(57)【要約】【課題】低い圧力で圧粉体にしたときに高い導電性を示す表面改質したＩＴＯ粉末を提供する。【解決手段】本発明の表面改質したＩＴＯ粉末は、このＩＴＯ粉末からなる圧粉体に０．９８ＭＰａの圧力を加えたときの前記圧粉体の抵抗率が０．５０Ωｃｍ以下であり、前記圧粉体に０．１９６〜２９．４２ＭＰａの圧力を加えたときの前記圧粉体の体積抵抗率をＹとし前記圧力をＸとする場合、前記圧力と前記体積抵抗率の関係が、Ｙ＝ａＸｎで近似され、ａが５．００以下であり、かつｎが−０．５００以下である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面改質したＩＴＯ粉末であって、前記ＩＴＯ粉末からなる圧粉体に０．９８ＭＰａの圧力を加えたときの前記圧粉体の体積抵抗率が０．５０Ωｃｍ以下であり、前記圧粉体に０．１９６〜２９．４２ＭＰａの圧力を加えたときの前記圧粉体の体積抵抗率をＹとし前記圧力をＸとする場合、前記圧力と前記体積抵抗率の関係が下記の式（１）で近似され、この式（１）においてａが５．００以下であり、かつｎが−０．５００以下であることを特徴とするＩＴＯ粉末。
Ｙ＝ａＸｎ                              （１）
【請求項２】
３価インジウム化合物と２価錫化合物の混合水溶液にアルカリ水溶液を混合して、インジウムと錫の共沈水酸化物を生成する工程と、前記沈殿物を純水又はイオン交換水で洗浄する工程と、前記沈殿物の上澄み液を捨ててインジウム錫水酸化物粒子が分散したスラリーを調製する工程と、前記スラリーを乾燥する工程と、前記乾燥したインジウム水錫酸化物を焼成してインジウム錫酸化物を得る工程とを含むＩＴＯ粉末を製造する方法において、
前記洗浄工程で、前記上澄み液の抵抗率が少なくとも５０００Ω・ｃｍになるまで洗浄し、
前記スラリーの調製工程で、前記水酸化物粒子の濃度が１０〜３０質量％の範囲になるように前記上澄み液を捨てたスラリーを水で希釈した後、有機保護剤を前記スラリーに前記水酸化物粒子１００質量％に対して０．１〜５質量％の範囲で撹拌しながら添加し、  前記焼成工程の後で、焼成したＩＴＯ粉末の凝集体を粉砕し、この粉砕されたＩＴＯ粉末を表面処理液に含浸した後、窒素ガス雰囲気下、２００〜４００℃の範囲で０．５〜５時間加熱する
ことを特徴とする請求項１記載のＩＴＯ粉末の製造方法。
【請求項３】
前記有機保護剤がパルミチルジメチルエチルアンモニウムエチルサルフェート、ポリビニルアルコール又はオクチルジメチルエチルアンモニウムエチルサルフェートである請求項２記載の製造方法。
【請求項４】
３価インジウム化合物と２価錫化合物の混合水溶液にアルカリ水溶液を混合して、インジウムと錫の共沈水酸化物を生成する工程と、前記沈殿物を純水又はイオン交換水で洗浄する工程と、前記沈殿物の上澄み液を捨ててインジウム錫水酸化物粒子が分散したスラリーを調製する工程と、前記スラリーを乾燥する工程と、前記乾燥したインジウム水錫酸化物を焼成してインジウム錫酸化物を得る工程とを含むＩＴＯ粉末を製造する方法において、
前記洗浄工程で、前記上澄み液の抵抗率が少なくとも５０００Ω・ｃｍになるまで洗浄し、
前記スラリーの調製工程で、前記水酸化物粒子の濃度が１０〜３０質量％の範囲になるように前記上澄み液を捨てたスラリーを水で希釈した後、有機保護剤を前記スラリーに前記水酸化物粒子１００質量％に対して０．１〜５質量％の範囲で撹拌しながら添加し、
前記乾燥工程で、前記有機保護剤を添加したインジウム錫水酸化物が分散したスラリーを乾燥し、
前記焼成工程で、大気中で２．４５ＧＨｚ〜２８ＧＨｚのマイクロ波で加熱焼成し、    前記焼成工程の後で、焼成したＩＴＯ粉末の凝集体を粉砕し、この粉砕されたＩＴＯ粉末を表面処理液に含浸した後、窒素ガス雰囲気下、２００〜４００℃の範囲で０．５〜５時間加熱する
ことを特徴とする請求項１記載のＩＴＯ粉末の製造方法。
【請求項５】
前記有機保護剤がパルミチルジメチルエチルアンモニウムエチルサルフェート、ポリビニルアルコール又はオクチルジメチルエチルアンモニウムエチルサルフェートである請求項４記載の製造方法。
【請求項６】
３価インジウム化合物と２価錫化合物の混合水溶液にアルカリ水溶液を混合して、インジウムと錫の共沈水酸化物を生成する工程と、前記沈殿物を純水又はイオン交換水で洗浄する工程と、前記沈殿物の上澄み液を捨ててインジウム錫水酸化物粒子が分散したスラリーを調製する工程と、前記スラリーを乾燥する工程と、前記乾燥したインジウム水錫酸化物を焼成してインジウム錫酸化物を得る工程とを含むＩＴＯ粉末を製造する方法において、
前記洗浄工程で、前記上澄み液の抵抗率が少なくとも５０００Ω・ｃｍになるまで洗浄し、
前記スラリーの調製工程で、前記水酸化物粒子の濃度が１〜５質量％の範囲になるように前記上澄み液を捨てたスラリーをアルコールで希釈した後、有機保護剤を前記スラリーに前記水酸化物粒子１００質量％に対して０．１〜５質量％の範囲で撹拌しながら添加し、
前記前記焼成工程で、前記アルコールで希釈され前記有機保護剤を添加したインジウム錫水酸化物粒子が分散したスラリーを２５０〜８００℃の範囲に加熱した管状炉の内部に、窒素ガスを線速度０．５〜５ｍ／ｓの範囲で流通させている状態で、噴霧することによりインジウム錫水酸化物粒子を前記管状炉内で熱分解して焼成しインジウム錫酸化物粒子を得る
ことを特徴とする請求項１記載のＩＴＯ粉末の製造方法。
【請求項７】
前記アルコールがエタノール、メタノール又はプロパノールであり、前記有機保護剤がパルミチルジメチルエチルアンモニウムエチルサルフェート、ポリビニルアルコール又はオクチルジメチルエチルアンモニウムエチルサルフェートである請求項６記載の製造方法。
【請求項８】
請求項１記載のＩＴＯ粉末又は請求項２ないし７いずれか１項に記載の方法により製造されたＩＴＯ粉末を溶媒に分散させて分散液を製造する方法。
【請求項９】
請求項８記載の分散液からＩＴＯ膜を製造する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、低い圧力で圧粉体にしたときに高い導電性を示す表面改質したＩＴＯ粉末及びその製造方法に関するものである。本明細書において、ＩＴＯとはインジウム錫酸化物(Indium Tin Oxide)をいう。
【背景技術】
【０００２】
ＩＴＯは、Ｉｎ２Ｏ３に錫(Ｓｎ)をドープした化合物であり、１０２０〜１０２１ｃｍ−３の高いキャリア濃度を有し、スパッタリング法等の気相法で成膜したＩＴＯ膜では、１×１０−４Ωｃｍ程度の低い抵抗率が得られる。このＩＴＯから作られたＩＴＯ膜は、可視光領域で高い透明性を有している（例えば、特許文献１参照。）。このためＩＴＯ膜は、液晶ディスプレーの透明電極（例えば、特許文献２参照。）や、熱線遮断効果の高い熱線遮蔽材料（例えば、特許文献３参照。）などの優れた光学特性を求められる分野に多く用いられている。このＩＴＯ膜の成膜方法として、コストが高い真空蒸着法やスパッタリング法などの物理的成膜法に代わって、簡便な塗布による成膜法が検討されている（例えば、特許文献４参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−０３２６９９号公報（段落［０００９］）
【特許文献２】特開２００５−０５４２７３号公報（段落［０００６］）
【特許文献３】特開２０１１−１１６６２３号公報（段落［０００２］）
【特許文献４】特開２０１１−０３４７０８号公報（段落［０００２］）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＩＴＯ膜を成膜する方法として塗布型の成膜方法は、材料の利用効率及び生産性が高く、屈曲性に優れ、塗布する基板に制限が少ない利点を有する。しかしその反面、物理型成膜方法に比べて、粒子自体の導電性が低く、粒子同士の接触抵抗が高いために、導電性が低い欠点があった。
【０００５】
本発明の目的は、塗布型でＩＴＯ膜を成膜したときの抵抗率を低くして高い導電性を得ることができるＩＴＯ粉末及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の観点は、表面改質したＩＴＯ粉末であって、前記ＩＴＯ粉末からなる圧粉体に０．９８ＭＰａ（１０ｋｇｆ／ｃｍ２）の圧力を加えたときの前記圧粉体の体積抵抗率が０．５０Ωｃｍ以下であり、前記圧粉体に０．１９６〜２９．４２ＭＰａ（２〜３００ｋｇｆ／ｃｍ２）の圧力を加えたときの前記圧粉体の体積抵抗率をＹとし前記圧力をＸとする場合、前記圧力と前記体積抵抗率の関係が下記の式（１）で近似され、この式（１）においてａが５．００以下であり、かつｎが−０．５００以下であることを特徴とするＩＴＯ粉末である。
Ｙ＝ａＸｎ                              （１）
【０００７】
また本発明の第２の観点は、第１の観点に基づく発明であって、３価インジウム化合物と２価錫化合物の混合水溶液にアルカリ水溶液を混合して、インジウムと錫の共沈水酸化物を生成する工程と、前記沈殿物を純水又はイオン交換水で洗浄する工程と、前記沈殿物の上澄み液を捨ててインジウム錫水酸化物粒子が分散したスラリーを調製する工程と、前記スラリーを乾燥する工程と、前記乾燥したインジウム水錫酸化物を焼成してインジウム錫酸化物を得る工程とを含むＩＴＯ粉末を製造する方法の改良である。その特徴ある点は、前記洗浄工程で、前記上澄み液の抵抗率が少なくとも５０００Ω・ｃｍになるまで洗浄し、前記スラリーの調製工程で、前記水酸化物粒子の濃度が１０〜３０質量％の範囲になるように前記上澄み液を捨てたスラリーを水で希釈した後、有機保護剤を前記スラリーに前記水酸化物粒子１００質量％に対して０．１〜５質量％の範囲で撹拌しながら添加し、前記焼成工程の後で、焼成したＩＴＯ粉末の凝集体を粉砕し、この粉砕されたＩＴＯ粉末を表面処理液に含浸した後、窒素ガス雰囲気下、２００〜４００℃の範囲で０．５〜５時間加熱することにある。
本発明の第３の観点は、第２の観点に基づく発明であって、前記有機保護剤がパルミチルジメチルエチルアンモニウムエチルサルフェート、ポリビニルアルコール又はオクチルジメチルエチルアンモニウムエチルサルフェートであるＩＴＯ粉末の製造方法である。
【０００８】
また本発明の第４の観点は、第１の観点に基づく発明であって、３価インジウム化合物と２価錫化合物の混合水溶液にアルカリ水溶液を混合して、インジウムと錫の共沈水酸化物を生成する工程と、前記沈殿物を純水又はイオン交換水で洗浄する工程と、前記沈殿物の上澄み液を捨ててインジウム錫水酸化物粒子が分散したスラリーを調製する工程と、前記スラリーを乾燥する工程と、前記乾燥したインジウム水錫酸化物を焼成してインジウム錫酸化物を得る工程とを含むＩＴＯ粉末を製造する方法の改良である。その特徴ある点は、前記洗浄工程で、前記上澄み液の抵抗率が少なくとも５０００Ω・ｃｍになるまで洗浄し、前記スラリーの調製工程で、前記水酸化物粒子の濃度が１０〜３０質量％の範囲になるように前記上澄み液を捨てたスラリーを水で希釈した後、有機保護剤を前記スラリーに前記水酸化物粒子１００質量％に対して０．１〜５質量％の範囲で撹拌しながら添加し、前記乾燥工程で、前記有機保護剤を添加したインジウム錫水酸化物が分散したスラリーを乾燥し、前記焼成工程で、大気中で２．４５ＧＨｚ〜２８ＧＨｚのマイクロ波で加熱焼成し、前記焼成工程の後で、焼成したＩＴＯ粉末の凝集体を粉砕し、この粉砕されたＩＴＯ粉末を表面処理液に含浸した後、窒素ガス雰囲気下、２００〜４００℃の範囲で０．５〜５時間加熱することにある。
本発明の第５の観点は、第４の観点に基づく発明であって、前記有機保護剤がパルミチルジメチルエチルアンモニウムエチルサルフェート、ポリビニルアルコール又はオクチルジメチルエチルアンモニウムエチルサルフェートであるＩＴＯ粉末の製造方法である。
【０００９】
また本発明の第６の観点は、第１の観点に基づく発明であって、３価インジウム化合物と２価錫化合物の混合水溶液にアルカリ水溶液を混合して、インジウムと錫の共沈水酸化物を生成する工程と、前記沈殿物を純水又はイオン交換水で洗浄する工程と、前記沈殿物の上澄み液を捨ててインジウム錫水酸化物粒子が分散したスラリーを調製する工程と、前記スラリーを乾燥する工程と、前記乾燥したインジウム水錫酸化物を焼成してインジウム錫酸化物を得る工程とを含むＩＴＯ粉末を製造する方法の改良である。その特徴ある点は、前記洗浄工程で、前記上澄み液の抵抗率が少なくとも５０００Ω・ｃｍになるまで洗浄し、前記スラリーの調製工程で、前記水酸化物粒子の濃度が１〜５質量％の範囲になるように前記上澄み液を捨てたスラリーをアルコールで希釈した後、有機保護剤を前記スラリーに前記水酸化物粒子１００質量％に対して０．１〜５質量％の範囲で撹拌しながら添加し、前記前記焼成工程で、前記アルコールで希釈され前記有機保護剤を添加したインジウム錫水酸化物粒子が分散したスラリーを２５０〜８００℃の範囲に加熱した管状炉の内部に、窒素ガスを線速度０．５〜５ｍ／ｓの範囲で流通させている状態で、噴霧することによりインジウム錫水酸化物粒子を前記管状炉内で熱分解して焼成しインジウム錫酸化物粒子を得ることにある。
本発明の第７の観点は、第６の観点に基づく発明であって、前記アルコールがエタノール、メタノール又はプロパノールであり、前記有機保護剤がパルミチルジメチルエチルアンモニウムエチルサルフェート、ポリビニルアルコール又はオクチルジメチルエチルアンモニウムエチルサルフェートであるＩＴＯ粉末の製造方法である。
また本発明の第８の観点は、第１の観点のＩＴＯ粉末又は第２ないし第７のいずれか１つの方法により製造されたＩＴＯ粉末を溶媒に分散させて分散液を製造する方法である。
更に本発明の第９の観点は、第８の観点の分散液からＩＴＯ膜を製造する方法である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の第１の観点のＩＴＯ粉末は、０．９８ＭＰａ（１０ｋｇｆ／ｃｍ２）の圧力を加えたときのＩＴＯ粉末の圧粉体の体積抵抗率が０．５０Ωｃｍ以下であり、圧粉体に０．１９６〜２９．４２ＭＰａ（２〜３００ｋｇｆ／ｃｍ２）の圧力を加えたときの前記圧粉体の体積抵抗率をＹとし前記圧力をＸとする場合に、上記式（１）に近似し、式（１）におけるａが５．００以下であってｎが−０．５００以下であるため、このＩＴＯ粉末を用いて塗布型でＩＴＯ膜を成膜したときの抵抗率を低くして高い導電性を得ることができる。
【００１１】
また本発明の第２の観点のＩＴＯ粉末の製造方法では、洗浄工程で、上澄み液の抵抗率が少なくとも５０００Ω・ｃｍになるまで洗浄し、スラリーの調製工程で、水酸化物粒子の濃度が１０〜３０質量％の範囲になるように上澄み液を捨てたスラリーを水で希釈した後、有機保護剤を前記スラリーに前記水酸化物粒子１００質量％に対して０．１〜５質量％の範囲で撹拌しながら添加し、焼成工程の後で、焼成したＩＴＯ粉末の凝集体を粉砕し、この粉砕されたＩＴＯ粉末を表面処理液に含浸した後、窒素ガス雰囲気下、２００〜４００℃の範囲で０．５〜５時間加熱する。水酸化物粒子が分解温度の比較的高い有機保護剤で被包されるため、焼成過程でＩＴＯ粒子同士の接触が阻止され粒成長しにくくなる。この有機保護剤は焼成により最終的に熱分解する。これによりＩＴＯ粉末の表面が改質され、このＩＴＯ粉末を用いて塗布型でＩＴＯ膜を成膜したときの抵抗率を低くして高い導電性を得ることができる。
【００１２】
また本発明の第４の観点のＩＴＯ粉末の製造方法では、洗浄工程で、上澄み液の抵抗率が少なくとも５０００Ω・ｃｍになるまで洗浄し、スラリーの調製工程で、水酸化物粒子の濃度が１０〜３０質量％の範囲になるように上澄み液を捨てたスラリーを水で希釈した後、有機保護剤を前記スラリーに前記水酸化物粒子１００質量％に対して０．１〜５質量％の範囲で撹拌しながら添加し、乾燥工程で、有機保護剤を添加したインジウム錫水酸化物が分散したスラリーを乾燥し、焼成工程で、大気中で２．４５ＧＨｚ〜２８ＧＨｚのマイクロ波で加熱焼成し、焼成工程の後で、焼成したＩＴＯ粉末の凝集体を粉砕し、この粉砕されたＩＴＯ粉末を表面処理液に含浸した後、窒素ガス雰囲気下、２００〜４００℃の範囲で０．５〜５時間加熱する。水酸化物粒子が分解温度の比較的高い有機保護剤で被包されるため、焼成過程でＩＴＯ粒子同士の接触が阻止され粒成長しにくくなる。この有機保護剤は焼成により最終的に熱分解する。これによりＩＴＯ粉末の表面が改質され、このＩＴＯ粉末を用いて塗布型でＩＴＯ膜を成膜したときの抵抗率を低くして高い導電性を得ることができる。
【００１３】
更に本発明の第６の観点のＩＴＯ粉末の製造方法では、洗浄工程で、上澄み液の抵抗率が少なくとも５０００Ω・ｃｍになるまで洗浄し、スラリーの調製工程で、水酸化物粒子の濃度が１〜５質量％の範囲になるように上澄み液を捨てたスラリーをアルコールで希釈した後、有機保護剤を前記スラリーに水酸化物粒子１００質量％に対して０．１〜５質量％の範囲で撹拌しながら添加し、前記焼成工程で、アルコールで希釈され有機保護剤を添加したインジウム錫水酸化物粒子が分散したスラリーを２５０〜８００℃の範囲に加熱した管状炉の内部に、窒素ガスを線速度０．５〜５ｍ／ｓの範囲で流通させている状態で、噴霧することによりインジウム錫水酸化物粒子を管状炉内で熱分解して焼成しインジウム錫酸化物粒子を得る。水酸化物粒子が分解温度の比較的高い有機保護剤で被包されるため、焼成過程でＩＴＯ粒子同士の接触が阻止され粒成長しにくくなる。この有機保護剤は焼成により最終的に熱分解する。これによりＩＴＯ粉末の表面が改質され、このＩＴＯ粉末を用いて塗布型でＩＴＯ膜を成膜したときの抵抗率を低くして高い導電性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】ＩＴＯ粉末の圧粉体の抵抗率を測定する装置の模式図である。
【図２】印加圧力とＩＴＯ粉末の圧粉体の抵抗率との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
次に本発明を実施するための形態を説明する。
ＩＴＯ粉末の抵抗率は、このＩＴＯ粉末から作られるＩＴＯ膜の特性を評価するうえで重要な指標である。特にＩＴＯ膜を導電性シートや電極として使用する場合には、高い導電性、即ち低い抵抗率が求められる。このＩＴＯ粉末の抵抗率は、ＩＴＯ粉末を圧粉体の形態にしたうえで、その体積抵抗率を測定することにより求められる。一方、圧粉体の体積抵抗率は印加する圧力によって変化する。従って、ある決められた圧力における圧粉体の体積抵抗率は一応の目安にはなるけれども、ＩＴＯ粉末の形状、比表面積によっては、低い圧力から高い圧力に変化させた状態で、体積抵抗率を求めて、それをＩＴＯ粉末の抵抗率とすれば、より精度良いＩＴＯ粉末の抵抗率が求められる。本発明はこうした知見に基づいてなされたものである。
【００１６】
本発明のＩＴＯ粉末は、表面改質したＩＴＯ粉末であって、このＩＴＯ粉末からなる圧粉体に０．９８ＭＰａ（１０ｋｇｆ／ｃｍ２）の圧力を加えたときの圧粉体の体積抵抗率が０．５０Ωｃｍ以下であり、圧粉体に０．１９６〜２９．４２ＭＰａ（２〜３００ｋｇｆ／ｃｍ２）の圧力を加えたときの圧粉体の体積抵抗率をＹとし圧力をＸとする場合、圧力と体積抵抗率の関係が下記の式（１）で近似される。ここで式（１）のａは５．００以下であり、かつｎは−０．５００以下である。
Ｙ＝ａＸｎ                              （１）
【００１７】
この式は、表面改質した体積抵抗率が低いＩＴＯ粉末を圧粉体の状態で測定した結果に基づいて、導き出したものである。上記ａが５．００が超えたり、ｎが−０．５００を超えたりすると、粉末への印加圧力を大きく、つまり、粒子同士の接触を強くしても、導電性が向上しにくい傾向があって不具合がある。
【００１８】
本発明のＩＴＯ膜の製造に用いられるＩＴＯ粉末は、以下の３つの方法で製造された表面改質処理したＩＴＯ粉末である。表面改質処理することによってこのＩＴＯ粉末を用いて製造されたＩＴＯ膜の導電性を上げることができる。
【００１９】
（１）第１の製造方法
ＩＴＯ粉末は、３価インジウム化合物と２価錫化合物の混合水溶液にアルカリ水溶液を混合して、インジウムと錫の共沈水酸化物を生成し、この沈澱を乾燥し、焼成した後、得られたインジウム錫酸化物を粉砕することにより得られる。３価インジウム化合物としては３塩化インジウム（ＩｎＣｌ３）、硝酸インジウム(Ｉｎ(ＮＯ３)３)、酢酸インジウム(Ｉｎ(ＣＨ３ＣＯＯ)３)などが挙げられ、２価錫化合物としては、２塩化錫（ＳｎＣｌ２・２Ｈ２Ｏ）、硫酸錫(ＳｎＳＯ4)、臭化スズ(ＳｎＢｒ２)などが挙げられる。アルカリ水溶液としてはアンモニア（ＮＨ３）水、炭酸水素アンモニウム（ＮＨ４ＨＣＯ３）水などが挙げられる。インジウムと錫の水酸化物を共沈させるときの反応液の最終ｐＨを３．５〜９．３、好ましくはｐＨ５．０〜８．０、液温を５℃以上、好ましくは液温１０℃〜８０℃に調整することによって、インジウム錫の共沈水酸化物を沈澱させることができる。アルカリ水溶液の混合は、上記混合水溶液にアルカリ水溶液を滴下し、上記ｐＨ範囲に調整しながら行われるか、或いは上記混合水溶液とアルカリ水溶液とを同時に水に滴下し、上記ｐＨ範囲に調整しながら行われる。
【００２０】
上記共沈インジウム錫水酸化物の生成後、この沈殿物を純水又はイオン交換水で洗浄し、上澄み液の抵抗率が少なくとも５０００Ω・ｃｍ、好ましくは少なくとも５００００Ω・ｃｍになるまで洗浄する。上澄み液の抵抗率が５０００Ω・ｃｍより低いと塩素等の不純物が十分に除去されておらず、高純度のインジウム錫酸化物粉末を得ることができない。抵抗率が５０００Ω・ｃｍ以上となった上記沈殿物の上澄み液を捨て、インジウム錫水酸化物粒子が分散した粘度の高いスラリーを得る。水酸化物粒子の濃度が１０〜３０質量％、好ましくは１５〜２５質量％の範囲になるようにこのスラリーを純水又はイオン交換水で希釈した後、水酸化物粒子表面に吸着してこの粒子の分散性を向上させるための有機保護剤をスラリーに撹拌しながら添加する。上記希釈範囲が下限値未満ではスラリーの乾燥に時間がかかる不具合があり、上限値を超えるとスラリーの粘度が高い状態で有機保護剤を混合することになり有機保護剤の混合が不十分になる不具合がある。この有機保護剤の添加量は、水酸化物粒子１００質量％に対して０．１〜５質量％の範囲である。この有機保護剤は、熱分解後のＩＴＯ粉末の焼結を抑制する観点から、有機保護剤の分解温度が２５０〜５００℃の範囲にあることが好ましい。この有機保護剤としては、パルミチルジメチルエチルアンモニウムエチルサルフェート、ポリビニルアルコール又はオクチルジメチルエチルアンモニウムエチルサルフェートなどが挙げられる。有機保護剤の添加量が上記範囲の下限値未満では水酸化物粒子表面の保護が十分に行われず、粒子の分散性に劣る。また上限値を超えると、有機物の一部や有機物由来の炭素分が残留する不具合を生じる。
【００２１】
有機保護剤が表面に吸着したインジウム錫水酸化物を、大気中、好ましくは窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気下、１００〜２００℃の範囲で２〜２４時間乾燥した後、大気中２５０〜８００℃の範囲で０．５〜６時間焼成炉にて焼成する。この焼成により形成された凝集体をハンマーミルやボールミルなどを用いて粉砕してほぐし、ＩＴＯ粉末を得る。このＩＴＯ粉末を５０〜９５質量％の無水エタノールと５〜５０質量％の蒸留水を混合した表面処理液に入れて含浸させた後、ガラスシャーレに入れて窒素ガス雰囲気下、２００〜４００℃の範囲で０．５〜５時間加熱すると、表面改質処理したＩＴＯ粉末が得られる。
【００２２】
（２）第２の製造方法
第１の製造方法とはスラリーの固液分離方法と加熱焼成方法が異なる。先ず、第１の製造方法で得られた有機保護剤を添加したインジウム錫水酸化物が分散したスラリーを乾燥する。この乾燥方法の一例として、スラリーを加圧ポンプでフィルタープレス内に圧入して水酸化物のスラッジケーキを得、このケーキを乾燥する。次いで乾燥物を、大気中で２．４５ＧＨｚ〜２８ＧＨｚのマイクロ波で加熱焼成する。このマイクロ波加熱処理は、例えば上記ケーキをシーエムシー技術開発株式会社製の電子レンジに充填し、四国計測工業製のμ−reactorの２．４５ＧＨｚのマイクロ波加熱処理を用いて行う。
【００２３】
マイクロ波加熱は２５０〜８００℃、好ましくは３５０〜６００℃の範囲で、１０分以内で目的温度に達する速度で昇温して行われ、焼成は目的温度で５〜１２０分、好ましくは１０〜６０分の範囲保持することにより行われる。加熱温度が下限値未満では水酸化物が酸化物に分解し切らない不具合があり、上限値を超えるとＩＴＯ粒子が粗大化する不具合がある。目的温度までの昇温時間が１０分を超えると急速昇温の効果が消える不具合がある。目的温度での保持時間が下限値未満では水酸化物が酸化物に分解し切らない不具合があり、上限値を超えるとＩＴＯ粒子が粗大化する不具合がある。焼成物をハンマーミルやボールミルなどを用いて粉砕してほぐし、ＩＴＯ粉末を得る。以下、第１の製造方法と同様にして、表面改質処理したＩＴＯ粉末を得る。
【００２４】
（３）第３の製造方法
第１及び第２の製造方法とはインジウム錫水酸化物を焼成した後にインジウム錫酸化物の粉砕を要しない点で異なる。
第１の製造方法で得られたインジウム錫水酸化物粒子が分散した粘度の高いスラリーを水酸化物粒子の濃度が１〜５質量％、好ましくは１〜３質量％の範囲になるようにアルコールで希釈し、水酸化物粒子表面に吸着してこの粒子の分散性を向上させるための有機保護剤をスラリーに撹拌しながら添加する。この有機保護剤の添加量は、水酸化物粒子１００質量％に対して０．１〜５質量％の範囲である。上記希釈範囲及び上記有機保護剤の添加量範囲の各下限値及び各上限値を規定した理由は、第１の製造方法と同じである。この有機保護剤は、熱分解後のＩＴＯ粉末の焼結を抑制する観点から、有機保護剤の分解温度が２５０〜５００℃の範囲にあることが好ましい。このアルコールとしては、エタノール、プロパノール又はメタノールなどが挙げられ、有機保護剤としては、パルミチルジメチルエチルアンモニウムエチルサルフェート、ポリビニルアルコール又はオクチルジメチルエチルアンモニウムエチルサルフェートなどが挙げられる。
【００２５】
アルコールで希釈され有機保護剤を添加したインジウム錫水酸化物粒子が分散したスラリーを、管の長手方向を鉛直にして配置した、２５０〜８００℃の範囲に加熱した管状炉の内部に、キャリアガスである窒素ガスを線速度０．５〜５ｍ／ｓ、好ましくは１〜３ｍ／ｓの範囲で流通させている状態で、二流体ノズルを用いて、噴霧し、窒素ガスとともに管状路内に導入する。線速度が下限値未満ではＩＴＯ粉末の収量が少なくなり、上限値を超えると噴霧されたスラリーが十分に加熱されない。これによりインジウム錫水酸化物粒子が管状炉内で熱分解して焼成され管状炉の排出口より表面改質処理したＩＴＯ粉末が得られる。
【実施例】
【００２６】
次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく説明する。
【００２７】
＜実施例１＞
〔表面改質処理したＩＴＯ粉末の製法〕
Ｉｎ金属濃度が２４質量％の塩化インジウム（ＩｎＣｌ３）水溶液１６３ｇに、二塩化錫粉末（ＳｎＣｌ２・２Ｈ２Ｏ粉末）４ｇを添加混合し、二塩化錫粉末が全て溶けるまで攪拌した後、全量を１０００ｍｌの純水に加え、原料液とした。この原料液に２５質量％のアンモニア（ＮＨ３）水溶液を９０分かけて滴下した。このとき反応温度を８０℃、最終の反応液のｐＨを８．０に調整した。生成したインジウム錫共沈水酸化物である沈殿物をイオン交換水によって繰り返し傾斜洗浄を行った。上澄み液の抵抗率が５０００Ω・ｃｍ以上になったところで、上記沈殿物の上澄み液を捨て、インジウム錫水酸化物粒子が分散した粘度の高いスラリーを得た。
【００２８】
このスラリーを撹拌しながら、水酸化物粒子の濃度が２０質量％になるようにこのスラリーを純水で希釈した後、有機保護剤であるポリビニルアルコール１．３ｇを添加した。この有機保護剤の添加量は、インジウム錫水酸化物に対して１.０質量％であった。このスラリーを、大気中、１１０℃で１０時間乾燥した後、大気中７００℃で２時間焼成し、凝集体を粉砕してほぐし、ＩＴＯ粉末約７０ｇを得た。このＩＴＯ粉末７０ｇを無水エタノールと蒸留水を混合した表面処理液(混合比率はエタノール９５質量％に対して蒸留水５質量％)に入れて含浸させた後、ガラスシャーレに入れて窒素ガス雰囲気下、３３０℃にて２時間加熱して表面改質処理したＩＴＯ粉末を得た。
【００２９】
〔ＩＴＯ膜の製造〕
この表面改質処理したＩＴＯ粉末２０ｇを、蒸留水（０．０２０ｇ）、トリエチレングリコール−ジ−２−エチルヘキサノエート[３Ｇ]（２３．８ｇ）、無水エタノール（２．１ｇ）、リン酸ポリエステル（１．０ｇ）、２−エチルヘキサン酸（２．０ｇ）、２，４−ペンタンジオン（０．５ｇ）の混合液に入れて分散させた。調製した分散液を無水エタノールで固形分であるＩＴＯ粉末の含有量が１０質量％になるまで希釈した。この希釈した分散液をスピンコーティングにより石英ガラス板に塗布して成膜し、厚さ０．２μｍのＩＴＯ膜を得た。
【００３０】
＜実施例２＞
Ｉｎ金属濃度が２４質量％の塩化インジウム（ＩｎＣｌ３）水溶液１３５ｇに、二塩化錫粉末（ＳｎＣｌ２・２Ｈ２Ｏ粉末）１６ｇを添加混合し、二塩化錫粉末が全て溶けるまで攪拌した後、全量を１０００ｍｌの純水に加え、原料液とした。この原料液に２５質量％のアンモニア（ＮＨ３）水溶液を９０分かけて滴下した。このとき反応温度を６０℃、最終の反応液のｐＨを５．０に調整した。生成したインジウム錫共沈水酸化物である沈殿物をイオン交換水によって繰り返し傾斜洗浄を行った。上澄み液の抵抗率が５０００Ω・ｃｍ以上になったところで、上記沈殿物の上澄み液を捨て、インジウム錫水酸化物粒子が分散した粘度の高いスラリーを得た。このスラリーを撹拌しながら、水酸化物粒子の濃度が１５質量％になるようにこのスラリーを純水で希釈した後、有機保護剤であるパルミチルジメチルエチルアンモニウムエチルサルフェート（７０質量％）４．５ｇを添加した。この有機保護剤の添加量は、インジウム錫水酸化物に対して３.０質量％であった。
【００３１】
このスラリーを、大気中、１１０℃で１０時間乾燥した後、大気中８００℃で３時間焼成し、凝集体を粉砕してほぐし、ＩＴＯ粉末約７５ｇを得た。このＩＴＯ粉末７５ｇを無水エタノールと蒸留水を混合した表面処理液(混合比率はエタノール９５質量％に対して蒸留水５質量％)に入れて含浸させた後、ガラスシャーレに入れて窒素ガス雰囲気下、３３０℃にて２時間加熱して表面改質処理したＩＴＯ粉末を得た。またこのＩＴＯ粉末を用いて、実施例１と同様にしてＩＴＯ膜を作製した。
【００３２】
＜実施例３＞
Ｉｎ金属濃度が２４質量％の塩化インジウム（ＩｎＣｌ３）水溶液１５４ｇに、二塩化錫粉末（ＳｎＣｌ２・２Ｈ２Ｏ粉末）８ｇを添加混合し、二塩化錫粉末が全て溶けるまで攪拌した後、全量を１０００ｍｌの純水に加え、原料液とした。この原料液に２５質量％のアンモニア（ＮＨ３）水溶液を９０分かけて滴下した。このとき反応温度を２０℃、最終の反応液のｐＨを７．０に調整した。生成したインジウム錫共沈水酸化物である沈殿物をイオン交換水によって繰り返し傾斜洗浄を行った。上澄み液の抵抗率が５０００Ω・ｃｍ以上になったところで、上記沈殿物の上澄み液を捨て、インジウム錫水酸化物粒子が分散した粘度の高いスラリーを得た。このスラリーを撹拌しながら、水酸化物粒子の濃度が１．０質量％になるようにこのスラリーをエタノールで希釈した後、有機保護剤であるオクチルジメチルエチルアンモニウムエチルサルフェート(５０質量％)１０ｇを添加した。この有機保護剤の添加量は、インジウム錫水酸化物に対して５．０質量％であった。
【００３３】
このスラリーを管の長手方向を鉛直にして配置した、５００℃に加熱した管状炉の内部に、キャリアガスである窒素ガスを線速度１ｍ／ｓの範囲で流通させている状態で、二流体ノズルを用いて、噴霧し、窒素ガスとともに管状路内に導入した。これによりインジウム錫水酸化物粒子が管状炉内で熱分解して焼成され管状炉の排出口より表面改質処理したＩＴＯ粉末を得た。またこのＩＴＯ粉末を用いて、実施例１と同様にしてＩＴＯ膜を作製した。
【００３４】
＜比較例１＞
Ｉｎ金属濃度が２４質量％の塩化インジウム（ＩｎＣｌ３）水溶液２４５ｇに、濃度５５質量％の四塩化錫（ＳｎＣｌ４）水溶液１１．５ｇを添加混合し、ＩｎＣｌ３−ＳｎＣｌ４混合溶液を調製した。次に、炭酸水素アンモニウム（ＮＨ４ＨＣＯ３）水５００ｇをイオン交換水に溶解し、全量１０００ｍｌで温度７０℃に調製した。この水溶液に上記ＩｎＣｌ３−ＳｎＣｌ４混合溶液の全量を約２０分間攪拌しながら滴下してインジウム錫共沈水酸化物を生成した。更にそのまま３０分間攪拌した。このときの反応液の最終ｐＨは９．０であった。沈澱物であるインジウム錫水酸化物を回収し、遠心分離機で脱水した後、イオン交換水を加えて洗浄しながら遠心濾過を行い、濾液の抵抗率が５０００Ωｃｍ以上に達したところで遠心濾過を終了した。次いでこの沈殿物を１００℃で一晩乾燥した後、６００℃で３時間焼成し、凝集体を粉砕してほぐし、ＩＴＯ粉末７５ｇを得た。
【００３５】
このＩＴＯ粉末７５ｇを無水エタノールと蒸留水を混合した表面処理液(混合比率はエタノール９５質量％に対して蒸留水５質量％)に入れて含浸させた後、ガラスシャーレに入れて窒素ガス雰囲気下、３３０℃にて３時間加熱して表面改質処理したＩＴＯ粉末を得た。またこのＩＴＯ粉末を用いて、実施例１と同様にしてＩＴＯ膜を作製した。
【００３６】
＜比較試験＞
〔ＩＴＯ粉末の評価〕
実施例１〜３及び比較例１で得られた各ＩＴＯ粉末からなる圧粉体に０．９８ＭＰａ（１０ｋｇｆ／ｃｍ２）の圧力を加えたときのこの圧粉体の体積抵抗率を次の表１に示す。この実施例１〜３及び比較例１で得られた各ＩＴＯ粉末の体積抵抗率は図１に示す測定装置（三菱化学アナリティック製 MCP-PD51）を用いて測定した。具体的には、図１に示す、内径φが２５ｍｍのシリンダー１にＩＴＯ粉末２．００ｇを充填し、０．１９６〜２９．４２ＭＰａ（２〜３００ｋｇｆ／ｃｍ２）の範囲で圧力を変えて、実施例１〜３及び比較例１で得られたＩＴＯ粉末１０点以上の抵抗率と試料厚を同時にそれぞれ測定した。圧力は図示しない圧力センサにより、抵抗率は直流４端子法で測定した。図１において、２はＩＴＯ粉末の圧粉体である。
【００３７】
図２に試料粉末に加えた単位面積当りに力に換算した圧力（よこ軸）とＩＴＯ粉末の圧粉体の体積抵抗率（たて軸）との関係を示す。この関係は、最小二乗法により、次の累乗の式（１）に近似する。なお、粉末の体積抵抗率は測定された値に、測定システム付属の補正係数を掛けることで算出される。表１に実施例１〜３及び比較例１で得られた近似式（１）のａ及びｎの値を示す。
Ｙ＝ａＸｎ                              （１）
実施例１〜３及び比較例１で得られた各ＩＴＯ膜の表面抵抗率（Ω／□）を抵抗率測定装置（三菱油化社製 ＭＣＰ-Ｔ４００）により測定した。その結果を表１に示す。
【００３８】
【表１】
2014065643.tif 000003
【００３９】
＜評価＞
表１から明らかなように、式（１）のａが５．００以下であり、しかもｎが−０．５００以下の実施例１〜３のＩＴＯ粉末からなる圧粉体に０．９８ＭＰａ（１０ｋｇｆ／ｃｍ２）の圧力を加えたときのこの圧粉体の体積抵抗率は０．５００Ωｃｍ以下であった。またこれらのＩＴＯ粉末から作られたＩＴＯ膜の表面抵抗率は１．０×１０６Ω／□以下であった。これに対して式（１）のａが５．００以下であるけれども、ｎが−０．５００を超える比較例１のＩＴＯ粉末からなる圧粉体に０．９８ＭＰａ（１０ｋｇｆ／ｃｍ２）の圧力を加えたときのこの圧粉体の体積抵抗率は０．５Ωｃｍを超えていた。また比較例１のＩＴＯ粉末からＩＴＯ膜の表面抵抗率は１．０×１０６Ω／□を超えていた。以上のことから、式（１）に近似した関係を有する実施例１〜３は塗布型でＩＴＯ膜を成膜したときの抵抗率を低くして高い導電性を得ることが立証された。
【図１】
2014065643.tif 000004
【図２】
2014065643.tif 000005