(57)【要約】      （修正有）【課題】ＬＥＤ素子等の半導体素子において、保護層の剥がれや割れ防止し、信頼性に優れた半導体素子を提供する。【解決手段】基板１１上に形成された接合層１３と、当該接合層上に形成された素子構造層と、素子構造層の側面から接合層の上面にかけて延在しかつ接合層の上面端部から離間している絶縁性保護層２９と、縁性保護層から露出した接合層の上面から絶縁性保護層の上面にかけて延在している金属酸化物からなる固定保護層と、を有し、固定保護層は、接合層に接して形成されている密着層３１Ａ、及び密着層上に形成されている強化層３１Ｂを含み、密着層は、強化層よりも酸素含有量の少ない金属酸化物からなる。【選択図】図１
2014086575.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された接合層と、
前記接合層上に形成された素子構造層と、
前記素子構造層の側面から前記接合層の上面にかけて延在しかつ前記接合層の上面端部から離間している絶縁性保護層と、
前記絶縁性保護層から露出した前記接合層の上面から前記絶縁性保護層の上面にかけて延在している金属酸化物からなる固定保護層と、を有し、
前記固定保護層は、前記接合層に接して形成されている密着層、及び前記密着層上に形成されている強化層を含み、前記密着層は、前記強化層よりも酸素含有量の少ない金属酸化物からなることを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
前記強化層は、透光性金属酸化物からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項３】
前記固定保護層は前記接合層の上面端部から離間していることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体素子。
【請求項４】
前記密着層は前記接合層の上面にのみ形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１に記載の半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子、特に、発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤ素子を搭載した発光装置が、照明、バックライト、産業機器等に従来から用いられてきた。特許文献１及び２に記載されているようなＬＥＤ素子は、ＧａＡｓ基板またはサファイヤ基板等の成長基板上にＭＯＣＶＤ（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition）法等を用いてＡｌＧａＩｎＰまたはＧａＮ等の半導体層をエピタキシャル成長させ、成長基板上に成長した半導体層を導電性の支持基板に貼り合わせた後、成長基板を除去して製造されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−１００９７４号公報
【特許文献２】特開２０１１−１９２６７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような半導体素子においては、導電性の支持基板の表面に、支持基板と半導体層との貼り合わせに用いられるＡｕ等の接合用金属層が成膜されている。また、半導体素子のリーク等を防止するために、半導体層の側面から接合用金属層の表面にかけてＳｉＯ２等の絶縁性材料からなる保護膜が形成されている。このような半導体素子のダイシング工程における切断においては、保護膜がダイシングの刃に巻き込まれることにより、またはダイシングの刃による振動により、保護膜の剥がれや割れが生じてリーク等の不良が発生していた。
【０００５】
本発明は、上述の点に鑑みてなされたものであり、ＬＥＤ等の半導体素子において、保護層の剥がれや割れ防止し、信頼性に優れた半導体素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の半導体素子は、基板上に形成された接合層と、当該接合層上に形成された素子構造層と、当該素子構造層の側面から当該接合層の上面にかけて延在しかつ当該接合層の上面端部から離間している絶縁性保護層と、当該絶縁性保護層から露出した当該接合層の上面から当該絶縁性保護層の上面にかけて延在している金属酸化物からなる固定保護層と、を有し、当該固定保護層は、当該接合層に接して形成されている密着層、及び当該密着層上に形成されている強化層を含み、当該密着層は、当該強化層よりも酸素含有量の少ない金属酸化物からなることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施例１に係る半導体素子の断面図である。
【図２】図１の断面図の一部拡大図である。
【図３Ａ】図１の半導体素子の製造工程を示す図である。
【図３Ｂ】図１の半導体素子の製造工程を示す図である。
【図３Ｃ】図１の半導体素子の製造工程を示す図である。
【図３Ｄ】図１の半導体素子の製造工程を示す図である。
【図３Ｅ】図１の半導体素子の製造工程を示す図である。
【図３Ｆ】図１の半導体素子の製造工程を示す図である。
【図３Ｇ】図１の半導体素子の製造工程を示す図である。
【図３Ｈ】図１の半導体素子の製造工程を示す図である。
【図４】本発明の他の実施例に係る半導体素子の断面図である。
【図５】本発明の他の実施例に係る半導体素子の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
＜実施例１＞
以下に、ＬＥＤ素子を例にして、本発明の実施例１に係る半導体素子１０について、図１及び図２を参照しつつ説明する。図１は、本発明の実施例１に係る半導体素子１０断面図である。支持基板１１は、例えば、Ｓｉ等の導電性基板からなっている。なお、支持基板１１は、導電性を有し熱伝導率が高い材料であれば、Ｇｅ、Ａｌ、Ｃｕ、ＣｕＷ等の他の材料を用いてもよい。
【０００９】
支持基板側接合層１３は、支持基板１１上面に形成されているＡｕからなる金属層である。支持基板側接合層１３は、支持基板１１の上面全面を覆うように形成されており、素子の個片化時に支持基板と共に切断される。従って、支持基板側接合層１３の側面は、素子個片化時の切断面になっている。
【００１０】
支持基板側接合層１３上には、支持基板側接合層１３と接合されている半導体構造層側の半導体側接合層１５が配されている。支持基板側接合層１３と半導体側接合層１５とは、互いに接合されて１つの接合層を形成しているともいえる。半導体側接合層１５は、支持基板側接合層１３側からＡｕ（層厚２００ｎｍ）、Ｐｔ（層厚１００ｎｍ）、Ｔｉ（層厚５０ｎｍ）、ＴｉＷ（層厚５００ｎｍ）の順に積層されている金属層である。半導体側接合層１５のＡｕ層は、支持基板側接合層１３との接合に資する層であり、Ｐｔ、Ｔｉ及びＴｉＷからなる層は、半導体側接合層１５上に形成される反射電極層１７を形成する材料のマイグレーションの防止に資する層である。半導体側接合層の１５下面は支持基板側接合層１３の上面よりも面積が小さくなっている。
【００１１】
反射電極層１７は、反射性の高いＡｇ等の金属で形成されている層であり、金属半導体側接合層１５上に形成される半導体構造層１９の表面に接して形成されており、反射電極層１７を埋設するように半導体側接合層１５が形成されている。このような構造とすることで、反射電極層を形成する金属が半導体素子内において拡散すること及び半導体素子外に浸出することが防止される。反射電極層１７は、半導体構造層１９からの出射光を反射する機能を果たすと共に、半導体構造層１９に電力を供給する際のｐ電極として機能する。
【００１２】
半導体側接合層１５及び反射電極層１７上には、半導体構造層１９が形成されている。半導体構造層１９は、反射電極層１７側から、ｐ型ＧａＮ層及びｐ型ＡｌＧａＮ層からなるｐ型半導体層２１、多重量子井戸構造（ＭＱＷ）を有する活性層２３、並びにｎＧａＮ層、アンドープの下地ＧａＮ層及びＧａＮ低温バッファ層からなるｎ型半導体層２５が積層されている構造を有している。
【００１３】
なお、活性層２３は多重量子井戸(ＭＱＷ)としたが、単一量子井戸(ＳＱＷ)、あるいは単層（いわゆるバルク層）でもよい。多重量子井戸構造は、例えば、井戸層をＩｎｘＧａ１−ｘＮ層（組成ｘ＝０．３５、厚さ２ｎｍ）、バリア層をＧａＮ層（厚さ１４ｎｍ）とし、５ペアの井戸層とバリア層から構成される。なお、井戸層のＩｎ組成ｘは発光波長に合わせて０≦ｘ≦１．０の範囲で調整される。
【００１４】
半導体構造層１９のｎ型半導体層２５上には、ｎ電極２７が形成されている。ｎ電極２７は、ｎ型半導体層２５上面の所望の領域上に、Ｔｉ（層厚１ｎｍ）、Ａｌ（層厚２００ｎｍ）、Ｔｉ（層厚１００ｎｍ）、Ｐｔ（層厚２００ｎｍ）、Ａｕ（層厚２５００ｎｍ）が順に積層されて形成されている。
【００１５】
絶縁性保護層２９は、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔｉ２Ｏ３等の絶縁性材料からなっており、半導体構造層１９の上面のｎ電極２７が形成されていない領域並びに半導体構造層１９及び半導体側接合層１５の側面から支持基板側接合層１３の上面にかけて形成されている。絶縁性保護層２９は、素子個片化時の切断の際にダイシングの刃と接触しないように、例えば、素子個片化時の切断ライン（ダイシングライン）上にある支持基板側接合層１３の上面端部からの距離が５μｍ以下となる領域には形成されていない。
【００１６】
固定保護層３１は、支持基板側接合層１３の上面端部から絶縁性保護層２９の支持基板側接合層１３上面に接した領域の上面まで延在するように形成されている。すなわち、固定保護層３１は、支持基板側接合層１３の露出した上面から絶縁性保護層２９の上面にかけて形成されており、絶縁性保護層２９の支持基板側接合層１３上面に接した端部領域を覆っている。固定保護膜層３１は、例えば、ＩＴＯ等の透光性を有する金属酸化物から形成されており、図１の破線で囲まれた領域Ａの拡大図である図２に示すように密着層３１Ａ及びその上に形成される強化層３１Ｂの２層構造を有している。
【００１７】
密着層３１Ａは、その上に形成されている強化層３１Ｂを支持基板側接合層１３上面に接着・固定する層である。密着層３１Ａは、支持基板側接合層１３の上面端部から絶縁性保護層２９の上面にかけて形成されている。密着層３１Ａは、酸素欠乏雰囲気下で成膜された酸素含有量が少なく（すなわち、酸素組成が小さい）、非晶質なＩＴＯ膜であり、具体的には、例えば、スパッタ装置を用いて、室温、圧力０．５Ｐａ、酸素流量０ｓｃｃｍ、投入電力３００Ｗの条件で１０ｎｍの厚さで形成されたＩＴＯ膜である。このような酸素欠乏雰囲気下で成膜された酸化金属膜は、酸素含有量が少なくて酸素欠損が多く非晶質であり、絶縁性保護層２９を形成するＳｉＯ２等の絶縁性材料及び支持基板側接合層１３を形成するＡｕ等の金属の両方との密着性が良好である。従って、密着層３１Ａは、支持基板側接合層１３に用いられているＡｕ等の金属及び絶縁性保護層２９と良好に密着している。
【００１８】
強化層３１Ｂは、密着層３１Ａの上面を覆うように形成されており、非晶質で脆い密着層３１Ａを保護する層である。強化層３１Ｂは、密着層３１Ａよりも酸素が多い雰囲気下で成膜され、密着層３１Ａよりも結晶性の高いＩＴＯ膜であり、具体的には、例えば、スパッタ装置を用いて、室温、圧力０．５Ｐａ、酸素流量２５ｓｃｃｍ、投入電力３００Ｗの条件で５０ｎｍの厚さで形成されたＩＴＯ膜である。このような、酸素が豊富な雰囲気下で形成された金属酸化物は、酸素含有量が多い故に結晶性が高く、強度が高いので振動等に対する耐性に優れている。
【００１９】
なお、固定保護層３１には、ＩＴＯに限らず、ＩＺＯ、ＺｎＯ等他の透光性金属酸化物も使用可能である。また、密着層３１Ａと強化層３１Ｂとが異なる金属酸化物からなっていてもよい。例えば、密着層３１ＡがＩＴＯからなり、強化層３１ＢがＩＺＯからなっていてもよい。
【００２０】
このように、本発明の実施例１の半導体素子１０においては、絶縁性保護層２９をダイシングライン上に形成しないことにより、絶縁性保護層２９の端部がダイシングの刃によって直接破壊されることを防止することができる。さらに、絶縁性保護層２９の端部領域上を、固定保護層３１を用いて覆うことで、絶縁性保護層２９の端部が素子個片化時のダイシング刃による振動によって、または使用中の振動等によって、支持基板側接合層１３の表面から剥がれてしまうことを防止することができる。これによって、絶縁性保護層２９の不良を防止してリーク等の欠陥を低減することができ、半導体素子の信頼性を向上させることが可能である。
【００２１】
また、半導体素子１０においては、支持基板側接合層の上面が透光性を有するＩＴＯ等の酸化金属層からなる固定保護層３１で覆われている。これによって、活性層２３から下方、すなわち支持基板１１の方向に出射された光は、支持基板側接合層１３に達して一部吸収されるのでは無く、多くが固定保護層３１の表面で全反射されて上方、すなわち半導体素子１０の光照射方向に向かう。従って、支持基板側接合層１３上に固定保護層３１を形成することで、半導体素子の光取り出し効率を向上させる効果も有している。
【００２２】
密着層３１Ａの厚さは、支持基板側接合層と強化層３１Ｂとの十分な接着性を得るために５ｎｍ以上であるのが好ましく、活性層２３からの光に対する吸収性が高くならないように５０ｎｍ以下であるのが好ましい。また、強化層３１Ｂの厚さは、非晶質性故の密着層３１Ａの上面の凹凸を緩和して強化層３１Ｂ表面で全反射する光を多くするために１０ｎｍ以上であるのが好ましく、活性層２３からの光に対する吸収性が高くならないように１００ｎｍ以下であるのが好ましい。なお、光取り出し効率を向上させるためには、強化層が透光性を有していれば足り、密着層は透光性を有していない金属酸化物でもよい。
【００２３】
以下に、本発明の実施例に係る半導体素子１０の製造方法について、図３Ａ−３Ｈを参照しつつ説明する。図３Ａ−３Ｈは、それぞれ半導体素子１０の製造方法の各工程の断面図である。なお、図において、ダイシング時の切断線（ダイシングライン）を破線Ｃで示している。
【００２４】
まず、図３Ａに示すように、例えば、Ｃ面サファイヤ基板である成長基板３５を準備し、ＭＯＣＶＤを用いて、ＡｌｘＩｎｙＧａｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）からなるｎ型半導体層２５、活性層２３及びｐ型半導体層２１が積層された半導体構造層１９を結晶成長させる。
【００２５】
具体的には、成長基板３５をＭＯＣＶＤ装置内に配し、水素雰囲気中で、１０００℃で１０分加熱し、サーマルクリーニングを行う。次に、約５００℃でＴＭＧ及びＮＨ３を供給して低温バッファ層であるＧａＮ層を形成する。次に、１０００℃まで昇温して３０秒間保持し、上記低温バッファ層を結晶化させる。次に、１０００℃に維持しつつ、ＴＭＧ及びＮＨ３を供給し、下地ＧａＮ層を約１μｍの厚さで形成する。さらに、ＴＭＧ、ＮＨ３及びＳｉＨ４を供給し、ｎ−ＧａＮ層を約７μｍ成長させる。このようにして、ｎ型半導体層２５を形成する。
【００２６】
次に、温度約７００℃で、ＴＭＧ及びＴＭＩを供給することによる層厚２．２ｎｍのＩｎＧａＮ井戸層の成長、及びＴＭＧ及びＮＨ３供給することによる層厚１５ｎｍのＧａＮ障壁層の成長を交互に５回繰り返し、ＩｎＧａＮ／ＧａＮを５周期成長させ、ｎ型半導体層２５上にＩｎＧａＮ／ＧａＮからなる多重量子井戸構造の活性層２３を形成する。
【００２７】
次に、温度８７０℃まで上げ、ＴＭＧ、ＴＭＡ、ＮＨ３及びＣＰ２Ｍｇを供給し、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層を約４０ｎｍ成長させる。さらに、ＴＭＧ、ＮＨ３、ＣＰ２Ｍｇを供給し、ｐ−ＧａＮ層を約１５０ｎｍ成長させる。このようにして、ｐ型半導体層２１を形成する。
【００２８】
次に、図３Ｂに示すように、例えば、フォトリソグラフィ、真空蒸着法、スパッタ法等で半導体構造層１９の素子部となる領域の各々の上にＡｇを厚さ３００ｎｍで形成して反射電極層１７を形成する。反射電極層１７は、活性層から出射した光を反射して光取り出し効率を高めるために、光反射性の高い材料で形成するのが好ましく、例えば、ＡｇまたはＡｇ合金等で形成してもよい。
【００２９】
次に、図３Ｃに示すように、例えば、ｐ型半導体層２１上に、反射電極層１７を覆うようにＴｉＷをスパッタ法で５００ｎｍ形成して拡散防止層を形成し、その上に半導体側接合層としてＴｉを５０ｎｍ、Ｐｔを１００ｎｍ、Ａｕを２００ｎｍ電子ビーム蒸着法にて順次蒸着し、半導体側接合層１５を形成する。半導体側接合層１５は、後述する支持基板１１との接合において、支持基板１１上に形成されている支持基板側接合層１３と接合される層である。
【００３０】
次に、半導体素子とする素子領域上にレジストを形成し、ドライエッチング装置にてレジストが形成されている領域以外の部分の半導体構造層１９を成長基板３５の上面に至るまでの溝を形成することで除去し、図３Ｄに示すように、個々の素子部を形成する。
【００３１】
次に、上面に支持基板側接合層１３が形成された支持基板１１を用意する。例えば、支持基板１１はＳｉ基板であり、支持基板側接合層１３は、電子ビーム蒸着等で支持基板１１上にＴｉ（層厚６００ｎｍ）、Ｐｔ（層厚５０ｎｍ）、Ａｕ（層厚１０００ｎｍ）を順に積層することによって形成する。
【００３２】
次に、図３Ｅに示すように、支持基板側接合層１３の表面と半導体側接合層１５の表面と接触させて、互いに対して圧力３０ｋｇ／ｃｍ２で押圧しつつ、温度２００℃で１時間かけて熱圧着を行うことにより接合層同士を接合することで支持基板１１を貼り付ける。その後、例えば、レーザリフトオフ（ＬＬＯ）装置にて成長基板３５の裏面側からエキシマレーザを照射することにより成長基板３５を除去する。なお、成長基板３５の除去は、レーザリフトオフ（ＬＬＯ）に限らず、ウェットエッチング、ドライエッチング、機械研磨法、もしくは化学機械研磨（ＣＭＰ）、またはこれらの方法の少なくとも１つを組み合わせた方法によって行ってもよい。
【００３３】
上記処理の終了後、図３Ｆに示すように半導体構造層１９の上面及び側面、半導体側接合層１５の側面、支持基板側接合層の露出している上面の一部に絶縁性保護層２９を形成する。なお、図３Ｆ以降において、図の簡略化のためｐ型半導体層２１、活性層２３及びｎ型半導体層２５を、半導体構造層１９としてまとめて示す。絶縁性保護層２９は、例えば、スパッタ法にてＳｉＯ２を３００ｎｍ成膜することで形成する。絶縁性保護層２９は、素子のダイシング時にダイシングの刃と接触して破壊されまたは支持基板側接合層１３の上面から剥離しないように、個片化時のダイシングラインＣの近傍部分には形成しない。具体的には、例えば、支持基板側接合層１３の上面端部から５μｍ以上離して形成する。また、絶縁性保護層２９は、半導体構造層１９上の、後述するｎ電極２７を形成する領域には形成しない。なお、絶縁性保護層２９の層厚は、素子の保護を良好に行うため２００ｎｍ〜４００ｎｍ程度であるのが好ましい。
【００３４】
次に、図３Ｇに示すように、支持基板側接合層１３上から絶縁性保護層２９の端部領域にかけて覆うように、ＩＴＯで形成される密着層３１Ａ及びその上に形成される強化層３１Ｂからなる固定保護層３１を、例えば、フォトリソグラフィ、スパッタ法、または電子ビーム蒸着法等で形成する。
【００３５】
固定保護層３１の形成工程においては、まず、固定保護層３１が支持基板側接合層１３上面から剥離しないように、支持基板側接合層１３の材料、例えば、Ａｕとの密着性が高い密着層３１Ａを支持基板側接合層１３上から絶縁性保護層２９の端部領域上にかけて形成する。具体的には、例えば、スパッタ装置を使用し、不活性ガスとしてＡｒ等を用い、室温、圧力０．５Ｐａ、酸素流量０ｓｃｃｍ、投入電力３００Ｗの条件でＩＴＯ膜を１０ｎｍの厚さで成膜する。このように、酸素欠乏雰囲気下でＩＴＯ等の酸化金属物を成膜すると、酸素組成が小さくて酸素欠損が多く非晶質であり、絶縁性保護層２９を形成するＳｉＯ２等の絶縁性材料及び支持基板側接合層１３を形成するＡｕ等の金属の両方と密着性が良好な層を形成することができる。なお、密着層３１Ａの形成時の装置内雰囲気の酸素分圧（酸素流量／（不活性ガス（例えば、Ａｒ）流量＋酸素流量）×１００）は、０〜２％であるのが好ましい。
【００３６】
次に、密着層３１Ａ上に強化層３１Ｂを形成する。強化層３１Ｂは、非晶質で脆い密着層３１Ａを保護する層である。密着層３１Ｂは、密着層３１Ａよりも酸素が多い雰囲気下で成膜し、密着層３１Ａよりも結晶性の高いＩＴＯ膜とする。具体的には、例えば、スパッタ装置を使用し、不活性ガスとしてＡｒ等を用い、室温、圧力０．５Ｐａ、酸素流量２５ｓｃｃｍ、投入電力３００Ｗの条件でＩＴＯ膜を５０ｎｍの厚さで形成する。このような、酸素が豊富な雰囲気下でＩＴＯ等の金属酸化物を成膜すると、酸素組成が比較的大きくて結晶性が高く強度が高い、振動等に対する耐性に優れた層を形成することができる。なお、強化層３１Ｂの形成時の装置内雰囲気の酸素分圧は、５〜５０％であるのが好ましい。
【００３７】
なお、上述したように、密着層３１Ａの厚さは、支持基板側接合層と強化層３１Ｂとの十分な接着性を得るために、支持体側接合層上にある程度均一に成膜すべく５ｎｍ以上であるのが好ましく、活性層２３から出射した光に対する吸収性が高くならないように５０ｎｍ以下であるのが好ましい。また、強化層３１Ｂの厚さは、非晶質性故の密着層３１Ａの上面の凹凸を緩和して強化層３１Ｂ表面で全反射する光を多くするために１０ｎｍ以上であるのが好ましく、活性層２３からの光に対する吸収性が高くならないように１００ｎｍ以下であるのが好ましい。
【００３８】
次に、図３Ｈに示すように、フォトリソグラフィ等により、半導体構造層１９上の絶縁性保護層２９によって覆われていない部分を露出するように開口部を有するレジストマスクを形成し、ＥＢ蒸着法等を用いて、Ｔｉを１ｎｍ、Ａｌを２００ｎｍ、Ｔｉを１００ｎｍ、Ｐｔを２００ｎｍ、Ａｕを２５００ｎｍの層厚で積層し、レジストマスクを除去することにより、ｎ電極２７を形成した。
【００３９】
最後に、ダイシング刃を用いて支持基板１１及び支持基板側接合層１３を切断し、半導体素子のダイシングを行い、半導体素子１０が完成する。
【００４０】
実施例１に係る半導体素子１０及びその製造方法によれば、絶縁性保護層２７を素子のダイシングにおいてダイシングの刃が当たるダイシングラインＣの近傍の部分に形成しないことにより、絶縁性保護層２９の端部がダイシングの刃によって直接破壊されることを防止することができる。さらに、絶縁性保護層２９の端部領域上を、密着層３１Ａ及び強化層３１Ｂからなる固定保護層３１を用いて覆うことで、絶縁性保護層２９の端部が素子個片化時のダイシング刃による振動によって、または使用中の振動等によって、支持基板側接合層１３の表面から剥がれてしまうことを防止することができる。これによって、絶縁性保護層２９の不良を防止してリーク等の欠陥を低減することができ、製造時の歩留まりを向上させかつ半導体素子の信頼性を向上させることが可能である。
【００４１】
上記実施例においては、支持基板側接合層１３の上面から絶縁性保護層２９の上面にかけて、密着層３１Ａを形成することとしたが、図４の半導体素子４０のように、密着層３１Ａは、支持基板側接合層１３の上面だけに形成され、絶縁性保護層２９の上面に形成されなくともよい。強化層３１Ｂは、密着層３１Ａよりも絶縁性保護層２９を形成するＳｉＯ２等の絶縁材料と密着性が高く、このような構成とすることで、固定保護層３１と絶縁性保護層２９との密着性・接着性をさらに高めることが可能である。
【００４２】
また、上記半導体素子１０においては、固定保護層３１が支持基板側接合層１３の上面端部から形成されることとしたが、図５の半導体素子５０のように、固定保護層３１は、上記絶縁性保護層２９と同様、支持基板側接合層１３の上面の端部領域、すなわち製造時におけるダイシングラインＣの近傍部分には形成しなくともよい。このようにすることで、固定保護層３１が素子のダイシング時にダイシングの刃と接触して、破壊されまたは支持基板側接合層１３の上面から剥離する可能性を低減し、半導体素子の製造時の歩留まり及び半導体素子の信頼性をさらに向上させることが可能である。
【００４３】
なお、上記実施例では、固定保護膜３１に透光性金属酸化物の膜を用いた場合を説明したが、使用される金属酸化物は透光性のものに限らず、支持基板側接合層１３に用いられるＡｕ等の金属及び絶縁性保護層２９に用いられるＳｉＯ２等の絶縁性材料の両方との密着性が良好なものであれば透光性のない他の金属酸化物も利用可能である。
【００４４】
また、上記実施例では、発光素子を例に説明をしたが、本発明は、発光素子以外の半導体デバイスまたは他の電子デバイスにも応用可能である。
【００４５】
上述した実施例における種々の数値、寸法、材料等は、例示に過ぎず、用途及び製造される半導体素子等に応じて、適宜選択することができる
【符号の説明】
【００４６】
１０、４０、５０    発光素子
１１                支持基板
１３                支持基板側接合層
１５                半導体側接合層
１７                反射電極層
１９                半導体構造層
２１                ｐ型半導体層
２３                活性層
２５                ｎ型半導体層
２７                ｎ電極
２９                絶縁性保護層
３１                固定保護層
３１Ａ              密着層
３１Ｂ              強化層
３５                成長基板
【図１】
2014086575.tif 000003
【図２】
2014086575.tif 000004
【図３Ａ】
2014086575.tif 000005
【図３Ｂ】
2014086575.tif 000006
【図３Ｃ】
2014086575.tif 000007
【図３Ｄ】
2014086575.tif 000008
【図３Ｅ】
2014086575.tif 000009
【図３Ｆ】
2014086575.tif 000010
【図３Ｇ】
2014086575.tif 000011
【図３Ｈ】
2014086575.tif 000012
【図４】
2014086575.tif 000013
【図５】
2014086575.tif 000014