(57)【要約】【課題】製造手番を維持しながら、特性の悪化を抑制することを目的とする。【解決手段】レーザ出力が小さくスポット径の小さいレーザを照射する照射装置１４を複数設け、複数の照射装置１４を用いて同時にレーザを照射することにより、１つの加工範囲１５に対して複数回の走査でレーザ加工を行うことができ、手番の長期化を回避しながら特性の悪化を抑制することができる。【選択図】図１
2014024076.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ出力が１５Ｗ以上５０Ｗ以下である複数のレーザ発振器と、
前記レーザ発振器から出力されるレーザ光を０．０５ｍｍ以上０．１５ｍｍ以下のスポット径で１００ｍｍ以上３００ｍｍ以下角のスキャナエリア内に走査する複数のガルバノスキャナと
を有し、加工対象物の加工領域が複数の加工範囲に分割され、一対の前記レーザ発振器および前記ガルバノスキャナを照射装置として、前記加工範囲毎に１つの前記照射装置が配置され、各々の前記ガルバノスキャナが照射角度を調整して前記加工範囲内を１または複数回走査することにより前記加工領域を加工することを特徴とするレーザ加工装置。
【請求項２】
前記加工範囲がさらに複数の領域に分割され、前記照射装置が前記分割された領域間を移動し、前記分割された領域内を前記ガルバノスキャナの照射角度の調整のみで走査し、前記分割された領域内で加工する深さが異なり、加工する前記深さの調整を、前記レーザ出力，走査回数，走査速度のいずれかあるいはそれらを組み合わせたものを変更することにより行うことを特徴とする請求項１記載のレーザ加工装置。
【請求項３】
前記加工対象物が太陽電池基板であり、前記加工が前記太陽電池基板の外縁部を前記加工領域とする端部除去領域のデリーションであり、前記加工領域が全膜除去部と前記全膜除去部より加工深さの浅い加工端部とからなる前記端部除去領域であり、前記全膜除去部と前記加工端部とを形成する際に、前記レーザ出力，走査回数，走査速度のいずれかあるいはそれらを組み合わせたものを変更することにより加工する前記深さを調整することを特徴とする請求項１または請求項２のいずれか１項に記載のレーザ加工装置。
【請求項４】
前記レーザ光がパルスレーザであり、前記加工端部の加工の際には前記レーザ出力を１５Ｗ以上３５Ｗ未満とすると共に前記パルスレーザの隣接するスポットの重なりを前記スポットの径の６０％以上９０％未満とし、前記全膜除去部の加工の際には前記レーザ出力を３５Ｗ以上５０Ｗ未満とすると共に前記パルスレーザの隣接する前記スポットの重なりを前記スポットの径の２０％以上４０％未満とすることを特徴とする請求項３記載のレーザ加工装置。
【請求項５】
２つの前記加工範囲が接する前記太陽電池基板の角部において、一方の前記加工範囲の端部が前記太陽電池基板からはみ出し、他方の前記加工範囲の端部が前記太陽電池基板の端部から前記端部除去領域の幅の分だけ内側となることを特徴とする請求項３または請求項４のいずれか１項に記載のレーザ加工装置。
【請求項６】
レーザ発振器とガルバノスキャナとから構成される複数の照射装置によるレーザ光の照射により、加工対象物の加工領域を加工するレーザ加工方法であって、
前記加工領域が複数の加工範囲に分割され、前記照射装置がそれぞれ１つの前記加工範囲に同時にレーザ出力１５Ｗ以上５０Ｗ以下で前記レーザ光の照射を行い、
前記レーザ光は前記ガルバノスキャナの調整により１００ｍｍ以上３００ｍｍ以下角のスキャナエリア内を１または複数回走査し、スポット径が０．０５ｍｍ以上０．１５ｍｍ以下である
ことを特徴とするレーザ加工方法。
【請求項７】
前記加工範囲がさらに複数の領域に分割され、前記照射装置が前記分割された領域間を移動し、前記分割された領域内を前記ガルバノスキャナの照射角度の調整のみで走査し、前記分割された領域内で加工する深さが異なり、加工する前記深さの調整を、前記レーザ出力，走査回数，走査速度のいずれかあるいはそれらを組み合わせたものを変更することにより行うことを特徴とする請求項６記載のレーザ加工方法。
【請求項８】
前記加工対象物が太陽電池基板であり、前記加工が前記太陽電池基板の外縁部を前記加工領域とする端部除去領域のデリーションであり、前記加工領域が全膜除去部と前記全膜除去部より加工深さの浅い加工端部とからなる前記端部除去領域であり、前記全膜除去部と前記加工端部とを形成する際に、前記レーザ出力，走査回数，走査速度のいずれかあるいはそれらを組み合わせたものを変更することにより加工する前記深さを調整することを特徴とする請求項６または請求項７のいずれか１項に記載のレーザ加工方法。
【請求項９】
前記レーザ光がパルスレーザであり、前記加工端部の加工の際には前記レーザ出力を１５Ｗ以上３５Ｗ未満とすると共に前記パルスレーザの隣接するスポットの重なりを前記スポットの径の６０％以上９０％未満とし、前記全膜除去部の加工の際には前記レーザ出力を３５Ｗ以上５０Ｗ未満とすると共に前記パルスレーザの隣接する前記スポットの重なりを前記スポットの径の２０％以上４０％未満とすることを特徴とする請求項８記載のレーザ加工方法。
【請求項１０】
前記ガルバノスキャナが走査を行う加工範囲の２つが接する前記太陽電池基板の角部において、一方の前記加工範囲の端部が前記太陽電池基板からはみ出し、他方の前記加工範囲の端部が前記太陽電池基板の端部から前記端部除去領域の幅の分だけ内側となることを特徴とする請求項８または請求項９のいずれか１項に記載のレーザ加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池基板等の基板全面に成膜された薄膜の周縁部を絶縁加工する際に用いるレーザ加工方法およびレーザ加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
まず、図５を用いて太陽電池基板の構成を説明する。
図５は太陽電池基板の構成を説明する平面図である。
【０００３】
図５に示すように、太陽電池基板１は、光電変換を行う複数のセル２が分割溝３を介して配置される構成である。太陽電池基板１の外縁部には、太陽電池基板１の端部から水分等の侵入を防止するための封止材を設ける端部除去領域４が形成されるデリーションが施される。
次に、図６を用いて太陽電池基板の端部の構成を説明する。
図６は太陽電池基板の端部の構成を例示する断面図である。
【０００４】
図６に示すように、太陽電池基板１はガラス基板５上に複数の膜を積層してセル２が形成され、封止材で封止される。ガラス基板５上に積層された膜は、第１の電極６，半導体層７および第２の電極８が順に積層されて形成される。また、端部除去領域４は、第１の電極６を残し、半導体層７および第２の電極８を除去された加工端部９と、加工端部９の外周側の第１の電極６，半導体層７および第２の電極８が除去された全膜除去部１０とから構成される。このように、加工端部９の加工深さを浅くすることにより、端部除去領域４の形成の際に加工端部９のレーザ照射が緩和される。そして、端部除去領域４を含めた太陽電池基板１の全面上に封止材１１が封止される。
次に、従来の端部除去領域を形成する方法と、それに用いるレーザ加工装置について、図５〜図８を用いて説明する。
【０００５】
図７は従来のデリーションに用いるレーザ加工装置の構成を示す概略図である。図８は従来のレーザ加工装置におけるレーザ照射の様子を説明する図であり、図８（ａ）はレーザ走査領域の詳細を説明する図、図８（ｂ）は照射結果を示す図である。
【０００６】
図７において、３２は高出力レーザ発振器、３３はガルバノスキャナであり、高出力レーザ発振器３２から出力される高出力レーザがガルバノスキャナ３３を介して太陽電池基板１の外縁部に照射される。ガルバノスキャナ３３は照射方向が可変なミラーであり、ゆっくりと太陽電池基板１の外縁部を移動しながら、一定期間毎に移動方向に平行な直線状のレーザの走査を繰り返す。つまり、図６，図８に示すように、ガルバノスキャナ３３がＡからＢに移動する間にガルバノレンズの角度を調整し、端部除去領域４内にａ〜ｅの順にガルバノスキャナ３３の移動方向と平行な複数の走査領域にレーザ照射を行う。そして、ガルバノスキャナ３３がＢからＣに移動する間にも同様に複数の走査領域にレーザ照射を行い、これを、外縁部全域において行うことにより、端部除去領域４を形成する。加工端部９と全膜除去部１０との形成は、全膜除去部１０におけるレーザ出力を上げることにより行う。
【０００７】
ここで、照射するレーザ光は、一度のレーザ照射で広範囲の加工を行うために、レーザ出力２００〜１０００Ｗ，照射領域のスポット径０．５〜１．０ｍｍ，Ａ−Ｂ間のスキャナエリア１００ｍｍで行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１０−２５１５７６号公報
【特許文献２】特開２００８−１０９０４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、ガルバノスキャナ３３が一周する間に端部除去領域４を形成するため、スポット径を大きくし、レーザ出力を高くする必要があり、加工端部９と全膜除去部１０との境界部分の加工精度を確保することが困難であるという問題点があった。また、熱影響により積層された層が溶融したり、クラックが発生したりすることにより、分離溝３および第１の電極６と第２の電極８との間の絶縁性が低下し、特性が悪化するという問題点があった。
上記問題点を解決するために、本発明のレーザ加工方法およびレーザ加工装置は、製造手番を維持しながら、特性の悪化を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明のレーザ加工装置は、レーザ出力が１５Ｗ以上５０Ｗ以下である複数のレーザ発振器と、前記レーザ発振器から出力されるレーザ光を０．０５ｍｍ以上０．１５ｍｍ以下のスポット径で１００ｍｍ以上３００ｍｍ以下角のスキャナエリア内に走査する複数のガルバノスキャナとを有し、加工対象物の加工領域が複数の加工範囲に分割され、一対の前記レーザ発振器および前記ガルバノスキャナを照射装置として、前記加工範囲毎に１つの前記照射装置が配置され、各々の前記ガルバノスキャナが照射角度を調整して前記加工範囲内を１または複数回走査することにより前記加工領域を加工することを特徴とする。
【００１１】
さらに、本発明のレーザ加工方法は、レーザ発振器とガルバノスキャナとから構成される複数の照射装置によるレーザ光の照射により、加工対象物の加工領域を加工するレーザ加工方法であって、前記加工領域が複数の加工範囲に分割され、前記照射装置がそれぞれ１つの前記加工範囲に同時にレーザ出力１５Ｗ以上５０Ｗ以下で前記レーザ光の照射を行い、前記レーザ光は前記ガルバノスキャナの調整により１００ｍｍ以上３００ｍｍ以下角のスキャナエリア内を１または複数回走査し、スポット径が０．０５ｍｍ以上０．１５ｍｍ以下であることを特徴とする。
【００１２】
また、前記加工範囲がさらに複数の領域に分割され、前記照射装置が前記分割された領域間を移動し、前記分割された領域内を前記ガルバノスキャナの照射角度の調整のみで走査し、前記分割された領域内で加工する深さが異なり、加工する前記深さの調整を、前記レーザ出力，走査回数，走査速度のいずれかあるいはそれらを組み合わせたものを変更することにより行っても良い。
【００１３】
また、前記加工対象物が太陽電池基板であり、前記加工が前記太陽電池基板の外縁部を前記加工領域とする端部除去領域のデリーションであり、前記加工領域が全膜除去部と前記全膜除去部より加工深さの浅い加工端部とからなる前記端部除去領域であり、前記全膜除去部と前記加工端部とを形成する際に、前記レーザ出力，走査回数，走査速度のいずれかあるいはそれらを組み合わせたものを変更することにより加工する前記深さを調整しても良い。
【００１４】
また、前記レーザ光がパルスレーザであり、前記加工端部の加工の際には前記レーザ出力を１５Ｗ以上３５Ｗ未満とすると共に前記パルスレーザの隣接するスポットの重なりを前記スポットの径の６０％以上９０％未満とし、前記全膜除去部の加工の際には前記レーザ出力を３５Ｗ以上５０Ｗ未満とすると共に前記パルスレーザの隣接する前記スポットの重なりを前記スポットの径の２０％以上４０％未満とすることが好ましい。
【００１５】
また、前記ガルバノスキャナが走査を行う加工範囲の２つが接する前記太陽電池基板の角部において、一方の前記加工範囲の端部が前記太陽電池基板からはみ出し、他方の前記加工範囲の端部が前記太陽電池基板の端部から前記端部除去領域の幅の分だけ内側となることが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
以上のように、レーザ出力が小さくスポット径の小さいレーザを照射する照射装置を複数設け、複数の照射装置を用いて同時にレーザを照射することにより、１つの加工範囲に対して最適なレーザ照射条件でレーザ加工を行うことができ、手番の長期化を回避しながら特性の悪化を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明のデリーションに用いるレーザ加工装置の構成を示す概略図
【図２】本発明のレーザ加工装置におけるレーザ照射の様子を説明する図
【図３】実施の形態２におけるレーザ加工方法を説明する図
【図４】実施の形態３におけるレーザ加工方法を説明する図
【図５】太陽電池基板の構成を説明する平面図
【図６】太陽電池基板の端部の構成を例示する断面図
【図７】従来のデリーションに用いるレーザ加工装置の構成を示す概略図
【図８】従来のレーザ加工装置におけるレーザ照射の様子を説明する図
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明は、太陽電池基板等の基板上に複数の膜が積層される構成物に対して、積層された膜の全部または一部を除去するレーザ加工方法およびレーザ加工装置である。そして、その特徴は、加工領域に対して、レーザ発振器とスキャナとからなる照射装置を複数配置し、照射装置を移動させず、あるいは照射装置の移動を限定された加工範囲内に止め、スキャナの照射角度を調整することにより、所定の加工範囲のレーザ加工を各照射装置が同時に行うことである。このように、各照射装置が所定の加工範囲のみの加工を行うことにより、その領域において加工対象に応じて最適なレーザ照射条件で加工を行うことができるため、レーザ出力を低減できると共にスポット径を小さくすることができ、加工精度を向上させると共に、膜の損傷を抑制して構成物の特性の悪化を抑制することができるものである。加工条件としては、レーザ走査領域の重なり量を調整して加工を行うことや、レーザ照射を繰り返し行うこと等が可能であり、このようにレーザ照射条件に自由度を持たせたとしても、複数の照射装置で同時に加工を行うため、加工時間の長期化を抑制することができる。
以下、図面を用いて、太陽電池基板の外縁部のデリーション加工を例に本発明の実施の形態について説明する。
（実施の形態１）
まず、図１，図２，図６を用いて、実施の形態１におけるレーザ加工方法およびレーザ加工装置について説明する。
【００１９】
図１は本発明のデリーションに用いるレーザ加工装置の構成を示す概略図である。図２は本発明のレーザ加工装置におけるレーザ照射の様子を説明する図であり、図２（ａ）はレーザ走査領域の詳細を説明する図、図２（ｂ）は照射結果を示す図である。
【００２０】
図において１は太陽電池基板であり、ガラス基板５上に第１の電極６，半導体層７，第２の電極８が積層され、外縁部の層を削除して端部除去領域４を形成するデリーション処理が施される。例えば、太陽電池のセルとしてＣＩＧＳ太陽電池を用いることができ、その場合、電極６は膜厚０．４μｍのＭｏ層、半導体層７は膜厚１．４μｍのＣＩＧＳ層、電極８は膜厚０．６μｍのＺｎＯ層等で構成される。また、タンデム型の薄膜シリコン太陽電池を用いることもでき、その場合、電極６は膜厚０．１μｍのＴＣＯ層（透明電極膜）、半導体層７は膜厚２μｍのシリコン層、電極８は膜厚０．１μｍの裏面金属層（Ａｇ）等で構成される。
【００２１】
本発明のレーザ加工装置は、低出力レーザ発振器１２とガルバノスキャナ１３とが１組の照射装置１４を構成し、複数の照射装置１４が太陽電池基板１の外縁部に沿って配置される構成である。加工対象となる太陽電池基板１は載置台１６上に載置される。本発明のレーザ加工装置においては、照射装置１４は移動せず、ガルバノスキャナ１３の照射角度を調整することにより各照射装置１４の加工範囲１５を決定する。加工範囲１５において、レーザ走査領域１７が隣接する加工範囲１５のレーザ走査領域１７と接する、あるいは端部が重なるように照射装置１４を配置する。あるいは、加工範囲１５内においては照射装置１４を移動可能とし、加工範囲１５内の一部の領域をガルバノスキャナ１３の照射角度調整のみでレーザ走査した後、照射装置１４を加工範囲１５内で移動させて加工範囲１５内の別の領域にレーザ走査を行い、これを繰り返し、１つの照射装置１４で１つの加工範囲１５のレーザ加工を行っても良い。
【００２２】
レーザ加工の際には、載置台１６上に載置された太陽電池基板１の外縁部に対して、全ての照射装置１４から同時にレーザ光を照射する。各照射装置１４は移動せず、あるいは照射装置の移動を限定された加工範囲１５内に止め、ガルバノスキャナ１３の照射角度を調整することで、レーザ走査領域１７にレーザを照射する。図２（ａ）のＡ−Ｂ間を加工範囲１５とし、移動しない照射装置１４を例に説明する。まず、ガルバノスキャナ１３の照射角度を調整してレーザ走査領域ａにレーザ光を走査する。続いて、レーザ走査領域ｂにレーザを照射し、順にレーザ走査領域ｃからレーザ走査領域ｇまでレーザ光を走査する。さらに、レーザ走査領域ａからレーザ走査領域ｇまでのレーザ照射を１または複数回繰り返して端部除去領域４を形成することもできる。なお、レーザ光の走査の順番はレーザ走査領域ｇからレーザ走査領域ａに行っても良い。この時、他の照射装置１４も同様にレーザ照射を行い、それぞれの加工範囲１５に端部除去領域４を形成する。また、隣接する加工範囲１５のレーザ走査領域１７が接する、あるいは端部が重なるようにレーザ光を走査する。このように、各照射装置１４が同時にレーザ照射を行うことにより、図２（ｂ）に示すように、太陽電池基板１の外縁部に端部除去領域４を形成することができる。ここで、加工端部９と全膜除去部１０のように、加工深さを調整する際は、加工形状や加工精度を考慮して、レーザ光の照射条件を最適化して行う。例えば、レーザ走査領域ａ，ｂが加工端部９で、レーザ走査領域ｃ〜ｇが全膜除去部１０である場合、レーザ走査領域ａ，ｂよりレーザ走査領域ｃ〜ｇでのレーザ出力を大きくしたり走査速度を遅くしたりした上、隣接するレーザ走査領域の端部を重ならせ、レーザ走査領域ｃ〜ｇでの重なり量をレーザ走査領域ａ，ｂでの重なり量より大きくすることにより照射条件を最適化する。また、レーザ出力，走査回数，走査速度等のいずれか、あるいはそれらを組み合わせて変更することにより加工深さの調整を行っても良い。なお、走査回数とは、先に述べたように、同一の加工範囲においてレーザ走査を繰り返すことである。先の例を用いると、レーザ走査領域ｃ〜ｇのレーザ走査を繰り返す回数をレーザ走査領域ａ，ｂのレーザ走査を繰り返す回数より多くすることである。この際、レーザ走査領域間の重ね量を調整しても良い。さらに、レーザ光がパルスレーザの場合は、パルスレーザの周波数を変更することにより加工深さの調整を行うことができる。加工端部９と全膜除去部１０は、全膜除去部１０を形成する際のレーザ出力を加工部端部９形成時のレーザ出力より高くし、全膜除去部１０形成時のレーザ照射密度を上げ、レーザ照射回数を加工端部９形成時のレーザ照射回数より下げることで全膜除去部１０の加工効率を上昇させることができる。
【００２３】
なお、照射装置１４を加工範囲１５内で移動させる場合には、加工範囲１５をさらに複数の領域に分割し、１つの領域に対して、照射装置１４を固定した状態で、図２（ａ）で説明した方法で複数のレーザ走査領域にレーザ光を走査した後、照射装置１４を隣接する領域に移動させて同様のレーザ光の走査を行う。これを分割した領域全てに対して行うことにより、１つの照射装置１４にて対応する加工範囲１５のレーザ加工を行う。
【００２４】
以上のように複数の照射装置１４を用いてレーザ加工を行うことにより、複数領域において同時に加工を行うことができるため、処理時間を長時間化することなく、同じ領域に繰り返しレーザ照射する等、レーザ照射条件を最適化することができる。そのため、レーザ出力を低減できるため、膜が溶融したり、膜にクラックが発生することを抑制でき、分離溝３および第１の電極６と第２の電極８との間の絶縁性の低下や変換効率等の特性の悪化を抑制できる。また、スポット径を縮小して加工精度を向上させることができ、特に、加工範囲１５間の継ぎ目を精度良く形成することができる。また、スポット径を小さくすることにより、従来矩形トップフラットが必要であったビーム形状をガウシアン形状にすることができる。ビーム形状をガウシアン形状にすることにより、矩形トップフラットの場合より、焦点エネルギーや焦点の深さ等の加工裕度が大きくなり、加工精度を向上させることができ、品質を安定させることができる。また、低出力で小型の照射装置１４を複数配置する構成のため、故障の際にも容易に交換等が可能となり、保守性の向上も図ることが可能となる。
【００２５】
例えば、照射するレーザ光は従来の１／１０程度にすることができ、レーザ出力を１５〜５０Ｗ，照射領域のスポット径を０．０５〜０．１５ｍｍ，スキャナエリアを１００〜３００ｍｍとし、Ａ−Ｂ間の距離を１００〜３００ｍｍで照射を行うことができる。そして、端部除去領域４を一様の深さで除去加工しても良いが、加工端部９と全膜除去部１０とを形成する場合には、加工端部９の加工の際にはレーザ出力を１５〜３５Ｗにし、全膜除去部１０の加工の際にはレーザ出力を３５〜５０Ｗにして第１の電極６を除去するかしないかを調整することができる。また、出力を一定とした場合には走査速度を比較的速くしてレーザ照射をすることにより、第２の電極８および半導体層７を除去して加工端部９を形成し、走査速度を比較的遅くしてレーザ照射をすることにより、第２の電極８〜第１の電極６を除去して全膜除去部１０を形成することができる。この場合、加工前のセル２間の抵抗が平均６０ｋΩであったのに対し、加工後は平均８０ｋΩとなって絶縁性が向上し、従来技術では抵抗が加工後に平均３０ｋΩと絶縁性が悪化していたのに比べて絶縁特性を向上させることができる。なお、熱的影響を抑える必要がある加工端部９を形成する場合、加工を複数回にわけて加工をすることで周囲へのダメージを抑えることができる。
（実施の形態２）
次に、実施の形態２におけるレーザ加工について図６，図３を用いて説明する。
図３は実施の形態２におけるレーザ加工方法を説明する図である。
【００２６】
実施の形態２では、実施の形態１のレーザ加工の際に、レーザ光としてパルスレーザを用い、さらに、加工端部９と全膜除去部１０とで同一レーザ走査領域上でのパルスの重なり量を異ならせることが特徴である。
【００２７】
図３に示すように、例えば、加工端部９の形成の際には、パルスレーザの出力を１５〜３５Ｗとし、パルス毎のスポット１８の重なり量をスポット径に対して６０〜９０％となるようにガルバノスキャナの調整速度およびレーザ周波数を調整してレーザ照射を行う。これに対して、全膜除去部１０の形成の際には、パルスレーザの出力を３５〜５０Ｗとし、パルス毎のスポット１９の重なり量をスポット径に対して２０〜４０％となるようにガルバノスキャナの調整速度およびレーザ周波数を調整してレーザ照射を行う。レーザ周波数は、２０ｋＨｚ〜２００ｋＨｚとすることが加工精度の向上のために好ましい。
【００２８】
このように、加工端部９のレーザ出力を全膜除去部１０のレーザ出力より小さくすると共に、加工端部９のスポット重なり量を全膜除去部１０スポット重なり量よりも大きくすることにより、加工端部９では第２の電極８および半導体層７を除去し、全膜除去部１０では第２の電極８〜第１の電極６を除去する際に、全膜除去部１０の加工時間を抑制しながら、加工端部９の加工精度を向上させることができる。さらに、加工端部９と発電層部２０との境界部分の加工状態を良好にすると共に、下地の第１の電極６への影響を抑制することができるため、分離溝３および第１の電極６と第２の電極８との間の絶縁性の低下や変換効率等の特性の悪化を抑制できる。
【００２９】
さらに、加工端部９のレーザ走査領域と全膜除去部１０のレーザ走査領域との間にスペース２１を設けることにより、加工端部９と全膜除去部１０との境界部分の第１の電極６の形状を精度良く制御でき、より特性の悪化を抑制することができる。
【００３０】
例えばスポット径０．１２ｍｍのレーザを使用して０．３ｍｍ幅の加工端部９と１０．０ｍｍ幅の全膜除去部を加工する場合、走査ピッチを０．１ｍｍとして３回走査する。その後、レーザ出力を変え１００回走査することで加工が完了する。ここで、加工残渣が多い材料を加工する場合、全膜除去部１０の走査ピッチを減らし、例えば０．０５ｍｍとすることで残渣のない加工をすることができる。また、レーザ走査領域をスポットの中心位置を狙うようにずらした上で再度加工することでスポット間のレーザ照射エネルギーが低かった部分を加工することができ、さらに精度よく加工することができる。
（実施の形態３）
次に、実施の形態３におけるレーザ加工について、図４を用いて説明する。
図４は実施の形態３におけるレーザ加工方法を説明する図である。
実施の形態３におけるレーザ加工の際に、実施の形態１，２のレーザ加工において、レーザを照射する領域に特徴がある。
【００３１】
図４に示すように、実施の形態３のレーザ加工では、実施の形態１，２と同様に、照射装置１４を複数用い、太陽電池基板１の各辺において端部除去領域４を形成するための複数の加工範囲１５が設けられる。各辺に設けられる複数の加工範囲１５のうち一端の加工範囲２４の端部位置２２が太陽電池基板１からはみ出すように加工範囲２４を設定し、レーザ光を走査する。また、各辺に設けられる複数の加工範囲１５のうち他端の加工範囲２５の端部位置２３が太陽電池基板１の端部からから端部除去領域４の幅の分だけ内側になるように加工範囲２５を設定し、レーザ光を走査する。つまり、太陽電池基板１の各辺における加工範囲１５の繋がりは、太陽電池基板１からはみ出す位置２２から太陽電池基板１の端部から端部除去領域４の幅の分だけ内側の位置２３の範囲に設けられることが特徴である。そして、太陽電池基板１の角部において、隣接する２つの加工範囲２４，加工範囲２５における端部は、一方が太陽電池基板１からはみ出し、他方が太陽電池基板１の端部からから端部除去領域４の幅の分だけ内側となる。
【００３２】
太陽電池基板１の角部において、加工範囲１５が重なり、レーザ加工が重複すると、膜への影響が大きくなり、特性の悪化を促進させることになるが、このように、太陽電池基板１の角部において、加工範囲２４と加工範囲２５とが重なりあわないようにすることにより、分離溝３および第１の電極６と第２の電極８との間の絶縁性の低下や変換効率等の特性の悪化を抑制しながら、均一に端部除去領域４を形成することができる。
【符号の説明】
【００３３】
１    太陽電池基板
４    端部除去領域
６    第１の電極
７    半導体層
８    第２の電極
９    加工端部
１０    全膜除去部
１２    低出力レーザ発振器
１３    ガルバノスキャナ
１４    照射装置
１５    加工範囲
１７    レーザ走査領域
２１    スペース
２４    加工範囲
２５    加工範囲
【図１】
2014024076.tif 000003
【図２】
2014024076.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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