(57)【要約】【課題】ウエハの表面に形成される膜に凹凸が生じることを抑制できる技術を提供する。【解決手段】成膜装置１０は、チャンバ１５と、チャンバ１５内に設置されており、シリコンウエハ５０が載置される載置部１７ａを備えるサセプタ１６と、載置部１７ａに載置されるシリコンウエハ５０を加熱するヒータ２２と、加熱されることによって反応してシリコンの固体を生成する原料混合ガスをチャンバ内に導入する原料ガス供給装置２５とを有している。載置部１７ａの表面には、シリコンの固体による固体膜１００が形成されている。固体膜１００の表面の表面粗さは、固体膜１００を形成する前の載置部１７ａの表面の表面粗さよりも大きい。【選択図】図１
2014033162.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハの表面に膜を成長させる成膜装置であって、
チャンバと、
チャンバ内に設置されており、ウエハが載置される載置部を備えるサセプタと、
載置部に載置されるウエハを加熱するヒータと、
加熱されることによって反応して特定の固体を生成する原料ガスをチャンバ内に導入する原料ガス導入手段と、
を有しており、
載置部の表面には、特定の固体による固体膜が形成されており、
固体膜の表面の表面粗さは、固体膜を形成する前の載置部の表面の表面粗さよりも大きい、
成膜装置。
【請求項２】
特定の固体をエッチングするエッチングガスをチャンバ内に導入するエッチングガス導入手段をさらに有していることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
チャンバ内に設置されているサセプタの載置部に載置されたウエハの表面に膜を成長させる成膜方法であって、
載置部にウエハが載置されていない状態で載置部を加熱するとともに、加熱されることによって反応して特定の固体を生成する原料ガスをチャンバ内に導入する工程と、
原料ガスをチャンバ内に導入する工程の後に、特定の固体をエッチングするエッチングガスをチャンバ内に導入する工程と、
エッチングガスをチャンバ内に導入する工程の後に、ウエハを載置部に載置する工程と、
載置部にウエハが載置された状態で載置部を加熱するとともに、原料ガスをチャンバ内に導入する工程と、
を備える成膜方法。
【請求項４】
載置部からウエハを取り出す工程と、
ウエハが取り出された後のチャンバ内にエッチングガスを導入する工程と、
をさらに備える請求項３に記載の成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書で開示する技術は、ウエハの表面に膜を成長させる成膜技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、チャンバと、チャンバ内に設置されているサセプタと、サセプタの載置部上に載置されるウエハを加熱するヒータと、チャンバ内に原料ガスを導入する原料ガス導入手段とを備える成膜装置が開示されている。原料ガスは、加熱されることによって反応して固体を生成する。特許文献１の技術では、サセプタを回転させながら、載置部に載置されたウエハの表面に膜を成長させることにより、膜厚の均一化を図っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平７−１１１２４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
サセプタの回転により、載置部に載置されたウエハが位置ずれを生じる虞がある。
【０００５】
本明細書では、成膜中におけるウエハの位置ずれを抑制する技術を開示する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本明細書で開示する成膜装置は、ウエハの表面に膜を成長させる成膜装置である。成膜装置は、チャンバと、チャンバ内に設置されており、ウエハが載置される載置部を備えるサセプタと、載置部に載置されるウエハを加熱するヒータと、加熱されることによって反応して特定の固体を生成する原料ガスをチャンバ内に導入する原料ガス導入手段とを有している。載置部の表面には、特定の固体による固体膜が形成されている。固体膜の表面の表面粗さは、固体膜を形成する前の載置部の表面の表面粗さよりも大きい。
【０００７】
上記の成膜装置では、固体膜の表面粗さが、固体膜が形成されていない載置部の表面粗さと同等の場合と比べて、載置部に載置されるウエハと載置部との間に大きい摩擦力が働く。そのため、成膜時にサセプタを回転させる場合であっても、載置部に載置されたウエハに位置ずれが生じることを抑制することができる。
【０００８】
本明細書では、チャンバ内に設置されているサセプタの載置部に載置されたウエハの表面に膜を成長させる新規な成膜方法も開示する。本明細書で開示する成膜方法は、載置部にウエハが載置されていない状態で載置部を加熱するとともに、加熱されることによって反応して特定の固体を生成する原料ガスをチャンバ内に導入する工程と、原料ガスをチャンバ内に導入する工程の後に、特定の固体をエッチングするエッチングガスをチャンバ内に導入する工程と、エッチングガスをチャンバ内に導入する工程の後に、ウエハを載置部に載置する工程と、載置部にウエハが載置された状態で載置部を加熱するとともに、原料ガスをチャンバ内に導入する工程とを備える。
【０００９】
上記の成膜方法では、載置部にウエハが載置されていない状態で載置部を加熱しつつ、チャンバ内に原料ガスを導入することにより、載置部の表面に特定の固体による固体膜を形成する。次いで、チャンバ内にエッチングガスを導入することにより、固体膜の表面がエッチングされ、固体膜の表面に凹凸が形成される。これにより、固体膜の表面の表面粗さは、固体膜を形成する前の載置部の表面の表面粗さよりも大きくなる。固体膜の表面の凹凸によって、載置部に載置されるウエハと載置部との間に大きい摩擦力を作用させることができる。そのため、成膜時にサセプタを回転させる場合であっても、ウエハの位置ずれを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施例の成膜装置の概略断面図。
【図２】成膜処理実行時におけるサセプタの部分断面図（１）。
【図３】成膜処理実行時におけるサセプタの部分断面図（２）。
【図４】成膜処理実行時におけるサセプタの部分断面図（３）。
【図５】成膜処理実行時におけるサセプタの部分断面図（４）。
【図６】成膜処理実行時におけるサセプタの部分断面図（５）。
【図７】成膜処理実行時におけるサセプタの部分断面図（６）。
【図８】成膜処理実行時におけるサセプタの部分断面図（７）。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に説明する実施例の主要な特徴を列記しておく。なお、以下に記載する技術要素は、それぞれ独立した技術要素であって、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。
【００１２】
（特徴１）成膜装置は、特定の固体をエッチングするエッチングガスをチャンバ内に導入するエッチングガス導入手段をさらに有していてもよい。
【００１３】
（特徴２）成膜方法は、さらに、載置部からウエハを取り出す工程と、ウエハが取り出された後のチャンバ内にエッチングガスを導入する工程とを備えてもよい。
【００１４】
ウエハ表面への成膜中に、ウエハと載置部との間の隙間に入り込んだ原料ガスによって、載置部の表面の固体膜上にさらに特定の固体が生成される場合がある。上記の特徴１、２によると、成膜が終了したウエハを取り出した後の載置部の表面を再びエッチングして、載置部の表面の固体膜の表面に再び凹凸を形成することができる。即ち、固体膜の表面の表面粗さを大きくすることができる。連続して複数のウエハの表面に膜を形成する場合であっても、載置部とウエハとの間の摩擦力が低減することを抑制することができる。
【実施例】
【００１５】
実施例に係る成膜装置について説明する。図１に示す成膜装置１０は、シリコンウエハ５０の表面にシリコンのエピタキシャル層（即ちシリコン膜）を成長させる。成膜装置１０は、第１筐体１２と、第１筐体１２内に設置された第２筐体１４を備えている。第２筐体１４の内部空間によって、チャンバ１５が形成されている。チャンバ１５の内面は、高純度石英またはＳｉＣにより覆われている。チャンバ１５内には、サセプタ１６が設置されている。
【００１６】
サセプタ１６は、筒状の部材であり、直径が大きいホルダ部１７と、直径が小さい軸部１８を備えている。筐体１２の底部には、軸受部２０が形成されている。サセプタ１６の軸部１８は軸受部２０に挿入されている。これによって、サセプタ１６は、図１の矢印６０に示すように回転可能に軸受部２０に取り付けられている。サセプタ１６は、図示しない駆動装置によって回転させることができる。
【００１７】
ホルダ部１７は、チャンバ１５内に位置している。ホルダ部１７の上面には、シリコンウエハ５０を載置する載置部１７ａが形成されている。載置部１７ａの中央には開口１７ｂが形成されている。シリコンウエハ５０は、開口１７ｂを塞ぐように載置部１７ａ上に載置される。図５に示すように、本実施例では、載置部１７ａの表面に固体膜１００を形成し、その固体膜１００上にシリコンウエハ５０を載置する。固体膜１００の表面には凹凸１０２が形成されており、固体膜１００の表面の表面粗さは、固体膜１００が形成される前の載置部１７ａ（図２参照）の表面の表面粗さより大きい。表面粗さは、例えば、算出平均粗さ（Ｒａ）等によって表すことができる。固体膜１００及び凹凸１０２の形成方法については、後で説明する。
【００１８】
ホルダ部１７の内部には、遮蔽板載置部１９ａと、遮蔽板１９ｂと、ヒータ２２が備えられている。遮蔽板載置部１９ａは、ホルダ部１７の内周面に形成されている。遮蔽板１９ｂは、遮蔽板載置部１９ａ上に載置される。図１に示すように、遮蔽板載置部１９ａ上に遮蔽板１９ｂが載置されることにより、ヒータ２２の熱が、載置部１７ａ及び載置部１７ａ上のシリコンウエハ５０に直接当たることを防ぐことができる。遮蔽板１９ｂの径は、載置部１７ａの中央の開口１７ｂの径より小さい。そのため、図示しない昇降機構によって遮蔽板１９ｂを遮蔽板載置部１９ａから上昇させることにより、載置部１７ａに載置されたシリコンウエハ５０を、遮蔽板１９ｂによって下側から押し上げ、載置部１７ａから持ち上げることができる。
【００１９】
ヒータ２２は、抵抗加熱型のヒータである。ヒータ２２は、遮蔽板載置部１９ａ及び遮蔽板１９ｂの直下に設置されている。したがって、ヒータ２２によって、遮蔽板載置部１９ａ及び遮蔽板１９ｂを加熱し、加熱された遮蔽板載置部１９ａ及び遮蔽板１９ｂが発する輻射熱により、載置部１７ａと、載置部１７ａ上に載置されたシリコンウエハ５０を均一に加熱することができる。
【００２０】
チャンバ１５の上部には、ガス供給路２４ａ、２４ｂが接続されている。ガス供給路２４ａ、２４ｂは筐体１２の外部に引き出されており、その上流端は原料ガス供給装置２５とエッチングガス供給装置３０とに接続されている。
【００２１】
原料ガス供給装置２５は、Ｈ２ガス（水素ガス）とＳｉＨＣｌ３ガス（トリクロロシランガス）とＰＨ３ガス（リン化水素ガス）との混合ガス（以下では、この混合ガスを、原料混合ガスという）をガス供給路２４ａ、２４ｂ内に供給する。Ｈ２ガスとＳｉＨＣｌ３ガスは、互いに反応してシリコンウエハ５０の表面にシリコンのエピタキシャル層を成長させるガスである。ＰＨ３ガスは、エピタキシャル層中にリンをドーピングして、エピタキシャル層をＮ型化するためのドーパントガスである。チャンバ１５の上部には、ガス供給路２４ａ、２４ｂとチャンバ１５を分離するように、シャワープレート２６が設置されている。シャワープレート２６は、表裏を連通する多数の連通孔を備えている。したがって、原料ガス供給装置２５から供給される原料混合ガスは、図１の矢印７０に示すように、ガス供給路２４ａ、２４ｂとシャワープレート２６を通過してチャンバ１５内に供給される。
【００２２】
エッチングガス供給装置３０は、チャンバ１５内にＨＣｌガスを供給する。ＨＣｌガスは、シリコンウエハ５０の表面に形成されたＳｉ膜や、チャンバ１５に内周面等に形成されたＳｉ膜をエッチングするためのガスである。エッチングガス供給装置３０から供給されるＨＣｌガスは、上記原料ガスと同様に、ガス供給路２４ａ、２４ｂとシャワープレート２６を通過してチャンバ１５内に供給される（図１の矢印７０参照）。
【００２３】
チャンバ１５の底面１５ａには、排気路２８ａ、２８ｂが接続されている。排気路２８ａ、２８ｂの下流端は、排気ポンプ２９に接続されている。排気ポンプ２９は、排気路２８ａ、２８ｂ内のガスを排出する。排気ポンプ２９を作動させることによって、チャンバ１５内を減圧することができる。
【００２４】
第２筐体１４の外周壁１４ａ（すなわち、チャンバ１５の外周壁）と第１筐体１２の外周壁１２ａとの間には、水冷管３２が配設されている。水冷管３２内には、冷水を流通させることができる。水冷管３２によって、第２筐体１４の外周壁１４ａを冷却することができる。これによって、チャンバ１５内のガスが外周壁１４ａの表面で反応することが防止される。
【００２５】
次に、図２〜図８を参照して、成膜装置１０によって、シリコンウエハ５０の表面にエピタキシャル層を成長させる処理（成膜処理）について説明する。
【００２６】
図２は、成膜処理を実行する前のサセプタ１６の載置部１７ａ部分を示す。図２に示すように、この時点では、載置部１７ａ上には後述の固体膜１００（図３参照）は形成されていない。
【００２７】
成膜処理を実行する場合、まず、サセプタ１６の載置部１７ａ上にシリコンウエハ５０を載置せずに、以下の各処理を実行する。即ち、排気ポンプ２９を作動させて、チャンバ１５内の圧力を７６０Ｔｏｒｒ以下に保持する。水冷管３２内に冷水を流通させて、第２筐体１４の外周壁１４ａを冷却する。サセプタ１６を、約１０００ｒｐｍの回転速度で回転させる。ヒータ２２を作動させて、載置部１７ａを加熱する（例えば、約１１００℃）。原料ガス供給装置２５を作動させて、チャンバ１５内に原料混合ガスを供給する。
【００２８】
チャンバ１５に供給された原料混合ガスは、図１の矢印７０、７２、７４に示すように流れ、排気路２８ａ、２８ｂからチャンバ１５外に排出される。ただし、一部の原料混合ガスは、矢印７６に示すように、チャンバ１５内を対流する。
【００２９】
上記の通り、載置部１７ａはヒータ２２によって加熱されている。そのため、載置部１７ａの表面付近に供給される原料混合ガスは、載置部１７ａによって加熱される。これによって、原料混合ガスが載置部１７ａの近傍で反応を起こす。より詳細には、ＳｉＨＣｌ３ガスとＨ２ガスとが、以下の反応式に示す成膜反応を起こす。
ＳｉＨＣｌ３＋Ｈ２→Ｓｉ＋３ＨＣｌ
上記反応式に示す成膜反応により生成されるＳｉ（シリコン）が、載置部１７ａの表面に固着するシリコンとなる。即ち、上記の反応式に示す成膜反応によって、図３に示すように、載置部１７ａの表面に固体膜（単結晶シリコン膜）１００が成長する。また、載置部１７ａの表面に固体膜（Ｓｉ膜）１００が成長する際には、ＰＨ３ガスが含有するリン原子が成長する固体膜１００中に取り込まれる。このため、成長する固体膜１００はＮ型のシリコン膜となる。また、上記の反応式に示すように、反応後には副生成物としてＨＣｌガス（塩酸ガス）が生成される。
【００３０】
載置部１７ａの表面に固体膜１００が成長すると（図３参照）、原料ガス供給装置２５を停止させる。次いで、エッチングガス供給装置３０を作動させて、チャンバ１５内にエッチングガス（ＨＣｌガス）を供給する。この際、排気ポンプ２９、水冷管３２、サセプタ１６、及び、ヒータ２２は引き続き作動させる。この状態では、固体膜１００の表面の表面粗さは、載置部１７ａの表面粗さ（即ち、載置部１７ａの表面に固体膜１００が形成されていないときの表面粗さ）と同等となっている。
【００３１】
チャンバ１５に供給されたエッチングガスは、図１の矢印７０、７２、７４に示すように流れ、排気路２８ａ、２８ｂからチャンバ１５外に排出される。ただし、一部のエッチングガスは、矢印７６に示すように、チャンバ１５内を対流する。
【００３２】
載置部１７ａはヒータ２２によって加熱されている。そのため、載置部１７ａの表面に形成された固体膜１００付近に供給されるエッチングガスは反応を起こす。具体的には、ＨＣｌガスと固体膜１００とが、以下の反応式に示すエッチング反応を起こす。
Ｓｉ＋３ＨＣｌ→ＳｉＨＣｌ３＋Ｈ２
すなわち、ＨＣｌガスと固体膜１００のＳｉ（シリコン）とが結びついて、ＳｉＨＣｌ３ガスとＨ２ガスが生成される。この反応は、上述した成膜反応に対する逆反応である。この反応により、固体膜１００の表面がエッチングされる。
【００３３】
固体膜１００の表面がエッチングされることにより、図４に示すように、固体膜１００の表面に凹凸１０２が形成される。これにより、固体膜１００の表面の表面粗さが、固体膜１００を形成する前の載置部１７ａ（図２参照）の表面の表面粗さよりも大きくなる。凹凸１０２が形成された固体膜１００の表面の摩擦係数は、例えば、０．４５である。
【００３４】
エッチングが終了すると、エッチングガス供給装置３０、排気ポンプ２９、水冷管３２、サセプタ１６、及び、ヒータ２２を停止させる。
【００３５】
次いで、図５に示すように、シリコンウエハ５０を載置部１７ａ上に配置する。シリコンウエハ５０を載置させた後、排気ポンプ２９、水冷管３２、サセプタ１６、及び、ヒータ２２を再度作動させる。さらに、原料ガス供給装置２５を再度作動させる。ヒータ２２が作動することにより、シリコンウエハ５０が加熱される（例えば、約１１００℃）。また、サセプタ１６が回転することにより、載置部１７ａ上に載置されたシリコンウエハ５０も回転する。
【００３６】
この際、上記の通り、載置部１７ａの表面に、凹凸１０２が形成された固体膜１００が形成されているため、固体膜１００の表面に凹凸１０２が係止されていない場合（即ち、固体膜１００の表面粗さが、固体膜１００が形成されていない載置部１７ａの表面粗さと略同等の場合）と比べて、載置部１７ａに載置されるシリコンウエハ５０と載置部１７ａとの間に大きい摩擦力を作用させることができる。そのため、サセプタ１６を回転させる場合であっても、シリコンウエハ５０の位置ずれを抑制することができる。
【００３７】
チャンバ１５内に供給された原料混合ガスの流れは、上述の通りである。シリコンウエハ５０がヒータ２２によって加熱されているため、シリコンウエハ５０の表面付近に供給される原料混合ガスは、シリコンウエハ５０によって加熱され、上記の成膜反応を起こす。この成膜反応によって、図６に示すように、シリコンウエハ５０の表面に固体膜（シリコン膜）５２が成長する。
【００３８】
また、原料混合ガスは、シリコンウエハ５０と載置部１７ａの間の隙間にも入り込む。載置部１７ａも、ヒータ２２によって加熱されているために、載置部１７ａの表面（即ち、固体膜１００の表面）でも、上記の成膜反応が起きる。その結果、図６に示すように、固体膜１００の表面にさらに固体膜（シリコン膜）１０４が成長する。即ち、固体膜１００が厚くなる。
【００３９】
シリコンウエハ５０の表面に所望の固体膜１００が成長すると、エッチングガス供給装置３０、排気ポンプ２９、水冷管３２、サセプタ１６、及び、ヒータ２２を停止させる。次いで、図７に示すように、成膜後のシリコンウエハ５０をチャンバ１５内から取り出す。
【００４０】
次いで、排気ポンプ２９、水冷管３２、サセプタ１６、及び、ヒータ２２を再度作動させる。さらに、エッチングガス供給装置３０を再度作動させる。ヒータ２２が作動することにより、載置部１７ａが再び加熱される。
【００４１】
チャンバ１５内に供給されたエッチングガスの流れは、上述の通りである。載置部１７ａがヒータ２２によって加熱されているため、そのため、エッチングガスが、載置部１７ａ付近に供給されると、エッチングガス（ＨＣｌガス）と、載置部１７ａの表面の固体膜１００とがエッチング反応を起こす。その結果、固体膜１００の表面がエッチングされる。
【００４２】
図８に示すように、固体膜１００の表面がエッチングされることにより、固体膜１００の表面に凹凸１０６が形成される。エッチングによって形成される凹凸１０６の形成パターンは、前回のエッチングによって形成された凹凸１０２（図４参照）のパターンとは異なっている。これにより、固体膜１００の表面の表面粗さが、固体膜１００を形成する前の載置部１７ａ（図２参照）の表面の表面粗さよりも大きくなる。凹凸１０６が形成された固体膜１００の表面の摩擦係数も、例えば、０．４５である。
【００４３】
また、チャンバ１５内に供給されたエッチングガスは、載置部１７ａ以外の部分（例えば、チャンバ１５の底面等）に付着した固体（シリコン）との間でエッチング反応を起こす。その結果、載置部１７ａ以外の部分に付着した固体が除去される。エッチングが終了すると、エッチングガス供給装置３０、排気ポンプ２９、水冷管３２、サセプタ１６、及び、ヒータ２２を停止させる。
【００４４】
その後、続いて別のシリコンウエハ５０を載置部１７ａ上に配置する。その後、排気ポンプ２９、水冷管３２、サセプタ１６、ヒータ２２、及び、原料ガス供給装置２５を再度作動させることにより、図６に示すように、上記別のシリコンウエハ５０の表面に固体膜５２を成長させることができる。
【００４５】
その後、成膜後のシリコンウエハ５０をチャンバ１５内から取り除き（図７参照）、再度チャンバ１５内にエッチングガスを供給することにより、再び、載置部１７ａ上の固体膜１００の表面に凹凸１０６を形成することができる（図８参照）。
【００４６】
以後、図５〜図８に示す各動作を繰り返し実行することにより、複数のシリコンウエハ５０の表面に連続して固体膜（シリコン膜）５２を形成することができる。
【００４７】
以上、本実施例の成膜装置１０の構成と成膜方法を説明した。上記の通り、本実施例では、固体膜１００の表面の凹凸１０２によって、載置部１７ａに載置されるシリコンウエハ５０と載置部１７ａとの間に、固体膜１００の表面に凹凸１０２が形成されていない場合（即ち、固体膜１００の表面粗さが、固体膜１００が形成されていない載置部１７ａの表面粗さと略同等の場合）と比べて、載置部１７ａに載置されるシリコンウエハ５０と載置部１７ａとの間に大きい摩擦力を作用させることができる。そのため、成膜時にサセプタ１６を回転させる場合であっても、シリコンウエハ５０の位置ずれを抑制することができる。その結果、シリコンウエハ５０の表面に形成される固体膜５２に凹凸が生じることを抑制することもできる。また、固体膜１００の表面の凹凸１０２により、シリコンウエハ５０がサセプタ１６に張り付くこと、シリコンウエハ５０が割れること、及び、回転に伴ってシリコンウエハ５０がサセプタ１６から脱落すること、も防ぐことができる。
【００４８】
また、本実施例では、成膜後のシリコンウエハ５０をチャンバ１５内から取り出した後、固体膜１００の表面を再びエッチングすることにより、固体膜１００の表面に再び凹凸１０６を形成することができる（図７、図８参照）。即ち、固体膜１００の表面の表面粗さを、固体膜１００を形成する前の載置部１７ａの表面の表面粗さよりも大きくすることができる。連続して複数のシリコンウエハ５０の表面に膜を形成する場合であっても、載置部１７ａとシリコンウエハ５０との間の摩擦力が低減することを抑制することができる。
【００４９】
本実施例と特許請求の範囲の記載との対応関係を説明する。原料ガス供給装置２５が「原料ガス導入手段」の一例である。エッチングガス供給装置３０が「エッチングガス導入手段」の一例である。シリコン（固体）が「特定の固体」の一例である。
【００５０】
以上、本明細書に開示の技術の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。例えば、以下の変形例を採用してもよい。
【００５１】
（変形例１）上記の実施例では、図２〜図４に示すように、シリコンウエハ５０の表面に固体膜５２を成長させる前に、サセプタ１６の載置部１７ａの表面に固体膜１００を形成し、その後、エッチングによって固体膜１００の表面に凹凸１０２を形成している。これに代えて、予め、凹凸１０２を備える固体膜１００が載置部１７ａの表面に形成されたサセプタ１６を用意し、そのサセプタ１６をチャンバ１５内に備えておき、シリコンウエハ５０の表面に成膜を行うようにしてもよい。この場合も、上記の実施例と同様の効果を発揮することができる。
【００５２】
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００５３】
１０：成膜装置
１５：チャンバ
１６：サセプタ
１７：ホルダ部
１７ａ：載置部
１７ｂ：開口
１８：軸部
１９ａ：遮蔽板載置部
１９ｂ：遮蔽板
２０：軸受部
２２：ヒータ
２４ａ、２４ｂ：ガス供給路
２５：原料ガス供給装置
２６：シャワープレート
２８ａ、２８ｂ：排気路
２９：排気ポンプ
３０：エッチングガス供給装置
３２：水冷管
５０：シリコンウエハ
５２：固体膜
１００、１０４：固体膜
１０２、１０６：凹凸
【図１】
2014033162.tif 000003
【図２】
2014033162.tif 000004
【図３】
2014033162.tif 000005
【図４】
2014033162.tif 000006
【図５】
2014033162.tif 000007
【図６】
2014033162.tif 000008
【図７】
2014033162.tif 000009
【図８】
2014033162.tif 000010