(57)【要約】【課題】急峻な温度分布を有し、隣接ビットへの影響なく記録ができる熱アシスト磁気記録用のビットパターン媒体（磁気記録媒体）を提供する。【解決手段】基板１と基板上に形成された磁気記録層４とを有する磁気記録媒体において、磁気記録層４は、磁性材料がビットパターンとして形成された記録領域６と、記録領域６の周辺を磁性材料よりも相対的に熱伝導率の高い非磁性材料で充填した充填層７とで構成される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と前記基板上に形成された磁気記録層とを有する磁気記録媒体において、
前記磁気記録層は、磁性材料がビットパターンとして形成された記録領域と、前記記録領域の周辺を前記磁性材料よりも相対的に熱伝導率の高い第一の非磁性材料で充填する充填層とを有することを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記第一の非磁性材料は、３Ｗ/ｍＫ以上の熱伝導率を有することを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記第一の非磁性層材料は、Ｍｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎのいずれかの元素を含む透明材料であることを特徴とする請求項２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
基板と前記基板上に形成された磁気記録層とを有する磁気記録媒体において、
前記磁気記録層は、磁性材料がビットパターンとして形成された記録領域と、前記記録領域の周辺を第一の非磁性材料で充填する充填層と、前記記録領域と前記充填層の間に設けられた前記充填層よりも相対的に熱伝導率の低い第二の非磁性材料からなる薄膜とを有することを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項５】
前記第二の非磁性材料は、前記記録領域を構成する磁性材料よりも相対的に熱伝導率が低いことを特徴とする請求項４に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記薄膜の膜厚は、０ｎｍよりも大きく、２ｎｍ以下であることを特徴とする請求項５に記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
前記第二の非磁性材料は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｒのいずれかの元素を含むことを特徴とする請求項６に記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
前記記録領域の上面と下面の面積の合計は、前記記録領域の側面の面積よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項９】
前記記録領域の上面と下面の面積の合計は、前記記録領域の側面の面積よりも小さいことを特徴とする請求項４に記載の磁気記録媒体。
【請求項１０】
前記記録領域のダウントラック方向の長さが６ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項１１】
前記記録領域のダウントラック方向の長さが６ｎｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載の磁気記録媒体。
【請求項１２】
前記記録領域直下にある領域を構成する材料の熱伝導率が前記第一の非磁性材料の熱伝導率よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項１３】
前記記録領域直下にある領域を構成する材料の熱伝導率が前記第一の非磁性材料の熱伝導率よりも小さいことを特徴とする請求項４に記載の磁気記録媒体。
【請求項１４】
近磁場光発光部と、前記近磁場光発光部からの光を用いて記録を行う磁気記録媒体とを備えた磁気記憶装置において、
前記磁気記録媒体は、磁性材料がビットパターンとして形成された記録領域と、前記記録領域の周辺を前記磁性材料よりも相対的に熱伝導率の高い第一の非磁性材料で充填する充填層とを有する磁気記録層を備えることを特徴とする磁気記憶装置。
【請求項１５】
前記充填層よりも相対的に熱伝導率の低い第二の非磁性材料からなる薄膜が、前記記録領域と前記充填層との間に設けられていることを特徴とする請求項１４に記載の磁気記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱アシスト磁気記録用の磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現代の情報化社会を支える情報記憶システムの１つとして、コンピュータ等に装着されている磁気ディスク装置は、高記録密度化と高速化及び小型化が急速に進んでいる。磁気ディスク装置の高記録密度化を実現するためには、磁気ディスクと磁気ヘッドの距離を狭めること、磁気記録媒体の磁性膜を構成する結晶粒径を微細化すること、磁気記録媒体の保磁力（異方性磁界）を増大させること、信号処理の高速化等が必要である。
【０００３】
高記録密度化を実現するために、磁気記録媒体においては、結晶粒径を微細化して、磁性粒子間に結晶粒界領域を設け、磁性粒子間の磁気的結合を弱めることでノイズを低減することが図られてきた。しかし、記録磁化を保持するためのエネルギーは磁性粒子の体積に比例しているため、磁性粒子の体積が小さくなると熱エネルギーに対する耐性が低下する（熱揺らぎ問題）。
【０００４】
この熱揺らぎ問題を解決するための一つの方法として、ビットパターン媒体（Bit Patterned Media；ＢＰＭ）が注目を浴びている（例えば、特許文献１）。これは、１粒子に１ビットの記録を行う方式である。本方式では、１ビットは規則的に配列された１つの磁性粒子（セル）に記録されるため、粒子の大きさはビットと同程度まで大きくすることが可能である。従って耐熱性に優れた媒体を提供できる。しかし、ＢＰＭにおいても、５Ｔｂ／ｉｎ２以上の面記録密度を達成するためには磁性粒子の更なる狭小化のために熱揺らぎ問題が予想される。従って、ＦｅＰｔ等の高Ｋｕ材料とともに熱アシスト記録との組み合わせが必要と考えられる。例えば、ビットパターン媒体と熱アシスト磁気記録との組み合わせが、特許文献２に記載されている。本特許文献２には、ビットパターン媒体に熱アシスト記録する際に重要となる熱制御方法が記載されている。具体的には、磁気記録層の少なくとも片面に熱伝導率の高い熱伝導層を設け磁気記録層加熱時の温度分布のばらつきを抑え、かつ磁性材料からなるビットの周辺を構成する充填層の材料に磁性材料よりも熱伝導率の低い非磁性材料を用いて、隣接ビットへの伝熱を抑制するものである。また、同様に、特許文献３には、磁気記録層に隣接して低熱伝導率と高熱伝導率の材料でパターン形成された温度制御層を設けることが記載されている。ビット直下には低熱伝導率材料、ビット周辺の充填層直下には高熱伝導率材料を配置することで、記録ビットを効率よく加熱するものである。
【０００５】
このように、ビットパターン媒体へ熱アシスト記録を行う際には、媒体加熱時の温度分布を制御することが必要である。特に、テラビット級の超高記録密度に対応したビットパターン媒体を実現するためには、極微小ビットを隣接ビットへの影響なく加熱する必要があるため、急峻な温度分布を実現しなければならない。しかしながら、加熱するために照射する光の吸収分布よりも急峻な温度分布を得ることは、今までの検討では困難であった（例えば、非特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許第５，８２０，７６８号明細書
【特許文献２】特開２００５−２４３１８６号公報
【特許文献３】特開２００６−１９６１５１号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】OPTICS EXPRESS, Vol.20, No.17, p18946(2012)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明においては、急峻な温度分布を有し、隣接ビットへの影響なく記録ができる熱アシスト磁気記録用のビットパターン媒体（磁気記録媒体）及びそれを用いた磁気記憶装置を実現することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題は、基板上に磁気記録層を有する磁気記録媒体において、該磁気記録層を、磁性材料がビットパターンとして形成された記録領域と、該記録領域の周辺を該磁性材料よりも相対的に熱伝導率の高い第一の非磁性材料で充填する充填層とで構成することによって解決できる。記録領域よりも熱伝導率の高い非磁性材料により充填層を形成することにより、加熱されたビット内の熱を充填層に効果的に逃がすことができ、微小ビットにおいても急峻な温度分布を得ることができる。
【００１０】
充填層を構成する非磁性材料は、３Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有し、さらに望ましくは６Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有することが好ましい。また、磁気記録媒体に照射された光を充填層にて吸収・発熱しないよう、入射光の波長に対して実質的に透明であることが好ましい。これらを実現する材料としては、例えば、Ｍｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎのいずれかの元素を含む酸化物あるいはその混合物が挙げられるが、記録領域を構成する磁性材料よりも相対的に熱伝導率が高ければ、本発明はこれらの材料に限定されるものではない。
【００１１】
また、上記課題は、基板上に磁気記録層を有する磁気記録媒体において、該磁気記録層を、磁性材料がビットパターンとして形成された記録領域と、該記録領域の周辺を第一の非磁性材料で充填する充填層と、該記録領域と該充填層の間に該充填層よりも相対的に熱伝導率の低い第二の非磁性材料からなる薄膜とで構成することによって解決される。記録領域の周囲に充填層よりも低い熱伝導率の薄膜を設けることにより、温度分布の広がりをおさえつつ、効率よくビットを加熱することができる。薄膜を構成する第二の非磁性材料には、記録領域よりも相対的に熱伝導率の低い材料を用いるのがより好ましく、さらに優位には、熱伝導率の大きさの順序が、薄膜を構成する第二の非磁性材料＜充填層を構成する第一の非磁性材料＜記録領域を構成する磁性材料であることが望ましい。
【００１２】
第二の非磁性材料としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｒのいずれかの元素を含む材料を用いるとよい。例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３などが挙げられる。温度分布の広がりを抑えつつビットを効率よく加熱するために、薄膜は０ｎｍよりも大きく２ｎｍ以下であることが好ましい。２ｎｍよりも厚くなると温度分布の広がりが無視できなくなる。また、第二の非磁性材料は用いる照射光に対して実質的に透明であることが望ましいが、透明である必然性はない。透明でないために薄膜部分で光を吸収したとしても、磁気記録層全体の容積に占める薄膜の容積の割合は小さいため、温度分布への影響は少ないためである。
【００１３】
記録領域は実質的に円、楕円、カプセル型等の円筒形であり、断面直径が６ｎｍ以下である場合に、本発明の効果が顕著に現れる。断面直径が６ｎｍより大きい、特に直径１０ｎｍ以上の記録領域からなる面密度記録を有するビットパターン媒体でも本発明の効果を得ることができるが、面密度が低いために、例えば、温度分布の半値全幅（ＦＷＨＭ）が１０ｎｍ以下の非常に急峻な温度分布が必須でない。本発明は、断面直径が１０ｎｍ以下、特に６ｎｍ以下の超高密度媒体に顕著な効果を示す。ここで断面直径とは、断面が円形の場合は直径を表し、そうでない断面形状の場合はダウントラック方向の径を示す。
【００１４】
また、本発明における磁気記録媒体の記録領域は、上下面の面積の合計が前記記録領域の側面の面積より小さい形状を有している。記録密度が１Ｔｂ／ｉｎｃｈ２よりも小さい、例えば数百Ｇｂ／ｉｎｃｈ２程度の磁気記録媒体の場合、記録領域の断面積が大きいために、記録領域の上下面から余分な熱を逃がすことが有効であった。しかしながら、本発明が対象とするような高密度記録媒体の場合、記録領域の上下面から熱を逃がすよりも側面から余分な熱を逃がすほうが効果が大きいことがわかった。本発明の効果は特に、上下面の面積の合計よりも側面積が２倍以上大きいときに顕著である。
【００１５】
記録領域を構成する磁性材料はＦｅＰｔ合金、もしくはＣｏＰｔ合金であることが望ましい。記録領域はこれらの合金がＳｉＯ２等の粒界相で分断されたグラニュラー構造で構成されていてもよい。粒界相はＳｉＯ２以外の酸化物、例えばＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５，ＺｒＯ２，ＴｉＯなどであっても本発明に対する効果は変わらない。磁性材料は限定されるものでなく、ＳｍＣｏ等の材料であっても本発明に対する効果は変わらない。
【００１６】
本発明で重要なのは、温度分布に影響が大きい面内方向へ拡散する熱の制御であり、記録領域の面内方向の熱伝導率が重要となる。記録領域の熱伝導率が膜厚方向と面内方向で異なる場合は、本発明における記録領域の熱伝導率の定義を面内方向の熱伝導率とする。
【００１７】
以上の手段により、テラビット級の面密度記録を有する熱アシスト用ビットパターン媒体が実現され、これを用いた磁気記憶装置を提供することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、熱アシスト記録方式を用いる磁気記録媒体において、記録領域内の温度分布を急峻化することができ、隣接ビットへの影響なく磁気情報を記録することができる。もって、高密度・高信頼な磁気記録媒体とそれを用いた磁気記憶装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】実施例１の磁気記録媒体の断面構造例を示す模式図。
【図２】実施例１の磁気記録層の平面構造例を示す模式図であり、上側は斜視図、下側は平面図。
【図３Ａ】実施例１の磁気記録媒体の製造工程を示す図。
【図３Ｂ】実施例１の磁気記録媒体の製造工程を示す図。
【図３Ｃ】実施例１の磁気記録媒体の製造工程を示す図。
【図３Ｄ】実施例１の磁気記録媒体の製造工程を示す図。
【図３Ｅ】実施例１の磁気記録媒体の製造工程を示す図。
【図４】実施例１の磁気記録媒体における光吸収量の計算結果を示す図。
【図５】実施例１の磁気記録媒体における温度分布の計算結果を示す図。
【図６】実施例１の磁気記録媒体に対する比較媒体における温度分布の計算結果を示す図。
【図７】実施例１の磁気記録媒体における記録計算結果を示す図。
【図８】実施例２の磁気記録媒体の断面構造例を示す模式図。
【図９】実施例２の磁気記録媒体における温度分布のＦＷＨＭと充填層材料の熱伝導率の関係を示すグラフ。
【図１０】実施例３の磁気記録媒体の断面構造例を示す模式図。
【図１１】実施例３の磁気記録層の平面構造例を示す模式図。
【図１２】実施例３の磁気記録媒体における光吸収量の計算結果を示す図。
【図１３】実施例３の磁気記録媒体における温度分布の計算結果を示す図。
【図１４】実施例３の磁気記録媒体における、薄膜材料の熱伝導率と、加熱時の記録領域での最高到達温度との関係を示すグラフ。
【図１５】実施例３の磁気記録媒体における、薄膜材料の熱伝導率と、温度分布のＦＷＨＭとの関係を示すグラフ。
【図１６】実施例３の磁気記録媒体における、薄膜材料の熱伝導率と、加熱時の記録領域での最高到達温度との関係を示すグラフ。
【図１７】実施例４の磁気記録層の平面構造例を示す模式図。
【図１８】実施例４の磁気記録媒体における、薄膜８の膜厚と温度分布のＦＷＨＭとの関係を示すグラフ。
【図１９】実施例４の磁気記録媒体における、薄膜８の膜厚と記録領域内の最高到達温度との関係を示すグラフ。
【図２０】実施例５の磁気記録媒体における、記録領域の側面積に対する上下面積の比と、ビット直径に対する温度分布のＦＷＨＭとの関係を示すグラフ。
【図２１】実施例５の磁気記録媒体における、記録領域の側面積に対する上下面積の比と、ビット直径に対する温度分布のＦＷＨＭとの関係を示すグラフ。
【図２２】実施例６の磁気記録媒体の断面構造例を示す模式図。
【図２３】実施例６の磁気記録媒体および従来の磁気記録媒体に係る、記録領域の径と温度分布のＦＷＨＭの関係を比較して示すグラフ。
【図２４】実施例６の磁気記録媒体におけるＦＷＨＭと従来の磁気記録媒体におけるＦＷＨＭとの比と、記録領域の径との関係を示すグラフ。
【図２５】実施例６の磁気記録媒体にかかる、記録領域直下の領域の熱伝導率と、磁気記録層上部に対する下部の最高上昇温度の比との関係を示すグラフ。
【図２６】実施例６の磁気記録媒体の他の断面構造例を示す模式図。
【図２７】実施例６の磁気記録媒体の他の断面構造例を示す模式図。
【図２８】各実施例に係る磁気記録媒体を搭載した磁気記憶装置の構造例を示す模式図。
【図２９】各実施例に係る磁気記録媒体を搭載した熱アシスト磁気記録ヘッドの構成例を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。
［実施例１］
図１は、本発明の実施例１による磁気記録媒体の概略図である。図は媒体の膜厚方向と媒体走行方向（ダウントラック方向）がなす面（断面図）を示した。図において、磁気記録媒体は、基板１、金属層２、下地層３、磁気記録層４、保護膜５からなる。磁気記録層４は記録領域６と充填層７から構成されている。記録領域６は充填層７により分離されている。充填層を構成する非磁性材料は、記録領域を構成する磁性材料よりも熱伝導率が高い材料を用いている。表１に代表的な材料（薄膜）の熱伝導率を示す。本実施例では、記録領域６にＦｅＰｔ、充填層７に酸化マグネシウムを用いた。
【００２１】
図２は、本実施例における磁気記録層の平面構造例の模式図であり、上側は斜視図、下側は平面図である。本実施例では、記録領域の平面形状は円形で、直径５．３ｎｍ、円と円の距離は６ｎｍとした。記録領域は最密六方充填構造で配置されている。
【００２２】
次に本実施例の磁気記録媒体の製造方法について、図３Ａから図３Ｅを用いて説明する。
【００２３】
まず、図３Ａに示すように基板１上に金属層２、下地層３、磁性層１２を順次スパッタ法等により形成し、その上に保護層１３を形成する。ここで、続いて、図３Ｂに示すように保護層１３の上にレジストパターン１４１が形成されたレジスト層１４を形成する。続いて、図３Ｃに示すように、Ａｒイオン等の不活性ガスを用いてエッチングによりレジストパターンを記録層に転写し、続いて、反応性イオンエッチングを用いて、残ったレジスト（レジストの残渣）１４２と保護層１３を除去する。この際、水素ガスを用いることにより記録層表面を変質させることなく除去できる。続いて、図３Ｄに示すようにスパッタ等を用いて、パターンを覆うように充填層７となる材料を充填し、図３Ｅに示すように、反応性イオンエッチングや不活性ガスを用いたイオンエッチングなどにより充填層７の表面を平坦化する。続いて、不活性ガスを用いたイオンエッチングにより充填層を削り、最後に、図１のように、保護膜５と潤滑層（図では省略）を形成して磁気記録媒体が製造できる。
【００２４】
表１  様々な材料の熱伝導率  （Ｗ／ｍＫ）  
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【００２５】
更に詳細には、基板１として例えば直径６５ｍｍのガラス基板を用いる。ガラス基板の上に金属層２として１００ｎｍのＣｕ層、下地層３として５ｎｍの酸化マグネシウム、その上に、磁性層１２として６ｎｍのＦｅＰｔ合金を積層する。保護層１３は４ｎｍのスパッタカーボンを用いる。次に、インプリント装置を用いて、インプリントレジストパターン１４を形成する。レジストパターン１４の総厚は２５ｎｍで、パターン１４１の高さは２０ｎｍ、レジストの残渣１４２は５ｎｍとする。なお、レジストパターンは露光装置を用いてフォトリソグラフィーにより形成することもできる。
【００２６】
次に、リアクティブイオンエッチング装置を用いて、酸素ガス中でエッチングを行い、レジストパターンの凹部のレジスト残渣１４２と保護層１３を除去する。次に、レジストをマスクとし、Ａｒイオンビームを用いて磁性層１２のエッチングを行う。次に、リアクティブイオンエッチング装置を用いて、水素ガス中でエッチングを行い、残ったレジストと保護層１３を除去する。次に、充填層となる酸化マグネシウムを成膜する。次に、エッチング装置を用いて充填層の表面の凹凸を１．５ｎｍ以下に減少させる。次に、イオンビームエッチング装置を用いて、充填層のエッチングをＡｒイオンビームで行い、記録領域上の非磁性充填層（酸化マグネシウム層）を除去する。２次イオン質量分析でＦｅの検出を行い、検出量がバックグランドの２倍以上に増加したところでエッチングを終了する。次に、スパッタ装置を用いてカーボン保護膜５を１ｎｍ、潤滑層（図では省略）を形成する。
【００２７】
こうして製造された本実施例の磁気記録媒体は、ディスク上の基板上に磁気的に相互に分離されて形成された記録領域を備える。
【００２８】
図４及び図５に、公知の光・熱解析ツールを用いて、光照射による光伝播解析を実施し、本実施例で作製した磁気記録媒体内における光吸収量の分布を算出し、この光吸収を熱源とした熱伝播解析を実施した結果を示す。図４は磁気記録層中央でのダウントラック方向における光吸収分布、図５は磁気記録層中央でのダウントラック方向における温度分布である。温度分布のＦＷＨＭは６．５ｎｍであった。
【００２９】
本実施例の従来例として、充填層に低熱伝導率を有する酸化シリコンを用いた場合の磁気記録媒体を作製した。本実施例の充填層として用いている酸化マグネシウムの熱伝導率は４Ｗ/ｍＫ、従来例の充填層として用いている酸化シリコンの熱伝導率は０．９Ｗ/ｍＫ、記録領域の材料であるＦｅＰｔ合金の熱伝導率は２．９Ｗ/ｍＫであり、熱伝導率の大きさは、酸化シリコン＜ＦｅＰt合金＜酸化マグネシウムとなっている。その他の従来例における磁気記録媒体の構造・材料は本実施例における磁気記録媒体と同じである。
【００３０】
本実施例と同様に、公知の光・熱解析ツールを用いて、光伝播解析及び熱伝播解析を実施した。図６に、比較媒体の磁気記録層中央でのダウントラック方向における温度分布計算結果を示す。温度分布のＦＷＨＭは９．６ｎｍ（酸化マグネシウムを用いた場合の約１．５倍）であり、本実施例のように、熱伝導率の高い充填層を用いることで、温度分布を急峻化することができることが分かる。
【００３１】
次に、公知のマイクロマグネティクスを用いた計算機シミュレーション手段によって、本実施例の媒体への記録を検証した結果を示す。計算には、公知のLandau-Lifshitz-Gilbert方程式を用いた。図７にシミュレーション結果を示す。図はダウントラック方向とクロストラック方向が作る平面図であり、図において、○印は記録領域の磁化が上を向いていることを意味する。記録前の状態（初期磁化状態）として、すべての記録領域の磁化を上向きにそろえた状態とした。また、●印は記録領域の磁化が下を向いていることを意味する。計算は、記録領域の数を３２＊８として行ったが、ここでは記録近傍のみを示している。本計算では、記録トラック上の記録領域に上向きの磁化をもつ記録領域と下向きの磁化をもつ記録領域が交互に配置されるように記録を行った。図７で明らかなように、記録トラック上に、○印の上向き磁化を有する記録領域と、●印の下向き磁化を有する記録領域とが交互に配置されていることを確認した。記録トラック上の記録領域に隣接する記録領域を記録してしまう等への影響がないことも確認した。
【００３２】
本実施例では、記録領域６を構成する磁性材料としてＦｅＰｔ合金膜を用いたが、そのほか、ＣｏＣｒ合金膜、ＣｏＰｄ合金膜、ＣｏＰｔ合金膜、ＳｍＣｏ合金膜、Ｃｏ／Ｐｄ多層膜、Ｃｏ／Ｐｔ多層膜等の高Ｋu垂直磁気異方性材料を用いた場合でも、記録領域よりも相対的に熱伝導率の高い充填層を用いることで、本実施例と同等の効果を得ることができる。また、本実施例では、充填層を構成する非磁性材料として、酸化マグネシウムを用いたが、そのほかにも、酸化亜鉛、酸化インジウムスズなど、記録領域を構成する磁性材料よりも熱伝導率が相対的に高い非磁性材料であれば、本発明の効果は変わらない。これらの材料は用いている光の波長において透明であり、光吸収がないことも温度分布の急峻化に寄与している。
【００３３】
また、本実施例では、金属層にＣｕを用いたが、金属層はＣｕ以外の材料、例えば、Ｐｔ、Ａｕ、ＮｉＴａ等でも本発明の効果は変わらない。同様に、本発明では、下地層として酸化マグネシウムを用いたが、本発明の効果は酸化マグネシウムに限定されるものではなく、例えば、アルミナや酸化シリコン、酸化タングステン、酸化タンタル等の酸化物、窒化アルミニウム、窒化チタン等の窒化物、あるいは酸化物と窒化物の混合物でもよい。Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｎｉ等の金属あるいはそれらの合金、金属と酸化物、窒化物等の混合材料を用いても本発明の効果は変わらない。
【００３４】
また、本実施例において、記録領域は充填層中に最密六方充填構造で配置されており、ビットアスペクト比は０．８７となっているが、本発明は記録領域の配置を最密六方充填構造に限定するものではなく、同様にビットアスペクト比を限定するものではない。
【００３５】
図１に示す構造の磁気記録媒体を作製した結果、磁気記録媒体の高記録密度化・高信頼化を図ることができた。
以上本実施例によれば、記録領域内の温度分布を急峻化することができ、隣接ビットへの影響なく磁気情報を記録することができる、熱アシスト記録方式の磁気記録媒体を提供することができる。また、高密度・高信頼な磁気記録媒体を提供することができる。
［実施例２］
本実施例では、種々の充填層材料を用いた場合の温度分布の変化について説明する。なお、実施例１に記載され本実施例に未記載の事項は特段の事情が無い限り本実施例にも適用することができる。
【００３６】
図８に、本実施例における磁気記録層の断面構造模式図を示す。本実施例では、実施例１と同様に、記録領域の平面形状は円形で、直径５．３ｎｍ、円と円の距離は６ｎｍとした。記録領域は最密六方充填構造で配置されている。製造方法は実施例１と同様のため省略する。本実施例における磁気記録媒体は、基板１、Ｃｕ７０ｎｍからなる金属層２、磁気記録層４、カーボンからなる保護膜５からなる。磁気記録層４は記録領域６と充填層７から構成されている。記録領域６にはＦｅＰｔ合金を、充填層７には、表１に示した、酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化インジウムスズの５種類の材料をそれぞれ用いた。また、計算点を増やすために、熱伝導率０．１Ｗ/ｍＫ、２．５Ｗ/ｍＫ、１０Ｗ/ｍＫの材料を仮定して計算を行った。図９に計算結果を示す。◆印が５種類の材料を各々用いた場合の、■印が材料を仮定した場合の温度分布のＦＷＨＭである。この図から、充填層材料の熱伝導率が高くなるに従って温度分布のＦＷＨＭは小さくなることが確認された。ここで顕著であるのが、熱伝導率が３Ｗ/ｍＫあたりを境としてＦＷＨＭの低減量が変化することである。２．５Ｗ/ｍＫ以下での熱伝導率に対するＦＷＨＭの変化は１Ｗ/ｍＫに対して、１．５ｎｍ程度であるが、一方で、４Ｗ/ｍＫ以上での熱伝導率に対するＦＷＨＭの変化は１Ｗ/ｍＫに対して、０〜０．２ｎｍ程度である。特に、熱伝導率が６Ｗ/ｍＫ以上の場合、ＦＷＨＭはほぼ一定となり、温度分布の急峻化の効果は６Ｗ/ｍＫ以上で飽和する。これより、充填層材料の熱伝導率は３Ｗ/ｍＫ以上が好ましく、さらに優位には、６Ｗ/ｍＫ以上がよい。具体的には、充填層材料として、Ｍｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎのいずれかの元素を含む透明材料を用いることが好ましく、例えば、酸化マグネシウム、酸化インジウムスズ、酸化亜鉛等は３Ｗ/ｍＫ以上の熱伝導率を有する非磁性材料である。これらの材料は、熱アシスト光として用いる光の波長に対して透明であることも、記録領域以外の領域に光を吸収せず、記録に不必要な熱を発しないため好ましい。
【００３７】
図８に示す構造の磁気記録媒体を作製した結果、磁気記録媒体の高記録密度化・高信頼化を図ることができた。
以上本実施例によれば、実施例１と同様な効果を得ることができる。特に、充填層材料の熱伝導率を３Ｗ/ｍＫ以上とすることにより、より大きな効果が得られる。
［実施例３］
次に、本発明の実施例３を、図１０〜図１６を用いて説明する。なお、実施例１又は２に記載され本実施例に未記載の事項は特段の事情が無い限り本実施例にも適用することができる。
【００３８】
図１０は、本実施例３に係る磁気記録媒体のダウントラック方向の断面図である。図１０に示される磁気記録媒体は、基板１上に金属層２、下地層３、磁気記録層４、保護層５からなる。磁気記録層４は記録領域６、充填層７、及び薄膜８から構成されている。記録領域の側面には、充填層を構成する材料よりも相対的に熱伝導率の低い材料からなる薄膜が形成されている。本実施例では、基板１にガラス基板を、金属層２にＮｉＴａ５０ｎｍ、下地層３にＣｕ５０ｎｍ、記録領域６にＦｅＰｔ合金、充填層７に酸化亜鉛、薄膜８に酸化シリコンを用いた。磁気記録層の膜厚は８ｎｍである。図１１に、本実施例における磁気記録層の平面構造例の模式図を示す。本実施例では、記録領域の断面はクロストラック方向に長い楕円形で、長径６．８ｎｍ、短径４．９ｎｍ、ダウントラック方向における楕円と楕円の距離は４．８ｎｍとした。薄膜８の膜厚は１ｎｍである。
【００３９】
図１２及び図１３に、公知の光・熱解析ツールを用いて、光照射による光伝播解析を実施し、本実施例で作製した磁気記録媒体内における光吸収量の分布を算出し、この光吸収を熱源とした熱伝播解析を実施した結果を示す。図１２は磁気記録層中央でのダウントラック方向における光吸収分布、図１３は磁気記録層中央でのダウントラック方向における温度分布である。図１２からわかるように、薄膜８は透明なため光を吸収せず、実施例１に係る磁気記録媒体同様、記録領域のみで光を吸収している。ダウントラック方向の温度分布は図１３に示す通りであり、ＦＷＨＭは６．８ｎｍであった。
【００４０】
薄膜８は充填層を構成する材料よりも相対的に熱伝導率の低い材料で構成されることが望ましい。種々の非磁性材料を用いて薄膜を形成した磁気記録媒体において温度分布を算出した。図１４に薄膜材料の熱伝導率と、加熱時の記録領域での最高到達温度との関係を示す。本実施例における充填層材料には６Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有する酸化亜鉛を用いたが、熱伝導率が６Ｗ／ｍＫ以下の材料を薄膜材料として用いた場合、最高到達温度が上昇することがわかる。これは、充填層材料よりも相対的に熱伝導率の低い材料からなる薄膜を設けることにより、より効率的に記録領域が加熱されることを示している。図１５には薄膜材料の熱伝導率と、温度分布のＦＷＨＭとの関係を示した。薄膜の熱伝導率を充填層よりも低くしても、温度分布のＦＷＨＭに大幅な増加は見られないことがわかった。このように、記録領域と充填層の間に充填層よりも熱伝導率の低い薄膜を設けることにより、ＦＷＨＭの増加を抑えつつ効率的に記録領域を加熱することができる。
【００４１】
本実施例では、充填層に６Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有する酸化亜鉛を用いたが、充填層材料を変えても本発明の効果は変わらない。図１６に、充填層に４Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有する酸化マグネシウムを用いた磁気記録媒体における、薄膜の熱伝導率と最高到達温度の関係を示す。最高到達温度は、充填層の熱伝導率である４Ｗ／ｍＫよりも低い熱伝導率を有する薄膜を用いることで上昇しており、記録領域の効果的な加熱が実現されている。この場合でも、温度分布のＦＷＨＭの大幅な上昇は見られなかった。
【００４２】
いずれの充填層材料を用いた場合でも、薄膜の熱伝導率が記録領域の熱伝導率よりも低い場合に最高到達温度の上昇が顕著になることが、図１４、１６から明らかである。このことから、薄膜８は記録領域よりも相対的に熱伝導率の低い材料で構成されることが好ましい。
【００４３】
図１０および図１１に示す構造の磁気記録媒体を作製した結果、磁気記録媒体の高記録密度化・高信頼化を図ることができた。
以上本実施例によれば、実施例１と同様な効果を得ることができる。また、記録領域と充填層との間に熱伝導率の低い薄膜を設けることにより、記録領域を効率的に加熱することができる。
［実施例４］
実施例４について図１７〜図１９を用いて説明する。なお、実施例１乃至３の何れかに記載され本実施例に未記載の事項は特段の事情が無い限り本実施例にも適用することができる。
【００４４】
図１７に本実施例で作製した磁気記録層の平面構造例の模式図を示す。本実施例では、記録領域の平面形状は円形で、直径８ｎｍ、円と円の距離は１０ｎｍとした。本実施例における磁気記録媒体の積層構造は、実施例２と同様、基板１、膜厚８０ｎｍのＣｕからなる金属層２、膜厚１０ｎｍの磁気記録層４、膜厚１．５ｎｍの保護膜５からなる。磁気記録層４は記録領域６と充填層７、薄膜８から構成されている。記録領域６にはＦｅＰｔ合金を、充填層７には酸化インジウムスズを、薄膜８には熱伝導率２Ｗ／ｍＫを有する酸化鉄をそれぞれ用いた。
【００４５】
薄膜８の膜厚を変えた場合における、温度分布のＦＷＨＭの変化と、記録領域内の最高到達温度の変化を、図１８、１９にそれぞれ示す。薄膜の膜厚が２ｎｍ以下の場合、ＦＷＨＭの増大を抑えた上で記録領域内の最高到達温度を上げることができる。薄膜の膜厚が２ｎｍよりも厚くなると、ＦＷＨＭは増加し、最高到達温度の増加率は鈍化する。このことから、薄膜の膜厚は２ｎｍ以下であることが好ましい。
【００４６】
本実施例では、薄膜８の材料として酸化鉄を用いたが、酸化鉄のほかにも、酸化コバルト、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化シリコン、酸化チタン、窒化チタン、酸化クロムなどの非磁性材料を用いた場合でも、本発明の効果は変わらない。また、これらの酸化物、窒化物の混合物であってもよい。異なる材料を組み合わせて薄膜を形成することにより、所望の熱伝導率を得ることができる。
【００４７】
図１７に示す構造の磁気記録媒体を作製した結果、磁気記録媒体の高記録密度化・高信頼化を図ることができた。
以上本実施例によれば、実施例３と同様な効果を得ることができる。また、記録領域と充填層との間に設ける熱伝導率の低い薄膜の厚さを２ｎｍ以下の有限値とすることにより、記録領域をより効率的に加熱することができる。
［実施例５］
本実施例では、記録領域の上下面の面積と側面積の関係について述べる。なお、実施例１乃至４の何れかに記載され本実施例に未記載の事項は特段の事情が無い限り本実施例にも適用することができる。
【００４８】
本実施例に用いる磁気記録媒体は、基板１上に金属層２、下地層３、磁気記録層４、保護層５からなる。磁気記録層４は記録領域６及び充填層７から構成されている。本実施例では、基板１にガラス基板を、金属層２にＡｇ１００ｎｍ、下地層３に酸化シリコン５０ｎｍ、記録領域６にＣｏＰｄ合金、充填層７に酸化インジウムスズを用いた。記録領域の平面形状は円形で、記録領域は最密六方充填構造で配置されている。磁気記録層の膜厚を４〜２５ｎｍ、ビット直径を３．８〜２０ｎｍまで変化させた計２０種類の磁気記録媒体における光吸収量及び温度分布を計算した。記録領域の具体的な構造としては、（膜厚、ビット直径）とした場合、 (４、５)(５、５)(６、５)(８、５)(１０、５)(５、１０)(８、１０) (１０、１０) (１２、１０)(１４、１０)(５、１５)(８、１５)(１０、１５)(１３、１５)(１５、１５)(２５、１５)(５、２０)(７、２０)(９、２０)(１４、２０)の２０種類である。これらの磁気記録媒体における記録領域の保護膜と接する上部面積と下地膜と接する下部面積とを足した合計面積と、充填層と接する記録領域の側面積との比（上下面の合計面積/側面積）を横軸に、ビット直径で規格化した温度分布のＦＷＨＭを縦軸にとった図を図２０に示す。ＦＷＨＭをビット直径で規格化することで、異なるビット直径を有する磁気記録媒体での温度分布急峻化の効果を比較することができる。規格化したＦＷＨＭが小さいほど温度分布が急峻化されていることを表わす。図２０から明らかなように、側面積に対する上下面の合計面積の比が小さくなるに従って、規格化ＦＷＨＭは小さくなる。側面積に対する上下面の合計面積が１以下のときに、ＦＷＨＭ低減効果が顕著であることがわかった。すなわち、記録領域材料の熱伝導率よりも充填層材料の熱伝導率が相対的に大きい磁気記録媒体では、記録領域の上下面の面積の合計を記録領域の側面の面積よりも小さくすることで、温度分布を急峻化する効果はより大きくなる。
【００４９】
図２１には、本実施例で用いた磁気記録媒体の充填層を酸化マグネシウムに変えた場合の、面積に対する上下面の合計面積の比と規格化ＦＷＨＭの関係を示した。充填層を酸化マグネシウムとした場合でも、側面積に対する上下面の合計面積が１以下のときに規格化ＦＷＨＭは小さくなるが、８Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有する酸化インジウムスズよりも記録領域材料に近い熱伝導率を有する酸化マグネシウムを充填層に用いているため放熱効果は弱く、側面積に対する上下面の合計面積比が０．５以下で規格化ＦＷＨＭ低減効果が顕著になる。すなわち、記録領域の側面積に対する上下面の合計面積の比が０．５以下であるような記録領域形状とすることで、温度分布を急峻化する効果を十分に得ることができる。
【００５０】
本実施例に係る磁気記録媒体を作製した結果、磁気記録媒体の高記録密度化・高信頼化を図ることができた。
以上本実施例によれば、実施例１と同様な効果を得ることができる。また、記録領域の上下面の面積の合計を記録領域の側面の面積よりも小さくすることで、温度分布を急峻化することができる。
［実施例６］
実施例６について図２２〜図２７を用いて説明する。なお、実施例１乃至５の何れかに記載され本実施例に未記載の事項は特段の事情が無い限り本実施例にも適用することができる。
【００５１】
図２２に、本実施例で作製した磁気記録媒体の層構成の一例を示す。本実施例に用いる磁気記録媒体は、基板１上に金属層２、温度制御層９、磁気記録層４、保護層５からなる。磁気記録層４は記録領域６及び充填層７から構成されている。本実施例では、基板１にガラス基板を、金属層２にＣｕ１００ｎｍ、記録領域６にＦｅＰｔ合金、充填層７に酸化インジウムスズを用いた。温度制御層９は誘電体層１０と金属層１１から構成されており、誘電体層１０には酸化マグネシウム、金属層１１にはＣｕを用いた。記録領域の平面形状は円形で、記録領域は最密六方充填構造で配置されている。磁気記録層の膜厚は８ｎｍであり、ビット直径を３．５〜１５ｎｍまで変化させた計８種類の磁気記録媒体における光吸収量及び温度分布を計算した。比較のため、充填層に熱伝導率の低い酸化シリコンを用いた磁気記録媒体を準備し、同様の計算を行った。
【００５２】
図２３に、ビット直径を変化させたときのＦＷＨＭ依存性を示す。充填層を熱伝導率の高い酸化インジウムスズ（■）にすることによって、酸化シリコン（◆）の場合に比べてＦＷＨＭは狭くなることが確認された。また、ビット直径が４ｎｍ程度でＦＷＨＭは極小となり、それよりも小さくなるとＦＷＨＭは上昇に転じる。すなわち温度分布は広くなる。しかしながら、本実施例に係る磁気記録媒体における充填層に酸化インジウムスズを用いた磁気記録媒体では、その上昇率が小さく、ビット直径３．５ｎｍの磁気記録媒体でのＦＷＨＭは４．２ｎｍと非常に狭い。ここで、従来例である酸化シリコンを充填層に用いた磁気記録媒体に対する、酸化インジウムスズを充填層に用いた本実施例に係る磁気記録媒体のＦＷＨＭ急峻化の効果をみるために、従来の磁気記録媒体と本実施例に係る磁気記録媒体のＦＷＨＭの比を算出した。その結果を図２４に示す。ビット直径が６ｎｍ以下で、ＦＷＨＭの比は顕著に小さくなる、つまり、ビット直径を６ｎｍ以下にすることにより、温度分布の急峻化の効果はより高くなることがわかった。このように、高い熱伝導率を有する充填層と直径６ｎｍ以下のビットを組み合わせることにより、本実施例の効果はより顕著になる。
【００５３】
本実施例においては、記録領域の平面形状を円形としたが、平面形状が楕円形、カプセル形など他の円筒形でも本実施例の効果は変わらない。このとき重要であるのは、クロストラック方向よりもビット間が狭いダウントラック方向の径であり、図２４の横軸はダウントラック方向のビット径と読み替えることができる。
【００５４】
本実施例では、磁気記録層に隣接した複数の材料からなる温度制御層を設け、記録領域の直下には低い熱伝導率を有する誘電体を、充填層直下には高い熱伝導率を有する金属を用いた。このとき、誘電体の熱伝導率は充填層材料よりも低いことが好ましい。図２５に、温度制御層の効果を示す。横軸に温度制御層内の記録領域直下の領域の熱伝導率を、縦軸に磁気記録層内の上部（磁気記録層と保護膜の界面から磁気記録層に０．５ｎｍ入った磁気記録層上部を指す）に対する下部（磁気記録層と温度制御層の界面から磁気記録層に０．５ｎｍ入った磁気記録層下部を指す）の最高上昇温度の比をとった。この温度比は、磁気記録層内での膜厚方向の温度の差を示し、１に近いほうが、磁気記録層がより均一に加熱されていることを示す。温度制御層内の記録領域直下の領域の熱伝導率が充填層を構成する酸化インジウムスズの熱伝導率である８Ｗ/ｍＫ以下になると、温度比が増大し、記録領域がより均一に加熱される効果が増す。このことから、記録領域直下にある領域を構成する材料の熱伝導率は充填層の熱伝導率よりも小さいことが好ましい。また、充填層直下の領域は充填層材料の熱伝導率よりも大きいことが好ましい。充填層直下の領域の熱伝導率を充填層材料の熱伝導率よりも大きくすることにより、温度分布をより急峻にすることができる。
【００５５】
記録領域の温度均一化の効果は、薄膜８を設けた磁気記録媒体でもその効果は変わらない。その場合、図２６のように、薄膜８は温度制御層９内の金属層１１の上に位置してもよいし、図２７のように、誘電体１０の上に位置してもよい。
【００５６】
図２２に示す構造の磁気記録媒体を作製した結果、磁気記録媒体の高記録密度化・高信頼化を図ることができた。
以上本実施例によれば、記録領域内の温度分布を急峻化することができ、隣接ビットへの影響なく磁気情報を記録することができる、熱アシスト記録方式の磁気記録媒体を提供することができる。また、高密度・高信頼な磁気記録媒体を提供することができる。また、磁気記録層に隣接して温度制御層を設けることにより、温度分布の急峻化の効果をより高めることができる。
［実施例７］
実施例７について図２８、図２９を用いて説明する。なお、実施例１乃至６の何れかに記載され本実施例に未記載の事項は特段の事情が無い限り本実施例にも適用することができる。
【００５７】
図２８は、磁気記憶装置の構造例を示す模式図である。上記各実施例に係る磁気記録媒体を、図２８に示した磁気記憶装置に組み込んだ。磁気ディスク装置のドライブ内には通常一枚ないし数枚の磁気記録媒体１５が実装されている。本例の磁気記録媒体１５は、矢印１６の方向（ダウントラック方向）に回転駆動される。図２８中の磁気ヘッドスライダー１７近傍の拡大図に示すように、キャリッジ１９の先端に固定された磁気ヘッドスライダー１７の後端にある磁気ヘッド１８は、ボイスコイルモータ２０によって任意のトラックにアクセスし、磁気記録媒体上で情報の記録再生を行う。
【００５８】
図２９は、熱アシスト磁気記憶装置で用いる記録ヘッドの構成例を示す断面模式図である。図２９は、記録ヘッド１００と再生ヘッド１３０を、媒体の膜厚方向（図中の上下方向）かつ媒体走行方向に平行な面で切断した場合における記録ヘッド周辺の断面構造を表している。記録ヘッド１００は、上部磁極１０１と下部磁極１０２と主磁極１０３を備えている。上部磁極と下部磁極は接続部１０４で接続されている。更にこの上部磁極１０１には、導体パターン１０５が螺旋状に形成され、その両終端は外部に引き出されて磁気ヘッド駆動回路に接続されている。主磁極１０３は一端が上部磁極１０１に接続されている。上部磁極１０１、下部磁極１０２、主磁極１０３、接続部１０４、及び導体パターン１０５は全体として電磁石を構成しており、駆動電流によって主磁極１０３の先端部分近傍の磁気記録媒体１２０に記録磁界が印加される。更に、記録ヘッド１００には、上部磁極１０１と下部磁極の間に挟まれた近接場光発生部１１０が設けられている。つまり、記録ヘッド１００は磁気記録媒体１２０に対して矢印１３４の方向に移動するので、近接場光発生部１１０はヘッドリーディングエッジ１３５に設けられていることがわかる。近接場光発生部１１０は、レーザー光源１１１から照射された例えば波長７８０ｎｍのレーザー光１１２が光導波路１１３を通り、記録媒体対向面の主磁極近傍に設けられた金属散乱体１１４に達すると、金属散乱体１１４先端部から近接場光１１５が発生され、磁気記録媒体１２０を加熱する。加熱された磁気記録媒体１２０に記録磁界を印加することにより記録が行われる。以上の構造を有する記録ヘッドは、薄膜形成プロセスとリソグラフィ・プロセスによって作製することができる。一方、再生ヘッド１３０は上部シールド１３１と下部シールド１３２で挟まれたＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子、又はＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子１３３等で構成されている。
【００５９】
上記記録ヘッド１００により、磁気記録媒体を４００〜４５０℃まで加熱し、記録領域の位置と同期させて１２〜１５ｋＯｅのヘッド磁界を印加し、記録したところ、隣接記録領域に影響なく記録領域の磁化の向きを所望の向きに反転・記録することができた。
以上、各実施例に係る磁気記録媒体を図２８に示す磁気記憶装置に搭載することにより、高記録密度、且つ小型の磁気記憶装置を得ることができる。
【００６０】
以上、本願発明を詳細に説明したが、以下に主な発明の形態を列挙する。  
（１）基板と前記基板上に形成された磁気記録層とを有する磁気記録媒体において、
前記磁気記録層は、磁性材料がビットパターンとして形成された記録領域と、前記記録領域の周辺を前記磁性材料よりも相対的に熱伝導率の高い第一の非磁性材料で充填する充填層とを有することを特徴とする磁気記録媒体。  
（２）基板と前記基板上に形成された磁気記録層とを有する磁気記録媒体において、
前記磁気記録層は、磁性材料がビットパターンとして形成された記録領域と、前記記録領域の周辺を第一の非磁性材料で充填する充填層と、前記記録領域と前記充填層の間に設けられた前記充填層よりも相対的に熱伝導率の低い第二の非磁性材料からなる薄膜とを有することを特徴とする磁気記録媒体。  
（３）近磁場光発光部と、前記近磁場光発光部からの光を用いて記録を行う磁気記録媒体とを備えた磁気記憶装置において、
前記磁気記録媒体は、磁性材料がビットパターンとして形成された記録領域と、前記記録領域の周辺を前記磁性材料よりも相対的に熱伝導率の高い第一の非磁性材料で充填する充填層とを有する磁気記録層を備えることを特徴とする磁気記憶装置。
【００６１】
なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることも可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。
【符号の説明】
【００６２】
１…基板、２…金属層、３…下地層、４…磁気記録層、５…保護膜、６…記録領域、７…充填層、８…薄膜、９…温度制御層、１０…誘電体層、１１…金属層、１２…磁性層、１３…保護層、１４…レジスト層、１４１…レジストパターン、１４２…レジストの残渣、１５…磁気記録媒体、１７…磁気ヘッドスライダー、１８…磁気ヘッド、１９…キャリッジ、２０…ボイスコイルモータ、１００…記録ヘッド、１０１…上部磁極、１０２…下部磁極、１０３…主磁極、１０４…上部磁極と下部磁極の接続部、１０５…導体パターン、１１０…近接場光発生部、１１１…レーザー光源、１１２…レーザー光、１１３…光導波路、１１４…金属散乱体、１１５…近接場光、１２０…磁気記録媒体、１３０…再生ヘッド、１３１…上部シールド、１３２…下部シールド、１３３…ＧＭＲ又はＴＭＲ素子、１３５…ヘッドリーディングエッジ。
【図１】
2014086103.tif 000004
【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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