(57)【要約】【課題】薄型の入力装置を効率良く製造することができる入力装置の製造方法、これに使用する導電膜付き基板、及び積層部材を提供する。【解決手段】耐熱性を有する耐熱性基板の片側にパターニングされた透明導電膜を備えた２つの導電膜付き基板をアニール処理した後、透明接着層を介して、これらを表示装置上に積層させて入力装置を製造する際、少なくとも一方の導電膜付き基板における耐熱性基板として、第１のポリイミド層２と第２のポリイミド層１とを有したポリイミド積層体１０を用いて、第１及び第２のポリイミド層の界面で第２のポリイミド層側を分離して取り除き薄肉化する工程を含む入力装置の製造方法であり、また、これに使用する導電膜付き基板、及び２つの導電膜付き基板を貼り合せた積層部材である。【選択図】図２
2014115815.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶ディスプレイ等の表示装置上に配される投影型静電容量結合方式の入力装置を製造する方法であって、
耐熱性を有する耐熱性基板の片側にパターニングされた透明導電膜を備えた２つの導電膜付き基板をアニール処理した後、透明接着層を介して、これらを表示装置上に積層させて入力装置を製造する際、
少なくとも一方の導電膜付き基板における耐熱性基板が、透明導電膜側に配される第１のポリイミド層と、この第１のポリイミド層の背面側に配される第２のポリイミド層とを有したポリイミド積層体からなり、該ポリイミド積層体を有した導電膜付き基板を積層する過程において、第１及び第２のポリイミド層の界面で第２のポリイミド層側を分離して取り除き、薄肉化する工程を含むことを特徴とする入力装置の製造方法。
【請求項２】
透明導電膜側を対向させるようにして、透明接着層を介して２つの導電膜付き基板を貼り合せた後、ポリイミド積層体を有した導電膜付き基板から第２のポリイミド層を分離して取り除くことを特徴とする請求項１に記載の入力装置の製造方法。
【請求項３】
２つの導電膜付き基板のいずれもが、ポリイミド積層体からなる耐熱性基板を備えており、これらを貼り合せた後に、それぞれの第２のポリイミド層を分離して取り除く請求項２に記載の入力装置の製造方法。
【請求項４】
２つの導電膜付き基板の間に透明絶縁シートを介在させて貼り合せる請求項２又は３に記載の入力装置の製造方法。
【請求項５】
透明導電膜側を表示装置に向けて、透明接着層を介してポリイミド積層体からなる耐熱性基板を備えた導電膜付き基板を貼り合せた後、第２のポリイミド層を分離して取り除き、更に透明接着層を介して他方の導電膜付き基板の透明導電膜側を貼り合せることを特徴とする請求項１に記載の入力装置の製造方法。
【請求項６】
透明導電膜側を透明保護板に向けて、透明接着層を介してポリイミド積層体からなる耐熱性基板を備えた導電膜付き基板を貼り合せた後、第２のポリイミド層を分離して取り除き、更に透明接着層を介して、他方の導電膜付き基板の透明導電膜側を貼り合せ、更にまた透明接着層を介して、表示装置に貼り合せることで、透明保護板を備えた入力装置を得ることを特徴とする請求項１に記載の入力装置の製造方法。
【請求項７】
２つの導電膜付き基板のいずれもが、ポリイミド積層体からなる耐熱性基板を備えており、他方の導電膜付き基板の透明導電膜側を貼り合せた後に第２のポリイミド層を分離して取り除く請求項５又は６に記載の入力装置の製造方法。
【請求項８】
第１及び第２のポリイミド層の界面での接着強度が１Ｎ／ｍ以上５００Ｎ／ｍ以下である請求項１〜７のいずれかに記載の入力装置の製造方法。
【請求項９】
第１のポリイミド層が含フッ素ポリイミドからなり、４４０ｎｍから７８０ｎｍの波長領域での透過率が７０％以上である請求項１〜８のいずれかに記載の入力装置の製造方法。
【請求項１０】
第１のポリイミド層の熱膨張係数が２５ｐｐｍ／Ｋ以下である請求項９に記載の入力装置の製造方法。
【請求項１１】
第１及び第２のポリイミド層の界面を形成する第２のポリイミド層の表面は、表面粗さ（Ｒａ）が１００ｎｍ以下であると共に、ガラス転移温度（Ｔｇ）が３００℃以上の耐熱性ポリイミド面を有する請求項１〜１０のいずれかに記載の入力装置の製造方法。
【請求項１２】
第２のポリイミド層が、下記構造単位を有するポリイミドからなる請求項１１に記載の入力装置の製造方法。
【化１】
2014115815.tif 000011
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれかに記載の方法に用いられる導電膜付き基板であって、透明導電膜側に配される第１のポリイミド層と、この第１のポリイミド層の背面側に配される第２のポリイミド層とを有したポリイミド積層体からなる耐熱性基板を備えており、第１及び第２のポリイミド層の界面で第２のポリイミド層を分離して取り除くことで、薄肉化できることを特徴とする入力装置形成用導電膜付き基板。
【請求項１４】
請求項１３に記載の導電膜付き基板を２つ用いて、それぞれアニール処理した後に、透明接着層を介して、各々の透明導電膜側を対向させるようにして貼り合せたことを特徴とする入力装置形成用積層部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、液晶ディスプレイ等の表示装置上に配される投影型静電容量結合方式の入力装置を製造する方法、並びに、それに用いられる導電膜付き基板、及び積層部材に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイや有機ＥＬパネル等の表示装置の入力手段（入力装置）として、タッチパネルが広く用いられている。タッチパネルは、表示装置の表示面上に配置されることで、表示内容に対して極めて直接的な入力を可能にする。そのため、タッチパネルには表示装置の表示内容を画質低下なく透過させる必要があり、透明性が重要な要素となる。
【０００３】
タッチパネルの主な入力方式としては、光の変化を検出する方式と、電気的な特性の変化を検出する方式とに大別される。このうち、電気的な特性の変化を検出する方式として、抵抗膜方式と静電容量結合方式とが知られており、更に、この静電容量結合方式には、表面型と投影型の２つの方式がある。なかでも、スマートフォン等で欠かせない機能となったマルチタッチ認識（多点認識）への対応に適している観点から、投影型が注目されている。
【０００４】
静電容量結合方式における投影型のタッチパネルは、従来、一般には、特許文献１、２等にあるように、互いに所定の形状のパターン電極が形成された２つのフィルム基材を用いて、これらを貼り合せることで作製されている。近年のタブレット型携帯端末等のように、タッチパネルを備えた表示装置では薄型化の進展が著しく、タッチパネルについても薄型化と共に光学特性の向上が強く要望されている。ところが、２つのフィルム基材を貼り合せることから薄型化には不向きと考えられ、取り扱い性（ハンドリング性）などを考慮すると、フィルム基材を薄くするのには限度がある。加えて、フィルム基材の積層によって厚みが増すと、その分だけ表示装置からの映像光の透過率が低下してしまうことから、表示装置が表示する映像の画質を劣化させてしまうおそれがある。
【０００５】
そこで、例えば特許文献３、４等に記載されるように、フィルム基材の両面に静電容量結合方式の電極を設けてタッチパネルを得る方法が提案されている。しかしながら、フィルム基材の両面に電極を形成することなどを勘案すると、やはり、フィルム基材自体がある程度の厚みを有していなければならない。一方で、例えば特許文献５のように、基板上に透明導電膜を形成して、エッチングによりパターン電極を形成した後、更に絶縁膜を設けた上で、再び透明導電膜の形成とエッチングを繰り返してパターン電極を形成する方法が提案されている。ところが、このような方法は、上記の工程を順次行う必要があることから、生産性に優れているとは言い難く、製造コストも高くなってしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平４−２６４６１３号公報
【特許文献２】特開２００８−１５２６４０号公報
【特許文献３】特開２０１０−２３８０５２号公報
【特許文献４】特開２０１１−１５４４４２号公報
【特許文献５】特開２０１０−３３４７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年急速に普及・拡大しているスマートフォン等の携帯端末では、入力装置としてのタッチパネルが欠かせないものとなっている。そして、携帯端末の薄型化に伴い、タッチパネルも薄型化、光学特性の向上、及び低価格化が強く要望されている。しかしながら、上述したような従来の方法では、タッチパネルに使用されるフィルム基材の厚みを更に薄くしていくと、ハンドリング性が悪くなるばかりか、所定のパターン電極を正確に形成するのが困難になったり、場合によっては製造途中で割れや破けを発生するなど、生産上で支障を来たすおそれがある。そのため、これまでのタッチパネルの製造方法では、更に薄型化を図るのは難しい。
【０００８】
そこで、本発明者らは、投影型静電容量結合方式の入力装置であるタッチパネルの薄型化について鋭意検討した結果、ポリイミド層同士の界面での剥離が可能なポリイミド積層体を用いて、入力装置の積層構造を形成する過程において、一部のポリイミド層を分離して取り除くことで、ハンドリング性の低下や生産上の問題等を全て解決しながら、薄型の入力装置を作製できることを見出し、本発明を完成させた。
【０００９】
したがって、本発明の目的は、薄型の入力装置を効率良く製造することができる方法を提供することにある。
【００１０】
また、本発明の別の目的は、薄型の入力装置を効率良く製造する上で用いられる導電膜付き基板、及び積層部材を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
すなわち、本発明は、液晶ディスプレイ等の表示装置上に配される投影型静電容量結合方式の入力装置を製造する方法であって、耐熱性を有する耐熱性基板の片側にパターニングされた透明導電膜を備えた２つの導電膜付き基板をアニール処理した後、透明接着層を介して、これらを表示装置上に積層させて入力装置を製造する際、少なくとも一方の導電膜付き基板における耐熱性基板が、透明導電膜側に配される第１のポリイミド層と、この第１のポリイミド層の背面側に配される第２のポリイミド層とを有したポリイミド積層体からなり、該ポリイミド積層体を有した導電膜付き基板を積層する過程において、第１及び第２のポリイミド層の界面で第２のポリイミド層側を分離して取り除き、薄肉化する工程を含むことを特徴とする入力装置の製造方法である。
【００１２】
また、本発明は、上記の方法に用いられる導電膜付き基板であって、透明導電膜側に配される第１のポリイミド層と、この第１のポリイミド層の背面側に配される第２のポリイミド層とを有したポリイミド積層体からなる耐熱性基板を備えており、第１及び第２のポリイミド層の界面で第２のポリイミド層を分離して取り除くことで、薄肉化できることを特徴とする入力装置形成用導電膜付き基板である。
【００１３】
更に、本発明は、上記の導電膜付き基板を２つ用いて、それぞれアニール処理した後に、透明接着層を介して、各々の透明導電膜側を対向させるようにして貼り合せたことを特徴とする入力装置形成用積層部材である。
【００１４】
本発明では、耐熱性を有する耐熱性基板の片側にパターニングされた透明導電膜を備えた２つの導電膜付き基板をアニール処理した後、透明接着層を介して、これらを表示装置上に積層させて投影型静電容量結合方式の入力装置を製造する際に、少なくとも一方の導電膜付き基板、好ましくは両方の導電膜付き基板について、その耐熱性基板として、第１のポリイミド層と第２のポリイミド層とを有したポリイミド積層体を使用して、入力装置の積層過程で薄肉化できるようにしたことを特徴とする。すなわち、本発明において耐熱性基板として用いるポリイミド積層体は、透明導電膜側に配される第１のポリイミド層と、この第１のポリイミド層の背面側に配される第２のポリイミド層とを有しており、かつ、第１のポリイミド層と第２のポリイミド層との界面を利用して、第２のポリイミド層を分離して取り除くことが可能なものである。
【００１５】
ここで、第１及び第２のポリイミド層の界面を利用して、第２のポリイミド層を分離して取り除くことができるようにするためには、これらのポリイミド境界面を剥離し易い状態にする必要がある。その手段として、好適には、第１又は第２のポリイミド層の少なくともいずれか一方に、特定の化学構造を有するポリイミドを使用するのがよい。
【００１６】
一般に、ポリイミドは、原料である酸無水物とジアミンとを重合して得られ、下記一般式（１）で表すことができる。
【化１】
2014115815.tif 000003
式中、Ａｒ1は酸無水物残基である４価の有機基を表し、Ａｒ2はジアミン残基である２価の有機基であり、耐熱性の観点から、Ａｒ1、Ａｒ2の少なくとも一方は、芳香族残基であるのが望ましい。
【００１７】
本発明における第１及び／又は第２のポリイミド層に好適に用いられるポリイミド（ポリイミド樹脂）としては、そのひとつとして、例えば、下記繰り返し構造単位を有するポリイミドが挙げられ、なかでも、第２のポリイミド層がこのような繰返し構造単位を有するものであるのがよい。
【化２】
2014115815.tif 000004
このような繰返し構造単位のうち、より好ましくは、下記繰り返し構造単位を有するポリイミドである。
【化３】
2014115815.tif 000005
【００１８】
本発明において、第２のポリイミド層側は最終的には分離され、残った第１のポリイミド層側が入力装置を構成する。つまり、第２のポリイミド層は、積層構造を有する入力装置を形成する過程で第１のポリイミド層を支持し保護する補助材の役割を担う。そのため、導電膜付き基板としての取り扱い性を確保でき、かつ、アニール処理に対する耐熱性や寸法安定性を備えたものであるのがよい。上記のような繰返し構造単位を有するポリイミドであれば、ガラス転移温度（Tg）が３００℃以上の耐熱性ポリイミド面を形成することができ、第１のポリイミド層との界面での分離を容易にすることができる。なお、後述するように、キャスト法によって第２のポリイミド層を形成する場合には、第１及び第２のポリイミド層の界面を形成する第２のポリイミド層の表面は、表面粗さ（Ｒａ）が１００ｎｍ以下であるのが望ましい。
【００１９】
一方、入力装置を構成する部品となる第１のポリイミド層には、アニール処理に耐え得る耐熱性と共に、高い透明性が求められる。そのため、好適には、含フッ素ポリイミドを使用するのがよい。ここで、含フッ素ポリイミドとは、ポリイミド構造中にフッ素原子を有するものを指し、ポリイミド原料である酸無水物、及びジアミンの少なくとも一方の成分において、フッ素含有基を有するものである。このような含フッ素ポリイミドとしては、例えば、上記一般式（１）で表されるもののうち、式中のＡｒ1が４価の有機基であり、Ａｒ2が下記一般式（２）又は（３）で表される２価の有機基で表されるものが挙げられる。
【化４】
2014115815.tif 000006
【００２０】
上記一般式（２）又は一般式（３）におけるＲ1〜Ｒ8は、互いに独立に水素原子、フッ素原子、炭素数１〜５までのアルキル基若しくはアルコキシ基、又はフッ素置換炭化水素基であり、一般式（２）にあっては、Ｒ1〜Ｒ4のうち少なくとも一つはフッ素原子又はフッ素置換炭化水素基であり、また、一般式（３）にあっては、Ｒ1〜Ｒ8のうち少なくとも一つはフッ素原子又はフッ素置換炭化水素基である。このうち、Ｒ1〜Ｒ8の好適な具体的としては、−Ｈ、−ＣＨ3、−ＯＣＨ3、−Ｆ、−ＣＦ3などが挙げられるが、式（２）又は式（３）において少なくとも一つの置換基が、−Ｆ又は−ＣＦ3の何れかであるのが好ましい。
【００２１】
含フッ素ポリイミドを形成する際の一般式（１）中のＡｒ1の具体例としては、例えば、以下のような４価の酸無水物残基が挙げられる。
【化５】
2014115815.tif 000007
【００２２】
加えて、含フッ素ポリイミドを形成する際、ポリイミドの透明性や第２のポリイミド層との剥離性をより向上させることなどを考慮すれば、一般式（１）におけるＡｒ2を与える具体的なジアミン残基として、好ましくは、以下のものが挙げられる。すなわち、含フッ素ポリイミド以外の他の構造を有するポリイミドとの界面においても良好な剥離性を示すことができ、好適には、第１のポリイミド層と第２のポリイミド層との界面における接着強度が１Ｎ／ｍ以上５００Ｎ／ｍ以下、より好適には５Ｎ／ｍ以上３００Ｎ／ｍ以下、更に好適には１０Ｎ／ｍ以上２００Ｎ／ｍ以下になるため、人の手で容易に剥離できる程度の分離性を備える。勿論、第２のポリイミド層として、このような含フッ素ポリイミドを使用してもよく、その場合には、第１及び第２のポリイミド層の界面での剥離性はより一層向上する。
【化６】
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【００２３】
このような含フッ素ポリイミドにおいて、次に挙げる一般式（４）又は（５）で表される構造単位のどちらか一方を８０モル％以上の割合で有する場合には、透明性と剥離性の他、熱膨張性が低く寸法安定性に優れることからより好ましい。すなわち、下記一般式（４）又は（５）で表される構造単位を有するポリイミドであれば、熱膨張係数が２５ｐｐｍ／Ｋ以下、好適には１０ｐｐｍ／Ｋ以下のポリイミド層とすることができる。また、これらの構造単位を有するポリイミドは、３００℃以上のガラス転移温度（Ｔｇ）を示し、かつ、４４０ｎｍから７８０ｎｍの波長領域での透過率が７０％以上、好適には８０％以上を示すことから、入力装置を形成する上でより有利である。
【化７】
2014115815.tif 000009
【００２４】
ここで、ポリイミドを一般式（４）又は（５）の構造に係るポリイミドとした場合、そのポリイミド以外に最大２０モル％未満の割合で添加されてもよいその他のポリイミドについては、特に制限されるものではなく、一般的な酸無水物とジアミンを使用することができる。なかでも好ましく使用される酸無水物としては、ピロメリット酸二無水物、3,3',4,4'−ビフェニルテトラカルボン酸ニ無水物、1,4-シクロヘキサンジカルボン酸、1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、2，2'−ビス（3,4−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物等が挙げられる。一方の、ジアミンとしては、4，4'−ジアミノジフェニルサルフォン、トランス−1,4−ジアミノシクロヘキサン、4，4'−ジアミノシクロヘキシルメタン、2，2'−ビス（4−アミノシクロヘキシル）−ヘキサフルオロプロパン、2，2'−ビス（トリフルオロメチル）−4，4'−ジアミノビシクロヘキサン等が挙げられる。
【００２５】
上記で説明したような各種ポリイミドは、ポリアミド酸をイミド化して得ることができる。ここで、ポリアミド酸の樹脂溶液は、原料であるジアミンと酸二無水物とを実質的に等モル使用し、有機溶媒中で反応させることによって得るのがよい。より具体的には、窒素気流下にＮ,Ｎ−ジメチルアセトアミドなどの有機極性溶媒にジアミンを溶解させた後、テトラカルボン酸二無水物を加えて、室温で５時間程度反応させることにより得ることができる。塗工時の膜厚均一化と得られるポリイミドフィルムの機械強度の観点から、得られたポリアミド酸の重量平均分子量は１万から３０万が好ましい。なお、ポリイミド層の好ましい分子量範囲もポリアミド酸と同じ分子量範囲である。
【００２６】
第１及び第２のポリイミド層を有したポリイミド積層体を得る手段については特に制限はないが、連続製造が可能であることから、予め第２のポリイミド層を形成する長尺状のポリイミドフィルムを用意しておき、これをロール・ツー・ロールプロセスで搬送しながら、第１のポリイミド層を形成するポリアミド酸の樹脂溶液を塗布するキャスト法を採用するのが好適である。第１のポリイミド層を形成するポリアミド酸の樹脂溶液を塗布した後には、第２のポリイミド層の長尺ポリイミドフィルムごと１５０〜１６０℃程度で加熱処理して樹脂溶液中に含まれる溶剤を除去し、更に高温で加熱処理してポリアミド酸をイミド化させる。イミド化に際して行う加熱処理は、例えば、１６０℃程度の温度から３５０℃程度の温度まで連続的又は段階的に昇温を行うようにすればよい。
【００２７】
前述したように、第２のポリイミド層は入力装置を直接構成するものではないため、導電膜付き基板としてのハンドリング性を向上させることなどを考慮しながら、その厚みを適宜設定することができる。一般に１００μｍ程度の厚みがあれば、第１のポリイミド層の表面に所定のパターン電極を形成したり、透明接着層を介して導電膜付き基板を貼り合せる際など、製造上、特に不都合になることはない。勿論、第２のポリイミド層をより厚くしてもよく、或いは、背面側に銅箔やガラス等を備えたものを使用して、第２のポリイミド層自体の厚みをより薄くするようにしてもよい。一方、第１のポリイミド層の厚みについては、第２のポリイミド層側が補助材の役割をするため、その厚みはより薄くすることができる。すなわち、一般に、フィルムをハンドリングする際には１００μｍ程度の厚みが必要であるが、本発明においては第２のポリイミド層がその役割を担うため、第１のポリイミド層は５０μｍ以下の厚みにすることが可能であり、好適には３〜５０μｍまで薄くすることができる。
【００２８】
１組の導電膜付き基板を得るにあたっては、先ず、耐熱性基板の片側にパターニングされた透明導電膜を形成する。その際、少なくとも一方の導電膜付き基板については、上記のような第１及び第２のポリイミド層を有したポリイミド積層体を耐熱性基板として使用する。ポリイミド積層体以外を耐熱性基板とする場合には、例えば、ガラス等のような透明であり、かつ、アニール処理に耐え得る耐熱性を備えたものを使用すればよい。薄型の入力装置とするには、その厚みは２０〜１００μｍ程度にするのがよいが、より薄型の入力装置を得るためには、両方の耐熱性基板が本発明で言うようなポリイミド積層体であるのが好ましい。
【００２９】
パターニングされた透明導電膜を得るには、例えば、耐熱性基板の片側表面にＩＴＯ（tin-doped indium oxide）、ＳｎＯ、ＺｎＯ、ＩＺＯ等の透明導電膜を成膜した後、弱酸等を用いて所定の形状にエッチングするようにしてもよく、或いは、耐熱性基板の片側表面に形成したレジストパターンをマスクとして、上記のような透明導電膜を成膜するようにしてもよい。また、これらの透明導電膜は、電子ビーム蒸着法、スパッタ蒸着法、物理気相成長法、導電ペースト材を用いたスクリーン印刷法等により耐熱性基板上に成膜することができる。透明導電膜の厚みは７０ｎｍ程度以下であり、特に厚みが限定されることはないが、薄型の入力装置を形成することを考慮すれば、１０〜５０ｎｍ程度の膜厚で形成するのが望ましい。
【００３０】
透明導電膜としてＩＴＯをスパッタ蒸着法で成膜した場合を例に以下説明する。成膜後のＩＴＯ膜はアモルファス状態であり抵抗値が結晶状態より高い。そこで、パターニングされた透明導電膜を備えた導電膜付き基板をアニール処理することで、透明導電膜を結晶化させて、その抵抗を下げてパターン電極を形成する。ここで、パターン電極の形状、すなわち透明導電膜のパターニングについては、それぞれの導電膜付き基板において、ある方向に所定の間隔を有して複数の電極部が配列されるようにし、かつ、１組の導電膜付き基板が積層されることにより、上下２層における電極部の配列方向が互いに交差するようにして、投影型静電容量結合方式のモザイク状電極パターンが具備されるようにすればよい。
【００３１】
また、アニール処理の温度は、透明導電膜の種類によっても異なり、適宜設定することができるが、例えばＩＴＯの場合は、一般に２００〜２５０℃程度で行うようにするのがよい。つまり、本発明において、耐熱性基板が備える耐熱性とは、透明導電膜を結晶化させるためのアニール処理に耐え得る程度のことである。ポリイミド積層体については、上述した第１及び第２のポリイミド層を形成するポリイミドであれば、いずれもこれらのアニール処理の温度よりも高いガラス転移温度（Tg）を備えることから、十分な耐熱性を有している。
【００３２】
アニール処理された１組の導電膜付き基板は、透明接着層を介して、これらを表示装置上に積層させて、入力装置を形成する。その際、予め、導電膜付き基板同士を貼り合せて入力装置形成用の積層部材とした上で、再度透明接着層を介して、表示装置に貼り合せて入力装置を得るようにしてもよく、或いは、入力装置に対して（又は後述する透明保護板に対して）２つの導電膜付き基板を順次貼り合せて入力装置を得るようにしてもよい。ここで、透明接着層については特に制限はなく、例えばアクリル系やエポキシ系等の透明接着剤からなるものであってもよく、或いは、透明な接着シートを用いたり、透明絶縁シートを２つの導電膜付き基板の間に介在させて、透明接着剤を用いて貼り合せるようにしてもよい。薄型積層構造の入力装置を得る観点からは、透明接着剤の厚みは薄い方が良いが、特に厚みが制限されることはなく、透明接着剤を用いて１０〜５０μｍ程度の透明接着層を形成するのが好ましい。なお、透明接着剤や透明接着シート等を用いて透明接着層を形成するのは、透明導電膜のアニール処理が施された後であるため、アニール処理に対する耐熱性については特段考慮する必要はない。また、入力装置の積層過程で使用する透明接着剤や透明接着シート等については、それぞれ同じ種類のものを使用してもよく、２種以上を組み合わせてもよい。
【００３３】
予め、導電膜付き基板同士を貼り合せて積層部材とする場合には、好ましくは、透明導電膜側を対向させるようにして、透明接着層を介して、２つの導電膜付き基板を貼り合せるようにするのがよい。そして、透明接着層を介して、この積層部材を表示装置の表示面側に貼り合せるようにするが、その際に、両方の導電膜付き基板がポリイミド積層体からなる耐熱性基板を備えていれば、いずれか一方のポリイミド積層体から第２のポリイミド層を分離して取り除いてから、第１のポリイミド層側を表示装置に貼り合せるようにする。片方の導電膜付き基板だけがポリイミド積層体からなる耐熱性基板を使用している場合には、当該ポリイミド積層体から第２のポリイミド層を分離して取り除いてから、第１のポリイミド層側を表示装置に貼り合せるようにしてもよく、或いは、ポリイミド積層体ではない耐熱性基板側を表示装置に貼り合せてから、最表面の第２のポリイミド層を分離して取り除くようにしてもよい。
【００３４】
また、入力装置に対して導電膜付き基板を順次貼り合せて積層する場合には、透明導電膜側を表示装置に向けて、透明接着層を介して導電膜付き基板を貼り合せ、更に透明接着層を介して他方の導電膜付き基板の透明導電膜側を貼り合せるようにしてもよく、或いは、耐熱性基板側を表示装置に向けて、透明接着層を介して導電膜付き基板を貼り合せ、更に透明接着層を介して他方の導電膜付き基板の透明導電膜側を貼り合せるようにしてもよい。このとき、両方の導電膜付き基板がポリイミド積層体からなる耐熱性基板を備えている場合には、先ず、透明導電膜側を表示装置に向けて導電膜付き基板を貼り合せて、第２のポリイミド層を分離して取り除き、次いで、他方の導電膜付き基板の透明導電膜側を貼り合せてから、第２のポリイミド層を分離して取り除くようにするのが好ましい。片方の導電膜付き基板だけがポリイミド積層体からなる耐熱性基板を使用している場合には、先ず、耐熱性基板側を表示装置に向けて導電膜付き基板を貼り合せ、次いで、他方の導電膜付き基板の透明導電膜側を貼り合せてから、第２のポリイミド層を分離して取り除くようにするのが好ましい。
【００３５】
２つの導電膜付き基板を順次貼り合せて積層する場合について、入力装置にかえて、はじめに貼り付ける導電膜付き基板の貼り付け対象を透明保護板にしてもよい。すなわち、入力装置には、外部衝撃や各種損傷等から保護する目的で、その表面に強化ガラス、アクリル板等からなる透明保護板を設けることがある。そのため、好適には、先ずは、透明導電膜側を透明保護板に向けて、透明接着層を介して、ポリイミド積層体からなる耐熱性基板を備えた導電膜付き基板を貼り合せてから、第２のポリイミド層を分離して取り除く。次いで、更に透明接着層を介して、第１のポリイミド層に他方の導電膜付き基板の透明導電膜側を貼り合せて、更にまた透明接着層を介して、これらを表示装置に貼り合せることで、透明保護板を備えた入力装置を得ることができる。ここで、他方の導電膜付き基板もポリイミド積層体からなる耐熱性基板を備えていれば、表示装置側に貼り合せる前に、第２のポリイミド層を分離するようにすればよい。また、他方の導電膜付き基板を先に表示装置側に貼り合せておき、透明保護板側に貼り合わされた導電膜付き基板の第１のポリイミド層と重ね合せるようにしてもよい。
【００３６】
上記のように、ポリイミド積層体を有した導電膜付き基板について、他方の導電膜付き基板と貼り合せたり、表示装置や透明保護板に貼り合せたところで、第１及び第２のポリイミド層の界面を利用して第２のポリイミド層側を分離して取り除くようにして、ポリイミド積層体を有した導電膜付き基板を積層する過程で薄肉化する工程を含めることで、薄型の入力装置を効率良く製造することができる。特に、２つの導電膜付き基板が、いずれもポリイミド積層体からなる耐熱性基板を備えていれば、例えば、第１のポリイミド層の厚みが２０μｍ、透明導電膜の厚みが５０ｎｍ程度、透明接着層の厚みが５０μｍとして、合計９０μｍ程度の厚みを有するように、総厚みが１００μｍ以下の入力装置を簡便に得ることができる。
【発明の効果】
【００３７】
本発明によれば、ハンドリング性の低下や生産上の問題等を解決しながら、薄型の入力装置を効率良く製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】図１は、本発明に係るポリイミド積層体の例を示す模式図である。
【図２】図２は、ポリイミド積層体にパターニングされた透明導電膜が形成された導電膜付き基板の断面模式図である。
【図３】図３は、長尺ロール状のポリイミド積層体に透明導電膜を成膜するためのロール・ツー・ロール装置を示す模式図である。
【図４】図４は、１組の導電膜付き基板を積層させて投影型静電容量結合方式のタッチパネル（入力装置）を形成した際の平面模式図を示す。
【図５】図５は、ポリイミド積層体上に形成された一方のパターン電極等の様子を示す平面模式図である。
【図６】図６は、ポリイミド積層体上に形成された他方のパターン電極等の様子を示す平面模式図である。
【図７】図７は、図５のa-a'断面図である。
【図８】図８は、図６のb-b'断面図である。
【図９】図９は、本発明に係る入力装置形成用積層部材の断面図である。
【図１０】図１０は、入力装置形成用積層部材を用いて、表示装置上に入力装置を貼り合せる際の薄肉化の様子を示す模式図である。
【図１１】図１１は、２つの導電膜付き基板の間に透明絶縁シートを介在させて貼り合せた入力装置形成用積層部材の断面図である。
【図１２】図１２は、別の実施例で使用したパターン電極を備えた導電膜付き基板の断面図である。
【図１３】図１３は、別の実施例で使用したパターン電極を備えた導電膜付き基板の断面図である。
【図１４】図１４は、透明保護板を有した入力装置を得る際の薄肉化の様子を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
以下、本発明について、図面を用いながら具体的に説明する。なお、本発明はこれらの内容に制限されるものではない。
【実施例】
【００４０】
先ず、下記においてポリイミドを合成する際の原料モノマーや溶媒の略語、及び、実施例中の各種物性の測定方法とその条件について以下に示す。
【００４１】
〔略語について〕
・ＤＭＡｃ：Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
・ＰＤＡ：１，４−フェニレンジアミン
・ＴＦＭＢ：２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニル
・ＤＡＤＭＢ：４，４’−ジアミノ−２，２’−ジメチルビフェニル
・１，３−ＢＡＢ：１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン
・ＢＰＤＡ：３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
・６ＦＤＡ：２，２’−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物
・ＰＭＤＡ：ピロメリット酸二無水物
【００４２】
〔表面粗さ（Ｒａ）〕
ブルカー社製の原子間力顕微鏡（AFM）「Multi Mode8」を用いて表面観察をタッピングモードで行った。１０μｍ角の視野観察を４回行い、それらの平均値を求めた。表面粗さ（Ra）は、算術平均粗さ（JIS B0601-1991）を表す。
【００４３】
〔剥離強度〕
東洋精機製作所社製ストログラフＲ−１を用いて、ポリイミド積層体を幅１０ｍｍの短冊状に切断したサンプルにおける第１のポリイミド層と第２のポリイミド層における界面について、Ｔ字剥離試験法によるピール強度を測定することにより評価した。
【００４４】
〔透過率（％）〕
第１のポリイミド層からなるポリイミドフィルム(５０mm×５０mm)について、Ｕ４０００形分光光度計を使って４４０ｎｍから７８０ｎｍにおける光透過率の平均値を求めた。
【００４５】
〔ガラス転移温度Ｔｇ〕
第１のポリイミド層からなるポリイミドフィルムのガラス転移温度を次のようにして測定した。粘弾性アナライザ（レオメトリックサイエンスエフィー株式会社製ＲＳＡ−II）を使って、１０ｍｍ幅のサンプルを用いて、１Ｈｚの振動を与えながら、室温から４００℃まで１０℃／分の速度で昇温した際の、損失正接（Ｔａｎδ）の極大から求めた。
【００４６】
〔熱膨張係数（CTE）〕
第１のポリイミド層からなるポリイミドフィルムを３ｍｍ×１５ｍｍのサイズに切り出し、熱機械分析(TMA)装置にて５．０gの荷重を加えながら一定の昇温速度（20℃／min）で３０℃から２６０℃の温度範囲で引張り試験を行い、温度に対するポリイミドフィルムの伸び量から熱膨張係数(×１０-6／Ｋ)を測定した。
【００４７】
合成例１（ポリイミドＡ）
窒素気流下で、３００ｍｌのセパラブルフラスコの中で攪拌しながらＰＤＡ８．００ｇを溶剤ＤＭＡｃに溶解させた。次いで、この溶液ＢＰＤＡ２２．００ｇを加えた。その後、溶液を室温で５時間攪拌を続けて重合反応を行い、一昼夜保持した。粘稠なポリアミド酸溶液が得られ、高重合度のポリアミド酸Ａが生成されていることが確認された。
【００４８】
合成例２（ポリイミドＢ）
窒素気流下で、３００ｍｌのセパラブルフラスコの中で攪拌しながらＴＦＭＢ１２．０８ｇを溶剤ＤＭＡｃに溶解させた。次いで、この溶液にＰＭＤＡ６．２０ｇと６ＦＤＡ４．２１ｇを加えた。その後、溶液を室温で５時間攪拌を続けて重合反応を行い、一昼夜保持した。粘稠なポリアミド酸溶液が得られ、高重合度のポリアミド酸Ｂが生成されていることが確認された。
【００４９】
合成例３（ポリイミドＣ）
窒素気流下で、３００ｍｌのセパラブルフラスコの中で攪拌しながらＴＦＭＢ１３．３０ｇを溶剤ＤＭＡｃに溶解させた。次いで、この溶液にＰＭＤＡ９．２０ｇを加えた。その後、溶液を室温で５時間攪拌を続けて重合反応を行い、一昼夜保持した。粘稠なポリアミド酸溶液が得られ、高重合度のポリアミド酸Ｃが生成されていることが確認された。
【００５０】
［ポリイミド積層体Ｉの作製］
厚み１８μｍの電解銅箔上に、合成例１で得たポリアミド酸Ａの樹脂溶液を塗布した後、１３０℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。次に、１６０℃から３６０℃まで約１５℃／分の昇温速度で熱処理することでイミド化し、厚み２５μｍの第２のポリイミド層（表面粗さRa=1.3nm、Tg=355℃）を有する銅張積層板を得た。
【００５１】
得られた銅張積層板の第２のポリイミド層上に、合成例２で得たポリアミド酸Ｂの樹脂溶液を硬化後の厚みが２５μｍとなるように均一に塗布した後、１３０℃で加熱乾燥し、樹脂溶液中の溶剤を除去した。次に、１６０℃から３６０℃まで約２０℃／分の昇温速度で熱処理することでポリアミド酸をイミド化させて第１のポリイミド層を形成し、第１及び第２のポリイミド層を有するポリイミド積層体Ｉを得た。得られたポリイミド積層体Ｉにおける第１及び第２のポリイミド層での界面における剥離強度、得られた透明ポリイミドフィルム（第１のポリイミド層）の透過率、及び熱膨張係数を測定した。結果を表１に示す。
【００５２】
【表１】
2014115815.tif 000010
【００５３】
［ポリイミド積層体IIの作製］
第２のポリイミド層として厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（カプトンＨ、東レ・デュポン株式会社製：表面粗さRa=70nm、Tg=428℃）を使用し、この上に合成例２で得たポリアミド酸Ｂの樹脂溶液を硬化後の厚みが２５μｍとなるように均一に塗布し、その後、１３０℃で加熱乾燥することで樹脂溶液中の溶剤を除去した。次に、１６０℃から３６０℃まで約２０℃／分の昇温速度で熱処理しポリアミド酸をイミド化させて第１のポリイミド層を形成し、第１及び第２のポリイミド層を有するポリイミド積層体IIを得た。得られたポリイミド積層体IIにおける第１及び第２のポリイミド層での界面における剥離強度、得られた透明ポリイミドフィルム（第１のポリイミド層）の透過率、及び熱膨張係数を測定した。結果を表１に示す。
【００５４】
［ポリイミド積層体IIIの作製］
第２のポリイミド層として厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（ユーピレックスＳ、宇部興産株式会社製：表面粗さRa=15nm、Tg=359℃）を使用し、この上に合成例３で得たポリアミド酸Ｃの樹脂溶液を硬化後の厚みが２５μｍとなるように均一に塗布し、その後、１３０℃で加熱乾燥することで樹脂溶液中の溶剤を除去した。次に、１６０℃から３６０℃まで約２０℃／分の昇温速度で熱処理しポリアミド酸をイミド化させて第１のポリイミド層を形成し、第１及び第２のポリイミド層を有するポリイミド積層体IIIを得た。得られたポリイミド積層体IIIにおける第１及び第２のポリイミド層での界面における剥離強度、得られた透明ポリイミドフィルム（第１のポリイミド層）の透過率、及び熱膨張係数を測定した。結果を表１に示す。
【００５５】
［ポリイミド積層体Ｉ〜IIIの分離性の評価］
製造直後のポリイミド積層体Ｉ〜IIIにつき、第１及び第２のポリイミド層の界面を利用して、各ポリイミド層を人手により分離し、分離の容易性を確認したところ、いずれの積層体についても分離されるポリイミド層にダメージを与えることなく容易に分離することができ、良好な剥離性を示した。
【００５６】
［比較参照用ポリイミド積層体IVの作製］
厚み１８μｍの電解銅箔上に合成例２で得たポリアミド酸Ｂの樹脂溶液を硬化後の厚みが２５μｍとなるように均一に塗布した後、１３０℃で加熱乾燥し、樹脂溶液中の溶剤を除去した。次に、１６０℃から３６０℃まで約２０℃／分の昇温速度で熱処理することでポリアミド酸をイミド化させてポリイミド層を形成して、ポリイミド層と銅箔とからなる比較参照用のポリイミド積層体IVを得た。得られた比較参照用ポリイミド積層体IVからポリイミド層を引き剥がそうとしたが、ポリイミド層と銅箔との界面の接着力が非常に強く、ポリイミド層を剥離することができなかった。
【００５７】
［入力装置の製造例］
図１には、第２のポリイミド層１を形成するポリイミドフィルムの片側表面に第１のポリイミド層２を備えた長尺ロール状のポリイミド積層体１０が示されている。また、図２には、このポリイミド積層体１０にパターニングされた透明導電膜３が形成された導電膜付き基板２０の縦断面図が示されている。
【００５８】
このポリイミド積層体１０は、例えば、上記のポリイミド積層体IIIの作製例にならって、次のようにして得ることができる。
先ず、第２のポリイミド層１を形成するものとしてロール状に巻き取られた厚さ２５μｍの市販のポリイミドフィルム（ユーピレックスＳ、宇部興産株式会社製：表面粗さRa=15nm、Tg=359℃）を準備する。そして、ロール・ツー・ロールプロセスにより、このポリイミドフィルム上に予め合成した第１のポリイミド層２となるポリアミド酸Ｃの樹脂溶液を硬化後の厚みが２５μｍとなるように塗布し、その後、１３０℃で加熱乾燥することで樹脂溶液中の溶剤を除去する。次に、１６０℃から３６０℃まで約２０℃／分の昇温速度で熱処理しポリアミド酸をイミド化させ、その後常温まで冷却すれば、第１ポリイミド層２の背面側に第２のポリイミド層１を備えた長尺状のポリイミド積層体１０を得ることができる。
【００５９】
また、図３には、長尺ロール状のポリイミド積層体１０に透明導電膜を成膜するためのロール・ツー・ロール装置の一例が示されている。この図３に示す如く、送出機構１２０、巻取機構１３０、送出側ロール巻機構１４０、及び巻取側ロール巻機構１５０でロール状ポリイミド積層体１０は保持され、プロセス処理部１１０によりＩＴＯのような透明導電膜３が蒸着法等の手段で形成される。ここで、透明導電膜を蒸着等の真空環境が必要なプロセスで積層する場合は、ロール・ツー・ロール装置全体は真空チャンバー内に設置されてプロセス処理等がなされる。
【００６０】
また、パターニングされた透明導電膜３を得るにあたっては、透明導電膜を成膜した後、弱酸等を用いて所定の形状にエッチングするようにしてもよく、或いは、ポリイミド積層体１０の第１のポリイミド層側にレジストパターンを形成して、それをマスクとして透明導電膜を成膜するようにしてもよい。パターニングされた透明導電膜３を形成した後には、ポリイミド積層体１０ごとアニール処理することで、パターン電極を備えた導電膜付き基板とすることができる。ここで、透明導電膜の代表的な材料としてはＩＴＯが挙げられる。一般に、ＩＴＯを蒸着した時点ではアモルファス状態であり、その抵抗値も高い。そのため、パターニングされた透明導電膜３を形成した後に２００℃〜２５０℃程度でアニール処理を実施すると、ＩＴＯの結晶化が生じて抵抗値を下げることができ、低抵抗のパターン電極とすることができる。本発明のポリイミド積層体１０は、このようなアニール温度に対して十分な耐熱性を有しているため、パターニングされた透明導電膜３を備えた状態でアニール処理して低抵抗化を図ることができる。
【００６１】
本発明において、耐熱性基板として用いるポリイミド積層体１０は、透明導電膜側に配される第１のポリイミド層２が、低熱膨張性でありながら、可視光領域における透過率が高くて透明性に優れ、また寸法安定性に優れて、耐熱性が高く、しかも、表面平滑性に優れて、面内方向のリタデーションが小さい特徴を有する。また、この第１のポリイミド層２を支持・保護する補助材の役割を担う第２のポリイミド層１は、第１のポリイミド層２との積層界面で容易に分離することができる。そのため、最終的に入力装置を構成する第１のポリイミド層２を５０μｍ以下の厚みにすることが可能である。すなわち、通常、厚さが５０μｍ程度のフィルムでは、単独では薄過ぎて、ロール・ツー・ロール設備におけるフィルムの伸びが問題となるばかりか、パターン電極の形成工程や入力装置の組立工程におけるハンドリング性等が問題となる。ところが、本発明によれば、第１のポリイミド層２の表面にパターニングされた透明導電膜３を形成し、アニール処理して所定のパターン電極を得る場合においても、第２のポリイミド層１が共存するポリイミド積層体１０として用いるため、伸び難く、ハンドリングし易い状態が確保される。
【００６２】
図４は、１組の導電膜付き基板を積層させて投影型静電容量結合方式のタッチパネル（入力装置）６０を形成した際のパターン電極の様子を示す平面模式図である。このタッチパネル６０は、一方のパターン電極５１と他方のパターン電極５２とを有してなり、更に、パターン電極５１用の信号取り出し配線３１及び外部接続端子４１と、パターン電極５２用の信号取り出し配線３２及び外部接続端子４２を備えている。一方のパターン電極５１、信号取り出し配線３１、及び外部接続端子４１と、他方のパターン電極５２、信号取り出し配線３２、及び外部接続端子４２とは、それぞれ別の耐熱性基板上に形成されたものであり、本製造例においては、いずれも耐熱性基板として膜厚１００μｍの第２のポリイミド層１と膜厚２０μｍの第１のポリイミド層２とを有したポリイミド積層体１０を使用した。
【００６３】
このうち、図５には、ポリイミド積層体１０上に形成された一方のパターン電極５１等の様子が示されている。また、図５のa-a'断面図を図７に示す。パターン電極５１、信号取り出し配線３１、及び外部接続端子４１は、ポリイミド積層体１０の第１のポリイミド層２の表面に形成された膜厚４０ｎｍの透明導電膜をエッチングして得られたものであり、ひし形の電極部が信号取り出し配線３１を通じて一方向に所定の間隔を有して配列されている。また、図６には、ポリイミド積層体１０上に形成された他方のパターン電極５２等の様子が示されており、図６のb-b'断面図が図８である。図６に示されたパターン電極５２、信号取り出し配線３２、及び外部接続端子４２は、図５の場合と同様、膜厚４０ｎｍの透明導電膜をエッチングして得られたものであり、ひし形の電極部が信号取り出し配線３２を通じて一方向に所定の間隔を有して配列されている。このパターン電極５２は、最終的に図５に示すパターン電極５１と貼り合わされて、図４に示したような投影型静電容量結合方式のモザイク状電極パターンを形成するため、図５に示すパターン電極５１のパターンとは電極部の配列方向が互いに交差するようにして作製する。
【００６４】
パターン電極５１，５２を形成した１組の導電膜付き基板２０は、それぞれの透明導電膜側を対向させるようにして、アクリル系やエポキシ系等の絶縁性を有する透明接着剤を用いて貼り合せる。両者が貼り合わされた状態である断面図（図４のc-c'断面）を図９に示す。この時点では、両方の耐熱性基板であるポリイミド積層体１０の第２のポリイミド層１は分離されず、入力装置形成用の積層部材の状態である。また、本実施例では、貼り合せ後の透明接着剤からなる透明接着層８０の厚みが３０μｍになるようにした。
【００６５】
上記のようにして得られた入力装置形成用の積層部材は、図１０に示したように、一方のポリイミド積層体１０から第２のポリイミド層１を分離して取り除き、薄肉化した上で、透明接着剤を用いて、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等の表示装置（図示外）に貼り合せる。その後、他方のポリイミド積層体１０から第２のポリイミド層１を分離して取り除き薄肉化すれば、本発明の実施例に係る入力装置６０を得ることができる。このように、表示装置に貼り合せた後で、最表面の第２のポリイミド層１を分離すれば、傷や汚れ等から保護することにもなり、合計の厚みがおよそ７０μｍの薄型の入力装置６０をハンドリング性良く簡便に得ることができる。
【００６６】
また、図１１には、上記実施例の変形例にあたる入力装置を得るための積層部材が示されている。上述した実施例との違いは、２つの導電膜付き基板２０を貼り合せる際に、それぞれのパターン電極の間に透明絶縁シート（誘電体）９０を介在させて、透明接着剤を用いて貼り合せている点である。このようにすれば、上下２層のモザイク状電極パターンの間隔がより均一に保てる利点がある。この図１１に示した変形例では、厚さ１５μｍの透明絶縁シート９０を用いているが、本発明では、ポリイミド積層体１０を耐熱性基板として使用するため、この場合においても入力装置６０の層厚みを１００μｍ以下に抑えることができる。
【００６７】
図１２〜１４には、表示装置上に配される入力装置を製造する際の別の実施例に係る断面模式図が示されている。上述した実施例との違いは、２つの導電膜付き基板の貼り合せ手順が異なる点である。パターン電極５１等を備えたポリイミド積層体１０とパターン電極５２等を備えたポリイミド積層体１０とを得るまでは、先の実施例の場合と同様である。図１２は、パターン電極５２等を備えた導電膜付き基板２０の断面図（図４のc-c'断面）であり、図１３は、パターン電極５１等を備えた導電膜付き基板２０の断面図（図４のc-c'断面）であり、図１４は、これらの導電膜付き基板２０を透明保護板１００に順次貼り合せた状態を示す断面模式図である。
【００６８】
ここでは、先ず、パターン電極５２を備えた導電膜付き基板２０の透明導電膜側を厚さ５００μｍの強化ガラスからなる透明保護板１００に向けて、透明接着剤を用いて貼り合せる。次いで、貼り合わされた導電膜付き基板２０のポリイミド積層体１０から第２のポリイミド層１を分離して取り除き、薄肉化する。次に、第２のポリイミド層１が剥離されて露出した第１のポリイミド層２に対して、透明接着剤を用いて、パターン電極５１を備えた導電膜付き基板２０の透明導電膜側を貼り合せる。そして、この導電膜付き基板２０のポリイミド積層体１０から第２のポリイミド層１を分離して取り除き、薄肉化した上で、再度透明接着剤を用いて、表示装置に貼り合せることで、透明保護板を備えた入力装置６０を得ることができる。なお、この実施例の場合、貼り合せ後の透明接着剤からなる各透明接着層８０の厚みはそれぞれ２０μｍになるようにした。
【００６９】
このようにすれば、透明保護板を備えた入力装置６０を得ることができ、しかも、パターン電極間に第１のポリイミド層２が存在することになるため、先の変形例で示したような透明絶縁シートを用いることなく、上下２層のモザイク状電極パターンの間隔をより均一に保つことができる。
【００７０】
以上のように、本発明においては、少なくとも一方の導電膜付き基板２０が上記のようなポリイミド積層体１０からなる耐熱性基板を備えるようにし、好ましくは、両方の導電膜付き基板がポリイミド積層体１０からなる耐熱性基板を備えるようにして、透明接着層を介して、アニール処理後の１組の導電膜付き基板２０を表示装置上に積層させて入力装置を形成する。その際、ポリイミド積層体１０を備えた導電膜付き基板２０の積層過程において、ポリイミド積層体１０から第２のポリイミド層１を分離して取り除くことで、入力装置の製造上のハンドリング性を確保しながら、薄型化を同時に達成することができる。
【符号の説明】
【００７１】
１ 第２のポリイミド層
２ 第１のポリイミド層
３ 透明導電層
１０ ポリイミド積層体
２０ 導電膜付き基板
３１，３２ 信号取り出し配線
４１，４２ 外部接続端子
５１，５２ パターン電極
６０ タッチパネル（入力装置）
８０ 透明接着層
９０ 透明絶縁体（誘電体）シート
１００ 透明保護板
１１０ プロセス処理部
１２０ 送出機構
１３０ 巻取機構
１４０ 送出側ロール巻機構
１５０ 巻取側ロール巻機構
【図１】
2014115815.tif 000012
【図２】
2014115815.tif 000013
【図３】
2014115815.tif 000014
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2014115815.tif 000019
【図９】
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【図１０】
2014115815.tif 000021
【図１１】
2014115815.tif 000022
【図１２】
2014115815.tif 000023
【図１３】
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【図１４】
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