(57)【要約】【課題】分離後の支持体に付着している残渣物を除去し、当該支持体の再利用を可能にする。【解決手段】積層体１０を処理する処理方法は、分離層３に光を照射して分離層３を変質させ、サポートプレート４と基板１とを分離する分離工程と、分離した後の上記サポートプレート４の表面をプラズマアッシングすることにより、サポートプレート４の表面に付着している分離層３又は接着層２の残渣物を除去するプラズマアッシング工程とを包含する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、接着層と、光を吸収することにより変質する分離層と、支持体とをこの順番に積層してなる積層体を処理する処理方法であって、
上記分離層に光を照射して当該分離層を変質させ、上記支持体と上記基板とを分離する分離工程と、
分離した後の上記支持体の表面をプラズマアッシングすることにより、上記支持体の表面に付着している上記分離層又は上記接着層の残渣物を除去するプラズマアッシング工程とを包含することを特徴とする処理方法。
【請求項２】
プラズマアッシングされた上記支持体の表面を溶剤で洗浄する洗浄工程をさらに包含することを特徴とする請求項１に記載の処理方法。
【請求項３】
上記洗浄工程では、上記支持体の表面をスクラブ洗浄することを特徴とする請求項２に記載の処理方法。
【請求項４】
上記プラズマアッシング工程は、酸素アッシングにより行われることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の処理方法。
【請求項５】
基板と、接着層と、光を吸収することにより変質する分離層と、支持体とをこの順番に積層してなる積層体における当該分離層を変質させて上記支持体と上記基板とを分離した後の、当該支持体を処理する処理装置であって、
上記支持体の表面をプラズマアッシングすることにより、上記支持体の表面に付着している上記分離層又は上記接着層の残渣物を除去するプラズマ発生手段と、
プラズマアッシングされた上記支持体の表面を溶剤で洗浄する洗浄手段とを備えることを特徴とする処理装置。
【請求項６】
洗浄された上記支持体の表面に、光を吸収することにより変質する分離層を形成する分離層形成手段をさらに備えることを特徴とする請求項５に記載の処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層体を処理する処理方法及び処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器に搭載される半導体チップの小型化、薄型化及び高集積化への要求が高まっている。このため、半導体チップの基礎となる基板を研削して、薄板化する必要がある。しかし、研削することによって基板の強度は弱くなる。その結果、基板にクラック及び反りが生じやすくなる。また、薄板化された基板は、搬送を自動化することができないため、人手によって行なわなければならず、その取り扱いが煩雑であった。
【０００３】
そのため、研削する基板をガラス製のサポートプレートに接着剤を用いて貼り合せることによって、基板の強度を保持し、クラックの発生及び基板に反りが生じることを防止する方法が開発されている（特許文献１の記載を参照）。
【０００４】
特許文献１に記載の方法では、サポートプレートに有機物等の付着物が付着していると、基板とサポートプレートとの間に僅かな隙間が生じ、基板が欠損してしまう。このため、基板が貼着される前の前処理として、サポートプレートを洗浄する必要がある。
【０００５】
また、通常、サポートプレートの表面積は、基板の表面積と同一以上の大きさを有している。このため、サポートプレートに支持された状態の基板に配線を形成すると、サポートプレートの周縁部における基板に覆われていない露出部分にも金属が付着してしまう。さらに、基板を剥離した後のサポートプレートには、接着剤が残存してしまう。このため、サポートプレートを再利用するためには、基板を剥離した後のサポートプレートから金属や有機物等の付着物を完全に除去する必要がある。
【０００６】
一般に、サポートプレートに付着した金属や有機物は、酸、アルカリ、有機溶剤等の薬液を用いて除去することができる。例えば、金属は王水を用いて除去することができる。また、有機物は有機溶剤又は酸を用いて除去することができる。
【０００７】
また、ガラス基板の洗浄方法として、特許文献２には、加熱した硫酸と過酸化水素水との混合液でガラス基板を処理することにより、ガラス基板に付着した金属や有機物を除去する方法が開示されている。
【０００８】
特許文献３には、ガラス基板を酸で洗浄することにより、ガラス基板に付着した付着物を除去する方法が開示されている。
【０００９】
また、金属膜の除去方法として、特許文献４には、回路基板に形成された金属膜にレーザー光を照射して金属膜を溶融除去する際に、レーザー光の熱によって回路基板が熱損しないように、レーザー光を照射する部分をレーザー光が通過する液体で覆う方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００５−１９１５５０号公報（２００５年７月１４日公開）
【特許文献２】特開平０９−２２７１７０号公報（１９９７年９月２日公開）
【特許文献３】特開昭６２−２３５２３６号公報（１９８７年１０月１５日公開）
【特許文献４】特開昭６３−１８０３９３号公報（１９８８年７月２５日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、基板と、接着層と、光を吸収することにより変質する分離層と、支持体とをこの順番に積層してなる積層体について、当該分離層を変質させた後に分離した当該支持体を再利用するための処理方法が求められている。
【００１２】
本発明は、分離後の支持体に付着している残渣物を除去し、当該支持体の再利用を可能にする処理方法及び処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係る処理方法は、上記課題を解決するために、基板と、接着層と、光を吸収することにより変質する分離層と、支持体とをこの順番に積層してなる積層体を処理する処理方法であって、上記分離層に光を照射して当該分離層を変質させ、上記支持体と上記基板とを分離する分離工程と、分離した後の上記支持体の表面をプラズマアッシングすることにより、上記支持体の表面に付着している上記分離層又は上記接着層の残渣物を除去するプラズマアッシング工程とを包含することを特徴としている。
【００１４】
また、本発明に係る処理装置は、基板と、接着層と、光を吸収することにより変質する分離層と、支持体とをこの順番に積層してなる積層体における当該分離層を変質させて上記支持体と上記基板とを分離した後の、当該支持体を処理する処理装置であって、上記支持体の表面をプラズマアッシングすることにより、上記支持体の表面に付着している上記分離層又は上記接着層の残渣物を除去するプラズマ発生手段と、プラズマアッシングされた上記支持体の表面を溶剤で洗浄する洗浄手段とを備えることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る処理装置は、分離後の支持体に付着している残渣物を除去し、当該支持体の再利用を可能にするという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本実施形態に係る積層体を処理する処理方法の工程を示す図である。
【図２】本実施形態に係る処理装置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
【００１８】
〔積層体１０〕
まず本実施形態に係る処理方法の処理対象となる積層体１０について説明する。図１の（ａ）に示すように、積層体１０は、基板１と、接着層２と、光を吸収することにより変質する分離層３と、サポートプレート（支持体）４とをこの順番に積層してなる。
【００１９】
（基板１）
基板１は、サポートプレート４に支持された状態で、薄化、実装等のプロセスに供されるものである。基板１としては、ウエハ基板に限定されず、薄いフィルム基板、フレキシブル基板等の任意の基板を使用することができる。
【００２０】
（サポートプレート４）
サポートプレート４は、基板１を支持する支持体であり、光透過性を有している。そのため、積層体１０の外からサポートプレート４に向けて光が照射されたときに、当該光がサポートプレート４を通過して分離層３に到達する。また、サポートプレート４は、必ずしも全ての光を透過させる必要はなく、分離層３に吸収されるべき（所望の波長を有している）光を透過させることができればよい。
【００２１】
サポートプレート４は、基板１を支持するものであり、基板１の薄化、搬送、実装等のプロセス時に、基板１の破損又は変形を防ぐために必要な強度を有していればよい。以上のような観点から、サポートプレート４としては、ガラス、シリコン、アクリルからなるもの等が挙げられる。サポートプレート４がシリコン板である場合には、波長が２μｍ以上の赤外線を透過させることができる。
【００２２】
（分離層３）
分離層３は、サポートプレート４を介して照射される光を吸収することによって変質する。本明細書において、分離層３が「変質する」とは、分離層３をわずかな外力を受けて破壊され得る状態、又は分離層３と接する層との接着力が低下した状態にさせる現象を意味する。また、分離層３の変質は、吸収した光のエネルギーによる（発熱性又は非発熱性の）分解、架橋、立体配置の変化又は官能基の解離（そして、これらにともなう分離層の硬化、脱ガス、収縮又は膨張）等であり得る。分離層３の変質は、分離層３を構成する材料による光の吸収の結果として生じる。よって、分離層３の変質の種類は、分離層３を構成する材料の種類に応じて変化し得る。
【００２３】
分離層３は、サポートプレート４における、接着層２を介して基板１が貼り合わされる側の表面に設けられている。すなわち、分離層３は、サポートプレート４と接着層２との間に設けられている。
【００２４】
分離層３の厚さは、例えば、０．１〜５０μｍであることがより好ましく、０．１〜１０μｍの厚さであることがさらに好ましい。分離層３の厚さが０．１〜５０μｍの範囲内に収まっていれば、短時間の光の照射及び低エネルギーの光の照射によって、分離層３を所望のように変質させることができる。また、分離層３の厚さは、生産性の観点から１μｍ以下の範囲内に収まっていることが好ましい。
【００２５】
なお、積層体１０において、分離層３とサポートプレート４との間に他の層がさらに形成されていてもよい。この場合、他の層は光を透過する材料から構成されていればよい。これによって、分離層３への光の入射を妨げることなく、積層体１０に好ましい性質などを付与する層を、適宜追加することができる。分離層３を構成している材料の種類によって、用い得る光の波長が異なる。よって、他の層を構成する材料は、すべての光を透過させる必要はなく、分離層３を構成する材料を変質させ得る波長の光を透過させることができる材料から適宜選択し得る。
【００２６】
また、分離層３は、光を吸収する構造を有する材料のみから形成されていることが好ましいが、本発明における本質的な特性を損なわない範囲において、光を吸収する構造を有していない材料を添加して、分離層３を形成してもよい。また、分離層３における接着層２に対向する側の面が平坦である（凹凸が形成されていない）ことが好ましく、これにより、分離層３の形成が容易に行なえ、且つ貼り付けにおいても均一に貼り付けることが可能となる。
【００２７】
分離層３は、以下に示すような分離層３を構成する材料を予めフィルム状に形成したものをサポートプレート４に貼り合わせて用いてもよいし、サポートプレート４上に分離層３を構成する材料を塗布してフィルム状に固化したものを用いてもよい。サポートプレート４上に分離層３を構成する材料を塗布する方法は、分離層３を構成する材料の種類に応じて、従来公知の方法から適宜選択することができる。
【００２８】
分離層３は、レーザーから照射される光を吸収することによって変質するものであってもよい。すなわち、分離層３を変質させるために分離層３に照射される光は、レーザーから照射されたものであってもよい。分離層３に照射される光を発射するレーザーの例としては、ＹＡＧレーザー、リビーレーザー、ガラスレーザー、ＹＶＯ4レーザー、ＬＤレーザー、ファイバーレーザー等の固体レーザー、色素レーザー等の液体レーザー、ＣＯ2レーザー、エキシマレーザー、Ａｒレーザー、Ｈｅ−Ｎｅレーザー等の気体レーザー、半導体レーザー、自由電子レーザー等のレーザー光、又は、非レーザー光等が挙げられる。分離層３に照射される光を発射するレーザーは、分離層３を構成している材料に応じて適宜選択することが可能であり、分離層３を構成する材料を変質させ得る波長の光を照射するレーザーを選択すればよい。
【００２９】
＜光吸収性を有している構造をその繰返し単位に含んでいる重合体＞
分離層３は、光吸収性を有している構造をその繰返し単位に含んでいる重合体を含有していてもよい。当該重合体は、光の照射を受けて変質する。当該重合体の変質は、上記構造が照射された光を吸収することによって生じる。分離層３は、重合体の変質の結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える（例えば、サポートプレート４を持ち上げるなど）ことによって、分離層３が破壊されて、サポートプレート４と基板１とを容易に分離することができる。
【００３０】
光吸収性を有している上記構造は、光を吸収して、繰返し単位として当該構造を含んでいる重合体を変質させる化学構造である。当該構造は、例えば、置換もしくは非置換のベンゼン環、縮合環又は複素環からなる共役π電子系を含んでいる原子団である。より詳細には、当該構造は、カルド構造、又は上記重合体の側鎖に存在するベンゾフェノン構造、ジフェニルスルフォキシド構造、ジフェニルスルホン構造（ビスフェニルスルホン構造）、ジフェニル構造もしくはジフェニルアミン構造であり得る。
【００３１】
上記構造が上記重合体の側鎖に存在する場合、当該構造は以下の式によって表され得る。
【００３２】
【化１】
2014199858.tif 000003
【００３３】
式中、Ｒはそれぞれ独立して、アルキル基、アリール基、ハロゲン、水酸基、ケトン基、スルホキシド基、スルホン基又はＮ（Ｒ4）（Ｒ5）であり（ここで、Ｒ4及びＲ5はそれぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基である）、Ｚは、存在しないか、又はＣＯ−、−ＳＯ2−、−ＳＯ−もしくは−ＮＨ−であり、ｎは０又は１〜５の整数である。
【００３４】
また、上記重合体は、例えば、以下の式のうち、（ａ）〜（ｄ）のいずれかによって表される繰返し単位を含んでいるか、（ｅ）によって表されるか、又は（ｆ）の構造をその主鎖に含んでいる。
【００３５】
【化２】
2014199858.tif 000004
【００３６】
式中、ｌは１以上の整数であり、ｍは０又は１〜２の整数であり、Ｘは、（ａ）〜（ｅ）において上記の“化１”に示した式のいずれかであり、（ｆ）において上記の“化１”に示した式のいずれかであるか、又は存在せず、Ｙ1及びＹ2はそれぞれ独立して、−ＣＯ−又はＳＯ2−である。ｌは好ましくは１０以下の整数である。
【００３７】
上記の“化１”に示されるベンゼン環、縮合環及び複素環の例としては、フェニル、置換フェニル、ベンジル、置換ベンジル、ナフタレン、置換ナフタレン、アントラセン、置換アントラセン、アントラキノン、置換アントラキノン、アクリジン、置換アクリジン、アゾベンゼン、置換アゾベンゼン、フルオリム、置換フルオリム、フルオリモン、置換フルオリモン、カルバゾール、置換カルバゾール、Ｎ−アルキルカルバゾール、ジベンゾフラン、置換ジベンゾフラン、フェナンスレン、置換フェナンスレン、ピレン及び置換ピレンが挙げられる。例示した置換基が置換を有している場合、その置換基は、例えば、アルキル、アリール、ハロゲン原子、アルコキシ、ニトロ、アルデヒド、シアノ、アミド、ジアルキルアミノ、スルホンアミド、イミド、カルボン酸、カルボン酸エステル、スルホン酸、スルホン酸エステル、アルキルアミノ及びアリールアミノから選択される。
【００３８】
上記の“化１”に示される置換基のうち、フェニル基を２つ有している５番目の置換基であって、Ｚが−ＳＯ2−である場合の例としては、ビス（２，４‐ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，４‐ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，５‐ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，６‐ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４‐ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３‐ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（２‐ヒドロキシフェニル）スルホン、及びビス（３，５‐ジメチル‐４‐ヒドロキシフェニル）スルホンなどが挙げられる。
【００３９】
上記の“化１”に示される置換基のうち、フェニル基を２つ有している５番目の置換基であって、Ｚが−ＳＯ−である場合の例としては、ビス（２，３‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（５‐クロロ‐２，３‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，４‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，４‐ジヒドロキシ‐６‐メチルフェニル）スルホキシド、ビス（５‐クロロ‐２，４‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，５‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（３，４‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（３，５‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，３，４‐トリヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，３，４‐トリヒドロキシ‐６‐メチルフェニル）‐スルホキシド、ビス（５‐クロロ‐２，３，４‐トリヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，４，６‐トリヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（５‐クロロ‐２，４，６‐トリヒドロキシフェニル）スルホキシドなどが挙げられる。
【００４０】
上記の“化１”に示される置換基のうち、フェニル基を２つ有している５番目の置換基であって、Ｚが−Ｃ（＝Ｏ）−である場合の例としては、２，４‐ジヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４‐トリヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’‐テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，５，６’‐テトラヒドロキシベンゾフェノン、２‐ヒドロキシ‐４‐メトキシベンゾフェノン、２‐ヒドロキシ‐４‐オクトキシベンゾフェノン、２‐ヒドロキシ‐４‐ドデシルオキシベンゾフェノン、２，２’‐ジヒドロキシ‐４‐メトキシベンゾフェノン、２，６‐ジヒドロキシ‐４‐メトキシベンゾフェノン、２，２’‐ジヒドロキシ‐４，４’‐ジメトキシベンゾフェノン、４‐アミノ‐２’‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジメチルアミノ‐２’‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジエチルアミノ‐２’‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジメチルアミノ‐４’‐メトキシ‐２’‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジメチルアミノ‐２’，４’‐ジヒドロキシベンゾフェノン、及び４‐ジメチルアミノ‐３’，４’‐ジヒドロキシベンゾフェノンなどが挙げられる。
【００４１】
上記構造が上記重合体の側鎖に存在している場合、上記構造を含んでいる繰返し単位の、上記重合体に占める割合は、分離層３の光の透過率が０．００１〜１０％になる範囲にある。当該割合がこのような範囲に収まるように重合体が調製されていれば、分離層３が十分に光を吸収して、確実かつ迅速に変質し得る。すなわち、積層体１０からのサポートプレート４の除去が容易であり、当該除去に必要な光の照射時間を短縮させることができる。
【００４２】
上記構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している光を吸収することができる。例えば、上記構造が吸収可能な光の波長は、１００〜２０００ｎｍであることがより好ましい。この範囲のうち、上記構造が吸収可能な光の波長は、より短波長側であり、例えば、１００〜５００ｎｍである。例えば、上記構造は、好ましくは約３００〜３７０ｎｍの波長を有している紫外光を吸収することによって、当該構造を含んでいる重合体を変質させ得る。
【００４３】
上記構造が吸収可能な光は、例えば、高圧水銀ランプ（波長：２５４ｎｍ〜４３６ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（波長：２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長：１９３ｎｍ）、Ｆ2エキシマレーザー（波長：１５７ｎｍ）、ＸｅＣｌレーザー（３０８ｎｍ）、ＸｅＦレーザー（波長：３５１ｎｍ）もしくは固体ＵＶレーザー（波長：３５５ｎｍ）から発せられる光、又はｇ線（波長：４３６ｎｍ）、ｈ線（波長：４０５ｎｍ）もしくはｉ線（波長：３６５ｎｍ）などである。
【００４４】
上述した分離層３は、繰り返し単位として上記構造を含んでいる重合体を含有しているが、分離層３はさらに、上記重合体以外の成分を含み得る。当該成分としては、フィラー、可塑剤、及びサポートプレート４の剥離性を向上し得る成分などが挙げられる。これらの成分は、上記構造による光の吸収、及び重合体の変質を妨げないか、又は促進する、従来公知の物質又は材料から適宜選択される。
【００４５】
＜赤外線吸収性の構造を有する化合物＞
分離層３は、赤外線吸収性の構造を有する化合物によって形成されていてもよい。当該化合物は、赤外線を吸収することにより変質する。分離層３は、化合物の変質の結果として、赤外線の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える（例えば、サポートプレートを持ち上げるなど）ことによって、分離層３が破壊されて、サポートプレート４と基板１とを容易に分離することができる。
【００４６】
赤外線吸収性を有している構造又は赤外線吸収性を有している構造を含む化合物としては、例えば、アルカン、アルケン（ビニル、トランス、シス、ビニリデン、三置換、四置換、共役、クムレン、環式）、アルキン（一置換、二置換）、単環式芳香族（ベンゼン、一置換、二置換、三置換）、アルコール及びフェノール類（自由ＯＨ、分子内水素結合、分子間水素結合、飽和第二級、飽和第三級、不飽和第二級、不飽和第三級）、アセタール、ケタール、脂肪族エーテル、芳香族エーテル、ビニルエーテル、オキシラン環エーテル、過酸化物エーテル、ケトン、ジアルキルカルボニル、芳香族カルボニル、１，３−ジケトンのエノール、ｏ−ヒドロキシアリールケトン、ジアルキルアルデヒド、芳香族アルデヒド、カルボン酸（二量体、カルボン酸アニオン）、ギ酸エステル、酢酸エステル、共役エステル、非共役エステル、芳香族エステル、ラクトン（β−、γ−、δ−）、脂肪族酸塩化物、芳香族酸塩化物、酸無水物（共役、非共役、環式、非環式）、第一級アミド、第二級アミド、ラクタム、第一級アミン（脂肪族、芳香族）、第二級アミン（脂肪族、芳香族）、第三級アミン（脂肪族、芳香族）、第一級アミン塩、第二級アミン塩、第三級アミン塩、アンモニウムイオン、脂肪族ニトリル、芳香族ニトリル、カルボジイミド、脂肪族イソニトリル、芳香族イソニトリル、イソシアン酸エステル、チオシアン酸エステル、脂肪族イソチオシアン酸エステル、芳香族イソチオシアン酸エステル、脂肪族ニトロ化合物、芳香族ニトロ化合物、ニトロアミン、ニトロソアミン、硝酸エステル、亜硝酸エステル、ニトロソ結合（脂肪族、芳香族、単量体、二量体）、メルカプタン及びチオフェノール及びチオール酸などの硫黄化合物、チオカルボニル基、スルホキシド、スルホン、塩化スルホニル、第一級スルホンアミド、第二級スルホンアミド、硫酸エステル、炭素−ハロゲン結合、Ｓｉ−Ａ1結合（Ａ1は、Ｈ、Ｃ、Ｏ又はハロゲン）、Ｐ−Ａ2結合（Ａ2は、Ｈ、Ｃ又はＯ）、又はＴｉ−Ｏ結合であり得る。
【００４７】
上記炭素−ハロゲン結合を含む構造としては、例えば、−ＣＨ2Ｃｌ、−ＣＨ2Ｂｒ、−ＣＨ2Ｉ、−ＣＦ2−、−ＣＦ3、−ＣＨ＝ＣＦ2、−ＣＦ＝ＣＦ2、フッ化アリール、及び塩化アリールなどが挙げられる。
【００４８】
上記Ｓｉ−Ａ1結合を含む構造としては、ＳｉＨ、ＳｉＨ2、ＳｉＨ3、Ｓｉ−ＣＨ3、Ｓｉ−ＣＨ2−、Ｓｉ−Ｃ6Ｈ5、ＳｉＯ脂肪族、Ｓｉ−ＯＣＨ3、Ｓｉ−ＯＣＨ2ＣＨ3、Ｓｉ−ＯＣ6Ｈ5、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ、Ｓｉ−ＯＨ、ＳｉＦ、ＳｉＦ2、及びＳｉＦ3などが挙げられる。Ｓｉ−Ａ１結合を含む構造としては、特に、シロキサン骨格及びシルセスキオキサン骨格を形成していることが好ましい。
【００４９】
上記Ｐ−Ａ2結合を含む構造としては、ＰＨ、ＰＨ2、Ｐ−ＣＨ3、Ｐ−ＣＨ2−、Ｐ−Ｃ6Ｈ5、Ａ33−Ｐ−Ｏ（Ａ3は脂肪族又は芳香族）、（Ａ4Ｏ）3−Ｐ−Ｏ（Ａ4はアルキル）、Ｐ−ＯＣＨ3、Ｐ−ＯＣＨ2ＣＨ3、Ｐ−ＯＣ6Ｈ5、Ｐ−Ｏ−Ｐ、Ｐ−ＯＨ、及びＯ＝Ｐ−ＯＨなどが挙げられる。
【００５０】
上記構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している赤外線を吸収することができる。例えば、上記構造が吸収可能な赤外線の波長は、例えば１μｍ〜２０μｍの範囲内であり、２μｍ〜１５μｍの範囲内をより好適に吸収できる。さらに、上記構造がＳｉ−Ｏ結合、Ｓｉ−Ｃ結合及びＴｉ−Ｏ結合である場合には、９μｍ〜１１μｍの範囲内であり得る。なお、各構造が吸収できる赤外線の波長は当業者であれば容易に理解することができる。例えば、各構造における吸収帯として、非特許文献：ＳＩＬＶＥＲＳＴＥＩＮ・ＢＡＳＳＬＥＲ・ＭＯＲＲＩＬＬ著「有機化合物のスペクトルによる同定法（第５版）−ＭＳ、ＩＲ、ＮＭＲ、ＵＶの併用−」（１９９２年発行）第１４６頁〜第１５１頁の記載を参照することができる。
【００５１】
分離層３の形成に用いられる、赤外線吸収性の構造を有する化合物としては、上述のような構造を有している化合物のうち、塗布のために溶媒に溶解でき、固化されて固層を形成できるものであれば、特に限定されるものではない。しかしながら、分離層３における化合物を効果的に変質させ、サポートプレート４と基板１との分離を容易にするには、分離層３における赤外線の吸収が大きいこと、すなわち、分離層３に赤外線を照射した際の赤外線の透過率が低いことが好ましい。具体的には、分離層３における赤外線の透過率が９０％より低いことが好ましく、赤外線の透過率が８０％より低いことがより好ましい。
【００５２】
一例を挙げて説明すれば、シロキサン骨格を有する化合物としては、例えば、下記式（１）で表される繰り返し単位及び下記式（２）で表される繰り返し単位の共重合体である樹脂、あるいは下記式（１）で表される繰り返し単位及びアクリル系化合物由来の繰り返し単位の共重合体である樹脂を用いることができる。
【００５３】
【化３】
2014199858.tif 000005
【００５４】
（式（２）中、Ｒ1は、水素、炭素数１０以下のアルキル基、炭素数１０以下のアルコキシ基である）
中でも、シロキサン骨格を有する化合物としては、上記式（１）で表される繰り返し単位及び下記式（３）で表される繰り返し単位の共重合体であるｔｅｒｔ−ブチルスチレン（ＴＢＳＴ）−ジメチルシロキサン共重合体がより好ましく、上記式（１）で表される繰り返し単位及び下記式（３）で表される繰り返し単位を１：１で含む、ＴＢＳＴ−ジメチルシロキサン共重合体がさらに好ましい。
【００５５】
【化４】
2014199858.tif 000006
【００５６】
また、シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、例えば、下記式（４）で表される繰り返し単位及び下記式（５）で表される繰り返し単位の共重合体である樹脂を用いることができる。
【００５７】
【化５】
2014199858.tif 000007
【００５８】
（式（４）中、Ｒ2は、水素又は炭素数１以上、１０以下のアルキル基であり、式（５）中、Ｒ3は、炭素数１以上、１０以下のアルキル基、又はフェニル基である）
シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、このほかにも、特許文献３：特開２００７−２５８６６３号公報（２００７年１０月４日公開）、特許文献４：特開２０１０−１２０９０１号公報（２０１０年６月３日公開）、特許文献５：特開２００９−２６３３１６号公報（２００９年１１月１２日公開）及び特許文献６：特開２００９−２６３５９６号公報（２００９年１１月１２日公開）において開示されている各シルセスキオキサン樹脂を好適に利用できる。
【００５９】
中でも、シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、下記式（６）で表される繰り返し単位及び下記式（７）で表される繰り返し単位の共重合体がより好ましく、下記式（６）で表される繰り返し単位及び下記式（７）で表される繰り返し単位を７：３で含む共重合体がさらに好ましい。
【００６０】
【化６】
2014199858.tif 000008
【００６１】
シルセスキオキサン骨格を有する重合体としては、ランダム構造、ラダー構造、及び籠型構造があり得るが、何れの構造であってもよい。
【００６２】
また、Ｔｉ−Ｏ結合を含む化合物としては、例えば、（ｉ）テトラ−ｉ−プロポキシチタン、テトラ−ｎ−ブトキシチタン、テトラキス（２−エチルヘキシルオキシ）チタン、及びチタニウム−ｉ−プロポキシオクチレングリコレートなどのアルコキシチタン、（ii）ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナト）チタン、及びプロパンジオキシチタンビス（エチルアセトアセテート）などのキレートチタン、（iii）ｉ−Ｃ3Ｈ7Ｏ−［−Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｃ3Ｈ7）2−Ｏ−］n−ｉ−Ｃ3Ｈ7、及びｎ−Ｃ4Ｈ9Ｏ−［−Ｔｉ（Ｏ−ｎ−Ｃ4Ｈ9）2−Ｏ−］n−ｎ−Ｃ4Ｈ9などのチタンポリマー、（iv）トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレート、チタニウムステアレート、ジ−ｉ−プロポキシチタンジイソステアレート、及び（２−ｎ−ブトキシカルボニルベンゾイルオキシ）トリブトキシチタンなどのアシレートチタン、（ｖ）ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（トリエタノールアミナト）チタンなどの水溶性チタン化合物などが挙げられる。
【００６３】
中でも、Ｔｉ−Ｏ結合を含む化合物としては、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（トリエタノールアミナト）チタン（Ｔｉ（ＯＣ4Ｈ9）2［ＯＣ2Ｈ4Ｎ（Ｃ2Ｈ4ＯＨ）2］2）が好ましい。
【００６４】
上述した分離層３は、赤外線吸収性の構造を有する化合物を含有しているが、分離層３はさらに、上記化合物以外の成分を含み得る。当該成分としては、フィラー、可塑剤、及びサポートプレート４の剥離性を向上し得る成分などが挙げられる。これらの成分は、上記構造による赤外線の吸収、及び化合物の変質を妨げないか、又は促進する、従来公知の物質又は材料から適宜選択される。
【００６５】
＜フルオロカーボン＞
分離層３は、フルオロカーボンからなっていてもよい。分離層３は、フルオロカーボンによって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える（例えば、サポートプレート４を持ち上げるなど）ことによって、分離層３が破壊されて、サポートプレート４と基板１とを容易に分離することができる。
【００６６】
また、一つの観点からいえば、分離層３を構成するフルオロカーボンは、プラズマＣＶＤ法によって好適に成膜され得る。なお、フルオロカーボンは、ＣxＦy（パーフルオロカーボン）及びＣxＨyＦz（ｘ、ｙ及びｚは自然数）を含み、これらに限定されないが、例えば、ＣＨＦ3、ＣＨ2Ｆ2、Ｃ2Ｈ2Ｆ2、Ｃ4Ｆ8、Ｃ2Ｈ2Ｆ、Ｃ2Ｆ6、Ｃ5Ｆ8等で有り得る。また、分離層３を構成するために用いるフルオロカーボンに対して、必要に応じて窒素、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガス、酸素、アルカン、アルケンなどの炭化水素、及び、二酸化炭素、水素を添加してもよい。また、これらのガスを複数混合して用いてもよい（フルオロカーボン、水素、窒素の混合ガス等）。また、分離層３は、単一種のフルオロカーボンから構成されていてもよいし、２種類以上のフルオロカーボンから構成されていてもよい。
【００６７】
フルオロカーボンは、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層３に用いたフルオロカーボンが吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、フルオロカーボンを好適に変質させ得る。なお、分離層３における光の吸収率は８０％以上であることが好ましい。
【００６８】
分離層３に照射される光としては、フルオロカーボンが吸収可能な波長に応じて、例えば、ＹＡＧレーザー、リビーレーザー、ガラスレーザー、ＹＶＯ4レーザー、ＬＤレーザー、ファイバーレーザー等の固体レーザー、色素レーザー等の液体レーザー、ＣＯ2レーザー、エキシマレーザー、Ａｒレーザー、Ｈｅ−Ｎｅレーザー等の気体レーザー、半導体レーザー、自由電子レーザー等のレーザー光、又は、非レーザー光を適宜用いればよい。フルオロカーボンを変質させ得る波長としては、これに限定されるものではないが、例えば、６００ｎｍ以下の範囲のものを用いることができる。
【００６９】
（接着層２）
なお、接着層２は、基板１をサポートプレート４に接着固定すると同時に、基板１の表面を覆って保護する構成である。よって、接着層２は、基板１の加工又は搬送の際に、サポートプレート４に対する基板１の固定、及び基板１の保護すべき面の被覆を維持する接着性及び強度を有している必要がある。一方で、製造プロセス後などサポートプレート４に対する基板１の固定が不要になったときに、基板１から容易に分離又は除去され得る必要がある。
【００７０】
したがって、接着層２は、通常は強固な接着性を有し、何らかの処理によって接着性が低下するか、又は特定の溶剤に対する可溶性を有する接着材料を含むことが好ましい。
【００７１】
接着層２の厚さは、例えば、１〜１５０μｍであることがより好ましく、１０〜１００μｍであることがさらに好ましい。
【００７２】
〔接着材料〕
上記接着材料として、例えばアクリル系、ノボラック系、ナフトキサン系、炭化水素系、ポリイミド系等の、当該分野において公知の種々の接着材料が、本実施の形態に係る接着層２を構成する接着材料として使用可能である。以下では、本実施の形態における接着材料が含有する樹脂等の組成について説明する。
【００７３】
接着材料としては、接着性を備えたものであれば特に限定されないが、例えば、炭化水素樹脂、エラストマー、アクリル−スチレン系樹脂、マレイミド系樹脂等、又はこれらの組み合わせたものなどが挙げられる。
【００７４】
＜炭化水素樹脂＞
炭化水素樹脂は、炭化水素骨格を有し、単量体組成物を重合してなる樹脂である。炭化水素樹脂として、シクロオレフィン系ポリマー（以下、「樹脂（Ａ）」ということがある）、ならびに、テルペン樹脂、ロジン系樹脂及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂（以下、「樹脂（Ｂ）」ということがある）等が挙げられるが、これに限定されない。
【００７５】
樹脂（Ａ）としては、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分を重合してなる樹脂であってもよい。具体的には、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分の開環（共）重合体、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分を付加（共）重合させた重合体等が挙げられる。
【００７６】
樹脂（Ａ）を構成する単量体成分に含まれる前記シクロオレフィン系モノマーとしては、例えば、ノルボルネン、ノルボルナジエンなどの二環体、ジシクロペンタジエン、ジヒドロキシペンタジエンなどの三環体、テトラシクロドデセンなどの四環体、シクロペンタジエン三量体などの五環体、テトラシクロペンタジエンなどの七環体、又はこれら多環体のアルキル（メチル、エチル、プロピル、ブチルなど）置換体、アルケニル（ビニルなど）置換体、アルキリデン（エチリデンなど）置換体、アリール（フェニル、トリル、ナフチルなど）置換体等が挙げられる。これらの中でも特に、ノルボルネン、テトラシクロドデセン、又はこれらのアルキル置換体からなる群より選ばれるノルボルネン系モノマーが好ましい。
【００７７】
樹脂（Ａ）を構成する単量体成分は、上述したシクロオレフィン系モノマーと共重合可能な他のモノマーを含有していてもよく、炭素数２〜１０のアルケンモノマーが挙げられ、例えば、アルケンモノマーを含有することが好ましい。アルケンモノマーとしては、例えば、エチレン、プロピレン、１−ブテン、イソブテン、１−ヘキセン等のα−オレフィンが挙げられる。アルケンモノマーは、直鎖状であってもよいし、分岐状であってもよい。
【００７８】
また、樹脂（Ａ）を構成する単量体成分として、シクロオレフィンモノマーを含有することが、高耐熱性（低い熱分解、熱重量減少性）の観点から好ましい。樹脂（Ａ）を構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィンモノマーの割合は、５モル％以上であることが好ましく、１０モル％以上であることがより好ましく、２０モル％以上であることがさらに好ましい。また、樹脂（Ａ）を構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィンモノマーの割合は、特に限定されないが、溶解性及び溶液での経時安定性の観点からは８０モル％以下であることが好ましく、７０モル％以下であることがより好ましい。
【００７９】
また、樹脂（Ａ）を構成する単量体成分として、直鎖状又は分岐鎖状のアルケンモノマーを含有してもよい。樹脂（Ａ）を構成する単量体成分全体に対するアルケンモノマーの割合は、溶解性及び柔軟性の観点からは１０〜９０モル％であることが好ましく、２０〜８５モル％であることがより好ましく、３０〜８０モル％であることがさらに好ましい。
【００８０】
なお、樹脂（Ａ）は、例えば、シクロオレフィン系モノマーとアルケンモノマーとからなる単量体成分を重合させてなる樹脂のように、極性基を有していない樹脂であることが、高温下でのガスの発生を抑制する上で好ましい。
【００８１】
単量体成分を重合する際の重合方法や重合条件等については、特に制限はなく、常法に従い適宜設定すればよい。
【００８２】
樹脂（Ａ）として用いることのできる市販品としては、例えば、ポリプラスチックス社製の「ＴＯＰＡＳ」、三井化学社製の「ＡＰＥＬ」、日本ゼオン社製の「ＺＥＯＮＯＲ」及び「ＺＥＯＮＥＸ」、ＪＳＲ社製の「ＡＲＴＯＮ」などが挙げられる。
【００８３】
樹脂（Ａ）のガラス転移点（Ｔｇ）は、６０℃以上であることがより好ましく、７０℃以上であることが特に好ましい。樹脂（Ａ）のガラス転移点が６０℃以上であると、接着層が高温環境に曝されたときに軟化をさらに抑制することができる。
【００８４】
樹脂（Ｂ）は、テルペン系樹脂、ロジン系樹脂及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂である。具体的には、テルペン系樹脂としては、例えば、テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、変性テルペン樹脂、水添テルペン樹脂、水添テルペンフェノール樹脂等が挙げられる。ロジン系樹脂としては、例えば、ロジン、ロジンエステル、水添ロジン、水添ロジンエステル、重合ロジン、重合ロジンエステル、変性ロジン等が挙げられる。石油樹脂としては、例えば、脂肪族又は芳香族石油樹脂、水添石油樹脂、変性石油樹脂、脂環族石油樹脂、クマロン・インデン石油樹脂等が挙げられる。これらの中でも、水添テルペン樹脂、水添石油樹脂が好ましい。
【００８５】
樹脂（Ｂ）の軟化点は特に限定されないが、８０〜１６０℃であることがより好ましい。樹脂（Ｂ）の軟化点が８０℃以上であると、接着層が高温環境に曝されたときに軟化することを抑制することができ、接着不良を生じない。一方、樹脂（Ｂ）の軟化点が１６０℃以下であると、基板から接着剤を剥離する際の剥離速度が良好なものとなる。
【００８６】
樹脂（Ｂ）の分子量は特に限定されないが、３００〜３０００であることがより好ましい。樹脂（Ｂ）の分子量が３００以上であると、耐熱性が充分なものとなり、高温環境下において脱ガス量が少なくなる。一方、樹脂（Ｂ）の分子量が３０００以下であると、基板から接着剤を剥離する際の剥離速度が良好なものとなる。なお、本実施形態における樹脂（Ｂ）の分子量は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定されるポリスチレン換算の分子量を意味するものである。
【００８７】
なお、樹脂として、樹脂（Ａ）と樹脂（Ｂ）とを混合したものを用いてもよい。混合することにより、耐熱性及び剥離速度が良好なものとなる。例えば、樹脂（Ａ）と樹脂（Ｂ）との混合割合としては、（Ａ）：（Ｂ）＝８０：２０〜５５：４５（質量比）であることが、剥離速度、高温環境時の熱耐性、及び柔軟性に優れるので好ましい。
【００８８】
＜エラストマー＞
エラストマーは、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含んでいることが好ましい。本発明に係る接着剤組成物に含まれるエラストマーは、当該スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲であることが好ましい。さらに、本発明に係る接着剤組成物に含まれるエラストマーは、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲であることが好ましい。
【００８９】
エラストマーとしては、例えば、ポリスチレン−ポリ（エチレン／プロピレン）ブロックコポリマー（ＳＥＰ）、スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＩＳ）、スチレン−ブタジエン−スチレンブロックコポリマー（ＳＢＳ）、スチレン−ブタジエン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＢＢＳ）、エチレン−プロピレンターポリマー（ＥＰＴ）、及び、これらの水添物、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＥＢＳ）、スチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー（スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー）（ＳＥＰＳ）、スチレン−エチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＥＥＰＳ）等が挙げられる。
【００９０】
＜アクリル−スチレン系樹脂＞
アクリル−スチレン系樹脂としては、例えば、スチレン又はスチレンの誘導体と、（メタ）アクリル酸エステル等とを単量体として用いて重合した樹脂が挙げられる。
【００９１】
（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステル、脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステル、芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、炭素数１５〜２０のアルキル基を有するアクリル系長鎖アルキルエステル、炭素数１〜１４のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステル等が挙げられる。アクリル系長鎖アルキルエステルとしては、アルキル基がｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−エイコシル基等であるアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる。なお、当該アルキル基は、分岐状であってもよい。
【００９２】
炭素数１〜１４のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステルとしては、既存のアクリル系接着剤に用いられている公知のアクリル系アルキルエステルが挙げられる。例えば、アルキル基が、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、２−エチルヘキシル基、イソオクチル基、イソノニル基、イソデシル基、ドデシル基、ラウリル基、トリデシル基等からなるアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる。
【００９３】
脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、シクロペンチル（メタ）アクリレート、１−アダマンチル（メタ）アクリレート、ノルボルニル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレート、テトラシクロドデカニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート等が挙げられるが、イソボルニルメタアクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレートがより好ましい。
【００９４】
芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては、特に限定されるものではないが、芳香族環としては、例えばフェニル基、ベンジル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェノキシメチル基、フェノキシエチル基等が挙げられる。また、芳香族環は、炭素数１〜５の鎖状又は分岐状のアルキル基を有していてもよい。具体的には、フェノキシエチルアクリレートが好ましい。
【００９５】
＜マレイミド系樹脂＞
マレイミド系樹脂としては、例えば、単量体として、Ｎ−メチルマレイミド、Ｎ−エチルマレイミド、Ｎ−ｎ−プロピルマレイミド、Ｎ−イソプロピルマレイミド、Ｎ−ｎ−ブチルマレイミド、Ｎ−イソブチルマレイミド、Ｎ−ｓｅｃ−ブチルマレイミド、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルマレイミド、Ｎ−ｎ−ペンチルマレイミド、Ｎ−ｎ−ヘキシルマレイミド、Ｎ−ｎ−へプチルマレイミド、Ｎ−ｎ−オクチルマレイミド、Ｎ−ラウリルマレイミド、Ｎ−ステアリルマレイミドなどのアルキル基を有するマレイミド、Ｎ−シクロプロピルマレイミド、Ｎ−シクロブチルマレイミド、Ｎ−シクロペンチルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−シクロヘプチルマレイミド、Ｎ−シクロオクチルマレイミド等の脂肪族炭化水素基を有するマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−ｍ−メチルフェニルマレイミド、Ｎ−ｏ−メチルフェニルマレイミド、Ｎ−ｐ−メチルフェニルマレイミド等のアリール基を有する芳香族マレイミド等を重合して得られた樹脂が挙げられる。
【００９６】
例えば、下記式（８）で表される繰り返し単位及び下記式（９）で表される繰り返し単位の共重合体であるシクロオレフィンコポリマーを接着成分の樹脂として用いることができる。
【００９７】
【化７】
2014199858.tif 000009
【００９８】
（式（９）中、ｎは０又は１〜３の整数である。）
なお、光硬化性樹脂（例えば、ＵＶ硬化性樹脂）以外の樹脂を用いて接着層２を形成することが好ましい。これは、光硬化性樹脂が、接着層２の分離又は除去の後に、基板１の微小な凹凸の周辺に残渣として残ってしまう場合があり得るからである。特に、特定の溶剤に溶解する接着剤が接着層２を構成する材料として好ましい。これは、基板１に物理的な力を加えることなく、接着層２を溶剤に溶解させることによって除去可能なためである。接着層２の除去に際して、強度が低下した基板１からでさえ、基板１を破損させたり、変形させたりせずに、容易に接着層２を除去することができる。
【００９９】
上述した分離層、接着層を形成する際の希釈溶剤として、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等の直鎖状の炭化水素、炭素数３〜１５の分岐状の炭化水素、ｐ−メンタン、ｏ−メンタン、ｍ−メンタン、ジフェニルメンタン、１，４−テルピン、１，８−テルピン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、ツジャン、カラン、ロンギホレン、ゲラニオール、ネロール、リナロール、シトラール、シトロネロール、メントール、イソメントール、ネオメントール、α−テルピネオール、β−テルピネオール、γ−テルピネオール、テルピネン−１−オール、テルピネン−４−オール、ジヒドロターピニルアセテート、１，４−シネオール、１，８−シネオール、ボルネオール、カルボン、ヨノン、ツヨン、カンファー、ｄ−リモネン、ｌ−リモネン、ジペンテン等のテルペン系溶剤；γ−ブチロラクトン等のラクトン類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン（ＣＨ）、メチル−ｎ−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール類；エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、又はジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類又は前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテル又はモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体（これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）が好ましい）；ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メトキシブチルアセテート、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類；アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル等の芳香族系有機溶剤等を挙げることができる。
【０１００】
（その他の成分）
接着剤組成物には、本発明における本質的な特性を損なわない範囲において、混和性のある他の物質をさらに含んでいてもよい。例えば、接着剤の性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、接着補助剤、安定剤、着色剤、酸化防止剤及び界面活性剤等、慣用されている各種添加剤をさらに用いることができる。
【０１０１】
〔処理方法について〕
次に、本実施形態に係る積層体１０を処理する方法について図１を用いて説明する。図１は、本実施形態に係る積層体１０を処理する処理方法の工程を示す図である。本実施形態に係る積層体１０の処理方法は、基板１と、接着層２と、光を吸収することにより変質する分離層３と、サポートプレート４とをこの順番に積層してなる積層体１０を処理する処理方法であって、分離層３に光を照射して分離層３を変質させ、サポートプレート４と基板１とを分離する分離工程と、分離した後のサポートプレート４の表面をプラズマアッシングすることにより、サポートプレート４の表面に付着している分離層３又は接着層２の残渣物を除去するプラズマアッシング工程とを包含する。
【０１０２】
（分離工程）
図１の（ｂ）に示すように、まず、分離層３に光を照射して分離層３を変質させる。分離層３を変質させた後、積層体１０に力を加えることにより、サポートプレート４と基板１とを分離する（分離工程）。サポートプレート４を積層体１０から分離することにより、図１の（ｃ）に示すような残渣物（接着層及び分離層の少なくとも一方のうち、支持体の表面に付着した付着物）５が付着したサポートプレート４が得られる。
【０１０３】
（プラズマアッシング工程）
次に、図１の（ｄ）に示すように、プラズマ発生装置６から発生したプラズマをサポートプレート４に照射し、分離した後のサポートプレート４の表面をプラズマアッシングする（プラズマアッシング工程）。これにより、サポートプレート４の表面に付着している残渣物５を除去することができる。
【０１０４】
プラズマアッシング工程は、酸素アッシングにより行われることが好ましい。酸素アッシングによって、サポートプレート４の表面に付着している残渣物５を燃焼させて、好適に当該表面に付着している残渣物５を好適に除去することができる。サポートプレート４の表面を酸素アッシングするためには、公知の酸素プラズマ発生装置を用いて酸素プラズマを発生させ、当該酸素プラズマをサポートプレート４に照射すればよい。また、酸素ガスに、窒素ガス及び水素ガスから選択される少なくとも１種を混合した混合ガスを用いることもできる。例えば、酸素ガスに、混合ガス全体に対して１０％未満の窒素ガスを含有させた混合ガスを好適に用いることができる。また、例えば、酸素ガスに水素を含有させた混合ガスを用いる場合には、混合ガス全体に対して５％以上、２０％以下の割合で水素を添加することが好ましい。このとき、酸素ガスに対して、水素と窒素とが混合された気体を添加するようにしてもよい。
酸素プラズマ発生装置の代表的な方式としては、枚葉式とバッチ式とがあるが、本発明はこれらに限定されない。
【０１０５】
酸素アッシングを行う条件としては、サポートプレート４に付着している残渣物５を除去することができる条件であればよい。例えば、サポートプレート４に照射される酸素プラズマの出力は、バッチ式の場合、通常、５００Ｗ以上、２０００Ｗ以下であり、８００Ｗ以上、１５００Ｗ以下であることが好ましい。また、枚葉式の場合、通常、１０００Ｗ以上、３０００Ｗ以下であり、１５００Ｗ以上、２８００Ｗ以下であることが好ましい。
【０１０６】
サポートプレート４に照射される酸素プラズマの圧力は、通常、４０Ｐａ以上、２６６Ｐａ以下であり、６７Ｐａ以上、２００Ｐａ以下であることが好ましい。
【０１０７】
サポートプレート４に照射される酸素プラズマの酸素流量は、バッチ式の場合、通常、１００〜２０００ｓｃｃｍであり、２００〜１５００ｓｃｃｍであることが好ましい。また、サポートプレート４に照射される酸素プラズマの酸素流量は、枚葉式の場合、通常、１０００〜５０００ｓｃｃｍであり、２０００〜４０００ｓｃｃｍであることが好ましい。尚、上記単位「ｓｃｃｍ」とは、「ｓｔａｎｄａｒｄ  ｃｃ／ｍｉｎ」の略であり、１ａｔｍ（大気圧１，０１３ｈＰａ）、一定温度において規格化された酸素流量を表している。
【０１０８】
サポートプレート４に照射される酸素プラズマの処理時間は、バッチ式の場合、通常、２０〜９０分であり、２０〜６０分であることが好ましい。また、枚葉式の場合、サポートプレートに照射される酸素プラズマの処理時間は、通常、５〜３０分であり、５〜２０分であることが好ましい。
【０１０９】
一実施形態において、酸素プラズマ発生装置として枚葉式を用いた場合の処理条件は、例えば、出力２８００Ｗ、圧力１３３Ｐａ（０．５Ｔｏｒｒ）、酸素流量４０００ｓｃｃｍ、処理時間５分、ステージ温度２００℃である。
【０１１０】
別の一実施形態において、酸素プラズマ発生装置としてバッチ式を用いた場合の処理条件は、例えば、出力１５００Ｗ、圧力１３３Ｐａ（０．５Ｔｏｒｒ）、酸素流量１５００ｓｃｃｍ、処理時間２０分である。
【０１１１】
酸素プラズマ処理工程において、酸素プラズマの処理方法としては、残渣物５を除去できる条件であればよく、例えば、枚葉式であってもよいし、バッチ式であってもよい。また、酸素プラズマ処理工程では、サポートプレート４の両面に酸素プラズマを照射してもよいし、サポートプレート４の片面（接着層２及び分離層３を介して基板と接着していた面）だけに酸素プラズマを照射してもよい。酸素プラズマ処理工程を枚葉式で行ない、サポートプレート４の両面に酸素プラズマを照射する場合には、サポートプレート４をピンアップすることが好ましい。
【０１１２】
（洗浄工程）
さらに、図１の（ｅ）に示すように、洗浄ブラシ７を用いて、プラズマアッシングされたサポートプレート４の表面を溶剤で洗浄することが好ましい（洗浄工程）。これにより、プラズマアッシング工程にて除去することができなかった残渣物を好適に除去することができる。
【０１１３】
サポートプレート４の表面を洗浄するときに用いる溶剤としては、残渣物を除去することができれば限定されない。サポートプレート４の表面を洗浄するときに用いる溶剤としては、アルカリ性を示す溶液であることが好ましい。アルカリ性を示す溶液としては、アミン系化合物であることがより好ましい。アミン系化合物としては、第一級、第二級、第三級の脂肪族アミン、脂環式アミン、芳香族アミン、又は複素環式アミンからなる群より選択される少なくとも一種の化合物を用いることができる。
【０１１４】
第一級脂肪族アミンとしては、例えばモノメタノールアミン、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、モノイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール（ＤＧＡ）、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノールなどが、第二級脂肪族アミンとしては、例えば２−（メチルアミノ）エタノール（ＭＭＡ）、ジエタノールアミン、イミノビスプロピルアミン、２−エチルアミノエタノールなどが、第三級脂肪族アミンとしては、例えばトリエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジエチルアミノエタノールなどが挙げられる。
【０１１５】
また、脂環式アミンとしては、例えばシクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミンなどが挙げられる。芳香族アミンとしては、例えばベンジルアミン、ジベンジルアミン、Ｎ‐メチルベンジルアミンなどが挙げられる。複素環式アミンとしては、例えばＮ‐ヒドロキシエチルピペリジン、１，８‐ジアザビシクロ［５，４，０］‐７‐ウンデセンなどが挙げられる。これら有機アミン類の化合物の中では、特にモノエタノールアミン、２‐（２‐アミノエトキシ）エタノール及び２‐エチルアミノエタノール、２−（メチルアミノ）エタノール（ＭＭＡ）等のアルカノールアミンが好適である。
【０１１６】
さらに、剥離液は他の溶剤と混合して用いてもよい。上述した剥離液に混合してもよい溶剤としては、例えば、γ−ブチロラクトンなどのラクトン類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル−ｎ−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、２−ヘプタノンなどのケトン類、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、又はジプロピレングリコールモノアセテートなどのエステル結合を有する化合物の有機溶剤が挙げられ、さらに、前記多価アルコール類若しくは前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテルなどのモノアルキルエーテル又はモノフェニルエーテルなどのエーテル結合を有する化合物などの多価アルコール類の誘導体、ジオキサンなどの環式エーテル類、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類の有機溶剤が挙げられ、アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレンなどの芳香族系有機溶剤が挙げられる。
【０１１７】
また、上述した剥離液に混合してもよい溶剤としては、これらの中でも多価アルコール類、エステル結合を有する化合物、又は多価アルコール類の誘導体から選ばれる少なくとも１種が好ましく、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノイソブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、ブチルジグリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）又はプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートから選ばれる少なくとも１種がより好ましい。
【０１１８】
前記アルカリ性を示す溶液と前記剥離液に混合してもよい溶剤との混合割合は、重量比で９：１〜１：９であることが好ましく、８：２〜２：８であることがより好ましい。
【０１１９】
また、洗浄工程では、図１の（ｅ）に示すように、サポートプレート４の表面をスクラブ洗浄することが好ましい。本明細書において、「スクラブ洗浄」とは、洗浄ブラシ等を備えたロール体を用いて、洗浄ブラシ等を洗浄対象物に接触させて、その接触部分に上記溶剤、水等を供給しながらロール体を回転させることにより、洗浄対象物を洗浄ブラシ等で摩擦洗浄する方法をいう。サポートプレート４の表面をスクラブ洗浄することにより、表面上に付着している残渣物５をより好適に除去することができる。
【０１２０】
本実施形態において、プラズマアッシングしたサポートプレート４の表面をスクラブ洗浄している。そのため、プラズマアッシングにより残渣物の大部分が除去されたサポートプレート４をスクラブ洗浄することになる。これにより、残渣物を除去する際に、洗浄ブラシが劣化したり、洗浄ブラシに残渣物が付着したりすることを抑制できる。以上により、サポートプレート４の表面をプラズマアッシングした後、スクラブ洗浄することにより、同一の洗浄ブラシを用いて大量のサポートプレート４を処理する場合であっても、高い洗浄効果を維持することができる。
【０１２１】
次に、図１の（ｆ）に示すように、洗浄したサポートプレート４の表面上に分離層３を形成してもよい。そして、接着層を介して、分離層３が形成されたサポートプレート４と基板とを接着させて積層体を形成してもよい。これにより、サポートプレート４を、基板に支持させた状態で、薄化、実装等のプロセスに再度供することができる。
【０１２２】
なお、本発明に係る処理方法における洗浄工程では、支持体の表面をパドル洗浄してもよい。パドル洗浄とは、支持体を回転させずにあるいは低速回転しながら支持体上に薬液などを供給し、薬液の表面張力を利用して支持体上にその薬液を保持することで洗浄を行うものである。
【０１２３】
また、本発明において、プラズマアッシング工程により、支持体の表面に付着している分離層又は接着層の残渣物の大部分を除去することができる。そして、プラズマアッシング工程の後、支持体の表面を洗浄する洗浄工程を行うことにより、より好適に残渣物を支持体から除去することができる。なお、本発明において、洗浄工程は必須の工程ではなく、洗浄工程を含まない構成であっても本発明の範囲に包含される。
【０１２４】
プラズマアッシング工程及び洗浄工程により残渣物が除去された支持体は、当該支持体の表面に分離層を形成したときに、当該分離層と当該支持体とが密着して剥がれにくい。一方、残渣物が除去されていない支持体は、当該支持体の表面に分離層を形成したときに、当該分離層と当該支持体とが上手く密着しないため剥がれやすい。よって、本発明に係る処理方法により、支持体を積層体形成に再利用することができる。
【０１２５】
〔処理装置〕
次に、図２を用いて本実施形態に係る処理装置について説明する。図２は、本実施形態に係る処理装置１００を示す図である。本実施形態に係る処理装置１００は、基板１と、接着層２と、光を吸収することにより変質する分離層３と、サポートプレート４とをこの順番に積層してなる積層体１０における分離層３を変質させてサポートプレート４と基板１とを分離した後の、サポートプレート４を処理する処理装置１００であって、サポートプレート４の表面をプラズマアッシングすることにより、サポートプレート４の表面に付着している分離層３又は接着層２の残渣物を除去するプラズマ発生装置（プラズマ発生手段）６と、プラズマアッシングされたサポートプレート４の表面を溶剤で洗浄する洗浄ブラシ（洗浄手段）７とを備える。
【０１２６】
（プラズマ発生装置６）
プラズマ発生装置６は、プラズマを発生させて、載置台１１に載置された対象物にプラズマを照射する装置である。そのため、表面上に残渣物５が付着したサポートプレート４を載置台１１に載置し、プラズマを発生させることにより、当該プラズマをサポートプレート４に照射することができる。これにより、サポートプレート４上に付着する残渣物５を除去することができる。なお、プラズマ発生装置６については、本実施形態に係る処理方法にて説明したプラズマアッシング工程の説明に準じるため、詳細な説明は省略する。
【０１２７】
（洗浄ブラシ７）
洗浄ブラシ７は、載置台１３に載置された洗浄対象物に接触することにより、当該洗浄対象物を摩擦洗浄するものである。また、洗浄ブラシ７は、貯留タンク１２と接続しており、貯留タンク１２から溶剤、水等を供給しながら洗浄対象物を洗浄する。これにより、プラズマ発生装置６により残渣物５を除去した後のサポートプレート４を洗浄することができる。なお、貯留タンク１２に貯留される溶剤については、本実施形態に係る処理方法にて説明した洗浄工程にて用いる溶剤と同様である。
【０１２８】
（分離層形成手段）
さらに、本実施形態に係る処理装置１００は、洗浄ブラシ７により洗浄されたサポートプレート４の表面に、分離層３を形成する分離層形成手段をさらに備えていてもよい。分離層形成手段としては、本実施形態に係る処理方法にて説明した分離層３を生成することができる構成であれば特に限定されない。
【０１２９】
以下に実施例を示し、本発明の実施の形態についてさらに詳しく説明する。もちろん、本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、細部については様々な態様が可能であることはいうまでもない。さらに、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、それぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。また、本明細書中に記載された文献の全てが参考として援用される。
【実施例】
【０１３０】
〔実施例１〕
まず、積層体を以下のように作製した。
【０１３１】
（積層体の作製）
１２インチウエハ基板（厚さ５０μｍ）に接着剤組成物としてＴＺＮＲ−３００７ｔ（商品名、東京応化工業株式会社製）をウエハ基板にスピン塗布し、１００℃、１６０℃及び２２０℃にて４分間ずつベークして接着層（厚さ５０μｍ）を形成した。次に、流量４００ｓｃｃｍ、圧力７００ｍＴｏｒｒ、高周波電力２５００Ｗ及び成膜温度２４０℃の条件下において、反応ガスとしてＣ4Ｆ8を使用したＣＶＤ法により、フルオロカーボン膜（厚さ０．７μｍ）を支持体（１２インチガラス基板、厚さ６７０μｍ）上に形成し、分離層とした。
【０１３２】
そして、接着層を介して、ウエハ基板と分離層を有する支持体とを貼り合わせて、ウエハ基板、接着層、分離層及び支持体をこの順番に積層した積層体を作製した。
【０１３３】
（支持体の分離）
次に、５３２ｎｍの波長を有するＹＶＯ4レーザーを、積層体における支持体側から分離層に向けて照射した。レーザーの照射により、分離層を変質させ、積層体から支持体を分離した。分離した支持体上には、変質した分離層及び接着層が残存していた。
【０１３４】
（酸素プラズマ処理）
次に、枚葉式の酸素プラズマ発生装置（東京応化工業社製ＴＣＡ−７２２２）により酸素プラズマを発生させ、当該酸素プラズマを支持体に照射することにより、支持体上に残渣していた分離層及び接着層を除去した。酸素プラズマを発生させた条件（酸素アッシング条件）としては、出力２８００Ｗ、圧力１３３Ｐａ（０．５Ｔｏｒｒ）、酸素流量４０００ｓｃｃｍ、処理時間５分、ステージ温度２００℃であった。これにより、支持体上に残渣していた分離層及び接着層の大部分を除去することができた。
【０１３５】
酸素アッシングにより支持体の表面上に残渣していた分離層及び接着層を除去した後、パーティクルカウンター（日立ハイテクノロジーズ社製ＬＳ６６００）を用いて当該表面に付着している残渣物の量を測定した。このパーティクルカウンターを用いることで、測定対象物上に１μｍ〜１０μｍの粒子（残渣物）がどれだけあるかを測定することができる。パーティクルカウンターにて測定された残渣物の量は、６９７７個であった。
【０１３６】
〔実施例２〕
実施例１と同じ条件で、積層体を形成し、当該積層体から支持体を分離し、当該支持体を酸素アッシングした。
【０１３７】
さらに、酸素アッシングにより支持体の表面上に残渣していた分離層及び接着層を除去した後、当該表面を、溶剤を用いてパドル洗浄した。溶剤としては、アルカリ性を示すアミン系溶剤である、ＳＬＲ（ＴＺＮＲ（登録商標）−ＳＬ  Ｒｅｍｏｖｅｒ（東京応化工業株式会社製））を用いた。その後、パーティクルカウンターを用いて当該表面に付着している残渣物の量を検査した。パーティクルカウンターにて測定された残渣物の量は、４７３３個であった。
【０１３８】
〔実施例１及び２に基づく考察〕
酸素アッシングだけを行った実施例１と比較して、酸素アッシング及び溶剤洗浄を行った実施例２の方が支持体の表面に付着している残渣物の数が少なかった。この結果から、酸素アッシングだけでなく、支持体の表面を溶剤洗浄することにより、当該表面に付着している残渣物の量をより低減できることが示された。
【０１３９】
〔実施例３〕
実施例１と同じ条件で、積層体を形成し、当該積層体から支持体を分離し、当該支持体を酸素アッシングした。
【０１４０】
さらに、酸素アッシングにより支持体の表面上に残渣していた分離層及び接着層を除去した後、溶剤としてＳＬＲを用いて支持体の表面を、スクラブ洗浄した。スクラブ洗浄ではＰＶＡブラシを洗浄ブラシとして使用し、スクラブ洗浄の条件は以下の通りである。なお、下記ＤＩＷは、Ｄｅ−ｌｏｎｉｚｅｄ  Ｗａｔｅｒを意味する；
スクラブ洗浄の条件
１ｓｔ  ｓｔｅｐ  洗浄液：ＳＬＲ
回転数：１，０００ｒｐｍ
ブラシ：有り
時間  ：１２０秒
２ｎｄ  ｓｔｅｐ  洗浄液：ＤＩＷ
回転数：１，０００ｒｐｍ
ブラシ：有り
時間  ：１２０秒
３ｒｄ  ｓｔｅｐ  洗浄液：ＤＩＷ
回転数：１，０００ｒｐｍ
ブラシ：無し
時間  ：１５秒
４ｔｈ  ｓｔｅｐ  回転数：１，０００ｒｐｍ
時間  ：３０秒。
【０１４１】
そして、実施例１と同じ条件で形成した積層体から除去した支持体を、酸素アッシング後にスクラブ洗浄する操作を繰り返した。そして、合計で７０枚の支持体を処理した後、パーティクルカウンターを用いて、最後に処理した支持体の表面に付着している残渣物の量を検査した。最後に処理した（７０枚目の）支持体に付着していた残渣物の量は、４２個であった。
【０１４２】
〔実施例２及び３に基づく考察〕
酸素アッシング後に支持体をスクラブ洗浄すること（実施例３）により、酸素アッシング後に支持体をパドル洗浄する場合（実施例２）に比べて、当該支持体の表面に付着している残渣物の量を低減することができた。
【０１４３】
〔比較例１〕
実施例１と同じ条件で、積層体を形成し、当該積層体から支持体を除去した後、当該支持体の表面を酸素アッシング及び溶剤洗浄することなく、パーティクルカウンターを用いて当該表面に付着している残渣物の量を測定した。しかし、支持体の表面に付着した残渣物の量が多すぎたため、残渣物の量を測定することができなかった。パーティクルカウンターにおける粒子の最大測定個数は６００００個であるため、支持体の表面上に付着した残渣物は６００００個よりも多く、かつ、酸素アッシングだけを行った場合でも、支持体の表面上に付着した残渣物を好適に除去できることが示された。
【０１４４】
〔比較例２〕
実施例１と同じ条件で、積層体を形成し、当該積層体から支持体を分離した。その後、酸素アッシングをすることなく、ＳＬＲを用いて支持体の表面を、洗浄ブラシによりスクラブ洗浄した。パーティクルカウンターを用いて、当該表面に付着している残渣物の量を測定した。支持体に付着していた残渣物の量は、６４個であった。
【０１４５】
さらに、実施例１と同じ条件で形成した積層体から除去した支持体を、酸素アッシングすることなく、同一の洗浄ブラシによりスクラブ洗浄する動作を繰り返した。そして、合計で２０枚の支持体を処理した後、パーティクルカウンターを用いて、最後に処理した支持体の表面に付着している残渣物の量を検査した。最後に処理した（２０枚目の）支持体に付着していた残渣物の量は、７３４個であった。
【０１４６】
〔比較例２に基づく考察〕
比較例２において、２０枚目に処理した支持体に付着した粒子数の方が、最初に処理した支持体に付着した粒子数よりも多かった。これは、支持体を酸素アッシングすることなく、スクラブ洗浄すると、当該支持体の表面に付着する残渣物を直接除去する必要があり、同一の洗浄ブラシでスクラブ洗浄を繰り返すことで、当該洗浄ブラシに残渣物が付着するためであると考えられる。
【０１４７】
〔実施例３及び比較例２に基づく考察〕
実施例３及び比較例２の結果を比較することにより、実施例３の場合、つまり、酸素アッシング後にスクラブ洗浄した場合に、スクラブ洗浄の洗浄効果を低下させることなく、支持体の表面から残渣物を好適に除去することができた。これは、支持体を酸素アッシングすることによって、支持体表面上に付着した残渣物の大部分を除去したため、残渣物を除去する際に、洗浄ブラシが劣化したり、洗浄ブラシに残渣物が付着したりすることを抑制できたからであると考えられる。
【産業上の利用可能性】
【０１４８】
本発明は、例えば、半導体ウエハの製造工程において好適に利用することができる。
【符号の説明】
【０１４９】
１  基板
２  接着層
３  分離層
４  サポートプレート（支持体）
５  残渣物
６  プラズマ発生装置（プラズマ発生手段）
７  洗浄ブラシ（洗浄手段）
１０  積層体
１１，１３  載置台
１２  貯留タンク
１００  処理装置
【図１】
2014199858.tif 000010
【図２】
2014199858.tif 000011