(57)【要約】【課題】制御用トランジスタが停止しているときに駆動用トランジスタの導通制御端子に非導通電位を与えるための接続線に、その接続線の導通、非導通を切り替え可能なトランジスタを設けた場合であっても、電源起動時に、駆動用トランジスタが誤ってオンしてしまうことを確実に防止すること。【解決手段】駆動用トランジスタ１０のゲート端子１０Ａと、当該駆動用トランジスタ１０の非導通電位を持った高電位電源線２６とを接続する接続線２８に、電位固定用トランジスタ３０が設けられる。この電位固定用トランジスタ３０のベース端子３０Ａは、当該電位固定用トランジスタ３０の導通電位を持つ高電位電源線２６に接続されている。このため、電源投入時に、電位固定用トランジスタ３０は即座に導通して、駆動用トランジスタ１０のゲート端子１０Ａの電位を非導通電位である電源電位に固定する。【選択図】図１
2014225841.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源とグランドとの間に接続され、導通制御端子（１０Ａ、１１２Ａ）に導通電位が印加されたときに導通して負荷（１）に駆動電流を流し、非導通電位が印加されたとき非導通となる駆動用トランジスタ（１０、１１２）と、
前記駆動用トランジスタの導通制御端子に印加する電位を、前記導通電位と前記非導通電位とのいずれかに切り替え可能な制御用トランジスタ（２２、２４、１２２、１２４）と、
前記駆動用トランジスタの導通制御端子と、前記駆動用トランジスタの非導通電位を持った信号線（２６、１２６）とを接続する接続線（２８、１２８）に設けられ、自身の導通制御端子（３０Ａ、１３０Ａ）は、導通電位を持つ信号線（２６、１２６）に接続されており、導通したとき、前記駆動用トランジスタの導通制御端子の電位を非導通電位に固定する電位固定用トランジスタ（３０、１３０）と、を備え、
電源が投入されたときであって、前記制御用トランジスタが停止しているときに、前記電位固定用トランジスタの導通制御端子に導通電位が与えられて、前記電位固定用トランジスタが導通することを特徴とする負荷制御回路。
【請求項２】
前記電位固定用トランジスタの導通制御端子に印加される電位を、導通電位から非導通電位に切り替えるオフ用トランジスタ（３６、１３６）を有することを特徴とする請求項１に記載の負荷駆動回路。
【請求項３】
前記オフ用トランジスタは、前記制御用トランジスタ又は前記駆動用トランジスタのリーク電流検査が行なわれるときに、前記電位固定用トランジスタの導通制御端子に印加される電位を非導通電位に切り替えることを特徴とする請求項２に記載の負荷駆動回路。
【請求項４】
前記オフ用トランジスタは、前記制御用トランジスタによる電位の切り替えが行われるときに、前記電位固定用トランジスタの導通制御端子に印加される電位を非導通電位に切り替えることを特徴とする請求項２に記載の負荷駆動回路。
【請求項５】
前記制御用トランジスタは、電源電位を持つ高電位電源線（２６、１２７）と、それよりも低電位を持つ低電位電源線（２７、１２６）との間に直列に接続された２個のトランジスタ（２２、２４、１２２、１２４）からなり、互いを接続する接続線（２３、１２３）が前記駆動用トランジスタの導通制御端子に接続され、いずれか一方のトランジスタが択一的にオンされることにより、前記駆動用トランジスタの導通制御端子に印加する電位を、電源電位と、それよりも低電位の一方である前記導通電位と、前記電源電位と低電位の他方である前記非導通電位との間で切り替えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の負荷駆動回路。
【請求項６】
前記制御用トランジスタが、目標デューティ比に従ってデューティ駆動されることで、前記駆動用トランジスタの導通制御端子に印加する電位が、前記導通電位と前記非導通電位との間で交互に切り替えられることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の負荷駆動回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モータなどの負荷を駆動するための負荷駆動回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１には、負荷に対して直列に接続された駆動用半導体素子を導通制御する半導体素子制御装置が開示されている。この半導体素子制御装置は、駆動用半導体素子のゲート端子の電位を制御する２個の制御用トランジスタを備えている。これら２個の制御用トランジスタがともにオフされているときに、駆動用半導体素子が誤ってオンすることを防止するために、抵抗素子が、電源と駆動用トランジスタのゲート端子との間に接続されている。これにより、２個の制御用トランジスタがともにオフされている間、駆動用半導体素子のゲート端子の電位は電源電位（非導通電位）となり、駆動用半導体素子はオフ状態を維持する。
【０００３】
また、コンデンサ及び開路用トランジスタの直列回路が、駆動用トランジスタのゲート端子とグランド線との間に接続されている。そして、駆動制御回路が、２個の制御用トランジスタを用いて、駆動用半導体素子の導通状態を制御するときには、開路用トランジスタをオンして、コンデンサによりスイッチングノイズの発生を抑制するようにしている。一方、電源起動時やスタンバイ状態において２個の制御用トランジスタがともにオフされる際には、コンデンサと直列接続された開路用トランジスタがオフされる。これにより、電源電圧が変動した場合などであっても、駆動用半導体素子のゲート電位の上昇が、抵抗素子とコンデンサとによるＣＲ回路によってなまされることを防止し、駆動用半導体素子のゲート・ソース間電位が上昇してしまうことを抑制するようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−９２４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述した半導体素子制御装置において、駆動用半導体素子のソース端子とゲート端子との間に所定の電圧を印加して、それら端子間に流れるリーク電流の測定を行うことを可能とするために、抵抗素子と直列に、別途、開路用トランジスタが設けられる場合がある。この場合、リーク電流の測定中、その開路用トランジスタをオフすることで、駆動用半導体素子のゲート端子から抵抗素子が切り離されるようにしている。
【０００６】
しかしながら、この開路用トランジスタの導通状態は、駆動制御回路からの駆動信号によって制御される。そのため、電源起動時において、電源電圧の供給が開始されてから、駆動制御回路が正常に動作可能となるまでの間は、抵抗素子と直列接続された開路用トランジスタが非導通状態となったり、あるいは、その状態が不安定（不定）になったりする可能性がある。この場合、電源投入直後において、駆動用半導体素子のゲート端子に電源電位が印加されず、駆動用半導体素子のソース電位がゲート電位よりも高くなり、駆動用半導体素子が誤ってオンしてしまう虞が生じる。
【０００７】
本発明は、上述した点に鑑みてなされたもので、制御用トランジスタが停止しているときに駆動用トランジスタの導通制御端子に非導通電位を与えるための接続線に、その接続線の導通、非導通を切り替え可能なトランジスタを設けた場合であっても、電源起動時に、駆動用トランジスタが誤ってオンしてしまうことを確実に防止することが可能な負荷駆動回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明による負荷駆動回路は、
電源とグランドとの間に接続され、導通制御端子（１０Ａ、１１２Ａ）に導通電位が印加されたときに導通して負荷（１）に駆動電流を流し、非導通電位が印加されたとき非導通となる駆動用トランジスタ（１０、１１２）と、
駆動用トランジスタの導通制御端子に印加する電位を、導通電位と非導通電位とのいずれかに切り替え可能な制御用トランジスタ（２２、２４、１２２、１２４）と、
駆動用トランジスタの導通制御端子と、駆動用トランジスタの非導通電位を持った信号線（２６、１２６）とを接続する接続線（２８、１２８）に設けられ、自身の導通制御端子（３０Ａ、１３０Ａ）は、導通電位を持つ信号線（２６、１２６）に接続されており、導通したとき、駆動用トランジスタの導通制御端子の電位を非導通電位に固定する電位固定用トランジスタ（３０、１３０）と、を備え、
電源が投入されたときであって、制御用トランジスタが停止しているときに、電位固定用トランジスタの導通制御端子に導通電位が与えられて、電位固定用トランジスタが導通することを特徴とする。
【０００９】
このように、本発明の負荷駆動回路によれば、駆動用トランジスタの導通制御端子と、この駆動用トランジスタの非導通電位を持った信号線とを接続する接続線に、電位固定用トランジスタが設けられる。この電位固定用トランジスタの導通制御端子は、導通電位を持つ信号線に接続されている。このため、電源が投入されたとき、電位固定用トランジスタは即座に導通して、駆動用トランジスタの導通制御端子の電位を非導通電位に固定する。従って、電源起動時に、駆動用トランジスタが誤ってオンしてしまうことを確実に防止することができる。
【００１０】
上述した負荷駆動回路が、電位固定用トランジスタの導通制御端子に印加される電位を、導通電位から非導通電位に切り替えるオフ用トランジスタ（３６）を有することが好ましい。このオフ用トランジスタを設けることで、必要に応じて、電位固定用トランジスタを非導通状態にすることができる。例えば、電位固定用トランジスタは、制御用トランジスタ又は駆動用トランジスタのリーク電流検査が行なわれるときに非導通状態とすることが好ましい。これにより、駆動用トランジスタの導通制御端子から接続線を電気的に切り離すことができ、リーク電流検査を正しく実行できるためである。また、電位固定用トランジスタは、制御用トランジスタによる電位の切り替えが行われるときに非導通状態としても良い。この場合、例えば接続線から制御用トランジスタを介して、余分な電流が流れることを防止でき、電流消費量の低減を図ることができるためである。
【００１１】
なお、上記括弧内の参照番号は、本発明の理解を容易にすべく、後述する実施形態における具体的な構成との対応関係の一例を示すものにすぎず、なんら本発明の範囲を制限することを意図したものではない。
【００１２】
また、上述した特徴以外の本発明の特徴に関しては、後述する実施形態の説明及び添付図面から明らかになる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１実施形態における負荷駆動回路の構成を概略的に示す構成図である。
【図２】負荷駆動回路の各種の状態において、各トランジスタのオン、オフ状態を一覧にまとめた図表である。
【図３】ａ）〜（ｃ）は、電源投入時における負荷駆動回路の各部の信号波形を示した図である。
【図４】第２実施形態における負荷駆動回路の構成を概略的に示す構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態による負荷駆動回路について、図面を参照しつつ説明する。図１は、本実施形態における、負荷駆動回路の構成を概略的に示す構成図である。
【００１５】
図１において、１は負荷としてのモータである。このモータ１は、例えば、車両に搭載されたエアコンディショナに用いられる送風用のブロワモータや、ラジエータのファンモータとして用いられる直流モータである。但し、本実施形態の負荷駆動回路に適用される負荷は、直流モータに限られる訳ではなく、例えば３相モータを負荷としても良いし、モータ以外の電気機器を負荷としても良い。
【００１６】
電源としての車載バッテリとグランドとの間に、駆動用トランジスタ１０とモータ１とが直列に接続されている。これにより、駆動用トランジスタ１０が導通したとき、モータ１に駆動電流が流れ、非導通となったとき、その駆動電流が停止する。図１に示す例では、駆動用トランジスタ１０として、ＰチャネルパワーＭＯＳＦＥＴが用いられている。
【００１７】
モータ１に対して並列に、ＮチャネルパワーＭＯＳＦＥＴ１２が接続されている。このＮチャネルパワーＭＯＳＦＥＴ１２は、モータ１への駆動電流が停止されたときに生じる逆起電力によるサージ電流を還流するためのものである。従って、ＮチャネルパワーＭＯＳＦＥＴ１２は、駆動用トランジスタ１０とは逆位相でオン、オフされる。
【００１８】
駆動用トランジスタ１０としてのＰチャネルパワーＭＯＳＦＥＴ及びＮチャネルパワーＭＯＳＦＥＴ１２をオン、オフ制御するために、パワーＭＯＳ制御回路２０が設けられている。このパワーＭＯＳ制御回路２０内において、高電位電源線２６と低電位電源線２７との間に、第１の制御用トランジスタ２２と第２の制御用トランジスタ２４とが、直列に接続されている。第１の制御用トランジスタ２２は、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴであり、第２の制御用トランジスタ２４は、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴである。第１の制御用トランジスタ２２と第２の制御用トランジスタ２４とを相互に接続する接続線２３は、駆動用トランジスタ１０のゲート端子に接続されている。なお、図１に示す例では、高電位電源線２６は車載バッテリに接続され、低電位電源線２７はグランドに接続されている。しかしながら、パワーＭＯＳ制御回路２０内の低電位電源線２７は、駆動用トランジスタ１０のソース・ゲート間耐圧保護などのために、グランド電位よりも高い所定の電位に設定されても良い。
【００１９】
第１の制御用トランジスタ２２と第２の制御用トランジスタ２４は、制御部３８からの駆動信号により、いずれか一方がオンとなるときには、他方がオフとなるように駆動される。すなわち、第１の制御用トランジスタ２２がオンされるときには、第２の制御用トランジスタ２４がオフされる。この場合、駆動用トランジスタ１０のゲート端子１０Ａには電源電位が印加される。すると、駆動用トランジスタ１０のゲート・ソース間電圧ＶGSが略ゼロになるため、駆動用トランジスタ１０は非導通状態（オフ）となる。このように、高電位電源線２６により与えられる電源電位が非導通電位に相当する。
【００２０】
一方、第１の制御用トランジスタ２２がオフされるときには、第２の制御用トランジスタ２４がオンされる。この場合、駆動用トランジスタ１０のゲート端子１０Ａには低電位が印加される。すると、駆動用トランジスタ１０のゲート・ソース間電圧ＶGSがしきい値電圧Ｖthを超えるので、駆動用トランジスタ１０は導通状態（オン）となる。このように、低電位電源線２７により与えられる低電位が導通電位に相当する。
【００２１】
制御部３８は、外部の上位制御装置（図示せず）から与えられる駆動指令（目標デューティ比）に従って、第１の制御用トランジスタ２２及び第２の制御用トランジスタ２４をデューティ駆動するための駆動信号を出力する。このため、所定のデューティ制御周期におけるオン時間、オフ時間毎に、第１及び第２の制御用トランジスタ２２，２４のオン、オフ状態が逆位相にて交互に切り替えられる。その結果、駆動用トランジスタ１０のゲート端子１０Ａに印加される電位も、高電位と低電位との間で交互に切り替えられ、駆動用トランジスタ１０は、目標デューティ比に従ってオン状態とオフ状態とを繰り返す。このようにして、駆動用トランジスタ１０によってモータ１に通電される駆動電流の大きさがＰＷＭ制御される。
【００２２】
なお、制御部３８は、上位制御装置から、動作の停止を指示されると、制御用トランジスタ２２、２４への駆動信号の出力を停止する。この場合、第１及び第２の制御用トランジスタ２２、２４はともに非導通状態となり、上位制御装置から新たな駆動指令を待機しているスタンバイ状態となる。
【００２３】
パワーＭＯＳ制御回路２０内には、さらに、駆動用トランジスタ１０のゲート端子１０Ａと、当該駆動用トランジスタ１０の非導通電位である電源電位を持った高電位電源線２６とを接続する接続線２８が設けられている。この接続線２８に、電位固定用トランジスタ３０と抵抗素子３２との直列回路が挿入されている。電位固定用トランジスタ３０は、ＮＰＮ形のバイポーラトランジスタである。電位固定用トランジスタ３０の導通制御端子であるベース端子３０Ａは、抵抗素子３４を介して、電源電位を持つ高電位電源線２６に接続されている。従って、車載バッテリから電源の供給が開始され、高電位電源線２６の電位が電源電位まで上昇するとき、電位固定用トランジスタ３０のベース端子３０Ａの電位は即座に電源電位に向かって上昇する。このベース端子３０Ａの電位が、しきい値電圧（約０．７Ｖ）を超えると、電位固定用トランジスタ３０は導通状態となる。すると、駆動用トランジスタ１０のゲート端子１０Ａは、抵抗素子３２を介して、電源電位を持つ高電位電源線２６に接続された状態になる。そのため、駆動用トランジスタ１０のゲート端子１０Ａの電位は電源電位に固定され、駆動用トランジスタ１０は非導通状態に維持される。
【００２４】
電位固定用トランジスタ３０のベース端子３０Ａと、グランドとの間に、オフ用トランジスタ３６が接続されている。このオフ用トランジスタ３６は、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴである。オフ用トランジスタ３６は、制御部３８から与えられる駆動信号により、導通状態となるか、非導通状態となるかが制御される。オフ用トランジスタ３６が導通状態となると、電位固定用トランジスタ３０のベース端子３０Ａには、グランド電位が印加される。この場合、電位固定用トランジスタ３０は非導通状態となる。一方、オフ用トランジスタ３６が非導通状態となると、電位固定用トランジスタ３０のベース端子３０Ａには電源電位が印加される。この場合、電位固定用トランジスタ３０は導通状態となる。
【００２５】
次に、本実施形態の負荷駆動回路による作用および効果について、図２及び図３も参照して説明する。なお、図２は、負荷駆動回路の各種の状態において、各トランジスタのオン、オフ状態を一覧にまとめた表である。また、図３（ａ）〜（ｃ）は、電源投入時における負荷駆動回路の各部の信号波形を示した図である。
【００２６】
負荷駆動回路に対する電源投入前は、駆動用トランジスタ１０、制御用トランジスタ２２、２４、電位固定用トランジスタ３０、及びオフ用トランジスタ３６はいずれもオフ状態となっている。この状態において、負荷駆動回路に対して電源が投入されると、図３（ａ）に示すように、駆動用トランジスタ１０のソース電位は急峻な傾きで上昇する。
【００２７】
ここで、図２に示すように、電源投入時は、オフ用トランジスタ３６はオフ状態にされたままである。このため、電位固定用トランジスタ３０のベース端子３０Ａの電位は、駆動用トランジスタ１０のソース電位と同様に、急峻な傾きで上昇する。そして。そのベース端子３０Ａの電位がしきい値電圧を超えた時点で、電位固定用トランジスタ３０はオンする。
【００２８】
ここで、バイポーラトランジスタの場合、パワーＭＯＳＦＥＴに比較してしきい値電圧が十分に低い。例えば、パワーＭＯＳＦＥＴのゲート・ソース間しきい値電圧Ｖthが２．０Ｖ以上であるのに対し、バイポーラトランジスタのベース・エミッタ間しきい値電圧は０．７Ｖ程度である。このため、バイポーラトランジスタからなる電圧固定用トランジスタ３０は、駆動用トランジスタ１０がオン状態となるよりも十分に早くオン状態となる。
【００２９】
すると、駆動用トランジスタ１０のゲート端子１０Ａが、抵抗素子３２が挿入された接続線２８を介して、電源電位を持った高電位電源線２６に接続される。このため、駆動用トランジスタ１０のゲート端子１０Ａの電位は、図３（ａ）に示すように、駆動用トランジスタ１０のソース電位と同様の傾きで上昇する。そのため、駆動用トランジスタ１０ゲート・ソース間電圧ＶGSは、図３（ｂ）に示すように、極僅かな値に制限される。その結果、電源投入時に、駆動用トランジスタ１０は、意図せずにオン状態とはならずに、オフ状態に維持される。このため、図３（ａ）に示されるように、電源投入時に、駆動用トランジスタ１０のソース・ドレイン間を電流ＩＰＭｏｓが流れることはない。なお、駆動用トランジスタ１０が意図せずオンする状態としては、ゲート・ソース間電圧ＶGSが相対的に低く、比較的高いオン抵抗を有したオン状態である、いわゆるハーフオン状態も含む。
【００３０】
また、図２に示すように、スタンバイ時、すなわち、電源が投入されたまま、制御用トランジスタ２２、２４への駆動信号の出力が停止され、制御用トランジスタ２２、２４がともにオフ状態となり、そのため、駆動用トランジスタ１０もオフ状態となっている時にも、電源投入時と同様に、オフ用トランジスタ３６はオフ状態に設定される。そのため、電位固定用トランジスタ３０がオン状態となり、駆動用トランジスタ１０のゲート端子１０Ａの電位は、非導通電位である電源電位に固定される。従って、スタンバイ時においても、駆動用トランジスタ１０が、意図せずにオン状態となることが防止される。
【００３１】
さらに、図２に示すように、制御部３８からの駆動信号により、第１及び第２の制御用トランジスタ２２、２４がデューティ駆動され、それにより駆動用トランジスタ１０がＰＷＭ制御される通常制御時においては、オフ用トランジスタ３６がオン状態に切り替えられる。そのため、電位固定用トランジスタ３０のベース端子３０Ａには、グランド電位が印加され、電位固定用トランジスタ３０がオフ状態となる。
【００３２】
ここで、上述した通常制御時に、電位固定用トランジスタ３０がオン状態のままであると、第２の制御用トランジスタ２４がオン状態となったときに、電位固定用トランジスタ３０→抵抗素子３２→第２の制御用トランジスタ２４の経路で電流が流れる。そのため、負荷駆動回路における電力消費量の増大を招いてしまう。それに対して、本実施形態では、通常制御時には、電位固定用トランジスタ３０をオフ状態にする。これにより、第１及び第２の制御用トランジスタがオン状態とオフ状態とを交互に繰り返しても、負荷駆動回路内を無駄な電流が流れることを防止することができる。
【００３３】
最後に、第１の制御用トランジスタ２２又は駆動用トランジスタ１０のリーク電流の検査時にも、オフ用トランジスタ３６がオン状態に切り替えられ、それにより、電位固定用トランジスタ３０がオフ状態となる。
【００３４】
ここで、第１の制御用トランジスタ２２又は駆動用トランジスタ１０のリーク電流検査では、検査対象とするトランジスタのゲート・ソース間に所定の電圧を印加して、それらの間に流れる電流が測定される。このリーク電流検査の時に、電位固定用トランジスタ３０をオフ状態とすることにより、検査対象とするトランジスタのゲート端子を接続線２８から電気的に切り離すことができ、ハイインピーダンスにすることができる。従って、リーク電流検査を精度良く実行することが可能になる。
【００３５】
なお、第１の制御用トランジスタ２２をリーク電流検査対象とする場合には、駆動用トランジスタ１０がパワーＭＯＳ制御回路２０から取り外した状態にて行なっても良い。このようにすれば、なんら駆動用トランジスタ１０の影響を受けることなく、第１の制御用トランジスタ２２のリーク電流検査を行うことができる。
【００３６】
以上、説明したように、本実施形態の負荷駆動回路では、駆動用トランジスタ１０のゲート端子１０Ａと、当該駆動用トランジスタ１０の非導通電位を持った高電位電源線２６とを接続する接続線２８に、電位固定用トランジスタ３０が設けられる。この電位固定用トランジスタ３０のベース端子３０Ａは、当該電位固定用トランジスタ３０の導通電位を持つ高電位電源線２６に接続されている。このため、電源投入時、及びスタンバイ時に、電位固定用トランジスタ３０は即座に導通して、駆動用トランジスタ１０のゲート端子１０Ａの電位を非導通電位である電源電位に固定する。従って、電源起動時及びスタンバイ時に、駆動用トランジスタ１０が誤ってオンしてしまうことを確実に防止することができる。
【００３７】
さらに、本実施形態の負荷駆動回路は、電位固定用トランジスタ３０のベース端子３０Ａに印加される電位を、導通電位である電源電位から非導通電位であるグランド電位に切り替えるオフ用トランジスタ３６を有している。このオフ用トランジスタ３６を設けることで、必要に応じて、電位固定用トランジスタ３０をオフ状態にすることができる。
【００３８】
具体的には、電位固定用トランジスタ３０は、第１の制御用トランジスタ２２又は駆動用トランジスタ１０のリーク電流検査が行なわれるときにオフ状態とされる。これにより、リーク電流検査を正しく実行することができる。また、電位固定用トランジスタ３０は、第１及び第２の制御用トランジスタ２２，２４がデューティ駆動されるときにオフ状態とされる。これにより、負荷駆動回路内を余分な電流が流れることを防止でき、電流消費量の低減を図ることができる。
【００３９】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態による負荷駆動回路について、図４を参照しつつ説明する。上述した第１実施形態では、駆動用トランジスタ１０がモータ１の上流側に接続されており、いわゆるハイサイド駆動によりモータ１を駆動する例について説明した。しかしながら、いわゆるローサイド駆動によりモータ１を駆動することも可能である。以下に、第２実施形態として、モータ１をローサイド駆動する場合の負荷駆動回路について説明する。
【００４０】
図４に示すように、電源とグランドとの間に、モータ１を上流側、駆動用トランジスタ１１２を下流側とする直列回路が接続されている。駆動用トランジスタ１１２は、ＮチャネルパワーＭＯＳＦＥＴである。駆動用トランジスタ１１２の上流側であって、モータ１と並列に、サージ電流を還流させるためのＰチャネルパワーＭＯＳＦＥＴ１１０が接続されている。
【００４１】
このようなローサイド駆動に対応すべく、パワーＭＯＳ制御回路１２０においては、駆動用トランジスタ１１２のゲート端子１１２Ａと、グランド（正しくは、グランド電位などの低電位を持った低電位電源線１２６）との間を接続する接続線１２８が設けられ、その接続線１２８に電位固定用トランジスタ１３０と抵抗素子１３２との直列回路が挿入されている。電位固定用トランジスタ１３０は、ＰＮＰ形のバイポーラトランジスタである。この電位固定用トランジスタ１３０のベース端子１３０Ａは、抵抗素子１３４を介して、電位固定用トランジスタ１３０の導通電位を提供する低電位電源線１２６に接続されている。
【００４２】
このため、電源投入時やスタンバイ時に、駆動用トランジスタ１１２のゲート端子１１２Ａの電位が上昇しようとしても、即座に、電位固定用トランジスタ１３０がオン状態となる。これにより、駆動用トランジスタ１１２のゲート端子１１２Ａの電位上昇を抑制することができる。すなわち、電位固定用トランジスタ１３０により、駆動用トランジスタ１１２のゲート端子１１２Ａの電位を、実質的に、非導通電位である低電位に維持することができる。
【００４３】
また、電位固定用トランジスタ１３０のベース端子１３０Ａには、オフ用トランジスタ１３６のドレイン端子が接続されている。オフ用トランジスタ１３６は、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴであり、そのソース端子は電源に接続され、ゲート端子は制御部１３８に接続されている。このため、制御部１３８からの駆動信号によりオフ用トランジスタ１３６がオン状態にされると、電位固定用トランジスタ１３０のベース端子１３０Ａには、非導通電位である電源電位が印加される。この場合、電位固定用トランジスタ１３０は、オフ状態となる。
【００４４】
制御部１３８は、第１実施形態と同様に、電源投入時及びスタンバイ時にオフ用トランジスタ１３６をオフ状態に維持し、通常制御時及びリーク電流検査時にオフ用トランジスタ１３６をオン状態に切り替える。従って、電源投入時及びスタンバイ時には、駆動用トランジスタ１１２はオフ状態に維持される。また、通常制御時及びリーク電流検査時には、電位固定用トランジスタ１３０がオフ状態にされる。
【００４５】
このように第２実施形態による負荷駆動回路によっても、第１実施形態による負荷駆動回路と同様の作用・効果を得ることが可能である。
【００４６】
（変形例）
以上、本発明による好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上述した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。
【００４７】
例えば、上述した各実施形態では、モータ１の逆起電力によるサージ電流を還流させるためにパワーＭＯＳＦＥＴ１２、１１０を用いた。しかしながら、パワーＭＯＳＦＥＴ１２、１１０に代えて、ダイオードをモータ１に並列接続しても良い。
【００４８】
また、上述した各実施形態では、制御用トランジスタとして、第１の制御用トランジスタ２２、１２２と第２の制御用トランジスタ２４、１２４とを用いた。しかしながら、制御用トランジスタとしては、第１の制御用トランジスタ２２、１２２だけを用い、第２の制御用トランジスタ２４、１２４に代えて抵抗素子を接続するようにしても良い。
【００４９】
さらに、上述した各実施形態では、電位固定用トランジスタ３０、１３０として、バイポーラトランジスタを用いた。上述したように、バイポーラトランジスタの場合、パワーＭＯＳＦＥＴに比較してしきい値電圧が十分に低い。そのため、駆動用トランジスタ１０、１１２がオン状態となる前に、駆動用トランジスタ１０、１１２のゲード端子１０Ａ、１１２Ａの電位を非導通電位に固定でき、駆動用トランジスタ１０，１１２が意図せずにオン状態となることを確実に防止できるとのメリットがある。
【００５０】
ただし、ＭＯＳＦＥＴとして１．２Ｖ以下のしきい値電圧を持つものもある。このようなパワーＭＯＳＦＥＴよりも十分に低いしきい値電圧を持ったＭＯＳＦＥＴであれば、電位固定用トランジスタとして用いることもできる。
【符号の説明】
【００５１】
１  モータ
１０、１１２  駆動用トランジスタ
２２、１２２  第１の制御用トランジスタ
２４、１２４  第２の制御用トランジスタ
３０、１３０  電位固定用トランジスタ
３６、１３６  オフ用トランジスタ
３８、１３８  制御部
【図１】
2014225841.tif 000003
【図２】
2014225841.tif 000004
【図３】
2014225841.tif 000005
【図４】
2014225841.tif 000006