裏面１０ｂ側に２層目の配線及びビアを形成するというように、表面１０ａ側、裏面１０ｂ側に交互に形成していくと、再配線層形成時の擬似ウェハ７０の反りを効果的に抑制することができる。ここでは便宜上、第１層目の配線及びビア（導電部４１）まで形成されたものを例に、以降の説明を行う。
【００５１】
最上層の導電部４１には、図９（Ｃ）に示すように、導電部４１の一部（外部接続端子）が露出するようにソルダーレジスト等の保護膜９０が形成される。保護膜９０から露出する導電部４１の領域には、例えば、ニッケル９１と金９２の表面処理が行われる。例えば、外部接続端子として機能する導電部４１の領域（ニッケル９１と金９２の表面処理を行った場合はその処理後の表面）のうち、半導体装置１の一方の面側（例えば再配線層４０ａ側）にある領域には、例えば、ソルダーボール等のバンプ９３が搭載される。尚、半導体装置１の両面（再配線層４０ａ側及び再配線層４０ｂ側）にバンプ９３を搭載することも可能である。
【００５２】
図１０は個片化工程の説明図である。
以上のようにして再配線層４０ａ及び再配線層４０ｂの形成、及び、保護膜９０の形成、表面処理、バンプ９３の形成まで行った後は、図１０に示すように、擬似ウェハ７０（図９）、再配線層４０ａ及び再配線層４０ｂを、ダイシング等によって所定の位置で切断する。これにより、半導体チップ２０及びプリント基板３０を含み、導電部４１及び絶縁部４２（保護膜９０及び絶縁膜４２ａ，４２ｂ）を有する再配線層４０ａと再配線層４０ｂの間がスルーホール３１によって電気的に接続された、個々の半導体装置１が製造される。
【００５３】
尚、以上述べた製造方法では、図５（Ａ），（Ｂ）のように、粘着フィルム６０及び支持体５０から分離した擬似ウェハ７０の、樹脂組成物層１０の裏面１０ｂ側からのバックグラインドを行って、プリント基板３０の配線層３２ｂを露出させるようにした。この配線層３２ｂを露出させるバックグラインドは、樹脂組成物層１０の裏面１０ｂ側への再配線層４０ｂの形成直前、即ち図７（Ｃ）の絶縁膜４２ｂの形成工程前に、行うようにすることもできる。
【００５４】
また、以上述べた製造方法において、図４（Ａ）の工程では、表面３０ａ及び裏面３０ｂに所定のパターン形状の配線層３２ａ及び配線層３２ｂが形成されたプリント基板３０を粘着フィルム６０上に貼付することが可能である。また、図４（Ａ）の工程ではベタパターンの配線層３２ａ及び配線層３２ｂが形成されたプリント基板３０を粘着フィルム６０上に貼付し、図５（Ａ）や図５（Ｂ）の工程後に配線層３２ａ及び配線層３２ｂを所定の形状にパターニングすることも可能である。
【００５５】
また、以上述べた擬似ウェハ７０の平面形状は、丸状でもよいし、四角状でもよい。擬似ウェハ７０が丸状の場合には、それを扱う工程において、丸状のシリコンウェハ等を扱う既存の半導体製造設備を利用することが可能である。また、擬似ウェハ７０が四角状の場合には、それを扱う工程において、四角状のプリント基板を扱う既存のプリント基板製造設備を利用することが可能である。
【００５６】
また、以上述べた製造方法では、支持体５０上に粘着フィルム６０を設けるようにしたが、粘着フィルム６０に替えて、シリコーン樹脂等を主成分とする粘着層を支持体５０上に設け、この上に半導体チップ２０及びプリント基板３０を配置、貼付してもよい。このような粘着層として、例えば、次の図１１に示すようなものを用いることができる。
【００５７】
図１１は粘着層の説明図である。図１１（Ａ）は粘着層の一例の要部断面模式図、図１１（Ｂ）は粘着層の一例の要部斜視模式図である。
支持体５０上に設ける粘着層６１には、例えば、図１１（Ａ）に示すように、表面、ここでは半導体チップ２０及びプリント基板３０が貼付される面に、凹凸部６１ａを有するものを用いることができる。凹凸部６１ａは、例えば、凸部６１ａａをドット状に配置したり、凸部６１ａａを平行なライン状に配置したり、或いは平行なライン状の凸部６１ａａを縦横に配置して格子状にしたりすることが可能である。また、凹凸部６１ａは、例えば、図１１（Ｂ）に示すように、凸部６１ａａが凹部６１ａｂを囲むようなリング状になるようにし、クレータ状の凹凸形状にすることもできる。凹凸部６１ａを有する粘着層６１は、インプリント法、プラズマ処理、ドライエッチング処理、ウェットエッチング処理等を用いて形成することができる。
【００５８】
このような粘着層６１は、その面方向Ｓについて、擬似ウェハ７０の剥離までの間、擬似ウェハ７０をその位置ずれを抑えて付着しておくことができる粘着力としつつ、擬似ウェハ７０が剥離される方向Ｔについては、それを剥離し易い粘着力とすることができる。粘着層６１を用いることで、上に形成される擬似ウェハ７０の方向Ｓの位置ずれを抑制し、且つ、その粘着層６１に対して紫外線照射、薬液処理、加熱処理等の粘着力を低下させる処理を行わなくても、擬似ウェハ７０を容易に剥離することが可能になる。
【００５９】
また、上記の粘着フィルム６０に替えて、次の図１２に示すように、支持体５０と擬似ウェハ７０の間に２種類の粘着部材を設ける手法を採用することもできる。
図１２は粘着部材及びそれを用いた擬似ウェハの分離工程の説明図である。
【００６０】
支持体５０上には、図１２（Ａ）に示すように、シリコーン樹脂等を主成分とする粘着層６２が設けられ、この粘着層６２上に、ポリイミドフィルム等の基材上にシリコーン樹脂等の粘着剤が設けられた、可撓性を有する粘着フィルム６３が設けられる。この粘着フィルム６３上に、半導体チップ２０及びプリント基板３０が貼付され、樹脂組成物１１が設けられて、擬似ウェハ７０が形成される。
【００６１】
擬似ウェハ７０を剥離する際は、図１２（Ａ），（Ｂ）に示すように、まず粘着フィルム６３が、その端部６３ａが起点とされて、擬似ウェハ７０と一体で、粘着層６２から剥離される。尚、この剥離の際には、その粘着層６２に対して紫外線照射、薬液処理、加熱処理等の粘着力を低下させる処理を行わなくても、端部６３ａを起点に容易に剥離することができる。
【００６２】
このようにして擬似ウェハ７０及び粘着フィルム６３を一体で粘着層６２から剥離した後、図１２（Ｃ），（Ｄ）に示すように、粘着フィルム６３が、その端部６３ｂが起点とされて剥離され、最終的には粘着フィルム６３全体が擬似ウェハ７０から剥離される。これにより、支持体５０、粘着層６２及び粘着フィルム６３から分離された擬似ウェハ７０が得られる。尚、この剥離の際には、その粘着フィルム６３に対して紫外線照射、薬液処理、加熱処理等の粘着力を低下させる処理を行わなくても、端部６３ｂを起点に容易に剥離することができる。
【００６３】
粘着フィルム６３の粘着剤は、擬似ウェハ７０が形成される面側のみにあっても、両面にあってもよい。また、粘着フィルム６３の、擬似ウェハ７０が形成される面側の粘着剤の層には、方向Ｓと方向Ｔで所定の粘着力が得られるように、上記図１１で述べたような凹凸部が設けられていてもよい。
【００６４】
支持体５０と擬似ウェハ７０の間に、この図１２に示すような粘着層６２及び粘着フィルム６３を採用することで、それらの粘着力を低下させる処理を省略して、擬似ウェハ７０を容易に剥離することが可能になる。
【００６５】
以上、半導体装置１及びその製造方法の一例について説明した。
上記のように、半導体装置１を製造する際の擬似ウェハ７０の形成においては、スルーホール３１に中空部を有するプリント基板３０が用いられる。このようなプリント基板３０を半導体チップ２０と共に粘着フィルム６０上に貼付し、樹脂組成物１１を供給することで、半導体チップ２０及びプリント基板３０の周囲に樹脂組成物１１を設けると共に、スルーホール３１の中空部にも樹脂組成物１１を充填する。これにより、加熱時のスルーホール３１内の熱膨張を抑え、スルーホール３１上に導電部４１ａ及び導電部４１ｂを備える再配線層４０ａ及び再配線層４０ｂが形成される場合でも、その導電部４１ａ及び導電部４１ｂの剥離を抑制することが可能になる。
【００６６】
上記図２及び図３（Ｄ）に示したような穴埋め材３３Ａ及び蓋めっき層３４Ａを設けたプリント基板３０Ａの場合、スルーホール３１上に導電部が形成されていると、加熱工程での穴埋め材３３Ａの熱膨張により、導電部が剥離する恐れがある。このような剥離を回避するために、穴埋め材３３Ａが充填されたスルーホール３１上には導電部を設けないようにするといった設計上、製造上の制約が生じる場合がある。これに対し、上記のように、スルーホール３１に中空部を有するプリント基板３０を用い、その中空部を樹脂組成物１１で充填するものでは、加熱工程でのスルーホール３１内の熱膨張が抑えられる。そのため、スルーホール３１上にも導電部４１ａ及び導電部４１ｂの形成が可能になる。それにより、プリント基板３０上の配線層３２ａ及び配線層３２ｂをパターニングする時の各配線の配置自由度の向上や微細化、再配線層４０ａ及び再配線層４０ｂに含まれる導電部４１の配置自由度の向上や微細化を図ることが可能になる。その結果、半導体装置１内の配線密度の向上、或いは半導体装置１の小型化を図ることも可能になる。
【００６７】
また、粘着フィルム６０等の粘着部材の上に貼付するプリント基板３０に、スルーホール３１に中空部を有するものを用いるため、上記図２及び図３（Ｂ）〜（Ｄ）に示したような穴埋め材３３Ａや蓋めっき層３４Ａの形成工程を省略することができる。これにより、プリント基板３０の形成に要する工数を削減し、プリント基板３０を用いた擬似ウェハ７０及び半導体装置１の製造に要する工数を削減して、擬似ウェハ７０及び半導体装置１の製造に要するコストを削減することが可能になる。
【００６８】
また、上記図２及び図３（Ｄ）に示したような蓋めっき層３４Ａを形成したプリント基板３０Ａの場合、その表面３０ａ及び裏面３０ｂに形成される導電部が、導電膜３１Ａと蓋めっき層３４Ａの積層構造となり、膜厚が厚くなる。そのため、プリント基板３０Ａ上に配線パターンを形成しようとした場合に、微細な配線パターンを形成することが難しく、微細配線を有する再配線層４０ａ及び再配線層４０ｂを形成することが難しくなる。これに対し、上記のようにスルーホール３１に中空部を有するプリント基板３０を用いた場合には、その表面３０ａ及び裏面３０ｂの上に形成される導電部が、スルーホール３１の導電膜３１ｂから続く配線層３２ａ及び配線層３２ｂであり、その膜厚を薄くできる。そのため、プリント基板３０上に配線パターンを形成する場合に、微細な配線パターンを形成することが可能になり、微細配線を有する再配線層４０ａ及び再配線層４０ｂを形成することが可能になる。
【００６９】
尚、図１には、プリント基板３０の表面３０ａ及び裏面３０ｂの配線層３２ａ及び配線層３２ｂが樹脂組成物層１０から露出する場合を例示した。このほか、プリント基板３０は、次の図１３に示すように、その裏面３０ｂの配線層３２ｂが樹脂組成物層１０で被覆されるように、樹脂組成物層１０内に設けられてもよい。
【００７０】
図１３は半導体装置の別例を示す図である。図１３には、半導体装置の別例の要部断面を模式的に図示している。
図１３に示す半導体装置１ａは、プリント基板３０の裏面３０ｂの配線層３２ｂが樹脂組成物層１０で被覆されている点で、上記図１に示した半導体装置１と相違する。
【００７１】
このような半導体装置１ａは、上記図４〜図１０に示したのと同様の流れで製造することができる。半導体装置１ａの場合は、図５（Ｂ）のバックグラインド工程でプリント基板３０の裏面３０ｂの配線層３２ｂが露出する前に研磨を停止し、その擬似ウェハ７０に対して再配線層４０ａ及び再配線層４０ｂを形成する。再配線層４０ｂを形成する際は、レーザ加工等でプリント基板３０の配線層３２ｂに通じるビアホール３１ｃを形成し、導電部４１を形成するようにすればよい。尚、プリント基板３０の裏面３０ｂを覆っている樹脂組成物層１０の厚みが比較的薄いため、ビアホール３１ｃの形成にレーザ加工を採用しても、比較的短時間でビアホール３１ｃを形成することが可能である。
【００７２】
以上の説明では、樹脂組成物層１０内に半導体チップ２０とプリント基板３０を１つずつ含む半導体装置１及び半導体装置１ａを例示したが、樹脂組成物層１０内には、複数の半導体チップが含まれていてもよく、複数のプリント基板が含まれていてもよい。また、樹脂組成物層１０内には、１つ又は２つ以上の半導体チップ及びプリント基板に加え、他の電子部品（例えば、チップコンデンサ等のチップ部品）が含まれていてもよい。
【００７３】
以上述べたような半導体装置１及び半導体装置１ａは、回路基板（電子部品）に実装することができる。また、半導体装置１及び半導体装置１ａには、別の半導体装置等（電子部品）を実装することができる。
【００７４】
図１４は電子装置の一例を示す図である。図１４には、電子装置の一例の要部断面を模式的に図示している。
図１４に示す電子装置１００は、一例として半導体装置１、及び回路基板１１０を有している。半導体装置１には、例えば、その再配線層４０ａの外部接続端子９４ａに、ニッケル９１及び金９２が設けられ、その上にソルダーボール等のバンプ９３が搭載されている。回路基板１１０は、半導体装置１の外部接続端子９４ａに対応する位置に、電極パッド１１１を備えている。半導体装置１は、そのバンプ９３を用いて回路基板１１０の電極パッド１１１に電気的に接続され、回路基板１１０に実装されている。
【００７５】
更に、図１４に示す電子装置１００は、回路基板１１０上の半導体装置１に実装された別の半導体装置１２０を有している。半導体装置１には、その再配線層４０ｂの外部接続端子９４ｂに、ニッケル９１及び金９２が設けられている。半導体装置１２０は、半導体装置１の外部接続端子９４ｂに対応する位置に、外部接続用のソルダーボール等のバンプ１２１を備えている。半導体装置１２０は、そのバンプ１２１を用いて半導体装置１の外部接続端子９４ｂに電気的に接続され、半導体装置１に実装されている。
【００７６】
このように半導体装置１は、回路基板１１０に実装され、更に、別の半導体装置１２０が実装されて、電子装置１００に利用することができる。スルーホール３１上に設けられる導電部４１の剥離が抑制可能な信頼性の高い半導体装置１を備えた、信頼性の高い電子装置１００を実現することが可能になる。また、微細な配線を有する半導体装置１が用いられた、高性能の電子装置１００を実現することが可能になる。
【００７７】
ここでは、半導体装置１を回路基板１１０に実装する場合を例示したが、半導体装置１を別の半導体装置に実装することも可能である。また、ここでは、半導体装置１を備える電子装置１００を例示したが、半導体装置１ａを備える電子装置を実現することも可能である。
【００７８】
以下、半導体装置の一実施例について述べる。
〔実施例〕
ＳＵＳの支持体上に、シリコーン樹脂を主成分とした、膜厚５０μｍの粘着層を積層した。粘着層には、その表面にナノインプリント法で直径２μｍの凹部を高さ０．３μｍの凸部が囲むクレータ状の凹凸部を形成した。この粘着層上に、粘着フィルムを配置した。粘着フィルムには、ポリイミドの基材表面にシリコーン系の粘着剤を形成した、膜厚５０μｍのものを用い、このようなフィルムを、基材側を上記粘着層側に向け、粘着剤側を上方に向けて、粘着層上に配置した。
【００７９】
このようにして設けた粘着フィルムの粘着剤の上に、厚さ４００μｍの半導体チップを、フリップチップボンダを用い、電極面を粘着フィルム側にして配置した。更に、その粘着フィルムの粘着剤の上に、直径２００μｍのスルーホールを設けた厚さ５００μｍのプリント基板を配置した。粘着フィルム上の半導体チップ及びプリント基板を、金型を用いて樹脂組成物（モールド樹脂）で封止し、その樹脂組成物を硬化して、擬似ウェハを形成した。この封止の際、樹脂組成物は、半導体チップの側面及び背面、プリント基板の側面及び裏面を被覆するように設けられ、更に、プリント基板のスルーホール内にも充填された。
【００８０】
その後、まず、粘着フィルムを擬似ウェハと一体で、支持体上の粘着層から剥離し、次いで、擬似ウェハから粘着フィルムを剥離した。得られた擬似ウェハを、１５０℃、１時間で加熱処理し、樹脂組成物を完全硬化した擬似ウェハを形成した。
【００８１】
続いて、擬似ウェハの、粘着フィルムが剥離された面（半導体チップの電極が露出する面）に、スピンコート法で感光性エポキシワニスを塗布し、プリベーク、露光、現像、キュア、酸素プラズマ処理を行った。これにより、膜厚８μｍの絶縁層で、半導体チップの電極に通じる直径３０μｍの開口部、及びプリント基板のスルーホール上に通じる直径２００μｍの開口部を設けた絶縁層を形成した。次いで、スパッタ法でチタンと銅をそれぞれ０．１μｍと０．３μｍの厚さで形成し、シード層を形成した。その後、配線を形成する領域を開口したパターンのフォトレジストを形成し、先に形成したシード層を用いて銅の電気めっきを行い、ビア及び配線を形成した。電気めっき後、フォトレジストを剥離し、そのフォトレジストで覆われていた部分のシード層を、ウェットエッチング処理とドライエッチング処理で除去した。これにより、擬似ウェハ上に、幅１０μｍの配線を１０μｍピッチで形成した、微細配線を有する再配線層を形成した。
【００８２】
次いで、擬似ウェハを、反対側から研削装置を用いて厚さ５００μｍまで研削し、プリント基板のスルーホールを露出させた。このようにスルーホールを露出させた面に、上記同様のプロセスにより、絶縁層を形成し、その絶縁層に、半導体チップの電極及びプリント基板のスルーホールに通じるビア、並びに配線を形成して、再配線層を形成した。
【００８３】
その後、配線を部分的に露出させてソルダーレジストを形成し、露出する配線表面にニッケルと金の表面処理を行い、その上にバンプを形成した。擬似ウェハの両面にこのようにして再配線層を形成した基板を、所定の位置で切断して個片化し、個々の半導体装置（半導体パッケージ）を得た。
【００８４】
以上説明した実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）  絶縁性の樹脂組成物の層と、
前記層内に設けられた半導体素子と、
前記層内に設けられ、内壁に導電膜を備えるスルーホールを有し、前記スルーホール内に前記樹脂組成物を含むプリント基板と、
前記層上に設けられ、前記半導体素子又は前記プリント基板に電気的に接続された導電部を有する配線層と
を含むことを特徴とする半導体装置。
【００８５】
（付記２）  前記導電部は、前記スルーホール上に設けられていることを特徴とする付記１に記載の半導体装置。
（付記３）  前記配線層は、
前記層の第１面上に設けられた第１配線層と、
前記層の、前記第１面と反対側の第２面上に設けられた第２配線層と
を含むことを特徴とする付記１又は２に記載の半導体装置。
【００８６】
（付記４）  前記樹脂組成物は、樹脂と、前記スルーホールの中空部の径よりも小さいフィラーとを含むことを特徴とする付記１乃至３のいずれかに記載の半導体装置。
（付記５）  前記樹脂組成物の熱膨張率が、前記配線層の熱膨張率よりも低いことを特徴とする付記１乃至４のいずれかに記載の半導体装置。
【００８７】
（付記６）  支持体上に、半導体素子及び、内壁に導電膜を備える中空のスルーホールを有するプリント基板を設ける工程と、
前記半導体素子及び前記プリント基板が設けられた前記支持体上に絶縁性の樹脂組成物を設け、前記半導体素子及び前記プリント基板が前記樹脂組成物の層内に含まれ、前記スルーホール内に前記樹脂組成物が含まれる基板を形成する工程と、
前記基板を前記支持体から分離する工程と、
前記支持体から分離された前記基板上に、前記半導体素子又は前記プリント基板に電気的に接続された導電部を有する配線層を形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００８８】
（付記７）  前記配線層を形成する工程は、前記スルーホール上に前記導電部を設ける工程を含むことを特徴とする付記６に記載の半導体装置の製造方法。
（付記８）  前記配線層を形成する工程は、
前記基板の、前記支持体が分離された第１面上に、第１配線層を形成する工程と、
前記基板の、前記第１面と反対側の第２面上に、第２配線層を形成する工程と
を含むことを特徴とする付記６又は７に記載の半導体装置の製造方法。
【００８９】
（付記９）  前記第２配線層を形成する工程の前に、前記第２面を研磨する工程を更に含み、研磨された前記第２面上に前記第２配線層を形成することを特徴とする付記８に記載の半導体装置の製造方法。
【００９０】
（付記１０）  前記配線層を形成する工程の後に、前記半導体素子及び前記プリント基板を含む領域の周囲で前記樹脂組成物の層及び前記配線層を切断する工程を更に含むことを特徴とする付記６乃至９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【００９１】
（付記１１）  電子部品と、
前記電子部品に実装された第１半導体装置と
を含み、
前記第１半導体装置は、
絶縁性の樹脂組成物の層と、
前記層内に設けられた半導体素子と、
前記層内に設けられ、内壁に導電膜を備えるスルーホールを有し、前記スルーホール内に前記樹脂組成物を含むプリント基板と、
前記層上に設けられ、前記半導体素子又は前記プリント基板に電気的に接続された導電部を有する配線層と
を含むことを特徴とする電子装置。
【００９２】
（付記１２）  前記導電部は、前記スルーホール上に設けられていることを特徴とする付記１１に記載の電子装置。
（付記１３）  前記第１半導体装置に実装された第２半導体装置を更に含むことを特徴とする付記１１又は１２に記載の電子装置。
【００９３】
（付記１４）  第１半導体装置を準備する工程と、
前記第１半導体装置を電子部品に実装する工程と
を有し、
前記第１半導体装置は、
絶縁性の樹脂組成物の層と、
前記層内に設けられた半導体素子と、
前記層内に設けられ、内壁に導電膜を備えるスルーホールを有し、前記スルーホール内に前記樹脂組成物を含むプリント基板と、
前記層上に設けられ、前記半導体素子又は前記プリント基板に電気的に接続された導電部を有する配線層と
を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
【００９４】
（付記１５）  前記第１半導体装置に第２半導体装置を実装する工程を更に含むことを特徴とする付記１４に記載の電子装置。
【符号の説明】
【００９５】
１，１ａ，１Ａ，１２０  半導体装置
１０  樹脂組成物層
１０ａ，３０ａ  表面
１０ｂ，３０ｂ  裏面
１１  樹脂組成物
２０  半導体チップ
２０ａ  電極面
２０ｂ  背面
２０ｃ，３０ｃ  側面
２１  電極
３０，３０Ａａ，３０Ａ  プリント基板
３１  スルーホール
３１ａ  貫通孔
３１ｂ，３１Ａ  導電膜
３１ｃ  ビアホール
３２ａ，３２ｂ  配線層
３３Ａ  穴埋め材
３４Ａ  蓋めっき層
４０ａ，４０ｂ  再配線層
４１，４１ａ，４１ｂ  導電部
４１ｃ，４１ｅ  シード層
４１ｄ，４１ｆ  めっき層
４２  絶縁部
４２ａ，４２ｂ  絶縁膜
４２ａａ，４２ｂａ  開口部
５０  支持体
６０，６３  粘着フィルム
６１，６２  粘着層
６１ａ  凹凸部
６１ａａ  凸部
６１ａｂ  凹部
６３ａ，６３ｂ  端部
７０  擬似ウェハ
８１，８２  レジストパターン
９０  保護膜
９１  ニッケル
９２  金
９３，１２１  バンプ
９４ａ，９４ｂ  外部接続端子
１００  電子装置
１１０  回路基板
１１１  電極パッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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