(57)【要約】【課題】研磨加工の厚み精度の低下を抑制することができる研磨装置を提供する。【解決手段】被加工物を保持するチャックテーブル２０と、チャックテーブルに保持された被加工物を研磨する研磨パッドを備えた研磨手段と、を備える研磨装置であって、チャックテーブルは、被加工物を保持する保持面２１を有する保持テーブル２２と、保持テーブルを支持する支持部材２３とを備え、支持部材には、同心円状に配置され、かつ同心円の中心軸線Ｃからの径方向位置が互いに異なる複数の管状流体通路２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄが設けられており、各管状流体通路毎に所望の温度に制御された流体を供給し、保持テーブルの保持面の温度分布を制御可能な制御流体供給手段７０を具備している。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を研磨する研磨パッドを備えた研磨手段と、を備える研磨装置であって、
該チャックテーブルは、被加工物を保持する保持面を有する保持テーブルと、該保持テーブルを支持する支持部材とを備え、
該支持部材には、同心円状に配置され、かつ該同心円の中心からの径方向位置が互いに異なる複数の管状流体通路が設けられており、
各管状流体通路毎に所望の温度に制御された流体を供給し、該保持テーブルの該保持面の温度分布を制御可能な制御流体供給手段を具備している、研磨装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加工物に研磨加工を施す研磨装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造プロセスにおいては、シリコンや化合物半導体からなるウェーハの表面にストリートと呼ばれる格子状の分割予定ラインが形成される。そして、分割予定ラインによって区画された各領域にＩＣやＬＳＩ等のデバイスが形成される。これらのウェーハは裏面が研削及び／又は研磨されて所定の厚みへと薄化された後、切削装置でストリートに沿って切削され、個々のチップへと分割されることで半導体デバイスが製造される。デバイスの小型化および軽量化を図るために、通常、半導体ウエーハをストリートに沿って切断して個々のデバイスに分割するのに先立って、半導体ウエーハの裏面を研削して所定の厚さに形成している。半導体ウエーハの裏面の研削は、通常、ダイヤモンド砥粒をレジンボンドの如き適宜のボンドで固着して形成した研削ホイールを、高速回転せしめながら半導体ウエーハの裏面に押圧せしめることによって遂行されている。このような研削方式によって半導体ウエーハの裏面を研削すると、半導体ウエーハの裏面に所謂加工歪が生成され、これによって個々に分割されたデバイスの抗折強度が低下するという問題がある。
【０００３】
上述した問題を解消するために、研削加工された半導体ウエーハの裏面を砥粒が混入された研磨パッドと研磨液によってＣＭＰ研磨することにより研削歪を除去する研磨装置が下記特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−２０６８８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、研磨によって全面を均一に研磨するのは難しく、ウエーハ等の被加工物の裏面を研磨すると外周エッジが加工されやすいため、中央部に比べて外周部の研磨量が多くなり、外周部が中央部より薄くなって厚み精度が悪化するという問題がある。また、摩擦による熱がこもるため外周部に比べて中央部が薄くなってしまう事もある。
【０００６】
本発明の目的は、研磨加工の厚み精度の低下を抑制することができる研磨装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の研磨装置は、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を研磨する研磨パッドを備えた研磨手段と、を備える研磨装置であって、該チャックテーブルは、被加工物を保持する保持面を有する保持テーブルと、該保持テーブルを支持する支持部材とを備え、該支持部材には、同心円状に配置され、かつ該同心円の中心軸線からの径方向位置が互いに異なる複数の管状流体通路が設けられており、各管状流体通路毎に所望の温度に制御された流体を供給し、該保持テーブルの該保持面の温度分布を制御可能な制御流体供給手段を具備していることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明に係る研磨装置は、チャックテーブルと、研磨手段と、を備える研磨装置であって、チャックテーブルは、被加工物を保持する保持面を有する保持テーブルと、保持テーブルを支持する支持部材とを備え、支持部材には、同心円状に配置され、かつ同心円の中心軸線からの径方向位置が互いに異なる複数の管状流体通路が設けられており、各管状流体通路毎に所望の温度に制御された流体を供給し、保持テーブルの保持面の温度分布を制御可能な制御流体供給手段を具備している。本発明に係る研磨装置によれば、保持面の温度分布を制御することができ、研磨加工の厚み精度の低下を抑制することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、実施形態に係る研磨装置を示す斜視図である。
【図２】図２は、実施形態に係る研磨装置の一部を示す斜視図である。
【図３】図３は、実施形態に係る研磨装置の要部を示す断面図である。
【図４】図４は、実施形態に係る支持部材の上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明の実施形態に係る研磨装置につき図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態によりこの発明が限定されるものではない。また、下記の実施形態における構成要素には、当業者が容易に想定できるものあるいは実質的に同一のものが含まれる。
【００１１】
［実施形態］
図１から図４を参照して、実施形態について説明する。本実施形態は、研磨装置に関する。図１は、本発明の実施形態に係る研磨装置を示す斜視図、図２は、実施形態に係る研磨装置の一部を示す斜視図、図３は、実施形態に係る研磨装置の要部を示す断面図、図４は、実施形態に係る支持部材の上面図である。
【００１２】
本実施形態に係る研磨装置１は、チャックテーブル２０と、研磨手段６０と、水平移動手段４０（図２参照）と、垂直移動手段５０と、制御流体供給手段７０（図３参照）と、制御部１００とを含んで構成されている。
【００１３】
チャックテーブル２０は、被加工物Ｗを保持するものである。チャックテーブル２０は、被加工物Ｗを保持する保持面２１を有する保持テーブル２２を備えている。被加工物Ｗは、例えば、シリコンや化合物半導体からなる半導体ウェーハや光デバイスウェーハである。被加工物Ｗの表面には、格子状の分割予定ラインが形成されており、分割予定ラインによって区画された各領域にＩＣやＬＳＩ等のデバイスが形成されている。被加工物Ｗは、支持基盤に装着された状態や、保護テープが裏面に貼着された状態、あるいは環状のフレームに粘着テープを介して装着された状態で、裏面を上に向けて保持面２１上に載置される。
【００１４】
チャックテーブル２０は、図示しない回転駆動源によって駆動されてＺ軸周りに回転する。本実施形態のＺ軸方向は、鉛直方向である。
【００１５】
研磨手段６０は、研磨パッド６１と、スピンドルハウジング６２と、回転スピンドル６３と、ホイールマウント６４とを有する。回転スピンドル６３は、スピンドルハウジング６２によって回転自在に支持されている。回転スピンドル６３は、スピンドルハウジング６２に連結する図示しない回転駆動源によって回転駆動されてＺ軸周りに回転する。
【００１６】
回転スピンドル６３の先端には、ホイールマウント６４が連結されている。研磨パッド６１は、ホイールマウント６４に対してボルト等により固定される。研磨パッド６１は、チャックテーブル２０に保持された被加工物Ｗを研磨するものである。研磨パッド６１は、被加工物Ｗと対向する面（下面）に研磨部を有する。研磨部は、例えば、フェルト材にダイヤモンド砥粒等の多数の砥粒による研磨材を分散させて含浸させたものである。
【００１７】
水平移動手段４０は、図２に示すように、一対の案内レール４１と、スライド部材４２と、ボールねじ４３と、パルスモータ４４とを有する。案内レール４１は、Ｘ軸方向に延在しており、スライド部材４２のＸ軸方向の移動を案内する。Ｘ軸方向は、Ｚ軸方向と直交している。チャックテーブル２０は、スライド部材４２に連結されており、スライド部材４２と共にＸ軸方向に移動する。ボールねじ４３は、スライド部材４２に形成されたネジ孔に螺合している。パルスモータ４４は、ボールねじ４３と接続されており、ボールねじ４３を回転させることによりスライド部材４２をＸ軸方向に移動させる。
【００１８】
図１に戻り、垂直移動手段５０は、研磨手段６０をＺ軸方向に移動させる。垂直移動手段５０は、ボールねじ５１と、パルスモータ５２と、一対の案内レール５３と、スライド部材５４とを有する。案内レール５３は、Ｚ軸方向に延在しており、スライド部材５４のＺ軸方向の移動を案内する。スピンドルハウジング６２は、スライド部材５４に連結されており、スライド部材５４と共にＺ軸方向に移動する。ボールねじ５１は、スライド部材５４に形成されたネジ孔に螺合している。パルスモータ５２は、ボールねじ５１と接続されており、ボールねじ５１を回転させることによりスライド部材５４をＺ軸方向に移動させる。
【００１９】
研磨装置１は、水平移動手段４０によってチャックテーブル２０を研磨パッド６１の下方に位置付け、研磨手段６０によってチャックテーブル２０に保持された被加工物Ｗを研磨する。具体的には、研磨装置１は、チャックテーブル２０をＺ軸周りに回転させると共に、研磨パッド６１を回転させ、垂直移動手段５０によって研磨パッド６１を被加工物Ｗに押圧接触させる。本実施形態の研磨装置１は、化学的機械研磨、所謂ＣＭＰ（Chemical  Mechanical  Polishing）により被加工物Ｗを研磨加工する。研磨装置１は、研磨パッド６１と被加工物Ｗとの間に研磨液を供給しつつ、研磨パッド６１と被加工物Ｗとをそれぞれ回転させて相対的に摺動させることにより被加工物Ｗを研磨する。
【００２０】
本実施形態の研磨装置１は、被加工物Ｗを収容するカセット７１，７２、搬出入手段７３、位置合わせ手段７４、搬入手段７５、搬出手段７６および洗浄手段７７を有する。搬出入手段７３は、カセット７１から研磨前の被加工物Ｗを搬出し、研磨済みの被加工物Ｗをカセット７２に搬入する。位置合わせ手段７４は、被加工物Ｗの中心位置を位置合わせする。搬入手段７５は、研磨前の被加工物Ｗをチャックテーブル２０に搬入して載置する。搬出手段７６は、研磨済みの被加工物Ｗをチャックテーブル２０から洗浄手段７７に搬出する。洗浄手段７７は、研磨後の被加工物Ｗを洗浄する。
【００２１】
ここで、研磨手段６０によって被加工物Ｗの研磨を行う場合に、被加工物Ｗの全面を均一に研磨することは難しい。被加工物Ｗの裏面を研磨するときに、被加工物Ｗの外周エッジが加工されやすい。このため、被加工物Ｗの中央部に比べて外周部の研磨量が多くなり、外周部が中央部よりも薄くなって厚み精度が低下するという問題がある。また、研磨による熱がこもるため、外周部に比べて中央部が薄くなってしまうこともある。研磨加工で発生する熱により、被加工物Ｗにおいて中央部の温度が外周部の温度よりも高くなると、中央部の化学反応が促進され、中央部の研磨量が多くなってしまう。
【００２２】
本実施形態に係る研磨装置１は、保持テーブル２２の保持面２１の温度分布を制御可能な構成を有している。これにより、被加工物Ｗに対する研磨が不均一になることを抑制し、研磨加工の厚み精度の低下を抑制することができる。
【００２３】
図３に示すように、チャックテーブル２０は、保持テーブル２２と支持部材２３とを有する。保持テーブル２２は、円盤形状であり、保持面２１を有する。保持面２１を構成する部分である吸引部２２ａは、例えば、ポーラスセラミック等で形成されている。吸引部２２ａは、円盤形状である。吸引部２２ａは、保持面２１から裏面２２ｂ側の所定の深さまで設けられている。裏面２２ｂは、保持テーブル２２における保持面２１側と反対側の面である。
【００２４】
支持部材２３は、保持テーブル２２を支持するものである。保持テーブル２２は、裏面２２ｂが支持部材２３の上面２３ａと対向する状態で、支持部材２３に載置される。保持テーブル２２は、ボルト５によって支持部材２３に固定される。保持テーブル２２および支持部材２３には、互いに連通する吸引通路２４が形成されている。吸引通路２４は、保持テーブル２２および支持部材２３の軸芯部分に設けられてＺ軸方向に延在している。吸引通路２４は、図示しない真空吸引源に接続されている。吸引部２２ａは、吸引通路２４を介して真空吸引源と接続されている。チャックテーブル２０は、真空吸引源から供給される負圧によって、保持面２１に載置された被加工物Ｗを吸引保持する。
【００２５】
支持部材２３は、円柱形状あるいは円盤形状の部材である。支持部材２３の最外径と、保持テーブル２２の最外径とは等しい。支持部材２３の上面２３ａおよび保持テーブル２２の裏面２２ｂは、それぞれ水平面であり、互いに当接している。図３および図４に示すように、支持部材２３には、同心円状に配置され、かつ当該同心円の中心（中心軸線）Ｃからの径方向位置が互いに異なる複数の管状流体通路２５（２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄ）が設けられている。本実施形態では、支持部材２３に第一管状流体通路２５ａ、第二管状流体通路２５ｂ、第三管状流体通路２５ｃおよび第四管状流体通路２５ｄの４本の管状流体通路が形成されている。
【００２６】
管状流体通路２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄは、支持部材２３の上面２３ａに形成された溝部である。管状流体通路２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄは、上方からみた形状が円環形状であり、中心軸線Ｃが共通する同心円状に配置されている。中心軸線Ｃは、支持部材２３の中心軸線と一致している。なお、本明細書において「径方向」は、中心軸線Ｃを中心とし、中心軸線Ｃに対して直交する方向を示す。また、「軸方向」は、中心軸線Ｃと平行な方向を示す。
【００２７】
図３に示すように、本実施形態の管状流体通路２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄは、断面形状が矩形（正方形を含む）である。また、本実施形態では、管状流体通路２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄの径方向の幅は同一であり、深さも同一である。第一管状流体通路２５ａは、最も径方向の内側に配置されている。第二管状流体通路２５ｂは、第一管状流体通路２５ａよりも径方向外側でかつ第三管状流体通路２５ｃよりも径方向の内側に配置されている。第三管状流体通路２５ｃは、第四管状流体通路２５ｄよりも径方向の内側に配置されている。
【００２８】
管状流体通路２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄは、径方向に所定の間隔で配置されている。管状流体通路２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄは、例えば、径方向に等間隔で配置されることができる。中心軸線Ｃから管状流体通路２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄまでの径方向距離ｒは、中心軸線Ｃと、各管状流体通路２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄの幅方向の中心線との距離である。例えば、中心軸線Ｃから第一管状流体通路２５ａまでの径方向距離ｒは、中心軸線Ｃと、第一管状流体通路２５ａの幅方向の中心線Ｌとの距離である。
【００２９】
本実施形態では、管状流体通路２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄが径方向に等間隔で配置されており、第一管状流体通路２５ａと第二管状流体通路２５ｂとの径方向距離ｒの差分Δｒ１２と、第二管状流体通路２５ｂと第三管状流体通路２５ｃとの径方向距離ｒの差分Δｒ２３と、第三管状流体通路２５ｃと第四管状流体通路２５ｄとの径方向距離ｒの差分Δｒ３４とが等しい。
【００３０】
図３に示すように、支持部材２３に保持テーブル２２が装着されると、保持テーブル２２の裏面２２ｂは各管状流体通路２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄの上部を閉塞する。管状流体通路２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄには、それぞれ供給通路２６（２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ）および排出通路２７（２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄ）が接続されている。第一管状流体通路２５ａには、第一供給通路２６ａおよび第一排出通路２７ａが接続されている。同様にして、第二管状流体通路２５ｂには第二供給通路２６ｂおよび第二排出通路２７ｂが、第三管状流体通路２５ｃには第三供給通路２６ｃおよび第三排出通路２７ｃが、第四管状流体通路２５ｄには第四供給通路２６ｄおよび第四排出通路２７ｄがそれぞれ接続されている。
【００３１】
供給通路２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄは、管状流体通路２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄに対して流体を供給する通路である。管状流体通路２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄに供給される流体は、例えば、水である。排出通路２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄは、管状流体通路２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄから流体を排出する通路である。図４に示すように、供給通路２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄと排出通路２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄとは、中心軸線Ｃを挟んで対称な位置に配置されている。従って、供給通路２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄから管状流体通路２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄに流入した流体（矢印Ｙ１参照）は、管状流体通路２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄを半周流れて、矢印Ｙ２に示すように排出通路２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄから排出される。
【００３２】
本実施形態の制御流体供給手段７０は、供給通路２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ、排出通路２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄ、制御弁７１，７２，７３，７４および流体供給装置７５を有する。
【００３３】
流体供給装置７５は、供給通路２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄおよび排出通路２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄとそれぞれ接続されている。流体供給装置７５は、例えば、ポンプおよび温度制御手段を有する。流体供給装置７５は、温度制御手段によって、各供給通路２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄに供給する流体の温度を独立して制御することができる。すなわち、流体供給装置７５は、第一供給通路２６ａに供給する流体の温度を他の供給通路２６ｂ，２６ｃ，２６ｄに供給する流体の温度にかかわらず任意の温度に制御することができる。流体供給装置７５は、第二供給通路２６ｂ、第三供給通路２６ｃ、第四供給通路２６ｄに供給する流体の温度についても同様に任意の温度に制御することができる。流体供給装置７５は、例えば、高温の流体の供給源と低温の流体の供給源とを有し、高温の流体と低温の流体とを混合することにより、供給する流体の温度を所望の温度とすることができる。
【００３４】
また、流体供給装置７５は、所望の温度に制御された流体をポンプにより供給通路２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄに送り出す。第一供給通路２６ａには、第一制御弁７１が設けられている。また、第二供給通路２６ｂには第二制御弁７２が、第三供給通路２６ｃには第三制御弁７３が、第四供給通路２６ｄには第四制御弁７４がそれぞれ設けられている。制御弁７１，７２，７３，７４は、供給通路２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄを開閉することができる。本実施形態の制御弁７１，７２，７３，７４は、開度を自在に制御可能である。すなわち、制御流体供給手段７０は、それぞれの供給通路２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄに供給する流体の温度および流量を制御可能である。流体供給装置７５および各制御弁７１，７２，７３，７４は、制御部１００により制御される。
【００３５】
制御流体供給手段７０は、各管状流体通路２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄ毎に所望の温度に制御された流体を供給し、保持テーブル２２の保持面２１の温度分布を制御することができる。以下の説明では、第一管状流体通路２５ａに供給する流体の温度を第一供給温度Ｔ１、第二管状流体通路２５ｂに供給する流体の温度を第二供給温度Ｔ２、第三管状流体通路２５ｃに供給する流体の温度を第三供給温度Ｔ３、第四管状流体通路２５ｄに供給する流体の温度を第四供給温度Ｔ４と称する。
【００３６】
制御流体供給手段７０は、例えば、外周エッジが加工されやすい被加工物Ｗを研磨加工する場合、保持テーブル２２の保持面２１において外周部の温度を中央部の温度よりも相対的に低温とするように、各管状流体通路２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄに供給する流体の温度を制御する。一例として、制御流体供給手段７０は、第四供給温度Ｔ４を他の供給温度Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３よりも低温に制御する。制御流体供給手段７０は、保持テーブル２２の中央部から外周部へ向かうに従い保持面２１の温度が低くなるように、各供給温度Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４を制御してもよい。
【００３７】
制御流体供給手段７０は、被加工物Ｗの中央部が外周部よりも加工されやすい場合、保持テーブル２２の中央部の温度を外周部の温度よりも相対的に低温とするように、各管状流体通路２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄに供給する流体の温度を制御する。一例として、制御流体供給手段７０は、第一供給温度Ｔ１を他の供給温度Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４よりも低温に制御する。中央付近の第一供給通路２６ａや第二供給通路２６ｂに冷水（２３℃程度）を流し、外周付近の第四供給通路２６ｄや第三供給通路２６ｃに湯（３５℃程度）を流すことで、部位によって研磨レートを制御できる。制御流体供給手段７０は、保持テーブル２２の外周部から中央部へ向かうに従い保持面２１の温度が低くなるように、各供給温度Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４を制御してもよい。
【００３８】
なお、本実施形態では、管状流体通路２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄの幅および深さが共通であったが、これに限定されるものではない。各管状流体通路２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄの幅あるいは深さはそれぞれ任意に定めることができる。また、管状流体通路２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄの断面形状は、矩形に限定されるものではなく、任意の形状とすることができる。
【００３９】
また、本実施形態の管状流体通路２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄは、径方向に等間隔で配置されていたが、これに限定されるものではなく、同心円状に配置されていればよい。例えば、各管状流体通路２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄの径方向の位置は、加工対象の被加工物Ｗの径に応じて定められてもよい。すなわち、研磨装置１が異なるサイズの被加工物Ｗを研磨加工できるものである場合に、各サイズの被加工物Ｗがチャックテーブル２０に載置されたときに被加工物Ｗの外周部（例えば、被加工物Ｗの縁部）と対向する位置に管状流体通路２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄが配置されてもよい。
【００４０】
また、制御流体供給手段７０は、各供給通路２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄに供給する流体の温度を制御することにより、保持面２１のＺ軸方向の位置を制御することもできる。流体の温度に応じて、保持テーブル２２の膨張や収縮が生じる。この膨張や収縮を利用して、保持面２１の一部を他の部分に対して隆起させることや、他の部分に対して沈降させることができる。また、熱膨張や熱収縮を利用して、保持面２１の平滑度を高めることが可能である。
【００４１】
［実施形態の変形例］
実施形態の変形例について説明する。研磨加工中に被加工物Ｗの厚さを検出し、その検出結果に基づいて制御流体供給手段７０による温度制御を開始したり、供給温度Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４を変更したりしてもよい。温度制御の開始や供給温度の変更は、自動でなされても、オペレータの指示に従ってなされてもよい。被加工物Ｗの厚さを検出する際には、例えば研磨加工を一時停止し、研磨パッド６１を被加工物Ｗから離間させた状態で、接触式あるいは非接触式の検出装置により被加工物Ｗの厚さの径方向における分布を検出する。
【００４２】
その検出結果に基づいて、保持面２１において被加工物Ｗの相対的に厚さが大きい部分を保持する部分を他の部分よりも相対的に高温とするように、制御流体供給手段７０による温度制御が実行・補正される。このように被加工物Ｗの実際の厚さに基づいて制御流体供給手段７０による温度制御が実行・補正されることで、研磨加工の厚み精度を更に向上させることができる。
【００４３】
上記の実施形態および変形例に開示された内容は、適宜組み合わせて実行することができる。
【符号の説明】
【００４４】
１  研磨装置
２０  チャックテーブル
２１  保持面
２２  保持テーブル
２３  支持部材
２５ａ  第一管状流体通路
２５ｂ  第二管状流体通路
２５ｃ  第三管状流体通路
２５ｄ  第四管状流体通路
６０  研磨手段
６１  研磨パッド
６２  スピンドルハウジング
６３  回転スピンドル
６４  ホイールマウント
７０  制御流体供給手段
１００  制御部
Ｗ  被加工物
【図１】
2014065088.tif 000003
【図２】
2014065088.tif 000004
【図３】
2014065088.tif 000005
【図４】
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