(57)【要約】【課題】製造段階におけるマイクロレンズの損傷の防止に有利な技術を提供する。【解決手段】固体撮像装置の製造方法は、第１面および第２面を有し光電変換部が配置された半導体層と、前記半導体層の前記第１面の側に配置されたパッド電極と、を含む構造体を準備する工程と、マイクロレンズを含む有機膜を前記半導体層の前記第２面の側であって前記構造体の上に形成する工程と、無機膜を前記有機膜の上に形成する工程と、第１開口を有するレジストパターンを前記無機膜の上に形成する工程と、前記レジストパターンの前記第１開口を通して前記無機膜に第２開口を形成する工程と、前記無機膜の前記第２開口を通して前記構造体を処理して、前記構造体に、前記パッド電極を露出させる第３開口を形成する工程と、前記レジストパターンを除去する工程とを含む。【選択図】図９
2014099563.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体撮像装置の製造方法であって、
第１面および第２面を有し光電変換部が配置された半導体層と、前記半導体層の前記第１面の側に配置されたパッド電極と、を含む構造体を準備する工程と、
マイクロレンズを含む有機膜を前記半導体層の前記第２面の側であって前記構造体の上に形成する工程と、
無機膜を前記有機膜の上に形成する工程と、
第１開口を有するレジストパターンを前記無機膜の上に形成する工程と、
前記レジストパターンの前記第１開口を通して前記無機膜に第２開口を形成する工程と、
前記無機膜の前記第２開口を通して前記構造体を処理して、前記構造体に、前記パッド電極を露出させる第３開口を形成する工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、
を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記第３開口を形成する工程では、前記無機膜の前記第２開口を通して前記構造体をエッチングすることによって前記第３開口を形成する、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記レジストパターンを除去する工程は、前記第３開口を形成する工程の後に実施される、
ことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記レジストパターンを除去する工程は、前記第２開口を形成する工程の後であって前記第３開口を形成する工程の前に実施される、
ことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記構造体を準備する工程では、前記構造体として、開口を有する層と、前記開口に充填された有機物とを含む構造体を準備し、
前記第３開口を形成する工程は、前記無機膜の前記第２開口を通して前記有機物を除去する工程を含み、
前記開口の中の前記有機物が除去されることによって前記第３開口が形成される、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記レジストパターンを除去する工程は、前記第３開口を形成する工程の後に実施される、
ことを特徴とする請求項５に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記レジストパターンを除去する工程は、前記第２開口を形成する工程の後であって前記第３開口を形成する工程の前に実施される、
ことを特徴とする請求項５に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項８】
前記無機膜は、反射防止膜として機能するように形成される、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
前記無機膜は、複数の膜を含む積層構造を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第３開口の深さと幅との比が０．０３以上である、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１１】
前記構造体を準備する工程と前記有機膜を形成する工程との間に、カラーフィルタを形成する工程を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に固体撮像装置の製造方法が開示されている。この製造方法では、マイクロレンズ２１ａおよび一次の開口部２０ａを有するマイクロレンズ部材２１Ａの上にレジストマスク２５を形成し、ドライエッチングによって一次の開口部２０ａ内のシリコン半導体層を除去し、２次の開口部２０ｂを形成する。レジストマスク２５は、その後に剥離・除去される。特許文献１には、マイクロレンズ部材２１Ａのレジストと、レジストマスク２５のレジストは互いに材料が異なり、しかもマイクロレンズ部材２１Ａの表面が硬化されていることによりレジストマスク２５の剥離を容易に行うことができると記載されている。（段落００３６参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２７７７３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載された製造方法では、レジストマスク２５を選択的に剥離可能なように、マイクロレンズ部材２１Ａのレジストとレジストマスク２５のレジストとを互いに異なる材料で構成する必要がある。マイクロレンズ部材２１Ａのレジストとレジストマスク２５のレジストとの間に十分な選択性がない場合は、レジストマスク２５の除去により、マイクロレンズ部材２１Ａの表面が許容できない損傷を受けうる。これは、製造上の大きな制約条件になりうる。
【０００５】
本発明は、製造段階におけるマイクロレンズの損傷の防止に有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の１つの側面は、固体撮像装置の製造方法に係り、前記製造方法は、第１面および第２面を有し光電変換部が配置された半導体層と、前記半導体層の前記第１面の側に配置されたパッド電極と、を含む構造体を準備する工程と、マイクロレンズを含む有機膜を前記半導体層の前記第２面の側であって前記構造体の上に形成する工程と、無機膜を前記有機膜の上に形成する工程と、第１開口を有するレジストパターンを前記無機膜の上に形成する工程と、前記レジストパターンの前記第１開口を通して前記無機膜に第２開口を形成する工程と、前記無機膜の前記第２開口を通して前記構造体を処理して、前記構造体に、前記パッド電極を露出させる第３開口を形成する工程と、前記レジストパターンを除去する工程とを含む。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、製造段階におけるマイクロレンズの損傷の防止に有利な技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の１つの実施形態の固体撮像装置の概略構成を示す平面図。
【図２】本発明の１つの実施形態の固体撮像装置の製造方法を示す断面図（図１のＡ−Ａ’断面）。
【図３】本発明の１つの実施形態の固体撮像装置の製造方法を示す断面図（図１のＡ−Ａ’断面）。
【図４】本発明の１つの実施形態の固体撮像装置の製造方法を示す断面図（図１のＡ−Ａ’断面）。
【図５】本発明の１つの実施形態の固体撮像装置の製造方法を示す断面図（図１のＡ−Ａ’断面）。
【図６】本発明の１つの実施形態の固体撮像装置の製造方法を示す断面図（図１のＡ−Ａ’断面）。
【図７】本発明の１つの実施形態の固体撮像装置の製造方法を示す断面図（図１のＡ−Ａ’断面）。
【図８】本発明の１つの実施形態の固体撮像装置の製造方法を示す断面図（図１のＡ−Ａ’断面）。
【図９】本発明の１つの実施形態の固体撮像装置の製造方法を示す断面図（図１のＡ−Ａ’断面）。
【図１０】本発明の１つの実施形態の固体撮像装置の製造方法を示す断面図（図１のＡ−Ａ’断面）。
【図１１】本発明の１つの実施形態の固体撮像装置の製造方法を示す断面図（図１のＡ−Ａ’断面）。
【図１２】本発明の１つの実施形態の固体撮像装置の製造方法を示す断面図（図１のＡ−Ａ’断面）。
【図１３】本発明の１つの実施形態の固体撮像装置の製造方法を示す断面図（図１のＡ−Ａ’断面）。
【図１４】本発明の１つの実施形態の固体撮像装置の製造方法を示す断面図（図１のＡ−Ａ’断面）。
【図１５】本発明の１つの実施形態の固体撮像装置の製造方法を示す断面図（図１のＡ−Ａ’断面）。
【図１６】本発明の１つの実施形態の固体撮像装置の製造方法を示す断面図（図１のＡ−Ａ’断面）。
【図１７】本発明の１つの実施形態の固体撮像装置の製造方法を示す断面図（図１のＡ−Ａ’断面）。
【図１８】本発明の１つの実施形態の固体撮像装置の製造方法を示す断面図（図１のＡ−Ａ’断面）。
【図１９】本発明の１つの実施形態の固体撮像装置の製造方法を示す断面図（図１のＡ−Ａ’断面）。
【図２０】本発明の１つの実施形態の固体撮像装置の製造方法を示す断面図（図１のＡ−Ａ’断面）。
【図２１】本発明の１つの実施形態の固体撮像装置の製造方法を示す断面図（図１のＡ−Ａ’断面）。
【図２２】本発明の１つの実施形態の固体撮像装置の製造方法を示す断面図（図１のＡ−Ａ’断面）。
【図２３】本発明の１つの実施形態の固体撮像装置の製造方法を示す断面図（図１のＡ−Ａ’断面）。
【図２４】本発明の１つの実施形態の固体撮像装置の製造方法を示す断面図（図１のＡ−Ａ’断面）。
【図２５】本発明の１つの実施形態の固体撮像装置の製造方法を示す断面図（図１のＡ−Ａ’断面）。
【図２６】本発明の１つの実施形態の固体撮像装置の製造方法を示す断面図（図１のＡ−Ａ’断面）。
【図２７】本発明の１つの実施形態の固体撮像装置の製造方法を示す断面図（図１のＡ−Ａ’断面）。
【図２８】本発明の１つの実施形態の固体撮像装置の製造方法を示す断面図（図１のＡ−Ａ’断面）。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。
【００１０】
まず、図１および図９を参照しながら本発明の１つの実施形態の固体撮像装置ＩＳの構成を説明する。固体撮像装置ＩＳは、撮像領域１１０とパッド領域１２０とを有する。撮像領域１１０は、画素が二次元状に配列された領域である。各画素は、光電変換部２３１、カラーフィルタ３１０およびマイクロレンズ２９０などを含みうる。光電変換部２３１は、第１面Ｆ１および第２面Ｆ２を有する半導体層２３０の中に配置されている。半導体層２３０の第１面の側（第１面Ｆ１の側）には、配線パターン２２２および層間絶縁膜２２１を含む配線構造２２０が配置されている。ここで、配線パターン２２２には、パッド領域１２０に配置されたパッド電極２２３が含まれる。
【００１１】
半導体層２３０の第２面の側（第２面Ｆ２の側）には、反射防止膜を構成する第１絶縁層２４０および第２絶縁層２５０が配置されうる。第１絶縁層２４０は、例えば、シリコン酸化膜でありうる。第２絶縁層２５０は、例えば、シリコン窒化膜でありうる。この例では、反射防止膜が第１絶縁層２４０および第２絶縁層２５０で構成されているが、反射防止膜は、単一層で構成されてもよいし、３層以上の層で構成されてもよい。半導体層２３０、配線構造２２０、第１絶縁層２４０および第２絶縁層２５０を含む構造体ＳＴは、半導体層２３０の第１面Ｆ１の側に配置された支持基板２１０によって支持されうる。
【００１２】
第２絶縁層２５０の上には、カラーフィルタ３１０が配置され、カラーフィルタ３１０の上には、マイクロレンズ２９０を含む有機膜（マイクロレンズ層）２７０が配置されている。有機膜２７０は、無機膜２８０によって覆われている。構造体ＳＴとカラーフィルタ３１０との間には、平坦化膜２６０が配置されうる。パッド電極２２３には、第３開口ＯＰ３を通して不図示のボンディングワイヤーが接続されうる。第３開口ＯＰ３の深さｂと幅ａとの比（ｂ／ａ）は、０．０３以上でありうる。
【００１３】
固体撮像装置ＩＳは、半導体層２３０の第２面Ｆ２の側に配置されたマイクロレンズ２９０を通して半導体層２３０内の光電変換部２３１に光が入射する。配線構造２２０は、半導体層２３０の第１面Ｆ１の側に配置されている。このような固体撮像装置ＩＳは、裏面照射型と呼ばれうる。
【００１４】
以下、図２〜図９を順に参照しながら本発明に係る固体撮像装置の製造方法の第１実施形態を説明する。まず、図２に示す工程では、第１面Ｆ１および第２面Ｆ２を有する半導体層２３０を含み、半導体層２３０の中に光電変換部２３１が配置され、半導体層２３０の第１面Ｆ１の側にパッド電極２２３が配置された構造体ＳＴを準備する。光電変換部２３１は、撮像領域１１０に配置され、パッド電極２２３は、パッド領域１２０に配置されている。パッド電極２２３は、典型的には、配線構造２２０の一部である。構造体ＳＴは、支持基板２１０によって支持されうる。構造体ＳＴは、例えば、第１絶縁層２４０および第２絶縁層２５０で構成された反射防止膜を第２面Ｆ２の側に有しうる。
【００１５】
次いで、図３に示されるように、構造体ＳＴの上に平坦化膜２６０が形成され、更に、平坦化膜２６０の上にカラーフィルタ３１０が形成されうる。
【００１６】
次いで、図３および図４に示す工程では、マイクロレンズ２９０を含む有機膜２７０を半導体層２３０の第２面Ｆ２の側であって構造体ＳＴの上に形成する。ここで、マイクロレンズ２９０は、パッド領域１２０にも形成されてもよいが、マイクロレンズ２９０は、典型的には、パッド領域１２０には形成されない。マイクロレンズ２９０は、例えば、カラーフィルタ３１０を覆うように有機膜２７５を形成し、有機膜２７５の上に有機物等によってレンズ形状部３２０を形成し、その後、レンズ形状部３２０とともに有機膜２７５をエッチングすることによって形成されうる。このエッチングによって、レンズ形状部３２０の凸面にならった凸面を有するマイクロレンズ２９０が形成される。
【００１７】
次いで、図５に示す工程では、マイクロレンズ２９０を含む有機膜２７０の上に無機膜２８０を形成する。無機膜２８０は、反射防止膜として機能するように形成されうる。無機膜２８０は、単一の膜（例えば、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜）で構成されてもよいし、複数の膜を含む積層構造（例えば、シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜を含む積層構造）を有しうる。
【００１８】
次いで、図６に示す工程では、パッド電極２２３の上に第１開口ＯＰ１を有するレジストパターンＲＰを無機膜２８０の上に形成する。レジストパターンＲＰは、レジスト膜の形成工程、露光工程および現像工程を含むフォトリソグラフィー工程によって形成されうる。ここで、有機膜２７０が無機膜２８０によって覆われていることにより、現像工程において有機膜２７０が損傷を受けることを防止することができる。
【００１９】
次いで、図７に示す工程では、レジストパターンＲＰの第１開口ＯＰ１を通して無機膜２８０に第２開口ＯＰ２を形成する。第２開口ＯＰ２は、第１開口ＯＰ１を通して無機膜２８０をエッチングすることによって形成されうる。無機膜２８０のエッチングは、例えば、ＣＦ系ガス、または、ＣＦ系ガスとＯ２系ガスとの混合ガスをエッチングガスとして用いてなされうる。
【００２０】
次いで、図８に示す工程では、無機膜２８０の第２開口ＯＰ２を通して平坦化膜２６０および構造体ＳＴを処理して、構造体ＳＴに、パッド電極２２３を露出させる第３開口ＯＰ３を形成する。第３開口ＯＰ３は、第２開口ＯＰ２を通して平坦化膜２６０および構造体ＳＴ（の第２絶縁層２５０、第１絶縁層２４０、半導体層２３０、層間絶縁膜２２１）をドライエッチングすることによって形成されうる。
【００２１】
次いで、図９に示す工程では、レジストパターンＲＰを除去する。レジストパターンＲＰは、アッシングによって除去されうる。以上のようにして、固体撮像装置を得ることができる。ここで、有機膜２７０が無機膜２８０で覆われていることによって、レジストパターンＲＰの除去の際に無機膜２８０の表面が損傷を受けることが防止される。特に、無機膜２８０を設けることによって、レジストパターンＲＰと有機膜２７０が同種の材料で形成される場合においても、レジストパターンＲＰの除去時に有機膜２７０が損傷を受けることを防止することができる。
【００２２】
次いで、以下、図２〜図４、図１０〜図１４を順に参照しながら本発明に係る固体撮像装置の製造方法の第２実施形態を説明する。まず、第１実施形態と同様の方法で、図２〜図４に示す工程において、構造体ＳＴを準備し、マイクロレンズ２９０を含む有機膜２７０を半導体層２３０の第２面Ｆ２の側であって構造体ＳＴの上に形成する。
【００２３】
次いで、図１０に示す工程では、マイクロレンズ２９０を含む有機膜２７０の上に無機膜２８０を形成する。第２実施形態では、無機膜２８０がエッチングマスクとして使用されるので、エッチングマスクとして使用されることによる膜厚の減少分を考慮した厚さを有する無機膜２８０が形成される。具体的には、最終的に残る無機膜２８０の厚さｔ１、膜厚の減少分をΔｔとすると、図１０に示す工程では、ｔ１＋Δｔの厚さを有する無機膜２８０が形成される。ｔ１は、最終的に残る無機膜２８０が反射防止膜として機能するように決定されうる。
【００２４】
次いで、図１１に示す工程では、パッド電極２２３の上に第１開口ＯＰ１を有するレジストパターンＲＰを無機膜２８０の上に形成する。レジストパターンＲＰは、レジスト膜の形成工程、露光工程および現像工程を含むフォトリソグラフィー工程によって形成されうる。ここで、有機膜２７０が無機膜２８０によって覆われていることにより、現像工程において有機膜２７０が損傷を受けることを防止することができる。
【００２５】
次いで、図１２に示す工程では、レジストパターンＲＰの第１開口ＯＰ１を通して無機膜２８０に第２開口ＯＰ２を形成する。第２開口ＯＰ２は、第１開口ＯＰ１を通して無機膜２８０をエッチングすることによって形成されうる。無機膜２８０のエッチングは、例えば、ＣＦ系ガス、または、ＣＦ系ガスとＯ２系ガスとの混合ガスをエッチングガスとして用いてなされうる。図１２に示す工程では、更に、第２開口ＯＰ２を通して平坦化膜２６０および構造体ＳＴをエッチングして、平坦化膜２６０および構造体ＳＴに開口を形成しうる。このエッチングは、半導体層２３０が露出するまで実施されうる。
【００２６】
次いで、図１３に示す工程では、レジスト膜ＲＰを除去する。レジストパターンＲＰは、アッシングによって除去されうる。ここで、有機膜２７０が無機膜２８０で覆われていることによって、レジストパターンＲＰの除去の際に無機膜２８０の表面が損傷を受けることが防止される。特に、無機膜２８０を設けることによって、レジストパターンＲＰと有機膜２７０が同種の材料で形成される場合においても、レジストパターンＲＰの除去時に有機膜２７０が損傷を受けることを防止することができる。
【００２７】
次いで、図１４に示す工程では、無機膜２８０をエッチングマスクとして使用し、無機膜２８０の第２開口ＯＰ２を通して平坦化膜２６０および構造体ＳＴをエッチングして、構造体ＳＴに、パッド電極２２３を露出させる第３開口ＯＰ３を形成する。このエッチングにおいて、無機膜２８０の厚さが薄くなる。以上のようにして、第１実施形態と同様の構成の固体撮像装置を得ることができる。
【００２８】
次いで、以下、図２、図１５〜図２３、図９を順に参照しながら本発明に係る固体撮像装置の製造方法の第３実施形態を説明する。まず、第１実施形態と同様の方法で、図２に示す工程において、構造体ＳＴを準備する。
【００２９】
次いで、図１５および図１６に示す工程では、構造体ＳＴの上に、開口ＯＰ４を有するレジストパターンＲＰ２を形成し、パッド電極２２３が露出するまで、開口ＯＰ４を通して構造体ＳＴをエッチングする。これにより開口ＯＰを有する層（層間絶縁膜２２１、半導体層２３０、第１絶縁層２４０、第２絶縁層２５０）が形成される。
【００３０】
次いで、図１７に示す工程では、開口ＯＰに有機物（例えば、ノボラック系樹脂、スチレン系樹脂またはアクリル系樹脂）４００を充填する。これにより、開口ＯＰに有機物４００が充填された構造体ＳＴ’が形成される。
【００３１】
次いで、図１８に示されるように、構造体ＳＴの上に平坦化膜２６０が形成され、更に、平坦化膜２６８の上にカラーフィルタ３１０が形成されうる。
【００３２】
次いで、図１８および図１９に示す工程では、マイクロレンズ２９０を含む有機膜２７０を半導体層２３０の第２面Ｆ２の側であって構造体ＳＴ’の上に形成する。ここで、マイクロレンズ２９０は、パッド領域１２０にも形成されてもよいが、マイクロレンズ２９０は、典型的には、パッド領域１２０には形成されない。マイクロレンズ２９０は、例えば、カラーフィルタ３１０を覆うように有機膜２７５を形成し、有機膜２７５の上に有機物等によってレンズ形状部３２０を形成し、その後、レンズ形状部３２０とともに有機膜２７５をエッチングすることによって形成されうる。このエッチングによって、レンズ形状部３２０の凸面にならった凸面を有するマイクロレンズ２９０が形成される。
【００３３】
次いで、図２０に示す工程では、マイクロレンズ２９０を含む有機膜２７０の上に無機膜２８０を形成する。無機膜２８０は、反射防止膜として機能するように形成されうる。無機膜２８０は、単一の膜（例えば、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜）で構成されてもよいし、複数の膜を含む積層構造（例えば、シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜を含む積層構造）を有しうる。
【００３４】
次いで、図２１に示す工程では、パッド電極２２３の上に第１開口ＯＰ１を有するレジストパターンＲＰを無機膜２８０の上に形成する。レジストパターンＲＰは、レジスト膜の形成工程、露光工程および現像工程を含むフォトリソグラフィー工程によって形成されうる。ここで、有機膜２７０が無機膜２８０によって覆われていることにより、現像工程において有機膜２７０が損傷を受けることを防止することができる。
【００３５】
次いで、図２２に示す工程では、レジストパターンＲＰの第１開口ＯＰ１を通して無機膜２８０に第２開口ＯＰ２を形成する。第２開口ＯＰ２は、第１開口ＯＰ１を通して無機膜２８０をエッチングすることによって形成されうる。無機膜２８０のエッチングは、例えば、ＣＦ系ガス、または、ＣＦ系ガスとＯ２系ガスとの混合ガスをエッチングガスとして用いてなされうる。
【００３６】
次いで、図２３に示す工程では、無機膜２８０の第２開口ＯＰ２を通して構造体ＳＴ’を処理して、構造体ＳＴ’に、パッド電極２２３を露出させる第３開口ＯＰ３を形成する。具体的には、図２３に示す工程では、無機膜２８０の第２開口ＯＰ２を通して平坦化膜２６８および有機物４００を除去する。ここで、有機物４００の除去は、例えば、Ｏ２系ガスをエッチングガスとして用いたエッチングによってなされうる。
【００３７】
次いで、図９に示す工程を実施し、レジストパターンＲＰを除去する。レジストパターンＲＰは、アッシングによって除去されうる。以上のようにして、第１実施形態と同様の構成の固体撮像装置を得ることができる。ここで、有機膜２７０が無機膜２８０で覆われていることによって、レジストパターンＲＰの除去の際に無機膜２８０の表面が損傷を受けることが防止される。特に、無機膜２８０を設けることによって、レジストパターンＲＰと有機膜２７０が同種の材料で形成される場合においても、レジストパターンＲＰの除去時に有機膜２７０が損傷を受けることを防止することができる。
【００３８】
次いで、以下、図２、図１５〜図１９、図２４〜図２８、図９を順に参照しながら本発明に係る固体撮像装置の製造方法の第４実施形態を説明する。まず、第３実施形態と同様の方法で、図２、図１５〜図１９に示す工程において、構造体ＳＴ’を準備する。
【００３９】
次いで、図２４に示す工程では、マイクロレンズ２９０を含む有機膜２７０の上に無機膜２８０を形成する。無機膜２８０は、反射防止膜として機能するように形成されうる。無機膜２８０は、単一の膜（例えば、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜）で構成されてもよいし、複数の膜を含む積層構造（例えば、シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜を含む積層構造）を有しうる。第４実施形態では、無機膜２８０がエッチングマスクとして使用されるので、エッチングマスクとして使用されることによる膜厚の減少分を考慮した厚さを有する無機膜２８０が形成される。具体的には、最終的に残る無機膜２８０の厚さｔ１、膜厚の減少分をΔｔとすると、図２４に示す工程では、ｔ１＋Δｔの厚さを有する無機膜２８０が形成される。ｔ１は、最終的に残る無機膜２８０が反射防止膜として機能するように決定されうる。
【００４０】
次いで、図２５に示す工程では、パッド電極２２３の上に第１開口ＯＰ１を有するレジストパターンＲＰを無機膜２８０の上に形成する。レジストパターンＲＰは、レジスト膜の形成工程、露光工程および現像工程を含むフォトリソグラフィー工程によって形成されうる。ここで、有機膜２７０が無機膜２８０によって覆われていることにより、現像工程において有機膜２７０が損傷を受けることを防止することができる。
【００４１】
次いで、図２６に示す工程では、レジストパターンＲＰの第１開口ＯＰ１を通して無機膜２８０に第２開口ＯＰ２を形成する。第２開口ＯＰ２は、第１開口ＯＰ１を通して無機膜２８０をドライエッチングすることによって形成されうる。無機膜２８０のエッチングは、例えば、ＣＦ系ガス、または、ＣＦ系ガスとＯ２系ガスとの混合ガスをエッチングガスとして用いてなされうる。
【００４２】
次いで、図２７に示す工程では、レジスト膜ＲＰを除去する。レジストパターンＲＰは、アッシングによって除去されうる。ここで、有機膜２７０が無機膜２８０で覆われていることによって、レジストパターンＲＰの除去の際に無機膜２８０の表面が損傷を受けることが防止される。特に、無機膜２８０を設けることによって、レジストパターンＲＰと有機膜２７０が同種の材料で形成される場合においても、レジストパターンＲＰの除去時に有機膜２７０が損傷を受けることを防止することができる。
【００４３】
次いで、図２８に示す工程では、無機膜２８０をエッチングマスクとして使用し、無機膜２８０の第２開口ＯＰ２を通して構造体ＳＴ’を処理して、構造体ＳＴ’に、パッド電極２２３を露出させる第３開口ＯＰ３を形成する。具体的には、図２８に示す工程では、無機膜２８０の第２開口ＯＰ２を通して平坦化膜２６０および有機物４００を除去する。このエッチングにおいて、無機膜２８０の厚さが薄くなる。有機物４００のエッチングによる除去は、例えば、Ｏ２系ガスをエッチングガスとして用いてなされうる。以上のようにして、第１実施形態と同様の構成の固体撮像装置を得ることができる。
【図１】
2014099563.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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