(57)【要約】【課題】良好な発光特性を有し、正孔注入層等の電極に接する層のわれや剥がれが生じていない有機発光装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板１０の上に有機発光素子２０が配置された表示領域１１を有し、有機発光素子２０が、基板１０の上に設けられる第一電極２１と、第一電極２１の上に設けられる正孔注入層２２と、正孔注入層２２の上に設けられ発光層を含む有機化合物層３０と、有機化合物層３０の上に設けられる第二電極２６と、を有し、正孔注入層２２が、電子吸引性置換基を有する有機化合物を有する層であり、有機化合物層３０に含まれる層のうち少なくとも一層が、表示領域１１の外に設けられる正孔注入層２２の端部を被覆することを特徴とする、有機発光装置１。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に有機発光素子が配置された表示領域を有し、
前記有機発光素子が、
前記基板の上に設けられる第一電極と、
前記第一電極の上に設けられる正孔注入層と、
前記正孔注入層の上に設けられ発光層を含む有機化合物層と、
前記有機化合物層の上に設けられる第二電極と、を有し、
前記正孔注入層が、電子吸引性置換基を有する有機化合物を有する層であり、
前記有機化合物層に含まれる層のうち少なくとも一層が、前記表示領域の外に設けられる前記正孔注入層の端部を被覆することを特徴とする、有機発光装置。
【請求項２】
前記第二電極を覆う、無機材料からなる封止膜をさらに有することを特徴とする、請求項１に記載の有機発光装置。
【請求項３】
前記有機化合物層に含まれる層のうち、前記表示領域の外に設けられる前記正孔注入層の端部を被覆する層が、正孔ブロック層であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機発光装置。
【請求項４】
前記表示領域に、一種類の有機発光素子が一次元に配置されていることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項５】
前記表示領域に、互いに発光色が異なる複数種類の有機発光素子が二次元に配置されていることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至５に記載の有機発光装置の製造方法であって、
基板の上に設けられる第一電極の上に正孔注入層を形成する工程と、
発光層を含む有機化合物層を形成する工程と、
前記有機化合物層と極性溶媒を接触させる工程と、を有し、
前記正孔注入層が、電子吸引性置換基を有する有機化合物を有する層であり、
前記有機化合物層を形成する工程において、前記有機化合物層に含まれる層が、前記表示領域の外に設けられる前記正孔注入層の端部を被覆して形成されることを特徴とする、有機発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記有機化合物層の上に剥離層を形成する工程と、前記有機化合物層をパターニングする工程と、前記剥離層を除去する工程と、を有することを特徴とする、請求項６に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項８】
極性溶媒が水あるいは水と他の極性溶媒とを混合してなる水溶液であることを特徴とする、請求項６又は７に記載の製造方法。
【請求項９】
極性溶媒と接触する工程が、洗浄工程、リフトオフ工程又はエッチング工程であることを特徴とする、請求項６乃至８のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１０】
請求項６乃至９のいずれか一項に記載の有機発光装置の製造方法であって、
前記剥離層を除去する工程が、極性溶媒を用いて前記剥離層をエッチングする工程であり、
前記極性溶媒に対する前記剥離層の構成材料のエッチングレートが、前記有機化合物層の構成材料のエッチングレートよりも大きいことを特徴とする、有機発光装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項６乃至９のいずれか一項に記載の有機発光装置の製造方法であって、
前記剥離層を除去する工程が、極性溶媒を用いて前記剥離層を溶解させる工程であり、
前記極性溶媒に対する前記剥離層の所定の層の構成材料のエッチングレートが、前記有機化合物層及び前記剥離層を構成する他の層の構成材料のエッチングレートよりも大きいことを特徴とする、有機発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光装置は、基材上に複数の有機発光素子をマトリクス状に配列してなる装置である。ここで、互いに異なる色、例えば、赤、緑、青のいずれかの色を発光する有機発光素子を１個ずつ組み合わせて１組の画素を形成するように配置すると、多色表示が可能になる。
【０００３】
有機発光装置を構成する有機発光素子は、一対の電極と、当該一対の電極間に配置された有機発光層を有している。有機発光素子の発光色は、発光層に含まれる発光材料を適宜選択することによって変えることができる。
【０００４】
ところで有機発光装置においては、有機発光素子の発光効率を高めるため、電極と有機発光層との間にキャリア注入性を高めるための層（例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等）を設けることが知られている。特許文献１には、正孔注入層として電子吸引性置換基を有する有機材料が好適であることが記載されている。
【０００５】
ところで、有機化合物層を形成する方法としては、メタルマスクを用いた真空蒸着法が広く用いられている。しかし、メタルマスクを用いた真空蒸着法は、メタルマスクと被成膜基板とのアライメント精度の低さやメタルマスクの熱膨張等に起因して成膜精度が低く、高精細な表示装置を作製するのには適さない。
【０００６】
係る課題を解決すべく、特許文献２には、高精細のメタルマスクを用いずに、フォトリソグラフィ法を用いて有機化合物層を高い精度で選択的に形成する方法が開示されている。具体的には、基板の全体に形成した有機化合物層の上に、水溶性高分子からなる中間層とレジスト層とを順次設け、公知の手法によりレジスト層及び中間層を所望の形状にてパターニングを行う。そしてレジスト層及び中間層をマスクとして有機化合物層をパターニングする。そして有機化合物層のパターニング後に中間層を水により溶解させ、有機化合物層の上から中間層及びレジスト層を除去（リフトオフ）する。以上の一連の工程により、所望のパターン形状を有する有機化合物層を得ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第４５３７２０７号公報
【特許文献２】特許第４５０７７５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、特許文献２にて開示されている方法では、レジスト層の塗布、露光、現像等を行う際に有機化合物層へのダメージを低減する目的で、有機化合物層側から中間層とフォトレジスト層とが積層された積層体をマスクとして用いている。そして中間層の構成材料として水溶性の材料を用いている。これにより、中間層を水やアルコールに溶解させてフォトレジスト層を除去できるため、有機化合物層にダメージを与えることがないとされている。
【０００９】
一方で、特許文献２に開示されている方法で所望の形状に形成される有機化合物層には、電極（陽極）に接する層でもある正孔注入層が含まれることがある。ここで、正孔注入層の構成材料として電子吸引性の置換基を有する有機材料を用いた場合、上記中間層を水やアルコール等の極性溶媒に接触させ、この中間層を溶解させて除去する工程又は表面を洗浄する工程において、正孔注入層の端部の割れや剥がれが生じ得る。そうすると、割れや剥がれが生じた層の破片が表示領域内に飛散して発光不良を招く場合がある。
【００１０】
また、中間層の材料やレジスト材料の残渣が有機発光素子を構成する有機化合物層上に残存すると、素子特性を悪化させることがある。この残渣を取り除く方法として、中間層と有機化合物層との間に極性溶媒に可溶な犠牲層を予め形成しておく方法がある。中間層を除去した後で当該犠牲層を極性溶媒に溶解すれば、犠牲層ごと中間層の残渣を除去することが可能となる。
【００１１】
しかし、特許文献１のように正孔注入層の構成材料として電子吸引性の置換基を有する有機材料を用いた場合、犠牲層を除去する工程において正孔注入層の端部の割れや剥がれが生じ得る。あるいは、正孔注入層の破片が表示領域内に飛散して発光不良を招く場合がある。
【００１２】
また、有機化合物層のパターニングにフォトリソ法を用いなくても、有機発光装置を窒化シリコンや酸化アルミニウム等の防湿性の高い無機膜で封止する場合、有機化合物層の表面を有機溶媒で洗浄して有機機能層上の異物を除去するという対策が採用し得る。しかし、この場合でも、正孔注入層の端部の割れや剥がれが生じる恐れがある。
【００１３】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、良好な発光特性を有し、正孔注入層等の電極に接する層のわれや剥がれが生じていない有機発光装置及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の有機発光装置は、基板の上に有機発光素子が配置された表示領域を有し、
前記有機発光素子が、
前記基板の上に設けられる第一電極と、
前記第一電極の上に設けられる正孔注入層と、
前記正孔注入層の上に設けられ発光層を含む有機化合物層と、
前記有機化合物層の上に設けられる第二電極と、を有し、
前記正孔注入層が、電子吸引性置換基を有する有機化合物を有する層であり、
前記有機化合物層に含まれる層のうち少なくとも一層が、前記表示領域の外に設けられる前記正孔注入層の端部を被覆することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、良好な発光特性を有し、正孔注入層等の電極に接する層のわれや剥がれなどの損傷が生じていない有機発光装置及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の有機発光装置における第一の実施形態を示す模式図であり、（ａ）は、平面図であり、（ｂ）は、（ａ）中のＸＸ’断面を示す断面図であり、（ｃ）は、（ｂ）中のＹ1Ｙ2断面を示す断面図である。
【図２】本発明の有機発光装置における第二の実施形態を示す模式図であり、（ａ）は、平面図であり、（ｂ）は、（ａ）中のＡＡ’断面を示す断面図であり、（ｃ）は、（ｂ）の変形例を示す断面図である。
【図３】本発明の有機発光装置の製造方法における第一の実施形態を示す断面模式図である。
【図４】本発明の有機発光装置の製造方法における第二の実施形態を示す断面模式図である。
【図５Ａ】本発明の有機発光装置の製造方法における第三の実施形態を示す断面模式図である。
【図５Ｂ】本発明の有機発光装置の製造方法における第三の実施形態を示す断面模式図である。
【図６】実施例２にて作製した有機発光装置を構成する層の成膜領域の例を示す平面模式図である。
【図７】実施例２にて作製した有機発光装置を示す模式図であり、（ａ）は、平面図であり、（ｂ）は、（ａ）中のＢＢ’断面を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明について説明する。
【００１８】
［有機発光装置］
本発明の有機発光装置は、基板の上に設けられる少なくとも一つの有機発光素子を有している。ここで有機発光装置が有する有機発光素子が二つ以上である場合、各有機発光素子の発光色は同じであっても異なっていてもよい。また有機発光装置が有する有機発光素子が二つ以上である場合、各有機発光素子の配列態様として、例えば、複数の有機発光素子を組み合わせてなる画素をマトリクス状に配列してなる態様があるが、本発明においては、この態様に限定されない。本発明において、有機発光素子は、表示領域内に配置される。この配置の態様として、例えば、下記（ｉ）、（ｉｉ）が挙げられるが、本発明はこれらの態様に限定されるものではない。
（ｉ）表示領域に、一種類の有機発光素子が一次元に配置されている態様
（ｉｉ）表示領域に、互いに発光色が異なる複数種類の有機発光素子が二次元に配置されている態様
【００１９】
本発明において、有機発光装置を構成する有機発光素子は、第一電極と、正孔注入層と、有機化合物層と、第二電極と、を有している。ここで第一電極は、基板の上に設けられる電極であって、下部電極とも呼ばれる部材である。正孔注入層は、第一電極の上に設けられる層である。有機化合物層は、正孔注入層の上に設けられ発光層を含む層である。具体的には、発光層の他に正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層等が含まれる。第二電極は、有機化合物層の上に設けられる電極であって、上部電極とも呼ばれる部材である。
【００２０】
本発明において、正孔注入層は、電子吸引性置換基を有する有機化合物を有する層である。また本発明において、有機化合物層に含まれる層のうち少なくとも一層は、正孔注入層の端部を被覆する、即ち、正孔注入層を保護する層としての機能を有する。
【００２１】
以下、図面を参照しながら、本発明の有機発光装置、及び本発明の有機発光装置の製造プロセスについて具体的に説明する。尚、複数の図面において共通あるいは対応する部材には、同じ符号が付されている。また、図面において特に図示されない、あるいは以下の説明において特に説明されない部分に関しては、当該技術分野の周知或いは公知の技術を適用することができる。さらに以下に説明する実施形態は一例であって、本発明はこれら実施形態に限定されるものではない。
【００２２】
図１は、本発明の有機発光装置における第一の実施形態を示す模式図であり、（ａ）は、平面図であり、（ｂ）は、（ａ）中のＸＸ’断面を示す断面図であり、（ｃ）は、（ｂ）中のＹ1Ｙ2断面を示す断面図である。尚、図１（ｂ）に示されるＹ1及びＹ2の平面位置は、図１（ａ）に示されるＹである。
【００２３】
また図２は、本発明の有機発光装置における第二の実施形態を示す模式図であり、（ａ）は、平面図であり、（ｂ）は、（ａ）中のＡＡ’断面を示す断面図であり、（ｃ）は、（ｂ）の変形例を示す断面図である。
【００２４】
図１の有機発光装置１及び図２の有機発光装置３は、基板１０上の所定の領域に、表示領域１１と、外部接続端子１２と、カソードコンタクト１３と、封止領域１４と、がそれぞれ設けられている点で共通している。
【００２５】
尚、図１（ａ）、図２（ａ）には図示されていないが、基板１０には、外部接続端子１２、カソードコンタクト１３及び表示領域１１内に設けられる電極（第一電極）のいずれかと電気接続される回路が設けられている。図１（ａ）及び図２（ａ）において、外部接続端子１２は、外部からの信号や電源電圧を回路（不図示）に供給する端子である。
【００２６】
カソードコンタクト１３は、第二電極２６（カソード）と外部接続端子１２に電気接続される回路とを接続するために基板１０の上に設けられるコンタクト部である。尚、カソードコンタクト１３は、図１（ａ）や図２（ａ）に示されるように、表示領域１１の外縁であって封止領域１４の内側に設けられる。
【００２７】
封止領域１４は、封止部材によって外気から遮断された領域をいう。封止部材としてガラス材を用いる場合、封止領域１４の周囲には、接着剤、フリット等を介して基板１０とガラス材とが接触する領域（不図示）が設けられている。また封止部材として無機膜を用いる場合、封止領域１４の周囲には、無機材料薄膜の端部と基板１０や基板１０上に設けられた無機材料からなる膜とが接触する領域が設けられている。封止部材に用いる薄膜としては、窒化珪素、酸化ケイ素、酸化アルミニウム等の防湿性の高い無機材料を用いることができる。尚、図１（ａ）及び図２（ａ）に示されるように、表示領域１１及びカソードコンタクト１３はいずれも封止領域１４内に設けられる。
【００２８】
表示領域１１とは、基板１０上に設けられる領域であって画素が複数配置された領域をいう。図１の有機発光装置１には、複数の画素が表示領域１１内にそれぞれ設けられているが、各々は、図１（ｃ）に示すものと同一の断面構造を有している。図２の有機発光装置３には、複数の画素が設けられているが各画素は、図２（ｂ）に示される第一副画素２ａ及び第二副画素２ｂの少なくとも二種類の副画素を含んでいる。ただし各画素が有する副画素の種類は二種類に限定されるものではなく、例えば、図２（ｃ）に示されるように、三種類の副画素（第一副画素２ａ、第二副画素２ｂ、第三副画素２ｃ）を含んでいてもよいし、それ以上の種類の副画素を含んでいても良い。
【００２９】
図１に示される画素及び図２に示される各副画素には、それぞれ有機発光素子２０が少なくとも１つ設けられている。図１（ｃ）に示される有機発光素子２０は、基板１０の上に設けられる第一電極２１と、正孔注入層２２と、有機化合物層３０と、電子注入層２５と、第二電極２６とを有している。尚、図１（ｃ）において、有機化合物層３０は、２つの層、即ち、第一有機機能層３１と第二有機機能層３２とで構成されているが、本発明において、有機化合物層３０は二層からなる積層体に限定されるものではない。図２の有機発光装置３に含まれる有機発光素子（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）も図１（ｃ）に示される有機発光素子２０と同様の構成である。尚、図２では、第一副画素２ａに設けられた第一有機発光素子２０ａに含まれる層にａ、第二副画素２ｂに設けられた第二有機発光素子２０ｂに含まれる層にｂ、第三副画素２ｃに設けられた第三有機発光素子２０ｃに含まれる層にｃを、符号に付加して区別する。一方、各画素に共通の一般的な事項を説明する場合には、ａ、ｂ、ｃを付加しない符号を用いる。
【００３０】
ところで、図２に示される有機発光装置には、図面の簡略化のため、異なる種類の副画素を一つずつ組み合わせてなる一つの画素しか表示されていない。ただし実際には、表示領域１１には、複数の画素が２次元に配置されている。
【００３１】
ここで、本発明の有機発光装置の主な構成部材について説明する。
【００３２】
各有機発光素子２０がそれぞれ有する正孔注入層２２は、電子吸引性置換基を有する有機化合物を含んでいる。
【００３３】
正孔注入層２２は、第一電極２１に接して設けられており、有機発光素子２０の駆動電圧の低電圧化に寄与する層である。特に、正孔注入層２２に電子吸引性置換基を有する有機化合物が含まれる場合、この有機化合物がアクセプターとして機能する。即ち、電子吸引性置換基を有する有機化合物が正孔注入層２２中の正孔密度を増加したり、正孔移動度を高めたりするという効果を奏する。このように正孔注入層２２を設けることで、有機発光素子２０の駆動電圧を低下させることができる。ただし、正孔注入層２２を設ける効果は駆動電圧の低電圧化に留まらず、キャリアバランスの向上という効果ももたらす。キャリアバランスの向上により、有機発光素子２０の長寿命化が可能になる。
【００３４】
電子吸引性置換基を有する有機化合物が、正孔注入層内においてアクセプターとして機能するのは、当該電子吸引性置換基が、分子内の電子が電子吸引性置換基に引き寄せられることで分極を生じ、置換基が置換された部位の電子密度が低下し分子として電子受容性が増すためである。電子吸引性置換基として、例えば、ハロゲン（−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ）、シアノ基（−ＣＮ）、ニトロ基（−ＮＯ2）、カルボニル基（−ＣＯ−）、スルホン基（−ＳＯ3Ｈ）等が挙げられる。
【００３５】
正孔注入層２２に含まれ得る電子吸引性置換基を有する有機化合物として、例えば、下記の化合物が挙げられる。
【００３６】
【化１】
2014150057.tif 000003
【００３７】
このように正孔注入層２２に電子吸引性置換基を有する有機化合物が含まれると、当該有機化合物においては、分子内で分極が生じる。このため当該有機化合物は、極性溶媒と親和性が高くなる。一方で、図１や図２に示した有機発光装置を作製する際には、基板１０上に、当該有機化合物を有する正孔注入層２２と有機化合物層３０とを順次積層することになる。従って、このような表示装置の作製に特許文献２に開示のフォトリソグラフィ法を用いた製造方法を適用すると、プロセスにおいて使用される極性溶媒が、正孔注入層２２と基板１０との界面に入り込むことがある。この極性溶媒の入り込みは正孔注入層２２の端部において顕著になる。
【００３８】
ここで正孔注入層２２と基板１０との界面に極性溶媒が入り込むと、正孔注入層２２と基板１０との密着性が低下する。その結果、正孔注入層２２及び正孔注入層の上に形成された層の膜剥がれやこれに伴う割れを引き起こす場合がある。また正孔注入層２２の構成材料が、使用する極性溶媒に対して溶解度が高い場合は、正孔注入層２２の少なくとも一部がエッチングされ、正孔注入層２２の膜剥がれや割れを引き起こす。
【００３９】
以上説明した問題点は、正孔注入層２２が電子吸引性置換基を有する有機化合物のみからなる層である場合に限られず、電子吸引性置換基を有する有機化合物と他の正孔輸送性材料とからなる層で正孔注入層を形成した場合でも生じ得る。
【００４０】
一方、電子吸引性置換基を有する有機化合物を含む正孔注入層２２は、第一電極２１との密着性は非常に高い。このため表示領域１１内では、上述した正孔注入層２２の割れや剥がれが発生しにくい。これは電荷注入性の良化の裏付けにもなるが、当該電子吸引性基により、当該有機化合物と第一電極２１の構成材料との分子間の相互作用が大きくなり、密着性が高まっているためと考えられる。
【００４１】
従って、有機発光素子を構成する層として、電子吸引性置換基を有する有機化合物を含む正孔注入層２２を設ける場合は、表示領域１１の周縁において極性溶媒等によるダメージをなるべく抑えておけばよい。特に、有機発光装置の製造プロセスで使用される極性溶媒に対して正孔注入層２２がダメージを受けないようにする必要がある。
【００４２】
本発明においては、かかる課題を解決するため、極性溶媒を用いたプロセス、具体的には洗浄、リフトオフ、エッチング等の工程に先立って、予め正孔注入層２２の端部を有機化合物層３０に含まれる少なくとも１つの層、即ち、第一有機機能層３１又は第二有機機能層３２で覆っておく。
【００４３】
本発明において、有機化合物層３０の構成材料には、有機発光装置を製造する際に用いられる極性溶媒に対してエッチングレートが低い材料が選択される。有機化合物層３０に要求される極性溶媒に対するエッチングレートの詳細については、後述する。
【００４４】
ここで極性溶媒に対するエッチングレートが低い材料としては、炭素環からなる有機化合物が挙げられる。具体的には、ナフタレン、フルオレン、フルオランテン、クリセン、アントラセン、テトラセン、フェナントレン、ピレン、トリフェニレン等の炭素環化合物が複数結合されてなる化合物、例えば下記に列挙される有機化合物材料が好ましい。
【００４５】
【化２】
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【００４６】
［有機発光装置の製造方法］
次に、有機発光装置の製造方法を説明する。本発明の製造方法では、製造プロセスの中に水や極性溶媒を使用する工程が含まれる。具体的には、図１の有機発光装置１を製造する際には、有機化合物層まで形成された基板１０を洗浄するときにこの基板１０が水と接触する。一方、図２の有機発光装置３を製造する際には、有機化合物層まで形成された基板１０は、リフトオフ工程において水と、剥離層のエッチング工程において極性溶媒と、それぞれ接触する。従って、水又は極性溶媒との接触の際に、少なくとも電子吸引性置換基を有する有機化合物を含む正孔注入層の端部を、有機化合物層に含まれる少なくとも１つの層で覆っておくことが重要である。
【００４７】
（第一の実施形態）
図３は、本発明の有機発光装置の製造方法における第一の実施形態を示す断面模式図である。尚、図３は、図１の有機発光装置１の製造方法を説明する図でもある。また図１の有機発光装置１は、具体的にはプリンタヘッドの一部材として用いられる。ここで図１の有機発光装置１の製造方法は、少なくとも下記（Ａ）乃至（Ｃ）に示される工程を有している。
（Ａ）正孔注入層を形成する工程（正孔注入層形成工程）
（Ｂ）発光層を含む有機化合物層を形成する工程（有機化合物層の形成工程）
（Ｃ）基板１０を極性溶媒で洗浄する工程（洗浄工程）
【００４８】
尚、工程（Ｃ）（洗浄工程）は、極性溶媒を用いて基板上の異物を洗浄する工程である。
【００４９】
以下、図３を参照しながら本実施形態について説明するが、本発明において有機発光装置の製造方法は、下記（１）乃至（７）に示される工程に限定されるものではない。作製する有機発光装置の構成や製造プロセス中で使用する材料に応じて、工程の削除や変更を適宜行うことができる。
【００５０】
（１）第一電極の形成工程（図３（ａ））
まず、基板１０の上に、第一電極２１を形成する（図３（ａ））。基板１０としては、有機発光装置を安定に製造することができ、かつ駆動できるものであれば特に制限なく用いることができる。例えば、ガラスやＳｉウェハ等の絶縁性あるいは半導体性の支持基板が用いられる。尚、この支持基板の上に有機発光装置を駆動するための駆動回路を設けた回路付基板を基板１０として使用してもよい。このように駆動回路を有する回路付基板を用いる場合は、駆動回路を設けたことによって生じた凹凸を平坦化するための平坦化層（
図３では不図示）を適宜設ける必要がある。またこの回路付基板には、各第一電極２１間を分離すると共に発光領域を副画素単位で区画する画素分離膜（図１（ｂ）の符号１８）を、上記平坦化層の上にさらに設けてもよい。
【００５１】
第一電極２１の具体的な構成材料として、例えば、アルミニウム、銀等の金属材料や、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物等の透明電極材料等を用いることができる。尚、第一電極２１を形成する際には、上記金属材料又は上記透明電極材料からなる単一の層として形成することができるが、上記金属材料と上記透明電極材料とを積層してなる積層電極膜として形成してもよい。
【００５２】
第一電極２１の形成方法としては、真空蒸着法やスパッタリング法、ＣＶＤ法等の従来公知の方法を用いることができる。具体的には、真空蒸着法等により、基板１０の全面にわたって導電層を形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてこの導電層を素子毎にパターニングして、各有機発光素子２０にそれぞれ対応する第一電極２１をそれぞれ形成する。
【００５３】
また各第一電極２１間を分離する画素分離膜１８を設ける場合は、まず基板１０及び第一電極２１の上に、例えば、ポリイミド樹脂、あるいは窒化シリコンや酸化シリコン等の絶縁性の材料を基板１０の全面にわたって成膜する。そして第一電極２１の上に開口を有するように絶縁性の材料からなる層をパターニングすることで画素分離膜１８となるバンクを形成する。
【００５４】
（２）正孔注入層、有機化合物層の形成工程（図３（ｂ）、（ｃ））
次に、第一電極２１が形成された基板１０の上に、正孔注入層２２と、有機化合物層３０と、を順次形成する（図３（ｂ）、（ｃ））。尚、正孔注入層２２及び有機化合物層３０は、それぞれ副画素２に含まれる有機発光素子２０を構成する層である。また有機化合物層３０は、第一有機機能層３１と第二有機機能層３２とからなる積層体である。
【００５５】
正孔注入層２２として、上述したように、電子吸引性置換基を有する有機化合物を含む層を形成する。有機化合物層３０は、少なくとも発光層を含む一層又は二層以上の積層体からなる層である。ここで有機化合物層３０が二層以上の積層体からなる場合、発光層の他に、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層等の層が有機化合物層３０に含まれていてもよい。また、有機化合物層３０が第一有機機能層３１と第二有機機能層３２とからなる場合、各有機機能層（３１，３２）は、一層又は二層以上の積層体からなる層である。
【００５６】
有機化合物層３０（第一有機機能層３１、第二有機機能層３２）の構成材料としては、公知の低分子系材料、或いは高分子系材料の中から適宜選択することができる。
【００５７】
尚、上述したように、有機化合物層３０を構成する層のうち少なくとも一層は、正孔注入層２２を保護する層としても機能する。従って、正孔注入層２２を保護する機能を備える有機化合物層３０の成膜領域は、正孔注入層２２の成膜領域を含むように予め決めておく必要がある。ここで図１の有機発光装置１では有機化合物層３０全体が正孔注入層２２を保護する構成を示しているが、有機化合物層３０に含まれる少なくとも１つの層が正孔注入層２２を保護していればよい。
【００５８】
有機化合物層３０や正孔注入層２２を蒸着法にて形成する場合、各層の成膜領域は、基本的には、マスクの開口部の大きさによって定まる。ただし、基板に対してマスクを浮かせたときに生じる回り込み成分を利用する、蒸着の際の基板に対する入射角度を調節する等の方法により適宜規定することができる。ただし、これらに限定されるものではない。ここで蒸着の際の基板に対する入射角度を調節する方法を採用する場合では、正孔注入層２２を形成する際には入射角度を小さく設定し、正孔注入層２２の端部を覆う層を形成する際は入射角度を大きくすればよい。
【００５９】
図１（ａ）には、正孔注入層２２の成膜領域１５と有機化合物層３０の成膜領域１６が示されている。ここで、正孔注入層２２は、少なくとも表示領域１１に形成されていれば十分であるので、その成膜領域１５は、表示領域１１を含んでいればよい。一方、有機化合物層３０に含まれる少なくとも１つの層（例えば、第一有機機能層３１、第二有機機能層３２）は、正孔注入層２２になる膜の端部を被覆する必要がある。このため、該当する層の成膜領域は、図１（ａ）に示されている成膜領域１５を含み、かつ成膜領域１５よりも広くしておく必要がある。例えば、成膜領域１５を包括する成膜領域１６にする必要がある。
【００６０】
（３）洗浄工程
次に、基板上の異物を低減することを目的として、有機化合物層３０上を極性溶媒によって洗浄を行う。本工程を行う際は、有機化合物層３０が溶解によるダメージを受けないように、極性溶媒である洗浄溶剤として水を用いるか、水の濃度が高い水溶液を用いることが好ましい。洗浄方法としては、二流体ノズルや超音波水による洗浄等が挙げられる。これらを有機化合物層３０上で適用する際に、正孔注入層２２の成膜領域１５と有機化合物層３０の成膜領域１６とが図１（ａ）に示した関係、具体的には、成膜領域１６が成膜領域１５を包括する関係にする。これにより、正孔注入層２２の破損や不良発生を防ぐことができる。
【００６１】
（４）第二電極等の形成工程（図３（ｄ））
次に、有機化合物層２３の上に、電子注入層２５と、第二電極２６と、を順次形成すれば、図１（ｃ）に示される有機発光素子２０が完成する（図３（ｄ））。尚、電子注入層２５は必要に応じて設ける層であり、必ずしも設ける必要はない。また一般的に、電子注入層２５にはアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む水溶性の材料が好適に用いられるため、洗浄工程よりも後に形成している。しかし、耐水性の材料により電子注入層２５を形成する場合は、洗浄工程の前に電子注入層２５を形成しても構わない。
【００６２】
第二電極２６の構成材料としては、Ａｌ、Ａｇ等の金属材料や、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物等の透明電極材料等の公知の電極材料を用いることができる。また第二電極２６として、金属材料からなる層と透明電極材料とからなる積層電極膜を用いることができる。
【００６３】
尚、各有機化合物層２３に含まれる発光層から発せられた光を外部に出射させるためには、第一電極２１及び第二電極２６のいずれかを透明あるいは半透明の電極とする。ここでいう透明とは、可視光に対して８０％以上の透過率を有するものをいい、半透明とは、可視光に対して２０以上８０％未満の透過率を有するものをいう。
【００６４】
（５）無機封止膜の形成工程（図３（ｅ））
第二電極２６を形成した段階で本発明の有機発光装置は完成するが、水分、酸素等が外部から有機発光素子２０へ浸入するのを抑制するため、アノード（第二電極２６）上に無機封止膜を積層することが好ましい。
【００６５】
無機封止膜としては、ＳｉＮ膜あるいはＳｉＮ膜とＳｉＯ膜との積層膜等の防湿性材料からなる膜が好ましく、膜厚は０．５μｍ乃至４μｍ程度であることが好ましい。ところで、ＳｉＮ膜は、基板温度や成膜速度等の成膜条件を変えることでさまざまな特性の薄膜となるが、本発明を限定するものではない。
【００６６】
以上説明した製造プロセスに従って有機発光装置を製造すれば、正孔注入層２２の割れや剥がれによって発生した有機化合物の破片の飛散による発光不良を防ぐことができる。その結果、基板上の異物低減のため洗浄工程導入を可能になる。このため後発的に発生するダークスポットなどの発光不良発生を抑制が可能になり、薄膜封止の品質向上につながる。
【００６７】
（第二の実施形態）
次に、本発明の有機発光装置の製造方法の第二の実施形態について説明する。第二の実施形態は、具体的には、図２の有機発光装置３の製造方法である。尚、図２の有機発光装置３は、具体的には多色表示ディスプレイである。本実施形態における有機発光装置の製造方法は、少なくとも下記（Ａ）乃至（Ｅ）に示されている工程を有している。
（Ａ）正孔注入層を形成する工程（正孔注入層形成工程）
（Ｂ）発光層を含む有機化合物層を形成する工程（有機化合物層の形成工程）
（Ｃ）剥離層を形成する工程（剥離層形成工程）
（Ｄ）有機化合物層を加工する工程（有機化合物層の加工工程）
（Ｅ）剥離層を除去する工程（剥離層の除去工程）
【００６８】
上記工程のうち、工程（Ｅ）（剥離層の除去工程）は、極性溶媒を用いて剥離層を溶解させる工程である。また本発明において、工程（Ｅ）で用いられる極性溶媒に対する剥離層（の構成材料）のエッチングレートは、少なくとも有機化合物層（の構成材料）のエッチングレートよりも大きい。ここで剥離層が複数の層からなる場合では、上記極性溶媒に対する剥離層に含まれる所定の層の構成材料のエッチングレートは、有機化合物層及び剥離層を構成する他の層の構成材料のエッチングレートよりも大きい。尚、ここでいう所定の層とは、工程（Ｅ）で用いられる極性溶媒によって溶解される層をいう。
【００６９】
図４は、本発明の有機発光装置の製造方法における第二の実施形態を示す断面模式図である。本実施形態の製造方法にて製造される有機発光装置は、例えば、二種類の有機発光素子を備える有機発光装置であるが、本実施形態で製造される有機発光装置はこれに限定されるものではない。
【００７０】
以下、図２に基づいて、本実施形態の製造方法について説明するが、本発明の製造方法は以下に説明する工程に限定されるものではない。また以下の説明においては、第一の実施形態と相違する部分を中心に説明する。また、本実施形態において、（少なくとも）有機化合物層３０に含まれる第二有機機能層３２で覆っておく必要のある正孔注入層２２の端部については、一通り工程を説明した後に詳細に説明する。
【００７１】
（１）第一電極の形成工程（図４（ａ））
まず、第一の実施形態と同様にして、基板１０の上に、第一電極（２１ａ、２１ｂ）を形成する（図４（ａ））。
【００７２】
第一電極（２１ａ、２１ｂ）の構成材料としては、第一の実施形態にて説明した材料と同様の材料を用いることができる。
【００７３】
（２）正孔注入層、有機化合物層の形成工程（図４（ｂ））
次に、第一電極（２１ａ、２１ｂ）が形成された基板１０の上に、正孔注入層２２ａと、有機化合物層３０ａと、を順次形成する（図４（ｂ））。尚、有機化合物層３０ａは、第一有機機能層３１ａと第二有機機能層３２ａとがこの順に積層されてなる層である。本工程にて形成される各層の形成方法及び構成材料としては、第一の実施形態にて説明したものと同様のものを採用することができる。ただし、有機化合物層３０ａに含まれる層の材料には、極性溶媒に対するエッチングレートが、後の工程で形成される剥離層４０ａのエッチングレート以下の材料を選択しておく。
【００７４】
（３）剥離層の形成工程（図４（ｃ））
次に、有機化合物層３０ａの上に剥離層４０ａを形成する（図４（ｃ））。本実施形態においては、剥離層４０ａは単層であるが、これに限定されるものではない。つまり、剥離層４０ａが、複数の層からなる積層体であってもよい。
【００７５】
本実施形態のように、剥離層４０ａが単層である場合、剥離層４０ａの構成材料としては、剥離層４０ａを溶解する極性溶媒に対する剥離層４０ａのエッチングレートが、第二有機機能層３２ａのエッチングレートよりも大きくなるように材料を選択する。剥離層４０ａのエッチングレートが有機化合物層３０ａに含まれる第二有機機能層３２ａのエッチングレートを下回ると、エッチングが有機化合物層３０ａに含まれる発光層まで進行することがあり素子特性を低下させる可能性があるからである。
【００７６】
剥離層４０ａの構成材料としては、ＬｉＦ、ＮａＣｌ等の水溶性無機材料、あるいはポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）等の水溶性ポリマーを使用することができる。また極性溶媒に対する有機化合物層３０ａを構成する第二有機機能層３２ａのエッチングレートの選択比が十分であれば、極性置換基を有する有機化合物も使用することができる。
【００７７】
剥離層４０ａの形成方法としては、公知の薄膜形成方法（蒸着法、スピンコート法、塗布法等）を用いることができる。
【００７８】
（４）レジスト層の形成工程（図４（ｄ））
次に、剥離層４０ａの上に、レジスト層５０を形成する（図４（ｄ））。このとき図４（ｄ）に示されるように、剥離層４０ａの上に直接レジスト層５０を設けてもよい。剥離層４０ａの上に直接レジスト層５０を設ける場合、レジスト層５０の現像液に対するレジスト層５０のエッチングレートが剥離層４０ａのそれよりも大きくなるようにレジスト材料を選択するのが望ましい。
【００７９】
仮に、レジスト層４０の現像液が有機発光素子の構成部材（３２ａ、３１ａ、２２ａ）を溶解する、あるいは剥離層４０ａを溶解乃至変質するものである場合には、剥離層４０ａとレジスト層５０との間に保護層（不図示）を設けておくのが好ましい。
【００８０】
ここで保護層の構成材料としては、窒化シリコンや酸化シリコン等の無機材料が好ましい。保護層を用いると、レジスト層５０を形成したり現像したりする段階で剥離層４０ａや有機発光素子の構成部材が溶解したり変質したりする可能性を抑制することができる。また剥離層４０ａの上に形成するレジスト層５０の構成材料として使用可能な材料の選択肢を増やすことができる。
【００８１】
（５）露光・現像工程（図４（ｅ））
次に、レジスト層５０を設けた領域のうち、第一副画素２ａを設ける領域以外の領域が部分的に除去されるようにパターニングを行う（図４（ｅ））。このパターニングによって残存したレジスト層５０ａは後の工程でマスク層として使用される。
【００８２】
ここでレジスト層５０のパターニング方法としては、まずレジスト層５０の性質を考慮して、特定の領域（第一副画素２ａを設ける領域又はそれ以外の領域）を選択的に露光する。次に、現像液を用いて第一副画素２ａを設ける領域以外の領域に設けられるレジスト層５０を選択的に除去する方法が採用される。
【００８３】
ところで、フォトリソグラフィを用いてレジスト層５０のパターニングを行う際は、上述したように、レジスト層５０を露光し、現像する必要がある。ただしフォトリソグラフィを用いずに、インクジェット法や印刷法等の方法を用いて、レジスト層５０をマスク層として第一副画素２ａを設ける領域に選択的に形成する方法を採用してもよい。
【００８４】
（６）有機化合物層の加工工程（図４（ｆ））
続いて、第一副画素２ａを設ける領域に残存するレジスト層５０ａをマスク層として、レジスト層５０に被覆されていない領域に設けられている剥離層４０ａと、第二有機機能層３２ａと、第一有機機能層３１ａと、正孔注入層２２ａとを、部分的に除去する。ここで剥離層４０ａ、第一有機機能層３１ａ及び正孔注入層２２ａを除去する方法としてドライエッチング法を採用することができる。
【００８５】
本工程により、第二副画素２ｂに含まれる第一電極２１ｂが露出される（図４（ｆ））。尚、本工程においてマスク層として使用されるレジスト層５０ａは、その一部が除去されてもよいし、図４（ｆ）に示されるようにその全てが除去されても構わない。仮に、本工程において、レジスト層５０が残存する場合であっても、後の工程（（８）リフトオフ工程）により、残存するレジスト層５０ａを除去することができる。
【００８６】
（７）正孔注入層、有機化合物層の形成工程（図４（ｇ））
次に、第二副画素２ｂに含まれる第一電極２１ｂの上に、正孔注入層２２ｂと、第一有機機能層３１ｂと、第二有機機能層３２ｂと、を順次形成する（図４（ｇ））。尚、正孔注入層２２ｂ、第一有機機能層３１ｂを順次形成する際には、少なくとも表示領域を含んみ、かつ表示領域より広い領域に形成する。
【００８７】
本工程に形成される正孔注入層２２ｂは、第一副画素２ａに含まれる正孔注入層２２ａと同じであってもよいし異なっていてもよい。
【００８８】
本工程に形成される第一有機機能層３１ｂは、通常、第一副画素２ａに含まれる第一有機機能層３１ａと比較して発光色、含まれる層の膜厚等が異なっている。
【００８９】
（８）リフトオフ工程（図４（ｈ））
次に、剥離層４０ａが可溶な極性溶媒を接触させることで剥離層４０ａを溶解させる。これにより、第一電極２１ａの上方であって剥離層４０ａの上に形成された正孔注入層２２ｂ、第一有機機能層３１ｂ及び第二有機機能層３２ｂをリフトオフ（剥離）する（図４（ｈ））。
【００９０】
本発明では、極性溶媒に対する剥離層４０ａのエッチングレートを、有機化合物層３０ａよりも大きく設定している。このため剥離層４０ａを選択的に溶解して除去することができる。
【００９１】
（９）第二電極等の形成工程（図４（ｉ））
次に、有機化合物層（３０ａ、３０ｂ）の上に、電子注入層２５と、第二電極２６と、を順次形成すれば、図２（ｂ）の有機発光装置３ａが完成する（図４（ｉ））。ただし電子注入層２５は必要に応じて設ける部材であり、必ずしも設ける必要はない。電子注入層や第２電極の他に、電荷輸送層等の第一副画素２ａ、第二副画素２ｂに共通に用いることのできる材料からなる層をさらに形成しても良い。
【００９２】
第二電極２６の構成材料としては、第一の実施形態と同様の材料を用いることができる。
【００９３】
第二電極２６を形成した段階で本発明の有機発光装置は完成するが、第一の実施形態と同様の理由で、公知の封止部材（不図示）を設けるのが好ましい。
【００９４】
＜有機化合物層による正孔注入層の保護＞
ここで、有機化合物層３０で覆っておく必要のある正孔注入層２２の端部について説明する。
【００９５】
第一副画素２ａに含まれる正孔注入層２２ａ及び有機化合物層３０ａは、工程（６）において、第一副画素２ａを設ける領域を除いて除去される。ここで、正孔注入層２２ａ、有機化合物層３０ａがパターニングされた段階では、正孔注入層２２ａは極性溶媒に接触することがないため、正孔注入層２２ａの端部が有機化合物層３０ａに覆われている必要はない。
【００９６】
続く工程（７）では、第二副画素２ｂに含まれる正孔注入層２２ｂ及び有機化合物層３０ｂは、少なくとも表示領域を覆って形成される。そして工程（８）で極性溶媒に接触させることにより、第一電極２１ａの上方であって剥離層４０ａの上に形成された正孔注入層２２ｂ及び有機化合物層３０ｂがリフトオフされる。以上より、極性溶媒が浸入し易い正孔注入層２２ａの端部とは、表示領域の外側に形成される、パターニング前の正孔注入層２２ｂの端部である。従って、この正孔注入層２２ｂの端部が有機化合物層３０ｂで覆われていればよい。ここで有機化合物層３０ｂが複数の層、例えば、第一有機機能層３１ｂと第二有機機能層３２ｂとからなる場合、表示領域の外側に形成される正孔注入層２２ａの端部が、有機化合物層３０ｂに含まれるいずれかの層（３１ｂ、３２ｂ）で覆われていればよい。
【００９７】
もし、工程（６）において、表示領域の外側に形成される、パターニング前の正孔注入層２２ａの端部を除去しなかった場合は、表示領域の外側に形成される正孔注入層２２ａ及び２２ｂの両方の端部が、有機化合物層３０ｂで覆われていればよい。有機化合物層３０ｂが複数の層からなる場合は、表示領域の外側に形成される正孔注入層２２ａ、２２ｂの両方の端部が、有機化合物層３０ｂに含まれるいずれかの層（３１ｂ、３２ｂ）で覆われていればよい。
【００９８】
有機化合物層３０や正孔注入層２２を蒸着法にて形成する場合、各層の成膜領域を決める方法としては、マスクの開口部の大きさを決める、基板に対してマスクを浮かせて回り込み成分を大きくする、蒸着の際の基板に対する入射角度を調節する等が挙げられる。ただし、これらに限定されるものではない。蒸着の際の基板に対する入射角度を調節する方法を採用する場合では、同一マスクを用いて、正孔注入層２２ａを形成する際には入射角度を小さく設定し有機化合物層３０ａを形成する際は入射角度を大きくすればよい。
【００９９】
以上説明した製造プロセスに従って有機発光装置を製造すれば、剥離層４０ａの溶解、除去する際に、正孔注入層（２２ａ、２２ｂ）の端部が剥離層４０ａよりもエッチングレートが小さい有機化合物層（３０ａ、３０ｂ）に含まれるいずれかの層で保護されることになる。このため、正孔注入層（２２ａ、２２ｂ）の割れや剥がれを抑制することができる。従って、正孔注入層（２２ａ、２２ｂ）の割れや剥がれによって発生した有機化合物の破片の飛散による発光不良を防止することができる。
【０１００】
（第三の実施形態）
図５は、本発明の有機発光装置の製造方法における第三の実施形態を示す断面模式図である。図５に示されている製造プロセスは、三種類の有機発光素子を形成している点と、剥離層４０ａを複数の層（第一剥離層４１ａ、第二剥離層４２ａ）からなる積層体として形成している点と、を除けば図４に示されている製造プロセスと同様に行うことができる。
【０１０１】
第一剥離層４１ａの構成材料として、例えば、極性部位を含む材料が挙げられる。具体的には、下記のような複素環を含む有機化合物が挙げられる。
【０１０２】
【化３】
2014150057.tif 000005
【０１０３】
上記化合物群は、極性溶媒（水、ヘテロ原子（Ｎ、Ｏ、Ｓ等）を有する有機化合物（極性部位を有する有機化合物）、これらを混合してなる混合溶媒等）に溶解する。このため、有機化合物層を構成する第二有機機能層３２ａの構成材料を、例えば、極性溶媒に溶解しない炭化水素のみからなる有機化合物とし、剥離層４０ａの構成材料を上記化合物群のいずれかにすると、極性溶媒によって第一剥離層４１ａが選択的に溶解されることになる。
【０１０４】
第一剥離層４１ａの上に形成される第二剥離層４２ａの構成材料としては、下記条件を満たす材料を選択するのが好ましい。
・形成時に第一剥離層４１ａ、第一有機機能層３１ａ及び第二有機機能層３２ａにダメージを与えることがないこと
・第一剥離層４１ａを溶解させる極性溶媒に対してエッチングレートが高いこと
【０１０５】
第二剥離層４２ａの構成材料としては、第一剥離層４１ａのエッチングを行う際に用いられる極性溶媒に対するエッチングレートが、第一剥離層４１ａの１０倍以上高いとなる材料を用いることが好ましい。
【０１０６】
また第一剥離層４１ａ、第二剥離層４２ａのそれぞれに対して使用される極性溶媒を変える場合では、例えば、水に対する溶解度の低い材料を第一剥離層４１ａの構成材料として用いる。そして第二剥離層４２ａの構成材料として水に溶解しやすい材料を用いる。
【０１０７】
係る場合、第二剥離層４２ａの構成材料としては、ＬｉＦ、ＮａＣｌ等の水溶性無機材料、あるいはポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）等の水溶性ポリマーを使用することができる。
【０１０８】
発明者らの検討によれば、特許文献１のように、剥離層を水溶性無機材料や水溶性高分子材料からなる層のみとした場合、剥離層を溶解する溶解液に対するエッチングレートの条件が良好であったとしても、残渣なく剥離層を除去することは難しいことが分かった。
【０１０９】
ここで第二剥離層４２ａの構成材料として示した水溶性無機材料や水溶性高分子材は、絶縁性材料であるため、これらの残渣が有機化合物層の最表面に残ると、素子特性が低下してしまう場合がある。
【０１１０】
特に、剥離層を、ポリビニルアルコールやポリビニルピロリドン、あるいはアルコール可溶性ナイロンのようなポリマーからなる高分子材料で構成した場合は、このような課題が生じ易い。さらに、このような状況は、本発明における剥離層を構成する有機材料とその下に設けられる有機化合物層（有機機能層）との間にも生じることが分かった。
【０１１１】
例えば、剥離層に水溶性高分子のように剥離層材料の残渣が残り易い材料を用いる場合では、第二有機機能層３２ａの上に水溶性高分子からなる第二剥離層４２ａを形成する前に他の材料からなる第一剥離層４１ａを形成することで残渣を除去しやすくなる。
【０１１２】
このとき第一剥離層４１ａの構成材料としては、第二有機機能層３２ａの表面に残渣が残っても素子特性を低下させない材料を選択することが好ましい。具体的には、キャリア輸送材料を選択すれば、有機化合物層の表面に存在してもキャリアの移動を妨げないため素子特性を低下させることがなく特に好ましい。ここで第一剥離層４１ａの構成材料として、上述した極性部位を含む化合物は、有機化合物層の表面に存在してもキャリアの移動を妨げない化合物である。
【実施例】
【０１１３】
以下、実施例により本発明を詳細に説明する。
【０１１４】
［実施例１］
図３に示される製造プロセスに従って、図１（ｃ）の有機発光装置１を作製した。尚、発光層は青色発光層としているが、本発明はこれに限定されない。
【０１１５】
（１）電極付基板の形成工程（図３（ａ））
まず、本実施例にて用いた基板１０を用意した。本実施例において用意した基板１０は、基材（不図示）と、この基材の上に設けられ各有機発光素子（２０）を駆動するための回路（不図示）と、この回路を被覆する絶縁層（不図示）と、を有している。また、図１（ｃ）及び図３（ａ）には図示されていないが、後述する各第一電極（２１）は、それぞれ絶縁層の所定の領域に設けられたコンタクトホールを介して上記回路と電気的に接続されている。
【０１１６】
次に、スパッタリング法により、基板１０上の全面に、ＡｌＮｄを成膜して反射電極を形成した。このときＡｌＮｄ膜の膜厚を１００ｎｍとした。次に、スパッタリング法により、反射電極の上にＩＴＯを成膜してＩＴＯ膜を形成した。このときＩＴＯ膜の膜厚を１０ｎｍとした。
【０１１７】
次に、公知のフォトリソグラフィ法を用いて反射電極（ＡｌＮｄ膜）とＩＴＯ膜とからなる積層膜をパターニングした。これにより、副画素２に含まれる第一電極（２１）をそれぞれ複数個ずつ形成した（図３（ａ））。次に、画素分離膜１８となる窒化珪素膜をＣＶＤ成膜により成膜した後、その上に形成したフォトレジストをフォトリソグラフィによりパターニングした。次に、パターニングしたレジストをマスクとしたＣＦ4ガスを用いたドライエッチングにより、図１（ｂ）のように所望の開口部を設けた。尚、画素分離膜１８上に残ったレジスト残渣は酸素ガスによるドライエッチングによって除去した。次に、第一電極２１が設けられた基板１０に対しＵＶオゾン処理を行った。
【０１１８】
（２）正孔注入層の形成工程（図３（ｂ））
次に、図１（ａ）に示される成膜領域１５に対応する領域（表示領域）に開口を有する蒸着マスクを用いた真空蒸着法により、基板１０及び第一電極２１の上に、下記に示される化合物１を成膜して正孔注入層２２を形成した（図３（ｂ））。このとき正孔注入層２２の膜厚は、５０ｎｍであった。
【０１１９】
【化４】
2014150057.tif 000006
【０１２０】
（３）有機化合物層（青色発光層を含む有機化合物層）の形成工程（図３（ｂ）、（ｃ））
次に、真空蒸着法を用いた連続成膜により、正孔注入層２２の上に、青色を発する発光層（青色発光層）を含む有機化合物層３０を形成した（図３（ｂ）、（ｃ））。
【０１２１】
まず正孔注入層２２を形成した際に使用した蒸着マスクと同じ蒸着マスクを用いて、正孔輸送層を膜厚７０ｎｍで形成した。次に、青色発光材料を含む発光層（青色発光層）を膜厚３０ｎｍで形成した。尚、正孔注入層２２の上に順次形成した正孔輸送層及び青色発光層は、第一有機機能層３１として機能する（図３（ｂ））。
【０１２２】
次に、基板１０上の領域、具体的には、図１（ａ）に示される成膜領域１６に対応する領域に開口を有する蒸着マスクを用いて、図１（ａ）に示される成膜領域１６に、下記に示される化合物２を正孔ブロック層として１０ｎｍの膜厚で成膜し第二有機機能層３２とした（図３（ｃ））。次に、同じ蒸着マスクを用いて電荷輸送材料となる有機化合物を２０ｎｍの膜厚で成膜して電荷輸送層（電子輸送層）を形成した（不図示）。
【０１２３】
【化５】
2014150057.tif 000007
【０１２４】
（４）洗浄工程（不図示）
次に、基板１０の表面を純水で洗浄を行った。洗浄には窒素ガス（３０Ｌ／ｍｉｎ）と純水（１Ｌ／ｍｉｎ）とからなる二流体ノズルを使用した。本工程のように水を用いた工程の際に、第二有機機能層３２は、正孔注入層２２よりも広い領域で成膜しているため、正孔注入層２２の端部は第二有機機能層３２で被覆されていた。このため本工程を行った後において、正孔注入層２２の損傷は見受けられなかった。
【０１２５】
（５）電子注入層の形成工程（図３（ｄ））
次に、電荷輸送層の上に、電荷輸送材料となる有機化合物と炭酸セシウム（Ｃｓ2ＣＯ3）とを共蒸着して電子注入層２５を形成した。このとき電子注入層の膜厚を２０ｎｍとした。
【０１２６】
（６）第二電極の形成工程（図３（ｄ））
次に、スパッタリング法により、電子注入層２５の上にＡｇを成膜して、半透明な第二電極２６を、膜厚１６ｎｍで形成した（図３（ｄ））。
【０１２７】
（７）封止工程（図（ｅ））
次に、ＣＶＤ成膜を用いて、第二電極２６の上に窒化珪素膜（ＳｉＮx）を２μｍの膜厚で成膜して無機封止膜とした。以上により、図１（ｂ）の断面形状を有する有機発光装置１を得た。
【０１２８】
［実施例２］
図５に示される製造プロセスに基づいて、図２（ｃ）に示される有機発光装置３ｂを作製した。
【０１２９】
（１）電極付基板の形成工程（図５（ａ））
まずスパッタリング法により、基板１０上の全面に、ＡｌＮｄを成膜して反射電極を形成した。このときＡｌＮｄ膜の膜厚を１００ｎｍとした。次に、スパッタリング法により、反射電極の上にＩＴＯを成膜してＩＴＯ膜を形成した。このときＩＴＯ膜の膜厚を１０ｎｍとした。
【０１３０】
次に、公知のフォトリソグラフィ法を用いて反射電極（ＡｌＮｄ膜）とＩＴＯ膜とからなる積層膜をパターニングした。これにより、第一副画素２ａ、第二副画素２ｂ又は第三副画素２０ｃに含まれる第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）をそれぞれ複数個ずつ形成した（図５（ａ））。次に、第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）が設けられた基板１０に対しＵＶオゾン処理を行った。
【０１３１】
尚、本実施例にて用いられた基板１０は、基材（不図示）と、この基材の上に設けられ各有機発光素子（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）を駆動するための回路（不図示）と、この回路を被覆する絶縁層（不図示）と、を有する回路付基板を用いた。また、図２（ｃ）及び図７には図示されていないが、各第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）は、絶縁層の所定の領域に設けられたコンタクトホールを介して上記回路と電気的に接続されている。
【０１３２】
（２）正孔注入層の形成工程
次に、図６（ａ）に示される成膜領域１５に開口１１を有するマスクを用いた真空蒸着法により、基板１０及び第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）の上に、下記に示される化合物１を成膜して正孔注入層２２ａを形成した。このとき正孔注入層２２ａの膜厚は、５０ｎｍであった。
【０１３３】
（３）有機化合物層（青色発光層を含む有機化合物層）の形成工程
次に、真空蒸着法を用いた連続成膜により、正孔注入層２２ａの上に、青色を発する第一発光層（青色発光層）を含む有機化合物層３０ａを形成した。
【０１３４】
まず正孔注入層２２ａを形成した際に使用した蒸着マスクと同じ蒸着マスクを用いて、正孔輸送層（不図示）を膜厚７０ｎｍで形成した。次に、青色発光材料を含む第一発光層（第一有機機能層３１ａ）を膜厚３０ｎｍで形成した。次に、図６（ｂ）に示される成膜領域１６に対応する領域に開口を有する蒸着マスクを用いて、図６（ｂ）に示される成膜領域１６に、下記に示される化合物２を成膜して第二有機機能層３２ａを形成した（図６（ｂ））。このとき第二有機機能層３２ａの膜厚を１０ｎｍとした。尚、本実施例において、第二有機機能層３２ａとは、正孔ブロック層のことである。
【０１３５】
（４）剥離層の形成工程（図５（ｃ））
次に、第一剥離層４１ａと第二剥離層４２ａとが順次積層してなる剥離層４０ａを、以下に示す方法により形成した。まず正孔ブロック層（第二有機機能層３２ａ）を形成した際に使用した蒸着マスクを用いた真空蒸着法により、正孔ブロック層（第二有機機能層３２ａ）の上に、下記に示される化合物３を成膜して、第一剥離層４１ａを形成した。このとき第一剥離層４１ａの膜厚を４０ｎｍとした。
【０１３６】
【化６】
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【０１３７】
次に、水溶性高分子材料のポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）と水とを混合してＰＶＰ水溶液を調製した。次に、スピンコート法により、第一剥離層４１ａの上に、調製したＰＶＰ水溶液を塗布・成膜した。このとき、基板１０全面に第一剥離層４１ａが成膜してあることでスピンコート時の濡れ性を基板上で均一化でき成膜性が向上している。次に、成膜したＰＶＰ膜を乾燥させることで、膜厚５００ｎｍの第二剥離層４２ａを形成した。以上により、第一剥離層４１ａと第二剥離層４２ａとが積層してなる剥離層４０ａを形成した（図５（ｃ））。
【０１３８】
（５）レジスト層の形成工程（図５（ｄ））
次に、スピンコート法により、第二剥離層４２ａの上に、市販のフォトレジスト材料（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ製、製品名「ＡＺ１５００」）を成膜した後、フォトレジスト材料に含まれる溶剤を飛ばすことでレジスト層５０を形成した（図５（ｄ））。このときレジスト層５０の膜厚は１０００ｎｍであった。
【０１３９】
（６）露光・現像工程（図５（ｅ））
次に、レジスト層５０まで形成した基板１０を露光装置にセットし、第一副画素２ａを設ける領域に形成されたレジスト層５０ａが残るように、フォトマスクを介して４０秒間露光を行った。露光後、レジスト層５０の現像液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ製、製品名「３１２ＭＩＦ」を水で希釈し濃度を５０％としたもの）を用いて１分間現像した。この現像処理により、第一副画素２ａを設ける領域以外の領域に形成されたレジスト層５０を除去した（図５（ｅ））。
【０１４０】
（７）有機化合物層（青色発光層を含む有機化合物層）等の加工工程（図５（ｆ））
次に、前工程（露光・現像工程）を行った後で残存するレジスト層５０ａをマスクとして、ドライエッチングにより、レジスト層５０ａに被覆されていない剥離層４０ａを除去した。このときエッチングガス（反応ガス）と酸素とし、エッチングガスの流量を２０ｓｃｃｍとし、装置内の圧力を８Ｐａとし、出力を１５０Ｗとし、処理時間を５分とした。
【０１４１】
次に、加工された剥離層４０ａをマスクとして、ドライエッチングにより、剥離層４０ａに被覆されていない有機化合物層３０ａ及び正孔注入層２２ａを、順次加工した。これにより、第二副画素２ｂに設けられる第一電極２１ｂ及び第三副画素２ｃに設けられる第一電極２１ｃが露出された。このとき有機化合物層３０ａ及び正孔注入層２２ａの加工条件は、剥離層４０ａの加工条件と同じにした。また正孔注入層２２ａの加工（部分的エッチング）が完了した時点で、剥離層４０ａの上に設けられているレジスト層５０ａは、エッチングにより除去されていた（図５（ｆ））。
【０１４２】
（８）有機化合物層（緑色発光層を含む有機化合物層）等の形成工程
次に、露出した第一電極（２１ｂ、２１ｃ）にＵＶオゾン処理を行った後、図６（ａ）に示される成膜領域１５に開口を有するマスクを用いた真空蒸着法により、基板１０及び第一電極（２１ｂ、２１ｃ）の上に、化合物１を成膜して正孔注入層２２ｂを形成した。このとき正孔注入層２２ｂの膜厚は、５０ｎｍであった。
【０１４３】
次に、工程（３）と同様の方法により、正孔注入層２２ｂの上に、緑色を発する発光層（緑色発光層）を含む有機化合物層３０ｂを形成した。まず正孔注入層２２ｂを形成した際に使用した蒸着マスクと同じ蒸着マスクを用いて、正孔輸送層（不図示）を膜厚１１０ｎｍで形成した。次に、公知の緑色発光材料を含む発光層（第一有機機能層３１ｂ）を膜厚３０ｎｍで形成した。次に、基板１０の全面、具体的には、図６（ｂ）に示される成膜領域１６に対応する領域に化合物２を成膜して正孔ブロック層（第二有機機能層３２ｂ）を形成した。このとき正孔ブロック層である第二有機機能層３２ｂの膜厚を１０ｎｍとした。
【０１４４】
（９）第一剥離層の形成工程（図６（ｇ））
次に、有機化合物層３０ｂを構成する第二有機機能層３２ｂを形成した際に使用した蒸着マスクを用いた真空蒸着法により、第二有機機能層３２ｂの上に、化合物３を成膜して、第一剥離層４１ｂを形成した（図６（ｇ））。このとき第一剥離層４１ｂの膜厚を４０ｎｍとした。
【０１４５】
（１０）リフトオフ工程（図５（ｈ））
次に、第一剥離層３１ｂまで形成された基板１０を、第二剥離層４２ａの剥離液である水（流水）に浸漬した。ここで水溶性のポリビニルピロリドンからなる第二剥離層３２ａの水に対するエッチングレートは、正孔ブロック層（第二有機機能層３２ａ、３２ｂ）や第一剥離層（４１ａ、４１ｂ）の水に対するエッチングレートよりも１００倍以上大きい。このため、第二剥離層４２ａを選択的に溶解・除去することができた。また第二剥離層４２ａが溶解・除去されたことで、第二剥離層４２ａの上に形成された層（正孔注入層２２ｂ、有機化合物層３０ｂ、第一剥離層４１ｂ）をリフトオフすることができた（図５（ｈ））。これにより、第一有機機能層３１ａと第二有機機能層３２ａとからなる有機化合物層３０ａを所望のパターン形状で加工することができた。
【０１４６】
（１１）第二剥離層の形成工程（図５（ｉ））
次に、水溶性高分子材料のポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）と水とを混合してＰＶＰ水溶液を調製した。次に、スピンコート法により、第一剥離層（４１ａ，４１ｂ）の上に、調製したＰＶＰ水溶液を塗布・成膜した。次に、成膜したＰＶＰ膜を乾燥させることで、膜厚５００ｎｍの第二剥離層４２ｂを形成した（図５（ｉ））。本工程により、第一剥離層４１ａと第二剥離層４２ｂとが積層されてなる剥離層４０ａ’と、第一剥離層４１ｂと第二剥離層４２ｂとが積層されてなる剥離層４０ｂと、が形成された。
【０１４７】
（１２）レジスト層の形成工程（図５（ｊ））
次に、スピンコート法により、剥離層（４０ａ’，４０ｂ）の上に、市販のフォトレジスト材料（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ製、製品名「ＡＺ１５００」）を成膜した後、フォトレジスト材料に含まれる溶剤を飛ばすことでレジスト層５０を形成した（図５（ｊ））。このときレジスト層５０の膜厚は１０００ｎｍであった。
【０１４８】
（１３）露光・現像工程（図５（ｋ））
次に、レジスト層５０まで形成した基板１０を露光装置にセットし、第一副画素２ａ及び第二副画素２ｂを設ける領域に形成されたレジスト層５０ｂが残るように、フォトマスクを介して４０秒間露光を行った。露光後、レジスト層５０の現像液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ製、製品名「３１２ＭＩＦ」を水で希釈し濃度を５０％としたもの）を用いて１分間現像した。この現像処理により、第一副画素２ａ及び第二副画素２ｂを設ける領域以外の領域に形成されたレジスト層５０を除去した（図５（ｋ））。
【０１４９】
（１４）有機化合物層（緑色発光層を含む有機化合物層）等の加工工程（図５（ｌ））
次に、前工程（露光・現像工程）を行った後で残存するレジスト層５０ｂをマスクとして、ドライエッチングにより、レジスト層５０ｂに被覆されていない剥離層４０ｂを除去した。このときエッチングガス（反応ガス）と酸素とし、エッチングガスの流量を２０ｓｃｃｍとし、装置内の圧力を８Ｐａとし、出力を１５０Ｗとし、処理時間を５分とした。
【０１５０】
次に、加工された剥離層４０ｂをマスクとして、ドライエッチングにより、剥離層４０ｂに被覆されていない有機化合物層３０ｂ及び正孔注入層２２ｂを、順次加工した。これにより、第三副画素２ｃに設けられる第一電極２１ｃが露出された。このとき有機化合物層３０ｂ及び正孔注入層２２ｂの加工条件は、剥離層４０ｂの加工条件と同じにした。また正孔注入層２２ａの加工（部分的エッチング）が完了した時点で、剥離層（４０ａ’，４０ｂ）の上に設けられているレジスト層５０ｂは、エッチングにより除去されていた（図５（ｌ））。
【０１５１】
（１５）有機化合物層（赤色発光層を含む有機化合物層）等の形成工程
次に、露出した第一電極２１ｃにＵＶオゾン処理を行った後、図６（ａ）に示される成膜領域１５に開口を有するマスクを用いた真空蒸着法により、基板１０及び第一電極２１ｃの上に、化合物１を成膜して正孔注入層２２ｃを形成した。このとき正孔注入層２２ｃの膜厚は、５０ｎｍであった。
【０１５２】
次に、工程（３）と同様の方法により、正孔注入層２２ｃの上に、赤色を発する発光層（赤色発光層）を含む有機化合物層３０ｃを形成した。まず正孔注入層２２ｃを形成した際に使用した蒸着マスクと同じ蒸着マスクを用いて、正孔輸送層（不図示）を膜厚１５０ｎｍで形成した。次に、公知の赤色発光材料を含む発光層（第一有機機能層３１ｃ）を膜厚３０ｎｍで形成した。次に、基板１０の、具体的には、図５（ｃ）に示される成膜領域１７に対応する領域に開口を有する蒸着マスクを用いて、図５（ｃ）に示される成膜領域１７に、化合物２を成膜して正孔ブロック層（第二有機機能層３２ｃ）を形成した。このとき第二有機機能層３２ｃの膜厚を１０ｎｍとした。
【０１５３】
（１６）第一剥離層の形成工程（図５（ｍ））
次に、第二有機機能層３２ｃを形成した際に使用した蒸着マスクを用いた真空蒸着法により、第二有機機能層３２ｃの上に、化合物３を成膜して、第一剥離層４１ｃを形成した（図５（ｍ））。このとき第一剥離層４１ｃの膜厚を４０ｎｍとした。
【０１５４】
（１７）リフトオフ工程（図５（ｎ））
次に、第一剥離層４１ｃまで形成された基板１０を第二剥離層４２ｂの剥離液である水（流水）に浸漬した。第二剥離層４２ｂが溶解することで、第二剥離層４２ｂの上に形成された層がリフトオフされた（図５（ｎ））。以上の工程により、三種類の有機化合物層（３０ａ、３０ｂ、３０ｃ）が、所定の形状にてパターニングされた。
【０１５５】
（１８）第一剥離層の除去工程（図５（ｏ））
次に、基板１０を、ＩＰＡと水との混合溶液（極性溶媒からなる溶液）の中に浸漬して、各有機化合物層（３０ａ、３０ｂ、３０ｃ）の上に設けられる、第一剥離層（４１ａ、４１ｂ、４１ｃ）を除去した。ここで本工程にて用いた溶媒として、水とイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）とを、ＩＰＡ濃度が６０重量％となるように混合調整した混合溶液を用い、浸漬時間は２００秒とした。また本工程のように極性溶媒を用いた際に、正孔ブロック層（第二有機機能層３２ｃ）は、正孔注入層２２ｃよりも広い領域で成膜しているため、正孔注入層２２ｃの端部は正孔ブロック層（第二有機機能層３２ｃ）で被覆されていた。このため本工程を行った後において、いずれの正孔注入層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）にも損傷は見受けられなかった。
【０１５６】
（１９）電子注入層の形成工程
次に、各有機化合物層（３０ａ、３０ｂ、３０ｃ）の上に、電荷輸送材料となる有機化合物を成膜して電荷輸送層（電子輸送層：不図示）を形成した。このとき電荷輸送層の膜厚を２０ｎｍとした。次に、この電荷輸送層の上に、電荷輸送材料となる有機化合物と炭酸セシウム（Ｃｓ2ＣＯ3）とを共蒸着して電子注入層２５を形成した。このとき電子注入層の膜厚を２０ｎｍとした。
【０１５７】
（２０）第二電極の形成工程（図５（ｎ））
次に、スパッタリング法により、電子注入層２５の上にＡｇを成膜して、半透明な第二電極２６を、膜厚１６ｎｍで形成した（図５（ｎ））。
【０１５８】
（２１）封止工程
次に、ＵＶ硬化樹脂からなる接着剤を用いて、窒素雰囲気下において、封止ガラス（不図示）と基板１０に接着することで、有機発光素子（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）を封止した。以上により、図７に示される有機発光装置３ｂを得た。
【０１５９】
［比較例１］
実施例２において、正孔ブロック層である第二有機機能層（３２ａ、３２ｂ、３２ｃ）を形成する際に、正孔注入層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）を形成する際に使用した蒸着マスクを用いて形成した。これを除いては、実施例２と同様の方法により有機発光装置３ｂを作製した。
【０１６０】
［有機発光装置の評価］
得られた有機発光装置について、装置内に形成されている有機発光素子の表面を顕微鏡で観察したところ、実施例１及び２の有機発光装置では、正孔注入層（２２、２２ｃ）の端部について割れや剥がれは発生していなかった。このため正孔注入層（２２、２２ｃ）の剥がれによって発生し飛散した破片による非発光箇所は発生していなかった。
【０１６１】
一方、比較例１の有機発光装置では、正孔注入層２２ｃの端部において割れや剥がれが発生していた。
【０１６２】
また得られた有機発光装置について、有機発光装置を構成する有機発光素子を全て点灯させて発光させた。その結果、比較例１では、非発光箇所の約８割において正孔注入層２２ｃの剥がれによって発生し飛散した破片が存在していた。
【０１６３】
以上の結果から、本発明の有機発光装置は、収率良く、安定した発光が可能な有機発光装置であることがわかった。つまり、電子吸引性を用いた正孔注入層を覆うように極性溶媒に溶解しにくい材料からなる有機化合物層に含まれるいずれかの層で覆ったことにより、正孔注入層の端部における割れや剥がれを低減することができる。そして有機化合物層の破片の飛散を抑制して良好な発光の有機発光装置を安定して作製できることが確認できた。
【符号の説明】
【０１６４】
１（３）：有機発光装置、２：副画素、２ａ：第一副画素、２ｂ：第二副画素、２ｃ：第三副画素、１５（１６、１７）：成膜領域、１８：画素分離膜、１０：基板、２０ａ：第一有機発光素子、２０ｂ：第二有機発光素子、２０ｃ：第三有機発光素子、２１ａ（２１ｂ、２１ｃ）：第一電極、２２ａ（２２ｂ、２２ｃ）：正孔注入層、２５：電子注入層、２６：第二電極、３０ａ（３０ｂ、３０ｃ）：有機化合物層、４０ａ（４０ｂ）：剥離層、４１ａ（４１ｂ、４１ｃ）：第一剥離層、４２ａ（４２ｂ）：第二剥離層、５０（５０ａ、５０ｂ）：レジスト層、６０：薄膜封止膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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