(57)【要約】【課題】高品質および低コストの半導体を製造する半導体製造方法を提供する。【解決手段】第１表面１１１を有する第１基板１１０を提供する。第１軟化点(first softening point)を有する結合部および底部を有する第１金属バンプを提供し、底部が結合部と第１基板１１０との間に位置するよう、第１金属バンプを第１表面１１１に設ける。第２表面１２１を有する第２基板１２０を提供する。第２金属バンプ１２２を第２表面１２１に設ける。加熱を実行して、第１金属バンプを軟化状態にする。第１表面１１１と第２表面１２１とを対向させ、第２金属バンプ１２２が第１金属バンプの軟化後の結合部１１２ｂ’に嵌入され、軟化後の結合部１１２ｂ’が受圧によって第２金属バンプ１２２を覆う頂面１２２ｃと側壁１２２ｄに延在し、第１金属バンプの軟化後の底部１１２ａ’を第２金属バンプ１２２と第１基板１１０との間に位置させる。【選択図】図１Ｃ
2014150235.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１表面を有する第１基板を提供するステップと、
第１軟化点を有する金属からなる結合部、および、底部を有する第１金属バンプを提供し、前記底部が前記結合部と前記第１基板との間に位置するよう、前記第１金属バンプを前記第１表面に設けるステップと、
第２表面を有する第２基板を提供するステップと、
頂面および側壁を有し、前記第１軟化点より大きい第２軟化点を有する金属からなる第２金属バンプを提供し、前記第２金属バンプを前記第２表面に設けるステップと、
加熱を実行して、前記第１金属バンプを軟化状態にするステップと、
前記第１表面と前記第２表面とを対向させ、前記第２金属バンプが前記第１金属バンプの軟化状態の前記結合部に嵌入され、軟化状態の前記結合部が受圧によって前記第２金属バンプを覆う前記頂面と前記側壁に延在し、前記第１金属バンプの前記底部を前記第２金属バンプと前記第１基板との間に位置させるステップと、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１基板は、軟化過程を経て得られた前記第１金属バンプの前記底部と前記第１基板との間に接合層が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１基板は、軟化過程を経て得られた前記第１金属バンプの前記底部と前記接合層との間に間隔層が設けられていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２金属バンプは、台座層および前記台座層を覆うハウジング層からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
第１表面を有する第１基板と、
第１軟化点を有する金属からなる結合部、および、底部を有し、前記第１表面に形成され、前記底部が前記結合部と前記第１基板との間に位置し、軟化過程を経て得られた第１金属バンプと、
前記第１表面に対向する第２表面を有する第２基板と、
前記第２表面に形成され、頂面および側壁を有し、前記第１軟化点より大きい第２軟化点を有する金属からなる第２金属バンプと、を備え、
前記第２金属バンプは前記軟化後の第１金属バンプの前記軟化後の結合部に嵌入され、前記軟化後の結合部が受圧によって前記第２金属バンプを覆う前記頂面および前記側壁に延在し、前記軟化後の第１金属バンプの前記軟化後の底部が前記第２金属バンプと前記第１基板との間に位置することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
前記第２金属バンプは、台座層および前記台座層を覆うハウジング層からなることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１基板は、軟化過程を経て得られた前記第１金属バンプの前記底部と前記第１基板との間に接合層が設けられていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１基板は、軟化過程を経て得られた前記第１金属バンプの前記底部と前記接合層との間に間隔層が設けられていることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
第１表面を有する第１基板を提供するステップと、
結合部および底部を有する第１金属バンプを提供し、前記底部が前記結合部と前記第１基板との間に位置するよう、前記第１金属バンプを前記第１表面に設けるステップと、
第２表面を有する第２基板を提供するステップと、
頂面および側壁を有する第２金属バンプを提供し、前記第２金属バンプを前記第２表面に設けるステップと、
加熱を実行して、前記第１金属バンプを軟化状態にするステップと、
前記第１表面と前記第２表面とを圧接し、前記第２金属バンプが前記第１金属バンプの軟化状態の前記結合部に嵌入され、軟化状態の前記結合部が受圧によって前記第２金属バンプを覆う前記頂面と前記側壁に延在し、前記第１金属バンプの前記底部を前記第２金属バンプと前記第１基板との間に位置させるステップと、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
第１表面を有する第１基板と、
結合部および底部を有し、前記第１表面に形成され、前記底部が前記結合部と前記第１基板との間に位置し、軟化過程を経て得られた第１金属バンプと、
前記第１表面に対向する第２表面を有する第２基板と、
前記第２表面に形成され、頂面および側壁を有する第２金属バンプと、を備え、
前記第２金属バンプは前記軟化後の第１金属バンプの前記軟化後の結合部に嵌入され、前記軟化後の結合部が受圧によって前記第２金属バンプを覆う前記頂面および前記側壁に延在し、前記軟化後の第１金属バンプの前記軟化後の底部が前記第２金属バンプと前記第１基板との間に位置することを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、半導体における前段の実装技術のマイクロエレクトロメカニカル・システム(Micro Electro Mechanical Systems、 MEMS)実装技術は、ワイヤボンディング（wire bonding）技術とガラスセメント技術から金属と金属とを実装する技術へと進展および変化している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−２５２３２６号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
然しながら、前述した従来の技術では、後のプロセスにおいて、半田付け用フラックス又は高温プロセスが不可能となることから、コストが低い表面実装技術(Surface Mount Technology、 SMT)で後の実装を行なうことができず、実装コストの全般を低減することができなかった。
【０００５】
本発明は、このような従来の問題に鑑みてなされたものである。上記課題を解決するため、本発明は、高品質および低コストの半導体を製造する半導体製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明による半導体装置の製造方法は、まず、第１表面を有する第１基板を提供する。そして、第１軟化点(first softening point)を有する金属からなる結合部、および、底部を有する第１金属バンプを提供し、底部が前記結合部と第１基板との間に位置するよう、第１金属バンプを第１表面に設ける。次に、第２表面を有する第２基板を提供する。続いて、頂面および側壁を有し、第１軟化点より大きい第２軟化点(second softening point)を有する金属からなる第２金属バンプを提供し、第２金属バンプを第２表面に設ける。続いて、加熱を実行して、第１金属バンプを軟化状態にする。最後に、第１表面と第２表面とを対向させ、第２金属バンプが第１金属バンプの軟化状態の結合部に嵌入され、軟化状態の結合部が受圧によって第２金属バンプを覆う頂面と側壁に延在し、第１金属バンプの底部を第２金属バンプと第１基板との間に位置させる。ここで、第１軟化点および第２軟化点は金属が軟化する臨界温度をいう。
【０００７】
本発明による半導体装置の製造方法は、加熱ステップによって第１金属バンプを軟化状態にした上で、第１基板と第２基板とを圧接して、第２金属バンプを結合部に嵌入する。結合部が受圧によって第２金属バンプを覆う頂面および側壁に延在して、金属間化合物(Intermetallic Compound、IMC) を形成する。これにより、第１基板が半田付け用フラックスを必要とせずに、第２基板と電気的に接続することができ、後段プロセスでは半田付け用フラックス清洗ステップが不要となる。また、圧接温度より高温の熱プロセスや環境テストに耐えられ、高品質および低コストを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１Ａ】本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す模式図である。
【図１Ｂ】本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す模式図である。
【図１Ｃ】本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す模式図である。
【図１Ｄ】本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す模式図である。
【図２】本発明の第２実施形態による半導体装置を示す模式図である。
【図３】本発明の第３実施形態による半導体装置を示す模式図である。
【図４】本発明の第４実施形態による半導体装置を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に図面を参照して本発明の実施形態について、詳細に説明する。なお、本発明は、以下に説明する実施形態に限定されるものではない。
（第１実施形態）
まず、本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法について説明する。本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を図１Ａから図１Ｄに示す。図１Ａに示すように、第１表面１１１と前記第１表面１１１に形成された少なくとも１つの第１金属バンプ１１２が設けられている第１基板１１０を提供する。この好ましい実施形態では、第１基板１１０は、第１表面１１１に形成された少なくとも１つの金属層１１３と接合層１１４をさらに有する。第１金属バンプ１１２は第１バンプの金属層１１３を覆い、第１金属バンプ１１２は底部１１２ａと結合部１１２ｂを有し、結合部１１２ｂは第１軟化点(first softening point)を有する金属から形成される。底部１１２ａは結合部１１２ｂと第１基板１１０の間に位置し、接合層１１４は第１金属バンプ１１２の底部１１２ａと第１基板１１０の間に位置する。よって第１金属バンプ１１２の使用量が低減される。第１金属バンプ１１２の材質は金より選択され、接合層１１４の材質は銅より選択される。
【００１０】
続いて、図１Ｂに示すように、第２表面１２１と第２表面１２１に形成された少なくとも１つの第２金属バンプ１２２が設けられている第２基板１２０を提供する。本実施形態では、第２基板１２０の第２表面１２１に形成された少なくとも１つの第２バンプの金属層１２３をさらに備える。第２金属バンプ１２２は第２バンプの金属層１２３を覆い、台座層１２２ａおよびハウジング層１２２ｂからなる。ハウジング層１２２ｂは台座層１２２ａを覆う。台座層１２２ａの材質は銅より選択され、ハウジング層１２２ｂの材質は錫又は錫と銀の合金より選択される。第２金属バンプ１２２は第２軟化点(second softening point)を有する金属から形成され、第１金属バンプ１１２の結合部１１２ｂを形成する金属の第１軟化点は第２金属バンプ１２２を形成する金属の第２軟化点より小さい。第２金属バンプ１２２は頂面１２２ｃと側壁１２２ｄを有する。
【００１１】
次は、図１Ｃに示すように、加熱ステップを実行して、第１金属バンプ１１２、底部１１２ａ、および結合部１１２ｂを軟化状態にする。
【００１２】
最後に、図１Ｄに示すように、第１基板１１０と第２基板１２０とを圧接する。第１表面１１１と第２表面１２１とを対向させ、第２金属バンプ１２２を軟化後の第１金属バンプ１１２’の軟化後の結合部１１２ｂ’に嵌入させる。軟化後の結合部１１２ｂ’が受圧によって第２金属バンプ１２２を覆う頂面１２２ｃと側壁１２２ｄに延在して、半導体装置１００を形成すると、軟化後の第１金属バンプ１１２’の軟化後の底部１１２ａ’は第２金属バンプ１２２と第１基板１１０との間に位置する。接合層１１４は軟化後の第１金属バンプ１１２’の軟化後の底部１１２ａ’と第１基板１１０との間に位置する。
【００１３】
本実施形態は、加熱と圧接のステップにより第２金属バンプ１２２を、第１金属バンプ１１２に嵌入する。第１金属バンプ１１２の結合部１１２ｂを形成する金属の第１軟化点が第２金属バンプ１２２を形成する金属の第２軟化点より小さいことから、加熱と圧接のステップを実行すると、第２金属バンプ１２２は軟化後の第１金属バンプ１１２’の軟化後の結合部１１２ｂ’に嵌入可能となり、軟化後の結合部１１２ｂ’は受圧により第２金属バンプ１２２を覆う頂面１２２ｃと側壁１２２ｄに延在する。よって、第１基板１１０と第２基板１２０とが電気的に接続される。軟化後の第１金属バンプ１１２’の軟化後の底部１１２ａ’は第２金属バンプ１２２と第１基板１１０との間に位置し、半田付け用フラックスが不要であり、後段のプロセスで圧接温度より高温の熱プロセスや環境テストに耐えられ、半田付け用フラックス洗浄ステップが不要であることで、高品質および低コストを実現することができる。
【００１４】
図１Ｄは、本発明の半導体装置１００を示す。半導体装置１００は、少なくとも第１基板１１０、第２基板１２０、軟化後の第１金属バンプ１１２’、および第２金属バンプ１２２から構成される。第１基板１１０は第１表面１１１を有する。軟化後の第１金属バンプ１１２’は、少なくとも１つの第１バンプの金属層１１３、及び接合層１１４を有する。軟化後の第１金属バンプ１１２’および第１バンプの金属層１１３は第１表面１１１に形成され、軟化後の第１金属バンプ１１２’は第１バンプの金属層１１３を覆う。軟化後の第１金属バンプ１１２’は軟化後の底部１１２ａ’と軟化後の結合部１１２ｂ’を有する。軟化後の結合部１１２ｂ’は第１軟化点を有し、軟化後の底部１１２ａ’は軟化後の結合部１１２ｂ’と第１基板１１０との間に位置する。接合層１１４は軟化後の第１金属バンプ１１２’の軟化後の底部１１２ａ’と第１基板１１０との間に位置する。本実施形態では、軟化後の第１金属バンプ１１２’の材質は金であり、接合層１１４の材質は銅である。接合層１１４は軟化後の第１金属バンプ１１２’の使用量を低減するためのものである。
【００１５】
第２基板１２０は、第２表面１２１、少なくとも１つの第２金属バンプ１２２、及び少なくとも１つの第２バンプの金属層１２３を備える。第２表面１２１は第１表面１１１に対向し、第２金属バンプ１２２、および、第２バンプ金属層１２３は、第２表面１２１に形成されている。第２金属バンプ１２２は第２バンプ金属層１２３を覆う。第２金属バンプ１２２は、頂面１２２ｃおよび側壁１２２ｄを有し、第２軟化点を有する金属から形成される。軟化後の第１金属バンプ１１２’の軟化後の結合部１１２ｂ’を形成する金属の第１軟化点は、第２金属バンプ１２２を形成する金属の第２軟化点より小さい。
【００１６】
本実施形態では、第２金属バンプ１２２は台座層１２２ａとハウジング層１２２ｂからなり、ハウジング層１２２ｂは台座層１２２ａを覆う。台座層１２２ａの材質は銅であり、ハウジング層１２２ｂの材質は錫又は錫と銀の合金である。このうち、第２金属バンプ１２２は軟化後の第１金属バンプ１１２’の軟化後の結合部１１２ｂ’ に嵌入される。軟化後の結合部１１２ｂ’が受圧により第２金属バンプ１２２を覆う頂面１２２ｃと側壁１２２ｄに延在する。第１金属バンプ１１２’の軟化後の底部１１２ａ’は第２金属バンプ１２２と第１基板１１０との間に位置する。軟化後の結合部１１２ｂ’が受圧により第２金属バンプ１２２を覆う頂面１２２ｃと側壁１２２ｄに延在することで、半導体装置１００は、半田付け用フラックスが不要となる状態で、第１基板１１０と第２基板１２０とが電気的接続する。よって、後の半田付け用フラックス洗浄のステップが省略され、軟化後の第１金属バンプ１１２’の材質が金である場合、酸化防止の効果を有する。
【００１７】
（第２実施形態）
次は、本発明の第２実施形態による半導体装置を図２に基づいて説明する。図２は、本発明の第２実施形態の半導体装置を示す模式図である。上述の第１実施形態との相違点は、第１基板１１０が軟化後の第１金属バンプ１１２’の軟化後の底部１１２ａ’と接合層１１４の間に位置する間隔層１１５をさらに有することにある。間隔層１１５の材質はニッケルであり、接合層１１４と軟化後の第１金属バンプ１１２’とが過度に結合するのを抑制する。
【００１８】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態による半導体装置を図３に基づいて説明する。図３は本発明の第３実施形態の半導体装置を示す模式図である。上述の第１実施形態との相違点は、第１基板１１０が軟化後の第１金属バンプ１１２’と第１バンプの金属層１１３しか備えないことである。また、他の実施形態では、第２基板１２０の第２金属バンプ１２２は台座層１２２ａ（図示せず）しか備えない。
【００１９】
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態による半導体装置を図４に基づいて説明する。図４は本発明の第４実施形態による半導体装置を示す模式図である。上述の第３実施形態との相違点は第２金属バンプ１２２の頂面１２２ｃが弧状であることにある。
【００２０】
以上、本発明はこのような実施形態に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の形態で実施することができる。
【符号の説明】
【００２１】
１００・・・半導体装置、
１１０・・・第１基板、
１１１・・・第１表面、
１１２・・・第１金属バンプ、
１１２ａ・・・底部、
１１２ｂ・・・結合部、
１１２’・・・軟化後の第１金属バンプ、
１１２ａ’・・・軟化後の底部、
１１２ｂ’・・・軟化後の結合部、
１１３・・・第１バンプの金属層、
１１４・・・接合層、
１１５・・・間隔層、
１２０・・・第２基板、
１２１・・・第２表面、
１２２・・・第２金属バンプ、
１２２ａ・・・台座層、
１２２ｂ・・・ハウジング層、
１２２ｃ・・・頂面、
１２２ｄ・・・側壁、
１２３・・・第２バンプの金属層。
【図１Ａ】
2014150235.tif 000003
【図１Ｂ】
2014150235.tif 000004
【図１Ｃ】
2014150235.tif 000005
【図１Ｄ】
2014150235.tif 000006
【図２】
2014150235.tif 000007
【図３】
2014150235.tif 000008
【図４】
2014150235.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月18日(2014.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１表面を有する第１基板を提供するステップと、
第１軟化点を有する金属からなる結合部、および、底部を有し、前記底部と前記結合部とが同一材料により一体に形成されている第１金属バンプを提供し、前記底部が前記結合部と前記第１基板との間に位置するよう、前記第１金属バンプを前記第１表面に設けるステップと、
第２表面を有する第２基板を提供するステップと、
頂面および側壁を有し、前記第１軟化点より大きい第２軟化点を有する金属からなる第２金属バンプを提供し、前記第２金属バンプを前記第２表面に設けるステップと、
加熱を実行して、前記第１金属バンプを軟化状態にするステップと、
前記第１表面と前記第２表面とを対向させ、前記第２金属バンプが前記第１金属バンプの軟化状態の前記結合部に嵌入され、軟化状態の前記結合部が受圧によって前記第２金属バンプを覆う前記頂面と前記側壁に延在し、軟化後の前記底部が前記第２金属バンプにより貫通されず、前記第１金属バンプの前記底部を前記第２金属バンプと前記第１基板との間に位置させるステップと、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１基板は、軟化過程を経て得られた前記第１金属バンプの前記底部と前記第１基板との間に接合層が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１基板は、軟化過程を経て得られた前記第１金属バンプの前記底部と前記接合層との間に間隔層が設けられていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２金属バンプは、台座層および前記台座層を覆うハウジング層からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
第１表面を有する第１基板と、
第１軟化点を有する金属からなる結合部、および、底部を有し、前記底部と前記結合部とが同一材料により一体に形成されており、前記第１表面に形成され、前記底部が前記結合部と前記第１基板との間に位置し、軟化過程を経て得られた第１金属バンプと、
前記第１表面に対向する第２表面を有する第２基板と、
前記第２表面に形成され、頂面および側壁を有し、前記第１軟化点より大きい第２軟化点を有する金属からなる第２金属バンプと、を備え、
前記第２金属バンプは前記軟化後の第１金属バンプの前記軟化後の結合部に嵌入され、前記軟化後の結合部が受圧によって前記第２金属バンプを覆う前記頂面および前記側壁に延在し、軟化後の前記底部が前記第２金属バンプにより貫通されず、前記軟化後の第１金属バンプの前記軟化後の底部が前記第２金属バンプと前記第１基板との間に位置することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
前記第２金属バンプは、台座層および前記台座層を覆うハウジング層からなることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１基板は、軟化過程を経て得られた前記第１金属バンプの前記底部と前記第１基板との間に接合層が設けられていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１基板は、軟化過程を経て得られた前記第１金属バンプの前記底部と前記接合層との間に間隔層が設けられていることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
第１表面を有する第１基板を提供するステップと、
結合部および底部を有し、前記底部と前記結合部とが同一材料により一体に形成されている第１金属バンプを提供し、前記底部が前記結合部と前記第１基板との間に位置するよう、前記第１金属バンプを前記第１表面に設けるステップと、
第２表面を有する第２基板を提供するステップと、
頂面および側壁を有する第２金属バンプを提供し、前記第２金属バンプを前記第２表面に設けるステップと、
加熱を実行して、前記第１金属バンプを軟化状態にするステップと、
前記第１表面と前記第２表面とを圧接し、前記第２金属バンプが前記第１金属バンプの軟化状態の前記結合部に嵌入され、軟化状態の前記結合部が受圧によって前記第２金属バンプを覆う前記頂面と前記側壁に延在し、軟化後の前記底部が前記第２金属バンプにより貫通されず、前記第１金属バンプの前記底部を前記第２金属バンプと前記第１基板との間に位置させるステップと、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
第１表面を有する第１基板と、
結合部および底部を有し、前記底部と前記結合部とが同一材料により一体に形成されており、前記第１表面に形成され、前記底部が前記結合部と前記第１基板との間に位置し、軟化過程を経て得られた第１金属バンプと、
前記第１表面に対向する第２表面を有する第２基板と、
前記第２表面に形成され、頂面および側壁を有する第２金属バンプと、を備え、
前記第２金属バンプは前記軟化後の第１金属バンプの前記軟化後の結合部に嵌入され、前記軟化後の結合部が受圧によって前記第２金属バンプを覆う前記頂面および前記側壁に延在し、軟化後の前記底部が前記第２金属バンプにより貫通されず、前記軟化後の第１金属バンプの前記軟化後の底部が前記第２金属バンプと前記第１基板との間に位置することを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明による半導体装置の製造方法は、まず、第１表面を有する第１基板を提供する。そして、第１軟化点(first softening point)を有する金属からなる結合部、および、底部を有し、前記底部と前記結合部とが同一材料により一体に形成されており、第１金属バンプを提供し、底部が前記結合部と第１基板との間に位置するよう、第１金属バンプを第１表面に設ける。次に、第２表面を有する第２基板を提供する。続いて、頂面および側壁を有し、第１軟化点より大きい第２軟化点(second softening point)を有する金属からなる第２金属バンプを提供し、第２金属バンプを第２表面に設ける。続いて、加熱を実行して、第１金属バンプを軟化状態にする。最後に、第１表面と第２表面とを対向させ、第２金属バンプが第１金属バンプの軟化状態の結合部に嵌入され、軟化状態の結合部が受圧によって第２金属バンプを覆う頂面と側壁に延在し、軟化後の前記底部が前記第２金属バンプにより貫通されず、第１金属バンプの底部を第２金属バンプと第１基板との間に位置させる。ここで、第１軟化点および第２軟化点は金属が軟化する臨界温度をいう。