(57)【要約】【課題】表示品質を向上させることができる液晶装置の製造方法、液晶装置、及び電子機器を提供する。【解決手段】第１基材１０ａ上の第２領域７２に、第１基材１０ａの主面に対して傾斜する部分を有する凹部４１を形成する工程と、第１領域７１より第２領域７２の傾斜する部分で蒸着角度が大きくなるように、第１領域７１と第２領域７２に無機材料を斜方蒸着して配向膜２８を形成する工程と、を有する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板と対向配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、
前記第１基板と前記第２基板とに挟持された液晶層と、
を含む液晶装置の製造方法であって、
表示領域と前記シール材との間に、前記第１基板の主面に対して傾斜する部分を有する凹部を形成する凹部形成工程と、
前記表示領域より前記部分で蒸着角度が大きくなるように、前記第１基板の前記凹部が形成された面に無機材料を斜方蒸着して無機配向膜を形成する配向膜形成工程と、
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記凹部形成工程は、少なくとも前記部分において複数の傾斜角を含むように前記凹部を形成することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記凹部形成工程の後、前記表示領域と前記シール材との間に周辺電極を形成する周辺電極形成工程を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記凹部は、前記表示領域の周囲に形成されたダミー画素とシール材との間に形成することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記凹部は、前記表示領域の角部と前記シール材との間に形成されることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記シール材の一部が離間した注入口から液晶を注入する液晶注入工程と、
前記注入口を封止部で埋める封止部形成工程と、を有し、
前記凹部は、少なくとも前記注入口と前記表示領域との間に形成することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項７】
第１基板と、
前記第１基板と対向配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、
前記第１基板と前記第２基板とに挟持された液晶層と、
前記第１基板に設けられた無機材料の柱状構造物からなる無機配向膜と、
を含み、
前記第１基板の前記液晶層側の面には、表示領域と前記シール材との間に前記第１基板の主面に対して傾斜する部分を有する凹部が形成され、
前記凹部の一部に設けられた柱状構造物と前記第１基板主面の法線の角度は、
前記表示領域に設けられた柱状構造物と前記第１基板主面の法線の角度より大きいことを特徴とする液晶装置。
【請求項８】
請求項７に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置の製造方法、液晶装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記液晶装置は、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子としてトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。液晶装置は、例えば、直視型ディスプレイやライトバルブなどにおいて用いられている。
【０００３】
このような液晶装置の製造方法において、液晶注入時に混入したり、液晶層を取り囲んでいるシール材や封止材から溶出したりしたイオン性不純物が、液晶装置の駆動や熱拡散により、画素領域（表示領域）に拡散及び凝集することにより、液晶装置の表示特性が劣化する恐れがあることが知られている。
【０００４】
例えば、特許文献１に記載のように、無機材料からなる無機配向膜を用いた場合、不純物が界面に吸着されやすくなるため、不純物の一層の局在化をもたらし、シミやムラの原因になる場合がある。また、特許文献１には、表示領域の無機配向膜の膜密度が、非表示領域の無機配向膜の膜密度よりも大きくなるように形成し、液晶層の配向特性を変える技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−２０２５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１では、表示領域において非表示領域よりも無機配向膜の膜密度を低くしているので、表示領域の無機配向膜において不純物が吸着されてしまい、表示不良がおこる。また、膜密度を変えるために、マスクを用いて無機配向膜にイオンビームを照射している（図７（ｃ））。よって、マスクにもイオンビームが照射されるため、マスクにアライメントマークを設けることができず、マスクの外縁と基板の外縁で位置あわせを行う必要があり、その結果、膜密度が変わる境界の位置精度が低下するという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、第１基板と、前記第１基板と対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、前記第１基板と前記第２基板とに挟持された液晶層と、を含む液晶装置の製造方法であって、表示領域と前記シール材との間に、前記第１基板の主面に対して傾斜する部分を有する凹部を形成する凹部形成工程と、前記表示領域より前記部分で蒸着角度が大きくなるように、前記第１基板の前記凹部が形成された面に無機材料を斜方蒸着して無機配向膜を形成する配向膜形成工程と、を有することを特徴とする。
【０００９】
本適用例によれば、第１基板の主面に対して傾斜する部分を有する凹部を斜方蒸着の前に形成しておくので、基板上に無機配向膜を同一工程（同条件）で形成することにより、表示領域とシール材との間の領域の凹部には、配向膜を構成する柱状構造物の間隔が広い無機配向膜を形成することができる。よって、表示領域とシール材との間の凹部に不純物をトラップすることができる。また、斜方蒸着を領域ごとに行う方法より、境界の位置精度を向上させることができる。加えて、柱状構造物の幅が異なる無機配向膜を一括で形成することができる。また、液晶中の不純物をトラップすることで、表示特性が劣化することを抑えることができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記凹部形成工程は、少なくとも前記部分において複数の傾斜角を含むように前記凹部を形成することが好ましい。
【００１１】
本適用例によれば、複数の傾斜角を含むように凹部を形成するので、蒸着角度の違いから傾斜角ごとで異なる間隔や角度の柱状構造物２８ｂ１を形成することができる。よって、色々な大きさの不純物を柱状構造物の隙間でトラップ（捕獲）することができる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記凹部形成工程の後、前記表示領域と前記シール材との間に周辺電極を形成する周辺電極形成工程を有することが好ましい。
【００１３】
本適用例によれば、表示領域とシール材との間の領域に不純物を吸引することが可能な周辺電極（イオントラップ電極）を形成するので、例えば、液晶に含まれていたりシール材から染み出した不純物を凹部周辺に集めることが可能となり、凹部に形成した柱状構造物によって不純物をトラップすることができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記凹部は、前記表示領域の周囲に形成されたダミー画素とシール材との間に形成することが好ましい。
【００１５】
本適用例によれば、ダミー画素とシール材との間に凹部を形成するので、凹部の柱状構造物でトラップした不純物が表示領域に拡散して表示特性に悪影響（例えば、シミ）を与えることをより抑えることができる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記凹部は、前記表示領域の角部と前記シール材との間に形成されることが好ましい。
【００１７】
本適用例によれば、表示領域の角部とシール材との間の領域に凹部を形成するので、比較的不純物が溜まりやすい表示領域の角部において、不純物をトラップすることが可能となり、いわゆる角シミが発生することを抑えることができる。
【００１８】
［適用例６］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記シール材の一部が離間した注入口から液晶を注入する液晶注入工程と、前記注入口を封止部で埋める封止部形成工程と、を有し、前記凹部は、少なくとも前記注入口と前記表示領域との間に形成することが好ましい。
【００１９】
本適用例によれば、注入口と表示領域との間に凹部を形成するので、例えば、注入口からシール材で囲まれた中に液晶を注入する際、液晶に含まれた不純物を注入する段階でトラップすることができる。よって、効率よく不純物をトラップすることができる。
【００２０】
［適用例７］本記適用例に係る液晶装置は、第１基板と、前記第１基板と対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、前記第１基板と前記第２基板とに挟持された液晶層と、前記第１基板に設けられた無機材料の柱状構造物からなる無機配向膜と、を含み、前記第１基板の前記液晶層側の面には、表示領域と前記シール材との間に前記第１基板の主面に対して傾斜する部分を有する凹部が形成され、前記凹部の一部に設けられた柱状構造物と前記第１基板主面の法線の角度は、前記表示領域に設けられた柱状構造物と前記第１基板主面の法線の角度より大きいことを特徴とする。
【００２１】
本適用例によれば、表示領域とシール材との間に第１基板の主面に対して傾斜する部分を有する凹部が形成され、凹部の一部に設けられた柱状構造物と第１基板主面の法線の角度は、表示領域に設けられた柱状構造物と第１基板主面の法線の角度より大きいので、例えば、基板上に無機配向膜を同一工程（同条件）で形成することで、表示領域とシール材との間の領域の凹部には、配向膜を構成する柱状構造物の間隔が広い無機配向膜を形成することができる。よって、表示領域とシール材との間の凹部に不純物をトラップすることができる。また、斜方蒸着を領域ごとに形成するより、境界の位置精度を向上させることができる。加えて、柱状構造物の幅が異なる無機配向膜を一括で形成することができる。また、液晶中の不純物をトラップすることで、表示特性が劣化することを抑えることができる。
【００２２】
［適用例８］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の液晶装置を備えることを特徴とする。
【００２３】
本適用例によれば、上記した液晶装置を備えているので、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】第１実施形態の液晶装置の構成を示す模式平面図。
【図２】図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。
【図３】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】液晶装置の構造を示す模式断面図。
【図５】液晶装置のうち主に配向膜周辺の構成を示す模式平面図。
【図６】図５に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図。
【図７】液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。
【図８】液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式断面図。
【図９】液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図。
【図１０】第２実施形態の液晶装置のうち主に配向膜周辺の構成を示す模式平面図。
【図１１】図１０に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図。
【図１２】変形例の液晶装置の構成を示す模式図。
【図１３】変形例の液晶装置の構成を示す模式図。
【図１４】変形例の液晶装置の構成を示す模式図。
【図１５】変形例の凹部の配置を示す模式平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２６】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００２７】
本実施形態では、液晶装置として、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２８】
（第１実施形態）
＜液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構成を、図１〜図３を参照しながら説明する。
【００２９】
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０（第１基板）および対向基板２０（第２基板）と、これら一対の基板によって挟持された液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、および対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。
【００３０】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。その隙間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。シール材１４は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００３１】
シール材１４の内縁より内側には、複数の画素Ｐが配列した画素領域Ｅ（表示領域）が設けられている。画素領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。また、図１及び図２では図示を省略したが、画素領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光部（ブラックマトリックス；ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。
【００３２】
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材１４と該１辺部との間に、データ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と画素領域Ｅとの間に、検査回路２５が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４と画素領域Ｅとの間に走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。
【００３３】
対向基板２０における環状に配置されたシール材１４と画素領域Ｅとの間には、遮光部１８（見切り部）が設けられている。遮光部１８は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光部１８の内側が複数の画素Ｐを有する画素領域Ｅとなっている。なお、図１では図示を省略したが、画素領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光部が設けられている。
【００３４】
これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子６１に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。
【００３５】
図２に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極２７およびスイッチング素子である薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor、以降、「ＴＦＴ３０」と呼称する）と、信号配線と、これらを覆う配向膜２８とが形成されている。
【００３６】
また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも画素電極２７、ＴＦＴ３０、信号配線、配向膜２８を含むものである。
【００３７】
対向基板２０の液晶層１５側の表面には、遮光部１８と、これを覆うように成膜された平坦化層３３と、平坦化層３３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を覆う配向膜３２とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも遮光部１８、対向電極３１、配向膜３２を含むものである。
【００３８】
遮光部１８は、図１に示すように画素領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている（図示簡略）。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Ｅに入射しないように遮蔽して、画素領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００３９】
平坦化層３３は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光部１８を覆うように設けられている。このような平坦化層３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００４０】
対向電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層３３を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００４１】
画素電極２７を覆う配向膜２８および対向電極３１を覆う配向膜３２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。なお、アルミナを用いるようにしてもよい。
【００４２】
このような液晶装置１００は、例えば透過型であって、画素Ｐが非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードや、非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。本実施形態ではノーマリーブラックモードが採用されている。
【００４３】
図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも画素領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
【００４４】
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００４５】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域（ソース領域）に電気的に接続されている。画素電極２７は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域（ドレイン領域）に電気的に接続されている。
【００４６】
データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。
【００４７】
データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングで供給する。
【００４８】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された対向電極３１との間で一定期間保持される。
【００４９】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と対向電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。容量素子１６は、２つの容量電極の間に誘電体層を有するものである。
【００５０】
図４は、液晶装置の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図４を参照しながら説明する。なお、図４は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００５１】
図４に示すように、液晶装置１００は、一対の基板のうち一方の基板である素子基板１０と、これに対向配置される他方の基板である対向基板２０とを備えている。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、及び対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、上記したように、例えば、石英基板等によって構成されている。
【００５２】
第１基材１０ａ上には、チタン（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）等からなる下側遮光膜３ｃが形成されている。下側遮光膜３ｃは、平面的に格子状にパターニングされており、各画素の開口領域を規定している。なお、下側遮光膜３ｃは、走査線３ａの一部として機能するようにしてもよい。第１基材１０ａ及び下側遮光膜３ｃ上には、シリコン酸化膜等からなる下地絶縁層１１ａが形成されている。
【００５３】
下地絶縁層１１ａ上には、ＴＦＴ３０及び走査線３ａ等が形成されている。ＴＦＴ３０は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン等からなる半導体層３０ａと、半導体層３０ａ上に形成されたゲート絶縁膜１１ｇと、ゲート絶縁膜１１ｇ上に形成されたポリシリコン膜等からなるゲート電極３０ｇとを有する。上記したように、走査線３ａは、ゲート電極３０ｇとしても機能する。
【００５４】
半導体層３０ａは、例えば、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンが注入されることにより、Ｎ型のＴＦＴ３０として形成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チャネル領域３０ｃと、データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ１と、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ１と、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとを備えている。
【００５５】
チャネル領域３０ｃには、ボロン（Ｂ）イオン等のＰ型の不純物イオンがドープされている。その他の領域（３０ｓ１，３０ｓ，３０ｄ１，３０ｄ）には、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンがドープされている。このように、ＴＦＴ３０は、Ｎ型のＴＦＴとして形成されている。
【００５６】
ゲート電極３０ｇ、下地絶縁層１１ａ、及び走査線３ａ上には、シリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁層１１ｂが形成されている。第１層間絶縁層１１ｂ上には、容量素子１６が設けられている。具体的には、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及び画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極としての第１容量電極１６ａと、固定電位側容量電極としての容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）の一部とが、誘電体膜１６ｃを介して対向配置されることにより、容量素子１６が形成されている。
【００５７】
容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、Ａｌ（アルミニウム）膜から形成することも可能である。
【００５８】
第１容量電極１６ａは、例えば、導電性のポリシリコン膜からなり容量素子１６の画素電位側容量電極として機能する。ただし、第１容量電極１６ａは、容量線３ｂと同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。第１容量電極１６ａは、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホールＣＮＴ５２、中継層５５、コンタクトホールＣＮＴ５３、ＣＮＴ５１を介して、画素電極２７とＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）とを中継接続する機能を有する。
【００５９】
容量素子１６上には、第２層間絶縁層１１ｃを介してデータ線６ａが形成されている。データ線６ａは、第１層間絶縁層１１ｂ及び第２層間絶縁層１１ｃに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ５４を介して、半導体層３０ａのデータ線側ソースドレイン領域３０ｓ（ソース領域）に電気的に接続されている。
【００６０】
データ線６ａ上には、第３層間絶縁層１１ｄを介して画素電極２７が形成されている。画素電極２７は、第２層間絶縁層１１ｃ及び第３層間絶縁層１１ｄに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ５２、ＣＮＴ５３、中継層５５を介して第１容量電極１６ａに接続されることにより、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）に電気的に接続されている。なお、画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透明導電性膜から形成されている。
【００６１】
画素電極２７及び第３層間絶縁層１１ｄ上には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した配向膜２８が設けられている。配向膜２８上には、シール材１４（図１及び図２参照）により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層１５が設けられている。
【００６２】
一方、第２基材２０ａ上には、その全面に渡って対向電極３１が設けられている。対向電極３１上（図４では下側）には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した配向膜３２が設けられている。対向電極３１は、上述の画素電極２７と同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。
【００６３】
液晶層１５は、画素電極２７からの電界が印加されていない状態で配向膜２８，３２によって所定の配向状態をとる。シール材１４は、素子基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサーが混入されている。
【００６４】
＜配向膜の構成＞
図５（ａ）は、液晶装置のうち主に配向膜周辺の構成を示す模式平面図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）に示す液晶装置のＢ部を拡大して示す拡大平面図である。図６は、図５（ａ）に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。以下、配向膜の構成について、図５及び図６を参照しながら説明する。
【００６５】
図５及び図６に示すように、液晶装置１００を構成する素子基板１０に配向膜２８（２８ａ，２８ｂ）が設けられており、対向基板２０に配向膜３２が設けられている。素子基板１０の第２領域７２に設けられた凹部４１は、断面が略半球状に形成されており、例えば、第２領域７２において平面視で画素領域Ｅを囲むように複数設けられている。
【００６６】
第２領域７２は、画素領域Ｅから所定の間隔をあけた外側からシール材１４までの領域である。この第２領域７２に凹部４１を設けるのは、シール材１４から溶出された不純物４４が画素領域Ｅに拡散しないようにするためである。なお、シール材１４と重なる領域に凹部４１を設けると、不純物４４をトラップしにくい、及びセルギャップが出しにくいということが考えられるため、シール材１４より内側に形成することが好ましい。また、凹部４１は、電気見切りを有する領域Ｅ１とは重ならないように配置することが好ましい。
【００６７】
画素領域Ｅ（表示領域）及び領域Ｅ１に近い領域に凹部４１があると、斜方蒸着において、画素領域Ｅ（表示領域）及び領域Ｅ１の配向膜も柱状構造物の角度が乱れ、表示不良が生じる可能性があるためである。また、画素領域Ｅ（表示領域）及び領域Ｅ１に近い領域に凹部４１があると、凹部４１上の液晶分子の乱れの影響を受けて、画素領域Ｅ（表示領域）及び領域Ｅ１の液晶分子も配向の乱れによる表示不良が考えられるためである。
【００６８】
具体的には、図５（ｂ）に示すように、画素領域Ｅの周囲の第１凹部形成領域８１に、複数の第１凹部４２が設けられている。第１凹部形成領域８１の周囲の第２凹部形成領域８２には、第１凹部４２と同様の断面形状をした第２凹部４３が設けられている。言い換えると、第１凹部４２とシール材１４との間に第１凹部４２と同様の断面形状をした第２凹部４３が設けられている。これら第１凹部４２及び第２凹部４３が設けられた第１基材１０ａ上（画素電極２７及び第３層間絶縁層１１ｄ（図４参照）上）に、配向膜２８が設けられている。
【００６９】
なお、画素領域Ｅ（表示領域）の周囲において凹部４１が設けられていない領域（画素領域Ｅから所定の間隔）までを第１領域７１と称する。また、第１領域７１の外側であり、シール材１４の内縁までの領域を第２領域７２と称する。また、第１領域７１に設けられた配向膜２８を、第１配向膜２８ａと称する。凹部４１を有する第２領域７２に設けられた配向膜２８を、第２配向膜２８ｂと称する。
【００７０】
また、第１領域７１が画素領域Ｅ及び電気見切りＥ１より一回り外側まで設けられているのは、表示領域としての画素領域Ｅに影響を及ぼさないようにするためである。なお、第１領域７１が画素領域Ｅと同じ領域になるように設定してもよい。しかし、画素領域Ｅ（表示領域）及び電気見切りＥ１にシミなどの影響をより与えないために、ダミー画素が設けられたダミー画素領域までを第１領域７１とすることが好ましい。すなわち、電気見切りＥ１より所定距離シール材側に離れた位置に凹部を形成する。
【００７１】
ダミー画素は、画素電極２７と同じ形状及びサイズを有している。なお、ダミー画素は、電気的に短絡されており、個別に制御されることはなく、共通の電位が与えられる。表示に寄与する画素電極２７が占める領域を「表示領域（画素領域Ｅ）」と称し、表示に寄与しない画素電極が占める領域を「ダミー領域」と称する。
【００７２】
凹部４１に配向膜２８を設けることにより、凹部４１上に設けられた第２配向膜２８ｂを構成する柱状構造物２８ｂ１の間隔を、凹部４１を設けずに形成された第１配向膜２８ａを構成する柱状構造物２８ａ１の間隔より広くする（疎の状態にする）ことができる。
【００７３】
具体的には、実質的に蒸着角度が第１領域７１より大きくなる凹部４１の斜面に設けられた柱状構造物２８ｂ１の平均間隔が第１領域７１の柱状構造物２８ａ１の平均間隔より広くなる（疎の状態になる）。つまり、凹部４１において、蒸着源に近い側に設けられた柱状構造物２８ｂ１の平均間隔が、第１領域７１の平均間隔より広くなる。換言すると、凹部４１を設けたことによって蒸着角度が変わることにより、柱状構造物２８ｂ１の間隔が変わり、部分的に間隔が広くなる。これにより、不純物（イオン性不純物）４４を第２領域７２（つまり、非表示領域）の凹部４１の柱状構造物２８ｂ１の間隔が第１領域７１の間隔より広くなっている領域において柱状構造物２８ｂ１の隙間に捕獲（トラップ）することができる。
【００７４】
対向基板２０の第２基材２０ａ上には、例えば、第１配向膜２８ａの柱状構造物２８ａ１と同様の構造を有する、配向膜３２が設けられている。
【００７５】
＜液晶装置の製造方法＞
図７は、液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図８は、液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式断面図である。以下、液晶装置の製造方法を、図７及び図８を参照しながら説明する。
【００７６】
最初に、素子基板１０側の製造方法を説明する。ステップＳ１１では、ガラス基板などからなる第１基材１０ａ上にＴＦＴ３０や画素電極２７等を形成する。
【００７７】
ステップＳ１２（凹部形成工程）では、第１基材１０ａ上に凹部４１（４２，４３）を形成する。ステップＳ１３（配向膜形成工程）では、配向膜２８を形成する。具体的には、図８を参照しながら説明する。なお、第１基材１０ａから画素電極２７や第３層間絶縁層１１ｄまでを、第１基材１０ａと称して説明する。
【００７８】
図８（ａ）に示す工程では、まず、画素電極２７などが設けられた第１基材１０ａ上に、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）、スパッタリングなどにより、２層の透明な絶縁膜８３とエッチング制御層８４を成膜する。絶縁膜８３とエッチング制御層８４の材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）である。なお、酸化シリコン膜に限定されず、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜を用いるようにしてもよい。
【００７９】
エッチング制御層８４は、例えば、フッ酸系などの所定種類のエッチャントに対するエッチングレートが絶縁膜８３より高い膜となっている。この絶縁膜８３とエッチング制御層８４は、例えば、８００℃〜９００℃程度である所定温度による熱処理或いはアニール処理を施して各膜を焼き固めることにより、そのエッチングレートが制御される。
【００８０】
続いて、エッチング制御層８４上に、例えば、ＣＶＤ、スパッタリング等によりポリシリコンからなるマスク層８５ａを形成する。なお、ポリシリコンに限定されず、感光性樹脂を用いるようにしてもよい。その後、マスク層８５ａにフォトリソグラフィ及びエッチングを用いてパターニングすることにより、形成すべき凹部４１の中心に対応する箇所に穴８５ｂを形成する。この際、穴８５ｂの平面視の大きさは、形成すべき凹部４１の平面視の大きさと比較して小さくなるように形成する。以上により、マスク８５が形成される。
【００８１】
図８（ｂ）に示す工程では、マスク８５を介して、エッチング制御層８４及び絶縁膜８３を、フッ酸系などのエッチャントによりウエットエッチングを行う。すると、エッチング制御層８４のエッチャントに対するエッチングレートは、絶縁膜８３より高いので、エッチング制御層８４は、より早くエッチングされる。
【００８２】
即ち、絶縁膜８３が露出するまでの間は、穴８５ｂの周囲におけるエッチング制御層８４に、指向性のないウエットエッチングによって球面の凹部が掘られるが、その貫通後には、エッチング制御層８４は絶縁膜８３よりより早くエッチングされる。このため、絶縁膜８３のエッチングは、穴８５ｂの深さ方向よりも周囲に早く広がるので、即ちサイドエッチが相対的に大きく入るので、周囲に底の浅い形状の凹部４１が絶縁膜８３に掘られる。そして、時間管理等により、所望の大きさの凹部４１が掘られた段階で、エッチングを終了する。
【００８３】
図８（ｃ）に示す工程では、マスク８５を除去する。図８（ｄ）に示す工程では、エッチング制御層８４を除去する。図８（ｅ）に示す工程（配向膜形成工程）では、凹部４１が設けられた絶縁膜８３上に配向膜２８を形成する。配向膜２８の形成方法としては、酸化シリコンなどの無機材料を斜方蒸着法することで、配向膜２８を形成する。
【００８４】
これにより、絶縁膜８３上における第１領域７１には第１配向膜２８ａが形成される。また、第２配向膜２８のうち第２領域７２の凹部４１上には、第１配向膜２８ａの柱状構造物２８ａ１の間隔と比較して、柱状構造物２８ｂ１の間隔が広い部分が形成される。換言すると、凹部４１における蒸着源に近い側に形成された柱状構造物２８ｂ１の間隔が、第１領域７１の柱状構造物２８ａ１の間隔より広く（疎の状態に）形成される。
【００８５】
つまり、蒸着源の位置と蒸着する膜表面との角度が柱状構造物２８ｂ１の間隔に影響している。具体的には、半球状に凹部４１を形成することにより、柱状構造物２８ｂ１の間隔が変わるだけでなく、柱状構造物２８ｂ１の成長角度も様々変わってくる。
【００８６】
このように柱状構造物２８ｂ１の間隔が広い部分を有する第２配向膜２８ｂを形成することにより、第２配向膜２８ｂの柱状構造物２８ｂ１の間隔が広い部分で不純物４４を捕獲することが可能となり、画素領域Ｅを含む第１配向膜２８ａ側に不純物４４が拡散することを抑えることができる。以上により、素子基板１０側が完成する。
【００８７】
次に、図７を参照しながら、対向基板２０側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ２１では、ガラス基板等の透光性材料からなる第２基材２０ａ上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、対向電極３１（共通電極）を形成する。
【００８８】
ステップＳ２２では、対向電極３１上に配向膜３２を形成する。配向膜３２の製造方法は、例えば、斜方蒸着法を用いて形成する。以上により、対向基板２０側が完成する。次に、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる方法を説明する。
【００８９】
ステップＳ３１では、素子基板１０上にシール材１４を塗布する。具体的には、例えば、素子基板１０とディスペンサー（吐出装置でも可能）との相対的な位置関係を変化させて、素子基板１０における画素領域Ｅの周縁部に（画素領域Ｅを囲むように）シール材１４を塗布する。
【００９０】
ステップＳ３２では、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。具体的には、素子基板１０に塗布されたシール材１４を介して素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。より具体的には、互いの基板１０，２０の平面的な縦方向や横方向の位置精度を確保しながら行う。
【００９１】
ステップＳ３３（液晶注入工程）では、液晶注入口（符号省略）から構造体の内部に液晶を注入し、その後、液晶注入口を封止材で封止する。以上により、液晶装置１００が完成する。
【００９２】
＜電子機器の構成＞
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図９を参照して説明する。図９は、上記した液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図である。
【００９３】
図９に示すように、本実施形態の投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００９４】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００９５】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【００９６】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【００９７】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。
【００９８】
このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００９９】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【０１００】
このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、焼き付き等が抑えられた液晶装置１００を用いているので、高い表示品質を実現することができる。
【０１０１】
なお、液晶装置１００が搭載される電子機器としては、投射型表示装置１０００の他、ヘッドアップディスプレイ、スマートフォン、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。
【０１０２】
以上詳述したように、第１実施形態の液晶装置１００の製造方法、液晶装置１００、及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。
【０１０３】
（１）本実施形態の液晶装置１００の製造方法によれば、第１領域７１の蒸着角度よりも大きい蒸着角度を設けるための凹部４１を斜方蒸着の前に形成しておくので、第１基材１０ａ上（第３層間絶縁層１１ｄ上）に斜方蒸着法を用いて配向膜２８を形成することにより、第１領域７１の第１配向膜２８ａと比較して第２領域７２には、柱状構造物２８ｂ１の間隔が広い第２配向膜２８ｂを形成することができる。よって、第２領域７２の第２配向膜２８ｂの柱状構造物２８ｂ１間に不純物４４をトラップすることができる。
【０１０４】
また、第１基材１０ａに形成した凹部によって、第１基材１０ａ上における第１領域７１と第２領域７２との実質的な蒸着角度を変えることにより、柱状構造物２８（２８ａ１，２８ｂ１）の間隔の異なる配向膜２８の領域を制御できるので、斜方蒸着を領域ごとに行うより境界の位置精度を向上させることができる。加えて、柱状構造物２８ａ１，２８ｂ１の幅が異なる配向膜２８ａ，２８ｂを一括で不純物をトラップする構造を形成することができる。液晶中の不純物をトラップすることで、表示特性が劣化することを抑えることができる。
【０１０５】
（２）本実施形態の液晶装置１００の製造方法によれば、複数の傾斜角を含む半球状の凹部４１（４２，４３）を形成するので、蒸着角度の違いから傾斜角ごとで異なる間隔や角度の柱状構造物２８ｂ１を形成することができる。凹部４１を曲面にすれば、多種類（無限個の種類）の傾斜角とすることができる。よって、様々な大きさの不純物４４を柱状構造物２８ｂ１の隙間でトラップ（捕獲）することができる。
【０１０６】
（３）本実施形態の液晶装置１００の製造方法によれば、ダミー画素が設けられた領域Ｅ１までを第１領域７１として、その周囲を第２領域７２とすることにより、シール材１４などから溶出された不純物４４が画素領域Ｅ（表示領域）側に拡散することを抑えることができる。よって、画素領域Ｅに悪影響（例えば、シミ）を与えることをより抑えることができる。
【０１０７】
（４）本実施形態の液晶装置１００によれば、第１領域７１の蒸着角度よりも大きい蒸着角度を有する凹部４１が設けられているので、第１基材１０ａ上（第３層間絶縁層１１ｄ上）に斜方蒸着法を用いて配向膜２８を形成することにより、第１領域７１の第１配向膜２８ａと比較して第２領域７２（具体的には、凹部４１における蒸着源に近い側の斜面）には、柱状構造物２８ｂ１の間隔が広い第２配向膜２８ｂを形成することができる。よって、第２領域７２の第２配向膜２８ｂの柱状構造物２８ｂ１間に不純物４４をトラップすることができる。また、第１基材１０ａ上における第１領域７１と第２領域７２との実質的な蒸着角度を変えることにより、柱状構造物２８ａ１，２８ｂ１の間隔の異なる配向膜２８の領域を制御できるので、境界の位置精度を向上させることができる。加えて、柱状構造物２８ａ１，２８ｂ１の幅が異なる配向膜２８ａ，２８ｂを一括で形成することができるので、表示特性が劣化することを抑えることができる。
【０１０８】
（５）本実施形態の電子機器によれば、上記に記載の液晶装置１００を備えるので、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。
【０１０９】
（第２実施形態）
＜液晶装置の構成＞
図１０は、第２実施形態の液晶装置のうち主に配向膜周辺の構成を示す模式平面図である。図１１は、図１０に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。以下、液晶装置の構成について、図１０及び図１１を参照しながら説明する。
【０１１０】
第２実施形態の液晶装置２００は、上述の第１実施形態と比べて、周辺電極４０が設けられている点が異なり、その他の構成については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
【０１１１】
図１０及び図１１に示すように、第２実施形態の液晶装置２００は、素子基板１１０の第１基材１０ａ（絶縁膜８３）上において、第１凹部形成領域８１に複数の第１凹部４２が、また、第２凹部形成領域８２に複数の第２凹部４３が、それぞれ設けられている。更に、第２凹部形成領域８２と平面的に重なるように、画素領域Ｅの周囲を囲むように繋がって周辺電極４０が設けられている。そして、周辺電極４０が設けられた絶縁膜８３上の全体に、配向膜２８が設けられている。
【０１１２】
第１凹部４２や第２凹部４３の大きさや設けられている位置は、第１実施形態と同じである。第２実施形態では、第２凹部形成領域８２と平面的に重なる領域に周辺電極４０を設けるようにしたが、これに限定されず、第２凹部形成領域８２の内側に配置された第１凹部形成領域８１と平面的に重なる領域に周辺電極４０を形成するようにしてもよい。また、第１凹部形成領域８１と第２凹部形成領域８２との両方に跨るように、周辺電極４０を設けるようにしてもよい。
【０１１３】
周辺電極４０は、例えば、画素電極２７と同層に設けられており、ＩＴＯ膜で形成されている。周辺電極４０は、例えば、対向電極３１と異なる電位（例えば直流電圧）を印加することにより、周辺電極４０と対向電極３１との間で電界を生じさせることが可能となり、帯電した不純物４４を引き寄せさせることができる。
【０１１４】
周辺電極４０を含む絶縁膜８３上の全体には、配向膜２８が形成されている。第２配向膜２８ｂは、複数の柱状構造物２８ｂ１が素子基板１１０の法線方向に対して所定の方向に傾斜していると共に、複数の柱状構造物２８ａ１の間隔より広い間隔をあけて並んでいる。
【０１１５】
このように、第２凹部形成領域８２と重なるように周辺電極４０を設けることにより、注入時から液晶に含まれていたり、注入後にシール材１４などから液晶に溶出されたりして液晶に含まれている不純物４４を、周辺電極４０に引き寄せることが可能となる。更に、柱状構造物２８ａ１の間隔と比べて広くなった柱状構造物２８ｂ１の隙間によって、不純物４４を捕獲（トラップ）することができる。これにより、周辺電極４０に引き寄せた不純物４４が周辺電極４０と対向電極への電圧供給を停止した後も画素領域Ｅに再拡散することを抑えることが可能となり、その結果、画素領域Ｅにおいて、焼き付きなど表示品質が劣化することを抑えることができる。
【０１１６】
以上詳述したように、第２実施形態によれば、上記（１）〜（５）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【０１１７】
（６）第２実施形態の液晶装置２００の製造方法によれば、第２凹部形成領域８２と重なるように周辺電極４０を設けることにより、注入時から液晶に含まれていたり、注入後にシール材１４などから液晶に溶出されたりして液晶に含まれている不純物４４を、周辺電極４０に引き寄せることが可能となり、更に、柱状構造物２８ａ１の間隔と比べて広くなった柱状構造物２８ｂ１の隙間によって、不純物を捕獲（トラップ）することができる。言い換えれば、周辺電極４０と対向電極への電圧供給を停止した後も不純物４４をトラップすることができる。これにより、不純物４４が画素領域Ｅに再拡散することを抑えることが可能となり、その結果、画素領域Ｅにおいて、焼き付きなど表示品質が劣化することを抑えることができる。
【０１１８】
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
【０１１９】
（変形例１）
上記したように、第１凹部４２と第２凹部４３との半球形状の大きさを同じにすることに限定されず、例えば、図１２に示すようにしてもよい。図１２は、変形例１の液晶装置３００の構造を示す模式断面図である。
【０１２０】
図１２に示すように、液晶装置３００は、第１凹部形成領域８１に第１凹部４２が設けられており、第２凹部形成領域８２に、第１凹部４２と比較して大きな半球形状を有する第２凹部１４３が設けられている。
【０１２１】
このように、第１凹部４２と比較して第２凹部１４３の形状を大きくすることにより、曲面の面積を大きくすることが可能となり、間隔の広い柱状構造物２８ｂ１を多く形成することができる。よって、不純物４４をより多く捕獲することができる。また、画素領域Ｅから離れた方の第２凹部１４３の形状を大きくしたので、配向が乱れることによる表示特性に悪影響を及ぼすことを抑えることができる。
【０１２２】
（変形例２）
上記した第２実施形態のように、凹部４１（４３）と周辺電極４０が平面的に重なって設けられていることに限定されず、例えば、図１３に示すようにしてもよい。図１３は、変形例２の液晶装置４００の構造を示す模式断面図である。
【０１２３】
図１３に示すように、液晶装置４００は、第２凹部形成領域８２に第２凹部４３が設けられている。なお、第２領域７２における第２凹部形成領域８２の画素領域Ｅ側には、周辺電極４０のみが設けられている。周辺電極４０は、画素領域Ｅを囲むように繋がって設けられている。
【０１２４】
このように、第２領域７２に周辺電極４０を配置することにより、第２領域７２に不純物４４を集めることが可能となり、周辺電極４０の外側に設けた第２凹部４３によって、不純物４４を捕獲することができる。また、画素領域Ｅから離れた領域に第２凹部４３を設けることにより、乱れた配向が表示に悪影響を及ぼすことを抑えることができる。
【０１２５】
（変形例３）
上記したように、透過型の液晶装置１００に適用することに限定されず、例えば、反射型の液晶装置５００に本発明を適用するようにしてもよい。この場合、画素領域Ｅはアルミニウムなどの反射性材料を用いて画素電極を形成する。また、図１４に示すように、第１基材１０ａ（第３層間絶縁層１１ｄ）上にパッシベーション膜８６を形成し、このパッシベーション膜８６に凹部を形成する。図１４では、例えば、パッシベーション膜８６における第２凹部形成領域８２に第２凹部４３が設けられている。また、第２凹部形成領域８２と平面的に重なるように、周辺電極４０が設けられている。
【０１２６】
（変形例４）
上記したように、第１凹部４２及び第２凹部４３は、半球状であることに限定されず、例えば、第１凹部形成領域８１や第２凹部形成領域８２の領域（シール材の延設方向）に沿って繋がった溝であってもよい。なお、断面形状は、図６に示すような、円弧状である。
【０１２７】
また、平面視で円形状の凹部４２，４３が第１凹部形成領域８１や第２凹部形成領域８２を覆って形成されていることに限定されず、例えば、図１５に示すように配置されていてもよい。図１５は、第１凹部形成領域８１及び第２凹部形成領域８２を拡大して示す拡大平面図である。
【０１２８】
図１５（ａ）に示す凹部１４１は、マトリックス状に配置されている。また、図１５（ｂ）に示す凹部２４１は、千鳥状に配置されている。なお、ストライプ状に配置した方が、凹部２４１と凹部２４１との間隔を狭くできることから、不純物４４を捕獲するのに好ましいと考えられる。
【０１２９】
（変形例５）
上記したように、素子基板１０側に第１配向膜２８ａ及び第２配向膜２８ｂを形成することに限定されず、例えば、対向基板２０側に第１配向膜及び第２配向膜を形成するようにしてもよい。少なくともどちらか一方の基板（素子基板１０、対向基板２０）に形成するようにすることが望ましい。対向基板２０に形成する場合、対向電極３１における画素領域Ｅに第１配向膜３２（２８ａに相当）を形成する。また、画素領域Ｅの周囲に第２配向膜３２（２８ｂに相当）を形成する。
【０１３０】
（変形例６）
上記したように、液晶注入方式の液晶装置１００に適用することに限定されず、液晶滴下方式（ＯＤＦ）の液晶装置に適用するようにしてもよい。なお、上記液晶注入方式の液晶装置１００の場合、液晶に不純物４４が含まれている場合には、液晶注入口（離間部）と表示領域の間に第２領域７２（第２配向膜２８ｂ、凹部）を形成し、液晶の注入時に第２配向膜２８ｂによって不純物４４をトラップするようにしてもよい。また、液晶注入口（離間部）に第２領域７２（第２配向膜２８ｂ）を形成し、液晶注入時に第２配向膜２８ｂによって不純物をトラップし、その後、封止材で埋め込んでも良い。
【０１３１】
（変形例７）
上記したように、不純物４４によるシミなどの表示不良が画素領域Ｅ（表示領域）の角部に発生しやすいことから、第２配向膜２８ｂを画素領域Ｅの角部とシール材１４との間のみに設けるようにしてもよい。これによれば、表示領域の角部の外側において、不純物４４をトラップすることが可能となり、いわゆる角シミ（配向方向の２箇所）が発生することを抑えることができる。
【０１３２】
（変形例８）
上記したように、凹部４１（４２，４３）は、半球状であることに限定されず、例えば、凹部４１における蒸着源に近い側の斜面を緩やかにするようにしてもよい。これによれば、凹部４１において影になる部分が少なく、配向膜２８が形成されない領域を少なくすることができる。
【符号の説明】
【０１３３】
３ａ…走査線、３ｂ…容量線、３ｃ…下側遮光膜、６ａ…データ線、１０，１１０…第１基板としての素子基板、１０ａ…第１基材、１１ａ…下地絶縁層、１１ｂ…第１層間絶縁層、１１ｃ…第２層間絶縁層、１１ｄ…第３層間絶縁層、１１ｇ…ゲート絶縁膜、１４…シール材、１５…液晶層、１６…容量素子、１６ａ…第１容量電極、１６ｂ…第２容量電極、１６ｃ…誘電体膜、１８…遮光部、２０…第２基板としての対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、２８，３２…配向膜、２８ａ…第１配向膜、２８ｂ…第２配向膜、２８ａ１，２８ｂ１…柱状構造物、２９…配線、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…画素電極側ソースドレイン領域、３０ｄ１…画素電極側ＬＤＤ領域、３０ｇ…ゲート電極、３０ｓ…データ線側ソースドレイン領域、３０ｓ１…データ線側ＬＤＤ領域、３１…対向電極、３３…平坦化層、４０…周辺電極、４１，１４１，２４１…凹部、４２…第１凹部、４３，１４３…第２凹部、４４…不純物、ＣＮＴ５１，５２，５３，５４…コンタクトホール、５５…中継層、６１…外部接続用端子、７１…第１領域、７２…第２領域、８１…第１凹部形成領域、８２…第２凹部形成領域、８３…絶縁膜、８４…エッチング制御層、８５…マスク、８５ａ…マスク層、８５ｂ…穴、８６…パッシベーション膜、１００，２００，３００，４００，５００…液晶装置、１０００…投射型表示装置、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投射レンズ、１２１０，１２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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