(57)【要約】【課題】ＢＧＡ型部品が実装される多層基板に、信号干渉防止用の導電スルーホールを形成すると共に、レジスト膜を形成するようにしたものにあって、導電スルーホール部分にレジストが残留することに伴う不具合の発生を未然に防止する。【解決手段】レジスト膜１７を形成するための工程のうち、基材１４の表面部全体に感光性のレジスト１９を塗布する塗布工程を、空気供給機構２１により基材１４の裏面側に高圧の空気を供給して導電スルーホール１６を通すことにより、該導電スルーホール１６内へ侵入しようとするレジスト１９を排除しながら実行する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性を有する基材（１４）の表面部に、ＢＧＡ型部品（１２）がはんだ接合される多数個のランド（１５）を整列状態に設けると共に、
前記基材（１４）に、それらランド（１５）間に位置して、表裏に貫通する信号干渉防止用の複数個の導電スルーホール（１６）を形成し、
前記基材（１４）の表面部の、前記各ランド（１５）及び各導電スルーホール（１６）を除いた部分をレジスト膜（１７）で覆うようにした多層基板（１１）を製造する方法であって、
前記レジスト膜（１７）を形成するための工程は、
前記基材（１４）の表面部全体に感光性のレジスト（１９）を塗布する塗布工程と、
前記基材（１４）の表面側に前記レジスト膜（１７）の非形成部分を遮光するフォトマスク（２０）を配置した状態で、前記レジスト（１９）を露光させて硬化させる露光工程と、
前記レジスト（１９）のうちの未硬化部分を除去する洗浄工程とを含んでいると共に、
前記塗布工程は、空気供給機構（２１）により前記基材（１４）の裏面側に高圧の空気を供給して前記導電スルーホール（１６）を通すことにより、該導電スルーホール（１６）内へ侵入しようとするレジスト（１９）を排除しながら実行されることを特徴とするＢＧＡ型部品実装用の多層基板の製造方法。
【請求項２】
前記空気供給機構（２１）は、供給する空気の温度を、常温及びそれより温度が高く前記レジスト（１９）を乾燥させることが可能な高温の少なくとも２段階に調整可能な温度調整手段を備えており、
前記塗布工程は、当初は常温の空気を供給すると共に、前記基材（１４）の表面部に塗布されたレジスト（１９）層に、前記導電スルーホール（１６）に連続する空気穴（１９ａ）が形成された状態で、高温の空気の供給に切替えて実行されることを特徴とする請求項１記載のＢＧＡ型部品実装用の多層基板の製造方法。
【請求項３】
前記空気供給機構（２１）は、供給する空気の圧力を調整する圧力調整手段を備えており、
前記塗布工程は、前記基材（１４）の表面部に塗布されたレジスト（１９）層に、前記導電スルーホール（１６）に連続する所定の大きさの空気穴（１９ａ）が形成されるように、空気の圧力を調整しながら実行されることを特徴とする請求項１又は２記載のＢＧＡ型部品実装用の多層基板の製造方法。
【請求項４】
前記塗布工程は、前記基材（１４）の表面部に塗布されたレジスト（１９）層に、前記導電スルーホール（１６）に連続する空気穴（１９ａ）が形成されると共に、当該空気穴（１９ａ）の周囲においてレジスト（１９）層が盛り上がった膨出部（１９ｂ）が形成されるように実行されることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のＢＧＡ型部品実装用の多層基板の製造方法。
【請求項５】
絶縁性を有する基材（１４）の表面部に、ＢＧＡ型部品（１２）がはんだ接合される多数個のランド（１５）を整列状態に設けると共に、
前記基材（１４）に、それらランド（１５）間に位置して、表裏に貫通する信号干渉防止用の複数個の導電スルーホール（１６）を形成し、
前記基材（１４）の表面部の、前記各ランド（１５）及び各導電スルーホール（１６）を除いた部分をレジスト膜（３２）で覆うようにした多層基板（１１）を製造する方法であって、
前記レジスト膜（３２）を形成するための工程は、
前記基材（１４）の表面部全体に感光性のレジスト（１９）を塗布する塗布工程と、
前記基材（１４）の表面側に前記レジスト膜（３２）の非形成部分を遮光するフォトマスク（３１）を配置した状態で、前記レジスト（１９）を露光させて硬化させる露光工程と、
前記レジスト（１９）のうちの未硬化部分を除去する洗浄工程とを含んでいると共に、
前記フォトマスク（３１）のうち、前記導電スルーホール（１６）の表面部を覆う円形遮光部（３１ａ）は、前記基材（１４）に対する前記フォトマスク（３１）の許容される最大の位置ずれがあった場合でも、前記導電スルーホール（１６）の直径方向に関しての非被覆部分の寸法Ｘが、該導電スルーホール（１６）の内径寸法Ｒの１０％以下となるような直径寸法Ｄで形成されていることを特徴とするＢＧＡ型部品実装用の多層基板の製造方法。
【請求項６】
前記フォトマスク（３１）の前記円形遮光部（３１ａ）の直径寸法Ｄは、スルーホールランド（１６ａ）の直径寸法Ｌ以下であり、且つ、前記導電スルーホール（１６）の内径寸法Ｒと許容最大位置ずれ量Ｙとの和以上であることを特徴とする請求項５記載のＢＧＡ型部品実装用の多層基板の製造方法。
【請求項７】
前記フォトマスク（３１）の前記円形遮光部（３１ａ）の直径寸法Ｄは、露光工程における塗布レジスト（１９）層内での光拡散量を更に考慮し、前記導電スルーホール（１６）の内径寸法Ｒと許容最大位置ずれ量Ｙと最大光拡散量αとの和以上とされることを特徴とする請求項６記載のＢＧＡ型部品実装用の多層基板の製造方法。
【請求項８】
絶縁性を有する基材（１４）の表面部に、ＢＧＡ型部品（１２）がはんだ接合される多数個のランド（１５）を整列状態に設けると共に、
前記基材（１４）に、それらランド（１５）間に位置して、前記基材（１４）に貫通孔（１４ａ）を形成した後所定厚みのメッキを施してなり、表裏に貫通する信号干渉防止用の複数個の導電スルーホール（４１）を形成し、
前記基材（１４）の表面部の、前記各ランド（１５）及び各導電スルーホール（４１）を除いた部分をレジスト膜（４２）で覆うようにした多層基板（１１）を製造する方法であって、
前記レジスト膜（４２）を形成するための工程は、
前記基材（１４）の表面部全体に感光性のレジスト（１９）を塗布する塗布工程と、
前記基材（１４）の表面側に前記レジスト膜（４２）の非形成部分を遮光するフォトマスク（４４）を配置した状態で、前記レジスト（１９）を露光させて硬化させる露光工程と、
前記レジスト（１９）のうちの未硬化部分を除去する洗浄工程とを含んでいると共に、
前記フォトマスク（４４）のうち、前記導電スルーホール（４１）の表面部を覆う円形遮光部（４１ａ）は、前記導電スルーホール（４１）の表面部に形成されるレジスト膜（４２）の開口径Ｓが、前記貫通穴（１４ａ）の内径寸法Ｒ0 と同等、或いはそれ以下となるような直径寸法Ｄで形成されていることを特徴とするＢＧＡ型部品実装用の多層基板の製造方法。
【請求項９】
前記基材（１４）の前記ＢＧＡ型部品（１２）が実装されない非実装面側において、前記各導電スルーホール（４１）を除いた部分を覆う裏面側レジスト膜（４３）を形成する工程を備え、
前記裏面側レジスト膜（４３）を形成するための工程は、
前記基材（１４）の非実装面全体に感光性のレジスト（１９）を塗布する塗布工程と、
前記基材（１４）の非実装面側に前記裏面側レジスト膜（４３）の非形成部分を遮光する裏面側フォトマスクを配置した状態で、前記レジスト（１９）を露光させて硬化させる露光工程と、
前記レジスト（１９）のうちの未硬化部分を除去する洗浄工程とを含んでいると共に、
前記裏面側フォトマスクのうち、前記導電スルーホール（４１）を覆う円形遮光部は、裏面側レジスト膜（４３）の開口径Ｓ´が、前記貫通穴（１４ａ）の内径寸法Ｒ0 に対し、１５０μｍ以上大きくなるような直径寸法Ｄ´で形成されていることを特徴とする請求項８記載のＢＧＡ型部品実装用の多層基板の製造方法。
【請求項１０】
前記レジスト膜（４２）は、前記基材（１４）の表面部において露出している隣り合う導電部（１５，４１ａ）間の離間距離ｃが、２００μｍ以上となるように形成されていることを特徴とする請求項８又は９記載のＢＧＡ型部品実装用の多層基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁性を有する基材に、ランド間に位置して、表裏に貫通する信号干渉防止用の複数個の導電スルーホールを形成するようにしたＢＧＡ型部品実装用の多層基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体部品例えばＣＰＵ（プロセッサ）のパッケージとしては、ＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）型パッケージが多く採用されている。図１２（ｂ）に概略的に示すように、この種のＢＧＡ型部品（ＣＰＵ）１にあっては、パッケージ１ａの実装面（下面）に、ボール形の多数個のはんだバンプ２をグリッド状に有して構成されている。図１２（ａ）や図１３、図１４にも示すように、このようなＢＧＡ型部品１の実装には、表面部に、前記はんだバンプ２に対応した多数個のランド３を有する多層基板４が用いられる。
【０００３】
一般に、半導体部品を基板に実装するにあたっては、リフローと称されるはんだ付け工程が実行されることが知られている（例えば、特許文献１、２参照）。このとき、特許文献１に記載されているように、多層基板４にあっては、表面のうちランド３を除く部位がレジスト膜５で覆われるようになっている（図１２（ｂ）参照）。リフロー工程では、多層基板４のランド３上にのみはんだペースト６が塗布され、各ランド３上のはんだペースト６とＢＧＡ型部品１のはんだバンプ２とを重ねて、温度制御しながら加熱することにより、接続が行われる。
【０００４】
ここで、近年では、半導体技術の発展により、大規模集積回路（ＬＳＩ）の飛躍的な動作速度の向上や、取り扱われるデータの伝送レートの高速化が図られ、ＣＰＵの動作速度も高速化されている。このため、ギガヘルツレベルの高周波信号が、ＣＰＵとメモリとの間、あるいはＣＰＵとそれに接続された機器との間で伝送されている。ところが、ギガヘルツレベルの高周波信号は、電磁波の性質から、配線端部で信号が反射したり、隣接した配線に電磁波が漏れたりすることが起こり、ＣＰＵの動作が不安定になるという問題がある。
【０００５】
このような問題点を解決するためには、機器間の信号線の長さを揃えたり、信号線を隣接配線から確実に離したりすることが望ましいが、情報機器が小型化すると、配線を離して配置することは困難となる。ＣＰＵと素子とを結ぶ配線において高周波の信号伝送を確実に行うためには、ＣＰＵからの信号線を多層基板の板厚方向に三次元的に形成すると共に、理想的には、壁のような導電面（シールド）を設けたり、信号線を取り囲むように接地線を設けたりすることが効果的となる。しかし、多層基板の製造プロセス上、そのような導電面や、信号線を取り囲む接地線を設けることは困難性が高いものとなっている。
【０００６】
そこで、それら導電部（シールド）に代わるものとして、図１２〜図１４に示すように、多層基板４に、ＣＰＵ１がはんだ付けされるランド３同士間に位置して、導電性のスルーホール７を形成することによって信号線間の信号の干渉防止を図ることが行われている。この導電スルーホール７は、多層基板４の上下両面の円形のスルーホールランド７ａ、７ａ及びそれらをつなぐ穴の内面に対し、銅メッキを施して構成されている。この導電スルーホール７は、例えばグランド電位とされる。ちなみに、現状では、図１２（ａ）に示すように、ランド３の中心間の縦横の距離ａを０．８ｍｍ程度としたものが多く用いられると共に、スルーホール７の内径寸法Ｒが例えば０．３ｍｍ程度とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−１５６２０３号公報
【特許文献２】特開２０１１−１４２１８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、多層基板４の表面部に上記したレジスト膜５を形成するにあたっては、図１３（ａ）に示すように、多層基板４の上面に未硬化状態の感光性のレジスト５を塗布する工程が行われ、その後、塗布されたレジスト５上にフォトマスク８が配置された状態でレジストを露光させる露光工程が行われる。このとき、フォトマスク８には、ランド３及びスルーホール７に対応して、光を遮蔽する遮蔽部８ａが設けられている。この露光工程により、レジスト５は、露光した部分が硬化して、非露光部分は未硬化となり、次の洗浄工程にて、レジスト５のうち、未硬化部分が洗浄液（溶剤）Ｗで洗い流され、以て、必要部分を覆うレジスト膜５が得られるようになっている。
【０００９】
しかしながら、フォトマスク８を配置する際にずれが生じていると（図１３では、左にずれた様子を示している）、スルーホール７内において、硬化したレジスト５が残存することがある。このようにレジスト５がスルーホール７の一部（ないし全部）を塞ぐように残存していると、図１３（ｂ）に示すように、洗浄工程で用いられた洗浄液Ｗがスルーホール７内に止まり、その後、リフロー工程で加熱された時に、洗浄液Ｗによって銅が酸化されてしまい、スルーホール７内でいわば断線が生じ、導通状態がなくなる（信号干渉防止の機能を果たさなくなる）不具合が生じてしまう。
【００１０】
上記のような不具合を解消するために、図１４（ａ）に示すように、フォトマスク８の遮光部８ａのうち、スルーホール７上を覆う円形部分の直径を、例えばスルーホールランド７ａ全体を覆うまで大きくする（スルーホールランド７ａの外径寸法Ｌよりも大きくする）ことが考えられる。すると、スルーホール７内でレジスト５が硬化（残存）することはなく、スルーホール７部分のレジスト５を確実に洗い流すことができる。
【００１１】
ところが、このようにスルーホール７部分のレジスト膜５の開口を大きくしてしまうと、ランド３とスルーホールランド７ａとが近接配置されている事情もあり、図１４（ｂ）に示すように、レジスト膜５のうち、ランド３とスルーホールランド７ａとの間を隔てている部分が小さく（短く）なってしまう。そのため、はんだが図１４（ｂ）の矢印のように移動し、図１２に示すように、ランド３とスルーホールランド７ａとははんだにより接続されてしまう接続不良（はんだブリッジ９と呼ばれる短絡）が生じてしまう問題点が新たに生じてしまう。
【００１２】
尚、上記した特許文献２では、隣り合うランド間におけるはんだブリッジの発生を防止するために、多層基板の上面部に、隣り合うランド間に位置して凸状の障壁を設けることが開示されている。しかし、この特許文献２に記載された手段は、基板上にそのような微細な凸部をどのように製作するかの具体的な開示はなく、全く実現性の薄いものとなっていた。仮に、基板上に凸状の障壁を形成できたとしても、そのための手間やコストは膨大なものとなることが予測される。
【００１３】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、ＢＧＡ型部品が実装される多層基板に、信号干渉防止用の導電スルーホールを形成すると共に、レジスト膜を形成するようにしたものにあって、導電スルーホール部分にレジストが残留することに伴う不具合の発生を未然に防止することができるＢＧＡ型部品実装用の多層基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明の第１のＢＧＡ型部品実装用の多層基板の製造方法は、絶縁性を有する基材の表面部に、ＢＧＡ型部品がはんだ接合される多数個のランドを整列状態に設けると共に、前記基材に、それらランド間に位置して、表裏に貫通する信号干渉防止用の複数個の導電スルーホールを形成し、前記基材の表面部の、前記各ランド及び各導電スルーホールを除いた部分をレジスト膜で覆うようにした多層基板を製造する方法であって、前記レジスト膜を形成するための工程は、前記基材の表面部全体に感光性のレジストを塗布する塗布工程と、前記基材の表面側に前記レジスト膜の非形成部分を遮光するフォトマスクを配置した状態で前記レジストを露光させて硬化させる露光工程と、前記レジストのうちの未硬化部分を除去する洗浄工程とを含んでいると共に、前記塗布工程は、空気供給機構により前記基材の裏面側に高圧の空気を供給して前記導電スルーホールを通すことにより、該導電スルーホール内へ侵入しようとするレジストを排除しながら実行されるところに特徴を有する（請求項１の発明）。
【００１５】
これによれば、多層基板の表面部にレジスト膜を形成するための工程のうち、基材の表面部全体に感光性のレジストを塗布する塗布工程は、空気供給機構により前記基材の裏面側に高圧の空気を供給して導電スルーホールを通すことにより、該導電スルーホール内へ侵入しようとするレジストを排除しながら実行される。このため、フォトマスクのずれの有無に関係なく、導電スルーホール内に、レジストが残存（侵入）していることのない状態で、塗布工程を終えて、以降の露光工程、洗浄工程に進むことができる。従って、ＢＧＡ型部品が実装される多層基板に、信号干渉防止用の導電スルーホールを形成すると共に、レジスト膜を形成するようにしたものにあって、導電スルーホール部分にレジストが残留することに伴う不具合の発生を未然に防止することができる。
【００１６】
本発明の第２のＢＧＡ型部品実装用の多層基板の製造方法は、絶縁性を有する基材の表面部に、ＢＧＡ型部品がはんだ接合される多数個のランドを整列状態に設けると共に、前記基材に、それらランド間に位置して、表裏に貫通する信号干渉防止用の複数個の導電スルーホールを形成し、前記基材の表面部の、前記各ランド及び各導電スルーホールを除いた部分をレジスト膜で覆うようにした多層基板を製造する方法であって、前記レジスト膜を形成するための工程は、前記基材の表面部全体に感光性のレジストを塗布する塗布工程と、前記基材の表面側に前記レジスト膜の非形成部分を遮光するフォトマスクを配置した状態で前記レジストを露光させて硬化させる露光工程と、前記レジストのうちの未硬化部分を除去する洗浄工程とを含んでいると共に、前記フォトマスクのうち、前記導電スルーホールの表面部を覆う円形遮光部は、前記基材に対する前記フォトマスクの許容される最大の位置ずれがあった場合でも、該導電スルーホールの直径方向に関しての非被覆部分の寸法Ｘが、該導電スルーホールの内径寸法Ｒの１０％以下となるような直径寸法Ｄで形成されているところに特徴を有する（請求項５の発明）。
【００１７】
ここで、本発明者による試験、研究によれば、レジストが導電スルーホールの開口を塞いでいるいわゆるオーバーレジストの長さ寸法が、導電スルーホールの内径寸法Ｒの１０％を越えている場合に、除去（洗浄）工程において洗浄液の残留が生じ、その後のリフロー工程において導電スルーホールに断線が生ずる虞があることが確認された。これに対し、オーバーレジスト長が、内径寸法Ｒの１０％以下に抑えられれば、洗浄液の残留は生じなかった。このことから、フォトマスクの円形遮光部の直径寸法Ｄを、基材に対するフォトマスクの許容される最大の位置ずれがあった場合でも、導電スルーホールの直径方向に関しての非被覆部分の寸法Ｘが、該導電スルーホールの開口の内径寸法Ｒの１０％以下となるように形成すれば、導電スルーホールの断線の不具合が発生しない。従って、上記構成によれば、ＢＧＡ型部品が実装される多層基板に、信号干渉防止用の導電スルーホールを形成すると共に、レジスト膜を形成するようにしたものにあって、導電スルーホール部分にレジストが残留することに伴う不具合の発生を未然に防止することができる。
【００１８】
本発明の第３のＢＧＡ型部品実装用の多層基板の製造方法は、絶縁性を有する基材の表面部に、ＢＧＡ型部品がはんだ接合される多数個のランドを整列状態に設けると共に、前記基材に、それらランド間に位置して、前記基材に貫通孔を形成した後所定厚みのメッキを施してなり、表裏に貫通する信号干渉防止用の複数個の導電スルーホールを形成し、前記基材の表面部の、前記各ランド及び各導電スルーホールを除いた部分をレジスト膜で覆うようにした多層基板を製造する方法であって、前記レジスト膜を形成するための工程は、前記基材の表面部全体に感光性のレジストを塗布する塗布工程と、前記基材の表面側に前記レジスト膜の非形成部分を遮光するフォトマスクを配置した状態で、前記レジストを露光させて硬化させる露光工程と、前記レジストのうちの未硬化部分を除去する洗浄工程とを含んでいると共に、前記フォトマスクのうち、前記導電スルーホールの表面部を覆う円形遮光部は、前記導電スルーホールの表面部に形成されるレジスト膜の開口径Ｓが、前記貫通穴の内径寸法Ｒ0 と同等、或いはそれ以下となるような直径寸法Ｄで形成されているところに特徴を有する（請求項８の発明）。
【００１９】
上記構成によれば、導電スルーホールの表面部に形成されるレジスト膜の開口が十分に小さくなり、基材の表面部に位置する導電スルーホールのランド部分の大部分が、レジスト膜により覆われた状態となる。これにより、レジスト膜のうち、ＢＧＡ型部品がはんだ接合されるランドと、スルーホールランドとの間を隔てている部分を大きく（長く）確保することができ、この結果、ランド上のはんだがスルーホールランドまで延びて接続状態となるはんだブリッジの発生を効果的に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第１の実施形態を示すもので、塗布工程の様子を順に示す要部の拡大縦断面図
【図２】塗布工程後の工程を順に示す要部の拡大縦断面図
【図３】多層基板の要部の概略的な拡大上面部（ａ）及び多層基板にＢＧＡ型部品を実装した様子を概略的に示す縦断面図（ｂ）
【図４】多層基板の基本的な製造工程を説明するための縦断面図
【図５】本発明の第２の実施形態を示すもので、基材上にフォトマスクをセットした様子を概略的に示す要部の拡大縦断面図
【図６】基材に対しフォトマスクのずれがない状態で形成されるレジスト膜の様子を示す導電スルーホール部分の平面図（ａ）及び縦断面図（ｂ）
【図７】基材に対しフォトマスクの最大のずれがあった状態で形成されるレジスト膜の様子を示す導電スルーホール部分の平面図（ａ）及び縦断面図（ｂ）
【図８】オーバーレジスト長Ｘと断線の発生個数との関係を調べた試験結果を示す図
【図９】本発明の第３の実施形態を示すもので、多層基板の要部の拡大上面図
【図１０】基材の実装面側にフォトマスクをセットした様子を概略的に示す要部の拡大縦断面図（ａ）及び形成されたレジスト膜の様子を示す拡大縦断面図（ｂ）
【図１１】基材の非実装面側に形成された裏面側レジスト膜の様子を示す要部の拡大縦断面図（ａ）及び拡大底面図（ｂ）
【図１２】従来例を示すもので、図３相当図
【図１３】フォトマスクにずれがあった場合に、導電スルーホール内のレジストの残存が発生する様子を概略的に示す縦断面図
【図１４】フォトマスクの円形遮光部を大きくした場合に形成されるレジスト膜の状態を概略的に示す縦断面図
【発明を実施するための形態】
【００２１】
（第１の実施形態）
以下、第１の実施形態について図１から図４を参照しながら説明する。図３（ａ）は、本実施形態において製造される多層基板１１の表面（上面）部の外観構成を概略的に示しており、また、図３（ｂ）は、その多層基板１１上に、例えばＣＰＵ等のＢＧＡ（Ball Grid Array ）型部品１２を実装した様子を概略的に示している。図３（ｂ）に示すように、前記ＢＧＡ型部品１２は、矩形状のパッケージ１２ａの実装面（下面）に、ボール形の多数個のはんだバンプ１３をグリッド状に有して構成されている。
【００２２】
これに対し、前記多層基板１１は、例えばガラス繊維を含有したエポキシ樹脂等の絶縁性を有する基材１４を多層に積層して構成されると共に、その表面部及び層間に、例えば銅箔にメッキを施してなる導体パターンを有して構成されている。前記導体パターンとして、多層基板１１の表面部には、前記ＢＧＡ型部品１２のはんだバンプ１３に対応して、該ＢＧＡ型部品１２がはんだ接合される多数個のランド１５が設けられている。図３（ａ）に示すように、これらのランド１５は、縦横に配列して設けられ、それらランド１５の中心間の縦横の距離ａが、例えば８００μｍとされている。
【００２３】
そして、この多層基板１１には、信号線間の信号の干渉防止を図るために、ランド１５同士間（正方形の４頂点に位置する４個のランド１５の中心部分）に位置して、導電スルーホール１６が形成されている。この導電スルーホール１６は、多層基板１１の上下両面の円形のスルーホールランド１６ａ、１６ａ及びそれらをつなぐ貫通穴の内面に対し、銅メッキを施して構成されている。この導電スルーホール１６は、例えばグランド電位とされる。尚、これら導電スルーホール１６の内径寸法Ｒは、例えば３００μｍ、スルーホールランド１６ａの直径寸法Ｌが例えば５５０μｍとされている。
【００２４】
また、この多層基板１１の表面部は、必要部分（前記ランド１５及び導電スルーホール１６の上面部分）を除いて、ソルダレジストからなるレジスト膜１７により覆われている。このレジスト膜１７は、例えば３０μｍ程度の厚みで形成される。レジスト膜１７部分の構造（製造方法）の詳細については後述する。そして、前記ＢＧＡ型部品１２を多層基板１１に実装するにあたっては、リフローと称されるはんだ付け工程が実行される。
【００２５】
このリフロー工程では、図３（ｂ）に示すように、多層基板１１のランド１５部分に、はんだペースト１８が塗布され、各ランド１５（はんだペースト１８）上に各はんだバンプ１３が載置されるように、ＢＧＡ型部品１２が位置決め状態で搭載（マウント）され、その後、図示しないリフロー炉を通して加熱がなされる。これにて、はんだバンプ１３とはんだペースト１８とが溶融して一体化し、その後冷却硬化することによって、ランド１５にはんだ接合され、以て、ＢＧＡ型部品１２の電気的，機械的接続がなされる。
【００２６】
図４は、上記多層基板１１を製造する基本工程（導電スルーホール１６の形成からの要部）を示している。即ち、まず、図４（ａ）に示すように、導体パターンが形成された基材１４に対し、例えばドリルやレーザを使って、導電スルーホール１６用の貫通穴１４ａを形成する穴あけの工程が行われる。このときには、既に基材１４の上下両面には、ランド１５及びスルーホールランド１６ａが設けられており、貫通穴１４ａはスルーホールランド１６ａの中心に位置して形成される。
【００２７】
次いで、図４（ｂ）に示すように、導電スルーホール１６（貫通穴１４ａ）に対する銅メッキが行われ、導電スルーホール１６が上下に（上下のスルーホールランド１６ａ間で）導通される。このメッキの処理は、貫通穴１４ａの内面に対し前処理を行った後に、無電解銅メッキを行うことによりなされる。メッキの処理後、メッキ液の洗浄、基材１４の乾燥が行われる。
【００２８】
次に、図４（ｃ）〜図４（ｆ）に示すように、基材１４の表面部にレジスト膜１７を形成する工程が実行される。ここでは、まず図４（ｃ）に示すように、前記基材１４の表面部全体に、液状（ゲル状）をなす感光性のレジスト１９を塗布する塗布工程が実行される。硬化後のレジスト膜１７と区別するために、硬化前のレジストについては、符号１９を付す。本実施形態の塗布工程の詳細については後述するが、この塗布工程において、レジスト１９の層に空気穴（図４では図示を省略）が形成されるようになっている。
【００２９】
基材１４表面部にレジスト１９を塗布し該レジスト１９を加熱乾燥させた後、図４（ｄ）に示すように、レジスト１９の上面部に、フォトマスク２０が配置される。このフォトマスク２０は、レジスト膜１７の非形成部分、つまり、ランド１５及びスルーホールランド１６ａを遮光する遮光部２０ａを有している。それら遮光部２０ａ以外の部分は光を透過させる。図では、遮光部２０ａのみにハッチングを付して示す。引続き、図４（ｅ）に示すように、基材１４の上面部にフォトマスク２０が配置された状態で、上方から光（紫外線）を当てて、前記レジスト１９を露光させて硬化させる露光工程が実行される。
【００３０】
この露光工程によって、塗布されたレジスト１９のうち、遮光部２０ａに覆われていたランド１５及びスルーホールランド１６ａの上面部分は未硬化状態のままで、それらを除く部分が硬化する。次の洗浄工程では、図４（ｆ）に示すように、レジスト１９のうち、未硬化部分が洗浄液（溶剤）で洗い流されて除去され、以て、必要部分を覆うレジスト膜１７が得られるようになっている。これにて、多層基板１１が得られ、この後、図４（ｇ）に示すように、多層基板１１に対するＢＧＡ型部品１２の実装の工程（上記したリフロー工程）が行われる。
【００３１】
さて、本実施形態では、上記した塗布工程が、図１に示すように、空気供給機構２１を用いて、前記基材１４の裏面（下面）側に高圧の空気を供給して前記導電スルーホール１６内を下から上に向けて通すことにより、該導電スルーホール１６内へ侵入しようとするレジスト１９を排除しながら（レジスト１９に、導電スルーホール１６に連続する空気穴１９ａを形成しながら）実行される。
【００３２】
前記空気供給機構２１は、前記基材１４の下面側に空気供給空間を確保した密閉状態とするための治具２２を備えており、ここでは、治具２２の底壁部に、常温用の第１の高圧空気供給口２２ａと、高温用の第２の高圧空気供給口２２ｂとが図で左右に位置して設けられている。また、図示はしないが、空気供給機構２１は、高圧空気を生成するコンプレッサ、コンプレッサからの空気を前記第１、第２の高圧空気供給口２２ａ、２２ｂに選択的に供給する切替手段、供給する空気の圧力を調整する圧力調整手段としての圧力調整機構、第２の高圧空気供給口２２ｂに供給される空気を加熱するヒータ（加熱手段）等を備えている。
【００３３】
これにて、空気供給機構２１が供給する空気を、第１の高圧空気供給口２２ａからの常温（室温）のもの、及び第２の高圧空気供給口２２ｂからのレジスト１９を乾燥させることが可能な高温のものの、少なくとも２段階に調整可能な温度調整手段が構成されている。この場合、塗布工程は、当初は常温の空気を供給すると共に、前記基材１４の表面部に塗布されたレジスト１９に、前記導電スルーホール１６に連続する空気穴１９ａが形成された状態で、高温の空気の供給に切替えて実行される。
【００３４】
また、塗布工程において、基材１４の表面部（レジスト１９）の様子を観察するカメラ２３を備えており、カメラ２３の撮影画像の解析に基づいて、図１（ｄ），（ｅ）に示すように、レジスト１９に所定の大きさの空気穴１９ａが形成されるように、圧力調整機構により、供給する空気の圧力が調整されるようになっている。更に、本実施形態では、空気穴１９ａの周囲においてレジスト１９が盛り上がった膨出部１９ｂの広がり寸法（直径寸法）Ｈ及び高さ寸法ｔについても、広がり寸法Ｈが、フォトマスク２０の遮光部２０ａの直径寸法Ｄ（図２（ａ）参照；例えば４００μｍ）よりもやや大きい寸法となると共に、高さ寸法ｔが、後のフォトマスク２０のセットに悪影響を及ぼさない程度である数μｍ〜１０μｍとなるように、供給する空気の圧力が調整される。
【００３５】
上記構成の空気供給機構２１を用いた塗布工程は、図１に示すように実行される。即ち、図１（ａ）に示すように、まず、導電スルーホール１６が形成された基材１４に対しその裏面側に治具２２をセットした上で、基材１４の表面全体にレジスト１９が塗布される。次に、図１（ｂ）に示すように、第１の高圧空気供給口２２ａから、常温の高圧空気が、矢印Ａで示すように供給される。このとき、第２の高圧空気供給口２２ｂは閉じている。これにて、導電スルーホール１６内に下方から高圧の空気が供給され、図１（ｃ）に示すように、導電スルーホール１６上のレジスト１９が上方に膨らむようになる。
【００３６】
そして、遂には、図１（ｄ）に示すように、レジスト１９に、導電スルーホール１６に連続する空気穴１９ａが形成されると共に、その空気穴１９ａの周囲部が上方に膨らんだ膨出部１９ｂが形成される。このとき、空気穴１９ａの径、並びに、膨出部１９ｂの広がり寸法Ｈ及び高さ寸法ｔについても制御が行われる。所定径の空気穴１９ａが形成されると、図１（ｅ）に示すように、第１の高圧空気供給口２２ａが閉じられ、第２の高圧空気供給口２２ｂから高温の高圧空気が、矢印Ｂで示すように供給される。これにて、高温の空気がレジスト１９の空気穴１９ａ部分を通ってレジスト１９の表面を乾燥させ、その形状（空気穴１９ａ及び膨出部１９ｂ）が保持されるようになる。
【００３７】
以上のように塗布工程が実行されると、引続き、図２に示す工程が実行される。即ち、図２（ａ）に示すように、レジスト１９の上面にフォトマスク２０がセットされてレジスト１９を露光させて硬化させる露光工程が実行される。このとき、空気穴１９ａ及び導電スルーホール１６の連通状態が確保されていると共に、レジスト１９が導電スルーホール１６内に侵入することもないので、レジスト１９が導電スルーホール１６内で硬化することはない。
【００３８】
次いで、図２（ｂ）に示すように、レジスト１９の未硬化部分を除去する洗浄工程が実行され、多層基板１１が得られる。この場合、図から明らかなように、導電スルーホール１６の開口部が十分に露出し、レジスト膜１７（レジスト１９）で塞がれることはない。これにより、洗浄液が、導電スルーホール１６内に残存することが未然に防止される。また、膨出部１９ｂの広がり寸法Ｈがフォトマスク２０の遮光部２０ａの直径寸法Ｄよりも大きかったことにより、レジスト１９に形成されていた膨出部１９ｂの一部が残ることにより、レジスト膜１７に上方にやや凸となる凸部１７ａが形成される。
【００３９】
この後、図２（ｃ）に示すように、多層基板１１に対するＢＧＡ型部品１２の実装の工程（リフロー工程）が実行される。このとき、上記した凸部１７ａが、はんだの流れをせき止めるような機能を果たし、はんだブリッジをできにくくすることができる。尚、このとき、多層基板１１の上面から、ＢＧＡ型部品１２のパッケージ１２ａの下面までの高さ寸法ｈは、例えば５００μｍ程度であり、凸部１７ａが部品実装の邪魔になるといったことはない。
【００４０】
このように本実施形態の製造方法によれば、多層基板１１の表面部にレジスト膜１７を形成するための工程のうち、基材１４の表面部全体に感光性のレジスト１９を塗布する塗布工程は、空気供給機構２１により前記基材１４の裏面側に高圧の空気を供給して導電スルーホール１６を通すことにより、該導電スルーホール１６内へ侵入しようとするレジスト１９を排除しながら実行される。このため、フォトマスク２０のずれの有無に関係なく、導電スルーホール１６内に、レジスト１９が残存（侵入）していることのない状態で、塗布工程を終えて、以降の露光工程、洗浄工程に進むことができ、ひいては、導電スルーホール１６内に洗浄液が残存することが防止される。
【００４１】
この結果、本実施形態によれば、ＢＧＡ型部品が実装される多層基板に、信号干渉防止用の導電スルーホールを形成すると共に、レジスト膜を形成するようにしたものにあって、導電スルーホール部分にレジストが残留することに伴う不具合の発生を未然に防止することができる。また、特に本実施形態では、レジスト膜１７に上方にやや凸となる凸部１７ａが形成されるようにしたので、はんだブリッジをより発生しにくくすることができるといった利点も得ることができる。
【００４２】
（第２の実施形態）
次に、図５から図８を参照して、第２の実施形態について述べる。尚、この第２の実施形態においても、多層基板１１の基本構造や、ＢＧＡ型部品１２の構成、多層基板１１の製造方法のうち基本工程（図４）等については、上記第１の実施形態と共通する。従って、上記第１の実施形態と同一部分については、同一符号を付して、新たな図示や詳しい説明を省略することとし、以下、異なる点について説明する。
【００４３】
この第２の実施形態が、上記第１の実施形態と異なるところは、レジスト膜の形成工程のうち、塗布工程において高圧空気を供給することに代えて、露光工程に用いるフォトマスク３１の構成に工夫を施した点にある。従って、この第２の実施形態では、塗布工程においては、図４（ｃ）に示したように、基材１４の表面部全体にレジスト１９が塗布され、該レジスト１９を加熱乾燥させた後、露光工程に進む。
【００４４】
本実施形態で用いられるフォトマスク３１は、やはり、レジスト膜３２（図６、図７参照）の非形成部分を覆う遮光部が設けられているのであるが、図５に示すように、そのうち導電スルーホール１６の上面を覆う部分が、円形遮光部３１ａとされている。この円形遮光部３１ａは、前記基材１４に対するフォトマスク３１の許容される最大の位置ずれがあった場合でも、導電スルーホール１６の直径方向に関しての非被覆部分の寸法Ｘ（図７に示すオーバーレジスト長Ｘ）が、該導電スルーホール１６の内径寸法Ｒの１０％以下となるような直径寸法Ｄで形成されている。
【００４５】
より具体的には、前記フォトマスク３１の円形遮光部３１ａの直径寸法Ｄは、スルーホールランド１６ａの直径（外径）寸法Ｌ以下であり、且つ、導電スルーホールの内径寸法Ｒと許容最大位置ずれ量Ｙとの和以上とされる。さらには、直径寸法Ｄは、露光工程における塗布レジスト１９層内での光拡散量を考慮し、導電スルーホール１６の内径寸法Ｒと許容最大位置ずれ量Ｙと最大光拡散量αとの和以上とされる。
【００４６】
本実施形態では、導電スルーホール１６の内径寸法Ｒは、例えば３００μｍとされ、スルーホールランド１６ａの直径（外径）寸法Ｌは、例えば５５０μｍとされている。また、許容最大位置ずれ量Ｙは、例えば±１００μｍ（この場合２００μｍで計算）とされる。最大光拡散量αは、例えば５〜１０μｍであり、ここでは１０μｍとして計算する。これらから、円形遮光部３１ａの直径寸法Ｄは、５１０（５００）μｍ≦Ｄ≦５５０μｍの範囲とされ、例えば５１０μｍとされる。
【００４７】
図６には、基材１４に対するフォトマスク３１の位置ずれが全くなく、導電スルーホール１６の中心と、円形遮光部３１ａの中心とが一致した理想的な状態で露光工程が行われた場合の、形成されるレジスト膜３２の様子を示している。この場合、導電スルーホール１６上にはレジスト膜３２が存在しない円形の開口が形成され、そのレジスト膜３２がスルーホールランド１６ａの外周部分を途中部まで覆うようになっている。
【００４８】
これに対し、図７は、基材１４に対してフォトマスク３１が図で左方に許容される最大の位置ずれがあった場合、つまり、導電スルーホール１６の中心に対し円形遮光部３１ａの中心が１００μｍだけ左にずれてセットされた場合の、形成されるレジスト膜３２の様子を示している。このときには、露光工程において、導電スルーホール１６の右側部分に掛かるレジスト１９部分が露光、硬化されてしまい、導電スルーホール１６を塞ぐように位置されるいわゆるオーバーレジスト部３２ａが生じてしまう虞がある。
【００４９】
本実施形態では、露光工程において、上記した円形遮光部３１ａを有するフォトマスク３１を採用したことにより、許容される最大の位置ずれが生じていた場合でも、導電スルーホール１６内に残存（侵入）するオーバーレジスト部３２ａの、導電スルーホール１６の直径方向に見た最大の幅寸法（オーバーレジスト長）Ｘを、導電スルーホール１６の内径寸法Ｒの１０％以下、つまり３０μｍ以下に抑えることができた。そして、このようにオーバーレジスト長Ｘを、導電スルーホール１６の内径寸法Ｒの１０％以下に抑えることによって、洗浄液の残留ひいては導電スルーホール１６の断線の発生を防止することができたのである。
【００５０】
ここで、本発明者らは、導電スルーホール１６の直径（内径）Ｒに対し、オーバーレジスト長Ｘの大きさがどのようになると、洗浄液の残留に起因する断線がどのように生ずるかを調べる試験を行った。この試験では、多層基板に内径が３００μｍの１００個の導電スルーホールを形成した基材に対し、フォトマスクの位置を人為的にずらしながらレジスト膜を形成してオーバーレジスト長Ｘが相違した複数種類の試料を作成し、それら試料についての、オーバーレジスト長Ｘと、断線発生個数との関係を調べた。その結果を図８に示す。
【００５１】
この結果、オーバーレジスト長Ｘが３０μｍ以下のものでは、断線の発生は見られなかったが、オーバーレジスト長Ｘがそれを超えると、断線する導電スルーホールが発生し、オーバーレジスト長Ｘが大きくなるほど、断線の数は増加した。言い換えれば、オーバーレジスト長Ｘが、導電スルーホールの内径寸法Ｒの１０％以下に抑えられれば、断線即ち洗浄液の残留は生じないと考えることができる。
【００５２】
本実施形態では、フォトマスク３１の円形遮光部３１ａの直径寸法Ｄを、基材１４に対するフォトマスク３１の許容される最大の位置ずれＹがあった場合でも、該導電スルーホール１６の直径方向に関しての非被覆部分の寸法Ｘ（オーバーレジスト長Ｘ）が、該導電スルーホール１６の内径寸法Ｒの１０％以下となるように構成した。これにより、導電スルーホール１６の断線の不具合が発生しない。また、円形遮光部３１ａの直径寸法Ｄを、スルーホールランド１６ａの外形寸法Ｌ以下としたので、導電スルーホール１６上のレジスト膜３２の開口が徒に大きくなることはなく、はんだブリッジの発生も抑えることができるのである。
【００５３】
従って、本実施形態によれば、ＢＧＡ型部品１２が実装される多層基板１１に、信号干渉防止用の導電スルーホール１６を形成すると共に、レジスト膜３２を形成するようにしたものにあって、導電スルーホール１６部分にレジスト１９が残留することに伴う不具合の発生を未然に防止することができるものである。
【００５４】
（第３の実施形態、その他の実施形態）
次に、図９から図１１を参照して、第３の実施形態について述べる。尚、この第３の実施形態においても、多層基板１１の基本構造や、ＢＧＡ型部品１２の構成、多層基板１１の製造方法のうち基本工程（図４）等については、上記第１、第２の実施形態と共通する。従って、上記第１、第２の実施形態と同一部分については、同一符号を付して、新たな図示や詳しい説明を省略することとし、以下、異なる点について説明する。
【００５５】
この第３の実施形態が、上記第２の実施形態と異なるところは、図１０に示すように、基材１４のうち、ＢＧＡ型部品１２の実装面（上面）における、導電スルーホール４１の表面部に形成されるレジスト膜４２の開口径Ｓが、導電スルーホール４１を形成するための貫通穴１４ａの内径寸法Ｒ0 と同等（或いはそれ以下）となるようにした点にある。具体的には、本実施形態例では、貫通穴１４ａの内径寸法Ｒ0 (ドリル径)は、例えば３００μｍとされている。
【００５６】
さらに、この第３の実施形態では、図１１に示すように、基材１４のうち、ＢＧＡ型部品１２が実装されない非実装面側つまり下面側について、前記各導電スルーホール４１を除いた部分を覆う裏面側レジスト膜４３を形成する裏面側レジスト膜形成工程において、裏面側レジスト膜４３の開口径Ｓ´が、前記貫通穴１４ａの内径寸法Ｒ0 に対し、１５０μｍ以上大きくなるようにしている。具体的には、本実施形態例では、開口径Ｓ´は、４５０μｍとされている。
【００５７】
図９に示すように、この実施形態では、上記第１、第２の実施形態と同様に、多層基板１１（基材１４）の表面部には、ＢＧＡ型部品１２がはんだ接合される多数個のランド１５が縦横に等ピッチａ（例えば８００μｍ）で並んで設けられている。これらランド１５の直径寸法Ｌ0 は例えば４００μｍとされ、その上面に位置するレジスト膜４３の円形開口部の直径寸法Ｔが例えば５００〜６００μｍとされている。
【００５８】
そして、図１０，図１１にも示すように、多層基板１１には、信号線間の信号の干渉防止を図るために、ランド１５同士間（正方形の４頂点に位置する４個のランド１５の中心部分）に位置して、導電スルーホール４１が形成されている。この導電スルーホール４１は、基材１４にドリル等により貫通穴１４ａを形成した後、上下両面の円形のスルーホールランド４１ａ、４１ａ及び貫通穴１４ａの内面に対し、所定厚み（例えば２５μｍ）のメッキ（銅メッキ）を施して構成されている。従って、導電スルーホール４１の内径寸法Ｒは、２５０μｍとされ、また、スルーホールランド４１ａの直径寸法Ｌは、例えば５００μｍとされている。
【００５９】
さて、本実施形態においては、導電スルーホール４１等に対するメッキの工程の後に、基材１４の表面側のレジスト膜４２を形成する工程、及び基材１４の非実装面（裏面）に対して裏面側レジスト膜４３を形成する工程が順に実行される。これらレジスト膜４２及び裏面側レジスト膜４３を形成する工程は、やはり、塗布工程、露光工程、洗浄工程を含んでいる。
【００６０】
そのうち表面側のレジスト膜４２を形成するにあたっては、塗布工程において、基材１４の表面部全体にレジスト１９が塗布される。次の露光工程では、図１０（ａ）に示すように、レジスト膜４２の非形成部分を覆う遮光部を有するフォトマスク４４が用いられるのであるが、そのうち導電スルーホール４１の上面を覆う部分が、円形遮光部４４ａとされている。
【００６１】
この円形遮光部４４ａは、円形遮光部（３１ａ）は、前記導電スルーホール４１の表面部に形成されるレジスト膜４２の開口径Ｓが、前記貫通穴１４ａの内径寸法Ｒ0 と同等（或いはそれ以下）となるような直径寸法Ｄで形成されている。より具体的には、フォトマスク４４の円形遮光部４４ａの直径寸法Ｄは、貫通穴１４ａの内径寸法Ｒ0 と光拡散量αとの和（Ｒ0 ＋α）と同等とされ、内径寸法Ｒ0 を３００μｍとし、光拡散量αを例えば５〜１０μｍとすれば、３０５〜３１０μｍとされる。
【００６２】
図１０（ｂ）及び図９には、基材１４に対するフォトマスク４４の位置ずれがなく、導電スルーホール４１の中心と、円形遮光部４４ａの中心とが一致した理想的な状態で露光工程が行われた場合の、形成されるレジスト膜４２の様子を示している。この場合、導電スルーホール４１上にはレジスト膜４２が存在しない円形の開口が、貫通穴１４ａの内径寸法Ｒ0 と同等の径寸法で形成され、そのレジスト膜４２がスルーホールランド４１ａの内周縁部（めっき層の厚み分（例えば２５μｍ））を除いて覆うようになっている。またこのとき、図９に示すように、レジスト膜４２は、基材１４の表面部において露出している導電部である、ランド１５とスルーホールランド４１ａとの間の最短の離間距離ｃが、２００μｍ以上、本実施形態では例えば２１６μｍとなるように形成されている。
【００６３】
次に、前記裏面側レジスト膜４３を形成する工程においては、やはり、基材１４の裏面部全体にレジスト１９が塗布される塗布工程が実行され、次いで露光工程が実行される。この露光工程では、図示は省略するが、導電スルーホール４１の下面側を覆う円形遮光部を有する裏面側フォトマスクが用いられる。この裏面側フォトマスクの円形遮光部は、図１１に示すように、裏面側レジスト膜４３の開口径Ｓ´が、前記貫通穴１４ａの内径寸法Ｒ0 （３００μｍ）に対し、１５０μｍ以上大きくなるような直径寸法Ｄ´で形成されている。より具体的には、開口径Ｓ´が例えば４５０μｍであるとすると、裏面側フォトマスクの円形遮光部の直径寸法Ｄ´は、４５０μｍ＋光拡散量α（５〜１０μｍ）と同等、例えば４５５〜４６０μｍとされる。
【００６４】
このような第３の実施形態によれば、次のような作用・効果を得ることができる。即ち、基材１４の、ＢＧＡ型部品１２が実装される実装面（表面）側に対するレジスト膜４２の形成の工程において、露光工程に用いるフォトマスク４４のうち、導電スルーホール４１の表面部を覆う円形遮光部４４ａの直径寸法Ｄを、前記導電スルーホール４１の表面部に形成されるレジスト膜４２の開口径Ｓが、前記貫通穴１４ａの内径寸法Ｒ0 と同等、或いはそれ以下となるように構成した。
【００６５】
これにより、導電スルーホール４１の表面部に形成されるレジスト膜４２の開口が十分に小さくなり、基材１４の表面部に位置する導電スルーホール４１のスルーホールランド４１ａの大部分が、レジスト膜４２により覆われた状態となる。これにより、レジスト膜４２のうち、ＢＧＡ型部品１２がはんだ接合されるランド１５と、スルーホールランド４１ａとの間を隔てている部分を大きく（長く）確保することができる。この結果、ランド１５上のはんだがスルーホールランド４１ａまで延びて接続状態となるはんだブリッジの発生を効果的に防止することができる。
【００６６】
このとき、本発明者の研究によれば、基材１４の表面部において露出している導電部である、ランド１５とスルーホールランド４１ａとの間の最短の離間距離ｃを、２００μｍ以上とすることにより、はんだブリッジの発生を確実に防止することができる。尚、前記レジスト膜４２の開口径Ｓを小さくし過ぎると、上記第２の実施形態で述べたような、導電スルーホール４１内にレジストが残存するオーバーレジストの問題が生ずる。従って、開口径Ｓは、貫通穴１４ａの内径寸法Ｒ0 と同等に近いものとすることが望ましい。
【００６７】
更に、特に本実施例では、裏面側レジスト膜４３のうち、導電スルーホール４１部分の開口径Ｓ´が、貫通穴１４ａの内径寸法Ｒ0 に対し、１５０μｍ以上大きくなるように構成した。これにより、裏面側レジスト膜４３の円形開口部の大きさが十分に大きく、露光工程において裏面側フォトマスクのずれが生じた場合でも、レジストが導電スルーホール４１を塞ぐといった問題は発生しない。これにより、フォトマスクのずれに起因して導電スルーホール４１が塞がれるといった問題が生ずるのは、基材１４の片面（表面側）だけで済むので、全体として、その分だけ、フォトマスク（レジスト層）のずれのリスクを比較的小さく抑えることができる。
【００６８】
尚、上記各実施形態では、導電スルーホール１６の内径寸法Ｒとして３００μｍ（或いは２５０μｍ）の場合を具体例として挙げたが、内径寸法Ｒなどの各部の寸法については、あくまでも一例を挙げたに過ぎない。例えば内径寸法Ｒについては、現状で１００μｍ程度のものも供されてきており、将来、更に径小な導電スルーホールを形成できるようになることも期待される。その他、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、例えば基材１４等の材質等についても、様々なものが採用できる等、要旨を逸脱しない範囲内で適宜変更して実施し得るものである。
【符号の説明】
【００６９】
図面中、１１は多層基板、１２はＢＧＡ型部品、１４は基材、１４ａは貫通孔、１５はランド、１６，４１は導電スルーホール、１６ａ，４１ａはスルーホールランド、１７，３２，４２はレジスト膜、１９はレジスト、１９ａは空気穴、１９ｂは膨出部、２０，３１，４４はフォトマスク、２１は空気供給機構、３１ａ，４４ａは円形遮光部、３２ａはオーバーレジスト部、４３は裏面側レジスト膜を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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