(57)【要約】【課題】  フレキシブル基板に実装された状態で曲げた場合でもＴｉＡｌＮのサーミスタ材料層にクラックが生じ難く、さらにフィルム等に非焼成で直接成膜することができ、高い耐熱性を有して信頼性が高い温度センサを提供すること。【解決手段】  絶縁性フィルムと、該絶縁性フィルムの表面にＴｉＡｌＮのサーミスタ材料でパターン形成された薄膜サーミスタ部６と、薄膜サーミスタ部の上に複数の櫛部７ａを有して互いに対向してパターン形成された一対の櫛型電極７と、一対の櫛型電極に接続され絶縁性フィルムの表面にパターン形成された一対のパターン電極８とを備え、一対のパターン電極の端部に、実装時にはんだ材で接着される端子部８ａが設けられ、端子部が、櫛部の延在方向に対して直交する方向に延在していると共にこの延在方向における薄膜サーミスタ部の幅以上に長い。【選択図】図１
2014070953.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性フィルムと、
該絶縁性フィルムの表面にＴｉＡｌＮのサーミスタ材料でパターン形成された薄膜サーミスタ部と、
前記薄膜サーミスタ部の上及び下の少なくとも一方に複数の櫛部を有して互いに対向してパターン形成された一対の櫛型電極と、
前記一対の櫛型電極に接続され前記絶縁性フィルムの表面にパターン形成された一対のパターン電極とを備え、
前記一対のパターン電極の端部に、実装時に導電性接着材で接着される端子部が設けられ、
前記端子部が、前記櫛部の延在方向に対して直交する方向に延在していると共にこの延在方向における前記薄膜サーミスタ部の幅以上に長いことを特徴とする温度センサ。
【請求項２】
請求項１に記載の温度センサにおいて、
前記一対の端子部を除いて少なくとも前記薄膜サーミスタ部の表面に保護膜が形成されていることを特徴とする温度センサ。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の温度センサにおいて、
前記一対の端子部が、前記薄膜サーミスタ部を挟んで前記絶縁性フィルムの両端に配されていることを特徴とする温度センサ。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の温度センサにおいて、
前記薄膜サーミスタ部が、一般式：ＴｉｘＡｌｙＮｚ（０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相であることを特徴とする温度センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、耐屈曲性に優れたフィルム型サーミスタ温度センサである温度センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
温度センサ等に使用されるサーミスタ材料は、高精度、高感度のために、高いＢ定数が求められている。従来、このようなサーミスタ材料には、Ｍｎ，Ｃｏ，Ｆｅ等の遷移金属酸化物が一般的である（特許文献１及び２参照）。また、これらのサーミスタ材料では、安定なサーミスタ特性を得るために、６００℃以上の焼成が必要である。
【０００３】
また、上記のような金属酸化物からなるサーミスタ材料の他に、例えば特許文献３では、一般式：ＭｘＡｙＮｚ（但し、ＭはＴａ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｔｉ及びＺｒの少なくとも１種、ＡはＡｌ，Ｓｉ及びＢの少なくとも１種を示す。０．１≦ｘ≦０．８、０＜ｙ≦０．６、０．１≦ｚ≦０．８、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される窒化物からなるサーミスタ用材料が提案されている。また、この特許文献３では、Ｔａ−Ａｌ−Ｎ系材料で、０．５≦ｘ≦０．８、０．１≦ｙ≦０．５、０．２≦ｚ≦０．７、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１としたものだけが実施例として記載されている。このＴａ−Ａｌ−Ｎ系材料では、上記元素を含む材料をターゲットとして用い、窒素ガス含有雰囲気中でスパッタリングを行って作製されている。また、必要に応じて、得られた薄膜を３５０〜６００℃で熱処理を行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２２６５７３号公報
【特許文献２】特開２００６−３２４５２０号公報
【特許文献３】特開２００４−３１９７３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
近年、樹脂フィルム上にサーミスタ材料を形成したフィルム型サーミスタセンサの開発が検討されており、フィルムに直接成膜できるサーミスタ材料の開発が望まれている。すなわち、フィルムを用いることで、フレキシブルなサーミスタセンサが得られることが期待される。さらに、０．１ｍｍ程度の厚さを持つ非常に薄いサーミスタセンサの開発が望まれているが、従来はアルミナ等のセラミックス材料を用いた基板材料がしばしば用いられ、例えば、厚さ０．１ｍｍへと薄くすると非常に脆く壊れやすい等の問題があったが、フィルムを用いることで非常に薄いサーミスタセンサが得られることが期待される。
従来、ＴｉＡｌＮからなる窒化物系サーミスタを形成した温度センサでは、フィルム上にＴｉＡｌＮからなるサーミスタ材料層と電極とを積層して形成する場合、サーミスタ材料層上にＡｕ等の電極層を成膜し、複数の櫛部を有した櫛型にパターニングしている。しかし、このサーミスタ材料層は、曲率半径が大きく緩やかに曲げられた場合には、クラックが生じ難く抵抗値等の電気特性に変化がないが、曲率半径が小さくきつく曲げた場合に、クラックが発生し易くなり、抵抗値等が大きく変化して電気特性の信頼性が低くなってしまう。特に、フィルムを櫛部の延在方向に直交する方向に小さい曲率半径できつく曲げた場合、櫛部の延在方向に曲げた場合に比べて櫛型電極とサーミスタ材料層との応力差により、電極エッジ付近にクラックが発生し易くなり、電気特性の信頼性が低下してしまう不都合があった。
また、様々な曲率や形状を有する被測定対象に対して高精度な温度測定を行なう場合、熱抵抗を低減させるために、温度センサを被測定対象に密着させる必要がある。そこで、様々な温度センサの構造に対応するための効率的でかつ製造上最適な方法として、可能な範囲でサイズの小さいサーミスタ素子を作製して、被測定対象に最適化されたフレキシブル基板に実装する方法が考えられる。また、サーミスタ素子をフレキシブル基板に実装するときの電気的接続方法は、はんだ材を使用することが高い信頼性が得られて好ましい。
さらに、実装方向を考えず、上記櫛部の延在方向において曲率半径を小さく曲げることを想定して、フレキシブル基板にサーミスタ素子を実装したとしても、意図しない方向（櫛部の延在方向に直交する方向）に曲がった場合、やはり電気特性の信頼性が下がってしまう問題がある。
また、樹脂材料で構成されるフィルムは、一般的に耐熱温度が１５０℃以下と低く、比較的耐熱温度の高い材料として知られるポリイミドでも２００℃程度の耐熱性しかないため、サーミスタ材料の形成工程において熱処理が加わる場合は、適用が困難であった。上記従来の酸化物サーミスタ材料では、所望のサーミスタ特性を実現するために６００℃以上の焼成が必要であり、フィルムに直接成膜したフィルム型サーミスタセンサを実現できないという問題点があった。そのため、非焼成で直接成膜できるサーミスタ材料の開発が望まれているが、上記特許文献３に記載のサーミスタ材料でも、所望のサーミスタ特性を得るために、必要に応じて、得られた薄膜を３５０〜６００℃で熱処理する必要があった。また、このサーミスタ材料では、Ｔａ−Ａｌ−Ｎ系材料の実施例において、Ｂ定数：５００〜３０００Ｋ程度の材料が得られているが、耐熱性に関する記述がなく、窒化物系材料の熱的信頼性が不明であった。
【０００６】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、フレキシブル基板に実装された状態で曲げた場合でもＴｉＡｌＮのサーミスタ材料層にクラックが生じ難く、さらにフィルム等に非焼成で直接成膜することができ、高い耐熱性を有して信頼性が高いサーミスタ材料層を有した温度センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、第１の発明に係る温度センサは、絶縁性フィルムと、該絶縁性フィルムの表面にＴｉＡｌＮのサーミスタ材料でパターン形成された薄膜サーミスタ部と、前記薄膜サーミスタ部の上及び下の少なくとも一方に複数の櫛部を有して互いに対向してパターン形成された一対の櫛型電極と、前記一対の櫛型電極に接続され前記絶縁性フィルムの表面にパターン形成された一対のパターン電極とを備え、前記一対のパターン電極の端部に、実装時に導電性接着材で接着される端子部が設けられ、前記端子部が、前記櫛部の延在方向に対して直交する方向に延在していると共にこの延在方向における前記薄膜サーミスタ部の幅以上に長いことを特徴とする。
【０００８】
すなわち、この温度センサでは、端子部が、櫛部の延在方向に対して直交する方向に延在していると共にこの延在方向における薄膜サーミスタ部の幅以上に長いので、屈曲に弱い方向である櫛部の延在方向に直交する方向に、導電性接着材で接着される端子部が延在して薄膜サーミスタ部が補強されて剛性が確保される。これにより、曲げが抑制されて電気特性の信頼性が向上する。
【０００９】
第２の発明に係る温度センサは、第１の発明において、前記一対の端子部を除いて少なくとも前記薄膜サーミスタ部の表面に保護膜が形成されていることを特徴とする。
すなわち、この温度センサでは、一対の端子部を除いて少なくとも薄膜サーミスタ部の表面に保護膜が形成されているので、絶縁性フィルムの表面側を実装面としてフレキシブル基板等の基板に実装すると、フレキシブル基板等の基板と薄膜サーミスタ部との間に保護膜が介在して埋め込まれた状態となることで、保護膜を介して基板から温度センサへ熱が伝わり、熱伝導性が向上してさらに高精度な温度測定が可能になる。
【００１０】
第３の発明に係る温度センサは、第１又は第２の発明において、前記一対の端子部が、前記薄膜サーミスタ部を挟んで前記絶縁性フィルムの両端に配されていることを特徴とする。
すなわち、この温度センサでは、一対の端子部が、薄膜サーミスタ部を挟んで絶縁性フィルムの両端に配されているので、薄膜サーミスタ部の両側で補強されることで、バランス良く安定した剛性が得られる。
【００１１】
第４の発明に係る温度センサは、第１から第３の発明のいずれかにおいて、前記薄膜サーミスタ部が、一般式：ＴｉｘＡｌｙＮｚ（０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相であることを特徴とする。
【００１２】
本発明者らは、窒化物材料の中でもＡｌＮ系に着目し、鋭意、研究を進めたところ、絶縁体であるＡｌＮは、最適なサーミスタ特性（Ｂ定数：１０００〜６０００Ｋ程度）を得ることが難しいため、Ａｌサイトを電気伝導を向上させる特定の金属元素で置換すると共に、特定の結晶構造とすることで、非焼成で良好なＢ定数と耐熱性とが得られることを見出した。
したがって、本発明は、上記知見から得られたものであり、薄膜サーミスタ部が、一般式：ＴｉｘＡｌｙＮｚ（０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相であるので、非焼成で良好なＢ定数が得られると共に高い耐熱性を有している。
【００１３】
なお、上記「ｙ／（ｘ＋ｙ）」（すなわち、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ））が０．７０未満であると、ウルツ鉱型の単相が得られず、ＮａＣｌ型相との共存相又はＮａＣｌ型相のみの相となってしまい、十分な高抵抗と高Ｂ定数とが得られない。
また、上記「ｙ／（ｘ＋ｙ）」（すなわち、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ））が０．９５を超えると、抵抗率が非常に高く、きわめて高い絶縁性を示すため、サーミスタ材料として適用できない。
また、上記「ｚ」（すなわち、Ｎ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ））が０．４未満であると、金属の窒化量が少ないため、ウルツ鉱型の単相が得られず、十分な高抵抗と高Ｂ定数とが得られない。
さらに、上記「ｚ」（すなわち、Ｎ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ））が０．５を超えると、ウルツ鉱型の単相を得ることができない。このことは、ウルツ鉱型の単相において、窒素サイトにおける欠陥がない場合の正しい化学量論比は、Ｎ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ）＝０．５であることに起因する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係る温度センサによれば、端子部が、櫛部の延在方向に対して直交する方向に延在していると共にこの延在方向における薄膜サーミスタ部の幅以上に長いので、屈曲に弱い方向である櫛部の延在方向に直交する方向に、導電性接着材で接着される端子部が延在して薄膜サーミスタ部が補強されて剛性が確保されることで、曲げが抑制されて電気特性の信頼性が向上する。
さらに、薄膜サーミスタ部を、一般式：ＴｉｘＡｌｙＮｚ（０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相である材料とすることで、非焼成で良好なＢ定数が得られると共に高い耐熱性が得られる。
したがって、本発明の温度センサによれば、導電性接着材による実装後でも、曲げに対してクラックが生じ難く、フレキシブルで凹凸が少なく、電子機器の基板等の隙間、非接触給電装置やバッテリー等の狭い隙間に挿入して設置することや、曲面に設置することも可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に係る温度センサの一実施形態を示す平面図である。
【図２】本実施形態において、櫛部の延在方向に沿って切断した要部の拡大断面図である。
【図３】本実施形態において、サーミスタ用金属窒化物材料の組成範囲を示すＴｉ−Ａｌ−Ｎ系３元系相図である。
【図４】本実施形態において、薄膜サーミスタ部の形成工程を示す断面図及び平面図である。
【図５】本実施形態において、電極形成工程を示す断面図及び平面図である。
【図６】本実施形態において、保護膜形成工程を示す断面図及び平面図である。
【図７】本実施形態において、サーミスタ素子の実装前後の状態を示す平面図である。
【図８】本発明に係る温度センサの実施例において、サーミスタ用金属窒化物材料の膜評価用素子を示す正面図及び平面図である。
【図９】本発明に係る実施例及び比較例において、２５℃抵抗率とＢ定数との関係を示すグラフである。
【図１０】本発明に係る実施例及び比較例において、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）比とＢ定数との関係を示すグラフである。
【図１１】本発明に係る実施例において、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＝０．８４としたｃ軸配向が強い場合におけるＸ線回折（ＸＲＤ）の結果を示すグラフである。
【図１２】本発明に係る実施例において、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＝０．８３としたａ軸配向が強い場合におけるＸ線回折（ＸＲＤ）の結果を示すグラフである。
【図１３】本発明に係る比較例において、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＝０．６０とした場合におけるＸ線回折（ＸＲＤ）の結果を示すグラフである。
【図１４】本発明に係る実施例において、ａ軸配向の強い実施例とｃ軸配向の強い実施例とを比較したＡｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）比とＢ定数との関係を示すグラフである。
【図１５】本発明に係る実施例において、ｃ軸配向が強い実施例を示す断面ＳＥＭ写真である。
【図１６】本発明に係る実施例において、ａ軸配向が強い実施例を示す断面ＳＥＭ写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明に係る温度センサにおける一実施形態を、図１から図７を参照しながら説明する。なお、以下の説明に用いる図面の一部では、各部を認識可能又は認識容易な大きさとするために必要に応じて縮尺を適宜変更している。
【００１７】
本実施形態の温度センサ１は、フィルム型サーミスタセンサであって、図１及び図２に示すように、表面に引き出し線２が銅箔等の金属箔でパターン形成されたフレキシブル基板３上の引き出し線２にはんだ材（導電性接着材）Ｈで接着されるサーミスタ素子である。
上記温度センサ１は、絶縁性フィルム５と、該絶縁性フィルム５の表面にＴｉＡｌＮのサーミスタ材料でパターン形成された薄膜サーミスタ部６と、薄膜サーミスタ部６の上に複数の櫛部７ａを有して互いに対向してパターン形成された一対の櫛型電極７と、一対の櫛型電極７に接続され絶縁性フィルム５の表面にパターン形成された一対のパターン電極８とを備えている。
【００１８】
本実施形態では、薄膜サーミスタ部６の上に櫛型電極７を形成しているが、図２では、裏返してパターン電極８側を下に向けて温度センサ１を実装しているため、櫛型電極７が薄膜サーミスタ部６の下側に図示されている。なお、薄膜サーミスタ部６の下に櫛型電極７を形成しても構わない。
【００１９】
上記一対のパターン電極８の端部には、実装時にはんだ材Ｈで接着される端子部８ａが設けられている。これら端子部８ａは、櫛部７ａの延在方向に対して直交する方向に帯状に延在していると共にこの延在方向における薄膜サーミスタ部６の幅以上に長く設定されている。
上記一対の端子部８ａを除いて少なくとも薄膜サーミスタ部６の表面には、保護膜９が形成されている。また、一対の端子部８ａは、薄膜サーミスタ部６を挟んで絶縁性フィルム５の両端に配されている。したがって、保護膜９は、両端の一対の端子部８ａ間において薄膜サーミスタ部６、櫛型電極７及びパターン電極８を覆って絶縁性フィルム５の表面に形成されている。
【００２０】
上記絶縁性フィルム５は、例えば厚さ７．５〜１２５μｍのポリイミド樹脂シートで帯状に形成されている。なお、絶縁性フィルム５としては、他にＰＥＴ：ポリエチレンテレフタレート，ＰＥＮ：ポリエチレンナフタレート等でも構わない。
上記薄膜サーミスタ部６は、ＴｉＡｌＮのサーミスタ材料で形成されている。特に、薄膜サーミスタ部６は、一般式：ＴｉｘＡｌｙＮｚ（０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相である。
【００２１】
上記パターン電極８及び櫛型電極７は、薄膜サーミスタ部６上に形成された膜厚５〜１００ｎｍのＣｒ又はＮｉＣｒの接合層と、該接合層上にＡｕ等の貴金属で膜厚５０〜１０００ｎｍで形成された電極層とを有している。
一対の櫛型電極７は、互いに対向状態に配されて交互に櫛部７ａが並んだ櫛型パターンとされている。
【００２２】
一対のパターン電極８は、櫛型電極７に先端部が接続され基端部が絶縁性フィルム５の端部に配された端子部８ａとされている。
上記保護膜９は、絶縁性樹脂膜等であり、例えば厚さ２０μｍのポリイミド膜が採用される。
【００２３】
上記薄膜サーミスタ部６は、上述したように、金属窒化物材料であって、一般式：ＴｉｘＡｌｙＮｚ（０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系の結晶系であってウルツ鉱型（空間群Ｐ６３ｍｃ（Ｎｏ．１８６））の単相である。すなわち、この金属窒化物材料は、図３に示すように、Ｔｉ−Ａｌ−Ｎ系３元系相図における点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄで囲まれる領域内の組成を有し、結晶相がウルツ鉱型である金属窒化物である。
なお、上記点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの各組成比（ｘ、ｙ、ｚ）（原子％）は、Ａ（１５、３５、５０），Ｂ（２．５、４７．５、５０），Ｃ（３、５７、４０），Ｄ（１８、４２、４０）である。
【００２４】
また、この薄膜サーミスタ部６は、例えば膜厚１００〜１０００ｎｍの膜状に形成され、前記膜の表面に対して垂直方向に延在している柱状結晶である。さらに、膜の表面に対して垂直方向にａ軸よりｃ軸が強く配向していることが好ましい。
なお、膜の表面に対して垂直方向（膜厚方向）にａ軸配向（１００）が強いかｃ軸配向（００２）が強いかの判断は、Ｘ線回折（ＸＲＤ）を用いて結晶軸の配向性を調べることで、（１００）（ａ軸配向を示すミラー指数）と（００２）（ｃ軸配向を示すミラー指数）とのピーク強度比から、「（１００）のピーク強度」／「（００２）のピーク強度」が１未満であることで決定する。
【００２５】
この温度センサ１の製造方法について、図４を参照して以下に説明する。
本実施形態の温度センサ１の製造方法は、絶縁性フィルム５上に薄膜サーミスタ部６をパターン形成する薄膜サーミスタ部形成工程と、互いに対向した一対の櫛型電極７を薄膜サーミスタ部６上に配して絶縁性フィルム５上に一対のパターン電極８をパターン形成する電極形成工程とを有している。
【００２６】
より具体的な製造方法の例としては、厚さ５０μｍのポリイミドフィルムの絶縁性フィルム５上に、Ｔｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲットを用い、窒素含有雰囲気中で反応性スパッタ法にて、ＴｉｘＡｌｙＮｚ（ｘ＝９、ｙ＝４３、ｚ＝４８）のサーミスタ膜を膜厚２００ｎｍで形成する。その時のスパッタ条件は、到達真空度５×１０−６Ｐａ、スパッタガス圧０．４Ｐａ、ターゲット投入電力（出力）２００Ｗで、Ａｒガス＋窒素ガスの混合ガス雰囲気下において、窒素ガス分率を２０％で作製した。
【００２７】
成膜したサーミスタ膜の上にレジスト液をバーコーターで塗布した後、１１０℃で１分３０秒プリベークを行い、露光装置で感光後、現像液で不要部分を除去し、さらに１５０℃で５分のポストベークにてパターニングを行う。その後、不要なＴｉｘＡｌｙＮｚのサーミスタ膜を市販のＴｉエッチャントでウェットエッチングを行い、図４に示すように、レジスト剥離にて３００×４００μｍの薄膜サーミスタ部６にした。
【００２８】
次に、薄膜サーミスタ部６及び絶縁性フィルム５上に、スパッタ法にて、Ｃｒ膜の接合層を膜厚２０ｎｍ形成する。さらに、この接合層上に、スパッタ法にてＡｕ膜の電極層を膜厚２００ｎｍ形成する。
【００２９】
次に、成膜した電極層の上にレジスト液をバーコーターで塗布した後、１１０℃で１分３０秒プリベークを行い、露光装置で感光後、現像液で不要部分を除去し、１５０℃で５分のポストベークにてパターニングを行う。その後、不要な電極部分を市販のＡｕエッチャント及びＣｒエッチャントの順番でウェットエッチングを行い、図５に示すように、レジスト剥離にて所望の櫛型電極７及びパターン電極８を形成する。
この際、一対の櫛型電極７は、幅３０μｍ、間隔３０μｍの６対の櫛部７ａにて形成した。
【００３０】
さらに、その上にポリイミドワニスを印刷法により塗布して、２５０℃で３０分でキュアを行い、図６に示すように、２０μｍ厚のポリイミド保護膜９を形成する。
なお、複数の温度センサ１を同時に作製する場合、絶縁性フィルム５の大判シートに複数の薄膜サーミスタ部６、櫛型電極７、パターン電極８及び保護膜９を上述のように形成した後に、大判シートから各温度センサ１に切断する。
このようにして、例えばサイズを１．０×０．５ｍｍとし、厚さを０．０６ｍｍとした薄いフィルム型サーミスタセンサの温度センサ１が得られる。
【００３１】
この温度センサ１をフレキシブル基板３に実装する際、図７の（ａ）（ｂ）に示すように、温度センサ１の保護膜９側の面を実装面としてフレキシブル基板３の実装面に載置する。このフレキシブル基板３は、長方形状とされ、その上面には一対の引き出し線２が銅箔等によりパターン形成されている。これら引き出し線２の一端部は、フレキシブル基板３の一端部に配されていると共に、他端部はフレキシブル基板３の他端側に配されている。
【００３２】
一対の引き出し線２の一端部上には、リード線の引き出し部としてＡｕめっき等のめっき部が形成されている。このめっき部には、リード線の一端が半田材等で接合される。
また、一対の引き出し線２の他端部は、温度センサ実装用のランド部とされ、クリームはんだのはんだ材Ｈが端子部８ａに対応した帯状に形成される。
【００３３】
すなわち、櫛型電極７の櫛部７ａの長手方向をフレキシブル基板３の長手方向に平行に配置して、温度センサ１のはんだ実装を行う。このとき、はんだ材Ｈをフレキシブル基板３の長手方向に対して垂直方向に延在するように配置すると共に、端子部８ａの長さに対応して薄膜サーミスタ部６よりも長く延在させる。このはんだ実装時において、クリームはんだの厚みは２０μｍ以上とし、端子部８ａをクリームはんだのはんだ材Ｈに接続後、ピーク温度が２３０℃でリフローを通すことで、温度センサ１が接着される。
このようにすると、はんだ材Ｈが収縮して接合することで、保護膜９がフレキシブル基板３に密着し、熱抵抗を減らして感度を上げることができる。
【００３４】
このように本実施形態の温度センサ１では、端子部８ａが、櫛部７ａの延在方向に対して直交する方向に延在していると共にこの延在方向における薄膜サーミスタ部６の幅以上に長いので、屈曲に弱い方向である櫛部７ａの延在方向に直交する方向に、はんだ材Ｈで接着される端子部８ａが延在して薄膜サーミスタ部６が補強されて剛性が確保される。これにより、曲げが抑制されて電気特性の信頼性が向上する。
【００３５】
また、一対の端子部８ａを除いて少なくとも薄膜サーミスタ部６の表面に保護膜９が形成されているので、絶縁性フィルム５の表面側を実装面としてフレキシブル基板３に実装すると、フレキシブル基板３と薄膜サーミスタ部６との間に保護膜９が介在して埋め込まれた状態となることで、保護膜９を介してフレキシブル基板３から温度センサ１へ熱が伝わり、熱伝導性が向上してさらに高精度な温度測定が可能になる。
【００３６】
さらに、一対の端子部８ａが、薄膜サーミスタ部６を挟んで絶縁性フィルム５の両端に配されているので、薄膜サーミスタ部６の両側で補強されることで、バランス良く安定した剛性が得られる。
【００３７】
また、薄膜サーミスタ部６が、一般式：ＴｉｘＡｌｙＮｚ（０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系の結晶系であってウルツ鉱型の単相であるので、非焼成で良好なＢ定数が得られると共に高い耐熱性を有している。
また、この金属窒化物材料では、膜の表面に対して垂直方向に延在している柱状結晶であるので、膜の結晶性が高く、高い耐熱性が得られる。
さらに、この金属窒化物材料では、膜の表面に対して垂直方向にａ軸よりｃ軸を強く配向させることで、ａ軸配向が強い場合に比べて高いＢ定数が得られる。
【００３８】
なお、本実施形態のサーミスタ材料層（薄膜サーミスタ部６）の製造方法では、Ｔｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲットを用いて窒素含有雰囲気中で反応性スパッタを行って成膜するので、上記ＴｉＡｌＮからなる上記金属窒化物材料を非焼成で成膜することができる。
また、反応性スパッタにおけるスパッタガス圧を、０．６７Ｐａ未満に設定することで、膜の表面に対して垂直方向にａ軸よりｃ軸が強く配向している金属窒化物材料の膜を形成することができる。
【００３９】
したがって、本実施形態の温度センサ１では、絶縁性フィルム５上に上記サーミスタ材料層で薄膜サーミスタ部６が形成されているので、非焼成で形成され高Ｂ定数で耐熱性の高い薄膜サーミスタ部６により、樹脂フィルム等の耐熱性の低い絶縁性フィルム５を用いることができると共に、良好なサーミスタ特性を有した薄型でフレキシブルなサーミスタセンサが得られる。
また、従来アルミナ等のセラミックスを用いた基板材料がしばしば用いられ、例えば、厚さ０．１ｍｍへと薄くすると非常に脆く壊れやすい等の問題があったが、本発明においてはフィルムを用いることができるので、上記のように、例えば厚さ０．１ｍｍの非常に薄いフィルム型サーミスタセンサを得ることができる。  
【実施例】
【００４０】
次に、本発明に係る温度センサについて、上記実施形態に基づいて作製した実施例により評価した結果を、図８から図１６を参照して具体的に説明する。
【００４１】
＜屈曲試験＞
上記実施形態に基づいて作製した温度センサに対して、薄膜サーミスタ部を半径６ｍｍ（Ｒ３ｍｍ）の曲率で凹と凸とに交互に１００回ずつ屈曲試験を行い、試験の前後で電気抵抗の測定を行なった。その結果、屈曲に弱い方向として、櫛部の長手方向に対して垂直方向に曲率半径が小さくなるように上記屈曲試験を行なったところ、電気抵抗が１０％以上上昇したが、櫛部の長手方向（延在方向）に対して平行方向に曲率半径が小さくなるように上記屈曲試験を行なったところ、電気抵抗の上昇が見られなかった。このため、櫛型電極の櫛部の長手方向に対して垂直方向に上記屈曲試験を行なったときに電極の剥がれ又は薄膜サーミスタ部のクラックが発生したと予想される。
【００４２】
次に、上記実施例の温度センサを、厚み２０μｍ以上のクリームはんだで上記フレキシブル基板に接続後、ピーク温度が２３０℃でリフローを通して接着して屈曲用のサンプルを作製した。この実装状態のサンプルについても、上記屈曲試験と同様に屈曲試験を行ったところ、櫛部の長手方向に対して直交する方向に屈曲させても電気抵抗の上昇は見られなかった。なお、櫛部の長手方向に対して平行な方向は、曲げに対して元から電気特性の信頼性が高いため、上記屈曲試験と同様に電気抵抗の上昇は見られなかった。
【００４３】
＜膜評価用素子の作製＞
本発明のサーミスタ材料層（薄膜サーミスタ部６）の評価を行う実施例及び比較例として、図８に示す膜評価用素子１２１を次のように作製した。
まず、反応性スパッタ法にて、様々な組成比のＴｉ−Ａｌ合金ターゲットを用いて、Ｓｉ基板Ｓとなる熱酸化膜付きＳｉウエハ上に、厚さ５００ｎｍの表１に示す様々な組成比で形成された金属窒化物材料の薄膜サーミスタ部６を形成した。その時のスパッタ条件は、到達真空度：５×１０−６Ｐａ、スパッタガス圧：０．１〜１Ｐａ、ターゲット投入電力（出力）：１００〜５００Ｗで、Ａｒガス＋窒素ガスの混合ガス雰囲気下において、窒素ガス分率を１０〜１００％と変えて作製した。
【００４４】
次に、上記薄膜サーミスタ部６の上に、スパッタ法でＣｒ膜を２０ｎｍ形成し、さらにＡｕ膜を１００ｎｍ形成した。さらに、その上にレジスト液をスピンコーターで塗布した後、１１０℃で１分３０秒プリベークを行い、露光装置で感光後、現像液で不要部分を除去し、１５０℃で５分のポストベークにてパターニングを行った。その後、不要な電極部分を市販のＡｕエッチャント及びＣｒエッチャントによりウェットエッチングを行い、レジスト剥離にて所望の櫛形電極部１２４ａを有するパターン電極１２４を形成した。そして、これをチップ状にダイシングして、Ｂ定数評価及び耐熱性試験用の膜評価用素子１２１とした。
なお、比較としてＴｉｘＡｌｙＮｚの組成比が本発明の範囲外であって結晶系が異なる比較例についても同様に作製して評価を行った。
【００４５】
＜膜の評価＞
（１）組成分析
反応性スパッタ法にて得られた薄膜サーミスタ部６について、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）にて元素分析を行った。このＸＰＳでは、Ａｒスパッタにより、最表面から深さ２０ｎｍのスパッタ面において、定量分析を実施した。その結果を表１に示す。なお、以下の表中の組成比は「原子％」で示している。
【００４６】
なお、上記Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）は、Ｘ線源をＭｇＫα（３５０Ｗ）とし、パスエネルギー：５８．５ｅＶ、測定間隔：０．１２５ｅＶ、試料面に対する光電子取り出し角：４５ｄｅｇ、分析エリアを約８００μｍφの条件下で定量分析を実施した。なお、定量精度について、Ｎ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ）の定量精度は±２％、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）の定量精度は±１％ある。
【００４７】
（２）比抵抗測定
反応性スパッタ法にて得られた薄膜サーミスタ部６について、４端子法にて２５℃での比抵抗を測定した。その結果を表１に示す。
（３）Ｂ定数測定
膜評価用素子１２１の２５℃及び５０℃の抵抗値を恒温槽内で測定し、２５℃と５０℃との抵抗値よりＢ定数を算出した。その結果を表１に示す。
【００４８】
なお、本発明におけるＢ定数算出方法は、上述したように２５℃と５０℃とのそれぞれの抵抗値から以下の式によって求めている。
Ｂ定数（Ｋ）＝ｌｎ（Ｒ２５／Ｒ５０）／（１／Ｔ２５−１／Ｔ５０）
Ｒ２５（Ω）：２５℃における抵抗値
Ｒ５０（Ω）：５０℃における抵抗値
Ｔ２５（Ｋ）：２９８．１５Ｋ  ２５℃を絶対温度表示
Ｔ５０（Ｋ）：３２３．１５Ｋ  ５０℃を絶対温度表示
【００４９】
これらの結果からわかるように、ＴｉｘＡｌｙＮｚの組成比が図２に示す３元系の三角図において、点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄで囲まれる領域内、すなわち、「０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１」となる領域内の実施例全てで、抵抗率：１００Ωｃｍ以上、Ｂ定数：１５００Ｋ以上のサーミスタ特性が達成されている。
【００５０】
上記結果から２５℃での抵抗率とＢ定数との関係を示したグラフを、図９に示す。また、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）比とＢ定数との関係を示したグラフを、図１０に示す。これらのグラフから、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＝０．７〜０．９５、かつ、Ｎ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ）＝０．４〜０．５の領域で、結晶系が六方晶のウルツ鉱型の単一相であるものは、２５℃における比抵抗値が１００Ωｃｍ以上、Ｂ定数が１５００Ｋ以上の高抵抗かつ高Ｂ定数の領域が実現できている。なお、図１０のデータにおいて、同じＡｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）比に対して、Ｂ定数がばらついているのは、結晶中の窒素量が異なるためである。
【００５１】
表１に示す比較例３〜１２は、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＜０．７の領域であり、結晶系は立方晶のＮａＣｌ型となっている。また、比較例１２（Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＝０．６７）では、ＮａＣｌ型とウルツ鉱型とが共存している。このように、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＜０．７の領域では、２５℃における比抵抗値が１００Ωｃｍ未満、Ｂ定数が１５００Ｋ未満であり、低抵抗かつ低Ｂ定数の領域であった。
【００５２】
表１に示す比較例１，２は、Ｎ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ）が４０％に満たない領域であり、金属が窒化不足の結晶状態になっている。この比較例１，２は、ＮａＣｌ型でも、ウルツ鉱型でもない、非常に結晶性の劣る状態であった。また、これら比較例では、Ｂ定数及び抵抗値が共に非常に小さく、金属的振舞いに近いことがわかった。
【００５３】
（４）薄膜Ｘ線回折（結晶相の同定）
反応性スパッタ法にて得られた薄膜サーミスタ部６を、視斜角入射Ｘ線回折（Grazing Incidence X-ray Diffraction）により、結晶相を同定した。この薄膜Ｘ線回折は、微小角Ｘ線回折実験であり、管球をＣｕとし、入射角を１度とすると共に２θ＝２０〜１３０度の範囲で測定した。一部のサンプルについては、入射角を０度とし、２θ＝２０〜１００度の範囲で測定した。
【００５４】
その結果、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）≧０．７の領域においては、ウルツ鉱型相（六方晶、ＡｌＮと同じ相）であり、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＜０．６５の領域においては、ＮａＣｌ型相（立方晶、ＴｉＮと同じ相）であった。また、０．６５＜  Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＜０．７においては、ウルツ鉱型相とＮａＣｌ型相との共存する結晶相であった。
【００５５】
このようにＴｉＡｌＮ系においては、高抵抗かつ高Ｂ定数の領域は、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）≧０．７のウルツ鉱型相に存在している。なお、本発明の実施例では、不純物相は確認されておらず、ウルツ鉱型の単一相である。
なお、表１に示す比較例１，２は、上述したように結晶相がウルツ鉱型相でもＮａＣｌ型相でもなく、本試験においては同定できなかった。また、これらの比較例は、ＸＲＤのピーク幅が非常に広いことから、非常に結晶性の劣る材料であった。これは、電気特性により金属的振舞いに近いことから、窒化不足の金属相になっていると考えられる。
【００５６】
【表１】
2014070953.tif 000003
【００５７】
次に、本発明の実施例は全てウルツ鉱型相の膜であり、配向性が強いことから、Ｓｉ基板Ｓ上に垂直な方向（膜厚方向）の結晶軸においてａ軸配向性が強いか、ｃ軸配向性が強いかであるかについて、ＸＲＤを用いて調査した。この際、結晶軸の配向性を調べるために、（１００）（ａ軸配向を示すミラー指数）と（００２）（ｃ軸配向を示すミラー指数）とのピーク強度比を測定した。
【００５８】
その結果、スパッタガス圧が０．６７Ｐａ未満で成膜された実施例は、（１００）よりも（００２）の強度が非常に強く、ａ軸配向性よりｃ軸配向性が強い膜であった。一方、スパッタガス圧が０．６７Ｐａ以上で成膜された実施例は、（００２）よりも（１００）の強度が非常に強く、ｃ軸配向よりａ軸配向が強い材料であった。
なお、同じ成膜条件でポリイミドフィルムに成膜しても、同様にウルツ鉱型相の単一相が形成されていることを確認している。また、同じ成膜条件でポリイミドフィルムに成膜しても、配向性は変わらないことを確認している。
【００５９】
ｃ軸配向が強い実施例のＸＲＤプロファイルの一例を、図１１に示す。この実施例は、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＝０．８４（ウルツ鉱型、六方晶）であり、入射角を１度として測定した。この結果からわかるように、この実施例では、（１００）よりも（００２）の強度が非常に強くなっている。
また、ａ軸配向が強い実施例のＸＲＤプロファイルの一例を、図１２に示す。この実施例は、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＝０．８３（ウルツ鉱型、六方晶）であり、入射角を１度として測定した。この結果からわかるように、この実施例では、（００２）よりも（１００）の強度が非常に強くなっている。
【００６０】
さらに、この実施例について、入射角を０度として、対称反射測定を実施した。なお、グラフ中（＊）は装置由来のピークであり、サンプル本体のピーク、もしくは、不純物相のピークではないことを確認している（なお、対称反射測定において、そのピークが消失していることからも装置由来のピークであることがわかる。）。
【００６１】
なお、比較例のＸＲＤプロファイルの一例を、図１３に示す。この比較例は、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＝０．６（ＮａＣｌ型、立方晶）であり、入射角を１度として測定した。ウルツ鉱型（空間群Ｐ６３ｍｃ（Ｎｏ．１８６））として指数付けできるピークは検出されておらず、ＮａＣｌ型単独相であることを確認した。
【００６２】
次に、ウルツ鉱型材料である本発明の実施例に関して、さらに結晶構造と電気特性との相関を詳細に比較した。
表２及び図１４に示すように、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）比がほぼ同じ比率のものに対し、基板面に垂直方向の配向度の強い結晶軸がｃ軸である材料（実施例５，７，８，９）とａ軸である材料（実施例１９，２０，２１）とがある。
【００６３】
これら両者を比較すると、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）比が同じであると、ａ軸配向が強い材料よりもｃ軸配向が強い材料の方が、Ｂ定数が１００Ｋ程度大きいことがわかる。また、Ｎ量（Ｎ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ））に着目すると、ａ軸配向が強い材料よりもｃ軸配向が強い材料の方が、窒素量がわずかに大きいことがわかる。理想的な化学量論比：Ｎ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ）＝０．５であることから、ｃ軸配向が強い材料のほうが、窒素欠陥量が少なく理想的な材料であることがわかる。
【００６４】
【表２】
2014070953.tif 000004
【００６５】
＜結晶形態の評価＞
次に、薄膜サーミスタ部６の断面における結晶形態を示す一例として、熱酸化膜付きＳｉ基板Ｓ上に成膜された実施例（Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＝０．８４，ウルツ鉱型、六方晶、ｃ軸配向性が強い）の薄膜サーミスタ部６における断面ＳＥＭ写真を、図１５に示す。また、別の実施例（Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＝０．８３，ウルツ鉱型六方晶、ａ軸配向性が強い）の薄膜サーミスタ部６における断面ＳＥＭ写真を、図１６に示す。
これら実施例のサンプルは、Ｓｉ基板Ｓをへき開破断したものを用いている。また、４５°の角度で傾斜観察した写真である。
【００６６】
これらの写真からわかるように、いずれの実施例も高密度な柱状結晶で形成されている。すなわち、ｃ軸配向が強い実施例及びａ軸配向が強い実施例の共に基板面に垂直な方向に柱状の結晶が成長している様子が観測されている。なお、柱状結晶の破断は、Ｓｉ基板Ｓをへき開破断した際に生じたものである。
【００６７】
＜膜の耐熱試験評価＞
表１に示す実施例及び比較例において、大気中，１２５℃,１０００ｈの耐熱試験前後における抵抗値及びＢ定数を評価した。その結果を表３に示す。なお、比較として従来のＴａ−Ａｌ−Ｎ系材料による比較例も同様に評価した。
これらの結果からわかるように、Ａｌ濃度及び窒素濃度は異なるものの、Ｔａ−Ａｌ−Ｎ系である比較例と同じＢ定数で比較したとき、耐熱試験前後における電気特性変化でみたときの耐熱性は、Ｔｉ−Ａｌ−Ｎ系のほうが優れている。なお、実施例５，８はｃ軸配向が強い材料であり、実施例２１，２４はａ軸配向が強い材料である。両者を比較すると、ｃ軸配向が強い実施例の方がａ軸配向が強い実施例に比べて僅かに耐熱性が向上している。
【００６８】
なお、Ｔａ−Ａｌ−Ｎ系材料では、Ｔａのイオン半径がＴｉやＡｌに比べて非常に大きいため、高濃度Ａｌ領域でウルツ鉱型相を作製することができない。ＴａＡｌＮ系がウルツ鉱型相でないがゆえ、ウルツ鉱型相のＴｉ−Ａｌ−Ｎ系の方が、耐熱性が良好であると考えられる。
【００６９】
【表３】
2014070953.tif 000005
【００７０】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態及び実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態では、導電性接着材としてはんだ材を採用したが、他の合金製の接合材や導電性の樹脂材料などを採用しても構わない。この導電性接着材としては、接着時に絶縁性フィルムよりも硬質な材料であることが好ましい。
【符号の説明】
【００７１】
１…温度センサ、５…絶縁性フィルム、６…薄膜サーミスタ部、７ａ…櫛部、７…櫛型電極、８ａ…端子部、８…パターン電極、９…保護膜、Ｈ…はんだ材（導電性接着材）
【図１】
2014070953.tif 000006
【図２】
2014070953.tif 000007
【図４】
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【図５】
2014070953.tif 000009
【図６】
2014070953.tif 000010
【図７】
2014070953.tif 000011
【図８】
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【図３】
2014070953.tif 000013
【図９】
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【図１０】
2014070953.tif 000015
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
2014070953.tif 000019
【図１５】
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【図１６】
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