(57)【要約】      （修正有）【課題】レチクル検査の誤りが生じ難いレチクルパターンの形成方法を提供する。【解決手段】第１パターンおよび第２パターンをＯＰＣ処理する第１工程と、ＯＰＣ処理された前記第１パターンに含まれる１８０°未満の第１内角の第１頂点とＯＰＣ処理された前記第２パターンに含まれる１８０°未満の第２内角の第２頂点の間隔が基準値より狭いか検査する第２工程と、前記間隔が前記基準値より狭い場合には前記第１頂点を含む第１頂点部分を前記第１パターンから削除するとともに前記第２頂点を含む第２頂点部分を前記第２パターンから削除する第３工程とを有すること。【選択図】図７
2014115415.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レチクルパターンの形成方法であって、
第１パターンおよび第２パターンをＯＰＣ処理する第１工程と、
ＯＰＣ処理された前記第１パターンに含まれる１８０°未満の第１内角の第１頂点とＯＰＣ処理された前記第２パターンに含まれる１８０°未満の第２内角の第２頂点の間隔が基準値より狭いか検査する第２工程と、
前記間隔が前記基準値より狭い場合には、前記第１頂点を含む第１頂点部分を前記第１パターンから削除するとともに、前記第２頂点を含む第２頂点部分を前記第２パターンから削除する第３工程とを有する
レチクルパターンの形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載のレチクルパターンの形成方法において、
前記第１頂点と前記第２頂点を通る直線が前記第２内角の２辺の間を通る場合には、前記第１頂点部分は前記第１頂点に対向する階段状の第１外周線を有するとともに、前記第２頂点部分は前記第２頂点に対向する階段状の第２外周線を有し、
前記直線が前記第２内角の２辺の間および前記２辺上を通らない場合には、前記第１頂点部分は前記第１頂点に対向するＬ字状の第３外周線を有するとともに、前記第２頂点部分は前記第２頂点に対向するＬ字状の第４外周線を有し、
前記直線が前記第２内角の２辺の一方上を通る場合には、第１頂点部分は第１外周線を有するとともに第２頂点部分は第２外周線を有し、または前記第１頂点部分は前記第３外周線を有するとともに前記第２頂点部分は前記第４外周線を有する
ことを特徴とするレチクルパターンの形成方法。
【請求項３】
請求項２に記載のレチクルパターンの形成方法において、
前記第１頂点部分の前記第１外周線は、前記第２頂点から一定の距離に配置された両端と、前記第２頂点から前記一定の距離に配置された内角が１８０°より大きい頂点と、前記第２頂点から前記距離より遠くに配置された内角が１８０°未満の頂点とを有し、
前記第２頂点部分の前記第２外周線は、前記第１頂点から前記一定の距離に配置された両端と、前記第１頂点から前記一定の距離に配置された内角が１８０°より大きい頂点と、前記第１頂点から前記一定の距離より遠くに配置された内角が１８０°未満の頂点とを有し、
前記一定の距離は、前記基準値と前記間隔の平均値である
ことを特徴とするレチクルパターンの形成方法。
【請求項４】
請求項２又は３に記載のレチクルパターンの形成方法において、
前記第３工程ではさらに、前記第１外周線および前記第２外周線の各辺が一定の長さ以上にならないように、前記第１外周線および前記第２外周線の段数を調整することを
特徴とするレチクルパターンの形成方法。
【請求項５】
レイアウトパターンに含まれるパターンのパターンデータを有するレイアウトデータから、ＯＰＣ補正された前記パターンのパターンデータを形成するレチクルパターンの形成方法であって、
前記パターンをＯＰＣ処理する第１工程と、
ＯＰＣ処理された前記パターンに含まれる１８０°より大きい内角の第１頂点と前記パターンに含まれる１８０°より大きい内角の第２頂点の間隔が基準値より狭いか検査する第２工程と、
前記間隔が前記基準値より狭い場合には、前記第１頂点から伸びる前記パターンの２辺に接する補充パターンを前記パターンに加えるとともに、前記第２頂点から伸びる前記パターンの２辺に接する補充パターンを前記パターンに加える第３工程とを有する
レチクルパターンの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レチクルパターンの形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路は、レイアウト設計により得られるパターン（以下、レイアウトパターンと呼ぶ）に基づいて半導体基板や半導体基板上の絶縁膜が加工されることで形成される。
【０００３】
レイアウトパターンはＯＰＣ（Optical Proximity Correction）処理された後レチクル上に形成され、フォトリソグラフィ技術により半導体基板上のレジスト膜に転写される。レジスト膜に転写されたパターン（以下、レジストパターンと呼ぶ）は、半導体基板や絶縁膜を加工（エッチングやイオン注入など）するマスクとして使用される。
【０００４】
数十ｎｍ幅のレイアウトパターンをそのままレチクルに形成しレジスト膜に転写すると、角（コーナー）などが丸まったレジストパターンが形成される。ＯＰＣ処理はレイアウトパターンを補正して、レジストパターンの形状をレイアウトパターンに近づける処理である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１５６６０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＯＰＣ処理が終了すると、ＯＰＣ処理されたレイアウトパターンに対応するレジストパターンがシミュレーション（以下、リソグラフィ・シミュレーションと呼ぶ）より予測される。
【０００７】
予測されたレジストパターンは、ＯＰＣ処理前のレイアウトパターンと比較される。両パターンが略一致していれば、ＯＰＣ処理されたレイアウトパターンがレチクルに形成される。両パターンが一致しない場合には、ＯＰＣパラメータを変更してＯＰＣ処理が再度行われる。
【０００８】
レチクルに形成されるパターンは、レチクルパターンと呼ばれる。レチクルは、例えば透明基板上の遮光膜（例えば、Ｃｒ膜）を電子ビーム露光により成形することで製造される。製造されたレチクルは、レチクル検査により検査される。
【０００９】
レチクル検査ではまず、レチクル検査装置によりその遮光膜パターンが撮影される。さらにレチクル上に形成される遮光膜パターンが、レチクル・シミュレーションにより予測される。
【００１０】
撮影された遮光膜パターン（以下、検査画像と呼ぶ）は、レチクル・シミュレーションにより予測されたパターンと比較される。双方が略一致すればレチクル検査は合格であり、合格したレチクルにより集積回路が製造される。双方が略一致しない場合レチクル検査は不合格であり、レチクルは作り直される。
【００１１】
例えば、レチクル・シミュレーションで得られる孤立パターンが検査画像上では他のパターンと合体して一つのパターンになっている場合、レチクルの検査は不合格である。レチクル・シミュレーションで得られる単一パターンが検査画像上では複数のパターンに分離している場合にも、レチクル検査は不合格である。
【００１２】
ところでレチクル上の遮光膜パターンには問題がなくても、レチクル検査装置の分解能が低い場合やレチクル・シミュレーションの精度が低い場合には、レチクル検査が不合格になることがある。このような誤りは、ＯＰＣ処理によりパターン間隔が狭くなった場合やＯＰＣ処理によりパターン幅が狭くなった場合に起き易い。
【００１３】
レチクル検査で不合格になったレチクルは、レイアウトパターンのＯＰＣ処理から始まる一連の作業により作り直される。このためレチクルの作り直しには、多大な時間と労力が費やされる。
【００１４】
レチクル検査装置の分解能やレチクル・シミュレーションの精度を上げれば検査誤りは少なくなり、レチクルの作り直しが減る。しかし、レチクル検査装置の分解能やレチクル・シミュレーションの精度を上げることは容易ではない。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記の問題を解決するために、本方法の一観点によれば、第１パターンおよび第２パターンをＯＰＣ処理する第１工程と、ＯＰＣ処理された前記第１パターンに含まれる１８０°未満の第１内角の第１頂点とＯＰＣ処理された前記第２パターンに含まれる１８０°未満の第２内角の第２頂点の間隔が基準値より狭いか検査する第２工程と、前記間隔が前記基準値より狭い場合には前記第１頂点を含む第１頂点部分を前記第１パターンから削除するとともに前記第２頂点を含む第２頂点部分を前記第２パターンから削除する第３工程とを有するレチクルパターンの形成方法が提供される。 
【発明の効果】
【００１６】
開示の方法によれば、レチクル検査の誤りが生じ難いレチクルパターンが形成される。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、実施の形態１のレチクルパターン形成方法を実行するパターン形成装置の構成図である。
【図２】図２は、実施の形態１のレチクルパターン形成方法の流れを示すフローチャートである。
【図３】図３は、レチクルパターン形成方法を説明する図である。
【図４】図４は、レチクルパターン形成方法を説明する図である。
【図５】図５は、レチクルパターン形成方法を説明する図である。
【図６】図６は、レチクルパターン形成方法を説明する図である。
【図７】図７は、頂点部分の補正処理のフローチャートである。
【図８】図８は、凸頂点検出／凹頂点検出ステップを説明する図である。
【図９】図９は、凸頂点検出／凹頂点検出ステップを説明する図である。
【図１０】図１０は、凸頂点部分の補正ステップのフローチャートである。
【図１１】図１１は、凸頂点部分の補正ステップのフローチャートである。
【図１２】図１２は、凸頂点部分の補正ステップを説明する図である。
【図１３】図１３は、凸頂点部分の補正ステップを説明する図である。
【図１４】図１４は、凸頂点部分の補正ステップを説明する図である。
【図１５】図１５は、凸頂点部分の補正ステップを説明する図である。
【図１６】図１６は、凸頂点部分の補正ステップを説明する図である。
【図１７】図１７は、第１頂点部および第２頂点部分のパターン構造の一例を説明する図である。
【図１８】図１８は、第１パターンに対応するレジストパターンを説明する図である。
【図１９】図１９は、ステップＳ４６を説明する図である。
【図２０】図２０は、凹頂点部分の補正ステップのフローチャートである。
【図２１】図２１は、凹頂点部分の補正ステップのフローチャートである。
【図２２】図２２は、凹頂点部分の補正ステップを説明する図である。
【図２３】図２３は、凹頂点部分の補正ステップを説明する図である。
【図２４】図２４は、凹頂点部分の補正ステップを説明する図である。
【図２５】図２５は、凸頂点の検出方法および凹頂点の検出方法を説明する図である。
【図２６】図２６は、相手頂点の辺が自頂点から見えるか否かを判断する方法を説明する図である。
【図２７】図２７は、自頂点に対向する相手頂点を検出する方法を説明する図である
【図２８】図２８は、実施の形態２を説明する図である。
【図２９】第１頂点部分が削除された第１パターンの段差と後退量の関係を示す図である。
【図３０】図３０は、実施の形態３を説明する図である。
【図３１】図３１は、実施の形態４を説明する図である。
【図３２】図３２は、実施の形態５を説明する図である。
【図３３】図３３は、第１頂点部分の形状およびサイズ並びに第２頂点部分の形状およびサイズの選択基準を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面にしたがって本発明の実施の形態について説明する。但し、本発明の技術的範囲はこれらの実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された事項とその均等物まで及ぶものである。尚、図面が異なっても対応する部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００１９】
（実施の形態１）
（１）パターン形成装置
図１は、実施の形態１のレチクルパターン形成方法を実行するパターン形成装置２の構成図である。パターン形成装置２は例えば、コンピュータである。
【００２０】
パターン形成装置２は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）４と、ＲＯＭ６と、ＲＡＭ（Random Access Memory）８と、ハードディスクを有するＨＤＤ（Hard Disk Drive）１０とを有する。さらにパターン形成装置２は、バス１２と、入力装置１４と、出力装置１６とを有する。
【００２１】
入力装置１４は、外部からデータを取り込む装置である。出力装置１６は、外部にデータを出力する装置である。
【００２２】
ＣＰＵ４はＨＤＤ１０を制御するとともに、ＨＤＤ１０に記録されたプログラムをＲＡＭ８にロードし、ロードされたプログラムを実行する。ＨＤＤ１０は、コンピュータにより読取可能な記録媒体である。
【００２３】
ＲＯＭ６には、ＣＰＵ４が実行する基本的なプログラム等が記録されている。ＲＡＭ８には、プログラム以外にも、ＣＰＵ４がプログラムを実行する際の途中データが一時的に記録される。
【００２４】
ＨＤＤ１０には、実施の形態１のレイアウトパターン形成方法をＣＰＵ４に実行させるレチクルパターン形成プログラム（ＣＰＵ４が実行可能なプログラム）１８が記録されている。コンピュータ２は、ＣＰＵ４がレチクルパターン形成プログラム１８を実行することでパターン形成装置になる。
【００２５】
ＨＤＤ１０にはさらに、レイアウトパターンのデータ２０ａ（以下、レイアウトデータと呼ぶ）が一時的に記録される。
【００２６】
（２）パターン形成方法
（ｉ）処理フロー
図２は、実施の形態１のレチクルパターン形成方法の流れを示すフローチャートである。図３〜６は、レチクルパターン形成方法を説明する図である。
【００２７】
―レイアウトパターンの入力（Ｓ２）―
まずレイアウトパターン２２ａが、入力装置１４を介してパターン形成装置２に入力される。今、レイアウトパターン２２ａは、例えば図３に示すように、第１パターン２４ａと第２パターン２５ａとを有するとする。第１パターン２４ａと第２パターン２５ａは、多角形パターンが好ましい。
【００２８】
具体的には例えば、第１パターン２４ａのパターンデータと第２パターン２５ａのパターンデータとを有するレイアウトデータが入力される。レイアウトデータのフォーマットは例えば、GDS II（Graphic Design System II）またはOASIS(Open Artwork System Interchange Standard)である。入力されたレイアウトデータ２０ａは例えば、ＨＤＤ１０に記録される。
【００２９】
ＣＰＵ４は、入力されたレイアウトデータを内部フォーマットに変換する。図４は、内部フォーマットに変換されたレイアウトデータ２０ｂの一例を示すテーブルである。
【００３０】
レイアウトデータ２０ｂは図４に示すように、レイアウトパターン２２ａに含まれるパターン数３０と、レイアウトパターン２２ａに含まれる第１パターン２４ａの第１パターンデータ３２ｂと第２パターン２５ａの第２パターンデータ３３ｂとを有する。各パターンデータ３２ｂ,３３ｂは、各パターンに含まれる頂点の数３４と、各パターンの頂点座標３６とを有する。パターン数３０と、頂点数データ３４と、頂点座標３６は順序付けられている。各データ（パターン数３０、頂点数３４、頂点座標３６）は、次のデータの位置を示すポインタ（図示せず）を有している。
【００３１】
図４に示す例では、パターン数３０、第１パターンデータ３２ｂ、第２パターンデータ３３ｂの順で順序付けられている。さらに第１パターンデータ３２ｂおよび第２パターンデータ３３ｂの各データは、頂点数３４、座標３６の順で順序付けられている。
【００３２】
―ＯＰＣパラメータの入力（Ｓ４）―
次にＯＰＣパラメータが、入力装置１４からパターン形成装置２に入力される。入力されたＯＰＣパラメータは例えば、ＨＤＤ１０に記録される。
【００３３】
ＯＰＣパラメータは、ＯＰＣ処理されるパターン部分（例えば、パターンの先端部）を規定するパラメータと、該パターン部分に加えるパターン（または、該パターン部分から削除するパターン）を規定するパラメータとを有する。
【００３４】
―図形処理（Ｓ６）―
ＣＰＵ４は次に、入力されたレイアウトパターン２２ａをＯＰＣ処理に適した形に変換する。具体的には例えば、レイアウトデータ２０ｂ（図４）が変換される。
【００３５】
実施の形態１では、パターン変換は行われずに、図４のレイアウトデータ２０ｂがそのままＯＰＣ処理されるとする。
【００３６】
―ＯＰＣ処理（Ｓ８）―
ＣＰＵ４は次に、第１パターン２４ａおよび第２パターン２５ａをＯＰＣ処理する。図５には、ＯＰＣ処理されたレイアウトパターン２２ｂの一例が示されている。
【００３７】
例えば図５に示すようにＯＰＣ処理により、第１パターン２４ｂの先端部はパターンが加えられ太くなる。同様に、第２パターン２５ｂの先端部も太くなる。第１パターン２４ｂおよび第２パターン２５ｂの内角は、例えば９０°または２７０°である。
【００３８】
具体的には例えば、ＣＰＵ４はレイアウトデータ２０ｂを変更する。図６は、ＯＰＣ処理により変換されたレイアウトデータ２０ｃの一例を示す。図６に示すように、各パターンデータ３２ｃ,３３ｃ頂点数３４および頂点座標３６が、変更または追加または削除される。
【００３９】
―頂点部分の補正処理（Ｓ１０）―
ＣＰＵ４は次に、異なるパターンに含まれ第１基準値ｅｌ未満に接近した凸頂点部分を補正する。さらにＣＰＵ４は、同一パターンに含まれ第２基準値ＥＬ未満に接近した凹頂点部分を補正する。補正処理（Ｓ１０）の詳細は後述する。
【００４０】
補正処理（Ｓ１０）により、レチクル検査の誤りが生じ難いレチクルパターンが形成される。
【００４１】
―リソグラフィ・シミュレーション（Ｓ１２）―
ＣＰＵ４は次に、補正処理後のレイアウトパターン２２ｂに対応するレジストパターンをリソグラフィ・シミュレーションにより予測する。
【００４２】
―ＯＰＣ検査（Ｓ１４）―
ＣＰＵ４は次に、ＯＰＣ処理が適切に行われたかを判断する。具体的には例えばＣＰＵ４は、リソグラフィ・シミュレーションＳ１２により得られるレジストパターンがＯＰＣ前のレイアウトパターン２２ａ（図３参照）に略一致すれば、ＯＰＣ処理が適切に行われたと判断する。ＣＰＵ４は、両パターンの略一致しない場合には、ＯＰＣ処理は適切に行われなかったと判断する。
【００４３】
―レチクルパターンの出力（Ｓ１６）―
ＣＰＵ４はＯＰＣ処理が適切に行われたと判断すると、ＯＰＣ処理され更に頂点部分が補正されたレイアウトパターンをレチクルパターンとして出力する。
【００４４】
具体的には例えばＣＰＵ４は、ＯＰＣ処理され更に頂点部分が補正された第１パターンのパターンデータとＯＰＣ処理され更に頂点部分が補正された第２パターンのパターンデータとを有するレチクルデータを出力する。この時ＣＰＵ４は、
パターンデータをレチクル製造に適したフォーマットに変換する。
【００４５】
―ＯＰＣパラメータの変更（Ｓ１８）―
ＣＰＵ４はステップ１４でＯＰＣ処理が不適切と判断すると、ＯＰＣパラメータを変更する。その後ＣＰＵ４は、ＯＰＣ処理（Ｓ８）に戻る。
【００４６】
（ii）頂点部分の補正処理（Ｓ１０）
図７は、頂点部分の補正処理（Ｓ１０）のフローチャートである。
【００４７】
―凸頂点検出／凹頂点検出ステップ（Ｓ２０）―
ＣＰＵ４はまず、ＯＰＣ処理された第１パターン２４ｂに含まれる凸頂点および凹頂点を検出する（Ｓ２０）。ＣＰＵ４はさらに、ＯＰＣ処理された第２パターン２５ｂに含まれる凸頂点および凹頂点を検出する（Ｓ２０）。図８及び９は、凸頂点検出／凹頂点検出ステップを説明する図である。
【００４８】
図８は、ＯＰＣ処理された第１パターン２４ｂの一例である。ＯＰＣ処理された第１パターン２４ｂは、図８に示すように、１８０°未満の角度を有する内角３８の頂点４０（以下、凸頂点と呼ぶ）を複数有する。内角とは、多角形の隣接する２辺が多角形の内側に形成する角である。第１パターン２４ｂはさらに、１８０°より大きい角度を有する内角４２を有する頂点４４（以下、凹頂点と呼ぶ）を複数有する。
【００４９】
内角の頂点は、当該内角を有する多角形の頂点でもある。ＣＰＵ４は第１パターン２４ｂの凸頂点４０および第２パターン２５ｂの凸頂点４０を検出し、検出した凸頂点を記録する。ＣＰＵ４は更に第１パターン２４ｂの凹頂点４４および第２パターン２５ｂの凹頂点４４を検出し、検出した凹頂点を記録する。
【００５０】
具体的にはＣＰＵ４は図９に示すように、ＯＰＣ処理されたレイアウトデータ２０ｃ（図６）の各頂点座標３６の後にフラグ４６を加える。ＣＰＵ４は凸頂点４０を検出すると、検出された凸頂点に対応する座標３６の後のフラグを「０」にする。一方ＣＰＵ４は凹頂点を検出すると、検出された凹頂点に対応する座標３６の後のフラグを「１」にする。
【００５１】
―凸頂点部分の補正（Ｓ２２）―
図１０及び１１は、凸頂点部分の補正ステップ（Ｓ２２）のフローチャートである。図１２〜図１６は、凸頂点部分の補正ステップ（Ｓ２２）を説明する図である。
【００５２】
―ステップＳ３０―
ＣＰＵ４はまず、未処理の凸頂点を有するパターンが存在するか判断する（Ｓ３０）。未処理の凸頂点を有するパターンが存在しない場合には、ＣＰＵ４は凸頂点部分の補正ステップ（Ｓ２２）を終了する。凸頂点部分の補正ステップ（Ｓ２２）における「処理」とは、後述するステップＳ３６〜Ｓ４６のことである。
【００５３】
未処理の凸頂点を有するパターンが存在する場合には、ＣＰＵ４は未処理のパターンの中から処理対象のパターン（例えば、第１パターン２４ｂ）を選択し、次の判断ステップ（Ｓ３２）に進む。未処理の凸頂点を有するパターンが複数存在する場合ＣＰＵ４は、例えばレイアウトデータ２０ｄ（図９参照）に記録された順番に従って処理対象パターンを選択する。選択したパターンを以下、選択パターンと呼ぶ。選択しなかったパターン（例えば、第２パターン２５ｂ）を以下、非選択パターンと呼ぶ。
【００５４】
―ステップＳ３２―
ＣＰＵ４は次に、選択したパターンの凸頂点（以下、選択パターン凸頂点と呼ぶ）に未処理の頂点が存在するか判断する（Ｓ３２）。未処理の選択パターン凸頂点が存在しない場合には、ステップＳ３０に戻る。各頂点が凸頂点か否かは、フラグ４６（図９参照）により判断される。
【００５５】
未処理の選択パターン凸頂点が存在する場合ＣＰＵ４は、未処理の選択パターン凸頂点の中から処理対象候補の凸頂点（例えば、図５の第１凸頂点４８ａ）を選択しステップＳ３４に進む。未処理の選択パターン凸頂点が複数存在する場合には、例えばレイアウトデータ２０ｄ（図９参照）に記録された順番に従って処理対象候補の凸頂点を選択する（例えば、順番の早い順に選択する。）。処理対象候補に選択した頂点を以下、自頂点候補と呼ぶ。
【００５６】
―ステップＳ３４―
ＣＰＵ４は次に、非選択パターンの頂点（例えば、図５の第２凸頂点４８ｂ〜第９凸頂点４８ｉ；以下、非選択パターン凸頂点と呼ぶ）の中に処理が終わっていない凸頂点が存在するか判断する（Ｓ３４）。未処理の非選択パターン凸頂点が存在しない場合には、ステップＳ３２に戻る。
【００５７】
未処理の非選択パターン凸頂点が存在する場合には、未処理の非選択パターン凸頂点の中から凸頂点（例えば、第２凸頂点４８ｂ）を一つ選択しステップＳ３６に進む。選択した非選択パターン凸頂点を以下、相手頂点候補と呼ぶ。未処理の非選択パターン凸頂点が複数存在する場合には、ステップＳ３２と同様、レイアウトデータ２０ｄに記録された順番に従って相手頂点候補を選択する。
【００５８】
非選択パターン凸頂点が多数存在する場合には、相手頂点候補に選択する頂点を自頂点候補に対向する頂点に制限してもよい。
【００５９】
―ステップＳ３６―
ＣＰＵ４は次に、自頂点候補（例えば、第１凸頂点４８ａ）と相手頂点候補（例えば、第２凸頂点４８ｂ）との間隔ｃｌを、例えばピタゴラスの定理と単位ベクトルを用いる交点検索により測定する（Ｓ３６）。
【００６０】
―ステップＳ３８―
ＣＰＵ４は次に、測定した間隔ｃｌが第１基準値ｅｌより狭いか判断する（Ｓ３６）。測定した間隔ｃｌが第１基準値ｅｌ以上の場合、ＣＰＵ４はステップＳ３４に戻る。測定した間隔ｃｌが第１基準値ｅｌより狭い場合ＣＰＵ４は、次のステップＳ４０に進む。
【００６１】
隣接するパターンの凸頂点同士の間隔が狭いと、レチクル上では分離していてもレチクル検査装置の画像では該凸頂点同士が接続しまうことがある。さらにレチクル・シミュレーションで得られるパターン上でも、該凸頂点同士が接続しまうことがある。このような場合、レチクル検査に誤りが生じる。
【００６２】
このような誤りは、凸頂点間の間隔が広い場合には生じない。第１基準値ｅｌは、上記誤りを殆ど生じさせない間隔である。第１基準値ｅｌとしては、上記誤りを生じさせない間隔のうち最も狭い間隔が好ましい。第１基準値ｅｌは、例えば、２０〜５０ｎｍである。
【００６３】
ＣＰＵ４はステップＳ３６で第１基準値ｅｌより狭い間隔を検出すると、エラー検出情報（データ）を生成／更新する。エラー検出情報は、後述するステップＳ４０〜Ｓ４６で利用される。
【００６４】
図１２は、エラー検出情報５０を示すテーブルである。エラー検出情報５０は例えば、それまでに第１基準値ｅｌより狭い間隔を検出した回数（間隔エラー数５２）を有する。
【００６５】
エラー検出情報５０はさらに、間隔ｃｌが第１基準値ｅｌより狭い自頂点候補を有する選択パターン（例えば、第１パターン２４ｂ）の番号５４と、間隔ｃｌが第１基準値ｅｌより狭い自頂点候補の番号５６を有する。
【００６６】
番号５４は、レイアウトデータ２０ｄ（図９参照）におけるパターンデータ３２ｄ,３３ｄの順番である（以下、同様）。番号５６は、レイアウトデータ２０ｄにおける頂点座標３６の順番である（以下、同様）。
【００６７】
エラー検出情報５０はさらに、上記自頂点候補との間隔ｃｌが第１基準値ｅｌより狭い相手頂点候補を含む非選択パターンの番号５８と、上記自頂点候補との間隔ｃｌが第１基準値ｅｌより狭い相手頂点候補の番号６０を有する。
【００６８】
以上のようにＣＰＵ４はステップＳ３６〜Ｓ３８により、ＯＰＣ処理された第１パターン２４ｂに含まれる凸頂点（第１頂点）とＯＰＣ処理された第２パターン２５ｂに含まれる凸頂点（第２頂点）の間隔が第１基準値ｅｌより狭いか検査する。
【００６９】
―ステップＳ４０―
ＣＰＵ４は次に、測定された間隔ｃｌの中に異常値以下のものがあるか判断する（Ｓ４０）。異常値以下のものが有る場合、ＣＰＵ４はステップＳ４８に進む。異常値の以下のものが無い場合、ＣＰＵ４はステップＳ４２に進む。
【００７０】
上記異常値は、ＯＰＣ処理（Ｓ８）（図２参照）に問題があったと考えられる間隔である。異常値は、第１基準値ｅｌより狭い間隔（例えば、１０ｎｍ）である。
【００７１】
ステップＳ３６〜Ｓ４０により選択される自頂点候補を以下、自頂点と呼ぶ。ステップＳ３６〜Ｓ４０により選択される相手頂点候補を以下、相手頂点と呼ぶ。
【００７２】
―ステップＳ４８―
測定した間隔ｃｌの中に異常値以下のものが存在する場合、ＣＰＵ４はエラー警告を出力し、プログラムを終了する。
【００７３】
―ステップＳ４２―
ＣＰＵ４は、自頂点７２（例えば、図５の第１凸頂点４８ａ）から相手頂点７４（例えば、第２点４８ｂ）で接する２辺（エッジ）が見えるか判断する。ＣＰＵ４による判断方法は、後述する。自頂点７２から相手頂点７４の２辺が見える場合、ＣＰＵ４はステップＳ４４に進む。
【００７４】
自頂点７２から相手頂点７４の２辺が見える場合とは、自頂点（第１頂点）７２と相手頂点（第２頂点）７４を通る直線が相手頂点７４を頂点とする内角の２辺の間を通ることである。例えば図５に示す例では、相手頂点７４を頂点する内角３８の辺４８ｂ４８ｃと辺４８ｂ,４８ｉの間を自頂点７２と相手頂点７４を通る直線１０４が通っている。
【００７５】
自頂点７２から相手頂点７４の２辺の一方が見えない場合、ＣＰＵ４はステップＳ４６に進む。自頂点７２から相手頂点７４の２辺の一方が見えない場合とは、自頂点７２と相手頂点７４を通る直線１０４が相手頂点７４を頂点とする内角３８の２辺の間を通らないことである。
【００７６】
―ステップＳ４４―
自頂点７２から相手頂点７４の２辺が見える場合ＣＰＵ４は、自頂点（例えば、第１凸頂点４８ａ）を含む第１頂点部分を、例えばＳＵＢ（subtract）処理により選択パターン（例えば、第１パターン２４ａ）から削除する。ＣＰＵ４はさらに、相手頂点７４（例えば、第２凸頂点４８ｂ）を含む第２頂点部分を例えば、例えばＳＵＢ処理により非選択パターン（例えば、第２パターン２５ｂ）から削除する。
【００７７】
図１３には、第１頂点部分６２および第２頂点部分６３の一例が示されている。第１頂点部分６２は図１３に示すように、自頂点７２（例えば、第１凸頂点４８ａ）に対向する階段状の第１外周線６４を有する。第２頂点部分６３は、相手頂点７４（例えば、第２凸頂点４８ｂ）に対向する階段状の第２外周線６５を有する。
【００７８】
図１４には、第１頂点部分６２が削除された第１パターン２４ｃと第２頂点部分６３が削除された第２パターン２５ｃが示されている。図１４に示すように、第１頂点部分６２および第２頂点部分６３の削除により、第１パターン２４ｃと第２パターン２５ｃの間隔ｃ１が広くなる。
【００７９】
具体的には例えばＣＰＵ４はまず、補正パターンデータ６６を生成する。図１５は、補正パターンデータ６６の一例を示すテーブルである。補正パターンデータ６６は、第１頂点部分６２のパターンデータ６８と第２頂点部分６３のパターンデータ７０とを有している。補正パターンデータ６６の構造は、パターン数３０を有さないこと以外は、レイアウトデータ２０ｂ（図４参照）の構造と略同じである。
【００８０】
ＣＰＵ４は次に、ＯＰＣ処理されたレイアウトデータ２０ｄ（図９参照）の第１パターンデータ３２ｄを変更する。図１６には、変更された第１パターンデータ３２ｅの一例が示されている。補正された第１パターン２４ｃ（図１４参照）の頂点座標３６は、階段状の辺（エッジ）が増えたぶん増加する。図１６では、フラグ４６は省略されている。
【００８１】
ＣＰＵ４はさらに、ＯＰＣ処理されたレイアウトデータ２０ｄ（図９参照）の第２パターンデータ３３ｄも変更する。図１６には、変更された第２パターンデータ３３ｅの一例が示されている。
【００８２】
―頂点部分のパターン構造―
図１７は、第１頂点部分６２および第２頂点部分６３のパターン構造の一例を説明する図である。第１頂点部分６２の第１外周線６４（図１３参照）は、図１７（ａ）に示すように、相手頂点（第２頂点）７４から一定の距離に配置された両端（点Ａ１，点Ｂ１）を有する。第１頂点部分６２の第１外周線６４はさらに、相手頂点（第２頂点）７４から該一定の距離に配置された凹頂点（点Ｃ１）と、相手頂点７４から該一定の距離より遠くに配置された凸頂点（点Ｄ1,点Ｅ１）とを有する。上記一定の距離は、（ｃｌ−ｅｌ）／２＋ｅｌ（＝ｃｌとｅｌの平均値）である。図１７（ａ）中の円５１は、相手頂点７４を中心とし上記一定の距離を半径とする円である。
【００８３】
図１７（ａ）に示すように、点Ａ１は、自頂点７２で接する２辺の一方の辺上の点である。点Ｂ１は、自頂点７２で接する２辺の他方の辺上の点である。点Ｃ１は、点Ａ１と点Ｂ１の中点と相手頂点７４（例えば、第２凸頂点４８ｂ）を通る線上の点である。角Ａ１Ｄ１Ｃ１および角Ｃ１Ｅ１Ｂ１は、例えば９０°である。角Ｄ１Ｃ１Ｅ１は２７０°である。
【００８４】
第２頂点部分６３の第２外周線６５（図１３参照）は、図１７（ｂ）に示すように、自頂点（第１頂点）７２から上記一定の距離に配置された両端（点Ａ２，点Ｂ２）を有する。第２頂点部分６３の第２外周線６５はさらに、自頂点（第１頂点）７２から上記一定の距離に配置された凹頂点（点Ｃ２）と、自頂点７２から上記一定の距離より遠くに配置された凸頂点（点Ｄ２,点Ｅ２）とを有する。図１７（ｂ）中の円５３は、自頂点７２を中心とし上記一定の距離を半径とする円である。
【００８５】
図１７（ｂ）に示すように点Ａ２は、相手頂点７４で接する２辺のうちの一方の辺上の点である。点Ｂ２は、相手頂点７４で接する２辺のうちの他方の辺上の点である。点Ｃ２は、点Ａ２と点Ｂ２の中点と自頂点７２（例えば、第１凸頂点４８ａ）を通る線上の点である。
【００８６】
図１７（ｂ）に示すように第２頂点部分６３は、第１頂点部分６２を１８０°回転した構造を有している。第２頂点部分６３の点Ａ２は、第１頂点部分６２の点Ａ１に対応する。第２頂点部分６３の点Ｂ２,点Ｃ２，点Ｄ２，点Ｅ２はそれぞれ、第１頂点部分６２の点Ｂ１, 点Ｃ１，点Ｄ１，点Ｅ１に対応する。角Ａ２Ｄ２Ｃ２および角Ｃ２Ｅ２Ｂ２は、９０°である。角Ｄ２Ｃ２Ｅ２は、２７０°である。
【００８７】
点Ｃ１と点Ｃ２の距離は、略ｅｌ[≒{（ｃｌ−ｅｌ）／２＋ｅｌ}×２−ｃｌ]である。点Ａ１と点Ｂ２の距離も、略ｅｌになる。点Ｂ１と点Ａ２の距離も、略ｅｌである。
【００８８】
上述したようにｅｌは、近接する凸頂点がレチクル検査の誤りを生じさせない距離である。したがってステップＳ４４（図１１参照）によれば、（相手の２辺が見える）凸頂点同士の近づき過ぎによるレチクル検査の誤りが生じ難くなる。
【００８９】
―レジストパターン―
図１８は、第１パターン２４ｂ,２４ｃに対応するレジストパターンを説明する図である。図１８には、ＯＰＣ処理された第１パターン２４ｂ（図５参照）に対応するレジストパターン７８ａ（詳しくは、第１凸頂点４８ａの位置に隣接する丸まった角部）が示されている。
【００９０】
図１８にはさらに、ＯＰＣ処理され更に第１頂点部分６２が削除された第１パターン２４ｃ（図１４参照）に対応するレジストパターン７８ｂが示されている。第１パターン２４ｃの段差８０は１０ｎｍである。図１８のレジストパターン７８ａ,７８ｂは、リソグラフィ・シミュレーションにより得られたものである。
【００９１】
光近接効果によりレジストパターン７８ａの外周線は、第１凸頂点４８ａから後退する。このレジストパターン７８ａの外周線に対して、第１頂点部分６２を削除した第１パターン２４ｃに対応するレジストパターン７８ｂの外周線は殆ど後退しない。したがって第１頂点部分６２を削除しても、レジストパターンは殆ど変化しない。
【００９２】
但し、第１パターン２４ｃの段差８０すなわち第１頂点部分６２の段差が大きくなり過ぎると、レジストパターン７８ｂの後退量も大きくなる。そこで実施の形態１では、自頂点７２（例えば、第１凸頂点４８ａ）および相手頂点７４（例えば、第２凸頂点４８ｂ）の両方から頂点部分６２,６３を削除する。これにより、第１頂点部分６２および第２頂点部分６３の段差が小さくても、第１パターン２４ａの両端（点Ａ１、点Ｂ１）と第２ターン２４ｂの両端（点Ａ２、点Ｂ２）の間隔は広くなる。さらに第１パターン２４ａの凸頂点（点Ｃ１）と第２ターン２４ｂの凸頂点（点Ｃ２）の間隔も広くなる。一方、レジストパターン７８ｂの後退量は殆ど変らない。
【００９３】
―ステップＳ４６―
ステップＳ４６は、ステップＳ４４に類似している。したがって、ステップＳ４４と共通する部分の説明は省略または簡単にする。図１９は、ステップＳ４６を説明する図である。
【００９４】
上述したようにステップ４６は、自頂点７２から相手頂点７４に接する２辺（エッジ）の一方が見えない場合に実行される。ＣＰＵ４は、自頂点７２を含む第１頂点部分８４（図１９（ａ）参照）を例えばＳＵＢ処理により、自頂点７２を含むパターン（例えば、第１パターン２４ｂ）から削除する。ＣＰＵ４はさらに、相手頂点７４を含む第２頂点部分８５（図１９（ｂ）参照）を、相手頂点７４を含むパターン（例えば、第２パターン２５ｂ）から削除する。
【００９５】
第１頂点部分８４は、図１９（ａ）に示すように、自頂点７２（第１頂点）に対向するＬ字状の第３外周線１６４を有する。第１頂点部分８４は、矩形である。
【００９６】
第１頂点部分８４は、自頂点７２（点Ｂ３）と、自頂点７２に接し相手頂点７２から見える辺上の点Ａ３とを有する。第１頂点部分８４はさらに、相手頂点７４に接し自頂点７２からは見えない辺（エッジ）７５を自頂点７２側に延長した線上の点Ｃ３を有する。
【００９７】
相手頂点７４と点Ａ３の距離は、（ｃｌ−ｅｌ）／２＋ｅｌである。相手頂点７４と点Ｃ３の距離の距離も、（ｃｌ−ｅｌ）／２＋ｅｌである。
【００９８】
第１頂点部分８４はさらに、点Ｄ３と点Ｅ３を有する。点Ｄ３を頂点とする角Ａ３Ｄ３Ｃ３は、９０°である。相手頂点７４と点Ｄ３の距離は、（ｃｌ−ｅｌ）／２＋ｅｌより大きい。点Ｅ３を頂点とする角Ｃ３Ｅ３Ｂ３は、９０°である。点Ｂ３を頂点とする角Ｅ３Ｂ３Ａ３は９０°である。相手頂点７４と点Ｅ３の距離は、（ｃｌ−ｅｌ）／２＋ｅｌより大きい。点Ｃ３は、辺Ｄ３Ｅ３上の点である。
【００９９】
図１９（ｂ）に示すように第２頂点部分８５は、第１頂点部分８４を１８０°回転した構造を有している。第２頂点部分８５の点Ａ４は、第１頂点部分８４の点Ａ３に対応する。第２頂点部分８５の点Ｂ４,点Ｃ４，点Ｄ４，点Ｅ４はそれぞれ、第１頂点部分８４の点Ｂ３, 点Ｃ３，点Ｄ３，点Ｅ３に対応する。
【０１００】
第２頂点部分８５は、図１９（ｂ）に示すように、相手頂点７４（第２頂点）に対向するＬ字状の第４外周線１６５を有する。第２頂点部分８５は、矩形である。
【０１０１】
第１頂点部分８４の辺Ａ３Ｄ３と第２頂点部分８５の辺Ａ４Ｄ４の間隔は、略ｅｌ[＝{（ｃｌ−ｅｌ）／２＋ｅｌ}×２−ｃｌ]になる。さらに第１頂点部分８４の辺Ｄ３Ｅ３と第２頂点部分８５の辺Ｄ４Ｅ４の間隔も、略ｅｌになる。したがってステップＳ４６によれば、（相手の辺の一方が見えない）凸頂点同士の近づき過ぎによるレチクル検査の誤りが少なくなる。
【０１０２】
以上のようにＣＰＵ４はステップＳ４２〜Ｓ４６により、自頂点７２（第１頂点）と相手頂点７４（第２頂点）の間隔ｃｌが基準値ｅｌより狭い場合、自頂点７２（第１頂点）を含む第１凸頂点部分６２,８４を第１パターン２４ｂ（図５参照）から削除する。或いはＣＰＵ４は、相手頂点７４（第２頂点）を含む第２頂点部分６３,８５を第２パターン２５ｂから削除する。
【０１０３】
―凹頂点部分の補正（Ｓ２４）―
凹頂点部分の補正ステップ（Ｓ２４）（図７参照）は、凸頂点部分の補正（Ｓ２２）に類似している。したがって、凸頂点部分の補正（Ｓ２２）と共通する部分の説明は省略または簡単にする。
【０１０４】
図２０及び２１は、凹頂点部分の補正ステップのフローチャートである。図２２〜図２４は、凹頂点部分の補正ステップ（Ｓ２４）を説明する図である。
【０１０５】
図２２（ａ）に示すように、ＯＰＣ処理前のパターン８３ａが近接した凹頂点８６を有する場合を考える。ＯＰＣ処理（Ｓ８）（図２参照）により凹頂点８６を含む領域は、図２２（ｂ）に示すように削られる。このためパターン幅Ｗが狭くなり、レチクル検査の誤りが生じ生じ易くなる。
【０１０６】
凹頂点部分の補正ステップ（Ｓ２４）では、パターン幅Ｗを狭くする凹頂点８８を検出し補正する。
【０１０７】
―ステップＳ５０―
ＣＰＵ４はまず、未処理の凹頂点を有するパターンが存在するか判断する（Ｓ５０）。未処理の凹頂点を有するパターンが存在しない場合には、ＣＰＵ４は凹頂点部分の補正ステップ（Ｓ２４）を終了する。凹頂点部分の補正ステップ（Ｓ２４）における「処理」とは、ステップＳ５４〜Ｓ６４のことである。
【０１０８】
未処理の凹頂点を有するパターンが存在する場合には、ＣＰＵ４は未処理の凹頂点を有するパターンの中から処理対象のパターン（パターン８３ｂ）を選択し、次の判断ステップ（Ｓ５２）に進む。
【０１０９】
―ステップＳ５２―
ＣＰＵ４は次に、選択したパターンに未処理の凹頂点が存在するか判断する（Ｓ５２）。未処理の凹頂点が存在しない場合には、ステップＳ５０に戻る。
【０１１０】
未処理の凹頂点が存在する場合ＣＰＵ４は、未処理の凹頂点の中から凹頂点（以下、自頂点候補と呼ぶ）を一つ選択する。ＣＰＵ４はさらに、未処理のパターン凹頂点の中から別の凹頂点（以下、相手頂点候補と呼ぶ）を選択しステップＳ５４に進む。
【０１１１】
―ステップ５４―
ＣＰＵ４は次に、自頂点候補と相手頂点候補の間隔ＣＬを測定する。
【０１１２】
―ステップＳ５６―
ＣＰＵ４は次に、測定した間隔ＣＬの中に第２基準値ＥＬより狭いか判断する（Ｓ５６）。測定した間隔ＣＬが第２基準値ＥＬより狭い場合、ＣＰＵ４は次のステップＳ５８に進む。測定した間隔ＣＬが第２基準値ＥＬ以上の場合、ＣＰＵ４はステップＳ５２に戻る。
【０１１３】
近接する凹頂点同士の間隔が狭いと、レチクル上では単一パターンがレチクル検査装置の画像（検査画像）では、２つのパターンに分離してしまうことがある。さらにレチクル・シミュレーションで得られるパターンも、２つのパターンに分離してしまうことがある。このような場合、レチクル検査に誤りが生じる。
【０１１４】
このような誤りは、凹頂点間の間隔が広い場合には生じない。第２基準値ＥＬは、上記誤りを殆ど生じさせない間隔である。第２基準値ＥＬとしては、上記誤りを生じさせない間隔のうち最も狭い間隔が好ましい。第２基準値ＥＬは、例えば、２０〜５０ｎｍである。第２基準値Ｅｌは、第１基準値ｅｌと同じであってもよい。
【０１１５】
以上のようにＣＰＵ４はステップＳ５４〜Ｓ５６により、ＯＰＣ処理されたパターン８３ｂに含まれる凹頂点（第１頂点）とＯＰＣ処理されたパターン８３ｂに含まれる凹頂点（第２頂点）の間隔が第２基準値ＥＬより狭いか検査する。
【０１１６】
―ステップＳ５８、ステップＳ６０、およびステップＳ６６―
ステップＳ５８、ステップＳ６０、およびステップＳ６６はそれぞれ、凸頂点補正（Ｓ２２）（図７参照）のステップＳ４０、ステップＳ４２、およびステップＳ４８（図１１参照）と略同じである。したがって、これらのステップの説明は省略する。
【０１１７】
ステップＳ５４〜Ｓ６０により選択される自頂点候補を以下、自頂点と呼ぶ。ステップＳ５４〜Ｓ６０により選択される相手頂点候補を以下、相手頂点と呼ぶ。
【０１１８】
―ステップＳ６２―
ステップＳ６２は、自頂点７２と相手頂点７４の間隔ＣＬが基準値ＥＬより小さくさらに自頂点７２から相手頂点７４の２辺が見える場合に行われる。「自頂点７２から相手頂点７４の２辺が見える」とは、自頂点７２と相手頂点７４を通る直線が相手頂点７４を頂点とする内角の２辺の間を通ることである。
【０１１９】
ＣＰＵ４は例えば、図２３（ｃ）に示すように、自頂点（第１頂点）７２から伸びる２辺（パターン８３ｂのエッジ）に接する階段状の第１補充パターン９０をＯＰＣ処理されたパターン８３ｂに例えばＯＲ処理により加える。ＣＰＵ４はさらに、相手頂点（第２頂点）７４から伸びる２辺（パターン８３ｂのエッジ）に接する階段状の第２補充パターン９１をＯＰＣ処理されたパターン８３ｂに例えばＯＲ処理により加える。これにより、自頂点７２および相手頂点７４の近傍においてパターン８３ｃの幅は広くなる。
【０１２０】
図２３（ａ）には、第１補充パターン９０の構造が示されている。図２３（ａ）に示すように、第１補充パターン９０の構造は階段状の第１頂点部分６２（図１７（ａ）参照）の構造と略同じである。
【０１２１】
図２３（ｂ）には、第２補充パターン９１の構造が示されている。図２３（ｂ）に示すように、第２補充パターン９１の構造は階段状の第２頂点部分６３（図１７（ｂ）参照）の構造と略同じである。
【０１２２】
―ステップＳ６４―
ステップＳ６４は、自頂点７２と相手頂点７４の間隔ＣＬが第２基準値ＥＬより小さくさらに自頂点７２から相手頂点７４に接する２辺の一方が見ない場合に実行される。「自頂点７２から相手頂点７４に接する２辺の一方が見え ない」とは、自頂点７２と相手頂点７４を通る直線が相手頂点７４を頂点とする内角の２辺の間を通らないことである。
【０１２３】
この場合ＣＰＵ４は例えば、図２４（ｃ）に示すように、自頂点（第１頂点）７２から伸びる２辺（パターン８３ｂのエッジ）に接する矩形の第１補充パターン９２をＯＰＣ処理されたパターン８３ｂに例えばＯＲ処理により加える。ＣＰＵ４はさらに、相手頂点（第２頂点）７４から伸びる２辺（パターン８３ｂのエッジ）に接する矩形の第２補充パターン９３をＯＰＣ処理されたパターン８３ｂにＯＲ処理により加える。これにより、自頂点７２および相手頂点７４の近傍においてパターン８３ｃの幅は広くなる。
【０１２４】
図２４（ａ）には、第１補充パターン９２の構造が示されている。図２４（ａ）に示すように、第１補充パターン９２の構造は矩形の第１頂点部分８４（図１９（ａ）参照）の構造と略同じである。
【０１２５】
図２４（ｂ）には、第２補充パターン９３の構造が示されている。図２４（ｂ）に示すように、第２補充パターン９３の構造は矩形の第２頂点部分８５（図１９（ｂ）参照）の構造と略同じである。
【０１２６】
ステップＳ６２およびステップＳ６４により、ＯＰＣ処理によって狭くなったパターン幅が広くなるので、レチクル検査の誤りが起き難になる。
【０１２７】
以上のようにＣＰＵ４はステップＳ６０〜Ｓ６４により、自頂点７２と相手頂点７４の間隔ＣＬが第２基準値ＥＬより狭い場合には、自頂点７２（第１頂点）から伸びる２辺に接する第１補充パターン９０,９２をＯＰＣ補正されたパターン８３ｂに加える。ＣＰＵ４はさらに、相手頂点７４（第２頂点）から伸びる２辺に接する第２補充パターン９１,９３をＯＰＣ補正されたパターン８３ｂに加える。
【０１２８】
以上の例によれば、直線１０４が相手頂点７４を頂点とする内角３８の２辺の間ではなく上記２辺の一方上を通る場合には、第１頂点部分６２は第３外周線１６４を有し、第２頂点部分６３は第４外周線１６５を有することになる。
【０１２９】
しかし直線１０４が上記２辺の一方上を通る場合に、第１頂点部分６２は第１外周線６４を有し、第２頂点部分６３は第２外周線６５を有してもよい。
【０１３０】
いずれの場合であっても、直線１０４が上記２辺の間および上記２辺上を通らない場合には、第１頂点部分６２は第３外周線１６４を有し、第２頂点部分６３は第４外周線１６５を有する。
【０１３１】
（iii）図形検出／判断方法
―凸頂点検出／凹頂点検出―
図２５は、凸頂点の検出方法および凹頂点の検出方法を説明する図である。
【０１３２】
パターンデータ３２ｂ〜３２ｄ,３３ｂ〜３３ｄ（図６参照）の各頂点座標３６は、パターンデータ３２,３３に対応するパターン９５の外周線上を例えば反時計方向９７に回った時に各頂点を通過する順番で記録されている。
【０１３３】
この場合図２５に示すように、ｉ−１番目の頂点９４からｉ番目の頂点９６に向かって伸びる辺(エッジ)に対して、ｉ番目の頂点９６からｉ+１番目の頂点９８に向かって伸びる辺が右側に位置していれば、ｉ番目の頂点９６は凹頂点である。
【０１３４】
一方、ｉ番目の頂点９６からｉ+１番目の頂点９８に向かって伸びる辺に対して、ｉ+１番目の頂点９８からｉ+２番目の頂点１００に向かって伸びる辺が左側に折れている場合、ｉ+１番目９８の頂点凸頂点である。
【０１３５】
ＣＰＵ４はこの様な法則に基づいて、凸頂点および凹頂点を検出する。
【０１３６】
―射影関係の判断方法―
図２６は、相手頂点７４に接する辺１０２,１０３が自頂点７２から見えるか否か（射影関係）を判断する方法を説明する図である。まず相手頂点７４を中心とする時計回り方向に位置する辺(エッジ)１０２について説明する。
【０１３７】
図２６（ａ）に示すように辺１０２が、自頂点７２から相手頂点７４に向かって伸びる直線１０４の左側に位置する場合、自頂点７２から辺１０２は見えない。一方、図２６（ｂ）〜（ｄ）に示すように、辺１０２が直線１０４の右側に位置する場合、辺１０２は自頂点７２から見える。
【０１３８】
辺１０２が直線１０４の右側に位置するか左側に位置するかは、直線１０４の傾きと、辺１０２の傾きと、直線１０４と辺１０２の方向が同じか否かにより判断できる。「直線１０４と辺１０２の方向が同じ」とは、直線１０４と辺１０２がなす角が９０°未満のことである。或いは、直線１０４と辺１０２の外積からも、辺１０２が直線１０４の右側に位置するか左側に位置するかを判断することができる。
【０１３９】
相手頂点７４を中心とする反時計回り方向に位置する辺１０３については、直線１０４と辺１０３の位置関係が逆になる。すなわち辺１０３が、直線１０４の右側に位置する場合、辺１０３は自頂点７２から見えない。一方、辺１０２が直線１０４の左側に位置する場合、辺１０２は自頂点７２から見える。
【０１４０】
ＣＰＵ４はこの様な法則に基づいて、ステップＳ４２,Ｓ６０において自頂点から見える辺と見えない辺を認識する。なお図２６（ｃ）のように直線１０４が辺１０３（または辺１０４）の上を通る場合、第１頂点部分および第２頂点部分は上述したように、階段状であっても良いし矩形であっても良い。
【０１４１】
―対向する頂点の検出方法―
図２７は、自頂点７２に対向する相手頂点７４を検出する方法を説明する図である。ここでは、自頂点７２および相手頂点７４が凸頂点の場合を考える。
【０１４２】
図２７（ａ）に示すように、自頂点７２と相手頂点７４を結ぶ線分１０６と相手頂点７４に接する一方の辺１０７がなす角１０８の角度と線分１０６と相手頂点７４に接する他方の辺１０９がなす角１１０の角度の和が２７０°の場合、自頂点７２と相手頂点７４は対向している。
【０１４３】
一方、図２７（ｂ）に示すように、自頂点７２と相手頂点７４を結ぶ線分１０６と相手頂点７４に接する一方の辺１０７がなす角１０８の角度と線分１０６と相手頂点７４に接する他方の辺１０９がなす角１１０の角度の和が２７０°以外の場合、自頂点７２と相手頂点７４は対向していない。
【０１４４】
ＣＰＵ４はこの様な法則に基づいて、ステップＳ３４,Ｓ５２などにおいて相手頂点候補を自頂点７２に対向する頂点に制限してもよい。
【０１４５】
（実施の形態２）
実施の形態２は、実施の形態１に類似している。したがって、実施の形態１に共通する部分の説明は省略または簡単にする。
【０１４６】
図２８は、実施の形態２を説明する図である。図２８には、ＯＰＣ処理された第１パターン２４ｂ（図５参照）の部分拡大図と第１パターン２４ｂに対応するレジストパターン７８ａの部分拡大図が示されている。
【０１４７】
図２８にはさらに、ＯＰＣ処理され更に第１頂点部分６２（図１３参照）が削除された第１パターン２４ｃ（図１４参照）の部分拡大図が示されている。図２８にはさらに、第１パターン２４ｃに対応するレジストパターン７８ｂの部分拡大図（第１凸頂点４８ａに隣接する丸まった角部）が示されている。第１パターン２４ｃの段差８０は５０ｎｍである。
【０１４８】
実施の形態１の図１８には、第１パターン２４ｃの段差８０が１０ｎｍの場合の例が示されている。図１８に示す例では、レジストパターン７８ａからのレジストパターン７８ｂの後退量は僅か５ｎｍ程度である。
【０１４９】
一方、図２８に示す例では、レジストパターン７８ａからのレジストパターン７８ｂの後退量（乖離量）１２０は５４ｎｍである。これは図２８の第１パターン２４ｃの段差が、５０ｎｍと大きいためである。
【０１５０】
そこでＣＰＵ４は例えばステップＳ４４（図１１参照）において、第１頂点部分６２(図１３参照)の第１外周線６４の各辺が一定の長さ（例えば、１０〜５０ｎｍ）以上にならないように、第１外周線６４の段数を調整する。
【０１５１】
ＣＰＵ４はさらに例えばステップＳ４４において、第２頂点部分６３(図１３参照)の第２外周線６５の各辺が一定の長さ（例えば、１０〜５０ｎｍ）以上にならないように、第２外周線６５の段数を調整する。
【０１５２】
図２８には、第１頂点部分６２の段数を４段にしてその段差を２５ｎｍにした場合の第１パターン１２４と第１パターン１２４に対応するレジストパターン７８ｃが示されている。図２８に示すように、段差を小さくすることで後退量が小さくなる。図２８に示す例では、後退量は５４ｎｍから４６ｎｍに減少する。
【０１５３】
図２９は、第１頂点部分６２が削除された第１パターン２４ｃの段差と後退量の関係を示す図である。段数は２段である。横軸は段差である。縦軸は後退量である。図２９に示すように、第１パターン２４ｃの段差が１０ｎｍ以上（特に、３０ｎｍ以上）になると後退量１２０は急激に増加する。したがって、第１頂点部分６２が削除された第１パターン２４ｃの段差は１０ｎｍ〜３０ｎｍ以下が好ましい。第２頂点部分６３が削除された第２パターン２５ｃについても同様である。
【０１５４】
（実施の形態３）
実施の形態３は、実施の形態１に類似している。したがって、実施の形態１に共通する部分の説明は省略または簡単にする。
【０１５５】
図３０は、実施の形態３を説明する図である。図３０には、第１頂点部分６２を削除した実施の形態１の第１パターン２４ｃが示されている。図３０にはさらに、第２頂点部分６３を削除した実施の形態１の第２パターン２５ｃが示されている。点Ａ１〜点Ｃ２は、図１７を参照して説明したものである。
【０１５６】
実施の形態１では図１７を参照して説明したように、自頂点７２と点Ａ２の距離、自頂点７２と点Ｂ２の距離、および自頂点７２と点Ｃ２の距離は、全て同じである。このため図３０（ｂ）に示すように、点Ａ２および点Ｂ２は点Ｃ２より、自頂点７２側に突き出ている。同様に点Ａ１および点ＡＢは点Ｃ１より、相手頂点７４側に突き出ている。
【０１５７】
図３０（ｂ）の円弧１３４は、自頂点７２を中心とする円の一部である。点Ａ１と点Ｂ２の距離および点Ｂ１と点Ａ２の距離は上記突き出しにより、点Ｃ１と点Ｃ２の距離より僅かに短い。直線１３０は、点Ａ２と点Ｂ２を通る直線である。
【０１５８】
そこで実施の形態３では図３０（ｃ）に示すように、点Ａ１と点Ｂ２の距離と点Ｂ１と点Ａ２の距離が点Ｃ１と点Ｃ２の距離と同じなるように、点Ａ２および点Ｂ２を自頂点７２から遠ざける。同様に、点Ａ１および点Ｂ１を相手頂点７４から遠ざける。
【０１５９】
直線１３２は、自頂点７２から遠ざけた点Ａ２と自頂点７２から遠ざけた点Ｂ２を通る直線である。点Ａ２と点Ｂ２は、例えば直線１３２が直線１３０に平行になるように自頂点７２から遠ざけられる。点Ａ１および点Ｂ２も同様に、相手頂点７４から遠ざけられる。
【０１６０】
したがって第１頂点部分６２の第１外周線６４上の凹頂点（点Ｃ１）と該凹頂点に最も近い第２外周線６５上の凹頂点（点Ｃ２）の距離と、第１外周線６４の一端（点Ａ１）と該一端に最も近い（第２頂点部分６３の）第２外周線６５の端点（点Ｂ２）の距離が等しくなる。さらに第１外周線６４の一端（点Ａ１）と該一端に最も近い第２外周線６５の端点（点Ｂ２）の距離と、第１外周線６４の他端（点Ｂ１）と該他端に最も近い第２外周線６５の端点（点Ａ２）の距離が等しくなる。
【０１６１】
実施の形態３によれば、点Ａ１と点Ｂ２の間隔および点Ｂ１と点Ａ２の間隔が広がるので、レチクル検査の誤りがさらに起き難くなる。
（実施の形態４）
実施の形態４は、実施の形態１に類似している。したがって、実施の形態１に共通する部分の説明は省略または簡単にする。
【０１６２】
図３１は、実施の形態４を説明する図である。図３１には、実施の形態４の第１頂点部分１６２および第２頂点部分１６３の構造が示されている。点Ｃ１及び点Ｃ２を除き点Ａ１〜点Ｅ２は、図１７を参照して説明したものである。
【０１６３】
図１７（ａ）を参照して説明したように、実施の形態１では点Ｃ１は、点Ａ１と点Ｂ１の中点と相手頂点７４（例えば、第２凸頂点４８ｂ）を通る線上の点である。点Ｃ２についても、同様である。
【０１６４】
一方、実施の形態４では図３１（ａ）に示すように、点Ｃ１は相手頂点７４と自頂点７２（例えば、第１凸頂点４８ａ）を通る線上の点である。同様に点Ｃ２は、図３１（ｂ）に示すように、自頂点７２と相手頂点７４を通る線上の点である。このため点Ｃ１と点Ｃ２の間隔は正確にｅ１であり、実施の形態１より広い。したがって、レチクル検査の誤りは実施の形態１より起き難くなる。
【０１６５】
（実施の形態５）
実施の形態５は、実施の形態１に類似している。したがって、実施の形態１に共通する部分の説明は省略または簡単にする。
【０１６６】
図３２は、実施の形態５を説明する図である。図３２には、第１頂点部分が削除された第１パターン２２４および第２頂点部分が削除された第２パターン２２５が示されている。図３２の破線は、実施の形態１の第１頂点部分６２および第２頂点部分６３を示している。
【０１６７】
実施の形態５の第１頂点部分２６２は、実施の形態１の第１頂点部分６２の点Ａ１と点Ｃ１を結ぶ辺と、点Ｃ１と点Ｂ１を結ぶ辺と、点Ｂ１と自頂点７２を結ぶ辺と、自頂点７２と点Ａ１を結ぶ辺とを有する多角形である。同様に、実施の形態５の第２頂点部分２６３は、実施の形態１の第２頂点部分６３の点Ａ２と点Ｃ２を結ぶ辺と、点Ｃ２と点Ｂ２を結ぶ辺と、点Ｂ２と相手頂点７４を結ぶ辺と、相手頂点７４と点Ａ２を結ぶ辺とを有する多角形である。
【０１６８】
このため、第１頂点部分２６２が削除された第１パターン２２４の外周線は、段差を有さない滑らかな形状を有する。第２頂点部分２６３が削除された第２パターン２２５の外周線も同様に、段差を有さない滑らかな形状を有する。
【０１６９】
実施の形態１〜５に示すように、第１頂点部分および第２頂点部分の形状およびサイズは一定の形状およびサイズには限定されない。ただし第１頂点部分および第２頂点部分の形状およびサイズは、以下の条件を満たすことが好ましい。
【０１７０】
図３３は、実施の形態１の第１頂点部分６２の形状およびサイズ並びに第２頂点部分６３の形状およびサイズの選択基準を説明する図である。
【０１７１】
最初に、ＯＰＣ処理された第１パターン２４ｂ（図５参照）に対応するレジストパターンとＯＰＣ処理された第２パターン２５ｂに対応するレジストパターンの形成について考える。
【０１７２】
まず、ＯＰＣ処理された第１パターン２４ｂとＯＰＣ処理された第２パターン２５ｂとを有するレチクルを形成する。このレチクルをマスクとするフォトリソグラフィにより、複数の第１レジストパターンを形成する。
【０１７３】
図３３（ａ）には、複数の第１レジストパターンのうち第１パターン２４ｂに対応する第３レジストパターン７８ａ（詳しくは、第１凸頂点４８ａの位置１３８に隣接する丸まった角部）が示されている。図３３（ａ）にはさらに、複数の第１レジストパターンのうち第２パターン２５ｂに対応する第４レジストパターン７９ａ（詳しくは、第２凸頂点４８ｂの位置１３９に隣接する丸まった角部）が示されている。
【０１７４】
次に、第１頂点部分６２が削除された第１パターン２４ｃと第２頂点部分６３が削除された第２パターン２５ｃとを有するレチクルを形成する。このレチクルをマスクとするフォトリソグラフィにより、複数の第２レジストパターンを形成する。
【０１７５】
図３３（ｂ）には、複数の第２レジストパターンのうち第１パターン２４ｃに対応する第５レジストパターン７８ｂ（詳しくは、第１凸頂点４８ａの位置１３８に隣接する丸まった角部）と複数の第２レジストパターンのうち第２パターン２５ｃに対応する第６レジストパターン７９ｂ（詳しくは、第２凸頂点４８ｂの位置１３９に隣接する丸まった角部）が示されている。
【０１７６】
図１８を参照して説明したように、第５レジストパターン７８ｂは、第３レジストパターン７８ａの外周線２００ａ（図３３（ａ）参照）の位置から内側に向かって後退する。同様に第６レジストパターン７９ｂは、第４レジストパターン７９ａの外周線２０１ａの位置から内側に向かって後退する。実施の形態１では、この時の後退量が許容値（例えば、１０〜５０ｎｍ）以下になるように第１頂点部６２および第２頂点部分６３の形状およびサイズが選択される。
【０１７７】
実施の形態１の凹頂点部分および実施の形態２〜５の第１頂点部分および第２頂点部分に関しても、同様に形状およびサイズが選択される。
【０１７８】
ところで、第３レジストパターン７８ａ（図３３（ａ）参照）の外周線２００ａの位置は、外周線２００ａの曲率半径が最小なる位置１３６ａで代表できる。第５レジストパターン７８ｂ（図３３（ｂ）参照）の後退量とは例えば、第５レジストパターン７８ｂの外周線２００ｂの曲率半径が最小になる位置１３６ｂと第３レジストパターン７８ａの外周線２００ａ（図３３（ａ）参照）の曲率半径が最小になる位置１３６ａとの距離である。
【０１７９】
同様に第６レジストパターン７９ｂ（図３３（ｂ）参照）の後退量とは例えば、第６レジストパターン７９ｂの外周線２０１ｂの曲率半径が最小になる位置１３７ｂと第４レジストパターン７９ａの外周線２０１ａの曲率半径が最小になる位置１３７ａ （図３３（ａ）参照）との距離である。
【０１８０】
実施の形態１〜５の説明では、レイアウトパターン２２ａに含まれるパターンは２つである。しかしレイアウトパターン２２ａには、３つ以上のパターンが含まれてもよい。
【０１８１】
以上の実施の形態１〜５に関し、更に以下の付記を開示する。
【０１８２】
（付記１）
レチクルパターンの形成方法であって、
第１パターンおよび第２パターンをＯＰＣ処理する第１工程と、
ＯＰＣ処理された前記第１パターンに含まれる１８０°未満の第１内角の第１頂点とＯＰＣ処理された前記第２パターンに含まれる１８０°未満の第２内角の第２頂点の間隔が基準値より狭いか検査する第２工程と、
前記間隔が前記基準値より狭い場合には、前記第１頂点を含む第１頂点部分を前記第１パターンから削除するとともに、前記第２頂点を含む第２頂点部分を前記第２パターンから削除する第３工程とを有する
レチクルパターンの形成方法。
【０１８３】
（付記２）
付記１に記載のレチクルパターンの形成方法において、
前記第１頂点と前記第２頂点を通る直線が前記第２内角の２辺の間を通る場合には、前記第１頂点部分は前記第１頂点に対向する階段状の第１外周線を有するとともに、前記第２頂点部分は前記第２頂点に対向する階段状の第２外周線を有し、
前記直線が前記第２内角の２辺の間および前記２辺上を通らない場合には、前記第１頂点部分は前記第１頂点に対向するＬ字状の第３外周線を有するとともに、前記第２頂点部分は前記第２頂点に対向するＬ字状の第４外周線を有し、
前記直線が前記第２内角の２辺の一方上を通る場合には、第１頂点部分は第１外周線を有するとともに第２頂点部分は第２外周線を有し、または前記第１頂点部分は前記第３外周線を有するとともに前記第２頂点部分は前記第４外周線を有する
ことを特徴とするレチクルパターンの形成方法。
【０１８４】
（付記３）
付記２に記載のレチクルパターンの形成方法において、
前記第１頂点部分の前記第１外周線は、前記第２頂点から一定の距離に配置された両端と、前記第２頂点から前記一定の距離に配置された内角が１８０°より大きい頂点と、前記第２頂点から前記距離より遠くに配置された内角が１８０°未満の頂点とを有し、
前記第２頂点部分の前記第２外周線は、前記第１頂点から前記一定の距離に配置された両端と、前記第１頂点から前記一定の距離に配置された内角が１８０°より大きい頂点と、前記第１頂点から前記一定の距離より遠くに配置された内角が１８０°未満の頂点とを有し、
前記一定の距離は、前記基準値と前記間隔の平均値である
ことを特徴とするレチクルパターンの形成方法。
【０１８５】
（付記４）
付記２に記載のレチクルパターンの形成方法において、
前記第１頂点部分の前記第１外周線上の内角が１８０°より大きい第３頂点と前記第３頂点に最も近い内角が１８０°より大きい前記第２外周線上の頂点の距離と、前記第１外周線の一端と当該一端に最も近い前記第２外周線の端点の距離と、前記第１外周線の他端と当該他端に最も近い前記第２外周線の端点の距離とが共通の値を有する
ことを特徴とするレチクルパターンの形成方法。
【０１８６】
（付記５）
付記２又は３に記載のレチクルパターンの形成方法において、
前記第３工程ではさらに、前記第１外周線および前記第２外周線の各辺が一定の長さ以上にならないように、前記第１外周線および前記第２外周線の段数を調整することを
特徴とするレチクルパターンの形成方法。
【０１８７】
（付記６）
付記１乃至５のいずれか1項に記載のレチクルパターンの形成方法において、
前記第１頂点部分の形状およびサイズは、前記第１頂点部分が削除される前のＯＰＣ処理された前記第１パターンと前記第２頂点部分が削除される前のＯＰＣ処理された第２パターンとを有するレチクルにより形成される複数の第１レジストパターンのうち前記第１パターンに対応するレジストパターンの外周線の位置から、前記第１頂点部分が削除された前記第１パターンと前記第２頂点部分が削除された第２パターンとを有するレチクルにより形成される第２レジストパターンのうち前記第１パターンに対応するレジストパターンが当該レジストパターンの内側に向かって後退する後退量が許容値以下になるように選択されたものであり、
前記第２頂点部分の形状およびサイズは、前記複数の第1レジストパターンのうち前記第２パターンに対応するレジストパターンの外周線の位置から、前記複数の第２レジストパターンのうち前記第２パターンに対応するレジストパターンが当該レジストパターンの内側に向かって後退する後退量が前記許容値以下になるように選択されたものである
ことを特徴とするレチクルパターンの形成方法。
【０１８８】
（付記７）
レイアウトパターンに含まれるパターンのパターンデータを有するレイアウトデータから、ＯＰＣ補正された前記パターンのパターンデータを形成するレチクルパターンの形成方法であって、
前記パターンをＯＰＣ処理する第１工程と、
ＯＰＣ処理された前記パターンに含まれる１８０°より大きい内角の第１頂点と前記パターンに含まれる１８０°より大きい内角の第２頂点の間隔が基準値より狭いか検査する第２工程と、
前記間隔が前記基準値より狭い場合には、前記第１頂点から伸びる前記パターンの２辺に接する補充パターンを前記パターンに加えるとともに、前記第２頂点から伸びる前記パターンの２辺に接する補充パターンを前記パターンに加える工程とを有する
レチクルパターンの形成方法。
【符号の説明】
【０１８９】
２０ａ〜２０ｄ・・・レイアウトデータ
２２・・・レイアウトパターン
２４ａ〜２４ｃ・・・第１パターン
２５ａ〜２５ｃ・・・第２パターン
３２ａ〜３２ｅ,３３ａ〜３３ｅ・・・パターンデータ
３８,４２・・・内角
４０・・・凸頂点
４４・・・凹頂点
６２,８４,１６２,２６２・・・第１頂点部分
６３,８５,１６３,２６３・・・第２頂点部分
６４・・・第１外周線
６５・・・第２外周線
７２・・・自頂点
７４・・・相手頂点
８６・・・凹頂点
８８・・・凸頂点
９０,９１・・・階段状の補充パターン
９２,９３・・・矩形の補充パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2014115415.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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