(57)【要約】【課題】簡単な構造で外部へのノイズ放射を効果的に低減でき、小型化が可能な光トランシーバを提供する。【解決手段】光トランシーバは、光電変換素子を搭載した光サブアセンブリ１５と、この光サブアセンブリ１５用の電子回路１６を実装した回路基板１７を、筐体内に収納保持している。筐体を構成するトップハウジング１１およびボトムハウジング１２の少なくともいずれか一方には、櫛歯状導電部材１９と、歯と歯の間に充填された誘電体とからなる周期構造体（垂直型コルゲート構造体）が設けられている。櫛歯状導電部材１９の寸法と数は、抑制する電磁波の周波数帯域によって定めることができる。また、周期構造体は筐体と一体に形成されていても別体に形成されていてもよい。【選択図】図２
2014085513.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子を搭載した光サブアセンブリと、該光サブアセンブリを実装した回路基板とを、ベースハウジングとトップハウジングからなる筐体の内部に収納保持した光トランシーバであって、前記筐体の内部に複数の歯を列設した櫛歯状導電部材が設けられ、前記歯と隣接する歯の間に誘電体が充填されていることを特徴とする光トランシーバ。
【請求項２】
前記筐体が導電体より形成され、前記櫛歯状導電部材が前記筐体と一体に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光トランシーバ。
【請求項３】
前記筐体が導電体より形成され、前記櫛歯状導電部材が前記筐体と別体に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光トランシーバ。
【請求項４】
前記櫛歯状導電部材の歯の断面が、曲線状の部分を含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか１に記載の光トランシーバ。
【請求項５】
前記櫛歯状導電部材における歯の高さが等しいことを特徴とする請求項１から４のいずれか１に記載の光トランシーバ。
【請求項６】
前記櫛歯状導電部材における歯の高さが連続的に変化していることを特徴とする請求項１から４のいずれか１に記載の光トランシーバ。
【請求項７】
前記櫛歯状導電部材が、第１の高さの複数の前記歯が配置された第１の櫛歯群と、前記第1の高さとは異なる第２の高さの複数の前記歯が配置された第２の櫛歯群とを備えることを特徴とする請求項１から４のいずれか１に記載の光トランシーバ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光信号によるデータ通信に用いられる光トランシーバに関する。
【背景技術】
【０００２】
光通信に用いられる光トランシーバは、光信号を送信する送信用光サブアセンブリ（ＴＯＳＡ：Transmitter Optical Sub-Assembly）、光信号を受信する受信用光サブアセンブリ（ＲＯＳＡ：Receiver Optical Sub-Assembly）、または、送受信の双方の構成を持つ送受信用光サブアセンブリ等の光サブアセンブリを、多数の電子部品を実装した回路基板と共に金属製の筐体内部に収納保持して構成される。この場合、送受信の双方の機能を備え、ホスト装置のケージに挿抜されてケージ奥部に配された電気コネクタに接続されて動作するものを、一般にプラガブル型光トランシーバ（以下、光トランシーバという）といわれる。
【０００３】
図１７は、従来の光トランシーバ１００の一例を説明する図であり、例えば、光トランシーバ１００は、光レセプタクル１０６の後部が断面矩形状の金属製の筐体１０５で囲われた長方形体で形成されている。光トランシーバ１００は、ホスト装置１０１のフロントパネル１０３に設けられたパネル開口１０３ａを通して、ホスト基板１０４上に載置されたケージ１０２内に挿抜自在に嵌めこまれ、ケージ１０２の奥部に配された電気コネクタ（図示せず）により電気的に接続される。また、光レセプタクル１０６内には光ファイバコネクタ１０７が挿入され、光トランシーバ１００に実装されている発光素子および受光素子と光学的に接続され、光信号の送受信が行われる。
【０００４】
このような光トランシーバでは、光トランシーバの内部、もしくはホスト装置の内部からホスト装置の外部への電磁放射（ＥＭＩ）を抑え、また放熱を促進するために、光トランシーバ１００の金属製の筐体１０５を、接地されているケージ１０２またはホスト装置のフロントパネル１０３の開口１０３ａに電気的に接触させて電磁的にシールドすることなどが行われている。
【０００５】
例えば、特許文献１には、光トランシーバを覆う金属製の筐体に設けた弾性フィンガが、光コネクタが挿入された状態のときに、金属製の筐体の外方に突き出されてケージ内面に電気的に接触してＥＭＩシールドを形成し、光コネクタが挿入されていないときは、弾性フィンガは、ケージと無接触となって光トランシーバのケージへの着脱を容易にした構造が開示されている。また、特許文献２には、電磁波の遮断構造として、金属表面の電磁誘導表面電流を減少させるために、グランド電位の金属表面上に導電ビアによって支持された六角形の金属プレートを、対象とする電磁放射の波長よりも十分に小さい間隔で２次元的に配列したグランドプレーンメッシュ構造が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−２３３２６１号公報
【特許文献２】米国特許６２６２４９５号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
一般に、ＥＭＩシールドを考慮した光トランシーバの実装は、ホスト装置のフロントパネルとケージ間、並びに光トランシーバ筐体とケージ間を、複数のフィンガ又はタブ等により複数の電気接続パスを形成して接地電位の安定化を図るとともに、外部への漏洩口となるパネル開口付近の隙間となる部分を小さくするようにして、上記の特許文献１に開示されるような種々の提案がなされてきた。
【０００８】
しかしながら、近年は、情報伝送量の増大に伴い、伝送速度が高速化し、装置の動作周波数が高くなっているため、わずかな隙間からでも電磁放射が外部へ漏洩する。例えば、フロントパネルの開口とケージとの隙間、ケージと光トランシーバ筐体との隙間は、外向きと内向きのフィンガで部分的には塞ぐことが可能であるが、フィンガ間の隙間が残るため、この隙間から電磁放射ノイズの漏れが生じるおそれがある。
【０００９】
このため、出願人は、特願２０１０―２８２７１９号において、光トランシーバの筐体内部に櫛歯状導電部材を設けることにより、筺体の内部空間を伝搬する電磁ノイズを櫛歯状導電部材によって減衰させ、外部へのノイズ放射を効果的に低減できる発明を提案している。しかしながら、光トランシーバの大きさはＭＳＡ（Multi Source Agreement）等の業界標準で定められる中、ますます小型化を目指した標準化が進められており、光トランシーバの内部空間の余裕は少ない。そして、櫛歯状導電部材によるツイタテ構造は、後述するように櫛歯の高さが基本的に遮断したい波長の１/４になるため、櫛歯状導電部材が光トランシーバ内部で閉める容積は無視できず、その設置場所が制限され、他の実装部品の配置が制約されるという問題があった。
また、特許文献２に開示されたグランドプレーンメッシュ構造は、その構造が複雑であるため、光トランシーバ筐体の内部に例えばダイキャストや金属射出成型などの量産に適した方法で一体型として製作するのはきわめて困難である。  
【００１０】
本発明は、これらの実情に鑑みてなされたものであり、簡単な構造で外部へのノイズ放射を効果的に低減でき、小型化が可能な光トランシーバを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明による光トランシーバは、光電変換素子を搭載した光サブアセンブリと、該光サブアセンブリを実装した回路基板とを、ベースハウジングとトップハウジングからなる筐体の内部に収納保持した光トランシーバであって、前記筐体の内部に複数の歯を列設した櫛歯状導電部材が設けられ、前記歯と隣接する歯の間には誘電体が充填されていることを特徴とする。
【００１２】
前記筐体が導電体より形成され、前記櫛歯状導電部材が前記筐体と一体に形成されていると組立ての手間が省力化できるが、前記櫛歯状導電部材が前記筐体と別体に形成されていてもよく、互いに電気的に接触していればよい。また、前記櫛歯状導電部材の櫛歯が直方体でその断面が直線で構成されていてもよいが、曲線状の部分を含むことで適切な周波数特性を得ることも可能である。さらに、前記櫛歯状導電部材における歯の高さを等しく設けてもよいが、歯の高さを連続的に変えて設けてもよい。あるいは、前記櫛歯状導電部材は、第１の高さの複数の歯が配置された第１の櫛歯群と、該第１の歯の高さとは異なる第２の高さの複数の歯が配置された第２の櫛歯群を有してもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、光トランシーバの筐体の内部に筐体内部に複数の歯が列設された櫛歯状導電部材を有し、前記歯と隣接する歯の間に誘電体が充填されている周期構造体を設けたことにより、筺体の内部空間を伝搬する電磁ノイズを周期構造体によって減衰させることができ、外部へのノイズ放射を効果的に低減できる。また、櫛歯状導電部材の歯と隣接する歯の間を誘電体で充填することによる電磁波吸収効果とあいまって周期構造体の高さを低く形成することができるため、筐体内に収容される回路基板などの配置の自由度が大きく、光トランシーバの小型化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態に係る光トランシーバの一例を示す外観図である。
【図２】図１に示す光トランシーバの断面図である。
【図３】図１に示す光トランシーバの筐体の構成部材を示す図である。
【図４】櫛歯状導電部材の等価回路モデルを説明する図である。
【図５】櫛歯状導電部材による電磁波の遮断を説明する図である。
【図６】櫛歯状導電部材における減衰乗数について説明する図である。
【図７】櫛歯状導電部材における歯の数と減衰量のシミュレーション結果を示す図である。
【図８】櫛歯状導電部材のモデルを説明する図である。
【図９】櫛歯状導電部材へ誘電体を充填した場合としない場合における、遮断特性のＦＤＴＤシミュレーションを行なった結果を示す図である。
【図１０】櫛歯状導電部材へ誘電体を充填した場合としない場合における電磁波吸収特性のＦＤＴＤシミュレーションを行なった結果を示す図である。
【図１１】櫛歯状導電部材へ誘電体を充填した場合としない場合における試作品の電磁波吸収特性の実測結果を比較した図である。
【図１２】櫛歯状導電部材へ誘電体を充填した場合における歯の数と電磁波吸収特性のシミュレーション結果を示す図である。
【図１３】櫛歯状導電部材の他の例を説明するための図である。
【図１４】櫛歯状導電部材のさらに他の例を説明するための図である。
【図１５】櫛歯状導電部材のさらに他の例を説明するための図である。
【図１６】櫛歯状導電部材のさらに他の例を説明するための図である。
【図１７】従来の光トランシーバを説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。図１は、本発明の実施形態に係る光トランシーバの一例を示す外観図であり、図２は、図１に示す光トランシーバの断面図である。また、図３は、図１に示す光トランシーバの筐体の構成部材を示す図であり、内部が分かるように上下逆に示している。なお、以下の説明において、異なる図面においても同じ符号を付した構成は同様のものであるとして、その説明を省略する場合がある。
【００１６】
図において、１は光トランシーバ、１１はトップハウジング、１２はボトムハウジング、１３はハウジングカバー、１４はレセプタクル部、１５は光サブアセンブリ、１６は電子回路部品、１７は回路基板、１８はフレキシブル基板（ＦＰＣ）、１９は櫛歯状導電部材、４０は誘電体を示す。
【００１７】
ここで、光サブアセンブリ１５は、光信号を送信する光サブアセンブリ（ＴＯＳＡ）と光信号を受信する光サブアセンブリ（ＲＯＳＡ）を含み、それぞれ、互いに幅方向（Ｘ軸方向）に並列状態にして、レセプタクル部１４により一体的に組み付けられてサブアセンブリユニットとされる。光サブアセンブリ１５のＴＯＳＡおよびＲＯＳＡには、それぞれ光電変換素子である発光素子および受光素子が搭載され、フレキシブル基板１８を介して回路基板１７に接続される。
【００１８】
そして、光サブアセンブリ１５のＴＯＳＡとＲＯＳＡのための電気信号処理、制御等は、回路基板１７に実装された電子回路部品１６からなる電子回路で行われる。回路基板１７は、主回路基板として光トランシーバの主たる制御を行う回路装置に用い、ＩＣ回路等の発熱部品を搭載する基板とすることができる。また、１枚の回路基板１７で電子回路を収納できない場合は、第２の回路基板を設けてもよい。なお、回路基板１７のＺ軸後方（レセプタクル部１４側と反対側）には、光トランシーバをホスト装置に電気的に接続するための、コネクタ部が設けられる。
【００１９】
光トランシーバ１の筐体は、本実施形態では、トップハウジング１１、ボトムハウジング１２、および、ハウジングカバー１３から構成される。トップハウジング１１は、放熱とシールド機能を有する金属材で形成され、頂部壁１１１と一対の側壁１１２を有している。トップハウジング１１の前部には、光コネクタを挿着するためのレセプタクル部１４が設けられている。このレセプタクル部１４は、図示しない光コネクタが挿着される一対のソケット孔１４ａを有し、光サブアセンブリ１５のＴＯＳＡ、ＲＯＳＡのスリーブ部分に連通している。そして、トップハウジング１１の頂部壁１１１の後部内面には、櫛歯状導電部材１９と歯と歯の間に充填された誘電体４０とからなる周期構造体２０が設けられている。
【００２０】
ボトムハウジング１２は、トップハウジング１１の下部の開口を塞ぐ蓋形状を有しており、トップハウジング１１と同様に、放熱とシールド機能を有する金属材で形成することができる。ボトムハウジング１２の底部壁の前部内面は、トップハウジング１１内に位置決めされて収納されているＴＯＳＡ、ＲＯＳＡを下方から押えて保持固定するようになっている。また、図には示していないが、ボトムハウジング１２の底部壁の後部内面に、前記の周期構造体２０が設けられてもよい。
【００２１】
ハウジングカバー１３は、光トランシーバ１の後端側部を覆うコの字形状をしており、トップハウジング１１および／またはボトムハウジング１２に設けた周期構造体２０を覆っている。ハウジングカバー１３の材料は、トップハウジング１１、ボトムハウジング１２と同様に、放熱と電磁シールド機能を有する金属材で形成することができる。
【００２２】
トップハウジング１１および／またはボトムハウジング１２に設けた周期構造体２０は、筺体の内部空間を伝搬する電磁ノイズを減衰させるためのものであって、櫛歯状導電部材を筐体の長手方向（Ｚ軸方向）に沿って、例えば、一列に複数個配列したものである。櫛歯状導電部材の歯は、筐体の長手方向に直交する方向（Ｘ軸方向）に延びている。そして、周期構造体２０は、光トランシーバ１が機器に挿入される活線挿抜部分、すなわち、光トランシーバ１の後端部のみ、もしくは、後端部と光コネクタが装着される側である前端部との両方の位置に設けられることが望ましい。また、周期構造体２０は、トップハウジング１１およびボトムハウジング１２の少なくとも一方に設けるようにしてもよい。
【００２３】
次に、周期構造体２０による電磁波の遮断について説明する。説明にあたって、まず、櫛歯構造体（以下、「垂直型コルゲート構造体」ともいう。）による電磁波の遮断について説明する。
図４は、櫛歯状導電部材の等価回路モデルを説明する図であり、図４（Ａ）は、光トランシーバ内に設けた櫛歯構造体の断面を示す図、図４（Ｂ）は，櫛歯１ユニット当たりの伝送線路モデルの諸元（パラメータ）を示す図である。図４（Ｃ）は、櫛歯１ユニット当たりの伝送線路モデルの等価回路モデルを示す図である。
【００２４】
光トランシーバの筐体の内部空間は導波管と同様の構造となっている。したがって、その内部空間の構造で定まる遮断周波数以上の周波数を有するノイズは、筺体の内部空間を伝搬することになる。図４（Ａ）において、３０は櫛歯構造体、３１は櫛歯を構成する歯（ツイタテ）、３２は溝部、３３は導波管を示す。
【００２５】
ここで、導波管の伝送線路モデルの櫛歯１ユニット当たりのパラメータとして、図４（Ｂ）に示すように、導波管３３の横幅をａ（ｍ）、導波管３３の高さをｂ（ｍ）、１周期分の長さ（ピッチ）をｐ（ｍ）、歯３１の高さ（深さ）をｔｓ（ｍ）、溝部の幅をｗｓ（ｍ）、溝部３２の比透磁率をμｒ、溝部３２の比誘電率をεｒとする。そして、透磁率をμ（Ｈ／ｍ）、誘電率をε（Ｃ／ｍ）、１周期あたりのインピーダンスをＺ（Ω）、１周期あたりのアドミタンスをＹ（Ｓ）、単位長さあたりのインピーダンスをＺ’（Ω）、単位長さあたりのアドミタンスをＹ’（Ｓ）、角周波数をω（ｒａｄ／ｓ）、周波数をｆ（１／ｓ）、カットオフ周波数をｆｃ（１／ｓ）（ここで、ｆｃ＝１／（２ａ））、溝部でのインピーダンスをＺｓ（Ω）、溝部での伝搬定数をβｓ（ｒａｄ／ｍ）、真空中の高速をｃ（ｍ／ｓ）とすれば、伝送線路モデルにおける実効的な透磁率μｅｆｆ（Ｈ／ｍ）は、式１で表すことができる。
【数１】
2014085513.tif 000003
【００２６】
また、伝送線路モデルにおける実効的な誘電率εｅｆｆ（Ｃ／ｍ）は、式２で表すことができる。
【数２】
2014085513.tif 000004
そして、櫛歯１ユニット当たりの伝送線路モデルの等価回路は、図４（Ｃ）に示す図となる。
【００２７】
図５は、垂直型コルゲート構造体による電磁波の遮断について説明するための図である。
ある特定の周波数帯域で電磁波が伝搬できない領域となる電磁バンドギャップ（ＥＢＧ）は、図５（Ａ）で示したμｅｆｆ（式１）またはεｅｆｆ（式２）のどちらか片方が負になる場合に形成され、これは、εｅｆｆとμｅｆｆの２次元平面を描いた場合、図５（Ａ）の第２象限Ｄ２あるいは第４象限Ｄ４の場合に対応する。ここで、実効的な誘電率と透磁率を自由に操作できるという意味で、垂直型コルゲート構造体は、メタマテリアルの一つと考えられる。（参考文献  Christophe Caloz, Tatsuo Itoh著“Electromagnetic Metamaterials : Transmission Line Theory and Microwave Applications” Wiley-IEEE Press; 1版 (2005/11/25)）
【００２８】
図５（Ｂ）に、図４（Ｂ）に示した伝送線路モデルの各パラメータの値を表１に示す値とした際の、εｅｆｆとμｅｆｆとの計算例を示す。εｅｆｆ＜０の領域はいわゆる導波管でのカットオフ周波数以下に対応する。この領域は導波管の幅ａで一意に決まってしまうため、導波管サイズがすでに決められている状況ではギャップ領域の操作は不可能である。一方、μｅｆｆ＜０となる領域は、導波管内のショートスタブ構造（コルゲート構造）の形状を変更することで操作可能である。
【表１】
2014085513.tif 000005
【００２９】
そして、ショートスタブのインピーダンスがオープンになる条件の時に、電磁波の遮断がおこるため、下記の式３を解いて、式４で示す遮断周波数ｆｏｐｅｎを得ることができる。
【数３】
2014085513.tif 000006
【数４】
2014085513.tif 000007
【００３０】
遮断したい周波数の電磁波の波長をλｏｐｅｎとした場合、コルゲート構造の歯の高さｔｓは、式４から算出される値である必要がある。ここで、導波管横方向の長さが十分長く、ａ＝∞、歯間の溝３２に誘電体、磁性体が存在しない、すなわち、真空中で、溝部３２の比透磁率μｒ＝１、溝部３２の比誘電率をεｒ＝１とすると、歯の高さｔｓは、式５で示すように、遮断したい電磁波の波長の１/４になる。
【数５】
2014085513.tif 000008
【００３１】
また、溝の隙間に誘電体または磁性体を設置した場合は、式６で示すように、1/√(εrμr)倍だけ歯の高さｔｓを小さくすることができる。
【数６】
2014085513.tif 000009
歯間の隙間３２に充填する誘電体として、例えば、ポリイミド（１０ＧＨｚで比誘電率３.２）、ＬＣＰ（液晶ポリマー：２５ＧＨｚで比誘電率２.９）、アクリル系放熱材（１ＭＨｚで比誘電率約４.４）などを用いることにより、歯の高さｔｓを約０.５から０.６倍程度に抑えることが可能となる。
【００３２】
次に、垂直型コルゲート構造体を実際に使用するにあたって、導波管内を伝わる電磁波の減衰効果は大きい方が望ましい。図６は、垂直型コルゲート構造体における減衰乗数について説明するための図である。フロケの定理を用い、垂直型コルゲート構造体の櫛歯１ユニット当たりの減衰定数αは、式７で表すことができる。
【数７】
2014085513.tif 000010
【００３３】
そして、図６に示すように、櫛歯を複数（Ｎ個）のユニット設けた際の入力電界振幅をＡｉｎ、出力電界振幅をＡｏｕｔとする場合、入力電界振幅をＡｉｎに対する出力電界振幅Ａｏｕｔは、式８で示す関係となる。
【数８】
2014085513.tif 000011
ここで、ｅｘｐ（−α）は歯を１つ有する櫛歯１ユニット当たりの減衰を示す。したがって、ユニットの数が多いほど、導波管内を伝わる電磁波の減衰効果は大きくなり、遮断性能は向上することになる。
【００３４】
図７は、垂直型コルゲート構造体におけるユニット数のシミュレーション結果を示す図であり、ユニットの形状を図４（Ａ）で示す形状とし、各パラメータを表１に示す値とした場合における、ＦＤＴＤ（Finite Difference Time Domain）解析した結果を、周波数とＳパラメータのＳ２１の関係で示している。ここで、実際の光トランシーバでは、電界振幅が−３０ｄＢ以上減衰する帯域が２ＧＨｚ以上ある場合が望ましく、図７から、４枚以上の歯を有する櫛歯を設ければよいことが分かる。
【００３５】
次に、垂直型コルゲート構造体である櫛歯状導電部材において、歯と歯の間に誘電体を充填した場合としない場合における遮断周波数の関係について説明する。図８は、シミュレーションに用いた櫛歯状導電部材のモデルを説明する図であり、歯の高さをｔｓ、歯の厚みをｔｌ、歯と歯の間隔をｗｓで示している。図９は、櫛歯状導電部材へ誘電体を充填した場合としない場合における、遮断特性のＦＤＴＤシミュレーションを行なった結果を示す図である。
【００３６】
図８に示す各パラメータの値は、歯の高さｔｓが２.６４ｍｍ、歯の厚みｔ１が０.７ｍｍ、歯と歯の間隔ｗｓが１.３ｍｍ、であり、誘電体４０の比誘電率εｒが４.０で２０ＧＨｚでの誘電正接ｔａｎδが０.０１５とした。そして、図８（Ａ）に示す櫛歯状導電部材へ誘電体を充填しない場合における、ＦＤＴＤ解析結果として周波数に対するＳパラメータＳ１１、Ｓ２１の関係を図９（Ａ）に示し、図８（Ｂ）に示す櫛歯状導電部材へ誘電体を充填した場合における結果を図９（Ｂ）にしている。なお、シミュレーションはユニット数が５、すなわち歯の数が５枚の場合について行った。これにより、インサーション・ロス（挿入損失）に相当するＳ２１が大きくなる領域は、誘電体４０を充填しない図８（Ａ）のモデルよりも誘電体４０を設けた図８（Ｂ）のモデルの方がより低い周波数で現われていることが分かる。したがって、同じ周波数帯域での減衰を生じさせるためには、誘電体４０を設けた図８（Ｂ）のモデルの方が歯の高さはｔｓを短くすることが可能となる。
【００３７】
また、図８に示したモデルと同様のモデルで、櫛歯状導電部材へ誘電体を充填した場合としない場合における電磁波吸収特性のＦＤＴＤシミュレーションを行なった結果を図１０に、また、同じモデルでの試作品での電磁波吸収特性の実測結果を図１１に示す。図１０、図１１において、実線が吸収率、破線が透過率、点線が反射率を示している。そして、図１０（Ａ）、図１１（Ａ）が充填しない場合を、また、図１０（Ｂ）、図１１（Ｂ）が誘電体を充填した場合を示している。これらの結果から、シミュレーションあるいは試作品とも、誘電体を充填することによって吸収率が上がり、結果として透過率を抑える著しい効果が得られることが分かる。
【００３８】
図１２は櫛歯状導電部材へ誘電体を充填した場合における歯の数と電磁波吸収特性のシミュレーション結果を示す図である。モデルとしては、歯の高さｔｓが１.６８ｍｍ、歯の厚みｔ１が０.７ｍｍ、歯と歯の間隔ｗｓが１.３ｍｍ、であり、誘電体４０の比誘電率εｒが４.０で２０ＧＨｚでの誘電正接ｔａｎδが０.０１５とした。図１２において、歯の数が５枚の場合を点線で、歯の数が１０枚の場合を破線で、歯の数が２０枚の場合を実線で示している。これにより、歯の数が多いほど電磁波の吸収が大きくなることが分かる。
【００３９】
図１３は櫛歯状導電部材の他の例を説明するための図である。図１３に示す櫛歯状導電部材１９は、トップハウジング１１とは別体に形成された金属などの導電体からなり、トップハウジング１１に固着されている。櫛歯状導電部材１９の歯３１と歯３１との間には誘電体４０が充填されており、櫛歯状導電部材１９と誘電体４０とで周期構造体２０が構成されている。トップハウジング１１と一体に櫛歯状導電部材１９を形成したものでは、光トランシーバの駆動周波数に応じて櫛歯状導電部材１９の歯３１の高さが異なるトップハウジングを準備する必要があるが、図１３に示す周期構造体２０では、歯の高さの異なる周期構造体や誘電体材料の異なる周期構造体を複数準備しておき、種々の動作周波数を有する光トランシーバに適した周期構造体２０をトップハウジング１１に固着するだけで、簡単に電磁ノイズの放射を抑制することができる。なお、筐体とは別体に構成した周期構造体２０をボトムハウジング１２に固着するようにしてもよい。
【００４０】
図１４は櫛歯状導電部材のさらに他の例を説明するための図であり、図１４はトップハウジング１１の内側から周期構造体２０を見た図である。図１４で示すように、櫛歯状導電部材１９の各歯３１は、必ずしもハウジングの長手方向に直交する方向に延びる直線状である必要はなく、断面が曲線状の箇所を有していてもよい。歯３１と櫛３１との間には誘電体が充填される。そして、断面が曲線状の箇所を有していても、電磁ノイズに対する作用は直線状の歯を有する周期構造体２０の場合と同様である。
【００４１】
図１５は櫛歯状導電部材のさらに他の例を説明するための図である。図１５に示す櫛歯状導電体１９は、歯３１の高さを順次ｔｓ１、ｔｓ２、ｔｓ３・・・ｔｓｎとした際に、ｔｓ１＞ｔｓ２＞ｔｓ３・・・＞ｔｓｎとなるように歯の高さ高さを連続的に変化させている。ここで、歯の高さは抑制対象とする電磁ノイズの基本波長λに対して１／４となるようにしている。これにより、抑制対象となる電磁ノイズが高調波を含む広帯域なノイズであった場合でも、効果的にノイズ放射を抑制することができる。
【００４２】
図１６は櫛歯状導電部材のさらに他の例を説明するための図である。図１６に示す櫛歯状導電部材は、第１の高さｔｓ１を有する複数の歯からなる第１の櫛歯状導電部材１９１と、第１の高さｔｓ１とは異なる第２の高さｔｓ2を有する複数の歯からなる第２の櫛歯状導電部材１９２とからなっている。そして、歯と歯の間に充填した誘電体４０とともに、第１の周期構造体２０１および第２の周期構造体２０２とを構成している。それぞれの周期構造体の歯の高さを、抑制対象とする複数の周波数に合わせることで、光トランシーバ内で発生する複数の周波数の電磁ノイズを効果的に抑制することができる。なお、櫛歯群の数は図１６の例では２つであるが、３つ以上としてもよい。
【符号の説明】
【００４３】
１…光トランシーバ、１１…トップハウジング、１２…ボトムハウジング、１３…ハウジングカバー、１４…レセプタクル部、１５…光サブアセンブリ、１６…電子回路部品、１７…回路基板、１８…フレキシブル基板、１９…櫛歯状導電部材、２０…周期構造体（垂直型コルゲート構造体）、２０…周期構造体、３０…櫛歯構造体、３１…歯（ツイタテ）、３２…溝部、３３…導波管、４０…誘電体、１００…光トランシーバ、１０１…ホスト装置、１０２…ケージ、１０３…フロントパネル、１０４…ホスト基板、１０５…筺体、１０６…光レセプタクル、１０７…光ファイバコネクタ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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