(57)【要約】【課題】電気光学装置の高精度な検査方法を提供する事。【解決手段】電気光学装置は、信号系列と、信号線１７と、走査線１６と、信号線１７と走査線１６との交差部に配置された画素３５とを含む。こうした電気光学装置の検査方法は、信号系列を用いて画素に検査電位を供給する書き込み工程と、信号系列を用いて画素３５の電荷を画素電荷として計測する読み出し工程と、画素電荷に応じた画素情報を画素毎に記憶する記憶工程と、画素情報を信号系列毎に集合体に分類し、集合体内で画素情報を比較して異常値を検出する比較工程と、を含む。同一信号系列内で画素情報を比較して異常値の有無を特定するので、信号系列毎に異なる寄生容量や配線抵抗の影響を除去し、正確に検査を行う事ができる。【選択図】図６
2014085367.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号系列と、信号線と、走査線と、前記信号線と前記走査線との交差部に配置された画素と、を含む電気光学装置に対して、
前記信号系列を用いて前記画素に検査電位を供給する書き込み工程と、
前記信号系列を用いて前記画素の電荷を画素電荷として計測する読み出し工程と、
前記画素電荷に応じた画素情報を画素毎に記憶する記憶工程と、
前記画素情報を前記信号系列毎に集合体に分類し、前記集合体内で前記画素情報を比較して異常値を検出する比較工程と、
を含む事を特徴とする電気光学装置の検査方法。
【請求項２】
前記読み出し工程において、計測対象となる画素に接続する信号線を除いた他の信号線に計測補助電位を供給する事を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の検査方法。
【請求項３】
前記信号系列はｐ本（ｐは２以上の整数）のビデオ系列を含み、前記信号線は前記ビデオ系列のいずれかに電気的に接続する事を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の検査方法。
【請求項４】
前記信号系列はｐ本（ｐは２以上の整数）のビデオ系列を含み、前記信号線は前記ビデオ系列のいずれかに電気的に接続し、
前記他の信号線に電気的に接続するビデオ系列に、前記計測補助電位を供給する事を特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の検査方法。
【請求項５】
前記信号系列はｑ本（ｑは１以上の整数）のイネイブル系列を含み、前記集合体は前記ビデオ系列と前記イネイブル系列とで分類される事を特徴とする請求項３又は４に記載の電気光学装置の検査方法。
【請求項６】
前記計測補助電位が高電位である事を特徴とする請求項２又は４に記載の電気光学装置の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示機能が付いた電子機器では、透過型電気光学装置や反射型電気光学装置が使用されている。これらの電気光学装置に光が照射され、電気光学装置により変調された透過光や反射光が表示画像となったり、或いはスクリーンに投影されて投射画像となったりしている。この様な電子機器に使用される電気光学装置としては液晶装置が知られており、これは液晶の誘電異方性と液晶層における光の旋光性とを利用して画像を形成する物である。液晶装置では、画像表示領域に走査線と信号線とが配置されて、これらの交点に画素が行列状に配置されている。画素には画素トランジスターが設けられ、画素トランジスターを介して各画素に画像信号を供給する事で画像が形成される。
【０００３】
こうした液晶装置の検査方法は、例えば、特許文献１に記載されている。特許文献１では、まず総ての画素に検査信号を導入し、次に、画素毎にその電位を、信号線を介して読み取っていた。更に、総ての画素トランジスターをオフ状態にした上で、信号線の電位を読み取り（空読みし）、画素毎に読み取られた電位に基づく情報から空読みで得られた電位に基づく情報を減じて検査を行っていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−３１８５５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載されている検査方法では、液晶装置に応じて、高精度の検査が困難であるという課題があった。液晶装置では、複数のビデオ系列を用いて、信号線に画像信号を供給する事がある。この様な液晶装置に特許文献１に記載されている検査方法を適応すると、ビデオ系列と信号線との間に生ずる寄生容量などが異なる為に、空読みした電位にもビデオ系列毎に異なる寄生容量の影響が残り、正確な検査を行い難かった。換言すると、従来の検査方法では、複数のビデオ系列を用いる様な高精細表示が可能な電気光学装置を高精度に検査する事が困難であるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、前述の課題の少なくとも一部を解決する為になされたものであり、以下の形態又は適用例として実現する事が可能である。
【０００７】
（適用例１）  本適用例に係わる電気光学装置の検査方法は、信号系列と、信号線と、走査線と、信号線と走査線との交差部に配置された画素と、を含む電気光学装置に対して、信号系列を用いて画素に検査電位を供給する書き込み工程と、信号系列を用いて画素の電荷を画素電荷として計測する読み出し工程と、画素電荷に応じた画素情報を画素毎に記憶する記憶工程と、画素情報を信号系列毎に集合体に分類し、集合体内で画素情報を比較して異常値を検出する比較工程と、を含む事を特徴とする。
この構成によれば、同一信号系列内で画素情報を比較して異常値の有無を特定するので、信号系列毎に異なる寄生容量や配線抵抗の影響を除去し、正確に検査を行う事ができる。換言すると、複数のビデオ系列を用いる様な高精細表示が可能な電気光学装置に対して、高精度に検査する事ができる。
【０００８】
（適用例２）  上記適用例に係わる電気光学装置の検査方法において、読み出し工程において、計測対象となる画素に接続する信号線を除いた他の信号線に計測補助電位を供給する事が好ましい。
この構成によれば、計測補助電位を検査電位と同一に設定できるので、読み出し工程時に信号線間に発生する寄生容量や信号系列と信号線との間に発生する寄生容量などの影響を排除する事ができる。即ち、計測対象となる画素に接続する信号線を除いた他の信号線の電位を、書き込み工程時と読み出し工程時とで同一とするので、他の信号線から計測対象となる画素に接続する信号線への寄生容量の影響が除去され、正確に検査を行う事ができる。換言すると、複数のビデオ系列を用いる様な高精細表示が可能な電気光学装置に対して、高精度に検査する事ができる。
【０００９】
（適用例３）  上記適用例に係わる電気光学装置の検査方法において、信号系列はｐ本（ｐは２以上の整数）のビデオ系列を含み、信号線はビデオ系列のいずれかに電気的に接続する事が好ましい。
この構成によれば、ビデオ系列を複数個用いるので、高精細表示が容易となり、こうした電気光学装置に対しても高精度に検査を行う事ができる。
【００１０】
（適用例４）  上記適用例に係わる電気光学装置の検査方法において、信号系列はｐ本（ｐは２以上の整数）のビデオ系列を含み、信号線はビデオ系列のいずれかに電気的に接続し、他の信号線に電気的に接続するビデオ系列に、計測補助電位を供給する事が好ましい。
この構成によれば、ビデオ系列を複数個用いるので、高精細表示が容易となり、こうした電気光学装置に対しても高精度に検査を行う事ができる。更に、計測対象となる画素に接続する信号線を除いた他の信号線の電位を、書き込み工程時と読み出し工程時とで同一とするので、他の信号線から計測対象となる画素に接続する信号線への寄生容量の影響が除去され、正確に検査を行う事ができる。
【００１１】
（適用例５）  上記適用例に係わる電気光学装置の検査方法において、信号系列はｑ本（ｑは１以上の整数）のイネイブル系列を含み、集合体はビデオ系列とイネイブル系列とで分類される事が好ましい。
この構成によれば、ビデオ系列とイネイブル系列とを複数個用いるので、高精細表示が容易となり、各系列毎に検査が行われるので、高精細表示が可能な電気光学装置に対しても高精度に検査を行う事ができる。
【００１２】
（適用例６）  上記適用例に係わる電気光学装置の検査方法において、計測補助電位が高電位である事が好ましい。
計測補助電位を検査電位と同一な高電位に設定できるので、読み出し工程時に信号線間に発生する寄生容量や信号系列と信号線との間に発生する寄生容量などの影響を排除する事ができる。即ち、計測対象となる画素に接続する信号線を除いた他の信号線の電位を、書き込み工程時と読み出し工程時とで同一とするので、他の信号線から計測対象となる画素に接続する信号線への寄生容量の影響が除去され、正確に検査を行う事ができる。換言すると、複数のビデオ系列を用いる様な高精細表示が可能な電気光学装置に対して、高精度に検査する事ができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】電気光学装置としての液晶装置の模式断面図。
【図２】液晶装置の回路構成図。
【図３】表示領域の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】実施形態に係わる検査方法での書き込み工程を説明するタイミングチャート図。
【図５】実施形態に係わる検査方法でのリセット工程を説明するタイミングチャート図。
【図６】実施形態に係わる検査方法での読み出し工程を説明するタイミングチャート図。
【図７】実施形態に係わる検査方法での平均化工程を説明する図。
【図８】実施形態に係わる検査方法での比較工程を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。尚、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。
【００１５】
（実施形態）
「電気光学装置の概要」
図１は、電気光学装置としての液晶装置の模式断面図である。以下、液晶装置１００の構造を、図１を参照して説明する。尚、以下の形態において、「○○上に」と記載された場合、○○の上に接する様に配置される場合、又は、○○の上に他の構成物を介して配置される場合、又は、○○の上に一部が接する様に配置され一部が他の構成物を介して配置される場合、を表すものとする。
【００１６】
図１に示す様に、液晶装置１００では、一対の基板を構成する素子基板１２と対向基板１３とが、平面視で略矩形枠状に配置されたシール材１４にて貼り合わされている。液晶装置１００は、シール材１４に囲まれた領域内に液晶層１５が封入された構成になっている。液晶層１５としては、例えば、正の誘電率異方性を有する液晶材料が用いられる。液晶装置１００は、シール材１４の内周近傍に沿って遮光性材料からなる平面視矩形枠状の遮光膜３３が対向基板１３に形成されており、この遮光膜３３の内側の領域が表示領域３４となっている。
【００１７】
素子基板１２の液晶層１５側には、複数の画素電極４２が形成されており、これら画素電極４２を覆う様に第１配向膜４３が形成されている。画素電極４２は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の透明導電材料からなる導電膜である。一方、対向基板１３の液晶層１５側には、格子状の遮光膜３３が形成され、その上に平面ベタ状の共通電極２７が形成されている。そして、共通電極２７上には、第２配向膜４４が形成されている。共通電極２７は、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる導電膜である。
【００１８】
液晶装置１００は透過型であって、素子基板１２及び対向基板１３における光の入射側と出射側とにそれぞれ偏光板（図示せず）等が配置されて用いられる。なお、液晶装置１００の構成は、これに限定されず、反射型や半透過型の構成であってもよい。
【００１９】
「電気光学装置の回路構成」
図２は、液晶装置の回路構成図である。以下、液晶装置１００の回路構成を、図２を参照して説明する。尚、電気光学装置では、主に素子基板１２に各種回路が形成されるので、図２は主として素子基板１２の構成を描いてある。又、液晶装置１００は、薄膜トランジスター（ＴＦＴ素子４６と称する、図３参照）を画素３５（図３参照）のスイッチング素子（画素スイッチング素子）として用いたアクティブマトリックス方式の電気光学装置である。
【００２０】
図２に示す様に、液晶装置１００は四角形の表示領域３４と信号線駆動回路３６とを少なくとも備えている。本実施形態では、更に、走査線駆動回路３８と検査回路３９とを液晶装置１００は備えている。表示領域３４には画素回路が形成されている。これらの各種回路や回路間を結ぶ配線は、素子基板１２に薄膜層を用いて形成される。但し、図２では、総ての回路や配線を総て描いてある訳ではなく、説明を分かり易くする為に、説明に必要となる回路や配線のみを描いてある。
【００２１】
表示領域３４内には、画素３５がマトリックス状に設けられている。画素３５は、交差する走査線１６（図３参照）と信号線１７（図３参照）とによって特定される領域で、一つの画素３５は一本の走査線１６からその隣の走査線１６まで、且つ、一本の信号線１７からその隣の信号線１７までの領域である。表示領域３４は第一の辺３４１（上辺）と第三の辺３４３（下辺）とが第一の方向（本実施形態ではｘ軸方向）に沿い、第二の辺３４２（右辺）と第四の辺３４４（左辺）とが第二の方向（本実施形態ではｙ軸方向）に沿った四角形となっている。第一の方向と第二の方向とは互いに交差し、本実施形態では直交している。表示領域３４の外側の領域には、信号線駆動回路３６や走査線駆動回路３８、検査回路３９が形成されている。
【００２２】
走査線駆動回路３８は表示領域３４の外縁の対向する二辺（第二の辺３４２と第四の辺３４４と）に沿ってそれぞれ形成されており、走査線１６に選択電位又は非選択電位を供給し、複数の走査線１６から特定の走査線１６を選択する。
【００２３】
信号線駆動回路３６は表示領域３４の外縁のうち走査線駆動回路３８が形成されていない側の一辺（第三の辺３４３）に沿って形成されており、シフトレジスター回路ＳＲと信号系列とを含んでいる。信号系列はｐ本（ｐは２以上の整数）のビデオ系列とｑ本（ｑは１以上の整数）のイネイブル系列を含んでいる。本実施形態ではｐ＝１２で、ビデオ系列としては、第１ビデオ系列ＶＩＤ１から第１２ビデオ系列ＶＩＤ１２が配置されている。又、本実施形態ではｑ＝４で、イネイブル系列としては、第１イネイブル系列ＥＮＢＸ１から第４イネイブル系列ＥＮＢＸ４が配置されている。液晶装置１００が画像を表示する際には、ビデオ系列に画像信号が供給され、イネイブル系列に選択信号又は非選択信号が供給される。
【００２４】
シフトレジスター回路ＳＲにはクロック信号ＣＬＸと反転クロック信号ＣＬＸＢと方向制御信号ＤＩＲと逆方向制御信号ＤＩＲＢとが供給され、スタートパルス信号ＤＸを右方向又は左方向に順次転送する。シフトレジスター回路ＳＲの各段からの出力はナンド回路ＥＮＢＸ＿ＮＡＮＤに入力される。ナンド回路ＥＮＢＸ＿ＮＡＮＤの他方の入力には第１イネイブル系列ＥＮＢＸ１から第ｑイネイブル系列ＥＮＢＸｑのいずれかのイネイブル系列が電気的に接続されている。
【００２５】
ナンド回路ＥＮＢＸ＿ＮＡＮＤの各出力はノア回路ＮＲＧ＿ＮＯＲの否定入力となり、ノア回路ＮＲＧ＿ＮＯＲの他方の入力は、ＮＲＧ信号の否定回路ＮＲＧ＿ＩＮＶによる否定入力となっている。
【００２６】
ノア回路ＮＲＧ＿ＮＯＲの各出力は、第１バッファー回路Ｘ＿ＢＵＦＦＥＲ１と第２バッファー回路Ｘ＿ＢＵＦＦＥＲ２とを介してｐ個のアナログスイッチＡＳのゲートに入力される。ｐ個のアナログスイッチＡＳは並列に配列され、各アナログスイッチＡＳの入力は、第１ビデオ系列ＶＩＤ１から第ｐビデオ系列ＶＩＤｐのいずれかのビデオ系列に電気的に接続されている。各アナログスイッチＡＳの出力はそれぞれ信号線１７に接続する。即ち、各信号線１７はビデオ系列のいずれかに電気的に接続している。尚、アナログスイッチＡＳはトランジスターにて形成され、便宜上、トランジスターのソースドレインの一方をアナログスイッチＡＳの入力と命名し、他方をアナログスイッチＡＳの出力と命名している。
【００２７】
信号線駆動回路３６は、信号線１７に画像信号を供給するが、上述の回路構成とする事で、シフトレジスター回路ＳＲの一段からの出力でｐ×ｑ本の信号線１７に、独立にそれぞれ異なった画像信号を供給する事ができる。こうして、各信号線１７には信号線駆動回路３６から、例えば、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが供給される事になる。
【００２８】
尚、端子１と端子２とが電気的に接続されているとは、端子１と端子２とが配線により直に接続されている場合の他に、抵抗素子やスイッチング素子を介して接続されている場合をも含む。即ち、端子１での電位と端子２での電位とが多少異なっていても、回路上で同じ意味を持たせる場合、端子１と端子２とは電気的に接続されている事になる。例えば、図２で信号線１７とビデオ系列のいずれか一本とは電気的に接続されている。実際には信号線１７とビデオ系列との間にはアナログスイッチＡＳが介在するが、アナログスイッチＡＳが導通状態とされた場合に、信号線１７の電位はビデオ系列のいずれか一本の電位とほぼ等しくなり得るとの回路上の意味からして、信号線１７とビデオ系列とは電気的に接続されている、と言える。
【００２９】
検査回路３９は表示領域３４に隣り合う一辺（第一の辺３４１）に沿って形成されており、各信号線１７に電気的に接続されている。
【００３０】
「画素構成」
図３は、表示領域の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置１００の表示領域３４の電気的な構成を、図３を参照しながら説明する。
【００３１】
図３に示す様に、液晶装置１００は、表示領域３４を構成する複数の画素３５を有している。各画素３５には、それぞれ画素電極４２が配置されている。又、画素３５には、ＴＦＴ素子４６が形成されている。
【００３２】
ＴＦＴ素子４６は、画素電極４２へ通電制御を行う画素スイッチング素子である。ＴＦＴ素子４６のソース側には、信号線１７が電気的に接続されている。
【００３３】
又、ＴＦＴ素子４６のゲート側には、走査線１６が電気的に接続されている。走査線１６には、例えば、走査線駆動回路３８から所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが供給される様になっている。又、ＴＦＴ素子４６のドレイン側には、画素電極４２が電気的に接続されている。
【００３４】
走査線１６から供給された走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍは画素スイッチング素子に対する選択電位で、画素スイッチング素子は選択電位が印加された際に導通状態となり、非選択電位が印加された際に非導通状態となる。即ち、スイッチング素子であるＴＦＴ素子４６は選択電位が供給された一定期間だけオン状態となることで、信号線１７から供給された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが、画素電極４２を介して画素３５に所定のタイミングで書き込まれる様になっている。
【００３５】
画素３５に書き込まれた所定電位の画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極４２と共通電極２７（図１参照）との間で形成される液晶容量で一定期間保持される。尚、保持された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎの電位が、漏れ電流により、低下する事を抑制すべく、画素電極４２と容量線４７とで保持容量４８が形成されている。
【００３６】
液晶層１５に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより、液晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶層１５に入射した光が変調されて、画像光が生成される。
【００３７】
「計測処理」
図４は、本実施形態に係わる検査方法での書き込み工程を説明するタイミングチャート図である。又、図５は本実施形態に係わる検査方法でのリセット工程を説明するタイミングチャート図である。又、図６は本実施形態に係わる検査方法での読み出し工程を説明するタイミングチャート図である。以下、図４乃至図６を参照して、検査方法を説明する。
【００３８】
電気光学装置の検査方法は、計測処理と統計処理との２つの処理を含む。ここではまず計測処理を説明する。計測処理は、信号系列を用いて画素３５に検査電位を供給する書き込み工程と、信号系列を用いて画素３５の電荷を画素電荷として計測する読み出し工程と、を含んでいる。実際には、書き込み工程と読み出し工程との間にリセット工程を設けるのが検査感度を上げるのに好ましい。計測処理の際に、ビデオ系列をｋ個（ｋは２以上ｐ以下の整数で、且つｐ／ｋが整数となる値）のグループに分け、その内の１個のグループに属するビデオ系列に電気的に接続する信号線１７を計測対象信号線とする。検査対象となる画素３５は計測対象信号線に電気的に接続している。計測対象信号線以外の信号線１７は非計測対象信号線である。計測処理では、まず、総ての画素３５に対して書き込み工程を施し、次いで計測対象信号線にリセット工程を施し、更に計測対象信号線に電気的に接続する画素３５に対して読み出し工程が行われる。次に、検査対象とするグループを変えて、これら３工程からなるサイクルを同じ様に繰り返す。この様な工程サイクルをｋ回繰り返して、表示領域３４の画素３５総てに計測処理が施される。
【００３９】
本実施形態では、ｋは３で、各ビデオ系列は第１グループから第３グループに分類される。例えば、第１グループには第１ビデオ系列ＶＩＤ１と第４ビデオ系列ＶＩＤ４と第７ビデオ系列ＶＩＤ７と第１０ビデオ系列ＶＩＤ１０とが属し、第２グループには第２ビデオ系列ＶＩＤ２と第５ビデオ系列ＶＩＤ５と第８ビデオ系列ＶＩＤ８と第１１ビデオ系列ＶＩＤ１１とが属し、第３グループには第３ビデオ系列ＶＩＤ３と第６ビデオ系列ＶＩＤ６と第９ビデオ系列ＶＩＤ９と第１２ビデオ系列ＶＩＤ１２とが属す。計測処理は、この様に信号線１７をｋ個のグループに分け、グループ毎に上述の３工程からなるサイクルをｋ回繰り返す。本実施形態ではｋ＝３であるが、ｋを２以上の整数とする事で信号線１７は少なくとも１本おきに計測対象信号線となり、後述する様に隣り合う信号線１７間の寄生容量の影響を排除する事ができる。
【００４０】
書き込み工程では、図４に示す様に、信号系列を用いて表示領域３４の画素３５総てに検査電位としての高電位Ｈ（例えば１２Ｖ）を供給する。走査線駆動回路３８にて一本の走査線１６が選択された状態で、シフトレジスター回路ＳＲには、スタートパルス信号ＤＸと、クロック信号ＣＬＸと、反転クロック信号ＣＬＸＢと、を供給する。イネイブル系列は、第１イネイブル系列ＥＮＢＸ１から第４イネイブル系列ＥＮＢＸ４を、クロック信号ＣＬＸの一周期の四分の１毎に順次選択信号を供給して行く。イネイブル系列の選択信号は高電位Ｈ（例えば１２Ｖ）で、非選択信号は低電位Ｌ（例えば接地電位で０Ｖ）である。こうする事で、前述の如く、シフトレジスター回路ＳＲの一段からの出力でｐ×ｑ本の信号線１７に、独立にそれぞれ異なった画像信号が供給される。但し、書き込み工程では、ビデオ系列には、第１ビデオ系列ＶＩＤ１から第１２ビデオ系列ＶＩＤ１２まで総て同じ高電位Ｈ（例えば１２Ｖ）の信号を供給する。即ち、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは皆等しい高電位Ｈとする。以下同様にして、総ての走査線１６を順次選択して行き、表示領域３４の画素３５総てに検査電位を供給する。
【００４１】
次に、図５に示す様に、検査対象となる画素３５に接続する信号線１７の電位をリセットする。図５の例では、第１グループに属する第１ビデオ系列ＶＩＤ１と第４ビデオ系列ＶＩＤ４と第７ビデオ系列ＶＩＤ７と第１０ビデオ系列ＶＩＤ１０とに電気的に接続する信号線１７が計測対象信号線であり、これらがリセットされる。この際に、総ての走査線は非選択とされ、表示領域３４のＴＦＴ素子４６は総て非導通状態とされている。シフトレジスター回路ＳＲに供給されるスタートパルス信号ＤＸとクロック信号ＣＬＸと反転クロック信号ＣＬＸＢとイネイブル系列の各信号は書き込み工程と同様である。計測対象信号線が電気的に接続する第１グループに属する第１ビデオ系列ＶＩＤ１と第４ビデオ系列ＶＩＤ４と第７ビデオ系列ＶＩＤ７と第１０ビデオ系列ＶＩＤ１０とには低電位Ｌが供給され、その他のグループに属するビデオ系列には検査電位と同じ高電位Ｈが供給される。こうして信号線１７の内でｋ−１本おきに計測対象信号線が設定され、これらの電位は低電位Ｌにリセットされる。一方、非計測対象信号線の電位は高電位Ｈとなっている。
【００４２】
読み出し工程では、図６に示す様に、計測対象信号線に電気的に接続する画素３５に残留する電荷量を画素電荷として計測する。この際に、計測対象信号線に対応するビデオ系列（図６の例では、第１グループに属する第１ビデオ系列ＶＩＤ１と第４ビデオ系列ＶＩＤ４と第７ビデオ系列ＶＩＤ７と第１０ビデオ系列ＶＩＤ１０）にはセンスアンプなどの検査装置が接続される。又、計測対象となる画素３５に接続する信号線１７を除いた他の信号線１７（即ち非計測対象信号線）には計測補助電位が供給される。計測補助電位は書き込み工程時に各信号線１７に供給された検査電位と同じ電位（高電位Ｈ）とする。要するに、非計測対象信号線に対応するビデオ系列に計測補助電位として高電位を供給する。その上で、走査線駆動回路３８にて一本の走査線１６が選択された状態で、シフトレジスター回路ＳＲには、スタートパルス信号ＤＸと、クロック信号ＣＬＸと、反転クロック信号ＣＬＸＢと、を供給する。イネイブル系列は、第１イネイブル系列ＥＮＢＸ１から第４イネイブル系列ＥＮＢＸ４を、クロック信号ＣＬＸの一周期の四分の１毎に順次選択信号を供給して行く。こうする事で、非計測対象信号線が書き込み工程時と同じ電位（高電位）に保たれた状態で、計測対象信号線に電気的に接続する画素３５からは順次画素電荷が計測される。隣接する信号線１７の間に生ずる寄生容量は、絶縁膜に生ずるクラックや配線に生ずるエレクトロマイグレーションなどに起因して、配線毎に異なり得る。もし書き込み工程時と読み出し工程時とで、計測対象信号線の隣の信号線１７の電位が異なると、寄生容量のカップリングにより、信号線１７毎に寄生容量に起因するノイズ量が異なってしまい、画素電荷を正確に計測する事が困難となる。これに対して、本実施形態では、たとえ信号線１７毎に隣の信号線１７との間に発生する寄生容量が異なっていても、計測対象信号線の隣に位置する非計測対象信号線の電位が、書き込み工程時と読み出し工程時とで同じであるので、寄生容量のカップリングによる変動を回避する事ができる。即ち、隣接する信号線１７の間に生ずる寄生容量の影響を排除して、正確に画素電荷を計測する事ができる。
【００４３】
こうして第１グループに属するビデオ系列に電気的に接続する画素３５の計測処理が終了したら、次に第２グループに属するビデオ系列に電気的に接続する画素３５の計測処理を行い、以下同様にして、第ｋグループに属するビデオ系列に電気的に接続する画素３５の計測処理を行い、表示領域３４の画素３５総てに計測処理を施す。
【００４４】
「統計処理」
図７は、本実施形態に係わる検査方法での平均化工程を説明する図である。又、図８は本実施形態に係わる検査方法での比較工程を説明する図である。以下、図７と図８とを参照して、検査方法を説明する。尚、図７と図８とでは、画像信号Ｓｉが導入される信号線１７をＳｉと命名している。例えば画像信号Ｓ１が導入される１列目の信号線１７はＳ１とされている。
【００４５】
電気光学装置の検査方法は、計測処理と統計処理との２つの処理を含むが、次に統計処理を説明する。統計処理では、まず計測された画素電荷を、画素電荷に応じた画素情報へと変換する。読み出し工程時には、計測対象信号線に対応するビデオ系列にセンスアンプが接続され、出てくる電荷量を計測する。この際にセンスアンプの出力をＤＣＳ回路でサンプリングし、検査対象となっている画素３５のデータとする。各画素３５からのデータはアナログ増幅器でゲインやオフセットが加算され、次に、アナログデジタルコンバーターで２５６階調のデジタル値に変換されて、画素情報となる。こうして得られた画素情報は記憶工程にて画素３５毎に記憶される。
【００４６】
統計処理は、平均化工程と比較工程とを含んでいる。平均化工程では、図７に示す様に、信号線１７毎に画像情報を走査線に対して平均化する。例えば１列目の信号線１７に対しては、１行１列に位置する画素３５の画素情報（２００）からｍ行１列に位置する画素３５の画素情報（１９８）までのｍ個の画素情報の平均値が取られる。これを信号線毎の平均値と呼ぶ。
【００４７】
比較工程では、まず、図８に示す様に、画素情報を含む信号線毎の平均値を、信号系列毎に集合体に分類する。即ち、イネイブル系列とビデオ系列とが同じである信号線１７の集合体を作る。例えば、図８に示す集合体では、第２イネイブル系列ＥＮＢＸ２で且つ第１ビデオ系列ＶＩＤ１に属す信号線１７が集められている。この集合体はｐ×ｑ個作られる。この集合体内で画素情報を比較して異常値を検出するのが比較工程である。
【００４８】
異常値を検出するには、まず、集合体内の信号線１７を順番に並べ、隣り合う３本の信号線１７で、信号線毎の平均値の移動平均値を取る。例えば、４９列目の信号線に対しては、１列目の信号線毎の平均値（２００）と４９列目の信号線毎の平均値（１９９）と９７列目の信号線毎の平均値（１９７）との平均値を取って、４９列目の信号線の移動平均値（１９９）とする。尚、この際に集合体内で最初の列（Ｓ１）と最後の列とでは、信号線毎の平均値を以て移動平均値とする。次に、信号線１７毎に、移動平均値からの信号線毎の平均値の差を求める（移動平均値からの差と称する）。例えば、９７列目の信号線では、信号線毎の平均値が１９７で、移動平均値が１９８であるので、移動平均値からの差は−１となる。こうして得られた移動平均値からの差が、−７以下と６以上となった場合に当該信号線を不良（ＮＧ）と判定する。図８の例では、１４５列目の信号線と１９３列目の信号線と２４１列目の信号線とが不良と判定されている。尚、本実施形態では、各画素３５からのデータが２５６階調のデジタル値に変換されたので、−７以下と６以上とが判定の閾値になったが、デジタル値の階調が異なる場合には、判定の閾値は比例計算される。例えば、デジタル値の階調が１０２４である場合、−２８以下と２４以上とが判定の閾値となる。本願発明人が鋭意研究したところによると、この判定基準が不良を特定するのに最も優れていた。但し、判定基準は上述の閾値を用いる方法に限られず、平均値と標準偏差とを用いる方法など、各種方法を適応する事ができる。
【００４９】
以上述べた様に本実施形態によれば、同一信号系列内で画素情報を比較して異常値の有無を特定するので、信号系列毎に異なる寄生容量や配線抵抗の影響を除去し、正確に検査を行う事ができる。又、読み出し工程時に、非計測対象信号線には検査電位に等しい計測補助電位が供給されるので、信号線１７間に発生する寄生容量や信号系列と信号線１７との間に発生する寄生容量などの影響を排除する事ができる。即ち、計測対象となる画素３５に接続する信号線１７に対する寄生容量の影響を、書き込み工程時と読み出し工程時とで同一とするので、寄生容量の影響を除去し、正確に検査を行う事ができる。換言すると、複数のビデオ系列を用いる様な高精細表示が可能な電気光学装置に対して、高精度に検査する事ができる。
【００５０】
尚、本実施形態では、電気光学装置として液晶装置１００を用いて説明したが、この他に電気光学装置としては、電気泳動表示装置や有機ＥＬ装置なども対象となる。
【００５１】
又、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。
【符号の説明】
【００５２】
ＣＬＸ…クロック信号、ＣＬＸＢ…反転クロック信号、ＤＸ…スタートパルス信号、ＥＮＢＸ１…第１イネイブル系列、ＥＮＢＸ２…第２イネイブル系列、ＥＮＢＸ３…第３イネイブル系列、ＥＮＢＸ４…第４イネイブル系列、ＳＲ…シフトレジスター回路、ＶＩＤ１…第１ビデオ系列、ＶＩＤ２…第２ビデオ系列、ＶＩＤ３…第３ビデオ系列、ＶＩＤ４…第４ビデオ系列、ＶＩＤ５…第５ビデオ系列、ＶＩＤ６…第６ビデオ系列、ＶＩＤ７…第７ビデオ系列、ＶＩＤ８…第８ビデオ系列、ＶＩＤ９…第９ビデオ系列、ＶＩＤ１０…第１０ビデオ系列、ＶＩＤ１１…第１１ビデオ系列、ＶＩＤ１２…第１２ビデオ系列、１２…素子基板、１３…対向基板、１５…液晶層、１６…走査線、１７…信号線、２７…共通電極、３４…表示領域、３５…画素、３６…信号線駆動回路、３８…走査線駆動回路、３９…検査回路、４２…画素電極、４６…ＴＦＴ素子、４７…容量線、４８…保持容量、１００…液晶装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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