(57)【要約】【課題】  実施形態は、基板除去後のウェーハの反りを抑制できる半導体発光装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、半導体層と、前記半導体層に設けられたｐ側電極およびｎ側電極と、前記ｐ側電極に電気的に接続されたｐ側配線層と、前記ｎ側電極に電気的に接続されたｎ側配線層と、を備える。さらに、前記半導体層、前記ｐ側配線層および前記ｎ側配線層に向き合う第３の面と、前記第３の面とは反対側の第４の面と、を有する支持基板を備える。前記ｐ側配線層および前記ｎ側配線層と、前記支持基板との間には接合層が設けられ、前記支持基板は、前記ｐ側配線層に連通する第１の開口と、前記ｎ側配線層に連通する第２の開口と、を有する。そして、前記ｐ側配線層に電気的に接続されたｐ側端子と、前記ｎ側配線層に電気的に接続されたｎ側端子と、をさらに備える。【選択図】図１
2014150196.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面と、前記第１の面とは反対側の第２の面を有し、発光層を含む半導体層と、
前記半導体層の前記第２の面側に設けられたｐ側電極と、
前記第２の面側において、前記ｐ側電極に電気的に接続されたｐ側配線層と、
前記半導体層の前記第２の面側に設けられたｎ側電極と、
前記第２の面側において、前記ｎ側電極に電気的に接続されたｎ側配線層と、
前記半導体層、前記ｐ側配線層および前記ｎ側配線層に向き合う第３の面と、前記第３の面とは反対側の第４の面と、を有する支持基板であって、前記第４の面から前記ｐ側配線層に連通する第１の開口と、前記第４の面から前記ｎ側配線層に連通する第２の開口と、を有する支持基板と、
前記半導体層、前記ｐ側配線層および前記ｎ側配線層と、前記支持基板と、の間に設けられた接合層と、
前記第１の開口を介して前記ｐ側配線層に電気的に接続されたｐ側端子と、
前記第２の開口を介して前記ｎ側配線層に電気的に接続されたｎ側端子と、
前記第１の面側に設けられ、前記発光層の放射光により励起される蛍光体を含む蛍光体層と、
を備え、
前記第１の開口および前記第２の開口は、それぞれ前記第３の面から前記第４の面の方向に拡開するように設けられ、前記第１の開口は、前記ｐ側配線層の外縁よりも内側の部分に連通し、前記第２の開口は、前記ｎ側配線部の外縁よりも内側の部分に連通する半導体発光装置。
【請求項２】
第１の面と、前記第１の面とは反対側の第２の面を有し、発光層を含む半導体層と、
前記半導体層の前記第２の面側に設けられたｐ側電極と、
前記第２の面側において、前記ｐ側電極に電気的に接続されたｐ側配線層と、
前記半導体層の前記第２の面側に設けられたｎ側電極と、
前記第２の面側において、前記ｎ側電極に電気的に接続されたｎ側配線層と、
前記半導体層、前記ｐ側配線層および前記ｎ側配線層に向き合う第３の面と、前記第３の面とは反対側の第４の面と、を有する支持基板であって、前記第４の面から前記ｐ側配線層に連通する第１の開口と、前記第４の面から前記ｎ側配線層に連通する第２の開口と、を有する支持基板と、
前記半導体層、前記ｐ側配線層および前記ｎ側配線層と、前記支持基板と、の間に設けられた接合層と、
前記第１の開口を介して前記ｐ側配線層に電気的に接続されたｐ側端子と、
前記第２の開口を介して前記ｎ側配線層に電気的に接続されたｎ側端子と、
を備えた半導体発光装置。
【請求項３】
前記第１の面側に設けられ、前記発光層の放射光により励起される蛍光体を含む蛍光体層をさらに備え、
前記蛍光体の放射光のピーク波長は、前記発光層の放射光のピーク波長よりも長い請求項２記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記半導体層は、ｐ形半導体層と、ｎ形半導体層と、を有し、
前記発光層は、前記ｐ形半導体層と前記ｎ形半導体層との間に設けられ、
前記ｐ側電極は、前記ｐ形半導体層に接し、前記ｎ側電極は、前記ｎ形半導体層に接する請求項２または３に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記第１の開口は、前記ｐ側配線層の外縁よりも内側の部分に連通し、
前記第２の開口は、前記ｎ側配線部の外縁よりも内側の部分に連通する請求項２〜４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記ｐ側端子および前記ｎ側端子は、前記支持基板の前記第４の面上に設けられ、
前記ｐ側端子は、前記第１の開口の内面に設けられた金属層を介して前記ｐ側配線層に電気的に接続され、
前記ｎ側端子は、前記第２の開口の内面に設けられた金属層を介して前記ｎ側配線層に電気的に接続される請求項２〜５のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記第１の開口および前記第２の開口は、それぞれ前記第３の面から前記第４の面の方向に拡開するように設けられた請求項２〜６のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記接合層は、前記支持基板よりもヤング率の小さい樹脂層である請求項２〜７のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記半導体層の外周における前記接合層は、前記半導体層、前記ｐ側電極および前記ｐ側配線層を積層した部分よりも厚い請求項８記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
第１の基板上に設けられた発光層を含む半導体層上にｐ側電極とｎ側電極とを形成し、
前記半導体層の上に前記ｐ側電極に電気的に接続されたｐ側配線層を形成し、
前記半導体層の上に前記ｎ側電極に電気的に接続されたｎ側配線層を形成し、
前記ｐ側配線層に連通可能な第１の開口と、前記ｎ側配線層に連通可能な第２の開口と、を有する第２の基板を、接合層を介して前記半導体層、前記ｐ側配線層および前記ｎ側配線層の上に貼着し、
前記第１の開口を介して前記ｐ側配線層に電気的に接続されたｐ側端子と、前記第２の開口を介して前記ｎ側配線層に電気的に接続されたｎ側端子と、を形成し、
前記第１の基板を前記半導体層から除去する半導体発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
実施形態は、半導体発光装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光素子と、蛍光体と、を組み合わせ、白色光などの可視光やその他の波長帯の光を放射する半導体発光装置は、小型で扱い易い光源としてその用途が広がりつつある。そして、極小サイズの半導体発光装置を実現するために、基板から分離した発光層を含む半導体層を樹脂パッケージに封入する構造の開発が進められている。しかし、このような半導体発光装置の製造過程では、基板から分離された半導体層を含むウェーハの反りのために製造歩留りや製造効率が低下することがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１０／１４８１９８号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
実施形態は、基板除去後のウェーハの反りを抑制できる半導体発光装置およびその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る半導体発光装置は、第１の面と、前記第１の面とは反対側の第２の面を有し、発光層を含む半導体層と、前記半導体層の前記第２の面側に設けられたｐ側電極およびｎ側電極と、を備える。また、前記第２の面側において、前記ｐ側電極に電気的に接続されたｐ側配線層と、前記ｎ側電極に電気的に接続されたｎ側配線層と、を備える。さらに、前記半導体層、前記ｐ側配線層および前記ｎ側配線層に向き合う第３の面と、前記第３の面とは反対側の第４の面と、を有する支持基板を備える。前記半導体層、前記ｐ側配線層および前記ｎ側配線層と、前記支持基板との間には接合層が設けられ、前記支持基板は、前記第４の面から前記ｐ側配線層に連通する第１の開口と、前記第４の面から前記ｎ側配線層に連通する第２の開口と、を有する。そして、前記第１の開口を介して前記ｐ側配線層に電気的に接続されたｐ側端子と、前記第２の開口を介して前記ｎ側配線層に電気的に接続されたｎ側端子と、をさらに備える。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１実施形態に係る半導体発光装置を表す模式断面図。
【図２】第１実施形態に係る半導体発光装置の製造過程を表す模式図。
【図３】図２に続く製造過程を表す模式図。
【図４】図３に続く製造過程を表す模式図。
【図５】図４に続く製造過程を表す模式図。
【図６】図５に続く製造過程を表す模式図。
【図７】図６に続く製造過程を表す模式図。
【図８】図７に続く製造過程を表す模式図。
【図９】図８に続く製造過程を表す模式図。
【図１０】図９に続く製造過程を表す模式図。
【図１１】図１０に続く製造過程を表す模式図。
【図１２】図１１に続く製造過程を表す模式図。
【図１３】第１実施形態の第１変形例に係る半導体発光装置を表す模式断面図。
【図１４】第１実施形態の第２変形例に係る半導体発光装置を表す模式断面図。
【図１５】第１実施形態の第３変形例に係る半導体発光装置を表す模式断面図。
【図１６】第１実施形態の変形例に係る半導体発光装置の製造過程を表す模式断面図。
【図１７】第２実施形態に係る半導体発光装置の製造過程を表す模式断面図。
【図１８】図１７に続く製造過程を表す模式図。
【図１９】図１８に続く製造過程を表す模式図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。図面中の同一部分には同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。なお、図面は模式的または概念的に表されており、図中に表示された部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
【０００８】
［第１実施形態］  
図１は、第１実施形態に係る半導体発光装置１を表す模式断面図である。  
半導体発光装置１は、発光層１３を有する半導体層１５を備える。半導体層１５は、第１の面１５ａと、その反対側の第２の面１５ｂ（図３（ａ）参照）と、を有する。また、半導体層１５は、発光層１３が積層されている部分１５ｅと、発光層１３が積層されていない部分１５ｆと、を有する。
【０００９】
例えば、第２の面１５ｂの側において、発光層１３が積層された部分１５ｅの上にｐ側電極１６が設けられ、発光層を含まない部分１５ｆの上にｎ側電極１７が設けられる。発光層１３は、ｐ側電極１６とｎ側電極１７との間を流れる電流により発光する。そして、発光層１３から放射される光は、第１の面１５ａから外部に放出される。
【００１０】
また、半導体発光装置１は、第２の面１５ｂの側にｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２を備える。ｐ側配線層２１は、ｐ側電極１６に電気的に接続される。ｎ側配線層２２は、ｎ側電極１７に電気的に接続される。
【００１１】
さらに、半導体発光装置１は、第２の面側に支持基板２５を備える。支持基板２５は、半導体層１５、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２に向き合う第３の面２５ａと、第３の面２５ａとは反対側の第４の面２５ｂを有する。そして、支持基板２５は、第４の面２５ｂからｐ側配線層２１に連通する第１の開口（以下、開口９２ａ）と、第４の面２５ｂからｎ側配線層２２に連通する第２の開口（以下、開口９２ｂ）と、を有する。
【００１２】
また、半導体層１５、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２と、支持基板２５との間には、接合層２７が設けられる。そして、第４の面２５ｂの側には、ｐ側端子２３ａとｎ側端子２４ａとが設けられる。ｐ側端子２３ａは、開口９２ａを介してｐ側配線層２１に電気的に接続される。ｎ側端子２４ａは、開口９２ｂを介してｎ側配線層２２に電気的に接続される。
【００１３】
以下、図１を参照して、半導体発光装置１の構造を詳細に説明する。  
半導体層１５は、第１の半導体層１１と、第２の半導体層１２と、発光層１３と、を有する。発光層１３は、第１の半導体層１１と、第２の半導体層１２と、の間に設けられる。第１の半導体層１１および第２の半導体層１２は、例えば、窒化ガリウムを含む。
【００１４】
第１の半導体層１１は、例えば、ｎ形半導体層であり、下地バッファ層、ｎ型ＧａＮ層を含む積層体であっても良い。第２の半導体層１２は、例えば、ｐ形半導体層であり、ｐ型ＧａＮ層を含む。発光層１３は、青、紫、青紫、紫外光などを発光する材料を含む。
【００１５】
半導体層１５の第２の面１５ｂは、凹凸形状に加工される。その凸部は、発光層１３が積層された部分１５ｅであり、凹部は、発光層１３が積層されていない部分１５ｆである。発光層１３が積層された部分１５ｅの第２の面１５ｂは、第２の半導体層１２の表面である。一方、発光層１３が積層されない部分１５ｆの第２の面１５ｂは、ｎ形半導体層である第１の半導体層１１の表面である。例えば、第１の半導体層１１は、ｎ形半導体層であり、第２の半導体層１２は、ｐ形半導体層である。そして、ｐ側電極１６は、ｐ形半導体層に接し、ｎ側電極１７は、ｎ形半導体層に接する。
【００１６】
例えば、半導体層１５の第２の面１５ｂにおいて、発光層１３が積層された部分１５ｅの面積は、発光層１３が積層されていない部分１５ｆの面積よりも広く設けられる。また、発光層１３が積層された部分１５ｅの上に設けられるｐ側電極１６の面積は、発光層１３が積層されない部分１５ｆの上に設けられるｎ側電極１７の面積よりも広い。これにより、広い発光面が得られ、光出力を高くできる。
【００１７】
半導体層１５の第２の面側には、第１の絶縁膜（以下、絶縁膜１８）が設けられる。絶縁膜１８は、半導体層１５、ｐ側電極１６およびｎ側電極１７を覆う。絶縁膜１８は、半導体層１５の第１の面１５ａの上には設けられない。
【００１８】
絶縁膜１８には、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜などの無機膜を用いることができる。あるいは、微細開口のパターニング性に優れたポリイミド等の樹脂を用いても良い。なお、絶縁膜１８として樹脂を用いる場合、絶縁膜１８と半導体層１５との間に、例えば、シリコン酸化膜などの無機膜を設けても良い。無機膜は、発光層１３および第２の半導体層１２の側面を覆い保護する。
【００１９】
絶縁膜１８の半導体層１５とは反対側の面上には、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２とが互いに離隔して設けられる。絶縁膜１８は、ｐ側電極１６に連通した開口１８ａ、および、ｎ側電極１７に連通した開口１８ｂを含む。本実施形態では、絶縁膜１８は複数の開口１８ａを含むが、１つの開口を含む形態でも良い。
【００２０】
ｐ側配線層２１は、絶縁膜１８の上、および、開口１８ａの内部にも設けられる。すなわち、ｐ側配線層２１は、開口１８ａを介してｐ側電極１６と電気的に接続される。ｎ側配線層２２は、絶縁膜１８の上、および、開口１８ｂの内部内にも設けられ、ｎ側電極１７と電気的に接続される。
【００２１】
本実施形態では、ｐ側配線層２１と絶縁膜１８との間、および、ｎ側配線層２２と絶縁膜１８との間に金属膜１９が設けられる。後述するように（図５（ｂ）〜図６（ａ）参照）、金属膜１９は、各配線層を形成するメッキ工程においてシードメタルとして用いる。したがって、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２と同じ材料を金属膜１９に用いる場合には、金属膜１９と各配線層とが一体化し区別できない場合がある。また、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２をメッキ法以外の方法により形成する場合には、金属膜１９を設けないこともある。
【００２２】
支持基板２５は、接合層２７を介して半導体層１５、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２の上に貼着される。そして、支持基板２５は、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２にそれぞれ連通する開口９２ａおよび開口９２ｂを有する。さらに、開口９２ａの内部、および、開口９２ｂの内部にそれぞれｐ側金属ピラー２３およびｎ側金属ピラー２４が設けられる。
【００２３】
ｐ側金属ピラー２３およびｎ側金属ピラー２４は、支持基板２５の半導体層１５、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２に向き合う第３の面２５ａとは反対側の第４の面２５ｂに露出し、それぞれの端面は、ｐ側端子２３ａおよびｎ側端子２４ａとして機能する。ｐ側端子２３ａおよびｎ側端子２４ａは、例えば、はんだ、または、導電性の接合材を介して実装基板のランドパターンに接合される。
【００２４】
半導体発光装置１は、第１の面１５ａの上に設けられた蛍光体層３０をさらに備える。蛍光体層３０は、蛍光体３１を含む。蛍光体３１は、発光層１３の放射光により励起され、その放射光とは異なる波長の光を放射する。すなわち、蛍光体３１の放射光のピーク波長は、発光層１３の放射光のピーク波長よりも長い。
【００２５】
また、蛍光体層３０は、半導体層１５の第１の面１５ａに設けられた微細な凹凸を覆う。すなわち、半導体層１５の第１の面１５ａは、例えば、アルカリ系溶液を用いたウェットエッチング（フロスト処理）により形成された凹凸を有する。これにより、半導体層１５と蛍光体層３０との界面における全反射を抑制し、発光層１３の放射光を第１の面１５ａから外側に取り出す効率を向上させる。
【００２６】
次に、図２（ａ）〜図１２（ｂ）を参照して、実施形態に係る半導体発光装置１の製造方法について説明する。図２（ａ）〜図１２（ｂ）は、実施形態に係る半導体発光装置１の製造過程を表す模式図である。
【００２７】
図２（ａ）は、第１の基板（以下、基板１０）の主面上に形成された第１の半導体層１１、第２の半導体層１２および発光層１３を表す断面図である。例えば、ＭＯＣＶＤ（metal organic chemical vapor deposition）法を用いて、基板１０の上に第１の半導体層１１、発光層１３および第２の半導体層１２を順に成長させる。基板１０は、例えば、シリコン基板である。また、基板１０としてサファイア基板を用いても良い。第１の半導体層１１、発光層１３および第２の半導体層１２は、例えば、窒化物半導体であり、窒化ガリウム（ＧａＮ）を含む。
【００２８】
第１の半導体層１１は、例えば、ｎ形ＧａＮ層である。また、第１の半導体層１１は、基板１０の上に設けられたバッファ層と、バッファ層の上に設けられたｎ形ＧａＮ層と、を含む積層構造を有しても良い。第２の半導体層１２は、例えば、発光層１３の上に設けられたｐ形ＡｌＧａＮ層と、その上に設けられたｐ形ＧａＮ層と、を含む。
【００２９】
図２（ｂ）および図２（ｃ）は、第２の半導体層１２および発光層１３を選択的に除去した状態を表している。図２（ｂ）は断面図であり、図２（ｃ）は、基板１０の上面側を表す平面図である。
【００３０】
図２（ｂ）に示すように、例えば、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法を用いて、第２の半導体層１２および発光層１３を選択的にエッチングし、第１の半導体層１１を露出させる。
【００３１】
図２（ｃ）に示すように、半導体層１２および発光層１３は島状にパターニングされ、基板１０の上に複数の発光領域（発光層１３が積層された部分１５ｅ）が形成される。
【００３２】
次に、図３（ａ）および図３（ｂ）に表すように、第１の半導体層１１を選択的に除去し、基板１０の上に複数の半導体層１５を形成する。
【００３３】
図３（ａ）は、基板１０およびその上に形成された半導体層１５の断面を表している。例えば、第２の半導体層１２および発光層１３を覆うエッチングマスク（図示しない）を第１の半導体層１１の上に設ける。続いて、ＲＩＥ法を用いて第１の半導体層１１をエッチングし、基板１０に至る深さの溝８０を形成する。
【００３４】
図３（ｂ）は、半導体層１５が設けられた基板１０の上面を表している。溝８０は、基板１０の上に格子状に設けられ、第１の半導体層１１を分離する。これにより、基板１０の上に複数の半導体層１５が形成される。
【００３５】
半導体層１５の第１の面１５ａは、基板１０に接する面であり、第２の面１５ｂは、第１の半導体層１１および第２の半導体層１２の表面である。また、溝８０は、基板１０の上面をエッチングし、第１の面１５ａよりも深く形成される。
【００３６】
溝８０は、ｐ側電極１６およびｎ側電極１７を形成した後（図４参照）に形成しても良い。
【００３７】
次に、図４（ａ）および図４（ｂ）に表すように、半導体層１５の第２の面１５ｂにｐ側電極１６とｎ側電極１７とを形成する。図４（ａ）は断面図であり、図４（ｂ）は、基板１０の上面を表す平面図である。
【００３８】
ｐ側電極１６は、第２の半導体層１２の上に形成する。ｎ側電極１７は、第１の半導体層１１の上に形成する。ｐ側電極１６は、ｎ側電極よりも広い面積を有する。
【００３９】
ｐ側電極１６およびｎ側電極１７は、例えば、スパッタ法、蒸着法等で形成する。ｐ側電極１６とｎ側電極１７は、どちらを先に形成してもよいし、同じ材料で同時に形成してもよい。ｐ側電極１６は、発光層１３の放射光を反射するように形成する。例えば、ｐ側電極１６は、銀、銀合金、アルミニウム、アルミニウム合金等を含む。また、ｐ側電極１６の硫化、酸化防止のため、金属保護膜（バリアメタル）を含む構成であってもよい。また、各電極と半導体層との間のオーミックコンタクトを形成するために、熱処理を必要に応じて実施する。
【００４０】
次に、図５（ａ）に表すように、基板１０の上面に絶縁膜１８を形成する。図５（ａ）は、基板１０および半導体層１５の断面を表す模式図である。同図に表すように、絶縁膜１８は、基板１０の上に設けられた構造体を覆い、開口１８ａおよび開口１８ｂを有する。
【００４１】
絶縁膜１８は、例えば、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜であり、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて形成することができる。開口１８ａおよび１８ｂは、例えば、レジストマスクを用いたウェットエッチングにより形成する。開口１８ａは、ｐ側電極１６に連通する。開口１８ｂは、ｎ側電極１７に連通する。本実施形態では、絶縁膜１８は、複数の開口１８ａと、１つの開口１８ｂと、を含む。
【００４２】
絶縁膜１８として、例えば、ポリイミドなどの有機膜を用いても良い。また、絶縁膜１８に感光性ポリイミド、ベンゾシクロブテン（Benzocyclobutene）などの有機膜を用いると、直接露光および現像ができる。このため、開口１８ａおよび１８ｂのパターニングが容易になる。
【００４３】
図５（ｂ）〜図６（ｂ）は、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２の形成過程を表している。図５（ｂ）〜図６（ａ）は、基板１０および半導体層１５の断面を表す模式図であり、図６（ｂ）は、基板１０の上面を表す平面図である。
【００４４】
図５（ｂ）に表すように、絶縁膜１８の表面、第１の開口１８ａの内面（側壁および底面）、および第２の開口１８ｂの内面（側壁および底面）に、金属膜１９を形成する。
【００４５】
金属膜１９は、メッキ工程におけるシードメタルとして機能する。金属膜１９は、例えば、絶縁膜１８側から順にチタン（Ｔｉ）および銅（Ｃｕ）を含むように、スパッタ法を用いて形成する。チタンの代わりにアルミニウムを用いても良い。
【００４６】
次に、図５（ｃ）に表すように、金属膜１９上にレジストマスク９１を形成する。レジストマスク９１は、開口９１ａと開口９２ｂとを含む。開口９１ａは、ｐ側電極１６の上に設けられ、開口９２ｂは、ｎ側電極１７の上に設けられる。
【００４７】
続いて、図６（ａ）および図６（ｂ）に表すように、電界銅メッキを用いてｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２を形成する。すなわち、金属膜１９を電流経路として、レジストマスク９１の開口９１ａおよび９１ｂの内部に銅（Ｃｕ）層を選択的に形成する。
【００４８】
図６（ａ）に表すように、ｐ側配線層２１は、絶縁膜１８の上、および、開口１８ａの内部にも形成される。ｐ側配線層２１は、ｐ側電極１６に電気的に接続される。ｎ側配線層２２は、絶縁膜１８の上、および、開口１８ｂの内部にも形成される。ｎ側配線層２２は、ｎ側電極１７に電気的に接続される。
【００４９】
図６（ｂ）に表すように、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２は、レジストマスク９１ｇを挟んで向き合う。すなわち、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２の間隔は、フォトリソグラフィの限界まで狭く設けることができる。
【００５０】
図７（ａ）〜図８（ｂ）は、第２の基板（以下、支持基板２５）を半導体層１５、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２の上に貼着する過程を表す模式図である。図７（ａ）〜図８（ａ）は、貼着過程を表す模式断面図であり、図８（ｂ）は、支持基板２５の第４の面２５ｂを表す平面図である。
【００５１】
図７（ａ）に表すように、レジストマスク９１を、例えば、ウェット処理を用いて除去し、さらに、金属膜１９を除去する。金属膜１９は、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２をマスクとして、例えば、ウェットエッチングを用いて除去することができる。これにより、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２が電気的に分離される。
【００５２】
次に、図７（ｂ）に表すように、第３の面２５ａに接合層２７を有する支持基板２５を、半導体層１５、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２の上に貼着する。
【００５３】
支持基板２５は、例えば、厚さ０．５〜１ミリメートル（ｍｍ）の石英硝子である。接合層２７は、半硬化状態、所謂Ｂステージ樹脂であり、例えば、エポキシ樹脂またはシリコーンを主成分とする。また、支持基板２５として、サファイア、または、アクリルもしくはポリカーボネイトなどの硬質樹脂を用いても良い。
【００５４】
支持基板２５には、予め開口９２ａおよび９２ｂを形成しておく。そして、支持基板２５を基板１０の上に接合する際に、開口９２ａおよび９２ｂをそれぞれｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２の位置に合せる。すなわち、開口９２ａおよび９２ｂは、それぞれの面積と配置位置がｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２の面積および位置に適合するように形成される。これにより、支持基板２５の第４の面２５ｂの側からｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２にそれぞれ連通する開口９２ａおよび９２ｂを設けることができる。
【００５５】
図８（ａ）および図８（ｂ）は、支持基板２５を半導体層１５、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２の上に貼着した状態を表している。
【００５６】
例えば、支持基板２５を基板１０の上に圧着し、半導体層１５の間の空間を接合層２７により埋め込む。続いて、所定温度の熱処理を施して接合層２７を硬化させ、基板１０と支持基板２５を接合する。そして、基板１０と支持基板２５を接合させた状態において、半導体層１５の周りの接合層２７が、半導体層１５、ｐ側電極１６およびｐ側配線層２１を積層した部分よりも厚いことが望ましい。これにより、支持基板２５と基板１０の間におけるボイド等の発生を抑制することができる。
【００５７】
また、図８（ｂ）に表すように、開口９２ａおよび９２ｂは、それぞれｐ側配線層２１の外縁２１ｂ、および、ｎ側配線層２２の外縁２２ｂの内側に連通することが望ましい。これにより、開口９２ａおよび９２ｂと、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２と、の位置合せが容易になり、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２との間の短絡を防ぐことができる。
【００５８】
図９（ａ）〜図１０（ｂ）は、開口９２ａおよび９２ｂの内部にｐ側金属ピラー２３およびｎ側金属ピラー２４を形成する過程を表す模式図である。図９（ａ）〜図１０（ａ）は、ｐ側金属ピラー２３およびｎ側金属ピラー２４の形成過程を表す模式断面図である。図１０（ｂ）は、支持基板の第４の面２５ｂを表す平面図である。
【００５９】
図９（ａ）に表すように、支持基板２５の第４の面２５ｂ、開口９２ａの内面および開口９２ｂの内面を覆う金属膜２９を形成する。金属膜２９は、例えば、支持基板２５の側から順にチタン（Ｔｉ）および銅（Ｃｕ）を含む。また、チタンの代わりにニッケルもしくはアルミニウムを用いても良い。
【００６０】
次に、図９（ｂ）に表すように、金属膜２９をシードメタルとして、電界Ｃｕメッキを行い、開口９２ａの内部および開口９２ｂの内部を埋め込み、第４の面２５ｂを覆うＣｕ層３５を形成する。
【００６１】
この場合も、金属膜２９とＣｕ層３５とが同じ材料であれば、メッキ後の金属層において、金属膜２９とＣｕ層３５は一体化する。また、Ｃｕ層３５の形成にメッキ法以下技の方法を用いる場合には、金属膜２９を形成しないこともある。
【００６２】
続いて、図１０（ａ）に表すように、例えば、ＣＭＰ法を用いてＣｕ層３５および金属膜２９を研磨し、第４の面２５ｂを覆う部分を除去する。これにより、開口９２ａおよび９２ｂの内部にＣｕ層３５を埋め込んだ部分を残し、ｐ側金属ピラー２３およびｎ側金属ピラー２４を形成することができる。そして、ｐ側金属ピラー２３およびｎ側金属ピラー２４の第４の面２５ｂに露出した端部は、それぞれｐ側端子２３ａおよびｎ側端子２４ａとして機能する。
【００６３】
図１０（ｂ）に表すように、支持基板２５の第４の面２５ｂに形成されたｐ側端子２３ａとｎ側端子２４ａの間隔は、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２の間隔よりも広く形成される。例えば、ｐ側端子２３ａとｎ側端子２４ａの間隔は、半導体発光装置１を実装基板に固定するはんだの広がりよりも大きくすることが望ましい。これにより、ｐ側端子２３ａとｎ側端子２４ａの間の短絡を防ぐことができる。
【００６４】
次に、図１１（ａ）〜図１１（ｂ）に示すように、半導体層１５の第１の面１５ａの側の処理を行う。図１１（ａ）〜図１１（ｂ）は、各工程を表す模式断面図である。
【００６５】
図１１（ａ）に表すように、半導体層１５および絶縁膜１８に接する基板１０を除去する。基板１０がシリコン基板の場合、例えば、ウェットエッチングを用いて基板１０を選択的に除去することができる。基板１０がサファイア基板の場合には、例えば、レーザーリフトオフ法を用いて基板１０を分離する。
【００６６】
基板１０の上に形成した構造体は、基板１０を除去した後も支持基板２５により保持され、ウェーハ状態を保つ。支持基板２５には、例えば、接合層２７よりもヤング率の大きい材料を用いる。これにより、基板１０を分離した後のウェーハの反りが抑制され、後続する製造過程におけるウェーハの取り扱いが容易になる。その結果、製造歩留りや製造効率を向上させることができる。
【００６７】
また、接合層２７として半導体層１５に比べて柔軟な材料、例えば、樹脂を用いることにより、半導体層１５と支持基板２５との間に生じる応力を緩和することができる。例えば、基板１０の上にエピタキシャル成長された半導体層は、大きな内部応力を含む。そして、その応力が基板１０の剥離時に一気に開放されたとしても、ｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４および接合層２７がその応力を吸収する。このため、基板１０を除去する過程における半導体層１５の破損を回避することができる。
【００６８】
次に、半導体層１５の第１の面１５ａに微細な凹凸を形成する。例えば、ＫＯＨ（水酸化カリウム）水溶液やＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）等で、第１の半導体層１１をウェットエッチングする。このエッチングでは、結晶面方位に依存したエッチング速度の違いが生じる。このため、図１１（ａ）に表すように、第１の面１５ａに微細な凹凸を形成することができる。また、第１の面１５ａの上にレジストマスクを形成し、第１の半導体層１１の表面を選択的にエッチングしても良い。このように、第１の面１５ａに凹凸を形成することにより、発光層１３の放射光の取り出し効率を向上させることができる。
【００６９】
次に、図１１（ｂ）に表すように、半導体層１５および絶縁膜１８の上に蛍光体層３０を形成する。蛍光体層３０は、蛍光体３１が分散された樹脂層であり、例えば、印刷、ポッティング、モールド、圧縮成形などの方法を用いて形成される。
【００７０】
蛍光体層３０には、例えば、エポキシ樹脂またはシリコーンを用いることができる。蛍光体３１は、例えば、黄色光を発光する黄色蛍光体、赤色光を発光する赤色蛍光体、緑色光を発光する緑色蛍光体、またはこれらを混合したものである。蛍光体３１には、例えば、ＹＡＧ系蛍光体、窒化物系蛍光体などを用いることができる。
【００７１】
次に、図１２（ａ）および図１２（ｂ）に示すように、隣り合う半導体層１５の間の溝８０に沿って、蛍光体層３０、絶縁膜１８、接合層２７および支持基板２５を切断する。これにより、半導体層１５を含む半導体発光装置１を個片化する。
【００７２】
図１５（ａ）は、半導体発光装置１の断面を表し、図１５（ｂ）は、ｐ側端子２３ａおよびｎ側端子２４ａが露出した支持基板２５の表面を表している。
【００７３】
蛍光体層３０、絶縁膜１８、接合層２７および支持基板２５の切断は、例えば、ダイシングブレードを用いて行う。半導体層１５は、溝８０に存在しないためダイシングによるダメージを受けることがない。また、個片化された時点で、半導体層１５の端部（側面）が絶縁膜１８および接合層２７で覆われ保護された構造が得られる。
【００７４】
なお、半導体発光装置１は、ひとつの半導体層１５を含むシングルチップ構造でも良いし、複数の半導体層１５を含むマルチチップ構造であっても良い。
【００７５】
ダイシングする前の工程は、ウェーハ状態で一括して行われるため、個片化された個々のデバイスごとに、配線およびパッケージングを行う必要がなく、大幅なコストの低減が可能になる。すなわち、個片化された状態で、すでに配線およびパッケージングが施されている。このため、本実施形態によれば、生産性を高めることが可能であり、製造コストを低減できる。
【００７６】
図１３は、第１実施形態の第１変形例に係る半導体発光装置２を表す模式断面図である。半導体発光装置２は、支持基板５５を備える。支持基板５５は、第３の面５５ａから第４の面５５ｂの方向に開拡した開口９３ａおよび９３ｂを有する。そして、開口９３ａおよび９３ｂの内部に埋め込まれるｐ側金属ピラー４５およびｎ側金属ピラー４７は、第４の面５５ｂにおいて第３の面５５ａおける断面よりも広い面積の端面を有する。すなわち、第４の面５５ｂに露出するｐ側端子４５ａおよびｎ側端子４７ａは、ｐ側金属ピラー４５およびｎ側金属ピラー４７がそれぞれｐ側配線層２１およびｎ側配線層に接する部分よりも広い面積を有する。
【００７７】
例えば、開口９３ａおよび９３ｂが第４の面５５ｂに向けて開拡する形状を有することにより、その内面に形成される金属膜２９の均一性が向上する。そして、ｐ側金属ピラー４５およびｎ側金属ピラー４７と、支持基板５５と、の間におけるボイド等の欠陥の発生が抑制され、各金属ピラーと支持基板５５の密着性を向上させることができる。これにより、半導体発光装置２の信頼性を向上させることができる。
【００７８】
図１４は、第１実施形態の第２変形例に係る半導体発光装置３を表す模式図である。図１４（ａ）は、半導体発光装置３の断面を表し、図１４（ｂ）は、支持基板２５の第４の面２５ｂの側を表す平面図である。図１４（ｂ）は、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層４３の形状を説明するために、支持基板２５および接合層２７を除いた状態を表している。また、図１４（ｂ）中に示す破線は、半導体層１５の外縁を表している。
【００７９】
半導体発光装置３では、ｎ側配線層４３が半導体層１５の外周部まで延在する。そして、ｎ側配線層４３の一部４３ａは、半導体層１５の側面１５ｃを覆い、さらにｎ側配線層２１を囲むように設けられる。これにより、発光層１３の放射光のうち半導体発光装置３の側面から放射される成分を抑制する。すなわち、蛍光体層３０を通過しないで外部に放射される光を抑制することにより色割れ等を防ぐことができる。
【００８０】
図１５は、第１実施形態の第３変形例に係る半導体発光装置４を表す模式断面図である。半導体発光装置４は、支持基板２５の開口９２ａおよび９２ｂのそれぞれの内面を覆う金属層５３および５４と、第４の面２５ｂの上に設けられたｐ側端子５３ａとｎ側端子５４ａを備える。
【００８１】
すなわち、本変形例では、開口９２ａおよび９２ｂの内部が埋め込まれることはなく、ｐ側端子５３ａおよびｎ側端子５４ａは、第４の面２５ｂの上に設けられる。そして、ｐ側端子５３ａとｐ側配線層２１は、開口９２ａの内面に設けられた金属層５３を介して電気的に接続される。また、ｎ側端子５４ａとｎ側配線層２２は、開口９２ｂの内面に設けられた金属層５４を介して電気的に接続される。
【００８２】
本変形例では、金属層５３および５４の厚さを薄くできるため、例えば、金属膜２９を介した電界Ｃｕメッキの時間を短縮し、製造効率を向上させることができる。また、開口９２ａおよび９２ｂの内部を埋め込むｐ側金属ピラー２３およびｎ側金属ピラー２４に比べて、ｐ側配線層２１と金属層５３の接続部、および、ｎ側配線層２２と金属層５４の接続部が柔軟であることから、基板１０を除去した時および実装時の応力の緩和効果を向上させることが可能である。
【００８３】
なお、上記の変形例に係る半導体発光装置３および４において、支持基板２５に設けられる開口９２ａおよび９２ｂは、第３の面２５ａから第４の面２５ｂに向けて開拡する形状としても良い。
【００８４】
図１６は、第１実施形態の変形例に係る半導体発光装置１の製造過程を表す模式断面図である。図１６（ａ）および図１６（ｂ）は、半導体層１５、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２の上に支持基板２５を貼着する過程を表している。
【００８５】
本変形例では、図１６（ａ）に表すように、基板１０の上に半導体層１５、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２を覆う接合層２７を形成する。そして、接合層２７の上面からｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２にそれぞれ連通する開口２７ａおよび２７ｂを形成する。
【００８６】
接合層２７は、エポキシ樹脂もしくはシリコーン等を主成分とする樹脂層である。接合層２７は、例えば、印刷、ポッティング、モールド、圧縮成形などの方法を用いて基板１０の上に形成される。図１６（ａ）に示す段階では、接合層２７は、半硬化状態、所謂、Ｂステージ樹脂である。
【００８７】
また、接合層２７として、感光性を有する樹脂層を用いると、フォトリソグラフィにより直接開口２７ａおよび２７ｂを形成することができる。これにより、製造工程を簡略化することができる。
【００８８】
次に、図１６（ｂ）に表すように、接合層２７を介して支持基板２５を基板１０の上に圧着する。この際、支持基板２５に設けられた開口９２ａおよび開口９２ｂがｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２にそれぞれ連通するように、接合層２７の開口２７ａおよび開口２７ｂに対して位置合せを行う。続いて、所定温度の熱処理を施して接合層２７を硬化させ、半導体層１５、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２の上に支持基板２５を貼着する。
【００８９】
［第２実施形態］  
図１７〜図１９は、第２実施形態に係る半導体発光装置の製造過程を表す模式断面図である。図１７（ａ）および図１７（ｂ）は、半導体層１５、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２の上に支持基板２５を貼着する過程を表している。図１８（ａ）〜図１９（ｂ）は、支持基板２５の第４の面２５ｂの上にｐ側端子５３ａおよびｎ側端子５４ａを形成する過程を表している。
【００９０】
図１７（ａ）および図１７（ｂ）に表すように、接合層２７を介して支持基板２５を基板１０の上に貼着する。この段階において、支持基板２５は、開口９２ａおよび９２ｂを有しない。支持基板２５は、例えば、石英硝子である。また、接合層は、例えば、半硬化されたエポキシ樹脂である。
【００９１】
例えば、支持基板２５は、第３の面２５ａに接合層２７を有する。そして、支持基板２５を、半導体層１５、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２の上に圧着させる。これにより、隣り合う半導体層１５の間の空間、および、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２の隙間に接合層２７を充填する。続いて、支持基板２５と基板１０に圧力を加えた状態で、所定の熱処理を施し接合層２７を硬化させる。
【００９２】
次に、図１８（ａ）に表すように、支持基板２５の第４の面２５ｂの上に、例えば、レジストマスク６１を形成する。レジストマスク６１は、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２に対応する位置に開口を有する。続いて、例えば、ＲＩＥ法を用いて開口９２ａおよび９２ｂを形成する。開口９２ａおよび開口９２ｂは、それぞれｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２に連通する。
【００９３】
続いて、図１８（ｂ）に表すように、支持基板２５の第４の面２５ｂ、開口９２ａの内面および開口９２ｂの内面を覆う金属膜２９を形成する。
【００９４】
次に、図１９（ａ）に表すように、金属膜２９をシードメタルとして、電界Ｃｕメッキを行い、開口９２ａの内部および開口９２ｂの内面および第４の面２５ｂを覆うＣｕ層５１を形成する。
【００９５】
次に、図１９（ｂ）に表すように、例えば、第４の面２５ｂの上に形成したＣｕ層５１および金属膜２９をフォトリソグラフィを用いてパターニングし、金属層５３と金属層５４に分離する。金属層５３のうちの第４の面２５ｂの上に設けられた部分はｐ側端子５３ａであり、金属層５４のうちの第４の面２５ｂの上に設けられた部分はｎ側端子５４ａである。そして、ｐ側端子５３ａは金属層５３を介してｐ側配線層２１に電気的に接続される。ｎ側端子５４ａは金属層５４を介してｎ側配線層２２に電気的に接続される。
【００９６】
本実施形態におけるｐ側端子５３ａおよびｎ側端子５４ａの形成方法は、上記の例に限定される訳ではなく、例えば、開口９２ａおよび９２ｂが予め形成された支持基板２５を用いる場合にも適用できる。
【００９７】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【００９８】
本発明は、以下の態様を含む。  
（付記１）
第１の面と、前記第１の面とは反対側の第２の面を有し、発光層を含む半導体層と、
前記半導体層の前記第２の面側に設けられたｐ側電極と、
前記第２の面側において、前記ｐ側電極に電気的に接続されたｐ側配線層と、
前記半導体層の前記第２の面側に設けられたｎ側電極と、
前記第２の面側において、前記ｎ側電極に電気的に接続されたｎ側配線層と、
前記半導体層、前記ｐ側配線層および前記ｎ側配線層に向き合う第３の面と、前記第３の面とは反対側の第４の面と、を有する支持基板であって、前記第４の面から前記ｐ側配線層に連通する第１の開口と、前記第４の面から前記ｎ側配線層に連通する第２の開口と、を有する支持基板と、
前記半導体層、前記ｐ側配線層および前記ｎ側配線層と、前記支持基板と、の間に設けられた接合層と、
前記第１の開口を介して前記ｐ側配線層に電気的に接続されたｐ側端子と、
前記第２の開口を介して前記ｎ側配線層に電気的に接続されたｎ側端子と、
を備え、
前記ｐ側端子は、前記第１の開口の内部に設けられたｐ側金属ピラーの端面であり、
前記ｎ側端子は、前記第２の開口の内部に設けられたｎ側金属ピラーの端面である半導体発光装置。  
（付記２）
第１の基板上に設けられた発光層を含む半導体層上にｐ側電極とｎ側電極とを形成し、
前記半導体層の上に前記ｐ側電極に電気的に接続されたｐ側配線層を形成し、
前記半導体層の上に前記ｎ側電極に電気的に接続されたｎ側配線層を形成し、
前記ｐ側配線層に連通可能な第１の開口と、前記ｎ側配線層に連通可能な第２の開口と、を有する第２の基板を、接合層を介して前記半導体層、前記ｐ側配線層および前記ｎ側配線層の上に貼着し、
前記第１の開口を介して前記ｐ側配線層に電気的に接続されたｐ側端子と、前記第２の開口を介して前記ｎ側配線層に電気的に接続されたｎ側端子と、を形成し、
前記第１の基板を前記半導体層から除去する半導体発光装置の製造方法であって、
前記第２の基板は、前記半導体層、前記ｐ側配線層および前記ｎ側配線層に接合される面に前記接合層を有する半導体発光装置の製造方法。  
（付記３）
第１の基板上に設けられた発光層を含む半導体層上にｐ側電極とｎ側電極とを形成し、
前記半導体層の上に前記ｐ側電極に電気的に接続されたｐ側配線層を形成し、
前記半導体層の上に前記ｎ側電極に電気的に接続されたｎ側配線層を形成し、
前記ｐ側配線層に連通可能な第１の開口と、前記ｎ側配線層に連通可能な第２の開口と、を有する第２の基板を、接合層を介して前記半導体層、前記ｐ側配線層および前記ｎ側配線層の上に貼着し、
前記第１の開口を介して前記ｐ側配線層に電気的に接続されたｐ側端子と、前記第２の開口を介して前記ｎ側配線層に電気的に接続されたｎ側端子と、を形成し、
前記第１の基板を前記半導体層から除去する半導体発光装置の製造方法であって、
または、前記半導体層、前記ｐ側配線層および前記ｎ側配線層を覆い、前記ｐ側配線層および前記ｎ側配線層にそれぞれ連通する開口を有する接合層を前記第１の基板上に形成し、
前記半導体層、前記ｐ側配線層および前記ｎ側配線層の上に前記第２の基板を貼着する半導体発光装置の製造方法。  
（付記４）
前記第１の開口および前記第２の開口の内部を埋め込み、前記第２の基板の前記半導体層、前記ｐ側配線層および前記ｎ側配線層の上に貼着された面の反対側の面を覆う金属層を形成し、
前記第１の開口および前記第２の開口の内部を埋め込んだ前記金属層の一部を残して、前記第２の基板の前記半導体層、前記ｐ側配線層および前記ｎ側配線層の上に貼着された面の反対側の面上に形成された前記金属層を除去する付記２または３記載の半導体発光装置の製造方法。  
（付記５）
前記第１の開口の内面、前記第２の開口の内面および前記第２の基板の上に金属層を形成し、
前記第２の基板の前記半導体層、前記ｐ側配線層および前記ｎ側配線層の上に貼着された面の反対側の面上に前記ｐ側端子および前記ｎ側端子を形成する付記２または４のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。  
【符号の説明】
【００９９】
１、２、３、４・・・半導体発光装置、  １０・・・基板、  １１・・・第１の半導体層、  １２・・・第２の半導体層、  １３・・・発光層、  １５・・・半導体層、  １５ａ・・・第１の面、  １５ｂ・・・第２の面、  １５ｃ・・・側面、  １６・・・ｐ側電極、  １７・・・ｎ側電極、  １８・・・絶縁膜、  １８ａ、１８ｂ、２７ａ、９１ａ、９１ｂ、９２ａ、９２ｂ、９３ａ、９３ｂ・・・開口、  １９、２９・・・金属膜、  ２１・・・ｐ側配線層、  ２１ｂ、２２ｂ・・・外縁、  ２２、４３・・・ｎ側配線層、  ２３、４５・・・ｐ側金属ピラー、  ２３ａ、４５ａ、５３ａ・・・ｐ側端子、  ２４、４７・・・ｎ側金属ピラー、  ２４ａ、４７ａ、５４ａ・・・ｎ側端子、  ２５、５５・・・支持基板、  ２５ａ、５５ａ・・・第３の面、  ２５ｂ、５５ｂ・・・第４の面、  ２７・・・接合層、  ３０・・・蛍光体層、  ３１・・・蛍光体、  ３５、５１・・・Ｃｕ層、  ４３ａ・・・ｎ側配線層の一部、  ５３、５４・・・金属層、  ６１、９１、９１ｇ・・・レジストマスク、  ８０・・・溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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