(57)【要約】      （修正有）【課題】屋根層の変形を防止し、開口率を向上させる表示装置を提供する。【解決手段】複数の画素領域を含む基板１１０と、基板１１０上に形成される薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続されて画素領域に形成される画素電極１９１h、１９１ｌと、画素電極１９１h、１９１ｌ上に微細空間３０５を介して画素電極１９１h、１９１ｌと離隔するように形成される屋根層３６０と、微細空間３０５の一部を露出させるように屋根層３６０に形成される注入口３０７と、微細空間３０５を満たす液晶層３１０と、注入口３０７に隣接して、微細空間３０５に柱形状に形成される支持部材３６５と、注入口３０７を覆うように屋根層３６０上に形成されて、微細空間３０５を密封する蓋膜３９０と、を含む。【選択図】図３
2014235427.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素領域を含む基板と、
前記基板上に形成される薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに接続されて前記画素領域に形成される画素電極と、
前記画素電極上に微細空間を介して前記画素電極と離隔するように形成される屋根層と、
前記微細空間の一部を露出させるように前記屋根層に形成される注入口と、
前記微細空間を満たす液晶層と、
前記注入口に隣接して、前記微細空間に柱形状に形成される支持部材と、
前記注入口を覆うように前記屋根層上に形成されて、前記微細空間を密封する蓋膜とを含むことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記微細空間の断面積は、前記注入口に近いほど小さくなることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記支持部材と、前記屋根層の側壁との間隔は、前記注入口に近いほど狭くなることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
１つの前記注入口に隣接して複数の前記支持部材が形成されることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
隣接した複数の前記支持部材の間隔は、前記注入口に近いほど狭くなることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記支持部材の幅は前記注入口に近いほど広くなることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項７】
前記支持部材は、三角形、台形、Ｔ字形、半円形、半楕円形、及び五角形のいずれか１つに形成されることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項８】
前記支持部材は前記画素電極と重なっていることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項９】
前記支持部材と前記画素電極との間に形成される絶縁層をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記支持部材は、前記画素電極と重ならないことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びその製造方法に係り、より詳しくは、屋根層の変形を防止し、開口率を向上させる表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、現在、最も幅広く使用されている平板表示装置の１つであって、画素電極と共通電極など電界生成電極が形成されている二枚の表示板と、その間に挿入されている液晶層とからなり、電界生成電極に電圧を印加して液晶層に電界を生成し、これを通じて液晶層の液晶分子の配向を決定し、入射光の偏光を制御することによって画像を表示する。
【０００３】
液晶表示装置を構成する二枚の表示板は、薄膜トランジスタ表示板と、対向表示板である。薄膜トランジスタ表示板には、ゲート信号を伝送するゲート線と、データ信号を伝送するデータ線とが、互いに交差して形成され、ゲート線及びデータ線と接続されている薄膜トランジスタ、及び薄膜トランジスタと接続されている画素電極などが形成される。対向表示板には、遮光部材、カラーフィルタ、及び共通電極などが形成される。場合により遮光部材、カラーフィルタ、及び共通電極が薄膜トランジスタ表示板に形成される。
【０００４】
しかし、従来の液晶表示装置においては二枚の基板の使用を必須とし、二枚の基板上にそれぞれの構成要素を形成することによって、表示装置が重くて厚く、費用が多くかかり、工程時間が長くなるなどの問題点があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、１つの基板を利用して表示装置を製造することによって、重量、厚さ、費用、及び工程時間を減らす表示装置を提供することにある。
【０００６】
また、本発明の他の目的は、屋根層の変形を防止し、開口率を向上させる表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するためになされた本発明の一実施形態による表示装置は、複数の画素領域を含む基板と、前記基板上に形成される薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続されて前記画素領域に形成される画素電極と、前記画素電極上に微細空間を介して前記画素電極と離隔するように形成される屋根層と、前記微細空間の一部を露出させるように前記屋根層に形成される注入口と、前記微細空間を満たす液晶層と、前記注入口に隣接して、前記微細空間に柱形状に形成される支持部材と、前記注入口を覆うように、前記屋根層上に形成されて前記微細空間を密封する蓋膜と、を含むことを特徴とする。
【０００８】
前記微細空間の断面積は、前記注入口に近いほど小さくなってもよい。
【０００９】
前記支持部材と、前記屋根層の側壁との間隔は、前記注入口に近いほど狭くなってもよい。
【００１０】
１つの前記注入口に隣接して複数の前記支持部材が形成されてもよい。
【００１１】
隣接した複数の前記支持部材の間隔は、前記注入口に近いほど狭くなってもよい。
【００１２】
前記支持部材の幅は、前記注入口に近いほど広くなってもよい。
【００１３】
前記支持部材は、三角形、台形、Ｔ字形、半円形、半楕円形、及び五角形のいずれか１つに形成されてもよい。
【００１４】
前記支持部材は前記画素電極と重なってもよい。
【００１５】
前記支持部材と前記画素電極との間に形成される絶縁層をさらに含んでもよい。
【００１６】
前記支持部材は、前記画素電極と重ならなくてもよい。
【００１７】
前記微細空間の高さは、前記注入口に近いほど低くなってもよい。
【発明の効果】
【００１８】
上述のように、本発明の一実施形態による表示装置及びその製造方法は、１つの基板を用いて表示装置を製造することによって、重量、厚さ、費用、及び工程時間を減らすことができる。
【００１９】
また、注入口に隣接して屋根層を支持する支持部材を形成することによって、屋根層の変形を防止できる。
【００２０】
さらに、支持部材と、屋根層の側壁との間隔が、注入口に近いほど狭くなるようにすることによって、開口率を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一実施形態による表示装置を示す平面図である。
【図２】本発明の一実施形態による表示装置の一画素を示す平面図である。
【図３】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿って示した本発明の一実施形態による表示装置の一部断面図である。
【図４】図１のＩＶ−ＩＶ線に沿って示した本発明の一実施形態による表示装置の一部断面図である。
【図５】本発明の一実施形態による表示装置の支持部材を示す平面図である。
【図６】支持部材が円形である場合に表示装置の上部面に出る光を示す図面である。
【図７】支持部材が三角形である場合に表示装置の上部面に出る光を示す図面である。
【図８】本発明の一実施形態による表示装置の支持部材の多様な形状を示す平面図である。
【図９】本発明の一実施形態による表示装置の支持部材の多様な形状を示す平面図である。
【図１０】本発明の一実施形態による表示装置の支持部材の多様な形状を示す平面図である。
【図１１】本発明の一実施形態による表示装置の支持部材の多様な形状を示す平面図である。
【図１２】本発明の一実施形態による表示装置の支持部材の多様な形状を示す平面図である。
【図１３】本発明の一実施形態による表示装置の支持部材の多様な形状を示す平面図である。
【図１４】本発明の一実施形態による表示装置の支持部材の多様な形状を示す平面図である。
【図１５】本発明の一実施形態による表示装置の一画素を示す平面図である。
【図１６】図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ線に沿って示す本発明の一実施形態による表示装置の一部断面図である。
【図１７】本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図１８】本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図１９】本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図２０】本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図２１】本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図２２】本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施形態について、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は種々の異なる形態に実現でき、ここで説明する実施形態に限られない。
【００２３】
図面において、種々の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書の全体にわたって類似する部分については同一の図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの構成要素が他の構成要素の「上」にあるというとき、これは他の構成要素の「すぐ上」にある場合だけでなく、その中間に他の構成要素がある場合も含む。一方、ある構成要素が他の構成要素の「すぐ上」にあるというときには、中間に他の構成要素がないことを意味する。
【００２４】
最初に、添付した図面を参照して、本発明の一実施形態による表示装置について概略的に説明する。
図１は、本発明の一実施形態による表示装置を示す平面図であり、便宜上図１には一部構成要素だけが示されている。
【００２５】
本発明の一実施形態による表示装置は、ガラスまたはプラスチックなどからなる基板１１０と、基板１１０の上に形成される屋根層３６０とを含む。
【００２６】
基板１１０は複数の画素領域ＰＸを含む。複数の画素領域ＰＸは、複数の画素行と、複数の画素列とを含むマトリックス状に配置されている。各画素領域ＰＸは、第１副画素領域ＰＸａ及び第２副画素領域ＰＸｂを含んでもよい。第１副画素領域ＰＸａ及び第２副画素領域ＰＸｂは上下に配置されてもよい。
【００２７】
第１副画素領域ＰＸａと、第２副画素領域ＰＸｂとの間には、画素行の方向に沿って第１谷部Ｖ１が位置し、複数の画素列の間には第２谷部Ｖ２が位置している。
【００２８】
屋根層３６０は複数の画素行に沿って形成されてもよい。このとき、第１谷部Ｖ１においては屋根層３６０が除去されて、屋根層３６０の下に位置する構成要素が外部に露出されるように注入口３０７が形成される。
【００２９】
それぞれの第１副画素領域ＰＸａ及び第２副画素領域ＰＸｂはそれぞれ１つの注入口３０７を含んでもよい。例えば、後述の図１に示すように、第１副画素領域ＰＸａの第１谷部Ｖ１に面する下側辺に対応して注入口３０７が形成され、第２副画素領域ＰＸｂの第１谷部Ｖ１に面する上側辺に対応して注入口３０７が形成されて、２つの注入口３０７は互いに対向する。
【００３０】
屋根層３６０の下には注入口３０７と隣接して支持部材３６５が形成される。屋根層３６０の下には微細空間（図示せず）が形成されており、微細空間の入口に該当する注入口３０７により、屋根層３６０が下に撓む現象が発生する恐れがある。本発明の一実施形態による表示装置においては、注入口３０７と隣接して支持部材３６５が形成されて、屋根層３６０を支持するので、注入口３０７周辺の屋根層３６０の撓み現象を防止する。
【００３１】
次に、図１乃至図５を参照して、本発明の一実施形態による表示装置の一画素について説明する。
【００３２】
図２は、本発明の一実施形態による表示装置の一画素を示す平面図であり、図３は、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿って示す本発明の一実施形態による表示装置の一部断面図であり、図４は、図１のＩＶ−ＩＶ線に沿って示す本発明の一実施形態による表示装置の一部断面図であり、図５は、本発明の一実施形態による表示装置の支持部材を示す平面図である。
【００３３】
図１乃至図４を参照すれば、基板１１０の上に複数のゲート線１２１、複数の減圧ゲート線１２３、及び複数の維持電極線１３１を含む複数のゲート導電体が形成される。
【００３４】
ゲート線１２１及び減圧ゲート線１２３は、主に横方向に延在して、ゲート信号を伝達する。ゲート導電体は、ゲート線１２１から上下に突出した第１ゲート電極１２４ｈ及び第２ゲート電極１２４ｌをさらに含み、減圧ゲート線１２３から上に突出した第３ゲート電極１２４ｃをさらに含む。第１ゲート電極１２４ｈ及び第２ゲート電極１２４ｌは互いに接続されて、１つの突出部を形成する。このとき、第１ゲート電極１２４ｈ、第２ゲート電極１２４ｌ、及び第３ゲート電極１２４ｃの突出形態は変更が可能である。
【００３５】
維持電極線１３１も、主に横方向に延在して、共通電圧Ｖｃｏｍなどの定められた電圧を伝達する。維持電極線１３１は、上下に突出した維持電極１２９、ゲート線１２１と実質的に垂直に下に延在した一対の縦部１３４、及び一対の縦部１３４の端部を互いに接続する横部１２７を含む。横部１２７は下へ拡張された容量電極１３７を含む。
【００３６】
ゲート導電体１２１、１２３、１２４ｈ、１２４ｌ、１２４ｃ、１３１の上には、ゲート絶縁膜（ｇａｔｅ  ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）１４０が形成される。ゲート絶縁膜１４０は、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物質により形成されてもよい。また、ゲート絶縁膜１４０は単一膜または多重膜により形成されてもよい。
【００３７】
ゲート絶縁膜１４０の上には、第１半導体１５４ｈ、第２半導体１５４ｌ、及び第３半導体１５４ｃが形成される。第１半導体１５４ｈは第１ゲート電極１２４ｈの上に位置し、第２半導体１５４ｌは第２ゲート電極１２４ｌの上に位置し、第３半導体１５４ｃは第３ゲート電極１２４ｃの上に位置してもよい。第１半導体１５４ｈと第２半導体１５４ｌは互いに接続され、第２半導体１５４ｌと第３半導体１５４ｃも互いに接続されてもよい。また、第１半導体１５４ｈは、データ線１７１の下まで延長されて形成されてもよい。第１乃至第３半導体（１５４ｈ、１５４ｌ、１５４ｃ）は、非晶質シリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｓｉｌｉｃｏｎ）、多結晶シリコン（ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｓｉｌｉｃｏｎ）、及び金属酸化物（ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅ）などにより形成されてもよい。
【００３８】
第１乃至第３半導体（１５４ｈ、１５４ｌ、１５４ｃ）の上にはそれぞれオーミックコンタクト部材（ｏｈｍｉｃ  ｃｏｎｔａｃｔ）（図示せず）がさらに形成されてもよい。オーミックコンタクト部材は、シリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）またはｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質により形成されてもよい。
【００３９】
第１乃至第３半導体（１５４ｈ、１５４ｌ、１５４ｃ）の上にはデータ線１７１、第１ソース電極１７３ｈ、第２ソース電極１７３ｌ、第３ソース電極１７３ｃ、第１ドレイン電極１７５ｈ、第２ドレイン電極１７５ｌ、及び第３ドレイン電極１７５ｃを含むデータ導電体が形成される。
【００４０】
データ線１７１は、データ信号を伝達し、主に縦方向に延在してゲート線１２１及び減圧ゲート線１２３と交差する。各データ線１７１は、第１ゲート電極１２４ｈ及び第２ゲート電極１２４ｌに向かって延在して、互いに接続される第１ソース電極１７３ｈ及び第２ソース電極１７３ｌを含む。
【００４１】
第１ドレイン電極１７５ｈ、第２ドレイン電極１７５ｌ、及び第３ドレイン電極１７５ｃは、広い一端部と、棒状の他端部とを含む。第１ドレイン電極１７５ｈ及び第２ドレイン電極１７５ｌの棒状の端部は、第１ソース電極１７３ｈ及び第２ソース電極１７３ｌによって一部が取り囲まれている。第２ドレイン電極１７５ｌの広い一端部はさらに延長されて、「Ｕ」字状に曲がった第３ソース電極１７３ｃを形成する。第３ドレイン電極１７５ｃの広い端部１７７ｃは、容量電極１３７と重なって減圧キャパシタＣｓｔｄを形成し、棒状端部は第３ソース電極１７３ｃによって一部が取り囲まれている。
【００４２】
第１ゲート電極１２４ｈ、第１ソース電極１７３ｈ、及び第１ドレイン電極１７５ｈは、第１半導体１５４ｈとともに第１薄膜トランジスタＱｈを形成し、第２ゲート電極１２４ｌ、第２ソース電極１７３ｌ、及び第２ドレイン電極１７５ｌは、第２半導体１５４ｌとともに第２薄膜トランジスタＱｌを形成し、第３ゲート電極１２４ｃ、第３ソース電極１７３ｃ、及び第３ドレイン電極１７５ｃは、第３半導体１５４ｃとともに第３薄膜トランジスタＱｃを形成する。
【００４３】
第１半導体１５４ｈ、第２半導体１５４ｌ、及び第３半導体１５４ｃは、互いに接続されて線状に形成されてもよく、ソース電極１７３ｈ、１７３ｌ、１７３ｃと、ドレイン電極１７５ｈ、１７５ｌ、１７５ｃとの間のチャネル領域を除いては、データ導電体１７１、１７３ｈ、１７３ｌ、１７３ｃ、１７５ｈ、１７５ｌ、１７５ｃ及びその下部のオーミックコンタクト部材と実質的に同一である平面形状を有してもよい。
【００４４】
第１半導体１５４ｈには、第１ソース電極１７３ｈと、第１ドレイン電極１７５ｈとの間に、第１ソース電極１７３ｈ及び第１ドレイン電極１７５ｈによって覆われずに露出された部分があり、第２半導体１５４ｌには、第２ソース電極１７３ｌと、第２ドレイン電極１７５ｌとの間に、第２ソース電極１７３ｌ及び第２ドレイン電極１７５ｌによって覆われずに露出された部分があり、第３半導体１５４ｃには、第３ソース電極１７３ｃと、第３ドレイン電極１７５ｃとの間に、第３ソース電極１７３ｃ及び第３ドレイン電極１７５ｃによって覆われずに露出された部分がある。
【００４５】
データ導電体１７１、１７３ｈ、１７３ｌ、１７３ｃ、１７５ｈ、１７５ｌ、１７５ｃ、及び各ソース電極１７３ｈ／１７３ｌ／１７３ｃと、各ドレイン電極１７５ｈ／１７５ｌ／１７５ｃとの間に露出される半導体１５４ｈ、１５４ｌ、１５４ｃの上には、保護膜１８０が形成される。保護膜１８０は、有機絶縁物質または無機絶縁物質により形成されてもよく、単一膜または多重膜により形成されてもよい。
【００４６】
保護膜１８０の上には各画素領域ＰＸ内にカラーフィルタ２３０が形成される。各カラーフィルタ２３０は、赤色、緑色、及び青色の三原色など原色（ｐｒｉｍａｒｙ  ｃｏｌｏｒ）のうちの１つを表示する。カラーフィルタ２３０は、赤色、緑色、及び青色の三原色に限定されず、青緑色（ｃｙａｎ）、紫紅色（ｍａｇｅｎｔａ）、イエロー（ｙｅｌｌｏｗ）、ホワイト系の色などを表示してもよい。図示したものとは異なって、カラーフィルタ２３０は隣接するデータ線１７１の間に沿って列方向に長く延在してもよい。
【００４７】
隣接するカラーフィルタ２３０の間の領域には遮光部材２２０が形成される。遮光部材２２０は、画素領域ＰＸの境界部、薄膜トランジスタ、支持部材３６５と重なるように形成されて、光漏れを防止する。カラーフィルタ２３０は各第１副画素領域ＰＸａ及び第２副画素領域ＰＸｂに形成され、第１副画素領域ＰＸａと、第２副画素領域ＰＸｂとの間には遮光部材２２０が形成されてもよい。
【００４８】
遮光部材２２０は、ゲート線１２１及び減圧ゲート線１２３に沿って延在して上下に拡張されており、第１薄膜トランジスタＱｈ、第２薄膜トランジスタＱｌ、及び第３薄膜トランジスタＱｃなどが位置する領域を覆う横遮光部材２２０ａと、データ線１７１に沿って延在している縦遮光部材２２０ｂとを含む。つまり、横遮光部材２２０ａは第１谷部Ｖ１に形成され、縦遮光部材２２０ｂは第２谷部Ｖ２に形成されてもよい。カラーフィルタ２３０と、遮光部材２２０とは、一部領域において互いに重なってもよい。
【００４９】
カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０の上には第１絶縁層２４０がさらに形成されてもよい。第１絶縁層２４０は、シリコン窒化物ＳｉＮｘ、シリコン酸化物ＳｉＯｘなどの無機絶縁物質により形成されてもよい。第１絶縁層２４０は、有機物質からなるカラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０を保護する役割を果たし、必要に応じて省略されてもよい。
【００５０】
第１絶縁層２４０、遮光部材２２０、保護膜１８０には、第１ドレイン電極１７５ｈの広い端部と、第２ドレイン電極１７５ｌの広い端部とをそれぞれ露出する複数の第１コンタクトホール１８５ｈ及び複数の第２コンタクトホール１８５ｌが形成される。
【００５１】
第１絶縁層２４０の上には画素電極１９１が形成される。画素電極１９１は、インジウム−錫酸化物（ＩＴＯ、Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ、Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明な金属物質により形成されてもよい。
【００５２】
画素電極１９１は、ゲート線１２１及び減圧ゲート線１２３により互いに分離され、ゲート線１２１及び減圧ゲート線１２３を中心に画素領域ＰＸの上と下に配置されて、列方向に隣接する第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌを含む。つまり、第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌは、第１谷部Ｖ１により分離されており、第１副画素電極１９１ｈは第１副画素領域ＰＸａに位置し、第２副画素電極１９１ｌは第２副画素領域ＰＸｂに位置する。
【００５３】
第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌは、第１コンタクトホール１８５ｈ及び第２コンタクトホール１８５ｌによってそれぞれ第１ドレイン電極１７５ｈ及び第２ドレイン電極１７５ｌと接続される。したがって、第１薄膜トランジスタＱｈ及び第２薄膜トランジスタＱｌがオン状態であるとき、第１ドレイン電極１７５ｈ及び第２ドレイン電極１７５ｌからデータ電圧が印加される。
【００５４】
第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌそれぞれの全体的な形状は四角形であり、第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌそれぞれは、横幹部１９３ｈ、１９３ｌ、及び横幹部１９３ｈ、１９３ｌと交差する縦幹部１９２ｈ、１９２ｌにより形成される十字状幹部を含む。また、第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌは、それぞれ複数の微細枝部１９４ｈ、１９４ｌ、及び副画素電極１９１ｈ、１９１ｌの周縁辺から下または上に突出した突出部１９７ｈ、１９７ｌを含む。
【００５５】
画素電極１９１は、横幹部１９３ｈ、１９３ｌと縦幹部１９２ｈ、１９２ｌによって４個の副領域に分けられる。微細枝部１９４ｈ、１９４ｌは、横幹部１９３ｈ、１９３ｌ及び縦幹部１９２ｈ、１９２ｌから斜めに延在しており、その延在する方向は、ゲート線１２１または横幹部１９３ｈ、１９３ｌとほぼ４５°または１３５°の角をなしてもよい。また、隣接する２つの副領域の微細枝部１９４ｈ、１９４ｌが延在している方向は、互いに直交してもよい。
【００５６】
本実施形態において、第１副画素電極１９１ｈは外郭を取り囲む外郭幹部をさらに含み、第２副画素電極１９１ｌは、上端及び下端に位置する横部、及び第１副画素電極１９１ｈの左右に位置する左右縦部１９８をさらに含む。左右縦部１９８は、データ線１７１と、第１副画素電極１９１ｈとの間の容量性結合、つまり、カップリングを防止する。
【００５７】
上述した画素領域の配置形態、薄膜トランジスタの構造、及び画素電極の形状は１つの例に過ぎず、本発明はこれに限定されず、多様に変更できる。
【００５８】
画素電極１９１の上には第２絶縁層２５０がさらに形成されてもよい。第２絶縁層２５０は、シリコン窒化物ＳｉＮｘ、シリコン酸化物ＳｉＯｘなどの無機絶縁物質により形成されてもよい。第２絶縁層２５０は、画素電極１９１を保護する役割を果たし、必要に応じて省略されてもよい。
【００５９】
画素電極１９１の上には、画素電極１９１から一定の距離を有して離隔するように共通電極２７０が形成される。画素電極１９１と、共通電極２７０との間には、微細空間（ｍｉｃｒｏｃａｖｉｔｙ）３０５が形成される。つまり、微細空間３０５は、画素電極１９１及び共通電極２７０によって取り囲まれている。微細空間３０５の幅と広さは、表示装置の大きさ及び解像度により多様に変更されてもよい。
【００６０】
共通電極２７０が画素電極１９１と重なるように形成されても、画素電極１９１の上には第２絶縁層２５０が形成されているので、共通電極２７０と、画素電極１９１とが互いに接触して、短絡されることを防止する。
また、本発明はこれに限定されず、共通電極２７０が第２絶縁層２５０のすぐ上に形成されてもよい。つまり、画素電極１９１と、共通電極２７０との間に微細空間３０５が形成されず、共通電極２７０が、画素電極１９１及び第２絶縁層２５０を介して形成されてもよい。このとき、微細空間３０５は共通電極２７０の上に形成されてもよい。
【００６１】
共通電極２７０は、インジウム−錫酸化物（ＩＴＯ、Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ、Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明な金属物質により形成されてもよい。共通電極２７０には一定の電圧が印加されてもよく、画素電極１９１と、共通電極２７０との間に、電界が形成されてもよい。
【００６２】
画素電極１９１の上には第１配向膜１１が形成される。第１配向膜１１は、画素電極１９１によって覆われていない第２絶縁層２５０のすぐ上に形成されてもよい。
【００６３】
第１配向膜１１と対向するように、共通電極２７０の下には第２配向膜２１が形成される。
【００６４】
第１配向膜１１と第２配向膜２１は垂直配向膜により形成されてもよく、ポリアミック酸（Ｐｏｌｙａｍｉｃ  ａｃｉｄ）、ポリシロキサン（Ｐｏｌｙｓｉｌｏｘａｎｅ）、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などの配向物質により形成されてもよい。第１配向膜１１及び第２配向膜２１は、画素領域ＰＸの周縁において互いに接続されてもよい。
【００６５】
画素電極１９１と、共通電極２７０との間に位置した微細空間３０５内には、液晶分子３１０からなる液晶層が形成される。液晶分子３１０は、負の誘電率異方性を有し、電界が印加されない状態で、基板１１０に対して垂直に立っていてもよい。即ち、垂直配向が行われてもよい。
【００６６】
データ電圧が印加された第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌは、共通電極２７０とともに電界を生成することによって、２つの電極１９１、２７０の間の微細空間３０５内に位置した液晶分子３１０の方向を決定する。このように決定された液晶分子３１０の方向により液晶層を通過する光の輝度が変化する。
【００６７】
共通電極２７０の上には第３絶縁層３５０がさらに形成されてもよい。第３絶縁層３５０は、シリコン窒化物ＳｉＮｘ、シリコン酸化物ＳｉＯｘ等の無機絶縁物質により形成されてもよく、必要に応じて省略されてもよい。
【００６８】
第３絶縁層３５０の上には屋根層３６０が形成される。屋根層３６０は有機物質により形成されてもよい。屋根層３６０の下には微細空間３０５が形成されており、屋根層３６０は硬化工程により固くなって、微細空間３０５の形状を維持する。屋根層３６０は、  微細空間３０５を介して画素電極１９１と  離隔するように形成される。
【００６９】
屋根層３６０は、画素行に沿って各画素領域ＰＸ及び第２谷部Ｖ２に形成され、第１谷部Ｖ１には形成されない。つまり、屋根層３６０は、第１副画素領域ＰＸａと、第２副画素領域ＰＸｂとの間には形成されない。各第１副画素領域ＰＸａと第２副画素領域ＰＸｂには、各屋根層３６０の下に微細空間３０５が形成される。第２谷部Ｖ２には、屋根層３６０の下に微細空間３０５が形成されず、基板１１０に付着するように形成される。したがって、第２谷部Ｖ２に位置する屋根層３６０の厚さが、各第１副画素領域ＰＸａ及び第２副画素領域ＰＸｂに位置する屋根層３６０の厚さより、厚く形成されてもよい。微細空間３０５の上部面及び両側面は、屋根層３６０によって覆われている形態に形成される。
【００７０】
屋根層３６０には微細空間３０５の一部を露出させる注入口３０７が形成される。注入口３０７は、上述した通り、第１副画素領域ＰＸａと第２副画素領域ＰＸｂの周縁に互いに対向するように形成されてもよい。即ち、注入口３０７は、図１に示すように第１副画素領域ＰＸａの第１谷部Ｖ１に面する下側辺と、第２副画素領域ＰＸｂの第１谷部Ｖ１に面する上側辺に対応して、微細空間３０５の側面を露出させるように形成されてもよい。
【００７１】
注入口３０７によって微細空間３０５が露出されるので、注入口３０７を通じて微細空間３０５の内部に配向液または液晶物質などを注入できる。
【００７２】
注入口３０７に隣接して、微細空間３０５に柱形状に支持部材３６５が形成される。注入口３０７は微細空間３０５の周縁に位置しており、１つの微細空間３０５には２つの注入口３０７が形成される。例えば、１つの微細空間３０５の図１に示すように第２副画素領域ＰＸｂの第１谷部Ｖ１に面する上側周縁及び第１副画素領域ＰＸａの第１谷部Ｖ１に面する下側周縁にそれぞれ注入口３０７が位置するようになる。支持部材３６５は、２つの注入口３０７のいずれか１つの注入口３０７だけに形成される。例えば、微細空間３０５の一側周縁に位置した注入口３０７に隣接して支持部材３６５が形成されてもよい。このとき、微細空間３０５の他側周縁に位置した注入口３０７に隣接した位置には支持部材３６５が形成されない。
【００７３】
第１配向膜１１及び第２配向膜２１は配向液を注入して形成されてもよく、配向液の乾燥過程において固形分が一所に集まるようになって、配向膜の凝集現象が発生する。本発明の一実施形態による表示装置においては、微細空間３０５の一側周縁に位置した注入口３０７に隣接するように支持部材３６５が形成されるので、１つの微細空間３０５に形成される２つの注入口３０７における毛細管力（ｃａｐｉｌｌａｒｙ  ｆｏｒｃｅ）が互いに相異している。支持部材３６５が形成される注入口３０７における毛細管力が相対的に大きいので、支持部材３６５が形成される注入口３０７の周辺において配向膜の凝集現象が発生するようになる。このように配向膜の凝集現象が発生した地点においては光が円滑に通過できなくて、画面がうまく表示されないことがある。本発明の一実施形態による表示装置においては、配向膜の凝集現象が第１画素領域ＰＸａまたは第２画素領域ＰＸｂの周縁において発生するようにする。また、支持部材３６５と重なるように遮光部材２２０が形成されるので、配向膜の凝集現象が不良と視認されるのを防止する。支持部材３６５を注入口３０７に近く形成するほど、遮光部材２２０を形成する面積を減らせるので、開口率も向上させる。
【００７４】
配向膜の凝集現象が発生した部分においては屋根層３６０の撓み現象が発生する恐れがある。本発明の一実施形態による表示装置においては、配向膜の凝集現象が発生する地点に支持部材３６５が形成されて屋根層３６０を支持しているので、屋根層３６０の変形を防止する。
【００７５】
支持部材３６５は屋根層３６０と接続されており、屋根層３６０と同一の物質により形成されてもよい。支持部材３６５の下には第３絶縁層３５０及び共通電極２７０がさらに位置してもよい。支持部材３６５は画素電極１９１と重なってよく、このとき、共通電極２７０も画素電極１９１と重なってもよい。画素電極１９１の上には第２絶縁層２５０が形成されるので、共通電極２７０と、画素電極１９１との間に短絡が発生するのを防止する。
【００７６】
但し、本発明はこれに限定されることではなく、支持部材３６５は屋根層３６０と相異なる物質により形成されてもよく、支持部材３６５の下に第３絶縁層３５０及び共通電極２７０が位置しなくてもよい。このとき、支持部材３６５は画素電極１９１のすぐ上に形成されるか、または第２絶縁層２５０または第１絶縁層２４０のすぐ上に形成されてもよい。
【００７７】
以下、基板１１０の上部面から見た部材３６５の平面形状について説明する。
図５に示すように、支持部材３６５は１つの微細空間３０５の一側周縁に形成される。
【００７８】
例えば、支持部材３６５は三角形に形成されてもよい。三角形の一側辺は注入口３０７と平行するように配置される。このような部材部材３６５の形状及び配置によって支持部材３６５と、屋根層３６０の側壁との間隔は、注入口３０７に近いほど狭くなる。したがって、注入口３０７に近いほど毛細管力が強くなり、支持部材３６５と、屋根層３６０の側壁との間において、配向液の固形分は注入口３０７側に押し出される。これにより、配向膜の凝集現象が発生する地点が注入口３０７に近くなるので、開口率をさらに向上させる。
【００７９】
支持部材３６５は、円形や長方形に形成されてもよい。但し、開口率向上のためには支持部材３６５と、屋根層３６０の側壁との間隔が、注入口３０７に近いほど狭くなる形態を有するのがさらに有利である。
【００８０】
これと関連して、図６及び図７を参照して、支持部材３６５の形状による開口率の実験結果について説明する。
図６は、支持部材が円形であるとき、表示装置の上部面に出る光を示す図面であり、図７は、支持部材が三角形であるとき、表示装置の上部面に出る光を示す図面である。
【００８１】
図６に示すように、支持部材３６５が円形に形成された場合は、支持部材３６５と、屋根層３６０の側壁との間において、配向膜の凝集現象が発生した部分が、支持部材３６５より注入口３０７から遠い地点に位置するようになる。
【００８２】
図７に示すように、支持部材３６５が三角形に形成された場合は、支持部材３６５と、屋根層３６０の側壁との間において、配向膜の凝集現象が発生した部分が、支持部材３６５より注入口３０７に近い地点に位置するようになる。したがって、遮光部材２２０を利用して画素領域の内部を覆わなければならない面積が、支持部材３６５が円形に形成された場合に比べて小さくなる。つまり、開口率を向上させる。
【００８３】
さらに図５を参照すると、１つの微細空間３０５には複数の支持部材３６５が形成されてもよい。例えば、各微細空間３０５ごとに２つの支持部材３６５が形成されてもよい。但し、これは例示に過ぎず、微細空間３０５をさらに大きく形成したり、支持部材３６５の大きさをさらに減らす場合には、１つの微細空間３０５に形成する支持部材３６５の個数をさらに増やしてもよい。
【００８４】
複数の支持部材３６５のうち、隣接した支持部材３６５の間隔は注入口３０７に近いほど狭くなる。したがって、注入口３０７に近いほど毛細管力が強くなり、隣接した支持部材３６５の間において配向液の固形分は注入口３０７側に押し出される。これにより、配向膜の凝集現象が発生する地点が注入口３０７に近くなるので、開口率をさらに向上させる。
【００８５】
支持部材３６５と、屋根層３６０の側壁との間隔、または隣接した複数の支持部材３６５の間隔が、注入口３０７に近いほど狭くなるようにするための支持部材３６５の形状は多様である。このような支持部材３６５は、支持部材３６５の幅が注入口３０７に近いほど広くなる形態を有する。
【００８６】
以下、図８乃至図１４を参照して、支持部材３６５の多様な形状について説明する。
図８乃至図１４は、本発明の一実施形態による表示装置の支持部材の多様な形状を示す平面図である。
【００８７】
支持部材３６５は、図８に示すように台形に形成されてもよい。このとき、台形の上辺及び下辺のうちの長い辺が、注入口３０７に近い地点に注入口３０７と平行するように配置するのが好ましい。このような支持部材３６５の形態及び配置によって、支持部材３６５と、屋根層３６０の側壁との間隔、または隣接した複数の支持部材３６５の間隔が、注入口３０７に近いほど狭くなる。
【００８８】
図９に示すように、支持部材３６５はＴ字形に形成されてもよい。このとき、Ｔ字形の上側辺が、注入口３０７に近い地点に注入口３０７と平行するように配置するのが好ましい。
【００８９】
図１０に示すように、支持部材３６５は半円形または半楕円形に形成されてもよい。このとき、半円形または半楕円形は１つの直線成分及び１つの曲線成分により構成され、直線成分が、注入口３０７に近い地点に注入口３０７と平行するように配置するのが好ましい。
【００９０】
図１１に示すように、支持部材３６５は五角形に形成されてもよい。このとき、五角形は四角形成分及び三角形成分により構成され、四角形成分は長方形により構成されるのが好ましい。また、四角形成分が、注入口３０７に近い地点に注入口３０７と平行するように配置するのが好ましい。
【００９１】
図１２に示すように、支持部材３６５は三角形の各頂点が丸く変形された形態に形成されてもよい。図５に示すように支持部材３６５を設計しても、パターニング過程において頂点に変形が発生する可能性があり、そのために図１２の通りになることがある。図８乃至図１１に示した支持部材３６５の形態においても同様の変形が生じ得る。
【００９２】
図１３に示すように、注入口３０７と隣接して位置した支持部材３６５の一側辺の長さを多様に形成してもよい。図５及び図１３に示した支持部材３６５は同一の形状を有しているが、注入口３０７と隣接した支持部材３６５の一側辺の長さが相異している。即ち、注入口３０７と隣接した支持部材３６５の一側辺の長さをさらに長くするか、またはさらに短く変形してもよい。注入口３０７と隣接した支持部材３６５の一側辺の長さをさらに長く形成する場合、注入口３０７に近い地点と、注入口３０７から遠い地点との毛細管力の差をさらに大きくできる。したがって、配向膜の凝集現象が発生する地点が注入口３０７にさらに近くなる。
【００９３】
図１４に示すように、支持部材３６５は１つの微細空間３０５に１つだけ形成されてもよい。上述したように１つの微細空間３０５に形成される支持部材３６５の個数は、微細空間３０５及び支持部材３６５の大きさによって多様に変更できる。
支持部材３６５は、上記で例示した形状以外に、多様な形状に形成されてもよい。
【００９４】
屋根層３６０の上には第４絶縁層３７０をさらに形成してもよい。第４絶縁層３７０は、シリコン窒化物ＳｉＮｘ、シリコン酸化物ＳｉＯｘなどの無機絶縁物質により形成されてもよい。第４絶縁層３７０は、屋根層３６０の上部面及び側面を覆うように形成されてもよい。第４絶縁層３７０は、有機物質からなる屋根層３６０を保護する役割を果たし、必要に応じて省略されてもよい。
【００９５】
第４絶縁層３７０の上には蓋膜３９０が形成されてもよい。蓋膜３９０は微細空間３０５の一部を外部に露出させる注入口３０７を覆うように形成される。即ち、蓋膜３９０は、微細空間３０５の内部に形成される液晶分子３１０が外部に出ないように微細空間３０５を密封する。蓋膜３９０は液晶分子３１０と接触するので、液晶分子３１０と反応しない物質からなるのが好ましい。例えば、蓋膜３９０はパリレン（Ｐａｒｙｌｅｎｅ）などからなる。
【００９６】
蓋膜３９０は、二重膜、三重膜などのように多重膜により形成されてもよい。二重膜は互いに異なる物質からなる２つの層により形成される。三重膜は３つの層により形成され、互いに隣接する層の物質が異なる。例えば、蓋膜３９０は、有機絶縁物質からなる層と、無機絶縁物質からなる層とを含んでもよい。
【００９７】
図示は省略したが、表示装置の上下部面には偏光板をさらに形成してもよい。偏光板は第１偏光板及び第２偏光板により構成されてもよい。第１偏光板は基板１１０の下部面に付着し、第２偏光板は蓋膜３９０の上に付着してもよい。
【００９８】
上記において、支持部材３６５と、屋根層３６０の側壁との間隔は注入口３０７に近いほど狭くなり、隣接した複数の支持部材３６５の間隔は注入口３０７に近いほど狭くなることと説明したが、本発明はこれに限られない。微細空間３０５の断面積が注入口３０７に近いほど小さくなるように形成すると、注入口３０７に近いほど毛細管力を強くできる。したがって、微細空間３０５の高さが注入口３０７に近いほど低くなるように形成してもよい。このとき、支持部材３６５の幅は一定に形成してもよい。
【００９９】
次に、図１５及び図１６を参照して、本発明の一実施形態による表示装置について説明する。
図１５及び図１６に示す本発明の一実施形態による表示装置は、図１乃至図５に示した本発明の一実施形態による表示装置と同一の部分が多いので、これに対する説明は省略して、以下に、異なる部分についてのみ説明する。上述した実施形態との最も大きい差異点は、支持部材が画素電極と重ならないという点であり、以下にさらに詳細に説明する。
【０１００】
図１５は、本発明の一実施形態による表示装置の一画素を示す平面図であり、図１６は、図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ線に沿って示す本発明の一実施形態による表示装置の一部断面図である。
【０１０１】
図１５及び図１６を参照すれば、本発明の一実施形態による表示装置は、基板１１０の上に薄膜トランジスタ、及びこれに接続される画素電極１９１が形成される。画素電極１９１の上に微細空間３０５を介して離隔するように屋根層３６０が形成されており、注入口３０７に隣接して微細空間３０５に支持部材３６５が形成される。微細空間３０５には液晶分子３１０からなる液晶層が形成されており、屋根層３６０の上には蓋膜３９０が形成されて微細空間３０５を密封する。
【０１０２】
支持部材３６５は、屋根層３６０と接続されており、屋根層３６０と同一の物質により形成されてもよい。支持部材３６５の下には第３絶縁層３５０及び共通電極２７０がさらに位置してもよい。支持部材３６５は画素電極１９１と重ならないように形成されてもよい。したがって、画素電極１９１と、共通電極２７０との間に別途の絶縁層が形成されなくても、共通電極２７０と画素電極１９１が短絡されることを防止する。
【０１０３】
即ち、上述した実施形態においては、支持部材３６５と画素電極１９１が重なるように形成されるので、支持部材３６５の下に位置する共通電極２７０が画素電極１９１と短絡されないように第２絶縁層（図３の２５０）を形成した。反面、本実施形態においては、支持部材３６５と画素電極１９１が重ならないように形成することによって、第２絶縁層を形成しなくても共通電極２７０と画素電極１９１間の短絡を防止する。
【０１０４】
次に、図１７乃至図２２を参照して、本発明の一実施形態による表示装置の製造方法について説明する。これとともに、図１乃至図５を参照して説明する。
図１７乃至図２２は、本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図である。
【０１０５】
先ず、図１７に示すように、ガラスまたはプラスチックなどからなる基板１１０の上に、一方向に延在しているゲート線１２１と減圧ゲート線１２３を形成し、ゲート線１２１から突出した第１ゲート電極１２４ｈ、第２ゲート電極１２４ｌ、及び第３ゲート電極１２４ｃを形成する。
【０１０６】
また、ゲート線１２１、減圧ゲート線１２３、及び第１乃至第３ゲート電極（１２４ｈ、１２４ｌ、１２４ｃ）と離隔するように維持電極線１３１をともに形成してもよい。
【０１０７】
次に、ゲート線１２１、減圧ゲート線１２３、第１乃至第３ゲート電極（１２４ｈ、１２４ｌ、１２４ｃ）、及び維持電極線１３１を含む基板１１０上の全面に、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）などの無機絶縁物質を利用してゲート絶縁膜１４０を形成する。ゲート絶縁膜１４０は単一膜または多重膜により形成してもよい。
【０１０８】
次に、ゲート絶縁膜１４０の上に非晶質シリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｓｉｌｉｃｏｎ）、多結晶シリコン（ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｓｉｌｉｃｏｎ）、金属酸化物（ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅ）などの半導体物質を蒸着した後、これをパターニングして第１半導体１５４ｈ、第２半導体１５４ｌ、及び第３半導体１５４ｃを形成する。第１半導体１５４ｈは第１ゲート電極１２４ｈの上に位置するように形成し、第２半導体１５４ｌは第２ゲート電極１２４ｌの上に位置するように形成し、第３半導体１５４ｃは第３ゲート電極１２４ｃの上に位置するように形成してもよい。
【０１０９】
次に、金属物質を蒸着した後、これをパターニングして他方向に延在するデータ線１７１を形成する。金属物質は単一膜または多重膜により形成されてもよい。
また、データ線１７１から第１ゲート電極１２４ｈの上に突出する第１ソース電極１７３ｈ、及び第１ソース電極１７３ｈと離隔する第１ドレイン電極１７５ｈをともに形成する。また、第１ソース電極１７３ｈと接続される第２ソース電極１７３ｌ、及び第２ソース電極１７３ｌと離隔する第２ドレイン電極１７５ｌをともに形成する。また、第２ドレイン電極１７５ｌから延長される第３ソース電極１７３ｃ、及び第３ソース電極１７３ｃと離隔する第３ドレイン電極１７５ｃをともに形成する。
【０１１０】
半導体物質と金属物質を連続して蒸着した後、これを同時にパターニングして第１乃至第３半導体（１５４ｈ、１５４ｌ、１５４ｃ）、データ線１７１、第１乃至第３ソース電極（１７３ｈ、１７３ｌ、１７３ｃ）、及び第１乃至第３ドレイン電極（１７５ｈ、１７５ｌ、１７５ｃ）を形成してもよい。このとき、第１半導体１５４ｈはデータ線１７１の下まで延長されて形成される。
【０１１１】
第１／第２／第３ゲート電極（１２４ｈ／１２４ｌ／１２４ｃ）、第１／第２／第３ソース電極（１７３ｈ／１７３ｌ／１７３ｃ）、及び第１／第２／第３ドレイン電極（１７５ｈ／１７５ｌ／１７５ｃ）は、第１／第２／第３半導体（１５４ｈ／１５４ｌ／１５４ｃ）とともにそれぞれ第１／第２／第３薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）Ｑｈ／Ｑｌ／Ｑｃを構成する。
【０１１２】
次に、データ線１７１、第１乃至第３ソース電極（１７３ｈ、１７３ｌ、１７３ｃ）、第１乃至第３ドレイン電極（１７５ｈ、１７５ｌ、１７５ｃ）、及び各ソース電極（１７３ｈ／１７３ｌ／１７３ｃ）と、各ドレイン電極（１７５ｈ／１７５ｌ／１７５ｃ）との間に露出される半導体（１５４ｈ、１５４ｌ、１５４ｃ）の上に保護膜１８０を形成する。保護膜１８０は、有機絶縁物質または無機絶縁物質により形成されてもよく、単一膜または多重膜により形成されてもよい。
【０１１３】
次に、保護膜１８０上の各画素領域ＰＸ内にカラーフィルタ２３０を形成する。カラーフィルタ２３０は、各第１副画素領域ＰＸａと第２副画素領域ＰＸｂに形成し、第１谷部Ｖ１には形成しなくてもよい。また、複数の画素領域ＰＸの列方向に沿って同じ色のカラーフィルタ２３０を形成してもよい。三色のカラーフィルタ２３０を形成する場合、第１色のカラーフィルタ２３０を先に形成した後、マスクをシフトさせて第２色のカラーフィルタ２３０を形成してもよい。次に、第２色のカラーフィルタ２３０を形成した後、マスクをシフトさせて第３色のカラーフィルタを形成してもよい。
【０１１４】
次に、保護膜１８０上の各画素領域ＰＸの境界部及び薄膜トランジスタの上に遮光部材２２０を形成する。第１副画素領域ＰＸａと、第２副画素領域ＰＸｂとの間に位置する第１谷部Ｖ１にも、遮光部材２２０を形成してもよい。
【０１１５】
同時に、各画素領域ＰＸの一側周縁にも遮光部材２２０を形成する。後に形成する支持部材３６５と重なる部分に対応して、遮光部材２２０を形成することである。
【０１１６】
上記において、カラーフィルタ２３０を形成した後に遮光部材２２０を形成することと説明したが、本発明はこれに限定されず、遮光部材２２０を先に形成した後、カラーフィルタ２３０を形成してもよい。
【０１１７】
次に、カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０の上に、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物質により第１絶縁層２４０を形成する。
【０１１８】
次に、保護膜１８０、遮光部材２２０、及び第１絶縁層２４０をエッチングして、第１ドレイン電極１７５ｈの一部が露出するように第１コンタクトホール１８５ｈを形成し、第２ドレイン電極１７５ｌの一部が露出するように第２コンタクトホール１８５ｌを形成する。
【０１１９】
次に、第１絶縁層２４０の上にインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ、Ｉｎｄｉｕｍ  ＴｉｎＯｘｉｄｅ）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ、Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明な金属物質を蒸着した後、パターニングして、第１副画素領域ＰＸａ内に第１副画素電極１９１ｈを形成し、第２副画素領域ＰＸｂ内に第２副画素電極１９１ｌを形成する。第１副画素電極１９１ｈと第２副画素電極１９１ｌは第１谷部Ｖ１により分離される。第１副画素電極１９１ｈは、第１コンタクトホール１８５ｈによって第１ドレイン電極１７５ｈと接続するように形成し、第２副画素電極１９１ｌは、第２コンタクトホール１８５ｌによって第２ドレイン電極１７５ｌと接続するように形成する。
【０１２０】
第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌそれぞれに横幹部１９３ｈ、１９３ｌ、及び横幹部１９３ｈ、１９３ｌと交差する縦幹部１９２ｈ、１９２ｌを形成する。また、横幹部１９３ｈ、１９３ｌ及び縦幹部１９２ｈ、１９２ｌから斜めに延在している複数の微細枝部１９４ｈ、１９４ｌを形成する。
【０１２１】
次に、画素電極１９１の上に、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物質により第２絶縁層２５０をさらに形成してもよい。第２絶縁層２５０は、後に形成する支持部材３６５の下に位置する共通電極２７０と画素電極１９１間の短絡を防止するために形成される部材である。したがって、支持部材３６５が画素電極１９１と重ならないように形成される場合、第２絶縁層２５０の形成工程は省略されてもよい。
【０１２２】
図１８に示すように、画素電極１９１の上に感光性有機物質を塗布し、フォト工程を通じて犠牲層３００を形成する。
【０１２３】
犠牲層３００は複数の画素列に沿って接続するように形成される。つまり、犠牲層３００は各画素領域ＰＸを覆うように形成され、第１副画素領域ＰＸａと、第２副画素領域ＰＸｂとの間に位置した第１谷部Ｖ１を覆うように形成される。
【０１２４】
即ち、フォト工程を通じて第２谷部Ｖ２に位置する感光性有機物質を除去する。また、フォト工程を通じて犠牲層３００の一部領域を除去して開口部３０１を形成する。開口部３０１は第１谷部Ｖ１に隣接するように形成してもよい。開口部３０１の形成によって感光性有機物質の下に位置した第２絶縁層２５０が露出される。
【０１２５】
図１９に示すように、犠牲層３００の上にインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ、Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ、Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明な金属物質を蒸着して共通電極２７０を形成する。
【０１２６】
次に、共通電極２７０の上にシリコン酸化物またはシリコン窒化物などの無機絶縁物質により第３絶縁層３５０を形成してもよい。
【０１２７】
次に、第３絶縁層３５０の上に有機物質により屋根層３６０を形成し、開口部３０１内には支持部材３６５を形成する。屋根層３６０と支持部材３６５は、同一の工程において、同一の物質を用いて形成してもよい。屋根層３６０と支持部材３６５の下には共通電極２７０及び第３絶縁層３５０が位置してもよい。
【０１２８】
支持部材３６５は画素電極１９１と重なるように形成されてもよい。このとき、画素電極１９１の上には第２絶縁層２５０が形成されているので、支持部材３６５の下に位置した共通電極２７０が画素電極１９１と短絡されるのを防止する。
【０１２９】
支持部材３６５は柱形状に形成され、基板１１０の上部面から見た支持部材３６５の平面形状は円形、長方形、三角形、台形、Ｔ字形、半円形、半楕円形、五角形などの多様な形状に形成されてもよい。上述した通り、支持部材３６５は円形及び長方形よりは三角形、台形、Ｔ字形、半円形、半楕円形、及び五角形に形成することにより開口率をより向上できる。つまり、支持部材３６５の幅が第１谷部Ｖ１に近いほど広くなる形態を有するとき、配向膜の凝集現象が発生する地点が第１谷部Ｖ１と近くなるので、開口率を向上できる。
【０１３０】
図２０に示すように、屋根層３６０をパターニングして第１谷部Ｖ１に位置する屋根層３６０を除去する。そのために屋根層３６０は複数の画素行に沿って接続される形態に構成される。
【０１３１】
次に、屋根層３６０の上に、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物質により第４絶縁層３７０を形成してもよい。第４絶縁層３７０は、パターニングされた屋根層３６０の上に形成されるので、屋根層３６０の側面を覆って保護する。
【０１３２】
図２１に示すように、第４絶縁層３７０、第３絶縁層３５０、共通電極２７０をパターニングして、第１谷部Ｖ１に位置する第４絶縁層３７０、第３絶縁層３５０、及び共通電極２７０を除去する。
【０１３３】
屋根層３６０と共通電極２７０をパターニングすることによって、第１谷部Ｖ１に位置した犠牲層３００が外部に露出される。
【０１３４】
次に、犠牲層３００が露出された基板１１０の上に現像液を供給して犠牲層３００を全面除去するか、またはアッシング（ａｓｈｉｎｇ）工程を利用して犠牲層３００を全面除去する。
【０１３５】
犠牲層３００が除去されると、犠牲層３００が位置したところに微細空間３０５が生じる。
【０１３６】
画素電極１９１と共通電極２７０は微細空間３０５を介して互いに離隔し、画素電極１９１と屋根層３６０は微細空間３０５を介して互いに離隔する。共通電極２７０と屋根層３６０は微細空間３０５の上部面と両側面を覆うように形成される。
【０１３７】
屋根層３６０及び共通電極２７０が除去された部分によって微細空間３０５は外部に露出しており、これを注入口３０７という。注入口３０７は第１谷部Ｖ１に沿って形成される。例えば、注入口３０７は、第１副画素領域ＰＸａと第２副画素領域ＰＸｂの周縁に、互いに対向するように形成されてもよい。即ち、注入口３０７は、図１に示す第１副画素領域ＰＸａの下側辺、第２副画素領域ＰＸｂの上側辺に対応して、微細空間３０５の側面を露出させるように形成されてもよい。これとは異なり、注入口３０７が第２谷部Ｖ２に沿って形成されるようにしてもよい。
【０１３８】
以下に、注入口３０７と支持部材３６５の位置関係について説明する。
支持部材３６５は、注入口３０７に隣接して微細空間３０５内に形成される。１つの微細空間３０５には２つの注入口３０７が形成されてもよく、支持部材３６５は、２つの注入口３０７のいずれか１つの注入口３０７に隣接して形成される。支持部材３６５が形成される注入口３０７の付近に配向膜の凝集現象が発生するようになり、このような現象が不良と視認されるのを防止するために、上述した通りに支持部材３６５と重なるように遮光部材２２０を形成する。支持部材３６５を注入口３０７に近く形成するほど、遮光部材２２０を形成する面積を減らせるので、開口率も向上できる。
【０１３９】
支持部材３６５と、屋根層３６０の側壁との間隔は、注入口３０７に近いほど狭くなるように形成する。したがって、注入口３０７に近いほど毛細管力が強くなり、支持部材３６５と、屋根層３６０の側壁との間において配向液の固形分は注入口３０７側に押し出される。これにより、配向膜の凝集現象が発生する地点が注入口３０７に近くなるので、開口率を向上させる。
【０１４０】
１つの微細空間３０５には複数の支持部材３６５を形成してもよい。このとき、複数の支持部材３６５のうち、隣接した支持部材３６５の間隔は、注入口３０７に近いほど狭くなる。したがって、注入口３０７に近いほど毛細管力が強くなり、隣接した支持部材３６５の間において配向液の固形分は注入口３０７側に押し出される。これにより、配向膜の凝集現象が発生する地点が注入口３０７に近くなるので、開口率をさらに向上させる。
【０１４１】
上記において、支持部材３６５と、屋根層３６０の側壁との間隔は、注入口３０７に近いほど狭くなり、隣接した複数の支持部材３６５の間隔は、注入口３０７に近いほど狭くなることと説明したが、本発明はこれに限られない。微細空間３０５の断面積が注入口３０７に近いほど小さくなるように形成すると、注入口３０７に近いほど毛細管力が強くなる。したがって、微細空間３０５の高さが注入口３０７に近いほど低くなるように形成してもよい。このとき、支持部材３６５の幅は一定に形成してもよい。
【０１４２】
次に、基板１１０に熱を加えて屋根層３６０を硬化する。屋根層３６０によって微細空間３０５の形状が維持されるようにするためである。
【０１４３】
図２２に示すように、スピンコーティング方式またはインクジェット方式により配向物質が含まれている配向液を基板１１０の上に滴下すると、配向液が注入口３０７を通じて微細空間３０５の内部に注入される。配向液を微細空間３０５の内部に注入した後、硬化工程を行えば、溶液成分は蒸発し、配向物質が微細空間３０５の内部の壁面に残るようになる。
【０１４４】
これにより、画素電極１９１の上に第１配向膜１１を形成し、共通電極２７０の下に第２配向膜２１を形成する。第１配向膜１１と第２配向膜２１は微細空間３０５を介して対向するように形成され、画素領域ＰＸの周縁においては互いに接続するように形成される。
【０１４５】
このとき、第１配向膜１１及び第２配向膜２１は、微細空間３０５の側面を除いては、基板１１０に対して垂直方向に配向されてもよい。追加的に第１配向膜１１及び第２配向膜２１にＵＶを照射する工程を行うことによって、基板１１０に対して水平方向に配向されるようにしてもよい。
【０１４６】
次に、インクジェット方式またはディスペンシング方式により液晶分子３１０からなる液晶物質を基板１１０の上に滴下すると、液晶物質が注入口３０７を通じて微細空間３０５の内部に注入される。このとき、液晶物質を奇数番目第１谷部Ｖ１に沿って形成された注入口３０７には滴下し、偶数番目第１谷部Ｖ１に沿って形成された注入口３０７には滴下しなくてもよい。これとは反対に、液晶物質を偶数番目第１谷部Ｖ１に沿って形成された注入口３０７に滴下し、奇数番目第１谷部Ｖ１に沿って形成された注入口３０７には滴下しなくてもよい。
【０１４７】
奇数番目第１谷部Ｖ１に沿って形成された注入口３０７に液晶物質を滴下すると、毛細管力によって液晶物質が注入口３０７を通過して微細空間３０５の内部に入るようになる。このとき、偶数番目第１谷部Ｖ１に沿って形成された注入口３０７を通じて微細空間３０５の内部の空気が抜け出ることによって、液晶物質が微細空間３０５の内部にうまく入るようになる。
【０１４８】
また、液晶物質を全て注入口３０７に滴下してもよい。即ち、液晶物質を、奇数番目第１谷部Ｖ１に沿って形成された注入口３０７、及び偶数番目第１谷部Ｖ１に沿って形成された注入口３０７に滴下してもよい。
【０１４９】
次に、第４絶縁層３７０の上に液晶分子３１０と反応しない物質を蒸着して蓋膜３９０を形成する。蓋膜３９０は、微細空間３０５が外部に露出される注入口３０７を覆うように形成されて、微細空間３０５を密封する。
【０１５０】
次に、図示は省略したが、表示装置の上下部面に偏光板をさらに付着してもよい。偏光板は第１偏光板及び第２偏光板により構成されてもよい。基板１１０の下部面に第１偏光板を付着し、蓋膜３９０の上に第２偏光板を付着してもよい。
【０１５１】
以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲において定義している本発明の基本概念を利用した当業者の種々の変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。
【符号の説明】
【０１５２】
１１  第１配向膜
２１  第２配向膜
１１０  基板
１２１  ゲート線
１２３  減圧ゲート線
１２４ｈ  第１ゲート電極
１２４ｌ  第２ゲート電極
１２４ｃ  第３ゲート電極
１３１  維持電極線
１４０  ゲート絶縁膜
１５４ｈ  第１半導体
１５４ｌ  第２半導体
１５４ｃ  第３半導体
１７１  データ線
１７３ｈ  第１ソース電極
１７３ｌ  第２ソース電極
１７３ｃ  第３ソース電極
１７５ｈ  第１ドレイン電極
１７５ｌ  第２ドレイン電極
１７５ｃ  第３ドレイン電極
１８０  保護膜
１９１  画素電極
１９１ｈ  第１副画素電極
１９１ｌ  第２副画素電極
２２０  遮光部材
２３０  カラーフィルタ
２４０  第１絶縁層
２５０  第２絶縁層
２７０  共通電極
３００  犠牲層
３０５  微細空間
３０７  注入口
３１０  液晶分子
３５０  第３絶縁層
３６０  屋根層
３６５  支持部材
３７０  第４絶縁層
３９０  蓋膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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