(57)【要約】【課題】ミラーに付着した付着物を効率良く除去することができるＥＵＶ露光装置を提供すること。【解決手段】実施形態によれば、ＥＵＶ露光装置が提供される。前記ＥＵＶ露光装置は、光源から照射されるＥＵＶ光を反射させるミラーと、前記ミラーで反射されたＥＵＶ光が照射されるウエハステージと、を備えている。前記ウエハステージは、第１のウエハへの露光を行う際には前記第１のウエハを載置して前記第１のウエハ上に前記ＥＵＶ光を照射させる。また、前記ウエハステージは、前記ミラーをクリーニングする際には反射基板によって前記ＥＵＶ光を反射させて前記ミラーに反射光を照射する。【選択図】図２
2014053416.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源から照射されるＥＵＶ光を反射させるミラーと、
前記ミラーで反射されたＥＵＶ光が照射されるとともに、第１のウエハへの露光を行う際には前記第１のウエハを載置して前記第１のウエハ上に前記ＥＵＶ光を照射させ、前記ミラーをクリーニングする際には反射基板によって前記ＥＵＶ光を反射させて前記ミラーに反射光を照射するウエハステージと、
を備え、
前記反射基板は、前記ＥＵＶ光を反射する多層膜を有し、
前記多層膜は、前記ＥＵＶ光を複数種類の角度に反射できるよう、前記反射基板の主面に対して複数種類の傾斜角度で形成されていることを特徴とするＥＵＶ露光装置。
【請求項２】
光源から照射されるＥＵＶ光を反射させるミラーと、
前記ミラーで反射されたＥＵＶ光が照射されるとともに、第１のウエハへの露光を行う際には前記第１のウエハを載置して前記第１のウエハ上に前記ＥＵＶ光を照射させ、前記ミラーをクリーニングする際には反射基板によって前記ＥＵＶ光を反射させて前記ミラーに反射光を照射するウエハステージと、
を備えることを特徴とするＥＵＶ露光装置。
【請求項３】
前記反射基板は、前記ＥＵＶ光を反射する多層膜と、
前記多層膜よりも上層に配置されて、前記ＥＵＶ光を回折させる回折パターンと、
を有し、
前記回折パターンは、前記ＥＵＶ光を複数種類の角度に反射できるよう、複数種類の寸法で形成されていることを特徴とする請求項２に記載のＥＵＶ露光装置。
【請求項４】
光源から照射されるＥＵＶ光を反射させるミラーと、
前記ミラーで反射されたＥＵＶ光が照射されるとともに、ウエハへの露光を行う際には前記ウエハを載置して前記ウエハ上に前記ＥＵＶ光を照射させるウエハステージと、
前記光源と前記ウエハステージとの間の光路に配置されて前記ＥＵＶ光が照射されるとともに、前記ウエハへの露光を行う際にはマスクパターンが形成されたレチクルを支持して前記ウエハ上に前記マスクパターンに応じたＥＵＶ光を照射させ、前記ミラーをクリーニングする際には反射基板によって前記ＥＵＶ光を反射させて前記ミラーに反射光を照射するレチクルステージと、
を備え、
前記反射基板は、前記ＥＵＶ光を複数種類の角度に反射できるよう複数種類の構造を有していることを特徴とするＥＵＶ露光装置。
【請求項５】
光源から照射されるＥＵＶ光をミラーで反射させてウエハステージ上に載置された反射基板に照射し、前記反射基板に照射されたＥＵＶ光を前記反射基板で反射させて前記ミラーに反射光を照射するクリーニングステップを含むことを特徴とするクリーニング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、ＥＵＶ露光装置およびクリーニング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＥＵＶ（Extreme  Ultra-Violet）露光装置は、ＥＵＶ光を用い、レチクルに形成された微細パターンをウエハ上のレジストに縮小投影する装置である。ＥＵＶ露光を行う際には、ＥＵＶ照射光のエネルギーによってレジスト材料である有機物質が分解し、アウトガスと呼ばれる分解物の一部がＥＵＶ露光装置の中に放出される。そして、放出された分解物がＥＵＶ露光装置内のミラーに付着することによってミラーが曇り、ミラーの反射率が低下する。このため、ウエハ上のレジスト膜に照射されるＥＵＶ光の照度が劣化し、その結果、露光速度が遅くなって生産性が低下するという問題があった。
【０００３】
ミラーの曇りを除去する方法として、ガスやラジカルを露光装置内に供給する方法がある。しかしながら、この方法では、付着物を効率良く除去できない。このため、ミラーに付着した付着物を効率良く除去する技術が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−２３００５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、ミラーに付着した付着物を効率良く除去することができるＥＵＶ露光装置およびクリーニング方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態によれば、ＥＵＶ露光装置が提供される。前記ＥＵＶ露光装置は、光源から照射されるＥＵＶ光を反射させるミラーと、前記ミラーで反射されたＥＵＶ光が照射されるウエハステージと、を備えている。前記ウエハステージは、第１のウエハへの露光を行う際には前記第１のウエハを載置して前記第１のウエハ上に前記ＥＵＶ光を照射させる。また、前記ウエハステージは、前記ミラーをクリーニングする際には反射基板によって前記ＥＵＶ光を反射させて前記ミラーに反射光を照射する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、第１の実施形態に係るＥＵＶ露光装置の構成を示す図である。
【図２】図２は、第１の実施形態に係る反射基板の断面構成を示す図である。
【図３】図３は、第１の実施形態に係る反射基板の構成を示す斜視図である。
【図４】図４は、反射基板の反射領域毎の断面構成例を示す図である。
【図５】図５は、クリーニング用レチクルの断面構成を示す図である。
【図６】図６は、回折パターンの寸法と反射角度との関係を説明するための図である。
【図７】図７は、ＥＵＶ光の反射光をミラーで集光させる場合の反射基板の構成を示す図である。
【図８】図８は、第２の実施形態に係る反射基板の構成を示す斜視図である。
【図９】図９は、第３の実施形態に係る反射基板の構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に添付図面を参照して、実施形態に係るＥＵＶ露光装置およびクリーニング方法を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
【０００９】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係るＥＵＶ露光装置の構成を示す図である。ＥＵＶ（Extreme  Ultra-Violet）露光装置１は、ＥＵＶ光１０をレチクルステージ１２に支持されたＥＵＶレチクル（図示せず）で反射させ、レチクル上のパターンをウエハ（図示せず）上に縮小投影する装置である。ＥＵＶ露光装置１は、光源１１と、ミラー２１〜３０と、レチクルステージ１２と、ウエハステージ１３と、を備えている。本実施形態のＥＵＶ露光装置１は、ＥＵＶ光１０を反射する反射基板６を用いてＥＵＶ光１０をミラー２１〜３０に反射することにより、ミラー２１〜３０をクリーニングする。
【００１０】
光源１１は、波長λ＝１３．５ｎｍのＥＵＶ光１０を出力して反射縮小投影系側（ミラー２１〜３０側）に送る。ミラー２１〜３０は、ＥＵＶ光１０を反射してウエハステージ１３上にＥＵＶ光１０を導く。ミラー２１〜３０は、光源１１からウエハステージ１３に向かって、ミラー２１、ミラー２２、ミラー２３、ミラー２４、ミラー２５、ミラー２６、ミラー２７、ミラー２８、ミラー２９、ミラー３０の順番で配置されている。
【００１１】
レチクルステージ１２は、例えばミラー２４とミラー２５との間の光路に配置される。レチクルステージ１２は、レチクル（ＥＵＶマスク）（図示せず）を支持する。ウエハへの露光を行う際には、レチクルステージ１２が、回路パターンなどが形成されたＥＵＶマスク（図示せず）を支持し、ミラー２１〜３０をクリーニングする際には、レチクルステージ１２が、クリーニング用レチクル５Ａを支持する。クリーニング用レチクル５Ａは、多層膜構造を有しており、多層膜でＥＵＶ光１０を反射する。
【００１２】
ミラー２１〜３０をクリーニングする際には、クリーニング用レチクル５Ａが、ＥＵＶ露光装置１の外部からＥＵＶ露光装置１内に搬入される。なお、クリーニング用レチクル５Ａと同様の構成を有した基板（クリーニング用基板）を用いてミラー２１〜３０をクリーニングしてもよい。この場合、ミラー２１〜３０をクリーニングする際に、クリーニング用基板がＥＵＶ露光装置１の外部からＥＵＶ露光装置１内に搬入される。なお、レチクルステージ１２上にクリーニング用基板を形成しておいてもよい。
【００１３】
ウエハステージ１３は、ミラー３０よりも光路の下段側に配置される。ウエハステージ１３は、ウエハなどの基板を載置する。ＥＵＶ露光装置１は、ウエハへの露光を行う際には、ウエハステージ１３上にウエハを載置し、ミラー２１〜３０をクリーニングする際には、ウエハステージ１３上に反射基板６を載置する。
【００１４】
ミラー２１〜３０をクリーニングする際には、反射基板６が、ＥＵＶ露光装置１の外部からＥＵＶ露光装置１内に搬入される。なお、ウエハステージ１３上に反射基板６を形成しておいてもよい。ウエハステージ１３上に反射基板６を形成しておく場合、ミラー２１〜３０をクリーニングする際には、ウエハステージ１３上のうちミラー３０で反射されたＥＵＶ光１０が照射される位置に反射基板６が移動させられる。
【００１５】
ウエハへの露光を行う際には、光源１１から出力されたＥＵＶ光１０がミラー２１〜２４によってＥＵＶマスクに導かれる。そして、ＥＵＶ光１０は、ＥＵＶマスクで反射される。ＥＵＶマスクで反射されたＥＵＶ光１０は、ミラー２５〜３０によってウエハに導かれる。これにより、ウエハ上に塗布されたレジストが露光され、ＥＵＶマスクのマスクパターン（回路パターン）がレジストに転写される。
【００１６】
また、ミラー２１〜３０をクリーニングする際には、光源１１から出力されたＥＵＶ光１０がミラー２１〜２４によってクリーニング用レチクル５Ａに導かれる。そして、ＥＵＶ光１０は、クリーニング用レチクル５Ａで反射される。クリーニング用レチクル５Ａで反射されたＥＵＶ光１０は、ミラー２５〜３０によって反射基板６に導かれる。
【００１７】
これにより、反射基板６でＥＵＶ光１０が反射し、反射したＥＵＶ光１０がミラー３０に送られる。このＥＵＶ光１０は、ミラー３０で反射された後、ミラー２９、ミラー２８、ミラー２７、ミラー２６、ミラー２５で順番に反射されてクリーニング用レチクル５Ａに導かれる。そして、ＥＵＶ光１０は、クリーニング用レチクル５Ａで反射される。クリーニング用レチクル５Ａで反射されたＥＵＶ光１０は、ミラー２４、ミラー２３、ミラー２２、ミラー２１で順番に反射される。これにより、反射基板６で反射されたＥＵＶ光１０（反射光）がミラー２１〜３０に照射されることにより、ミラー２１〜３０がクリーニングされる。
【００１８】
ＥＵＶ露光装置１では、ミラー３０にＥＵＶ光１０を照射することにより、ミラー３０以外のミラー２１〜２９もクリーニングされる。このため、以下の説明では、ミラー３０をクリーニングする場合について説明する。
【００１９】
図２は、第１の実施形態に係る反射基板の断面構成を示す図である。図２の（ａ）は、反射基板６の一例である反射基板６Ａの断面図を示し、図２の（ｂ）は、反射基板６の一例である反射基板６Ｂの断面図を示している。
【００２０】
図２の（ａ）に示すように、反射基板６Ａは、下地基板２と、多層膜３と、キャップ層４と、を有している。下地基板２の上層には、モリブデン層とシリコン層とが交互に形成された多層膜３（Ｍｏ／Ｓｉ多層膜）が形成されており、多層膜３の上層には、ルテニウムなどのキャップ層４が形成されている。
【００２１】
多層膜３は、反射基板６Ａ上の領域（後述する反射領域）毎に種々の角度でＥＵＶ光１０を反射することができるよう、反射基板６Ａの主面に対して種々の傾斜角度で形成されている。換言すると、多層膜３は、複数種類の角度にＥＵＶ光１０を反射することができるよう、反射基板６Ａの主面に対して複数種類の傾斜角度で形成されている。多層膜３は、モリブデン層とシリコン層とが４０周期以上繰り返されていることが望ましい。
【００２２】
反射基板６Ａで反射されたＥＵＶ光１０は、ミラー３０に照射される。ＥＵＶ光１０は、ミラー３０の全面に照射してもよいし、ミラー３０のうち汚れている箇所（レジスト分解物５０などの付着位置）のみに照射してもよい。多層膜３の傾斜角度に応じて、ＥＵＶ光１０の反射基板６Ａでの反射角度が異なる。このため、ミラー３０への照射位置に応じた傾斜角度の多層膜３を用いて、ＥＵＶ光１０がミラー３０に反射される。
【００２３】
また、図２の（ｂ）に示すように、反射基板６Ｂは、下地基板２と、多層膜３と、キャップ層４と、回折パターン（回折格子）１５と、を有している。下地基板２の上層には、多層膜３が形成され、多層膜３の上層には、キャップ層４が形成されている。そして、キャップ層４の上層に回折パターン１５が形成されている。
【００２４】
回折パターン１５は、反射基板６Ｂ上の反射領域毎に種々の角度でＥＵＶ光１０を反射することができるよう、種々の寸法（パターン幅、スペース幅、ピッチなど）で形成されている。換言すると、回折パターン１５は、複数種類の角度にＥＵＶ光１０を反射することができるよう、複数種類の寸法で形成されている。
【００２５】
反射基板６Ｂで反射されたＥＵＶ光１０は、ミラー３０に照射される。ＥＵＶ光１０は、ミラー３０の全面に照射してもよいし、ミラー３０のうち汚れている箇所（レジスト分解物５０などの付着位置）のみに照射してもよい。回折パターン１５の寸法に応じて、ＥＵＶ光１０の反射基板６Ｂでの反射角度が異なる。このため、ミラー３０への照射位置に応じた寸法の回折パターン１５を用いて、ＥＵＶ光１０がミラー３０に照射される。
【００２６】
ミラー３０のうちウエハへの露光を行う際にＥＵＶ光１０が照射される領域（ＥＵＶ露光に用いられる領域）がある。このため、ミラー２１〜３０をクリーニングする際には、ＥＵＶ露光に用いられる領域に対してＥＵＶ光１０を照射してもよい。
【００２７】
図３は、第１の実施形態に係る反射基板の構成を示す斜視図である。反射基板６には、複数の反射領域６０−１〜６０−Ｎ（Ｎは２以上の自然数）が設けられている。例えば、反射基板６上の領域を格子状に分割し、各格子内領域に対して順番に反射領域６０−１〜６０−Ｎまでを割り当てる。各反射領域６０−１〜６０−Ｎは、反射領域６０−１〜６０−Ｎ毎に異なる角度でＥＵＶ光１０を反射することができるよう、種々の傾斜角度を有した反射膜（多層膜３）または種々の寸法を有した回折パターン１５で形成しておく。
【００２８】
具体的には、反射領域６０−１〜６０−ＮでＥＵＶ光１０を反射させることにより、反射されたＥＵＶ光１０がミラー２１〜３０面内の何れの位置にも照射できるよう、反射領域６０−１〜６０−Ｎで、多層膜３の傾斜角度または回折パターン１５の寸法を段階的に変化させておく。換言すると、ミラー２１〜３０の全面を照射できるような種々の傾斜角度で多層膜３を形成しておくか、またはミラー２１〜３０の全面を照射できるような種々の寸法で回折パターン１５を形成しておく。
【００２９】
反射基板６が反射基板６Ａである場合、各反射領域６０−１〜６０−Ｎ毎に異なる傾斜角度の多層膜３が配置される。例えば、第１の傾斜角度から第Ｎの傾斜角度まで変化させた多層膜３が、それぞれ反射領域６０−１〜６０−Ｎに配置される。これにより、第１の傾斜角度に応じた第１の反射角度から第Ｎの傾斜角度に応じた第Ｎの反射角度までの何れかでＥＵＶ光１０を反射することが可能となる。
【００３０】
また、反射基板６が反射基板６Ｂである場合、各反射領域６０−１〜６０−Ｎ毎に異なる寸法の回折パターン１５が配置される。具体的には、ＥＵＶ露光装置１で十分解像できるピッチ（第１のピッチ）からＥＵＶ露光装置１の解像限界のピッチ（第Ｎのピッチ）まで変化させた回折パターン１５が、それぞれ反射領域６０−１〜６０−Ｎに配置される。これにより、第１のピッチに応じた第１の反射角度（小さな反射角度）から第Ｎのピッチに応じた第Ｎの反射角度（大きな反射角度）までの何れかでＥＵＶ光１０を反射することが可能となる。例えば、７００ｎｍピッチのラインアンドスペースパターンから１９ｎｍピッチのラインアンドスペースパターンまで変化させた各ラインアンドスペースパターンを、回折パターン１５として反射領域６０−１〜６０−Ｎに形成しておく。
【００３１】
なお、十分ピッチの広いラインアンドスペースパターンの代わりに面精度の悪い多層膜３を利用することも可能である。面精度の悪い多層膜３は、例えば、反射基板６の主面に対して種々の角度を有した多層膜３である。例えば、多層膜３に多数の凹部や凸部を形成しておくことにより、多層膜３の面精度を悪くすることができる。
【００３２】
ところで、多層膜３の積層数または膜厚が異なると、ＥＵＶ光１０の位相が変わるのでＥＵＶ光１０の反射角度も変わる。このため、多層膜３の積層数または膜厚を変えることによってＥＵＶ光１０の反射角度を変えてもよい。この場合、例えば、各反射領域６０−１〜６０−Ｎ毎に異なる積層数または膜厚の多層膜３が配置される。
【００３３】
具体的には、第１の積層数または膜厚から第Ｎの積層数または膜厚まで変化させた多層膜３を反射基板６上に配置しておく。これにより、第１の積層数または膜厚に応じた第１の位相（第１の反射角度）から第Ｎの積層数または膜厚に応じた第Ｎの位相（第Ｎの反射角度）までの何れかでＥＵＶ光１０を反射することが可能となる。
【００３４】
図４は、反射基板の反射領域毎の断面構成例を示す図である。図４の（ａ）では、反射領域毎に異なる傾斜角度の多層膜が配置された場合の反射基板の断面構成を示している。図４の（ｂ）では、反射領域毎に異なる寸法の回折パターンが配置された場合の反射基板の断面構成を示している。図４の（ｃ）では、反射領域毎に異なる積層数または膜厚の多層膜が配置された場合の反射基板の断面構成を示している。
【００３５】
図４の（ａ）に示すように、反射領域毎に異なる傾斜角度の多層膜を配置する場合、第ｍ（ｍは自然数）の反射領域６０−ｍには、第ｍの傾斜角度で形成された多層膜３ｍが配置される。また、第（ｍ＋１）〜第（ｍ＋３）の反射領域６０−（ｍ＋１）〜６０−（ｍ＋３）には、それぞれ第（ｍ＋１）〜第（ｍ＋３）の傾斜角度で形成された多層膜３（ｍ＋１）〜３（ｍ＋３）が配置される。
【００３６】
図４の（ｂ）に示すように、反射領域毎に異なる寸法の回折パターンを配置する場合、第ｍの反射領域６０−ｍには、第ｍの寸法で形成された回折パターン１５ｍが配置される。また、第（ｍ＋１）〜第（ｍ＋３）の反射領域６０−（ｍ＋１）〜６０−（ｍ＋３）には、それぞれ第（ｍ＋１）〜第（ｍ＋３）の寸法で形成された回折パターン１５（ｍ＋１）〜１５（ｍ＋３）が配置される。
【００３７】
図４の（ｃ）に示すように、反射領域毎に異なる積層数または膜厚の多層膜を配置する場合、第ｍの反射領域６０−ｍには、第ｍの積層数または膜厚で形成された多層膜３Ｃｍが配置される。また、第（ｍ＋１）〜第（ｍ＋３）の反射領域６０−（ｍ＋１）〜６０−（ｍ＋３）には、それぞれ第（ｍ＋１）〜第（ｍ＋３）の積層数または膜厚で形成された多層膜３Ｃ（ｍ＋１）〜３Ｃ（ｍ＋３）が配置される。
【００３８】
ミラー２１〜３０をクリーニングする際には、例えば、各反射領域６０−１〜６０−Ｎで順番にＥＵＶ光１０を反射させることにより、反射したＥＵＶ光１０をミラー２１〜３０の全面に照射する。なお、各反射領域６０−１〜６０−Ｎの何れかでＥＵＶ光１０を反射させることにより、反射したＥＵＶ光１０をミラー２１〜３０の一部の領域（曇り部分）に照射してもよい。
【００３９】
図５は、クリーニング用レチクルの断面構成を示す図である。クリーニング用レチクル５Ａは、下地基板５２Ａと、多層膜５３Ａと、キャップ層５４Ａと、を有している。下地基板５２Ａの上層には、モリブデン層とシリコン層とが交互に形成された多層膜５３Ａが形成されており、多層膜５３Ａの上層には、ルテニウムなどのキャップ層５４Ａが形成されている。多層膜３は、クリーニング用レチクル５Ａの主面に対して平行になるよう積層されている。クリーニング用レチクル５Ａには、マスクパターンが形成されておらず、パターン領域の全面でＥＵＶ光１０を反射する。
【００４０】
ミラー２４で反射されたＥＵＶ光１０は、クリーニング用レチクル５Ａに照射され、クリーニング用レチクル５Ａで反射される。クリーニング用レチクル５Ａで反射されたＥＵＶ光１０は、ミラー２５に照射される。
【００４１】
つぎに、回折パターン１５の寸法と反射角度との関係について説明する。図６は、回折パターンの寸法と反射角度との関係を説明するための図である。回折パターン１５のピッチがｄである場合、反射基板６ＢにおけるＥＵＶ光１０の反射角度θは、以下の式（１）で示される。
ｓｉｎθ＝ｎλ／ｄ（ｎ＝１，２，３，・・・）・・・（１）
【００４２】
なお、ＥＵＶ光１０の反射光をミラー２１〜３０で集光させてもよい。図７は、ＥＵＶ光の反射光をミラーで集光させる場合の反射基板の構成例を示す図である。反射基板９を、椀状部材を用いて形成しておき、椀状部材の内側（凹部）にＥＵＶ光１０を照射することにより、ＥＵＶ光１０の反射光がミラー２１〜３０で集光される。これにより、レジスト分解物５０などの付着物に強い反射光を照射することが可能となり、効率良くレジスト分解物５０などを除去することが可能となる。
【００４３】
ＥＵＶ露光装置１が、レジストの塗布されたウエハにＥＵＶ光１０を照射することにより、レジスト中の構成物が分解し、反射投影系を構成するミラー２１〜３０にレジスト分解物（アウトガス）５０が付着する。本実施形態では、例えば、ミラー２１〜３０の反射率が規定値より低下した場合に、反射基板６およびクリーニング用レチクル５Ａを用いてミラー２１〜３０のクリーニングを行う。なお、ミラー２１〜３０のクリーニングは、定期的に行ってもよい。
【００４４】
ＥＵＶ露光装置１は、ミラー２１〜３０のクリーニングを行う際に、光源１１から照射するＥＵＶ光１０の強度を最大限に上げて、ウエハステージ１３上の反射基板６に照射させる。反射基板６に照射したＥＵＶ光１０は、反射基板６で反射されてミラー２１〜３０に照射される。これにより、光源１１から出力されたＥＵＶ光１０と反射基板６で反射されたＥＵＶ光１０の両方がミラー２１〜３０に照射されることとなる。この結果、ミラー２１〜３０に対して、通常よりも強い光を照射することができる。これにより、ミラー２１〜３０上に付着したレジスト分解物５０などが分解されて、ミラー２１〜３０上から除去される。
【００４５】
換言すると、光源１１から出力されたＥＵＶ光１０と反射基板６で反射されたＥＵＶ光１０を集光させたことによって発生するエネルギーによってミラー２１〜３０に付着しているレジスト分解物５０が除去される。
【００４６】
半導体装置（半導体集積回路）を製造する際には、ウエハ上への成膜処理、露光処理、現像処理、エッチング処理などがレイヤ毎に繰り返される。具体的には、ウエハ上に被加工膜が成膜された後、被加工膜上にレジストが塗布される。そして、レジストの塗布されたウエハに、回路パターンの形成されたマスクを用いて露光が行われる。
【００４７】
露光処理は、例えば、ＥＵＶ露光装置１を用いて行われる。ＥＵＶ露光装置１を用いてウエハへの露光を行う際には、ウエハステージ１３上にウエハが載置され、レチクルステージ１２にＥＵＶマスクがセットされる。そして、ＥＵＶマスクに形成されている回路パターンがウエハ上に転写される。
【００４８】
ＥＵＶ露光装置１では、所定のタイミングでミラー２１〜３０のクリーニングが行われる。ミラー２１〜３０をクリーニングする際には、ウエハステージ１３上に反射基板６が載置され、レチクルステージ１２上にクリーニング用レチクル５Ａがセットされる。そして、反射基板６で反射されたＥＵＶ光１０がミラー２１〜３０に照射される。
【００４９】
露光処理の後、ウエハが現像されることにより、ウエハ上にレジストパターンが形成される。この後、レジストパターンをマスクとして被加工膜がエッチングされる。これにより、被加工膜にパターンが形成される。
【００５０】
なお、レジスト分解物５０を除去するミラー２１〜３０の周囲を、水素、酸素、水素ラジカルまたは酸素ラジカル雰囲気にすることにより、レジスト分解物５０の除去を促進させてもよい。
【００５１】
また、反射基板６Ａ，６Ｂは、上述した構成以外の基板であってもよい。また、ミラー２１〜３０は、図１などに示した配置や枚数に限らず、何れの位置に何れの枚数を配置してもよい。
【００５２】
また、ウエハステージ１３が反射基板６を傾斜させることにより、ＥＵＶ光１０の反射角度を調整してもよい。例えば、反射されたＥＵＶ光１０をミラー２１〜３０の何れの位置にも照射できるような種々の傾斜角度に反射基板６が順番に傾斜させられる。この場合の反射基板６は、主面に平行な多層膜３であってもよい。
【００５３】
このように、第１の実施形態によれば、反射基板６およびクリーニング用レチクル５Ａを用いてミラー２１〜３０のクリーニングを行うので、反射基板６で反射したＥＵＶ光１０をミラー２１〜３０に照射することが可能となる。したがって、ミラー２１〜３０上に付着した付着物（レジスト分解物５０など）を効率良く除去することが可能となる。
【００５４】
また、ＥＵＶ露光装置１の真空を破らずにミラー２１〜３０の曇りを除去することができるので、ＥＵＶ露光装置１のメンテナンス時間を短縮することができる。したがって、半導体装置の生産性を向上させることができる。
【００５５】
（第２の実施形態）
つぎに、図８を用いてこの発明の第２の実施形態について説明する。第２の実施形態では、反射基板６の代わりに多層膜などが形成されたウエハを用いて、ミラー２１〜３０をクリーニングする。
【００５６】
図８は、第２の実施形態に係る反射基板の構成を示す斜視図である。本実施形態の反射基板７は、ウエハを用いて構成されており、反射基板６Ａまたは反射基板６Ｂと同様の断面構成を有している。
【００５７】
反射基板７には、反射基板６と同様に、複数の反射領域が設けられている。具体的には、反射基板７に、複数の反射領域７０−１〜７０−Ｎが設けられている。例えば、反射基板７上の領域を格子状に分割し、各格子内領域に対して順番に反射領域７０−１〜７０−Ｎまでを割り当てる。各反射領域７０−１〜７０−Ｎは、反射領域７０−１〜７０−Ｎ毎に異なる角度でＥＵＶ光１０を反射することができるよう、種々の反射膜または種々の寸法を有した回折パターン１５で形成しておく。
【００５８】
具体的には、反射領域７０−１〜７０−ＮでＥＵＶ光１０を反射させることにより、反射されたＥＵＶ光１０がミラー２１〜３０面内の何れの位置にも照射できるよう、反射領域７０−１〜７０−Ｎで、多層膜３の傾斜角度または回折パターン１５の寸法を段階的に変化させておく。
【００５９】
反射基板７が反射基板６Ａと同様の断面構成を有している場合、各反射領域７０−１〜７０−Ｎ毎に異なる傾斜角度の多層膜３が配置される。例えば、第１の傾斜角度から第Ｎの傾斜角度まで変化させた多層膜３が反射基板７上に配置される。また、反射基板６が反射基板６Ｂと同様の断面構成を有している場合、各反射領域７０−１〜７０−Ｎ毎に異なる寸法の回折パターン１５が配置される。なお、各反射領域７０−１〜７０−Ｎ毎に異なる積層数または膜厚の多層膜３を配置してもよい。
【００６０】
ミラー２１〜３０をクリーニングする際には、例えば、各反射領域７０−１〜７０−Ｎで順番にＥＵＶ光１０を反射させることにより、反射したＥＵＶ光１０をミラー２１〜３０の全面に照射する。なお、各反射領域７０−１〜７０−Ｎの何れかでＥＵＶ光１０を反射させることにより、反射したＥＵＶ光１０をミラー２１〜３０の一部の領域（曇り部分）に照射してもよい。
【００６１】
このように、第２の実施形態では、反射基板６Ａや反射基板６Ｂと同様の断面構成を有した反射基板７がウエハを用いて構成されているので、ミラー２１〜３０をクリーニングする際の反射基板７の搬送が容易になる。また、容易に反射基板７を作製することが可能となる。
【００６２】
（第３の実施形態）
つぎに、図９を用いてこの発明の第３の実施形態について説明する。第３の実施形態では、多層膜などが形成された反射基板をレチクルステージ１２上に配置しておく。
【００６３】
図９は、第３の実施形態に係る反射基板の構成を示す斜視図である。本実施形態の反射基板８は、例えば、レチクルなどを用いて構成されており、反射基板６Ａまたは反射基板６Ｂと同様の断面構成を有している。
【００６４】
反射基板８には、反射基板６と同様に、複数の反射領域が設けられている。具体的には、反射基板８に、複数の反射領域８０−１〜８０−Ｎが設けられている。例えば、反射基板８上の領域を格子状に分割し、各格子内領域に対して順番に反射領域８０−１〜８０−Ｎまでを割り当てる。各反射領域８０−１〜８０−Ｎは、反射領域８０−１〜８０−Ｎ毎に異なる角度でＥＵＶ光１０を反射することができるよう、種々の反射膜または種々の寸法を有した回折パターン１５で形成しておく。
【００６５】
具体的には、反射領域８０−１〜８０−ＮでＥＵＶ光１０を反射させることにより、反射されたＥＵＶ光１０がミラー２５〜３０面内の何れの位置にも照射できるよう、反射領域８０−１〜８０−Ｎで、多層膜３の傾斜角度または回折パターン１５の寸法を段階的に変化させておく。
【００６６】
反射基板８が反射基板６Ａと同様の断面構成を有している場合、各反射領域８０−１〜８０−Ｎ毎に異なる傾斜角度の多層膜３が配置される。例えば、第１の傾斜角度から第Ｎの傾斜角度まで変化させた多層膜３が反射基板８上に配置される。また、反射基板８が反射基板６Ｂと同様の断面構成を有している場合、各反射領域８０−１〜８０−Ｎ毎に異なる寸法の回折パターン１５が配置される。なお、各反射領域８０−１〜８０−Ｎ毎に異なる積層数または膜厚の多層膜３を配置してもよい。
【００６７】
ミラー２５〜３０をクリーニングする際には、反射基板８が、ＥＵＶ露光装置１の外部からＥＵＶ露光装置１内に搬入される。なお、レチクルステージ１２上に反射基板８を形成しておいてもよい。
【００６８】
ミラー２５〜３０をクリーニングする際には、例えば、各反射領域８０−１〜８０−Ｎで順番にＥＵＶ光１０を反射させることにより、反射したＥＵＶ光１０をミラー２５〜３０の全面に照射する。なお、各反射領域８０−１〜８０−Ｎの何れかでＥＵＶ光１０を反射させることにより、反射したＥＵＶ光１０をミラー２５〜３０の一部の領域（曇り部分）に照射してもよい。
【００６９】
なお、レチクルステージ１２が反射基板８を傾斜させることにより、ＥＵＶ光１０の反射角度を調整してもよい。例えば、反射されたＥＵＶ光１０をミラー２５〜３０の何れの位置にも照射できるような種々の傾斜角度に反射基板８が順番に傾斜させられる。この場合の反射基板８は、主面に平行な多層膜３であってもよい。
【００７０】
このように、第３の実施形態では、反射基板６Ａや反射基板６Ｂと同様の断面構成を有した反射基板８がレチクルを用いて構成されているので、ミラー２５〜３０をクリーニングする際の反射基板８の搬送が容易になる。また、容易に反射基板８を作製することが可能となる。
【００７１】
なお、第１〜第３の実施形態を組み合わせてもよい。例えば、ミラー２１〜３０をクリーニングする際に、ウエハステージ１３上に反射基板６または反射基板７を載置するとともに、レチクルステージ１２に反射基板８をセットしてもよい。これにより、反射基板６または反射基板７からの反射光と反射基板８からの反射光がミラー３０などに照射されることになり、ミラー３０などに付着した付着物（レジスト分解物５０など）を効率良く除去することが可能となる。
【００７２】
このように第１〜第３の実施形態によれば、ミラーに付着した付着物を効率良く除去することが可能となる。
【００７３】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００７４】
１…ＥＵＶ露光装置、３，３ｍ〜３（ｍ＋３），３Ｃｍ〜３Ｃ（ｍ＋３），５３Ａ…多層膜、５Ａ…クリーニング用レチクル、６，６Ａ，６Ｂ，７〜９…反射基板、１０…ＥＵＶ光、１１…光源、１２…レチクルステージ、１３…ウエハステージ、１５，１５ｍ…回折パターン、２１〜３０…ミラー、５０…レジスト分解物、６０−１〜６０−Ｎ，７０−１〜７０−Ｎ，８０−１〜８０−Ｎ…反射領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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