(57)【要約】【課題】テンプレートの離型工程におけるパターン欠陥の発生有無を検出する。【解決手段】本実施形態によるインプリントシステムは、基板上に光硬化性材料を塗布する塗布部と、凹凸パターンが形成されたテンプレートを保持し、鉛直方向に移動する保持部と、前記テンプレートの凹凸パターンが前記光硬化性材料に接触した状態で光を照射して、前記光硬化性材料を硬化させる光照射部と、硬化した前記光硬化性材料から前記テンプレートを離型する際に前記テンプレート及び前記光硬化性材料を撮像する撮像部と、前記撮像部により生成された画像を用いて、前記テンプレートと前記光硬化性材料との接触領域の第１評価値を算出し、前記第１評価値を用いて離型動作の第２評価値を算出する算出部と、前記第２評価値に基づいて、硬化した前記光硬化性材料におけるパターン欠陥の発生有無を判定する判定部と、を備える。【選択図】図１
2014033050.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に光硬化性材料を塗布する塗布部と、
凹凸パターンが形成されたテンプレートを保持し、鉛直方向に移動する保持部と、
前記テンプレートの凹凸パターンが前記光硬化性材料に接触した状態で光を照射して、前記光硬化性材料を硬化させる光照射部と、
硬化した前記光硬化性材料から前記テンプレートを離型する際に前記テンプレート及び前記光硬化性材料を撮像する撮像部と、
前記撮像部により生成された画像を用いて、前記テンプレートと前記光硬化性材料との接触領域の第１評価値を算出し、前記第１評価値を用いて離型動作の第２評価値を算出する算出部と、
前記第２評価値に基づいて、硬化した前記光硬化性材料におけるパターン欠陥の発生有無を判定する判定部と、
を備え、
前記第１評価値は、前記テンプレートの中心を起点とした所定方向における前記接触領域の長さであり、
前記第２評価値は、前記接触領域の境界の移動速度の変化量のばらつきを示す値であり、
前記判定部は、前記第２評価値が所定値以下の場合はパターン欠陥が発生していないと判定し、前記第２評価値が所定値より大きい場合にパターン欠陥が発生したと判定することを特徴とするインプリントシステム。
【請求項２】
基板上に光硬化性材料を塗布する塗布部と、
凹凸パターンが形成されたテンプレートを保持し、鉛直方向に移動する保持部と、
前記テンプレートの凹凸パターンが前記光硬化性材料に接触した状態で光を照射して、前記光硬化性材料を硬化させる光照射部と、
硬化した前記光硬化性材料から前記テンプレートを離型する際に前記テンプレート及び前記光硬化性材料を撮像する撮像部と、
前記撮像部により生成された画像を用いて、前記テンプレートと前記光硬化性材料との接触領域の第１評価値を算出し、前記第１評価値を用いて離型動作の第２評価値を算出する算出部と、
前記第２評価値に基づいて、硬化した前記光硬化性材料におけるパターン欠陥の発生有無を判定する判定部と、
を備えるインプリントシステム。
【請求項３】
前記第１評価値は、前記テンプレートの中心を起点とした所定方向における前記接触領域の境界までの距離であることを特徴とする請求項２に記載のインプリントシステム。
【請求項４】
前記第２評価値は、前記接触領域の境界の移動速度の変化量のばらつきを示すことを特徴とする請求項３に記載のインプリントシステム。
【請求項５】
前記判定部は、前記第２評価値が所定値以下の場合はパターン欠陥が発生していないと判定し、前記第２評価値が所定値より大きい場合にパターン欠陥が発生したと判定することを特徴とする請求項４に記載のインプリントシステム。
【請求項６】
基板上に光硬化性材料を塗布し、
凹凸パターンが形成されたテンプレートを前記光硬化性材料に接触させ、
前記テンプレートを接触させた状態で前記光硬化性材料に光を照射し、前記光硬化性材料を硬化させ、
前記テンプレートを硬化した前記光硬化性材料から離型するとともに、前記テンプレート及び前記光硬化性材料を撮像して画像を生成し、
前記画像を用いて、前記テンプレートと前記光硬化性材料との接触領域の第１評価値を算出し、
前記第１評価値を用いて離型動作の第２評価値を算出し、
前記第２評価値に基づいて、硬化した前記光硬化性材料におけるパターン欠陥の発生有無を判定する、
インプリント形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、インプリントシステム及びインプリント方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
微細パターンを低コストに形成するための技術として、光ナノインプリント法が知られている。これは、基板上に形成したいパターンに対応した凹凸を有するテンプレートを、基板表面に塗布された光硬化性有機材料層に押しつけ、これに光照射を行って有機材料層を硬化させ、テンプレートを有機材料層から離型することで、パターンを転写する方法である。
【０００３】
光ナノインプリント法では、テンプレートを有機材料層から離型する際に、有機材料層のパターンが破壊されるおそれがある。そのため、テンプレートの離型工程におけるパターン欠陥の発生有無を検出することが求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１０／０７５４４３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、テンプレートの離型工程におけるパターン欠陥の発生有無を検出するインプリントシステム及びインプリント方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本実施形態によれば、インプリントシステムは、基板上に光硬化性材料を塗布する塗布部と、凹凸パターンが形成されたテンプレートを保持し、鉛直方向に移動する保持部と、前記テンプレートの凹凸パターンが前記光硬化性材料に接触した状態で光を照射して、前記光硬化性材料を硬化させる光照射部と、硬化した前記光硬化性材料から前記テンプレートを離型する際に前記テンプレート及び前記光硬化性材料を撮像する撮像部と、前記撮像部により生成された画像を用いて、前記テンプレートと前記光硬化性材料との接触領域の第１評価値を算出し、前記第１評価値を用いて離型動作の第２評価値を算出する算出部と、前記第２評価値に基づいて、硬化した前記光硬化性材料におけるパターン欠陥の発生有無を判定する判定部と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本実施形態に係るインプリントシステムの概略構成図である。
【図２】インプリント方法を説明する工程断面図である。
【図３】接触領域の変遷を示す図である。
【図４】接触領域の例を示す図である。
【図５】接触領域の評価値の一例を示す図である。
【図６】パターン側壁密度の異なるテンプレートを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【０００９】
図１は、本実施形態に係るインプリントシステムの概略構成図である。図１に示すように、インプリントシステムは、テンプレート保持部１０、基板保持部２０、光照射部３０、撮像部４０、塗布部５０、及び演算制御部６０を備えている。
【００１０】
テンプレート保持部１０は、テンプレート１１を保持し、水平方向及び鉛直方向に移動することができる。テンプレート１１は、例えば、表面に微細な凹凸パターンが形成された石英テンプレートである。テンプレート保持部１０は、テンプレート１１の凹凸パターンが、後述する基板２１と向かい合うようにテンプレート１１を保持する。テンプレート保持部１０には、真空チャック又は静電チャックを使用することができる。テンプレート保持部１０は、テンプレート１１の面内方向において複数の領域に分割され、分割領域毎に、テンプレート１１の保持のタイミングや保持力を制御することができる。
【００１１】
基板保持部２０は、加工対象の基板（ウェーハ）２１を保持し、水平方向に移動することができる。基板保持部２０は鉛直方向に移動できてもよい。基板保持部２０には、真空チャック又は静電チャックを使用することができる。基板保持部２０は、基板２１の面内方向において複数の領域に分割され、分割領域毎に、基板２１の保持のタイミングや保持力を制御することができる。
【００１２】
塗布部５０は、基板２１の表面にインプリント材料２２を塗布する。インプリント材料２２は、例えば、アクリルモノマー等の光硬化性有機材料である。
【００１３】
照射部３０は、基板２１上のインプリント材料２２を硬化させるための光を照射する。例えば、照射部３０は紫外線を照射する。図１に示すように、照射部３０は、テンプレート保持部１０の上方に設けられており、テンプレート保持部１０及びテンプレート１１は光透過性の材料からなる。照射部３０は、テンプレート１１が基板２１上のインプリント材料２２に接触した状態で、光を照射する。
【００１４】
撮像部４０は、テンプレート１１が基板２１上のインプリント材料２２から離型される際のテンプレート１１及びインプリント材料２２を所定の時間間隔で撮像し、画像を生成する。
【００１５】
演算制御部６０は、移動制御部６１、評価値算出部６２、及び判定部６３を有しており、テンプレート保持部１０、基板保持部２０、照射部３０、撮像部４０、及び塗布部５０の動作を制御する。
【００１６】
テンプレート１１及び基板２１にはそれぞれ合わせマークが形成されており、インプリントシステムには、それぞれの合わせマークの位置を検出する検出機構（図示せず）が設けられている。検出機構には例えばレーザ干渉計を用いることができる。演算制御部６０は、検出機構から合わせマークの位置を取得し、テンプレート１１が基板２１の所望の領域の上方に位置するための、テンプレート１１及び／又は基板２１の移動量を算出する。移動制御部６１は、算出された移動量に基づき、テンプレート保持部１０及び／又は基板保持部２０を制御する。これにより、テンプレート１１は基板２１に対して相対的に水平方向に移動し、位置合わせ（アライメント）が行われる。
【００１７】
また、移動制御部６１は、テンプレート保持部１０を制御してテンプレート１１を鉛直方向に移動させ、テンプレート１１を基板２１上のインプリント材料２２に接触させたり、インプリント材料２２から離型させたりする。また、移動制御部６１は、テンプレート１１の鉛直方向の移動速度や移動距離を制御することができる。
【００１８】
なお、テンプレート１１と基板２１の相対位置の移動には、テンプレート１１や基板２１を移動させるだけでなく、テンプレート１１や基板２１の保持力を変えて、テンプレート１１や基板２１を変形させることを含んでいてもよい。
【００１９】
評価値算出部６２は、テンプレート１１とインプリント材料２２との接触領域（後述する）の評価値、及びテンプレート１１の離型挙動の評価値を算出する。判定部６３は、評価値算出部６２により算出された離型挙動の評価値に基づいて、パターン欠陥の発生有無を判定する。図２を用いてテンプレート１１の離型について説明する。
【００２０】
インプリント処理においては、図２（ａ）に示すように、塗布部５０（図１参照）が基板２１上にインプリント材料２２を塗布する。
【００２１】
次に、図２（ｂ）に示すように、基板２１と、テンプレート１１との位置合わせ（アライメント）を行い、塗布されたインプリント材料２２に、テンプレート１１の凹凸パターン面を接触させる。液状のインプリント材料２２は、テンプレート１１の凹凸パターン内に流動して入り込む。
【００２２】
次に、図２（ｃ）に示すように、凹凸パターン内にインプリント材料２２が充填された後、テンプレート１１の裏面側（図中上側）から照射部３０を用いて紫外線を照射する。これにより、インプリント材料２２が硬化する。
【００２３】
次に、図２（ｄ）に示すように、テンプレート１１を上方へ移動させ、テンプレート１１をインプリント材料２２から剥がす。これがテンプレート１１の離型である。
【００２４】
図３は、テンプレート１１の離型に伴う、テンプレート１１とインプリント材料２２との接触領域（図中斜線部分）の変遷の一例を示しており、これは撮像部４０により画像として取得される。撮像部４０による画像取得は、少なくとも１０フレーム／秒、望ましくは２０フレーム／秒、より望ましくは２５フレーム／秒である。撮像部４０は、離型動作の開始に伴い撮像を開始する。例えば、離型動作の開始は、テンプレート１１の鉛直方向の移動制御信号から検出できる。図３に示すように、離型現象は、テンプレート１１と基板２１上のインプリント材料２２との密着領域の外周から生じる。
【００２５】
評価値算出部６２は、撮像部４０により取得された画像から、テンプレート１１とインプリント材料２２との境界を認識し、接触領域を検出する。例えば、図３に示すように、画像には、接触領域と、すでに離型した領域との境界に対応する略矩形状又は略楕円状の線が写っている。図４に示すように、薄膜干渉効果などの影響によって画像中に線が複数ある場合は、所定の基準に基づき、最も内側の線を境界線とみなしてもよいし、最外周の線と最内周の線の中間の線を境界線としても良い。
【００２６】
そして、評価値算出部６２は、接触領域の評価値を算出する。ここで、接触領域の評価値は、図５に示すような、テンプレート１１の中心を起点とした、１以上の所定方向における接触領域の境界までの距離Ｌｉ，ｊである。ここで、ｉは計測方向を示し、ｊは当該画像が離型開始からｊ・Δｔ経過後の画像であることを示す。Δｔは画像の取得間隔（撮像部４０の撮像レート）である。テンプレート１１の中心からの方向は、例えば矩形のテンプレート１１の対角線方向である。
【００２７】
なお、接触領域の境界までの距離Ｌｉ，ｊの計測にあたり、ダイシングラインを避けることが好ましい。従って、接触領域の境界までの距離Ｌｉ，ｊの計測方向は、テンプレート１１の外周の辺と平行な方向を含まないことが好ましい。
【００２８】
一般に、テンプレート１１には、複数のチップに対応する凹凸パターンが設けられる。テンプレート１１の斜め方向でＬｉ，ｊを求める場合、この方向にはテンプレート１１内の複数のチップを通過するため、テンプレート１１内の平均的なパターン密度で評価することが可能である。
【００２９】
その後、評価値算出部６２は、以下の数式１で表される評価関数を用いて、離型挙動の評価値Ｆを算出する。
【数１】
2014033050.tif 000003
【００３０】
ここで、ａｉは方向毎の重み関数であり、ｍは離型挙動に用いる画像の枚数であり、ｎは評価方向の個数である。この評価関数により求まる離型挙動の評価値Ｆは、接触領域の境界の移動速度の変化量のばらつきを示す値である。この離型挙動の評価値Ｆが小さい程、安定した離型処理となり、硬化したインプリント材料２２からなるパターンに加わる力が小さくなる。従って、この評価関数により離型挙動を定量的に評価することができ、離型挙動の評価値Ｆに基づいて、パターン欠陥の発生有無を推測することができる。
【００３１】
本実施形態では、図２（ｄ）に示す離型工程において、撮像部４０がテンプレート１１及びインプリント材料２２を所定の撮像レートで複数回撮像する。そして、離型処理後、評価値算出部６２が、撮像部４０により生成された画像を用いて、上述した方法により、接触領域の評価値、及び離型挙動の評価値を算出する。判定部６３は、算出された離型挙動の評価値が所定値以下の場合、図２（ｄ）に示すテンプレート１１の離型工程においてパターン欠陥は発生していないと判定し、評価値が所定値より大きい場合、パターン欠陥が発生したと判定する。
【００３２】
このように、本実施形態によれば、テンプレート１１の離型挙動を定量的に評価し、テンプレートの離型工程におけるパターン欠陥の発生有無を検出することができる。
【００３３】
上記実施形態では、１つの基板２１の複数領域に対してインプリント処理が行われる。インプリントシステムは、少なくとも１つの領域に対するインプリント処理について離型挙動の評価値Ｆを算出し、評価値Ｆが所定範囲を逸脱していた場合、この基板２１についての異常判定の信号を生産管理システムへ送信してもよい。異常判定が生じた基板２１に対しては、所定の検査工程、又はワーク処理が行われる。評価値Ｆを生産管理に用いることで、生産効率を向上させることができる。
【００３４】
上記実施形態では、照射部３０が紫外線を照射することでインプリント材料２２が硬化していたが、インプリント材料２２が熱硬化性有機材料である場合、照射部３０が赤外線を照射してインプリント材料２２を加熱して硬化させてもよい。
【００３５】
（第１変形例）
上記実施形態では、テンプレート１１の中心を起点とした、１以上の所定方向における接触領域の境界までの距離Ｌｉ，ｊを接触領域の評価値としていたが、接触領域の中心を起点としてもよい。これにより、接触領域の中心がテンプレート１１の中心とずれる場合であっても、テンプレート１１の離型挙動をより安定的に定量評価することができる。
【００３６】
（第２変形例）
接触領域の境界までの距離Ｌｉ，ｊを求めるにあたり、テンプレート１１に設けられた凹凸パターンの側壁密度の重心を起点としてもよい。パターン側壁密度は、凹凸パターンの側壁の面積の合計に対応するものであり、パターン密度とは異なる。例えば、図６（ａ）、（ｂ）に示すテンプレート１１Ａ、１１Ｂは、パターン密度は同じであるが、パターン側壁密度はテンプレート１１Ｂの方が大きい。
【００３７】
パターン側壁密度の重心として、テンプレート１１の凹凸パターンの凸部の重心、凹凸パターンの凹部の重心、又は凹凸パターンの外形線の長さの重心を用いることができる。凹凸パターンの外形線を、テンプレート１１の外形片方向に沿った２方向に分割し、方向毎に算出しても良い。
【００３８】
また、テンプレート１１を所定サイズの領域に分割し、分割領域の平均パターン側壁密度を算出し、各分割領域の中心及び各分割領域の平均パターン側壁密度に基づいて、テンプレート１１全体のパターン側壁密度の重心を求めてもよい。これらの手法は、フォトリソグラフィの光近接効果補正やＥＵＶリソグラフィのフレア補正に部分的に用いられている面積の代表化方法を適用することができる。
【００３９】
パターン側壁密度によって離型速度が変わるため、パターン側壁密度の重心付近に、離型の終了点、すなわち接触領域の終点が存在することが望ましい。このような方法で接触領域の境界までの距離Ｌｉ，ｊを求めることで、離型挙動をより正確に定量化することができる。
【００４０】
（第３変形例）
接触領域の面積を接触領域の評価値としてもよい。接触領域の面積は、取得された画像における接触領域のピクセル数などで表すことができる。
【００４１】
この場合、離型挙動の評価関数は以下の数式２で表すことができる。
【数２】
2014033050.tif 000004
【００４２】
ここで、Ｓｊは離型開始からｊ・Δｔ経過後の画像における接触面積であるである。この評価関数により求まる離型挙動の評価値Ｆが小さいほど、面積の時間変化率が一定に近いこととなる。
【００４３】
より一般的には、以下の数式３に示すように、所定の理想的な面積の時間変化関数ｆ（ｍΔｔ）に対する差分を求めてもよい。
【数３】
2014033050.tif 000005
【００４４】
数式２又は数式３で求まる離型挙動の評価値Ｆが小さい程、安定した離型処理となり、硬化したインプリント材料２２からなるパターンに加わる力が小さくなる。判定部６３は、算出した評価値Ｆが所定値以下の場合、図２（ｄ）に示すテンプレート１１の離型工程においてパターン欠陥は発生していないと判定し、評価値が所定値より大きい場合、パターン欠陥が発生したと判定する。
【００４５】
（第４変形例）
テンプレート１１の所定位置が接触領域に含まれるか否かを、接触領域の評価値としてもよい。テンプレート１１の所定位置は、例えば、テンプレート１１の中心位置、又はテンプレート１１のパターン側壁密度の重心位置である。
【００４６】
この場合、離型挙動の評価関数は、以下の数式４及び数式５で表すことができる。数式５では、テンプレート１１の所定位置をパターン側壁密度の重心位置としている。
【数４】
2014033050.tif 000006
【数５】
2014033050.tif 000007
【００４７】
この評価関数により求まる評価値Ｆが大きい程、安定した離型処理となり、硬化したインプリント材料２２からなるパターンに加わる力が小さくなる。判定部６３は、算出した評価値Ｆが所定値以上の場合、図２（ｄ）に示すテンプレート１１の離型工程においてパターン欠陥は発生していないと判定し、評価値Ｆが所定値未満の場合、パターン欠陥が発生したと判定する。
【００４８】
また、接触領域の中心と、パターン側壁密度の重心位置のずれを考慮してもよい。この場合、離型挙動の評価関数は、以下の数式６及び数式７で表すことができる。
【数６】
2014033050.tif 000008
【数７】
2014033050.tif 000009
【００４９】
さらに、接触領域の面積を考慮してもよい。この場合、離型挙動の評価関数は、以下の数式８及び数式９で表すことができる。
【数８】
2014033050.tif 000010
【数９】
2014033050.tif 000011
【００５０】
（第５変形例）
テンプレート１１の離型処理時に、接触領域が分割することがある。このような場合、接触領域の外形に窪みが生じる。このため、密着領域の閉空間性を元に評価関数を決定してもよい。一例としては、密着領域の外周の外接線のベクトル和で評価することが挙げられる。
【００５１】
（第６変形例）
上記実施形態に係るインプリントシステムに、算出した離型挙動の評価値Ｆと、離型動作の制御因子とを組み合わせて記憶する記憶部をさらに設けてもよい。離型動作の制御因子は、例えば、テンプレート１１の鉛直方向の移動速度、テンプレート保持部１０の各分割領域のテンプレート１１の保持力、基板保持部２０の各分割領域の基板２１の保持力、インプリント材料２２の硬化エネルギー量である。また、基板２１内の押印位置を制御因子に含めてもよい。基板２１内の押印位置によって、離型時の基板２１の変形量が変化するためである。
【００５２】
また、インプリントシステムに、記憶部に記憶された離型動作の制御因子及び離型挙動の評価値に基づいて、離型動作の各制御因子の最適値を算出する最適制御因子算出部をさらに設けてもよい。また、演算制御部６０が、算出された制御因子の最適値を用いて、制御因子の最適化を行うようにしてもよい。
【００５３】
半導体装置の量産時にインプリント装置を使用する場合、複数のインプリント装置に対して、制御因子の最適化を行う必要となる。また、半導体装置の複数のレイヤに対してインプリント処理を行う場合、レイヤ毎にパターンレイアウトが異なることから、レイヤ毎に制御因子の最適化を行う必要がある。また、インプリント材料の厚さや種類等を変更した場合にも、再度、制御因子の最適化を行う必要がある。制御因子の最適化を自動化することで、装置の立上げ調整期間を大幅に短縮できる。
【００５４】
離型挙動の評価値に対して、基板上に形成されたパターンの欠陥密度や、電気的特性の収率などの情報を相関付けて、制御因子の最適値を求めるようにしてもよい。
【００５５】
また、離型動作の制御因子の最適化において、インプリント装置で検出される他の物理量、例えば最大離型力の上限値や離型動作の所要時間の最大値、を制約条件に含めてもよい。
【００５６】
半導体装置の量産においてインプリント装置を使用した場合、装置の長期安定性、インプリント材料の保存安定性、テンプレート１１の表面状態の変化などによって、制御因子の最適値が変化し得る。量産過程において、所定のサンプリングルールに従って離型挙動の評価値Ｆを算出し、定期的に離型動作の制御因子の最適化を行うことで、随時最適な制御因子をインプリント装置に設定することができる。これにより、欠陥発生を低減し、長期的な製造効率を向上させることができる。
【００５７】
上述した実施形態で説明した演算制御部６０の少なくとも一部は、ハードウェアで構成してもよいし、ソフトウェアで構成してもよい。ソフトウェアで構成する場合には、演算制御部６０の少なくとも一部の機能を実現するプログラムをフレキシブルディスクやＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体に収納し、コンピュータに読み込ませて実行させてもよい。記録媒体は、磁気ディスクや光ディスク等の着脱可能なものに限定されず、ハードディスク装置やメモリなどの固定型の記録媒体でもよい。
【００５８】
また、演算制御部６０の少なくとも一部の機能を実現するプログラムを、インターネット等の通信回線（無線通信も含む）を介して頒布してもよい。さらに、同プログラムを暗号化したり、変調をかけたり、圧縮した状態で、インターネット等の有線回線や無線回線を介して、あるいは記録媒体に収納して頒布してもよい。
【００５９】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００６０】
１０  テンプレート保持部
１１  テンプレート
２０  基板保持部
２１  基板
２２  インプリント材料
３０  光照射部
４０  撮像部
５０  塗布部
６０  演算制御部
６１  移動制御部
６２  評価値算出部
６３  判定部
【図１】
2014033050.tif 000012
【図２】
2014033050.tif 000013
【図３】
2014033050.tif 000014
【図４】
2014033050.tif 000015
【図５】
2014033050.tif 000016
【図６】
2014033050.tif 000017