(57)【要約】      （修正有）【課題】反射鏡の平坦度に係る干渉計の計測誤差を補正するのに有利なリソグラフィー装置を提供する。【解決手段】リソグラフィー装置は、パターンを基板２に形成するものであり、原版または基板２を保持して可動の保持部４と、保持部４の上面に交差する計測方向における保持部４の位置を計測する干渉計５ａ、５ｂ、５ｃと、上面に設けられ、基準面を有する基準部材２０、２１と、基準面に対向するように設けられ、基準面の計測方向における位置を計測する計測器２５、２６と、干渉計の計測値と計測器の計測値とに基づいて、干渉計の計測値を補正するための補正データを得る制御部とを有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンを基板に形成するリソグラフィー装置であって、
原版または前記基板を保持して可動の保持部と、
前記保持部の上面に交差する計測方向における前記保持部の位置を計測する干渉計と、
前記上面に設けられ、基準面を有する基準部材と、
前記基準面に対向するように設けられ、前記基準面の前記計測方向における位置を計測する計測器と、
前記干渉計の計測値と前記計測器の計測値とに基づいて、前記干渉計の計測値を補正するための補正データを得る制御部と、
を有することを特徴とするリソグラフィー装置。
【請求項２】
前記干渉計と前記計測器とを支持する定盤を有する、ことを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィー装置。
【請求項３】
前記基準部材は、前記上面における１つの方向を長手方向として延びており、
前記制御部は、前記長手方向における前記保持部の複数の位置に関して前記補正データを得る、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のリソグラフィー装置。
【請求項４】
前記基準部材は、前記上面における互いに交差する２つの方向をそれぞれ長手方向として延びた２つの基準部材を含み、
前記計測器は、前記２つの基準部材にそれぞれ対応する２つの計測器を含む、
ことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載のリソグラフィー装置。
【請求項５】
前記計測器は、前記保持部がその可動範囲の中心にある場合に、前記基準部材の中心に対向するように配置されている、ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載のリソグラフィー装置。
【請求項６】
前記計測器は、静電容量センサーを含み、
前記基準部材は、導電性を有する、
ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載のリソグラフィー装置。
【請求項７】
前記基準部材は、前記干渉計において計測光を反射する部材と共用される、ことを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載のリソグラフィー装置。
【請求項８】
１つの前記基準部材に対して複数の前記計測器を設ける、ことを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載のリソグラフィー装置。
【請求項９】
請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載のリソグラフィー装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィー装置、およびそれを用いた物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスや液晶表示装置などの製造工程に含まれるリソグラフィー工程では、露光装置などのリソグラフィー装置により基板上にパターンが形成される。例えば、露光装置は、原版（レチクル、マスク）のパターンを、投影光学系を介して感光性の基板（表面にレジスト層が形成されたウエハやガラスプレートなど）に転写する。この露光装置のようなリソグラフィー装置は、基板を保持するステージ（保持部）を位置決めして基板にパターンを形成する。当該位置決めのため、ステージの位置や姿勢は、干渉計により計測され得る。従来、ステージの位置決め精度を向上させるべく、干渉計の計測光を反射させるステージ上の反射鏡の平坦度を予め計測し、干渉計の計測値を当該平坦度に基づいて補正することが行われている。特許文献１は、Ｚ軸方向（鉛直方向）の位置決め精度を向上させるために、斜入射フォーカスセンサーと平坦面を有する基準基板とを用いてＺ軸方向の位置決めのための反射鏡の平坦度を計測する露光装置を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−３０２４９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、特許文献１に示す露光装置では、斜入射フォーカスセンサーを利用するため、投影光学系とステージとの間には、センサーから基準基板の平坦面に向かう光を通過させるスペースが必要となる。しかしながら、例えば、電子線のような荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置のようなリソグラフィー装置の場合、鏡筒（例えば、荷電粒子光学鏡筒）と基板との間隔が狭いため、上記スペースを要する計測を実施することは難しい。
【０００５】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、例えば、反射鏡の平坦度に係る干渉計の計測誤差を補正するのに有利なリソグラフィー装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は、パターンを基板に形成するリソグラフィー装置であって、原版または基板を保持して可動の保持部と、保持部の上面に交差する計測方向における保持部の位置を計測する干渉計と、上面に設けられ、基準面を有する基準部材と、基準面に対向するように設けられ、基準面の計測方向における位置を計測する計測器と、干渉計の計測値と計測器の計測値とに基づいて、干渉計の計測値を補正するための補正データを得る制御部と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、例えば、反射鏡の平坦度に係る干渉計の計測誤差を補正するのに有利なリソグラフィー装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る描画装置の構成を示す側面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る描画装置の構成を示す平面図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る描画装置の構成を示す側面図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る描画装置の構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。
【００１０】
（第１実施形態）
まず、本発明の第１実施形態に係るリソグラフィー装置の構成について説明する。リソグラフィー装置は、半導体デバイスや液晶表示装置などの製造工程のうちのリソグラフィー工程にて使用される装置であり、本実施形態では、以下、一例として描画装置であるものとする。描画装置は、単数または複数の電子ビーム（荷電粒子線）を偏向させ、かつ電子ビームのブランキング（照射のＯＦＦ）を制御することで、所定のパターンをウエハ（基板）の所定の位置に描画する。なお、荷電粒子線は、電子ビーム（電子線）に限らず、例えばイオンビーム（イオン線）でもよい。図１および図２は、本実施形態に係る描画装置１の構成を示す概略図である。特に、図１は、側面図（正面図）であり、図２は、図１の側面図に対応した平面図である。この図１および図２では、ウエハ２に対する電子ビームのノミナルの照射方向（本実施形態では鉛直方向）にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内に互いに直交するＸ軸およびＹ軸を取っている。描画装置１は、電子線鏡筒（電子光学鏡筒または荷電粒子光学鏡筒ともいう）３と、ウエハ２を保持する基板ステージ４と、基板ステージ４の位置を計測する干渉計５と、干渉計５の計測値補正用の計測器６と、制御部７とを有する。ここで、ウエハ２は、例えば単結晶シリコンからなる被処理体であり、表面上には感光性のレジスト（感光剤）が塗布されている。
【００１１】
電子線鏡筒３は、不図示であるが、電子銃や、クロスオーバーから発散した電子ビームを偏向および結像させる光学系を内部に含む。電子銃は、熱や電界の印加により電子（電子ビーム）を放出する。光学系は、静電レンズ、電子ビームを遮蔽可能とするブランキング偏向器、ストッピングアパーチャ、さらには、ウエハ２の表面上に像を特定の方向に偏向する偏向器などを含む。この電子線鏡筒３は、定盤８により支持されており、この定盤８は、不図示であるが床面に敷設された床定盤に支柱などを介して固定される。なお、電子ビームの減衰や、荷電粒子光学系を構成する素子での高電圧による放電を防止または低減するため、電子線鏡筒３の内部は、不図示の真空排気系により、予め定めた高真空となるように気圧が調整される。
【００１２】
基板ステージ（保持部）４は、例えば静電気力によりウエハ２を保持しつつ、不図示の駆動機構により、Ｘ、Ｙ、Ｚの各軸方向と、各軸周りのθｘ、θｙ、θｚの各回転方向との全６方向に（すなわち６自由度をもって）可動である。この基板ステージ４も、不図示のチャンバー内に設置され、当該チャンバー内部も真空排気系により気圧が調整される。
【００１３】
干渉計５は、基板ステージ４の６方向の位置を計測可能とするために、特に本実施形態では、それぞれ支柱９を介して定盤８に設置された、第１干渉計５ａ、第２干渉計５ｂ、および第３干渉計５ｃの３つの干渉計を含む。第１干渉計５ａは、図２に示すように、基板ステージ４の側面に設置されている不図示の反射鏡に向けて、Ｘ軸方向に３つの計測光を照射可能とする。この第１干渉計５ａにより、基板ステージ４のＸ軸方向の位置、Ｙ軸周りの回転姿勢θｙ、およびＺ軸周りの回転姿勢θｚが計測できる。第２干渉計５ｂは、図２に示すように、基板ステージ４の側面に向けて、Ｙ軸方向に２つの計測光を照射可能とする。これらの２つの計測光のうち、１つの計測光は、基板ステージ４の側面に設置されている反射鏡に照射される。この反射光の受光により、第２干渉計５ｂは、基板ステージ４のＹ軸方向の位置を計測できる。もう１つの計測光は、基板ステージ４の側面に延設された三角跳ね上げ鏡１０ａによりＺ軸方向上方に曲げられ、定盤８に支持されているＺ軸方向用の基準鏡１１ａに反射する。この反射光は、再び、三角跳ね上げ鏡１０ａに戻って曲げられて第２干渉計５ｂに戻る。この反射光の受光により、第２干渉計５ｂは、基板ステージ４のＹ軸方向とＺ軸方向とに関する情報を含む位置を計測できるので、上記もう一方の計測光で得られたＹ軸方向の位置を参照することで、最終的に基板ステージ４のＺ軸方向の位置が求められる。第３干渉計５ｃは、図２に示すように、基板ステージ４を基準として第２干渉計５ｂの対向側に設置され、その計測方法は、第２干渉計５ｂと同一である。第３干渉計５ｃによる計測に用いられる、三角跳ね上げ鏡１０ｂとＺ軸方向用の基準鏡１１ｂは、それぞれ、三角跳ね上げ鏡１０ａとＺ軸方向用の基準鏡１１ａに対応している。このように、Ｙ軸方向で第２干渉計５ｂと第３干渉計５ｃとの２つの干渉計を用いることで、Ｚ軸方向の位置を２つの計測から得ることができるので、これらの２つの計測値を参照することで、最終的に基板ステージ４のＸ軸周りの回転姿勢θｘが求められる。なお、干渉計５の構成は、上記の構成に限られるものではない。例えば、第２干渉計５ｂが、Ｙ軸方向に３つの計測光を有するようにしてもよく、第２干渉計５ｂだけで、Ｙ軸方向の位置、Ｚ軸方向の位置、およびＸ軸周りの回転姿勢θｘを計測できるようにしてもよい。この場合、第３干渉計５ｃを設置する必要はない。
【００１４】
計測器６は、静電容量センサー（以下「センサー」という）と、このセンサーに対応した計測ターゲット（計測用ターゲット、以下「ターゲット」という）との組を複数（本実施形態では２組）有する。このセンサーは、基準部材（本実施形態ではターゲット）が有する基準面までの距離を計測する計測器の一例であり、絶対位置を計測するアブソリュート型で、一般的に安価かつ省スペースであるという利点がある。一方、この種のセンサーを用いる場合のターゲットは、例えば、導電性を有する材料で構成されるのが望ましく、かつセンサーの計測値を安定させるために接地されていることが望ましい。
【００１５】
まず、図２に示すように、基板ステージ４の基板保持側の上面において、ウエハ２を吸着保持する吸着部と、Ｘ、Ｙ軸方向の各端部とに挟まれた領域に、第１ターゲット２０と第２ターゲット２１とが１つずつ設置される。このうち、第１ターゲット２０は、基板ステージ４のＸ軸方向のストローク２２に合わせて連続して延設され、その長手方向の長さは、ストローク２２の長さ（距離）以上である。同様に、第２ターゲット２１は、基板ステージ４のＹ軸方向のストローク２３に合わせて連続して延設され、その長手方向の長さは、ストローク２３の長さ以上である。ここで、ストローク（ステージストローク）は、ウエハ２の略全面に対して描画処理を実施可能するために、基板ステージ４に要求される移動行程であり、互いに交差するＸ、Ｙ軸方向で少なくともウエハ２の直径以上の距離が設定される。すなわち、基板ステージ４は、このストロークの間において高精度な位置決めが要求されることになる。なお、ストロークは、描画処理以外のアライメント処理などのためにウエハ２の直径より長くする必要もあるため、必要なストロークは、そのリソグラフィー装置によって異なり得る。以下、本実施形態では、基板ステージ４の各ストローク２２、２３は、説明の簡単化のために、ステージ位置の中央をＸ、Ｙ軸方向のストローク中心であるとし、それぞれウエハ２の直径サイズ分の距離とする。さらに、図２では、参考として、各ストローク２２、２３をこのような距離とすることで移動し得る基板ステージ４の可動範囲２４を点線で示している。
【００１６】
これらの第１ターゲット２０と第２ターゲット２１との設置位置に対して、定盤８には第１センサー２５と第２センサー２６とが１つずつ設置される。このうち、第１センサー２５は、第１ターゲット２０のＺ軸方向（計測方向）の位置を計測する。この第１センサー２５のＸＹ平面における配置は、図２に示すように、基板ステージ４が各ストローク２２、２３の中心（ステージの基準位置）にあるときに、第１ターゲット２０のＸ軸方向の中心を計測するような配置としている。一方、第２センサー２６は、第２ターゲット２１のＺ軸方向の位置を計測する。この第２センサー２６のＸＹ平面における配置も、第１センサー２５の場合と同様に、基板ステージ４が基準位置にあるときに、第２ターゲット２１のＹ軸方向の中心を計測するような配置としている。第１センサー２５および第２センサー２６をこのように配置することで、第１ターゲット２０および第２ターゲット２１が設置される基板ステージ４のＸＹ平面上のサイズを極力小さくすることができる。
【００１７】
制御部７は、例えばコンピュータなどで構成され、描画装置１の各構成要素に回線を介して接続され、プログラムなどにしたがって各構成要素の制御を実行し得る。特に本実施形態の制御部７は、少なくとも、後述のように第１センサー２５と第２センサー２６との計測値を参照して干渉計５のＺ軸方向の計測値を補正する演算を実行する。なお、制御部７は、描画装置１の他の部分と一体で（共通の筐体内に）構成してもよいし、描画装置１の他の部分とは別体で（別の筐体内に）構成してもよい。
【００１８】
次に、描画装置１における干渉計５の計測値の補正処理について説明する。描画装置１は、基板ステージ４上のウエハ２に対して描画処理を実施するに際し、制御部７は、基板ステージ４の位置決め動作を制御する。このとき、制御部７は、基板ステージ４の各方向の位置を、干渉計５（第１干渉計５ａ〜第３干渉計５ｃ）による計測値を参照して決定する。しかしながら、干渉計５の計測光を反射する反射鏡（三角跳ね上げ鏡１０ａ、１０ｂや基準鏡１１ａ、１１ｂの総称）は、完全な平面ではなく歪みや傾きを有するため、これらの反射鏡を介した干渉計５の計測値は、その歪みや傾き分の誤差を含んだ値となる。具体的には、基板ステージ４がＸ軸方向に移動したときには、三角跳ね上げ鏡１０ａ、１０ｂの歪みや傾きがＺ軸方向の計測値に誤差を生じさせる。一方、基板ステージ４がＹ軸方向に移動したときには、基準鏡１１ａ、１１ｂの歪みや傾きがＺ軸方向の計測値に誤差を生じさせる。そこで、描画装置１は、干渉計５による位置計測とは別に、計測器６を用いて、干渉計５を支持している定盤８を基準とした基板ステージ４（第１ターゲット２０および第２ターゲット２１）の（絶対）位置を計測する。まず、制御部７は、基板ステージ４をステージ基準位置にある状態からＸ軸方向に移動させつつ、干渉計５と第１センサー２５とに、Ｘ軸方向のストロークの全域での位置計測を実施させ、その計測値を取得する。同様に、制御部７は、基板ステージ４をステージ基準位置にある状態からＹ軸方向に移動させつつ、干渉計５と第２センサー２６と、Ｙ軸方向のストロークの全域での位置計測を実施させ、その計測値を取得する。このとき、第１センサー２５と第２センサー２６との計測値、すなわち基板ステージ４のＺ軸方向の位置（姿勢）は、反射鏡を介さずに計測されたものであるため、反射鏡の歪みや傾きなどの影響を受けない。したがって、制御部７は、第１センサー２５と第２センサー２６とによる計測値を参照することで、干渉計５のＺ軸方向の計測値の反射鏡の平面度（平坦度）による誤差を補正するための補正データを求めることができる。
【００１９】
なお、上記のように静電容量センサーとターゲットとを利用した場合の補正精度は、ターゲット（第１ターゲット２０および第２ターゲット２１）の面精度（平面度）に依存する。したがって、必要な補正精度に応じて、適切な平面度を有するターゲットを準備することが望ましい。例えば、高精度な補正が要求される場合には、ターゲットは、それらの平面度が必要な精度を満たすように平面加工されたものとする。また、基板ステージ４上にターゲットを取り付けることで、ターゲットの平面度が変化してしまう場合には、基板ステージ４上にターゲットを取り付けた状態で、ターゲットの平面度をフィゾー干渉計などの計測装置で計測した値をさらに補正に利用してもよい。あるいは、１つのターゲット（例えば第１ターゲット２０）に対してセンサー（例えば第１センサー２５）を２つ備える構成としてもよい。この場合、ターゲットの同一箇所を当該２つのセンサーに計測させて、これらのセンサーの計測値に基づいて、ターゲットの平面度の影響を受けずに、または軽減して補正データを求める。
【００２０】
また、本実施形態では、計測器６（または計測器３５）を構成するセンサーとして、アブソリュート型の静電容量センサーを採用したが、本発明は、これに限定するものではない。例えば、計測器６は、センサーとして撮像素子を採用し、さらに、基板ステージ４上の計測ターゲットとしてマークが形成されている延設平板を採用する構成としてもよい。この場合、センサーは、光学系を介してマークを撮像し、像のコントラストの変化から計測ターゲットのＺ軸方向の位置を計測する構成とし得る。
【００２１】
さらに、本実施形態では、リソグラフィー装置として描画装置の例を説明したが、リソグラフィー装置は、これに限定するものではない。例えば、投影光学系を介して原版（レチクル、マスク）のパターンを基板に投影する露光装置であってもよく、または、型（モールド）を用いて基板上のインプリント材を成形（成型）して基板上にパターンを形成するインプリント装置であってもよい。ここで、描画装置１の例では、計測器６は、図１に示すように、電子線鏡筒３と基板ステージ４とのギャップ（間隔）が狭くても計測を行うことができる。上述の他の露光装置やインプリント装置の場合も、電子線鏡筒に換わる鏡筒や型保持部があるため、本実施形態の構成を適用すれば、同様の効果がある。
【００２２】
以上のように、本実施形態によれば、反射鏡の平坦度に係る干渉計の計測誤差を補正するのに有利なリソグラフィー装置を提供することができる。
【００２３】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係るリソグラフィー装置について説明する。本実施形態に係るリソグラフィー装置の特徴は、第１実施形態に係る描画装置１のうち基板ステージ４の構成を変更し、それに伴い、干渉計５および計測器６の構成についても変更する点にある。図３および図４は、第１実施形態に係る描画装置１の構成を示す図１および図２にそれぞれ対応した、本実施形態に係る描画装置３０の構成を示す概略図である。特に、図３は、側面図であり、図４は、図３の側面図に対応した平面図である。なお、図３および図４において、図１および図２に示すものと同一構成のものには同一の符号を付し、説明を省略する。まず、描画装置３０は、第１実施形態の基板ステージ４に換えて、ウエハ２を保持して６方向に可動の微動ステージ３１と、この微動ステージ３１を移動可能に支持してＸ軸方向に可動の粗動ステージ３２とを含む基板ステージ３３を有する。さらに、描画装置３０は、第１実施形態の干渉計５および計測器６に換えて、干渉計３４および計測器３５を有する。
【００２４】
干渉計３４は、まず、微動ステージ３１の位置を計測するために、本実施形態では、それぞれ支柱９を介して定盤８に設置された、第１干渉計３４ａおよび第２干渉計３４ｂの２つの干渉計を含む。第１干渉計３４ａは、図４に示すように、微動ステージ３１の側面に設置されている不図示の反射鏡に向けて、Ｘ軸方向に３つの計測光を照射する。この第１干渉計３４ａにより、微動ステージ３１のＸ軸方向の位置、Ｙ軸周りの回転姿勢θｙ、およびＺ軸周りの回転姿勢θｚが計測できる。第２干渉計３４ｂは、図４に示すように、微動ステージ３１の側面に向けて、Ｙ軸方向に２つの計測光を照射可能とする。この第２干渉計３４ｂにより、微動ステージ３１のＹ軸方向の位置、Ｘ軸周りの回転姿勢θｘが計測できる。
【００２５】
干渉計３４は、さらに、微動ステージ３１のＺ軸方向の位置を計測するために、それぞれ粗動ステージ３２上に設置される第３干渉計３４ｃおよび第４干渉計３４ｄの２つの干渉計を含む。第３干渉計３４ｃは、図４に示すように、粗動ステージ３２上のＸ軸方向のマイナス側に設置された三角跳ね上げ鏡３６ａに向けて、２つの計測光を照射する。この２つの計測光は、ともに三角跳ね上げ鏡３６ａによりＺ軸方向上方に曲げられ、定盤８のＸ軸方向に延設されている第１三角鏡３７ａに向かう。第１三角鏡３７ａで反射された２つの計測光は、Ｙ軸方向に沿って進み、Ｙ軸方向において電子線鏡筒３の中心と重なる位置に設けられている第２三角鏡３８ａに向かう。そして、第２三角鏡３８ａで反射された２つの計測光のうちの１つの計測光は、微動ステージ３１の上方において定盤８に対して平行に支持されている第１基準鏡３９ａに照射される。第３干渉計３４ｃは、この第１基準鏡３９ａからの反射光を微動ステージ３１のＺ軸方向の位置を計測するための基準光として受光する。もう１つの計測光は、微動ステージ３１上に設けられた第１反射板（反射鏡）４０ａに照射される。第３干渉計３４ｃは、この第１反射板４０ａからの反射光を受光する。そして、受光した２つの反射光に基づいて、微動ステージ３１のＺ軸方向の位置を計測する。ここで、第１反射板４０ａは、微動ステージ３１の上面において、ウエハ２を保持する保持部の領域を除いた領域に設けられる。また、第１反射板４０ａは、微動ステージ３１のＹ軸方向のストローク２３に合わせて延設され、その長手方向の長さは、ストローク２３の長さ以上である。
【００２６】
図４において、第３干渉計３４ｃは、ＸＹ平面における電子線鏡筒３の中心を基準として、微動ステージ３１の位置が負のＸ座標をとるときに位置計測を実施し得る。これに対して、第４干渉計３４ｄは、第３干渉計３４ｃと同様の構成要素を有し、微動ステージ３１の位置が正のＸ座標をとるときに位置計測を実施し得る。なお、図４では、第４干渉計３４ｄの各構成要素の符号は、第３干渉計３４ｃの各構成要素の符号中のアルファベットを「ａ」から「ｂ」に換えたものとしている。さらに、図４に示す状態のように、各ストローク２２、２３の中心付近に微動ステージ３１があるときは、第３干渉計３４ｃおよび第４干渉計３４ｄのいずれでも位置計測が可能である。
【００２７】
ここで、制御部７は、基板ステージ３３の位置決め動作の制御のために、干渉計３４（第１干渉計３４ａ〜第４干渉計３４ｄ）による計測値を参照する。しかしながら、第１実施形態と同様に、干渉計３４の計測光を反射する反射鏡（第１基準鏡３９ａや第１反射板４０ａなどの総称）は、完全な平面ではなく歪みや傾きを有し、干渉計３４の計測値は、反射鏡の平面度に係る誤差を含んだ値となる。具体的には、微動ステージ３１がＸ軸方向に移動したときには、第１基準鏡３９ａ（または不図示の第２基準鏡）を含む光路中の反射鏡の平坦度が計測値に誤差を生じさせる。一方、微動ステージ３１がＹ軸方向に移動したときには、第１反射板４０ａ（または第２反射板４０ｂ）を含む光路中の反射鏡の平坦度が計測値に誤差を生じさせる。そこで、描画装置３０も、第１実施形態と同様に、計測器３５を用いて、定盤８を基準とした微動ステージ３１の（絶対）位置を計測する。
【００２８】
計測器３５は、第１実施形態の計測器６と同様に、静電容量センサーと、このセンサーに対応した計測ターゲットとの組を有する。ここで、Ｘ軸方向に沿って微動ステージ３１のＺ軸方向の（絶対）位置を計測する第１センサー２５と第１ターゲット２０との組は、図４に示すように、第１実施形態と同様である。これに対して、本実施形態における計測器３５は、第１反射板４０ａおよび第２反射板４０ｂを含む。第１反射板４０ａおよび第２反射板４０ｂは、基材の平坦な面にアルミ蒸着などにより反射面を形成したものであれば、静電容量センサー用のターゲットとしてそのまま利用（共用）できる。この場合も、アルミ蒸着面は、センサーの計測値を安定させるため、接地されていることが望ましい。本実施形態では、第１実施形態の第２センサー２６に換わって定盤８に設けられるのが第２センサー４１であり、この第２センサー４１に対応する計測ターゲットが第１反射板４０ａである。さらに、ＸＹ平面に投影したときに、電子線鏡筒３の中心を基準として第２センサー４１とは対称な位置に設けられるのが第３センサー（第２センサー４１の補助センサー）４２であり、この第３センサー４２に対応する計測ターゲットが第２反射板４０ｂである。ここで、図３および図４に示す例では、第２センサ−４１および第３センサー４２の配置は、Ｙ軸方向のストローク２３の厳密な中心からＹ軸方向に若干ずれている。これは、干渉計３４の計測光を遮らないようにするためである。なお、計測光を遮らない限りにおいてセンサーの位置をＹ軸方向のストローク２３の中心に近づけることにより、ＸＹ平面に投影した場合の微動ステージ３１のサイズを小さくするのに有利となる。
【００２９】
このような構成とすることで、描画装置３０は、第１実施形態と同様の効果を奏するとともに、干渉計３４による計測に用いられる微動ステージ３１上の反射鏡そのものをセンサーが計測するので、計測値の補正精度の点で有利である。さらに、本実施形態では、第２センサ−４１および第３センサー４２の２つのセンサーを用いて、第１反射板４０ａおよび第２反射板４０ｂの２つの反射板のＺ軸方向の位置（平面度）を並行して計測する。このように、２つの反射板の位置を並行して計測することは、計測に要する時間の短さの点で有利である。なお、計測器３５として、第２センサー４１および第３センサー４２のうちの一方を構成すれば、他方は必須の構成ではない。
【００３０】
（物品の製造方法）
一実施形態に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイスなどのマイクロデバイスや微細構造を有する素子などの物品を製造するのに好適である。該製造方法は、物体（例えば、感光剤を表面に有する基板）上に上記のリソグラフィー装置を用いてパターン（例えば潜像パターン）を形成する工程と、該工程でパターンを形成された物体を処理する工程（例えば、現像工程）とを含み得る。さらに、該製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージングなど）を含み得る。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００３１】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形または変更が可能である。例えば、上記の実施形態では、基板を保持して可動の保持部を有するリソグラフィー装置の当該保持部の位置の計測に本発明を適用した例を説明した。しかしながら、原版（マスク、レチクルまたは型などを保持して可動の保持部を有するリソグラフィー装置の当該保持部の位置の計測に本発明を適用してもよい。また、上記の実施形態では、保持部は、その上面（ＸＹ平面）に平行な面内において運動の自由度が２であったが、運動の自由度は１（すなわち、１方向のみに可動）であってもよい。
【符号の説明】
【００３２】
１    描画装置
２    ウエハ
４    基板ステージ
５    干渉計
７    制御部
２０  第１ターゲット
２１  第２ターゲット
２５  第１センサー
２６  第２センサー
【図１】
2014086476.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
2014086476.tif 000006