(57)【要約】      （修正有）【課題】スループットの低下を抑えながらデフォーカスの低減に有利な露光装置を提供する。【解決手段】予め取得したｎ枚目の基板の複数のショット領域のそれぞれの高さの第１計測値に基づいて前記ｎ枚目の基板の複数のショット領域のそれぞれに対してステージでフォーカス調整しながら露光すると共に、当該複数のショット領域のそれぞれの高さを計測部で計測して第２計測値を取得し、前記複数の基板のうちｎ＋１枚目以降の基板を露光する場合には、前記ｎ＋１枚目以降の基板の複数のショット領域のうち１つのショット領域の高さを前記計測部で計測して第３計測値を取得し、前記第１計測値に含まれる前記１つのショット領域に対応するショット領域の高さの計測値と前記第３計測値との差分、前記第１計測値、及び、前記第２計測値に基づいて前記ｎ＋１枚目以降の基板の複数のショット領域のそれぞれに対して前記ステージでフォーカス調整しながら露光する。【選択図】図１
2014099562.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板を連続して露光する露光装置であって、
前記基板を保持して移動するステージと、
前記基板のショット領域の高さを計測する計測部と、
前記複数の基板のそれぞれの露光を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、
前記複数の基板のうち先頭からｎ枚目（ｎは自然数）までの基板を露光する場合には、予め取得した前記ｎ枚目の基板の複数のショット領域のそれぞれの高さの第１計測値に基づいて前記ｎ枚目の基板の複数のショット領域のそれぞれに対して前記ステージでフォーカス調整しながら露光すると共に、当該露光において当該複数のショット領域のそれぞれの高さを前記計測部で計測して第２計測値を取得し、
前記複数の基板のうちｎ＋１枚目以降の基板を露光する場合には、前記ｎ＋１枚目以降の基板の複数のショット領域のうち１つのショット領域の高さを前記計測部で計測して第３計測値を取得し、前記第１計測値に含まれる前記１つのショット領域に対応するショット領域の高さの計測値と前記第３計測値との差分、前記第１計測値、及び、前記第２計測値に基づいて前記ｎ＋１枚目以降の基板の複数のショット領域のそれぞれに対して前記ステージでフォーカス調整しながら露光することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記計測部は、前記基板のショット領域の高さとして、当該ショット領域と前記フォーカス調整の基準となる基準位置との差分を計測することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記ｎ＋１枚目以降の基板を露光する場合には、前記ｎ＋１枚目以降の基板の複数のショット領域のそれぞれに対して前記ステージでフォーカス調整しながら露光すると共に、当該複数のショット領域のそれぞれの高さを前記計測部で計測して第４計測値を取得することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項４】
前記制御部は、ｉ枚目（ｉ＞ｎ＋１）の基板を露光する場合には、前記ｉ枚目の基板の複数のショット領域のうち１つのショット領域の高さを前記計測部で計測して第５計測値を取得し、前記第１計測値に含まれる前記１つのショット領域に対応するショット領域の高さの計測値と前記第５計測値との差分、前記第１計測値、及び、前記ｎ＋１枚目までの基板について取得された前記第４計測値と前記第２計測値との平均値に基づいて前記ｉ枚目の基板の複数のショット領域のそれぞれに対して前記ステージでフォーカス調整しながら露光することを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記制御部は、ｉ枚目（ｉ＞ｎ＋１）の基板を露光する場合には、前記ｉ枚目の基板の複数のショット領域のうち１つのショット領域の高さを前記計測部で計測して第５計測値を取得し、前記第１計測値に含まれる前記１つのショット領域に対応するショット領域の高さの計測値と前記第５計測値との差分、前記第１計測値、及び、前記ｉ−１枚目の基板について取得された前記第４計測値に基づいて前記ｉ枚目の基板の複数のショット領域のそれぞれに対して前記ステージでフォーカス調整しながら露光することを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
【請求項６】
前記制御部は、露光前に、基板の複数のショット領域のうち一部のショット領域の高さを前記計測部で計測して第６計測値を取得し、前記第１計測値と前記第６計測値との差分が許容範囲を超えていれば、当該基板の露光を中止することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項７】
前記第６計測値を取得するための前記計測部による計測は、露光対象のショット領域を露光するための露光準備位置で行われることを特徴とする請求項６に記載の露光装置。
【請求項８】
前記第１計測値は、前記ｎ枚目の基板の複数のショット領域のそれぞれの高さを前記計測部で計測することで取得されることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項９】
複数の基板を連続して露光する露光方法であって、
前記複数の基板のうち先頭からｎ枚目（ｎは自然数）までの基板を露光する場合には、予め取得した前記ｎ枚目の基板の複数のショット領域のそれぞれの高さの第１計測値に基づいて前記ｎ枚目の基板の複数のショット領域のそれぞれに対してフォーカス調整しながら露光すると共に、当該露光において当該複数のショット領域のそれぞれの高さを計測して第２計測値を取得し、
前記複数の基板のうちｎ＋１枚目以降の基板を露光する場合には、前記ｎ＋１枚目以降の基板の複数のショット領域のうち１つのショット領域の高さを計測して第３計測値を取得し、前記第１計測値に含まれる前記１つのショット領域に対応するショット領域の高さの計測値と前記第３計測値との差分、前記第１計測値、及び、前記第２計測値に基づいて前記ｎ＋１枚目以降の基板の複数のショット領域のそれぞれに対してフォーカス調整しながら露光することを特徴とする露光方法。
【請求項１０】
請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
露光された前記基板を現像するステップと、
を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィ技術を用いて半導体デバイスなどを製造する際に、レチクルと基板とを走査（スキャン）しながらレチクルのパターンを転写するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置（スキャナー）が使用されている。スキャナーでは、基板上のショット領域（露光領域）をベストフォーカス面に合わせるために必要なオフセットを、基板の露光処理中に位置計測センサから取得する情報を用いて補正している（特許文献１参照）。但し、特許文献１のように、露光処理中にベストフォーカス面を求め、かかるベストフォーカス面にショット領域を送り込む（即ち、リアルタイムオートフォーカスを用いる）場合、露光装置の処理速度（スループット）の低下を招くことになる。これは、位置計測センサで基板上のショット領域を予め計測（先読み）する分だけ基板ステージを余分に移動させてから露光処理を行わなければならないからである。
【０００３】
そこで、焦点深度が深い工程において、露光装置のスループットの低下を抑制する技術が提案されている（特許文献２参照）。特許文献２では、同一のプロセスで処理する複数の基板（ロット）のうち、１枚目の基板については全てのショット領域の高さを計測し、２枚目以降の基板については第１ショット領域の高さのみを計測する。そして、２枚目以降の基板の第２ショット領域以降については、１枚目の基板の第１ショット領域の高さと２枚目の基板の第１ショット領域の高さとの差分（補正値）を用いて、フォーカスの補正を行っている。特許文献２では、同一のプロセスで処理するロットにおいて、基板の表面形状がほぼ同一であることが必要な条件となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２０３８３８号公報
【特許文献２】特開平６−２０９２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、同一のプロセスで処理するロットにおいても、実際には、複数の基板間で表面形状にばらつきがあるため、そのばらつきがフォーカス許容量よりも大きい場合には、デフォーカスを引き起こしてしまう。
【０００６】
また、基板は基板ステージに保持され、基板の表面形状は基板ステージの基板保持面の形状（面形状）にならうことになるが、基板保持面は自重などによって経時変化することが知られている。例えば、２枚目以降の基板の第１ショット領域の高さの計測値が１枚目の基板の第１ショット領域の高さの計測値と同一であるが、基板保持面の経時変化による基板の表面形状の変形がフォーカス許容量よりも大きい場合がある。従来技術では、このような基板の表面形状の変形を検出することができず、他のショット領域に対して適正な補正値を反映させることができない。従って、実際の基板（ショット領域）の傾き成分が考慮されないまま露光処理が行われることになり、デフォーカスを引き起こしてしまう。
【０００７】
これらの問題は、全ての基板において全てのショット領域の高さを計測し、その結果を用いて露光処理中にフォーカスの補正を行うことで回避することができるが、露光装置のスループットは低下してしまう。
【０００８】
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、スループットの低下を抑えながらデフォーカスの低減に有利な露光装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、  複数の基板を連続して露光する露光装置であって、前記基板を保持して移動するステージと、前記基板のショット領域の高さを計測する計測部と、前記複数の基板のそれぞれの露光を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記複数の基板のうち先頭からｎ枚目（ｎは自然数）までの基板を露光する場合には、予め取得した前記ｎ枚目の基板の複数のショット領域のそれぞれの高さの第１計測値に基づいて前記ｎ枚目の基板の複数のショット領域のそれぞれに対して前記ステージでフォーカス調整しながら露光すると共に、当該露光において当該複数のショット領域のそれぞれの高さを前記計測部で計測して第２計測値を取得し、前記複数の基板のうちｎ＋１枚目以降の基板を露光する場合には、前記ｎ＋１枚目以降の基板の複数のショット領域のうち１つのショット領域の高さを前記計測部で計測して第３計測値を取得し、前記第１計測値に含まれる前記１つのショット領域に対応するショット領域の高さの計測値と前記第３計測値との差分、前記第１計測値、及び、前記第２計測値に基づいて前記ｎ＋１枚目以降の基板の複数のショット領域のそれぞれに対して前記ステージでフォーカス調整しながら露光することを特徴とする。
【００１０】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、例えば、スループットの低下を抑えながらデフォーカスの低減に有利な露光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一側面としての露光装置の構成を示す概略図である。
【図２】図１に示す露光装置における複数の基板を連続的に露光する露光処理を説明するためのフローチャートである。
【図３】図１に示す露光装置における複数の基板を連続的に露光する露光処理を説明するためのフローチャートである。
【図４】基板のショット領域の配列の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１４】
図１は、本発明の一側面としての露光装置１の構成を示す概略図である。但し、図１では、露光装置１を構成する部材のうち一部の部材、即ち、本発明に関連する部材のみを示している。露光装置１は、ステップ・アンド・スキャン方式でレチクルのパターンを基板に転写するリソグラフィー装置であって、本実施形態では、同一のプロセスで処理する複数の基板（ロット）を連続して露光する。
【００１５】
露光装置１は、レチクルを照明する照明光学系（不図示）と、レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系（不図示）と、基板ＳＢを保持して移動する基板ステージ１０と、計測部２０と、制御部３０とを有する。
【００１６】
基板ステージ１０は、基板ＳＢを保持するためのチャック（基板保持面）１２を有する。また、基板ステージ１０は、４つのアクチュエータ１４ａ、１４ｂ、１４ｃ及び１４ｄを含む駆動系を有し、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向及びＺ軸の回転方向のそれぞれに移動可能に構成される。
【００１７】
計測部２０は、投影光学系と基板ステージ１０との間に配置され、基板ＳＢのショット領域の高さ（Ｚ軸方向の位置）を計測する。計測部２０は、例えば、４つのＺ計測センサ２１、２２、２３及び２４を含み、基板ＳＢのショット領域内において複数の計測点で高さを計測する。
【００１８】
制御部３０は、ＣＰＵ３２やメモリ（記憶部）３４を含み、露光装置１の全体（動作）を制御する。例えば、制御部３０は、同一のプロセスで処理する複数の基板ＳＢのそれぞれの露光を制御する（即ち、複数の基板ＳＢを連続的に露光する露光処理を制御する）。この際、制御部３０は、計測部２０の計測結果に基づいて、基板ＳＢを保持する基板ステージ１０を介して、基板ＳＢの複数のショット領域のそれぞれがベストフォーカス位置に位置するように、フォーカス調整を行う。
【００１９】
図２を参照して、露光装置１における複数の基板ＳＢを連続的に露光する露光処理について説明する。かかる露光処理は、上述したように、制御部３０が露光装置１の各部を統括的に制御することで行われる。なお、ここでは、基板ステージ１０に基板ＳＢが保持された状態から露光処理が開始されるものとする。また、計測部２０は、基板ＳＢの高さのショット領域の高さとして、ショット領域とフォーカス調整の基準となる基準位置（ベストフォーカス位置）との差分を計測するものとする。図２（ａ）は、複数の基板ＳＢのうち１枚目の基板ＳＢに対する露光処理を示し、図２（ｂ）は、複数の基板ＳＢのうち２枚目の基板ＳＢに対する露光処理を示している。
【００２０】
まず、１枚目の基板ＳＢに対する露光処理を説明する。Ｓ２０２では、１枚目の基板ＳＢの１番目のショット領域（第１ショット領域）が計測部２０の計測位置に位置するように、基板ステージ１０を移動する。Ｓ２０４では、１枚目の基板ＳＢの第１ショット領域の高さを計測部２０で計測して計測値を取得する。Ｓ２０６では、Ｓ２０４で取得した計測値（１枚目の基板ＳＢの第１ショット領域の高さの計測値）をメモリ３４に記憶する。
【００２１】
Ｓ２０８では、１枚目の基板ＳＢの全てのショット領域の高さを計測したかどうかを判定する。１枚目の基板ＳＢの全てのショット領域の高さを計測している場合には、Ｓ２１６に移行する。また、１枚目の基板ＳＢの全てのショット領域の高さを計測していない場合には、Ｓ２１０に移行する。
【００２２】
Ｓ２１０では、１枚目の基板ＳＢの次のショット領域（即ち、高さが計測されていないショット領域（計測対象ショット領域））が計測部２０の計測位置に位置するように、基板ステージ１０を移動する。Ｓ２１２では、１枚目の基板ＳＢの計測対象ショット領域の高さを計測部２０で計測して計測値を取得する。Ｓ２１４では、Ｓ２１２で取得した計測値（１枚目の基板ＳＢの計測対象ショット領域の高さの計測値）をメモリ３４に記憶する。Ｓ２０２乃至Ｓ２１４の処理によって、１枚目の基板ＳＢの全てのショット領域の高さの計測値が取得される。かかる計測値、即ち、１枚目の基板ＳＢを露光する前に予め取得した１枚目の基板ＳＢの複数のショット領域のそれぞれの高さの計測値を、以下では、計測値Ｓ１と称する。
【００２３】
Ｓ２１６では、予め取得した計測値Ｓ１をフォーカス調整の補正値Ｘ１として（即ち、Ｘ１＝Ｓ１）、基板ＳＢの複数のショット領域のそれぞれがベストフォーカス位置に位置するように基板ステージ１０を移動させながら各ショット領域を露光する。また、かかる露光において、１枚目の基板ＳＢの複数のショット領域のそれぞれの高さを計測部２０で計測して計測値を取得し、計測値Ｐ１としてメモリ３４に記憶する。
【００２４】
ここで、計測値Ｓ１、計測値Ｐ１及び補正量Ｘ１について整理する。計測値Ｓ１は、計測部２０による計測から求まる基板ＳＢの各ショット領域の高さ（Ｚ軸方向の位置）とベストフォーカス位置との差分である。計測値Ｐ１は、１枚目の基板ＳＢの露光中における計測部２０による計測から求まる基板ＳＢの各ショット領域の高さとベストフォーカス位置との差分である。補正量Ｘ１は、フォーカス調整における補正量、具体的には、１枚目の基板ＳＢの露光中における基板ステージ１０のＺ軸方向の位置である。
【００２５】
次に、２枚目の基板ＳＢに対する露光処理を説明する。Ｓ２５２では、２枚目の基板ＳＢの１番目のショット領域（第１ショット領域）が計測部２０の計測位置に位置するように、基板ステージ１０を移動する。Ｓ２５４では、２枚目の基板ＳＢの第１ショット領域の高さを計測部２０で計測して計測値を取得する。
【００２６】
Ｓ２５６では、Ｓ２０６で記憶した計測値Ｓ１に含まれる１枚目の基板ＳＢの第１ショット領域の高さの計測値とＳ２５４で取得した２枚目の基板ＳＢの第１しショット領域の高さの計測値との差分を算出する。
【００２７】
Ｓ２５８では、Ｓ２５６で算出した差分をＳ２０６で記憶した計測値Ｓ１（即ち、１枚目の基板ＳＢの各ショット領域の高さの計測値）に加算して加算値を算出し、加算値Ｓ２としてメモリ３４に記憶する。
【００２８】
Ｓ２６０では、１枚目の基板ＳＢを露光中に計測部２０で計測した各ショット領域の高さの計測値Ｐ１を考慮して、２枚目の基板ＳＢを露光する。具体的には、Ｓ２１６で記憶した計測値Ｐ１にＳ２５８で記憶した加算値Ｓ２を加算した値をフォーカス調整の補正値Ｘ２とする（即ち、Ｘ２＝Ｐ１＋Ｓ２）。そして、補正値Ｘ２を用いて、基板ＳＢの複数のショット領域のそれぞれがベストフォーカス位置に位置するように基板ステージ１０を移動させながら各ショット領域を露光する。また、かかる露光において、２枚目の基板ＳＢの複数のショット領域のそれぞれの高さを計測部２０で計測して計測値を取得し、計測値Ｐ２としてメモリ３４に記憶する。
【００２９】
ここで、ｐ枚目（ｐは３以上の自然数）の基板ＳＢに露光処理についても説明する。１枚目の基板ＳＢの第１ショット領域の高さの計測値とｐ枚目の基板の第１ショット領域の高さの計測値との差分を計測値Ｓ１に加算した加算値をＳｐとする。ｑ枚目の基板ＳＢの露光中に計測部２０で計測した各ショット領域の高さの計測値をＰｑとすると、ｐ枚目の基板ＳＢを露光する際のフォーカス調整の補正値Ｘｐは、以下の式（１）で与えられる。
【００３０】
【数１】
2014099562.tif 000003
【００３１】
式（１）において、ｍは、サンプリング枚数を表している。従って、式（１）は、ｐ−ｍ枚目〜ｐ−１枚目までの基板の露光中に計測部２０で計測した各ショット領域の高さの計測値を用いて、ｐ枚目の基板を露光する際のフォーカス調整の補正値Ｘｐを算出していることを表している。
【００３２】
Ｐｑは、理想的には、常に０になるはずである。但し、上述したように、基板ステージ１０のチャック（基板保持面）１２が自重などによって経時変化するため、Ｐｑは、実際には、０にならない（Ｐｑ≠０）。そこで、本実施形態では、ｐ枚目の基板ＳＢを露光する際に、ｐ−１枚目までの基板ＳＢの露光時に計測部２０で計測した各ショット領域の高さの計測値を考慮している。なお、ｐ枚目の基板ＳＢを露光する際のフォーカス調整の補正値Ｘｐは、以下の式（１）に限定されるものではない。例えば、補正値Ｘｐは、Ｘｐ＝Ｐｐ−１＋Ｓｐで与えられてもよい。
【００３３】
本実施形態の露光装置１では、複数の基板のうち先頭からｎ枚目（ｎは自然数）までの基板を露光する場合には、かかる基板の露光において、複数のショット領域のそれぞれの高さを計測部２０で計測して計測値（第２計測値）を取得する。なお、かかる基板の露光については、予め取得した複数のショット領域のそれぞれの高さの計測値（第１計測値）に基づいて複数のショット領域のそれぞれに対して基板ステージ１０でフォーカス調整しながら露光する。
【００３４】
また、ｎ＋１枚目以降の基板を露光する場合には、露光前に、かかる基板の複数のショット領域のうち１つのショット領域の高さを計測部２０で計測して計測値（第３計測値）を取得する。そして、第１計測値に含まれる１つのショット領域に対応するショット領域の高さの計測値と第３計測値との差分、第１計測値、及び、第２計測値に基づいて複数のショット領域のそれぞれに対して基板ステージ１０でフォーカス調整しながら露光する。また、ｎ＋１枚目以降の基板の露光において、複数のショット領域の高さを計測部２０で計測して計測値（第４計測値）を取得する。
【００３５】
また、ｉ枚目（ｉ＞ｎ＋１）の基板を露光する場合には、かかる基板の複数のショット領域のうち１つのショット領域の高さを計測部２０で計測して計測値（第５計測値）を取得する。次いで、第１計測値に含まれる１つのショット領域に対応するショット領域の高さの計測値と第５計測値との差分を求める。そして、かかる差分、第１計測値、及び、ｎ＋１枚目までの基板について取得された第４計測値と第２計測値との平均値に基づいて複数のショット領域のそれぞれに対して基板ステージ１０でフォーカス調整しながら露光する。また、かかる差分、第１計測値、及び、ｉ−１枚目の基板について取得された第４計測値に基づいて複数のショット領域のそれぞれに対して基板ステージ１０でフォーカス調整しながら露光してもよい。
【００３６】
このように、本実施形態の露光装置１では、露光対象となる基板に対して、それまでに露光した基板の複数のショット領域の高さを計測して取得した計測値を考慮して、露光対象となる基板の複数のショット領域のそれぞれをフォーカス調整している。従って、複数の基板間で表面形状にばらつきがある場合や基板ステージ１０のチャック（基板保持面）１２の経時変化によって基板の表面形状が変形する場合であっても、露光装置１は、露光処理におけるデフォーカスを低減させることができる。また、露光装置１は、露光前に、複数の基板のうち先頭からｎ枚目（例えば、１枚目）までの基板については全てのショット領域の高さを計測し、その他の基板については１つのショット領域の高さのみを計測している。従って、露光装置１は、複数の基板の全てについて、全てのショット領域の高さを計測する場合と比較して、スループットの低下を抑えることができる。
【００３７】
また、露光装置１では、露光前に、基板の複数のショット領域のうち一部のショット領域の高さを計測部２０で計測して計測値（第６計測値）を取得し、第１計測値と第６計測値との差分が許容範囲を超えていれば、かかる基板の露光を中止することも可能である。図３を参照して、かかる露光処理について説明する。また、複数の基板ＳＢのそれぞれは、図４に示すように、行方向に３つのショット領域、列方向に２つのショット領域が配列された６つのショット領域（第１ショット領域乃至第６ショット領域）を有するものとする。なお、図４には、第６ショット領域を露光するための露光準備位置ＥＰ６での計測部２０のＺ計測センサ２１乃至２４の位置や第６ショット領域を露光する際の基板ステージ１０の移動方向ＭＤ６が示されている。同様に、図４には、第５ショット領域を露光するための露光準備位置ＥＰ５での計測部２０のＺ計測センサ２１乃至２４の位置や第５ショット領域を露光する際の基板ステージ１０の移動方向ＭＤ５が示されている。同様に、図４には、第４ショット領域を露光するための露光準備位置ＥＰ４での計測部２０のＺ計測センサ２１乃至２４の位置や第４ショット領域を露光する際の基板ステージ１０の移動方向ＭＤ４が示されている。
【００３８】
図３（ａ）を参照して、１枚目の基板ＳＢに対する露光処理を説明する。Ｓ３０２乃至Ｓ３１４は、図２に示すＳ２０２乃至Ｓ２１４と同様であるため、ここでの詳細な説明は省略する。Ｓ３１６では、基板ＳＢの露光対象ショット領域を露光するための露光準備位置に基板ステージ１０を移動する。
【００３９】
Ｓ３１８では、露光対象ショット領域を露光するための露光準備位置において、計測部２０（Ｚ計測センサ２１乃至２４）が基板ＳＢの内側に位置しているかどうか（即ち、ショット領域に位置しているかどうか）を判定する。計測部２０が基板ＳＢの内側に位置していない場合には、Ｓ３２４に移行する。また、計測部２０が基板ＳＢの内側に位置している場合には、Ｓ３２０に移行する。
【００４０】
Ｓ３２０では、露光準備位置において計測部２０が位置している基板ＳＢのショット領域の高さを計測部２０で計測して計測値を取得する。Ｓ３２２では、Ｓ３２０で取得した計測値（露光準備位置において計測部２０が位置している基板ＳＢのショット領域の高さの計測値）を基準値としてメモリ３４に記憶する。
【００４１】
例えば、図４を参照するに、露光準備位置ＥＰ５では、計測部２０が基板ＳＢの外側に位置しているため、基板ＳＢのショット領域の高さを計測することができない。一方、露光準備位置ＥＰ６では、計測部２０が基板ＳＢの内側、具体的には、基板ＳＢの第１ショット領域に位置しているため、第１ショット領域の高さを計測することができる。また、露光準備位置ＥＰ４では、計測部２０が基板ＳＢの第３ショット領域に位置しているため、第３ショット領域の高さを計測することができる。
【００４２】
Ｓ３２４では、予め取得した計測値Ｓ１をフォーカス調整の補正値Ｘ１として（即ち、Ｘ１＝Ｓ１）、基板ＳＢの露光対象ショット領域がベストフォーカス位置に位置するように基板ステージ１０を移動させながら露光対象ショット領域を露光する。また、かかる露光において、基板ＳＢの露光対象ショット領域の高さを計測部２０で計測して計測値を取得し、計測値Ｐ１としてメモリ３４に記憶する。
【００４３】
Ｓ３２６では、基板ＳＢの全てのショット領域を露光したかどうかを判定する。基板ＳＢの全てのショット領域を露光している場合には、１枚目の基板ＳＢの露光処理を終了する。また、基板ＳＢの全てのショット領域を露光していない場合には、Ｓ３１６に移行して、基板ＳＢの次の露光対象ショット領域を露光するための露光準備位置に基板ステージ１０を移動する。
【００４４】
図３（ｂ）を参照して、２枚目以降の基板ＳＢに対する露光処理を説明する。Ｓ３５２乃至Ｓ３５８は、図２に示すＳ２５２乃至Ｓ２５８と同様であるため、ここでの詳細な説明は省略する。Ｓ３６０では、基板ＳＢの露光対象ショット領域を露光するための露光準備位置に基板ステージ１０を移動する。
【００４５】
Ｓ３６２では、露光対象ショット領域を露光するための露光準備位置において、計測部２０（Ｚ計測センサ２１乃至２４）が基板ＳＢの内側に位置しているかどうか（即ち、ショット領域に位置しているかどうか）を判定する。計測部２０が基板ＳＢの内側に位置していない場合には、Ｓ３７２に移行する。また、計測部２０が基板ＳＢの内側に位置している場合には、Ｓ３６４に移行する。
【００４６】
Ｓ３６４では、露光準備位置において計測部２０が位置している基板ＳＢのショット領域の高さを計測部２０で計測して計測値を取得する。
【００４７】
Ｓ３６６では、Ｓ３２２で記憶した１枚目の基板ＳＢのショット領域の高さの計測値、即ち、基準値とＳ３６４で取得した２枚目以降の基板ＳＢのショット領域の高さの計測値とを比較し、その差分が許容範囲を超えているかどうかを判定する。かかる差分が許容範囲を超えている場合には、Ｓ３６８に移行して、その基板ＳＢの露光を中止する。また、かかる差分が許容範囲を超えていない場合には、Ｓ３７０に移行する。Ｓ３７０では、Ｓ３６４で取得した計測値（露光準備位置において計測部２０が位置している基板ＳＢのショット領域の高さの計測値）を基準値としてメモリ３４に記憶する（即ち、基準値を更新する）。
【００４８】
Ｓ３７２では、１枚目の基板ＳＢを露光中に計測部２０で計測した各ショット領域の高さの計測値Ｐ１を考慮して、２枚目の基板ＳＢを露光する。具体的には、Ｓ３２４で記憶した計測値Ｐ１にＳ３５８で記憶した加算値Ｓ２を加算した値をフォーカス調整の補正値Ｘ２とする（即ち、Ｘ２＝Ｐ１＋Ｓ２）。そして、補正値Ｘ２を用いて、基板ＳＢの露光対象ショット領域がベストフォーカス位置に位置するように基板ステージ１０を移動させながら露光対象ショット領域を露光する。また、かかる露光において、２枚目以降の基板ＳＢの露光対象ショット領域の高さを計測部２０で計測して計測値を取得し、計測値Ｐ２としてメモリ３４に記憶する。
【００４９】
Ｓ３７４では、基板ＳＢの全てのショット領域を露光したかどうかを判定する。基板ＳＢの全てのショット領域を露光している場合には、２枚目以降の基板ＳＢの露光処理を終了する。また、基板ＳＢの全てのショット領域を露光していない場合には、Ｓ３６０に移行して、基板ＳＢの次の露光対象ショット領域を露光するための露光準備位置に基板ステージ１０を移動する。
【００５０】
このように、露光対象の基板のショット領域の高さと露光対象よりも前に露光した基板のショット領域の高さとの差分が許容範囲を超えている場合、即ち、基板間の表面形状の変形が大きい場合には、露光対象の基板の露光を中止する。これにより、露光対象の基板がデフォーカスしたまま露光されることを抑制することができる。
【００５１】
上述したように、露光装置１は、高いスループットで経済性よく高品位なデバイス（液晶デバイス、半導体素子、撮像素子（ＣＣＤなど）、薄膜磁気ヘッドなど）を提供することができる。かかるデバイスは、露光装置１を用いてフォトレジスト（感光剤）が塗布された基板（ガラスプレート、ウエハ等）を露光する工程と、露光された基板を現像する工程と、その他の周知の工程と、を経ることによって製造される。
【００５２】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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