(57)【要約】【課題】センサモジュールが既設定された周期で外部状態をセンシングする時、前記センサモジュールから受信したセンシングデータの処理を効率的に実行できるアプリケーションプロセッサを提供する。【解決手段】アプリケーションプロセッサは、アクティブモードで外部クロックソースから受信される外部メインクロック信号に基づいて動作するメイン中央処理ユニットと、内部クロック信号を生成する内部クロックソースと、アクティブモード又はスリープモードの何れの場合にあっても、センサモジュールから既設定された周期で受信されるセンシングデータの処理を行い、その際、センシングデータの処理に必要な動作速度に応じて内部クロック信号又は外部クロックソースから受信される外部サブクロック信号の何れかに基づいて動作するセンササブシステムとを含む。【選択図】図１
2014086086.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブ（ａｃｔｉｖｅ）モードで外部クロックソースから受信される外部メインクロック信号に基づいて動作するメイン（ｍａｉｎ）中央処理装置と、
内部クロック信号を生成する内部クロックソースと、
前記アクティブモード又はスリープ（ｓｌｅｅｐ）モードの何れの場合にあっても、センサモジュールから既設定された周期で受信されるセンシングデータの処理を行い、その際、前記センシングデータの処理に必要な動作速度に応じて前記内部クロック信号又は前記外部クロックソースから受信される外部サブクロック信号の何れかに基づいて動作するセンササブシステムと、を含むことを特徴とするアプリケーションプロセッサ。
【請求項２】
前記内部クロック信号の周波数は、前記外部メインクロック信号の周波数及び前記外部サブクロック信号の周波数より低いことを特徴とする請求項１に記載のアプリケーションプロセッサ。
【請求項３】
前記センササブシステムは、
メモリ装置を備えたメモリユニットと、
前記センサモジュールと通信する外部インターフェーシングユニットと、
前記メイン中央処理装置と通信する内部通信ユニットと、
前記動作速度に応じて前記内部クロック信号又は前記外部サブクロック信号を選択的に受信するクロック信号受信ユニットと、
前記メモリユニット、前記外部インターフェーシングユニット、前記内部通信ユニット及び前記クロック信号受信ユニットを制御する中央処理ユニットと、を含むことを特徴とする請求項１に記載のアプリケーションプロセッサ。
【請求項４】
前記センササブシステムは、前記動作速度が第１閾（ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ）値より小さい場合、前記内部クロック信号を受信し、前記動作速度が前記第１閾値より大きい場合、前記外部サブクロック信号を受信することを特徴とする請求項１に記載のアプリケーションプロセッサ。
【請求項５】
前記センササブシステムは、前記動作速度が前記第１閾値より大きい第２閾値より大きい場合、前記メイン中央処理装置を活性化（ａｃｔｉｖａｔｉｏｎ）して前記アプリケーションプロセッサの動作モードを前記スリープモードから前記アクティブモードに切り換えることを特徴とする請求項４に記載のアプリケーションプロセッサ。
【請求項６】
前記センササブシステムは、
周辺温度をセンシング（ｓｅｎｓｉｎｇ）してセンシング温度情報を生成するか、又は、他のソース（ｓｏｕｒｃｅ）から前記センシング温度情報を受信する温度センシングユニットをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のアプリケーションプロセッサ。
【請求項７】
前記センササブシステムは、前記センシング温度情報に基づいて前記センサモジュールのウェイクアップタイム（ｗａｋｅ−ｕｐ  ｔｉｍｅ）及びデータリードタイム（ｄａｔａ−ｒｅａｄ  ｔｉｍｅ）を調節することを特徴とする請求項６に記載のアプリケーションプロセッサ。
【請求項８】
前記センササブシステムは、前記センシング温度情報に基づいて前記ウェイクアップタイム及び前記データリードタイムが減少する場合、データ処理時間（ｄａｔａ−ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  ｔｉｍｅ）を増加して前記動作速度を減少することを特徴とする請求項７に記載のアプリケーションプロセッサ。
【請求項９】
前記センササブシステムは、前記センシングデータに基づいて加工データを生成して前記加工データを前記メイン中央処理装置に伝達するライブラリ（ｌｉｂｒａｒｙ）動作、又は、前記センシングデータを前記メイン中央処理装置に伝達するバイパス（ｂｙｐａｓｓ）動作を行うことを特徴とする請求項１に記載のアプリケーションプロセッサ。
【請求項１０】
前記センササブシステムは、バッテリがロー（ｌｏｗ）バッテリ状態にある場合、前記センサモジュールのうちの一部をパワーオフ（ｐｏｗｅｒ−ｏｆｆ）して、前記動作速度を減少することを特徴とする請求項１に記載のアプリケーションプロセッサ。
【請求項１１】
前記センササブシステムは、バッテリがローバッテリ状態にある場合、前記センサモジュールのセンシング動作回数を減少して、前記動作速度を減少することを特徴とする請求項１に記載のアプリケーションプロセッサ。
【請求項１２】
システムオンチップ（ｓｙｓｔｅｍ  ｏｎ−ｃｈｉｐ）形態で具現されることを特徴とする請求項１に記載のアプリケーションプロセッサ。
【請求項１３】
前記内部クロックソースは、オンチップオシレータ（ｏｎ−ｃｈｉｐ  ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）又はリアルタイムクロック（ｒｅａｌ−ｔｉｍｅ  ｃｌｏｃｋ）であることを特徴とする請求項１２に記載のアプリケーションプロセッサ。
【請求項１４】
前記外部クロックソースは、オフチップオシレータ（ｏｆｆ−ｃｈｉｐ  ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）に接続される位相固定ループ（ｐｈａｓｅ  ｌｏｃｋｅｄ  ｌｏｏｐ）であることを特徴とする請求項１２に記載のアプリケーションプロセッサ。
【請求項１５】
機能動作を行う機能モジュールと、
センシング動作を行うセンサモジュールと、
外部メインクロック信号及び外部サブクロック信号を生成する外部クロックソースと、
アクティブモード又はスリープモードの何れの場合にあっても、前記センサモジュールから既設定された周期で受信されるセンシングデータの処理を前記外部サブクロック信号又は内部で生成される内部クロック信号に基づいて行うアプリケーションプロセッサと、
前記機能モジュール、前記センサモジュール、前記外部クロックソース、及び前記アプリケーションプロセッサに各々電力（ｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｐｏｗｅｒ）を供給する電力管理集積回路と、を含むことを特徴とするモバイル機器。
【請求項１６】
前記アプリケーションプロセッサは、
前記アクティブモードで前記外部メインクロック信号に基づいて動作するメイン中央処理装置と、
前記内部クロック信号を生成する内部クロックソースと、
前記アクティブモード又は前記スリープモードの何れの場合にあっても、前記センシングデータの処理を行い、その際、前記センシングデータの処理に必要な動作速度に応じて前記内部クロック信号又は前記外部サブクロック信号の何れかに基づいて動作するセンササブシステムを含むことを特徴とする請求項１５に記載のモバイル機器。
【請求項１７】
前記内部クロック信号の周波数は、前記外部メインクロック信号の周波数及び前記外部サブクロック信号の周波数より低いことを特徴とする請求項１６に記載のモバイル機器。
【請求項１８】
前記センササブシステムは、
メモリ装置を備えたメモリユニットと、
前記センサモジュールと通信する外部インターフェーシングユニットと、
前記メイン中央処理装置と通信する内部通信ユニットと、
前記動作速度に応じて前記内部クロック信号又は前記外部サブクロック信号を選択的に受信するクロック信号受信ユニットと、
前記メモリユニット、前記外部インターフェーシングユニット、前記内部通信ユニット及び前記クロック信号受信ユニットを制御する中央処理ユニットと、を含むことを特徴とする請求項１６に記載のモバイル機器。
【請求項１９】
前記センササブシステムは、前記動作速度が第１閾値より小さい場合、前記内部クロック信号を受信し、前記動作速度が前記第１閾値より大きい場合、前記外部サブクロック信号を受信することを特徴とする請求項１６に記載のモバイル機器。
【請求項２０】
前記センササブシステムは、前記動作速度が前記第１閾値より大きい第２閾値より大きい場合、前記メイン中央処理装置を活性化して、前記アプリケーションプロセッサの動作モードを前記スリープモードから前記アクティブモードに切り換えることを特徴とする請求項１９に記載のモバイル機器。
【請求項２１】
前記センササブシステムは、
周辺温度をセンシングしてセンシング温度情報を生成するか、又は、前記センシング温度情報を受信する温度センシングユニットを含むことを特徴とする請求項１６に記載のモバイル機器。
【請求項２２】
前記センササブシステムは、前記センシング温度情報に基づいて前記センサモジュールのウェイクアップタイム及びデータリードタイムを調節することを特徴とする請求項２１に記載のモバイル機器。
【請求項２３】
前記センササブシステムは、前記センシング温度情報に基づいて前記ウェイクアップタイム及び前記データリードタイムが減少する場合、データ処理時間を増加して、前記動作速度を減少することを特徴とする請求項２２に記載のモバイル機器。
【請求項２４】
前記センササブシステムは、前記センシングデータに基づいて加工データを生成して前記加工データを前記メイン中央処理装置に伝達するライブラリ動作、又は、前記センシングデータを前記メイン中央処理装置に伝達するバイパス動作を行うことを特徴とする請求項１６に記載のモバイル機器。
【請求項２５】
前記センササブシステムは、バッテリがローバッテリ状態にある場合、前記センサモジュールのうちの一部をパワーオフして、前記動作速度を減少することを特徴とする請求項１６に記載のモバイル機器。
【請求項２６】
前記センササブシステムは、バッテリがローバッテリ状態にある場合、前記センサモジュールのセンシング動作回数を減少して前記動作速度を減少することを特徴とする請求項１６に記載のモバイル機器。
【請求項２７】
アプリケーションプロセッサがアクティブモード又はスリープモードの何れの場合にあっても、センサモジュールから既設定された周期で受信されるセンシングデータの処理を行う際に、
前記アプリケーションプロセッサの内部に位置するセンササブシステムが前記センサモジュールから前記センシングデータを受信する段階と、
前記センササブシステムが前記センシングデータに基づいて前記センシングデータの処理に必要な動作速度を計算する段階と、
前記センササブシステムが前記動作速度に基づいて前記アプリケーションプロセッサの内部に位置する内部クロックソース又は前記アプリケーションプロセッサの外部に位置する外部クロックソースからクロック信号を受信する段階と、を含むことを特徴とするクロック信号選択方法。
【請求項２８】
前記内部クロックソースから受信される前記クロック信号の周波数は、前記外部クロックソースから受信される前記クロック信号の周波数より低いことを特徴とする請求項２７に記載のクロック信号選択方法。
【請求項２９】
第１クロック信号を使って動作するメイン中央処理装置と、
センサモジュールから受信されるセンシングデータを、第２クロック信号を使って処理するセンササブシステムと、を含み、
前記センササブシステムは受信されたセンシングデータを処理するために要求される動作速度を決定し、
前記センササブシステムは決定された動作速度が閾値より小さい場合、前記メイン中央処理装置を非活性化し、前記決定された動作速度が前記閾値より大きい場合、前記メイン中央処理装置を活性化して前記センシングデータの処理を補助（ａｓｓｉｓｔ）し、
前記第１クロック信号の周波数は、前記第２クロック信号の周波数より高いことを特徴とするアプリケーションプロセッサ。
【請求項３０】
前記アプリケーションプロセッサ内に位置し、前記センササブシステムに前記第２クロック信号を提供する内部クロックソースをさらに含み、
前記第１クロック信号は前記アプリケーションプロセッサの外部に位置する外部クロックソースによって前記メイン中央処理装置に提供されることを特徴とする請求項２９に記載のアプリケーションプロセッサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器に関する。より詳細には、本発明はアプリケーションプロセッサ、それを備えるモバイル機器、及びアプリケーションプロセッサのためのクロック信号選択方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、モバイルコンバージェンス（ｍｏｂｉｌｅ  ｃｏｎｖｅｒｇｅｎｃｅ）の進行につれ、モバイル機器（例えば、スマートフォン）は機能モジュール（ｆｕｎｃｔｉｏｎ  ｍｏｄｕｌｅ）の動作を制御するためのアプリケーションプロセッサを備えている。一般的に、モバイル機器はバッテリ（ｂａｔｔｅｒｙ）に基づいて動作するので、上記機能モジュールの動作が行われる必要がない場合、アプリケーションプロセッサの動作モードをスリープ（ｓｌｅｅｐ）モードに切り換えて不要な消費電力を減らす。しかし、アプリケーションプロセッサのスリープモードでもモバイル機器は、センサモジュールを利用して既設定された周期（例えば、数ヘルツ（Ｈｚ）〜数百ヘルツ（Ｈｚ））で外部状態をモニタリング（ｍｏｎｉｔｏｒｉｎｇ）する必要がある。
【０００３】
そこで、従来のモバイル機器では、アプリケーションプロセッサのメイン中央処理装置を既設定された周期で活性化（ａｃｔｉｖａｔｉｏｎ、即ち、既設定された周期でアプリケーションプロセッサの動作モードをアクティブ（ａｃｔｉｖｅ）モードに切り換え）して、センサモジュールから受信されるセンシングデータの処理を行う。その結果、従来のモバイル機器ではアプリケーションプロセッサのメイン中央処理装置が既設定された周期で外部クロックソース（例えば、オフチップオシレータ（ｏｆｆ−ｃｈｉｐ  ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）に接続される位相固定ループ（ＰＬＬ、ｐｈａｓｅ  ｌｏｃｋｅｄ  ｌｏｏｐ）など）からクロック信号を受信して動作するので、センシングデータの処理に必要な一般的な動作の速度及び性能水準を考慮すると、センシングデータの処理を行う際に不要な電力が消費される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１０／０３０２０２８号明細書
【特許文献２】韓国特許出願公開第２０１１−００３０２７４号明細書
【特許文献３】韓国特許出願公開第２００９−００１２４９４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の一目的は、センサモジュールが既設定された周期で外部状態をセンシング（ｓｅｎｓｉｎｇ）する時、前記センサモジュールから受信したセンシングデータの処理を効率的に実行（即ち、性能要求及び消費電力減少を同時に満足）できるアプリケーションプロセッサを提供することにある。
【０００６】
本発明の他の目的は、前記アプリケーションプロセッサを備えることによって外部状態を効率的にモニタリングできるモバイル機器を提供することにある。
【０００７】
本発明のまた他の目的は、センサモジュールが既設定された周期で外部状態をセンシングする時、前記センサモジュールから受信されるセンシングデータの処理を効率的に実行できるアプリケーションプロセッサのためのクロック信号選択方法を提供することにある。
【０００８】
但し、本発明が解決しようとする課題は、上述した課題に限定されず、本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲内で多様に拡張できる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した一目的を達成するための本発明の一実施形態に係るアプリケーションプロセッサは、アクティブ（ａｃｔｉｖｅ）モードで外部クロックソースから受信される外部メインクロック信号に基づいて動作するメイン（ｍａｉｎ）中央処理ユニット、内部クロック信号を生成する内部クロックソース、及び前記アクティブモード又はスリープ（ｓｌｅｅｐ）モードの何れの場合にあっても、センサモジュールから既設定された周期で受信されるセンシングデータの処理を行い、その際、前記センシングデータの処理に必要な動作速度に応じて前記内部クロック信号又は前記外部クロックソースから受信される外部サブクロック信号のいずれかに基づいて動作するセンササブシステムを含む。
【００１０】
一実施形態において、前記内部クロック信号の周波数は、前記外部メインクロック信号の周波数及び前記外部サブクロック信号の周波数より低いことができる。
【００１１】
一実施形態において、前記センササブシステムは、メモリ装置を備えたメモリユニット、前記センサモジュールと通信する外部インターフェーシングユニット、前記メイン中央処理装置と通信する内部通信ユニット、前記動作速度に応じて前記内部クロック信号又は前記外部サブクロック信号を選択的に受信するクロック信号受信ユニット、並びに、前記メモリユニット、前記外部インターフェーシングユニット、前記内部通信ユニット、及び前記クロック信号受信ユニットを制御する中央処理ユニットを含んでもよい。
【００１２】
一実施形態において、前記センササブシステムは、前記動作速度が第１閾（ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ）値より小さい場合、前記内部クロック信号を受信し、前記動作速度が前記第１閾値より大きい場合、前記外部サブクロック信号を受信してもよい。
【００１３】
一実施形態において、前記センササブシステムは、前記動作速度が前記第１閾値より大きな第２閾値より大きい場合、前記メイン中央処理装置を活性化（ａｃｔｉｖａｔｉｏｎ）して、前記アプリケーションプロセッサの動作モードを前記スリープモードから前記アクティブモードに切り換えることができる。
【００１４】
一実施形態において、前記センササブシステムは周辺温度をセンシング（ｓｅｎｓｉｎｇ）してセンシング温度情報を生成するか、又は、他のソース（ｓｏｕｒｃｅ）から前記センシング温度情報を受信する温度センシングユニットをさらに含んでもよい。
【００１５】
一実施形態において、前記センササブシステムは、前記センシング温度情報に基づいて前記センサモジュールのウェイクアップタイム（ｗａｋｅ−ｕｐ  ｔｉｍｅ）及びデータリードタイム（ｄａｔａ−ｒｅａｄ  ｔｉｍｅ）を調節することができる。
【００１６】
一実施形態において、前記センササブシステムは、前記センシング温度情報に基づいて前記ウェイクアップタイム及び前記データリードタイムが減少する場合、データ処理時間（ｄａｔａ−ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  ｔｉｍｅ）を増加して前記動作速度を減少することができる。
【００１７】
一実施形態において、前記センササブシステムは、前記センシングデータに基づいて加工データを生成して前記加工データを前記メイン中央処理装置に伝達するライブラリ（ｌｉｂｒａｒｙ）動作、又は、前記センシングデータを前記メイン中央処理装置に伝達するバイパス（ｂｙｐａｓｓ）動作を行うことができる。
【００１８】
一実施形態において、前記センササブシステムは、バッテリがロー（ｌｏｗ）バッテリ状態にある場合、前記センサモジュールのうちから一部をパワーオフ（ｐｏｗｅｒ−ｏｆｆ）させて前記動作速度を減少させることができる。
【００１９】
一実施形態において、前記センササブシステムは、バッテリがローバッテリ状態にある場合、前記センサモジュールのセンシング動作回数を減少させて前記動作速度を減少させることができる。
【００２０】
一実施形態において、前記アプリケーションプロセッサは、システムオンチップ（ｓｙｓｔｅｍ  ｏｎ−ｃｈｉｐ）形態で具現されることができる。
【００２１】
一実施形態において、前記内部クロックソースは、オンチップオシレータ（ｏｎ−ｃｈｉｐ  ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）又は、リアルタイムクロック（ｒｅａｌ−ｔｉｍｅ  ｃｌｏｃｋ）であってもよい。
【００２２】
一実施形態において、前記外部クロックソースはオフチップオシレータ（ｏｆｆ−ｃｈｉｐ  ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）に接続される位相固定ループ（ｐｈａｓｅ  ｌｏｃｋｅｄ  ｌｏｏｐ）であってもよい。
【００２３】
本発明の他の目的を達成するために、本発明の実施形態に係るモバイル機器は、機能動作を行う機能モジュールと、センシング動作を行うセンサモジュールと、外部メインクロック信号及び外部サブクロック信号を生成する外部クロックソースと、アクティブモード又はスリープモードの何れの場合にあっても、、前記センサモジュールから既設定された周期で受信されるセンシングデータの処理を前記外部サブクロック信号又は内部で生成される内部クロック信号に基づいて行うアプリケーションプロセッサと、前記機能モジュール、前記センサモジュール、前記外部クロックソース及び前記アプリケーションプロセッサに各々電力（ｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｐｏｗｅｒ）を供給する電力管理集積回路とを含む。
【００２４】
一実施形態において、前記アプリケーションプロセッサは、前記アクティブモードで前記外部メインクロック信号に基づいて動作するメイン中央処理装置と、前記内部クロック信号を生成する内部クロックソースと、前記アクティブモード又は前記スリープモードの何れの場合にあっても、前記センシングデータの処理を行うものの、前記センシングデータの処理に必要な動作速度に応じて前記内部クロック信号又は前記外部サブクロック信号に基づいて動作するセンササブシステムとを含んでもよい。
【００２５】
一実施形態において、前記内部クロック信号の周波数は、前記外部メインクロック信号の周波数及び前記外部サブクロック信号の周波数より低くてもよい。
【００２６】
一実施形態において、前記センササブシステムは、メモリ装置を備えたメモリユニットと、前記センサモジュールと通信する外部インターフェーシングユニットと、前記メイン中央処理装置と通信する内部通信ユニットと、前記動作速度に応じて前記内部クロック信号又は前記外部サブクロック信号を選択的に受信するクロック信号受信ユニットと、前記メモリユニット、前記外部インターフェーシングユニット、前記内部通信ユニット及び前記クロック信号受信ユニットを制御する中央処理ユニットとを含んでもよい。
【００２７】
一実施形態において、前記センササブシステムは、前記動作速度が第１閾値より小さい場合、前記内部クロック信号を受信し、前記動作速度が前記第１閾値より大きい場合、前記外部サブクロック信号を受信してもよい。
【００２８】
一実施形態において、前記センササブシステムは、前記動作速度が前記第１閾値より大きい第２閾値より大きい場合、前記メイン中央処理装置を活性化して前記アプリケーションプロセッサの動作モードを前記スリープモードから前記アクティブモードに切り換えることができる。
【００２９】
一実施形態において、前記センササブシステムは、周辺温度をセンシングしてセンシング温度情報を生成するか、又は、前記センシング温度情報を受信する温度センシングユニットをさらに含んでもよい。
【００３０】
一実施形態において、前記センササブシステムは、前記センシング温度情報に基づいて前記センサモジュールのウェイクアップタイム及びデータリードタイムを調節することができる。
【００３１】
一実施形態において、前記センササブシステムは、前記センシング温度情報に基づいて前記ウェイクアップタイム及び前記データリードタイムが減少する場合、データ処理時間を増加して前記動作速度を減少してもよい。
【００３２】
一実施形態において、前記センササブシステムは、前記センシングデータに基づいて加工データを生成して前記加工データを前記メイン中央処理装置に伝達するライブラリ動作、又は、前記センシングデータを前記メイン中央処理装置に伝達するバイパス動作を行ってもよい。
【００３３】
一実施形態において、前記センササブシステムは、バッテリがローバッテリ状態にある場合、前記センサモジュールのうちから一部をパワーオフして前記動作速度を減少することができる。
【００３４】
一実施形態において、前記センササブシステムは、バッテリがローバッテリ状態である場合、前記センサモジュールのセンシング動作回数を減少して前記動作速度を減少することができる。
【００３５】
本発明のまた他の目的を達成するために、本発明の実施形態に係るアプリケーションプロセッサのためのクロック信号選択方法は、前記アプリケーションプロセッサがアクティブモード又はスリープモードの何れの場合にあっても、センサモジュールから既設定された周期で受信されるセンシングデータの処理を行う際に、前記アプリケーションプロセッサの内部に位置するセンササブシステムが前記センサモジュールから前記センシングデータを受信する段階と、前記センササブシステムが前記センシングデータに基づいて前記センシングデータの処理に必要な動作速度を計算する段階と、前記センササブシステムが前記動作速度に基づいて前記アプリケーションプロセッサの内部に位置する内部クロックソース又は前記アプリケーションプロセッサの外部に位置する外部クロックソースからクロック信号を受信する段階と、を含むことができる。
【００３６】
一実施形態において、前記内部クロックソースから受信される前記クロック信号の周波数は、前記外部クロックソースから受信される前記クロック信号の周波数より低くてもよい。
【００３７】
本発明のまた他の目的を達成するために、本発明の実施形態に係るアプリケーションプロセッサは、第１クロック信号を使って動作するメイン中央処理装置と、センサモジュールから受信されるセンシングデータを、第２クロック信号を使って処理するセンササブシステムとを含んでもよい。この時、前記センササブシステムは受信されたセンシングデータの処理に要求される動作速度を決定することができる。また、前記センササブシステムは決定された動作速度が閾値より小さい場合、前記メイン中央処理装置を非活性化し、前記決定された動作速度が前記閾値より大きい場合、前記メイン中央処理装置を活性化して前記センシングデータの処理を補助（ａｓｓｉｓｔ）することができる。さらに、前記第１クロック信号の周波数は前記第２クロック信号の周波数より高くてもよい。
【００３８】
一実施形態において、前記アプリケーションプロセッサは、前記アプリケーションプロセッサ内に位置し、前記センササブシステムに前記第２クロック信号を提供する内部クロックソースをさらに含んでもよい。この時、前記第１クロック信号は前記アプリケーションプロセッサ外部に位置する外部クロックソースによって前記メイン中央処理装置に提供されることができる。
【発明の効果】
【００３９】
本発明の実施形態に係るアプリケーションプロセッサは、センササブシステム及び内部クロックソース（例えば、オンチップオシレータ、リアルタイムクロックなど）を備え、センサモジュールが既設定された周期で外部状態をセンシングする時、センササブシステムが前記センサモジュールから受信されるセンシングデータの処理を行い、その際、前記センササブシステムが前記センシングデータの処理に必要な動作速度に応じて内部クロックソース又は外部クロックソースからクロック信号を選択的に受信するので、前記センシングデータの処理は効率的に実行（即ち、性能要求及び消費電力減少を同時に満足）できる。
【００４０】
本発明の実施形態に係るモバイル機器は、前記アプリケーションプロセッサを備えることによって外部状態を効率的にモニタリングすることができる。
【００４１】
本発明の実施形態に係るクロック信号選択方法は、センサモジュールが既設定された周期で外部状態をセンシングし、アプリケーションプロセッサ内部のセンササブシステムが前記センサモジュールから受信されるセンシングデータの処理を行う際に、センササブシステムが前記センシングデータの処理に必要な動作速度に応じて内部クロックソース又は外部クロックソースからクロック信号を選択的に受信するので、前記センシングデータの処理を効率的に行うことができる。
【００４２】
但し、本発明の効果はこれらに限定されず、本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲内で多様に拡張できるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の実施形態に係るアプリケーションプロセッサを示すブロック図である。
【図２】図１のアプリケーションプロセッサ中におけるメイン中央処理装置とセンササブシステムの動作方法の一例を示すフローチャートである。
【図３】図１のアプリケーションプロセッサに備わるセンササブシステムの一例を示すブロック図である。
【図４】図３のセンササブシステムに入力されるべきクロック信号の選択方法の一例を示すフローチャートである。
【図５】図３のセンササブシステムに入力されるべきクロック信号の選択方法の一例を示す状態遷移概念図である。
【図６】図１のアプリケーションプロセッサの内部状態に基づいたクロック信号を示す図である。
【図７】図１のアプリケーションプロセッサの内部状態に基づいた消費電力を示す図である。
【図８】図３のセンササブシステムが図１のアプリケーションプロセッサの内部状態に基づきクロック信号を選択する例示的なシナリオを示す状態遷移図である。
【図９】図１のアプリケーションプロセッサに備わるセンササブシステムの他の例を示すブロック図である。
【図１０】図９のセンササブシステムに入力されるクロック信号がセンシング温度情報に基づいて選択される一例を示すフローチャートである。
【図１１】図９のセンササブシステムに入力されるクロック信号がセンシング温度情報に基づいて選択される一例を示す状態遷移概念図である。
【図１２】図９のセンササブシステムがセンシング温度情報に基づいてセンサモジュールのウェイクアップタイム及びデータリードタイムを決める一例を示す図面である。
【図１３】図９のセンササブシステムがセンシング温度情報に基づいてクロック信号を選択する例示的なシナリオを示す図である。
【図１４】図９のセンササブシステムがセンシング温度情報に基づいてクロック信号を選択する例示的なシナリオを示す図である。
【図１５】図１のアプリケーションプロセッサに備わるセンササブシステムのバイパス動作とライブラリ動作を示すブロック図である。
【図１６】図１のアプリケーションプロセッサに備わるセンササブシステムでバッテリ状態に基づいてクロック信号が選択される一例を示すフローチャートである。
【図１７】図１のアプリケーションプロセッサに備わるセンササブシステムでバッテリ状態に基づいてクロック信号が選択される一例を示す状態遷移概念図である。
【図１８】図１のアプリケーションプロセッサに備わるセンササブシステムがバッテリ状態に基づいてクロック信号を選択する例示的なシナリオを示す図である。
【図１９】本発明の実施形態に係るモバイル機器を示すブロック図である。
【図２０】図１９のモバイル機器がスマートフォンで具現される一例を示す図面である。
【図２１】本発明の実施形態に係るアプリケーションプロセッサのためのクロック信号選択方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
本明細書に開示されている本発明の実施形態において、特定の構造的、機能的説明は、単に本発明の実施形態を説明する目的で例示されており、本発明の実施形態はその他の多様な形態でも実施できる。従って、本発明の範囲は、本明細書に説明された実施形態に限定されない。
本発明は多様に変更でき、種々の形態で具現できるが、本明細書では特定の実施形態を図面に例示して詳細に説明する。しかし、これは本発明をこの特定の実施形態に限定するものではなく、本発明は、その思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物、代替物を含むと理解されるべきである。
【００４５】
本明細書において、第１、第２等の用語が多様な構成要素を説明するのに使用されるが、これらの構成要素はこのような用語によって限定されない。これらの用語は単に１つの構成要素を他の構成要素から区別する目的で使われ、例えば、本発明の権利範囲から逸脱しなければ第１構成要素を第２構成要素と命名でき、同様に第２構成要素も第１構成要素と命名できる。
【００４６】
ある構成要素が他の構成要素に「接続されて」いる、又は「結合されて」いると言及されている場合には、その他の構成要素に直接的に接続又は結合されている場合か、若しくは、中間に他の構成要素が存在する場合を意味する。一方、ある構成要素が他の構成要素に「直接接続されて」又は「直接結合されて」いると言及されている場合には、中間に他の構成要素は存在しない。構成要素の間の関係を説明する他の表現、すなわち「〜の間に」と「直接〜の間に」又は「〜に隣接する」と「〜に直接隣接する」等も同様である。
【００４７】
本明細書で使用した用語は、単に特定の実施形態を説明するために使用されており、本発明を限定しない。単数の表現は文脈上明白に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。また、本明細書で、「含む」又は「有する」等の用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、又は、これらを組み合わせの存在を示すものであって、１つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、又は、これを組み合わせの存在、又は、付加の可能性を予め排除しない。
【００４８】
また、別途定義しない限り、技術的あるいは科学的用語を含めて本明細書中において使用される全ての用語は、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が、一般的に理解するのと同一の意味を有する。一般的に使用される辞書において定義される用語と同じ用語は、関連技術の文脈上で有する意味と一致する意味を有すると理解されるべきで、本明細書において明白に定義しない限り、理想的あるいは形式的な意味に解釈してはならない。
【００４９】
以下、図面を参照して、本発明の望ましい実施の形態の具体例を詳細に説明する。図面中の同一構成要素については同一参照符号を使用し、同一構成要素についての重複した説明は省略する。
【００５０】
図１は本発明の実施形態に係るアプリケーションプロセッサを示すブロック図であり、図２は図１のアプリケーションプロセッサ中におけるメイン中央処理装置とセンササブシステムの動作方法の一例を示すフローチャートである。
【００５１】
図１を参照すると、アプリケーションプロセッサ１００は、メイン中央処理装置１２０、センササブシステム１４０、及び内部クロックソース１６０を含む。この時、アプリケーションプロセッサ１００は、システムオンチップ（ｓｙｓｔｅｍ  ｏｎ−ｃｈｉｐ）形態で具現できる。
【００５２】
メイン中央処理装置１２０は、アプリケーションプロセッサ１００のアクティブモードでは、外部クロックソース２２０から受信される外部メインクロック信号ＯＫ−１に基づいて動作する。例えば、アプリケーションプロセッサ１００のアクティブモードでは、センササブシステム１４０がセンサモジュール２１０から受信されるセンシングデータＳＤの処理を行うと、メイン中央処理装置１２０はセンササブシステム１４０の出力を利用して所定の動作を行う。反面、メイン中央処理装置１２０は、アプリケーションプロセッサ１００のスリープモードでは動作しないこともある。
センササブシステム１４０はアプリケーションプロセッサ１００のアクティブモード又はスリープモードで、センサモジュール２１０から既設定された周期で受信されるセンシングデータＳＤの処理を行う。この時、センササブシステム１４０は、外部クロックソース２２０から受信される外部サブクロック信号ＯＫ−２又は内部クロックソース１６０から受信される内部クロック信号ＩＫに基づいて動作する。
但し、図１では説明の便宜のために１つのセンサモジュール２１０が示されている。一方、外部メインクロック信号ＯＫ−１と外部サブクロック信号ＯＫ−２は各々異なる周波数（ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）を有する。例えば、メイン中央処理装置１２０を駆動する外部メインクロック信号ＯＫ−１の周波数は、センササブシステム１４０を駆動する外部サブクロック信号ＯＫ−２の周波数より大きい。
一実施形態において、外部クロックソース２２０は、オフチップオシレータ（ｏｆｆ−ｃｈｉｐ  ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）に接続される位相固定ループ（ＰＬＬ、ｐｈａｓｅ  ｌｏｃｋｅｄ  ｌｏｏｐ）を用いて具現できる。例えば、外部メインクロック信号ＯＫ−１と外部サブクロック信号ＯＫ−２は、各々オフチップオシレータから出力される基準（ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ）信号に基づいて位相固定ループから生成されるクロック信号である。
一方、図１では説明の便宜のために１つの外部クロックソース２２０が、外部メインクロック信号ＯＫ−１と外部サブクロック信号ＯＫ−２の双方を出力する場合と示しているが、外部メインクロック信号ＯＫ−１を出力する外部クロックソース２２０と外部サブクロック信号ＯＫ−２を出力する外部クロックソース２２０は互いに異なり得る。
【００５３】
具体的に、センシングデータＳＤの処理は、センササブシステム１４０により実行される。一方、アプリケーションプロセッサ１００の動作モードに基づいてメイン中央処理装置１２０の動作可否が決定される。
具体的に、図２に示したように、アプリケーションプロセッサ１００の外部に位置するセンサモジュール２１０がセンシング動作を行うと（ステップＳ１１０）、アプリケーションプロセッサ１００の動作モードがアクティブモードであるかどうかを確認する（ステップＳ１２０）。この時、アプリケーションプロセッサ１００の動作モードがアクティブモードである場合、センササブシステム１４０がセンシングデータＳＤの処理を行い（ステップＳ１３０）、メイン中央処理装置１２０が動作する（ステップＳ１３５）。
反面、アプリケーションプロセッサ１００の動作モードがアクティブモードではない場合（即ち、アプリケーションプロセッサ１００の動作モードがスリープモードである場合）には、センササブシステム１４０がセンシングデータＳＤの処理を行う（ステップＳ１４０）が、メイン中央処理装置１２０は動作しない（ステップＳ１４５）。
一方、別の実施形態では、センシングデータＳＤの処理は、アプリケーションプロセッサ１００の動作モードに基づいて、メイン中央処理装置１２０又はセンササブシステム１４０の何れかにより選択的に行われる。例えば、アプリケーションプロセッサ１００のアクティブモードではメイン中央処理装置１２０がセンシングデータＳＤの処理を行い、アプリケーションプロセッサ１００のスリープモードではセンササブシステム１４０がセンシングデータＳＤの処理を行う。
上述したように、内部クロックソース１６０は、センササブシステム１４０が動作するための内部クロック信号ＩＫを生成する。但し、図１では説明の便宜のために単一の内部クロックソース１６０を示している。例えば、アプリケーションプロセッサ１００が複数の内部クロックソース１６０を備える場合、内部クロックソース１６０各々は各々異なる周波数を有する内部クロック信号ＩＫを生成する。一実施形態において、内部クロックソース１６０は、オンチップオシレータ（ｏｎ−ｃｈｉｐ  ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）又はリアルタイムクロック（ｒｅａｌ−ｔｉｍｅ  ｃｌｏｃｋ）で具現される。一実施形態において、内部クロックソース１６０により生成される内部クロック信号ＩＫの周波数は、外部クロックソース２２０により生成される外部メインクロック信号ＯＫ−１の周波数及び外部サブクロック信号ＯＫ−２の周波数より小さい。
【００５４】
一般的に、アプリケーションプロセッサ１００は、モバイル機器（例えば、スマートフォンなど）に備わる機能モジュールの動作を制御する際、相対的に高性能動作（例えば、高速動作）を要する。つまり、アプリケーションプロセッサ１００の内部のメイン中央処理装置１２０は比較的高周波数のクロック信号に基づく動作を要するので、オンチップオシレータ又はリアルタイムクロックなどから生成される低い周波数を有するクロック信号では動作し難い。
従って、従来のアプリケーションプロセッサは、ジッタ（ｊｉｔｔｅｒ）特性の良くない内部クロックソース（例えば、オンチップオシレータなど）を具備しないで、外部クロックソース（例えば、オフチップオシレータなど）からクロック信号の入力を受けた。
これに反し、本発明の実施形態に係るアプリケーションプロセッサ１００は、メイン中央処理装置１２０ではなくセンササブシステム１４０がセンサモジュール２１０から既設定された周期で受信されるセンシングデータＳＤの処理を行うように制御する。その際一実施形態では、センシングデータＳＤの処理に必要な動作速度が相対的に低い場合には、アプリケーションプロセッサ１００の内部に位置する内部クロックソース１６０から受信した内部クロック信号ＩＫを利用し、センシングデータＳＤの処理に必要な動作速度が相対的に高い場合には、アプリケーションプロセッサ１００の外部に位置する外部クロックソース２２０から受信した外部サブクロック信号ＯＫ−２を利用する。その結果、センシングデータＳＤの処理を効率的に実行（即ち、性能要求及び消費電力減少を同時に満足）できる。以下、センササブシステム１４０の動作について詳しく説明する。
【００５５】
センササブシステム１４０は、アプリケーションプロセッサ１００のアクティブモード又はスリープモードの何れにあっても、センサモジュール２１０から既設定された周期で受信されるセンシングデータＳＤの処理を行う。その際、センシングデータＳＤの処理に必要な動作速度に応じて、内部クロックソース１６０から受信される内部クロック信号ＩＫ又は外部クロックソース２２０から受信される外部サブクロック信号ＯＫ−２の何れかに基づいて動作する。
この時、アプリケーションプロセッサ１００の内部に複数の内部クロックソース１６０が存在する場合、センシングデータＳＤの処理に必要な動作速度が相対的に低いのでセンササブシステム１４０が内部クロック信号ＩＫに基づいて動作する時には、センシングデータＳＤの処理に必要な動作速度に応じて複数の内部クロックソース１６０のうちから１つの内部クロックソース１６０が選択される。
一実施形態において、センササブシステム１４０は、センシングデータＳＤの処理に必要な動作速度が第１閾値より小さい場合、内部クロックソース１６０から内部クロック信号ＩＫを受信し、センシングデータＳＤの処理に必要な動作速度が第１閾値より大きい場合、外部クロックソース２２０から外部サブクロック信号ＯＫ−２を受信する。即ち、センササブシステム１４０は、センシングデータＳＤの処理に必要な動作速度に応じて内部クロック信号ＩＫ又は外部サブクロック信号ＯＫ−２の何れかを選択的に受信する。この時、第１閾値は要求される条件に応じて多様に設定され、センササブシステム１４０に入力されるクロック信号が切り替わる基準値に対応する。
さらに、この第１閾値は、所定の保存媒体（例えば、ルックアップテーブル（ｌｏｏｋ−ｕｐ  ｔａｂｌｅ）、レジスタなど。この保存媒体は例えば、アプリケーションプロセッサ１００の内部に備えられる）に保存され参照され、事前に予め決定された固定値（ｓｔａｔｉｃ  ｖａｌｕｅ）であるか、又は、ユーザーシナリオ（ｕｓｅｒ  ｓｃｅｎａｒｉｏ）による繰返し学習結果などによって決定された変動値（ｄｙｎａｍｉｃ  ｖａｌｕｅ）の何れかである。例えば、センササブシステム１４０がセンサモジュール２１０から受信されるセンシングデータＳＤを受信する時には相対的に低い性能が要求されるので、センシングデータＳＤの処理に必要な動作速度が相対的に低く第１閾値より小さい。その結果、センササブシステム１４０は内部クロックソース１６０から受信される内部クロック信号ＩＫに基づいて動作する。反面、センササブシステム１４０がセンサモジュール２１０から受信されるセンシングデータＳＤを加工する時には相対的に高い性能が要求されるので、センシングデータＳＤの処理に必要な動作速度が相対的に高く第１閾値より大きい。その結果、センササブシステム１４０は外部クロックソース２２０から受信される外部サブクロック信号ＯＫ−２に基づいて動作する。
【００５６】
さらに、一実施形態において、センササブシステム１４０は、センシングデータＳＤの処理に必要な動作速度が第１閾値より大きい第２閾値よりも大きい場合、メイン中央処理装置１２０を活性化する。例えば、センシングデータＳＤの処理に必要な動作速度が、センササブシステム１４０が処理できる水準より高い場合に、メイン中央処理装置１２０がセンシングデータＳＤの処理を補助できるので、センササブシステム１４０はセンシングデータＳＤの処理に必要な動作速度が第２閾値より大きければ、メイン中央処理装置１２０を活性化させる。その結果、アプリケーションプロセッサ１００の動作モードがスリープモードからアクティブモードに切り替わる。そこで、メイン中央処理装置１２０は、外部クロックソース２２０から受信される外部メインクロック信号ＯＫ−１に基づいて所定の動作を行う。
一実施形態において、センササブシステム１４０はセンサモジュール２１０から受信されるセンシングデータＳＤの量がセンササブシステム１４０で処理できる量以上になれば、メイン中央処理装置１２０を活性化させてアプリケーションプロセッサ１００の動作モードをスリープモードからアクティブモードに切り換える。
第２閾値は要求される条件に応じて多様に設定でき、アプリケーションプロセッサ１００の動作モードが切り替わる基準値に対応する。さらに、第２閾値も所定の保存媒体に保存され参照され、事前に予め決定された固定値であるか、又は、ユーザーシナリオによる繰返し学習結果などによって決定された変動値の何れかである。このように、センササブシステム１４０は、センシングデータＳＤの処理に必要な動作速度が、センササブシステム１４０が処理できる水準より高い場合に、アプリケーションプロセッサ１００の動作モードをスリープモードからアクティブモードに切り換えることによって、メイン中央処理装置１２０がセンシングデータＳＤの処理を補助するようにできる。
一方、センササブシステム１４０は、アプリケーションプロセッサ１００がアクティブモード又はスリープモードの何れにある場合も、センサモジュール２１０から既設定された周期でセンシングデータＳＤを受信し、所定のデータ（即ち、センシングデータＳＤ又はセンシングデータＳＤを加工して生成した加工データ）をメイン中央処理装置１２０に提供する。即ち、センササブシステム１４０はライブラリ（ｌｉｂｒａｒｙ）動作又はバイパス（ｂｙｐａｓｓ）動作を行うが、それに対しては図１５〜図１８を参照して詳しく後述する。
【００５７】
図３は図１のアプリケーションプロセッサに備わるセンササブシステムの一例を示すブロック図である。
【００５８】
図３を参照すると、センササブシステム１４０は、中央処理ユニット１４１、メモリユニット１４２、外部インターフェーシングユニット１４３、内部通信ユニット１４４、及びクロック信号受信ユニット１４５を含む。
【００５９】
中央処理ユニット１４１は、センササブシステム１４０の全般的な動作を制御する。例えば、中央処理ユニット１４１は、メモリユニット１４２、外部インターフェーシングユニット１４３、内部通信ユニット１４４、及びクロック信号受信ユニット１４５を制御する。メモリユニット１４２はメモリ装置を備える。この時、メモリユニット１４２はセンサモジュール２１０から受信されるセンシングデータＳＤを臨時に保存するバッファ（ｂｕｆｆｅｒ）の役割を果たすと共に、センササブシステム１４０のための内部コード（ｃｏｄｅ）、内部データ（ｄａｔａ）などを保存する。
実施形態により、メモリユニット１４２は、ＤＲＡＭ（ｄｙｎａｍｉｃ  ＲＡＭ（ｒａｎｄｏｍ  ａｃｃｅｓｓ  ｍｅｍｏｒｙ））装置、ＳＲＡＭ（ｓｔａｔｉｃ  ＲＡＭ）装置、モバイルＤＲＡＭ装置などの揮発性メモリ装置、及びＥＰＲＯＭ（ｅｒａｓａｂｌｅ  ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ＲＯＭ（ｒｅａｄ−ｏｎｌｙ  ｍｅｍｏｒｙ））装置、ＥＥＰＲＯＭ（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  ｅｒａｓａｂｌｅ  ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ＲＯＭ）装置、フラッシュメモリ（ｆｌａｓｈ  ｍｅｍｏｒｙ）装置、ＰＲＡＭ（ｐｈａｓｅ  ｃｈａｎｇｅ  ＲＡＭ）装置、ＲＲＡＭ（登録商標）（ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ  ＲＡＭ）装置、ＮＦＧＭ（ｎａｎｏ  ｆｌｏａｔｉｎｇ  ｇａｔｅ  ｍｅｍｏｒｙ）装置、ＰｏＲＡＭ（ｐｏｌｙｍｅｒ  ＲＡＭ）装置、ＭＲＡＭ（ｍａｇｎｅｔｉｃ  ＲＡＭ）装置、ＦＲＡＭ（登録商標）（ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  ＲＡＭ）装置などの不揮発性メモリ装置の何れかを含む。
外部インターフェーシングユニット１４３はセンサモジュール２１０からセンシングデータＳＤを受信する。内部通信ユニット１４４は，センササブシステム１４０とアプリケーションプロセッサ１００のメイン中央処理装置１２０との通信を支援する。例えば、内部通信ユニット１４４は所定のレジスタ（ｒｅｇｉｓｔｅｒ）に対してセット（ｓｅｔ）動作とクリア（ｃｌｅａｒ）動作を行うことによって、センササブシステム１４０とメイン中央処理装置１２０との間での双方向通信を可能にする。
【００６０】
クロック信号受信ユニット１４５は、センサモジュール２１０から既設定された周期で受信されるセンシングデータＳＤの処理に必要な動作速度に応じて、内部クロックソース１６０から内部クロック信号ＩＫを受信するか、又は、外部クロックソース２２０から外部サブクロック信号ＯＫ−２を受信する。つまり、センシングデータＳＤの処理に必要な動作速度に応じて、センササブシステム１４０が動作するためのクロック信号としては、内部クロック信号ＩＫが選択されるか、又は、外部サブクロック信号ＯＫ−２が選択される。
図３は、クロック信号受信ユニット１４５が１つの内部クロック信号ＩＫと１つの外部サブクロック信号ＯＫ−２のうちから１つを選択的に受信する場合を示しているが、クロック信号受信ユニット１４５は、複数の内部クロック信号ＩＫ及び複数の外部サブクロック信号ＯＫ−２のうちから１つを選択的に受信する場合もある。上述したように、内部クロックソース１６０はオンチップオシレータ又はリアルタイムクロックとして具現され、外部クロックソース２２０はオフチップオシレータに接続される位相固定ループとして具現される。従って、センササブシステム１４０は相対的に高い性能が要求される場合には、外部クロックソース２２０から受信される外部サブクロック信号ＯＫ−２に基づいて動作し、相対的に低い性能が要求される場合には、内部クロックソース１６０から受信される内部クロック信号ＩＫに基づいて動作する。
【００６１】
このようにアプリケーションプロセッサ１００は、センササブシステム１４０及び内部クロックソース１６０を備え、アクティブモード又はスリープモードの何れの場合においても、センサモジュール２１０が既設定された周期で外部状態をセンシングする時、センササブシステム１４０がセンサモジュール２１０から受信されるセンシングデータＳＤの処理を行うように制御する。この時、センササブシステム１４０はセンシングデータＳＤの処理に必要な動作速度に応じて、内部クロックソース１６０又は外部クロックソース２２０からクロック信号を選択的に受信するので、アプリケーションプロセッサ１００はセンシングデータＳＤの処理を効率的に実行（即ち、性能要求及び消費電力減少を同時に満足）できる。
一方、センササブシステム１４０は、センシングデータＳＤの処理に必要な動作速度が外部クロックソース２２０から受信される外部サブクロック信号ＯＫ−２でも満足されない場合、内部通信ユニット１４４を利用してメイン中央処理装置１２０を活性化（ａｃｔｉｖａｔｉｏｎ）する。この場合、センササブシステム１４０が外部サブクロック信号ＯＫ−２に基づいてセンシングデータＳＤの処理を行うと同時に、アプリケーションプロセッサ１００は、その動作モードがスリープモードからアクティブモードに切り替わり、センササブシステム１４０によるセンシングデータＳＤの処理を補助する。
一方、実施形態により、メイン中央処理装置１２０が活性化した以後、センシングデータＳＤの処理に必要な動作速度が低くなる場合、消費電力を減らすためにアプリケーションプロセッサ１００の動作モードはアクティブモードからスリープモードに切り替わる。
【００６２】
図４は図３のセンササブシステムに入力されるべきクロック信号の選択方法の一例を示すフローチャートであり、図５は図３のセンササブシステムに入力されるべきクロック信号の選択方法の一例を示す状態遷移概念図である。
【００６３】
図４及び図５を参照すると、センササブシステム１４０はセンサモジュール２１０から受信されるセンシングデータＳＤの処理に必要な動作速度を計算し（ステップＳ２２０）、センシングデータＳＤの処理に必要な動作速度が第１閾値ＶＴＨ−１より大きいか否かを確認する（ステップＳ２４０）。この時、センシングデータＳＤの処理に必要な動作速度が第１閾値ＶＴＨ−１より大きければ、センササブシステム１４０は外部クロックソース２２０から受信される外部サブクロック信号ＯＫ−２に基づいてセンシングデータＳＤの処理を行う（ステップＳ２６０）。反面、センシングデータＳＤの処理に必要な動作速度が第１閾値ＶＴＨ−１より小さければ、センササブシステム１４０が内部クロックソース１６０から受信される内部クロック信号ＩＫに基づいてセンシングデータＳＤの処理を行う（ステップＳ２８０）。上述したように、第１閾値ＶＴＨ−１は要求される条件に応じて多様に設定でき、センササブシステム１４０に入力されるクロック信号が切り替わる基準値に対応する。
【００６４】
図５に示したように、アプリケーションプロセッサ１００は、アクティブモード又はスリープモードの何れの場合でも、センササブシステム１４０が内部クロックソース１６０から受信される内部クロック信号ＩＫ又は外部クロックソース２２０から受信される外部サブクロック信号ＯＫ−２に基づいてセンシングデータＳＤの処理を行うように制御する。図５において、第１内部状態３１０は、アプリケーションプロセッサ１００のアクティブモードに対応し、第２内部状態３２０及び第３内部状態３３０はアプリケーションプロセッサ１００のスリープモードに対応する。
従って、第１内部状態３１０はメイン中央処理装置１２０が外部メインクロック信号ＯＫ−１に基づいて所定の動作を行うと同時に、センササブシステム１４０が内部クロック信号ＩＫ又は外部サブクロック信号ＯＫ−２に基づいてセンシングデータＳＤの処理を行う状態を示し、第２内部状態３２０はメイン中央処理装置１２０が動作はしないが、センササブシステム１４０が内部クロック信号ＩＫに基づいてセンシングデータＳＤの処理を行う状態を示し、第３内部状態３３０はメイン中央処理装置１２０が動作はしないが、センササブシステム１４０が外部サブクロック信号ＯＫ−２に基づいてセンシングデータＳＤの処理を行う状態を示す。
【００６５】
具体的に、アプリケーションプロセッサ１００が当初、第１内部状態３１０にあるとする。センシングデータＳＤの処理に必要な動作速度が第２閾値ＶＴＨ−２より小さくなると、動作モードがアクティブモードからスリープモードに切り替わる。そこで、アプリケーションプロセッサ１００は、第２内部状態３２０又は第３内部状態３３０となる（即ち、遷移ＯＰＢ、又は遷移ＯＰＦ）。
上述したように、第２閾値ＶＴＨ−２は、要求される条件に応じて多様に設定され、アプリケーションプロセッサ１００の動作モードが切り替わる基準値に対応する。一方、アプリケーションプロセッサ１００が第２内部状態３２０にあって、センシングデータＳＤの処理に必要な動作速度が第１閾値ＶＴＨ−１より大きくなると、センササブシステム１４０が外部サブクロック信号ＯＫ−２に基づいてセンシングデータＳＤの処理を行わなければならないので、アプリケーションプロセッサ１００は第３内部状態３３０となる（即ち、遷移ＯＰＤ）。
反面、アプリケーションプロセッサ１００が第３内部状態３３０にあって、センシングデータＳＤの処理に必要な動作速度が第１閾値ＶＴＨ−１より小さくなると、センササブシステム１４０が内部クロック信号ＩＫに基づいてセンシングデータＳＤの処理を行わなければならないので、アプリケーションプロセッサ１００は第２内部状態３２０となる（即ち、遷移ＯＰＣ）。さらに、アプリケーションプロセッサ１００が第２内部状態３２０又は第３内部状態３３０にあって、センシングデータＳＤの処理に必要な動作速度が第２閾値ＶＴＨ−２より大きくなると、動作モードがスリープモードからアクティブモードに切り替わる。そこで、アプリケーションプロセッサ１００は第１内部状態３１０になる（即ち、遷移ＯＰＡ、又は遷移ＯＰＥ）。
上述したように、第１閾値ＶＴＨ−１と第２閾値ＶＴＨ−２は、要求される条件に応じて多様に設定される。例えば、第１閾値ＶＴＨ−１はセンシングデータＳＤを受信するのに必要な動作速度とセンシングデータＳＤを加工するのに必要な動作速度との間の値に設定され、第２閾値ＶＴＨ−２はセンササブシステム１４０がセンシングデータＳＤの処理を行うことのできる最大動作速度に対応する値に設定される。但し、これは１つの例示に過ぎず、これに限定されない。
【００６６】
図６は図１のアプリケーションプロセッサの内部状態に基づいたクロック信号を示す図であり、図７は図１のアプリケーションプロセッサの内部状態に基づいた消費電力を示す図である。
【００６７】
図６及び図７を参照すると、アプリケーションプロセッサ１００の内部状態をより細分化して示している。ここで、以下に規定する第１〜第６内部状態の内の第１〜第３内部状態は、上述の図５における第１〜第３内部状態の規定と必ずしも一致しない。即ち、第１〜第５内部状態ＯＰ−１，…，ＯＰ−５は、アプリケーションプロセッサ１００のスリープモードに対応し、第６内部状態ＯＰ−６はアプリケーションプロセッサ１００のアクティブモードに対応する。
具体的に、第１内部状態ＯＰ−１は内部クロック信号ＩＫを生成する内部クロックソース１６０と外部サブクロック信号ＯＫ−２を生成する外部クロックソース２２０−２が全部パワーオフした状態を意味する。つまり、センササブシステム１４０は内部クロックソース１６０から内部クロック信号ＩＫを受信しないだけでなく、外部クロックソース２２０からも外部サブクロック信号ＯＫ−２を受信しない。この時、アプリケーションプロセッサ１００の動作モードがスリープモードであるので、外部メインクロック信号ＯＫ−１を生成する外部クロックソース２２０もパワーオフされている。その結果、第１内部状態ＯＰ−１では電力は消費されない。
第２内部状態ＯＰ−２は内部クロック信号ＩＫを生成する内部クロックソース１６０はパワーオフされ、外部サブクロック信号ＯＫ−２を生成する外部クロックソース２２０が準備される状態を意味する。外部クロックソース２２０は相対的に高い周波数を有する外部サブクロック信号ＯＫ−２を生成するので、外部サブクロック信号ＯＫ−２を生成するために安定化（ｓｔａｂｉｌｉｚａｔｉｏｎ）、即ち、準備時間が必要である。その結果、第２内部状態ＯＰ−２では外部サブクロック信号ＯＫ−２を生成する外部クロックソース２２０が準備されるための電力を消費する。しかし、第２内部状態ＯＰ−２でもセンササブシステム１４０は内部クロックソース１６０から内部クロック信号ＩＫを受信しないだけでなく、外部クロックソース２２０からも外部サブクロック信号ＯＫ−２を受信しない。
【００６８】
第３内部状態ＯＰ−３は、内部クロック信号ＩＫを生成する内部クロックソース１６０がパワーオン（ｐｏｗｅｒ−ｏｎ）され、外部サブクロック信号ＯＫ−２を生成する外部クロックソース２２０はパワーオフされた状態を意味する。つまり、センササブシステム１４０は内部クロックソース１６０から内部クロック信号ＩＫだけを受信する。その結果、第３内部状態ＯＰ−３では内部クロックソース１６０が動作するための電力を消費する。この時、アプリケーションプロセッサ１００の動作モードがスリープモードであるので、外部メインクロック信号ＯＫ−１を生成する外部クロックソース２２０はパワーオフされている。
第４内部状態ＯＰ−４は内部クロック信号ＩＫを生成する内部クロックソース１６０がパワーオンされ、外部サブクロック信号ＯＫ−２を生成する外部クロックソース２２０は準備される状態を意味する。つまり、センササブシステム１４０は内部クロックソース１６０から内部クロック信号ＩＫを受信すると同時に、外部サブクロック信号ＯＫ−２を生成する外部クロックソース２２０を準備する。その結果、第４内部状態ＯＰ−４では内部クロックソース１６０が動作するための電力を消費し、外部サブクロック信号ＯＫ−２を生成する外部クロックソース２２０−２が準備されるための電力も共に消費する。
第５内部状態ＯＰ−５は内部クロック信号ＩＫを生成する内部クロックソース１６０がパワーオフされ、外部サブクロック信号ＯＫ−２を生成する外部クロックソース２２０はパワーオンされた状態を意味する。つまり、センササブシステム１４０は外部クロックソース２２０から外部サブクロック信号ＯＫ−２を受信する。その結果、第５内部状態ＯＰ−５では外部サブクロック信号ＯＫ−２を生成する外部クロックソース２２０が動作するための電力を消費する。
【００６９】
第６内部状態ＯＰ−６はメイン中央処理装置１２０が外部クロックソース２２０から受信される外部メインクロック信号ＯＫ−１に基づいて所定の動作を行い、センササブシステム１４０が内部クロック信号ＩＫ又は外部サブクロック信号ＯＫ−２に基づいてセンシングデータＳＤの処理を行う状態を意味する。その結果、第６内部状態ＯＰ−６では外部メインクロック信号ＯＫ−１を生成する外部クロックソース２２０がパワーオンされるので、アプリケーションプロセッサ１００のスリープモードに比べて多くの電力を消費する。このように、センササブシステム１４０はアプリケーションプロセッサ１００の内部状態に基づくクロック信号を多様に選択でき、アプリケーションプロセッサ１００の内部状態に最適化された電力を消費する。
一方、図６及び図７においては、第１〜第６内部状態ＯＰ−１，…，ＯＰ−６を順次に示しているが、センシングデータＳＤの処理に必要な動作速度に応じて、アプリケーションプロセッサ１００は選択的に（即ち、非順次的に）第１〜第６内部状態ＯＰ−１，…，ＯＰ−６のうちの１つの内部状態になる。上述したように、センササブシステム１４０がセンサモジュール２１０から受信されるセンシングデータＳＤの処理に必要な動作速度に応じて、内部クロックソース１６０又は外部クロックソース２２０からクロック信号を選択的に受信するので、前記センシングデータＳＤの処理を効率的に実行（即ち、性能要求及び消費電力減少を同時に満足）できる。
さらに、センササブシステム１４０が前記センシングデータＳＤの処理に必要な動作速度に応じてアプリケーションプロセッサ１００の動作モードをスリープモードからアクティブモードに切り換えることができるので、前記センシングデータＳＤの処理に必要な動作速度が高く、センササブシステム１４０単独ではセンシングデータＳＤの処理を行い難い場合には、センササブシステム１４０は、アプリケーションプロセッサ１００のメイン中央処理装置１２０が前記センシングデータＳＤの処理を補助するように制御する。その結果、アプリケーションプロセッサ１００は高い動作安定性を確保できる。
【００７０】
図８は図３のセンササブシステムが図１のアプリケーションプロセッサの内部状態に基づきクロック信号を選択する例示的なシナリオを示す状態遷移図である。
【００７１】
図８を参照すると、センササブシステム１４０がセンサモジュール２１０からセンシングデータＳＤを受信する（即ち、リード（ｒｅａｄ））時には、５０ＤＭＩＰＳ（ドライストーン（Ｄｈｒｙｓｔｏｎｅ）ＭＩＰＳ）より低い動作速度が要求され、センササブシステム１４０が前記センシングデータＳＤを加工する時には５０ＤＭＩＰＳより高い動作速度が要求され、内部クロックソース１６０（例えば、オンチップオシレータ、リアルタイムクロックなど）から受信される内部クロック信号ＩＫでは５０ＤＭＩＰＳ以上の動作速度を確保できないと仮定する。そこで、センササブシステム１４０はセンシングデータＳＤを受信する時には、内部クロックソース１６０から受信される内部クロック信号ＩＫに基づいて動作し、センシングデータＳＤを加工する時には外部クロックソース２２０（例えば、オフチップオシレータに接続される位相固定ループなど）から受信される外部サブクロック信号ＯＫ−２に基づいて動作する。
【００７２】
ここで、以下に規定する第１〜第５内部状態は、上述の図６における第１〜第６内部状態の規定と必ずしも一致しない。即ち、
具体的に、アプリケーションプロセッサ１００がアイドル（ｉｄｌｅ）状態即ち、第１内部状態３４０にある時、内部クロック信号ＩＫを生成する内部クロックソース１６０（図８では、ＲＣ＿ＯＳＣ）と外部サブクロック信号ＯＫ−２を生成する外部クロックソース２２０（図８では、Ｅｘｔ．＿ＯＳＣ）は双方共にパワーオフされる。この時、センシングデータＳＤの受信が要求（即ち、５０ＤＭＩＰＳより低い動作速度が要求）されると、内部クロック信号ＩＫを生成する内部クロックソース１６０はターンオンされる（即ち、遷移ＳＮＡ−１により、第２内部状態３５０になる）。
又は、アプリケーションプロセッサ１００が第１内部状態３４０にある時、センシングデータＳＤの受信が要求され、センシングデータＳＤの加工が予定（即ち、５０ＤＭＩＰＳより高い動作速度が予定）されると、内部クロック信号ＩＫを生成する内部クロックソース１６０はターンオンされ、外部サブクロック信号ＯＫ−２を生成する外部クロックソース２２０が準備される（即ち、遷移ＳＮＡ−２により、第３内部状態３６０になる）。
又は、アプリケーションプロセッサ１００が第１内部状態３４０にある時、センシングデータＳＤの受信は要求されないが、センシングデータＳＤの加工が予定されると、外部サブクロック信号ＯＫ−２を生成する外部クロックソース２２０が準備される（即ち、遷移ＳＮＡ−３により、第４内部状態３７０になる）。
一方、アプリケーションプロセッサ１００が第４内部状態３７０にある時、センシングデータＳＤの受信が要求されると、内部クロック信号ＩＫを生成する内部クロックソース１６０はターン−オンされる（即ち、遷移ＳＮＡ−４により、第３内部状態３６０になる）。
又は、アプリケーションプロセッサ１００が第４内部状態３７０にある時、センシングデータＳＤの加工が要求されると、外部サブクロック信号ＯＫ−２を生成する外部クロックソース２２０が準備されているので、外部サブクロック信号ＯＫ−２を生成する外部クロックソース２２０はターンオンされる（即ち、遷移ＳＮＡ−５により、第５内部状態３８０になる）。
一方、アプリケーションプロセッサ１００が第３内部状態３６０にある時、センシングデータＳＤの受信が要求されないと、内部クロック信号ＩＫを生成する内部クロックソース１６０はターン−オフされる（即ち、遷移ＳＮＡ−６により、第４内部状態３７０になる）。
又は、アプリケーションプロセッサ１００が第３内部状態３６０にある時、センシングデータＳＤの受信は要求されないが、センシングデータＳＤの加工が要求されると、内部クロック信号ＩＫを生成する内部クロックソース１６０はターン−オフされ、外部サブクロック信号ＯＫ−２を生成する外部クロックソース２２０が準備されているので、外部サブクロック信号ＯＫ−２を生成する外部クロックソース２２０はターンオンされる（即ち、遷移ＳＮＡ−７により、第５内部状態３８０になる）。
【００７３】
一方、アプリケーションプロセッサ１００が第５内部状態３８０である時、センシングデータＳＤの加工が要求されないが、センシングデータＳＤの受信が要求されると、内部クロック信号ＩＫを生成する内部クロックソース１６０はターン−オンされ、外部サブクロック信号ＯＫ−２を生成する外部クロックソース２２０はターン−オフされる（即ち、遷移ＳＮＡ−８により、第２内部状態３５０になる）。
又は、アプリケーションプロセッサ１００が第５内部状態３８０にある時、センシングデータＳＤの加工が要求されず、センシングデータＳＤの加工が予定されないと、外部サブクロック信号ＯＫ−２を生成する外部クロックソース２２０はターン−オフされる（即ち、遷移ＳＮＡ−９により、第１内部状態３４０になる）。
一方、アプリケーションプロセッサ１００が第２内部状態３５０にある時、センシングデータＳＤの受信が要求され、センシングデータＳＤの加工が予定されると、外部サブクロック信号ＯＫ−２を生成する外部クロックソース２２０が準備される（即ち、遷移ＳＮＡ−１０により、第３内部状態３６０になる）。
アプリケーションプロセッサ１００が第２内部状態３５０にある時、センシングデータＳＤの受信が要求されないが、センシングデータＳＤの加工が予定されると、内部クロック信号ＩＫを生成する内部クロックソース１６０はターン−オフされ、外部サブクロック信号ＯＫ−２を生成する外部クロックソース２２０は準備される（即ち、遷移ＳＮＡ−１１により、第４内部状態３７０になる）。
又は、アプリケーションプロセッサ１００が第２内部状態３５０にある時、センシングデータＳＤの受信が要求されず、センシングデータＳＤの加工も予定されないと、内部クロック信号ＩＫを生成する内部クロックソース１６０はターン−オフされる（即ち、遷移ＳＮＡ−１２により、第１内部状態３４０になる）。このように、センササブシステム１４０はアプリケーションプロセッサ１００の内部状態によって内部クロックソース１４０又は外部クロックソース２２０からクロック信号の入力を選択的に受ける。
一方、図８には示していないが、アプリケーションプロセッサ１００がスリープモードにあって、センササブシステム１４０がセンシングデータＳＤの処理を行う場合に、センササブシステム１４０の内部のメモリユニット（即ち、バッファ）がフル（ｆｕｌｌ）になると、センササブシステム１４０はアプリケーションプロセッサ１００の動作モードをスリープモードからアクティブモードに切り換える。この場合、アプリケーションプロセッサ１００のメイン中央処理装置１２０が外部クロックソース２２０から受信される外部メインクロック信号ＯＫ−１に基づいてセンシングデータＳＤの処理を補助する。
【００７４】
図９は図１のアプリケーションプロセッサに備わるセンササブシステムの他の例を示すブロック図である。
【００７５】
図９を参照すると、センササブシステム１４０は、中央処理ユニット１４１、メモリユニット１４２、外部インターフェーシングユニット１４３、内部通信ユニット１４４、及びクロック信号受信ユニット１４５に加えて、温度センシングユニット１４６を含む。
【００７６】
中央処理ユニット１４１は、センササブシステム１４０の全般的な動作を制御する。例えば、中央処理ユニット１４１は、メモリユニット１４２、外部インターフェーシングユニット１４３、内部通信ユニット１４４、及びクロック信号受信ユニット１４５を制御する。メモリユニット１４２はメモリ装置を備える。この時、メモリユニット１４２はセンサモジュール２１０から受信されるセンシングデータＳＤを臨時に保存するバッファの役割を果たすと共に、センササブシステム１４０のための内部コード、内部データなどを保存する。
外部インターフェーシングユニット１４３はセンサモジュール２１０からセンシングデータＳＤを受信する。内部通信ユニット１４４は、センササブシステム１４０とアプリケーションプロセッサ１００のメイン中央処理装置１２０との通信を支援する。
クロック信号受信ユニット１４５は、センサモジュール２１０から既設定された周期で受信されるセンシングデータＳＤの処理に必要な動作速度に応じて、内部クロックソース１６０から内部クロック信号ＩＫを受信するか、又は、外部クロックソース２２０から外部サブクロック信号ＯＫ−２を受信する。つまり、センササブシステム１４０が動作するためのクロック信号としては、内部クロック信号ＩＫが選択されるか、又は、外部サブクロック信号ＯＫ−２が選択される。
図９は、クロック信号受信ユニット１４５が１つの内部クロック信号ＩＫと１つの外部サブクロック信号ＯＫ−２のうちから１つを選択的に受信する場合を示しているが、クロック信号受信ユニット１４５は、複数の内部クロック信号ＩＫ及び複数の外部サブクロック信号ＯＫ−２のうちから１つを選択的に受信する場合もある。上述したように、内部クロックソース１６０はオンチップオシレータ又はリアルタイムクロックとして具現され、外部クロックソース２２０はオフチップオシレータに接続される位相固定ループとして具現される。従って、センササブシステム１４０は相対的に高い性能が要求される場合には、外部クロックソース２２０から受信される外部サブクロック信号ＯＫ−２に基づいて動作し、相対的に低い性能が要求される場合には、内部クロックソース１６０から受信される内部クロック信号ＩＫに基づいて動作する。
【００７７】
温度センシングユニット１４６は、周辺温度をセンシング（ｓｅｎｓｉｎｇ）してセンシング温度情報を生成するか、又は、センシング温度情報を受信する。この時、周辺温度はアプリケーションプロセッサ１００の温度に相当するか、又は、モバイル機器の温度に相当する。一実施形態において、温度センシングユニット１４６は周辺温度をセンシングしてセンシング温度情報を直接生成する。他の実施形態において、温度センシングユニット１４６は内部通信ユニット１４４を通じてアプリケーションプロセッサ１００のメイン中央処理装置１２０からセンシング温度情報を受信する。従来には周辺温度と関係なく周辺温度が最悪である場合（ｗｏｒｓｔ  ｃａｓｅ）を仮定してセンサモジュール２１０のウェイクアップタイム（ｗａｋｅ−ｕｐ  ｔｉｍｅ）及びデータリードタイム（ｄａｔａ−ｒｅａｄ  ｔｉｍｅ）を決めた。その結果、従来のアプリケーションプロセッサでは日常的な周辺温度（即ち、周辺温度が最悪ではない場合）でもセンサモジュール２１０からセンシングデータＳＤを受信する場合でも不要に長時間の待機を要するという問題があった。
本実施形態によれば、センササブシステム１４０はセンシング温度情報に基づいてセンサモジュール２１０のウェイクアップタイム及びデータリードタイムを調節し適宜短縮することによって消費電力を減少できる。即ち、センササブシステム１４０は、センサモジュール２１０のウェイクアップタイム及びデータリードタイムを短縮できる場合、その分、データ処理時間（ｄａｔａ−ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  ｔｉｍｅ）を増加してセンシングデータＳＤの処理に必要な動作速度を低減できる。つまり、センサモジュール２１０のウェイクアップタイム及びデータリードタイムが減少した分、データ処理時間を増加させるので、センシングデータＳＤの処理に使用できる時間が増加してセンシングデータＳＤの処理に必要な動作速度が減少する。一実施形態において、センササブシステム１４０はセンシング温度情報とセンサモジュール２１０のウェイクアップタイム及びデータリードタイムをマッチング（ｍａｔｃｈｉｎｇ）させたマッチングテーブル（ｍａｔｃｈｉｎｇ  ｔａｂｌｅ）を利用してセンサモジュール２１０のウェイクアップタイム及びデータリードタイムを調節する。他の実施形態において、センササブシステム１４０はセンシング温度情報に基づくセンサモジュール２１０のウェイクアップタイム及びデータリードタイムをリアルタイムで計算することによって、センサモジュール２１０のウェイクアップタイム及びデータリードタイムを調節する。
【００７８】
このようにアプリケーションプロセッサ１００は、センササブシステム１４０及び内部クロックソース１６０を備え、アクティブモード又はスリープモードの何れの場合においても、センサモジュール２１０が既設定された周期で外部状態をセンシングする時、センササブシステム１４０がセンサモジュール２１０から受信されるセンシングデータＳＤの処理を行うように制御する。この時、センササブシステム１４０はセンシングデータＳＤの処理に必要な動作速度に応じて、内部クロックソース１６０又は外部クロックソース２２０からクロック信号を選択的に受信するので、アプリケーションプロセッサ１００はセンシングデータＳＤの処理を効率的に実行（即ち、性能要求及び消費電力減少を同時に満足）できる。
一方、センササブシステム１４０は、センシングデータＳＤの処理に必要な動作速度が外部クロックソース２２０から受信される外部サブクロック信号ＯＫ−２でも満足されない場合、内部通信ユニット１４４を利用してメイン中央処理装置１２０を活性化する。この場合、アプリケーションプロセッサ１００の動作モードがスリープモードからアクティブモードに切り替わり、メイン中央処理装置１２０が外部クロックソース２２０から受信される外部メインクロック信号ＯＫ−１に基づいて動作し、センササブシステム１４０によるセンシングデータＳＤの処理を補助する。その際、上述のように、センササブシステム１４０はセンシング温度情報に基づいてセンサモジュール２１０のウェイクアップタイム及びデータリードタイムを調節する方式で、センシングデータＳＤの処理に必要な動作速度を下げて消費電力を減少できる。
実施形態により、メイン中央処理装置１２０が外部メインクロック信号ＯＫ−１に基づいて所定の動作を行う途中、センシングデータＳＤの処理に必要な動作速度が低くなる場合、消費電力を減らすためにアプリケーションプロセッサ１００の動作モードはアクティブモードからスリープモードに切り替わる。さらに、アプリケーションプロセッサ１００に要求される条件に応じて、アプリケーションプロセッサ１００の動作モードがアクティブモードからスリープモードに切り替わると、メイン中央処理装置１２０が行っていた所定の動作をセンササブシステム１４０が行う。
【００７９】
図１０は図９のセンササブシステムに入力されるクロック信号がセンシング温度情報に基づいて選択される一例を示すフローチャートであり、図１１は図９のセンササブシステムに入力されるクロック信号がセンシング温度情報に基づいて選択される一例を示す状態遷移概念図である。
【００８０】
図１０及び図１１を参照すると、センササブシステム１４０は、周辺温度をセンシングしてセンシング温度情報を生成し（ステップＳ３１０）、生成された前記センシング温度情報に基づいてセンサモジュール２１０のウェイクアップタイム及びデータリードタイムを調節し（ステップＳ３２０）、調節された前記ウェイクアップタイム及び前記データリードタイムに基づいてデータ処理時間を決定し（ステップＳ３３０）、決定された前記データ処理時間に基づいてセンシングデータＳＤの処理に必要な動作速度を決定する（ステップＳ３４０）。
【００８１】
上述したように、アプリケーションプロセッサ１００は、アクティブモード又はスリープモードの何れの場合にあっても、センササブシステム１４０が内部クロックソース１６０から受信される内部クロック信号ＩＫ又は外部クロックソース２２０から受信される外部サブクロック信号ＯＫ−２に基づいてセンシングデータＳＤの処理を行うように制御する。また、アプリケーションプロセッサ１００は、アクティブモードにおいては、メイン中央処理装置１２０が外部クロックソース２２０から受信される外部メインクロック信号ＯＫ−１に基づいて所定の動作を行うように制御し、反面、スリープモードにおいては、メイン中央処理装置１２０を動作させない。この時、センササブシステム１４０はセンシング温度情報に基づいてセンサモジュール２１０のウェイクアップタイム及びデータリードタイムを調節する方式で、センシングデータＳＤの処理に必要な動作速度を下げて消費電力を減少させる。
図１１は、アプリケーションプロセッサ１００の内部状態の決定に際して、他の与件が全部同一であると仮定し、センサモジュール２１０のウェイクアップタイム及びデータリードタイムに基づいてアプリケーションプロセッサ１００の内部状態が決定される場合を示している。図１１において、第１内部状態４１０はアプリケーションプロセッサ１００のアクティブモードに対応し、第２内部状態４２０及び第３内部状態４３０はアプリケーションプロセッサ１００のスリープモードに対応する。従って、第１内部状態４１０は、メイン中央処理装置１２０が外部メインクロック信号ＯＫ−１に基づいて所定の動作を行うと同時に、センササブシステム１４０が内部クロック信号ＩＫ又は外部サブクロック信号ＯＫ−２に基づいてセンシングデータＳＤの処理を行う状態を示し、第２内部状態４２０は、メイン中央処理装置１２０が動作しないが、センササブシステム１４０が内部クロック信号ＩＫに基づいてセンシングデータＳＤの処理を行う状態を示し、第３内部状態４３０は、メイン中央処理装置１２０は動作しないが、センササブシステム１４０が外部サブクロック信号ＯＫ−２に基づいてセンシングデータＳＤの処理を行う状態を示す。
【００８２】
具体的に、アプリケーションプロセッサ１００が当初、第１内部状態４１０にある場合、センシング温度情報に基づいてセンサモジュール２１０のウェイクアップタイム及びデータリードタイムを減少することによってデータ処理時間が増加すると、センシングデータＳＤの処理に必要な動作速度が第２閾値ＶＴＨ−２以下に減少し、動作モードがアクティブモードからスリープモードに切り替わる。そこで、アプリケーションプロセッサ１００は第２内部状態４２０又は第３内部状態４３０となる（即ち、遷移ＯＰＢ、又は、遷移ＯＰＦ）。つまり、センサモジュール２１０のウェイクアップタイム及びデータリードタイムが減少した分、データ処理時間が増加するので、センシングデータＳＤの処理に使用できる時間が増加してセンシングデータＳＤの処理に必要な動作速度が減少する。
一方、アプリケーションプロセッサ１００が当初、第２内部状態４２０にある場合、センシング温度情報に基づいてセンサモジュール２１０のウェイクアップタイム及びデータリードタイムを増加することによってデータ処理時間が減少すると、センシングデータＳＤの処理に必要な動作速度が第１閾値ＶＴＨ−１以上に増加し、第３内部状態４３０となる（即ち、遷移ＯＰＤ）。反面、アプリケーションプロセッサ１００が当初、第３内部状態４３０にある場合、センシング温度情報に基づいてセンサモジュール２１０のウェイクアップタイム及びデータリードタイムが減少することによってデータ処理時間が増加すると、センシングデータＳＤの処理に必要な動作速度が第１閾値ＶＴＨ−１以下に減少して、第２内部状態４２０となる（即ち、遷移ＯＰＣ）。
さらに、アプリケーションプロセッサ１００が当初、第２内部状態４２０又は第３内部状態４３０にある場合、センシング温度情報に基づいてセンサモジュール２１０のウェイクアップタイム及びデータリードタイムが増加することによってデータ処理時間が減少すると、センシングデータＳＤの処理に必要な動作速度が第２閾値ＶＴＨ−２以上に増加し、動作モードがアクティブモードからスリープモードに切り替わる。そこで、アプリケーションプロセッサ１００は第１内部状態４１０となる（即ち、遷移ＯＰＡ、又は遷移ＯＰＥ）。このように、アプリケーションプロセッサ１００の内部状態が決定される場合、他の条件が全部同一であると仮定すると、第１内部状態４１０は第１温度範囲に対応し、第２内部状態４２０は第２温度範囲に対応し、第３内部状態４３０は第３温度範囲に対応する。但し、これは１つの例示に過ぎず、本発明はこれに限定されない。
【００８３】
図１２は図９のセンササブシステムがセンシング温度情報に基づいてセンサモジュールのウェイクアップタイム及びデータリードタイムを決める一例を示す図であり、図１３及び図１４は図９のセンササブシステムがセンシング温度情報に基づいてクロック信号を選択する例示的なシナリオを示す図である。
【００８４】
図１２、図１３、及び図１４を参照すると、センササブシステム１４０は周辺温度をセンシングして生成したセンシング温度情報に基づいて既設定された時間ＰＲＴ内でセンサモジュール２１０のウェイクアップタイムＷＵＴ及びデータリードタイムＤＲＴを調節して、前記ウェイクアップタイムＷＵＴ及び前記データリードタイムＤＲＴに基づいてデータ処理時間ＤＰＴを決定する。一実施形態において、既設定された時間ＰＲＴは周辺温度が最悪である場合（ｗｏｒｓｔ  ｃａｓｅ）、センサモジュール２１０のウェイクアップタイム、データリードタイム及びデータ処理時間の和（ｓｕｍ）で決定される。
図１３は、周辺温度が最悪である場合に決定されたセンサモジュール２１０のウェイクアップタイムＷＵＴ、データリードタイムＤＲＴ及びデータ処理時間ＤＰＴを示し、図１４は周辺温度がセンシンドェオ生成されたセンシング温度情報に基づいて決定されたセンサモジュール２１０のウェイクアップタイムＷＵＴ、データリードタイムＤＲＴ及びデータ処理時間ＤＰＴを示す。図１３及び図１４に示したように、センササブシステム１４０はセンシング温度情報に基づいてセンサモジュール２１０のウェイクアップタイムＷＵＴ及びデータリードタイムＤＲＴが減少した分、データ処理時間ＤＲＴを増加できるので、センシングデータＳＤの処理に使用できる時間が増加して、センシングデータＳＤの処理に必要な動作速度を減少できる。
図１３に示したように、周辺温度が最悪である場合にはセンサモジュール２１０のウェイクアップタイムＷＵＴ及びデータリードタイムＤＲＴが増加してデータ処理時間ＤＰＴを減少する必要がある。その結果、センシングデータＳＤの処理に使用できる時間が減少して、センシングデータＳＤの処理に必要な動作速度が増加する。即ち、図１３では、センシングデータＳＤの処理に相対的に高い動作速度ＨＩＧＨ−ＦＲＱが要求されるので、センササブシステム１４０は外部クロックソース２２０から外部サブクロック信号ＯＫ−２を受信する。
反面、図１４に示したように、センシング温度情報に基づいてセンサモジュール２１０のウェイクアップタイムＷＵＴ及びデータリードタイムＤＲＴが減少すると、データ処理時間ＤＲＴを増加できる。その結果、センシングデータＳＤの処理に使用できる時間が増加して、センシングデータＳＤの処理に必要な動作速度が減少できる。即ち、図１４ではセンシングデータＳＤの処理に相対的に低い動作速度ＬＯＷ−ＦＲＱが要求されるので、センササブシステム１４０は内部クロックソース１６０から内部クロック信号ＩＫを受信する。
このように、センササブシステム１４０はセンシング温度情報に基づいてセンシングデータＳＤの処理に必要な動作速度を調節して、前記動作速度に基づいてセンササブシステム１４０が内部クロックソース１６０又は外部クロックソース２２０からクロック信号を選択的に受信するように制御するので、センシングデータＳＤの処理を効率的に実行（即ち、性能要求及び消費電力減少を同時に満足）できる。
【００８５】
図１５は図１のアプリケーションプロセッサに備わるセンササブシステムのバイパス動作とライブラリ動作を示すブロック図である。
【００８６】
図１５を参照すると、センササブシステム１４０は、ライブラリ動作４６０又はバイパス動作４７０を行う。具体的に、センササブシステム１４０はアプリケーションプロセッサ１００がアクティブモード又はスリープモードの何れにある場合にも、センサモジュール２１０からセンシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎを受信し、前記センシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎに基づいて加工データ４８０−１，４８０−２を生成し、前記加工データ４８０−１，４８０−２をアプリケーションプロセッサ１００のメイン中央処理装置１２０に伝達するライブラリ動作４６０を行うこともでき、アプリケーションプロセッサ１００のアクティブモード又はスリープモードでセンサモジュール２１０からセンシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎを受信し、前記センシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎをアプリケーションプロセッサ１００のメイン中央処理装置１２０に伝達するバイパス動作４７０を行うこともできる。
一方、実施形態により、アプリケーションプロセッサ１００がアクティブモードにある場合に、メイン中央処理装置１２０はセンササブシステム１４０を経ないで、センサモジュール２１０からセンシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎを直接受信できる。センシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎはセンサモジュール２１０から生成される。このようなセンサモジュール２１０は、回転角速度を測定するジャイロセンサモジュール、速度及び運動量を測定する加速度センサモジュール、羅針盤役割を担う地磁場センサ（ｇｅｏｍａｇｎｅｔｉｃ  ｆｉｅｌｄ  ｓｅｎｓｏｒ  ｍｏｄｕｌｅ）モジュール、高度を測定する気圧計センサモジュール、動作認識、接近探知、照度測定などを遂行するジェスチャ−近接−照度−ＲＧＢセンサモジュール（ｇｅｓｔｕｒｅ−ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ−ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ−ＲＧＢ  ｓｅｎｓｏｒ  ｍｏｄｕｌｅ）、温度及び湿度を測定する温湿度センサモジュール、使用者がモバイル機器を手に握ったかを判断するグリップセンサモジュールなどを含む。但し、センサモジュール２１０の種類はこれに限定されない。
【００８７】
センササブシステム１４０はアプリケーションプロセッサ１００がアクティブモード又はスリープモードの何れにある場合でも、バッテリがロー（ｌｏｗ）バッテリ状態にある場合、センサモジュール２１０のうちの一部をパワーオフし、センシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎの処理に必要な動作速度を減少できる。一実施形態において、センササブシステム１４０がアプリケーションプロセッサ１００のアクティブモード又はスリープモードの何れにある場合でも、ライブラリ動作４６０を行う際に、バッテリがローバッテリ状態にある場合、相対的に重要度が低いセンサモジュール２１０をパワーオフする。例えば、センササブシステム１４０はアプリケーションプロセッサ１００のアクティブモード又はスリープモードの何れにある場合でも、ライブラリ動作４６０を行って位置データを生成するが、気圧計センサモジュールは加速センサモジュール、ジャイロセンサモジュール、地磁場センサモジュールなどに比べて相対的に重要度が低いので、前記気圧計センサモジュールをパワーオフできる。その結果、センササブシステム１４０は受信されるセンシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎの個数を減少し、センシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎの処理に必要な動作速度を減少できる。つまり、センササブシステム１４０は、センシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎの処理を行う際に正確度を低くする代わりに電力消費を減少できる。
他の実施形態において、センササブシステム１４０はアプリケーションプロセッサ１００がアクティブモード又はスリープモードの何れにある場合でも、バイパス動作４７０を行う際に、バッテリがローバッテリ状態にある場合、センサモジュール２１０のセンシング動作回数を減少することによってセンシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎの処理に必要な動作速度を減少できる。例えば、センササブシステム１４０がアプリケーションプロセッサ１００のメイン中央処理装置１２０に毎秒１０回のセンシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎを提供する場合を仮定して、センサモジュール２１０がセンシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎを生成（実測）してセンササブシステム１４０に提供すると、センササブシステム１４０は実測されたセンシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎを９回コピーした後、１つの実測されたセンシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎと９つのコピーされたセンシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎをアプリケーションプロセッサ１００のメイン中央処理装置１２０に提供する。このような方式で、センササブシステム１４０はセンシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎの処理を行うことにより、正確度を低くする代わりに電力消費を減少できる。
【００８８】
このように、センササブシステム１４０は、アプリケーションプロセッサ１００がアクティブモード又はスリープモードの何れにある場合でも、ライブラリ動作４６０又はバイパス動作４７０を行うことにより、バッテリ状態に基づいて（即ち、バッテリが正常（ｎｏｒｍａｌ）なバッテリ状態にあるか、又はロー（ｌｏｗ）バッテリ状態にあるかに応じて）、センサモジュール２１０へのアクセス量（例えば、アクセス回数など）を変更できる。そこで、センササブシステム１４０は、センシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎの処理を行う際に、バッテリがローバッテリ状態にある場合、正確度を低くする代わりに電力消費を減少できる。
さらに、センササブシステム１４０は、アプリケーションプロセッサ１００のアクティブモード又はスリープモードの何れにある場合でも、バッテリがロー（ｌｏｗ）バッテリ状態にある場合、センシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎの処理に必要な動作速度を減少できるので、センシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎの処理に必要な動作速度に応じて、内部クロックソース１６０又は外部クロックソース２２０からクロック信号を選択的に受信すればよい。
そこで、アプリケーションプロセッサ１００はセンシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎの処理を効率的に実行（即ち、性能要求及び消費電力減少を同時に満足）できる。一方、実施形態によって、センササブシステム１４０は、バッテリがローバッテリ状態にある場合、センサモジュール２１０のうちの一部をパワーオフし、センシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎの処理に必要な動作速度を減少する動作をソフトウェア的に具現できる。
同様に、センササブシステム１４０は、バッテリがローバッテリ状態にある場合、センサモジュール２１０のセンシング動作回数を減少して、センシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎの処理に必要な動作速度を減少する動作もソフトウェア的に具現できる。但し、これは一例示に過ぎず、これに限定されない。
【００８９】
図１６は図１のアプリケーションプロセッサに備わるセンササブシステムでバッテリ状態に基づいてクロック信号が選択される一例を示すフローチャートであり、図１７は図１のアプリケーションプロセッサに備わるセンササブシステムでバッテリ状態に基づいてクロック信号が選択される一例を示す状態遷移概念図である。
【００９０】
図１６及び図１７を参照すると、センササブシステム１４０は、アプリケーションプロセッサ１００がアクティブモード又はスリープモードの何れにあって動作する場合でも（ステップＳ４１０）、バッテリがローバッテリ状態にあるかどうかを確認する（ステップＳ４２０）。この時、バッテリがローバッテリ状態にある場合、センシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎの処理に必要な動作速度を減少（ステップＳ４３０）し、バッテリがローバッテリ状態にない場合（即ち、バッテリが正常バッテリ状態にある場合）、センシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎの処理に必要な動作速度を維持（ステップＳ４４０）する。
【００９１】
上述したように、アプリケーションプロセッサ１００は、アクティブモード又はスリープモードの何れにある場合でも、センササブシステム１４０が内部クロックソース１６０から受信される内部クロック信号ＩＫ又は外部クロックソース２２０から受信される外部サブクロック信号ＯＫ−２の何れかに基づいてセンシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎの処理を行うように制御する。また、アプリケーションプロセッサ１００は、アクティブモードにおいてメイン中央処理装置１２０が外部クロックソース２２０から受信される外部メインクロック信号ＯＫ−１に基づいて所定の動作を行うようにする反面、スリープモードにおいてメイン中央処理装置１２０を動作させない。同時に、アプリケーションプロセッサ１００はアクティブモード又はスリープモードの何れにある場合でも、センササブシステム１４０が内部クロックソース１６０から受信される内部クロック信号ＩＫ又は外部クロックソース２２０から受信される外部サブクロック信号ＯＫ−２に基づいてセンシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎの処理を行うように制御する。
この時、センササブシステム１４０はセンサモジュール２１０からのセンシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎに基づいて加工データ４８０−１，４８０−２を生成して、前記加工データ４８０−１，４８０−２をメイン中央処理装置１２０に伝達するライブラリ動作４６０、又は、センシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎを直接、メイン中央処理装置１２０に伝達するバイパス動作４７０を行う際に、バッテリがローバッテリ状態にある場合、センサモジュール２１０のうちの一部をパワーオフするか、又は、センサモジュール２１０のセンシング動作回数を減少する方式で、センシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎの処理に必要な動作速度を減少できる。
図１７は、アプリケーションプロセッサ１００の内部状態の決定に際して、他の与件は全部同一であると仮定し、バッテリ状態に基づいてアプリケーションプロセッサ１００の内部状態が決定区分される場合を示している。図１７において、第１内部状態５１０はアプリケーションプロセッサ１００のアクティブモードに対応し、第２内部状態５２０及び第３内部状態５３０は、アプリケーションプロセッサ１００のスリープモードに対応する。従って、第１内部状態５１０は、メイン中央処理装置１２０が外部メインクロック信号ＯＫ−１に基づいて所定の動作を行うと同時に、センササブシステム１４０が内部クロック信号ＩＫ又は外部サブクロック信号ＯＫ−２に基づいてセンシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎの処理を行う状態を示し、第２内部状態５２０は、メイン中央処理装置１２０が動作しないが、センササブシステム１４０が内部クロック信号ＩＫに基づいてセンシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎの処理を行う状態を示し、第３内部状態５３０は、メイン中央処理装置１２０が動作はしないが、センササブシステム１４０が外部サブクロック信号ＯＫ−２に基づいてセンシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎの処理を行う状態を示す。
【００９２】
具体的に、アプリケーションプロセッサ１００が当初、第１内部状態５１０にある場合、バッテリ状態に基づいてセンシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎの処理に必要な動作速度が第２閾値ＶＴＨ−２以下に減少すると、動作モードがアクティブモードからスリープモードに切り替わる。そこで、アプリケーションプロセッサ１００は第２内部状態５２０又は第３内部状態５３０となる（即ち、遷移ＯＰＢ、又は、遷移ＯＰＦ）。
一方、アプリケーションプロセッサ１００が当初、第２内部状態５２０にある場合、バッテリ状態に基づいてセンシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎの処理に必要な動作速度が第１閾値ＶＴＨ−１以上に増加すると、第３内部状態５３０となる（即ち、遷移ＯＰＤ）。反面、アプリケーションプロセッサ１００が当初、第３内部状態５３０にある場合、バッテリ状態に基づいてセンシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎの処理に必要な動作速度が第１閾値ＶＴＨ−１以下に減少すると、第２内部状態５２０となる（即ち、遷移ＯＰＣ）。
さらに、アプリケーションプロセッサ１００が当初、第２内部状態５２０又はび第３内部状態５３０にある場合、バッテリ状態に基づいてセンシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎの処理に必要な動作速度が第２閾値ＶＴＨ−２以上に増加すると、動作モードがスリープモードからアクティブモードに切り替わる。そこでアプリケーションプロセッサ１００は第１内部状態５１０となる（即ち、遷移ＯＰＡ、又は遷移ＯＰＥ）。
一方、バッテリ状態はバッテリが使用されるにつれてローバッテリ状態になり、バッテリが充電などで正常バッテリ状態になる。このように、アプリケーションプロセッサ１００の内部状態が決定される際に、他の条件は全部同一であると仮定すれば、第１内部状態５１０は正常バッテリ状態に対応し、第２内部状態５２０は第１ローバッテリ状態に対応し、第３内部状態５３０は第２ローバッテリ状態に対応することができる。但し、これは一例示に過ぎず、本発明はこれに限定されない。
【００９３】
図１８は図１のアプリケーションプロセッサに備わるセンササブシステムがバッテリ状態に基づいてクロック信号を選択する例示的なシナリオを示す図である。
【００９４】
図１８を参照すると、センササブシステム１４０はバッテリ状態に基づいて（即ち、バッテリが正常バッテリ状態にあるか、又は、ローバッテリ状態にあるかに応じて）、センサモジュール２１０へのアクセス量（例えば、アクセス回数）を変更することによって、センシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎの処理に必要な動作速度を変更できる。図１８に示したように、センササブシステム１４０はアプリケーションプロセッサ１００がアクティブモード又はスリープモードの何れにある場合でも、センシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎに基づいて加工データ４８０−１，４８０−２を生成して前記加工データ４８０−１，４８０−２をメイン中央処理装置１２０に伝達するライブラリ動作４６０、又は、センシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎを直接、メイン中央処理装置１２０に伝達するバイパス動作４７０を行う際に、バッテリがローバッテリ状態にある場合、センサモジュール２１０のうちの一部をパワーオフするか、又は、センサモジュール２１０のセンシング動作回数を減少する。その結果、バッテリが正常バッテリ状態にある場合にはセンシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎの処理に必要な動作速度を維持でき（即ち、高い動作速度ＨＩＧＨ−ＦＲＱ）、バッテリがローバッテリ状態である場合にはセンシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎの処理に必要な動作速度を減少できる（即ち、低い動作速度ＬＯＷ−ＦＲＱ）。
一実施形態において、センササブシステム１４０はバッテリ状態に基づいてセンシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎの処理に必要な動作速度を第２閾値ＶＴＨ−２以下に減少し、アプリケーションプロセッサ１００の動作モードをアクティブモードからスリープモードに切り換える。また、センササブシステム１４０はバッテリ状態に基づいてセンシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎの処理に必要な動作速度を第２閾値ＶＴＨ−２以上に増加し、アプリケーションプロセッサ１００の動作モードをスリープモードからアクティブモードに切り換える。
他の実施形態において、センササブシステム１４０はバッテリ状態に基づいてセンシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎの処理に必要な動作速度を第１閾値ＶＴＨ−１以下に減少して、内部クロックソース１６０から受信される内部クロック信号ＩＫに基づいて動作する。また、センササブシステム１４０はバッテリ状態に基づいてセンシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎの処理に必要な動作速度を第１閾値ＶＴＨ−１以上に増加して、外部クロックソース２２０から受信される外部サブクロック信号ＯＫ−２に基づいて動作する。このように、センササブシステム１４０はバッテリ状態に基づいてセンシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎの処理に必要な動作速度を調節するので、センシングデータ４５０−１，…，４５０−ｎの処理を効率的に実行（即ち、性能要求及び消費電力減少を同時に満足）できる。
【００９５】
図１９は本発明の実施形態に係るモバイル機器を示すブロック図であり、図２０は図１９のモバイル機器がスマートフォンで具現される一例を示す図である。
【００９６】
図１９及び図２０を参照すると、モバイル機器６００は、アプリケーションプロセッサ６１０、外部クロックソース６２０、センサモジュール６３０、複数の機能モジュール６４０−１，…，６４０−ｋ、メモリモジュール６５０、入出力モジュール６６０及び電力管理集積回路６７０を含んでもよい。この時、アプリケーションプロセッサ１００はアクティブモードにおいて外部クロックソース６２０から受信される外部メインクロック信号に基づいて動作するメイン中央処理装置６１２、内部クロック信号を生成する内部クロックソース６１６、及びアクティブモード又はスリープモードの何れの場合でも、内部クロックソース６１６から受信される内部クロック信号或いは外部クロックソース６２０から受信される外部サブクロック信号の何れかに基づいてセンサモジュール６３０から既設定された周期で受信されるセンシングデータの処理を行うセンササブシステム６１４を含む。
但し、図１９においては、１つの外部クロックソース６２０と１つの内部クロックソース６１６を示しているが、これらは複数個あってもよい。一方、図２０に示したように、モバイル機器６００は例えばスマートフォンとして具現される。
【００９７】
アプリケーションプロセッサ６１０はモバイル機器６００の全般的な動作を制御する。即ち、アプリケーションプロセッサ６１０は外部クロックソース６２０、センサモジュール６３０、複数の機能モジュール６４０−１，…，６４０−ｋ、メモリモジュール６５０、入出力モジュール６６０、電力管理集積回路６７０などを制御する。この時、アプリケーションプロセッサ６１０は、アクティブモード又はスリープモードの何れかのモードにあって、センシングデータの処理を外部クロックソース６２０から受信される外部サブクロック信号或いは内部クロックソース６１６から受信される内部クロック信号に基づいて行う。
一実施形態において、センササブシステム６１４は、メモリ装置を備えたメモリユニット、センサモジュール６３０と通信する外部インターフェーシングユニット、メイン中央処理装置６１２と通信する内部通信ユニット、センシングデータの処理に必要な動作速度に応じて内部クロック信号或いは外部サブクロック信号を選択的に受信するクロック信号受信ユニット、及びこれらを制御する中央処理ユニットを含む。他の実施形態において、センササブシステム６１４は周辺温度をセンシングしてセンシング温度情報を生成するか又は前記センシング温度情報を受信する温度センシングユニットをさらに含む。但し、これらについては上述したので、繰り返す説明は省略する。
【００９８】
外部クロックソース６２０は、外部メインクロック信号及び外部サブクロック信号を生成する。一実施形態では、外部メインクロック信号を生成する外部クロックソース６２０と外部サブクロック信号を生成する外部クロックソース６２０は、別個に備えられる。一方、外部クロックソース６２０は、アプリケーションプロセッサ６１０のアクティブモードで外部メインクロック信号をメイン中央処理装置６１２に提供し、アプリケーションプロセッサ６１０のアクティブモード又はスリープモードの何れの場合にあっても、外部サブクロック信号をセンササブシステム６１４に提供する。センサモジュール６３０は、センシング動作を行う。この時、センサモジュール６３０は、回転角速度を測定するジャイロセンサモジュール、速度及び運動量を測定する速度センサモジュール、羅針盤の役割を担う地磁気センサモジュール、高度を測定する気圧計センサモジュール、動作認識、接近探知、照度測定などを行うジェスチャ−近接−照度−ＲＧＢセンサモジュール、温度及び湿度を測定する温湿度センサモジュール、使用者がモバイル機器を手に握ったかを判断するグリップセンサモジュールなどを含み得る。但し、センサモジュール６３０の種類がこれらに限定されないことは明らかであろう。
複数の機能モジュール６４０−１，…，６４０−ｋは、モバイル機器６００の多様な機能の各々を行う。例えば、モバイル機器６００は、通信機能を行うための通信モジュール（例えば、ＣＤＭＡ（ｃｏｄｅ  ｄｉｖｉｓｉｏｎ  ｍｕｌｔｉｐｌｅ  ａｃｃｅｓｓ）モジュール、ＬＴＥ（ｌｏｎｇ  ｔｅｒｍ  ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）モジュール、ＲＦ（ｒａｄｉｏ  ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）モジュール、ＵＷＢ（ｕｌｔｒａ  ｗｉｄｅｂａｎｄ）モジュール、ＷＬＡＮ（ｗｉｒｅｌｅｓｓ  ｌｏｃａｌ  ａｒｅａ  ｎｅｔｗｏｒｋ）モジュール、ＷＩＭＡＸ（ｗｏｒｌｄｗｉｄｅ  ｉｎｔｅｒｏｐｅｒａｂｉｌｉｔｙ  ｆｏｒ  ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  ａｃｃｅｓｓ）モジュールなど）、カメラ機能を行うためのカメラモジュールなどの機能モジュールを含み得る。一実施形態によれば、モバイル機器６００は、ＧＰＳ（ｇｌｏｂａｌ  ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ  ｓｙｓｔｅｍ）モジュール、マイクモジュール、スピーカモジュールなどをさらに含む。但し、モバイル機器６００に備わる複数の機能モジュール６４０−１，…，６４０−ｋの種類はこれらに限定されないことは明らかであろう。
【００９９】
メモリモジュール６５０は、モバイル機器６００の動作に必要なデータを保存する。例えば、メモリモジュール６５０は、ＤＲＡＭ装置、ＳＲＡＭ装置、モバイルＤＲＡＭ装置などの揮発性メモリ装置、及び／又はＥＰＲＯＭ装置、ＥＥＰＲＯＭ装置、フラッシュメモリ装置、ＰＲＡＭ装置、ＲＲＡＭ（登録商標）装置、ＮＦＧＭ装置、ＰｏＲＡＭ装置、ＭＲＡＭ装置、ＦＲＡＭ（登録商標）装置などの不揮発性メモリ装置を含み得る。一実施形態によれば、メモリモジュール６５０は、ＳＳＤ（ｓｏｌｉｄ  ｓｔａｔｅ  ｄｒｉｖｅ）、ＨＤＤ（ｈａｒｄ  ｄｉｓｋ  ｄｒｉｖｅ）、ＣＤ−ＲＯＭなどをさらに含む。入出力モジュール６６０は、表示機能を行うための表示モジュール、タッチ入力機能を行うためのタッチパネルモジュールなどを含み得る。
このように、アプリケーションプロセッサ６１０はセンササブシステム６１４及び内部クロックソース６１６を備え、アクティブモード又はスリープモードの何れの場合にあっても、センサモジュール６３０が既設定された周期で外部状態をセンシングする時、センササブシステム６１４がセンサモジュール６３０から受信するセンシングデータの処理を行うように制御する。この時、センササブシステム６１４は、センシングデータの処理に必要な動作速度に応じて内部クロックソース６１６又は外部クロックソース６２０からクロック信号を選択的に受信するので、センシングデータの処理を効率的に実行（即ち、性能要求及び消費電力減少を同時に満足）できる。さらに、アプリケーションプロセッサ６１０においてセンササブシステム６１４は、周辺温度及びバッテリ状態に基づいてセンシングデータの処理に必要な動作速度を調節することによって、センシングデータの処理をより一層効率的に実行でき、その結果、モバイル機器６００は外部状態を２４時間の間、効率的にモニタリングできる。
【０１００】
図２１は本発明の実施形態に係るアプリケーションプロセッサのためのクロック信号選択方法を示すフローチャートである。
【０１０１】
図２１を参照すると、図２１のクロック信号選択方法は、アプリケーションプロセッサがアクティブモード又はスリープモードの何れの場合にあっても、センサモジュールから既設定された周期で受信されるセンシングデータの処理を行う際に、アプリケーションプロセッサの内部に位置するセンササブシステムがセンサモジュールからセンシングデータを受信すると（ステップＳ５１０）、前記センササブシステムが前記センシングデータの処理に必要な動作速度を計算（ステップＳ５２０）した後、前記センササブシステムが前記センシングデータの処理に必要な、計算された動作速度に基づいてアプリケーションプロセッサの内部に位置する内部クロックソース又はアプリケーションプロセッサの外部に位置する外部クロックソースからクロック信号を選択的に受信（ステップＳ５３０）する。
その結果、図２１のクロック信号生成方法によれば、アプリケーションプロセッサのアクティブモード又はスリープモードの何れの場合にあっても、センサモジュールが既設定された周期で外部状態をセンシングする時、アプリケーションプロセッサ内部のセンササブシステムは、センサモジュールから受信するセンシングデータの処理を実行できる。この時、図２１のクロック信号生成方法によれば、センシングデータの処理に必要な動作速度に応じてセンササブシステムが内部クロックソース又は外部クロックソースからクロック信号を選択的に受信するので、センシングデータの処理を効率的に実行（即ち、性能要求及び消費電力減少が同時に満足）できる。但し、これらに関しては上述したので、繰り返す説明は省略する。
【０１０２】
以上、本発明の実施形態に係るアプリケーションプロセッサ、それを備えるモバイル機器、及びそのクロック信号生成方法について添付図面を参照しながら詳細に説明したが、上記説明は例示的であって、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、該当技術の分野における通常の知識を有する者によって修正及び変更できるであろう。例えば、上記において、センササブシステムがアプリケーションプロセッサ内に備わる場合を説明したが、上述した動作及び／又は機能を同一に行う範囲内で、センササブシステム（又は、ロジック回路）が所定のチップ（ｃｈｉｐ）に備わる場合も本発明の均等範囲に属する。一方、図１には説明の便宜上、内部クロックソース、外部クロックソース及びセンサモジュールが各々１つずつ示されているが、アプリケーションプロセッサ内部に位置する内部クロックソースの個数、アプリケーションプロセッサ外部に位置する外部クロックソースの個数、及びセンサモジュールは、各々複数個あってもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１０３】
本発明は、アプリケーションプロセッサを含む電子機器に多様に適用できる。例えば、本発明はコンピュータ、ノートパソコン、デジタルカメラ、ビデオカメラ、携帯電話、スマートフォン、スマートパッド、ＰＭＰ、ＰＤＡ、ＭＰ３プレーヤ、車両用ナビゲーション、ビデオフォン、監視システム、追跡システム、動作感知システム、イメージ安定化システムなどに適用できる。
【０１０４】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例又は修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【０１０５】
１００、６１０        アプリケーションプロセッサ
１２０、６１２        メイン中央処理装置
１４０、６１４        センササブシステム
１４１        中央処理ユニット
１４２        メモリユニット
１４３        外部インターフェーシングユニット
１４４        内部通信ユニット
１４５        クロック信号受信ユニット
１４６        温度センシングユニット
１６０、６１６        内部クロックソース
２１０、６３０        センサモジュール
２２０、６２０        外部クロックソース
３１０、３２０、３３０        第１、第２、第３内部状態
４１０、４２０、４３０        第１、第２、第３温度範囲
４５０−１、−２、−ｎ        センシングデータ
４８０−１、−２        加工データ
５１０、５２０、５３０        正常バッテリ状態、ローバッテリ状態−１、ローバッテリ状態−２
６００        モバイル機器
６４０−１、−ｋ        （複数の）機能モジュール
６５０        メモリモジュール
６６０        入出力モジュール
６７０        電力管理集積回路
【図１】
2014086086.tif 000003
【図２】
2014086086.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2014086086.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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