(57)【要約】      （修正有）【課題】錫メッキを施した樹脂ハウジングに圧入した部位に生じる外部応力型錫ウィスカの発生を確実かつ容易に抑制する方法、およびこれを用いて得られた圧力スイッチを提供する。【解決手段】錫メッキされたダボ部を有する複数の端子を樹脂ハウジングに圧入する工程と、圧入された端子にカシメ加工を行う工程と、カシメ加工によって固定されたコネクタアッシー２０に熱処理を行う熱処理工程と、を備える外部応力型錫ウィスカの発生を抑制する方法、およびこれを用いて得られた圧力スイッチ。【選択図】図２
2014086215.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
錫メッキされたダボ部を有する複数の端子を樹脂ハウジングに圧入する工程と、圧入された端子にカシメ加工を行う工程と、カシメ加工によって固定されたコネクタアッシーに熱処理を行う工程と、を備えることを特徴とする外部応力型錫ウィスカの発生を抑制する方法。
【請求項２】
前記カシメ加工を行う工程後、２４時間以内に前記熱処理を行うことを特徴とする請求項１に記載の外部応力型錫ウィスカの発生を抑制する方法。
【請求項３】
前記熱処理を行う工程が、コネクタアッシーを１５０℃〜１８０℃において１〜２時間加熱することを特徴とする請求項１または２に記載の外部応力型錫ウィスカの発生を抑制する方法。
【請求項４】
前記樹脂ハウジングの材質が、ポリフェニレンサルファイドであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の外部応力型錫ウィスカの発生を抑制する方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の外部応力型錫ウィスカの発生を抑制する方法を用いて得られたことを特徴とする圧力スイッチ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、外部応力型錫ウィスカの発生を抑制する方法、およびこれを用いて得られた圧力スイッチに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電気機器の構造部材には、温度、湿度、海塩粒子等による錆等の腐食を防止または抑制するために、一般にメッキ処理が施されている。
電気機器の構造部材に使用されるメッキとしては、錫、亜鉛等の低融点重金属が多く用いられている。そして、これらの低融点重金属は、環境因子の影響（特に、温度、湿度）、メッキおよび部材の外部応力の影響によって、メッキ表面から針状の結晶が発生することがある。この針状の結晶は、一般にウィスカと呼ばれている。
【０００３】
錫メッキ、亜鉛メッキ等のウィスカは真性であり、ウィスカを構成する要素が素地の金属自身から供給されるものである。
真性ウィスカの発生、成長としては、残留応力の高い部分（例えば、曲げＲ部やシェア切断面等）や、メッキ厚さの厚い部分等に多く発生する傾向にある。
【０００４】
そして、この発生したウィスカが、電気機器の構造部材間に付着、接触すると、部品が短絡したり、誤動作する等の原因につながる恐れがある。
そこで、従来から、このようなメッキのウィスカの発生を抑制するために、構造部材の上に直接メッキを処理するのではなく、中間に銅メッキ等を挟んで応力緩和を行なったり、あるいはメッキ中の炭素量を少なくして（メッキの光沢剤の量を少なくする）応力緩和を実施している。
【０００５】
また、既に納入された電気機器の構造部材のメッキ品については、ウィスカの発生に対する防止、抑制策は特にないが、現地にてブラシ等による表面の清掃を行なってウィスカを除去する方法を一般に行なっている。
【０００６】
例えば、特許文献１には、純錫メッキが施された電気・電子部品のコネクタや端子、半導体リードフレーム等において錫メッキの針状ウィスカの発生を抑制する方法が提案されている。該方法は、コネクタや端子を溶液中で超音波照射することによって錫メッキの針状ウィスカの発生を抑制するものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−２８０５５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来提案されているウィスカ（以下、ノジュールともいう。）の発生を抑制する方法では、例えばメッキ中の炭素量（光沢剤の量）を少量として、メッキ内部の残留応力を緩和して錫ウィスカの発生を抑制する場合には、光沢剤が少ないことから、従来と同程度のメッキ光沢が得られず、製品として見劣りする恐れがある。
【０００９】
また、メッキと部品との中間メッキ処理の場合においても、既に納入された電気機器構造の部材には対応することができず、再度製造する必要がある。一方、既に納入された電気機器の構造部材のメッキ品では、ブラシ等による清掃を実施してウィスカの除去を行なっても、完全に取り除くことは難しく、また別の部位からウィスカが再発生してくるという問題がある。
【００１０】
さらに、コネクタや端子を溶液中で超音波照射することによって錫メッキの針状ウィスカの発生を抑制する特許文献１の方法では、残留応力を除去するためにコネクタアッシーの状態で超音波照射する必要があるが、実施例における圧力スイッチはノーマルクローズ、かつ金接点タイプであるため、超音波照射によって接点が溶着してしまうという問題がある。
【００１１】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、錫メッキを施した部位を樹脂ハウジングに圧入した際に生じる外部応力型錫ウィスカの発生を確実かつ容易に抑制することのできる外部応力型錫ウィスカの発生を抑制する方法、およびこれを用いて得られた圧力スイッチを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者は、錫ウィスカの発生を抑制するメカニズムについて研究を行っている。そして、ダボ部を有する端子を樹脂ハウジングに圧入しカシメ後、ウィスカが発生する前に、コネクタアッシーに熱処理を実施することにより、端子の圧入ダボ部周辺の端子台（樹脂ハウジング）の材質が樹脂クリープ（樹脂アニール）を起こし、ダボ部周辺の樹脂が広がる現象により、圧入代低下が起こり、錫メッキ層に働く外部応力が除去されることを見出し、本発明を完成させた。
【００１３】
上記課題を解決するための本発明に係る外部応力型錫ウィスカの発生を抑制する方法は、錫メッキされたダボ部を有する複数の端子を樹脂ハウジングに圧入する工程と、圧入された端子にカシメ加工を行う工程と、カシメ加工によって固定されたコネクタアッシーに熱処理を行う工程と、を備えることを特徴とする。
【００１４】
錫ウィスカは、錫メッキ被膜に圧縮応力が加わり、錫が再結晶化することにより、発生する現象である。この中でも、本発明は外部応力型錫ウィスカを対象とするものである。外部応力型錫ウィスカとは、錫メッキ被膜に外部から機械的な応力が加わり発生する。ウィスカの成長が早く、５００時間程度で成長が止まるといわれている。一方、内部応力型錫ウィスカは、下地メッキや母材の拡散による金属化合物の生成や、錫メッキ表面の酸化等により応力が加わり発生する。
【００１５】
ウィスカは、異物状ウィスカ、カラム（円柱状）ウィスカ、フィラメント状ウィスカ、折れ線状ウィスカ、渦巻き状ウィスカ等が挙げられるが、特に限定されるものではない。
異物状ウィスカとは、突起の長さが直径の２倍を超えないものをいう。カラム（円柱状）ウィスカとは、円柱状のウィスカで、根元からの長さが直径の１０倍までのものをいう。フィラメント状ウィスカとは、円柱状のウィスカで、長さが直径の１０倍を超えるものをいう。折れ線状ウィスカとは、円柱状ではあるが、成長方向が自然に曲がっているものをいう。渦巻き状ウィスカとは、曲がったウィスカをいう。
【００１６】
本発明に係る外部応力型錫ウィスカの発生を抑制する方法は、前記カシメ加工を行う工程後、２４時間以内に前記熱処理を行うことが好ましい。
【００１７】
本発明に係る外部応力型錫ウィスカの発生を抑制する方法は、前記熱処理を行う工程が、コネクタアッシーを１５０〜１８０℃、好ましくは１５０℃において、１〜２時間加熱することが好ましい。
【００１８】
本発明に係る外部応力型錫ウィスカの発生を抑制する方法は、前記樹脂ハウジングの材質が、ポリフェニレンサルファイドであることが好ましい。
【００１９】
上記課題を解決するための本発明に係る圧力スイッチは、上記記載の外部応力型錫ウィスカの発生を抑制する方法を用いて得られたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係る外部応力型錫ウィスカの発生を抑制する方法によれば、ダボ部を有する端子を樹脂ハウジングに圧入し、カシメによって固定したコネクタアッシーを熱処理することにより、残留応力を除去し、樹脂クリープによる圧入代低下から錫メッキ層に働く外部応力を除去、低減し、その結果、外部応力型錫ウィスカの発生を確実かつ容易に抑制することができる。
【００２１】
こうして得られた圧力スイッチは、樹脂ハウジングに圧入した錫メッキを施した部位に生じる外部応力型錫ウィスカの発生を確実かつ容易に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明に係るコネクタアッシーの概略図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線による断面図である。
【図２】本発明に係る圧力スイッチの概略図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）はＢ−Ｂ線による断面図である。
【図３】端子ダボ部の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）の拡大写真である。
【図４】コネクタアッシー組立後、各放置時間後の端子ダボ部の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）の拡大写真である。
【図５】コネクタアッシー組立後、各放置時間とノジュール（ウィスカ）発生量との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下に、本発明に係る外部応力型錫ウィスカの発生を抑制する方法について、圧力スイッチを例に図１、図２を参照して説明する。本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。
【００２４】
＜外部応力型錫ウィスカの発生を抑制する方法＞
本発明に係る外部応力型錫ウィスカの発生を抑制する方法は、錫メッキされたダボ部を有する端子を樹脂ハウジングに圧入し、カシメ加工によって固定した後、コネクタアッシーに熱処理を行う。以下、各工程について順に説明する。
【００２５】
（圧入工程）
圧入工程は、錫メッキされたダボ部１を有する複数の端子３を樹脂ハウジング２に圧入する工程である。これにより、錫メッキされたダボ部１を有する複数の端子３が樹脂ハウジング２に圧着される。図１に、錫ウィスカの発生箇所Ａとダボ部１を示す。
【００２６】
錫メッキは、通常、メッキ法によって形成される。メッキ法は、電気メッキ法、無電解メッキ法、真空蒸着等の気相メッキ法のいずれであってもよい。
錫メッキした被膜の厚さは、通常、２〜１０μｍ程度、好ましくは２〜５μｍである。外部応力型錫ウィスカの対策として錫の絶対量が少ない(膜厚が薄い)方が有利であるため、出来るだけ膜厚が薄いレベルで安定させた方が良い。
【００２７】
圧入工程は、通常、エア圧による突き当てを行う。圧入代(樹脂ハウジング角穴寸法に対する端子ダボ部のプラス分)で圧入を決定し、０．２０〜０．１５ｍｍ程度である。
ここで、ダボ部１とは、圧入を行うために端子等に形成される出っ張りのことをいい、１個でも複数個であってもよい。例えば、端子の樹脂ハウジング挿入部の箇所に複数形成される。
【００２８】
ダボ部１が形成される端子３は、少なくとも２以上の複数個である。
樹脂ハウジング２に使用される樹脂は、特に制限はなく各種のものが使用できるが、例えばＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）が好ましい。
【００２９】
（カシメ加工工程）
カシメ加工工程は、圧入工程で樹脂ハウジング２に圧入された端子３について、結合部分を工具等で叩いたり締めつけたりして塑性変形を生じさせ、結合させる工程である。これにより、圧入された端子３がさらに樹脂ハウジング２に圧着固定され、端子が抜けるのを防止することができる。
コネクタアッシー時のカシメは、圧力スイッチの場合、端子に刃を入れることで塑性変形させる。
【００３０】
（熱処理工程）
熱処理工程は、カシメ加工工程においてカシメによって固定されたコネクタアッシーに熱処理を行う工程である。カシメ加工後に熱処理を行うことにより、外部応力型錫ウィスカの発生を確実に抑制することが可能となる。カシメ加工前に熱処理を行っても、外部応力型錫ウィスカの抑制効果はほとんど得られない。カシメ加工後、２４時間以内に熱処理を行うと、錫ウィスカの発生が抑えられ好ましい。
【００３１】
熱処理条件は、通常１５０〜１８０℃、好ましくは１５０℃において、１〜２時間、外部加重をかけることなくコネクタアッシーに加熱処理を行う。この範囲内で熱処理を行うと、外部応力型錫ウィスカの発生を確実に抑えることができる。
【００３２】
圧入、カシメ後、ウィスカ（ノジュール）が発生する前に、コネクタアッシーの熱処理を実施することにより、端子のダボ部周辺の端子台（樹脂ハウジング）の材質が樹脂クリープ（樹脂アニール）を起こし、ダボ部周辺の樹脂が広がる現象により、圧入代低下が起こり、錫メッキ層に働く外部応力が除去される。その結果、外部応力型錫ウィスカの発生が抑制される。
【００３３】
本発明に係る外部応力型錫ウィスカの発生を抑制する方法によって得られた圧力スイッチは、端子を圧入、カシメを行うことにより掃気性を持たせている。端子をインサート成形するような場合には、端子のインサート部位に隙間がないため、掃気性をもたせるために端子台に導入孔を設けている。
インサート成形の場合、コネクタアッシーでの熱処理を行うと樹脂クリープにより端子インサート部に隙間が生じ、端子が脱落してしまう恐れがある。
【００３４】
以上説明したように、本発明に係る外部応力型錫ウィスカの発生を抑制する方法によれば、錫メッキを施した樹脂ハウジングに圧入した部位に生じる外部応力型錫ウィスカの発生を確実かつ容易に抑制することができる。また、ダボ部を有する端子を樹脂ハウジングに圧入し、カシメによって固定したコネクタアッシーを熱処理することにより、残留応力を除去し、樹脂クリープによる圧入代低下から錫メッキ層に働く外部応力を除去、低減することができ、その結果、外部応力型錫ウィスカの発生を確実に抑制することができる。
こうして得られた圧力スイッチは、錫メッキを施した樹脂ハウジングに圧入した部位に生じる外部応力型錫ウィスカの発生を確実かつ容易に抑制することができる。
【００３５】
＜コネクタアッシー２０＞
本発明のコネクタアッシー２０は、図１（ａ）,（ｂ）に示すように、樹脂ハウジング２２内に第一端子２４と第二端子２６の２つを配設しているものである。
＜圧力スイッチ１０＞
図２（ａ），（ｂ）に示すように、本発明の圧力スイッチ１０は、樹脂ハウジング２２内に複数の端子（図２では第一端子２４と第二端子２６の２つ）を配設して成るコネクタアッシー２０と、このコネクタアッシー２０の第一端子２４と第二端子２６との間を接触または離反させる作動機構体３０と、を少なくとも備えて構成されている。
【００３６】
作動機構体３０には、ダイヤフラム３２と作動軸３４が配設されており、ダイヤフラム３２が所定の圧力を受けると、ダイヤフラム３２が変形し、ダイヤフラム３２と接する作動軸３４が、コネクタアッシー２０の端子２４，２６側に移動し、これにより第一端子２４の接点部２４ａと第二端子２６の接点部２６ａとの間が接触または離反し、圧力スイッチ１０のＯＮ・ＯＦＦが行われる仕組みである。
【００３７】
なお、このような圧力スイッチ１０には、通常、端子２４と端子２６とが接した状態であり、作動軸３４が端子２４，２６側に移動して、一方側の端子を押し上げることにより二極間端子の接続が解かれるノーマルクローズタイプと、通常、端子２４と端子２６とが離れた状態であり、作動軸３４が端子２４，２６側に移動して、一方側の端子を他方側の端子に向かって押し上げることにより二極間端子が接続されるノーマルオープンタイプと、が有り、用途に応じて適宜選択されている。
【００３８】
本発明の圧力スイッチ１０は、いずれの場合に限定されるものではないが、本発明の説明に用いた図１に記載の圧力スイッチ１０は、ノーマルクローズタイプであり、接点部２４ａは固定され、接点部２６ａが可動されるようになっており、作動軸３４が上方に移動した際には、端子２６が端子２４に対して離れるように構成されたものである。
【００３９】
また、第一端子２４と第二端子２６の材質としては特に限定されるものではないが、端子に用いられる一般的な材質である黄銅が好適である。
なお、本発明に用いられる第一端子２４と第二端子２６は、錫メッキ加工が施されてなる。
錫メッキを施工した端子２４，２６は、耐腐食性、電気伝導性などに優れるため、様々な用途・環境下で用いられる圧力スイッチ１０に好適である。
【実施例】
【００４０】
以下の実施例により本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
【００４１】
［実施例１；カシメ工程後に熱処理を行った場合］
黄銅材（Ｃ２６８０）に下記に示す条件で、電気めっき方法により、端子全体にダボ部を有する２つの端子に錫メッキ処理を行った。
メッキ工程は、下地メッキ前処理（溶剤脱脂，アルカリ脱脂，水洗，酸洗い，水洗，中和処理）、後処理（水洗，中和処理，水洗，乾燥）を行った。下地メッキは、銅メッキ１μｍ程度(シアン化銅浴)であり、本メッキは、光沢錫メッキ(硫酸錫浴)である。
【００４２】
次いで、錫メッキ処理された２つの端子をＰＰＳ製樹脂ハウジング（端子台）２に圧入し、続いてカシメ加工を行った。具体的には、（カシメ加工方法をご教示ください）カシメ加工後、固定されたコネクタアッシーに１５０℃で１〜２時間加熱処理を行った。
その後、コネクタアッシーを分解(端子を引き抜く)して、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）（ＥＲＡ-８８００、株式会社エリオニクス製）を用いて錫ウィスカを観察した。
【００４３】
本実施例は、カシメ後に熱処理を行った例である。その結果を図３に示す。
図３は、端子ダボ部の走査型電子顕微鏡の拡大写真である。
図３において、錫メッキと樹脂ハウジングとの接触部分の圧入部（左図）を拡大したのが右図である。右図より、ノジュール（ウィスカの芽）の発生が全く抑えられていることがわかる。
【００４４】
［比較例１：熱処理を行わなかった場合］
２つの端子を圧入、カシメ加工後、コネクタアッシーに熱処理を行わなかった以外は、実施例１と同様にして、錫ウィスカを走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察した。
本比較例は、熱処理を行わなかった例である。その結果を図３に示す。
図３において、錫メッキと樹脂ハウジングとの接触部分の圧入部（左図）を拡大した右図より、ノジュール（ウィスカの芽）の発生が多くみられた。これにより、外部応力型錫ウィスカの発生を抑制できないことがわかった。
【００４５】
［比較例２：カシメ前に熱処理を行った場合］
２つの端子を圧入後、カシメ加工前に熱処理を行った以外は、実施例１と同様にして、錫ウィスカを走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察した。
本比較例は、カシメ前に熱処理を行った例である。その結果を図３に示す。
図３において、錫メッキと樹脂ハウジングとの接触部分の圧入部（左図）を拡大した右図より、ノジュール（ウィスカの芽）の発生が多くみられた。これにより、外部応力型錫ウィスカの発生を抑制できないことがわかった。
【００４６】
［実施例２：コネクタアッシー組立後の放置時間を変えた場合］
実施例１と同様に、錫メッキ処理された２つの端子を、ＰＰＳ製樹脂ハウジング（端子台）２に圧入し、続いてカシメ加工を行い、コネクタアッシーを組み立てた。
コネクタアッシー組立後の放置時間を４時間、８時間、２４時間、４８時間、７２時間、及び１２０時間とし、それぞれの放置時間経過後、コネクタアッシーに熱処理を行った。その後、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）（ＥＲＡ-８８００、株式会社エリオニクス製）を用いて錫ウィスカを観察した。ここで、放置時間とは、コネクタアッシー組立後、熱処理を行うまでの間放置した時間である。
【００４７】
放置している環境は、常温常湿、試験時間（常温常湿環境下での放置時間(放置試験時間)）は３００時間、サンプル数は３とした。その結果を図４に示す。
図４は、コネクタアッシー組立後、各放置時間後の端子ダボ部の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）の拡大写真である。図４より、放置時間が２４時間を超えると、錫ウィスカの発生が多くなることがわかった。
【００４８】
図５に、コネクタアッシー組立後、各放置時間とノジュール（ウィスカ芽）発生量との関係をグラフに示した。
放置時間が４時間では、比較例１と比較し、約８１％のノジュールが減少し、放置時間が２４時間では、比較例１と比較し、約７７％のノジュールが減少することがわかった。なお、放置時間が１０００時間では、比較例１と比較し、約６２％のノジュールが減少することがわかった（図示せず）。これにより、熱処理工程をコネクタアッシー組立後、２４時間以内におこなうことが望ましいことがわかる。
【００４９】
以上より、錫メッキされたダボ部を有する端子を樹脂ハウジングに圧入し、各端子をカシメ加工後、２４時間以内に、コネクタアッシーに、１５０℃で1〜2時間の熱処理を行うことにより、外部応力型錫ウィスカの発生を完全に抑制することが判明した。
【符号の説明】
【００５０】
１０・・・圧力スイッチ
２０・・・コネクタアッシー
２２・・・樹脂ハウジング
２４・・・第一端子
２４ａ・・接点部（固定接点部）
２４ｂ・・ダボ部
２６・・・第二端子
２６ａ・・接点部（可動接点部）
２６ｂ・・ダボ部
２８・・・短絡防止壁
２９・・・端子圧入穴
３０・・・作動機構体
３２・・・ダイヤフラム
３４・・・作動軸
【図１】
2014086215.tif 000003
【図２】
2014086215.tif 000004
【図５】
2014086215.tif 000005
【図３】
2014086215.tif 000006
【図４】
2014086215.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月30日(2012.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
錫ウィスカは、錫メッキ被膜に圧縮応力が加わり、錫が再結晶化することにより、発生する現象である。この中でも、本発明は外部応力型錫ウィスカを対象とするものである。外部応力型錫ウィスカは、錫メッキ被膜に外部から機械的な応力が加わり発生する。ウィスカの成長が早く、５００時間程度で成長が止まるといわれている。一方、内部応力型錫ウィスカは、下地メッキや母材の拡散による金属化合物の生成や、錫メッキ表面の酸化等により応力が加わり発生する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
（圧入工程）
圧入工程は、錫メッキされたダボ部１を有する複数の端子（図１では第一端子３ａおよび第二端子３ｂの２つの端子）を樹脂ハウジング２に圧入する工程である。これにより、錫メッキされたダボ部１を有する端子３ａ，３ｂが樹脂ハウジング２に圧着される。図１に、錫ウィスカの発生箇所であるダボ部１およびその周辺を示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
圧入工程は、通常、エア圧による突き当てを行う。圧入代(樹脂ハウジング角穴寸法に対する端子ダボ部のプラス分)で圧入を決定し、０．０２〜０．１５ｍｍ程度である。
ここで、ダボ部１とは、圧入を行うために端子等に形成される出っ張りのことをいい、１個でも複数個であってもよい。例えば、端子の樹脂ハウジング挿入部の箇所に複数形成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
ダボ部１が形成される端子３ａ,３ｂは、少なくとも２以上の複数個である。
樹脂ハウジング２に使用される樹脂は、特に制限はなく各種のものが使用できるが、例えばＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）が好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
（カシメ加工工程）
カシメ加工工程は、圧入工程で樹脂ハウジング２に圧入された端子３ａ,３ｂについて、結合部分を工具等で叩いたり締めつけたりして塑性変形を生じさせ、結合させる工程である。これにより、圧入された端子３ａ,３ｂがさらに樹脂ハウジング２に圧着固定され、端子が抜けるのを防止することができる。
コネクタアッシー時のカシメは、圧力スイッチの場合、端子に刃を入れることで塑性変形させる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
以上説明したように、本発明に係る外部応力型錫ウィスカの発生を抑制する方法によれば、錫メッキを施した樹脂ハウジングに圧入した部位に生じる外部応力型錫ウィスカの発生を確実かつ容易に抑制することができる。また、ダボ部を有する端子を樹脂ハウジングに圧入し、カシメによって固定したコネクタアッシーを熱処理することにより、残留応力を除去し、樹脂クリープによる圧入代低下から錫メッキ層に働く外部応力を除去、低減することができ、その結果、外部応力型錫ウィスカの発生を確実に抑制することができる。
こうして得られた圧力スイッチは、樹脂ハウジングにおいて、錫メッキを施した端子を圧入した部位に生じる外部応力型錫ウィスカの発生を確実かつ容易に抑制することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
＜コネクタアッシー２０＞
本発明のコネクタアッシー２０は、図１（ａ）,（ｂ）に示すように、樹脂ハウジング２内に第一端子３ａと第二端子３ｂの２つを配設しているものである。
＜圧力スイッチ１０＞
図２（ａ），（ｂ）に示すように、本発明の圧力スイッチ１０は、樹脂ハウジング２内に複数の端子（図２では第一端子３ａと第二端子３ｂの２つ）を配設して成るコネクタアッシー２０と、このコネクタアッシー２０の第一端子３ａと第二端子３ｂとの間を接触または離反させる作動機構体３０と、を少なくとも備えて構成されている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
作動機構体３０には、ダイヤフラム３２と作動軸３４が配設されており、ダイヤフラム３２が所定の圧力を受けると、ダイヤフラム３２が変形し、ダイヤフラム３２と接する作動軸３４が、コネクタアッシー２０の端子３ａ，３ｂ側に移動し、これにより第一端子３ａの接点部２４ａと第二端子３ｂの接点部２６ａとの間が接触または離反し、圧力スイッチ１０のＯＮ・ＯＦＦが行われる仕組みである。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
なお、このような圧力スイッチ１０には、通常、端子３ａと端子３ｂとが接した状態であり、作動軸３４が端子３ａ，３ｂ側に移動して、一方側の端子を押し上げることにより二極間端子の接続が解かれるノーマルクローズタイプと、通常、端子３ａと端子３ｂとが離れた状態であり、作動軸３４が端子３ａ，３ｂ側に移動して、一方側の端子を他方側の端子に向かって押し上げることにより二極間端子が接続されるノーマルオープンタイプと、が有り、用途に応じて適宜選択されている。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
本発明の圧力スイッチ１０は、いずれの場合に限定されるものではないが、本発明の説明に用いた図２に記載の圧力スイッチ１０は、ノーマルクローズタイプであり、接点部２４ａは固定され、接点部２６ａが可動されるようになっており、作動軸３４が上方に移動した際には、端子３ｂが端子３ａに対して離れるように構成されたものである。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
また、第一端子３ａと第二端子３ｂの材質としては特に限定されるものではないが、端子に用いられる一般的な材質である黄銅が好適である。
なお、本発明に用いられる第一端子３ａと第二端子３ｂは、錫メッキ加工が施されてなる。
錫メッキを施工した端子３ａ，３ｂは、耐腐食性、電気伝導性などに優れるため、様々な用途・環境下で用いられる圧力スイッチ１０に好適である。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
次いで、錫メッキ処理された２つの端子をＰＰＳ製樹脂ハウジング（端子台）２に圧入し、続いてカシメ加工を行った。具体的には、カシメ加工後、固定されたコネクタアッシーに１５０℃で１〜２時間加熱処理を行った。
その後、コネクタアッシーを分解(端子を引き抜く)して、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）（ＥＲＡ-８８００、株式会社エリオニクス製）を用いて錫ウィスカを観察した。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
図５に、コネクタアッシー組立後、各放置時間とノジュール（ウィスカの芽）発生量との関係をグラフに示した。
放置時間が４時間では、比較例１と比較し、約８１％のノジュールが減少し、放置時間が２４時間では、比較例１と比較し、約７７％のノジュールが減少することがわかった。なお、放置時間が１０００時間では、比較例１と比較し、約６２％のノジュールが減少することがわかった（図示せず）。これにより、熱処理工程をコネクタアッシー組立後、２４時間以内におこなうことが望ましいことがわかる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
１・・・ダボ部
２・・・樹脂ハウジング（端子台）
３ａ・・第一端子
３ｂ・・第二端子
１０・・・圧力スイッチ
２０・・・コネクタアッシー
２４ａ・・接点部
２６ａ・・接点部
３０・・・作動機構体
３２・・・ダイヤフラム
３４・・・作動軸
【手続補正１５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2014086215.tif 000008
【手続補正１６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2014086215.tif 000009