(57)【要約】      （修正有）【課題】電流密度分布の偏りを低減できる発光素子を提供する。【解決手段】発光素子１００は、第１半導体層１０及び第１半導体層１０上の第２半導体層２０を有する半導体構造と、第１半導体層１０上の第１電極３０と、第２半導体層２０上の第２電極４０とを備え、第１電極３０及び第２電極４０側から光が取り出される。第１電極３０は、第１透光膜３１と、第１透光膜３１上、長手方向一端側に第１パッド部３２とを有する。第２電極４０は、第２透光膜４１と、第２透光膜４１上、長手方向他端側で第２透光膜４１外周から内側に離間した第２パッド部４２とを有する。第１透光膜３１は、第２半導体層２０両側に長手方向に延伸する第１透光延伸部３３を有し、第１透光延伸部３３は、第２透光膜４１上面のうち第２パッド部４２よりも第１パッド部３２から遠い遠方領域と短手方向に対向し、遠方領域と短手方向に対向する部位で第１半導体層１０と電気的接続される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面視における形状が長手方向及び短手方向を有する長方形の第１半導体層及び前記第１半導体層上に設けられた第２半導体層を有する半導体構造と、前記第１半導体層上に設けられた第１電極と、前記第２半導体層上に設けられた第２電極と、を備え、前記半導体構造における前記第１電極及び前記第２電極が設けられた側から光を取り出す発光素子であって、
前記第１電極は、前記第１半導体層上に設けられた第１透光膜と、前記第１透光膜上であって前記長手方向の一端側に設けられた第１パッド部と、を有し、
前記第２電極は、前記第２半導体層上に設けられた第２透光膜と、前記第２透光膜上であって前記長手方向の他端側において前記第２透光膜の外周から内側に離間して設けられた第２パッド部と、を有し、
平面視において、
前記第１透光膜は、前記第２半導体層の両側において前記長手方向に延伸する第１透光延伸部を有し、
前記第１透光延伸部は、前記第２透光膜の上面のうち前記第２パッド部よりも前記第１パッド部から遠い側に位置する遠方領域と前記短手方向に対向し、前記遠方領域と前記短手方向に対向する部位にて前記第１半導体層と電気的に接続されている、ことを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記第１透光延伸部は、前記遠方領域を越えてから前記遠方領域と前記長手方向に対向するように前記短手方向に延伸し、前記遠方領域と前記長手方向に対向する部位にて前記第１半導体層と電気的に接続されている、ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
第１透光延伸部は、前記遠方領域と前記長手方向に対向する部位において繋がっている、ことを特徴とする請求項２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第１半導体層と前記第１透光膜との間には、前記第１パッド部の下方において絶縁膜が設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の発光素子。
【請求項５】
前記第１透光延伸部は、前記遠方領域と前記長手方向及び前記短手方向に対向する領域以外では、前記第１半導体層と電気的に接続されていない、ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の発光素子。
【請求項６】
前記第１パッド部には、前記第２パッド部に向かって延伸する第１延伸部が連結されている、ことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の発光素子。
【請求項７】
前記第２パッド部には、前記第１延伸部を挟み込むように延伸する一対の第２延伸部が連結されている、ことを特徴とする請求項６に記載の発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、光取出し面における電流密度分布の偏りが低減された発光素子が求められている。
【０００３】
特許文献１には、平面視が長方形である発光素子において、長手方向の一端側にｎ型電極パッドを設け、長手方向の他端側から内側に離間した位置にｐ型電極パッドを設けることで、ｐ型電極パッド近傍の電流拡散を良好に行うことが開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１０３９５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ｎ型電極パッドとｐ型電極パッドとの間隔は、ｎ型電極パッドとｐ型電極パッドとの間の領域の電流密度分布が悪化しないように一定に保つ必要がある。したがって、発光素子の長手方向の長さを大きくしていくと、ｐ型電極パッドと長手方向の他端との間隔が広がり、このｐ型電極パッドと長手方向の他端との間の領域における電流密度分布が悪化してしまう。
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、電流密度分布の偏りを低減できる発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一態様に係る発光素子は、平面視における形状が長手方向及び短手方向を有する長方形の第１半導体層及び第１半導体層上に設けられた第２半導体層を有する半導体構造と、第１半導体層上に設けられた第１電極と、第２半導体層上に設けられた第２電極と、を備え、半導体構造における第１電極及び第２電極が設けられた側から光が取り出される。第１電極は、第１半導体層上に設けられた第１透光膜と、第１透光膜上であって長手方向の一端側に設けられた第１パッド部と、を有する。また、第２電極は、第２半導体層上に設けられた第２透光膜と、第２透光膜上であって長手方向の他端側において第２透光膜の外周から内側に離間して設けられた第２パッド部と、を有する。そして、平面視において、第１透光膜は、第２半導体層の両側において長手方向に延伸する第１透光延伸部を有し、第１透光延伸部は、第２透光膜の上面のうち第２パッド部よりも第１パッド部から遠い側に位置する遠方領域と短手方向に対向し、遠方領域と短手方向に対向する部位にて第１半導体層と電気的に接続されている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、電流密度分布の偏りを低減できる発光素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態に係る発光素子の平面図である。
【図２】第１実施形態に係る発光素子のＡ−Ａの断面図である。
【図３】第１実施形態に係る発光素子のＢ−Ｂの断面図である。
【図４】第２実施形態に係る発光素子の平面図である。
【図５】第３実施形態に係る発光素子の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照しながら、本実施形態に係る発光素子について説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための例示であって、本発明を以下に限定するものではない。また、各図面が示す部材の位置や大きさ等は、説明を明確にするため誇張していることがある。同一の名称、符号については、原則として同一もしくは同質の部材を示しており、重複した説明は省略する。
［第１実施形態］
【００１１】
第１実施形態に係る発光素子１００について、図１〜３を参考にして説明する。図１は、発光素子１００を上面から見た平面図である。図１において、部材の判別を容易にするため、絶縁膜６０のみ斜線で示す。図２は、図１に示す発光素子１００のＡ−Ａの断面図であり、図３は、図１に示す発光素子１００のＢ−Ｂの断面図である。
【００１２】
図１〜３に示すように、第１実施形態に係る発光素子１００は、平面視における形状が長手方向及び短手方向を有する長方形の第１半導体層１０及び第１半導体層１０上に設けられた第２半導体層２０を有する半導体構造と、第１半導体層１０上に設けられた第１電極３０と、第２半導体層２０上に設けられた第２電極４０と、を備え、半導体構造における第１電極３０及び第２電極４０が設けられた側から光が取り出される。第１電極３０は、第１半導体層１０上に設けられた第１透光膜３１と、第１透光膜３１上であって長手方向の一端１１側に設けられた第１パッド部３２と、を有する。また、第２電極４０は、第２半導体層２０上に設けられた第２透光膜４１と、第２透光膜４１上であって長手方向の他端１２側において第２透光膜４１の外周から内側に離間して設けられた第２パッド部４２と、を有する。そして、平面視において、第１透光膜３１は、第２半導体層２０の両側において長手方向に延伸する第１透光延伸部３３を有し、第１透光延伸部３３は、第２透光膜４１の上面のうち第２パッド部４２よりも第１パッド部３２から遠い側に位置する遠方領域５０（図１の点線で囲われた領域）と短手方向に対向し、遠方領域５０と短手方向に対向する部位にて第１半導体層１０と電気的に接続されている。
【００１３】
これにより、第２パッド部４２と、第１透光延伸部３３における遠方領域５０と短手方向に対向する部位との間を電流が流れるため、遠方領域５０の電流密度が増加する。さらに、第１透光延伸部３３を透光性とすることにより、第１透光延伸部３３が長手方向に延伸しているにもかかわらず、出力の低下も抑制できる。したがって、電流密度分布の偏りを低減するとともに、出力に優れた発光素子１００にすることができる。
【００１４】
なお、以下では便宜的に、第１半導体層１０の長手方向を単に「長手方向」と記載し、第１半導体層１０の短手方向を単に「短手方向」と記載する。また、第１半導体層１０の長手方向の一端１１を単に「一端」と記載し、第１半導体層１０の長手方向の他端１２を単に「他端」と記載する。
【００１５】
以下、発光素子１００を構成する主な部材について説明する。
【００１６】
（半導体構造２５）
半導体構造２５は、第１半導体層１０及び第２半導体層２０を有し、第１半導体層１０上に第２半導体層２０が設けられている。第１半導体層１０及び第２半導体層２０は、互いに異なる極性を有する。本実施形態では、第１半導体層１０をｎ型半導体層、第２半導体層２０をｐ型半導体層としており、第１半導体層１０と第２半導体層２０との間に発光部となる活性層を設けている。
【００１７】
第１半導体層１０及び第２半導体層２０の材料については限定されず、種々のものを用いることができる。例えば、一般式をＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）とする窒化物半導体が挙げられる。
【００１８】
第１半導体層１０は、平面視において、長手方向及び短手方向を有する長方形である。また、図１に示すように、第２半導体層２０は、平面視において、第１半導体層１０の周辺領域及び第１電極３０が設けられる領域を除いた部分に形成されている。本実施形態では、平面視において、素子全体（つまり第１半導体層１０）の大きさを７００μｍ×３００μｍとしている。なお、ここでは、半導体構造２５が基板上に設けられていない例を示したが、例えば、サファイヤからなる基板上に半導体構造２５を設けても良い。
【００１９】
（第１電極３０）
本実施形態における第１電極３０は、ｎ電極として機能する。図２及び図３に示すように、第１半導体層１０の一部は第２半導体層２０から露出しており、その露出した第１半導体層１０上に第１電極３０が設けられる。第１電極３０は、図１から図３に示すように、第１半導体層１０上に設けられる第１透光膜３１と、第１透光膜３１から平面方向に延伸する第１透光延伸部３３と、第１透光膜３１上に設けられる第１パッド部３２と、第１パッド部３２から平面方向に延伸する第１延伸部３６と、を有する。
【００２０】
第１透光膜３１は、第１透光延伸部３３から伝送される電流を第１パッド部３２に伝えるものである。
【００２１】
第１透光膜３１は、第１半導体層１０の上面と接するように設けても良いし、図２に示すように、第１半導体層１０と第１透光膜３１の間に絶縁膜６０を介して設けることもできる。第１半導体層１０と第１透光膜３１との間に絶縁膜６０を介在させることで、第１パッド部３２近傍の電流密度が過度になるのを抑制することができると共に、絶縁膜６０で光を反射させることにより第１パッド部３２での光の吸収を抑制することができる。なお、絶縁膜６０は、第１透光膜３１の下面において部分的に設けることもできる。
【００２２】
第１透光延伸部３３は、一端１１側から他端１２側に向かって延伸しており、遠方領域５０に電流が流れるようにするための部材である。第１透光延伸部３３は、第１透光部３１と一体的に形成されており、第１透光膜３１から二手に分かれて延伸する。図１に基づいて詳細に説明すると、第１透光延伸部３３は、まず、一端１１側で第１透光膜３１と連結しており、そこから一端１１側（図１における上方向）に延伸する。次に、第１半導体層１０の短手方向に延伸するように方向（図１における左右方向）を変え、一端１１側における第１半導体層１０の長辺と短辺とが交差する角部の近傍まで延伸する。次に、第１半導体層１０の長手方向（図１における下方向）に延伸方向を変え、第２半導体層２０の両側において延伸する。
【００２３】
第１透光膜３１から二手に分かれて延伸するそれぞれの第１透光延伸部３３は、短手方向の中央を基準にして対称であることが好ましい。これにより、発光素子１００の短手方向の電流密度分布の偏りを低減することができる。なお、本実施形態では、第１透光膜３１から延伸する時点で二手に分かれるように第１透光延伸部３３を設けているが、第１透光膜３１から延伸した後に二手に分かれるようにして設けることもできる。また、第１透光延伸部３３は、図１では第１透光膜３１と一端１１側で連結し、一端１１側に延伸するが、第１透光膜３１の形状や配置に応じて第１透光膜３１から一端１１側に延伸せず、短手方向にそのまま延伸しても良い。
【００２４】
図１では、第１透光延伸部３３が延伸する方向を直角に変えているが、曲線状に変えることもできる。第１透光延伸部３３が延伸する方向を曲線状に変えることで、延伸方向が変わる領域近傍において電流密度が過度に高くなることを抑制することができる。
【００２５】
第１透光延伸部３３は、図１に示すように、第２透光膜４１の上面のうち第２パッド部４２よりも第１パッド部３２から遠い側に位置する遠方領域５０と短手方向に対向し、遠方領域５０と短手方向に対向する部位にて第１半導体層１０と電気的に接続する。すなわち、一端１１側から他端１２側に延伸する第１透光延伸部３３は、第２パッド部４２における他端１２側の先端部（図１に示す「点ａ」）と短手方向に対向する位置（図１に示す「点ｂ」）よりも他端１２側に延伸する。このとき、第１透光延伸部３３における点ｂより他端１２側の部位が、第１半導体層１０と電気的に接続されている。これにより、遠方領域５０における電流密度を増加させることができるので、発光素子１００の電流密度分布の偏りを低減することができる。さらに、第１透光延伸部３３は透光性を有するので、光取出し効率の低減も最小限に抑えることができる。ここでは、第１透光延伸部３３における第１半導体層１０と電気的に接続されている部位と第１半導体層１０と電気的に接続されていない部位との境界点が、第２パッド４２における他端１２側の先端（図１に示す「点ａ」）と短手方向に対向する位置（図１に示す「点ｂ」）であるが、この境界点は点ｂから一端１１側に例えば４０μｍ程度の範囲内でずれても良い。
【００２６】
第１透光延伸部３３は、図１に示すように、遠方領域５０と長手方向及び短手方向に対向する領域以外の部位（すなわち、点ｂより一端１１側の部位）において、第１半導体層１０と電気的に接続しないように構成することができる。これにより、第２パッド部４２と、第１透光延伸部３３のうち遠方領域５０と短手方向に対向する部位との間に電流が流れるため、遠方領域５０の電流密度を増加させることができる。ここで、「電気的に接続されていない」とは、例えば、図２に示すように、第１半導体層１０と第１透光延伸部３３との間に、絶縁膜６０を設けることで、第１半導体層１０と第１透光延伸部３３との間に電流が流れないようにすることを指す。
【００２７】
第１透光延伸部３３の幅は、延伸する途中で変えることもできるが、本実施形態では５μｍで均一にしている。
【００２８】
第１透光部３１及び第１透光延伸部３３の材料は、発光素子１００内部で発光した光を透過できるような透光性を有し、且つ、電流を伝送できるような導電性を有する材料であれば良い。例えば、ＩＴＯが挙げられる。
【００２９】
第１パッド部３２は、導電性のワイヤ等の外部接続部材を接続するための部材である。第１パッド部３２は、図１に示すように、第１透光部３１上であって一端１１側に設けられる。より好ましくは、さらに、第１パッド部３２は、第１半導体層１０の短手方向の中央に設けられるのが良い。これにより、短手方向における電流密度分布の偏りを低減することができる。本実施形態では、長手方向の長さが７００μｍ、短手方向の長さが３００μｍの発光素子１００において、一端１１から他端１２側に５４μｍ離間し且つ短手方向における中央の位置に、第１パッド部３２の中心部を配置している。
【００３０】
第１パッド部３２の形状は、図１に示すように円形としている。本実施形態では、その直径が７０μｍとなるように第１パッド部３２を形成している。
【００３１】
第１延伸部３６は、第１パッド部３２と第２パッド部４２との間の領域の電流密度分布をより均一にするための部材であり、第１パッド部３２と一体的に形成されている。第１延伸部３６は、第１半導体層１０上に設けられ、第１半導体層１０と電気的に接続される。そして、第１延伸部３６の一方の端部は、図１に示すように、第１パッド部３２に連結されている。
【００３２】
第１延伸部３６は、図１に示すように、第１パッド部３２から第２パッド部４２に向かって直線状に延伸する。この第１延伸部３６の配置に対して、第２延伸部４３が第１延伸部３６を挟み込むような配置にすると、第１パッド部３２と第２パッド部４２との間の領域の電流密度分布を良好にすることができる。
【００３３】
第１パッド部３２及び第１延伸部３６の材料としては、例えば、Ｔｉ層／Ｒｈ層／Ｗ層／Ａｕ層、あるいは、Ｃｒ及びＲｈの含有層／Ｐｔ層／Ｒｈ層／Ａｕ層が挙げられる。なお、「Ｔｉ層／Ｒｈ層／Ｗ層／Ａｕ層」は、第１半導体層１０側からＴｉ層、Ｒｈ層、Ｗ層及びＡｕ層の順に積層された多層膜を指す。
【００３４】
（第２電極４０）
本実施形態における第２電極４０は、ｐ電極として機能し、第２半導体層２０へ電流を供給する部材である。第２電極４０は、図３に示すように、第２半導体層２０上に設けられる。第２電極４０は、図１に示すように、第２半導体層２０上に設けられる第２透光膜４１と、第２透光膜４１上に設けられる第２パッド部４２と、第２パッド部４２から平面方向に延伸する第２延伸部４３と、を有する。
【００３５】
第２透光膜４１は、第２半導体層２０上面の広い範囲に電流を流すためのものである。第２透光膜４１は、第２半導体層２０上面の略全域に設けられており、図２及び図３に示すように、第２半導体層２０の端部の少し内側に設けられている。なお、発光素子１００の第２透光膜４１は、図２及び図３に示すように、第２半導体層２０の端部から若干内側に設けられているが、図１では便宜的に第２半導体層２０の端部と面一なものとして図示している。
【００３６】
第２透光膜４１は、発光素子１００内部で発光した光を透過できるような透光性を有し、且つ、電流を効率良く供給できるような導電性を有する材料であれば良い。例えば、ＩＴＯが挙げられる。
【００３７】
第２パッド部４２は、外部接続部材を接続させるための部材であり、外部接続部材からの電流を受け取り、第２透光膜４１に供給する機能を果たす。第２パッド部４２は、図１に示すように、第２透光膜４１上であって他端１２側において第２透光膜４１の外周から内側（言い換えると、一端１１側）に離間して設けられる。発光素子１００の平面視におけるサイズが本実施形態と同じ程度の一般的なものである場合、第２パッド部４２の他端１２側の先端（図１に示す「点ａ」）を、第２半導体層２０の他端から５０μｍ〜３００μｍ、好ましくは５０μｍ〜２００μｍ、さらに好ましくは１００μｍ〜１５０μｍ離間させるのが良い。これにより、第１パッド部３２と第２パッド部４２との間の領域の電流密度と、遠方領域５０の電流密度との偏りを小さくすることができ、発光素子１００全体の電流密度分布の偏りを低減することができる。また、第２パッド部４２は、他端１２側に配置され、さらに、短手方向の中央に設けられることが好ましい。これにより、発光素子１００の短手方向における電流密度分布の偏りを低減することができる。本実施形態では、長手方向の長さが７００μｍ、短手方向に長さが３００μｍの発光素子１００において、第２パッド部４２は、短手方向の中央に位置し、第２パッド部４２の他端１２側の先端部（図１に示す「点ａ」）が第２半導体層２０の他端から１１６μｍ離間している。
【００３８】
第２延伸部４３は、第１パッド部３２と第２パッド部４２との間の領域の電流密度分布をより均一にするための部材であり、第２パッド部４２と一体的に形成されるものである。第２延伸部４３は、図１に示すように、第２透光膜４１上に設けられ、第２透光膜４１と電気的に接続される。そして、第２延伸部４３の一方の端部は、図１に示すように、第２パッド部４２に連結する。本実施形態では、図１に示すように、第１延伸部３６を挟み込むように延伸する一対の第２延伸部４３が設けられる。
【００３９】
第２パッド部４２及び第２延伸部４３の材料としては、第１パッド部３２及び第１延伸部３６の材料と同じものを用いることができ、例えば、Ｔｉ層／Ｒｈ層／Ｗ層／Ａｕ層、あるいは、Ｃｒ及びＲｈの含有層／Ｐｔ層／Ｒｈ層／Ａｕ層が挙げられる。
【００４０】
（絶縁膜６０）
絶縁膜６０は、第１電極３０における所定の部位が第１半導体層１０と電気的に接続しないようにするためのものである。
【００４１】
絶縁膜６０は、図２に示すように、第１パッド部３２の下方であって第１透光膜３１と第１半導体層１０との間に設けられるのが好ましい。これにより、第１透光膜３１と電気的に接続している第１パッド部３２が第１半導体層１０と上下方向において電気的に接続することを抑制できるので、第１パッド部３２近傍の電流密度が過度に高くなるのを抑制することができる。
【００４２】
絶縁膜６０は、第１透光延伸部３３における遠方領域５０と長手方向及び短手方向に対向しない部位（すなわち、図１で示すと、第１透光膜３１との連結点から点ｂまでの部位）と第１半導体層１０との間に設けられるのが好ましい。これにより、第１透光延伸部３３における遠方領域５０と長手方向及び短手方向に対向していない部位での電流損失を抑制し、遠方領域５０まで電流を広げることができる。
【００４３】
第１透光膜３１の下方に設けられる絶縁膜６０は、第１透光膜３１より幅広であることが好ましい。これにより、第１透光膜３１が第１半導体層１０と確実に電気的に接続されないようにすることができる。本実施形態では、直径が７５μｍの第１透光膜３１に対して、絶縁膜６０の直径を８０μｍとしている。同様に、第１透光延伸部３３における遠方領域５０と長手方向及び短手方向に対向していない部位の下方に設けられる絶縁膜６０は、第１透光延伸部３３における遠方領域５０と長手方向及び短手方向に対向していない部位より幅広であることが好ましい。本実施形態では、幅が５μｍの第１透光延伸部３３に対して、絶縁膜の幅を８μｍとしている。
【００４４】
絶縁膜６０の材料は、例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４が挙げられる。
［第２実施形態］
【００４５】
第２実施形態に係る発光素子２００について、図４を参照しながら説明する。図４は、発光素子２００を上面から見た平面視である。発光素子２００は、第１透光延伸部の配置が異なる以外は実質的に発光素子１００と同じ構成である。
【００４６】
第１透光延伸部３４は、図４に示すように、遠方領域５０を超えてから遠方領域５０と長手方向に対向するように短手方向に延伸し、遠方領域５０と長手方向に対向する部位にて第１半導体層１０と電気的に接続される。これにより、発光素子１００よりも遠方領域５０内を流れる電流が増加するので、素子全体としての電流密度分布の偏りをより抑制することができる。
【００４７】
平面視における第１半導体層１０の長手方向の他端１２側の角部において、図４に示すように第１透光延伸部３４が延伸する方向を直角に変えても良いし、曲線状に方向を変えることもできる。第１透光延伸部３４が延伸する方向を曲線状に変えることで、第１透光延伸部３４における延伸方向が変わる領域において電流が過度に集中することを抑制することができる。
［第３実施形態］
【００４８】
第３実施形態に係る発光素子３００について、図５を参照しながら説明する。図５は、発光素子３００を上面から見た平面視である。発光素子３００は、第１透光延伸部の配置のみが異なる以外は実質的に発光素子１００と同じ構成である。
【００４９】
第１透光延伸部３５は、図５に示すように、遠方領域５０と長手方向に対向する部位において繋がっている。これにより、発光素子２００と比べて遠方領域５０内を流れる電流が増加するので、素子全体としての電流密度分布の偏りをより抑制することができる。
【符号の説明】
【００５０】
１００、２００、３００・・・発光素子
１０・・・第１半導体層
１１・・・一端
１２・・・他端
２０・・・第２半導体層
２５・・・半導体構造
３０・・・第１電極
３１・・・第１透光膜
３２・・・第１パッド部
３３、３４、３５・・・第１透光性延伸部
３６・・・第１延伸部
４０・・・第２電極
４１・・・第２透光膜
４２・・・第２パッド部
４３・・・第２延伸部
５０・・・遠方領域
６０・・・絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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