(57)【要約】【課題】第１に、レジストの剥離性が大きく向上し、レジストが残り無く、確実に剥離，除去されると共に、第２に、しかもこれが簡単容易に、スペース面やコスト面に優れて実現される、レジスト除去装置を提案する。【解決手段】このレジスト除去装置１０は、電子回路基板の製造工程で使用される。すなわち、その製造工程中の現像工程の現像機や、剥離工程の剥離機として、使用される。そして、基板材Ａについて、その外表面から所定のレジストを、剥離，除去する。もって、現像液や剥離液の処理液Ｂで満たされた浸漬槽１１と、基板材Ａを浸漬槽１１内で液中Ｅ搬送するコンベア１２と、浸漬槽１１内に設けられた超音波振動子１３とを、有している。超音波振動子１３は、搬送される基板材Ａに対峙すべく液中Ｅ配設されており、超音波の放射，伝達により、基板材Ａの外表面から所定のレジストを剥離，除去する。【選択図】図１
2014115307.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子回路基板の製造工程で使用され、基板材について、その外表面からレジストを剥離，除去するレジスト除去装置であって、
処理液で満たされた浸漬槽と、該浸漬槽内で該基板材を液中搬送するコンベアと、該浸漬槽に設けられた超音波振動子とを、有していること、を特徴とするレジスト除去装置。
【請求項２】
請求項１において、該超音波振動子は、搬送される該基板材に対峙すべく液中配設されており、超音波により、該基板材の外表面からレジストを剥離，除去すること、を特徴とするレジスト除去装置。
【請求項３】
請求項２において、該超音波振動子は、該基板材の搬送方向に沿い上下にそれぞれ配設され、該基板材の上面に超音波を伝達する上段の該超音波振動子と、下面に超音波を伝達する下段の該超音波振動子と、からなっており、
上段の該超音波振動子と下段の該超音波振動子とは、上下で対峙することなく、搬送方向に沿って交互に配設されていること、を特徴とするレジスト除去装置。
【請求項４】
請求項３において、更にスプレーノズルが、該浸漬槽内に液中配設されており、該スプレーノズルは、搬送される該基板材に対峙すべく、該基板材の搬送方向に沿い上下にそれぞれ配設されており、
もって該スプレーノズルは、該基板材の上面に該処理液を噴射する上段の該スプレーノズルと、下面に該処理液を噴射する下段の該スプレーノズルと、からなり、該処理液の液中噴射により、該基板材の外表面からレジストを剥離，除去すること、を特徴とするレジスト除去装置。
【請求項５】
請求項４において、上段の該スプレーノズルと下段の該スプレーノズルとは、上下で対峙することなく、搬送方向に沿って交互に配設されると共に、
上段の該超音波振動子および下段の該超音波振動子に対しても、上下で対峙することなく、搬送方向に沿って交互に配設されていること、を特徴とするレジスト除去装置。
【請求項６】
請求項１，２，３，４，又は５において、このように該超音波振動子を備えた該レジスト除去装置は、他のレジスト除去装置と併用されており、
該他のレジスト除去装置は、処理室内で該基板材を搬送するコンベアと、該処理室内に設けられたスプレーノズルとを、有しており、
該スプレーノズルは、搬送される該基板材に対峙すべく、該基板材の搬送方向に沿い上下にそれぞれ配設され、該処理液の噴射により、該基板材の外表面からレジストを剥離，除去すること、を特徴とするレジスト除去装置。
【請求項７】
請求項６において、このような該他のレジスト除去装置は、該超音波振動子を備えた該レジスト除去装置の前後のいずれか一方又は双方に設けられており、
該処理室内の雰囲気中で該基板材を搬送する該コンベアと、該雰囲気中に設けられ該処理液を空中噴射する該スプレーノズルとを、有していること、を特徴とするレジスト除去装置。
【請求項８】
請求項１，２，３，４又は５において、該レジスト除去装置は、電子回路基板のサブトラクティブ法やセミアディティブ法の製造工程中、現像工程や剥離工程で使用され、該処理液は、現像液や剥離液よりなること、を特徴とするレジスト除去装置。
【請求項９】
請求項５において、該超音波振動子を備えた該レジスト除去装置のコンベアは、該基板材を挟んで水平搬送する上下のローラー群よりなると共に、
該ローラー群は、該超音波振動子およびスプレーノズルが配設されたエリアには、配設されていないこと、を特徴とするレジスト除去装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト除去装置に関する。すなわち、電子回路基板の製造工程で使用され、基板材外表面からレジストを剥離，除去する、レジスト除去装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
《技術的背景》
電子回路基板は、小型軽量化，極薄化の進展がめざましく、形成される回路の微細化，高密度化も著しい。
そして、このような電子回路基板の製造方法、例えばサブトラクティブ法やセミアディティブ法の製造工程中では、基板材外表面からレジストの剥離，除去が行われる。
すなわち、基板材の外表面に塗布又は張り付けられた感光性のレジストについて、露光硬化部分以外の非硬化部分が現像工程により、露光硬化部分が剥離工程により、それぞれ剥離，除去される。
【０００３】
《従来技術》
図５は、この種従来例のレジスト除去装置の説明に供する。上述した現像工程では現像機が、剥離工程では剥離機が、それぞれレジスト除去装置１として使用される。そしてレジスト除去装置１では、処理室２内をコンベア３にて水平搬送される基板材Ａに対し、現像液や剥離液等の処理液Ｂが、スプレーノズル４から噴射される。
もって、基板材Ａの外表面から、非硬化部分のレジストＣ又は硬化部分のレジストＣ（後述する図６の（１）図，（２）図も参照）が、噴射された処理液Ｂの膨潤等により、剥離，除去されていた。
なお、図５の（１）図は、従来のレジスト除去装置１の代表例を示し、処理室２の雰囲気中Ｄで、上述したレジストＣの剥離，除去が行われる。これに対し図５の（２）図は、最近のレジスト除去装置１の一例を示し、基板材Ａの極薄化対策，噴射圧対策として、処理室２の浸漬槽５中つまり処理液Ｂの液中Ｅで、レジストＣの剥離，除去が行われる。
なお両例共に、処理液Ｂは事後、処理室２の貯槽６に流下，回収，貯留された後、ポンプ７，フィルター（図示せず），配管８，スプレー管９等を経由し、スプレーノズル４へと循環供給され再使用される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
このような従来技術のレジスト除去装置としては、例えば、次の特許文献１，２に示されたものが挙げられる。
【特許文献１】特開２００２−６８４３５号公報
【特許文献２】特開平１０−０７９５６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、このような従来技術については、次の課題が指摘されていた。
《第１の問題点》
第１に、従来のレジスト除去装置１については、レジストＣの剥離性に問題が指摘されていた。
すなわち、剥離，除去対象となるレジストＣ、つまり非硬化部分又は硬化部分のレジストＣが、噴射される現像液又は剥離液の処理液Ｂにて、すべて確実に剥離，除去されず、剥離残滓，除去残りが発生する、という問題があった。
剥離，除去対象の薄膜状をなしていたレジストＣについて、特に、隅のコーナー箇所や微細な狭小箇所のものが、剥れにくく，こびりついたままとなり易かった。レジストＣが、微細剥離片に割れることなく、取り除かれずに残留してしまう、という指摘があった。
このように、レジスト除去装置１の本来的機能であるレジスト剥離性に、問題が指摘されており、回路の微細化，高密度化が著しい現在の状況下において、特に、問題が顕著化していた。
【０００６】
《第２の問題点》
第２に、このような問題を解決すべく、従来のレジスト除去装置１について、ａ時間，ｂ圧力，ｃ温度等を、工夫することも試みられていた。しかしながら、スペース面やコスト面に問題が指摘されると共に、根本的な問題解決には程遠かった。
すなわち、まずａ．剥離，除去処理時間を、延長する試みが行われていた。しかしながら、この試みについては、レジスト除去装置１の全体長さが長大化し、使用台数が増加する等、スペース面や設置コスト面に大きな難点が存すると共に、剥離性向上にも限界が指摘されていた。
又ｂ．スプレーノズル４による処理液Ｂの噴射圧を、上げる試みも行われていた（例えば使用圧力を、従来の０．２ＭＰａ程度を０．５ＭＰａ程度へ）。しかしながら、この試みも、その為の設備コスト負担や動力コスト負担等が嵩むと共に、剥離性向上も確実ではなかった。
更にｃ．処理液Ｂの温度を上げることも、試みられていた（例えば使用温度を、従来の４０℃〜５０℃程度から６０℃〜７０℃程度へ）。しかしながらこの試みも、ヒーター容量や電力コスト負担等の大幅上昇を招くと共に、剥離性向上も確実ではなかった。
【０００７】
《本発明について》
本発明のレジスト除去装置は、このような実情に鑑み、上記従来技術の課題を解決すべくなされたものである。
そして本発明は、第１に、レジストの剥離性が、大きく向上すると共に、第２に、これが簡単容易に実現される、レジスト除去装置を提案することを、目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
《各請求項について》
このような課題を解決する本発明の技術的手段は、特許請求の範囲に記載したように、次のとおりである。
請求項１については、次のとおり。
請求項１のレジスト除去装置は、電子回路基板の製造工程で使用され、基板材について、その外表面からレジストを剥離，除去する。そして、処理液で満たされた浸漬槽と、該浸漬槽内で該基板材を液中搬送するコンベアと、該浸漬槽に設けられた超音波振動子とを、有していることを特徴とする。
請求項２については、次のとおり。
請求項２のレジスト除去装置では、請求項１において、該超音波振動子は、搬送される該基板材に対峙すべく液中配設されており、超音波により、該基板材の外表面からレジストを剥離，除去すること、を特徴とする。
請求項３については、次のとおり。
請求項３のレジスト除去装置では、請求項２において、該超音波振動子は、該基板材の搬送方向に沿い上下にそれぞれ配設され、該基板材の上面に超音波を伝達する上段の該超音波振動子と、下面に超音波を伝達する下段の該超音波振動子と、からなっている。
そして、上段の該超音波振動子と下段の該超音波振動子とは、上下で対峙することなく、搬送方向に沿って交互に配設されていること、を特徴とする。
【０００９】
請求項４については、次のとおり。
請求項４のレジスト除去装置では、請求項３において、更にスプレーノズルが、該浸漬槽内に液中配設されており、該スプレーノズルは、搬送される該基板材に対峙すべく、該基板材の搬送方向に沿い上下にそれぞれ配設されている。
もって該スプレーノズルは、該基板材の上面に該処理液を噴射する上段の該スプレーノズルと、下面に該処理液を噴射する下段の該スプレーノズルと、からなる。そして、該処理液の液中噴射により、該基板材の外表面からレジストを剥離，除去すること、を特徴とする。
請求項５については、次のとおり。
請求項５のレジスト除去装置では、請求項４において、上段の該スプレーノズルと下段の該スプレーノズルとは、上下で対峙することなく、搬送方向に沿って交互に配設されると共に、上段の該超音波振動子および下段の該超音波振動子に対しても、上下で対峙することなく、搬送方向に沿って交互に配設されていること、を特徴とする。
【００１０】
請求項６については、次のとおり。
請求項６のレジスト除去装置では、請求項１，２，３，４，又は５において、このように該超音波振動子を備えた該レジスト除去装置は、他のレジスト除去装置と併用される。
そして、該他のレジスト除去装置は、処理室内で該基板材を搬送するコンベアと、該処理室内に設けられたスプレーノズルとを、有している。該スプレーノズルは、搬送される該基板材に対峙すべく、該基板材の搬送方向に沿い上下にそれぞれ配設され、該処理液の噴射により、該基板材の外表面からレジストを剥離，除去すること、を特徴とする。
請求項７については、次のとおり。
請求項７のレジスト除去装置では、請求項６において、このような該他のレジスト除去装置は、該超音波振動子を備えた該レジスト除去装置の前後のいずれか一方又は双方に設けられている。
そして、該処理室内の雰囲気中で該基板材を搬送する該コンベアと、該雰囲気中に設けられ該処理液を空中噴射する該スプレーノズルとを、有していること、を特徴とする。
請求項８については、次のとおり。
請求項８のレジスト除去装置では、請求項１，２，３，４，又は５において、該レジスト除去装置は、電子回路基板のサブトラクティブ法やセミアディティブ法の製造工程中、現像工程や剥離工程で使用され、該処理液は、現像液や剥離液よりなること、を特徴とする。
請求項９については、次のとおり。
請求項９のレジスト除去装置では、請求項５において、該超音波振動子を備えた該レジスト除去装置のコンベアは、該基板材を挟んで水平搬送する上下のローラー群よりなる。そして該ローラー群は、該超音波振動子およびスプレーノズルが配設されたエリアには、配設されていないこと、を特徴とする。
【００１１】
《作用等について》
本発明は、このような手段よりなるので、次のようになる。
（１）電子回路基板の製造工程において、レジスト除去装置では、処理液で満たされた浸漬槽内を、基板材がコンベアにて液中搬送される。
（２）浸漬槽内には超音波振動子が、搬送される基板材に対峙して液中配設されており、超音波を照射，伝達する。
（３）伝達された超音波は、基板材外表面のレジストに対し、キャビテーション（発生する気泡の崩壊に伴う振動等のエネルギー）を、作用せしめる。
（４）これにより、所定の非硬化部分や硬化部分のレジストの剥離，除去が進行する。
（５）特に、浸漬槽内の処理液のレジストへの浸透が促進され、もってレジストの膨潤が促進されるので、処理液の化学作用も相俟って、レジストの剥離，除去が順調に進行する。
（６）すなわち、回路の微細化，高密度化が著しい基板材について、コーナー箇所，狭小箇所，割れ残り箇所，こびりつき箇所等のレジストが、残すことなくスムーズに剥離，除去される。
（７）そして、このようなレジストの剥離，除去は、レジスト除去装置の浸漬槽内で、処理液をスプレーノズルから基板材に噴射することにより、より確実かつ効果的に進行する。
（８）すなわち、処理液の噴射に基づき、処理液の浸透，レジストの膨潤，処理液の化学作用，処理液のスプレー圧等により、レジストの剥離，除去が進行するが、その際、浸透や膨潤が、キャビテーションにより一段と促進される。
（９）更に、このようなレジスト除去装置による剥離，除去は、他のレジスト除去装置との併用により、すなわち基板材への処理液のスプレーノズルからの噴射のみを行う他のレジスト除去装置と併用することにより、より一段と確実かつ効果的に進行するようになる。
レジスト除去装置の前後の一方又は双方に、他のレジスト除去装置を設けることにより、より確実であると共に効率的でコスト面にも優れた、レジストの剥離，除去が実現される。
（１０）さてそこで、本発明のレジスト除去装置は、次の効果を発揮する。
【発明の効果】
【００１２】
《第１の効果》
第１に、レジストの剥離性が、大きく向上する。このレジスト除去装置では、超音波振動子を液中配設し、もって基板材からレジストを剥離，除去する。
すなわち、超音波の伝達に基づき、キャビテーション（発生気泡の崩壊に伴う振動等のエネルギー）を、基板材に作用せしめ、もって処理液の浸透そしてレジストの膨潤が、特に促進される。
そこで、剥離，除去対象であるレジストが、すべて隅々まで剥離，除去されるようになり、隅のコーナー箇所や微細な狭小箇所のレジストも、取り除かれずにこびりついたままとなることなく、確実に剥離，除去される。
前述したこの種従来技術のレジスト除去装置のように、レジストが割れ残ることなく残留してしまうことは、確実に回避され、剥離残滓，除去残りの発生は防止される。
このように、レジスト除去装置の本来的機能であるレジスト剥離性が、大きく向上するが、このような効果は、回路の微細化，高密度化が進む現状において、特に顕著に評価される。
【００１３】
《第２の効果》
第２に、しかもこれは、簡単容易に実現される。すなわち、このレジスト除去装置は、超音波振動子を液中配設する簡単な構成により、上述したレジスト剥離性の向上を、容易に実現する。
前述した従来技術のレジスト除去装置のように、ａ時間，ｂ圧力，ｃ温度等を工夫することにより、スペース面やコスト面に問題を生じることもない。すなわち、レジスト除去装置が長大化することもなく、設備負担，動力負担，ヒーター容量，電力負担等が、大幅に嵩むこともなく、実現可能である。
本発明のレジスト除去装置は、超音波振動子を追加的に導入したことにより、レジスト剥離性の向上が確実に実現されると共に、これを簡単容易に、スペース面やコスト面に優れて実現する。
このように、この種従来技術に存した課題がすべて解決される等、本発明の発揮する効果は、顕著にして大なるものがある。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明に係るレジスト除去装置について、発明を実施するための形態の説明に供し、側面説明図である。
【図２】同発明を実施するための形態の説明に供し、要部の側面説明図である。
【図３】同発明を実施するための形態の説明に供し、要部の斜視説明図である（なお、コンベアの図示は省略）。
【図４】同発明を実施するための形態の説明に供し、（１）図は、要部の正面断面図、（２）図は、他の要部の正面断面図である。
【図５】従来技術に係るレジスト除去装置の説明に供し、（１）図は、その一例の側面説明図、（２）図は、他の例の側面説明図である。
【図６】（１）図は、サブトラクティブ法の現像工程や剥離工程の説明に供し、模式図である。（２）図は、セミアディティブ法の現像工程や剥離工程の説明に供し、模式図である。（３）図は、電子回路基板の一例の説明に供し、要部の拡大平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明を実施するための形態について、詳細に説明する。
《電子回路基板Ｆの製造工程について》
本発明のレジスト除去装置１０は、電子回路基板Ｆの製造工程で使用される。そこでまず、前提となる電子回路基板Ｆの製造工程について、図６を参照して一般的に説明しておく。
プリント配線基板等の電子回路基板Ｆは、小型軽量化，極薄化，フレキシブル化、そして形成される回路Ｇの微細化，高密度化，多層化、等の進展が著しい。例えば、縦横５００ｍｍ程度，板厚２５μｍ〜１００μｍ程度よりなると共に、回路幅１５μｍ〜４０μｍ程度，回路間スペース１５μｍ〜４０μｍ程度，回路高さ２５μｍ〜３５μｍ程度、更にはこれら以下の数値にまで、極薄化，微細化が進展している（図６の（３）図を参照）。
そして、このような電子回路基板Ｆの製造工程では、基板材Ａの表裏外表面に塗布又は張り付けられた感光性のレジストＣ（液状硬化フォトレジスト又はドライフィルムレジスト）について、露光硬化部分以外の非硬化部分が現像工程により、露光硬化部分が剥離工程により、それぞれ剥離，除去される。
【００１６】
このような電子回路基板Ｆの製造工程としては、例えば、サブトラクティブ法（ウェットプロセス法）やセミアディティブ法が、代表的である。
サブトラクティブ法では（図６の（１）図を参照）、絶縁基材Ｈに銅箔Ｊが張り付けられた銅張り積層板よりなる基板材Ａの外表面に、感光性のレジストＣが、膜状に塗布又は張り付けられる。→それから、回路フィルムを当てて露光した後、→露光硬化部分以外の非硬化部分のレジストＣを、現像により除去し、露出した銅箔Ｊをエッチングにより除去する。そして、露光硬化部分のレジストＣを、剥離により除去することにより、→残った銅箔Ｊにて、回路Ｇが形成される。
セミアディティブ法では、絶縁基材Ｈよりなる基板材Ａの外表面に、無電解銅メッキＫが施される。→そして、感光性のレジストＣが、膜状に塗布又は張り付けられる。→それから、回路フィルムを当てて露光した後、→露光硬化部分以外の非硬化部分のレジストＣを、現像により除去し、→露出した無電解銅メッキＫ部分に対し、電解銅メッキが施されて、回路Ｇが形成される。残った露光硬化部分のレジストＣは、剥離により除去され、露出した無電解銅メッキＫ部分は、クイックエッチングにより除去される。
そして、上述した現像工程の現像機では、例えば炭酸ナトリウム等の現像液が、処理液Ｂとして用いられ、剥離工程の剥離機では、例えば苛性ソーダ等の剥離液が、処理液Ｂとして用いられる。
電子回路基板Ｆの製造工程については、以上のとおり。
【００１７】
《本発明の概要》
以下、本発明のレジスト除去装置１０について、図１〜図４を参照して説明する。まず、本発明の概要について述べる。
このレジスト除去装置１０は、上述した電子回路基板Ｆの製造工程で使用される。製造工程中の現像工程の現像機や、剥離工程の剥離機として、使用される。
そして、基板材Ａについて、その外表面から所定のレジストＣを、剥離，除去する。もって、処理液Ｂで満たされた浸漬槽１１と、基板材Ａを浸漬槽１１内で液中Ｅ搬送するコンベア１２と、浸漬槽１１に設けられた超音波振動子１３とを、有している。
超音波振動子１３は、代表的には、搬送される基板材Ａに対峙すべく液中Ｅ配設されており、超音波により、基板材Ａの外表面からレジストＣを剥離，除去する。
本発明の概要については、以上のとおり。以下、このようなレジスト除去装置１について、詳述する。
【００１８】
《超音波振動子１３について》
まず、このレジスト除去装置１で採用される超音波振動子１３について、説明する。
超音波振動子１３は、図２中に示したように、超音波発振器１３’に接続されている。そして、浸漬槽１１等の処理室１４外に設置された超音波発振器１３’にて超音波が発振され、励振コイルが駆動されて電気振動することにより、浸漬槽１１内に設けられた超音波振動子１３が、超音波を照射する。
この超音波は、周波数が３０ｋＨｚ〜１２０ｋＨｚ程度よりなり、この値未満では効果が低下すると共に、この値を越えると、基板材Ａを損傷する虞が発生する。出力は、６００Ｗ〜１，２００Ｗ程度の可変式よりなる。
そして、伝達された超音波は、処理液Ｂの液中Ｅにおいて、照射，伝達対象である基板材Ａ、そしてレジストＣの被膜，剥離残滓，除去残り等に対し、公知のキャビテーションｃａｖｉｔａｔｉｏｎを作用せしめる。
すなわち、超音波をレジストＣに伝達することにより、→無数の微細気泡が発生して、成長すると共に崩壊，破裂し、→このような崩壊，破裂に伴い、その内部エネルギーが外部に伝達され、→もって、振動等の衝撃エネルギーとして、レジストＣに作用し、→レジストＣに破砕力を加える。
【００１９】
そして、このようなキャビテーションの作用により、所定のレジストＣの基板材Ａからの剥離，除去が進行する。基板材Ａの表裏外表面に塗布又は張り付けられていたレジストＣ、つまり所定の非硬化部分や硬化部分のレジストＣについて、その剥離，除去が、キャビテーションの作用に基づき進行する。
特に、処理液ＢのレジストＣへの浸透が促進され、もって処理液ＢによるレジストＣの膨潤ｓｗｅｌｌｉｎｇが促進されることにより、処理液Ｂの化学作用も相俟って、レジストＣの剥離，除去が進行する。すなわち、超音波によるキャビテーションの物理作用と、処理液Ｂによる膨潤や化学作用との相乗効果により、剥離，除去が確実かつ効果的に進行する。
なお、膨潤によるレジストＣの剥離，除去は、知られている。すなわち、レジストＣが、処理液Ｂを吸収した結果、体積が増大し軟化することに基づき、剥離，除去されることは、公知事実である。
超音波振動子１３については、以上のとおり。
【００２０】
《レジスト除去装置１０の構成について》
レジスト除去装置１０は、このような超音波振動子１３を、図１〜図４に示したように、処理室１４の浸漬槽１１内の液中Ｅに設けてなり、浸漬槽１１は、処理液Ｂで満たされると共に、基板材Ａがコンベア１２にて水平搬送される。
このようなレジスト除去装置１０の構成について、更に詳述する。まず超音波振動子１３は、基板材Ａの搬送方向Ｌに沿い、上下にそれぞれ複数配設されている。すなわち、搬送される基板材Ａの上面に対峙して超音波を伝達する上段の超音波振動子１３と、下面に対峙して超音波を伝達する下段の超音波振動子１３と、からなっている（図１，図２，図３を参照）。
上段の超音波振動子１３と下段の超音波振動子１３とは、上下で対峙することなく、搬送方向Ｌに沿って交互に配設されている。配設台数は、図示例では上下それぞれ２台となっているが、上下それぞれ１台〜１０台の範囲で、適宜選択配設される。超音波振動子１３の寸法は、縦（搬送方向Ｌ）・横（左右方向Ｍ）・高さ（上下方向）が、例えば、５０ｍｍ・６００ｍｍ・８０ｍｍ程度よりなる。
【００２１】
浸漬槽１１は、レジスト除去装置１０の処理室１４の上部に、設けられている（図１を参照）。浸漬槽１１内の処理液Ｂは、基板材Ａの処理後、オーバーフローして、処理室１４の下部の貯槽１５に流下，回収されて、一旦貯留される。
そして事後、ポンプ１６，フィルター（図示せず），配管１７等を介し、浸漬槽１１へと循環供給されて、再使用される。図示例では、後述するように浸漬槽１１内にスプレーノズル１８が配設されているので、処理液Ｂは、貯槽１５からスプレーノズル１８へと循環供給，再使用される。
コンベア１２は、浸漬槽１１の処理液Ｂ内に配設されている。そして浸漬槽１１内で、基板材Ａを前後の搬送方向Ｌに、液中Ｅを水平搬送する。このようなコンベア１２は、基板材Ａを挟んで搬送する上下のローラー群１９よりなり、多数のストレートローラー又はホイールローラー（図４を参照）が、使用される。
なお、このコンベア１２のローラー群１９は、超音波振動子１３やスプレーノズル１８が配設されたエリアには、配設されていない（図１，図２を参照）。
レジスト除去装置１０の構成については、以上のとおり。
【００２２】
《スプレーノズル１８について》
さて、図示のレジスト除去装置１０では、図１〜図４に示したように、更にスプレーノズル１８が、浸漬槽１１内の液中Ｅ中に配設されている。
このスプレーノズル１８は、搬送される基板材Ａに対峙すべく、基板材Ａの搬送方向Ｌに沿い、上下にそれぞれ複数配設されている。このように、超音波振動子１３と共に、スプレーノズル１８を使用することにより、レジストＣの剥離，除去の確実化が図られている。
このようなスプレーノズル１８について、更に詳述する。スプレーノズル１８は、基板材Ａの上面に処理液Ｂを噴射する上段のスプレーノズル１８と、下面に処理液Ｂを噴射する下段のスプレーノズル１８と、からなっており（図１，図２，図３を参照）、処理液Ｂの液中噴射により、基板材Ａの外表面からレジストＣを剥離，除去する。
すなわち、搬送される基板材Ａの表裏外表面に噴射された処理液Ｂは、基板材Ａに塗布又は張り付けられていた所定のレジストＣ、つまり非硬化部分や硬化部分のレジストＣに、浸透する。そして、膨潤，化学作用，スプレー圧等により、所定のレジストＣを剥離，除去する。
【００２３】
又、上段のスプレーノズル１８と下段のスプレーノズル１８とは、上下で対峙することなく、搬送方向Ｌに沿って交互に配設されると共に、前述した上段の超音波振動子１３および下段の超音波振動子１３に対しても、上下で対峙することなく、搬送方向Ｌに沿って交互に配設されている（図１，図２，図３を参照）。
すなわち配設順序として、図示例では、下段のスプレーノズル１８，下段の超音波振動子１３，上段のスプレーノズル１８，上段の超音波振動子１３の順に配設されると共に、このような互い違い配設が繰り返されている。勿論、図示例とは逆に、上段のスプレーノズル１８，上段の超音波振動子１３，下段のスプレーノズル１８，下段の超音波振動子１３の順に配設し、このような互い違い配設を繰り返すようにしてもよい。
いずれにしても、上段および下段においては、それぞれ、先にスプレーノズル１８、後に超音波振動子１３の順となっている。
なおスプレーノズル１８は、処理液Ｂの配管１７から分岐されたスプレー管２０に複数列設されており、前後の搬送方向Ｌと左右方向Ｍとについて、それぞれ、複数列設されている（図３，図４の（１）図を参照）。
レジスト除去装置１０のスプレーノズル１８については、以上のとおり。
【００２４】
《他のレジスト除去装置２１の併用について》
次に、図１を参照して、他のレジスト除去装置２１の併用について、説明する。上述したように超音波振動子１３を備えたレジスト除去装置１０は、図１に示した例では、他のレジスト除去装置２１と併用されている。そして、他のレジスト除去装置２１は、処理室２内で基板材Ａを搬送するコンベア３と、処理室２内に設けられたスプレーノズル４とを、有している。
このスプレーノズル４は、搬送される基板材Ａに対峙すべく、基板材Ａの搬送方向Ｌに沿い上下にそれぞれ配設されており、処理液Ａの噴射により、基板材Ａの外表面からレジストＣを剥離，除去する。
【００２５】
このような他のレジスト除去装置２１との併用，組み合わせについて、更に詳述する。まず、他のレジスト除去装置２１の構成については、前述した従来技術のレジスト除去装置１（図５を参照）の構成に準じるので、同符号を付してその説明は省略する。
すなわち、他のレジスト除去装置２１は、レジスト除去装置１０のように、超音波振動子１３は設けられておらず、前後の搬送方向Ｌおよび左右方向Ｍにそれぞれ列設されたスプレーノズル４からの処理液Ｂの噴射のみにて、レジストＣの剥離，除去を実施する。つまり、他のレジスト除去装置２１では、膨潤，化学作用，スプレー圧等のみによって、レジストＣの剥離，除去が行われるようになっている。
そして、このような他のレジスト除去装置２１は、超音波振動子１３を備えたレジスト除去装置１０の前後のいずれか一方、又は図示のように双方に設けられる。
又、図示した他のレジスト除去装置２１では、処理室２内の雰囲気中Ｄで基板材Ａを搬送するコンベア３と、雰囲気中Ｄに設けれ処理液Ｂを空中噴射するスプレーノズル４とを、備えている（前述した図５の（１）図の従来技術のレジスト除去装置１に、準じた構成よりなる）。
【００２６】
超音波振動子１３を備えたレジスト除去装置１０は、このように、他のレジスト除去装置２１と併用することにより、レジストＣの剥離，除去の一段の確実化が、図られるようになる。
まず、レジスト除去装置１０の前段階に、他のレジスト除去装置２１を設けたことにより、膜状をなしていた剥離，除去対象のレジストＣが、基板材Ａから、大まかに剥離，除去される。すなわち、レジストＣについて、まず細部を残し、全体的に粗い剥離，除去が実施される。スプレーノズル４のみを使用する他のレジスト除去装置２１は、このような剥離，除去にコスト的にも適している。
次に、それからレジスト除去装置１０により、細部に特化した剥離，除去が実施される。コーナー箇所，狭小箇所，割れ残り箇所，こびりつき箇所等のレジストＣについて、特化した隔離，除去が実施される。
【００２７】
それから、レジスト除去装置１０の後段階に、更に、他のレジスト除去装置２１を設けることにより、それでも剥離残り，除去残りとなっていたレジストＣが、基板材Ａから残す所なく徹底的に剥離，除去される。
すなわち、この後段階の他のレジスト除去装置２１では、その前段階のレジスト除去装置１０にて、コーナー箇所，狭小箇所，割れ残り箇所，こびりつき箇所等について、ほぼ剥離，除去が進行したものの、それでも残留していた微細なレジストＣを対象に、レジスト除去装置１０とは異なった手段により、これらを剥離，除去する。スプレーノズル４のみを使用する他のレジスト除去装置２１は、このような剥離，除去にコスト的にも適している。
なお、このような後段階の他のレジスト除去装置２１では、上述した機能に鑑み、噴射される処理液Ｂの粒子径が、前段階の他のレジスト除去装置２１やレジスト除去装置１０のものより、小さくなるスプレーノズル４が使用される。すなわち、平均粒子径が１０μｍ〜１５０μｍ程度、代表的には２０μｍ〜３０μｍ程度となるスプレーノズル４が、使用される。例えば、処理液Ｂとエアーとを混合して噴射する２流体ノズルが、使用される。
他のレジスト除去装置２１の併用については、以上のとおり。
【００２８】
《作用等》
本発明のレジスト除去装置１０は、以上説明したように構成されている。そこで、その作用等は以下のようになる。
（１）電子回路基板Ｆの製造工程において、現像機や剥離機等のレジスト除去装置１０では、その処理室１４の浸漬槽１１内を、基板材Ａが液中Ｅ搬送される（図１，図２を参照）。すなわち基板材Ａは、現像液や剥離液等の処理液Ｂで満たされた浸漬槽１１内を、コンベア１２にて水平搬送される。
【００２９】
（２）そして浸漬槽１１内には、超音波振動子１３が、搬送される基板材Ａに対峙すべく、液中Ｅに配設されている（図１〜図４を参照）。そして超音波振動子１３は、基板材Ａに対し、超音波を照射，伝達する。
【００３０】
（３）伝達された超音波は、基板材Ａの表裏外表面のレジストＣに対し、キャビテーションを作用させる。すなわち、発生する気泡の崩壊に伴い、振動等の衝撃エネルギーをレジストＣに作用させ、レジストＣに破砕力を加える。
【００３１】
（４）これにより、レジストＣの基板材Ａからの剥離，除去が進行する。すなわち、基板材Ａの外表面について、所定の非硬化部分や硬化部分のレジストＣの剥離，除去が、キャビテーションに基づき進行する。
【００３２】
（５）特に、浸漬槽１１内の現像液や剥離液よりなる処理液Ｂについて、レジストＣへの浸透が促進される。破砕力が加えられたレジストＣは、処理液Ｂが浸透しやすくなる。
もって、処理液ＢによるレジストＣの膨潤が促進され、処理液Ｂの化学作用も相俟って、レジストＣの基板材Ａからの剥離，除去が順調に進行する。
【００３３】
（６）すなわち、形成される回路Ｇの微細化，高密度化が著しい基板材Ａについて、コーナー箇所，狭小箇所，割れ残り箇所，こびりつき箇所等のレジストＣが、残すことなくスムーズに剥離，除去されるようになる。
【００３４】
（７）そして、このようなレジストＣの剥離，除去は、レジスト除去装置１０の浸漬槽１１内で、処理液Ｂをスプレーノズル１８から基板材Ａに噴射することにより、確実かつ効果的に進行するようになる（図１〜図４を参照）。
【００３５】
（８）すなわち、スプレーノズル１８から処理液Ｂが噴射されることにより、レジストＣは、処理液Ｂの浸透により膨潤が進行し、処理液Ｂの化学作用やスプレー圧も相俟って、基板材Ａからの剥離，除去が進行する。
そしてその際、このような処理液Ｂの浸透そして膨潤が、超音波によるキャビテーション，気泡崩壊，衝撃エネルギー，破壊力により、一段と促進されるようになる。
【００３６】
（９）そして更に、このようなレジスト除去装置１０を、他のレジスト除去装置２１と併用すると、レジストＣの剥離，除去が、より一段と確実かつ効果的に、進行するようにになる（図１を参照）。
すなわち、スプレーノズル４による処理液Ｂ噴射のみに基づきレジストＣ剥離，除去を行う他のレジスト除去装置２１を、レジスト除去装置１０の前後の一方又は双方に設けることにより、つまりそれぞれの装置の特長を生かした役割分担により、より効率的でコスト面にも優れたレジストＣの剥離，除去が実現される。
例えば、まず前段階の他のレジスト除去装置２１により、膜状をなしているレジストＣについて、大まかな剥離，除去を行う。→次に、レジスト除去装置１０により、細部に残留したレジストＣを対象として、特化した剥離，除去を行う。→それから、後段階の他のレジスト除去装置２１により、それでも残ったレジストＣを対象として、微細な剥離，除去を行うようにすることが、考えられる。
本発明の作用等については、以上のとおり。
【符号の説明】
【００３７】
１  レジスト除去装置１（従来例）
２  処理室
３  コンベア
４  スプレーノズル
５  浸漬槽
６  貯槽
７  ポンプ
８  配管
９  スプレー管
１０  レジスト除去装置（本発明）
１１  浸漬槽
１２  コンベア
１３  超音波振動子
１３’超音波発信器
１４  処理室
１５  貯槽
１６  ポンプ
１７  配管
１８  スプレーノズル
１９  ローラー群
２０  スプレー管
２１  他のレジスト除去装置
Ａ  基板材
Ｂ  処理液
Ｃ  レジスト
Ｄ  雰囲気中
Ｅ  液中
Ｆ  電子回路基板
Ｇ  回路
Ｈ  絶縁基材
Ｊ  銅箔
Ｋ  無電解銅メッキ
Ｌ  搬送方向
Ｍ  左右方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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