(57)【要約】      （修正有）【課題】バンプの高さがばらつき電気的接続が不安定になる恐れを低減可能なウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】ウエーハの裏面から複数の埋め込み電極の先端の深さを検出する埋め込み電極検出工程と、埋め込み電極検出工程を実施した後、埋め込み電極が裏面に露出しない程度にウエーハの裏面を研削して薄化する裏面研削工程と、を含み、前記裏面研削工程は、ウエーハの裏面を粗研削する粗研削工程と、粗研削工程実施後、ウエーハのディンプルの有無を検出するディンプル有無検出工程と、ウエーハにディンプルが検出された際、チャックテーブル２０の保持面３６ａを洗浄するチャックテーブル洗浄工程と、チャックテーブル洗浄工程実施後又はウエーハにディンプルが検出されなかった場合、粗研削された裏面を仕上げ研削する仕上げ研削工程と、を含む。【選択図】図８
2014053358.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された各領域にそれぞれデバイスが形成され、該各デバイスからウエーハの仕上がり厚さ以上の深さに至る複数の埋め込み電極が埋設されるとともに、外周縁に面取り部を有するウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの外周縁に切削ブレードを位置づけてウエーハを表面側から所定の深さ円形に切削し面取り部を部分的に除去する面取り部除去工程と、
該面取り部除去工程を実施した後、ウエーハの表面に樹脂を介してキャリアプレートを配設するキャリアプレート配設工程と、
該キャリアプレート配設工程を実施した後、ウエーハの裏面から該複数の埋め込み電極の先端の深さを検出する埋め込み電極検出工程と、
該埋め込み電極検出工程を実施した後、該埋め込み電極が裏面に露出しない程度にウエーハの裏面を研削して薄化する裏面研削工程と、
該裏面研削工程を実施した後、ウエーハの裏面からウエーハをエッチングして該埋め込み電極をウエーハの裏面から突出させて貫通電極とするエッチング工程と、
該エッチング工程を実施した後、ウエーハの裏面に絶縁膜を被覆する絶縁膜被覆工程と、
該絶縁膜被覆工程を実施した後、ウエーハの裏面から突出した該貫通電極を除去して該絶縁膜から露出させるとともに該貫通電極の頭を該絶縁膜と同一面に仕上げる仕上げ工程と、
該仕上げ工程を実施した後、該各貫通電極の頭にバンプを配設するバンプ配設工程と、
該バンプ配設工程を実施した後、ウエーハの裏面にダイシングテープを貼着するとともにウエーハの表面から該キャリアプレートを取り外し、ウエーハを該ダイシングテープに移し替える移し替え工程と、
該移し替え工程を実施した後、ウエーハを個々のデバイスに分割する分割工程と、を含み、
前記裏面研削工程は、ウエーハの裏面を粗研削する粗研削工程と、
該粗研削工程実施後、ウエーハのディンプルの有無を検出するディンプル有無検出工程と、
ウエーハにディンプルが検出された際、該チャックテーブルの保持面を洗浄するチャックテーブル洗浄工程と、
該チャックテーブル洗浄工程実施後又はウエーハにディンプルが検出されなかった場合、粗研削された裏面を仕上げ研削する仕上げ研削工程と、
を含むことを特徴とするウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエーハ等のウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの高集積化、高密化、小型化、薄型化を達成するために、ＭＣＰ（マルチ・チップ・パッケージ）やＳＩＰ（システム・イン・パッケージ）といった複数の半導体チップを積層した積層型半導体パッケージが提案されている。
【０００３】
このような積層型半導体パッケージは、インターポーザと呼ばれるパッケージ基板上に複数の半導体チップを積層することで形成される。一般的には、インターポーザと半導体チップの電極同士、或いは複数積層した半導体チップの電極同士を、金線ワイヤで電気的に結線した後、半導体チップをインターポーザに樹脂でモールド封止することで積層型半導体パッケージが製造される。
【０００４】
ところがこの方法では、半導体チップの電極にボンディングされた金線ワイヤは、半導体チップの外周余剰領域に張り出す形となるために、パッケージサイズは半導体チップよりも大きくなってしまうという問題があった。
【０００５】
また、樹脂でモールド封止する際に金線ワイヤが変形して断線や短絡が生じたり、モールド樹脂中に残存した空気が加熱時に膨張して半導体パッケージの破損を招いたりするという問題があった。
【０００６】
そこで、半導体チップ内に、半導体チップを厚み方向に貫通して半導体チップの電極に接続する貫通電極（Ｖｉａ電極）を設け、半導体チップを積層するとともに貫通電極を接合させて電気的に結線する技術が提案されている（例えば、特開２００４−２０７６０６号公報及び特開２００５−１３６１８７号公報参照）。
【０００７】
この方法では、シリコンウエーハの表面に複数の半導体デバイスが形成され、各半導体デバイスからは半導体デバイスの電極に接続されてシリコンウエーハの裏面側に伸長する複数の埋め込み銅電極（銅ポスト）が形成された所謂ＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｖｉａ）ウエーハを利用する。
【０００８】
埋め込み銅電極は半導体チップの仕上がり厚さ以上の高さを有し、研削装置でウエーハの裏面を研削及び研磨して埋め込み銅電極が裏面から露出する寸前の厚さまでウエーハを薄化する。その後、シリコンウエーハだけを選択的にエッチングすることでウエーハの裏面から埋め込み銅電極の先端を突出させ貫通電極とする。
【０００９】
ウエーハの裏面にエッチングを施して埋め込み銅電極の先端を裏面から突出させて貫通電極とした後、ウエーハの裏面に絶縁膜を被覆する絶縁膜被覆工程を実施し、その後貫通電極端部の絶縁膜を除去してバンプを形成した後、ウエーハを個々のチップ（デバイス）へと分割することで貫通電極の両端にバンプを有するチップ（デバイス）が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００４−２０７６０６号公報
【特許文献２】特開２００５−１３６１８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上述したようなウエーハの加工方法においては、多くの工程を含んでいるが、中でも裏面まで貫通させた貫通電極に金属バンプを装着させる際、貫通電極の露出した上面には所定の平坦度が要求される。また、半導体ウエーハ全体において高さのばらつきなく形成されていないと、搭載したバンプの高さがばらつき、電気的な接続が不安定になってしまう。
【００１２】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、バンプの高さがばらつき電気的接続が不安定になる恐れを低減可能なウエーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明によると、表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された各領域にそれぞれデバイスが形成され、該各デバイスからウエーハの仕上がり厚さ以上の深さに至る複数の埋め込み電極が埋設されるとともに、外周縁に面取り部を有するウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハの外周縁に切削ブレードを位置づけてウエーハを表面側から所定の深さ円形に切削し面取り部を部分的に除去する面取り部除去工程と、該面取り部除去工程を実施した後、ウエーハの表面に樹脂を介してキャリアプレートを配設するキャリアプレート配設工程と、該キャリアプレート配設工程を実施した後、ウエーハの裏面から該複数の埋め込み電極の先端の深さを検出する埋め込み電極検出工程と、該埋め込み電極検出工程を実施した後、該埋め込み電極が裏面に露出しない程度にウエーハの裏面を研削して薄化する裏面研削工程と、該裏面研削工程を実施した後、ウエーハの裏面からウエーハをエッチングして該埋め込み電極をウエーハの裏面から突出させて貫通電極とするエッチング工程と、該エッチング工程を実施した後、ウエーハの裏面に絶縁膜を被覆する絶縁膜被覆工程と、該絶縁膜被覆工程を実施した後、ウエーハの裏面から突出した該貫通電極を除去して該絶縁膜から露出させるとともに該貫通電極の頭を該絶縁膜と同一面に仕上げる仕上げ工程と、該仕上げ工程を実施した後、該各貫通電極の頭にバンプを配設するバンプ配設工程と、該バンプ配設工程を実施した後、ウエーハの裏面にダイシングテープを貼着するとともにウエーハの表面から該キャリアプレートを取り外し、ウエーハを該ダイシングテープに移し替える移し替え工程と、該移し替え工程を実施した後、ウエーハを個々のデバイスに分割する分割工程と、を含み、前記裏面研削工程は、ウエーハの裏面を粗研削する粗研削工程と、該粗研削工程実施後、ウエーハのディンプルの有無を検出するディンプル有無検出工程と、ウエーハにディンプルが検出された際、該チャックテーブルの保持面を洗浄するチャックテーブル洗浄工程と、該チャックテーブル洗浄工程実施後又はウエーハにディンプルが検出されなかった場合、粗研削された裏面を仕上げ研削する仕上げ研削工程と、を含むことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明のウエーハの加工方法によると、ウエーハを粗研削した後ディンプル有無検出工程を実施し、ディンプルが検出されたらチャックテーブルの保持面を洗浄するチャックテーブル洗浄工程を実施する。
【００１５】
従って、チャックテーブル洗浄工程実施後の新たなウエーハにおいてはディンプルが発生する恐れが防止されるため、ウエーハの厚みばらつきを小さく抑えることが可能となり、バンプの高さがばらつき電気的接続が不安定になる恐れが低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１（Ａ）はバンプ付き埋め込み銅電極を有する半導体ウエーハの表面側斜視図、図１（Ｂ）はその断面図である。
【図２】面取り部除去工程を示す一部断面側面図である。
【図３】面取り部除去工程実施後の半導体ウエーハの断面図である。
【図４】キャリアプレート配設工程を説明する断面図である。
【図５】埋め込み銅電極検出工程を示す断面図である。
【図６】裏面研削工程中の粗研削工程を示す一部断面側面である。
【図７】ウエーハの厚みばらつき測定工程を示す断面図である。
【図８】チャックテーブル洗浄工程を示す一部断面側面図である。
【図９】裏面研削工程中の仕上げ研削工程を示す位置断面側面図である。
【図１０】裏面研削工程実施後のウエーハの断面図である。
【図１１】エッチング工程実施後のウエーハの断面図である。
【図１２】絶縁膜被覆工程実施後のウエーハの断面図である。
【図１３】仕上げ工程を示す一部断面側面図である。
【図１４】仕上げ工程実施後のウエーハの断面図である。
【図１５】バンプ配設工程実施後のウエーハの断面図である。
【図１６】移し替え工程を説明する断面図である。
【図１７】分割工程を示す一部断面側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１（Ａ）を参照すると、本発明加工方法の加工対象となるバンプ付き埋め込み電極を有する半導体ウエーハ１１の斜視図が示されている。図１（Ｂ）はその縦断面図である。埋め込み銅電極は導体材料からなり、例えば銅からなる。
【００１８】
図１に示す半導体ウエーハ１１は、例えば厚さが７００μｍのシリコンウエーハからなっており、表面１１ａに複数の分割予定ライン（ストリート）１３が格子状に形成されているとともに、複数の分割予定ライン１３によって区画された各領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１５が形成されている。
【００１９】
図１（Ｂ）に示すように、半導体ウエーハ１１に形成された各半導体デバイス１５からはデバイスの仕上がり厚さｔ１以上の深さに埋め込まれた複数の埋め込み銅電極２１が裏面１１ｂ側に伸長している。各埋め込み電極２１の上端にはバンプ２３が接合されている。
【００２０】
このように構成された半導体ウエーハ（以下単にウエーハと略称することがある）１１は、図１（Ａ）に示されているように、複数の半導体デバイス１５が形成されているデバイス領域１７と、デバイス領域１７を囲繞する外周余剰領域１９をその表面１１ａに備えている。また、図１（Ｂ）に示すように、ウエーハ１１の外周部には円弧状の面取り部１１ｅが形成されている。
【００２１】
本発明のウエーハの加工方法では、まず、ウエーハ１１の面取り部１１ｅを除去する面取り部除去工程を実施する。この面取り部除去工程では、図２に示すように、切削装置のチャックテーブル１０でウエーハ１１を吸引保持する。
【００２２】
図２において、１２は切削装置の切削ユニットであり、スピンドルハウジング１４中にスピンドル１６が回転可能に支持されており、スピンドル１６の先端部には切削ブレード１８が装着されている。
【００２３】
この面取り部除去工程では、高速回転する切削ユニット１２の切削ブレード１８をウエーハ１１の面取り部１１ｅに表面１１ａ側から所定深さ切り込ませ、チャックテーブル１０を低速で回転させて、図３に示すように、ウエーハ１１の外周部に円形の段差部１１ｆを形成する。
【００２４】
この面取り部除去工程での切削ブレード１８の切り込み深さは、少なくともウエーハ１１の表面１１ａからウエーハ１１の仕上げ厚みに至る深さであり、例えば深さ１００μｍ程度の円形の段差部１１ｆを形成する。切削ブレード１８としては、例えば厚さが１〜２ｍｍ程度のワッシャーブレードを使用するのが好ましい。
【００２５】
図２に示した面取り部除去工程は、切削ブレード１８をウエーハ１１の面取り部１１ｅに切り込ませて実施しているが、研削ホイールに研削砥石をウエーハ１１の面取り部１１ｅに当接させて研削により面取り部１１ｅの一部を除去するようにしてもよい。
【００２６】
面取り部除去工程実施後のウエーハ１１の断面図が図３に示されている。円形の段差部１１ｆは少なくともウエーハ１１の表面１１ａからウエーハ１１の仕上げ厚みに至る深さであり、例えばウエーハ１１の表面１１ａから１００μｍ程度の深さを有している。
【００２７】
面取り部除去工程を実施した後、図４に示すように、ウエーハ１１の表面１１ａに接着性を有する樹脂２７を介してキャリアプレート２５を配設するキャリアプレート配設工程を実施する。樹脂２７は接着剤として作用し、キャリアプレート２５はウエーハ１１の表面１１ａに樹脂２７により貼着される。
【００２８】
キャリアプレート２５は、例えば一様な厚みを有するシリコンウエーハ、又はガラス等から形成されている。本実施形態ではキャリアプレート２５はガラスから形成されているものとして図示している。樹脂２７の厚みは例えば２０μｍ程度が好ましい。
【００２９】
キャリアプレート配設工程実施後、ウエーハ１１の裏面１１ｂから埋め込み銅電極２１の先端の深さを検出する埋め込み銅電極検出工程を実施する。この埋め込み銅電極検出工程は、例えば図５に示すように、研削装置のチャックテーブル２０でキャリアプレート２５を吸引保持し、赤外線カメラ（ＩＲカメラ）２２でウエーハ１１をその裏面１１ｂ側から撮像することにより実施する。
【００３０】
赤外線はシリコンウエーハ１１を透過するため、ＩＲカメラ２２の焦点を変化させてそれぞれウエーハ１１の表面１１ａ、埋め込み銅電極２１の先端及びウエーハ１１の裏面１１ｂに焦点を結ばせてその焦点距離を検出することにより、ウエーハ１１の表面１１ａ、埋め込み銅電極２１の先端及びウエーハ１１の裏面１１ｂの高さを検出することができ、埋め込み銅電極２１先端のウエーハの裏面１１ｂからの深さを検出することができる。
【００３１】
ＩＲカメラ２１を矢印Ａ方向に移動させながらウエーハ１１を撮像して、全ての埋め込み銅電極２１の深さを検出し、この検出した値を研削装置のコントローラに配設されたメモリに格納する。
【００３２】
埋め込み銅電極検出工程実施後、埋め込み銅電極２１がウエーハ１１の裏面１１ｂに露出しない程度にウエーハ１１の裏面１１ｂを研削して薄化する裏面研削工程を実施する。この裏面研削工程では、図６に示すように、研削装置のチャックテーブル２０でキャリアプレート２５を吸引保持し、ウエーハ１１の裏面１１ｂを露出させる。
【００３３】
図６において、研削装置の粗研削ユニット２４は、図示しないモータにより回転駆動されるスピンドル２６と、スピンドル２６の先端に固定されたホイールマウント２８と、ホイールマウント２８に着脱可能に装着された粗研削ホイール３０とを含んでいる。粗研削ホイール３０は、環状のホイール基台３２と、ホイール基台３２の下端部外周に固着された複数の粗研削砥石３４とから構成される。
【００３４】
この裏面研削工程では、チャックテーブル２０を矢印ａで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、粗研削ホイール３０を矢印ｂで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転させるとともに、図示しない研削ユニット送り機構を駆動して粗研削ホイール３０の粗研削砥石３４をウエーハ１１の裏面１１ｂに接触させる。
【００３５】
そして、粗研削ホイール３０を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りする。接触式又は非接触式の厚み測定ゲージでウエーハ１１の厚みを測定しながら、図７に示すように、埋め込み銅電極２１の先端がウエーハ１１の裏面１１ｂに露出する寸前の厚さまでウエーハ１１を研削する。
【００３６】
裏面研削工程中の粗研削工程実施後、ディンプル有無検出工程を実施する。本実施形態では、図７に示すように、非接触式の厚み測定器３８を矢印Ａ方向に走査しながらウエーハ１１の厚みを測定し、ウエーハの局所的な厚みばらつきを検出する。
【００３７】
局所的にウエーハ厚みが薄くなっている部分が検出された場合には、チャックテーブル２０の吸引保持部３６の保持面３６ａとキャリアプレート２５との間に研削屑等の異物を挟み込んでディンプルが形成されたと考えられる。従って、ウエーハ１１をチャックテーブル２０から取り外すと、異物を噛みこんでいた箇所に対応するウエーハ１１の裏面１１ｂにディンプルが形成されている。
【００３８】
このようにウエーハ１１の厚みばらつきを検出して局所的にウエーハ厚みが薄くなっている部分をディンプルとして検出する他、粗研削工程実施後にウエーハ１１の被研削面を撮像して形成した撮像画像をもとにディンプルの有無を検出してもよい。
【００３９】
本発明の加工方法では、ウエーハ１１にディンプルが検出された場合には、キャリアプレート２５に支持されたウエーハ１１をチャックテーブル２０から取り外し、図８に示すように、洗浄液供給ノズル４０から洗浄液４１をチャックテーブル２０の保持面３６ａに供給する。
【００４０】
このチャックテーブル洗浄工程により、保持面３６上の異物が除去されるため、ウエーハ１１にディンプルが形成されたとしても、以後の研削工程でウエーハ１１が研削されてディンプルを除去することができる。
【００４１】
チャックテーブル洗浄工程実施後、ウエーハ１１の裏面１１ｂを仕上げ研削する仕上げ研削工程を実施する。仕上げ研削工程においては、ウエーハ１１を保持したチャックテーブル２０を、図９に示すように、仕上げ研削ユニット４２による仕上げ研削領域に位置付ける。
【００４２】
図９において、仕上げ研削ユニット４２は、図示しないモータにより回転駆動されるスピンドル４４と、スピンドル４４の先端に固定されたホイールマウント４６と、ホイールマウント４６に着脱可能に装着された仕上げ研削ホイール４８とを含んでいる。仕上げ研削ホイール４８は、環状のホイール基台５０と、ホイール基台５０の下端部外周に固着された複数の仕上げ研削砥石５２とから構成される。
【００４３】
仕上げ研削工程では、チャックテーブル２０を矢印ａで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削ホイール４８を矢印ｂで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転させるとともに、図示しない研削ユニット送り機構を駆動して仕上げ研削ホイール４８の研削砥石５２をウエーハ１１の裏面１１ｂに接触させる。
【００４４】
そして、仕上げ研削ホイール４８を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りしてウエーハ１１を２〜３μｍ研削し、埋め込み銅電極２１の先端がウエーハ１１の裏面１１ｂに露出する寸前の厚さまでウエーハ１１を仕上げ研削する。
【００４５】
裏面研削工程実施後、ウエーハ１１の裏面１１ｂからウエーハ１１を選択的にエッチングして、図１１に示すように、埋め込み銅電極２１をウエーハ１１の裏面１１ｂから突出させて貫通電極とするエッチング工程を実施する。このエッチング工程は、例えばプラズマエッチングにより実施するのが好ましい。
【００４６】
エッチング工程実施後、図１２に示すように、ウエーハ１１の裏面１１ｂに絶縁膜２９を被覆する絶縁膜被覆工程を実施する。この絶縁膜被覆工程により、ウエーハ１１の裏面１１ｂのみならず貫通電極２１の先端面にも絶縁膜２９が被覆される。
【００４７】
絶縁膜被覆工程実施後、ウエーハ１１の裏面１１ｂから突出した部分の貫通電極２１を除去して絶縁膜２９から貫通電極２１を露出させるとともに貫通電極２１の頭を絶縁膜２９と同一面に仕上げる仕上げ工程を実施する。
【００４８】
本実施形態では、この仕上げ工程を図１３に示すようなバイト切削装置のバイトホイール６２を用いて実施する。バイト切削装置のバイト切削ユニット５６は、図示しないモータにより回転駆動されるスピンドル５８と、スピンドル５８の先端に固定されたホイールマウント６０と、ホイールマウント６０に着脱可能に装着されるバイトホイール６２とを含んでいる。バイトホイール６２は、環状のホイール基台６４と、ホイール基台６４の下端部外周に装着された切刃６６ａを有するバイト工具６６とから構成される。
【００４９】
チャックテーブル５４に保持されたウエーハ１１の切削加工では、バイトホイール６２を矢印Ｒ方向に約２０００ｒｐｍで回転させつつ図示しないバイト切削ユニット送り機構を駆動して、バイト工具６６の切刃６６ａを貫通電極２１に被覆された絶縁膜２９に所定深さ切り込ませる。
【００５０】
そして、チャックテーブル５４を矢印Ａ方向に例えば１ｍｍ／ｓの送り速度で直線的に移動させながら、ウエーハ１１の上面から突出した貫通電極２１を絶縁膜２９とともに旋回切削する。この旋回切削時には、チャックテーブル５４は回転させずに矢印Ａ方向に加工送りする。
【００５１】
この旋回切削を実施して、図１４に示すように、貫通電極２１を絶縁膜２９から露出させるとともに貫通電極２１の頭をウエーハ１１の表面１１ａに被覆された絶縁膜２９と同一面に仕上げる。
【００５２】
一度の旋回切削で貫通電極２１の頭を絶縁膜２９と同一面に仕上げられない場合には、切り込み深さを調整して旋回切削を複数回実施して、貫通電極２１を絶縁膜２９から露出させるとともに貫通電極２１の頭を絶縁膜２９と同一面に仕上げる。
【００５３】
上述した実施形態のバイト工具６６を用いた仕上げ工程では、バイト工具６６の切刃６６ａで分散して配置された貫通電極２１の突出部を絶縁膜２９とともに旋回切削しているが、旋回切削を実施する前に、絶縁膜２９の表面に樹脂層を被覆し、この樹脂層ごと貫通電極２１の突出部を旋回切削するようにしてもよい。
【００５４】
このように樹脂層を絶縁膜２９の表面に設けることにより、ウエーハの被旋回切削面に突出部をなくすことでバイト工具６６の切刃６６ａが常に樹脂層を旋回切削するため、切削時の加工負荷をある程度均一化することができる。
【００５５】
仕上げ工程は、上述したバイト工具６６によるバイト切削に限定されるものではなく、研削ホイールによる研削加工により実施するようにしてもよい。或いは、ＣＭＰにより貫通電極２１の突出部分を選択的に研磨して、貫通電極２１の頭を絶縁膜２９と同一面に仕上げるようにしてもよい。
【００５６】
バイトホイール６２を使用した仕上げ工程実施後、図１５に示すように、貫通電極２１の頭にバンプ３１を配設するバンプ配設工程を実施する。バンプ３１は例えば半田等から構成され、半田からなるバンプ３１を貫通電極２１の頭に接合する。
【００５７】
バンプ配設工程実施後、図１６に示すように、ウエーハ１１の裏面１１ｂにダイシングテープＴを貼着するとともに、ウエーハ１１の表面１１ａからキャリアプレート２５を取り外し、ウエーハ１１をダイシングテープＴに移し替える移し替え工程を実施する。ダイシングテープＴの外周部は環状フレームＦに貼着されている。これにより、ウエーハ１１はダイシングテープＴを介して環状フレームＦに支持された形態となる。
【００５８】
次いで、例えば図示を省略した切削装置のチャックテーブルでダイシングテープＴを介してウエーハ１１を吸引保持し、図１７に示すように、切削ユニット７０のスピンドル７２の先端に装着された切削ブレード７４でウエーハ１１を分割予定ライン１３に沿ってダイシングテープＴに至るまで切削し、ウエーハ１１を個々のデバイス１５に分割する分割予工程を実施する。各デバイス１５は、両端にバンプ２３，３１が接合された複数の貫通電極２１を有している。
【００５９】
分割工程は、切削ブレード７４による切削に変えて、レーザー加工装置によるレーザー加工により実施しても良い。このレーザー加工は、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザービームを照射してアブレーション加工により分割予定ライン１３に沿ってレーザー加工溝を形成してから、ウエーハに外力を付与してウエーハを個々のデバイス１５に分割する方法、又はウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームを照射してウエーハ内部に改質層を形成し、その後ウエーハに外力を付与して改質層を分割起点にウエーハを個々のデバイス１５に分割する方法の何れでもよい。
【００６０】
上述した実施形態のウエーハの加工方法によると、ウエーハの粗研削を実施した後、ディンプルが形成されているか否かを検出する。ディンプルが検出された場合には、チャックテーブル２０の保持面３６ａとキャリアプレート２５との間に異物を噛みこんでいるケースが考えられるので、チャックテーブル２０の保持面３６ａを洗浄するチャックテーブル洗浄工程を実施する。
【００６１】
従って、新たに研削するウエーハにおいては異物に起因するディンプルが発生する恐れが防止されるとともに、ディンプルが形成されたウエーハでも洗浄工程に次いで実施される仕上げ研削によってディンプルが除去される。よって、ウエーハの厚みばらつきを小さく抑えることが可能となり、バンプの高さがばらつき電気的接続が不安定になる恐れを低減できる。
【符号の説明】
【００６２】
１１    半導体ウエーハ
１１ｅ    面取り部
１３    分割予定ライン
１５    デバイス
１８    切削ブレード
２１    埋め込み銅電極（貫通電極）
２２    ＩＲカメラ
２３，３１    バンプ
２５    キャリアプレート
２９    絶縁膜
３０    粗研削ホイール
３４    粗研削砥石
３８    非接触式厚み測定器
４０    洗浄液供給ノズル
４２    仕上げ研削ユニット
４８    仕上げ研削ホイール
６２    バイトホイール
６６    バイト工具
６６ａ    切刃
７４    切削ブレード
Ｔ    ダイシングテープ
Ｆ    環状フレーム
【図１】
2014053358.tif 000003
【図２】
2014053358.tif 000004
【図３】
2014053358.tif 000005
【図４】
2014053358.tif 000006
【図５】
2014053358.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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