(57)【要約】  【課題】表面に指紋が付着した場合、何もせずとも指紋のパターンが濡れ広がり、見えにくくなる表面を有する防汚体を提供する。  【解決手段】防汚体は、複数の突起が設けられた表面を有している。突起は、末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物、および環状炭化水素基を有する第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる。【選択図】図１
2014047299.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の突起が設けられた表面を有し、
上記突起は、末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物、および環状炭化水素基を有する第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる防汚体。
【請求項２】
上記突起の平均高さは、１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲内であり、
上記突起の平均ピッチは、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内である請求項１に記載の防汚体。
【請求項３】
上記突起の平均高さは、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内である請求項２に記載の防汚体。
【請求項４】
表面を有する基材と、
上記基材の表面に設けられた防汚層と
を備え、
上記防汚層は、上記複数の突起が設けられた上記表面を有している請求項１に記載の防汚体。
【請求項５】
上記防汚層は、エネルギー線硬化性樹脂組成物および熱硬化性樹脂組成物の少なくとも一方の樹脂組成物を含み、
上記樹脂組成物は、上記第１の化合物、および上記第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる請求項４に記載の防汚体。
【請求項６】
上記第１の化合物および上記第２の化合物は、添加剤である請求項１に記載の防汚体。
【請求項７】
上記添加剤は、レベリング剤である請求項６に記載の防汚体。
【請求項８】
上記基材の表面には複数の突起が設けられ、
上記基材の複数の突起の表面に倣うように上記防汚層が設けられている請求項４に記載の防汚体。
【請求項９】
上記第１の化合物および上記第２の化合物の少なくとも一方は、上記基材の複数の突起の表面に吸着されている請求項８に記載の防汚体。
【請求項１０】
上記防汚層は、上記第１の化合物および上記第２の化合物の少なくとも一方を含む単分子層である請求項９に記載の防汚体。
【請求項１１】
上記突起は、熱可塑性樹脂組成物を含み、
上記熱可塑性樹脂組成物は、上記第１の化合物および上記第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる請求項１に記載の防汚体。
【請求項１２】
上記第１の化合物は、下記の式（１）または式（２）で表され、
上記第２の化合物は、下記の式（３）または式（４）で表される請求項１に記載の防汚体。
【化１】
2014047299.tif 000025
（式中、Ｒ1は、Ｃ、Ｎ、Ｓ、Ｏ、Ｓｉ、ＰまたはＴｉを含む基、Ｒ2は、炭素数が２個以上の基である。）
【化２】
2014047299.tif 000026
（式中、Ｒ1、Ｒ2はそれぞれ独立に、Ｃ、Ｎ、Ｓ、Ｏ、Ｓｉ、ＰまたはＴｉを含む基である。）
【化３】
2014047299.tif 000027
【化４】
2014047299.tif 000028
【請求項１３】
上記式（１）および式（２）のＲ1、Ｒ2はそれぞれ独立に、炭化水素基、スルホ基、スルホニル基、スルホンアミド基、カルボン酸基、アミノ基、アミド基、リン酸基、フォスフィノ基、シラノール基、エポキシ基、イソシアネート基、シアノ基、チオール基、または水酸基である請求項１２に記載の防汚体。
【請求項１４】
上記防汚層が、上記第２の化合物とともに、末端に鎖状炭化水素基を有する第３の化合物をさらに含んでいる請求項１に記載の防汚体。
【請求項１５】
上記第３の化合物は、下記の式（５）または式（６）で表される請求項１４に記載の防汚体。
【化５】
2014047299.tif 000029
【化６】
2014047299.tif 000030
【請求項１６】
上記複数の突起は、２次元的に配列されている請求項１に記載の防汚体。
【請求項１７】
上記突起間の凹部は、上記表面にある液体に対して正の毛管圧力を及ぼす請求項１に記載の防汚体。
【請求項１８】
複数の突起が設けられた入力面を有し、
上記突起は、末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物、および環状炭化水素基を有する第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる入力装置。
【請求項１９】
複数の突起が設けられた表示面を有し、
上記突起は、末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物、および環状炭化水素基を有する第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる表示装置。
【請求項２０】
複数の突起が設けられた表面を有し、
上記突起は、末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物、および環状炭化水素基を有する第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる電子機器。
【請求項２１】
複数の突起が設けられた表面を有し、
上記突起は、末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物、および環状炭化水素基を有する第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる防汚性物品。
【請求項２２】
複数の突起が設けられた防汚性表面を有する防汚体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、防汚体、それを備える表示装置、入力装置、電子機器および防汚性物品に関する。詳しくは、表面の汚れを抑制する防汚体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、タッチパネルをユーザインタフェース（ＵＩ）として搭載した情報表示装置が急速に普及しつつある。タッチパネルは、表示画面を直接指で触ることで直感的に機器を操作できるという利点を持っている反面、指紋の付着によって画面の視認性を悪化させてしまう問題がある。そこで、指紋が付着しても見えにくい耐指紋表面が求められている。
【０００３】
従来からタッチパネルを含むディスプレイ表面には、フッ素系化合物やシリコン系化合物などが最表面にでるように設計された防汚層が用いられている（例えば特許文献１参照）。この防汚層の最表面は撥水撥油表面であるため、指紋を構成している油脂成分の付着力が弱まり、布などでの指紋を拭き取ることが容易になる。
【０００４】
また、油脂成分をはじかない撥水親油表面が提案されている（例えば特許文献２参照）。この表面に指紋が付着すると、付着した指紋の油脂成分は液滴を形成せず広がるため、指紋が見え難くなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第０４６６６６６７号公報
【０００６】
【特許文献２】特開２０１０−１２８３６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述のように付着した指紋が見えにくい表面が望まれているが、静電容量タッチパネルなどの用途を考えると、何もせずとも指紋のパターンが濡れ広がり、見えにくくなる表面（耐指紋表面）が重要であると考えられる。
【０００８】
したがって、本技術の目的は、表面に指紋が付着した場合、何もせずとも指紋のパターンが濡れ広がり、見えにくくなる表面を有する防汚体、それを備える表示装置、入力装置、電子機器および防汚性物品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述の課題を解決するために、第１の技術は、
複数の突起が設けられた表面を有し、
突起は、末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物、および環状炭化水素基を有する第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる防汚体である。
【００１０】
第２の技術は、
複数の突起が設けられた入力面を有し、
突起は、末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物、および環状炭化水素基を有する第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる入力装置である。
【００１１】
第３の技術は、
複数の突起が設けられた表示面を有し、
突起は、末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物、および環状炭化水素基を有する第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる表示装置である。
【００１２】
第４の技術は、
複数の突起が設けられた表面を有し、
突起は、末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物、および環状炭化水素基を有する第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる電子機器である。
【００１３】
第５の技術は、
複数の突起が設けられた表面を有し、
突起は、末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物、および環状炭化水素基を有する第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる防汚性物品である。
【００１４】
第６の技術は、
複数の突起が設けられた防汚性表面を有する防汚体である。
【００１５】
本技術において、防汚体は、防汚層、防汚構造層または防汚性基材であることが好ましい。ここで、防汚構造層とは、複数の突起と、これらの突起の表面に倣うように設けられた防汚層とを備える構造層を意味する。
【００１６】
本技術では、表面に複数の突起が設けられ、その突起には末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物、および環状炭化水素基を有する第２の化合物の少なくとも一方が含まれている。このため、表面に指紋が付着した場合、何もせずとも指紋のパターンが濡れ広がり、見えにくくなる。
【発明の効果】
【００１７】
以上説明したように、本技術によれば、防汚体の表面に指紋が付着した場合、何もせずとも指紋のパターンが濡れ広がり、見えにくくなる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１Ａは、本技術の第１の実施形態に係る防汚性基材の一構成例を示す断面図である。図１Ｂは、本技術の第１の実施形態に係る防汚性基材の一構成例を示す平面図である。
【図２】図２Ａは、ロール原盤の構成の一例を示す斜視図である。図２Ｂは、図２Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す平面図である。図２Ｃは、図２ＢのトラックＴにおける断面図である。
【図３】図３は、ロール原盤を作製するためのロール原盤露光装置の構成の一例を示す概略図である。
【図４】図４Ａ〜図４Ｃは、本技術の第１の実施形態に係る防汚性基材の製造方法の一例を説明するための工程図である。
【図５】図５Ａ、図５Ｂは、本技術の第１の実施形態に係る防汚性基材の製造方法の一例を説明するための工程図である。
【図６】図６Ａ〜図６Ｃは、エネルギー線硬化性樹脂または熱硬化性樹脂を用いる構造形成工程の一例を説明するための工程図である。
【図７】図７Ａ〜図７Ｃは、熱可塑性樹脂組成物を用いた構造構成工程の一例を説明するための工程図である。
【図８】図８Ａは、第１の変形例に係る防汚性基材の一構成例を示す断面図である。図８Ｂは、第２の変形例に係る防汚性基材の一構成例を示す断面図である。図８Ｃは、第３の変形例に係る防汚性基材の一構成例を示す断面図である。
【図９】図９Ａは、第４の変形例に係る防汚性基材の一構成例を示す断面図である。図９Ｂは、第５の変形例に係る防汚性基材の一構成例を示す断面図である。図９Ｃは、第６の変形例に係る防汚性基材の一構成例を示す断面図である。
【図１０】図１０は、本技術の第２の実施形態に係る防汚性基材の一構成例を示す断面図である。
【図１１】図１１Ａは、本技術の第３の実施形態に係る防汚性基材の一構成例を示す断面図である。図１１Ｂは、図１１Ａの一部を拡大して表す断面図である。
【図１２】図１２Ａは、防汚層の第１の構成例を示す断面図である。図１２Ｂは、防汚層の第２の構成例を示す断面図である。図１２Ｃは、防汚層の第３の構成例を示す断面図である。
【図１３】図１３は、本技術の第４の実施形態に係る表示装置の一構成例を示す分解斜視図である。
【図１４】図１４Ａは、本技術の第５の実施形態に係る入力装置の一構成例を示す分解斜視図である。図１４Ｂは、本技術の第５の実施形態に係る入力装置の変形例を示す分解斜視図である。
【図１５】図１５Ａは、電子機器としてテレビ装置の例を示す外観図である。図１５Ｂは、電子機器としてノート型パーソナルコンピュータの例を示す外観図である。
【図１６】図１６Ａは、電子機器として携帯電話の一例を示す外観図である。図１６Ｂは、電子機器としてタブレット型コンピュータの一例を示す外観図である。
【図１７】図１７Ａは、実施例１の防汚性フィルム表面のＡＦＭ像を示す図である。図１７Ｂは、図１７Ａに示したａ−ａ線における断面プロファイルを示す図である。
【図１８】図１８Ａは、実施例２の防汚性フィルム表面のＡＦＭ像を示す図である。図１８Ｂは、図１８Ａに示したａ−ａ線における断面プロファイルを示す図である。
【図１９】図１９Ａは、実施例８の防汚性フィルム表面のＡＦＭ像を示す図である。図１９Ｂは、図１９Ａに示したａ−ａ線における断面プロファイルを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本技術の実施形態について以下の順序で説明する。
１．第１の実施形態（耐指紋表面を有する防汚性基材の例）
２．第２の実施形態（耐指紋表面を有する防汚性基材の例）
３．第３の実施形態（耐指紋表面を有する防汚性基材の例）
４．第４の実施形態（耐指紋表面を有する防汚性基材の例）
５．第５の実施形態（耐指紋表面を有する表示装置の例）
６．第６の実施形態（耐指紋表面を有する入力装置の例）
７．第７の実施形態（耐指紋表面を有する電子機器の例）
【００２０】
＜１．第１の実施形態＞
［防汚性基材の構成］
図１Ａは、本技術の第１の実施形態に係る防汚性基材の一構成例を示す断面図である。防汚性基材（防汚体）は、図１Ａに示すように、耐指紋機能を有する耐指紋表面（防汚性表面）Ｓを有している。この耐指紋表面Ｓは、後述する特定の分子構造を含有する化合物を含み、さらに表面に突起状の微細構造を有している。このため、耐指紋表面Ｓに付着した指紋が、何もせずとも濡れ広がり、見えにくくなり易い。また、突起状の微細構造を所定の高さに設定した場合には、優れた払拭性を得ることもできる。
【００２１】
防汚性基材は、基材１１と、この基材１１の表面に設けられた防汚層１２とを備える。ここでは、基材１１と防汚層１２とを備える防汚性基材を防汚体の一例として説明するが、防汚体はこの例に限定されるものではなく、防汚層１２を単独で防汚体としてもよい。
【００２２】
第１の実施形態に係る防汚性基材は、手や指などで触れることがある装置の表面に適用して好適なものである。この装置の表面としては、例えば、表示面、入力面および筐体表面などの少なくとも一箇所が挙げられる。また、装置の表面に基材１１なしで防汚層１２を直接適用することも好適である。手や指などで触れることがある具体的な装置としては、例えば、表示装置、入力装置および電子機器が挙げられる。
【００２３】
表示装置としては、例えば、液晶ディスプレイ、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）ディスプレイ、プラズマディスプレイ（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）ディスプレイ、および表面伝導型電子放出素子ディスプレイ（Surface-conduction Electron-emitter Display：ＳＥＤ）などの各種表示装置が挙げられる。
【００２４】
入力装置としては、例えば、タッチパネル、マウスおよびキーボードなどが挙げられるが、これに限定されるものではない。タッチパネルとしては、例えば、テレビ装置、パソコン、モバイル機器（例えば、スマートフォン、スレートＰＣなど）およびフォトフレームなどに設けられるタッチパネルが挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００２５】
電子機器としては、表示装置、入力装置および筐体などの少なくとも１種を有するものが好ましい。このような電子機器としては、例えば、テレビ装置、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、モバイル機器（例えば、スマートフォン、スレートＰＣなど）およびフォトフレームなどが挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００２６】
防汚性基材または防汚層１２が適用される対象は、上述の装置に限定されるものではなく、手や指で触れる表面を有するものであれば好適に適用可能である。上述の装置以外の物品（防汚性物品）の例としては、例えば、紙、プラスチック、ガラス、金属製品（具体的には例えば、写真、写真立て、プラスチックケース、金属ケース、ガラス窓、プラスチック窓、額縁、レンズ、家具、電化製品）などが挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００２７】
（基材）
基材１１は、例えば、透明性を有する無機基材またはプラスチック基材である。基材１１の形状としては、例えば、フィルム状、シート状、板状、ブロック状などを用いることができる。無機基材の材料としては、例えば、石英、サファイア、ガラスなどが挙げられる。プラスチック基材の材料としては、例えば、公知の高分子材料を用いることができる。公知の高分子材料としては、具体的には例えば、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエステル（ＴＰＥＥ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミド（ＰＡ）、アラミド、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリアクリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリスチレン、ジアセチルセルロース、ポリ塩化ビニル、アクリル樹脂（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、エポキシ樹脂、尿素樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合体、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、ＰＣ／ＰＭＭＡ積層体、ゴム添加ＰＭＭＡなどがあげられる。基材に図柄や模様が印刷或いは蒸着されていても良い。外装用途に使用する場合、基材１１は透明性を有しなくても良い。材料としては、例えば、ステンレス鋼、マグネシウム合金、アルミニウム、アルミニウム合金、チタン合金、ガルバリウム鋼、炭素繊維強化プラスチックなどがあげられる。
【００２８】
基材１１が電子機器などの外装やディスプレイの一部として加工されていてもよい。また、基材１１の表面形状は平面に限定されるものではなく、凹凸面、多角形面、曲面またはこれらの形状の組み合わせであってもよい。曲面としては、例えば、球面、楕円面、放物面、自由曲面などが挙げられる。防汚性基材を、例えば、インモールド成型プロセスにより、上記曲面に成型しても良い。インモールド成型では、防汚性基材を金型内に設置し、プラスチックなどの樹脂の射出を行い、成型と表面加飾を同時に行う工法である。或いは、防汚性基材自体を、プレス金型を使用してプレス加工を行い、上記曲面に成型しても良い。これらのような成型プロセスにて、防汚性基材の表面の突起を損傷から保護するため、防汚性基材の防汚層上に保護フィルムを設置しても良い。また、基材１１の表面に、例えば、ＵＶ転写、熱転写、圧転写、溶融押し出しなどによって所定の構造が付与されていてもよい。
【００２９】
（防汚層）
防汚層１２は、耐指紋表面Ｓに複数の突起１２ａを備えている。防汚層１２は、基材１１と複数の突起１２ａとの間に基底層１２ｂをさらに備えていてもよい。基底層１２ｂは、突起１２ａの底面側に突起１２ａと一体成形された層であり、突起１２ａと同様の材料により構成されている。防汚層１２は、末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物、および環状炭化水素基を有する第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる表面改質層である。防汚層１２が第１の化合物および第２の化合物の少なくとも一方を含むことで、指紋払拭性を向上することができる。ここで、末端とは、主鎖および側鎖の末端を示す。防汚層１２は、例えば、ウエットプロセスまたはドライプロセスにより形成されるコーティング層である。
【００３０】
防汚層１２が第２の化合物を含む場合には、防汚層１２が、第２の化合物と共に、末端に鎖状炭化水素基を有する第３の化合物をさらに含んでいることが好ましい。これにより、指紋払拭性をさらに向上することができる。ここで、末端とは、主鎖および側鎖の末端を示す。防汚層１２における第２の化合物と第３の化合物との含有比率は特に限定されるものではないが、第３の化合物は耐指紋性表面Ｓに比較的集まりやすい性質を有しているため、この性質を考慮して上記含有比率を選択することが好ましい。
【００３１】
防汚層１２は、例えば、エネルギー線硬化性樹脂組成物、熱硬化性樹脂組成物および熱可塑性樹脂組成物からなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいる。これらの樹脂組成物が、例えば、第１の化合物および第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる。これらの樹脂組成物が、第２の化合物を含んでいる場合には、この第２の化合物と共に第３の化合物をさらに含んでいることが好ましい。
【００３２】
防汚層１２は、必要に応じて、重合開始剤、光安定剤、紫外線吸収剤、触媒、着色剤、帯電防止剤、滑剤、レベリング剤、消泡剤、重合促進剤、酸化防止剤、難燃剤、赤外線吸収剤、界面活性剤、表面改質剤、チキソトロピー剤、可塑剤などの添加剤をさらに含んでいてもよい。また、防汚層１２は、ＡＧ（Anti-Glare）機能を耐指紋表面Ｓに付与するために、光を散乱する有機樹脂フィラーなどの光散乱粒子をさらに含んでいてもよい。ＡＧ機能を付与する場合には、光散乱粒子が防汚層１２の耐指紋表面Ｓから突出していても、防汚層１２に含まれる樹脂などで覆われていてもよい。また、光散乱粒子は下層である基材１１に接触していてもしていなくてもよい。防汚層１２の平均膜厚は、例えば単分子厚さ以上１ｍｍ以下、好ましくは単分子厚さ以上１００μｍ厚さ以下、特に好ましくは単分子厚さ以上１０μｍ以下の範囲内である。
【００３３】
第１の化合物および／または第２の化合物は、例えば、防汚層１２の構成材料の主成分、および副成分の少なくとも一方である。ここで、防汚層１２がウエットプロセスにより形成される層である場合には、主成分とは、例えば、ベース樹脂であり、副成分とは、例えば、上述のレベリング剤などの添加剤などである。第１の化合物、第２の化合物および第３の化合物は添加剤であることが好ましい。これにより、ベース樹脂の硬度劣化等を抑制できるからである。このように化合物が添加剤である場合、添加剤はレベリング剤であることが好ましい。第１の化合物、第２の化合物および第３の化合物がレベリング剤などの添加剤である場合、第１の化合物、第２の化合物および第３の化合物はベース樹脂に重合反応などにより結合していることが好ましい。耐指紋性表面Ｓの耐久性を向上することができるからである。
【００３４】
（突起）
図１Ｂは、基材１１の表面に設けられた複数の突起の配列の一例を示す平面図である。図１Ｂに示すように、複数の突起１２ａは、基材１１の表面に２次元配列されている。配列は規則配列およびランダム配列のいずれであってもよいが、後述する製造方法にて防汚性基材を作製する場合には、規則配列が好ましい。
【００３５】
複数の突起１２ａはそれぞれ、基材１１の表面において複数のトラックＴをなすような配置形態を有する。本技術において、トラックとは、複数の突起１２ａが連なった列のことをいう。トラックＴの形状としては、直線状、円形状、円弧状などを用いることができ、これらの形状のトラックＴをウォブル（蛇行）させるようにしてもよい。このようにトラックＴをウォブルさせることで、外観上のムラの発生を抑制できる。
【００３６】
トラックＴをウォブルさせる場合には、基材１１上における各トラックＴのウォブルは、同期していることが好ましい。すなわち、ウォブルは、シンクロナイズドウォブルであることが好ましい。このようにウォブルを同期させることで単位格子Ｕｃの形状を保持し、充填率を高く保つことができる。ウォブルしたトラックＴの波形としては、例えば、サイン波、三角波などを挙げることができる。ウォブルしたトラックＴの波形は、周期的な波形に限定されるものではなく、非周期的な波形としてもよい。ウォブルしたトラックＴのウォブル振幅は、例えば±１０ｎｍ程度に選択される。
【００３７】
複数のトラックＴをなすように配置された複数の突起１２ａは、規則的な周期パターンを形成していてもよい。これらの複数の突起１２ａは、充填率向上の観点からすると、規則的な周期パターンによる最密充填構造で配列されていることが好ましい。規則的な周期パターンとしては、例えば、単位格子Ｕｃのパターンを用いることができる。単位格子Ｕｃとしては、例えば、四方格子状、六方格子状などの格子状パターンが挙げられ、これらの格子状パターンは歪みを有していてもよい。突起１２ａの高さが基材１１の表面において規則的または不規則的に変化するようにしてもよい。
【００３８】
突起１２ａの形状としては、例えば、錐体状、柱状、針状、球体の一部の形状（例えば半球体状）、楕円体の一部の形状（例えば半楕円体状）、多角形状などが挙げられるが、これらの形状に限定されるものではなく、他の形状を採用するようにしてもよい。錐体状としては、例えば、頂部が尖った錐体形状、頂部が平坦な錐体形状（錐台状）、頂部に凸状または凹状の曲面を有する錐体形状が挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。頂部が尖った錐体形状としては、例えば、円錐、多角錐などが挙げられる、多角錐としては、例えば、三角錐、四角錐、五角錐、六角錐、その他多角錐が挙げられる。頂部が平坦な錐体形状（錐台状）としては、例えば、円錐台、多角錐台などが挙げられる。多角錐台としては、例えば、三角錐台、四角錐台、五角錐台、六角錐台、その他多角錐台が挙げられる。頂部に凸状の曲面を有する錐体形状としては、例えば、頂部の傾きが緩やかで中央部から底部に徐々に急峻な傾きの錐体形状（例えば放物面状）、中央部の傾きが底部および頂部より急峻な錐体形状などの２次曲面状などが挙げられる。また、錐体状の錐面を凹状または凸状に湾曲させるようにしてもよい。柱状としては、例えば、円柱、多角柱などが挙げられる。多角柱としては、例えば、四角柱、五角柱、六角柱、その他多角柱が挙げられる。
【００３９】
後述するロール原盤露光装置（図３参照）を用いてロール原盤を作製する場合には、突起１２ａの形状として、頂部に凸状の曲面を有する楕円錐形状、または頂部が平坦な楕円錐台形状を採用し、それらの底面を形成する楕円形の長軸方向をトラックＴの延在方向と一致させることが好ましい。ここで、円、楕円、円錐、楕円錐、球体、楕円体および放物面などの形状には、数学的に定義される完全な円、楕円、円錐、楕円錐、球体、楕円体および放物面などの形状のみならず、多少の歪みが付与された円、楕円、円錐、楕円錐、球体、楕円体および放物面などの形状も含まれる。
【００４０】
なお、図１Ａおよび図１Ｂでは、各突起１２ａがそれぞれ同一の大きさ、形状、配置ピッチ、高さおよびアスペクト比を有しているが、突起１２ａの構成はこれに限定されるものではなく、基材表面に２種以上の大きさ、形状、配置ピッチ、高さおよびアスペクト比を有する突起１２ａが設けられていてもよい。ここで、アスペクト比とは、突起１２ａの配置ピッチＰに対する突起１２ａの高さＨの割合（Ｐ／Ｈ）を意味する。突起１２ａの配置ピッチＰ、高さＨおよび／またはアスペクト比（Ｈ／Ｐ）が、基材表面の面内方向によって異なっていてもよい。隣り合う突起１２ａ同士の位置関係は特に限定されるものではなく、隣り合う突起１２ａ同士は、例えば、互いに離間している、接している、もしくは部分的に重なり合っているように構成することが可能である。
【００４１】
各突起１２ａが一定の高さ分布をもつように構成されていてもよい。ここで、高さ分布とは、２種以上の高さを有する突起１２ａが基材１１の表面に設けられていることを意味する。例えば、基準となる高さを有する突起１２ａと、この突起１２ａとは異なる高さを有する突起１２ａとが基材１１の表面に設けられるようにしてもよい。この場合、基準とは異なる高さを有する突起１２ａは、例えば基材１１の表面に周期的または非周期的（ランダム）に設けられる。その周期性の方向としては、例えば、トラックＴの延在方向およびトラックＴに対して所定の角度をなす方向（列間方向）などが挙げられる。
【００４２】
突起１２ａの平均配置ピッチＰｍは、好ましくは１ｎｍ以上１ｍｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上１μｍ以下、さらに好ましくは１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内である。平均配置ピッチＰｍが１ｎｍ以上、１ｍｍ以下であると、指紋のパターンが効果的に濡れ広がる。なお、個々の突起１２ａのピッチにはバラつきがあってもよい。
【００４３】
突起１２ａの平均高さＨは、好ましくは１ｎｍ以上１ｍｍ以下、より好ましくは５ｎｍ以上３００ｎｍ以下、さらに好ましくは１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、最も好ましくは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内である。平均高さＨが１ｎｍ以上、１ｍｍ以下であると、指紋のパターンが効果的に濡れ広がる。平均高さＨが１００ｎｍ以下であると、防汚性基材の耐指紋表面Ｓに付着した指紋を指などで擦ってうすく濡れ広がらせて、目立たなくすることができる。したがって、指などによる指紋払拭性を向上できる。なお、個々の突起１２ａの高さにはバラつきがあってもよい。
【００４４】
突起１２ａの平均アスペクト比（平均さＨｍ／平均配置ピッチＰｍ）は、好ましくは０．０００００１以上１００００００以下、より好ましくは０．００５以上３００以下、さらに好ましくは０．０２以上１以下の範囲内である。平均アスペクト比（平均さＨｍ／平均配置ピッチＰｍ）が、０．０００００１以上、１００００００以下で指紋のパターンが効果的に濡れ広がる。
【００４５】
ここで、突起１２ａの平均配置ピッチＰｍ、平均高さＨｍおよび平均アスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）は、以下のようにして求めたものである。
まず、突起１２ａを有する耐指紋表面Ｓを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Atomic Force Microscope）により観察し、ＡＦＭの断面プロファイルから突起１２ａのピッチおよび高さを求める。これを耐指紋表面から無作為に選び出された１０箇所において繰り返し行い、配置ピッチＰ１、Ｐ２、・・・、Ｐ１０と、高さＨ１、Ｈ２、・・・、Ｈ１０とを求める。ここで、突起１２ａのピッチは突起１２ａの頂点間の距離であり、突起１２ａの高さは突起間の凹部（谷部）の最低点を基準とした突起１２ａの高さである。次に、これらのピッチＰ１、Ｐ２、・・・、Ｐ１０および高さＨ１、Ｈ２、・・・、Ｈ１０をそれぞれ単純に平均（算術平均）して、突起の平均配置ピッチＰｍおよび平均高さＨｍを求める。次に、求めた平均配置ピッチＰｍおよび平均高さＨｍから平均アスペクト比Ｈｍ／Ｐｍを求める。なお、突起１２ａのピッチが面内異方性を有している場合には、配置ピッチが最大となる方向の配置ピッチを用いて平均配置ピッチＰｍを求めるものとする。また、突起１２ａの高さが面内異方性を有している場合には、高さが最大となる方向の高さを用いて平均高さＨｍを求めるものとする。
【００４６】
耐指紋表面Ｓの側における防汚性基材の反射率（５°反射率）は、好ましくは１％以上１０％以下の範囲内である。反射率が１％以上であると、指紋付着部と非付着部で指紋のパターンが見えにくい。
【００４７】
反射率は、以下のようにして求めたものである。
まず、防汚性基材の裏面側（突起１２ａが形成された側とは反対側の表面）に対して、黒色テープを貼り合わせることにより、防汚性基材の裏面からの反射をカットする処理を施す。次に、紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、商品名：Ｖ−５００）を用いて、反射率を測定する。測定の際には、正反射５°ユニットを使用する。ここで、反射率は、波長５５０ｎｍにおける反射率である。
【００４８】
突起１２ａ間の凹部が、耐指紋表面Ｓに液体がある場合、その液体に対して正の毛管圧力を発現することが好ましい。耐指紋表面Ｓ上にある液滴に対して正の毛管圧力が作用することで、液滴を薄く濡れ広がらせることができる。正の毛管圧力に加えて深さに方向にもさらに毛管圧力を作用させることが好ましい、これにより、液滴をさらに薄く濡れ広がらせることができるからである。ここで、耐指紋表面Ｓ上にある液滴から遠ざかる方向に作用する毛管圧力を正の毛管圧力と定義する。
【００４９】
（第１の化合物）
第１の化合物は、末端以外の部分にエステル結合を有していればよく、有機材料でも有機−無機の複合材料でも、また高分子材料でも単分子材料でも構わない。また、第１の化合物は、エステル結合を有してさえいれば、それ以外の分子構造については特に限定されるものではなく、いかなる官能基、結合部位、ヘテロ原子、ハロゲン原子および金属原子などを有していてもよい。第１の化合物としては、例えば、下記の式（１）または式（２）に示す構造を分子内に有する化合物を用いることができる。
【化１】
2014047299.tif 000003
（式中、Ｒ1はＣ、Ｎ、Ｓ、Ｏ、Ｓｉ、ＰまたはＴｉなどの原子を含む基である。これらの原子を含む基は、例えば、炭化水素基、スルホ基(スルホン酸塩含む)、スルホニル基、スルホンアミド基、カルボン酸基(カルボン酸塩含む)、アミノ基、アミド基、リン酸基(リン酸塩、リン酸エステル含む)、フォスフィノ基、シラノール基、エポキシ基、イソシアネート基、シアノ基、チオール基または水酸基などである。Ｒ2は炭素数が２個以上の基であり、例えば、Ｃ、Ｎ、Ｓ、Ｏ、Ｓｉ、ＰまたはＴｉなどの原子を含む基である。これらの原子を含む基は、例えば、炭化水素基、スルホ基(スルホン酸塩含む)、スルホニル基、スルホンアミド基、カルボン酸基(カルボン酸塩含む)、アミノ基、アミド基、リン酸基(リン酸塩、リン酸エステル含む)、フォスフィノ基、シラノール基、エポキシ基、イソシアネート基、シアノ基、チオール基または水酸基などである。）
【００５０】
【化２】
2014047299.tif 000004
（式中、Ｒ1、Ｒ2はそれぞれ独立に、Ｃ、Ｎ、Ｓ、Ｏ、Ｓｉ、ＰまたはＴｉなどの原子を含む基である。これらの原子を含む基は、例えば、炭化水素基、スルホ基(スルホン酸塩含む)、スルホニル基、スルホンアミド基、カルボン酸基(カルボン酸塩含む)、アミノ基、アミド基、リン酸基(リン酸塩、リン酸エステル含む)、フォスフィノ基、シラノール基、エポキシ基、イソシアネート基、シアノ基、チオール基または水酸基などである。
【００５１】
（第２の化合物）
第２の化合物は、環状炭化水素基を有している。環状炭化水素基は、例えば、不飽和環状炭化水素基および飽和環状炭化水素基のいずれであってもよく、不飽和環状炭化水素基および飽和環状炭化水素基の両方を分子内に有していてもよい。防汚層１２が、不飽和環状炭化水素基を有する第２の化合物と飽和環状炭化水素基を有する第２の化合物とを両方含んでいてもよい。環状炭化水素基は単環式および多環式のいずれであってもよい。またこれらの環状炭化水素基は別の置換基を有していてもよい。別の置換基としては、例えば、炭化水素基、スルホ基(スルホン酸塩含む)、スルホニル基、スルホンアミド基、カルボン酸基(カルボン酸塩含む)、アミノ基、アミド基、リン酸基(リン酸塩、リン酸エステル含む)、フォスフィノ基、シラノール基、エポキシ基、イソシアネート基、シアノ基、チオール基または水酸基などである。第２の化合物は、環状炭化水素基を含んでいれば有機材料でも有機−無機の複合材料でも、また高分子材料でも単分子材料でも構わない。第２の化合物は、環状炭化水素基を有してさえいれば、それ以外の分子構造については特に限定されるものではなく、いかなる官能基、結合部位、ヘテロ原子、ハロゲン原子および金属原子などを有していてもよい。飽和環状炭化水素基としては、例えば、炭素数５以上のモノシクロ、ビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造などを有する基を挙げることができる。より具体的には、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、シクロドデシル基、アダマンチル基、ノルアダマンチル基、トリシクロデシル基、テトラシクロドデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、ステロイド基などを挙げることができる。不飽和環状炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、ピレニル基、ペンタセニル基、アントリル基などを挙げることができる。
【００５２】
有機材料としては、例えば、下記の式（３）に示す構造を分子内に有する化合物を用いることができる。
【化３】
2014047299.tif 000005
【００５３】
有機−無機の複合材料としては、例えば、下記の式（４）に示す構造を分子内に有する化合物を用いることができる。
【化４】
2014047299.tif 000006
【００５４】
（第３の化合物）
第３の化合物は、末端に鎖状炭化水素基（非環系炭化水素基）を有している。鎖状炭化水素基は、例えば、不飽和鎖状炭化水素基および飽和鎖状炭化水素基のいずれであってもよく、不飽和鎖状炭化水素基および飽和鎖状炭化水素基の両方を分子内に有していてもよい。鎖状炭化水素基は直鎖および分岐鎖のいずれであってもよく、直鎖の炭化水素基および分岐鎖の炭化水素基の両方を分子内に有していてもよい。また、鎖状炭化水素基は別の置換基を有していてもよい。別の置換基としては、例えば、炭化水素基、スルホ基（スルホン酸塩含む）、スルホニル基、スルホンアミド基、カルボン酸基（カルボン酸塩含む）、アミノ基、アミド基、リン酸基（リン酸塩、リン酸エステル含む）、フォスフィノ基、シラノール基、エポキシ基、イソシアネート基、シアノ基、チオール基または水酸基などが挙げられる。
【００５５】
第３の化合物としては末端に鎖状炭化水素基を有する化合物であれば、有機材料でも有機−無機の複合材料でも、また高分子材料でも単分子材料でも用いることができる。第３の化合物は、末端に鎖状炭化水素基を有してさえいれば、それ以外の分子構造については特に限定されるものではなく、いかなる官能基、結合部位、ヘテロ原子、ハロゲン原子および金属原子などを有していてもよい。不飽和鎖状炭化水素基としては、例えば炭素数２以上の不飽和鎖状炭化水素基を挙げることができる。より具体的には、プロペン基、ブテン基、ペンテン基、ヘキセン基、ヘプテン基、オクテン基、デセン基、ドデセン基、テトラデセン基、ヘキサデセン基、オクタデセン基、ドコセン基などを挙げることができる。飽和鎖状炭化水素基としては、例えば炭素数２以上の飽和鎖状炭化水素基を挙げることができる。より具体的には、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、ヘプチル基、イソヘプチル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ドデシル基、イソドデシル基、ラウリル基、トリデシル基、イソトリデシル基、ミリスチル基、イソミリスチル基、セチル基、イソセチル基、ステアリル基、イソステアリル基、アラキル基、イソアラキル基、ベヘニル基、イソベヘニル基、コレステロール基などを挙げることができる。
【００５６】
有機材料としては、例えば、下記の式（５）に示す構造を分子内に有する化合物を用いることができる。
【化５】
2014047299.tif 000007
【００５７】
有機−無機の複合材料としては、例えば、下記の式（６）に示す構造を分子内に有する化合物を用いることができる。
【化６】
2014047299.tif 000008
【００５８】
（耐指紋表面の確認方法）
防汚性基材が耐指紋表面Ｓを有しているか否かは、例えば以下のようにして確認することができる。まず、防汚性基材の表面の動的接触角を測定し、オレイン酸の前進接触角が１５°以下であり、オレイン酸の後退接触角が１０°以下の範囲内であるか否かを確認する。そして、オレイン酸の前進接触角およびオレイン酸の後退接触角が上記範囲内であれば、防汚性基材が耐指紋表面Ｓを有していると判断できる。また、耐指紋表面Ｓの表面形状は、走査型電子顕微鏡や原子間力顕微鏡などによる表面観察により確認が可能である。
【００５９】
また、以下のようにして確認することも可能である。
まず、防汚性基材の表面の材料を溶剤で抽出後、組成分析をガスクロマトグラフ質量分析法（Gas Chromatograph-Mass Spectrometry：ＧＣ−ＭＡＳＳ）で行う。そして、上述の第１の化合物および第２の化合物の少なくとも一方が検出されれば、防汚性基材が耐指紋表面Ｓを有していると判断できる。
上述の２つの確認方法を組み合わせて、防汚性基材が耐指紋表面Ｓを有しているか否かを確認するようにしてもよい。
【００６０】
［原盤の構成］
図２Ａは、ロール原盤の構成の一例を示す斜視図である。図２Ｂは、図２Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す平面図である。図２Ｃは、図２ＢのトラックＴにおける断面図である。ロール原盤３１は、上述した構成を有する防汚性基材を作製するための原盤、より具体的には、上述した基材表面に複数の突起１２ａを成形するための原盤である。ロール原盤３１は、例えば、円柱状または円筒状の形状を有し、その円柱面または円筒面が基材表面に複数の突起１２ａを成形するための成形面とされる。この成形面には、例えば、複数の構造体３２が２次元配列されている。構造体３２は、成形面に対して凹状を有している。ロール原盤３１の材料としては、例えばガラスを用いることができるが、この材料に特に限定されるものではない。
【００６１】
ロール原盤３１の成形面に配置された複数の構造体３２と、上述の基材１１の表面に配置された複数の突起１２ａとは、反転した凹凸関係にある。すなわち、ロール原盤３１の構造体３２の配列、大きさ、形状、配置ピッチ、高さおよびアスペクト比などは、基材１１の突起１２ａと同様である。
【００６２】
［１−４．露光装置の構成］
図３は、ロール原盤を作製するためのロール原盤露光装置の構成の一例を示す概略図である。このロール原盤露光装置は、光学ディスク記録装置をベースとして構成されている。
【００６３】
レーザー光源４１は、記録媒体としてのロール原盤３１の表面に着膜されたレジストを露光するための光源であり、例えば波長λ＝２６６ｎｍの記録用のレーザー光３４を発振するものである。レーザー光源４１から出射されたレーザー光３４は、平行ビームのまま直進し、電気光学素子（ＥＯＭ：Electro Optical Modulator）４２へ入射する。電気光学素子４２を透過したレーザー光３４は、ミラー４３で反射され、変調光学系４５に導かれる。
【００６４】
ミラー４３は、偏光ビームスプリッタで構成されており、一方の偏光成分を反射し他方の偏光成分を透過する機能をもつ。ミラー４３を透過した偏光成分はフォトダイオード４４で受光され、その受光信号に基づいて電気光学素子４２を制御してレーザー光３４の位相変調を行う。
【００６５】
変調光学系４５において、レーザー光３４は、集光レンズ４６により、ガラス（ＳｉＯ2）などからなる音響光学素子（ＡＯＭ：Acousto-Optic Modulator）４７に集光される。レーザー光３４は、音響光学素子４７により強度変調され発散した後、レンズ４８によって平行ビーム化される。変調光学系４５から出射されたレーザー光３４は、ミラー５１によって反射され、移動光学テーブル５２上に水平かつ平行に導かれる。
【００６６】
移動光学テーブル５２は、ビームエキスパンダ５３、および対物レンズ５４を備えている。移動光学テーブル５２に導かれたレーザー光３４は、ビームエキスパンダ５３により所望のビーム形状に整形された後、対物レンズ５４を介して、ロール原盤３１上のレジスト層へ照射される。ロール原盤３１は、スピンドルモータ５５に接続されたターンテーブル５６の上に載置されている。そして、ロール原盤３１を回転させると共に、レーザー光３４をロール原盤３１の高さ方向に移動させながら、レジスト層へレーザー光３４を間欠的に照射することにより、レジスト層の露光工程が行われる。形成された潜像は、円周方向に長軸を有する略楕円形になる。レーザー光３４の移動は、移動光学テーブル５２の矢印Ｒ方向への移動によって行われる。
【００６７】
露光装置は、上述した複数の突起１２ａの２次元パターンに対応する潜像をレジスト層に形成するための制御機構５７を備えている。制御機構５７は、フォマッター４９とドライバ５０とを備える。フォマッター４９は、極性反転部を備え、この極性反転部が、レジスト層に対するレーザー光３４の照射タイミングを制御する。ドライバ５０は、極性反転部の出力を受けて、音響光学素子４７を制御する。
【００６８】
このロール原盤露光装置では、２次元パターンが空間的にリンクするように１トラック毎に極性反転フォマッター信号と回転コントロラーを同期させて信号を発生し、音響光学素子４７により強度変調している。角速度一定（ＣＡＶ）で適切な回転数と適切な変調周波数と適切な送りピッチでパターニングすることにより、六方格子パターンなどの２次元パターンを記録することができる。
【００６９】
［防汚性基材の製造方法］
図４Ａ〜図７Ｃは、本技術の第１の実施形態に係る防汚性基材の製造方法の一例を説明するための工程図である。
【００７０】
（レジスト成膜工程）
まず、図４Ａに示すように、円柱状または円筒状のロール原盤３１を準備する。このロール原盤３１は、例えばガラス原盤である。次に、図４Ｂに示すように、ロール原盤３１の表面にレジスト層３３を形成する。レジスト層３３の材料としては、例えば有機系レジスト、および無機系レジストのいずれを用いてもよい。有機系レジストとしては、例えばノボラック系レジストや化学増幅型レジストを用いることができる。また、無機系レジストとしては、例えば、金属化合物を用いることができる。
【００７１】
（露光工程）
次に、図４Ｃに示すように、ロール原盤３１の表面に形成されたレジスト層３３に、レーザー光（露光ビーム）３４を照射する。具体的には、図３に示したロール原盤露光装置のターンテーブル５６上に載置し、ロール原盤３１を回転させると共に、レーザー光（露光ビーム）３４をレジスト層３３に照射する。このとき、レーザー光３４をロール原盤３１の高さ方向（円柱状または円筒状のロール原盤３１の中心軸に平行な方向）に移動させながら、レーザー光３４を間欠的に照射することで、レジスト層３３を全面にわたって露光する。これにより、レーザー光３４の軌跡に応じた潜像３５が、レジスト層３３の全面にわたって形成される。
【００７２】
潜像３５は、例えば、ロール原盤表面において複数列のトラックＴをなすように配置されると共に、所定の単位格子Ｕｃの規則的な周期パターンで形成される。潜像３５は、例えば、円形状または楕円形状である。潜像３５が楕円形状を有する場合には、その楕円形状はトラックＴの延在方向に長軸方向を有することが好ましい。
【００７３】
（現像工程）
次に、例えば、ロール原盤３１を回転させながら、レジスト層３３上に現像液を滴下して、レジスト層３３を現像処理する。これにより、図５Ａに示すように、レジスト層３３に複数の開口部が形成される。レジスト層３３をポジ型のレジストにより形成した場合には、レーザー光３４で露光した露光部は、非露光部と比較して現像液に対する溶解速度が増すので、図５Ａに示すように、潜像（露光部）１６に応じたパターンがレジスト層３３に形成される。開口部のパターンは、例えば所定の単位格子Ｕｃの規則的な周期パターンである。
【００７４】
（エッチング工程）
次に、ロール原盤３１の上に形成されたレジスト層３３のパターン（レジストパターン）をマスクとして、ロール原盤３１の表面をエッチング処理する。これにより、図５Ｂに示すように、錐体形状を有する構造体（凹部）３２を得ることができる。錐体形状は、例えばトラックＴの延在方向に長軸方向をもつ楕円錐形状または楕円錐台形状であることが好ましい。エッチングとしては、例えばドライエッチング、ウエットエッチングを用いることができる。このとき、エッチング処理とアッシング処理とを交互に行うことにより、例えば、錐体状の構造体３２のパターンを形成することができる。以上により、目的とするロール原盤３１が得られる。
【００７５】
（構造形成工程）
次に、上述のようにして得られたロール原盤３１を用いて、樹脂材料に形状転写し、基材１１の表面に複数の突起１２ａを形成することにより、上述の第１の実施形態に係る防汚性基材を作製する。形状転写の方法としては、例えばエネルギー線硬化性樹脂を用いる転写法（以下「エネルギー線転写法」という。）、熱硬化性樹脂を用いる転写法（以下「熱硬化転写法」という。）、または熱可塑性樹脂組成物を用いる転写法（以下「熱転写法」という。）を用いることができる。ここで、エネルギー線転写法には、２Ｐ転写法（Photo Polymerization：光硬化を利用した形状付与法）も含まれる。以下、構造形成工程を、エネルギー線転写法または熱硬化転写法を用いた構造形成工程と、熱転写法を用いた構造形成工程とに分けて説明する。
【００７６】
［エネルギー線転写法または熱硬化転写法を用いた構造形成工程］
（樹脂組成物の調製工程）
図６Ａ〜図６Ｃは、エネルギー線転写法または熱硬化転写法を用いた構造形成工程の一例を説明するための工程図である。まず、必要に応じて樹脂組成物を溶媒に溶かして希釈する。この際、必要に応じて樹脂組成物に各種添加剤を添加するようにしてもよい。溶媒による希釈は必要に応じて行われ、希釈不要の場合には、樹脂組成物を無溶媒で用いてもよい。
【００７７】
樹脂組成物は、エネルギー線硬化性樹脂組成物および熱硬化性樹脂組成物の少なくとも一方を含んでいる。エネルギー線硬化性樹脂組成物とは、エネルギー線を照射することによって硬化させることができる樹脂組成物を意味する。エネルギー線とは、電子線、紫外線、赤外線、レーザー光線、可視光線、電離放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線など）、マイクロ波、高周波などのラジカル、カチオン、アニオンなどの重合反応の引き金と成りうるエネルギー線を示す。エネルギー線硬化性樹脂組成物は、必要に応じて、他の樹脂組成物と混合して用いるようにしてもよく、例えば熱硬化性樹脂組成物などの他の硬化性樹脂組成物と混合して用いてもよい。また、エネルギー線硬化性樹脂組成物は、有機無機ハイブリッド材料であってもよい。また、２種以上のエネルギー線硬化性樹脂組成物を混合して用いるようにしてもよい。エネルギー線硬化性樹脂組成物としては、紫外線により硬化する紫外線硬化樹脂組成物を用いることが好ましい。
【００７８】
エネルギー線硬化性樹脂組成物および熱硬化性樹脂は、例えば、末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物、および環状炭化水素基を有する第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる。エネルギー線硬化性樹脂組成物および／または熱硬化性樹脂は、指紋払拭性の向上の観点から、第２の化合物に加えて、末端に鎖状炭化水素基を有する第３の化合物をさらに含んでいることが好ましい。
【００７９】
樹脂組成物が、ベース樹脂に加えて添加剤（開始剤を含む）をさらに含んでいる場合には、第１の化合物、第２の化合物および第３の化合物は添加剤であってもよい。この場合、添加剤は、レベリング剤であることが好ましい。
【００８０】
紫外線硬化性樹脂組成物は、例えば、（メタ）アクリロイル基を有する（メタ）アクリレートおよび開始剤を含んでいる。ここで、（メタ）アクリロイル基は、アクリロイル基またはメタアクリロイル基を意味する。また、（メタ）アクリレートは、アクリレートまたはメタアクリレートを意味する。紫外線硬化性樹脂組成物は、例えば、単官能モノマー、二官能モノマー、多官能モノマーなどを含み、具体的には、以下に示す材料を単独または、複数混合したものである。
【００８１】
単官能モノマーとしては、例えば、カルボン酸類（アクリル酸）、ヒドロキシ類（２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート）、アルキル、脂環類（イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソボニルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート）、その他機能性モノマー（２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレンクリコールアクリレート、２−エトキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ベンジルアクリレート、エチルカルビトールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、アクリロイルモルホリン、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ−ビニルピロリドン、２−（パーフルオロオクチル）エチルアクリレート、３−パーフルオロヘキシル−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−パーフルオロオクチルー２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−（パーフルオロデシル）エチルアクリレート、２−（パーフルオロー３−メチルブチル）エチルアクリレート）、２，４，６−トリブロモフェノールアクリレート、２，４，６−トリブロモフェノールメタクリレート、２−（２，４，６−トリブロモフェノキシ）エチルアクリレート）、２−エチルヘキシルアクリレートなどを挙げることができる。
【００８２】
二官能モノマーとしては、例えば、トリ（プロピレングリコール）ジアクリレート、トリメチロールプロパンジアリルエーテル、ウレタンアクリレートなどを挙げることができる。
【００８３】
多官能モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ及びヘキサアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレートなどを挙げることができる。
【００８４】
開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オンなどを挙げることができる。
【００８５】
溶媒は、例えば、樹脂成分の塗工性、安定性、および塗膜の平滑性などの観点から、樹脂組成物中に配合して用いられる。溶媒としては、例えば、水または有機溶媒が用いることができる。具体的には例えば、トルエン、キシレンなどの芳香族系溶媒；メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、ｉｓｏ−プロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｉｓｏ−ブチルアルコール、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのアルコール系溶媒；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートなどのエステル系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒；２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキエタノール、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルなどのグリコールエーテル類；２−メトキシエチルアセタート、２−エトキシエチルアセタート、２−ブトキシエチルアセタート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートなどのグリコールエーテルエステル類；クロロホルム、ジクロロメタン、トリクロロメタン、塩化メチレンなどの塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソランなどのエーテル系溶媒；Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジメチルアセトアミドなどの１種または２種以上を混合して用いることができる。塗布面状の乾燥ムラやクラックを抑えるため、高沸点溶媒をさらに添加して、溶媒の蒸発速度をコントロールすることもできる。例えば、ブチルセロソルブ、ジアセトンアルコール、ブチルトリグリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテルジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールイソプロピルエーテル、ジプロピレングリコールイソプロピルエーテル、トリプロピレングリコールイソプロピルエーテル、メチルグリコールが挙げられる。これらの溶媒は単独で用いられてもよく、また複数を組み合わせてもよい。
【００８６】
（塗布工程）
次に、図６Ａに示すように、調製した樹脂組成物３６を基材の表面に塗布または印刷する。塗布方法としては、例えば、ワイヤーバーコーティング、ブレードコーティング、スピンコーティング、リバースロールコーティング、ダイコーティング、スプレーコーティング、ロールコーティング、グラビアコーティング、マイクログラビアコーティング、リップコーティング、エアーナイフコーティング、カーテンコーティング、コンマコート法、ディッピング法などを用いることができる。印刷方式としては、例えば、凸版印刷法、オフセット印刷法、グラビア印刷法、凹版印刷法、ゴム版印刷法、インクジェット法、スクリーン印刷法などを用いることができる。
【００８７】
（乾燥工程）
次に、樹脂組成物３６が溶媒を含んでいる場合には、必要に応じて樹脂組成物を乾燥させることにより、溶媒を揮発させる。乾燥条件は特に限定されるものではなく、自然乾燥であっても、乾燥温度や乾燥時間などを調整する人工的乾燥であってもよい。但し、乾燥時に塗料表面に風を当てる場合、塗膜表面に風紋が生じないようすることが好ましい。また、乾燥温度および乾燥時間は塗料中に含まれる溶媒の沸点によって適宜決定することが可能である。その場合、乾燥温度および乾燥時間は、基材１１の耐熱性を配慮し、熱収縮により基材１１の変形が起きない範囲で選定することが好ましい。
【００８８】
（硬化工程）
次に、図６Ｂに示すように、ロール原盤３１と、基材１１の表面に塗布された樹脂組成物３６とを密着させ、樹脂組成物３６を硬化させた後、硬化した樹脂組成物３６と一体となった基材１１を剥離する。これにより、図６Ｃに示すように、複数の突起１２ａが基材１１の表面に形成された防汚性基材が得られる。この際、必要に応じて、突起１２ａと基材１１との間に基底層１２ｂをさらに形成するようにしてもよい。
【００８９】
ここで、硬化方法は、樹脂組成物３６の種類によって異なる。樹脂組成物３６としてエネルギー線硬化性樹脂組成物を用いる場合には、ロール原盤３１を樹脂組成物３６に押し付けて両者を密着させると共に、紫外線（紫外光）などのエネルギー線をエネルギー線源３７から樹脂組成物３６に照射することにより、樹脂組成物３６を硬化する。
【００９０】
エネルギー線源３７としては、電子線、紫外線、赤外線、レーザー光線、可視光線、ガンマ線、電離放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線など）、マイクロ波、または高周波などエネルギー線を放出可能なものであればよく、特に限定されるものではないが、生産設備の観点から、紫外線を放出可能なものが好ましい。積算照射量は、樹脂組成物の硬化特性、樹脂組成物や基材１１の黄変抑制などを考慮して適宜選択することが好ましい。また、照射の雰囲気としては、樹脂組成物の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば、空気、窒素、アルゴンなどの不活性ガスの雰囲気が挙げられる。
【００９１】
なお、基材１１が紫外線などのエネルギー線を透過しない材料で構成されている場合には、エネルギー線を透過可能な材料（例えば石英）でロール原盤３１を構成し、ロール原盤３１の内部から樹脂組成物３６に対してエネルギー線を照射するようにしてもよい。なお、転写用の原盤は上述のロール原盤３１に限定されるものではなく、平板状の原盤を用いるようにしてもよい。但し、量産性向上の観点からすると、転写用の原盤として上述のロール原盤３１を用いることが好ましい。
【００９２】
樹脂組成物３６として熱硬化性樹脂組成物を用いる場合には、ロール原盤３１を樹脂組成物３６に押しつけ両者を密着させると共に、ロール原盤３１により樹脂組成物３６を硬化温度まで加熱し、硬化させる。この際、樹脂組成物３６が塗布または印刷される側とは反対側となる基材１１の表面に対して冷却ロールを押し当て、基材１１の熱負けを防止するようにしてもよい。ここで、ロール原盤３１は、その内部にヒータなどの熱源を備えており、ロール原盤３１の成形面に密着した樹脂組成物３６を加熱可能に構成されている。
【００９３】
［熱転写法を用いた構造形成工程］
図７Ａ〜図７Ｃは、熱転写法を用いた構造形成工程の一例を説明するための工程図である。まず、図７Ａに示すように、転写層としての樹脂層３７が表面に設けられた基材１１を形成する。樹脂層３７は、例えば、熱可塑性樹脂組成物を含んでいる。熱可塑性樹脂組成物は、第１の化合物および第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる。熱可塑性樹脂組成物が、第２の化合物を含む場合には、この第２の化合物と共に第３の化合物をさらに含んでいることが好ましい。
【００９４】
次に、図７Ｂに示すように、ロール原盤３１を樹脂層３７に押しつけ両者を密着させると共に、例えば樹脂層３７をそのガラス転移点付近またはそれ以上に加熱することにより、ロール原盤３１の成形面の形状を形状転写する。次に、形状転写した樹脂層３７を基材１１と共にロール原盤３１から剥離する。これにより、図７Ｃに示すように、複数の突起１２ａが基材１１の表面に形成された防汚性基材が得られる。この際、必要に応じて、突起１２ａと基材１１との間に基底層１２ｂをさらに形成するようにしてもよい。また、樹脂層３７が設けられた側とは反対側となる基材１１の表面に対して冷却ロールを押し当て、基材１１の熱負けを防止するようにしてもよい。
【００９５】
［効果］
第１の実施形態によれば、防汚層１２が末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物、および環状炭化水素基を有する第２の化合物の少なくとも一方を含み、防汚層１２の耐指紋表面Ｓには複数の突起１２ａが設けられている。したがって、防汚性基材の耐指紋表面Ｓに指紋を付着させた場合、何もせずとも指紋のパターンが濡れ広がり、見えにくくなる。
【００９６】
また、突起１２ａの平均高さＨｍを１００ｎｍ以下にした場合には、防汚性基材の耐指紋表面Ｓに付着した指紋を指などで擦ってうすく濡れ広がらせて、目立たなくすることができる。したがって、指などによる指紋払拭性を向上できる。この防汚性基材またはその防汚層１２を入力装置や表示装置などの電子機器に適用した場合には、これらの機器を使っているうちに指紋をさらに目立たなくできる。したがって、耐指紋性に優れた電子機器を提供することができる。
【００９７】
［変形例］
上述の第１の実施形態では、防汚層１２が、環状炭化水素基を有する第２の化合物と、末端に鎖状炭化水素基を有する第３の化合物との両方の化合物を含む構成を例として説明したが、本技術はこの例に限定されるものではない。防汚層１２が、環状炭化水素基を有し、かつ、末端に鎖状炭化水素基を有する第４の化合物を含む構成を採用してもよい。この場合にも、上述の第１の実施形態と同様の指紋払拭性を得ることができる。
【００９８】
また、上述の第１の実施形態では、基材１１の表面に隣接して防汚層１２を設けた構成を例として説明したが、防汚性基材の構成はこの例に限定されるものではない。以下に、防汚性基材の変形例について説明する。
【００９９】
（第１の変形例）
図８Ａは、第１の変形例に係る防汚性基材の一構成例を示す断面図である。この防汚性基材は、図８Ａに示すように、基材１１と防汚層１２との間に設けられたアンカー層１３をさらに備える点において、第１の実施形態に係る防汚性基材とは異なっている。このように基材１１と防汚層１２との間に設けられたアンカー層１３を備えることで、基材１１と防汚層１２との密着性を向上することができる。アンカー層１３の表面に突起状の微細構造を設け、この微細構造に倣うようにして防汚層１２を設けることで、複数の突起１２ａを構成するようにしてもよい。
【０１００】
アンカー層１３の材料としては、例えば、従来公知の天然高分子樹脂および合成高分子樹脂から広く選択して使用することができる。これらの樹脂としては、例えば、透明な熱可塑性樹脂組成物、電離放射線照射組成物または熱で硬化する透明硬化性樹脂組成物を使用することができる。熱可塑性樹脂組成物としては、例えば、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリメチルメタクリレート、ニトロセルロース、塩素化ポリエチレン、塩素化ポリプロピレン、エチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロースなどを用いることができる。透明硬化性樹脂としては、例えば、メタクリレート、メラミンアクリレート、ウレタンアクリレート、イソシアネート、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などを用いることができる。電離放射線としては、例えば、電子線、光（例えば紫外線、可視光線など）、ガンマ線、電子線などを用いることができ、生産設備の観点から、紫外線が好ましい。
【０１０１】
アンカー層１３の材料が添加剤をさらに含むようにしてもよい。添加剤としては、例えば、界面活性剤、粘度調整剤、分散剤、硬化促進触媒、可塑剤、酸化防止剤や硫化防止剤などの安定剤などが挙げられる。
【０１０２】
（第２の変形例）
図８Ｂは、第２の変形例に係る防汚性基材の一構成例を示す断面図である。この防汚性基材は、図８Ｂに示すように、基材１１と防汚層１２との間に設けられたハードコート層１４をさらに備える点において、第１の実施形態に係る防汚性基材とは異なっている。基材１１としてプラスチックフィルムなどの樹脂基材を用いる場合には、このようにハードコート層１４を設けることが特に好ましい。上述したように基材１１と防汚層１２との間にハードコート層１４を備えることで、実用特性（例えば耐久性や鉛筆硬度など）を向上することができる。ハードコート層１４の表面に突起状の微細構造を設け、この微細構造に倣うようにして防汚層１２を設けることで、複数の突起１２ａを構成するようにしてもよい。
【０１０３】
ハードコート層１４の材料としては、例えば、従来公知の天然高分子樹脂および合成高分子樹脂から広く選択して使用することができる。これらの樹脂としては、例えば、透明な熱可塑性樹脂組成物、電離放射線または熱で硬化する透明硬化性樹脂を使用することができる。熱可塑性樹脂組成物としては、例えば、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリメチルメタクリレート、ニトロセルロース、塩素化ポリエチレン、塩素化ポリプロピレン、エチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロースなどを用いることができる。透明硬化性樹脂としては、例えば、メタクリレート、メラミンアクリレート、ウレタンアクリレート、イソシアネート、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などを用いることができる。電離放射線としては、例えば、電子線、光（例えば紫外線、可視光線など）、ガンマ線、電子線などを用いることができ、生産設備の観点から、紫外線が好ましい。
【０１０４】
ハードコート層１４の材料が添加剤をさらに含むようにしてもよい。添加剤としては、例えば、界面活性剤、粘度調整剤、分散剤、硬化促進触媒、可塑剤、酸化防止剤や硫化防止剤などの安定剤などが挙げられる。また、ハードコート層１４が、ＡＧ（Anti-Glare）機能を耐指紋表面Ｓに付与するために、光を散乱する有機樹脂フィラーなどの光散乱粒子をさらに含んでいてもよい。この場合、光散乱粒子がハードコート層１４の表面または防汚層１２の耐指紋表面Ｓから突出していても、ハードコート層１４または防汚層１２に含まれる樹脂により覆われていてもよい。光散乱粒子は下層である基材１１に接触していてもしていなくてもよい。ハードコート層１４および防汚層１２の両層が、光散乱粒子をさらに含んでいてもよい。また、ＡＧ（Anti-Glare）機能に代えて、もしくはＡＧ（Anti-Glare）機能に加えて、ＡＲ（Anti-Reflection）機能を防汚性基材に付与するようにしてもよい。ＡＲ（Anti-Reflection）機能は、例えば、ハードコート層１４上にＡＲ層を形成させることに付与することができる。ＡＲ層としては、例えば、低屈折率層の単層膜、低屈折率層と高屈折率層とを交互に積層した多層膜を用いることができる。
【０１０５】
（第３の変形例）
図８Ｃは、第３の変形例に係る防汚性基材の一構成例を示す断面図である。この防汚性基材は、図８Ｃに示すように、基材１１と防汚層１２との間に設けられたハードコート層１４と、基材１１とハードコート層１４との間に設けられたアンカー層１３とをさらに備える点において、第１の実施形態に係る防汚性基材とは異なっている。基材１１としてプラスチックフィルムなどの樹脂基材を用いる場合には、このようにハードコート層１４を設けることが特に好ましい。
【０１０６】
（第４の変形例）
図９Ａは、第４の変形例に係る防汚性基材の一構成例を示す断面図である。この防汚性基材は、図９Ａに示すように、基材１１の両面にハードコート１４をさらに備える点において、第１の実施形態に係る防汚性基材とは異なっている。防汚層１２は、基材１１の両面に設けられたハードコート層１４のうちの一方の表面上に設けられる。基材１１としてプラスチックフィルムなどの樹脂基材を用いる場合には、このようにハードコート層１４を設けることが特に好ましい。
【０１０７】
（第５の変形例）
図９Ｂは、第５の変形例に係る防汚性基材の一構成例を示す断面図である。この防汚性基材は、図９Ｂに示すように、基材１１の両面にアンカー層１３およびハードコート１４をさらに備える点において、第１の実施形態に係る防汚性基材とは異なっている。アンカー層１３が、基材１１とハードコート層１４との間に設けられる。防汚層１２は、基材１１の両面に設けられたハードコート層１４のうちの一方の表面上に設けられる。基材１１としてプラスチックフィルムなどの樹脂基材を用いる場合には、このようにハードコート層１４を設けることが特に好ましい。
【０１０８】
（第６の変形例）
図９Ｃは、第６の変形例に係る防汚性基材の一構成例を示す断面図である。この防汚性基材は、防汚性を有する透明導電性基材であり、図９Ｃに示すように、防汚層１２の側とは反対側となる基材１１の表面に、透明導電層１５をさらに備える点において、第１の実施形態に係る防汚性基材とは異なっている。透明導電層１５は、所定の電極パターンを有する透明電極であってもよい。電極パターンとしては、ストライプ状などが挙げられるが、これに限定されるものではない。透明導電層１５の表面に必要に応じてオーバーコート層をさらに備えるようにしてもよい。基材１１と透明導電層１５との間に必要に応じてハードコート層および／またはアンカー層をさらに備えるようにしてもよい。
【０１０９】
透明導電層１５の材料としては、例えば、電気的導電性を有する金属酸化物材料、金属材料、炭素材料および導電性ポリマーなどからなる群より選ばれる１種以上を用いることができる。金属酸化物材料としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、ガリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛、酸化亜鉛−酸化錫系、酸化インジウム−酸化錫系、酸化亜鉛−酸化インジウム−酸化マグネシウム系などが挙げられる。金属材料としては、例えば、金属ナノ粒子、金属ナノワイヤーなどの金属ナノフィラーを用いることができる。それらの具体的材料としては、例えば、銅、銀、金、白金、パラジウム、ニッケル、錫、コバルト、ロジウム、イリジウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、マンガン、モリブデン、タングステン、ニオブ、タンテル、チタン、ビスマス、アンチモン、鉛などの金属、またはこれらの合金などが挙げられる。炭素材料としては、例えば、カーボンブラック、炭素繊維、フラーレン、グラフェン、カーボンナノチューブ、カーボンマイクロコイルおよびナノホーンなどが挙げられる。導電性ポリマーとしては、例えば、置換または無置換のポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、およびこれらから選ばれる１種または２種からなる（共）重合体などを用いることができる。
【０１１０】
透明導電層１５の形成方法としては、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法などのＰＶＤ法や、ＣＶＤ法、塗工法、印刷法などを用いることができるが、これに限定されるものではない。
【０１１１】
＜２．第２の実施形態＞
図１０は、本技術の第２の実施形態に係る防汚性基材の一構成例を示す断面図である。この防汚性基材は、図１０に示すように、基材２１と複数の突起２２とが一体的に形成されている点において、第１の実施形態とは異なっている。基材２１と突起２２の材料としては、上述の第１の実施形態における防汚層１２と同様の材料が用いられる。具体的には、基材２１と突起２２の材料としては、熱可塑性樹脂組成物を含むものが好ましい。この場合、熱可塑性樹脂組成物は、第１の化合物および第２の化合物の少なくとも一方を含んでいることが好ましい。基材２１および突起２２はそれぞれ、構成材料以外の点では上述の第１の実施形態における基材１１および突起１２ａと同様である。
【０１１２】
防汚性基材の作製方法としては、例えば溶融押し出し法または転写法などを用いることができる。溶融押し出し法としては、例えば、ダイから熱可塑性樹脂組成物をフィルム状などに吐出した直後に、２つのロールにてニップしてロール表面の形状を樹脂材料に転写する方法が用いられる。ここで、２つのロールのうちの一方としては、上述の第１の実施形態におけるロール原盤３１を用いることができる。転写法としては、例えば、原盤の成形面を基材に押し当てそのガラス転移点付近またはそれ以上に加熱することにより、原盤の成形面の形状を転写する熱転写方法を用いることができる。原盤としては、上述の第１の実施形態におけるロール原盤３１を用いることができる。
【０１１３】
［効果］
第２の実施形態では、基材２１と複数の突起２２とが一体的に形成されているので、防汚性基材の構成を簡略化することができる。また、基材２１と複数の突起２２とが透明性を有している場合には、基材２１と複数の突起２２との間の界面反射を抑制することができる。
【０１１４】
＜３．第３の実施形態＞
［防汚性基材の構成］
図１１Ａは、本技術の第３の実施形態に係る防汚性基材の一構成例を示す断面図である。図１１Ｂは、図１１Ａの一部を拡大して表す断面図である。この防汚性基材は、基材１１と、この基材１１の表面に設けられた防汚構造層２３とを備える。防汚構造層２３は、基材１１の表面に設けられた微細構造層２４と、この微細構造層２４の微細構造面に設けられた防汚層２５とを備える。なお、第３の実施形態において第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
【０１１５】
防汚層２５の耐指紋表面Ｓには複数の表面突起（第１突起）２３ａが設けられている。微細構造層２４の表面には複数の内部突起（第２突起）２４ａが設けられている。表面突起２３ａは、内部突起２４ａに倣うように防汚層２５を設けることで構成されている。表面突起２３ａの配置、形状、配置ピッチ（平均配置ピッチ）、高さ（平均高さ）およびアスペクト比（平均アスペクト比）などは、上述の第１の実施形態における突起１２ａと同様である。微細構造層２４が、必要に応じて基材１１の表面と内部突起２４ａとの間に基底層２４ｂをさらに備えるようにしてもよい。基材１１と微細構造層２４とが一体成形された構成を有していてもよい。
【０１１６】
防汚層２５の材料としては、第１の実施形態における防汚層１２の材料と同様である。微細構造層２４は、アンカー層やハードコート層などの機能層であってもよい。微細構造層２４の材料としては、エネルギー線硬化性樹脂組成物、熱硬化性樹脂組成物および熱可塑性樹脂組成物の少なくとも１種を用いることができる。防汚層１２の膜厚は、例えば、防汚層２５を微細構造層２４の表面に形成する際に、内部突起２４ａの形状が微細構造層２４内に埋まってしまわないように選択される。具体的には、防汚層２５の膜厚は、例えば単分子厚さ以上１０μｍ以下、好ましくは単分子厚さ以上１μｍ以下、特に好ましくは単分子厚さ以上１００ｎｍ以下の範囲内である。
【０１１７】
［防汚性基材の製造方法］
次に、上述の構成を有する防汚性基材の製造方法について説明する。
まず、上述の第１の化合物および第２の化合物のいずれの材料も含まれていない従来公知のエネルギー線硬化性樹脂または熱硬化性樹脂を用いる以外は、上述の第１の実施形態と同様にして、基材１１の表面に内部突起２４ａを形成する。但し、内部突起２４ａの高さおよびアスペクト比などは、後工程で形成される表面突起２３ａの高さおよびアスペクト比などが上述の第１の実施形態における突起１２ａと同様になるように設定される。この工程において、必要に応じて基材１１の表面と内部突起２４ａとの間に基底層２４ｂを設けるようにしてもよい。
【０１１８】
次に、末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物、および環状炭化水素基を有する第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる樹脂組成物を調製する。この樹脂組成物としては、上述の第１の実施形態において防汚層１２の形成に用いた樹脂組成物と同様のものを用いることができる。
【０１１９】
次に、調製した樹脂組成物を、複数の内部突起２４ａが設けられた基材１１の表面に塗布または印刷する。この際、内部突起２４ａの表面形状に倣うように、樹脂組成物を塗布または印刷する。なお、次工程に乾燥工程が設けられている場合には、乾燥工程後に樹脂組成物が内部突起２４ａの表面形状に倣うようにしてもよい。次に、必要に応じて樹脂組成物を乾燥させた後、硬化させる。これにより、複数の内部突起２４ａ上にこれらの内部突起２４ａの表面に倣うようにして防汚層２５が形成される。すなわち、複数の表面突起２３ａを有する耐指紋表面Ｓが基材１１の表面上に形成される。以上により、目的とする防汚性基材が得られる。
【０１２０】
［効果］
第３の実施形態では、微細構造層２４の複数の内部突起２４ａに倣うように防汚層２５を設け、複数の表面突起２３ａを耐指紋表面Ｓに構成しているので、上述の第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１２１】
＜４．第４の実施形態＞
図１２Ａ〜図１２Ｃは、本技術の第４の実施形態に係る防汚性基材の構成例を示す模式図である。第４の実施形態に係る防汚性基材は、内部突起２４ａの表面に吸着化合物２５ａが吸着されて、防汚層２５が形成されている点において、第３の実施形態に係る防汚性基材とは異なっている。ここで、基材１１の表面に防汚層２５以外の機能層（アンカー層、ハードコート層など）がさらに設けられていてもよい。防汚層２５は、例えば、吸着化合物２５ａにより形成される単分子層である。吸着化合物２５ａが吸着される領域は、内部突起２４ａが設けられた基材１１の一方の表面に限定されるものではなく、基材１１の両方の表面、またはそれらの一部の領域であってもよく、手や指などで頻繁に触れる表面または所定の領域のみに選択的に吸着化合物２５ａを吸着させるようにしてもよい。
【０１２２】
内部突起２４ａの表面に対する吸着化合物２５ａの吸着位置は、吸着化合物２５ａの側鎖および主鎖の末端のいずれでもよく、両者が基材１１の表面に吸着していてもよい。図１２Ａでは、吸着化合物２５ａの主鎖の片末端が内部突起２４ａの表面に吸着している構成が示されている。図１２Ｂでは、吸着化合物２５ａの側鎖の末端が内部突起２４ａの表面に吸着している構成が示されている。図１２Ｃでは、吸着化合物２５ａの主鎖が内部突起２４ａの表面に吸着している構成が示されている。吸着は、物理吸着および化学吸着のいずれであってもよいが、耐久性の観点からすると、化学吸着が好ましい。吸着としては、具体的には例えば、酸塩基反応、共有結合、イオン結合、水素結合などによる吸着が挙げられる。
【０１２３】
吸着化合物２５ａとしては、例えば、上述の第１の実施形態における第１の化合物および第２の化合物に対して、基材１１の表面に吸着する吸着基をさらに付与したものを用いることができる。吸着基を設ける位置は、吸着化合物２５ａの末端および側鎖のいずれでもよく、１つの吸着化合物２５ａ中に複数の吸着基を付与するようにしてもよい。
【０１２４】
吸着基としては、内部突起２４ａに吸着することができればよい。具体的には、スルホ基(スルホン酸塩含む)、スルホニル基、カルボン酸基(カルボン酸塩含む)、アミノ基、リン酸基(リン酸塩、リン酸エステル含む)、フォスフィノ基、エポキシ基、イソシアネート基、チオール基などである。このような吸着基が、吸着化合物２５ａ中に少なくとも１つ存在していれば良い。
【０１２５】
吸着基を有する第１の化合物としては、例えば、下記の式（７）に示す構造を分子内に有する化合物を用いることができる。
【０１２６】
【化７】
2014047299.tif 000009
（式中、Ｘは、例えば、スルホ基(スルホン酸塩含む)、スルホニル基、カルボン酸基(カルボン酸塩含む)、アミノ基、リン酸基(リン酸塩、リン酸エステル含む)、フォスフィノ基、エポキシ基、イソシアネート基またはチオール基などである。）
【０１２７】
吸着基を有する第２の化合物としては、例えば、下記の式（８）に示す構造を分子内に有する化合物を用いることができる。
【０１２８】
【化８】
2014047299.tif 000010
（式中、Ｘは、例えば、スルホ基(スルホン酸塩含む)、スルホニル基、カルボン酸基(カルボン酸塩含む)、アミノ基、リン酸基(リン酸塩、リン酸エステル含む)、フォスフィノ基、エポキシ基、イソシアネート基またはチオール基などである。）
【０１２９】
吸着基を有する第３の化合物としては、例えば、下記の式（９）に示す構造を分子内に有する化合物を用いることができる。
【０１３０】
【化９】
2014047299.tif 000011
（式中、Ｘは、例えば、スルホ基(スルホン酸塩含む)、スルホニル基、カルボン酸基(カルボン酸塩含む)、アミノ基、リン酸基(リン酸塩、リン酸エステル含む)、フォスフィノ基、エポキシ基、イソシアネート基またはチオール基などである。）
【０１３１】
［防汚性基材の製造方法］
以下、ウエットプロセスを用いた防汚性基材の製造方法の一例について説明する。
【０１３２】
（処理溶液の調製）
まず、吸着化合物２５ａを溶媒に溶かして処理溶液を調製する。吸着化合物２５ａが常温で液体である場合、または加熱処理などを施して液体状態にした場合には、吸着化合物２５ａを溶媒に溶かさずに、そのまま用いるようにしてもよい。この処理溶液が内部突起２４ａの表面に接近することで、吸着化合物２５ａが吸着される。処理溶液中の吸着化合物の量を増やしたほうが吸着速度は向上するため、化合物濃度は大きいほうが好ましく、具体的には０．０１質量％以上が好ましい。
【０１３３】
溶媒は、吸着化合物２５ａを所定濃度に溶解可能なものを適宜選択して用いることができる。具体的には例えば、トルエン、キシレンなどの芳香族系溶媒；メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、ｉｓｏ−プロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｉｓｏ−ブチルアルコール、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのアルコール系溶媒；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートなどのエステル系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒；２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキエタノール、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルなどのグリコールエーテル類；２−メトキシエチルアセタート、２−エトキシエチルアセタート、２−ブトキシエチルアセタート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートなどのグリコールエーテルエステル類；クロロホルム、ジクロロメタン、トリクロロメタン、塩化メチレンなどの塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソランなどのエーテル系溶媒；Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジメチルアセトアミドなどの１種または２種以上を混合して用いることができる。
【０１３４】
（吸着）
次に、例えば、処理対象物である基材１１を処理溶液に浸漬するか、もしくは処理対象物である基材１１の一方または両方の表面に一定量の処理溶液を塗布または印刷する。
【０１３５】
塗布法としては、例えば、ワイヤーバーコーティング、ブレードコーティング、スピンコーティング、リバースロールコーティング、ダイコーティング、スプレーコーティング、ロールコーティング、グラビアコーティング、マイクログラビアコーティング、リップコーティング、エアーナイフコーティング、カーテンコーティング、コンマコート法、ディッピング法などを用いることができる。印刷法としては、例えば、凸版印刷法、オフセット印刷法、グラビア印刷法、凹版印刷法、ゴム版印刷法、インクジェット法、スクリーン印刷法などを用いることができる。
【０１３６】
浸漬法を用いる場合、処理対象物である基材１１が十分に浸る量の処理溶液を準備し、基材１１を０．１秒〜４８時間浸漬することが好ましい。浸漬後に、必要に応じて、基材１１を吸着化合物２５ａの良溶媒で洗浄し、未吸着の吸着化合物２５ａを洗い流すようにしてもよい。その後、必要に応じて、乾燥させることにより、吸着処理が完了する。乾燥方法としては、例えば、自然乾燥、および加熱装置などによる人工的乾燥のいずれを用いてもよい。また、処理対象物である基材１１を浸漬している間、加熱処理および／または超音波処理などを行うことで、吸着化合物２５ａの吸着速度を速めることができる。
【０１３７】
塗布法を用いる場合には、処理溶液を基材１１に塗布する際に、基材１１に対する加熱処理および／または超音波処理などを併用してもよい。塗布後、必要に応じて、基材１１を吸着化合物２５ａの良溶媒で洗浄し、未吸着の吸着化合物２５ａを洗い流すようにしてもよい。その後、必要に応じて、乾燥させることにより、吸着処理が完了する。乾燥方法としては、例えば、自然乾燥、および加熱装置などによる人工的乾燥のいずれを用いてもよい。所望とする処理溶液の塗布量は１回の塗布で達成される必要はなく、上述の塗布および洗浄工程を複数回繰り返すことによって、所望とする処理溶液の塗布量が達成されるようにしてもよい。
【０１３８】
（効果）
第４の実施形態によれば、内部突起２４ａの表面に吸着化合物２５ａを吸着させて、防汚層２５を内部突起２４ａの表面に形成しているので、上述の第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１３９】
［変形例］
上述の第３の実施形態および第４の実施形態では、防汚性基材の製造方法としてウエットプロセスを用いる方法を例として説明したが、防汚性基材の製造方法はこの例に限定されるものではなく、ドライプロセスを用いることも可能である。すなわち、ドライプロセスにより、上述の第３の実施形態または第４の実施形態の防汚層１２を内部突起２４ａの表面に直接成膜することも可能である。
【０１４０】
ドライプロセスとしては、例えば、スパッタ法、熱ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、プラズマＣＶＤ法、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法、イオンプレーティング法などを用いることができる。
【０１４１】
＜５．第５の実施形態＞
図１３は、本技術の第５の実施形態に係る表示装置の一構成例を示す斜視図である。図１３に示すように、表示装置１０１の表示面Ｓ1に防汚体１００が設けられている。防汚体１００としては、例えば、防汚層、防汚構造層または防汚性基材が用いられる。防汚層としては、例えば、第１の実施形態に係る防汚層１２が用いられる。防汚構造層としては、例えば、第３または第４の実施形態に係る防汚構造層２３が用いられる。防汚性基材としては、例えば、第１〜第４の実施形態に係る防汚性基材のいずれかが用いられる。防汚体として防汚性基材を用いる場合には、防汚性基材を表示装置１０１の表示面Ｓ1に貼合層を介して貼り合わせる構成を採用することができる。この構成を採用する場合には、防汚性基材の基材１１としては、透明性および可撓性を有するシートなどを用いることが好ましい。
【０１４２】
表示装置１０１としては、例えば、液晶ディスプレイ、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）ディスプレイ、プラズマディスプレイ（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）ディスプレイ、表面伝導型電子放出素子ディスプレイ（Surface-conduction Electron-emitter Display：ＳＥＤ）などの各種表示装置を用いることができる。
【０１４３】
［効果］
第５の実施形態によれば、表示装置１０１の表示面Ｓ1を耐指紋表面Ｓとすることができるので、表示装置１０１の表示面Ｓ1に指紋が付着した場合、何もせずとも指紋のパターンが濡れ広がり、見えにくくなる。したがって、表示装置１０１の視認性を向上することができる。
【０１４４】
また、突起１２ａの平均高さＨｍを１００ｎｍ以下にした場合には、表示装置１０１の表示面Ｓ1に付着した指紋を指などで擦ってうすく濡れ広がらせて、目立たなくすることができる。したがって、表示装置１０１の視認性をさらに向上することができる。
【０１４５】
＜６．第６の実施形態＞
図１４Ａは、本技術の第６の実施形態に係る表示装置の一構成例を示す斜視図である。図１４Ａに示すように、表示装置１０１の表示面Ｓ1上に入力装置１０２が設けられている。そして、入力装置１０２の入力面Ｓ2上に防汚体１００が設けられている。表示装置１０１と入力装置１０２とは、例えば粘着剤などからなる貼合層を介して貼り合わされている。防汚体１００としては、例えば、防汚層、防汚構造層または防汚性基材が用いられる。防汚層としては、例えば、第１の実施形態に係る防汚層１２が用いられる。防汚構造層としては、例えば、第３または第４の実施形態に係る防汚構造層２３が用いられる。防汚性基材としては、例えば、第１〜第４の実施形態に係る防汚性基材のいずれかが用いられる。防汚体として防汚性基材を用いる場合には、防汚性基材を入力装置１０２の入力面Ｓ2に貼合層を介して貼り合わせる構成を採用することができる。この構成を採用する場合には、防汚性基材の基材１１としては、透明性および可撓性を有するシートなどを用いることが好ましい。
【０１４６】
入力装置１０２としては、例えば、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルを用いることができるが、タッチパネルの方式はこれに限定されるものではない。抵抗膜方式のタッチパネルとしては、例えば、マトリックス抵抗膜方式のタッチパネルが挙げられる。静電容量方式のタッチパネルとしては、例えば、Ｗｉｒｅ  Ｓｅｎｓｏｒ方式またはＩＴＯ  Ｇｒｉｄ方式の投影型静電容量方式タッチパネルが挙げられる。
【０１４７】
［効果］
第６の実施形態によれば、入力装置１０２の入力面Ｓ2を耐指紋表面Ｓとすることができるので、入力装置１０２の入力面Ｓ2に指紋が付着した場合、何もせずとも指紋のパターンが濡れ広がり、見えにくくなる。したがって、入力装置１０２が設けられた表示装置１０１の視認性を向上することができる。
【０１４８】
また、突起１２ａの平均高さＨｍを１００ｎｍ以下にした場合には、入力装置１０２の入力面Ｓ2に付着した指紋を指などで擦ってうすく濡れ広がらせて、目立たなくすることができる。したがって、入力装置１０２が設けられた表示装置１０１の視認性をさらに向上することができる。
【０１４９】
［変形例］
図１４Ｂは、本技術の第６の実施形態に係る入力装置の変形例を示す分解斜視図である。図１４Ｂに示すように、入力装置１０２の入力面Ｓ2にフロントパネル（表面部材）１０３をさらに備えるようにしてもよい。この場合、フロントパネル１０３のパネル表面Ｓ3に防汚体１００が設けられる。入力装置１０２とフロントパネル（表面部材）１０３とは、例えば粘着剤などからなる貼合層により貼り合わされる。
【０１５０】
＜７．第７の実施形態＞
本技術の第７の実施形態に係る電子機器は、第５の実施形態、または第６の実施形態もしくはその変形例に係る表示装置１０１を備えている。この電子機器の筐体の表面には、必要に応じて防汚体が設けられている。防汚体としては、防汚層、防汚構造層または防汚性基材が用いられる。防汚層としては、例えば、第１の実施形態に係る防汚層１２が用いられる。防汚構造層としては、例えば、第３または第４の実施形態に係る防汚構造層２３が用いられる。防汚性基材としては、例えば、第１〜第４の実施形態に係る防汚性基材のいずれかが用いられる。防汚性基材自体により電子機器の筐体を構成するようにしてもよい。
以下に、本技術の第７の実施形態に係る電子機器の例について説明する。
【０１５１】
図１５Ａは、電子機器としてテレビ装置の例を示す外観図である。テレビ装置１１１は、筐体１１２と、この筐体１１２に収容された表示装置１１３とを備える。ここで、表示装置１１３は、第５の実施形態、または第６の実施形態もしくはその変形例に係る表示装置１０１である。筐体１１２の表面には必要に応じて防汚体を設けてもよく、もしくは筐体１１２自体を必要に応じて防汚性基材により構成してもよい。
【０１５２】
図１５Ｂは、電子機器としてノート型パーソナルコンピュータの例を示す外観図である。ノート型パーソナルコンピュータ１２１は、コンピュータ本体１２２と、表示装置１２５とを備える。コンピュータ本体１２２および表示装置１２５はそれぞれ、筐体１２３および筐体１２４に収容されている。ここで、表示装置１２５は、第５の実施形態、または第６の実施形態もしくはその変形例に係る表示装置１０１である。筐体１２３および筐体１２４の表面に必要に応じて防汚体を設けてもよく、もしくは筐体１２３および筐体１２４自体を必要に応じて防汚性基材により構成してもよい。
【０１５３】
図１６Ａは、電子機器として携帯電話の一例を示す外観図である。携帯電話１３１は、いわゆるスマートフォンであり、筐体１３２と、この筐体１３２に収容された表示装置１３３とを備える。ここで、表示装置１３３は、第６の実施形態またはその変形例に係る表示装置１０１である。筐体１３２の表面に必要に応じて防汚体を設けてもよく、もしくは筐体１３２自体を必要に応じて防汚性基材により構成してもよい。
【０１５４】
図１６Ｂは、電子機器としてタブレット型コンピュータの一例を示す外観図である。タブレット型コンピュータ１４１は、筐体１４２と、この筐体１４２に収容された表示装置１４３とを備える。ここで、表示装置１４３は、第６の実施形態またはその変形例に係る表示装置１０１である。筐体１４２の表面に必要に応じて防汚体を設けてもよく、もしくは筐体１４２自体を必要に応じて防汚性基材により構成してもよい。
【０１５５】
［効果］
第７の実施形態によれば、電子機器が第５の実施形態、または第６の実施形態もしくはその変形例に係る表示装置１０１を備えているので、電子機器の表示装置１０１の視認性を向上することができる。突起１２ａの平均高さＨｍを１００ｎｍ以下にした場合には、電子機器の表示装置１０１の視認性をさらに向上することができる。
【０１５６】
電子機器の筐体表面に防汚体を設けた場合には、電子機器の筐体表面に指紋が付着した場合、何もせずとも指紋のパターンが濡れ広がり、見えにくくなる。したがって、筐体表面の汚れを目立たなくすることができる。突起１２ａの平均高さＨｍを１００ｎｍ以下にした場合には、電子機器の筐体表面に付着した指紋を指などで擦ってうすく濡れ広がらせて、目立たなくすることができる。したがって、筐体表面の汚れをさらに目立たなくすることができる。
【実施例】
【０１５７】
以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
【０１５８】
以下の実施例において、突起の平均配置ピッチ、平均高さおよび平均アスペクト比は以下のようにして求めた。
まず、突起を有する耐指紋表面を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Atomic Force Microscope）により観察し、ＡＦＭの断面プロファイルから突起のピッチおよび高さを求めた。これを耐指紋表面から無作為に選び出された１０箇所において繰り返し行い、ピッチＰ１、Ｐ２、・・・、Ｐ１０と、高さＨ１、Ｈ２、・・・、Ｈ１０とを求めた。ここで、突起のピッチは突起の頂点間の距離であり、突起の高さは突起間の凹部（谷部）の最低点を基準とした突起の高さである。次に、これらのピッチおよび高さをそれぞれ単純に平均（算術平均）して、突起の平均配置ピッチＰｍおよび平均高さＨｍを求めた。次に、求めた平均配置ピッチＰｍおよび平均高さＨｍから平均アスペクト比Ｈｍ／Ｐｍを求めた。
【０１５９】
（実施例１）
まず、外径１２６ｍｍのガラスロール原盤を準備し、このガラスロール原盤の表面に以下のようにしてレジスト層を着膜した。すなわち、シンナーでフォトレジストを１／１０に希釈し、この希釈レジストをディッピング法によりガラスロール原盤の円柱面上に厚さ７０ｎｍ程度に塗布することにより、レジスト層を着膜した。次に、記録媒体としてのガラスロール原盤を、図３に示したロール原盤露光装置に搬送し、レジスト層を露光することにより、１つの螺旋状に連なると共に、隣接する３列のトラック間において六方格子パターンをなす潜像がレジスト層にパターニングされた。具体的には、六方格子状の露光パターンが形成されるべき領域に対して、前記ガラスロール原盤表面まで露光するパワー０．５０ｍＷ／ｍのレーザー光を照射し六方格子状の露光パターンを形成した。
【０１６０】
次に、ガラスロール原盤上のレジスト層に現像処理を施して、露光した部分のレジスト層を溶解させて現像を行った。具体的には、図示しない現像機のターンテーブル上に未現像のガラスロール原盤を載置し、ターンテーブルごと回転させつつガラスロール原盤の表面に現像液を滴下してその表面のレジスト層を現像した。これにより、レジスト層が六方格子パターンに開口しているレジストガラス原盤が得られた。
【０１６１】
次に、ロールエッチング装置を用い、ＣＨＦ3ガス雰囲気中でのプラズマエッチングを行った。これにより、ガラスロール原盤の表面において、レジスト層から露出している六方格子パターンの部分のみエッチングが進行し、その他の領域はレジスト層がマスクとなりエッチングはされず、楕円錐形状の凹部がガラスロール原盤に形成された。この際、エッチング量（深さ）は、エッチング時間によって調整した。最後に、Ｏ2アッシングにより完全にレジスト層を除去することにより、凹形状の六方格子パターンを有するガラスロール原盤が得られた。このガラスロール原盤では、列間方向における凹部の深さは、トラックの延在方向における凹部の深さより深くなっていた。
【０１６２】
次に、上述のようにして得られたロール原盤を用いて、ＵＶインプリントにより複数の突起をゼオノアフィルム（日本ゼオン社製、登録商標）の表面に２次元的に形成した。具体的には、上述のようにして得られたロール原盤と、下記の配合を有する紫外線硬化性樹脂組成物（以下「ＵＶ硬化性樹脂」という。）を塗布したゼオノアフィルムとを密着させ、紫外線を照射し硬化させながら剥離した。これにより、下記の構成を有する複数の突起（内部突起）が表面に複数配列された光学フィルムが得られた。
【０１６３】
（ＵＶ硬化性樹脂の配合）
ポリエステルアクリレートオリゴマー（サートマー社製、商品名：ＣＮ２３０２）：９５質量％
光重合開始剤（チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名：イルガキュアー１８４）：５質量％
【０１６４】
（突起の構成）
突起の配列：最密充填（六方格子）
突起の形状：釣鐘型（ほぼ放物面状）
突起の平均配置ピッチＰｍ：２５０ｎｍ
突起の平均高さＨｍ：１５０ｎｍ
突起の平均アスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）：０．６
【０１６５】
次に、得られた光学フィルムを所定のサイズに切り出した。次に、切り出した光学フィルムの形状転写面に、下記の配合を有する防汚性の紫外線硬化性樹脂組成物（以下「ＵＶ硬化性防汚樹脂」という。）をスピンコートで塗布し、乾燥させることにより、光学フィルム表面の複数の突起に倣った塗膜を形成した。次に、この塗膜に紫外線を照射して硬化することにより、以下の構成を有する複数の突起（表面突起）を防汚層表面に形成した。この突起の高さおよびアスペクト比は、ＵＶ硬化性防汚樹脂のスピンコート条件により調整した。以上により、目的とする防汚性フィルムが得られた。図１７Ａに、実施例１の防汚性フィルム表面のＡＦＭ像を示す。図１７Ｂに、図１７Ａに示したａ−ａ線における断面プロファイルを示す。
【０１６６】
（ＵＶ硬化性防汚樹脂の配合）
下記の式（１０）に示す構造を有する化合物：３．５質量％
光重合開始剤（チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名：イルガキュアー１８４）：０．１７５質量％
シクロヘキサノン： ９６．３２５質量％
【化１０】
2014047299.tif 000012
【０１６７】
（突起の構成）
突起の配列：最密充填（六方格子）
突起の形状：釣鐘型（ほぼ放物面状）
突起の平均配置ピッチＰｍ：２５０ｎｍ
突起の平均高さＨｍ：６０ｎｍ
突起の平均アスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）：０．２４
以上により、目的とする防汚性フィルムが得られた。
【０１６８】
（実施例２）
ＵＶ硬化性防汚樹脂のスピンコート条件を調整して、突起の高さ４０ｎｍ、アスペクト比０．１６に変更する以外のことは実施例１と同様にして、防汚性フィルムを得た。図１８Ａに、実施例２の防汚性フィルム表面のＡＦＭ像を示す。図１８Ｂは、図１８Ａに示したａ−ａ線における断面プロファイルを示す。
【０１６９】
（実施例３）
下記の配合を有する紫外線硬化性樹脂組成物を用いて、ゼオノアフィルムの表面に複数の突起を２次元的に形成する以外のことは実施例１と同様にして、防汚性フィルムを得た。
【０１７０】
（樹脂組成物の配合）
ウレタンアクリレートオリゴマー（サートマー社製、商品名：ＣＮ９００６）：６４質量％
ポリエステルアクリレートオリゴマー（サートマー社製、商品名：ＣＮ２３０２）：３１質量％
光重合開始剤（チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名：イルガキュアー１８４）：５質量％
【０１７１】
（実施例４）
以下の配合を有するＵＶ硬化性防汚樹脂を用いる以外は実施例１と同様にして、防汚性フィルムを得た。
【０１７２】
（ＵＶ硬化性防汚樹脂）
下記の式（１１）に示す構造を有する化合物：３．５質量％
光重合開始剤（チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名：イルガキュアー１８４）：０．１７５質量％
シクロヘキサノン：９６．３２５質量％
【化１１】
2014047299.tif 000013
【０１７３】
（実施例５）
以下の配合を有するＵＶ硬化性防汚樹脂を用いる以外は実施例１と同様にして、防汚性フィルムを得た。
【０１７４】
（ＵＶ硬化性防汚樹脂）
下記の式（１２）に示す構造を有する化合物：３．５質量％
光重合開始剤（チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名：イルガキュアー１８４）：０．１７５質量％
シクロヘキサノン： ９６．３２５質量％
【化１２】
2014047299.tif 000014
【０１７５】
（実施例６）
以下の配合を有するＵＶ硬化性防汚樹脂を用いる以外は実施例１と同様にして、防汚性フィルムを得た。
【０１７６】
（ＵＶ硬化性防汚樹脂）
下記の式（１３）に示す構造を有する化合物（レベリング剤）：０．３質量％
ウレタンアクリレート（サートマー社製、商品名：ＣＮ９００６）：３．２質量％
光重合開始剤（チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名：イルガキュアー１８４）：０．１７５質量％
シクロヘキサノン： ９６．３２５質量％
【化１３】
2014047299.tif 000015
【０１７７】
（実施例７）
まず、実施例１と同様にして、複数の突起が表面に形成された光学フィルムを得た。次に、下記の配合を有する防汚性の熱硬化性樹脂組成物（以下「熱硬化性防汚樹脂」という。）をスピンコートで光学フィルムの形状転写面に塗布した後、１５０℃で２時間加熱することにより熱硬化する以外は実施例１と同様にして、防汚性フィルムを得た。
【０１７８】
（熱硬化性防汚樹脂の配合）
下記の式（１４）に示す構造を有する化合物：３．５質量％
溶媒（アセトン）：９６．５質量％
【化１４】
2014047299.tif 000016
【０１７９】
（実施例８）
ＵＶ硬化性樹脂に代えて、下記の配合を有するＵＶ硬化性防汚樹脂を用いる以外は実施例１と同様にして、ゼオノアフィルムの表面に複数の突起を２次元的に形成することで、防汚性フィルムを得た。なお、本実施例では、複数の突起自体をＵＶ硬化性防汚樹脂により形成するため、光学フィルムの形状転写面にＵＶ硬化性防汚樹脂を塗布し硬化することにより、防汚層を複数の突起表面も倣うように形成する工程を省略した。図１９Ａに、実施例８の防汚性フィルム表面のＡＦＭ像を示す図である。図１９Ｂは、図１９Ａに示したａ−ａ線における断面プロファイルを示す。
【０１８０】
（ＵＶ硬化性防汚樹脂の配合）
下記の式（１０）に示す構造を有する化合物：９５質量％
光重合開始剤（チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名：イルガキュアー１８４）：５質量％
【化１０】
2014047299.tif 000017
【０１８１】
（突起の構成）
突起の配列：最密充填（六方格子）
突起の形状：釣鐘型（ほぼ放物面状）
突起の平均配置ピッチＰｍ：２５０ｎｍ
突起の平均高さＨｍ：１５０ｎｍ
突起の平均アスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）：０．６
【０１８２】
（実施例９）
以下の配合を有するＵＶ硬化性防汚樹脂を用いる以外は実施例１と同様にして、防汚性フィルムを得た。
【０１８３】
（ＵＶ硬化性防汚樹脂）
フッ素原子及びシロキサン部位を有するアクリレートオリゴマー：１．７５質量％
ジペンタエリスリトール ヘキサアクリレート（DPHA）：１．７５質量％
光重合開始剤（チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名：イルガキュアー１８４）：０．１７５質量％
シクロヘキサノン：９６．３２５質量％
【０１８４】
（比較例１）
ゼオノアフィルムの表面に複数の突起を形成せずに、その平坦な表面にＵＶ硬化性防汚樹脂をスピンコートで塗布する以外は実施例１と同様にして、防汚性フィルムを得た。
【０１８５】
［評価］
上述のようにして得られた実施例１〜８、比較例１の防汚性フィルムの耐指紋性（指紋のパターン見え、クリーンワイパー払拭性および指払拭性）、および鉛筆硬度を評価した。
【０１８６】
（耐指紋性）
まず、防汚性フィルムをその評価面（耐指紋表面）が上になるように黒色アクリル板（三菱レイヨン株式会社製、商品名：アクリライト）に両面粘着シート（日東電工株式会社製、商品名：LUCIACS CS9621T）を用いて貼合した。次に、評価面に指紋を付けて下記基準に従って、（ａ）指紋のパターン見え、（ｂ）クリーンワイパー払拭性および（ｃ）指払拭性を評価でした。その結果を表１に示した。
【０１８７】
（ａ）指紋のパターン見え
耐指紋表面に指紋を付着させ、１分後に蛍光灯を写し込み、目視で表面を観察し、以下の基準で評価をおこなった。
◎：指紋のパターンが消え、見えにくくなっていた場合
○：指紋のパターンは消えているが、付着したところが見えた場合
×：指紋のパターンが消えなかった場合
【０１８８】
（ｂ）クリーンワイパー払拭性
耐指紋表面にわざと通常よりも液量の多い指紋を付着させ、KURAFLEX CLEAN WIPER FF-390Cを用いて１０回、円を描くように払拭後に、蛍光灯を写し込み、目視で表面を観察し、以下の基準で評価をおこなった。
◎：油よごれがなくなっていた場合
○：油よごれがわずかに残っていた程度の場合
×：油よごれがかなり残っていた場合
【０１８９】
（ｃ）指払拭性
耐指紋表面にわざと通常よりも液量の多い指紋を付着させ、指で１０往復払拭後に蛍光灯を写し込み、目視で表面を観察し、以下の基準で評価をおこなった。
◎：油よごれがなくなっていた場合
○：油よごれがわずかに残っていた程度の場合
×：油よごれがかなり残っていた場合
【０１９０】
（鉛筆硬度）
鉛筆硬度はＪＩＳ  Ｋ５６００  ５−４に従って評価した。
【０１９１】
表１は、実施例１〜９、比較例１の防汚性フィルムの構成および評価結果を示す。
【表１】
2014047299.tif 000018
【０１９２】
表１から以下のことがわかる。
実施例１：環状炭化水素基を有する第２の化合物を防汚層に含ませると共に、耐指紋表面に平均高さＨｍ：６０ｎｍの複数の突起を設けているので、指紋のパターン見えを抑制できると共に、優れた払拭性を得ることができる。
実施例２：耐指紋表面の複数の突起の平均高さＨｍを４０ｎｍにした場合にも、指紋のパターン見えを抑制できると共に、優れた払拭性を得ることができる。
実施例３：ＵＶ硬化性樹脂組成物の組成を調製することで、上述の実施例１、２の効果に加えて、ハードコート機能を耐指紋表面にさらに付与することができる。
実施例４：実施例１とは異なる第２の化合物を防汚層に含ませることで、実施例１と同様の効果が得られている。
実施例５：末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物を防汚層に含ませると共に、耐指紋表面に平均高さＨｍ：６０ｎｍの複数の突起を設けているので、実施例１と同様に、指紋のパターン見えを抑制できると共に、優れた払拭性を得ることができる。
実施例６：実施例５とは異なる第１の化合物を防汚層に含ませることで、実施例５と同様の効果が得られている。
実施例７：第２の化合物を含む熱硬化性防汚樹脂を用いた場合であっても、第２の化合物を含むＵＶ硬化性防汚樹脂を用いた場合（実施例１）と同様に、指紋のパターン見えを抑制できると共に、優れた払拭性を得ることができる。
実施例８：環状炭化水素基を有する第２の化合物を複数の突起に含ませると共に、耐指紋表面に平均高さＨｍ：１５０ｎｍの複数の突起を設けているので、指紋のパターン見えを抑制できるが、払拭性は低下してしまう。
実施例９：実施例５とは異なる第１の化合物を防汚層に含ませることで、実施例５と同様の効果が得られている。
比較例１：基材表面に複数の突起を設けず直接防汚層を設けているので、優れた払拭性を得ることができるが、指紋のパターン見えを抑制することはできない。
【０１９３】
以上の点を総合すると、第１の化合物および第２の化合物の少なくとも一方を防汚層に含ませると共に、複数の突起を耐指紋表面に設けることで、指紋のパターン見えを抑制することができる。
指紋のパターン見えを抑制し、かつ優れた払拭性を得るためには、第１の化合物および第２の化合物の少なくとも一方を防汚層に含ませると共に、平均高さＨｍが１００ｎｍ以下、好ましくは６０ｎｍ以下である複数の突起を耐指紋表面に設けることが好ましい。
【０１９４】
以上、本技術の実施形態について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【０１９５】
例えば、上述の実施形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。
【０１９６】
また、上述の実施形態の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
【０１９７】
また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
（１）
複数の突起が設けられた表面を有し、
上記突起は、末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物、および環状炭化水素基を有する第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる防汚体。
（２）
上記突起の平均高さは、１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲内であり、
上記突起の平均ピッチは、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内である（１）に記載の防汚体。
（３）
上記突起の平均高さは、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内である（２）に記載の防汚体。
（４）
表面を有する基材と、
上記基材の表面に設けられた防汚層と
を備え、
上記防汚層は、上記複数の突起が設けられた上記表面を有している（１）から（３）のいずれかに記載の防汚体。
（５）
上記防汚層は、エネルギー線硬化性樹脂組成物および熱硬化性樹脂組成物の少なくとも一方の樹脂組成物を含み、
上記樹脂組成物は、上記第１の化合物、および上記第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる（４）に記載の防汚体。
（６）
上記第１の化合物および上記第２の化合物は、添加剤である（１）から（５）のいずれかに記載の防汚体。
（７）
上記添加剤は、レベリング剤である（６）に記載の防汚体。
（８）
上記基材の表面には複数の突起が設けられ、
上記基材の複数の突起の表面に倣うように上記防汚層が設けられている（４）から（５）のいずれかに記載の防汚体。
（９）
上記第１の化合物および上記第２の化合物の少なくとも一方は、上記基材の複数の突起の表面に吸着されている（８）に記載の防汚体。
（１０）
上記防汚層は、上記第１の化合物および上記第２の化合物の少なくとも一方を含む単分子層である（９）に記載の防汚体。
（１１）
上記突起は、熱可塑性樹脂組成物を含み、
上記熱可塑性樹脂組成物は、上記第１の化合物および上記第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる（１）から（３）のいずれかに記載の防汚体。
（１２）
上記第１の化合物は、下記の式（１）または式（２）で表され、
上記第２の化合物は、下記の式（３）または式（４）で表される（１）から（１１）のいずれかに記載の防汚体。
【化１】
2014047299.tif 000019
（式中、Ｒ1は、Ｃ、Ｎ、Ｓ、Ｏ、Ｓｉ、ＰまたはＴｉを含む基、Ｒ2は、炭素数が２個以上の基である。）
【化２】
2014047299.tif 000020
（式中、Ｒ1、Ｒ2はそれぞれ独立に、Ｃ、Ｎ、Ｓ、Ｏ、Ｓｉ、ＰまたはＴｉを含む基である。）
【化３】
2014047299.tif 000021
【化４】
2014047299.tif 000022
（１３）
上記式（１）および式（２）のＲ1、Ｒ2はそれぞれ独立に、炭化水素基、スルホ基、スルホニル基、スルホンアミド基、カルボン酸基、アミノ基、アミド基、リン酸基、フォスフィノ基、シラノール基、エポキシ基、イソシアネート基、シアノ基、チオール基、または水酸基である（１２）に記載の防汚体。
（１４）
上記防汚層が、上記第２の化合物とともに、末端に鎖状炭化水素基を有する第３の化合物をさらに含んでいる（１）から（１３）のいずれかに記載の防汚体。
（１５）
上記第３の化合物は、下記の式（５）または式（６）で表される（１４）に記載の防汚体。
【化５】
2014047299.tif 000023
【化６】
2014047299.tif 000024
（１６）
上記複数の突起は、２次元的に配列されている（１）から（１５）のいずれかに記載の防汚体。
（１７）
上記突起間の凹部は、上記表面にある液体に対して正の毛管圧力を及ぼす（１）から（１６）のいずれかに記載の防汚体。
（１８）
複数の突起が設けられた入力面を有し、
上記突起は、末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物、および環状炭化水素基を有する第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる入力装置。
（１９）
複数の突起が設けられた表示面を有し、
上記突起は、末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物、および環状炭化水素基を有する第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる表示装置。
（２０）
複数の突起が設けられた表面を有し、
上記突起は、末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物、および環状炭化水素基を有する第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる電子機器。
（２１）
複数の突起が設けられた表面を有し、
上記突起は、末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物、および環状炭化水素基を有する第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる防汚性物品。
（２２）
複数の突起が設けられた防汚性表面を有する防汚体。
【符号の説明】
【０１９８】
１１、２１    基材
１２、２５    防汚層
１２ａ、２２    突起
１２ｂ、２４ｂ    基底層
１３    アンカー層
１４    ハードコート層
１５    透明導電層
２３    防汚構造層
２３ａ    表面突起（第１突起）
２４    微細構造層
２４ａ    内部突起（第２突起）
２５ａ    吸着化合物
３１    ロール原盤
３２    構造体
１０１、１１３、１２５、１３３、１４３    表示装置
１０２    入力装置
１０３    フロントパネル
１１１    テレビ装置
１１２、１２４、１３２、１４２    筐体
１２１    ノート型パーソナルコンピュータ
１３１    携帯電話
１４１    タブレット型コンピュータ
Ｓ    耐指紋表面（防汚性表面）
Ｓ1    表示面
Ｓ2    入力面
【図１】
2014047299.tif 000031
【図２】
2014047299.tif 000032
【図３】
2014047299.tif 000033
【図４】
2014047299.tif 000034
【図５】
2014047299.tif 000035
【図６】
2014047299.tif 000036
【図７】
2014047299.tif 000037
【図８】
2014047299.tif 000038
【図９】
2014047299.tif 000039
【図１０】
2014047299.tif 000040
【図１１】
2014047299.tif 000041
【図１２】
2014047299.tif 000042
【図１３】
2014047299.tif 000043
【図１４】
2014047299.tif 000044
【図１５】
2014047299.tif 000045
【図１６】
2014047299.tif 000046
【図１７】
2014047299.tif 000047
【図１８】
2014047299.tif 000048
【図１９】
2014047299.tif 000049