(57)【要約】【課題】半導体レーザをハウジングに対して適正に取り付けることができる光ピックアップ装置およびレーザ取付構造を提供する。【解決手段】カシメリング４２０は、半導体レーザ１０１のステム１０１ａの外周部が嵌り込む孔４２０ａを有する。ハウジング４００の半導体レーザ１０１の取り付け位置に、カシメリング４２０が嵌り込む凹部Ｄが形成されている。半導体レーザ１０１のステム１０１ａの外周部が、カシメリング４２０の孔４２０ａに嵌め込まれた状態で、カシメにより、カシメリング４２０の内周部を内側に変形させることにより、半導体レーザ１０１がカシメリング４２０に固定される。カシメリング４２０がハウジング４００の凹部Ｄに嵌め込まれた状態で、カシメにより、カシメリング４２０の外周部を外側に変形させることにより、カシメリング４２０がハウジング４００に固定される。【選択図】図４
2014225307.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザと、
前記半導体レーザから出射されるレーザ光をディスク上に収束させると共に、前記ディスクによって反射された前記レーザ光を光検出器へと導く光学系と、
前記半導体レーザの外周部が嵌り込む孔を有するリング状の保持部材と、
前記光学系を保持するハウジングと、を備え、
前記保持部材はカシメにより変形可能に形成され、
前記ハウジングの前記半導体レーザの取り付け位置に、前記保持部材が嵌り込む凹部が形成され、
前記半導体レーザの外周部を前記孔に嵌め込んだ状態で、カシメにより、前記保持部材の内周部を内側に変形させることにより、前記半導体レーザが前記保持部材に固定され、
前記保持部材を前記凹部に嵌め込んだ状態で、カシメにより、前記保持部材の外周部を外側に変形させることにより、前記保持部材が前記ハウジングに固定される、
ことを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光ピックアップ装置において、
前記半導体レーザは、レーザ素子が設置されたステムを有し、
前記孔は前記ステムが嵌り込む形状を有し、
前記半導体レーザと前記保持部材とを固定するとき、前記ステムが前記保持部材にカシメにより固定される、
ことを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の光ピックアップ装置において、
前記保持部材は、中心を通る一つの直線に対して対称な形状を有し、
前記保持部材を変形させる位置が、前記保持部材上において、前記直線に対して対称な位置に設定されている、
ことを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項４】
請求項１ないし３の何れか一項に記載の光ピックアップ装置において、
前記保持部材は、円形形状を有し、
前記凹部は、円形形状を有する、
ことを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項５】
請求項１ないし４の何れか一項に記載の光ピックアップ装置において、
少なくとも前記保持部材と前記半導体レーザとの間に隙間が生じる位置に、前記保持部材と前記半導体レーザとを熱的に結合するための放熱ジェルが配置されている、
ことを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項６】
請求項１ないし５の何れか一項に記載の光ピックアップ装置において、
前記保持部材からの放熱を促進するための放熱手段をさらに備える、
ことを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項７】
請求項１ないし６の何れか一項に記載の光ピックアップ装置において、
前記保持部材を前記凹部に嵌め込み、さらに、前記半導体レーザの外周部を前記孔に嵌め込んだ状態で、カシメにより、前記保持部材の内周部と外周部をそれぞれ内側と外側に変形させることにより、前記半導体レーザと前記保持部材の固定と、前記保持部材と前記ハウジングの固定が、同時に行われる、
ことを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項８】
半導体レーザを被設置位置に取り付けるためのレーザ取付構造において、
前記半導体レーザの外周部が嵌り込む孔を有するリング状の保持部材、を備え、
前記保持部材はカシメにより変形可能に形成され、
前記被設置位置に、前記保持部材が嵌り込む凹部が形成され、
前記半導体レーザの外周部を前記孔に嵌め込んだ状態で、カシメにより、前記保持部材の内周部を内側に変形させることにより、前記半導体レーザが前記保持部材に固定され、
前記保持部材を前記凹部に嵌め込んだ状態で、カシメにより、前記保持部材の外周部を外側に変形させることにより、前記保持部材が前記被設置位置に固定される、
ことを特徴とするレーザ取付構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ピックアップ装置およびレーザ取付構造に関するものであり、特に、半導体レーザを装置に取り付ける際に用いて好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、光ピックアップ装置に搭載される半導体レーザとして、ＣＡＮタイプの半導体レーザが用いられている。この種の半導体レーザでは、レーザ素子が円筒缶状のＣＡＮ内に収容され、ＣＡＮに配された投射窓を介してレーザ光が外部に出射される。かかる半導体レーザは、一般に、ホルダを介して光ピックアップ装置のハウジングに取り付けられる。この場合、ホルダは、半導体レーザが装着された後、接着により、ハウジングに固定される（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１２７６９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記構成では、ホルダとハウジングの接着時に、ハウジングに対してホルダを押し付ける力と押し付ける方向、および、接着剤の厚みにバラつきが生じることにより、半導体レーザの取り付け位置に誤差が生じる惧れがある。
【０００５】
本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、半導体レーザをハウジングに対して適正に取り付けることができる光ピックアップ装置およびレーザ取付構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様は、光ピックアップ装置に関する。この態様に係る光ピックアップ装置は、半導体レーザと、前記半導体レーザから出射されるレーザ光をディスク上に収束させると共に、前記ディスクによって反射された前記レーザ光を光検出器へと導く光学系と、前記半導体レーザの外周部が嵌り込む孔を有するリング状の保持部材と、前記光学系を保持するハウジングと、を備える。ここで、前記保持部材はカシメにより変形可能に形成され、前記ハウジングの前記半導体レーザの取り付け位置に、前記保持部材が嵌り込む凹部が形成される。前記半導体レーザの外周部を前記孔に嵌め込んだ状態で、カシメにより、前記保持部材の内周部を内側に変形させることにより、前記半導体レーザが前記保持部材に固定され、前記保持部材を前記凹部に嵌め込んだ状態で、カシメにより、前記保持部材の外周部を外側に変形させることにより、前記保持部材が前記ハウジングに固定される。
【０００７】
本発明の第２の態様は、半導体レーザを被設置位置に取り付けるためのレーザ取付構造に関する。この態様に係るレーザ取付構造は、前記半導体レーザの外周部が嵌り込む孔を有するリング状の保持部材、を備える。ここで、前記保持部材はカシメにより変形可能に形成され、前記被設置位置に、前記保持部材が嵌り込む凹部が形成される。前記半導体レーザの外周部を前記孔に嵌め込んだ状態で、カシメにより、前記保持部材の内周部を内側に変形させることにより、前記半導体レーザが前記保持部材に固定され、前記保持部材を前記凹部に嵌め込んだ状態で、カシメにより、前記保持部材の外周部を外側に変形させることにより、前記保持部材が前記被設置位置に固定される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、半導体レーザをハウジングに対して適正に取り付けることができる光ピックアップ装置およびレーザ取付構造を提供することができる。
【０００９】
本発明の効果ないし意義は、以下に示す実施の形態の説明により更に明らかとなろう。ただし、以下の実施の形態は、あくまでも、本発明を実施する際の一つの例示であって、本発明は、以下の実施の形態によって何ら制限されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施の形態に係る光ピックアップ装置の光学系を模式的に示す図である。
【図２】実施の形態に係る光ピックアップ装置の外観を示す平面図である。
【図３】実施の形態の比較例に係る半導体レーザのハウジングへの取り付けを説明する図である。
【図４】実施の形態に係る半導体レーザのハウジングへの取り付けを説明する図である。
【図５】実施の形態に係る半導体レーザがカシメリングを介してハウジングに取り付けられる手順を示す図である。
【図６】変更例に係るカシメリングを示す図である。
【図７】変更例に係るカシメリングを示す図である。
【図８】変更例に係る放熱部材および放熱ジェルを示す図である。
【図９】変更例に係るカシメリングとハウジングに付された印を示す図である。
【図１０】変更例に係るカシメリングを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態につき図面を参照して説明する。本実施の形態は、ＢＤ（Blu-rayDisc）、ＣＤ（Compact Disc）およびＤＶＤ（DigitalVersatile Disc）に対して記録再生を行う光ピックアップ装置に本発明を適用したものである。
【００１２】
図１（ａ）、（ｂ）は、実施の形態に係る光ピックアップ装置の光学系を模式的に示す図である。図１（ａ）は、光学系を光ピックアップ装置の裏側から（Ｚ軸正方向に）見た場合の平面図であり、図１（ｂ）は、対物レンズアクチュエータ周辺部分を光ピックアップ装置の側面側から（Ｘ軸正方向に）見た場合の一部透視図である。この光学系は、ＢＤ用の光学系とＣＤ／ＤＶＤ用の光学系に区分される。
【００１３】
ＢＤ用の光学系は、半導体レーザ１０１と、１／２波長板１０２と、偏光ビームスプリッタ１０３と、コリメータレンズ１０４と、立ち上げミラー１０５と、１／４波長板１０６と、ＢＤ対物レンズ１０７と、アナモレンズ１０８と、光検出器１０９と、フロントモニタ１１０から構成されている。
【００１４】
半導体レーザ１０１は、ステム１０１ａと、ＣＡＮ１０１ｂと、端子１０１ｃを備えている。ステム１０１ａには、波長４００ｎｍ程度の青色レーザ光（以下、「ＢＤ光」という）を出力するレーザ素子（図示せず）が設置されている。かかるレーザ素子は、ステム１０１ａよりも径の小さいＣＡＮ１０１ｂに覆われている。端子１０１ｃは、ＣＡＮ１０１ｂと反対側のステム１０１ａの面に設置されており、端子１０１ｃを介して、半導体レーザ１０１への給電が行われる。ＢＤ光は、ＣＡＮ１０１ｂの天面に配された投射窓（図示せず）を通って外部に出射される。
【００１５】
１／２波長板１０２は、半導体レーザ１０１から出射されたＢＤ光の偏光方向を調整する。偏光ビームスプリッタ１０３は、１／２波長板１０２側から入射されたレーザ光の大
部分を反射し、一部を透過させる。
【００１６】
偏光ビームスプリッタ１０３を透過したＢＤ光は、フロントモニタ１１０に照射される。フロントモニタ１１０は、受光光量に応じた信号を出力する。フロントモニタ１１０からの信号は、半導体レーザ１０１の出射パワー制御に用いられる。
【００１７】
コリメータレンズ１０４は、偏光ビームスプリッタ１０３によって反射されたレーザ光を平行光に変換する。レンズ保持部材１１１は、コリメータレンズ１０４を保持し、支持機構（図示せず）により、レーザ光の光軸方向（Ｘ軸方向）に移動可能に支持されている。また、レンズ保持部材１１１にはギア（図示せず）が配され、このギアが、ギア１１３に噛み合っている。ギア１１３は、モータ１１２の駆動軸に連結されている。モータ１１２が駆動されることにより、レンズ保持部材１１１に保持されたコリメータレンズ１０４がＸ軸方向に移動する。これにより、コリメータレンズ１０４が制御信号に応じて光軸方向に移動され、レーザ光に生じる収差が補正される。
【００１８】
立ち上げミラー１０５は、コリメータレンズ１０４を介して入射されたレーザ光をＢＤ対物レンズ１０７に向かう方向に反射する。１／４波長板１０６は、立ち上げミラー１０５によって反射されたレーザ光を円偏光に変換するとともに、ディスクからの反射光を、ディスクへ入射される際の偏光方向に直交する直線偏光に変換する。これにより、ディスクによって反射されたレーザ光は偏光ビームスプリッタ１０３を透過して光検出器１０９へと導かれる。
【００１９】
ＢＤ対物レンズ１０７は、ＢＤ光を、ＢＤの信号面上に適正に収束できるよう設計されている。すなわち、ＢＤ対物レンズ１０７は、０．１ｍｍ厚の基板を介して信号面上にＢＤ光を適正に収束できるよう設計されている。
【００２０】
アナモレンズ１０８は、ディスクによって反射されたレーザ光に非点収差を導入して光検出器１０９へと導く。光検出器１０９は、受光したレーザ光の強度分布から再生ＲＦ信号、フォーカスエラー信号、およびトラッキングエラー信号を生成するためのセンサパターンを有している。
【００２１】
ＣＤ／ＤＶＤ用の光学系は、半導体レーザ２０１と、回折格子２０２と、偏光ビームスプリッタ２０３と、コリメータレンズ２０４と、立ち上げミラー２０５と、１／４波長板２０６と、ＣＤ／ＤＶＤ対物レンズ２０７と、アナモレンズ２０８と、光検出器２０９と、フロントモニタ２１０から構成されている。
【００２２】
半導体レーザ２０１は、ステム２０１ａと、ＣＡＮ２０１ｂと、端子２０１ｃを備えている。ステム２０１ａには、波長７８０ｎｍ程度の赤外レーザ光（以下、「ＣＤ光」という）を出力するレーザ素子（図示せず）と、波長６５０ｎｍ程度の赤色レーザ光（以下、「ＤＶＤ光」という）を出力するレーザ素子（図示せず）が設置されている。これらレーザ素子は、ステム２０１ａよりも径の小さいＣＡＮ２０１ｂに覆われている。その他、半導体レーザ２０１は、半導体レーザ１０１と同様に構成されている。ＣＤ光とＤＶＤ光は、互いに、偏光方向が平行となるように、半導体レーザ２０１から同じ方向に出射される。ＣＤ光とＤＶＤ光は、ＣＡＮ２０１ｂの天面に配された投射窓（図示せず）を通って外部に出射される。
【００２３】
回折格子２０２は、半導体レーザ２０１から出射されたＣＤ光およびＤＶＤ光をメインビームと２つのサブビームに分割する。偏光ビームスプリッタ２０３は、回折格子２０２側から入射されたレーザ光の大部分を反射し、一部を透過させる。
【００２４】
半導体レーザ２０１は、ＣＤ光とＤＶＤ光の偏光方向が偏光ビームスプリッタ２０３に対してＳ偏光となる方向から僅かにずれるように設置されている。偏光ビームスプリッタ２０３を透過したレーザ光は、フロントモニタ２１０に照射される。フロントモニタ２１０は、受光光量に応じた信号を出力する。フロントモニタ２１０からの信号は、半導体レーザ２０１の出射パワー制御に用いられる。
【００２５】
コリメータレンズ２０４は、偏光ビームスプリッタ２０３によって反射されたレーザ光を平行光に変換する。立ち上げミラー２０５は、偏光ビームスプリッタ２０３を介して入射されたレーザ光をＣＤ／ＤＶＤ対物レンズ２０７に向かう方向に反射する。１／４波長板２０６は、立ち上げミラー２０５によって反射されたレーザ光を円偏光に変換するとともに、ディスクからの反射光を、ディスクへ入射される際の偏光方向に直交する直線偏光に変換する。これにより、ディスクによって反射されたレーザ光は偏光ビームスプリッタ２０３を透過して光検出器２０９へと導かれる。
【００２６】
ＣＤ／ＤＶＤ対物レンズ２０７は、ＣＤ光とＤＶＤ光をそれぞれ、ＣＤとＤＶＤの信号面上に適正に収束できるように設計されている。すなわち、ＣＤ／ＤＶＤ対物レンズ２０７は、１．２ｍｍ厚の基板を介して信号面上にＣＤ光を適正に収束でき、且つ、０．６ｍｍ厚の基板を介して信号面上にＤＶＤ光を適正に収束できるよう設計されている。
【００２７】
アナモレンズ２０８は、ディスクによって反射されたレーザ光に非点収差を導入して光検出器２０９に導く。光検出器２０９は、受光したレーザ光の強度分布から再生ＲＦ信号、フォーカスエラー信号、およびトラッキングエラー信号を生成するためのセンサパターンを有している。
【００２８】
ＢＤ対物レンズ１０７と、ＣＤ／ＤＶＤ対物レンズ２０７と、１／４波長板１０６、２０６は、共通のホルダ３０１に装着されている。ホルダ３０１は、対物レンズアクチュエータ（図示せず）によって、フォーカス方向およびトラッキング方向に駆動される。これにより、ＢＤ対物レンズ１０７と、ＣＤ／ＤＶＤ対物レンズ２０７と、１／４波長板１０６、２０６は、ホルダ３０１の駆動に伴って一体的に駆動される。
【００２９】
図２は、図１（ａ）に示す光学系を有する光ピックアップ装置の外観を示す平面図である。図２は、光ピックアップ装置を裏側から見た図である。
【００３０】
ハウジング４００は、樹脂からなっており、カバー４０１は、熱伝導性の高い材料（たとえば、アルミニウム）からなっている。光ピックアップ装置を組み立てる場合、まず、図１（ａ）に示す光ピックアップ装置の光学系が、ハウジング４００に装着される。本実施の形態では、半導体レーザ１０１、２０１は、ハウジング４００の側面に対して、それぞれ、矢印Ａ１、Ａ２の方向から取り付けられる。半導体レーザ１０１のハウジング４００への取り付けについては、追って図３ないし図５を参照して説明する。
【００３１】
光ピックアップ装置の光学系の装着が完了すると、ハウジング４００にカバー４０１が取り付けられる。図２には、図１（ａ）に示した光ピックアップ装置の光学系のうち、カバー４０１によって覆われている部分が、透視された状態で示されている。こうして、光ピックアップ装置の組み立てが完了する。
【００３２】
ここで、半導体レーザ１０１、２０１が、ハウジング４００に対して取り付けられる際には、予め設計された位置に正確に取り付けられる必要がある。半導体レーザ１０１、２０１の取り付けは略同じであるため、以下、半導体レーザ１０１の取り付けについてのみ説明する。
【００３３】
図３（ａ）〜（ｃ）は、比較例における半導体レーザ１０１のハウジング４００への取り付けを説明する図である。図３（ａ）、（ｃ）には、半導体レーザ１０１が装着されるハウジング４００の側面部分が示されている。図３（ａ）、（ｃ）において、ハウジング４００の側面部分は、便宜上、直方形状の領域のみが切り出された状態で示されているが、ハウジング４００の側面は、この部分からｘ−ｙ平面方向にさらに広がっている。なお、図３（ａ）〜（ｃ）において、かかる側面に垂直な方向がｚ軸方向（図２のＡ１方向）として図示されている。
【００３４】
図３（ａ）を参照して、比較例では、半導体レーザ１０１をハウジング４００に取り付ける際、ホルダ４１０が用いられる。ホルダ４１０は、柔軟性を有する金属（たとえば、亜鉛、アルミニウム等）からなる。ホルダ４１０には、上面（ｚ軸正方向側の面）と下面（ｚ軸負方向側の面）を貫通する孔４１０ａが形成されている。孔４１０ａには、ｘ−ｙ平面に平行な面を有する支持部４１０ｂが形成されている。
【００３５】
一方、ハウジング４００には、ホルダ４１０を嵌め込むための開口Ｃが形成されている。開口Ｃには、ｘ−ｙ平面に平行な面を有する支持部Ｃ１と、半導体レーザ１０１の出射光を、１／２波長板１０２へと導くための孔Ｃ２が形成されている。孔Ｃ２の大きさは、ＣＡＮ１０１ｂの直径よりも十分大きいよう構成される。
【００３６】
比較例では、半導体レーザ１０１をハウジング４００に取り付ける際、まず、半導体レーザ１０１が、ホルダ４１０に対してｚ軸負方向に嵌め込まれる。これにより、ステム１０１ａの周辺部分の下面が、支持部４１０ｂに当接し、ステム１０１ａが支持部４１０ｂによってｚ軸方向に支持される。このとき、ステム１０１ａの側面と孔４１０ａの内壁との間には、僅かな隙間が存在している。
【００３７】
続いて、ステム１０１ａが、孔４１０ａの内壁に対して、図３（ｂ）に示す点線矢印の方向（ｘ軸負方向）に押し付けられる。この状態で、ホルダ４１０の上面の×印の位置が、ポンチ等により打ちつけられる。これにより、×印近傍のホルダ４１０が延ばされて、×印近傍におけるステム１０１ａの側面と孔４１０ａの内壁との隙間が埋められる。こうして、半導体レーザ１０１が、カシメによって、ホルダ４１０に対して、ｘ、ｙ、ｚ軸の方向に固定される。
【００３８】
次に、開口Ｃの内壁と支持部Ｃ１に接着剤が塗布された状態で、一体となった半導体レーザ１０１とホルダ４１０が、ハウジング４００の開口Ｃに対してｚ軸負方向に嵌め込まれる。これにより、ホルダ４１０の下面が、支持部Ｃ１に当接し、ホルダ４１０が支持部Ｃ１によってｚ軸方向に支持され、図３（ｃ）に示す状態となる。このとき、ホルダ４１０の側面と開口Ｃの内壁との間には、僅かな隙間が存在している。
【００３９】
続いて、ホルダ４１０が、開口Ｃの内壁に対して、図３（ｃ）に示す点線矢印の方向（ｘ軸負方向とｙ軸負方向）とｚ軸負方向に押し付けられる。これにより、ホルダ４１０のｘ軸負方向側の側面と、ｙ軸負方向側の側面と、下面（ｚ軸負方向側の面）が、開口Ｃに塗布された接着剤により、ハウジング４００に接着される。こうして、ホルダ４１０が、接着によって、ハウジング４００に対して、ｘ、ｙ、ｚ軸の方向に固定される。
【００４０】
このように、比較例では、半導体レーザ１０１がホルダ４１０に対して固定され、ホルダ４１０がハウジング４００に対して固定されることにより、半導体レーザ１０１がハウジング４００に対して取り付けられる。
【００４１】
しかしながら、比較例のように半導体レーザ１０１が取り付けられる場合、ハウジング４００に対して半導体レーザ１０１を予め決められた位置に取り付けることが困難となる
。この理由として、開口Ｃに接着剤が塗布された状態でホルダ４１０を開口Ｃの内壁に対して押し付ける際に、ホルダ４１０の押し付け力と押し付け方向にバラつきが生じることや、開口Ｃの内壁に塗布された接着剤の厚みにバラつきが生じることが挙げられる。このため、ハウジング４００に対してホルダ４１０を予め決められた位置に取り付けることが困難となり、その結果、半導体レーザ１０１を予め決められた位置に取り付けることも困難となる。
【００４２】
図４（ａ）〜（ｃ）は、本実施の形態における半導体レーザ１０１のハウジング４００への取り付けを説明する図である。図４（ａ）には、半導体レーザ１０１が装着されるハウジング４００の側面部分が示されている。図４（ａ）において、ハウジング４００の側面部分は、便宜上、直方形状の領域のみが切り出された状態で示されているが、ハウジング４００の側面は、この部分からｘ−ｙ平面方向にさらに広がっている。なお、図４（ａ）〜（ｃ）において、かかる側面に垂直な方向がｚ軸方向として図示されている。
【００４３】
図４（ａ）を参照して、本実施の形態では、半導体レーザ１０１をハウジング４００に取り付ける際、円形リング状のカシメリング４２０が用いられる。カシメリング４２０は、熱伝導性が高く柔軟性を有する金属（たとえば、亜鉛、アルミニウム等）からなる。カシメリング４２０には、中央部分に上面（ｚ軸正方向側の面）と下面（ｚ軸負方向側の面）を貫通する孔４２０ａが形成されている。孔４２０ａの内径は、半導体レーザ１０１のステム１０１ａの外径よりもやや大きく設定されている。
【００４４】
一方、ハウジング４００には、カシメリング４２０を嵌め込むための円形の凹部Ｄが形成されている。凹部Ｄの内径は、カシメリング４２０の外径よりもやや大きく設定されている。凹部Ｄには、ｘ−ｙ平面に平行な面を有する支持部Ｄ１と、半導体レーザ１０１の出射光を、１／２波長板１０２へと導くための孔Ｄ２が形成されている。孔Ｄ２の直径は、ＣＡＮ１０１ｂの直径よりも十分大きいよう設定されている。
【００４５】
なお、以下、ステム１０１ａの左端の側面を壁部ｗ１、孔４２０ａの左端の内壁を壁部ｗ２、カシメリング４２０の右端の側面を壁部ｗ３、凹部Ｄの右端の内壁を壁部ｗ４と称する。
【００４６】
本実施の形態では、半導体レーザ１０１をハウジング４００に取り付ける際、カシメリング４２０が、凹部Ｄに対してｚ軸負方向に嵌め込まれ、半導体レーザ１０１が、カシメリング４２０の孔４２０ａと凹部Ｄに対してｚ軸方向に嵌め込まれる。
【００４７】
図４（ｂ）、（ｃ）は、半導体レーザ１０１とカシメリング４２０が、凹部Ｄに嵌め込まれた状態を示す図である。図４（ｂ）は、ｚ軸負方向に見た場合の平面図であり、図４（ｃ）は、Ｓ１−Ｓ２の断面をｙ軸負方向に見た場合の側面図である。なお、図４（ｃ）において、半導体レーザ１０１の端子１０１ｃの図示は、便宜上省略されている。
【００４８】
図４（ｂ）を参照して、ステム１０１ａの直径は、（５．６−Δ１）ｍｍであり、孔４２０ａの直径は、（５．６＋Δ２）ｍｍであり、カシメリング４２０の直径は、（１３．６−Δ３）ｍｍであり、凹部Ｄの直径は、（１３．６＋Δ４）ｍｍである。すなわち、図４（ｃ）に示すように、ステム１０１ａの側面と孔４２０ａの内壁との間には、僅かな隙間が（Δ１＋Δ２）ｍｍ存在しており、カシメリング４２０の側面と凹部Ｄの内壁との間には、僅かな隙間が（Δ３＋Δ４）ｍｍ存在している。（Δ１＋Δ２）と（Δ３＋Δ４）の値は、後述するカシメ作業が適正に行われる範囲に設定される。
【００４９】
図４（ｃ）を参照して、凹部Ｄの深さとカシメリング４２０の厚みは、ステム１０１ａの厚み（１．２ｍｍ）と同じに設定される。半導体レーザ１０１とカシメリング４２０が
凹部Ｄに嵌め込まれると、ステム１０１ａの周辺部分の下面が、支持部Ｄ１に当接し、ステム１０１ａが支持部Ｄ１によってｚ軸方向に支持される。
【００５０】
図５（ａ）〜（ｄ）は、半導体レーザ１０１が、カシメリング４２０を介して、ハウジング４００に取り付けられる手順を示す図である。
【００５１】
まず、半導体レーザ１０１とカシメリング４２０が、図４（ｂ）、（ｃ）に示すように、ハウジング４００の凹部Ｄに嵌め込まれる。このとき、図５（ａ）に示すように、壁部ｗ１、ｗ２は互いに向かい合っており、壁部ｗ３、ｗ４は互いに向かい合っている。
【００５２】
続いて、図５（ｂ）に示すように、壁部ｗ１が壁部ｗ２に当接するよう、ステム１０１ａが、カシメリング４２０の内壁に対して、点線矢印の方向（左方向）に押し付けられる。この状態で、カシメリング４２０の上面の×印で示すカシメ位置Ｐ１、Ｐ２が、ポンチ等により打ちつけられる。これにより、カシメ位置Ｐ１、Ｐ２近傍のカシメリング４２０が延ばされて、カシメ位置Ｐ１、Ｐ２近傍におけるステム１０１ａの側面と孔４２０ａの内壁との隙間が埋められる。こうして、半導体レーザ１０１が、カシメによって、カシメリング４２０に対して、ｘ、ｙ、ｚ軸の方向に固定される。
【００５３】
なお、カシメ位置Ｐ１、Ｐ２は、孔４２０ａの中心から３．８ｍｍの距離にあり、カシメ位置Ｐ１、Ｐ２の左右方向の位置は同じである。
【００５４】
続いて、図５（ｃ）に示すように、壁部ｗ３が壁部ｗ４に当接するよう、カシメリング４２０が、凹部Ｄの内壁に対して、点線矢印の方向（右方向）に押し付けられる。この状態で、カシメリング４２０の上面の×印で示すカシメ位置Ｐ３、Ｐ４が、ポンチ等により打ちつけられる。これにより、カシメ位置Ｐ３、Ｐ４近傍のカシメリング４２０が延ばされて、カシメ位置Ｐ３、Ｐ４近傍におけるカシメリング４２０の側面と凹部Ｄの内壁との隙間が埋められる。こうして、カシメリング４２０が、カシメによって、ハウジング４００に対して、ｘ、ｙ、ｚ軸の方向に固定される。
【００５５】
なお、カシメ位置Ｐ３、Ｐ４は、凹部Ｄの中心から５．８ｍｍの距離にあり、カシメ位置Ｐ３、Ｐ４の左右方向の位置は同じである。また、ハウジング４００は、カシメ位置Ｐ３、Ｐ４に対するカシメ作業により変形しない程度の固さを有する樹脂で構成される。
【００５６】
こうして、図５（ｄ）に示すように、半導体レーザ１０１がハウジング４００に対して取り付けられる。なお、図１（ａ）、（ｂ）の光学系における半導体レーザ１０１の設計上の位置は、上記のようにして半導体レーザ１０１がハウジング４００に取り付けられた場合の位置に基づいて決められている。
【００５７】
以上、本実施の形態によれば、図５（ｂ）に示すカシメ作業により、半導体レーザ１０１とカシメリング４２０とが固定され、図５（ｃ）に示すカシメ作業により、カシメリング４２０とハウジング４００とが固定される。これにより、ハウジング４００に対する半導体レーザ１０１の取り付け位置に、バラつきが生じ難くなる。よって、半導体レーザ１０１の取り付け位置の精度を高めることができる。
【００５８】
また、本実施の形態によれば、比較例のように、接着剤を用いることなく、カシメ作業のみにより、半導体レーザ１０１をハウジング４００に対して取り付けることができる。これにより、接着剤を塗布する作業が不要になり、また、接着剤の硬化を待つ必要がなくなる。さらに、カシメ位置Ｐ１〜Ｐ４に対するカシメ作業を同時に行うことが可能となる。カシメ作業を同時に行う場合、たとえば、図５（ｂ）に示すように壁部ｗ１、ｗ２を当接させ、図５（ｃ）に示すように壁部ｗ３、ｗ４を当接させた状態で、カシメ位置Ｐ１〜
Ｐ４にポンチ等を打ちつける。また、カシメ作業を同時に行う場合、自動機により行うことも可能となる。
【００５９】
また、本実施の形態によれば、図４（ｃ）に示すように、孔Ｄ２の直径は、ＣＡＮ１０１ｂの直径よりも十分大きい。これにより、半導体レーザ１０１をハウジング４００に取り付ける際に、ＣＡＮ１０１ｂが孔Ｄ２の内壁に当接することがなく、孔Ｄ２の内壁によって締め付けられることもないため、ＣＡＮ１０１ｂの変形が回避され得る。よって、ＣＡＮ１０１ｂのレーザ光の出射位置にガラス（出射窓）が設置されている場合でも、このガラスが破損することによりＣＡＮ１０１ｂの中に埃等が入らないため、レーザ素子の破損が回避され得る。
【００６０】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記実施の形態に何ら制限されるものではなく、また、本発明の実施の形態も上記以外に種々の変更が可能である。
【００６１】
たとえば、上記実施の形態では、ハウジング４００は樹脂により構成されたが、金属（たとえば、マグネシウム合金）により構成されても良い。ハウジング４００がマグネシウム合金のように非常に固い物質からなる場合でも、上記カシメ作業のみにより、半導体レーザ１０１をハウジング４００に取り付けることが可能となる。
【００６２】
また、上記実施の形態では、半導体レーザ２０１についても、半導体レーザ１０１と同様にしてハウジング４００に対して取り付けられたが、これに限らず、半導体レーザ２０１は比較例に示すようにしてハウジング４００に対して取り付けられても良い。半導体レーザ１０１については、短い波長のレーザ光が用いられるため、上記実施の形態のカシメリング４２０を用いることにより、取り付け誤差が小さく抑えられることが望ましい。
【００６３】
また、上記実施の形態では、カシメ位置Ｐ１、Ｐ２は、図５（ｂ）に示す位置に設定されたが、これに限らず、壁部ｗ１、ｗ２が当接した状態で半導体レーザ１０１とカシメリング４２０が固定される位置であれば良い。この場合、カシメ位置Ｐ１、Ｐ２は、カシメリング４２０の中心を通り左右に延びる直線に対称な位置であることが望ましい。こうすると、壁部ｗ１を壁部ｗ２に押し付ける力が、上下方向に不均等になりにくいため、半導体レーザ１０１の取り付け誤差を抑制することができる。また、カシメ位置Ｐ３、Ｐ４は、図５（ｃ）に示す位置に設定されたが、これに限らず、壁部ｗ３、ｗ４が当接した状態でカシメリング４２０とハウジング４００が固定される位置であれば良い。この場合、カシメ位置Ｐ３、Ｐ４は、凹部Ｄの中心を通り左右に延びる直線に対称な位置であることが望ましい。こうすると、壁部ｗ３を壁部ｗ４に押し付ける力が、上下方向に不均等になりにくいため、カシメリング４２０の取り付け誤差を抑制でき、その結果、半導体レーザ１０１の取り付け誤差を抑制することができる。
【００６４】
また、上記実施の形態では、半導体レーザ１０１とカシメリング４２０とを固定する場合、および、カシメリング４２０とハウジング４００とを固定する場合に、それぞれ、２つのカシメ位置が設定された。しかしながら、これに限らず、図５（ｂ）、（ｃ）のように２つの部材同士が固定されれば、それぞれ、カシメ位置は２つ以外に設定されても良い。
【００６５】
また、上記実施の形態では、半導体レーザ１０１とカシメリング４２０が、図４（ｂ）、（ｃ）に示すようにハウジング４００の凹部Ｄに嵌め込まれた状態で、図５（ａ）〜（ｄ）に示すように半導体レーザ１０１がハウジング４００に取り付けられた。しかしながら、これに限らず、別途、半導体レーザ１０１とカシメリング４２０がカシメにより固定され、一体化された後、一体となった半導体レーザ１０１とカシメリング４２０が、図５（ｂ）のようにハウジング４００の凹部Ｄに嵌め込まれ、その後、図５（ｃ）に示すよう
にカシメリング４２０とハウジング４００がカシメにより固定されても良い。また、先に、カシメリング４２０とハウジング４００がカシメにより固定され、一体化された後、一体となったカシメリング４２０とハウジング４００に、半導体レーザ１０１が嵌め込まれ、その後、図５（ｂ）に示すように半導体レーザ１０１とカシメリング４２０がカシメにより固定されても良い。
【００６６】
また、上記実施の形態では、半導体レーザ１０１は、周辺部が円形状となっているカシメリング４２０を介してハウジング４００に取り付けられたが、これに限らず、周辺部が円以外の形状となっているカシメリングを介して、ハウジング４００に取り付けられるようにしても良い。この場合、ハウジング４００の凹部Ｄは、カシメリングの形状に合わせて変更される。
【００６７】
たとえば、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、カシメリング４２０と凹部Ｄの形状を楕円形とすることもできる。また、図６（ｃ）、（ｄ）に示すように、カシメリング４２０と凹部Ｄが、それぞれ、直線部４２０ｂ、４２０ｃと直線部Ｄ３、Ｄ４を持っていても良い。このように、カシメリング４２０と凹部Ｄの形状が変更される場合にも、カシメリング４２０と凹部Ｄは、それぞれ、カシメリング４２０の中心を通り左右に延びる直線に対称な形状であるのが望ましく、また、カシメ位置Ｐ３、Ｐ４は、カシメリング４２０の中心を通り左右に延びる直線に対称な位置であることが望ましい。また、壁部ｗ３、ｗ４は曲面であるのが望ましい。
【００６８】
また、上記実施の形態のカシメリング４２０に放熱効果を持たせるようにしても良い。
【００６９】
図７（ａ）、（ｂ）は、カシメリング４２０に放熱効果を持たせたカシメリング４２１を示す図である。図７（ａ）は、半導体レーザ１０１とカシメリング４２１が凹部Ｄに嵌め込まれた状態を、ｚ軸負方向に見た場合の平面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）をｙ軸負方向に見た場合の側面図である。
【００７０】
カシメリング４２１は、上記実施の形態のカシメリング４２０の周辺部に、ｚ軸正方向に延びたフィン４２１ｂを有する形状となっている。カシメリング４２１は、カシメリング４２０の周辺部に放射状に延びたフィンを有する平板に対して、周辺部のフィンがｚ軸正方向に折り曲げられることにより形成されても良く、または、予め折り曲がった形状のフィンが鋳造により形成されても良い。
【００７１】
カシメリング４２１が用いられる場合も、上記実施の形態と同様、カシメリング４２１を用いて、半導体レーザ１０１が孔４２１ａに保持され、カシメリング４２１が凹部Ｄに保持される。これにより、半導体レーザ１０１がハウジング４００に取り付けられる。カシメリング４２１が用いられると、半導体レーザ１０１から生じる熱が、ステム１０１ａからカシメリング４２１に伝導し、フィン４２１ｂによって放熱される。これにより、半導体レーザ１０１の温度上昇が抑制され、半導体レーザ１０１の熱による破損を回避することができる。
【００７２】
図７（ｃ）、（ｄ）は、図７（ａ）、（ｂ）に示すカシメリング４２１の周辺部の形状を矩形にした場合のカシメリング４２２を示す図である。図７（ｃ）は、半導体レーザ１０１とカシメリング４２２が凹部Ｄに嵌め込まれた状態を、ｚ軸負方向に見た場合の平面図であり、図７（ｄ）は、図７（ｃ）をｙ軸負方向に見た場合の側面図である。
【００７３】
この変更例では、カシメリング４２２の外形が、平面視において、長方形となっている。カシメリング４２２は、中心に孔４２２ａを有する平板の周辺部に、ｚ軸正方向に延びたフィン４２２ｂを有する形状となっている。カシメリング４２２は、中心に孔４２２ａ
を有すると共に周辺部に放射状に延びたフィンを有する平板に対して、周辺部のフィンがｚ軸正方向に折り曲げられることにより形成されても良く、または、予め折り曲がった形状のフィンが鋳造により形成されても良い。
【００７４】
カシメリング４２２が用いられる場合も、上記実施の形態と同様、カシメリング４２２を用いて、半導体レーザ１０１が孔４２２ａに保持され、カシメリング４２２が凹部Ｄに保持される。これにより、半導体レーザ１０１がハウジング４００に取り付けられる。この場合も、半導体レーザ１０１の温度上昇が抑制され、半導体レーザ１０１の熱による破損を回避することができる。
【００７５】
なお、図７（ｃ）、（ｄ）の変更例では、長方形のカシメリング４２２の４つの辺のうち、たとえば、２つの辺に、カシメ位置が設定される。たとえば、図７（ｃ）の状態において、カシメリング４２２の右上の頂角部分が凹部Ｄの右上の頂角部分に押し付けられることにより、カシメリング４２２が位置決めおよび固定される場合、カシメ位置は、カシメリング４２２の左辺と下辺の近傍に設定される。この場合、左辺に設定されるカシメ位置Ｐ５は、たとえば、左辺の中央位置に設定され、下辺に設定されるカシメ位置Ｐ６、Ｐ７は、下辺に形成された３つのフィン４２２ｂのうち、中央のフィン４２２ｂと左側のフィンの中間位置および中央のフィンと右側のフィンの中間位置に設定される。
【００７６】
また、上記実施の形態のカシメリング４２０の上に放熱効果を持つ部材が設置されるようにしても良い。
【００７７】
図８（ａ）、（ｂ）は、カシメリング４２０の上（ｚ軸正方向側）に設置された放熱部材４３１を示す図である。図８（ａ）は、図５（ｄ）の状態から、放熱部材４３１がカシメリング４２０の上に設置された状態を、ｚ軸負方向に見た場合の平面図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）をｙ軸負方向に見た場合の側面図である。
【００７８】
放熱部材４３１は、中心部にｚ軸方向に貫通し、カシメリング４２０の径よりも小さい径を有する孔４３１ａが形成されている。放熱部材４３１は、周辺部にｚ軸正方向に延びたフィン４３１ｂを有する。この場合も、半導体レーザ１０１から生じる熱が、ステム１０１ａから放熱部材４３１に伝導し、フィン４３１ｂによって放熱される。また、この場合、放熱部材４３１とカシメリング４２０との間に放熱ジェルを介在させることで、さらに、放熱効果を高めることができる。ハウジング４００が熱伝導性の高い金属からなる場合は、さらにハウジング４００と放熱部材４３１との間にも放熱ジェルを介在させることで、より一層、放熱効果を高めることができる。
【００７９】
なお、上記実施の形態では、たとえば、図５（ｄ）に示すように、ステム１０１ａとカシメリング４２０との間に隙間が生じるため、少なくともかかる隙間が生じる位置において、ステム１０１ａとカシメリング４２０とを熱的に結合するために、ステム１０１ａとカシメリング４２０との間に放熱ジェルを介在させるのが望ましい。
【００８０】
図８（ｃ）、（ｄ）は、カシメリング４２０の上（ｚ軸正方向側）に設置された放熱ジェル４３２を示す図である。図８（ｃ）は、図５（ｄ）の状態から、放熱ジェル４３２がカシメリング４２０の上に設置された状態を、ｚ軸負方向に見た場合の平面図であり、図８（ｄ）は、図８（ｃ）をｙ軸負方向に見た場合の側面図である。便宜上、図８（ｄ）には、ステム１０１ａとカシメリング４２０が透視された状態で示されている。
【００８１】
放熱ジェル４３２は、カシメリング４２０の内周部を覆うように設置されている。この場合、半導体レーザ１０１から生じる熱が、ステム１０１ａから、放熱ジェル４３２を介してカシメリング４２０に伝導し、放熱ジェル４３２とカシメリング４２０によって放熱
される。これにより、半導体レーザ１０１に対する放熱効果を高めることができる。図６（ａ）〜（ｄ）、図７（ａ）〜（ｄ）および図８（ａ）、（ｂ）の場合も、図８（ｃ）、（ｄ）の場合と同様、ステム１０１ａとカシメリングとの間に放熱ジェルを介在させるのが望ましい。なお、ハウジング４００が金属からなる場合、放熱ジェル４３２の設置範囲は、図８（ｃ）に示す場合よりも、さらにハウジング４００の上面を大きく含むようにしても良い。こうすると、より効果的に放熱が行われ得る。
【００８２】
また、上記実施の形態において、手作業により半導体レーザ１０１をハウジング４００の取り付ける場合、カシメリング４２０の適正な位置と、カシメ位置Ｐ１〜Ｐ４の位置がわかるように印を付けるようにしても良い。
【００８３】
図９（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、図５（ａ）と図６（ｃ）に示すカシメリング４２０とハウジング４００に印が付けられた状態を示す図である。図示のように、カシメリング４２０には、中心を通る同一直線上に並ぶ２つの直線Ｌ１、Ｌ２がマーキングされ、ハウジング４００にも、凹部Ｄの中心を通る同一直線上に並ぶ２つの直線Ｌ３、Ｌ４がマーキングされている。また、カシメリング４２０には、カシメ位置Ｐ１〜Ｐ４に、ドットがマーキングされている。これらのマーキングは、プリント等によって描いても良く、あるいは、刻印されても良い。
【００８４】
壁部ｗ３と壁部ｗ４を当接させる場合、図９（ａ）、（ｂ）に示すように、カシメリング４２０に付された直線Ｌ１、Ｌ２が、それぞれ、ハウジング４００に付された直線Ｌ３、Ｌ４と一直線となるよう、カシメリング４２０が凹部Ｄに嵌め込まれ、この状態で、カシメリング４２０がハウジング４００に対して押し付けられる。これにより、図５（ｃ）と図６（ｄ）に示すようにカシメリング４２０をハウジング４００に取り付ける場合に、カシメリング４２０の取り付け精度を高めることができる。また、カシメ位置Ｐ１〜Ｐ４の位置が予めカシメリング４２０上に示されているので、ポンチ等を打ちつける位置のバラつきが抑制される。これにより、半導体レーザ１０１をカシメリング４２０に取り付ける場合、および、カシメリング４２０をハウジング４００に取り付ける場合に、カシメ作業の精度を高めることができる。
【００８５】
なお、半導体レーザ１０１は、たとえば、図３（ａ）、図４（ａ）のステム１０１ａの右側（ｘ軸正方向側）の切り欠きが図９（ａ）、（ｂ）の直線Ｌ１に合うように、カシメリング４２０に嵌め込まれ、位置決めされる。この他、半導体レーザ１０１のステム１０１ａ上にも、同様に、半導体レーザ１０１のカシメリング４２０に対する適正な位置がわかるよう直線状の印が付けられるようにしても良い。また、図３（ａ）、図４（ａ）のステム１０１ａの右側（ｘ軸正方向側）の切欠きに係合する突部をカシメリング４２０の内側面に設け、ステム１０１ａの切欠きが、カシメリング４２０に設けた突部に嵌合するときに、半導体レーザ１０１がカシメリング４２０に対して適正な位置となるようにしても良い。
【００８６】
なお、図９（ｂ）の構成では、カシメリング４２０と凹部Ｄの形状が真円でないため、カシメリング４２０を凹部Ｄに嵌め込むと、カシメリング４２０と凹部Ｄとの位置関係が略一意に決まる。よって、図９（ｂ）の構成では、目印となる直線Ｌ１〜Ｌ４を設けなくても、カシメリング４２０と凹部Ｄ（ハウジング４００）の位置関係を適正に規定することができる。
【００８７】
また、上記実施の形態では、半導体レーザ１０１とカシメリング４２０とを固定するためのカシメ位置と、カシメリング４２０とハウジング４００とを固定するためのカシメ位置が、互いに異なる位置に設定されたが、これらが同じ位置に設定されても良い。
【００８８】
図１０（ａ）は、この場合のカシメリング４２０と凹部Ｄを示す平面図である。この場合、カシメリング４２０の外径は、上記実施の形態に比べて小さく設定され、カシメリング４２０の孔４２０ａの内径は、上記実施の形態と同様に設定される。したがって、カシメリング４２０の径方向の幅は、上記実施の形態よりも狭くなっている。また、凹部Ｄの内径は、カシメリング４２０の外径よりやや大きく設定される。したがって、凹部Ｄの内径は、上記実施の形態よりも小さくなっている。なお、以下、カシメリング４２０の左端の側面を壁部ｗ５、凹部Ｄの左端の内壁を壁部ｗ６と称する。
【００８９】
半導体レーザ１０１をハウジング４００に取り付ける際、図１０（ａ）に示すように、カシメリング４２０が凹部Ｄに嵌め込まれ、さらに、カシメリング４２０の孔４２０ａに半導体レーザ１０１が嵌め込まれる。このとき、壁部ｗ１、ｗ２は互いに向かい合っており、壁部ｗ５、ｗ６は互いに向かい合っている。
【００９０】
続いて、図１０（ｂ）に示すように、壁部ｗ１が壁部ｗ２に当接するよう、ステム１０１ａが、カシメリング４２０の内壁に対して、点線矢印の方向（左方向）に押し付けられる。また、同時に、壁部ｗ５が壁部ｗ６に当接するよう、カシメリング４２０が、凹部Ｄの内壁に対して、点線矢印の方向（左方向）に押し付けられる。この状態で、カシメリング４２０の上面の×印で示すカシメ位置Ｐ１、Ｐ２が、ポンチ等により打ちつけられる。これにより、カシメ位置Ｐ１、Ｐ２近傍のカシメリング４２０が内側と外側に延ばされて、カシメ位置Ｐ１、Ｐ２近傍におけるステム１０１ａの側面と孔４２０ａの内壁との隙間と、カシメリング４２０の側面と凹部Ｄの内壁との隙間が、同時に埋められる。こうして、半導体レーザ１０１が、カシメによって、カシメリング４２０に対して、ｘ、ｙ、ｚ軸の方向に固定され、カシメリング４２０が、カシメによって、ハウジング４００に対して、ｘ、ｙ、ｚ軸の方向に固定される。
【００９１】
なお、カシメリング４２０の径方向の幅は、１度のカシメによって、内側と外側の両方の隙間が埋められる程度に小さく設定される。このように、カシメリング４２０が構成されると、上記実施の形態のカシメ回数（４回）に比べて、少ないカシメ回数（２回）にて、半導体レーザ１０１をハウジング４００に取り付けることができる。
【００９２】
この他、本発明の実施の形態は、特許請求の範囲に示された技術的思想の範囲内において、適宜、種々の変更が可能である。
【符号の説明】
【００９３】
１０１、２０１  …  半導体レーザ
１０１ａ、２０１ａ  …  ステム
１０９、２０９  …  光検出器
４００  …  ハウジング
４２０〜４２２  …  カシメリング（保持部材）
４２０ａ〜４２２ａ  …  孔
４２１ｂ、４２２ｂ  …  フィン（放熱手段）
４３１  …  放熱部材（放熱手段）
４３２  …  放熱ジェル
Ｄ  …  凹部
【図１】
2014225307.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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