(57)【要約】【課題】透明導電膜と接続するタッチパネルセンサー用Ｃｕ配線膜について、低い電気抵抗を有することは勿論のこと、大気雰囲気にて約２００℃以上の加熱処理を行なった場合でも表面が変色しない新規なＣｕ配線膜、およびこれを用いたタッチパネルセンサーを提供する。【解決手段】本発明に係るタッチパネルセンサー用配線膜は、透明導電膜の上に形成される純ＣｕまたはＣｕを主成分とするＣｕ合金（第１層）と、第１層の上に形成され、純Ａｌ；またはＴａ、Ｎｄ、およびＴｉよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を１０原子％以下の範囲で含むＡｌ合金（第２層）との積層構造で構成されている。【選択図】図１
2014235724.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明導電膜と接続するタッチパネルセンサー用の配線膜において、
前記配線膜は、
透明導電膜の上に形成され、純ＣｕまたはＣｕを主成分とするＣｕ合金で構成される低電気抵抗の第１層と；
前記第１層の上に形成され、純Ａｌ；またはＴａ、Ｎｄ、およびＴｉよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を１０原子％以下の範囲で含むＡｌ合金で構成される第２層と、
の積層構造で構成されていることを特徴とするタッチパネルセンサー用配線膜。
【請求項２】
前記第２層は、Ｔａ、Ｎｄ、およびＴｉよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を１０原子％以下の範囲で含むＡｌ合金で構成されている請求項１に記載のタッチパネルセンサー用配線膜。
【請求項３】
前記第１層を構成するＣｕ合金は、Ｎｉ、Ｚｎ、およびＭｎよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含む請求項１または２に記載のタッチパネルセンサー用配線膜。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載のタッチパネルセンサー用配線膜を備えたタッチパネルセンサー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明導電膜と接続するタッチパネルセンサー用配線膜、およびタッチパネルセンサーに関する。
【背景技術】
【０００２】
タッチパネルセンサーは一般に、入力領域に形成された透明電極と、入力領域の側部（非入力領域）に位置して当該透明電極と電極的に接続される配線部と、を含む（例えば特許文献１を参照）。配線部は主に、透明電極を構成する透明導電膜の上に、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇなどの金属材料で形成された配線膜で構成されており、特に電気抵抗の小さいＣｕが汎用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−４３２９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
通常、タッチパネルセンサーの製造過程では、２００℃未満の低い加熱処理が施されるが、大気雰囲気にて２００℃以上（例えば、約２３０℃程度）の加熱処理が施される場合がある。Ｃｕ配線材料を大気雰囲気下、上記の比較的高い温度で加熱処理すると、Ｃｕが酸素と容易に反応し、茶褐色半透明のＣｕ酸化物が表面に形成され、配線膜が変色する。配線材料の欠陥は通常、光学的な方法で検出されるが、上記のように配線膜が変色すると欠陥として検出され、製造歩留まりの低下の原因となる。
【０００５】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、透明導電膜と接続するタッチパネルセンサー用Ｃｕ配線膜について、低い電気抵抗を有することは勿論のこと、大気雰囲気にて約２００℃以上の加熱処理を行なった場合でも表面が変色しない新規な配線膜、およびこれを用いたタッチパネルセンサーを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を達成し得た本発明に係るタッチパネルセンサー用配線膜は、透明導電膜と接続するタッチパネルセンサー用の配線膜において、前記配線膜は、透明導電膜の上に形成され、純ＣｕまたはＣｕを主成分とするＣｕ合金で構成される低電気抵抗の第１層と；前記第１層の上に形成され、純Ａｌ；またはＴａ、Ｎｄ、およびＴｉよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を１０原子％以下の範囲で含むＡｌ合金で構成される第２層と、の積層構造で構成されているところに要旨を有するものである。
【０００７】
本発明の好ましい実施形態において、前記第２層は、Ｔａ、Ｎｄ、およびＴｉよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を１０原子％以下の範囲で含むＡｌ合金で構成されている。
【０００８】
本発明の好ましい実施形態において、前記第１層を構成するＣｕ合金は、Ｎｉ、Ｚｎ、およびＭｎよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含む。
【０００９】
本発明には、上記のいずれかに記載のタッチパネルセンサー用配線膜を備えたタッチパネルセンサーも含まれる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のタッチパネルセンサー用配線膜は、低電気抵抗のＣｕ配線材料の上に、純Ａｌまたは所定のＡｌ合金が形成された積層構造を有しているため、配線膜に要求される低い電気抵抗を維持しつつ、大気雰囲気にて約２００℃以上の熱履歴に曝された場合でも、上記配線膜表面の変色を防止することができる。その結果、上記配線膜を一般的な光学的方法で検出しても、当該配線膜の欠陥は認められず、製造歩留まりが向上する。
【００１１】
本発明によれば、タッチパネルセンサーでは通常採用されていなかった、大気雰囲気中での比較的高い加熱処理を行なった後も、表面の変色を防止することができるタッチパネルセンサー用Ｃｕ合金配線膜、および当該配線膜を用いたタッチパネルセンサーを提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、本発明の配線膜を備えたタッチパネルセンサーの構成の一部を模式的に示す断面図である。
【図２】図２は、表１のＮｏ．３（比較例）の断面ＴＥＭ写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明者らは、透明導電膜と直接接続するタッチパネルセンサー用配線膜において、Ｃｕ配線膜による低電気抵抗を維持しつつ、大気雰囲気にて約２００℃以上の熱履歴に曝された場合でも、当該Ｃｕ配線膜表面の変色を防止可能な新規な配線膜を提供するため、検討を重ねてきた。その結果、純Ｃｕ、またはＣｕを主成分とするＣｕ合金で構成される低電気抵抗層（第１層）の上に、純Ａｌ；またはＴａ、Ｎｄ、およびＴｉよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を０．１〜１０原子％の範囲で含むＡｌ合金（第２層）が配置された積層構造の配線膜を用いれば所期の目的が達成されることを見出し、本発明を完成した。
【００１４】
本明細書において「大気雰囲気にて２００℃以上の加熱処理」とは、加熱温度がおおむね、２００〜３００℃、加熱時間がおおむね、３０分〜１時間のものを意味する。上記の加熱処理には、第１層を形成する際に行われる加熱処理のほか、第１層形成後の熱履歴（例えば、スパッタリングやレジストをベークする工程など）も含まれる。
【００１５】
また、本明細書において「大気雰囲気にて２００℃以上の熱履歴に曝された場合でもＣｕ配線膜表面の変色を防止することができる」とは、後記する実施例に記載の方法で大気雰囲気下、２３０℃の加熱処理を行ない、加熱処理前後の配線膜の反射率を測定したとき、反射率の変化率が５０％以下のものを意味する。
【００１６】
また本明細書において「電気抵抗が低い」とは、後記する実施例に記載の方法により、上記加熱処理前の配線膜（第１層＋第２層の積層膜）の電気抵抗を測定したとき、電気抵抗が２００ｍΩ／□以下のものを意味する。
【００１７】
また、第２層を構成する「純Ａｌ；またはＴａ、Ｎｄ、およびＴｉよりなる群から選択される少なくとも一種の元素」をまとめて、「純Ａｌまたは所定のＡｌ合金」と呼ぶ場合がある。
【００１８】
以下、図１を参照しながら、本発明の配線膜を備えたタッチパネルセンサーを詳しく説明する。
【００１９】
図１に示すように本発明のタッチパネルセンサーは、基板と、基板の上に形成される透明導電膜と、透明導電膜の上に直接接続される配線膜と、から構成されている。上記配線膜は、透明導電膜の上に直接形成される第１層と、第１層の上に直接形成される第２層との積層構造を有している。このうち第１層は、純ＣｕまたはＣｕを主成分とするＣｕ合金で構成され、電気抵抗の低減化に寄与する。第２層は、純Ａｌ；またはＴａ、Ｎｄ、およびＴｉよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を１０原子％以下の範囲で含むＡｌ合金（純Ａｌまたは所定のＡｌ合金）で構成され、大気雰囲気で２００℃以上の熱履歴に曝されたときの配線膜の変色防止に寄与する。
【００２０】
まず、本発明の配線膜について、詳しく説明する。
【００２１】
（第１層を構成する、純ＣｕまたはＣｕを主成分とするＣｕ合金について）
透明導電膜の上に直接配置される第１層は、純ＣｕまたはＣｕを主成分とするＣｕ合金で構成される。具体的には、電気抵抗が低いというＣｕ配線材料本来の特性を発揮し得るものであれば特に限定されず、例えば、従来用いられるものを用いることもできる。
【００２２】
本明細書において「低電気抵抗の第１層」とは、タッチパネルセンサーにおける配線抵抗による信号遅延や電力損失を抑える観点から、電気抵抗率が、例えば１１μΩｃｍ以下のものを意味する。好ましくは８．０μΩｃｍ以下、より好ましくは５．０μΩｃｍ以下である。
【００２３】
本発明では、電気抵抗率が上記範囲を満足するように、合金元素の種類またはその含有量の少なくとも一方が適切に制御されたＣｕ合金を用いることができる。
【００２４】
例えば、Ｃｕ合金に用いられる元素として、電気抵抗率が低い元素（好ましくは、純Ｃｕ並みに低い元素）を、文献に記載の数値などを参照して公知の元素から容易に選択することができる。この場合の好ましい含有量の範囲は、電気抵抗率が上記範囲となるように、使用する元素の種類によって適切に制御すれば良い。
【００２５】
或いは、Ｃｕ合金に用いられる元素として、電気抵抗率が高い元素を用いることもできる。この場合は、電気抵抗率が上記範囲となるように含有量を少なくする。具体的には、使用する元素の種類によっても相違するが、おおむね、０．０５〜１原子％程度の範囲に低減すれば電気抵抗率を低減することができる。
【００２６】
本発明に用いられるＣｕ合金として、例えば、Ｃｕ−Ｎｉ合金、Ｃｕ−Ｚｎ合金、Ｃｕ−Ｍｎ合金、Ｃｕ−Ｍｇ合金、Ｃｕ−Ｃａ合金など；または、これらの合金元素を少なくとも一種以上含むＣｕ合金が好ましく用いられる。これらのうち、Ｃｕ−Ｎｉ合金、Ｃｕ−Ｚｎ合金、Ｃｕ−Ｍｎ合金は電気抵抗が比較的低いため、各合金元素（Ｎｉ、Ｚｎ、Ｍｎの少なくとも一種）の含有量の上限を、おおむね１０原子％以下とすることができる。また、上記Ｃｕ合金は、酸素ガスや窒素ガスのガス成分を含んでいても良く、例えば、Ｃｕ−ＯやＣｕ−Ｎなどを用いることができる。
【００２７】
上記Ｃｕ合金は、上述した適用可能な元素を含み、実質的に残部がＣｕおよび不可避的不純物である。
【００２８】
本発明に用いられるＣｕ合金、更に後記する第２層に用いられるＡｌ合金の各含有量は、例えばＩＣＰ発光分析法によって求めることができる。
【００２９】
上述した、純ＣｕまたはＣｕを主成分とするＣｕ合金で構成される第１層の膜厚は、５０ｎｍ以上であることが好ましい。第１層の膜厚が薄すぎると、配線抵抗が高くなることがある。より好ましくは７０ｎｍ以上、更に好ましくは１００ｎｍ以上である。一方、第１層の膜厚が厚すぎると配線形状の悪化やエッチング残渣が生じることがあるため、好ましくは６００ｎｍ以下、より好ましくは５００ｎｍ以下、更に好ましくは４５０ｎｍ以下である。
【００３０】
（第２層を構成する、純Ａｌまたは所定のＡｌ合金について）
本発明に係るタッチパネルセンサー用配線膜の特徴部分は、上述した第１層（純ＣｕまたはＣｕを主成分とするＣｕ合金）の上に直接、純Ａｌまたは所定のＡｌ合金（第２層）を設けた点にある。
【００３１】
大気雰囲気下のような酸素存在下で約２００℃以上の高温加熱を行なうと、第１層を構成するＣｕの表面は容易に酸化されてＣｕ酸化物を形成する。そのため、Ｃｕの酸化を防ぐ保護層の形成が必要になる。保護層の特性には、酸化に対する耐久性（耐酸化性）が高いことが必要とされる。加えて、保護層の耐酸化性が高い場合においても、粒界が粗いなど膜質が劣る場合には粒界を通して第１層のＣｕ元素が表面に拡散し、Ｃｕ酸化物が表面に形成されてしまう。そのため、保護層は緻密であることが必要である。本発明において保護層として用いられる、純Ａｌまたは所定のＡｌ合金は、表面に不動態皮膜を形成する。Ａｌの不動態皮膜は緻密であるため、Ｃｕ元素の拡散を防ぐことができる。そのため、上記純Ａｌまたは所定のＡｌ合金を保護層（第２層）として、上記第１層の上に積層することにより、Ｃｕの酸化による変色を防止することができる。
【００３２】
更に、純Ａｌでなく所定のＡｌ合金を用いれば、加熱による凝集や表面の荒れといった問題も生じないため、非常に有用である。
【００３３】
上記Ａｌ合金を構成するＴａ、Ｎｄ、およびＴｉは、上記観点から数多くの基礎実験に基づき、選択されたものである。すなわち、これらの元素は、上記の高温熱履歴が加わったときの熱凝集を抑制し、結晶粒を微細化する作用を有している。そのため、熱履歴後の表面の平坦性を保持することができる。その結果、熱履歴後の反射率の低下が抑えられ、配線膜表面の変色を防止することができる。これらの元素は単独、または二種類以上併用して用いることもできる。上記元素のうち好ましいのはＴａ、Ｎｄである。
【００３４】
上記元素の含有量（単独で含むときは単独の量であり、二種以上を含むときは合計量である）は０．１原子％以上であることが好ましい。上記元素の含有量が０．１原子％未満では、上記作用が有効に発揮されず、加熱による凝集を有効に抑えることができない。上記元素の、より好ましい含有量は０．２原子％以上である。但し、上記元素の含有量が多すぎると電気抵抗が増加するため、その上限を１０原子％以下とする。上記元素の好ましい含有量の上限は、３原子％以下であり、より好ましくは２原子％以下である。
【００３５】
上記Ａｌ合金は、Ｔａ、Ｎｄ、およびＴｉの少なくとも一種を上記範囲で含み、残部：Ａｌおよび不可避的不純物である。
【００３６】
上述した、純Ａｌまたは所定のＡｌ合金で構成される第２層の膜厚は、５ｎｍ以上が好ましい。第２層の膜厚が５ｎｍ以下では、表面に均一な膜を形成することが難しい。より好ましい膜厚は１０ｎｍ以上である。一方、第２層の膜厚が１５０ｎｍを超えると、当該第２層の下に配置されるＣｕ配線材料（第１層）とのテーパー差が大きくなり、配線膜の破断が生じやすい。より好ましい膜厚は１００ｎｍ以下である。
【００３７】
また、本発明に用いられる配線膜全体（第１層＋第２層の積層膜）の、好ましい合計厚さは、おおむね１００ｎｍ以上、より好ましくは２００ｎｍ以上であり、好ましくは６００ｎｍ以下、より好ましくは４５０ｎｍ以下である。
【００３８】
上記第１層および第２層を構成する各膜は、スパッタリング法により成膜することが好ましい。スパッタリング法を用いれば、スパッタリングターゲットとほぼ同じ組成の膜を成膜することができる。例えば、所望とするＣｕ合金膜またはＡｌ合金膜と同一組成のスパッタリングターゲットを用いることにより、組成ズレすることなく、所望の各膜を得ることができる。但し、これに限定されず、異なる組成のスパッタリングターゲットを用いても良いし、或いは、純Ｃｕスパッタリングターゲットまたは純Ａｌスパッタリングターゲットに所望とする合金元素の金属をチップオンすることによって成膜することもできる。
【００３９】
具体的には、本発明の積層構造からなる配線膜を製造するためには、まず、第１層をスパッタリング法により成膜した後、その上に、上記第２層をスパッタリング法により成膜すれば良い。
【００４０】
スパッタリング法としては、例えばＤＣスパッタリング法、ＲＦスパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、反応性スパッタリング法等のいずれのスパッタリング法を採用してもよく、その形成条件は、適宜設定すればよい。また、スパッタリングターゲットの形状は、スパッタリング装置の形状や構造に応じて任意の形状（角型プレート状、円形プレート状、ドーナツプレート状など）に加工したものが含まれる。
【００４１】
以上、本発明の配線膜について説明した。
【００４２】
上述したように本発明は、透明導電膜と接続する配線膜の組成を特定したところに特徴があり、それ以外の構成は特に限定されず、タッチパネルセンサーの分野で通常用いられる公知の構成を採用することができる。
【００４３】
基板は、一般的に使用されている透明基板を用いることができ、例えば、ガラスの他、ポリエチレンテレフタレート系、ポリカーボネート系、またはポリアミド系の樹脂系基板が挙げられる。好ましくは、材料コストが安くロールトゥロールにも対応するポリエチレンテレフタレート系、ポリカーボネート系、またはポリアミド系等のフィルムを用いることが好ましい。本発明では例えば、固定電極である下部電極の基板にガラスを用い、可撓性の必要な上部電極の基板にポリカーボネート系等のフィルムを用いることができる。フィルム基板に加える熱履歴は、フィルムの耐熱温度以下であれば問題ないが、密着性向上の観点からは１００℃以上の熱履歴に対する耐熱性を有するフィルムを用いることが好ましい。
【００４４】
基板の上に配置される透明導電膜の種類は特に限定されず、代表例として、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）が挙げられる。
【００４５】
本発明のタッチパネルセンサーは、抵抗膜方式、静電容量方式、超音波表面弾性波方式などのタッチパネルセンサーとして用いることができる。本発明のタッチパネルセンサーは、公知の方法により製造することができる。
【実施例】
【００４６】
以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記実施例によって制限されず、前・後記の趣旨に適合し得る範囲で変更を加えて実施することも可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。
【００４７】
実施例１
（試料Ｎｏ．１〜１３の作製）
本実施例では、以下に詳述するようにＩＴＯ膜の上に種々の配線膜を形成し、加熱処理前後の反射率および加熱処理前の電気抵抗を測定した。表１に示す各配線膜について、％の単位は原子％であり、Ａｌ合金の残部はＡｌおよび不可避的不純物、Ｃｕ合金の残部はＣｕおよび不可避的不純物である。
【００４８】
まず、ガラス基板（コーニング社製、イーグルＸＧ、直径１００ｍｍφ×１０．７ｍｍ）の表面に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、透明導電膜（ＩＴＯ：膜厚は１００ｎｍ）を形成した。スパッタリング条件は以下のとおりである。
・島津製作所社製「ＨＳＲ−５５２Ｓ」
・背圧  １．０×１０-6Ｔｏｒｒ以下
・プロセスガス圧  ０．８ｍＴｏｒｒ
・プロセスガス  Ａｒ  ５ｓｃｃｍ
５％−Ｏ2／Ａｒ  ８ｓｃｃｍ
・スパッタパワー  １．８５Ｗ／ｃｍ2
・極間距離  ５０ｍｍ
・成膜温度  室温
・基板温度  室温
【００４９】
次に、上記ＩＴＯ膜の直上に、表１に示すように第１層（純ＣｕまたはＣｕ合金膜）を形成した後、第２層（Ｃｕ合金膜、純Ａｌ膜、またはＡｌ合金膜）を形成した（表１のＮｏ．２〜１３）。各膜の成膜には、対応する組成のスパッタリングターゲットを用い、ＤＣマグネトロンスパッタリング法によるスパッタリングを行なった。比較のため、第２層を有しないものも用意した（表１のＮｏ．１）。いずれの膜も、以下のスパッタリング条件を行なった。
・島津製作所製「ＨＭＳ−５５２」
・背圧  １．０×１０-6Ｔｏｒｒ以下
・プロセスガス圧  ２ｍＴｏｒｒ
・プロセスガス  Ａｒ  ３０ｓｃｃｍ
・スパッタパワー  ３．２〜１．６Ｗ／ｃｍ2
・極間距離  ５０ｍｍ
・成膜温度  室温
・基板温度  室温
【００５０】
（加熱処理前後の反射率の測定）
このようにして得られた各試料について、大気雰囲気下、２３０℃で１時間の加熱処理を行い、加熱処理前後の反射率（波長５５０ｎｍ）を測定した。反射率は、分光光度計（日本分光社製  Ｖ−５７０分光光度計）を用い、絶対反射率を測定した。各試料について、加熱処理前後の反射率の変化率の差（反射率の変化量）を求め、加熱処理前の反射率（％）に対する上記反射率の変化量（％）を反射率の変化率（％）として算出した。本実施例では、このようにして算出される反射率の変化率が５０％以下のものを良とし、５０％超のものを不良とした。
【００５１】
（加熱処理前の電気抵抗の測定）
加熱処理前の各試料について、４端子法で電気抵抗を測定した。測定した電気抵抗からシート抵抗を算出し、２００ｍΩ／□以下のものを良、２００ｍΩ／□超のものを不良とした。
【００５２】
これらの結果を表１に示す。表１の最右欄には総合評価の欄を設け、全ての項目が良のものに「合格」、いずれか一つの項目が不良のものに「不合格」を記載した。
【００５３】
（ＴＥＭ分析）
図２に、上記加熱処理後のＮｏ．３の断面を、日立製作所製電界放出形透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）ＨＦ−２２００を用いて観察した結果を示す。また、図２中の各ポイント１〜５について、Ｎｏｒａｎ社製ＥＤＸ分析装置Ｓｙｓｔｅｍ  ＳＩＸを用いて組成分析を行った。これらの結果を表２に示す。
【００５４】
【表１】
2014235724.tif 000003
【００５５】
【表２】
2014235724.tif 000004
【００５６】
これらの結果より以下のように考察することができる。
【００５７】
まず、Ｎｏ．１は、純Ｃｕ（第１層の単層のみ）の配線膜を用いた従来例である。Ｎｏ．１では、本発明のような第２層を有しないため、高温の大気加熱処理を行うと純Ｃｕの酸化によって反射率が減少（透過率が増加）し、反射率の変化率は約６４％と大きく変化した。
【００５８】
Ｎｏ．２は、上記Ｎｏ．１の上にＣｕ−３０原子％Ｎｉ合金（第２層）を形成した積層配線膜の比較例である。第２層としてＣｕ−３０原子％Ｎｉ合金を用いても、大気加熱処理によるＣｕ酸化物の形成を抑制することはできず、反射率の変化率は約９０％と、一層大きくなった。
【００５９】
Ｎｏ．３は、上記Ｎｏ．２において、第１層として純Ｃｕの代わりにＣｕ−１．０原子％Ｍｎ合金を用いた積層配線膜の比較例である。Ｎｏ．３における反射率の変化率は約９３％であり、前述したＮｏ．２に比べて、更に一層大きくなった。Ｎｏ．２とＮｏ．３の結果より、第２層としてＣｕ−３０原子％Ｎｉ合金を用いた場合には、第１層の種類にかかわらず、高温の大気加熱処理によるＣｕ酸化物の形成を抑制できないことが分かる。
【００６０】
上記Ｎｏ．３の結果は、図２のＴＥＭ断面写真および表２の組成分析結果から確認することができる。すなわち、図２および表２に示すように、Ｎｏ．３に上記の高温大気加熱処理を行なうと、第２層（Ｃｕ−３０原子％Ｎｉ合金）の表面（ポイント１および２）に酸素（Ｏ）量の多いＣｕＯの酸化膜が形成された。この酸素は、第１層（Ｃｕ−１．０原子％Ｍｎ合金）中（図２中、ポイント５）、上記第１層と第２層（Ｃｕ−３０原子％Ｎｉ合金）の界面近傍（図２中、ポイント４）、および上記第２層中（図２中、ポイント３）には全く見られなかったものであり（表２を参照）、第２層として用いたＣｕ−３０原子％Ｎｉ合金は、大気加熱処理によるＣｕＯの酸化膜の形成効果を全く奏しないことが確認された。
【００６１】
これに対し、Ｎｏ．４〜１３は、上記Ｎｏ．１の上に、本発明に規定する所定の第２層（純ＡｌまたはＡｌ合金）を種々の膜厚で有する積層配線膜の本発明例である。表１に示すように、いずれの場合も、反射率の変化率を５０％以下に低減することができた。また、いずれの場合も、加熱処理前の電気抵抗は十分に低いものであった。
【００６２】
なお、上記Ｎｏ．４〜１３のＴＥＭ写真は示していないが、いずれの場合も、前述した図２と異なり、第２層の表面にＣｕＯの酸化膜は形成されなかったことを確認している。よって、本発明の積層配線膜を用いれば、低い電気抵抗を維持しつつ、大気加熱処理によるＣｕ酸化物の形成を抑制できることが分かる。
【図１】
2014235724.tif 000005
【図２】
2014235724.tif 000006