(57)【要約】【課題】貫通導電路を有する半導体素子を優れた生産効率で製造することができる方法を提供すること。【解決手段】［工程Ａ］複数の半導体素子が形成された能動面と、該能動面と反対側の面に形成された所定のパターンの導電層と、該能動面とその反対側の面とを繋ぐ貫通導電路と、を有する半導体ウエハを準備すること、［工程Ｂ］該導電層上に半田バンプを形成すること、および［工程Ｃ］該半導体ウエハをダイシングすることを含み、該［工程Ａ］が、複数の半導体素子が形成された能動面を有する半導体ウエハの該能動面側に保護テープを貼付した状態で、該能動面と反対側の面を研削することを含み、該研削から[工程Ｃ]のダイシングまでを該保護テープを貼付したままで行う、半導体素子の製造方法。【選択図】図１
2014086477.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
［工程Ａ］複数の半導体素子が形成された能動面と、該能動面と反対側の面に形成された所定のパターンの導電層と、該能動面とその反対側の面とを繋ぐ貫通導電路と、を有する半導体ウエハを準備すること、
［工程Ｂ］該導電層上に半田バンプを形成すること、および
［工程Ｃ］該半導体ウエハをダイシングすることを含み、
該［工程Ａ］が、複数の半導体素子が形成された能動面を有する半導体ウエハの該能動面側に保護テープを貼付した状態で、該能動面と反対側の面を研削することを含み、
該研削から[工程Ｃ]のダイシングまでを該保護テープを貼付したままで行う、半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記［工程Ａ］が、
［工程ａ−１］複数の半導体素子が形成された能動面を有する半導体ウエハの該能動面側に保護テープを貼付した状態で、該能動面と反対側の面を研削すること、
［工程ａ−２］該半導体ウエハに能動面とその反対側の面とを繋ぐ貫通孔を形成すること、および
［工程ａ−３］該貫通孔内に貫通導電路を形成するとともに、該能動面と反対側の面に所定のパターンの導電層を形成すること、を含む、請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記［工程Ａ］が、
［工程ａ’−１］複数の半導体素子が形成された能動面と該能動面側から厚み方向の途中まで形成された複数の導電路とを有する半導体ウエハの該能動面側に保護テープを貼付した状態で、該能動面と反対側の面を研削して、該反対側の面に該導電路を露出させること、および
［工程ａ’−２］該能動面と反対側の面に所定のパターンの導電層を形成すること、を含む、請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項４】
前記半導体素子が、固体撮像素子である、請求項１から３のいずれかに記載の半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ダイシングによって切り出す前のウエハレベルで半導体素子を製造することが行われている。近年では、素子の小型化、高密度化等の観点から、複数の半導体素子が形成された半導体ウエハにおいて、能動面（素子が形成されている側の面）とその反対側の面（以後、「裏面」と称することもある）とを繋ぐ貫通導電路を形成し、該裏面に半田バンプを形成することが提案されている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−５９８３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記貫通導電路を有する半導体素子の製造においては、半導体ウエハを薄く研削することによって貫通導電路の形成を容易にすることができる。しかしながら、半導体ウエハを薄くすると、強度が低下するので、その後の工程における取扱いが困難となり、生産効率の低下につながる場合がある。よって、本発明は、貫通導電路を有する半導体素子を優れた生産効率で製造することができる方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の製造方法は、
［工程Ａ］複数の半導体素子が形成された能動面と、該能動面と反対側の面に形成された所定のパターンの導電層と、該能動面とその反対側の面とを繋ぐ貫通導電路と、を有する半導体ウエハを準備すること、
［工程Ｂ］該導電層上に半田バンプを形成すること、および
［工程Ｃ］該半導体ウエハをダイシングすることを含み、
該［工程Ａ］が、複数の半導体素子が形成された能動面を有する半導体ウエハの該能動面側に保護テープを貼付した状態で、該能動面と反対側の面を研削することを含み、
該研削から[工程Ｃ]のダイシングまでを該保護テープを貼付したままで行う。
好ましい実施形態においては、上記［工程Ａ］が、
［工程ａ−１］複数の半導体素子が形成された能動面を有する半導体ウエハの該能動面側に保護テープを貼付した状態で、該能動面と反対側の面を研削すること、
［工程ａ−２］該半導体ウエハに能動面とその反対側の面とを繋ぐ貫通孔を形成すること、および
［工程ａ−３］該貫通孔内に貫通導電路を形成するとともに、該能動面と反対側の面に所定のパターンの導電層を形成すること、を含む。
好ましい実施形態においては、上記［工程Ａ］が、
［工程ａ’−１］複数の半導体素子が形成された能動面と該能動面側から厚み方向の途中まで形成された複数の導電路とを有する半導体ウエハの該能動面側に保護テープを貼付した状態で、該能動面と反対側の面を研削して、該反対側の面に該導電路を露出させること、および
［工程ａ’−２］該能動面と反対側の面に所定のパターンの導電層を形成すること、を含む。
好ましい実施形態においては、上記半導体素子が、固体撮像素子である。
【発明の効果】
【０００６】
従来の製造方法によれば、半導体ウエハの支持および／または能動面の保護を目的として、裏面研削、貫通孔の形成、導電層の形成、ダイシング等の工程毎に異なる粘着テープを用いており、その都度貼り替える必要があった。これに対し、本発明においては、半導体ウエハの能動面側に同じ保護テープを貼付したままの状態で、裏面研削からダイシングまで一貫して行うので、生産効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の好ましい実施形態による半導体素子の製造方法を説明する概略図である。
【図２】本発明の別の好ましい実施形態による半導体素子の製造方法を説明する概略図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明の半導体素子の製造方法は、
［工程Ａ］複数の半導体素子が形成された能動面と、該能動面と反対側の面に形成された所定のパターンの導電層と、該能動面とその反対側の面とを繋ぐ貫通導電路と、を有する半導体ウエハを準備すること、
［工程Ｂ］該導電層上に半田バンプを形成すること、および
［工程Ｃ］該半導体ウエハをダイシングすること、を含む。該製造方法において、［工程Ａ］は、複数の半導体素子が形成された能動面を有する半導体ウエハの該能動面側に保護テープを貼付した状態で、該能動面と反対側の面を研削することを含み、該研削から[工程Ｃ]のダイシングまでを該保護テープを貼付したままで行う。なお、本明細書において、半導体ウエハとは、表面に複数の半導体素子が形成された状態の、すなわち、ダイシングによって切り出される前のウエハを意味する。
【０００９】
上記のとおり、本発明の半導体素子の製造方法においては、裏面研削時に半導体ウエハの能動面側に貼付した保護テープを剥離することなく、貼付したままの状態でダイシングまで行う。このように一枚の保護テープで裏面研削からダイシングまで行うことにより、貫通導電路の形成に起因して、薄く、取扱いに注意を要する半導体ウエハに対して工程毎に保護テープを貼り替える必要がないので、生産効率を著しく向上させることができる。
【００１０】
上記保護テープは、裏面研削中に半導体ウエハが剥離しない程度、および、ダイシング中にチップが剥離したり、欠けたりしない程度の粘着力を有すること、貫通導電路や導電層形成時に用いる薬液（レジストの現像液、エッチング液等）やメッキ液に対する耐性を有すること、ならびに、半田バンプ形成時等の高温環境における耐熱性を有することが好ましい。
【００１１】
上記保護テープは、代表的には、基材層とその片面上に積層された粘着剤層とを有する。該保護テープは、［工程Ｂ］の半田バンプ形成時に高温環境下（例えば、約３００℃）に曝される場合がある。したがって、保護テープの基材層は、このような高温条件に対して耐熱性を満足する材料から形成されることが好ましい。
【００１２】
上記基材層の形成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム、ポリエチレンサルフォン（ＰＥＳ）フィルム、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）フィルム、ポリサルフォン（ＰＳＦ）フィルム、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）フィルム、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）フィルム、ポリアリレート（ＰＡＲ）フィルム、アラミドフィルム、液晶ポリマー（ＬＣＰ）フィルム等の樹脂フィルムが挙げられる。
【００１３】
上記基材層の厚みは、折れや裂けを防止する観点から、好ましくは５μｍ以上であり、好適なハンドリング性の観点から、より好ましくは１０μｍ〜１００μｍである。
【００１４】
上記粘着剤層としては、耐熱性を有し、かつ、エッチング時に使用する薬液（レジストの現像液、エッチング液等）やメッキ液に対する耐性を有する粘着剤により形成されるものであれば特に制限されない。このような粘着剤としては、例えば、ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤等が挙げられる。
【００１５】
上記アクリル系粘着剤としては、粘着性を与える低Ｔｇのモノマーを主モノマーとし、接着性や凝集力を与える高Ｔｇのコモノマー、架橋や接着性改良のための官能基含有モノマー等のモノエチレン性不飽和モノマー等を共重合させて得られるアクリル系ポリマーが用いられる。主モノマーとしては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、ｎ−へキシル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アグノレート、イソノニル（メタ）アクリレート、デシシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート等のアルキル（メタ）アクリレートが挙げられる。ここで、主モノマーとは、ポリマーを構成する全モノマーの総重量に基づき、５０重量％以上含まれるモノマーを意味する。
【００１６】
上記コモノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、ビニルエーテル、スチレン、アクリロニトリル、メタクリロニトリル等のビニル基含有化合物が挙げられる。官能基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等のカルボキシル基含有モノマー、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、Ｎ−メチロールアクリルアミド、アリルアルコール等のヒドロキシル基含有モノマー、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリレート等の三級アミノ基含有モノマー、アクリルアミド、メタクリルアミド等のアミド基含有モノマー、Ｎ−メチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−エチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−エトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ｔ−ブチルアクリルアミド、Ｎ−オクチルアクリルアミド等のＮ−置換アミド基含有モノマー、グリシジルメタクリレート等のエポキシ基含有モノマーが挙げられる。
【００１７】
上記アクリル系粘着剤は、任意の適切な架橋剤を含有し得る。例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、アジリジン系化合物、キレート系架橋剤等が挙げられる。架橋剤の使用量は、例えば上記アクリル系ポリマー１００重量部に対して、０．１重量部〜１５重量部が好ましく、１．０重量部〜１０重量部がより好ましい。このようなアクリル系粘着剤は適切な粘着力や貯蔵弾性率を得やすいことから、本発明の製造方法に好適に用いられ得る。
【００１８】
上記粘着剤層は、必要に応じて、例えば、紫外線吸収剤、粘着付与剤、軟化剤（可塑剤）、充填剤、老化防止剤、粘着付与剤、顔料、染料、シランカップリング剤、離型剤等の各種添加剤を含有することができる。
【００１９】
上記粘着剤層の厚みは、特に限定されるものではないが、好ましくは１μｍ〜５０μｍ程度、より好ましくは５μｍ〜２５μｍである。
【００２０】
上記保護テープの粘着力としては、測定温度２３℃、引張速度０．３ｍ／分、剥離角度１８０度の条件下におけるステンレス鋼板（ＳＵＳ板）に対する粘着力が、好ましくは０．０１Ｎ／２０ｍｍ〜１０．０Ｎ／２０ｍｍであり、より好ましくは０．１Ｎ／２０ｍｍ〜８．０Ｎ／２０ｍｍである。このような粘着力であれば、裏面研削やダイシングを好適に行うことができる。該粘着力の測定は、例えば、ＪＩＳ−Ｚ−０２３７（２０００）に準拠して行うことができる。
【００２１】
また、上記保護テープのステンレス板に貼り合わせた状態で２００℃にて１時間加熱した後に、ＪＩＳ−Ｚ−０２３７に準じて測定される粘着力は、好ましくは０．００１Ｎ／２０ｍｍ〜８．０Ｎ／２０ｍｍであり、より好ましくは０．００５Ｎ／２０ｍｍ〜５．０Ｎ／２０ｍｍである。このような粘着力であれば、半田バンプの形成等を好適に行うことができる。
【００２２】
上記保護テープは、例えば、粘着剤および必要に応じて溶媒やその他の添加剤を含む混合物を、基材層上に塗布する方法、適当なセパレータ（剥離紙等）上に該混合物を塗布して粘着剤層を形成し、これを基材層上に転写（移着）する方法等により得ることができる。
【００２３】
本発明によって製造される半導体素子としては、特に制限はなく、任意の適切な半導体素子であり得る。好ましくはＣＭＯＳ、ＣＣＤ等の固体撮像素子である。固体撮像素子の場合、通常、半導体ウエハの能動面側にガラス基板を介して保護テープを貼付するので、能動面に直接保護テープを貼付する場合に比べてウエハの強度がより一層補強され得る。その結果、取扱い性がより一層向上して、本発明の効果がより好適に得られ得る。
【００２４】
本発明の製造方法の１つの好ましい実施形態において、［工程Ａ］は、
［工程ａ−１］複数の半導体素子が形成された能動面を有する半導体ウエハの該能動面側に保護テープを貼付した状態で、該能動面と反対側の面を研削すること、
［工程ａ−２］該半導体ウエハに能動面とその反対側の面とを繋ぐ貫通孔を形成すること、および
［工程ａ−３］該貫通孔内に貫通導電路を形成するとともに、該能動面と反対側の面に所定のパターンの導電層を形成すること、を含む。以下、［工程Ａ］が［工程ａ−１］〜［工程ａ−３］を含む半導体素子の製造方法（以下、「第１の半導体素子の製造方法」と称する場合がある）について、図１を参照しながら説明する。
【００２５】
［工程ａ−１］
まず、複数の半導体素子１０が形成された能動面を有する半導体ウエハ２０の該能動面側に保護テープ３０を貼付し（図１（ａ））、その状態で裏面を研削する（図１（ｂ））。具体的には、予め半導体ウエハ２０の能動面側にスペーサー５０を介してガラス基板４０を貼り合わせておき、該ガラス基板４０の上に、保護テープ３０をその粘着剤層面がガラス基板４０側となるように重ね合わせ、押圧しながら貼付する。保護テープの貼付方法としては、例えば
（ｉ）テーブル上に能動面側にガラス基板を貼り合わせた半導体ウエハを該ガラス基板が上になるように載置し、その上に保護テープを粘着剤層がウエハ側になるように重ね、圧着ロール等の押圧手段により、押圧しながら貼付すること、
（ｉｉ）加圧可能な容器（例えば、オートクレーブ等）中で、半導体ウエハと保護テープとを上述したように重ね、容器内を加圧することで半導体ウエハに貼付すること（この際、押圧手段により押圧しながら貼り付けてもよい）、または
（ｉｉｉ）真空チャンバー内で、上記と同様に貼付することが挙げられる。これらの方法で貼付する際、３０℃〜１５０℃程度の加熱を行ってもよい。
【００２６】
その後、保護テープが貼付された状態で、半導体ウエハの裏面を研削する。研削量は目的等に応じて適切に設定され得る。研削後の半導体ウエハの厚みは、例えば、２５μｍ〜２５０μｍであり得る。
【００２７】
なお、図示例では、ガラス基板４０を介して保護テープ３０を貼付しているが、これとは異なり、半導体ウエハの能動面に直接保護テープを貼付してもよい。
【００２８】
［工程ａ−２］
次いで、図１（ｃ）に示すとおり、裏面研削後の半導体ウエハ２０に能動面と裏面とを繋ぐ貫通孔６０を形成する。貫通孔の形成は、例えば、半導体ウエハの裏面に貫通孔形成部位に対応する開口部を有するレジスト膜を形成し、該開口部から露出した半導体ウエハを薬液を用いてエッチングまたはＲＩＥ等のドライエッチングし、次いで、該レジスト膜を裏面から除去することによって行われ得る。
【００２９】
貫通孔は、例えば、半導体素子の電極パッド（図示せず）に対応する位置に形成され、該電極パッドに接続し得る。
【００３０】
［工程ａ−３］
次いで、図１（ｄ）に示すとおり、上記貫通孔６０内に貫通導電路７０を形成するとともに、半導体ウエハ２０の裏面に所定のパターンの導電層８０を形成する。貫通導電路および導電層の形成材料としては、一般的に銅が用いられる。貫通導電路および導電層の形成は、例えば、電解めっき等によって行われ得る。
【００３１】
貫通導電路は、貫通孔の内壁に沿って形成されてもよく、また、貫通孔内を充填するように形成されてもよい。また、上記所定のパターンの導電層の少なくとも一部は、貫通導電路と導通するように形成される。なお、本明細書において、所定のパターンの導電層は、半田バンプ搭載用端子、再配線パターン等を含む。
【００３２】
［工程Ｂ］
次いで、図１（ｅ）に示すとおり、上記所定のパターンの導電層８０の半田バンプ搭載用端子上に半田バンプ９０を形成する。半田バンプの形成は、任意の適切な方法で行われ得る。例えば、半田ペーストを用いた印刷法、半田ボールの直接搭載法、電解めっき法等が適用され得る。
【００３３】
半田バンプの配列は、実装されるプリント基板等の接合パッドの位置に応じて適切に設定され得る。半田バンプは、半導体素子の外部接続端子として機能するものであり、例えば錫−鉛系金属材料、錫−銀系金属材料、錫−銀−銅系金属材料、錫−亜鉛系金属材料、錫−亜鉛−ビスマス系金属材料等から形成され得る。半田バンプは、例えば、上記導電層（半田バンプ搭載用端子および再配線パターン）を介して半導体素子の電極パッドと電気的に接続されている。
【００３４】
［工程Ｃ］
次いで、図１（ｆ）に示すとおり、上記半導体ウエハ２０をダイシングする（図中の点線はダイシングラインを示す）。これにより、半導体素子毎に個片化された半導体チップが得られる。ダイシングは、例えば、任意の適切なダイシング装置を用いて、半導体ウエハの裏面側から常法に従って行われ得る。本発明では、例えば、保護テープまで切込みを行うフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。
【００３５】
本発明の製造方法の別の好ましい実施形態において、［工程Ａ］は、
［工程ａ’−１］複数の半導体素子が形成された能動面と該能動面側から厚み方向の途中まで形成された複数の導電路とを有する半導体ウエハの該能動面側に保護テープを貼付した状態で、該能動面と反対側の面を研削して、該反対側の面に該導電路を露出させること、および
［工程ａ’−２］該能動面と反対側の面に所定のパターンの導電層を形成すること、を含む。以下、［工程Ａ］が［工程ａ’−１］〜［工程ａ’−２］を含む半導体素子の製造方法（以下、「第２の半導体素子の製造方法」と称する場合がある）について、図２を参照しながら説明する。
【００３６】
［工程ａ’−１］
まず、複数の半導体素子１０が形成された能動面と該能動面側から厚み方向の途中まで形成された複数の導電路７０’とを有する半導体ウエハ２０を準備する。該半導体ウエハ２０の能動面側に保護テープ３０を貼付し（図２（ａ））、その状態で裏面を研削して、該裏面に該導電路を露出させる。これにより、貫通導電路７０を有する半導体ウエハ２０が得られる（図２（ｂ））。保護テープの貼付方法としては、[工程ａ−１]で記載した方法と同様の方法が適用される。なお、図示例では、ガラス基板４０を介して保護テープ３０を貼付しているが、これとは異なり、半導体ウエハ２０の能動面に直接保護テープ３０を貼付してもよい。
【００３７】
上記能動面側から厚み方向の途中まで形成された導電路７０’は、半導体ウエハの能動面に形成された所定の深さの孔の内壁に沿って形成されたものであってもよく、該孔を充填するように形成されたものであってもよい。
【００３８】
裏面研削後の半導体ウエハの厚みは、目的等に応じて適切に設定され得る。該厚みは、例えば、２５μｍ〜２５０μｍであり得る。
【００３９】
［工程ａ’−２］
次いで、図２（ｃ）に示すとおり、裏面研削後の半導体ウエハ２０の裏面に所定のパターンの導電層８０を形成する。導電層の形成材料としては、一般的に銅が用いられる。導電層の形成は、例えば、電解めっき等によって行われ得る。
【００４０】
導電層８０の少なくとも一部は、貫通導電路７０と導通するように形成される。
【００４１】
図２（ｄ）および（ｅ）はそれぞれ、第２の半導体素子の製造方法における［工程Ｂ］および［工程Ｃ］を説明する概略図であるが、これらの工程は、上記第１の半導体素子の製造方法における［工程Ｂ］および［工程Ｃ］と同様の説明を適用することができるので、その詳細は省略する。
【００４２】
上記第１の半導体素子の製造方法および第２の半導体素子の製造方法は、必要に応じて、任意の適切な工程をさらに含み得る。例えば、［工程ａ−３］と［工程Ｂ］との間または［工程ａ’−２］と［工程Ｂ］との間に封止樹脂層形成工程、電磁遮光シールド層形成工程等を含んでもよく、また、［工程Ｃ］の後に、半導体チップを保護テープから剥離および回収するピックアップ工程を含んでもよい。
【実施例】
【００４３】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は該実施例には限定されない。
【００４４】
［製造例１］
２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レデュポン製：商品名「カプトン１００Ｈ」）を基材として用いた。一方、ブチルアクリレート１００重量部に対してアクリル酸５重量部を構成モノマーとするアクリル系共重合体を用いて、このポリマー１００重量部に対してエポキシ系架橋剤（三菱ガス化学製：商品名「Ｔｅｔｒａｄ−Ｃ」）を３重量部添加して、アクリル系粘着剤組成物を調製した。このアクリル系粘着剤組成物を基材上に塗布し、１２０℃で３分間、次いで、５０℃で４８時間加熱した。これにより、厚さ１０μｍの粘着剤層を基材上に設けた保護テープ１を作製した。
【００４５】
［実施例１］
１００μｍ×１００μｍの半導体素子が２００μｍピッチで格子状に形成された能動面を有する半導体ウエハ（厚み：７５０μｍ）の該能動面側に接着層を介してガラス基板（厚み：３００μｍ）を貼り合わせた。次いで、該半導体ウエハの能動面側にガラス基板を介して上記保護テープ１を貼付し、この状態で、７０μｍの厚みになるまで裏面研削した。
【００４６】
能動面側に保護テープ１を貼付したままの該半導体ウエハの裏面に、感光性レジスト材料を用いて貫通孔形成部位に対応する開口部を有するエッチングレジストを形成した。次いで、該開口部から露出したウエハをフッ硝酸でエッチングして、能動面と裏面とを繋ぐ貫通孔（φ３０μｍ）を形成した。その後、レジストを剥離した。
【００４７】
次いで、能動面側に保護テープ１を貼付したままの状態でエッチングや電解銅めっきを行うことによって、上記貫通孔の内壁に沿って導電路を形成するとともに裏面に再配線パターンおよび半田バンプ搭載用端子を含む導電層を形成した。その後、該半田バンプ搭載用端子と接続するように半田バンプを形成し、半導体ウエハの各半導体素子間を裏面側からダイシングして、半導体チップを得た。
【００４８】
［実施例２］
１００μｍ×１００μｍの半導体素子が２００μｍピッチで格子状に形成された能動面と該能動面側表面に半導体素子毎に７０μｍの厚みで形成された複数の導電路（φ３０μｍ）とを有する半導体ウエハ（厚み：７５０μｍ）の該能動面側に接着層を介してガラス基板（厚み：３００μｍ）を貼り合わせた。次いで、該半導体ウエハの能動面側にガラス基板を介して上記保護テープ１を貼付し、この状態で、７０μｍの厚みになるまで裏面研削して、裏面に該導電路を露出させた。
【００４９】
次いで、能動面側に保護テープ１を貼付したままの状態でエッチングや電解銅めっきを行うことによって、半導体ウエハの裏面に再配線パターンおよび半田バンプ搭載用端子を含む導電層を形成した。その後、該半田バンプ搭載用端子と接続するように半田バンプを形成し、半導体ウエハの各半導体素子間を裏面側からダイシングして、半導体チップを得た。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明の製造方法は、ＣＭＯＳ、ＣＣＤ等の固体撮像素子の製造において好ましく適用され得る。
【符号の説明】
【００５１】
１０      半導体素子
２０      半導体ウエハ
３０      保護テープ
４０      ガラス基板
５０      スペーサー
６０      貫通孔
７０      貫通導電路
８０      導電層
９０      半田バンプ
【図１】
2014086477.tif 000003
【図２】
2014086477.tif 000004