(57)【要約】【課題】光反射性及び熱伝導性に優れ、且つ生産効率のよいチップオンボード基板を得る。【解決手段】所定の金属材料により形成されると共に、上面側に絶縁層４を介して配線回路５が形成され、かつ上下面を貫通する貫通孔２ａが形成されたベース基板２と、所定の金属材料により形成されると共に、前記ベース基板２の貫通孔２ｂに固定され、鏡面層３ａが上面側に形成された柱体の金属部材３とを備え、前記金属部材３の鏡面層３ａが前記ベース基板２に形成された前記配線回路５と同一高さ、あるいは前記配線回路５よりも低い高さに配置されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の金属材料により形成されると共に、上面側に絶縁層を介して配線回路が形成され、かつ上下面を貫通する貫通孔が形成されたベース基板と、
所定の金属材料により形成されると共に、上面側に鏡面層が形成され、前記ベース基板の貫通孔に固定される柱体の金属部材と、
を備えていることを特徴とするチップオンボード基板。
【請求項２】
前記金属部材の鏡面層が、前記ベース基板に形成された前記配線回路よりも低い高さに配置され、前記鏡面層上にキャビティが形成されていることを特徴とする請求項１に記載されたチップオンボード基板。
【請求項３】
前記鏡面層上には発光素子が配置され、前記発光素子は、前記配線回路とボンディングワイヤにより電気的に接続されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載されたチップオンボード基板。
【請求項４】
前記ベース基板と前記金属部材を形成する所定の金属材料は、アルミニウムであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載されたチップオンボード基板。
【請求項５】
前記ベース基板は、純度９９．５％以下のアルミニウムにより形成され、前記金属部材は、純度９９．８５％以上のアルミニウムにより形成されていることを特徴とする請求項４に記載されたチップオンボード基板。
【請求項６】
少なくとも前記貫通孔の内壁と前記金属部材の外壁のいずれかは、前記金属部材の前記貫通孔に対する挿入方向に対し、テーパ状に形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載されたチップオンボード基板。
【請求項７】
前記ベース基板上には、絶縁材料により所定の高さに形成され、前記金属部材の周りを囲むダムパターンが設けられ、
前記ダムパターンの内側には前記金属部材を覆うように所定の蛍光体を含有する蛍光層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載されたチップオンボード基板。
【請求項８】
一面に鏡面層が形成された所定の金属材料からなる基板から、前記鏡面層が上面側に形成された柱体の金属部材を打ち抜きして形成するステップと、
所定の金属材料により形成されるベース基板に対し、その上面側に絶縁層を介して配線回路を形成すると共に、上下面を貫通する貫通孔を形成するステップと、
前記金属部材の鏡面層が前記配線回路側に配置されるように、前記金属部材を前記貫通孔に挿嵌すると共に、前記鏡面層を、前記ベース基板に形成された前記配線回路と同一の高さ、あるいは配線回路よりも低い高さに配置するステップとを含むことを特徴とするチップオンボード基板の製造方法。
【請求項９】
前記金属部材を前記貫通孔に挿嵌すると共に、前記鏡面層を、前記ベース基板に形成された前記配線回路と同一の高さ、あるいは配線回路よりも低い高さに配置するステップにおいて、
前記鏡面層を、前記ベース基板に形成された配線回路よりも低い高さに配置し、前記鏡面層上にキャビティを形成するステップとを含むことを特徴とする請求項８に記載されたチップオンボード基板の製造方法。
【請求項１０】
更に、前記鏡面層上に発光素子を配置するステップと、
前記発光素子と前記配線回路とをボンディングワイヤにより電気的に接続するステップとを含むことを特徴とする請求項８または請求項９に記載されたチップオンボード基板の製造方法。
【請求項１１】
前記ベース基板と前記金属部材を形成する所定の金属材料は、アルミニウムであることを特徴とする請求項８乃至請求項１０のいずれかに記載されたチップオンボード基板の製造方法。
【請求項１２】
前記ベース基板は、純度９９．５％以下のアルミニウムにより形成され、前記金属部材は、純度９９．８５％以上のアルミニウムにより形成することを特徴とする請求項１１に記載されたチップオンボード基板の製造方法。
【請求項１３】
更に、前記ベース基板上に、絶縁材料により、前記金属部材の周りを囲むように所定の高さのダムパターンを形成するステップと、
前記ダムパターンの内側に前記金属部材を覆うように所定の蛍光体を含有する蛍光層を形成するステップとを含むことを特徴とする請求項８乃至請求項１２のいずれかに記載されたチップオンボード基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップオンボード基板及びその製造方法に関し、特に、ベース基板に、上面が鏡面加工された金属部材を実装したチップオンボード基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、図１０に示すように鏡面アルミ基板４０上にＬＥＤ素子４５を配置して高輝度発光を行う発光素子基板がある。この発光素子基板は、上面を鏡面層４１としたアルミ基板４０と、鏡面層４１上に接着層（図示せず）を介して形成された絶縁層４２と、絶縁層４２上に形成された銅箔回路４３とを有する。前記絶縁層４２の所定部位に貫通孔４２ａが形成されることによりキャビティ構造とされ、そこに鏡面層４１の上面が露出している。
【０００３】
また、前記露出した鏡面層４１上には、ＬＥＤ素子４５が配置され、このＬＥＤ素子４５はボンディングワイヤ４６により銅箔回路４３と電気的に接続されて電源供給されるようになっている。さらにＬＥＤ素子４５と銅箔回路４３とは蛍光体を含有するエポキシ樹脂４７により覆われている。
【０００４】
このように構成された発光素子基板によれば、高反射率を有する鏡面層４１によりＬＥＤ素子４５の発光が前方（図において上方）に反射されるため、基板前方方向（上方）に高輝度発光を行うことができる。
また、アルミ基板４０は熱伝導率に優れるため、ＬＥＤ素子４５の発光により生じた熱を効率的に放熱することができる。
【０００５】
ところで、前記アルミ基板４０の鏡面層４１には、光の高反射及び低拡散の目的で、一般に高純度（例えば９９．８５％以上）の比較的高価なアルミが使用される。
しかしながら、図１０に示す構成の発光素子基板にあっては、鏡面層４１を有するアルミ基板４０を用いるものの、実際に鏡面を利用するのはＬＥＤ素子４５を配置した貫通孔４２ａの形成位置のみであり、無駄なコストが生じるという課題があった。
【０００６】
前記課題を解決可能なものとして、特許文献１には、発光素子が搭載された金属チップを配線基板に設けられた貫通孔に嵌合させた発光素子基板が開示されている。
特許文献１に開示された発光素子基板は、図１１に示すように、貫通孔５０ａが設けられた配線板５０と、発光素子５１を搭載する金属製（例えばアルミニウムまたはアルミニウム合金）の支持体５２（金属チップ）とを備える。
【０００７】
前記支持体５２は、前記配線板５０の貫通孔５０ａに対し、かしめ加工により嵌合しており、支持体５２の上面側及び下面側には、貫通孔の孔径よりも径方向全体に膨出した鍔５３、５４がそれぞれ形成されている。上部の鍔５３は、支持体５２を貫通孔５０ａにかしめる際のプレス加工により形成されたものである。また、支持体５２の上面側はフラットな鏡面に加工され、発光素子５１の反射面とされている。また、支持体５２上の発光素子５１と配線板５０とはボンディングワイヤ５５により接続されている。
【０００８】
このように構成された発光素子基板によれば、発光素子５１を搭載する支持体５２の上面のみが鏡面加工されるため、そこに高純度のアルミニウムなどを用いても比較的コストを低減することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特許第４８３５９１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、図１１に示す発光素子基板にあっては、支持体５２の上端側が発光素子５１の反射面となるため、支持体５２を貫通孔５０ａに対しかしめる際、支持体５２の上端部をプレス加工してフラット面を形成している。しかしながら、前記フラット面は、プレス加工によって形成されたものであるから、反射率が低いという課題を有している。そのため特許文献１にあっては、前記課題を解決するために、前記フラット面に対し高純度のアルミニウムを蒸着するなどして鏡面処理を施している。
しかしながら、そのように支持体５２の上端部をプレス加工によりかしめてフラット面を形成し、その後、蒸着処理などにより鏡面処理を施す工程を行う場合、個々の製造に多大な時間を要し、生産効率が著しく低下するという課題があった。
また、特許文献１に記載の発光素子基板にあっては、図１１に示すように発光素子５１を搭載する支持体５２の上端部が配線板５０よりも高い位置にあるため、発光素子５１と配線板５０とを接続するボンディングワイヤ５５の長さが長くなるという課題もあった。
【００１１】
本発明は、上記技術的課題を解決するためになされたものであり、ベース基板に、上面が鏡面加工された金属部材を実装したチップオンボード基板において、光反射性及び熱伝導性に優れ、且つ生産効率のよいチップオンボード基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記技術的課題を解決するためになされた本発明にかかるチップオンボード基板は、所定の金属材料により形成されると共に、上面側に絶縁層を介して配線回路が形成され、かつ上下面を貫通する貫通孔が形成されたベース基板と、所定の金属材料により形成されると共に、上面側に鏡面層が形成され、前記ベース基板の貫通孔に固定される柱体の金属部材と、を備えていることに特徴を有する。
【００１３】
このように構成することにより、発光素子が配置される金属部材のみに例えば高純度のアルミニウムを用いて鏡面層を形成することにより、高い光反射性を確保しつつ、コスト増加を抑制することができる。
また、例えば、予め鏡面加工された基板を型抜きして金属部材を形成し、それをベース基板の貫通孔に挿嵌、固定することができるため、効率的に製造することができ、生産性を向上することができる。
更には、金属部材だけでなく、ベース基板も金属材料（アルミニウムが好ましい）により形成することによって、基板全体として高い熱伝導性を得ることができ、発光素子の発熱を効果的に放熱することができる。
【００１４】
ここで、前記金属部材の鏡面層が、前記ベース基板に形成された前記配線回路よりも低い高さに配置され、前記鏡面層上にキャビティが形成されていることが望ましい。
また、前記鏡面層上には発光素子が配置され、前記発光素子は、前記配線回路とボンディングワイヤにより電気的に接続されていることが望ましい。
このように、前記鏡面層がベース基板上の銅箔回路よりも低い位置に配置され、それにより形成されたキャビティに発光素子を配置することができるため、発光素子と配線回路との高低差を小さくすることができ、ボンディングワイヤの長さを短くすることができる。
【００１５】
また、前記ベース基板と前記金属部材を形成する所定の金属材料は、アルミニウムであることが望ましく、前記ベース部材は、純度９９．５％以下のアルミニウムにより形成され、前記金属部材は、純度９９．８５％以上のアルミニウムにより形成されていることが望ましい。
このように、発光素子が配置される金属部材に、比較的高価な純度９９．８５％以上のアルミニウムを用いて鏡面層を形成し、一方、ベース部材に、比較的安価な純度９９．５％以下のアルミニウムを用いることにより、高い光反射性を確保しつつ、コスト増加を抑制することができる。
【００１６】
また、少なくとも前記貫通孔の内壁と前記金属部材の外壁のいずれかは、前記金属部材の前記貫通孔に対する挿入方向に対し、テーパ状に形成されていることが望ましい。
このように構成することにより、金属部材を貫通孔に対して挿入する際、前記金属部材或いは（及び）ベース基板が変形するため、互いに固く嵌合させることができる。
【００１７】
また、前記ベース基板上には、絶縁材料により所定の高さに形成され、前記金属部材の周りを囲むダムパターンが設けられ、前記ダムパターンの内側には前記金属部材を覆うように所定の蛍光体を含有する蛍光層が形成されていることが望ましい。
このようにダムパターンを設けて、その内側に蛍光層を形成することにより、その上面を平坦にすることができ、蛍光層の高さも低くすることができる。
【００１８】
また、上記技術的課題を解決するためになされた本発明にかかるチップオンボード基板の製造方法は、一面に鏡面層が形成された所定の金属材料からなる基板から、前記鏡面層が上面側に形成された柱体の金属部材を打ち抜きして形成するステップと、所定の金属材料により形成されるベース基板に対し、その上面側に絶縁層を介して配線回路を形成すると共に、上下面を貫通する貫通孔を形成するステップと、前記金属部材の鏡面層が前記配線回路側に配置されるように、前記金属部材を前記貫通孔に挿嵌すると共に、前記鏡面層を、前記ベース基板に形成された前記配線回路と同一の高さ、あるいは配線回路よりも低い高さに配置するステップとを含むことに特徴を有する。
【００１９】
このようなステップを含む方法によれば、発光素子が配置される金属部材のみに例えば高純度のアルミニウムを用いて鏡面層を形成することができるため、高い光反射性を確保しつつ、コスト増加を抑制することができる。
また、予め鏡面加工された基板を型抜きして金属部材を形成し、それをベース基板の貫通孔に挿嵌すればよいため、効率的に製造することができ、生産性を向上させることができる。
【００２０】
ここで、前記金属部材を前記貫通孔に挿嵌すると共に、前記鏡面層を、前記ベース基板に形成された前記配線回路と同一の高さ、あるいは配線回路よりも低い高さに配置するステップにおいて、前記鏡面層を、前記ベース基板に形成された配線回路よりも低い高さに配置し、前記鏡面層上にキャビティを形成するステップとを含むことが望ましい。
また前記鏡面層上に発光素子を配置するステップと、前記発光素子と前記配線回路とをボンディングワイヤにより電気的に接続するステップとを含むことが望ましい。
このように、前記鏡面層は、ベース基板上の銅箔回路よりも低い位置に配置され、それにより形成されたキャビティに発光素子が配置される場合には、発光素子と配線回路との高低差を小さくすることができ、ボンディングワイヤの長さを短くすることができる。
【００２１】
前記ベース基板と前記金属部材を形成する所定の金属材料は、アルミニウムであることが望ましく、また前記ベース部材は、純度９９．５％以下のアルミニウムにより形成され、前記金属部材は、純度９９．８５％以上のアルミニウムにより形成することが望ましい。
このように、金属部材だけでなく、ベース基板も金属材料（アルミニウムが好ましい）により形成することによって、基板全体として高い熱伝導性を得ることができ、発光素子の発熱を効果的に放熱することができる。
また、発光素子が配置される金属部材に、比較的高価な純度９９．８５％以上のアルミニウムを用いて鏡面層を形成し、一方、ベース部材に、比較的安価な純度９９．５％以下のアルミニウムを用いることにより、高い光反射性を確保しつつ、コスト増加を抑制することができる。
【００２２】
更には、前記ベース基板上に、絶縁材料により、前記金属部材の周りを囲むように所定の高さのダムパターンを形成するステップと、前記ダムパターンの内側に前記金属部材を覆うように所定の蛍光体を含有する蛍光層を形成するステップとを含むことが望ましい。
このようにダムパターンを設けて、その内側に蛍光層を形成することにより、その上面を平坦にすることができ、蛍光層の高さも低くすることができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、ベース基板に、上面が鏡面加工された金属部材を実装したチップオンボード基板において、光反射性及び熱伝導性に優れ、且つ生産効率のよいチップオンボード基板及びその製造方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１は、本発明にかかるチップオンボード基板の概略構成を示す断面図である。
【図２】図２は、図１のチップオンボード基板の平面図である。
【図３】図３は、図１のチップオンボード基板に複数の発光素子を搭載した状態を示す平面図である。
【図４】図４は、図３の発光素子を蛍光層により覆った状態のチップオンボード基板の平面図である。
【図５】図５は、図１乃至図４に示すチップオンボード基板の製造方法の流れを示すフローである。
【図６】図６は、図５のフローに対応するチップオンボード基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図７】図６は、図５のフローに対応するチップオンボード基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図８】図８は、図１のチップオンボード基板の製造方法を説明するための変形例を示す断面図である。
【図９】図９は、図１のチップオンボード基板の製造方法を説明するための変形例を示す断面図である。
【図１０】図１０は、従来の発光素子基板の概略構成を示す断面図である。
【図１１】図１１は、他の従来の発光素子基板の概略構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明にかかるチップオンボード基板及びその製造方法について、図面に基づいて説明する。尚、図１は、本発明にかかるチップオンボード基板の概略構成を示す断面図、図２は、図１のチップオンボード基板の平面図である。また、図３は、図１のチップオンボード基板に複数の発光素子を搭載した状態を示す平面図であり、図４は、図３の発光素子等を蛍光層により覆った状態のチップオンボード基板の平面図である。
【００２６】
図１、図２に示すように、チップオンボード基板１は、金属材料としてアルミニウムを主成分とするベース基板２と、このベース基板２に設けられた貫通孔２ａに挿嵌された柱体のアルミ個片３（金属部材）とを備える。尚、ベース基板２は、例えば純度９９．５％のアルミニウムにより形成され、アルミ個片３は、例えば純度９９．８５％以上の高純度のアルミニウムにより形成されている。
また、ベース基板２上には絶縁層４を介して銅箔回路５（配線回路）が形成され、アルミ個片３の上面には鏡面加工により鏡面層３ａが形成されている。尚、この鏡面層３ａは、例えば純度９９．８５％以上のアルミニウムにより形成されている。
【００２７】
前記アルミ個片３の上面の鏡面層３ａは前記ベース基板２上の銅箔回路５と同一の高さ、あるいは図１に示すように、前記ベース基板２上の銅箔回路５よりも低い高さに配置される。
前記アルミ個片３の上面の鏡面層３ａがベース基板２上の銅箔回路５よりも低い高さに配置される場合には、鏡面層３ａ上にキャビティが形成される。このようにキャビティ構造となされることにより、鏡面層３ａ上に配置する素子（図３のＬＥＤ素子６など）と銅箔回路５との高低差が小さくなり、接続線の長さを短くすることができる。
【００２８】
また、前記アルミ個片３の鏡面層３ａには、発光素子として図３に示すように複数（図では９個）のＬＥＤ素子６が配置され、各ＬＥＤ素子６は、ベース基板２上の銅箔回路５との間でボンディングワイヤ７により電気的に接続されている。
【００２９】
また、好ましくは、図４に示すようにベース基板２上には、絶縁材料からなる所定高さのダムパターン８（図では平面視で円形状）が、前記アルミ個片３の周りを囲むように形成され、その内側の領域に蛍光層９が充填されている。これにより、アルミ個片３上の複数のＬＥＤ素子６は蛍光層９により覆われ、ＬＥＤ素子６の発光は蛍光層９を介して前方に照射されるように構成されている。
【００３０】
尚、蛍光層９は、例えば蛍光体を含有したエポキシ樹脂等がダムパターン８の内側に充填され、これが加熱処理されて硬化されることにより得られる。
また、例えばＬＥＤ素子６を青色ＬＥＤ素子とし、蛍光層９の蛍光体を黄色蛍光体とすることにより、白色の光源を形成することができる。
また、前記のようにダムパターン８を設けて、その内側に蛍光層９を形成することにより、その上面を平坦にすることができ、蛍光層９の高さも低くすることができる。
【００３１】
このように構成されたチップオンボード基板１によれば、アルミ個片３の上面が鏡面層３ａであるため、複数のＬＥＤ素子６の発光を上方（前方）に反射して高輝度発光し、さらに蛍光層９を介して所定色の発光を形成することができる。
また、アルミ個片３のみを高純度のアルミニウムにより形成すればよいため、無駄なコスト発生を抑制することができる。
【００３２】
続いて、このチップオンボード基板１の製造方法について図５乃至図７を用いて説明する。尚、図５は、チップオンボード基板１の製造方法の一連の流れを示すフローであり、図６，図７は図５のフローに対応する断面図である。
【００３３】
先ず、図６（ａ）に示すように、例えばアルミニウムからなるベース基板２を用意する。このベース基板２には放熱機能が求められるが、高純度のアルミニウム（例えば９９．８５％以上）で形成される必要はなく、例えば純度９９．５％のアルミニウムにより形成されたものでよい。
また、前記ベース基板２の上面に絶縁層４を形成し、更にその上に銅箔膜１０を形成する。
そして、図６（ｂ）に示すように前記銅箔膜１０に対しエッチングにより所定の配線パターンからなる銅箔回路５（配線回路）を形成する（図５のステップＳ１）。
【００３４】
次に、図６（ｃ）に示すように、必要に応じて銅箔回路５上の一部に絶縁保護膜１１を形成し、図６（ｄ）に示すように絶縁保護膜１１上にシルク文字１２を印刷形成する（図５のステップＳ２）。
また、図６（ｅ）に示すように、その他の露出した銅箔回路５上に金めっき膜１３を形成し、銅箔回路５を被覆する（図５のステップＳ３）。
次いで、図６（ｆ）に示すように、ベース基板２の所定位置に基板の上下面を貫通する所定径の貫通孔２ａを型抜き、或いはドリル等を用いて形成する（図５のステップＳ４）。尚、この貫通孔２ａは、例えば基板面に対して直交する方向に所定径を維持するように形成されている。
【００３５】
一方、図７（ａ）に示すように上面に予め鏡面加工（鏡面層１５ａ）が施された鏡面アルミ基板１５を用意する。この鏡面アルミ基板１５は、光の高反射及び低拡散の目的から、高純度（例えば９９．８５％以上）のアルミニウムにより形成されていることが望ましい。また、鏡面アルミ基板１５の厚さ寸法は、少なくともベース基板２の厚さよりも薄く形成されていることが望ましい。
【００３６】
次に、図７（ｂ）に示すように、ベース基板２に対し、型抜き或いはマシニング加工を行い、柱体のアルミ個片３を必要個数形成する（図５のステップＳ５）。尚、アルミ個片３は、例えば、その上下面に直交する方向に所定径を維持するように形成されるが、その径は、ベース基板２に形成した貫通孔２ａの直径に略等しく形成されている。
【００３７】
次いで、図７（ｃ）に示すように、アルミ個片３をベース基板２の貫通孔２ａに圧入（挿入）し、図７（ｄ）に示すように嵌合して固定する（図５のステップＳ６）。
ここで、アルミ個片３の鏡面層３ａの高さ位置は、ベース基板２上の銅箔回路５の形成位置よりも低い位置に配置される。
このようにすることでアルミ個片３の鏡面層３ａ上にキャビティが形成され、鏡面層３ａ上に配置される素子（ＬＥＤ素子６）と、ベース基板２上の銅箔回路５との高低差を小さくすることができ、それらの接続線（ボンディングワイヤ７）の長さを短くすることができる。
尚、前記アルミ個片３の上面の鏡面層３ａを前記ベース基板２上の銅箔回路５と同一の高さになるように配置しても良い。
【００３８】
また、アルミ個片３の鏡面層３ａには、図７（ｅ）に示すように複数のＬＥＤ素子６が所定のダイボンディング方法により配置され、ベース基板２上の銅箔回路５（金めっき層１３）との間でボンディングワイヤ７により接続される（図５のステップＳ７）。
更に、ベース基板２上の銅箔回路５の周縁に、アルミ個片３を囲むように所定の高さを有する絶縁性のダムパターン８が形成され、その内側の領域に蛍光体を含有したエポキシ樹脂が充填される。これによりアルミ個片３上のＬＥＤ素子６は全て前記蛍光体を含有するエポキシ樹脂により覆われる。そして、所定の温度で加熱処理が施され、前記蛍光体を含有するエポキシ樹脂が硬化して蛍光層９が形成される（図５のステップＳ８）。
【００３９】
以上のように本発明に係るチップオンボード基板によれば、ベース基板２に形成された貫通孔２ａに対し、上面に鏡面層３ａを有するアルミ個片３が挿嵌され、前記鏡面層３ａには発光素子としてのＬＥＤ素子６が配置される。
即ち、ＬＥＤ素子６が配置されたアルミ個片３のみに高純度のアルミニウムを用いた鏡面層３ａが形成されるため、高い光反射性を確保しつつ余分なコスト増加を抑制することができる。
また、前記鏡面層３ａがベース基板２上の銅箔回路５よりも低い位置に配置されている場合には、それにより形成されたキャビティにＬＥＤ素子６が配置されるため、ＬＥＤ素子６と銅箔回路５との高低差を小さくすることができ、接続線（ボンディングワイヤ７）の長さを短くすることができる。
また、予め鏡面加工されたアルミ基板１５を型抜きしてアルミ個片３を形成し、それをベース基板２ａの貫通孔２ａに圧入して嵌合すればよいため、効率的に製造することができ、生産性を向上することができる。
更には、アルミ個片３だけでなく、ベース基板２もアルミニウムにより形成されるため、基板全体として高い熱伝導性を得ることができ、ＬＥＤ素子６の発熱を効果的に放熱することができる。
【００４０】
尚、前記実施の形態においては、ベース基板２の貫通孔２ａが基板面に対して直交する方向に所定径を維持するように形成されたものとし、アルミ個片３がその上下面に対し直交する方向に所定径を維持するように形成されたものとして説明した。
しかしながら、本発明に係るチップオンボード基板にあっては、それに限定されるものではなく、貫通孔２ａの内壁とアルミ個片３の外壁のいずれかが、前記アルミ個片３の貫通孔２ａに対する挿入方向に対し、テーパ状に形成されていてもよい。
【００４１】
例えば、図８（ａ），図８（ｂ）に示すようにアルミ個片３が上面（鏡面層３ａ）側に向けて縮径するように、その外壁３ｂをテーパ状に形成し、図示するようにその上面側を貫通孔２ａの下側から圧入（挿入）するようにしてもよい。
この場合、図８（ａ）に示すように、ベース基板２の貫通孔２ａを、基板面に対して直交方向に所定径を維持するように内壁２ｃを形成してもよく、或いは、図８（ｂ）に示すように貫通孔２ａの内壁２ｃを銅箔回路５側に拡径するように形成してもよい（即ち、アルミ個片３の外壁３ｂとは逆テーパ状）。但し、いずれの場合もアルミ個片３における最小径（鏡面層３ａの径）は、貫通孔２ａの最大径よりも大きく形成されていることが望ましい。
このように構成することにより、アルミ個片３を貫通孔２ａに対して挿入する際、前記アルミ個片３或いは（及び）ベース基板２が変形するため、互いに固く嵌合させることができる。
【００４２】
また、図９に示すようにアルミ個片３の外壁３ｂとベース基板２の貫通孔２ａの内壁２ｃとを同方向に傾斜したテーパ状に形成してもよく、その場合には特にベース基板２の下側からの応力に対しアルミ個片３の固定力を高いものとすることができる。
尚、更に図示するようにベース基板２の下面側に押さえ板１６を接着剤により接着して設けてもよく、或いは、押さえ板１６を螺子等により固定して設けてもよい。それにより、下方への応力に対しても高い固定力を得ることができる。
【００４３】
また、前記したいずれの実施の形態においても、ベース基板２の貫通孔２ａの内壁に螺子山（図示せず）を形成し、アルミ個片３を回しながらねじ込んで嵌合する、或いは前記螺子山を潰しながらアルミ個片３を圧入してもよい。
或いは、アルミ個片３の外壁やベース基板２の貫通孔２ａの内壁に凹凸を形成し、互いの嵌合力を向上するようにしてもよい。
【００４４】
また、前記実施の形態において、ベース基板２とアルミ個片３とはアルミニウムにより形成されるものとしたが、本発明に係るチップオンボード基板にあっては、それに限定されることなく、放熱性に優れる他の金属材料を用いることができる。例えば、ベース基板２に銅材を用い、アルミ個片３にアルミニウムを用いる等、異なる部材を組み合わせて用いてもよい。
【００４５】
また、前記実施の形態においては、形成されたキャビティの鏡面層３ａ上に発光素子（ＬＥＤ素子６）を配置するものとしたが、本発明に係るチップオンボード基板にあっては、それに限定されるものではなく、鏡面の効果を利用可能な如何なる素子も配置することができる。
また、前記実施の形態においては、ベース基板２の貫通孔２ａに対し、アルミ個片３を嵌合し固定するものとしたが、それに限らず、前記貫通孔２ａにアルミ個片３を挿入し、アルミ個片３の側面と貫通孔２ａの内壁とを接着剤などにより接着して固定するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００４６】
１      チップオンボード基板
２      ベース基板
２ａ    貫通孔
３      アルミ個片（金属部材）
３ａ    鏡面層
４      絶縁層
５      銅箔回路
６      ＬＥＤ素子（発光素子）
７      ボンディングワイヤ
８      ダムパターン
９      蛍光層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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