(57)【要約】【課題】少なくとも一部の辺が狭額縁である放射線検出装置において防湿性を向上するための技術を提供する。【解決手段】放射線検出装置の製造方法は、画素アレイが形成されたセンサ基板の上に、画素アレイを覆うシンチレータ層と、シンチレータ層の側面を覆う封止層と、シンチレータ層の上面及び封止層の上面を覆う保護層とを形成する形成工程と、センサ基板の切断面、封止層の切断面及び保護層の切断面が同一平面上に位置するように、画素アレイの辺に沿ってセンサ基板、封止層及び保護層を切断する切断工程とを有する。【選択図】図１
2014013193.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線検出装置の製造方法であって、
画素アレイが形成されたセンサ基板の上に、前記画素アレイを覆うシンチレータ層と、前記シンチレータ層の側面を覆う封止層と、前記シンチレータ層の上面及び前記封止層の上面を覆う保護層とを形成する形成工程と、
前記センサ基板の切断面、前記封止層の切断面及び前記保護層の切断面が同一平面上に位置するように、前記画素アレイの辺に沿って前記センサ基板、前記封止層及び前記保護層を切断する切断工程とを有することを特徴とする製造方法。
【請求項２】
前記封止層は、前記シンチレータ層の１つ以上の側面を覆う第１部分と、前記シンチレータ層の他の１つ以上の側面を覆う第２部分とを有し、
前記切断工程において、前記封止層の前記第１部分が切断されることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記封止層の前記第２部分は、前記封止層の前記第１部分よりも防湿性に優れる材料で形成されることを特徴とする請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記製造方法は、前記保護層を前記封止層に対してヒートシールを行って、前記保護層にヒートシール部を形成する工程を更に有することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項５】
前記切断工程において、前記保護層が前記ヒートシール部において切断されることを特徴とする請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
前記形成工程は、前記画素アレイの辺に沿って前記センサ基板にスクライブラインを形成する工程を含み、
前記封止層は前記スクライブラインの上に形成され、
前記スクライブラインを用いて前記切断工程を行うことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項７】
前記形成工程は、柱状結晶の集合体を用いて前記シンチレータ層を形成した後に、樹脂を用いて前記封止層を形成する工程を含み、
前記封止層を形成するための樹脂は前記柱状結晶の集合体の柱間に入り込むことを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項８】
前記センサ基板の前記断面に近づくほど前記センサ基板の厚さが薄くなるように前記センサ基板の背面の一部を除去する工程を更に有することを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項９】
前記形成工程において、互いに隣接した第１画素アレイ及び第２画素アレイのそれぞれが前記画素アレイとして前記センサ基板に形成されており、前記第１画素アレイの１辺が前記第２画素アレイの１辺に対向しており、
前記シンチレータ層は、前記第１画素アレイを覆う第１シンチレータ層と、前記第２画素アレイを覆う第２シンチレータ層とを含み、
前記封止層は、前記第１シンチレータ層の側面及び前記第２シンチレータ層の側面を覆い、
前記保護層は、前記第１シンチレータ層の上面、前記第２シンチレータ層の上面及び前記封止層の上面を覆い、
前記切断工程において、前記第１画素アレイと前記第２画素アレイとの間の位置において前記センサ基板、前記封止層及び前記保護層が切断されることを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記切断工程の前に、前記第１画素アレイの前記第２画素アレイに対向している辺に隣接する辺に沿って前記センサ基板、前記封止層及び前記保護層を切断する工程を更に有することを特徴とする請求項９に記載の製造方法。
【請求項１１】
画素アレイを有するセンサ基板と、
前記画素アレイを覆うシンチレータ層と、
前記シンチレータ層の側面を覆う封止層と、
前記シンチレータ層の上面及び前記封止層の上面を覆う保護層とを備える放射線検出装置であって、
前記センサ基板の少なくとも１つの側面は、前記封止層の側面及び前記保護層の側面と同一平面上に位置することを特徴とする放射線検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は放射線検出装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、放射線検出装置の縁の付近まで放射線を検出可能である放射線検出装置を実現するために、蛍光体層の側面とセンサ基板の側面とが同一平面上に配置されるようにセンサ基板を切断する技術を提案する。特許文献２は、放射線検出器の防湿性を向上するために、放射線検出器をシート状の防湿性フィルムで覆う技術を提案する。特許文献３は、蛍光体層の側面を枠体で覆い、蛍光体層の上面を保護層で覆うことによって、蛍光体層の防湿性を向上する技術を提案する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１５１７６８号公報
【特許文献２】特開２００８−８８９９号公報
【特許文献３】特開２００６−５２９８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の技術では、蛍光体層の側面が外気に露出しているので蛍光体層の防湿が不十分である。特許文献２の技術では、画素アレイから放射線検出装置の縁までの距離が短い、いわゆる狭額縁の辺において、防湿性フィルムがセンサ基板の側面まで覆っているため、防湿性フィルムの分だけ額縁部分の幅が広くなってしまう。また、防湿性フィルムを用いる技術では、防湿性フィルムがめくれた場合に、防湿性が低下してしまう。特許文献３の技術では、蛍光体層の防湿性は向上するものの、狭額縁化について何ら検討されていない。そこで、本発明は、少なくとも一部の辺が狭額縁である放射線検出装置において防湿性を向上するための技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題に鑑みて、本発明の１つの側面では、放射線検出装置の製造方法であって、画素アレイが形成されたセンサ基板の上に、前記画素アレイを覆うシンチレータ層と、前記シンチレータ層の側面を覆う封止層と、前記シンチレータ層の上面及び前記封止層の上面を覆う保護層とを形成する形成工程と、前記センサ基板の切断面、前記封止層の切断面及び前記保護層の切断面が同一平面上に位置するように、前記画素アレイの辺に沿って前記センサ基板、前記封止層及び前記保護層を切断する切断工程とを有することを特徴とする製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
上記手段により、少なくとも一部の辺が狭額縁である放射線検出装置において防湿性を向上するための技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の第１実施形態の放射線検出装置の製造方法を例示する図。
【図２】本発明の第１実施形態の変形例を説明する図。
【図３】本発明の第２実施形態の放射線検出装置の製造方法を例示する図。
【図４】本発明の第３実施形態の放射線検出装置の製造方法を例示する図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態について以下に説明する。様々な実施形態を通じて同様の要素には同一の参照符号を付して重複する説明を省略する。また、各実施形態は適宜変更、組み合わせが可能である。本発明の実施形態は、光を検出する複数の画素がアレイ状に配された画素アレイと、入射した放射線を画素が検出可能な波長の光に変換するシンチレータ層とを備える放射線検出装置及びその製造方法に関する。本発明の実施形態は特に、乳房撮影用の放射線検出装置のように、一部の辺において画素アレイから放射線検出装置の縁までの距離が短い放射線検出装置に関する。以下、このような放射線検出装置の縁までの距離が短い辺を狭額縁の辺と呼ぶ。
【０００９】
図１を参照して本発明の第１実施形態に係る放射線検出装置の製造方法を説明する。まず、図１（ａ）に示すような、センサ基板１００の上に密着層１１０、シンチレータ層１２０、封止層１３０、１３１及び保護層１４０、１４１が形成された構造体を準備する。図１（ａ）において、下図はこの構造体の平面図であり、右上図はこの構造体の右側面図であり、左上図はこの構造体のＡ−Ａ線断面図である。平面図では、説明のために、センサ基板１００、シンチレータ層１２０及び封止層１３０、１３１を示し、他の構成要素は省略している。
【００１０】
センサ基板１００には、複数の画素１０１がアレイ状に配置された画素アレイ１０２が形成される。画素１０１はシンチレータ層１２０によって放射線から変換された光を電荷に変換する。画素アレイ１０２は如何なる方法で形成してもよく、例えば既知の方法で形成してもよいので、その詳細な説明を省略する。例えば、画素１０１はアモルファスシリコンやポリシリコン等で形成されるスイッチ素子及び光電変換素子により構成されうる。また、画素アレイ１０２によってＣＣＤセンサやＣＭＯＳセンサが構成されてもよい。また、センサ基板１００はその表面に画素アレイ１０２を保護するセンサ保護層を含んでいてもよい。
【００１１】
本実施形態では、センサ基板１００の画素アレイ１０２の外側に、画素アレイ１０２の１つの辺に沿ってスクライブライン１０３が形成される。後述する工程において、このスクライブライン１０３を目印としてセンサ基板１００が切断される。スクライブライン１０３は、画素アレイ１０２からの距離が例えば２ｍｍ以下となる位置に形成された溝である。
【００１２】
続いて、センサ基板１００の上に、スリットコート、スピンコート、スクリーン印刷等の手法を用いて、ポリイミド（ＰＩ）等の樹脂による密着層１１０が形成される。密着層１１０により、シンチレータ層１２０とセンサ基板１００との密着力が向上し、製造上の歩留まりが向上する。本発明の他の実施形態としては、密着層１１０は形成されず、センサ基板１００の上に直接にシンチレータ層１２０が形成されてもよい。
【００１３】
続いて、密着層１１０の上に、画素アレイ１０２の周囲を覆うように封止層１３０、１３１が形成される。封止層１３０（第１部分）と封止層１３１（第２部分）とはどちらが先に形成されてもよい。本実施形態では、スクライブライン１０３が形成された辺に封止層１３０が形成され、それ以外の辺に封止層１３１が形成される。封止層１３０はスクライブライン１０３の上に形成される。封止層１３０、１３１はそれぞれ、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂、アクリルシリコン樹脂、紫外線（ＵＶ）硬化樹脂、フェノール樹脂等で形成されうる。本実施形態では、封止層１３０と封止層１３１とは異なる材料で形成されるが、他の実施形態としては、これらが同じ材料で形成されてもよい。封止層１３０、１３１はシンチレータ層１２０の防湿接着層として機能する。
【００１４】
封止層１３０は、後述の工程においてセンサ基板１００とともに切断されるので、切断に適した材料で形成されてもよい。例えば、酸化アルミニウム（アルマイト）、アルミニウム、テフロン、ステンレス、アクリル樹脂、ガラス、石英ガラス等を切断できる炭酸ガスレーザ（ＣＯ2レーザ）で封止層１３０を切断する場合に、封止層１３０をアクリル樹脂で形成してもよい。アクリル樹脂の吸収波長はレーザ加工機の発信波長（１０．６μｍ）に合致するので、上述した材料の中ではアクリル樹脂が切断に適する。また、アクリル樹脂を切断した場合に、炭酸ガスレーザによって発生した熱により、アクリル樹脂の防湿性が向上する。封止層１３０は切断された場合に幅が狭くなるため、封止層１３０を黒色樹脂で形成して、外光の遮光機能及びシンチレータ層１２０からの光の散乱防止機能を向上させてもよい。黒色樹脂は例えば封止層１３０の材料となるアクリル樹脂にカーボンブラック等を混ぜることによって得られる。
【００１５】
封止層１３１は後述の工程において切断されないので、切断に適するか否かを考慮する必要はない。そこで、封止層１３１は封止層１３０よりも防湿性に優れた材料で形成してもよい。例えば、アクリル樹脂よりも防湿性に優れたエポキシ樹脂で封止層１３１を形成してもよい。
【００１６】
一般に、封止層１３０と封止層１３１とを異なる材料で形成する場合には、封止層１３０の方が封止層１３１よりも切断に適しており、封止層１３１の方が封止層１３０よりも防湿性に優れるように材料を選択すればよい。このような組合せとして、上述の例以外に加えて、例えば封止層１３０をシリコン樹脂で形成し、封止層１３１をエポキシ樹脂で形成してもよい。
【００１７】
続いて、封止層１３０、１３１で囲まれた領域（すなわち、画素アレイ１０２の部分）以外をマスクで覆い、真空蒸着法等によってシンチレータ層１２０が形成される。シンチレータ層１２０は例えば、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）、ヨウ化ナトリウム（ＮａI）等を蒸着して成長させた柱状構造の結晶の集合体により形成される。蒸着におけるドープ剤（付活剤）として、タリウム（Ｔｌ），ナトリウム（Ｎａ）等が用いられうる。封止層１３０、１３１の上面と、密着層１１０のうちの封止層１３０、１３１よりも外側の部分とを覆うマスクの材料として、テープや金属マスク、ガラスマスク、セラミックマスク、ゴムシートマスク等を用いうる。テープを用いる場合に、耐熱性に優れたポリイミドテープを用いてもよく、ゴムシートを用いる場合に、フッ素ゴムを用いてもよい。シンチレータ層１２０は、その高さ（密着層１１０からの距離）が封止層１３０、１３１の高さ（密着層１１０からの距離）と等しくなるように成長させてもよい。このようにシンチレータ層１２０と封止層１３０、１３１との高さを揃えることによって、保護層１４０、１４１による封止性能が向上する。本発明の別の実施形態としては、このようにシンチレータ層１２０と封止層１３０、１３１とが異なる高さを有していてもよい。
【００１８】
続いて、シンチレータ層１２０の上面及び封止層１３０、１３１の上面に、保護層１４０、１４１を貼り合わせる。この際、保護層１４０と保護層１４１とを貼り合わせてできるシートをシンチレータ層１２０及び封止層１３０、１３１に貼り合わせてもよい。これに代えて、シンチレータ層１２０及び封止層１３０、１３１に保護層１４０を貼り合わせてから、その上に保護層１４１を貼り合わせてもよい。保護層１４０はシンチレータ層１２０の防湿保護層及び接着層として機能し、例えばホットメルト樹脂（ＨＭ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリイミド（ＰＩ）等により形成されうる。これらの材料のうち、防湿性に優れたホットメルト樹脂を用いて保護層１４０を形成してもよい。ホットメルト樹脂とは、水や溶剤を含まない、室温で固体であり、１００％不揮発性の熱可塑性材料からなる接着性樹脂である。ホットメルト樹脂は、樹脂温度が上昇すると溶融し、樹脂温度が低下すると固化する。また、ホットメルト樹脂は、加熱溶融状態で、他の有機材料、および無機材料に接着性をもち、常温で固体状態となり接着性を持たない。また、ホットメルト樹脂は極性溶媒、溶剤、および水を含んでいないので、潮解性を有するシンチレータ層（例えば、ハロゲン化アルカリからなる柱状結晶構造を有するシンチレータ層）に接触してもシンチレータ層を溶解しない。保護層１４１は、シンチレータ層１２０の防湿保護層及び反射層として機能し、例えばアルミ（ＡＬ）等の金属層、または、Ａｌ/ＰＥＴ、Ａｌ/ＰＩ等の金属/樹脂の積層構造が用いられる。本実施形態では２層の保護層１４０、１４１が形成されるが、保護層は単層であってもよい。一般に、保護層は、シンチレータ層１２０の上面を覆うことができ、防湿性を有していればどのような材料・構造で形成されてもよい。
【００１９】
続いて、図１（ｂ）に示すように、図１（ａ）に示す構造体を、スクライブライン１０３を目印として切断して、放射線検出装置１５０を製造する。図１（ｂ）において、下図は放射線検出装置１５０の平面図であり、右上図は放射線検出装置１５０の右側面図であり、左上図は放射線検出装置１５０のＢ−Ｂ線断面図である。平面図では、説明のために、センサ基板１００、シンチレータ層１２０及び封止層１３０、１３１を示し、他の構成要素は省略している。スクライブライン１０３の上に密着層１１０、封止層１３０、保護層１４０、１４１が形成されているので、スクライブライン１０３を目印としてセンサ基板１００を切断することによって、密着層１１０、封止層１３０、保護層１４０、１４１も合わせて切断される。切断は、ダイヤモンドソー、ダイシング、炭酸ガスレーザ等の方法で行いうる。その結果として、センサ基板１００の切断面と、密着層１１０の切断面と、封止層１３０の切断面と、保護層１４０、１４１の切断面とが同一平面上に位置する。
【００２０】
以上の製造方法によって得られる放射線検出装置１５０では、１つの辺において、センサ基板１００の側面に封止層や保護層が形成されることがないので、画素アレイ１０２から放射線検出装置１５０の縁までの距離を短くできる。本実施形態では、この狭額縁の辺において、放射線検出装置１５０の縁はスクライブライン１０３に一致する。また、センサ基板１００、密着層１１０、封止層１３０及び保護層１４０、１４１を一括して切断するので、製造工程が簡略化される。さらに、シンチレータ層１２０は防湿性を有する封止層１３０、１３１及び保護層１４０、１４１によって覆われているので、放射線検出装置１５０の防湿性を損なうことはない。また、センサ基板１００の背面に封止層や保護層が形成されないので、放射線検出装置１５０がセンサ基板１００の背面から放射線を入射する、いわゆる裏面照射型の放射線検出装置である場合であっても、保護層がアーチファクトの原因となることはない。
【００２１】
上述の実施形態では、放射線検出装置１５０の４辺のうち、１辺のみが狭額縁の辺であったが、他の実施形態では複数の辺に上述の方法を適用して狭額縁の辺を形成してもよい。例えば、放射線検出装置の対向する２辺を狭額縁にしてもよいし、隣接する２辺を狭額縁にしてもよい。また、放射線検出装置の３辺を狭額縁にしてもよいし、４辺すべてを狭額縁にしてもよい。この場合に、狭額縁の辺に封止層１３０を配置し、それ以外の辺に封止層１３１を配置してもよい。
【００２２】
また、上述の実施形態では、シンチレータ層１２０の４つの側面のすべてを封止層１３０、１３１で覆う。しかし、他の実施形態では、狭額縁の辺を含む１つ以上の辺において、シンチレータ層１２０の側面を封止層で覆い、シンチレータ層１２０の他の側面を保護層１４０、１４１や他の防湿性シートで覆ってもよい。
【００２３】
次に、図２を用いて、上述の第１実施形態の製造方法の様々な変形例について説明する。これらの変形例は適宜組み合わせることができる。図２（ａ）は第１変形例の放射線検出装置２１０の平面図を示す。放射線検出装置２１０は電気部品２１１を有する点で放射線検出装置１５０と異なり、それ以外は同様である。電気部品２１１は、画素１０１で得られた信号を外部へ出力するための部品であり、例えばＩＣが搭載されたフレキシブルケーブルで構成される。電気部品２１１は狭額縁の辺とは異なる辺に配置される。図２（ａ）の例では狭額縁の辺の反対側の辺に配置されているが、狭額縁の辺に隣接する辺に配置されてもよい。また、狭額縁の辺以外の３つの辺のうちの、１つの辺のみに配置されてもよく、２つの辺のみに配置されてもよく、３つの辺すべてに配置されてもよい。電気部品２１１はシンチレータ層１２０、封止層１３０、１３１及び保護層１４０、１４１が形成される前にセンサ基板１００に形成されてもよいし、これらが形成された後にセンサ基板１００に形成されてもよい。また、電気部品２１１は、センサ基板１００等が切断される前に形成されてもよいし、切断された後に形成されてもよい。
【００２４】
図２（ｂ）は第２変形例の放射線検出装置２２０の断面図を示す。放射線検出装置２２０はセンサ基板１００がテーパー部２２１を有する点で放射線検出装置１５０と異なり、それ以外は同様である。テーパー部２２１は、図１（ｂ）に示される放射線検出装置１５０のセンサ基板１００の辺のうち、切断面と背面（シンチレータ層１２０が形成された面の反対側の面）とによって形成される辺を含む部分を除去することによって形成される。テーパー部２２１の角度は、製作の容易性を考慮して、４５度としてもよい。テーパー部２２１の面取り寸法はＣ１以下であってもよく、センサ基板１００がガラスで形成される場合に面取り寸法をＣ０．３以上としてもよく、例えばＣ０．５としてもよい。
【００２５】
センサ基板１００がテーパー部２２１を有することにより、センサ基板１００からクラック等が取り除かれ、センサ基板１００の機械的高度が向上し、放射線検出装置２２０の耐久性が向上する。また、放射線検出装置２２０が裏面照射型の放射線検出装置である場合に、センサ基板１００がテーパー部２２１を有することにより、切断面付近でのアーチファクトを低減できる。図２（ｂ）に示されるように、狭額縁の辺のみにテーパー部２２１を形成してもよいし、これに加えてセンサ基板１００の他の辺にもテーパー部２１２を形成してもよい。
【００２６】
図２（ｃ）は第３変形例の放射線検出装置２３０の断面図を示す。放射線検出装置２３０はセンサ基板１００がテーパー部２２１の代わりに研磨部２３１を有する点で放射線検出装置２２０と異なり、それ以外は同様である。研磨部２３１は、図１（ｂ）に示される放射線検出装置１５０のセンサ基板１００の辺のうち、切断面と背面（シンチレータ層１２０が形成された面の反対側の面）とによって形成される辺を含む部分を研磨、研削することによって形成される。
【００２７】
放射線検出装置２２０、２３０では、センサ基板１００の中央から側面に向かうにつれて、センサ基板１００の厚さが薄くなっている点で共通する。このような形状にすることによって、センサ基板１００全体を一律に薄くする場合よりも機械的強度を維持でき、センサ基板１００の縁での光散乱を低減でき、画素アレイ１０２のうち縁に近い位置にある画素１０１のＭＴＦを向上できる。特に、狭額縁の辺において画素１０１のＭＴＦを向上でき、放射線検出装置２２０、２３０を乳房撮影用に用いる場合に有効である。
【００２８】
図２（ｄ）は第４変形例の放射線検出装置２４０の断面図を示す。放射線検出装置２４０は保護層１４０、１４１にヒートシール部２４１を有する点で放射線検出装置１５０と異なり、それ以外は同様である。ヒートシール部２４１とは、保護層１４０、１４１を上からヒートシール（熱溶着）を行うことによって、保護層１４０、１４１の他の部分よりも厚さが薄くなった部分のことである。ヒートシール部２４１は封止層１３０、１３１の上に形成されてもよいし、封止層１３０、１３１とシンチレータ層１２０とにまたがって形成されてもよい。ヒートシール部２４１を形成することによって、シンチレータ層１２０の防湿性を向上できる。ヒートシール部２４１は第１実施形態の切断工程の前に形成してもよいし、切断工程の後に形成してもよい。切断工程の前にヒートシール部２４１を形成した場合には、切断工程の間のシンチレータ層１２０の防湿性を向上できる。ヒートシール部２４１は、切断によって幅が薄くなる封止層１３０を覆う部分にだけ形成されてもよいし、シンチレータ層１２０を囲むような閉じた線形状を有してもよい。
【００２９】
図２（ｅ）は第５変形例の放射線検出装置２５０の断面図を示す。放射線検出装置２５０はヒートシール部２４１の代わりにヒートシール部２５１を有する点で放射線検出装置２４０と異なり、それ以外は同様である。ヒートシール部２５１はヒートシール部２４１と同様に形成されうるが、封止層１３０の断面を覆う位置に形成される。このようなヒートシール部２５１は、例えば切断工程の前に、スクライブライン１０３を覆う位置において保護層１４０、１４１にヒートシール部２５１を形成することによって形成される。このように形成されたヒートシール部２５１は切断工程において、センサ基板１００等とともに切断される。その結果、ヒートシール部２５１の切断面も、センサ基板１００等の切断面と同一平面上に位置する。
【００３０】
図２（ｆ）は第６変形例の放射線検出装置２６０のうち、封止層１３０の周囲の部分を拡大した断面図を示す。第１実施形態では、封止層１３０、１３１を形成した後にシンチレータ層１２０を形成したが、第６変形例ではその逆にシンチレータ層１２０を形成した後に封止層１３０、１３１を形成する。第６変形例において、シンチレータ層１２０を柱状結晶１２１の集合体によって形成してもよく、封止層１３０、１３１を硬化前に流動性を有する樹脂で形成してもよい。この場合に、封止層１３０を形成するための樹脂の一部が柱状結晶１２１の柱間に入り込む。その結果、シンチレータ層１２０の防湿性が一層向上する。
【００３１】
図３を用いて本発明の第２実施形態に係る放射線検出装置の製造方法を説明する。第１実施形態と同様の構成要素は同一の参照符号を付して重複する説明を省略する。また、第１実施形態についての変形例は、第２実施形態についても同様に適用可能である。まず、センサ基板１００の上に密着層１１０、シンチレータ層１２０ａ、１２０ｂ、封止層３３０、３３１ａ、３３１ｂ及び保護層１４０、１４１が形成された構造体を準備する。図３において、下図はこの構造体の平面図であり、右上図はこの構造体の右側面図であり、左上図はこの構造体のＣ−Ｃ線断面図である。平面図では、説明のために、センサ基板１００、シンチレータ層１２０ａ、１２０ｂ及び封止層３３０、３３１ａ、３３１ｂを示し、他の構成要素は省略している。
【００３２】
センサ基板１００には、複数の画素１０１がアレイ上に配置された２つの画素アレイ１０２ａ（第１画素アレイ）及び画素アレイ１０２ｂ（第２画素アレイ）が形成される。画素アレイ１０２ａ、１０２ｂは第１実施形態で説明した画素アレイ１０２と同様の構成であってもよいので、重複する説明を省略する。画素アレイ１０２ａと画素アレイ１０２ｂとは互いに隣接しており、これらの間隔が例えば４ｍｍ以下となるように形成される。画素アレイ１０２ａの１辺と画素アレイ１０２ｂの１辺とが対向している。本実施形態では、画素アレイ１０２ａと画素アレイ１０２ｂとの間にスクライブライン３０３が形成される。
【００３３】
続いて、第１実施形態と同様にして密着層１１０を形成し、密着層１１０の上に、封止層３３０、３３１ａ、３３１ｂを形成する。封止層３３０は第１実施形態の封止層１３０と同様の材料で形成されてもよく、封止層３３１ａ、３３１ｂは第１実施形態の封止層１３１と同様の材料で形成されてもよい。封止層３３０は、画素アレイ１０２ａと画素アレイ１０２ｂとの間の領域を覆う位置に形成される。封止層３３１ａは画素アレイ１０２ａの残りの３辺の周囲に形成される。封止層３３１ｂは画素アレイ１０２ｂの残りの３辺の周囲に形成される。
【００３４】
続いて、第１実施形態のシンチレータ層１２０と同様にして、画素アレイ１０２ａを覆うシンチレータ層１２０ａ（第１シンチレータ層）と、画素アレイ１０２ｂを覆うシンチレータ層１２０ｂ（第２シンチレータ層）とを形成する。シンチレータ層１２０ａ及びシンチレータ層１２０ｂは同一の蒸着工程において形成されてもよい。このように形成されたシンチレータ層１２０ａの１つの側面（シンチレータ層１２０ｂの方を向いた側面）は封止層３３０で覆われ、シンチレータ層１２０ａの残りの側面は封止層３３１ａで覆われる。また、このように形成されたシンチレータ層１２０ｂの１つの側面（シンチレータ層１２０ａの方を向いた側面）は封止層３３０で覆われ、シンチレータ層１２０ｂの残りの側面は封止層３３１ｂで覆われる。
【００３５】
続いて、第１実施形態と同様にして、保護層１４０、１４１を形成する。その後、第１実施形態と同様にして、スクライブライン３０３を目印としてセンサ基板１００を切断することによって、密着層１１０、封止層３３０、保護層１４０、１４１も合わせて切断される。本実施形態では、１回の蒸着工程及び１回の切断工程を行うことによって、図１（ｂ）に示される放射線検出装置１５０を２つまとめて形成できる。その結果、工程数及び製造費用を低減できる。
【００３６】
図４を用いて本発明の第３実施形態に係る放射線検出装置の製造方法を説明する。第１実施形態と同様の構成要素は同一の参照符号を付して重複する説明を省略する。また、第１実施形態についての変形例は、第３実施形態についての同様に適用可能である。まず、センサ基板１００の上に密着層１１０、シンチレータ層１２０ａ、１２０ｂ、封止層４３０、４３１ａ、４３１ｂ及び保護層１４０、１４１が形成された構造体を準備する。図４において、下図はこの構造体の平面図であり、右上図はこの構造体の右側面図であり、左上図はこの構造体のＤ−Ｄ線断面図である。平面図では、説明のために、センサ基板１００、シンチレータ層１２０ａ、１２０ｂ及び封止層４３０、４３１ａ、４３１ｂを示し、他の構成要素は省略している。
【００３７】
センサ基板１００には、複数の画素１０１がアレイ上に配置された２つの画素アレイ１０２ａ（第１画素アレイ）及び画素アレイ１０２ｂ（第２画素アレイ）が形成される。画素アレイ１０２ａ、１０２ｂは第１実施形態で説明した画素アレイ１０２と同様の構成であってもよいので、重複する説明を省略する。画素アレイ１０２ａと画素アレイ１０２ｂとは互いに隣接しており、これらの間隔が例えば４ｍｍ以下となるように形成される。画素アレイ１０２ａの１辺と画素アレイ１０２ｂの１辺とが対向している。本実施形態では、画素アレイ１０２ａの辺のうち、画素アレイ１０２ｂに対向する辺に隣接する辺に沿ってスクライブライン４０３ａが形成され、画素アレイ１０２ａと画素アレイ１０２ｂとの間にスクライブライン４０３ｂが形成される。スクライブライン４０３ａは、画素アレイ１０２ｂの辺にも沿っている。
【００３８】
続いて、第１実施形態と同様にして密着層１１０を形成し、密着層１１０の上に、封止層４３０、４３１ａ、４３１ｂを形成する。封止層４３０は第１実施形態の封止層１３０と同様の材料で形成されてもよく、封止層４３１ａ、４３１ｂは第１実施形態の封止層１３１と同様の材料で形成されてもよい。封止層４３０は、画素アレイ１０２ａと画素アレイ１０２ｂとの間の領域を覆う位置と、この領域に隣接した画素アレイ１０２ａ、１０２ｂの辺の周囲に形成される。封止層４３１ａは画素アレイ１０２ａの残りの２辺の周囲に形成される。封止層４３１ｂは画素アレイ１０２ｂの残りの２辺の周囲に形成される。
【００３９】
続いて、第１実施形態のシンチレータ層１２０と同様にして、画素アレイ１０２ａを覆うシンチレータ層１２０ａ（第１シンチレータ層）と、画素アレイ１０２ｂを覆うシンチレータ層１２０ｂ（第２シンチレータ層）とを形成する。シンチレータ層１２０ａ及びシンチレータ層１２０ｂは同一の蒸着工程において形成されてもよい。このように形成されたシンチレータ層１２０ａの隣接する２つの側面（シンチレータ層１２０ｂの方を向いた側面と、これに隣接する側面）は封止層４３０で覆われ、シンチレータ層１２０ａの残りの側面は封止層４３１ａで覆われる。また、このように形成されたシンチレータ層１２０ｂの２つの側面（シンチレータ層１２０ａの方を向いた側面と、これに隣接する側面）は封止層４３０で覆われ、シンチレータ層１２０ｂの残りの側面は封止層４３１ｂで覆われる。
【００４０】
続いて、第１実施形態と同様にして、保護層１４０、１４１を形成する。その後、スクライブライン４０３ａを目印としてセンサ基板１００を切断し、その後にスクライブライン４０３ｂを目印としてセンサ基板１００を切断することによって、密着層１１０、封止層３３０、保護層１４０、１４１も合わせて切断される。それぞれの切断工程は第１実施形態の切断工程と同様に行ってもよい。本実施形態では、１回の蒸着工程及び２回の切断工程を行うことによって、２辺が狭額縁化された放射線検出装置を２つまとめて形成できる。その結果、工程数及び製造費用を低減できる。
【００４１】
ここで、スクライブライン４０３ａが設けられている辺とシンチレータ層１２０ｂを挟んで対向する辺とにスクライブライン４０３ｃを準備しておく。そして、一方ではスクライブライン４０３ａを目印としてセンサ基板１００を切断し、他方ではスクライブライン４０３ｃを目印とセンサ基板１００を切断してもよい。このようにすると、工程数及び製造費用を低減できるだけでなく、２辺が狭額縁化された同一の放射線検出装置の製造が可能となる。更に、クライブライン４０３ａ、４０３ｂ、４０３ｃを切断することにより、３辺が狭額縁化された放射線検出装置同一の放射線検出装置の製造が可能となる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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