(57)【要約】【課題】  本発明は、設計残渣欠陥部のように、本来のマスクパターンの部分と接触する部分であって、前記マスクパターンよりも微細なサイズである部分を、反射型マスクの吸収体パターンとして形成する場合に、前記微細なサイズの部分の形態を、従来よりも設計どおりの形態とすることが可能な反射型マスクの製造方法を提供することを目的とするものである。【解決手段】  反射型マスクブランクの吸収層の上に形成したハードマスク層に、所望の微細なサイズの部分となるパターンを形成し、その後、前記ハードマスク層の上に形成したレジスト層に、前記ハードマスク層に形成したパターンと部分的に重複するマスクパターンを形成し、前記ハードマスク層に形成したパターンと前記レジスト層に形成したパターンから露出する前記吸収層をドライエッチングすることにより、上記課題を解決する。【選択図】      図２
2014053564.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の主面の上に形成された多層膜からなる反射層と、前記反射層の上に形成された吸収層を部分的に除去して形成された吸収体パターンと、を少なくとも有するＥＵＶ露光用の反射型マスクの製造方法であって、順に、
前記基板、前記反射層、および前記吸収層を少なくとも有する反射型マスクブランクの前記吸収層の上にハードマスク層を形成した、ハードマスク層付き反射型マスクブランクを準備する工程と、
前記ハードマスク層の上に第１のレジスト層を形成する工程と、
前記第１のレジスト層にパターン描画を施して第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンから露出する前記ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンを除去する工程と、
前記ハードマスクパターンおよび前記ハードマスクパターンから露出する前記吸収層の上に第２のレジスト層を形成する工程と、
前記第２のレジスト層にパターン描画を施して、前記ハードマスクパターンと部分的に重複する第２のレジストパターンを形成する工程と、
前記第２のレジストパターンおよび前記ハードマスクパターンから露出する前記吸収層をエッチングして前記吸収体パターンを形成する工程と、
前記第２のレジストパターンを除去する工程と、
前記ハードマスクパターンを除去する工程と、
を有することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
【請求項２】
前記ハードマスクパターンが複数個の互いに分離した独立パターンを有し、前記独立パターンにおいて前記第２のレジストパターンから露出する部分が、前記吸収体パターンの設計残渣欠陥部を形成するためのエッチングマスクを構成することを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクの製造方法。
【請求項３】
前記第１のレジスト層が、ネガ型のレジストから構成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の反射型マスクの製造方法。
【請求項４】
前記第２のレジスト層が、ポジ型のレジストから構成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の反射型マスクの製造方法。
【請求項５】
前記第１のレジスト層が、前記第２のレジスト層よりも高い解像度を有するレジストから構成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の反射型マスクの製造方法。
【請求項６】
前記第１のレジスト層の厚さが、前記第２のレジスト層の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の反射型マスクの製造方法。
【請求項７】
前記独立パターンと前記第２のレジストパターンとの重複領域が各独立パターンで異なることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の反射型マスクの製造方法。
【請求項８】
前記独立パターンと前記第２のレジストパターンとの相対位置を変化させることにより、前記独立パターンと前記第２のレジストパターンとの重複領域が、各独立パターンで異なることを特徴とする請求項７に記載の反射型マスクの製造方法。
【請求項９】
前記独立パターンの形状または面積、若しくはその両方を変化させることにより、前記独立パターンと前記第２のレジストパターンとの重複領域が、各独立パターンで異なることを特徴とする請求項７または請求項８に記載の反射型マスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極端紫外光（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ：以後、ＥＵＶと記す）を用いてマスクパターンをウェハ上に転写するためのＥＵＶ露光用の反射型マスクの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、半導体デバイス用のリソグラフィ技術としては、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザを用いた光学式の投影露光方法が主に用いられているが、いずれ解像限界に達するため、エキシマレーザを用いた露光方法に代わる新しいリソグラフィ技術が検討されている。
【０００３】
この新しいリソグラフィ技術として、エキシマレーザよりもさらに短波長である波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を用いて、マスクパターンを１／４程度に縮小露光するＥＵＶリソグラフィ技術が注目されている。このＥＵＶ露光においては、露光に用いるＥＵＶ光が極めて短波長のために、屈折光学系を使用できないことから反射光学系が用いられ、マスクも反射型のマスクが提案されている（特許文献１）。
【０００４】
前記ＥＵＶ露光用の反射型マスク（以降、反射型マスクと記す）の一例を図１１に示す。ここで、図１１（ａ）は反射型マスク１００の概略断面図を示し、図１１（ｂ）は図１１（ａ）に示す領域Ｒの部分平面図を示す。
例えば、図１１に示すように、反射型マスク１００は、光学研磨された基板１１１の上に、少なくとも部分的に、ＥＵＶ光を反射する多層膜構造の反射層１１２と、マスクパターンとしてＥＵＶ光を吸収する吸収体パターン１１３とを、備えている。
なお、図示はしないが、反射層１１２の上には、反射層１１２を保護するためのキャッピング層や、吸収体パターン１１３形成時の反射層１１２へのエッチングダメージを防止するためのバッファ層が設けられていてもよい。また、吸収体パターン１１３の上面には、光学検査を容易にするために低反射層が形成されていてもよい。
さらに、基板１１１における反射層１１２が設けられた主面とは反対側の面（裏面）の上には、導電層が形成されていてもよい。この導電層は、反射型マスクの裏面を静電吸着するために設けられるものである。
【０００５】
上記の反射型マスクの製造においても、従来のフォトマスクと同様に、本来のマスクパターンを構成する吸収体パターン以外に不要な吸収体の部分が形成されてしまう残渣欠陥（黒欠陥とも呼ばれる）が生じる場合がある（特許文献２）。
その代表的な２種の形態を図１２に示す。例えば、図１２（ａ）に示す残渣欠陥（凸型欠陥）１２１は、吸収体パターン１１３の本来のマスクパターンであるライン状のパターン部分の縁から突起するような形態を有しており、図１２（ｂ）に示す残渣欠陥（ブリッジ型欠陥）１２２は、吸収体パターン１１３の本来のマスクパターンである２本のライン状パターンの間を架橋するような形態を有している。
【０００６】
上記の残渣欠陥の検査や評価を行うためには、対象とする残渣欠陥の形状やサイズに似せた擬似残渣欠陥を設計し、前記設計された残渣欠陥部（設計残渣欠陥部）を有する反射型マスクを製造する必要がある。
上記のような設計残渣欠陥部を有する反射型マスクにおいては、前記設計残渣欠陥部の位置、形状、サイズ等が予め判明しているため、例えば、前記反射型マスクを用いて欠陥検査装置の感度評価等を行うことで、より実用的な欠陥検査装置を開発することが可能になる。
そこで、従来は、前記マスクパターンに、前記設計残渣欠陥部を形成するための設計残渣欠陥パターンを加えて、前記マスクパターンと前記設計残渣欠陥パターンを同じ工程で一のレジストに形成する方法を用いて、前記設計残渣欠陥部を有する反射型マスクを製造することが行われてきた。その製造方法の一例を図１３に示す。
【０００７】
例えば、従来は、図１３に示すように、まず、基板２１１、反射層２１２、および吸収層２１３Ａを有する反射型マスクブランク２１０を準備して前記吸収層２１３Ａの上にレジスト層２１６Ａを形成し（図１３（ａ））、前記マスクパターンと前記設計残渣欠陥パターンを電子線描画によってパターン描画して、マスクパターンの他に設計残渣欠陥パターンの部分２１６ａを含むレジストパターン２１６を形成し（図１３（ｂ））、前記レジストパターン２１６をマスクにして露出する吸収層２１３Ａをドライエッチングし（図１３（ｃ））、その後、前記レジストパターン２１６を除去して、設計残渣欠陥部２２１を含む吸収体パターン２１３を有する反射型マスク２００を製造していた。
なお、図１３においては、前記凸型欠陥のタイプの設計残渣欠陥部を有する反射型マスクの製造方法を示したが、従来は、前記ブリッジ型欠陥の設計残渣欠陥部も同様にして形成していた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開昭６３−２０１６５６号公報
【特許文献２】特開２０００−９８５９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ここで、反射型マスクの吸収体パターンに求められる寸法は、例えば、１：１Ｌ＆Ｓ（ライン・アンド・スペース）パターンのハーフピッチが半導体リソグラフィノードの４倍のサイズであり、３２ｎｍノードの場合、前記吸収体パターンのハーフピッチは１２８ｎｍになる。
そして、反射型マスクの検査や評価に必要な設計残渣欠陥部のサイズは、前記吸収体パターンのハーフピッチよりもさらに微細なサイズが求められることになる。
例えば、図１２（ａ）に示す凸型欠陥１２１の場合、その突起部の長さ（Ｌ１）は、前記ハーフピッチの１／２以下（６４ｎｍ以下）のサイズになる。そして、このサイズは今後さらに微細化していく傾向にある。
【００１０】
しかしながら、このような微細なサイズでは、上述の従来の製造方法で得られる設計残渣欠陥部２２１は、例え図１２（ａ）に示す残渣欠陥（凸型欠陥）１２１のように、突起部の長さがＬ１、吸収体パターン１１３の本来のマスクパターンであるライン状パターン部分と接触する部分の長さがＤ１の矩形状の形態に設計していても、吸収体パターンの形成に用いるレジストの解像度の限界から、設計した形態から乖離した輪郭のぼやけた形態になっていた。
【００１１】
より具体的には、図１４（ａ）に示すように、設計残渣欠陥部２２１の形態は丘陵状の形態となってしまい、設計残渣欠陥部２２１の縁と吸収体パターン２１３の本来のマスクパターンであるライン状パターン部分の縁が交差する角度は、９０度から大きく離れたものとなり、突起部の長さ（Ｌ１ｂ）は設計値（Ｌ１）よりも小さくなり、吸収体パターン２１３の本来のマスクパターンであるライン状パターン部分と接触する部分の長さ（Ｄ１ｂ）は設計値（Ｄ１）よりも大きくなり、実用的な検査や評価には適さない反射型マスクしか得られていないという問題があった。
【００１２】
また、前記ブリッジ型欠陥の場合も、上述の従来の製造方法で得られる設計残渣欠陥部２２２は、例え、図１２（ｂ）に示す残渣欠陥（ブリッジ型欠陥）１２２のように、吸収体パターン１１３の本来のマスクパターンであるライン状パターン部分と接触する部分の長さがＤ２の矩形状の形態に設計していても、前記接触する部分の長さ（Ｄ２）が小さいものでは、上記と同様に、吸収体パターンの形成に用いるレジストの解像度の限界から、図１４（ｂ）に示すように、設計残渣欠陥部２２２の縁と吸収体パターン２１３の本来のマスクパターンであるライン状パターン部分の縁が交差する角度は、９０度から大きく離れたものとなり、中央部が狭くなる一方、前記接触部の長さ（Ｄ２ｂ）は設計値（Ｄ２）よりも大きくなるような形態となってしまい、実用的な検査や評価には適さないという問題があった。
【００１３】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、上記の設計残渣欠陥部のように、本来のマスクパターンの部分と接触する部分であって、前記マスクパターンよりも微細なサイズである部分を、反射型マスクの吸収体パターンとして形成する場合に、前記微細なサイズの部分の形態を、従来よりも設計どおりの形態とすること、より具体的には、前記微細なサイズの部分の縁が前記マスクパターンの部分の縁と交差する角度を、従来よりも設計値に近い角度にし、前記微細なサイズの部分が前記マスクパターンの部分と接触する部分の長さを、従来よりも設計値に近い長さにすることが可能な反射型マスクの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明者は、種々研究した結果、まず、反射型マスクブランクの吸収層の上に形成したハードマスク層に、例えば前記設計残渣欠陥部のような、所望の微細なサイズの部分となるパターンを形成し、その後、前記ハードマスク層の上に形成したレジスト層に、前記ハードマスク層に形成したパターンと部分的に重複するマスクパターンを形成し、前記ハードマスク層に形成したパターンと前記レジスト層に形成したパターンから露出する前記吸収層をドライエッチングすることにより、上記課題を解決できることを見出して本発明を完成したものである。
【００１５】
すなわち、本発明の請求項１に係る発明は、基板と、前記基板の主面の上に形成された多層膜からなる反射層と、前記反射層の上に形成された吸収層を部分的に除去して形成された吸収体パターンと、を少なくとも有するＥＵＶ露光用の反射型マスクの製造方法であって、順に、前記基板、前記反射層、および前記吸収層を少なくとも有する反射型マスクブランクの前記吸収層の上にハードマスク層を形成した、ハードマスク層付き反射型マスクブランクを準備する工程と、前記ハードマスク層の上に第１のレジスト層を形成する工程と、前記第１のレジスト層にパターン描画を施して第１のレジストパターンを形成する工程と、前記第１のレジストパターンから露出する前記ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する工程と、前記第１のレジストパターンを除去する工程と、前記ハードマスクパターンおよび前記ハードマスクパターンから露出する前記吸収層の上に第２のレジスト層を形成する工程と、前記第２のレジスト層にパターン描画を施して、前記ハードマスクパターンと部分的に重複する第２のレジストパターンを形成する工程と、前記第２のレジストパターンおよび前記ハードマスクパターンから露出する前記吸収層をエッチングして前記吸収体パターンを形成する工程と、前記第２のレジストパターンを除去する工程と、前記ハードマスクパターンを除去する工程と、を有することを特徴とする反射型マスクの製造方法である。
【００１６】
また、本発明の請求項２に係る発明は、前記ハードマスクパターンが複数個の互いに分離した独立パターンを有し、前記独立パターンにおいて前記第２のレジストパターンから露出する部分が、前記吸収体パターンの設計残渣欠陥部を形成するためのエッチングマスクを構成することを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクの製造方法である。
【００１７】
また、本発明の請求項３に係る発明は、前記第１のレジスト層が、ネガ型のレジストから構成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の反射型マスクの製造方法である。
【００１８】
また、本発明の請求項４に係る発明は、前記第２のレジスト層が、ポジ型のレジストから構成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の反射型マスクの製造方法である。
【００１９】
また、本発明の請求項５に係る発明は、前記第１のレジスト層が、前記第２のレジスト層よりも高い解像度を有するレジストから構成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の反射型マスクの製造方法である。
【００２０】
また、本発明の請求項６に係る発明は、前記第１のレジスト層の厚さが、前記第２のレジスト層の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の反射型マスクの製造方法である。
【００２１】
また、本発明の請求項７に係る発明は、前記独立パターンと前記第２のレジストパターンとの重複領域が各独立パターンで異なることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の反射型マスクの製造方法である。
【００２２】
また、本発明の請求項８に係る発明は、前記独立パターンと前記第２のレジストパターンとの相対位置を変化させることにより、前記独立パターンと前記第２のレジストパターンとの重複領域が、各独立パターンで異なることを特徴とする請求項７に記載の反射型マスクの製造方法である。
【００２３】
また、本発明の請求項９に係る発明は、前記独立パターンの形状または面積、若しくはその両方を変化させることにより、前記独立パターンと前記第２のレジストパターンとの重複領域が、各独立パターンで異なることを特徴とする請求項７または請求項８に記載の反射型マスクの製造方法である。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、本来のマスクパターンの部分と接触する部分であって、前記マスクパターンよりも微細なサイズである部分を、反射型マスクの吸収体パターンとして形成する場合に、前記微細なサイズの部分の形態を、従来よりも設計どおりの形態とすること、より具体的には、前記微細なサイズの部分の縁が前記マスクパターンの部分の縁と交差する角度を、従来よりも設計値に近い角度にし、前記微細なサイズの部分が前記マスクパターンの部分と接触する部分の長さを、従来よりも設計値に近い長さにすることができる。
そして、前記微細なサイズの部分を上述の設計残渣欠陥部とすることで、実用的な検査や評価に適した設計残渣欠陥部を有する反射型マスクを製造することができる。
さらに、本発明の製造方法により得られた前記反射型マスクを用いて欠陥検査装置の感度評価等を行うことで、より実用的な欠陥検査装置を開発することも可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明に係る反射型マスクの製造方法の一例を示す模式的工程図である。
【図２】図１に続く本発明に係る反射型マスクの製造方法の一例を示す模式的工程図である。
【図３】図１および図２に示す本発明に係る反射型マスクの製造方法の要部を説明する部分平面図である。
【図４】本発明に係る反射型マスクの製造方法におけるハードマスクパターンと第２のレジストパターンとの関係の一例を示す説明図である。
【図５】本発明に係る反射型マスクの製造方法におけるハードマスクパターンと第２のレジストパターンとの関係の他の例を示す説明図である。
【図６】本発明に係る反射型マスクの製造方法におけるハードマスクパターンと第２のレジストパターンとの関係の他の例を示す説明図である。
【図７】本発明に係る反射型マスクの製造方法の他の例を示す模式的工程図である。
【図８】図７に続く本発明に係る反射型マスクの製造方法の他の例を示す模式的工程図である。
【図９】図７および図８に示す本発明に係る反射型マスクの製造方法の要部を説明する部分平面図である。
【図１０】本発明に係る反射型マスクの製造方法を用いた実施例と従来の反射型マスクの製造方法を用いた比較例について説明する図である。
【図１１】反射型マスクの一例を示す説明図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は部分平面図である。
【図１２】反射型マスクにおける残渣欠陥の例を示す説明図である。
【図１３】従来の反射型マスクの製造方法の一例を示す模式的工程図である。
【図１４】従来の反射型マスクの製造方法による設計残渣欠陥部の例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
[反射型マスクの製造方法]
以下、本発明に係る反射型マスクの製造方法について詳細を説明する。
本発明に係る反射型マスクの製造方法は、基板と、前記基板の主面の上に形成された多層膜からなる反射層と、前記反射層の上に形成された吸収層を部分的に除去して形成された吸収体パターンと、を少なくとも有するＥＵＶ露光用の反射型マスクの製造方法であって、順に、前記基板、前記反射層、および前記吸収層を少なくとも有する反射型マスクブランクの前記吸収層の上にハードマスク層を形成した、ハードマスク層付き反射型マスクブランクを準備する工程と、前記ハードマスク層の上に第１のレジスト層を形成する工程と、前記第１のレジスト層にパターン描画を施して第１のレジストパターンを形成する工程と、前記第１のレジストパターンから露出する前記ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する工程と、前記第１のレジストパターンを除去する工程と、前記ハードマスクパターンおよび前記ハードマスクパターンから露出する前記吸収層の上に第２のレジスト層を形成する工程と、前記第２のレジスト層にパターン描画を施して、前記ハードマスクパターンと部分的に重複する第２のレジストパターンを形成する工程と、前記第２のレジストパターンおよび前記ハードマスクパターンから露出する前記吸収層をエッチングして前記吸収体パターンを形成する工程と、前記第２のレジストパターンを除去する工程と、前記ハードマスクパターンを除去する工程と、を有するものである。
【００２７】
上記のような工程を有するため、本発明によれば、上述の設計残渣欠陥部のように、本来のマスクパターンの部分と接触する部分であって、前記マスクパターンよりも微細なサイズである部分を、反射型マスクの吸収体パターンとして形成する場合に、前記微細なサイズの部分の形態を、従来よりも設計どおりの形態とすることができる。
ここでは、まず、前記微細なサイズの部分として、上述の図１２（ａ）に示す凸型欠陥のタイプの設計残渣欠陥部を有する反射型マスクの製造方法について、説明する。
【００２８】
［第１の実施形態］
図１および図２は、本発明に係る反射型マスクの製造方法の第１の実施形態の一例を示す模式的工程図である。
本発明の製造方法を用いて、上述の図１２（ａ）に示す凸型欠陥のタイプの設計残渣欠陥部を有する反射型マスク１を製造するには、まず、図１（ａ）に示すように、基板１１、反射層１２、および吸収層１３Ａを少なくとも有する反射型マスクブランク１０の前記吸収層１３Ａの上にハードマスク層１４Ａを形成した、ハードマスク層付き反射型マスクブランクを準備する。
なお、本発明においては、前記反射型マスクブランク１０を準備し、その吸収層１３Ａの上にハードマスク層１４Ａを形成してもよい。
【００２９】
次に、前記ハードマスク層１４Ａの上に第１のレジスト層１５Ａを形成し（図１（ｂ））、電子線描画装置等によってパターン描画を施して第１のレジストパターン１５を形成し（図１（ｃ））、前記第１のレジストパターン１５から露出する前記ハードマスク層１４Ａをエッチングしてハードマスクパターン１４を形成し（図１（ｄ））、その後、前記第１のレジストパターン１５を除去する（図１（ｅ））。
【００３０】
次に、前記ハードマスクパターン１４および前記ハードマスクパターン１４から露出する吸収層１３Ａの上に第２のレジスト層１６Ａを形成し（図２（ｆ））、電子線描画装置等によってパターン描画を施して第２のレジストパターン１６を形成する（図２（ｇ））。
ここで、本実施形態においては、前記第２のレジストパターン１６が、前記ハードマスクパターン１４と部分的に重複することが重要である。
【００３１】
次に、前記第２のレジストパターン１６および前記ハードマスクパターン１４から露出する前記吸収層１３Ａをエッチングして、設計残渣欠陥部２１を含む吸収体パターン１３を形成し（図２（ｈ））、その後、前記第２のレジストパターン１６を除去し（図２（ｉ））、次いで、前記ハードマスクパターン１４を除去して、上述の反射型マスク１を得る（図２（ｊ））。
【００３２】
ここで、上述のように従来の方法では、前記マスクパターンと前記設計残渣欠陥パターンを同じ工程で一のレジストに形成する方法を用いていた。より具体的には、上述の図１３（ｂ）に示すように、同一の電子線描画の工程で、一のレジストに、マスクパターンの他に設計残渣欠陥パターンの部分２１６ａを含むレジストパターン２１６を形成していた。
それゆえ、前記一のレジストのパターン（レジストパターン２１６）の一部である前記設計残渣欠陥パターンの部分２１６ａは、接触する前記マスクパターンの部分をパターン描画する際の影響（いわゆる近接効果）を受けてしまい、設計した形態から乖離した、輪郭のぼやけた形態になっていた。例えば、上述の図１４（ａ）に示すように、設計残渣欠陥部２２１の縁と吸収体パターン２１３の本来のマスクパターンであるライン状パターン部分の縁が交差する角度は、９０度から大きく離れたものとなり、丘陵状の輪郭の形態となってしまっていた。
【００３３】
一方、本発明においては、上記のように設計残渣欠陥部２１となる部分を含むパターンを第１のレジストを用いてハードマスクパターン１４として形成し、前記第１のレジストパターン１５を除去した後に、別のレジスト（第２のレジスト）を用いてマスクパターン（第２のレジストパターン１６）を形成する。
すなわち、前記マスクパターンと前記設計残渣欠陥パターンは、それぞれ別の工程で別のレジストに形成される。
それゆえ、設計残渣欠陥２１となる部分を含むパターン（第１のレジストパターン１５）は、マスクパターン（第２のレジストパターン１６）をパターン描画する際の影響（いわゆる近接効果）を受けることはない。
例えば、図３（ａ）に示すように、矩形状に設計された前記ハードマスクパターン１４の形態は、微細ゆえ角部はやや丸みを帯びたものになるとしても、その胴部（角部と角部の間の部分）は設計どおりの形態になる。
ここで、図３は、本実施形態に係る反射型マスクの製造方法の要部を説明する部分平面図である。
【００３４】
そして、本実施形態においては、前記第２のレジストパターン１６（マスクパターン）は、前記ハードマスクパターン１４（設計残渣欠陥部となる部分を含むパターン）と部分的に重複するように形成されるため、より詳しくは、図３（ｂ）に示すように、前記第２のレジストパターン１６は、前記ハードマスクパターン１４の前記胴部と部分的に重複するように形成されるため、その重複する部分の角度（両パターンの縁が交差する部分の角度）は、従来よりも設計値に近い角度になり、その重複する部分の長さ（前記ハードマスクパターン１４の前記胴部と前記第２のレジストパターン１６の縁とが接触する部分の長さ）は、従来よりも設計値に近い長さになる。
【００３５】
それゆえ、上述のように、前記第２のレジストパターン１６および前記ハードマスクパターン１４から露出する前記吸収層１３Ａをエッチングすることによって形成される吸収体パターン１３の設計残渣欠陥部２１は、図３（ｃ）に示すように、従来よりも設計どおりの矩形状の形態になる。
より具体的には、設計残渣欠陥部２１の縁と吸収体パターン１３のマスクパターンの部分の縁が交差する角度は、従来よりも設計どおりの角度になり、設計残渣欠陥部２１が吸収体パターン１３のマスクパターンの部分と接触する部分の長さ（Ｄ１ａ）は、従来よりも設計値（Ｄ１）に近い長さになる。
【００３６】
また、本発明においては、第１のレジストパターン１５を形成するパターン描画と、第２のレジストパターン１６を形成するパターン描画とを、異なる描画手段を用いてパターン描画しても良い。
例えば、第１のレジストパターン１５を形成するパターン描画には、スポットビームの電子線描画装置を用い、第２のレジストパターン１６を形成するパターン描画には、可変成型ビームの電子線描画装置を用いることができる。
ここで、スポットビームによる電子線描画は、高い解像度を得ることができるが、描画時間が長くなるので、微細なサイズの設計残渣欠陥２１となる部分を含むパターン（第１のレジストパターン１５）の形成に用いることが好ましい。一方、可変成型ビームによる電子線描画は、描画時間の短縮効果が得られることからマスクパターン（第２のレジストパターン１６）の形成に用いることが好ましい。
【００３７】
また、本発明においては、設計残渣欠陥部の突起部の長さ（図３（ｃ）に示すＬ１ａ）についても、設計値（Ｌ１）に近い長さを有する設計残渣欠陥部を形成することができる。すなわち、本発明においては、従来よりも設計値に近い面積を有する設計残渣欠陥部を、形成することができる。
上述のように、従来の方法では、図１４（ａ）に示すように、設計残渣欠陥部２２１の形態は丘陵状の形態となってしまい、設計残渣欠陥部の面積を設計値どおりに制御することは困難であった。
一方、上述のように、本発明においては、図３（ｃ）に示すように、設計残渣欠陥部２１の形態は、従来よりも設計どおりの形態、すなわち従来よりも矩形状の形態になる。それゆえ、突起部の長さ（図３（ｃ）に示すＬ１ａ）を設計値（Ｌ１）に近い長さに制御することで、設計残渣欠陥部の面積を設計値どおりに制御することができる。
【００３８】
ただし、本発明のように、前記マスクパターンと前記設計残渣欠陥パターンを、それぞれ別の工程で別のレジストに形成する方法を用いる場合、前記突起部の長さを制御するには（すなわち、両パターンの重複領域を制御するには）、通常、前記マスクパターンと前記設計残渣欠陥パターンを位置精度良く形成することが必要になる。
そして、上述のように、設計残渣欠陥部のサイズは微細なため、前記マスクパターンと前記設計残渣欠陥パターンを位置精度良く形成すること（すなわち、両パターンの重複領域を精度良く制御すること）は、通常、困難であり、高精度なアライメント描画を要することになる。
【００３９】
しかしながら、本発明に係る設計残渣欠陥部は、上述のように、検査や評価を行うことを目的に形成されるものであることから、必ずしも設計した位置において、設計どおりの面積である必要は無い。
すなわち、本発明に係る製造方法によって得られる反射型マスクは、面積が異なる複数個の設計残渣欠陥部を有していても良く、前記複数個の設計残渣欠陥部のいずれかにおいて、設計値どおりの面積を有していれば良い。そして、設計値どおりの面積を有する設計残渣欠陥部が存在する位置についての情報は、ＳＥＭ観測等により取得すればよい。
【００４０】
本発明においては、前記ハードマスクパターンが複数個の互いに分離した独立パターン（孤島パターン）を有し、前記独立パターンと前記第２のレジストパターンとの重複領域が各独立パターンで異なるようにすることで、上記のような反射型マスクを製造することができる。
【００４１】
例えば、図４に示すように、本発明においては、前記独立パターン（１４ａ〜１４ｃ）と前記第２のレジストパターン１６との相対位置を変化させることにより、前記独立パターン（１４ａ〜１４ｃ）と前記第２のレジストパターン１６との重複領域が各独立パターン（１４ａ〜１４ｃ）で異なるようにすることができる。
すなわち、前記独立パターン（１４ａ〜１４ｃ）と前記第２のレジストパターン１６との相対位置を変化させることにより、前記第２のレジストパターン１６から露出する前記独立パターン（１４ａ〜１４ｃ）の突起部の長さ（Ｌ）を、各独立パターン（１４ａ〜１４ｃ）で異なるようにすることができる（図４（ｂ））。
それゆえ、前記独立パターン（１４ａ〜１４ｃ）と前記第２のレジストパターン１６から露出する吸収層１３Ａをドライエッチングして吸収体パターン１３を形成することにより、突起部の長さ（Ｌ）が異なる（すなわち、面積が異なる）複数個の設計残渣欠陥部（２１ａ〜２１ｃ）を有する反射型マスクを製造することができる（図４（ｃ））。
【００４２】
また、本発明においては、前記独立パターンの形状または面積、若しくはその両方を変化させることにより、前記独立パターンと前記第２のレジストパターンとの重複領域が、各独立パターンで異なるようにしてもよい。
【００４３】
例えば、図５に示すように、本発明においては、前記独立パターン（１４ａ〜１４ｃ）の横方向の長さ（Ｗ）を変化させることで、前記独立パターン（１４ａ〜１４ｃ）の形状を変化させて、前記独立パターン（１４ａ〜１４ｃ）と前記第２のレジストパターン１６との重複領域が各独立パターン（１４ａ〜１４ｃ）で異なるようにすることができる。
すなわち、前記独立パターン（１４ａ〜１４ｃ）の形状を変化させることで、前記第２のレジストパターン１６から露出する前記独立パターン（１４ａ〜１４ｃ）の突起部の長さ（Ｌ）を、各独立パターン（１４ａ〜１４ｃ）で異なるようにすることができる（図５（ｂ））。
それゆえ、前記独立パターン（１４ａ〜１４ｃ）と前記第２のレジストパターン１６から露出する吸収層１３Ａをドライエッチングして吸収体パターン１３を形成することにより、突起部の長さ（Ｌ）が異なる（すなわち、面積が異なる）複数個の設計残渣欠陥部（２１ａ〜２１ｃ）を有する反射型マスクを製造することができる（図５（ｃ））。
【００４４】
また、例えば、図６に示すように、本発明においては、前記独立パターン（１４ａ〜１４ｃ）の縦方向の長さ（Ｄ）と横方向の長さ（Ｗ）の比を一定にしてサイズを変化させることで、前記独立パターン（１４ａ〜１４ｃ）の面積を変化させて、前記独立パターン（１４ａ〜１４ｃ）と前記第２のレジストパターン１６との重複領域が各独立パターン（１４ａ〜１４ｃ）で異なるようにすることができる。
すなわち、前記独立パターン（１４ａ〜１４ｃ）の面積を変化させることで、前記第２のレジストパターン１６から露出する前記独立パターン（１４ａ〜１４ｃ）の突起部の長さ（Ｌ）を、各独立パターン（１４ａ〜１４ｃ）で異なるようにすることができる（図６（ｂ））。
それゆえ、前記独立パターン（１４ａ〜１４ｃ）と前記第２のレジストパターン１６から露出する吸収層１３Ａをドライエッチングして吸収体パターン１３を形成することにより、突起部の長さ（Ｌ）が異なる（すなわち、面積が異なる）複数個の設計残渣欠陥部（２１ａ〜２１ｃ）を有する反射型マスクを製造することができる（図６（ｃ））。
【００４５】
［第２の実施形態］
次に、前記微細なサイズの部分として、上述の図１２（ｂ）に示すブリッジ型欠陥のタイプの設計残渣欠陥部を有する反射型マスクの製造方法について、説明する。
図７および図８は、本発明に係る反射型マスクの製造方法の第２の実施形態の一例を示す模式的工程図である。
本発明の製造方法を用いて、上述の図１２（ｂ）に示すブリッジ型欠陥のタイプの設計残渣欠陥部を有する反射型マスク２を製造するには、上述の第１の実施形態と同様に、まず、図７（ａ）に示すように、基板１１、反射層１２、および吸収層１３Ａを少なくとも有する反射型マスクブランク１０の前記吸収層１３Ａの上にハードマスク層１４Ａを形成した、ハードマスク層付き反射型マスクブランクを準備する。
なお、前記反射型マスクブランク１０を準備し、その吸収層１３Ａの上にハードマスク層１４Ａを形成してもよい。
【００４６】
次に、前記ハードマスク層１４Ａの上に第１のレジスト層１５Ａを形成し（図７（ｂ））、電子線描画装置等によってパターン描画を施して第１のレジストパターン１５を形成し（図７（ｃ））、前記第１のレジストパターン１５から露出する前記ハードマスク層１４Ａをエッチングしてハードマスクパターン１４を形成し（図７（ｄ））、その後、前記第１のレジストパターン１５を除去する（図７（ｅ））。
【００４７】
次に、前記ハードマスクパターン１４および前記ハードマスクパターン１４から露出する吸収層１３Ａの上に第２のレジスト層１６Ａを形成し（図８（ｆ））、電子線描画装置等によってパターン描画を施して第２のレジストパターン１６を形成する（図８（ｇ））。
ここで、本実施形態においては、前記第２のレジストパターン１６は並走する２本のライン状パターンを有しており、前記２本のライン状パターンが、前記ハードマスクパターン１４の対向する両端近傍の胴部と部分的に重複するように、前記第２のレジストパターン１６を形成する。
【００４８】
次に、前記第２のレジストパターン１６および前記ハードマスクパターン１４から露出する前記吸収層１３Ａをエッチングして、設計残渣欠陥部２２を含む吸収体パターン１３を形成し（図８（ｈ））、その後、前記第２のレジストパターン１６を除去し（図８（ｉ））、次いで、前記ハードマスクパターン１４を除去して、上述の反射型マスク２を得る（図８（ｊ））。
【００４９】
ここで、上述のように従来の方法では、前記マスクパターンと前記設計残渣欠陥パターンを同じ工程で一のレジストに形成する方法を用いていた。それゆえ、前記一のレジストのパターンの一部である前記設計残渣欠陥パターンの部分は、接触する前記マスクパターンの部分をパターン描画する際の影響（いわゆる近接効果）を受けてしまい、設計した形態から乖離した輪郭のぼやけた形態になっていた。例えば、上述の図１４（ｂ）に示すように、設計残渣欠陥部２２２の縁と吸収体パターン２１３の本来のマスクパターンであるライン状パターン部分の縁が交差する角度は、９０度から大きく離れたものとなり、中央部が狭くなる一方、前記接触部の長さ（Ｄ２ｂ）は設計値（Ｄ２）よりも大きくなるような形態となってしまっていた。
【００５０】
一方、本実施形態においては、上記のように設計残渣欠陥部２２となる部分を含むパターンを第１のレジストを用いてハードマスクパターン１４として形成し、前記第１のレジストパターン１５を除去した後に、別のレジスト（第２のレジスト）を用いてマスクパターン（第２のレジストパターン１６）を形成する。
すなわち、前記マスクパターンと前記設計残渣欠陥パターンは、それぞれ別の工程で別のレジストに形成される。
それゆえ、設計残渣欠陥２２となる部分を含むパターン（第１のレジストパターン１５）は、マスクパターン（第２のレジストパターン１６）をパターン描画する際の影響（いわゆる近接効果）を受けることはない。
例えば、図９（ａ）に示すように、矩形状に設計された前記ハードマスクパターン１４の形態は、微細ゆえ角部はやや丸みを帯びたものになるとしても、その胴部（角部と角部の間の部分）は設計どおりのものになる。
ここで、図９は、本実施形態に係る反射型マスクの製造方法の要部を説明する部分平面図である。
【００５１】
そして、本実施形態においては、図９（ｂ）に示すように、前記第２のレジストパターン１６は並走する２本のライン状パターンを有しており、前記２本のライン状パターンは、前記ハードマスクパターン１４の対向する両端近傍の胴部と部分的に重複するように形成されるため、その重複する部分の角度（両パターンの縁が交差する部分の角度）は、従来よりも設計値に近い角度になる。
また、前記ハードマスクパターン１４の前記胴部と前記第２のレジストパターン１６の縁とが接触する部分の長さも、従来よりも設計値に近い長さになる。
【００５２】
それゆえ、上述のように、前記第２のレジストパターン１６および前記ハードマスクパターン１４から露出する前記吸収層１３Ａをエッチングすることによって形成される吸収体パターン１３の設計残渣欠陥部２２は、図９（ｃ）に示すように、従来よりも設計どおりの矩形状の形態になる。
より具体的には、設計残渣欠陥部２２の縁と吸収体パターン１３のマスクパターンの部分の縁が交差する角度は、従来よりも設計どおりの角度になり、設計残渣欠陥部２２が吸収体パターン１３のマスクパターンの部分と接触する部分の長さ（Ｄ２ａ）は、従来よりも設計値（Ｄ２）に近い長さになる。
【００５３】
なお、本実施形態においても、上述の第１の実施形態と同様に、第１のレジストパターン１５を形成するパターン描画と、第２のレジストパターン１６を形成するパターン描画とを、異なる描画手段を用いてパターン描画しても良い。
例えば、第１のレジストパターン１５を形成するパターン描画には、スポットビームの電子線描画装置を用い、第２のレジストパターン１６を形成するパターン描画には、可変成型ビームの電子線描画装置を用いることができる。
【００５４】
次に、本発明の反射型マスクの製造方法に係る各要素について以下、説明する。
なお、本発明において、上述の反射型マスクブランク１０を構成する基板１１、反射層１２、および吸収層１３Ａについては、従来の反射型マスクに用いられるものであれば、特に制限は無く、従来と同様に用いることができる。また、図示はしていないが、反射型マスクブランク１０は、上述のキャッピング層やバッファ層を有していても良い。
【００５５】
（ハードマスク層）
ハードマスク層１４Ａは、吸収層１３Ａのドライエッチングに耐性を有するものであって、その材料としては、例えば、クロム（Ｃｒ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）およびその窒化物、酸化物などが挙げられる。ハードマスク層１４Ａの厚さは、その材料のエッチング耐性や転写パターンのサイズに応じた加工精度にもよるが、例えば３ｎｍ〜１５ｎｍである。
具体例として、例えば、Ａｒと窒素の混合ガス雰囲気下で、Ｃｒをスパッタ成膜することで、ＣｒＮからなるハードマスク層を設けることができる。
【００５６】
（第１のレジスト層および第２のレジスト層）
第１のレジスト層１５Ａはネガ型のレジストから構成されていることが好ましく、特に、ネガ型の電子線レジストから構成されていることが好ましい。
前記第１のレジスト層１５Ａから形成される第１のレジストパターン１５は、前記設計残渣欠陥部を形成するためのレジストパターンであって、前記第１のレジストパターン１５が占める面積は反射型マスク全体に比べて極小であることから、前記第１のレジスト層１５Ａにネガ型のレジストを用いることでパターン描画の時間を短縮できるからである。
また、上述のように前記設計残渣欠陥部は微細なサイズであることから、そのパターン描画を施す手段は電子線描画が好ましく、それゆえ、前記第１のレジスト層１５Ａはネガ型の電子線レジストから構成されていることが好ましい。
【００５７】
一方、第２のレジスト層１６Ａはポジ型のレジストから構成されていることが好ましく、特に、ポジ型の電子線レジストから構成されていることが好ましい。
前記第２のレジスト層１６Ａから形成される第２のレジストパターン１６は、マスクパターンを形成するためのレジストパターンであるが、反射型マスクには、マスクパターン以外にも吸収層をエッチングしない領域があり、前記第２のレジスト層１６Ａにポジ型のレジストを用いれば、このマスクパターン以外の領域を描画せずとも前記第２のレジスト層で被覆することができるからである。
また、上記のように第２のレジストパターン１６は、マスクパターンを形成するためのレジストパターンであることから、そのパターン描画を施す手段は電子線描画が好ましく、それゆえ、前記第２のレジスト層１６Ａはポジ型の電子線レジストから構成されていることが好ましい。
【００５８】
また、本発明においては、前記第１のレジスト層１５Ａを構成するレジストには、高解像度のレジストを用いることができる。
上述のように、従来は、本来のマスクパターンと設計残渣欠陥パターンを同じ工程で一のレジスト（図１３に示すレジスト層２１６を構成するレジスト）に形成する方法を用いていた。そして、反射型マスク全体に対して占める面積が多いマスクパターンを実用的な時間内に形成するために、前記一のレジストには、高感度のレジストを用いる必要があった。
ここで、一般に、レジストは高感度と高解像度の両方を備えることは困難であることから、高感度を優先する場合には、用いるレジストの解像度は低いものにならざるをえなかった。
【００５９】
しかしながら、本発明においては、マスクパターンと設計残渣欠陥パターンを、それぞれ別の工程で別のレジストを用いて形成する。より具体的には、前記第１のレジストパターン１５で前記設計残渣欠陥パターンを形成し、第２のレジストパターン１６で前記マスクパターンを形成する。
それゆえ、本発明においては、上記のような描画時間の理由から、前記マスクパターンを形成するための第２のレジスト層１６Ａを構成するレジストには高感度レジストを用いることが必要であっても、描画面積の小さい前記設計残渣欠陥パターンを形成するための第１のレジスト層１５Ａを構成するレジストには、前記第２のレジスト層１６Ａを構成するレジストに用いるような高感度のレジストを用いる必要性は無く、前記第２のレジスト層１６Ａを構成するレジストよりも高い解像性を有するレジストを用いることができる。
したがって、本発明においては、前記設計残渣欠陥パターンを、従来よりも設計どおりの形態とすることができる。
【００６０】
また、本発明において、前記第１のレジストパターン１５をエッチングマスクに用いてドライエッチングする対象は前記ハードマスク層１４Ａであり、通常、このハードマスク層１４Ａは前記吸収層１３Ａよりも厚さが小さい。例えば、ハードマスク層１４Ａの厚さが３ｎｍ〜１５ｎｍ程度の範囲であるのに対し、吸収層１３Ａの厚さは２０ｎｍ〜１００ｎｍ程度の範囲である。
【００６１】
それゆえ、前記第１のレジスト層１５Ａは、従来のように、マスクパターンと設計残渣欠陥パターンを同じ工程で一のレジストに形成する場合の前記一のレジスト層（図１３に示すレジスト層２１６）に比べて、その厚さを薄くすることができる。
したがって、本発明においては、さらに、前記設計残渣欠陥パターンを、従来よりも設計どおりの形態とすることができる。
なお、本発明において、第２のレジストパターン１６は、前記吸収層１３Ａをエッチングする際のマスクになることから、第２のレジスト層１６Ａの厚さは、従来の、マスクパターンと設計残渣欠陥パターンを同じ工程で一のレジストに形成する場合の前記一のレジスト層（図１３に示すレジスト層２１６）と同程度になる。
それゆえ、本発明においては、前記第１のレジスト層１５Ａの厚さは、前記第２のレジスト層１６Ａの厚さよりも薄くすることができる。
【００６２】
以上、本発明に係る反射型マスクの製造方法について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００６３】
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
【００６４】
（実施例１）
基板として、光学研磨された大きさ６インチ角（厚さ０．２５インチ）の合成石英基板を用い、その主面の上に、イオンビームスパッタ法により、Ｓｉターゲットを用いてＳｉ膜を４．２ｎｍ成膜し、続いてＭｏターゲットを用いてＭｏ膜を２．８ｎｍ成膜し、これを１周期として４０周期積層した後、最後にＳｉ膜を４．２ｎｍ成膜して反射層の最表面とし、ＭｏとＳｉの多層膜よりなる反射層を形成した。
次に、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、Ａｒ雰囲気下でＲｕターゲットを用いて、上記反射層の上にＲｕ膜を２．５ｎｍ成膜してキャッピング層を形成した。
【００６５】
続いて、上記のＲｕ膜の上に、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、Ｔａターゲットを用いて、まずＡｒと窒素の混合ガス雰囲気下でＴａＮ膜を３５ｎｍの厚さで成膜し、次いでＡｒと酸素の混合ガス雰囲気下でＴａＯ膜を１５ｎｍの厚さで成膜して、吸収層を形成した。ここで、上記ＴａＯ膜は光学検査時の低反射膜を兼ねるものである。
一方、基板の他方の主面上には、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、Ｃｒターゲットを用いて、Ａｒと窒素の混合ガス雰囲気下で、ＣｒＮ膜を３０ｎｍ厚に成膜して導電層とし、反射型マスクブランクを得た。
【００６６】
次に、前記反射型マスクブランクの吸収層の上に、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、Ｃｒターゲットを用いて、Ａｒと窒素の混合ガス雰囲気下で、ＣｒＮ膜を５ｎｍの厚さに成膜してハードマスク層を形成した。
【００６７】
次に、前記ハードマスク層の上に、第１のレジスト層としてネガ型電子線レジストを膜厚５０ｎｍで形成し、加速電圧１００ｋＶのスポットビームの電子線描画装置を用いて、所定の設計残渣欠陥部（１０ｎｍ×１０ｎｍの凸型欠陥）となる部分を含む複数個の矩形パターン（１０ｎｍ×２０ｎｍ）を描画し、現像して、第１のレジストパターンを形成した。
なお、前記複数個の矩形パターンの位置については、後述する第２のレジストパターンの１：１Ｌ＆Ｓパターンに対して、相対位置が１ｎｍ単位で変化するように配設した。
【００６８】
次に、前記第１のレジストパターンから露出する前記ハードマスク層を、塩素と酸素の混合ガスを用いてドライエッチングしてハードマスクパターンを形成し、その後、前記第１のレジストパターンを酸素プラズマで除去した。
【００６９】
次に、前記ハードマスクパターンおよび前記ハードマスクパターンから露出する吸収層の上に第２のレジスト層としてポジ型の化学増幅型電子線レジストを膜厚１２００ｎｍで形成し、加速電圧５０ｋＶの可変成型ビームの電子線描画装置を用いて、所定の１：１Ｌ＆Ｓパターン（ライン幅６４ｎｍ）部分を含むマスクパターンを描画し、現像して、第２のレジストパターンを形成した。
【００７０】
次に、前記第２のレジストパターンおよび前記ハードマスクパターンから露出する前記吸収層を、フッ素ガスを用いてドライエッチングして吸収体パターンを形成し、その後、前記第２のレジストパターンを硫酸過水薬液で除去し、前記ハードマスクパターンを塩素と酸素の混合ガスを用いたドライエッチングで除去して、本発明に係る反射型マスクを得た。
【００７１】
上記の反射型マスクをＳＥＭ観測したところ、図１０（ａ）に示すように、設計残渣欠陥部２１の縁と吸収体パターン１３のマスクパターンの部分の縁が交差する角度は、概ね９０度であり、突起部の長さ（Ｌ１ａ）は１０ｎｍであり、設計残渣欠陥部２１がマスクパターンの部分の吸収体パターン１３と接触する部分の長さ（Ｄ１ａ）は１０ｎｍの設計どおりの矩形状の形態を有する設計残渣欠陥部２１（凸型欠陥）が形成されていることが確認された。
【００７２】
（比較例１）
実施例１と同様にして得た反射型マスクブランクの吸収層の上に、ポジ型の化学増幅型電子線レジストを膜厚１２００ｎｍで形成し、加速電圧５０ｋＶの可変成型ビームの電子線描画装置を用いて、所定の１：１Ｌ＆Ｓパターン（ライン幅６４ｎｍ）部分を含むマスクパターンと所定の設計残渣欠陥パターン（１０ｎｍ×１０ｎｍの凸型欠陥）を描画し、現像して、比較例１のレジストパターンを形成した。
【００７３】
次に、前記レジストパターンから露出する前記吸収層を、フッ素ガスを用いてドライエッチングして吸収体パターンを形成し、その後、前記レジストパターンを硫酸過水薬液で除去して、比較例１に係る反射型マスクを得た。
【００７４】
上記の反射型マスクをＳＥＭ観測したところ、形成された設計残渣欠陥部２２１（凸型欠陥）の形態は、図１０（ｂ）に示すように、設計残渣欠陥部２２１の縁と吸収体パターン２１３のマスクパターンの部分の縁が交差する角度は、９０度から大きく離れたものとなっており、突起部の長さ（Ｌ１ｂ）は５ｎｍであり、設計残渣欠陥部２２１がマスクパターンの部分の吸収体パターン２１３と接触する部分の長さ（Ｄ１ｂ）は３０ｎｍの丘陵状の形態であることが確認された。
【符号の説明】
【００７５】
１、２・・・反射型マスク
１０・・・反射型マスクブランク
１１・・・基板
１２・・・反射層
１３Ａ・・・吸収層
１３・・・吸収体パターン
１４Ａ・・・ハードマスク層
１４・・・ハードマスクパターン
１５Ａ・・・第１のレジスト層
１５・・・第１のレジストパターン
１６Ａ・・・第２のレジスト層
１６・・・第２のレジストパターン
２１、２２・・・設計残渣欠陥部
１００、２００・・・反射型マスク
２１０・・・反射型マスクブランク
１１１、２１１・・・基板
１１２、２１２・・・反射層
２１３Ａ・・・吸収層
１１３、２１３・・・吸収体パターン
１２１、１２２・・・残渣欠陥
２２１、２２２・・・設計残渣欠陥部
２１６Ａ・・・レジスト層
２１６・・・レジストパターン
２１６ａ・・・設計残渣欠陥パターン
【図１】
2014053564.tif 000003
【図２】
2014053564.tif 000004
【図３】
2014053564.tif 000005
【図４】
2014053564.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
2014053564.tif 000016