(57)【要約】【課題】ＥＡ変調器集積レーザのＥＡ変調器部の放熱性を高めることを目的とする。【解決手段】半導体光素子１０は、電界吸収型変調器２４が形成された基板２２と、基板２２に設けられた、電界吸収型変調器２４の活性層３４を含むメサストライプ構造３２と、メサストライプ構造３２の両側に形成された埋め込み層３８と、メサストライプ構造３２及び埋め込み層３８の上に設けられたパッシベーション膜４８と、電界吸収型変調器２４を駆動するための電圧信号が印加される電極４２と、電極４２から電気的に分離された放熱体５２と、を有する。パッシベーション膜４８は、開口５０を有する。放熱体５２は、埋め込み層３８の上面に接触してパッシベーション膜４８の開口５０から露出するように配置されている。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界吸収型変調器を備えた半導体光素子であって、
前記電界吸収型変調器が形成された基板と、
前記基板に設けられた、前記電界吸収型変調器の活性層を含むメサストライプ構造と、
前記メサストライプ構造の両側に形成された埋め込み層と、
前記メサストライプ構造及び前記埋め込み層の上に設けられたパッシベーション膜と、
前記電界吸収型変調器を駆動するための電圧信号が印加される電極と、
前記電極から電気的に分離された放熱体と、
を有し、
前記パッシベーション膜は、開口を有し、
前記放熱体は、前記埋め込み層の上面に接触して前記パッシベーション膜の前記開口から露出するように配置されていることを特徴とする半導体光素子。
【請求項２】
請求項１に記載された半導体光素子であって、
前記放熱体は、前記電極よりも表面積が大きいことを特徴とする半導体光素子。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された半導体光素子であって、
前記放熱体は、前記メサストライプ構造の幅よりも大きい長さで、前記メサストライプ構造及び前記電極から離れていることを特徴とする半導体光素子。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載された半導体光素子であって、
前記埋め込み層は、窪みを有し、
前記窪みに前記放熱体が配置されていることを特徴とする半導体光素子。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載された半導体光素子であって、
前記放熱体は、前記電極よりも厚く形成されていることを特徴とする半導体光素子。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載された半導体光素子であって、
前記放熱体は、貫通しない穴又は溝を有することを特徴とする半導体光素子。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載された半導体光素子であって、
前記放熱体は、幅よりも高さが高い柱状の形状を有する半導体光素子。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載された半導体光素子であって、
前記放熱体は、上方に突出する凸部を有することを特徴とする半導体光素子。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載された半導体光素子であって、
前記放熱体の底面は、前記メサストライプ構造から離れるにつれて前記基板から離れるように傾斜していることを特徴とする半導体光素子。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項に記載された半導体光素子であって、
前記放熱体は、前記埋め込み層を貫通しておらず、前記基板から、前記メサストライプ構造の幅以上離れていることを特徴とする半導体光素子。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか１項に記載された半導体光素子であって、
前記パッシベーション膜は、前記埋め込み層の側面を覆わないように形成され、
前記放熱体は、前記埋め込み層の前記側面から露出していることを特徴とする半導体光素子。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか１項に記載された半導体光素子であって、
前記電界吸収型変調器とモノリシックに集積されたレーザーダイオードをさらに備えることを特徴とする半導体光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
本技術分野の背景技術として、特許文献１には、光半導体素子における第１の光導波路領域の上面であって第１の光導波路領域とは電気的に分離された領域と金属パターンとの間を接続する１つまたは複数の熱伝導部材を有する光半導体装置が記載されている。これは、波長可変レーザにおいて、ヒータからの熱を屈折率変化部に効率良く伝えるためのワイヤと、屈折率変化部における光導波路近傍に配置された、前述のワイヤに接続するパッドを備えた構造に関するものである。
【０００３】
また、別の背景技術として、特許文献２の要約の欄には、「ＥＡ−ＤＦＢ１００には、ＥＡ変調器領域１０２の光導波路１２０両脇に金属薄膜１８２が形成されている。金属薄膜１８２は、光導波路１２０の光入力端１２０ａ付近で局所的に大きな光吸収が生じた場合に当該光入力端１２０ａ付近を冷却するとともに、光導波路１２０全体を冷却する。」と記載されている。これは、電界吸収効果型（ＥＡ）変調器の光導波路両脇に金属薄膜を有する構造を開示したものである。その効果は、光吸収層において、光吸収が生じた場合、光吸収層を冷却するというものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２７３８８３号公報
【特許文献２】特開２００１−１４２０３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＥＡ変調器集積レーザにおいて、ＥＡ変調器部の活性層における光吸収にともない、光電流が発生して、発熱するため、レーザ特性指標の一つである３ｄＢ帯域の劣化が起こる。
【０００６】
特許文献１は、ＥＡ変調器集積レーザではなく、波長可変レーザであるため、ワイヤと電極パッドの接続構造を用いることで、温度調整の効率を上げることができる。これにより、発振波長をより正確に制御することができる光半導体素子および光半導体装置を提供することが可能になる。ワイヤと電極パッドの接続構造体は、レーザ発振器部と電気的に分離された構造であってもよいとされる。この構造は、レーザ発振器部に印加される電流の安定性を確保するためのものである。
【０００７】
仮に、この構造をＥＡ変調器部に導入した場合、ＥＡ変調器に接続された高周波を伝送するワイヤとの間で相互インダクタンスが発生することになる。このため、高速変調により、ＥＡ変調器は伝熱用ワイヤから干渉を受け、高周波特性を劣化させることになる。従って、特許文献１の技術は、ＥＡ変調器集積レーザには適用することができない。
【０００８】
次に、特許文献２の技術は、光電流に起因した熱を金属板が吸熱し、光導波路全体を冷却するというものである。この目的は、変調器部の温度向上による光導波路の破損を防止するというものである。ペルチェ素子のような温度調節装置のない特許文献２の構造では、金属板が光導波路と水平の位置に埋めこまれ、金属板が外気にさらされていないため、金属板が吸収した熱の放出効率は低く、ＥＡ変調器の放熱性を高める構造とはならない。
【０００９】
本発明は、ＥＡ変調器集積レーザのＥＡ変調器部の放熱性を高めることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
（１）本発明に係る半導体光素子は、電界吸収型変調器を備えた半導体光素子であって、前記電界吸収型変調器が形成された基板と、前記基板に設けられた、前記電界吸収型変調器の活性層を含むメサストライプ構造と、前記メサストライプ構造の両側に形成された埋め込み層と、前記メサストライプ構造及び前記埋め込み層の上に設けられたパッシベーション膜と、前記電界吸収型変調器を駆動するための電圧信号が印加される電極と、前記電極から電気的に分離された放熱体と、を有し、前記パッシベーション膜は、開口を有し、前記放熱体は、前記埋め込み層の上面に接触して前記パッシベーション膜の前記開口から露出するように配置されていることを特徴とする。本発明によれば、放熱体によって電界吸収型変調器の放熱性を高めることができる。また、放熱体が電極から電気的に分離されているので、３ｄＢ帯域を劣化させない。
【００１１】
（２）（１）に記載された半導体光素子であって、前記放熱体は、前記電極よりも表面積が大きいことを特徴としてもよい。
【００１２】
（３）（１）又は（２）に記載された半導体光素子であって、前記放熱体は、前記メサストライプ構造の幅よりも大きい長さで、前記メサストライプ構造及び前記電極から離れていることを特徴としてもよい。
【００１３】
（４）（１）から（３）のいずれか１項に記載された半導体光素子であって、前記埋め込み層は、窪みを有し、前記窪みに前記放熱体が配置されていることを特徴としてもよい。
【００１４】
（５）（１）から（４）のいずれか１項に記載された半導体光素子であって、前記放熱体は、前記電極よりも厚く形成されていることを特徴としてもよい。
【００１５】
（６）（１）から（５）のいずれか１項に記載された半導体光素子であって、前記放熱体は、貫通しない穴又は溝を有することを特徴としてもよい。
【００１６】
（７）（１）から（６）のいずれか１項に記載された半導体光素子であって、前記放熱体は、幅よりも高さが高い柱状の形状を有する半導体光素子。
【００１７】
（８）（１）から（７）のいずれか１項に記載された半導体光素子であって、前記放熱体は、上方に突出する凸部を有することを特徴としてもよい。
【００１８】
（９）（１）から（８）のいずれか１項に記載された半導体光素子であって、前記放熱体の底面は、前記メサストライプ構造から離れるにつれて前記基板から離れるように傾斜していることを特徴としてもよい。
【００１９】
（１０）（１）から（９）のいずれか１項に記載された半導体光素子であって、前記放熱体は、前記埋め込み層を貫通しておらず、前記基板から、前記メサストライプ構造の幅以上離れていることを特徴としてもよい。
【００２０】
（１１）（１）から（１０）のいずれか１項に記載された半導体光素子であって、前記パッシベーション膜は、前記埋め込み層の側面を覆わないように形成され、前記放熱体は、前記埋め込み層の前記側面から露出していることを特徴としてもよい。
【００２１】
（１２）（１）から（１１）のいずれか１項に記載された半導体光素子であって、前記電界吸収型変調器とモノリシックに集積されたレーザーダイオードをさらに備えることを特徴としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体光素子を有する半導体光モジュールを示す平面図である。
【図２】図１に示す半導体光モジュールのII−II線断面図である。
【図３】放熱体無しの場合と放熱体の放熱効果が最大の場合のＳ２１を比較した図である。
【図４】本発明の実施形態の第１変形例を説明するための図である。
【図５】本発明の実施形態の第２変形例を説明するための図である。
【図６】本発明の実施形態の第３変形例を説明するための図である。
【図７】本発明の実施形態の第４変形例を説明するための図である。
【図８】本発明の実施形態の第５変形例を説明するための図である。
【図９】本発明の実施形態の第６変形例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
【００２４】
図１は、本発明の実施形態に係る半導体光素子を有する半導体光モジュールを示す平面図である。図２は、図１に示す半導体光モジュールのII−II線断面図である。
【００２５】
半導体光モジュールは、半導体光素子１０、サブマウント１２及びコンデンサ１４を備える。サブマウント１２は、高周波線路１６と終端抵抗１８を備える。コンデンサ１４はサブマウント１２の上面に位置する。半導体光素子１０は、はんだ２０でサブマウント１２に接着されている。
【００２６】
半導体光素子１０は、基板２２を有し、電界吸収型変調器２４とレーザーダイオード２６をモノリシック集積した構造を有する。レーザーダイオード２６はＬＤ電極２８を備え、ＬＤ電極２８からコンデンサ１４にワイヤなどの導体３０が接続されている。
【００２７】
半導体光素子１０は、メサストライプ構造３２を有する。メサストライプ構造３２は、電界吸収型変調器２４からレーザーダイオード２６にまたがって基板２２に設けられている。メサストライプ構造３２は活性層３４を含む。メサストライプ構造３２の最上層はｐ型コンタクト層３６である。半導体光素子１０は、メサストライプ構造３２の埋め込み層３８を有する。活性層３４の両側に埋め込み層３８がある。
【００２８】
電界吸収型変調器２４は、電極４２を備える。電極４２には、電界吸収型変調器２４を駆動するための電圧信号が印加される。電極４２は、高周波線路１６とワイヤなどの導体４４で接続され、終端抵抗１８とワイヤなどの導体４６で接続されている。電極４２とメサストライプ構造３２とは電気的に分離している。
【００２９】
半導体光素子１０は、メサストライプ構造３２及び埋め込み層３８の上に、パッシベーション膜４８を有する。パッシベーション膜４８は、開口５０を有する。
【００３０】
半導体光素子１０は、電極４２から電気的に分離された放熱体５２を有する。放熱体５２は、埋め込み層３８の上面に接触してパッシベーション膜４８の開口５０から露出するように配置されている。放熱体５２は、メサストライプ構造３２の幅よりも大きい長さを以て、メサストライプ構造３２及び電極４２から離れている。放熱体５２は、埋め込み層３８を貫通しておらず、基板２２から、メサストライプ構造３２の幅以上離れている。これは、放熱体５２が基板２２まで達していた場合に、放熱体５２と例えばメサストライプ構造３２の上部の電極との間に埋め込み層３８を介した電流パスを形成することとなり、結果として静電容量が増加する恐れがあるからである。そのため本実施形態では、放熱体５２は基板２２に達していない。電界吸収型変調器２４は、複数の放熱体５２を備えるが、１つの放熱体５２だけを設けてもよい。放熱体５２は、電極４２と同じ素材でもよく、例えば、Ａｕ等の金属から構成される。放熱体５２はスパッタコーティングにより成膜されてもよく、また放熱性を高めることを目的として、厚みを持たせるためにメッキにより形成されてもよい。ここで、コーティング膜は、例えば、基板材料よりも熱伝導率の高い窒化アルミニウムなどである。放熱体５２は放熱性を高めるために、埋め込み層３８の結晶面と直接接している。
【００３１】
本実施形態によれば、放熱体５２によって電界吸収型変調器２４の放熱性を高めることができる。また、放熱体５２が電極４２から電気的に分離されているので、３ｄＢ帯域を劣化させない。電界吸収型変調器２４を駆動する電圧信号が印加される電極４２から放熱体５２が電気的に分離されているため、放熱体５２は、電界吸収型変調器２４の接地部分にはならない。このため、放熱体５２を電界吸収型変調器２４に付加することで、電界吸収型変調器２４の静電容量を増加させることがなく、３ｄＢ帯域を劣化させない。したがって、電界吸収型変調器２４部の放熱性を向上させることができ、３ｄＢ帯域を向上させる。電界吸収型変調器２４を駆動する電圧信号が印加される電極４２に接続された導体４４とのクロストークを防止するため、放熱体５２は導体４４にも接続されていない。
【００３２】
３ｄＢ帯域の確保は、40Gbit/s EA/DFB LD など高帯域が要求される半導体光素子１０に必須である。図３は、放熱体５２無しの場合と放熱体５２の放熱効果が最大の場合のＳ２１を比較した図である。40Gbit/s EA/DFB LDに対しては、約１ＧＨｚの３ｄＢ帯域向上が見込まれる。
【００３３】
次に、実施形態に係る半導体光素子１０の製造方法を説明する。
【００３４】
まず、レーザーダイオード２６の多層構造の一部となる多層を形成する（第１結晶成長）。すなわち、ｎ型ＩｎＰからなる基板２２上に、順に、活性層３４、ｐ型ＩｎＰキャップ層、及び、回折格子層を、有機金属気相成長法（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition：以下、ＭＯ−ＣＶＤと記す）によって形成する。ここで、活性層３４は、順に、ＩｎＧａＡｓＰからなる下側光ガイド層、ＭＱＷ層、ＩｎＧａＡｓＰからなる上側光ガイド層を積層することによって形成される。ＭＱＷ層は、ともに、ＩｎＧａＡｓＰからなる井戸層と障壁層を交互に積層することによって形成される。なお、ＭＱＷ層の井戸層には歪を導入する。このとき、レーザーダイオード２６の活性層３４のフォトルミネッセンス波長が１５５５ｎｍ付近になるように、ＭＱＷ層のＩｎＧａＡｓＰの組成を調整する。
【００３５】
そして、プラズマ気相成長法（Plasma Chemical Vapor Deposition：以下、プラズマＣＶＤと記す）によって窒化シリコン（ＳｉＮ）膜を形成し、その後、レーザーダイオード２６のメサストライプ構造３２となる領域のＳｉＮ膜をパターニングし、このＳｉＮ膜をマスクとして、ドライエッチング及びウェットエッチングによって、レーザーダイオード２６のメサストライプ構造３２となる領域を含む所定の領域以外の領域を除去する。
【００３６】
次に、電界吸収型変調器２４の多層構造の一部となる多層を形成する（第２結晶成長）。レーザーダイオード２６と同様に、ｎ型ＩｎＰからなる基板２２上に、活性層３４及びｐ型ＩｎＰキャップ層を、ＭＯ−ＣＶＤによって形成する。このとき、電界吸収型変調器２４の活性層３４のフォトルミネッセンス波長が１４９５ｎｍ付近になるように、ＭＱＷ層のＩｎＧａＡｓＰの組成を調整する。
【００３７】
そして、プラズマＣＶＤによってＳｉＮ膜を形成し、その後、電界吸収型変調器２４のメサストライプ構造３２となる領域のＳｉＮ膜をパターニングし、このＳｉＮ膜をマスクとして、ドライエッチング及びウェットエッチングによって、電界吸収型変調器２４及びレーザーダイオード２６それぞれのメサストライプ構造３２となる領域を含む所定の領域以外の領域を除去する。
【００３８】
さらに、導波路部の多層構造の一部を形成する（第３結晶成長）。第１及び第２結晶成長と同様に、電界吸収型変調器２４とレーザーダイオード２６の間に、パッシブな光導波路となるＩｎＧａＡｓＰ層を結晶成長する。この際に、電界吸収型変調器２４と導波路部の間、及び、導波路部とレーザーダイオード２６の間を、公知のバットジョイント技術により光学的に接続する。
【００３９】
その後、レーザーダイオード２６の回折格子層に、干渉露光法によって回折格子（grating）を形成することにより、回折格子が形成される。回折格子を形成後、さらに、電界吸収型変調器２４、導波路部及びレーザーダイオード２６の多層上面に、ｐ型ＩｎＰクラッド層、ｐ型コンタクト層３６、及び、ｐ型ＩｎＰキャップ層を形成する。ここで、ｐ型ＩｎＰクラッド層の層厚とｐ型コンタクト層３６の層厚の合計が、１．７μｍとなるようにし、前述の通り、ｐ型ドーパントとして、不純物にＺｎを用いる。なお、ｐ型ＩｎＰキャップ層はその後の工程において除去されるので、最終構造には残らない。
【００４０】
多層形成後、電界吸収型変調器２４、導波路部、及びレーザーダイオード２６の多層上面のうち、導波路領域の上方となる領域に、ＳｉＯ２膜を形成する。その後、ドライエッチング若しくはウェットエッチングによって、多層のうち、ＳｉＯ２膜が形成される領域以外の領域を、ｎ型ＩｎＰからなる基板２２の途中まで除去することにより、幅が１．３μｍであるメサストライプ構造３２を形成する。ここで、活性層３４の下面から１．８μｍさらに下方まで、ｎ型ＩｎＰからなる基板２２を除去することにより、活性層３４の高さが１．８μｍとなるメサストライプ構造３２が形成される。
【００４１】
メサストライプ構造３２を形成後、メサストライプ構造３２の両側に対して、Ｆｅが不純物として添加されるＩｎＰからなる埋め込み層３８を、ＭＯ−ＣＶＤを用いて形成する。この際、埋め込み層３８の厚みが７．０μｍとなるまで、埋め込み層３８を結晶成長させる。
【００４２】
さらに、メサストライプ構造３２の最上層であるｐ型コンタクト層３６のうち、導波路部の領域を、除去する。これにより、電界吸収型変調器２４のｐ型コンタクト層３６と、レーザーダイオード２６のｐ型コンタクト層３６とが、電気的に絶縁される。それゆえ、除去されることにより生じる溝は、アイソレーション溝と呼ばれている。
【００４３】
アイソレーション溝を形成後、ウェハ表面全体に、ＳｉＯ２からパッシベーション膜４８を形成する。パッシベーション膜４８は、電界吸収型変調器２４の電極４２のパッド部となる領域を含むように形成する。
【００４４】
その後、パッシベーション膜４８のうち、レーザーダイオード２６のＬＤ電極２８並びに電界吸収型変調器２４の電極４２及び放熱体５２を形成するための領域をウェットエッチングにより除去して、スルーホールを形成する。スルーホールを覆うように、公知のＥＢ（Electron Beam）蒸着法及びイオンミリング法により、ＬＤ電極２８及び電極４２並びに放熱体５２をそれぞれ形成する。前述の通り、電界吸収型変調器２４の電極４２の幅は９．７μｍとし、電極４２のパッド部は、４５μｍ角の正方形状とする。これに対して、レーザーダイオード２６のＤＦＢレーザのＬＤ電極２８は、メサストライプ構造３２の両側に広がる形状をしている。
【００４５】
その後、ウェハの下面を、ウェハが１００μｍ程度になるまで研磨加工し、ｎ型電極４２を形成し、ウェハ工程が完了する。さらに、ウェハをバー状に劈開し、電界吸収型変調器２４側の端面に反射防止膜を、レーザーダイオード２６側の端面に高反射膜を、それぞれ形成し、さらに、チップ状態に劈開することにより、半導体光素子１０は完成する。
【００４６】
実施形態に係る半導体光素子１０の電界吸収型変調器２４の活性層３４は、ＩｎＧａＡｓＰ系材料を用いているが、ＩｎＧａＡｌＡｓ系材料を用いて形成されていてもよい。
【００４７】
図４は、本発明の実施形態の第１変形例を説明するための図である。この例では、放熱体１５２は、電界吸収型変調器を駆動するための電圧信号が印加される電極（図示せず）よりも、表面積が大きくて厚く形成されている。
【００４８】
本変形例の製造プロセスでは、前記実施形態のアイソレーション溝形成後のパッシベーション膜１４８の形成まで、同等のプロセスを実施する。
【００４９】
パッシベーション膜１４８上にレジスト（図示せず）を塗布する。その後、放熱体１５２を埋め込む領域のレジストを除去するようにパターニングし、ウェットエッチングによって、パッシベーション膜１４８を除去する。レジストを除去した後、パッシベーション膜１４８をマスクとしてドライエッチングもしくはウェットエッチングによって、埋め込み層１３８を掘り込む。こうして開口１５０が形成される。続いて、再度開口１５０を含む全面にレジスト（図示せず）を塗布後、メサストライプ構造１３２上部のスルーホールとなる領域以外のみレジストを除去する。そしてエッチングによりパッシベーション膜１４８を除去する。レジストを除去後、ウェハ全面にＡｕ電極（図示せず）を形成する。次に開口１５０の領域以外をレジストで覆い、公知の電解メッキ法を用いて開口１５０にＡｕメッキ（図示せず）を積層する。この後、放熱体１５２並びに、図１に示す電界吸収型変調器２４の電極４２及びレーザーダイオード２６のＤＦＢレーザのＬＤ電極２８を、公知のイオンミリング法によってパターニングする。こうして、図４の形状を得ることができる。
【００５０】
図５は、本発明の実施形態の第２変形例を説明するための図である。この例では、放熱体２５２は、上方に突出する凸部２５４を有する。
【００５１】
図６は、本発明の実施形態の第３変形例を説明するための図である。この例では、放熱体３５２は、貫通しない穴（又は溝）３５６を有する。
【００５２】
図７は、本発明の実施形態の第４変形例を説明するための図である。この例では、放熱体４５２の底面４５８は、メサストライプ構造４３２から離れるにつれて基板４２２から離れるように傾斜している。
【００５３】
図８は、本発明の実施形態の第５変形例を説明するための図である。この例では、放熱体５５２は、幅よりも高さが高い柱状の形状を有する。
【００５４】
図９は、本発明の実施形態の第６変形例を説明するための図である。この例では、パッシベーション膜６４８は、端面側の埋め込み層の側面６６０を覆わないように形成され、放熱体６５２は、その側面６６０から露出している。
【００５５】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。また、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。また、本実施例では電界吸収型変調器とレーザーダイオードをモノリシック集積した半導体光素子にて説明したが、本発明は電界吸収型変調器のみにおいても同様の効果が得られることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００５６】
１０  半導体光素子、１２  サブマウント、１４  コンデンサ、１６  高周波線路、１８  終端抵抗、２０  はんだ、２２  基板、２４  電界吸収型変調器、２６  レーザーダイオード、２８  ＬＤ電極、３０  導体、３２  メサストライプ構造、３４  活性層、３６  ｐ型コンタクト層、３８  埋め込み層、４２  電極、４４  導体、４６  導体、４８  パッシベーション膜、５０  開口、５２  放熱体、１３８  埋め込み層、１４８  パッシベーション膜、１５０  開口、１５２  放熱体、２５２  放熱体、２５４  凸部、３５２  放熱体、４２２  基板、４３２  メサストライプ構造、４５２  放熱体、４５８  底面、５５２  放熱体、６４８  パッシベーション膜、６５２  放熱体、６６０  側面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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