(57)【要約】【課題】  本発明は、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正工程、より詳しくは、電子線を走査して転写パターンの修正後の形状を確認する工程において、欠損欠陥部以外の転写パターンの凸部上面（Ｔｏｐ面）にまで修正材が堆積してしまう過剰デポジションの発生を防止しつつ、欠損欠陥が修正されたテンプレートを製造することが可能なナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法を提供することを目的とするものである。【解決手段】  基板の主面上に形成したハードマスクパターンを残した形態で転写パターンの欠損欠陥部を修正し、前記転写パターンの欠損欠陥部の修正を確認した後に、前記ハードマスクパターンを除去することにより、上記課題を解決する。【選択図】      図１
2014053407.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の主面に凹凸形状の転写パターンを有するナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法であって、
前記基板の主面上にハードマスクパターンを形成する工程と、
前記ハードマスクパターンから露出する前記基板の主面をエッチングして凹凸形状の転写パターンを形成する工程と、
前記ハードマスクパターンを残した形態で前記転写パターンの欠陥を検査する工程と、
前記検査で検出された欠損欠陥部に、デポジション用ガスを供給しながら第１の電子線を照射することにより前記転写パターンの欠損欠陥部に修正材を堆積して、前記転写パターンを修正する工程と、
前記デポジション用ガスを排出する工程と、
前記転写パターンの修正後の形状を第２の電子線の走査により得られる検出像で確認する工程と、
前記ハードマスクパターンを除去する工程と、
を順に備えることを特徴とするナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法。
【請求項２】
前記ハードマスクパターンがクロム（Ｃｒ）を含む材料から構成されており、前記ハードマスクパターンを除去する工程が、硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸を含む水溶液によるウェットエッチングであることを特徴とする請求項１に記載のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法。
【請求項３】
前記転写パターンの欠損欠陥部に、デポジション用ガスを供給しながら第１の電子線を照射することにより前記転写パターンの欠損欠陥部に修正材を堆積して、前記転写パターンを修正する工程と、
前記デポジション用ガスを排出する工程と、
前記転写パターンの修正後の形状を第２の電子線の走査により得られる検出像で確認する工程、
の一連の工程を複数回繰り返すことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法。
【請求項４】
前記第１の電子線を照射する領域が、前記転写パターンの欠損欠陥部が存在する領域と重複し、前記第２の電子線を走査する領域が、前記転写パターンの欠損欠陥部に修正材を堆積した領域を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法。
【請求項５】
前記基板が酸化ケイ素（ＳｉＯX）を含む材料から構成されており、前記デポジション用ガスが、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を含むガスであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造においては、従来から、フォトマスクを使って縮小（例えば１／４縮小）露光するフォトリソグラフィの技術が用いられており、近年では、より解像度を向上させる技術として、位相シフトマスクを用いたフォトリソグラフィによって、超ＬＳＩ等の微細なパターンを製造している。
しかしながら、さらなる微細化に対応するためには、露光波長の問題や製造コストの問題などから上記のフォトリソグラフィによる方式の限界が指摘されており、次世代のリソグラフィ技術として、反射型マスクを使うＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）リソグラフィや、テンプレート（モールド、スタンパ、金型とも呼ばれる）を使うナノインプリントリソグラフィ（ＮＩＬ：Ｎａｎｏ  Ｉｍｐｒｉｎｔ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）が提案されている。
特に、ナノインプリントリソグラフィは、フォトリソグラフィのような高額な露光装置（ステッパー）を用いないため、経済的にも有利であることから、注目を集めている。
【０００３】
上記のナノインプリントリソグラフィは、表面に微細な凹凸形状の転写パターンを形成したテンプレートを、半導体ウェハなどの被転写基板の上に形成された樹脂に密着させ、前記樹脂の表面側の形状を、前記テンプレートの転写パターンの凹凸形状に成型した後に前記テンプレートを離型し、次いで、ドライエッチング等により余分な樹脂部分（残膜部分）を除去することで、前記被転写基板の上の樹脂に前記テンプレートの転写パターンの凹凸形状（より詳しくは、凹凸反転形状）を転写させる技術である。
【０００４】
このナノインプリントリソグラフィに用いる方法には、熱可塑性樹脂を用いて、まず、前記樹脂をガラス転移温度以上に加熱して変形可能とし、この状態でテンプレートの転写パターンの凹凸形状に成型し、その後、ガラス転移温度以下に冷却することでテンプレートの転写パターンの凹凸形状を前記樹脂に転写する熱インプリント法や（例えば、特許文献１）、紫外線硬化性樹脂を用いて、硬化前の変形可能な樹脂をテンプレートの転写パターンの凹凸形状に成型し、その後、紫外線を照射して前記樹脂を硬化させて、テンプレートの転写パターンの凹凸形状を前記樹脂に転写する光インプリント法などが提案されている（例えば、特許文献２）。
【０００５】
上記のように、光インプリント法は、熱インプリント法のような加熱と冷却の工程が不要であり、室温でパターン転写できる。また、テンプレートや被転写基板が、熱によって寸法変化を生じてしまうリスクを低減できる。
それゆえ、一般的には、熱インプリント法よりも光インプリント法の方が、生産性、解像性、アライメント精度などの点で優れている。
【０００６】
上記の光インプリント法によるナノインプリントリソグラフィの理想モデルの一例を、図６に示す。
光インプリント法によるナノインプリントリソグラフィの技術を用いて所望の樹脂パターンを形成するには、例えば、図６（ａ）に示すように、まず、凹凸形状の転写パターンを設けたナノインプリントリソグラフィ用テンプレート１００、および、紫外線硬化性の樹脂層３２２Ａを設けた被転写基板３１０を準備する。
次に、テンプレート１００を被転写基板３１０の上に設けた樹脂層３２２Ａに接触させ、紫外線３３０を照射して樹脂層３２２Ａの樹脂を硬化させて樹脂パターン３２２を形成し（図６（ｂ））、その後、テンプレート１００を離型する（図６（ｃ））。
次いで、得られた樹脂パターン３２２に、例えば、酸素イオン等の反応性イオン３４０によるドライエッチングを施して（図６（ｄ））、厚さＴ1の余分な残膜部分を除去し、テンプレート１００の転写パターンとは凹凸形状が反転した所望の樹脂パターン３２３を形成する（図６（ｅ））。
【０００７】
ここで、上述の残膜部分の厚さＴ1は、ナノインプリントリソグラフィにおいて、ＲＬＴ（Ｒｅｓｉｄｕａｌ  Ｌａｙｅｒ  Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ）と呼ばれるものである。このＲＬＴの大きさは、転写パターンのサイズや樹脂材料等にもよるが、例えば、転写パターンの深さ（樹脂パターンの高さに相当）が５０ｎｍ程度の場合、ＲＬＴの大きさは１０ｎｍ程度である。そして、このＲＬＴに対しては、膜厚均一性が厳しく求められている。
【０００８】
上記のようなナノインプリントリソグラフィ用テンプレート１００を製造するには、例えば、図７（ａ）に示すように、まず、石英等から構成される基板１１０の主面上に、クロム（Ｃｒ）等から構成されるハードマスク層２２１Ａを有する構造体（ブランクスと呼ぶ）を準備する。
次に、ハードマスク層２２１Ａの上にレジスト層２２２Ａを形成し（図７（ｂ））、電子線描画等の製版技術によりレジストパターン２２２を形成する（図７（ｃ））。
続いて、レジストパターン２２２から露出するハードマスク層２２１Ａをエッチングしてハードマスクパターン２２１を形成する（図７（ｄ））。
その後、レジストパターン２２２を除去し、次いで、ハードマスクパターン２２１から露出する基板１１０をエッチングして凹部１１０ｓを形成し（図７（ｅ））、最後に、ハードマスクパターン２２１を除去して、所望の凹凸形状の転写パターンを有するテンプレート１００を得る（図７（ｆ））。
なお、図７（ｆ）において、符号１１０ｓは転写パターンの凹部を示し、符号１１０ｔは転写パターンの凸部を示す。
【０００９】
ここで、従来のフォトマスクの製造においては、必要なマスクパターンの一部が失われた欠損欠陥（白欠陥とも呼ばれる）を生じることがあり、この欠損欠陥部に対して、例えば、電子線とデポジション用ガスを用いて修正材を堆積する工程を、欠損欠陥（白欠陥）の修正工程と呼んでいる（例えば、特許文献３）。
そして、上記のように必要なパターンの一部が失われた欠損欠陥は、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造においても生じるものである。
【００１０】
図８は、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠損欠陥の一例を示す説明図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。
なお、図８に示す例において、符号１００ｄはラインアンドスペース状の転写パターンの一部に欠損欠陥部を有するナノインプリントリソグラフィ用テンプレートを、符号１１０ｄは欠損欠陥部を、符号１１０ｔは転写パターンの凸部を、符号１００ｓは転写パターンの凹部を、それぞれ示す。
【００１１】
上記のような欠損欠陥が、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造において発生する例について、図９を用いて説明する。
例えば、図９（ａ）に示すように、ハードマスク層２２１Ａに、一般にピンホールと呼ばれる欠損欠陥部２２１ｐが存在する場合、レジスト製版工程を経て形成されるハードマスクパターン２２１にも、前記欠損欠陥部２２１ｐの一部若しくは全てを含む欠損欠陥部２２１ｄが形成され（図９（ｄ））、この欠損欠陥部２２１ｄを有するハードマスクパターン２２１をエッチングマスクに用いて形成されるテンプレート１００ｄにも、欠損欠陥部２２１ｄに対応する欠損欠陥部１１０ｄが形成されてしまうことになる（図９（ｆ））、
【００１２】
ここで、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートは、従来のフォトマスクのような４倍マスクではなく、等倍の転写パターンを有するテンプレートであり、その転写パターンの寸法は、例えば、１０ｎｍレベルと非常に小さいため、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造においては、転写パターンをエッチング形成するためのハードマスクパターンも極めて薄膜にする必要がある。例えば、ハードマスクパターンの膜厚は数ｎｍレベルである。
このように、ハードマスクパターンが極めて薄膜であるため、転写パターンをエッチング形成する前の表面平坦な基板上に形成されたハードマスクパターンの欠損欠陥を、既存の欠陥検査装置で検出することは困難である。
それゆえ、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造においては、例えば、図１０に示すように、転写パターンの形成工程（Ｓ１０３）の後に、欠陥検査工程（Ｓ１０５）を行っている。通常、転写パターンは凸部の上面（Ｔｏｐ面）と凹部の底面（Ｂｏｔｔｏｍ面）の高さ位置の差が凹部の幅の２倍〜３倍程度のアスペクト比を有しているため、転写パターン形成後であれば、既存の欠陥検査装置を用いて欠損欠陥を検出することが容易になるからである。
【００１３】
すなわち、上記のような欠損欠陥を考慮したナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの現実的な製造工程は、例えば、図１０に示すように、ブランクス準備工程（Ｓ１０１）、ハードマスクパターンの形成工程（Ｓ１０２）、転写パターンの形成工程（Ｓ１０３）、ハードマスクパターンの除去工程（Ｓ１０４）に続いて、欠陥検査工程（Ｓ１０５）、および欠陥修正工程（Ｓ１０６）を含めたものになる。
【００１４】
ここで、上記の欠陥修正工程（Ｓ１０６）では、従来の位相シフトマスクにおける透明基材（主に石英）の欠損欠陥部の修正技術を用いることができる。
例えば、上記の欠陥修正工程（Ｓ１０６）の詳細は、欠損欠陥を有するテンプレート１００ｄを欠陥修正装置内に配置して、デポジション用ガスを供給しながら電子線を照射することにより、前記欠損欠陥部に修正材を堆積して、前記転写パターンを修正する工程、前記デポジション用ガスの排出工程、前記転写パターンの修正後の形状を電子線の走査により得られる二次電子等の検出像で確認する、転写パターンの確認工程、を順に施す一連の工程になる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特表２００４−５０４７１８号公報
【特許文献２】特開２００２−９３７４８号公報
【特許文献３】特開２００４−２９４６１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
上述のように、前記転写パターンの修正にはデポジション用ガスが用いられ、このデポジション用ガスは修正後には排出されるが、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの表面に付着したデポジション用ガスを完全に排出することは困難である。
それゆえ、前記転写パターンの修正後の形状を確認する工程において、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの表面を電子線で走査すると、その走査領域における欠損欠陥部以外の転写パターンにも修正材が堆積してしまうという過剰デポジションの問題がある。
【００１７】
そして、ナノインプリントリソグラフィは、上述のように、テンプレートの転写パターンを直に被転写基板の上の樹脂に接触させて、その凹凸形状（より詳しくは、凹凸反転形状）を等倍の大きさで前記樹脂に転写させる技術であるため、上記のような過剰デポジションにより転写パターンの形状が変化してしまうと、転写された樹脂のパターンもそのまま変化した形状になってしまう。
特に、ナノインプリントリソグラフィにおいては、上記のような過剰デポジションによって転写パターンの広範囲の凸部上面（Ｔｏｐ面）の高さ位置が異なってしまうと、被転写基板上の樹脂パターンの残膜厚さ（ＲＬＴ）が広範囲に及んで不均一になってしまい、広範囲に不良パターンが発生してしまうという問題がある。
【００１８】
上記の問題について、図１１および図１２を用いてより詳細に説明する。
ここで、図１１は、従来の欠陥修正工程によってテンプレートの表面が広範囲に及んで過剰デポジションされる様子を示す説明図であり、図１２は、上記のようにテンプレートの転写パターンの広範囲の凸部上面（Ｔｏｐ面）が過剰デポジションされたテンプレートを用いてパターン転写した場合に、被転写基板上の樹脂パターンの残膜厚さ（ＲＬＴ）が広範囲に及んで不均一になる様子を示す説明図である。
【００１９】
例えば、従来の方法で、図１１（ａ）に示すナノインプリントリソグラフィ用テンプレート１００ｄの欠損欠陥部１１０ｄを修正する場合、まず、テンプレート１００ｄを欠陥修正装置内に配置し、欠陥検査工程において検出しておいた欠陥位置情報に基づいてテンプレート１００ｄの表面を観察用の電子線１３０で走査して、修正用の電子線１３１を照射する位置および範囲を決める（図１１（ｂ））。
次に、デポジション用ガス１４１を供給しながら、修正用の電子線１３１を照射することにより、欠損欠陥部１１０ｄに修正材を堆積して堆積部１１０ｒを形成する（図１１（ｃ））。
所定のデポジションが終了した後は、電子線１３１の照射を停止し、デポジション用ガス１４１を排出し（図１１（ｄ））、テンプレート１００ｄの表面を観察用の電子線１３２で走査して、転写パターンの修正後の形状を確認するが（図１１（ｅ））、この確認工程における電子線１３２の走査によって、その走査領域の転写パターンが過剰デポジションされてしまう。
【００２０】
例えば、上記の修正工程を経て得られたテンプレート１００ｅにおいては、図１１（ｆ）に示すように、電子線１３２の走査領域に相当する過剰デポジション領域１１０ｅの転写パターンの凸部１１０ｔの上面（Ｔｏｐ面）は、当初の高さ位置からｈ3の高さ（厚さ）に過剰デポジションされており、同様に、過剰デポジション領域１１０ｅの転写パターンの凹部１１０ｓの底面（Ｂｏｔｔｏｍ面）は、当初の深さからｈ4の高さ（厚さ）に過剰デポジションされている。
【００２１】
この過剰デポジションは、デポジション用ガス１４１の種類等の条件によって変化するものであるが、例えば、上記の過剰デポジションの高さ（厚さ）ｈ3やｈ4の値は、数ｎｍ程度である。
しかしながら、上述のように、ナノインプリントリソグラフィにおいては、被転写基板上の樹脂パターンの残膜厚さ（ＲＬＴ）に対しては、膜厚均一性が厳しく求められている。
それゆえ、例え図１１（ｆ）に示すテンプレート１００ｅの過剰デポジションの高さ（厚さ）ｈ3の値が数ｎｍ程度であっても、広範囲（例えば、１μｍ×１μｍ）の転写パターンの凸部上面（Ｔｏｐ面）の高さ位置が異なってしまうと、転写される被転写基板上の樹脂パターンの残膜厚さ（ＲＬＴ）も不均一になってしまい、広範囲に及んで不良パターンが発生してしまうという特有の問題がある。
【００２２】
この残膜厚さ（ＲＬＴ）に係る問題について詳細に説明する。
例えば、図１１（ｆ）に示すテンプレート１００ｅを用いて、上述の図６に示した工程と同様に、光インプリント法によるナノインプリントリソグラフィを行った場合には、図１２（ｃ）に示すように、形成された樹脂パターン３２２Ｅの残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）は不均一なものになる。
より具体的に述べると、図１２（ｃ）に示す例において、テンプレート１００ｅの過剰デポジション領域１１０ｅとは異なる領域の転写パターンが転写された領域の樹脂パターン３２２Ｅの残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）はＴ2となるのに対し、テンプレート１００ｅの過剰デポジション領域１１０ｅの転写パターンが転写された領域の樹脂パターン３２２Ｅの残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）はＴ3になる。ここで、厚さＴ3は、厚さＴ2からテンプレート１００ｅの過剰デポジションの高さ（厚さ）ｈ3を差し引いた値に相当する。
【００２３】
そして、図１２（ｄ）に示すように、この残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）が不均一な樹脂パターン３２２Ｅに対して反応性イオン３４０によるドライエッチングを施した場合には、例えば、図１２（ｅ）に示すように、残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）がＴ3であった領域においては、余分な残膜部分が除去された樹脂パターン３２３Ｂを得ることができるが、残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）がＴ2であった領域においては、厚さＴ4の残膜部分が残留した不良の樹脂パターン３２３Ａが形成されてしまい、広範囲に不良パターンが発生してしまうことになる。
なお、厚さＴ4は、厚さＴ2から反応性イオン３４０によるドライエッチング量を差し引いた値に相当する。
【００２４】
以上、詳しく説明したように、ナノインプリントリソグラフィは、転写パターンを等倍転写する技術であるため、テンプレート表面のわずかな過剰デポジションであってもその影響は大きく、特に、テンプレートの転写パターンの凸部上面（Ｔｏｐ面）が広範囲に過剰デポジションされて、転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）の高さ位置が異なってしまうと、その領域に対応する被転写基板上の樹脂パターンの残膜厚さ（ＲＬＴ）も不均一になってしまい、広範囲に不良パターンが発生してしまうという特有の問題がある。
それゆえ、欠損欠陥部を修正しても、転写パターンの凸部上面（Ｔｏｐ面）の高さ位置が広範囲に変化してしまうことを防ぐことが可能なナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法が求められている。
【００２５】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正工程、より詳しくは、電子線を走査して転写パターンの修正後の形状を確認する工程において、欠損欠陥部以外の転写パターンの凸部上面（Ｔｏｐ面）にまで修正材が堆積してしまう過剰デポジションの発生を防止しつつ、欠損欠陥が修正されたテンプレートを製造することが可能なナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
本発明者は、種々研究した結果、基板の主面上に形成したハードマスクパターンを残した形態で転写パターンの欠損欠陥部を修正し、前記転写パターンの欠損欠陥部の修正を確認した後に、前記ハードマスクパターンを除去することにより、上記課題を解決できることを見出して本発明を完成したものである。
【００２７】
すなわち、本発明の請求項１に係る発明は、基板の主面に凹凸形状の転写パターンを有するナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法であって、前記基板の主面上にハードマスクパターンを形成する工程と、前記ハードマスクパターンから露出する前記基板の主面をエッチングして凹凸形状の転写パターンを形成する工程と、前記ハードマスクパターンを残した形態で前記転写パターンの欠陥を検査する工程と、前記検査で検出された欠損欠陥部に、デポジション用ガスを供給しながら第１の電子線を照射することにより前記転写パターンの欠損欠陥部に修正材を堆積して、前記転写パターンを修正する工程と、前記デポジション用ガスを排出する工程と、前記転写パターンの修正後の形状を第２の電子線の走査により得られる検出像で確認する工程と、前記ハードマスクパターンを除去する工程と、を順に備えることを特徴とするナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法である。
【００２８】
また、本発明の請求項２に係る発明は、前記ハードマスクパターンがクロム（Ｃｒ）を含む材料から構成されており、前記ハードマスクパターンを除去する工程が、硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸を含む水溶液によるウェットエッチングであることを特徴とする請求項１に記載のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法である。
【００２９】
また、本発明の請求項３に係る発明は、前記転写パターンの欠損欠陥部に、デポジション用ガスを供給しながら第１の電子線を照射することにより前記転写パターンの欠損欠陥部に修正材を堆積して、前記転写パターンを修正する工程と、前記デポジション用ガスを排出する工程と、前記転写パターンの修正後の形状を第２の電子線の走査により得られる検出像で確認する工程、の一連の工程を複数回繰り返すことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法である。
【００３０】
また、本発明の請求項４に係る発明は、前記第１の電子線を照射する領域が、前記転写パターンの欠損欠陥部が存在する領域と重複し、前記第２の電子線を走査する領域が、前記転写パターンの欠損欠陥部に修正材を堆積した領域を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法である。
【００３１】
また、本発明の請求項５に係る発明は、前記基板が酸化ケイ素（ＳｉＯX）を含む材料から構成されており、前記デポジション用ガスが、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を含むガスであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法である。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、欠損欠陥部以外の転写パターンの凸部上面（Ｔｏｐ面）に修正材が堆積することによって、前記転写パターンの凸部上面（Ｔｏｐ面）の高さ位置が広範囲に及んで異なってしまうことを防止しつつ、前記欠損欠陥部を修正することが可能なナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図２】本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正工程の一例を示すフローチャートである。
【図３】本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の一例を示す概略工程図である。
【図４】図３に続く本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の一例を示す概略工程図である。
【図５】本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法により製造されたテンプレートを用いてパターン転写された樹脂パターンの形態を示す説明図である。
【図６】ナノインプリントリソグラフィの一例を示す概略工程図である。
【図７】ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の一例を示す概略工程図である。
【図８】ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠損欠陥の一例を示す説明図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。
【図９】ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠損欠陥が発生する一例を示す説明図である。
【図１０】従来の欠陥修正工程を含むナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図１１】従来の欠陥修正工程によってテンプレートの表面の広範囲に修正材が堆積する様子を示す説明図である。
【図１２】従来の欠陥修正を施したテンプレートを用いてパターン転写した場合の課題を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法について、図面を用いて詳細に説明する。
【００３５】
本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法は、基板の主面に凹凸形状の転写パターンを有するナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法であって、前記基板の主面上にハードマスクパターンを形成する工程と、前記ハードマスクパターンから露出する前記基板の主面をエッチングして凹凸形状の転写パターンを形成する工程と、前記ハードマスクパターンを残した形態で前記転写パターンの欠陥を検査する工程と、前記検査で検出された欠損欠陥部に、デポジション用ガスを供給しながら第１の電子線を照射することにより前記転写パターンの欠損欠陥部に修正材を堆積して、前記転写パターンを修正する工程と、前記デポジション用ガスを排出する工程と、前記転写パターンの修正後の形状を第２の電子線の走査により得られる検出像で確認する工程と、前記ハードマスクパターンを除去する工程と、を順に備えるものである。
【００３６】
まず、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の概要について、図１および図２を用いて説明する。
ここで、図１は、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の一例を示すフローチャートであり、図２は、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正工程の一例を示すフローチャートである。
【００３７】
従来のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法においては、上述の図１０に示したように、ハードマスクパターンの除去工程（Ｓ１０４）の後に、欠陥修正工程（Ｓ１０６）を行う流れになっていた。
一方、本発明においては、例えば、図１に示すように、欠陥修正工程（Ｓ５）の後に、ハードマスクパターンの除去工程（Ｓ６）を行う流れになっている。そして、その欠陥修正工程（Ｓ５）は、例えば、図２に示すように、転写パターンの修正工程（Ｓ１１）、デポジション用ガスの排出工程（Ｓ１２）、転写パターンの修正確認工程（Ｓ１３）で構成されている。
【００３８】
次に、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の詳細について、図３〜図４を用いて説明する。
ここで、図３〜図４は、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の一例を示す一連の概略工程図である。
【００３９】
本発明の製造方法により、欠損欠陥部が修正されたナノインプリントリソグラフィ用テンプレート１を製造するには、例えば、図３（ａ）に示すように、まず、基板１０の主面上にハードマスク層２１Ａを有する構造体（ブランクス）を準備する。
【００４０】
本発明において、基板１０の材料は、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの基板として使用できる材料であれば用いることができる。例えば、基板１０の材料は、酸化ケイ素（ＳｉＯx）を含む材料とすることができる。
また、本発明において、ハードマスク層２１Ａの材料は、基板１０のエッチングマスクとして使用できる材料であれば用いることができる。例えば、ハードマスク層２１Ａの材料は、クロム（Ｃｒ）を含む材料とすることができる。
なお、図３〜図４に示す例において、前記ハードマスク層２１Ａには、欠損欠陥部（ピンホール）２１ｐが存在するものとする。
【００４１】
次に、ハードマスク層２１Ａの上にレジスト層２２Ａを形成し（図３（ｂ））、電子線描画等の製版技術によりレジストパターン２２を形成する（図３（ｃ））。
続いて、レジストパターン２２から露出するハードマスク層２１Ａをエッチングしてハードマスクパターン２１を形成する（図３（ｄ））。なお、本工程で形成されるハードマスクパターン２１は、前記欠損欠陥部（ピンホール）２１ｐの一部若しくは全てを含む欠損欠陥部２１ｄを有することになる。
その後、前記レジストパターン２２を除去し（図３（ｅ））、次いで、欠損欠陥部２１ｄを含むハードマスクパターン２１から露出する基板１０をエッチングして転写パターンの凹部１０ｓを形成し、転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）にはハードマスクパターン２１を有する構造体１１ｄを得る（図３（ｆ））。なお、この工程において、転写パターンの欠損欠陥部１０ｄがハードマスクパターン２１の欠損欠陥部２１ｄの下の位置に形成される。
【００４２】
ここまでの工程、すなわち図３（ａ）〜（ｆ）に示す工程が、図１に示すＳ１〜Ｓ３の工程に相当する。
続いて、図１に示すＳ４の欠陥検査工程、Ｓ５の欠陥修正工程を行うが、本発明においては、ハードマスクパターン２１を残した形態で転写パターンの欠損欠陥を検査し、この欠陥検査工程において検出した欠陥位置情報に基づいて、転写パターンを修正し（図２のＳ１１〜Ｓ１３）、その後、図１に示すＳ６のハードマスクパターンの除去工程を行う。
上記の転写パターンの修正について、以下、詳細に説明する。
【００４３】
本発明において、前記転写パターンの欠損欠陥部１０ｄを修正するには、例えば、前記構造体１１ｄを欠陥修正装置内に配置し、前記欠陥検査工程において検出しておいた欠陥位置情報に基づいて構造体１１ｄの表面を観察用の電子線３０で走査して、得られる検出像から修正用の電子線（第１の電子線）３１を照射する位置および範囲を決める（図４（ｇ））。
次に、デポジション用ガス４１を供給しながら、修正用の電子線（第１の電子線）３１を照射することにより、前記転写パターンの欠損欠陥部１０ｄに修正材を堆積する（図４（ｈ））。
【００４４】
本発明において、デポジション用ガス４１には、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートを被転写基板上の樹脂に押し付けても変形しない強度を有する修正材であって、前記樹脂と反応しない修正材を堆積できるガスであれば用いることができ、前記転写パターンを構成する材料等に応じて適宜選択される。また、デポジション用ガス４１は、単一成分のガスのみならず、複数種の成分を含む混合ガスであっても良い。例えば、デポジション用ガス４１には、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、フェナントレン、タングステンカルボニル（Ｗ（ＣＯ）６）、フッ化タングステン（ＷＦ６）等を含むガスを用いることができる。
中でも、前記転写パターンが酸化ケイ素（ＳｉＯx）を含む材料から構成されている場合、すなわち、前記基板１０が酸化ケイ素（ＳｉＯx）を含む材料から構成されている場合には、デポジション用ガス４１として、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を含むガスを好適に用いることができる。この場合、前記修正工程により形成される堆積部１０ｒはシリコン系の材料から構成されることになるからである。
【００４５】
図４（ｈ）に示す所定のデポジションが終了した後は、修正用の電子線（第１の電子線）３１の照射を停止し、デポジション用ガス４１を排出し（図４（ｉ））、構造体１１ｄの表面を観察用の電子線（第２の電子線）３２で走査し、得られる検出像で前記転写パターンの修正後の形状を確認する（図４（ｊ））。
【００４６】
なお、前記転写パターンの欠損欠陥部１０ｄが残留している場合には、図２に示すように、前記転写パターンの欠損欠陥部に、デポジション用ガス４１を供給しながら第１の電子線を照射することにより前記転写パターンの欠損欠陥部に修正材を堆積して、前記転写パターンを修正する工程（Ｓ１１）と、前記デポジション用ガス４１を排出する工程（Ｓ１２）と、前記転写パターンの修正後の形状を第２の電子線の走査により得られる検出像で確認する工程（Ｓ１３）と、を前記転写パターンの欠損欠陥部１０ｄが消失したことを確認するまで複数回繰り返す。
【００４７】
ここで、前記第１の電子線３１を照射する領域は、前記転写パターンの欠損欠陥部１０ｄが存在する領域と重複し、前記第２の電子線３２を走査する領域は、前記転写パターンの欠損欠陥部１０ｄに修正材を堆積した領域を含むものである。
すなわち、前記第１の電子線３１の照射領域は、正常な転写パターンの部分にも修正材を堆積してしまうことを防止するために、前記転写パターンの欠損欠陥部１０ｄが存在する領域に限定される。一方、修正後の形状を確認するためには周囲との比較が必要なことから、前記第２の電子線３２の走査領域は、前記転写パターンの欠損欠陥部１０ｄに修正材を堆積した領域のみならず、その周囲も含むものである。
【００４８】
上記の確認工程により、前記転写パターンの欠損欠陥部１０ｄが消失したことを確認したら、最後に、ハードマスクパターン２１を除去して、欠損欠陥部が修正されたテンプレート１を得る（図４（ｋ））。なお、図４（ｋ）において、符号１０ｓは転写パターンの凹部を示し、符号１０ｔは転写パターンの凸部を示す。
【００４９】
ここで、従来の方法では、転写パターンの修正確認工程における電子線の走査によって、その走査領域の転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）にも修正材が堆積してしまうという過剰デポジションの問題があった（図１１（ｆ））。
一方、本発明においては、図４（ｉ）に示すように、転写パターンの修正確認工程の段階では、転写パターンの凸部上面（Ｔｏｐ面）はハードマスクパターン２１で被覆されている。
それゆえ、例えデポジション用ガス４１が残留しており、第２の電子線３２の走査によって修正材が堆積してしまったとしても（図４（ｊ））、その後、転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）を被覆するハードマスクパターン２１を除去することにより、前記ハードマスクパターン２１の上に堆積した修正材も共に除去されるため、前記転写パターンの凸部上面（Ｔｏｐ面）が過剰デポジションされてしまうということは生じない。
【００５０】
上記のように、前記ハードマスクパターン２１の上に堆積した修正材も共に除去するために、前記ハードマスクパターン２１を除去する工程は、ウェットエッチングであることが好ましい。
中でも、前記ハードマスクパターンがクロム（Ｃｒ）を含む材料から構成されている場合には、前記ハードマスクパターン２１を除去する工程は、硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸を含む水溶液によるウェットエッチングであることが好ましい。前記水溶液であれば、クロム（Ｃｒ）を含む材料から構成されている前記ハードマスクパターンを良好に除去できるからである。
【００５１】
なお、本発明においても、第２の電子線３２の走査領域における転写パターンの凹部の底面（Ｂｏｔｔｏｍ面）には、過剰デポジションが生じる。例えば、図４（ｊ）に示すように、第２の電子線３２の走査領域１０ｅにおける転写パターンの凹部１０ｓの底面（Ｂｏｔｔｏｍ面）には、当初の高さ位置からｈ1の高さまで修正材が堆積する。
しかしながら、上述のナノインプリントリソグラフィにおける残膜厚さ（ＲＬＴ）は、テンプレートの転写パターンの凸部上面（Ｔｏｐ面）の高さに応じて変化するものであるため、例え、テンプレートの転写パターンの凹部の底面（Ｂｏｔｔｏｍ面）に過剰デポジションが生じたとしても、転写された樹脂パターンは、その過剰デポジションされた領域において凸部の高さ（厚さ）が他の領域よりもｈ1だけ低く（薄く）なるものの、被転写基板上の樹脂パターンの残膜厚さ（ＲＬＴ）が広範囲に及んで不均一になってしまうということはなく、それゆえ、広範囲に不良パターンが発生してしまうという問題が生じることは無い。
【００５２】
上記について、図５を用いてより詳細に説明する。図５は、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法により製造されたテンプレートを用いてパターン転写された樹脂パターンの形態を示す説明図である。
例えば、図４（ｋ）に示す本発明の製造方法により製造されたテンプレート１を用いて、上述の図６に示した工程と同様に、光インプリント法によるナノインプリントリソグラフィを行った場合、図５（ｃ）に示すように、テンプレート１の転写パターンの凹部の底面（Ｂｏｔｔｏｍ面）の深さに応じて、樹脂パターン３２２の凸部の高さは不均一（高低差ｈ1）になるものの、テンプレート１の転写パターンの凸部上面（Ｔｏｐ面）の高さ位置は、欠損欠陥部１０ｄに修正材を堆積して形成した堆積部１０ｒの領域を除いて同じであるため、樹脂パターン３２２の残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）も、前記堆積部１０ｒに対応する領域を除いて均一なもの（厚さＴ1）になる。
【００５３】
そして、図５（ｄ）に示すように、この樹脂パターン３２２に対して反応性イオン３４０によるドライエッチングを施した場合、図５（ｅ）に示すように、樹脂パターン３２３の高さは不均一（高低差ｈ1）になるものの、前記樹脂パターン３２２の残膜部分は、前記堆積部１０ｒに対応する領域を除いて厚さが均一なため、いずれの箇所においても除去されることになる。
それゆえ、本発明の製造方法により製造されたテンプレートを用いてナノインプリントリソグラフィを行った場合には、従来のような、残膜部分が広範囲に残留することにより広範囲に不良パターンが発生してしまうという問題を生じることは無い。
【００５４】
ここで、本発明においては、前記転写パターンの欠損欠陥部に修正材を堆積した領域には、前記第２の電子線３２の走査によって過剰デポジションが生じる。
例えば、図４（ｋ）に示すように、欠損欠陥部１０ｄに修正材を堆積して形成した堆積部１０ｒの上面（Ｔｏｐ面）には、過剰デポジションによって、さらにｈ2の高さ（厚さ）の修正材が堆積する。
【００５５】
しかしながら、前記高さｈ2の修正材が堆積する領域は、修正前の欠損欠陥部１０ｄの領域と同程度の面積であり、上述の第２の電子線３２の走査領域に比べて著しく小さい領域でしかない。例えば、テンプレート１における転写パターンの凹部１０ｓの幅が２０ｎｍ程度、凸部１０ｔの幅が２０ｎｍ程度の場合、前記欠損欠陥部の領域の幅は１０ｎｍ程度であるのに対し、上述の第２の電子線３２の走査領域の幅は１．５μｍ程度である。
【００５６】
それゆえ、例え上記のように、テンプレート１の転写パターンの欠損欠陥部１０ｄに形成した堆積部１０ｒの上面（Ｔｏｐ面）が、前記第２の電子線３２の走査によって過剰デポジションされたとしても、図５（ｃ）に示すように、転写された樹脂パターンの残膜部分は、その限られた小さな領域において他の領域よりもｈ2だけ厚みが薄くなるものの、被転写基板上の樹脂パターンの残膜厚さ（ＲＬＴ）が広範囲に及んで不均一になってしまうということはなく、それゆえ、広範囲に不良パターンが発生してしまうという問題が生じることも無い。
【００５７】
また、前記堆積部１０ｒの上面（Ｔｏｐ面）の過剰デポジションに対応する領域の樹脂パターン３２２の残膜部分の厚さは、他の領域の残膜部分の厚さ（Ｔ1）よりもｈ2だけ厚みが薄くなることから、図５（ｄ）に示すように、反応性イオン３４０によるドライエッチングを施した場合には、図５（ｅ）に示すように、他の領域の残膜部分と同様に除去され、不要な残膜を残すことにはならない。すなわち、前記堆積部１０ｒの上面（Ｔｏｐ面）の過剰デポジションに対応する領域の樹脂パターンも、不良になることは無い。
【００５８】
なお、本発明においては、前記過剰デポジションによって堆積する修正材の高さ（厚さ）を考慮して、欠損欠陥部に形成する堆積部の高さ（厚さ）を低め（薄め）に形成しても良い。
例えば、図４に示す例において、前記転写パターンの欠損欠陥部１０ｄに形成する堆積部１０ｒの高さ（厚さ）の値を、前記転写パターンの凹部１０ｓの深さの値から、過剰デポジションによって堆積する修正材の高さ（厚さ）の値ｈ2を差し引いた値に調整しても良い。
この場合は、形成した堆積部１０ｒの上面（Ｔｏｐ面）に、上記の過剰デポジションによって、さらにｈ2の高さ（厚さ）の修正材が堆積しても、最終的に得られるテンプレート１の転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）の高さは均一となり、被転写基板上の樹脂パターンの残膜厚さ（ＲＬＴ）が不均一になってしまうということはい。
【００５９】
なお、本発明においても、樹脂パターン３２３の高さは不均一（高低差ｈ1）になる（図５（ｅ））。
しかしながら、樹脂パターン３２３の設計値の高さに比べて上記ｈ1の値は著しく小さいため、例え樹脂パターン３２３の高さがｈ1の高低差を有していても、下地の被転写基板をエッチング加工する際に、特に問題は生じない。
例えば、樹脂パターン３２３の設計値の高さが５０ｎｍ程度であるのに対し、ｈ1の値は数ｎｍ程度である。
【００６０】
以上、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法についてそれぞれの実施形態を説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００６１】
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
【００６２】
（実施例１）
まず、基板１０の主面上に、ハードマスク層２１Ａを有する構造体（ブランクス）を準備し、次に、ハードマスク層２１Ａの上にレジスト層２２Ａを形成し、電子線描画を用いた製版技術によりレジストパターン２２を形成し、続いて、レジストパターン２２から露出するハードマスク層２１Ａをドライエッチングしてハードマスクパターン２１を形成した。
その後、レジストパターン２２を除去し、次いで、ハードマスクパターン２１から露出する基板１０をエッチングして転写パターンの凹部１０ｓを形成し、転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）にハードマスクパターン２１を有する構造体１１ｄを得た。
なお、上記の基板１０には、縦１５２ｍｍ、横１５２ｍｍ、厚さ０．２５インチの合成石英基板を用い、ハードマスク層２１Ａには、厚さ５ｎｍのＣｒスパッタ層を用いた。
また、上記の転写パターンは、凹部１０ｓの深さが５０ｎｍ、凹部１０ｓの幅が２０ｎｍ、凸部１０ｔの幅が２０ｎｍのラインアンドスペースパターンとした。
【００６３】
次に、ハードマスクパターン２１を残した形態で前記構造体１１の転写パターンの欠損欠陥を、レーザーテック社のフォトマスク欠陥検査装置（ＭＡＴＲＩＣＳ  Ｘ７００）を用いて検査し、次いで、前記構造体１１ｄをカールツアイス社の欠陥修正装置（ＭｅＲｉＴ  ＨＲ３２）に配置し、前記欠陥検査工程において検出しておいた欠陥位置情報に基づいて、構造体１１ｄの表面を観察用の電子線３０で走査して、修正用の電子線（第１の電子線）３１を照射する位置および範囲を決めた。
次に、デポジション用ガス４１として、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を含むガスを供給しながら、修正用の電子線（第１の電子線）３１を照射することにより、前記転写パターンの欠損欠陥部１０ｄに修正材を堆積した。
その後、第１の電子線３１の照射を停止し、デポジション用ガス４１を排出し、構造体１１ｄの表面を観察用の電子線（第２の電子線）３２で走査して、得られる検出像で転写パターンの修正後の形状を確認した。なお、上記の第２の電子線３２の走査領域はＸ方向１．５μｍ、Ｙ方向１．５μｍとした。
【００６４】
前記転写パターンの欠損欠陥部１０ｄが修正されたことを確認後、欠陥修正装置から前記構造体１１ｄを取り出し、ハードマスクパターン２１を硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸を含む水溶液を用いたウェットエッチングで除去して、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレート１を得た。
【００６５】
上記のテンプレート１の欠陥検査をした結果、欠損欠陥は検出されなかった。なお、上記の欠陥検査には、レーザーテック社のフォトマスク欠陥検査装置（ＭＡＴＲＩＣＳ  Ｘ７００）を用いた。
【００６６】
次に、上記の構造体１１ｄの欠陥検査において検出しておいた欠陥位置情報に基づいて、テンプレート１の表面をエスアイアイ・ナノテクノロジー社の原子間力顕微鏡（Ｌ−ｔｒａｃｅ）で検査したところ、前記欠損欠陥部に修正材を堆積した領域を除いて、上記第２の電子線３２の走査領域とそれ以外の領域とで、転写パターンの凸部上面（Ｔｏｐ面）に高さの違いは検出されなかった。
一方、前記欠損欠陥部に修正材を堆積した領域は、概ねＸ方向５ｎｍ、Ｙ方向５ｎｍであり、周囲の転写パターンの凸部上面（Ｔｏｐ面）の高さよりも０．６ｎｍ〜２．０ｎｍ高かった。
なお、原子間力顕微鏡による検査領域は、上記の構造体１１ｄの欠陥検査において検出しておいた欠陥位置を中心に、Ｘ方向３μｍ、Ｙ方向３μｍの領域とした。
【００６７】
また、上記のテンプレート１を用いて、光インプリント法により被転写基板上の樹脂にパターン転写したところ、前記欠損欠陥部に修正材を堆積した領域を除いて、上記の第２の電子線３２の走査領域に相当する領域と、それ以外の領域のいずれの領域においても残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）が均一な樹脂パターン３２２を得ることができた。
さらに、前記樹脂パターン３２２に対し、反応性イオン３４０として酸素イオンを用いたドライエッチングにより所定の残膜除去工程を施したところ、前記欠損欠陥部に修正材を堆積した領域も含めて、上記の第２の電子線３２の走査領域に相当する領域と、それ以外の領域のいずれの領域においても残膜部分が除去された良好な樹脂パターン３２３を得ることができた。
【００６８】
（比較例１）
基板１１０の主面上に、ハードマスク層２２１Ａを有する構造体（ブランクス）を準備し、次に、ハードマスク層２２１Ａの上に、電子線描画を用いた製版技術によりレジストパターン２２２を形成し、続いて、レジストパターン２２２から露出するハードマスク層２２１Ａをドライエッチングしてハードマスクパターン２２１を形成した。
その後、レジストパターン２２２を除去し、次いで、ハードマスクパターン２２１から露出する基板１１０をエッチングして転写パターンの凹部１１０ｓを形成し、最後に、ハードマスクパターン２２１を除去して、テンプレート１００ｄを得た。
なお、上記の基板１１０には、縦１５２ｍｍ、横１５２ｍｍ、厚さ０．２５インチの合成石英基板を用い、ハードマスク層２２１Ａには、厚さ５ｎｍのＣｒスパッタ層を用いた。また、上記の転写パターンは、凹部１１０ｓの深さが５０ｎｍ、凹部１１０ｓの幅が２０ｎｍ、凸部１１０ｔの幅が２０ｎｍのラインアンドスペースパターンとした。
【００６９】
次に、前記テンプレート１００ｄの転写パターンの欠損欠陥を、レーザーテック社のフォトマスク欠陥検査装置（ＭＡＴＲＩＣＳ  Ｘ７００）を用いて検査し、次いで、前記テンプレート１００ｄをカールツアイス社の欠陥修正装置（ＭｅＲｉＴ  ＨＲ３２）に配置し、前記欠陥検査工程において検出しておいた欠陥位置情報に基づいて、テンプレート１００ｄの表面を観察用の電子線１３０で走査して、修正用の電子線１３１を照射する位置および範囲を決めた。
次に、デポジション用ガス１４１として、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を含むガスを供給しながら、修正用の電子線１３１を照射することにより、転写パターンの欠損欠陥部１１０ｄに修正材を堆積した。
その後、電子線１３１の照射を停止し、デポジション用ガス１４１を排出し、テンプレート１００ｄの表面を観察用の電子線１３２で走査して、得られる検出像で前記転写パターンの修正後の形状を確認した。なお、上記の電子線１３２の走査領域はＸ方向１．５μｍ、Ｙ方向１．５μｍとした。
【００７０】
前記転写パターンの欠損欠陥部１１０ｄが修正されたことを確認後、欠陥修正装置から修正後のテンプレート１００ｅを取り出し、欠陥検査をした結果、欠損欠陥は検出されなかった。なお、上記の欠陥検査には、レーザーテック社のフォトマスク欠陥検査装置（ＭＡＴＲＩＣＳ  Ｘ７００）を用いた。
【００７１】
次に、上記のテンプレート１００ｅの欠陥検査において検出しておいた欠陥位置情報に基づいて、テンプレート１００ｅの表面をエスアイアイ・ナノテクノロジー社の原子間力顕微鏡（Ｌ−ｔｒａｃｅ）で検査したところ、上記の電子線１３２の走査領域における転写パターンの凸部上面（Ｔｏｐ面）の高さは、他の領域（非走査領域）の転写パターンの凸部上面（Ｔｏｐ面）の高さよりも、０．６ｎｍ〜２．０ｎｍ高いことが判明した。
なお、原子間力顕微鏡による検査領域は、上記の欠陥検査において検出しておいた欠陥位置を中心に、Ｘ方向３μｍ、Ｙ方向３μｍの領域とした。
【００７２】
また、上記のテンプレート１００ｅを用いて、光インプリント法により被転写基板上の樹脂にパターン転写したところ、得られた樹脂パターン３２２Ｅは、上記の電子線１３２の走査領域に相当する領域の残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）が、他の領域（非走査領域）の残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）よりも、０．６ｎｍ〜２．０ｎｍ薄いものであった。
さらに、前記樹脂パターン３２２Ｅに対し、反応性イオン３４０として酸素イオンを用いたドライエッチングにより残膜除去工程を施したところ、得られた樹脂パターンにおいては、上記の電子線１３２の走査領域に相当する領域以外の領域の残膜部分が残留してしまい、広範囲に不良パターン３２３Ａが発生してしまっていた。
【符号の説明】
【００７３】
１・・・ナノインプリントリソグラフィ用テンプレート
１０・・・基板
１０ｄ・・・・欠損欠陥部
１０ｅ・・・走査領域
１０ｒ・・・・堆積部
１０ｓ・・・凹部
１０ｔ・・・凸部
１１ｄ・・・構造体
２１・・・ハードマスクパターン
２１Ａ・・・ハードマスク層
２１ｄ・・・欠損欠陥部
２１ｐ・・・欠損欠陥部
２２・・・レジストパターン
２２Ａ・・・レジスト層
２２ｄ・・・欠損欠陥部
３０・・・電子線
３１・・・第１の電子線
３２・・・第２の電子線
４１・・・デポジション用ガス
１００、１００ｄ、１００ｅ・・・ナノインプリントリソグラフィ用テンプレート
１１０・・・基板
１１０ｄ・・・欠損欠陥部
１１０ｅ・・・過剰デポジション領域
１１０ｒ・・・堆積部
１１０ｓ・・・凹部
１１０ｔ・・・凸部
１３０、１３１、１３２・・・電子線
１４１・・・デポジション用ガス
２２１・・・ハードマスクパターン
２２１Ａ・・・ハードマスク層
２２１ｄ・・・欠損欠陥部
２２１ｐ・・・欠損欠陥部
２２２・・・レジストパターン
２２２Ａ・・・レジスト層
２２２ｄ・・・欠損欠陥部
２３０・・・異物
３１０・・・被転写基板
３２２・・・樹脂パターン
３２２Ａ・・・樹脂層
３２２Ｅ・・・樹脂パターン
３２３・・・樹脂パターン
３２３Ａ、３２３Ｂ・・・樹脂パターン
３３０・・・紫外線
３４０・・・反応性イオン
【図１】
2014053407.tif 000003
【図２】
2014053407.tif 000004
【図３】
2014053407.tif 000005
【図４】
2014053407.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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