(57)【要約】【課題】半田接続（ｓｏｌｄｅｒ  ｊｏｉｎｔ）部分の信頼性を向上することができるとともに、ＣＯ２レーザードリルを用いてビア（ｖｉａ）を加工する際に発生する繊維突出不良を最小化することができるプリプレグ、銅張積層板、及びプリント回路基板を提供する。【解決手段】本発明のプリプレグは、第１液晶ポリマー（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）樹脂または第１スーパーエンジニアリング（Ｓｕｐｅｒ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ）樹脂からなる有機繊維で構成された補強基材と、前記補強基材上に第２液晶ポリマー樹脂または第２スーパーエンジニアリング樹脂成分を含んで形成されたベース樹脂層と、で構成され、ここで、前記補強基材の融点は前記ベース樹脂層の融点より１０〜３０℃高いものである。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１液晶ポリマー（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）樹脂または第１スーパーエンジニアリング（Ｓｕｐｅｒ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ）樹脂からなる有機繊維で構成された補強基材と、
前記補強基材上に第２液晶ポリマー樹脂または第２スーパーエンジニアリング樹脂成分を含んで形成されたベース樹脂層と、で構成され、
ここで、前記補強基材の融点は前記ベース樹脂層の融点より１０〜３０℃高いことを特徴とするプリプレグ。
【請求項２】
前記液晶ポリマー樹脂は、芳香族ポリエステル樹脂からなることを特徴とする請求項１に記載のプリプレグ。
【請求項３】
前記スーパーエンジニアリング樹脂は、ポリフェニレンスルフィド（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｓｕｌｆｉｄｅ）、ポリエーテルエーテルケトン（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ  Ｅｔｈｅｒ  Ｋｅｔｏｎｅ）、ポリフタルアミド（Ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌ  Ａｍｉｄｅ）、ポリスルホン（Ｐｏｌｙｓｕｌｆｏｎｅ）、ポリエーテルイミド（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ  Ｉｍｉｄｅ）、ポリエーテルスルホン（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ  Ｓｕｌｆｏｎｅ）、ポリフェニルスルホン（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌ  Ｓｕｌｆｏｎｅ）、またはポリアミドイミド（Ｐｏｌｙａｍｉｄｅ  Ｉｍｉｄｅ）であることを特徴とする請求項１に記載のプリプレグ。
【請求項４】
前記補強基材の縦横方向の熱膨張係数は、−２０〜９ｐｐｍ／℃であることを特徴とする請求項１に記載のプリプレグ。
【請求項５】
前記ベース樹脂層の縦横方向の熱膨張係数は、−２０〜９ｐｐｍ／℃であることを特徴とする請求項１に記載のプリプレグ。
【請求項６】
前記補強基材及び前記ベース樹脂層は、同一の樹脂で構成されることを特徴とする請求項１に記載のプリプレグ。
【請求項７】
第１液晶ポリマー（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）樹脂または第１スーパーエンジニアリング（Ｓｕｐｅｒ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ）樹脂からなる有機繊維で構成された補強基材と、
前記補強基材上に第２液晶ポリマー樹脂または第２スーパーエンジニアリング樹脂成分を含んで形成されたベース樹脂層と、
前記ベース樹脂層に形成された金属層と、で構成され、
ここで、前記補強基材の融点は前記ベース樹脂層の融点より１０〜３０℃高いことを特徴とする銅張積層板。
【請求項８】
前記液晶ポリマー樹脂は、芳香族ポリエステル樹脂からなることを特徴とする請求項７に記載の銅張積層板。
【請求項９】
前記スーパーエンジニアリング樹脂は、ポリフェニレンスルフィド（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｓｕｌｆｉｄｅ）、ポリエーテルエーテルケトン（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ  Ｅｔｈｅｒ  Ｋｅｔｏｎｅ）、ポリフタルアミド（Ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌ  Ａｍｉｄｅ）、ポリスルホン（Ｐｏｌｙｓｕｌｆｏｎｅ）、ポリエーテルイミド（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ  Ｉｍｉｄｅ）、ポリエーテルスルホン（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ  Ｓｕｌｆｏｎｅ）、ポリフェニルスルホン（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌ  Ｓｕｌｆｏｎｅ）、またはポリアミドイミド（Ｐｏｌｙａｍｉｄｅ  Ｉｍｉｄｅ）であることを特徴とする請求項７に記載の銅張積層板。
【請求項１０】
前記補強基材の縦横方向の熱膨張係数は、−２０〜９ｐｐｍ／℃であることを特徴とする請求項７に記載の銅張積層板。
【請求項１１】
前記ベース樹脂層の縦横方向の熱膨張係数は、−２０〜９ｐｐｍ／℃であることを特徴とする請求項７に記載の銅張積層板。
【請求項１２】
前記補強基材及び前記ベース樹脂層は、同一の樹脂で構成されることを特徴とする請求項７に記載の銅張積層板。
【請求項１３】
第１液晶ポリマー（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）樹脂または第１スーパーエンジニアリング（Ｓｕｐｅｒ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ）樹脂からなる有機繊維で構成された補強基材と、
前記補強基材上に第２液晶ポリマー樹脂または第２スーパーエンジニアリング樹脂成分を含んで形成されたベース樹脂層と、
前記ベース樹脂層に形成された金属層をエッチングして形成された回路パターンと、を含み、
ここで、前記補強基材の融点は前記ベース樹脂層の融点より１０〜３０℃高いことを特徴とするプリント回路基板。
【請求項１４】
前記液晶ポリマー樹脂は、芳香族ポリエステル樹脂からなることを特徴とする請求項１３に記載のプリント回路基板。
【請求項１５】
前記スーパーエンジニアリング樹脂は、ポリフェニレンスルフィド（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｓｕｌｆｉｄｅ）、ポリエーテルエーテルケトン（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ  Ｅｔｈｅｒ  Ｋｅｔｏｎｅ）、ポリフタルアミド（Ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌ  Ａｍｉｄｅ）、ポリスルホン（Ｐｏｌｙｓｕｌｆｏｎｅ）、ポリエーテルイミド（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ  Ｉｍｉｄｅ）、ポリエーテルスルホン（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ  Ｓｕｌｆｏｎｅ）、ポリフェニルスルホン（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌ  Ｓｕｌｆｏｎｅ）、またはポリアミドイミド（Ｐｏｌｙａｍｉｄｅ  Ｉｍｉｄｅ）であることを特徴とする請求項１３に記載のプリント回路基板。
【請求項１６】
前記補強基材の縦横方向の熱膨張係数は、−２０〜９ｐｐｍ／℃であることを特徴とする請求項１３に記載のプリント回路基板。
【請求項１７】
前記ベース樹脂層の縦横方向の熱膨張係数は、−２０〜９ｐｐｍ／℃であることを特徴とする請求項１３に記載のプリント回路基板。
【請求項１８】
前記補強基材及び前記ベース樹脂層は、同一の樹脂で構成されることを特徴とする請求項１３に記載のプリント回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリプレグ、銅張積層板、及びプリント回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、電子製品の多機能化及び高速化の傾向が速い速度で進んでいる。このような傾向に応えるべく、半導体チップは、さらに速い速度で発展している。半導体チップに格納することができるデータの量が１８ヶ月毎に倍で増加するというムーアの法則（Ｍｏｏｒｅ’ｓ  ｌａｗ）を超える速度で半導体チップが発展しつつあり、これに伴って、半導体チップと主基板（ｍａｉｎ  ｂｏａｒｄ）とを連結させる半導体チップ実装基板も非常に速い速度で発展している。このような半導体チップ実装基板の発展に要求される事項は、半導体チップ実装基板の高速化及び高密度化と密接に関連しており、これらを満たすためには、実装基板の軽薄短小化、微細回路化、優れた電気的特性、高信頼性、高速信号伝達構造など、半導体チップ実装基板の多くの改善及び発展が要求される状況である。
【０００３】
半導体チップと主基板（ｍａｉｎ  ｂｏａｒｄ）とを直接連結させる半導体チップ実装基板の軽薄短小化、高速化及び高密度化の要求により、作動時に生じる熱による歪み（ｗａｒｐａｇｅ）変形、実装される半導体チップとの熱膨張係数（ＣＴＥ）の不一致による半田接続（ｓｏｌｄｅｒ  ｊｏｉｎｔ）不良など、半導体チップ実装基板で発生する不良も激しくなっており、これを解決するために多くの技術が開発されている状況である。このような半導体チップ実装基板の高密度化及び高速化を果たすためには、半導体チップ実装基板の核心部材となる銅張積層板（Ｃｏｐｐｅｒ  Ｃｌａｄ  Ｌａｍｉｎａｔｅ：ＣＣＬ）とプリプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）などの絶縁材料の改善が優先されるべきである。
【０００４】
従来の多層プリント回路基板は、補強基材としてガラス繊維が用いられ、ガラス繊維成分としては、Ｅ−ガラス繊維などが一般的に用いられている。
【０００５】
ガラス繊維は、織物（ｃｌｏｔｈ）の形態に加工した後、熱硬化性樹脂組成物の絶縁層を含浸し、これを銅張積層板に加工する。この銅張積層板を用いて内層用コアプリント回路基板を製作し、その両面に、ビルドアップ（Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ）用としてＢ−ステージ状態の熱硬化性樹脂組成物の絶縁層シートを積層することにより、多層プリント回路基板を製作する。しかし、上記のように製造された多層プリント回路基板の熱膨張係数と半導体チップの熱膨張係数との差が大きい。このような差は、現在環境問題により鉛フリー化されている半田を用いたフリップチップ接続における温度サイクル試験などの信頼性試験において、加熱により収縮する多層プリント回路基板にて縦横方向に引っ張られ、鉛フリー半田のクラックや剥離、または半導体チップの破壊などの不良が発生することがある。
【０００６】
前記のような問題を解決するために、特許文献１には、応力を緩和するために、熱膨張係数が１３〜２０ｐｐｍ／℃である多層プリント回路基板の最外層に熱膨張係数が小さい有機絶縁層を形成する方法が開示されている。特許文献１には、熱緩衝有機絶縁層シートとして、熱膨張率が約９ｐｐｍ／℃であるアラミド繊維（ａｒａｍｉｄ  ｆｉｂｅｒ）織物で構成された補強基材に熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレグを用いた多層プリント回路基板が提示されている。しかし、特許文献１には、実施例において信頼性試験結果を具体的に提示しておらず、６〜１２ｐｐｍ／℃の熱緩衝有機絶縁層シートを一体化して接着する場合、一体化された多層プリント回路基板が大きい熱膨張係数を有するため、熱緩衝有機絶縁層シートが応力により引っ張られて伸び、一体化された多層プリント回路基板全体の熱膨張係数が１０ｐｐｍ／℃を超えるという問題点が発生する。
【０００７】
また、特許文献２には、補強基材として用いられる有機繊維としてポリベンゾオキサゾールまたはポリアラミドを用い、これに液晶ポリエステルを含浸して絶縁シートを製造する方法が開示されている。しかし、特許文献２に開示された製造方法は、プリプレグ及び銅張積層板を製作するための圧着時にコア層が溶けるため、回路の間を完全に充填することができず、樹脂の屈曲によって回路層にも屈曲が生じる。また、層間導通のためのビア（ｖｉａ）を加工する時に、有機繊維が完全に除去されずに残留して、回路不良の原因となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−２７４５５６号公報
【特許文献２】韓国公開特許第２００９−００９９６７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明では、従来方式と異なって、液晶ポリマー樹脂またはスーパーエンジニアリング樹脂で構成された有機繊維からなる補強基材及び前記補強基材と実質的に同一の耐熱特性を有する成分のベース樹脂を用いる。また、前記補強基材を構成する樹脂の融点を前記ベース樹脂の融点より１０〜３０℃高く形成することにより、ＣＯ２レーザードリルを用いたビア（ｖｉａ）の加工時に発生する繊維突出（ｐｒｏｔｒｕｓｉｏｎ）を防止して不良発生を最小化することができる。さらに、基板の原材料の熱膨張係数を低めることにより、半導体チップ実装時の歪み不良を減少させることができる。本発明は、上記のようなことからなされたものである。
【００１０】
従って、本発明の一つの目的は、液晶ポリマー樹脂またはスーパーエンジニアリング樹脂で構成された補強基材及びそれと同一の樹脂成分で構成されたベース樹脂を用いたプリプレグを提供することにある。
【００１１】
本発明の他の目的は、前記プリプレグに銅箔を積層した銅張積層板を提供することにある。
【００１２】
本発明のさらに他の目的は、前記銅張積層板を用いたプリント回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の一つの目的を果たすための本発明のプリプレグ（以下、「第１発明」という）は、第１液晶ポリマー（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）樹脂または第１スーパーエンジニアリング（Ｓｕｐｅｒ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ）樹脂からなる有機繊維で構成された補強基材と、前記補強基材上に第２液晶ポリマー樹脂または第２スーパーエンジニアリング樹脂成分を含んで形成されたベース樹脂層と、で構成され、ここで、前記補強基材の融点は前記ベース樹脂層の融点より１０〜３０℃高いものである。
【００１４】
第１発明において、前記液晶ポリマー樹脂は、芳香族ポリエステル樹脂からなることを特徴とする。
【００１５】
第１発明において、前記スーパーエンジニアリング樹脂は、ポリフェニレンスルフィド（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｓｕｌｆｉｄｅ）、ポリエーテルエーテルケトン（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ  Ｅｔｈｅｒ  Ｋｅｔｏｎｅ）、ポリフタルアミド（Ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌ  Ａｍｉｄｅ）、ポリスルホン（Ｐｏｌｙｓｕｌｆｏｎｅ）、ポリエーテルイミド（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ  Ｉｍｉｄｅ）、ポリエーテルスルホン（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ  Ｓｕｌｆｏｎｅ）、ポリフェニルスルホン（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌ  Ｓｕｌｆｏｎｅ）、またはポリアミドイミド（Ｐｏｌｙａｍｉｄｅ  Ｉｍｉｄｅ）であることを特徴とする。
【００１６】
第１発明において、前記補強基材の縦横方向の熱膨張係数は、−２０〜９ｐｐｍ／℃であることを特徴とする。
【００１７】
第１発明において、前記ベース樹脂層の縦横方向の熱膨張係数は、−２０〜９ｐｐｍ／℃であることを特徴とする。
【００１８】
第１発明において、前記補強基材及び前記ベース樹脂層は、同一の樹脂で構成されることを特徴とする。
【００１９】
本発明の他の目的を果たすための銅張積層板（以下、「第２発明」）は、第１液晶ポリマー（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）樹脂または第１スーパーエンジニアリング（Ｓｕｐｅｒ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ）樹脂からなる有機繊維で構成された補強基材と、前記補強基材上に第２液晶ポリマー樹脂または第２スーパーエンジニアリング樹脂成分を含んで形成されたベース樹脂層と、前記ベース樹脂層に形成された金属層と、で構成され、ここで、前記補強基材の融点は前記ベース樹脂層の融点より１０〜３０℃高いものである。
【００２０】
第２発明において、前記液晶ポリマー樹脂は、芳香族ポリエステル樹脂からなることを特徴とする。
【００２１】
第２発明において、前記スーパーエンジニアリング樹脂は、ポリフェニレンスルフィド（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｓｕｌｆｉｄｅ）、ポリエーテルエーテルケトン（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ  Ｅｔｈｅｒ  Ｋｅｔｏｎｅ）、ポリフタルアミド（Ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌ  Ａｍｉｄｅ）、ポリスルホン（Ｐｏｌｙｓｕｌｆｏｎｅ）、ポリエーテルイミド（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ  Ｉｍｉｄｅ）、ポリエーテルスルホン（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ  Ｓｕｌｆｏｎｅ）、ポリフェニルスルホン（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌ  Ｓｕｌｆｏｎｅ）、またはポリアミドイミド（Ｐｏｌｙａｍｉｄｅ  Ｉｍｉｄｅ）であることを特徴とする。
【００２２】
第２発明において、前記補強基材の縦横方向の熱膨張係数は、−２０〜９ｐｐｍ／℃であることを特徴とする。
【００２３】
第２発明において、前記ベース樹脂層の縦横方向の熱膨張係数は、−２０〜９ｐｐｍ／℃であることを特徴とする。
【００２４】
第２発明において、前記補強基材及び前記ベース樹脂層は、同一の樹脂で構成されることを特徴とする。
【００２５】
本発明のさらに他の目的を果たすためのプリント回路基板（以下、「第３発明」という）は、第１液晶ポリマー（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）樹脂または第１スーパーエンジニアリング（Ｓｕｐｅｒ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ）樹脂からなる有機繊維で構成された補強基材と、前記補強基材上に第２液晶ポリマー樹脂または第２スーパーエンジニアリング樹脂成分を含んで形成されたベース樹脂層と、前記ベース樹脂層に形成された金属層をエッチングして形成された回路パターンと、を含み、ここで、前記補強基材の融点は前記ベース樹脂層の融点より１０〜３０℃高いものである。
【００２６】
第３発明において、前記液晶ポリマー樹脂は、芳香族ポリエステル樹脂からなることを特徴とする。
【００２７】
第３発明において、前記スーパーエンジニアリング樹脂は、ポリフェニレンスルフィド（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｓｕｌｆｉｄｅ）、ポリエーテルエーテルケトン（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ  Ｅｔｈｅｒ  Ｋｅｔｏｎｅ）、ポリフタルアミド（Ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌ  Ａｍｉｄｅ）、ポリスルホン（Ｐｏｌｙｓｕｌｆｏｎｅ）、ポリエーテルイミド（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ  Ｉｍｉｄｅ）、ポリエーテルスルホン（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ  Ｓｕｌｆｏｎｅ）、ポリフェニルスルホン（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌ  Ｓｕｌｆｏｎｅ）、またはポリアミドイミド（Ｐｏｌｙａｍｉｄｅ  Ｉｍｉｄｅ）であることを特徴とする。
【００２８】
第３発明において、前記補強基材の縦横方向の熱膨張係数は、−２０〜９ｐｐｍ／℃であることを特徴とする。
【００２９】
第３発明において、前記ベース樹脂層の縦横方向の熱膨張係数は、−２０〜９ｐｐｍ／℃であることを特徴とする。
【００３０】
第３発明において、前記補強基材及び前記ベース樹脂層は、同一の樹脂で構成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によるプリプレグ及び銅張積層板は、有機繊維を用いて製作することにより、熱膨張係数及び剛性を調節することができ、プリント回路基板に搭載される半導体チップの作動時に熱によって発生する半導体チップとプリント回路基板の収縮及び膨張程度が互いに類似するため、半田接続（ｓｏｌｄｅｒ  ｊｏｉｎｔ）部分の信頼性を向上することができる。
【００３２】
また、本発明によるプリプレグ及び銅張積層板を用いたプリント回路基板は、ＣＯ２レーザードリルを用いてビア（ｖｉａ）を加工する際に発生する繊維突出不良を最小化することができる。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
本発明によるプリプレグは、補強基材及びベース樹脂層を含む。
【００３４】
前記補強基材は、第１液晶ポリマー（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）樹脂または第１スーパーエンジニアリング（Ｓｕｐｅｒ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ）樹脂からなる有機繊維で構成される。より具体的には、前記補強基材は、第１液晶ポリマー樹脂または第１スーパーエンジニアリング樹脂などの有機ポリマー樹脂を用いて繊維を製作し、これを用いて織物（ｃｌｏｔｈ）の形態に製作される。前記有機繊維は、有機ポリマー樹脂を溶融した後紡糸するスピニング（ｓｐｉｎｎｉｎｇ）法やポリマー樹脂を熱圧縮して一定のサイズのダイ（ｄｉｅ）を通過させることにより繊維を製作するブロー成形（ｂｌｏｗ  ｍｏｌｄｉｎｇ）などの方法により製作することができる。溶融された有機ポリマー樹脂が紡糸口を通り抜ける時に多くの分子が紡糸軸と並んで配列され、延伸させて分子の配向をより大きくすることにより、繊維自体の強度や熱膨張率などを低めることができるため、所望の熱膨張係数（ＣＴＥ）を有する有機繊維を製作することができる。製作された繊維は、織成過程を経て有機成分の織物（ｃｌｏｔｈ）に製作される。
【００３５】
前記有機繊維の製作に用いられる有機ポリマー樹脂としては、特に制限されないが、プリント回路基板の製作時における熱膨張係数特性などを考慮して、芳香族ポリエステル（ａｒｏｍａｔｉｃ  ｐｏｌｙｅｓｔｅｒ）をベース（ｂａｓｅ）とする液晶ポリマー樹脂などを用いることができる。また、プリント回路基板に用いられる部品の実装温度である２４０〜２６０℃で変形することのない、即ち、融点（ｍｅｌｔｉｎｇ  ｐｏｉｎｔ）またはガラス転移温度（ｇｌａｓｓ  ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）が２８０℃以上であるスーパーエンジニアリング（ｓｕｐｅｒ  ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ）樹脂を用いて製作することもできる。スーパーエンジニアリング樹脂のうち半結晶（ｓｅｍｉ−ｃｒｙｓｔａｌ）形態のポリマー樹脂は、スピニング（ｓｐｉｎｎｉｎｇ）して繊維を製作する時に、延伸過程によって熱膨張係数を調節することができる。このようなスーパーエンジニアリング樹脂としては、ポリフェニレンスルフィド（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｓｕｌｆｉｄｅ：ＰＰＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ  Ｅｔｈｅｒ  Ｋｅｔｏｎｅ：ＰＥＥＫ）、ポリフタルアミド（Ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌ  Ａｍｉｄｅ：ＰＰＡ）、ポリスルホン（Ｐｏｌｙｓｕｌｆｏｎｅ：ＰＳＵ）、ポリエーテルイミド（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ  Ｉｍｉｄｅ：ＰＥＩ）、ポリエーテルスルホン（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ  Ｓｕｌｆｏｎｅ：ＰＥＳ）、ポリフェニルスルホン（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌ  Ｓｕｌｆｏｎｅ：ＰＰＳＵ）、またはポリアミドイミド（Ｐｏｌｙａｍｉｄｅ  Ｉｍｉｄｅ：ＰＡＩ）などを用いることができる。
【００３６】
前記補強基材と樹脂の密着性を向上させるために、補強基材の表面に、公知の処理、例えば、シランカップリング剤処理、プラズマ処理、コロナ処理、各種薬品処理、ブラスト（ｂｌａｓｔ）処理などを施すことができる。
【００３７】
また、前記補強基材の厚さは、特に制限されないが、４〜２００μｍであり、好ましくは、１０〜１５０μｍである。
【００３８】
前記ベース樹脂層は、前記補強基材上に第２液晶ポリマー樹脂または第２スーパーエンジニアリング樹脂成分を含むベース樹脂を含浸して形成される。この際、プリント回路基板の製作時に発生する繊維突出（ｐｒｏｔｒｕｓｉｏｎ）及び歪み（ｗａｒｐａｇｅ）現象を最小化するためには、前記補強基材として用いられる有機ポリマー樹脂と類似の耐熱特性を示す有機ポリマー樹脂を用いてベース樹脂層を製作することが有利であるため、前記補強基材に用いられた樹脂成分と同一の樹脂を用いてベース樹脂層を形成することが好ましい。ここで、類似の耐熱特性とは、熱膨張係数（ＣＴＥ）値が同一であり、一定範囲内の融点を有することを意味する。
【００３９】
即ち、本発明における前記ベース樹脂層を構成する有機ポリマー樹脂の融点は、前記補強基材を構成する有機ポリマー樹脂の融点より１０〜３０℃低いことが好ましい。前記ベース樹脂層と補強基材との融点差が１０℃未満である場合は、プリプレグまたは銅張積層板を製造するための熱圧着時に補強基材が溶解されて補強効果が低下し、融点差が３０℃を超過する場合は、ビアの加工時に繊維突出などの問題点が生じる。
【００４０】
既存の基板の原材料より低い熱膨張係数（ＣＴＥ）を有する原材料を製作するためには、芳香族ポリエステルをベースとする液晶ポリマー樹脂、半結晶形態のスーパーエンジニアリング（ｓｕｐｅｒ  ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ  ｐｏｌｙｍｅｒ）樹脂であるポリフェニレンスルフィド（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｓｕｌｆｉｄｅ：ＰＰＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ  Ｅｔｈｅｒ  Ｋｅｔｏｎｅ：ＰＥＥＫ）、ポリフタルアミド（Ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌ  Ａｍｉｄｅ：ＰＰＡ）、ポリスルホン（Ｐｏｌｙｓｕｌｆｏｎｅ：ＰＳＵ）、ポリエーテルイミド（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ  Ｉｍｉｄｅ：ＰＥＩ）、ポリエーテルスルホン（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ  Ｓｕｌｆｏｎｅ：ＰＥＳ）、ポリフェニルスルホン（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌ  Ｓｕｌｆｏｎｅ：ＰＰＳＵ）、またはポリアミドイミド（Ｐｏｌｙａｍｉｄｅ  Ｉｍｉｄｅ：ＰＡＩ）などを用いて有機繊維を製作し、類似の分子構成で製作されたベース樹脂を用いて絶縁材料を製作する。前記分子構成で有機繊維及びベース樹脂層を製作する時に、配向（ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）によって熱膨張係数（ＣＴＥ）をより低めることができる。前記補強基材及びベース樹脂層を構成する有機ポリマー樹脂の熱膨張係数は、−２０〜９ｐｐｍ／℃であることが好ましい。
【００４１】
特に、融点（ｍｅｌｔｉｎｇ  ｐｏｉｎｔ）またはガラス転移温度（ｇｌａｓｓ  ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）が２８０℃以上であるポリフェニレンスルフィド（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｓｕｌｆｉｄｅ：ＰＰＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ  Ｅｔｈｅｒ  Ｋｅｔｏｎｅ：ＰＥＥＫ）、ポリフタルアミド（Ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌ  Ａｍｉｄｅ：ＰＰＡ）などの樹脂を用いて補強基材及びベース樹脂層を形成する場合、プリプレグの剛性を大きく向上させることができる。
【００４２】
前記ベース樹脂層を構成する有機ポリマー樹脂には、各種添加物を目標特性に影響を与えない程度に適量添加して用いることができる。例えば、各種熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、その他の樹脂、公知の有機／無機充填剤、染料、顔料、増粘剤、消泡剤、分散剤、光沢剤などの各種添加剤を適量添加してベース樹脂層を形成することができる。
【００４３】
前記有機繊維で構成された補強基材は、既存の基板原材料の製作と類似の方法でベース樹脂に含浸することにより、絶縁材料を製作する。即ち、ベース樹脂を溶融させて含浸槽に投入し、補強基材を含浸槽に通過させてベース樹脂と補強基材とを互いに接着させるようにした後、乾燥することにより、絶縁材料であるプリプレグを製作する。また、前記製作されたプリプレグの表面に離型フィルムを上下に適用し、熱圧着の２次加工することにより、所望の厚さを有するプリプレグを製作することができる。また、離型フィルムの代わりに、銅箔を上下に適用して銅張積層板（Ｃｏｐｐｅｒ  Ｃｌａｄ  Ｌａｍｉｎａｔｅ）を製作する。
【００４４】
プリント回路基板は、従来の製造方法と同一の方法で製作する。まず、コア基板として、有機ポリマー樹脂繊維を用いた銅張積層板を用いて、層間接続のために貫通孔を加工した後、通常のサブトラクティブ（Ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）法またはセミアディティブ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ）法などを利用して内層回路を形成し、銅でメッキして内層回路を形成する。貫通孔の内側壁面を銅でメッキして上下層間を連結させることにより、電気信号が導通されるようにする。
【００４５】
その後、前記貫通孔及び内層回路が形成されたコア基板に、有機ポリマー樹脂繊維を用いたプリプレグを積層した後、層間接続のためにビアホール（ｖｉａ  ｈｏｌｅ）を加工し、サブトラクティブ（Ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）法またはセミアディティブ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ）法などを利用して外層回路を形成する。この際、ビアホールは、銅でメッキされる。必要に応じて、絶縁材料を繰り返して積層し、回路を形成することにより多層化することもできる。
【００４６】
次に、外層回路が形成された基板上に、半田レジストをスクリーン印刷法またはロールコート印刷法などにより塗布した後、半導体チップと連結される部分はフォトリソグラフィ（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）法などにより開口させる。半田レジストが開口された部分に表面処理を施すことにより、回路が酸化されることを防止する。半導体チップとの接続方法に応じて、半田スクリーン印刷法または半田メッキ法などにより、半田バンプを形成してもよい。
【００４７】
以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのものであり、本発明はこれに限定されず、該当分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想内にての変形や改良が可能であることは明白であろう。
【００４８】
本発明の単純な変形乃至変更はいずれも本発明の領域に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は添付の特許請求の範囲により明確になるであろう。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明は、プリプレグ、銅張積層板、及びプリント回路基板に適用可能である。