(57)【要約】【課題】デバイスの抗折強度を低下させることなくデバイスの個体識別情報（ID）を印字することができるウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】表面に複数のデバイスが形成されたウエーハの裏面側における各デバイスに対応する領域に各デバイスの個体識別情報を印字するウエーハの加工方法であって、ウエーハの裏面に樹脂を被覆して樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、ウエーハの裏面に形成された樹脂層における各デバイスに対応する領域にレーザー光線を照射して各デバイスの個体識別情報を印字する識別情報形成工程とを含む。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数のデバイスが形成されたウエーハの裏面側における各デバイスに対応する領域に各デバイスの個体識別情報を印字するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの裏面に樹脂を被覆して樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
ウエーハの裏面に形成された樹脂層における各デバイスに対応する領域にレーザー光線を照射して各デバイスの個体識別情報を印字する識別情報形成工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に複数のデバイスが形成されたウエーハの裏面側における各デバイスに対応する領域にデバイスに関する個体識別情報を印字するウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる複数のストリートが格子状に形成され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体デバイスを製造している。
【０００３】
また、ウエーハを個々のデバイスに分割する前に、各デバイスに対応する裏面にレーザー光線を照射してデバイスの機能、製品番号、ロット番号等の個体識別情報（ID）を印字する技術が下記特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１７８８８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかるに、デバイスの裏面にレーザー光線を照射して個体識別情報（ID）を印字すると、微細なクラックが内部に形成されデバイスの抗折強度を低下させるという問題がある。
【０００６】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、デバイスの抗折強度を低下させることなくデバイスの個体識別情報（ID）を印字することができるウエーハの加工方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に複数のデバイスが形成されたウエーハの裏面側における各デバイスに対応する領域に各デバイスの個体識別情報を印字するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの裏面に樹脂を被覆して樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
ウエーハの裏面に形成された樹脂層における各デバイスに対応する領域にレーザー光線を照射して各デバイスの個体識別情報を印字する識別情報形成工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によるウエーハの加工方法においては、ウエーハの裏面に形成された樹脂層における各デバイスに対応する領域にレーザー光線を照射して各デバイスの個体識別情報を印字するので、ウエーハ自体はレーザー加工されないため、デバイスの内部に微細なクラックが発生することはない。従って、個々に分割されたデバイスの抗折強度を低下させることはない。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明によるウエーハの加工方法によって加工されるウエーハの斜視図。
【図２】本発明によるウエーハの加工方法における樹脂層形成工程の説明図。
【図３】本発明によるウエーハの加工方法における識別情報形成工程を実施するためのレーザー加工装置の斜視図。
【図４】図３に示すレーザー加工装置に装備されるレーザー光線照射手段のブロック構成図。
【図５】図３に示すレーザー加工装置に装備される制御手段のブロック構成図。
【図６】図１に示すウエーハが図３に示すレーザー加工装置のチャックテーブルの所定位置に保持された状態における座標との関係を示す説明図。
【図７】図３に示すレーザー加工装置のチャックテーブルに保持されたウエーハを識別情報形成工程の開始位置に位置付けた状態を示す説明図。
【図８】本発明によるウエーハの加工方法における識別情報形成工程が実施されたウエーハの斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明によるウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して更に詳細に説明する。
【００１１】
図１には、本発明によるウエーハの加工方法によって加工されるウエーハが示されている。図１に示すウエーハ１０は、シリコンウエーハからなり、表面１０ａに複数のストリート１０１が格子状に配列されているとともに、該複数のストリート１０１によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス１０２が形成されている。なお、図示の実施形態におけるウエーハ１０には、中心を示すマークSが形成されている。このように形成されたウエーハ１０は、裏面１０bを研削して所定の仕上がり厚み(例えば、１００μm)に形成される。
【００１２】
上記ウエーハ１０の裏面１０b側における各デバイス１０２に対応する領域に各デバイスの個体識別情報を印字するために、本発明においては先ずウエーハ１０の裏面１０bに樹脂を被覆して樹脂層を形成する樹脂層形成工程を実施する。この樹脂層形成工程は、図２の(a)に示す樹脂層形成装置２０を用いて実施する。図２の(a)に示す樹脂層形成装置２０は、被加工物であるウエーハを保持するスピンナーテーブル２０１と、該スピンナーテーブル２０１に保持された被加工物であるウエーハの上面に液状樹脂を供給する液状樹脂供給ノズル２０２とからなっている。上記スピンナーテーブル２０１は、上面である保持面に負圧が作用するように構成されており、図示しない吸引手段を作動することによりスピンナーテーブル２０１上に載置された被加工物であるウエーハを吸引保持するように構成されている。このように構成されたスピンナーテーブル２０１は、図示しない回転駆動機構によって回転せしめられるように構成されている。上記液状樹脂供給ノズル２０２は、図示しない液状樹脂供給手段に接続されている。なお、図示しない液状樹脂供給手段は、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の液状樹脂を供給する。
【００１３】
上述した樹脂層形成装置２０によって樹脂層形成工程を実施するには、スピンナーテーブル２０１の上面である保持面にウエーハ１０の表面１０ａ側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、スピンナーテーブル２０１上にウエーハ１０を吸引保持する。従って、スピンナーテーブル２０１上に保持されたウエーハ１０は、図２の(a)に示すように裏面１０bが上側となる。このようにしてスピンナーテーブル２０１上にウエーハ１０を吸引保持したならば、図２の(a)に示すように液状樹脂供給ノズル２０２の噴出口２０２aをスピンナーテーブル２０１上に保持されたウエーハ１０の中心部に位置付け、図示しない液状樹脂供給手段を作動して、液状樹脂供給ノズル２０２の噴出口２０２aから例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の液状樹脂２００を所定量滴下する。なお、液状樹脂２００の滴下量は、ウエーハ１０の裏面１０bに形成される保護膜の厚みが数μmになるように設定されている。このようにして液状樹脂２００を滴下したならば、スピンナーテーブル２０１を図２の(a)において矢印２０１aで示す方向に３００〜１０００rpmの回転速度で所定時間（例えば１分間）回転する。この結果、図２の(b)および(c)に示すようにウエーハ１０の裏面１０bの中央領域に滴下された液状樹脂２００は、遠心力によって外周部まで流動し、ウエーハ１０の裏面１０bを被覆して樹脂層２１０を形成する。
【００１４】
上述した樹脂層形成工程を実施したならば、ウエーハ１０の裏面１０bに形成された樹脂層２１０におけるデバイス１０２に対応する領域にレーザー光線を照射して各デバイスの個体識別情報を印字する識別情報形成工程を実施する。この識別情報形成工程は、図３乃至図５に示すレーザー加工装置を用いて実施する。図３に示すレーザー加工装置２は、静止基台２aと、該静止基台２aに矢印Ｘで示すX軸方向に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構３と、静止基台２aにX軸方向と直交する矢印Ｙで示すY軸方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット支持機構４と、該レーザー光線照射ユニット支持機構４に矢印Ｚで示すZ軸方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット５とを具備している。
【００１５】
上記チャックテーブル機構３は、静止基台２a上にX軸方向に沿って平行に配設された一対の案内レール３１、３１と、該案内レール３１、３１上に矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）に移動可能に配設された第１の滑動ブロック３２と、該第１の滑動ブロック３２上にY軸方向に移動可能に配設された第２の滑動ブロック３３と、該第２の滑動ブロック３３上に円筒部材３４によって支持されたカバーテーブル３５と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル３６を具備している。このチャックテーブル３６は多孔性材料から形成された吸着チャック３６１を具備しており、吸着チャック３６１上に被加工物であるウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。このように構成されたチャックテーブル３６は、円筒部材３４内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。
【００１６】
上記第１の滑動ブロック３２は、その下面に上記一対の案内レール３１、３１と嵌合する一対の被案内溝３２１、３２１が設けられているとともに、その上面にY軸方向に沿って平行に形成された一対の案内レール３２２、３２２が設けられている。このように構成された第１の滑動ブロック３２は、被案内溝３２１、３２１が一対の案内レール３１、３１に嵌合することにより、一対の案内レール３１、３１に沿ってX軸方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第１の滑動ブロック３２を一対の案内レール３１、３１に沿ってX軸方向に移動させるためのX軸方向移動手段３７を具備している。このX軸方向移動手段３７は、上記一対の案内レール３１と３１の間に平行に配設された雄ネジロッド３７１と、該雄ネジロッド３７１を回転駆動するためのパルスモータ３７２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３７１は、その一端が上記静止基台２aに固定された軸受ブロック３７３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３７２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３７１は、第１の滑動ブロック３２の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３７２によって雄ネジロッド３７１を正転および逆転駆動することにより、第１の滑動ブロック３２は案内レール３１、３１に沿ってX軸方向に移動せしめられる。
【００１７】
図示の実施形態におけるレーザー加工装置２は、上記チャックテーブル３６のX軸方向移動量即ちX軸方向位置を検出するためのX軸方向位置検出手段３７４を備えている。このX軸方向位置検出手段３７４は、案内レール３１に沿って配設されたリニアスケール３７４aと、第１の滑動ブロック３２に配設され第１の滑動ブロック３２とともにリニアスケール３７４aに沿って移動する読み取りヘッド３７４bとからなっている。このX軸方向位置検出手段３７４の読み取りヘッド３７４bは、図示の実施形態においては1μm毎に１パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６のX軸方向移動量即ちX軸方向の位置を検出する。
【００１８】
上記第２の滑動ブロック３３は、その下面に上記第１の滑動ブロック３２の上面に設けられた一対の案内レール３２２、３２２と嵌合する一対の被案内溝３３１、３３１が設けられており、この被案内溝３３１、３３１を一対の案内レール３２２、３２２に嵌合することにより、Y軸方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第２の滑動ブロック３３を第１の滑動ブロック３２に設けられた一対の案内レール３２２、３２２に沿ってY軸方向に移動させるための第１のY軸方向移動手段３８を具備している。この第１のY軸方向移動手段３８は、上記一対の案内レール３２２と３２２の間に平行に配設された雄ネジロッド３8１と、該雄ネジロッド３8１を回転駆動するためのパルスモータ３8２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３8１は、その一端が上記第１の滑動ブロック３２の上面に固定された軸受ブロック３８３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３8２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３8１は、第２の滑動ブロック３３の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３8２によって雄ネジロッド３8１を正転および逆転駆動することにより、第２の滑動ブロック３３は案内レール３２２、３２２に沿ってY軸方向に移動せしめられる。
【００１９】
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、上記第２の滑動ブロック３３のY軸方向移動量即ちY軸方向位置を検出するためのY軸方向位置検出手段３８４を備えている。このY軸方向位置検出手段３８４は、案内レール３２２に沿って配設されたリニアスケール３８４aと、第２の滑動ブロック３３に配設され第２の滑動ブロック３３とともにリニアスケール３８４aに沿って移動する読み取りヘッド３８４bとからなっている。このY軸方向位置検出手段３８４の読み取りヘッド３８４bは、図示の実施形態においては1μm毎に１パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６のY軸方向移動量即ちY軸方向の位置を検出する。
【００２０】
上記レーザー光線照射ユニット支持機構４は、静止基台２a上に矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に沿って平行に配設された一対の案内レール４１、４１と、該案内レール４１、４１上にY軸方向に移動可能に配設された可動支持基台４２を具備している。この可動支持基台４２は、案内レール４１、４１上に移動可能に配設された移動支持部４２１と、該移動支持部４２１に取り付けられた装着部４２２とからなっている。装着部４２２は、一側面にチャックテーブル３６の保持面に対して垂直なZ軸方向に延びる一対の案内レール４２３、４２３が平行に設けられている。図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット支持機構４は、可動支持基台４２を一対の案内レール４１、４１に沿ってY軸方向に移動させるための第２のY軸方向移動手段４３を具備している。この第２のY軸方向移動手段４３は、上記一対の案内レール４１、４１の間に平行に配設された雄ネジロッド４３１と、該雄ネジロッド４３１を回転駆動するためのパルスモータ４３２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド４３１は、その一端が上記静止基台２aに固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ４３２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド４３１は、可動支持基台４２を構成する移動支持部４２１の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ４３２によって雄ネジロッド４３１を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台４２は案内レール４１、４１に沿ってY軸方向に移動せしめられる。
【００２１】
図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット５は、ユニットホルダ５１と、該ユニットホルダ５１に取り付けられたレーザー光線照射手段６を具備している。ユニットホルダ５１は、上記装着部４２２に設けられた一対の案内レール４２３、４２３に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝５１１、５１１が設けられており、この被案内溝５１１、５１１を上記案内レール４２３、４２３に嵌合することにより、Z軸方向に移動可能に支持される。
【００２２】
図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット５は、ユニットホルダ５１を一対の案内レール４２３、４２３に沿ってZ軸方向に移動させるための集光点位置調整手段としてのZ軸方向移動手段５３を具備している。Z軸方向移動手段５３は、一対の案内レール４２３、４２３の間に配設された雄ネジロッド（図示せず）と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ５３２等の駆動源を含んでおり、パルスモータ５３２によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、ユニットホルダ５１およびレーザー光線照射手段６を案内レール４２３、４２３に沿ってZ軸方向に移動せしめる。なお、図示の実施形態においてはパルスモータ５３２を正転駆動することによりレーザー光線照射手段６を上方に移動し、パルスモータ５３２を逆転駆動することによりレーザー光線照射手段６を下方に移動するようになっている。
【００２３】
図示のレーザー光線照射手段６は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング６１を含んでいる。ケーシング６１内には図４に示すようにパルスレーザー光線発振手段６２と、該パルスレーザー光線発振手段６２から発振されパルスレーザー光線の出力を調整する出力調整手段６３と、該出力調整手段によって出力が調整されたパルスレーザー光線の光軸をX軸方向およびY軸方向に偏向するスキャナー６４と、該スキャナー６４によって光軸が偏向されたレーザー光線を集光してチャックテーブル３６に保持された被加工物に照射する集光器６５とを具備している。
【００２４】
上記パルスレーザー光線発振手段６２は、パルスレーザー光線発振器６２１と、これに付設された繰り返し周波数設定手段６２２とから構成されている。パルスレーザー光線発振器６２１は、図示の実施形態においてはＹＶＯ４レーザーまたはＹＡＧレーザー発振器からなり、シリコン等の被加工物に対して吸収性を有する波長(例えば３５５ｎｍ)のパルスレーザー光線LBを発振する。繰り返し周波数設定手段６２２は、パルスレーザー光線発振器６２１から発振されるパルスレーザー光線の周波数を設定する。
【００２５】
上記スキャナー６４は、図示の実施形態においてはガルバノミラーによって構成され、後述する制御手段によって制御され、パルスレーザー光線発振器６２１から発振されるパルスレーザー光線をX軸方向およびY軸方向に揺動して集光器６５に導く。なお、スキャナー６４としては、ポリゴンミラーやピエゾミラーを用いることができる。
【００２６】
上記集光器６５は、上記ウエーハ１０の直径に対応する直径を有する像側テレセントリック対物レンズ６５１を備えている。この像側テレセントリック対物レンズ６５１は、スキャナー６４によって光軸が偏向されたレーザー光線を集光して像側テレセントリック対物レンズ６５１の光軸に対して平行にチャックテーブル３６に保持された被加工物であるウエーハ１０に照射する。
【００２７】
図３に戻って説明を続けると、図示の実施形態におけるレーザー加工装置２は、ケーシング６１の前端部に配設され上記レーザー光線照射手段６によってレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像手段７を備えている。この撮像手段７は、可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。
【００２８】
図示の実施形態におけるレーザー加工装置２は、図５に示す制御手段８を具備している。制御手段８はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）８１と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）８２と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）８３と、カウンター８４と、入力インターフェース８５および出力インターフェース８６を備えている。制御手段８の入力インターフェース８５には、上記X軸方向位置検出手段３７４の読み取りヘッド３７４b、Y軸方向位置検出手段３８４の読み取りヘッド３８４bおよび撮像手段７等からの検出信号が入力される。そして、制御手段８の出力インターフェース８６からは、上記パルスモータ３７２、パルスモータ３８２、パルスモータ４３２、パルスモータ５３２、パルスレーザー光線照射手段６のパルスレーザー光線発振手段６２および出力調整手段６３、スキャナー６４等に制御信号を出力する。なお、上記ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）８３には、上記図１に示すウエーハ１０の各デバイス１０２のX,Y座標値における設計値のデータが格納されている。
【００２９】
図示の実施形態におけるレーザー加工装置２は以上のように構成されており、以下レーザー加工装置２を用いて実施する識別情報形成工程について説明する。
上述したように樹脂層形成工程が実施されたウエーハ１０は、図３に示すレーザー加工装置２のチャックテーブル３６上に表面１０ａ側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することによりウエーハ１０は、チャックテーブル３６上に吸引保持される。従って、チャックテーブル３６上に吸引保持されたウエーハ１０は、裏面１０bに被覆された樹脂層２１０が上側となる。なお、ウエーハ１０の表面１０ａに形成されたデバイス１０２に傷を付けないために、ウエーハ１０の表面１０ａに保護テープを貼着することが望ましい。
【００３０】
上述したようにウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル３６は、X軸方向移動手段３７によって撮像手段７の直下に位置付けられる。チャックテーブル３６が撮像手段７の直下に位置付けられると、チャックテーブル３６上のウエーハ１０は、図６に示す座標位置に位置付けられた状態となる。この状態で、チャックテーブル３６に保持されたウエーハ１０に形成されている格子状のストリート１０１がX軸方向とY軸方向に平行に配設されているか否かのアライメント工程を実施する。即ち、撮像手段７によってチャックテーブル３６に保持されたウエーハ１０を撮像し、パターンマッチング等の画像処理を実行してアライメント作業を行う。このとき、ウエーハ１０のストリート１０１が形成されている表面１０ａは下側に位置しているが、撮像手段７が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので、ウエーハ１０の裏面１０bから透かしてストリート１０１を撮像することができる。このようにしてアライメント工程が実施されたチャックテーブル３６上のウエーハ１０は、図６に示す座標値に位置付けられたことになる。
【００３１】
次に、ウエーハ１０の裏面１０bに形成された樹脂層２１０におけるデバイス１０２に対応する領域にレーザー光線を照射して各デバイス１０２の個体識別情報を印字する識別情報形成工程を実施する。識別情報形成工程は、先ずX軸方向移動手段３７および第１のY軸方向移動手段３８を作動してチャックテーブル３６を移動し、上記ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）２０３に格納されている図６に示すウエーハ１０の中心Sの座標値を、図7で示すようにレーザー光線照射手段６の集光器６５の直下に位置付ける。そして、制御手段８は、レーザー光線照射手段６のパルスレーザー光線発振手段６２および出力調整手段６３を制御するとともにスキャナー６４を制御し、上述した像側テレセントリック対物レンズ６５１を備えた集光器６５から上記ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）８３に格納されているデバイス１０２の一つにパルスレーザー光線を照射しつつ、識別情報に対応してスキャナー６４ウエーハ１０を作動する。この結果、ウエーハ１０の裏面１０bに形成された樹脂層２１０における一つのデバイス１０２に対応する領域には、図８の(a)に示すように個体識別情報１１０が印字される。
【００３２】
なお、上記識別情報形成工程における加工条件は、例えば下記の通り設定されている。
光源              ：YAGレーザー
波長              ：３５５ｎｍ
平均出力          ：０．５W
繰り返し周波数    ：１０kHz
集光スポット径    ：φ２０μｍ
【００３３】
上述した識別情報形成工程をウエーハ１０の裏面１０bに被覆された樹脂層２１０における全てのデバイス１０２に対応する領域に実施することにより、図８の(b)に示すようにウエーハ１０の裏面１０bに形成された樹脂層２１０には全てのデバイス１０２に対応する領域にそれぞれ個体識別情報１１０が印字される。このようにして個体識別情報１１０が印字されたウエーハ１０は、次工程である分割工程においてストリート１０１に沿って切断され個々のデバイス１０２に分割される。
【００３４】
以上のように本発明によるウエーハの加工方法においては、ウエーハ１０の裏面１０bに形成された樹脂層２１０における各デバイスに対応する領域にレーザー光線を照射して各デバイスの個体識別情報１１０を印字するので、ウエーハ自体はレーザー加工されないため、デバイス１０２の内部に微細なクラックが発生することはない。従って、個々に分割されたデバイス１０２の抗折強度を低下させることはない。
【符号の説明】
【００３５】
２：レーザー加工装置
３：チャックテーブル機構
３１：案内レール
３６：チャックテーブル
３７：X軸方向移動手段
３７４：X軸方向位置検出手段
３８：第１のY軸方向移動手段
３８４：Y軸方向位置検出手段
４：レーザー光線照射ユニット支持機構
４３：第２のY軸方向移動手段
５：レーザー光線照射ユニット
５３：Z軸方向移動手段
６：レーザー光線照射手段
６２：パルスレーザー光線発振手段
６３：出力調整手段
６４：スキャナー
６５：集光器
７：撮像手段
８：制御手段
１０：ウエーハ
２０：樹脂層形成装置
２０１：スピンナーテーブル
２０２：液状樹脂供給ノズル
２１０：樹脂層
【図１】
2014033034.tif 000003
【図２】
2014033034.tif 000004
【図３】
2014033034.tif 000005
【図４】
2014033034.tif 000006
【図５】
2014033034.tif 000007
【図６】
2014033034.tif 000008
【図７】
2014033034.tif 000009
【図８】
2014033034.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月10日(2012.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
次に、ウエーハ１０の裏面１０ｂに形成された樹脂層２１０におけるデバイス１０２に対応する領域にレーザー光線を照射して各デバイス１０２の個体識別情報を印字する識別情報形成工程を実施する。識別情報形成工程は、先ずＸ軸方向移動手段３７および第１のＹ軸方向移動手段３８を作動してチャックテーブル３６を移動し、上記ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）２０３に格納されている図６に示すウエーハ１０の中心Ｓの座標値を、図７で示すようにレーザー光線照射手段６の集光器６５の直下に位置付ける。そして、制御手段８は、レーザー光線照射手段６のパルスレーザー光線発振手段６２および出力調整手段６３を制御するとともにスキャナー６４を制御し、上述した像側テレセントリック対物レンズ６５１を備えた集光器６５から上記ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）８３に格納されているデバイス１０２の一つにパルスレーザー光線を照射しつつ、識別情報に対応してスキャナー６４を作動する。この結果、ウエーハ１０の裏面１０ｂに形成された樹脂層２１０における一つのデバイス１０２に対応する領域には、図８の（ａ）に示すように個体識別情報１１０が印字される。