(57)【要約】【課題】構成を簡素化することが可能な電流検出回路及び電力供給制御装置を提供する。【解決手段】電力の供給を受ける入力部１３と電力を外部へ出力する出力部１４とを有する回路の導電路１１に設けられ負荷Ｌへ供給される電力の通断電を行うパワーＭＯＳＦＥＴ１５Ａ〜１５Ｃと、各パワーＭＯＳＦＥＴ１５Ａ〜１５Ｃに対応して設けられ、入力部１３から出力部１４に至る複数の導電路１１を通るセンスＭＯＳＦＥＴ１６Ａ〜１６Ｃと、センスＭＯＳＦＥＴ１６Ａ〜１６Ｃのうちから選択された選択スイッチング素子から出力される検出用電流Ｉｓに基づき、パワーＭＯＳＦＥＴ１５Ａ〜１５Ｃを介して負荷Ｌに供給される電流を検出するＩＣ２１と、を備え、選択スイッチング素子は、各分担電流Ｉ１〜Ｉ３における各分流比の環境温度特性の傾きが０に近い分流比の導電路１１に配されたパワーＭＯＳＦＥＴ１５Ｂと対応するセンスＭＯＳＦＥＴ１６Ｂが選択されている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力の供給を受ける入力部と電力を外部へ出力する出力部とを有する回路に設けられ負荷へ供給される複数の導電路に分担された各分担電流の通断電を行う複数の電力用スイッチング素子と、
前記各電力用スイッチング素子に対応して設けられ、前記入力部から前記出力部に至る複数の導電路に配される複数の検出用スイッチング素子と、
前記複数の検出用スイッチング素子のうちから選択された選択スイッチング素子から出力される検出用電流に基づき、前記電力用スイッチング素子を介して前記負荷に供給される電流を検出する検出部と、を備え、
前記選択スイッチング素子は、前記各分担電流における各分流比の環境温度特性の傾きが０に近い分流比の導電路に配された前記電力用スイッチング素子と対応する検出用スイッチング素子が選択されている電流検出回路。
【請求項２】
前記複数の検出用スイッチング素子は、３個以上並んで配置され、
前記入力部及び前記出力部は、共に、前記３個以上の検出用スイッチング素子の並び方向の一端側に設けられており、
前記選択スイッチング素子は、前記３個以上の検出用スイッチング素子のうちから並び方向の中間側に近いものが前記各分流比の環境温度特性の傾きが０に近いものとして選択される請求項１に記載の電流検出回路。
【請求項３】
前記電力用スイッチング素子及び前記検出用スイッチング素子は、回路基板に実装されており、
前記導電路は、前記回路基板にプリント配線されたパターンである請求項１又は請求項２に記載の電流検出回路。
【請求項４】
前記電力用スイッチング素子及び前記検出用スイッチング素子がパッケージ内に収容されて半導体スイッチを構成している請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の電流検出回路。
【請求項５】
前記検出部による検出結果に応じて前記電力用スイッチング素子の通断電を制御する制御部を有する請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の電力供給制御装置。  
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電流検出回路及び電力供給制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電源と負荷とを接続する電力供給ラインに、例えばパワーＭＯＳＦＥＴなどの大電力用半導体スイッチング素子を介設し、この半導体スイッチング素子をオンオフすることで負荷への電力供給を制御するようにした技術が提供されている。
【０００３】
特許文献１では、パワーＭＯＳＦＥＴ等に過電流が流れたことを検出するセンスＭＯＳＦＥＴがパワーＭＯＳＦＥＴと並列に配置され、電流検出用抵抗がセンスＭＯＳＦＥＴに接続されており、センスＭＯＳＦＥＴを流れる電流による電流検出用抵抗での電圧降下が所定レベル以上になるとパワーＭＯＳＦＥＴに過電流が生じているとして、半導体スイッチング素子をオフにして通電を遮断する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１０４４８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、パワーＭＯＳＦＥＴには電流容量があるため、負荷に流す電流が大きくなるとパワーＭＯＳＦＥＴを複数並列に配置することがあるが、このとき各パワーＭＯＳＦＥＴに対応してセンスＭＯＳＦＥＴを複数設けた場合、全てのセンスＭＯＳＦＥＴから出力されるセンス電流に基づいてパワーＭＯＳＦＥＴを介して負荷に供給される負荷電流を検出する場合には、全てのセンス電流の検出を行う構成が必要になり、構成が複雑になりやすいという問題がある。
【０００６】
本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、構成を簡素化することが可能な電流検出回路及び電力供給制御装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電流検出回路は、電力の供給を受ける入力部と電力を外部へ出力する出力部とを有する回路に設けられ負荷へ供給される複数の導電路に分担された各分担電流の通断電を行う複数の電力用スイッチング素子と、前記各電力用スイッチング素子に対応して設けられ、前記入力部から前記出力部に至る複数の導電路に配される複数の検出用スイッチング素子と、前記複数の検出用スイッチング素子のうちから選択された選択スイッチング素子から出力される検出用電流に基づき、前記電力用スイッチング素子を介して前記負荷に供給される電流を検出する検出部と、を備え、前記選択スイッチング素子は、前記各分担電流における各分流比の環境温度特性の傾きが０に近い分流比の導電路に配された前記電力用スイッチング素子と対応する検出用スイッチング素子が選択されているところに特徴を有する。
【０００８】
本構成によれば、複数の検出用スイッチング素子のうちから選択された選択スイッチング素子から出力される検出用電流に基づき電力用スイッチング素子を介して負荷に供給される電流を検出するため、例えば複数の検出用スイッチング素子の検出用電流の合計に基づいて負荷に供給される電流を検出する場合と比較して全ての検出用電流についての検出や処理を行う構成が必要ないため、検出のための構成を簡素化することが可能となる。
【０００９】
ここで、電力の入力部から出力部に至る複数の導電路の分流比が異なる場合には、いずれか１個の検出用スイッチング素子から出力される検出用電流に基づいて負荷に供給される電流を検出すると、各導電路の分流比の差が加味されていないため、負荷に供給される電流の検出に誤差が生じるおそれがある。また環境温度が変化した際に分流比が変化し、電流の検出に誤差が生じるおそれがある。
【００１０】
一方、本構成では、選択スイッチング素子は、前記各分担電流における各分流比の環境温度特性の傾きが０に近い分流比の導電路に配された前記電力用スイッチング素子と対応する検出用スイッチング素子が選択されているため、複数の導電路の分流比が異なることによる検出誤差を抑制することが可能になる。よって、電流検出回路について、検出誤差を抑制しつつ検出のための構成を簡素化することが可能となる。
【００１１】
上記構成の実施態様として以下の構成を有すれば好ましい。
前記複数の検出用スイッチング素子は、３個以上並んで配置され、前記入力部及び前記出力部は、共に、前記３個以上の検出用スイッチング素子の並び方向の一端側に設けられており、前記選択スイッチング素子は、前記３個以上の検出用スイッチング素子のうちから並び方向の中間側に近いものが前記分流比の環境温度特性の傾きが０に近いものとして選択される。
このようにすれば、実際に分流比の環境温度特性の測定等をしなくても、選択スイッチング素子を選択することが可能になる。
また、入力部及び出力部が、本構成のように、共に、前記複数の検出用スイッチング素子の並び方向の一端側に設けられている場合には、複数の検出用スイッチング素子についての分流比が異なることになりやすく検出誤差が生じやすいが、上記発明の構成によれば、このような検出誤差が生じやすい回路構成において、負荷に供給される電流の検出誤差を抑制することが可能となる。
【００１２】
・前記電力用スイッチング素子及び前記検出用スイッチング素子は、回路基板に実装されており、前記導電路は、前記回路基板にプリント配線されたパターンである。
このようにすれば、電流検出回路の構成を簡素化することができる。
【００１３】
・前記電力用スイッチング素子及び前記検出用スイッチング素子がパッケージ内に収容されて半導体スイッチを構成している。
このようにすれば、電力用スイッチング素子及び検出用スイッチング素子がパッケージ内に収容された半導体スイッチをディスクリート部品として使用して電流検出回路を構成することができるため、製造コストを低減しつつ、構成を簡素化することが可能となる。
【００１４】
・前記検出部による検出結果に応じて前記電力用スイッチング素子の通断電を制御する制御部を有する電力供給制御装置。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、電流検出回路や電力供給制御装置の構成を簡素化することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施形態１の電源から負荷に至る経路に電力供給制御装置が配された状態を概略的に示す図
【図２】電流検出回路の電気的構成を示す図
【図３】入力部から出力部に至る導電路に半導体スイッチが実装された状態を示す図
【図４】入力部から出力部に至る回路をモデル化して示す図
【図５】各半導体スイッチを流れる各電流の環境温度特性を示す図
【図６】２５℃の検出値を誤差０とした場合の各分流比の精度の環境温度特性を示す図
【発明を実施するための形態】
【００１７】
＜実施形態１＞
以下、実施形態１について、図１〜図６を参照して説明する。
電力供給制御装置１０は、図１に示すように、図示しない自動車等の車両の電源Ｂ（バッテリ）から車両のランプ、モータ、ヒータなどの負荷Ｌに至る経路に設けられて負荷Ｌに供給される電力の制御を行うものである。
【００１８】
電力供給制御装置１０は、負荷Ｌに供給される電流を検出する電流検出回路１０Ａを備えており、電流検出回路１０Ａは、図２に示すように、回路基板１２の導電路１１に実装された電子部品１５Ａ〜１５Ｃ，１６Ａ〜１６Ｃ，１７，２０，２１を備える。
【００１９】
回路基板１２は、銅箔がプリント配線されてなる導電路１１を有し、この導電路１１上には、電源Ｂ側から電力の供給を受ける入力部１３と、電力を外部の負荷Ｌ側に出力する出力部１４とが設けられている。
【００２０】
電子部品１５Ａ〜１５Ｃ，１６Ａ〜１６Ｃ，１７，２０，２１は、負荷Ｌへの通断電を行う３個（複数）のパワーＭＯＳＦＥＴ１５Ａ〜１５Ｃ（本発明の構成である「電力用スイッチング素子」の一例）と、負荷Ｌに供給される電流を検出するために各パワーＭＯＳＦＥＴ１５Ａ〜１５Ｃに対応して設けられた３個（複数）のセンスＭＯＳＦＥＴ１６Ａ〜１６Ｃ（本発明の構成である「検出用スイッチング素子」の一例）と、センスＭＯＳＦＥＴ１６Ｂの出力側の電位をパワーＭＯＳＦＥＴ１５Ａ〜１５Ｃに対して調整する電位調整部１７と、電位調整部１７からの電流を電圧信号に変換する変換部２０と、変換部２０からの電圧信号を受けるＩＣ(Integrated Circuit)２１と、を備えて構成されている。
【００２１】
パワーＭＯＳＦＥＴ１５Ａ〜１５Ｃは、Ｎ型であって、入力部１３から出力部１４に至る導電路１１において、ドレインが入力部１３側に接続され、ソースが出力部１４側に接続されており、３個（複数）のパワーＭＯＳＦＥＴ１５Ａ〜１５Ｃに分担された分担電流Ｉ１〜Ｉ３が１個の負荷Ｌに供給される。なお、１個の負荷Ｌに対して複数のパワーＭＯＳＦＥＴ１５Ａ〜１５Ｃで電力を供給するのは、各パワーＭＯＳＦＥＴ１５Ａ〜１５Ｃは、供給可能な電流容量があるため、供給する電流量が大きい場合には、複数のパワーＭＯＳＦＥＴ１５Ａ〜１５Ｃに電流を分流させる必要があるためである。
【００２２】
センスＭＯＳＦＥＴ１６Ａ〜１６Ｃ及びパワーＭＯＳＦＥＴ１５Ａ〜１５Ｃは互いに並列に配置され、互いのドレイン同士、及び、ゲート同士が電気的に接続されて同電位とされている。
センスＭＯＳＦＥＴ１６Ａ〜１６Ｃは、パワーＭＯＳＦＥＴ１５Ａ〜１５Ｃに流れる電流を検出するために設けられており、センスＭＯＳＦＥＴ１６Ｂのソース側は、パワーＭＯＳＦＥＴ１５Ｂに電流の電流量に応じた検出用電流Ｉｓを出力可能に構成され、センスＭＯＳＦＥＴ１６Ａ，１６Ｃのソース側は、開放されている。
【００２３】
パワーＭＯＳＦＥＴ１５Ａ〜１５ＣとセンスＭＯＳＦＥＴ１６Ａ〜１６Ｃは、図３に示すように、合成樹脂製のパッケージ２２内に（一体的に）収容されて半導体スイッチ２３Ａ〜２３Ｃを構成している。図３は、入力部１３から出力部１４に至る導電路１１と、この導電路１１に介設された半導体スイッチ２３Ａ〜２３Ｃとの関係を概略的に示しており、電位調整部１７は省略されている。
【００２４】
導電路１１は、入力部１３に連なる第１導電路１１Ａと、出力部１４に連なる第２導電路１１Ｂとを有し、これらの導電路１１は、平行に配置されている。
第１導電路１１Ａの左端部（一端側）に入力部１３が設けられ、第２導電路１１Ｂの左端部（一端側）に出力部１４が設けられている。
【００２５】
半導体スイッチ２３Ａ〜２３Ｃは、導電路１１に所定間隔ごとに並んで設けられており、パワーＭＯＳＦＥＴ１５Ａ〜１５Ｃ及びセンスＭＯＳＦＥＴ１６Ａ〜１６Ｃの共通のドレインを構成するドレイン端子ＤＴと、パワーＭＯＳＦＥＴ１５Ａ〜１５Ｃのソースを構成するソース端子ＳＴと、センスＭＯＳＦＥＴ１６Ａ〜１６Ｃのソースを構成する検出用電流出力端子ＣＴと、パワーＭＯＳＦＥＴ１５Ａ〜１５Ｃ及びセンスＭＯＳＦＥＴ１６Ａ〜１６Ｃの共通のゲートを構成するゲート端子ＧＴと、を備えている。
【００２６】
そして、各半導体スイッチ２３Ａ〜２３Ｃのドレイン端子ＤＴが第１導電路１１Ａ上にて半田付け等により第１導電路１１Ａと電気的に接続され、ソース端子ＳＴが第２導電路１１Ｂ上にて半田付け等により第２導電路１１Ｂと電気的に接続されている。
【００２７】
各半導体スイッチ２３Ａ〜２３Ｃのゲート端子ＧＴは、図示しない導電路を介してＩＣ２１の端子に接続されている。
３個の半導体スイッチ２３Ａ〜２３Ｃのうち、半導体スイッチ２３Ｂの検出用電流出力端子ＣＴは、図示しない導電路を介して電位調整部１７に接続されている。
【００２８】
電位調整部１７は、図２に示すように、センスＭＯＳＦＥＴ１６Ａ〜１６Ｃ及びパワーＭＯＳＦＥＴ１５Ａ〜１５Ｃの出力側電位（ ソース電位） を同電位に保持するためのものであり、オペアンプ１８と、ＦＥＴ１９とを備えている。
オペアンプ１８の入力側は、１個のセンスＭＯＳＦＥＴ１６Ｂのソースと、３個（複数）のパワーＭＯＳＦＥＴ１５Ａ〜１５Ｃのソースとに電気的に接続されている。
【００２９】
オペアンプ１８の出力側は、ＦＥＴ１９のゲートに電気的に接続されている。これにより、オペアンプ１８の差動出力は、ＦＥＴ１９のゲート−ドレイン間を介して入力（正相入力）にフィードバックされる。
このようにオペアンプ１８の差動出力をフィードバックすることによって、オペアンプ１８の正相入力の電位と逆相入力の電位とがほとんど同じになるイマジナリーショートとなる。これにより、センスＭＯＳＦＥＴ１６Ａ及びパワーＭＯＳＦＥＴ１５Ａ〜１５Ｃのソースが互いに同電位となり、パワーＭＯＳＦＥＴ１５Ａ〜１５Ｃから負荷Ｌに流れる電流に対して安定した一定比率の検出用電流ＩｓをセンスＭＯＳＦＥＴ１６Ｂに流すことができる。
【００３０】
変換部２０は、ＦＥＴ１９のソースから出力される電流を電圧信号に変換してＩＣ２１に出力する。
ＩＣ２１は、変換部２０から受けた電圧信号に基づき負荷Ｌに供給される電流の検出、及び、パワーＭＯＳＦＥＴ１５Ａ〜１５Ｃ及びセンスＭＯＳＦＥＴ１６Ａ〜１６Ｃのオンオフの制御を行う。
【００３１】
具体的には、変換部２０から受けた電圧信号を受けると、３個のセンスＭＯＳＦＥＴ１６Ａ〜１６Ｃのうちから、予め選択した１個のセンスＭＯＳＦＥＴ１６Ｂ（本発明の構成である「選択スイッチング素子」の一例）の検出用電流Ｉｓに基づき負荷Ｌに供給される電流を検出する。なお、３個のセンスＭＯＳＦＥＴ１６Ａ〜１６Ｃのうちから１個のセンスＭＯＳＦＥＴ１６Ｂを選択する方法については、後述する。
【００３２】
検出用電流Ｉｓに基づいた負荷電流の検出は、例えば、選択スイッチング素子に応じて予め設定されている所定の補正係数とセンス比（分担電流／検出用電流）とを掛ける演算を行い、負荷Ｌに供給される電流を検出すればよい。なお、これに限らず、ＩＣ２１がデータを読み出し可能なＲＯＭ３０に電圧信号と負荷電流との対応マップを記憶しておき、この検出用電流（検出結果）を対応マップと対応させて負荷Ｌに供給される電流を検出してもよい。
このように、ＩＣ２１が負荷Ｌに供給される電流を検出するため、ＩＣ２１が本発明の構成である「検出部」の一例となる。
【００３３】
また、この検出結果に応じて、パワーＭＯＳＦＥＴ１５Ａ〜１５Ｃ（及びセンスＭＯＳＦＥＴ１６Ａ〜１６Ｃ）のゲート（制御入力）に信号を与え、過電流が流れている場合には、パワーＭＯＳＦＥＴ１５Ａ〜１５Ｃ（及びセンスＭＯＳＦＥＴ１６Ａ〜１６Ｃ）をオフするように負荷Ｌへの電力供給を制御することで電力供給制御装置１０を構成することができる。したがって、ＩＣ２１が本発明の構成である「制御部」の一例となる。
【００３４】
ここで、電流検出回路１０Ａをモデル化した図４の回路図に示すように、入力部１３から出力部１４に至る３つの経路Ａ〜Ｃ（複数の導電路１１）上に配された半導体スイッチ２３Ａ〜２３Ｃから出力される分担電流Ｉ１〜Ｉ３は、
【００３５】
全体の電流をＩ（Ｉ＝Ｉ１＋Ｉ２＋Ｉ３）とすると、
【数１】
2014064128.tif 000003
となる。
但し、
ｒ１〜ｒ４：隣の半導体スイッチまでの導電路（パターン）の抵抗
Ｒ：半導体スイッチの抵抗
α：半導体スイッチの温度特性（0.6%/deg）
β：導電路（銅パターン）の温度特性(0.44%/deg)
【００３６】
上記式、及び、図５に示すように、本実施形態では、各半導体スイッチ２３Ａ〜２３Ｃに流れる電流の分流比が異なる。
ここで、α≠βであることから、半導体スイッチと銅パターンの環境温度特性（周囲温度特性）が異なるため、環境温度が変化すると、各電流Ｉ１〜Ｉ３の比率が変化する。これにより、図５のＩ１は、やや右下がりの傾きを有し、Ｉ３は、やや右上がりの傾きを有する。
【００３７】
これにより、図６に示すように、半導体スイッチ２３Ａを通る経路Ａについては、他の半導体スイッチ２３Ｂ，２３Ｃよりも導電路の抵抗が小さいため、半導体スイッチ２３Ａの環境温度特性の影響が大きくなっている。そのため、環境温度が低いと、電流の検出値が大きくなり、環境温度が高くなると、電流の検出値が小さくなる傾きを有する。
一方、半導体スイッチ２３Ｃを通る経路Ｃについては、他の半導体スイッチ２３Ａ，２３Ｂよりも導電路の抵抗が大きいため、半導体スイッチ２３Ｃよりも導電路１１の抵抗による影響が大きく、環境温度が低いと、電流の検出値が小さくなり、環境温度が高くなると、電流の検出値が大きくなる傾きを有する。
【００３８】
これに対して、半導体スイッチ２３Ｂを通る経路Ｂについては、他の半導体スイッチ２３Ａ，２３Ｃに対して、導電路１１の抵抗が中間に位置しているため、半導体スイッチ２３Ｂ及び導電路１１の一方からの影響が特別に多いということはなく、環境温度が低いと、わずかに電流の検出値が小さくなり、環境温度が高くなると、わずかに電流の検出値が大きくなるわずかな傾きを有する。
そのため、上記したように、１個のセンスＭＯＳＦＥＴに基づき負荷に供給される電流を検出する場合には、選択するセンスＭＯＳＦＥＴによって、電流の検出の誤差が大きくなるおそれがある。
【００３９】
そこで、本実施形態では、１個のセンスＭＯＳＦＥＴの検出用電流Ｉｓにより、負荷に供給される電流を検出する場合に、センスＭＯＳＦＥＴ１６Ａ〜１６Ｃのうちから検出用電流Ｉｓを出力させた場合に、検出用電流Ｉｓの環境温度特性の傾きが０に近いセンスＭＯＳＦＥＴ１６Ｂを選択することとしている。ここで、検出用電流Ｉｓの環境温度特性の傾きが０に近いセンスＭＯＳＦＥＴ１６Ｂの選択を実際にセンスＭＯＳＦＥＴ１６Ａ〜１６Ｃの検出用電流Ｉｓを測定して行うことも可能であるが、本実施形態では、並んで配置されたセンスＭＯＳＦＥＴ１６Ａ〜１６Ｃ（半導体スイッチ２３Ａ〜２３Ｃ）について並び方向の中間に近いセンスＭＯＳＦＥＴ１６Ｂ（半導体スイッチ２３Ｂ）を検出用電流Ｉｓの環境温度特性の傾きが０に近いものとして選択することとしている。
【００４０】
そして、選択されたセンスＭＯＳＦＥＴ１６Ｂから出力される検出用電流Ｉｓに基づき負荷Ｌに供給される電流を検出することとすれば、他のセンスＭＯＳＦＥＴ１６Ａ，１６Ｃを選択する場合と比較して、誤差の少ない検出用電流Ｉｓの合計に基づいて負荷Ｌに供給される電流を検出することができるため、負荷Ｌに供給される電流の誤差を少なくすることが可能になる。
【００４１】
本実施形態によれば、以下の作用・効果を奏する。
（１）本実施形態によれば、複数のセンスＭＯＳＦＥＴ１６Ａ〜１６Ｃ（検出用スイッチング素子）のうちから選択されたセンスＭＯＳＦＥＴ１６Ｂ（選択スイッチング素子）から出力される検出用電流Ｉｓに基づきパワーＭＯＳＦＥＴ１５Ａ〜１５Ｃ（電力用スイッチング素子）を介して負荷Ｌに供給される電流を検出するため、例えば複数のセンスＭＯＳＦＥＴ１６Ａ〜１６Ｃ（検出用スイッチング素子）の検出用電流の合計に基づいて負荷Ｌに供給される電流を検出する場合と比較して全ての検出用電流についての検出や処理を行う構成が必要ないため、検出のための構成を簡素化することが可能となる。
【００４２】
ここで、電力の入力部１３から出力部１４に至る複数の導電路１１の分流比が異なる場合には、いずれか１個のセンスＭＯＳＦＥＴ１６Ａ（〜１６Ｃ）から出力される検出用電流Ｉｓに基づいて負荷Ｌに供給される電流を検出すると、各導電路１１の経路抵抗の差が加味されていないため、負荷Ｌに供給される電流の検出に誤差が生じるおそれがある。
【００４３】
一方、本実施形態では、センスＭＯＳＦＥＴ１６Ｂ（選択スイッチング素子）は、各分担電流Ｉ１〜Ｉ３における各分流比の環境温度特性の傾きが０に近い分流比の導電路に配されたパワーＭＯＳＦＥＴ１５Ｂ（電力用スイッチング素子）と対応するセンスＭＯＳＦＥＴ１６Ｂ（検出用スイッチング素子）が選択されているため、各センスＭＯＳＦＥＴ１６Ａ〜１６Ｃ（検出用スイッチング素子）についての複数の導電路１１の分流比が異なることによる検出誤差を抑制することが可能になる。よって、電流検出回路１０Ａについて、検出誤差を抑制しつつ検出のための構成を簡素化することが可能となる。
【００４４】
（２）複数のセンスＭＯＳＦＥＴ１６Ａ〜１６Ｃは、３個以上並んで配置され、入力部１３及び出力部１４は、共に、３個以上のセンスＭＯＳＦＥＴ１６Ａ〜１６Ｃの並び方向の一端側に設けられており、選択スイッチング素子は、３個以上のセンスＭＯＳＦＥＴ１６Ａ〜１６Ｃのうちから並び方向の中間側に近いものが分流比の環境温度特性の傾きが０に近いものとして選択される。
このようにすれば、実際に分流比の環境温度特性の測定等をしなくても、選択スイッチング素子を選択することが可能になる。
また、入力部１３及び出力部１４が、本実施形態のように、共に、複数のセンスＭＯＳＦＥＴ１６Ａ〜１６Ｃの並び方向の一端側に設けられている場合には、複数のセンスＭＯＳＦＥＴ１６Ａ〜１６Ｃについての分流比が異なることになりやすく検出誤差が生じやすいが、上記発明の構成によれば、このような検出誤差が生じやすい回路構成において、負荷Ｌに供給される電流の検出誤差を抑制することが可能となる。
【００４５】
（３）パワーＭＯＳＦＥＴ１５Ａ〜１５Ｃ及びセンスＭＯＳＦＥＴ１６Ａ〜１６Ｃは、回路基板１２に実装されており、導電路１１は、回路基板１２にプリント配線されたパターンである。
このようにすれば、電流検出回路１０Ａの構成を簡素化することができる。
【００４６】
（４）パワーＭＯＳＦＥＴ１５Ａ〜１５Ｃ及びセンスＭＯＳＦＥＴ１６Ａ〜１６Ｃがパッケージ２２内に収容されて半導体スイッチ２３Ａ〜２３Ｃを構成している。
このようにすれば、パワーＭＯＳＦＥＴ１５Ａ〜１５Ｃ及びセンスＭＯＳＦＥＴ１６Ａ〜１６Ｃがパッケージ２２内に収容された半導体スイッチ２３Ａ〜２３Ｃをディスクリート部品として使用して電流検出回路１０Ａを構成することができるため、製造コストを低減しつつ、構成を簡素化することが可能となる。
【００４７】
＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
（１）上記実施形態では、電流検出回路１０Ａ及び電力供給制御装置１０には、半導体スイッチ２３Ａ〜２３Ｃ（２６Ａ〜２６Ｃ）が３個備えられていたが、これに限らず、半導体スイッチが２個、又は、４個以上備えられるものに本発明を適用してもよい。したがって、センスＭＯＳＦＥＴやパワーＭＯＳＦＥＴの個数についても２個、又は、４個以上備えられるものに本発明を適用してもよい。
【００４８】
（２）上記実施形態では、負荷Ｌに供給される電流を検出するために、センスＭＯＳＦＥＴやパワーＭＯＳＦＥＴを用いたが、これに限られず、例えば、リレー等のスイッチング素子を用いてもよい。
【００４９】
（３）上記実施形態では、導電路１１として、銅箔がプリント配線されたものを用いたが、これに限られない。例えば、銅合金や、アルミニウム、アルミニウム合金等の導体を導電路として使用してもよい。
（４）上記実施形態では、並び方向の中間に近いセンスＭＯＳＦＥＴを選択スイッチング素子としたが、これに限られず、例えば、センスＭＯＳＦＥＴや、導電路１１の抵抗値により、検出用電流の環境温度特性の傾きが０に近いものが中間に近いもの以外である場合には、検出用電流の環境温度特性の傾きが０に近いものを選択スイッチング素子とすればよい。
【符号の説明】
【００５０】
１０…電力供給制御装置
１０Ａ…電流検出回路
１１…導電路
１２…回路基板
１３…入力部
１４…出力部
１５Ａ〜１５Ｃ…パワーＭＯＳＦＥＴ（電力用スイッチング素子）
１６Ａ〜１６Ｃ…センスＭＯＳＦＥＴ（検出用スイッチング素子）
１６Ｂ…センスＭＯＳＦＥＴ（選択スイッチング素子）
１７…電位調整部
２０…変換部
２１…ＩＣ（検出部、制御部）
２２…パッケージ
２３Ａ〜２３Ｃ…半導体スイッチ
Ｂ…電源
Ｌ…負荷
Ｉｓ…検出用電流
【図１】
2014064128.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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