(57)【要約】      （修正有）【課題】光入射面側の半透過情報層の高い透過率と、高温高湿度保存後に膜剥離が生じないことを両立する書き換え型３層光記録媒体を提供する。【解決手段】基板上に設けられたＬ０層、半透過層であるＬ１層とＬ２層の３層構造であり、Ｌ０層、Ｌ１層及びＬ２層は、相変化材料からなる記録膜を有し、Ｌ２層２０は、光入射面側から順に配置された、第１誘電体層２２、Ｌ２記録膜２１、第２誘電体層２４、反射膜２６、第３誘電体層２８から構成され、第１誘電体層２２は、外側第１界面層２２Ａを有し、第２誘電体層２４は、奥側第１界面層２４Ａ、奥側第２界面層２４Ｂの２層構造とされ、第３誘電体層２８は、第１誘電体膜２８Ａ、第２誘電体膜２８Ｂ及び第３誘電体膜２８Ｃの３層構造とされ、外側第１界面層２２Ａと奥側第１界面層２４Ａは、各々４０〜８０ｍｏｌ％のＣｒ２Ｏ３を含み、奥側第１界面層２４Ａは膜厚が１〜７ｎｍである。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、この基板におけるレーザービームの光入射面側に設けられたＬ０層及びこのＬ０層の更に光入射面側に順に設けられた半透過層であるＬ１層とＬ２層の３層の情報層を有してなり、
前記Ｌ０層、Ｌ１層及びＬ２層は、それぞれ相変化材料からなるＬ０記録膜、Ｌ１記録膜及びＬ２記録膜を有し、
前記Ｌ２層は、光入射面側から前記基板側に向けて順に配置された、第１誘電体層、前記Ｌ２記録膜、第２誘電体層、反射膜及び第３誘電体層から構成され、
前記第１誘電体層は、前記Ｌ２記録膜の光入射面側に隣接する外側第１界面層を含み、
前記第２誘電体層は、前記Ｌ２記録膜に対して、前記外側第１界面層の反対側で隣接する奥側第１界面層、及び、前記奥側第１界面層と前記反射膜との間でこれらに隣接する奥側第２界面層からなる２層構造とされ、
前記第３誘電体層は、前記反射膜側から前記基板側に向けて、順に配置された、第１誘電体膜、第２誘電体膜及び第３誘電体膜の３層構造の透過率調整層とされ、
前記外側第１界面層及び奥側第１界面層は、各々４０〜８０ｍｏｌ％のＣｒ２Ｏ３を含み、膜厚が１〜７ｎｍの誘電体材料からなることを特徴とする書き換え型３層光記録媒体。
【請求項２】
請求項１において、
前記奥側第２界面層は、０〜３０ｍｏｌ％のＣｒ２Ｏ３を含む誘電体材料からなることを特徴とする書き換え型３層光記録媒体。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第３誘電体層における、前記第３誘電体膜は屈折率が１．６未満の材料から構成され、前記第２誘電体膜は屈折率が２．２〜２．４の材料から構成され、前記第１誘電体膜はＳ成分を含まないＴｉＯ２から構成されていることを特徴とする書き換え型３層光記録媒体。
【請求項４】
請求項１又は２において、
前記第１誘電体層は前記外側第１界面層の光入射面側に隣接する外側第２界面層、その光入射面側に隣接する最外側層からなる３層構造であることを特徴とする書き換え型３層光記録媒体。
【請求項５】
請求項４において、
前記最外側層はＡｌＮ層からなることを特徴とする書き換え型３層光記録媒体。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかにおいて、
前記外側第１界面層及び奥側第１界面層は、いずれもＺｒＯ２−Ｃｒ２Ｏ３の材料からなり、Ｃｒ２Ｏ３が４０ｍｏｌ％以上８０ｍｏｌ％以下であることを特徴とする書き換え型３層光記録媒体。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかにおいて、
前記Ｌ０記録膜、Ｌ１記録膜、Ｌ２記録膜は、いずれもＳｂを主成分とするＳｂＴｅ共晶系の相変化材料からなることを特徴とする書き換え型３層光記録媒体。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかにおいて、
前記Ｌ１記録膜は、ＳｂｘＴｅｙＧｅｚの元素及び組成比の相変化材料からなり、前記ｙが５≦ｙ≦１５、ｚが５≦ｚ≦１５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００であり、
前記Ｌ２記録膜は、ＳｂｍＧｅｎＭｇｒの元素及び組成比の相変化材料からなり、前記ｍが８２．５≦ｍ≦８５．５、前記ｎが１０≦ｎ≦２０、前記ｒが１≦ｒ≦３、ｍ＋ｎ＋ｒ＝１００であることを特徴とする書き換え型３層光記録媒体。
【請求項９】
請求項８において、
前記Ｌ０記録膜は、ＳｂｈＴｅｉＧｅｊの元素及び組成比の相変化材料からなり、ｈ＜ｘ＜ｎ、ｉ＞ｙ＞ｍ、ｊ＜ｚ＜ｎとされたことを特徴とする書き換え型３層光記録媒体。
【請求項１０】
請求項９において、
前記Ｌ１記録膜におけるｘとｙは６．９≦ｘ／ｙ≦８．９の関係にあることを特徴とする書き換え型３層光記録媒体。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれかにおいて、
前記Ｌ０記録膜におけるＳｂ／Ｔｅの組成比が２．５〜４．５であることを特徴とする書き換え型３層光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ブルーレイディスク（Ｂｌｕ−ｒａｙ（登録商標）  Ｄｉｓｃ、以下ＢＤと略す）と称される光記録媒体、特に、相変化材料からなる３層の情報層を有する書き換え型光記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＢＤと称される、記録再生レーザー波長が４０５ｎｍ（青色）、対物レンズの開口数ＮＡ＝０．８５（λ／ＮＡ≦６５０ｎｍ）の光学系を利用する光記録媒体が製品化されている。
【０００３】
本発明者は、特許文献１に係る出願により、λ／ＮＡ≦６５０ｎｍの記録条件で、半透過情報層にＳｂ共晶系材料を用いて、再生耐久性と記録ストラテジマージンに優れた光記録媒体を提案した。
【０００４】
本発明者は、特許文献１に開示されたと同様の半透過情報層を更に加えて、３層の光記録媒体の作成を試みた。
【０００５】
この３層構造の光記録媒体の場合、最も光入射面側のＬ２層とその内側のＬ１層の透過率は、２層構造の場合の最も光入射面側のＬ１層よりも高くする必要があり、この高い透過率は、それぞれの情報層における反射膜の薄膜化により実現しなければならない。
【０００６】
ところが、反射膜を薄膜化すると、放熱性が低下して、記録マークを形成する際に、レーザー照射による記録膜溶融後に急速に冷却する必要があるにも拘らず、冷却速度が不十分となり、アモルファス状態の記録マークの外周部分が結晶に戻ってしまって、記録マークが小さくなってしまい、反射膜の薄膜化には限界があった。そこで光干渉効果による透過率向上が可能な透過率調整層を設けようとしたが、そうすることによって高温高湿度保存後に膜剥離が生じることが分かった。これは、書き換え型の光記録媒体では大きな問題となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−２０４５９号公報（特許第４８５８４３８号）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、相変化材料からなる３層の情報層を有し、光入射面側の半透過情報層の高い透過率と、高温高湿度保存後に膜剥離が生じないことを両立することが可能な書き換え型３層光記録媒体を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
３層光記録媒体は２層光記録媒体よりも半透過情報層の透過率を高める必要があるため、記録膜、反射膜の膜厚を薄くし、さらに、Ｌ２層の、最も基板側の第３誘電体の材料・膜厚を最適化する、即ち透過率調整層とすることで、光学的エンハンス効果を利用して透過率を向上させることができる。
【００１０】
そこで、第３誘電体を３層構造に変更し透過率向上を図ったが、これにより、高温高湿度保存において膜剥離が発生してしまった（理由はまだ不明）。膜剥離は、Ｌ２記録膜と第２誘電体の界面で起きている。膜剥離対策として、第２誘電体を２層構造とし、Ｌ２記録膜に接する界面層にＣｒ２Ｏ３比率の高い材料を用いることで、記録膜と界面層の密着力を向上させることができた。ただ、Ｃｒ２Ｏ３比率の高い膜は半透明膜であり透過率が低下するため、その膜厚には上限がある。以上により、透過率向上と膜剥離抑制を可能とした。
【００１１】
即ち、以下の本発明により上記課題を解決することができる。
【００１２】
本発明は、基板と、この基板におけるレーザービームの光入射面側に設けられたＬ０層及びこのＬ０層の更に光入射面側に順に設けられた半透過層であるＬ１層とＬ２層の３層の情報層を有してなり、前記Ｌ０層、Ｌ１層及びＬ２層は、それぞれ相変化材料からなるＬ０記録膜、Ｌ１記録膜及びＬ２記録膜を有し、前記Ｌ２層は、光入射面側から前記基板側に向けて順に配置された、第１誘電体層、前記Ｌ２記録膜、第２誘電体層、反射膜及び第３誘電体層から構成され、前記第１誘電体層は、前記Ｌ２記録膜の光入射面側に隣接する外側第１界面層を含み、前記第２誘電体層は、前記Ｌ２記録膜に対して、前記外側第１界面層の反対側で隣接する奥側第１界面層、及び、前記奥側第１界面層と前記反射膜との間でこれらに隣接する奥側第２界面層からなる２層構造とされ、前記第３誘電体層は、前記反射膜側から前記基板側に向けて、順に配置された、第１誘電体膜、第２誘電体膜及び第３誘電体膜の３層構造の透過率調整層とされ、前記外側第１界面層及び奥側第１界面層は、各々４０〜８０ｍｏｌ％のＣｒ２Ｏ３を含み、膜厚が１〜７ｎｍの誘電体材料からなることを特徴とする書き換え型３層光記録媒体により、上記課題を解決するものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、それぞれ相変化材料からなる３層の情報層を有する光記録媒体において、光入射面側の半透過情報層の高い透過率が得られると共に、高温高湿度保存後のＬ２層の膜剥離を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施例に係る書き換え型３層光記録媒体を模式的に示す断面図
【図２】同実施例におけるＬ２層を拡大して模式的に示す断面図
【図３】オーバライトシェルフテストの過程を示すフローチャート
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。
【実施例】
【００１６】
図１に示されるように、本発明の実施例に係る書き換え型３層光記録媒体１０は、図において上端がレーザービームの光入射面１０Ａとされ、且つ、基板１２と、この基板１２における光入射面１０Ａ側に設けられたＬ０層１４及びこのＬ０層１４の更に光入射面側に順に設けられたＬ１層１６とＬ２層２０の３層の情報層を含んで構成されている。
【００１７】
Ｌ１層１６とＬ２層２０とは、共に半透過情報層であり、又、Ｌ０層１４、Ｌ１層１６及びＬ２層２０は、それぞれ相変化材料からなるＬ０記録膜１５、Ｌ１記録膜１７及びＬ２記録膜２１を有している。
【００１８】
図１において、符号３０はＬ２層２０を覆う透明なカバー層、３２はＬ２層２０とＬ１層１６の間のスペーサ層、３４はＬ１層１６とＬ０層１４の間のスペーサ層をそれぞれ示す。
【００１９】
図２に示されるように、Ｌ２層２０は、光入射面１０Ａ側から基板１２に向かって順に配置された、第１誘電体層２２、前記Ｌ２記録膜２１、第２誘電体層２４、反射膜２６、第３誘電体層２８から構成されている。
【００２０】
第１誘電体層２２は、３層構造とされ、Ｌ２記録膜２１の光入射面側に隣接する外側第１界面層２２Ａと、その光入射面側に隣接する外側第２界面層２２Ｂと、その更に外側に隣接する最外側層２２Ｃとの３層構造とされている。
【００２１】
第２誘電体層２４は、２層構造であり、Ｌ２記録膜２１に対して、外側第１界面層２２Ａの反対側で隣接する奥側第１界面層２４Ａ、及び、奥側第１界面層２４Ａと反射膜２６との間でこれらに隣接する奥側第２界面層２４Ｂから構成されている。
【００２２】
第３誘電体層２８は、反射膜２６から基板１２側に向かって順に配置された、第１誘電体膜２８Ａ、第２誘電体膜２８Ｂ、及び、第３誘電体膜２８Ｃの３層構造の透過率調整層とされている。
【００２３】
外側第１界面層２２Ａ及び奥側第１界面層２４Ａは、共に、４０〜８０ｍｏｌ％のＣｒ２Ｏ３を含み、膜厚が１〜７ｎｍの誘電体材料から構成されている。
【００２４】
又、奥側第２界面層２４Ｂは、０〜３０ｍｏｌ％のＣｒ２Ｏ３を含む誘電体材料から構成されている。
【００２５】
［実験例１］
実験例に係る書き換え型３層光記録媒体は、厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート製基板上に、Ｌ０層、厚さ２５μｍのスペーサ層、Ｌ１層、厚さ１８μｍのスペーサ層、Ｌ２層、厚さ５７μｍのカバー層を順に設けて構成した。Ｌ０記録膜、Ｌ１記録膜及びＬ２記録膜はともに相変化材料から構成した。
【００２６】
Ｌ０層は、ＡｇＮｄＣｕ（厚さ：４０ｎｍ）、ＣｅＯ２−Ａｌ２Ｏ３（組成８０：２０、５ｎｍ）、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（５０：５０、１０ｎｍ）、Ｌ０記録膜（１１ｎｍ）、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（８０：２０、３３ｎｍ）、ＳｉＮ（４０ｎｍ）をスパッタにより順に設けて構成した。
【００２７】
次に、Ｌ０層の上のスペーサ層上に、ＳｉＯ２（６ｎｍ）、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（８０：２０、２０ｎｍ）、ＴｉＯ２（１ｎｍ）、ＡｇＣｕ（１３ｎｍ）、ＺｒＯ２−Ｃｒ２Ｏ３（１０ｎｍ）、ＺｒＯ２−Ｃｒ２Ｏ３（５０：５０、２ｎｍ）、Ｌ１記録膜（５．２ｎｍ）、ＺｒＯ２−Ｃｒ２Ｏ３（５０：５０、２ｎｍ）、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（８０：２０、１５ｎｍ）、ＡｌＮ（３０ｎｍ）をスパッタにより順に設けて、Ｌ１層を作成した。
【００２８】
次に、Ｌ１層の上のスペーサ層上に、第３誘電体膜としてＳｉＯ２（６ｎｍ）、第２誘電体膜としてＺｎＳ−ＳｉＯ２（８０：２０、２１ｎｍ）、第１誘電体膜としてＴｉＯ２（１ｎｍ）、反射膜としてＡｇＣｕ（１１ｎｍ）、奥側第２界面層としてＺｒＯ２−Ｃｒ２Ｏ３（９０：１０、１０ｎｍ）、奥側第１界面層としてＺｒＯ２−Ｃｒ２Ｏ３（５０：５０、２ｎｍ）、Ｌ２記録膜（５．２ｎｍ）、外側第１界面層としてＺｒＯ２−Ｃｒ２Ｏ３（５０：５０、１．５ｎｍ）、外側第２界面層としてＺｎＳ−ＳｉＯ２（８０：２０、１５ｎｍ）、最外側層としてＡｌＮ（３３ｎｍ）をスパッタにより順に設けて、Ｌ２層を作成した。
【００２９】
第３誘電体膜は、屈折率が１．６未満の材料から構成され、第２誘電体膜は、屈折率が２．２〜２．４の材料から構成されることが好ましい。これにより、第３誘電体膜と基板との屈折率差を小さくし、第３誘電体膜と第２誘電体膜との屈折率差を大きくすることで、透過率を高めることができる。また、第１誘電体膜はＳ成分を含まないＴｉＯ２から構成されることが好ましい。第１誘電体と接する反射膜の腐食を防ぐことができる。
【００３０】
外側第１界面層と奥側第１界面層の材料をＺｒＯ２−Ｃｒ２Ｏ３として、Ｃｒ２Ｏ３の組成を変化させたＬ２層のサンプル１〜６（表１参照）を作成し、カバー層を塗布して、Ｌ２記録膜を初期化後に、８０℃８０％ＲＨ環境に５０時間保存した。保存後に光学顕微鏡にて、奥側第１界面層とＬ２記録膜との間で、膜剥離を確認した。その結果を表１に示している。
【表１】
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【００３１】
表１から、Ｌ２記録膜の両側に接する２つの界面層を共に、Ｃｒ２Ｏ３量が４０〜８０ｍｏｌ％であれば膜剥離が起きないことが分かった。又、両界面層共にＣｒ２Ｏ３のみとすると高温高湿度保存による膜剥離が起きなかったが、保存前から膜欠陥が発生していた。これはＣｒ２Ｏ３ターゲットから数μｍサイズのＣｒ２Ｏ３の塊がスパッタされて基板に付着したため、これが膜欠陥となっていることが分かった。
【００３２】
［実験例２］
次に、奥側第１界面層及び外側第１界面層を共にＺｒＯ２−Ｃｒ２Ｏ３（５０：５０）として、奥側第２界面層のＣｒ２Ｏ３の組成を変化させたサンプル７〜１２を作成し、Ｌ２層に必要な透過率５４％以上を確保できるか確認した。その結果を表２に示す。
【表２】
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【００３３】
表２から、奥側第２界面層では、Ｃｒ２Ｏ３が３０ｍｏｌ％以下であれば、必要な透過率を確保できることが分かった。
【００３４】
［実験例３］
Ｌ２層として、厚さ１８μｍのスペーサ層の上に、第３誘電体膜としてＳｉＯ２（６ｎｍ）、第２誘電体膜としてＺｎＳ−ＳｉＯ２（８０：２０、２１ｎｍ）、第１誘電体膜としてＴｉＯ２（１ｎｍ）、反射膜としてＡｇＣｕ（１１ｎｍ）、奥側第２界面層としてＺｒＯ２−Ｃｒ２Ｏ３（９０：１０）、奥側第１界面層としてＺｒＯ２−Ｃｒ２Ｏ３（５０：５０）、Ｌ２記録膜（５．２ｎｍ）、外側第１界面層として、ＺｒＯ２−Ｃｒ２Ｏ３（５０：５０、１．５ｎｍ）、外側第２界面層としてＺｎＳ−ＳｉＯ2（８０：２０、１５ｎｍ）、最外側層として、ＡｌＮ（３３ｎｍ）をスパッタにより順に設けて形成した。奥側第１界面層と奥側第２界面層の膜厚を、合計で１２ｎｍのままそれぞれ変化させたＬ２層のサンプル１３〜１８を作製し、カバー層塗布、初期化を行い、８０℃８０％ＲＨ環境に５０時間保存した。保存後に光学顕微鏡にて膜剥離を確認した。また、サンプル１３〜１８の透過率を測定し、Ｌ２層に必要な透過率５４％以上のとき○、５４％未満のとき×とした。結果を表３に示す。
【表３】
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【００３５】
表３から、奥側第１界面層の膜厚が厚くなると、透過率が低下して必要特性が得られなかった。これは、Ｃｒ２Ｏ３単体では半透明膜であり、Ｃｒ２Ｏ３比率の大きい奥側第１界面層がλ＝４０５ｎｍでは吸収を持つためである。よって、奥側第１界面層の膜厚は１ｎｍ〜７ｎｍが好ましい。
【００３６】
また、奥側第１界面層と奥側第２界面層の膜厚の合計は、８〜１６ｎｍが好ましい。８ｎｍよりも薄くなると、変調度が低下して信号品質が悪化し、１６ｎｍよりも厚いと、透過率が低下してしまう。
【００３７】
Ｌ０層、Ｌ１層及びＬ２層の構成を実験例１〜３の範囲内とし、Ｌ０記録膜、Ｌ１記録膜及びＬ２記録膜が相変化材料であればその範囲で元素や組成を変更しても、光入射面側の半透過情報層の高い透過率が得られると共に、高温高湿度保存後のＬ２層の膜剥離を抑制することができるという効果が得られた。
【００３８】
次の実験例４では、Ｌ０記録膜、Ｌ１記録膜及びＬ２記録膜の元素及び組成を特定することにより、上記光入射面側の半透過情報層の高い透過率が得られると共に、高温高湿度保存後のＬ２層の膜剥離を抑制することができるという効果に加えて、良好な保存特性が得られることを確認した。
【００３９】
［実験例４］
実験例４では、記録膜以外の膜構成は実験例１と同様である。実験例４において、Ｌ１記録膜１７は、例えばＳｂｘＴｅｙＧｅｚの元素及び組成比の相変化材料からなり、ｙが５≦ｙ≦１５、ｚが５≦ｚ≦１５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００とされ、Ｌ２記録膜２１は、ＳｂｍＧｅｎＭｇｒの元素及び組成比の相変化材料からなり、ｍが８２．５≦ｍ≦８５．５、ｎが１０≦ｎ≦２０、ｒが１≦ｒ≦３、ｍ＋ｎ＋ｒ＝１００とされている。
【００４０】
Ｌ０記録膜１５は、例えばＳｂｈＴｅｉＧｅｊの元素及び組成比の相変化材料からなり、ｈ＋ｉ＋ｊ＝１００であり、ｈ＜ｘ＜ｍ、ｉ＞ｙ＞ｍ、ｊ＜ｚ＜ｎとされている。
【００４１】
ここで、ｈ、ｉ、ｊと、ｘ、ｙ、ｚと、ｍ、ｎ、ｒとは、それぞれの記録膜材料全体の組成に対するａｔ％であるが、Ｌ０記録膜は、記録膜材料全体の組成に対して２ａｔ％まで、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎの添加物を含むことが可能であり、Ｌ１記録膜は、記録膜材料全体の組成に対して２ａｔ％まで、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎの添加物を含むことが可能であり、Ｌ２記録膜は、記録膜材料全体の組成に対して２ａｔ％まで、Ｔｅ、Ｉｎの添加物を含むことが可能である。
【００４２】
Ｌ１記録膜１７におけるｘとｙは６．９≦ｘ／ｙ≦８．９の関係にあるようにされている。更に、Ｌ０記録膜１５におけるＳｂ／Ｔｅの組成比が２．５〜４．５となるようにされている。
【００４３】
具体的には、Ｌ０記録膜の材料として、表４のＳｂを主成分とした材料組成を用い、表５のＬ０記録膜サンプル１９〜２４を作成した。
【００４４】
【表４】
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【表５】
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【００４５】
Ｌ１記録膜の材料として、表４のＳｂを主成分とした材料組成を用い、表６のようにＬ１記録膜サンプル２５〜３０を作成した。
【表６】
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【００４６】
Ｌ２記録膜の材料として表４のＳｂを主成分とした材料組成を用い、表７のようにＬ２記録膜サンプル３１〜３６を作成した。
【表７】
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【００４７】
レーザー光の波長λ＝４０５ｎｍ、開口数ＮＡ＝０．８５の光学系を用い、線速度７．３６ｍ／ｓ、クロック周波数１３２ＭＨｚ、最短マーク長１１２μｍ、情報層１層当たりの記録容量３３．４ＧＢとして、Ｌ０記録膜、Ｌ１記録膜、Ｌ２記録膜について、初期特性と保存特性のサンプル評価をしたその結果を表５〜７に示す。
【００４８】
初期特性としては、変調度と消去率を評価した。変調度は８Ｔ単一信号を記録した時の信号出力を反射率で規格化した値である。
【００４９】
表５〜７において、変調度が４０％以上なら○、４０％未満なら×とした。消去率は８Ｔ信号を１０回記録後に１回ＤＣ消去を行ない、消去率を測定した。消去率が２５ｄＢ以上ならば○、２５ｄＢ未満なら×とした。
【００５０】
保存特性としてはＯＷ−ｓｈｅｌｆ（オーバーライトシェルフ）特性を評価した。これは、図３に示されるように、はじめにランダム信号を１０回記録し、信号品質の評価指標値の１つであるｉ−ＭＬＳＥ値を測定した。その後、８０℃ｄｒｙ環境に１２時間保存後サンプルディスクを取り出し、保存前に記録した信号の再生を行ない、高温保存後の信号安定性を評価した。
【００５１】
信号安定性は、保存前と保存後のｉ−ＭＬＳＥ値を比較し、表５〜７において、変化量が１％以下ならば○、１％よりも大きければ×とした。又、８０℃ｄｒｙ環境に１２時間保存後サンプルディスクを取り出し、保存前に記録した信号上に１回書き換えを行なった。
【００５２】
この書き換え後のｉ−ＭＬＳＥ値を測定して、高温保存後の書き換え特性を評価した。保存前のｉ−ＭＬＳＥ値と比較し、２％未満の変化量ならば○、２％以上の変化量ならば×とした。
【００５３】
表５からは、Ｌ０記録膜は、サンプル１９は全ての項目で○であり、サンプル２０〜２４は消去率２５ｄＢ以上で○であるが、消去率が高く結晶化速度が速すぎるため、十分な大きさの記録マークの形成が困難であり、変調度が低下して×であった。又、結晶化速度が速すぎるため、高温保存後の信号安定性と書き換え特性が×であった。
【００５４】
Ｌ１記録膜では、サンプル２６のみ全ての項目で○であった。サンプル２５と２９は結晶化速度が遅いため消去率が×であった。サンプル２７は変調度・消去率共に○であったが、記録マークは高温保存後に一部結晶化してしまい、信号安定性が×であった。
【００５５】
サンプル２８と３０は、消去率は○であるが、記録部分のアモルファス状態と未記録部分の結晶状態の反射率差が小さいために変調度が小さく×であった。
【００５６】
Ｌ２記録膜では、サンプル３６のみ全ての項目で○であったが、サンプル３１、３５は結晶化速度が遅いため消去率が×であった。サンプル３２〜３４は初期特性は良好であったが、高温保存後の信号安定性、書き換え特性が×であった。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
記録層を３層として、各層の書き換え後の記録保持特性のよい、青色レーザー光を用いるＢＤに応用できる。
【符号の説明】
【００５８】
１０…書き換え型３層光記録媒体
１０Ａ…光入射面
１２…基板
１４…Ｌ０層
１５…Ｌ０記録膜
１６…Ｌ１層
１７…Ｌ１記録膜
２０…Ｌ２層
２１…Ｌ２記録膜
２２…第１誘電体層
２２Ａ…外側第１界面層
２２Ｂ…外側第２界面層
２２Ｃ…最外側層
２４…第２誘電体層
２４Ａ…奥側第１界面層
２４Ｂ…奥側第２界面層
２６…反射膜
２８…第３誘電体層
２８Ａ…第１誘電体膜
２８Ｂ…第２誘電体膜
２８Ｃ…第３誘電体膜
３０…カバー層
３２、３４…スペーサ層
【図１】
2014199702.tif 000010
【図２】
2014199702.tif 000011
【図３】
2014199702.tif 000012