(57)【要約】【課題】メモリ装置の複製を困難にすることが可能な技術を提供する。【解決手段】メモリ情報保護システム１Ａは、メモリ装置２０と、情報処理を実行する情報処理装置１０とを備えている。情報処理装置１０は、情報処理装置１０からメモリ装置２０に流れる消費電流を測定する電流測定回路１２０と、所定の測定期間における消費電流に基づいて、消費電流の変化率を算出する変化率演算器１０２１と、メモリ装置２０が正規品であるか否かの判定基準に用いる比較値と、変化率演算器１０２１によって算出された変化率とを比較して、比較値と変化率とが一致するか否かを示す比較結果を出力する比較演算器１０２２と、比較結果に基づいて、メモリ装置２０が正規品であるか否かを判定する判定手段とを有している。【選択図】図６
2014048898.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリ装置と、
前記メモリ装置から読み出した情報を用いて、情報処理を実行する情報処理装置と、
を備え、
前記情報処理装置は、
前記メモリ装置に電源を供給する電源供給手段と、
前記情報処理装置から前記メモリ装置に流れる消費電流を測定する測定手段と、
前記測定手段によって測定された、所定の測定期間における消費電流に基づいて、消費電流の単位時間当たりの変化量を、消費電流の変化率として算出する算出手段と、
前記メモリ装置が正規品であるか否かの判定基準として用いる比較値と、前記算出手段によって算出された前記変化率とを比較することによって、前記比較値と前記変化率とが一致するか否かを示す比較結果を出力する比較演算手段と、
前記比較結果に基づいて、前記メモリ装置が正規品であるか否かを判定する判定手段と、
を有するメモリシステム。
【請求項２】
前記情報処理装置は、前記判定手段によって、前記メモリ装置が正規品でないと判定された場合、適切な情報処理を実行不可能にする請求項１に記載のメモリシステム。
【請求項３】
前記比較値は、正規品に関する、前記所定の測定期間に対応した動作期間における消費電流の変化率であり、
前記判定手段は、前記比較値と前記変化率とが一致することを示す比較結果が前記比較演算手段によって出力された場合、前記メモリ装置が正規品であると判定し、前記比較値と前記変化率とが一致しないことを示す比較結果が前記比較演算手段によって出力された場合、前記メモリ装置が正規品でないと判定する請求項１または請求項２に記載のメモリシステム。
【請求項４】
前記比較値としての変化率は、前記動作期間内に得られたＮ個（Ｎは２以上の整数）の基準変化率であり、
前記比較演算手段は、
前記算出手段によって算出された変化率と、当該変化率に対応する基準変化率との差を算出する減算器と、
前記減算器によって算出される差の絶対値が、許容誤差値より小さい場合、前記比較値と前記変化率とが一致することを示す比較結果を出力し、前記差の絶対値が、前記許容誤差値以上の場合、前記比較値と前記変化率とが一致しないことを示す比較結果を出力する比較器と、
を有する請求項３に記載のメモリシステム。
【請求項５】
前記比較値は、非正規品に関する、前記所定の測定期間に対応した動作期間における消費電流の変化率であり、
前記判定手段は、前記比較値と前記変化率とが一致することを示す比較結果が前記比較演算手段によって出力された場合、前記メモリ装置が正規品でないと判定し、前記比較値と前記変化率とが一致しないことを示す比較結果が前記比較演算手段によって出力された場合、前記メモリ装置が正規品であると判定する請求項１または請求項２に記載のメモリシステム。
【請求項６】
前記所定の測定期間は、前記電源供給手段による前記メモリ装置への電源供給開始直後の期間であり、
前記測定手段は、前記電源供給手段による前記メモリ装置への電源供給開始に応じて、消費電流の測定を開始する請求項１から請求項５のいずれかに記載のメモリシステム。
【請求項７】
前記情報処理装置は、コマンドを発行するコマンド発行部をさらに有し、
前記所定の測定期間は、前記コマンド発行部による特定コマンド発行直後の期間であり、
前記測定手段は、前記特定コマンドの発行に応じて、消費電流の測定を開始する請求項１から請求項５のいずれかに記載のメモリシステム。
【請求項８】
前記情報処理装置は、前記判定手段によって、前記メモリ装置が正規品でないと判定された場合、前記電源供給手段による前記メモリ装置への電源供給を停止させる請求項１から請求項７のいずれかに記載のメモリシステム。
【請求項９】
前記情報処理装置は、前記判定手段によって、前記メモリ装置が正規品でないと判定された場合、前記適切な情報処理を中止する請求項１から請求項７のいずれかに記載のメモリシステム。
【請求項１０】
前記メモリ装置は、前記比較値を予め記憶し、
前記情報処理装置は、前記メモリ装置から前記比較値を取得する請求項１から請求項９のいずれかに記載のメモリシステム。
【請求項１１】
メモリ装置に電源を供給する電源供給手段と、情報処理装置から前記メモリ装置に流れる消費電流を測定する測定手段と、前記測定手段によって測定された、所定の測定期間における消費電流に基づいて、消費電流の単位時間当たりの変化量を、消費電流の変化率として算出する算出手段と、前記メモリ装置が正規品であるか否かの判定基準に用いる比較値と、前記算出手段によって算出された前記変化率とを比較することによって、前記比較値と前記変化率とが一致するか否かを示す比較結果を出力する比較演算手段と、前記比較結果に基づいて、前記メモリ装置が正規品であるか否かを判定する判定手段とを有する情報処理装置に装着されるメモリ装置であって、
前記メモリ装置は、前記比較値を予め記憶し、前記情報処理装置に当該比較値を供給するメモリ装置。
【請求項１２】
メモリ装置から読み出した情報を用いて、情報処理を実行する情報処理装置であって、
前記メモリ装置に電源を供給する電源供給手段と、
前記情報処理装置から前記メモリ装置に流れる消費電流を測定する測定手段と、
前記測定手段によって測定された、所定の測定期間における消費電流に基づいて、消費電流の単位時間当たりの変化量を、消費電流の変化率として算出する算出手段と、
前記メモリ装置が正規品であるか否かの判定基準として用いる比較値と、前記算出手段によって算出された前記変化率とを比較することによって、前記比較値と前記変化率とが一致するか否かを示す比較結果を出力する比較演算手段と、
前記比較結果に基づいて、前記メモリ装置が正規品であるか否かを判定する判定手段と、
を備える情報処理装置。
【請求項１３】
メモリ装置と、情報処理を実行する情報処理装置とを含むメモリシステムの動作方法であって、
ａ）前記メモリ装置に電源を供給する工程と、
ｂ）前記情報処理装置から前記メモリ装置に流れる消費電流を測定する工程と、
ｃ）前記測定手段によって測定された、所定の測定期間における消費電流に基づいて、消費電流の単位時間当たりの変化量を、消費電流の変化率として算出する工程と、
ｄ）前記メモリ装置が正規品であるか否かの判定基準として用いる比較値と、前記算出手段によって算出された前記変化率とを比較することによって、前記比較値と前記変化率とが一致するか否かを示す比較結果を出力する工程と、
ｅ）前記比較結果に基づいて、前記メモリ装置が正規品であるか否かを判定する工程と、
を有するメモリシステムの動作方法。
【請求項１４】
入力された測定値と、比較の基準として用いる比較値との差を算出する減算器と、
前記減算器によって算出される差の絶対値が、許容誤差値より小さい場合、前記比較値と前記測定値とが一致することを示す比較結果を出力し、前記差の絶対値が、前記許容誤差値以上の場合、前記比較値と前記測定値とが一致しないことを示す比較結果を出力する比較器と、
を備える比較演算器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報の保護技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
アプリケーションソフトウェアを記憶したメモリ装置を情報処理装置に装着し、当該情報処理装置において、メモリ装置に記憶されたアプリケーションソフトウェアを実行して所定の機能を実現する技術が知られている。
【０００３】
このようなメモリ装置においては、アプリケーションソフトウェアの読み出しによるメモリ装置の複製を防止するために、セキュリティ機能が搭載されている。例えば、特許文献１では、アプリケーションソフトウェアが暗号化された状態でメモリ装置に記憶され、情報処理装置は、当該アプリケーションソフトウェアを解読するための鍵データを取得することなく、アプリケーションソフトウェアを実行することができないように構成されている。したがって、特許文献１では、適切な鍵データを取得するまでは、メモリ装置の複製が制限されることになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２５８８５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記特許文献１では、暗号化されたアプリケーションソフトウェアに対応する鍵データが特定された場合には、アプリケーションソフトウェアを記憶したメモリ装置が許可無く無断で複製される可能性があった。
【０００６】
このようなメモリ装置が無断で複製される可能性は、アプリケーションソフトウェアを記憶したものに限らず、アプリケーションソフトウェア以外の他のデータ（例えば、アプリケーションソフトウェアの実行に利用するためのデータ）等を記憶したメモリ装置に対しても生じうる。
【０００７】
そこで、本発明は、メモリ装置の複製を困難にすることが可能な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係るメモリシステムの第１の態様は、メモリ装置と、前記メモリ装置から読み出した情報を用いて、情報処理を実行する情報処理装置とを備え、前記情報処理装置は、前記メモリ装置に電源を供給する電源供給手段と、前記情報処理装置から前記メモリ装置に流れる消費電流を測定する測定手段と、前記測定手段によって測定された、所定の測定期間における消費電流に基づいて、消費電流の単位時間当たりの変化量を、消費電流の変化率として算出する算出手段と、前記メモリ装置が正規品であるか否かの判定基準として用いる比較値と、前記算出手段によって算出された前記変化率とを比較することによって、前記比較値と前記変化率とが一致するか否かを示す比較結果を出力する比較演算手段と、前記比較結果に基づいて、前記メモリ装置が正規品であるか否かを判定する判定手段とを有する。
【０００９】
また、本発明に係るメモリシステムの第２の態様は、上記第１の態様であって、前記情報処理装置は、前記判定手段によって、前記メモリ装置が正規品でないと判定された場合、適切な情報処理を実行不可能にする。
【００１０】
また、本発明に係るメモリシステムの第３の態様は、上記第１の態様または上記第２の態様であって、前記比較値は、正規品に関する、前記所定の測定期間に対応した動作期間における消費電流の変化率であり、前記判定手段は、前記比較値と前記変化率とが一致することを示す比較結果が前記比較演算手段によって出力された場合、前記メモリ装置が正規品であると判定し、前記比較値と前記変化率とが一致しないことを示す比較結果が前記比較演算手段によって出力された場合、前記メモリ装置が正規品でないと判定する。
【００１１】
また、本発明に係るメモリシステムの第４の態様は、上記第３の態様であって、前記比較値としての変化率は、前記動作期間内に得られたＮ個（Ｎは２以上の整数）の基準変化率であり、前記比較演算手段は、前記算出手段によって算出された変化率と、当該変化率に対応する基準変化率との差を算出する減算器と、前記減算器によって算出される差の絶対値が、許容誤差値より小さい場合、前記比較値と前記変化率とが一致することを示す比較結果を出力し、前記差の絶対値が、前記許容誤差値以上の場合、前記比較値と前記変化率とが一致しないことを示す比較結果を出力する比較器とを有する。
【００１２】
また、本発明に係るメモリシステムの第５の態様は、上記第１の態様または上記第２の態様であって、前記比較値は、非正規品に関する、前記所定の測定期間に対応した動作期間における消費電流の変化率であり、前記判定手段は、前記比較値と前記変化率とが一致することを示す比較結果が前記比較演算手段によって出力された場合、前記メモリ装置が正規品でないと判定し、前記比較値と前記変化率とが一致しないことを示す比較結果が前記比較演算手段によって出力された場合、前記メモリ装置が正規品であると判定する。
【００１３】
また、本発明に係るメモリシステムの第６の態様は、上記第１の態様から上記第５の態様のいずれかであって、前記所定の測定期間は、前記電源供給手段による前記メモリ装置への電源供給開始直後の期間であり、前記測定手段は、前記電源供給手段による前記メモリ装置への電源供給開始に応じて、消費電流の測定を開始する。
【００１４】
また、本発明に係るメモリシステムの第７の態様は、上記第１の態様から上記第５の態様のいずれかであって、前記情報処理装置は、コマンドを発行するコマンド発行部をさらに有し、前記所定の測定期間は、前記コマンド発行部による特定コマンド発行直後の期間であり、前記測定手段は、前記特定コマンドの発行に応じて、消費電流の測定を開始する。
【００１５】
また、本発明に係るメモリシステムの第８の態様は、上記第１の態様から上記第７の態様のいずれかであって、前記情報処理装置は、前記判定手段によって、前記メモリ装置が正規品でないと判定された場合、前記電源供給手段による前記メモリ装置への電源供給を停止させる。
【００１６】
また、本発明に係るメモリシステムの第９の態様は、上記第１の態様から上記第７の態様のいずれかであって、前記情報処理装置は、前記判定手段によって、前記メモリ装置が正規品でないと判定された場合、前記適切な情報処理を中止する。
【００１７】
また、本発明に係るメモリシステムの第１０の態様は、上記第１の態様から上記第９の態様のいずれかであって、前記メモリ装置は、前記比較値を予め記憶し、前記情報処理装置は、前記メモリ装置から前記比較値を取得する。
【００１８】
また、本発明に係るメモリ装置は、メモリ装置に電源を供給する電源供給手段と、情報処理装置から前記メモリ装置に流れる消費電流を測定する測定手段と、前記測定手段によって測定された、所定の測定期間における消費電流に基づいて、消費電流の単位時間当たりの変化量を、消費電流の変化率として算出する算出手段と、前記メモリ装置が正規品であるか否かの判定基準に用いる比較値と、前記算出手段によって算出された前記変化率とを比較することによって、前記比較値と前記変化率とが一致するか否かを示す比較結果を出力する比較演算手段と、前記比較結果に基づいて、前記メモリ装置が正規品であるか否かを判定する判定手段とを有した情報処理装置に装着されるメモリ装置であって、前記メモリ装置は、前記比較値を予め記憶し、前記情報処理装置に当該比較値を供給する。
【００１９】
また、本発明に係る情報処理装置は、メモリ装置から読み出した情報を用いて、情報処理を実行する情報処理装置であって、前記メモリ装置に電源を供給する電源供給手段と、前記情報処理装置から前記メモリ装置に流れる消費電流を測定する測定手段と、前記測定手段によって測定された、所定の測定期間における消費電流に基づいて、消費電流の単位時間当たりの変化量を、消費電流の変化率として算出する算出手段と、前記メモリ装置が正規品であるか否かの判定基準として用いる比較値と、前記算出手段によって算出された前記変化率とを比較することによって、前記比較値と前記変化率とが一致するか否かを示す比較結果を出力する比較演算手段と、前記比較結果に基づいて、前記メモリ装置が正規品であるか否かを判定する判定手段とを有する。
【００２０】
また、本発明に係るメモリシステムの動作方法は、メモリ装置と、情報処理を実行する情報処理装置とを含むメモリシステムの動作方法であって、ａ）前記メモリ装置に電源を供給する工程と、ｂ）前記情報処理装置から前記メモリ装置に流れる消費電流を測定する工程と、ｃ）前記測定手段によって測定された、所定の測定期間における消費電流に基づいて、消費電流の単位時間当たりの変化量を、消費電流の変化率として算出する工程と、ｄ）前記メモリ装置が正規品であるか否かの判定基準として用いる比較値と、前記算出手段によって算出された前記変化率とを比較することによって、前記比較値と前記変化率とが一致するか否かを示す比較結果を出力する工程と、ｅ）前記比較結果に基づいて、前記メモリ装置が正規品であるか否かを判定する工程とを有する。
【００２１】
また、本発明に係る比較演算器は、入力された測定値と、比較の基準として用いる比較値との差を算出する減算器と、前記減算器によって算出される差の絶対値が、許容誤差値より小さい場合、前記比較値と前記測定値とが一致することを示す比較結果を出力し、前記差の絶対値が、前記許容誤差値以上の場合、前記比較値と前記測定値とが一致しないことを示す比較結果を出力する比較器とを備える。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、メモリ装置の複製を困難にすることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】メモリ情報保護システムの外観構成を示す図である。
【図２】正規のメモリ装置の消費電流と、非正規のメモリ装置の消費電流との対比図である。
【図３】正規のメモリ装置に関する消費電流の変化率を示す図である。
【図４】非正規のメモリ装置に関する消費電流の変化率を示す図である。
【図５】正規のメモリ装置に関する消費電流の変化率と、非正規のメモリ装置に関する消費電流の変化率とを対比して示す図である。
【図６】第１実施形態に係るメモリ情報保護システムの機能構成を示すブロック図である。
【図７】比較値格納メモリに格納された比較値データを示す図である。
【図８】変化率演算器の構成を示す図である。
【図９】比較演算器の構成を示す図である。
【図１０】メモリ情報保護システムで実行される認証動作に関するフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、各実施形態について図面を参照して説明する。なお、異なる図面において同一の符号を付した要素は、同一または相応する要素を示すものとする。
【００２５】
＜１．第１実施形態＞
［１−１．構成概要］
図１は、メモリ情報保護システム（単に「メモリシステム」とも称する）１Ａの外観構成を示す図である。図２は、正規のメモリ装置の消費電流Ｉｓと、非正規のメモリ装置の消費電流Ｉｈとの対比図である。図３は、正規のメモリ装置に関する消費電流Ｉｓの変化率Ｈｓを示す図であり、図４は、非正規のメモリ装置に関する消費電流Ｉｈの変化率Ｈｈを示す図である。図５は、正規のメモリ装置に関する消費電流Ｉｓの変化率Ｈｓと、非正規のメモリ装置に関する消費電流Ｉｈの変化率Ｈｈとを対比して示す図である。
【００２６】
図１に示されるように、メモリ情報保護システム１Ａは、情報処理装置１０とメモリ装置２０とを有している。
【００２７】
メモリ装置２０は、マスクＲＯＭまたはフラッシュメモリ等の半導体メモリで構成された記憶部を有している。当該記憶部には、アプリケーションの実施に用いるアプリケーション情報が記憶されている。アプリケーション情報には、例えば、一種のコンピュータ装置である情報処理装置１０で実行されるアプリケーションソフトウェアとしてのプログラム、および／またはアプリケーションソフトウェアを実行する際に使用されるデータ等が含まれている。
【００２８】
このメモリ装置２０は、例えばカードまたはカートリッジのような態様を有している。当該メモリ装置２０は、情報処理装置１０に脱着自在に構成され、メモリ装置２０は、情報処理装置１０に装着された状態で使用される。
【００２９】
メモリ装置２０に格納された情報を利用する情報処理装置１０には、例えば、パーソナルコンピュータ（パソコン）、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）のような携帯情報端末装置、または画像処理装置が含まれる。また、メモリ装置２０に記憶されたアプリケーションソフトウェアがゲームプログラムである場合は、情報処理装置１０は、据置型ゲーム機または携帯ゲーム機等のゲーム装置本体として機能する。
【００３０】
このようなメモリ情報保護システム１Ａでは、装着されたメモリ装置２０の正当性を判定する認証動作が、情報処理装置１０において実行される。
【００３１】
認証動作では、情報処理装置１０からメモリ装置２０に流れる電流が利用される。具体的には、情報処理装置１０は、情報処理装置１０からメモリ装置２０に流れる電流（消費電流）を計測して、消費電流の単位時間あたりの変化量を算出する。当該変化量は、「消費電流の変化率」とも称され、メモリ装置２０ごとに異なる値となる。
【００３２】
図２には、正規のメモリ装置の消費電流Ｉｓと、非正規のメモリ装置の消費電流Ｉｈとが示されている。正規のメモリ装置に関する消費電流Ｉｓの変化率Ｈｓは、図３のように表され、非正規のメモリ装置に関する消費電流Ｉｈの変化率Ｈｈは、図４のように表される。ここで、変化率の大きさを縦軸にとって、正規のメモリ装置に関する消費電流Ｉｓの変化率Ｈｓと、非正規のメモリ装置に関する消費電流Ｉｈの変化率Ｈｈとを同一のグラフに表すと、図５のようになり、正規のメモリ装置に関する消費電流Ｉｓの変化率Ｈｓと、非正規のメモリ装置に関する消費電流Ｉｈの変化率Ｈｈとは、同じ値にならないことが分かる。
【００３３】
メモリ情報保護システム１Ａでは、正規のメモリ装置に関する消費電流Ｉｓの変化率Ｈｓが比較値（基準値）として予め記憶される。情報処理装置１０の認証動作では、メモリ装置が装着される度に、装着されたメモリ装置に関する消費電流の変化率が算出され、算出された変化率と比較値とを比較することによって、装着されたメモリ装置が正規のものであるか否かが判定される。そして、当該認証動作によって、メモリ装置２０の正当性が確認されなかった場合、情報処理装置１０は、装着されたメモリ装置を非正規のものとみなして、情報処理装置１０における情報処理を実行不可能にする。
【００３４】
このようにメモリ情報保護システム１Ａは、装着されたメモリ装置２０の正当性が確認されなかった場合、装着されたメモリ装置を非正規のものとみなして、情報処理装置における情報処理を実行不可能にする構成であるため、非正規のメモリ装置を用いてアプリケーションを実施することが困難になる。すなわち、正規のメモリ装置に記憶されたデータを抜き出して、メモリ装置を単純に複製しただけでは、認証動作を通過することができないため、無断複製者によるメモリ装置の複製は困難になる。
【００３５】
［１−２．機能ブロック］
次に、メモリ情報保護システム１Ａの機能構成について詳述する。図６は、第１実施形態に係るメモリ情報保護システム１Ａの機能構成を示すブロック図である。図７は、比較値格納メモリ１０４に格納された比較値データを示す図である。
【００３６】
図６に示されるように、メモリ情報保護システム１Ａを構成する情報処理装置１０は、全体制御部１００と、電力コントローラ１１０と、電流測定回路１２０と、メモリＩ／Ｆ１３０とを備えている。
【００３７】
全体制御部１００は、ＣＰＵ１０１と、演算器１０２と、復号器１０３と、比較値格納メモリ１０４と、ＧＰＩＯ１０５と、Ａ／Ｄコンバータ１０６と、コマンドバッファ１０７と、データバッファ１０８と、測定値格納メモリ１０９とを有している。
【００３８】
ＣＰＵ１０１は、情報処理装置１０の全体動作を制御するとともに、メモリ装置２０に対して読出コマンドおよび書込コマンド等のコマンド、並びに電力コントローラ１１０に対して制御コマンドを発行するコマンド発行部としても機能する。
【００３９】
演算器１０２は、メモリ装置２０で消費される消費電流の変化率を算出するとともに、算出された変化率と比較値との比較を行う。
【００４０】
復号器１０３は、暗号化された情報（例えば、暗号化された比較値）を復号化する機能を有している。
【００４１】
比較値格納メモリ１０４は、比較値を格納するメモリである。本実施形態で用いられる比較値は、図７に示されるように、正規のメモリ装置（正規品）に関する、所定の動作期間ＴＭにおける消費電流の変化率データＨＤ１であり、当該変化率データＨＤ１は、上記所定の動作期間ＴＭ内で得られたＮ（Ｎは２以上の整数）個（例えば、２４個）の各変化率で表されるデータである。したがって、本実施形態の比較値格納メモリ１０４は、上記所定の動作期間ＴＭにおけるＮ個の各変化率を比較値データとして格納する。また、上述の演算器１０２は、比較値格納メモリ１０４に格納された比較値データに基づく変化率データＨＤ１と、装着されたメモリ装置２０に関する、上記所定の動作期間ＴＭに対応する期間（後述の測定期間）の消費電流の変化率とを比較して、メモリ装置２０の正規判定を行うことになる。
【００４２】
なお、本実施形態における上記所定の動作期間ＴＭは、メモリ装置に電源供給を開始した直後の一定期間である。また、比較値格納メモリ１０４に格納された、上記所定の動作期間ＴＭにおけるＮ個の各変化率は、演算器１０２で算出される消費電流の変化率に対して基準となる変化率であることから「基準変化率」とも称される。
【００４３】
コマンドバッファ１０７は、メモリ装置２０に対して発行されたコマンドを一時的に格納するバッファメモリであり、データバッファ１０８は、メモリ装置２０によって出力されたデータを格納するバッファメモリである。
【００４４】
測定値格納メモリ１０９は、演算器１０２によって算出された消費電流の変化率を格納するメモリである。
【００４５】
電力コントローラ１１０は、汎用ポートとしてのＧＰＩＯ(General Purpose Input/Output)１０５を介して全体制御部１００から入力される制御コマンドに基づいて、メモリ装置２０に電源を供給する電源供給手段である。
【００４６】
電流測定回路１２０は、電力コントローラ１１０からメモリ装置２０に流れる電流を測定し、測定した電流値を消費電流値として全体制御部１００のＡ／Ｄコンバータ１０６に出力する。Ａ／Ｄコンバータ１０６は、所定の周期でサンプリングした消費電流値を演算器１０２へ出力する。
【００４７】
一方、上述のような構成を有する情報処理装置１０に装着されるメモリ装置２０は、メモリ制御部２００と、記憶部２１０とを備えている。
【００４８】
メモリ制御部２００は、ホストＩ／Ｆ２０１とデコーダ２０２とメモリコアＩ／Ｆ２０３とを有し、情報処理装置１０からホストＩ／Ｆ２０１を介して入力されたコマンドを解析して、当該コマンドに応じた所定動作の実行指示を行う。
【００４９】
例えば、ホストＩ／Ｆ２０１を介して入力されたコマンドが、記憶部２１０からのデータの読出コマンドである場合、デコーダ２０２は、当該読出コマンドをデコードして、読出コマンドに応じた読出アドレスを出力する。当該読出アドレスは、メモリコアＩ／Ｆ２０３を介して記憶部２１０に与えられる。読出アドレスを受けた記憶部２１０は、当該読出アドレスに格納されている読出対象のデータを出力する。
【００５０】
［１−３．演算器の詳細構成］
ここで、演算器１０２の構成について詳述する。
【００５１】
演算器１０２は、消費電流の変化率を算出する変化率演算器１０２１と、算出された変化率と比較値とを比較して、比較結果を出力する比較演算器１０２２とを有している。以下では、変化率演算器１０２１および比較演算器１０２２についてこの順序で説明する。図８は、変化率演算器１０２１の構成を示す図である。
【００５２】
図８に示されるように、変化率演算器１０２１は、第１レジスタＲ１と、第２レジスタＲ２と、減算器Ｇ１とを備えている。
【００５３】
第１レジスタＲ１は、Ａ／Ｄコンバータ１０６から上記所定の周期（「サンプリング周期」とも称する）で順次に入力される消費電流値を保持する。そして、第１レジスタＲ１は、サンプリング周期ごとに新しい消費電流値が入力される度に、保持していた消費電流値を出力する。第１レジスタＲ１から出力された消費電流値は、第２レジスタＲ２および減算器Ｇ１に入力される。
【００５４】
第２レジスタＲ２は、第１レジスタＲ１から消費電流値が入力される度に、保持していた消費電流値を出力する。第２レジスタＲ２から出力された消費電流値は、減算器Ｇ１に入力される。
【００５５】
減算器Ｇ１は、第１レジスタＲ１から入力される消費電流値と、第２レジスタＲ２から入力される消費電流値との差を算出し、消費電流の変化率を変化率データとして出力する。
【００５６】
次に、比較演算器１０２２について説明する。図９は、比較演算器１０２２の構成を示す図である。
【００５７】
図９に示されるように、比較演算器１０２２は、比較用減算器ＧＮと、誤差比較器ＭＲと、検出フラグレジスタＲＧとを備えている。
【００５８】
比較用減算器ＧＮは、変化率と比較値との差を算出し、算出した差分値を誤差比較器ＭＲに出力する。より詳細には、比較用減算器ＧＮには、変化率演算器１０２１によって算出された時系列の変化率が入力され、比較用減算器ＧＮは、入力された変化率と、当該変化率に対応した比較値との差を算出する。
【００５９】
誤差比較器ＭＲは、変化率と比較値との差の絶対値と許容誤差値とを比較することによって、変化率と比較値との差の絶対値が許容誤差値より小さいか否かを判定する。そして、変化率と比較値との差の絶対値が許容誤差値より小さい場合、誤差比較器ＭＲは、変化率と比較値とが一致したことを示す比較結果を検出フラグレジスタＲＧに出力する。一方、変化率と比較値との差の絶対値が許容誤差値以上の場合、誤差比較器ＭＲは、変化率と比較値とが一致しなかったこと（不一致であること）を示す比較結果を検出フラグレジスタＲＧに出力する。
【００６０】
検出フラグレジスタＲＧは、誤差比較器ＭＲから出力された比較結果に基づいて、比較値格納メモリ１０４に格納されている比較値が検出されたか否かを示すフラグを出力する。具体的には、誤差比較器ＭＲから入力される比較結果が、変化率と比較値とが一致したことを示す比較結果であった場合、検出フラグレジスタＲＧは、比較値格納メモリ１０４に格納されている比較値が検出されたことを示すフラグ（検出フラグ）を出力する。一方、誤差比較器ＭＲから入力される比較結果が、変化率と比較値とが一致しなかったことを示す比較結果であった場合、検出フラグレジスタＲＧは、比較値格納メモリ１０４に格納されている比較値が検出されなかったことを示すフラグ（非検出フラグ）を出力する。なお、検出フラグレジスタＲＧは、例えば、検出フラグとして「１」を出力し、非検出フラグとして「０」を出力する構成とすればよい。
【００６１】
このように、比較演算器１０２２は、変化率演算器１０２１によって算出された変化率と、当該変化率に対応する比較値との差を算出する比較用減算器ＧＮと、変化率と比較値との差の絶対値が、許容誤差値より小さい場合、比較値と変化率とが一致することを示す比較結果を出力し、変化率と比較値との差の絶対値が、許容誤差値以上の場合、比較値と変化率とが一致しないことを示す比較結果を出力する誤差比較器ＭＲとを有している。
【００６２】
当該比較演算器１０２２は、取得された変化率が所定範囲内に含まれるか否かの判定を、取得された変化率と、基準としての比較値との差の絶対値が、許容誤差値以内であるか否かに基づいて行う構成であるため、予め保持しておくデータ量を低減することが可能になる。
【００６３】
詳細には、例えば、取得された変化率が所定範囲内に含まれるか否かの判定を、当該所定範囲を規定する２つの値（上限値と下限値）それぞれと、取得された変化率とを比較して行う場合、取得される変化率ごとに、２つの値が必要となる。
【００６４】
これに対して、上述の比較演算器１０２２では、取得される変化率ごとの１つの比較値と、共通の許容誤差値とを用いて、取得された変化率が所定範囲内に含まれるか否かの判定を行う構成であるため、予め保持しておくデータ量を低減することができる。
【００６５】
また、当該比較演算器１０２２は、取得された変化率が所定範囲内に含まれるか否かの判定を、取得された変化率と、基準としての比較値との差の絶対値が、許容誤差値以内であるか否かに基づいて行う構成であるため、誤差による誤動作の発生を防止することができる。
【００６６】
詳細には、例えば、取得された変化率が所定範囲内に含まれるか否かの判定を、当該所定範囲を規定する２つの値（上限値と下限値）それぞれと、取得された変化率とを比較して行う場合、上限値または下限値を超えたか否かに基づいて厳密に判定されることになる。
【００６７】
これに対して、比較演算器１０２２では、取得された変化率が所定範囲内に含まれるか否かの判定において、許容誤差値分の誤差を許容できる構成であるため、誤差によって生じ得る誤動作の発生を防止することができる。
【００６８】
［１−４．動作］
次に、メモリ情報保護システム１Ａで実行される認証動作について説明する。図１０は、メモリ情報保護システム１Ａで実行される認証動作に関するフローチャートである。
【００６９】
図１０に示されるように、まず、ステップＳＰ１において、メモリ装置２０への電源供給が開始される。
【００７０】
具体的には、ＣＰＵ１０１は、電源供給の開始を指示する制御コマンド（開始制御コマンド）を電力コントローラ１１０に対して発行する。電力コントローラ１１０は、ＧＰＩＯ１０５を介して当該開始制御コマンドを取得し、開始制御コマンドに応じてメモリ装置２０への電源供給を開始する。
【００７１】
ステップＳＰ２では、比較値等（詳細には比較値および許容誤差値）がメモリ装置２０から読み出される。
【００７２】
例えば、比較値を読み出す際には、ＣＰＵ１０１は、比較値の読出コマンドを生成し、当該読出コマンドをコマンドバッファ１０７に格納する。コマンドバッファ１０７に格納された読出コマンドは、メモリＩ／Ｆ１３０を介してメモリ装置２０に伝送される。
【００７３】
メモリ装置２０は、ホストＩ／Ｆ２０１を介して当該読出コマンドを取得する。デコーダ２０２は、当該読出コマンドをデコードして、比較値格納アドレスをメモリコアＩ／Ｆ２０３に出力する。記憶部２１０は、メモリコアＩ／Ｆ２０３を介して比較値格納アドレスを受け取り、当該比較値格納アドレスに格納されている比較値をメモリコアＩ／Ｆに出力する。当該比較値は、ホストＩ／Ｆ２０１を介して情報処理装置１０に伝送され、メモリＩ／Ｆ１３０を介して情報処理装置１０のデータバッファ１０８に一時的に格納される。ここで、比較値が、暗号化された状態で記憶部２１０に格納されていた場合、比較値は、復号器１０３によって復号化された後、比較値格納メモリ１０４に格納される。一方、比較値が暗号化されていなかった場合、比較値は、比較値格納メモリ１０４にそのまま格納される。
【００７４】
このように、メモリ情報保護システム１Ａでは、比較値がメモリ装置２０から読み出される。なお、メモリ装置２０から許容誤差値を読み出す際にも、比較値を読み出す際の動作と同様の動作が実行され、読み出された許容誤差値が比較値格納メモリ１０４に格納される。
【００７５】
次のステップＳＰ３では、メモリ装置２０への電源供給が一旦停止される。
【００７６】
具体的には、ＣＰＵ１０１は、電源供給の停止を指示する制御コマンド（停止制御コマンド）を電力コントローラ１１０に対して発行する。電力コントローラ１１０は、ＧＰＩＯ１０５を介して停止制御コマンドを取得し、停止制御コマンドに応じてメモリ装置２０への電源供給を停止（休止）する。
【００７７】
ステップＳＰ４では、ＣＰＵ１０１によって、Ａ／Ｄコンバータ１０６に対して消費電流値の取得準備が行われる。そしてさらに、ステップＳＰ４では、ＣＰＵ１０１によって、電源供給の開始を指示する開始制御コマンドが発行され、開始制御コマンドを受けた電力コントローラ１１０によって、メモリ装置２０への電源供給が再開される。
【００７８】
ステップＳＰ５では、電源供給の開始に応じてメモリ装置２０で消費される消費電流値が取得される。具体的には、電流測定回路１２０は、メモリ装置２０への電源供給再開に応じて、電力コントローラ１１０からメモリ装置２０に流れる電流を測定し、測定した電流値を消費電流値として全体制御部１００のＡ／Ｄコンバータ１０６に出力する。Ａ／Ｄコンバータ１０６は、所定の周期でサンプリングした消費電流値を演算器１０２へ出力する。
【００７９】
ステップＳＰ６では、演算器１０２内の変化率演算器１０２１によって、消費電流の変化率が算出される。具体的には、変化率演算器１０２１は、Ａ／Ｄコンバータ１０６から順次に入力される消費電流値に基づいて、消費電流の変化率を算出する。
【００８０】
ステップＳＰ７では、変化率演算器１０２１によって算出された消費電流の変化率が、測定値格納メモリ１０９に格納される。
【００８１】
ステップＳＰ８では、測定期間内の変化率の取得が終了したか否かが判定される。測定期間内の変化率の取得が終了していない場合、動作工程は、ステップＳＰ５に移行され、測定期間内の変化率の取得が終了するまで、ステップＳＰ５からステップＳＰ８の各工程が繰り返し実行される。一方、測定期間内の変化率の取得が終了した場合、動作工程は、ステップＳＰ９に移行される。
【００８２】
ステップＳＰ９では、比較値格納メモリ１０４から比較値データおよび許容誤差値が読み出され、読み出された比較値データおよび許容誤差値が、比較演算器１０２２に入力される。また、測定値格納メモリ１０９からは消費電流の変化率が読み出され、読み出された消費電流の変化率が、比較演算器１０２２に入力される。
【００８３】
ステップＳＰ１０では、比較演算器１０２２によって、変化率データと、比較値データとの比較が行われる。
【００８４】
ステップＳＰ１１では、全ての変化率データの比較が終了したか否かが判定される。全ての変化率データの比較が終了していない場合、動作工程は、ステップＳＰ９に戻され、未終了の変化率データの比較が行われる。
【００８５】
一方、全ての変化率データの比較が終了した場合、動作工程は、ステップＳＰ１１に移行される。
【００８６】
ステップＳＰ１２では、比較演算器１０２２（詳細には、検出フラグレジスタＲＧ）から出力されるフラグに基づいて、装着されたメモリ装置２０が正規のものであるか否かがＣＰＵ１０１によって判定される。
【００８７】
比較演算器１０２２から出力されるフラグが検出フラグであった場合、ＣＰＵ１０１は、装着されたメモリ装置２０が正規のものであると判定して、認証動作を終了させる。メモリ装置２０が正規のものであると判定された場合、情報処理装置１０では、適切な情報処理が実行可能となる。なお、適切な情報処理とは、正規のメモリ装置２０が情報処理装置１０に装着されたときに、情報処理装置１０において、正規のメモリ装置２０に記憶された情報に基づいて実行される情報処理である。
【００８８】
一方、比較演算器１０２２から出力されるフラグが非検出フラグであった場合、ＣＰＵ１０１は、装着されたメモリ装置２０が非正規のものであると判定し、動作工程をステップＳＰ１３に移行させる。
【００８９】
このように、ＣＰＵ１０１は、演算器１０２から出力されるフラグに基づいて、装着されたメモリ装置２０が正規のものであるか否かを判定する判定手段として機能する。
【００９０】
ステップＳＰ１３では、情報処理装置１０における適切な情報処理が実行不可能となる処理が施される。詳細には、ステップＳＰ１３では、ＣＰＵ１０１によって停止制御コマンドが発行され、メモリ装置２０への電源供給が停止される。
【００９１】
以上のように、メモリ情報保護システム１Ａは、メモリ装置２０と、メモリ装置２０から読み出した情報を用いて、情報処理を実行する情報処理装置１０とを備えている。情報処理装置１０は、メモリ装置２０に電源を供給する電力コントローラ１１０と、情報処理装置１０からメモリ装置２０に流れる消費電流を測定する電流測定回路１２０と、電流測定回路１２０によって測定された、所定の測定期間における消費電流に基づいて、消費電流の単位時間当たりの変化量を、消費電流の変化率として算出する変化率演算器１０２１と、メモリ装置２０が正規品であるか否かの判定基準に用いる比較値と、変化率演算器１０２１によって算出された変化率とを比較することによって、比較値と変化率とが一致するか否かを示す比較結果を出力する比較演算器１０２２と、比較結果に基づいて、メモリ装置２０が正規品であるか否かを判定する判定手段とを有している。
【００９２】
このように、メモリ情報保護システム１Ａでは、消費電流の変化率に基づいて、メモリ装置が正規品であるか否かを判定するため、無断複製者は、正規のメモリ装置２０を複製するために、正規のメモリ装置２０の消費電流の変化率と同じ変化率を示しつつ動作するメモリ装置を複製することが必要になる。正規品と同じ消費電流の変化率で動作させるためには、半導体製造プロセス、実装デバイス、および基板のレイアウトを正規品と完全に一致させる必要があるため、メモリ情報保護システム１Ａでは、無断複製者によるメモリ装置の複製は極めて困難になる。
【００９３】
なお、装着されたメモリ装置による消費電流を測定し、消費電流の大きさに基づいて、メモリ装置が正規品であるか否かを判定することも考えられる。しかし、図２に示されるように、正規のメモリ装置の消費電流Ｉｓの最大値と、非正規のメモリ装置の消費電流Ｉｈの最大値とが等しい場合、正規のメモリ装置と非正規のメモリ装置とを識別することができない。
【００９４】
これに対して、本実施形態のように、消費電流の変化率に基づいて、装着されたメモリ装置の正当性を判定する手法では、正規のメモリ装置の消費電流Ｉｓの最大値と、非正規のメモリ装置の消費電流Ｉｈの最大値とが等しい場合でも、正規のメモリ装置と非正規のメモリ装置とを正確に識別することが可能になる。
【００９５】
＜２．第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。上記第２実施形態に係るメモリ情報保護システム１Ｂは、比較値および許容誤差値が情報処理装置１０の比較値格納メモリ１０４に予め記憶されている点以外は、メモリ情報保護システム１Ａとほぼ同様の構造および機能を有しており（図６等参照）、共通する部分については同じ符号を付して説明を省略する。
【００９６】
上述のように、メモリ情報保護システム１Ｂの情報処理装置１０は、比較値格納メモリ１０４において、認証動作に用いる比較値および許容誤差値を予め記憶している。
【００９７】
このようなメモリ情報保護システム１Ｂによれば、情報処理装置１０が当初から比較値および許容誤差値を有しているため、メモリ装置２０から比較値および許容誤差値を読み出す処理が不要になる。したがって、メモリ情報保護システム１Ｂでは、図１０のステップＳＰ１〜ステップＳＰ３の各工程を実行する必要がなくなり、認証動作を簡素化することができる。
【００９８】
＜３．変形例＞
以上、各実施の形態について説明したが、この発明は、上記に説明した内容に限定されるものではない。
【００９９】
上記各実施形態では、情報処理装置１０における適切な情報処理を実行不可能（実行不能）にする態様として、メモリ装置２０への電源供給を休止する態様を例示していたが、これに限定されない。
【０１００】
具体的には、情報処理装置１０における適切な情報処理を実行不能にする態様としては、例えば、ＣＰＵ１０１がプログラムの実行を停止することによって情報処理を中止する態様を採用することができる。また、他の態様としては、ＣＰＵ１０１が無限ループのプログラム、或いは正規のプログラムとは異なる非正規のプログラムを実行することによって、適切な情報処理の実行を不可能にする態様であってもよい。
【０１０１】
また、上記各実施形態では、正規のメモリ装置２０に関する電流の変化率を比較値として用い、装着されたメモリ装置２０に関する電流の変化率が当該比較値に一致したときに、装着されたメモリ装置２０を正規のメモリ装置２０とするホワイトリスト方式の判定手法を採用していたが、これに限定されない。
【０１０２】
具体的には、非正規のメモリ装置（非正規品）に関する電流の変化率を比較値として用い、装着されたメモリ装置２０に関する電流の変化率が当該比較値に一致したときに、装着されたメモリ装置２０を非正規のメモリ装置２０として判定するようにしてもよい。当該判定手法は、非正規のメモリ装置に関する電流の変化率を比較値として用いるので、ブラックリスト方式とも称される。
【０１０３】
非正規のメモリ装置に関する電流の変化率を比較値として用いることによれば、市場に出回っている非正規のメモリ装置にターゲットを定めて、当該非正規のメモリ装置を用いた情報処理の実行を回避することが可能になる。
【０１０４】
なお、非正規のメモリ装置が複数存在する場合は、複数の非正規のメモリ装置それぞれの電流の変化率を比較値として用い、装着されたメモリ装置２０に関する電流の変化率が各比較値のいずれかに一致したとき、装着されたメモリ装置２０を非正規のメモリ装置２０として判定するようにしてもよい。
【０１０５】
また、上記各実施形態では、メモリ装置２０に電源供給が開始されたタイミングで、消費電流値の取得を開始していたが、これに限定されない。
【０１０６】
具体的には、情報処理装置１０からメモリ装置２０に対してデータの読出コマンド等の何らかのコマンド（特定コマンド）が発行されたタイミングで、消費電流値の取得を開始する態様であってもよい。なお、この場合、上記所定の動作期間ＴＭは、特定コマンド発行直後の一定期間であり、比較値は、特定コマンド発行直後の一定期間に取得されたデータとなる。なお、ＣＰＵ１０１からＡ／Ｄコンバータ１０６に対する、消費電流値の取得準備は、特定コマンド発行前に予め行われる。
【符号の説明】
【０１０７】
１Ａ，１Ｂ  メモリ情報保護システム
１０  情報処理装置
２０  メモリ装置
１００  全体制御部
１０１  ＣＰＵ
１０２  演算器
１０２１  変化率演算器
１０２２  比較演算器
１０３  復号器
１０４  比較値格納メモリ
１０９  測定値格納メモリ
１１０  電力コントローラ
１２０  電流測定回路
ＧＮ  比較用減算器
ＭＲ  誤差比較器
ＲＧ  検出フラグレジスタ
ＴＭ  動作期間
【図１】
2014048898.tif 000003
【図２】
2014048898.tif 000004
【図３】
2014048898.tif 000005
【図４】
2014048898.tif 000006
【図５】
2014048898.tif 000007
【図６】
2014048898.tif 000008
【図７】
2014048898.tif 000009
【図８】
2014048898.tif 000010
【図９】
2014048898.tif 000011
【図１０】
2014048898.tif 000012