(57)【要約】【課題】  簡単な回路構成で複数箇所における温度検知が可能な温度検知回路を提供する。【解決手段】  複数の単位温度検知回路部７，８と１つの電圧検知回路２を備え、単位温度検知回路部７，８は、１つのサーミスタＴＨ１，ＴＨ２と１つの電流制御素子Ｄ１，Ｄ２を備えてなり、電流制御素子Ｄ１，Ｄ２が導通状態において、出力ノードからサーミスタＴＨ１，ＴＨ２の抵抗状態に応じた温度検知電圧を出力するように構成され、複数の単位温度検知回路部７，８の出力ノードを相互に接続してなる共通出力ノードＮＣＯが電圧検知回路２の入力ノードに接続し、複数の単位温度検知回路部７，８の内の１つの単位温度検知回路部の電流制御素子がサーミスタの抵抗状態または外部からの制御に応じて選択的に導通状態となるように構成されている。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の単位温度検知回路部と１つの電圧検知回路を備え、
前記単位温度検知回路部は、１つのサーミスタと１つの電流制御素子を備えてなり、前記電流制御素子が導通状態において、出力ノードから前記サーミスタの抵抗状態に応じた温度検知電圧を出力するように構成され、
複数の前記単位温度検知回路部の前記出力ノードを相互に接続してなる共通出力ノードが前記電圧検知回路の入力ノードに接続し、
複数の前記単位温度検知回路部の内の１つの前記単位温度検知回路部の前記電流制御素子が、前記サーミスタの抵抗状態または外部からの制御に応じて選択的に導通状態となるように構成されていることを特徴とする温度検知回路。
【請求項２】
前記電流制御素子がダイオードであり、
前記ダイオードの一端が、前記サーミスタの抵抗状態に応じて電圧値が変化する前記単位温度検知回路部の内部ノードと接続し、
前記ダイオードの他端が、前記共通出力ノードと接続することを特徴とする請求項１に記載の温度検知回路。
【請求項３】
前記電流制御素子が外部からの制御に応じて導通状態または非導通状態となるスイッチ素子であり、
前記スイッチ素子の一端が、前記サーミスタの抵抗状態に応じて電圧値が変化する前記単位温度検知回路部の内部ノードと接続し、
前記スイッチ素子の他端が、前記共通出力ノードと接続することを特徴とする請求項１に記載の温度検知回路。
【請求項４】
前記電流制御素子が外部からの制御に応じて導通状態または非導通状態となるスイッチ素子であり、
前記単位温度検知回路部が少なくとも前記１つのサーミスタと前記１つの電流制御素子を直列に接続してなる直列回路で構成され、
前記直列回路の一端が前記共通出力ノードと接続し、
前記直列回路の他端が所定の電圧源と接続し、
前記共通出力ノードに複数の前記単位温度検知回路部に共通の負荷回路が接続することを特徴とする請求項１に記載の温度検知回路。
【請求項５】
電力を消費することにより発熱する温度検知対象回路と、前記温度検知対象回路の電力消費を制御する電力消費制御回路を備え、
複数の前記単位温度検知回路部の前記サーミスタが、前記温度検知対象回路内に分散して配置され、
前記電力消費制御回路が、前記電圧検知回路が検知した前記共通出力ノードの電圧状態に応じて、前記温度検知対象回路の電力消費を、前記温度検知対象回路からの発熱が抑制されるように制御することを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の温度検知回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のサーミスタを用いた温度検知回路に関し、特に、複数のポイントの温度管理を必要とするＬＥＤパネル等の温度制御に使用する温度検知回路関する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＶや大型ディスプレイ向けのＬＥＤパネルにおいて、ＬＥＤのような温度上昇によって寿命が短くなる自己発熱部品を搭載している製品において、温度が規定値を超えて上昇した時に、温度を規定値以下に抑制するようにフィードバックを掛けて、ドライバ基板をコントロールすることで、製品の安全性を確保するとともに、製品の寿命が短くなることを防ぐことが求められている。
【０００３】
特に、最近のディスプレイ装置は、大型化が進むことで広いエリアで温度を管理する必要が生じ、コントラスト比の高い映像を映すために、液晶パネルの直下にＬＥＤを配置し、ＬＥＤを配置するエリアを細分化して、細分化されたエリア毎の光量を個別に制御するという、直下型と呼ばれるＬＥＤパネルにおいては、エリアの分割数が増えることにより、より細かなエリアでの温度管理を行うために、温度をモニターするポイント数を増やす必要があるが、一方において、温度管理に要するコストや実装面積を増やさないような形で、複数個所での温度管理を実現させたいという要請がある。
【０００４】
斯かるＬＥＤパネルの温度管理に関して、下記の特許文献１に、ＬＥＤバックライトモジュールの温度をＬＥＤの輝度を調整することで温度制御するシステムが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１９９７４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１では、ＬＥＤバックライトモジュールに、当該モジュールの温度変化を検知するためのサーミスタを少なくとも１つ設け、当該モジュールの輝度を制御する制御回路が、サーミスタの抵抗値変化の信号を受信して、当該モジュールの輝度出力を制御することにより、当該モジュールの温度調整を行うというフィードバック制御システムの基本的な構成が開示されている。しかし、複数のサーミスタを当該モジュールに配置する場合において、各サーミスタの抵抗値変化を具体的にどのように処理するかについては何ら開示されていない。
【０００７】
ところで、サーミスタは周囲の温度変化に応じて抵抗値が変化する可変抵抗素子であり、他の抵抗素子や定電流回路等と組み合わせることで、サーミスタの周囲温度の変化に応じて変化した抵抗値を電圧値に変換し、変換された電圧値を検知することで、サーミスタの周囲温度を検知する温度検知回路を構成することができる。
【０００８】
図８に、斯かる温度検知回路の一例を示す。図８では、１つのサーミスタＴＨに対して、２つの抵抗Ｒ１、Ｒ２を直列接続した抵抗分圧回路１と、１対の入力ノード間の入力電圧の大小を比較する比較器２を備えて、１箇所の温度を検知する温度検知回路６０が構成される。具体的には、抵抗Ｒ１とサーミスタＴＨの各一端が電源電圧ＶＤＤに接続し、抵抗Ｒ２の一端が接地電圧ＶＳＳに接続し、抵抗Ｒ１，Ｒ２及びサーミスタＴＨの各他端が相互に接続して、比較器２の非反転入力ノードに接続し、比較器２の反転入力ノードに所定の参照電圧ＶＲＥＦが接続している。
【０００９】
ここで、サーミスタＴＨが、温度上昇に応じて抵抗値が低下するＮＴＣ（Ｎｅｇａｔｉｖｅ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）型を想定すると、サーミスタＴＨの周囲温度の上昇に伴い、比較器２の非反転入力ノードの入力電圧も上昇するため、参照電圧を検知したい基準温度に対応するように設定しておけば、入力電圧が参照電圧を超えて上昇すると、比較器２の出力レベルが低レベルから高レベルに遷移して、サーミスタＴＨの周囲温度が当該基準温度を超過したことを検知することができる。
【００１０】
そして、複数箇所の温度を検知する場合には、この温度検知回路６０を複数用意することで、各温度検知回路６０の比較器２の出力レベルをモニターすることで、複数箇所の温度状況を把握することが可能となる。
【００１１】
図９に示す例では、複数の温度検知回路６０から夫々引き出された各サーミスタＴＨをＬＥＤパネル３内に分散して配置し、ＬＥＤパネル３内の各ＬＥＤを駆動する駆動回路４を制御する制御回路５に、各温度検知回路６０の温度検知出力ＴＤを入力し、制御回路５が、各温度検知出力ＴＤに基づいて、ＬＥＤパネル３内の温度上昇を検知した場合に、各ＬＥＤを駆動する駆動電流を低下させて、当該温度上昇を抑制するフィードバック制御を行う。尚、駆動電流を低下させる制御は、駆動電流がＰＷＭ（Ｐｕｌｓｅ  Ｗｉｄｔｈ  Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）制御されたパルス電流の場合には、例えば、当該ＰＷＭ制御のデューティー比を下げる制御を行い、駆動電流がＤＣ電流の場合は、当該ＤＣ電流の電流値を下げる制御を行う。尚、図９に示す例では、温度検知回路６０（６１，６２）、サーミスタＴＨ（ＴＨ１，ＴＨ２）、抵抗分圧回路１（１１，１２）、比較器２（２１，２２）、及び、出力信号ＴＤ（ＴＤ１，ＴＤ２）は、一例として夫々２ずつ存在する。
【００１２】
図９に示す例では、各温度検知回路６１，６２に夫々１つずつ比較器２が設けられており、その出力信号ＴＤが各別に制御回路５に入力される構成となっているため、比較器２及びその出力信号ＴＤは、サーミスタＴＨの数（図９に示す例では２）だけ必要となる。このため、ＬＥＤパネル３が大形でサーミスタＴＨの配置個数、つまり、温度検知箇所の数が多数に及ぶ場合には、比較器２及びその出力信号ＴＤの数も多数必要となり、温度検知回路６１，６２及び制御回路５全体の回路規模が大きくなり、回路構成も複雑化するという問題が生じる。
【００１３】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、簡単な回路構成で複数箇所における温度検知が可能な温度検知回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するため、本発明は、複数の単位温度検知回路部と１つの電圧検知回路を備え、前記単位温度検知回路部は、１つのサーミスタと１つの電流制御素子を備えてなり、前記電流制御素子が導通状態において、出力ノードから前記サーミスタの抵抗状態に応じた温度検知電圧を出力するように構成され、複数の前記単位温度検知回路部の前記出力ノードを相互に接続してなる共通出力ノードが前記電圧検知回路の入力ノードに接続し、複数の前記単位温度検知回路部の内の１つの前記単位温度検知回路部の前記電流制御素子が、前記サーミスタの抵抗状態または外部からの制御に応じて選択的に導通状態となるように構成されていることを特徴とする温度検知回路ことを第１の特徴とする温度検知回路を提供する。
【００１５】
更に、上記第１の特徴の温度検知回路は、前記電流制御素子がダイオードであり、前記ダイオードの一端が、前記サーミスタの抵抗状態に応じて電圧値が変化する前記単位温度検知回路部の内部ノードと接続し、前記ダイオードの他端が、前記共通出力ノードと接続することを第２の特徴とする。
【００１６】
更に、上記第１の特徴の温度検知回路は、前記電流制御素子が外部からの制御に応じて導通状態または非導通状態となるスイッチ素子であり、前記スイッチ素子の一端が、前記サーミスタの抵抗状態に応じて電圧値が変化する前記単位温度検知回路部の内部ノードと接続し、前記スイッチ素子の他端が、前記共通出力ノードと接続することを第３の特徴とする。
【００１７】
更に、上記第１の特徴の温度検知回路は、前記電流制御素子が外部からの制御に応じて導通状態または非導通状態となるスイッチ素子であり、前記単位温度検知回路部が少なくとも前記１つのサーミスタと前記１つの電流制御素子を直列に接続してなる直列回路で構成され、前記直列回路の一端が前記共通出力ノードと接続し、前記直列回路の他端が所定の電圧源と接続し、前記共通出力ノードに複数の前記単位温度検知回路部に共通の負荷回路が接続することを第４の特徴とする。
【００１８】
更に、上記何れかの特徴の温度検知回路は、電力を消費することにより発熱する温度検知対象回路と、前記温度検知対象回路の電力消費を制御する電力消費制御回路を備え、複数の前記単位温度検知回路部の前記サーミスタが、前記温度検知対象回路内に分散して配置され、前記電力消費制御回路が、前記電圧検知回路が検知した前記共通出力ノードの電圧状態に応じて、前記温度検知対象回路の電力消費を、前記温度検知対象回路からの発熱が抑制されるように制御することが好ましい。
【００１９】
更に、上記何れかの特徴の温度検知回路は、複数のＬＥＤが配置されたＬＥＤパネルと、前記複数のＬＥＤを駆動する電流を制御するＬＥＤ制御回路を備え、複数の前記単位温度検知回路部の前記サーミスタが、前記ＬＥＤパネル内に分散して配置され、前記ＬＥＤ制御回路が、前記電圧検知回路が検知した前記共通出力ノードの電圧状態に応じて、前記複数のＬＥＤを駆動する電流を、前記複数のＬＥＤからの発熱が抑制されるように制御することが好ましい。
【００２０】
更に、上記第３または第４の特徴の温度検知回路は、複数の前記単位温度検知回路部の前記スイッチ素子の導通非導通を各別に制御するスイッチ素子制御信号を生成して出力するスイッチ素子制御回路を備え、前記スイッチ素子制御信号によって、前記スイッチ素子は１つずつ順番に導通状態になるように制御されることが好ましく、更には、前記スイッチ素子が夫々導通状態から非導通状態に遷移するタイミングで、前記電圧検知回路の出力レベルをサンプリングするサンプリング回路を備えることが好ましい。
【００２１】
更に、上記何れかの特徴の温度検知回路は、前記電圧検知回路が、入力電圧の検知レベルにヒステリシスを有することが好ましい。
【００２２】
更に、上記何れかの特徴の温度検知回路は、前記電圧検知回路が２つの入力ノードを備えた比較器で構成され、前記共通出力ノードが前記比較器の一方の入力ノードに接続し、所定の参照電圧が前記比較器の他方の入力ノードに接続していることが好ましく、更には、前記参照電圧が、前記比較器の出力レベルに応じて変化することが好ましい。
【発明の効果】
【００２３】
上記特徴の温度検知回路によれば、単位温度検知回路部の個数に関係なく、電圧検知回路は１つであるので、簡単な回路構成の単位温度検知回路部の個数を増やすだけで、回路規模の大幅な増大や複雑化を伴わずに、温度検知箇所の数を増加することができる。
【００２４】
ここで、注目すべきは、単位温度検知回路部は、サーミスタの抵抗状態または外部からの制御に応じて選択的に導通状態となる電流制御素子を含む１つが、選択的にサーミスタの抵抗状態に応じた温度検知電圧を共通出力ノードに出力することができる点である。
【００２５】
例えば、当該１つの電流制御素子がサーミスタの抵抗状態に応じて選択的に導通状態となる場合は、共通出力ノードに出力された温度検知電圧によって、当該１つの電流制御素子以外の他の電流制御素子を自動的に非導通状態とする回路構成が可能である。一例として、上記第２の特徴の温度検知回路の場合、共通出力ノードに出力された温度検知電圧と他の電流制御素子であるダイオードの一端が接続する内部ノードの電圧との間の電圧差が、当該ダイオードのターンオン電圧より低い場合には、当該ダイオードは非導通状態であり、サーミスタの抵抗状態に応じて電圧値が出力ノードから出力されない。従って、サーミスタの抵抗状態に応じて他の単位温度検知回路部の電流制御素子を選択的に非導通状態とすることができ、複数の温度検知箇所の内も最も高温或いは低温を検知したサーミスタの抵抗値に応じた温度検知電圧を選択的に共通出力ノードに出力することができる。
【００２６】
更に、当該１つの電流制御素子が外部からの制御に応じて選択的に導通状態となる場合は、例えば、上記第３または第４の特徴の温度検知回路の場合、外部からの制御に応じて選択的に導通状態となったスイッチ素子を含む１つの単位温度検知回路部が選択され、当該選択された単位温度検知回路部内のサーミスタが検知した温度に応じた温度検知電圧が共通出力ノードに出力され、当該検知された温度の状態が、電圧検知回路において検知される。従って、外部からの制御によって、各単位温度検知回路部の電流制御素子を１つずつ順番に選択することで、サーミスタを配置した全ての温度検知箇所の温度状態を順番に検知することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】第１実施形態における温度検知回路の回路構成例及び当該温度検知回路を用いた温度制御システムの概略構成を示す回路図
【図２】エリア制御型のＬＥＤパネルに２個のサーミスタが配置されている様子を模式的に示すレイアウト図
【図３】第２実施形態における温度検知回路の回路構成例及び当該温度検知回路を用いた温度制御システムの概略構成を示す回路図
【図４】図３に示すスイッチ制御回路の回路構成例を示す回路図
【図５】第３実施形態における温度検知回路の回路構成例及び当該温度検知回路を用いた温度制御システムの概略構成を示す回路図
【図６】第４実施形態における温度検知回路の参照電圧を発生する２つの回路例を示す回路図
【図７】第５実施形態における温度検知回路の回路構成例及び当該温度検知回路を用いた温度制御システムの概略構成を示す回路図
【図８】１つのサーミスタを備えた温度検知回路の基本的な回路構成例を示す回路図
【図９】図８に示す温度検知回路を複数備えた温度制御システムの概略構成を示す回路図
【発明を実施するための形態】
【００２８】
本発明に係る温度検知回路の実施の形態につき、図面に基づいて説明する。尚、図８及び図９に示した従来例と同じ構成要素には、同じ符号を付して説明する。
【００２９】
〈第１実施形態〉
図１に、第１実施形態に係る温度検知回路１０の一回路構成例と、温度検知回路１０を用いた温度制御システムのブロック構成を示す。尚、本実施形態では、図１に示すように、温度検知回路１０をＬＥＤパネル３の温度制御に適用する場合を想定し、一例として、図９に示した従来例と同じく、ＬＥＤパネル３内に２個のサーミスタＴＨ１，ＴＨ２を配置する場合を説明する。ＬＥＤパネル３内に配置するサーミスタの個数は２に限らず、３以上であってもよい。図２に、一例として、ｍ行×ｎ列のエリアからなるエリア制御型のＬＥＤパネル３に２個のサーミスタＴＨ１，ＴＨ２が配置されているレイアウト図を模式的に示す。
【００３０】
ＬＥＤパネル３は、複数のＬＥＤを直列に接続したＬＥＤ直列回路３１を並列に配置して構成され、各ＬＥＤ直列回路のアノード側端部は、ＬＥＤ電源回路６に接続し、各ＬＥＤ直列回路３１のカソード側端部は駆動回路４に接続する。駆動回路４は、ＬＥＤ電源回路６から各ＬＥＤ直列回路３１に流れる駆動電流を各別に駆動するための駆動トランジスタ４１と定電流回路４２の直列回路を、ＬＥＤ直列回路３１毎に備えて構成される。駆動回路４の駆動する駆動電流は、制御回路５によってＬＥＤ直列回路３１別に制御され、各ＬＥＤ直列回路３１からの発光する輝度が調整される。当該輝度の調整は、駆動電流がＰＷＭ制御されたパルス電流の場合には、例えば、当該ＰＷＭ制御のデューティー比を変更することで行われ、駆動電流がＤＣ電流の場合は、当該ＤＣ電流の電流値を変更することで行われる。
【００３１】
図１に示す例では、温度検知回路１０は、２つの単位温度検知回路部７，８と１つの比較器２を備えて構成される。単位温度検知回路部７，８は、夫々、１つのサーミスタＴＨ（ＴＨ１，ＴＨ２）と１つの抵抗分圧回路１（１１，１２）と１つのダイオードＤ（Ｄ１，Ｄ２）を備えて構成される。
【００３２】
抵抗分圧回路１１は、抵抗Ｒ１１、Ｒ２１の直列回路で構成される。抵抗Ｒ１１とサーミスタＴＨ１の各一端が電源電圧ＶＤＤに接続し、抵抗Ｒ２１の一端が接地電圧ＶＳＳに接続し、抵抗Ｒ１１，Ｒ２１及びサーミスタＴＨ１の各他端が相互に接続して、単位温度検知回路部７の内部ノードＮ７１を形成し、ダイオードＤ１のアノードに接続する。一方、抵抗分圧回路１２は、抵抗Ｒ１２、Ｒ２２の直列回路で構成される。抵抗Ｒ１２とサーミスタＴＨ２の各一端が電源電圧ＶＤＤに接続し、抵抗Ｒ２２の一端が接地電圧ＶＳＳに接続し、抵抗Ｒ１２，Ｒ２２及びサーミスタＴＨ２の各他端が相互に接続して、単位温度検知回路部８の内部ノードＮ８１を形成し、ダイオードＤ２のアノードに接続する。ダイオードＤ１，Ｄ２の各カソードは、単位温度検知回路部７，８の各出力ノードを形成し、相互に接続して共通出力ノードＮＣＯを形成する。本実施形態では、ダイオードＤ１，Ｄ２は、サーミスタＴＨ１，ＴＨ２の抵抗状態に応じて選択的に導通状態となる電流制御素子に相当する。抵抗分圧回路１１と抵抗分圧回路１２の抵抗分圧比は同じである。
【００３３】
本実施形態では、ＮＴＣ型のサーミスタＴＨを使用するが、ＰＴＣ（Ｐｏｓｉｔｉｖｅ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）型を使用する場合は、一例として、サーミスタＴＨは、一例として、一端を電源電圧ＶＤＤに代えて接地電圧ＶＳＳに接続する。
【００３４】
比較器２は電圧検知回路として機能する。比較器２の非反転入力ノードには、共通出力ノードＮＣＯが接続し、反転入力ノードには、所定の参照電圧ＶＲＥＦがダイオードＤｒｅｆを介して接続する。ダイオードＤｒｅｆはダイオードＤ１，Ｄ２と同じ電気的特性を有する。本実施形態では、比較器２の各入力ノードには、プルダウン用の高抵抗Ｒ０，Ｒ０ｒｅｆを接続し、各入力ノードが、各ダイオードＤ１，Ｄ２またはダイオードＤｒｅｆがオフ状態となる高電圧状態に滞留しないようにしている。尚、本実施形態では、比較器２の各入力ノードが、ＭＯＳトランジスタのゲートに接続する場合等の高入力インピーダンスである場合を想定しているが、バイポーラトランジスタ（ＮＰＮ）のベース等に接続する場合等の電圧を引き下げる経路がある場合には、上記プルダウン用の高抵抗Ｒ０，Ｒ０ｒｅｆを設ける必要のない場合もある。
【００３５】
本実施形態では、２個のサーミスタＴＨ１，ＴＨ２の内、周囲温度の高い方の抵抗が低くなるため、仮にサーミスタＴＨ１の周囲温度Ｔ１の方が、サーミスタＴＨ２の周囲温度Ｔ２より高いとすると（Ｔ１＞Ｔ２）、単位温度検知回路部７の内部ノードＮ７１の電圧ＶＮ７１の方が、単位温度検知回路部８の内部ノードＮ８１の電圧ＶＮ８１より高電圧となる（ＶＮ７１＞ＶＮ８１）。このため、共通出力ノードＮＣＯには、周囲温度の高い方のサーミスタＴＨ１またはＴＨ２を含む単位温度検知回路部７または８の内部ノードＮ７１またはＮ８１の電圧（ＶＮ７１またはＶＮ８１）の高い方の内部ノード電圧ＶＮｈから、ダイオードＤ１またはＤ２の順方向電圧降下Ｖｆを引いた電圧（ＶＮｈ−Ｖｆ）が、ダイオードＤ１またはＤ２のカソード側から出力される。従って、共通出力ノードＮＣＯと接続する比較器２の非反転入力ノードの電圧は、２個のサーミスタＴＨ１，ＴＨ２の内、周囲温度の高い方の抵抗を反映した電圧（ＶＮｈ−Ｖｆ）となる。ここで、ＶＮ７１＞ＶＮ８１の場合には、ダイオードＤ２のアノードとカソード間の電圧差は、順方向電圧降下Ｖｆより低電圧となるため、ダイオードＤ２は非導通状態である。
【００３６】
一方、比較器２の反転入力ノードには、ダイオードＤｒｅｆのカソード側から、参照電圧ＶＲＥＦからダイオードＤｒｅｆの順方向電圧降下Ｖｆを引いた電圧（ＶＲＥＦ−Ｖｆ）が出力される。ここで、ダイオードＤ１またはＤ２の順方向電圧降下ＶｆとダイオードＤｒｅｆの順方向電圧降下Ｖｆには、夫々、プルダウン用の高抵抗Ｒ０，Ｒ０ｒｅｆ或いは比較器２の各入力ノードが高入力インピーダンスでない場合の当該入力インピーダンスを流れる微小電流に各ダイオードの内部抵抗を乗じた電圧降下分が含まれるが、夫々の当該電圧降下の差は極めて微小であるとして、各順方向電圧降下Ｖｆは略同電圧と見做すことができる。従って、比較器２では、実質的に、内部ノード電圧ＶＮｈと参照電圧ＶＲＥＦの大小が比較される。ここで、比較器２の各入力ノード電圧に対し、プルダウン用の高抵抗Ｒ０，Ｒ０ｒｅｆの抵抗による誤差を小さくするためには、高抵抗Ｒ０，Ｒ０ｒｅｆの抵抗値を抵抗分圧回路のインピーダンスに対して十分高く設定する。また、比較器２の各入力間での電位差を揃えるという意味で、プルダウン用の高抵抗Ｒ０，Ｒ０ｒｅｆの抵抗値は同じ値とする。
【００３７】
ここで、参照電圧ＶＲＥＦを、サーミスタＴＨ１，ＴＨ２の周囲温度Ｔ１，Ｔ２が所定の基準温度Ｔ０と等しい場合の内部ノード電圧ＶＮ７１，ＶＮ８１と同電圧に設定することで、サーミスタＴＨ１，ＴＨ２の周囲温度Ｔ１，Ｔ２の何れか一方が、基準温度Ｔ０を超えると、内部ノード電圧ＶＮｈが、参照電圧ＶＲＥＦより高くなり、比較器２から、周囲温度Ｔ１，Ｔ２の何れか一方が基準温度Ｔ０を超えたことを示す高レベルの温度検知出力ＴＤが出力される。
【００３８】
参照電圧ＶＲＥＦは、一例として、図１に示すように、一端が電源電圧ＶＤＤに接続する抵抗Ｒ１３と、一端が接地電圧ＶＳＳに接続する抵抗Ｒ２３の各他端を接続してなる抵抗分圧回路１３により生成され、抵抗Ｒ１３，Ｒ２３の抵抗分圧比を調整することで、上述の電圧値に設定することができる。
【００３９】
抵抗分圧回路１１，１２及び抵抗分圧回路１３を何れも電源電圧ＶＤＤに接続する同様の回路構成とすることで、電源電圧ＶＤＤの電圧変動に対して、内部ノードＮ１１，Ｎ１２の各電圧値と参照電圧ＶＲＥＦが同じように追従して変動するため、比較器２の判定動作に対する電源電圧ＶＤＤの電圧変動の影響を、２つの入力ノード間で相殺し、抑制することができる。
【００４０】
本実施形態では、ＬＥＤパネル３内に配置されるサーミスタＴＨの個数に関係なく、温度検知回路１０を構成する比較器２の個数は１つであるので、当該比較器２から出力される温度検知出力ＴＤも１つである。従って、サーミスタＴＨの個数が３以上に増加しても、温度検知回路１０は、単位温度検知回路部の個数が増えるだけで簡単な回路構成を維持することができる。
【００４１】
制御回路５では、その高レベルの温度検知出力ＴＤの入力を受け付けると、ＬＥＤパネル３内の温度が、上記基準温度Ｔ０を超えたと判定し、ＬＥＤパネル３からの発熱を抑制するために、駆動回路４に対して、各ＬＥＤ直列回路３１を流れる駆動電流を、予め設定された一定の低下率または低下量で低下させる制御を行う。当該駆動電流を低下させる制御は、各ＬＥＤ直列回路３１に対して一律に、駆動電流がＰＷＭ制御されたパルス電流の場合には、例えば、当該ＰＷＭ制御のデューティー比を低下させることで行われ、駆動電流がＤＣ電流の場合は、当該ＤＣ電流の電流値を低下させることで行われる。
【００４２】
尚、制御回路５による駆動電流を低下させる制御は、制御回路５が、比較器２から、周囲温度Ｔ１，Ｔ２の何れか一方が基準温度Ｔ０を超えたことを示す高レベルの温度検知出力ＴＤの入力を受け付けている期間中、継続して行われる。しかし、当該入力が長期間に及ぶ場合、つまり、駆動電流を低下させる制御にも拘わらず、周囲温度Ｔ１，Ｔ２の何れか一方が基準温度Ｔ０を超えた状態が一定時間以上継続する場合には、上記一定の低下率または低下量を拡大して、更に、駆動電流を低下させる制御を行うようにしてもよい。
【００４３】
ここで、制御回路５が、各ＬＥＤ直列回路３１を流れる駆動電流を急激に低下させると、当該駆動電流を低下させたタイミングで、各ＬＥＤ直列回路３１の発光輝度が急激に変化することで、ちらつきが生じる虞があるので、駆動電流を低下させる１回の制御での低下量を一定の微小量に抑制して段階的に、或いは、時間を掛けて連続的に所定の低下率または低下量まで低下させるようにするのも好ましい。
【００４４】
更に、比較器２から出力される温度検知出力ＴＤが高レベルから低レベルに遷移すると、制御回路５が駆動電流を低下させる制御を停止して、通常の輝度調整における駆動電流制御に復帰するが、当該停止タイミングで、各ＬＥＤ直列回路３１の発光輝度が急激に変化することで、ちらつきが生じる虞があるので、駆動電流を増大させる１回の制御での増加量を一定の微小量に抑制して段階的に、或いは、時間を掛けて連続的に本来の駆動電流まで増加させるようにするのも好ましい。
【００４５】
〈第２実施形態〉
図３に、第２実施形態に係る温度検知回路２０の一回路構成例を示す。尚、第２実施形態においても、第１実施形態と同様、図３に示すように、温度検知回路２０をＬＥＤパネル３の温度制御に適用する場合を想定し、一例として、第１実施形態と同じく、ＬＥＤパネル３内に２個のサーミスタＴＨ１，ＴＨ２を配置する場合を説明する。 
【００４６】
第１実施形態では、単位温度検知回路部７，８を構成する電流制御素子として、ダイオードＤ１，Ｄ２を採用したため、上述のように、ダイオードＤ１，Ｄ２の各カソードを相互に接続して形成された共通出力ノードＮＣＯ（比較器２の非反転入力ノード）には、サーミスタＴＨ１，ＴＨ２の周囲温度の高い方に対応した内部ノード電圧ＶＮｈからダイオードＤ１，Ｄ２の順方向電圧降下Ｖｆを引いた電圧（ＶＮｈ−Ｖｆ）が出力される。一方、比較器２の反転入力ノードには、参照電圧ＶＲＥＦからダイオードＤｒｅｆの順方向電圧降下Ｖｆを引いた電圧（ＶＲＥＦ−Ｖｆ）が入力される。従って、各ダイオードＤ１，Ｄ２及びＤｒｅｆの順方向電圧降下Ｖｆが略同電圧であれば、比較器２では、実質的に、内部ノード電圧ＶＮｈと参照電圧ＶＲＥＦの大小が比較され、当該内部ノード電圧ＶＮｈと参照電圧ＶＲＥＦに対応したサーミスタＴＨ１，ＴＨ２の高い方の周囲温度と基準温度Ｔ０との温度比較が実行される。しかし、各ダイオードＤ１，Ｄ２及びＤｒｅｆの順方向電圧降下Ｖｆにバラツキが生じると、比較器２における上記温度比較に誤差が生じる。
【００４７】
このため、第１実施形態では、各ダイオードＤ１，Ｄ２及びＤｒｅｆとして電気的特性の揃ったものを使用することが望まれる。
【００４８】
更に、比較器２の各入力ノードには、内部ノード電圧ＶＮｈと参照電圧ＶＲＥＦから順方向電圧降下Ｖｆを差し引いた電圧（ＶＮｈ−Ｖｆ），（ＶＲＥＦ−Ｖｆ）が入力されるため、比較器２の各入力ノードにおける下限電圧に順方向電圧降下Ｖｆを加えた電圧が、内部ノード電圧ＶＮｈ及び参照電圧ＶＲＥＦとなるように、単位温度検知回路部７，８及び抵抗分圧回路１３を設計する必要がある。
【００４９】
上記第１実施形態における各ダイオードＤ１，Ｄ２及びＤｒｅｆの順方向電圧降下Ｖｆに伴う問題を解決するために、第２実施形態では、単位温度検知回路部７，８を構成する電流制御素子として、ダイオードＤ１，Ｄ２に代えて、外部からの制御に応じてオン（導通状態）またはオフ（非導通状態）となるスイッチ素子ＳＷ１，ＳＷ２を使用する。
【００５０】
スイッチ素子ＳＷ１の一端が、単位温度検知回路部７の内部ノードＮ７１に接続し、スイッチ素子ＳＷ２の一端が、単位温度検知回路部８の内部ノードＮ８１に接続し、スイッチ素子ＳＷ１，ＳＷ２の各他端が単位温度検知回路部７，８の各出力ノードを形成し、相互に接続して共通出力ノードＮＣＯを形成する。スイッチ素子ＳＷ１，ＳＷ２は、双方向に電流を流すことができ、外部からの制御でオンオフが切り替わるスイッチであればよく、トランジスタ等で構成された電子的なスイッチ素子或いは電磁的に接点の接続が切り替わる機械的なスイッチ素子の何れであっても構わない。
【００５１】
また、ダイオードＤｒｅｆを使用せずに、参照電圧ＶＲＥＦを比較器２の反転入力ノードに直接入力する構成とする。第１実施形態で使用したプルダウン用の高抵抗Ｒ０，Ｒ０ｒｅｆは設ける必要はない。
【００５２】
更に、第２実施形態では、温度検知回路２０は、２つの単位温度検知回路部７，８と１つの比較器２に加えて、スイッチ素子ＳＷ１，ＳＷ２の夫々のオンオフのタイミングを制御するための、スイッチ制御回路９を備える。尚、図３に示す構成例では、スイッチ制御回路９は、制御回路５内に設けられているが、制御回路５とは別個に設けられていてもよい。
【００５３】
上記以外は、第１実施形態と第２実施形態は同じ構成であるので、重複する説明は書略する。
【００５４】
第２実施形態では、スイッチ素子ＳＷ１，ＳＷ２の内のスイッチ制御回路９で選択され１つのスイッチ素子がオンし、選択された１つのスイッチ素子ＳＷ１またはＳＷ２に対応する内部ノードＮ７１またはＮ８１の電圧（ＶＮ７１またはＶＮ８１）が、内部ノード電圧ＶＮｈとして、共通出力ノードＮＣＯに出力される。一方、参照電圧ＶＲＥＦは比較器２の反転入力ノードに直接入力するので、比較器２では、内部ノード電圧ＶＮｈと参照電圧ＶＲＥＦの大小が直接比較される。これにより、スイッチ制御回路９で選択され１つのスイッチ素子ＳＷ１またはＳＷ２に対応するサーミスタＴＨ１またはＴＨ２の周囲温度Ｔ１またはＴ２と基準温度Ｔ０の大小が比較される。
【００５５】
次に、スイッチ制御回路９の回路構成及び動作について説明する。スイッチ制御回路９では、複数（本実施形態では２個）のスイッチ素子ＳＷ１，ＳＷ２を同時にオンすることなく、順番にオンするように制御を行う。図４に、ｋ個のスイッチ素子ＳＷ１〜ＳＷｋを制御するスイッチ制御回路９をシフトレジスタ回路で構成した回路例と、タイミング波形図を示す。各スイッチ素子ＳＷ１〜ＳＷｋのオンオフを各別に制御する制御信号は、シフトレジスタ回路を構成する各ＤフリップフロップＤＦＦ１〜ＤＦＦｋの出力ＤＦＦＱ１〜ＤＦＦＱｋから取り出す。この場合、出力ＤＦＦＱ１〜ＤＦＦＱｋの高レベル時に、対応するスイッチ素子ＳＷ１〜ＳＷｋがオンする。各スイッチ素子ＳＷ１〜ＳＷｋのオン時間は、クロック入力（ＣＬＫ）の周期で容易に制御できる。
【００５６】
第２実施形態では、例えば、スイッチ素子ＳＷ２がオンした直後には、その前にオンしていたスイッチ素子ＳＷ１に対応する内部ノードＮ７１の電圧値が、共通出力ノードＮＣＯに保持されている可能性があるので、スイッチ素子ＳＷ２を介して、共通出力ノードＮＣＯの電圧値が、スイッチ素子ＳＷ２に対応する内部ノードＮ８１の電圧値に遷移するのに時間を要する。従って、制御回路５は、各スイッチ素子ＳＷ１，ＳＷ２がオンした後、上述の共通出力ノードＮＣＯの電圧値の遷移時間と比較器２の応答時間を加えた過渡状態時間が経過した後に、比較器２の出力を取り込む必要がある。一例として、各スイッチ素子ＳＷ１，ＳＷ２のオン時間を上記過渡状態時間より長くなるようにクロック入力（ＣＬＫ）の周期を設定した上で、制御回路５の比較器２の温度検知出力ＴＤを受け付ける入力回路が、各スイッチ素子ＳＷ１，ＳＷ２がオフとなるタイミング或いはその直前のタイミングで、比較器２の出力をサンプリングするように構成する。この場合、スイッチ素子ＳＷ１またはＳＷ２がオフとなるタイミングでは、比較器２の温度検知出力ＴＤが次にオンするスイッチ素子ＳＷ２またはＳＷ１に対応する内部ノードＮ８１またはＮ７１の電圧値に対応して遷移するまでに一定の時間的余裕があるが、当該時間的余裕をより確実にするために、比較器２の出力端子と制御回路５の入力端子間にインバータやＲＣフィルタ等の遅延回路を設けるようにしてもよい。
【００５７】
尚、第２実施形態では、第１実施形態とは異なり、全てのサーミスタＴＨ１，ＴＨ２の周囲温度Ｔ１，Ｔ２に対応する共通出力ノードＮＣＯの電圧値が、比較器２に順次入力されるため、比較器２の温度検知出力ＴＤの信号レベルも、周囲温度Ｔ１，Ｔ２と基準温度Ｔ０との大小関係に応じて順次変化する可能性がある。従って、制御回路５は、一旦、何れか１つの周囲温度Ｔ１，Ｔ２に対応して温度検知出力ＴＤが高レベルに遷移したことを検知した後は、全ての周囲温度Ｔ１，Ｔ２に対応した温度検知出力ＴＤが低レベルとなるまでは、温度検知出力ＴＤが高レベルに遷移したことを検知した状態を維持するのが好ましい。
【００５８】
〈第３実施形態〉
図５に、第３実施形態に係る温度検知回路３０の一回路構成例を示す。尚、第３実施形態においても、第１及び第２実施形態と同様、図５に示すように、温度検知回路３０をＬＥＤパネル３の温度制御に適用する場合を想定し、一例として、第１及び第２実施形態と同じく、ＬＥＤパネル３内に２個のサーミスタＴＨ１，ＴＨ２を配置する場合を説明する。 
【００５９】
第３実施形態では、第２実施形態の温度検知回路２０に対して、回路構成に要する素子数の低減を図る。第２実施形態では、単位温度検知回路部７，８を、１つのサーミスタＴＨ（ＴＨ１，ＴＨ２）と１つの抵抗分圧回路１（１１，１２）と１つのスイッチ素子ＳＷ（ＳＷ１，ＳＷ２）で構成し、サーミスタの配置数と同数用意した。これに対して、第３実施形態では、各単位温度検知回路部７，８から抵抗分圧回路１を分離して、単位温度検知回路部７，８を、１つのサーミスタＴＨ（ＴＨ１，ＴＨ２）と１つのスイッチ素子ＳＷ（ＳＷ１，ＳＷ２）の直列回路で構成する。
【００６０】
抵抗分圧回路１は、抵抗Ｒ１、Ｒ２の直列回路で構成される。抵抗Ｒ１と各単位温度検知回路部７，８の一端が電源電圧ＶＤＤに接続し、抵抗Ｒ２の一端が接地電圧ＶＳＳに接続し、抵抗Ｒ１，Ｒ２及び各単位温度検知回路部７，８の各他端が相互に接続して、温度検知回路３０の共通出力ノードＮＣＯを形成する。但し、スイッチ素子ＳＷ１，ＳＷ２のオン時の抵抗値は、抵抗Ｒ１，Ｒ２及びサーミスタＴＨ１，ＴＨ２の各抵抗値より十分に小さいことが望ましい。
【００６１】
図５に示す回路構成の場合、サーミスタＴＨ１，ＴＨ２は、第１及び第２実施形態と同様に、ＮＴＣ型のサーミスタＴＨを使用するが、ＰＴＣ型を使用する場合は、一例として、各単位温度検知回路部７，８の一端を電源電圧ＶＤＤに代えて接地電圧ＶＳＳに接続する。また、スイッチ素子ＳＷ１，ＳＷ２として、単体のＰＭＯＳトランジスタ用いることができる。この場合、電源電圧ＶＤＤ側にスイッチ素子ＳＷ１，ＳＷ２を配置するのが好ましい。また、サーミスタＴＨ１，ＴＨ２としてＰＴＣ型のサーミスタＴＨを使用する場合には、スイッチ素子ＳＷ１，ＳＷ２として、単体のＮＭＯＳトランジスタ用いることができる。この場合、接地電圧ＶＳＳ側にスイッチ素子ＳＷ１，ＳＷ２を配置するのが好ましい。
【００６２】
図５に示す回路構成により、第２実施形態の温度検知回路２０と同様の温度検知動作が可能となる。尚、温度検知回路３０の各スイッチ素子ＳＷ１，ＳＷ２のオンオフ制御には、各スイッチ素子ＳＷ１，ＳＷ２が制御信号の高レベル時にオンするスイッチ素子の場合、第２実施形態で例示したスイッチ制御回路９を使用することができる。
【００６３】
〈第４実施形態〉
上記第１〜第３実施形態に係る温度検知回路１０〜３０では、参照電圧ＶＲＥＦの発生回路として、図１、図３及び図５に夫々示す抵抗分圧回路１３を使用し、参照電圧ＶＲＥＦが、基準温度Ｔ０に対応した一定の電圧値となるように構成した。
【００６４】
しかし、サーミスタＴＨ１，ＴＨ２の周囲温度Ｔ１，Ｔ２の何れか一方が基準温度Ｔ０を超え、比較器２から周囲温度Ｔ１，Ｔ２の何れか一方が基準温度Ｔ０を超えたことを示す高レベルの温度検知出力ＴＤが出力され、制御回路５が、当該温度検知出力ＴＤに応答して、各ＬＥＤ直列回路３１を流れる駆動電流を低下させる制御を行った結果、直ぐに、ＬＥＤパネル３からの発熱が抑制され、その結果、サーミスタＴＨ１，ＴＨ２の周囲温度Ｔ１，Ｔ２が基準温度Ｔ０を下回り、比較器２から周囲温度Ｔ１，Ｔ２が基準温度Ｔ０を下回ったことを示す低レベルの温度検知出力ＴＤが出力され、制御回路５が、当該温度検知出力ＴＤに応答して、各ＬＥＤ直列回路３１を流れる駆動電流を上昇させる制御を行う場合、温度検知回路１０〜３０から制御回路５及びＬＥＤパネル３を経由して温度検知回路１０〜３０に戻る負帰還ループが形成され、温度検知出力ＴＤが低レベルと高レベル間で発振する虞がある。
【００６５】
斯かる発振現象を防止するために、制御回路５が、当該温度検知出力ＴＤに応答して、各ＬＥＤ直列回路３１を流れる駆動電流を低下させる制御を行う場合、その後の温度検知出力ＴＤの状態に関係なく、当該制御を一定時間以上継続させることが考えられる。
【００６６】
更に、別の防止手段として、図１、図３及び図５に夫々示す抵抗分圧回路１３に代えて、図６に示す抵抗分圧回路１３ａ，１３ｂを使用して、高レベルの温度検知出力ＴＤが出力されると、参照電圧ＶＲＥＦの電圧値を、温度検知出力ＴＤが低レベル時より低くなるようにする。抵抗分圧回路１３ａは、抵抗分圧回路１３に対して、抵抗Ｒ３３とスイッチ素子ＳＷ３３の並列回路を、抵抗Ｒ２３と接地電圧ＶＳＳの間に直列に介装したものである。また、抵抗分圧回路１３ｂは、抵抗分圧回路１３に対して、抵抗Ｒ４３とスイッチ素子ＳＷ４３の直列回路を、抵抗Ｒ２３と並列に接続したものである。スイッチ素子ＳＷ３３，ＳＷ４３は夫々、温度検知出力ＴＤが高レベル時にオンするように構成される。尚、抵抗分圧回路１３ａ，１３ｂと同様に、温度検知出力ＴＤが低レベルから高レベルに遷移することで、参照電圧ＶＲＥＦの電圧値が低下する回路構成としては、図６に示す抵抗分圧回路１３ａ，１３ｂ以外にも種々の変形例が可能である。例えば、抵抗Ｒ３３とスイッチ素子ＳＷ３３の並列回路や抵抗Ｒ４３とスイッチ素子ＳＷ４３の直列回路を、接地電圧ＶＳＳ側ではなく、電源電圧ＶＤＤ側に設け、スイッチ素子ＳＷ３３，ＳＷ４３として、温度検知出力ＴＤが低レベル時にオンするように構成してもよい。
【００６７】
制御回路５が、高レベルに遷移した温度検知出力ＴＤに応答して、各ＬＥＤ直列回路３１を流れる駆動電流を低下させる制御を行い、直ぐにＬＥＤパネル３からの発熱が抑制され、その結果、サーミスタＴＨ１，ＴＨ２の周囲温度Ｔ１，Ｔ２が当初の基準温度Ｔ０を下回り、共通出力ノードＮＣＯの電圧値が当初の参照電圧ＶＲＥＦより低下しても、抵抗分圧回路１３ａ，１３ｂを使用することで、温度検知出力ＴＤが高レベルに遷移することで参照電圧ＶＲＥＦの電圧値が低下しているため、共通出力ノードＮＣＯの電圧値が低下後の参照電圧ＶＲＥＦの電圧値を下回るには、ＬＥＤパネル３からの発熱が更に抑制される必要があり、比較器２の温度検知出力ＴＤが高レベルから低レベルに直ぐに復帰しないようにすることができる。
【００６８】
比較器２の非反転入力の入力回路にヒステリシスを持たせることで、同様の効果を奏することができるが、この場合、当該ヒステリシスは、比較器２に固有の特性となり、必ずしも、上述の負帰還ループに適合したヒステリシスになっているとは限らない。また、比較器２間で、当該ヒステリシスにバラツキが生じると、複数のＬＥＤパネル３に対して温度制御の効果がばらつく虞がある。これに対して、抵抗分圧回路１３ａ，１３ｂの場合、抵抗Ｒ３１〜Ｒ３４を調整することで、比較器２の反転入力ノードに入力する参照電圧ＶＲＥＦの変動幅を自在に調整できるため、比較器２の非反転入力に対して実質的なヒステリシスの調整が可能となる。
【００６９】
〈第５実施形態〉
上記第１実施形態に係る温度検知回路１０では、サーミスタＴＨ１，ＴＨ２の抵抗状態に応じて選択的に導通状態となる電流制御素子として、ダイオードＤ１，Ｄ２を使用したが、当該電流制御素子としてダイオード以外に、ソースフォロア回路を構成するＮＭＯＳトランジスタ或いはＰＭＯＳトランジスタを使用することができる。図７に、第５実施形態に係る温度検知回路５０を、ＮＭＯＳトランジスタＱ１，Ｑ２によるソースフォロア回路を用いて構成する場合の一回路構成例を示す。尚、第５実施形態においても、第１実施形態と同様、図７に示すように、温度検知回路５０をＬＥＤパネル３の温度制御に適用する場合を想定し、一例として、第１実施形態と同じく、ＬＥＤパネル３内に２個のサーミスタＴＨ１，ＴＨ２を配置する場合を説明する。 
【００７０】
第５実施形態では、単位温度検知回路部７，８を構成する電流制御素子として、ダイオードＤ１，Ｄ２に代えてＮＭＯＳトランジスタＱ１，Ｑ２を使用する。単位温度検知回路部７，８は、１つのサーミスタＴＨ（ＴＨ１，ＴＨ２）と１つの抵抗分圧回路１（１１，１２）と１つのＮＭＯＳトランジスタ（Ｑ１，Ｑ２）で構成される。サーミスタＴＨ及び抵抗分圧回路１は第１実施形態と同じである。単位温度検知回路部７の内部ノードＮ７１は、ＮＭＯＳトランジスタＱ１のゲートに接続し、単位温度検知回路部８の内部ノードＮ８１は、ＮＭＯＳトランジスタＱ２のゲートに接続し、ＮＭＯＳトランジスタＱ１，Ｑ２の各ドレインは電源電圧ＶＤＤに接続し、ＮＭＯＳトランジスタＱ１，Ｑ２の各ソースは相互に接続して共通出力ノードＮＣＯを形成する。共通出力ノードＮＣＯと接地電圧ＶＳＳの間には電流源５１が接続されている。
【００７１】
参照電圧ＶＲＥＦに対してもダイオードＤｒｅｆに代えてＮＭＯＳトランジスタＱｒｅｆを用い、参照電圧ＶＲＥＦをＮＭＯＳトランジスタＱｒｅｆのゲートに接続し、ＮＭＯＳトランジスタＱｒｅｆのドレインは電源電圧ＶＤＤに接続し、ＮＭＯＳトランジスタＱｒｅｆのソースは比較器２の反転入力ノードに接続し、ＮＭＯＳトランジスタＱｒｅｆのソースと接地電圧ＶＳＳの間には電流源５２が接続されている。２つの電流源５１，５２は、夫々、抵抗素子やＮＭＯＳトランジスタ等で構成することができる。２つの電流源５１，５２を流れる電流量と、ＮＭＯＳトランジスタＱ１，Ｑ２とＱｒｅｆのトランジスタ特性を同じに揃えることで、ソースフォロア回路による、各ノードで発生する電圧降下の差を小さくすることができる。電流源５１，５２が存在するため、第１実施形態で使用したプルダウン用の高抵抗Ｒ０，Ｒ０ｒｅｆは設ける必要はない。
【００７２】
上記以外は、第１実施形態と第５実施形態は同じ構成であるので、重複する説明は書略する。
【００７３】
２つのＮＭＯＳトランジスタＱ１，Ｑ２の各ゲートには、内部ノードＮ７１またはＮ８１の電圧（ＶＮ７１またはＶＮ８１）が入力するが、内部ノード電圧ＶＮ７１，ＶＮ８１の高い方の電圧と、電流源５１を流れる電流値に応じた電圧が、共通出力ノードＮＣＯに出力される。ＮＭＯＳトランジスタＱ１，Ｑ２は、第１実施形態におけるダイオードＤ１，Ｄ２と同様に振舞い、共通出力ノードＮＣＯには、内部ノード電圧ＶＮ７１，ＶＮ８１の高い方の電圧（ＶＮｈ）からＮＭＯＳトランジスタＱ１，Ｑ２の閾値電圧Ｖｔｈを引いた電圧（ＶＮｈ−Ｖｔｈ）が出力される。内部ノード電圧ＶＮ７１，ＶＮ８１の低い方がゲート入力となるＮＭＯＳトランジスタＱ１，Ｑ２はオフ状態となる。
【００７４】
一方、比較器２の反転入力ノードには、参照電圧ＶＲＥＦからＮＭＯＳトランジスタＱｒｅｆの閾値電圧Ｖｔｈを引いた電圧（ＶＲＥＦ−Ｖｔｈ）が出力される。従って、比較器２では、第１実施形態と同様に、実質的に、内部ノード電圧ＶＮｈと参照電圧ＶＲＥＦの大小が比較される。
【００７５】
〈別実施形態〉
以下に、上記第１〜第５実施形態の変形例（別実施形態）につき説明する。
【００７６】
〈１〉上記各実施形態では、温度検知回路１０〜５０をＬＥＤパネル３の温度制御に適用する場合を想定したが、温度検知回路１０〜５０は、ＬＥＤパネル３の温度制御以外にも、電力を消費することにより発熱する回路を温度検知対象回路として、当該温度検知対象回路からの発熱を抑制する制御にも適用可能である。この場合、複数のサーミスタＴＨが、温度検知対象回路内に配置され、当該温度検知対象回路の電力消費を制御する電力消費制御回路を備え、当該電力消費制御回路が、温度検知回路１０〜５０の比較器２が検知した共通出力ノードＮＣＯの電圧状態に応じて、当該温度検知対象回路の電力消費を、当該温度検知対象回路からの発熱が抑制されるように制御する。
【００７７】
〈２〉上記各実施形態では、温度検知回路１０〜５０は、複数のサーミスタＴＨ１，ＴＨ２の最も高い周囲温度が基準温度Ｔ０を超えた場合を検知する回路構成であったが、複数のサーミスタＴＨ１，ＴＨ２の最も低い周囲温度が基準温度Ｔ０を下回った場合を検知する回路構成に容易に変更することができる。例えば、第１実施形態の温度検知回路１０では、ダイオードＤ１，Ｄ２の向きを反転させ、各内部ノードＮ７１，Ｎ８１を夫々ダイオードＤ１，Ｄ２のカソードに接続し、ダイオードＤ１，Ｄ２のアノードを相互に接続して共通出力ノードＮＣＯを形成する。共通出力ノードＮＣＯと電源電圧ＶＤＤ間には、プルダウン用の高抵抗Ｒ０に代えて、プルアップ用の高抵抗Ｒ０を介装する。同様に、比較器２の反転入力ノードと電源電圧ＶＤＤ間にも、プルダウン用の高抵抗Ｒ０ｒｅｆに代えて、プルアップ用の高抵抗Ｒ０ｒｅｆを介装する。各内部ノードＮ７１，Ｎ８１の電圧（ＶＮ７１，ＶＮ８１）は、夫々のサーミスタＴＨ１，ＴＨ２の周囲温度の低下に応じて低下する。従って、共通出力ノードＮＣＯには、周囲温度の最も低いサーミスタＴＨ１，ＴＨ２に対応した内部ノード電圧ＶＮｌにダイオードＤ１，Ｄ２の順方向電圧降下Ｖｆを加えた電圧（ＶＮｌ＋Ｖｆ）が出力され、比較器２の反転入力ノードには、参照電圧ＶＲＥＦにダイオードＤｒｅｆの順方向電圧降下Ｖｆを加えた電圧（ＶＲＥＦ＋Ｖｆ）が出力される。従って、比較器２では、実質的に、内部ノード電圧ＶＮｌと参照電圧ＶＲＥＦの大小が比較される。複数のサーミスタＴＨ１，ＴＨ２の最も低い周囲温度が基準温度Ｔ０を下回ると、内部ノード電圧ＶＮｌが参照電圧ＶＲＥＦより低下して、比較器２の温度検知出力ＴＤが高レベルから低レベルに遷移する。
【００７８】
〈３〉上記各実施形態では、温度検知回路１０〜５０は、共通出力ノードＮＣＯの電圧値を検知するのに、反転入力ノードに電圧（ＶＲＥＦ−Ｖｆ）または参照電圧ＶＲＥＦが入力する比較器２を用いたが、入力ノードが１つの電圧検知回路を用いてもよい。例えば、斯かる電圧検知回路として、１段または２段以上を縦列したインバータ回路を用いることができる。この場合、初段のインバータの入力判定レベルが、比較器２を用いた場合の反転入力ノードに入力する電圧レベルに相当する。従って、この場合、基準温度Ｔ０に対応する電圧値が、電圧検知回路の回路構成によって固定されるため、基準温度Ｔ０を変更したい場合には、各単位温度検知回路部７，８において、内部ノードＮ７１，Ｎ８１の電圧を、抵抗分圧回路１（１１，１２）の抵抗値によって調整することで、相対的に基準温度Ｔ０を変更することになる。
【００７９】
〈４〉上記各実施形態では、温度検知回路１０〜５０は、比較器２等で構成される電圧検知回路は、共通出力ノードＮＣＯの電圧値と所定の基準値（電圧（ＶＲＥＦ−Ｖｆ）、参照電圧ＶＲＥＦ等）との大小を比較する回路であったが、共通出力ノードＮＣＯの電圧値を基準値に対する大小（２値）判定ではなく、より細かなアナログ・デジタル変換に近い判定を行う回路構成としてもよい。この場合、電圧検知回路の判定出力は２値より大きい多値出力または多ビット出力となるので、当該判定出力を利用する制御回路では、当該多値情報に応じてより精緻な温度制御が可能となる。
【００８０】
〈５〉上記各実施形態において、温度検知回路１０〜５０の単位温度検知回路部７，８は、抵抗Ｒ１１，Ｒ１２と抵抗Ｒ２１，Ｒ２２の直列回路からなる抵抗分圧回路１１，１２を用いて構成されていたが、単位温度検知回路部７，８の回路構成は、上記各実施形態に限定されるものではない。例えば、サーミスタＴＨ１，ＴＨ２と並列に接続する抵抗Ｒ１１，Ｒ１２を用いずに、サーミスタＴＨ１，ＴＨ２と他方の抵抗Ｒ２１，Ｒ２２を直列に接続して、抵抗分圧回路を構成するようにしてもよい。
【００８１】
〈６〉上記各実施形態において、サーミスタを除く温度検知回路１０〜５０は、個別の回路素子で構成されていても、或いは、各回路素子が共通の半導体基板上にモノリシックに集積されて構成されていてもよい。また、後者の場合、電圧検知回路（比較器）を温度検知回路１０〜５０の本体から分離して別個に設けてもよく、また、制御回路５内に組み入れてもよい。
【符号の説明】
【００８２】
１，１１，１２：  抵抗分圧回路
２：      比較器
３：      ＬＥＤパネル
４：      駆動回路
５：      制御回路
６：      ＬＥＤ電源回路
７，８：  単位温度検知回路部
９：      スイッチ制御回路
１０，２０，３０，５０：  温度検知回路
１３，１３ａ，１３ｂ：  抵抗分圧回路（参照電圧発生用）
３１：    ＬＥＤ直列回路
４１：    駆動トランジスタ
４２：    定電流回路
５１，５２：  電流源
６０，６１，６２：  １つのサーミスタを備える温度検知回路
ＣＬＫ：  クロック
Ｄ１，Ｄ２，Ｄｒｅｆ：  ダイオード
ＤＦＦ１〜ＤＦＦｋ：  Ｄフリップフロップ
ＤＦＦＱ１〜ＤＦＦＱｋ：  Ｄフリップフロップの出力
ＮＣＯ：  共通出力ノード
Ｎ７１，Ｎ８１：  内部ノード
Ｑ１，Ｑ２，Ｑｒｅｆ：  ＮＭＯＳトランジスタ
Ｒ０，Ｒ０ｒｅｆ：  プルダウン用の高抵抗
Ｒ１，Ｒ２、Ｒ１１，Ｒ２１，Ｒ１２，Ｒ２２：  抵抗
Ｒ１３，Ｒ２３、Ｒ３３，Ｒ４３：  抵抗
ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３３，ＳＷ４３：  スイッチ素子
ＴＤ：  温度検知出力
ＴＨ，ＴＨ１，ＴＨ２：  サーミスタ
ＶＤＤ：    電源電圧
ＶＲＥＦ：  参照電圧
ＶＳＳ：    接地電圧
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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