(57)【要約】【課題】第１のトランジスタの第１の端子が第２のトランジスタの第１の端子と電気的に接続されており、第１のトランジスタの第２の端子が第２のトランジスタの第２の端子と電気的に接続された回路を有する半導体装置の動作を安定させる。【解決手段】第１の配線を第１のトランジスタの第１の端子と電気的に接続し、第１の配線を第２のトランジスタの第１の端子と電気的に接続し、第２の配線を第３のトランジスタの第１の端子と電気的に接続し、第３の配線を第１のトランジスタのゲート端子と電気的に接続し、第３の配線を第３のトランジスタのゲート端子と電気的に接続し、第４の配線を第２のトランジスタのゲート端子と電気的に接続し、第３のトランジスタの第２の端子を第１のトランジスタの第２の端子と電気的に接続し、第３のトランジスタの第２の端子を第２のトランジスタの第２の端子と電気的に接続する。【選択図】図１
2014053718.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第３のトランジスタと、第１乃至第４の配線を有し、
前記第１の配線は、前記第１のトランジスタの第１の端子と電気的に接続されており、
前記第１の配線は、前記第２のトランジスタの第１の端子と電気的に接続されており、
前記第２の配線は、前記第３のトランジスタの第１の端子と電気的に接続されており、
前記第３の配線は、前記第１のトランジスタのゲート端子と電気的に接続されており、
前記第３の配線は、前記第３のトランジスタのゲート端子と電気的に接続されており、
前記第４の配線は、前記第２のトランジスタのゲート端子と電気的に接続されており、
前記第３のトランジスタの第２の端子は、前記第１のトランジスタの第２の端子と電気的に接続されており、
前記第３のトランジスタの第２の端子は、前記第２のトランジスタの第２の端子と電気的に接続されており、
前記第１のトランジスタは、第１のＮ型トランジスタであり、
前記第２のトランジスタは、Ｐ型トランジスタであり、
前記第３のトランジスタは、第２のＮ型トランジスタであり、
前記第２のトランジスタは、シリコンを有するチャネル形成領域を有し、
前記第３のトランジスタは、酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１乃至第４のトランジスタと、第１乃至第４の配線を有し、
前記第１の配線は、前記第４のトランジスタの第１の端子と電気的に接続されており、
前記第２の配線は、前記第３のトランジスタの第１の端子と電気的に接続されており、
前記第３の配線は、前記第１のトランジスタのゲート端子と電気的に接続されており、
前記第３の配線は、前記第３のトランジスタのゲート端子と電気的に接続されており、
前記第３の配線は、前記第４のトランジスタのゲート端子と電気的に接続されており、
前記第４の配線は、前記第２のトランジスタのゲート端子と電気的に接続されており、
前記第４のトランジスタの第２の端子は、前記第１のトランジスタの第１の端子と電気的に接続されており、
前記第４のトランジスタの第２の端子は、前記第２のトランジスタの第１の端子と電気的に接続されており、
前記第３のトランジスタの第２の端子は、前記第１のトランジスタの第２の端子と電気的に接続されており、
前記第３のトランジスタの第２の端子は、前記第２のトランジスタの第２の端子と電気的に接続されており、
前記第１のトランジスタは、第１のＮ型トランジスタであり、
前記第２のトランジスタは、Ｐ型トランジスタであり、
前記第３のトランジスタは、第２のＮ型トランジスタであり、
前記第４のトランジスタは、第３のＮ型トランジスタであり、
前記第２のトランジスタは、シリコンを有するチャネル形成領域を有し、
前記第３のトランジスタは、酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有し、
前記第４のトランジスタは、酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１乃至第４のトランジスタと、第１乃至第４の配線を有し、
前記第１の配線は、前記第４のトランジスタの第１の端子と電気的に接続されており、
前記第２の配線は、前記第３のトランジスタの第１の端子と電気的に接続されており、
前記第３の配線は、前記第１のトランジスタのゲート端子と電気的に接続されており、
前記第３の配線は、前記第３のトランジスタのゲート端子と電気的に接続されており、
前記第４の配線は、前記第２のトランジスタのゲート端子と電気的に接続されており、
前記第４の配線は、前記第４のトランジスタのゲート端子と電気的に接続されており、
前記第４のトランジスタの第２の端子は、前記第１のトランジスタの第１の端子と電気的に接続されており、
前記第４のトランジスタの第２の端子は、前記第２のトランジスタの第１の端子と電気的に接続されており、
前記第３のトランジスタの第２の端子は、前記第１のトランジスタの第２の端子と電気的に接続されており、
前記第３のトランジスタの第２の端子は、前記第２のトランジスタの第２の端子と電気的に接続されており、
前記第１のトランジスタは、第１のＮ型トランジスタであり、
前記第２のトランジスタは、第１のＰ型トランジスタであり、
前記第３のトランジスタは、第２のＮ型トランジスタであり、
前記第４のトランジスタは、第２のＰ型トランジスタであり、
前記第２のトランジスタは、シリコンを有するチャネル形成領域を有し、
前記第３のトランジスタは、酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有し、
前記第４のトランジスタは、シリコンを有するチャネル形成領域を有することを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
技術分野は半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
第１のトランジスタの第１の端子が第２のトランジスタの第１の端子と電気的に接続されており、第１のトランジスタの第２の端子が第２のトランジスタの第２の端子と電気的に接続された回路が知られている。
【０００３】
例えば、トランスミッションゲート等が知られている（特許文献１）。
【０００４】
なお、第１の端子は、ソース端子又はドレイン端子の一方である。
【０００５】
第２の端子は、ソース端子又はドレイン端子の他方である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平０７−１９１６４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
第１のトランジスタの第１の端子が第２のトランジスタの第１の端子と電気的に接続されており、第１のトランジスタの第２の端子が第２のトランジスタの第２の端子と電気的に接続された回路を有する半導体装置の動作を安定させることを第１の目的とする。
【０００８】
新規な半導体装置を提供することを第２の目的とする。
【０００９】
以下に開示する発明は、第１の目的又は第２の目的の一方を解決できれば良い。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
例えば、第１乃至第３のトランジスタと、第１乃至第４の配線を有し、前記第１の配線は、前記第１のトランジスタの第１の端子と電気的に接続されており、前記第１の配線は、前記第２のトランジスタの第１の端子と電気的に接続されており、前記第２の配線は、前記第３のトランジスタの第１の端子と電気的に接続されており、前記第３の配線は、前記第１のトランジスタのゲート端子と電気的に接続されており、前記第３の配線は、前記第３のトランジスタのゲート端子と電気的に接続されており、前記第４の配線は、前記第２のトランジスタのゲート端子と電気的に接続されており、前記第３のトランジスタの第２の端子は、前記第１のトランジスタの第２の端子と電気的に接続されており、前記第３のトランジスタの第２の端子は、前記第２のトランジスタの第２の端子と電気的に接続されており、前記第１のトランジスタは、第１のＮ型トランジスタであり、前記第２のトランジスタは、Ｐ型トランジスタであり、前記第３のトランジスタは、第２のＮ型トランジスタであり、前記第２のトランジスタは、シリコンを有するチャネル形成領域を有し、前記第３のトランジスタは、酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有することを特徴とする半導体装置である。
【００１１】
例えば、第１乃至第４のトランジスタと、第１乃至第４の配線を有し、前記第１の配線は、前記第４のトランジスタの第１の端子と電気的に接続されており、前記第２の配線は、前記第３のトランジスタの第１の端子と電気的に接続されており、前記第３の配線は、前記第１のトランジスタのゲート端子と電気的に接続されており、前記第３の配線は、前記第３のトランジスタのゲート端子と電気的に接続されており、前記第３の配線は、前記第４のトランジスタのゲート端子と電気的に接続されており、前記第４の配線は、前記第２のトランジスタのゲート端子と電気的に接続されており、前記第４のトランジスタの第２の端子は、前記第１のトランジスタの第１の端子と電気的に接続されており、前記第４のトランジスタの第２の端子は、前記第２のトランジスタの第１の端子と電気的に接続されており、前記第３のトランジスタの第２の端子は、前記第１のトランジスタの第２の端子と電気的に接続されており、前記第３のトランジスタの第２の端子は、前記第２のトランジスタの第２の端子と電気的に接続されており、前記第１のトランジスタは、第１のＮ型トランジスタであり、前記第２のトランジスタは、Ｐ型トランジスタであり、前記第３のトランジスタは、第２のＮ型トランジスタであり、前記第４のトランジスタは、第３のＮ型トランジスタであり、前記第２のトランジスタは、シリコンを有するチャネル形成領域を有し、前記第３のトランジスタは、酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有し、前記第４のトランジスタは、酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有することを特徴とする半導体装置である。
【００１２】
例えば、第１乃至第４のトランジスタと、第１乃至第４の配線を有し、前記第１の配線は、前記第４のトランジスタの第１の端子と電気的に接続されており、前記第２の配線は、前記第３のトランジスタの第１の端子と電気的に接続されており、前記第３の配線は、前記第１のトランジスタのゲート端子と電気的に接続されており、前記第３の配線は、前記第３のトランジスタのゲート端子と電気的に接続されており、前記第４の配線は、前記第２のトランジスタのゲート端子と電気的に接続されており、前記第４の配線は、前記第４のトランジスタのゲート端子と電気的に接続されており、前記第４のトランジスタの第２の端子は、前記第１のトランジスタの第１の端子と電気的に接続されており、前記第４のトランジスタの第２の端子は、前記第２のトランジスタの第１の端子と電気的に接続されており、前記第３のトランジスタの第２の端子は、前記第１のトランジスタの第２の端子と電気的に接続されており、前記第３のトランジスタの第２の端子は、前記第２のトランジスタの第２の端子と電気的に接続されており、前記第１のトランジスタは、第１のＮ型トランジスタであり、前記第２のトランジスタは、第１のＰ型トランジスタであり、前記第３のトランジスタは、第２のＮ型トランジスタであり、前記第４のトランジスタは、第２のＰ型トランジスタであり、前記第２のトランジスタは、シリコンを有するチャネル形成領域を有し、前記第３のトランジスタは、酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有し、前記第４のトランジスタは、シリコンを有するチャネル形成領域を有することを特徴とする半導体装置である。
【発明の効果】
【００１３】
第１のトランジスタの第１の端子が第２のトランジスタの第１の端子と電気的に接続されており、第１のトランジスタの第２の端子が第２のトランジスタの第２の端子と電気的に接続された回路を有する半導体装置の動作を安定させることができる。
【００１４】
新規な半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】半導体装置の一例。
【図２】半導体装置の一例。
【図３】半導体装置の一例。
【図４】半導体装置の一例。
【図５】半導体装置の一例。
【図６】半導体装置の一例。
【図７】半導体装置の一例。
【図８】半導体装置の一例。
【図９】半導体装置の一例。
【図１０】半導体装置の一例。
【図１１】半導体装置の一例。
【図１２】半導体装置の一例。
【図１３】半導体装置の一例。
【図１４】半導体装置の一例。
【図１５】半導体装置の一例。
【図１６】半導体装置の一例。
【図１７】半導体装置の一例。
【図１８】半導体装置の一例。
【図１９】半導体装置の一例。
【図２０】半導体装置の一例。
【図２１】半導体装置の一例。
【図２２】半導体装置の一例。
【図２３】半導体装置の一例。
【図２４】半導体装置の一例。
【図２５】半導体装置の一例。
【図２６】半導体装置の一例。
【図２７】半導体装置の一例。
【図２８】半導体装置の一例。
【図２９】半導体装置の一例。
【図３０】半導体装置の一例。
【図３１】半導体装置の一例。
【図３２】半導体装置の一例。
【図３３】半導体装置の一例。
【図３４】半導体装置の一例。
【図３５】半導体装置の一例。
【図３６】半導体装置の一例。
【図３７】半導体装置の一例。
【図３８】半導体装置の一例。
【図３９】半導体装置の一例。
【図４０】半導体装置の一例。
【図４１】半導体装置の一例。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。
【００１７】
但し、発明の趣旨から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。
【００１８】
従って、発明の範囲は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１９】
なお、以下に説明する構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を共通して用い、その繰り返しの説明を省略する。
【００２０】
また、以下の実施の形態は、一部又は全部を適宜組み合わせて実施することができる。
【００２１】
トランジスタとして、例えば、電界効果トランジスタ等を用いることができる。
【００２２】
トランジスタは、少なくとも、ゲート端子、第１の端子、及び第２の端子を有する。
【００２３】
第１の端子は、ソース端子又はドレイン端子の一方である。
【００２４】
第２の端子は、ソース端子又はドレイン端子の他方である。
【００２５】
（実施の形態１）
図１に半導体装置の一例を示す。
【００２６】
配線Ｌ１は、トランジスタＴｒ１の第１の端子と電気的に接続されている。
【００２７】
配線Ｌ１は、トランジスタＴｒ２の第１の端子と電気的に接続されている。
【００２８】
配線Ｌ２は、トランジスタＴｒ３の第１の端子と電気的に接続されている。
【００２９】
配線Ｌ３は、トランジスタＴｒ１のゲート端子と電気的に接続されている。
【００３０】
配線Ｌ３は、トランジスタＴｒ３のゲート端子と電気的に接続されている。
【００３１】
配線Ｌ４は、トランジスタＴｒ２のゲート端子と電気的に接続されている。
【００３２】
トランジスタＴｒ３の第２の端子は、トランジスタＴｒ１の第２の端子と電気的に接続されている。
【００３３】
トランジスタＴｒ３の第２の端子は、トランジスタＴｒ２の第２の端子と電気的に接続されている。
【００３４】
配線Ｌ１、配線Ｌ２、配線Ｌ３、及び配線Ｌ４は、信号、電圧、又は電流を伝達することができる機能を有する。
【００３５】
配線Ｌ１、配線Ｌ２、配線Ｌ３、及び配線Ｌ４は、所定の電位となることができる機能を有する。
【００３６】
ここで、図１において、配線Ｌ３と配線Ｌ４の電気的状態（信号、電圧、電流、電位等）を変化させることによって、配線Ｌ１と配線Ｌ２との間の導通状態を制御することができる。
【００３７】
配線Ｌ１及び配線Ｌ２の電気的状態（信号、電圧、電流、電位等）は特に限定されない。
【００３８】
配線Ｌ３の電位（又は電圧）は、配線Ｌ４の電位（又は電圧）と逆の極性であることが好ましい。
【００３９】
ここで、回路には基準電位（又は基準電圧）がある。
【００４０】
基準電位（又は基準電圧）よりも高い電位（又は電圧）が「１（Ｈｉｇｈ）」であり、基準電位（又は基準電圧）よりも高い電位（又は電圧）が「０（Ｌｏｗ）」である。
【００４１】
なお、「０（Ｌｏｗ）」の逆の極性は「１（Ｈｉｇｈ）」であり、「１（Ｈｉｇｈ）」の逆の極性は「０（Ｌｏｗ）」である。
【００４２】
なお、基準電位（又は基準電圧）は０Ｖでも良いし、０Ｖ以外でも良い。
【００４３】
Ｎ型トランジスタのゲート端子に「１（Ｈｉｇｈ）」を入力することにより、Ｎ型トランジスタをオン状態とすることができる。
【００４４】
Ｎ型トランジスタのゲート端子に「０（Ｌｏｗ）」を入力することにより、Ｎ型トランジスタをオフ状態とすることができる。
【００４５】
Ｐ型トランジスタのゲート端子に「１（Ｈｉｇｈ）」を入力することにより、Ｐ型トランジスタをオフ状態とすることができる。
【００４６】
Ｐ型トランジスタのゲート端子に「０（Ｌｏｗ）」を入力することにより、Ｐ型トランジスタをオン状態とすることができる。
【００４７】
配線Ｌ３の電位（又は電圧）は、配線Ｌ４の電位（又は電圧）と逆の極性にする構成の例を示す。
【００４８】
図２（Ａ）は、配線Ｌ３の電位（又は電圧）は、配線Ｌ４の電位（又は電圧）と逆の極性にする構成の一例である。
【００４９】
図２（Ａ）において、配線Ｌ３は、インバータＩＮＶ１の入力端子と電気的に接続されている。
【００５０】
図２（Ａ）において、配線Ｌ４は、インバータＩＮＶ１の出力端子と電気的に接続されている。
【００５１】
図２（Ｂ）は、配線Ｌ３の電位（又は電圧）は、配線Ｌ４の電位（又は電圧）と逆の極性にする構成の一例である。
【００５２】
図２（Ｂ）において、配線Ｌ４は、インバータＩＮＶ１の入力端子と電気的に接続されている。
【００５３】
図２（Ｂ）において、配線Ｌ３は、インバータＩＮＶ１の出力端子と電気的に接続されている。
【００５４】
図２（Ａ）及び図２（Ｂ）の場合、インバータＩＮＶ１の入力端子に電気的に接続された配線の電気的状態（信号、電圧、電流、電位等）が安定しないことがある。
【００５５】
よって、図２（Ｃ）及び図２（Ｄ）のように、インバータＩＮＶ２を追加すると好ましい。
【００５６】
図２（Ｃ）及び図２（Ｄ）において、インバータＩＮＶ２の出力端子は、ＩＮＶ１の入力端子と電気的に接続されている。
【００５７】
図２（Ｃ）及び図２（Ｄ）において、インバータＩＮＶ２の入力端子は、配線Ｌｉｎと電気的に接続されている。
【００５８】
配線Ｌｉｎは、信号、電圧、又は電流を伝達することができる機能を有する。
【００５９】
配線Ｌｉｎは、所定の電位となることができる機能を有する。
【００６０】
トランジスタＴｒ２は、トランジスタＴｒ１と逆の極性であることが好ましい。
【００６１】
トランジスタＴｒ３は、トランジスタＴｒ１と同じ極性であることが好ましい。
【００６２】
例えば、図１（Ｂ）のように、トランジスタＴｒ１がＮ型であり、トランジスタＴｒ２がＰ型であり、トランジスタＴｒ３がＮ型であると好ましい。
【００６３】
例えば、図１（Ｃ）のように、トランジスタＴｒ１がＰ型であり、トランジスタＴｒ２がＮ型であり、トランジスタＴｒ３をＰ型であると好ましい。
【００６４】
図１において、トランジスタＴｒ３を有することによって、配線Ｌ１が配線Ｌ２と非導通状態のときに、配線Ｌ１と配線Ｌ２との間の抵抗値を増やすことができる。
【００６５】
よって、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態のときのリーク電流を低減することができる。
【００６６】
トランジスタはどのようなものを用いても良い。
【００６７】
例えば、シリコンを有するチャネル形成領域を有するトランジスタ、酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するトランジスタ、有機半導体を有するチャネル形成領域を有するトランジスタ等があるが限定されない。
【００６８】
シリコンを有するチャネル形成領域を有するトランジスタは、シリコンを有する半導体層を有するトランジスタ、シリコンを有する半導体基板（シリコンウェハ等）を用いて形成されたトランジスタ、ＳＯＩ基板を用いて形成されたトランジスタ等があるが限定されない。
【００６９】
酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するトランジスタは、酸化物半導体層を有するトランジスタ等があるが限定されない。
【００７０】
シリコンを有するチャネル形成領域を有するトランジスタと比較すると、酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するトランジスタはオフ電流が極めて小さい。
【００７１】
シリコンを有するチャネル形成領域を有するトランジスタは、酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するトランジスタよりもオン電流を大きくすることができる。
【００７２】
酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するトランジスタを用いてＰ型トランジスタを作製することは不可能ではないが、現状の技術水準からすると困難である。
【００７３】
シリコンを有するチャネル形成領域を有するトランジスタを用いて実用的なＰ型トランジスタを作製することは現状の技術水準であれば容易である。
【００７４】
以上の点からすると、まず、トランジスタＴｒ３は、酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するＮ型トランジスタであることが好ましい。
【００７５】
次に、トランジスタＴｒ２は、シリコンを有する半導体を有するチャネル形成領域を有するＰ型トランジスタであることが好ましい。
【００７６】
なお、トランジスタＴｒ１がシリコンを有する半導体を有するチャネル形成領域を有するＮ型トランジスタである場合、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが導通状態のときに、配線Ｌ１と配線Ｌ２との間に流れる電流を大きくすることができるというメリットがある。
【００７７】
以上のように、トランジスタＴｒ３が酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するＮ型トランジスタであることによって、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態のときのリーク電流を大幅に低減することができる。
【００７８】
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
【００７９】
（実施の形態２）
図３は、図１において、トランジスタＴｒ４を追加した図面の一例である。
【００８０】
トランジスタＴｒ１〜トランジスタＴｒ３、配線Ｌ１〜配線Ｌ４についての繰り返しの説明は省略する。
【００８１】
トランジスタＴｒ４の第１の端子は、配線Ｌ１と電気的に接続されている。
【００８２】
トランジスタＴｒ４の第２の端子は、トランジスタＴｒ１の第１の端子と電気的に接続されている。
【００８３】
トランジスタＴｒ４の第２の端子は、トランジスタＴｒ２の第１の端子と電気的に接続されている。
【００８４】
トランジスタＴｒ４のゲート端子は、トランジスタＴｒ１のゲート端子と電気的に接続されている。
【００８５】
トランジスタＴｒ４のゲート端子は、トランジスタＴｒ３のゲート端子と電気的に接続されている。
【００８６】
トランジスタＴｒ４は、トランジスタＴｒ１と同じ極性であることが好ましい。
【００８７】
例えば、図３（Ｂ）のように、トランジスタＴｒ１がＮ型であり、トランジスタＴｒ２がＰ型であり、トランジスタＴｒ３がＮ型であり、トランジスタＴｒ４がＮ型であると好ましい。
【００８８】
例えば、図３（Ｃ）のように、トランジスタＴｒ１がＰ型であり、トランジスタＴｒ２がＮ型であり、トランジスタＴｒ３がＰ型であり、トランジスタＴｒ４がＰ型であると好ましい。
【００８９】
トランジスタＴｒ４を有することによって、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態のときのリーク電流を低減することができる。
【００９０】
なお、トランジスタＴｒ４が酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するＮ型トランジスタであると、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態のときのリーク電流を格段に低減することができるので好ましい。
【００９１】
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
【００９２】
（実施の形態３）
図４は、図１においてトランジスタＴｒ４を追加した図面の一例である。
【００９３】
トランジスタＴｒ１〜トランジスタＴｒ３、配線Ｌ１〜配線Ｌ４についての繰り返しの説明は省略する。
【００９４】
トランジスタＴｒ４の第１の端子は、配線Ｌ１と電気的に接続されている。
【００９５】
トランジスタＴｒ４の第２の端子は、トランジスタＴｒ１の第１の端子と電気的に接続されている。
【００９６】
トランジスタＴｒ４の第２の端子は、トランジスタＴｒ２の第１の端子と電気的に接続されている。
【００９７】
トランジスタＴｒ４のゲート端子は、トランジスタＴｒ２のゲート端子と電気的に接続されている。
【００９８】
トランジスタＴｒ４は、トランジスタＴｒ２と同じ極性であることが好ましい。
【００９９】
例えば、図４（Ｂ）のように、トランジスタＴｒ１がＮ型であり、トランジスタＴｒ２がＰ型であり、トランジスタＴｒ３がＮ型であり、トランジスタＴｒ４がＰ型であると好ましい。
【０１００】
例えば、図４（Ｃ）のように、トランジスタＴｒ１がＰ型であり、トランジスタＴｒ２がＮ型であり、トランジスタＴｒ３がＰ型であり、トランジスタＴｒ４がＮ型であると好ましい。
【０１０１】
トランジスタＴｒ４を有することによって、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態のときのリーク電流を低減することができる。
【０１０２】
なお、トランジスタＴｒ４が酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するＮ型トランジスタであると、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態のときのリーク電流を格段に低減することができるので好ましい。
【０１０３】
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１０４】
（実施の形態４）
図５は、図１においてトランジスタＴｒ３を除外しトランジスタＴｒ５を追加した図面の一例である。
【０１０５】
トランジスタＴｒ１、トランジスタＴｒ２、配線Ｌ１〜配線Ｌ４についての繰り返しの説明は省略する。
【０１０６】
トランジスタＴｒ５の第１の端子は、トランジスタＴｒ１の第２の端子と電気的に接続されている。
【０１０７】
トランジスタＴｒ５の第１の端子は、トランジスタＴｒ２の第２の端子と電気的に接続されている。
【０１０８】
トランジスタＴｒ５の第１の端子は、配線Ｌ２と電気的に接続されている。
【０１０９】
トランジスタＴｒ５の第２の端子は、配線Ｌ５と電気的に接続されている。
【０１１０】
トランジスタＴｒ５のゲート端子は、トランジスタＴｒ２のゲート端子と電気的に接続されている。
【０１１１】
トランジスタＴｒ５は、トランジスタＴｒ２と逆の極性であることが好ましい。
【０１１２】
例えば、図５（Ｂ）のように、トランジスタＴｒ１がＮ型であり、トランジスタＴｒ２がＰ型であり、トランジスタＴｒ５がＮ型であると好ましい。
【０１１３】
例えば、図５（Ｃ）のように、トランジスタＴｒ１がＰ型であり、トランジスタＴｒ２がＮ型であり、トランジスタＴｒ５がＰ型であると好ましい。
【０１１４】
トランジスタＴｒ２がオフ状態のときにトランジスタＴｒ５がオン状態となる。
【０１１５】
よって、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態のときに、配線Ｌ５と配線Ｌ２とを導通状態とすることができる。
【０１１６】
例えば、図１の場合、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態のとき、配線Ｌ２が浮遊状態となり、配線Ｌ２の電気的状態が安定しない場合がある。
【０１１７】
図５では、トランジスタＴｒ５を有することにより、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態のとき、配線Ｌ２が配線Ｌ５と導通するので、配線Ｌ２の電気的状態を安定させることができる。
【０１１８】
図５の場合、配線Ｌ１は、入力端子となることができる機能を有する。
【０１１９】
図５の場合、配線Ｌ２は、出力端子となることができる機能を有する。
【０１２０】
配線Ｌ５は、信号、電圧、又は電流を伝達することができる機能を有する。
【０１２１】
配線Ｌ５は、所定の電位となることができる機能を有する。
【０１２２】
トランジスタＴｒ５のオフ電流が大きい場合、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが導通状態のときに、配線Ｌ２の出力が変動してしまう場合がある。
【０１２３】
よって、トランジスタＴｒ５は、酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するＮ型トランジスタであることが好ましい。
【０１２４】
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１２５】
（実施の形態５）
図６は図５においてトランジスタＴｒ３を追加した図面の一例である。
【０１２６】
トランジスタＴｒ１、トランジスタＴｒ２、トランジスタＴｒ５、配線Ｌ１〜配線Ｌ５についての繰り返しの説明は省略する。
【０１２７】
トランジスタＴｒ３の第１の端子は、配線Ｌ２と電気的に接続されている。
【０１２８】
トランジスタＴｒ３の第１の端子は、トランジスタＴｒ５の第１の端子と電気的に接続されている。
【０１２９】
トランジスタＴｒ３の第２の端子は、トランジスタＴｒ１の第２の端子と電気的に接続されている。
【０１３０】
トランジスタＴｒ３の第２の端子は、トランジスタＴｒ２の第２の端子と電気的に接続されている。
【０１３１】
トランジスタＴｒ３のゲート端子は、トランジスタＴｒ１のゲート端子と電気的に接続されている。
【０１３２】
トランジスタＴｒ３は、トランジスタＴｒ１と同じ極性であることが好ましい。
【０１３３】
例えば、図６（Ｂ）のように、トランジスタＴｒ１がＮ型であり、トランジスタＴｒ２がＰ型であり、トランジスタＴｒ３がＮ型であり、トランジスタＴｒ５がＮ型であると好ましい。
【０１３４】
例えば、図６（Ｃ）のように、トランジスタＴｒ１がＰ型であり、トランジスタＴｒ２がＮ型であり、トランジスタＴｒ３がＰ型であり、トランジスタＴｒ５がＰ型であると好ましい。
【０１３５】
トランジスタＴｒ３を有することによって、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態のときのリーク電流を低減することができる。
【０１３６】
なお、トランジスタＴｒ３が酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するＮ型トランジスタであると、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態のときのリーク電流を格段に低減することができるので好ましい。
【０１３７】
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１３８】
（実施の形態６）
図７は図５においてトランジスタＴｒ３を追加した図面の一例である。
【０１３９】
トランジスタＴｒ１、トランジスタＴｒ２、トランジスタＴｒ５、配線Ｌ１〜配線Ｌ５についての繰り返しの説明は省略する。
【０１４０】
トランジスタＴｒ３の第１の端子は、配線Ｌ２と電気的に接続されている。
【０１４１】
トランジスタＴｒ３の第１の端子は、トランジスタＴｒ５の第１の端子と電気的に接続されている。
【０１４２】
トランジスタＴｒ３の第２の端子は、トランジスタＴｒ１の第２の端子と電気的に接続されている。
【０１４３】
トランジスタＴｒ３の第２の端子は、トランジスタＴｒ２の第２の端子と電気的に接続されている。
【０１４４】
トランジスタＴｒ３のゲート端子は、トランジスタＴｒ２のゲート端子と電気的に接続されている。
【０１４５】
トランジスタＴｒ３のゲート端子は、トランジスタＴｒ５のゲート端子と電気的に接続されている。
【０１４６】
トランジスタＴｒ３は、トランジスタＴｒ２と同じ極性であることが好ましい。
【０１４７】
例えば、図７（Ｂ）のように、トランジスタＴｒ１がＮ型であり、トランジスタＴｒ２がＰ型であり、トランジスタＴｒ３がＰ型であり、トランジスタＴｒ５がＮ型であると好ましい。
【０１４８】
例えば、図７（Ｃ）のように、トランジスタＴｒ１がＰ型であり、トランジスタＴｒ２がＮ型であり、トランジスタＴｒ３がＮ型であり、トランジスタＴｒ５がＰ型であると好ましい。
【０１４９】
トランジスタＴｒ３を有することによって、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態のときのリーク電流を低減することができる。
【０１５０】
なお、トランジスタＴｒ３が酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するＮ型トランジスタであると、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態のときのリーク電流を格段に低減することができるので好ましい。
【０１５１】
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１５２】
（実施の形態７）
図８は図５においてトランジスタＴｒ４を追加した図面の一例である。
【０１５３】
トランジスタＴｒ１、トランジスタＴｒ２、トランジスタＴｒ５、配線Ｌ１〜配線Ｌ５についての繰り返しの説明は省略する。
【０１５４】
トランジスタＴｒ４の第１の端子は、配線Ｌ１と電気的に接続されている。
【０１５５】
トランジスタＴｒ４の第２の端子は、トランジスタＴｒ１の第１の端子と電気的に接続されている。
【０１５６】
トランジスタＴｒ４の第２の端子は、トランジスタＴｒ２の第１の端子と電気的に接続されている。
【０１５７】
トランジスタＴｒ４のゲート端子は、トランジスタＴｒ２のゲート端子と電気的に接続されている。
【０１５８】
トランジスタＴｒ４のゲート端子は、トランジスタＴｒ５のゲート端子と電気的に接続されている。
【０１５９】
トランジスタＴｒ４は、トランジスタＴｒ２と同じ極性であることが好ましい。
【０１６０】
例えば、図８（Ｂ）のように、トランジスタＴｒ１がＮ型であり、トランジスタＴｒ２がＰ型であり、トランジスタＴｒ４がＰ型であり、トランジスタＴｒ５がＮ型であると好ましい。
【０１６１】
例えば、図８（Ｃ）のように、トランジスタＴｒ１がＰ型であり、トランジスタＴｒ２がＮ型であり、トランジスタＴｒ４がＮ型であり、トランジスタＴｒ５がＰ型であると好ましい。
【０１６２】
トランジスタＴｒ４を有することによって、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態のときのリーク電流を低減することができる。
【０１６３】
なお、トランジスタＴｒ４が酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するＮ型トランジスタであると、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態のときのリーク電流を格段に低減することができるので好ましい。
【０１６４】
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１６５】
（実施の形態８）
図９は図５においてトランジスタＴｒ４を追加した図面の一例である。
【０１６６】
トランジスタＴｒ１、トランジスタＴｒ２、トランジスタＴｒ５、配線Ｌ１〜配線Ｌ５についての繰り返しの説明は省略する。
【０１６７】
トランジスタＴｒ４の第１の端子は、配線Ｌ１と電気的に接続されている。
【０１６８】
トランジスタＴｒ４の第２の端子は、トランジスタＴｒ１の第１の端子と電気的に接続されている。
【０１６９】
トランジスタＴｒ４の第２の端子は、トランジスタＴｒ２の第１の端子と電気的に接続されている。
【０１７０】
トランジスタＴｒ４のゲート端子は、トランジスタＴｒ１のゲート端子と電気的に接続されている。
【０１７１】
トランジスタＴｒ４は、トランジスタＴｒ１と同じ極性であることが好ましい。
【０１７２】
例えば、図９（Ｂ）のように、トランジスタＴｒ１がＮ型であり、トランジスタＴｒ２がＰ型であり、トランジスタＴｒ４がＮ型であり、トランジスタＴｒ５がＮ型であると好ましい。
【０１７３】
例えば、図９（Ｃ）のように、トランジスタＴｒ１がＰ型であり、トランジスタＴｒ２がＮ型であり、トランジスタＴｒ４がＰ型であり、トランジスタＴｒ５がＰ型であると好ましい。
【０１７４】
トランジスタＴｒ４を有することによって、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態のときのリーク電流を低減することができる。
【０１７５】
なお、トランジスタＴｒ４が酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するＮ型トランジスタであると、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態のときのリーク電流を格段に低減することができるので好ましい。
【０１７６】
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１７７】
（実施の形態９）
図１０は図６においてトランジスタＴｒ４を追加した図面の一例である。
【０１７８】
トランジスタＴｒ１、トランジスタＴｒ２、トランジスタＴｒ３、トランジスタＴｒ５、配線Ｌ１〜配線Ｌ５についての繰り返しの説明は省略する。
【０１７９】
トランジスタＴｒ４の第１の端子は、配線Ｌ１と電気的に接続されている。
【０１８０】
トランジスタＴｒ４の第２の端子は、トランジスタＴｒ１の第１の端子と電気的に接続されている。
【０１８１】
トランジスタＴｒ４の第２の端子は、トランジスタＴｒ２の第１の端子と電気的に接続されている。
【０１８２】
トランジスタＴｒ４のゲート端子は、トランジスタＴｒ２のゲート端子と電気的に接続されている。
【０１８３】
トランジスタＴｒ４のゲート端子は、トランジスタＴｒ５のゲート端子と電気的に接続されている。
【０１８４】
トランジスタＴｒ４は、トランジスタＴｒ２と同じ極性であることが好ましい。
【０１８５】
例えば、図１０（Ｂ）のように、トランジスタＴｒ１がＮ型であり、トランジスタＴｒ２がＰ型であり、トランジスタＴｒ３がＮ型であり、トランジスタＴｒ４がＰ型であり、トランジスタＴｒ５がＮ型であると好ましい。
【０１８６】
例えば、図１０（Ｃ）のように、トランジスタＴｒ１がＰ型であり、トランジスタＴｒ２がＮ型であり、トランジスタＴｒ３がＰ型であり、トランジスタＴｒ４がＮ型であり、トランジスタＴｒ５がＰ型であると好ましい。
【０１８７】
トランジスタＴｒ４を有することによって、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態のときのリーク電流を低減することができる。
【０１８８】
なお、トランジスタＴｒ４が酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するＮ型トランジスタであると、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態のときのリーク電流を格段に低減することができるので好ましい。
【０１８９】
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１９０】
（実施の形態１０）
図１１は図６においてトランジスタＴｒ４を追加した図面の一例である。
【０１９１】
トランジスタＴｒ１、トランジスタＴｒ２、トランジスタＴｒ３、トランジスタＴｒ５、配線Ｌ１〜配線Ｌ５についての繰り返しの説明は省略する。
【０１９２】
トランジスタＴｒ４の第１の端子は、配線Ｌ１と電気的に接続されている。
【０１９３】
トランジスタＴｒ４の第２の端子は、トランジスタＴｒ１の第１の端子と電気的に接続されている。
【０１９４】
トランジスタＴｒ４の第２の端子は、トランジスタＴｒ２の第１の端子と電気的に接続されている。
【０１９５】
トランジスタＴｒ４のゲート端子は、トランジスタＴｒ１のゲート端子と電気的に接続されている。
【０１９６】
トランジスタＴｒ４のゲート端子は、トランジスタＴｒ３のゲート端子と電気的に接続されている。
【０１９７】
トランジスタＴｒ４は、トランジスタＴｒ１と同じ極性であることが好ましい。
【０１９８】
例えば、図１１（Ｂ）のように、トランジスタＴｒ１がＮ型であり、トランジスタＴｒ２がＰ型であり、トランジスタＴｒ３がＮ型であり、トランジスタＴｒ４がＮ型であり、トランジスタＴｒ５がＮ型であると好ましい。
【０１９９】
例えば、図１１（Ｃ）のように、トランジスタＴｒ１がＰ型であり、トランジスタＴｒ２がＮ型であり、トランジスタＴｒ３がＰ型であり、トランジスタＴｒ４がＰ型であり、トランジスタＴｒ５がＰ型であると好ましい。
【０２００】
トランジスタＴｒ４を有することによって、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態のときのリーク電流を低減することができる。
【０２０１】
なお、トランジスタＴｒ４が酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するＮ型トランジスタであると、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態のときのリーク電流を格段に低減することができるので好ましい。
【０２０２】
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
【０２０３】
（実施の形態１１）
図１２は図５においてトランジスタＴｒ６を追加した図面の一例である。
【０２０４】
トランジスタＴｒ１、トランジスタＴｒ２、トランジスタＴｒ５、配線Ｌ１〜配線Ｌ５についての繰り返しの説明は省略する。
【０２０５】
トランジスタＴｒ６の第１の端子は、配線Ｌ５に電気的に接続されている。
【０２０６】
トランジスタＴｒ６の第２の端子は、トランジスタＴｒ５の第２の端子と電気的に接続されている。
【０２０７】
トランジスタＴｒ６のゲート端子は、トランジスタＴｒ１のゲート端子と電気的に接続されている。
【０２０８】
トランジスタＴｒ６は、トランジスタＴｒ１と逆の極性であることが好ましい。
【０２０９】
例えば、図１２（Ｂ）のように、トランジスタＴｒ１がＮ型であり、トランジスタＴｒ２がＰ型であり、トランジスタＴｒ５がＮ型であり、トランジスタＴｒ６がＰ型であると好ましい。
【０２１０】
例えば、図１２（Ｃ）のように、トランジスタＴｒ１がＰ型であり、トランジスタＴｒ２がＮ型であり、トランジスタＴｒ５がＰ型であり、トランジスタＴｒ６がＮ型であると好ましい。
【０２１１】
トランジスタＴｒ６を有することによって、配線Ｌ５と配線Ｌ２とが非導通状態のときのリーク電流を低減することができる。
【０２１２】
なお、トランジスタＴｒ６が酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するＮ型トランジスタであると、配線Ｌ５と配線Ｌ２とが非導通状態のときのリーク電流を格段に低減することができるので好ましい。
【０２１３】
また、トランジスタＴｒ６を有することによって、複数の導通状態を有する動作を行うこともできる。
【０２１４】
配線Ｌ１と配線Ｌ２とが第１の導通状態の場合、配線Ｌ３の電位（又は電圧）がトランジスタＴｒ１をオン状態にすることができる電位（又は電圧）となり、配線Ｌ４の電位（又は電圧）がトランジスタＴｒ２をオン状態にすることができる電位（又は電圧）となる。
【０２１５】
配線Ｌ１と配線Ｌ２とが第１の導通状態の場合、トランジスタＴｒ５及びトランジスタＴｒ６の双方がオフ状態となるので、配線Ｌ５と配線Ｌ２とは非導通状態となる。
【０２１６】
配線Ｌ１と配線Ｌ２とが第２の導通状態の場合、配線Ｌ３の電位（又は電圧）がトランジスタＴｒ１をオン状態にすることができる電位（又は電圧）となり、配線Ｌ４の電位（又は電圧）がトランジスタＴｒ２をオフ状態にすることができる電位（又は電圧）となる。
【０２１７】
配線Ｌ１と配線Ｌ２とが第２の導通状態の場合、トランジスタＴｒ５がオン状態になるが、トランジスタＴｒ６がオフ状態となるので、配線Ｌ５と配線Ｌ２とは非導通状態となる。
【０２１８】
配線Ｌ１と配線Ｌ２とが第３の導通状態の場合、配線Ｌ３の電位（又は電圧）がトランジスタＴｒ１をオフ状態にすることができる電位（又は電圧）となり、配線Ｌ４の電位（又は電圧）がトランジスタＴｒ２をオン状態にすることができる電位（又は電圧）となる。
【０２１９】
配線Ｌ１と配線Ｌ２とが第３の導通状態の場合、トランジスタＴｒ６がオン状態になるが、トランジスタＴｒ５がオフ状態となるので、配線Ｌ５と配線Ｌ２とは非導通状態となる。
【０２２０】
配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態の場合、配線Ｌ３の電位（又は電圧）がトランジスタＴｒ１をオフ状態にすることができる電位（又は電圧）となり、配線Ｌ４の電位（又は電圧）がトランジスタＴｒ２をオフ状態にすることができる電位（又は電圧）となる。
【０２２１】
配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態の場合、トランジスタＴｒ５及びトランジスタＴｒ６の双方がオン状態になるので、配線Ｌ５と配線Ｌ２とは導通状態となる。
【０２２２】
トランジスタＴｒ１のオン電流とトランジスタＴｒ２のオン電流とが異なる場合、第１乃至第３の導通状態の抵抗値が変化する。
【０２２３】
つまり、複数の抵抗値を有する可変抵抗の機能を付加することができる。
【０２２４】
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
【０２２５】
（実施の形態１２）
図１３は図１２においてトランジスタＴｒ３を追加した図面の一例である。
【０２２６】
トランジスタＴｒ１、トランジスタＴｒ２、トランジスタＴｒ５、トランジスタＴｒ６、配線Ｌ１〜配線Ｌ５についての繰り返しの説明は省略する。
【０２２７】
トランジスタＴｒ３の第１の端子は、配線Ｌ２に電気的に接続されている。
【０２２８】
トランジスタＴｒ３の第１の端子は、トランジスタＴｒ５の第１の端子に電気的に接続されている。
【０２２９】
トランジスタＴｒ３の第２の端子は、トランジスタＴｒ１の第２の端子と電気的に接続されている。
【０２３０】
トランジスタＴｒ３の第２の端子は、トランジスタＴｒ２の第２の端子と電気的に接続されている。
【０２３１】
トランジスタＴｒ３のゲート端子は、トランジスタＴｒ１のゲート端子と電気的に接続されている。
【０２３２】
トランジスタＴｒ３のゲート端子は、トランジスタＴｒ６のゲート端子と電気的に接続されている。
【０２３３】
トランジスタＴｒ３は、トランジスタＴｒ１と同じ極性であることが好ましい。
【０２３４】
例えば、図１３（Ｂ）のように、トランジスタＴｒ１がＮ型であり、トランジスタＴｒ２がＰ型であり、トランジスタＴｒ３がＮ型であり、トランジスタＴｒ５がＮ型であり、トランジスタＴｒ６がＰ型であると好ましい。
【０２３５】
例えば、図１３（Ｃ）のように、トランジスタＴｒ１がＰ型であり、トランジスタＴｒ２がＮ型であり、トランジスタＴｒ３がＰ型であり、トランジスタＴｒ５がＰ型であり、トランジスタＴｒ６がＮ型であると好ましい。
【０２３６】
トランジスタＴｒ３を有することによって、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態のときのリーク電流を低減することができる。
【０２３７】
なお、トランジスタＴｒ３が酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するＮ型トランジスタであると、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態のときのリーク電流を格段に低減することができるので好ましい。
【０２３８】
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
【０２３９】
（実施の形態１３）
図１４は図１２においてトランジスタＴｒ３を追加した図面の一例である。
【０２４０】
トランジスタＴｒ１、トランジスタＴｒ２、トランジスタＴｒ５、トランジスタＴｒ６、配線Ｌ１〜配線Ｌ５についての繰り返しの説明は省略する。
【０２４１】
トランジスタＴｒ３の第１の端子は、配線Ｌ２に電気的に接続されている。
【０２４２】
トランジスタＴｒ３の第１の端子は、トランジスタＴｒ５の第１の端子に電気的に接続されている。
【０２４３】
トランジスタＴｒ３の第２の端子は、トランジスタＴｒ１の第２の端子と電気的に接続されている。
【０２４４】
トランジスタＴｒ３の第２の端子は、トランジスタＴｒ２の第２の端子と電気的に接続されている。
【０２４５】
トランジスタＴｒ３のゲート端子は、トランジスタＴｒ２のゲート端子と電気的に接続されている。
【０２４６】
トランジスタＴｒ３のゲート端子は、トランジスタＴｒ５のゲート端子と電気的に接続されている。
【０２４７】
トランジスタＴｒ３は、トランジスタＴｒ２と同じ極性であることが好ましい。
【０２４８】
例えば、図１４（Ｂ）のように、トランジスタＴｒ１がＮ型であり、トランジスタＴｒ２がＰ型であり、トランジスタＴｒ３がＰ型であり、トランジスタＴｒ５がＮ型であり、トランジスタＴｒ６がＰ型であると好ましい。
【０２４９】
例えば、図１４（Ｃ）のように、トランジスタＴｒ１がＰ型であり、トランジスタＴｒ２がＮ型であり、トランジスタＴｒ３がＮ型であり、トランジスタＴｒ５がＰ型であり、トランジスタＴｒ６がＮ型であると好ましい。
【０２５０】
トランジスタＴｒ３を有することによって、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態のときのリーク電流を低減することができる。
【０２５１】
なお、トランジスタＴｒ３が酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するＮ型トランジスタであると、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態のときのリーク電流を格段に低減することができるので好ましい。
【０２５２】
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
【０２５３】
（実施の形態１４）
図１５は図１２においてトランジスタＴｒ４を追加した図面の一例である。
【０２５４】
トランジスタＴｒ１、トランジスタＴｒ２、トランジスタＴｒ５、トランジスタＴｒ６、配線Ｌ１〜配線Ｌ５についての繰り返しの説明は省略する。
【０２５５】
トランジスタＴｒ４の第１の端子は、配線Ｌ１と電気的に接続されている。
【０２５６】
トランジスタＴｒ４の第２の端子は、トランジスタＴｒ１の第１の端子と電気的に接続されている。
【０２５７】
トランジスタＴｒ４の第２の端子は、トランジスタＴｒ２の第１の端子と電気的に接続されている。
【０２５８】
トランジスタＴｒ４のゲート端子は、トランジスタＴｒ１のゲート端子と電気的に接続されている。
【０２５９】
トランジスタＴｒ４のゲート端子は、トランジスタＴｒ６のゲート端子と電気的に接続されている。
【０２６０】
トランジスタＴｒ４は、トランジスタＴｒ１と同じ極性であることが好ましい。
【０２６１】
例えば、図１５（Ｂ）のように、トランジスタＴｒ１がＮ型であり、トランジスタＴｒ２がＰ型であり、トランジスタＴｒ４がＮ型であり、トランジスタＴｒ５がＮ型であり、トランジスタＴｒ６がＰ型であると好ましい。
【０２６２】
例えば、図１５（Ｃ）のように、トランジスタＴｒ１がＰ型であり、トランジスタＴｒ２がＮ型であり、トランジスタＴｒ４がＰ型であり、トランジスタＴｒ５がＰ型であり、トランジスタＴｒ６がＮ型であると好ましい。
【０２６３】
トランジスタＴｒ４を有することによって、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態のときのリーク電流を低減することができる。
【０２６４】
なお、トランジスタＴｒ４が酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するＮ型トランジスタであると、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態のときのリーク電流を格段に低減することができるので好ましい。
【０２６５】
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
【０２６６】
（実施の形態１５）
図１６は図１２においてトランジスタＴｒ４を追加した図面の一例である。
【０２６７】
トランジスタＴｒ１、トランジスタＴｒ２、トランジスタＴｒ５、トランジスタＴｒ６、配線Ｌ１〜配線Ｌ５についての繰り返しの説明は省略する。
【０２６８】
トランジスタＴｒ４の第１の端子は、配線Ｌ１と電気的に接続されている。
【０２６９】
トランジスタＴｒ４の第２の端子は、トランジスタＴｒ１の第１の端子と電気的に接続されている。
【０２７０】
トランジスタＴｒ４の第２の端子は、トランジスタＴｒ２の第１の端子と電気的に接続されている。
【０２７１】
トランジスタＴｒ４のゲート端子は、トランジスタＴｒ２のゲート端子と電気的に接続されている。
【０２７２】
トランジスタＴｒ４のゲート端子は、トランジスタＴｒ５のゲート端子と電気的に接続されている。
【０２７３】
トランジスタＴｒ４は、トランジスタＴｒ２と同じ極性であることが好ましい。
【０２７４】
例えば、図１６（Ｂ）のように、トランジスタＴｒ１がＮ型であり、トランジスタＴｒ２がＰ型であり、トランジスタＴｒ４がＰ型であり、トランジスタＴｒ５がＮ型であり、トランジスタＴｒ６がＰ型であると好ましい。
【０２７５】
例えば、図１６（Ｃ）のように、トランジスタＴｒ１がＰ型であり、トランジスタＴｒ２がＮ型であり、トランジスタＴｒ４がＮ型であり、トランジスタＴｒ５がＰ型であり、トランジスタＴｒ６がＮ型であると好ましい。
【０２７６】
トランジスタＴｒ４を有することによって、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態のときのリーク電流を低減することができる。
【０２７７】
なお、トランジスタＴｒ４が酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するＮ型トランジスタであると、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態のときのリーク電流を格段に低減することができるので好ましい。
【０２７８】
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
【０２７９】
（実施の形態１６）
図１７は図１３においてトランジスタＴｒ４を追加した図面の一例である。
【０２８０】
トランジスタＴｒ１、トランジスタＴｒ２、トランジスタＴｒ３、トランジスタＴｒ５、トランジスタＴｒ６、配線Ｌ１〜配線Ｌ５についての繰り返しの説明は省略する。
【０２８１】
トランジスタＴｒ４の第１の端子は、配線Ｌ１と電気的に接続されている。
【０２８２】
トランジスタＴｒ４の第２の端子は、トランジスタＴｒ１の第１の端子と電気的に接続されている。
【０２８３】
トランジスタＴｒ４の第２の端子は、トランジスタＴｒ２の第１の端子と電気的に接続されている。
【０２８４】
トランジスタＴｒ４のゲート端子は、トランジスタＴｒ１のゲート端子と電気的に接続されている。
【０２８５】
トランジスタＴｒ４のゲート端子は、トランジスタＴｒ３のゲート端子と電気的に接続されている。
【０２８６】
トランジスタＴｒ４のゲート端子は、トランジスタＴｒ６のゲート端子と電気的に接続されている。
【０２８７】
トランジスタＴｒ４は、トランジスタＴｒ１と同じ極性であることが好ましい。
【０２８８】
例えば、図１７（Ｂ）のように、トランジスタＴｒ１がＮ型であり、トランジスタＴｒ２がＰ型であり、トランジスタＴｒ３がＮ型であり、トランジスタＴｒ４がＮ型であり、トランジスタＴｒ５がＮ型であり、トランジスタＴｒ６がＰ型であると好ましい。
【０２８９】
例えば、図１７（Ｃ）のように、トランジスタＴｒ１がＰ型であり、トランジスタＴｒ２がＮ型であり、トランジスタＴｒ３がＰ型であり、トランジスタＴｒ４がＰ型であり、トランジスタＴｒ５がＰ型であり、トランジスタＴｒ６がＮ型であると好ましい。
【０２９０】
トランジスタＴｒ４を有することによって、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態のときのリーク電流を低減することができる。
【０２９１】
なお、トランジスタＴｒ４が酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するＮ型トランジスタであると、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態のときのリーク電流を格段に低減することができるので好ましい。
【０２９２】
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
【０２９３】
（実施の形態１７）
図１８は図１３においてトランジスタＴｒ４を追加した図面の一例である。
【０２９４】
トランジスタＴｒ１、トランジスタＴｒ２、トランジスタＴｒ３、トランジスタＴｒ５、トランジスタＴｒ６、配線Ｌ１〜配線Ｌ５についての繰り返しの説明は省略する。
【０２９５】
トランジスタＴｒ４の第１の端子は、配線Ｌ１と電気的に接続されている。
【０２９６】
トランジスタＴｒ４の第２の端子は、トランジスタＴｒ１の第１の端子と電気的に接続されている。
【０２９７】
トランジスタＴｒ４の第２の端子は、トランジスタＴｒ２の第１の端子と電気的に接続されている。
【０２９８】
トランジスタＴｒ４のゲート端子は、トランジスタＴｒ２のゲート端子と電気的に接続されている。
【０２９９】
トランジスタＴｒ４のゲート端子は、トランジスタＴｒ５のゲート端子と電気的に接続されている。
【０３００】
トランジスタＴｒ４は、トランジスタＴｒ２と同じ極性であることが好ましい。
【０３０１】
例えば、図１８（Ｂ）のように、トランジスタＴｒ１がＮ型であり、トランジスタＴｒ２がＰ型であり、トランジスタＴｒ３がＮ型であり、トランジスタＴｒ４がＰ型であり、トランジスタＴｒ５がＮ型であり、トランジスタＴｒ６がＰ型であると好ましい。
【０３０２】
例えば、図１８（Ｃ）のように、トランジスタＴｒ１がＰ型であり、トランジスタＴｒ２がＮ型であり、トランジスタＴｒ３がＰ型であり、トランジスタＴｒ４がＮ型であり、トランジスタＴｒ５がＰ型であり、トランジスタＴｒ６がＮ型であると好ましい。
【０３０３】
トランジスタＴｒ４を有することによって、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態のときのリーク電流を低減することができる。
【０３０４】
なお、トランジスタＴｒ４が酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するＮ型トランジスタであると、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態のときのリーク電流を格段に低減することができるので好ましい。
【０３０５】
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
【０３０６】
（実施の形態１８）
図１９は図１４においてトランジスタＴｒ４を追加した図面の一例である。
【０３０７】
トランジスタＴｒ１、トランジスタＴｒ２、トランジスタＴｒ３、トランジスタＴｒ５、トランジスタＴｒ６、配線Ｌ１〜配線Ｌ５についての繰り返しの説明は省略する。
【０３０８】
トランジスタＴｒ４の第１の端子は、配線Ｌ１と電気的に接続されている。
【０３０９】
トランジスタＴｒ４の第２の端子は、トランジスタＴｒ１の第１の端子と電気的に接続されている。
【０３１０】
トランジスタＴｒ４の第２の端子は、トランジスタＴｒ２の第１の端子と電気的に接続されている。
【０３１１】
トランジスタＴｒ４のゲート端子は、トランジスタＴｒ１のゲート端子と電気的に接続されている。
【０３１２】
トランジスタＴｒ４のゲート端子は、トランジスタＴｒ６のゲート端子と電気的に接続されている。
【０３１３】
トランジスタＴｒ４は、トランジスタＴｒ１と同じ極性であることが好ましい。
【０３１４】
例えば、図１９（Ｂ）のように、トランジスタＴｒ１がＮ型であり、トランジスタＴｒ２がＰ型であり、トランジスタＴｒ３がＰ型であり、トランジスタＴｒ４がＮ型であり、トランジスタＴｒ５がＮ型であり、トランジスタＴｒ６がＰ型であると好ましい。
【０３１５】
例えば、図１９（Ｃ）のように、トランジスタＴｒ１がＰ型であり、トランジスタＴｒ２がＮ型であり、トランジスタＴｒ３がＮ型であり、トランジスタＴｒ４がＰ型であり、トランジスタＴｒ５がＰ型であり、トランジスタＴｒ６がＮ型であると好ましい。
【０３１６】
トランジスタＴｒ４を有することによって、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態のときのリーク電流を低減することができる。
【０３１７】
なお、トランジスタＴｒ４が酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するＮ型トランジスタであると、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態のときのリーク電流を格段に低減することができるので好ましい。
【０３１８】
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
【０３１９】
（実施の形態１９）
図２０は図１４においてトランジスタＴｒ４を追加した図面の一例である。
【０３２０】
トランジスタＴｒ１、トランジスタＴｒ２、トランジスタＴｒ３、トランジスタＴｒ５、トランジスタＴｒ６、配線Ｌ１〜配線Ｌ５についての繰り返しの説明は省略する。
【０３２１】
トランジスタＴｒ４の第１の端子は、配線Ｌ１と電気的に接続されている。
【０３２２】
トランジスタＴｒ４の第２の端子は、トランジスタＴｒ１の第１の端子と電気的に接続されている。
【０３２３】
トランジスタＴｒ４の第２の端子は、トランジスタＴｒ２の第１の端子と電気的に接続されている。
【０３２４】
トランジスタＴｒ４のゲート端子は、トランジスタＴｒ２のゲート端子と電気的に接続されている。
【０３２５】
トランジスタＴｒ４のゲート端子は、トランジスタＴｒ３のゲート端子と電気的に接続されている。
【０３２６】
トランジスタＴｒ４のゲート端子は、トランジスタＴｒ５のゲート端子と電気的に接続されている。
【０３２７】
トランジスタＴｒ４は、トランジスタＴｒ２と同じ極性であることが好ましい。
【０３２８】
例えば、図１９（Ｂ）のように、トランジスタＴｒ１がＮ型であり、トランジスタＴｒ２がＰ型であり、トランジスタＴｒ３がＰ型であり、トランジスタＴｒ４がＰ型であり、トランジスタＴｒ５がＮ型であり、トランジスタＴｒ６がＰ型であると好ましい。
【０３２９】
例えば、図１９（Ｃ）のように、トランジスタＴｒ１がＰ型であり、トランジスタＴｒ２がＮ型であり、トランジスタＴｒ３がＮ型であり、トランジスタＴｒ４がＮ型であり、トランジスタＴｒ５がＰ型であり、トランジスタＴｒ６がＮ型であると好ましい。
【０３３０】
トランジスタＴｒ４を有することによって、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態のときのリーク電流を低減することができる。
【０３３１】
なお、トランジスタＴｒ４が酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するＮ型トランジスタであると、配線Ｌ１と配線Ｌ２とが非導通状態のときのリーク電流を格段に低減することができるので好ましい。
【０３３２】
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
【０３３３】
（実施の形態２０）
トランジスタＴｒ１、トランジスタＴｒ２、トランジスタＴｒ３、又はトランジスタＴｒ４を有することによって、配線Ｌ２の出力が下がってしまう場合がある。
【０３３４】
そこで、図２１〜図２４のように、トランジスタＴｒ７及び配線Ｌ６を追加することが好ましい。
【０３３５】
図２１〜図２４において、トランジスタＴｒ７の第１の端子は、配線Ｌ６と電気的に接続されている。
【０３３６】
図２１〜図２４において、トランジスタＴｒ７の第２の端子は、配線Ｌ２と電気的に接続されている。
【０３３７】
図２１〜図２４は、トランジスタＴｒ７のゲート端子と配線Ｌ１とを導通させることができる構成を有している。
【０３３８】
例えば、図２１（Ａ）は、図１においてトランジスタＴｒ７を追加した例であり、トランジスタＴｒ７のゲート端子が、トランジスタＴｒ３の第１の端子と電気的に接続されている。
【０３３９】
また、例えば、図２２（Ａ）は、図２１（Ａ）において、トランジスタＴｒ３を配線Ｌ１側に配置した例である。
【０３４０】
図２２（Ａ）において、トランジスタＴｒ３の第１の端子は、配線Ｌ１と電気的に接続されている。
【０３４１】
図２２（Ａ）において、トランジスタＴｒ３の第２の端子は、トランジスタＴｒ１の第１の端子と電気的に接続されている。
【０３４２】
図２２（Ａ）において、トランジスタＴｒ３の第２の端子は、トランジスタＴｒ２の第１の端子と電気的に接続されている。
【０３４３】
図２２（Ａ）において、トランジスタＴｒ３のゲート端子は、トランジスタＴｒ１のゲート端子と電気的に接続されている。
【０３４４】
図２２（Ａ）において、トランジスタＴｒ７のゲート端子は、トランジスタＴｒ１の第２の端子と電気的に接続されている。
【０３４５】
図２２（Ａ）において、トランジスタＴｒ７のゲート端子は、トランジスタＴｒ２の第２の端子と電気的に接続されている。
【０３４６】
図２２（Ａ）において、トランジスタＴｒ３は、トランジスタＴｒ１と同じ極性であることが好ましい。
【０３４７】
また、例えば、図２３（Ａ）は、図３においてトランジスタＴｒ７を追加した例であり、トランジスタＴｒ７のゲート端子が、トランジスタＴｒ３の第１の端子と電気的に接続されている。
【０３４８】
また、例えば、図２４（Ａ）は、図４においてトランジスタＴｒ７を追加した例であり、トランジスタＴｒ７のゲート端子が、トランジスタＴｒ３の第１の端子と電気的に接続されている。
【０３４９】
図２１（Ａ）、図２２（Ａ）、図２３（Ａ）、及び図２４（Ａ）において、配線Ｌ６がトランジスタＴｒ７を介して配線Ｌ２と電気的に接続されるので、配線Ｌ２の出力を上げることができる。
【０３５０】
トランジスタＴｒ７は特に限定されない。
【０３５１】
但し、トランジスタＴｒ７がシリコンを有するチャネル形成領域を有するトランジスタであると、配線Ｌ２の出力がより上がるので好ましい。
【０３５２】
図２１（Ａ）、図２２（Ａ）、図２３（Ａ）、及び図２４（Ａ）において、配線Ｌ２を出力端子として機能させた例を示したが、配線Ｌ６を出力端子として機能させても良い。
【０３５３】
また、図２１（Ａ）、図２２（Ａ）、図２３（Ａ）、及び図２４（Ａ）において、容量素子Ｃ及び配線Ｌ７を追加すると好ましい。
【０３５４】
例えば、図２１（Ｂ）は、図２１（Ａ）において、トランジスタＴｒ７のゲート端子を容量素子Ｃの一方の電極と電気的に接続し、配線Ｌ７を容量素子Ｃの他方の電極と電気的に接続した例である。
【０３５５】
また、例えば、図２２（Ｂ）は、図２２（Ａ）において、トランジスタＴｒ７のゲート端子を容量素子Ｃの一方の電極と電気的に接続し、配線Ｌ７を容量素子Ｃの他方の電極と電気的に接続した例である。
【０３５６】
また、例えば、図２３（Ｂ）は、図２３（Ａ）において、トランジスタＴｒ７のゲート端子を容量素子Ｃの一方の電極と電気的に接続し、配線Ｌ７を容量素子Ｃの他方の電極と電気的に接続した例である。
【０３５７】
また、例えば、図２４（Ｂ）は、図２４（Ａ）において、トランジスタＴｒ７のゲート端子を容量素子Ｃの一方の電極と電気的に接続し、配線Ｌ７を容量素子Ｃの他方の電極と電気的に接続した例である。
【０３５８】
配線Ｌ７は、信号、電圧、又は電流を伝達することができる機能を有する。
【０３５９】
配線Ｌ７は、所定の電位となることができる機能を有する。
【０３６０】
容量素子Ｃの一方の電極と配線Ｌ１とを導通させることによって、容量素子Ｃに電荷を蓄積することができる。
【０３６１】
例えば、容量素子Ｃの正電荷が蓄積されている場合、トランジスタＴｒ７のゲート端子の電位（又は電圧）を「１（Ｈｉｇｈ）」とすることができる。
【０３６２】
例えば、容量素子Ｃに負電荷が蓄積されている場合、又は、容量素子に電荷が蓄積されていない場合、トランジスタＴｒ７のゲート端子の電位（又は電圧）を「０（Ｌｏｗ）」とすることができる。
【０３６３】
容量素子Ｃの一方の電極と配線Ｌ１とを導通状態のときに、配線Ｌ１の電気的状態（信号、電圧、電流、電位等）と配線Ｌ７と電気的状態（信号、電圧、電流、電位等）とを制御することによって、容量素子Ｃに蓄積される電荷量を制御することができる。
【０３６４】
容量素子Ｃを有することにより、容量素子Ｃの一方の電極と配線Ｌ１とが非導通状態のときに、トランジスタＴｒ７の導通状態を維持することができるようになる。
【０３６５】
また、トランジスタＴｒ３又はトランジスタＴｒ４が、酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するＮ型トランジスタである場合、配線Ｌ１と容量素子Ｃの一方の電極とが非導通状態のときのリーク電流を格段に低減することができるので好ましい。
【０３６６】
配線Ｌ１と容量素子Ｃの一方の電極とが非導通状態のときのリーク電流が大きいと、容量素子Ｃへの電荷蓄積動作を頻繁に行う必要があり消費電力が大きくなる。
【０３６７】
よって、消費電力を小さくするためには、配線Ｌ１と容量素子Ｃの一方の電極とが非導通状態のときのリーク電流を少なくすることが好ましい。
【０３６８】
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
【０３６９】
（実施の形態２１）
トランジスタＴｒ１、トランジスタＴｒ２、トランジスタＴｒ３、トランジスタＴｒ４、トランジスタＴｒ５、又はトランジスタＴｒ６を有することによって、配線Ｌ２の出力が下がってしまう場合がある。
【０３７０】
そこで、図２５〜図４０のように、トランジスタＴｒ７及び配線Ｌ６を追加することが好ましい。
【０３７１】
図２５〜図４０において、トランジスタＴｒ７の第１の端子は、配線Ｌ６と電気的に接続されている。
【０３７２】
図２１〜図２４において、トランジスタＴｒ７の第２の端子は、配線Ｌ２と電気的に接続されている。
【０３７３】
図２５〜図４０において、トランジスタＴｒ７のゲート端子と配線Ｌ１とを導通させることができる構成を有している。
【０３７４】
例えば、図２５（Ａ）は、図５においてトランジスタＴｒ７を追加した例であり、トランジスタＴｒ７のゲート端子が、トランジスタＴｒ５の第１の端子と電気的に接続されている。
【０３７５】
例えば、図２６（Ａ）は、図６においてトランジスタＴｒ７を追加した例であり、トランジスタＴｒ７のゲート端子が、トランジスタＴｒ５の第１の端子と電気的に接続されている。
【０３７６】
例えば、図２７（Ａ）は、図７においてトランジスタＴｒ７を追加した例であり、トランジスタＴｒ７のゲート端子が、トランジスタＴｒ５の第１の端子と電気的に接続されている。
【０３７７】
例えば、図２８（Ａ）は、図８においてトランジスタＴｒ７を追加した例であり、トランジスタＴｒ７のゲート端子が、トランジスタＴｒ５の第１の端子と電気的に接続されている。
【０３７８】
例えば、図２９（Ａ）は、図９においてトランジスタＴｒ７を追加した例であり、トランジスタＴｒ７のゲート端子が、トランジスタＴｒ５の第１の端子と電気的に接続されている。
【０３７９】
例えば、図３０（Ａ）は、図１０においてトランジスタＴｒ７を追加した例であり、トランジスタＴｒ７のゲート端子が、トランジスタＴｒ５の第１の端子と電気的に接続されている。
【０３８０】
例えば、図３１（Ａ）は、図１１においてトランジスタＴｒ７を追加した例であり、トランジスタＴｒ７のゲート端子が、トランジスタＴｒ５の第１の端子と電気的に接続されている。
【０３８１】
例えば、図３２（Ａ）は、図１２においてトランジスタＴｒ７を追加した例であり、トランジスタＴｒ７のゲート端子が、トランジスタＴｒ５の第１の端子と電気的に接続されている。
【０３８２】
例えば、図３３（Ａ）は、図１３においてトランジスタＴｒ７を追加した例であり、トランジスタＴｒ７のゲート端子が、トランジスタＴｒ５の第１の端子と電気的に接続されている。
【０３８３】
例えば、図３４（Ａ）は、図１４においてトランジスタＴｒ７を追加した例であり、トランジスタＴｒ７のゲート端子が、トランジスタＴｒ５の第１の端子と電気的に接続されている。
【０３８４】
例えば、図３５（Ａ）は、図１５においてトランジスタＴｒ７を追加した例であり、トランジスタＴｒ７のゲート端子が、トランジスタＴｒ５の第１の端子と電気的に接続されている。
【０３８５】
例えば、図３６（Ａ）は、図１６においてトランジスタＴｒ７を追加した例であり、トランジスタＴｒ７のゲート端子が、トランジスタＴｒ５の第１の端子と電気的に接続されている。
【０３８６】
例えば、図３７（Ａ）は、図１７においてトランジスタＴｒ７を追加した例であり、トランジスタＴｒ７のゲート端子が、トランジスタＴｒ５の第１の端子と電気的に接続されている。
【０３８７】
例えば、図３８（Ａ）は、図１８においてトランジスタＴｒ７を追加した例であり、トランジスタＴｒ７のゲート端子が、トランジスタＴｒ５の第１の端子と電気的に接続されている。
【０３８８】
例えば、図３９（Ａ）は、図１９においてトランジスタＴｒ７を追加した例であり、トランジスタＴｒ７のゲート端子が、トランジスタＴｒ５の第１の端子と電気的に接続されている。
【０３８９】
例えば、図４０（Ａ）は、図２０においてトランジスタＴｒ７を追加した例であり、トランジスタＴｒ７のゲート端子が、トランジスタＴｒ５の第１の端子と電気的に接続されている。
【０３９０】
図２５（Ａ）、図２６（Ａ）、図２７（Ａ）、図２８（Ａ）、図２９（Ａ）、図３０（Ａ）、図３１（Ａ）、図３２（Ａ）、図３３（Ａ）、図３４（Ａ）、図３５（Ａ）、図３６（Ａ）、図３７（Ａ）、図３８（Ａ）、図３９（Ａ）、及び図４０（Ａ）において、配線Ｌ２と配線Ｌ６がトランジスタＴｒ７を介して電気的に接続されるので、配線Ｌ２の出力を上げることができる。
【０３９１】
トランジスタＴｒ７は特に限定されない。
【０３９２】
但し、トランジスタＴｒ７がシリコンを有するチャネル形成領域を有するトランジスタであると、配線Ｌ２の出力がより上がるので好ましい。
【０３９３】
図２５（Ａ）、図２６（Ａ）、図２７（Ａ）、図２８（Ａ）、図２９（Ａ）、図３０（Ａ）、図３１（Ａ）、図３２（Ａ）、図３３（Ａ）、図３４（Ａ）、図３５（Ａ）、図３６（Ａ）、図３７（Ａ）、図３８（Ａ）、図３９（Ａ）、及び図４０（Ａ）において、配線Ｌ２を出力端子として機能させた例を示したが、配線Ｌ６を出力端子として機能させても良い。
【０３９４】
図２５（Ａ）、図２６（Ａ）、図２７（Ａ）、図２８（Ａ）、図２９（Ａ）、図３０（Ａ）、図３１（Ａ）、図３２（Ａ）、図３３（Ａ）、図３４（Ａ）、図３５（Ａ）、図３６（Ａ）、図３７（Ａ）、図３８（Ａ）、図３９（Ａ）、及び図４０（Ａ）は、以下のような動作を行うことができる。
【０３９５】
配線Ｌ１とトランジスタＴｒ７のゲート端子とが導通状態となり、配線Ｌ５とトランジスタＴｒ７のゲート端子とが非導通状態となる第１の状態において、配線Ｌ１の電気的状態（信号、電圧、電流、電位等）に応じて、トランジスタＴｒ７をオン状態又はオフ状態の一方とすることができる。
【０３９６】
配線Ｌ１とトランジスタＴｒ７のゲート端子とが非導通状態となり、配線Ｌ５とトランジスタＴｒ７のゲート端子とが導通状態となる第２の状態において、配線Ｌ５の電気的状態（信号、電圧、電流、電位等）に応じて、トランジスタＴｒ７をオン状態又はオフ状態の他方とすることができる。
【０３９７】
トランジスタＴｒ７がオン状態のとき、配線Ｌ６がトランジスタＴｒ７を介して配線Ｌ２と電気的に接続されるので、配線Ｌ２の出力を上げることができる。
【０３９８】
他の例を、図２５（Ｂ）、図２６（Ｂ）、図２７（Ｂ）、図２８（Ｂ）、図２９（Ｂ）、図３０（Ｂ）、図３１（Ｂ）、図３２（Ｂ）、図３３（Ｂ）、図３４（Ｂ）、図３５（Ｂ）、図３６（Ｂ）、図３７（Ｂ）、図３８（Ｂ）、図３９（Ｂ）、及び図４０（Ｂ）に示す。
【０３９９】
例えば、図２５（Ｂ）は、図５においてトランジスタＴｒ７を追加した例であり、トランジスタＴｒ７の第２の端子が、トランジスタＴｒ５の第１の端子と電気的に接続されている。
【０４００】
例えば、図２６（Ｂ）は、図６においてトランジスタＴｒ７を追加した例であり、トランジスタＴｒ７の第２の端子が、トランジスタＴｒ５の第１の端子と電気的に接続されている。
【０４０１】
例えば、図２７（Ｂ）は、図７においてトランジスタＴｒ７を追加した例であり、トランジスタＴｒ７の第２の端子が、トランジスタＴｒ５の第１の端子と電気的に接続されている。
【０４０２】
例えば、図２８（Ｂ）は、図８においてトランジスタＴｒ７を追加した例であり、トランジスタＴｒ７の第２の端子が、トランジスタＴｒ５の第１の端子と電気的に接続されている。
【０４０３】
例えば、図２９（Ｂ）は、図９においてトランジスタＴｒ７を追加した例であり、トランジスタＴｒ７の第２の端子が、トランジスタＴｒ５の第１の端子と電気的に接続されている。
【０４０４】
例えば、図３０（Ｂ）は、図１０においてトランジスタＴｒ７を追加した例であり、トランジスタＴｒ７の第２の端子が、トランジスタＴｒ５の第１の端子と電気的に接続されている。
【０４０５】
例えば、図３１（Ｂ）は、図１１においてトランジスタＴｒ７を追加した例であり、トランジスタＴｒ７の第２の端子が、トランジスタＴｒ５の第１の端子と電気的に接続されている。
【０４０６】
例えば、図３２（Ｂ）は、図１２においてトランジスタＴｒ７を追加した例であり、トランジスタＴｒ７の第２の端子が、トランジスタＴｒ５の第１の端子と電気的に接続されている。
【０４０７】
例えば、図３２（Ｂ）は、図１２においてトランジスタＴｒ７を追加した例であり、トランジスタＴｒ７の第２の端子が、トランジスタＴｒ５の第１の端子と電気的に接続されている。
【０４０８】
例えば、図３３（Ｂ）は、図１３においてトランジスタＴｒ７を追加した例であり、トランジスタＴｒ７の第２の端子が、トランジスタＴｒ５の第１の端子と電気的に接続されている。
【０４０９】
例えば、図３４（Ｂ）は、図１４においてトランジスタＴｒ７を追加した例であり、トランジスタＴｒ７の第２の端子が、トランジスタＴｒ５の第１の端子と電気的に接続されている。
【０４１０】
例えば、図３５（Ｂ）は、図１５においてトランジスタＴｒ７を追加した例であり、トランジスタＴｒ７の第２の端子が、トランジスタＴｒ５の第１の端子と電気的に接続されている。
【０４１１】
例えば、図３６（Ｂ）は、図１６においてトランジスタＴｒ７を追加した例であり、トランジスタＴｒ７の第２の端子が、トランジスタＴｒ５の第１の端子と電気的に接続されている。
【０４１２】
例えば、図３７（Ｂ）は、図１７においてトランジスタＴｒ７を追加した例であり、トランジスタＴｒ７の第２の端子が、トランジスタＴｒ５の第１の端子と電気的に接続されている。
【０４１３】
例えば、図３８（Ｂ）は、図１８においてトランジスタＴｒ７を追加した例であり、トランジスタＴｒ７の第２の端子が、トランジスタＴｒ５の第１の端子と電気的に接続されている。
【０４１４】
例えば、図３９（Ｂ）は、図１９においてトランジスタＴｒ７を追加した例であり、トランジスタＴｒ７の第２の端子が、トランジスタＴｒ５の第１の端子と電気的に接続されている。
【０４１５】
例えば、図４０（Ｂ）は、図２０においてトランジスタＴｒ７を追加した例であり、トランジスタＴｒ７の第２の端子が、トランジスタＴｒ５の第１の端子と電気的に接続されている。
【０４１６】
図２５（Ｂ）、図２６（Ｂ）、図２７（Ｂ）、図２８（Ｂ）、図２９（Ｂ）、図３０（Ｂ）、図３１（Ｂ）、図３２（Ｂ）、図３３（Ｂ）、図３４（Ｂ）、図３５（Ｂ）、図３６（Ｂ）、図３７（Ｂ）、図３８（Ｂ）、図３９（Ｂ）、及び図４０（Ｂ）は、以下のような動作を行うことができる。
【０４１７】
配線Ｌ１とトランジスタＴｒ７のゲート端子とが導通状態となる第１の状態において、配線Ｌ１の電気的状態（信号、電圧、電流、電位等）に応じて、トランジスタＴｒ７がオン状態になる。
【０４１８】
配線Ｌ１とトランジスタＴｒ７のゲート端子とが非導通状態となる第２の状態において、トランジスタＴｒ７がオフ状態になる。
【０４１９】
第１の状態において、配線Ｌ２と配線Ｌ６が導通状態となる。
【０４２０】
なお、第１の状態において、トランジスタＴｒ５はオフ状態となる。
【０４２１】
第２の状態において、配線Ｌ２と配線Ｌ５が導通状態となる。
【０４２２】
なお、第２の状態において、トランジスタＴｒ５はオン状態となる。
【０４２３】
よって、例えば、配線Ｌ２が出力端子として機能させることができる場合、配線Ｌ５を第１の入力端子として機能させることができ、配線Ｌ６を第２の入力端子として機能させることができる。
【０４２４】
例えば、配線Ｌ２が入力端子として機能させることができる場合、配線Ｌ５を第１の出力端子として機能させることができ、配線Ｌ６を第２の出力端子として機能させることができる。
【０４２５】
トランジスタＴｒ５及びトランジスタＴｒ７はオン電流が高い方が好ましいので、トランジスタＴｒ５及びトランジスタＴｒ７はシリコンを有するチャネル形成領域を有するトランジスタであることが好ましい。
【０４２６】
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
【０４２７】
（実施の形態２２）
配線Ｌ１乃至配線Ｌ７に素子を電気的に接続することができる。
【０４２８】
素子としては、トランジスタ、スイッチ、容量素子、抵抗素子、ダイオード、記憶素子、表示素子等があるが限定されない。
【０４２９】
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
【０４３０】
（実施の形態２３）
配線Ｌ５に配線Ｌ１を電気的に接続させることにより、トランジスタＴｒ１及びトランジスタＴｒ２がオフ状態のとき、配線Ｌ１と配線Ｌ２とをトランジスタＴｒ５を介して電気的に接続させることができる。
【０４３１】
配線Ｌ５に配線Ｌ３を電気的に接続させることにより、トランジスタＴｒ１及びトランジスタＴｒ２がオフ状態のとき、配線Ｌ３と配線Ｌ２とをトランジスタＴｒ５を介して電気的に接続させることができる。
【０４３２】
配線Ｌ５に配線Ｌ４を電気的に接続させることにより、トランジスタＴｒ１及びトランジスタＴｒ２がオフ状態のとき、配線Ｌ４と配線Ｌ２とをトランジスタＴｒ５を介して電気的に接続させることができる。
【０４３３】
以上の構成により、配線の本数を減少することができる。
【０４３４】
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
【０４３５】
（実施の形態２４）
ＡがＢと電気的に接続されている状態とは、ＡがＢと直接接続されている状態、Ａが回路動作に影響のない素子を介してＢと接続されている状態等である。
【０４３６】
回路動作に影響のない素子とは、入力が信号、電流の場合は信号の内容を変えずに出力することができる素子であり、具体的には、抵抗素子、スイッチ、トランジスタ、ダイオード等である。
【０４３７】
回路動作に影響のない素子とは、入力が電圧の場合は電圧の極性を変えずに出力することができる素子であり、具体的には、抵抗素子、スイッチ、トランジスタ、ダイオード、容量素子等である。
【０４３８】
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
【０４３９】
（実施の形態２５）
他の実施形態では、トランジスタＴｒ１の極性とトランジスタＴｒ２の極性とが異なる例を示したが、トランジスタＴｒ１の極性とトランジスタＴｒ２の極性とが同じであっても良い。
【０４４０】
他の実施の形態では、配線Ｌ３に配線Ｌ４の逆の極性の電位（又は電圧）が入力される例を示したが、配線Ｌ３に配線Ｌ４の同じ極性の電位（又は電圧）を入力しても良い。
【０４４１】
例えば、トランジスタＴｒ１の極性とトランジスタＴｒ２の極性とが同じ場合に、配線Ｌ３に配線Ｌ４の逆の極性の電位（又は電圧）を入力すると、トランジスタＴｒ１又はトランジスタＴｒ２の一方をオン状態とすることができ、トランジスタＴｒ１又はトランジスタＴｒ２の他方をオフ状態とすることができる。
【０４４２】
例えば、トランジスタＴｒ１の極性とトランジスタＴｒ２の極性とが同じ場合に、配線Ｌ３に配線Ｌ４との同じ極性の電位（又は電圧）を入力すると、トランジスタＴｒ１及びトランジスタＴｒ２の双方をオン状態とすることができる。
【０４４３】
例えば、トランジスタＴｒ１の極性とトランジスタＴｒ２の極性とが異なる場合に、配線Ｌ３に配線Ｌ４の逆の極性の電位（又は電圧）を入力すると、トランジスタＴｒ１及びトランジスタＴｒ２の双方をオン状態とすることができる。
【０４４４】
例えば、トランジスタＴｒ１の極性とトランジスタＴｒ２の極性とが異なる場合に、配線Ｌ３に配線Ｌ４と同じ極性の電位（又は電圧）を入力すると、トランジスタＴｒ１又はトランジスタＴｒ２の一方をオン状態とすることができ、トランジスタＴｒ１又はトランジスタＴｒ２の他方をオフ状態とすることができる。
【０４４５】
つまり、配線Ｌ３及び配線Ｌ４の電気的状態（信号、電圧、電流、電位等）を変化させることによって、トランジスタＴｒ１の第１の端子とトランジスタＴｒ２の第１の端子との接続点Ａと、トランジスタＴｒ１の第２の端子とトランジスタＴｒ２の第２の端子との接続点Ｂと、の間の抵抗値を変化させることができる。
【０４４６】
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
【０４４７】
（実施の形態２６）
トランジスタＴｒ３は、トランジスタＴｒ１よりもオフ電流が小さいことが好ましい。
【０４４８】
トランジスタＴｒ３は、トランジスタＴｒ２よりもオフ電流が小さいことが好ましい。
【０４４９】
トランジスタＴｒ４は、トランジスタＴｒ１よりもオフ電流が小さいことが好ましい。
【０４５０】
トランジスタＴｒ４は、トランジスタＴｒ２よりもオフ電流が小さいことが好ましい。
【０４５１】
トランジスタＴｒ５は、トランジスタＴｒ１よりもオフ電流が小さいことが好ましい。
【０４５２】
トランジスタＴｒ５は、トランジスタＴｒ２よりもオフ電流が小さいことが好ましい。
【０４５３】
トランジスタＴｒ６は、トランジスタＴｒ１よりもオフ電流が小さいことが好ましい。
【０４５４】
トランジスタＴｒ６は、トランジスタＴｒ２よりもオフ電流が小さいことが好ましい。
【０４５５】
そこで、トランジスタのオフ電流を小さくする方式を以下に例示する。
【０４５６】
第１の方式は、他の実施の形態でも説明したように、酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するトランジスタと、シリコンを有するチャネル形成領域を有するトランジスタと、を用いる方式である。
【０４５７】
酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するトランジスタは、シリコンを有するチャネル形成領域を有するトランジスタよりもオフ電流が極めて小さい。
【０４５８】
シリコンを有するチャネル形成領域を有するトランジスタは、酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するトランジスタよりもオン電流を大きくすることができる。
【０４５９】
第２の方式は、トランジスタのチャネル幅を小さくすることによってオフ電流を小さくする方式である。
【０４６０】
よって、一方のトランジスタのチャネル幅を他方のトランジスタのチャネル幅よりも小さくすることによって、一方のトランジスタのオフ電流を小さくすることができる。
【０４６１】
他方のトランジスタのチャネル幅は一方のトランジスタのチャネル幅よりも大きいので、他方のトランジスタのオン電流を大きくすることができる。
【０４６２】
第３の方式は、トランジスタのチャネル長を大きくすることによってオフ電流を小さくする方式である。
【０４６３】
よって、一方のトランジスタのチャネル長を他方のトランジスタのチャネル長よりも大きくすることによって、一方のトランジスタのオフ電流を小さくすることができる。
【０４６４】
他方のトランジスタのチャネル長は一方のトランジスタのチャネル長よりも小さいので、他方のトランジスタのオン電流を大きくすることができる。
【０４６５】
第４の方式は、トランジスタのＬＤＤ長（チャネル長方向のＬＤＤ領域の長さ）を大きくすることによってオフ電流を小さくする方式である。
【０４６６】
よって、一方のトランジスタのＬＤＤ長を他方のトランジスタのＬＤＤ長よりも大きくすることによって、一方のトランジスタのオフ電流を小さくすることができる。
【０４６７】
他方のトランジスタのＬＤＤ長は一方のトランジスタのＬＤＤ長よりも小さいので、他方のトランジスタのオン電流を大きくすることができる。
【０４６８】
第５の方式は、トランジスタのＬＤＤ濃度（ＬＤＤ領域に含まれる不純物濃度）を小さくすることによってオフ電流を小さくする方式である。
【０４６９】
よって、一方のトランジスタのＬＤＤ濃度を他方のトランジスタのＬＤＤ濃度よりも小さくすることによって、一方のトランジスタのオフ電流を小さくすることができる。
【０４７０】
他方のトランジスタのＬＤＤ濃度は一方のトランジスタのＬＤＤ濃度よりも大きいので、他方のトランジスタのオン電流を大きくすることができる。
【０４７１】
少なくとも第１の方式乃至第５の方式のいずれか一つを採用すると好ましい。
【０４７２】
第１の方式乃至第５の方式を適宜組み合わせて採用するとより好ましい。
【０４７３】
一方のトランジスタのオフ電流を他方のトランジスタのオフ電流よりも小さくすることができるのであれば、第１の方式乃至第５の方式以外の方式を採用しても良い。
【０４７４】
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
【０４７５】
（実施の形態２７）
図４１に半導体装置の一例を示す。
【０４７６】
基板１０１上に絶縁層１０２を有する。
【０４７７】
絶縁層１０２上に半導体層２０１を有する。
【０４７８】
絶縁層１０２上に半導体層２０２を有する。
【０４７９】
半導体層２０１上及び半導体層２０２上に絶縁層３００を有する。
【０４８０】
絶縁層３００上に導電層４０１を有する。
【０４８１】
絶縁層３００上に導電層４０２を有する。
【０４８２】
導電層４０１上及び導電層４０２上に絶縁層５００を有する。
【０４８３】
絶縁層５００上に半導体層５５０を有する。
【０４８４】
絶縁層５００上に導電層６０１を有する。
【０４８５】
絶縁層５００上に導電層６０２を有する。
【０４８６】
絶縁層５００上に導電層６０３を有する。
【０４８７】
絶縁層５００上に導電層６０４を有する。
【０４８８】
半導体層５５０上及び絶縁層５００上に導電層６０５を有する。
【０４８９】
半導体層５５０上及び絶縁層５００上に導電層６０６を有する。
【０４９０】
半導体層５５０上、導電層６０１上、導電層６０２上、導電層６０３上、導電層６０４上、導電層６０５上、及び導電層６０６上に絶縁層７００を有する。
【０４９１】
絶縁層７００上に導電層８０１を有する。
【０４９２】
導電層８０１上に絶縁層９００を有する。
【０４９３】
絶縁層１０２の少なくとも一部は、例えば、下地絶縁膜として機能することができる。
【０４９４】
半導体層２０１の少なくとも一部は、例えば、Ｎ型トランジスタの半導体層として機能することができる。
【０４９５】
半導体層２０１は、少なくとも、チャネル形成領域と、ソース領域と、ドレイン領域と、を有する。
【０４９６】
半導体層２０１はシリコンを有する半導体層であることが好ましい。
【０４９７】
半導体層２０１の有するソース領域及びドレイン領域にはドナー元素（例えば、リン、砒素等）が含有されている。
【０４９８】
半導体層２０１は、ドナー元素が含有されたＬＤＤ領域を有していても良い。
【０４９９】
半導体層２０２の少なくとも一部は、例えば、Ｐ型トランジスタの半導体層として機能することができる。
【０５００】
半導体層２０２は、少なくとも、チャネル形成領域と、ソース領域と、ドレイン領域と、を有する。
【０５０１】
半導体層２０２はシリコンを有する半導体層であることが好ましい。
【０５０２】
半導体層２０２の有するソース領域及びドレイン領域にはアクセプター元素（例えば、ボロン等）が含有されている。
【０５０３】
半導体層２０２は、アクセプター元素が含有されたＬＤＤ領域を有していても良い。
【０５０４】
なお、チャネル形成領域は、ソース領域とドレイン領域との間に配置する。
【０５０５】
ＬＤＤ領域は、チャネル形成領域とソース領域の間に配置することができる。
【０５０６】
ＬＤＤ領域は、チャネル形成領域とドレイン領域の間に配置することができる。
【０５０７】
絶縁層３００の少なくとも一部は、例えば、Ｎ型トランジスタのゲート絶縁膜として機能することができる。
【０５０８】
絶縁層３００の少なくとも一部は、例えば、Ｐ型トランジスタのゲート絶縁膜として機能することができる。
【０５０９】
導電層４０１の少なくとも一部は、例えば、Ｎ型トランジスタのゲート電極として機能することができる。
【０５１０】
導電層４０１の少なくとも一部は、半導体層２０１の有するチャネル形成領域と重なる。
【０５１１】
導電層４０２の少なくとも一部は、例えば、Ｐ型トランジスタのゲート電極として機能することができる。
【０５１２】
導電層４０２の少なくとも一部は、半導体層２０２の有するチャネル形成領域と重なる。
【０５１３】
絶縁層５００の少なくとも一部は、例えば、層間絶縁膜として機能することができる。
【０５１４】
半導体層５５０の少なくとも一部は、例えば、Ｎ型トランジスタの半導体層として機能することができる。
【０５１５】
半導体層５５０は、酸化物半導体を有することが好ましい。
【０５１６】
つまり、半導体層５５０は酸化物半導体層であることが好ましい。
【０５１７】
導電層６０１は、絶縁層５００の有するコンタクトホールを介して半導体層２０１の有するソース領域と電気的に接続されている。
【０５１８】
導電層６０２は、絶縁層５００の有するコンタクトホールを介して半導体層２０１の有するドレイン領域と電気的に接続されている。
【０５１９】
導電層６０３は、絶縁層５００の有するコンタクトホールを介して半導体層２０２の有するソース領域と電気的に接続されている。
【０５２０】
導電層６０４は、絶縁層５００の有するコンタクトホールを介して半導体層２０２の有するドレイン領域と電気的に接続されている。
【０５２１】
導電層６０５の少なくとも一部は、例えば、酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するＮ型トランジスタのソース電極として機能することができる。
【０５２２】
導電層６０６の少なくとも一部は、例えば、酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するＮ型トランジスタのドレイン電極として機能することができる。
【０５２３】
絶縁層７００の少なくとも一部は、例えば、酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するＮ型トランジスタのゲート絶縁膜として機能することができる。
【０５２４】
導電層８０１の少なくとも一部は、例えば、酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するＮ型トランジスタのゲート電極として機能することができる。
【０５２５】
導電層８０１の少なくとも一部は、半導体層５５０の有するチャネル形成領域と重なる。
【０５２６】
絶縁層９００の少なくとも一部は、層間絶縁膜として機能することができる。
【０５２７】
以上のように、シリコンを有するチャネル形成領域を有するＮ型トランジスタ、シリコンを有するチャネル形成領域を有するＰ型トランジスタ、及び酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するＮ型トランジスタを同一基板に形成することができる。
【０５２８】
また、図４１の構造の場合、導電層６０１〜導電層６０６を同一材料、同一工程で形成することができる。
【０５２９】
図４１では、トップゲート型トランジスタの例を示したがボトムゲート型トランジスタとしても良い。半導体層の上下にゲート電極を有するダブルゲート型トランジスタとしても良い。
【０５３０】
図４１では、シリコンを有するチャネル形成領域を有するＮ型トランジスタ、及び、シリコンを有するチャネル形成領域を有するＰ型トランジスタが、薄膜トランジスタである例を示したが、半導体基板、ＳＯＩ基板を用いたトランジスタとしても良い。
【０５３１】
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
【０５３２】
（実施の形態２８）
基板、絶縁層、導電層、及び半導体層の材料について説明する。
【０５３３】
基板は、ガラス基板、石英基板、金属基板、半導体基板、樹脂基板（プラスチック基板）等を用いることができるがこれらに限定されない。
【０５３４】
基板が可撓性を有していても良い。
【０５３５】
ガラス基板を薄くすると可撓性を有するようになる。
【０５３６】
樹脂基板は可撓性を有する。
【０５３７】
絶縁層は絶縁性を有していればどのような材料でも用いることができる。
【０５３８】
絶縁層は単層構造であっても積層構造であっても良い。
【０５３９】
絶縁層として、例えば、無機物質を有する絶縁層、有機物質を有する絶縁層等があるが限定されない。
【０５４０】
無機物質を有する絶縁層は、例えば、酸化シリコンを有する膜、窒化シリコンを有する膜、窒化アルミニウムを有する膜、酸化アルミニウムを有する膜、酸化ハフニウムを有する膜等があるが限定されない。
【０５４１】
有機物質を有する絶縁層として、例えば、ポリイミドを有する膜、アクリルを有する膜、シロキサンを有する膜、エポキシを有する膜等があるが限定されない。
【０５４２】
ゲート絶縁膜として機能することができる絶縁層は無機物質を有する絶縁層であることが好ましい。
【０５４３】
導電層は、導電性を有していればどのような材料でも用いることができる。
【０５４４】
導電層は単層構造であっても積層構造であっても良い。
【０５４５】
導電層は、金属を有する膜、透明導電体を有する膜等があるが限定されない。
【０５４６】
金属としては、例えば、アルミニウム、チタン、モリブデン、タングステン、クロム、金、銀、銅、アルカリ金属、アルカリ土類金属等があるが限定されない。
【０５４７】
透明導電体としては、例えば、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物等があるが限定されない。
【０５４８】
金属は遮光性又は反射性を有する。
【０５４９】
透明導電体は透光性を有する。
【０５５０】
半導体層は、半導体特性を有していればどのような材料でも用いることができる。
【０５５１】
半導体層は単層構造であっても積層構造であっても良い。
【０５５２】
半導体層は、酸化物半導体層と、酸化物半導体層以外の半導体層等があるが限定されない。
【０５５３】
酸化物半導体層以外の半導体層としては、シリコンを有する半導体層、有機半導体層等があるが限定されない。
【０５５４】
シリコンを有する半導体層は、例えば、シリコン膜、シリコンゲルマニウム膜、炭化シリコン膜等があるが限定されない。
【０５５５】
酸化物半導体層は、酸化物半導体材料を有する膜である。
【０５５６】
酸化物半導体層は、金属と酸素とを有する膜であれば限定されない。
【０５５７】
例えば、インジウムと酸素を有する膜、亜鉛と酸素を有する膜、錫と酸素を有する膜等は酸化物半導体層として機能することができる。
【０５５８】
例えば、酸化物半導体層として、酸化インジウム膜、酸化スズ膜、酸化亜鉛膜等があるが限定されない。
【０５５９】
例えば、酸化物半導体層として、Ｉｎ−Ｚｎ系酸化物膜、Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物膜、Ａｌ−Ｚｎ系酸化物膜、Ｚｎ−Ｍｇ系酸化物膜、Ｓｎ−Ｍｇ系酸化物膜、Ｉｎ−Ｍｇ系酸化物膜、Ｉｎ−Ｇａ系酸化物膜等があるが限定されない。
【０５６０】
Ａ−Ｂ系酸化物膜（Ａ、Ｂは元素）とは、ＡとＢと酸素とを有する膜を意味する。
【０５６１】
例えば、酸化物半導体層として、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物膜、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物膜、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物膜、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物膜、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物膜、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物膜、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物膜、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物膜、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物膜、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物膜、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物膜、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物膜、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物膜、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物膜、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物膜、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物膜、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物膜、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物膜、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物膜、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物膜、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物膜等があるが限定されない。
【０５６２】
Ａ−Ｂ−Ｃ系酸化物膜（Ａ、Ｂ、Ｃは元素）とは、ＡとＢとＣと酸素とを有する膜を意味する。
【０５６３】
例えば、酸化物半導体層として、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物膜、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物膜、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物膜、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物膜、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物膜、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物膜等があるが限定されない。
【０５６４】
Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ系酸化物膜（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄは元素）とは、ＡとＢとＣとＤと酸素とを有する膜を意味する。
【０５６５】
酸化物半導体層としては、インジウムとガリウムと亜鉛と酸素とを有する膜が特に好ましい。
【０５６６】
酸化物半導体層を用いてＮ型トランジスタ及びＰ型トランジスタの双方を作製することが可能であるが、Ｎ型トランジスタの方がＰ型トランジスタよりも実用的なので好ましい。
【０５６７】
酸化物半導体層は結晶を有していると好ましい。
【０５６８】
結晶はＣ軸方向が酸化物半導体層又は基板の表面と垂直になるように配向されていると好ましい。
【０５６９】
酸化物半導体層又は基板の表面と垂直になるようにＣ軸配向された結晶をＣＡＡＣ（Ｃ−Ａｘｉｓ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）と呼ぶ。
【０５７０】
結晶のＣ軸と酸化物半導体層又は基板の表面とのなす角度は９０度が好ましいが、８０度以上１００度以下であっても良い。
【０５７１】
ＣＡＡＣの作製方法の一例として、スパッタリング法を用いて酸化物半導体層を形成するに際して、成膜時の基板温度を２００℃以上４５０℃以下とする第１の方法がある。
【０５７２】
第１の方法では、酸化物半導体層の下層及び上層にＣＡＡＣが形成される。
【０５７３】
ＣＡＡＣの作製方法の一例として、酸化物半導体層を形成後に、酸化物半導体層に６５０℃以上３分以上の加熱処理を施す第２の方法がある。
【０５７４】
第２の方法では、酸化物半導体層の少なくとも上層にＣＡＡＣが形成される（第２の方法のパターンＡ）。
【０５７５】
第２の方法において、酸化物半導体層の厚さを小さくすることにより、下層及び上層にＣＡＡＣを形成することができる（第２の方法のパターンＢ）。
【０５７６】
ＣＡＡＣの作製方法の一例として、第２の方法のパターンＢにより形成した第１の酸化物半導体層上に第２の酸化物半導体層を形成する第３の方法がある。
【０５７７】
第２の方法及び第３の方法における酸化物半導体層の形成方法はスパッタリング法に限定されない。
【０５７８】
第１乃至第３の方法により、Ｃ軸と酸化物半導体層又は基板の表面とのなす角度８０度以上１００度以下である結晶を形成することができる。
【０５７９】
第１乃至第３の方法では少なくとも上層（表面）にＣＡＡＣを有する酸化物半導体層を形成することができる。
【０５８０】
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
【０５８１】
（実施の形態２９）
半導体装置とは、半導体を有する素子を有する装置である。
【０５８２】
半導体を有する素子は、例えば、トランジスタ、抵抗素子、容量素子、ダイオード等である。
【０５８３】
トランジスタは、電界効果型トランジスタであることが好ましいが限定されない。
【０５８４】
トランジスタは、薄膜トランジスタであることが好ましいが限定されない。
【０５８５】
シリコンウェハ、ＳＯＩ基板等を用いてトランジスタを形成しても良い。
【０５８６】
半導体装置としては、例えば、表示素子を有する表示装置、記憶素子を有する記憶装置、ＲＦＩＤ、プロセッサ等があるが限定されない。
【０５８７】
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【０５８８】
Ｔｒ１  トランジスタ
Ｔｒ２  トランジスタ
Ｔｒ３  トランジスタ
Ｔｒ４  トランジスタ
Ｔｒ５  トランジスタ
Ｔｒ６  トランジスタ
Ｔｒ７  トランジスタ
Ｌ１  配線
Ｌ２  配線
Ｌ３  配線
Ｌ４  配線
Ｌ５  配線
Ｌ６  配線
Ｌ７  配線
Ｌｉｎ  配線
ＩＮＶ１  インバータ
ＩＮＶ２  インバータ
Ｃ  容量素子
１０１  基板
１０２  絶縁層
２０１  半導体層
２０２  半導体層
３００  絶縁層
４０１  導電層
４０２  導電層
５００  絶縁層
５５０  半導体層
６０１  導電層
６０２  導電層
６０３  導電層
６０４  導電層
６０５  導電層
６０６  導電層
７００  絶縁層
８０１  導電層
９００  絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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