(57)【要約】【課題】カーボンナノチューブ等の炭素材料を垂直方向に配向させた放熱部品及びその製造方法を提供すること。【解決手段】本放熱部品は、基材と、前記基材の所定の面に対して垂直な方向に配向された炭素材料と、前記炭素材料の間隙に充填されためっき層と、を有し、前記炭素材料の一部が前記めっき層の表面から前記基材とは反対側に突出している。【選択図】図１
2014033104.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、
前記基材の所定の面に対して垂直な方向に配向された炭素材料と、
前記炭素材料の間隙に充填されためっき層と、を有し、
前記炭素材料の一部が前記めっき層の表面から前記基材とは反対側に突出している放熱部品。
【請求項２】
全ての前記炭素材料が前記所定の面に対して垂直な方向に配向されている請求項１記載の放熱部品。
【請求項３】
前記炭素材料は、前記所定の面に林立する線状の材料である請求項１又は２記載の放熱部品。
【請求項４】
前記炭素材料の一端が前記所定の面に接している請求項１乃至３の何れか一項記載の放熱部品。
【請求項５】
前記炭素材料がカーボンナノチューブからなる請求項１乃至４の何れか一項記載の放熱部品。
【請求項６】
前記めっき層がニッケルからなる請求項１乃至５の何れか一項記載の放熱部品。
【請求項７】
基材の所定の面に、化学的気相成長法により、前記所定の面に対して垂直な方向に配向された炭素材料を形成する工程と、
前記炭素材料の間隙を充填し、前記炭素材料の一部が前記基材とは反対側に突出するようにめっき層を形成する工程と、を有する放熱部品の製造方法。
【請求項８】
基材の所定の面に垂直な方向に磁場を印加する工程と、
めっき層を形成する材料中に炭素材料が分散されためっき液を用いて、前記磁場中において前記所定の面にめっきを施す工程と、を有し、
前記めっきを施す工程では、前記炭素材料が前記所定の面に対して垂直な方向に配向され、前記炭素材料の間隙を充填し前記炭素材料の一部が前記基材とは反対側に突出するように前記めっき層を形成する放熱部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放熱部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）等に使用される半導体素子は動作時に高温となるため、その熱を速やかに外部に放熱することは、半導体素子の性能を発揮する上で極めて重要である。
【０００３】
そこで、従来より、半導体素子上にヒートスプレッダやヒートパイプ等の放熱部品を装着して、半導体素子が発する熱を外部に有効に放出する経路を確保することが行われている。又、ヒートスプレッダやヒートパイプ等の放熱部品の放熱性能（熱放射性）を向上する検討が行われている。例えば、ヒートスプレッダやヒートパイプ等の放熱部品の表面にカーボンナノチューブ等の炭素材料が分散された金属層を形成することにより、放熱部品の放熱性能（熱放射性）を向上する試みがなされている。
【０００４】
カーボンナノチューブ等の炭素材料を金属層中に分散する技術としては、例えば、以下の技術を挙げることができる。第１の技術としては、カーボンナノチューブの繊維長よりも細い孔に、カーボンナノチューブを含むめっき液を入り込ませることにより、カーボンナノチューブを垂直に近い方向に配向させようとする技術である（例えば、特許文献１参照）。第２の技術としては、電気めっきによって金属めっき層を形成する際に、電気力線に沿ってカーボンナノチューブを垂直方向に配向させようとする技術である（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１５２３７２号公報
【特許文献２】特開２００１−２８３７１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記第１の技術では、カーボンナノチューブのうちの一部は垂直方向に配向するかもしれないが、多くのカーボンナノチューブは孔に対して斜めに配向する。又、上記第２の技術では、電気めっきの電気力線ではパワーが不十分であるため、垂直方向に配向するカーボンナノチューブの割合をある程度上げることはできるとしても、なお多くのカーボンナノチューブは斜めに配向する。このように、従来知られていた技術では、カーボンナノチューブ等の炭素材料を全体的に垂直方向に配向させることは困難であった。
【０００７】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、カーボンナノチューブ等の炭素材料を垂直方向に配向させた放熱部品及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本放熱部品は、基材と、前記基材の所定の面に対して垂直な方向に配向された炭素材料と、前記炭素材料の間隙に充填されためっき層と、を有し、前記炭素材料の一部が前記めっき層の表面から前記基材とは反対側に突出していることを要件とする。
【０００９】
本放熱部品の製造方法の一の形態は、基材の所定の面に、化学的気相成長法により、前記所定の面に対して垂直な方向に配向された炭素材料を形成する工程と、前記炭素材料の間隙を充填し、前記炭素材料の一部が前記基材とは反対側に突出するようにめっき層を形成する工程と、を有することを要件とする。
【００１０】
本放熱部品の製造方法の他の形態は、基材の所定の面に垂直な方向に磁場を印加する工程と、めっき層を形成する材料中に炭素材料が分散されためっき液を用いて、前記磁場中において前記所定の面にめっきを施す工程と、を有し、前記めっきを施す工程では、前記炭素材料が前記所定の面に対して垂直な方向に配向され、前記炭素材料の間隙を充填し前記炭素材料の一部が前記基材とは反対側に突出するように前記めっき層を形成することを要件とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、カーボンナノチューブ等の炭素材料を垂直方向に配向させた放熱部品及びその製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１の実施の形態に係る放熱部品を例示する断面模式図である。
【図２】第１の実施の形態に係る放熱部品の製造工程を例示する図である。
【図３】第２の実施の形態に係る放熱部品の製造工程を例示する図である。
【図４】熱放射性の確認結果を例示する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【００１４】
〈第１の実施の形態〉
［第１の実施の形態に係る放熱部品の構造］
まず、第１の実施の形態に係る放熱部品の構造について説明する。図１は、第１の実施の形態に係る放熱部品を例示する断面模式図である。図１を参照するに、放熱部品１は、基材１０と、炭素材料含有層２０とを有する。
【００１５】
基材１０は、熱伝導率が良好な金属から構成することが好ましく、具体的には、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）、又はこれらの合金等を用いることができる。但し、基材１０は、熱伝導率が良好な材料であれば、金属以外の材料から形成してもよい。
【００１６】
炭素材料含有層２０は、基材１０の面１０ａに形成されためっき層２２中にカーボンナノチューブ２１が含有された層である。めっき層２２は、カーボンナノチューブ２１の間隙に充填されている。めっき層２２の厚さＴは、例えば、５０μｍ程度とすることができる。カーボンナノチューブ２１は、基材１０の面１０ａに対して垂直な方向に配向されており、カーボンナノチューブ２１の一部がめっき層２２の表面から基材１０とは反対側に突出している。
【００１７】
なお、本願において、垂直とは、カーボンナノチューブ２１が基材１０の面１０ａに対して完全に垂直である場合のみではなく、本願の効果を損なわない範囲内で基材１０の面１０ａに対しておおよそ垂直である場合も含むものとする。
【００１８】
以降、カーボンナノチューブ２１のめっき層２２の表面から突出している部分を、カーボンナノチューブ２１の突出部と称する場合がある。カーボンナノチューブ２１の突出部のめっき層２２の表面からの突出量Ｌは、例えば、５〜１０μｍ程度とすることができる。なお、突出量Ｌは、カーボンナノチューブ２１ごとに異なっていてもよい。カーボンナノチューブ２１の突出部の投影面積は、めっき層２２の表面に対して３％以上とすることができる。
【００１９】
なお、突出量Ｌが５μｍよりも小さいと放熱性能が低下するため好ましくない。又、突出量Ｌが１０μｍよりも大きいとカーボンナノチューブ２１が折れたりめっき層２２から抜けたりするため好ましくない。
【００２０】
カーボンナノチューブ２１の径は、例えば、１００〜３００ｎｍ程度とすることができる。カーボンナノチューブ２１の長さは、例えば、５５〜６０μｍ程度とすることができる。例えば、数万本程度のカーボンナノチューブ２１が、基材１０の面１０ａに林立している。なお、カーボンナノチューブ２１は、本発明に係る線状の材料の代表的な一例である。
【００２１】
めっき層２２は、熱伝導率が良好で錆び難い金属から構成することが好ましく、具体的には、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）等を用いることができる。
【００２２】
なお、カーボンナノチューブ２１に代えて、カーボンナノファイバ、グラファイト、カーボンブラック等の炭素材料を用いても構わない。又、これらの炭素材料が混合したものを用いても構わない。
【００２３】
放熱部品１は、例えば、ベーパーチャンバー、ヒートパイプ、ヒートスプレッダ、発光ダイオード（ＬＥＤ）の筺体等に適用することができる。つまり、放熱部品１の基材１０は半導体素子等の発熱体に取り付けられ、半導体素子等の発する熱を基材１０を介して炭素材料含有層２０の表面に迅速に伝達する。
【００２４】
［第１の実施の形態に係る放熱部品の製造方法］
次に、第１の実施の形態に係る放熱部品の製造方法について説明する。図２は、第１の実施の形態に係る放熱部品の製造工程を例示する図である。まず、図２（ａ）に示す工程では、基材１０を準備し、基材１０の面１０ａに対して垂直な方向にカーボンナノチューブ２１を林立するように形成する。
【００２５】
基材１０は、熱伝導率が良好な金属から構成することが好ましく、具体的には、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）、又はこれらの合金等を用いることができる。但し、基材１０は、熱伝導率が良好な材料であれば、金属以外の材料から形成してもよい。
【００２６】
カーボンナノチューブ２１は、ＣＶＤ法（化学的気相成長法）により、基材１０の面１０ａに対して垂直な方向に林立するように、基材１０の面１０ａに直接形成できる。より具体的には、基材１０を所定の圧力及び温度に調整された加熱炉に入れて、ＣＶＤ法（化学的気相成長法）により、基材１０の面１０ａにカーボンナノチューブ２１を形成する。加熱炉の圧力及び温度は、例えば、１００ｐａ及び６００℃程度とすることができる。又、プロセスガスとしては、例えば、アセチレンガス等を用いることができ、キャリアガスとしては、例えば、アルゴンガスや水素ガス等を用いることができる。
【００２７】
これにより、基材１０の面１０ａに、多数のカーボンナノチューブ２１が、基材１０の面１０ａに対して垂直な方向に形成される。なお、各カーボンナノチューブ２１の一端は、基材１０の面１０ａに接している。
【００２８】
カーボンナノチューブ２１の径は、例えば、１００〜３００ｎｍ程度とすることができる。カーボンナノチューブ２１の長さは、例えば、５５〜６０μｍ程度とすることができる。カーボンナノチューブ２１の本数は、例えば、数万本程度とすることができる。なお、カーボンナノチューブ２１の長さ（基材１０の面１０ａからカーボンナノチューブ２１の先端部までの長さ）は、カーボンナノチューブ２１の成長時間によって制御できる。
【００２９】
なお、基材１０として金属以外の材料を用いる場合には、基材１０の面１０ａにスパッタリング法等により金属触媒層を形成し、金属触媒層上にＣＶＤ法（化学的気相成長法）によりカーボンナノチューブ２１を形成すればよい。金属触媒層としては、例えば、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）等を用いることができる。金属触媒層の厚さは、例えば、数ｎｍ程度とすることができる。
【００３０】
次に、図２（ｂ）に示す工程では、基材１０の面１０ａにめっき層２２を形成し、めっき層２２中にカーボンナノチューブ２１が含有された炭素材料含有層２０を作製する。つまり、カーボンナノチューブ２１の間隙を充填し、カーボンナノチューブ２１の一部が基材１０とは反対側に突出するようにめっき層２２を形成する。この工程により、放熱部品１が完成する。
【００３１】
本実施の形態では、基材１０を給電層として利用する電解めっき法により、基材１０の面１０ａにめっき層２２を形成する。めっき層２２は、各カーボンナノチューブ２１の一部がめっき層２２の表面から基材１０とは反対側に突出するように形成する。めっき層２２の厚さは、例えば、５０μｍ程度とすることができる。
【００３２】
カーボンナノチューブ２１の突出部のめっき層２２の表面からの突出量は、例えば、５〜１０μｍ程度とすることができる。なお、カーボンナノチューブ２１の突出部のめっき層２２の表面からの突出量は、カーボンナノチューブ２１ごとに異なっていてもよい。カーボンナノチューブ２１の突出部の投影面積は、めっき層２２の表面に対して３％以上とすることができる。
【００３３】
以上のように、第１の実施の形態に係る放熱部品１では、カーボンナノチューブ２１の一部がめっき層２２の表面から基材１０とは反対側に突出している。そのため、カーボンナノチューブ２１の突出部からは、基材１０から伝熱された熱が直ちに放熱され、炭素材料含有層２０の熱放射性を向上できる。
【００３４】
又、各カーボンナノチューブ２１は、基材１０の面１０ａに対して垂直な方向に配向されているため、各カーボンナノチューブ２１の有する繊維長方向（長軸方向）の特性を十分生かすことができ、炭素材料含有層２０の熱放射性を更に向上できる。
【００３５】
〈第１の実施の形態の変形例〉
第１の実施の形態では、めっき層２２を電解めっき法により形成する例を示したが、めっき層２２は無電解めっき法により形成してもよい。
【００３６】
無電解めっき法によりめっき層２２を形成するには、図２（ａ）と同様の工程を実行後、図２（ｂ）に示す工程において、電解めっきに代えて無電解めっきを実行すればよい。無電解めっき法により形成するめっき層２２の材料としては、例えば、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｂ、Ｃｕ等を用いることができる。このように、無電解めっき法によりめっき層２２を形成しても第１の実施の形態と同様の効果を奏する。
【００３７】
〈第２の実施の形態〉
第２の実施の形態では、第１の実施の形態とは異なる方法により放熱部品１を作製する例を示す。なお、第２の実施の形態において、第１の実施の形態と共通する部分についての説明は省略する。
【００３８】
図３は、第２の実施の形態に係る放熱部品の製造工程を例示する図である。まず、図３（ａ）に示す工程では、基材１０を準備し、準備した基材１０を磁場発生装置（図示せず）内に配置し、磁場発生装置を起動して面１０ａに対して垂直な方向に磁場Ｍを発生させる。磁場発生装置としては、例えば、超伝導マグネットを用いた装置を使用できる。発生する磁場Ｍは、例えば、５〜１０テスラ程度とすることができる。なお、基材１０の材料等は、第１の実施の形態と同様とすることができる。
【００３９】
次に、図３（ｂ）に示す工程では、めっき層２２中にカーボンナノチューブ２１が含有された炭素材料含有層２０を形成する。つまり、カーボンナノチューブ２１が面１０ａに対して垂直な方向に配向され、カーボンナノチューブ２１の間隙を充填しカーボンナノチューブ２１の一部が基材１０とは反対側に突出するようにめっき層２２を形成する。
【００４０】
具体的には、めっき層２２を形成する材料中にカーボンナノチューブ２１が分散された電解めっき液を用いて、磁場Ｍ中において基材１０の面１０ａに電解めっきを施し、めっき層２２中にカーボンナノチューブ２１が含有された炭素材料含有層２０を形成する。
【００４１】
めっき層２２を形成する材料としては、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）等を用いることができるが、磁場の影響を受け難い材料を選択することが好ましい。なお、めっき層２２は、各カーボンナノチューブ２１の一部がめっき層２２の表面から基材１０とは反対側に突出するように形成する。
【００４２】
基材１０の面１０ａに対して垂直な方向に磁場Ｍを印加しているため、めっき層２２を形成する材料中に分散した多数のカーボンナノチューブ２１は、基材１０の面１０ａに対して垂直な方向に配向される。めっき層２２の厚さやカーボンナノチューブ２１の突出部のめっき層２２の表面からの突出量等は、第１の実施の形態と同様とすることができる。なお、本実施の形態では、カーボンナノチューブ２１の一端が基材１０の面１０ａに接触していない場合もある。
【００４３】
図３（ｂ）に示す工程で用いる電解めっき液には、カーボンナノチューブ２１を分散する分散剤としてのポリアクリル酸が配合されていることが好ましい。又、光沢剤として、アルカンジオール化合物、アルケンジオール化合物又はアルキンジオール化合物が配合されていることが好ましい。
【００４４】
特に、アルキンジオール分子中にオキシエチレン側鎖を有するアルキンジオールであって、このアルキンジオール化合物の分子量の少なくとも２０重量％をオキシエチレン側鎖が占める光沢剤を好適に用いることができる。このオキシエチレン側鎖が占める割合を８５重量％以下とすることが好ましい。
【００４５】
更に、電解めっき液には、界面活性剤としてのケトン基、アルデヒド基又はカルボン酸基を有する有機化合物、カーボンモノオキサイド化合物、クマリン誘導体、アリルアルデヒドのスルホン化物、アリル基を有するスルホン化合物、アルキレンカルボキシエステル、アルキレンアルデヒド、アセチレン誘導体、ピリジウム化合物、アルカンスルホン化合物又はアゾ化合物が配合されていてもよい。電解めっき液にカーボンナノチューブ２１を分散するには、予め分散剤溶液に浸漬して分散性を向上したカーボンナノチューブ２１を電解めっき液に混合することが好ましい。
【００４６】
電解めっき液に混合するカーボンナノチューブ２１の混合量は、１００ｐｐｍ以上が好ましく、更に好ましくは５００ｐｐｍ以上、特に好ましくは１０００ｐｐｍ以上である。カーボンナノチューブ２１の混合量の上限は１重量％程度である。カーボンナノチューブ２１の混合量が１重量％を越えると、カーボンナノチューブ２１の分散が困難となる傾向にある。
【００４７】
このように、カーボンナノチューブ２１が分散された電解めっき液を用いて電解めっきを施す際には、カーボンナノチューブ２１の分散状態を維持するため、電解めっき液を攪拌しつつ、電流密度を５Ａ／ｄｍ２以下で施すことが好ましい。電流密度を５Ａ／ｄｍ２を越える条件で電解めっきを施すと、形成されるめっき層２２の表面が凹凸面になり易い傾向にある。
【００４８】
更に、基材１０を直流電源（図示せず）の陰極に接続して電解めっき液の液面に対して垂直に載置し、基材１０の面１０ａ（電解めっきを施す面）の側方に直流電源（図示せず）の陽極に接続された陽極板（図示せず）を載置する。そして、基材１０と陽極板（図示せず）とを左右方向に遥動させつつ電解めっきを施すことによって、カーボンナノチューブ２１を基材１０の面１０ａに均一に配設でき、かつ、カーボンナノチューブ２１の一部がめっき層２２の表面から突出するように形成できる。
【００４９】
以上のように、めっき層２２を形成する材料中にカーボンナノチューブ２１が分散された電解めっき液を用いて、磁場Ｍ中において電解めっきを施し、めっき層２２中にカーボンナノチューブ２１が含有された炭素材料含有層２０を形成してもよい。この方法により形成された放熱部品１は、第１の実施の形態と同様の効果を奏する。
【００５０】
なお、第２の実施の形態の図３（ｂ）に示す工程において、電解めっき法に代えて無電解めっき法を用いてもよい。この場合には、めっき層２２を形成する材料として、例えば、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｂ、Ｃｕ等を用いることができる。そして、めっき層２２を形成する材料中にカーボンナノチューブ２１が分散された無電解めっき液を用いて、磁場Ｍ中において基材１０の面１０ａに無電解めっきを施し、めっき層２２中にカーボンナノチューブ２１が含有された炭素材料含有層２０を形成することができる。
【００５１】
［実施例］
本実施例では、放熱性確認用のサンプルとして、第１の実施の形態に係る製造方法で放熱部品１を作製した。放熱部品１において、基材１０の材料としては銅（Ｃｕ）を用い、めっき層２２の材料としてはニッケル（Ｎｉ）を用いた。めっき層２２の厚さＴ（図１参照）は約５０μｍとし、カーボンナノチューブ２１の突出部のめっき層２２の表面からの突出量Ｌ（図１参照）は５〜１０μｍ程度とした。
【００５２】
次に、放熱部品１と放熱性を比較するサンプル（比較例）として、第２の実施の形態に係る製造方法で放熱部品（放熱部品Ｘとする）を作製した。但し、磁場発生装置は使用せず、めっき層２２を形成する材料中にカーボンナノチューブ２１が分散された電解めっき液を用いて、磁場を印加しない状態において電解めっきを施し、めっき層２２中にカーボンナノチューブ２１が含有された炭素材料含有層２０を形成した。
【００５３】
その結果、カーボンナノチューブ２１は、基材１０の面１０ａに対してランダムな方向に配向され、カーボンナノチューブ２１の一部がめっき層２２の表面から基材１０とは反対側に突出した放熱部品Ｘが作製された。つまり、放熱部品１と放熱部品Ｘとの主な相違点は、カーボンナノチューブ２１が基材１０の面１０ａに対して垂直な方向に配向されているか、ランダムな方向に配向されているかである。
【００５４】
上記サンプルを作製後、所定のブロックにヒータと温度計とサンプル（放熱部品１、及び放熱部品Ｘを順番に搭載）を取り付け、ヒータに一定電圧を３０分間印加したときの温度計の温度を測定した。その結果を、図４に示す。図４において、３０分経過後の温度上昇が小さいサンプルほど熱放射性が優れていることを示している。
【００５５】
図４に示すように、放熱部品Ｘ（比較例）では、３０分経過時の温度は略６８．３℃であった。これに対して、第１の実施の形態に係る製造方法で製造した放熱部品１（実施例）では、３０分経過時の温度は略６６．９℃であった。つまり、放熱部品１（実施例）では、放熱部品Ｘ（比較例）に対して１．４℃熱放射性が向上している。
【００５６】
放熱部品Ｘ（比較例）では、カーボンナノチューブ２１が基材１０の面１０ａに対してランダムな方向に配向されている。そのため、先端が折り曲がっていたりめっき層２２の表面と接していたりして、放熱にあまり寄与しないカーボンナノチューブ２１が存在する。その結果、カーボンナノチューブ２１から十分に熱を外部に逃がすことができなかったと考えられる。
【００５７】
一方、放熱部品１（実施例）では、カーボンナノチューブ２１が基材１０の面１０ａに対して垂直な方向に配向されている。そのため、カーボンナノチューブ２１の先端が折り曲がっていたりめっき層２２と接していたりすることはほとんどない。その結果、めっき層２２に含有されたほぼ全てのカーボンナノチューブ２１が放熱に寄与できるため、カーボンナノチューブ２１から十分に熱を外部に逃がすことができたと考えられる。
【００５８】
このように、本実施例によれば、カーボンナノチューブ２１が基材１０の面１０ａに対して垂直な方向に配向されている放熱部品１（実施例）では、カーボンナノチューブ２１が基材１０の面１０ａに対してランダムな方向に配向されている放熱部品Ｘ（比較例）に対して熱放射性が向上することが確認された。
【００５９】
以上、好ましい実施の形態、変形例、及び実施例について詳説した。しかし、上述した実施の形態、変形例、及び実施例に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態、変形例、及び実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。
【符号の説明】
【００６０】
１  放熱部品
１０  基材
１０ａ  面
２０  炭素材料含有層
２１  カーボンナノチューブ
２２  めっき層
Ｌ  突出量
Ｍ  磁場
Ｔ  厚さ
【図１】
2014033104.tif 000003
【図２】
2014033104.tif 000004
【図３】
2014033104.tif 000005
【図４】
2014033104.tif 000006