(57)【要約】      （修正有）【課題】１つ又は複数の薄膜コンポーネントなどの１つ又は複数の電子コンポーネントがその上に形成される基板テーブル又は基板ホルダを提供する。【解決手段】リソグラフィ装置用の基板ホルダはその表面に設けられた平坦化層１０８を有している。平坦化層１０８は、電気コンポーネントを形成する薄膜積層体２００を形成するために平滑な表面を提供する。薄膜積層体２００は、（任意選択として）絶縁層と、電極を形成する金属層と、センサと、ヒータと、トランジスタ又は論理デバイスと、上部の絶縁層とを備える。【選択図】図２０
2014225669.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置で使用される基板ホルダであって、
表面を有する本体と、
前記表面から突出し、基板を支持する端面を有する複数のバールと、
前記本体表面の少なくとも一部上に設けられた平坦化層と、
前記平坦化層上に設けられ、電気コンポーネントを形成する薄膜積層体と、
を備える基板ホルダ。
【請求項２】
前記薄膜積層体が導電層を含み、該導電層がＣｒ、Ａｌ、Ｐｔ及びその合金からなる群から選択された金属から形成される、請求項１に記載の基板ホルダ。
【請求項３】
前記薄膜積層体が、前記平坦化層から最も離隔した前記導電層の前記表面上に設けられた絶縁層を含み、及び／又は前記薄膜積層体が、前記導電層と前記平坦化層との間に絶縁層を含む、請求項２に記載の基板ホルダ。
【請求項４】
前記絶縁層が、ベンゾシクロブテン、ペルヒドロポリシラザン、ＳｉＯｘ、パリレン及びポリイミドからなる群から選択された材料、又は材料の組合せから形成される、請求項３に記載の基板ホルダ。
【請求項５】
前記絶縁層の厚さが約０．１μｍ〜約１００μｍの範囲、又は約０．１μｍ〜約１０μｍの範囲、望ましくは約１μｍ〜約３μｍの範囲、又は約２０μｍ〜約１００μｍの範囲、望ましくは約４０μｍ〜約６０μｍの範囲にある、請求項３又は４に記載の基板ホルダ。
【請求項６】
前記薄膜積層体が、複数の電気コンポーネントを形成する、請求項１から５のいずれかに記載の基板ホルダ。
【請求項７】
前記複数の電気コンポーネントのうちの第１の電気コンポーネントと第２の電気コンポーネントとが、前記薄膜積層体の単一層内に、又は前記薄膜積層の２つの別の層内に配置される、請求項６に記載の基板ホルダ。
【請求項８】
前記電気コンポーネントが、電極、ヒータ、センサ、トランジスタ、及び論理デバイスからなる群から選択される、請求項１から７のいずれかに記載の基板ホルダ。
【請求項９】
前記電極が、使用時には静電クランプの電極であり、又は前記センサが、電磁干渉のピックアップを低減するか、又は最小にするように配置された導体を備える、請求項８に記載の基板ホルダ。
【請求項１０】
前記導体が、実質的に平行な２つのブランチによって形成される導電ループを備え、前記２つのブランチの最小離間間隔が約５００μｍ以下、約２００μｍ以下、又は約１００μｍ以下であり、及び／又は前記導体が交差部を含む、請求項９に記載の基板ホルダ。
【請求項１１】
前記センサが、前記基板ホルダ上の実質的に平行な２つの層内に設けられた導体を備え、該導体が、実質的に重畳している少なくとも２つの領域の上方で逆方向に巻回され、及び／又は前記センサが位相外れに接続された２つの電極を含む、請求項９又は１０に記載の基板ホルダ。
【請求項１２】
前記２つの電極が、前記基板ホルダ上の渦巻き形の交互配置された経路内に配置される、請求項１１に記載の基板ホルダ。
【請求項１３】
リソグラフィ装置であって、
パターニングデバイスを支持する支持構造と、
前記パターニングデバイスによってパターニングされたビームを基板上に投影する投影システムと、
前記基板を保持する、前記請求項１〜１２のいずれかに記載の基板ホルダと、
を備えるリソグラフィ装置。
【請求項１４】
基板テーブルをさらに備え、前記基板ホルダが前記基板テーブルに統合される、請求項１３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１５】
リソグラフィ装置を使用したデバイス製造方法であって、
基板を基板ホルダ内に保持しつつ、パターニングデバイスによってパターニングされたビームを前記基板上に投影するステップを含み、
前記基板ホルダが、表面を有する本体と、前記表面から突出し、前記基板を支持する端面を有する複数のバールと、前記本体表面の少なくとも一部上に設けられた平坦化層と、前記平坦化層上に設けられ、電気コンポーネントを形成する薄膜積層体とを備える方法。
【請求項１６】
リソグラフィ装置で使用される基板ホルダであって、
表面を有する本体と、
前記表面から突出し、基板を支持する端面を有する複数のバールと、
前記本体表面の少なくとも一部上に設けられた平坦化層と、
を備え、前記平坦化層が第１の副層と第２の副層とを備え、前記第２の副層が前記第１の副層とは異なる成分を有する基板ホルダ。
【請求項１７】
リソグラフィ装置で使用される基板ホルダの製造方法であって、
表面を有する本体と、前記表面から突出し、基板を支持する端面を有する複数のバールとを設けるステップと、
前記本体表面の少なくとも一部に平坦化層を形成するステップと、
を含み、
前記平坦化層を形成するステップが、第１の副層と第２の副層とを形成するステップを含み、前記第２の副層が前記第１の副層とは異なる成分を有する製造方法。
【請求項１８】
前記平坦化層を形成するステップが、前記第２の副層上に第３の副層を形成するステップをさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１の副層を形成するステップ、又は前記第２の副層を形成するステップ、又は前記第１及び第２の副層を形成するステップが、ポリマー又はポリマー前駆体溶液をスプレーするステップを含み、及び／又は前記第１の副層を形成するステップ、又は前記第２の副層を形成するステップ、又は前記第１及び第２の副層を形成するステップが、化学気相成長（ＣＶＤ）プロセス、望ましくは、プラズマ励起化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）プロセスを含む、請求項１７又は１８に記載の方法。
【請求項２０】
リソグラフィ装置で使用される基板ホルダの製造方法であって、
表面を有する本体と、前記表面から突出し、基板を支持する端面を有する複数のバールとを設けるステップと、
前記本体表面の少なくとも一部に平坦化層を形成するステップと、
を含み、
前記平坦化層を形成するステップが、第１の副層を形成するステップと、前記第１の副層をベーキングしてこれを硬化させるステップと、前記第１の副層上に第２の副層を形成するステップと、
を含む方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、基板ホルダ、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、及び基板ホルダの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００３】
[0003]  投影システムの最終要素と基板の間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置内の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に液浸することが提案されている。ある実施形態では、液体は蒸留水であるが、別の液体を使用することもできる。本発明の実施形態は、液体について説明されている。しかし別の流体、特にウェッティング流体、非圧縮性流体及び／又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なこともある。気体を除く流体が特に望ましい。そのポイントは、露光放射は液体中の方が波長が短いので、結像するフィーチャの小型化を可能にすることである。（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくでき、焦点深さも大きくすることと見なすこともできる。）固体粒子（例えば石英）が懸濁している水、又はナノ粒子の懸濁（例えば最大１０ｎｍの最大寸法の粒子）がある液体などの、他の液浸液も提案されている。懸濁粒子は、これが懸濁している液体と同様の屈折率又は同じ屈折率を有しても、有していなくてもよい。適切になり得る他の液体は、芳香族などの炭化水素、フルオロハイドロカーボン、及び／又は水溶液である。
【発明の概要】
【０００４】
[0004]  従来のリソグラフィ装置では、露光される基板は、それ自体は基板テーブルによって支持される基板ホルダによって支持されてもよい。基板ホルダは、（異なるサイズと形状のものでもよいが）サイズと形状とが基板に対応する平坦な剛性円板であることが多い。基板ホルダは、少なくとも片面から突出するバール又はピンプルと呼ばれる突出部の配列を有している。ある実施形態では、基板ホルダは２つの反対面に突出部の配列を有している。この場合は、基板ホルダが基板テーブル上に載置されると、基板ホルダの本体は基板テーブル上方に僅かな間隔を隔てて保持され、一方、基板ホルダの片面上のバール端部は基板テーブルの表面上にある。同様に、基板が基板ホルダの反対面上のバール上表面に載置される場合は、基板は基板ホルダの本体から離隔される。その目的は、基板テーブル又は基板ホルダのいずれかに存在するかも知れない粒子（すなわち塵芥粒子などの汚染粒子）が基板ホルダ又は基板を歪めることを防止する助けとするためである。バールの総表面積は基板又は基板ホルダの総面積の僅かな部分であるため、バールの間に何らかの粒子が存在するが、それが影響を及ぼさない可能性は高い。基板の上表面が基板テーブルの上表面と実質的に同一面になるように、基板ホルダと基板とが基板テーブル内の凹部内に収容されることが多い。
【０００５】
[0005]  スループットが高いリソグラフィ装置で使用される基板は高い加速を受けるので、基板を単に基板ホルダのバール上に載置できるようにするだけでは不十分である。基板は所定位置にクランプされる。基板を所定位置にクランプする方法は周知である。すなわち真空クランプ及び静電クランプである。真空クランプの場合は、基板ホルダと基板との間、及び任意選択として基板テーブルと基板ホルダとの間の空間が部分的に真空にされ、基板上方の気体又は液体の圧力がより高いことにより基板が所定位置に保持されるようにする。しかし、例えば極端紫外線（ＥＵＶ）放射リソグラフィのように、基板又は基板ホルダの近傍の光路及び／又は環境が低圧、又は極めて低圧に保たれる場合には、真空クランプは使用できない。この場合は、基板（又は基板ホルダ）をクランプするために、基板での十分に大きい圧力差を発生させるのは不可能な場合がある。したがって、静電クランプを使用してもよい。静電クランプの場合は、基板、又は基板の下表面にメッキされた電極と、基板テーブル及び／又は基板ホルダ上に備えられた電極との間に電位差が確立される。２つの電極は大型コンデンサとして動作し、適正な電位差によって実質的なクランプ力を生成することができる。静電式配置構成は、１つは基板テーブル上の、もう１つは基板上の１つの電極対が基板テーブル、基板ホルダ、及び基板の完全な積層を一緒にクランプするようにすることができる。ある配置構成では、１つ又は複数の電極を基板ホルダ上に備えて、基板ホルダが基板テーブルにクランプされ、基板は別々に基板ホルダにクランプされるようにしてもよい。
【０００６】
[0006]  基板表面の温度制御は、特に液体（又は水）の蒸発作用により温度に敏感な液浸システムでは重要である。基板からの液体の蒸発は基板に熱負荷をかけ、温度変化を起こすことがある。温度変化は、基板内に熱応力をかけ、これは最終的にはオーバーレイエラーの原因になることがある。温度制御精度の向上を達成するために、活性的加熱と組み合わせて温度を局所的にリアルタイムで測定することが望ましい。このような測定及び加熱システムは、システムに、すなわち基板ホルダ（すなわち基板を直接支持するオブジェクト）及び／又は基板テーブル（ミラーブロック又はミラー段、すなわち基板ホルダを支持し、基板ホルダを囲む上表面を形成するテーブルなどのオブジェクト）に統合される。薄膜積層体を使用して、測定と加熱の両方が可能な構造を製造することができる。このような構造によって、基板テーブル又は両方に統合する機会が得られる。
【０００７】
[0007]  例えば、１つ又は複数の薄膜コンポーネントなどの１つ又は複数の電子コンポーネントがその上に形成される基板テーブル又は基板ホルダを提供することが望ましい。
【０００８】
[0008]  本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置で使用される基板ホルダであって、表面を有する本体と、表面から突出し、基板を支持する端面を有する複数のバールと、本体表面の少なくとも一部上に設けられた平坦化層と、平坦化層上に設けられ、電気コンポーネントを形成する薄膜積層体とを備える基板ホルダが提供される。
【０００９】
[0009]  本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置であって、パターニングデバイスを支持するように構成された支持構造と、パターニングデバイスによってパターニングされたビームを基板上に投影するように配置された投影システムと、基板を保持するように配置された基板ホルダとを備え、該基板ホルダが、表面を有する本体と、表面から突出し、基板を支持する端面を有する複数のバールと、本体表面の少なくとも一部上に設けられた平坦化層と、平坦化層上に設けられ、電気コンポーネントを形成する薄膜積層体とを備えるリソグラフィ装置が提供される。
【００１０】
[0010]  本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置を使用したデバイス製造方法であって、基板を基板ホルダ内に保持しつつ、パターニングデバイスによってパターニングされたビームを基板上に投影するステップを含み、基板ホルダが、表面を有する本体と、表面から突出し、基板を支持する端面を有する複数のバールと、本体表面の少なくとも一部上に設けられた平坦化層と、平坦化層上に設けられ、電気コンポーネントを形成する薄膜積層体とを備える方法が提供される。
【００１１】
[0011]  本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置で使用される基板ホルダであって、表面を有する本体と、表面から突出し、基板を支持する端面を有する複数のバールと、本体表面の少なくとも一部上に設けられた平坦化層とを備え、該平坦化層が第１の副層と第２の副層とを備え、第２の副層が第１の副層とは異なる成分を有する基板ホルダが提供される。
【００１２】
[0012]  本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置で使用される基板ホルダの製造方法であって、表面を有する本体と、表面から突出し、基板を支持する端面を有する複数のバールとを設けるステップと、本体表面の少なくとも一部に平坦化層を形成するステップと、
を含み、平坦化層を形成するステップが、第１の副層と第２の副層とを形成するステップを含み、第２の副層が第１の副層とは異なる成分を有する製造方法が提供される。
【００１３】
[0013]  本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置で使用される基板ホルダの製造方法であって、表面を有する本体と、表面から突出し、基板を支持する端面を有する複数のバールとを設けるステップと、本体表面の少なくとも一部に平坦化層を形成するステップと
を含み、平坦化層を形成するステップが、第１の副層を形成するステップと、第１の副層をベーキングしてこれを硬化させるステップと、第１の副層上に第２の副層を形成するステップとを含む方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
[0014]  対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
【図１】[0015]本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】[0016]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す図である。
【図３】[0016]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す図である。
【図４】[0017]リソグラフィ投影装置で使用する別の液体供給システムを示す図である。
【図５】[0018]液浸液供給システムとして本発明の実施形態に使用することができるバリア部材の断面図である。
【図６】[0019]本発明のある実施形態による基板テーブル及び基板ホルダの断面図である。
【図７】[0020]図６の基板ホルダの部分拡大図である。
【図８】[0021]図６及び図７の基板ホルダの別の部分拡大図である。
【図９】[0022]本発明のある実施形態による基板ホルダの製造方法のステップを示す図である。
【図１０】[0022]本発明のある実施形態による基板ホルダの製造方法のステップを示す図である。
【図１１】[0023]本発明のある実施形態による基板ホルダの製造方法のステップを示す図である。
【図１２】[0023]本発明のある実施形態による基板ホルダの製造方法のステップを示す図である。
【図１３】[0023]本発明のある実施形態による基板ホルダの製造方法のステップを示す図である。
【図１４】[0023]本発明のある実施形態による基板ホルダの製造方法のステップを示す図である。
【図１５】[0024]本発明のある実施形態の幾つかの例の表面粗さを示すグラフである。
【図１６】[0025]本発明のある実施形態の平坦化層の形成時の化学反応を示す図である。
【図１７】[0025]本発明のある実施形態の平坦化層の形成時の化学反応を示す図である。
【図１８】[0025]本発明のある実施形態の平坦化層の形成時の化学反応を示す図である。
【図１９】[0025]本発明のある実施形態の平坦化層の形成時の化学反応を示す図である。
【図２０】[0026]本発明のある実施形態による基板ホルダの断面図である。
【図２１】[0027]図２０の基板ホルダの平面図である。
【図２２】[0028]図２０の基板ホルダの一部の拡大平面図である。
【図２３】[0029]本発明のある実施形態による基板ホルダの断面図である。
【図２４】[0030]本発明のある実施形態による基板ホルダの断面図である。
【図２５】[0031]本発明のある実施形態による基板ホルダの断面図である。
【図２６】[0032]本発明のある実施形態による基板ホルダの断面図である。
【図２７Ａ】[0033]本発明のある実施形態で使用可能なセンサの配置構成を示す図である。
【図２７Ｂ】[0033]本発明のある実施形態で使用可能なセンサの配置構成を示す図である。
【図２７Ｃ】[0033]本発明のある実施形態で使用可能なセンサの配置構成を示す図である。
【図２７Ｄ】[0033]本発明のある実施形態で使用可能なセンサの配置構成を示す図である。
【図２７Ｅ】[0033]本発明のある実施形態で使用可能なセンサの配置構成を示す図である。
【図２８Ａ】[0034]本発明のある実施形態で使用可能なセンサ配置構成の断面図である。
【図２８Ｂ】[0034]本発明のある実施形態で使用可能なセンサ配置構成の断面図である。
【図２８Ｃ】[0034]本発明のある実施形態で使用可能なセンサ配置構成の断面図である。
【図２８Ｄ】[0034]本発明のある実施形態で使用可能なセンサ配置構成の断面図である。
【図２８Ｅ】[0034]本発明のある実施形態で使用可能なセンサ配置構成の断面図である。
【図２８Ｆ】[0034]本発明のある実施形態で使用可能なセンサ配置構成の断面図である。
【図２８Ｇ】[0034]本発明のある実施形態で使用可能なセンサ配置構成の断面図である。
【図２８Ｈ】[0034]本発明のある実施形態で使用可能なセンサ配置構成の断面図である。
【図２９】[0035]本発明のある実施形態で使用可能なセンサの平面図である。
【図３０】[0036]本発明のある実施形態で使用可能な検知回路を示す図である。
【図３１】[0037]図３０の回路のセンサ及びコネクタの拡大図である。
【図３２】[0038]本発明のある実施形態で使用可能な測定回路を示す図である。
【図３３】[0039]本発明のある実施形態で使用可能なセンサ及びヒータの配置構成を示す図である。
【図３４】[0040]本発明のある実施形態で使用可能なセンサの平面図である。
【図３５】[0041]本発明のある実施形態で使用可能な測定回路を示す図である。
【図３６】[0042]本発明のある実施形態で使用可能な測定回路を示す図である。
【図３７】[0043]本発明のある実施形態で得られる模擬信号を示す図である。
【図３８Ａ】[0044]本発明のある実施形態で使用可能なコネクタを示す図である。
【図３８Ｂ】[0044]本発明のある実施形態で使用可能なコネクタを示す図である。
【図３９Ａ】[0045]図３８のコネクタの有効領域の差を示す図である。
【図３９Ｂ】[0045]図３８のコネクタの有効領域の差を示す図である。
【図４０】[0046]同相で接続されたセンサのノイズを示す図である。
【図４１】[0046]位相外れで接続されたセンサのノイズを示す図である。
【図４２】[0047]本発明のある実施形態で使用可能な測定回路を示す図である。
【図４３】[0048]本発明のある実施形態で使用可能な測定回路を示す図である。
【図４４】[0049]本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図４５】[0050]図４４の装置のより詳細な図である。
【図４６】[0051]図４４及び図４５の装置のソースコレクタのより詳細な図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
[0052]  図１及び図４４は、本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
[0053]  −  放射ビームＢ（例えばＵＶ放射、ＤＵＶ放射又はＥＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
[0054]  −  パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構築され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
[0055]  −  基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
−  基板テーブルＷＴ上に基板Ｗを保持するように構成された基板ホルダと、
[0056]  −  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム又は反射投影レンズシステム）ＰＳと、
を備える。
【００１６】
[0057]  照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
【００１７】
[0058]  支持構造ＭＴはパターニングデバイスを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造ＭＴは、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００１８】
[0059]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。
【００１９】
[0060]  パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００２０】
[0061]  「照明システム」という用語のような本明細書において使用する「投影システム」という用語は、使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを包含するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、その用語はより一般的な用語である「投影システム」と同義と見なすことができる。照明システムのような投影システムは、使用する露光放射、又は真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム、静電気光学システム等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。その他のガスは放射を吸収しすぎるため、ＥＵＶ放射用には真空を使用することが望ましいことがある。したがって、真空壁及び真空ポンプを用いてビーム経路全体に真空環境を与えてもよい。
【００２１】
[0062]  図１に示すように、装置は透明型（例えば透明マスクを使用する）である。あるいは、図４４に示すように、装置は反射型（例えば上述のタイプのプログラマブルミラーアレイを使用するか、又は反射マスクを使用する）のものであってもよい。
【００２２】
[0063]  リソグラフィ装置は、例えば２つ以上の基板テーブル、又は１つ又は複数の基板テーブルと１つ又は複数のセンサ又は測定テーブルとの組合せのようなデュアルステージと呼んでもよい２つ以上のテーブル（あるいは１つ又は複数のステージあるいは１つ又は複数の支持体）を有するタイプでもよい。このような「マルチステージ」機械では、追加のテーブルを並行して使用してもよく、又は準備ステップを１つ又は複数のテーブル上で実行する一方で、１つ又は複数の別のテーブルを露光用に使用してもよい。リソグラフィ装置は、同様に基板、センサ、及び測定テーブルと並行して使用してもよい２つ以上のパターニングデバイステーブル（又は１つ又は複数のステージ、又は１つ又は複数の支持体）を有してもよい。
【００２３】
[0064]  図１〜図４４を参照すると、イルミネータＩＬは図１の放射源ＳＯ、又は図４４のソースコレクタ装置ＳＯから放射ビームを受ける。放射源が例えばエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は別々の構成要素であってもよい。このような場合は、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成するものとは見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダを備えるビームデリバリシステムＢＤを用いて放射源ＳＯからイルミネータＩＬに渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプである場合は、放射源はリソグラフィ装置と一体の部品であってもよい。必要に応じて、放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬをビームデリバリシステムＢＤと共に放射システムと呼んでもよい。
【００２４】
[0065]  ＥＵＶ放射を生成する方法には、必ずしもそれに限定されないが、例えばキセノン、リチウム、又はスズなどの少なくとも１つの元素を有する材料を、ＥＵＶ範囲内に１つ又は複数の放出線を有するプラズマ状態に変換するステップが含まれる。レーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」と呼ばれることが多いこのような方法の１つでは、プラズマは所望の線放出元素を有する材料の液滴、流れ又はクラスタなどの燃料をレーザビームで照射することによって生成することができる。ソースコレクタ装置ＳＯは、燃料を励起するレーザビームを与えるためのレーザ（図４４には図示せず）を含むＥＵＶ放射システムの一部であってもよい。その結果としてのプラズマは例えばＥＵＶ放射などの出力放射を放出し、これはソースコレクタ装置内に配置される放射コレクタを用いて集光される。レーザ及びソースコレクタ装置は、例えば燃料を励起するためのレーザビームを提供するためにＣＯ２レーザが使用される場合は、別々の構成要素であってもよい。このような場合は、レーザはリソグラフィ装置の一部を形成するものとは見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダを備えるビームデリバリシステムを用いてレーザからソースコレクタへと渡される。他の事例では、例えば放射源がＤＰＰ放射源と呼ばれることが多い放電生成プラズマＥＵＶ発生装置である場合は、放射源はソースコレクタ装置の一体部品であってもよい。
【００２５】
[0066]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調整することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ、コンデンサＣＯ、ファセット型フィールドミラーデバイス及び／又は瞳ミラーデバイスなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータＩＬを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。放射源ＳＯと同様、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一部を形成すると考えてもよいし、又は考えなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体化部分であってもよく、又はリソグラフィ装置とは別の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータＩＬをその上に装着できるように構成することもできる。任意選択として、イルミネータＩＬは着脱式であり、別に提供されてもよい（例えば、リソグラフィ装置の製造業者又は別の供給業者によって）。
【００２６】
[0067]  放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターニングされる。パターニングデバイスＭＡを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷと位置センサＩＦ、ＰＳ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴは、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めできるように正確に移動できる。同様に、第１のポジショナＰＭと別の位置センサＰＳ１（図１には明示されていない）を用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めできる。一般に、支持構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分間の空間に位置してもよい（スクライブレーンアライメントマークとして周知である）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００２７】
[0068]  図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
【００２８】
[0069]  １．ステップモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００２９】
[0070]  ２．スキャンモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。
【００３０】
[0071]  ３．別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルス間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用できる。
【００３１】
[0072]  上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも使用できる。
【００３２】
[0073]  図４５は、ソースコレクタ装置ＳＯ、照明システムＩＬ、及び投影システムＰＳを含むＥＵＶ装置４１００をより詳細に示している。ソースコレクタ装置ＳＯは、真空環境がソースコレクタ装置ＳＯの密閉構造４２２０内に維持することができるように構築及び配置される。ＥＵＶ放射放出プラズマ４２１０は、放電生成プラズマ放射源によって形成されてもよい。ＥＵＶ放射は、例えばＸｅガス、Ｌｉ蒸気、又はＳｎ蒸気などのガス又は蒸気によって生成されてもよく、その場合、極めて高温のプラズマ４２１０が生成されて電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内で放射する。極めて高温のプラズマ４２１０は、例えば少なくとも部分的に電離したプラズマを生じる放電によって生成される。放射を効率的に生成するには、Ｘｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気、又はその他の任意の適切なガス又は蒸気の例えば１０Ｐａの分圧が必要な場合がある。ある実施形態では、ＥＵＶ放射を生成するために励起したスズ（Ｓｎ）のプラズマが提供される。
【００３３】
[0074]  高温のプラズマ４２１０によって放出された放射は、放射源チャンバ４２１１から、放射源チャンバ４２１１内の開口内、又はその裏側に位置する（場合によっては汚染物バリア又はフォイルトラップとも呼ばれる）任意選択のガスバリア又は汚染物トラップ４２３０を介してコレクタチャンバ４２１２内に渡される。汚染物トラップ４２３０はチャネル構造を含んでいてもよい。汚染物トラップ４２３０は、ガスバリア又はガスバリアとチャネル構造との組合せを含んでいてもよい。少なくとも本明細書にさらに示される汚染物トラップ又は汚染物バリア４２３０は、当技術分野で周知のようにチャネル構造を含んでいる。
【００３４】
[0075]  コレクタチャンバ４２１２は、いわゆるかすめ入射コレクタであってもよい放射コレクタＣＯを含んでいてもよい。放射コレクタＣＯは上流放射コレクタ側４２５１と下流放射コレクタ側４２５２とを有している。コレクタＣＯを横切る放射は格子スペクトルフィルタ４２４０から反射して仮想放射源点ＩＦに集束することができる。仮想放射源点ＩＦは一般に中間焦点と呼ばれ、ソースコレクタ装置は、中間焦点ＩＦが密閉構造４２２０内の開口４２２１に、又はその近傍に位置するように配置される。仮想放射源点ＩＦは、放射放出プラズマ４２１０の像である。
【００３５】
[0076]  次いで放射は、照明システムＩＬを横切り、このＩＬは、パターニングデバイスＭＡで放射ビーム４２１の所望の角度分布を提供するように配置され、且つパターニングデバイスＭＡで放射強度の所望の均一性を提供するように配置されたファセット型フィールドミラーデバイス４２２及びファセット型瞳ミラーデバイス４２４を含んでもよい。支持構造ＭＴによって保持されるパターニングデバイスＭＡで放射ビーム４２１が反射すると、パターン付きビーム４２６が形成され、パターン付きビーム４２６は、投影システムＰＳによって反射素子４２８、４３０を介して基板テーブルＷＴにより保持された基板Ｗ上に結像される。
【００３６】
[0077]  一般に照明光学ユニットＩＬ及び投影システムＰＳ内には図示した以上の素子が存在する。リソグラフィ装置のタイプに応じて、任意選択として格子スペクトルフィルタ４２４０が存在してもよい。図示した以上のミラーがあってもよく、例えば図４５に示した投影システムＰＳ内にある反射素子よりも１〜６個多い追加の反射素子が存在してもよい。
【００３７】
[0078]  図４５に示すコレクタ光学系ＣＯは、コレクタ（又はコレクタミラー）の単なる一例として、かすめ入射リフレクタ４２５３、４２５４及び４２５５を有する入れ子式コレクタとして示されている。かすめ入射リフレクタ４２５３、４２５４、４２５５は光軸Ｏの周囲に軸対称に配置され、このタイプのコレクタ光学系ＣＯは、好ましくは、ＤＰＰソースと呼ばれることが多い放電生成プラズマ放射源と組み合わせて使用される。
【００３８】
[0079]  あるいは、ソースコレクタ装置ＳＯは、図４６に示すようにＬＰＰ放射システムの一部であってもよい。レーザＬＡは、レーザエネルギーをキセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）、又はリチウム（Ｌｉ）などの燃料にレーザエネルギーを付与して、電子温度が電子ボルト（ｅＶ）の数十倍の高電離プラズマ４２１０を生成するように配置される。これらのイオンの脱励起及び再結合中に生成されるエネルギー放射は、プラズマから放出され、近法線入射コレクタ光学系ＣＯによって集光され、密閉構造４２２０内の開口４２２１へと集束される。
【００３９】
[0080]  例えば液浸リソグラフィ装置のような多くのリソグラフィ装置では、結像するフィーチャの小型化及び／又は装置の有効ＮＡの増加を可能にするために、液体供給システムＩＨを使用して投影システムの最終要素間に流体、特に液体を提供する。このような液浸装置に関して本発明の実施形態を以下でさらに説明するが、非液浸装置でも本発明の実施形態は等しく実施することができる。投影システムの最終要素と基板との間に液体を提供する構成は、少なくとも２つの一般的カテゴリに分類される。これらは、浴槽タイプ構成と、いわゆる局所液浸システムである。浴槽タイプ構成では、実質的に基板の全体とオプションとして基板テーブルの一部が液体の浴槽内に浸漬される。局所液浸システムは、液体が基板の局所領域にのみ提供される液体供給システムを使用する。後者のカテゴリでは、液体によって充填される空間は、平面視で基板の上面より小さく、液体で充填される領域は、基板がその領域の下を移動する間、投影システムに対して実質的に静止している。本発明のある実施形態が指向する別の構成は、液体が閉じ込められないオールウェット解決策である。この構成では、実質的に基板の上面全体と基板テーブルの全部又は一部が液浸液に覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは小さい。液体は、基板上の液体の薄膜などの膜であってもよい。
【００４０】
[0081]  図２〜図５には、４つの異なるタイプの局所液体供給システムが示されている。図２〜図５の液体供給デバイスのいずれも非閉じ込めシステムで使用することができる。しかし、封止特徴部は存在しないか、活性化されていないか、通常のものより効率が落ちるか、又はその他の点で液体を局所領域にのみ封止する効果がない。
【００４１】
[0082]  局所液浸システムに対して提案されている構成の１つは、液体供給システムが液体閉じ込めシステムを使用して、基板の局所領域に、及び投影システムの最終要素と基板の間にのみ液体を提供する（基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。これを構成するために提案されている１つの方法が、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ９９／４９５０４号に開示されている。図２及び図３に図示されているように、液体が少なくとも１つの入口によって基板上に、望ましくは最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給され、投影システムの下を通過した後に少なくとも１つの出口によって除去される。すなわち、基板が−Ｘ方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて取り上げられる。
【００４２】
[0083]  図２は、液体が入口を介して供給され、低圧源に接続された出口によって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示したものである。基板Ｗの上の矢印は液体のフローの方向を示し、基板Ｗの下の矢印は基板テーブルの移動方向を示す。図２の図では、液体が最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に図示され、ここでは両側に出口を持つ４組の入口が、最終要素の周囲に規則的パターンで設けられる。液体供給デバイス及び液体回収デバイス内の矢印は、液体のフローの方向を示す。
【００４３】
[0084]  局所液体供給システムを備える液浸リソグラフィのさらなる解決法が図４に示されている。液体が投影システムＰＳのいずれかの側にある２つの溝入口によって供給され、入口の半径方向外側に配置された複数の別個の出口によって除去される。入口及び出口は、投影される投影ビームが通る穴が中心にあるプレートに配置することができる。液体は、投影システムＰＳの一方側にある１つの溝入口によって供給され、投影システムＰＳの他方側にある複数の別個の出口によって除去されて、投影システムＰＳと基板Ｗの間に液体の薄膜の流れを引き起こす。どの組合せの入口と出口を使用するかの選択は、基板Ｗの動作方向によって決定することができる（他の組合せの入口及び出口は動作しない）。図４の断面図では、矢印は入口への、また出口からの液体のフローの方向を示す。
【００４４】
[0085]  提案されている別の構成は、液体供給システムに液体閉じ込め部材を提供する構成である。液体閉じ込め部材は、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在している。そのような構成を図５に示す。液体閉じ込め部材は、投影システムに対してＸＹ平面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸方向）には相対的に多少動くことができる。液体閉じ込め部材と基板表面との間には封止が形成されている。ある実施形態では、液体閉じ込め構造と基板表面との間には封止が形成され、封止はガスシールなどの非接触シールであってもよい。そのようなシステムが、米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。
【００４５】
[0086]  図５は、流体ハンドリング構造１２を有する局所液体供給システムを概略的に示す。流体ハンドリング構造は、投影システムの最終要素と基板テーブルＷＴ又は基板Ｗとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在している。（以下の説明で基板Ｗの表面に言及する場合、明示的に断りのない限り、追加的に又は代替的に、基板テーブルの表面も指すことに留意されたい。）流体ハンドリング構造１２は、投影システムに対してＸＹ面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸の方向）には多少の相対運動があってもよい。ある実施形態では、バリア部材と基板Ｗの表面との間に封止が形成され、流体シールのような非接触シール、望ましくはガスシールとすることができる。
【００４６】
[0087]  流体ハンドリング構造１２は、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗの間の空間１１に液体を少なくとも部分的に封じ込める。基板Ｗの表面と投影システムＰＳの最終要素の間の空間内に液体が閉じ込められるように、基板Ｗに対する非接触シール１６を投影システムのイメージフィールドの周囲に形成することができる。空間は、投影システムＰＳの最終要素の下方に位置決めされ、それを囲む流体ハンドリング構造１２によって少なくとも部分的に形成される。液体を、液体入口１３によって投影システムの下方で、流体ハンドリング構造１２内の空間に入れる。液体は、液体出口１３によって除去することができる。流体ハンドリング構造１２は投影システムの最終要素の少し上まで延在することができる。液体のバッファが提供されるように、液体レベルが最終要素の上まで上昇する。ある実施形態では、流体ハンドリング構造１２は、その上端が投影システム又はその最終要素の形状に正確に一致することができる内周を有し、例えば円形とすることができる。底部では、内周がイメージフィールドの形状に正確に一致し、例えば矩形とすることができるが、そうである必要はない。
【００４７】
[0088]  ある実施形態では、液体が、使用中に流体ハンドリング構造１２の底部と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によって空間１１内に封じ込められる。ガスシールは、気体、例えば空気又は合成空気によって形成されるが、ある実施形態ではＮ２又は別の不活性ガスによって形成される。ガスシール内の気体は、圧力下で入口１５を介して流体ハンドリング構造１２と基板Ｗの間のギャップに提供される。気体は出口１４を介して抽出される。気体入口１５への過剰圧力、出口１４の真空レベル、及びギャップの幾何学的形状は、液体を閉じ込める内側への高速の気体流１６があるように構成される。流体ハンドリング構造１２と基板Ｗの間で液体にかかる気体の力が、液体を空間１１に封じ込める。入口／出口は、空間１１を囲む環状溝であってもよい。環状溝は連続的であっても又は不連続的であってもよい。気体１６の流れは、液体を空間１１内に封じ込めるのに効果がある。このようなシステムが、米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。
【００４８】
[0089]  図５の例は、液体が任意の一時点で基板Ｗの上面の局所領域にのみ提供される局所領域の構成である。例えば米国特許出願公開ＵＳ２００６−００３８９６８号に開示されているような単相抽出器又は２相抽出器を使用する流体ハンドリングシステムを含む他の構成も可能である。
【００４９】
[0090]  可能である別の構成は、気体抗力原理で作用する構成である。いわゆる気体抗力原理は、例えば米国特許出願公開ＵＳ２００８−０２１２０４６号、ＵＳ２００９−０２７９０６０号、及びＵＳ２００９−０２７９０６２号に記載されている。そのシステムでは、抽出孔が、望ましくは角を有する形状で構成される。角はステップ及びスキャン方向に位置合わせすることができる。これは、２つの出口がスキャン方向に対して垂直に位置合わせされた場合と比較して、ステップ又はスキャン方向での所与の速度に対して、流体ハンドリング構造の表面にある２つの開口間のメニスカスにかかる力を低減する。
【００５０】
[0091]  ＵＳ２００８−０２１２０４６号には、主液体回収フィーチャの半径方向外側に位置決めされたガスナイフも開示されている。ガスナイフは、主液体回収フィーチャを通過する液体があればすべて捕捉する。このようなガスナイフは、いわゆる気体抗力原理の構成（ＵＳ２００８−０２１２０４６号に開示されている）、単相又は２相抽出器の構成（米国特許出願公開ＵＳ−２００９−０２６２３１８号に開示されている）、又は任意の他の構成内にあってよい。
【００５１】
[0092]  他の多くのタイプの液体供給システムが可能である。本発明はいかなる特定のタイプの液体供給システムにも、液浸リソグラフィにも限定されない。本発明はどのリソグラフィにも等しく適用できる。ＥＵＶリソグラフィ装置では、ビーム経路は実質的に真空化され、上記液浸配置構成は使用されない。
【００５２】
[0093]  図１に示す制御システム５００は、リソグラフィ装置の動作全体を制御し、特に、以下にさらに記載する最適化プロセスを実行する。制御システム５００は、中央処理ユニット、揮発性及び不揮発性記憶手段、キーボードやスクリーンなどの１つ又は複数の入力及び出力デバイス、１つ又は複数のネットワーク接続、及びリソグラフィ装置の様々な部品への１つ又は複数のインターフェイスを備える適切にプログラムされた汎用コンピュータとして実施することができる。制御用コンピュータとリソグラフィ装置との一対一の関係は必要ないことを理解されたい。本発明のある実施形態では、１つのコンピュータが複数のリソグラフィ装置を制御することができる。本発明のある実施形態では、ネットワークに接続された複数のコンピュータを使用して１つのリソグラフィ装置を制御することができる。また、リソグラフィ装置がその一部を形成するリソセル又はクラスタ内の１つ又は複数の関連する処理デバイス及び基板ハンドリングデバイスも制御するように制御システム５００を構成してもよい。また、リソセル又はクラスタ、及び／又は工場の制御システム全体の監視制御システムに従属するように制御システム５００を構成することもできる。
【００５３】
[0094]  図６は、本発明のある実施形態による基板ホルダ１００を示している。これは基板テーブルＷＴ内の凹部内に保持され、基板Ｗを支持する。ある実施形態では、基板ホルダの本体１００ａは実質的に平坦であり、基板Ｗの形状及びサイズ、例えば、例えば円板などの平坦な板に対応している。基板ホルダは少なくとも上表面、ある実施形態では両面に、一般にバールと呼ばれる突出部１０６を有している。ある実施形態では、基板ホルダは基板テーブルの一体部分であり、下表面にバールを有していない。バールは図６には正しい寸法比で示されていない。実際の実施形態では、直径が例えば２００ｍｍ、３００ｍｍ、又は４５０ｍｍの基板ホルダ全体に数百にも及びバールを配分することができる。バールの先端の面積は例えば１ｍｍ２未満のように小さいので、基板ホルダ１００の片面のすべてのバールの総面積は、基板ホルダの総表面積の約１０％未満である。バールは支持体上に配置されているので、基板、基板ホルダ、又は基板テーブルの表面上に存在するかも知れない何らかの粒子がバール間に降下し、したがって基板又は基板ホルダが変形しない確率は高い。パターンを形成することがあるバール配置構成は規則的であってもよく、又は基板及び基板テーブル上に力を適切に配分するために所望の通り変化してもよい。バールは平面図で見てどのような形状でもよいが、通常は平面図で見て円形である。バールはそれらの高さ全体を通して同じ形状と寸法のものでよいが、通常は先細になっている。バールは、基板ホルダの本体１００ａの表面の他の部分から約１μｍ〜約５ｍｍ、望ましくは約５μｍ〜約２５０μｍの距離だけ突出することができる。基板ホルダ１００の本体１００ａの厚さは約１ｍｍ〜約５０ｍｍの範囲、望ましくは約５ｍｍ〜２０ｍｍの範囲、通常は１０ｍｍである。
【００５４】
[0095]  本発明のある実施形態では、基板ホルダ１００は剛性材料製である。望ましくは、材料の熱伝導率は高く、熱膨張率は低い。適切な材料には、ＳｉＣ（炭化ケイ素）、ＳｉＳｉＣ（シリコン処理炭化ケイ素）、Ｓｉ３Ｎ４（窒化ケイ素）、石英、及び／又は様々なその他のセラミック、及びＺｅｒｏｄｕｒ（商標）ガラスセラミックなどのガラスセラミックが含まれる。基板ホルダ１００は、突出バールを残すように適切な材料の中実円板から選択的に材料を除去することによって製造することができる。材料を除去するのに適した技術には、放電加工（ＥＤＭ）、エッチング、機械加工、及び／又はレーザアブレーションが含まれる。これらの技術の幾つかは、例えば数ミクロン程度の粗さ値Ｒａを有する粗い表面を残す。これらの除去技術で達成可能な最小の粗さは、材料特性とバール製造プロセスから得られる。例えば、ＳｉＳｉＣなどの二相材料の場合、達成可能な最小の粗さは二相材料の粒径によって決定される。基板ホルダはマスクを使用してバールを成長させることによっても製造できる。バールはベースと同じ材料であり、物理気相成長法、又はスパッタリングによって成長させることができる。
【００５５】
[0096]  このような残存する粗さによって、１つ又は複数の薄膜コンポーネントなどの１つ又は複数の電気コンポーネントを基板の表面上に形成し難くなり、このようなコンポーネントの信頼性が損なわれる。これらの問題点が生じるのは、粗さによって電子コンポーネントを形成するために基板ホルダ上に被覆され、又は基板ホルダ上で成長した薄層にギャップや亀裂が生じるからである。薄膜コンポーネントの層厚は約２ｎｍ〜約１００μｍの範囲でよく、化学気相成長法、物理気相成長法（例えばスパッタリング）、ディップコーティング、スピンコーティング、及び／又はスプレーコーティングを含むプロセスによって形成されてもよい。ある実施形態では、基板ホルダ上に形成されるコンポーネントは薄膜積層体から成り、すなわち複数の薄膜層を含んでいる。このようなコンポーネントについては以下にさらに説明する。
【００５６】
[0097]  基板テーブル上に形成される電子コンポーネントには、例えば電極、抵抗ヒータ、及び／又は（非限定的に列挙すると）歪みセンサ、磁気センサ、圧力センサ、容量センサ、又は温度センサなどのセンサを含めることができる。ヒータ及びセンサは、電気系統又は回路に含まれると、基板ホルダ及び／又は基板の温度を局所的に制御及び／又は監視して、基板ホルダ又は基板内の望ましくない、又は誘導される望ましい温度変化及び応力を低減するために使用することができる。望ましくは、ヒータ及びセンサは、互いに同じ領域の上、周囲、及び／又は上方に配置される。基板の局所的な膨張又は収縮によるオーバーレイエラーなどの結像誤差を低減又は除去するために基板の温度及び／又は応力を制御することが望ましい。例えば、液浸リソグラフィ装置では、基板上の残留浸漬液（例えば水）の蒸発によって局所的な冷却が生じることがあり、液体がある基板に熱負荷がかかり、そのため基板が収縮することがある。逆に、露光中に投影ビームによって基板に送達されるエネルギーによって相当な加熱が誘発され、基板に熱負荷がかかり、そのため基板が膨張することがある。
【００５７】
[0098]  ある実施形態では、形成されるコンポーネントは静電クランプ用の電極である。静電クランプの場合は、基板、又は基板の下表面にメッキされた電極と基板テーブル及び／又は基板ホルダ上に備えられた電極との間に電位差が確立される。２つの電極は大型コンデンサとして動作し、適切な電位差で実質的なクランプ力を生成可能である。静電配置構成は、１つが基板テーブル上にあり、もう１つが基板上にある１対の電極が基板テーブル、基板ホルダ、及び基板の完全な積層を一緒にクランプする。ある配置構成では、基板ホルダが基板テーブルにクランプされ、基板は別の基板ホルダにクランプされるように、基板ホルダ上に１つ以上の電極を備えてもよい。
【００５８】
[0099]  ある実施形態では、所望量の熱を基板ホルダ１００と基板Ｗとに加えて基板Ｗの温度を制御するために、１つ又は複数の局部ヒータ１０１がコントローラ１０３によって制御される。１つ又は複数の温度センサ１０２は、基板ホルダ１００及び／又は基板Ｗの温度を監視するコントローラ１０４に接続される。電圧源１０５は、静電力が基板Ｗと、基板ホルダ１００と、基板テーブルＷＴとを一緒にクランプするように基板Ｗと基板ホルダ１００との間、及び基板ホルダ１００と基板テーブルＷＴとの間に、例えば１０〜５，０００ボルト程度の電位差を生成する。ある実施形態では、電位差は基板Ｗの下表面上の電極と、基板テーブルＷＴ内の凹部の底面上の電極との間に供給される。基板の温度を局所的に制御するために１つ又は複数のヒータと温度センサとを使用する配置構成は、全体を参照により本明細書に組み込むものとする、２０１０年９月２０日出願の米国同時係属出願第６１／３８４，６６６号に記載されている。そこに記載されている配置構成は、本明細書に記載の抵抗ヒータ及び温度センサを使用できるように修正可能である。
【００５９】
[00100]  図６に示すように、基板ホルダ上の電極又は電気デバイスを電圧源１０５に接続するために電気接続が存在する。電気デバイスが静電クランプである場合は、基板上の電極は電圧源１０５への電気接続を有している。電気デバイスは、基板支持体の上表面上にあってもよい。全体を参照により本明細書に組み込むものとする、２０１１年１１月３日出願の米国特許出願第６１／５５５，３５９号に記載のように、電気接続の少なくとも一部は基板支持体の本体を通ってもよい。
【００６０】
[00101]  図７は、上表面１０７と幾つかのバール１０６を断面図で示す図６の基板ホルダ１００の部分拡大図である。本発明のある実施形態では、上表面１０７上のバール１０６間の領域の少なくとも一部に平坦化層１０８が備えられる。ある実施形態では、平坦化層は電子コンポーネントが形成される領域のみに、又は基板ホルダ１００の上表面の実質的に全体にわたって備えられる。図８は、平坦化層１０８の別の拡大図を示す。図示の通り、平坦化層は上表面１０７の粗さを充填し、表面１０７よりも大幅に平滑な上表面１０８ａを提供する。本発明のある実施形態では、表面１０８ａの粗さＲａは約１．５μｍ未満であり、望ましくは約１μｍ未満であり、又は望ましくは約０．５μｍ未満である。ある実施形態では、硬化後にバール間の平坦化層１０８を研磨することによって、０．２μｍ未満の表面１０８ａの粗さＲａが達成される。
【００６１】
[00102]  ある実施形態では、平坦化層１０８は、複数の層、例えば２層のコーティング材料又は前駆体材料を塗布することによって形成される。ある実施形態では、平坦化層１０８は、単一層のコーティング材料又は前駆体材料を塗布することによって形成されてもよい。平坦化層の材料に応じて、形成されたコーティングの検査によって、コーティングが複数の副層によって形成されたことを判定することができる。ある実施形態では、平坦化層１０８の複数の副層は同じ材料で形成される。ある実施形態では、平坦化層１０８の複数の副層は異なる材料で形成される。適切な材料については後述する。
【００６２】
[00103]  ある実施形態では、平坦化層１０８は、各々のＳｉ原子に結合した官能基を有する酸化ケイ素又は窒化ケイ素系化合物から形成される。官能基は、水素、メチル、フッ素、ビニルなどからなる群から選択可能である。ある実施形態では、平坦化層１０８はＳｉ（ＣＨ３）２Ｏｘから形成される。ある実施形態では、平坦化層は例えばＳｉＯ２などのＳｉＯｘから形成される。ある実施形態では、平坦化層はベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）から形成される。ある実施形態では、平坦化層はポリイミドコーティング材料から形成される。このような材料を塗布する方法は、全体を参照により本明細書に組み込むものとする米国特許第７，５２４，７３５号に記載されている。ある実施形態では、平坦化層はＳｉ（ＣＨ３）２Ｎ及びＳｉ（ＣＨ３）２Ｏの骨格からなるポリマー鎖から形成される。
【００６３】
[00104]  平坦化層の厚さは、約０．２μｍ〜約２００μｍの範囲、望ましくは約２μｍ〜約３０μｍ、又は望ましくは約１０μｍ〜約２０μｍの範囲でよい。平坦化層は望ましくは、基板ホルダの表面の粗さのほとんど、又はすべてを充填するのに十分な厚さである。平坦化層が厚すぎると、硬化中に亀裂を生じる可能性が高まる。後述するように平坦化層を複数の別々のコーティングで塗布すると、このような亀裂の可能性が低下し、最終層の表面粗さが低減する。
【００６４】
[00105]  ある実施形態では、平坦化層１０８は基板ホルダ１００にポリシラザン溶液を被覆することによって塗布され、この溶液は次に硬化されてケイ素系平坦化層が形成される。関与する反応は図１６に示されている。ある実施形態では、ポリシラザン溶液はスプレー技術によって塗布される。追加的に又は代替的に、蒸着又はスピンコーティングなどの別の技術を使用することができる。図１７〜図１９は、本発明のある実施形態の平坦化層を形成するために使用できる別の反応を示す。図１７は、水性媒体のみを介して進行する反応を示す。図１８は、水性媒体内で熱の存在下で進行する反応を示す。図１９は、水性媒体内で熱の存在下で進行する別の反応を示す。図１７〜図１９の各々で、Ｒは水素、メチル、フッ素からなる群から選択される官能基を示す。ある実施形態では、ポリマー層は反応ポリシラザンからの−Ｓｉ−Ｎ−骨格と反応生成物からの−Ｓｉ−Ｏ−骨格との混合物を含んでいる。
【００６５】
[00106]  平坦化層は、薄膜コンポーネントを形成するため、金属層又はその他の層を確実に形成するために十分に平滑な表面を提供する。具体的には、必要な場合がある基板ホルダを形成するために使用されるある種の材料とのガラス結合のステップが不要になることがある。
【００６６】
[00107]  図９及び図１０は、平坦化層１０８を塗布する方法のある実施形態のステップを示す。図９に示すように、ポリシラザン溶液が基板ホルダ１００の上表面１０７にスプレーされ、硬化されて連続層が形成される。この層は最初はバール１０６、並びにバール間の空間を覆う。その結果が図１０に示されている第２のステップで、平坦化材料がバール１０６の頂部から除去される。この除去ステップは、機械加工（ラッピング又は研磨）、レーザによる化学プロセス（エッチングなど）、及び／又は化学的機械的研磨（ＣＭＰ）などの周知の技術を用いて実行することができる。この方法には、僅か２つのステップしか含まない迅速さという利点がある。
【００６７】
[00108]  図１１〜図１４は、平坦化層１０８を塗布する方法の別の実施形態のステップを示す。この方法では、フォトレジスト１１０が基板ホルダ１００の上表面１０７全体に塗布される。次に、フォトレジストが選択的に露光され、フォトレジストがポジ型であるかネガ型であるかに応じて露光された、又は露光されないフォトレジストが除去されるので、残されたフォトレジスト１１０は図１２に示すようにバール１０６だけを覆う。次に図１３に示すように、平坦化材料１０８が塗布される。最後に、残されたフォトレジストが除去され、平坦化層１０８はバール１０６間の空間のみに残される。
【００６８】
[00109]  上記の両方の方法とも、表面の粗さを低減するために平坦化層１０８は複数のコーティングステップで塗布される。図１５は、本発明のある実施形態による基板ホルダの１から４の番号の４つのサンプルの平坦化層の粗さの値をＲａで示すグラフである。基板ホルダはＳｉＳｉＣ材料製であり、図１５のＡで示すように、２．４５μｍの任意のコーティング又はその他の処理を施す前には表面の粗さＲａを有していた。次に、サンプルはポリシラザン溶液（Ｃｌａｒｉａｎｔ  Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ＧｍｂＨから市販のＣＡＧ３７）でスプレーコーティングされ、乾燥させることができた。サンプル１と３の場合は、塗布された溶液の量は２．４μｍの層厚を達成するのに十分な量であった。サンプル２と４の場合は、４μｍの層厚を達成するためにより多くの量が塗布された。図１５のＢに示すように、硬化後、サンプル１と３の表面の粗さＲａは１．０４μｍであると測定され、サンプル２と４の層厚は１．０５μｍであると測定された。
【００６９】
[00110]  第２の層が塗布される前に、第１の層は約１分間空気プラズマに曝されることによって親水化された。単一の層だけが塗布される場合、又は塗布される材料が疎水性ではない場合は、このステップを省くことができる。第２の層を形成するために塗布される材料の量は変更された。サンプル１と２では２．４μｍのコーティングを形成するための溶液量が塗布され、一方、サンプル３と４では厚さ４μｍのコーティングを形成するための溶液量が塗布された。第２のコーティングの硬化後、サンプル１から４の粗さＲａ値は、図１５のＣに示すようにそれぞれ０．３７μｍ、０．４６μｍ、０．６３μｍ、及び０．４４μｍであると測定された。これらの結果から、２段階のコーティング技術によって改良された表面の粗さが達成され、第２のコーティング層の厚さは最初に塗布されるコーティング層の厚さ以下であることが望ましい。
【００７０】
[00111]  層の厚さと測定された粗さを表１に示す。
【表１】
2014225669.tif 000003
【００７１】
[00112]上記の粗さ値は、プロファイルを測定するために、層の上方でスキャンされた半径２μｍのダイヤモンドチップを有するテイラーホブソン社製のスタイラスプロファイラを使用して得られたものであり、Ｒａは輪郭マップから評価された。これの代わりに別の同等の計器及び方法を使用することもできる。
【００７２】
[00113]  図２０に示すように、本発明のある実施形態は、以下の一般的な順序、すなわち、１）平坦化層１０８、２）絶縁層２０１（必要に応じて）、３）金属線２０２、及び４）上部絶縁層２０３でバール１０６の間の基板ホルダ１００の（ＳｉＳｉＣ）表面上の薄膜積層体２００を形成する異なる層の蒸着を伴っている。本発明のある実施形態では、薄層の積層体は、（上述のように）別の材料から形成された基板ホルダ上に、又は同様の材料から形成された基板テーブル上に形成することができる。
【００７３】
[00114]  平坦化層１０８は一般に上述の通りであるが、別の形態の層、及び層の形成方法も使用することができる。ある実施形態での平坦化層の厚さは１０μｍ以上であってもよい。ＳｉＳｉＣの基板テーブルはバール間に粗い表面（高いＲａは約４μｍ、高低差は約４３μｍ）を有している。このような粗さでは、薄い金属電極線（例えば厚さが２０〜２００ｎｍ）のパターニングは不可能である。粗さを低減するため、適切な溶媒中に溶解させたポリマーが粗いＳｉＳｉＣ表面にスプレーされる。この液体層がバール間のＥＤＭ加工された粗いＳｉＳｉＣ表面にある谷部を充填する。液体は硬化して溶媒を蒸発させ、平滑なポリマー層、又は平坦化層を形成する。このように平坦化された表面上には金属電極線をパターニングすることができる。平坦化層の厚さが十分であり、鋭いＳｉＳｉＣの山部のすべてを覆えば、ＳｉＳｉＣとパターニングされた金属電極線との間を電気絶縁することもできる。平坦化層は一斉にスプレーすることもでき、又は所望の層厚が達成されるまで薄層のスプレーサイクルを繰り返し、硬化させ、次の層をスプレーすることによって積層構造にすることもできる。平坦化層はＢＣＢ（１，３，５−トリメチルベンゼン中に溶解された４０％のビスベンゾシクロブテン）のスプレー層だけから構成されてもよく、又はＮＮ１２０のスプレー層（ジブチルエーテル中の２０％のペルヒドロポリシラザン）との組合せで構成されてもよい。ある実施形態では、ＳｉＳｉＣ表面には約１０ミクロンのＢＣＢ層が塗布され、それによって約０．８ミクロンの平均粗さＲａと、約４．１ミクロンの高低差の平均値が得られる。ある実施形態では、ＳｉＳｉＣ表面には約２０ミクロンのＢＣＢ層が塗布され、それによって約１．５ミクロンの平均粗さＲａと、約８．５ミクロンの高低差の平均値が得られる。
【００７４】
[00115]  平坦化層は金属電極のパターニングを容易にするのに適しているが、ＳｉＳｉＣの山部をすべて覆うことはできない。必要に応じて、ＳｉＳｉＣの山部と金属電極線との間を電気絶縁するために、平坦化層の上部にＰＥＣＶＤ（プラズマ励起化学気相成長法）によりＳｉＯｘの薄層（絶縁層）を蒸着することができる。絶縁層によって得られる電気絶縁が不十分である場合は、２つの絶縁層の間に平坦化層が挟持され、その積層体が一連の第１の絶縁層（ＰＥＣＶＤ  ＳｉＯｘ）に、次に平坦化層と第２の絶縁層（ＰＥＣＶＤ  ＳｉＯｘ）に続くようにしてもよい。絶縁層２０１の厚さは望ましくは０．１μｍ以上である。望ましくは、厚さは１０μｍ未満である。ある実施形態では、絶縁層の厚さは５μｍである。
【００７５】
[00116]  絶縁層の上部に、ハードマスクを使用したフォトリソグラフィ又は金属蒸着及びエッチングによって金属導電路、例えば線２０２が蒸着される。金属線２０２の幅は、望ましくは２０μｍ以上である。金属線の最大幅は、その機能及び利用可能な空間によって決定され、数１０ミリメートルであることがある。金属線を形成する別の方法を使用することもできる。ヒータ及び／又はセンサの場合、幅広い金属線（例えば約１５００μｍ）を加熱要素として使用でき、狭い金属線（例えば約１００μｍ）をセンサ素子として使用できる。静電クランプの場合は、互いに約５００μｍ離隔した連続する（しかしバール頂部から断絶された）金属膜の２つの半体を蒸着して、静電クランプの正の素子と負の素子とを形成することができる。金属線２０２の層厚は、望ましくは約２０ｎｍ以上であり、望ましくは約４０ｎｍ以上である。金属線２０２の層厚は、望ましくは約１μｍ以下であり、望ましくは約５００ｎｍ未満であり、望ましくは約２００ｎｍ未満である。
【００７６】
[00117]  ヒータ及び／又はセンサの開発には、パターニングされる金属線は、例えばチタン（Ｔｉ）及びプラチナ（Ｐｔ）の複数の金属層、Ｔｉ−Ｐｔからなるものでよい。ある実施形態では、１つ又は複数の薄膜層内に存在する厚さ約２５０ｎｍのプラチナの接着性を高めるため、金属線は累計の厚さが１０ｎｍの１つ又は複数の層を有している。各々の金属線の幅は異なっていてもよい。１つ又は複数のフォトレジスト蒸着ステップ、金属膜蒸着のためのＰＶＣ、及びリフトオフプロセスの組合せを用いて、例えばＴｉ／Ｐｔである金属のパターニングを達成してもよい。ヒータのみの場合は、クロム膜蒸着（ＰＶＤ）によって幅広いクロム（Ｃｒ）線（〜１５００μｍ）を蒸着することができる。ハードマスクを使用してバールの頂部から選択的にＣｒをエッチングすることによってヒータのパターンを形成してもよい。静電クランプの金属電極は、アルミニウム、クロム、又はその他の任意の導電性材料からなるものであってもよい。金属電極は、ＰＶＤ又はスパッタリングによって形成されてもよい。任意の適切な組合せでこれらの金属の合金を使用してもよい。
【００７７】
[00118]  蒸着された金属線を上部から電気絶縁し、これらを粒子の堆積、擦傷、及び酸化から保護することが望ましい。したがって、上述のように、絶縁層の上面又は最も外面を（金属線がその上に形成される層が上に面していない場合）、パターニングされた電極上に例えば蒸着によって形成してもよい。ヒータ又はセンサの場合は、上述のように、ＢＣＢ及び／又はＮＮ１２０又はＳｉＯｘのスプレーコーティングによって、又はスプレー層とＳｉＯｘとの組合せによって絶縁層を堆積することができる。静電クランプの場合、上部絶縁層は絶縁耐圧も提供するので、クランプ圧及び層の積層体と基板との間のギャップを所望の値に調整できる。ある実施形態では、静電クランプ用の上部絶縁層は、ＢＣＢ、ＮＮ１２０（又はこれらの２つのスプレー材料の組合せ）でスプレーコーティングされたポリマー層、又はＳｉＯｘのみ、又はスプレーされたポリマー層とＳｉＯｘの組合せ、又はパリレン（ＣＶＤ）のみからなっている。上部絶縁層２０３の層厚は望ましくは約０．１μｍ以上であり、望ましくは約１μｍ以上である。ヒータ又はセンサの場合、上部絶縁層２０３の層厚は、望ましくは約１０μｍ未満であり、望ましくは約３μｍ未満である。静電クランプの場合は、上部絶縁層の層圧は、望ましくは約１００μｍ未満であり、望ましくは約２０μｍ未満である。ある実施形態では、厚さは約１０〜約６０μｍの範囲である。
【００７８】
[00119]  表２は、薄膜積層体の各々の構成層に適する材料の例を示す。各層は、列挙された材料の１つ、又は列挙された材料の２つ以上の組合せから形成されてもよい。
【表２】
2014225669.tif 000004
【００７９】
[00120]  表３は、塗布される層ごとの特定の機能と必要条件の例を示す。
【表３】
2014225669.tif 000005
【００８０】
[00121]  薄膜技術はヒータ及び／又はセンサの開発のためのオーバーレイの改善と費用効果の高い解決策をもたらす。金属パターンの設計は（マスクの設計を修正することによって）容易に修正できる。静電クランプでは、層の積層化によって、現在の基板クランプ製造プロセスで使用される危険なガラス接合ステップを回避できる。クランプはバールの間に構築できるので、ＳｉＳｉＣのバールを設けることができる。これは摩耗にとって有益である。プラチナ（Ｐｔ）金属層を使用する場合、Ｐｔ層の接着性を高めるために先ずチタンの接着層を塗布することができる。静電クランプの場合、抵抗が小さい適切などの金属も使用できる。
【００８１】
[00122]  ある実施形態では、平坦化層及び薄膜積層体は平坦なベース上に蒸着される。マスク又はフォトレジストを使用してバール用の穴が残されるか、又は平坦化層及び薄膜積層体をエッチングすることによって作製される。次にバールは穴の中で成長される。
【００８２】
[00123]  図２１は、図２０の基板ホルダ１００の平面図である。バール１０６と、パターニングされた金属、例えばＣｒの線が示されている。図２２は、ヒータ線２０２ａとセンサ線２０２ｂとを示す拡大図である。
【００８３】
[00124]  誘電体層はスプレーコーティング、スピンコーティング、及びＰＥＣＶＤ技術によって蒸着することができる。スプレーコーティングは、ＢＣＢ及び／又はＮＮ１２０の層などの（有機溶媒中に溶解された）ポリマーベースの層を蒸着するのに特に適している。このようなポリマー層は、谷部を充填することによってバール間のＳｉＳｉＣ表面を平坦化するために使用することができる。しかし、厚過ぎる層が蒸着されると、最初にスプレーされた層に（局所的な不純物による）ピンホールなどの表面の欠陥、及び（ほとんどの場合は層内に誘発される応力による）亀裂が生じることがある。異なる蒸着方法を組み合わせることによって、これらの表面の不完全さを軽減することができる。本発明のある実施形態では、インクジェット又はバブルジェット（登録商標）プリント技術を使用して層を塗布することができる。これによって層の厚さを局所的に制御することができ、これは、薄膜デバイスがその上に形成される、例えば基板ホルダなどの表面の輪郭、又は表面の粗さの局所的な変化を補正するのに有用である。１つ又は複数のこれらの技術によって、導電性インクを使用して導電層をパターニングすることが可能になる。１つの層の欠陥は別の層によって修復できるため、異なる材料及び／又は層形成技術を組み合わせることが望ましい。
【００８４】
[00125]  本発明のある実施形態が図２３に示されており、これは基板ホルダ１００の一部の断面図である。基板ホルダ１００の粗い表面の上部には、下記の層によって平坦化層１０８が形成される。第１の層６００は、上述のように例えばスプレーコーティング技術によって形成される。スプレーコーティングプロセスの後、第２の層６０１をＰＥＣＶＤ  ＳｉＯｘ層として蒸着することができる。第２の層は、場合によっては存在することがある第１の層内のピンホール及び粒子を被覆する。ＰＥＣＶＤ  ＳｉＯｘ層の後にＢＣＢの第３の層６０２がスプレーされ、ＳｉＯｘ内にピンホールがあればこの層６０２が充填する。特徴が異なる２つのプロセスを用いることによって、ピンホール及び粒子の影響は軽減又は最小限にされる。スプレーコーティングはギャップを充填し、ＣＶＤプロセスは粒子を被覆する。薄層のこのような積層化は（スプレー及びＰＥＣＶＤによる）、ピンホール及び粒子に対する強度と堅牢度を高めるために繰り返すことができる。本発明のある実施形態では、第１の層６００は例えばＰＥＣＶＤによって蒸着され、第２の層６０１はスプレー又はスピンコーティングによって形成される。本発明のある実施形態では、３つ以上の異なるタイプの層、例えば異なる成分又は異なる塗布方法の層を所望の順序で使用してもよい。電気コンポーネントを形成する薄膜積層体（図示せず）が平坦化層１０８の上部に備えられる。
【００８５】
[00126]  本発明のある実施形態が図２４に示されており、これは基板ホルダ１００の一部の断面図である。この実施形態は、ピンホール及び粒子に対する堅牢度を高める中間的な硬化ステップを有するＢＣＢがスプレーコーティングされた２つの層６０３、６０４から形成された平坦化層１０８を有している。この積層体は、（上記実施形態と同様に）基板の粗さと表面の不完全さを充填するためにスプレーコーティングされた第１の層６０３からなっている。所望の誘電特性を得るために、バール間の層は硬化される。第１の層内にピンホールがあれば、第２のＢＣＢ層がスプレーされ、硬化される際に充填される。ピンホールが生じる可能性を軽減するためにこのプロセスを繰り返すことができる。平坦化層１０８の上部に電子コンポーネントを形成する薄膜積層体（図示せず）が備えられる。
【００８６】
[00127]  プロセスの特徴付けのため、厚さ２０μｍの２つのＢＣＢ層から形成されたＳｉ基板上の４０ミクロンのＢＣＢ層で、中間のベーキングステップを伴う電圧破壊試験が実施された。測定の結果、このように積層された４０μｍのＢＣＢ層では、７ＫＶを超える電圧破壊強度が示された。
【００８７】
[00128]  本発明のある実施形態が図２５に示されており、これは基板ホルダ１００の一部の断面図である。この実施形態は、上記方法のいずれかによって形成可能な平坦化層１０８を有している。平坦化層１０８の上部には、平坦化層１０８の上に第１の絶縁層２０１、第１の金属層（例えば金属線）２０２、第２の絶縁層２０３、第２の金属層（例えば金属線）２０４、及び第３の絶縁層２０５をこの順に備える薄膜積層体２００が形成されている。これらの各層は、上記適切な方法で形成することができる。別の金属層及び別の絶縁層を設けることもできる。この実施形態では、２つ以上の金属層の積層体を使用することによって、例えばセンサなどの２つ以上の積層コンポーネントを形成することが可能になる。積層されたセンサによってノイズからの絶縁性が高まる。ある実施形態では、１つ又は複数金属層が別の層内の１つ又は複数の信号線のためのシールドとして作用することができる。
【００８８】
[00129]  本発明のある実施形態が図２６に示されており、これは基板ホルダ１００の一部の断面図である。この実施形態は、上記のいずれかの方法で形成可能な平坦化層１０８を有している。薄膜積層体２００は、第１の絶縁層２０１と第２の絶縁層２０３とを備えている。その間に、例えば第１の絶縁層と第２の絶縁層２０１と２０３との間に電子コンポーネント２０６、２０７が挟持される。基板上の単一の層内に複数のコンポーネントを形成してもよい。ある実施形態では、各コンポーネント２０６、２０７は、複数の層、例えば使用される各層に言及すると金属、非晶質シリコン、金属の層によって形成される。ある実施形態では、１つ又は複数のコンポーネント２０６、２０７がトランジスタ又はその他の論理デバイスを形成する。このような論理デバイスは、各ヒータへの個々の接続を必要とせずに、基板ホルダの表面にわたって配置されたヒータアレイを制御するために使用できる。トランジスタは、ワード線とビット線との交差点に配置することができ、各々が関連するヒータに接続されてアクティブマトリクスを形成する。
【００８９】
[00130]  図２７Ａ〜図２７Ｅは、本発明のある実施形態によるセンサを概略的に示す。温度センサ３００はその最も簡単な形態では、基板ホルダ上に配置された導電ループを備えている。これは、導電ループ３０２がコネクタ３０１に接続されていることを示す図２７Ａに示されている。導電ループ３０２は、例えばプラチナなどの正の抵抗温度係数を有する材料、又は負の抵抗温度係数を有する材料から形成されてもよい。基板ホルダの温度が変化すると、導体３０２の抵抗も変化する。これは例えば、ホイートストンブリッジを使用して測定することができ、それによってセンサ３０２の位置にある基板ホルダの温度を判定することができる。
【００９０】
[00131]  図２７Ａに示す配置構成では、導電ループ３０２は、陰影で示すかなりの領域を囲んでいる。したがって、導電ループ３０２が測定信号にノイズを生じる干渉をピックアップし、温度測定を妨害することがある。実際の実施形態では、基板ホルダの環境は、基板テーブルを位置決めするために使用される強力な電磁モータがあるため、電磁ノイズが生じる公算が高い。電磁場は１０ｋＨｚ未満の周波数を有することがあり、これをシールドすることは困難である。僅かな信号の検出を含め、例えば約５０μＫの僅かな温度変化をも検出することが望ましい。したがって、ノイズのピックアップを制限し、及び／又はこれをフィルタリングすることが望ましい。
【００９１】
[00132]  図２７Ｂに示すある実施形態では、導体は、僅かな間隔で離間された外側導体３０３と内側導体３０４とを有する二重Ｕ字形状で配置されている。望ましくは、外側導体３０３と内側導体３０４との間隔は、どのポイントでも５００μｍ以上ではなく、望ましくは２００μｍ以下であり、又は望ましくは１００μｍ以下である。内側と外側の両方の導体３０４、３０３は実質的に同一面上にあり、端部で接続された連続する導電路を形成する。図２７Ａの実施形態と比較して、図２７Ｂの導体は、図２７Ｂに陰影で示されるより小さい領域を囲んでおり、したがって、ピックアップする電磁ノイズも少ない。
【００９２】
[00133]  図２７Ｃに示すように、図２７Ｂのセンサに「ツイスト」又は交差部３０６を設けてもよい。交差部３０６で、センサ３００の行きと帰りの導体が互いにすれ違うが、電気的に接触することはない。したがって、センサは実際には逆方向に巻回された２つのセグメント３０５、３０７に分割されている。したがって、電磁場にある一定の変化があると２つのセグメントに逆方向の電流が誘発される。２つのセグメントによって囲まれる、図では陰影で示される領域ｐ、ｑ内の電磁場に同じ変化が生じると、誘発されたノイズは相殺される。干渉電磁場が著しく不均一である場合は、ノイズの相殺を改善するために複数の交差部３０６を設けることができる。交差部の数は、望ましくは、各向きに半分ずつ巻回された偶数のセグメントが生じるように奇数である。望ましくは、１方向の導電セグメントによって囲まれる領域全体の面積は、別の方向の導電セグメントによって囲まれる領域と実質的に等しい。望ましくは、隣接する導電セグメントが、面積が実質的に等しい領域を囲む。
【００９３】
[00134]  ノイズの低減は、基板ホルダ上の実質的に平行な２つの層内に配置される導体を備えるセンサを使用して達成可能である。図２７Ｄ及び図２７Ｅに例が示されている。図２７Ｄの実施形態では、センサ３００は、コネクタ３０１から延び、基板ホルダの表面と実質的に平行な第１の層内に配置された第１の導体３０８を備えている。この導体は、Ｕ字形を形成し、基板ホルダの平面と実質的に平行な第２の層内に配置された第２の導体３１０に接続する垂直の導体又はビア３０９に接続されている。第２のＵ字形の導体３１０の第１の垂直部は第１の導体３０８と実質的に平行に、且つこれと重畳して配置されている。第２の垂直の導体又はビア３１１は、Ｕ字形の導体３１０の他端を、第１の導体３０８と実質的に同じ層内に配置された第３の導体３１２に接続する。第３の導体３１２はコネクタ３０１に戻る導電路を完結させる。図２７Ｄの配置構成には、基板ホルダの平面に実質的に垂直な電磁場からの干渉を相殺する効果がある。望ましくは、図２７Ｄでは陰影で示される、第２のＵ字形の導体３１０内の領域ｑの面積は、図２７Ｄに陰影で示される、第１の導体３０８と第３の導体３１２との間の領域ｐに実質的に等しい。
【００９４】
[00135]  干渉場が基板ホルダの平面と実質的に平行な場合に効果がある別の配置構成が図２７Ｅに示されている。この実施形態では、センサ３００は、基板ホルダ上の縦方向に離間した層内に配置された実質的に重畳している２つのＵ字形導体３１３、３１５を備えている。各導体の一端はコネクタ３０１に接続され、他端は垂直の導体又はビア３１４によって連結されている。領域ｐ内の電磁場の変化によって誘発されるノイズ電流は、領域ｑ内の電磁場の変化によって誘発されるノイズ電流によって少なくとも部分的に相殺される。
【００９５】
[00136]  基板ホルダの平面と垂直な平面内の上述のセンサの断面図が図２８Ａ〜図２８Ｄに示されている。断面位置はＡ−Ａ線で示される。図２８Ａは、図２７Ａのセンサの導体３０２の１つのアームの断面を示している。導体３０２が、基板ホルダの本体１００の上方の平坦化層１０８上に配置され、絶縁層２０３によって覆われていることが分かる。図２８Ｂは、図２７Ｂのセンサの導体３０３、３０４の断面であり、これらの導体が基板ホルダ上の単一層内に並置されていることを示している。図２７Ｃのセンサの１つのアームの断面も同様である。
【００９６】
[00137]  図２７Ｄの二層センサ構造の断面が図２８Ｃに示されている。両方のアームの図２７Ｅの二層センサ構造の断面が図２８Ｄに示されている。この図では、２つの層の導体が重畳して配置され、絶縁層２０３内に封入され、この層によって分離されていることが分かる。
【００９７】
[00138]  図２８Ｅ〜図２８Ｈは、電磁的に誘発されるノイズ電流からさらに絶縁するためのシールド層３１６を含むセンサを示す。シールド３１６は、図２８Ｅ〜図２８Ｈに示すように、上述のいずれかの形態のセンサに施すことができる。シールド３１６は、ケージ内の電磁場を低減又は除去するためにファラデーケージのように作用する。その効果は同軸ケーブル内のシールドの効果と同等である。望ましくは、シールド３１６は、センサ３００の実質的にすべてを完全に囲む。ある実施形態では、シールド３１６は、例えばコネクタ３０１を介してアースに接続される。ある実施形態では、シールド３１６は、基板ホルダに電流を通すことによって基板ホルダの温度を局所的に制御する電気ヒータとして使用される。
【００９８】
[00139]  本発明のある実施形態に使用できる別のセンサが図２９に示されている。このセンサは、コネクタ３０１から離れ、複数の巻回、又はスイッチバックを含む渦巻き形経路を辿り、次に実質的に平行であるが僅かにずれた経路を介してコネクタ３０１に戻る単一の導体を各々が含む２つのセンサセグメント３１７、３１８を備えている。２つの導体は、基板ホルダ上の単一層内で互いに近接しているが交差はしない。導体３１７は、図２９では右に傾いた斜線で示される、複数の巻回と転換点とを有する複雑な巻線の形状の領域３１７ａを囲んでいることが分かる。第２の導体３１８も同様に、図２９では左に傾いた斜線で示される、大部分は第１の導体３１７の巻回内に位置する同様に複雑な、又は渦巻き形の形状を採用する領域３１８ａを囲んでいる。
【００９９】
[00140]  コネクタ３０１内で、各導体３１７、３１８の一端はそれぞれの接触パッド３１９、３２１に接続されている。別の導体３２０が接触パッド３１９の周囲に巻き付けられ、導体３１９、３１８の他端を互いに接続する。追加のループ導体３２２は、接触パッド３２１と導体３１８とを接続するために使用される。ループ導体３２０及び３２２の配置構成は、導体内に誘発されるノイズを低減、又は最小にし、導体３１７、３１８が逆方向に確実に接続されるような配置である。これは、電磁場にある一定の変化があると、導体３１７と３１８に逆方向の電流が誘発されることを意味する。領域３１７ａ、３１８ａは実質的に等しく、互いに近接し、相互に絡み合っているので、導体３１７、３１８内に誘発されるノイズ電流は極めてほぼ正確に相殺される。
【０１００】
[00141]  図３０は、本発明のある実施形態で使用可能なセンサシステムを示している。渦巻き形の導電性トラックにより形成されるセンサ３００ａは基板ホルダ上に形成される。センサは、平坦な可撓性相互接続３２３によってセンサ回路に接続されている。図３１に示すように、センサ３００ａは渦巻き形の形態を有し、交互配置された２つの電極３３０、３２９を有している。１つの電極３２９は、その抵抗を測定するように配置されたホイートストンブリッジ３２５に接続されている。出力信号は増幅器３２６によって増幅され、加算器３２８の正の入力に供給される。もう１つの電極３３０は、増幅器３２６の出力の振幅と適合する振幅を有する信号を出力する可変増幅器３２４に接続されている。増幅器３２４の出力は、加算器３２８の負の入力に接続されている。実際には、電極３３０はノイズ信号だけをピックアップし、次にこの信号は電極２２９から生成される信号から減算され、温度変化のみを示す信号が残される。
【０１０１】
[00142]  可撓性コネクタ３２３は、センサ３００ａの各端子用の直線状導体を有する平坦なケーブルとして示されている。しかし、電磁ノイズを低減し、又は最小にするために、複数のトラック、シールド、及び／又はツイストを可撓性コネクタ３２３に適用することができる。用途に応じて、可撓性コネクタ３２３の長さは５０〜１５００ｍｍの間であってよい。可撓性コネクタ３２３は、ある実施形態では、フレキシブル基板上に導電性トラックをプリントすることによって形成される。
【０１０２】
[00143]  図３２は、本発明のある実施形態で使用される測定回路４００を示す。ＤＣ又はＡＣ電圧源４０１は、センサ抵抗３００と基準抵抗４０２、４０３、４０５とによって形成されるホイーストンブリッジの両端に電圧を印加する。ブリッジの中間にかかる信号は、例えば約１００の利得で増幅器４０６によって増幅され、アナログ−デジタル変換器４０７によってデジタル化される。ＡＤＣ４０７の出力は、装置５００全体の制御システムと通信するインターフェイス４０８に供給される。
【０１０３】
[00144]  本発明のある実施形態のより詳細な配置構成は、図３３に示されている。基板１００の１つの表面には、バール１０６の間に抵抗加熱要素２５０が備えられている。加熱要素２５０は、基板ホルダ及びその上に保持されている基板の温度を局所的に制御するために、個々に制御可能なセグメントに分割される。加熱要素２５０は蛇行経路を有し、図３３にはその一部だけが示されている。上述のように、交互配置された２つの導電ループを備える温度センサ３００は、加熱要素２５０の巻回内に配置されている。
【０１０４】
[00145]  センサ構造３００は、電磁ノイズを低減し、又はそのピックアップを最小限にするように微調整することができる。このことは、磁場の勾配が矢印△Ｈで示される方向にあるような状況で使用されることを意図するセンサ３００ｂを示す図３４に示されている。センサ３００ｂでは、導体３２９、３３０の最も内側の巻回３２９ａ及び３３０ａの位置は、各導体に囲まれた領域の中心領域が所望の位置、例えば線Ｂ−Ｂ’上にあることを確実にするのに役立つように調整される。
【０１０５】
[00146]  本発明のある実施形態で使用可能な測定回路が図３５に示されている。ＤＣ基準電圧源４０１が、制御４１０によって交互の極性の基準電圧を交互に印加するスイッチ４０９を介して、１つのセンサ導体３２９と、定格抵抗が同じ基準抵抗３３２との直列の組合せの両端に印加される。基準電圧の半分が、別のセンサ導体３３０と、回路を調整するために使用される調整可能抵抗３３１との並列の組合せの両端に印加される。演算増幅器、又は計器増幅器４０６の高インピーダンス入力４０６ａ、及び４０６ｂがそれぞれの導体３２９、３３０の一端に接続される。次に演算増幅器４０６の出力が、ノイズを低減し、又は除去する周知の形態の同期検出器に供給される。同期検出器はハードウェア又はソフトウェアで実施可能である。コントローラ５００用のデジタル信号を生成するためのアナログ−デジタル変換器を備えることもできる。
【０１０６】
[00147]  図３６は、遠隔回路を基板ホルダ上に備えられたセンサ導体３２９、３３０に接続するために可撓性コネクタ３２３を使用した図３５の回路の実施態様をより詳細に示している。可撓性コネクタ３２３を投入すること以外は、図３６の回路は図３５の回路と位相幾何学的に等価である。抵抗４１１、４１２によって形成される分圧器によってＶｒｅｆ／２が供給される。
【０１０７】
[00148]  試験構造の出力信号が図３７に示されており、Ｘ軸は時間を任意単位で表し、Ｙ軸は信号出力を任意単位で表している。比較的高いノイズレベルが存在することが容易に分かる。グラフの中間部では、センサの１ミリケルビンの温度変化の影響をシミュレートするために僅かな電圧変化が適用される。この変化は、一定のＤＣ電圧を使用し、同期検出はなされない配置構成による結果を表す上の（細い）線と比較して、交流電圧と同期検出とを使用した結果を表す下の（太い）線の方が検出し易い。ノイズレベルをさらに低下させるためにアナログローパスフィルタを追加することができる。
【０１０８】
[00149]  図３８Ａ及び図３８Ｂは、本発明のある実施形態で使用可能な２つの形態の可撓性コネクタを示している。図３８Ａに示す可撓性コネクタ３２３の場合は、各々の導電路は、フレキシブル基板３２３ｃ上に配置された導電材料３２３ａ、３２３ｂの単一の連続領域として形成される。図３８Ｂでは、各々の導電路は、交互配置され、端部で互いに接続された幾つかの別々のストリップ３２３ｄに分割されている。図３９Ａ及び図３９Ｂは、図３８Ａ、図３８Ｂにそれぞれ示されている導体の電磁放射をピックアップする有効領域を示している。図３８Ｂのマルチトラックの交互配置されたコネクタは実際により小さい領域を呈示し、したがってピックアップする電磁ノイズが少ないことが分かる。
【０１０９】
[00150]  図４０及び図４１は、本発明のある実施形態で使用可能な異なる２つのセンサ配置構成に誘発されるノイズ電流の周波数スペクトルを示している。図４０では、２つのセンサ構造が図４３のように同相で接続されているのに対し、図４１では、２つのセンサ構造は図４２のように逆相で接続されている。図４０のノイズスペクトルは基本周波数とその高調波において局所的な給電から派生するピークを有し、且つコイルを使用して実験目的で故意に印加される固有周波数においてピークを有することが分かる。図４１では、局所的な給電に誘発されるノイズ電流と故意に誘発されるノイズの双方が効果的に抑制されていることが分かる。
【０１１０】
[00151]  本発明のある実施形態では、電磁干渉の抑制を向上させ、又は最大限にし、又は利得を最適化するようにセンサ回路を配置することができる。適切な回路は図４２及び図４３にそれぞれ示されている。これらの両方の図では、電圧源４０１はゼーベック効果、１／ｆノイズ、及びドリフトを補償するために交流電圧を供給する。図４２と図４３の両方の回路では、増幅器、アナログ−デジタル変換器、及びその他のインターフェイス回路が図示する開端子に接続されている。
【０１１１】
[00152]  図４２では、抵抗値が等しい抵抗４５３、４５４と演算増幅器４５２とによって形成された分圧器が、電圧源４０１に出力の半分の基準電圧を供給する。センサ導体３３０によって与えられるノイズ信号のレベルを調整するために可変抵抗４５５が使用され、これはそれによってノイズ基準信号を提供する。第１のセンサ導体３２９及び基準抵抗４５１は電圧源４０１の両端に直列に接続されている。それによって、第１のセンサ３２９と基準抵抗４５１との接合部での電圧と、浮動基準電圧との間で取出された出力信号は、ノイズが低減された信号を提供する。電磁ノイズは両方の出力端子で同じ変化を引き起こし、したがって相殺する。
【０１１２】
[00153]  図４３では、第１及び第２のセンサ導体３２９、３３０が、基準抵抗４５６、４５７を有するホイートストンブリッジ配置構成で対角的に互いに対向して配置されている。そのため、ブリッジの中間部に供給される出力信号は２倍の利得を有するが、ノイズ誘発電圧も２倍になる。
【０１１３】
[00154]  上記実施形態では、センサ導体は実質的に直角の隅を有して配置されている。ある実施形態では、鋭角及び鈍角の隅を使用してもよい。導体は湾曲状態で配置されてもよい。上記実施形態では、２つのセンサからの信号は、電磁干渉を低減し、又は最小にするためにアナログ領域で結合される。２つのセンサ電極からの信号を別々にデジタル化し、ソフトウェアで電磁干渉を除去することができる。
【０１１４】
[00155]  上記任意のフィーチャを任意の他のフィーチャと一緒に使用することができ、本出願が対象とするのは明示された組合せに限定されないことを理解されたい。
【０１１５】
[00156]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどのマイクロスケール、さらにはナノスケールのフィーチャを有するコンポーネントの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【０１１６】
[00157]  本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射及び極端紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、１２６ｎｍ、１３．５ｎｍ若しくは６．５ｎｍ又はこれら辺りの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
【０１１７】
[00158]  「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組合せを指す。
【０１１８】
[00159]  これまで本発明の特定の実施形態を記載したが、少なくとも本明細書に記載の装置の動作方法の形態については、記載した以外の別の態様で本発明を実施してもよいことを理解されたい。例えば、少なくとも本明細書に記載の装置の動作方法の形態については、本発明の実施形態は、上記のような装置の動作方法を記載する機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含む１つ又は複数のコンピュータプログラム、又は、このようなコンピュータプログラムを内蔵するデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気、又は光ディスク）の形態をとってもよい。さらに、機械読み取り式命令を２つ以上のコンピュータプログラムで実施してもよい。２つ以上のコンピュータプログラムを、１つ又は複数の異なるメモリ及び／又はデータ記憶媒体に格納してもよい。
【０１１９】
[00160]  本明細書に記載のどのコントローラも、１つ又は複数のコンピュータプログラムが、リソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネント内に配置された１つ又は複数のコンピュータプロセッサによって読み取られる場合は、個別に、又は組み合わせて動作可能であってもよい。コントローラは個別に、又は組み合わせて、信号を受信し、処理し、送信する任意の適切な構成を有してもよい。１つ又は複数のプロセッサは、コントローラの少なくとも１つと通信するように構成される。例えば、各コントローラは、上記装置の動作方法のための機械読み取り式命令を含むコンピュータプログラムを実行する１つ又は複数のプロセッサを含んでもよい。コントローラはこのようなコンピュータプログラムを格納するデータ記憶媒体、及び／又はこのような媒体を受け取るハードウェアを含んでもよい。このように、１つ又は複数のコントローラは、１つ又は複数のコンピュータプログラムの機械読み取り式命令に従って動作してもよい。
【０１２０】
[00161]  本発明は、直径が３００ｍｍ、４５０ｍｍ又はその他の任意のサイズの基板に適用し得る。
【０１２１】
[00162]  本発明の１つ又は複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に液浸液が槽の形態で提供されるか、基板の局所的な表面領域のみに提供されるか、基板及び／又は基板テーブル上に閉じ込められないかにかかわらず、上述したタイプに適用することができるが、それに限定されない。閉じ込められない構成では、液浸液は基板及び／又は基板テーブルの表面上を流れることができ、したがって実質的に基板テーブル及び／又は基板の覆われていない表面全体が濡れる。このように閉じ込められていない液浸システムでは、液体供給システムが液浸液を閉じ込めることができない、又はある割合の液浸液閉じ込めを提供することができるが、実質的に液浸液の閉じ込めを完成しない。
【０１２２】
[00163]  本明細書で想定するような液体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、これは、液体を投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に提供する機構又は構造の組合せでよい。これは、１つ又は複数の構造、１つ又は複数の液体入口、１つ又は複数の気体入口、１つ又は複数の気体出口、及び／又は液体を空間に提供する１つ又は複数の液体出口の組合せを備えてよい。ある実施形態では、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの一部でよいか、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの表面を完全に覆ってよいか、空間が基板及び／又は基板テーブルを囲んでよい。液体供給システムは任意選択で、液体の位置、量、品質、形状、流量又は任意の他の特徴を制御する１つ又は複数の要素をさらに含むことができる。
【０１２３】
[00164]  上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
【図１】
2014225669.tif 000006
【図２】
2014225669.tif 000007
【図３】
2014225669.tif 000008
【図４】
2014225669.tif 000009
【図５】
2014225669.tif 000010
【図６】
2014225669.tif 000011
【図７】
2014225669.tif 000012
【図８】
2014225669.tif 000013
【図９】
2014225669.tif 000014
【図１０】
2014225669.tif 000015
【図１１】
2014225669.tif 000016
【図１２】
2014225669.tif 000017
【図１３】
2014225669.tif 000018
【図１４】
2014225669.tif 000019
【図１５】
2014225669.tif 000020
【図１６】
2014225669.tif 000021
【図１７】
2014225669.tif 000022
【図１８】
2014225669.tif 000023
【図１９】
2014225669.tif 000024
【図２０】
2014225669.tif 000025
【図２１】
2014225669.tif 000026
【図２２】
2014225669.tif 000027
【図２３】
2014225669.tif 000028
【図２４】
2014225669.tif 000029
【図２５】
2014225669.tif 000030
【図２６】
2014225669.tif 000031
【図２７Ａ】
2014225669.tif 000032
【図２７Ｂ】
2014225669.tif 000033
【図２７Ｃ】
2014225669.tif 000034
【図２７Ｄ】
2014225669.tif 000035
【図２７Ｅ】
2014225669.tif 000036
【図２８Ａ】
2014225669.tif 000037
【図２８Ｂ】
2014225669.tif 000038
【図２８Ｃ】
2014225669.tif 000039
【図２８Ｄ】
2014225669.tif 000040
【図２８Ｅ】
2014225669.tif 000041
【図２８Ｆ】
2014225669.tif 000042
【図２８Ｇ】
2014225669.tif 000043
【図２８Ｈ】
2014225669.tif 000044
【図２９】
2014225669.tif 000045
【図３０】
2014225669.tif 000046
【図３１】
2014225669.tif 000047
【図３２】
2014225669.tif 000048
【図３３】
2014225669.tif 000049
【図３４】
2014225669.tif 000050
【図３５】
2014225669.tif 000051
【図３６】
2014225669.tif 000052
【図３７】
2014225669.tif 000053
【図３８Ａ】
2014225669.tif 000054
【図３８Ｂ】
2014225669.tif 000055
【図３９Ａ】
2014225669.tif 000056
【図３９Ｂ】
2014225669.tif 000057
【図４０】
2014225669.tif 000058
【図４１】
2014225669.tif 000059
【図４２】
2014225669.tif 000060
【図４３】
2014225669.tif 000061
【図４４】
2014225669.tif 000062
【図４５】
2014225669.tif 000063
【図４６】
2014225669.tif 000064
【外国語明細書】
2014225669000001.pdf