(57)【要約】【課題】チップ部品の半田接続時に位置ずれが発生しても、短絡不良が起き難いチップ部品搭載基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】下金属層２Ｌと上金属層２Ｕからなる２層構造の配線パターンが、基板表面に形成されてなり、チップ部品が、基板表面に搭載されるチップ部品搭載基板であって、チップ部品２０が、所定の配線パターンＰｄと交差するように配置され、該チップ部品２０の両端に形成された一組の表面電極２０ａ，２０ｂが、配線パターンＰｄの両側にそれぞれ位置する配線パターンＰａ，Ｐｂのランド部に半田接続される場合において、配線パターンＰｄは、チップ部品２０との交差領域において、上金属層２Ｕが除去されてなるチップ部品搭載基板１００とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下金属層と上金属層からなる２層構造の配線パターンが、基板表面に形成されてなり、
チップ部品が、前記基板表面に搭載されるチップ部品搭載基板であって、
前記チップ部品が、所定の配線パターンと交差するように配置され、該チップ部品の両端に形成された一組の表面電極が、前記所定の配線パターンの両側にそれぞれ位置する配線パターンのランド部に半田接続される場合において、
前記所定の配線パターンは、前記チップ部品との交差領域において、前記上金属層が除去されてなることを特徴とするチップ部品搭載基板。
【請求項２】
前記上金属層が、金属メッキ層からなることを特徴とする請求項１に記載のチップ部品搭載基板。
【請求項３】
前記金属メッキ層が、銅（Ｃｕ）メッキ層であることを特徴とする請求項２に記載のチップ部品搭載基板。
【請求項４】
前記下金属層が、金属箔からなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のチップ部品搭載基板。
【請求項５】
前記金属箔が、銅（Ｃｕ）箔であることを特徴とする請求項４に記載のチップ部品搭載基板。
【請求項６】
前記交差領域において、前記所定の配線パターンが、半田レジストにより覆われてなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のチップ部品搭載基板。
【請求項７】
請求項２に記載のチップ部品搭載基板の製造方法であって、
前記基板の表面に、前記下金属層を形成する下金属層形成工程と、
前記下金属層形成工程の後、前記交差領域に、メッキマスクを形成するメッキマスク形成工程と、
前記メッキマスク形成工程の後、前記基板の表面に、前記金属メッキ層を形成する金属メッキ層形成工程と、
前記金属メッキ層形成工程の後、前記メッキマスクを除去し、前記配線パターンを形成するパターニング工程と、
前記パターニング工程の後、前記チップ部品を配置し、前記一組の表面電極を前記所定の配線パターンの両側にそれぞれ位置する配線パターンのランド部に半田接続する半田接続工程とを有してなることを特徴とするチップ部品搭載基板の製造方法。
【請求項８】
前記パターニング工程と前記半田接続工程の間で、前記交差領域において、前記所定の配線パターンを半田レジストで覆う半田レジスト形成工程を有してなることを特徴とする請求項７に記載のチップ部品搭載基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、２層構造の配線パターンが基板表面に形成され、チップ部品が前記基板表面に搭載されるチップ部品搭載基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
２層構造の配線パターンが基板表面に形成され、チップ部品が前記基板表面に搭載されるチップ部品搭載基板およびその製造方法が、例えば、特開２０１２−１１９５８０号公報（特許文献１）に開示されている。
【０００３】
図５は、上記２層構造の配線パターンを有する従来のチップ部品搭載基板において、チップ部品が所定の配線パターンと交差するように配置されて基板表面に搭載される場合を模式的に示した図である。（ａ）は、チップ部品２０を搭載する前の配線基板１０を示す図であり、（ｂ）は、チップ部品２０を搭載した後のチップ部品搭載基板９０を示す図である。尚、以下に示す各図では、各部の関係を分かり易く示すため、配線基板を断面図で示し、チップ部品を外観図で示している。
【０００４】
図５に示すチップ部品搭載基板９０では、（ａ）に示すように、下層の銅（Ｃｕ）箔２Ｌと上層の銅（Ｃｕ）メッキ層２Ｕからなる２層構造の配線パターンが、絶縁基材１からなる配線基板１０の基板表面に形成されており、各種のチップ部品が、該基板表面に搭載される。下金属層の銅箔２Ｌの厚さは、例えば１７μｍであり、上金属層の銅メッキ層２Ｕの厚さも、同じ１７μｍ程度とする。尚、チップ部品２０が半田接続される配線パターンＰａ，Ｐｂのランド部の銅メッキ層２Ｕ上には、ペースト状の半田３が塗布されている。また、チップ部品２０が交差して配置される配線パターンＰｃは、半田レジスト４で覆われている。
【０００５】
図５のチップ部品搭載基板９０では、（ｂ）に示すように、チップ部品２０のボデー部２０ｃが、中央の配線パターンＰｃと交差するように配置され、ボデー部２０ｃの両側に形成された一組の表面電極２０ａ，２０ｂが、配線パターンＰｃの両側にそれぞれ位置する配線パターンＰａ，Ｐｂのランド部に、半田３で接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１２−１１９５８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
図６は、図５（ｂ）に対応した図で、従来のチップ部品搭載基板９０の問題点を説明する図である。図６は、チップ部品２０を配線基板１０の基板表面に搭載する際に、白抜き矢印で示したように、チップ部品２０が所定位置から位置ずれした場合の例である。チップ部品搭載基板９０では、図５（ａ）の配置工程で、チップ部品２０を配線基板１０の所定位置に配置した場合であっても、図５（ｂ）の接続工程で、半田３の溶融と共にチップ部品２０が流動し、図６に示すように、チップ部品２０の位置ずれが起きる場合がある。
【０００８】
チップ部品２０の表面電極２０ａ，２０ｂは、それぞれ半田接続される配線パターンＰａ，Ｐｂのランド部に較べて大きな幅を有しており、該表面電極２０ａ，２０ｂが、交差して配置される配線パターンＰｃに向かって突き出している。一方、チップ部品２０のボデー部２０ｃが交差する配線パターンＰｃは、図５（ａ）に示したように半田レジスト４で覆われているが、断面における上方の角部は、半田レジスト４が付着し難い。例えば、該角部では、半田レジスト４が１μ程度に薄くなる場合がある。このため、図６に示したチップ部品２０の位置ずれが発生すると、破線Ｅで囲った配線パターンＰｃの断面上方の角部において、チップ部品２０の表面電極２０ａと配線パターンＰｃ間の短絡不良が起き易くなる。
【０００９】
そこで本発明は、２層構造の配線パターンが基板表面に形成され、チップ部品が前記基板表面に搭載されるチップ部品搭載基板およびその製造方法であって、チップ部品の半田接続時に位置ずれが発生しても、短絡不良が起き難いチップ部品搭載基板およびその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係るチップ部品搭載基板は、下金属層と上金属層からなる２層構造の配線パターンが、基板表面に形成されてなり、チップ部品が、前記基板表面に搭載されるチップ部品搭載基板である。該チップ部品搭載基板においては、所定のチップ部品が、所定の配線パターンと交差するように配置され、該チップ部品の両端に形成された一組の表面電極が、交差する所定の配線パターンの両側にそれぞれ位置する配線パターンのランド部に半田接続される。この場合において、前記所定の配線パターンは、チップ部品との交差領域において、上金属層が除去されてなる構成としている。
【００１１】
上記チップ部品搭載基板では、下金属層と上金属層からなる２層構造の配線パターンが、基板表面に形成されており、各種のチップ部品が該基板表面に搭載される。下金属層と上金属層からなる上記２層構造の配線パターンは、片側の基板表面だけでなく、両側の基板表面に形成されていてもよい。この場合には、各種のチップ部品も、両側の基板表面に搭載可能である。
【００１２】
チップ部品搭載基板では、チップ部品を配線基板の基板表面に搭載する際に、チップ部品を配線基板の所定位置に配置した場合であっても、半田の溶融と共にチップ部品が流動し、チップ部品の位置ずれが起きる場合がある。このようなチップ部品の位置ずれが発生すると、チップ部品との交差領域において上金属層が除去されていない従来の２層構造の配線パターンを有するチップ部品搭載基板では、チップ部品が交差して配置される配線パターンの断面上方の角部において、チップ部品の表面電極との短絡不良が起き易くなる。特に、チップ部品の表面電極がそれぞれ半田接続される両側の配線パターンのランド部に較べて大きな幅を有しており、該表面電極が交差する配線パターンに向かって突き出ている場合には、チップ部品の小さな位置ずれでも上記短絡不良が起き易くなる。
【００１３】
そこで、上記チップ部品搭載基板においては、チップ部品と配線パターンの交差領域において、配線パターンの上金属層が除去された構造としている。該構造では、チップ部品の表面電極が半田接続される両側の配線パターンのランド部は下金属層と上金属層からなる２層構造であり、チップ部品が交差する配線パターンは、交差領域において下金属層だけからなる１層構造である。このため、上記チップ部品搭載基板では、チップ部品と配線パターンの交差領域において、除去した上金属層の厚さだけ、絶縁ギャップを確保することができる。従って、チップ部品を配線基板の基板表面に搭載する際に、半田の溶融と共にチップ部品が流動して位置ずれが発生しても、該位置ずれだけでは、チップ部品と配線パターン間で短絡不良が生じることはない。
【００１４】
以上のようにして、上記チップ部品搭載基板は、２層構造の配線パターンが基板表面に形成され、チップ部品が前記基板表面に搭載されるチップ部品搭載基板であって、チップ部品の半田接続時に位置ずれが発生しても、短絡不良が起き難いチップ部品搭載基板とすることができる。
【００１５】
上記チップ部品搭載基板において、両側の基板表面に配線パターンを形成する場合には、例えば、前記上金属層が、金属メッキ層からなる構成とすることが好ましい。下金属層を両側の基板表面に形成し、メッキによりスルーホール表面を含めて上金属層となる金属メッキ層を形成することで、両側の基板表面に形成された配線パターン同士を接続可能である。
【００１６】
上記金属メッキ層は、導電率が高く安価で適度な強度を有する、銅（Ｃｕ）メッキ層であることが好ましい。また、上記金属メッキ層としては、チップ部品の電極材としても広く用いられている、錫（Ｓｎ）または錫（Ｓｎ）合金からなる金属メッキ層も好ましい材料である。
【００１７】
上記チップ部品搭載基板における下金属層は、例えば、金属箔からなる構成とすることができる。上記金属箔についても、例えば、導電率が高く安価で適度な強度を有する、銅（Ｃｕ）箔が好ましい材料である。
【００１８】
上記チップ部品搭載基板は、交差領域において、チップ部品と交差する所定の配線パターンが、半田レジストにより覆われてなることが好ましい。
【００１９】
上記チップ部品搭載基板では、チップ部品が交差する配線パターンの交差領域において、上金属層の厚さに相当する絶縁ギャップが確保されているため、該配線パターンが半田レジストで覆われていなくても、基本的には一定の絶縁性を確保することができる。しかしながら、交差領域における該配線パターンの残された下金属層を半田レジストで覆うことで、より確実に短絡不良を防止することができる。
【００２０】
請求項７に記載の発明は、請求項２に記載のチップ部品搭載基板の製造方法であって、前記基板の表面に、前記下金属層を形成する下金属層形成工程と、前記下金属層形成工程の後、前記交差領域に、メッキマスクを形成するメッキマスク形成工程と、前記メッキマスク形成工程の後、前記基板の表面に、前記金属メッキ層を形成する金属メッキ層形成工程と、前記金属メッキ層形成工程の後、前記メッキマスクを除去し、前記配線パターンを形成するパターニング工程と、前記パターニング工程の後、前記チップ部品を配置し、前記一組の表面電極を前記所定の配線パターンの両側にそれぞれ位置する配線パターンのランド部に半田接続する半田接続工程とを有してなることを特徴としている。
【００２１】
これによれば、一つのメッキマスク形成工程を追加するだけで、上述したチップ部品搭載基板の交差領域における配線パターンの金属メッキ層の除去が可能であり、該チップ部品搭載基板を安価に製造することができる。
【００２２】
尚、上記製造方法においては、前記パターニング工程と前記半田接続工程の間で、前記交差領域において、前記所定の配線パターンを半田レジストで覆う半田レジスト形成工程を有してなることが、より確実に短絡不良を防止するため好ましい。
【００２３】
以上に示したように、上記したチップ部品搭載基板およびその製造方法は、２層構造の配線パターンが基板表面に形成され、チップ部品が前記基板表面に搭載されるチップ部品搭載基板およびその製造方法であって、チップ部品の半田接続時に位置ずれが発生しても、短絡不良が起き難いチップ部品搭載基板およびその製造方法とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明に係るチップ部品搭載基板の一例を示した図で、（ａ）は、チップ部品２０を搭載する前の配線基板１１を示す図であり、（ｂ）は、チップ部品２０を搭載した後のチップ部品搭載基板１００を示す図である。
【図２】図１（ｂ）に対応した図で、チップ部品２０を配線基板１１の基板表面に搭載する際に、チップ部品２０が所定位置から位置ずれした場合の例である。
【図３】（ａ）〜（ｆ）は、図１（ａ）に示した配線基板１１の製造方法の一例を示す、製造工程別の断面図である。
【図４】（ａ），（ｂ）は、図１に示したチップ部品搭載基板１００の変形例で、それぞれ、配線基板１２，１３にチップ部品２０を搭載した、チップ部品搭載基板１０１，１０２を示す図である。
【図５】２層構造の配線パターンを有する従来のチップ部品搭載基板を模式的に示した図で、（ａ）は、チップ部品２０を搭載する前の配線基板１０を示す図であり、（ｂ）は、チップ部品２０を搭載した後のチップ部品搭載基板９０を示す図である。
【図６】図５（ｂ）に対応した図で、従来のチップ部品搭載基板９０の問題点を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明を実施するための形態を、図に基づいて説明する。
【００２６】
図１は、本発明に係るチップ部品搭載基板の一例を示した図で、２層構造の配線パターンを有するチップ部品搭載基板１００において、チップ部品２０が所定の配線パターンと交差するように配置されて基板表面に搭載される場合を模式的に示した図である。（ａ）は、チップ部品２０を搭載する前の配線基板１１を示す図であり、（ｂ）は、チップ部品２０を搭載した後のチップ部品搭載基板１００を示す図である。尚、図１のチップ部品搭載基板１００において、図５に示した従来のチップ部品搭載基板９０と同様の部分については、同じ符号を付した。
【００２７】
また、図２は、図１（ｂ）に対応した図で、チップ部品２０を配線基板１１の基板表面に搭載する際に、白抜き矢印で示したように、チップ部品２０が所定位置から位置ずれした場合の例である。
【００２８】
図１に示すチップ部品搭載基板１００では、図５に示した従来のチップ部品搭載基板９０と同様にして、（ａ）に示すように、下金属層である銅（Ｃｕ）箔２Ｌと上金属層である銅（Ｃｕ）メッキ層２Ｕからなる２層構造の配線パターンが、絶縁基材１からなる配線基板１１の基板表面に形成されており、各種のチップ部品が、該基板表面に搭載される。
尚、チップ部品２０が半田接続される配線パターンＰａ，Ｐｂのランド部の銅メッキ層２Ｕ上には、ペースト状の半田３が塗布されている。
【００２９】
チップ部品搭載基板１００において、下金属層の銅箔２Ｌの厚さは、例えば１７μｍであり、上金属層の銅メッキ層２Ｕの厚さも、同じ１７μｍ程度とする。また、基板表面に搭載されるチップ部品としては、例えば、抵抗、コンデンサ、インダクタ、ダイオード、トランジスタ等がある。チップ部品搭載基板１００では、銅箔２Ｌと銅メッキ層２Ｕからなる２層構造の配線パターンが両側の基板表面に形成されており、各種のチップ部品も、両側の基板表面に搭載可能である。
【００３０】
一方、図１のチップ部品搭載基板１００では、図５に示した従来のチップ部品搭載基板９０と異なり、チップ部品２０との交差領域において、配線パターンＰｄの上金属層である銅メッキ層２Ｕが除去されている。尚、チップ部品２０が交差して配置される配線パターンＰｄにおいて、交差領域に残された銅箔２Ｌは、半田レジスト４で覆われている。
【００３１】
図１のチップ部品搭載基板１００では、図５に示した従来のチップ部品搭載基板９０と同様にして、（ｂ）に示すように、チップ部品２０のボデー部２０ｃが、中央の配線パターンＰｄと交差するように配置され、ボデー部２０ｃの両側に形成された一組の表面電極２０ａ，２０ｂが、配線パターンＰｄの両側にそれぞれ位置する配線パターンＰａ，Ｐｂのランド部に、半田３で接続される。尚、図１のチップ部品搭載基板１００では、配線パターンＰａ，Ｐｂのランド部の銅メッキ層２Ｕ上にペースト状の半田３が塗布されており、リフロー方式によって、チップ部品２０の表面電極２０ａ，２０ｂが配線パターンＰａ，Ｐｂに半田接続される。しかしながら、図１のチップ部品搭載基板１００では、所定領域を除いた基板表面が半田レジスト４で覆われており、噴流半田槽によるフロー方式を用いてもよい。
【００３２】
以上のように、図１のチップ部品搭載基板１００においては、チップ部品２０が配線パターンＰｄと交差するように配置され、該チップ部品２０の両端に形成された一組の表面電極２０ａ，２０ｂが交差する配線パターンＰｄの両側の配線パターンＰａ，Ｐｂのランド部に半田接続される場合において、次の構造が採用されている。すなわち、チップ部品２０が交差する所定の配線パターンＰｄは、図５に示した配線パターンＰｃと異なり、チップ部品２０との交差領域において、上金属層である銅メッキ層２Ｕが除去された構造である。
【００３３】
チップ部品搭載基板では、チップ部品を配線基板の基板表面に搭載する際に、チップ部品を配線基板の所定位置に配置した場合であっても、半田の溶融と共にチップ部品が流動し、チップ部品の位置ずれが起きる場合がある。このようなチップ部品の位置ずれが発生すると、チップ部品との交差領域において上金属層が除去されていない従来の２層構造の配線パターンを有するチップ部品搭載基板では、図６で説明したように、チップ部品２０が交差して配置される配線パターンＰｃの断面上方の角部において、チップ部品の表面電極との短絡不良が起き易くなる。２層構造の配線パターンＰｃの断面における上方の角部は、半田レジスト４が付着し難く、例えば該角部では半田レジスト４が１μ程度に薄くなる場合がある。特に、チップ部品２０の表面電極２０ａ，２０ｂがそれぞれ半田接続される両側の配線パターンＰａ，Ｐｂのランド部に較べて大きな幅を有しており、該表面電極２０ａ，２０ｂが交差する配線パターンＰｃに向かって突き出ている場合には、チップ部品２０の小さな位置ずれでも上記短絡不良が起き易くなる。
【００３４】
そこで、図１のチップ部品搭載基板１００においては、チップ部品２０と配線パターンＰｄの交差領域において、配線パターンＰｄの上金属層である銅メッキ層２Ｕが除去された構造としている。該構造では、チップ部品２０の表面電極２０ａ，２０ｂが半田接続される両側の配線パターンＰａ，Ｐｂのランド部は下金属層の銅箔２Ｌと上金属層の銅メッキ層２Ｕからなる２層構造であり、チップ部品２０が交差する配線パターンＰｄは、交差領域において下金属層の銅箔２Ｌだけからなる１層構造である。このため、チップ部品搭載基板１００では、図１（ｂ）に示すように、チップ部品２０と配線パターンＰｄの交差領域において、除去した上金属層の銅メッキ層２Ｕの厚さだけ、絶縁ギャップＧを確保することができる。
【００３５】
従って、図２に示すように、チップ部品２０を配線基板１１の基板表面に搭載する際に、半田３の溶融と共にチップ部品２０が流動して位置ずれが発生しても、該位置ずれだけでは、チップ部品２０と配線パターンＰｄ間で短絡不良が生じることはない。
【００３６】
以上のようにして、図１と図２に例示したチップ部品搭載基板１００は、２層構造の配線パターンが基板表面に形成され、チップ部品が前記基板表面に搭載されるチップ部品搭載基板であって、チップ部品２０の半田接続時に位置ずれが発生しても、短絡不良が起き難いチップ部品搭載基板となっている。
【００３７】
次に、図１に示したチップ部品搭載基板１００の製造方法について説明する。
【００３８】
図３（ａ）〜（ｆ）は、図１（ａ）に示した配線基板１１の製造方法の一例を示す、製造工程別の断面図である。
【００３９】
最初に、下金属層形成工程において、図３（ａ）に示すように、絶縁基材１からなる基板の両側の表面に銅箔２Ｌを貼り付けて、基板の全面に下金属層を形成する。
【００４０】
次に、必要に応じて、図３（ｂ）に示すように、基板の両側表面に形成する配線パターンを接続するためのスルーホールＨを、所定の位置に形成しておく。
【００４１】
次に、上記下金属層形成工程の後、メッキマスク形成工程において、図３（ｃ）に示すように、チップ部品２０と交差する配線パターンＰｄの交差領域となる所定の領域に、メッキマスクＭを形成する。
【００４２】
次に、上記メッキマスク形成工程の後、金属メッキ層形成工程において、スルーホールＨの表面を含めた基板の全表面に、上金属層の銅メッキ層２Ｕを形成する。
【００４３】
次に、上記金属メッキ層形成工程の後、メッキマスクＭを除去する。これにより、図３（ｄ）に示すように、基板の両側表面が銅箔２Ｌと銅メッキ層２Ｕからなる２層構造で、チップ部品２０と配線パターンＰｄの交差領域となるメッキマスクＭの形成部位だけを銅箔２Ｌの１層構造とした金属層を形成することができる。
【００４４】
次に、パターニング工程において、所定のマスクを形成してエッチングし、図３（ｅ）に示すように、配線パターンＰａ，Ｐｂ，Ｐｄを形成する。
【００４５】
次に、必要に応じて、上記パターニング工程の後、半田レジスト形成工程において、図３（ｆ）に示すように、チップ部品２０の表面電極２０ａ，２０ｂが半田接続される配線パターンＰａ，Ｐｂのランド部を除き、チップ部品２０と配線パターンＰｄの交差領域を含めた所定の領域を、半田レジスト４で覆う。
【００４６】
以上で、図１（ａ）にある配線基板１１を製造することができる。
【００４７】
尚、図３に示した工程では、配線パターンＰｄの交差領域における上金属層を除去するために、金属メッキ層形成工程の前にメッキマスクＭを形成して、該領域に銅メッキ層２Ｕしないようにしていた。しかしながら、マスク工程を用いずに、下金属層上に上金属層を積層して配線パターンを形成した後で、該領域の上金属層をエッチング等により除去するようにしてもよい。
【００４８】
次に、上記パターニング工程の後、図１（ａ）に示したように、チップ部品２０の表面電極２０ａ，２０ｂが半田接続される両側の配線パターンＰａ，Ｐｂのランド部に、ペースト状の半田３を塗布する。
【００４９】
次に、半田接続工程において、図１（ｂ）に示すように、チップ部品２０を配置し、チップ部品２０の一組の表面電極２０ａ，２０ｂを交差する配線パターンＰｄの両側にそれぞれ位置する配線パターンＰａ，Ｐｂのランド部に半田接続する。
【００５０】
以上で、図１（ｂ）に示したチップ部品搭載基板１００を製造することができる。
【００５１】
上記した製造方法によれば、一つのメッキマスク形成工程を追加するだけで、上述したチップ部品搭載基板１００の交差領域における配線パターンＰｄの銅メッキ層２Ｕの除去が可能であり、該チップ部品搭載基板１００を安価に製造することができる。
【００５２】
以上に示したように、図１〜図３で例示したチップ部品搭載基板１００およびその製造方法は、２層構造の配線パターンが基板表面に形成され、チップ部品２０が基板表面に搭載されるチップ部品搭載基板およびその製造方法であって、チップ部品２０の半田接続時に位置ずれが発生しても、短絡不良が起き難いチップ部品搭載基板およびその製造方法とすることができる。
【００５３】
次に、本発明に係るチップ部品搭載基板の細部と変形例について説明する。
【００５４】
図１〜図３で例示したチップ部品搭載基板１００では、２層構造の配線パターンの下金属層として、銅（Ｃｕ）箔２Ｌが用いられていた。銅（Ｃｕ）箔は、導電率が高く安価で適度な強度を有しており、下金属層として最も好ましい材料である。しかしながら、下金属層としては、銅（Ｃｕ）以外の金属箔でもよく、箔以外の形態の金属材料であってもよい。
【００５５】
また、図１〜図３で例示したチップ部品搭載基板１００では、上金属層として銅（Ｃｕ）メッキ層２Ｕが用いられていた。銅（Ｃｕ）メッキ層も、導電率が高く安価で適度な強度を有しているため、上金属層として最も好ましい材料である。しかしながら、上金属層としては、銅（Ｃｕ）以外の金属メッキ層でもよく、メッキ層以外の形態の金属材料であってもよい。しかしながら、図１〜図３で例示したチップ部品搭載基板１００のように、両側の基板表面に配線パターンを形成する場合には、上金属層が、金属メッキ層からなる構成とすることが好ましい。下金属層を両側の基板表面に形成し、図３（ｄ）で示したように、メッキによりスルーホールＨの表面を含めて上金属層となる金属メッキ層を形成することで、両側の基板表面に形成された配線パターン同士を接続可能である。該金属メッキ層としては、銅（Ｃｕ）メッキ層の他にも、例えばチップ部品の電極材としても広く用いられている、錫（Ｓｎ）または錫（Ｓｎ）合金からなる金属メッキ層も好ましい材料である。
【００５６】
尚、図１〜図３で例示したチップ部品搭載基板１００では、下金属層と上金属層からなる上記２層構造の配線パターンが、絶縁基材１からなる配線基板１１両側の基板表面に形成されていた。従って、所定の配線パターンと交差するように配置されるチップ部品も両側の基板表面に配置することができ、その場合には、やはり交差領域において上金属層が除去されてなる構成を採用する。しかしながら、本発明に係るチップ部品搭載基板は、これに限らず、２層構造の配線パターンが片側の基板表面だけに形成されていてもよい。
【００５７】
図４（ａ），（ｂ）は、図１に示したチップ部品搭載基板１００の変形例で、それぞれ、配線基板１２，１３にチップ部品２０を搭載した、チップ部品搭載基板１０１，１０２を示す図である。
【００５８】
図１に示したチップ部品搭載基板１００の配線基板１１では、チップ部品２０との交差領域における上金属層が除去された配線パターンＰｄが、半田レジスト４で覆われていた。これに対して、図４（ａ），（ｂ）に示すチップ部品搭載基板１０１，１０２の配線基板１２，１３では、半田レジスト４が基板表面に形成されず、チップ部品２０との交差領域における上金属層が除去された配線パターンＰｄ，Ｐｅが、半田レジスト４で覆われていない。
【００５９】
より確実に短絡不良を防止するためには、図１のチップ部品搭載基板１００のように、チップ部品２０との交差領域において、配線パターンＰｄが半田レジスト４により覆われていることが好ましい。しかしながら、本発明に係るチップ部品搭載基板では、図４（ａ），（ｂ）に示すチップ部品搭載基板１０１，１０２のように、チップ部品２０が交差する配線パターンＰｄ，Ｐｅの交差領域において、上金属層の厚さに相当する絶縁ギャップＧが確保されている。このため、該配線パターンＰｄ，Ｐｅが半田レジストで覆われていなくても、基本的には一定の絶縁性を確保することができる。
【００６０】
また、図１と図４（ａ）のチップ部品搭載基板１００，１０１では、チップ部品２０と交差する配線パターンＰｄの幅が狭く、定位置でチップ部品２０のボデー部２０ｃが配線パターンＰｄと交差する配置が採用されている。しかしながら、本発明に係るチップ部品搭載基板では、除去した上金属層の厚さだけ絶縁ギャップＧを確保することができるため、図４（ｂ）に示すチップ部品搭載基板１０２のように、交差する配線パターンＰｅの幅が狭く、定位置でチップ部品２０の表面電極２０ａ，２０ｂと配線パターンＰｅが交差する配置であってもよい。
【符号の説明】
【００６１】
９０，１００〜１０２  チップ部品搭載基板
１０〜１３  配線基板
２Ｌ  銅箔（下金属層）
２Ｕ  銅メッキ層（上金属層）
Ｐａ〜Ｐｅ  配線パターン
３  半田
４  半田レジスト
２０  チップ部品
【図１】
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【図２】
2014053543.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2014053543.tif 000007
【図６】
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