(57)【要約】【課題】ヒートシンクとダイとの間の界面についてより厳密な制御を達成する方法を提供する。【解決手段】方法は、基板１２、および、基板の主面の一部分の上に載置されたＩＣダイ１６を含む集積回路（ＩＣ）ダイアセンブリ１１を設けること、ＩＣダイ１６上に界面材料２０を投与すること、ヒートスプレッダ２２の一部分を界面材料２０と接触して位置づけること、ヒートスプレッダ２２のＩＣダイアセンブリに面する一方の面と基板１２上の封止剤１８の主面の露出部分との間に接着剤３０を投与することを含む。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
方法であって、
基板、および、該基板の主面の一部分の上に載置されたＩＣダイを含む集積回路（ＩＣ）ダイアセンブリを設けること、
前記ＩＣダイ上に熱界面材料を投与すること、
ヒートスプレッダの一部分を前記熱界面材料と接触して位置づけること、
前記ヒートスプレッダの前記ＩＣダイアセンブリに面する一方の面と前記基板上の封止剤の主面の露出部分との間に接着剤を投与することを備える、方法。
【請求項２】
前記接着剤を硬化させることをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記接着剤および前記熱界面材料を硬化させることをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記接着剤を投与することは、前記ヒートスプレッダの端部の周りに前記接着剤を投与することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ヒートスプレッダは、
前記熱界面材料に接触する台座と、
前記台座の外周の周りで前記ヒートスプレッダを貫通する少なくとも１つのベントとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記接着剤を投与することは、ノズルを使用して前記ヒートスプレッダの前記ベントを通じて前記接着剤を投与することを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記接着剤を投与することは、前記接着剤が前記基板上の封止剤と、前記ヒートスプレッダの前記一方の面の少なくとも一部分とに接触するように実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ヒートスプレッダの前記熱界面材料と接触している前記一部分は下降部分であり、該下降部分は、前記ＩＣダイと前記基板との間に取り付けられているワイヤボンドの周縁の内部で前記ＩＣダイの上に位置づけられている、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
方法であって、
半導体ダイを基板に取り付けること、
前記半導体ダイと前記基板との間にワイヤボンドを形成すること、
前記ワイヤボンドを成形コンパウンドを用いて封止することであって、該成形コンパウンドは前記ワイヤボンドを含んでいない前記半導体ダイの上面を露出させるように構成される、封止すること、
第１の接着剤を前記半導体ダイの前記上面の上に被着させること、
ヒートスプレッダの一部分を前記第１の接着剤に接触させること、
第２の接着剤を、該第２の接着剤が前記成形コンパウンドの第１の面と前記ヒートスプレッダの第１の面との間の間隙を充填するように投与することを備える、方法。
【請求項１０】
前記ヒートスプレッダの前記一部分を接触させることは、前記第１の接着剤の所定の厚さを確立するために前記ヒートスプレッダと前記基板との間に圧力を加えることを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の接着剤は熱界面材料であり、前記第２の接着剤は毛細管現象によって流動可能な材料である、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記第２の接着剤を投与することは、前記第２の接着剤が前記間隙内を流れ、かつ前記成形コンパウンドの前記第１の面および前記ヒートスプレッダの前記第１の面と接触するように、前記ヒートスプレッダの周縁の周りに前記第２の接着剤を投与することを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記ヒートスプレッダは、前記第１の接着剤と接触している前記ヒートスプレッダの前記一部分の外部にある断面を貫通するベントを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２の接着剤を投与することは、前記第２の接着剤が前記間隙内を流れ、かつ前記成形コンパウンドの前記第１の面および前記ヒートスプレッダの前記第１の面と接触するように、前記第２の接着剤を前記ベント内に投与することを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の接着剤および前記第２の接着剤を硬化させることをさらに備える、請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
前記ヒートスプレッダの前記第１の接着剤と接触している前記一部分は、前記ヒートスプレッダの前記第１の面から前記ダイに向かって伸長する下降部分である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
方法であって、
基板上に載置された集積回路（ＩＣ）ダイの露出部分上に界面材料を被着させること、
前記界面材料を使用してヒートスプレッダの第１の部分を前記ＩＣダイ上に載置することであって、前記ヒートスプレッダは、該ヒートスプレッダの前記第１の部分の外部にある、該ヒートスプレッダの第２の部分を貫通する開口を有する、載置すること、
前記ヒートスプレッダの第１の面と前記基板上の封止剤の表面との間に接着剤を投与することであって、前記界面材料は前記接着剤とは異なる、投与することを備える、方法。
【請求項１８】
前記界面材料は、前記接着剤とは異なる熱的特性、および前記接着剤とは異なる機械的特性から成る群のうちの１つを有する、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記接着剤は、前記ヒートスプレッダの端部の周り、および、前記ヒートスプレッダの前記開口を通じて、から成る群のうちの１つによって投与される、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
毛細管現象を使用して前記接着剤を前記封止剤と前記ヒートスプレッダの前記第１の面との間で移動させることをさらに備える、請求項１７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、概して半導体デバイスパッケージングに関し、より具体的には、ヒートスプレッダを有する半導体デバイスアセンブリを形成するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
動作中、集積回路（ＩＣ）ダイによって熱が生成される。十分に除去されない場合、ダイによって生成される熱はデバイスを故障させるか、または実行を不安定にする場合がある。したがって、ＩＣの熱的性能を改善するためにヒートスプレッダが半導体パッケージに組み込まれることが多い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第６１４６９２１号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２０１３／０２２１５１１号明細書
【特許文献３】米国特許出願公開第２０１３／０３２０５４８号明細書
【図面の簡単な説明】
【０００４】
【図１】本開示の一実施形態に応じた、処理の一段階における半導体デバイスアセンブリを示す断面図。
【図２】本開示の一実施形態に応じた、処理の後続の段階における図１の半導体デバイスアセンブリを示す断面図。
【図３】本開示の一実施形態に応じた、処理の後続の段階における図２の半導体デバイスアセンブリを示す断面図。
【図４】本開示の一実施形態に応じた、処理の後続の段階における図３の半導体デバイスアセンブリを示す断面図。
【図５】本開示の一実施形態に応じた図１のヒートスプレッダを示す上面図。
【図６】本開示の一実施形態に応じた、処理の一段階における半導体デバイスアセンブリを示す断面図。
【図７】本開示の一実施形態に応じた、処理の後続の段階における図６の半導体デバイスアセンブリを示す断面図。
【図８】本開示の一実施形態に応じた、処理の後続の段階における図７の半導体デバイスアセンブリを示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００５】
本発明は例として示されており、添付の図面によって限定されない。図面において、同様の参照符号は類似の要素を示す。図面内の要素は簡潔かつ明瞭にするために示されており、必ずしも原寸に比例して描かれてはいない。
【０００６】
熱的性能を改善するために半導体デバイスアセンブリ内にヒートスプレッダが使用されることが多い。１つのそのような既知のデバイスアセンブリにおいて、熱界面材料がダイの表面に被着され、ダイの周縁部分を包囲する成形コンパウンドの表面に接着剤が被着される。熱界面材料および接着剤の被着に続いて、ヒートシンクがダイの表面に取り付けられ、成形コンパウンドに接着される。しかしながら、このタイプのデバイスアセンブリは、ヒートシンクとダイとの間、およびヒートシンクと成形コンパウンドとの間に所望の界面を達成するために慎重な工程制御を必要とする。それゆえ、図１〜図８を参照して下記に説明する一実施形態において、ダイに対するヒートシンクの接合の制御が、成形コンパウンドに対するヒートシンクの周縁の接着の制御から切り離される。このように、ヒートシンクとダイとの間の界面についてより厳密な制御を達成することができる。
【０００７】
図１は、一実施形態に応じた、処理の一段階における半導体デバイスアセンブリ１０を示す。半導体デバイスアセンブリ１０は、半導体ダイアセンブリ１１（集積回路（ＩＣ）ダイアセンブリとも称する）と、ヒートスプレッダ２２とを含み、図１の図解においては、ヒートスプレッダ２２はまだ半導体ダイアセンブリ１１に取り付けられていない。半導体ダイアセンブリ１１は、パッケージ基板１２と、ダイ・アタッチ１４によってパッケージ基板１２に取り付けられている半導体ダイ１６と、ダイ１６とパッケージ基板１２との間で電気信号をルーティングする電気接続１９とを含む。一実施形態において、電気接続１９はワイヤボンドとして実装される。半導体ダイアセンブリ１１は、ダイ１６の周縁部分を包囲する成形コンパウンド１８（封止剤とも称する）をも含む。成形コンパウンド１８は、電気接続１９を被覆し、ダイ１６の周縁部分からパッケージ基板１２の表面にわたって延在する。成形コンパウンド１８は、ダイ１６の主上面を露出させるようにも形成されている。一実施形態において、成形コンパウンド１８を形成するのにフィルム補助成形が使用されてもよい。代替的に、半導体ダイアセンブリ１１は、ダイ１６がはんだボールによってパッケージ基板１２に取り付けられているフリップ・チップ・アセンブリであってもよく、はんだボールはダイ１６と基板１２との間で信号を通信するための電気接続を提供する。さらに、成形コンパウンド１８は図１に示すようにダイ１６よりも高く延在してもよく、または代替的に、成形コンパウンド１８はダイ１６の主上面と実質的に同一平面上にあってもよい。
【０００８】
界面材料２０がダイアセンブリ１１のダイ１６の露出した上面に被着される。界面材料２０は熱界面材料（ＴＩＭ(Thermal Interface Material)）であってもよい。界面材料２０はまた、接着剤であってもよい。図１は、ダイアセンブリ１１に取り付けられる前のヒートスプレッダ２２をも示している。ヒートスプレッダ２２は、界面材料２０によってダイ１６の露出した上面に接触することになる台座部分２６と、台座部分２６から成形コンパウンド１８の少なくとも一部分を被覆するように伸長する周縁部分２７とを含む。ヒートスプレッダ２２は台座部分２６を包囲する開口２４（ベントまたはベント開口と称されることもある）をも含む。開口２４は、ヒートスプレッダ２２の一方の主面からヒートスプレッダ２２の反対の主面まで延在する。
【０００９】
図５は、ダイアセンブリ１１に取り付けられる前のヒートスプレッダ２２の上面図を示している。なお、台座部分２６は破線によって示されている。示されている実施形態において、ヒートスプレッダ２２は台座部分２６の各側面（デバイスアセンブリ１１に取り付けられた後のダイ１６の各側面に）に１つのベント開口２４を含む。それゆえ、ヒートスプレッダ２２は、台座２６の外周の周りに少なくとも１つの開口２４を含む。代替の実施形態において、より少ないまたはさらなる開口２４が存在してもよい。下記に説明するように、開口２４は、取り付け後にヒートスプレッダ２２とデバイスアセンブリ１１との間の接着の形成を補助する。しかしながら、代替の実施形態において、ヒートスプレッダ２２はいかなる開口２４も含まなくてもよいことに留意されたい。ヒートスプレッダ２２は、金属のような任意の熱伝導材料から形成されてもよい。たとえば、ヒートスプレッダ２２は、銅またはニッケルめっき銅であってもよい。図１の示されている実施形態に見られるように、台座部分２６はダイに向かって伸長する下降部分である。示されている実施形態において、ヒートスプレッダ２２の台座部分２６はヒートスプレッダ２２の周縁部分２７よりも厚い。代替的に、ヒートスプレッダ２２は、台座部分２６がヒートスプレッダ２２の周縁部分２７から下降するようにスタンピングすることによって形成されてもよい。なお、台座部分２６の厚さまたは下降距離は、成形コンパウンド１８がパッケージ基板１２からダイ１６の主上面よりもどれだけ高く延在しているかに応じて決まる。すなわち、台座部分２６は、ダイ１６の主上面に接触するか、または、ダイ１６の主上面の所定の距離内にあることが可能であるように、十分に下降しているべきである。成形コンパウンド１８がダイ１６の主上面と実質的に同一平面上にある一実施形態において、台座部分２６は、界面材料２０の厚さがより大きくなることを可能にするように、周縁部分２７と比較して上方に伸長してもよい。
【００１０】
図２は、ヒートスプレッダ２２がダイアセンブリ１１上に載置された後のデバイスアセンブリ１０を示している。台座部分２６は、界面材料２０に接触するように位置づけられており、それによって、ヒートスプレッダ２２は界面材料２０によってダイ１６の露出した部分と接触している。また、台座２６はワイヤボンド（電気接続１９）の周縁の内側に位置づけられていることに留意されたい。ダイ１６の上面とヒートスプレッダ２２の台座部分２６の底面との間に目標、または所定の間隙距離を確立するために、ヒートスプレッダ２２およびダイアセンブリ１１のうちの少なくとも一方に圧力が加えられて、ヒートスプレッダ２２をダイアセンブリ１１により近づけるようにしてもよい。一実施形態において、この間隙距離は２５〜５０マイクロメートル、または好ましくは、３４〜４０マイクロメートルの範囲内である。それゆえ、界面材料２０はこの間隙内に分散しており、また成形コンパウンド１８の一部分を被覆してもよいことに留意されたい。界面材料２０が台座部分２６とダイアセンブリ１１との間にあるため、目標間隙距離も、ヒートスプレッダ２２とダイアセンブリ１１との間の界面材料２０の目標、または所定の厚さに対応する。しかしながら、デバイスアセンブリ１１上に配置される界面材料２０の量は、ヒートスプレッダ２２が界面材料２０と接触させられたときに、界面材料２０が開口２４まで伸長しないように制御される。すなわち、開口２４は引き続き成形コンパウンド１８の部分を露出させる。また、ヒートスプレッダ２２を界面材料２０と接着させる前に、成形コンパウンド１８上に接着は存在しないことに留意されたい。それゆえ、台座２６を包囲するヒートスプレッダ２２の周縁部分と成形コンパウンド１８との間に空隙が存在する。
【００１１】
図３は処理の後続の段階におけるデバイスアセンブリ１０を示しており、ヒートスプレッダ２２が界面材料２０と接触し、台座２６とダイ１６の上面との間の間隙が所望の距離になった後、ヒートスプレッダ２２の端部において接着剤３０がノズル２８によって投与される。図４に示すように、接着剤３０は毛細管現象によって流れて、ヒートスプレッダ２２と成形コンパウンド１８との間の空隙を充填する。一実施形態において、接着剤３０はヒートスプレッダ２２の１つ以上の端部の周囲に投与される。ベント開口２４が毛細管流動を補助し、開口２４を通じて空気が排出されながら接着剤３０が界面材料２０に達することを保証する。一実施形態において、接着剤３０は、ヒートスプレッダ２２とダイアセンブリ１１との間で界面材料２０に完全に接触し、これを包囲する。また、ヒートスプレッダ２２の周縁部分２７と成形コンパウンド１８との間の間隙内で、接着剤３０はヒートスプレッダ２２の主底面と成形コンパウンド１８の主上面の両方に接触することに留意されたい。それゆえ、ヒートスプレッダ２２の台座部分２６とダイ１６の主上面との間の間隙距離を必要に応じて制御することができ、後続の接着剤３０の被着はこの間隙距離に影響を与えない。このように、接着剤３０の被着は、台座部分２６とダイ１６との間の間隙距離の制御から切り離されている。
【００１２】
一実施形態において、接着剤３０は、毛細管現象によって流動可能な接着剤である。これは、たとえば、ボール・グリッド・アレイのフリップ・チップ・アセンブリまたは表面実装アセンブリに使用されるアンダーフィル材料を含んでもよい。一実施形態において、接着剤３０は熱的に増強された特性を有してもよい。界面材料２０は、接着剤３０とは異なる材料である。それゆえ、界面材料２０は接着剤３０とは異なる熱的特性および異なる機械的特性のうちの少なくとも一方を有してもよい。両方が望ましい接着特性および熱的特性のうちの少なくとも一方を有し得るが、界面材料２０にとっては接着特性よりも熱的特性の方が重要であり、一方で接着剤３０にとっては熱的特性よりも接着特性の方が重要である。すなわち、界面材料２０の主な機能は熱を伝導することであり、一方で接着剤３０の主な機能は、ヒートスプレッダ２２がダイアセンブリ１１に確実に取り付けられることを保証することである。
【００１３】
接着剤３０を被着した後、完成したデバイスアセンブリ１０が硬化されてもよい。一実施形態において、硬化は接着剤３０または界面材料２０のうちの一方に対して最適化されてもよい。
【００１４】
図６は、異なるヒートスプレッダ１２２がダイアセンブリ１１の界面材料２０と接触しているデバイスアセンブリ１００を示している。ヒートスプレッダ１２２はヒートスプレッダ２２に類似しているが、ヒートスプレッダ１２２は開口２４よりも大きい開口１２４を含む。下記に説明するように、開口１２４は接着剤を被着させるのに使用されることになる。アセンブリ１０と同様に、ヒートスプレッダ１２２が界面材料２０に接触するとき、成形コンパウンド１８とヒートスプレッダ１２２との間に接着は存在しないことに留意されたい。
【００１５】
図７は、処理の後続の段階におけるデバイスアセンブリ１００を示しており、ヒートスプレッダ１２２が界面材料２０と接触し、台座１２６とダイ１６の上面との間の間隙が所望の目標距離になった後、開口１２４を通じて接着剤１３０がノズル１２８によって投与される。図８に示すように、接着剤１３０は毛細管現象によって流れて、ヒートスプレッダ１２２と成形コンパウンド１８との間の空隙を充填する。開口１２４はまた、毛細管現象を補助して、接着剤１３０がヒートスプレッダ１２２と成形コンパウンド１８との間の空隙を十分に充填することを保証してもよい。ヒートスプレッダ１２２はいかなる数の開口１２４を含んでもよく、開口１２４はヒートスプレッダ１２２内のどこに位置してもよく、いかなるサイズおよび形状を有してもよい。一実施形態において、接着剤１３０は、ヒートスプレッダ１２２とダイアセンブリ１１との間で界面材料２０に完全に接触し、界面材料２０を包囲する。このように、ヒートスプレッダ１２２の台座部分１２６とダイ１６の主上面との間の間隙距離を必要に応じて制御することができ、後続の接着剤１３０の被着はこの間隙距離に影響を与えない。すなわち、接着剤１３０の被着は、台座部分１２６とダイ１６との間の間隙距離の制御から切り離されている。
【００１６】
接着剤１３０を被着した後、完成したデバイスアセンブリ１００が硬化されてもよい。一実施形態において、硬化は接着剤１３０または界面材料２０のうちの一方に対して最適化されてもよい。
【００１７】
なお、ヒートスプレッダ２２の形成のために提供された同じ説明がヒートスプレッダ１２２にも同様に当てはまり、接着剤３０のために提供された同じ説明が接着剤１３０にも同様に当てはまる。
【００１８】
それゆえ、これまでで、デバイスアセンブリを形成するための方法であって、ヒートスプレッダが界面材料によってダイの露出主面に接触させられた後に接着剤がアセンブリに被着される、方法が提供されたことを諒解されたい。このように、ヒートスプレッダとダイの主面との間の界面の制御は、接着剤の被着によって影響を受けない。それゆえ、改善された製造制御を達成することができる。
【００１９】
その上、本明細書および特許請求の範囲における「正面」、「裏」、「上部」、「底」、「上」、「下」などの用語は、存在する場合、説明を目的として使用されており、必ずしも永久的な相対位置を記述するために使用されてはいない。このように使用される用語は、本明細書に記載されている本発明の実施形態がたとえば、本明細書において例示または他の様態で記載されている以外の方向で動作することが可能であるように、適切な状況下で置き換え可能であることが理解される。
【００２０】
本明細書において、具体的な実施形態を参照して本発明を説明したが、添付の特許請求の範囲に明記されているような本発明の範囲から逸脱することなくさまざまな改変および変更を為すことができる。たとえば、この方法は、さまざまな異なるダイアセンブリ構成に適用されてもよい。したがって、本明細書および図面は限定的な意味ではなく例示とみなされるべきであり、すべてのこのような改変が本発明の範囲内に含まれることが意図されている。本明細書において具体的な実施形態に関して記載されているいかなる利益、利点、または問題に対する解決策も、任意のまたはすべての請求項の重要な、必要とされる、または基本的な特徴または要素として解釈されるようには意図されていない。
【００２１】
本明細書において使用される場合、「結合されている」という用語は、直接結合または機械的結合に限定されるようには意図されていない。
別途記載されない限り、「第１の」および「第２の」のような用語は、そのような用語が説明する要素間で適宜区別するように使用される。したがって、これらの用語は必ずしも、このような要素の時間的なまたは他の優先順位付けを示すようには意図されていない。
【００２２】
以下は本発明のさまざまな実施形態である。
項目１は、基板、および、基板の主面の一部分の上に載置されたＩＣダイを含む集積回路（ＩＣ）ダイアセンブリを設けること、ＩＣダイ上に熱界面材料を投与すること、ヒートスプレッダの一部分を熱界面材料と接触して位置づけること、ヒートスプレッダのＩＣダイアセンブリに面する一方の面と基板上の封止剤の主面の露出部分との間に接着剤を投与することを含む方法を含む。項目２は項目１の方法を含み、接着剤を硬化させることをさらに含む。項目３は項目１の方法を含み、接着剤および界面材料を硬化させることをさらに含む。項目４は項目１の方法を含み、接着剤を投与することは、ヒートスプレッダの端部の周りに接着剤を投与することを含む。項目５は項目１の方法を含み、ヒートスプレッダは、熱界面材料に接触する台座と、台座の外周の周りでヒートスプレッダを貫通する少なくとも１つのベントとを含む。項目６は項目４の方法を含み、接着剤を投与することは、ノズルを使用してヒートスプレッダのベントを通じて接着剤を投与することを含む。項目７は項目１の方法を含み、接着剤を投与することは、接着剤が基板上の封止剤およびヒートスプレッダの一方の面の少なくとも一部分と接触するように実行される。項目８は項目１の方法を含み、ヒートスプレッダの界面材料と接触している部分は下降部分であり、下降部分は、ＩＣダイと基板との間に取り付けられているワイヤボンドの周縁の内部でＩＣダイの上に位置づけられている。
【００２３】
項目９は、半導体ダイを基板に取り付けること、半導体ダイと基板との間にワイヤボンドを形成すること、ワイヤボンドを成形コンパウンドを用いて封止することであって、成形コンパウンドはワイヤボンドを含んでいないダイの上面を露出させるように構成される、封止すること、第１の接着剤をダイの上面の上に被着させること、ヒートスプレッダの一部分を第１の接着剤に接触させること、第２の接着剤を、当該第２の接着剤が成形コンパウンドの第１の面とヒートスプレッダの第１の面との間の間隙を充填するように投与することを含む方法を含む。項目１０は項目９の方法を含み、ヒートスプレッダの部分を接触させることは、第１の接着剤の所定の厚さを確立するためにヒートスプレッダと基板との間に圧力を加えることを含む。項目１１は項目９の方法を含み、第１の接着剤は熱界面材料であり、第２の接着剤は毛細管現象によって流動可能な材料である。項目１２は項目９の方法を含み、第２の接着剤を投与することは、第２の接着剤が間隙内を流れ、成形コンパウンドの第１の面およびヒートスプレッダの第１の面と接触するように、ヒートスプレッダの周縁の周りに第２の接着剤を投与することを含む。項目１３は項目９の方法を含み、ヒートスプレッダは、第１の接着剤と接触しているヒートスプレッダの一部分の外部にある断面を貫通するベントを含む。項目１４は項目１３の方法を含み、第２の接着剤を投与することは、第２の接着剤が間隙内を流れ、かつ成形コンパウンドの第１の面およびヒートスプレッダの第１の面と接触するように、第２の接着剤をベント内に投与することを含む。項目１５は項目９の方法を含み、第１の接着剤および第２の接着剤を硬化させることをさらに含む。項目１６は項目１３の方法を含み、ヒートスプレッダの第１の接着剤と接触している部分は、ヒートスプレッダの第１の面からダイに向かって伸長する下降部分である。
【００２４】
項目１７は、基板上に載置された集積回路（ＩＣ）ダイの露出部分上に界面材料を被着させること、界面材料を使用してヒートスプレッダの第１の部分をＩＣダイ上に載置することであって、ヒートスプレッダは、当該ヒートスプレッダの第１の部分の外部にある、当該ヒートスプレッダの第２の部分を貫通する開口を有する、載置すること、ヒートスプレッダの第１の面と基板上の封止剤の表面との間に接着剤を投与することであって、界面材料は接着剤とは異なる、投与することを含む方法を含む。項目１８は項目１７の方法を含み、界面材料は、接着剤とは異なる熱的特性、および接着剤とは異なる機械的特性から成る群のうちの１つを有する。項目１９は項目１７の方法を含み、接着剤は、ヒートスプレッダの端部の周り、および、ヒートスプレッダの開口を通じて、から成る群のうちの１つによって投与される。項目２０は、毛細管現象を使用して接着剤を封止剤とヒートスプレッダの第１の面との間で移動させることをさらに含む、項目１７の方法を含む。
【符号の説明】
【００２５】
１１…半導体ダイアセンブリ（集積回路（ＩＣ）ダイアセンブリ）、１２…基板、１６…ダイ、１８…成形コンパウンド（封止剤）、２０…界面材料、２２…ヒートスプレッダ、３０…接着剤。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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