(57)【要約】      （修正有）【課題】被加工物を処理する減圧室に被加工物を搬入および搬出する際に、減圧室を減圧された状態に維持することができる減圧処理装置の提供。【解決手段】被加工物を処理する第１の減圧室２１と仕切り壁２３によって区画されているとともに仕切り壁に設けられた連通開口２３１を介して連通する第２の減圧室２２とを備えたハウジングと、仕切り壁に設けられた連通開口を開閉するシャッター手段３と、第２の減圧室に連通する被加工物搬入搬出用開口を開閉するゲート手段４と、第１の減圧室に配設され被加工物を保持する被加工物保持手段６と、被加工物保持手段に保持された被加工物に処理を施す処理手段と、第１の減圧室を減圧する第１の減圧手段５１と、第２の減圧室を減圧する第２の減圧手段５２と、第２の減圧室に配設され被加工物を仮置きする仮置き手段８と、仮置き手段と被加工物保持手段との間で被加工物を搬送する被加工物搬送手段９とを具備している。【選択図】図１
2014150109.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧の状態で被加工物を処理する減圧処理装置であって、
被加工物を処理する第１の減圧室と該第１の減圧室と仕切り壁によって区画されているとともに該仕切り壁に設けられた連通開口を介して連通する第２の減圧室とを備えたハウジングと、該仕切り壁に設けられた該連通開口を開閉するシャッター手段と、該ハウジングに形成され該第２の減圧室に連通する被加工物搬入搬出用開口を開閉するゲート手段と、該第１の減圧室に配設され被加工物を保持する被加工物保持手段と、該被加工物保持手段に保持された被加工物に処理を施す処理手段と、該第１の減圧室を減圧する第１の減圧手段と、該第２の減圧室を減圧する第２の減圧手段と、該第２の減圧室に配設され被加工物を仮置きする仮置き手段と、該仮置き手段に載置された被加工物を該仕切り壁に設けられた該連通開口を通して該第１の減圧室に配設された該被加工物保持手段に搬送するとともに該被加工物保持手段に載置された被加工物を該仕切り壁に設けられた該連通開口を通して該仮置き手段に搬送する被加工物搬送手段と、を具備し、
該被加工物保持手段は、被加工物の中央領域を保持する中央保持テーブルと、該中央保持テーブルを昇降する昇降手段を備えており、
該被加工物搬送手段は、被加工物の外周領域を支持する外周支持部材を備えている、
ことを特徴とする減圧処理装置。
【請求項２】
該被加工物搬送手段の該外周支持部材は、該中央保持テーブルより大きい間隔を有し被加工物の外周領域を支持する２本の支持部を備えている、請求項１記載の減圧処理装置。
【請求項３】
該被加工物は環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着された半導体ウエーハであり、該中央保持テーブルは半導体ウエーハの領域を保持し、該外周支持部材の該２本の支持部は環状のフレームの領域を支持する、請求項２記載の減圧処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエーハ等の被加工物に対して減圧状態でプラズマ処理等の加工処理を施す減圧処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に形成されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。なお、半導体ウエーハは個々のデバイスに分割される前にその裏面を研削装置によって研削して所定の厚さに形成されている。
【０００３】
しかるに、上述したようにウエーハの裏面を研削すると、ウエーハの裏面に研削歪が残存し、分割されたデバイスの抗折強度が低下するという問題がある。
このような問題を解消するために、ウエーハの裏面にプラズマエッチングを施すことによって、ウエーハの裏面に生成された研削歪を除去し、デバイスの抗折強度を向上させる技術が提案されている。（例えば、特許文献１参照）
【０００４】
また、上述したウエーハのストリートに沿った切断は、通常、ダイサーと呼ばれる切削装置によって行われている。この切削装置は、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削ブレードを備えた切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる加工送り手段とを具備し、切削ブレードを回転しつつ被加工物を保持したチャックテーブルを加工送りすることにより，ウエーハを分割予定ラインに沿って切断する。
【０００５】
上述した切削装置の切削ブレードによってウエーハを切断すると、分割された個々のデバイスの側面に切削歪が残存し、デバイスの抗折強度を低下させる原因となっている。このような問題を解消するために、ウエーハを個々のデバイスに分割した後にデバイスの裏面および側面にプラズマエッチングを施すことによって、デバイスの裏面および側面に生成された研削歪および切削歪を除去し、デバイスの抗折強度を向上させる技術が提案されている。（例えば、特許文献２参照）
【０００６】
上述したプラズマエッチングを施すプラズマエッチング装置は、プラズマ処理室である減圧室を形成するハウジングと、減圧室に配設され上面に被加工物を保持する被加工物保持部を備えた下部電極と、該下部電極の該被加工物保持部と対向して配設され該被加工物保持部に向けてプラズマ発生用ガスを噴出する複数の噴出口を有するガス噴出部を備えた上部電極と、上記ハウジングに形成された被加工物搬入搬出用の開口を開閉するゲートとを具備している。（例えば、特許文献３参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−２２１１７５号公報
【特許文献２】特開２００５−２５２１２６号公報
【特許文献３】特開２００８−２８０２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
而して、上述したプラズマエッチング装置は、被加工物を下部電極の被加工物保持部に搬入する際にゲートを開けるため、減圧室は大気圧となる。一方、下部電極の被加工物保持部に保持された被加工物にプラズマエッチングを施すには減圧室を減圧する必要がある。しかるに、被加工物を搬入する際に大気圧となった減圧室を例えば２０Pa以下に減圧するには相当に時間を要し、生産性が悪いという問題がある。
【０００９】
本発明は上記事実に鑑みてなされたもので、その主たる技術課題は、被加工物を処理する減圧室に被加工物を搬入および搬出する際に、減圧室を減圧された状態に維持することができる減圧処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記主たる技術課題を解決するために、本発明によれば、減圧の状態で被加工物を処理する減圧処理装置であって、
被加工物を処理する第１の減圧室と該第１の減圧室と仕切り壁によって区画されているとともに該仕切り壁に設けられた連通開口を介して連通する第２の減圧室とを備えたハウジングと、該仕切り壁に設けられた該連通開口を開閉するシャッター手段と、該ハウジングに形成され該第２の減圧室に連通する被加工物搬入搬出用開口を開閉するゲート手段と、該第１の減圧室に配設され被加工物を保持する被加工物保持手段と、該被加工物保持手段に保持された被加工物に処理を施す処理手段と、該第１の減圧室を減圧する第１の減圧手段と、該第２の減圧室を減圧する第２の減圧手段と、該第２の減圧室に配設され被加工物を仮置きする仮置き手段と、該仮置き手段に載置された被加工物を該仕切り壁に設けられた該連通開口を通して該第１の減圧室に配設された該被加工物保持手段に搬送するとともに該被加工物保持手段に載置された被加工物を該仕切り壁に設けられた該連通開口を通して該仮置き手段に搬送する被加工物搬送手段と、を具備し、
該被加工物保持手段は、被加工物の中央領域を保持する中央保持テーブルと、該中央保持テーブルを昇降する昇降手段を備えており、
該被加工物搬送手段は、被加工物の外周領域を支持する外周支持部材を備えている、
ことを特徴とする減圧処理装置が提供される。
【００１１】
上記被加工物搬送手段の外周支持部材は、中央保持テーブルより大きい間隔を有し被加工物の外周領域を支持する２本の支持部を備えている。
また、被加工物は環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着された半導体ウエーハであり、中央保持テーブルは半導体ウエーハの領域を保持し、外周支持部材の２本の支持部は環状のフレームの領域を支持する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明による減圧処理装置においては、被加工物を処理する第１の減圧室と第１の減圧室と仕切り壁によって区画されているとともに仕切り壁に設けられた連通開口を介して連通する第２の減圧室とを備えたハウジングと、仕切り壁に設けられた連通開口を開閉するシャッター手段と、ハウジングに形成され第２の減圧室に連通する被加工物搬入搬出用開口を開閉するゲート手段と、第１の減圧室に配設され被加工物を保持する被加工物保持手段と、被加工物保持手段に保持された被加工物に処理を施す処理手段と、第１の減圧室を減圧する第１の減圧手段と、第２の減圧室を減圧する第２の減圧手段と、第２の減圧室に配設され被加工物を仮置きする仮置き手段と、仮置き手段に載置された被加工物を仕切り壁に設けられた連通開口を通して第１の減圧室に配設された被加工物保持手段に搬送するとともに被加工物保持手段に載置された被加工物を仕切り壁に設けられた連通開口を通して仮置き手段に搬送する被加工物搬送手段とを具備し、第１の減圧室に配設された被加工物保持手段は被加工物の中央領域を保持する中央保持テーブルと該中央保持テーブルを昇降する昇降手段とを具備しており、被加工物搬送手段は被加工物の外周領域を支持する外周支持部材を備えているので、被加工物を処理する第１の減圧室に被加工物を搬入および搬出する際に第１の減圧室は減圧された状態が維持されているため、直ちに加工処理を実施することができ生産性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に従って構成された減圧処理装置としてのプラズマエッチング装置の断面図。
【図２】図１に示すプラズマエッチング装置を構成する被加工物保持手段の要部斜視図。
【図３】図２に示す被加工物保持手段の断面図。
【図４】図１に示すプラズマエッチング装置を構成する被加工物搬送手段の斜視図。
【図５】被加工物である半導体ウエーハを環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着した状態を示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明によって構成された減圧処理装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１５】
図１には、本発明によって構成された減圧処理装置としてのプラズマエッチング装置の断面図が示されている。
図示の実施形態における減圧処理装置としてのプラズマエッチング装置は、被加工物をプラズマ処理するための第１の減圧室２１と、被加工物を仮置きするための第２の減圧室２２を備えたハウジング２を具備している。このハウジング２に形成された第１の減圧室２１と第２の減圧室２２は、仕切り壁２３によって区画されているとともに該仕切り壁２３に設けられた連通開口２３１を介して連通されている。また、ハウジング２における第２の減圧室２２を形成する側壁２２１には、第２の減圧室２２に連通する被加工物搬入搬出用開口２２１aが設けられている。なお、第２の減圧室２２は、第１の減圧室２１の容積より小さい容積に形成されていることが望ましい。
【００１６】
図示の実施形態におけるプラズマエッチング装置は、上記仕切り壁２３に設けられた連通開口２３１を開閉するためのシャッター手段３を備えている。シャッター手段３は、仕切り壁２３の第２の減圧室２２側に仕切り壁２３に沿って上下方向に移動可能に配設されたシャッター３１と、該シャッター３１を上下方向に作動するシャッター作動手段３２とからなっている。シャッター作動手段３２は、エアシリンダ３２１と該エアシリンダ３２１内に配設された図示しないピストンに連結されたピストンロッド３２２とからなっており、エアシリンダ３２１が上記ハウジング２の第１の減圧室２１を形成する上壁２１１に取り付けられ、ピストンロッド３２２の先端（図１において下端）が上記シャッター３１に連結されている。このように構成されたシャッター手段３は、シャッター作動手段３２によってシャッター３１を上方に移動して図１において実線で示す開位置に位置付けることにより、仕切り壁２３に設けられた連通開口２３１を開放し第１の減圧室２１と第２の減圧室２２とが連通せしめられる。一方、シャッター手段３は、シャッター作動手段３２によってシャッター３１を下方に移動して図１において２点鎖線で示す閉位置に位置付けることにより、仕切り壁２３に設けられた連通開口２３１を閉止し第１の減圧室２１と第２の減圧室２２との連通が遮断せしめられる。
【００１７】
また、図示の実施形態におけるプラズマエッチング装置は、上記ハウジング２における第２の減圧室２２を形成する側壁２２１に設けられた被加工物搬入搬出用開口２２１aを開閉するためのゲート手段４を備えている。ゲート手段４は、ハウジング２における第２の減圧室２２を形成する側壁２２１に沿って上下方向に移動可能に配設されたゲート４１と、該ゲート４１を上下方向に作動するゲート作動手段４２とからなっている。ゲート作動手段４２は、エアシリンダ４２１と該エアシリンダ４２１内に配設された図示しないピストンに連結されたピストンロッド４２２とからなっており、エアシリンダ４２１が上記ハウジング２における第２の減圧室２２を形成する上壁２２２に取り付けられ、ピストンロッド４２２の先端（図１において下端）が上記ゲート４１に連結されている。このように構成されたゲート手段４は、ゲート作動手段４２によってゲート４１を上方に移動して図１において実線で示す開位置に位置付けることにより、側壁２２１に設けられた被加工物搬入搬出用開口２２１aを開放し、ゲート作動手段４２によってゲート４１を下方に移動して図１において２点鎖線で示す閉位置に位置付けることにより、側壁２２１に設けられた被加工物搬入搬出用開口２２１aを閉止する。
【００１８】
上記のようにしてハウジング２に形成された第１の減圧室２１は第１の減圧手段５１に連通され、第２の減圧室２２は第２の減圧手段５２に連通される。従って、第１の減圧手段５１を作動することにより第１の減圧室２１が減圧され、第２の減圧手段５２を作動することにより第２の減圧室２２が減圧される。
【００１９】
上記ハウジング２の第１の減圧室２１には、被加工物を保持するための被加工物保持手段６が配設されている。被加工物保持手段６は、保持基台６１と、該保持基台６１の中央部に配設された中央保持テーブル６２と、該中央保持テーブル６２を昇降する昇降手段６３とを具備している。この被加工物保持手段６について、図２および図３を参照して説明する。被加工物保持手段６を構成する保持基台６１は、図示の実施形態においてはセラミック材からなり、中央部に中央保持テーブル６２を収容する円形凹部６１１を備えており、ハウジング２における第１の減圧室２１を形成する底壁２１２上に配設される。この保持基台６１には、図３に示すように電力が印加されることにより電荷を発生する電極６１２が配設されている。この電極６１２は、直流電圧印加手段６１３に接続されている。このように構成された保持基台６１は、直流電圧印加手段６１３によって電極６１２に直流電圧を印加することにより、被加工物との間に働くクーロン力によって被加工物を吸引保持する静電チャックとして機能する。
【００２０】
被加工物保持手段６を構成する中央保持テーブル６２は、図示の実施形態においてはセラミック材からなり、上記保持基台６１に形成された円形凹部６１１の直径より僅かに小さい直径を有し、円形凹部６１１の深さと略同一の厚みに形成されている。上記昇降手段６３は、３個のエアシリンダ機構６３１、６３１、６３１を備えている。３個のエアシリンダ機構６３１、６３１、６３１は、それぞれエアシリンダ６３１aと該エアシリンダ６３１a内に配設された図示しないピストンに連結されたピストンロッド６３１ｂとからなっており、エアシリンダ６３１aが上記ハウジング２における第１の減圧室２１を形成する底壁２１２に取り付けられ、ピストンロッド６３１ｂが底壁２１２および保持基台６１に設けられた連通孔を挿通して配設され、その先端（上端）が上記保持テーブル６２の下面に連結されている。このように構成された３個のエアシリンダ機構６３１、６３１、６３１は、エアシリンダ６３１aの作動室が電磁３方向弁６３２を介して吸引源６３３に連通されている。このように構成された昇降手段６３は、エアシリンダ６３１aの作動室が電磁３方向弁６３２を介して大気に開放されている場合には、第１の減圧室２１が減圧されている状態ではピストンロッド６３１ｂが押し上げられて保持テーブル６２を着脱位置（図２において実線で示す位置、図１および図３において２点鎖線で示す位置）に位置付ける。一方、昇降手段６３は、エアシリンダ６３１aの作動室が電磁３方向弁６３２を介して吸引源６３３に連通されている場合には、第１の減圧室２1が減圧されている状態ではピストンロッド６３１ｂが押し下げられて中央保持テーブル６２を加工位置（図３において実線で示す位置）に位置付ける。
【００２１】
また、図示の実施形態におけるプラズマエッチング装置は、ハウジング２の第１の減圧室２１に配設され被加工物保持手段６に保持された被加工物に処理を施す処理手段としてのプラズマ発生用ガス噴射手段７を備えている。このプラズマ発生用ガス噴射手段７は、被加工物保持手段６の上方に被加工物保持手段６と対向して配設され、例えばＳＦ６、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６等のフッ素系ガスとヘリウム（Ｈｅ）を主体とするプラズマ発生用の混合ガスを噴射する。
【００２２】
図１を参照して説明を続けると、ハウジング２の第２の減圧室２２における被加工物搬入搬出用開口２２１aに近い領域に被加工物を仮置きする仮置き手段８が配設されている。この仮置き手段８は、ハウジング２の第２の減圧室２２を形成する底壁２２３上に配設された支持基台８１と、該支持基台８１上に設けられた仮置きテーブル８２とからなっている。仮置きテーブル８２は、上記被加工物保持手段６を構成する保持テーブル６２と同一の直径に形成されている。
【００２３】
図示の実施形態におけるプラズマエッチング装置は、ハウジング２の第２の減圧室２２における仮置き手段８と仕切り壁２３との間に配設され被加工物搬送手段９を具備している。この被加工物搬送手段９について、図４を参照して説明する。被加工物搬送手段９は、後述する被加工物の外周部を支持する２本の支持部９１１、９１１を備えた外周支持部材９１と、該外周支持部材９１を所定位置に搬送する搬送移動機構９２とを具備している。外周支持部材９１は、薄板材によって２本の支持部９１１、９１１がフォーク状に形成されている。この外周支持部材９１を構成する２本の支持部９１１、９１１の間隔は、上記保持テーブル６２の直径より大きい間隔に設定されている。上記搬送移動機構９２は、外周支持部材９１を支持するアーム機構９３と該アーム機構９３を上下方向に移動する昇降機構９４およびアーム機構９３を旋回せしめる旋回機構９５を具備している。アーム機構９３は、第１のアーム９３１と第２のアーム９３２とからなっており、第２のアーム９３２に上記外周支持部材９１が取付けられる。一方、アーム機構９３を構成する第１のアーム９３１は、ケース９６に回転可能でかつ上下方向に移動可能に支持された作動軸９７に取り付けられる。この作動軸９７は、昇降機構９４および旋回機構９５によって上下方向に作動せしめられるとともに、旋回動せしめられる。昇降機構９４は、正転・逆転可能な電動モータおよび該電動モータによって駆動されるスクリュー機構を含んでおり、電動モータを正転駆動すると作動軸９７を上昇せしめ、電動モータを逆転駆動すると作動軸９７を下降せしめる。旋回手段９５は、正転・逆転可能な電動モータおよび該電動モータによって駆動される駆動機構を含んでおり、電動モータを正転駆動すると作動軸９７を一方向に回動せしめ、電動モータを逆転駆動すると作動軸９７を他方向に回動せしめる。
【００２４】
図示の実施形態におけるプラズマエッチング装置は以上のように構成されており、以下、被加工物としての半導体ウエーハの裏面にプラズマエッチングする例について説明する。
ここで、被加工物としての半導体ウエーハについて、図５を参照して説明する。図５に示す半導体ウエーハ１０は、円板状のシリコンウエーハからなっており、表面１０ａには格子状のストリート１０１が形成されており、この格子状のストリート１０１によって区画された複数の領域にデバイス１０２が形成されている。このように構成された半導体ウエーハ１０は、裏面が研削されて所定の厚さ（例えば、１００μm）に形成されており、環状のフレームFの内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープTの表面に表面１０ａを貼着する。従って、ダイシングテープTの表面に貼着された導体ウエーハ１０は、裏面１０bが上側となる。なお、本願明細書においては、環状のフレームFをダイシングテープTおよび半導体ウエーハ１０を被加工物Wとして説明する。
【００２５】
上記被加工物Wの半導体ウエーハ１０にプラズマエッチングを施すには、シャッター手段３のシャッター３１を図１において実線で示す開位置に位置付けるとともに、ゲート手段４のゲート４１を図１において実線で示す開位置に位置付ける。そして、図示しない被加工物搬入・搬出手段によって被加工物Wを被加工物搬入搬出用開口２２１aを通して第２の減圧室２２に搬入し、被加工物Wにおける中央領域としての半導体ウエーハ１０の領域を仮置き手段８の仮置きテーブル８２上に載置する。このようにして被加工物Wを仮置き手段８に搬送したならば、ゲート手段４のゲート４１を図１において２点鎖線で示す閉位置に位置付ける。
【００２６】
次に、被加工物搬送手段９の搬送移動機構９２を作動して外周支持部材９１を構成する２本の支持部９１１、９１１を仮置き手段８の仮置きテーブル８２上に載置された被加工物Wの下側に挿入して上方に移動することにより、２本の支持部９１１、９１１上に被加工物Wにおける外周領域としての環状のフレームFを支持する。そして、外周支持部材９１の２本の支持部９１１、９１１上に支持された被加工物Wを仕切り壁２３に設けられた連通開口２３１を通して第１の減圧室２１に搬入し、被加工物保持手段６の中央保持テーブル６２上に被加工物Wにおける中央領域としての半導体ウエーハ１０の領域を載置する。このようにして被加工物Wを被加工物保持手段６の中央保持テーブル６２上に搬送したならば、被加工物搬送手段９を図１に示す位置に戻すとともに、シャッター手段３のシャッター３１を図１において２点鎖線で示す閉位置に位置付ける。そして、被加工物保持手段６の昇降手段６３を作動して中央保持テーブル６２を加工位置（図３において実線で示す位置）に位置付けるとともに、直流電圧印加手段６１３を作動して電極６１２に直流電圧を印加することにより静電チャックとして機能せしめ、被加工物Wをクーロン力によって吸引保持する。
【００２７】
上述したように被加工物保持手段６によって被加工物Wをクーロン力によって吸引保持したならば、被加工物保持手段６に保持された被加工物に処理を施す処理手段としてのプラズマ発生用ガス噴射手段７を作動してプラズマ発生用の混合ガスを被加工物保持手段６に保持された被加工物Wの上面である裏面１０bに向けて噴射しつつ、第１の減圧手段５1を作動して第１の減圧室２１を例えば２０Pa程度まで減圧する。そして、被加工物保持手段６とプラズマ発生用ガス噴射手段７に高周波電力を印加する。この結果、被加工物保持手段６とプラズマ発生用ガス噴射手段７との間の空間にプラズマが発生し、このプラズマにより生じる活性物質が半導体ウエーハ１０の裏面１０b（上面）に作用するので、裏面１０bがエッチングされ裏面１０bに残存している研削歪が除去される（プラズマエッチング工程）。
【００２８】
上述したプラズマエッチング工程を実施したならば、エッチング処理された被加工物Wとしての半導体ウエーハ１０を被加工物保持手段６から搬出する。なお、上記プラズマエッチング工程を実施している際に、第２の減圧手段５２を作動して第２の減圧室２２を減圧しておく。エッチング処理された被加工物Wとしての半導体ウエーハ１０を被加工物保持手段６から搬出するには、直流電圧印加手段６１３による電極６１２への電圧印加を解除するとともに、昇降手段６３の電磁３方向弁６３２を作動してエアシリンダ６３１aの作動室を大気に開放する。この結果、エアシリンダ６３１aの作動室に大気が流入し、第１の減圧室２１が減圧されている状態であるためピストンロッド６３１ｂが押し上げられて被加工物Wにおける中央領域としての半導体ウエーハ１０が載置されている中央保持テーブル６２を着脱位置（図２において実線で示す位置、図１および図３において２点鎖線で示す位置）に位置付ける。
【００２９】
次に、シャッター手段３のシャッター作動手段３２を作動しシャッター３１を上方に移動して図１において実線で示す開位置に位置付けることにより、仕切り壁２３に設けられた連通開口２３１を開放し第１の減圧室２１と第２の減圧室２２とを連通せしめる。このようにして仕切り壁２３に設けられた連通開口２３１を開放したならば、被加工物搬送手段９の搬送移動機構９２を作動して外周支持部材９１を第１の減圧室２１から連通開口２３１を通して第１の減圧室２１に移動し、外周支持部材９１を構成する２本の支持部９１１、９１１を被加工物保持手段６の中央保持テーブル６２に載置されているエッチング処理された被加工物Wの下側に挿入して上方に移動することにより、２本の支持部９１１、９１１上に被加工物Wにおける外周領域としての環状のフレームFを支持する。そして、外周支持部材９１の２本の支持部９１１、９１１上に支持された被加工物Wを仕切り壁２３に設けられた連通開口２３１を通して第２の減圧室２２に搬入し、被加工物Wにおける中央領域としての半導体ウエーハ１０の領域を仮置き手段８の仮置きテーブル８２上に載置する。このようにしてエッチング処理された被加工物Wを仮置き手段８の仮置きテーブル８２に搬送した被加工物搬送手段９の外周支持部材９１は、図１に示す位置に戻される。なお、エッチング処理された被加工物Wを第１の減圧室２１から第２の減圧室２２へ搬出する際には、仕切り壁２３に設けられた連通開口２３１が解放されるが、第２の減圧室２２が上述したように減圧されているので、第１の減圧室２１が大気圧になることはない。
【００３０】
上述したようにエッチング処理された被加工物Wを仮置き手段８の仮置きテーブル８２上に載置したならば、シャッター手段３のシャッター３１を図１において２点鎖線で示す閉位置に位置付ける。そして、ゲート手段４のゲート４１を図１において実線で示す開位置に位置付ける。この結果、第２の減圧室２２は大気圧になるが、シャッター手段３のシャッター３１を図１において２点鎖線で示す閉位置に位置付けられているので第１の減圧室２１は減圧された状態が維持される。
【００３１】
次に、図示しない被加工物搬入・搬出手段を被加工物搬入搬出用開口２２１aを通して第２の減圧室２２に侵入せしめ、仮置き手段８の仮置きテーブル８２上に載置されているエッチング処理された被加工物Wを保持し被加工物搬入搬出用開口２２１aを通して搬出する。そして、図示しない被加工物搬入・搬出手段によってエッチング処理前の被加工物Wを被加工物搬入搬出用開口２２１aを通して第２の減圧室２２に搬入し、被加工物Wにおける中央領域としての半導体ウエーハ１０の領域を仮置き手段８の仮置きテーブル８２上に載置する。このようにして被加工物Wを仮置き手段８に搬送したならば、ゲート手段４のゲート４１を図１において２点鎖線で示す閉位置に位置付ける。そして、第２の減圧手段５２を作動して第２の減圧室２２を減圧する。
【００３２】
上述したようにエッチング処理前の被加工物Wが搬入された第２の減圧室２２を減圧したならば、シャッター手段３のシャッター作動手段３２を作動しシャッター３１を上方に移動して図１において実線で示す開位置に位置付けることにより、仕切り壁２３に設けられた連通開口２３１を開放し第１の減圧室２１と第２の減圧室２２とを連通せしめる。このようにして仕切り壁２３に設けられた連通開口２３１を開放したならば、被加工物搬送手段９の搬送移動機構９２を作動して外周支持部材９１を構成する２本の支持部９１１、９１１を仮置き手段８の仮置きテーブル８２上に載置された被加工物Wの下側に挿入して上方に移動することにより、２本の支持部９１１、９１１上に被加工物Wにおける外周領域としての環状のフレームFを支持する。そして、外周支持部材９１の２本の支持部９１１、９１１上に支持された被加工物Wを仕切り壁２３に設けられた連通開口２３１を通して第１の減圧室２１に搬入し、被加工物保持手段６の中央保持テーブル６２上に被加工物Wにおける中央領域としての半導体ウエーハ１０の領域を載置する。このようにしてエッチング処理前の被加工物Wを被加工物保持手段６の中央保持テーブル６２上に搬送したならば、被加工物搬送手段９を図１に示す位置に戻すとともに、シャッター手段３のシャッター３１を図１において２点鎖線で示す閉位置に位置付ける。このようにして被加工物Wを第２の減圧室２２から第１の減圧室２１に搬送する際には、仕切り壁２３に設けられた連通開口２３１が開放されるが、第２の減圧室２２が上述したように減圧されているので、第１の減圧室２１が大気圧になることはない。
【００３３】
次に、加工物保持手段６の中央保持テーブル６２上に載置された被加工物Wを上述したようにクーロン力によって吸引保持し、上述したプラズマエッチング工程を実施する。このプラズマエッチング工程は、第１の減圧室２１を減圧した状態で実施するが、第１の減圧室２１は上述したように減圧状態が維持されているので、直ちにプラズマエッチングである減圧処理を実施することができるため生産性が向上する。以上のようにしてプラズマエッチング工程を実施したならば、エッチング処理された被加工物Wをプラズマエッチング装置から搬出するための上述した各工程を実施する。
【００３４】
以上、本発明をプラズマエッチング装置に適用した例を示したが、本発明は加工室を減圧した状態で被加工物を処理する減圧処理装置に広く適用することができる。
【符号の説明】
【００３５】
２：ハウジング
２１：第１の減圧室
２２：第２の減圧室
２３：仕切り壁
２３１：連通開口
３：シャッター手段
３１：シャッター
３２：シャッター作動手段
４：ゲート手段
４１：ゲート
４２：ゲート作動手段
５１：第１の減圧手段
５２：第２の減圧手段
６：被加工物保持手段
６１：保持基台
６２：保持テーブル
６３：昇降手段
７：プラズマ発生用ガス噴射手段
８：仮置き手段
８１：支持基台
８２：仮置きテーブル
９：被加工物搬送手段
９１：外周支持部材
９２：搬送移動機構
９３：アーム機構
９４：昇降機構
９５：旋回機構
【図１】
2014150109.tif 000003
【図２】
2014150109.tif 000004
【図３】
2014150109.tif 000005
【図４】
2014150109.tif 000006
【図５】
2014150109.tif 000007