(57)【要約】【課題】有機ＥＬ表示装置において赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）及び白色（Ｗ）サブピクセルからなる画素をカラーフィルタを用いずに構成する。【解決手段】画素４２を構成するＲＧＢＷサブピクセル４４ｒ，４４ｇ，４４ｂ，４４ｗのうちＲＧＢサブピクセルはそれぞれ対応する色の発光領域４０ｒ，４０ｇ，４０ｂのみを含む。Ｗサブピクセルは互いに異なる種類の発光領域４０ｒ，４０ｇ，４０ｂからなる複数の部分領域４６ｒ，４６ｇ，４６ｂが隣接配置されてなり、当該複数の部分領域４６を共通の画素回路で駆動される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに異なる色で発光する有機発光素子が形成された３種類以上の発光領域が画像表示領域に二次元配列された有機ＥＬ表示装置であって、
前記画像表示領域に複数配列される画素はそれぞれ、互いに独立して発光強度を制御される複数種類のサブピクセルからなり、
当該複数種類のサブピクセルは、
前記発光領域の種類ごとに設けられ、それぞれ１種類の前記発光領域のみを含む複数種類の単純サブピクセルと、
互いに異なる種類の前記発光領域からなる複数の部分領域が隣接配置されてなり、前記複数の部分領域を共通の画素回路で駆動される複合サブピクセルと、
を含むことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記画素の二次元配列にて前記画素が列を成す方向の１つを特定配列方向とし、
前記特定配列方向にて前記列を成す複数画素の前記単純サブピクセルは、当該特定配列方向に沿って並び、
前記各画素の前記複合サブピクセルは、当該画素の前記単純サブピクセルのいずれとも隣接すること、
を特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記特定配列方向にて前記列を成す複数画素の前記複合サブピクセルは、当該特定配列方向に沿う直線上に並ぶこと、を特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の有機ＥＬ表示装置において、
映像信号の輝度成分に応じた強度で前記複合サブピクセルを発光させ、前記映像信号の残りの成分に応じて前記各単純サブピクセルを発光させる駆動回路を有すること、を特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記発光領域は第１乃至第３の色で発光する３種類であり、
前記複数種類の単純サブピクセルは、前記第１の色で発光する第１の単純サブピクセル、前記第２の色で発光する第２の単純サブピクセル、及び前記第３の色で発光する第３の単純サブピクセルであり、
前記複合サブピクセルは、前記部分領域それぞれの発光を混合した第４の色で発光すること、
を特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記第１の色は赤色であり、前記第２の色は緑色であり、前記第３の色は青色であり、
前記複合サブピクセルは第１乃至第３の前記部分領域からなり、前記第４の色は白色であること、
を特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
請求項５又は請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記複合サブピクセルは第１乃至第３の前記部分領域からなり、
前記第１の部分領域は前記第１の単純サブピクセルと隣接し、かつ同じ色で発光し、
前記第２の部分領域は前記第２の単純サブピクセルと隣接し、かつ同じ色で発光し、
前記第３の部分領域は前記第３の単純サブピクセルと隣接し、かつ同じ色で発光すること、
を特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれか１つに記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記複数種類の発光領域は、前記画像表示領域にて同じ種類の前記発光領域が直線上に並んだストライプが複数並列配置されたストライプ配列に形成されること、を特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記各ストライプに沿って延在され、当該ストライプに属する前記発光領域からなる前記単純サブピクセルの前記有機発光素子に駆動電流を供給する電源供給線を有し、
前記複数種類の発光領域のうちのいずれか１種類に対応する前記電源供給線は、他の種類に対応する前記電源供給線より太く形成され、前記複合サブピクセルの前記有機発光素子にも駆動電流を供給すること、
を特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれか１つに記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記複数種類の部分領域は、当該部分領域に形成される前記有機発光素子の劣化速度が大きいものほど大きな面積を有すること、を特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機エレクトロルミネッセンス（electroluminescence：ＥＬ）表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置は有機発光ダイオード（Organic Light-Emitting Diode：ＯＬＥＤ）が発する光を用いて赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）等の複数色を生成しカラー画像を表示する。画像表示領域に二次元配列される各画素は互いに異なる色の光を発する複数のサブピクセルで構成される。各サブピクセルの発光強度は独立して制御でき、それらの発光強度のバランスに応じて画素は様々な色を表現することができる。
【０００３】
複数色の生成の仕組みとして、白色（Ｗ）発光のＯＬＥＤとカラーフィルタとを組み合わせる構成や、ＲＧＢ等の各色成分を発光するＯＬＥＤを画像表示領域に配列する構成などがある。このうち、カラーフィルタを用いる構成は、カラーフィルタで光を吸収されるため光の利用効率が低くなり、また消費電力の低減が図りにくい。この問題への対策として、カラーフィルタを配置する例えばＲＧＢサブピクセルの他に、カラーフィルタを設けず白色光をそのまま出射するＷサブピクセルを設ける構成が提案されている。
【０００４】
一方、各色成分を発光するＯＬＥＤを用いる構成は、カラーフィルタでの光の吸収がないので光の利用効率が高く、また消費電力が少ない点で優れている。よって、光の利用効率等の観点からは当該構成においてＷサブピクセルを設ける必要性は低い。
【０００５】
ここで、ＲＧＢＷサブピクセルからなる画素を有した表示装置で、ＲＧＢの各色信号で表された映像信号を表示する場合、当該ＲＧＢの３色の信号をＲＧＢＷの４色の信号に振り分ける変換処理が行われる。この変換処理では例えば、輝度成分など元の各色信号の一部の成分がＷ信号に割り当てられるので、変換後のＲＧＢ各色信号の信号振幅や駆動回路の駆動能力に余裕ができる。この余裕を利用して、より精細な階調表現や色再現の向上などが可能となる。このような観点からは、有機ＥＬ表示装置において、各色成分を発光するＯＬＥＤからなるＲＧＢサブピクセルにＷサブピクセルを加えた画素構成とすることには有用性がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】再表２００６／０５４４２１号公報
【特許文献２】特開２００８−０２６３３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
Ｗサブピクセルは白色発光の有機発光層を有するＯＬＥＤや、Ｒ，Ｇ，Ｂ各発光色のＯＬＥＤを積層してＲＧＢの加法混色で白色光を得る構成により実現することができる。しかし、白色発光の有機発光層を有するＯＬＥＤを形成する場合には、ＲＧＢ各発光色のＯＬＥＤの形成とは別途に蒸着マスク、材料、工程が必要となるという問題がある。またＲＧＢのＯＬＥＤの積層構造を形成する場合も工程数の増加などの問題を生じる。
【０００８】
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、ＲＧＢＷサブピクセルからなる画素の作成が容易である有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）本発明に係る有機ＥＬ表示装置は、互いに異なる色で発光する有機発光素子が形成された３種類以上の発光領域が画像表示領域に二次元配列された有機ＥＬ表示装置であって、前記画像表示領域に複数配列される画素はそれぞれ、互いに独立して発光強度を制御される複数種類のサブピクセルからなり、当該複数種類のサブピクセルは、前記発光領域の種類ごとに設けられ、それぞれ１種類の前記発光領域のみを含む複数種類の単純サブピクセルと、互いに異なる種類の前記発光領域からなる複数の部分領域が隣接配置されてなり、前記複数の部分領域を共通の画素回路で駆動される複合サブピクセルと、を含む。
【００１０】
（２）上記（１）に記載する有機ＥＬ表示装置において、前記画素の二次元配列にて前記画素が列を成す方向の１つを特定配列方向とし、前記特定配列方向にて前記列を成す複数画素の前記単純サブピクセルは当該特定配列方向に沿って並び、前記各画素の前記複合サブピクセルは当該画素の前記単純サブピクセルのいずれとも隣接する構成とすることができる。
【００１１】
（３）上記（２）に記載する有機ＥＬ表示装置において、前記特定配列方向にて前記列を成す複数画素の前記複合サブピクセルは、当該特定配列方向に沿う直線上に並ぶ構成とすることができる。
【００１２】
（４）上記（１）から（３）に記載する有機ＥＬ表示装置において、映像信号の輝度成分に応じた強度で前記複合サブピクセルを発光させ、前記映像信号の残りの成分に応じて前記各単純サブピクセルを発光させる駆動回路を有する構成とすることができる。
【００１３】
（５）上記（１）から（４）に記載する有機ＥＬ表示装置において、前記発光領域は第１乃至第３の色で発光する３種類であり、前記複数種類の単純サブピクセルは、前記第１の色で発光する第１の単純サブピクセル、前記第２の色で発光する第２の単純サブピクセル、及び前記第３の色で発光する第３の単純サブピクセルであり、前記複合サブピクセルは、前記部分領域それぞれの発光を混合した第４の色で発光する構成とすることができる。
【００１４】
（６）上記（５）に記載する有機ＥＬ表示装置において、前記第１の色は赤色であり、前記第２の色は緑色であり、前記第３の色は青色であり、前記複合サブピクセルは第１乃至第３の前記部分領域からなり、前記第４の色は白色である構成とすることができる。
【００１５】
（７）上記（５）又は（６）に記載する有機ＥＬ表示装置において、前記複合サブピクセルは第１乃至第３の前記部分領域からなり、前記第１の部分領域は前記第１の単純サブピクセルと隣接し、かつ同じ色で発光し、前記第２の部分領域は前記第２の単純サブピクセルと隣接し、かつ同じ色で発光し、前記第３の部分領域は前記第３の単純サブピクセルと隣接し、かつ同じ色で発光する構成とすることができる。
【００１６】
（８）上記（１）から（７）に記載する有機ＥＬ表示装置において、前記複数種類の発光領域は、前記画像表示領域にて同じ種類の前記発光領域が直線上に並んだストライプが複数並列配置されたストライプ配列に形成される構成とすることができる。
【００１７】
（９）上記（８）に記載する有機ＥＬ表示装置において、前記各ストライプに沿って延在され、当該ストライプに属する前記発光領域からなる前記単純サブピクセルの前記有機発光素子に駆動電流を供給する電源供給線を有し、前記複数種類の発光領域のうちのいずれか１種類に対応する前記電源供給線は、他の種類に対応する前記電源供給線より太く形成され、前記複合サブピクセルの前記有機発光素子にも駆動電流を供給する構成とすることができる。
【００１８】
（１０）上記（１）から（９）に記載する有機ＥＬ表示装置において、前記複数種類の部分領域は、当該部分領域に形成される前記有機発光素子の劣化速度が大きいものほど大きな面積を有する構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、Ｗサブピクセルとなる複合サブピクセルを形成する工程はＲＧＢサブピクセルに相当する単純サブピクセルを形成する工程との共通化が図られ、ＲＧＢＷサブピクセルからなる画素を有した有機ＥＬ表示装置の製造が容易となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略の構成を示す模式図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における画素アレイ部の一部を模式的に示す平面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における画素アレイ部の一部の概略の回路構成を示す模式図である。
【図４】本発明の第１の実施形態の画素アレイ部におけるサブピクセルの配置を示す模式図である。
【図５】本発明の実施形態の画素アレイ部におけるサブピクセルの配置の他の例を示す模式図である。
【図６】本発明の実施形態の画素アレイ部におけるサブピクセルの配置のさらに他の例を示す模式図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における画素アレイ部の一部を模式的に示す平面図である。
【図８】本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における画素アレイ部の一部の概略の回路構成を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態（以下実施形態という）について、図面に基づいて説明する。
【００２２】
［第１の実施形態］
図１は本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置２の概略の構成を示す模式図である。有機ＥＬ表示装置２は画素アレイ部４及び駆動部を有する。
【００２３】
画素アレイ部４は、画素が二次元配列された画像表示領域を有し画像を表示する。画像表示領域にはＲ発光、Ｇ発光及びＢ発光の３種類の発光領域が二次元配列される。各色の発光領域には、当該色で発光する有機発光素子であるＯＬＥＤが形成される。画素は当該発光領域で構成される複数種類のサブピクセルからなる。本実施形態では画素は表示領域にマトリクス状に配列され、各画素はＲＧＢＷの４種類のサブピクセルからなる。
【００２４】
また、画像表示領域には、ＯＬＥＤ１０をアクティブマトリクス駆動するための薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）、走査信号線１２、映像信号線１４、電源供給線１６なども形成される。具体的には、サブピクセルごとに点灯ＴＦＴ２２や駆動ＴＦＴ２４を含んだ画素回路２０が形成される。走査信号線１２は画素の水平方向の並び（画素行）に沿った方向に延在され、当該画素行に属する複数のサブピクセルの点灯ＴＦＴのゲートに共通に接続される。また映像信号線１４及び電源供給線１６は画素の垂直方向の並び（画素列）に沿った方向に延在される。
【００２５】
有機ＥＬ表示装置２は駆動部として走査線駆動回路３０、映像線駆動回路３２、駆動電源回路３４及び制御装置３６などを備える。
【００２６】
走査線駆動回路３０は複数の走査信号線１２に接続されている。走査線駆動回路３０は制御装置３６から入力されるタイミング信号に応じて走査信号線１２を順番に選択し、選択した走査信号線１２に、ＴＦＴをオンする電圧を印加する。例えば、走査線駆動回路３０はシフトレジスタを含んで構成され、当該シフトレジスタは制御装置３６からのトリガ信号を受けて動作を開始し、垂直走査方向に沿った順序で走査信号線１２を順次選択し、選択した走査信号線１２に走査パルスを出力する。
【００２７】
映像線駆動回路３２は複数の映像信号線１４に接続されている。映像線駆動回路３２は制御装置３６から映像信号を入力され、走査線駆動回路３０による走査信号線１２の選択に合わせて、選択された画素行の映像信号に応じた電圧を各映像信号線１４に出力する。当該電圧は、選択された画素行にて点灯ＴＦＴ２２を介して画素回路に書き込まれる。駆動ＴＦＴ２４は書き込まれた電圧に応じた電流を電源供給線１６からＯＬＥＤ１０に供給し、これにより、選択された走査信号線１２に対応する画素のＯＬＥＤ１０が発光する。これはラスター画像の水平走査に相当する。ちなみに、上述の走査線駆動回路３０の動作は垂直走査に相当する。
【００２８】
駆動電源回路３４は電源供給線１６に接続され、電源供給線１６及び選択された画素行の駆動ＴＦＴ２４を介してＯＬＥＤ１０に駆動電流を供給する。
【００２９】
制御装置３６は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）などの演算処理回路、及びＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）などのメモリ素子からなる記憶部を備えている。制御装置３６は映像信号を入力される。例えば、有機ＥＬ表示装置２がコンピュータや携帯端末の表示部を構成する場合には、映像信号は本体のコンピュータ等から有機ＥＬ表示装置２に入力される。また、有機ＥＬ表示装置２がテレビジョン受信機を構成する場合には、映像信号は不図示のアンテナやチューナで受信される。制御装置３６はＣＰＵがメモリに格納されたプログラムを読み出して実行することにより各種の処理を実行する。具体的には、制御装置３６は入力される映像信号がＲＧＢ信号である場合には、ＲＧＢＷ信号に変換する。また、制御装置３６は映像信号に対して色調整などの各種の画像信号処理を行って映像線駆動回路３２へ出力する。また、制御装置３６は入力された映像信号に基づいて、駆動部の各回路が同期を取るためのタイミング信号を生成し当該回路に向けて出力する。
【００３０】
図２は画素アレイ部４の一部を模式的に示す平面図である。ＲＧＢ各色の発光領域４０ｒ，４０ｇ，４０ｂは画像表示領域にストライプ配列される。具体的には、画像表示領域には、同じ種類の発光領域４０が列方向に沿って直線上に並んだストライプが複数並列配置される。そしてＲ発光領域４０ｒからなるＲストライプ、Ｇ発光領域４０ｇからなるＧストライプ、及びＢ発光領域４０ｂからなるＢストライプは行方向に沿って一定の順番で周期的に配置される。
【００３１】
各画素４２は互いに隣接する２つのＲ発光領域４０ｒ、互いに隣接する２つのＧ発光領域４０ｇ、及び互いに隣接する２つのＢ発光領域４０ｂを含む。例えば、各画素４２においてそれぞれ列方向の下側に位置するＲ発光領域４０ｒ、Ｇ発光領域４０ｇ及びＢ発光領域４０ｂがＲＧＢサブピクセル４４ｒ，４４ｇ，４４ｂを構成する。一方、それぞれ列方向の上側に位置するＲ発光領域４０ｒ、Ｇ発光領域４０ｇ及びＢ発光領域４０ｂがＷサブピクセル４４ｗの部分領域４６（４６ｒ，４６ｇ，４６ｂ）を構成する。すなわち、ＲＧＢサブピクセル４４ｒ，４４ｇ，４４ｂは、発光領域の種類ごとに設けられ、それぞれ１種類の発光領域のみを含むサブピクセル（単純サブピクセル）である。一方、Ｗサブピクセル４４ｗは、互いに異なる種類の発光領域からなる部分領域４６ｒ，４６ｇ，４６ｂが隣接配置されたサブピクセル（複合サブピクセル）である。
【００３２】
各画素４２の４つのサブピクセル４４は互いに独立して発光強度を制御可能に構成される。具体的には、ＲＧＢサブピクセル４４ｒ，４４ｇ，４４ｂについては、発光領域４０ｒ，４０ｇ，４０ｂに形成されるＯＬＥＤの下部電極（アノード）は互いに分離しており、それら下部電極は別々の画素回路に接続される。一方、Ｗサブピクセル４４ｗでは発光領域４０ｒ，４０ｇ，４０ｂに形成されるＯＬＥＤの下部電極は連続した一体の電極であり、当該下部電極は１つの画素回路に接続される。これにより、Ｗサブピクセル４４ｗの３つの部分領域４６のＯＬＥＤは共通して駆動され、Ｗサブピクセル４４ｗはそれら部分領域４６それぞれの発光を混合した色で発光する。本実施形態ではＷサブピクセル４４ｗの発光は白色（Ｗ）になるように設計されている。
【００３３】
図３は画素アレイ部４の一部の概略の回路構成を示す模式図である。上述のように各画素４２の４つのサブピクセル４４それぞれに画素回路２０が設けられる。各画素４２の４つの画素回路２０は共通の走査信号線１２に接続される。ここで、走査信号線１２の垂直方向の位置を例えば、各画素４２のＷサブピクセル４４ｗとＲＧＢサブピクセル４４ｒ，４４ｇ，４４ｂとの境界又はその付近とし、Ｗサブピクセル４４ｗの画素回路２０は走査信号線１２より上側に、またＲＧＢサブピクセル４４ｒ，４４ｇ，４４ｂの画素回路２０は走査信号線１２より下側に配置する、つまり各画素４２の複数の画素回路２０を走査信号線１２の両側に分けて配置することで画素回路２０のレイアウトが容易になり、またそれに伴い画素サイズの縮小が容易となる。
【００３４】
当該４つの画素回路２０の点灯ＴＦＴ２２のドレインは別々の映像信号線１４に接続される。具体的には、画素列方向に延在した映像信号線１４のうち映像信号線１４ｒには当該画素列の各画素のＲサブピクセル４４ｒが接続され、映像信号線１４ｇには当該画素列の各画素のＧサブピクセル４４ｇが接続され、映像信号線１４ｂには当該画素列の各画素のＢサブピクセル４４ｂが接続され、映像信号線１４ｗには当該画素列の各画素のＷサブピクセル４４ｗが接続される、
【００３５】
電源供給線１６は各画素列においてＲＧＢのストライプごとに設けられる。例えば、電源供給線１６はストライプ間の境界に１本ずつ配置することができる。Ｒストライプ近傍に配置される電源供給線１６ｒには当該画素列の各画素のＲサブピクセル４４ｒのＯＬＥＤ１０の下部電極が駆動ＴＦＴ２４を介して接続される。同様に、Ｇストライプ、Ｂストライプの近傍に配置される電源供給線１６ｇ，１６ｂには当該画素列の各画素のＧサブピクセル４４ｇ、Ｂサブピクセル４４ｂのＯＬＥＤ１０が接続される。
【００３６】
Ｗサブピクセル４４ｗのＯＬＥＤ１０は電源供給線１６ｒ，１６ｇ，１６ｂのいずれかに接続される。例えば、図３では、電源供給線１６ｂがＢサブピクセル４４ｂへの駆動電流の供給とＷサブピクセル４４ｗへの駆動電流の供給とに共用される。この電源供給線１６ｂのように複数種類のサブピクセル４４で共用される電源供給線１６は、他の電源供給線１６より流れる電流が大きくなり得るので、他の電源供給線１６より太く形成して電流密度の上限を他の電源供給線１６と同程度とすることが好適である。
【００３７】
上述の画素アレイ部４の画素構成では、有機発光層はＲＧＢの３色であり、それらは互いに異なる領域に別々の工程で成膜される。つまり、Ｗサブピクセル４４ｗを作るためにＲＧＢの有機発光層とは別途に白色の有機発光層を成膜する必要や、ＲＧＢの有機発光層を積層して白色発光を可能な構造を作る必要がないので、製造に必要な蒸着マスク、材料、工程をＲＧＢサブピクセルからなる画素構成と同程度に抑えることができる。
【００３８】
なお、ＲＧＢの３種類のサブピクセルからなる従来の画素構成と同様、４種類のサブピクセル４４の上部電極（カソード）は共通電極とすることができる。また、ＯＬＥＤを構成するホール輸送層（Hole Transport Layer：ＨＴＬ）や電子注入層（Electron Injection Layer：ＥＩＬ）を従来の構成と同様、全サブピクセルで共通にすることもできる。また、Ｒ，Ｇの有機発光層はＢの有機発光層より低いエネルギーで発光するので、Ｂの有機発光層はＲ，Ｇの発光領域の有機発光層に積層されても影響を与えない。よって、Ｂの有機発光層を全サブピクセルに共通に成膜することもできる。
【００３９】
上述したように制御装置３６はＲＧＢ信号からなる映像信号を変換してＲＧＢＷ信号からなる映像信号を生成し、当該信号は映像線駆動回路３２を介して各画素４２に書き込まれる。ＲＧＢ信号からＲＧＢＷ信号への変換は公知の技術を用いて行うことができる。例えば、Ｗ信号は映像信号の輝度成分（Ｙ成分）に応じた強度とし、変換後のＲＧＢ各色信号には、映像信号からＷ信号成分を差し引いた残りの成分を割り振る。
【００４０】
上記実施形態の画素４２はマトリクス配列であり、画像表示領域の水平方向と垂直方向とにそれぞれ列を成して並ぶ。ここで、水平方向を特定配列方向とすると、画素行が当該特定配列方向にて列を成す複数画素に該当する。この画素行を構成する複数の画素４２の単純サブピクセル、つまりＲＧＢサブピクセル４４ｒ，４４ｇ，４４ｂは当該特定配列方向に沿って並び、各画素４２の複合サブピクセル、つまりＷサブピクセル４４ｗは当該画素の単純サブピクセルのいずれとも隣接している。さらに、画素行を構成する複数の画素４２の複合サブピクセルは、当該特定配列方向に沿う直線上に並んでいる。図４はこのサブピクセルの配置を図２より簡素化した表現で示した模式図である。
【００４１】
この画素４２のレイアウトでは、画素４２が発光する際にはＷサブピクセル４４ｗは輝度成分に応じて常に発光し、かつＷサブピクセル４４ｗを構成する部分領域４６ｒ，４６ｇ，４６ｂは同時に発光する。よって、発光により画像が表示される領域では、特定配列方向に隣接するＷサブピクセル４４ｗが発光することにより、特定配列方向に隣接する画素間での発光の空間的な不連続性が軽減される。また、特定配列方向に交差する方向に関しては、基本的には各画素４２にてＲＧＢサブピクセル４４ｒ，４４ｇ，４４ｂの少なくともいずれかが発光することにより当該画素４２のＷサブピクセル４４ｗと隣接画素のＷサブピクセル４４ｗとの間が発光する領域で橋渡しされることを期待できる。よって、特定配列方向に交差する方向に隣接する画素間での発光の空間的な不連続性も軽減される。すなわち、隣接する発光画素間にて発光の微視的な空間連続性が向上することによって、複数種類のサブピクセルで離散的に表示することに伴い発生する空間的高周波成分による画像の不要な粗さが軽減され、画像表現が表示対象物等の本来の質感に近づくなどして画質が向上したり、微細な表示の視認性が向上したりする効果が得られる。
【００４２】
図５、図６は当該効果が得られる、サブピクセルの他の配置の例を示す模式図である。図５、図６の例でも特定配列方向は水平方向である。図５の例では、各画素行のＲＧＢサブピクセルはおおよそ特定配列方向に沿って並び、各画素のＷサブピクセルは、当該画素のＲＧＢサブピクセルのいずれとも隣接する。この点で図５の構成は図４の構成と共通する。一方、図５の構成では各画素行の複数画素のＷサブピクセルは、画素内での垂直方向の位置を交互に切り替えられ、特定配列方向に沿う直線上には並ばない点で図４の構成と相違する。しかし、隣接する画素行のＷサブピクセルに注目すると、Ｗサブピクセルは近似的には特定配列方向に連なって配置されている。
【００４３】
図６の例では、ＲＧＢの発光領域はストライプ配列ではなく、隣接する画素行間でＲＧＢの発光領域が水平方向にずれている。一方、図６の例では、各画素行のＲＧＢサブピクセルは特定配列方向に沿って並び、かつ各画素のＷサブピクセルは、当該画素のＲＧＢサブピクセルのいずれとも隣接する。さらに各画素行の複数画素のＷサブピクセルは特定配列方向に沿う直線上に並ぶ。よって、図６の構成は図４の構成と基本的に同様の効果を有する。
【００４４】
上述の実施形態では複合サブピクセルは白色発光である例を説明したが、これには限定されず、例えば、多少、白色からずれた色であってもよく、また黄色（Ｙｅ）発光など他の色になるように構成することもできる。
【００４５】
上述の実施形態では、各画素４２にてＲの部分領域４６ｒとＲサブピクセル４４ｒとは画素列方向に並んで隣接し、Ｇの部分領域４６ｇとＧサブピクセル４４ｇとは画素列方向に並んで隣接し、Ｂの部分領域４６ｂとＢサブピクセル４４ｂとは画素列方向に並んで隣接している。この構成では画素列方向に並ぶ部分領域４６とサブピクセル４４とは同じ色の発光領域で形成され、上述した発光領域のストライプ配列を可能とする。これに対して、画素列方向に並ぶ部分領域４６とサブピクセル４４とが異なる色の発光領域となるレイアウトも可能である。
【００４６】
また、単純サブピクセルは３種類より多くてもよく、一方、複合サブピクセルを構成する部分領域の種類は単純サブピクセルの種類より少なくてもよい。例えば、単純サブピクセルがＲＧＢの３種類である場合において、複合サブピクセルを構成する部分領域の種類をＲＧの２種類としたり、単純サブピクセルをＲＧＢ及びＹｅの４種類とし、複合サブピクセルを構成する部分領域の種類をＲＧＢの３種類としたりすることもできる。
【００４７】
また、Ｗサブピクセル４４ｗを構成する部分領域４６ｒ，４６ｇ，４６ｂの面積を、各部分領域に形成されるＯＬＥＤの劣化速度が大きいものほど広く設定してもよい。一般にＯＬＥＤに流れる電流を一定として有機発光層の面積を大きくすると、電流密度が小さくなり、有機発光層の劣化が遅くなる。部分領域４６ｒ，４６ｇ，４６ｂの発光時間は共通であるので、部分領域４６ｒ，４６ｇ，４６ｂの面積比を調節して、部分領域４６ｒ，４６ｇ，４６ｂの寿命の均一化を図ることができ、これによりＷサブピクセル４４ｗの経時的な色ずれを抑制したり、Ｗサブピクセル４４ｗや画素アレイ部４の寿命改善を図ることができる。具体的には、Ｂの有機発光層の輝度の経時変化が他の色の有機発光層に比べて大きいことが知られているので、Ｂの部分領域４６ｂの面積をＲ，Ｇの部分領域４６ｒ，４６ｇより大きくすることができる。
【００４８】
なお、単純にはＯＬＥＤに流れる電流が一定であれば有機発光層の面積を変えても発光強度は変わらないと考えられるが、例えば、Ｗサブピクセル４４ｗでは１つの画素回路２０に部分領域４６ごとの複数のＯＬＥＤが並列に接続されており、或る部分領域４６の面積を変えたときにＯＬＥＤ相互間での電流のバランスが種々の要因で変化し、ＯＬＥＤに流れる電流は一定にならないことも考えられる。よって、寿命改善を実現するための複数の部分領域４６の面積は、そのような電流変化に伴う寿命変化や、当該電流変化に伴う色バランスの変化などの影響を考慮に入れて設定することが望ましい。
【００４９】
［第２の実施形態］
以下、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置２を説明する。本実施形態の構成要素のうち上記第１の実施形態と共通のものには同一の符号を付して基本的に当該構成要素についての説明を省略し、主として第１の実施形態との相違点を説明する。
【００５０】
図７は本実施形態の有機ＥＬ表示装置２における画素アレイ部４の一部を模式的に示す平面図である。また図８は本実施形態の有機ＥＬ表示装置２における画素アレイ部４の一部の概略の回路構成を示す模式図である。第１の実施形態では走査信号線１２は各画素行に１本配置され、当該走査信号線１２に各画素４２の全ての画素回路２０を接続している。これに対し、本実施形態では走査信号線１２は各画素行に２本配置され、第１の走査信号線１２ａにはＲＧＢサブピクセル４４ｒ，４４ｇ，４４ｂの画素回路２０が接続され、第２の走査信号線１２ｂにはＷサブピクセル４４ｗの画素回路２０が接続される。
【００５１】
この構成ではＷサブピクセル４４ｗをＲＧＢサブピクセル４４ｒ，４４ｇ，４４ｂとは独立して発光させることが可能である。例えば、駆動部は、走査信号線１２ｂを用いてＷサブピクセル４４ｗをデューティ駆動して動画特性の向上を図ることができる。
【符号の説明】
【００５２】
２  有機ＥＬ表示装置、４  画素アレイ部、１０  ＯＬＥＤ、１２  走査信号線、１４  映像信号線、１６  電源供給線、２０  画素回路、２２  点灯ＴＦＴ、２４  駆動ＴＦＴ、３０  走査線駆動回路、３２  映像線駆動回路、３４  駆動電源回路、３６  制御装置、４０  発光領域、４２  画素、４４  サブピクセル、４６  部分領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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