(57)【要約】【課題】制御回路付きレーザにおいて、電流値を検知するための電流モニタ回路を設置することなく、半導体レーザを駆動するための駆動電流の異常を検知できるとともに、小型化すること。【解決手段】ＤＦＢレーザ部３１から出射してＳＯＡ３２が増幅したレーザ光Ｌの出力を検知するパワーモニタＰＤ３４が、駆動電流により駆動するＤＦＢレーザ部３１の迷光Ｌ0を検知する。パワーモニタＰＤ３４が検知した迷光Ｌ0のパワーに基づいて、ＤＦＢレーザ部３１を制御するＣＰＵ２０により、ＤＦＢ駆動回路４０がＤＦＢレーザ部３１に供給した駆動電流の異常を検知する。さらに、パワーモニタＰＤ３４が検知するレーザ光Ｌの強さに基づいて、ＳＯＡ３２を制御するＣＰＵ２０により、ＳＯＡ駆動回路５０がＳＯＡ３２に供給する駆動電流の異常を検知する。【選択図】図１
2014033127.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザを有する光集積素子が出射するレーザ光の出力を検知するレーザ光出力検知手段によって、前記レーザ光のうちの前記光集積素子において導波されない漏れ光を検知する漏れ光検知ステップと、
前記レーザ光出力検知手段が検知した前記漏れ光の強さに基づいて、制御手段によって前記半導体レーザの駆動電流の異常を検知する異常検知ステップと、を含む
ことを特徴とする光集積素子の異常電流検知方法。
【請求項２】
前記半導体レーザが分布帰還型半導体レーザであり、前記レーザ光出力検知手段は前記半導体レーザが出射するレーザ光を増幅する光増幅手段によって増幅されたレーザ光を検知可能に構成されていることを特徴とする請求項１に記載の光集積素子の異常電流検知方法。
【請求項３】
半導体レーザを有する光集積素子と、
前記光集積素子が出射するレーザ光のうちの前記光集積素子において導波されたレーザ光と前記光集積素子において導波されない漏れ光とを検知可能に構成されたレーザ光出力検知手段と、
前記レーザ光出力検知手段が検知した前記漏れ光の強さに基づいて、前記半導体レーザの駆動電流の異常を検知可能に構成された制御手段と、
を備えることを特徴とする光集積素子アセンブリ。
【請求項４】
前記光集積素子が、互いに異なる波長のレーザ光を出射可能に構成された複数の半導体レーザと、前記複数の半導体レーザがそれぞれ出射したレーザ光をそれぞれ導波可能に構成された複数の光導波路と、前記複数の光導波路が導光したレーザ光を合流可能に構成された光合流器と、前記光合流器が出力したレーザ光を増幅する半導体光増幅器とを集積して構成されていることを特徴とする請求項３に記載の光集積素子アセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に波長可変レーザモジュールにおいて超高速光伝送を行う際の駆動電流の異常を検知する光集積素子の異常電流検知方法および光集積素子アセンブリに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的な波長可変レーザモジュールなどの半導体レーザモジュールの制御回路には、半導体レーザの駆動電流をモニタリングするために、電流モニタ回路が設けられている。この電流モニタ回路が検知したモニタ情報は、制御回路に供給され、内部の中央演算処理装置（ＣＰＵ）で処理される。ＣＰＵは、モニタリングによって検知した値（モニタ値）と目標値との差分を計算して、この差分の値が０になるように半導体レーザに流れる駆動電流の出力を制御する。
【０００３】
そして、半導体レーザに異常な電流が流れた場合には、この異常な電流値を電流モニタ回路がモニタリングする。異常な電流値のモニタ情報は、制御回路に供給されて制御回路によって電流の異常が検知される。
【０００４】
また、従来、送信光源の光出力のモニタ光を受光する受光素子のモニタ電流により送信光源の光出力を一定にするオートパワーコントロール機能を有する光モジュールの異常検知方法が提案されている（特許文献１）。この技術は、光モジュールの所定箇所を流れる電流値を検知するステップと、検知された電流値の過去の値を記憶するステップと、記憶された過去の値と現在検知された値との差分値を求めるステップと、求められた差分値が予め定められた閾値を超えたときに、予防保守の必要性を示すアラーム信号を発生するステップと、を含む。
【０００５】
そして、分布帰還型（ＤＦＢ：Distributed Feedback）半導体レーザ素子や半導体光増幅器（ＳＯＡ：Semiconductor Optical Amplifier）を備えた光集積素子においても、制御回路に実装した電流モニタ回路が光集積素子の駆動電流を直接モニタリングすることで、異常電流の検知を行っている。同様に、特許文献１に記載された技術においても、光モジュールの所定箇所を流れる電流値を直接検知して、異常な電流を検知している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−７６５０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、半導体レーザモジュールを搭載した制御回路付きレーザにおいては、小型化が要請されている。一方、電流の異常や、ロック波長またはパワーのずれを検知する用途として、電流モニタ回路の設置が必要とされている。さらに、ＤＦＢやＳＯＡなどを備えた制御回路付きレーザの場合には、ＤＦＢおよびＳＯＡのそれぞれに、駆動電流をモニタリングするための電流モニタ回路が必要であった。そのため、制御回路の小型化が困難になることから、制御回路付きレーザの小型化をも困難にしていた。
【０００８】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、その目的は、半導体レーザモジュールを備えた制御回路付きレーザにおいて、電流値をモニタリングするための電流モニタ回路を設置することなく、光集積素子に流れる駆動電流の異常を検知することができるとともに、小型化を実現可能な光集積素子の異常電流検知方法および光集積素子アセンブリを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決し、上記目的を達成するために、本発明に係る光集積素子の異常電流検知方法は、半導体レーザを有する光集積素子が出射するレーザ光の出力を検知するレーザ光出力検知手段によって、レーザ光のうちの光集積素子において導波されない漏れ光を検知する漏れ光検知ステップと、レーザ光出力検知手段が検知した漏れ光の強さに基づいて、制御手段によって半導体レーザの駆動電流の異常を検知する異常検知ステップと、を含むことを特徴とする。
【００１０】
本発明に係る光集積素子の異常電流検知方法は、上記の発明において、半導体レーザが分布帰還型半導体レーザであり、レーザ光出力検知手段は半導体レーザが出射するレーザ光を増幅する光増幅手段によって増幅されたレーザ光を検知可能に構成されていることを特徴とする。
【００１１】
本発明に係る光集積素子アセンブリは、半導体レーザを有する光集積素子と、光集積素子が出射するレーザ光のうちの光集積素子において導波されたレーザ光と光集積素子において導波されない漏れ光とを検知可能に構成されたレーザ光出力検知手段と、レーザ光出力検知手段が検知した漏れ光の強さに基づいて、半導体レーザの駆動電流の異常を検知可能に構成された制御手段と、を備えることを特徴とする。
【００１２】
本発明に係る光集積素子アセンブリは、上記の発明において、光集積素子が、互いに異なる波長のレーザ光を出射可能に構成された複数の半導体レーザと、複数の半導体レーザがそれぞれ出射したレーザ光をそれぞれ導波可能に構成された複数の光導波路と、複数の光導波路が導光したレーザ光を合流可能に構成された光合流器と、光合流器が出力したレーザ光を増幅する半導体光増幅器とを集積して構成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る光集積素子の異常電流検知方法および光集積素子アセンブリによれば、制御回路付きレーザにおいて、電流値を検知するための電流モニタ回路を設置することなく、半導体レーザに流れる駆動電流の異常を検知することができるとともに、小型化を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態による波長可変レーザアセンブリを示す模式図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施形態による波長可変レーザアセンブリに搭載されたレーザモジュール内の光集積素子の詳細を示す模式図である。
【図３】図３は、従来技術による波長可変レーザアセンブリを示す模式図である。
【図４】図４は、従来技術による波長可変レーザアセンブリを示す模式図である。
【図５】図５は、本発明の第２の実施形態による波長可変レーザアセンブリを示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、以下の実施形態の全図においては、同一または対応する部分には同一の符号を付す。また、本発明は以下に説明する実施形態によって限定されるものではない。
【００１６】
まず、本発明の第１の実施形態による光集積素子の異常電流検知方法および光集積素子アセンブリについて説明する。図１は、この第１の実施形態による半導体光集積素子を備えた光集積素子アセンブリである制御回路付きレーザの一例を示す。
【００１７】
（波長可変レーザアセンブリ）
図１に示すように、この第１の実施形態による制御回路付きレーザとしての波長可変レーザアセンブリ（ＩＴＬＡ：Integrable Tunable Laser Assembly）１００は、プリント基板１０上に、ＣＰＵ２０、レーザモジュール３０、ＤＦＢ駆動回路４０、ＳＯＡ駆動回路５０、および電流モニタ回路６０が、それぞれ所定位置に配置されて設けられる。
【００１８】
ＣＰＵ２０には、外部にアナログ信号を出力するためのデジタルアナログ変換部（ＤＡＣ）２１，２２が設けられているとともに、外部からアナログ信号を入力するためのアナログデジタル変換部（ＡＤＣ）２３が設けられている。なお、これらのＤＡＣ２１，２２およびＡＤＣ２３は、ＣＰＵ２０に内蔵されているが、ＣＰＵ２０の外部に設けることも可能である。制御手段としてのＣＰＵ２０は、ＤＡＣ２１を通じてＤＦＢ駆動回路４０に制御信号を供給してＤＦＢ駆動回路４０およびＤＦＢレーザ部３１を制御するとともに、ＤＡＣ２２を通じてＳＯＡ駆動回路５０に制御信号を供給してＳＯＡ駆動回路５０およびＳＯＡ３２を制御する。
【００１９】
レーザモジュール３０には、少なくとも、ＤＦＢレーザ部３１および光増幅器（ＳＯＡ）３２を有する光集積素子と、光学系を構成するビームスプリッタ３３およびパワーモニタフォトダイオード（パワーモニタＰＤ）３４とが設けられている。
【００２０】
また、ＤＦＢ駆動回路４０は、ＤＦＢレーザ部３１に駆動電流を供給することによってＤＦＢレーザ部３１を駆動する。また、ＳＯＡ駆動回路５０は、ＳＯＡ３２に駆動電流を供給することによってＳＯＡ３２を駆動する。
【００２１】
ビームスプリッタ３３は、ＤＦＢレーザ部３１が出射してＳＯＡ３２が増幅したレーザ光Ｌのうちの、大部分を通過させ、一部を分岐する。レーザ光出力検知手段としてのパワーモニタＰＤ３４は、ビームスプリッタ３３によって分岐したレーザ光Ｌを検知し、検知した光強度に応じた電流を出力する。パワーモニタＰＤ３４が出力した電流は、電流モニタ回路６０に入力される。電流モニタ回路６０は、モニタ情報として入力された電流の大きさに応じたモニタ値を出力する。電流モニタ回路６０が出力したモニタ値は、ＡＤＣ２３を介してＣＰＵ２０に供給される。
【００２２】
ＣＰＵ２０は、電流モニタ回路６０から供給されたモニタ値に基づいて、ＤＡＣ２２を介してＳＯＡ駆動回路５０に制御信号を供給する。ＳＯＡ駆動回路５０は、ＣＰＵ２０からの制御信号に基づいてＳＯＡ３２の駆動を制御する。具体的には、ＣＰＵ２０はＳＯＡ駆動回路５０を制御して、パワーモニタＰＤ３４が出力した電流値が所定の上限値より大きい場合には、ＳＯＡ３２に供給する駆動電流を減少させたり、パワーモニタＰＤ３４が出力した電流値が所定の下限値より小さい場合には、ＳＯＡ３２に供給する駆動電流を増加させたりする。
【００２３】
（光集積素子の構成）
また、図２は、ＤＦＢレーザ部３１およびＳＯＡ３２を有する光集積素子（集積型半導体レーザ素子）の詳細な模式図である。図２に示すように、レーザモジュール３０に備えられた光集積素子は、間にトレンチ溝３１ｃを介して設けられた複数のＤＦＢレーザストライプ３１−１〜３１―ｎ（ｎ：２以上の整数）と、複数の光導波路３１ａ−１〜３１ａ−ｎと、多モード干渉型（ＭＭＩ：Multi mode Interferometer)光合流器３１ｂと、ＳＯＡ３２とを、１つの半導体基板上に集積して埋め込んだ構造を有する。
【００２４】
半導体レーザとしてのＤＦＢレーザストライプ３１−１〜３１−ｎはそれぞれ、ストライプ状の埋め込み構造を有する端面発光型レーザであり、光集積素子の一端において幅方向に所定ピッチで形成されている。ＤＦＢレーザストライプ３１−１〜３１−ｎは、各ＤＦＢレーザストライプ３１−１〜３１−ｎに備えられた回折格子の間隔を互いに異ならせることにより、出力光の波長が所定範囲、例えば１５３０ｎｍ〜１５７０ｎｍの範囲で相違するように構成されている。また、ＤＦＢレーザストライプ３１−１〜３１−ｎのレーザ発振波長は、光集積素子の設定温度を変化させることにより調整可能である。すなわち、光集積素子は、駆動するＤＦＢレーザストライプ３１−１〜３１−ｎの切り替えと温度制御とによって、広い波長可変範囲を実現している。
【００２５】
ＭＭＩ光合流器３１ｂは、光集積素子のほぼ中央部に形成されている。また、光導波路３１ａ−１〜３１ａ−ｎは、ＤＦＢレーザストライプ３１−１〜３１−ｎとＭＭＩ光合流器３１ｂとの間に形成されており、ＤＦＢレーザストライプ３１−１〜３１−ｎとＭＭＩ合流器３１ｂとを光学的に接続する。ＳＯＡ３２は、光集積素子のＤＦＢレーザストライプ３１−１〜３１−ｎとは反対側の一端に形成されている。
【００２６】
この光集積素子の動作について説明する。まず、ＤＦＢレーザストライプ３１−１〜３１−ｎの中から選択した１つのＤＦＢレーザストライプを駆動する。トレンチ溝３１ｃはＤＦＢレーザストライプ３１−１〜３１−ｎの間を電気的に分離するので、ＤＦＢレーザストライプ間の分離抵抗が大きくなる。これにより、ＤＦＢレーザストライプ３１−１〜３１−ｎの中の１つを選択して駆動することが容易にできる。
【００２７】
次に、複数の光導波路３１ａ−１〜３１ａ−ｎのうちの駆動するＤＦＢレーザストライプと光学的に接続している光導波路は、駆動しているＤＦＢレーザストライプから出力するレーザ光を導波する。ＭＭＩ光合流器３１ｂは、光導波路を導波した光を通過させて出力ポート３１ｄから出力する。ＳＯＡ３２は、出力ポート３１ｄから出力した光を増幅して出力端３２ａから出力する。なお、ＳＯＡ３２は、駆動するＤＦＢレーザストライプからの出力光のＭＭＩ光合流器３１ｂによる光の損失を補い、出力端３２ａから所望の強度のレーザ光出力を得るために用いられる。
【００２８】
この光集積素子が動作する際には、ＭＭＩ光合流器３１ｂの出力ポート３１ｄ側の端面３１ｅからの放射光が迷光Ｌ0となる。すなわち、ＤＦＢレーザ部３１は、導波されるレーザ光Ｌと、漏れ光としての導波されないレーザ光である迷光Ｌ0とを出射する。レーザ光Ｌは、ＭＭＩ合流器３１ｂから出力ポート３１ｄを介してＳＯＡ３２に導光される。一方、迷光Ｌ0は、ＳＯＡ３２に導光されずに放出される。なお、光導波路３１ａ−１〜３１ａ−ｎの曲がった部分からの放射光なども迷光Ｌ0として出射される場合がある。
【００２９】
（駆動電流の異常検知）
そこで、この第１の実施形態において、ＤＦＢ駆動回路４０から出力される駆動電流の異常の検知は、次のように行う。
【００３０】
すなわち、図１に示すように、迷光Ｌ0を、パワーモニタＰＤ３４により検知可能に構成する。ここで、本発明者の知見によれば、ＤＦＢレーザ部３１が出射する迷光Ｌ0は、ＤＦＢ駆動回路４０がＤＦＢレーザ部３１に供給する駆動電流に応じて、そのパワーが変化する。そのため、ＳＯＡ３２が駆動していない状態において、パワーモニタＰＤ３４によりＤＦＢレーザ部３１から出射する迷光Ｌ0を検知して、そのパワーを検知することによって、ＤＦＢ駆動回路４０が出力した駆動電流の異常を検知することが可能となる。
【００３１】
具体的には、まず、あらかじめＣＰＵ２０が、ＤＦＢ駆動回路４０がＤＦＢレーザ部３１に供給する駆動電流が正常である場合の、パワーモニタＰＤ３４が出力して、電流モニタ回路６０がモニタリングしたモニタ値を、目標値として保持しておく。そして、ＣＰＵ２０は、パワーモニタＰＤ３４による迷光Ｌ0のパワーの検知に応じた電流モニタ回路６０がモニタリングしたモニタ値と、保持した目標値との差分を算出する。この差分が所定の上限値以上になったり所定の下限値以下になったりした場合に、ＣＰＵ２０は、ＤＦＢ駆動回路４０が出力している駆動電流の電流値が異常であると判断する。これにより、ＣＰＵ２０は、ＤＦＢ駆動回路４０が出力する駆動電流の異常を検知することができる。
【００３２】
そして、ＣＰＵ２０は、ＤＦＢ駆動回路４０から出力される電流値が正常な電流値となるように、ＤＡＣ２１を通じてＤＦＢ駆動回路４０を制御する。なお、パワーモニタＰＤ３４による迷光Ｌ0のパワーの検知は、ＳＯＡ３２が駆動しておらず、レーザ光ＬがパワーモニタＰＤ３４に入射していない間に実行される。具体的には、パワーモニタＰＤ３４による迷光Ｌ0のパワーの検知は、波長可変レーザアセンブリ１００を起動した直後や、ＤＦＢレーザストライプ３１−１〜３１−ｎの切り換えを行ったり、同じＤＦＢレーザストライプにおいてもレーザの温度を変えて波長を変更したりする場合などの、いわゆるレーザ光Ｌの出力波長の切り替えを行った時点などで行われる。
【００３３】
また、この第１の実施形態において、ＳＯＡ駆動回路５０から出力される駆動電流の異常の検知は、次のように行う。
【００３４】
すなわち、ＤＦＢレーザ部３１が出射する導波されたレーザ光を、ＳＯＡ３２が増幅してレーザ光Ｌとして出射する。ここで、ＳＯＡ３２が増幅したレーザ光Ｌは、ＳＯＡ駆動回路５０が出力してＳＯＡ３２に供給する駆動電流の大きさに応じて、その出力パワーが変化する。パワーモニタＰＤ３４は、ＳＯＡ３２から出射されるレーザ光Ｌを検知していることにより、ＳＯＡ駆動回路５０がＳＯＡ３２に供給する駆動電流が、正常であるか異常であるかを検知することが可能となる。
【００３５】
具体的には、まず、あらかじめＣＰＵ２０が、ＳＯＡ駆動回路５０が出力する駆動電流値が正常である場合のパワーモニタＰＤ３４によるレーザ光Ｌのモニタ値に基づいて、電流モニタ回路６０のモニタリングによるモニタ値を、目標値として保持しておく。そして、ＣＰＵ２０は、パワーモニタＰＤ３４のレーザ光Ｌのモニタ値に応じた電流モニタ回路６０のモニタリングによるモニタ値と、保持されている目標値との差分を算出する。この差分が所定の上限値以上になったり所定の下限値以下になったりした場合に、ＣＰＵ２０は、ＳＯＡ駆動回路５０が出力している駆動電流の電流値が異常であると判断する。これにより、ＣＰＵ２０は、ＳＯＡ駆動回路５０が出力する駆動電流の異常を検知することができる。そして、ＣＰＵ２０は、ＳＯＡ駆動回路５０が出力する電流値が正常な電流値となるように、ＤＡＣ２２を介してＳＯＡ駆動回路５０を制御する。
【００３６】
（従来の波長可変レーザアセンブリ）
ここで、本発明の第１の実施形態による波長可変レーザアセンブリ１００における異常電流検知方法による効果の理解を容易にするために、従来技術による波長可変レーザアセンブリについて説明する。図３は、従来技術による波長可変レーザアセンブリ２００の構成を示す模式図であり、図４は、従来技術による他の波長可変レーザアセンブリ３００の構成を示す模式図である。
【００３７】
図３に示すように、従来技術による波長可変レーザアセンブリ２００は、上述した第１の実施形態と同様に、プリント基板１０上に、ＣＰＵ２０、レーザモジュール３０、ＤＦＢ駆動回路４０、ＳＯＡ駆動回路５０、および電流モニタ回路６０が、それぞれ所定位置に配置されて設けられている。一方、第１の実施形態と異なり、この波長可変レーザアセンブリ２００には、電流モニタ回路６０以外に、ＳＯＡ駆動回路５０がＳＯＡ３２に供給する駆動電流をモニタリングする電流モニタ回路６１と、ＤＦＢ駆動回路４０がＤＦＢレーザ部３１に供給する駆動電流をモニタリングする電流モニタ回路６２とがそれぞれ、所定位置に配置されて設けられている。また、ＣＰＵ２０には、ＤＡＣ２１，２２およびＡＤＣ２３以外に、電流モニタ回路６１が出力した信号をＣＰＵ２０に入力するためのＡＤＣ２４と、電流モニタ回路６２が出力した信号をＣＰＵ２０に入力するためのＡＤＣ２５とがさらに設けられている。ここで、ＤＡＣ２１，２２およびＡＤＣ２３〜２５は、ＣＰＵ２０に内蔵されているが、ＣＰＵ２０の外部のプリント基板１０上にＩＣチップとして設けられる場合もある。
【００３８】
このように、従来の波長可変レーザアセンブリ２００においては、電流モニタ回路６１，６２がそれぞれ、ＳＯＡ駆動回路５０およびＤＦＢ駆動回路４０が出力する駆動電流をモニタリングして、それらのモニタ値をＣＰＵ２０に供給する。ＣＰＵ２０は、電流モニタ回路６１のモニタリングによるモニタ値と、あらかじめ保持している目標値との差分を算出する。この差分が所定の上限値以上になったり所定の下限値以下になったりした場合に、ＣＰＵ２０は、ＳＯＡ駆動回路５０が出力している駆動電流が異常であると判断する。また、ＣＰＵ２０は、電流モニタ回路６２のモニタリングによるモニタ値を用いて、ＳＯＡ駆動回路５０の場合と同様にして、ＤＦＢ駆動回路４０が出力している駆動電流が異常であるか否を判断する。これにより、ＣＰＵ２０は、ＳＯＡ駆動回路５０およびＤＦＢ駆動回路４０が出力する駆動電流の異常を検知することができる。
【００３９】
また、図４に示すように、従来技術による他の波長可変レーザアセンブリ３００は、上述した波長可変レーザアセンブリ２００と同様、プリント基板１０上に、ＣＰＵ２０、レーザモジュール３０、ＤＦＢ駆動回路４０、ＳＯＡ駆動回路５０、および電流モニタ回路６０〜６２が、それぞれ所定位置に配置されて設けられているとともに、ＣＰＵ２０がＤＡＣ２１，２２およびＡＤＣ２３〜２５を備える。ここで、ＤＡＣ２１，２２およびＡＤＣ２３〜２５は、ＣＰＵ２０に内蔵されているが、ＣＰＵ２０の外部のプリント基板１０上にＩＣチップとして設けられる場合もある。
【００４０】
一方、波長可変レーザアセンブリ３００は、上述した波長可変レーザアセンブリ２００と異なり、レーザモジュール３０に、さらにフォトダイオード（ＰＤ）３５が設けられている。ＰＤ３５は、ＤＦＢレーザ部３１が、その後端面からＳＯＡ３２の設置側とは反対側に出射するレーザ光Ｌbを検知する。ＰＤ３５は、検知したレーザ光Ｌbのパワーに応じた電流を出力して、電流モニタ回路６２に供給する。すなわち、波長可変レーザアセンブリ３００における電流モニタ回路６２は、ＤＦＢ駆動回路４０がＤＦＢレーザ部３１に供給する駆動電流をモニタリングする代わりに、ＤＦＢレーザ部３１が出射するレーザ光Ｌbの出力のパワーに応じてＰＤ３５が出力する電流をモニタリングする。
【００４１】
また、波長可変レーザアセンブリ３００においては、波長可変レーザアセンブリ２００と同様、電流モニタ回路６１が、ＳＯＡ駆動回路５０が出力する駆動電流をモニタリングして、そのモニタ値をＣＰＵ２０に供給する。そして、ＣＰＵ２０は、この駆動電流が異常であるか否かを判断する。
【００４２】
一方、電流モニタ回路６２は、ＤＦＢレーザ部３１が出射するレーザ光Ｌbのパワーに応じてＰＤ３５が出力する電流をモニタリングして、そのモニタ値をＣＰＵ２０に供給する。ＣＰＵ２０は、このＰＤ３５が出力した電流が、正常時における目標値に対して、所定の上限値以上になったり、所定の加減値以下になったりした場合に、ＤＦＢ駆動回路４０がＤＦＢレーザ部３１に供給している駆動電流が異常であると判断する。
【００４３】
以上のように、従来の波長可変レーザアセンブリ２００，３００においては、駆動電流の異常を検知するために、ＤＦＢ駆動回路４０がＤＦＢレーザ部３１に供給する駆動電流をモニタリングするための電流モニタ回路６２が必要であり、ＳＯＡ駆動回路５０がＳＯＡ３２に供給する駆動電流をモニタリングするための電流モニタ回路６１が必要であった。そのため、波長可変レーザアセンブリにおいて、これらの電流モニタ回路６１，６２が不要になれば、電流モニタ回路６１，６２の設置面積分だけ小型化できる。さらに、これらの電流モニタ回路６１，６２からＣＰＵ２０にモニタ情報としてのモニタ値を供給するために、ＣＰＵ２０にもＡＤＣ２４，２５が必要であった。これらのＡＤＣ２４，２５は、ＣＰＵ２０に内蔵される場合も外部に設けられる場合もあるが、いずれの場合においても、電流モニタ回路６１，６２が不要になればＡＤＣ２４，２５を設ける必要がなくなるので、ＣＰＵ２０の占有面積を狭小化することができる。
【００４４】
以上説明した第１の実施形態によれば、パワーモニタＰＤ３４が、ＤＦＢレーザ部３１が放出する迷光Ｌ0のパワーを検知することによって、ＤＦＢ駆動回路４０がＤＦＢレーザ部３１に供給する駆動電流の異常を検知していることにより、ＤＦＢ駆動回路４０から出力される駆動電流をモニタリングするための電流モニタ回路を設けることなく、ＤＦＢ駆動回路４０が出力する駆動電流の異常を検知することができる。そのため、ＤＦＢレーザ部３１を有するレーザモジュール３０を搭載した波長可変レーザアセンブリ１００において、ＤＦＢ駆動回路４０が出力する駆動電流をモニタリングする電流モニタ回路の分だけ占有面積を低減して、小型化することができる。
【００４５】
さらに、この第１の実施形態においては、パワーモニタＰＤ３４が、ＳＯＡ３２から出射されるレーザ光Ｌのパワーを検知することによって、ＳＯＡ駆動回路５０がＳＯＡ３２に供給する駆動電流の異常を検知することができるので、ＳＯＡ駆動回路５０が出力する駆動電流をモニタリングするための電流モニタ回路も設ける必要がなくなり、占有面積をより一層低減して、波長可変レーザアセンブリ１００のさらなる小型化を図ることができる。具体的には、ＤＦＢ駆動回路４０およびＳＯＡ駆動回路５０の駆動電流をモニタリングする電流モニタ回路６２，６１が不要になることで、従来の波長可変レーザアセンブリ２００，３００における制御回路に対して、制御回路のプリント基板１０上での占有面積をそれぞれ約３％以上ずつ、合計約６％以上低減できることが確認された。
【００４６】
さらに、この第１の実施形態において従来技術として挙げた波長可変レーザアセンブリ２００，３００においては、ＤＡＣ２１，２２やＡＤＣ２３〜２５が、ＣＰＵ２０に内蔵されている場合を例に説明したが、上述したように、ＤＡＣ２１，２２やＡＤＣ２３〜２５が、ＣＰＵ２０の外部のプリント基板１０上にそれぞれ個別の回路（ＩＣチップ）として設けられている場合も想定することができる。この場合、ＡＤＣ２４，２５は、プリント基板１０上においてそれぞれ個別に領域を占有している。これにより、上述した第１の実施形態による波長可変レーザアセンブリ１００のように、ＡＤＣ２４，２５を設ける必要がなくなれば、ＩＣチップからなるＡＤＣ２４，２５が占有している部分を削減でき占有面積を低減することができる。そのため、この第１の実施形態によれば、従来技術に比して、制御回路のプリント基板１０上での占有面積をより一層低減することが可能になる。
【００４７】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図５は、この第２の実施形態による光集積素子アセンブリとしての波長可変レーザアセンブリを示す。
【００４８】
図５に示すように、この第２の実施形態による波長可変レーザアセンブリ１０１は、第１の実施形態と異なり、ＳＯＡ駆動回路５０がＳＯＡ３２に供給する駆動電流をモニタリングするための電流モニタ回路６１が設けられている。電流モニタ回路６１には、ＳＯＡ駆動回路５０からＳＯＡ３２に供給する駆動電流が分岐されて供給される。また、ＣＰＵ２０には、電流モニタ回路６１が出力する電流信号を入力するアナログデジタル変換部（ＡＤＣ）２４が設けられている。
【００４９】
この波長可変レーザアセンブリ１０１における異常電流検知方法は、第１の実施形態と異なり、電流モニタ回路６１は、ＳＯＡ駆動回路５０がＳＯＡ３２に供給する駆動電流をモニタリングして、このモニタ値をＣＰＵ２０に供給する。これにより、ＣＰＵ２０は、駆動電流における、電流モニタ回路６１によるモニタ値と予め保持している目標値との差分を算出することができ、この差分に基づいて、ＳＯＡ駆動回路５０が出力する駆動電流が異常であるか否かを判断することができる。その他の構成については、第１の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
【００５０】
この第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。具体的には、上述した従来の波長可変レーザアセンブリ２００，３００の制御回路に対して、ＤＦＢ駆動回路４０の駆動電流の異常を検知するための電流モニタ回路６２が不要になるため、プリント基板１０上の制御回路の面積を約３％以上低減できることが確認された。
【００５１】
以上、本発明の実施形態について具体的に説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例えば、上述の実施形態において挙げたＣＰＵやレーザモジュールの構成はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なるＣＰＵやレーザモジュールを採用しても良い。
【００５２】
また、本発明に係るレーザ光出力検知手段を従来技術による波長可変レーザアセンブリ２００，３００に追加して適用することも可能である。この場合、半導体レーザにおける駆動電流の異常を検知する検知手段を二重化することができるので、駆動電流の異常に関する検知性能をより一層向上させることができる。
【符号の説明】
【００５３】
１０  プリント基板
２０  ＣＰＵ
２１，２２  デジタルアナログ変換部（ＤＡＣ）
２３，２４，２５  アナログデジタル変換部（ＡＤＣ）
３０  レーザモジュール
３１  分布帰還型レーザ部（ＤＦＢレーザ部）
３１−１〜３１−ｎ  ＤＦＢレーザストライプ
３１ａ−１〜３１ａ−ｎ  光導波路
３１ｂ  ＭＭＩ光合流器
３１ｃ  トレンチ溝
３１ｄ  出力ポート
３１ｅ  端面
３２  光増幅器（ＳＯＡ）
３２ａ  出力端
３３  ビームスプリッタ
３４  パワーモニタフォトダイオード（パワーモニタＰＤ）
３５  フォトダイオード（ＰＤ）
４０  ＤＦＢ駆動回路
５０  ＳＯＡ駆動回路
６０，６１，６２  電流モニタ回路
１００，１０１，２００，３００  波長可変レーザアセンブリ
Ｌ，Ｌb  レーザ光
Ｌ0  迷光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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