(57)【要約】      （修正有）【課題】デバイスを損傷させることなくダイシングテープに張り替えることができ、裏面に欠けを発生させることなく接着フィルムを装着することができる加工方法を提供する。【解決手段】ウエーハ２の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、ウエーハ２の内部に改質層を形成する改質層形成工程と、ウエーハ２の裏面を研削してデバイス２２に分割する研削工程と、ウエーハ２の裏面を吸引保持して研削装置から搬出するウエーハ搬出工程と、保護部材側を吸引保持させるウエーハ移し替え工程と、ウエーハ２の裏面に接着フィルム９０を装着し、ダイシングテープ９を貼着するダイシングテープ貼着工程と、保護部材を剥離する保護部材剥離工程と、ダイシングテープ９を拡張して各デバイス２２間の間隔を広げ、接着フィルム９０をデバイス毎に分割するテープ拡張工程と、環状フレーム１１をダイシングテープの粘着面に装着する環状フレーム装着工程とを含む。【選択図】図１２
2014013807.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に格子状に形成されたストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハをストリートに沿って分割するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
ウエーハの裏面側からウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、
ウエーハの該保護部材側を研削装置の保持手段によって保持し、研削砥石を回転しつつウエーハの裏面に押圧して研削し、ウエーハを所定の厚みに形成するとともに改質層が形成されたストリートに沿って個々のデバイスに分割する研削工程と、
該研削工程が実施されたウエーハの裏面を第１の吸引保持パッドによって全面を吸引保持して該研削装置の該保持手段から搬出するウエーハ搬出工程と、
該第１の吸引保持パッドに吸引保持されたウエーハの表面に貼着されている該保護部材を上側に向けた状態で、第２の吸引保持パッドにウエーハの表面に貼着されている該保護部材側を吸引保持させて該第１の吸引保持パッドをウエーハから離反させるウエーハ移し替え工程と、
該第２の吸引保持パッドに該保護部材側が吸引保持されたウエーハの裏面に接着フィルムを装着するとともにダイシングテープを貼着するダイシングテープ貼着工程と、
該ダイシングテープ貼着工程が実施されたウエーハを該ダイシングテープを介して支持テーブル上に支持するとともに該第２の吸引保持パッドをウエーハから離反させるウエーハ支持工程と、
該ウエーハ支持工程が実施されたウエーハの表面に貼着されている該保護部材を剥離する保護部材剥離工程と、
該保護部材剥離工程が実施されたウエーハに該接着フィルムを介して貼着された該ダイシングテープを拡張することにより該各デバイス間の間隔を広げるとともに、該接着フィルムをデバイス毎に分割するテープ拡張工程と、
該テープ拡張工程が実施されたウエーハが収容される大きさの開口部を有する環状フレームを該ダイシングテープの粘着面に装着し、該ダイシングテープを介してウエーハを該開口部に収容する環状フレーム装着工程と、
該ダイシングテープを該環状フレームに対応して切断するダイシングテープ切断工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。
【請求項２】
該テープ拡張工程を実施した後、該ダイシングテープを介してウエーハを支持している該支持テーブルを退避させ、該ダイシングテープ側から分割手段によってウエーハを個々のデバイス毎に完全に分割する分割工程と、
該分割工程を実施した後、該ダイシングテープを拡張した状態で該支持テーブル上に載置して支持するウエーハ再支持工程と、を含み、
該ウエーハ再支持工程を実施した後に該環状フレーム装着工程を実施する、請求項１記載のウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に格子状に形成されたストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハをストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々のデバイスを製造している。
【０００３】
ウエーハをストリートに沿って分割する方法として、ウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を合わせてパルスレーザー光線を照射するレーザー加工方法が試みられている。このレーザー加工方法を用いた分割方法は、ウエーハの一方の面側から内部に集光点を合わせてウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線をストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って改質層を連続的に形成し、この改質層が形成されることによって強度が低下したストリートに沿って外力を加えることにより、ウエーハを個々のデバイスに分割するものである。（例えば、特許文献１参照。）
【０００４】
また、ウエーハの表面に保護部材を貼着し、ウエーハの裏面側からウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線をストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って改質層を形成した後、ウエーハの保護部材側を研削装置の保持手段によって保持し、研削砥石を回転しつつ基板の裏面に押圧して研削し、基板を所定の厚みに形成するとともに改質層が形成されたストリートに沿って分割する方法が提案されている。（例えば、特許文献２参照。）
【０００５】
また、個々に分割された半導体デバイスは、その裏面にポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂脂等で形成された厚さ２０〜４０μｍのダイアタッチフィルムと称するダイボンディング用の接着フィルムが装着され、この接着フィルムを介して半導体デバイスを支持するダイボンディングフレームに加熱することによりボンディングされる。半導体デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する方法としては、半導体ウエーハの裏面に接着フィルムを貼着し、この接着フィルムを介して半導体ウエーハをダイシングテープに貼着した後、半導体ウエーハの表面に形成されたストリートに沿って切削ブレードにより接着フィルムと共に切断することにより、裏面に接着フィルムが装着された半導体デバイスを形成している。（例えば、特許文献３参照。）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第３４０８８０５号公報
【特許文献２】特許第３７６２４０９号公報
【特許文献３】特開２０００−１８２９９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
而して、改質層を起点として個々のデバイスに分割されたウエーハは、デバイスとデバイスの間隔が略０に近く、研削装置から搬出され個々のデバイスをピックアップするためにダイシングテープに張り替える間にデバイス同士の角が擦れて損傷し品質を低下させるという問題がある。
また、特許文献３に開示された方法によると、切削ブレードにより半導体ウエーハとともに接着フィルムを切断して個々の半導体デバイスに分割する際に、半導体デバイスの裏面に欠けが生じたり、接着フィルムに髭状のバリが発生してワイヤボンディングの際に断線の原因になるという問題がある。
【０００８】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、改質層を起点として個々に分割されたデバイスを損傷させることなくダイシングテープに張り替えることができるとともに、個々に分割されたデバイスの裏面に欠けを発生させることなくダイボンディング用の接着フィルムを装着することができるウエーハの加工方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に格子状に形成されたストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハをストリートに沿って分割するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
ウエーハの裏面側からウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、
ウエーハの該保護部材側を研削装置の保持手段によって保持し、研削砥石を回転しつつウエーハの裏面に押圧して研削し、ウエーハを所定の厚みに形成するとともに改質層が形成されたストリートに沿って個々のデバイスに分割する研削工程と、
該研削工程が実施されたウエーハの裏面を第１の吸引保持パッドによって全面を吸引保持して該研削装置の該保持手段から搬出するウエーハ搬出工程と、
該第１の吸引保持パッドに吸引保持されたウエーハの表面に貼着されている該保護部材を上側に向けた状態で、第２の吸引保持パッドにウエーハの表面に貼着されている該保護部材側を吸引保持させて該第１の吸引保持パッドをウエーハから離反させるウエーハ移し替え工程と、
該第２の吸引保持パッドに該保護部材側が吸引保持されたウエーハの裏面に接着フィルムを装着するとともにダイシングテープを貼着するダイシングテープ貼着工程と、
該ダイシングテープ貼着工程が実施されたウエーハを該ダイシングテープを介して支持テーブル上に支持するとともに該第２の吸引保持パッドをウエーハから離反させるウエーハ支持工程と、
該ウエーハ支持工程が実施されたウエーハの表面に貼着されている該保護部材を剥離する保護部材剥離工程と、
該保護部材剥離工程が実施されたウエーハに該接着フィルムを介して貼着された該ダイシングテープを拡張することにより該各デバイス間の間隔を広げるとともに、該接着フィルムをデバイス毎に分割するテープ拡張工程と、
該テープ拡張工程が実施されたウエーハが収容される大きさの開口部を有する環状フレームを該ダイシングテープの粘着面に装着し、該ダイシングテープを介してウエーハを該開口部に収容する環状フレーム装着工程と、
該ダイシングテープを該環状フレームに対応して切断するダイシングテープ切断工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
【００１０】
上記テープ拡張工程を実施した後、ダイシングテープを介してウエーハを支持している支持テーブルを退避させ、ダイシングテープ側から分割手段によってウエーハを個々のデバイスに完全に分割する分割工程と、
該分割工程を実施した後、ダイシングテープを拡張した状態で該支持テーブル上に載置して支持するウエーハ再支持工程と、を含み、
ウエーハ再支持工程を実施した後に該環状フレーム装着工程を実施する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によるウエーハの加工方法においては、ストリートに沿って改質層が形成されたウエーハの裏面を研削してウエーハを所定の厚みに形成するとともに改質層が形成されたストリートに沿って個々のデバイスに分割する研削工程を実施した後に、個々のデバイスに分割されたウエーハの全面を第１の吸引保持パッドによって吸引保持して研削装置の保持手段から搬出して接着フィルムを介してダイシングテープを貼着するとともに、ダイシングテープを拡張し各デバイス間の間隔を広げた状態で環状フレームをダイシングテープの粘着面に装着するので、研削工程が実施され個々のデバイスに分割されたウエーハを研削装置から搬出してダイシングテープに張り替える間にデバイス同士の角が擦れて損傷することはない。
また、ウエーハの裏面に装着された接着フィルムは、ダイシングテープを拡張することによってデバイス毎に分割されるので、切削ブレードにより半導体ウエーハとともに接着フィルムを切断する従来技術のようにデバイスの裏面に欠けが発生することはない。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明によるウエーハの加工方法によって分割されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図。
【図２】本発明によるウエーハの加工方法における保護テープ貼着工程を示す説明図。
【図３】本発明によるウエーハの加工方法における改質層形成工程を実施するためのレーザー加工装置の要部斜視図。
【図４】本発明によるウエーハの加工方法における改質層形成行程を示す説明図。
【図５】本発明によるウエーハの加工方法における研削工程の説明図。
【図６】本発明によるウエーハの加工方法におけるウエーハ搬出工程の説明図。
【図７】本発明によるウエーハの加工方法におけるウエーハ移し替え工程の説明図。
【図８】本発明によるウエーハの加工方法におけるダイシングテープ貼着工程の説明図。
【図９】本発明によるウエーハの加工方法におけるウエーハ支持工程の説明図。
【図１０】本発明によるウエーハの加工方法における保護部材剥離工程の説明図。
【図１１】本発明によるウエーハの加工方法におけるテープ拡張工程の説明図。
【図１２】本発明によるウエーハの加工方法における環状フレーム装着工程の説明図。
【図１３】本発明によるウエーハの加工方法におけるダイシングテープ切断工程の説明図。
【図１４】本発明によるウエーハの加工方法における分割工程の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明によるウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１４】
図１には、本発明に従って加工されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、厚みが例えば６００μmのシリコンウエーハからなっており、表面２ａに複数のストリート２１が格子状に形成されているとともに、該複数のストリート２１によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス２２が形成されている。以下、この半導体ウエーハ２をストリート２１に沿って個々のデバイス２２に分割するウエーハの加工方法について説明する。
【００１５】
先ず、半導体ウエーハ２の表面２aに形成されたデバイス２２を保護するために、半導体ウエーハ２の表面２aに保護部材を貼着する保護部材貼着工程を実施する。即ち、図２に示すように半導体ウエーハ２の表面２aに保護部材としての保護テープ３を貼着する。なお、保護テープ３は、図示の実施形態においては厚さが１００μｍのポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）からなるシート状基材の表面にアクリル樹脂系の糊が厚さ５μｍ程度塗布されている。
【００１６】
次に、半導体ウエーハ２の保護部材側をレーザー加工装置のチャックテーブルに保持し、半導体ウエーハ２の裏面側から半導体ウエーハ２に対して透過性を有する波長のレーザー光線を内部に集光点を合わせてストリートに沿って照射し、半導体ウエーハ２の内部にストリートに沿って改質層を形成する改質層形成工程を実施する。この改質層形成工程は、図３に示すレーザー加工装置４を用いて実施する。図３に示すレーザー加工装置４は、被加工物を保持するチャックテーブル４１と、該チャックテーブル４１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４２と、チャックテーブル４１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段４３を具備している。チャックテーブル４１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない移動機構によって図３において矢印Ｘで示す加工送り方向および矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
【００１７】
上記レーザー光線照射手段４２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング４２１を含んでいる。ケーシング４２１内には図示しないＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング４２１の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器４２２が装着されている。
【００１８】
上記レーザー光線照射手段４２を構成するケーシング４２１の先端部に装着された撮像手段４３は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００１９】
上述したレーザー加工装置４を用いて実施する改質層形成工程について、図４を参照して説明する。
この改質層形成工程は、先ず上述した図３に示すレーザー加工装置４のチャックテーブル４１上に半導体ウエーハ２の保護テープ３側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、チャックテーブル４１上に保護テープ３を介して半導体ウエーハ２を吸引保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル４１上に保持された半導体ウエーハ２は、裏面２bが上側となる。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル４１は、図示しない加工送り手段によって撮像手段４３の直下に位置付けられる。
【００２０】
チャックテーブル４１が撮像手段４３の直下に位置付けられると、撮像手段４３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段４３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されているストリート２１と、ストリート２１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４２の集光器４２２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直交する方向に延びるストリート２１に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。このとき、半導体ウエーハ２のストリート２１が形成されている表面２ａは下側に位置しているが、撮像手段４３が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので、裏面２ｂから透かしてストリート２１を撮像することができる。
【００２１】
以上のようにしてチャックテーブル４１上に保持されている半導体ウエーハ２に形成されているストリート２１を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図４の（ａ）で示すようにチャックテーブル４１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４２の集光器４２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート２１の一端（図４の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段４２の集光器４２２の直下に位置付ける。次に、集光器４２２から照射されるパルスレーザー光線の集光点Ｐを半導体ウエーハ２の厚み方向中央部に合わせる。そして、集光器４２２からシリコンウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル４１を図４の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる。そして、図４の（ｂ）で示すようにレーザー光線照射手段４２の集光器４２２の照射位置がストリート２１の他端の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル４１の移動を停止する。この結果、半導体ウエーハ２の内部には、ストリート２１に沿って改質層２１０が形成される。
【００２２】
上記改質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源                    ：ＬＤ励起ＱスイッチＮｄ：ＹＶＯ４レーザー
波長                    ：１０６４ｎｍのパルスレーザー
繰り返し周波数          ：１００ｋＨｚ
平均出力                ：１Ｗ
集光スポット径          ：φ１μｍ
加工送り速度            ：１００ｍｍ／秒
【００２３】
上述したように所定のストリート２１に沿って上記改質層形成工程を実施したら、チャックテーブル４１を矢印Ｙで示す方向に半導体ウエーハ２に形成されたストリート２１の間隔だけ割り出し移動し（割り出し工程）、上記改質層形成工程を遂行する。このようにして所定方向に形成された全てのストリート２１に沿って上記改質層形成工程を実施したならば、チャックテーブル４１を９０度回動せしめて、上記所定方向に形成されたストリート２１に対して直交する方向に延びるストリート２１に沿って上記改質層形成工程を実行する。
【００２４】
上述した改質層形成工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の保護テープ３を研削装置の保持手段によって保持し、研削砥石を回転しつつ半導体ウエーハ２の裏面に押圧して研削し、半導体ウエーハ２を所定の厚みに形成するとともに改質層が形成されたストリートに沿って個々のデバイスに分割する研削工程を実施する。この研削工程は、図５の(ａ)に示す研削装置５を用いて実施する。図５に示す研削装置５は、被加工物を保持する保持手段としてのチャックテーブル５１と、該チャックテーブル５１に保持された被加工物を研削する研削手段５２を具備している。チャックテーブル５１は、上面に被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない回転駆動機構によって図５において矢印５１aで示す方向に回転せしめられる。研削手段５２は、スピンドルハウジング５２１と、該スピンドルハウジング５２１に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル５２２と、該回転スピンドル５２２の下端に装着されたマウンター５２３と、該マウンター５２３の下面に取り付けられた研削ホイール５２４とを具備している。この研削ホイール５２４は、円環状の基台５２５と、該基台５２５の下面に環状に装着された研削砥石５２６とからなっており、基台５２５がマウンター５２３の下面に締結ボルト５２７によって取り付けられている。
【００２５】
上述した研削装置５を用いて上記研削工程を実施するには、図５に示すようにチャックテーブル５１の上面（保持面）に半導体ウエーハ２の表面に貼着されている保護テープ３側を載置する。そして、図示しない吸引手段によってチャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２を保護テープ３を介して吸着保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル５１上に保持された半導体ウエーハ２は、裏面２bが上側となる。このようにチャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２を保護テープ３を介して吸引保持したならば、チャックテーブル５１を図５において矢印５１aで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削手段５２の研削ホイール５２４を図５において矢印５２４aで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転せしめて、図５の(ｂ)に示すように研削砥石５２６を被加工面である半導体ウエーハ２の裏面２bに接触せしめ、研削ホイール５２４を矢印５２４bで示すように例えば１μm／秒の研削送り速度で下方（チャックテーブル５１の保持面に対し垂直な方向）に所定量研削送りする。この結果、半導体ウエーハ２の裏面２bが研削されて半導体ウエーハ２は所定の厚み（例えば１００μm）に形成されるとともに、改質層２１０が形成され強度が低下せしめられているストリート２１に沿って個々のデバイス２２に分割される。なお、個々のデバイス２２に分割された複数のデバイス２２は、その表面に保護テープ３が貼着されているので、バラバラにはならず半導体ウエーハ２の形態が維持されている。
【００２６】
次に、上記研削工程が実施された半導体ウエーハ２の裏面を第１の吸引保持パッドによって全面を吸引保持して研削装置５の保持手段としてのチャックテーブル５１から搬出するウエーハ搬出工程を実施する。このウエーハ搬出工程は、図６の(ａ)および（ｂ）に示す第１の吸引保持パッドを用いて実施する。図６の(ａ)および（ｂ）に示す第１の吸引保持パッド６は、円盤状の基台６１とパッド６２とからなっている。第１の吸引保持パッド６を構成する基台６１は、下方が開放された円形状の凹部６１１を備えている。この凹部６１１にポーラスなセラミックス部材によって円盤状に形成されたパッド６２が嵌合されている。このようにして基台６１の凹部６１１に嵌合されたパッド６２の下面は、被加工物を吸引保持する吸着面として機能する。第１の吸引保持パッド６を構成する基台６１に形成された円形状の凹部６１１は、図示しない吸引手段に接続されている。従って、図示しない吸引手段が作動すると、基台６１の凹部６１１を介してパッド６２の下面（吸着面）に負圧が作用せしめられ、該パッド６２の下面（吸着面）に被加工物を吸引保持することができる。
【００２７】
上述した第１の吸引保持パッド６を用いてウエーハ搬出工程を実施するには、図６の(ａ)に示すように研削装置５の保持手段としてのチャックテーブル５１において吸引保持が解除された上記研削工程が実施されている個々のデバイス２２に分割された半導体ウエーハ２の裏面２b（上面）に第１の吸引保持パッド６のパッド６２の下面（吸着面）を接触させ図示しない吸引手段を作動することにより、パッド６２の下面（吸着面）に個々のデバイス２２に分割された半導体ウエーハ２の全面を吸引保持する。このようにパッド６２の下面（吸着面）に半導体ウエーハ２を吸引保持した第１の吸引保持パッド６は、図６の(ｂ)に示すように半導体ウエーハ２を吸引保持した状態でチャックテーブル５１の上面から上昇してチャックテーブル５１から搬出する。このように、個々のデバイス２２に分割された半導体ウエーハ２の全面を第１の吸引保持パッド６によって吸引保持してチャックテーブル５１から搬出するので、研削工程が実施され個々のデバイス２２に分割された半導体ウエーハ２を研削装置５から搬出する際にデバイス２２の角が擦れて損傷し品質を低下させることはない。
【００２８】
上述したウエーハ搬出工程を実施したならば、第１の吸引保持パッド６に吸引保持された半導体ウエーハ２の表面に貼着されている保護部材である保護テープ３を上側に向けた状態で、第２の吸引保持パッドに半導体ウエーハ２の表面に貼着されている保護テープ３側を吸引保持させて第１の吸引保持パッド６を半導体ウエーハ２から離反させるウエーハ移し替え工程を実施する。このウエーハ移し替え工程を実施するには、図７の(ａ)および(ｂ)に示す第２の吸引保持パッドを用いて実施する。図７の(ａ)および(ｂ)に示す第２の吸引保持パッド７は、円盤状の基台７１とパッド７２とからなっている。第２の吸引保持パッド７を構成する基台７１は、下方が開放された円形状の凹部７１１を備えている。この凹部７１１にポーラスなセラミックス部材によって円盤状に形成されたパッド７２が嵌合されている。このようにして基台７１の凹部７１１に嵌合されたパッド７２の下面は、被加工物を吸引保持する吸着面として機能する。第２の吸引保持パッド７を構成する基台７１に形成された円形状の凹部７１１は、図示しない吸引手段に接続されている。従って、図示しない吸引手段が作動すると、基台７１の凹部７１１を介してパッド７２の下面（吸着面）に負圧が作用せしめられ、該パッド７２の下面（吸着面）に被加工物を吸引保持することができる。
【００２９】
上記第２の吸引保持パッド７を用いてウエーハ移し替え工程を実施するには、図７の(ａ)に示すようにウエーハ搬出工程を実施した第１の吸引保持パッド６を上下反転して、吸引保持している半導体ウエーハ２の表面に貼着されている保護部材である保護テープ３を上側に向ける。次に、第１の吸引保持パッド６を第２の吸引保持パッド７の下方に位置付けて上昇させ、半導体ウエーハ２の表面に貼着されている保護テープ３の上面に第２の吸引保持パッド７のパッド７２の下面（吸着面）を接触させた後、第１の吸引保持パッド６による半導体ウエーハ２の吸引保持を解除する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、第２の吸引保持パッド７のパッド７２の下面（吸着面）に半導体ウエーハ２の表面に貼着されている保護テープ３の全面を吸引保持する。そして、図７の(ｂ)に示すように第１の吸引保持パッド６を下降させて半導体ウエーハ２から離反させる。このようにパッド７２の下面（吸着面）に半導体ウエーハ２の表面に貼着されている保護テープ３を吸引保持した第２の吸引保持パッド７は、半導体ウエーハ２を吸引保持した状態で次工程に搬送する。
【００３０】
次に、第２の吸引保持パッド７に保護テープ３側が吸引保持された半導体ウエーハ２の裏面に接着フィルムを装着するとともにダイシングテープの粘着面を貼着するダイシングテープ貼着工程を実施する。即ち、図８の(ａ)に示すようにテープ貼着装置８のテーブル８１上に、ダイシングテープ９を載置する。このようにテーブル８１上に載置されたダイシングテープ９は、表面（上面）には粘着層が設けられ粘着面が形成されている。このようにテーブル８１上にダイシングテープ９が載置された状態で、図８の(ａ)に示すように第２の吸引保持パッド７に保護テープ３側が吸引保持された半導体ウエーハ２の裏面２bにダイボンディング用の接着フィルム９０を装着するとともにダイシングテープ９の表面（上面）である粘着面に押し当てる。なお、ダイボンディング用の接着フィルム９０はダイシングテープ９の表面（上面）に載置し後に第２の吸引保持パッド７に保護テープ３側が吸引保持された半導体ウエーハ２の裏面２bを押し当ててもよいが、ダイシングテープの表面に予め接着フィルムが貼着された接着フィルム付きのダイシングテープを用いてもよい。このようにして第２の吸引保持パッド７に保護テープ３側が吸引保持された半導体ウエーハ２の裏面２bに接着フィルム９０を介してダイシングテープ９の表面（上面）である粘着面を貼着したならば、図８の(ｂ)に示すように第２の吸引保持パッド７を上昇させてテーブル８１の側方に移動し、押圧ローラ８２を半導体ウエーハ２の裏面２bに貼着しているダイシングテープ９の裏面（下面）に押し当てることにより、半導体ウエーハ２の裏面２bに接着フィルム９０を介してダイシングテープ９の表面（上面）である粘着面に確実に貼着する。
【００３１】
上述したダイシングテープ貼着工程を実施したならば、半導体ウエーハ２をダイシングテープ９を介して支持テーブル上に支持するとともに第２の吸引保持パッド７を半導体ウエーハ２から離反させるウエーハ支持工程を実施する。即ち、図９の(ａ)に示すようにダイシングテープ９の表面（上面）である粘着面が貼着された半導体ウエーハ２を吸引保持している第２の吸引保持パッド７を支持テーブル１０の上方に搬送し、半導体ウエーハ２の裏面２bに貼着しているダイシングテープ９の裏面（下面）を支持テーブル１０の上面である支持面に載置する。そして、図９の(ｂ)に示すように第２の吸引保持パッド７による半導体ウエーハ２の吸引保持を解除し、第２の吸引保持パッド７を半導体ウエーハ２から離反させる。このようにして、支持テーブル１０上に半導体ウエーハ２をダイシングテープ９を介して支持することにより、半導体ウエーハ２の表面に貼着されている保護テープ３が上側に露出された状態となる。
【００３２】
上述したウエーハ支持工程を実施したならば、図１０に示すように支持テーブル１０上にダイシングテープ９を介して支持された半導体ウエーハ２の表面に貼着されている保護テープ３を剥離する（保護部材剥離工程）。このようにして保護テープ３を剥離することにより、支持テーブル１０上にダイシングテープ９を介して支持された半導体ウエーハ２は、表面２aが上側に露出された状態となる。
【００３３】
次に、上記保護部材剥離工程が実施された半導体ウエーハ２の裏面に貼着されているダイシングテープ９を拡張することにより各デバイス間の間隔を広げるとともに、接着フィルム９０をデバイス２２毎に分割するテープ拡張工程を実施する。即ち、図１１の(ａ)に示すように支持テーブル１０上に載置されたダイシングテープ９（個々のデバイスに分割された半導体ウエーハ２の裏面に接着フィルム９０を介して貼着されている）を四方に拡張する。この結果、図１１の(ｂ)に示すようにダイシングテープ９に貼着されている個々のデバイス２２間に間隔(ｓ)が形成されるとともに、接着フィルム９０がデバイス２２毎に分割される。このように、半導体ウエーハ２の裏面に装着された接着フィルム９０は、ダイシングテープ９を拡張することによってデバイス２２毎に分割されるので、切削ブレードにより半導体ウエーハとともに接着フィルムを切断する従来技術のようにデバイス２２の裏面に欠けが発生することはない。
【００３４】
上述したテープ拡張工程を実施したならば、テープ拡張工程が実施された半導体ウエーハ２が収容される大きさの開口部を有する環状フレームをダイシングテープ９の粘着面に装着し、ダイシングテープ９を介して半導体ウエーハ２を開口部に収容する環状フレーム装着工程を実施する。即ち、図１２の(ａ)および(ｂ)に示すように支持テーブル１０に載置されたダイシングテープ９を拡張した状態で、半導体ウエーハ２が収容される大きさの開口部１１０を有する環状フレーム１１をダイシングテープ９の粘着面に装着する。この結果、図１２の(ｂ)に示すように個々に分割されたデバイス２２間に間隔(ｓ)が形成されデバイス２２の裏面にそれぞれ接着フィルム９０が装着された半導体ウエーハ２は、環状フレーム１１の開口部１１０に収容される。
【００３５】
上述した環状フレーム装着工程を実施したならば、ダイシングテープ９を環状フレーム１１に対応して切断するダイシングテープ切断工程を実施する。即ち、図１３の(ａ)に示すように環状フレーム１１が装着されたダイシングテープ９を裏面（下面）からカッター１２を用いて環状フレーム１１の開口部１１０を囲繞する領域に沿って切断する。この結果、図１３の(ａ)および(ｂ)に示すように個々に分割されたデバイス２２間に間隔(ｓ)が形成されデバイス２２の裏面にそれぞれ接着フィルム９０が装着された半導体ウエーハ２は、ダイシングテープ９を介して環状フレーム１１によって支持される。
【００３６】
以上のように、テープ拡張工程を実施することにより個々に分割されたデバイス２２間に間隔(ｓ)が形成されデバイス２２の裏面にそれぞれ接着フィルム９０が装着された半導体ウエーハ２をダイシングテープ９を介して環状フレーム１１によって支持するので、個々のデバイス２２に分割された半導体ウエーハ２をダイシングテープ９に張り替える間にデバイス２２の角が擦れて損傷し品質を低下させることはない。
【００３７】
次に、本発明の他の実施形態について説明する。
上述した改質層形成工程が実施された半導体ウエーハ２の保護テープ３を研削装置の保持手段によって保持し、研削砥石を回転しつつ半導体ウエーハ２の裏面に押圧して研削し、半導体ウエーハ２を所定の厚みに形成するとともに改質層が形成されたストリートに沿って個々のデバイスに分割する研削工程を実施しても、半導体ウエーハ２を全てのデバイスに分割できない場合がある。この場合、上記テープ拡張工程を実施した後、ダイシングテープ９を介して半導体ウエーハ２を支持している支持テーブル１０を退避させ、ダイシングテープ９側から分割手段によって半導体ウエーハ２および接着フィルム９０を個々のデバイス２２毎に完全に分割する。この分割工程は、図示の実施形態においては図１４の(ａ)に示す分割手段１２を用いて実施する。図１４の(ａ)に示す分割手段１２は、細長い長方形の保持面１２１を備えた吸引保持部材１２０を具備している。吸引保持部材１２０を構成する保持面１２１の長手方向の長さは、半導体ウエーハ２の直径より僅かに長い寸法に形成されている。この保持面１２１には、長手方向に沿ってV字状の長溝１２２が形成されている、このV字状の長溝１２２を形成する斜面１２３および１２４には、それぞれ長手方向に沿って複数の吸引孔１２３aおよび１２４aが形成されている。この複数の吸引孔１２３aおよび１２４aは、図示しない吸引手段に連通されている。
【００３８】
上記図１４の(ａ)に示す分割手段１２を用いて半導体ウエーハ２を個々のデバイス２２に分割するには、吸引保持部材１２０を構成する保持面１２１に形成されたV字状の長溝１２２を半導体ウエーハ２に形成されたストリート２１と対応した位置に位置付けるとともに、保持面１２１を図１４の(ｂ)に示すように半導体ウエーハ２に貼着されたダイシングテープ９の裏面（下面）に接触させる。そして、図示しない吸引手段を作動し、複数の吸引孔１２３aおよび１２４aを介して半導体ウエーハ２に接着フィルム９０を介して貼着されたダイシングテープ９に負圧を作用せしめる。この結果、ダイシングテープ９が吸引され斜面１２３と１２４との間に位置するストリート２１が下方に吸引されるためストリート２１に沿って曲げ応力が発生し、半導体ウエーハ２は強度が低下せしめられているストリート２１沿って確実に破断される（分割工程）。この分割工程を半導体ウエーハ２に形成された全てのストリート２１または破断されていないストリート２１に沿って実施することにより、半導体ウエーハ２および接着フィルム９０は個々のデバイス２２毎に確実に分割される。
なお、上記図１４の(ａ)および(ｂ)に示す実施形態においては、分割手段１２を構成する吸引保持部材１２０の保持面１２１に形成された斜面１２３と１２４との角度が誇張して示されているが、実際には１７９度〜１７８度に設定されている。
【００３９】
上述した分割工程を実施したならば、ダイシングテープ９を拡張した状態で上記支持テーブル１０上に載置して支持し（ウエーハ再支持工程）、上記環状フレーム装着工程を実施する。
【符号の説明】
【００４０】
２：半導体ウエーハ
２１：ストリート
２２：デバイス
２１０：改質層
３：保護テープ
４：レーザー加工装置
４１：チャックテーブル
４２：レーザー光線照射手段
４２２：集光器
５：研削装置
５１：チャックテーブル
５２：研削手段
５２４：研削ホイール
５２６：研削砥石
６：第１の吸引保持パッド
７：第２の吸引保持パッド
８：テープ貼着装置
９：ダイシングテープ
９０：接着フィルム
１０：支持テーブル
１１：環状フレーム
１２：分割手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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