(57)【要約】【課題】発光素子における機能層の塗布ムラや異物の侵入などよる発光の不具合を見かけ上修復することが可能な発光装置、この発光装置を備えた電子機器を提供すること。【解決手段】透光性の基板上に設けられた、画素電極３１は、画素電極３１の外周側に配置された第１画素電極３１ａと、第１画素電極３１ａにより囲まれた領域の内側に配置された第２画素電極３１ｂとに分割され、駆動用トランジスター２３のドレインに接続された接続配線５５と第１画素電極３１ａとの間に設けられた第１接続用配線６１と、接続配線５５と第２画素電極３１ｂとの間に設けられた第２接続用配線６４とを有し、第１接続用配線６１の少なくとも一部及び第２接続用配線６４の少なくとも一部は、基板側から入射する光が届くように遮光されていない。したがって、第１接続用配線６１の一部または第２接続用配線６４の一部にレーザー光を照射して切断することができる。【選択図】図３
2014086236.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性の基板上に設けられた、
トランジスターと、
前記トランジスターのソースまたはドレインの一方に電気的に接続された電源線と、
前記ソースまたは前記ドレインのうち他方に電気的に接続された画素電極と、
前記画素電極に対向して配置された対向電極と、
前記画素電極と前記対向電極との間で少なくとも１層が塗布法で形成された、発光層を含む機能層と、を有する発光素子とを備え、
前記画素電極は、前記画素電極の外周側に配置された第１画素電極と、前記第１画素電極により囲まれた領域の内側に配置された第２画素電極とに分割され、
前記ソースまたは前記ドレインの他方と前記第１画素電極との間に設けられた第１接続用配線と、
前記ソースまたは前記ドレインの他方と前記第２画素電極との間に設けられた第２接続用配線とを有し、
前記第１接続用配線の少なくとも一部及び前記第２接続用配線の少なくとも一部は、前記基板側から入射する光が届くように遮光されていないことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記第１画素電極の外縁と重なって形成され、前記画素電極上に開口部を構成する第１絶縁層を有し、
前記第１接続用配線及び前記第２接続用配線は、前記第１絶縁層により覆われていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第１絶縁層は、前記第１画素電極に接して形成された無機絶縁材料からなる下層絶縁層と、前記下層絶縁層上に形成された有機絶縁材料からなる上層絶縁層とを含むことを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第１画素電極により囲まれた領域で、前記第１画素電極と前記第２画素電極との隙間を埋める第２絶縁層を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記機能層は電気抵抗が１０ｋΩ・ｃｍ以上１００ｋΩ・ｃｍ未満の正孔注入層を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記画素電極は、前記第１画素電極により囲まれた領域の内側に配置された第３画素電極を含み、
前記ソースまたは前記ドレインの他方と前記第３画素電極との間に設けられた第３接続用配線を有し、
前記第３接続用配線の少なくとも一部は、前記基板側から入射する光が届くように遮光されていないことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の発光装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画素に発光素子を備える発光装置、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶装置などの受光型の表示装置に対して、自発光型の表示装置が注目されている。中でも、液晶装置よりも薄型化、小型化、省電力化が可能であるとして有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を画素ごとに備えた発光装置は、中小型な製品がスマートフォンなどに採用されている。さらには、大型な製品の開発も進行しており、薄型テレビなどへの採用も期待されている。
一方で、安定した製品供給を実現するには、製造工程における高い歩留まりを実現する必要があるのは言うまでもない。ところが、有機ＥＬ素子を形成する過程で、異物などが有機ＥＬ素子に混入すると、部分的に発光機能が低下して点欠陥が生ずる。また、異物によって電気的に短絡した有機ＥＬ素子を含む画素が生ずると、短絡した画素に集中的に電流が流れることで、他の画素の有機ＥＬ素子に電流が流れ難くなって、表示不具合が全体に影響することがあった。
【０００３】
そこで、これらの異物による不具合を不良とせずに実質的に回避する手段として、例えば、特許文献１には、陽極としての画素電極を平面的に複数に分割し、分割された画素電極のそれぞれが１つのドライブトランジスターと電気的に繋がる配線を有するアクティブマトリックス表示装置が開示されている。また、例えば、特許文献２には、１つの画素に複数の発光機能を有する副素子を形成し、副素子ごとに電流遮断部を有する有機ＥＬディプレイが開示されている。
上記特許文献１及び特許文献２によれば、異物に起因する不具合が生じている画素電極に繋がる部分の配線や、上記電流遮断部にレーザー光を照射して切断することにより、不具合が発生している画素を修復可能としている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−６５２００号公報
【特許文献２】特開２００９−７６３４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
有機ＥＬ素子は陽極と陰極との間に発光層を含む機能層を有しており、機能層の形成方法として、真空蒸着などの気相プロセス、塗布法などの液相プロセス、あるいはこれらを組み合わせた形成方法が開発されている。
上記特許文献１及び特許文献２によれば、画素を平面的に均等に分割したサブ発光素子あるいは副素子を形成している。したがって、液相プロセスに見られる塗布ムラなどの不具合に対応した画素の修復構造ではないという課題があった。換言すれば、機能層の形成プロセスに係らず、画素の修復が可能な画素構造が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る発光装置は、透光性の基板上に設けられた、トランジスターと、前記トランジスターのソースまたはドレインの一方に電気的に接続された電源線と、前記ソースまたは前記ドレインのうち他方に電気的に接続された画素電極と、前記画素電極に対向配置された対向電極と、前記画素電極と前記対向電極との間で少なくとも１層が塗布法で形成された、発光層を含む機能層と、を有する発光素子とを備え、前記画素電極は、前記画素電極の外周側に配置された第１画素電極と、前記第１画素電極により囲まれた領域の内側に配置された第２画素電極とに分割され、前記ソースまたは前記ドレインの他方と前記第１画素電極との間に設けられた第１接続用配線と、前記ソースまたは前記ドレインの他方と前記第２画素電極との間に設けられた第２接続用配線とを有し、前記第１接続用配線の少なくとも一部及び前記第２接続用配線の少なくとも一部は、前記基板側から入射する光が届くように遮光されていないことを特徴とする。
【０００８】
本適用例によれば、第１接続用配線の一部または第２接続用配線の一部にレーザー光を照射してこれを切断することにより、第１画素電極または第２画素電極を電気的に孤立させることができる。したがって、第１画素電極または第２画素電極が設けられた領域に発光が正常に行われない異物などや機能層の塗布ムラが生じていたとしても、第１画素電極または第２画素電極のいずれかを電気的に孤立させることで、発光素子における発光を正常な状態に近づけることができる。また、画素電極の外周側に第１画素電極が配置され、第２画素電極は第１画素電極により囲まれた領域に配置されている。したがって、機能層のうちの少なくとも１層を塗布法で形成したときに、機能層の塗布ムラは第１画素電極が設けられた外周側に発生し易いので、機能層の塗布ムラに起因して生じた不具合を電気的に修復可能な発光素子を備えた発光装置を提供することができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る発光装置において、前記第１画素電極の外縁と重なって形成され、前記画素電極上に開口部を構成する第１絶縁層を有し、前記第１接続用配線及び前記第２接続用配線は、前記第１絶縁層により覆われていることが好ましい。
この構成によれば、第１接続用配線の一部または第２接続用配線の一部にレーザー光を照射しても、第１接続用配線及び第２接続用配線は第１絶縁層により覆われているので、レーザー光による機能層の損傷を防ぐことができる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例に係る発光装置において、前記第１絶縁層は、前記第１画素電極に接して形成された無機絶縁材料からなる下層絶縁層と、前記下層絶縁層上に形成された有機絶縁材料からなる上層絶縁層とを含むことを特徴とする。
この構成によれば、より確実にレーザー光による機能層の損傷を防ぐことができる。また、下層絶縁層と上層絶縁層とを組み合わせて画素電極を区画する隔壁として機能させ、隔壁によって囲まれた領域に塗布法で機能層のうちの少なくとも１層を選択的に形成することができる。これにより、例えば異なる発光色が得られる発光層の塗り分けが可能となる。
【００１１】
［適用例４］上記適用例に係る発光装置において、前記第１画素電極により囲まれた領域で、前記第１画素電極と前記第２画素電極との隙間を埋める第２絶縁層を有することが好ましい。
この構成によれば、第１画素電極及び第２画素電極に接するように機能層を形成したときに、第１画素電極と第２画素電極との隙間が第２絶縁層で埋められているので、第２絶縁層がない場合に比べて、画素電極上における機能層の膜厚の均一性と安定した膜形状とを実現できる。とりわけ、機能層のうちの少なくとも１層を塗布法で形成する場合に、第２絶縁層を設けることは有効である。
【００１２】
［適用例５］上記適用例に係る発光装置において、前記機能層は電気抵抗が１０ｋΩ・ｃｍ以上１００ｋΩ・ｃｍ未満の正孔注入層を含むことが好ましい。
この構成によれば、機能層のうち正孔注入層は、画素電極に接するように最初に形成される。したがって、正孔注入層の電気抵抗が１０ｋΩ・ｃｍ未満の場合には、第１画素電極と第２画素電極との間の電気抵抗が小さくなって、第１接続用配線または第２接続用配線を切断しても、第１画素電極または第２画素電極を電気的に孤立させることができない。つまり、本発明における発光素子の修復効果が得られ難くなる。また、正孔注入層の電気抵抗が１００ｋΩ・ｃｍ以上となると、電気的な絶縁性が高くなるためキャリア（正孔）の移動が困難になり、発光効率が低下するおそれがある。したがって、正孔注入層の電気抵抗を１０ｋΩ・ｃｍ以上１００ｋΩ・ｃｍ未満とすることで、発光素子の修復が確実に可能な発光装置を提供できる。
【００１３】
［適用例６］上記適用例に係る発光装置において、前記画素電極は、前記第１画素電極により囲まれた領域の内側に配置された第３画素電極を含み、前記ソースまたは前記ドレインの他方と前記第３画素電極との間に設けられた第３接続用配線を有し、前記第３接続用配線の少なくとも一部は、前記基板側から入射する光が届くように遮光されていないことが好ましい。
この構成によれば、画素電極は３分割されるので、２分割される場合よりも、発光素子への異物や機能層の塗布ムラなどに起因する不具合をより効果的に修復可能な発光装置を提供できる。
【００１４】
［適用例７］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の発光装置を備えたことを特徴とする。
本適用例によれば、コストパフォーマンスに優れた電子機器を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】（ａ）は第１実施形態の発光装置の電気的な構成を示す等価回路図、（ｂ）はサブ画素の電気的な構成を示す回路図。
【図２】第１実施形態の発光装置におけるサブ画素の配置を示す概略平面図。
【図３】サブ画素の構成を示す概略平面図。
【図４】（ａ）は図３のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図、（ｂ）は図３のＣ−Ｃ’線に沿った概略断面図。
【図５】（ａ）〜（ｅ）は有機ＥＬ素子の製造方法を示す概略断面図。
【図６】（ａ）は機能層の塗布ムラの一例を示す概略平面図、（ｂ）及び（ｃ）はレーザー光を用いた有機ＥＬ素子の修復方法を示す概略断面図。
【図７】第２実施形態の発光装置におけるサブ画素の構成を示す概略平面図。
【図８】第３実施形態の発光装置におけるサブ画素の構成を示す概略平面図。
【図９】（ａ）は電子機器の一例であるノート型のパーソナルコンピューターを示す概略図、（ｂ）は電子機器の一例である薄型テレビ（ＴＶ）を示す概略図。
【図１０】変形例の発光装置のサブ画素の構造を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００１７】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００１８】
（第１実施形態）
＜発光装置＞
本実施形態の発光装置について、図１〜図４を参照して説明する。図１（ａ）は第１実施形態の発光装置の電気的な構成を示す等価回路図、図１（ｂ）はサブ画素の電気的な構成を示す回路図、図２は第１実施形態の発光装置におけるサブ画素の配置を示す概略平面図、図３はサブ画素の構成を示す概略平面図、図４（ａ）は図３のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図、図４（ｂ）は図３のＣ−Ｃ’線に沿った概略断面図である。
【００１９】
図１（ａ）に示すように、本実施形態の発光装置１００は、互いに並行して配置された複数の走査線１２と、複数の走査線１２のそれぞれと交差し、互いに並行して配置された複数のデータ線１３及び複数の電源線１４と、を有する。また、複数の走査線１２と複数のデータ線１３との各交差部に対応して配置された複数のサブ画素１８を有する。さらに、複数の走査線１２が接続される走査線駆動回路１６と、複数のデータ線１３が接続されるデータ線駆動回路１５とを含んで構成されている。複数の電源線１４は１つにまとめられて外部駆動回路から所定の電位が与えられる。発光装置１００は、これらの信号線やサブ画素１８の機能を検査可能な検査回路を備えていてもよい。
【００２０】
図１（ｂ）に示すように、サブ画素１８は、発光素子としての有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子３０と、走査線１２、データ線１３、電源線１４に接続され、有機ＥＬ素子３０の電気的な制御を行う画素回路２０とを有している。
【００２１】
有機ＥＬ素子３０は、陽極として機能する画素電極３１と、陰極として機能する対向電極３３と、画素電極３１と対向電極３３との間に設けられ、有機化合物からなる発光層を含む機能層３２とにより構成されている。有機ＥＬ素子３０の詳しい構成については、後述するが、本実施形態では、画素電極３１は、第１画素電極３１ａと第２画素電極３１ｂとに分割されている。
【００２２】
画素回路２０は、スイッチング用トランジスター２１と、蓄積容量２２と、駆動用トランジスター２３とを含んで構成されている。２つのトランジスター２１，２３は、例えばｎチャネル型もしくはｐチャネル型の薄膜トランジスター（ＴＦＴ；Thin  Film  transistor）やＭＯＳトランジスターを用いて構成することができる。
【００２３】
スイッチング用トランジスター２１のゲートは走査線１２に接続され、ソースまたはドレインのうち一方がデータ線１３に接続され、ソースまたはドレインのうち他方が駆動用トランジスター２３のゲートに接続されている。
駆動用トランジスター２３のソースまたはドレインのうち一方が有機ＥＬ素子３０の画素電極３１（第１画素電極３１ａ及び第２画素電極３１ｂ）に接続され、ソースまたはドレインのうち他方が電源線１４に接続されている。駆動用トランジスター２３のゲートと電源線１４との間に蓄積容量２２が接続されている。
【００２４】
走査線１２が駆動されてスイッチング用トランジスター２１がオン状態になると、そのときにデータ線１３から供給される画像信号に基づく電位がスイッチング用トランジスター２１を介して蓄積容量２２に保持される。該蓄積容量２２の電位すなわち駆動用トランジスター２３のゲート電位に応じて、駆動用トランジスター２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用トランジスター２３がオン状態になると、電源線１４から駆動用トランジスター２３を介して画素電極３１と対向電極３３とに挟まれた機能層３２にゲート電位に応じた量の電流が流れる。有機ＥＬ素子３０は、機能層３２を流れる電流量に応じて発光する。
なお、画素回路２０の構成は、これに限定されるものではない。例えば、駆動用トランジスター２３と画素電極３１との間に、駆動用トランジスター２３と画素電極３１との間の導通を制御する発光制御用トランジスターを備えていてもよい。
【００２５】
図２に示すように、発光装置１００は素子基板１０を有する。素子基板１０の表示領域Ｅ１に前述したサブ画素１８がマトリックス状に配置されている。複数のサブ画素１８は、赤色の発光が得られるサブ画素１８Ｒ、緑色の発光が得られるサブ画素１８Ｇ、青色の発光が得られるサブ画素１８Ｂに大別される。サブ画素１８の形状は略矩形状であり、複数のサブ画素１８は、同色の発光が得られるサブ画素１８がサブ画素１８の長手方向に配列し、長手方向に対して交差（直交）する短手方向に異なる色の発光が得られるサブ画素１８が配列している、所謂ストライプ方式の配列となっている。異なる色の発光が得られる３つのサブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂによって１つの画素１９が構成され、フルカラー表示が可能となっている。以降、サブ画素１８の短手方向をＸ方向とし、長手方向をＹ方向として説明する。なお、「略矩形状」とは、長方形、長方形の角部が丸くなったもの、長方形の短辺側が円弧となったもの、辺部の一部が変形したものを含む表現である。
【００２６】
素子基板１０の外縁と表示領域Ｅ１との間に非表示領域Ｅ２が設けられ、非表示領域Ｅ２には、前述したデータ線駆動回路１５や走査線駆動回路１６、検査回路などが設けられている。
【００２７】
次に、図３を参照して、サブ画素１８における各構成の配置について説明する。本実施形態では、画素回路２０を構成する２つのトランジスター２１，２３は、素子基板１０に形成された薄膜トランジスター（ＴＦＴ）であるとして説明する。なお、前述したようにＴＦＴに限定されるものではない。
【００２８】
図３に示すように、サブ画素１８は走査線１２及びデータ線１３並びに電源線１４によって区切られた領域に設けられている。
スイッチング用トランジスター２１の半導体層２１ａは平面視で略矩形状であり、走査線１２に沿ってデータ線１３の近傍に配置されている。駆動用トランジスター２３の半導体層２３ａも平面視で略矩形状であり、電源線１４の近傍において長手方向がＸ方向に沿うように配置されている。Ｙ方向において、スイッチング用トランジスター２１の半導体層２１ａと駆動用トランジスター２３の半導体層２３ａとの間に蓄積容量２２が配置されている。
【００２９】
各半導体層２１ａ，２３ａは、例えば多結晶シリコンからなり、不純物が注入されて形成された、ソース領域と、ドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域とに挟まれたチャネル領域とを有する。以降、説明を簡略化するために、半導体層２１ａの長手方向（Ｘ方向）において、データ線１３に近い左側をソース領域とし、右側をドレイン領域とする。また、半導体層２３ａの長手方向（Ｘ方向）において、電源線１４に近い右側をソース領域とし、左側をドレイン領域とする。
【００３０】
半導体層２１ａのチャネル領域と重なるように配置されたゲート電極２１ｇは、走査線１２と重なる位置までＹ方向に延在し、走査線１２と重なった部分に設けられたコンタクトホール４１によって、スイッチング用トランジスター２１のゲート電極２１ｇと走査線１２とが電気的に接続されている。半導体層２１ａのソース領域からデータ線１３に向って接続配線４４が配置され、接続配線４４の両端に設けられたコンタクトホール４２，４５によって、スイッチング用トランジスター２１のソースとデータ線１３とが電気的に接続されている。
【００３１】
蓄積容量２２は、一対の電極２２ａ，２２ｂの間に誘電体層を有するものである。一対の電極２２ａ，２２ｂは、平面視で略矩形状であり、長手方向がＸ方向に延在するように配置されている。一対の電極２２ａ，２２ｂのうち、図３において手前側に位置する方を上電極２２ａと呼び、奥に位置する方を下電極２２ｂと呼ぶ。
上電極２２ａは、対向する長辺のそれぞれからＹ方向に延びた突出部２２ｃ，２２ｄを有する。突出部２２ｃは半導体層２１ａのドレイン領域と重なっており、その端部に設けられたコンタクトホール４３によって、上電極２２ａはスイッチング用トランジスター２１のドレインと電気的に接続されている。突出部２２ｄは半導体層２３ａのチャネル領域と重なっており、駆動用トランジスター２３のゲート電極２３ｇとして機能している。
下電極２２ｂの角部から電源線１４に向って接続配線４６が設けられており、接続配線４６の両端に設けられたコンタクトホール４７，４８によって、下電極２２ｂと電源線１４とが電気的に接続されている。
【００３２】
半導体層２３ａのソース領域から電源線１４に向かって接続配線５３が設けられており、接続配線５３の両端に設けられたコンタクトホール５２，５４によって、駆動用トランジスター２３のソースと電源線１４とが電気的に接続されている。
半導体層２３ａのドレイン領域からデータ線１３に向い、データ線１３に沿って折り曲がった接続配線５５が設けられている。接続配線５５は、ドレイン領域と重なった部分に設けられたコンタクトホール５１によって、駆動用トランジスター２３のドレインと電気的に接続されている。
【００３３】
駆動用トランジスター２３よりもＹ方向において下側の領域であって、Ｘ方向においてデータ線１３と電源線１４との間に、画素電極３１が配置されている。画素電極３１は、Ｙ方向に長い略矩形状であって、画素電極３１の外周側に配置された第１画素電極３１ａと、第１画素電極３１ａで囲まれた領域の内側に配置された第２画素電極３１ｂとにより構成されている。
【００３４】
第１画素電極３１ａの左側の辺部から接続配線５５に向ってＸ方向に延在する第１接続用配線６１が設けられ、第１接続用配線６１の両端に設けられたコンタクトホール６２，６３によって、第１画素電極３１ａと接続配線５５とが電気的に接続されている。
第１画素電極３１ａの左側の辺部は、一部が切り欠かれており、当該切り欠かれた部分に第２画素電極３１ｂの突出部が設けられている。当該突出部から接続配線５５に向ってＸ方向に延在する第２接続用配線６４が設けられ、第２接続用配線６４の両端に設けられたコンタクトホール６５，６６によって、第２画素電極３１ｂと接続配線５５とが電気的に接続されている。これにより、第１画素電極３１ａは、第１接続用配線６１と接続配線５５を介して、駆動用トランジスター２３のドレインと電気的に接続されている。同様に、第２画素電極３１ｂは、第２接続用配線６４と接続配線５５を介して、駆動用トランジスター２３のドレインと電気的に接続されている。
【００３５】
第１画素電極３１ａの外縁と重なって第１接続用配線６１及び第２接続用配線６４を覆うと共に、画素電極３１上に開口部２７ａを構成するように絶縁層２７が形成されている。また、絶縁層２７は各種の信号線や画素回路２０を覆って形成されている。
【００３６】
次に、発光装置１００におけるサブ画素１８の構造について、図４（ａ）及び（ｂ）を参照して説明する。
図４（ａ）に示すように、発光装置１００は、基材１１上に駆動用トランジスター２３などの画素回路２０と、機能層３２を有する有機ＥＬ素子３０と、有機ＥＬ素子３０を封止する封止層３４とを備えた素子基板１０を有している。また、基材３８上に遮光部３６と、カラーフィルター３７とを備えた対向基板４０を有している。素子基板１０と対向基板４０とは透明樹脂層３５を介して対向配置されて接着されている。
【００３７】
素子基板１０の基材１１は、透明なガラスなどの基板を用いる。本実施形態では、基材１１は透明な無アルカリガラスである。基材１１の表面を覆って例えば酸化シリコンなどからなる下地絶縁膜１１ａが形成される。下地絶縁膜１１ａ上には、まず、スイッチング用トランジスター２１の半導体層２１ａ（図示省略）や駆動用トランジスター２３の半導体層２３ａが形成される。その後に、データ線１３や電源線１４が形成される。前述したように、半導体層２１ａ，２３ａは例えば多結晶シリコンを用いて形成される。データ線１３や電源線１４も例えば導電性を持たせた多結晶シリコンを成膜してパターニングすることにより形成することができる。
【００３８】
半導体層２３ａやデータ線１３、電源線１４を覆って、例えば酸化シリコンなどからなるゲート絶縁膜１１ｂが形成される。半導体層２３ａのチャネル領域と重なる位置のゲート絶縁膜１１ｂ上にゲート電極２３ｇが形成される。前述したように、ゲート電極２３ｇは蓄積容量２２の上電極２２ａの一部として形成される。なお、図４（ａ）には図示していないが、走査線１２や蓄積容量２２の下電極２２ｂも同様に基材１１上に形成される。
【００３９】
ゲート電極２３ｇを覆って例えば酸化シリコンなどからなる第１層間絶縁膜２４が形成される。第１層間絶縁膜２４は、各種の信号線や画素回路２０の形成に伴う凹凸を緩和するため、その表面が平坦となるようにＣＭＰ処理などの平坦化処理が施される。
【００４０】
第１層間絶縁膜２４とゲート絶縁膜１１ｂとを貫通して、半導体層２３ａのドレイン領域、ソース領域、電源線１４に至るコンタクトホール５１，５２，５４が形成される。
【００４１】
第１層間絶縁膜２４の表面を覆うと共に、コンタクトホール５１，５２，５４を埋めるように、例えばアルミニウムやアルミニウムの合金などからなる導電膜が成膜され、該導電膜をパターニングすることにより、接続配線５３，５５が形成される。接続配線５３は、コンタクトホール５２，５４を埋めた該導電膜により電気的に半導体層２３ａのソース領域と電源線１４とに接続される。接続配線５５の一方の端部は、コンタクトホール５１を埋めた該導電膜により電気的に半導体層２３ａのドレイン領域に接続される。
【００４２】
接続配線５３，５５を覆って例えば酸化シリコンなどからなる第２層間絶縁膜２５が形成される。第２層間絶縁膜２５を貫通して接続配線５５の他方の端部に至るコンタクトホール６２が形成される。図４（ａ）には図示していないが、図３のコンタクトホール６５もまた第２層間絶縁膜２５を貫通して接続配線５５に至るように形成される。
【００４３】
第２層間絶縁膜２５を覆うと共に、コンタクトホール６２，６５を埋めるように、例えばアルミニウムやアルミニウムの合金などからなる導電膜が形成され、該導電膜をパターニングすることにより、反射層６０、第１接続用配線６１が形成される。図４（ａ）には図示していないが、第２接続用配線６４も第１接続用配線６１と同時に形成される。第１接続用配線６１はコンタクトホール６２を埋めた導電膜により接続配線５５と電気的に接続される。同様に、第２接続用配線６４もコンタクトホール６５を埋めた導電膜により接続配線５５と電気的に接続される。
【００４４】
第１接続用配線６１及び第２接続用配線６４は、コンタクトホール６２，６５と重なる部分を除けば、基材１１側から見て他の接続配線や信号線と重なっていないので、遮光されていない。詳しくは後述するが、基材１１側からレーザー光を照射して、第１接続用配線６１、第２接続用配線６４をそれぞれ切断可能な配線構造となっている。
【００４５】
反射層６０、第１接続用配線６１、第２接続用配線６４を覆って例えば酸化シリコンなどからなる第３層間絶縁膜２６が形成される。第３層間絶縁膜２６を貫通して第１接続用配線６１に至るコンタクトホール６３が形成される。図４（ａ）には図示していないが、第３層間絶縁膜２６を貫通して第２接続用配線６４に至るコンタクトホール６６も同時に形成される。
【００４６】
第３層間絶縁膜２６の表面を覆うと共に、コンタクトホール６３，６６を埋めるように、例えばＩＴＯなどの透明導電膜が形成され、この透明導電膜をパターニングすることにより、第１画素電極３１ａと第２画素電極３１ｂとからなる画素電極３１が形成される。画素電極３１の膜厚はおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。第１画素電極３１ａは、コンタクトホール６３を埋めた透明導電膜により第１接続用配線６１と電気的に接続される。図４（ａ）には図示していないが、第２画素電極３１ｂもまた、コンタクトホール６６を埋めた透明導電膜により第２接続用配線６４と電気的に接続される。
【００４７】
画素電極３１（第１画素電極３１ａ及び第２画素電極３１ｂ）を覆って第３層間絶縁膜２６上に例えば酸化シリコンなどからなる絶縁膜が成膜され、該絶縁膜をパターニングすることにより、画素電極３１（第１画素電極３１ａ）の外縁と重なって、画素電極３１上に開口部２７ａを構成する絶縁層２７が形成される。また、同時に、図３及び図４（ｂ）に示すように、第１画素電極３１ａで囲まれた領域内に形成された第２画素電極３１ｂと第１画素電極３１ａとの間を埋める絶縁層２９が形成される。絶縁層２９が形成される開口部２７ａ内における第１画素電極３１ａと第２画素電極３１ｂとの隙間は、およそ１μｍ〜２μｍである。絶縁層２７，２９の膜厚は、画素電極３１と同じくおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。
【００４８】
画素電極３１（第１画素電極３１ａ及び第２画素電極３１ｂ）、絶縁層２７，２９を覆って例えば感光性ポリイミドなどからなる感光性樹脂層が形成され、該感光性樹脂層をパターニングすることにより、画素電極３１上に開口部２８ａを構成する有機絶縁層２８が形成される。有機絶縁層２８の膜厚は、およそ１μｍ〜２μｍである。有機絶縁層２８の開口部２８ａは、絶縁層２７の開口部２７ａよりもわずかであるが一回り大きい開口を構成している。言い換えれば、有機絶縁層２８の開口部２８ａよりも内側に絶縁層２７がはみ出して開口部２７ａを構成している。
【００４９】
本実施形態において、無機絶縁材料からなる絶縁層２７が本発明の下層絶縁層に相当し、有機絶縁材料からなる有機絶縁層２８が上層絶縁層に相当するものである。また、絶縁層２７と有機絶縁層２８とを含む構成が本発明の第１絶縁層に相当する。そして、開口部２７ａ内の第１画素電極３１ａと第２画素電極３１ｂとの隙間を埋める絶縁層２９が本発明の第２絶縁層に相当するものである。
【００５０】
開口部２７ａ（開口部２８ａ）の画素電極３１上に機能層３２が形成される。本実施形態の機能層３２は、例えば正孔注入層、中間層、発光層とからなり、いずれも液相プロセス（塗布法）を用いて形成される。詳しい形成方法は後述するが、各層の形成材料を含む機能液を有機絶縁層２８で囲まれた開口部２８ａ内に塗布して乾燥することによって、正孔注入層、中間層、発光層が順に形成される。したがって、有機絶縁層２８は開口部２８ａ内に機能液を留める役目を果たすため、以降、有機絶縁層２８を隔壁２８と呼ぶこととする。なお、機能層３２の構成は、正孔注入層、中間層、発光層に限定されず、画素電極３１と対向電極３３との間でキャリア（正孔や電子）の流れを制御する他の層が設けられていてもよい。
【００５１】
次に、機能層３２と隔壁２８とを覆って対向電極３３が形成される。対向電極３３は、例えばＭｇＡｇ合金を用いて、光透過性を有するように膜厚が制御されて形成される。対向電極３３は少なくとも表示領域Ｅ１を覆って、複数のサブ画素１８に跨るように共通電極として形成される。これによって、画素電極３１と対向電極３３との間に発光層を含む機能層３２が形成された有機ＥＬ素子３０ができあがる。
【００５２】
次に、複数の有機ＥＬ素子３０に水分や酸素などが浸入して発光特性や発光寿命が劣化しないように、水分や酸素などの浸入を防ぐ封止層３４が形成される。封止層３４は、例えば、対向電極３３側から順に形成された、第１封止層３４ａ、緩衝層３４ｂ、第２封止層３４ｃを含んで構成されている。第１封止層３４ａ、第２封止層３４ｃは、水分や酸素などの成分を透過し難く、透光性の無機材料が好ましく、例えば酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）を挙げることができる。酸窒化シリコンの膜厚を厚くすれば水分や酸素などの浸入をより抑制することができるが、厚膜化すると熱膨張や収縮によってクラックなどが発生し易いので、ある程度の膜厚で第１封止層３４ａを成膜した後に、緩衝層３４ｂを挟んで第２封止層３４ｃを積層することが好ましい。緩衝層３４ｂは、有機ＥＬ素子３０が形成された基材１１の表面を平坦化する目的で、有機材料を用いて形成してもよいし、第１封止層３４ａや第２封止層３４ｃと異なる無機材料で形成してもよい。
【００５３】
本実施形態の発光装置１００は、図４（ｂ）に示すように、素子基板１０における有機ＥＬ素子３０（機能層３２）の発光が、反射層６０によって反射して、対向基板４０側から取り出されるトップエミッション型である。したがって、対向基板４０の基材３８は透明なガラスなどの基板が用いられる。遮光部３６は、基材３８上においてサブ画素１８を区画するように形成されるブラックマトリックス（ＢＭ）である。遮光部３６は、遮光性の金属材料やその合金、あるいは遮光性の樹脂材料を用いて形成することができる。カラーフィルター３７は、少なくとも赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の着色層（フィルター層）を有するものであって、例えば色材を含む感光性樹脂材料を用いて、遮光部３６を覆って形成される。サブ画素１８ごとに着色層が形成される。有機ＥＬ素子３０からの発光がカラーフィルター３７を透過して対向基板４０側から取り出されることにより、発光の色純度が改善される。
このような対向基板４０と素子基板１０とは透明樹脂層３５を介して接着される。
【００５４】
なお、発光装置１００のサブ画素１８における画素回路２０のスイッチング用トランジスター２１、蓄積容量２２、駆動用トランジスター２３の平面的な配置や、基材１１上における配線構造は、これに限定されるものではない。第１画素電極３１ａに接続された第１接続用配線６１の一部及び第２画素電極３１ｂに接続された第２接続用配線６４の一部が、基材１１側から見て遮光されておらず、詳しくは後述するが、基材１１側から入射するレーザー光が届く位置に形成されていればよい。
【００５５】
＜有機ＥＬ素子の製造方法＞
次に、より具体的な有機ＥＬ素子３０の製造方法について、図５を参照して説明する。図５（ａ）〜（ｅ）は有機ＥＬ素子の製造方法を示す概略断面図である。なお、図５では、基材１１上において画素電極３１よりも下層に形成される、信号線や画素回路などの構成の図示を省略している。
【００５６】
図５（ａ）に示すように、まず、隔壁２８によって区画された開口部２８ａ内の画素電極３１の表面が親液性を示すように表面処理を施す。表面処理の方法としては、酸素ガスを処理ガスとしたプラズマ処理が好ましい。これによって、開口部２８ａ内に露出した透明導電膜からなる画素電極３１の表面と、酸化シリコンなどの無機絶縁材料からなる絶縁層２７，２９の表面とに親液性が付与される。続いて、四フッ化炭素などのフッ素系処理ガスを用いてプラズマ処理を施す。これによって、有機絶縁材料からなる隔壁２８の表面にフッ素が導入されて撥液性が付与される。なお、隔壁２８を構成する有機絶縁材料中にフッ素系化合物やシロキサン系化合物などの撥液材料を含有させることにより、隔壁２８の表面が撥液性を示すようにして、フッ素系処理ガスによるプラズマ処理を省略してもよい。
【００５７】
次に、図５（ｂ）に示すように、開口部２８ａ内に正孔注入層形成材料を含む機能液８０を塗布する。本実施形態では、機能液８０の塗布方法として、吐出ヘッド（インクジェットヘッド）７０を用いた。吐出ヘッド７０は、ノズルから機能液８０を液滴として吐出するので、所定量の機能液８０を精度よく塗布することができる。
正孔注入層形成材料としては、成膜後の電気抵抗が１０ｋΩ・ｃｍ以上１００ｋΩ・ｃｍ未満となる材料が好ましく、例えばポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）などのポリチオフェン誘導体にドーパントとしてのポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）を加えた混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を挙げることができる。
本実施形態では、ジエチレングリコールと水とを含む溶媒にＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを０．５ｗｔ％程度含んだ機能液８０を開口部２８ａに塗布した。塗布された機能液８０は表面が撥液性の隔壁２８との界面張力によって開口部２８ａで盛り上がる。そして、塗布された機能液８０を例えばランプアニールなどの方法によって加熱して乾燥することにより、図５（ｃ）に示すように、開口部２８ａにおいて、画素電極３１を覆った正孔注入層３２ａを形成した。正孔注入層３２ａの膜厚はおよそ５０ｎｍである。
【００５８】
次に、正孔注入層３２ａと同様にして吐出ヘッド７０を用いて液滴吐出法（インクジェット法）により、中間層形成材料を含む機能液を塗布して乾燥させる。続いて、発光層形成材料を含む機能液を塗布して乾燥させる。このようにして、図５（ｄ）に示すように、正孔注入層３２ａに中間層３２ｃと発光層３２ｒとが順に積層された機能層３２Ｒを形成した。図５（ｄ）に示した発光層３２ｒは赤（Ｒ）の発光が得られるものである。したがって、図５には図示していないが、緑（Ｇ）の発光を得ようとするサブ画素１８Ｇ（機能層３２Ｇ）では発光層３２ｇを形成し、青（Ｂ）の発光を得ようとするサブ画素１８Ｂ（機能層３２Ｂ）では発光層３２ｂを形成する。
【００５９】
中間層３２ｃは、正孔注入層３２ａと発光層３２ｒ，３２ｇ，３２ｂとの間に設けられ、発光層３２ｒ，３２ｇ，３２ｂに対する正孔の輸送性（注入性）を向上させると共に、発光層３２ｒ，３２ｇ，３２ｂから正孔注入層３２ａに電子が侵入することを抑制するために設けられている。すなわち、発光層３２ｒ，３２ｇ，３２ｂにおける正孔と電子との結合による発光の効率を改善するものである。中間層３２ｃの材料としては、例えば、正孔輸送性が良好なトリフェニルアミン系ポリマーを含んだものが挙げられる。
本実施形態では、例えば、溶媒としてのシクロヘキシルベンゼンに、中間層形成材料として、上記のトリフェニルアミン系ポリマーをおよそ０．１ｗｔ％程度含んだ機能液を用いて、膜厚がおよそ１０ｎｍ〜２０ｎｍの中間層３２ｃを形成した。
【００６０】
発光層形成材料としては、例えば、赤色、緑色、青色の発光が得られるポリフルオレン誘導体（ＰＦ）、ポリパラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ＰＥＤＯＴなどのポリチオフェニレン誘導体、ポリメチルフェニレンシラン（ＰＭＰＳ）等を用いることができる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクドリン等低分子材料をドープしてもよい。
本実施形態では、例えば、溶媒としてのシクロヘキシルベンゼンに、発光層形成材料としてポリフルオレン誘導体（ＰＦ）をおよそ０．７ｗｔ％含んだ機能液を用いて、膜厚が５０ｎｍ〜１００ｎｍの発光層３２ｒ，３２ｇ，３２ｂを形成した。
【００６１】
次に、図５（ｅ）に示すように、隔壁２８と機能層３２Ｒ（機能層３２Ｇ、機能層３２Ｂ）とを覆うように陰極としての対向電極３３を形成する。これにより有機ＥＬ素子３０Ｒ（３０）が構成される。
対向電極３３の材料としては、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）の合金などが用いられる。機能層３２Ｒ（機能層３２Ｇ、機能層３２Ｂ）に近い側に仕事関数が小さいＣａ、Ｂａ、ＬｉＦの膜を形成してもよい。対向電極３３の形成方法としては、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法などが挙げられる。特に機能層３２Ｒ（機能層３２Ｇ、機能層３２Ｂ）の熱による損傷を防止できるという点では、蒸着法が好ましい。対向電極３３は、光透過性を有するように膜厚をおよそ２０ｎｍ〜４０ｎｍとして形成される。
【００６２】
＜有機ＥＬ素子の修復＞
次に、有機ＥＬ素子３０の機能層３２を液相プロセス（液滴吐出法）で形成するにあたり、発生し易い機能層３２の塗布ムラに起因する不具合と、この不具合の修復方法について、図６を参照して説明する。図６（ａ）は機能層の塗布ムラの一例を示す概略平面図、図６（ｂ）及び（ｃ）はレーザー光を用いた有機ＥＬ素子の修復方法を示す概略断面図である。なお、図６（ｂ）及び（ｃ）は図４（ａ）の断面図うち要部の断面を示すものである。
【００６３】
機能層３２は、前述したように正孔注入層３２ａ、中間層３２ｃ、発光層（発光層３２ｒ、発光層３２ｇ、発光層３２ｂ）が積層されて構成される。機能層３２から所望の輝度の発光を実現し、且つ所望の発光寿命を確保するには、各層がそれぞれ画素電極３１上においてねらいの膜厚で均一に形成されることが望ましい。
例えば、開口部２７ａ（開口部２８ａ）に露出した画素電極３１の表面をすべて覆って正孔注入層３２ａが形成されず、一部に正孔注入層３２ａが形成されない部分が生ずると、発光層（発光層３２ｒ、発光層３２ｇ、発光層３２ｂ）には正孔が注入されない部分が生ずる。正孔が注入されない部分からは発光が得られなくなり、暗点（ダークスポット）が生ずる。
また、例えば、画素電極３１を覆う正孔注入層３２ａの膜厚が薄い部分が生ずると、膜厚が薄い部分の機能層３２における電気抵抗が他の部分に比べて低くなる。そうすると、電気抵抗が低くなった部分が他の部分に比べて電流が流れ易くなるため、電流がたくさん流れる部分が他の部分よりも発光輝度が高く（明るく）なる輝点が生ずる。輝点において電流が集中的に流れると、発光寿命が短くなるおそれがある。
このような暗点（ダークスポット）や輝点は、正孔注入層３２ａの塗布ムラに起因するだけでなく、中間層３２ｃや発光層（発光層３２ｒ，３２ｇ，３２ｂ）の塗布ムラが生じた場合にも発生する。また、機能層３２中に異物が含まれた場合にも発生する。
【００６４】
とりわけ、機能層３２を液相プロセス（液滴吐出法）を用いて形成する場合、開口部２８ａに機能層３２をムラ無く形成するために、開口部２８ａの画素電極３１の表面に親液性を付与したり、隔壁２８の表面に撥液性を付与する表面処理を均質に施すことが求められる。ところが、表面処理を均質に施したとしても、撥液性を有する隔壁２８で囲まれた開口部２８ａにおける角部では、塗布された機能液の界面張力の影響を受けて機能液が角部に濡れ広がり難い。したがって、図６（ａ）に示すように、開口部２８ａの角部に機能層３２の塗布ムラが生じ易いという傾向がある。塗布ムラの部分は、機能層３２のうちの正孔注入層３２ａ、中間層３２ｃ、発光層（発光層３２ｒ，３２ｇ，３２ｂ）のいずれかが成膜されていなかったり、膜厚がねらいの膜厚よりも薄かったり、あるいはねらいの膜厚よりも厚かったりしている。つまり、開口部２８ａの角部や開口部２８ａに沿った部分に暗点（ダークスポット）や輝点が発生し易い。
【００６５】
本実施形態の発光装置１００におけるサブ画素１８の画素電極３１は、画素電極３１の外周側に位置する第１画素電極３１ａと、開口部２７ａ（開口部２８ａ）内において第１画素電極３１ａによって囲まれた領域に設けられた第２画素電極３１ｂとに分割されている。言い換えれば、第１画素電極３１ａは開口部２７ａ（開口部２８ａ）内縁と重なった位置に形成されている。したがって、上記のような塗布ムラが生じたときには、図６（ｂ）に示すように、基材１１側から第１画素電極３１ａに電気的に接続されている第１接続用配線６１の一部にレーザー光を照射して、図６（ｃ）に示すように第１接続用配線６１の一部を切断する。これにより、第１画素電極３１ａには駆動用トランジスター２３を介して電源線１４から電流が流れなくなる。ゆえに、開口部２７ａ（開口部２８ａ）の中央側に位置する第２画素電極３１ｂと接する機能層３２に電流を流して選択的に発光させることができる。すなわち、サブ画素１８における発光面積は減少するものの、機能層３２の塗布ムラに起因する暗点（ダークスポット）や輝点の影響を受けないように有機ＥＬ素子３０を修復することができる。
【００６６】
もちろん、機能層３２に異物などが含まれることによって発生する暗点（ダークスポット）や輝点についても、異物の大きさや位置にもよるが、第１接続用配線６１の一部または第２接続用配線６４の一部にレーザー光を照射して切断すれば、その影響を受けないように有機ＥＬ素子３０を修復できる。
【００６７】
本実施形態の発光装置１００の製造方法は、発光装置１００を発光させて暗点や輝点を有するサブ画素１８を検出する検査工程と、暗点や輝点を有するサブ画素１８の第１接続用配線６１または第２接続用配線６４にレーザー光を照射して切断する有機ＥＬ素子３０の修復工程とを含むものである。
【００６８】
レーザー光により配線を切断する方法としては、例えば、ＹＡＧレーザーを用いる方法が挙げられる。具体的には、波長λが１０６４ｎｍ、５３２ｎｍ、３５５ｎｍ、２６６ｎｍの中から選択され、パルス幅が５ｎｓｅｃ〜１０ｎｓｅｃ、出力エネルギーがおよそ６ｍＪ／パルス、ビーム径が２ｍｍのＹＡＧレーザーを図６（ｂ）に示すように集光レンズ９０などの光学系を用いて集光し、配線の一部に照射する。
このようなＹＡＧレーザーによって切断が可能な配線の構成としては、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）などの金属単体やその合金などが挙げられる。また、ＩＴＯなどの透明導電膜もＹＡＧレーザーにより切断が可能である。切断可能な配線の厚みは０．５μｍ〜１．０μｍ、線幅は数μｍ程度が好ましい。
【００６９】
上記第１実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）発光装置１００のサブ画素１８における画素電極３１は、外周側に位置する第１画素電極３１ａと第１画素電極３１ａの内側に位置する第２画素電極３１ｂとに分割されている。駆動用トランジスター２３のドレインと第１画素電極３１ａとの電気的な接続を図る第１接続用配線６１の一部と、駆動用トランジスター２３のドレインと第２画素電極３１ｂとの電気的な接続を図る第２接続用配線６４の一部とは、基材１１側から見て遮光されていない配線構造となっている。したがって、第１接続用配線６１の一部や第２接続用配線６４の一部にレーザー光を照射して切断することにより、第１画素電極３１ａ、第２画素電極３１ｂをそれぞれ電気的に孤立させることができる。ゆえに、機能層３２を液相プロセス（液滴吐出法）で形成する際に開口部２８ａに沿った部分に生じ易い機能層３２の塗布ムラや異物などに起因する暗点（ダークスポット）や輝点が生じたときには、暗点（ダークスポット）や輝点が生じている第１画素電極３１ａまたは第２画素電極３１ｂを電気的に孤立させて、暗点（ダークスポット）や輝点が生じないように有機ＥＬ素子３０を修復することができる。
（２）機能層３２のうち画素電極３１上に最初に形成される正孔注入層３２ａは、正孔注入層形成材料として、成膜後の電気抵抗が１０ｋΩ・ｃｍ以上、１００ｋΩ・ｃｍ未満の例えばＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを用いて形成されている。したがって、画素電極３１を第１画素電極３１ａと第２画素電極３１ｂとに分割しても、第１画素電極３１ａと第２画素電極３１ｂとの間においてリーク電流が流れ難い状態となる。ゆえに、機能層３２の塗布ムラや異物に起因する暗点や輝点を修復するため、第１接続用配線６１または第２接続用配線６４にレーザー光を照射して切断すれば、第１画素電極３１ａと第２画素電極３１ｂとをそれぞれ電気的に確実に孤立させることができる。
（３）第１接続用配線６１及び第２接続用配線６４は、基材１１上において第１絶縁層としての絶縁層２７及び隔壁２８によって覆われている。したがって、第１接続用配線６１または第２接続用配線６４にレーザー光を照射して切断する修復作業において、機能層３２や対向電極３３にレーザー光が直接に照射されないので、レーザー光によって機能層３２や対向電極３３が損傷することを防ぐことができる。
（４）開口部２７ａ内の第１画素電極３１ａと第２画素電極３１ｂとの隙間は第２絶縁層としての絶縁層２９によって埋められている。したがって、絶縁層２９がない場合に比べて、機能層３２を液相プロセスで形成したときに、機能層３２が上記隙間の影響を受け難いので、機能層３２の膜厚の均一性と膜形状（断面形状）を安定化させることができる。
【００７０】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態の発光装置について、図７を参照して説明する。図７は第２実施形態の発光装置におけるサブ画素の構成を示す概略平面図である。第２実施形態の発光装置におけるサブ画素１８は、第１実施形態の発光装置１００におけるサブ画素１８の画素電極３１の分割方法を異ならせたものである。したがって、第１実施形態と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
【００７１】
図７に示すように、本実施形態における発光装置のサブ画素１８は、画素電極３１が３分割されている。具体的には、画素電極３１の外周側に位置する第１画素電極３１ａと、第１画素電極３１ａの内側の辺部に沿って環状に設けられた第２画素電極３１ｃと、第２画素電極３１ｃで囲まれた領域に設けられた第３画素電極３１ｄとに分割されている。
【００７２】
駆動用トランジスター２３のドレインにコンタクトホール５１を介して電気的に接続された接続配線５５に対して、第１画素電極３１ａは、第１接続用配線６１と、第１接続用配線６１の両端に設けられたコンタクトホール６２，６３とによって電気的に接続されている。同様に、接続配線５５に対して、第２画素電極３１ｃは、第２接続用配線６４と、第２接続用配線６４の両端に設けられたコンタクトホール６５，６６とによって電気的に接続されている。同様に、接続配線５５に対して、第３画素電極３１ｄは、第３接続用配線６７と、第３接続用配線６７の両端に設けられたコンタクトホール６８，６９とによって電気的に接続されている。
【００７３】
第１接続用配線６１、第２接続用配線６４、第３接続用配線６７において、コンタクトホール６２，６５，６８を除く部分は、基材１１側から見て他の接続配線や信号配線などを重なっておらず遮光されていない。したがって、第１接続用配線６１の一部、第２接続用配線６４の一部、第３接続用配線６７の一部のいずれかにレーザー光を照射して切断すると、第１画素電極３１ａ、第２画素電極３１ｃ、第３画素電極３１ｄのそれぞれを電気的に孤立させることができる。
特に、機能層３２を液相プロセス（液滴吐出法）で形成したときに、機能層３２の塗布ムラが第１画素電極３１ａだけでなく、第２画素電極３１ｃの部分に及んだとしても、第１画素電極３１ａと第２画素電極３１ｃとを電気的に孤立させれば、塗布ムラに起因する暗点や輝点を見かけ上修復することができる。すなわち、第１実施形態のように画素電極３１を２分割する場合に比べて、より効果的な有機ＥＬ素子３０の修復が可能である。
【００７４】
（第３実施形態）
次に、第３実施形態の発光装置について、図８を参照して説明する。図８は第３実施形態の発光装置におけるサブ画素の構成を示す概略平面図である。第３実施形態の発光装置におけるサブ画素は、第１実施形態の発光装置１００におけるサブ画素１８の画素電極３１の分割方法を異ならせたものである。したがって、第１実施形態と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
【００７５】
図８に示すように、本実施形態における発光装置のサブ画素１８は、画素電極３１が３分割されている。具体的には、画素電極３１は、画素電極３１の外周側に位置する第１画素電極３１ａと、第１画素電極３１ａによって囲まれた領域で、サブ画素１８の長手方向（Ｙ方向）において上下に対称的に分割された第２画素電極３１ｅと、第３画素電極３１ｆとにより構成されている。
【００７６】
駆動用トランジスター２３のドレインにコンタクトホール５１を介して電気的に接続された接続配線５５に対して、第１画素電極３１ａは、第１接続用配線６１と、第１接続用配線６１の両端に設けられたコンタクトホール６２，６３とによって電気的に接続されている。同様に、接続配線５５に対して、第２画素電極３１ｅは、第２接続用配線６４と、第２接続用配線６４の両端に設けられたコンタクトホール６５，６６とによって電気的に接続されている。同様に、接続配線５５に対して、第３画素電極３１ｆは、第３接続用配線６７と、第３接続用配線６７の両端に設けられたコンタクトホール６８，６９とによって電気的に接続されている。
【００７７】
第１接続用配線６１、第２接続用配線６４、第３接続用配線６７において、コンタクトホール６２，６５，６８を除く部分は、基材１１側から見て他の接続配線や信号配線などを重なっておらず遮光されていない。したがって、第１接続用配線６１の一部、第２接続用配線６４の一部、第３接続用配線６７の一部のいずれかにレーザー光を照射して切断すると、第１画素電極３１ａ、第２画素電極３１ｅ、第３画素電極３１ｆのそれぞれを電気的に孤立させることができる。
【００７８】
特に、機能層３２の形成過程で、機能層３２に異物が侵入したとしても、画素電極３１が３分割され、且つ、第２画素電極３１ｅと第３画素電極３１ｆとは面積が等しくなるように分割されているので、第１実施形態のように画素電極３１を２分割する場合に比べて、修復によって発光しなくなる面積が抑えられ、より効果的な有機ＥＬ素子３０の修復が可能である。
【００７９】
（第４実施形態）
次に、本実施形態の電子機器について、図９を参照して説明する。図９（ａ）は電子機器の一例であるノート型のパーソナルコンピューターを示す概略図、図９（ｂ）は電子機器の一例である薄型テレビ（ＴＶ）を示す概略図である。
【００８０】
図９（ａ）に示すように、電子機器としてのパーソナルコンピューター１０００は、キーボード１００２を備えた本体部１００１と、表示部１００４を備える表示ユニット１００３とにより構成され、表示ユニット１００３は、本体部１００１に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピューター１０００において、表示部１００４に上記第１実施形態の発光装置１００が搭載されている。
【００８１】
図９（ｂ）に示すように、電子機器としての薄型テレビ（ＴＶ）１１００は、表示部１１０１に上記第１実施形態の発光装置１００が搭載されている。
【００８２】
発光装置１００はサブ画素１８における暗点や輝点を見かけ上修復可能となっているので、暗点や輝点を不良とする割合が減少する。したがって、歩留まりよく発光装置１００が製造されるので、コストパフォーマンスに優れたパーソナルコンピューター１０００や薄型ＴＶ１１００を提供することができる。
【００８３】
発光装置１００が搭載される電子機器は、上記パーソナルコンピューター１０００や薄型ＴＶ１１００に限定されない。例えば、スマートフォンやＰＯＳなどの携帯型情報端末、ナビゲーター、ビューワー、デジタルカメラ、モニター直視型のビデオレコーダーなどの表示部を有する電子機器が挙げられる。
【００８４】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う発光装置１００及び該発光装置１００を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【００８５】
（変形例１）機能層３２を構成する有機層のすべてが液相プロセスで形成されることに限定されない。機能層３２を構成するところの正孔注入層３２ａ、中間層３２ｃ、発光層（発光層３２ｒ，３２ｇ，３２ｂ）のうち少なくとも１層が液相プロセスで形成されていれば、本発明を用いることによって有機ＥＬ素子３０の修復が効果的に可能となる。
【００８６】
（変形例２）発光装置１００において、サブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂごとに異なる色の発光が得られる機能層３２が形成されることに限定されない。図１０は変形例の発光装置のサブ画素の構造を示す概略断面図である。なお、上記発光装置１００と同じ構成には同じ符号を付して説明する。図１０に示すように、変形例の発光装置２００は、素子基板１０に有機ＥＬ素子３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂを有する。有機ＥＬ素子３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂのそれぞれは、第１画素電極３１ａと第２画素電極３１ｂとに２分割された画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂを有する。また、画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂと共通電極としての対向電極３３との間には、有機ＥＬ素子３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂに共通して設けられた機能層３２を有する。機能層３２は白色発光が得られる構成を有している。例えば、機能層３２は、赤（Ｒ）の発光が得られる発光層と、緑（Ｇ）の発光が得られる発光層と、青（Ｂ）の発光が得られる発光層とを含むものである。また、例えば、青（Ｂ）の発光が得られる発光層と、黄（Ｙ）の発光が得られる発光層とを含んで擬似白色発光が得られる構成であってもよい。
有機ＥＬ素子３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂからの発光は、反射層６０によって反射され、対向基板４０の着色層（フィルター層）３７Ｒ，３７Ｇ，３７Ｂを透過して対向基板４０側から取り出される。したがって、発光装置２００はトップエミッション型である。
発光装置２００において、白色発光が得られる機能層３２は、液相プロセスまたは気相プロセス、あるいはその両方を用いて形成することができる。代表的な液相プロセスとしてはスピンコート法などを挙げることができる。画素電極３１（第１画素電極３１ａ）の外縁に重なる絶縁層２７によって開口部２７ａが形成されている。したがって、例えば、スピンコート法を用いて機能層３２を形成する場合、開口部２７ａの辺部に沿って機能層３２の塗布ムラが生ずる可能性がある。ゆえに、画素電極３１を第１画素電極３１ａと第２画素電極３１ｂとに分割しておくことは有効である。
【００８７】
（変形例３）上記第２実施形態及び上記第３実施形態では、サブ画素１８の画素電極３１を３分割したが、これに限定されず、さらに分割数を増やすこともできる。例えば、第１画素電極３１ａをＹ方向において上下に分割して、画素電極３１を４分割としてもよい。
【００８８】
（変形例４）トップエミッション型の発光装置１００における画素電極３１の平面的な配置は、これに限定されない。例えば、図３において、反射層６０をスイッチング用トランジスター２１、蓄積容量２２、駆動用トランジスター２３と重なるように配置すれば、画素電極３１も反射層６０に対応して、スイッチング用トランジスター２１、蓄積容量２２、駆動用トランジスター２３と重なるように配置することができる。したがって、より大きな発光面積とすることができる。
【００８９】
（変形例５）本発明の画素電極３１の分割が適用される発光装置は、トップエミッション型に限定されない。基材１１上において、反射層６０を削除し、対向電極３３が光反射性を有するように構成すれば、機能層３２からの発光を基材１１側から取り出すボトムエミッション型の発光装置にも適用することができる。
【符号の説明】
【００９０】
１０…素子基板、１１…基板としての基材、１４…電源線、２３…トランジスターとしての駆動用トランジスター、２７…下層絶縁層としての絶縁層、２８…上層絶縁層としての有機絶縁層または隔壁、２９…第２絶縁層としての絶縁層、３０…発光素子としての有機ＥＬ素子、３１…画素電極、３１ａ…第１画素電極、３１ｂ，３１ｃ，３１ｅ…第２画素電極、３１ｄ，３１ｆ…第３画素電極、３２，３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂ…機能層、３２ａ…正孔注入層、３２ｃ…中間層、３２ｒ，３２ｇ，３２ｂ…発光層、３３…対向電極、３７…カラーフィルター、４０…対向基板、６１…第１接続用配線、６４…第２接続用配線、６７…第３接続用配線、１００，２００…発光装置、１０００…電子機器としてのパーソナルコンピューター、１１００…電子機器としての薄型テレビ（ＴＶ）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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