(57)【要約】【課題】従来のトランスファーモールド法を用いる半導体装置の製造方法においては、キャビィティの数を増やすと封止金型のクランプ面圧が低下し、樹脂モレによる成形外観不良が発生する。この対策として、封止金型の型締め圧力を大きくすると大型のプレス装置を使用する必要があり、製造装置の価格が上昇する。【解決手段】複数のポット１６に対応して設けられる複数のプランジャ４間を連結する第１のプランジャユニット１２と、第２のプランジャユニット１４を設け、第１のプランジャユニット１２による樹脂注入と、第２のプランジャユニット１４による樹脂注入とを時間差をもって行うことにより複数の半導体チップを樹脂封止する。【選択図】図１
2014086609.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１、第２の金型と、列状に形成された複数のポットと該複数のポットにランナを介して接続される複数のキャビティとを有する樹脂封止用金型の前記第１の金型は前記複数のポットに対応する複数のプランジャを有し、該複数のプランジャの一部は第１のプランジャユニットに連結し、前記複数のプランジャの他部は第２のプランジャユニットに連結し、前記第１のプランジャユニットにより前記複数のポットの一部を介して前記複数のキャビティの１部に樹脂を注入する第１の工程と、
前記第２のプランジャユニットにより前記複数のポットの他部を介して前記複数のキャビティの他部に樹脂を注入する第２の工程と、
前記樹脂が注入された金型を所定時間保圧して前記樹脂の硬化を進めることにより複数の半導体チップを樹脂封止する第３の工程とを有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記複数のキャビティの１部に樹脂を注入する第１の工程及び前記複数のキャビティの他部に樹脂を注入する第２の工程は前記樹脂封止用金型の第１の金型と第２の金型が型締めされている状態で行なわれる前記請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記複数のキャビティの１部に樹脂を注入する第１の工程は前記複数のキャビティの他部に樹脂を注入する第２の工程よりも先に樹脂注入を開始する前記請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１のプランジャユニットに連結する複数のプランジャの一部と前記第２のプランジャユニットに連結する複数のプランジャの他部は互い違いに配置されている請求項１に記載の半導体装置の樹脂封止方法。
【請求項５】
前記第１のプランジャユニットにより前記複数のポットの一部を介して前記複数のキャビティの１部に注入される樹脂と、前記第２のプランジャユニットにより前記複数のポットの他部を介して前記複数のキャビティの他部に注入される樹脂は硬化時間が異なる請求項１に記載の半導体装置の樹脂封止方法。
【請求項６】
前記樹脂はエポキシ樹脂である請求項１に記載の半導体装置の樹脂封止方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特にトランスファーモールド法を用いる半導体装置の樹脂封止方法に好適に利用できるものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップをトランスファーモールド法を用いて樹脂封止する半導体装置の樹脂封止において、マルチボットにおける各キャビティへの注入樹脂の成形圧力及び注入速度を個別に制御する方法が特開平８−３２３７９９号公報（特許文献１）により知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平８−３２３７９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に示される半導体装置の製造方法においては、生産効率を上げるために一回の樹脂注入で封止できるキャビィティの数を増やすと封止金型のクランプ面圧が低下し、樹脂モレによる成形外観不良が発生する。この対応策として、封止金型の型締め圧力を大きくすることが考えられるが、大型のプレス装置を使用する必要があり、製造装置の価格や半導体装置製造価格が上昇する。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本願において開示される課題を解決するための手段のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
【０００６】
一実施の形態によれば、複数のポットに対応して設けられる複数のプランジャ間を連結する第１のプランジャユニットと、第２のプランジャユニットを設け、前記第１のプランジャユニットによる樹脂注入と、前記第２のプランジャユニットによる樹脂注入とを時間差をもって行うことにより複数の半導体チップを樹脂封止する。
【発明の効果】
【０００７】
一実施の形態によれば、型締め圧力を大きくすることなく、封止できるキャビティの数を増やすことができるトランスファーモールド法による半導体装置の製造方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施の形態１に係る、樹脂封止用金型下型の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ´線に沿った樹脂封止用金型の断面図である。
【図３】図２のＢ−Ｂ´線に沿った樹脂封止用金型の断面図である。
【図４】実施の形態１に係る半導体装置製造方法の工程を説明する断面図である。
【図５】図４の下型の平面図である。
【図６】実施の形態１に係る半導体装置製造方法の工程を説明する断面図である。
【図７】図６の下型の平面図である。
【図８】実施の形態１に係る半導体装置製造方法の工程を説明する断面図である。
【図９】実施の形態１に係る半導体装置製造方法の工程を説明する断面図である。
【図１０】実施の形態１に係る半導体装置製造方法の工程を説明する断面図である。
【図１１】図１０の下型の平面図である。
【図１２】実施の形態１に係る半導体装置製造方法の工程を説明する断面図である。
【図１３】図１２の下型の平面図である。
【図１４】実施の形態１に係る半導体装置製造方法の工程を説明する断面図である。
【図１５】実施の形態１に係る半導体装置製造方法の工程の動作タイムチャートである。
【図１６】実施の形態２に係る樹脂封止用金型の断面図である。
【図１７】実施の形態２に係る樹脂封止用金型の断面図である。
【図１８】実施の形態２に係る半導体装置製造方法の工程を説明する断面図である。
【図１９】図１８の下型の平面図である。
【図２０】実施の形態２に係る半導体装置製造方法の工程を説明する断面図である。
【図２１】図２０の下型の平面図である。
【図２２】実施の形態２に係る半導体装置製造方法の工程を説明する断面図である。
【図２３】実施の形態２に係る半導体装置製造方法の工程を説明する断面図である。
【図２４】実施の形態２に係る半導体装置製造方法の工程を説明する断面図である。
【図２５】図２４の下型の平面図である。
【図２６】実施の形態２に係る半導体装置製造方法の工程を説明する断面図である。
【図２７】図２６の下型の平面図である。
【図２８】実施の形態２に係る半導体装置製造方法の工程を説明する断面図である。
【図２９】実施の形態２に係る半導体装置製造方法の工程の動作タイムチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下図面を参照しながら、実施の形態について詳細に説明する。
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明する。しかし、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、応用例、詳細説明、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態に
おいて、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。ただし、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除く。
【００１０】
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。ただし、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除く。このことは、上記数等（個数、数値、量、範囲等を含む）についても同様である。
【００１１】
なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一または関連する符号を付し、その繰り返しの説明は原則省略する。また、以下の実施の形態では、特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００１２】
＜実施の形態１＞
図１は実施の形態１に係る、トランスファーモールド法による樹脂封止に用いられる樹脂封止用金型下型の平面図である。同図に示すように、下型３は、長方形状の平面を有する。そして、複数のポット１６が前記長方形状の長辺に沿って列状に設けられ、この設けられた複数のポットの列の延長線上は前記長方形状の短辺のほぼ真ん中を横切るように前記複数のポットの列は配置されている。前記複数のポット１６は図１からわかるように、第１のポット１６−１、第２のポット１６−２、第３のポット１６−３、第４のポット１６−４、第５のポット１６−５、第６のポット１６−６の６つのポットから成る。そして、この複数のポット１６それぞれからランナ１７が延びて複数のキャビティ７に接続されている。そして、下型３表面には、短冊状のリードフレーム５が二枚前記複数のキャビティ７上を覆って設けられている。
【００１３】
図２は図１のＡ?Ａ´に該当する上型２も含めた樹脂封止用金型の断面図である。同図からわかるように、上型２と下型３とで複数のキャビティ７が形成される。そして、この複数のキャビティの真ん中に第３のポット１６−３が位置している。さらに第３のポット１６−３に対応する第３のプランジャ４−３とそれに連結する第１のプランジャユニット１３が記載されている。この第１のプランジャユニット１３は矢印１３方向に上昇可能となっている。また後程述べるように、前記第３のプランジャ４−３とは別のプランジャに連結する第２のプランジャユニット１４が前記第１のプランジャユニット１３よりも下方に位置している。この第２のプランジャユニット１４も矢印１５方向に上昇可能となっている。８は型締めプレスの圧力加圧力を示す。
【００１４】
つぎに、図３は、図２のＢ−Ｂ´線に沿った樹脂封止用金型の断面図である（下型では図１のＢ―Ｂ′断面）。同図に示すように、複数のポット１６−１?１６−６それぞれに対応する複数のプランジャ４すなわち第１のプランジャ４−１乃至第６のプランジャ４−６を有している。そして、第１のプランジャ４−１、第３のプランジャ４−３、第５のプランジャ４−５が第１のプランジャユニット１２により連結されてそれらが一体に上下動可能となっている。また、第２のプランジャ４−２、第４のプランジャ４−４、第６のプランジャ４−６が第２のプランジャユニット１４により連結されてそれらが一体に上下動可能となっている。
【００１５】
本実施の形態では、前記した第１のプランジャユニット１２と第２のプランジャユニット１４それぞれにより複数のプランジャの時間差による分割動作を行なうことにより、複数のポット１６を介した複数のキャビティへの樹脂注入を分割して行なうものである。
【００１６】
次に前記図１乃至図３に示す樹脂封止用金型を用いたトランスファーモールド法による樹脂封止方法を図４乃至図１５を基に説明する。
【００１７】
（１−１）最初に図４に示すように樹脂封止用金型の上型２と下型３を開くいわゆる型開きを行う。図４は樹脂封止用金型の断面図であり、図２のＢ―Ｂ′断面である。また下型３は図１のＢ―Ｂ′断面でもある。図４からわかるように第１のプランジャユニット１２に連結する第１、第３、第５プランジャは第２のプランジャユニット１４に連結する他の第２、第４、第６プランジャよりも上方に位置した状態となっている。このような上型２と下型３はあらかじめヒーター（図示せず）で加熱しておく。
【００１８】
（１−２）次にこの型開き状態で下型３表面に２枚の短冊状のリードフレーム５を設置する。図５に示すようにリードフレーム５は複数のポットが配列された箇所は除いた領域にキャビティ７上を覆うように設置する。図５は下型３の平面図である。前記リードフレーム５には、複数の半導体チップが搭載され、ワイヤボンディングされている（図示せず）。
【００１９】
（１−３）次に図６に示すように、エポキシ樹脂等から成る樹脂タブレット６を前記各プランジャ（全プランジャ）４上に投入する。図６の断面では前記リードフレーム５は見えないため図６の断面では示されない。図７は図６の下型３の平面図である。この状態で樹脂タブレット６は下型３から熱を与えられる。
【００２０】
（１−４）そして、図８に示すように、下型３を上型２方向に上昇１０させ型締めする。図９は、上型２と下型３とが合わさり型締めされた状態の断面図である。同図に示すように、第１のプランジャユニット１２に連結された第１、第３、第５プランジャ上に投入された樹脂タブレット６は、第２のプランジャユニット１４に連結される第２、第４、第６プランジャ上に投入された樹脂タブレット６よりも上方に位置している。この型締めにより樹脂タブレット６は上型２、下型３から熱を与えられ溶融する。
【００２１】
（１−５）次に図１０に示すように、第１のプランジャユニット１２を矢印１３方向に上昇させて前記溶融された樹脂タブレット６をポット１６を介してランナ１７から複数のキャビティ７の一部キャビティ７へと注入する。すなわち、樹脂タブレット６は上型２、下型３により加熱され溶融した樹脂状態でポット１６を介してランナ１７からキャビティ７へと注入される。図１１の平面図に前記樹脂が注入された状態を示す、同図において、縦直線で示す箇所が樹脂が注入された箇所である。金型は型締めされたままの状態で型締め圧力を保ちながら注入された樹脂を所定時間硬化させる（保圧硬化）。
【００２２】
（１−６）次に図１２に示すように、第２のプランジャユニット１４を矢印１５方向に上昇させて残りの第２のプランジャ４−２、第４のプランジャ４−４、第６のプランジャ４−６それぞれに投入され溶融した樹脂タブレット６をランナ１７から複数のキャビティ７の他部へと注入する。すなわち、樹脂タブレット６は上型２、下型３により加熱され溶融した樹脂状態でポット１６を介してランナ１７からキャビティ７へと注入される。図１３はこの状態を示す平面図であり、すべてのキャビティ７に樹脂が注入される、そして型締め状態のまま型締め圧力を保ちながら注入された樹脂を所定時間硬化させる（保圧硬化）。
【００２３】
（１−７）次に図１４のように下型３を所定位置まで下降１１させて型開きを行ない、樹脂で封止された半導体チップ（図示せず）をリードフレーム５といっしょに取り出す。これにより半導体装置の樹脂封止は完了する。
【００２４】
図１５は実施の形態１のトランスファーモールド法を用いる半導体装置の樹脂封止方法の動作タイムチャートを示す。同図に示すように、下原点の異なる第１のプランジャユニット１２と第２のプランジャユニット１４を有する金型が型開きした状態、すなわち図４の状態において、樹脂タブレット６が投入され（図６、図７）、下型３を上昇させて上型２とともに型締めし（図９）、型締めされた後第１のプランジャユニット１２を上昇させてこれに連結されている第１のプランジャ４−１、第３のプランジャ４−３、第５のプランジャ４−５を上昇させる。それにより、それららに対応する第１ポット１６−１、第３ポット１６−３、第５ポット１６−５を介して複数のキャビティに樹脂を注入する（図１１）。そして、金型の上型２と下型３が型締めされた状態のまま型締め圧力を保ち、注入された樹脂を所定時間硬化させる（保圧硬化）。
【００２５】
そして、前記保圧硬化の状態で第２のプランジャユニット１４を上昇させてこれに連結されている第２のプランジャ４−２、第４のプランジャ４−４、第６のプランジャ４−６も上昇させ、それらに対応する第２ポット１６−２、第４ポット１６−４、第６ポット１６−６を介して複数のキャビティ７に樹脂を注入する（図１２、図１３）。そして、金型の上型２と下型３が型締めされた状態のまま型締め圧力を保ち、注入された樹脂を所定時間硬化させる（保圧硬化）。
【００２６】
その後下型３を下降して型開きを行なう。第１のプランジャユニット１２、第２のプランジャユニット１４も下原点まで戻す。
【００２７】
ここで、必要な型締め圧力は、「（樹脂注入面積（キャビィティの数）＋樹脂止めのクランプ面積）×単位面積当たりの注入圧力」で表わされる。実施の形態１においては、第１のプランジャユニットでの樹脂注入（第１回）と第２のプランジャユニットでの樹脂注入（第２回）の２回に分け、しかも時間差を持って樹脂注入している。それぞれにおける樹脂止めのクランプ面積と単位面積当たりの注入圧力は同一である。しかし、１回あたりの樹脂注入面積は半分になるため、必要な型締め圧力は従来方法で必要とされる圧力の１／２になる。すなわち、生産効率を上げるために樹脂注入で封止するキャビィティの数を増やしても封止金型の型締め圧力を大きくする必要はなく（従来必要とされる半分）、大型のプレス装置を使用する必要がない。
【００２８】
上記のような半導体装置の製造方法によれば、型締め圧力を大きくすることなく、封止できるキャビティの数を増やすことができるため、樹脂モレによる成形外観不良を発生することなく、また、大型のプレス装置を使用することもなく、生産効率を向上することができる。
【００２９】
＜実施の形態２＞
本実施の形態では前記実施の形態１の図１?図３に示す樹脂封止用金型を用いる。
【００３０】
（２−１）最初に、この金型を図１６、図１７に示すように、第２のプランジャユニット１４を上昇１５させてそれに連結されている第２のプランジャ４−２、第４のプランジャ４−４、第６のプランジャ４−６それぞれの上部位置を第１のプランジャユニット１２に連結されている第１のプランジャ４−１、第３のプランジャ４−３、第５のプランジャ４−５それぞれの上部位置と同じ位置になるようにする。このような上型２と下型３はあらかじめヒーター（図示せず）で加熱しておく。
【００３１】
（２−２）次に図１８のように前記樹脂封止用金型を型開きして、半導体チップが搭載されワイヤボンディングされた（図示せず）リードフレーム５を前記下型３の上面に設置する。図１８の断面には前記リードフレーム５はないため記載していない。図１９はこの状態の下型３の平面図である。同図からわかるように、前記リードフレーム５は２枚の短冊状のリードフレーム５であり、複数のポット１６が配列された箇所以外の領域のキャビティ７上を覆うように設置する。
【００３２】
（２−３）図２０に示すように、硬化時間の異なる例えばエポキシ樹脂等から成る複数の樹脂タブレット６を前記複数のポット１６に投入して各ポット１６に対応する複数のプランジャ４（４−１、４−２、４−３、４−４、４−５、４−６）それぞれの上部に前記硬化時間の異なる複数の樹脂タブレット６を搭載する。この樹脂タブレット６は硬化時間の早い樹脂タブレット６−１と硬化時間の遅い樹脂タブレット６−２とから成る。硬化時間の早い樹脂タブレット６−１は第１のプランジャユニット１２に連結されている第１のプランジャ４−１、第３のプランジャ４−３、第５のプランジャ４−５それぞれの上部に搭載される。また、硬化時間の遅い樹脂タブレット６−２は第２のプランジャユニット１４に連結されている第２のプランジャ４−２、第４のプランジャ４−４、第６のプランジャ４−６それぞれの上部に搭載される。図２１は前記２種類の樹脂タブレット６（６−１、６−２）を投入した状態の下金型３の平面図である。この状態で樹脂タブレット６は下型３から熱を与えられる。
【００３３】
（２−４）図２２に示すように、下金型３を上昇１０させて、図２３に示すように、上型２と下型３とで型締めをする。この型締めによりリードフレーム５はクランプされる。図２３の断面にはリードフレーム５は無いため記載していない。この段階で樹脂タブレット６（６−１、６−２）は上型２、下型３から熱を与えられ溶融する。そして、同図に示すように、第１のプランジャユニット１２と第２のプランジャユニット１４を同時に上昇１３、１５させる。このとき第１のプランジャユニット１２の単位時間当たりの上昇量が前記第２のプランジャユニット１４のそれよりも大きい条件でこれらを上昇させる。
【００３４】
（２−５）そして、図２４に示すように、前記上昇量の違いにより、まずは、第１のプランジャユニット１２に連結されている第１のプランジャ４−１、第３のプランジャ４−３、第５のプランジャ４−５それぞれの上部に搭載され溶融状態の樹脂タブレット６−１（溶融樹脂）を第１のポット１６−１、第３のポット１６−３、第５のポット１６−５の３つのポットそれぞれを介してランナ１７から複数のキャビティ７の一部のキャビティ７−１へ注入する。第２のプランジャユニット１４の単位時間当たりの上昇量は第１のプランジャユニット１２のそれよりも小さいため、第２のプランジャユニット１４の上昇による残りの他のキャビティ７−２への樹脂注入は、第１のプランジャユニット１２による樹脂注入よりも遅くなる。
【００３５】
図２５はこの状態の下型３の平面図である。同図の縦直線で示す箇所が溶融樹脂が注入される箇所である。同図に示すように、硬化時間の早い溶融状態の樹脂タブレット６−１（溶融樹脂）は第１のキャビティ７−１へ充分に注入されるが、一方硬化時間の遅い溶融状態の樹脂タブレット６−２（溶融樹脂）の第２のキャビティ７−２への注入はまだ不十分な状態である
そして、金型は型締めされたままの状態で型締め圧力を保ちながらキャビティ７−１へ注入された樹脂を所定時間硬化させる（保圧硬化）。
【００３６】
（２−６）次に図２６に示すように、第２のプランジャユニット１４を所定位置まで上昇１５させ、硬化時間の遅い樹脂タブレット６−２を第２のポット１６−２、第４のポット１６−４、第６のポット１６−６それぞれを介してランナ１７から複数のキャビティ７の残りの他のキャビティ７−２へ注入する。図２７はこの状態の下型３の平面図である。同図の縦直線で示す箇所が溶融樹脂が注入される箇所である。同図に示すように、前記図２５に示した注入不十分のキャビティ７−２へも樹脂注入が十分に行われ、すべてのキャビティ７（７−１、７−２）への樹脂注入が完了する。ここで、硬化時間の遅い樹脂タブレット６−２を注入する第２のプランジャユニット１４は、硬化時間の早い樹脂タブレット６−１の注入保圧硬化に合わせてゆっくり上昇して樹脂注入を行なう。そして、金型は型締めされたままの状態で型締め圧力を保ちながら注入された樹脂を所定時間硬化させる（保圧硬化）。
【００３７】
（２−７）次に図２８に示すように下型３を所定位置まで下降１１させて型開きを行ない、樹脂で封止された半導体チップ（図示せず）をリードフレーム５といっしょに取り出す、これにより半導体装置の樹脂封止は完了する。
【００３８】
図２９は実施の形態２のトランスファーモールド法を用いる半導体装置の樹脂封止方法の動作タイムチャートを示す。
【００３９】
同図に示すように、まずは、第１のプランジャ４−１、第３のプランジャ４−３、第５のプランジャ４−５と第２のプランジャ４−２、第４のプランジャ４−４、第６のプランジャ４−６それぞれの上部位置とが同じ位置になるようにする（図１７）この状態を下原点とする。そして、金型を型開きする（図１８）。そして、この型開きした状態において、硬化時間の異なる樹脂タブレット６−１、６−２を投入する（図２０）。そして、下型３を上昇させて上型２とともに型締めする（図２３）。型締めされた後、単位時間当たりの上昇量が異なる第１のプランジャユニット１２と第２のプランジャユニット１４を上昇させる。第１のプランジャユニット１２は単位時間当たりの上昇量が第２のプランジャユニット１４よりも大きいため、硬化時間の早い第１の樹脂タブレット６−１（溶融した樹脂）が硬化時間の遅い第２の樹脂タブレット６−２（溶融した樹脂）よりも先にキャビティ７の一部である第１のキャビティ７−１に注入される（図２４、図２５）。そして、金型は型締めされたままの状態で型締め圧力を保ちながら注入された樹脂を所定時間硬化させる（保圧硬化）。
【００４０】
そして、前記保圧硬化時、第２のプランジャユニット１２が所定の高さまで上昇する。これにより、複数の他の第２のキャビティ７−２に硬化時間の遅い第２の樹脂タブレット６−２（溶融した樹脂）が注入される（図２６、図２７）。そして、金型の上型２と下型３が型締めされた状態のまま型締め圧力を保ち、前記注入された樹脂を所定時間硬化させる（保圧硬化）。
【００４１】
その後下型３を下降して型開きを行ない（図２８）、第１のプランジャユニット１２、第２のプランジャユニット１４も下原点まで戻す。
【００４２】
このような実施の形態２においては、第１のプランジャユニット１２の単位時間当たりの上昇量を第２のプランジャユニット１４の単位時間当たりの上昇量よりも大きくしているため、第１のプランジャユニット１２と第２のプランジャユニット１４を同時に上昇させても、キャビティ７への樹脂注入を２段階に分けて行うことができる。しかも、注入される樹脂は硬化時間の早い第１の樹脂タブレット６−１と硬化時間の遅い第２の樹脂タブレット６−２を用いるため、キャビティ７までへの到達時間に差があっても、すなわち第２の樹脂タブレット６−２のポット１６からキャビティ７への到達時間が第１の樹脂タブレット６−１のそれよりも長くなっても途中で硬化することもなくキャビティ７−２へ充分に注入される
【００４３】
本実施の形態２においても、必要な型締め圧力は、実施の形態１に記載したように、「（樹脂注入面積（キャビィティの数）＋樹脂止めのクランプ面積）×単位面積当たりの注入圧力」で表わされる。従って、１回あたりの樹脂注入面積は半分になるため、必要な型締め圧力は従来方法で必要とされる圧力の１／２になる。すなわち、生産効率を上げるために樹脂注入で封止するキャビィティの数を増やしても封止金型の型締め圧力を大きくする必要はなく（従来必要とされる半分）、大型のプレス装置を使用する必要がない。
【００４４】
上記のような半導体装置の製造方法によれば、型締め圧力を大きくすることなく、封止できるキャビティの数を増やすことができるため、樹脂モレによる成形外観不良を発生することなく、また、大型のプレス装置を使用することもなく、生産効率を向上することができる。
【００４５】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
例えば上型２と下型３との位置関係を逆にしても良い。また、型締めは、上型２を下降させてもよく、型開きは、上型２を上昇させても良い。
【符号の説明】
【００４６】
１：型締めプレス
１ａ：型締めプレス上型
１ｂ：型締めプレス下型
２：封止金型の上型
３：封止金型の下型
４：プランジャ
４−１：第１のプランジャ
４−２：第２のプランジャ
４−３：第３のプランジャ
４−４：第４のプランジャ
４−５：第５のプランジャ
４−６：第６のプランジャ
５：リードフレーム
６：樹脂タブレット
６−１：第１の樹脂タブレット
６−２：第２の樹脂タブレット
７：キャビティ
７−１：第１のキャビティ
７−２：第２のキャビティ
８：加圧力
９：プランジャユニットの上昇方向
１０：型締めプレス下型の上昇方向
１１：型締めプレス下型の下降方向
１２：第１のプランジャユニット
１３：第１のプランジャユニットの上昇方向
１４：第２のプランジャユニット
１５：第２のプランジャユニットの上昇方向
１６：ポット
１６−１：第１ポット
１６−２：第２ポット
１６−３：第３ポット
１６−４：第４ポット
１６−５：第５ポット
１６−６：第６ポット
１７：ランナ
【図５】
2014086609.tif 000003
【図７】
2014086609.tif 000004
【図１１】
2014086609.tif 000005
【図１３】
2014086609.tif 000006
【図１９】
2014086609.tif 000007
【図２１】
2014086609.tif 000008
【図２５】
2014086609.tif 000009
【図２７】
2014086609.tif 000010
【図１】
2014086609.tif 000011
【図２】
2014086609.tif 000012
【図３】
2014086609.tif 000013
【図４】
2014086609.tif 000014
【図６】
2014086609.tif 000015
【図８】
2014086609.tif 000016
【図９】
2014086609.tif 000017
【図１０】
2014086609.tif 000018
【図１２】
2014086609.tif 000019
【図１４】
2014086609.tif 000020
【図１５】
2014086609.tif 000021
【図１６】
2014086609.tif 000022
【図１７】
2014086609.tif 000023
【図１８】
2014086609.tif 000024
【図２０】
2014086609.tif 000025
【図２２】
2014086609.tif 000026
【図２３】
2014086609.tif 000027
【図２４】
2014086609.tif 000028
【図２６】
2014086609.tif 000029
【図２８】
2014086609.tif 000030
【図２９】
2014086609.tif 000031