(57)【要約】【課題】水晶発振器を高い周波数精度で安定して発振させる。【解決手段】第１水晶振動子１０と、第１水晶振動子１０の出力信号を増幅するトランジスタ２０と、トランジスタ２０から第１水晶振動子１０への帰還路上に設けられた第２水晶振動子３０と、トランジスタ２０が出力する信号と基準信号との間の位相差に応じた位相比較信号を出力する位相比較器４０と、トランジスタ２０と第２水晶振動子３０との間に接続され、位相比較器４０が出力する位相比較信号の電圧に応じて静電容量が変化する可変容量素子５０とを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１水晶振動子と、
前記第１水晶振動子の出力信号を増幅するトランジスタと、
前記トランジスタから前記第１水晶振動子への帰還路上に設けられた第２水晶振動子と、
前記トランジスタが出力する信号と基準信号との間の位相差に応じた位相比較信号を出力する位相比較器と、
前記トランジスタと前記第２水晶振動子との間に接続され、前記位相比較信号の電圧に応じて静電容量が変化する可変容量素子と
を有する水晶発振器。
【請求項２】
前記位相比較信号に含まれる所定の周波数より低い周波数成分を通過させる低域通過フィルタをさらに有し、前記可変容量素子は、前記低域通過フィルタから出力された信号の電圧に応じて静電容量が変化する請求項１に記載の水晶発振器。
【請求項３】
前記可変容量素子とグランドとの間に接続されたインダクタをさらに有する請求項１又は２に記載の水晶発振器。
【請求項４】
前記第１水晶振動子及び前記第２水晶振動子を収容する恒温槽をさらに有し、
前記第１水晶振動子及び前記第２水晶振動子は、前記恒温槽における温度が等しい位置に設けられている請求項１から３のいずれか一項に記載の水晶発振器。
【請求項５】
第１水晶振動子と、
前記第１水晶振動子の出力信号を増幅するトランジスタと、
前記トランジスタから前記第１水晶振動子への帰還路上に設けられた第２水晶振動子と、
前記第１水晶振動子及び前記第２水晶振動子を収容する恒温槽と
を有し、
前記第１水晶振動子及び前記第２水晶振動子は、前記恒温槽における温度が等しい位置に設けられている水晶発振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水晶発振器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
トランジスタを用いて水晶振動子を発振させる水晶発振器において、当該トランジスタのエミッタとベースとの間の帰還路にフィルタ用の水晶振動子を設けることにより、十分に大きな負性抵抗を有する周波数帯域幅を制限し、所望の周波数以外の周波数での誤発振を防ぐ方法が知られている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００３】
図６は、従来の水晶発振器２００の構成例を示す。水晶発振器２００は、水晶振動子２１０、トランジスタ２２０、水晶振動子２３０、キャパシタ２４０、抵抗２５０、抵抗２５１、キャパシタ２５２、キャパシタ２５３、抵抗２５４及び抵抗２５５を有する。図７は、水晶発振器２００の負性抵抗の周波数特性の一例を示す。
【０００４】
図６に示すように、水晶発振器２００は、発振用増幅器として機能するトランジスタ２２０のエミッタとベースとの間の帰還路に水晶振動子２３０が設けられている。したがって、トランジスタ２２０のエミッタとベースとの間のインピーダンスが、水晶振動子２３０の直列共振周波数近傍の領域においてのみ大きな負抵抗となる。
【０００５】
その結果、図７に示すように、水晶発振器２００の負性抵抗の周波数特性は、水晶振動子２３０の直列共振周波数近傍の狭い帯域において大きな負性抵抗を示す。水晶発振器２００は、負性抵抗が大きな狭い周波数帯域において安定して発振し、スプリアス発振を防止できる。例えば、水晶振動子２１０がＳＣカット水晶振動子である場合に、水晶振動子２３０を設けることによって、不要モードであるＢモードでの誤発振を防ぐことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平９−１５３７４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、水晶発振器２００の負性抵抗が大きな負の値を示す周波数帯域が図７に示すように狭い場合、水晶振動子２１０と水晶振動子２３０との間の温度特性の差、又は水晶振動子２１０が実装された位置の温度と水晶振動子２３０が実装された位置の温度との差により、負性抵抗が負の値を示す周波数帯域が、所望の水晶振動子２１０の発振周波数からずれる場合があった。その結果、所定の温度において水晶振動子２１０及び水晶振動子２３０の発振周波数がほぼ等しい場合であっても、外部温度の変化に伴い、水晶振動子２１０の発振周波数と水晶振動子２３０の発振周波数との間に、数百ｐｐｂ程度のずれが生じてしまい、発振するべき周波数で発振しなくなってしまうという問題が生じていた。
【０００８】
例えば、水晶発振器２００の発振周波数が１０ＭＨｚであり、負性抵抗が負の値を示す周波数帯域幅が５Ｈｚである場合には、水晶振動子２１０の発振周波数と水晶振動子２３０の発振周波数との間に５００ｐｐｂのずれが生じると、水晶発振器２００が１０ＭＨｚで発振しないという問題が生じていた。負性抵抗が負の値を示す周波数帯域幅が狭くなればなるほど、水晶振動子２１０及び水晶振動子２３０の温度特性の差の影響、及び水晶振動子２１０の温度と水晶振動子２３０の温度との差の影響が顕著に表れるので、従来の水晶発振器では、高い周波数精度で安定して発振させることが困難であった。
【０００９】
そこで、本発明はこれらの点を鑑みてなされたものであり、水晶発振器における外部温度の影響を抑制し、高い周波数精度で安定して発振させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決するために、本発明の第１の態様においては、第１水晶振動子と、第１水晶振動子の出力信号を増幅するトランジスタと、トランジスタから第１水晶振動子への帰還路上に設けられた第２水晶振動子と、トランジスタが出力する信号と基準信号との間の位相差に応じた位相比較信号を出力する位相比較器と、トランジスタと第２水晶振動子との間に接続され、位相比較器が出力する位相比較信号の電圧に応じて静電容量が変化する可変容量素子とを有する水晶発振器を提供する。水晶発振器がこのような構成を有することにより、温度変化に伴って発振周波数が基準信号の周波数からずれた場合であっても、発振周波数を微調整して、所望の周波数に近づけることができる。
【００１１】
上記の水晶発振器は、位相比較信号に含まれる所定の周波数より低い周波数成分を通過させる低域通過フィルタをさらに有してもよい。上記の可変容量素子は、当該低域通過フィルタから出力された信号の電圧に応じて静電容量が変化する。低域通過フィルタが位相比較信号の高周波成分を遮断することにより、可変容量素子の静電容量が緩やかに変化するので、位相雑音の発生を防ぐことができる。
【００１２】
上記の水晶発振器は、可変容量素子とグランドとの間に接続されたインダクタをさらに有してもよい。可変容量素子が当該インダクタを介してグランドに接続されていることにより、位相比較信号の電圧を可変容量素子の両端に印加することができる。
【００１３】
上記の水晶発振器は、第１水晶振動子及び第２水晶振動子を収容する恒温槽をさらに有し、第１水晶振動子及び第２水晶振動子は、恒温槽における温度が等しい位置に設けられていてもよい。水晶発振器がこのような構成を有することにより、第１水晶振動子の温度と第２水晶振動子とが等しい温度で安定するので、発振周波数の精度をさらに向上することができる。
【００１４】
本発明の第２の態様によれば、第１水晶振動子と、第１水晶振動子の出力信号を増幅するトランジスタと、トランジスタから第１水晶振動子への帰還路上に設けられた第２水晶振動子と、第１水晶振動子及び第２水晶振動子を収容する恒温槽とを有し、第１水晶振動子及び第２水晶振動子は、恒温槽における温度が等しい位置に設けられている水晶発振器を提供する。水晶発振器がこのような構成を有することにより、第１水晶振動子の温度と第２水晶振動子とが等しい温度で安定するので、外部温度の変化によらず、高い周波数精度で安定して発振させることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る水晶発振器によれば、水晶発振器における外部温度の影響を抑制し、高い周波数精度で安定して発振させることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１の実施形態に係る水晶発振器の回路構成例を示す。
【図２】第１の実施形態に係る位相比較器の構成例を示す。
【図３Ａ】基準信号の周波数と発振信号の周波数とが等しい状態における発振信号、基準信号及び位相比較信号の関係を示す。
【図３Ｂ】基準信号の周波数よりも発振信号の周波数が高くなった状態における発振信号、基準信号及び位相比較信号の関係を示す。
【図３Ｃ】基準信号の周波数よりも発振信号の周波数が低くなった状態における発振信号、基準信号及び位相比較信号の関係を示す。
【図４】本実施形態に係る水晶発振器における水晶振動子及び水晶振動子の実装例を示す。
【図５】本実施形態に係る水晶発振器における水晶振動子及び水晶振動子の他の実装例を示す。
【図６】従来の水晶発振器の構成例を示す。
【図７】水晶発振器の負性抵抗の周波数特性の一例を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
＜第１の実施形態＞
［可変容量素子により周波数を微調整する］
図１は、第１の実施形態に係る水晶発振器１００の回路構成例を示す。水晶発振器１００は、水晶振動子１０、トランジスタ２０、水晶振動子３０、位相比較器４０、可変容量素子５０、低域通過フィルタ６０、インダクタ７０、抵抗８１、抵抗８２、キャパシタ８３、キャパシタ８４、抵抗８５及び抵抗８６を有する。
【００１８】
水晶振動子１０は、例えばＳＣカットの水晶振動子である。トランジスタ２０は、水晶振動子１０の出力信号を増幅する。水晶振動子１０の一端はグランドに接続され、他の一端はトランジスタ２０のベースに接続されている。トランジスタ２０のベースは、電源に接続された抵抗８１とグランドに接続された抵抗８２との接続点に接続されており、バイアス電圧が印加されている。
【００１９】
トランジスタ２０のエミッタは、抵抗８６、インダクタ７０及び可変容量素子５０のアノード端子に接続されている。抵抗８６及びインダクタ７０におけるトランジスタ２０に接続された端子と反対側の端子は、グランドに接続されている。トランジスタ２０のコレクタは、抵抗８５を介して電源に接続されており、発振信号を出力する。水晶振動子１０、トランジスタ２０、抵抗８１、抵抗８２、キャパシタ８３、キャパシタ８４、抵抗８５及び抵抗８６によりコルピッツ型発振回路が構成される。
【００２０】
水晶振動子３０は、例えばＳＣカットの水晶振動子である。水晶振動子３０は、トランジスタ２０から第１水晶振動子１０への帰還路上に設けられている。具体的には、水晶振動子３０の第１端子は、低域通過フィルタ６０及び可変容量素子５０を介してトランジスタ２０のエミッタに接続されている。水晶振動子３０の第２端子は、トランジスタ２０のベースに接続されたキャパシタ８３とグランドに接続されたキャパシタ８４との接続点に接続されている。すなわち、水晶振動子３０の第２端子は、キャパシタ８３を介してトランジスタ２０のベースに接続されている。
【００２１】
位相比較器４０は、トランジスタ２０が出力する発振信号と基準信号との間の位相差に応じた位相比較信号を出力する。具体的には、位相比較器４０は、トランジスタ２０のコレクタから出力される発振信号と外部から入力される基準信号とを取得し、発振信号の論理値が変化するタイミングと基準信号の論理値が変化するタイミングとの差に応じたデューティー比を有する位相比較信号を出力する。
【００２２】
基準信号は、例えば温度補償発振回路（ＴＣＸＯ）により生成され、広い温度範囲に渡って所定の周波数が保たれた信号である。水晶発振器１００は、基準信号を外部の温度補償発振回路から取得してもよく、水晶発振器１００が温度補償発振回路を有してもよい。
【００２３】
可変容量素子５０は、トランジスタ２０のエミッタと第２水晶振動子３０との間に接続され、位相比較信号の電圧に応じて静電容量を変化させる。可変容量素子５０は、例えば、端子間に印加される電圧に応じて静電容量を変化させるバリキャップである。可変容量素子５０の静電容量は、端子間に印加される電圧の平方根に反比例して変化する。すなわち、可変容量素子５０の端子間に印加される電圧が大きくなればなるほど可変容量素子５０の静電容量は小さくなり、可変容量素子５０の端子間に印加される電圧が小さくなればなるほど、可変容量素子５０の静電容量は大きくなる。可変容量素子５０の静電容量が大きくなると、トランジスタ２０が出力する発振信号の周波数が低くなり、可変容量素子５０の静電容量が小さくなると、発振信号の周波数が高くなる。
【００２４】
可変容量素子５０のアノード端子は、トランジスタ２０のエミッタに接続されているとともに、インダクタ７０を介してグランドに接続されている。可変容量素子５０のカソード端子は、低域通過フィルタ６０を介して位相比較器４０の出力端子に接続されている。
【００２５】
低域通過フィルタ６０は、抵抗６１及びキャパシタ６２を有する。抵抗６１は、第１端子が位相比較器４０の出力端子に接続されており、第２端子がキャパシタ６２の第１端子に接続されている。キャパシタ６２の第２端子はグランドに接続されている。低域通過フィルタ６０は、位相比較信号に含まれる所定の周波数（以下、カットオフ周波数）より低い周波数成分を通過させて可変容量素子５０のカソード端子に入力する。低域通過フィルタ６０のカットオフ周波数は、抵抗６１及びキャパシタ６２の大きさに基づいて定められ、発振信号に許容される位相雑音に応じて選択される。
【００２６】
インダクタ７０は、低域通過フィルタ６０を通過する周波数におけるインピーダンスがほぼ０Ωなので、グランド電圧に等しいバイアス電圧を可変容量素子５０に供給する。すなわち、低域通過フィルタ６０を通過した位相比較信号の周波数における可変容量素子５０のアノード端子の電圧はグランド電圧に等しくなる。その結果、可変容量素子５０の端子間には位相比較信号の電圧が低域通過フィルタ６０によって平滑化された電圧が印加されるので、位相比較信号の電圧に応じて可変容量素子５０の静電容量が変化し、トランジスタ２０が出力する発振信号の周波数も変化する。
【００２７】
具体的には、位相比較信号のデューティー比が５０％であり、位相比較信号の電圧が平滑化された電圧が電源電圧とグランドとの間の中間電圧である場合には、トランジスタ２０が出力する発振信号の周波数は変化しないで維持される。これに対して、温度変化に伴い発振信号の周波数が変化し、基準信号の変化タイミングに対する発振信号の変化タイミングが変化すると、位相比較信号のデューティー比が５０％から変化し、位相比較信号の電圧が平滑化された電圧が中間電圧から変化する。その結果、可変容量素子５０の静電容量が変化してトランジスタ２０が出力する発振信号の周波数が変化する。
【００２８】
例えば、基準信号の変化タイミングに対する発振信号の変化タイミングが早くなり位相比較信号のデューティー比が５０％より小さくなると、位相比較信号の電圧が平滑化された電圧が中間電圧より小さくなるので可変容量素子５０の静電容量が大きくなり、トランジスタ２０が出力する発振信号の周波数が低くなる。逆に、基準信号の変化タイミングに対する発振信号の変化タイミングが遅くなり位相比較信号のデューティー比が５０％より大きくなると、位相比較信号の電圧が平滑化された電圧が中間電圧より大きくなるので可変容量素子５０の静電容量が小さくなり、トランジスタ２０が出力する発振信号の周波数が高くなる。
【００２９】
［位相比較器４０の構成例］
図２は、位相比較器４０の構成例を示す。図３Ａ、図３Ｂ及び図３Ｃは、発振信号、基準信号及び位相比較信号の関係を示す。図２に示す位相比較器４０は、ＪＫフリップフロップ４１、ＪＫフリップフロップ４２及びＮＡＮＤ素子４３を有する。ＪＫフリップフロップ４１及びＪＫフリップフロップ４２のＪ端子は電源に接続され、Ｋ端子はグランドに接続されている。ＪＫフリップフロップ４１のクロック端子には基準信号が入力され、ＪＫフリップフロップ４２のクロック端子にはトランジスタ２０が出力する発振信号が入力されている。ＪＫフリップフロップ４１の出力信号及びＪＫフリップフロップ４２の出力信号はＮＡＮＤ素子４３に入力され、ＮＡＮＤ素子４３の出力信号は、ＪＫフリップフロップ４１及びＪＫフリップフロップ４２のクリア端子に接続されている。
【００３０】
図３Ａは、基準信号の周波数と発振信号の周波数とが等しい状態における発振信号、基準信号及び位相比較信号の関係を示す。基準信号の立ち下がりタイミングでＪＫフリップフロップ４１の出力信号が立ち上がり、発振信号の立ち下がりタイミングでＪＫフリップフロップ４１の出力信号が立ち下がる。その結果、ＪＫフリップフロップ４１は、基準信号の立ち下がりタイミングと発振信号の立ち下がりタイミングの時間差に応じた長さＴ／２のパルスを有する位相比較信号を出力する。すなわち、位相比較信号のデューティー比は５０％である。
【００３１】
図３Ｂは、基準信号の周波数に対して発振信号の周波数が高くなり、基準信号の立ち下がりタイミングに対する発振信号の立ち下がりタイミングが図３Ａに示した状態よりも早くなった状態における発振信号、基準信号及び位相比較信号の関係を示す。位相比較信号のパルス幅ｔはＴ／２よりも小さく、デューティー比は５０％よりも小さい。この場合には、位相比較信号を平滑化した信号の電圧が中間電圧よりも低くなるので可変容量素子５０の静電容量が大きくなり、発振信号の周波数が低くなるように調整される。
【００３２】
図３Ｃは、基準信号の周波数に対して発振信号の周波数が低くなり、基準信号の立ち下がりタイミングに対する発振信号の立ち下がりタイミングが図３Ａに示した状態よりも遅くなった状態における発振信号、基準信号及び位相比較信号の関係を示す。位相比較信号のパルス幅ｔはＴ／２よりも大きく、デューティー比は５０％よりも大きい。この場合には、位相比較信号を平滑化した信号の電圧が中間電圧よりも高くなるので可変容量素子５０の静電容量が小さくなり、発振信号の周波数が高くなるように調整される。
【００３３】
以上のとおり、本実施形態に係る水晶発振器１００によれば、温度変化によってトランジスタ２０のエミッタから出力される発振信号の周波数が変化すると、変化を打ち消す方向に可変容量素子５０の静電容量が変化することで、温度変化に伴う発振信号の周波数の変化を打ち消すことができる。したがって、水晶発振器１００は、水晶振動子１０の温度特性と水晶振動子３０の温度特性との間に差があっても、スプリアス発振をすることなく、高い周波数精度で安定して発振することができる。特に、本実施形態に係る水晶発振器１００によれば、可変容量素子５０を用いてアナログ的に周波数を微調整することができるので、周波数ジッタのような位相雑音を発生することなく、安定した周波数の発振信号を出力することができる。
【００３４】
［水晶振動子１０及び水晶振動子３０を恒温槽に収容する］
図４は、水晶発振器１００における水晶振動子１０及び水晶振動子３０の実装例を示す。図４において、水晶振動子１０及び水晶振動子３０は恒温槽９０に収容されている。恒温槽９０の表面にはヒーター線９１が巻きつけられており、恒温槽９０の内部の温度が所定の範囲内の温度になるように、ヒーター線９１の温度が調整される。例えば、水晶発振器１００は、恒温槽９０の内部又は外部の温度を検出するサーミスタ又は温度センサを有し、測定された温度に応じてヒーター線９１に供給する電力を調整する。
【００３５】
水晶振動子１０及び水晶振動子３０は、恒温槽９０における温度がほぼ等しい位置に設けられている。例えば、恒温槽９０が直方体形状である場合に、恒温槽９０の１つの側面の対向する辺からの距離が等しい中心線に対して線対称になる２つの位置に水晶振動子１０及び水晶振動子３０が設けられている。
【００３６】
水晶振動子１０及び水晶振動子３０の端子は恒温槽９０の外部に突出しており、プリント基板に実装することができる。一例として、水晶発振器１００におけるトランジスタ２０、位相比較器４０、可変容量素子５０、低域通過フィルタ６０、インダクタ７０、抵抗８１、抵抗８２、キャパシタ８３、キャパシタ８４、抵抗８５及び抵抗８６は、水晶振動子１０及び水晶振動子３０の端子が接続されるプリント基板に実装される。トランジスタ２０、位相比較器４０、可変容量素子５０、低域通過フィルタ６０、インダクタ７０、抵抗８１、抵抗８２、キャパシタ８３、キャパシタ８４、抵抗８５及び抵抗８６のうちの少なくとも一部が恒温槽９０の内部に設けられてもよい。
【００３７】
以上のとおり、水晶振動子１０及び水晶振動子３０を恒温槽９０における温度が等しい位置に設けることにより、水晶振動子１０及び水晶振動子３０の温度差に伴う発振周波数の差が生じないので、水晶発振器１００は、さらに安定して高い周波数精度の発振信号を出力できる。
【００３８】
図５は、水晶発振器１００における水晶振動子１０及び水晶振動子３０の他の実装例を示す。図５に示す水晶発振器１００においては、水晶振動子１０及び水晶振動子３０の位置が図４に示した水晶発振器１００における位置と異なるとともに、水晶振動子１０の形状が、図４に示した水晶振動子１０の形状と異なっている。図５に示す水晶振動子１０は、例えばＨＣ−３７／Ｕ（ＭＩＬ規格）又はＨＣ−４０／Ｕ（ＭＩＬ規格）のパッケージに圧電素子が封入されており、水晶振動子３０は、例えばＨＣ−４３／Ｕ（ＭＩＬ規格）のパッケージに圧電素子が封入されている。水晶振動子１０は、端子１２ａ及び端子１２ｂを有する基板１１に実装されており、端子１２ａ及び端子１２ｂを介して、他の素子に接続される。
【００３９】
水晶振動子１０及び水晶振動子３０の位置及び形状は、他の組み合わせであってもよい。例えば、水晶発振器１００が、ＨＣ−４３／Ｕ（ＭＩＬ規格）のパッケージに圧電素子が封入された水晶振動子１０と、ＨＣ−３７／Ｕ（ＭＩＬ規格）又はＨＣ−４０／Ｕ（ＭＩＬ規格）のパッケージに圧電素子が封入された水晶振動子３０とを有してもよく、ＨＣ−３７／Ｕ（ＭＩＬ規格）又はＨＣ−４０／Ｕ（ＭＩＬ規格）のパッケージに圧電素子が封入された水晶振動子１０及び水晶振動子３０を有してもよい。
【００４０】
このように水晶振動子１０と水晶振動子３０とが異なる形状を有する場合であっても、恒温槽９０における温度が等しい位置に水晶振動子１０及び水晶振動子３０を設けることにより、水晶振動子１０及び水晶振動子３０の温度差に伴う発振周波数の差が生じないので、水晶発振器１００は、高い周波数精度の発振信号を安定して出力することができる。
【００４１】
＜第２の実施形態＞
上記の実施形態においては、図１に示したように、水晶発振器１００が位相比較器４０及び可変容量素子５０を有することにより、トランジスタ２０から出力される発振信号の周波数変動が抑制され、高い周波数精度の発振信号を安定して出力することができた。これに対して、水晶振動子１０及び水晶振動子３０を図４及び図５に示した恒温槽９０に収容することにより、水晶発振器１００に位相比較器４０及び可変容量素子５０を設けることなく、高い周波数精度の発振信号を安定して出力することもできる。
【００４２】
例えば、図６に示した水晶発振器２００における水晶振動子２１０及び水晶振動子２３０を恒温槽９０における温度が等しい位置に設けることにより、水晶振動子２１０の温度と水晶振動子２３０の温度とが等しくなる。したがって、水晶振動子２１０の温度特性と水晶振動子２３０の温度特性との間に差があった場合であっても、水晶振動子２１０及び水晶振動子２３０が収容された位置の温度における水晶振動子２１０の発振周波数と水晶振動子２３０の発振周波数とが等しければ、外部温度の変化によらず、水晶発振器２００は高い周波数精度の発振信号を出力することができる。
【００４３】
＜他の実施形態＞
図２に示した位相比較器４０はＪＫフリップフロップ４１、ＪＫフリップフロップ４２及び４３により、基準信号及び発振信号の変化タイミングに応じた位相比較信号を生成したが、位相比較器４０は他の回路により位相比較信号を生成してもよい。例えば、位相比較器４０が排他的論理和回路を有し、基準信号及び発振信号が入力された排他的論理和回路から出力される信号を位相比較信号として出力してもよい。
【００４４】
また、上記の実施形態においては、本発明をコルピッツ型発振回路に適用した構成例について説明したが、本発明をハートレー型発振回路に適用しても、同等の作用効果を奏することは当業者に明らかである。
【００４５】
また、上記の実施形態においては、水晶振動子１０及び水晶振動子３０がＳＣカット水晶振動子である場合について説明したが、水晶振動子１０及び水晶振動子３０がＡＴカット水晶振動子であっても同等の作用効果を奏する。さらに、水晶発振器１００が、ＡＴカットの水晶振動子の３次オーバートーン周波数で発振させる発振回路を有する場合であっても同等の作用効果を奏することも当業者に明らかである。
【００４６】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。そのような変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【符号の説明】
【００４７】
１０・・・水晶振動子、２０・・・トランジスタ、３０・・・水晶振動子、３１・・・基板、３２ａ・・・端子、３２ｂ・・・端子、４０・・・位相比較器、４１・・・ＪＫフリップフロップ、４２・・・ＪＫフリップフロップ、４３・・・ＮＡＮＤ素子、５０・・・可変容量素子、６０・・・低域通過フィルタ、６１・・・抵抗、６２・・・キャパシタ、７０・・・インダクタ、８１・・・抵抗、８２・・・抵抗、８３・・・キャパシタ、８４・・・キャパシタ、８５・・・抵抗、８６・・・抵抗、９０・・・恒温槽、９１・・・ヒーター線、１００・・・水晶発振器、２００・・・水晶発振器、２１０・・・水晶振動子、２２０・・・トランジスタ、２３０・・・水晶振動子、２４０・・・キャパシタ、２５０・・・抵抗、２５１・・・抵抗、２５２・・・キャパシタ、２５３・・・キャパシタ、２５４・・・抵抗、２５５・・・抵抗
【図１】
2014064223.tif 000003
【図２】
2014064223.tif 000004
【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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