(57)【要約】      （修正有）【課題】絶縁フィルムとして２０μｍ以下の厚さを有するものを用いた場合であっても、絶縁フィルムの表面にシワが発生することなく、かつ、該絶縁フィルムと銅被膜層との間の密着性に優れた両面金属積層フィルムを提供する。【解決手段】絶縁フィルム１の一方の表面１ａにイオンビームの照射を行う第１表面処理工程と、絶縁フィルム１の他方の表面１ｂにイオンビームを照射する第２表面処理工程と、表面処理が施された絶縁フィルム１のいずれかの表面に乾式めっき法により、下地金属層２ｂと銅薄膜層３ｂを順次成膜する第１乾式成膜工程と、絶縁フィルムの銅薄膜層が成膜されていない側の表面に乾式めっき法により、下地金属層２ａと銅薄膜層３ｂを順次成膜する第２乾式成膜工程とを順次行う。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁フィルムの両面に接着剤を介することなく、乾式めっき法で下地金属層を形成した後に、該下地金属層の表面に銅被膜層を形成する両面金属積層フィルムの製造方法であって、
前記絶縁フィルムの一方の表面にイオンビームを照射する第１表面処理工程と、
第１表面処理工程の後に、前記絶縁フィルムの他方の表面にイオンビームを照射する第２表面処理工程と、
第２表面処理工程の後に、表面処理が施された絶縁フィルムのいずれかの表面に、乾式めっき法により、前記下地金属層と前記銅被膜層の一部または全部を構成する銅薄膜層とを順次成膜する第１乾式成膜工程と、
第１乾式成膜工程の後に、前記絶縁フィルムの銅薄膜層が成膜されていない側の表面に、乾式めっき法により、前記下地金属層と前記銅被膜層の一部または全部を構成する銅薄膜層とを順次成膜する第２乾式成膜工程と、
を備える、両面金属積層フィルムの製造方法。
【請求項２】
前記絶縁フィルムとして、厚さが２０μｍ以下のものを用いる、請求項１に記載の両面金属積層フィルムの製造方法。
【請求項３】
第１表面処理工程および第２表面処理工程におけるイオンビーム照射が、アルゴン、窒素、酸素、または、これらの群から選ばれる少なくとも２種の混合ガスのいずれかを用いたものである、請求項１または２に記載の両面金属積層フィルムの製造方法。
【請求項４】
第１表面処理工程および第２表面処理工程が、前記絶縁フィルムに対して、一方向から照射できるイオンガンを備えたロール・ツー・ロール・フィルム処理装置によって行われる、請求項３に記載の両面金属積層フィルムの製造方法。
【請求項５】
第１表面処理工程の前と第２の表面処理工程の後の絶縁フィルムの温度上昇が５０℃以下である、請求項１〜４のいずれかに記載の両面金属積層フィルムの製造方法。
【請求項６】
前記乾式めっき法がスパッタリング法である、請求項１〜５のいずれかに記載の両面金属積層フィルムの製造方法。
【請求項７】
前記絶縁フィルムが、ポリイミド系フィルム、ポリアミド系フィルム、ポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレン系フィルム、ポリフィニレンサルファイド系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、液晶ポリマー系フィルムから選択される、請求項1〜６のいずれかに記載の両面金属積層フィルムの製造方法。
【請求項８】
前記下地金属層として、クロムを１５質量％〜２５質量％の範囲で含有するニッケルークロム合金を用いる、請求項１〜７のいずれかに記載の両面金属積層フィルムの製造方法。
【請求項９】
前記銅被膜層の膜厚を０．０１μｍ〜３５μｍの範囲とする、請求項１〜８のいずれかに記載の両面金属積層フィルムの製造方法。
【請求項１０】
第２乾式成膜工程の後に、前記銅薄膜層の両側表面に、該銅薄膜層とともに銅被膜層を形成する銅めっき層を、湿式めっき法により成膜する湿式成膜工程をさらに備える、請求項１〜９のいずれかに記載の両面金属積層フィルムの製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかの製造方法による両面金属積層フィルムを製造するための装置であって、
真空チャンバと、該真空チャンバ内に配置されるロール・ツー・ロール・フィルム処理装置とを備え、
該ロール・ツー・ロール・フィルム処理装置は、巻き出しロールと、巻き取りロールと、これらのロール間のフィルム軌道とを備えるとともに、
前記絶縁フィルムの一方の表面にイオンビームを照射する、第１イオンガンと、
第１イオンガンの下流側で、前記フィルム軌道を挟んで第１イオンガンとは逆側に配置され、前記絶縁フィルムの他方の表面にイオンビームを照射する、第２イオンガンと、
第２イオンガンの下流側に配置され、表面処理が施された前記絶縁フィルムのいずれかの表面に、前記下地金属層と前記銅被膜層の一部または全部を構成する銅薄膜層とを順次成膜する、第１乾式成膜装置と、
第１乾式成膜装置の下流側で、前記フィルム軌道を挟んで第１乾式成膜装置とは逆側に配置され、前記絶縁フィルムの銅薄膜層が成膜されていない側の表面に、前記下地金属層と前記銅被膜層の一部または全部を構成する銅薄膜層を順次成膜する、第２乾式成膜装置と、
を備える、
両面金属積層フィルムの製造装置。
【請求項１２】
請求項１〜１０のいずれかの製造方法により製造された両面金属積層フィルムを、サブトラクティブ法またはセミアディティブ法により配線加工する、フレキシブル両面プリント配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フレキシブル両面プリント配線基板に用いられ、絶縁フィルムの両面に接着剤を介することなく銅被膜層が形成されている、両面金属積層フィルムの製造方法および製造装置に関する。また、本発明は、この両面金属積層フィルムを用いたフレキシブル両面プリント配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、テレビ、携帯電話、ノート型パソコン、デジタルカメラ、ゲーム機などに代表される電子機器は、小型化、薄型化、軽量化が急速に進み、これらに使用される材料に対しても、小さなスペースにも部品を収納可能とする高密度で高性能な材料が要求されている。このような要求に応える材料として、薄く、狭いスペースに折り込むことが可能で、耐屈曲性に優れたフレキシブル両面プリント配線基板が広汎に使用されるようになってきている。しかしながら、高密度化の要求の高い、折畳み型携帯電話や摺動型携帯電話などの可動部に用いられるフレキシブル両面プリント配線基板（フレキシブル回路基板）に対しては、さらなる狭ピッチ化およびより優れた柔軟性が要求されている。これまでのフレキシブル両面プリント配線基板の構造では、多層化した場合や屈曲半径がより小さい箇所に適用した場合に、長期間の使用後に断線を起こすといった問題が生じ、このような高い耐屈曲性が要求される用途に対して、十分な性能を備えたフレキシブル両面プリント配線基板を提供することができていない。そこで、さらに高い耐屈曲性を実現するために、フレキシブル両面プリント配線基板をさらに薄化させることが要求されており、現在、基板を構成する絶縁フィルムの厚さを２０μｍ程度以下とすることについての研究開発が盛んに進められている。
【０００３】
フレキシブル両面プリント配線基板の材料としては、特開平６−１３２６２８号公報に開示されているような、絶縁フィルム上に接着剤を用いて導体層としての銅箔を貼り合わせた３層金属積層フィルムの構造を適用した両面金属積層フィルムが用いられていた。しかしながら、この３層金属積層フィルムの構造では、所望の配線パターンを得るためのエッチングの際に、基板面に垂直な方向だけでなく、平面方向（側壁面）にもエッチングが進行するサイドエッチングが生じ、配線部の断面形状が裾広がりの台形になりやすい。この結果、配線パターンの狭ピッチ化が困難になるという問題がある。また、この構造では、絶縁フィルムの表面に、接着層を介して銅箔を貼り合わせるため、この銅箔による導体層の薄化が困難であるという問題もある。
【０００４】
これに対して、フレキシブル両面プリント配線基板の材料として、３層金属積層フィルムの構造に代替して、絶縁フィルム上に接着剤を用いることなしに、乾式めっき法または湿式めっき法により導体層となる銅被膜層を直接形成する、２層金属積層フィルムの構造を適用した両面金属積層フィルムを用いることが、主流になりつつある。
【０００５】
このような２層金属積層フィルムを形成する方法として、たとえば、特開平８−１３９４４８号公報には、電気めっき法により、絶縁フィルム上に均一な膜厚の銅被膜層を形成することが記載されている。この方法では、電気めっきによる銅被膜層の形成前に、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの乾式めっき法により、絶縁フィルム上に、クロム、酸化クロム、ニッケルなどの銅以外の金属からなる下地金属層を５０Å〜２００Å程度成膜した後、乾式めっき法による薄い銅層と無電解めっきによる無電化銅めっき被膜とを順次成膜している。
【０００６】
また、特開平６−１２０６３０号公報には、絶縁フィルム基板と銅層の密着性を維持しながら、１種類のエッチング溶液で微細な配線パターンの形成を可能とする観点から、スパッタリング法により、ニッケルの含有量が５ａｔ％〜８０ａｔ％のニッケルークロム合金からなる下地金属層を形成することが示されている。
【０００７】
しかしながら、いずれの２層金属積層フィルムにおいても、下地金属層によるアンカー効果が十分に得られないことから、絶縁フィルムと下地金属層との密着性が弱くなってしまうという問題がある。
【０００８】
アンカー効果の改善に関して、特開平５−２５１８４３号公報には、絶縁フィルムであるポリイミドフィルムの表面性状を改質することを目的として、ポリイミドフィルムを、窒素酸化物を含むガスのグロー放電に短時間暴露した後、真空状態を維持したまま、連続的にニッケル−銅合金の極薄膜による下地金属層を形成することが開示されている。しかしながら、グロー放電による絶縁フィルムの表面処理では、下地金属層によるアンカー効果が十分に得られていない。
【０００９】
このような絶縁フィルムの表面処理には、プラズマ処理法やイオンビーム処理法なども知られている。たとえば、特開２００６−４９８９３号公報には、酸素（Ｏ2）−アルゴン（Ａｒ）混合ガスを用いたイオンビームを照射するイオンビーム処理法が開示されている。このように、絶縁フィルムの表面処理にイオンビーム処理法を用いると、絶縁フィルムと下地金属層との密着性を向上させることが可能となる。
【００１０】
なお、このような２層金属積層フィルムの構造を適用して両面金属積層フィルムを製造する場合、特開平５−２５１８４３号に開示されているように、絶縁フィルムの一方の表面を改質し、下地金属層を形成し、その上に銅薄膜を形成した後、絶縁フィルムの他方の表面を改質し、下地金属層を形成し、その上に銅薄膜を形成することが、通常行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開平６−１３２６２８号公報
【特許文献２】特開平８−１３９４４８号公報
【特許文献３】特開平６−１２０６３０号公報
【特許文献４】特開平５−２５１８４３号公報
【特許文献５】特開２００６−４９８９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、絶縁フィルムの表面処理としてイオンビーム処理法を用いて、両面金属積層フィルムを製造しようとする場合、絶縁フィルムと下地金属層との密着性を向上させることは可能であるものの、両面金属積層フィルムを形成する絶縁フィルムの表面にシワが発生してしまうことがある。特に、フレキシブル両面プリント配線基板のさらなる薄化のために、絶縁フィルムとして厚さ２０μｍ以下のものを使用する場合に、この傾向が顕著となり、フレキシブル両面プリント配線基板の収率が低下する原因となっている。
【００１３】
本発明の目的は、上述の問題に鑑みて、両面金属積層フィルムの製造において、絶縁フィルムの両側の表面に下地金属層を形成し、両面の下地金属層の上に銅被膜層をそれぞれ形成するに際し、絶縁フィルムと銅被膜層との密着性を十分に確保し、かつ、絶縁フィルムにシワが生じることのない両面金属積層フィルムの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
このような状況に鑑み、本発明者らが鋭意検討を重ねた結果、絶縁フィルムの両面に、乾式めっき法で下地金属層を形成した後に、該下地金属層の表面に銅被膜層を形成する両面金属積層フィルムの製造方法において、前記絶縁フィルムの表面の両側に順次イオンビームを照射することにより、該絶縁フィルムの両側の表面処理を行った後、該絶縁フィルムの両面に下地金属層および銅薄膜層を順次成膜することにより、該絶縁フィルムとして厚さ２０μｍ以下のものを使用した場合であっても、シワの発生がなく、かつ、十分な密着性を備えたフレキシブル両面プリント配線基板を得ることができるとの知見を得た。本発明は、このような知見に基づいてなされたものである。
【００１５】
すなわち、本発明の両面金属積層フィルムの製造方法は、絶縁フィルムの両面に接着剤を介することなく、乾式めっき法で下地金属層を形成した後に、該下地金属層の表面に銅被膜層を形成するに際して、
（１）第１表面処理工程として、前記絶縁フィルムの一方の表面にイオンビームを照射し、
（２）第１表面処理工程の後に、第２表面処理工程として、前記絶縁フィルムの他方の表面にイオンビームを照射し、
（３）第２表面処理工程の後に、第１乾式成膜工程として、表面処理が施された絶縁フィルムのいずれかの表面に、乾式めっき法により、前記下地金属層と前記銅被膜層の一部または全部を構成する銅薄膜層とを順次成膜し、
（４）第１乾式成膜工程の後に、第２乾式成膜工程として、前記絶縁フィルムの銅薄膜層が成膜されていない側の表面に、乾式めっき法により、前記下地金属層と前記銅被膜層の一部または全部を構成する銅薄膜層とを順次成膜する、
ことを特徴とする。
【００１６】
本発明は、前記絶縁フィルムとして、厚さが２０μｍ以下のものを用いる場合に好適に適用される。
【００１７】
好ましくは、第１表面処理工程および第２表面処理工程におけるイオンビーム照射において、アルゴン、窒素、酸素、または、これらの群から選ばれる少なくとも２種の混合ガスのいずれかを用いる。
【００１８】
この場合、本発明の製造方法は、第１表面処理工程および第２表面処理工程を、前記絶縁フィルムに対して、一方向から照射できるイオンガンを備えたロール・ツー・ロール・フィルム処理装置を用いて行うことができる。
【００１９】
なお、第１表面処理工程の前と第２の表面処理工程の後の絶縁フィルムの温度上昇を５０℃以下に抑制することが好ましい。
【００２０】
前記乾式めっき法としては、スパッタリング法を適用することが好ましい。
【００２１】
なお、本発明に適用可能な絶縁フィルムとしては、ポリイミド系フィルム、ポリアミド系フィルム、ポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレン系フィルム、ポリフィニレンサルファイド系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、液晶ポリマー系フィルムを例示することができる。
【００２２】
前記下地金属層として、クロムを１５質量％〜２５質量％の範囲で含有するニッケルークロム合金を用いることが好ましい。
【００２３】
また、前記銅被膜層を膜厚が０．０１μｍ〜３５μｍの範囲となるように形成することが好ましい。
【００２４】
必要に応じて、第２乾式成膜工程の後に、前記銅薄膜層の両側表面に、該銅薄膜層とともに銅被膜層を形成する銅めっき層を、湿式めっき法により成膜する湿式成膜工程をさらに備えることができる。
【００２５】
本発明の両面金属積層フィルムを製造するためにあたって、真空チャンバと、該真空チャンバ内に配置されるロール・ツー・ロール・フィルム処理装置とを備える両面金属積層フィルムの製造装置を用いることができる。
【００２６】
このうち、前記ロール・ツー・ロール・フィルム処理装置は、巻き出しロールと、巻き取りロールと、これらのロール間のフィルム軌道とを備えるとともに、
前記絶縁フィルムの一方の表面にイオンビームを照射する、第１イオンガンと、
第１イオンガンの下流側で、前記フィルム軌道を挟んで第１イオンガンとは逆側に配置され、前記絶縁フィルムの他方の表面にイオンビームを照射する、第２イオンガンと、
第２イオンガンの下流側に配置され、表面処理が施された前記絶縁フィルムのいずれかの表面に、前記下地金属層と前記銅被膜層の一部または全部を構成する銅薄膜層とを順次成膜する、第１乾式成膜装置と、
第１乾式成膜装置の下流側で、前記フィルム軌道を挟んで第１乾式成膜装置とは逆側に配置され、前記絶縁フィルムの銅薄膜層が成膜されていない側の表面に、前記下地金属層と前記銅被膜層の一部または全部を構成する銅薄膜層を順次成膜する、第２乾式成膜装置と、
を備える。
【００２７】
本発明のフレキシブル両面プリント配線基板は、前記製造方法により製造された両面金属積層フィルムを、サブトラクティブ法またはセミアディティブ法により配線加工することによって得ることができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明の製造方法によれば、絶縁フィルムとして２０μｍ以下の厚さのものを用いた場合であっても、表面処理の際に絶縁フィルムの表面にシワが発生することなく、かつ、該絶縁フィルムと銅被膜層との間の密着性に優れた両面金属積層フィルムを収率よく得ることができる。
【００２９】
本発明により得られた両面金属積層フィルムについて、サブトラクティブ法またはセミアディティブ法による配線加工により、フレキシブル両面プリント配線基板を得ることが可能である。このような厚さの小さいフレキシブル両面プリント配線基板は、高密度化の要求の高い、折畳み型携帯電話や摺動型携帯電話などの可動部において、高い耐屈曲性をもって適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】図１は、本発明の工程を示すフロー図である。
【図２】図２は、本発明の両面金属積層フィルムの製造方法を実施するための連続スパッタリング装置の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
１．両面金属積層フィルムの製造方法
本発明の両面金属積層フィルムの製造方法は、絶縁フィルムの両面に接着剤を介することなく、乾式めっき法でニッケル合金からなる下地金属層した後、該下地金属層の表面に銅被膜層を形成する両面金属積層フィルムの製造方法である。
【００３２】
特に、本発明の両面金属積層フィルムの製造方法は、図１に示すように、絶縁フィルム（１）の一方の表面（１ａ）にイオンビームを照射する第１表面処理工程と、第１表面処理工程の後に、絶縁フィルム（１）の他方の表面（１ｂ）にイオンビームを照射する第２表面処理工程と、第２表面処理工程の後に、第１表面処理工程および第２表面処理工程により、表面処理が施された絶縁フィルム（１）の表面（１ｂ）に乾式めっき法により、下地金属層（２ｂ）と銅被膜層の一部または全部を構成する銅薄膜層（３ｂ）を順次成膜する第１乾式成膜工程と、第１乾式成膜工程の後に、絶縁フィルム（１）のうち、銅被膜層が成膜されていない側の表面（１ａ）に乾式めっき法により、下地金属層（２ａ）と銅被膜層の一部または全部を構成する銅薄膜層（３ａ）を順次成膜する第２乾式成膜工程とを備える。
【００３３】
なお、本発明の両面金属積層フィルムの製造方法では、絶縁フィルム（１）の両側の表面（１ａ、１ｂ）にイオンビームの照射による表面処理を行った後に、下地金属層（２ａ、２ｂ）および銅薄膜層（３ａ、３ｂ）の成膜を行えばよく、成膜を行う面の順序は問わない。すなわち、図１に示されるような順序で成膜してもよく、あるいは、絶縁フィルム（１）の両表面（１ａ、１ｂ）にイオンビームの照射による表面処理を行った後に、該絶縁フィルムの一方の表面（１ａ）に乾式めっき法により、下地金属層（２ａ）と銅薄膜層（３ａ）を成膜した後、該絶縁フィルムの他方の表面（１ｂ）に乾式めっき法により、下地金属層（２ａ）と銅薄膜層（３ａ）を成膜してもよい。
【００３４】
（１）表面処理工程
以下、本発明の両面金属積層フィルムの製造方法のうち、第１表面処理工程および第２表面処理工程について、詳細に説明する。第１表面処理工程および第２表面処理工程は、上述したように、絶縁フィルム（１）の一方の表面（１ａ）にイオンビームの照射を行う第１表面処理工程と、第１表面処理工程の後に、絶縁フィルム（１）の他方の表面（１ｂ）にイオンビームを照射する第２表面処理工程とにより構成される（図１参照）。
【００３５】
特開平５−２５１８４３号公報に記載されている、従来の両面金属積層フィルムの製造方法のように、絶縁フィルムの一方の表面について、その表面処理と、下地金属層および銅薄膜層の成膜とを行った後に、絶縁フィルムの他方の表面について、その表面処理と、下地金属層および銅薄膜層の成膜とを行った場合、他方の表面についての表面処理と成膜とを行う際に、その表面処理による機械的な負荷が緩和されず、その表面にシワが発生するなどの不具合が発生する可能性がある。このような傾向は、絶縁フィルムとして厚さが４０μｍ以下のものを使用した場合に現れはじめ、特に、該厚さが２０μｍ以下のものを使用した場合に顕著となる。これに対して、本発明では、絶縁フィルムの両側の表面に対して表面処理を行った後、これらの表面処理後の表面のそれぞれに下地金属層および銅薄膜層を成膜している。このため、イオンビームの照射による機械的な負荷が緩和され、絶縁フィルムとして、厚さ２０μｍ以下のものを使用した場合であっても、シワの発生を防止することができ、十分な密着性を有する両面金属積層フィルムを得ることができる。
【００３６】
（絶縁フィルム）
本発明の両面金属積層フィルムの製造方法に使用することができる絶縁フィルムは、一般的なフレキシブル回路基板の製造に使用されている絶縁フィルムであれば、特に限定されることなく使用することができる。好ましくは、ポリイミド系フィルム、ポリアミド系フィルム、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やポリエチレンテレナフタレート（ＰＥＮ）などのポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレン系フィルム、ポリフェニレンサルファイド系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、液晶ポリマー系フィルムの群から選ばれた１種の絶縁フィルムを使用する。特に、フレキシブル両面プリント配線基板に必要とされる、耐熱性、誘電体特性、電気絶縁性、フレキシブル両面プリント配線基板の製造工程や次工程における耐薬品性などを考慮して、その用途に応じて適宜選択することがより好ましい。
【００３７】
このような絶縁フィルムとしては、具体的には、ポリイミド系フィルムでは、東レ・デュポン株式会社製のカプトン（登録商標）、宇部興産株式会社製のユーピレックス（登録商標）、株式会社カネカ製のアピカル（登録商標）、東洋紡績株式会社製のＸＥＮＯ（登録商標）などを挙げることができる。また、芳香族ポリアミド系フィルムであるアラミド系フィルムでは、東レ株式会社製のミクトロン（登録商標）、帝人アドバンストフィルム株式会社製のアラミカ（登録商標）などを挙げることができる。
【００３８】
なお、本発明は、従来から使用されている、絶縁フィルムとして厚さが４０μｍ以下の両面金属積層フィルムの製造においても、その適用により上述した効果が得られるが、特に、本発明は、従来のものよりも薄い２０μｍ以下、さらには１５μｍ以下の厚さを有する絶縁フィルムを用いた両面金属積層フィルムの製造において、表面処理に起因する絶縁フィルムの表面にシワが発生することを防止することができ、かつ、得られた両面金属積層フィルムにおいて、絶縁フィルムと導体層としての銅被膜層との間の高い密着性を達成することができる。
【００３９】
（イオンビームの照射）
絶縁フィルムの表面処理方法としては、プラズマ処理法、イオンビーム処理法などが知られている。この中でイオンビーム処理法は、指向性が高く、イオンのみを放出する点、および、照射された部位のエネルギ密度が高い点が、プラズマ処理法と相違する。すなわち、プラズマ処理法では、絶縁フィルムを表面処理する際に、プラズマ雰囲気を絶縁フィルムが通過することになるため、フィルムがプラズマによりダメージを受けて、フィルム強度が低下するという問題が生じる可能性がある。一方、イオンビーム処理法では、イオンビーム発生個所のプラズマ中を絶縁フィルムが通過することがないため、このような問題が生じることはない。また、プラズマ処理法は、処理に時間を要し、後述するロール・ツー・ロール・フィルム処理装置を用いた連続的な処理に適していないが、イオンビーム処理法は短時間での表面処理が可能である。このような理由から、本発明では、絶縁フィルムの表面処理として、イオンビーム処理法を採用している。
【００４０】
イオンビーム処理法としては、イオン化した原子または分子が数十ｋｅＶ〜数ＭｅＶという高エネルギで加速された状態で絶縁フィルムに衝突し、このイオンが絶縁フィルム内に侵入するイオン注入法（ion implantation）、および、絶縁フィルムの表面に凹凸面が形成されるイオンビーム照射法（ion irradiation）が挙げられるが、本発明ではいずれも適用できる。
【００４１】
イオンビーム処理法では、絶縁フィルムの表面にイオンビームを照射したとき、イオンガンから放出されるガスが加速されると同時に、表面処理を施そうとする絶縁フィルムへの電圧印加によって、イオンガンからの発生イオンと試料表面との間に引力または斥力が形成されて、電荷変形が行われることにより、絶縁フィルムの表面の分子の化学結合状態に変化などが生じる。また、イオンビームは指向性が高いため、イオンの衝突により、絶縁フィルム表面のフレッシュな界面が現れ、この結果、その後に成膜した金属層との間で高い密着性を実現できる。たとえば、絶縁フィルムにポリイミドを用いた場合、一部のイミド環が開き、アミド結合が形成されるため、絶縁フィルムと金属層との間に高い密着性が実現される。
【００４２】
本発明の表面処理工程では、イオンガンの放電電圧、放電電流、放電電力、ビームガス流量、イオンガン質の圧力、フィルムの送り速度などを選択することにより、イオン粒子のエネルギを０．０１ｋｅＶ〜１ｋｅＶとすることが好ましい。また、その照射量は１０12ｉｏｎｓ／ｃｍ2〜１０16ｉｏｎｓ／ｃｍ2とすることが好ましい。イオン粒子のエネルギが０．０１ｋｅＶ未満である場合、または、照射量が１０12ｉｏｎｓ／ｃｍ2未満である場合には、表面処理が十分に施されない。一方、イオン粒子のエネルギが１ｋｅＶを超える場合、または、照射量が１０16ｉｏｎｓ／ｃｍ2を超える場合には、フィルムが受けるダメージが大きすぎるため、フィルムの強度低下や破断という問題が生じる。なお、イオンビームの照射による表面処理を行うイオンガンの出力、イオンガンの装置上の違い、イオンガンのガス圧力、絶縁フィルムの厚さや幅や搬送速度などの各種条件により、絶縁フィルムへの適切な処理条件は異なる。得られる両面金属積層フィルムに必要とされる特性や、イオンビーム処理による絶縁フィルムへの熱負荷の温度変化から適切な処理条件を選択すればよく、このような処理条件は、予備試験を行った上で選択することが好ましい。
【００４３】
本発明のイオンビームの照射による表面処理では、イオンガンから放出されるガスとして、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ2）、窒素（Ｎ2）、または、これらの群から選ばれる少なくとも２種以上の混合ガスを用いることが好ましく、特に、ガスコンタミネーションを防止する観点から、アルゴン（Ａｒ）を用いることが好ましい。
【００４４】
なお、イオンビームの照射による絶縁フィルムの表面処理にあたり、第１表面処理工程の前と第２表面処理工程の後における、絶縁フィルムの温度上昇は５０℃以下、好ましくは３０℃以下となるように調整することが好ましい。絶縁フィルムの温度上昇が５０℃を超えると、絶縁フィルムにシワが発生するなどの不具合の原因となる場合がある。この絶縁フィルムの温度上昇の規制は、たとえば、処理中のフィルムを冷却ロールなどにより冷却することにより行うことができる。
【００４５】
（２）乾式成膜工程
絶縁フィルム（１）の両側の表面（１ａ、１ｂ）に、イオンビームの照射による表面処理を行った後に、乾式めっき法により下地金属層（２ａ、２ｂ）および銅薄膜層（３ａ、３ｂ）の成膜を行う。
【００４６】
（乾式めっき法）
乾式めっき法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法などを使用することができる。本発明では、取扱いの容易性、生産性やコストの観点から、スパッタリング法によって、下地金属層および銅薄膜層を成膜することが好ましい。
【００４７】
スパッタリング法を採用した場合のスパッタリングの条件は、適宜選択されるものであるが、たとえば、絶縁フィルムとして厚さ１０μｍ〜２０μｍのポリイミド樹脂を使用し、膜厚０．０１μｍ〜１０μｍ程度のニッケル合金からなる下地金属層および銅薄膜層を連続して形成する場合には、到達真空度を１×１０-1Ｐａ以下、スパッタガス圧を０．５Ｐａ〜５．０Ｐａとして成膜することが好ましい。なお、投入電力などの他の条件については、ターゲットの種類、サイズまたは目的とする膜厚などによって異なるため、予備試験などを行った上で適宜選択することが好ましい。このようなスパッタリングの条件は、第１乾式成膜工程および第２乾式成膜工程で同等のものとする。
【００４８】
（下地金属層）
下地金属層は、絶縁フィルムと銅被膜層の密着性やフレキシブル両面プリント配線基板の絶縁信頼性の向上に寄与する。このような下地金属層としては、クロム合金やニッケル合金などを用いることができる。特に、本発明では、下地金属層として、ニッケル−クロム合金、ニッケル−クロム−モリブデン合金、ニッケル−バナジウム合金などを用いることができ、この中でも、クロムの含有量が１５質量％〜２５質量％の範囲であるニッケル−クロム合金を使用することが好ましく、クロムの含有量が１５質量％〜２２質量％の範囲であるニッケルークロム合金を使用することがより好ましい。クロムの含有量が１５質量％未満では絶縁信頼性が低下する問題があり、２５％を超えると配線パターンの形成が困難になるという問題が生じる。
【００４９】
この下地金属層の膜厚は、下地金属層の金属の種類や組成、膜厚はフレキシブル両面プリント配線基板や配線の加工性、配線に要求される密着性や絶縁信頼性から適宜選択するものであるが、本発明では３ｎｍ〜４０ｎｍとすることが好ましく、７ｎｍ〜４０ｎｍとすることがより好ましく、１０ｎｍ〜４０ｎｍとすることがさらに好ましい。下地金属層の膜厚が３ｎｍ未満の場合には、絶縁フィルムと銅被膜層の密着性を十分なものとすることができず、４０ｎｍを超える場合には、得られるフレキシブル両面プリント配線基板の厚さを十分に薄化することができない。
【００５０】
（銅薄膜層）
銅薄膜層は、配線加工によりフレキシブル両面プリント配線基板の配線となる銅被膜層の一部または全部を構成する。この銅薄膜層は、下地金属層を成膜した後、その表面にスパッタリング法などの乾式めっき法により成膜される。この乾式めっき法により成膜される銅薄膜層の膜厚は、好ましくは０．０１μｍ〜１μｍ、より好ましくは０．０３μｍ〜０．７μｍ、さらに好ましくは０．０５μｍ〜０．３５μｍとする。銅薄膜層の膜厚が０．０１μｍ未満では、後述する銅電気めっきを行う際に、下地金属層が発熱し、銅電気めっき被膜層の変色などの不具合が発生する可能性がある。一方、乾式めっき法による成膜速度は電気めっき法の成膜速度に比べて遅いため、乾式めっき法により１μｍを超えて成膜しようとすると、生産性が低下する。
【００５１】
（３）湿式成膜工程
両面金属積層フィルムの銅被膜層の膜厚は、フレキシブル両面プリント配線基板の配線方法の選択、すなわち、サブトラクティブ法またはセミアディティブ法のどちらを選択するかにより決まるものである。セミアディティブ法により配線パターンを形成する場合は、銅被膜層の膜厚が１μｍ程度で十分であるため、銅被膜層は、乾式成膜工程のみによって形成しても生産性が悪化するという問題は生じない。しかしながら、サブトラクティブ法により配線パターンを形成する場合には、１μｍを超える膜厚を有する銅被膜層が必要とされる場合があり、このような場合に、乾式成膜工程のみで銅被膜層を形成しようとすると、その成膜速度との関係で生産性が著しく低下することが考えられる。そこで、本発明では、下地金属層の表面に１μｍを超えて銅被膜層を成膜しようとする場合は、湿式成膜工程をさらに備えることが好ましく、このような湿式成膜は電気めっき法によって行うことがより好ましい。
【００５２】
銅被膜層の膜厚は０．０１μｍ〜３５μｍの範囲とすることが好ましく、０．３μｍ〜１５μｍの範囲とすることがより好ましく、０．３μｍ〜１２μｍの範囲とすることがさらに好ましい。銅被膜層の膜厚が０．０１μｍ未満であると、配線部の電気導電性に問題が発生しやすくなり、また、強度上の問題が生じたりする可能性がある。一方、膜厚が３５μｍを超えて厚くなると、ヘヤークラックや反りなどを生じて密着性が低下する場合があるほか、サイドエッチングの影響が大きくなり、狭ピッチ化が難しくなる場合もある。なお、電気めっき法としては、特に限定されることはなく、たとえば、硫酸銅水溶液中で公知の電気めっき方法を使用することができる。
【００５３】
（４）両面金属積層フィルムの製造装置
本発明において、第１表面処理工程および第２表面処理工程は、絶縁フィルムに対して、一方向から照射できるイオンガンを備えたロール・ツー・ロール・フィルム処理装置によって行うことが好ましい。さらに、本発明において、スパッタリング装置を備えた連続スパッタリング装置において、第１表面処理工程、第２表面処理工程、第１乾式成膜工程および第２乾式成膜工程の全てを連続的に行えるようにすることが好ましい。
【００５４】
このような本発明の製造方法を実施するための一例として、連続スパッタリング装置（４）の概略図を図２に示す。連続スパッタリング装置（４）は、真空チャンバ（５）と、この真空チャンバ（５）内に配置されるロール・ツー・ロール・フィルム処理装置とを備える。このロール・ツー・ロール・フィルム装置は、巻き出しロール（６）と、巻き取りロール（７）と、これらのロール間のフィルム軌道とを備える。
【００５５】
このロール・ツー・ロール・フィルム処理装置は、巻き出しロール（６）と、巻き取りロール（７）との間に、絶縁フィルム（１）の一方の表面にイオンビームを照射する、第１イオンガン（９ａ）と、第１イオンガン（９ａ）の下流側で、フィルム軌道を挟んで第１イオンガン（９ａ）とは逆側に配置され、絶縁フィルム（１）の他方の表面にイオンビームを照射する、第２イオンガン（９ｂ）と、第２イオンガン（９ｂ）の下流側に配置され、表面処理が施された絶縁フィルム（１）のいずれかの表面に、下地金属層（２ｂ）と銅薄膜層（３ｂ）とを順次成膜する、第１乾式成膜装置（７０）と、第１乾式成膜装置（７０）の下流側で、フィルム軌道を挟んで第１乾式成膜装置（７０）とは逆側に配置され、絶縁フィルム（１）の銅薄膜層が成膜されていない側の表面に記下地金属層（２ａ）と銅薄膜層（３ａ）を順次成膜する、第２乾式成膜装置（７１）とを少なくとも備える。
【００５６】
巻出ロール（６）から巻き出された絶縁フィルム（１）は、ガイドロール（１０）を介してヒータ（８）へ搬送され、加熱するヒータ（８）により乾燥される。その後、絶縁フィルム（１）は、張力センサロール（２０）およびガイドロール（１１）を介して、第１および第２イオンガン（９ａ、９ｂ）の前に搬送され、その両側表面（１ａ、１ｂ）に対してイオンガン（９ａ、９ｂ）によってイオンビームが照射されることにより、表面処理が施される（第１および第２表面処理工程）。なお、第１表面処理工程の前と第２表面処理工程の後の絶縁フィルムの温度上昇を５０℃以内とするために冷却ロールを使用する場合には、たとえば、第１イオンガン（９a）と第２イオンガン（９ｂ）の間に冷却ロールを配置することが好ましく、ガイドロール（１１）に、冷却ロールとしての機能を有するものを使用することがより好ましい。
【００５７】
このように絶縁フィルム（１）は、その両側表面（１ａ、１ｂ）について最初に表面処理された後、ガイドロール（１２）およびフィードロール（３０）を介して、第１乾式成膜装置（７０）へ搬送される。第１乾式成膜装置（７０）では、冷却キャンロール（４０）上で、その表面（１ｂ）に、スパッタリングカソード（５０、５１）を用いたスパッタリング法により、下地金属層（２ｂ）および銅薄膜層（３ｂ）が成膜されることとなる（第１乾式成膜工程）。
【００５８】
さらに、ガイドロール（１３）、張力センサロール（２１）、ガイドロール（１４〜１６）およびフィードロール（３１）を介して、第２乾式成膜装置（７１）へ搬送される。第２乾式成膜装置（７１）では、冷却キャンロール（４１）上で、その表面（１ａ）に、スパッタリングカソード（６０、６１）を用いたスパッタリング法により、下地金属層（２ａ）および銅薄膜層（３ａ）が成膜されることとなる（第２乾式成膜工程）。
【００５９】
このように絶縁フィルム（１）は、その両側表面（１ａ、１ｂ）に下地金属層（２ａ、２ｂ）および銅薄膜層（３ａ、３ｂ）を成膜された後、ガイドロール（１７）、張力センサロール（２２）およびガイドロール（１８）を介して、巻取ロール（７）によって巻き取られる。
【００６０】
図２のような連続スパッタリング装置（４）では、真空チャンバ（５）の形状は問わないが、１０-4Ｐａ〜１Ｐａの範囲に減圧された状態を保持できることが必要である。また、巻出ロール（６）および巻取ロール（７）としては、パウダクラッチなどによるトルク制御により絶縁フィルム（１）の張力のバランスを保つことができるものを使用する。さらに、冷却キャンロール（４０、４１）およびフィードロール（３０、３１）としては、サーボモータによる動力を備えるものを使用する。また、張力センサロール（２１）、ガイドロール（１６、１８）としては、駆動ロールとしての機能を備えたものを使用する。
【００６１】
なお、巻出ロール（６）とガイドロール（１０）の間、ガイドロール（１２）とフィードロール（３０）の間、ガイドロール（１６）とフィードロール（３１）の間に仕切りを設け、巻出しロール（６）、イオンガン（９ａ、９ｂ）、スパッタリングカソード（５０、５１）、スパッタリングカソード（６０、６１）の雰囲気を区切って、それぞれの工程での雰囲気を変更することも可能である。
【００６２】
２．フレキシブル両面プリント配線基板の製造方法
フレキシブル両面プリント配線基板は、両面金属積層フィルムをサブトラクティブ法またはセミアディティブ法で配線加工することによって製造するができる。これらの詳細な方法については従来技術と同様であるため、ここでは詳細な説明は省略する。なお、銅被膜層の膜厚は、サブトラクティブ法により配線加工をする場合は、配線の膜厚に相当する膜厚が必要となるため、上述したように、乾式成膜工程の後に、さらに湿式成膜工程が必要となる場合がある。一方、セミアディティブ法により配線加工をする場合は、膜厚は電着に必要な導電性を確保できればよく、さらに配線に不要な箇所はソフトエッチングで除去されることを考慮すれば、１μｍもあれば十分である。このため、乾式成膜工程のみとしても問題が生じることはないが、配線部の電気伝導性の信頼性やより高い強度を確保する観点から、１μｍ以上の銅被膜層を形成する場合には、乾式成膜工程と湿式成膜工程の両工程を組み合わせることも可能である。
【００６３】
また、フレキシブル両面プリント配線基板では、絶縁フィルムの厚さは薄いほうが、フレキシブル性や、スルーホールの加工性から有利である。これは、絶縁フィルムが薄いことによる両面の配線パターンの位置ズレの低減できることや、ポリイミドなどの絶縁フィルムを薬液でエッチングしてスルーホールの穴あけ加工をするからである。この点、本発明によるフレキシブル両面プリント配線基板の製造方法によれば、厚さが２０μｍ以下の絶縁フィルムを使用することができ、従来必要とされた４０μｍ程度の厚さの絶縁フィルムと比べて、耐屈曲性において、きわめて有利であるといえる。
【００６４】
なお、スルーホールをレーザなどで穴あけ加工することもできるが、レーザ加工に伴い加工部にバリが発生し、このバリを除去するための工程を追加することが必要となり、生産性の悪化やコストの上昇といった問題が生じる。
【実施例】
【００６５】
１．両面金属積層フィルムの製造方法
以下、実施例を用いて本発明について、さらに詳細に説明する。なお、以下の実施例および比較例における（ａ）シワの判定、および、（ｂ）ピール強度（引きはがし強さ）の測定は以下の手法により行った。
【００６６】
（ａ）シワの判定
スパッタリング装置から取り出した状態で、両面金属積層フィルムの表面を目視で観察することにより行った。この観察の結果については、表１に、シワが発見されなかったもの、および、両面金属積層フィルムの性能に影響を及ぼさない程度の微細なシワが僅かながら発見されたものを良好（○）、両面金属積層フィルムの性能に影響を及ぼす程度のシワが発見されたものを不良（×）として表した。
【００６７】
（ｂ）ピール強度の測定
初期ピール強度は、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０、ＮＵＭＢＥＲ２．４．９に準拠した測定方法で行った。このときの測定条件は、ピールの角度を９０°とした。配線パターンはサブトラクティブ法により形成した。具体的には、試料のリード幅は１ｍｍとし、両面金属積層フィルムの銅被膜層の表面に感光性レジスト（東京応化工業株式会社製、ＰＭＥＲＰ−ＲＨ３０ＰＭ）を塗布し、幅１ｍｍのパターンを形成するよう露光した。その後、濃度０．３質量％の炭酸ナトリウム水溶液で現像し、塩化第２鉄溶液（比重４０°ボーメ、温度４３℃）に２分間浸漬後、水洗し、乾燥した。その後、濃度４質量％の水酸化ナトリウム水溶液を用いて、レジストの剥離を行った。
【００６８】
また、耐熱ピール強度は、初期ピール強度と同じ形状の試料を１５０℃で１６８時間保持後、取り出し、室温になるまで冷却した後、初期ピール強度と同じく、ピールの角度を９０°として、そのピール強度を測定した。
【００６９】
表１に、得られた両面金属積層フィルムの両表面（１ａ、１ｂ）の初期ピール強度および耐熱試験後のピール強度（耐熱ピール強度）のいずれもが４００Ｎ／ｍ以上であれば良好（○）として、４００Ｎ／ｍ未満のものがあった場合には不良（×）として表した。
【００７０】
（実施例１）
絶縁フィルム（１）として、厚さ１２．５μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン株式会社製、カプトン５０ＥＮ）を使用して、図２に示されるような連続スパッタリング装置（４）により、該ポリイミドフィルム（１）の両表面（１ａ、１ｂ）に対して表面処理をした後、両表面に（１ａ、１ｂ）に対して、下地金属層（２ａ、２ｂ）および銅薄膜層（３ａ、３ｂ）を成膜した。
【００７１】
具体的には、上記ポリイミドフィルム（１）を連続スパッタリング装置（４）に設置し、該装置（４）を１×１０-1Ｐａまで真空排気した後、赤外線ヒータ（８）により、ポリイミドフィルムを加熱し、フィルム中の水分を除去した。その後、１×１０-4Ｐａまで真空排気し、第１イオンガン（９ａ）（アノードレイヤーソース型）によりイオンビームを照射することにより、ポリイミドフィルム（１）の一方の表面（１ａ）を表面処理した後（第１表面処理工程）、第２イオンガン（９ｂ）によりイオンビームを照射することにより、ポリイミドフィルム（１）の他方の表面（１ｂ）を表面処理した（第２表面処理工程）。このとき、使用したガス種は窒素ガス（Ｎ2）であった。また、本実施例では、ガイドロール（１１）に冷却ロールとしての機能を有するものを使用した結果、第１表面処理工程の前と第２の表面処理工程の後の絶縁フィルムの温度上昇は３０℃であった。
【００７２】
第２表面処理工程の後、ポリイミドフィルム（１）は、スパッタリング装置（７０）に搬送され、スパッタリングカソード（５０）にＮｉ―２０質量％Ｃｒ合金をターゲットとして装着するとともに、スパッタリングカソード（５１）にＣｕターゲットを装着して、スパッタリング法により、下地金属層（２ｂ）および銅薄膜層（３ｂ）の成膜を行った（第１乾式成膜工程）。その後、ポリイミドフィルム（１）は、スパッタリング装置（７１）に搬送され、スパッタリングカソード（６０）にＮｉ―２０質量％Ｃｒ合金をターゲットとして装着するとともに、スパッタリングカソード（６１）にＣｕターゲットを装着して、スパッタリング法により下地金属層（２ａ）および銅薄膜層（３ａ）の成膜を行った（第２乾式成膜工程）。このときの下地金属層（２ａ、２ｂ）の膜厚は１０ｎｍ、銅薄膜層（３ａ、３ｂ）の膜厚は０．１μｍであった。
【００７３】
第２乾式成膜工程の後、得られた両面金属積層フィルムを連続スパッタリング装置（４）から取り出し、その表面を目視により（ａ）シワの判定を行った結果、シワの発生は確認されなかった。
【００７４】
その後、得られた両面金属積層フィルムの両側表面に、硫酸酸性硫酸銅水溶液を用いた電気めっき法により、膜厚８μｍの銅めっき層を成膜した。得られた両面金属積層フィルムに対して、（ｂ）ピール強度の測定を行い、初期ピール強度および耐熱ピール強度を評価した。
【００７５】
（実施例２〜７）
イオンビームの照射による表面処理に使用するガス種を変更したこと以外は、実施例１と同様にして両面金属積層フィルムを得た（実施例２〜７）。これらの（ａ）シワの判定および（ｂ）ピール強度の測定結果を表１に示す。
【００７６】
（実施例８、９）
イオンビームの照射による表面処理に使用するガス種をアルゴンガス（Ａｒ）のみに変更したこと、および、下地金属層（２ａ、２ｂ）の膜厚を、実施例８では２０ｎｍ、実施例９では３０ｎｍとしたこと以外は、実施例１と同様にして両面金属積層フィルムを得た（実施例８、９）。これらの（ａ）シワの判定および（ｂ）ピール強度の測定結果を表１に示す。
【００７７】
（実施例１０、１１）
イオンビームの照射による表面処理に使用するガス種をアルゴンガス（Ａｒ）のみに変更したこと、および、スパッタリングカソードのターゲット（５０）として、実施例１０ではＮｉ―１０質量％Ｃｒ―２０質量％Ｍｏ合金を、実施例１１ではＮｉ―２０質量％Ｍｏ−７質量％Ｖ合金を使用した以外は、実施例１と同様にして両面金属積層フィルムを得た（実施例１０、１１）。これらの（ａ）シワの判定および（ｂ）ピール強度の測定結果を表１に示す。
【００７８】
（実施例１２、１３）
冷却ロールの出力を制御することにより、第１表面処理工程の前と第２の表面処理工程の後の絶縁フィルムの温度上昇を、実施例１２では５０℃、実施例１３では６０℃となるように調整したこと以外は、実施例１と同様にして両面金属積層フィルムを得た（実施例１２、１３）。目視によるシワの判定をした結果、実施例１２ではシワはほとんど発見されなかった。一方、実施例１３では、両面金属積層フィルムの性能に影響を及ぼす程ではないものの、微細なシワが僅かながら発見された。なお、ピール強度の測定では、両実施例とも良好な値を示していた。これらの（ａ）シワの判定および（ｂ）ピール強度の測定結果を表１に示す。
【００７９】
（比較例１）
第１および第２表面処理を行わなかったこと以外は、実施例１と同様にして両面金属積層フィルムを得た。このときの（ａ）シワの判定および（ｂ）ピール強度の測定結果を表１に示す。
【００８０】
（比較例２〜４）
ポリイミドフィルム（１）の一方の表面（１ａ）に表面処理をし、下地金属層（２ａ）および銅薄膜層（３ａ）を成膜し、その後に、他方の表面（１ｂ）に表面処理をし、下地金属層（２ｂ）および銅薄膜層（３ｂ）を成膜したこと、および、イオンビームの照射による表面処理に使用するガス種を変更したこと以外は実施例１と同様にして両面金属積層フィルムを得た（比較例２〜４）。このときの（ａ）シワの判定および（ｂ）ピール強度の測定結果を表１に示す。
【００８１】
【表１】
2014053410.tif 000003
【００８２】
２．フレキシブル両面プリント配線基板の製造方法
実施例１〜１３および比較例１により得られた両面金属積層フィルムを用いて、フレキシブル両面プリント配線基板を製造した。なお、比較例２〜４より得られた両面金属積層フィルムについては、シワが発生していたため、フレキシブル両面プリント配線基板の製造を行わなかった。具体的には、それぞれの両面金属積層フィルムの両面の銅めっき層の表面に感光性レジスト（東京応化工業株式会社製、ＰＭＥＲＰ−ＲＨ３０ＰＭ）を塗布し、配線幅２０μｍ、配線間隔２０μｍの櫛型配線パターン形成するよう露光した。その後、濃度０．３質量％の炭酸ナトリウム水溶液で現像し、塩化第２鉄溶液（比重４０°ボーメ、温度４３℃）に２分間浸漬後、水洗し、乾燥した。その後、濃度４質量％の水酸化ナトリウム水溶液を用いて、レジストの剥離を行い、両面に配線幅２０μｍ、配線間隔２０μｍの櫛型配線パターンを形成したフレキシブル両面プリント配線基板を得た。
【００８３】
実施例１〜１３により得られた両面金属積層フィルムを用いて得られたフレキシブル両面プリント配線基板を、顕微鏡で観察したところ、これらの配線に異常は見られなかった。一方、比較例１により得られた両面金属積層フィルムを用いて得られたフレキシブル両面プリント配線基板では、配線の一部が剥離していた。
【符号の説明】
【００８４】
１  絶縁フィルム
１ａ、１ｂ  表面
２ａ、２ｂ  下地金属層
３ａ、３ｂ  銅薄膜層
４  連続スパッタリング装置
５  真空チャンバ
６  巻出ロール
７  巻取ロール
８  ヒータ
９ａ  第１イオンガン
９ｂ  第２イオンガン
１０〜１８  ガイドロール
２０〜２２  張力センサロール
３０、３１  フィードロール
４０、４１  冷却キャンロール
５０、５１  スパッタリングカソード
６０、６１  スパッタリングカソード
７０  第１乾式成膜装置
７１  第２乾式成膜装置
【図１】
2014053410.tif 000004
【図２】
2014053410.tif 000005