(57)【要約】【課題】本発明は、半導体素子の試験装置及びその試験方法に関する。【解決手段】本発明による半導体素子の試験装置は、半導体素子の温度を検出して検出温度を生成する温度検出部と、上記検出温度を事前に設定された制御温度と比較して比較結果を生成し、上記比較結果によって上記半導体素子の冷却有無を決定する制御部と、上記制御部の制御によって上記半導体素子を冷却する冷却部と、を含み、上記制御部は、上記検出温度が上記半導体素子の動作温度範囲を外れる場合、上記制御温度を再設定することができる。【選択図】図１
2014098682.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子の温度を検出して検出温度を生成する温度検出部と、
前記検出温度を事前に設定された制御温度と比較して比較結果を生成し、前記比較結果によって前記半導体素子の冷却有無を決定する制御部と、
前記制御部の制御によって前記半導体素子を冷却する冷却部と、を含み、
前記制御部は、前記検出温度が前記半導体素子の動作温度範囲を外れる場合、前記制御温度を再設定する半導体素子の試験装置。
【請求項２】
前記制御温度は、第１制御温度及び第２制御温度を含み、
前記制御部は、前記検出温度が第１制御温度以上になる時点で前記半導体素子の冷却を開始して前記検出温度が第２制御温度以下になる時点で前記半導体素子の冷却を中止するように前記冷却部を制御する、請求項１に記載の半導体素子の試験装置。
【請求項３】
前記制御部は、
前記第１制御温度及び前記第２制御温度を前記検出温度及び前記動作温度によって再設定する、請求項２に記載の半導体素子の試験装置。
【請求項４】
前記動作温度は、前記半導体素子が動作することができる最高温度である第１動作温度と、前記半導体素子が動作することができる最低温度である第２動作温度と、を含む、請求項３に記載の半導体素子の試験装置。
【請求項５】
前記制御部は、
前記検出温度が上昇する上昇区間の最高測定温度と前記第１動作温度を比較して前記第１制御温度を再設定し、前記検出温度が下降する下降区間の最低測定温度と前記第２動作温度を比較して前記第２制御温度を再設定する、請求項４に記載の半導体素子の試験装置。
【請求項６】
前記制御部は、
前記検出温度が上昇する第Ｍ上昇区間の最高測定温度と前記第１動作温度を比較して第Ｍ＋１上昇区間の第１制御温度を再設定し、
前記検出温度が下降する第Ｎ下降区間の最低測定温度と前記第２動作温度を比較して第Ｎ＋１下降区間の第２制御温度を再設定し、
前記Ｍ及び前記Ｎは１以上の整数である、請求項４または５に記載の半導体素子の試験装置。
【請求項７】
前記制御部は、
前記第Ｍ＋１上昇区間の第１制御温度に対して下記条件式１を満たし、前記第Ｎ＋１下降区間の第２制御温度に対して下記条件式２を満たす、請求項６に記載の半導体素子の試験装置。
［条件式１］
【数１】
2014098682.tif 000009
（Ｔｈｘ  第Ｘ上昇区間の第１制御温度、ｗ１  加重値、Ｔｏ１  第１動作温度、Ｔｘ＿ｍａｘ  第Ｘ上昇区間の最高測定温度）
［条件式２］
【数２】
2014098682.tif 000010
（Ｔｌｘ  第Ｘ下降区間の第２制御温度、ｗ２  加重値、Ｔｏ２  第２動作温度、Ｔｘ＿ｍｉｎ  第Ｘ下降区間の最低測定温度）
【請求項８】
前記半導体素子が搭載される試験ボードをさらに含む、請求項１から７の何れか１項に記載の半導体素子の試験装置。
【請求項９】
前記試験ボードには前記半導体素子が複数個搭載される、請求項８に記載の半導体素子の試験装置。
【請求項１０】
前記制御部は、
前記複数の半導体素子の検出温度をそれぞれ前記制御温度と比較して前記複数の半導体素子をそれぞれ冷却するように前記冷却部を制御する、請求項９に記載の半導体素子の試験装置。
【請求項１１】
半導体素子の温度を検出する段階と、
前記半導体素子の検出温度を事前に設定された制御温度と比較して前記半導体素子を冷却する段階と、
前記検出温度が前記半導体素子の動作温度範囲を外れる場合、前記制御温度を再設定する段階と、を含む、半導体素子の試験方法。
【請求項１２】
前記制御温度は、第１制御温度及び第２制御温度を含み、
前記半導体素子を冷却する段階は、前記検出温度が第１制御温度以上になる時点で前記半導体素子の冷却を開始して前記検出温度が第２制御温度以下になる時点で前記半導体素子の冷却を中止する、請求項１１に記載の半導体素子の試験方法。
【請求項１３】
前記制御温度を再設定する段階は、
前記第１制御温度及び前記第２制御温度を前記検出温度及び前記動作温度によって再設定する、請求項１２に記載の半導体素子の試験方法。
【請求項１４】
前記動作温度は、前記半導体素子が動作することができる最高温度である第１動作温度と、前記半導体素子が動作することができる最低温度である第２動作温度と、を含む、請求項１３に記載の半導体素子の試験方法。
【請求項１５】
前記制御温度を再設定する段階は、
前記検出温度が上昇する上昇区間の最高測定温度と前記第１動作温度を比較して前記第１制御温度を再設定し、前記検出温度が下降する下降区間の最低測定温度と前記第２動作温度を比較して前記第２制御温度を再設定する、請求項１４に記載の半導体素子の試験方法。
【請求項１６】
前記制御温度を再設定する段階は、
前記検出温度が上昇する第Ｍ上昇区間の最高測定温度と前記第１動作温度を比較して第Ｍ＋１上昇区間の第１制御温度を再設定し、
前記検出温度が下降する第Ｎ下降区間の最低測定温度と前記第２動作温度を比較して第Ｎ＋１下降区間の第２制御温度を再設定し、
前記Ｍ及び前記Ｎは１以上の整数である、請求項１４または１５に記載の半導体素子の試験方法。
【請求項１７】
前記制御温度を再設定する段階は、
前記第Ｍ＋１上昇区間の第１制御温度に対して下記条件式１を満たし、前記第Ｎ＋１下降区間の第２制御温度に対して下記条件式２を満たす、請求項１６に記載の半導体素子の試験方法。
［条件式１］
【数１】
2014098682.tif 000011
（Ｔｈｘ  第Ｘ上昇区間の第１制御温度、ｗ１  第１加重値、Ｔｏ１  第１動作温度、Ｔｘ＿ｍａｘ  第Ｘ上昇区間の最高測定温度）
［条件式２］
【数２】
2014098682.tif 000012
（Ｔｌｘ  第Ｘ下降区間の第２制御温度、ｗ２  第２加重値、Ｔｏ２  第２動作温度、Ｔｘ＿ｍｉｎ  第Ｘ下降区間の最低測定温度）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の試験装置及びその試験方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子において、初期不良を除去するためのスクリーニング（Ｓｃｒｅｅｎｉｎｇ）が行われている。現在のスクリーニング方法として代表的なものには、電圧加速による方法及び温度加速による方法がある。
【０００３】
発熱量が大きい半導体装置のスクリーニングを行うにあたり、半導体素子の製造偏差などにより、同一の電圧及び温度でスクリーニングが行われても、個別の半導体素子の発熱量には差異がある。その発熱量の差異により、半導体素子の温度が規定された温度制御の範囲から外れることがある。
【０００４】
下記先行技術文献における特許文献１には、ＩＣデバイスが格納されたコンタクトブロックの温度を制御することでＩＣデバイスを一定温度に維持することができるようにする半導体試験システムが提案されている。具体的に説明すると、ＩＣデバイスが格納されたコンタクトブロック内に空洞部を設置し、空洞部内に設置された高温制御用ノズルまたは低温制御用ノズルから高温制御用液体または低温制御用液体をＩＣデバイスの基体温度によって選択的にコンタクトブロックに向かって噴射するようにする温度制御技術が提案されている。
【０００５】
しかし、上記特許文献１には、半導体素子の動作試験時に発生する温度偏差を除去する方法が開示されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】日本公開特許公報  第２００１−５１０１２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の課題は、上記した従来技術の問題点を解決するためのもので、本発明によると、半導体素子を冷却するための基準温度を半導体素子の測定温度によって変更することで、半導体素子の動作試験時に発生する温度偏差を除去することができる半導体素子の試験装置及びその試験方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１技術的な側面によると、半導体素子の温度を検出して検出温度を生成する温度検出部と、上記検出温度を事前に設定された制御温度と比較して比較結果を生成し、上記比較結果によって上記半導体素子の冷却有無を決定する制御部と、上記制御部の制御によって上記半導体素子を冷却する冷却部と、と含み、上記制御部は、上記検出温度が上記半導体素子の動作温度範囲を外れる場合、上記制御温度を再設定する半導体素子の試験装置が提案される。
【０００９】
また、上記制御温度は、第１制御温度及び第２制御温度を含み、上記制御部は、上記検出温度が第１制御温度以上になる時点で上記半導体素子の冷却を開始して上記検出温度が第２制御温度以下になる時点で上記半導体素子の冷却を中止するように上記冷却部を制御する半導体素子の試験装置を提案する。
【００１０】
また、上記制御部は、上記第１制御温度及び上記第２制御温度を上記検出温度及び上記動作温度によって再設定する半導体素子の試験装置を提案する。
【００１１】
また、上記動作温度は、最高動作温度である第１動作温度と、最低動作温度である第２動作温度と、を含む半導体素子の試験装置を提案する。
【００１２】
また、上記制御部は、上記検出温度が上昇する上昇区間の最高測定温度と上記第１動作温度を比較して上記第１制御温度を再設定し、上記検出温度が下降する下降区間の最低測定温度と上記第２動作温度を比較して上記第２制御温度を再設定する半導体素子の試験装置を提案する。
【００１３】
また、上記制御部は、上記検出温度が上昇する第Ｍ上昇区間の最高測定温度と上記第１動作温度を比較して第Ｍ＋１上昇区間の第１制御温度を再設定し、上記検出温度が下降する第Ｎ下降区間の最低測定温度と上記第２動作温度を比較して第Ｎ＋１下降区間の第２制御温度を再設定し、上記Ｍ及び上記Ｎは１以上の整数である半導体素子の試験装置を提案する。
【００１４】
また、上記制御部は、上記第Ｍ＋１上昇区間の第１制御温度に対して下記条件式１を満たし、上記第Ｎ＋１下降区間の第２制御温度に対して下記条件式２を満たす半導体素子の試験装置を提案する。
【００１５】
［条件式１］
【数１】
2014098682.tif 000003
（Ｔｈｘ  第Ｘ上昇区間の第１制御温度、ｗ１  加重値、Ｔｏ１  第１動作温度、Ｔｘ＿ｍａｘ  第Ｘ上昇区間の最高測定温度）
【００１６】
［条件式２］
【数２】
2014098682.tif 000004
（Ｔｌｘ  第Ｘ下降区間の第２制御温度、ｗ２  加重値、Ｔｏ２  第２動作温度、Ｔｘ＿ｍｉｎ  第Ｘ下降区間の最低測定温度）
【００１７】
また、上記半導体素子が搭載される試験ボードをさらに含む半導体素子の試験装置を提案する。
【００１８】
また、上記試験ボードには、上記半導体素子が複数個搭載される半導体素子の試験装置を提案する。
【００１９】
また、上記制御部は、上記複数の半導体素子の検出温度をそれぞれ上記制御温度と比較して上記複数の半導体素子をそれぞれ冷却するように上記冷却部を制御する半導体素子の試験装置を提案する。
【００２０】
本発明の第２技術的な側面によると、半導体素子の温度を検出する段階と、上記半導体素子の検出温度を事前に設定された制御温度と比較して上記半導体素子を冷却する段階と、上記検出温度が上記半導体素子の動作温度範囲を外れる場合、上記制御温度を再設定する段階と、を含む半導体素子の試験方法が提案される。
【００２１】
また、上記制御温度は、第１制御温度及び第２温度を含み、上記半導体素子を冷却する段階は、上記検出温度が第１制御温度以上になる時点で上記半導体素子の冷却を開始して上記検出温度が第２制御温度以下になる時点で上記半導体素子の冷却を中止する半導体素子の試験方法を提案する。
【００２２】
また、上記制御温度を再設定する段階は、上記第１制御温度及び上記第２制御温度を上記検出温度及び上記動作温度によって再設定する半導体素子の試験方法を提案する。
【００２３】
また、上記動作温度は、最高動作温度である第１動作温度と、最低動作温度である第２動作温度と、を含む半導体素子の試験方法を提案する。
【００２４】
また、上記制御温度を再設定する段階は、上記検出温度が上昇する上昇区間の最高測定温度と上記第１動作温度を比較して上記第１制御温度を再設定し、上記検出温度が下降する下降区間の最低測定温度と上記第２動作温度を比較して上記第２制御温度を再設定する半導体素子の試験方法を提案する。
【００２５】
また、上記制御温度を再設定する段階は、上記検出温度が上昇する第Ｍ上昇区間の最高測定温度と上記第１動作温度を比較して第Ｍ＋１上昇区間の第１制御温度を再設定し、上記検出温度が下降する第Ｎ下降区間の最低測定温度と上記第２動作温度を比較して第Ｎ＋１下降区間の第２制御温度を再設定し、上記Ｍ及び上記Ｎは１以上の整数である半導体素子の試験装置を提案する。
【００２６】
また、上記制御温度を再設定する段階は、上記第Ｍ＋１上昇区間の第１制御温度に対して下記条件式１を満たし、上記第Ｎ＋１下降区間の第２制御温度に対して下記条件式２を満たす半導体素子の試験方法を提案する。
【００２７】
［条件式１］
【数１】
2014098682.tif 000005
（Ｔｈｘ  第Ｘ上昇区間の第１制御温度、ｗ１  第１加重値、Ｔｏ１  第１動作温度、Ｔｘ＿ｍａｘ  第Ｘ上昇区間の最高測定温度）
【００２８】
［条件式２］
【数２】
2014098682.tif 000006
（Ｔｌｘ  第Ｘ下降区間の第２制御温度、ｗ２  第２加重値、Ｔｏ２  第２動作温度、Ｔｘ＿ｍｉｎ  第Ｘ下降区間の最低測定温度）
【発明の効果】
【００２９】
本発明によると、半導体素子を冷却するための基準温度を半導体素子の測定温度によって変更することで、半導体素子の動作試験時に発生する温度偏差を除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の一実施形態による半導体素子の試験装置を示すブロック図である。
【図２】本発明の一構成要素である試験ボードの一例を示す図面である。
【図３】従来発明の半導体素子の試験装置において半導体素子を動作試験するときの半導体素子の温度を示すグラフである。
【図４】本発明による半導体素子の試験装置において半導体素子を動作試験するときの半導体素子の温度を示すグラフである。
【図５】本発明による半導体素子の試験装置における半導体素子の冷却方法を説明するための流れ図である。
【図６】本発明による半導体素子の試験装置における制御温度の再設定方法を説明するための流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下では、添付の図面を参照し、本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。なお、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
【００３２】
図１は、本発明の一実施形態による半導体素子の試験装置を示すブロック図である。
【００３３】
図１を参照すると、半導体素子の試験装置は、温度検出部２００と、冷却部１００と、制御部３００と、試験ボード４００と、を含むことができる。
【００３４】
温度検出部２００は、半導体素子の発熱による温度を検出することで、検出温度を生成することができる。
【００３５】
冷却部１００は、制御部３００の制御によって半導体素子を冷却することができる。また、冷却部１００は、クーリングファン（ｃｏｏｌｉｎｇ  ｆａｎ）を含むことができるが、本発明はこれに限定されず、配管を通じて流れる溶液を用いて半導体素子を冷却することもできる。
【００３６】
制御部３００は、半導体素子の動作試験のための信号を試験ボード４００を通じて半導体素子に伝達することができる。また、制御部３００は、温度検出部２００から伝達された検出温度を事前に設定された制御温度と比較して冷却部１００を制御することができる。
【００３７】
制御温度は、半導体素子の冷却開始時点及び中止時点を決定するために事前に設定された温度で、半導体素子の冷却開始時点を決定するための第１制御温度と、冷却中止時点を決定するための第２制御温度と、を含むことができる。
【００３８】
制御部３００は、検出温度が半導体素子の動作温度範囲を外れる場合、制御温度を再設定することができる。動作温度は、半導体素子が動作するための設定温度で、上限と下限を有する一定範囲を有することができる。具体的に説明すると、動作温度は、半導体素子が動作することができる最高温度である第１動作温度と、半導体素子が動作することができる最低温度である第２動作温度と、を含むことができる。
【００３９】
試験ボード４００は、半導体素子が搭載されるボードを意味する。試験ボード４００は、試験を行うときに制御部３００と電気的に接続されることで、制御部３００が動作試験のための信号を半導体素子に伝達することができる。図１には、試験ボード４００が一つのみ示されているが、選択的に複数個備えられることもできる。
【００４０】
図２は、本発明の一構成要素である試験ボード４００の一例を示す図面である。試験ボード４００にはＩＣソケット４１０が複数個搭載され、各ＩＣソケット４１０に試験対象である半導体素子４３０が設置される。また、試験ボード４００は、図示されない配線を通じてＩＣソケット４１０と電気的に接続された端子群４２０を有する。試験ボード４００のＩＣソケット４１０に設置された半導体素子４３０には、配線及び端子群４２０を通じて制御部３００から動作試験のための信号が伝達される。
【００４１】
複数のＩＣソケット４１０に複数の半導体素子４３０が搭載される場合、制御部３００は、複数の半導体素子４３０の検出温度をそれぞれ制御温度と比較して複数の半導体素子４３０をそれぞれ冷却するように冷却部１００を制御することができる。
【００４２】
また、図２には、ＩＣソケット４１０が４行５列のマトリクス状を有するように配置された例が示されているが、本発明がこれに限定されるものではない。試験ボード４００におけるＩＣソケット４１０の配置方法及び配置個数は任意的に変更されることができる。
【００４３】
図３は、従来発明の半導体素子の試験装置において半導体素子を動作試験するときの半導体素子の温度を示すグラフである。図３を参照すると、第１動作温度及び第２動作温度の内部範囲を外れるときに温度グラフが変動することが分かる。
【００４４】
半導体素子の試験装置で半導体素子を試験するにあたり、半導体素子の温度が上昇して第１動作温度に到達すると、冷却部１００が半導体素子の冷却を開始し、冷却部１００の冷却によって半導体素子の温度が下降して第２動作温度に到達すると、冷却部１００が半導体素子の冷却を中止する。
【００４５】
しかし、冷却部１００の一例であるクーリングファンの場合、最大ＲＰＭに到達するまで一定時間が必要となり、最大ＲＰＭに到達してから完全に停止するまで一定時間が必要となる。また、冷却部１００の他の例である配管を通じて流れる溶液の場合、溶液が配管を通じて流れたり、完全に配管から抜け出されるまで一定時間が必要となる。
【００４６】
即ち、半導体素子の検出温度が第１動作温度または第２動作温度に到達した後、冷却が完全に開始または停止する時点までは遅延時間が存在することが分かる。
【００４７】
このような遅延時間により、図３に示されているように、第１動作温度及び第２動作温度の内部範囲を外れる場合、温度グラフが変動してオーバーシューティング現象が発生する。
【００４８】
図４は、本発明による半導体素子の試験装置において半導体素子を動作試験するときの半導体素子の温度を示すグラフである。
【００４９】
図４を参照すると、半導体素子の動作試験初期には温度グラフが第１動作温度及び第２動作温度範囲を外れて動作するが、時間の経過に伴い、温度グラフが第１動作温度及び第２動作温度内に収まって変動してオーバーシューティング現象が除去されたことが分かる。
【００５０】
本発明は、閉ループ制御方式を用いることで、上記の通り、オーバーシューティング現象を除去することができる。以下では、これについて詳細に説明する。
【００５１】
図５は、本発明による半導体素子の試験装置における半導体素子の冷却方法を説明するための流れ図である。図１及び図５を参照して本発明による半導体素子の試験装置における半導体素子の冷却方法について説明する。初期の半導体素子は、冷却されていない状態であるものと仮定する。
【００５２】
温度検出部２００は、半導体素子の温度を検出して検出温度を生成することができる（Ｓ５１０）。温度検出部２００は、半導体素子の温度を検出し、検出温度を継続的に伝達したり、または事前に設定された周期によって制御部３００に伝達することができる。
【００５３】
制御部３００は、温度検出部２００から検出温度が伝達され、それを制御温度と比較し、その比較結果によって半導体素子を冷却するように冷却部１００を制御することができる。
【００５４】
具体的に説明すると、制御部３００は、検出温度を第１制御温度と比較することができる（Ｓ５２０）。初期の半導体素子は冷却されていないため、動作試験によって発生する熱により、温度が次第に上昇する可能性がある。検出温度が第１制御温度未満であると、検出温度を第１制御温度と繰り返し比較して検出温度が第１制御温度に到達するか否かを判断する。
【００５５】
制御部３００は、検出温度が第１制御温度に到達する時点または第１制御温度以上になる時点で半導体素子の冷却を開始するように冷却部１００を制御することができる（Ｓ５３０）。
【００５６】
冷却が開始された後、制御部３００は、検出温度を第２制御温度と比較し（Ｓ５４０）、検出温度が第２制御温度を超過すると、検出温度を第２制御温度と繰り返し比較して検出温度が第２制御温度に到達するか否かを判断する。
【００５７】
制御部３００は、検出温度が第２制御温度に到達する時点または第２制御温度以下になる時点で半導体素子の冷却を中止するように冷却部１００を制御することができる（Ｓ５５０）。
【００５８】
図５に示されてはいないが、Ｓ５１０からＳ５５０は繰り返し行われることができる。
【００５９】
図６は、本発明による半導体素子の試験装置における制御温度の再設定方法を説明するための流れ図である。図１及び図６を参照して本発明による半導体素子の試験装置における制御温度の設定方法について説明する。
【００６０】
温度検出部２００は、半導体素子の温度を検出して検出温度を生成することができる（Ｓ６１０）。温度検出部２００は、半導体素子の温度を検出し、検出温度を継続的に伝達したり、または事前に設定された周期によって制御部３００に伝達することができる。
【００６１】
制御部３００は、温度検出部２００から検出温度が伝達され、それを動作温度と比較し、その比較結果によって制御温度を再設定することができる。初期の制御温度は、半導体素子が動作するための動作温度と同一に設定されることができる。
【００６２】
これにより、制御部３００は、検出温度を半導体素子が動作するための動作温度と比較することができる（Ｓ６２０）。
【００６３】
検出温度が動作温度範囲内に存在する場合は、初期の動作温度と同一に設定されている制御温度によって半導体素子の冷却が適切に行われていると判断して制御温度の再設定なしに終了される。
【００６４】
しかし、上記の例とは異なって検出温度が動作温度範囲を外れる場合は、検出温度が上昇する上昇区間の最高測定温度と第１動作温度を比較することができる（Ｓ６３０）。最高測定温度が第１動作温度より小さい場合には、第１制御温度の再設定が不要であると判断することができる。
【００６５】
しかし、最高測定温度が第１動作温度以上であると、第１制御温度の再設定が必要であると判断することができる。より詳細に説明すると、検出温度が上昇する第Ｍ上昇区間の最高測定温度が第１動作温度以上であると、第Ｍ＋１上昇区間の第１制御温度を再設定することができる（Ｓ６４０）。このとき、Ｍは１以上の整数であることができる。
【００６６】
このとき、第Ｍ＋１上昇区間の第１制御温度は、下記数学式１を満たすことができる。
【００６７】
【数１】
2014098682.tif 000007
【００６８】
このとき、Ｔｈｘは第Ｘ上昇区間の第１制御温度、Ｔｏ１は第１動作温度、Ｔｘ＿ｍａｘは第Ｘ上昇区間の最高測定温度、ｗ１は第１加重値である。
【００６９】
第１加重値は、０より大きく１より小さい任意の値で、設定によって変更されることができる。
【００７０】
また、検出温度が動作温度範囲を外れる場合は、検出温度が下降する下降区間の最低測定温度と第２動作温度を比較することができる（Ｓ６５０）。最低測定温度が第２動作温度より大きいと、第２制御温度の再設定は不要であると判断することができる。
【００７１】
しかし、最低測定温度が第２動作温度以下であると、第２制御温度の再設定が必要であると判断することができる。より詳細に説明すると、検出温度が上昇する第Ｎ上昇区間の最低測定温度が第２動作温度以下であると、第Ｎ＋１上昇区間の第２制御温度を再設定することができる（Ｓ６６０）。このとき、Ｎは１以上の整数であることができる。
【００７２】
このとき、第Ｎ＋１上昇区間の第２制御温度は、下記数学式２を満たすことができる。
【００７３】
【数２】
2014098682.tif 000008
【００７４】
このとき、Ｔｌｘは第Ｘ下降区間の第２制御温度、Ｔｏ２は第２動作温度、Ｔｘ＿ｍｉｎは第Ｘ下降区間の最低測定温度、ｗ２は第２加重値である。
【００７５】
第２加重値は、０より大きく１より小さい任意の値で、設定によって変更されることができる。また、第２加重値及び第１加重値は、同一の値で設定されることができ、異なる値で設定されることもできる。
【００７６】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有するものには明らかである。
【符号の説明】
【００７７】
１００  冷却部
２００  温度検出部
３００  制御部
４００  試験ボード
４１０  ＩＣソケット
４２０  端子群
４３０  半導体素子
【図１】
2014098682.tif 000013
【図２】
2014098682.tif 000014
【図３】
2014098682.tif 000015
【図４】
2014098682.tif 000016
【図５】
2014098682.tif 000017
【図６】
2014098682.tif 000018