(57)【要約】      （修正有）【課題】小型で十分な強度を有し且つ高い量産性を備えた発光装置を提供する。【解決手段】発光装置１００は、ｐ型半導体層９とｎ型半導体層１１とを含み、ｐ型半導体層９とｎ型半導体層１１との間で発光する半導体チップ３０と、半導体チップ３０の上面側でかつｐ型半導体層９上に配置されたｐ側パッド電極５と、半導体チップ３０の上面側でかつｎ型半導体層１１上に配置されたｎ側パッド電極７と、半導体チップ３０の上面を覆うように配置された樹脂層２１と、樹脂層２１の外面に配置され、半導体チップ３０の上面側に位置する、ｐ側接続電極２３ａおよびｎ側接続電極２３ｂと、を有し、ｐ側パッド電極５とｐ側接続電極２３ａとの間およびｎ側パッド電極２３ｂとｎ側接続電極２３ｂとの間の少なくとも一方が、樹脂内に配置された金属ワイヤにより接続されている。【選択図】図１
2014225644.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型半導体層とｎ型半導体層とを含み、該ｐ型半導体層と該ｎ型半導体層との間で発光する半導体チップと、
前記半導体チップの上面側でかつ前記ｐ型半導体層上に配置されたｐ側パッド電極と、
前記半導体チップの上面側でかつ前記ｎ型半導体層上に配置されたｎ側パッド電極と、
前記半導体チップの上面を覆うように配置された樹脂層と、
前記樹脂層の外面に配置され、前記半導体チップの上面側に位置する、ｐ側接続電極およびｎ側接続電極と、
を有し、
前記ｐ側パッド電極と前記ｐ側接続電極との間および前記ｎ側パッド電極と前記ｎ側接続電極との間の少なくとも一方が、前記樹脂内に配置された金属ワイヤにより接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記ｐ側パッド電極と前記ｐ側接続電極との間および前記ｎ側パッド電極と前記ｎ側接続電極との間の両方が、前記樹脂内に配置された金属ワイヤにより接続されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記ｐ側接続電極と前記ｎ側接続電極とが、前記樹脂層の上面に配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
１つの前記ｎ側接続電極および１つの前記ｐ側接続電極の少なくとも一方に複数の前記金属ワイヤが接続されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記ｎ側半導体層の上に前記ｐ型半導体層が配置され、前記ｎ側半導体層の下面に蛍光体層が設けられていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
先記蛍光体層が前記ｎ型半導体層の側面の少なくとも一部と前記ｐ型半導体層の側面の少なくとも一部を覆っていることを特徴とする請求項５に記載の発光装置。
【請求項７】
前記金属ワイヤの少なくとも１つは、両端が異なる前記ｐ側パッド電極または異なる前記ｎ側パッド電極に固定され、中間部が前記樹脂層の外面から露出していることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記金属ワイヤの一部が、前記樹脂層の外面から露出し、該露出した部分が前記ｐ側接続電極または前記ｎ側接続電極であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項９】
複数のバンプを積層したバンプ積層体を更に含み、
該バンプ積層体は、前記ｎ側パッド電極と前記ｎ側接続電極との間を接続し、
前記金属ワイヤの一端は前記バンプ積層体が接続されているｎ側パッド電極と異なるｎ側パッド電極に接続され、前記金属ワイヤの他端は前記バンプ積層体のバンプの１つに接続されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１０】
複数のバンプを積層したバンプ積層体を更に含み、
該バンプ積層体は、前記ｐ側パッド電極と前記ｐ側接続電極との間を接続し、
前記金属ワイヤの一端は前記バンプ積層体が接続されているｐ側パッド電極と異なるｐ側パッド電極に接続され、前記金属ワイヤの他端は前記バンプ積層体のバンプの１つに接続されていることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記ｐ側接続電極と前記ｎ側接続電極が、前記樹脂層の側面に配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項１２】
発光する半導体チップと、前記半導体チップの上面側でかつ半導体層上に配置された複数のパッド電極と、一端が前記複数のパッド電極の１つと接続され、他端が前記複数のパッド電極の別の１つと接続された金属ワイヤと、前記半導体チップの上面側であって、前記パッド電極および前記金属ワイヤを覆うように配置された樹脂層と、を有し、前記樹脂層から前記金属ワイヤの一部が露出されている発光装置の製造方法であって、
１）前記金属ワイヤの前記一端を前記１つのパッド電極と接続し、前記他端を前記別の１つのパッド電極と接続した後、前記金属ワイヤを覆うように、前記樹脂層を前記半導体チップの上面側に形成する工程と、
２）前記樹脂層に覆われた前記金属ワイヤの一部が露出するように前記樹脂層の一部を除去する工程と、を有する発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード等の半導体チップ（発光素子）を用いた発光装置は小型化が容易で且つ高い発光効率が得られることから広く用いられている。
半導体チップを用いた発光装置は、大別すると、半導体チップにパッド電極を設ける面が、実装基板と反対側の面であるフェイスアップ型と、実装基板と対向する面である半導体チップの下面に電極を設けたフェイスダウン型の２種類がある。
【０００３】
フェイスアップ型では半導体チップをリード等にマウントし半導体チップとリードとの間をボンディングワイヤ等により接続するため、実装基板に実装して同基板の表面に垂直な方から平面視した場合、ボンディングワイヤの一部が半導体チップよりも外側に位置する必要があり小型化に限界があった。
【０００４】
一方、フェイスダウン型（フリップチップ型の形態を取ることが多い）では、半導体チップの表面に設けたパッド電極と、実装基板上に設けた配線とを、実装基板の表面に垂直な方から平面視した場合に半導体チップの内側に位置するバンプおよび金属ピラー等の接続手段により電気的に接続することが可能である。
これにより、発光装置のサイズ（とりわけ実装基板に垂直な方向から平面視したサイズ）を半導体チップに近いレベルまで小型化したＣＳＰ（Chip Size Package）を実現することができる。
【０００５】
そして、最近ではより一層の小型化を進めるまたは発光効率をより高めるため、サファイア等の成長基板（透光性基板）を除去またはその厚さを薄くしたフェイスダウン型の発光装置が用いられている。
【０００６】
成長基板は、その上に半導体チップを構成するｐ型半導体層およびｎ型半導体層を成長させるために用いる基板であって、厚さが薄く強度の低い半導体チップを支持することにより発光装置の強度を向上させる効果も有している。
【０００７】
このため、半導体チップ（ＬＥＤチップ）を形成した後に、成長基板を除去した発光装置および成長基板を有していてもその厚さが薄い発光装置では、例えば、特許文献１に示されるように、半導体チップを支持するために電極側（実装基板と対向する側）に樹脂層を設けるとともに、この樹脂層を貫く金属ピラーを形成して、この金属ピラーにより半導体チップの電極と実装基板に設けた配線（配線層）とを電気的に接続している。
そして、この金属ピラーを含む樹脂層を有することで発光装置は十分な強度を確保することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１０−１４１１７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１に記載の金属ピラーは形成に多大な時間を要する等のため、量産性が低くなってしまうという問題を有している。発光装置が十分な強度を有するために樹脂層は、例えば数十ミクロンレベル以上または１ｍｍ以上のような十分な厚さを有する必要があり、このため、金属ピラーも数十μｍ以上または１ｍｍ以上の厚さが必要となる。一方、金属ピラーは。通常、電解メッキ法により形成されるため、このように厚い金属ピラー（金属膜）を形成するためには長い時間を要するため量産性（生産性）が低くなってしまうという問題があった。
【００１０】
そこで本発明は、小型で十分な強度を有し且つ高い量産性を備えた発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の発光装置は、ｐ型半導体層とｎ型半導体層とを含み、該ｐ型半導体層と該ｎ型半導体層との間で発光する半導体チップと、前記半導体チップの上面側でかつ前記ｐ型半導体層上に配置されたｐ側パッド電極と、前記半導体チップの上面側でかつ前記ｎ型半導体層上に配置されたｎ側パッド電極と、前記半導体チップの上面を覆うように配置された樹脂層と、前記樹脂層の外面に配置され、前記半導体チップの上面側に位置する、ｐ側接続電極およびｎ側接続電極と、を有し、前記ｐ側パッド電極と前記ｐ側接続電極との間および前記ｎ側パッド電極と前記ｎ側接続電極との間の少なくとも一方が、前記樹脂内に配置された金属ワイヤにより接続されている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る発光装置は、小型化が可能な構成を有し、十分な強度を有するとともに、高い量産性を備えている。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は本発明の実施形態１に係る発光装置１００を示す図であり、図１（ａ）は発光装置１００の概略平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＩｂ−Ｉｂ断面を示す概略断面図であり、図１（ｃ）は図１（ａ）のＩｃ−Ｉｃ断面を示す概略断面図である。
【図２】図２は半導体チップを形成した状態を示す図であり、図２（ａ）は概略平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＩＩｂ−ＩＩｂ断面を示す概略断面図であり、図２（ｃ）は図２（ａ）のＩＩｃ−ＩＩｃ断面を示す概略断面図である。
【図３】図３は半導体チップの外周部に沿って成長基板１９の上面を露出させた状態を示す図であり、図３（ａ）は概略平面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）のＩＩＩｂ−ＩＩＩｂ断面を示す概略断面図であり、図３（ｃ）は図３（ａ）のＩＩＩｃ−ＩＩＩｃ断面を示す概略断面図である。
【図４】図４は金属ワイヤ１および金属ワイヤ３を配置した状態を示す図であり、図４（ａ）は、概略平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のＩＶｂ−ＩＶｂ断面を示す概略断面図であり、図４（ｃ）は図４（ａ）のＩＶｃ−ＩＶｃ断面を示す概略断面図である。
【図５】図５は樹脂層２１を形成した状態を示す図であり、図５（ａ）は概略平面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）のＶｂ−Ｖｂ断面を示す概略断面図であり、図５（ｃ）は図５（ａ）のＶｃ−Ｖｃ断面を示す概略断面図である。
【図６】図６は樹脂層２１の上面から金属ワイヤ１および金属ワイヤ３の他方の端部が露出した状態を示す図であり、図６（ａ）は概略平面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）のＶＩｂ−ＶＩｂ断面を示す概略断面図であり、図６（ｃ）は図６（ａ）のＶＩｃ−ＶＩｃ断面を示す概略断面図である。
【図７】図７は樹脂層２１の上面に接続電極２３ａおよび接続電極２３ｂを形成した状態を示す図であり、図７（ａ）は概略平面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）のＶＩＩｂ−ＶＩＩｂ断面を示す概略断面図であり、図７（ｃ）は図７（ａ）のＶＩＩｃ−ＶＩＩｃ断面を示す概略断面図である。
【図８】図８は成長基板１９を除去した状態示す図であり、図８（ａ）は図７（ａ）のＶＩＩｂ−ＶＩＩｂ断面に相当する断面の概略断面図であり、図８（ｂ）は図７（ａ）のＶＩＩｃ−ＶＩＩｃ断面に相当する断面の概略断面図である。
【図９】図９は実施形態１に係る発光装置１００の第１の変形例を示す図であり、図９（ａ）は図１のＩｂ−Ｉｂ断面に相当する断面を示す概略断面図であり、図９（ｂ）は図１のＩｃ−Ｉｃ断面に相当する断面を示す概略断面図である。
【図１０】図１０は実施形態１に係る発光装置１００の第２の変形例を示す図であり、図１０（ａ）は図１のＩｂ−Ｉｂ断面に相当する断面を示す概略断面図であり、図１０（ｂ）は図１のＩｃ−Ｉｃ断面に相当する断面を示す概略断面図である。
【図１１】図１１は実施形態１の第３の変形例に係る発光装置１００Ａを示す図であり、図１１（ａ）は発光装置１００Ａの概略平面図であり、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＸＩｂ−ＸＩｂ断面を示す概略断面図であり、図１１（ｃ）は図１１（ａ）のＸＩｃ−ＸＩｃ断面を示す概略断面図である。
【図１２】図１２は、Ｕ字型の金属ワイヤ３を形成した後、Ｕ字型形状の底部を樹脂層２１から露出される方法を例示する概略断面図である。
【図１３】図１３は実施形態１の第４の変形例に係る発光装置１００Ｂを示す図であり、図１３（ａ）は発光装置１００Ｂの概略平面図であり、図１３（ｂ）は図１３（ａ）のＸＩＩＩｂ−ＸＩＩＩｂ断面を示す概略断面図であり、図１３（ｃ）は図１３（ａ）のＸＩＩＩｃ−ＸＩＩＩｃ断面を示す概略断面図である。
【図１４】図１４は実施形態１の第５の変形例に係る発光装置１００Ｃを示す図であり、図１４（ａ）は発光装置１００Ｃの概略平面図であり、図１４（ｂ）は図１４（ａ）のＸＩＶｂ−ＸＩＶｂ断面を示す概略断面図であり、図１４（ｃ）は図１４（ａ）のＸＩＶｃ−ＸＩＶｃ断面を示す概略断面図である。
【図１５】図１５は本発明の実施形態２に係る発光装置１００Ｄを示す図であり、図１５（ａ）は発光装置１００Ｄが２つ並んだ状態を示す概略平面図であり、図１５（ｂ）は図１５（ａ）のＸＶｂ−ＸＶｂ断面を示す概略断面図である。
【図１６】図１６（ａ）は図１５（ａ）のＸＶＩａ−ＸＶＩａ断面を示す概略断面図であり、図１６（ｂ）は図１５（ｂ）のＸＶＩｂ−ＸＶＩｂ断面を示す概略断面図であり、図１６（ｃ）は図１５（ａ）のＸＶＩｃ−ＸＶＩｃ断面を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面に基づいて本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、以下の説明では、必要に応じて特定の方向や位置を示す用語（例えば、「上」、「下」、「右」、「左」及びそれらの用語を含む別の用語）を用いるが、それらの用語の使用は図面を参照した発明の理解を容易にするためであって、それらの用語の意味によって本発明の技術的範囲が制限されるものではない。また、複数の図面に表れる同一符号の部分は同一の部分又は部材を示す。
【００１５】
本発明者らは鋭意検討した結果、半導体チップのｐ型半導体層上に配置されたｐ側パッド電極と、半導体チップのｎ型半導体層上に配置されたｎ側パッド電極と、半導体チップの面であって、ｐ側パッド電極およびｎ側パッド電極が配置されている側の面の少なくとも一部を覆うように配置された樹脂層と、樹脂層の外面に配置されたｐ側接続電極およびｎ側接続電極とを有するフェイスダウン型の発光装置において、詳細を後述するように、ｐ側パッド電極とｐ側接続電極との間およびｎ側パッド電極とｎ側接続電極との間の少なくとも一方を樹脂層に配置された金属ワイヤにより接続する本発明の発光装置に至ったものである。
【００１６】
本発明の発光装置は上述したように、フェイスダウン型の発光装置である。本明細書において、用語「フェイスダウン型の発光装置」とは、ｐ側パッド電極とｎ側パッド電極とｐ側接続電極とｎ側接続電極とが、半導体チップに対して、同じ側に位置している発光装置を意味する。
従って、フェイスダウン型の発光装置とは、ｐ側接続電極およびｎ側接続電極が、樹脂層の外面のうち半導体チップのｐ側パッド電極およびｎ側パッド電極が配置されている面と対向する面（樹脂層の上面）に配置されている発光装置だけでなく、ｐ側接続電極およびｎ側接続電極が、樹脂層の外面のうち半導体チップのｐ側パッド電極およびｎ側パッド電極が配置されている面と略垂直な面（樹脂層の側面）に配置されている所謂サイドビュー型の発光装置も含む概念である。
なお、ｐ側接続電極およびｎ側接続電極は、発光装置を実装基板に載置した際に、バンプまたは半田等の導電材料を介して実装基板に配置された配線（配線層）に接続される（電気的に接続される）電極である。
以下に、図を参照して本発明の詳細を説明する。
【００１７】
１．実施形態１
（１）発光装置１００
図１は本発明の実施形態１に係る発光装置１００を示す図であり、図１（ａ）は発光装置１００の概略平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＩｂ−Ｉｂ断面を示す概略断面図であり、図１（ｃ）は図１（ａ）のＩｃ−Ｉｃ断面を示す概略断面図である。
なお、図１（ａ）では、ｐ側金属ワイヤ１とｎ側金属ワイヤ３の配置を明確に示すために樹脂層２１とｐ側接続電極２３ａとｎ側接続電極２３ｂの記載を省略している。
本明細書では、図１（ａ）〜図１（ｃ）のように、図を示す数字が同じで、括弧内に示されたアルファベットが異なる図を総称して、「図１」のように図の番号のみで呼ぶ場合がある。
【００１８】
半導体装置１００は、ｎ型半導体層１１と、ｎ型半導体層１１の上に配置されたｐ型半導体層９と、ｐ型半導体層９の上面ほぼ全面を覆って配置されている全面電極１３と、全面電極１３の上に配置されたカバー電極１５とを有する半導体チップ（ＬＥＤチップ）３０を含む。
半導体チップ３０は、ｐ型半導体層９とｎ型半導体層１１との間に電流を流すことでｐ型半導体層９とｎ型半導体１１層との間で発光する。なお、より高い発光効率が得られるように、ｐ型半導体層９とｎ型半導体層１１との間に半導体層を積層させた発光層（活性層）を設けてよい。
【００１９】
ｐ型半導体層９とｎ型半導体層１１との間に電流を流すため（電圧を印加するために）に、ｐ側パッド電極５とｎ側パッド電極７とが、半導体チップ３０の上面に設けられている。
より詳細には、ｐ側パッド電極５は、ｐ型半導体層９の上に配置されている。図１に示す実施形態では、ｐ側パッド電極５は全面電極１３とカバー電極１５とを介してｐ型半導体層９の上に配置されているが、必要に応じて、全面電極１３とカバー電極１５のうち、少なくとも一方を形成しなくてもよい。
【００２０】
ｎ側パッド電極７は、ｎ型半導体層１１の上に配置されている。図１に示す実施形態では、ｎ型半導体層１１は、ｐ型半導体層９の下部に位置している。このため、図１（ｂ）に示すように、ｎ型半導体層１１の上面のうち、ｐ半導体層９により覆われていない部分（ｐ型半導体層９から露出した部分）の上にｎ側パッド電極７が配置されている。
【００２１】
半導体チップ３０の上面のうち、パッド電極（ｐ側パッド電極５またはｎ側パッド電極７）により覆われていない部分は、好ましくは図１に示すように保護膜１７により覆われている。
【００２２】
半導体装置１００は、半導体チップ３０の下面に、ｎ型半導体層１１（および／またはｐ型半導体層９）を成長させるために用いた成長基板を有しない。詳細を後述するように、所望の半導体層を得た後、成長基板（後述の成長基板１９）を除去してよいためである。
成長基板を有しなくても半導体チップ３０が十分な剛性を有するように、半導体チップ３０の上面を覆うように（図１の実施形態では、ｐ側パッド電極５、ｎ側パッド電極７および保護膜１７を介して半導体チップ３０を覆うように）樹脂層２１が配置されている。
【００２３】
そして、樹脂層２１の外面のうちの上面（図１のＸＹ面）には、ｐ側接続電極２３ａとｎ側接続電極２３ｂとが配置されている。
ｐ側接続電極２３ａはｐ側パッド電極５と電気的に接続されており、ｎ側接続電極２３ｂはｎ側パッド電極７と電気的に接続されている。
そして、ｐ側接続電極２３ａおよびｎ側接続電極２３ｂを、それぞれ、バンプまたは半田等の導電材料を介して実装基板に配置された配線と接続することによりｐ型半導体層９とｎ型半導体層１１との間に電流を流すことが可能となる。
【００２４】
ｐ側パッド電極５とｎ側パッド電極７とｐ側接続電極２３ａとｎ側接続電極２３ｂとが半導体チップ３０に対して、上側（Ｚ方向側）に位置していることから、発光装置１００がフェイスダウン型の発光装置であることがわかる。
また、発光装置１００では、ｐ側接続電極２３ａおよびｎ側接続電極２３ｂが、樹脂層２１の外面のうち半導体チップ３０のｐ側パッド電極５およびｎ側パッド電極７が配置されている面と対向する面に配置されている。
【００２５】
なお、発光装置１００の構成を説明するにあたり、ｐ側接続電極２３ａおよびｎ型接続電極２３ｂのある方向を上方向（すなわち図１のＺ方向を上方向、−Ｚ方向を下方向）として説明しているが、これは、後述するように発光装置１００を製造するに際し、成長基板を下にして、その上に半導体チップ３０、樹脂層２１等を形成し、一番上に、ｐ側接続電極２３ａおよびｎ型接続電極２３ｂが形成されるためである。
一方、発光装置１００を実装する際には、上述のように実装基板上の配線にｐ側接続電極２３ａおよびｎ側接続電極２３ｂを接続することから、ｐ側接続電極２３ａおよびｎ型接続電極２３ｂの方が下側となり、半導体チップの方が上側となる。
【００２６】
すなわち、本発明に係る発光素子において、「上」および「下」は、状況に応じて入れ替わるものであり、本明細書において、「上」、「下」は、構成要素間の相対的な位置を示すものであって、全体的な位置を示すことを意図したものではないことに留意されたい。
【００２７】
そして、本発明に係る発光装置では、ｐ側パッド電極５とｐ側接続電極２３ａとの間およびｎ側パッド電極７とｎ側接続電極２３ｂとの間の少なくとも一方、好ましくは両方が、少なくとも一部分（好ましくは全体）が、樹脂層２１内に配置されている金属ワイヤ（ｐ側金属ワイヤ１および／またはｎ側金属ワイヤ３）により接続されている。
図１に示す半導体装置１００においては、図１（ｃ）に示すようにｐ側パッド電極５とｐ側接続電極２３ａとの間は、ｐ側金属ワイヤ１により接続されており、ｐ側金属ワイヤ１はその全体が樹脂層２１内に位置している。さらに、図１（ｂ）に示すようにｎ側パッド電極７とｎ側接続電極２３ｂとの間は、ｎ側金属ワイヤ３により接続されている。
【００２８】
このようにパッド電極と接続電極の間を金属ワイヤ１、３により接続することで、例えば、従来の電解メッキにより形成したピラー等と比べ、極めて短時間、すなわち高い生産性で、パッド電極と実装基板とを電気的に接続する接続手段を得ることができる。
また、金属ワイヤ１、３の少なくとも一部（好ましくは全部）が樹脂層２１内に収容されるため、幅方向（図１のＸ方向）および長さ方向（図１のＹ方向）において、金属ワイヤ１、３を樹脂層２１および半導体チップ３０からはみ出すことなく配置できることから、半導体装置１００は容易に小型化することができる。
【００２９】
さらに、金属ワイヤ１、３は、電解メッキ法で金属ピラーを形成する場合と異なり、容易に屈曲部および湾曲部を形成できることから、接続電極が、接続しようとするパッド電極の直上になくても（例えば、図１（ｂ）の左側のｎ側パッド電極７とｎ側接続電極２３ｂの間の位置関係および図１（ｃ）の右側のｐ側パッド電極５と接続電極２３ａとの間の位置関係）容易に接続できる。このため発光装置の設計（とりわけパッド電極と接続パッドの配置）の自由度が大きくなるという利点を有する。
すなわち、金属ワイヤ１、３は、それぞれ、パッド電極５、７から直上（例えば、図１のＺ方向）に延在する（図１（ｂ）の右側の金属ワイヤ３および図１（ｃ）の左側の金属ワイヤ１のように）だけでなく、途中に曲げ部（屈曲部および湾曲部）を有してもよい。
【００３０】
図１に示されたｐ側金属ワイヤ１およびｎ側金属ワイヤ３の詳細を以下に説明する。
図１（ｂ）には２本のｎ側金属ワイヤ３が示されている。右側に示されたｎ側金属ワイヤ３は一端がバンプを形成してパッド電極７上に固定され、パッド電極７から上方に（Ｚ方向（ｐ型半導体層９またはｎ型半導体層１１の表面に垂直な方向））に樹脂層２１の上面まで延在し、そこで樹脂層２１の外面から露出した他端が接続電極２３ｂに接続されている。
図１（ｂ）の左側に示されたｎ側金属ワイヤ３は、クランク形状を有している。すなわち、このｎ側金属ワイヤ３は、一端がバンプを形成してパッド電極７上に固定され、パッド電極７から上方（Ｚ方向）に延在した後、屈曲部で直角に曲がって横方向（Ｘ方向（ｐ型半導体層９またはｎ型半導体層１１の表面に平行な方向））に延在し、更に別の屈曲部で直角に曲がって上方に（Ｚ方向）に樹脂層２１の上面まで延在し、そこで樹脂層２１の外面から露出した他端が接続電極２３ｂに接続されている。
図１（ｂ）に示す実施形態では、１つの接続電極２３ｂに２つのｎ側金属ワイヤ３が接続されている。このように、１つの接続電極２３ｂに接続するｎ側金属ワイヤ３は１つに限定されるものでなく、１つの接続電極２３ｂに２つ以上のｎ側金属ワイヤ３を接続してよい。１つの接続電極２３ｂに複数のｎ側金属ワイヤ３を接続することにより、ｎ側金属ワイヤ３の長さ（複数のｎ側金属ワイヤ３の合計長さ）が短くなるように配線することが可能となる。この結果、ｎ側金属ワイヤ３の断線リスクを低減でき、発光装置の信頼性を向上できる。また、ｎ側金属ワイヤ３全体の抵抗を減少させることも可能となる。
【００３１】
同様に、図１（ｃ）には２本のｐ側金属ワイヤ１が示されている。左側に示されたｐ側金属ワイヤ１の一端がバンプを形成してパッド電極５上に固定され、パッド電極５から上方に（Ｚ方向）に樹脂層２１の上面まで延在し、そこで樹脂層２１の外面から露出した他端が接続電極２３ａに接続されている。
図１（ｃ）の右側に示された金属ワイヤ１は、クランク形状を有している。すなわち、この金属ワイヤ１は、一端がバンプを形成してパッド電極５上に固定され、パッド電極７から上方（Ｚ方向）に延在した後、屈曲部で直角に曲がって横方向（−Ｘ方向（ｐ型半導体層９またはｎ型半導体層１１の表面に平行な方向））に延在し、更に別の屈曲部で直角に曲がって上方に（Ｚ方向）に樹脂層２１の上面まで延在し、そこで樹脂層２１の上面から露出した他端が接続電極２３ａに接続されている。
図１（ｃ）に示す実施形態では、１つの接続電極２３ａに２つのｐ側金属ワイヤ１が接続されている。このように、１つの接続電極２３ａに接続するｐ側金属ワイヤ１は１つに限定されるものでなく、１つの接続電極２３ａに２つ以上のｐ側金属ワイヤ１を接続してよい。１つの接続電極２３ａに複数のｐ側金属ワイヤ１を接続することにより、ｐ側金属ワイヤ１の長さ（複数のｐ側金属ワイヤ１の合計長さ）が短くなるように配線することが可能となる。この結果、ｐ側金属ワイヤ１の断線リスクを低減でき、発光装置の信頼性を向上できる。また、ｐ側金属ワイヤ１全体の抵抗を減少させることも可能となる。
【００３２】
金属ワイヤ１、３の延在する形態はこれらに限定されるものではなく、例えば、パッド電極５または７から、斜め方向（Ｚ方向に対して角度を有して）に上方に樹脂層２１の上面まで延在してもよい。また屈曲部は直角以外の角度で曲がってもよい。
さらに、金属ワイヤ１、３は、屈曲部（延在方向が非連続的に変化する部分）に代えて湾曲部（延在方向が連続的に変化する部分）を有してよい。
【００３３】
このような金属ワイヤ１、３は、金ワイヤ、銀ワイヤおよび銅ワイヤのように、発光ダイオードのパッド電極と他の電極（フェイスアップ型で用いるリード等）との接続に用いることのできる任意のワイヤであってよい。
【００３４】
半導体装置１００では、その内部に金属ワイヤ１、３が配置された樹脂層２１を用いるため、上述したように半導体チップ３０（ｎ型半導体層１１）の下にあった成長基板を除去することができる。このため、図１に示すように必要に応じて、半導体チップ３０（ｎ型半導体層１１）の下（例えば下面上）に蛍光体層２５を設けてよい。蛍光体層２５は、半導体チップからの発光の一部を吸収し、より波長の長い光を発光する蛍光体を含んでいる。
蛍光体層２５を設ける場合、蛍光体層２５と接するｎ型半導体層１１の下面は図１（ｂ）、１（ｃ）に示すように粗面化され凹凸を有することが好ましい。凹凸によって光が散乱され、ｎ型半導体層１１と蛍光体層２５との界面において生じる全反射を軽減することができる為、発光効率（特に、光取り出し効率）を高めるからである。
【００３５】
次に金属ワイヤ１、３以外の半導体装置１００の各要素の詳細について説明する。
・半導体チップ３０
半導体チップ３０（ＬＥＤチップ）は、任意の種類のｐ型半導体およびｎ型半導体を用いた発光ダイオードを含む構成であってよい。
好ましい半導体チップ３０の例として、ｐ型半導体層９およびｎ型半導体層１１が、ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）等の窒化物半導体であり青色ＬＥＤを含む半導体チップを挙げることができる。この場合、半導体チップ３０は、ｐ型半導体層９とｎ型半導体層１１との間にこれよりもハンドギャップエネルギーの小さいＩｎＧａＮ層等を含む発光層（活性層）を有することが好ましい。
しかし、ｐ型半導体層９およびｎ型半導体層１１は、これに限定されるものではなく、ＡｌＩｎＧａＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ等を含む、発光ダイオードに用いる任意の半導体を含む層であってよい。
【００３６】
図１に示す発光装置１００は、成長基板（最終の発光装置では除去されていてよい）の上にｎ型半導体層１１が形成され、その上にｐ型半導体層９が形成されるがしかし、本発明の発光装置はこれに限定されるものではなく、成長基板の上にｐ型半導体が形成され、その上にｎ型半導体層が形成されている発光装置（発光装置１００に対してｐ型半導体層とｎ型半導体層が入れ替わった発光装置）を含む。
【００３７】
・保護膜１７
保護膜１７は、酸化膜等、発光装置に用いられている任意の材料を用いてよい。図１に示す実施形態では、保護膜１７は、半導体チップ３０の上面のうち、パッド電極５、７により覆われていない部分の全てを覆っているがこれに限定されるものではなく、一部のみを覆ってもよい。
【００３８】
・全面電極１３、カバー電極１５
全面電極１３は、ｐ型半導体層９内により均一に電流が流れるようにｐ型半導体層９の上面のほぼ全面を覆うように形成される。ＧａＮ等の窒化物半導体のように、電流を均一に流すことが容易でない半導体の上面に設けると効果的である。全面電極に用いる材料としてＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）、ＩＺＯ（インジウム−亜鉛酸化物）、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２などの導電性酸化物およびＡｇなどの金属薄膜を例示できる。
また、カバー電極１５は、全面電極１３として金属薄膜を用いた際、金属材料のマイグレーションを抑制するために全面電極１３の上に形成されている。カバー電極１５に用いる好ましい材料として金（Ａｕ）およびアルミニウム（Ａｌ）などを例示できる。
【００３９】
・樹脂層２１
好ましくは図１（ｂ）、（ｃ）に示すように、ｐ型半導体層９およびｎ型半導体層１１の側面は樹脂層２１により覆われている（図１（ｂ）、（ｃ）に示す実施形態ではｐ型半導体層９の側面は、保護膜１７を介して樹脂層２１により覆われている）。これにより、ｐ型半導体層９およびｎ型半導体層１１を保護できると共に、半導体チップ３０の強度を高めることができる。また、保護膜１７と樹脂層２１との界面で光を反射することができる為、光出射面側から効率良く光を取り出すことができる。
樹脂層２１は任意の種類の樹脂により構成されてよい。好ましい樹脂として、シリコーン樹脂およびエポキシ樹脂などを例示できる。
樹脂層２１は、好ましくは白色の樹脂より成る。半導体チップ３０の発光の内、樹脂層２１に達した光をより多く反射できるからである。
なお、樹脂層２１の内部に、例えばツェナーダイオードのような、静電気等の高電圧により半導体チップ３０が損傷するのを防止できる保護素子を配置してよい。
【００４０】
・接続電極２３ａ、２３ｂ
接続電極２３ａ、２３ｂは、金属等、樹脂の上に形成可能な任意の電極であってよい。金属ワイヤ１、３と異なり、厚さ（図１のＺ方向の長さ）が薄くてもよいことから、銅（Ｃｕ）膜、銅スズ（ＣｕＳｎ）膜、金（Ａｕ）膜および金スズ（ＡｕＳｎ）膜等の金属の薄膜であってもよい。
接続電極の面積（−Ｚ方向から平面視した場合の面積は）は、金属ワイヤ１、３の断面積（金属ワイヤ１、３の延在方向に垂直な面における断面積）より大きいことが好ましい。実装基板に実装した際に実装基板上の配線に電気的に、より確実に接続できるからである。
【００４１】
・蛍光体層２５
蛍光体層２５を用いる場合、蛍光体層２５は、発光ダイオードを用いた発光装置に用いることができる任意の蛍光体を含んだ層であってよい。
例えば、半導体チップが青色発光ダイオードを含んでいる場合、好ましい蛍光体として、緑色および／または黄色を発光するＹＡＧ系蛍光体およびクロロシリケート蛍光体等のシリケート系蛍光体、赤色を発光する(Ｓｒ,Ｃａ)ＡｌＳｉＮ３:Ｅｕ等のＳＣＡＳＮ系蛍光体、ＣａＡｌＳｉＮ３:Ｅｕ等のＣＡＳＮ系蛍光体などから選択される１種以上を例示することができる。
【００４２】
このような発光装置１００の動作については説明する。
発光装置１００は、上述したように、実装基板上に実装される。この際に、接続電極２３ａ、２３ｂが実装基板上の配線と電気的に接続される。このため、電流が、ｐ側接続電極２３ａ、ｐ側金属ワイヤ１およびｐ側パッド電極５を流れ、半導体チップ３０に入る。半導体チップ３０から出た電流はｎ側パッド電極７，ｎ側金属ワイヤ３およびｎ側接続電極２３ｂを流れて実装基板の配線に流れる。
このように、半導体チップ３０に電流が供給されることにより、ｐ型半導体層９とｎ型半導体層１１との間から所望の波長の光が発光される。
【００４３】
そして、蛍光体層２５を設けた場合、半導体チップの発光のうち、蛍光体層２５に入射した光の一部を蛍光体層２５内部の蛍光体が吸収し、当該蛍光体は吸収した光よりも波長の長い光を発する。
なお、図１に示す実施形態では、上述したように、樹脂層２１の上面から露出した金属ワイヤ１の他端がｐ側接続電極２３ａに接続され、樹脂層２１の上面から露出した金属ワイヤ３の他端がｎ側接続電極２３ｂに接続されているが、ｐ側接続電極２３ａとｎ側接続電極２３ｂとを設けなくてもよい。この場合、樹脂層２１の上面から露出した金属ワイヤ１の他端（端面）がｐ側接続電極として機能し、樹脂層２１の上面から露出した金属ワイヤ３の他端（端面）がｎ側接続電極として機能する。
例えば実装基板の配線に、比較的低温で溶融する接合用の金属層（ＳｎおよびＡｕＳｎなどの金属層）を形成しておき、加熱して溶融した金属層が金属ワイヤ１の他端および金属ワイヤ３の他端と実装基板の配線とを接続し、その後この金属層が凝固することにより本実施形態の発光装置を実装基板に実装することができる。
【００４４】
（２）発光装置１００の製造方法
次に図２〜図８を用いて発光装置１００の製造方法を工程の順序に従って説明する。以下の説明は、発光装置１００の製造方法を例示することを目的とするものであって、発光装置１００の製造方法を限定することを目的とするものではない。
なお、図２〜図８では１個の発光装置１００に対応する要素が記載されているが、図２〜図８は、ウエハ（成長基板）１９上で複数の発光装置１００が同時に形成される課程の１個の発光装置のみを示したものである点に留意されたい。
【００４５】
図２は、半導体チップを形成した状態を示す図であり、図２（ａ）は概略平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＩＩｂ−ＩＩｂ断面を示す概略断面図であり、図２（ｃ）は図２（ａ）のＩＩｃ−ＩＩｃ断面を示す概略断面図である。
【００４６】
成長基板１９の上に、ｎ型半導体層１１を形成し、その上にｐ型半導体層９、全面電極１３およびカバー電極１５を形成し、半導体チップ３０を得る。
成長基板１９は、発光ダイオードに用いる半導体層を成長させるために用いられている任意の既知の基板であってよい。半導体チップ３０が青色発光ダイオードを含む場合、成長基板１９として、サファイア基板、炭化珪素（ＳｉＣ）および窒化ガリウム（ＧａＮ）などを例示できる。
【００４７】
次にカバー電極１５の上にｐ側パッド電極５を形成し、ｎ型半導体層１１の上にｎ側パッド電極７を形成し、半導体チップ３０の上面のうち、ｐ側パッド電極５およびｎ側パッド電極７が形成されていない部分に保護膜１７を形成する。
このように半導体チップ３０、ｐ側パッド電極５、ｎ側パッド電極７および保護膜１７を形成する工程は、発光ダイオードを含む発光装置の製造に用いられる任意の方法を用いてよい。
【００４８】
図３は半導体チップの外周部に沿って成長基板１９の上面を露出させた状態を示す図であり、図３（ａ）は概略平面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）のＩＩＩｂ−ＩＩＩｂ断面を示す概略断面図であり、図３（ｃ）は図３（ａ）のＩＩＩｃ−ＩＩＩｃ断面を示す概略断面図である。
半導体チップ３０、とりわけ、ｎ型半導体層１１の外周部を除去することで、上面視（Ｚ方向から見た状態）において、半導体チップ３０（すなわち、ｎ型半導体層１１）の外周を取り囲むように成長基板１９が露出している。
これは、成長基板（ウエハ）１９上に広がっているｎ型半導体層１１を半導体装置１個１個に対応して、分離することに対応する。
【００４９】
このように半導体チップ３０の外周に沿って、成長基板１９の上面を露出させることにより、後の工程で成長基板１９の除去を容易に行うことができる。
このような成長基板１９の露出は、例えばフォトリソグラフィにより、成長基板を露出させる部分以外にレジストパターンを形成した後、エッチングすることにより行うことができる。
【００５０】
図４はｐ側金属ワイヤ１およびｎ側金属ワイヤ３を配置した状態を示す図であり、図４（ａ）は、概略平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のＩＶｂ−ＩＶｂ断面を示す概略断面図であり、図４（ｃ）は図４（ａ）のＩＶｃ−ＩＶｃ断面を示す概略断面図である。
図４（ｂ）および図（４）ｃに示すように、ｐ側金属ワイヤ１およびｎ側金属ワイヤ３は、一方の端部が、バンプを形成してｐ側パッド電極５またはｎ側パッド電極７に固定され、他方の端部が自由端となっている。そして、その形状（図４（ｂ）、（ｃ）に示される形状）は、直線およびクランク形状となっている。
【００５１】
図４に示す金属ワイヤ１および金属ワイヤ３は、例えば、従来のボンディングマシンを用い、ワイヤを供給するキャピラリーを所望のワイヤ形状に沿って移動させ、得られた所望の形状のワイヤをキャピラリーから切り離すことにより得ることができる。クランク形状の屈曲部を形成する際は、ワイヤを屈曲させたい方向とは反対の方向にキャピラリーを押し込むように移動させワイヤに折り目を付けた後、キャピラリーを屈曲させたい方向に移動することにより屈曲部を形成することができる。
【００５２】
図５は樹脂層２１を形成した状態を示す図であり、図５（ａ）は概略平面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）のＶｂ−Ｖｂ断面を示す概略断面図であり、図５（ｃ）は図５（ａ）のＶｃ−Ｖｃ断面を示す概略断面図である。
なお、図５（ａ）では、樹脂層２１内の金属ワイヤ１、３の配置が判るように、樹脂層２１内の金属ワイヤ１、３を破線により示した。
【００５３】
図５に示す段階では、金属ワイヤ１および金属ワイヤ３の他方の端部（ｐ側パッド電極５またはｎ側パッド電極７に固定されていない自由端部）は樹脂層２１の内部に位置している。
樹脂層２１は、金型内に、その上に複数の発光装置１００に対応して半導体チップ３０、金属ワイヤ１、３等が配置されている成長基板１９（図４に示す状態）を配置して圧縮成形を行うことで形成することができる。
【００５４】
図６は樹脂層２１の上面から金属ワイヤ１および金属ワイヤ３の他方の端部が露出した状態を示す図であり、図６（ａ）は概略平面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）のＶＩｂ−ＶＩｂ断面を示す概略断面図であり、図６（ｃ）は図６（ａ）のＶＩｃ−ＶＩｃ断面を示す概略断面図である。
図６（ａ）では、金属ワイヤ１および金属ワイヤ３の樹脂層２１の内部に位置し、平面視により見えない部分を破線で示した。
図５に示した樹脂層２１の高さ（Ｚ方向長さ）を減少させて、図６に示すように、金属ワイヤ１および金属ワイヤ３の他方の端部を樹脂層２１の上面から露出させる。
例えば、図５に示す樹脂層２１の上面に研削、研磨または切削等の加工を施すことにより図６に示す状態を実現できる。
このように、研削、研磨または切削等の加工により金属ワイヤ１および金属ワイヤ３の他方の端部を樹脂層２１から露出させた場合、本発明の１つの実施形態では、図６に示すように金属ワイヤ１および３の他方の端部の端面は、樹脂層２１の上面と同一平面（面一）となっている。
【００５５】
図７は樹脂層２１の上面に接続電極２３ａおよび接続電極２３ｂを形成した状態を示す図であり、図７（ａ）は概略平面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）のＶＩＩｂ−ＶＩＩｂ断面を示す概略断面図であり、図７（ｃ）は図７（ａ）のＶＩＩｃ−ＶＩＩｃ断面を示す概略断面図である。
図７（ａ）では、金属ワイヤ１および金属ワイヤ３は接続電極２３ａ、２３ｂの下または樹脂層２１の内部に位置し、平面視により見えないが、接続電極２３ａ、２３ｂの下または樹脂層２１の内部での配置が判るよう破線で示した。
【００５６】
図７（ｂ）から判るように、金属ワイヤ３の他方の端部（端面）はｎ側接続電極２３ｂの下面と接触しており、金属ワイヤ１の他方の端部（端面）はｐ側接続電極２３ａの下面と接触している。
上述したように、ｐ側接続電極２３ａおよびｎ側接続電極２３ｂは、例えば銅のような金属薄膜でよく、このような金属薄膜はスパッタリングにより形成できる。
より詳細には、樹脂層２１の上面全体にスパッタリングにより金属薄膜を形成後、フォトリソグラフィにより、ｐ側接続電極２３ａおよびｎ側接続電極２３ｂを形成したい部分にレジストパターンを形成し、その後エッチングを行うことで所望の位置にのみ、ｐ側接続電極２３ａまたはｎ側接続電極２３ｂとなる金属薄膜を残すことができる。
【００５７】
また、別の方法として、以下の方法を挙げることができる。
樹脂層２１の上面のうち、接続電極２３ａおよび接続電極２３ｂのどちらも形成しない部分に、フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、スパッタリングを行う。そして、リフトオフにより、レジストパターンおよびその上に形成された金属薄膜を除去することで所望の位置にのみ、ｐ側接続電極２３ａまたはｎ側接続電極２３ｂとなる金属薄膜を残すことができる。
【００５８】
図８は成長基板１９を除去した状態示す図であり、図８（ａ）は図７（ａ）のＶＩＩｂ−ＶＩＩｂ断面に相当する断面の概略断面図であり、図８（ｂ）は図７（ａ）のＶＩＩｃ−ＶＩＩｃ断面に相当する断面の概略断面図である（下部に位置する成長基板１９を除去しても平面図は図７（ａ）と変わらないため）。
図８（ａ）、（ｂ）からわかるように、成長基板１９は完全に除去されている。
成長基板１９の除去は、例えば、レーザーリフトオフ（ＬＬＯ）法により行うことができる。
【００５９】
成長基板１９を除去し、ｎ型半導体層１１の下面に蛍光体層２５設けた後、ダイスにより個片化（得られた複数の発光装置を１個ずつ分離すること）を行うことで発光装置１００を得ることができる。
好ましくは、成長基板１９を除去後、蛍光体層２５を形成する前にｎ型半導体層２５の下面を粗面化することが好ましい。粗面化は例えばウエットエッチングにより実施することができる。
蛍光体層を含む樹脂を用いて圧縮成形を行うことにより、ｎ型半導体層１１の下面に蛍光体層２５を形成することができる。
【００６０】
また、成長基板１９を除去する前に、樹脂層２１の上面側（成長基板１９と反対の面側）に粘着シート等を用いて、ガラスなどの支持基板を貼り付けていてもよい。このように樹脂層２１の上面にガラスの支持基板を貼り付けることにより、成長基板１９を除去した際に生じるウエハの反りをより抑制することができる。なお、粘着シートは、後工程においてウエハから剥離させることができる限り任意の形態のシートを用いてよく、例えば微粘着シートおよびＵＶ硬化型の粘着シートなどを用いることができる。さらに本実施形態のように蛍光体層２５を設ける場合、圧縮形成時に生じる熱を考慮して耐熱性に優れた粘着シートを用いることが好ましい。
【００６１】
（３）変形例１
図９は実施形態１に係る発光装置１００の第１の変形例を示す図であり、図９（ａ）は図１のＩｂ−Ｉｂ断面に相当する断面を示す概略断面図であり、図９（ｂ）は図１のＩｃ−Ｉｃ断面に相当する断面を示す概略断面図である（変形例１に係る発光装置の上面視した形態は発光装置１００の上面視した形態と同じであるため）。
【００６２】
変形例１に係る発光装置では、ｐ型半導体層９およびｎ型半導体層１１の側面が樹脂層２１に覆われている点は発光装置１００と同じである。
変形例１に係る半導体装置では、さらに、このｐ型半導体層９およびｎ型半導体層１１の側面を、樹脂層２１を介して、蛍光体層２５により覆っている点が図１に示す発光装置１００と異なる。
変形例１に係る発光装置のこれ以外の構成は、発光装置１００と同じであってよい。
【００６３】
図９に示す実施形態ではｐ型半導体層９の側面には保護膜１７が形成されている。
このように、樹脂層２１に加えて、ｐ型半導体層９の側面およびｎ型半導体層１１の側面の少なくとも一方は保護膜１７により覆われていてよい。
ｐ型半導体層９およびｎ型半導体層１１の側面を蛍光体層２５により覆うことにより、横方向（図９中のＸ方向およびＹ方向）に発光した光の一部をより波長の長い光に確実に変換できる。
なお、ｐ型半導体層９およびｎ型半導体層１１の外周全体に亘って、その側面が蛍光体層２５により覆われていることが好ましいが、外周の一部分において、その側面が蛍光体層２５により覆われていてもよい。
【００６４】
図９に示すような、蛍光体層２５のうち、ｐ型半導体層９およびｎ型半導体層１１の側面を覆う部分は、例えば、以下の方法により形成できる。
樹脂層２１を形成する際に、ｐ型半導体層９およびｎ型半導体層１１の側面部分のうち蛍光体層２５により覆う部分にレジストを形成しておき、樹脂層２１を形成後にこのレジストを除去し、蛍光体層２５を形成する際にこのレジストを除去した部分にも蛍光体層２５を形成する。
【００６５】
（４）変形例２
図１０は実施形態１に係る発光装置１００の第２の変形例を示す図であり、図１０（ａ）は図１のＩｂ−Ｉｂ断面に相当する断面を示す断面図であり、図１０（ｂ）は図１のＩｃ−Ｉｃ断面に相当する断面を示す断面図である（変形例２に係る発光装置の上面視した形態は発光装置１００の上面視した形態と同じであるため）。
【００６６】
変形例２に係る発光装置は、ｐ型半導体層９およびｎ型半導体層１１の側面が蛍光体層２５により覆われている点は変形例１に係る発光装置と同じである。
変形例１に係る半導体装置では、樹脂層２１を介して、蛍光体層２５により、ｐ型半導体層９およびｎ型半導体層１１の側面を覆っているのに対して、変形例２に係る発光装置では樹脂層２１を介することなく蛍光体層２５により、ｐ型半導体層９およびｎ型半導体層１１の側面を覆っている。
変形例２に係る発光装置のこれ以外の構成は、変形例１に係る発光装置と同じであってよい。
【００６７】
図１０に示す実施形態ではｐ型半導体層９の側面には保護膜１７が形成されている。
このように、ｐ型半導体層９の側面およびｎ型半導体層１１の側面の少なくとも一方は保護膜１７により覆われていてよい。
ｐ型半導体層９およびｎ型半導体層１１の側面を蛍光体層２５により覆うことにより、横方向（図９中のＸ方向およびＹ方向）に発光した光の一部をより波長の長い光に確実に変換できる。
なお、ｐ型半導体層９およびｎ型半導体層１１の外周全体に亘って、その側面が蛍光体層２５により覆われているのが好ましいが、外周の一部分において、その側面が蛍光体層２５により覆われていてもよい。
【００６８】
また、図１０に示すように蛍光体層２５は、ｐ型半導体層９およびｎ型半導体層１１の上面の一部（上面の外周部の全周又は外周部の一部）を覆ってよい。これによりｐ型半導体層９の側面とｎ型半導体層１１の側面の間から出て上方に向かう光の一部をより確実に波長の長い光に変換できる。
図１０に示すように、蛍光体層２５により覆われるｐ型半導体層９の上面の一部およびｎ型半導体層１１の上面の一部の少なくとも一方は保護膜１７により覆われていてよい。
【００６９】
変形例２に係る蛍光体層２５は、例えば、樹脂層２１の形成時（圧縮成形時）にｐ型半導体層９の側面とｎ型半導体層１１の側面（必要に応じてｐ型半導体層９およびｎ型半導体層１１の上面の一部も）を覆わないように樹脂層２１を形成し、蛍光体層２５の形成時（圧縮成形時）に蛍光体層（例えば、蛍光体を含む樹脂層）２５が金型とｐ型半導体層９およびｎ型半導体層１１との間に流れ込むことにより得ることができる。
【００７０】
（５）変形例３
図１１は実施形態１の第３の変形例に係る発光装置１００Ａを示す図であり、図１１（ａ）は発光装置１００Ａの概略平面図であり、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＸＩｂ−ＸＩｂ断面を示す概略断面図であり、図１１（ｃ）は図１１（ａ）のＸＩｃ−ＸＩｃ断面を示す概略断面図である。
なお、図１１（ａ）では、ｐ側金属ワイヤ１とｎ側金属ワイヤ３の配置を明確に示すために樹脂層２１とｐ側接続電極２３ａとｎ側接続電極２３ｂの記載を省略している。
【００７１】
発光装置１００Ａでは、金属ワイヤ３は、Ｕ字型（下側が開いているため、「逆Ｕ字型」ともいう）の形状を有し、両方の端部にバンプが形成され、異なるｎ側パッド電極７に接続されている。そして、両方の端部の間に位置する中間部分の一部が樹脂層２１の上面から露出し、ｎ側接続電極２３ｂの下面と接触している。
発光装置１００Ａのこれ以外の構成は発光装置１００と同じであってよい。
【００７２】
図１１（ｂ）からも判るように、金属ワイヤ３のＵ字型形状の底部（中間部分のうち樹脂層２１より露出している部分）を広く（または長く）形成できるため、より確実に金属ワイヤ３とｎ側接続電極２３ｂとを接触させることができる。
【００７３】
また、このＵ字型の金属ワイヤ３は、（１）１つのｎ側パッド電極７にバンプボンディングによって、予めバンプを形成した後、（２）別のｎ側パッド電極７に、ボールボンディング（第１ボンディング）を行い、ワイヤを供給するキャピラリーをＵ字状に移動させることによって、Ｕ字形状のワイヤループを形成し、さらに工程（１）で形成したバンプ上に、ステッチボンディング（第２ボンディング）を行うことにより形成することができる。
なお、工程（１）を省略して、バンプを形成することなく、Ｕ字形状のワイヤループの一方の端部を１つのｎ側パッド電極７に接続してもよい。
【００７４】
なお、図１１に示す実施形態では、金属ワイヤ３はＵ字型の形状を有しているが、これに限定されるものではなく、両方の端部が、それぞれ、異なるｎ側パッド電極に固定され、中間部が樹脂層２１の外面から露出している限り任意の形状を有してよい。
【００７５】
図１２は、Ｕ字型の金属ワイヤ３を形成した後、Ｕ字型形状の底部を樹脂層２１から露出される方法を例示する断面図である。両端が、異なるｎ側パッド電極７に固定されているＵ字型の金属ワイヤ３を形成する。次に、図１２に示すように、Ｕ字型の金属ワイヤ３全体を覆うように樹脂層２１を形成する（すなわち、樹脂層２１の厚さ（図１２のＺ方向長さ）がＵ字型の金属ワイヤ３の高さ（図１２のＺ方向長さ）より高くなるように樹脂層２１を形成する。換言すれば、金属ワイヤ３が樹脂層２１の内部に埋没するように樹脂層２１を形成する。）。そして、図１２に破線で示すＡ−Ａ断面、すなわち形成したＵ字型金属ワイヤ３の底部を横切る断面まで、樹脂層２１を研削または研磨することにより金属ワイヤ３が樹脂層２１から露出する。
樹脂層２１をＡ−Ａ断面まで研削または研磨する際に金属ワイヤ３も研磨または研削され、金属ワイヤ３の露出面と樹脂層２１の外面（上面）とは同一平面（面一）であることが好ましい。樹脂層２１の外面に形成する接続電極２３ｂと金属ワイヤ３とをより確実に接触できるからである。
【００７６】
図１１で示す実施形態では金属ワイヤ１は、一端がパッド電極５に固定され、直線状に延在した他端がｐ側接続電極２３ａと接触している。
しかし、これに限定されるものではなく、金属ワイヤ１も金属ワイヤ３と同じＵ字型形状（この場合、金属ワイヤ１は、両方の端部の間に位置する中間部分の一部が樹脂層２１の上面から露出し、ｐ側接続電極２３ａの下面と接触してよい。）、またはクランク型形状等の任意の形状を有してよい。
また、金属ワイヤ３についても、上述のＵ字型形状の金属ワイヤ３に加えて、直線状、クランク形状を含む任意の形状の金属ワイヤ３を有してよい。
【００７７】
（６）変形例４
図１３は実施形態１の第４の変形例に係る発光装置１００Ｂを示す図であり、図１３（ａ）は発光装置１００Ｂの概略平面図であり、図１３（ｂ）は図１３（ａ）のＸＩＩＩｂ−ＸＩＩＩｂ断面を示す概略断面図であり、図１３（ｃ）は図１３（ａ）のＸＩＩＩｃ−ＸＩＩＩｃ断面を示す概略断面図である。
【００７８】
発光装置１００Ｂの金属ワイヤ３は、発光装置１００Ａと同じＵ字型の形状を有している。金属ワイヤ３のＵ字型形状の底部が樹脂層２１の表面より露出している点も発光装置１００Ａと同じである。
発光装置１００Ｂでは、金属ワイヤ１もＵ字型の形状を有し、Ｕ字型の底部が樹脂層２１の表面より露出している（図１３（ａ）に示すように露出部分はＹ方向に延在している。）
【００７９】
発光装置１００Ｂでは、発光装置１００Ａのように、ｐ側金属ワイヤ１およびｎ側金属ワイヤ３とは別に接続電極２３ａ、２３ｂを設けていない。代わりに、ｐ側金属ワイヤ１のＵ字形状の底部、すなわち樹脂層２１から露出している部分をｐ側接続電極として用い、ｎ側金属ワイヤ１のＵ字形状の底部、すなわち樹脂層２１から露出している部分をｎ側接続電極として用いる。
このような構成を有することで、スパッタリング等を行って接続電極２３ａ、２３ｂを形成する工程を省略することができる。
【００８０】
なお、図１３に示す実施形態では、金属ワイヤ１および金属ワイヤ３はＵ字型の形状を有しているが、これに限定されるものではなく、両方の端部が、それぞれ、異なるパッド電極（金属ワイヤ１は異なるｐ側パッド電極５、金属ワイヤ３は異なるｎ側パッド電極７）に固定され、中間部が樹脂層２１の外面から露出している限り任意の形状を有してよい。
【００８１】
（７）変形例５
図１４は実施形態１の第５の変形例に係る発光装置１００Ｃを示す図であり、図１４（ａ）は発光装置１００Ｃの平面図であり、図１４（ｂ）は図１４（ａ）のＸＩＶｂ−ＸＩＶｂ断面を示す断面図であり、図１４（ｃ）は図１４（ａ）のＸＩＶｃ−ＸＩＶｃ断面を示す断面図である。
なお、図１４（ａ）では、ｐ側金属ワイヤ１とｎ側金属ワイヤ３の配置を明確に示すために樹脂層２１とｐ側接続電極２３ａとｎ側接続電極２３ｂの記載を省略している。
【００８２】
発光装置１００Ｃでは、図１４（ｂ）に示すように、高さ方向（Ｚ方向）に複数（図１４（ｂ）の実施形態では５つ）のバンプ３ａ（ｎ側バンプ３ａ）を積層（積み重ねて）して形成したバンプ積層体により、ｎ側パッド電極７とｎ側接続電極２３ｂとの間を接続している。そして、金属ワイヤ３は、一方の端部がバンプ３ａを形成して別のｎ側パッド電極７に固定（接続）され、他方の端部がバンプ積層体の中の１つのバンプ３ａに固定（接続）されている。
これにより、金属ワイヤ３は、バンプ積層体の一部を介して、ｎ側パッド電極７とｎ側接続電極２３ｂとの間を接続している。
【００８３】
図１４（ｃ）に示すように、高さ方向（Ｚ方向）に複数（図１４（ｃ）の実施形態では５つ）のバンプ１ａ（ｐ側バンプ１ａ）を積層（積み重ねて）して形成したバンプ積層体により、ｐ側パッド電極５とｎ側接続電極２３ａとの間を接続している。そして、金属ワイヤ１は、一方の端部がバンプ１ａを形成して別のｐ側パッド電極５に固定（接続）され、他方の端部がバンプ積層体の中の１つのバンプ１ａに固定（接続）されている。
これにより、金属ワイヤ１は、バンプ積層体の一部を介して、ｐ側パッド電極５とｐ側接続電極２３ａとの間を接続している。
【００８４】
バンプ積層体は、通常のバンプボンディングにより、順次バンプを積み重ねていくことにより容易に形成することができる。
そして、金属ワイヤ１および金属ワイヤ３の他方の端部（パッド電極と接続されていない方の端部）とバンプ積層体のバンプの１つとの接続は、例えば、バンプ上に、第２ボンディングを行い（一方の端部をステッチボンディングすることでパッド電極と接続）、さらにこの第２ボンディング部分の上にバンプを積層するだけで容易に行うことができる。また、１つのバンプ積層体に複数の金属ワイヤ１または金属ワイヤ３を接続できることから、バンプ積層体に金属ワイヤ１または金属ワイヤ３をまとめることにより、比較的シンプルな形状で接続電極２３ａおよび／または接続電極２３ｂを配置することができる。
【００８５】
なお、図１４に示す実施形態では、金属ワイヤ１と金属ワイヤ３の両方が、その他方の端部がバンプ積層体のバンプの１つと接続されているが、発光装置１００Ｃの金属ワイヤ１および金属ワイヤ３の実施形態はこれに限定されるものではなく、金属ワイヤ１および金属ワイヤ３の少なくとも１つが、その一方の端部がパッド電極に固定され（バンプを形成してパッド電極に固定されている場合を含む）、他方の端部がバンプ積層体のバンプの１つに接続されている限り、残りの金属ワイヤ１および金属ワイヤ３は、本明細書に示した形態を含む任意の形態であってよい。
【００８６】
２．実施形態２
図１５は本発明の実施形態２に係る発光装置１００Ｄを示す図であり、図１５（ａ）は発光装置１００Ｄが２つ並んだ状態を示す概略平面図であり、図１５（ｂ）は図１５（ａ）のＸＶｂ−ＸＶｂ断面を示す概略断面図である。
図１５（ａ）では、樹脂層２１内に配置されており、平面視において見えない金属ワイヤ１、３の配置を破線で示した。
図１６（ａ）は図１５（ａ）のＸＶＩａ−ＸＶＩａ断面を示す概略断面図であり、図１６（ｂ）は図１５（ｂ）のＸＶＩｂ−ＸＶＩｂ断面を示す概略断面図であり、図１６（ｃ）は図１５（ａ）のＸＶＩｃ−ＸＶＩｃ断面を示す概略断面図である。
【００８７】
実施形態２に係る発光装置１００Ｄは、ｐ側接続電極およびｎ側接続電極が、樹脂層２１の外面のうち半導体チップ３０のｐ側パッド電極５およびｎ側パッド電極７が配置されている面と略垂直な面に配置されている所謂サイドビュー型の発光装置である。
【００８８】
図１５（ａ）では、２つの発光装置１００Ｄが並んで（Ｚ方向に並んで）接触して配置されている。これは、発光装置１００Ｄを製造する方法の１つの実施形態において成長基板（ウエハ）１９上に複数の発光装置１００Ｄを形成した後、個々の発光装置１００に切り離して（個片化して）１個の発光装置１００Ｃを得ることに対応して、複数の発光装置１００Ｄのうちの２個を示したものである。図１５（ａ）により、隣接して形成された発光装置１００Ｄ同士の間で金属ワイヤ１、３がどのように配置されているかを理解することができる。
図１５（ａ）に示す２つの発光装置は、同図および図１６中に示すＢ−Ｂ線に沿って切断することで個片化される。
【００８９】
以下に発光装置１００Ｄの特徴を示す。なお、特段の記載が無い限り、発光装置１００Ｄの各要素は、実施形態１に係る図面で同じ符号を付した対応する要素と同じ構成を有してよい。
図１５（ａ）、図１５（ｂ）および図１６（ａ）に示すように、ｐ側金属ワイヤ１は、水平方向（ｎ型半導体層１１の表面に略平行（図中のＸＹ面に略平行）な方向）に延在する水平延在部と、一方の端部がバンプを有してｐ側パッド電極５に固定され、略垂直方向に延在し、他方の端部が水平延在部に接続されている垂直延在部とを有する。水平延在部は、その一部が樹脂層２１の側面（図１５および図１６の実施形態ではＸ−Ｚ面）から露出するように構成されている。図１５および図１６に示す実施形態では、金属ワイヤ１の水平延在部は隣接する半導体装置１００Ｄまで延在している。そして、Ｂ−Ｂ線に沿って個片化すると、Ｂ−Ｂ線に沿った樹脂層２１の側面（Ｘ−Ｚ面）が形成され、そこに金属ワイヤ１の水平延在部の端面が露出する。
樹脂層２１の側面に露出した金属ワイヤ１の水平延在部の一部（例えば、端面）はｐ側接続電極として機能する。
【００９０】
なお、必要に応じて、金属ワイヤ１の樹脂層２１の側面に露出した部分を接触して覆う金属薄膜を樹脂層２１の側面に設けて、当該金属薄膜をｐ側接続電極として用いてよい。
また、図１５（ａ）および図１６（ａ）に示す実施形態では、１つの発光装置１００Ｄについて、２つの側面（図のＸ−Ｚ面）それぞれから金属ワイヤ１の一部が露出することとなる。しかし、ｐ側接続電極としてバンプ等を介して実装基板の配線層に接続するために不可欠なのは一方の露出部だけである。必要に応じて、実装基板の配線層との接続に寄与しない他方の露出部を樹脂等の絶縁体により覆ってもよい。
【００９１】
図１５（ａ）、図１５（ｂ）、図１６（ｂ）および図１６（ｃ）に示すように、ｎ側金属ワイヤ３もまた、水平方向（ｎ型半導体層１１の表面に略平行（図中のＸＹ面に略平行）な方向）に延在する水平延在部と、一方の端部がバンプを有してｎ側パッド電極７に固定され、略垂直方向に延在し、他方の端部が水平延在部に接続されている垂直延在部とを有する。
金属ワイヤ３の水平延在部は、図１５（ａ）に示すように、分岐部を有し、分岐部から先はクランク形状となっている部分を有する。
金属ワイヤ３の水平延在部は、分岐部、屈曲部および湾曲部から選択される１つ以上を有してよい。
なお、金属ワイヤ１の水平部についても同様に、分岐部、屈曲部および湾曲部から選択される１つ以上を有してよい。
【００９２】
金属ワイヤ３の水平延在部は、その一部が樹脂層２１の側面（図１５および図１６の実施形態ではＸ−Ｚ面）から露出するように構成されている。図１５および図１６に示す実施形態では、金属ワイヤ３の水平延在部は隣接する半導体装置１００Ｄまで延在している。そして、Ｂ−Ｂ線に沿って個片化すると、Ｂ−Ｂ線に沿った樹脂層２１の側面（Ｘ−Ｚ面）が形成され、そこに金属ワイヤ３の水平延在部の端面が露出する。
樹脂層２１の側面に露出した金属ワイヤ３の水平延在部の一部（例えば、端面）はｎ側接続電極として機能する。
【００９３】
なお、必要に応じて、金属ワイヤ３の樹脂層２１の側面に露出した部分を接触して覆う金属薄膜を樹脂層２１の側面に設けて、当該金属薄膜をｎ側接続電極として用いてよい。
また、図１５（ａ）および図１６（ｂ）に示す実施形態では、１つの発光装置１００Ｄについて、２つの側面（図のＸ−Ｚ面）それぞれから金属ワイヤ３の一部が露出することとなる。しかし、ｎ側接続電極としてバンプ等を介して実装基板の配線層に接続するために不可欠なのは一方の露出部だけである。必要に応じて、実装基板の配線層との接続に寄与しない他方の露出部を樹脂等の絶縁体により覆ってもよい。
【００９４】
以上の構成を有する発光装置１００Ｄは、ｐ側パッド電極５とｎ側パッド電極７と、ｐ側接続電極として機能する金属ワイヤ１の露出部と、ｎ側接続電極として機能する金属ワイヤ３の露出部とが半導体チップ３に対して、同じ側（上面側）に位置している。そして、ｎ側接続電極とｐ側接続電極が形成されている樹脂層２１の側面を実装面として、実装基板上に載置される。
なお、図１５、図１６に示す実施形態では、成長基板１９を有しているが、発光装置１００Ｄは、実施形態１で示した他の発光装置と同様に成長基板が除去されてもよい。
また、図１５、図１６に示す実施形態では、蛍光体層を有していないが、発光装置１００Ｄは、実施形態１で示した他の発光装置と同様にｎ型半導体層１１の下部に蛍光体層２５を有してよい。
【符号の説明】
【００９５】
１  ｐ側金属ワイヤ
３  ｎ側金属ワイヤ
１ａ、３ａ  バンプ
５  ｐ側パッド電極
７  ｎ側パッド電極
９  ｐ型半導体層
１１  ｎ型半導体層
１３  全面電極
１５  カバー電極
１７  保護膜
１９  成長基板
２１  樹脂層
２３ａ  ｐ側接続電極
２３ｂ  ｎ側接続電極
３０  半導体チップ
１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ  発光装置
【図１】
2014225644.tif 000003
【図２】
2014225644.tif 000004
【図３】
2014225644.tif 000005
【図４】
2014225644.tif 000006
【図５】
2014225644.tif 000007
【図６】
2014225644.tif 000008
【図７】
2014225644.tif 000009
【図８】
2014225644.tif 000010
【図９】
2014225644.tif 000011
【図１０】
2014225644.tif 000012
【図１１】
2014225644.tif 000013
【図１２】
2014225644.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
2014225644.tif 000016
【図１５】
2014225644.tif 000017
【図１６】
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