(57)【要約】【課題】反射膜間の寸法を小さくした場合でも、反射膜同士の接触を抑制可能な波長可変干渉フィルター、光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器を提供する。【解決手段】波長可変干渉フィルター５は、固定基板５１と、可動基板５２と、固定基板５１に設けられる固定反射膜５４と、可動基板５２に設けられ、固定反射膜５４に対向する可動反射膜５５と、を備え、固定基板５１は、反射膜設置面５１２Ａと、反射膜設置面５１２Ａの外周を囲う電極配置溝５１１と、を有し、固定反射膜５４は、反射膜設置面５１２Ａから電極配置溝５１１に亘って設けられている。【選択図】図３
2014106269.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一基板と、
前記第一基板に対向して配置された第二基板と、
前記第一基板に設けられ、入射光の一部を反射し一部を透過する第一反射膜と、
前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜に対向し、入射光の一部を反射し一部を透過する第二反射膜と、を備え、
前記第一基板は、前記第二基板に対向する第一平面部、及び前記第一基板及び前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において前記第一平面部の外周を囲う溝部を有し、
前記第一反射膜は、前記第一平面部、及び少なくとも前記溝部の一部の領域に連続して設けられた
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【請求項２】
請求項１に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記溝部から前記第二基板までの距離は、前記第一平面部から前記第二基板までの距離より長い
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記溝部は、前記第二基板に対向する平坦部と、前記平坦部及び前記第一平面部の間に設けられた曲面部と、を備え、
前記第一反射膜の外周縁は、前記曲面部及び前記平坦部の境界、又は当該境界より外に位置する
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【請求項４】
請求項３に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記第一基板に設けられた第一電極と、
前記第二基板に設けられ、前記第一電極に対向する第二電極と、を備え、
前記第一電極は、前記平坦部に設けられている
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記溝部は、前記平面視において、前記第一平面部を囲う環状に設けられている
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記第二反射膜は、前記平面視において、前記第二基板の前記第一平面部に対向する第一平面部対向領域、及び少なくとも前記溝部に対向する溝部対向領域の一部に連続して設けられた
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【請求項７】
請求項６に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記溝部は、前記第二基板に対向する平坦部と、前記平坦部及び前記第一平面部の間に設けられた曲面部と、を備え、
前記溝部対向領域は、前記平坦部に対向する平坦部対向領域と、前記曲面部に対向する曲面部対向領域と、を備え、
前記第二反射膜の外周縁は、前記平坦部対向領域及び前記曲面部対向領域の境界、又は当該境界より外に位置する
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【請求項８】
第一基板、前記第一基板に対向して配置された第二基板、前記第一基板に設けられ、入射光の一部を反射し一部を透過する第一反射膜、前記第二基板に設けられ、及び前記第一反射膜に対向し、入射光の一部を反射し一部を透過する第二反射膜を備えた波長可変干渉フィルターと、
前記波長可変干渉フィルターを収納する筐体と、を備え、
前記第一基板は、前記第二基板に対向する第一平面部、及び前記第一基板及び前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において前記第一平面部の外周を囲う溝部を有し、
前記第一反射膜は、前記第一平面部、及び少なくとも前記溝部の一部の領域に連続して設けられた
ことを特徴とする光学フィルターデバイス。
【請求項９】
第一基板と、
前記第一基板に対向して配置された第二基板と、
前記第一基板に設けられ、入射光の一部を反射し一部を透過する第一反射膜と、
前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜に対向し、入射光の一部を反射し一部を透過する第二反射膜と、
前記第一反射膜と前記第二反射膜との間に入射した光が干渉して選択された波長の光を検出する検出部と、を備え、
前記第一基板は、前記第二基板に対向する第一平面部、及び前記第一基板及び前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において前記第一平面部の外周を囲う溝部を有し、
前記第一反射膜は、前記第一平面部、及び少なくとも前記溝部の一部の領域に連続して設けられた
ことを特徴とする光学モジュール。
【請求項１０】
第一基板、前記第一基板に対向して配置された第二基板、前記第一基板に設けられ、入射光の一部を反射し一部を透過する第一反射膜、前記第二基板に設けられ、及び前記第一反射膜に対向し、入射光の一部を反射し一部を透過する第二反射膜を備えた波長可変干渉フィルターと、
前記波長可変干渉フィルターを制御する制御部と、を備え、
前記第一基板は、前記第二基板に対向する第一平面部、及び前記第一基板及び前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において前記第一平面部の外周を囲う溝部を有し、
前記第一反射膜は、前記第一平面部、及び少なくとも前記溝部の一部の領域に連続して設けられた
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、波長可変干渉フィルター、光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、一対の基板の互いに対向する面に、それぞれ反射膜を対向配置した波長可変干渉フィルターが知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１に記載の波長可変干渉フィルターは、固定基板と可動基板とを接合した波長可変干渉フィルターであり、固定基板の可動基板に対向する面に固定反射膜が設けられ、可動基板の固定基板に対向する面に固定反射膜と対向する可動反射膜が設けられている。
また、この波長可変干渉フィルターには静電アクチュエーターが設けられ、静電アクチュエーターに電圧を印加することで、固定反射膜及び可動反射膜の間の寸法を変化可能な構成が採られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−２０４４５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記のような波長可変干渉フィルターにより、例えば可視光域を含む広い波長域をカバーするためには、反射膜として当該波長域に対して適正な反射特性及び透過特性を有する素材を用いる必要がある。このような素材として、例えばＡｇ等の金属膜や、ＡｇＣ等の金属合金膜が用いられることが望ましい。
このような反射膜を基板に成膜するためには、基板に対してスパッタ等により反射膜を成膜した後、反射膜の形状に応じたパターンのレジストを形成してエッチングを行う。この後、レジスト除去液（例えばアルカリ溶液等）でレジストを除去することで、所定の形状の反射膜が形成される。
【０００５】
しかしながら、レジストを除去する際に、反射膜の中央部では、レジストの上面からのみレジスト除去液によりレジストが除去されるが、反射膜の周端部では、レジストの上面に加えて側面からもレジスト除去液によるレジストの除去が起こる。このため、反射膜の外周部は、中央部よりもレジストの除去速度が速く、反射膜にレジスト除去液が長い時間晒されることになり、膜劣化により光学特性が変化した粗膜部が形成されてしまう。
ここで、波長可変干渉フィルターを面分光用のデバイスとして用いる場合、反射膜の光学特性が同一であり、均一な分解能の光を透過可能な有効領域として設定する。この際、有効領域内に粗膜部が含まれると、波長可変干渉フィルターの光学特性が低下するので、粗膜部が含まれないように有効領域を設定する必要があり、有効領域が狭くなるという課題がある。
【０００６】
本発明は、広い有効領域を設定可能な波長可変干渉フィルター、光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の波長可変干渉フィルターは、第一基板と、前記第一基板に対向して配置された第二基板と、前記第一基板に設けられ、入射光の一部を反射し一部を透過する第一反射膜と、前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜に対向し、入射光の一部を反射し一部を透過する第二反射膜と、を備え、前記第一基板は、前記第二基板に対向する第一平面部、及び前記第一基板及び前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において前記第一平面部の外周を囲う溝部を有し、前記第一反射膜は、前記第一平面部、及び少なくとも前記溝部の一部の領域に連続して設けられていることを特徴とする。
【０００８】
本発明では、第一反射膜が、第一平面部から、第一平面部の外周の溝部の少なくとも一部に連続して設けられている。つまり、第一反射膜は、第一平面部から溝部の一部に亘って設けられ、その外周縁が溝部内に位置することになる。このような構成では、第一反射膜の外周部が第一平面部の外周を囲う溝部内に位置するので、第一反射膜の形成時に外周部に膜劣化による粗膜部が形成された場合でも、当該粗膜部が溝部内に位置することになる。したがって、第一反射膜のうち、膜劣化が生じにくい中央部が第一平面部の広い領域に設けられることになり、この領域を有効領域として設定することができる。つまり、本発明では、広い有効領域を設定することが可能となる。
【０００９】
本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記溝部から前記第二基板までの距離は、前記第一平面部から前記第二基板までの距離より長いことが好ましい。
本発明では、溝部から第二基板までの距離は、第一平面部から第二基板までの距離よりも長い。また、反射膜に粗膜部が形成されると、形状変化によって凹凸ができる場合がある。この場合、粗膜部の凸部が第二基板側に突出すると、反射膜間のギャップ寸法を狭めると、第一反射膜と第二反射膜とが接触するリスクが生じる。これに対して、本発明では、粗膜部が第一平面部よりも第二基板からの距離が長い溝部内に形成されるので、粗膜部の凸部が第一平面部より第二基板側に突出することがなく、上記のような反射膜同士の接触を抑制できる。
【００１０】
本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記溝部は、前記第二基板に対向する平坦部と、前記平坦部及び前記第一平面部の間に設けられた曲面部と、を備え、前記第一反射膜の外周縁は、前記曲面部及び前記平坦部の境界、又は当該境界より外に位置することが好ましい。
【００１１】
本発明では、溝部は、第二基板及び第一平面部と平行な平坦部と、平坦部から第一平面部との間を繋ぐ曲面部とを備えており、第一反射膜は、少なくとも第一平面部及び曲面部を覆って設けられている。このような構成では、第一反射膜の粗膜部が第一平面部上に発生する可能性がより低くなる。したがって、第一平面部上に粗膜部が形成される可能性を低くすることができ、有効領域を広げることができる。
【００１２】
本発明の波長可変干渉フィルターは、前記第一基板に設けられた第一電極と、前記第二基板に設けられ、前記第一電極に対向する第二電極と、を備え、前記第一電極は、前記平坦部に設けられていることが好ましい。
本発明では、第一基板に設けられた第一電極と第二基板に設けられた第二電極との間に電圧を印加することで、第一反射膜及び第二反射膜の間のギャップ寸法を変化させることができる。ここで、第一電極を溝部の平坦部に設けることで、第一電極及び第二電極の間に作用する静電引力のバランスが良好となり、第一反射膜及び第二反射膜の平行度が損なわれることなく、精度よく前記ギャップ寸法を変化させることができる。
また、第一電極が平坦部に設けられるので、第一反射膜及び第二反射膜のギャップ（反射膜間ギャップ）が、第一電極及び第二電極のギャップ（電極間ギャップ）よりも小さくなる。このような構成では、反射膜間ギャップの変動可能領域を大きくでき、さらに、第一電極及び第二電極間での静電引力の制御が容易となり、反射膜間ギャップの寸法をより精度よく、所望の値に設定することができる。
そして、溝部に第一電極を設けることで、別途第一電極を配置するための溝を形成する必要がなく、構成の簡略化を図れる。すなわち、本発明では、溝部を、第一電極配置用の溝、及び第一反射膜の外周部の粗膜部を逃がすための溝の双方として機能させることができる。
【００１３】
本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記溝部は、前記平面視において、前記第一平面部を囲う環状に設けられていることが好ましい。
本発明では、溝部が環状となり第一平面部を囲っている。このような構成では、第一反射膜において、粗膜部が形成される可能性がある外周部全体が溝部内に位置することになる。したがって、第一平面部上に粗膜部が形成されて有効領域が狭まる不都合を回避できるとともに、粗膜部の凸部が第二反射膜に接触する不都合もより確実に抑制できる。
【００１４】
本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記第二反射膜は、前記平面視において、前記第二基板の前記第一平面部に対向する第一平面部対向領域、及び少なくとも前記溝部に対向する溝部対向領域の一部に連続して設けられていることが好ましい。
本発明では、第二反射膜の外周縁が、溝部対向領域内に位置する。このため、第二反射膜において、成膜時に粗膜部が形成される可能性がある外周部が、溝部対向領域に位置することになる。したがって、第一平面部全体を有効領域とした場合に、第二反射膜の粗膜部が当該有効領域内に発生する可能性が低く、波長可変干渉フィルターの光学特性の低下を抑制できる。
また、第二反射膜の外周部に凹凸を有する粗膜部が形成された場合でも、当該粗膜部が溝部に対向する位置にあるため、第一反射膜及び第二反射膜の接触を抑制することができる。
【００１５】
本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記溝部は、前記第二基板に対向する平坦部と、前記平坦部及び前記第一平面部の間に設けられた曲面部と、を備え、前記溝部対向領域は、前記平坦部に対向する平坦部対向領域と、前記曲面部に対向する曲面部対向領域と、を備え、前記第二反射膜の外周縁は、前記平坦部対向領域及び前記曲面部対向領域の境界、又は当該境界より外に位置することが好ましい。
本発明では、さらに、第二反射膜の外周縁が平坦部対向領域及び曲面部対向領域の境界、又はその境界より外に位置するので、第二反射膜の粗膜部が第一平面部に対向する領域に発生する可能性がより低くなる。つまり、波長可変干渉フィルターにおいて、第一平面部と重なる領域全体を有効領域とした場合でも、第二反射膜の粗膜部が当該有効領域内に発生する可能性が低く、波長可変干渉フィルターの光学特性の低下を抑制できる。粗膜部の凸部により反射膜同士が接触する不都合もより確実に抑えられる。
【００１６】
本発明の光学フィルターデバイスは、第一基板、前記第一基板に対向して配置された第二基板、前記第一基板に設けられ、入射光の一部を反射し一部を透過する第一反射膜、前記第二基板に設けられ、及び前記第一反射膜に対向し、入射光の一部を反射し一部を透過する第二反射膜を備えた波長可変干渉フィルターと、前記波長可変干渉フィルターを収納する筐体と、を備え、前記第一基板は、前記第二基板に対向する第一平面部、及び前記第一基板及び前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において前記第一平面部の外周を囲う溝部を有し、前記第一反射膜は、前記第一平面部、及び少なくとも前記溝部の一部の領域に連続して設けられていることを特徴とする。
【００１７】
本発明では、上記発明と同様、有効領域を広く設定することができ、さらに、第一反射膜及び第二反射膜の接触も抑制することができる。また、波長可変干渉フィルターが筐体内に収納されているため、大気に含まれるガス等による反射膜の劣化や、異物の付着を抑制することができる。
【００１８】
本発明の光学モジュールは、第一基板と、前記第一基板に対向して配置された第二基板と、前記第一基板に設けられ、入射光の一部を反射し一部を透過する第一反射膜と、前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜に対向し、入射光の一部を反射し一部を透過する第二反射膜と、前記第一反射膜と前記第二反射膜との間に入射した光が干渉して選択された波長の光を検出する検出部と、を備え、前記第一基板は、前記第二基板に対向する第一平面部、及び前記第一基板及び前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において前記第一平面部の外周を囲う溝部を有し、前記第一反射膜は、前記第一平面部、及び少なくとも前記溝部の一部の領域に連続して設けられていることを特徴とする。
【００１９】
本発明では、上記発明と同様、第一反射膜のうち、膜劣化が生じにくい中央部が第一平面部の広い領域に設けられるので、波長可変干渉フィルターにおける有効領域を大きくでき、検出部で検出する光の光量を増加させることができる。
【００２０】
本発明の電子機器は、第一基板、前記第一基板に対向して配置された第二基板、前記第一基板に設けられ、入射光の一部を反射し一部を透過する第一反射膜、前記第二基板に設けられ、及び前記第一反射膜に対向し、入射光の一部を反射し一部を透過する第二反射膜を備えた波長可変干渉フィルターと、前記波長可変干渉フィルターを制御する制御部と、を備え、前記第一基板は、前記第二基板に対向する第一平面部、及び前記第一基板及び前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において前記第一平面部の外周を囲う溝部を有し、前記第一反射膜は、前記第一平面部、及び少なくとも前記溝部の一部の領域に連続して設けられていることを特徴とする。
【００２１】
本発明では、上記発明と同様、第一反射膜のうち、膜劣化が生じにくい中央部が第一平面部の広い領域に設けられるので、波長可変干渉フィルターにおける有効領域を大きくでき、第一反射膜及び第二反射膜の間で多重干渉されて選択された波長の光を高精度に取り出すことができる。したがって、電子機器における取り出された光を用いた各種処理においても精度の高い処理を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明に係る一実施形態の分光測定装置の概略構成を示すブロック図。
【図２】本実施形態の波長可変干渉フィルターの概略構成を示す平面図。
【図３】図２におけるIII-III線を断面した波長可変干渉フィルターの断面図。
【図４】本実施形態において、固定基板を可動基板側から見た平面図。
【図５】本実施形態において、可動基板を固定基板側から見た平面図。
【図６】本実施形態の波長可変干渉フィルターの製造工程を示すフローチャート。
【図７】図６の固定基板形成工程における第一ガラス基板の状態を示す図。
【図８】図６の可動基板形成工程における第二ガラス基板の状態を示す図。
【図９】図６の基板接合工程を示す図。
【図１０】本発明に係る第二実施形態の光学フィルターデバイスの概略構成を示す断面図。
【図１１】本発明の他の実施形態の一例を示す波長可変干渉フィルターの断面図。
【図１２】本発明の電子機器である測色装置の一例を示すブロック図。
【図１３】本発明の電子機器であるガス検出装置の一例を示す概略図。
【図１４】図１４のガス検出装置の制御系の構成を示すブロック図。
【図１５】本発明の電子機器である食物分析装置の概略構成を示す図。
【図１６】本発明の電子機器である分光カメラの概略構成を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
［第一実施形態］
以下、本発明に係る第一実施形態を図面に基づいて説明する。
［分光測定装置の構成］
図１は、本発明に係る一実施形態の分光測定装置の概略構成を示すブロック図である。
分光測定装置１は、本発明の電子機器であり、測定対象Ｘで反射された測定対象光に基づいて、測定対象光のスペクトルを測定する装置である。なお、本実施形態では、測定対象Ｘで反射した測定対象光を測定する例を示すが、測定対象Ｘとして、例えば液晶パネル等の発光体を用いる場合、当該発光体から発光された光を測定対象光としてもよい。
この分光測定装置１は、図１に示すように、光学モジュール１０と、制御部２０と、を備えている。
【００２４】
［光学モジュールの構成］
次に、光学モジュール１０の構成について、以下に説明する。
光学モジュール１０は、図１に示すように、波長可変干渉フィルター５と、ディテクター１１と、Ｉ−Ｖ変換器１２と、アンプ１３と、Ａ／Ｄ変換器１４と、電圧制御部１５とを備えて構成される。
【００２５】
ディテクター１１は、光学モジュール１０の波長可変干渉フィルター５を透過した光を受光し、受光した光の光強度に応じた検出信号（電流）を出力する。
Ｉ−Ｖ変換器１２は、ディテクター１１から入力された検出信号を電圧値に変換し、アンプ１３に出力する。
アンプ１３は、Ｉ−Ｖ変換器１２から入力された検出信号に応じた電圧（検出電圧）を増幅する。
Ａ／Ｄ変換器１４は、アンプ１３から入力された検出電圧（アナログ信号）をデジタル信号に変換し、制御部２０に出力する。
【００２６】
（波長可変干渉フィルターの構成）
図２は、波長可変干渉フィルター５の概略構成を示す平面図である。図３は、図２のIII-III線における波長可変干渉フィルター５の断面図である。
本実施形態の波長可変干渉フィルター５は、いわゆるファブリーペローエタロンである。この波長可変干渉フィルター５は、図２に示すように、固定基板５１と、可動基板５２とを備えている。これらの固定基板５１及び可動基板５２は、それぞれ例えば各種ガラスや、水晶、シリコンなどにより形成されている。そして、これらの固定基板５１及び可動基板５２は、固定基板５１の第一接合部５１３及び可動基板５２の第二接合部５２３が、例えばシロキサンを主成分とするプラズマ重合膜などにより構成された接合膜５３により接合されることで、一体的に構成されている。
【００２７】
固定基板５１には、固定反射膜５４（第一反射膜）が設けられ、可動基板５２には、可動反射膜５５（第二反射膜）が設けられており、これらの固定反射膜５４及び可動反射膜５５は、反射膜間ギャップＧ１を介して対向配置されている。そして、波長可変干渉フィルター５には、この反射膜間ギャップＧ１の大きさ（ギャップ寸法）を調整するのに用いられる静電アクチュエーター５６が設けられている。この静電アクチュエーター５６は、固定基板５１に設けられた固定電極５６１（第一電極）と、可動基板５２に設けられた可動電極５６２（第二電極）とにより構成されている。ここで、これらの固定電極５６１，可動電極５６２は、それぞれ固定基板５１及び可動基板５２の基板表面に直接設けられる構成であってもよく、他の膜部材を介して設けられる構成であってもよい。
【００２８】
（固定基板の構成）
図４は、固定基板５１を可動基板５２側から見た平面図である。
固定基板５１は、可動基板５２に対して厚み寸法が大きく形成されており、静電アクチュエーター５６による静電引力や、固定基板５１上に形成される膜部材（例えば固定反射膜５４等）の内部応力による固定基板５１の撓みはない。
この固定基板５１は、図３及び図４に示すように、例えばエッチングにより形成された電極配置溝５１１（本発明の溝部）及び反射膜設置部５１２（本発明の第一平面部）を備える。また、固定基板５１の外周縁の一部（頂点Ｃ２）には、図２及び図４に示すように、切欠部５１４が設けられており、この切欠部５１４から後述する可動電極パッド５６４Ｐが波長可変干渉フィルター５の表面に露出される構成となる。
【００２９】
反射膜設置部５１２は、可動基板５２に対向する反射膜設置面５１２Ａを有する。この反射膜設置面５１２Ａは、フィルター平面視で、固定基板５１のフィルター中心点Ｏを中心とした半径Ｒ１の円形状の平面であり、可動基板５２の固定基板５１に対向する面（可動面５２１Ａ）と平行な面となる。なお、本実施形態では、円形状の反射膜設置面５１２Ａを例示するが、これに限定されず、例えば八角形状や六角形状等の多角形状であってもよく、楕円形状であってもよい。
電極配置溝５１１は、フィルター平面視において、反射膜設置部５１２の外に設けられ、フィルター中心点Ｏを中心とした環状に形成されている。また、電極配置溝５１１における可動基板５２に対向する面は、反射膜設置面５１２Ａよりも、可動基板５２からの距離が長い。この電極配置溝５１１は、可動基板５２及び反射膜設置面５１２Ａと平行な電極設置面５１１Ａ（本発明の平坦部）と、電極設置面５１１Ａから反射膜設置面５１２Ａに向かって曲面状となる曲面部５１１Ｂとを備える。ここで、フィルター平面視において、フィルター中心点Ｏから電極設置面５１１Ａ及び曲面部５１１Ｂの境界Ｌまでの寸法（境界Ｌの半径）をＲ２とする。
また、固定基板５１には、電極配置溝５１１から、固定基板５１の頂点Ｃ１，Ｃ２に向かって延出する電極引出溝５１１Ｃ（図４参照）が設けられている。
【００３０】
電極設置面５１１Ａには、静電アクチュエーター５６を構成する固定電極５６１が設けられている。この固定電極５６１としては、フィルター中心点Ｏを中心とした略環状に形成されていることが好ましく、円環状に形成されていることがより好ましい。なお、ここで述べる環状とは、一部が切り欠かれて、例えばＣ字形状等になる構成も含まれる。
また、固定基板５１には、固定電極５６１の外周縁から、頂点Ｃ１に向かう電極引出溝５１１Ｃに沿って、頂点Ｃ１まで延出する固定引出電極５６３が設けられている。この固定引出電極５６３の延出先端部（固定基板５１の頂点Ｃ１に位置する部分）は、電圧制御部１５に接続される固定電極パッド５６３Ｐを構成する。
この固定電極５６１としては、導電性を有していればいかなる素材により構成されていてもよい。具体的には、固定電極５６１は、金属膜や合金膜に対して密着性が良好な金属酸化物により構成されており、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜や、Ｃｒ層及びＡｕ層の積層体等により構成されている。
また、固定電極５６１上に、固定電極５６１及び可動電極５６２の間の絶縁性を確保するための絶縁膜が積層される構成としてもよい。
なお、本実施形態では、電極設置面５１１Ａに１つの固定電極５６１が設けられる構成を示すが、例えば、フィルター中心点Ｏを中心とした同心円となる２つの電極が設けられる構成（二重電極構成）などとしてもよい。
【００３１】
反射膜設置部５１２は、固定反射膜５４が設けられる。この固定反射膜５４は、反射膜設置面５１２Ａから電極配置溝５１１の曲面部５１１Ｂに連続して設けられる。具体的には、フィルター平面視において、固定反射膜５４は、フィルター中心点Ｏから半径Ｒ２となる領域、つまり境界Ｌの内側の反射膜設置面５１２Ａ及び曲面部５１１Ｂを覆うように設けられている。
この固定反射膜５４としては、可視波長域を含む広い波長域に対して反射特性及び透過特性を有する膜が好ましい。このような固定反射膜５４として、例えばＡｇ等の金属膜や、ＡｇＣ合金等の合金膜等、を用いることが好ましく、本実施形態では、ＡｇＣ合金膜を用いる。
【００３２】
固定基板５１の光入射面（固定反射膜５４が設けられない面）には、固定反射膜５４に対応する位置に反射防止膜を形成してもよい。この反射防止膜は、低屈折率膜及び高屈折率膜を交互に積層することで形成することができ、固定基板５１の表面での可視光の反射率を低下させ、透過率を増大させる。
【００３３】
そして、固定基板５１の可動基板５２に対向する面のうち、電極配置溝５１１、反射膜設置部５１２、及び引出電極配置溝が形成されない面は、第一接合部５１３を構成する。この第一接合部５１３は、接合膜５３により、可動基板５２の第二接合部５２３に接合される。
【００３４】
（可動基板の構成）
図５は、可動基板５２を固定基板５１側から見た平面図である。
可動基板５２は、図２、図３及び図５に示すように、フィルター平面視で、フィルター中心点Ｏを中心とした円形状の可動部５２１と、可動部５２１と同軸であり可動部５２１を保持する保持部５２２と、保持部５２２の外側に設けられた基板外周部５２５と、を備えている。
また、可動基板５２には、図２及び図５に示すように、頂点Ｃ１に切欠部５２４が設けられ、この切欠部５２４から固定電極パッド５６３Ｐの先端部が露出する。
なお、固定基板５１と同様に、可動部５２１の固定基板５１とは反対側の面には、反射防止膜が形成されていてもよい。
【００３５】
可動部５２１は、保持部５２２よりも厚み寸法が大きく形成され、例えば、本実施形態では、可動基板５２（基板外周部５２５）の厚み寸法と同一寸法に形成されている。この可動部５２１は、フィルター平面視において、少なくとも反射膜設置面５１２Ａの外周縁の径寸法よりも大きい径寸法に形成されている。
【００３６】
そして、この可動部５２１の固定基板５１に対向する可動面５２１Ａには、可動反射膜５５、及び可動電極５６２が設けられている。ここで、フィルター平面視において、可動面５２１Ａの反射膜設置面５１２Ａに対向する領域を第一対向領域５２１Ｂ（第一平面部対向領域）、曲面部５１１Ｂに対向する領域を第二対向領域５２１Ｃ（曲面部対向領域）、電極設置面５１１Ａに対向する領域を第三対向領域５２１Ｄ（平坦部対向領域）とする。したがって、第二対向領域５２１Ｃ及び第三対向領域５２１Ｄにより、本発明の溝部対向領域が構成される。
【００３７】
可動電極５６２は、図２、図３及び図５に示すように、フィルター平面視において、可動反射膜５５の外で、固定電極５６１に対向する領域、つまり第三対向領域５２１Ｄに設けられている。
また、可動電極５６２には、頂点Ｃ２方向に延出し、固定基板５１の頂点Ｃ２に向かう電極引出溝５１１Ｃに対向して配置される可動引出電極５６４が設けられている。この可動引出電極５６４の延出先端部（可動基板５２の頂点Ｃ１に位置する部分）は、電圧制御部１５に接続される可動電極パッド５６４Ｐを構成する。この可動電極５６２としては、固定電極５６１と同様に、導電性を有していればよく、例えばＩＴＯ膜や、Ｃｒ層にＡｕ層を積層した積層体等を用いることができる。
【００３８】
可動反射膜５５は、固定反射膜５４と同様の素材（本実施形態ではＡｇＣ合金膜）により構成される。
また、可動反射膜５５は、固定基板５１と同様に、フィルター平面視において、フィルター中心点Ｏから半径Ｒ２の領域に設けられている。つまり、可動反射膜５５は、第一対向領域５２１Ｂ及び第二対向領域５２１Ｃを覆って設けられている。
【００３９】
保持部５２２は、可動部５２１の周囲を囲うダイヤフラムであり、可動部５２１よりも厚み寸法が小さく形成されている。このような保持部５２２は、可動部５２１よりも撓みやすく、僅かな静電引力により、可動部５２１を固定基板５１側に変位させることが可能となる。
なお、本実施形態では、ダイヤフラム状の保持部５２２を例示するが、これに限定されず、例えば、フィルター中心点Ｏを中心として、等角度間隔で配置された梁状の保持部が設けられる構成などとしてもよい。
【００４０】
基板外周部５２５は、上述したように、フィルター平面視において保持部５２２の外側に設けられている。この基板外周部５２５の固定基板５１に対向する面には、第一接合部５１３に対向する第二接合部５２３が設けられ、接合膜５３を介して第一接合部５１３に接合される。
【００４１】
（電圧制御部の構成）
電圧制御部１５は、波長可変干渉フィルター５の固定引出電極５６３（固定電極パッド５６３Ｐ）、可動引出電極５６４（可動電極パッド５６４Ｐ）に接続されている。
そして、電圧制御部１５は、制御部２０から測定対象波長に対応した電圧指令信号を受信すると、対応する電圧を固定引出電極５６３及び可動引出電極５６４間に印加する。これにより、波長可変干渉フィルター５の静電アクチュエーター５６（固定電極５６１及び可動電極５６２間）に、印加電圧に基づいた静電引力が発生し、可動部５２１が固定基板５１側に変位して、反射膜間ギャップＧ１の大きさが変化する。
【００４２】
（制御部の構成）
制御部２０は、例えばＣＰＵやメモリー等が組み合わされることで構成され、分光測定装置１の全体動作を制御する。この制御部２０は、図１に示すように、フィルター駆動部２１と、光量取得部２２と、分光測定部２３と、を備える。
また、制御部２０は、各種データを記憶する記憶部（図示略）を備え、記憶部には、静電アクチュエーター５６を制御するためのＶ−λデータが記憶される。
このＶ−λデータには、静電アクチュエーター５６に印加する電圧に対する、波長可変干渉フィルター５を透過する光のピーク波長が記録されている。
【００４３】
フィルター駆動部２１は、波長可変干渉フィルター５により取り出す光の目的波長を設定するとともに、記憶部に記憶されたＶ−λデータから設定した目的波長に対応する目標電圧値を読み込む。そして、フィルター駆動部２１は、読み込んだ目標電圧値を印加させる旨の制御信号を電圧制御部１５に出力する。これにより、電圧制御部１５から静電アクチュエーター５６に目標電圧値の電圧が印加される。
光量取得部２２は、ディテクター１１により取得された光量に基づいて、波長可変干渉フィルター５を透過した目的波長の光の光量を取得する。
分光測定部２３は、光量取得部２２により取得された光量に基づいて、測定対象光のスペクトル特性を測定する。
分光測定部２３における分光測定方法としては、例えば、測定対象波長に対してディテクター１１により検出された光量を、当該測定対象波長の光量として分光スペクトルを測定する方法や、複数の測定対象波長の光量に基づいて分光スペクトルを推定する方法等が挙げられる。
分光スペクトルを推定する方法としては、例えば、複数の測定対象波長に対する光量のそれぞれを行列要素とした計測スペクトル行列を生成し、この計測スペクトル行列に対して、所定の変換行列を作用させることで、測定対象となる光の分光スペクトルを推定する。この場合、分光スペクトルが既知である複数のサンプル光を、分光測定装置１により測定し、測定により得られた光量に基づいて生成される計測スペクトル行列に変換行列を作用させた行列と、既知の分光スペクトルとの偏差が最小となるように、変換行列を設定する。
【００４４】
［波長可変干渉フィルターの製造方法］
次に、上述したような波長可変干渉フィルター５の製造方法について、図面に基づいて説明する。
図６は、波長可変干渉フィルター５の製造工程を示すフローチャートである。
波長可変干渉フィルター５の製造では、まず、固定基板５１を形成するための第一ガラス基板Ｍ１、可動基板５２を形成するための第二ガラス基板Ｍ２を用意し、固定基板形成工程Ｓ１及び可動基板形成工程Ｓ２を実施する。この後、基板接合工程Ｓ３を実施し、固定基板形成工程Ｓ１により加工された第一ガラス基板Ｍ１と、可動基板形成工程Ｓ２により加工された第二ガラス基板Ｍ２とを接合し、チップ単位で波長可変干渉フィルター５を切り出す。
以下、各工程Ｓ１〜Ｓ３について、図面に基づいて説明する。
【００４５】
（固定基板形成工程）
図７は、固定基板形成工程Ｓ１における第一ガラス基板Ｍ１の状態を示す図である。
固定基板形成工程Ｓ１では、まず、図７（Ａ）に示すように、固定基板５１の製造素材である第一ガラス基板Ｍ１（例えば厚み寸法が１ｍｍ）の両面を、表面粗さＲａが１ｎｍ以下となるまで両面を精密研磨する。
【００４６】
次に、第一ガラス基板Ｍ１の基板表面をエッチングにより加工する。
具体的には、第一ガラス基板Ｍ１の基板表面にレジストを塗布して、塗布されたレジストをフォトリソグラフィ法により露光・現像することで、電極設置面５１１Ａ及び反射膜設置面５１２Ａの形成箇所が開口するようにパターニングする。ここで、本実施形態では、１つの第一ガラス基板Ｍ１から複数の固定基板５１を形成する。したがって、この工程では、第一ガラス基板Ｍ１に、複数の固定基板５１がアレイ状に並列配置された状態で製造されるよう、レジストパターンを形成する。
そして、第一ガラス基板Ｍ１の両面に対して、例えばフッ酸系（ＢＨＦ等）を用いたウェットエッチングを施す。この時、反射膜設置面５１２Ａの深さ寸法までエッチングを行う。
【００４７】
この後、レジストパターンを除去し、再度、第一ガラス基板Ｍ１の基板表面にレジストＲＥ１を塗布する。そして、塗布されたレジストをフォトリソグラフィ法により露光・現像することで、電極設置面５１１Ａ及び電極引出溝５１１Ｃに対応する領域が開口するようにパターニングする。ここで、図７（Ｂ）に示すように、フィルター中心点Ｏから半径Ｒ２の位置に開口パターンの内周縁が位置するように、レジストＲＥ１をパターニングする。
【００４８】
この後、第一ガラス基板Ｍ１に対してウェットエッチングを実施する。これにより固定電極５６１を設置する電極設置面５１１Ａが平坦となり、電極設置面５１１Ａの境界Ｌから反射膜設置面５１２Ａまでが、サイドエッチングにより曲面状となることで、曲面部５１１Ｂが形成される。つまり、図７（Ｃ）に示すように、固定基板５１の基板形状が決定された第一ガラス基板Ｍ１が形成される。
なお、フィルター平面視において、曲面部５１１Ｂが形成される領域の幅（半径Ｒ２−半径Ｒ１）は、反射膜設置面５１２Ａ及び電極設置面５１１Ａとの深さ寸法の差と略同一となる。従って、固定反射膜５４のレジストを除去（後述）する際に、固定反射膜５４に粗膜部が形成される可能性がある領域（外周部）が曲面部５１１Ｂ内となるように、電極設置面５１１Ａの深さ寸法の差を決定する。なお、本実施形態では、反射膜設置面５１２Ａ及び電極設置面５１１Ａとの深さ寸法の差は、１００μｍ程度に形成される。
この後、レジストＲＥ１を除去する。
【００４９】
次に、第一ガラス基板Ｍ１に固定電極５６１、固定引出電極５６３を形成する電極材料（例えばＩＴＯ）を、蒸着法やスパッタリング法等を用いて成膜する。そして、第一ガラス基板Ｍ１にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法を用いて固定電極５６１及び固定引出電極５６３の形状に合わせてレジストをパターニングする。そして、ＩＴＯエッチング液（例えば塩酸、硝酸、水の混合液）によりエッチングを実施した後、レジストを除去する。これにより、図７（Ｄ）に示すように、固定電極５６１及び固定引出電極５６３を形成する。なお、図７において、固定引出電極５６３の図示は省略している。
また、固定電極５６１上に絶縁層を成膜する場合、固定電極５６１の形成後、例えばプラズマＣＶＤ等により固定基板５１の可動基板５２に対向する面全体に、例えば１００ｎｍ程度の厚みのＳｉＯ２を成膜する。そして、固定電極パッド５６３Ｐ上のＳｉＯ２を、例えばドライエッチング等により除去する。
【００５０】
次に、反射膜設置面５１２Ａ上に固定反射膜５４を形成する。具体的には、第一ガラス基板Ｍ１の電極配置溝５１１や反射膜設置部５１２が形成された面に、真空蒸着法やスパッタリング法により固定反射膜５４の膜層を形成する。
この後、レジストＲＥ２を塗布し、フォトリソグラフィ法を用いてフィルター平面視において、フィルター中心点Ｏから半径Ｒ２の領域のみにレジストＲＥ２が残るように、パターニングする。なお、塗布されるレジストＲＥ２は、１μｍ程度となる。この後、エッチングにより不要部分の膜材を除去することで、図７（Ｅ）に示すように、固定反射膜５４が形成される。
【００５１】
この後、固定反射膜５４上のレジストＲＥ２を除去する。
ここで、図７（Ｅ）の矢印で示すように、固定反射膜５４の中央部では、上面からレジストＲＥ２が除去されるのに対し、固定反射膜５４の外周部では、上面及び側面からレジストＲＥ２が除去される。したがって、固定反射膜５４の外周部におけるレジストＲＥ２がより早く除去されることになり、中央部のレジストＲＥ２が除去されるまで、外周部がレジスト除去液に晒されることになる。また、固定反射膜５４の外周縁の端面は、レジスト除去液に直接晒される。レジストＲＥ２を除去するためのレジスト除去液はアルカリ溶液となるため、固定反射膜５４が長時間レジスト除去液に接すると、膜劣化が生じ、粗膜部（凹凸）が発生してしまう。ここで、レジストＲＥ２の厚み寸法は、上述したように、１μｍ程度であるため、これを除去する際に、固定反射膜５４は、外周縁から１μｍ程度の範囲に粗膜部が形成される可能性がある。
本実施形態では、上述したように、曲面部５１１Ｂの幅寸法が１００μｍ程度であるため、粗膜部が形成される可能性がある領域は、曲面部５１１Ｂ内となる。したがって、レジスト除去の工程において、粗膜部が形成され、固定反射膜５４の外周部に凹凸が発生した場合でも、当該凹凸が反射膜設置面５１２Ａより上方（可動基板５２側）に突出することがない。
以上により、図７（Ｆ）に示すように、固定基板５１が複数アレイ状に配置された第一ガラス基板Ｍ１が形成される。
【００５２】
（可動基板形成工程）
次に、可動基板形成工程Ｓ２について説明する。図８は、可動基板形成工程Ｓ２における第二ガラス基板Ｍ２の状態を示す図である。
可動基板形成工程Ｓ２では、まず、図８（Ａ）に示すように、第二ガラス基板Ｍ２（例えば厚み寸法が０．５ｍｍ）の表面粗さＲａが１ｎｍ以下となるまで両面を精密研磨する。
そして、第二ガラス基板Ｍ２の表面にＣｒ／Ａｕ層を形成し、このＣｒ／Ａｕ層をエッチングマスクとし、例えばフッ酸系（ＢＨＦ等）を用いて、保持部５２２に相当する領域をエッチングする。この後、エッチングマスクとして使用したＣｒ／Ａｕ層を除去することで図８（Ｂ）に示すように、可動基板５２の基板形状が決定された第二ガラス基板Ｍ２が製造される。
【００５３】
次に、図８（Ｃ）に示すように、可動電極５６２及び可動引出電極５６４を形成する。この可動電極５６２及び可動引出電極５６４の形成では、上記固定基板５１における固定電極５６１の形成と同様の方法を用いることができる。
【００５４】
この後、図８（Ｄ）に示すように、可動面５２１Ａに可動反射膜５５を形成する。この可動反射膜５５の形成も、固定反射膜５４と同様の方法により形成することができる。
この際、固定反射膜５４と同様、可動反射膜５５をフィルター中心点Ｏから半径Ｒ２の領域内、つまり、第一対向領域５２１Ｂ及び第二対向領域５２１Ｃに成膜する。これにより、可動反射膜５５上のレジストを除去する際に、反射膜設置面５１２Ａに対向する第一対向領域５２１Ｂ上に粗膜部が形成されることがない。
以上により、可動基板５２が複数アレイ状に配置された第二ガラス基板Ｍ２が製造される。
【００５５】
（基板接合工程）
次に、基板接合工程Ｓ３について説明する。図９は、基板接合工程Ｓ３における第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２の状態を示す図である。
この基板接合工程Ｓ３では、まず、第一ガラス基板Ｍ１の第一接合部５１３と、第二ガラス基板Ｍ２の第二接合部５２３とに、ポリオルガノシロキサンを主成分としたプラズマ重合膜（接合膜５３）を、例えばプラズマＣＶＤ法等により成膜する。接合膜５３の厚みとしては、例えば１０ｎｍから１０００ｎｍとすればよい。
【００５６】
そして、第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２のプラズマ重合膜に対して活性化エネルギーを付与するために、Ｏ２プラズマ処理またはＵＶ処理を行う。Ｏ２プラズマ処理の場合は、Ｏ２流量１．８×１０−３（ｍ３／ｈ）、圧力２７Ｐａ、ＲＦパワー２００Ｗの条件で３０秒間実施する。また、ＵＶ処理の場合は、ＵＶ光源としてエキシマＵＶ（波長１７２ｎｍ）を用いて３分間処理する。
プラズマ重合膜に活性化エネルギーを付与した後、これらの第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２のアライメント調整を行い、プラズマ重合膜を介して第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２を重ね合わせ、接合部分に例えば９８（Ｎ）の荷重を１０分間かける。これにより、第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２同士が接合される。
【００５７】
この後、各波長可変干渉フィルター５をチップ単位で取り出す切断工程を実施する。具体的には、図９に示すラインＢ１に沿って第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２の接合体を切断する。切断には、例えばレーザー切断等を利用することができる。以上により、チップ単位の波長可変干渉フィルター５が製造される。
【００５８】
［第一実施形態の作用効果］
本実施形態の波長可変干渉フィルター５は、固定反射膜５４が反射膜設置面５１２Ａから、電極配置溝５１１に亘って設けられている。したがって、反射膜設置面５１２Ａよりも可動基板５２からの距離が長い電極配置溝５１１に、固定反射膜５４の外周部が位置することになる。
一般に、フィルター平面視において、反射膜設置面５１２Ａと重なる領域内に、固定反射膜５４及び可動反射膜５５を設ける場合、粗膜部が形成された領域は膜特性が悪化してしまうため、波長可変干渉フィルター５において目的波長の光を精度よく透過可能な有効径（有効領域）は、半径Ｒ１よりも小さくなる。これに対して、本実施形態では、フィルター平面視において反射膜設置面５１２Ａと重なる領域に粗膜部が形成されないので、有効径を反射膜設置面５１２Ａの全域（半径Ｒ１の領域）に設定することができ、波長可変干渉フィルター５を透過する光の光量が増加する。したがって、ディテクター１１において、検出される光量も増大し、分光測定装置１において、精度の高い分光測定処理を実施することができる。
【００５９】
また、固定反射膜５４を形成する際に、固定反射膜５４の外周部に凹凸を有する粗膜部が生じたとしても、当該粗膜部の凹凸が反射膜設置面５１２Ａより可動基板５２側に突出しない。したがって、静電アクチュエーター５６に電圧を印加して、反射膜間ギャップＧ１のギャップ寸法を小さくした場合でも、固定反射膜５４と可動反射膜５５との接触を抑制できる。
【００６０】
可動反射膜５５も同様であり、反射膜設置面５１２Ａに対向する第一対向領域５２１Ｂから、電極配置溝５１１に対向する溝部対向領域（第二対向領域５２１Ｃ及び第三対向領域５２１Ｄを含む領域）に亘って形成されている。
したがって、上記のように有効径を反射膜設置面５１２Ａの全域（半径Ｒ１の領域）に設定した場合でも、当該有効径内に粗膜部が発生する可能性が低く、波長可変干渉フィルター５の光学特性の低下を抑制できる。
また、固定基板５１及び可動基板５２の間の寸法が、反射膜間ギャップＧ１よりも溝部対向領域に、可動反射膜５５の外周部が位置することになるので、固定反射膜５４と可動反射膜５５との接触をより確実に抑制できる。
【００６１】
本実施形態では、固定反射膜５４の外周縁が、電極設置面５１１Ａと曲面部５１１Ｂとの境界Ｌ上に位置する。このような構成では、反射膜設置面５１２Ａ上の固定反射膜５４に粗膜部が形成されてしまう可能性がより低く、反射膜同士の接触をより確実に抑制することができる。
可動反射膜５５においても同様であり、可動反射膜５５の外周縁が、第二対向領域５２１Ｃと第三対向領域５２１Ｄの境界Ｌに位置するため、第一対向領域５２１Ｂ上の可動反射膜５５に粗膜部が形成されてしまう可能性がより低くなり、反射膜同士の接触をより確実に抑制することができる。
【００６２】
本実施形態では、本発明の溝部を電極配置溝５１１としている。このような構成とすることで、例えば、反射膜設置面５１２Ａ上の固定反射膜５４上に粗膜部が形成されることを防ぐための溝と、固定電極５６１設置用の溝とを、それぞれ設ける構成などに比べて、構成の簡略化を図れ、波長可変干渉フィルター５の小型化に対応することができる。
また、平坦な電極設置面５１１Ａに固定電極５６１を設けることで、固定電極５６１及び可動電極５６２の電極間ギャップを均一にでき、不均一な静電引力が作用する不都合を抑制できる。
【００６３】
本実施形態では、電極配置溝５１１は、反射膜設置面５１２Ａを囲う環状に形成されている。したがって、固定反射膜５４のうち、粗膜部が形成される可能性がある外周部全体が、電極配置溝５１１内に位置することになり、より確実に反射膜同士の接触を抑制することができる。
【００６４】
［第二実施形態］
次に、本発明の第二実施形態について、図面に基づいて説明する。
上記第一実施形態の分光測定装置１では、光学モジュール１０に対して、波長可変干渉フィルター５が直接設けられる構成とした。しかしながら、光学モジュールとしては、複雑な構成を有するものもあり、特に小型化の光学モジュールに対して、波長可変干渉フィルター５を直接設けることが困難な場合がある。本実施形態では、そのような光学モジュールに対しても、波長可変干渉フィルター５を容易に設置可能にする光学フィルターデバイスについて、以下に説明する。
図１０は、本発明に係る第二実施形態の光学フィルターデバイスの概略構成を示す断面図である。
【００６５】
図１０に示すように、光学フィルターデバイス６００は、波長可変干渉フィルター５と、当該波長可変干渉フィルター５を収納する筐体６０１と、を備えている。
筐体６０１は、ベース基板６１０と、リッド６２０と、ベース側ガラス基板６３０と、リッド側ガラス基板６４０と、を備える。
【００６６】
ベース基板６１０は、例えば単層セラミック基板により構成される。このベース基板６１０には、波長可変干渉フィルター５の固定基板５１が設置される。ベース基板６１０への固定基板５１の設置としては、例えば接着層等を介して配置されるものであってもよく、他の固定部材等に嵌合等されることで配置されるものであってもよい。また、ベース基板６１０には、光通過孔６１１が開口形成される。そして、この光通過孔６１１を覆うように、ベース側ガラス基板６３０が接合される。ベース側ガラス基板６３０の接合方法としては、例えば、ガラス原料を高温で熔解し、急冷したガラスのかけらであるガラスフリットを用いたガラスフリット接合、エポキシ樹脂等による接着などを利用できる。
【００６７】
このベース基板６１０のリッド６２０に対向するベース内側面６１２には、波長可変干渉フィルター５の各引出電極５６３，５６４のそれぞれに対応して内側端子部６１５が設けられている。なお、各引出電極５６３，５６４と内側端子部６１５との接続は、例えばＦＰＣ６１５Ａを用いることができ、例えばＡｇペースト、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）、ＡＣＰ（Anisotropic Conductive Paste）等により接合する。また、ＦＰＣ６１５Ａによる接続に限られず、例えばワイヤーボンディング等による配線接続を実施してもよい。
また、ベース基板６１０は、各内側端子部６１５が設けられる位置に対応して、貫通孔６１４が形成されており、各内側端子部６１５は、貫通孔６１４に充填された導電性部材を介して、ベース基板６１０のベース内側面６１２とは反対側のベース外側面６１３に設けられた外側端子部６１６に接続されている。
そして、ベース基板６１０の外周部には、リッド６２０に接合されるベース接合部６１７が設けられている。
【００６８】
リッド６２０は、図１０に示すように、ベース基板６１０のベース接合部６１７に接合されるリッド接合部６２４と、リッド接合部６２４から連続し、ベース基板６１０から離れる方向に立ち上がる側壁部６２５と、側壁部６２５から連続し、波長可変干渉フィルター５の可動基板５２側を覆う天面部６２６とを備えている。このリッド６２０は、例えばコバール等の合金または金属により形成することができる。
このリッド６２０は、リッド接合部６２４と、ベース基板６１０のベース接合部６１７とが、接合されることで、ベース基板６１０に密着接合されている。
この接合方法としては、例えば、レーザー溶着の他、銀ロウ等を用いた半田付け、共晶合金層を用いた封着、低融点ガラスを用いた溶着、ガラス付着、ガラスフリット接合、エポキシ樹脂による接着等が挙げられる。これらの接合方法は、ベース基板６１０及びリッド６２０の素材や、接合環境等により、適宜選択することができる。
【００６９】
リッド６２０の天面部６２６は、ベース基板６１０に対して平行となる。この天面部６２６には、光通過孔６２１が開口形成されている。そして、この光通過孔６２１を覆うように、リッド側ガラス基板６４０が接合される。リッド側ガラス基板６４０の接合方法としては、ベース側ガラス基板６３０の接合と同様に、例えばガラスフリット接合や、エポキシ樹脂等による接着などを用いることができる。
【００７０】
上述したような本実施形態の光学フィルターデバイス６００では、筐体６０１により波長可変干渉フィルター５が保護されているため、外的要因による波長可変干渉フィルター５の破損を防止できる。また、光学フィルターデバイス６００の内部が密閉された構成となるため、水滴や帯電物質等の異物の侵入を抑制でき、固定反射膜５４や可動反射膜５５にこれらの異物が付着する不都合も抑制することができる。
【００７１】
［その他の実施形態］
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
【００７２】
例えば、上記第一実施形態では、本発明の第一基板を固定基板５１とし、固定基板５１が、第一平面部である反射膜設置面５１２Ａと、反射膜設置面５１２Ａよりも可動基板５２からの距離が長い電極配置溝５１１とを備え、固定反射膜５４が反射膜設置面５１２Ａから電極配置溝５１１に亘って設けられる例を示したが、これに限定されない。例えば、図１１に示すように、可動基板５２において、第一対向領域５２１Ｂを囲う第二対向領域５２１Ｃ及び第三対向領域５２１Ｄが、溝部として構成されていてもよい。このような構成とすることで、可動反射膜５５における粗膜部が形成される可能性がある外周部が、第一対向領域５２１Ｂよりも固定基板５１側に突出しない。したがって、上記実施形態と同様に、第一平面部である反射膜設置面５１２Ａと重なる領域（フィルター中心点Ｏから半径Ｒ１の領域）を有効径として設定することができ、かつ、固定反射膜５４及び可動反射膜５５の接触を抑制することができる。
なお、図１１において、固定基板５１に、電極配置溝５１１及び反射膜設置部５１２が設けられ、反射膜設置面５１２Ａと電極設置面５１１Ａと異なる高さ寸法となる例を示すが、例えば、反射膜設置面５１２Ａ及び電極設置面５１１Ａが同一面となる構成などとしてもよい。
【００７３】
上記実施形態では、固定電極５６１及び可動電極５６２により構成される静電アクチュエーター５６により、反射膜間ギャップＧ１の寸法を可変させる構成を例示したが、これに限定されない。
例えば、固定基板５１に設けられる第一誘電コイルと、可動基板５２に設けられる第二誘電コイルまたは永久磁石とにより構成される誘電アクチュエーターを用いる構成としてもよい。
さらに、静電アクチュエーター５６の代わりに圧電アクチュエーターを用いる構成としてもよい。この場合、例えば保持部５２２に下部電極層、圧電膜、及び上部電極層を積層配置させ、下部電極層及び上部電極層の間に印加する電圧を入力値として可変させることで、圧電膜を伸縮させて保持部５２２を撓ませることができる。
さらには、電圧印加により反射膜間ギャップＧ１の大きさを変化させる構成に限られず、例えば、波長可変干渉フィルター５の外の空気圧に対する、固定基板５１及び可動基板５２の間の空気圧を変化させることで、反射膜間ギャップＧ１の大きさを調整する構成なども例示できる。
【００７４】
上記実施形態において、固定反射膜５４の外周縁が境界Ｌに位置する例を示したが、これに限定されない。本発明では、粗膜部が形成される可能性がある領域が反射膜設置面５１２Ａの外の電極配置溝５１１内にある構成であればよく、例えば、反射膜形成時のレジストの厚み寸法等によっては、曲面部５１１Ｂの中間部に固定反射膜５４の外周縁が位置していてもよい。また、境界Ｌよりも外に固定反射膜５４の外周縁が位置していてもよく、この場合、より確実に粗膜部の凹凸が可動反射膜５５に接触する不都合を抑制できる。可動反射膜５５においても同様である。
【００７５】
本実施形態では、本発明の溝部が電極配置溝５１１であり、反射膜設置部５１２を囲う環状に設けられる例を示したが、これに限定されない。例えば電極配置溝５１１が円弧状であり、反射膜設置部５１２の外に、フィルター中心点Ｏに対して回転対称（等間隔配置）に設けられていてもよい。この場合でも、反射膜設置面５１２Ａと重なる領域に粗膜部が形成されないので、フィルター平面視において、反射膜設置面５１２Ａと重なる領域（フィルター中心点Ｏから半径Ｒ１の領域）を有効領域として設定することができる。また、上記実施形態に比べて、反射膜同士が接触するリスクは増大するが、固定反射膜５４全体が同一平面上に設けられる構成に比べて、そのリスクを低減できる。
また、可動反射膜５５が第一対向領域５２１Ｂ内に設けられる構成としてもよい。この場合、可動反射膜５５に形成される粗膜部の凹凸が固定反射膜５４に接触する可能性があるが、この粗膜部に対向する領域に、固定反射膜５４の粗膜部が形成される可能性が低い。したがって、反射膜５４，５５のうち、対向する基板側に突出する粗膜部の凸部がそれぞれ異なる位置に設けられることになり、反射膜同士の接触を抑制できる。
【００７６】
また、本発明の電子機器として、上記各実施形態では、分光測定装置１を例示したが、その他、様々な分野により本発明の波長可変干渉フィルター５、光学モジュール、及び電子機器を適用することができる。
【００７７】
例えば、図１２に示すように、本発明の電子機器を、色を測定するための測色装置に適用することもできる。
図１２は、波長可変干渉フィルター５を備えた測色装置４００の一例を示すブロック図である。
この測色装置４００は、図１２に示すように、検査対象Ａに光を射出する光源装置４１０と、測色センサー４２０（光学モジュール）と、測色装置４００の全体動作を制御する制御装置４３０（制御部）とを備える。そして、この測色装置４００は、光源装置４１０から射出される光を検査対象Ａにて反射させ、反射された検査対象光を測色センサー４２０にて受光し、測色センサー４２０から出力される検出信号に基づいて、検査対象光の色度、すなわち検査対象Ａの色を分析して測定する装置である。
【００７８】
光源装置４１０は、光源４１１、複数のレンズ４１２（図１２には１つのみ記載）を備え、検査対象Ａに対して例えば基準光（例えば、白色光）を射出する。また、複数のレンズ４１２には、コリメーターレンズが含まれてもよく、この場合、光源装置４１０は、光源４１１から射出された基準光をコリメーターレンズにより平行光とし、図示しない投射レンズから検査対象Ａに向かって射出する。なお、本実施形態では、光源装置４１０を備える測色装置４００を例示するが、例えば検査対象Ａが液晶パネルなどの発光部材である場合、光源装置４１０が設けられない構成としてもよい。
【００７９】
測色センサー４２０は、図１２に示すように、波長可変干渉フィルター５と、波長可変干渉フィルター５を透過する光を受光するディテクター１１と、波長可変干渉フィルター５の静電アクチュエーター５６への印加電圧を制御する電圧制御部１５とを備える。なお、波長可変干渉フィルター５の代わりに、光学フィルターデバイス６００を用いてもよい。また、測色センサー４２０は、波長可変干渉フィルター５に対向する位置に、検査対象Ａで反射された反射光（検査対象光）を、内部に導光する図示しない入射光学レンズを備えている。そして、この測色センサー４２０は、波長可変干渉フィルター５により、入射光学レンズから入射した検査対象光のうち、所定波長の光を分光し、分光した光をディテクター１１にて受光する。
【００８０】
制御装置４３０は、本発明の制御部であり、測色装置４００の全体動作を制御する。
この制御装置４３０としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや、携帯情報端末、その他、測色専用コンピューターなどを用いることができる。そして、制御装置４３０は、図１２に示すように、光源制御部４３１、測色センサー制御部４３２、及び測色処理部４３３などを備えて構成されている。
光源制御部４３１は、光源装置４１０に接続され、例えば利用者の設定入力に基づいて、光源装置４１０に所定の制御信号を出力して、所定の明るさの白色光を射出させる。
測色センサー制御部４３２は、測色センサー４２０に接続され、例えば利用者の設定入力に基づいて、測色センサー４２０にて受光させる光の波長を設定し、この波長の光の受光量を検出する旨の指令信号を測色センサー４２０に出力する。これにより、測色センサー４２０の電圧制御部１５は、制御信号に基づいて、静電アクチュエーター５６に電圧を印加し、波長可変干渉フィルター５を駆動させる。
測色処理部４３３は、ディテクター１１により検出された受光量から、検査対象Ａの色度を分析する。また、測色処理部４３３は、上記第一と同様、ディテクター１１により得られた光量を計測スペクトルＤとして、推定行列Ｍｓを用いて分光スペクトルＳを推算することで検査対象Ａの色度を分析してもよい。
【００８１】
また、本発明の電子機器の他の例として、特定物質の存在を検出するための光ベースのシステムが挙げられる。このようなシステムとしては、例えば、本発明の波長可変干渉フィルター５を用いた分光計測方式を採用して特定ガスを高感度検出する車載用ガス漏れ検出器や、呼気検査用の光音響希ガス検出器等のガス検出装置を例示できる。
このようなガス検出装置の一例を以下に図面に基づいて説明する。
【００８２】
図１３は、波長可変干渉フィルター５を備えたガス検出装置の一例を示す概略図である。
図１４は、図１３のガス検出装置の制御系の構成を示すブロック図である。
このガス検出装置１００は、図１３に示すように、センサーチップ１１０と、吸引口１２０Ａ、吸引流路１２０Ｂ、排出流路１２０Ｃ、及び排出口１２０Ｄを備えた流路１２０と、本体部１３０と、を備えて構成されている。
本体部１３０は、流路１２０を着脱可能な開口を有するセンサー部カバー１３１、排出手段１３３、筐体１３４、光学部１３５、フィルター１３６、波長可変干渉フィルター５、及び受光素子１３７（検出部）等を含む検出装置と、検出された信号を処理し、検出部を制御する制御部１３８、電力を供給する電力供給部１３９等から構成されている。なお、波長可変干渉フィルター５の代わりに、光学フィルターデバイス６００を用いてもよい。また、光学部１３５は、光を射出する光源１３５Ａと、光源１３５Ａから入射された光をセンサーチップ１１０側に反射し、センサーチップ側から入射された光を受光素子１３７側に透過するビームスプリッター１３５Ｂと、レンズ１３５Ｃ，１３５Ｄ，１３５Ｅと、により構成されている。
また、図１４に示すように、ガス検出装置１００の表面には、操作パネル１４０、表示部１４１、外部とのインターフェイスのための接続部１４２、電力供給部１３９が設けられている。電力供給部１３９が二次電池の場合には、充電のための接続部１４３を備えてもよい。
さらに、ガス検出装置１００の制御部１３８は、図１４に示すように、ＣＰＵ等により構成された信号処理部１４４、光源１３５Ａを制御するための光源ドライバー回路１４５、波長可変干渉フィルター５を制御するための電圧制御部１４６、受光素子１３７からの信号を受信する受光回路１４７、センサーチップ１１０のコードを読み取り、センサーチップ１１０の有無を検出するセンサーチップ検出器１４８からの信号を受信するセンサーチップ検出回路１４９、及び排出手段１３３を制御する排出ドライバー回路１５０などを備えている。また、ガス検出装置１００には、Ｖ−λデータを記憶する記憶部（図示略）を備える。
【００８３】
次に、上記のようなガス検出装置１００の動作について、以下に説明する。
本体部１３０の上部のセンサー部カバー１３１の内部には、センサーチップ検出器１４８が設けられており、このセンサーチップ検出器１４８でセンサーチップ１１０の有無が検出される。信号処理部１４４は、センサーチップ検出器１４８からの検出信号を検出すると、センサーチップ１１０が装着された状態であると判断し、表示部１４１へ検出動作を実施可能な旨を表示させる表示信号を出す。
【００８４】
そして、例えば利用者により操作パネル１４０が操作され、操作パネル１４０から検出処理を開始する旨の指示信号が信号処理部１４４へ出力されると、まず、信号処理部１４４は、光源ドライバー回路１４５に光源作動の信号を出力して光源１３５Ａを作動させる。光源１３５Ａが駆動されると、光源１３５Ａから単一波長で直線偏光の安定したレーザー光が射出される。また、光源１３５Ａには、温度センサーや光量センサーが内蔵されており、その情報が信号処理部１４４へ出力される。そして、信号処理部１４４は、光源１３５Ａから入力された温度や光量に基づいて、光源１３５Ａが安定動作していると判断すると、排出ドライバー回路１５０を制御して排出手段１３３を作動させる。これにより、検出すべき標的物質（ガス分子）を含んだ気体試料が、吸引口１２０Ａから、吸引流路１２０Ｂ、センサーチップ１１０内、排出流路１２０Ｃ、排出口１２０Ｄへと誘導される。なお、吸引口１２０Ａには、除塵フィルター１２０Ａ１が設けられ、比較的大きい粉塵や一部の水蒸気などが除去される。
【００８５】
また、センサーチップ１１０は、金属ナノ構造体が複数組み込まれ、局在表面プラズモン共鳴を利用したセンサーである。このようなセンサーチップ１１０では、レーザー光により金属ナノ構造体間で増強電場が形成され、この増強電場内にガス分子が入り込むと、分子振動の情報を含んだラマン散乱光、及びレイリー散乱光が発生する。
これらのレイリー散乱光やラマン散乱光は、光学部１３５を通ってフィルター１３６に入射し、フィルター１３６によりレイリー散乱光が分離され、ラマン散乱光が波長可変干渉フィルター５に入射する。そして、信号処理部１４４は、電圧制御部１４６に対して制御信号を出力する。これにより、電圧制御部１４６は、上記第一実施形態に示すように、記憶部から測定対象波長に対応する電圧値を読み込み、その電圧を波長可変干渉フィルター５の静電アクチュエーター５６に印加し、検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光を波長可変干渉フィルター５で分光させる。この後、分光した光が受光素子１３７で受光されると、受光量に応じた受光信号が受光回路１４７を介して信号処理部１４４に出力される。この場合、波長可変干渉フィルター５から目的とするラマン散乱光を精度よく取り出すことができる。
信号処理部１４４は、上記のようにして得られた検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光のスペクトルデータと、ＲＯＭに格納されているデータとを比較し、目的のガス分子か否かを判定し、物質の特定をする。また、信号処理部１４４は、表示部１４１にその結果情報を表示させたり、接続部１４２から外部へ出力したりする。
【００８６】
なお、上記図１３及び図１４において、ラマン散乱光を波長可変干渉フィルター５により分光して分光されたラマン散乱光からガス検出を行うガス検出装置１００を例示したが、ガス検出装置として、ガス固有の吸光度を検出することでガス種別を特定するガス検出装置として用いてもよい。この場合、センサー内部にガスを流入させ、入射光のうちガスにて吸収された光を検出するガスセンサーを本発明の光学モジュールとして用いる。そして、このようなガスセンサーによりセンサー内に流入されたガスを分析、判別するガス検出装置を本発明の電子機器とする。このような構成でも、波長可変干渉フィルター５を用いてガスの成分を検出することができる。
【００８７】
また、特定物質の存在を検出するためのシステムとして、上記のようなガスの検出に限られず、近赤外線分光による糖類の非侵襲的測定装置や、食物や生体、鉱物等の情報の非侵襲的測定装置等の、物質成分分析装置を例示できる。
以下に、上記物質成分分析装置の一例として、食物分析装置を説明する。
【００８８】
図１５は、波長可変干渉フィルター５を利用した電子機器の一例である食物分析装置の概略構成を示す図である。
この食物分析装置２００は、図１５に示すように、検出器２１０（光学モジュール）と、制御部２２０と、表示部２３０と、を備えている。検出器２１０は、光を射出する光源２１１と、測定対象物からの光が導入される撮像レンズ２１２と、撮像レンズ２１２から導入された光を分光する波長可変干渉フィルター５と、分光された光を検出する撮像部２１３（検出部）と、を備えている。なお、波長可変干渉フィルター５の代わりに、光学フィルターデバイス６００を用いてもよい。
また、制御部２２０は、光源２１１の点灯・消灯制御、点灯時の明るさ制御を実施する光源制御部２２１と、波長可変干渉フィルター５を制御する電圧制御部２２２と、撮像部２１３を制御し、撮像部２１３で撮像された分光画像を取得する検出制御部２２３と、信号処理部２２４と、記憶部２２５と、を備えている。
【００８９】
この食物分析装置２００は、システムを駆動させると、光源制御部２２１により光源２１１が制御されて、光源２１１から測定対象物に光が照射される。そして、測定対象物で反射された光は、撮像レンズ２１２を通って波長可変干渉フィルター５に入射する。波長可変干渉フィルター５は電圧制御部２２２の制御により、波長可変干渉フィルター５が駆動される。これにより、波長可変干渉フィルター５から精度よく目的波長の光を取り出すことができる。そして、取り出された光は、例えばＣＣＤカメラ等により構成される撮像部２１３で撮像される。また、撮像された光は分光画像として、記憶部２２５に蓄積される。また、信号処理部２２４は、電圧制御部２２２を制御して波長可変干渉フィルター５に印加する電圧値を変化させ、各波長に対する分光画像を取得する。
【００９０】
そして、信号処理部２２４は、記憶部２２５に蓄積された各画像における各画素のデータを演算処理し、各画素におけるスペクトルを求める。また、記憶部２２５には、例えばスペクトルに対する食物の成分に関する情報が記憶されており、信号処理部２２４は、求めたスペクトルのデータを、記憶部２２５に記憶された食物に関する情報を基に分析し、検出対象に含まれる食物成分、及びその含有量を求める。また、得られた食物成分及び含有量から、食物カロリーや鮮度等をも算出することができる。さらに、画像内のスペクトル分布を分析することで、検査対象の食物の中で鮮度が低下している部分の抽出等をも実施することができ、さらには、食物内に含まれる異物等の検出をも実施することができる。
そして、信号処理部２２４は、上述のようにして得られた検査対象の食物の成分や含有量、カロリーや鮮度等の情報を表示部２３０に表示させる処理をする。
【００９１】
また、図１５において、食物分析装置２００の例を示すが、略同様の構成により、上述したようなその他の情報の非侵襲的測定装置としても利用することができる。例えば、血液等の体液成分の測定、分析等、生体成分を分析する生体分析装置として用いることができる。このような生体分析装置としては、例えば血液等の体液成分を測定する装置として、エチルアルコールを検知する装置とすれば、運転者の飲酒状態を検出する酒気帯び運転防止装置として用いることができる。また、このような生体分析装置を備えた電子内視鏡システムとしても用いることができる。
さらには、鉱物の成分分析を実施する鉱物分析装置としても用いることができる。
【００９２】
さらには、本発明の波長可変干渉フィルター、光学モジュール、電子機器としては、以下のような装置に適用することができる。
例えば、各波長の光の強度を経時的に変化させることで、各波長の光でデータを伝送させることも可能であり、この場合、光学モジュールに設けられた波長可変干渉フィルター５により特定波長の光を分光し、受光部で受光させることで、特定波長の光により伝送されるデータを抽出することができ、このようなデータ抽出用光学モジュールを備えた電子機器により、各波長の光のデータを処理することで、光通信を実施することもできる。
【００９３】
また、電子機器としては、本発明の波長可変干渉フィルターにより光を分光することで、分光画像を撮像する分光カメラ、分光分析機などにも適用できる。このような分光カメラの一例として、波長可変干渉フィルター５を内蔵した赤外線カメラが挙げられる。
図１６は、分光カメラの概略構成を示す模式図である。分光カメラ３００は、図１６に示すように、カメラ本体３１０と、撮像レンズユニット３２０と、撮像部３３０（検出部）とを備えている。
カメラ本体３１０は、利用者により把持、操作される部分である。
撮像レンズユニット３２０は、カメラ本体３１０に設けられ、入射した画像光を撮像部３３０に導光する。また、この撮像レンズユニット３２０は、図１６に示すように、対物レンズ３２１、結像レンズ３２２、及びこれらのレンズ間に設けられた波長可変干渉フィルター５を備えて構成されている。
撮像部３３０は、受光素子により構成され、撮像レンズユニット３２０により導光された画像光を撮像する。
このような分光カメラ３００では、波長可変干渉フィルター５により撮像対象となる波長の光を透過させることで、所望波長の光の分光画像を撮像することができる。
【００９４】
さらには、本発明の波長可変干渉フィルターをバンドパスフィルターとして用いてもよく、例えば、発光素子が射出する所定波長域の光のうち、所定の波長を中心とした狭帯域の光のみを波長可変干渉フィルター５で分光して透過させる光学式レーザー装置としても用いることができる。
また、本発明の波長可変干渉フィルターを生体認証装置として用いてもよく、例えば、近赤外領域や可視領域の光を用いた、血管や指紋、網膜、虹彩などの認証装置にも適用できる。
【００９５】
さらには、光学モジュール及び電子機器を、濃度検出装置として用いることができる。この場合、波長可変干渉フィルター５により、物質から射出された赤外エネルギー（赤外光）を分光して分析し、サンプル中の被検体濃度を測定する。
【００９６】
上記に示すように、本発明の波長可変干渉フィルター、光学モジュール、及び電子機器は、入射光から所定の光を分光するいかなる装置にも適用することができる。そして、本発明の波長可変干渉フィルターは、上述のように、１デバイスで複数の波長を分光させることができるため、複数の波長のスペクトルの測定、複数の成分に対する検出を精度よく実施することができる。したがって、複数デバイスにより所望の波長を取り出す従来の装置に比べて、光学モジュールや電子機器の小型化を促進でき、例えば、携帯用や車載用の光学デバイスとして好適に用いることができる。
【００９７】
その他、本発明の実施の際の具体的な構造は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造等に適宜変更できる。
【符号の説明】
【００９８】
１…分光測定装置（電子機器）、５…波長可変干渉フィルター、１０…光学モジュール、１１…ディテクター（検出部）、２０…制御部、５１…固定基板（第一基板）、５２…可動基板（第二基板）、５４…固定反射膜（第一反射膜）、５５…可動反射膜（第二反射膜）、１００…ガス検出装置（電子機器）、１３７…受光素子（検出部）、１３８…制御部、２００…食物分析装置（電子機器）、２１３…撮像部（検出部）、２２０…制御部、３００…分光カメラ（電子機器）、３３０…撮像部（検出部）、４００…測色装置（電子機器）、４３０…制御装置（制御部）、５１１…電極配置溝（溝部）、５１１Ａ…電極設置面（平坦部）、５１１Ｂ…曲面部、５１２…反射膜設置部、５１２Ａ…反射膜設置面（第一面）、５２１Ａ…可動面、５２１Ｂ…第一対向領域（第一平面部対向領域）、５２１Ｃ…第二対向領域（曲面部対向領域、溝部対向領域）、５２１Ｄ…第三対向領域（平坦部対向領域、溝部対向領域）、５２２…保持部、５６１…固定電極（第一電極）、５６２…可動電極（第二電極）、Ｇ１…反射膜間ギャップ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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