(57)【要約】【課題】  ウエットプロセスで基板上に機能膜を成膜した表示素子において、表示領域の中央部分と周縁部分との間の乾燥速度差に起因して生じる、中央部分と周縁部分との機能膜の膜厚の差異を改善する。【解決手段】本発明の一態様に係る表示素子１００は、複数の画素がマトリックス状に配列された表示領域を有する表示素子であって、第１の電極１０２を含む下地層１１１が積層された基板１０１と、下地層１１１上に位置し開口部を規定する隔壁１０５と、下地層１１１の上方であって開口部内に位置する機能層１０６と、機能層１０６を介して第１の電極１０２と対向する第２の電極１０８と、を備え、表示領域の中央部分に存する画素における機能層１０６上面の端部は、表示領域の周縁部分に存する画素における機能層１０６上面の端部に比べて高く位置している構成を採る。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素がマトリックス状に配列された表示領域を有する表示素子であって、
第１の電極を含む下地層が積層された基板と、
前記下地層上に位置し開口部を規定する隔壁と、
前記下地層の上方であって前記開口部内に位置する機能層と、
前記機能層を介して前記第１の電極と対向する第２の電極と、を備え、
前記表示領域の中央部分に存する画素における機能層上面の端部は、前記表示領域の周縁部分に存する画素における機能層上面の端部に比べて高く位置している
表示素子。
【請求項２】
前記表示領域の中央部分に存する画素における隔壁は、前記表示領域の周縁部分に存する画素における隔壁に比べて高い請求項１記載の表示素子。
【請求項３】
前記表示領域の周縁部分に存する画素における隔壁の側面であって当該隔壁が規定する開口部に形成された機能層上面の端部が接する部位よりも上の部分の撥液性は、当該部分と対応する、前記表示領域の中央部分に存する隔壁の部分が有する撥液性よりも高い請求項１記載の表示素子。
【請求項４】
前記表示領域の中央部分に存する画素における隔壁よりも前記表示領域の周縁部分に存する画素における隔壁の方が、０．５μｍ以上１．０μｍ以下、隔壁の高さが高い請求項１記載の表示素子。
【請求項５】
前記表示領域は方形をしており、前記表示領域の周縁部分は、方形の一辺と、当該一辺から当該一辺と隣り合う他の一辺の長さの５％中央側に位置する前記一辺との平行線との間の範囲に存する請求項１記載の表示素子。
【請求項６】
前記表示領域の周縁部分に存する画素における隔壁の頭頂部が有する撥液性は、当該頭頂部と同じ高さの前記表示領域の中央部分に存する画素における隔壁の側面部が有する撥液性よりも高い請求項２記載の表示素子。
【請求項７】
複数の画素がマトリックス状に配列された表示領域を有する表示素子の製造方法であって、
基板に第１の電極を含む下地層を配設する下地層形成ステップと、
前記下地層上に開口部を規定する隔壁を形成する隔壁形成ステップと、
前記開口部に機能層材料を含む溶液をする充填する機能層材料充填ステップと、
前記溶液を乾燥して機能層を形成する乾燥ステップと、
前記前記機能層を介して前記第１の電極と対向する第２の電極を配設する第２電極配設ステップとを有し、
機能層材料充填ステップでは、前記表示領域の中央部分に存する隔壁が規定する開口部に充填された前記溶液の液面の端部は、前記表示領域の中央部分に存する隔壁が規定する開口部に充填された前記機能層の液面の端部の位置に比べて高く位置している、
表示素子の製造方法。
【請求項８】
前記機能層材料充填ステップでは、前記表示領域の周縁部分に存する隔壁が規定する開口部と、前記表示領域の中央部分に存する隔壁が規定する開口部に機能層材料を含む溶液を各々等量充填する
請求項７記載の表示素子の製造方法。
【請求項９】
前記隔壁形成ステップでは、前記表示領域の周縁部分に第1の高さを有する隔壁と、前記表示領域の中央部分に前記第１の高さよりも高い第２の高さを有する隔壁を形成する、
請求項７記載の表示素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示素子、及びその製造方法に関し、特に、インク、機能液などの液体を吐出する吐出装置を用いたウエットプロセスで基板上に機能膜を成膜した表示素子、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示パネルやＴＦＴ基板等の表示素子、デバイスにおいては、特定の機能を発揮するための機能膜が用いられる。機能膜の例としては、有機ＥＬ表示パネルにおける有機発光層や、ＴＦＴ基板における有機半導体層等が挙げられる。
現在、デバイスの大型化が進み、効率の良い機能膜の成膜方法として、機能性材料を含むインクをインクジェット法等に基づいて塗布するウエットプロセスが提案されている。ウエットプロセスは機能膜を塗り分ける際の位置精度が基板サイズに依存せず、デバイスの大型化への技術的障壁が比較的低いメリットがある。
【０００３】
代表的なインクジェット法のウエットプロセスでは、塗布装置の作業テーブル上に塗布対象基板を載置する。基板表面に対してインクヘッドを一方向に走査し、インクジェットヘッドの複数のノズルから基板表面の所定領域にインクを滴下する。その後はインクの溶媒を蒸発乾燥させて機能膜を成膜する。
ところで、このような基板上にインクを充填し乾燥する方法で機能層を形成するウエットプロセスに於いては、インクの溶媒を蒸発乾燥させるプロセスにおいて、成膜エリアの中央部分と周縁部分では、周縁部分の方が中央部分よりも溶媒蒸気圧が低くなることにより溶媒の乾燥速度が大きい。その結果、基板中央部分に形成される画素の機能層と基板端部に形成される画素の機能層とは形状が互いに異なる傾向がある。このように、基板中央部分の画素と基板周縁部分の画素とで機能層の形状が異なると、各機能層の特性も互いに異なるため、有機ＥＬ表示素子として発光ムラの原因となっていた。
【０００４】
このような課題に対して、中央部分よりも周縁部分に機能層材料を含む溶液を多く充填させて、乾燥速度差を抑制し、膜形状の差異を改善する技術が提供されている。
図１３（ａ）は、特許文献１記載の有機ＥＬ装置の構成を示す平面図、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のＡ−Ａで切った断面図である。インクの塗布領域Ｒにおける中央部から端部に向けた領域Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３内の発光素子のバンクＢ１２の上面の直径を領域によらず一定値Ｊとし、底面の直径を中央部から端部に向けＴ１＜Ｔ２＜Ｔ３とすることで、インクＥ１２をＲ１＜Ｒ２＜Ｒ３と周辺部ほど多く塗布する。これにより、乾燥速度を塗布領域Ｒの全域にわたって均一とすることにより、塗布領域Ｒの全域にわたって塗布層の厚みの均一化を図っている。
【０００５】
図１４（ａ）は、特許文献２記載の有機ＥＬ装置の構成を示す平面図、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）の側断面図である。基板１上に発光画素７は配設された発光領域ＥＡに相当するインクの塗布領域ＳＡのうち、周辺領域ＳＡ２における隔壁３５の高さｈ２を、中央領域ＳＡ１におる隔壁３４の高さｈ１よりも高く形成し、多くの液状体を膜形成領域Ａに充填する。これにより、乾燥過程における中央領域と周辺領域との乾燥速度の差を抑制し、塗布領域における領域ごとに安定した膜形状の機能膜を製造できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−１６２０５号公報
【特許文献２】特開２０１１−１４６１８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１、及び特許文献２記載の構成では、各画素に充填されるインクの量を塗布領域に応じて変更するため、製造方法が複雑になるという課題がある。
本発明は、前記従来の課題を鑑みなされたものであり、インク、機能液などの液体を吐出する吐出装置を用いたウエットプロセスで基板上に機能膜を成膜した表示素子において、簡便な製造方法によって、基板の表示領域の中央部分と表示領域の周縁部分の間の乾燥速度差に起因して生じる表示領域の中央部分と周縁部分との機能膜の膜厚の差異を改善した表示素子、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様に係る表示素子は、複数の画素がマトリックス状に配列された表示領域を有する表示素子であって、第１の電極を含む下地層が積層された基板と、前記下地層上に位置し開口部を規定する隔壁と、前記下地層の上方であって前記開口部内に位置する機能層と、前記機能層を介して前記第１の電極と対向する第２の電極と、を備え、前記表示領域の中央部分に存する画素における機能層上面の端部は、前記表示領域の周縁部分に存する画素における機能層上面の端部に比べて高く位置していることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、インク、機能液などの液体を吐出する吐出装置を用いたウエットプロセスで基板上に機能膜を成膜した表示素子において、輝度ムラの原因となる表示領域の中央部分と周縁部分との機能膜の膜厚の差異を改善した表示素子、及びその製造方法を、簡便な製造工程により提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】従来の構成に係る表示領域の中央部分と表示領域の周縁部分との間の成膜形状の違いを示す説明図
【図２】従来の構成に係る機能膜の断面プロファイル
【図３】表示領域の中央部分に存する機能層のインクピンニング位置を高めた場合の、機能膜の形状の変化を示す説明図
【図４】表示領域の中央部分に存する機能層のインクピンニング位置を高めた場合の、表示領域の中央部分と表示領域の周辺部分の機能膜の形状の差異を示す説明図
【図５】実施の形態１の一態様に係る有機ＥＬ素子の一部断面を模式的に示す断面図
【図６】実施の形態１の一態様に係る有機ＥＬ素子に用いる隔壁が配設された状態の基板の構成図
【図７】実施の形態１の一態様に係る有機ＥＬ素子の製造方法の製造過程を示す模式的な断面図
【図８】実施の形態１の一態様に係る有機ＥＬ素子の製造方法の製造過程を示す模式的な断面図
【図９】実施の形態１の一態様に係る有機ＥＬ素子の実施例の隔壁高さとインクピンニング位置の関係を示す断面図
【図１０】実施の形態１の一態様に係る有機ＥＬ素子の実施例の表示領域の中央部分における隔壁の高さを変えた場合の機能膜の断面プロファイルの変化を示す断面図
【図１１】実施の形態１の一態様に係る有機ＥＬ素子の実施例の表示領域の周縁部分における機能膜の断面プロファイルの変化を示す断面図
【図１２】実施の形態２の一態様に係る有機ＥＬ素子の一部断面を模式的に示す断面図
【図１３】従来の有機ＥＬ装置の構成を示す平面図、及び断面図
【図１４】従来の有機ＥＬ装置の構成を示す平面図、及び断面図
【発明を実施するための形態】
【００１１】
≪本発明を実施するための形態に至った経緯について≫
本発明者は、基板上にインクを充填し乾燥する方法で機能層を形成するウエットプロセスに於いて、基板上の表示領域の中央部分と表示領域の周縁部分での乾燥速度差による成膜形状にばらつきについて鋭意検討を行った。図１は、発明者が実験した従来の構成に係る表示素子の表示領域の中央部分と表示領域の周縁部分での成膜形状の違いを示す説明図、図２は従来の表示素子の構成に係る機能層の断面プロファイルを測定した実験結果であり、図２（ａ）は機能層の断面プロファイルの全体図、図２（ｂ）は機能層の底部の断面プロファイルを示す拡大図である。ここで、図２（ａ）、及び（ｂ）において、図中の実線は表示領域の中央部分における機能層の断面プロファイルを測定した実験結果を示し、破線は表示領域の周縁部分における機能層の断面プロファイルを測定した実験結果を示す。図１において、１０１は基板、１０５は基板１０１に配設される第１隔壁であって、第１隔壁と第１隔壁との間に第１開口部２２０を規定する。１０６は第１隔壁１０５の第１開口部２２０に形成された機能層、１０６’は機能層を形成するために第１開口部２２０に充填されたインクである。図１、及び図２に示すように、第１隔壁１０５の高さを面内で均一に素子を作製した場合、蒸気濃度が高く乾燥の遅い表示領域の中央部分Ａ（以後、中央部分Ａと省略）の画素では、相対的に蒸気濃度が低く乾燥の速い表示領域の周縁部分Ｂ又はＣ（以後、周縁部分Ｂ又はＣと省略）の画素に比べ、機能層１０６は側壁近傍が薄膜化し画素中央が厚膜化する。乾燥の遅い中央部分Ａでは、溶媒が蒸発する過程で、機能層インク１０６’を構成する固形成分が沈降し第１開口部２２０の底部に移動し、底部の膜厚を増加させたものと考えられる。
【００１２】
発明者は、乾燥の遅い中央部分Ａにおいても壁面へのインクの付着量を確保した状態で乾燥させることができれば、中央部分Ａの底部の膜厚を周縁部分Ｂ又はＣの底部膜厚と均一にすることができる点に着目した。そして、その実現手段について鋭意検討を行った。その検討結果について、図面を用いて説明する。図３は、中央部分Ａに存する機能層１０６のインクピンニング位置を高めた場合の機能層１０６の形状の変化を示す説明図である。ここで、機能層のインクピンニング位置とは、隔壁の側面上であって、機能層上面の端部の位置である。また、図４は、中央部分Ａに存する機能層１０６のインクピンニング位置を高めた場合の、中央部分Ａと周辺部分Ｂ又はＣの機能層１０６の形状の差異を示す説明図である。図３、図４に示すように、中央部分Ａに存する前記機能層上面の端部の位置（インクピンニング位置）を、Ｐ１からＰ２に高めることにより、乾燥の遅い中央部分Ａにおいても壁面へのインクの付着量を増加させることができ、中央部分Ａにおいて周縁部分Ｂ又はＣと類似の膜形状を形成できることを見出した。そして、中央部分Ａと周縁部分Ｂの乾燥速度差に起因し輝度ムラの原因となる膜厚の差異を改善する本発明の実施の形態の一態様に至ったものである。
≪本発明を実施するための形態の概要≫
本発明を実施するための形態の一態様に係る表示素子は、複数の画素がマトリックス状に配列された表示領域を有する表示素子であって、第１の電極を含む下地層が積層された基板と、前記下地層上に位置し開口部を規定する隔壁と、前記下地層の上方であって前記開口部内に位置する機能層と、前記機能層を介して前記第１の電極と対向する第２の電極と、を備え、前記表示領域の中央部分に存する画素における機能層上面の端部は、前記表示領域の周縁部分に存する画素における機能層上面の端部に比べて高く位置していることを特徴とする。
【００１３】
ここで、「高い」とは、基板の主面と垂直な方向における、主面からの距離が大きいことを指す。尚、「基板の主面」とは、基板の表面のうち機能層が配設された面を指す。
また、別の態様では、前記中央部分に存する前記隔壁は、前記周縁部分に存する前記隔壁に比べて高い構成であっても良い。
また、別の態様では、前記表示領域の中央部分に存する画素における隔壁は、前記表示領域の周縁部分に存する画素における隔壁に比べて高い構成であっても良い。
【００１４】
また、別の態様では、前記表示領域の周縁部分に存する画素における隔壁の側面であって当該隔壁が規定する開口部に形成された機能層上面の端部が接する部位よりも上の部分の撥液性は、当該部分と対応する、前記表示領域の中央部分に存する隔壁の部分が有する撥液性よりも高い構成であっても良い。
また、別の態様では、前記表示領域の中央部分に存する画素における隔壁よりも前記表示領域の周縁部分に存する画素における隔壁の方が、０．５μｍ以上１．０μｍ以下、隔壁の高さが高い構成であっても良い。
【００１５】
また、別の態様では、前記表示領域は方形をしており、前記表示領域の周縁部分は、方形の一辺と、当該一辺から当該一辺と隣り合う他の一辺の長さの５％中央側に位置する前記一辺との平行線との間の範囲に存する構成であっても良い。
また、別の態様では、前記表示領域の周縁部分に存する画素における隔壁の頭頂部が有する撥液性は、当該頭頂部と同じ高さの前記表示領域の中央部分に存する画素における隔壁の側面部が有する撥液性よりも高い構成であっても良い。
【００１６】
本発明を実施するための形態の一態様に係る、表示素子の製造方法では、複数の画素がマトリックス状に配列された表示領域を有する表示素子の製造方法であって、基板に第１の電極を含む下地層を配設する下地層形成ステップと、前記下地層上に開口部を規定する隔壁を形成する隔壁形成ステップと、前記開口部に機能層材料を含む溶液をする充填する機能層材料充填ステップと、前記溶液を乾燥して機能層を形成する乾燥ステップと、前記前記機能層を介して前記第１の電極と対向する第２の電極を配設する第２電極配設ステップとを有し、機能層材料充填ステップでは、前記表示領域の中央部分に存する隔壁が規定する開口部に充填された前記溶液の液面の端部は、前記表示領域の中央部分に存する隔壁が規定する開口部に充填された前記機能層の液面の端部の位置に比べて高く位置していることを特徴とする。
【００１７】
また、別の態様では、前記機能層材料充填ステップでは、前記表示領域の周縁部分に存する隔壁が規定する開口部と、前記表示領域の中央部分に存する隔壁が規定する開口部に機能層材料を含む溶液を各々等量充填する構成であっても良い。
また、別の態様では、前記隔壁形成ステップでは、前記表示領域の周縁部分に第1の高さを有する隔壁と、前記表示領域の中央部分に前記第１の高さよりも高い第２の高さを有する隔壁を形成する構成であっても良い。
≪実施の形態１≫
実施の形態１の一態様に係る表示素子である有機ＥＬ素子の概略構成を述べ、次にその製造方法について図面を参照しながら説明する。
＜有機ＥＬ素子の概略構成＞
図５は、実施の形態１の一態様に係る、有機ＥＬ素子１００の一部断面を模式的に示す断面図である。図５に示すように、有機ＥＬ素子１００は、ＲＧＢ各色の発光層を具備するトップエミッション型の有機ＥＬ素子１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃがマトリックス状に配列されてなる有機ＥＬ素子である。
【００１８】
ＴＦＴ基板である基板１０１（以下、「基板１０１」と記載する）上には、陽極である第１電極１０２がマトリックス状に形成されており、第１電極１０２上に、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）層１０３及び、ホール注入層１０４がその順で積層されている。なお、ＩＴＯ層１０３が第１電極１０２上にのみ積層されているのに対し、ホール注入層１０４は第１電極１０２上だけでなく基板１０１の上面全体に亘って形成されている。
【００１９】
第１電極１０２の周辺上部にはホール注入層１０４を介して第１隔壁１０５が形成されており、第１隔壁１０５で挟まれた領域を第１開口部２２０として規定する。そして、当該第１開口部２２０に機能層１０６が積層されている。本実施の形態の一態様では、第１電極１０２、ＩＴＯ層１０３、ホール注入層１０４が、第１隔壁１０５の下地層１１１を構成する。尚、表示領域の中央部分においては、第１隔壁の上に図示しない第２隔壁が積層される。第２隔壁については、後述する。さらに、機能層１０６の上には、電子注入層１０７、陰極である第２電極１０８、及び封止層１０９が、各第１隔壁１０５で規定された領域を超えて、隣接する有機ＥＬ素子１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃのものと連続するように形成されている。
【００２０】
基板１０１は、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、又はアルミナ等の絶縁性材料をベース材料として形成される。
第１電極１０２は、Ａｇ（銀）の他、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）等で形成されていても良い。
【００２１】
ＩＴＯ層１０３は、第１電極１０２及びホール注入層１０４の間に介在し、各層間の接合性を良好にする機能を有する。
ホール注入層１０４は、金属酸化物、金属窒化物などホール注入機能を果たす材料、例えば、ＷＯｘ（酸化タングステン）又はＭｏｘＷｙＯｚ（モリブデン−タングステン酸化物）で形成される。このホール注入層１０４は、第１隔壁１０５の底面に沿って側方に延出している。
【００２２】
第１隔壁１０５は、樹脂等の絶縁性を有する有機材料、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等で形成される。第１隔壁１０５は、有機溶剤耐性を有することが好ましく、また、エッチング処理、ベーク処理等がされることがあるので、それらの処理に対して変形、変質などしにくい材料で形成することが好ましい。  第１隔壁１０５の高さは、充填する機能層１０６の組成やインクの特性に応じて選択すればよい。例えば０．５μｍ以上２μｍ以下としても良く、より好ましくは、０．８μｍ以上１．２μｍ以下としてもよい。また、第１隔壁１０５の隔壁材料に含有させる撥液剤の含有量、熱処理の温度や時間などを調整することにより、第１隔壁１０５の上面および側壁における撥液性の大きさを制御することが可能である。
【００２３】
発光層としての機能層１０６は、ＲＧＢ各色の有機発光材料からなる層である。この有機発光材料として、例えば、特開平５−１６３４８８号公報に記載されたオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等が挙げられる。
【００２４】
電子注入層１０７は、第２電極１０８から注入された電子を機能層１０６へ輸送する機能を有し、例えば、バリウム、フタロシアニン、フッ化リチウム、あるいはこれらの組み合わせで形成されることが好ましい。
トップエミッション型なので、第２電極１０８は、光透過性の材料、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）等で形成されている。
【００２５】
封止層１０９は、機能層１０６等が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する役割を有し、例えば、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）等の材料で形成されている。
なお、図５では、基板１０１を横方向に切断した断面形状を示しているが、第１隔壁１０５は、基板１０１の上面に沿って縦方向（図５では紙面表裏方向）に伸長している。そして、複数本の第１隔壁１０５が、基板１０１の上面全体に亘って配列されている（図６参照）。また、第１隔壁１０５は、井桁状のピクセル隔壁であって、機能層１０６は図５に示すように縦方向及び横方向に井桁状のピクセル隔壁に囲まれた開口部に配設されている。ただし、第１隔壁１０５は、平面形状がストライプ状のライン隔壁であってもよく、その他、千鳥配置や、ハニカム状の配置であっても良い。
【００２６】
図６は、実施の形態１の一態様に係る、有機ＥＬ素子に用いる隔壁が配設された状態の基板の構成図であり、図６（ａ）は、当該基板を平面視（基板１０１の主面に平行な面）した構成図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）のＡ−Ａで切った断面を示す断面図である。図６（ａ）では、基板１０１には、横Ｘ0、縦Ｙ0からなる表示領域全体に渡って、井桁状の第１隔壁１０５が形成されている。この表示領域のうち、横方向の幅がＸ1及びＸ2、縦方向の幅が、Ｙ1及びＹ2からなる縦横、各２本の短冊状の領域が表示領域の周縁部分である（以後、周縁部分と省略）。表示領域から周縁部分を除いた部分が表示領域の中央部分である（以後、中央部分と省略）。図６（ｂ）に示すように、中央部分には、第１隔壁１０５に積層されるように第２隔壁２０５が形成されている。したがって、中央部分における隔壁の高さは、周縁部分における隔壁の高さよりも、第２隔壁２０５の高さの分だけ高い構成となる。第２隔壁２０５は、第１隔壁１０５と同じ材料で構成してもよい。第２隔壁２０５は、樹脂等の絶縁性を有する有機材料、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等で形成される。第２隔壁２０５は、有機溶剤耐性を有することが好ましく、また、エッチング処理、ベーク処理等がされることがあるので、それらの処理に対して変形、変質などしにくい材料で形成することが好ましい。井桁状の第１隔壁１０５及び、井桁状の第２隔壁２０５によって形成される第２開口部２５０には、機能層インク１０６’が充填される。第２隔壁２０５の高さは、充填する機能層１０６の組成やインクの特性に応じて設定すればよい。例えば０．５μｍ以上１．０μｍ以下としても良く、より好ましくは、０．５μｍ以上０．８μｍ以下としてもよい。また、第２隔壁２０５の高さの第１隔壁の高さに対する比率は、５０％以上１００％以下であれば良い。また、第２隔壁２０５の隔壁材料に含有させる撥液剤の含有量、熱処理の温度や時間などを調整することにより、第１隔壁１０５の上面および側壁における撥液性の大きさを制御することが可能である。
【００２７】
なお、本実施の形態はボトムエミッション型にも適用することができる。例えば、第一電極に光透過性に優れた材料を用い、第二電極に高反射性の材料を用いることでボトムエミッション型の構成に適用することができる。
＜有機ＥＬ素子の製造方法＞
本実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法について、図面を用いて説明する。
【００２８】
図７、及び図８は、実施の形態１の一態様に係る有機ＥＬ素子１００の製造方法の製造過程を示す模式的な断面図であり。図６（ａ）のＡ−Ａと同じ位置で切った断面を示す。本実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、基板１０１上に第１電極１０２、ＩＴＯ層１０３（図示せず）、ホール注入層１０４を含む下地層１１１を形成する下地層形成工程（図７（ａ））、第１開口部２２０を規定する第１隔壁１０５を形成する第１隔壁形成工程（図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ））、基板の中央部分に第２開口部２５０を規定する第２隔壁２０５を第１隔壁１０５上に形成するための第２隔壁形成工程（図７（ｄ）、（ｅ）、（ｆ））、下地層１１１上に機能層１０６を成膜する機能膜成膜工程（図７（ｇ）、（ｈ））、機能層１０６上に、電子注入層１０７、第２電極１０８、封止層１０９を形成する第２電極等形成工程（図７（ｉ））という同順の工程順から構成される。
【００２９】
なお、本実施の形態１の一態様にて説明する有機ＥＬ素子に係る構成要素の製造工程以外にも、各種の有機ＥＬ素子の構成要素に対応した製造工程が存するが、当該構成要素に関しては公知の方法を用いて製造すればよい。
（下地層形成工程）
基板１０１を準備した後、基板１０１上に、例えば真空蒸着法またはスパッタリング法を用いて、厚み１５０ｎｍ程度の金属材料からなる第１電極１０２を形成する。
【００３０】
基板１０１の構成材料としては、各種のガラス材料など公知の材料を用いることができる。また、第１電極１０２の構成材料としては、Ａｇ（銀）の他、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）等を用いることが出来る。
次に、第１電極１０２に積層して、例えば真空蒸着法またはスパッタリング法を用いて、図示しないＩＴＯ層１０３をする。ＩＴＯ層１０３の構成材料としては、透光性導電性材料であるＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）など公知の金属材料を用いることができる。尚、ＩＴＯ層１０３は第１電極１０２上にのみ積層する。
【００３１】
更に、ＩＴＯ層１０３に積層して、例えば真空蒸着法またはスパッタリング法を用いて、ホール注入層１０４を設ける。ホール注入層１０４は、金属酸化物、金属窒化物などホール注入機能を果たす材料、例えば、ＷＯｘ（酸化タングステン）又はＭｏｘＷｙＯｚ（モリブデン−タングステン酸化物）で形成される。ここで、ホール注入層１０４は第１電極１０２又はＩＴＯ層１０３の上だけでなく基板１０１の上面全体に亘って形成する。例えば、このホール注入層１０４は、第１隔壁１０５の底面に沿って側方に延出するよう形成する。
（第１隔壁形成工程）
本実施形態における第１隔壁形成工程では、第１隔壁１０５を構成する隔壁材料として、撥液剤を含む感光性樹脂材料を選択し、フォトリソグラフィー法を用いて第１隔壁１０５を形成する。
【００３２】
ここで感光性樹脂材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、フェノール系樹脂などから構成される公知のレジスト材料を用いることができる。また、撥液剤としては、例えば、フッ素系化合物材料などの公知の撥液材料を用いることができる。
（隔壁膜塗布工程）
基板１０１上に、例えばスピンコート法を用いて、下地層１１１を被覆するように、隔壁材料を含む第１隔壁膜１０５’を塗布して成膜する（図７（ａ））。
（露光現像工程）
基板１０１上における、第１電極１０２が露出するように規定される第１開口部２２０のパターンに合わせて、マスク２００を配置して、選択的に露光２１０する（図７（ｂ））。
【００３３】
露光処理を行った後、非水系の現像液として、例えばアルカリ性の現像液を用いて、第１隔壁膜１０５’をエッチングすることにより、第１開口部２２０を規定する第１隔壁１０５を形成する（図７(ｃ)）。
（熱処理工程）
露光現像を行った後、第１隔壁１０５に対して、２００℃〜２５０℃程度の温度、例えば２００℃の温度にて熱処理を施すことにより、第１隔壁１０５の内部に含まれる溶媒などを蒸発させて、第１隔壁１０５は完成する。このとき、撥液剤を拡散し隔壁材料に含有させた撥液剤は、当該熱処理により第１隔壁膜１０５’の表面に向かって熱拡散する。そのため、第１隔壁膜１０５’における撥液剤の濃度は、表面から内部に向かって減少したものとなり、形成される第１隔壁１０５の上面をその側壁に比して撥液性が付与されたものとすることができる。ここで、隔壁材料に含有させる撥液剤の含有量、熱処理の温度や時間などを調整することにより、第１隔壁１０５の上面および側壁における撥液性の大きさを制御することが可能である。撥液剤としては、アクリル樹脂を主成分としフッ素化樹脂を添加した材料を使用することができる。
【００３４】
以上のように、第１隔壁形成工程は行われる。その結果、最大高さが例えば０．５μｍ以上２μｍ以下程度、基板１０１の主面に水平な方法における平均厚さが１．０μｍ程度の第１隔壁１０５が形成される。
なお、第１隔壁形成工程は、上記開示内容に限定されるものではなく、隔壁を形成するための各種の公知技術を用いることが可能である。例えば、隔壁膜塗布工程の後に、形成した第１隔壁膜１０５’に対して、例えば、１００℃程度の温度にて熱処理を施す撥液処理工程を行っても良い。当該熱処理によって撥液剤を拡散し隔壁材料に含有させた撥液剤を第１隔壁膜１０５’の表面に向かって熱拡散させることができる。また、撥液処理工程は、第１隔壁膜１０５’に対して熱処理を施すものとせず、熱処理工程を行った後に、第１隔壁１０５の表面を所定のアルカリ性溶液や水、有機溶媒等によって表面処理を行うことにより、第１隔壁１０５の上面および側壁それぞれの撥液性を調整することも可能である。また、第１隔壁１０５の表面に対してフッ素プラズマや紫外線などの照射処理を施すことにより、隔壁中に分散している撥液材（例えばフッ素系の樹脂）を分解して、第１隔壁１０５の上面および側壁それぞれの撥液性を調整することも可能である。
（第２隔壁形成工程）
本実施形態における第２隔壁形成工程では、第１隔壁形成工程と同様にして、第２隔壁２０５を構成する隔壁材料として、撥液剤を含む感光性樹脂材料を選択し、フォトリソグラフィー法を用いて第２隔壁２０５を形成する。但し、第１隔壁形成工程と異なり、現像工程で用いる現像液は、水系現像液とする。ここで感光性樹脂材料としては、例えば、バインダの水溶性ポリマーとして、ヒドロキシプロピルセルロースといった水溶性基で置換されたセルロース誘導体を含有した公知のレジスト材を用いることができる。また、撥液剤としては、例えば、フッ素系化合物材料などの公知の撥液材料を用いることができる。
（隔壁膜塗布工程）
第１隔壁１０５上に、例えばスピンコート法を用いて、隔壁材料を含む第２隔壁膜２０５’を塗布して成膜する（図７（ｄ））。
（露光現像工程）
第１開口部２２０の開口と同一の大きさの開口として規定され、基板の表示領域の中央部分に形成された第２開口部２５０のパターンに合わせて、マスク２４０を配置して、選択的に露光２３０する（図７（ｅ））。ここでは、第２開口部２５０の底の周縁が、平面視（基板１０１の主面に平行な面）において第１開口部２２０の底の周縁と同一位置となるように、マスク２４０を位置合わせする。
【００３５】
露光処理を行った後、水系の現像液を用いて、第２隔壁膜２０５’をエッチングすることにより、基板の中央部分に第２開口部２５０を規定する第２隔壁２０５を第１隔壁１０５上に形成する（図７（ｆ））。
（熱処理工程）
露光現像を行った後、第２隔壁２０５に対して、２００℃〜２５０℃程度の温度、例えば２００℃の温度にて熱処理を施すことにより、第２隔壁の内部に含まれる溶媒などを蒸発させて、第２隔壁２０５は完成する。このとき、焼成工程で撥液剤を拡散し隔壁材料に含有させた撥液剤は、当該熱処理により第２隔壁膜２０５’の表面に向かって熱拡散する。そのため、第２隔壁膜２０５’における撥液剤の濃度は、表面から内部に向かって減少したものとなり、形成される第２隔壁２０５の上面をその側壁に比して撥液性が付与されたものとすることができる。ここで、隔壁材料に含有させる撥液剤の含有量、熱処理の温度や時間などを調整することにより、第２隔壁２０５の上面および側壁における撥液性の大きさを制御することが可能である。撥液剤としては、アクリル樹脂を主成分としフッ素化樹脂を添加した材料を使用することができる。
【００３６】
以上のように、第２隔壁形成工程は行われる。その結果、最大高さが例えば０．５μｍ以上１．０μｍ以下程度、基板１０１の主面に水平な方向における平均厚さが０．５μｍ程度の第２隔壁２０５が形成される。
なお、第２隔壁形成工程は、上記開示内容に限定されるものではなく、第１隔壁形成工程と同様にして、隔壁を形成するための各種の公知技術を用いることが可能である。例えば、ハーフトーンマスクを用いる手法が挙げられる。また、隔壁膜塗布工程の後に、形成した第１隔壁膜２０５’に対して、例えば、１００℃程度の温度にて熱処理を施す撥液処理工程を行っても良い。当該熱処理によって撥液剤を拡散し隔壁材料に含有させた撥液剤を第１隔壁膜２０５’の表面に向かって熱拡散させることができる。また、撥液処理工程として、第２隔壁２０５の表面に対してフッ素プラズマや紫外線などの照射処理を施すことにより、隔壁中に分散している撥液材（例えばフッ素系の樹脂）を分解して、第２隔壁２０５の上面および側壁それぞれの撥液性を調整することも可能である。さらに、第２隔壁の隔壁材料に含有させる撥液剤の含有量を、第１隔壁の隔壁材料のものに比して大きくすることにより、第１隔壁の側壁、第２隔壁の側壁、第１隔壁の上面、第２隔壁の上面の順に撥液性が大きくなる構成とすることが可能である。
【００３７】
また、図中においては、第１隔壁１０５、及び第２隔壁２０５の断面は四角形状となっているが、実際の隔壁の形状は、隔壁の側壁および上面は、緩やかなカーブ状に外側に膨らんだものとなりやすい。また、隔壁が規定する開口部は上側に向かって緩やかに拡径したものとなりやすい。そのため、隔壁の高さについては、上記のように最大高さを基準としており、基板の主面に水平な方向における厚さについては、その平均厚さを基準として用いている。また、例えば、隔壁が規定する開口部が上側に向かって緩やかに拡径したものとなりやすい性質を利用すれば、第２隔壁が規定する第２開口部の底の周縁の位置を、平面視において、第１隔壁が規定する第１開口部の底の周縁の位置と同位置ないしはそれよりも後退した位置に配することにより、第２開口部の開口領域を、どの高さにおいても、簡便に、第１開口部の開口領域の大きさよりも大きいものとすることが可能である。
（機能膜成膜工程）
有機ＥＬ素子の用途に応じて規定される機能層１０６を構成する機能材料と溶媒とを所定比率で混合し、導電性有機機能膜用インクを調整する。当該インクを、インクジェット法を用いて、インクヘッド２６０からインク液滴として、第１開口部２２０、及び第２開口部２５０の開口から滴下し、下地層１１１の露出した領域を被覆するように機能層インク１０６’を塗布する（図７（ｇ））。ここで、中央部分における第２開口部２５０と、周辺部分における第１開口部２２０には、各々に等量のインクを充填することが望ましい。第１開口部２２０、及び第２開口部２５０に等量のインクを充填することにより、機能膜成膜工程を簡便に行うことができる。さらに、第１開口部２２０、及び第２開口部２５０が構成する画素に、等量の機能膜構成材料を充填することができる。そして、機能層インク１０６’に含まれる溶媒を蒸発乾燥させ、必要に応じて加熱焼成することにより、機能層１０６が形成される（図７（ｈ））。
【００３８】
ここで、機能層１０６は、露出した下地層１１１の表面を被覆した面形状として成膜されているが、滴下するインク液滴の量、溶媒を蒸発乾燥させる処理雰囲気や処理時間、加熱焼成する処理温度や処理時間などを適宜調整することにより、機能膜の膜形状を調整することが可能である。
（電荷注入層、第２電極、封止層形成工程）
機能層１０６上に、例えば真空蒸着法またはスパッタリング法を用いて、電子注入層１０７、金属材料からなる第２電極１０８、封止層１０９を順次形成する。
【００３９】
電子注入層１０７の構成材料としては、例えば、バリウム、フタロシアニン、フッ化リチウム、あるいはこれらの組み合わせで用いることができる。第２電極１０８の構成材料としては、Ａｌなどの単体金属材料や、透光性導電性材料であるＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）など公知の金属材料を用いることができる。封止層１０９の構成材料としては、例えば、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）等の材料を用いることができる。
【００４０】
以上のような工程にて本実施の形態１の一態様の有機ＥＬ素子の製造方法は構成される。
尚、本実施の形態の一態様で示した上記製造方法では、隔壁膜塗布工程で第１隔壁膜１０５’を塗布した後、露光現像工程により第１隔壁１０５を形成し、その後、隔壁膜塗布工程で第２隔壁膜２０５’を塗布した後、露光現像工程により第１隔壁１０５を形成したが、隔壁の形成方法は、この方法に限られない。例えば、第１隔壁膜１０５’を塗布した後、隔壁膜１０５’のパターンに合わせた露光のみを行い、次に、第２隔壁膜２０５’を塗布した後、第１隔壁膜２０５’のパターンに合わせた露光を行い、最後に現像工程により第１隔壁１０５と第２隔壁２０５を形成する方法であっても良い。もしくは、第１隔壁膜１０５’を塗布した後、第２隔壁膜２０５’を塗布し、その後、第１隔壁膜１０５’のパターンに合わせた露光と、第２隔壁膜２０５’のパターンに合わせた露光を、波長又は光の強度を変えて連続して行い、最後に現像工程により第１隔壁１０５と第２隔壁２０５を形成する方法であっても良い。
＜実施例＞
次に、本実施の形態１の一態様の有機ＥＬ素子の実施例において、基板の表示領域の中央部分において表示領域の周縁部分と類似の膜形状を形成できることを確認したので、以下、その構成及び効果について図面を用いて説明する。実施例に係る有機ＥＬ素子は、図７、及び図８を用いて説明した製造方法によって作成した。第１隔壁１０５は、高さ約１．０μｍとし、第２隔壁は、高さを、０．５μｍ、１．０μｍとし、０μｍを比較例とした。機能層１０６は、隔壁によって規定された開口部にインクジェット法を用いて、塗布領域の全ての画素に対して開口部に等量のインクを充填して作成した。続いて、１０Ｐａ以下の減圧下でインク乾燥を行い、その後２００℃程度で焼成を行った。
（インクピンニング位置、膜厚評価試験）
図９は、実施の形態の一態様に係る有機ＥＬ素子の実施例における表示領域の中央部分における隔壁の高さとインクピンニング位置の関係を示す断面図である。ここでの隔壁高さは、図６における第１隔壁１０５の高さと第２隔壁２０５の高さを合計した高さを指す。ここで、図９（ａ）、（ｂ）、及び（ｂ）において、図中の太線は機能層の断面プロファイルを測定した実験結果を示し、細線は隔壁の断面プロファイルを測定した実験結果を示す。
【００４１】
図９から、隔壁高さを、約１．０μｍ、約１．５μｍ、約２．０μｍ（実測値は、各々、１．０３μｍ、１．５３μｍ、１．９５μｍ）と増加させた場合、焼成後における機能層上面の端部の位置であるインクピンニング位置は、各々、０．６５５μｍ、０．９３０μｍ、１．２６０μｍとなり、隔壁の高さの増加することに伴って上昇することを確認した。
【００４２】
図１０は、実施の形態の一態様に係る有機ＥＬ素子の実施例であって、表示領域の中央部分における隔壁の高さを変えた場合における機能膜の断面プロファイルの変化を示す断面図である。ここでも隔壁高さは、図６における第１隔壁１０５の高さと第２隔壁２０５の高さを合計した高さを指す。
図１０から、隔壁高さを、約１．０μｍ、約１．５μｍ、約２．０μｍ（実測値は、各々、１．０３μｍ、１．５３μｍ、１．９５μｍ）と増加させた場合、焼成後の機能層の第２開口部２５０の中央（図１０の横軸が０の位置）での膜厚は、各々、約７１μｍ、約６３μｍ、約４７μｍとなり、隔壁の高さの増加に伴って減少することを確認した。また、図１０から、隔壁高さを、約１．０μｍ、約１．５μｍ、約２．０μｍと増加させた場合、焼成後の機能層の隔壁の側壁部分における機能層の膜厚は、隔壁の高さの増加に伴って増加することを確認した。
【００４３】
図１１は、実施の形態の一態様に係る有機ＥＬ素子の実施例の表示領域の周縁部分における機能膜の断面プロファイルの変化を示す断面図である。ここでの隔壁高さは、第１隔壁１０５の高さを指す。図１１から、隔壁高さを、約１．０μｍとした場合、焼成後の機能層の第１開口部２２０の中央（図１０の横軸が０の位置）での膜厚は、約５４μｍであることを確認した。
【００４４】
以上から、周辺部分の隔壁高さを約１．０μｍとした場合、中央部分における隔壁高さを、約１．５μｍ、約２．０μｍとすることで、従来１７μｍあった焼成後の機能層の開口部中央の膜厚の周縁部分と中央部分との差を、絶対値として、各々、約９μｍ、及び約７μｍに、減少させることができた。本実施例では、中央部の隔壁の高さを１．７ｕｍ程度とすれば周辺部と同じ膜厚とすることができる。
【００４５】
以上、説明したとおり、実施の形態の一態様に係る有機ＥＬ素子では、インク、機能液などの液体を吐出する吐出装置を用いたウエットプロセスで基板上に機能膜を成膜した有機ＥＬ素子において、表示領域の中央部分の画素でのインクピンニング位置を高くして側壁近傍の膜厚を厚くすることにより、表示領域の中央部分と周縁部分との機能膜の膜厚の差異を改善することができる。
【００４６】
尚、上記した、数値、寸法、膜厚は、実施の形態の一態様に係る有機ＥＬ素子に関する条件であり、本発明の実施の形態はこれに限定されるものではない。機能膜の膜厚、隔壁の高さ、中央部分と周縁部分との隔壁の高さの差異等は、表示領域のサイズ、機能膜の材料組成、インクの組成や粘度、乾燥温度や時間、乾燥雰囲気の条件等に応じて異なり、用いる有機ＥＬ素子の仕様、条件によって、適宜選択することができる。
≪実施の形態２≫
＜有機ＥＬ素子の概略構成、製造方法＞
次に、実施の形態２の一態様に係る有機ＥＬ素子について説明する。当該有機ＥＬ素子は、隔壁についてのみ、実施の形態１と異なり、他の構成については、実施の形態１と同様であるので、説明を省略する。
【００４７】
実施の形態２に係る有機ＥＬ素子においても、実施の形態１に係る有機ＥＬ素子と同様に、図６（ａ）に示した、基板上の表示領域の中央部分と周辺部分は、同様の構成として定義される。実施の形態２に係る有機ＥＬ素子では、図６（ａ）に示すように、基板１０１には、横Ｘ0、縦Ｙ0からなる表示領域全体に渡って、ストライプ状の隔壁が形成されている。この表示領域のうち、横方向の幅がＸ1及びＸ2、縦方向の幅が、Ｙ1及びＹ2からなる縦横、各２本の短冊状の領域が表示領域の周縁部分である（以後、周縁部分と省略）。表示領域から周縁部分を除いた部分が表示領域の中央部分である（以後、中央部分と省略）。
【００４８】
図１２は、実施の形態２の一態様に係る、有機ＥＬ素子の一部断面を模式的に示す断面図である。第１電極１０２の周辺上部にはホール注入層１０４を介して第３隔壁３０５が形成されており、第３隔壁３０５で挟まれた領域を第１開口部２２０として規定する。そして、当該第１開口部２２０に機能層１０６が積層されている。本実施の形態の一態様では、第１電極１０２、ＩＴＯ層１０３、ホール注入層１０４が、第３隔壁３０５の下地層１１１を構成する。
【００４９】
第３隔壁３０５は、実施の形態１の第１隔壁１０５と同様に、樹脂等の絶縁性を有する有機材料、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等で形成される。第３隔壁３０５は、有機溶剤耐性を有することが好ましく、また、エッチング処理、ベーク処理等がされることがあるので、それらの処理に対して変形、変質などしにくい材料で形成することが好ましい。第３隔壁３０５の高さは、充填する機能層１０６の組成やインクの特性に応じて選択すればよい。例えば０．５μｍ〜２μｍとしても良く、より好ましくは、０．８μｍから１．２μｍとしてもよい。
【００５０】
第３隔壁３０５の隔壁材料に含有させる撥液剤の含有量、熱処理の温度や時間などを調整することにより、第３隔壁３０５の上面および側壁における撥液性の大きさを制御することが可能である。また、第３隔壁３０５の表面に対してフッ素プラズマや紫外線などの照射処理を施すことにより、隔壁中に分散している撥液材（例えばフッ素系の樹脂）を分解して、第３隔壁３０５の上面および側壁それぞれの撥液性を調整することも可能である。
【００５１】
実施の形態２に係る有機ＥＬ素子では、表示領域の中央部分と周縁部分において、隔壁の頭部付近の撥液性が異ならせた構成を採る。具体的には、図１２（ｂ）のＤで示した、表示領域の周縁部分における第３隔壁３０５の頭頂部近傍に撥液処理が施されている。図１２（ｂ）のＤで示した範囲に対してフッ素プラズマ処理を施すことにより撥液処理を行った。第３隔壁３０５の上面および側壁それぞれの撥液性を調整撥液処理が施される範囲Ｄは、周縁部分のインクピンニング位置Ｐ１によって定まる。周縁部分のインクピンニング位置Ｐ１は、中央部分における焼成後の機能層１０６のインクピンニング位置Ｐ２に対して、周縁部分における機能層１０６の膜厚が中央部分における機能層１０６の膜厚と略同一なるように定めることが出来る。
【００５２】
具体的には、実施の形態２におけるインクピンニング位置Ｐ１が、実施の形態１におけるインクピンニング位置Ｐ１と略同一となるように定めればよい。例えば、第３隔壁３０５の頭頂部、及び開口部に沿った第３隔壁３０５の側面のうち頭頂部から約０．５μｍから１．０μｍ基板１０１の方向に下がった位置までの範囲に撥液処理を施せばよい。しかしながら、これに限定されるものではなく、撥液処理が施される範囲Ｄは、機能膜の膜厚、隔壁の高さ、中央部分と周縁部分との隔壁の高さの差異等は、表示領域のサイズ、機能膜の材料組成、インクの組成や粘度、乾燥温度や時間、乾燥雰囲気の条件等に応じて異なり、用いる有機ＥＬ素子の仕様、条件によって、適宜選択することができる。
【００５３】
以上、説明したとおり、実施の形態２の一態様に係る有機ＥＬ素子では、インク、機能液などの液体を吐出する吐出装置を用いたウエットプロセスで基板上に機能膜を成膜した有機ＥＬ素子において、表示領域の中央部分の画素でのインクピンニング位置を高くして側壁近傍の膜厚を厚くすることにより、表示領域の中央部分と周縁部分との機能膜の膜厚の差異を改善することができる。
≪まとめ≫
実施の形態において説明したとおり、実施の形態の一態様に係る有機ＥＬ素子では、インク、機能液などの液体を吐出する吐出装置を用いたウエットプロセスで基板上に機能膜を成膜した有機ＥＬ素子において、表示領域の中央部分の画素でのインクピンニング位置を高くして側壁近傍の膜厚を厚くすることにより、輝度ムラの原因となる表示領域の中央部分と周縁部分との機能膜の膜厚の差異を改善することができる。
【００５４】
尚、上記説明した実施の態様に本発明は限定されるものではない。例えば、実施の形態では、機能膜として有機発光層や有機半導体層を例示したが、本発明の機能膜はこれに限定されず、ウエットプロセスで塗布可能な全ての機能膜を対象とする。有機ＥＬ素子の機能膜としては、有機発光層の他、バッファ層、ホール輸送層、ホール注入層、電子注入層、電子輸送層等を挙げることができる。
【００５５】
また、実施の形態では、トップエミッション型の表示素子を用いて説明したが、ボトムエミッション型にも適用することができる。例えば、第一電極に光透過性に優れた材料を用い、第二電極に高反射性の材料を用いることでボトムエミッション型の構成に適用することができる。
また、実施の形態では、圧電体素子の体積変化によってインクを吐出させるピエゾ方式のインクジェットヘッドを用いたインク滴下装置を用いて説明したが、電気熱変換体によってインクを吐出させるサーマルインクジェット方式を用いても良い。また、インク塗布装置のインク吐出手段としては、インクを連続的に基板上に吐出するディスペンサー方式を用いても良い。
【００５６】
発明の理解の容易のため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本発明は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
さらに、有機ＥＬ表示パネルにおいては電極のリード線等の部材も存在するが、電気的配線、電気回路については発光素子、表示装置等の技術分野における通常の知識に基づいて様々な態様を実施可能であり、本発明の説明として直接的には無関係のため、説明を省略している。尚、上記示した各図は模式図であり、必ずしも厳密に図示したものではない。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明は、インク吐出装置などを利用した機能層を用いた発光素子、及びその製造方法に適用される。
【符号の説明】
【００５８】
１００  表示素子
１０１  基板
１０２  第１電極
１０３  ＩＴＯ層
１０４  ホール注入層
１０５  第１隔壁
１０６  機能層
１０７  電子注入層
１０８  第２電極
１０９  封止層
１１１  下地層
２０５  第２隔壁
２２０  第１開口部
２５０  第２開口部
３０５  第３隔壁
【図１】
2014013703.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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