(57)【要約】【課題】新規レジストの開発およびその導入に際し、生産性の低いレジストは開発段階もしくは導入段階において予め排除することを可能とする方法および装置を提供する。【解決手段】所定の露光ギャップを維持したフォトマスクを介して感光性レジストが塗布された被露光基板に対してステップ露光を行い、前記フォトマスク上に昇華物を堆積させ、堆積させた感光性レジストに起因する昇華物の定量、及び又は定性分析を行い、レジストを評価する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
感光性を有するレジストの評価方法において、所定の露光ギャップを維持したフォトマスクを介して感光性レジストが塗布された被露光基板に対して露光を行い、前記フォトマスク上に昇華物を堆積させ、前記に記載した堆積させた昇華物の定量、及び又は定性分析を行い、レジストを評価することを特徴とするレジストの評価方法。
【請求項２】
前記感光性を有するレジストは、ネガ型感光性レジストおよびポジ型感光性レジストであることを特徴とする請求項１記載のレジストの評価方法。
【請求項３】
前記感光性を有するレジストは、半導体、液晶、PDP、プリント基板用回路の焼付けをはじめ、カラーフィルター、TFT基板やタッチパネルセンサーなどの製作に用いられる感光性レジストであることを特徴とする請求項１又は２に記載のレジストの評価方法。
【請求項４】
被露光基板を保持するワークステージと、基板に対向配置されたフォトマスクを保持するマスクステージと、所定の露光ギャップを維持したフォトマスクを介して感光性レジストが塗布された被露光基板に対して露光光源からの露光光を、フォトマスクを介して照射する照射手段と、フォトマスクが被露光基板上の複数の所定位置に対向するようにワークステージとマスクステージの一方を他方に対して相対移動させる送り機構とを具備することを特徴とするレジストの昇華物堆積評価装置。
【請求項５】
感光性を有するレジストは、ネガ型感光性レジストおよびポジ型感光性レジストであることを特徴とする請求項４に記載のレジストの昇華物堆積評価装置。
【請求項６】
前記感光性を有するレジストは、半導体、液晶、PDP、プリント基板用回路の焼付けをはじめ、カラーフィルター、TFT基板やタッチパネルセンサーなどの製作に用いられる感光性レジストであることを特徴とする請求項４又は５に記載のレジストの昇華物堆積評価装置。
【請求項７】
前記評価装置の露光光源に、フォトリソグラフィーに最適な紫外線波長を有する、超高圧水銀ランプを搭載し、紫外線波長の中でも、特に3線（４３６ｎｍ・４０５ｎｍ・３６５ｎｍ)を有効に活用できる連続露光光源であり、長寿命で安定した放射照度を持つ高輝度の露光光源を搭載していることを特徴とする請求項４に記載のレジストの昇華物堆積評価装置。
【請求項８】
前記評価装置の露光光源に、水銀の共鳴線として代表的な３６５ｎｍと２３０ｎｍ〜３２０ｎｍ付近の遠紫外域に特徴的な放射特性を持つ連続露光光源である、高圧水銀ランプを露光光源として具備していることを特徴とする請求項４に記載のレジストの昇華物堆積評価装置。
【請求項９】
前記評価装置の露光光源に、短波長の紫外線光である１８５ｎｍと２５４ｎｍの波長領域に特徴的な放射特性を持つ連続露光光源である、低圧水銀ランプを露光光源として兼ね備えていることを特徴とする請求項４に記載のレジストの昇華物堆積評価装置。
【請求項１０】
前記評価装置の露光光源に、短波長域で高エネルギーの放射特性をもちで、キセノンランプのUV域から赤外域までの連続したスペクトルと、超高圧UVランプのUV域での高エネルギーを併せ持ち、超高圧UVランプに比べ、４００ｎｍ未満の短波長域での放射量が多く、２３０ｎｍ〜３２０ｎｍ付近の遠紫外域に特徴的な放射特性を持つ露光光源である、DEEP UVランプを露光光源として具備することを特徴とする請求項４に記載のレジストの昇華物堆積評価装置。
【請求項１１】
前記評価装置の露光光源に、YAGレーザーを用い、その露光光波長が３５５ｎｍもしくは、２６６ｎｍの単一の輝線を放射できる露光光源を搭載することを特徴とする請求項４に記載のレジストの昇華物堆積評価装置。
【請求項１２】
前記評価装置の露光光源に、ＬＥＤ光源を用い、その露光光の波長が３６５ｎｍもしくは、３８５ｎｍもしくは、４０５ｎｍなどの単一の輝線を放射することのできる露光光源を具備していることを特徴とする請求項４に記載のレジストの昇華物堆積評価装置。
【請求項１３】
被露光基板より小型のフォトマスクを具備し、所定の露光ギャップで、被露光基板をステップ露光することにより、前記フォトマスク上に、感光性レジストから発せられる昇華物を堆積させることを特徴とする請求項４に記載のレジストの昇華物堆積評価装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、半導体、液晶、ＰＤＰ、プリント基板用回路の焼付けをはじめ、カラーフィルタ、ＴＦＴ基板やタッチパネルセンサーなどの製作に用いられる感光性レジストの評価方法および昇華物堆積評価装置（以下、単に評価装置とも言う）に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のレジストに関するスクリーニング技術に関しては、レジスト感度の評価方法（特許文献１）、リソグラフィ・マージンの測定評価方法（特許文献２）、段差近傍におけるレジスト材料の解像度を容易に求めることができるレジスト材料の評価方法（特許文献３）、フォトレジスト膜の多重干渉効果とバルク効果とを評価することを特徴とするフォトレジスト膜の評価方法（特許文献４）。フォトレジストに光を当て透過率の変化によりフォトレジストの吸光特性及び感度を求める測定器において、複数の波長に対してフォトレジストの効率的測定が可能であるフォトレジスト評価装置（特許文献５）が提案されている。
【０００３】
その他にもレジストの評価方法として、高解像レジスト及びそのためのプロセスを開発するために、レジスト内の光電子の飛程及び酸発生系化学増幅系レジストの酸の拡散量を測定する方法（特許文献６）や、レジスト組成物の評価方法としては、浸漬露光工程を含むレジストパターン形成方法に用いられるレジスト組成物として好適か否かを評価する評価方法（特許文献７、特許文献８）や、光ディスク用のフォトレジストの評価方法（特許文献９）や、サイドエッチの発生しにくい下層レジスト材料を、エッチング前に非破壊で光学的に見分ける方法およびそのための装置（特許文献１０）など、レジストに関して様々スクリーニング方法・評価方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−３５４９０６号公報
【特許文献２】特開２００５−２３６０６１号公報
【特許文献３】特開２００１−２３７１５８号公報
【特許文献４】特開平６−０２１１８５号公報
【特許文献５】特開平６−１６７４４４号公報
【特許文献６】特開平５−０１３２９５号公報
【特許文献７】特開２００５−３０９４５７号公報
【特許文献８】特開２００５−３４７７６３号公報
【特許文献９】特開平５−２２４４２５号公報
【特許文献１０】特開２００８−１２４１７０号公報
【０００５】
しかしながら、現状、レジストの開発段階において、露光工程で発生する昇華物がマスクに堆積することを視野に入れた、レジストから発生する昇華物に関する、スクリーニング評価装置およびその方法が確立されていない。
【０００６】
新規レジストの導入に際して、導入するレジストの量産性を見極めることは非常に重要な項目である。特に、プロキシミティー露光方式が主として採用されているカラーフィルタ、タッチパネル製造などでは、露光工程においてレジスト起因の昇華物がフォトマスクに堆積することが原因で発生する不具合がしばしば見受けられる。レジストから発生する昇華物の発生量に関しては、試作段階や少量産では見極めることが厳しく、量産化された後に問題が発覚する事が多い。
【０００７】
フォトマスクにレジスト起因による昇華物が堆積することにより発生する不具合は、フォトマスクの透過率が変動することにより生じる、着色層では線幅変動や形状不良および膜厚変動に伴う色相の変動、フォトスペーサーや絶縁膜パターンでは、線幅や膜厚の変動等に代表される転写されたパターン特性値の変動がある。その他に、ギャップ窓の曇りによる露光ギャップ制御エラー、アライメントマークの読み取りエラーが主な不具合として挙げられる。
【０００８】
また、酸化クロム膜やＩＴＯ膜などを用いたハーフトーン階調マスク等による、フォトスペーサーの形成、例えば、メインのフォトスペーサーと、それよりも高さの小さいサブのフォトスペーサーを同時に形成するような方法を用いている場合が昨今多く採用さている。ここで、階調マスクであるフォトマスクに昇華物が堆積することより、階調を持たせるために成膜された酸化クロム膜やＩＴＯ膜などと、露光Ｇａｐである空気層との間の屈折率変化が生じることにより、露光光の反射率が変化する。その結果として、例えば、サブのフォトスペーサー形成に寄与する露光量が著しく変化することにより、サブのフォトスペーサーの膜厚が変動することで、メインのフォトスペーサーの膜厚さ差、サブのフォトスペーサーの線幅などの特性値が、フォトマスク上の昇華物の堆積量に比例して変動することがしばしばある。
【０００９】
試作を経て量産化が決定したレジストにおいては、得意先での信頼性も既に完了している為、この時点でレジストの組成を変更することは非常に困難である。
【００１０】
この為、レジスト変更ができず、そのレジストでの生産を余儀なくされる。生産数量に比例して、露光工程においてはフォトマスクに昇華物が堆積する為、転写パターンの特性値変動や露光ギャップ制御エラーおよびアライメントエラーが多々発生する。これに対する対処方としては、生産途中において、フォトマスクを一度取り外し、洗浄することでフォトマスクに堆積した昇華物を除去する必要が主に実施されている。生産途中で、フォトマスク洗浄を実施することは、生産を一旦中断することになる。そして、フォトマスク洗浄後に再度、生産開始する為に、再び生産条件出しが必要となる。このことより、フォトマスク洗浄を実施することは、生産性の低下を招くことになる。生産性を少しでも補填する為に、昇華物が堆積したフォトマスクを洗浄している間にも、生産を継続させることができる為に、フォトマスクの複版を用意することもしばしばある。複版を用いた場合でも、フォトマスク交換による生産停止によるロス、条件だしによる生産停止によるロスは避けることが出来ない。更に、フォトマスクの複版を作製する為の副資材費用も余分に要することになる。
【００１１】
以上の観点より、昇華物発生量の多い新規レジストを導入してしまった場合、大幅な生産性低下を伴うことになる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明では、新規レジストの開発およびその導入に際し、そのレジストから発生する昇華物の定量を行い、実生産を考慮した場合に生産性の有無のスクリーニングを可能とする方法および装置を提供するものであり。これにより、生産性の低いレジストは開発段階もしくは導入段階において予め排除することを可能とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
そこで、請求項１に係る発明は、感光性を有するレジストの評価方法において、所定の露光ギャップを維持したフォトマスクを介して感光性レジストが塗布された被露光基板に対して露光を行い、前記フォトマスク上に昇華物を堆積させ、前記に記載した堆積させた昇華物の定量、及び又は定性分析を行い、レジストを評価することを特徴とするレジストの評価方法である。
請求項２に係る発明は、前記感光性を有するレジストは、ネガ型感光性レジストおよびポジ型感光性レジストであることを特徴とする請求項１記載のレジストの評価方法である。
請求項３に係る発明は、前記感光性を有するレジストは、半導体、液晶、ＰＤＰ、プリント基板用回路の焼付けをはじめ、カラーフィルター、ＴＦＴ基板やタッチパネルセンサーなどの製作に用いられる感光性レジストであることを特徴とする請求項１又は２に記載のレジストの評価方法である。
請求項４に係る発明は、被露光基板を保持するワークステージと、基板に対向配置されたフォトマスクを保持するマスクステージと、所定の露光ギャップを維持したフォトマスクを介して感光性レジストが塗布された被露光基板に対して露光光源からの露光光を、フォトマスクを介して照射する照射手段と、フォトマスクが被露光基板上の複数の所定位置に対向するようにワークステージとマスクステージの一方を他方に対して相対移動させる送り機構とを具備することを特徴とするレジストの昇華物堆積評価装置である。
請求項５に係る発明は、感光性を有するレジストは、ネガ型感光性レジストおよびポジ型感光性レジストであることを特徴とする請求項４に記載のレジストの昇華物堆積評価装置である。
請求項６に係る発明は、前記感光性を有するレジストは、半導体、液晶、ＰＤＰ、プリント基板用回路の焼付けをはじめ、カラーフィルター、ＴＦＴ基板やタッチパネルセンサーなどの製作に用いられる感光性レジストであることを特徴とする請求項４又は５に記載のレジストの昇華物堆積評価装置である。
請求項７に係る発明は、前記評価装置の露光光源に、フォトリソグラフィーに最適な紫外線波長を有する、超高圧水銀ランプを搭載し、紫外線波長の中でも、特に3線（４３６ｎｍ・４０５ｎｍ・３６５ｎｍ)を有効に活用できる連続露光光源であり、長寿命で安定した放射照度を持つ高輝度の露光光源を搭載していることを特徴とする請求項４に記載のレジストの昇華物堆積評価装置である。
請求項８に係る発明は、前記評価装置の露光光源に、水銀の共鳴線として代表的な３６５ｎｍと２３０ｎｍ〜３２０ｎｍ付近の遠紫外域に特徴的な放射特性を持つ連続露光光源である、高圧水銀ランプを露光光源として具備していることを特徴とする請求項４に記載のレジストの昇華物堆積評価装置である。
請求項９に係る発明は、前記評価装置の露光光源に、短波長の紫外線光である１８５ｎｍと２５４ｎｍの波長領域に特徴的な放射特性を持つ連続露光光源である、低圧水銀ランプを露光光源として兼ね備えていることを特徴とする請求項４に記載のレジストの昇華物堆積評価装置である。
請求項１０に係る発明は、前記評価装置の露光光源に、短波長域で高エネルギーの放射特性をもちで、キセノンランプのUV域から赤外域までの連続したスペクトルと、超高圧UVランプのUV域での高エネルギーを併せ持ち、超高圧UVランプに比べ、４００ｎｍ未満の短波長域での放射量が多く、２３０ｎｍ〜３２０ｎｍ付近の遠紫外域に特徴的な放射特性を持つ露光光源である、DEEP UVランプを露光光源として具備することを特徴とする請求項４に記載のレジストの昇華物堆積評価装置である。
請求項１１に係る発明は、前記評価装置の露光光源に、YAGレーザーを用い、その露光光波長が３５５ｎｍもしくは、２６６ｎｍの単一の輝線を放射できる露光光源を搭載することを特徴とする請求項４に記載のレジストの昇華物堆積評価装置である。
請求項１２に係る発明は、前記評価装置の露光光源に、ＬＥＤ光源を用い、その露光光の波長が３６５ｎｍもしくは、３８５ｎｍもしくは、４０５ｎｍなどの単一の輝線を放射することのできる露光光源を具備していることを特徴とする請求項４に記載のレジストの昇華物堆積評価装置である。
請求項１３に係る発明は、被露光基板より小型のフォトマスクを具備し、所定の露光ギャップで、被露光基板をステップ露光することにより、前記フォトマスク上に、感光性レジストから発せられる昇華物を堆積させることを特徴とする請求項４に記載のレジストの昇華物堆積評価装置である。
本発明の装置においてフォトマスクに堆積させた昇華物の定量分析を、分光光度分析法で実施することで、昇華物の堆積量を把握することができる。また、定性分析を行う際には、堆積させた昇華物をガスクロマト質量分析法などの手段を用いることで、レジストから発生し、フォトマスクに堆積した昇華物の定性を実施することができる。
【発明の効果】
【００１４】
これまでは、新規レジストを導入する際、露光工程におけるフォトマスクに堆積する昇華物の量やその影響については、試作や少量産では処理枚数の絶対数が少なくレジストの昇華物発生に関する生産性の良否を判別することは困難であった。
レジストの開発段階においても、量産を考慮した、生産性のあるレジスト処方を行う必要がある。レジストの開発を行うに当たり、生産性の有無を判断する為には、量産時を想定し、レジストから発生する昇華物の量およびその物質の分析を可能とする評価方法が必要である。
レジストの導入段階においても、昇華物の発生量が多く、生産性の低いレジストの導入を未然に防ぐことが肝心であり、新規レジスト導入検討の際において昇華物発生量を指標とし、スクリーニングをかける必要がある。
本発明では、新規レジスト開発および新規レジストの導入に際し、そのレジスト昇華物の発生量の定量を行い、実生産を想定した場合に、生産性の有無に関するスクリーニング評価を可能とするレジストの評価方法および評価装置を提供するものであり。これにより、生産性の低いレジストは予め排除することを可能とするものである。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】レジストの評価装置の概略説明図である。
【図２】ステップ露光処理の概略説明図である。
【図３】露光エリアの説明図である。
【図４】昇華物が堆積した後のフォトマスクの透過率測定結果を示すグラフ図である。
【図５】昇華物が堆積した後のフォトマスクのプロジェクター観察結果を示す写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明のレジストの評価方法および評価装置を実施するための形態を説明する。
【実施例】
【００１７】
新規に導入するレジストに関して、昇華物発生量の定性・定量を実施するに当たり、実際の生産における露光工程を模擬する必要がある。つまり、所定枚数の露光処理を終えた後に、フォトマスクに堆積した昇華物の定性および定量を実施することで、これから導入しようとしているレジストが、昇華物を発生し易いレジストであるのか、もしくは発生し難いレジストであるか（昇華物発生によるマスク汚染の）という観点より、量産性が有るか否かの判断を行うことができる。しかし、実際に生産ラインを占有し、実生産に相当する基板枚数を投入し露光処理することは、生産ライン枠の占有による時間のロス、ガラス基板コスト、レジストコスト等々にて様々な制約が伴い、個々のレジストに対し、これらを実施することは現実的でない。
【００１８】
そこで、本発明に係る評価装置にて、所定枚数の実際の露光処理を模擬し、実施することでレジストから発生する昇華物をフォトマスク上に堆積させ、昇華物の定性および定量を実施した。
【００１９】
（レジストの昇華物評価装置）
本発明に係る評価装置１３（図１）は、被露光基板５を保持するワークステージ４と、基板に対向配置されたフォトマスク３を保持するマスクステージ２と、基板に対して露光光がフォトマスク３を介して照射する照射手段と、フォトマスク３が被露光基板５上の複数の所定位置に対向するようにワークステージ４とマスクステージ２の一方を他方に対して相対移動させる送り機構とを備えた評価装置である。以下、詳細に説明する。
【００２０】
同図において、ワークステージ４は、例えば、５５０ｍｍ×６５０ｍｍ（Ｇ３）サイズの感光性レジストを塗布し、乾燥させた被露光基板５（ガラス基板）が保持できるステップ移動が可能なステージである。マスクステージ２は、５０ｍｍ×５０ｍｍ□サイズのフォトマスク３（フォトマス）を保持するステージであり、基板に対向して配置される。
【００２１】
照射手段１は、紫外線を含む露光光を放出する超高圧水銀ランプ１ａ（特に、４３６ｎｍ・４０５ｎｍ・３６５ｎｍに特性ピークをもつ連続光源)と、超高圧水銀ランプ１ａが放出する紫外線光を集光する集光鏡１ｂと第１ミラー１ｃと、インテグレータレンズ１ｄと、シャッター１ｅと、凹面鏡１ｆと、第２ミラー１ｇから構成されている。超高圧水銀ランプ１ａが放出する露光光は、集光鏡１ｂで集光され、第１ミラー１ｃ、インテグレータレンズ１ｄ、シャッター１ｅ、第２ミラー１ｇを介して凹面鏡１ｆに入射し、凹面鏡１ｆから出射する光がマスクステージ２に固定されたフォトマスク３を介して、ワークステージ４に設置された被露光基板５に照射される。
【００２２】
前記ワークステージ４は、露光ギャップ調整機構６を介してＸＹθＺステージ７に取り付けられており、ワークステージ４の傾きおよび上下方向（以下Ｚ方向という）の位置（フォトマスク３と被露光基板５のギャップ）は、露光ギャップ調整機構６により微調整される。
【００２３】
ＸＹθＺステージ７はワークステージ移動機構８によりＸ，Ｙ，θ，Ｚ方向（例として、Ｘは同図の左右方向、Ｙは同図のＸ方向に対して垂直方向、θはＸＹ平面に垂直な軸を中心とした回転、Ｚは上記した上下方向）に駆動され、これによりワークステージ４はＸＹθＺ方向に移動する。これによりフォトマスク３が被露光基板５上の複数の所定位置に対向するようにワークステージ４とマスクステージ２の一方を他方に対して相対移動させる送り機構となるので、被露光基板５の全てのレジスト膜厚保証有効エリア１８に対してフォトマスク３の相対移動が可能であり、フォトマスクを介しての露光が可能である。
【００２４】
次に、９は露光ギャップ測定部であり、露光ギャップ測定部９は図示しないＸＹ方向駆動機構によりフォトマスク３上を、フォトマスク３面に平行に移動可能に構成されており、露光ギャップ測定部９をフォトマスク３と被露光基板５上の任意の露光ギャップ測定点に移動させることで、複数の測定点における露光ギャップを測定することができる。なお、露光ギャップ測定部９を露光ギャップ測定点の数だけ設けて、複数の測定点で間隙を測定するように構成してもよい。
【００２５】
そして、露光ギャップ測定部９は露光ギャップ測定部Ｚ移動機構１０によりＺ方向に移動可能に構成されている。前記の露光ギャップ測定部Ｚ移動機構１０には、露光ギャップ測定部９を移動させるための機構が設けられており、また、露光ギャップ測定部９の位置と移動量を検出するための位置検出器としてエンコーダ１１が設けられている。１２は制御部であり、制御部１２により上記露光光源部１、露光ギャップ測定部９、露光ギャップ測定部Ｚ移動機構１０、ワークステージ移動機構８が制御される。露光ギャップ測定用に使用される光源において、本実施例では、強い発光強度が得られることからレーザダイオードを使用した。このほか、ハロゲンランプ、キセノンランプ、ＬＥＤなどを用いてもよい。
【００２６】
また、超高圧水銀ランプに換えて、高圧水銀ランプ（特に、３６５ｎｍと２３０ｎｍ〜３２０ｎｍに特性ピークをもつ連続光源）、低圧水銀ランプ（特に、１８５ｎｍと２５４ｎｍに特性ピークをもつ連続光源）、DEEP UVランプ（特に、２３０ｎｍ〜３２０ｎｍに特性ピークをもつ連続光源）、YAGレーザー（３５５ｎｍもしくは、２６６ｎｍ）、もしくはＬＥＤ光源（３６５ｎｍもしくは、３８５ｎｍもしくは、４０５ｎｍ）など、レジストを感光可能な波長を照射可能な露光光源を含むものであれば採用可能である。
【００２７】
なお、評価装置は、プロシキミティ方式の露光装置と類似する構成を有する装置であるが、被露光基板にパターンを描画する必要はないので、高精度で高価な光学系は不要である。
【００２８】
次に、本発明の評価装置１３を用いた評価方法（露光処理）について説明する。
（１）被露光基板５をワークステージ４に設置し、真空吸着により吸着固定する。また、フォトマスクをマスク真空吸着機構（図示せず）によりマスクテージ２に吸着固定する。
（２）ＸＹθＺステージ７をＺ方向に駆動させ、被露光基板５をフォトマスク３に接近させる。このとき、ＸＹθＺステージ７に内蔵させたエンコーダ（図示せず）からの位置信号を読み込みながらＺ方向に被露光基板５を駆動し、所定の露光ギャップ値に近い状態まで近接させる。この段階ではフォトマスク３と被露光基板５は正確に所定の露光ギャップにはなっていない。
（３）次いで、露光ギャップを測定するため、露光ギャップ測定部９のＸＹ方向移動機構により、露光ギャップ測定部９を所定の露光ギャップ測定点まで移動させる。
（４）露光ギャップ測定部９を所定の露光ギャップ測定点に移動させたら、フォトマスク３と被露光基板５の露光ギャップを測定し、露光ギャップが所定の値となるよう、露光ギャップ調整機構６により調整を行う。
（５）前記（３）および（４）の操作をフォトフォトマスク３および被露光基板５に対して、少なくとも３点以上について行い、露光ギャップの偏差を求め、該当する偏差が小さくなるように露光ギャップ調整機構６により被露光基板５の傾きと、被露光基板５とフォトマスク３の間の距離を調整する。そして、偏差が許容値以下になるまで上記操作を繰り返す。
（６）フォトフォトマスク３と被露光基板５の露光ギャップ調整が完了すると、露光ギャップ測定部９を露光領域から退避させ、その後、露光光源部１から露光光を照射して、所定露光量に相当する露光処理を行う。露光処理を終えた後、近接させたフォトマスク３と被露光基板５間の距離を所定の距離となるよう離し、その後、ワークステージ移動機構８により、次の露光位置へと被露光基板５を移動させ、（１）から（６）の操作を繰り返す。ワークステージ４に設置された被露光基板５においては、所定の露光処理が全て完了した後、被露光基板５を搬出させる。
【００２９】
その後、フォトマスク上に堆積した昇華物の定量、及び又は定性分析を行うが、分光光度分析法、定性分析を行う場合は質量分析手法を用いて実施する。
【００３０】
（実施例における感光性レジストの組成について）
レジストの開始剤組成を２水準処方したものにおける実施例を示す。
レジストの残膜感度、現像特性およびパターン形成後の特性値が同等となるよう、開始剤の処方のみを変更したレジストを２水準用意した。レジストは、アクリル系モノマー、ポリマー、連鎖移動剤、重合禁止剤、増感剤を含有する公知の感光性ネガレジストベースとし、組成比は固定とした。
【００３１】
（ａ）２−メチル−１−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルフォリノプロパン−１−オン（商品名  イルガキュア ９０７  チバ・スペシャルティ・ケミカルズ（株））…５α当量
（ｂ）２−メチル−１−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルフォリノプロパン−１−オン（商品名  イルガキュア ９０７  チバ・スペシャルティ・ケミカルズ（株））…α当量、これに加えて、オキシムエステル系光重合開始剤である１，２-オクタンジオン，１-[４-（フェニルチオ）-，２-（０-ベンゾイルオキシム （商品名  イルガキュアＯＸＥ−Ｏ１  チバ・スペシャルティ・ケミカルズ（株））…β当量（α、βは係数）
【００３２】
（実施例におけるレジストの評価方法）
５５０ｍｍ×６５０ｍｍ×０．５ｍｍｔ（板厚）の無アルカリガラスをガラス基材として、前記（a）および（ｂ）のレジストを用い、それぞれのレジストが露光後膜厚測定にて膜厚４．０μｍとなるように、スピンコーターもしくは、スピンレスコーターにてレジストを塗布し、真空乾燥（到達圧：６．７×１０Ｐａ、保持時間：２０ｓｅｃ）処理にて溶剤を除去し、続いてホットプレート（処理温度：９５℃、処理時間：１２０ｓｅｃ）処理にて残留溶剤の除去を行い、被露光基板５とした。本発明にて作製した昇華物堆積評価装置１３を用い、露光処理条件は、露光ギャップ；１５０μｍ、露光量；２００ｍＪ／ｃｍ2、露光照度；２４ｍＷ／ｃｍ2にて１８００ｓｈｏｔ（１８００枚相当分）の露光処理を実施した。
【００３３】
露光処理に際して、スピンコート法ではガラス基板に上レジストを塗布したとき、レジスト端面戻りにより、基板端面のレジスト膜厚が所定より厚く盛り上がる、この為、レジストの膜厚が十分に安定する基板端面から８．５ｍｍ内側に入った領域を塗布膜厚保証領域とし、その箇所にて露光処理を実施した。具体的に露光処理はステップ露光処理を実施した。フォトマスク３は板厚５ｍｍ、５０ｍｍ×５０ｍｍサイズのフォトマスク（素マスク）を用い、露光ヘッド１３に搭載されているマスクステージ２に真空吸着にてフォトマスク３を装着した。マスクの四隅は真空吸着されているので、露光に有効となるマスク領域は４０ｍｍ×４０ｍｍ□として、前記の領域に、露光工程においてレジストから発せられる昇華物の堆積処理を実施した。昇華物の堆積に際し、露光処理はステップ露光にて実施した（図２）。露光ヘッド１４を用いたステップ露光処理１６は５５０ｍｍ方向に１０列、６５０ｍｍ方向に１２列の計１２０ｓｈｏｔとなるように露光処理条件を設定し、基板に対するステップ露光位置は露光エリアマップ１５（図３）に示す通りである。被露光エリアの各区画は５０ｍｍ×５０ｍｍとし、被露光エリアと被露光エリア（ショットとショット）の間隔は３ｍｍとした。５５０ｍｍ×６５０ｍｍ基板にて、１５枚処理することで、１８００ｓｈｏｔ（１８００枚相当分）の露光処理を実施した。
【００３４】
その後、露光処理時にフォトマスク３に堆積した昇華物、レジスト（a）および（ｂ）それぞれからの昇華物の定量を分光光度計にて、定性を質量分析計にて実施した。マスク上へ堆積した昇華物の定量を実施する為、透過率測定を分光光度計（ＨＩＴＡＣＨ製：U-３４１０）にて実施した。測定波長はプロキシミティー露光方式で用いる露光波長である２５０ｎｍ〜５００ｎｍの領域帯にて行った。リファレンスは同ロットの未使用のフォトマスク３（素マスク）を用いた。その結果を図４に示す。また、プロジェクター光源の反射における、レジスト（a）およびレジスト（ｂ）それぞれのフォトマスク３の観察結果を図５に示す。
【００３５】
以上の結果より、レジスト（a）は量産においてフォトマスク上の昇華物の堆積量が多く、フォトマスク３汚れが酷く、ギャップ窓の曇りによる露光ギャップ制御エラーや、アライメントマークの読み取りエラーが多発し、生産途中で転写したパターンの特性値が変動し、工程規格から外れてしまう。この為、生産途中においてマスク洗浄を必要とするものであり、生産性が著しく悪い。一方、レジスト（ｂ）は、フォトマスク上への昇華物の堆積量が少なく、フォトマスクの汚れも生産に支障が無い程度である。また、生産中でのギャップ制御エラー、アライメントマークの読み取りエラーなどの発生もない。転写したパターンの特性値が規格から外れることも無い為、途中で生産を中断しフォトマスクを洗浄する必要もない。
【００３６】
このようにレジスト（ａ）もレジスト（ｂ）も既に量産で使用されているレジストであるが、本発明に係るレジストの評価方法及び評価装置を用い、昇華物に対するスクリーニングをレジスト導入時に実施していれば、不具合を抱えるレジスト（ａ）は事前に処方の見直しが実施され、生産性の悪いレジストが導入されることは防げたことになる。
【００３７】
以上、本発明により、露光工程におけるレジストからの昇華物の発生量という観点より、量産を見据えた生産性のあるレジストの処方検討、およびレジスト導入時におけるスクリーニングが可能となった。
【符号の説明】
【００３８】
１；露光光源
１ａ；超高圧水銀ランプ
１ｂ；集光鏡
１ｃ；第１ミラー
１ｄ；インテグレータレンズ
１ｅ；シャッター
１ｆ；凹面鏡
１ｇ；第２ミラー
２；マスクステージ
３；フォトマスク
４；ワークステージ
５；被露光基板
６；露光ギャップ調整機構
７；ＸＹθＺステージ
８；ワークステージ移動機構
９；露光ギャップ測定部
１０；露光ギャップ測定部Ｚ移動機構
１１；エンコーダ
１２；制御部
１３；レジストの昇華物評価装置
１４；露光ヘッド
１５；露光エリアマップ 
１６；ステップ露光処理（実施例）
１７a；露光処理領域（露光処理後）
１７b；露光処理領域（露光処理前）
１８；レジスト膜厚保証有効エリア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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