(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体装置が形成されるウエーハの大きさにかかわらずに半導体装置の試験を行うことができる半導体装置試験方法を提供する。【解決手段】トレイ１８の複数のチップ載置領域１８ｓに形成された突起１８ａ、１８ｂと基準マーク５を有するチップ状の半導体装置３の凹部３４ａ、３４ｂとを嵌め合わせた状態で基準マークの向きを揃えてトレイ１８の上に複数の半導体装置３を載置し、トレイ１８上の複数の半導体装置３の電極パッド４を介して半導体装置３を電気試験する。【選択図】図７
2014070910.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に形成される電極パッドと、光透過性の周辺領域の四隅のうちの少なくとも１つの隅に形成される遮光性の基準マークと、裏面のうち前記基準マークの下方とその他の箇所の少なくとも２箇所に形成される凹部とを有するチップ状の半導体装置を用意する工程と、
前記半導体装置を載置する複数のチップ載置領域を有し、前記チップ搭載領域に形成された突起を有するトレイを用意する工程と、
前記凹部内に前記突起を嵌め込み、前記基準マークの向きを揃えて複数の前記半導体装置を前記トレイの複数の前記チップ搭載領域に載置する工程と、
前記半導体装置が載置された前記トレイを試験装置に搭載し、前記半導体装置の前記電極パッドを介して前記半導体装置の電気特性を測定する工程と、
前記電気特性が測定された前記半導体装置を前記トレイから取り出す工程と、
を有する半導体装置試験方法。
【請求項２】
前記半導体装置の前記裏面に形成される２つの前記凹部は、前記半導体装置の前記裏面の中心に対して点対称に形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置試験方法。
【請求項３】
前記チップ搭載領域の２つの前記突起を結ぶ第１仮想線と前記半導体装置の前記中心と前記基準マーク寄りの１つの隅を結ぶ第２仮想線とを検出し、前記第１仮想線と前記第２仮想線の基準線に対する角度が一致する状態に前記半導体装置を保持したままで前記半導体装置を前記チップ搭載領域に搭載することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置試験方法。
【請求項４】
前記半導体装置は半導体ウエーハに隣接して複数個形成され、
前記凹部は、前記半導体ウエーハのうち前記基準マークを基準にして設定した位置にレーザビームを照射することにより形成され、
前記半導体装置は、前記凹部を形成した後に前記半導体ウエーハを分割することによりチップ状に個片化される
ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１つに記載の半導体装置試験方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置試験方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、略円形状の半導体ウエーハに同じ構造の複数の半導体装置を縦横に形成した後に、ダイシングソーを使用して半導体ウエーハを切断し、チップ状に分離される。半導体ウエーハ内の複数の半導体装置は、分離前に、ブローブカードを使用して複数の半導体装置を同時に一次試験することが行われ、試験コストの抑制が図られている。
【０００３】
半導体ウエーハは、コストダウンの目的で大口径化が進んでいる。近年、大きなサイズとして３００ｍｍ口径の半導体ウエーハが使用されているが、将来的に４００ｍｍ口径のものに移行するようになる。そのような場合、大口径用の試験設備を新設すると、半導体製品のコスト高の原因になるので、既存の試験設備を使用できることが望ましい。
【０００４】
このため、半導体ウエーハを切断して半導体装置をチップ状、バー状に分離した後に、複数の半導体装置を試験用に再配置したり、バー状をそのまま使用したりすることにより、ウエーハ口径にかかわらず同じ試験装置で試験することが可能になる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−５２５３２９号公報
【特許文献２】特開平１０−３２１６８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
チップ状の半導体装置を再配置する場合には、隣接する半導体装置同士は、半導体ウエーハに形成されたと同じように等間隔で配置板上に配置させる必要がある。しかし、その配置精度が低い場合には半導体装置に位置ズレが生じるので、試験に使用されるプローブが半導体装置の電極パッドに当たらずに、正常に試験ができないおそれがある。
【０００７】
本発明の目的は、位置ズレを生じにくくして複数の半導体装置を配置して半導体装置の試験を行うことができる半導体装置試験方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本実施形態の１つの観点によれば、表面に形成される電極パッドと、光透過性の周辺領域の四隅のうちの少なくとも１つの隅に形成される遮光性の基準マークと、裏面のうち前記基準マークの下方とその他の箇所の少なくとも２箇所に形成される凹部とを有するチップ状の半導体装置を用意する工程と、前記半導体装置を載置する複数のチップ載置領域を有し、前記チップ搭載領域に形成された突起を有するトレイを用意する工程と、前記凹部内に前記突起を嵌め込み、前記基準マークの向きを揃えて複数の前記半導体装置を前記トレイの複数の前記チップ搭載領域に載置する工程と、前記半導体装置が載置された前記トレイを試験装置に搭載し、前記半導体装置の前記電極パッドを介して前記半導体装置の電気特性を測定する工程と、前記電気特性が測定された前記半導体装置を前記トレイから取り出す工程と、を有する半導体装置試験方法が提供される。
発明の目的および利点は、請求の範囲に具体的に記載された構成要素および組み合わせによって実現され達成される。前述の一般的な説明および以下の詳細な説明は、典型例および説明のためのものであって、本発明を限定するためのものではない、と理解されるものである。
【発明の効果】
【０００９】
本実施形態によれば、半導体ウエーハを切断して半導体装置をチップ状にした後に、トレイの上の突起に半導体装置の裏面の凹部を嵌め合わせて半導体装置を再配置し、半導体装置の電気特性を試験している。このため、トレイ上の複数の半導体装置の移動を規制して複数の半導体装置の電気的試験を行うことができる。しかも、半導体装置に基準マークを形成したので、基準マークを同じ向きに揃えることで、半導体装置の再配置ミスをなくすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１（ａ）は、実施形態に係る半導体装置試験方法の試験対象となる半導体装置が複数形成されている半導体ウエーハの一例を示す斜視図、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す半導体ウエーハに形成された半導体装置の一部を示す平面図である。
【図２】図２は、実施形態に係る半導体装置試験方法の試験対象となる半導体装置の構造の一部を例示する断面図である。
【図３】図３は、実施形態に係る半導体装置試験方法の試験対象となる半導体装置の光透過状態を例示する平面図である。
【図４】図４は、実施形態に係る半導体装置試験方法の試験対象となる半導体装置に形成された基準マークの位置を検出する状態を例示する斜視図である。
【図５】図５は、実施形態に係る半導体装置試験方法の試験対象となる半導体装置の裏面に凹部を形成する状態を例示する斜視図である。
【図６】図６は、実施形態に係る半導体装置試験方法の試験対象となる半導体装置  を個片化する状態を例示する斜視図である。
【図７】図７（ａ）、（ｂ）は、実施形態に係る半導体装置試験方法の試験対象となる半導体装置をトレイに移設する方法を例示する斜視図である。
【図８】図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、実施形態に係る半導体装置試験方法の試験対象となる半導体装置を載置するトレイに形成される突起の整形方法を例示する断面図と斜視図である。
【図９】図９は、実施形態に係る半導体装置試験方法の試験対象となる半導体装置の凹部とトレイの突起の嵌合わせ状態を例示する断面図である。
【図１０】図１０（ａ）は、実施形態に係る半導体装置試験方法の試験対象となる半導体装置を載置するトレイの突起の形成位置を示す平面図、図１０（ｂ）は、実施形態に係る半導体装置試験方法の試験対象となる半導体装置の凹部の形成位置を示す断面図である。
【図１１】図１１は、実施形態に係る半導体装置試験方法の試験対象となる半導体装置の試験方法を示す斜視図である。
【図１２】図１２は、実施形態に係る半導体装置試験方法の試験対象となる半導体装置をトレイから取り出す状態を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に、図面を参照して実施形態を説明する。図面において、同様の構成要素には同じ参照番号が付されている。
【００１２】
図１（ａ）は、実施形態に係る半導体装置試験方法の試験対象となる半導体装置が複数形成さている半導体ウエーハを示す斜視図、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す半導体装置を示す平面図である。
【００１３】
図１（ａ）、（ｂ）において、半導体ウエーハ１には、複数の半導体装置３がスクライブ領域２を介して縦横に隣接して形成されている。半導体装置３のそれぞれの上面には、複数の金属パッド４が露出して形成されている。
【００１４】
半導体装置３の内部では、トランジスタ、配線、金属パッド、導電性プラグ（不図示）等を有する半導体回路３ａが形成され、半導体回路３ａは配線、導電性プラグ等を介して金属パッド４に電気的に接続されている。半導体装置３のうち半導体回路３ａの周辺領域３ｂの四隅のうちの少なくとも１箇所寄りには、遮光性、光反射性の高いアルミニウム、銅、チタン等の金属膜からなる基準（インデックス）マーク５が形成されている。基準マーク５は、例えば三角形と四角形を結合した矢印であってＬ字形状が１箇所に現れる平面形状を有し、そのＬ字の曲がり角は半導体装置３の対角線上に配置される。基準マーク５は、半導体ウエーハ１に形成される複数の半導体装置３の周辺領域３ｂにおいて同じ位置に形成されている。
【００１５】
基準マーク５を金属膜のパターンから形成する構造では、例えば、図２に示すように、半導体基板３１の上方に形成される多層配線構造３２の絶縁膜３３ａ、３３ｂの間に形成され、第１層目の配線３５の元となる金属膜をパターニングして形成される。また、絶縁膜３３ａ、３３ｂは、二酸化シリコン、窒化シリコンのように、基準マーク５よりも光透過性の優れた材料から形成される。
【００１６】
従って、半導体装置１の表面側から光、例えば近赤外線を照射し、その反対の裏面側から半導体装置１を光学的に観察すると、図３に示す画像のようになる。即ち、半導体集積回用の配線、金属パッド、導電性プラグ（不図示）が形成された遮光性の高い半導体回路３ａと金属パッド４を含む領域は暗い領域となり、その周りの光透過性の良い周辺領域３ｂは明るくなる。また、周辺領域３ｂのうち半導体装置３の四隅は半導体回路３ａから外れた領域であり、１つの隅（角）に近い基準マーク５は、遮光性、反射性が高いので、その位置及び形状は光学的に認識できるようになっている。
【００１７】
以上のような半導体ウエーハ１において、半導体装置３の試験や分割の前に、半導体基板３１の下面に位置合わせ用の凹部３４ａ、３４ｂを少なくとも２箇所形成する。凹部３４ａ、３４ｂの形成位置は、予め設定され、例えば少なくとも１つは基準マーク５の直下に形成される。凹部３４ａ、３４ｂは、例えば次のような方法によって形成される。
【００１８】
まず、半導体ウエーハ１において、図３に示すように、複数の半導体装置３のそれぞれの基準マーク５のＬ字部の曲がり角の点を基点とし、基点の位置を半導体ウエーハ１でのｘｙ座標系データの座標として取り込む。例えば、図４に示すように、半導体ウエーハ１の表面側に例えば近赤外線の光源１１を配置し、そこから出射される光をその裏面側に配置する撮像装置１２で撮像する。撮像装置１２で撮像した画像に基づいて、全ての基準マーク５の位置を画像処理記憶装置１０によりｘｙ座標点として取り込み、記憶させる。その裏面におけるｘｙ座標の原点は、例えば半導体ウエーハ１に形成されるノッチ１ａやオリエントフラット（不図示）を基準にして定められる。画像処理記憶装置１０は、例えばＣＰＵ、記憶部等を備えたコンピュータ１０ａと画像表示装置１０ｂ等を備えた装置を使用してもよい。
【００１９】
なお、図４の二点鎖線に示すように、光源１１を半導体ウエーハ１の裏面側に配置し、基準マーク５から反射した光を撮像して基準マーク５の位置をｘｙ座標で定めてもよい。なお、撮像によるデータは、半導体ウエーハ１の裏面の分割した像を合成したデータでもよいし、全体を１回で撮像したデータでもよい。
【００２０】
次に、半導体ウエーハ１における基準マーク５の位置の座標データを使用して半導体ウエーハ１の裏面に以下の方法により凹部３４ａ、３４ｂを形成する。
【００２１】
まず、図５に示すように、半導体ウエーハ１の裏面を上にして半導体ウエーハ１を試料載置台１４の上に載置し、その上方にレーザ照射装置１３を配置する。レーザ照射装置１３として例えば炭酸ガスレーザを使用する。そして、ノッチ１ａやオリエントフラット（不図示）を基準にしてｘｙ座標の原点の位置を定める。そして、画像処理記憶装置１０の記憶部から半導体ウエーハ１の裏面における基準マーク５の位置データＤを取り出し、データと実際の半導体ウエーハ１の互いのｘｙ座標の原点を一致させる。これにより、画像処理記憶装置１０内に記憶した座標データＤに基き、半導体ウエーハ１の裏面から観察される複数の基準マーク５の位置を特定する。そして、図３に示すように、基準マーク５のＬ字状の角を照準点とし、その照準点に向けてレーザビームをレーザ照射装置１３から照射させる。
【００２２】
そのようなレーザビームの照射により、半導体装置３の裏面に第１の凹部３４を形成する。第１の凹部３４と基準マーク５は、基板面を上から見て上下に重なるような位置関係とする。また、凹部３４の中心は基準マーク５のＬ字の曲がり角にほぼ一致するように配置される。続いて、レーザ照射装置１３は、半導体装置３の裏面の２つの対角線の交点を中心にし、基準マーク５と点対称になる位置にレーザビームを照射し、これにより第２の凹部３４ｂを半導体装置３の裏面に形成する。第１、第２の凹部３４ａ、３４ｂは、例えば直径が約１０μｍ、深さが約１０μｍの大きさに形成される。このような操作を続けることにより、１枚の半導体ウエーハ１における全ての半導体装置３の裏面に第１、第２の凹部３４ａ、３４ｂを形成する。
【００２３】
この後に、図６に示すように、半導体ウエーハ１を粘着フィルム１５の上面に貼り付け、ダイシングソー１６を使用し、ダイシング領域２に沿って半導体ウエーハ１を切断してチップ状に個片化する。
【００２４】
この後に、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、先端に吸引口が形成されたコレット１７を有するチップハンドリング装置を使用し、粘着フィルム１５上の半導体装置３をコレット１７により吸着しながらトレイ１８に移動する。複数の半導体装置３が搭載されたトレイ１８は、ウエーハ状態の半導体装置を試験する半導体試験装置に取り付けられる。従って、トレイ１８は、半導体試験装置の試験対象となる半導体ウエーハと同じ大きさに形成されている。トレイ１８の平面形状は、図７（ａ）では四角になっているが、半導体試験装置の試験対象となる半導体ウエーハとほぼ同じ平面形状であることが好ましい。トレイ１８は、例えばポリフェニレンエーテル等の樹脂から形成されている。
【００２５】
トレイ１８の上面では、半導体装置３を載置できる大きさのチップ配置領域１８ｓが縦横に隣接して複数箇所に配置されている。チップ配置領域１８ｓでは、半導体装置３の裏面の第１、第２の凹部３４ａ、３４ｂに嵌め込まれる突起１８ａ、１８ｂが上側に突出して形成されている。
【００２６】
突起１８ａ、１８ｂは、トレイ１８を樹脂成型加工により形成する際に、図８（ａ）の断面に示すように数十μｍのラフな大きさに形成され、その後に、図８（ｂ）の断面に示すようにレーザビームを照射して最終形状である円柱状に整形される。レーザビームは、例えば、第１、第２の凹部３４ａ、３４ｂの形成に使用したレーザ照射装置１３により照射してもよい。この場合、１つの突起１８ａは、図８（ｃ）の斜視図に示すように、半導体装置３の周辺領域３ｂに形成された基準マーク５の真下に配置され、その中心は基準マーク５のＬ字の曲部に一致するように形成される。
【００２７】
２つの突起１８ａ、１８ｂの形成位置は、図７（ｂ）の斜視図と図９の断面図に示すように、半導体基板３の裏面の凹部３４ａ、３４ｂに嵌め込まれる位置である。
【００２８】
突起１８ａを整形するためにレーザビームを照射する際には、画像処理記憶装置１０に格納したデータを使用する。この場合、レーザビームの照射位置は、凹部３４ａ、３４ｂの形成位置を左右反転させた位置であり、画像処理記憶装置１０に記憶させた基準マーク５の位置データを左右反転させたデータに変換する。そして、左右反転させた凹部３４ａ、３４ｂの形成位置の中心と突起１８ａ、１８ｂの中心を合わせるとともに、突起１８ａ、１８ｂが凹部３４ａ、３４ｂに嵌め込まれる大きさの円柱となるようにレーザを照射して整形する。
【００２９】
突起１８ａ、１８ｂは、図９に示すように、高さＨ２が約５μｍ、直径φ２が約５μｍの大きさに形成され、凹部３４ａ、３４ｂの高さＨ１、直径φ１よりも小さく形成される。突起１８ａ、１８ｂと凹部３４ａ、３４ｂを嵌め合わせた状態で生じるそれらの隙間は、ダイシングソー１６により削られる幅よりも狭くなるように形成される。
【００３０】
以上のようなトレイ１８に半導体装置５を載置する場合の位置合わせは次のような方法によって行われる。なお、半導体装置５はチップ状になっているので画像処理記憶装置１０内に記憶した半導体ウエーハ１の位置データはそのまま使用できないので、次のような処理を行う。
【００３１】
まず、トレイ１８の上面を撮像する。この場合、トレイ１８の上面に縦横に確保されているチップ載置領域１８ｓのそれぞれには１つの対角線上に２つの突起１８ａ、１８ｂが形成されている。画像処理記憶装置１０は、図１０（ａ）に示すように、トレイ１８の撮像結果に基づいて各チップ載置領域１８ｓの２つの突起１８ａ、１８ｂの中心を結ぶ第１の仮想線Ｌ１を撮像データに基づき検出する。さらに、第１の仮想線Ｌ１の１／２の点をチップ載置領域１８ｓの中心点Ｐ１と定め、トレイ１８における複数の中心点Ｐ１の位置をｘｙ座標で記憶する。さらに、撮像した画像データに基づいて画像処理記憶装置１０は、予め設定した基本線Ｌ０に対する第１の仮想線Ｌ１の角度、即ち第１角度θ１を測定し、これを記憶する。
【００３２】
続いて、コレット１７の先端で吸着しようとする半導体装置３の裏面側又は表面側から光源１１を照射し、撮像素子１２により半導体装置３の上面を撮像する。これにより、画像処理記憶装置１０は、基準マーク５の位置に基づいて半導体装置３の向きが正しいことを確認する。さらに、半導体装置３の四隅（角部）のうち基準マーク５に最も近い隅を第１の隅Ｃ１とし、その両側の隅を第２の隅Ｃ２、第３の隅Ｃ３とし、第１〜第３の隅Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３の位置をｘｙ座標で記憶する。
【００３３】
また、画像処理記憶装置１０は、第２の隅Ｃ２と第３の隅Ｃ３を結ぶ第２の仮想線Ｌ２を撮像データに基づいて検出し、その１／２の点を中心点Ｐ２と定めてその位置をｘｙ座標で記憶する。さらに、第１の隅Ｃ１から中心点Ｐ２を結ぶ第３の仮想線Ｌ３を検出してその位置をｘｙ座標系で記憶する。さらに、画像処理記憶装置１０が定めた基準線Ｌ０に対する第３の仮想線Ｌ３の角度、即ち第２角度θ２を測定する。そして、第１の角度θ１と第２の角度θ２の角度差θ３を求める。この場合、第１、第２の角度θ１、θ２が一致している場合には、角度差θ３はゼロとなる。
【００３４】
次に、図１０（ｂ）に示すように、コレット１７の中心点を半導体装置３の中心点Ｐ２に合わせて半導体装置５を吸着するとともに、図示しないピンにより下から突き上げて半導体装置３を粘着フィルム１５から剥がす。
【００３５】
その後に、トレイ１８の第１、第２の突起１８ａ、１８ｂの中心を結ぶ第１の仮想線Ｌ１と半導体装置３の第３の仮想線Ｌ３の角度を一致させるために、角度差θ３がゼロによるようにコレット１７を回動させる。さらに、図７（ｂ）に示すように、コレット１７を移動し、トレイ１８の１つのチップ載置領域１８ｓの上方に半導体装置３を配置し、ついで、コレット１６を降下させて半導体装置３をチップ載置領域１８ｃに置く。この場合、トレイの第１、第２の突起１８ａ、１８ｂは、半導体装置３の裏面の第１、第２の凹部３４ａ、３４ｂにそれぞれ嵌め込まれる。この後に、コレット１７の吸引を解いてコレット１７を上昇させると、半導体装置５はトレイ１８上に残される。
【００３６】
そのように、コレット１７により半導体装置３の第１の角度θ１の測定と角度の修正を行い、トレイ１８の上に移動して載置する、という動作を繰り返す。これにより、トレイ１８の複数のチップ載置領域１８ｓの空きが無くなるまで１枚の半導体ウエーハ１から取れる半導体装置３をトレイ１８上に移動する。また、トレイ１８に空きが無くなっても１枚の半導体ウエーハ１から切断された半導体装置３が残っている場合には、上記と同じ操作により残りの半導体装置３を別のトレイ１８に載置する。さらに、１枚の半導体ウエーハ１から取れる半導体装置３の全てをトレイ１８に移動しても、まだトレイ１８に空きがある場合には、別の半導体ウエーハ１から個片化された同じ構造の半導体装置３をトレイ１８に載置する。これらの場合、画像処理記憶装置１０は、複数の半導体装置３の基準マーク５の向きを揃えるようにコレット１７を制御する。
【００３７】
以上のような操作によりチップ載置領域１８ｓに複数の半導体装置５が置かれたトレイ１８は、そのままの状態で半導体試験装置に移動される。この場合、半導体装置３の電極パッド４は上を向いている。
【００３８】
半導体試験装置は、図１１に示すように、半導体ウエーハ（不図示）又は上記のトレイ１８を載置するウエーハステージ１９と、コンピュータなどの制御部２０に接続されるプローブカード２１を有している。プローブカード２１には開口部２２が形成され、その開口部２２の周囲から下方には複数のプローブ針２３が取り付けられている。プローブ針２３は、半導体装置３の電極パッド４に接続するように配置され、さらに制御部２０に電気的に接続されている。
【００３９】
トレイ１８上の半導体装置３同士の隙間は、図６に示したダイシングソー１６の歯の厚み程度に設定され、しかも、半導体装置３の凹部３４ａ、３４ｂとトレイ１８の突起１８ａ、１８ｂの隙間は最大でダイシングソー１６の歯の厚み以下にされているので、隣り合う半導体装置３同士が重なることが防止される。
【００４０】
従って、半導体試験装置の試験対象となる半導体ウエーハの複数の半導体装置に当てられるプローブ針２３をトレイ１８上の半導体装置３にも当てることができるので、
半導体装置３の電気試験が可能となる。トレイ１８上の半導体装置３の電気試験が終了した後には、プローブ針２３を電極パッド４から離し、その後に、トレイ１６を半導体試験装置から搬出する。
【００４１】
その後に、図１２に示すように、トレイ１８をアッセンブリ装置に搬送し、半導体試験により良品と判断された半導体装置３をコレット２５により吸着して取り出し、次の工程であるアッセンブリ装置内に搬出し、パッケージング等が行われる。
【００４２】
上記の実施形態によれば、半導体ウエーハ１に形成される複数の半導体装置３において、光透過性の高い周辺領域３ａ内に遮光性、光反射性の高い基準マーク５が作り込まれている。このため、半導体装置３の回路設計用の電子データを入手しなくても、基準マーク５の位置データを撮像装置により取り込み、その位置を基準にして半導体基板３の裏面にトレイ位置決め用の凹部３４ａ、３４ｂを高い精度で形成することができる。
【００４３】
しかも、半導体ウエーハ１をダイシング領域２に沿って切断して半導体装置３をチップ状に形成した後には、半導体装置３の向きを光学的に確認することができる。従って、異なる半導体ウエーハ１から切り出した複数の半導体装置３を同じトレイ１８に搭載する際に、半導体装置３の向きを容易に確認することができるので、トレイ１８上に載置した複数の半導体装置３の向きの誤認が発生することを防止でき、チップ化した半導体装置３の試験を間違いなく行うことができる。
【００４４】
さらに、半導体ウエーハ１を切断して複数の半導体装置に分割した後に、半導体試験装置の規格に合った試験対象と同じ大きさのトレイ１８の上に、試験対象となる規格に合った電極パッド４を有する複数の半導体装置３を載置するようにしている。このため、半導体試験装置の規格とは口径の異なる半導体ウエーハに形成された半導体装置であっても半導体試験装置を変更することなく半導体装置の試験が可能になる。
【００４５】
ここで挙げた全ての例および条件的表現は、発明者が技術促進に貢献した発明および概念を読者が理解するのを助けるためのものであり、ここで具体的に挙げたそのような例および条件に限定することなく解釈すべきであり、また、明細書におけるそのような例の編成は本発明の優劣を示すこととは関係ない。本発明の実施形態を詳細に説明したが、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、それに対して種々の変更、置換および変形を施すことができると理解すべきである。
【００４６】
次に、本発明の実施形態について特徴を付記する。
（付記１）表面に形成される電極パッドと、光透過性の周辺領域の四隅のうちの少なくとも１つの隅に形成される遮光性の基準マークと、裏面のうち前記基準マークの下方とその他の箇所の少なくとも２箇所に形成される凹部とを有するチップ状の半導体装置を用意する工程と、前記半導体装置を載置する複数のチップ載置領域を有し、前記チップ搭載領域に形成された突起を有するトレイを用意する工程と、前記凹部内に前記突起を嵌め込み、前記基準マークの向きを揃えて複数の前記半導体装置を前記トレイの複数の前記チップ搭載領域に載置する工程と、前記半導体装置が載置された前記トレイを試験装置に搭載し、前記半導体装置の前記電極パッドを介して前記半導体装置の電気特性を測定する工程と、前記電気特性が測定された前記半導体装置を前記トレイから取り出す工程と、を有する半導体装置試験方法。
（付記２）前記半導体装置の前記裏面に形成される２つの前記凹部は、前記半導体装置の前記裏面の中心に対して点対称に形成されることを特徴とする付記１に記載の半導体装置試験方法。
（付記３）前記チップ搭載領域の２つの前記突起を結ぶ第１仮想線と前記半導体装置の前記中心と前記基準マーク寄りの１つの隅を結ぶ第２仮想線とを検出し、前記第１仮想線と前記第２仮想線の基準線に対する角度が一致する状態に前記半導体装置を保持したままで前記半導体装置を前記チップ搭載領域に搭載することを特徴とする付記２に記載の半導体装置試験方法。
（付記４）前記半導体装置は半導体ウエーハに隣接して複数個形成され、前記凹部は、前記半導体ウエーハのうち前記基準マークを基準にして設定した位置にレーザビームを照射することにより形成され、前記半導体装置は、前記凹部を形成した後に前記半導体ウエーハを分割することによりチップ状に個片化されることを特徴とする付記１乃至付記３のいずれか１つに記載の半導体装置試験方法。
（付記５）前記凹部と前記突起により形成される隙間の幅は、前記半導体ウエーハに形成されるダイシング領域の幅よりも狭いことを特徴とする付記４に記載の半導体装置試験方法。
（付記６）前記基準マークは、Ｌ字状の角を１つ備える形状であることを特徴とする付記１乃至付記５のいずれか１つに記載の半導体装置試験方法。
（付記７）前記基準マークは金属から形成されていることを特徴とする付記１乃至付記６のいずれか１つに記載の半導体装置試験方法。
（付記８）前記基準マークは、光透過性のある絶縁層の間に形成されていることを特徴とする付記１乃至付記７のいずれか１つに記載の半導体装置試験方法。
【符号の説明】
【００４７】
１  半導体ウエーハ
２  スクライブ領域
３  半導体装置
３ａ  半導体回路領域
３ｂ  周辺領域
４  電極パッド
５  基準マーク
１０  画像処理記憶装置
１１  光源
１２  撮像装置
１３  レーザ照射装置
１４  試料載置台
１５  粘着フィルム
１６  ダイシングソー
１７  コレット
１８  トレイ
１８ａ、１８ｂ  突起
１９  ウエーハステージ
２０  制御部
２１  プローブカード
２２  開口部
２３  プローブ針  
３１  半導体基板
３２  多層配線構造
３３ａ、３３ｂ  絶縁膜
３４ａ、３４ｂ  凹部
【図１】
2014070910.tif 000003
【図２】
2014070910.tif 000004
【図３】
2014070910.tif 000005
【図４】
2014070910.tif 000006
【図５】
2014070910.tif 000007
【図６】
2014070910.tif 000008
【図７】
2014070910.tif 000009
【図８】
2014070910.tif 000010
【図９】
2014070910.tif 000011
【図１０】
2014070910.tif 000012
【図１１】
2014070910.tif 000013
【図１２】
2014070910.tif 000014