(57)【要約】【課題】デュアルアレイ型のシンチレータアレイを効率良く製造する方法を提供する。【解決手段】  樹脂層を介して積層した第１及び第２シンチレータ基板を切断することにより、樹脂層を介して並列して１組となる第１及び第２シンチレータスティックを形成する。得られた第１及び第２シンチレータスティックを支持プレート上に複数組平行に並べた後に、前記第１及び第２シンチレータスティックを複数回切断することにより、第１シンチレータセルが１列に並ぶ第１セルアレイと第２シンチレータセルが１列に並ぶ第２セルアレイとの組を、複数平行に配列させる。第１セルアレイ及び第２セルアレイの間隙に反射材用の樹脂を充填して樹脂硬化集合体を形成し、切断することでデュアルアレイ型のシンチレータアレイを製造する。【選択図】  図１
2014085223.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デュアルアレイ型のシンチレータアレイを製造する方法であって、
第１シンチレータ基板、及び前記第１シンチレータ基板と組成が異なる第２シンチレータ基板を、樹脂層を介して積層して積層基板を形成する積層工程と、
前記積層基板を複数回切断することにより、樹脂層を介して並列して１組となる第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティックを、複数組形成するスティック形成工程と、
複数組の前記第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティックを、支持プレート上に平行に並べて固定する固定工程と、
前記支持プレート上に固定した前記第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティックを複数回切断し、もって第１シンチレータセルが１列に並ぶ第１セルアレイと第２シンチレータセルが１列に並ぶ第２セルアレイとの組を、複数平行に配列させるアレイ形成工程と、
前記第１セルアレイ及び第２セルアレイを被覆するために反射材用の樹脂を充填し、硬化させた後、前記支持プレートを除去することにより、複数組の前記第１セルアレイ及び第２セルアレイを有する一体的な樹脂硬化集合体を形成する被覆工程と、
前記第１セルアレイ及び第２セルアレイの隣り合う組の間の樹脂層を切断することにより、前記樹脂硬化集合体を前記第１セルアレイ及び第２セルアレイの組ごとに分割する分割工程とを
有することを特徴とするシンチレータアレイの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のシンチレータアレイの製造方法において、前記被覆工程に引き続いて、前記樹脂硬化集合体の両面を研削することにより、前記第１セルアレイ及び第２セルアレイが露出した所定の厚さの一体的なセルアレイ集合体を作製し、ついで前記セルアレイ集合体における前記第１セルアレイ及び第２セルアレイの一方の露出面を第２反射材用の樹脂で被覆する露出面被覆工程を付加することを特徴とするシンチレータアレイの製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載のシンチレータアレイの製造方法において、前記露出面被覆工程に引き続いて、前記第２反射材用の樹脂による被覆層を所定の厚さに研削する被覆層研削工程を付加することを特徴とするシンチレータアレイの製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載のシンチレータアレイの製造方法において、前記固定工程では、隣り合う組における第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティックの間にスペーサを配置し、第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティックを固定してから前記スペーサを除去するスペーサ工程を付加することを特徴とするシンチレータアレイの製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載のシンチレータアレイの製造方法において、前記固定工程では、隣り合う組における第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティック同士は、隣り合う端面同士を接触させて配置し、接触させた箇所に切断で間隙を形成する間隙形成工程を付加することを特徴とするシンチレータアレイの製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載のシンチレータアレイの製造方法において、前記間隙形成工程では、
隣り合う組における第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティックで対向する端面の少なくとも一方を含み、支持プレートに対して垂直な面を切断することを特徴とするシンチレータアレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線検出器用のデュアルアレイ型のシンチレータアレイを効率良く製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線検査装置の１つにコンピュータ断層撮影装置［Ｃｏｍｐｕｔｅｄ  Ｔｏｍｏｇｒａｐｈｙ（ＣＴ）装置］がある。ＣＴ装置は、Ｘ線ファンビームを放射するＸ線管と、多数の放射線検出素子を併設した放射線検出器とを有する。Ｘ線管と放射線検出器は、測定対象を中心にして対向するように配置される。Ｘ線管から放射されたＸ線ファンビームは測定対象を透過し、放射線検出器で検出される。１回の照射ごとに照射角度を変えてＸ線吸収データを収集し、コンピュータ解析により測定対象の断層面における個々の位置のＸ線吸収率を算出し、Ｘ線吸収率に応じた画像を構成する。放射線検出素子は多数のシンチレータセルで構成される。放射線検出器として、シンチレータセル及びシリコンフォトダイオードを組み合わせた検出器、又はシンチレータセル及び光電子増倍管を組み合わせた検出器が用いられている。
【０００３】
Ｘ線吸収率が異なる２種類のシンチレータセルを用いたデュアルエネルギーの検出器は、例えば特許文献１及び特許文献２に開示されている。特許文献1は、一方のシンチレータセルの発光を一方のダイオードで受光し、他方のシンチレータセルの発光を他方のダイオードで受光するデュアルエネルギーの検出器を開示しているが、具体的な製造方法を開示していない。また特許文献２もシンチレーションアレイの製造方法を具体的に開示していない。
【０００４】
特許文献３は、幅の異なるシンチレータセルを組合せた１次元又は多次元の検出器アレイを製造する方法を開示している。この方法は、（ａ）放射線に対して敏感な材料を含有するセンサ層及び基層からなる複合層を形成し、（ｂ）センサ層を互いに絶縁された個々のエレメントに分割するために、基層と反対側から複合層の材料を切削することにより、隔壁をセンサ層に形成する。しかしこの方法では、セルの数が増えるにつれて工数が増大してしまう。
【０００５】
特許文献４は、Ｘ線吸収率の異なる２種類のシンチレータ素子がＸ線の透過方向に配置されており、各シンチレータ素子に対応する光検出素子がそのシンチレータ素子に垂直な方向に配置されており、複数のシンチレータ素子及び複数の光検出素子が列をなしているＸ線検出器アレイを開示している。複数のシンチレータ素子は光反射性物質で一体的にモールドされている。しかし、特許文献４は、Ｘ線検出器アレイの製造方法を具体的に開示していない。
【０００６】
特許文献５は、シンチレーションセラミックのウェハを作製し、セラミックウェハの上面に直交する２方向の複数のスリットを形成し、セラミックウェハの表面の一部を酸化して反射層を形成することによりシンチレーションアレイを製造する方法を開示している。個々のピクセルの間隙を形成するスリットも同様に反射層で充填される。しかし、このシンチレーションアレイは１種類のシンチレーションセラミックにより形成するものである。従って、特許文献５は２種類のシンチレーションセルを配列する技術を開示していない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】米国特許４，５１１，７９９号
【特許文献２】ＷＯ２００６／１１４７１５（特表２００８−５３８９６６号公報）
【特許文献３】特開２００２−２３６１８２号公報（米国特許６，７９３，８５７号）
【特許文献４】特開２００１−１７４５６４号公報
【特許文献５】特表２００９−５２４０１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、組成が異なる２種類のシンチレータ基板を用いたデュアルアレイ型のシンチレータアレイを、効率良く製造する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のシンチレータアレイの製造方法は、デュアルアレイ型のシンチレータアレイを製造する方法であって、
第１シンチレータ基板、及び前記第１シンチレータ基板と組成が異なる第２シンチレータ基板を、樹脂層を介して積層して積層基板を形成する積層工程と、
前記積層基板を複数回切断することにより、樹脂層を介して並列して１組となる第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティックを、複数組形成するスティック形成工程と、
複数組の前記第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティックを、支持プレート上に平行に並べて固定する固定工程と、
前記支持プレート上に固定した前記第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティックを複数回切断し、もって第１シンチレータセルが１列に並ぶ第１セルアレイと第２シンチレータセルが１列に並ぶ第２セルアレイとの組を、複数平行に配列させるアレイ形成工程と、
前記第１セルアレイ及び第２セルアレイを被覆するために反射材用の樹脂を充填し、硬化させた後、前記支持プレートを除去することにより、複数組の前記第１セルアレイ及び第２セルアレイを有する一体的な樹脂硬化集合体を形成する被覆工程と、
前記第１セルアレイ及び第２セルアレイの隣り合う組の間の樹脂層を切断することにより、前記樹脂硬化集合体を前記第１セルアレイ及び第２セルアレイの組ごとに分割する分割工程とを有することを特徴とする。
【００１０】
前記シンチレータアレイの製造方法において、被覆工程に引き続いて、前記樹脂硬化集合体の両面を研削することにより、前記第１セルアレイ及び第２セルアレイが露出した所定の厚さの一体的なセルアレイ集合体を作製し、ついで前記セルアレイ集合体における前記第１セルアレイ及び第２セルアレイの一方の露出面を第２反射材用の樹脂で被覆する露出面被覆工程を付加することが好ましい。
【００１１】
前記シンチレータアレイの製造方法において、前記露出面被覆工程に引き続いて、前記第２反射材用の樹脂による被覆層を所定の厚さに研削する被覆層研削工程を付加することが好ましい。
【００１２】
前記シンチレータアレイの製造方法において、前記固定工程では、隣り合う組における第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティックの間にスペーサを配置し、第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティックを固定してから前記スペーサを取り除くスペーサ工程を付加することができる。
【００１３】
前記シンチレータアレイの製造方法において、前記固定工程では、隣り合う組における第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティック同士は、隣り合う端面同士を接触させて配置し、接触させた箇所に切断で間隙を形成する間隙形成工程を付加することができる。
【００１４】
前記シンチレータアレイの製造方法において、前記間隙形成工程では、
隣り合う組における第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティックで対向する端面の少なくとも一方を含み、支持プレートに対して垂直な面を切断することが好ましい。
【００１５】
第１シンチレータ基板は、第２シンチレータ基板とは組成が異なる。そして、Ｘ線照射方向に沿った基板寸法及び基板面積を同じにして、たとえば１００ｋｅＶのエネルギーに相当するＸ線の波長でＸ線吸収率を比較した場合、第２シンチレータ基板のＸ線吸収率は第１シンチレータ基板のＸ線吸収率よりも高いことが好ましい。なお、前記Ｘ線吸収率は、シンチレータ基板に照射した全Ｘ線と、前記全Ｘ線のうちシンチレータ基板で吸収されたＸ線とに係る強度の比率に相当する。そして、与えられるエネルギー（或いはそれに対応するＸ線の波長）によって、Ｘ線吸収率の大きさは変わる。
【００１６】
例えば、第１シンチレータ基板の材料にテルル（Ｔｅ）がドープされたセレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）を用い、第２シンチレータ基板の材料にガドリニウム酸硫化物（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｐｒ，Ｃｅ、又は“ＧＯＳ”）を用いることができる。また、例えば、第１シンチレータ基板の材料に、イットリウム−アルミニウム−ガーネット（ＹＡＧ）又は他の類似する材料を用い、第２シンチレータ基板の材料にＧＯＳを用いることができる。
【００１７】
前記第１シンチレータ基板及び第２シンチレータ基板は、位置決めの際に変形したり、加工時に動くことの無い程度の硬度を有する材料で構成することが好ましい。例えば高密度で高硬度のセラミックス材料などで構成されて、シンチレータ基板に該当するものであれば用いることができる。また、使用するシンチレータ基板の材料に応じて、加工精度が良く、加工時間の短い加工方法を選択することが好ましい。前記セラミックス材料をシンチレータ基板に用いた場合、ダイヤの砥粒を用いたブレードやワイヤーソーによる加工方法を選択することが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の方法によれば、組成が異なる２種のシンチレータ基板を用いたデュアルアレイ型のシンチレータアレイを、効率良く製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１の実施形態によるシンチレータアレイの製造方法を示すフローチャートである。
【図２】第１の実施形態の方法のステップＡ１における、第１シンチレータ基板を概略的に示す斜視図である。
【図３】第１の実施形態の方法のステップａ１に用いる、第２シンチレータ基板を概略的に示す斜視図である。
【図４】第１の実施形態の方法のステップＡ２における、樹脂層を介して積層した第１シンチレータ基板及び第２シンチレータ基板を概略的に示す斜視図である。
【図５】第１の実施形態の方法のステップＡ３で切断した後における、樹脂層を介して並列して１組となる第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティック（すなわち、スティック接合体）を、概略的に示す斜視図である。
【図６】第１の実施形態の方法のステップＡ４における、複数組の第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティックを支持プレート上に、平行に並べて、接着材を介して固定した状態を概略的に示す斜視図である。
【図７】第１の実施形態の方法のステップＡ５における、第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティックを切断し、シンチレータセルアレイに形成された状態を概略的に示す斜視図である。
【図８】第１の実施形態の方法のステップＡ６において、樹脂で被覆した後の状態を概略的に示す斜視図である。
【図９】第１の実施形態の方法のステップＡ６における、樹脂硬化集合体を概略的に示す斜視図である。
【図１０】第１の実施形態の方法のステップＡ７における、両面を研削した後の状態を概略的に示す斜視図である。
【図１１】第１の実施形態の方法のステップＡ８において、樹脂で被覆した後の状態を概略的に示す斜視図である。
【図１２】第１の実施形態の方法のステップＡ８における、樹脂を充填、硬化し、支持プレートをはずした後の状態を概略的に示す斜視図である。
【図１３】第１の実施形態の方法のステップＡ９における、シンチレータアレイ集合体を概略的に示す斜視図である。
【図１４】第１の実施形態の方法のステップＡ１０における、デュアルアレイ型のシンチレータアレイを概略的に示す斜視図である。
【図１５】本発明の第２の実施形態によるシンチレータアレイの製造方法を示すフローチャートである。
【図１６】第２の実施形態の方法のステップＡ３における、スティック接合体を概略的に示す斜視図である。
【図１７】第２の実施形態の方法のステップＡ４´における、第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティックを支持プレート上に、複数組で平行に配列して、接着材を介して固定した状態を概略的に示す斜視図である。
【図１８】第２の実施形態の方法のステップＡ５´における、複数組の第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティックを切断し、シンチレータセルアレイに形成された状態を概略的に示す斜視図である。
【図１９】本発明の第３の実施形態によるシンチレータアレイの製造方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明の実施形態を図面を参照して以下詳細に説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。各実施形態の説明は、特に断りがなければ他の実施形態にも適用される。
【００２１】
本発明は、第１シンチレータ基板、及び前記第１シンチレータ基板と組成が異なる第２シンチレータ基板を、樹脂層を介して積層して積層基板を形成する積層工程を有している。この積層工程により、第１シンチレータ基板及び第２シンチレータ基板の間隔を前記樹脂層の積層方向寸法によって定めることができる。
【００２２】
本発明は、前記積層基板を複数回切断することにより、樹脂層を介して並列して１組となる第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティックを、複数組形成するスティック形成工程を有している。このスティック形成工程により、１本の第１シンチレータスティック及び１本の第２シンチレータスティックが並列している１組を、１回の切断で得ることができる。そして、複数回の切断によって複数組を得られる。
【００２３】
つまり、本発明では、前記積層工程とスティック形成工程により、前記第１シンチレータ基板から形成された第１シンチレータスティックと、前記第２シンチレータ基板から形成された第２シンチレータスティックとが、樹脂層を介して並列に接合されたスティック接合体を、効率よく複数得るものである。
【００２４】
本発明は、複数組の前記第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティックを、支持プレート上に平行に並べて固定する固定工程を有している。この固定工程により、１組となる第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティックと、他の組の第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティックとは、平行に支持プレート上に並べられる。そして、複数組が平行に並べられて、支持プレート上に固定される。
【００２５】
本発明は、前記支持プレート上に固定した前記第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティックを複数回切断し、もって第１シンチレータセルが１列に並ぶ第１セルアレイと第２シンチレータセルが１列に並ぶ第２セルアレイとの組を、複数平行に配列させるアレイ形成工程を有している。このアレイ形成工程により、複数回の切断で、第１シンチレータスティックは第１セルアレイに分けられ、第２シンチレータスティックは第２セルアレイに分けられる。前の固定工程の段階で、第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティックは複数組で支持プレート上に固定されているので、第１セルアレイ及び第２セルアレイの組は複数平行に配列されることになる。
【００２６】
本発明は、前記第１セルアレイ及び第２セルアレイを被覆するために反射材用の樹脂を充填し、硬化させた後、前記支持プレートを除去することにより、複数組の前記第１セルアレイ及び第２セルアレイを有する一体的な樹脂硬化集合体を形成する被覆工程を有している。この被覆工程により、一体的な樹脂硬化集合体が得られるので、複数組の第１セルアレイ及び第２セルアレイを固定する為の支持プレートは除去できる。
【００２７】
本発明は、前記第１セルアレイ及び第２セルアレイの隣り合う組の間の樹脂層を切断することにより、前記樹脂硬化集合体を前記第１セルアレイ及び第２セルアレイの組ごとに分割する分割工程を有している。この分割工程により、１組となる第１セルアレイ及び第２セルアレイと、樹脂層とを有するデュアルアレイ型シンチレータアレイを得られる。
【００２８】
［１］第１の実施形態
図１は本発明の第１の実施形態によるシンチレータアレイの製造方法のフローチャートである。各ステップについて、図を用いつつ説明する。なお、１つのステップ（すなわち、小工程或いは“細分化した工程”）で１つの工程を構成することもできるが、複数のステップを包含して１つの工程とみなしてもよい。
【００２９】
（積層工程）
まず、図２に示すように、低エネルギー側のＸ線吸収率が高い材料を用いて、第１のシンチレータ焼結体からなる矩形板状の第１シンチレータ基板１を作製する（ステップＡ１）。
【００３０】
前記図２において、第１シンチレータ基板１は、Ｙ方向における長さをＬ２として、Ｚ方向における寸法をｗ５とする。このｗ５は後述する第１シンチレータスティックの幅に相当する。第１シンチレータ基板１の最も広い面に対して垂直な方向をＺ方向とし、それに直交する面をＸＹ面とする。Ｘ方向におけるシンチレータ基板の寸法が大きいほど、後述するシンチレータスティックは、その取れ数を増やして、効率よく作製できる。
【００３１】
一方で、図３に示すように、高エネルギー側のＸ線吸収率が高い材料を用いて、第２のシンチレータ焼結体からなる矩形板状の第２シンチレータ基板８を作製する。そして、前記第２シンチレータ基板の一方の面に、反射材用の樹脂を塗布し、加熱で硬化し、研磨を行ってＺ方向寸法が一様である樹脂層を形成する（ステップａ１）。
【００３２】
前記図３において、第２シンチレータ基板８は、Ｙ方向における長さを第１シンチレータ基板と同じＬ２として、Ｚ方向における寸法をｗ１２とする。このｗ１２は後述する第２シンチレータスティックの幅に相当する。前記樹脂には、後述する樹脂３７ａと同じものを用いることができる。
【００３３】
ついで、第２シンチレータ基板８に形成した樹脂層の上に、反射材用の樹脂を薄く塗布する。この薄い樹脂は接着層となる。ついで、第１シンチレータ基板１を載せて密着させ、加熱で樹脂を硬化させる。すると、２つの樹脂層は一体化するので、第１シンチレータ基板及び第２シンチレータ基板の間に樹脂層１１を形成する。つまり、図４に示すように、第２シンチレータ基板８、樹脂層１１及び第１シンチレータ基板１を積層した積層基板３を得る（ステップＡ２）。硬化した後の樹脂層１１のＺ方向寸法を符号ｇ２２で示す。このｇ２２は、後述する樹脂層２１ａの幅でもある。
【００３４】
（スティック形成工程）
ついで、切断用回転砥石を用いて、図４の積層基板３をＹＺ面に平行に切断する（すなわち、Ｙ方向への切断）。切断する箇所を図４では一点鎖線で示す。このＹ方向への切断によって、積層基板３の一部を切り離し、厚さ（すなわち、Ｘ方向寸法）がｔ９であるスティック接合体（図５の符号１０参照）を１つ得る。なお、このスティック接合体を、Ｙ軸を回転軸にして９０°回転させるように押し倒した様子を、後述の図５に示す。
【００３５】
ついで、図４のＸ方向に沿って、切断用回転砥石を所定距離で平行移動させてから、上述のＹ方向への切断をまた行う。同様に、切断用回転砥石をＸ方向に等ピッチでずらしていき、前記Ｙ方向への切断を複数回繰り返す。これらの切断によって、複数個のスティック接合体を得る。等ピッチとすることで、複数個のスティック接合体全てで厚さをｔ９に形成できる。
【００３６】
なお、図４に係る積層基板を切断する他の基板切断方法として、等ピッチで平行に複数の切断箇所を有するマルチワイヤーソーなどを用いても良い。
【００３７】
得られるスティック接合体１０の１つを図５に示す。このスティック接合体１０は、樹脂層２１ａを介して、１本の第１シンチレータスティック６及び１本の第２シンチレータスティック１３が１対となって並列して構成される。すなわち、１個のスティック接合体に含まれる１本の第１シンチレータスティック６と１本の第２シンチレータスティック１３は、１組に相当する。第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティックと、樹脂層２１ａとは、Ｘ方向の厚さがｔ９である（すなわち、スティック接合体の厚さがｔ９である）。スティック接合体の一方の端面は第１シンチレータスティックの端面７に相当し、スティック接合体の他方の端面は第２シンチレータスティックの端面１４に相当する。
【００３８】
（固定工程）
ついで、図６に示すように、１組となる第１シンチレータスティック６と第２シンチレータスティック１３（すなわち、１個のスティック接合体１０に対応）を、複数組用意する。そして、第１支持プレート１６のオモテ面１７上に接着材（図示せず）を介して、複数組のスティック接合体１０を平行に配置し、固定する（ステップＡ４）。平行に並べるには、例えば、後述するようにスペーサ等を用いてもよい。支持プレートを用いることで、その上に平行に並べた複数組の第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティックを、ずれることなく、固定することができる。前記第１支持プレート１６は、その長さＬ１８が第１シンチレータ基板の長さＬ２よりも長く、その形状が直方体である。
【００３９】
好ましくは、複数の組をほぼ同時に切断できるように、前記第１支持プレート１６の幅ｗ２０を定めるのが良い。第１シンチレータスティック６及び第２シンチレータスティック１３の間に形成された樹脂層２１ａは、後述するようにシンチレータアレイを作製した際に、図１４の中間層２１ｂとなる。この“中間”とは、第１シンチレータセルアレイ及び第２シンチレータセルアレイの間を指す用語として用いている。また隣り合う組における第１シンチレータスティック６及び第２シンチレータスティック１３の間（すなわち、隣り合うスティック接合体の間）に形成された間隙Ｇ３９には、シンチレータアレイを作製した際に、シンチレータセルアレイの外周を覆う樹脂層となる外周部が配置される。前記間隙Ｇ３９の寸法ｇ２５は、さらに切りしろを考慮した寸法で形成する。
【００４０】
なお、前記接着材は、第１シンチレータスティック６及び第２シンチレータスティック１３を固定し、後のステップでもそれらの位置を正確に保持できるものであれば特に限定されない。例えば接着剤、両面接着フィルム、両面接着テープ等を用いることができる。なかでも、位置決めの精度、ハンドリング性、及び仮固定の作業性等を考慮して感圧接着剤又は感圧両面接着フィルムが好ましい。実施形態１では、感圧両面接着フィルムで説明する。
【００４１】
（スペーサ工程）
隣り合う組におけるシンチレータスティックの間には後で切断することになる樹脂層を設けるので、寸法ｇ２５はシンチレータアレイの外周部の幅寸法と切断時の加工しろの寸法を合わせた寸法でよい。従って、組み立ての際には、まず、隣り合う組における第１シンチレータスティック６と第２シンチレータスティック１３との間にはスペーサを介在させる。スペーサは、１辺の長さが寸法ｇ２５と同じ断面四角形状の棒状ピン、又は直径が寸法ｇ２５と同じ断面円形の棒状ピンで良い。そして、スペーサは、隣り合う第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティックを支持プレート上に固定した後に、除去する。スペーサの配置によっては、固定直後に除去したり、或いは、樹脂硬化後の切断によって除去したりする。
【００４２】
第１シンチレータスティック６及び第２シンチレータスティック１３を位置決めして固定した後にスペーサを取り外す場合、スペーサは接着材との接触面積が小さいことが好ましい。また、接触面積が大きい場合、後で切り落とすシンチレータスティックの両端部に沿って、短くしたスペーサを１本ずつ配置するのが好ましい。
【００４３】
スペーサとして、棒状ピンの代わりに冶具、位置合せ用の枠、又は位置合わせ用のピンを用いても良い。位置合せ用ピンとして、例えば直径０．２〜１ｍｍのステンレススチール製のピン等を用いることができる。位置合せ用の枠として、１組となる第１シンチレータスティック６及び第２シンチレータスティック１３（すなわち、１個のスティック接合体）が、嵌まるスロット又はスリットを有する薄板を用いてもよい。位置合せ用枠の材料は、例えばステンレススチール又はシリコンである。位置合せ用枠を用いると、高い精度で効率良く、かつ歩留り良くシンチレータアレイを製造することができる。
【００４４】
ついで、スペーサを介して全ての組の第１シンチレータスティック６及び第２シンチレータスティック１３を暫定的に位置決めした後（すなわち、仮固定した後）、スペーサを介して配列した第１シンチレータスティック６及び第２シンチレータスティック１３（すなわち、スティック接合体）をＺ方向で軽く押すことにより、仮固定で生じていたズレ等は無くなり、Ｚ方向の間隙は寸法ｇ２５となる。この手順を複数回繰り返すことにより、隣り合う組同士（すなわち、隣り合うスティック接合体同士）は平行に並べられるので、複数組の第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティックが平行に並べて配置されることになる。第１シンチレータスティック６及び第２シンチレータスティック１３のＺ方向の位置決め精度を上げる。この高い位置決め精度にスペーサが寄与している。配置後に押圧することで、接着材が機能し、複数組の第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティックは平行に並べた状態で固定される。
【００４５】
ついで、スペーサを介して正確に位置決めされた全ての第１シンチレータスティック６及び第２シンチレータスティック１３（すなわち、全てのスティック接合体）の上面にプレス板を載せて、プレス板をＸ方向（第１シンチレータスティックのウラ面２６や第２シンチレータスティックのウラ面２７に対して垂直方向）に均等に押圧する。すると、感圧両面接着フィルムが接着力を発現し、第１シンチレータスティック６のオモテ面及び第２シンチレータスティック１３のオモテ面は第１支持プレート１６のオモテ面１７に固着される。プレス板を取り外すと、第１シンチレータスティックのウラ面２６及び第２シンチレータスティックのウラ面２７が露出する。そして治具やプレス板を取り外し、図６で図示する構成に至る。プレス板を外した後に、すべての第１シンチレータスティック６及び第２シンチレータスティック１３は固定されているので、スペーサを取り外してよい。
【００４６】
図６において、第１シンチレータスティック６及び第２シンチレータスティック１３の長手方向をＹ方向、第１シンチレータスティック６のウラ面２６及び第２シンチレータスティック１３のウラ面２７に対して法線方向をＸ方向、前記Ｙ方向と前記Ｘ方向に対して垂直な方向をＺ方向とする。
【００４７】
なお、上述の配列では、１組となる第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティックは、Ｚ方向の正の向きに沿って第２シンチレータスティック、第１シンチレータスティックという順に並べられている（図６参照）。ただし、上述の配列を基準とする支持プレート１６上の複数組のうち、任意の組を、Ｚ方向の正の向きに向かって第１シンチレータスティック、第２シンチレータスティックという順に並べ替えることもできる。並べ替えは、スティック接合体を外して、Ｘ方向を軸としてスティック接合体を１８０°回転させて向きを変えて、配置し直すことに相当する。
【００４８】
（アレイ形成工程）
ついで、図７に示すように、切断用回転砥石４ｃを用いて、第１支持プレート１６のオモテ面１７上に接着材（図示せず）を介して、配置された第１シンチレータスティック６及び第２シンチレータスティック１３（すなわち、スティック接合体）を、Ｚ方向に一括して切断する（Ｚ方向への切断）。切断用回転砥石をＺ方向に掃引することで、複数組の第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティックは切断される。ついで、切断用回転砥石４ｃをＹ方向に沿って所定距離を平行移動させてから、上述のＺ方向への切断をまた行う。同様に、切断用回転砥石４ｃをＹ方向に等ピッチで平行移動させていき、前記Ｚ方向への切断を複数回繰り返す。等ピッチで平行な掃引とするので、切断で形成される間隙同士は平行になる。すると、間隙Ｇ３０同士の間の部分が１つのセルとなり、間隙Ｇ３０で区切られた第１シンチレータセルアレイ２８ａを形成する。
【００４９】
一括して切断する際には、間隙Ｇ３１同士の間の部分が１つのセルとなり、間隙Ｇ３１で区切られた第２シンチレータセルアレイ２９ａとなる（ステップＡ５）。すなわち、第１セルアレイ及び第２セルアレイに相当するものとして、第１シンチレータセルアレイ２８ａ及び第２シンチレータセルアレイ２９ａが形成される。各々のセルアレイは、１列に並ぶシンチレータセルで構成されている。すると、シンチレータセルを個々に並べていく方法に比べて、上述のＺ方向への切断を複数回行うことは効率よく、簡単に第１セルアレイ及び第２セルアレイの組を複数平行に配列できる。
【００５０】
各間隙寸法は各セルの幅の１０％以下であるのが好ましい。切断後の１つのセルの幅ｗ３２と各間隙を介して複数個並んだシンチレータセルアレイの幅ｗ３３は第１支持プレートの長さＬ１８より小さい。全てのセルが接着材を介して第１支持プレート１６に固定される。シンチレータセルアレイの幅ｗ３３の外側の範囲にある第１シンチレータスティックの端部３４ａ、及び第２シンチレータスティックの端部３５ａはシンチレータアレイとして使用しない部分であるため、樹脂を充填する前に第１支持プレート１６から取り除いておくこともできる。
【００５１】
図７に示すように、第１シンチレータセルアレイ２８ａ及び第２シンチレータセルアレイ２９ａを切断で形成した後も、第１支持プレート１６のオモテ面１７上に接着材を介して、互いにセルの相対位置が維持される。図示の簡略化のために、第１シンチレータセルアレイの間隙Ｇ３０と第２シンチレータセルアレイの間隙Ｇ３１を線で描いている。ただし、実際には図１４に示すように、セル間の樹脂層は各セルに対して十分な幅を有する。間隙Ｇ３９は図６と同様である。
【００５２】
なお、切断後にまだスペーサを残している場合には、それらを取り外してよい。スペーサが棒状ピンであると接着材との接触面積が小さいので、プレス板を取り除いた後に容易に取り外すことができる。また、スペーサを第１シンチレータスティック６及び第２シンチレータスティック１３の両端部に沿って配置した場合には、外周部の切断で取り除くことになるので、固定直後にスペーサを取り外す必要がない。
【００５３】
（被覆工程）
ついで、図８に示すように、第１支持プレート１６の４つの側面に樹脂堰止め用のフィルム３６ａ（３６ａＬ、３６ａＦ、３６ａＲ及び３６ａＢ）を貼り、前記フィルム３６ａと第１支持プレート１６とで囲まれた空間に反射材用の樹脂３７ａを充填し、硬化させる（ステップＡ６）。なお、後述するように、支持プレートの除去は樹脂の硬化後に行う。
【００５４】
図８において、各フィルムの幅は第１支持プレート１６の側面の高さより十分に大きいので、第１支持プレート１６から上方に（すなわち、Ｘ方向の負の向きに）突出し、樹脂３７ａを充填する際に堰止めるための空間を形成する。前記樹脂３７ａは、第１シンチレータセルアレイ２８ａ及び第２シンチレータセルアレイ２９ａが発光する際に反射材として機能する。
【００５５】
なお、前記フィルム３６ａは３６ａＬ、３６ａＦ、３６ａＲ、３６ａＢと４枚用いても良いし、１枚連続したフィルムを用いたり、型枠や箱型容器を用いても良い。フィルムや型枠は樹脂の剥離が容易なプラスチックからなるのが好ましく、例えばフッ素樹脂、又はフッ素樹脂を被覆した金属シート等を用いることができる。
【００５６】
ステップＡ６において、樹脂３７ａとしては、例えば白色の酸化チタン微粒子を混合した樹脂を用いる。樹脂３７ａは熱硬化性樹脂であるのが好ましい。樹脂３７ａを注いで前記空間内に充填し、硬化させる。樹脂３７ａは第１シンチレータセルに係る間隙Ｇ３０や第２シンチレータセルに係る間隙Ｇ３１だけでなく、隣り合う第１シンチレータセルアレイ２８ａ及び第２シンチレータセルアレイ２９ａによる間隙Ｇ３９にも進入するので、樹脂３７ａの硬化により複数組の第１シンチレータセルアレイ２８ａ及び第２シンチレータセルアレイ２９ａは効率よく一体化される。前記間隙Ｇ３９は、隣り合うスティック接合体同士の間隙に相当する。
【００５７】
フィルム、枠等を用いずに樹脂３７ａを直接的に第１シンチレータセルアレイ２８ａ及び第２シンチレータセルアレイ２９ａに塗布することもできる。この場合、流れ出さない程度の粘度を有する樹脂を用いる必要があるが、粘度が高すぎると間隙への進入性が低下する。従って、最適な粘度の樹脂を選択しなければならない。
【００５８】
ついで、ステップＡ６で樹脂３７ａを硬化した後に、フィルム３６ａ（３６ａＬ、３６ａＦ、３６ａＲ及び３６ａＢ）及び第１支持プレート１６等を除去することにより、図９に示すような樹脂硬化集合体４０が得られる。第１シンチレータセルアレイ及び第２シンチレータセルアレイが並列して１つの組を構成しており、間隙に樹脂が充填されて硬化されるため、複数個の組が樹脂硬化集合体の内部に一体的に保持されている。そして、樹脂の硬化によって第１シンチレータセルアレイ及び第２シンチレータセルアレイが一体的に保持されるので、支持プレートを除去できる。図９の樹脂硬化集合体４０のＸ方向寸法（すなわち、厚さ）は、後述するセルアレイ集合体の厚さｄ４３及びウラ面樹脂層の厚さｄ５１の和よりも大きい。
【００５９】
（露出面被覆工程）
ついで、樹脂硬化集合体４０のオモテ面４１（ウラ面４２と反対側の面）に対して、残留接着材を除去するために研削を施す（研磨に代える場合もある）。また、樹脂硬化集合体４０のウラ面４２も、一様な厚さｄ４３となるまで研削する。複数の第１シンチレータセルアレイ２８ｃ及び第２シンチレータセルアレイ２９ｃを露出させる。樹脂硬化集合体４０のオモテ面及びウラ面（すなわち、両面）を研削することにより、各セルアレイの厚さを正確にｄ４３と一定の寸法にすることができ、図１０に示すような第１セルアレイ及び第２セルアレイが露出した一体的なセルアレイ集合体４４を得る（ステップＡ７）。
【００６０】
なお、ステップＡ５からステップＡ７に至る際に、図７に示す間隙Ｇ３０及び間隙Ｇ３１には樹脂が充填され、硬化して樹脂層となる。したがって、Ｙ方向でシンチレータセル同士の間隔は正確に規定される。また、図７に示す間隙Ｇ３９にも樹脂が充填され硬化して樹脂層となる。したがって、Ｚ方向寸法ｇ２５の樹脂層が正確な寸法に形成される。Ｚ方向寸法ｇ２５については図１０を参照する。符号２１ａはＺ方向寸法ｇ２２の樹脂層である。これら間隙に充填された樹脂層や、第１シンチレータセルアレイ及び第２シンチレータセルアレイの外周（すなわち、全てのスティック接合体）を取り囲む樹脂層４７が一体化することで、セルアレイ集合体４４中の樹脂層は構成されている。
【００６１】
なお、樹脂を充填する前に第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティックの端部を取り除かない場合、それぞれのシンチレータセルアレイの外側に第１シンチレータスティックの端部３４ｂと第２シンチレータスティックの端部３５ｂが残る。そして、残った端部３４ｂ及び端部３５ｂは、シンチレータセルアレイと一緒に、樹脂硬化集合体４０中に設けられることになる。
【００６２】
ついで、セルアレイ集合体４４の１面（すなわち、一方の露出面）に反射材として機能する樹脂層（すなわち、第２反射材用の樹脂による被覆層）を形成するために、図１１に示すように、セルアレイ集合体４４と同面積又はそれより大きい第２支持プレート（例えば、ガラス板）４８上にセルアレイ集合体４４を載せて、第２支持プレート４８の４つの側面に樹脂堰止め用のフィルム３６ｂを貼り、樹脂充填用の空間を形成する。この空間内に樹脂３７ｂを注ぐ（ステップＡ８）。前記セルアレイ集合体４４の１面とは、第１セルアレイ及び第２セルアレイの一方の露出面である。
【００６３】
なお、樹脂堰止め用のフィルム３６ｂは図１１に示したように３６ｂＦ、３６ｂＲ、３６ｂＢ、３６ｂＬの４枚で構成されても良いし、１枚の連続したフィルム、型枠又は箱型容器を用いても良い。樹脂３７ｂは樹脂３７ａと同じ組成である。図１１では、セルアレイ集合体４４、第１シンチレータセルアレイ２８ｃ及び第２シンチレータセルアレイ２９ｃ等は、樹脂３７ｂやフィルム３６ｂの陰に隠れるので、それらのアウトラインを鎖線で表現している。
【００６４】
ついで、樹脂３７ｂが硬化してウラ面樹脂層４９ａ（すなわち、第２反射材用の樹脂を硬化させてなる被覆層）に成った後に、樹脂堰止め用フィルム３６ｂＦ、３６ｂＲ、３６ｂＢ、３６ｂＬ及び第２支持プレート４８を取り外すことにより、図１２に示す樹脂被覆セルアレイ集合体５０が得られる。ウラ面樹脂層４９ａは、光路として開放されないようにセルアレイ集合体４４の１面（すなわち、一方の露出面）を塞ぐことができる。
【００６５】
（被覆層研削工程）
ついで、第１シンチレータセルアレイ及び第２シンチレータセルアレイが露出しないように、樹脂被覆セルアレイ集合体５０のウラ面樹脂層４９ａを所定の厚さｄ５１まで研削する。このようにして、図１３に示すように、所定の厚さｄ４３のセルアレイ集合体４４、及び所定の厚さｄ５１のウラ面樹脂層４９ｂを一体に有するシンチレータアレイ集合体５２が得られる（ステップＡ９）。裏面樹脂層４９ａに研削を施すことによって、Ｘ方向において、シンチレータアレイ集合体５２を一定の厚さに規定できる。このＸ方向寸法（すなわち、厚さ）の規定は、シンチレータアレイの厚さを一定の厚さに規定することにもなる。
【００６６】
（分離工程）
ついで、シンチレータアレイ集合体５２において、隣り合う組における第１シンチレータセルアレイ２８ｃと第２シンチレータセルアレイ２９ｃとの間の樹脂層５３を切断用回転砥石で切断する。また、第１シンチレータセルアレイ２８ｃと第１シンチレータスティックの端部３４ｂの間の樹脂層２３ａ、及び第２シンチレータセルアレイ２９ｃと第２シンチレータスティックの端部３５ｂの間の樹脂層２４ａ、を切断用回転砥石で切断する。すなわち、これらの切断によって、シンチレータアレイ集合体（元は樹脂硬化集合体）は、第１セルアレイ及び第２セルアレイの隣り合う組の間の樹脂層で切断されて、第１セルアレイ及び第２セルアレイの組ごとに分割される。切断による分割で、複数個のデュアルアレイ型のシンチレータアレイを得ることができる。
【００６７】
得られたデュアルアレイ型シンチレータアレイの１つを図１４に示す。１つのデュアルアレイ型シンチレータアレイは、１組となる第１シンチレータセルアレイと第２シンチレータセルアレイを有し、それらシンチレータセルアレイを覆う樹脂層（すなわち、外周部）を有する（ステップＡ１０）。第１シンチレータセルアレイ（２８ｃ）は、複数個の第１シンチレータセル２８ｄを１列に並べたものに相当する。第２シンチレータセルアレイ（２９ｃ）は、複数個の第２シンチレータセル２９ｄを１列に並べたものに相当する。Ｚ方向寸法はＬ３である。
【００６８】
なお、図１４では１列に並んだ複数の第１シンチレータセル２８ｄと１列に並んだ複数の第２シンチレータセル２９ｄとは、樹脂層２１ａに由来する中間層２１ｂを介して並列している。Ｚ方向で隣り合う１つの第１シンチレータセル２８ｄと１つの第２シンチレータセル２９ｄとは、Ｚ方向及びＹ方向において正確に位置決めされている。
【００６９】
また、前記ステップＡ９以降において、外形を整えるために、外周部の樹脂層（樹脂層２３ｂ、樹脂層２４ｂを含む）を、それぞれ所定の寸法まで研削することもできる。外周部及び中間層２１ｂは全て同じ組成の樹脂層である。ただし、シンチレータアレイのオモテ面５４だけは第１シンチレータセル２８ｄ及び第２シンチレータセル２９ｄが露出し、各セルは発光面を構成する。
【００７０】
［２］第２の実施形態
図１５は本発明の第２の実施形態によるシンチレータアレイの製造方法のフローチャートである。本発明の第２の実施形態に係る方法は、一部のステップを除いて第１の実施形態の方法と同じであるので、同じステップの説明は省略する。従って、説明を省略されたステップについては、第１の実施形態の説明を参照されたい。
【００７１】
ステップＡ１、Ａ２及びＡ３は第１の実施形態と同様である。
【００７２】
一方で、ステップａ１´は、第２シンチレータ基板のＺ方向寸法をｗ６２に変える以外は、ステップａ１と同様である。ただし、幅ｗ６２は、実施形態１におけるスペーサの寸法（図６のｇ２５に相当）を第２シンチレータスティック１３の幅ｗ１２（図５参照）に加えた寸法となるように形成する。
【００７３】
図１６には、実施形態２のステップＡ３で得るスティック接合体を示す。このスティック接合体は、樹脂層２１ａを介して、１本の第１シンチレータスティック６及び１本の第２シンチレータスティック１３´が１対となって並列して構成される。すなわち、１個のスティック接合体に含まれる１本の第１シンチレータスティック６と１本の第２シンチレータスティック１３´は、１組となる第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティックに相当する。
【００７４】
図１６において、第２シンチレータスティック１３´において、第２シンチレータスティック１３よりも幅が広がっている部分は、後のステップＡ５´における切断で除去するため、第２シンチレータスティック１３´における切りしろ（１５）に相当する。一点鎖線よりもＺ方向の負側が切りしろ１５である。後述する切りしろ１５の切断は、第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティックを接触させた箇所を切断して、間隙を形成することに相当する。スティック接合体の一方の端面は第１シンチレータスティックの端面７に相当し、スティック接合体の他方の端面は第２シンチレータスティックの端面１４´に相当する。広幅の第２シンチレータスティック１３´における長さ及びＸ方向寸法は、第２シンチレータスティック１３と同じである。スティック接合体１０´における一部の寸法であるｗ５及びｇ２２も、スティック接合体１０と同じである。
【００７５】
（間隙形成工程）
ついで、ステップＡ４´では、図１７に示すように、第１支持プレート１６のオモテ面１７上に接着材（図示せず）を介して、複数組の第１シンチレータスティック６及び広幅の第２シンチレータスティック１３´（すなわち、複数組のスティック接合体１０´）を平行にして、端面同士を接触させて配列する。この第２の実施形態は、第１の実施形態とは異なり、シンチレータスティック同士の間にスペーサなどは配置しない。第１シンチレータスティックのウラ面２６と、広幅の第２シンチレータスティックのウラ面２７ｂは露出されている。
【００７６】
ついで、配置された前記広幅の第２シンチレータスティック１３´の片側の縁を、図１８に示すように切断用回転砥石４ｄを用いてＸＹ面に平行に（すなわち、Ｙ方向に）一括して切断する（Ｙ方向への切断）。すなわち、この切断は、支持プレートの面に対して垂直な面（ＸＹ面）における切断であって、端面を含む片側の縁を回転砥石で削り落すことができる。各々のスティック接合体１０´で片側の縁について、このようなＹ方向への切断を行う。その際には、切断用回転砥石を等ピッチでＺ方向にずらしていき、前記Ｙ方向への切断を複数回繰り返す。
【００７７】
なお、前記切断用回転砥石４ｄによるＹ方向への切断において、片側の縁はシンチレータスティック１３´に設けた切りしろ１５に相当する。片側の縁は、隣り合う組における第１シンチレータスティックと相対して並行する。この片側の縁が切断で除去された跡は、隣り合う組における第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティックの間の間隙Ｇ６９になる。
【００７８】
ついで、第１の実施形態と同様に、切断用回転砥石４ｃを用い、第１シンチレータスティックと切りしろ切断後の第２シンチレータスティックとをＸＺ面に平行に（すなわち、Ｚ方向に）一括して切断する（Ｚ方向への切断）。ついで切断用回転砥石４ｃをＹ方向に沿って所定距離を平行移動させてから、上述のＺ方向への切断をまた行う。同様に、切断用回転砥石４ｃをＹ方向に等ピッチで平行移動させていき、前記Ｚ方向への切断を複数回繰り返す。そして、図１８に示すように、支持プレート１６上に、第１シンチレータセルアレイ２８ｅ及び第２シンチレータセルアレイ２９ｅを複数組得る（ステップＡ５´）。間隙Ｇ３０、間隙Ｇ３１、幅ｗ３２、幅ｗ３３、長さＬ１８、端部３４ａ、及び端部３５ａ等は図７と同様である。図１７では隣り合う組における第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティック同士は、隣り合う端面同士を接触させて配置する。図１８に示すように、接触させた箇所を切断することにより、スペーサや治具を用いずに、間隙を形成することができる。
【００７９】
ついで、ステップＡ６以降を第１の実施形態と同様に行い、デュアルアレイ型のシンチレータアレイを得る。第２の実施形態の方法では、スペーサを使わずに回転砥石を用いて、隣り合う組における第１シンチレータセル２８ｅと第２シンチレータセル２９ｅの間隙を精度良く形成することができる。スペーサのハンドリング及びシンチレータスティック配置の調整を省ける。したがって、隣り合う組における間隙を形成するという観点において、第１の実施形態に比べて更に効率がよい。
【００８０】
なお、実施形態２では、スティック接合体における第２シンチレータスティックのみについて、切断（より具体的には、回転砥石による切削で切り分けること）で間隙を形成する為の切りしろを設定している。しかし、次に述べるような他の設定に変更することも可能である。たとえば、実施形態１における第２スペーサの幅（寸法ｇ２５に相当）を幅ｗ５に加えた寸法となるように、スティック接合体における第１シンチレータスティックの幅を大きく形成する。つまり、広幅の第１シンチレータスティックは、その片側の縁に切りしろが設定される。第２シンチレータスティックの幅は実施形態１のｗ１２のままで構成する。切断用回転砥石４ｄの位置やピッチを、切りしろの変更に対応するように調整すれば、上述のステップＡ５´と同じようにして、第１シンチレータセルアレイ２８ｅ及び第２シンチレータセルアレイ２９ｅを得ることができる。
【００８１】
また、実施形態２の設定を、次に述べるような更に他の設定に変更することも可能である。たとえば、切りしろが隣り合う組における第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティックに跨るように、スティック接合体において第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティックの幅を設定する。すなわち、切りしろは、隣り合うスティック接合体の両方に設けられる。詳細には、寸法ｇ２２及び寸法ｇ２５の和を半分にした寸法を幅ｗ５に加えた寸法となるように、一方の組で第１シンチレータスティックの幅を大きく形成する。寸法ｇ２２及び寸法ｇ２５の和を半分にした寸法を幅ｗ１２に加えた寸法となるように、他方の組で第２シンチレータスティックの幅も大きく形成する。
【００８２】
ついで、切断用回転砥石４ｄの位置やピッチを、切りしろの変更に対応するように調整すれば、上述のステップＡ５´と同じようにして、第１シンチレータセルアレイ２８ｅ及び第２シンチレータセルアレイ２９ｅを得ることができる。そして、広幅である第１シンチレータスティック及び第２シンチレータスティックが接している境界（すなわり、スティック接合体同士が接している境界）を回転砥石で切断していくので、隣り合う組における第１シンチレータセル２８ｅと第２シンチレータセル２９ｅの間隙を更に精度良く形成することができる。
【００８３】
［３］第３の実施形態
図１９は本発明の第３の実施形態によるシンチレータアレイの製造方法のフローチャートである。本発明の第３の実施形態に係る方法は、一部のステップを除いて第１の実施形態の方法と同じであるので、同じステップの説明は省略する。従って、説明を省略されたステップについては、第１の実施形態の説明を参照されたい。
【００８４】
第３の実施形態の方法において、ステップＡ１〜Ａ６、ステップＡ１０及びステップａ１は第１の実施形態と同じである。ステップＡ７をステップＡ７´に変更し、ステップＡ８及びステップＡ９を省略した点で、第１の実施形態の方法と異なる。
【００８５】
ステップＡ６の後で樹脂堰止め用フィルム３６ａＦ、３６ａＲ、３６ａＢ、３６ａＬ及び第１支持プレート１６等を取り外すことにより、図９に示す樹脂硬化集合体４０を得る。樹脂硬化集合体のオモテ面４１に残留している薄い接着材を除去して発光面を露出するために研削を施す。ついで、樹脂硬化集合体のウラ面４２にも研削を施し、厚さがｄ４３とｄ５１の和となるように、ウラ面４２の側の樹脂３７ａを一部除去する(ステップＡ７´)。この両面研削により、厚さｄ４３のセルアレイ集合体と、そのウラ面側に厚さｄ５１の樹脂３７ａの層とを有するシンチレータアレイ集合体を得る。このシンチレータアレイ集合体の構成は、図１３のシンチレータアレイ集合体５２と同様である。
【００８６】
ついで、ステップＡ１０を第１の実施形態と同様に行い、デュアルアレイ型のシンチレータアレイを得る。第３の実施形態は、第１の実施形態よりも、工数を短くできる。
【００８７】
［４］第４の実施形態
第４の実施形態は、第２の実施形態において、ステップＡ７をステップＡ７´に置き換え、ステップＡ８及びＡ９を省略した以外は、第２の実施形態と同様である。ただし、第２の実施形態よりも工数を短くできる。ステップＡ７´は第３の実施形態のものと同様である。
【００８８】
実施例１
第１の実施形態の方法を用いて、イットリウム‐アルミニウム‐ガーネットのセラミックスシンチレータ焼結体からなる第１シンチレータ基板と、ＧＯＳのセラミックスシンチレータ焼結体からなる第２シンチレータ基板とから、下記の条件で図１４に示すデュアルアレイ型のシンチレータアレイを作製した。
【００８９】
第１支持プレート及び第２支持プレートとして表面平滑なガラス板を用いた。接着材には感圧両面接着フィルムを用い、スペーサ用ピンとして、ステンレススチール製の丸棒を用いた。反射材用の樹脂として、白色の酸化チタン粉末を含有する熱硬化性エポキシ樹脂を用いた。回転砥石としてダイヤモンド砥石を用いた。第１の実施例の方法により得られたシンチレータアレイにおいて、セルアレイは十分に高い寸法精度を有していた。シンチレータセルを個々に並べていく方法に比べて、効率よくシンチレータセルを配列し、デュアルアレイ型シンチレータアレイを作製できた。
【００９０】
実施例２
第２の実施形態の方法を用いて、接着材として感圧型接着剤を塗布した以外は、実施例１と同じ条件で、デュアルアレイ型のシンチレータアレイを作製した。得られたシンチレータアレイにおけるセルの配列は十分に高い寸法精度を有していた。そして、効率よくシンチレータセルを配列し、デュアルアレイ型シンチレータアレイを作製できた。
【００９１】
実施例３
第３の実施形態の方法を用いた以外は、実施例１と同じ条件でデュアルアレイ型のシンチレータアレイを作製した。得られたシンチレータアレイにおけるセルの配列は十分に高い寸法精度を有していた。そして、効率よくシンチレータセルを配列し、デュアルアレイ型シンチレータアレイを作製できた。
【００９２】
実施例４
第２の実施形態のステップＡ７を第３の実施形態のステップＡ７´に置き換え、ステップＡ８及びＡ９を省略した以外は、実施例２と同じ条件でデュアルアレイ型のシンチレータアレイを作製した。第２の実施形態より工数が短く、得られたシンチレータアレイにおけるセルの配列は十分に高い寸法精度を有していた。そして、効率よくシンチレータセルを配列し、デュアルアレイ型シンチレータアレイを作製できた。
【産業上の利用可能性】
【００９３】
上記特徴を有する本発明の方法は、医療用ＣＴ装置の検出器又は手荷物検査用のＣＴ装置の検出器に用いるシンチレータアレイの製造に好適である。
【符号の説明】
【００９４】
１・・・第１シンチレータ基板
Ｌ２・・・第１シンチレータ基板の長さ
３・・・積層基板
４ｃ、４ｄ・・・切断用回転砥石
ｗ５・・・第１シンチレータ基板のＺ方向寸法
６・・・第１シンチレータスティック
７・・・第１シンチレータスティックの端面
８・・・第２シンチレータ基板
ｔ９・・・スティック接合体の厚さ
１０・・・スティック接合体
１０´・・・スティック接合体
１１・・・樹脂層
ｗ１２・・・第２シンチレータ基板のＺ方向寸法
１３・・・第２シンチレータスティック
１３´・・・広幅の第２シンチレータスティック
１４・・・第２シンチレータスティックの端面
１４´・・・第２シンチレータスティックの端面
１５・・・切りしろ
１６・・・第１支持プレート
１７・・・第１支持プレートの表面
Ｌ１８・・・第１支持プレートの長さ
ｗ２０・・・第１支持プレートの幅
２１ａ・・・樹脂層
２１ｂ・・・シンチレータアレイの中間層
ｇ２２・・・樹脂層１１のＺ方向寸法
２３ａ、２３ｂ・・・第１シンチレータセルアレイの外周の樹脂層
２４ａ、２４ｂ・・・第２シンチレータセルアレイの外周の樹脂層
ｇ２５・・・隣り合う組における第１のシンチレータスティックと第２シンチレータスティックの間の寸法
２６・・・第１シンチレータスティックのウラ面
２７・・・第２シンチレータスティックのウラ面
２７ｂ・・・広幅の第２シンチレータスティックのウラ面
２８ａ、２８ｃ、２８ｅ・・・第１シンチレータセルアレイ
２８ｄ・・・第１シンチレータセル
２９ａ、２９ｃ、２９ｅ・・・第２シンチレータセルアレイ
２９ｄ・・・第２シンチレータセル
Ｇ３０・・・第１シンチレータセルアレイの間隙
Ｇ３１・・・第２シンチレータセルアレイの間隙
ｗ３２・・・１つのシンチレータセルの幅
ｗ３３・・・シンチレータセルアレイの幅
３４ａ、３４ｂ・・・第１シンチレータスティックの端部
３５ａ、３５ｂ・・・第２シンチレータスティックの端部
３６ａ、３６ａＦ、３６ａＢ、３６ａＬ、３６ａＲ、３６ｂ、３６ｂＦ、３６ｂＢ、３６ｂＬ、３６ｂＲ・・・フィルム
３７ａ、３７ｂ・・・樹脂
Ｇ３９・・・隣り合う組における第１シンチレータスティックと第２シンチレータスティックの間の間隙
４０・・・樹脂硬化集合体
４１・・・樹脂硬化集合体のオモテ面
４２・・・樹脂硬化集合体のウラ面
ｄ４３・・・セルアレイ集合体の厚さ
４４・・・セルアレイ集合体
４７・・・外周を取り囲む樹脂層
４８・・・第２支持プレート
４９ａ、４９ｂ・・・ウラ面樹脂層
５０・・・樹脂被覆セルアレイ集合体
ｄ５１・・・ウラ面樹脂層の厚さ
５２・・・シンチレータアレイ集合体
５３・・・隣り合う組におけるシンチレータセルアレイ間の樹脂層
５４・・・シンチレータアレイのオモテ面
ｗ６２・・・広幅の第２シンチレータスティックの幅
Ｇ６９・・・隣り合う組における第１シンチレータスティックと第２シンチレータスティックの間の間隙
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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