(57)【要約】【課題】有機半導体層の成膜方法が限定されることのない発光装置を提供する。【解決手段】発光装置１０は、球状に形成される基材１１を有する。発光装置１０は、基材１１の表面１２上に形成される第１電極層１３と、第１電極層１３上に形成される有機半導体層１４と、有機半導体層１４上に形成される第２電極層１５と、第２電極層１５上に形成される封止層１６とを有する。また、基材１１には表面１２から突出する突出電極１８が設けられる。突出電極１８は、第１電極層１３に接続される第１導電部２１と、第２電極層１５に接続される第２導電部２３とを有する。このように、基材１１の外側に有機半導体層１４を設けるようにしたので、有機半導体層１４を形成する際の成膜方法を自由に選択することが可能となる。また、突出電極１８を把持して基材１１を移動させることができ、基材１１の外側に対して簡単に有機半導体層１４を形成することが可能となる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層体が設けられる外表面を備えた基材を有し、
前記積層体は、前記外表面上に設けられる第１電極層と、前記第１電極層上に設けられる発光層と、前記発光層上に設けられる第２電極層と、を備え、
前記基材に前記外表面から突出して設けられ、前記第１電極層に接続される第１導電部と前記第２電極層に接続される第２導電部との少なくともいずれか一方を備える突出電極を有する、ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１記載の発光装置において、
前記突出電極の端部は、前記積層体の最外層よりも外側に突出することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項２記載の発光装置において、
前記突出電極には、前記第１導電部と前記第２導電部との双方が設けられることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項２記載の発光装置において、
前記突出電極として第１突出電極と第２突出電極とを有し、
前記第１突出電極には前記第１導電部が設けられ、
前記第２突出電極には前記第２導電部が設けられることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項３または４記載の発光装置において、
前記突出電極の端部に他の基材が取り付けられ、複数の前記基材が前記突出電極を介して連結されることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項２記載の発光装置において、
前記突出電極は、前記基材の重心を通過する直線上に設けられることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
基材の外表面上に発光層が設けられる発光装置の製造方法であって、
前記基材に前記外表面から突出する突出電極を取り付ける電極取付工程と、
前記突出電極を把持して前記基材を位置決めし、前記基材の前記外表面上に前記発光層を形成する発光層形成工程と、を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の発光装置の製造方法において、
前記発光層形成工程では、前記基材を回転させることを特徴とする発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光層を備える発光装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、照明装置やディスプレイ装置等の光源として、エレクトロルミネセンス(ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ)等の固体発光素子が開発されている。このエレクトロルミネセンスは、発光材料の種類に応じて有機ＥＬと無機ＥＬとに分類される。また、無機ＥＬは、電界エネルギーによって発光する真性形の無機ＥＬと、電子注入によって発光する注入形の無機ＥＬつまり発光ダイオード(ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ)とに分類される。なお、有機ＥＬは、発光ダイオードに動作原理が似ていることから、有機発光ダイオード(ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ)とも呼ばれている。
【０００３】
上記した有機ＥＬ等の発光装置として、従来型の照明装置を交換することなく使用可能な電球型の発光装置が提案されている(特許文献１参照)。特許文献１に記載される発光装置は、球形の透明基材と、透明基材の内面に形成される発光層とを有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−７３４０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の発光装置においては、透明基材の内面に発光層を備える構造であるため、発光層の成膜方法として真空蒸着法やスパッタリング法等を用いることができないという問題がある。すなわち、特許文献１の発光装置において、透明基材の内面に発光層を形成する際には、球形の透明基材に形成される小さな開口部から、成膜用の液体材料を流し込んで発光層を形成したり、成膜用の液体材料を噴霧して発光層を形成したりする必要があった。
【０００６】
また、特許文献１の発光装置においては、内側に発光層を備える構造であるため、基材に金属材料のような不透明材料を用いることができないという問題がある。すなわち、内側の発光層から発せられる光を外側に導く必要があるため、透明基材つまり透光性を有する基材を採用することが必要であった。
【０００７】
このように、従来技術においては、発光層の成膜方法が限定されるという問題が生じている。本発明が解決しようとする課題としては、上記した問題が一例として挙げられる。
【０００８】
また、従来技術においては、基材の材料が制限されてしまうという問題が生じている。本発明が解決しようとする課題としては、上記した問題が一例として挙げられる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に記載の発明は、積層体が設けられる外表面を備えた基材を有し、前記積層体は、前記外表面上に設けられる第１電極層と、前記第１電極層上に設けられる発光層と、前記発光層上に設けられる第２電極層と、を備え、前記基材に前記外表面から突出して設けられ、前記第１電極層に接続される第１導電部と前記第２電極層に接続される第２導電部との少なくともいずれか一方を備える突出電極を有する、ことを特徴とする。
【００１０】
請求項７に記載の発明は、基材の外表面上に発光層が設けられる発光装置の製造方法であって、前記基材に前記外表面から突出する突出電極を取り付ける電極取付工程と、前記突出電極を把持して前記基材を位置決めし、前記基材の前記外表面上に前記発光層を形成する発光層形成工程と、を有することを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施の形態１における発光装置の一例を示す斜視図である。
【図２】発光装置の断面図である。
【図３】(ａ)は図２の範囲αを示す拡大図である。(ｂ)は図２の範囲βを示す拡大図である。
【図４】実施の形態１における発光装置の製造方法の一例を示す工程図である。
【図５】(ａ)〜(ｃ)は図４の工程毎に発光装置の製造過程を示す図である。
【図６】(ａ)〜(ｃ)は図４の工程毎に発光装置の製造過程を示す図である。
【図７】真空蒸着を行う成膜装置の一例を示す図である。
【図８】スプレーコートを行う成膜装置の一例を示す図である。
【図９】(ａ)および(ｂ)はディップコートを行う成膜装置の一例を示す図である。
【図１０】(ａ)〜(ｅ)は基材の他の例を示す斜視図である。
【図１１】実施の形態２における発光装置の構成の一例を示す図である。
【図１２】発光装置を示す断面図である。
【図１３】図１２の範囲αを示す拡大図である。(ｂ)は図１２の範囲βを示す拡大図である。
【図１４】(ａ)〜(ｅ)は基材の他の例を示す斜視図である。
【図１５】実施の形態３における発光装置の構成の一例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下の実施の形態においては、便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらは互いに無関係なものではなく、一方は、他方の一部または全部の、変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等(個数、数値、量、範囲等を含む)に言及する場合、特に明示した場合および形態上明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。
【００１３】
また、以下の実施の形態において、その構成要素(要素ステップ等も含む)は、特に明示した場合および形態上明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および形態上明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
また、実施の形態を説明するための全図において、同様の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明については省略する。
【００１４】
＜実施の形態１＞
実施の形態１における発光装置について、図１〜図１０に基づき説明する。
［発光装置の構成］
【００１５】
実施の形態１における発光装置の構成について説明する。図１は実施の形態１における発光装置１０の一例を示す斜視図である。図２は発光装置１０の断面図である。図３(ａ)は図２の範囲αを示す拡大図であり、図３(ｂ)は図２の範囲βを示す拡大図である。
【００１６】
図１〜図３に示すように、発光装置１０は、球状かつ中空に形成される基材１１を有している。この基材１１には、外表面としての表面、つまり外側に向いた表面１２が設けられている。発光装置１０は、基材１１の表面１２上に形成される第１電極層１３と、第１電極層１３上に形成される有機半導体層(発光層)１４とを有している。また、発光装置１０は、有機半導体層１４上に形成される第２電極層１５と、第２電極層１５上に形成される封止層１６とを有している。このように、基材１１の表面１２には、第１電極層１３、有機半導体層１４、第２電極層１５および封止層１６を備える積層体２０が設けられている。また、有機半導体層１４は、図示しない電子注入層、電子輸送層、発光材料層、ホール輸送層、ホール注入層等によって構成される。有機半導体層１４を挟み込む第１電極層１３と第２電極層１５とに電圧を印加することにより、有機半導体層１４を発光させることが可能となる。
【００１７】
第１電極層１３は、アルミニウム膜等を用いて構成されており、有機半導体層１４から発せられる光に対して反射性を有している。第２電極層１５は、ＩＴＯ(Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ)膜等を用いて構成されており、有機半導体層１４から発せられる光に対して透光性を有している。封止層１６は、無機材料膜、有機材料膜あるいは樹脂フィルム等を用いて構成されており、有機半導体層１４から発せられる光に対して透光性を有している。すなわち、有機半導体層１４から第２電極層１５側(外側)に照射される光は、第２電極層１５および封止層１６を通過して外部に照射される。一方、有機半導体層１４から第１電極層１３側(内側)に照射される光は、第１電極層１３において反射した後に、第２電極層１５および封止層１６を通過して外部に照射される。このように、図示する発光装置１０は、所謂トップエミッション方式の有機ＥＬ素子であり、図３(ａ)および(ｂ)に矢印Ａで示すように、基材１１の径方向外方(外側)に光を照射する構成となっている。なお、発光装置１０から発せられる光は、可視光線に限られることはなく、赤外線や紫外線であっても良い。また、発光装置１０から発せられる光は、情報通信用の変調された光であっても良い。
【００１８】
図３(ａ)に示すように、第１電極層１３と第２電極層１５とに電圧を印加するため、基材１１には接合部１７を介して突出電極１８が固定されている。すなわち、基材１１には表面１２から突出する突出電極１８が設けられている。また、図２に示すように、突出電極１８は、基材１１の重心Ｃを通過する直線Ｌ上に設けられている。さらに、図３(ａ)に示すように、突出電極１８の端部１９は、第１電極層１３、有機半導体層１４、第２電極層１５および封止層１６からなる積層体２０の最外層、つまり封止層１６よりも外側に突出している。突出電極１８は、中心部に設けられる軸状の第１導電部２１と、第１導電部２１の外周面に設けられる絶縁層２２と、絶縁層２２の外周面に設けられる第２導電部２３とを有している。図示する基材１１はガラスや樹脂等の絶縁材料を用いて形成されることから、第１電極層１３と第１導電部２１とを電気的に接続するため、基材１１には金属材料からなる接合部１７が取り付けられる。すなわち、基材１１上の第１電極層１３と突出電極１８の第１導電部２１とは、基材１１の接合部１７を介して電気的に接続されている。また、基材１１上の第２電極層１５は、突出電極１８の外周部に設けられる第２導電部２３を覆って形成されている。このように、基材１１上の第２電極層１５と突出電極１８の第２導電部２３とは、直に接触することで電気的に接続されている。
【００１９】
［発光装置の製造方法］
実施の形態１における発光装置１０の製造方法について説明する。図４は実施の形態１における発光装置１０の製造方法の一例を示す工程図である。図５(ａ)〜(ｃ)は図４の工程毎に発光装置１０の製造過程を示す図である。図６(ａ)〜(ｃ)は図４の工程毎に発光装置１０の製造過程を示す図である。図７は真空蒸着を行う成膜装置３０の一例を示す図である。図８はスプレーコートを行う成膜装置４０の一例を示す図である。図９(ａ)および(ｂ)はディップコートを行う成膜装置５０の一例を示す図である。
【００２０】
図４および図５に示すように、取付部加工工程Ｓ１では、ガラスや樹脂等からなる基材１１に取付穴２４が形成され、取付穴２４に金属材料等からなる接合部１７が固定される。続いて、電極取付工程Ｓ２では、接合部１７に対して突出電極１８が固定される。なお、基材１１と接合部１７との接合方法や、突出電極１８と接合部１７との接合方法としては、接着やネジ結合等を用いることが可能である。電極取付工程Ｓ２を経て基材１１に突出電極１８が固定されると、その後の各工程においては、ロボットアームやホルダ等によって突出電極１８を把持することにより、基材１１に触れることなく基材１１の移動や位置決めが可能となる。基材洗浄工程Ｓ３では、ロボットアーム等によって突出電極１８を把持することにより、基材１１に触れることなく基材１１は図示しない洗浄装置に収容される。そして、基材１１の表面１２に紫外線洗浄やブラシ洗浄等が施され、基材１１の表面１２から異物が除去される。続いて、第１電極層形成工程Ｓ４では、ロボットアーム等によって突出電極１８を把持することにより、基材１１に触れることなく基材１１は図示しない成膜装置に収容される。そして、真空蒸着やスパッタリング等を用いて基材１１の表面１２上には第１電極層１３が形成され、第１電極層１３と第１導電部２１とは接合部１７を介して電気的に接続される。
【００２１】
図４および図６に示すように、半導体層形成工程(発光層形成工程)Ｓ５では、ロボットアーム等によって突出電極１８を把持することにより、基材１１に触れることなく基材１１は成膜装置３０に収容される。図７に示すように、成膜装置３０は、チャンバー３１と、発光材料が直列に配置されるリニアソース３２と、突出電極１８を把持するとともに回転するホルダ３３とを有している。この成膜装置３０を用いて有機半導体層１４を形成する際には、ホルダ３３に対して突出電極１８を固定することにより、チャンバー３１内の所定位置に基材１１が配置される。そして、突出電極１８を中心に基材１１を回転させるとともに、リニアソース３２から発光材料を蒸発させることにより、基材１１の第１電極層１３上に有機半導体層１４が形成される。すなわち、基材１１の表面１２上には、第１電極層１３を介して発光層である有機半導体層１４が設けられている。また、図７に示すように、突出電極１８は基材１１の重心を通過する直線上に配置されるため、基材１１の回転軸つまり突出電極１８と直交する方向Ａから基材１１の表面１２全体が見えるようになっている。このように、基材１１に対して突出電極１８を設けることにより、基材１１の全ての表面１２に発光材料を付着させることができ、基材１１の全ての表面１２に有機半導体層１４を形成することが可能となる。なお、上記の説明では、基材１１に有機半導体層１４を形成する際に基材１１を回転させているが、これに限られることはなく、停止させた基材１１の周りでリニアソース３２を回転させても良い。
【００２２】
また、上記の説明では、基材１１に有機半導体層１４を形成する成膜方法として、真空蒸着を挙げているが、これに限られることはなく、発光材料の溶液を噴霧塗布するスプレーコートや、発光材料の溶液を浸漬塗布するディップコートを採用しても良い。図８に示すように、スプレーコート用の成膜装置４０は、チャンバー４１と、発光材料の溶液が噴霧されるスプレーガン４２と、突出電極１８を把持するとともに回転するホルダ４３とを有している。この成膜装置４０を用いて有機半導体層１４を形成する際には、ホルダ４３に対して突出電極１８を固定することにより、チャンバー４１内の所定位置に基材１１が配置される。そして、突出電極１８を中心に基材１１を回転させるとともに、スプレーガン４２から発光材料を噴霧することにより、基材１１の第１電極層１３上に有機半導体層１４が形成される。なお、基材１１に有機半導体層１４を形成する際には、停止させた基材１１の周りでスプレーガン４２を回転させても良い。また、図９に示すように、ディップコート用の成膜装置５０は、発光材料の溶液Ｓを貯留する貯留槽５１と、突出電極１８を把持するとともに回転する伸縮ロッド５２とを有している。この成膜装置５０を用いて有機半導体層１４を形成する際には、伸縮ロッド５２に対して突出電極１８を固定することにより、成膜装置５０内の所定位置に基材１１が配置される。そして、図８(ａ)に示すように、伸縮ロッド５２を下方に伸ばして基材１１を貯留槽５１に沈めた後に、図８(ｂ)に示すように、伸縮ロッド５２を上方に縮めて基材１１が貯留槽５１から引き上げられる。続いて、図８(ｂ)に示すように、突出電極１８を中心に基材１１を回転させることにより、余分な溶液Ｓが遠心力によって除去され、基材１１の第１電極層１３上に有機半導体層１４が形成される。
【００２３】
図４及び図６に示すように、第２電極層形成工程Ｓ６では、ロボットアーム等によって突出電極１８を把持することにより、基材１１に触れることなく基材１１は図示しない成膜装置に収容される。そして、真空蒸着やスパッタリング等を用いて基材１１の有機半導体層１４上には第２電極層１５が形成され、第２電極層１５と第２導電部２３とは電気的に接続される。なお、第２電極層形成工程Ｓ６においては、真空蒸着やスパッタリング等を用いて基材１１の有機半導体層１４上には第２電極層１５が形成される。続いて、封止層形成工程Ｓ７では、ロボットアーム等によって突出電極１８を把持することにより、基材１１に触れることなく基材１１は図示しない成膜装置に収容される。そして、真空蒸着やスパッタリング等を用いて基材１１の第２電極層１５上には封止層１６が形成される。
【００２４】
［実施の形態１の効果］
実施の形態１によれば、基材１１の外側に有機半導体層１４が設けられるため、有機半導体層１４を形成する際の成膜方法を自由に選択することが可能となる。すなわち、有機半導体層１４を形成する際の成膜方法として、真空蒸着、スパッタリング、スプレーコート、ディップコート、スピンコート、インクジェット印刷、スクリーン印刷、凸版印刷、凹版印刷あるいはオフセット印刷等の様々な成膜方法を利用することが可能となる。このように、多種多様な成膜方法から最適な成膜方法を選択することができるため、発光装置１０の製造品質を向上させることが可能となる。また、多種多様な成膜方法から最適な成膜方法を選択することができるため、発光装置１０の製造コストを抑制することが可能となる。
【００２５】
実施の形態１によれば、基材１１の外側に有機半導体層１４が設けられるため、不透明つまり透光性を持たない材料によって基材１１を形成することが可能となる。これにより、基材１１の材料として、透光性を有するガラスや樹脂等だけでなく、不透明なガラスや樹脂等を用いることが可能となり、不透明な金属材料を用いることが可能となる。このように、多種多様な材料から最適な基材材料を選択することができるため、発光装置１０の製造コストを抑制することが可能となる。また、多種多様な材料から最適な基材材料を選択することができるため、発光装置１０の品質を高めることが可能となる。なお、金属材料を用いて基材１１を形成する場合には、基材１１の表面１２に樹脂等の絶縁層が形成され、この絶縁層上に第１電極層１３が形成される。すなわち、基材１１の表面１２上には絶縁層を介して第１電極層１３が形成されることになる。
【００２６】
実施の形態１によれば、基材１１に突出電極１８を設けるようにしたので、突出電極１８を把持することにより、基材１１に触れることなく基材１１の移動や位置決めが可能となる。これにより、基材１１の取扱いが極めて容易となるため、発光装置１０の製造コストを抑制することが可能となる。また、突出電極１８の端部１９は、基材１１の表面１２上に設けられる積層体２０の最外層よりも外側に突出することから、積層体２０の製造品質に影響を与えることなく突出電極１８を確実に把持することが可能となる。
【００２７】
実施の形態１によれば、基材１１の重心Ｃを通過する直線Ｌ上に突出電極１８を設けるようにしたので、突出電極１８を把持して基材１１を移動させたりする際に、突出電極１８に作用する負荷を軽減することが可能となる。また、基材１１の重心Ｃを通過する直線Ｌ上に突出電極１８を設けるようにしたので、突出電極１８を中心に基材１１を回転させる場合であっても、基材１１のフレを抑制しながら回転させることが可能となる。このように、基材１１を回転させることができるため、成膜装置３０，４０，５０を簡単に構成することが可能となる。また、基材１１を回転させることができるため、基材１１上に高品質の有機半導体層１４を形成することが可能となる。
【００２８】
実施の形態１によれば、第１電極層形成工程Ｓ４において、基材１１の表面１２上に第１電極層１３を形成することで、基材１１上の第１電極層１３と突出電極１８の第１導電部２１とを電気的に接続することが可能となる。これにより、第１電極層１３と第１導電部２１とを別部材を用いて接続するための工程を省略することができ、発光装置１０の製造コストを抑制することが可能となる。同様に、第２電極層形成工程Ｓ６において、基材１１の有機半導体層１４上に第２電極層１５を形成することで、基材１１上の第２電極層１５と突出電極１８の第２導電部２３とを電気的に接続することが可能となる。これにより、第２電極層１５と第２導電部２３とを別部材を用いて接続するための工程を省略することができ、発光装置１０の製造コストを抑制することが可能となる。
【００２９】
［発光装置の変形例］
実施の形態１における発光装置の変形例について説明する。図１０(ａ)〜(ｅ)は基材１１の他の例を示す斜視図である。
【００３０】
上記の説明では、中空構造の基材１１を用いているが、基材１１としては中空構造に限られることはなく、内部に空洞を持たない構造の基材を採用しても良い。また、上記の説明では、球状の基材１１を用いているが、基材１１の形状としては球状に限られることはなく、様々な形状の基材を用いることが可能である。例えば、図１０(ａ)に示すように立方体形状の基材６０を用いても良く、図１０(ｂ)に示すように円柱形状の基材６１を用いても良い。図１０(ｃ)に示すように角錐形状の基材６２を用いても良く、図１０(ｄ)に示すように円錐形状の基材６３を用いても良い。図１０(ｅ)に示すように平板形状の基材６４を用いても良く、図１０(ｆ)に示すように立方体形状の基材６５を用いても良い。このような各種基材６０〜６５を用いて発光装置を構成した場合であっても、突出電極１８を設けることにより、上記の発光装置１０と同様の効果を得ることが可能である。なお、突出電極１８については、各基材６０〜６５の重心を通過する直線上に取り付けることが望ましい。また、図１０(ｆ)に示す基材６５には、その頂点に突出電極１８が設けられている。この基材６５においては、重心と頂点とを通過する直線上に配置される突出電極１８が鉛直方向を向いている。つまり、図１０(ｆ)には、立方体形状となる基材６５の全ての表面６６に有機半導体層１４を形成する場合において、突出電極１８の望ましい取付状態が示されている。すなわち、図１０(ｆ)には、回転中心となる突出電極１８と直交する向きから基材６５を見たときに、基材６５の全て表面６６が見える状態となっている。
【００３１】
また、上記の発光装置１０は、発光層に有機材料を用いた有機ＥＬであるが、これに限られることはなく、発光層に無機材料を用いた無機ＥＬによって発光装置を構成しても良い。また、図２に示すように、基材１１の表面１２の全てに、第１電極層１３、有機半導体層１４および第２電極層１５を形成しているが、これに限られることはなく、基材１１の表面１２の一部に対して第１電極層１３、有機半導体層１４および第２電極層１５を形成しても良い。また、上記の説明では、第２電極層１５上に封止層１６を形成しているが、これに限られることはなく、第１電極層１３、有機半導体層１４および第２電極層１５を備えた基材１１を、ガラスやプラスチック等を用いて形成される透明容器で覆っても良い。
【００３２】
図示する突出電極１８は、円形の断面形状を備える棒状に形成されているが、これに限られることはなく、多角形の断面形状を備える棒状に突出電極１８を形成しても良い。また、突出電極１８を筒状に形成しても良く、筒状に形成された突出電極１８の内部に冷却用のガスや液体を流しても良い。また、発光装置１０を従来の照明器具に対応させるため、突出電極１８を従来の電球や蛍光灯の口金と同形状に形成しても良い。また、金属材料等の導電材料を用いて基材１１を形成する場合には、接合部１７を用いることなく基材１１に対して突出電極１８を直に接続しても良い。
【００３３】
上記の説明では、取付部加工工程Ｓ１と基材洗浄工程Ｓ３との間に電極取付工程Ｓ２を設けているが、これに限られることはなく、半導体層形成工程Ｓ５の前に電極取付工程Ｓ２が設けられていれば良い。例えば、基材洗浄工程Ｓ３と第１電極層形成工程Ｓ４との間に電極取付工程Ｓ２を設けても良く、第１電極層形成工程Ｓ４と半導体層形成工程Ｓ５との間に電極取付工程Ｓ２を設けても良い。
【００３４】
＜実施の形態２＞
【００３５】
実施の形態２における発光装置について、図１１〜図１４に基づき説明する。上記した実施の形態１では、基材に対して１本の突出電極を取り付けている。これに対し、実施の形態２では、基材に対して複数本の突出電極を取り付けている。以下の説明においては、主に実施の形態１と異なる点について説明する。図１１は実施の形態２における発光装置７０の構成の一例を示す図である。図１２は発光装置７０を示す断面図である。図１３(ａ)は図１２の範囲αを示す拡大図であり、図１３(ｂ)は図１２の範囲βを示す拡大図である。
【００３６】
図１１および図１２に示すように、発光装置７０は、突出電極として、第１突出電極７１と第２突出電極７２とを有している。第１突出電極７１と第２突出電極７２とは、基材１１の重心Ｃを通過する直線Ｌ上に設けられている。また、第１突出電極７１の端部７３と第２突出電極７２の端部７４とは、積層体２０の最外層つまり封止層１６よりも外側に突出している。図１３(ａ)に示すように、接合部１７を介して基材１１に固定される第１突出電極７１は、中心部に設けられる軸状の第１導電部２１と、第１導電部２１の外周面に設けられる絶縁層２２とによって構成されている。この第１突出電極７１の第１導電部２１と基材１１の第１電極層１３とは、基材１１の接合部１７を介して電気的に接続されている。図１３(ｂ)に示すように、基材１１に対して直に固定される第２突出電極７２は、軸状の第２導電部７５によって構成されている。この第２突出電極７２の第２導電部７５と基材１１の第２電極層１５とは、直に接触することで電気的に接続されている。
【００３７】
実施の形態２によれば、実施の形態１の効果に加えて、以下の効果を得ることが可能となる。すなわち、実施の形態２によれば、第１突出電極７１と第２突出電極７２とを設けるようにしたので、ロボットアームやホルダ等によって２箇所を把持することができ、移動や位置決めを行う際にも基材１１を安定させることが可能となる。また、実施の形態２によれば、第１突出電極７１と第２突出電極７２とを設けるようにしたので、各工程Ｓ３〜Ｓ７間における基材１１の受け渡しが極めて容易となる。例えば、前工程のロボットアームが第１突出電極７１を把持し、後工程のロボットアームが第２突出電極７２を把持することにより、各工程Ｓ３〜Ｓ７間における基材１１の受け渡しが容易となる。
【００３８】
上記の説明では、球状の基材１１を用いているが、基材１１の形状としては球状に限られることはなく、様々な形状の基材１１を用いることが可能である。また、同一直線上に、第１突出電極７１と第２突出電極７２とが配置されているが、これに限られることはなく、第１突出電極７１と第２突出電極７２とは基材１１上の異なる２位置に設けられていれば良い。ここで、図１４(ａ)〜(ｅ)は基材１１の他の例を示す斜視図である。図１４(ａ)に示すように、立方体形状の基材６０に２本の突出電極７１，７２を取り付けても良く、図１４(ｂ)に示すように、円柱形状の基材６１に２本の突出電極７１，７２を取り付けても良い。図１４(ｃ)に示すように、角錐形状の基材６２に２本の突出電極７１，７２を取り付けても良く、図１０(ｄ)に示すように、円錐形状の基材６３に２本の突出電極７１，７２を取り付けても良い。図１４(ｅ)に示すように、平板形状の基材６４に２本の突出電極７１，７２を取り付けても良く、図１４(ｆ)に示すように、立方体形状の基材６５に２本の突出電極７１，７２を取り付けても良い。このような各種基材６０〜６５を用いて発光装置を構成した場合であっても、２本の突出電極７１，７２を設けることにより、上記の発光装置７０と同様の効果を得ることが可能である。なお、図１４(ａ)〜(ｆ)に示すように、第１および第２突出電極７１，７２が、基材１１の重心を通過する直線上に設けられていない場合には、第１または第２突出電極７１，７２を回転軸として基材１１を回転させるのではなく、基材１１の重心を通過する直線を回転中心として基材１１を回転させることは言うまでもない。また、上記の説明では、基材１１に対して２本の突出電極７１，７２を設けているが、これに限られることはなく、基材１１に対して３本以上の突出電極を設けても良い。
【００３９】
＜実施の形態３＞
実施の形態３における発光装置について、図１５に基づき説明する。上記した実施の形態１，２では、発光装置は１つの基材を備えている。これに対し、実施の形態３では、発光装置は複数の基材を備えている。以下の説明においては、主に実施の形態２と異なる点について説明する。図１５は実施の形態３における発光装置８０の構成の一例を示す斜視図である。
【００４０】
図１５に示すように、発光装置８０は、２つの基材１１を備えている。一方の基材１１には、突出電極として、第１突出電極７１と第２突出電極７２とが設けられている。他方の基材１１には、突出電極として、第１突出電極７１と第２突出電極７２とが設けられている。また、各基材１１が備える第２突出電極７２は互いに連結されており、２つの基材１１は第２突出電極７２を介して連結されている。この発光装置８０においては、２つの基材１１を備える１つの発光装置として完成させても良く、第２突出電極７２を切断することで１つの基材１１を備える２つの発光装置として完成させても良い。なお、上記の説明では、第２突出電極７２同士を連結しているが、これに限られることはなく、第１突出電極７１同士を連結しても良く、第１突出電極７１と第２突出電極７２とを連結しても良い。
【００４１】
実施の形態３によれば、実施の形態１，２の効果に加えて、以下の効果を得ることが可能となる。すなわち、実施の形態３によれば、突出電極７２を介して複数の基材１１を連結するようにしたので、複数の基材１１に対して一度に有機半導体層１４を形成することができ、発光装置８０の製造コストを引き下げることが可能となる。また、複数の基材１１を備える１つの発光装置８０として完成させた場合には、発光装置８０の輝度を高めることができ、発光装置８０の品質を向上させることが可能となる。また、複数の基材１１を備える１つの発光装置８０として完成させた場合には、基材１１毎に発色を変えることができ、発光装置８０の品質を向上させることが可能となる。
【００４２】
上記の説明では、突出電極７２を介して２つの基材１１を連結しているが、これに限られることはなく、突出電極７２を介して３つ以上の基材１１を連結しても良い。また、上記の説明では、球状の基材１１を用いているが、基材１１の形状としては球状に限られることはなく、上記の様々な形状の基材１１を用いることが可能である。また、同一直線状に、第１突出電極７１と第２突出電極７２とが配置されているが、これに限られることはなく、第１突出電極７１と第２突出電極７２とは基材１１上の異なる２位置に設けられていれば良い。また、上記の説明では、各基材１１に対して２つの突出電極７１，７２を設けているが、これに限られることはなく、図２に示した１つの突出電極１８を各基材１１に設けても良い。この場合には、突出電極１８を介して複数の基材１１が連結されることになる。
【００４３】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、上記した実施の形態は、本発明を分かり易く説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施の形態の構成の一部を他の実施の形態の構成に置き換えることが可能である。また、ある実施の形態の構成に他の実施の形態の構成を加えることも可能である。また、各実施の形態の構成の一部について、他の構成の追加、削除、置換をすることが可能である。
【符号の説明】
【００４４】
１０    発光装置
１１    基材
１２    表面(外表面)
１３    第１電極層
１４    有機半導体層(発光層)
１５    第２電極層
１６    封止層(最外層)
１８    突出電極
１９    端部
２０    積層体
２１    第１導電部
２３    第２導電部
６０〜６５    基材
７０    発光装置
７１    第１突出電極(突出電極)
７２    第２突出電極(突出電極)
７３，７４    端部
７５    第２導電部
８０    発光装置
Ｃ    重心
Ｌ    直線
Ｓ２    電極取付工程
Ｓ５    半導体層形成工程(発光層形成工程)
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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