(57)【要約】      （修正有）【課題】簡便な方法で接着フィルム付半導体チップを得ることができる半導体チップの製造方法を提供する。【解決手段】半導体チップの製造方法は、（ａ）ダイボンディング用接着フィルムおよび支持フィルムを有する接着シートを、表面に回路が形成された半導体ウエハの回路面に貼付する工程、（ｂ）支持フィルムの、接着フィルムが積層されている面と反対側の面に、表面保護シートを貼付する工程、（ｃ）半導体ウエハの裏面を研削する工程、（ｄ）表面保護シートおよび支持フィルムを剥離する工程、（ｅ）支持フィルムをウエハの最外径よりも小径でウエハと相似形に切断する工程、および（ｆ）表面保護シートをウエハの最外径と同径に切断する工程を含み、前記（ａ）工程から（ｄ）工程をこの順で行い、前記（ｅ）工程を（ｂ）工程よりも前に行い、前記（ｆ）工程を（ｃ）工程よりも前に行う。【選択図】図２
2014150121.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ダイボンディング用接着フィルムおよび支持フィルムを有する接着シートを、表面に回路が形成された半導体ウエハの回路面に貼付する工程、
（ｂ）支持フィルムの、接着フィルムが積層されている面と反対側の面に、表面保護シートを貼付する工程、
（ｃ）半導体ウエハの裏面を研削する工程、
（ｄ）表面保護シートおよび支持フィルムを剥離する工程、
（ｅ）支持フィルムをウエハの最外径よりも小径でウエハと相似形に切断する工程、および
（ｆ）表面保護シートをウエハの最外径と同径に切断する工程を含み、
前記（ａ）工程から（ｄ）工程をこの順で行い、
前記（ｅ）工程を（ｂ）工程よりも前に行い、
前記（ｆ）工程を（ｃ）工程よりも前に行う、半導体チップの製造方法。
【請求項２】
（ａ’）表面に回路が形成された半導体ウエハの回路面に、そのウエハの厚さよりも浅い深さの溝を形成する工程、
（ｂ’）ダイボンディング用接着フィルムおよび支持フィルムを有する接着シートを、溝が形成された半導体ウエハの回路面に貼付する工程、
（ｃ’）支持フィルムの、接着フィルムが積層されている面と反対側の面に、表面保護シートを貼付する工程、
（ｄ’）半導体ウエハの裏面を研削することでウエハの厚さを薄くするとともに、個々のチップに分割する工程、
（ｅ’）表面保護シートおよび支持フィルムを剥離する工程、
（ｆ’）支持フィルムをウエハの最外径よりも小径でウエハと相似形に切断する工程、および
（ｇ’）表面保護シートをウエハの最外径と同径に切断する工程を含み、
前記（ａ’）工程から（ｅ’）工程をこの順で行い、
前記（ｆ’）工程を（ｃ’）工程よりも前に行い、
前記（ｇ’）工程を（ｄ’）工程よりも前に行う、半導体チップの製造方法。
【請求項３】
（ｅ）工程または（ｆ’）工程において、支持フィルムの接着フィルムに接する面が、その反対面よりも大面積になるように、支持フィルムの側面をテーパー状に切断する請求項１または２に記載の半導体チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップの製造方法に関し、さらに詳しくは、いわゆるブレードダイシング法や先ダイシング法と、フリップチップボンディングを採用した実装プロセスとを連続して行うことが可能であり、製造プロセスの簡易化と製品品質の向上に寄与しうる半導体チップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、いわゆるフェースダウン（face down）方式と呼ばれる実装法を用いた半導体装置の製造が行われている。フェースダウン方式においては、回路面にバンプなどの電極を有する半導体チップ（以下、単に「チップ」ともいう。）が用いられ、該電極が基板と接合される。
【０００３】
半導体チップは半導体ウエハを個片化することで得られ、チップの回路面に設けられた電極と基板との接合には、ダイボンディング用接着フィルム（以下、単に「接着フィルム」と記載することがある。）が用いられる。
【０００４】
回路面に接着フィルムを有するチップを得る方法として、特許文献１（特開２００８−９８４２７号公報）には、ウエハの回路面にダイボンディング用接着フィルムを積層し、該接着フィルムを完全に切断し、かつウエハ表面からそのウエハ厚さよりも浅い切込み深さの溝を接着フィルムとウエハとの積層体に形成した後に、該接着フィルムに表面保護シートを貼付し、ウエハの裏面研削を行うことによりウエハを個片化する方法が記載されている。
【０００５】
接着フィルムは通常、支持フィルム上に積層された接着シートの状態で供給される。特許文献１では、ウエハに貼付された接着フィルムに直接に表面保護シートを積層している。そのため、支持フィルムと接着フィルムを有する接着シートにおける接着フィルムをウエハに貼付した後、接着フィルムに表面保護シートを積層する前にあらかじめ支持フィルムを除去する必要がある。一方、支持フィルムをあらかじめ除去せずに、支持フィルムに表面保護シートを貼付して裏面研削を行うことが考えられる。この場合には、ウエハに接着フィルムを残した上で、表面保護シートと支持フィルムを一体のものとして同時に剥離して除去することができる。このような方法によれば、裏面研削の前にあらかじめ支持フィルムを除去する工程を省略できるため、半導体装置の製造プロセスを簡略化できる。しかしながら、このような方法には次のような問題が見出された。裏面研削を行う場合には、接着フィルムと表面保護シートはウエハと略同形状に切断されることがある。この場合において、表面保護シートと接着フィルムとの間に剥離起点を形成できないことに起因して、ウエハに接着フィルムを残した上で、表面保護シートと支持フィルムを一体のものとして同時に剥離して除去することが困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−９８４２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明は、簡便な方法で接着フィルム付半導体チップを得ることができる半導体チップの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、以下の要旨を含む。
〔１〕（ａ）ダイボンディング用接着フィルムおよび支持フィルムを有する接着シートを、表面に回路が形成された半導体ウエハの回路面に貼付する工程、
（ｂ）支持フィルムの、接着フィルムが積層されている面と反対側の面に、表面保護シートを貼付する工程、
（ｃ）半導体ウエハの裏面を研削する工程、
（ｄ）表面保護シートおよび支持フィルムを剥離する工程、
（ｅ）支持フィルムをウエハの最外径よりも小径でウエハと相似形に切断する工程、および
（ｆ）表面保護シートをウエハの最外径と同径に切断する工程を含み、
前記（ａ）工程から（ｄ）工程をこの順で行い、
前記（ｅ）工程を（ｂ）工程よりも前に行い、
前記（ｆ）工程を（ｃ）工程よりも前に行う、半導体チップの製造方法。
【０００９】
〔２〕（ａ’）表面に回路が形成された半導体ウエハの回路面に、そのウエハの厚さよりも浅い深さの溝を形成する工程、
（ｂ’）ダイボンディング用接着フィルムおよび支持フィルムを有する接着シートを、溝が形成された半導体ウエハの回路面に貼付する工程、
（ｃ’）支持フィルムの、接着フィルムが積層されている面と反対側の面に、表面保護シートを貼付する工程、
（ｄ’）半導体ウエハの裏面を研削することでウエハの厚さを薄くするとともに、個々のチップに分割する工程、
（ｅ’）表面保護シートおよび支持フィルムを剥離する工程、
（ｆ’）支持フィルムをウエハの最外径よりも小径でウエハと相似形に切断する工程、および
（ｇ’）表面保護シートをウエハの最外径と同径に切断する工程を含み、
前記（ａ’）工程から（ｅ’）工程をこの順で行い、
前記（ｆ’）工程を（ｃ’）工程よりも前に行い、
前記（ｇ’）工程を（ｄ’）工程よりも前に行う、半導体チップの製造方法。
【００１０】
〔３〕（ｅ）工程または（ｆ’）工程において、支持フィルムの接着フィルムに接する面が、その反対面よりも大面積になるように、支持フィルムの側面をテーパー状に切断する〔１〕または〔２〕に記載の半導体チップの製造方法。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る半導体チップの製造方法によれば、いわゆるブレードダイシング法や先ダイシング法と、フリップチップボンディングを採用した実装プロセスとを連続して行うことが可能である製造方法において、次のような効果が得られる。すなわち、ウエハに接着フィルムを残した上で、表面保護シートと支持フィルムを一体のものとして同時に剥離して除去することができる。このため、接着フィルム付半導体チップの製造プロセスが簡易化される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明に係る第１の半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【図２】本発明に係る第１の半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【図３】本発明に係る第１の半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【図４】本発明に係る第１の半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【図５】本発明に係る第１の半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【図６】本発明に係る第１の半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【図７】本発明に係る第２の半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【図８】本発明に係る第２の半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【図９】本発明に係る第２の半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【図１０】本発明に係る第２の半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明について、図面を参照しながら、その最良の形態も含めてさらに具体的に説明する。
本発明に係る第１の半導体装置の製造方法は、以下の工程（ａ）〜（ｆ）を含む。
（ａ）ダイボンディング用接着フィルムおよび支持フィルムを有する接着シートを、表面に回路が形成された半導体ウエハの回路面に貼付する工程、
（ｂ）支持フィルムの、接着フィルムが積層されている面と反対側の面に、表面保護シートを貼付する工程、
（ｃ）半導体ウエハの裏面を研削する工程、
（ｄ）表面保護シートおよび支持フィルムを剥離する工程、
（ｅ）支持フィルムをウエハの最外径よりも小径でウエハと相似形に切断する工程、および
（ｆ）表面保護シートをウエハの最外径と同径に切断する工程を含み、
前記（ａ）工程から（ｄ）工程をこの順で行い、
前記（ｅ）工程を（ｂ）工程よりも前に行い、
前記（ｆ）工程を（ｄ）工程よりも前に行う、半導体チップの製造方法。
【００１４】
以下、各工程について説明する。なお、以下では、本発明に係る半導体チップの製造方法の一例として、（ａ）工程と（ｂ）工程との間に（ｅ）工程を行い、（ｂ）工程と（ｃ）工程との間に（ｆ）工程を行う方法について説明する。
【００１５】
（ａ）工程
（ａ）工程では、ダイボンディング用接着フィルム３および支持フィルム４を有する接着シート１４を、表面に回路が形成された半導体ウエハ１の回路面に貼付する（図１参照）。
【００１６】
ダイボンディング用接着フィルム（以下、単に「接着フィルム」と記載することがある。）は、本発明の半導体チップの製造方法において、ピックアップされたチップ回路面に配置され、回路面に対する封止樹脂としての機能を有し、チップの搭載時にはチップ搭載用基板との空間を充填および相互の固着に用いられる。
【００１７】
このような接着フィルムに用いられる樹脂としては、接着フィルムをウエハの回路面へ貼付する工程において、加熱と圧着力によりある程度の流動性を示して、回路面の凹凸によく追従し、かつ加熱により接着性を発現する樹脂が用いられる。かかる樹脂としては、例えば、Ｂステージの樹脂、粘接着剤あるいは熱可塑性樹脂が挙げられる。
【００１８】
接着フィルムに用いられるＢステージの樹脂としては、たとえば半硬化のエポキシ樹脂からなる層が挙げられる。
【００１９】
接着フィルムに用いる粘接着剤は、常温では粘着性、流動性を示し、加熱により硬化して非流動性となるとともに被着体と強固に接着する接着剤をいう。粘接着剤としては、たとえば常温で感圧接着性を有するバインダー樹脂と熱硬化性樹脂との混合物が挙げられる。
【００２０】
常温で感圧接着性を有するバインダー樹脂としては、たとえばアクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリビニルエーテル、ウレタン樹脂、ポリアミド等が挙げられる。熱硬化性樹脂としては、たとえば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、レゾルシノール樹脂等が用いられ、好ましくはエポキシ樹脂が挙げられる。また粘接着剤には、後述する表面保護シートとの剥離性を制御するため、ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマーなどのエネルギー線（紫外線等）硬化性樹脂を配合することが好ましい。エネルギー線硬化性樹脂を配合すると、エネルギー線照射前は表面保護シートが粘接着剤層とよく密着し、エネルギー線照射後は剥離しやすくなる。
【００２１】
上記のような各成分からなる粘接着剤は、常温での貼付が可能な上、加熱と圧着力により適度な流動性が発現し、またエネルギー線硬化性と加熱硬化性とを有するので、回路面の凹凸によく追従しボイドのない樹脂層を形成でき、裏面研削の際には表面保護シートに密着してウエハの固定に寄与し、マウントの際には チップとチップ搭載用基板とを接着する接着剤として使用することができる。そして熱硬化を経て最終的には耐衝撃性の高い硬化物を与えることができ、しかも 剪断強度と剥離強度とのバランスにも優れ、厳しい熱湿条件下においても充分な接着物性を保持しうる。
【００２２】
接着フィルムに用いる熱可塑性樹脂は、加熱により可塑化し接着性を発揮する樹脂である。このような熱可塑性樹脂としては、たとえばポリイミド樹脂のような化学的、物理的に耐熱性を有する樹脂が、半導体装置の信頼性が向上するので好ましい。
【００２３】
上記のような成分からなる接着フィルム３の厚さは、通常は３〜１００μｍ、好ましくは３〜９５μｍ、特に好ましくは５〜８５μｍ程度である。なお、ウエハ表面にバンプ２が形成されている場合には、ボイドの発生なく回路面を覆い、かつバンプ２が接着フィルム３を貫通するため、バンプ２の平均高さ（ＨB）と、接着フィルム３の厚み（ＴA）との比（ＨB／ＴA）は、好ましくは１．０／０．５〜１．０／２．０、より好ましくは１．０／０．８〜１．０／１．２の範囲にある。バンプ２の平均高さ（ＨB）は、チップ表面（バンプを除く回路面）からバンプ頂部までの高さであり、バンプが複数ある場合には、これらの算術平均による。
【００２４】
接着フィルム３の厚みに対して、バンプ高さが高すぎると、チップ表面（バンプを除く回路面）とチップ搭載用基板との間隔があき、ボイド発生の原因となる。一方、接着フィルムが厚すぎると、バンプが接着剤層を貫通しないため、導通不良の原因となる。
【００２５】
支持フィルム４としては、たとえば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢ビフィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、フッ素樹脂フィルム等のフィルムが用いられる。またこれらの架橋フィルムも用いられる。さらにこれらの積層フィルムであってもよい。さらにこれらのフィルムは、透明フィルム、着色フィルムあるいは不透明フィルムであってもよい。ただし、支持フィルムが硬すぎる場合には、バンプの頂部を押しつぶす恐れがあるため、適度な弾性を有するフィルムを用いることが特に好ましい。支持フィルム上の接着フィルムを、チップ（ウエハ）の回路面に転写するため、支持フィルムと接着フィルムとは剥離可能なように積層されている。このため、支持フィルムの接着フィルムに接する面の表面張力は、好ましくは４０ｍＮ／ｍ以下、さらに好ましくは３７ｍＮ／ｍ以下、特に好ましくは３５ｍＮ／ｍ 以下であることが望ましい。このような表面張力が低いフィルムは、材質を適宜に選択して得ることが可能であるし、また支持フィルムの表面に、シリコーン樹脂やアルキッド樹脂などの剥離剤を塗布して剥離処理を施すことで得ることもできる。
【００２６】
粘着シートを支持フィルムとして用いてもよい。この態様においては、接着フィルムは、支持フィルムに設けられた粘着剤層上に積層される。粘着シートの基材としては、粘着剤層を有さない場合の支持フィルム４として例示した上記のフィルムが挙げられる。粘着剤層は、接着フィルムを剥離できる程度の粘着力を有する弱粘着性のものを使用してもよいし、エネルギー線照射により粘着力が低下するエネルギー線硬化性のものを使用してもよい。また、粘着剤層はエネルギー線硬化性であり、接着フィルムが積層される領域に予めエネルギー線照射を行い、粘着性を低減させておいてもよい。
【００２７】
粘着剤層は、従来より公知の種々の粘着剤（例えば、ゴム系、アクリル系、シリコーン系、ウレタン系、ビニルエーテル系などの汎用粘着剤、表面凹凸のある粘着剤、エネルギー線硬化型粘着剤、熱膨張成分含有粘着剤等）により形成できる。
【００２８】
このような支持フィルムの厚さは、通常は１０〜５００μｍ、好ましくは１５〜３００μｍ、特に好ましくは２０〜２５０μｍ程度である。
【００２９】
半導体ウエハ１としては、従来より用いられているシリコン半導体ウエハ、ガリウム・ヒ素半導体ウエハなどの半導体ウエハが挙げられるが、これらに限定されず、種々の半導体ウエハを用いることができる。ウエハ表面への回路の形成は、エッチング法、リフトオフ法などの従来より汎用されている方法を含む、様々な方法により行うことができる。ウエハの回路形成工程において、所定の回路が形成される。また回路面には、チップ搭載用基板との導通に用いられる導通用突起物（バンプ）２が形成されていることが望ましい。バンプ２の高さ、径は、半導体装置の設計に応じ様々だが、一般的には、高さは１０〜３００μｍ程度であり、径は１０〜３００μｍ程度である。このようなバンプ２は、金、銅、ハンダ等の金属から形成されることが多い。バンプ２の形状は特に限定はされないが、円柱状や球状の他、図１に示すような円柱の先端に半球が載置された形状等が挙げられる。
【００３０】
接着フィルム３をウエハ１の表面に貼付する方法は特に限定されず、テープマウンターなどを用いた汎用の手法により行われる。接着シートをウエハ１の表面に貼付する場合には、ウエハ１の表面に接着フィルム３を転写して、支持フィルム４は剥離される。また、接着フィルム３や支持フィルム４は、予め半導体ウエハ１と略同形状に切断されていてもよく、ウエハに該フィルムを貼付後、余分なフィルムをウエハ外周に沿って切断、除去してもよい。
【００３１】
（ｅ）工程
（ｅ）工程では、支持フィルム４をウエハ１の最外径よりも小径でウエハと相似形に切断する。ウエハ１に貼付されている接着シートにおける支持フィルム４を切断する場合には、支持フィルム４とともに接着フィルム３も同時に切断することが好ましい。
具体的には、図２に示すように、支持フィルム４の接着フィルム３に接する面が、その反対面よりも大面積になるように、支持フィルム４の側面をテーパー状に切断することが好ましい。支持フィルム４の側面をテーパー状に切断することにより、支持フィルム４の接着フィルム３に接する面とは反対面が、接着フィルム３やウエハ１の最外径よりも小径になるとともに、平面視においてウエハ１と支持フィルム４とは相似形となる。
また、図２に示すように、接着フィルム３のウエハ１に接する面が、その反対面よりも大面積になるように、接着フィルム３の側面をテーパー状に切断することがより好ましい。接着フィルム３の側面をテーパー状に切断することにより、接着フィルム３のウエハ１に接する面とは反対面が、ウエハ１の最外径よりも小径になるとともに、平面視においてウエハ１と接着フィルム３とは相似形となる。
【００３２】
支持フィルム４や接着フィルム３の切断方法は特に限定されない。また、接着フィルム３を（ｅ）工程とは別の工程において切断してもよい。
【００３３】
（ｂ）工程
（ｂ）工程では、支持フィルム４の、接着フィルム３が積層されている面と反対側の面に、表面保護シート７を貼付する（図３参照）。
表面保護シート７は、後述する裏面研削工程（（ｃ）工程）において、ウエハ１を保持し、回路面を保護するために貼着される。
【００３４】
表面保護シート７としては、この種の用途に用いられている各種の粘着シートが特に制限されることなく使用される。
【００３５】
表面保護シート７は、それ自体がタックを有する樹脂フィルムであってもよく、また樹脂フィルムの表面に粘着剤層を有する粘着シートであってもよい。
【００３６】
表面保護シート７の厚さは、通常は２０〜１０００μｍであり、好ましくは５０〜２５０μｍである。表面保護シート７が粘着剤層を有している場合は、上記の厚さのうちで粘着剤層の厚さは５〜５００μｍ、好ましくは１０〜１００μｍである。なお、表面保護シートを貼付する方法は特に限定されず、（ａ）工程と同様にテープマウンターなどを用いた汎用の手法により行われる。なお、図３に示すように、（ｂ）工程により、表面保護シート７が接着シートの側面に追従する。
【００３７】
（ｆ）工程
（ｆ）工程では、表面保護シート７をウエハ１の最外径と同径に切断する（図４参照）。表面保護シート７の切断方法は特に限定されない。（ｆ）工程により、表面保護シート７はウエハ１と同形状の部分（ウエハ表面保護部）とそれ以外の部分（残余部）に切断される。表面保護シート７の残余部を除去することにより、後述する（ｃ）工程において、グラインダー等の裏面研削装置が表面保護シート７の残余部を巻き込み、装置が汚染されることを防止できる。なお、「ウエハ１の最外径と同径」とは表面保護シートの切断後の直径がウエハの最外径に２ｍｍを加えた長さ以下であり、ウエハの最外径から２ｍｍを減じた長さ以上であることを指す。表面保護シート７の切断後の直径がこのような範囲にあることで、研削時にウエハ１に貼付されていない表面保護シート端部が振動することの不具合が抑制され、かつ本発明の効果が得られることとなる。
【００３８】
（ｃ）工程
（ｃ）工程では、半導体ウエハ１の裏面を研削する。ウエハ１の裏面研削は、グラインダー等を用いた方法により行われる。裏面研削により、ウエハ１の厚みが薄くなり、その厚みは２０〜５００μｍとなる。
【００３９】
（ｄ）工程
（ｄ）工程では、表面保護シート７を剥離する（図５参照）。本発明においては、前述した（ｅ）工程において支持フィルム４をウエハ１の最外径よりも小径でウエハ１と相似形に切断しているため、支持フィルム４の側面に表面保護シート７が追従することに起因して、表面保護シート７の剥離と同時に支持フィルム４を剥離できる。すなわち、表面保護シート７のみが支持フィルム４から剥がれることなく、ウエハに接着フィルム３を残した上で、表面保護シート７と支持フィルム４を一体のものとして同時に剥離して除去することが容易となる。表面保護シート７を剥離する方法は特に限定されない。
【００４０】
なお、（ｃ）工程と（ｄ）工程との間に、半導体ウエハ１の裏面に粘着シート１３を貼付する工程を行うことが好ましい（図５参照）。粘着シート１３は基材１２上に粘着剤層１１を形成して得られる。
【００４１】
粘着剤層１１としては、種々の粘着剤が特に制限されることなく用いられるが、いわゆる再剥離型の弱粘着剤か、または紫外線照射により粘着力を低減できる紫外線硬化型粘着剤が好ましい。
【００４２】
弱粘着剤としては、アクリル系、ポリエステル系、天然ゴム系等従来公知の粘着剤が特に制限されることなく用いられる。これらの中でもアクリル系粘着剤が好ましく、特にアクリル酸エステルを主たる構成単位とするアクリル系粘着剤が好ましい。このような弱粘着剤の粘着力は、半導体ウエハやチップ等の被着体の加工中には被着体を十分に固定でき、また所要の工程終了後には、容易にチップをピックアップできる程度の粘着力であればよい。
【００４３】
紫外線硬化型粘着剤としては、たとえば特開昭６０−１９６，９５６号公報、特開昭６０−２２３，１３９号公報、特開平５−３２９４６号公報、特開平８−２７２３９号公報等に記載のものが特に制限されることなく用いられる。このような紫外線硬化型粘着剤は、紫外線照射前には被着体に対して充分な接着力を有し、紫外線照射後には接着力が著しく減少する。すなわち、紫外線照射前には、被着体を充分な接着力で保持するが、紫外線照射後には、得られたチップを容易に剥離することができる。
【００４４】
粘着剤層の厚さは、好ましくは１〜１００μｍ、さらに好ましくは３〜８０μｍ、特に好ましくは５〜５０μｍである。
【００４５】
基材１２としては、特に限定はされないが、例えば、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）フィルム、直鎖低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）フィルム、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）フィルム等のポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、ポリイミドフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、フッ素樹脂フィルム、およびその水添加物または変性物等からなるフィルムが用いられる。またこれらの架橋フィルム、共重合体フィルムも用いられる。上記の基材は１種単独でもよいし、さらにこれらを２種類以上組み合わせた複合フィルムであってもよい。
【００４６】
また、粘着剤層１１を硬化するために照射するエネルギー線として紫外線を用いる場合には、紫外線に対して透過性を有する基材が好ましい。なお、エネルギー線として電子線を用いる場合には基材に光線透過性の必要はない。基材が着色されていると、粘着シートが被着体（半導体ウエハ１）に貼付されていることを作業者が視認できるため好ましい。被着体面の視認性が求められる場合、基材は透明であることが好ましい。
【００４７】
また、基材１２の上面、すなわち粘着剤層１１が設けられる側の基材表面には粘着剤層との密着性を向上させるために、コロナ処理を施したり、プライマー層を設けてもよい。また、粘着剤層とは反対面に各種の塗膜を塗工してもよい。本発明における粘着シート１３は、上記基材１２の片面に粘着剤層１１を設けることで製造される。基材１２の厚みは、好ましくは２０〜２００μｍ、より好ましくは２５〜１１０μｍ、特に好ましくは５０〜９０μｍの範囲にある。基材１２の厚みが大きいと、基材１２の曲げに対抗する力が大きくなり、ピックアップ時の剥離角度が大きくなりにくい。このため、ピックアップに要する力が増加し、ピックアップ性に劣る場合がある。基材１２の厚みが小さい場合には、材料によっては製膜が困難となる場合がある。
【００４８】
上記基材の表面に粘着剤層を設ける方法は、粘着剤層を構成する粘着剤組成物を剥離シート上に所定の膜厚になるように塗布して粘着剤層を形成し、上記基材の表面に転写しても構わないし、上記基材の表面に粘着剤組成物を直接塗布して粘着剤層を形成しても構わない。剥離シートとしては、上述した支持フィルムと同じものを用いることができる。なお、粘着シート１３を貼付する方法は特に限定されず、（ａ）工程と同様にテープマウンターなどを用いた汎用の手法により行われる。
【００４９】
その後、半導体ウエハ１およびダイボンディング用接着フィルム３を回路毎に個片化する工程を経て、回路面にダイボンディング用接着フィルム３を有する半導体チップ１０を得ることができる（図６参照）。半導体ウエハ１およびダイボンディング用接着フィルム３を回路毎に個片化する工程では、半導体ウエハ１と接着フィルム３との積層体を、ウエハ表面に形成された回路毎にダイシングする。
【００５０】
ダイシングは、ウエハ１と接着フィルム３をともに切断するように行われる。ダイシングは特に限定されず、一例として、図７に示すように、ウエハのダイシング時には、粘着シート１３の外周部をリングフレーム５により固定した後、ダイシングブレード１５などの回転丸刃を用いるなどの公知の手法によりウエハのチップ化を行う方法などが挙げられる。ダイシングによる粘着シート１３への切込み深さは、接着フィルム３とウエハ１とを完全に切断していればよく、ウエハ１と粘着シート１３との界面から０〜３０μｍとすることが好ましい。基材１２への切り込み量を小さくすることで、ダイシングブレード１５の摩擦による基材１２の溶融や、基材１２におけるバリ等の発生を抑制することができる。
【００５１】
次いで、ダイシングされた接着フィルム付半導体チップ１０をコレット等の汎用手段によりピックアップすることで、粘着シート１３と半導体チップ１０とを剥離する。また、チップ１０のピックアップ性を向上させるために、粘着シート１３をエキスパンドしてもよい。この結果、回路面にダイボンディング用接着フィルム３を有する半導体チップ１０（接着フィルム付半導体チップ１０）が得られる。
【００５２】
上記のような（ａ）〜（ｆ）工程により、接着フィルム付半導体チップを得ることができる。
上記の半導体チップの製造方法においては、（ａ）工程と（ｂ）工程との間に（ｅ）工程を行い、（ｂ）工程と（ｃ）工程との間に（ｆ）工程を行う方法について説明したが、（ｅ）工程は（ｂ）工程よりも前に行われ、（ｆ）工程は（ｃ）工程よりも前に行われればよい。例えば、（ａ）工程の前に（ｅ）工程を行い、（ａ）工程において、接着フィルム、およびウエハの最外径よりも小径でウエハと相似形に切断された支持フィルムを有する接着シートを、ウエハの回路面に貼付してもよい。
【００５３】
また、最初に（ｆ）工程を行い、次いで、ウエハに貼付されている接着シートにおける支持フィルムを接着フィルムとともに同時に切断して（ｅ）工程を行ってもよい。この場合には、（ｅ）工程により得られた支持フィルムと（ｆ）工程により得られた表面保護シートを同心円状に積層し（（ｂ）工程）、その後（ｃ）工程と（ｄ）工程を行うことで、半導体チップを製造することになる。このような場合においても、支持フィルムと表面保護シートの積層面における支持フィルムの面積が、積層面における表面保護シートの面積よりも小さい。そのため、表面保護シートが接着シートの側面に追従し（図４参照）、ウエハに接着フィルムを残した上で、表面保護シートと支持フィルムを一体のものとして同時に剥離して除去できる。
【００５４】
次に、本発明に係る第２の半導体チップの製造方法を説明する。本発明に係る第２の半導体チップの製造方法は、以下の工程（ａ’）〜（ｇ’）を含む。
（ａ’）表面に回路が形成された半導体ウエハの回路面に、そのウエハの厚さよりも浅い深さの溝を形成する工程、
（ｂ’）ダイボンディング用接着フィルムおよび支持フィルムを有する接着シートを、溝が形成された半導体ウエハの回路面に貼付する工程、
（ｃ’）支持フィルムの、接着フィルムが積層されている面と反対側の面に、表面保護シートを貼付する工程、
（ｄ’）半導体ウエハの裏面を研削することでウエハの厚さを薄くするとともに、個々のチップに分割する工程、
（ｅ’）表面保護シートおよび支持フィルムを剥離する工程、
（ｆ’）支持フィルムをウエハの最外径よりも小径でウエハと相似形に切断する工程、および
（ｇ’）表面保護シートをウエハの最外径と同径に切断する工程を含み、
前記（ａ’）工程から（ｅ’）工程をこの順で行い、
前記（ｆ’）工程を（ｃ’）工程よりも前に行い、
前記（ｇ’）工程を（ｄ’）工程よりも前に行う、半導体チップの製造方法。
【００５５】
以下、各工程について説明する。なお、（ｂ’）工程は上記（ａ）工程と同様であり、（ｃ’）工程は上記（ｂ）工程と同様であり、（ｅ’）工程は上記（ｄ）工程と同様であり、（ｆ’）工程は上記（ｅ）工程と同様であり、（ｇ’）工程は上記（ｆ）工程と同様であるため、説明を省略する。また、以下では、本発明に係る第１の半導体装置の製造方法と同様に、その一例として、（ｂ’）工程と（ｃ’）工程との間に（ｆ’）工程を行い、（ｃ’）工程と（ｄ’）工程との間に（ｇ’）工程を行う方法について説明する。
【００５６】
（ａ’）工程
（ａ’）工程では、表面に回路が形成された半導体ウエハ１の回路面に、そのウエハの厚さよりも浅い深さの溝６を形成する（図７参照）。
溝６を形成する方法は特に限定されず、例えば、ダイシングテープにウエハ１を貼付し、ダイシングテープの周辺部をリングフレームにより固定した後、ダイシングブレードなどの回転丸刃を用いるなどの公知の手法により、ウエハの厚さよりも浅い深さの溝を形成できる。溝６の深さは特に限定されず、好ましくは、次に述べる（ｄ’）工程において得られるチップの厚さよりも１〜５０μｍ程度大きく、より好ましくは２０〜４０μｍ程度大きい。
【００５７】
（ｄ’）工程
（ｄ’）工程では、半導体ウエハの裏面を研削することでウエハの厚さを薄くするとともに、個々のチップ１０に分割する（図８参照）。ウエハの裏面研削は、グラインダー等を用いた方法により行われる。裏面研削によりウエハの厚みが薄くなり、ウエハの厚みが（ａ’）工程で形成された溝に達することでウエハは個々のチップ１０に分割される。
【００５８】
（ｄ’）工程の後であって（ｅ’）工程の前に、または、（ｅ’）工程の後に、チップ間に存在するダイボンディング用接着フィルム３を、チップ１０と同形状に切断し、回路面にダイボンディング用接着フィルム３を有する一群のチップ１００を得る工程を行うことが好ましい。（ｄ’）工程の後であって（ｅ’）工程の前に、かかる工程を行った場合を図９に示す。接着フィルムの切断方法は特に限定されず、レーザー光をチップ間に露出したダイボンディング用接着フィルム３に照射することで、ダイボンディング用接着フィルム３をチップ１０と同形状に切断する方法が挙げられる。かかる方法は、公知のレーザーダイシング法により行うことができる。
【００５９】
なお、（ｄ’）工程の後であって（ｅ’）工程の前に、一群のチップ１００の裏面に粘着シート１３を貼付する工程を行うことが好ましい（図１０参照）。粘着シート１３および粘着シート１３を貼付する方法は、本発明に係る第１の半導体装置の製造方法において説明したとおりである。
【００６０】
上記のような（ａ’）〜（ｇ’）工程により、接着フィルム付半導体チップを得ることができる。
上記の半導体チップの製造方法においては、（ｂ’）工程と（ｃ’）工程との間に（ｆ’）工程を行い、（ｃ’）工程と（ｄ’）工程との間に（ｇ’）工程を行う方法について説明したが、（ｆ’）工程は（ｃ’）工程よりも前に行われ、（ｇ’）工程は（ｄ’）工程よりも前に行われればよい。例えば、（ａ’）工程の前に（ｆ’）工程を行い、（ｂ’）工程において、接着フィルム、およびウエハの最外径よりも小径でウエハと相似形に切断された支持フィルムを有する接着シートを、ウエハの回路面に貼付してもよい。
【００６１】
また、最初に（ｇ’）工程を行い、次いで、ウエハに貼付されている接着シートにおける支持フィルムを接着フィルムと同時に切断して（ｆ’）工程を行ってもよい。この場合には、（ｆ’）工程により得られた支持フィルムと（ｇ’）工程により得られた表面保護シートを同心円状に積層し（（ｃ’）工程）、その後（ｄ’）工程と（ｅ’）工程を行うことで、半導体チップを製造することになる。このような場合においても、支持フィルムと表面保護シートの積層面における支持フィルムの面積が、積層面における表面保護シートの面積よりも小さい。そのため、表面保護シートが接着シートの側面に追従し（図９参照）、ウエハに接着フィルムを残した上で、表面保護シートと支持フィルムを一体のものとして同時に剥離して除去できる。
【００６２】
上述した本発明に係る第１、第２の半導体チップの製造方法により得られた接着フィルム付半導体チップは、次いで、ピックアップされる。接着フィルム付半導体チップのピックアップは、粘着シート１３から直接行ってもよく、また接着フィルム付半導体チップを粘着シート１３から他の粘着シートに転写した後に、該他の粘着シートから接着フィルム付半導体チップをピックアップしてもよい。このような他の粘着シートとしては、適度な感圧接着性と再剥離性を有する粘着シートが好ましく、特に従来よりダイシングシートとして使用されている紫外線硬化型粘着シートが好ましく用いられる。
【００６３】
接着フィルム付半導体チップのピックアップは、吸引コレットなどを用いた公知の手法により行うことができる。また、必要に応じ、突き上げピンで、粘着シート１３または他の粘着シートの裏面側から接着フィルム付チップを突き上げてもよい。
【００６４】
ピックアップされた接着フィルム付半導体チップは、そのまま、またはチップの反転工程を経て次工程に進んでもよいし、一度、転写テープ上や収納容器内に保管し、必要に応じて次工程に使用してもよい。
【００６５】
そして、接着フィルム付半導体チップを接着フィルム３を介して、チップ搭載用基板の電極部等の所定の位置に載置する。具体的には、回路面側に接着フィルム３を有するチップをフェースダウン方式により、所定のチップ搭載用基板に載置する。バンプを有するチップにあっては、それらのバンプをチップ搭載用基板上の相対応する端子部に対面するように載置する。
【００６６】
その後、ダイボンドされた接着フィルム付半導体チップを加熱し、チップをチップ搭載用基板に固着する。接着フィルム３は、上述したように加熱により接着性を発現するＢステージの樹脂、粘接着剤あるいは熱可塑性樹脂等から形成されている。これらを所定条件で加熱することで、Ｂステージ樹脂であれば、樹脂の硬化により接着性が発現し、また粘接着剤であれば、これに含まれる熱硬化性樹脂の硬化により接着性が発現する。また、熱可塑性樹脂であれば、ヒートシールにより接着力が発現する。
【００６７】
このようにしてダイボンディング（フリップチップボンディング）した後、必要に応じ、樹脂封止などの通常の工程を経て半導体装置が得られる。
【００６８】
以上、本発明の半導体チップの製造方法について、図面に沿って説明したが、本発明は、上記構成の半導体チップの製造方法には限定されず、種々の構成を有する半導体チップの製造方法に適用できる。
【符号の説明】
【００６９】
１  ：半導体ウエハ
２  ：バンプ
３  ：接着フィルム
４  ：支持フィルム
５  ：リングフレーム
７  ：表面保護シート
１０：半導体チップ
１３：粘着シート
１４：接着シート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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