(57)【要約】【課題】樹脂と良好に接着し、且つ、銅箔をエッチングで除去した後の樹脂の透明性に優れた表面処理銅箔及びそれを用いた積層板を提供する。【解決手段】少なくとも一方の表面のスキューネスＲｓｋが−０．３５〜０．５３である表面処理銅箔であって、観察地点−明度グラフにおいて、マークの端部からマークが描かれていない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差をΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ−Ｂｂ）とし、観察地点−明度グラフにおいて、明度曲線とＢｔとの交点の内、前記ライン状のマークに最も近い交点の位置を示す値をｔ１として、明度曲線とＢｔとの交点からＢｔを基準に０．１ΔＢまでの深さ範囲において、明度曲線と０．１ΔＢとの交点の内、前記ライン状のマークに最も近い交点の位置を示す値をｔ２としたときに、下記（１）式で定義されるＳｖが３．５以上となる。2014111825.tif 000011【選択図】  図２
2014111825.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方の表面のＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づくスキューネスＲｓｋが−０．３５〜０．５３である表面処理銅箔であって、
前記銅箔を表面処理が行われている表面側からポリイミド樹脂基板の両面に貼り合わせた後、エッチングで前記両面の銅箔を除去し、
ライン状のマークを印刷した印刷物を、露出した前記ポリイミド基板の下に敷いて、前記印刷物を前記ポリイミド基板越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、
前記撮影によって得られた画像について、観察された前記ライン状のマークが伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点−明度グラフにおいて、
前記マークの端部から前記マークが描かれていない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差をΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ−Ｂｂ）とし、観察地点−明度グラフにおいて、明度曲線とＢｔとの交点の内、前記ライン状のマークに最も近い交点の位置を示す値をｔ１として、明度曲線とＢｔとの交点からＢｔを基準に０．１ΔＢまでの深さ範囲において、明度曲線と０．１ΔＢとの交点の内、前記ライン状のマークに最も近い交点の位置を示す値をｔ２としたときに、下記（１）式で定義されるＳｖが３．５以上となる表面処理銅箔。
【数１】
2014111825.tif 000010
【請求項２】
前記表面処理銅箔の前記表面のスキューネスＲｓｋが−０．３０〜０．３９である請求項１に記載の表面処理銅箔。
【請求項３】
前記明度曲線における（１）式で定義されるＳｖが３．９以上となる請求項１又は２に記載の表面処理銅箔。
【請求項４】
前記明度曲線における（１）式で定義されるＳｖが５．０以上となる請求項１又は２に記載の表面処理銅箔。
【請求項５】
前記表面のＴＤの平均粗さＲｚが０．２０〜０．６４μｍであり、前記表面の三次元表面積Ａと二次元表面積Ｂとの比Ａ／Ｂが１．０〜１．７である請求項１〜４のいずれかに記載の表面処理銅箔。
【請求項６】
前記ＴＤの平均粗さＲｚが０．２６〜０．６２μｍである請求項５に記載の表面処理銅箔。
【請求項７】
前記Ａ／Ｂが１．０〜１．６である請求項５又は６に記載の表面処理銅箔。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の表面処理銅箔と樹脂基板とを積層して構成した積層板。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれかに記載の表面処理銅箔を用いたプリント配線板。
【請求項１０】
請求項９に記載のプリント配線板を用いた電子機器。
【請求項１１】
請求項９に記載のプリント配線板を２つ以上接続して、プリント配線板が２つ以上接続したプリント配線板を製造する方法。
【請求項１２】
請求項９に記載のプリント配線板を少なくとも１つと、もう一つの請求項９に記載のプリント配線板又は請求項９に記載のプリント配線板に該当しないプリント配線板とを接続する工程を含む、プリント配線板が２つ以上接続したプリント配線板を製造する方法。
【請求項１３】
請求項１１又は１２に記載のプリント配線板が少なくとも１つ接続したプリント配線板を１つ以上用いた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面処理銅箔及びそれを用いた積層板に関し、特に、銅箔をエッチングした後の残部の樹脂の透明性が要求される分野に好適な表面処理銅箔及びそれを用いた積層板に関する。
【背景技術】
【０００２】
スマートフォンやタブレットＰＣといった小型電子機器には、配線の容易性や軽量性からフレキシブルプリント配線板（以下、ＦＰＣ）が採用されている。近年、これら電子機器の高機能化により信号伝送速度の高速化が進み、ＦＰＣにおいてもインピーダンス整合が重要な要素となっている。信号容量の増加に対するインピーダンス整合の方策として、ＦＰＣのベースとなる樹脂絶縁層（例えば、ポリイミド）の厚層化が進んでいる。また配線の高密度化要求によりＦＰＣの多層化がより一層進んでいる。一方、ＦＰＣは液晶基材への接合やＩＣチップの搭載などの加工が施されるが、この際の位置合わせは銅箔と樹脂絶縁層との積層板における銅箔をエッチングした後に残る樹脂絶縁層を透過して視認される位置決めパターンを介して行われるため、樹脂絶縁層の視認性が重要となる。
【０００３】
また、銅箔と樹脂絶縁層との積層板である銅張積層板は、表面に粗化めっきが施された圧延銅箔を使用しても製造できる。この圧延銅箔は、通常タフピッチ銅（酸素含有量１００〜５００重量ｐｐｍ）又は無酸素銅（酸素含有量１０重量ｐｐｍ以下）を素材として使用し、これらのインゴットを熱間圧延した後、所定の厚さまで冷間圧延と焼鈍とを繰り返して製造される。
【０００４】
このような技術として、例えば、特許文献１には、ポリイミドフィルムと低粗度銅箔とが積層されてなり、銅箔エッチング後のフィルムの波長６００ｎｍでの光透過率が４０％以上、曇価（ＨＡＺＥ）が３０％以下であって、接着強度が５００Ｎ／ｍ以上である銅張積層板に係る発明が開示されている。
また、特許文献２には、電解銅箔による導体層を積層された絶縁層を有し、当該導体層をエッチングして回路形成した際のエッチング領域における絶縁層の光透過性が５０％以上であるチップオンフレキ（ＣＯＦ）用フレキシブルプリント配線板において、前記電解銅箔は、絶縁層に接着される接着面にニッケル−亜鉛合金による防錆処理層を備え、該接着面の表面粗度（Ｒｚ）は０．０５〜１．５μｍであるとともに入射角６０°における鏡面光沢度が２５０以上であることを特徴とするＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板に係る発明が開示されている。
また、特許文献３には、印刷回路用銅箔の処理方法において、銅箔の表面に銅−コバルト−ニッケル合金めっきによる粗化処理後、コバルト−ニッケル合金めっき層を形成し、更に亜鉛−ニッケル合金めっき層を形成することを特徴とする印刷回路用銅箔の処理方法に係る発明が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−９８６５９号公報
【特許文献２】ＷＯ２００３／０９６７７６
【特許文献３】特許第２８４９０５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１において、黒化処理又はめっき処理後の有機処理剤により接着性が改良処理されて得られる低粗度銅箔は、銅張積層板に屈曲性が要求される用途では、疲労によって断線することがあり、樹脂透視性に劣る場合がある。
また、特許文献２では、粗化処理がなされておらず、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板以外の用途においては銅箔と樹脂との密着強度が低く不十分である。
さらに、特許文献３に記載の処理方法では、銅箔へのＣｕ−Ｃｏ−Ｎｉによる微細処理は可能であったが、当該銅箔を樹脂と接着させてエッチングで除去した後の樹脂について、優れた透明性を実現できていない。
本発明は、樹脂と良好に接着し、且つ、銅箔をエッチングで除去した後の樹脂の透明性に優れた表面処理銅箔及びそれを用いた積層板を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、表面処理によって表面のスキューネスＲｓｋが所定範囲に制御された銅箔を、当該処理面側から貼り合わせて除去したポリイミド基板に対し、マークを付した印刷物を下に置き、当該印刷物をポリイミド基板越しにＣＣＤカメラで撮影した当該マーク部分の画像から得られる観察地点−明度グラフにおいて描かれるマーク端部付近の明度曲線の傾きに着目し、当該明度曲線の傾きを制御することが、基板樹脂フィルムの種類や基板樹脂フィルムの厚さの影響を受けずに、銅箔をエッチング除去した後の樹脂透明性に影響を及ぼすことを見出した。
【０００８】
以上の知見を基礎として完成された本発明は一側面において、少なくとも一方の表面のＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づくスキューネスＲｓｋが−０．３５〜０．５３である表面処理銅箔であって、前記銅箔を表面処理が行われている表面側からポリイミド樹脂基板の両面に貼り合わせた後、エッチングで前記両面の銅箔を除去し、ライン状のマークを印刷した印刷物を、露出した前記ポリイミド基板の下に敷いて、前記印刷物を前記ポリイミド基板越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、前記撮影によって得られた画像について、観察された前記ライン状のマークが伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点−明度グラフにおいて、前記マークの端部から前記マークが描かれていない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差をΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ−Ｂｂ）とし、観察地点−明度グラフにおいて、明度曲線とＢｔとの交点の内、前記ライン状のマークに最も近い交点の位置を示す値をｔ１として、明度曲線とＢｔとの交点からＢｔを基準に０．１ΔＢまでの深さ範囲において、明度曲線と０．１ΔＢとの交点の内、前記ライン状のマークに最も近い交点の位置を示す値をｔ２としたときに、下記（１）式で定義されるＳｖが３．５以上となる。
【数１】
2014111825.tif 000003
【０００９】
本発明に係る表面処理銅箔の別の実施形態においては、前記表面処理銅箔の前記表面のスキューネスＲｓｋが−０．３０〜０．３９であり、前記明度曲線における（１）式で定義されるＳｖが３．９以上となる。
【００１０】
本発明に係る表面処理銅箔の更に別の実施形態においては、前記明度曲線における（１）式で定義されるＳｖが５．０以上となる。
【００１１】
本発明に係る表面処理銅箔の更に別の実施形態においては、前記表面のＴＤの平均粗さＲｚが０．２０〜０．６４μｍであり、前記表面の粗化粒子の三次元表面積Ａと二次元表面積Ｂとの比Ａ／Ｂが１．０〜１．７である。
【００１２】
本発明に係る表面処理銅箔の更に別の実施形態においては、前記ＴＤの平均粗さＲｚが０．２６〜０．６２μｍである。
【００１３】
本発明に係る表面処理銅箔の更に別の実施形態においては、前記Ａ／Ｂが１．０〜１．６である。
【００１４】
本発明は更に別の側面において、本発明の表面処理銅箔と樹脂基板とを積層して構成した積層板である。
【００１５】
本発明は更に別の側面において、本発明の表面処理銅箔を用いたプリント配線板である。
【００１６】
本発明は更に別の側面において、本発明のプリント配線板を用いた電子機器である。
【００１７】
本発明は更に別の側面において、本発明のプリント配線板を２つ以上接続して、プリント配線板が２つ以上接続したプリント配線板を製造する方法である。
【００１８】
本発明は更に別の側面において、本発明のプリント配線板を少なくとも１つと、もう一つの本発明のプリント配線板又は本発明のプリント配線板に該当しないプリント配線板とを接続する工程を含む、プリント配線板が２つ以上接続したプリント配線板を製造する方法である。
【００１９】
本発明は更に別の側面において、本発明のプリント配線板が少なくとも１つ接続したプリント配線板を１つ以上用いた電子機器である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、樹脂と良好に接着し、且つ、銅箔をエッチングで除去した後の樹脂の透明性に優れた表面処理銅箔及びそれを用いた積層板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】銅箔表面のスキューネスＲｓｋが正負の各場合における銅箔エッチング後のポリイミド（ＰＩ）の表面形態を示す模式図である。
【図２】Ｂｔ及びＢｂを定義する模式図である。
【図３】ｔ１及びｔ２及びＳｖを定義する模式図である。
【図４】明度曲線の傾き評価の際の、撮影装置の構成及び明度曲線の傾きの測定方法を表す模式図である。
【図５ａ】Ｒｚ評価の際の、比較例１の銅箔表面のＳＥＭ観察写真である。
【図５ｂ】Ｒｚ評価の際の、実施例１の銅箔表面のＳＥＭ観察写真である。
【図５ｃ】Ｒｚ評価の際の、実施例２の銅箔表面のＳＥＭ観察写真である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
〔表面処理銅箔の形態及び製造方法〕
本発明において使用する銅箔は、樹脂基板と接着させて積層体を作製し、エッチングにより除去することで使用される銅箔に有用である。
本発明において使用する銅箔は、電解銅箔或いは圧延銅箔いずれでも良い。通常、銅箔の、樹脂基板と接着する面、即ち表面処理側の表面には積層後の銅箔の引き剥し強さを向上させることを目的として、脱脂後の銅箔の表面にふしこぶ状の電着を行う粗化処理が施されてもよい。電解銅箔は製造時点で凹凸を有しているが、粗化処理により電解銅箔の凸部を増強して凹凸を一層大きくすることができる。本発明においては、この粗化処理は銅−コバルト−ニッケル合金めっきや銅−ニッケル−りん合金めっき等により行うことができる。粗化前の前処理として通常の銅めっき等が行われることがあり、粗化後の仕上げ処理として電着物の脱落を防止するために通常の銅めっき等が行なわれることもある。圧延銅箔と電解銅箔とでは処理の内容を幾分異にすることもある。
本発明において使用する銅箔は、粗化処理を行った後にまたは粗化処理を省略して、耐熱めっき層や防錆めっき層を表面に施されていてもよい。粗化処理を省略して、耐熱めっき層や防錆めっき層を表面に施す処理として、下記条件のＮｉめっき浴によるめっき処理を用いることができる。
・Ｎｉ：２０ｇ／Ｌ
・ｐＨ：２．５
・浴温：４０℃
なお、本発明において使用する銅箔の厚みは特に限定する必要は無いが、例えば１μｍ以上、２μｍ以上、３μｍ以上、５μｍ以上であり、例えば３０００μｍ以下、１５００μｍ以下、８００μｍ以下、３００μｍ以下、１５０μｍ以下、１００μｍ以下、７０μｍ以下、５０μｍ以下、４０μｍ以下である。
なお、本願発明に係る圧延銅箔にはＡｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｐ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｖ、Ｂ、Ｃｏ等の元素を一種以上含む銅合金箔も含まれる。上記元素の濃度が高くなる（例えば合計で１０質量％以上）と、導電率が低下する場合がある。圧延銅箔の導電率は、好ましくは５０％ＩＡＣＳ以上、より好ましくは６０％ＩＡＣＳ以上、更に好ましくは８０％ＩＡＣＳ以上である。また、圧延銅箔にはタフピッチ銅（ＪＩＳ  Ｈ３１００  Ｃ１１００）や無酸素銅（ＪＩＳ  Ｈ３１００  Ｃ１０２０）を用いて製造した銅箔も含まれる。
【００２３】
また、本願発明に用いる電解銅箔の製造条件を以下に示す。
＜電解液組成＞
銅：１００ｇ/L
硫酸：１００ｇ/L
塩素：１０〜１００ｐｐｍ
レべリング剤１（ビス（３スルホプロピル）ジスルフィド）：１０〜３０ｐｐｍ
レべリング剤２（アミン化合物）：１０〜３０ｐｐｍ
上記のアミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いることができる。
【００２４】
【化１】
2014111825.tif 000004
（上記化学式中、Ｒ1及びＲ2はヒドロキシアルキル基、エーテル基、アリール基、芳香族置換アルキル基、不飽和炭化水素基、アルキル基からなる一群から選ばれるものである。）
【００２５】
＜製造条件＞
電流密度：７０〜１００Ａ／ｄｍ2
電解液温度：５０〜６０℃
電解液線速：３〜５ｍ／ｓｅｃ
電解時間：０．５〜１０分間
【００２６】
粗化処理としての銅−コバルト−ニッケル合金めっきは、電解めっきにより、付着量が１５〜４０ｍｇ／ｄｍ2の銅−１００〜３０００μｇ／ｄｍ2のコバルト−１００〜１５００μｇ／ｄｍ2のニッケルであるような３元系合金層を形成するように実施することができる。Ｃｏ付着量が１００μｇ／ｄｍ2未満では、耐熱性が悪化し、エッチング性が悪くなることがある。Ｃｏ付着量が３０００μｇ／ｄｍ2 を超えると、磁性の影響を考慮せねばならない場合には好ましくなく、エッチングシミが生じ、また、耐酸性及び耐薬品性の悪化がすることがある。Ｎｉ付着量が１００μｇ／ｄｍ2未満であると、耐熱性が悪くなることがある。他方、Ｎｉ付着量が１５００μｇ／ｄｍ2を超えると、エッチング残が多くなることがある。好ましいＣｏ付着量は１０００〜２５００μｇ／ｄｍ2であり、好ましいニッケル付着量は５００〜１２００μｇ／ｄｍ2である。ここで、エッチングシミとは、塩化銅でエッチングした場合、Ｃｏが溶解せずに残ってしまうことを意味しそしてエッチング残とは塩化アンモニウムでアルカリエッチングした場合、Ｎｉが溶解せずに残ってしまうことを意味するものである。
【００２７】
このような３元系銅−コバルト−ニッケル合金めっきを形成するための一般的浴及びめっき条件は次の通りである：
めっき浴組成：Ｃｕ１０〜２０ｇ／Ｌ、Ｃｏ１〜１０ｇ／Ｌ、Ｎｉ１〜１０ｇ／Ｌ
ｐＨ：１〜４
温度：３０〜５０℃
電流密度Ｄk：３５Ａ／ｄｍ2
めっき時間：１〜１．２秒
【００２８】
粗化処理後、粗化面上に付着量が２００〜３０００μｇ／ｄｍ2のコバルト−１００〜７００μｇ／ｄｍ2のニッケルのコバルト−ニッケル合金めっき層を形成することができる。この処理は広い意味で一種の防錆処理とみることができる。このコバルト−ニッケル合金めっき層は、銅箔と基板の接着強度を実質的に低下させない程度に行う必要がある。コバルト付着量が２００μｇ／ｄｍ2未満では、耐熱剥離強度が低下し、耐酸化性及び耐薬品性が悪化することがある。また、もう一つの理由として、コバルト量が少ないと処理表面が赤っぽくなってしまうので好ましくない。コバルト付着量が３０００μｇ／ｄｍ2を超えると、磁性の影響を考慮せねばならない場合には好ましくなく、エッチングシミが生じる場合があり、また、耐酸性及び耐薬品性が悪化することがある。好ましいコバルト付着量は５００〜２５００μｇ／ｄｍ2である。一方、ニッケル付着量が１００μｇ／ｄｍ2未満では耐熱剥離強度が低下し耐酸化性及び耐薬品性が悪化することがある。ニッケルが１３００μｇ／ｄｍ2を超えると、アルカリエッチング性が悪くなる。好ましいニッケル付着量は２００〜１２００μｇ／ｄｍ2である。
【００２９】
また、コバルト−ニッケル合金めっきの条件は次の通りである：
めっき浴組成：Ｃｏ１〜２０ｇ／Ｌ、Ｎｉ１〜２０ｇ／Ｌ
ｐＨ：１．５〜３．５
温度：３０〜８０℃
【００３０】
本発明に従えば、コバルト−ニッケル合金めっき上に更に付着量の３０〜２５０μｇ／ｄｍ2の亜鉛めっき層が形成される。亜鉛付着量が３０μｇ／ｄｍ2未満では耐熱劣化率改善効果が無くなることがある。他方、亜鉛付着量が２５０μｇ／ｄｍ2を超えると耐塩酸劣化率が極端に悪くなることがある。好ましくは、亜鉛付着量は３０〜２４０μｇ／ｄｍ2であり、より好ましくは８０〜２２０μｇ／ｄｍ2である。
【００３１】
上記亜鉛めっきの条件は次の通りである：
めっき浴組成：Ｚｎ１００〜３００ｇ／Ｌ
ｐＨ：３〜４
温度：５０〜６０℃
【００３２】
なお、亜鉛めっき層の代わりに亜鉛−ニッケル合金めっき等の亜鉛合金めっき層を形成してもよく、さらに最表面にはクロメート処理やシランカップリング剤の塗布等によって防錆層を形成してもよい。
【００３３】
本発明の表面処理銅箔は、表面処理が粗化無しである場合は、上記のようにメッキ皮膜に凹凸ができないように低電流密度で処理を行うことで、また、粗化処理を行う場合は、高電流密度にすることで粗化粒子を小型化し、短時間でメッキすることで、粗さの小さい表面処理を可能とし、これにより表面のスキューネスＲｓｋを制御している。
【００３４】
〔銅箔表面のスキューネスＲｓｋ〕
スキューネスＲｓｋは、二乗平均平方根高さＲｑの三乗によって無次元化した基準長さにおけるＺ（ｘ）三乗平均を表したものである。
二乗平均平方根高さＲｑは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１（２００１）に準拠した非接触式粗さ計による表面粗さ測定における、凹凸の程度を示す指標であり、下記（Ａ）式で表され、表面粗さのＺ軸方向の凹凸（山の）高さであって、基準長さｌrにおける山の高さＺ（ｘ）の二乗平均平方根である。
基準長さｌrにおける山の高さの二乗平均平方根高さＲｑ：
【００３５】
【数２】
2014111825.tif 000005
スキューネスＲｓｋは、二乗平均平方根高さＲｑを用いて、以下の（Ｂ）式で示される。
【００３６】
【数３】
2014111825.tif 000006
【００３７】
銅箔表面のスキューネスＲｓｋは、銅箔表面の凹凸面の平均面を中心としたときの、銅箔表面の凹凸の対象性を示す指標である。図１に示すように、Ｒｓｋ＜０であれば高さ分布が平均面に対して上側に偏っており、Ｒｓｋ＞０であれば高さ分布が平均面に対して下側に偏っているといえる。上側への偏りが大きいとき、銅箔をポリイミド（ＰＩ）に貼り付けた後にエッチング除去した場合、ＰＩ表面が凹形態となっており、光源から光を照射するとＰＩ内部での乱反射が大きくなる。下側への偏りが大きいとき、銅箔をポリイミド（ＰＩ）に貼り付けた後にエッチング除去した場合、ＰＩ表面が凸形態となっており、光源から光を照射するとＰＩ表面での乱反射が大きくなる。
本発明の表面処理銅箔は、少なくとも一方の表面のスキューネスＲｓｋが−０．３５〜０．５３に制御されている。このような構成により、ピール強度が高くなって樹脂と良好に接着し、且つ、銅箔をエッチングで除去した後の樹脂の透明性が高くなる。この結果、当該樹脂を透過して視認される位置決めパターンを介して行うＩＣチップ搭載時の位置合わせ等が容易となる。スキューネスＲｓｋが−０．３５未満であると、銅箔表面の粗化処理等の表面処理が不十分となり、樹脂と十分に接着できないという問題が生じる。一方、スキューネスＲｓｋが０．５３超であると、銅箔をエッチングで除去した後の樹脂表面の凹凸が大きくなり、その結果樹脂の透明性が不良となる問題が生じる。表面処理をされた銅箔表面のスキューネスＲｓｋは、−０．３０以上が好ましく、−０．２０以上が好ましく、−０．１０以下が好ましい。また、表面処理をされた銅箔表面のスキューネスＲｓｋは、０．１５以上が好ましく、０．２０以上が好ましく、０．５０以下が好ましく、０．４５以下が好ましく、０．４０以下が好ましく、０．３９以下が更により好ましい。また、表面処理をされた銅箔表面のスキューネスＲｓｋは、−０．３０以上が好ましく、０．５０以下が好ましく、０．３９以下がより好ましい。
【００３８】
〔銅箔表面の平均粗さＲｚ〕
本発明の表面処理銅箔は、無粗化処理銅箔でも、粗化粒子が形成された粗化処理銅箔でもよく、粗化処理表面のＴＤの平均粗さＲｚが０．２０〜０．６４μｍであるのが好ましい。このような構成により、よりピール強度が高くなって樹脂と良好に接着し、且つ、銅箔をエッチングで除去した後の樹脂の透明性がより高くなる。この結果、当該樹脂を透過して視認される位置決めパターンを介して行うＩＣチップ搭載時の位置合わせ等がより容易となる。ＴＤの平均粗さＲｚが０．２０μｍ未満であると、銅箔表面の粗化処理が不十分であるおそれがあり、樹脂と十分に接着できないという問題が生じるおそれがある。一方、ＴＤの平均粗さＲｚが０．６４μｍ超であると、銅箔をエッチングで除去した後の樹脂表面の凹凸が大きくなるおそれがあり、その結果樹脂の透明性が不良となる問題が生じるおそれがある。処理表面のＴＤの平均粗さＲｚは、０．２６〜０．６２μｍがより好ましく、０．４０〜０．５５μｍが更により好ましい。
【００３９】
本発明の視認性の効果をさらに向上させるために、表面処理前の銅箔の処理側の表面のＴＤの粗さ（Ｒｚ）及び光沢度を制御する。具体的には、表面処理前の銅箔のＴＤの表面粗さ（Ｒｚ）が０．２０〜０．５５μｍ、好ましくは０．２０〜０．４２μｍである。このような銅箔としては、圧延油の油膜当量を調整して圧延を行う（高光沢圧延）、或いは、ケミカルエッチングのような化学研磨やリン酸溶液中の電解研磨により作製する。このように、処理前の銅箔のＴＤの表面粗さ（Ｒｚ）と光沢度とを上記範囲にすることで、処理後の銅箔の表面粗さ（Ｒｚ）及び表面積を制御しやすくすることができる。
また、表面処理前の銅箔は、ＴＤの６０度光沢度が３００〜９１０％であり、５００〜８１０％であるのが好ましく、５００〜７１０％であるのがより好ましい。表面処理前の銅箔のＭＤの６０度光沢度が３００％未満であると３００％以上の場合よりも上述の樹脂の透明性が不良となるおそれがあり、９１０％を超えると、製造することが難しくなるという問題が生じるおそれがある。
なお、高光沢圧延は以下の式で規定される油膜当量を１３０００〜２４０００以下とすることで行うことが出来る。
油膜当量＝｛（圧延油粘度[ｃＳｔ]）×（通板速度[ｍｐｍ]＋ロール周速度[ｍｐｍ]）｝/｛（ロールの噛み込み角[ｒａｄ]）×（材料の降伏応力[ｋｇ／ｍｍ2]）｝
圧延油粘度[ｃＳｔ]は４０℃での動粘度である。
油膜当量を１３０００〜２４０００とするためには、低粘度の圧延油を用いたり、通板速度を遅くしたりする等、公知の方法を用いればよい。
化学研磨は硫酸−過酸化水素−水系またはアンモニア−過酸化水素−水系等のエッチング液で、通常よりも濃度を低くして、長時間かけて行う。
【００４０】
〔明度曲線の傾き〕
本発明の表面処理銅箔は、ポリイミド基材樹脂の両面に貼り合わせた後、エッチングで両面の銅箔を除去し、ライン状のマークを印刷した印刷物を、露出した前記ポリイミド基板の下に敷いて、印刷物を前記ポリイミド基板越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、撮影によって得られた画像について、観察されたライン状のマークが伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点−明度グラフにおいて、マークの端部からマークが描かれていない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差をΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ−Ｂｂ）とし、観察地点−明度グラフにおいて、明度曲線とＢｔとの交点の内、前記ライン状マークに最も近い交点の位置を示す値をｔ１として、明度曲線とＢｔとの交点からＢｔを基準に０．１ΔＢまでの深さ範囲において、明度曲線と０．１ΔＢとの交点の内、前記ライン状マークに最も近い交点の位置を示す値をｔ２としたときに、上記（１）式で定義されるＳｖが３．５以上となる。
ここで、「明度曲線のトップ平均値Ｂｔ」、「明度曲線のボトム平均値Ｂｂ」、及び、後述の「ｔ１」、「ｔ２」、「Ｓｖ」について、図を用いて説明する。
図２（ａ）及び図２（ｂ）に、マークの幅を約０．３ｍｍとした場合のＢｔ及びＢｂを定義する模式図を示す。マークの幅を約０．３ｍｍとした場合、図２（ａ）に示すようにＶ型の明度曲線となる場合と、図２（ｂ）に示すように底部を有する明度曲線となる場合がある。いずれの場合も「明度曲線のトップ平均値Ｂｔ」は、マークの両側の端部位置から５０μｍ離れた位置から３０μｍ間隔で５箇所（両側で合計１０箇所）測定したときの明度の平均値を示す。一方、「明度曲線のボトム平均値Ｂｂ」は、明度曲線が図２（ａ）に示すようにＶ型となる場合は、このＶ字の谷の先端部における明度の最低値を示し、図２（ｂ）の底部を有する場合は、約０．３ｍｍの中心部の値を示す。
図３に、ｔ１及びｔ２及びＳｖを定義する模式図を示す。「ｔ１（ピクセル×０．１）」は、明度曲線とＢｔとの交点の内、前記ライン状マークに最も近い交点を示す。「ｔ２（ピクセル×０．１）」は、明度曲線とＢｔとの交点からＢｔを基準に０．１ΔＢまでの深さ範囲において、明度曲線と０．１ΔＢとの交点の内、前記ライン状マークに最も近い交点を示す。このとき、ｔ１およびｔ２を結ぶ線で示される明度曲線の傾きについては、ｙ軸方向に０．１ΔＢ、ｘ軸方向に（ｔ１−ｔ２）で計算されるＳｖ（階調／ピクセル×０．１）で定義される。なお、横軸の１ピクセルは１０μｍ長さに相当する。また、Ｓｖは、マークの両側を測定し、小さい値を採用する。さらに、明度曲線の形状が不安定で上記「明度曲線とＢｔとの交点」が複数存在する場合は、最もマークに近い交点を採用する。
ＣＣＤカメラで撮影した上記画像において、マークが付されていない部分では高い明度となるが、マーク端部に到達したとたんに明度が低下する。ポリイミド基板の視認性が良好であれば、このような明度の低下状態が明確に観察される。一方、ポリイミド基板の視認性が不良であれば、明度がマーク端部付近で一気に「高」から「低」へ急に下がるのではなく、低下の状態が緩やかとなり、明度の低下状態が不明確となってしまう。
本発明はこのような知見に基づき、本発明の表面処理銅箔を貼り合わせて除去したポリイミド基板に対し、マークを付した印刷物を下に置き、ポリイミド基板越しにＣＣＤカメラで撮影した上記マーク部分の画像から得られる観察地点−明度グラフにおいて描かれるマーク端部付近の明度曲線の傾きを制御している。より詳細には、明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差をΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ−Ｂｂ）とし、観察地点−明度グラフにおいて、明度曲線とＢｔとの交点の内、前記ライン状マークに最も近い交点の位置を示す値をｔ１として、明度曲線とＢｔとの交点からＢｔを基準に０．１ΔＢまでの深さ範囲において、明度曲線と０．１ΔＢとの交点の内、前記ライン状マークに最も近い交点の位置を示す値をｔ２としたときに、上記（１）式で定義されるＳｖが３．５以上となる。このような構成によれば、基板樹脂の種類や厚みの影響を受けずに、ＣＣＤカメラによるポリイミド越しのマークの識別力が向上する。このため、視認性に優れるポリイミド基板を作製することができ、電子基板製造工程等でポリイミド基板に所定の処理を行う場合のマーキングによる位置決め精度が向上し、これによって歩留まりが向上する等の効果が得られる。Ｓｖは好ましくは３．９以上、好ましくは４．５以上、より好ましくは５．０以上、より好ましくは５．５以上である。Ｓｖの上限は特に限定する必要はないが、例えば１５以下、１０以下である。このような構成によれば、マークとマークで無い部分との境界がより明確になり、位置決め精度が向上して、マーク画像認識による誤差が少なくなり、より正確に位置合わせができるようになる。
そのため、本発明の実施の形態に係る銅箔をプリント配線板に用いた場合、一つのプリント配線板ともう一つのプリント配線板を接続する際に、接続不良が低減し、歩留まりが向上すると考えられる。
【００４１】
〔銅箔表面の表面積比〕
銅箔の表面処理側の表面の三次元表面積Ａと二次元表面積Ｂとの比Ａ／Ｂは、上述の樹脂の透明性に大いに影響を及ぼす。すなわち、表面粗さＲｚが同じであれば、比Ａ／Ｂが小さい銅箔ほど、上述の樹脂の透明性が良好となる。このため、本発明の表面処理銅箔は、当該比Ａ／Ｂが１．０〜１．７であるのが好ましく、１．０〜１．６であるのがより好ましい。ここで、表面処理側の表面の粗化粒子の三次元表面積Ａと二次元表面積Ｂとの比Ａ／Ｂは、例えば当該表面が粗化処理されている場合、粗化粒子の表面積Ａと、銅箔を銅箔表面側から平面視したときに得られる面積Ｂとの比Ａ／Ｂとも云うことができる。
【００４２】
粒子形成時などの表面処理時の電流密度とメッキ時間とを制御することで、粒子の形態や形成密度、表面の凹凸状態などの表面状態が決まり、上記表面粗さＲｚ、光沢度及び銅箔表面の表面積比Ａ／Ｂを制御することができる。
【００４３】
本発明の表面処理銅箔を、表面処理面側から樹脂基板に貼り合わせて積層体を製造することができる。樹脂基板はプリント配線板等に適用可能な特性を有するものであれば特に制限を受けないが、例えば、リジッドＰＷＢ用に紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂等を使用し、ＦＰＣ用にポリエステルフィルムやポリイミドフィルム、液晶ポリマー（ＬＣＰ）フィルム、テフロン（登録商標）フィルム等を使用する事ができる。
【００４４】
貼り合わせの方法は、リジッドＰＷＢ用の場合、ガラス布などの基材に樹脂を含浸させ、樹脂を半硬化状態まで硬化させたプリプレグを用意する。銅箔を被覆層の反対側の面からプリプレグに重ねて加熱加圧させることにより行うことができる。ＦＰＣの場合、ポリイミドフィルム等の基材に接着剤を介して、又は、接着剤を使用せずに高温高圧下で銅箔に積層接着して、又は、ポリイミド前駆体を塗布・乾燥・硬化等を行うことで積層板を製造することができる。
ポリイミド基材樹脂の厚みは特に制限を受けるものではないが、一般的に２５μｍや５０μｍが挙げられる。
【００４５】
本発明の積層体は各種のプリント配線板（ＰＷＢ）に使用可能であり、特に制限されるものではないが、例えば、導体パターンの層数の観点からは片面ＰＷＢ、両面ＰＷＢ、多層ＰＷＢ（３層以上）に適用可能であり、絶縁基板材料の種類の観点からはリジッドＰＷＢ、フレキシブルＰＷＢ（ＦＰＣ）、リジッド・フレックスＰＷＢに適用可能である。
【００４６】
（積層板及びそれを用いたプリント配線板の位置決め方法）
本発明の表面処理銅箔と樹脂基板との積層板の位置決めをする方法について説明する。まず、表面処理銅箔と樹脂基板との積層板を準備する。本発明の表面処理銅箔と樹脂基板との積層板の具体例としては、本体基板と付属の回路基板と、それらを電気的に接続するために用いられる、ポリイミド等の樹脂基板の少なくとも一方の表面に銅配線が形成されたフレキシブルプリント基板とで構成される電子機器において、フレキシブルプリント基板を正確に位置決めして当該本体基板及び付属の回路基板の配線端部に圧着させて作製される積層板が挙げられる。すなわち、この場合であれば、積層板は、フレキシブルプリント基板及び本体基板の配線端部が圧着により貼り合わせられた積層体、或いは、フレキシブルプリント基板及び回路基板の配線端部が圧着により貼り合わせられた積層板となる。積層板は、当該銅配線の一部や別途材料で形成したマークを有している。マークの位置については、当該積層板を構成する樹脂越しにＣＣＤカメラ等の撮影手段で撮影可能な位置であれば特に限定されない。
【００４７】
このように準備された積層板において、上述のマークを樹脂越しに撮影手段で撮影すると、前記マークの位置を良好に検出することができる。そして、このようにして前記マークの位置を検出して、前記検出されたマークの位置に基づき表面処理銅箔と樹脂基板との積層板の位置決めを良好に行うことができる。また、積層板としてプリント配線板を用いた場合も同様に、このような位置決め方法によって撮影手段がマークの位置を良好に検出し、プリント配線板の位置決めをより正確に行うことが出来る。
【００４８】
そのため、一つのプリント配線板ともう一つのプリント配線板を接続する際に、接続不良が低減し、歩留まりが向上すると考えられる。なお、一つのプリント配線板ともう一つのプリント配線板を接続する方法としては半田付けや異方性導電フィルム（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ、ＡＣＦ）を介した接続、異方性導電ペースト（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ、ＡＣＰ）を介した接続または導電性を有する接着剤を介しての接続など公知の接続方法を用いることができる。なお、本発明において、「プリント配線板」には部品が装着されたプリント配線板およびプリント回路板およびプリント基板も含まれることとする。また、本発明のプリント配線板を２つ以上接続して、プリント配線板が２つ以上接続したプリント配線板を製造することができ、また、本発明のプリント配線板を少なくとも１つと、もう一つの本発明のプリント配線板又は本発明のプリント配線板に該当しないプリント配線板とを接続することができ、このようなプリント配線板を用いて電子機器を製造することもできる。なお、本発明において、「銅回路」には銅配線も含まれることとする。
【００４９】
なお、本発明の実施の形態に係る位置決め方法は積層板（銅箔と樹脂基板との積層板やプリント配線板を含む）を移動させる工程を含んでいてもよい。移動工程においては例えばベルトコンベヤーやチェーンコンベヤーなどのコンベヤーにより移動させてもよく、アーム機構を備えた移動装置により移動させてもよく、気体を用いて積層板を浮遊させることで移動させる移動装置や移動手段により移動させてもよく、略円筒形などの物を回転させて積層板を移動させる移動装置や移動手段（コロやベアリングなどを含む）、油圧を動力源とした移動装置や移動手段、空気圧を動力源とした移動装置や移動手段、モーターを動力源とした移動装置や移動手段、ガントリ移動型リニアガイドステージ、ガントリ移動型エアガイドステージ、スタック型リニアガイドステージ、リニアモーター駆動ステージなどのステージを有する移動装置や移動手段などにより移動させてもよい。また、公知の移動手段による移動工程を行ってもよい。
なお、本発明の実施の形態に係る位置決め方法は表面実装機やチップマウンターに用いてもよい。
また、本発明において位置決めされる表面処理銅箔と樹脂基板との積層板が、樹脂板及び前記樹脂板の上に設けられた回路を有するプリント配線板であってもよい。また、その場合、前記マークが前記回路であってもよい。
【００５０】
本発明において「位置決め」とは「マークや物の位置を検出すること」を含む。また、本発明において、「位置合わせ」とは、「マークや物の位置を検出した後に、前記検出した位置に基づいて、当該マークや物を所定の位置に移動すること」を含む。
なお、プリント配線板においては、印刷物のマークの代わりにプリント配線板上の回路をマークとして、樹脂越しに当該回路をＣＣＤカメラで撮影してＳｖの値を測定することができる。また、銅張積層板については、銅をエッチングによりライン状とした後に、印刷物のマークの代わりに当該ライン状とした銅をマークとして、樹脂越しに当該ライン状とした銅をＣＣＤカメラで撮影してＳｖの値を測定することができる。
【実施例】
【００５１】
実施例１〜７及び比較例１〜２として、各銅箔を準備し、一方の表面に、粗化処理として表２に記載の条件にてめっき処理を行った。また、粗化処理を行わないものも準備した。
【００５２】
なお、圧延銅箔は以下のように製造した。所定の銅インゴットを製造し、熱間圧延を行った後、３００〜８００℃の連続焼鈍ラインの焼鈍と冷間圧延を繰り返して１〜２ｍｍ厚の圧延板を得た。この圧延板を３００〜８００℃の連続焼鈍ラインで焼鈍して再結晶させ、表１の厚みまで最終冷間圧延し、銅箔を得た。表１の「タフピッチ銅」はＪＩＳ  Ｈ３１００  Ｃ１１００に規格されているタフピッチ銅を示し、「無酸素銅」はＪＩＳ  Ｈ３１００  Ｃ１０２０に規格されている無酸素銅を示す。また、例えば表１金属箔（表面処理前）の種類欄の「タフピッチ銅＋Ａｇ１８０ｐｐｍ」はタフピッチ銅にＡｇを１８０質量ｐｐｍを添加したことを意味する。
なお、表１に表面処理前の銅箔作製工程のポイントを記載した。「高光沢圧延」は、最終の冷間圧延（最終の再結晶焼鈍後の冷間圧延）を記載の油膜当量の値で行ったことを意味する。
電解銅箔は、以下の条件にて作製した。
・電解液組成（銅：１００ｇ／Ｌ、硫酸：１００ｇ／Ｌ、塩素：５０ｐｐｍ、レべリング剤１（ビス（３スルホプロピル）ジスルフィド）：１０〜３０ｐｐｍ、レべリング剤２（アミン化合物）：１０〜３０ｐｐｍ）
・電解液温度：５０〜６０℃
・電流密度：７０〜１００Ａ／ｄｍ2
・電解時間：１分
・電解液線速：４ｍ／秒
なお、アミン化合物には以下のアミン化合物を用いた。
【化２】
2014111825.tif 000007
（上記化学式中、Ｒ1及びＲ2はヒドロキシアルキル基、エーテル基、アリール基、芳香族置換アルキル基、不飽和炭化水素基、アルキル基からなる一群から選ばれるものである。）
【００５３】
上述のようにして作製した実施例及び比較例の各サンプルについて、各種評価を下記の通り行った。
（１）表面粗さ（Ｒｚ）の測定；
各実施例、比較例の表面処理後の銅箔について、株式会社小阪研究所製接触粗さ計Ｓｕｒｆｃｏｒｄｅｒ  ＳＥ−３Ｃを使用してＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９９４に準拠して十点平均粗さを表面処理面について測定した。測定基準長さ０．８ｍｍ、評価長さ４ｍｍ、カットオフ値０．２５ｍｍ、送り速さ０．１ｍｍ／秒の条件で、圧延銅箔については圧延方向と垂直な方向（圧延時の銅箔の進行方向、すなわち幅方向）（ＴＤ）に測定位置を変えて、または、電解銅箔については電解銅箔の製造装置における電解銅箔の進行方向と垂直な方向（すなわち幅方向）（ＴＤ）に測定位置を変えて、それぞれ１０回行い、１０回の測定での値を求めた。
なお、表面処理前の銅箔についても、同様にして表面粗さ（Ｒｚ）を求めておいた。
【００５４】
（２）表面のスキューネスＲｓｋの測定；
まず、オリンパス社製レーザー顕微鏡ＯＬＳ４０００にて、銅箔表面の二乗平均平方根高さＲｑ及びスキューネスＲｓｋを測定した。銅箔表面の倍率１０００倍観察において評価長さ６４７μｍ、カットオフ値ゼロの条件で、圧延銅箔については圧延方向と垂直な方向（ＴＤ）の測定で、または、電解銅箔については電解銅箔の製造装置における電解銅箔の進行方向と垂直な方向（ＴＤ）の測定で、それぞれ値を求めた。なお、レーザー顕微鏡による表面のスキューネスＲｓｋの測定環境温度は２３〜２５℃とした。
【００５５】
（３）銅箔表面の表面積比（Ａ／Ｂ）；
粗化粒子の表面積はレーザー顕微鏡による測定法を使用した。オリンパス社製レーザー顕微鏡ＯＬＳ４０００を用いて処理表面の倍率１０００倍における６４７μｍ×６４６μｍ相当面積Ｂ（実データでは４１７，９５３μｍ2）における三次元表面積Ａを測定して、三次元表面積Ａ÷二次元表面積Ｂ＝表面積比（Ａ／Ｂ）とする手法により設定を行った。なお、レーザー顕微鏡による三次元表面積Ａの測定環境温度は２３〜２５℃とした。
【００５６】
（４）光沢度；
ＪＩＳ  Ｚ８７４１に準拠した日本電色工業株式会社製光沢度計ハンディーグロスメーターＰＧ−１を使用し、圧延銅箔については圧延方向と垂直な方向（ＴＤ）の入射角６０度での光沢度、または、電解銅箔については電解銅箔の製造装置における電解銅箔の進行方向に垂直な方向（ＴＤ）の入射角６０度での光沢度を、それぞれ表面処理前の銅箔について測定した。
【００５７】
（５）明度曲線の傾き
銅箔をポリイミドフィルム（カネカ製厚み５０μｍ）の両面に貼り合わせ、銅箔をエッチング（塩化第二鉄水溶液）で除去してサンプルフィルムを作製した。続いて、ライン状の黒色マークを印刷した印刷物を、サンプルフィルムの下に敷いて、印刷物をサンプルフィルム越しにＣＣＤカメラで撮影し、撮影によって得られた画像について、観察されたライン状のマークが伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点−明度グラフにおいて、マークの端部からマークが描かれていない部分にかけて生じる明度曲線からΔＢ及びｔ１、ｔ２、Ｓｖを測定した。このとき用いた撮影装置の構成及び明度曲線の測定方法を表す模式図を図４に示す。
また、ΔＢ及びｔ１、ｔ２、Ｓｖは、図３で示すように下記撮影装置で測定した。なお、横軸の１ピクセルは１０μｍ長さに相当する。
撮影装置は、ＣＣＤカメラ、マークを付した紙を下に置いたポリイミド基板を置くステージ（白色）、ポリイミド基板の撮影部に光を照射する照明用電源、撮影対象のマークが付された紙を下に置いた評価用ポリイミド基板をステージ上に搬送する搬送機（不図示）を備えている。当該撮影装置の主な仕様を以下に示す：
・撮影装置：株式会社ニレコ製シート検査装置Ｍｕｊｉｋｅｎ
・ＣＣＤカメラ：８１９２画素（１６０ＭＨｚ）、１０２４階調ディジタル（１０ビット）
・照明用電源：高周波点灯電源（電源ユニット×２）
・照明：蛍光灯（３０Ｗ）
なお、図４に示された明度について、０は「黒」を意味し、明度２５５は「白」を意味し、「黒」から「白」までの灰色の程度（白黒の濃淡、グレースケール）を２５６階調に分割して表示している。
【００５８】
（６）視認性（樹脂透明性）；
銅箔をポリイミドフィルム（カネカ製厚み５０μｍ）の両面に貼り合わせ、銅箔をエッチング（塩化第二鉄水溶液）で除去してサンプルフィルムを作成した。得られた樹脂層の一面に印刷物（直径６ｃｍの黒色の円）を貼り付け、反対面から樹脂層越しに印刷物の視認性を判定した。印刷物の黒色の円の輪郭が円周の９０％以上の長さにおいてはっきりしたものを「◎」、黒色の円の輪郭が円周の８０％以上９０％未満の長さにおいてはっきりしたものを「○」（以上合格）、黒色の円の輪郭が円周の０〜８０％未満の長さにおいてはっきりしたもの及び輪郭が崩れたものを「×」（不合格）と評価した。
【００５９】
（７）ピール強度（接着強度）；
ＩＰＣ−ＴＭ−６５０に準拠し、引張り試験機オートグラフ１００で常態ピール強度を測定し、上記常態ピール強度が０．７Ｎ／ｍｍ以上を積層基板用途に使用できるものとした。なお、ピール強度の測定は銅箔厚みを１８μｍとして測定を行った。厚みが１８μｍに満たない銅箔については銅めっきを行って銅箔厚みを１８μｍとした。また、厚みが１８μｍよりも大きい場合にはエッチングを行って銅箔厚みを１８μｍとした。なお、本ピール強度の測定にはカネカ製の厚み５０μｍのポリイミドフィルムと本願の実施例および比較例に係る表面処理銅箔の表面処理面とを張り合わせたサンプルを用いた。また、測定の際に、ポリイミドフィルムを硬質基材（ステンレスの板または合成樹脂の板（ピール強度測定中に変形しなければよい））に両面テープで貼り付けることにより固定した。
【００６０】
（８）歩留まり
銅箔をポリイミドフィルム（カネカ製厚み５０μｍ）の両面に貼り合わせ、銅箔をエッチング（塩化第二鉄水溶液）して、Ｌ／Ｓが３０μｍ／３０μｍの回路幅のＦＰＣを作成した。その後、２０μｍ×２０μｍ角のマークをポリイミド越しにＣＣＤカメラで検出することを試みた。１０回中９回以上検出できた場合には「◎」、７〜８回検出できた場合には「○」、６回検出できた場合には「△」、５回以下検出できた場合には「×」とした。
上記各試験の条件及び評価を表１及び２に示す。
なお、プリント配線板または銅張積層板においては、樹脂を溶かして除去することで、銅回路または銅箔表面について、前述の（１）表面粗さ（Ｒｚ）、（２）表面のスキューネスＲｓｋ、（３）銅箔表面の面積比（Ａ／Ｂ）を測定することができる。
【００６１】
【表１】
2014111825.tif 000008
【００６２】
【表２】
2014111825.tif 000009
【００６３】
（評価結果）
実施例１〜７は、いずれも表面のスキューネスＲｓｋが−０．３５〜０．５３の範囲にあり、且つ、Ｓｖが３．５以上であり、視認性、ピール強度、及び歩留まりが良好であった。
比較例１及び２は、表面のスキューネスＲｓｋが−０．３５〜０．５３の範囲外であり、且つ、Ｓｖが３．５未満であり、視認性及び歩留まりが不良であった。
図５に、上記Ｒｚ評価の際の、（ａ）比較例１、（ｂ）実施例１、（ｃ）実施例２の銅箔表面のＳＥＭ観察写真をそれぞれ示す。
【図３】
2014111825.tif 000012
【図４】
2014111825.tif 000013
【図１】
2014111825.tif 000014
【図２】
2014111825.tif 000015
【図５ａ】
2014111825.tif 000016
【図５ｂ】
2014111825.tif 000017
【図５ｃ】
2014111825.tif 000018