(57)【要約】【課題】研磨速度を高めることの容易な研磨材及び研磨用組成物を提供する。また、その研磨用組成物を用いた硬脆材料の研磨方法及び硬脆材料基板の製造方法を提供する。【解決手段】研磨材は酸化ジルコニウム粒子を含有する。酸化ジルコニウム粒子の比表面積は１５．０ｍ２／ｇ以下である。酸化ジルコニウム粒子は、質量基準における積算粒子径分布の小粒子径側からの積算質量が１０％，５０％，９０％となる粒子径をそれぞれＤ１０，Ｄ５０，Ｄ９０としたとき、Ｄ９０とＤ１０との差をＤ５０で除した値Ｘが２．０以下である粒子径分布を有する。研磨用組成物は、研磨材と水とを含有し、研磨材の含有量が０．１質量％以上である。硬脆材料の研磨方法は、研磨用組成物を用いて硬脆材料を研磨する。硬脆材料基板の製造方法は、研磨組成物を用いて硬脆材料からなる基板原料を研磨する研磨工程を含む。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化ジルコニウム粒子を含有する研磨材であって、
前記酸化ジルコニウム粒子の比表面積は、１５．０ｍ２／ｇ以下であり、
前記酸化ジルコニウム粒子は、質量基準における積算粒子径分布の小粒子径側からの積算質量が１０％，５０％，９０％となる粒子径をそれぞれＤ１０，Ｄ５０，Ｄ９０としたとき、Ｄ９０とＤ１０との差をＤ５０で除した値が２．０以下である粒子径分布を有することを特徴とする研磨材。
【請求項２】
請求項１に記載の研磨材と水とを含有する研磨用組成物であって、
前記研磨材の含有量が０．１質量％以上であることを特徴とする研磨用組成物。
【請求項３】
請求項２に記載の研磨用組成物を用いて硬脆材料を研磨することを特徴とする硬脆材料の研磨方法。
【請求項４】
請求項２に記載の研磨用組成物を用いて硬脆材料からなる基板原料を研磨する研磨工程を含むことを特徴とする硬脆材料基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、酸化ジルコニウム粒子を含有する研磨材及び研磨用組成物に関する。また、本発明は、研磨用組成物を用いた硬脆材料の研磨方法及び硬脆材料基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、ハードディスク用ガラス基板、液晶ディスプレイパネルのガラス基板、フォトマスク用合成石英基板等の硬脆材料からなる基板を研磨する用途で使用される研磨用組成物には、研磨作業にかかる時間短縮の観点から、基板の研磨速度（除去速度）が高いことが要求されている。
【０００３】
硬脆材料からなる基板を研磨する用途で使用される研磨用組成物としては、酸化セリウム系の研磨材を含有する研磨用組成物が知られている（特許文献１参照）。しかしながら、現在の日本では酸化セリウムを始めとするレアアースは国外からの輸入に依存している。そのため、レアアースには国際情勢による供給不足や、それに伴う価格上昇等が起こる懸念がある。したがって、レアアースに代わる代替材料を用いた研磨材の開発が望まれている。
【０００４】
一方、特許文献２には、磁気ディスク用のアルミニウム基板を研磨する用途で使用される研磨用組成物として、酸化ジルコニウム微粒子及び研磨促進剤を含有する研磨用組成物が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１６０６４号公報
【特許文献２】特開平１０−１２１０３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、研磨速度を高めることの容易な研磨材及び研磨用組成物を提供することにある。また、その研磨用組成物を用いた硬脆材料の研磨方法及び硬脆材料基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために、本発明の一態様では、酸化ジルコニウム粒子を含有する研磨材であって、前記酸化ジルコニウム粒子の比表面積は、１５．０ｍ２／ｇ以下であり、前記酸化ジルコニウム粒子は、質量基準における積算粒子径分布の小粒子径側からの積算質量が１０％，５０％，９０％となる粒子径をそれぞれＤ１０，Ｄ５０，Ｄ９０としたとき、Ｄ９０とＤ１０との差をＤ５０で除した値が２．０以下である粒子径分布を有する研磨材が提供される。
【０００８】
本発明の別の態様では、上記研磨材と水とを含有する研磨用組成物であって、上記研磨材の含有量が０．１質量％以上である研磨用組成物が提供される。
本発明の別の態様では、上記研磨用組成物を用いて硬脆材料を研磨する硬脆材料の研磨方法が提供される。
【０００９】
本発明の別の態様では、上記研磨用組成物を用いて硬脆材料からなる基板原料を研磨する研磨工程を含む硬脆材料基板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、研磨速度を高めることの容易な研磨材及び研磨用組成物が提供される。また、その研磨用組成物を用いた硬脆材料の研磨方法及び硬脆材料基板の製造方法が提供される。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の一実施形態を説明する。
本実施形態の研磨用組成物は、研磨材及び水を含有する。研磨材は、酸化ジルコニウム粒子を含有する。研磨用組成物は、例えば、サファイア、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化ケイ素、ガラス、窒化ガリウム、ヒ化ガリウム、ヒ化インジウム、リン化インジウム等の硬脆材料を研磨する用途に好適に使用できる。
【００１２】
研磨材中に含まれる酸化ジルコニウム粒子は、立方晶系、正方晶系、単斜晶系等の結晶質ジルコニアからなるものであってもよいし、非晶質ジルコニアからなるものであってもよい。研磨材としては、正方晶系や単斜晶系のジルコニアからなる酸化ジルコニウム粒子を用いることが好ましい。
【００１３】
酸化ジルコニウム粒子は不純物を含有するものであってもよい。但し、酸化ジルコニウム粒子の純度はできる限り高いことが好ましい。具体的には、酸化ジルコニウム粒子の純度は９９質量％以上であることが好ましく、より好ましくは９９．５質量％以上であり、更に好ましくは９９．８質量％以上である。酸化ジルコニウム粒子の純度が９９質量％以上の範囲においては、純度の増大によって研磨用組成物による硬脆材料の研磨速度が向上する。この点、酸化ジルコニウム粒子の純度が９９質量％以上、好ましくは９９．５質量％以上、より好ましくは９９．８質量％以上であれば、研磨用組成物による硬脆材料の研磨速度を実用上、特に好適なレベルにまで向上させることが容易となる。なお、酸化ジルコニウム粒子の純度は、例えば株式会社島津製作所製ＸＲＦ−１８００等の蛍光Ｘ線分析装置による酸化ジルコニウム及び酸化ハフニウムの合計量の測定値より算出することができる。
【００１４】
酸化ジルコニウム粒子に含有される不純物としては、例えば、カルシウム、マグネシウム、ハフニウム、イットリウム、ケイ素、アルミニウム、鉄、銅、クロム、チタンや、それらの酸化物が挙げられる。但し、酸化ジルコニウム粒子に含有される不純物の量は少ないことが好ましい。例えば、酸化ジルコニウム粒子中の酸化ケイ素の含有量は、１質量％以下であることが好ましく、より好ましくは０．５質量％以下であり、更に好ましくは０．２質量％以下である。酸化ジルコニウム粒子中の酸化アルミニウム及び酸化鉄の含有量は、それぞれ０．１質量％以下であることが好ましい。なお、酸化ケイ素、酸化アルミニウム及び酸化鉄等の不純物の含有量は、例えばＩＣＰ発光分光分析装置による測定値より算出することができる。
【００１５】
酸化ジルコニウム粒子の比表面積は、１５．０ｍ２／ｇ以下とされる。酸化ジルコニウム粒子の比表面積は、好ましくは１３．０ｍ２／ｇ以下である。酸化ジルコニウム粒子の比表面積を１５．０ｍ２／ｇ以下の範囲とすることにより、研磨用組成物による硬脆材料の研磨速度を実用上、好適なレベルにまで向上させることが容易となる。また、酸化ジルコニウム粒子の比表面積は、０．５ｍ２／ｇ以上であることが好ましく、より好ましくは１．０ｍ２／ｇ以上、更に好ましくは２．０ｍ２／ｇ以上である。なお、研磨材の比表面積は、例えば島津株式会社製ＦｌｏｗＳｏｒｂII２３００等の窒素吸着法による比表面積測定装置により測定することができる。
【００１６】
酸化ジルコニウム粒子は特定の粒子径分布を有している。酸化ジルコニウム粒子の粒子径分布は、質量基準における積算粒子径分布の小粒子径側からの積算質量が１０％，５０％，９０％となる粒子径をそれぞれＤ１０，Ｄ５０，Ｄ９０としたとき、Ｄ９０とＤ１０との差をＤ５０で除した値Ｘ（［Ｄ９０−Ｄ１０］／Ｄ５０）で表される。Ｄ９０とＤ１０との差をＤ５０で除した値Ｘは、２．０以下である。
【００１７】
ここで、上記値Ｘは０に近い値になるほど、粒子径のばらつきが小さいことを示し、大きな値になるほど、粒子径のばらつきが大きいことを示す。酸化ジルコニウム粒子の粒子径分布を、上記値Ｘが２．０以下となる粒子径分布とすることにより、研磨用組成物による硬脆材料の研磨速度を実用上、好適なレベルにまで向上させることが容易となる。なお、上記Ｄ１０，Ｄ５０，Ｄ９０の各値は、例えばレーザ回折／散乱式粒子径分布測定装置によって求めることができる。
【００１８】
上記積算質量が５０％となる粒子径であるＤ５０は、酸化ジルコニウム粒子の平均粒子径（メジアン径）を反映する。Ｄ５０は４μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは２μｍ以下であり、更に好ましくは１μｍ以下である。また、Ｄ５０は０．２μｍ以上であることが好ましく、より好ましくは０．３μｍ以上であり、更に好ましくは０．５μｍ以上である。
【００１９】
上記積算質量が１０％となる粒子径であるＤ１０は微粒子の量を示す。具体的には、Ｄ１０が小さくなるほど、微粒子の量が多いことを反映する。Ｄ１０は２．５μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１μｍ以下であり、更に好ましくは０．６μｍ以下である。また、Ｄ１０は０．１μｍ以上であることが好ましく、より好ましくは０．２μｍ以上であり、更に好ましくは０．３μｍ以上である。
【００２０】
上記積算質量が９０％となる粒子径であるＤ９０は粗大粒子の量を示す。具体的には、Ｄ９０が大きくなるほど、粗大粒子の量が多いことを示す。Ｄ９０は５μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは３μｍ以下であり、更に好ましくは２μｍ以下である。また、Ｄ９０は０．５μｍ以上であることが好ましく、より好ましくは０．８μｍ以上であり、更に好ましくは１μｍ以上である。
【００２１】
酸化ジルコニウム粒子の製造方法は特に限定されるものではない。例えば、湿式法及び乾式法のいずれの方法により製造された酸化ジルコニウム粒子も使用することができる。湿式法では、ジルコンやジルコン砂等のジルコニウム含有鉱石を原料とし、それを溶融、溶解及び精製して得られるジルコニウム化合物を加水分解して水酸化ジルコニウムを得た後、それを焼成及び粉砕して酸化ジルコニウム粒子が得られる。乾式法では、高温処理によりジルコンやジルコン砂等のジルコニウム含有鉱石から酸化ケイ素を取り除くこと、或いはバデライト等の酸化ジルコニウム鉱石を粉砕した後、不純物を除くことにより酸化ジルコニウム粒子が得られる。なお、乾式法における高温処理は、例えば、アーク炉を用いて、通常２０００℃以上、好ましくは約２７００℃以上にまで原料鉱石を加熱することにより行われる。この高温処理により、酸化ケイ素等の不純物が昇華される。
【００２２】
湿式法よりも乾式法のほうが製造コストを抑えることができる。更に、湿式法よりも乾式法のほうが、粉砕、分級等の操作により、得られる酸化ジルコニウム粒子の粒度や比表面積の調整が比較的容易である。そのため、酸化ジルコニウム粒子は、バデライト等を原料とする乾式法で製造されることが好ましい。
【００２３】
酸化ジルコニウム粒子の製造方法において、酸化ジルコニウム粒子を粉砕する粉砕工程は、得られる酸化ジルコニウム粒子の粒子径を小さく揃えるために、また不純物を取り除くために必要な工程である。酸化ジルコニウム粒子を粉砕する方法としては、例えば、メディアを用いたボールミル、ビーズミル、ハンマーミル等による方法や、メディアを用いないジェットミル等による方法が挙げられる。また、溶媒を用いた湿式法と溶媒を用いない乾式法が挙げられる。
【００２４】
粉砕工程では、酸化ジルコニウム粒子同士が衝突したり、酸化ジルコニウム粒子とメディアとが衝突したりすることによって、酸化ジルコニウム粒子が砕ける、又は削られて酸化ジルコニウム粒子の粒子径が相対的に小さくなる。なお、ボールミル等のメディアを用いた粉砕方法の場合には、メディアによる酸化ジルコニウム粒子への作用により効率のよい粉砕が期待できる。そのため、粉砕工程ではメディアを用いた粉砕方法を行うことが好ましい。
【００２５】
研磨材は、酸化ジルコニウム粒子に加えて、他の粒子を更に含有していてもよい。他の粒子としては、例えば、酸化アルミニウム粒子、二酸化ケイ素粒子、酸化セリウム粒子、酸化チタニウム粒子、ジルコン粒子等が挙げられる。例えば、研磨材は酸化ジルコニウム粒子と酸化セリウム粒子とを含有するものであってもよい。
【００２６】
他の粒子を含有する場合、研磨材中における酸化ジルコニウム粒子の含有量は、５０質量％以上であることが好ましく、より好ましくは９０質量％以上である。また、他の粒子として二酸化ケイ素を含有する場合、研磨材中における二酸化ケイ素の含有量は、１０質量％未満であることが好ましく、より好ましくは１質量％未満である。また、他の粒子として酸化セリウムを含有する場合、研磨材中における酸化セリウムの含有量は、４０質量％未満であることが好ましく、より好ましくは９質量％未満である。
【００２７】
研磨用組成物は、上記研磨材及び水を含有する。研磨用組成物中における研磨材の含有量は０．１質量％以上であることが好ましく、より好ましくは１質量％以上であり、更に好ましくは３質量％以上である。研磨材の含有量の増大によって、研磨用組成物による硬脆材料の研磨速度が向上する。この点、研磨用組成物中における研磨材の含有量が０．１質量％以上、好ましくは１質量％以上、より好ましくは３質量％以上であれば、研磨用組成物による硬脆材料の研磨速度を実用上、特に好適なレベルにまで向上させることが容易となる。
【００２８】
研磨用組成物のｐＨは３以上であることが好ましい。また、研磨用組成物のｐＨは１２以下であることが好ましい。研磨用組成物のｐＨが上記範囲内であれば、研磨用組成物による硬脆材料の研磨速度を実用上、特に好適なレベルにまで向上させることが容易となる。
【００２９】
研磨用組成物のｐＨは種々の酸、塩基、又はそれらの塩を用いて調整が可能である。具体的には、カルボン酸、有機ホスホン酸、有機スルホン酸等の有機酸や、燐酸、亜燐酸、硫酸、硝酸、塩酸、ホウ酸、炭酸等の無機酸、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、トリメタノールアミン、モノエタノールアミン等の有機塩基、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、アンモニア等の無機塩基、又はそれらの塩が好ましく用いられる。
【００３０】
研磨用組成物には、研磨促進のためにセリウム塩又はジルコニウム塩を添加してもよい。セリウム塩としては、例えば、硝酸セリウムアンモニウム、硝酸セリウム、塩化セリウム、硫酸セリウム等が挙げられる。ジルコニウム塩としては、例えば、オキシ塩化ジルコニウム、硝酸ジルコニウム、炭酸ジルコニウム、水酸化ジルコニウム等が挙げられる。なお、セリウム塩を研磨用組成物に添加した場合には、ｐＨ調整のために使用されるアルカリの種類によってはセリウム塩の析出が起こることがある。セリウム塩が析出すると、セリウム塩の添加による研磨促進の効果が十分得られない場合がある。
【００３１】
研磨用組成物には、分散安定性の向上のために分散剤が添加されていてもよい。分散剤としては、例えば、ヘキサメタリン酸ナトリウム、ピロリン酸ナトリウム等のポリリン酸塩が挙げられる。また、ある種の水溶性高分子又はそれらの塩も分散剤として用いることができる。分散剤を添加することによって研磨用組成物の分散安定性が向上し、スラリー濃度の均一化による研磨用組成物の供給の安定化が可能になる。
【００３２】
分散剤として使用される水溶性高分子としては、例えば、ポリカルボン酸、ポリカルボン酸塩、ポリスルホン酸、ポリスルホン酸塩、ポリアミン、ポリアミド、ポリオール、多糖類の他、それらの誘導体や共重合体等が挙げられる。具体的には、ポリスチレンスルホン酸塩、ポリイソプレンスルホン酸塩、ポリアクリル酸塩、ポリマレイン酸、ポリイタコン酸、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリグリセリン、ポリビニルピロリドン、イソプレンスルホン酸とアクリル酸の共重合体、ポリビニルピロリドンポリアクリル酸共重合体、ポリビニルピロリドン酢酸ビニル共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物の塩、ジアリルアミン塩酸塩二酸化硫黄共重合体、カルボキシメチルセルロース、カルボキシメチルセルロースの塩、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、プルラン、キトサン、キトサン塩類等が挙げられる。
【００３３】
研磨用組成物中における分散剤の含有量は、０．００１質量％以上であることが好ましく、より好ましくは０．００５質量％以上であり、更に好ましくは０．０２質量％以上である。分散剤の含有量が０．００１質量％以上であれば、良好な分散安定性を有する研磨用組成物を得ることが容易である。
【００３４】
一方、分散剤を過剰に添加した場合には、研磨用組成物中の研磨材が保管時や輸送時に沈降して生じた沈殿が強固なものとなる傾向がある。そのため、研磨用組成物を使用する際に、その沈殿を分散させることが困難となる、すなわち、研磨用組成物中における研磨材の再分散性が低下することがある。そのため、研磨用組成物中における分散剤の含有量は、１質量％以下であることが好ましく、より好ましくは０．２質量％以下である。分散剤の含有量が１質量％以下であれば、研磨用組成物中の研磨材の再分散性を低下させることなく、研磨用組成物の保存安定性の向上を図ることができる。
【００３５】
次に、実施形態の研磨用組成物の調製方法について説明する。
研磨用組成物は、酸化ジルコニウム粒子を含有する研磨材を水に分散させ、必要に応じて公知の添加剤を添加することにより調製される。研磨用組成物を調製する際の各成分の混合順序は任意である。例えば、研磨材、水及び添加剤を含有する濃縮組成物を製造し、その濃縮組成物を水希釈することにより研磨用組成物を調製してもよい。また、添加剤を溶解させた水溶液に研磨材を分散させることにより研磨用組成物を調製してもよい。また、粉末状の研磨材に粉末状の添加剤を混合し、その混合物に水を加えることより研磨用組成物を調製してもよい。
【００３６】
次に、実施形態の研磨用組成物を用いた硬脆材料基板の製造方法について説明する。
硬脆材料基板の製造方法は、実施形態の研磨用組成物を用いて硬脆材料からなる基板原料を研磨する研磨工程を含む。
【００３７】
研磨工程における研磨用組成物を用いた基板原料の研磨は、基板原料の研磨に通常に用いられる装置及び条件と同じ装置及び条件を使用して行うことができる。研磨装置としては、例えば、片面研磨装置や両面研磨装置を用いることができる。片面研磨装置を使用する場合には、キャリアと呼ばれる保持具を用いて基板原料を保持し、研磨パッドを貼付した定盤を基板原料の片面に押しつけた状態で、基板原料に対して研磨用組成物を供給しながら定盤を回転させることにより基板原料の片面を研磨する。両面研磨装置を使用する場合には、キャリアと呼ばれる保持具を用いて基板原料を保持し、研磨パッドをそれぞれ貼付した上下の定盤を基板原料の両面に押しつけた状態とする。そして、上方から基板原料に対して研磨用組成物を供給しながら、２つの定盤を互いに反対方向に回転させることにより基板原料の両面を研磨する。研磨工程においては、研磨パッド及び研磨用組成物と基板原料との摩擦による物理的作用、並びに研磨用組成物が基板原料にもたらす化学的作用によって基板原料が研磨される。
【００３８】
研磨工程時の荷重、すなわち研磨荷重を高くするほど、研磨速度が上昇する。研磨用組成物を用いて基板原料を研磨するときの研磨荷重は特に限定されないが、基板表面の面積１ｃｍ２当たり５０ｇ以上１，０００ｇ以下であることが好ましく、より好ましくは７０ｇ以上８００ｇ以下である。研磨荷重が上記範囲内である場合には、実用上、十分な研磨速度が得られるとともに、研磨後の基板表面に生じるスクラッチ等の表面欠陥が抑制される。
【００３９】
研磨工程時の線速度、すなわち研磨線速度は一般に、研磨パッドの回転数、キャリアの回転数、基板原料の大きさ、基板原料の数等のパラメータの影響を受ける。線速度が大きくなるほど、基板原料に加わる摩擦力が大きくなるため、基板原料はより強く機械的な研磨作用を受ける。また、摩擦熱が大きくなるために、研磨用組成物による化学的な研磨作用が強まることもある。但し、線速度が大きすぎると、研磨パッドが基板原料に対して十分に摩擦せず、研磨速度の低下をきたすことがある。研磨用組成物を用いて基板原料を研磨するときの線速度は特に限定されないが、１０ｍ／分以上１５０ｍ／分以下であることが好ましく、より好ましくは３０ｍ／分以上１００ｍ／分以下である。線速度が上記範囲内である場合には、実用上、十分な研磨速度を得ることが容易である。
【００４０】
研磨工程時における研磨装置への研磨用組成物の供給速度は、研磨する基板原料の種類、研磨装置の種類、研磨条件等によって適宜設定される。但し、基板原料及び研磨パッドの全体に対してむら無く研磨用組成物が供給されるのに十分な供給速度であることが好ましい。
【００４１】
研磨用組成物を用いた基板原料の研磨に使用される研磨パッドは、その材質、硬度や厚み等の物性等について特に限定されるものではない。例えば、ポリウレタンタイプ、不織布タイプ、スウェードタイプ等のいずれのタイプのものを使用してもよい。また、研磨パッドは、砥粒を含むものであっても、砥粒を含まないものであってもよい。また、研磨パッドの硬度や厚みも特に限定されない。
【００４２】
なお、基板原料が半導体基板、ハードディスク用基板、液晶ディスプレイパネル、フォトマスク用合成石英基板等の特に高い面精度が要求される基板である場合には、研磨工程後に更に精研磨工程を行うことが好ましい。精研磨工程では精研磨用研磨材を含有した研磨用組成物、すなわち精研磨用組成物を用いて、研磨工程後の基板原料の表面を更に研磨する。精研磨用組成物のｐＨは、１以上４以下、又は９以上１１以下であることが好ましい。精研磨用組成物のｐＨの調整は、研磨用組成物と同様に、種々の酸、塩基又はそれらの塩を用いて行うことができる。
【００４３】
精研磨用研磨材は、基板表面のうねり、粗さ、欠陥を低減する観点から、平均粒子径が０．１５μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．１０μｍ以下であり、更に好ましくは０．０７μｍ以下である。また、研磨速度向上の観点から、精研磨用研磨材の平均粒子径は０．０１μｍ以上であることが好ましく、より好ましくは０．０２μｍ以上である。精研磨用研磨材の平均粒子径は、例えば日機装株式会社製Ｎａｎｏｔｒａｃ  ＵＰＡ−ＵＴ１５１を用いて、動的光散乱法により測定することができる。
【００４４】
上記研磨工程、及び必要に応じて上記精研磨工程を経ることによって、硬脆材料からなる基板原料は、表面の面精度が高められた硬脆材料基板となる。
以上詳述した本実施形態によれば、次のような効果が発揮される。
【００４５】
（１）研磨用組成物は、酸化ジルコニウム粒子を含有する研磨材と水とを含有する。酸化ジルコニウム粒子の比表面積は１５．０ｍ２／ｇ以下である。また、酸化ジルコニウム粒子は、質量基準における積算粒子径分布の小粒子径側からの積算質量が１０％，５０％，９０％となる粒子径をそれぞれＤ１０，Ｄ５０，Ｄ９０としたとき、Ｄ９０とＤ１０との差をＤ５０で除した値が２．０以下である粒子径分布を有する。これにより、研磨速度を高めることが容易となる。
【００４６】
研磨用組成物に含有される上記酸化ジルコニウム粒子は、特に、硬脆材料を研磨する能力に優れる。したがって、ガラス、セラミックス、石材及び半導体材料等の硬脆材料の研磨する用途に好適に使用することができる。硬脆材料の中でも、特に、サファイア、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化ケイ素、ガラス、窒化ガリウム、ヒ化ガリウム、ヒ化インジウム、リン化インジウムを研磨する用途に特に好適に使用することができる。更には、石英ガラス、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス、ボロシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラス、無アルカリガラス、結晶化ガラス、ソーダアルミノケイ酸ガラス、シリコン酸化膜等のガラス又は酸化物からなる硬脆材料を研磨する用途においては、酸化セリウムを主体とした従来の研磨材及び研磨用組成物の代替として好適に使用することができる。更に、上記酸化ジルコニウム粒子を用いることにより、研磨用組成物による硬脆材料の研磨速度を高めることが容易となる。
【００４７】
（２）好ましくは、研磨用組成物中における研磨材の含有量が０．１質量％以上である。これにより、研磨速度を更に高めることが容易となる。
（３）硬脆材料の研磨方法は、上記（１）欄で述べた研磨用組成物を用いて硬脆材料を研磨する工程を含む。これにより、表面の面精度が高められた硬脆材料を得ることができる。また、研磨用組成物による硬脆材料の研磨速度を高めることが容易となる。
【００４８】
（４）硬脆材料基板の製造方法は、上記（１）欄で述べた研磨用組成物を用いて硬脆材料からなる基板原料を研磨する研磨工程を含む。これにより、表面の面精度が高められた硬脆材料基板を得ることができる。また、研磨用組成物による基板原料の研磨速度を高めることが容易となる。
【００４９】
前記実施形態は、次のようにして変更されてもよい。
・必要に応じて上記研磨用組成物中に添加剤を添加してもよい。また、必要に応じて上記精研磨用組成物中に添加剤を添加してもよい。添加剤としては、例えば、キレート剤、界面活性剤、防腐剤、防黴剤、防錆剤が挙げられる。
【００５０】
・上記研磨用組成物及び上記精研磨用組成物は、希釈用原液の形態で製造及び販売されるとともに、希釈して使用されるものであってよい。つまり、希釈用原液を水で希釈することにより調製されるものであってもよい。
【００５１】
・上記研磨用組成物及び上記精研磨用組成物は、分散・溶解用粉末の形態で製造及び販売されるとともに、水に分散・溶解させて使用されるものであってよい。つまり、分散・溶解用粉末を水に混合することにより調製されるものであってもよい。
【００５２】
・上記精研磨用組成物として、実施形態の研磨用組成物を用いてもよい。
・上記研磨工程時において、使用された研磨用組成物を回収して再利用（循環使用）してもよい。例えば、研磨装置から排出される使用済みの上記研磨用組成物をタンク内に一旦回収し、タンク内から再び研磨装置へと供給するようにしてもよい。この場合、使用済みの研磨用組成物を廃液として処理する必要が減るため、環境負荷の低減及びコストの低減が可能である。
【００５３】
更に、上記研磨用組成物を循環使用するときには、基板原料の研磨に使用されることにより消費されたり損失したりした研磨用組成物中の研磨材等の成分のうちの少なくともいずれかの減少分の補充を行うようにしてもよい。補充する成分は個別に使用済みの研磨用組成物に添加してもよいし、二以上の成分を任意の濃度で含んだ混合物の状態で使用済みの研磨用組成物に添加してもよい。
【００５４】
・上記研磨用組成物は、硬脆材料以外の材料を研磨する用途に用いることもできる。
次に、前記実施形態から把握できる技術的思想について記載する。
（イ）硬脆材料を研磨する用途に使用される前記研磨材及び前記研磨用組成物。
【実施例】
【００５５】
実施例及び比較例を挙げて前記実施形態をさらに具体的に説明する。
酸化ジルコニウム粒子を水に混合し、亜リン酸又は水酸化カリウムによってｐＨを７に調整するとともに、酸化ジルコニウム粒子の含有量を１０質量％に調製することにより、実施例１〜８及び比較例１〜３の研磨用組成物を調製した。酸化ジルコニウム粒子としては、バデライトを原料として湿式法により製造された単斜晶酸化ジルコニウム粒子を用いた。各例の研磨用組成物中に含有される酸化ジルコニウム粒子の詳細を表１に示す。
【００５６】
表１中における“Ｄ１０”，“Ｄ５０”，“Ｄ９０”欄には、酸化ジルコニウム粒子の粒子径分布において、質量基準における積算粒子径分布の小粒子径側からの積算質量が１０％，５０％，９０％となる粒子径をそれぞれ示す。“Ｄ１０”，“Ｄ５０”，“Ｄ９０”の測定は、株式会社堀場製作所製ＬＡ−９５０を使用して行った。
【００５７】
表１中における“製法”欄には、酸化ジルコニウム粒子の製造方法を示す。“ＺＤ”はジルコンサンドを原料とし乾式法により製造された酸化ジルコニウム粒子を使用したことを示し、“ＢＤ”はバデライトを原料とし湿式法により製造された酸化ジルコニウム粒子を使用したことを示す。
【００５８】
表１中における“（Ｄ９０−Ｄ１０）／Ｄ５０”欄には、測定された“Ｄ１０”，“Ｄ５０”，“Ｄ９０”に基づいて算出された（Ｄ９０−Ｄ１０）／Ｄ５０の値を示す。
表１中における“ＳＡ”欄には、酸化ジルコニウム粒子の比表面積を示す。比表面積の測定は、島津株式会社製ＦｌｏｗＳｏｒｂＩＩ２３００を用いて窒素吸着法により行った。
【００５９】
表１中における“純度”欄には、酸化ジルコニウム粒子の純度を示す。純度の測定は、株式会社島津製作所製ＸＲＦ−１８００を使用して行った。
表１中における“ＳｉＯ２”欄、“ＴｉＯ２”欄には、酸化ジルコニウム粒子に含まれる二酸化ケイ素及び二酸化チタンの含有量をそれぞれ示す。二酸化ケイ素及び二酸化チタンの含有量の測定は、株式会社島津製作所製ＩＣＰＥ−９０００を使用して行った。
【００６０】
各例の研磨用組成物を用いて、直径６５ｍｍ（約２．５インチ）の磁気ディスク用アルミノシリケートガラス基板の表面を表２に示す条件で研磨した。そして、研磨前後の基板の質量の差に基づいて研磨速度を求めた。研磨速度は、実施例１を使用した場合の研磨速度の値を１とする相対値として評価した。その結果を表３に示す。
【００６１】
【表１】
2014024155.tif 000002
【００６２】
【表２】
2014024155.tif 000003
【００６３】
【表３】
2014024155.tif 000004
表３に示すように、比表面積が１５．０ｍ２／ｇ以下、且つ（Ｄ９０−Ｄ１０）／Ｄ５０が２．０以下である粒子径分布を有する酸化ジルコニウム粒子を用いた実施例１〜８はいずれも、他の酸化ジルコニウム粒子を用いた比較例１〜３よりも高い研磨速度が得られた。