(57)【要約】【課題】半導体集積回路の製造工程における不良品の発生原因より効率的な特定に資する識別方法を実現する。【解決手段】本発明に係る識別方法は、ウエハ状態における同一の構成を有する複数の半導体集積回路を互いに識別するための第１の識別子を、各半導体集積回路の予め定められた複数の内部状態に対する入出力信号の各値に基づいて生成する第１の生成工程と、上記第１の識別子を、該半導体集積回路のウエハ上での位置を示す位置情報に関連付けて管理する管理工程と、個片状態のある半導体集積回路を個片状態の他の半導体集積回路から識別するための第２の識別子を、当該ある半導体集積回路の上記予め定められた複数の内部状態に対する入出力信号の各値に基づいて生成する第２の生成工程と、上記第２の識別子を、上記第１の識別子の何れかと同定し、同定した第１の識別子に関連付けられた上記位置情報を特定する特定工程とを含んでいる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路の識別方法であって、
ウエハ状態における同一の構成を有する複数の半導体集積回路を互いに識別するための第１の識別子を、各半導体集積回路の予め定められた複数の内部状態に対する入出力信号の各値に基づいて生成する第１の生成工程と、
ウエハ状態における各半導体集積回路に対して生成された第１の識別子を、該半導体集積回路のウエハ上での位置を示す位置情報に関連付けて管理する管理工程と、
個片状態におけるある半導体集積回路を個片状態における他の半導体集積回路から識別するための第２の識別子を、当該ある半導体集積回路の上記予め定められた複数の内部状態に対する入出力信号の各値に基づいて生成する第２の生成工程と、
上記ある半導体集積回路に対して生成された上記第２の識別子を、上記第１の識別子の何れかと同定し、同定した第１の識別子に関連付けられた上記位置情報を特定する特定工程と、
を含んでいることを特徴とする識別方法。
【請求項２】
上記位置情報を蓄積し、個片状態における１または複数の半導体集積回路の各々に関する、ウエハ上での位置を示すウエハマップを作成するウエハマップ作成工程を含んでいる
ことを特徴とする請求項１に記載の識別方法。
【請求項３】
請求項１に記載の識別方法であって、
上記第１の識別子は、当該半導体集積回路の非動作状態における予め定められた複数の内部状態に対する電源電流値に基づいて生成されたものであり、
上記第２の識別子は、当該半導体集積回路の非動作状態における上記予め定められた複数の内部状態のうち、一部の内部状態に対する電源電流値に基づいて生成されたものである、
ことを特徴とする識別方法。
【請求項４】
請求項１に記載の識別方法であって、
上記第１の識別子は、当該半導体集積回路の非動作状態における予め定められた複数の内部状態に対するアナログ信号に基づいて生成されたものであり、
上記第２の識別子は、当該半導体集積回路の非動作状態における上記予め定められた複数の内部状態のうち、一部の内部状態に対するアナログ信号に基づいて生成されたものである、
ことを特徴とする識別方法。
【請求項５】
半導体集積回路を識別するための識別装置であって、
ウエハ状態における同一の構成を有する複数の半導体集積回路を互いに識別するための第１の識別子を、各半導体集積回路の予め定められた複数の内部状態に対する入出力信号の各値に基づいて生成する第１の生成手段と、
ウエハ状態における各半導体集積回路に対して生成された第１の識別子を、該半導体集積回路のウエハ上での位置を示す位置情報に関連付けて管理する管理手段と、
個片状態におけるある半導体集積回路を、個片状態における他の半導体集積回路から識別するための第２の識別子を、当該ある半導体集積回路の上記予め定められた複数の内部状態に対する入出力信号の各値に基づいて生成する第２の生成手段と、
上記ある半導体集積回路に対して生成された上記第２の識別子を、上記第１の識別子の何れかと同定し、同定した第１の識別子に関連付けられた上記位置情報を特定する特定手段と、
を備えていることを特徴とする識別装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路の識別方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の製造工程において不良品の発生率を下げること、すなわち、歩留まりを向上させることは、半導体の製造業者にとって重要な課題の一つである。歩留まりを向上させるためには、個々の半導体集積回路の製造時期、製造ライン、製造ロットなどの製造履歴や、検査種別、検査結果などの検査履歴等の履歴情報に基づいて不良原因の解明を行うことが望ましい。
【０００３】
これらの履歴情報の特定を行うための手段の一つとして、半導体集積回路の各々に、当該半導体集回路を他の半導体集積回路と識別するため識別子を付与し、当該半導体集積回路の履歴情報を当該識別子と関連付けてデータベース上で管理することが挙げられる。
【０００４】
個々の半導体集積回路に識別子を付与することは、歩留まりの向上に役立つのみならず、製造後に不良が発見された場合等においても、不良箇所の迅速な特定および解析に役立つというメリットがある。
【０００５】
従来、半導体集積回路への識別子の付与方法として、半導体集積回路内に、不揮発性メモリを設け、当該不揮発性メモリに識別子を書き込む方法が知られていた。しかしながら、一般に半導体集積回路内部へ不揮発性メモリを作りこむ工程は複雑であるため、工程数や製造コストが増加してしまうという問題が生じる。
【０００６】
また、別の方法として、レーザーで半導体集積回路へ直接マーキングする方法、レーザーを用いたヒューズカットによる方法などが知られていたが、それぞれ、マーキングやヒューズカットを行うための工程が別途必要になるため、上記の方法と同様に工程数や製造コストが増加するという問題を生じる。
【０００７】
特許文献１には、上記の問題を改善するために、複数の半導体集積回路の各々に付与する識別子を、同一条件下で該半導体集積回路から出力されるアナログ信号に基づいて生成する構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１１−９６９１号公報（２０１１年１月１３日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
半導体集積回路の製造工程に関する近年の進展に伴い、半導体集積回路の製造工程における不良品の発生原因をより効率的に特定したいという要望が生じている。
【００１０】
本発明は、上記の問題に鑑みて、発明者の知見に基づいてなされたものであり、その主たる目的は、半導体集積回路の製造工程における不良品の発生原因のより効率的な特定に資する識別方法および識別装置を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る識別方法は、半導体集積回路の識別方法であって、ウエハ状態における同一の構成を有する複数の半導体集積回路を互いに識別するための第１の識別子を、各半導体集積回路の予め定められた複数の内部状態に対する入出力信号の各値に基づいて生成する第１の生成工程と、ウエハ状態における各半導体集積回路に対して生成された第１の識別子を、該半導体集積回路のウエハ上での位置を示す位置情報に関連付けて管理する管理工程と、個片状態におけるある半導体集積回路を、個片状態における他の半導体集積回路から識別するための第２の識別子を、当該ある半導体集積回路の上記予め定められた複数の内部状態に対する入出力信号の各値に基づいて生成する第２の生成工程と、上記ある半導体集積回路に対して生成された上記第２の識別子を、上記第１の識別子の何れかと同定し、同定した第１の識別子に関連付けられた上記位置情報を特定する特定工程と、を含んでいることを特徴としている。
【００１２】
また、本発明の一態様に係る識別装置は、半導体集積回路を識別する識別装置であって、ウエハ状態における同一の構成を有する複数の半導体集積回路を互いに識別するための第１の識別子を、各半導体集積回路の予め定められた複数の内部状態に対する入出力信号の各値に基づいて生成する第１の生成手段と、ウエハ状態における各半導体集積回路に対して生成された第１の識別子を、該半導体集積回路のウエハ上での位置を示す位置情報に関連付けて管理する管理手段と、個片状態におけるある半導体集積回路を、個片状態における他の半導体集積回路から識別するための第２の識別子を、当該ある半導体集積回路の上記予め定められた複数の内部状態に対する入出力信号の各値に基づいて生成する第２の生成手段と、上記ある半導体集積回路に対して生成された上記第２の識別子を、上記第１の識別子の何れかと同定し、同定した第１の識別子に関連付けられた上記位置情報を特定する特定手段と、を備えていることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１３】
上記の識別方法および識別装置によれば、半導体集積回路の製造工程における不良品の発生原因のより効率的な特定に資する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態を示すものであって、識別装置の構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施形態を示すものであって、電源電流のバラツキを用いた識別子生成方法に関する説明図である。
【図３】本発明の実施形態において識別子を付与すべき半導体集積回路を示すものであって、液晶ドライバの構成を示すブロック図である。
【図４】本発明の実施形態において識別子を付与すべき半導体集積回路を示すものであって、液晶ドライバにおけるガンマ抵抗を有する基準電源回路の回路図である。
【図５】本発明の実施形態を説明するものであって、液晶ドライバからの出力電圧の値を示すグラフである。
【図６】本発明の実施形態を説明するものであって、液晶ドライバから出力される階調出力電圧の値を示すグラフである。
【図７】本発明の実施形態を説明するものであって、同一の液晶ドライバの状態毎の電源電流値をグラフである。
【図８】本発明の実施形態において識別子を付与すべき半導体集積回路を示すものであって、ドット反転方式の液晶ドライバにおけるガンマ抵抗を有する基準電源回路の回路図である。
【図９】本発明の実施形態を説明するものであって、電源電流のバラツキを用いた識別子を生成するための電源電流値を測定する際の液晶ドライバの状態を示す図である。
【図１０】本発明の実施形態を示すものであって、識別装置とデータベースとを含む識別システムの構成を、データベースに格納される各情報と共に示すブロック図である。
【図１１】本発明の実施形態を示すものであって、図１０に示した識別システムによるトレース結果を用いて、ウエハマップを作成する処理を示す概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
（識別子生成方法）
本発明の実施形態に係る半導体集積回路の識別方法について、図面を参照して説明すれば以下のとおりである。
【００１６】
まず、本実施形態に係る識別子を生成する際に、識別子を付与する対象となる半導体集積回路の例として、アナログ出力機能を有する液晶ドライバのブロック図を図３に示す。図３に示した液晶ドライバは、液晶ディスプレイの液晶パネル（不図示）を駆動するための駆動信号（アナログ信号）を出力するための半導体集積回路である。
【００１７】
図３に示した液晶ドライバにおいて、ロジック部に入力されたデジタル映像入力信号は、ＤＡＣ部でアナログ信号に変換され、レベルシフタ部において電圧レベル変換が施され、出力アンプ部を経て、液晶駆動信号として複数のアナログ出力端子からそれぞれ出力される。なお、図３に示した液晶ドライバはアナログ出力端子ごとに２５６階調のアナログ信号を出力することが可能であるものとする。
【００１８】
図４は、上記レベルシフタ部におけるアナログ信号のガンマ補正に用いられる基準電圧発生回路を模式的に示したものである。Ｖ０Ｈ、Ｖ１Ｈ、・・・、Ｖ５Ｈ、ＶｎＨから電圧が入力され、抵抗分割されてガンマ特性が生成される。
【００１９】
図５は、ある入力信号に対して、ある液晶ドライバのある特定のアナログ出力端子、すなわち、ある特定の端子番号のアナログ出力端子から出力される出力電圧を、階調ごとにプロットしたものである。液晶ドライバは、アナログ出力端子ごとに２５６階調の各々に対応する出力電圧を出力する。なお、図５の縦軸の単位はボルト（Ｖ）である。
【００２０】
以下、図３に示した液晶ドライバの電源電流を識別子として生成する方法について説明する。
【００２１】
図６は、図３に示した液晶ドライバから出力される液晶駆動信号としての出力電圧（単位：ボルト）、すなわち階調電圧を示す図である。各端子からのＸ１階調（最小階調）における出力電圧値、各端子からのＸ２階調における出力電圧値、各端子からのＸ３階調における出力電圧値、・・・、各端子からのＸｎ階調、本説明では２５６階調に相当（最大階調）における出力電圧値を階調順に並べてプロットした図である。
【００２２】
図７は、特定の電源供給端子に対して合計１０２４状態における半導体集積回路に供給される電源電流値をプロットしたものであり、縦軸の単位はμＡである。なお、この１０２４状態の詳細については後述する。
【００２３】
一般に、半導体集積回路に供給される電源電流は一定ではなく、デバイス状態により変動を伴う。従って、特定の電源供給端子に対して様々なデバイスの内部状態ごとの電源電流値をプロットすることにより、上記電源電流を利用した識別子の生成を行うことができる。
【００２４】
以下では、図３の液晶ドライバを例にして、具体的なデバイス状態の例を説明する。
【００２５】
液晶ドライバは、各液晶系出力に対応する入力データを順次サンプリングして、出力数分のデータを取り込み、データラッチ（不図示）にラッチし、レベルシフタを介してＤＡＣへ入力する。
【００２６】
ＤＡＣでは各出力毎に階調レベルを選択して、それぞれの出力毎に有しているオペアンプを介して、基準電圧発生回路（ガンマ抵抗）にて生成した各階調レベルを出力する。
【００２７】
この際の液晶ドライバの駆動方式は、隣接する液晶系出力がＶＨ側レベルとＶＬ側レベルに反転するドット反転駆動方式と、同一階調レベルを選択した時には同じレベルを出力するライン反転駆動方式との２つに大別される。ドット反転駆動とライン反転駆動についての詳述は省略するが、以降の説明はドット反転駆動ドライバを想定したものとする。図８はドット反転駆動ドライバのガンマ抵抗回路を示したものである。
【００２８】
前述の入力データに関して、６ビットＤＡＣの場合では６４階調表示、８ビットＤＡＣの場合は２５６階調、１０ビットＤＡＣの場合では１０２４階調の表示が可能となる。２５６階調の液晶ドライバの場合、２５６種類の階調電圧を出力するための状態がある。
【００２９】
ここで、液晶ドライバの状態として、
状態１）液晶ドライバがデータを取り込む前の状態
状態２）液晶ドライバがデータを取り込んでいる時の状態
状態３）液晶ドライバがラッチ動作を行っている状態
状態４）液晶ドライバが取り込んだデータに応じた出力電圧を出力した状態
の４つのスタティック状態と、入力データ（階調）の２５６通りを組み合わせた１０２４状態を設定する。ここでスタティックとは入力信号であるＣＫ、ＲＧＢ入力、ＬＳをＶＤＤレベルもしくはＧＮＤレベルにして信号を停止し、さらにアナログ回路で常時流れる電流を切断して、液晶ドライバが動作しないようにした状態である。以下では、４つのスタティック状態について図９を参照しながら説明する。
【００３０】
図９は電源電流のバラツキを用いた識別子を生成するための電源電流値を測定する際の、液晶ドライバの４状態を示す図である。図９に示すように、液晶ドライバは、一定の周期でＯＮ／ＯＦＦを繰り返す動作クロックを備えている。図９に示すように、液晶ドライバは動作クロックのタイミングで電源電流値の測定を開始することを示すスタート信号をテスターから受信する。この時点における状態は、液晶ドライバが入力データを取り込む前の状態であり、上述した状態１である。テスターからスタート信号を受信した後に、液晶ドライバは、何れかの階調を有する入力データの取り込みを開始する。この時点における状態は、液晶ドライバが入力データを取り込んでいる状態であり、上述した状態２である。続いて、液晶ドライバは入力データの取り込みを終了すると、ラッチ信号に基づいて、データラッチにデータをラッチすることを示すラッチ動作を行う。この時点における状態は、液晶ドライバがラッチ動作を行っている状態であり、上述した状態３である。続いて、液晶ドライバは、取り込んだデータに応じた出力電圧を出力する。この時点における状態は、液晶ドライバが出力電圧を出力した状態であり、上述した状態４である。本実施形態においては、これらの４状態に対する電源電流値を測定する。
【００３１】
以下では、上記の４つのスタティック状態と、入力データ（階調）の２５６通りとによって決定される１０２４状態を液晶ドライバの内部状態と呼称する。
【００３２】
この液晶ドライバの内部状態は、半導体デバイスを測定する装置（テスター）で状態設定を行う。テスターは入力信号のタイミングや電流の測定タイミング等を正確に制御できるので、測定毎に、測定対象となる液晶ドライバの内部トランジスタを同一の内部状態に設定することができる。
【００３３】
各々の内部状態において、電源電流値を測定し、それぞれの電源電流値に対して内部状態を示す内部状態識別番号（ナンバーとも呼ぶ）として００１１、００１２、００１３、００１４、・・・、をそれぞれ関連付ける。ここで関連付ける数字は、入力データの何れかの階調を示す３桁の数字と、スタティック状態の何れかを示す１桁の数字とからなる数字である。例えば、００１１とは１階調の第１の状態、００１２は１階調の第２の状態、００１３は１階調の第３の状態、００１４は第１階調の第４の状態を表している。また、図９に示す例においては、１３４階調を示す入力データを用いており、状態１〜４において測定した電源電流値に対して、１３４１、１３４２、１３４３、１３４４をそれぞれ関連付ける。
【００３４】
以下では、図２を参照して、もう少し具体的に説明する。
【００３５】
図２は本発明の実施形態を示すものであって、識別子生成方法に関する説明図である。図２の（ａ）の上段は、ウエハ状態における、液晶ドライバの１０２４状態における電源電流値をそれぞれ測定したグラフの一例を示したものであり、縦軸の単位はμＡである。図２の（ａ）の下段に示すように、測定した１０２４状態の電源電流値の各々に対し、測定時の液晶ドライバの内部状態を識別する番号である内部状態識別番号として、００１１、００１２、００１３、００１４、・・・、をそれぞれ関連付ける。
【００３６】
ここで関連付ける数字は、入力データの何れかの階調を示す３桁の数字と、スタティック状態の何れかを示す１桁の数字とからなる数字である。例えば、００１１とは１階調の第１の状態、００１２は１階調の第２の状態、００１３は１階調の第３の状態、００１４は第１階調の第４の状態を表しており、第２階調以降も同様に、００２１、００２２、００２３、００２４、・・・、として関連付ける。例えば、図２の（ａ）の下段に示す例においては、００１１＝０．８２２μＡ、００１２＝０．８２１μＡ、００１３＝０．７９９μＡ、００１４＝０．８２４μＡである。
【００３７】
全ての階調における４つのスタティック状態の電源電流値を測定することにより、２５６階調×４状態の１０２４状態分の電源電流値を示す電源電流データを収集することができる。収集した電源電流データを識別子として用いてもよいが、本実施形態においては、測定した電源電流値に対応する内部識別番号を示す識別番号リスト（００１１、００１２、００１３、００１４、００２１、００２２、・・・、２５６１、２５６２、２５６３、２５６４）を識別子として用いる。
【００３８】
測定した１０２４状態のそれぞれの電源電流値を比較し、電源電流値の多い順番（図２の（ａ）に示す例においては、１４６３→２２７３→２２６３→０８６２…）もしくは、少ない順番に識別番号リストを並べ替え、この並べ替えた識別番号リストを半導体集積回路の識別子とする。
【００３９】
この識別子はウエハ状態、個片状態で温度条件や測定条件が変わってもほぼ変動はない。例えば、ウエハ状態のデバイスの電源電流値を室温の測定条件で測定した値が１．２μＡである場合、個片状態のデバイスの電源電流値を高温条件で測定すると、半導体集積回路の特性上、温度シフト分、電流値もシフトした２．４μＡとなる。本実施形態においては、測定値そのものを識別子とせず、電流値の多い状態、および少ない状態に並べ替えた識別番号リストを識別子とするため、測定環境の影響を低減することができる。
【００４０】
図２の（ｂ）の上段は、個片状態における、液晶ドライバの１０２４状態における電源電流値をそれぞれ測定したグラフの一例を示したものであり、縦軸の単位はμＡである。図２の（ｂ）の下段に示すように、ウエハ状態における識別子生成と同様に、測定した１０２４状態の電源電流値の各々に対し、内部状態識別番号００１１、００１２、００１３、００１４、・・・、をそれぞれ関連付ける。
【００４１】
例えば、図２（ａ）に示したウエハ状態でのナンバー００１１の電源電流値は０．８２２μＡであり、一方で、図２（ｂ）の下段に示すように、個片状態でのナンバー００１１の電源電流値は０．８３２μＡである。ナンバー００１２、００１３、００１４などについても、いずれも電源電流値がシフトしている。このように、液晶デバイスの電源電流値は、温度条件や測定条件の変化により変動するため、電源電流値そのものを識別子とした場合には、個片状態のデバイスとウエハ状態のデバイスとの紐付けが正しく行われない場合が起こり得る。
【００４２】
したがって、以下に説明するような電流値の大小関係に基づいて作成する本識別子を使用することにより、個片状態のデバイスとウエハ状態のデバイスとの紐付けが可能になる。
【００４３】
具体的には、図２の（ｂ）の下段には、個片状態における、１０２４状態の電源電流値を比較し、電源電流値の多い順番に並べ替えた識別番号リストの一例を示している。図２の（ａ）の下段に示したウエハ状態の識別番号リストは、上位から順に、１４６３、２２７３、２２６３、０８６２、・・・、であるのに対し、図２（ｂ）に示した個片状態の識別番号リストは、１４６３、２２７３、２２６３、１０１１、・・・、の順である。同様に図２（ａ）に示したウエハ状態の識別番号リストは、下位から順に２４２２、２４１２、１９８４、１７６３、・・・、であるのに対し、図２（ｂ）に示した個片状態の識別番号リストは、２４２２、２１０３、１９８４、１７６３、・・・、の順である。
【００４４】
各々の内部状態識別番号に対応する電源電流値の大小関係すべてが一致することが望ましいが、図２の（ａ）、および（ｂ）に示した例では、各々の状態における電源電流値の測定値差が０．００１μＡ程度の極小値であるため、電流の測定精度によっては大小関係が入れ替わることも考えられる。この点を考慮して、ウエハ状態の識別子と個片状態での識別子とを比較して、一致率が予め定められた閾値以上（例えば８５％以上）であれば、個片状態のデバイスとウエハ状態のデバイスとの識別を可能にすることが好ましい。なお、この一致率の閾値は、識別されたウエハ状態のデバイスの識別子と、個片状態のデバイスの識別子とを収集し、積み重ね統計的に定めることができる。
【００４５】
さらに、測定した１０２４状態のそれぞれの電源電流値を比較し、電源電流値の多い順番に識別番号リストを並べ替える。さらに、並べ替えた識別番号リストのうち、１からＮ番目（Ｎは１０２４以下の自然数）までの電源電流値の多い状態、同様に１からＮ番目までの電源電流値の少ない状態に並べ替えた識別番号リストを作成する。作成した識別番号リストに基づいて個々の半導体集積回路の識別子を生成する。
【００４６】
この識別子を用いることにより、ウエハ状態での識別子と個片状態での識別子とを比較して、半導体集積回路を識別することが可能となる。
【００４７】
識別子として使用する個数Ｎは、一致率に基づいて決定される。一致率、および必要なＮの値は、例えば、データを積み重ね統計的に算出する。一致率が高ければＮを小さく設定することができる。
【００４８】
なお、Ｎの具体的な値は、本実施形態を限定するものではないが、例えば、Ｎ＝３０や、Ｎ＝５０などを典型的な値としてとることができる。
【００４９】
特許文献１では、液晶ドライバを例に数百から１０００ピン以上ある出力端子毎の出力電圧値や各々の内部状態毎の電流値バラツキを特徴とし、それを各々の識別子として用いている。特許文献１の手法では、各々の識別子として用いている数百から１０００ピン以上ある出力端子毎の出力電圧値を分析して、識別するためデータ量が膨大となり、その膨大なデータを分析する必要があるために、識別に要する時間が増大し得る。
【００５０】
本発明に係る識別子生成方法によれば、チップ面積を増加させることなく、該半導体集積回路の電源電流値を識別子とするため、データ量と共に、データ収集時間を抑制し、高効率で識別することができる。
【００５１】
また、本実施形態においては、液晶ドライバの１０２４状態（２５６階調×４状態）の内部状態における電源電流値のバラツキを利用しているが、内部回路の様々な状態の電源電流値を利用することも可能である。
【００５２】
例えば、液晶ドライバの状態１（液晶ドライバがデータを取り込む前の状態）における２５６階調の入力データを入力した２５６状態を内部状態と定義し、各状態における電源電流値を測定してもよい。例えば、４つのスタティック状態のうち、いずれか１状態を選択し、２５６階調×１状態の２５６状態分の電源電流データを収集する。測定した２５６状態のそれぞれの電源電流値を比較し、電源電流値の多い順番もしくは、少ない順番に識別番号リストを並べ替え、この並べ替えた識別番号リストを半導体集積回路の識別子とする。この場合には、テスターを用いて４状態をそれぞれ設定する手間を省くことができるため、電源電流値の測定に要する時間を短縮することができる。
【００５３】
さらに、上記２５６状態のうち、電源電流値の多い順番にＭ個（Ｍは２５６以下の自然数）、少ない順番にＭ個並べ替えた識別番号リストに基づいて識別子を生成してもよい。
【００５４】
この場合の識別子として使用する個数Ｍも、一致率によってＭ個を決定することができる。一致率、および必要なＭの値は、データを積み重ね統計的に算出する。一致率が高ければＭを小さく設定することができる。
【００５５】
この場合には、上記の手順にて生成された識別子を用いて識別を行う際に要する時間をさらに短縮することができる。
【００５６】
また、測定した１０２４状態の電源電流値の各々に対して内部状態識別番号を関連付けるのではなく、非動作状態における予め定められた２つの条件下に置かれた液晶ドライバからの電源電流値の差分に対して識別番号の関連付けを行ってもよい。例えば、状態１における階調００１の入力データを入力した場合の電源電流値と、状態２における階調００１の入力データを入力した場合の電源電流値との差分を求め、識別番号００１１を関連付ける。同様に、各階調の入力データを入力した際における状態１の電源電流値と状態２の電源電流値との差分をそれぞれ求め、順に識別番号００２１、００３１、・・・、２５４１、２５５１、２５６１を関連付ける。求めた２５６個の差分値を比較し、差分値の多い順番もしくは、少ない順番に識別番号を並べ替えた識別番号リストを作成し、この識別番号リストを識別子として用いてもよい。さらに、並べ替えた識別番号リストのうち、差分値の多い順番にＬ個（Ｌは２５６以下の自然数）、少ない順番にＬ個並べ替えた識別番号リストを識別子として用いてもよい。
【００５７】
この場合の識別子として使用する個数Ｌも、一致率によってＬ個を決定することができる。一致率、および必要なＬの値は、データを積み重ね統計的に算出する。一致率が高ければＬを小さく設定することができる。
【００５８】
この場合には、２つの状態における各電源電流値の差分に基づいて、識別子を生成するため、より信頼性の高い識別子を生成することができる。
【００５９】
なお、本実施形態においては、内部状態識別番号として４桁の数字を用いているが、これは本発明を限定するものではない。すなわち、半導体集積回路の非動作状態における内部状態の識別が可能であればよく、文字列、および数字と文字列との組み合わせを用いてもよい。例えば、２５６階調の入力データを示す３桁の数字を１６進数で表現し、２桁にすることにより、内部状態識別番号の桁数を減らすことができ、識別子のデータ量を減らすことができる。
【００６０】
また、本実施形態においては、半導体集積回路の非動作状態における予め定められた複数の内部状態に対する電源電流値を識別子として用いた場合について説明しているが、これは本発明を限定するものではなく、各階調毎のアナログ電圧の出力端子間のバラツキを識別子として用いてもよい。
【００６１】
また、上記の例では、半導体集積回路として液晶ドライバを例に挙げ説明を行ったが、本発明はこれに限定されるものではなく、液晶ドライバ以外の半導体集積回路に対して適用することが可能である。
【００６２】
（トレース方法について）
以下では、図１０を参照しながら、上述した方法にて生成された半導体集積回路の識別子を用いて、半導体集積回路を識別し、識別された半導体集積回路のウエハ状態におけるウエハ上での位置を示すチップ位置情報を特定する方法について説明する。なお、本実施形態においては、主に、識別された半導体集積回路のウエハ状態におけるウエハ上での位置を示すチップ位置情報を特定することを、「トレース」と表現するが、以下に説明するように、チップ位置情報と関連付けられて管理されている他のデータ（例えば、テストデータおよびウエハナンバーなど）をさらに特定することを「トレース」と表現することもある。なお、「チップ位置情報」の詳細については後述する。
【００６３】
図１０は、識別装置１とデータベース５０とを含む識別システムの構成を、データベースに格納される各情報と共に示すブロック図である。図１０に示すように、上記のトレース方法は、例えば識別装置１およびデータベース５０を用いることにより実現される。なお、識別装置１の詳細については後述する。
【００６４】
一般的に、ウエハ状態、および個片状態における半導体集積回路が製品として予め定められたスペックを満たしているかを判定するために、テスターによる電気的テスト（ウエハテスト、ファイナルテスト）が行われる。なお、上記識別子を生成するために用いられる電源電流値群やアナログ電圧値群などの各種測定データは、この電気的テストにより取得されるデータであるテストデータに含まれている。
【００６５】
まず、テスターを用いてウエハ状態における半導体集積回路の電気的テストを行い、当該半導体集積回路のウエハ状態のテストデータ（図１０のテストデータＷ１１）を取得する。識別装置１は、取得したテストデータに含まれる電源電流値群を用いて当該半導体集積回路の識別子（図１０の識別子Ｗ１２）を生成する（第１の生成工程に対応）。また、識別装置１は、上記の電気的テストを行う際に、テスト対象となる半導体集積回路に対応するチップ情報（図１０のチップ情報Ｗ１３）を生成する。ここで、チップ情報とは、チップ位置情報（ウエハロットの入手経路等を示す履歴、当該半導体集積回路が切り出されたウエハに付与されたウエハナンバー、および当該半導体集積回路のウエハ上での座標位置を示すチップ座標）と、当該半導体集積回路の測定データ（電気的特性データ等）とが含まれた情報である。また、ウエハナンバーとは、上記ウエハが属するウエハロットにおいて、当該ウエハと他のウエハとを識別するために付与される固有番号である。識別装置１は、上記の電気的テストにより取得した当該半導体集積回路の上記テストデータと、生成した当該半導体集積回路の識別子と、生成した当該半導体集積回路に対応するチップ情報とを互いに関連付け、データベースに記憶させる。
【００６６】
データベースには、複数のウエハロットの情報（ロットナンバー、ウエハ生産メーカー、および購入日時等）、および複数のウエハの各々に対する処理履歴（生産工場、使用装置、および各処理工程を行った日時等）が予め記憶されている。識別装置１は、上記テストデータと、上記当該半導体集積回路の識別子と、上記当該半導体集積回路に対応するチップ情報と、当該半導体集積回路に対応するウエハロットの情報（図１０のウエハロットの情報Ｗ１４）と、当該ウエハの処理履歴（図１０のウエハの処理履歴Ｗ１５）とを互いに関連付けてデータベースに記憶させる。識別装置１は、関連付けた情報をウエハ状態における当該半導体集積回路のウエハ情報（図１０のウエハ情報１）として管理する。
【００６７】
図１０に示すように、識別装置１は、上記の手順を繰り返すことにより、ウエハ状態の複数の半導体集積回路の各々に対応する複数のウエハ情報（図１０のウエハ情報１、ウエハ情報２、ウエハ情報３、・・・・）をデータベースに蓄積する（管理工程に対応）。
【００６８】
なお、データベースにウエハ情報が記憶されたウエハ状態の半導体集積回路は、ウエハから切り出され個片状態の半導体集積回路になる。
【００６９】
次に、識別装置１は、個片状態のある半導体集積回路の電気的テストを行い、当該半導体集積回路の個片状態のテストデータ（図１０のテストデータＰ１１）を取得する。識別装置１は、取得したテストデータに含まれる電源電流値群を用いて当該半導体集積回路の識別子（図１０の識別子Ｐ１２）を生成する（第２の生成工程に対応）。また、識別装置１は、上記の電気的テストにより取得した当該半導体集積回路の上記テストデータと、生成した当該半導体集積回路の識別子とを互いに関連付ける。さらに識別装置１は、関連付けた情報を個片状態における当該半導体集積回路の個片情報（図１０の個片情報１）としてデータベースに記憶させる。
【００７０】
識別装置１は、上述した識別方法を用いて、データベースに記憶されている複数のウエハ情報に含まれる各々の識別子のうち何れか１つと、対象となる個片状態の半導体集積回路の個片情報に含まれる識別子とを同定することにより、当該半導体集積回路を識別することができる。また、識別装置１は、ウエハ状態の当該半導体集積回路の識別子に関連付けてデータベースに記憶されているチップ情報に基づいて、対象となる個片状態の半導体集積回路のチップ位置情報を特定（特定工程に対応）することができる。
【００７１】
以上のように、識別装置１は、半導体集積回路毎のウエハロットの情報、ウエハナンバー、およびチップ座標などを互いに関連付けてウエハ情報としてデータベース上にて管理しているため、対象となる半導体集積回路を識別し、識別された当該半導体集積回路のウエハ状態におけるウエハ上での位置を示すチップ位置情報を特定することができる。
【００７２】
本発明の一態様に係る識別方法によれば、半導体集積回路に新たな識別子用回路や工程を用いることなく、従来から備わっている機能を利用して識別子を生成することができる。また、上述したように個片情報に含まれる識別子の生成の際に用いられる電源電流値群は、テスターによる電気的テストを行う際に取得されるテストデータに含まれている。したがって、個片状態の半導体集積回路の電気的テストを行いながら上記識別子を生成することができる。よって、半導体集積回路を識別し、識別された半導体集積回路のウエハ状態におけるウエハ上での位置を示すチップ位置情報を、より迅速に特定することができ、ウエハ製造コストの増加を抑えることができる。
【００７３】
また、ウエハ状態にて取得した半導体集積回路のテストデータと、個片状態にて取得した当該半導体集積回路のテストデータとを比較することにより、識別装置１は、ウエハ状態と、個片状態とにおける電気的テストの測定結果の変動量などを検出することできる。したがって、トラブルなど各種問題が発生した際の原因究明、および対策をスムーズに行うことができ、歩留まりを改善することができる。
【００７４】
（ウエハマップ作成方法について）
続いて、上述したトレース方法によるトレース結果に基づいて、対象となる１又は複数の半導体集積回路に関するチップ位置情報（またはチップ座標）の集合であるウエハマップを作成する方法について図１１を参照しながら説明する。ウエハマップは、個片状態における半導体集積回路の、ウエハ上での位置を示すものである。図１１は、図１０に示した識別システムによるトレース結果を用いて、ウエハマップを作成する処理を示す概念図である。
【００７５】
識別装置１による具体的なウエハマップの作成方法としては、図１１に示すように、上記トレース方法を用いてトレースしたチップ位置情報に基づいて、対象となる個片状態の複数の半導体集積回路と、ウエハ状態の複数の半導体集積回路のチップ位置情報のうちいずれかのチップ位置情報とを１対１に紐づけすることにより、ウエハマップを作成する（ウエハマップ作成工程に対応）。
【００７６】
ウエハマップを用いることにより、個片状態の半導体集積回路の電気的テストで様々な問題が発生した場合において、当該半導体集積回路が属するウエハのウエハロット、ウエハ依存（どのインゴットから作製されたウエハにおいて問題が発生しやすいか）、およびウエハ面内傾向の有無（各ウエハ上のどの位置において問題が発生しやすいか）などを確認することができる。
【００７７】
なお、識別装置１により作成されるウエハマップのデータ形式は本発明を限定するものではなく、個片状態の半導体集積回路が、どのウエハ上のどの位置において作製されたものであるかを示すデータ形式であればよい。例えば、個片状態の当該半導体集積回路の電気的テストに基づいてトレースしたウエハ情報に含まれるチップ位置情報と、当該半導体集積回路に付与され、他の個片状態の半導体集積回路と区別するための個体識別番号とをそれぞれ紐づけしたリストを示すデータテーブルのようなデータ形式であってもよい。また、ウエハマップに含まれるチップ位置情報の集合は、対象となる１つの半導体集積回路に関するチップ位置情報のみであってもよい。
【００７８】
また、上記トレース方法を用いてトレースしたチップ位置情報に基づいて、識別装置１は、同一のウエハから作製された個片状態の複数の半導体集積回路のテストデータを集計し、当該個片状態の複数の半導体集積回路のテストデータとチップ位置情報とをそれぞれ関連付けることにより、個片情報をさらに付加したウエハマップを作成することができる。これにより、全ての半導体集積回路に対して１対１の紐づけを行うウエハマップだけではなく、例えば、個片状態でFail(電気的テストにおいて予め定められたスペックを満足できなかった)したチップのみを集計してウエハマップを作成することもできる。
【００７９】
また、識別装置１は、上記トレース方法を用いてトレースしたチップ位置情報に基づいて、同一のウエハから作製された個片状態の複数の半導体集積回路のテストデータを集計し、当該個片状態の複数の半導体集積回路に対応するウエハ状態の半導体集積回路のテストデータと、個片状態の半導体集積回路のテストデータとをそれぞれ比較する構成としてもよい。比較して得られたテストデータの差分を示す差分テストデータと、チップ位置情報とをさらに関連付けることにより、半導体多集積回路がウエハ状態から個片状態へ遷移する際のテストデータの変動量をさらに付加したウエハマップを作成することができる。例えば、複数の半導体集積回路の各々の個片状態における電流値と、ウエハ状態における電流値との差を示すウエハマップを作成することもできる。
【００８０】
各半導体集積回路のウエハ状態と、個片状態との１対１の紐付けにおいては、個片状態であるパッケージの影響による特性変動量を確認することができる。また、ウエハ状態と個片状態とにおいて、それぞれ温度条件が異なる場合にはその依存有無を確認することもできる。さらに、ウエハマップを生成することによって、上記のウエハロットやウエハ、ウエハ面内傾向の有無を並行して確認することができる。したがって、様々なトラブルが発生した場合における対応をより迅速に行うことができ、歩留まりを改善することができる。
【００８１】
（ウエハマップの活用実施例について）
以下では、作成したウエハマップを実際に活用した幾つかの実施例について説明する。
【００８２】
上述したトレース方法は、ウエハ状態、および個片状態の半導体集積回路に対して実施する電気的テスト（ウエハテスト、ファイナルテスト）によって取得されるテストデータを用いて識別子を生成している。したがって個片状態の半導体集積回路に対する電気的テスト（ファイナルテスト）を行いながらトレースすることができるため、ほぼリアルタイムで以下のように活用することもできる。
【００８３】
また、データベースに記憶させているウエハ情報には、上記テストデータと、上記当該半導体集積回路の識別子と、上記当該半導体集積回路に対応するチップ情報と、当該半導体集積回路に対応するウエハロットの情報と、当該ウエハの処理履歴とが互いに関連付けられているため、作成したウエハマップと、データベースとを参照することにより各種の分析を行うことができる。
【００８４】
なお、以下に示す実施例においては、半導体集積回路として液晶ドライバを用いた場合の例について説明する。液晶ドライバのパッケージの大半は個片状態をテープ上に並べた形態で提供され、テープの状態（１リール数百〜数千個搭載）における個片状態の液晶ドライバの識別子と、ウエハ状態の液晶ドライバの識別子を識別する。識別した液晶ドライバのチップ位置情報をトレースすることにより、ウエハマップを生成することができる。したがって、個片状態の液晶ドライバに対する電気的テストにおいて様々なトラブルが発生した場合に、ウエハロットやウエハ依存、ウエハ面内傾向の有無などを確認することができ、歩留まり改善の対策を迅速に行うことができる。
【００８５】
（活用例１）
個片状態の液晶ドライバにおいて電流のFailが多発していたため、ウエハマップを作成すると、電流不良が多発するウエハが発生していることが分かった。ウエハ状態の電気的テストと、個片状態の電気的テストとにおいて、電流の測定温度条件が異なっており、不良が多発するウエハは、温度に対する電流のシフト量が大きいことが発見された。生産履歴情報に基づいて、生産時のプロセス条件のばらつきにより、不良が発生することが分かったため、プロセス条件の管理を厳しくし、不良が発生しないように対策を行う事が出来た。
【００８６】
（活用例２）
個片状態の液晶ドライバにおいて電流のFailが多発していたため、ウエハマップを作成すると、電流不良が多発するウエハが発生していることが分かった。ウエハ状態の電気的テストと、個片状態の電気的テストにおいて、電流の測定温度条件が異なるため、互いに異なるテストスペックを設定していたが、ウエハ状態において電流値が高いウエハロットから電流不良の大きいウエハが発生していることが確認された。ウエハ状態においてテストスペック限界品のものが個片状態の電気的テストにおいてスペックを超えることが分かったため、個片状態の電気的テストにおけるテストスペックを見直すことにより対策を行う事が出来た。
【００８７】
（活用例３）
個片状態の液晶ドライバに対する電気的テストにおいて、出力遅延時間の不良が多発したため、ウエハマップを作成するとウエハ面内ばらつきが発生しており、ウエハ面内の半分に偏って発生していることが分かった。不良が発生しているウエハは、露光不良が発生しトランジスタの線幅が太くなる不良が発生していた。ウエハ状態では出力負荷が小さいため、出力負荷の大きい個片状態においてのみFailすることが判明した。露光不良が発生する生産装置を使用停止にすることにより対策を行う事が出来た。
【００８８】
以上が、本実施形態に係る識別方法、トレース方法、およびウエハマップ作成方法についての説明である。次に、上記識別方法を実際に使用するために使用される、本発明に係る識別装置１について説明する。
【００８９】
〔識別装置１について〕
図１は、本実施形態に係る識別装置１のブロック図を示している。識別装置１は、ＤＣ測定部１１と、メモリ部１２と、演算部１３と、比較部１４と、電源供給部１５と、を備えている。識別装置１は、例えば、データベース５０に接続される。図１における２重線は電源電流の経路を、実線は信号の経路を示している。まず、識別すべき液晶ドライバ（半導体集積回路）に識別子を付与する識別子付与工程を具体的な信号の流れに沿って説明する。
【００９０】
電源供給部１５は識別すべき半導体集積回路に対して、電源を供給するための手段である。
【００９１】
識別すべき液晶ドライバには半導体デバイスを測定するテスターが接続されている。テスターは液晶ドライバの状態設定を行う手段であり、具体的には、上述した４つのスタティック状態の設定を行う。
【００９２】
また、識別装置１は、図示しない入力信号供給部を備えている。入力信号供給部は、２５６階調の入力データを識別すべき液晶ドライバに供給する手段である。入力信号供給部は、テスターが設定する上記の４つのスタティック状態において、２５６階調の入力データを液晶ドライバにそれぞれ入力するように、テスターによって信号入力のタイミングを制御されている。本実施形態においては、テスターおよび入力信号供給部によって、１０２４の内部状態を設定する。
【００９３】
なお、本実施形態においては、識別装置１が入力信号供給部を備えており、入力信号供給部から半導体集積回路に入力データが供給される構成について説明するが、これは本発明を限定するものではない。上記入力データを供給する入力信号供給部は、識別装置１が備えていてもよいし、別の装置が備えている構成としてもよい。
【００９４】
ＤＣ測定部１１は、電源供給部１５から半導体集積回路に供給される電源電流を測定するための手段である。特に、本実施形態においては、ＤＣ測定部１１は、複数の内部状態ごとの電源電流値を測定し、測定した電源電流値を順次メモリ部１２へ送信する。また、ＤＣ測定部１１は、テスターによって電源電流値の測定タイミングを制御されている。
【００９５】
メモリ部１２はＤＣ測定部１１から送られてきた複数の内部状態ごとの電源電流値を、半導体集積回路ごとに蓄積する手段である。
【００９６】
演算部１３は、メモリ部１２に蓄積された半導体集積回路ごとの複数の内部状態における電源電流値に基づいて識別子を生成するための手段である。演算部１３は、具体的には、ＤＣ測定部１１が測定した１０２４状態の電源電流値の各々に対し、液晶ドライバの内部状態を識別する番号である内部状態識別番号００１１、００１２、００１３、００１４、・・・、をそれぞれ関連付ける。続いて、演算部１３は、内部状態識別番号と関連づけられたそれぞれの電源電流値を比較し、電源電流値の多い順番もしくは、少ない順番に内部状態識別番号を並べ替え、識別番号リストを作成する。さらに、演算部１３は並べ替えた識別番号リストのうち、１からＮ番目までの電源電流値の多い状態、同様に１からＮ番目までの電源電流値の少ない状態に並べ替えた識別番号リストを作成する。演算部１３は、作成した識別番号リストを半導体集積回路の識別子として生成する。演算部１３は、このようにして半導体集積回路ごとに生成された識別子を、データベース５０に出力する。
【００９７】
データベース５０は、各半導体集積回路に対して入力される識別子を、当該半導体集積回路に関する製造履歴や検査履歴等との関連付けを行い、関連付けされた情報を蓄積および管理するための手段である。
【００９８】
データベース５０は、具体的には、入力された識別子と、当該液晶ドライバの製造履歴や検査履歴等との関連付けを行い、関連づけされたデータを液晶ドライバごとに蓄積し管理する。
【００９９】
なお、本実施形態においては、識別装置１がデータベース５０に接続されている構成について説明するが、本発明はこれに限定されない。例えば、識別装置１がデータベース５０を備える構成としてもよい。
【０１００】
以上のように、本実施形態に係る識別装置１を用いることで、液晶ドライバごとに固有の識別子を生成することができ、データベース５０と併用することで、個々の半導体集積回路に関する製造情報や検査情報等を蓄積および管理することができる。
【０１０１】
以下では、識別装置１を用いた識別方法および識別方法について説明する。
【０１０２】
（識別装置１による識別方法について）
まず、当該液晶ドライバのウエハ状態における識別子は識別装置１によって生成され、データベース５０に予め格納されているものとする。個片状態の当該液晶ドライバは、テスターおよび入力信号供給部によって１０２４の内部状態にそれぞれ設定され、各状態における電源電流値をＤＣ測定部１１に送信する。ＤＣ測定部１１は、上記信号の電源電流値を測定し、測定した値をメモリ部１２に順次出力する。
【０１０３】
メモリ部１２はＤＣ測定部１１から入力された電源電流測定値を、液晶ドライバごとに蓄積する。演算部１３は、メモリ部１２に蓄積された電源電流測定値に基づいて、ウエハ状態での識別子生成と同様の処理を行い、液晶ドライバごとに識別子を生成する。生成された識別子は、比較部１４に入力される。
【０１０４】
比較部１４は、入力された識別子を、データベース５０に蓄積された同種の半導体集積回路についての識別子と比較し、入力された識別子を、データベース５０に蓄積された同種の半導体集積回路についての識別子のうち、いずれか１つに同定する手段である。
【０１０５】
具体的には、比較部１４は入力された識別子と、データベース５０に蓄積された同種の液晶ドライバについての全ての識別子とを比較し、入力された識別子を、データベース５０に蓄積された同種の液晶ドライバの識別子のいずれか１つに同定する。
【０１０６】
上記同定作業は、データベース５０に蓄積された識別子のうちいずれか１つと、上記入力された識別子とを、例えば、並べ替えた識別番号リストのうち、１からＮ番目までの電源電流値の多い状態を順次比較していくことにより、簡便に行うことができる。
【０１０７】
理想的な状況においては、比較部１４、データベース５０に蓄積された識別子と、入力された識別子とを比較し、識別番号リストの内部状態識別番号の順序がすべて一致する場合に両識別子を同一の識別子と判定する。
【０１０８】
実際上、ＤＣ測定部１１における電源電流値の測定には、測定誤差が伴うため、データベース５０に蓄積された識別子と、入力された識別子とが、完全には一致しない場合もあり得るが、実際上十分な精度で同定が可能である。具体的には、比較部１４は、データベース５０に蓄積された識別子と、入力された識別子とが、測定誤差に起因して順序が異なる内部状態識別番号が数箇所存在していたとしても、残りの内部状態識別番号の順序が一致していれば、両識別子を同一の識別子であると同定してもよく、当該同定作業は実用上全く問題のない程度に、非常に高い精度を有する。
【０１０９】
以上が、本実施形態に係る識別装置１を用いて、個片状態の半導体集積回路と、ウエハ状態の半導体集積回路とを識別する方法についての説明である。以下では、識別装置１によるトレース手順について説明する。
【０１１０】
（識別装置１によるトレース手順およびウエハマップ作成手順）
まず、識別装置１のＤＣ測定部１１は、ウエハ状態における半導体集積回路の電気的テストにより生成された当該半導体集積回路のウエハ状態のテストデータを取得する。ＤＣ測定部１１は、取得したウエハ状態のテストデータをメモリ部１２に格納する。また、ＤＣ測定部１１は、上記の電気的テストを行う際に生成されたテスト対象となる半導体集積回路に対応するチップ情報を取得し、同様にメモリ部１２に格納する。
【０１１１】
続いて演算部１３は、メモリ部１２に格納された上記ウエハ状態のテストデータに基づいて、上述した識別子生成方法によって当該半導体集積回路の識別子を生成し（第１の生成手段に対応）、メモリ部１２に格納する。
【０１１２】
演算部１３は、メモリ部１２に格納されている当該半導体集積回路のテストデータと、当該半導体集積回路の識別子と、当該半導体集積回路に対応するチップ情報とを互いに関連付け、データベース５０に格納する。
【０１１３】
データベース５０には、複数のウエハロットの情報、および複数のウエハの各々に対する処理履歴が予め記憶されている。演算部１３は、データベース５０に格納されている上記当該半導体集積回路のテストデータと、上記当該半導体集積回路の識別子と、上記当該半導体集積回路に対応するチップ情報と、当該半導体集積回路に対応するウエハロットの情報と、当該ウエハの処理履歴とを互いに関連付ける。演算部１３は、関連付けた情報をウエハ状態における当該半導体集積回路のウエハ情報として管理する。
【０１１４】
識別装置１は、ウエハ状態の複数の半導体集積回路毎に上記の手順を繰り返し、データベース５０に複数のウエハ情報を蓄積させる（管理手段に対応）。
【０１１５】
次に、ＤＣ測定部１１は、個片状態のある半導体集積回路の電気的テストを行い、当該半導体集積回路の個片状態のテストデータを取得し、メモリ部１２に格納する。演算部１３は、メモリ部１２に格納された上記個片状態のテストデータに基づいて、上述した識別子生成方法によって当該半導体集積回路の識別子を生成し（第２の生成手段に対応）、メモリ部１２に格納する。
【０１１６】
演算部１３は、メモリ部１２に格納されている当該半導体集積回路の個片状態のテストデータと、当該半導体集積回路の識別子とを関連付け、データベース５０に格納する。演算部１３は、関連付けた情報を個片状態における当該半導体集積回路の個片情報として管理する。
【０１１７】
比較部１４は、データベース５０を参照しながら、上述した識別方法を用いて、当該半導体集積回路を識別する。比較部１４は、識別した当該半導体集積回路のウエハ状態の識別子に関連付けてデータベースに記憶されているチップ情報に基づいて、対象となる個片状態の半導体集積回路のチップ位置情報を特定する（特定手段に対応）。比較部１４は上記手順により特定されたチップ位置情報をメモリ部１２に格納する。
【０１１８】
以上の手順により、識別装置１を用いてトレースをすることができる。
【０１１９】
なお、本実施形態においては、半導体集積回路の識別子の生成、半導体集積回路の識別、およびトレースは、何れも同一の識別装置１を用いて行っているが、これは本発明を限定するものではない。
【０１２０】
例えば、ある装置によって、半導体集積回路のウエハ状態での識別子（第１の識別子）を生成し、他の装置によって該半導体集積回路の個片状態での識別子（第２の識別子）を生成し、生成した識別子（第２の識別子）を用いて、該半導体識別子を識別し、トレースする構成としてもよい。このような構成の場合、上記ある装置および上記他の装置は、何れもデータベース５０に接続されている構成とすればよい。
【０１２１】
なお、本実施形態においては、半導体集積回路の非動作状態における予め定められた複数の内部状態に対する電源電流値を識別子として用いた場合について説明しているが、これは本発明を限定するものではなく、各階調毎のアナログ電圧の出力端子間のバラツキを識別子として用いてもよい。
【０１２２】
以上が、上記方法で生成した識別子を用いて、個片状態の半導体集積回路に関する情報をトレースする方法についての説明である。続いて、識別装置１を用いて、上述したトレース方法によるトレース結果に基づいたウエハマップを作成する方法について説明する。
【０１２３】
識別装置１を用いた上記トレース方法によりトレースされたチップ位置情報は、メモリ部１２に格納される。演算部１３は、メモリ部１２に格納されたチップ位置情報に基づいて、対象となる個片状態の複数の半導体集積回路と、ウエハ状態の複数の半導体集積回路のチップ位置情報のうちいずれかのチップ位置情報とを１対１に紐づけし、ウエハマップを作成する。演算部１３は作成したウエハマップをメモリ部１２に格納する。この際作成したウエハマップをデータベース５０にも格納する構成としてもよい。
【０１２４】
以下では、本実施形態に係る識別装置１を用いたウエハマップ作成の幾つかの変形例について説明する。本実施形態に係る識別装置１の第１の変形例として、演算部１３は、メモリ部１２に格納されたチップ位置情報に基づいて、同一のウエハから作製された個片状態の複数の半導体集積回路のテストデータを集計する。さらに演算部１３は、当該個片状態の複数の半導体集積回路のテストデータとチップ位置情報とをそれぞれ関連付ける。これにより識別装置１は、個片情報をさらに付加したウエハマップを作成する。例えば、識別装置１を用いることにより、個片状態でFail(電気的テストにおいて予め定められたスペックを満足できなかった)したチップのみを集計してウエハマップを作成することもできる。
【０１２５】
また、本実施形態に係る識別装置１の第２の変形例として、演算部１３は、メモリ部１２に格納されたチップ位置情報に基づいて、同一のウエハから作製された個片状態の複数の半導体集積回路のテストデータを集計する。さらに演算部１３は、当該個片状態の複数の半導体集積回路に対応するウエハ状態の半導体集積回路のテストデータと、個片状態の半導体集積回路のテストデータとをそれぞれ比較する。演算部１３は、比較して得られたテストデータの差分を示す差分テストデータと、チップ位置情報とをさらに関連付ける。これにより識別装置１は、半導体多集積回路がウエハ状態から個片状態へ遷移する際のテストデータの変動量をさらに付加したウエハマップを作成する。例えば、識別装置１を用いることにより、複数の半導体集積回路の各々の個片状態における電流値と、ウエハ状態における電流値との差を示すウエハマップを作成することもできる。
【０１２６】
なお、上記の例では、半導体集積回路として液晶ドライバを例に挙げ説明を行ったが、本発明はこれに限定されるものではなく、液晶ドライバ以外の半導体集積回路に対して適用することが可能である。
【０１２７】
〔まとめ〕
本発明の一態様に係る識別方法は、半導体集積回路の識別方法であって、ウエハ状態における同一の構成を有する複数の半導体集積回路を互いに識別するための第１の識別子を、各半導体集積回路の予め定められた複数の内部状態に対する入出力信号の各値に基づいて生成する第１の生成工程と、ウエハ状態における各半導体集積回路に対して生成された第１の識別子を、該半導体集積回路のウエハ上での位置を示す位置情報に関連付けて管理する管理工程と、個片状態におけるある半導体集積回路を、個片状態における他の半導体集積回路から識別するための第２の識別子を、当該ある半導体集積回路の上記予め定められた複数の内部状態に対する入出力信号の各値に基づいて生成する第２の生成工程と、上記ある半導体集積回路に対して生成された上記第２の識別子を、上記第１の識別子の何れかと同定し、同定した第１の識別子に関連付けられた上記位置情報を特定する特定工程と、を含んでいることを特徴としている。
【０１２８】
上記の方法によれば、上記ある半導体集積回路に対して生成された上記第２の識別子を、上記第１の識別子の何れかと同定し、同定した第１の識別子に関連付けられた上記位置情報を特定するので、個片状態における半導体集積回路が、ウエハ上の何れの位置から切り出されたものであるのかを、効率的に特定することができる。
【０１２９】
したがって、上記の方法は、半導体集積回路の製造工程における不良品の発生原因のより効率的な特定に資するものである。
【０１３０】
なお、上記識別子を生成するために参照する上記入出力信号の各値は、上記半導体集積回路の電気的テストを行う際に取得したものを用いることもできる。この場合には、例えば、半導体集積回路の電気的テストを行いながら、当該半導体集積回路に付与する第２の識別子を実質的にリアルタイムで生成し、生成した当該第２の識別子を用いて、上記位置情報をトレースすることができる。
【０１３１】
さらに、本発明の一態様に係る識別方法において、上記位置情報に基づいて、個片状態における半導体集積回路の、ウエハ上での位置を示すウエハマップを作成するウエハマップ作成工程を含んでいることが好ましい。
【０１３２】
上記の方法によれば、対象となる１又は複数の半導体集積回路に関するチップ位置情報（またはチップ座標）の集合であるウエハマップ作成する。上記の方法によれば、作成したウエハマップを分析することにより、例えば、半導体集積回路の不良品の発生頻度が、ウエハロットやウエハ上の位置にどのように依存しているのかを効率的に特定することができる。
【０１３３】
さらに、本発明の一態様に係る識別方法において、上記第１の識別子は、当該半導体集積回路の非動作状態における予め定められた複数の内部状態に対する電源電流値に基づいて生成されたものであり、上記第２の識別子は、当該半導体集積回路の非動作状態における上記予め定められた複数の内部状態のうち、一部の内部状態に対する電源電流値に基づいて生成されたものである、ことが好ましい。
【０１３４】
一般に、半導体集積回路を構成する各半導体素子は、加工寸法の僅かな不均一性や、ドープされる不純物の僅かな不均一性などの微視的要因に起因して、同種の半導体素子であってもそれらの特性は互いに異なる。従って、同種の半導体素子により構成された同一の構成を有する半導体集積回路であっても、同一条件下の電源電流値は半導体集積回路毎に異なる。
【０１３５】
また、半導体集積回路を構成する各半導体素子の特性は、時間が経過したり、ウエハ状態から個片状態へ切り出したりしたとしてもほとんど変化することはない。従って、同一条件下で或る半導体集積回路の電源電流値は、ほとんど変化することがない。それゆえ、同一条件で半導体集積回路の電源電流値を各半導体集積回路に固有の識別子として利用することが可能である。
【０１３６】
したがって、上記識別方法によれば、複数の半導体集積回路の各々に付与する識別子を、同一条件下で該半導体集積回路の電源電流値に基づいて生成することができるので、チップ面積を増加させることなく、データ量と共に、データ収集時間を抑制して高効率でトレースできるという効果を奏する。
【０１３７】
さらに、本発明の一態様に係る識別方法において、上記第１の識別子は、当該半導体集積回路の非動作状態における予め定められた複数の内部状態に対するアナログ信号に基づいて生成されたものであり、上記第２の識別子は、当該半導体集積回路の非動作状態における上記予め定められた複数の内部状態のうち、一部の内部状態に対するアナログ信号に基づいて生成されたものである、ことが好ましい。
【０１３８】
さらに、本発明の一態様に係る識別方法において、上記半導体集積回路は、液晶ドライバである、ことが好ましい。
【０１３９】
また、本発明の一態様に係る識別装置（識別装置１）は、半導体集積回路を識別する識別装置であって、ウエハ状態における同一の構成を有する複数の半導体集積回路を互いに識別するための第１の識別子を、各半導体集積回路の予め定められた複数の内部状態に対する入出力信号の各値に基づいて生成する第１の生成手段（演算部１３）と、ウエハ状態における各半導体集積回路に対して生成された第１の識別子を、該半導体集積回路のウエハ上での位置を示す位置情報に関連付けて管理する管理手段（演算部１３、データベース５０）と、個片状態におけるある半導体集積回路を、個片状態における他の半導体集積回路から識別するための第２の識別子を、当該ある半導体集積回路の上記予め定められた複数の内部状態に対する入出力信号の各値に基づいて生成する第２の生成手段（演算部１３）と、上記ある半導体集積回路に対して生成された上記第２の識別子を、上記第１の識別子の何れかと同定し、同定した第１の識別子に関連付けられた上記位置情報を特定する特定手段（比較部１４）と、を備えていることを特徴としている。
【０１４０】
上記の識別装置によれば、上記の識別方法と同様の効果を奏する。
【０１４１】
また、本発明の一態様に係る識別装置を動作させるためのプログラムであって、コンピュータを上記識別装置が備えている各手段として機能させるためのプログラム、および、それらのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体についても本発明の範疇に含まれる。
【０１４２】
（付記事項）
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
【０１４３】
〔ソフトウェアによる実現例〕
最後に、識別装置１の各ブロックは、集積回路（ＩＣチップ）上に形成された論理回路によってハードウェア的に実現してもよいし、ＣＰＵ（Central Processing Unit）を用いてソフトウェア的に実現してもよい。
【０１４４】
後者の場合、識別装置１は、各機能を実現するプログラムの命令を実行するＣＰＵ、上記プログラムを格納したＲＯＭ（Read Only Memory）、上記プログラムを展開するＲＡＭ（Random Access Memory）、上記プログラムおよび各種データを格納するメモリ等の記憶装置（記録媒体）などを備えている。そして、本発明の目的は、上述した機能を実現するソフトウェアである識別装置１の制御プログラムのプログラムコード（実行形式プログラム、中間コードプログラム、ソースプログラム）をコンピュータで読み取り可能に記録した記録媒体を、上記識別装置１に供給し、そのコンピュータ（またはＣＰＵやＭＰＵ）が記録媒体に記録されているプログラムコードを読み出し実行することによっても、達成可能である。
【０１４５】
上記記録媒体としては、一時的でない有形の媒体（non-transitory tangible medium）、例えば、磁気テープやカセットテープ等のテープ類、フロッピー（登録商標）ディスク／ハードディスク等の磁気ディスクやＣＤ−ＲＯＭ／ＭＯ／ＭＤ／ＤＶＤ／ＣＤ−Ｒ等の光ディスクを含むディスク類、ＩＣカード（メモリカードを含む）／光カード等のカード類、マスクＲＯＭ／ＥＰＲＯＭ／ＥＥＰＲＯＭ（登録商標）／フラッシュＲＯＭ等の半導体メモリ類、あるいはＰＬＤ（Programmable logic device）やＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等の論理回路類などを用いることができる。
【０１４６】
また、識別装置１を通信ネットワークと接続可能に構成し、上記プログラムコードを通信ネットワークを介して供給してもよい。この通信ネットワークは、プログラムコードを伝送可能であればよく、特に限定されない。例えば、インターネット、イントラネット、エキストラネット、ＬＡＮ、ＩＳＤＮ、ＶＡＮ、ＣＡＴＶ通信網、仮想専用網（Virtual Private Network）、電話回線網、移動体通信網、衛星通信網等が利用可能である。また、この通信ネットワークを構成する伝送媒体も、プログラムコードを伝送可能な媒体であればよく、特定の構成または種類のものに限定されない。例えば、ＩＥＥＥ１３９４、ＵＳＢ、電力線搬送、ケーブルＴＶ回線、電話線、ＡＤＳＬ（Asymmetric Digital Subscriber Line）回線等の有線でも、ＩｒＤＡやリモコンのような赤外線、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、ＩＥＥＥ８０２．１１無線、ＨＤＲ（High Data Rate）、ＮＦＣ（Near Field Communication）、ＤＬＮＡ（Digital Living Network Alliance）、携帯電話網、衛星回線、地上波デジタル網等の無線でも利用可能である。なお、本発明は、上記プログラムコードが電子的な伝送で具現化された、搬送波に埋め込まれたコンピュータデータ信号の形態でも実現され得る。
【産業上の利用可能性】
【０１４７】
本発明に係る識別方法は、半導体集積回路の識別に好適に用いることができる。
【符号の説明】
【０１４８】
１    識別装置
１１  ＤＣ測定部
１２  メモリ部
１３  演算部（第１の生成手段、第２の生成手段、管理手段）
１４  比較部（特定手段）
１５  電源供給部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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