(57)【要約】【課題】本発明は、厚さ２．５ｎｍ以下の保護層において、高い耐腐食性を有す磁気記録媒体用保護層を提供する。【解決手段】非磁性基板上に磁性層および前記磁性層上に形成された保護層を含む磁気記録媒体において、前記保護層は前記磁気層に接する下層と前記下層上に形成された上層とからなり、前記下層に用いられる材料は、−０．８〜０．３Ｖの標準電極電位を有する金属である磁気記録媒体を提供する。【選択図】図１
2014002806.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板上に磁性層および前記磁気層上に形成された保護層を含む磁気記録媒体において、
前記保護層は、前記磁気層に接する下層と前記下層上に形成された上層とからなり、
前記保護層下層は−０．８〜０．３Ｖの標準電極電位を有する材料から形成され、少なくとも膜厚が０．３ｎｍであり、
前記保護層上層はダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）からなり、
前記保護層は全膜厚が少なくとも１．５ｎｍの膜厚を有することを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記保護層下層に用いられる材料が亜鉛、インジウム、スズ、ゲルマニウム、またはこれらの混合物からなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記保護層の膜厚が２．５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
非磁性基板上に磁性層および前記磁気層上に形成された保護層を含む磁気記録媒体において該磁気記録媒体の耐食性を改良する方法であって、
前記保護層を前記磁気層に接する下層と前記下層上に形成された上層とから形成し、
前記保護層下層は−０．８〜０．３Ｖの標準電極電位を有する材料から形成され、
前記保護層は全膜厚が少なくとも１．５ｎｍの膜厚を有することを特徴とする磁気記録媒体の耐食性を改良する方法。
【請求項５】
非磁性基板に形成された磁気層上に−０．８〜０．３Ｖの標準電極電位を有する材料を積層させて保護層下層を形成する工程と、
前記保護下層上にＤＬＣ層を形成して保護層上層を形成する工程と
を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体に関する。より詳しくは、本発明は、薄層化および耐食性を向上させた保護層を有する磁気記録媒体に関する。また、本発明は、該磁気記録媒体の製造方法を包含する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブの記録容量は増大の一途を辿っており、搭載される磁気記録媒体の記録密度も高くなってきている。このような磁気記録の高密度化により、より小さな磁化領域を高いＳＮ比で書き込むためには書き込み／読み出しヘッドを記録媒体表面に近づけること、すなわち、ヘッドと磁気記録媒体磁性層間の距離（磁気スペーシング）を小さくすることが要求されるようになった。磁気スペーシングを小さくする手段の１つとして、磁性層の上に形成される保護層や、その上の潤滑層を薄膜化することが求められている。
【０００３】
保護層は磁性層を保護する役割を担っており、金属材料からなる磁性層が大気中の水分や腐食性ガスと反応して腐食することのないよう、高い耐食性を有している必要がある。加えて、磁気記録媒体上を相対的に高速に、かつ僅かな磁気スペーシングで浮上しているヘッドが、何かの不具合で磁気記録媒体に接触した場合でも、磁性層がダメージを受けることのないよう、ヘッド浮上に対する耐久性が必要とされる。一般的には、耐久性および耐食性の観点から、炭素元素同士が強い結合力で緻密に結合しあうダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜が、保護層に用いられている。
【０００４】
また、潤滑層とは、ヘッドがスムーズかつ安定して磁気記録媒体上を浮上できるよう、保護層の上に極薄く形成された潤滑剤の層を指し、磁気記録媒体の最表層に該当する。
【０００５】
耐食性の向上のために、ＤＬＣ保護層を形成する際に、炭化水素ガスに水素ガスを混合し、基板バイアス電圧を印加する方法（特許文献１）や、磁性層の表面へのプラズマ処理（特許文献２）、保護膜作製時のバイアス印加方法を工夫する方法（特許文献３）、あるいは、保護膜の水素含有量の規定（特許文献４）が開示されている。しかしながら、これらいずれの保護層の場合にも、磁性層は非常に腐食しやすいため、腐食防止の観点からは、膜厚約５ｎｍ以上の保護層が必要であった。
【０００６】
また、保護層の薄層化が進むほど、磁性層と保護層との熱膨張係数等の物性値の違いおよび界面不一致効果等による保護層中の歪の割合が大きくなり、耐久性が劣ることになる。引用文献５では、保護層と磁性層との間に前記歪を効果的に解消させる緩衝層を設け、保護層の薄層化を図っている。
【０００７】
一方、次期製品となるハードディスクドライブの設計指針が示されており、記録密度が１Ｔｂ／ｉｎ２で、磁気スペーシングが６．５ｎｍと提案されている。磁気スペーシングの内訳を考慮すると、磁気ヘッドの保護層厚さが２ｎｍ程度、磁気ヘッド最表面と磁気記録媒体最表面の間隔（ヘッド浮上高さ）が２ｎｍ程度、磁気記録媒体の潤滑層が０．５ｎｍ〜１ｎｍ程度となり、磁気記録媒体の保護層厚さは２ｎｍ以下でなければならないことを意味している。すなわち、よりいっそう、薄く、かつ耐久性および耐腐食性に優れた保護層が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−１１４１８２号公報
【特許文献２】特開２００６−１２７６１９号公報
【特許文献３】特開２００７−４６１１５号公報
【特許文献４】特開２００８−１２３６４６号公報
【特許文献５】特開平９−１３８９４３号公報
【特許文献６】特開２００１−２６６３２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、厚さ２．５ｎｍ以下の保護層において、高い耐食性を有する磁気記録媒体用保護層を提供する。また、本保護層を用いることで、記録密度が１Ｔｂ／ｉｎ２を超える高密度記録に対応できる磁気記録媒体を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、非磁性基板上に磁性層および前記磁性層上に形成された保護層を含む磁気記録媒体において、前記保護層は前記磁気層に接する下層と前記下層上に形成された上層とからなり、前記下層に用いられる材料は、酸化されやすい金属であり、具体的には−０．８〜０．３Ｖの標準電極電位を有する金属であることを特徴とする磁気記録媒体を提供するものである。
【００１１】
本発明において、前記保護層下層は少なくとも膜厚が０．３ｎｍであり、前記保護層上層はダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）からなり、また前記保護層は全膜厚が少なくとも１．５ｎｍの膜厚を有する。
【００１２】
また本発明において、前記保護層下層に用いられる材料は、亜鉛、インジウム、スズ、ゲルマニウム、またはこれらの混合物からなる群から選択されることが好ましい。
【００１３】
本発明において、前記保護層の膜厚が２．５ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１４】
さらに本発明は、非磁性基板上に磁性層および前記磁気層上に形成された保護層を含む磁気記録媒体において該磁気記録媒体の耐食性を改良する方法であって、前記保護層を前記磁気層に接する下層と前記下層上に形成された上層とから形成し、前記保護層下層は−０．８〜０．３Ｖの標準電極電位を有する材料から形成され、前記保護層は全膜厚が少なくとも１．５ｎｍの膜厚を有することを特徴とする磁気記録媒体の耐食性を改良する方法を提供する。
【００１５】
また本発明は、非磁性基板に形成された磁気層上に−０．８〜０．３Ｖの標準電極電位を有する材料を積層させて保護層下層を形成する工程と、前記保護下層上にＤＬＣ層を形成して保護層上層を形成する工程とを含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、厚さ２．５ｎｍ以下の保護層において、高い耐食性を有することができる。また、本保護層を用いることで、記録密度が１Ｔｂ／ｉｎ２を超える高密度記録に対応する磁気記録媒体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明で用いられる磁気記録媒体の一例を示した断面図および斜視図である。
【図２】本発明の磁気記録媒体の製造工程の一例を示したフローである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の好適な実施形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は、本発明の単なる一例であって、当業者であれば、適宜設計変更可能である。
【００１９】
図１は本発明の磁気記録媒体の一実施形態の構成を示す断面図である。本発明の磁気記録媒体は、非磁性基板１０１と、非磁性基板１０１上に形成された軟磁性層を含む層１０２と、軟磁性層を含む層１０２上に形成された磁性層１０３と、磁性層１０３上に形成された保護層下層１０４ａと、保護層下層１０４ａ上に形成された保護層上層１０４ｂ、および保護層上層１０４ｂ上に形成された潤滑層１０５とを有する。
【００２０】
（非磁性基板）
本発明において用いる非磁性基板１０１は、非磁性体であり、また後述する各層の形成に用いられる条件（溶媒、温度など）に耐えるものが用いられる。さらに寸法安定性に優れていることが好ましい。さらに詳細には、ガラス、Ａｌ合金、シリコン、各種プラスチックなどの材料からなる基板を用いることができる。
【００２１】
（軟磁性層を含む層）
軟磁性層を含む層１０２は、軟磁性層単独でも、後述するように軟磁性層と他の層とを組み合わせたものであってもよい。軟磁性層は、磁性層１０３に垂直方向磁界を集中させるための層である。軟磁性層は、特に限定されるものではないが、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔａ、およびＺｒのうちの少なくとも１種を含むことが好ましい。たとえば、軟磁性層は、Ｃｏ−Ｚｒ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ系、Ｆｅ−Ｂ系、フェライトなど各種の軟磁性材料を用いて形成することができる。
【００２２】
軟磁性層は、特定の組成を有する単層膜として構成することもできる。また、磁性層１０３に記録された磁化を安定化させるとともに媒体表面から漏洩する磁化強度を増大させ、記録ヘッドの記録効率を増大させ、その結果、記録媒体のノイズ低減するように複数の磁性膜を強磁性的または反強磁性的に結合させた積層膜としてもよい。
【００２３】
軟磁性層を含む層１０２は、軟磁性層のほか、さらに中間層（図示せず）を含んでもよい。中間層は、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｏｓなどの六方晶系金属、あるいはこれらを含む合金を用いて形成することができる。中間層は、磁性層２０３と軟磁性層との磁気交換相互作用を調整することもできる。
【００２４】
さらに、軟磁性層を含む層１０２は、軟磁性層と中間層との間に、必要に応じて効率的に中間層を配向させるための配向制御層（図示せず）を設けてもよい。このような材料としては非磁性のＣｏ合金やＮｉ合金が好ましく、これらは結晶粒径のばらつきを低減させる効果をもつ。
【００２５】
軟磁性層を含む層１０２は、好ましくは、厚さ２０〜３００ｎｍ程度で形成される。
【００２６】
（磁性層）
軟磁性層を含む層１０２の上に形成される磁性層１０３は、Ｃｏを主成分とする合金からなる垂直磁性膜であればよく、ＣｏＣｒ系、ＣｏＰｔ系などの合金膜のほか、これらを用いたグラニュラー膜などを用いることもできる。主成分とは、磁性層１０３を構成する成分の中で最も含有量（重量％）が多い成分を意味する。ここで、磁性層１０３は、Ｃｏのほか、Ｐｔ、Ｃｒ及びＯをさらに含んでいることが好ましい。このような構成とすることで、軟磁性層を含む層１０２の結晶粒径や偏析構造を引き継いだ、結晶性の良い磁性層を提供することができる。
【００２７】
磁性層１０３は単一の層からなるものでもよい。また、磁性層１０３は複数の層からなるものでもよく、磁気記録信号のノイズ低減を目的として、磁性層金属の結晶粒界を磁気的に分離させるように磁性層１０３中にＳｉＯ２などの酸化膜を添加してもよい。たとえば、磁性層２０３は第一磁性層と第二磁性層とからなり、さらに第一磁性層と第二磁性層との間に結合制御層（図示せず）を有してもよい。
【００２８】
磁性層１０３は、好ましくは厚さ５〜５０ｎｍ程度で形成される。
【００２９】
前述の各層の製膜方法については、スパッタリング法（直流マグネトロンスパッタリング法、ＲＦマグネトロンスパッタリング法などを含む）のほか、蒸着法、塗布法など当該技術において知られている任意の方法を用いて実施することができる。制御性などの観点から、直流マグネトロンスパッタリング法を用いることが好適である。例えば、Ｃｏ，Ｔａ，Ｒｕ等からなる軟磁性層を含む層１０２を、スパッタ法で厚さ６０ｎｍ成膜させ、続けて、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２よりなる磁性層２０３をスパッタ法で厚さ２０ｎｍ成膜させることができる。
【００３０】
（保護層）
本願発明の保護層１０４は、保護層下層１０４ａおよび保護層上層１０４ｂから形成される。保護層下層１０４ａの膜厚は十分な耐食性を提供できる程度であればよく、好ましくは０．３ｎｍ以上である。また保護層１０４の厚さは１．５ｎｍ以上であり、好ましくは保護層１０４の厚さは２．５ｎｍ以下である。
【００３１】
保護層下層１０４ａは酸化しやすい材料で形成される。好ましくは、−０．８〜０．３（Ｖ）の標準電極電位を有する。これらに限定されないが、本願発明の保護層下層１０４ａに用いることのできる材料には、Ｚｎ（−０．８Ｖ）、Ｉｎ（−０．３Ｖ）、Ｓｎ（−０．１Ｖ）、およびＧｅ（０．２Ｖ）を含む（（）内は標準電極電位を示す）。
【００３２】
保護層上層１０４ｂは、ＤＬＣをプラズマＣＶＤ法により製膜して得ることができる。プラズマＣＶＤ法とは、膜を構成する原子を含む化合物ガスにエネルギーを与えてプラズマ状態にし、活性なイオンやラジカルを発生させて化学反応を起こし、薄膜を形成する方法である。ＤＬＣを製膜する際の原料ガスは、炭化水素系ガス、例えば、メタン（ＣＨ４）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、トルエン（Ｃ７Ｈ８）などを用いる。
【００３３】
保護層１０４は、保護層上層１０４ｂが製膜された後、潤滑剤の塗布性を向上させるために保護層表面の撥液性を低下させる処理を行ってもよい。例えば、窒素ガスが導入されたチャンバー内でプラズマを発生させ、活性な窒素イオンや窒素ラジカルを保護層表面と反応させる窒素プラズマ処理を行ってもよい（例えば、特許文献６等参照）。
【００３４】
（潤滑層）
保護層上層１０４ｂ上に液体潤滑剤が塗布されて潤滑層１０５が形成される。液体潤滑剤としては、例えばパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）などが用いられ、ディッピング法などによって塗布される。
【００３５】
潤滑剤が塗布された磁気記録媒体は、さらに加熱処理を行ってもよい。例えば１００℃程度に保たれた炉内に一定時間放置してもよい。この加熱処理によって潤滑層１０５と保護層１０４の結合力を上げ、潤滑層１０５が容易に剥がれるのを防ぐことができる。
【００３６】
潤滑層１０５の厚さは、フーリエ変換赤外分光法（ＦＴ−ＩＲ）で予め潤滑層なしの磁気記録媒体Ａに対し測定を行なっておき、次いで潤滑層を有する磁気記録媒体Ｂを測定することで、両者の値の差分から得ることができる。潤滑層はその機能を果たす厚さとして、例えば１．０ｎｍで形成される。
【００３７】
（製造工程）
図２は本発明の磁気記録媒体の製造工程の一例を示したものである。これらの工程は、基板の片面に対して、または両面に対して処理が行われてもよい。両面に対して同時に処理が行われた場合には、製造された磁気記録媒体は両面同等の性能を有することができる。
【００３８】
第１の製造工程として、基板研磨・洗浄工程２０１において、ガラスまたはアルミニウムを母材としたドーナツ状の円盤基板１０１が、ヘッドの浮上に好適な粗さになるまで平坦に研磨された後、研磨剤や研磨滓が精密に洗い流される。具体的には、例えば、ガラスを母材とする基板１０１を、基板研磨・洗浄工程２０１にて表面粗さＲａが０．１ｎｍ程度になるよう研磨した後、超音波洗浄とスクラブ洗浄によって、研磨剤や研磨滓を十分に除去する。
【００３９】
続いて成膜工程２０２では、真空に保たれた成膜装置の中で、スパッタ法によって円盤基板１０１上に金属材料からなる磁性層１０３が成膜される。磁性層１０３が成膜される前に、磁性層１０３の性能を向上させるための軟磁性層を含む層１０２が厚さ２０〜３００ｎｍ程度で成膜されることもある。具体的には、例えば、Ｃｏ，Ｔａ，Ｒｕ等からなる軟磁性層を含む層１０２を、スパッタ法で厚さ６０ｎｍ成膜し、続けて、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２よりなる磁性層１０３をスパッタ法で厚さ２０ｎｍ成膜する。
【００４０】
磁性層１０３が成膜された後、連続して、同じく真空に保たれた成膜装置の中で保護層１０４が成膜される。まず、保護層下層１０４ａが成膜される。続いて保護層上層１０４ｂがプラズマＣＶＤ法によって成膜される。保護層下層１０４ａと保護層上層１０４ｂの合計厚さは２．５ｎｍ以下である。また、場合により、保護層上層１０４ｂが成膜された後、窒素プラズマ処理を実施する。
【００４１】
続いて、潤滑層工程２０３にて、保護層上層１０４ｂ上に液体潤滑剤が塗布されて潤滑層１０５が形成される。液体潤滑剤としては、例えばパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）などが用いられ、ディッピング法などによって塗布される。具体的には、例えば、ディッピング法により、潤滑剤Ｚ−Ｔｅｔｒａｏｌ（ＳｏｌｖａｙＳｏｌｅｘｉｓ社製）を用いて、潤滑層１０５を形成する。潤滑剤溶液に浸漬されている磁気記録媒体を引き上げる速度は例えば２ｍｍ／ｓｅｃとする。潤滑剤が塗布された磁気記録媒体は、例えば１００℃程度に保たれた炉内に一定時間放置される。
【００４２】
次いで、ヘッド浮上の妨げになり得る表面の突起物・付着汚れを除去するための、表面クリーニング工程２０４が実施される。具体的には、例えば、粒度＃６０００の砥粒を持つバーニッシュテープで磁気記録媒体上全面を走査することにより、磁気記録媒体上の突起物・付着汚れを除去する。
【００４３】
前記クリーニング処理後、磁気記録媒体表面を外観検査装置で測定することにより、表面クリーニング工程２０４で磁気記録媒体表面に傷を発生させていないかどうか検査される。
【００４４】
最後に、ヘッド浮上試験工程２０５でグライド試験が行なわれる。グライド試験とは、ピエゾセンサが装着されたグライドヘッドを、磁気記録媒体表面から所定の浮上量を保って浮上させる。磁気記録媒体表面に存在する突起物の高さが前記浮上量より高い場合には、グライドヘッドが突起物に衝突するため、それをピエゾセンサが検知する。磁気記録媒体表面の１箇所からでも規定の値より大きな衝突を検知すれば、その磁気記録媒体は不良品となり、出荷されることはない。具体的には、例えば、３０％スライダーのグライドヘッドを、線速度８．６ｍ／ｓｅｃで浮上させ、全面に亘って走査させる。グライド試験の判定基準として、ピエゾセンサが発する電圧値が走査範囲全面に亘って２００ｍＶ以下であれば合格とする。
【００４５】
以上のようにして製造された本発明の磁気記録媒体は、保護層の膜厚が２．５ｎｍ以下であっても、高い耐食性と耐久性とを有することができる。
【実施例】
【００４６】
以下に本発明の実施例を説明するが、以下の実施例は、本発明をなんら限定するものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において当業者により種々変更可能である。
【００４７】
＜実施例１＞
図２に示した方法に基づき、磁気記録媒体Ａを得た。
【００４８】
保護層下層１０４ａは、ＧｅをＤＣスパッタによりＤＣ出力１５０Ｗにて製膜し、形成した。保護層下層１０４ａであるゲルマニウム膜の厚さは０．３ｎｍ（実施例１−１）、０．５ｎｍ（実施例１−２）、０．７ｎｍ（実施例１−３）とした。
【００４９】
次いで、保護層上層１０４ｂをプラズマＣＶＤ法によって形成した。該プラズマＣＶＤは、原料ガスＣ２Ｈ４をガス流量３０ｓｃｃｍで供給しながら、フィラメント−基板間のバイアス電圧１００Ｖ中、プラズマ密度６×１０１０ｃｍ−３で行われた。保護層上層１０４ｂは、保護層下層１０４ａと保護層上層１０４ｂの合計膜厚が２．５ｎｍとなるように形成された。
【００５０】
得られた磁気記録媒体Ａに対し、後述する耐食性試験を行った。結果を表１に示す。
【００５１】
さらに磁気記録媒体Ａに対し、窒化プラズマ処理、潤滑剤の塗布を実施し、磁気記録媒体Ｂを得た。なお、窒化プラズマ処理は潤滑層の膜厚が１．０ｎｍとなるように行われた。
【００５２】
窒化プラズマ処理された磁気記録媒体Ａに対し、ＸＰＳ分析により保護層１０４中の窒素含有量を求めた。結果を表１に示す。
【００５３】
次いで、上述の方法で、磁気記録媒体Ｂに対し、表面クリーニング工程２０４を実施した。表面クリーニング工程２０４を経た磁気記録媒体Ｂに対し、表面の傷の有無を外観検査装置により確認し、さらにヘッド浮上試験工程２０５において上で具体的に提示した方法によりグライド試験を実施した。結果を表１に示す。
【００５４】
＜実施例２＞
保護膜下層１０４ａの材質として、亜鉛（実施例２−１）、インジウム（実施例２−２）、あるいはスズ（実施例２−３）を採用した以外は実施例１−１と同様に磁気記録媒体を作製し、評価した。結果を表１に示す。
【００５５】
＜実施例３＞
保護膜下層１０４ａおよび保護膜上層１０４ｂの膜厚を調整し、全厚を２ｎｍ（実施例３−１）、１．５ｎｍ（実施例３−２）、とした以外は実施例１と同様に磁気記録媒体を作製、評価した。結果を表１に示す。
【００５６】
＜比較例１＞
実施例１において、保護層下層１０４ａを成膜せず、保護層上層１０４ｂのみを厚さ２．５ｎｍで成膜した磁気記録媒体を作製し、実施例１同様の特性評価を行なった。結果を表１に示す。
【００５７】
＜比較例２＞
保護膜下層１０４ａであるゲルマニウムの膜厚を０．１ｎｍとした以外は実施例１と同様に磁気記録媒体を作製し、評価した。結果を表１に示す。
【００５８】
（耐食性試験）
磁気記録媒体Ａの表面に酸を滴下することによって、保護層１０４の耐食性を評価した。磁気記録媒体Ａの磁性層１０３はＣｏＣｒ合金からなるため、保護層１０４を通して酸に溶け出したＣｏ量を評価すれば、保護層１０４の耐食性の優劣が判断できる。
【００５９】
水平に置かれた磁気記録媒体Ａ上に、一定量の酸を滴下して一定時間放置した後、この液を全量回収する。そしてＩＣＰ−ＭＳ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ  Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により液中に含まれるＣｏ量を測定することにより耐食性を評価することができる。具体的には、体積濃度３％の硝酸を用い、滴下量は０．８ｍｌ、滴下後の放置時間を１時間とした。得られたＣｏ量を、上記滴下した液が磁気記録媒体Ａ表面に触れた面積で割ることによって、単位面積あたりのＣｏ溶出量が得られる。耐食性の判定基準として、これまでの経験からハードディスクドライブ内で問題を起こすことの無かった、単位面積あたりのＣｏ溶出量５ｎｇ／ｃｍ２以下を合格とした。
【００６０】
【表１】
2014002806.tif 000003
【００６１】
保護層下層１０４ａの膜厚が０．３ｎｍ以上であり、保護層１０４全体の膜厚が２．５ｎｍである実施例１−１〜１−３および２−１〜２−３においては、保護層下層１０４ａがゲルマニウム、亜鉛、あるいはインジウム、スズのいずれの場合であっても、作製された磁気記録媒体は十分な耐食性および耐久性を有することができた。
【００６２】
さらに、保護層１０４全体の膜厚を２．０ｎｍおよび１．５ｎｍと小さくした実施例３−１および３−２においても、実施例１および２に比べてＣｏ溶出量の増加は見られたものの、十分な耐食性および耐久性を有する磁気記録媒体を得ることができた。
【００６３】
一方、保護層下層１０４ａを有さない比較例１および十分な膜厚の保護層下層１０４ａを有さない比較例２においては、Ｃｏ溶出量が大きく、十分な耐食性を有することができなかった。
【００６４】
これは、理論により限定されるものではないが、酸化しやすい材料を保護層下層１０４ａに選択することにより、保護層上層１０４ｂのＤＬＣ層を通り抜けた酸素が保護層下層１０４ａの材料と結合して体積膨張を起こすことにより、より緻密な保護層が形成されたものと考えられる。
【符号の説明】
【００６５】
１０１    基板
１０２    軟磁性層を含む層
１０３    磁性層
１０４    保護層
１０４ａ  保護層下層
１０４ｂ  保護層上層
１０５    潤滑層
２０１    基板研磨・洗浄工程
２０２    成膜工程
２０３    潤滑層工程
２０４    表面クリーニング工程
２０５    ヘッド浮上試験工程
【図１】
2014002806.tif 000004
【図２】
2014002806.tif 000005