(57)【要約】【課題】マスク層を利用してドライエッチングによってパターニングされた有機化合物層の角部における割れや剥がれが抑制され、発光特性が良好である有機発光装置を提供する。【解決手段】配線層を含む回路層と前記回路層を覆う無機絶縁層とを備える基板と、前記基板の上に設けられ、行及び列方向に配列された複数の画素電極と、前記複数の画素電極のうち一部の上に設けられ、所定のパターン形状を有する有機化合物層と、前記有機化合物層の上に設けられた共通電極と、を有し、前記無機絶縁層が、前記有機化合物層のパターン角部が配置される領域に開口部を有しており、前記開口部において、前記有機化合物層のパターン角部が前記配線層と接していることを特徴とする、有機発光装置。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線層を含む回路層と前記回路層を覆う無機絶縁層とを備える基板と、
前記基板の上に設けられ、行及び列方向に配列された複数の画素電極と、
前記複数の画素電極のうち一部の上に設けられ、所定のパターン形状を有する有機化合物層と、
前記有機化合物層の上に設けられた共通電極と、を有し、
前記無機絶縁層が、前記有機化合物層のパターン角部が配置される領域に開口部を有しており、
前記開口部において、前記有機化合物層のパターン角部が前記配線層と接していることを特徴とする、有機発光装置。
【請求項２】
前記有機化合物層が、ドライエッチングによりパターニングされていることを特徴とする請求項１に記載の有機発光装置。
【請求項３】
前記有機化合物層の形状が、前記列方向に配列された複数の画素電極に連続するストライプパターン形状であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機発光装置。
【請求項４】
前記配線層がアルミニウムを主成分とする合金で構成されていることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項５】
前記配線層が、前記無機絶縁層の開口部において前記共通電極とも接していることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項６】
前記無機絶縁層の層厚が、１００ｎｍ乃至３００ｎｍであることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項７】
前記無機絶縁層が、窒化珪素で構成されていることを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項８】
配線層を含む回路層と前記回路層を覆う無機絶縁層とを備える基板と、
前記基板の上に設けられた複数の画素電極と、
前記複数の画素電極のうち一部の上に連続して設けられ、所定のパターン形状を有する有機化合物層と、
前記有機化合物層の上に設けられた共通電極と、を有する有機発光装置の製造方法であって、
前記無機絶縁層に開口部を形成して前記配線層を露出させる工程と、
前記複数の画素電極が設けられている基板面全体に有機化合物層を形成する工程と、
前記有機化合物層の上にマスク層を形成し、前記マスク層のパターン形状に応じて有機化合物層をドライエッチングにて除去する工程と、
前記マスク層を除去する工程と、を含み、
前記有機化合物層のパターン角部が前記無機絶縁層の開口部内に位置するように、前記有機化合物層をエッチングし、前記有機化合物層のパターン角部と前記配線層とを接触させることを特徴とする、有機発光装置の製造方法。
【請求項９】
前記マスク層が複数の層を含んでおり、
前記マスク層を除去する工程が、前記複数の層のうち最も基板に近い層を溶媒にて溶解する工程であることを特徴とする、請求項８に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項１０】
前記マスク層のパターン形状が、フォトリソグラフィを用いて形成されることを特徴とする、請求項８又は９に記載の有機発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光素子を複数配置した有機発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光装置は、基材上に複数の有機発光素子を配列してなる装置である。基材上に配列される有機発光素子の種別は特に限定されないが、例えば、赤、緑、青のいずれかを発光する有機発光素子を１つずつ組み合わせることで１つの画素を形成して、この画素を複数配置すれば、フルカラー表示が可能となる。
【０００３】
有機発光素子は、数十ｎｍ乃至数百ｎｍの有機化合物層を一対の電極間に配置してなる電子素子であり、有機発光素子を構成する有機化合物層には少なくとも発光層が含まれている。また有機発光素子の発光色は、発光層に含まれる発光材料を適宜選択することによって自由に変えることができる。
【０００４】
有機化合物層を形成する方法としては、従来から真空蒸着法が広く用いられていた。ただし真空蒸着法を利用して多色表示の有機発光装置を製造する際は、有機発光素子の発光色に応じた発光層の構成材料を所定の領域に形成する必要がある。具体的には、成膜領域に対応する開口を有するメタルマスクを用い、所定の領域に所定の発光層の構成材料の層を形成する。しかし、メタルマスクを用いた真空蒸着法は、成膜位置精度が低いため、高精細な有機発光装置を作製するのには適さない。
【０００５】
そこで、特許文献１及び２には、メタルマスク用いずに、フォトリソグラフィを用いて高精細な有機発光装置を製造する方法が開示されている。
【０００６】
具体的には、基板上に形成した有機化合物層の上に中間層とフォトレジスト層とを順次設け、公知の手法によりフォトレジスト層及び中間層をパターニング（加工）した後、加工されたフォトレジスト層及び中間層をマスクとして有機化合物層をパターニングする。そして有機化合物層のパターニング後に中間層及びフォトレジスト層を除去する。これにより、高精細なパターニングが可能となり、高精細な有機発光装置が製造できる。また、有機化合物層とフォトレジスト層との間に中間層が設けられている為、有機化合物層上にフォトレジスト層を直接設ける場合と比較して、有機化合物層上に残渣やダメージが生じにくくなっている。このため良好な発光を得ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許４５０７７５９号公報
【特許文献２】特許４５４４８１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、フォトリソグラフィを利用した製造プロセス、特に、有機化合物層上に形成された中間層を除去する工程を複数回行うと、所定の形状を有する有機化合物層の端部、特に、有機化合物層のパターン角部から割れや剥がれが生じることがある。このように剥がれた有機化合物層の破片が表示領域内に飛散すると、発光不良が生じる場合があった。
【０００９】
本発明は、上述した課題を解決するためになされるものであり、その目的は、フォトリソグラフィを利用して形成された有機化合物層の角部における割れや剥がれが抑制され、発光特性が良好である有機発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の有機発光装置は、配線層を含む回路層と前記回路層を覆う無機絶縁層とを備える基板と、
前記基板の上に設けられ、行及び列方向に配列された複数の画素電極と、
前記複数の画素電極のうち一部の上に設けられ、所定のパターン形状を有する有機化合物層と、
前記有機化合物層の上に設けられた共通電極と、を有し、
前記無機絶縁層が、前記有機化合物層のパターン角部が配置される領域に開口部を有しており、
前記開口部において、前記有機化合物層のパターン角部が前記配線層と接していることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、フォトリソグラフィを利用して形成された有機化合物層のパターン角部における割れや剥がれが抑制され、発光特性が良好である有機発光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の有機発光装置における実施形態の例を示す模式図であり、（ａ）は、斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【図２】無機絶縁層と無機絶縁層の開口部との境界をまたぐように形成される有機化合物層及び共通電極層の成膜状況を示す断面図である。
【図３】本発明の有機発光装置の製造プロセスの例を示す断面概略図である。
【図４】実施例１に係る有機発光装置における有機化合物層のパターン角部の設置態様を示す概略図であり、（ａ）は、平面図であり、（ｂ）は、（ａ）中のＢ−Ｂ’断面図である。
【図５】実施例１に係る有機発光装置における有機化合物層のパターン角部の設置態様を示す概略図であり、（ａ）は、平面図であり、（ｂ）は、（ａ）中のＣ−Ｃ’断面図である。
【図６】比較例１の有機発光装置における有機化合物層のパターン角部の設置態様を示す平面概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の有機発光装置は、配線層を含む回路層と前記回路層を覆う無機絶縁層とを備える基板と、画素電極と、有機化合物層と、共通電極と、を有している。本発明において、画素電極は、基板の上に複数設けられる電極である。より具体的には、画素電極は、所定のパターン形状を有し、行方向及び列方向にそれぞれ複数配列されている電極である。本発明において、有機化合物層は、上記複数の画素電極のうち一部の上に共通に設けられ、各有機化合物層はそれぞれ所定のパターン形状を有している。尚、本発明において、有機発光装置が互いに異なる色を発光する複数の有機発光素子を備える場合、各有機発光素子に含まれる有機化合物層は、発光する色毎に異なっていてもよい。また本発明において、有機化合物層はフォトリソグラフィ法により形成される。本発明において、共通電極は、有機化合物層の上に設けられた電極であり、複数の有機発光素子に連続して設けられている。
【００１４】
本発明においては、基板に備えられる無機絶縁層が、有機化合物層のパターン角部が配置される領域に開口部を有している。また本発明においては、有機化合物層のパターン角部は、上記開口部（無機絶縁層が有する開口部）において、有機化合物層との密着性に優れた配線層に接している。好ましくは、この配線層は、共通電極と有機発光素子を駆動する駆動回路とを電気的に接続する配線を兼ねている。本発明において、有機化合物層のパターン角部とは、有機化合物層のパターンのなす角が１８０°未満の部分を指す。
【００１５】
以下、図面を適宜参照しながら、本発明の実施形態について説明する。尚、以下の説明において記載がない部分や図面にて特に図示されていない部分に関しては、当該技術分野の周知技術又は公知技術を適用することができる。また以下に説明する実施形態は、あくまでも本発明の実施形態の一つにすぎず、本発明はこれら実施形態に限定されるものではない。また本発明の趣旨を逸脱しない限り、以下に説明する実施形態を適宜組み合わせてもよい。
【００１６】
図１は、本発明の有機発光装置における実施形態の例を示す模式図であり、（ａ）は、斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡＡ’断面図である。
【００１７】
図１の有機発光装置１は、基板１０の上に、第一副画素２０ａと第二副画素２０ｂと第三副画素２０ｃとからなる画素２０を有している。そしてこれら三種類の副画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）領域には、それぞれ第一有機発光素子２１ａ、第二有機発光素子２１ｂ、第三有機発光素子２１ｃが設けられている。ここで三種類の有機発光素子（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）による発光色が光の３原色（ＲＧＢ）である場合、図１の有機発光装置１はフルカラー表示が可能となる。ただし、本発明においては、有機発光素子の種類は特に限定されるものではなく、何種類でもよい。
【００１８】
基板１０は、配線層４２を含む回路層１０ａと、無機絶縁層１０ｂと、を有している。図１の有機発光装置１において、無機絶縁層１０ｂは、基材１０ｃの上に回路層１０ａを設けたときに生じた凹凸を緩和すると共に、配線層４２と有機化合物層（特に、発光層）とがショートするのを防止する役割を有する。ただし、各画素電極（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）は、コンタクトホール１１を介して回路層１０ａに設けられた特定のトランジスタに接続されている。無機絶縁層１０ｂの材料として、好ましくは、窒化珪素、酸窒化珪素又は酸化ケイ素である。
【００１９】
図１の有機発光装置１において、第一有機発光素子２１ａは、基板１０上に設けられる画素電極２２ａと、第一有機化合物層２３ａと、電荷注入輸送層２４ａと、共通有機化合物層２５と、共通電極２６とがこの順で積層されてなる素子である。
【００２０】
図１の有機発光装置１において、第二有機発光素子２１ｂは、基板１０上に設けられる画素電極２２ｂと、第二有機化合物層２３ｂと、電荷注入輸送層２４ｂと、共通有機化合物層２５と、共通電極２６とがこの順で積層されてなる素子である。
【００２１】
図１の有機発光装置１において、第三有機発光素子２１ｃは、基板１０上に設けられる画素電極２２ｃと、第三有機化合物層２３ｃと、電荷注入輸送層２４ｃと、共通有機化合物層２５と、共通電極２６とがこの順で積層されてなる素子である。
【００２２】
尚、共通有機化合物層２５及び共通電極２６は、全ての副画素に共通して形成される層である。
【００２３】
本発明における有機発光素子のパターニング手段として、例えば、高精細マスクを用いずに表示領域全体に形成した有機化合物層を所定のパターンのマスク層で覆い、ドライエッチングによりパターニングする方法を用いることができる。ここで所定のパターンにマスク層を形成する方法として、インクジェットや印刷等を用いることができるが、高精細なパターニングが可能なフォトリソグラフィを用いるのが好ましい。
【００２４】
本発明において、有機発光素子はストライプ配列であり、有機化合物層は、同じ色を発する有機発光素子に共通する層として設けられ、ストライプ状にパターニングされる。有機化合物層は、好ましくは、その形状が、列方向に配列された複数の画素電極に連続するストライプパターン形状である。また、基板１０は、トランジスタを含む回路層１０ａと、回路層１０ａを覆う無機絶縁層１０ｂと、を有している。共通電極２６は、無機絶縁層１０ｂに設けられた開口部にて、回路層１０ａに設けられた配線層４２と電気的に接続している。尚、共通電極２６と配線層４２との接続部は、表示領域の周辺に設けられる。
【００２５】
従来の有機発光装置では、有機化合物層のパターン角部を設ける位置・領域については特に意識されていなかった。従って、有機化合物層のパターン角部が回路層を覆う無機絶縁層上に配置された場合、有機化合物層のパターニング工程において、有機化合物層上に形成された中間層を除去する際に、有機化合物層のパターン角部から剥がれが生じ得る。これは、有機化合物層と無機絶縁層との密着力が弱く、中間層のエッチング液が有機化合物層と無機絶縁層との界面に浸透し易いためと考えられる。例えば、有機化合物層のパターンの角部の角度を９０°とすると、当該角部の頂点は周囲２７０°からエッチング液が浸透することになる。このように、有機化合物層のパターンのなす角が１８０°未満である角部は、常に他のパターン端部よりもエッチング液が浸透し易い状況であり、中間層や有機化合物層に応力が生じたりすると当該角部が剥がれたり割れたりすると考えられる。
【００２６】
そこで、本発明の有機発光装置では、有機化合物層のパターン角部を配置する位置に対応して、回路層を覆う無機絶縁層の所定の領域に開口部を設け、有機化合物層のパターン角部を回路に含まれる配線層に接して設けている。尚、開口部を設ける領域の具体例については、後述する。
【００２７】
ところで、互いに接する二層間の密着性は、この二層の界面の形状や各層の組成に相関がある。一般的には、界面の粗さが粗いほど密着力が高く、各層が互いに親和性の高い組成で構成されるほど密着力が高くなる。回路層に含まれる配線層の構成材料としては、クロムや銅等の金属や、珪素やネオジウム等が添加されている、主に、アルミニウムを主成分とする合金（アルミニウム合金）等が用いられる。好ましくは、アルミニウム合金である。このように配線層に接するように有機化合物層のパターン角部を設けることにより、有機化合物層のパターニング工程中に剥がれないだけの密着性を得ることができる。有機化合物層のパターン角部と接触させる配線層の表面に細かい凹凸を設けておくとより高い効果が得られるので、好ましい。有機化合物層のパターン角部を接触させる配線層は、回路層を構成する他の部材とは別に専用に設けてもよいが、共通電極と画素回路とを接続する配線を兼ねているのが好ましい。
【００２８】
図２は、無機絶縁層と無機絶縁層の開口部との境界をまたぐように形成される有機化合物層及び共通電極の成膜状況を示す断面図である。また図２は、有機化合物層４３のパターン角部を、共通電極と画素回路とを接続する配線層に接して設ける様子を示す断面図でもある。無機絶縁層４１に設けられた開口において、共通電極４４も配線層に接するように設けられている。有機化合物層４３及び共通電極４４は、無機絶縁層４１の膜厚段差で段切れしないように設ける必要がある。発光素子の光学設計上、有機化合物層４３は厚くても数百ｎｍの層厚で形成されるのが一般的である。上記の層厚で有機化合物層４３を形成した際に、有機化合物層４３によって無機絶縁層４１の膜厚段差を覆うことができるようにするために、無機絶縁層４１は、３００ｎｍ以下の層厚で形成するのが好ましい。ただし、回路層との絶縁の目的では、少なくとも層厚を１００ｎｍ以上とするのが好ましい。即ち、無機絶縁層４１の膜厚は、より好ましくは、１００ｎｍ乃至３００ｎｍである。また無機絶縁層４１の構成材料として、好ましくは、窒化珪素、酸化珪素等である。より好ましくは、窒化珪素である。
【実施例】
【００２９】
［実施例１］
図３に示される製造プロセスに従って、有機発光装置を製造した。また、図４は、有機化合物層及び密着力強化部材の設置態様の第一の具体例を示す概略図であり、（ａ）は、平面図であり、（ｂ）は、（ａ）中のＢ−Ｂ’断面図である。
【００３０】
本実施例では、図４（ａ）に示されるように、複数の画素電極を行及び列方向に配列し、三種類の副画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）がそれぞれ列方向にストライプ状に配列されるように有機化合物層を形成している。具体的には、第一有機化合物層２４ａ及び第二有機化合物層２４ｂそれぞれの形成パターンは、それぞれ画素電極一列に連続して設けられるストライプ状である。第三有機化合物層２４ｃの形成パターンは、画素電極全体を覆う矩形形状から、第一有機化合物層２４ａ及び第二有機化合物層２４ｂが形成された領域を抜いた形状をしている。と同様に列方向を長手方向とするストライプ状と見ることができる。
【００３１】
また本実施例では、基板１０の上であって三種類の副画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）が設けられている表示領域の周辺の領域の一部に配線層４２を設けた。具体的には、列方向にストライプ状に形成されている有機化合物層（２４ａ、２４ｂ、２４ｃ）のパターン角部が設けられる位置に、共通電極と画素回路とを接続する配線を設けた。ここで、第一有機化合物層２４ａにおける有機化合物層のパターン角部とは、符号Ａ１、Ｂ１、Ｃ１又はＤ１で示され、第一有機化合物層２４ａのパターン（長方形パターン）の４つの角に相当する部位をいう。尚、第二有機化合物層４ｂにおいても同様である。一方、第三有機化合物層２４ｃにおける有機化合物層のパターン角部は、符号Ａ２、Ｂ２、Ｃ２又はＤ２で示される部位である。このように配線層４２を設けた結果、図４（ｂ）に示されるように、有機化合物層（２４ａ、２４ｂ、２４ｃ）のパターン角部は、いずれも配線層４２上に形成されることとなる。
【００３２】
（１）電極付基板の作製工程（図３（ａ））
本実施例では、まずガラスからなる基材１０ａ上に、駆動回路１１と、窒化珪素からなる無機絶縁層１０ｂと、コンタクトホール１２と、をそれぞれ複数有する基板１０を用意した（図３（ａ））。尚、この基板１０には、図３（ａ）に示されるように、駆動回路（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ）や、分離された画素電極（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）が少なくとも３つ設けられている。
【００３３】
また、各画素電極（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）は、基板１０上に、Ａｇ膜とＩＴＯ膜とをこの順で積層してなる積層電極層とした。また、各画素電極（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）は、それぞれ１組の駆動回路（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ）と無機絶縁膜１０ｂに設けられたコンタクトホール（１２ａ、１２ｂ、１２ｃ）にて電気接続されている。
【００３４】
さらに、本実施例で作製した電極付基板には、上部電極と駆動回路とを電気接続するための配線を設け、表示領域の周辺の領域（外周部）において配線が露出するように、無機絶縁膜１０ｂに開口（不図示）を形成した。配線層はＡｌ-Ｓｉ合金を用いて形成した。具体的には、図４（ａ）に示される符号４２の領域に沿って設けた。
【００３５】
基板１０としては、ガラス以外に、高分子材料で作られたフィルム、Ｓｉウェハ等からなる基材（１０ａ）そのものを用いてもよい。
【００３６】
画素電極（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）の構成材料としては、光の取り出し方向に応じて適宜選択することができる。トップエミッション型の有機発光装置を作製する場合は、有機化合物層（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）からそれぞれ発せられる発光について波長帯を制限することなく効率よく反射する材料（Ａｌ、Ａｇ等）が好ましい。
【００３７】
一方、ボトムエミッション型の有機発光装置を作製する場合は、有機化合物層（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）から発せられる発光について波長帯を限定することなく効率よく透過する材料（ＩＴＯ等）が好ましい。
【００３８】
（２）第一有機化合物層の形成工程（図３（ｂ））
本実施例では、次に、真空蒸着法により、基板１０全面（基板面全体）に、正孔輸送層を形成した。このとき正孔輸送層の膜厚を１２０ｎｍとした。次に、真空蒸着法により青色発光層を形成した。このとき青色発光層の膜厚を２０ｎｍとした。尚、正孔輸送層と青色発光層とからなる積層体は第一有機化合物層２３ａとして機能する（図３（ｂ））。
【００３９】
本発明において、有機化合物層（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）は、少なくとも発光層を有する単層あるいは複数の層からなる積層体である。有機化合物層（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）は、好ましくは、発光層を有する複数の層からなる積層体である。有機化合物層（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）が複数の層からなる積層体である場合、有機化合物層（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）が有する発光層以外の層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層等が挙げられる。
【００４０】
尚、有機化合物層（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）が発光層以外の層を有する場合、有機化合物層（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）が有する層としては、画素電極２２の特性を考慮して適宜選択される。ここで画素電極（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）が陽極である場合、有機化合物層（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）が有する層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層等が挙げられ、主に画素電極と発光層との間に設けられる層として存在する。一方、画素電極（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）が陰極である場合、有機化合物層（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）が有する層として、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層等が挙げられ、主に画素電極と発光層との間に設けられる層として存在する。
【００４１】
有機化合物層（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）に含まれる発光層の構成材料としては、金属錯体系（アルミ錯体、イリジウム錯体）の材料等の発光材料を用いることができる。ただし、本発明においては、これらの材料に限定されない。
【００４２】
有機化合物層（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）に含まれる正孔を注入・輸送する層（正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層等）の構成材料としては、フタロシアニン系材料、トリフェニルジアミン系材料等を用いる事ができる。ただし、本発明においては、これらの材料に限定されない。
【００４３】
有機化合物層（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）に含まれる電子を注入・輸送する層（電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層等）の構成材料としては、オキサゾール誘導体、トリアゾール誘導体等を用いることができる。ただし、本発明においては、これらの材料に限定されない。
【００４４】
有機化合物層（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）の形成方法としては、真空蒸着法以外にも、塗布法等を用いることもできる。
【００４５】
（３）エッチストップ層の形成工程（図３（ｂ））
本実施例では、次に、真空蒸着法により、第一有機化合物層２３ａ上に、エッチストップ層２４ａ（ホールブロック層）を形成した（図３（ｂ））。このときエッチストップ層２４ａの膜厚を１０ｎｍとした。
【００４６】
エッチストップ層は、有機化合物層２３と同様に有機発光装置に含まれる有機ＥＬ素子を構成する層、具体的には、図１の有機発光装置１中の電荷注入輸送層２４として機能する。
【００４７】
以下、エッチストップ層の説明に関しては、電荷注入輸送層と同じ符号（符号２４ａ、２４ｂ、２４ｃ）を付して説明する。
【００４８】
本工程において形成されるエッチストップ層（電荷注入輸送層（２４ａ、２４ｂ、２４ｃ））の特性は、後の工程で形成される上部電極２６の特性に依存する。即ち、上部電極２６が陽極である場合、エッチストップ層（２４ａ、２４ｂ、２４ｃ）は、正孔を発光層へ輸送・注入する層（正孔輸送層、正孔注入層、電子ブロック層等）となる。一方、上部電極２６が陰極である場合、エッチストップ層（２４ａ、２４ｂ、２４ｃ）は、電子を発光層へ輸送・注入する層（電子輸送層、電子注入層、正孔ブロック層等）となる。
【００４９】
本発明において、エッチストップ層（２４ａ、２４ｂ、２４ｃ）は、次の工程で形成される第一中間層３１を除去する際に用いる溶媒に不溶な材料からなる層である。このため、エッチストップ層（２４ａ、２４ｂ、２４ｃ）は、第一中間層３１を除去する際に用いる溶媒から有機化合物層（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）を保護する層として機能する。
【００５０】
（４）第一中間層の形成工程（図３（ｂ））
本実施例では、次に、真空蒸着法により、エッチストップ層２４ａ上に、電子輸送性材料を成膜して第一中間層３１を形成した（図３（ｂ））。このとき第一中間層３１の膜厚を２０ｎｍとした。
【００５１】
第一中間層３１の構成材料は、第二中間層１４を除去する際に用いる溶媒に不溶な材料であれば、特に限定されるものではない。例えば、第二中間層１４の構成材料として、水溶性の材料（水溶性の無機材料や有機材料）を用いた場合、第一中間層３１の構成材料としては、水に不溶な材料を用いればよい。
【００５２】
（５）第二中間層の形成工程（図３（ｃ））
本実施例では、次に、ポリビニルピロリドンと水とを混合して塗布液を調製した。次に、第一中間層３１上に、上記塗布液を滴下した後、スピンコート法により、ポリビニルピロリドンを成膜して第二中間層１４を形成した（図３（ｃ））。このとき第二中間層１４の膜厚は５００ｎｍであった。
【００５３】
第二中間層１４は、後の工程で形成する保護層１５、並びにこの保護層１５上に形成される有機化合物層（２３ｂ）を、リフトオフにより除去するために形成される層である。
【００５４】
第二中間層１４の構成材料は、水を含む溶媒に溶解される材料が好ましく、例えば、ＬｉＦ、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール等がよい。ただし、特定の極性溶媒に溶解し、第二中間層１４の上に形成された層を効率的にリフトオフできるものであれば、上述した材料に限定されない。
【００５５】
第二中間層１４は、後で説明するリフトオフ工程で、基板１０と共に溶媒の中に浸漬することで、第二中間層１４上の膜を選択的に除去することが可能となる。
中間層ｂ１４の形成方法としては、スピンコート法、スリットコート法、インクジェット法等が挙げられるが、これに限定されない。
【００５６】
（６）保護層の形成工程（図３（ｃ））
本実施例においては、次に、プラズマＣＶＤ法により、第二中間層１４上に、ＳｉＮ膜を成膜して保護層１５を形成した（図３（ｃ））。このとき保護層１５の膜厚を１０００ｎｍとした。
【００５７】
保護層１５は、第二中間層１４が、次の工程で形成されるレジスト層３０の構成材料であるレジスト材料を溶解する溶媒によって溶解する等のダメージを受け得る場合に設ける層である。即ち、保護層１５は、後述するレジスト層の形成工程において第二中間層１４にダメージを与えないようにする目的で形成される。
【００５８】
保護層１５の構成材料としては、溶媒等の液体が浸透しないよう防湿性が高くドライエッチングにより除去が可能な無機材料（窒化ケイ素、酸化ケイ素等）が好ましい。また保護層１５を形成する方法としては、プラズマＣＶＤ法等が挙げられるが、本発明はこれに限定されない。
【００５９】
（７）レジスト層の形成工程（図３（ｃ））
本実施例においては、次に、保護層１５上に、ポジ型フォトレジスト（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製、ＡＺ１５００）を塗布した後、スピンコート法により薄膜を成膜してレジスト層３０を形成した（図３（ｃ））。このときレジスト層３０の膜厚は１０００ｎｍであった。
【００６０】
レジスト層３０は、露光時の下層への影響を考えた場合、ポジ型のフォトレジストが好ましいが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００６１】
レジスト層３０の形成方法としては、スピンコート法、スリットコート法、インクジェット法、印刷法等を用いることができるが、本発明はこれらに限定されない。
【００６２】
（８）露光・現像工程（図３（ｄ））
本実施例においては、次に、露光装置を用いて、第二副画素２０ｂを設ける領域である図４（ａ）に示される第二有機化合物層２４ｂの形状の開口を有するフォトマスクを用いて露光を行った。この時の露光時間は、４０秒とした。次に、現像液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製、３１２ＭＩＦを水で希釈し、濃度５０％とした物）を用いて現像処理を行うことにより、第二副画素２０ｂを設ける領域に設けられているレジスト層３０を選択的に除去した（図３（ｄ））。このときの現像時間は、６０秒とした。
【００６３】
（９）第一有機化合物層等の加工工程（図３（ｅ））
本実施例においては、次に、ＣＦ4ガスを用いたドライエッチング法により、レジスト層３０に覆われていない保護層１５を除去することで保護層１５を加工した。このときＣＦ4ガスの流量を３０ｓｃｃｍとし、エッチング装置内の圧力を１０Ｐａとし、エッチング装置の出力を１５０Ｗとし、エッチング時間を４２０秒とした。次に、Ｏ2ガスを用いたドライエッチング法により、保護層１５に覆われていない第二中間層１４、第一中間層３１、エッチストップ層２４ａ及び第一有機化合物層２３ａを順次除去した。これにより、第二中間層１４、第一中間層３１、エッチストップ層２４ａ及び第一有機化合物層２３ａをそれぞれ加工した。このときＯ2ガスの流量を２０ｓｃｃｍとし、エッチング装置内の圧力を８Ｐａとし、エッチング装置の出力を１５０Ｗとし、エッチング時間を３００秒とした。以上の工程により、パターニング部材１６が形成されると共に、第二副画素２０ｂに含まれる画素電極２２ｂが表出した（図３（ｅ））。
【００６４】
ここでドライエッチングによる保護層１５の加工を行う際には、保護層１５の構成材料を考慮して、保護層１５の構成材料を効率的にエッチングできる反応ガスを選択すればよい。例えば、保護層１５の構成材料をＳｉＮとした場合は、ＣＦ4ガス、ＣＨＦ3等のフッ素系ガス（フッ化炭素系ガス）を用いればよい。
【００６５】
尚、上述した露光・現像工程を終えた段階で残留しているレジスト層３０を除去する目的で、反応ガス中に酸素を一定の濃度で混合させてもよい。
【００６６】
ドライエッチングによる第二中間層１４の加工を行う際には、第二中間層１４の構成材料を考慮して、第二中間層１４の構成材料を効率的にエッチングできる反応ガスを選択すればよい。例えば、第二中間層１４の構成材料として有機化合物を用いた場合は、Ｏ2ガス等を用いればよい。尚、保護層１５の加工工程においてレジスト層３０が残存している場合であっても、この第二中間層の加工工程において残存し得るレジスト層３０は、完全に除去される。
【００６７】
ドライエッチングを用いて、第一中間層３１、エッチストップ層２４ａ及び第一有機化合物層２３ａの加工を行う際は、上述した第二中間層１４の加工を行う際に利用したドライエッチングの条件と同じ条件を利用することができる。
【００６８】
（１０）第二有機化合物層の形成工程（図３（ｆ））
本実施例においては、次に、真空蒸着法により、表出した画素電極２２ｂを含めた基板１０の全面において、正孔輸送層を形成した。このとき正孔輸送層の膜厚を１６０ｎｍとした。次に、真空蒸着法により、正孔輸送層上に、緑色発光層を形成した。このとき緑色発光層の膜厚を３０ｎｍとした。尚、正孔輸送層と緑色発光層とからなる積層体は、第二有機化合物層２３ｂとして機能する（図３（ｆ））。
【００６９】
（１１）エッチストップ層の形成工程（図３（ｆ））
本実施例においては、次に、真空蒸着法により、第二有機化合物層２３ｂ上に、エッチストップ層２４ｂ（ホールブロック層）を形成した（図３（ｆ））。このときエッチストップ層２４ｂの膜厚を１０ｎｍとした。
【００７０】
（１２）第一中間層の形成工程（図３（ｆ））
本実施例においては、次に、真空蒸着法により、エッチストップ層２４ｂ上に、電子輸送性材料を成膜して第一中間層３１を形成した（図３（ｆ））。このとき第一中間層３１の膜厚を２０ｎｍとした。
【００７１】
（１３）リフトオフ工程（図３（ｇ））
本実施例においては、次に、基板１０を水中に浸漬した。このとき第二中間層１４が水溶性のポリビニルピロリドンで形成されている層であるため、第二中間層１４は溶解され、第二中間層１４の上に形成された層は第二中間層１４が溶解する過程で基板１０からリフトオフされた（図３（ｇ））。
【００７２】
本実施例においては、第一中間層３１自体は第二中間層１４を溶解する溶媒に対しては不溶であるため、画素電極２２の上に形成されている第一中間層３１は除去されることはない。また、本工程において画素電極２２の上に形成されている第一中間層３１は除去されないため、第一中間層３１が被覆するエッチストップ層２４及びエッチストップ層２４が被覆する有機化合物層２３は除去されずに残存する。
【００７３】
従って、第一中間層３１は、エッチストップ層２４や有機化合物層２３を保護する層として機能する。
【００７４】
（１４）第二中間層の形成工程（図３（ｈ））
本実施例においては、次に、ポリビニルピロリドンと水とを混合して塗布液を調製した。次に、第一中間層３１上に、上記塗布液を滴下した後、スピンコート法により、ポリビニルピロリドンを成膜して第二中間層１４を形成した（図３（ｈ））。このとき中間層第二１４の膜厚は５００ｎｍとした。
【００７５】
（１５）保護層の形成工程（図３（ｈ））
本実施例においては、次に、プラズマＣＶＤ法により、第二中間層１４上に、ＳｉＮ膜を成膜して保護層１５を形成した（図３（ｈ））。このとき保護層１５の膜厚を１０００ｎｍとした。
【００７６】
（１６）レジスト層の形成工程（図３（ｈ））
本実施例においては、次に、保護層１５上に、ポジ型フォトレジスト（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製、ＡＺ１５００）を塗布した後、スピンコート法により薄膜を成膜してレジスト層３０を形成した（図３（ｈ））。このときレジスト層３０の膜厚は１０００ｎｍであった。
【００７７】
（１７）露光・現像工程（図３（ｉ））
本実施例においては、次に、露光装置を用いて、第三副画素２０ｃを設ける領域である図４（ａ）中の第三有機化合物層の形状の開口を有するフォトマスクを用いた。フォトマスクのパターン角部が、無機絶縁層に設けた開口部内に配置されるように、基板とフォトマスクの位置合わせをした後、露光を行った。この時の露光時間は、４０秒とした。次に、現像液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製、３１２ＭＩＦを水で希釈し、濃度５０％とした物）を用いて現像処理を行うことにより、第三副画素２０ｃを設ける領域に設けられているレジスト層３０を除去した（図３（ｉ））。このときの現像時間は、６０秒とした。
【００７８】
（１８）第一有機化合物層等の加工工程（図３（ｊ））
本実施例においては、次に、ＣＦ4ガスを用いたドライエッチング法により、レジスト層３０に覆われていない保護層１５を除去することで保護層１５を加工した。このときＣＦ4ガスの流量を３０ｓｃｃｍとし、エッチング装置内の圧力を１０Ｐａとし、エッチング装置の出力を１５０Ｗとし、エッチング時間を４２０秒とした。次に、Ｏ2ガスを用いたドライエッチング法により、保護層１５に覆われていない第二中間層１４、第一中間層３１、エッチストップ層２４ａ及び第一有機化合物層２３ａを順次除去した。これにより、第二中間層１４、第一中間層３１、エッチストップ層２４ａ及び第一有機化合物層２３ａをそれぞれ加工した。このときＯ2ガスの流量を２０ｓｃｃｍとし、エッチング装置内の圧力を８Ｐａとし、エッチング装置の出力を１５０Ｗとし、エッチング時間を３００秒とした。以上の工程により、図３（ｊ）に示されるように、パターニング部材１６が形成されると共に、第三副画素２０ｃに含まれる画素電極２２ｃが表出した。
【００７９】
（１９）第三有機化合物層の形成工程（図３（ｋ））
本実施例においては、次に、真空蒸着法により、表出した画素電極２２ｃを含めた基板１０の全面において、正孔輸送層を形成した。このとき正孔輸送層の膜厚を２００ｎｍとした。次に、真空蒸着法により、正孔輸送層上に、赤色発光層を形成した。このとき赤色発光層の膜厚を３０ｎｍとした。尚、正孔輸送層と赤色発光層とからなる積層体は、第三有機化合物層２３ｃとして機能する（図３（ｋ））。
【００８０】
（２０）エッチストップ層の形成工程（図３（ｋ））
本実施例においては、次に、真空蒸着法により、第三有機化合物層２３ｃ上に、エッチストップ層２４ｃ（ホールブロック層）を形成した（図３（ｋ））。このときエッチストップ層２４ｃの膜厚を１０ｎｍとした。
【００８１】
（２１）第一中間層の形成工程（図３（ｋ））
本実施例においては、次に、真空蒸着法により、エッチストップ層２４ｂ上に、電子輸送性材料を成膜して第一中間層３１を形成した（図３（ｋ））。このとき第一中間層３１の膜厚を２０ｎｍとした。
【００８２】
（２２）リフトオフ工程（図３（ｌ））
本実施例においては、次に、基板１０を水中に浸漬した。このとき第二中間層１４が水溶性のポリビニルピロリドンで形成されている層であるため、第二中間層１４は溶解され、第二中間層１４上に形成された層は、第二中間層１４が溶解する過程で基板１０からリフトオフされた（図３（ｌ））。
【００８３】
（２３）中間層ａの除去工程（図３（ｍ））
本実施例においては、次に、６０％イソプロピルアルコール水溶液中に基板１０を浸漬することで第一中間層３１を除去した（図３（ｍ））。この際、エッチストップ層２４は６０％イソプロピルアルコール水溶液に対しては不溶であるため、本工程において除去されることなく残存する。従って、エッチストップ層２４は、有機化合物層２３を保護する層として機能する。
【００８４】
（２４）共通有機化合物層の形成工程（図３（ｎ））
本実施例においては、次に、真空蒸着法により、エッチストップ層２４（２４ａ、２４ｂ、２４ｃ）上に、各副画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）に共通して設けられる共通有機化合物層２５（電子注入層）を形成した（図３（ｎ））。このとき共通有機化合物層２５の膜厚を２０ｎｍとした。
【００８５】
共通有機化合物層２５は、有機化合物層（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）に効率よくキャリアを注入できる有機化合物からなる層であれば、その構成材料は特に限定されない。具体的には、光の取り出しの方式（トップエミッション方式、ボトムエミッション方式）、有機化合物層２３に注入乃至輸送するキャリアの性質（正孔注入輸送性、電子注入輸送性）等を考慮して構成材料を適宜選択できる。
【００８６】
共通有機化合物層２４を形成する際には、真空蒸着法を用いることができるが、本発明においては、これに限定されない。
【００８７】
（２５）共通電極の形成工程（図３（ｎ））
本実施例においては、次に、スパッタリング法により、共通有機化合物層２５上にＡｇを成膜して、各副画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）に共通して設けられる共通電極２６を形成した（図３（ｎ））。このとき上部電極２６の膜厚を１６ｎｍとし、上部電極の形成領域は、図４（ａ）中の符号２６ａで示される領域、即ち、第三有機化合物層２４ｃを設ける領域及びその周辺の領域とした。
【００８８】
上部電極は、基板の上、具体的には、図４（ａ）の符号４２の領域に設けられた配線を通して駆動回路と接続される。
【００８９】
上部電極２６は、光の取り出し方向を考慮して適宜選択することができる。トップエミッション型の有機発光素子を作製する場合、上部電極２６の構成材料としては、有機化合物層２３から発せられる発光を阻害しない材料であれば特に限定されない。例えば、透明酸化物材料（ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物、ＩＷＺＯ等）が挙げられる。ボトムエミッション型の有機発光素子を作製する場合、上部電極２６の構成材料としては、有機化合物層（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）から発せられる発光を反射する材料であれば特に限定されない。例えば、金属材料（Ａｌ、Ａｇ等）が挙げられる。上部電極２６の形成方法としては、スパッタリング法、真空蒸着法等を用いることができるが、本発明においては、これらの方法に限定されない。
【００９０】
（２７）封止工程
本実施例においては、次に、基板１０を窒素雰囲気下に移し、紫外線硬化樹脂を用いて、基板１０と乾燥剤を備えた封止ガラス板（不図示）とを貼り合わせ、窒素封止構造を形成し、有機発光装置が外気に曝されないよう保護した。以上により有機発光装置を得た。
【００９１】
（２８）装置の評価
得られた有機発光装置は、有機化合物層の割れ剥がれはなく、良好な発光が得られた。
【００９２】
［実施例２］
実施例１（１）において、有機化合物層のパターン角部と接触する配線層４２を、共通電極と駆動回路とを電気的接続するための配線４５とは別に設けた点を除いては、実施例１と同様の方法により有機発光装置を作製した。本実施例において、無機絶縁層４１に設ける開口４１ａの設置領域は、図５（ａ）に示される通りに設定した。
【００９３】
本実施例で作製した有機発光装置は、図５（ｂ）に示されるように、各有機化合物層の少なくとも角部は、配線層４２の上に形成されている。
【００９４】
得られた有機発光装置について評価したところ、有機化合物層の割れ剥がれはなく、良好な発光を得ることができた。
【００９５】
［比較例１］
実施例１において、共通電極と駆動回路とを電気的接続するための配線４５の設置領域を、図７に示されるように、有機化合物層（２４ａ、２４ｂ、２４ｃ）のパターン角部の設置領域に重ならないようにした。また有機化合物層（２４ａ、２４ｂ、２４ｃ）のパターン角部の設置領域には無機絶縁層４１に開口部を設けなかった。これらを除いては、実施例１と同様の方法により、有機発光装置を製造した。
【００９６】
得られた有機発光装置について評価したところ、有機化合物層の角部を起点とした割れ剥がれが発生しており、一部の剥がれた膜は飛散して表示部上に存在し、良好な発光を得ることができなかった。
【００９７】
以上の結果から、各実施例（実施例１乃至３）の有機発光装置は、比較例１の有機発光装置と比べて、成膜端部における有機化合物層の割れや剥がれを低減することができる。このため、フォトリソプロセスを利用して有機発光装置を作成する際に生じ得る有機化合物層の破片の飛散を抑制することができる。従って、良好な発光の有機発光装置を安定して作製できることが確認できた。
【符号の説明】
【００９８】
１：有機発光装置、１０：基板、１１（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ）：駆動回路、１２（１２ａ、１２ｂ、１２ｃ）：コンタクトホール、１４：第二中間層、１５：保護層、１６：パターニング部材、２０：画素、２０ａ：第一副画素、２０ｂ：第二副画素、２０ｃ：第三副画素、２１ａ：第一有機発光素子、２１ｂ：第二有機発光素子、２１ｃ：第三有機発光素子、２２（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）：画素電極、２３：有機化合物層、２３ａ：第一有機化合物層、２３ｂ：第二有機化合物層、２３ｃ：第三有機化合物層、２４（２４ａ、２４ｂ、２４ｃ）：電荷注入輸送層（エッチストップ層）、２５：共通有機化合物層、２６：共通電極、３０：レジスト層、３１：第一中間層、４１：無機絶縁層、４２： 配線層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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