(57)【要約】【課題】放電時の放電電流を抑制することができ、レンズ部材の劣化を抑制して信頼性の向上を図ることが可能となる静電レンズを提供する。【解決手段】少なくとも一対の離間して配置された対向電極を構成する第一の電極と第二の電極とを備え、前記第一の電極と前記第二の電極のそれぞれに荷電粒子ビームが通過する一つ以上の貫通孔を有する静電レンズであって、  前記第一の電極と第二の電極のうち、少なくとも一方の電極が二つ以上の領域に分割され、  前記分割された領域のうち、少なくとも一つの領域に前記貫通孔が備えられた構成を有し、  前記分割された領域が、抵抗領域を介して電気的に接続されている。【選択図】            図１
2014002854.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一対の離間して配置された対向電極を構成する第一の電極と第二の電極とを備え、前記第一の電極と前記第二の電極のそれぞれに荷電粒子ビームが通過する一つ以上の貫通孔を有する静電レンズであって、
前記第一の電極と第二の電極のうち、少なくとも一方の電極が二つ以上の領域に分割され、
前記分割された領域のうち、少なくとも一つの領域に前記貫通孔が備えられた構成を有し、
前記分割された領域が、抵抗領域を介して電気的に接続されていることを特徴とする静電レンズ。
【請求項２】
前記分割された領域は、絶縁体によって電気的に分断された領域によって構成されていることを特徴とする請求項１に記載の静電レンズ。
【請求項３】
前記抵抗領域は、前記分割された領域を含む前記第一の電極と前記第二の電極の両面もしくは片面の全体に形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の静電レンズ。
【請求項４】
前記抵抗領域は、前記第一の電極と前記第二の電極よりも電気抵抗の大きい材料による抵抗体で形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の静電レンズ。
【請求項５】
少なくとも一対の離間して配置された対向電極を構成する第一の電極と第二の電極とを備え、前記第一の電極と前記第二の電極それぞれに荷電粒子ビームが通過する一つ以上の貫通孔を有する静電レンズの製造方法であって、
電極材料に前記荷電粒子ビームが通過する貫通孔を形成すると共に、
前記第一の電極と前記第二の電極との分割部を形成する分割部形成工程と、
前記分割部により分割された前記第一の電極と前記第二の電極とを電気的に接続する抵抗体を形成する抵抗体形成工程と、
支持部材に前記荷電粒子ビームが通過する貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記抵抗体形成工程で抵抗体が形成された部材と前記支持部材とを接合し、電極部材を形成する工程と、
前記電極部材を形成する工程で形成された電極部材を複数用い、該複数の電極部材を積層する工程と、
を有することを特徴とする静電レンズの製造方法。
【請求項６】
前記電極材料は、ハンドル層、ＢＯＸ層、デバイス層を備えたＳＯＩであり、
前記分割部形成工程では、前記デバイス層をエッチングすることにより前記貫通孔及び前記分割部を形成し、
前記電極部材を形成する工程では、前記抵抗体が形成された部材と前記支持部材とを接合した後、前記ハンドル層及び前記ＢＯＸ層を除去して、前記電極部材を形成することを特徴とする請求項５に記載の静電レンズの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電レンズに関し、特に電子ビーム等の荷電粒子線を用いた装置に使用される静電レンズ及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの生産において、電子ビーム露光技術は、０．１μｍ以下の微細パターン露光を可能とするリソグラフィの有力候補である。
その微細なパターン露光を実現するには電子ビームを高精度に微小領域に収束する必要があるため、ビームの収束を担う電子レンズが非常に重要なデバイスとなる。
このような電子レンズとして、静電レンズが広く用いられている。
静電レンズは一般に一対もしくはそれ以上の電極を有し、前記電極に数ｋＶ〜数十ｋＶの高電圧を印加して電子を収束する。
静電レンズは電子と空気分子の衝突を回避するため、主に真空容器内で用いられる。
しかし、高電圧を印加するため絶縁体表面沿面や部材からの脱ガス、ゴミや欠陥などを起点として放電が起きることがある。
ひとたび放電が起きると、電極、ケーブル、コンデンサに蓄えられた電荷が放電部に流れ込み、大電流が流れレンズ電極や電源等電子機器に障害を与えるという問題が生じる。
【０００３】
放電による大電流抑制のため、特許文献１に示すように回路中に電流制限抵抗を設ける技術が知られている。
この技術によれば、抵抗が放電電流を抑制するため電子機器や電極の破壊を抑制することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１００３１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記した従来例の特許文献１のようなものでは、つぎのような課題を有している。
近年、電子ビーム制御の高精度化が加速する中で、より微小領域に電子ビームを収束することが求められている。そのため、高電界を生み出すために電極間の狭ギャップ化が進んでいる。
狭ギャップ化した電極はそれ自身が大きな静電容量を持つため、放電が発生した際には、電極自身の持つ静電容量によって蓄えられた電荷が一度に流れ瞬間的に大電流が流れることになる。
この瞬間的な大電流は電極材料である金属を蒸発させ、発生した金属蒸気によって放電が維持され連続放電に至る。
連続放電に至ると放電の持続時間は大きくなり、電極等の部材に与えるダメージが非常に大きくなるという問題が生じる。
その際、上記した従来例の電流制限技術では電極外に抵抗を設けているため、電極自身に蓄えられた電荷による放電電流を抑制することができない。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑み、放電時の放電電流を抑制することができ、レンズ部材の劣化を抑制して信頼性の向上を図ることが可能となる静電レンズ及びその製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の静電レンズは、少なくとも一対の離間して配置された対向電極を構成する第一の電極と第二の電極とを備え、前記第一の電極と前記第二の電極のそれぞれに荷電粒子ビームが通過する一つ以上の貫通孔を有する静電レンズであって、
前記第一の電極と第二の電極のうち、少なくとも一方の電極が二つ以上の領域に分割され、
前記分割された領域のうち、少なくとも一つの領域に前記貫通孔が備えられた構成を有し、
前記分割された領域が、抵抗領域を介して電気的に接続されていることを特徴とする。
また、本発明の静電レンズの製造方法は、少なくとも一対の離間して配置された対向電極を構成する第一の電極と第二の電極とを備え、前記第一の電極と前記第二の電極それぞれに荷電粒子ビームが通過する一つ以上の貫通孔を有する静電レンズの製造方法であって、
電極材料に前記荷電粒子ビームが通過する貫通孔を形成すると共に、
前記第一の電極と前記第二の電極との分割部を形成する分割部形成工程と、
前記分割部により分割された前記第一の電極と前記第二の電極とを電気的に接続する抵抗体を形成する抵抗体形成工程と、
支持部材に前記荷電粒子ビームが通過する貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記抵抗体形成工程で抵抗体が形成された部材と前記支持部材とを接合し、電極部材を形成する工程と、
前記電極部材を形成する工程で形成された電極部材を複数用い、該複数の電極部材を積層する工程と、
を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、放電時の放電電流を抑制することができ、レンズ部材の劣化を抑制して信頼性の向上を図ることが可能となる静電レンズ及びその製造方法を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態における静電レンズの構成例につい説明する概略上面図及び断面図。
【図２】本発明の実施形態の静電レンズにおいて電極を直線状に分割した構成例について説明する図。
【図３】本発明の実施形態の静電レンズにおいて領域に複数の貫通孔を有する構成例について説明する図。
【図４】本発明の実施形態の静電レンズにおいて抵抗領域の配置の構成例について説明する図。
【図５】本発明の実施形態の静電レンズにおいて一方の電極のみに抵抗領域を設けた構成例を示す図。
【図６】本発明の実施例１における静電レンズを製造する製造方法の例について説明する図。
【図７】本発明の実施例１における静電レンズの一例である電極三層積層のアインツェルレンズの製造方法の例について説明する図。
【図８】本発明の実施例２における静電レンズを製造する製造方法の例について説明する図。
【図９】本発明の実施例３における静電レンズを製造する製造方法の例について説明する図。
【図１０】本発明の実施例４における静電レンズを製造する製造方法の例について説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の実施の形態における静電レンズの構成例について、図１〜図５を用いて説明する。
なお、以下で説明する本実施形態の構成によって、本発明は何ら限定されるものではない。
本実施例の静電レンズは、少なくとも一対の離間して配置された対向電極を構成する第一の電極と第二の電極とを備え、前記第一の電極と前記第二の電極のそれぞれに荷電粒子ビームが通過する一つ以上の貫通孔を有する。
その具体的構成として、図１（ａ）には、本実施形態における静電レンズの概略上面図が示されている。
電極００６は抵抗領域００１を介して、領域Ａ００２と領域Ｂ００３に分割されている。
領域Ｂ００３は貫通孔００４を有しており、荷電粒子ビームの全部もしくは一部が通過できるようになっている。
図１（ｂ）は、図１（ａ）内φ−φ’断面における概略断面図である。
１対の電極００６が支持部材００５を介して対向しており、両電極００６は抵抗領域００１を介して領域Ａ００２と領域Ｂ００３に分割されている。
支持部材００５はガラスやセラミック等の絶縁性材料で構成するのが好適である。
また、支持部材００５を用いず、電極各々を別の部材で保持してもよい。その際には電極間の真空領域が両電極間の絶縁を維持する。
【００１１】
図１（ａ）中では貫通孔を取り囲むように抵抗領域００１を設けているが、図２に示すように電極を直線状に分割するなど、任意の分割の形状を取ってもよい。
図１、図２中では貫通孔は単一孔であるが、図３（ａ）に示すように貫通孔００４が複数あってもよい。
また、図３（ｂ）に示すように貫通孔００４を含む領域Ｂ００３に相当する領域が複数あってもよいし、図３（ｃ）に示すように貫通孔を含まない領域Ａ００２に相当する領域が複数あってもよい。
また、図３（ｄ）に示すように貫通孔を含む領域Ｂ００３に相当する領域のみで電極を構成してもよい。
【００１２】
図１、図２、図３では貫通孔を丸孔で記述しているが、他の形状の孔であってもその機能を失わない。
図１（ｂ）では抵抗領域００１が電極を形成する領域Ａ００２及び領域Ｂ００３からはみ出すように構成されている。これによると、放電時、領域Ａ００２と領域Ｂ００３に電位差が生じた際に沿面放電を抑止することができ、より好適な構成である。
抵抗領域００１は、図４（ａ）に示すように領域Ａ００２及び領域Ｂ００３と同一の厚さとしても、また図４（ｂ）に示すように領域Ａ００２及び領域Ｂ００３よりも薄い領域で形成してもよい。
また、図４（ｃ）、図４（ｄ）に示すように、抵抗領域００１上に領域Ａ００２及び領域Ｂ００３を設けてもよい。その際、領域Ａ００２及び領域Ｂ００３の両面もしくは片面の全体に抵抗領域が形成されるように配置してもよい。
また、図１及び図４では、一対の電極のどちらにも抵抗領域００１を設けるようにした構成が記載されている。しかし、他部材とのプロセス整合等で製造が難しい場合には、図５に示すように一方の電極のみに設けるようにしても、放電電流抑制効果を発現することが可能である。
【００１３】
抵抗領域の電気抵抗値範囲は、放電電流抑制効果を得るため電極材料の電気抵抗よりも十分大きい必要がある。
また、電極の電位規定の妨げとならぬよう支持部材の電気抵抗よりも十分小さくする必要がある。
電極材料としては、反跳電子等による帯電を回避し、貫通孔００４近傍の電界分布を乱さぬようにするため１×１０2Ω・ｃｍ以下程度の低抵抗材料であると好適である。
支持部材としては、印加する高電界に対する絶縁耐性を持っている必要があるため、ガラスなどの高絶縁耐性材料が好適であり、１×１０12Ω・ｃｍ以上程度の高抵抗であると好適である。
そのため、抵抗領域の材料としては電気抵抗値が１×１０4 〜１×１０10 Ω・ｃｍ程度の材料を用いるのが好適である。
【実施例１】
【００１４】
以下に、本発明の実施例について説明する。なお、以下で説明する本実施例の構成によって、本発明は何ら限定されるものではない。
［実施例１］
実施例１として、静電レンズの製造方法について、図６、図７を用いて説明する。
図６は、本発明の静電レンズの電極部材及び支持部材を製造する製造方法の一例を概略断面図で示した図である。
まず、図６（ａ）に示す電極材料準備工程において、電極材料を準備する。
電極材料としてはＳｉを用い、分割部形成時に電極を保持するため、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）を用いて形成する（図中０１０）。ＳＯＩとしては直径４ｉｎ、ハンドル層（図中００７）厚み５２０μｍ、ＢＯＸ層（酸化膜層、図中００８）厚み５μｍ、デバイス層（図中００９）厚み５２５μｍ、ハンドル層抵抗値１Ω・ｃｍのものを使用する。
次に、図６（ｂ）に示す分割部形成工程において、電極の貫通孔及び分割部を形成する。
一般的なフォトリソグラフィにより、貫通孔部（図中０１２）と分割部（図中０１１）エッチング用のパターンマスクをＳＯＩ上に形成する。
その後、一般的なドライエッチング技術を用いて貫通孔部、分割部ともにデバイス層００９のＳｉをエッチングする。
本実施例ではドライエッチング技術を用いているが、エッチャントはガス状であっても液体状であっても構わない。
【００１５】
次に、図６（ｃ）に示す支持部材準備工程において、支持部材を準備する。
支持部材の材料としては絶縁性及び加工性の観点から厚さ４００μｍ、体積抵抗＞１×１０13Ω・ｃｍのガラス基板０１３を使用する。
次に、図６（ｄ）に示す貫通孔形成工程において、支持部材０１３に貫通孔を形成する。
ここでは、サンドブラスト加工により貫通孔を形成する。支持部材の貫通孔形成には他にウェットエッチング、ドリル加工など一般的に知られる貫通孔形成技術を用いても構わない。
次に、図６（ｅ）に示す分割部絶縁体形成工程において、分割部絶縁体を形成する。
ここでは、分割部を電気的に分断された状態にするため、分割部に絶縁体０１４を形成する。
前記絶縁体はＣＶＤ、蒸着、スパッタリング等の一般的な成膜技術もしくは塗布によって形成されることが望ましい。本実施例では分割部に塗布ガラスを塗布し、５００℃で加熱硬化させる。
【００１６】
次に、図６（ｆ）に示す抵抗体形成工程において、抵抗体０１５を形成する。抵抗体はフォトリソグラフィにより、領域Ａ００２と領域Ｂ００３を電気的に接続するように配置される。
材料は抵抗制御の観点から、Ａｌ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｓｉ等金属の酸化物、窒化物、その他化合物、炭素を主とする膜（例：ダイアモンドライクカーボン）などが好ましい。
抵抗体材料としてＢＯＸ層のエッチャントでエッチング可能な材料を選んだ場合には、図７中の０１６に示す領域の抵抗体をＢＯＸ層除去時に同時に除去することが出来る。
そのため、フォトリソグラフィ工程を経ずに抵抗体形成を行うことが可能であり、工程数を削減することができるため好ましい。
本実施例ではＢＯＸ層のエッチャントであるフッ化アンモニウム水溶液に溶解する、酸化アルミニウムを反応性スパッタリングを用いて形成する。
形成した酸化アルミニウムの膜厚は２００ｎｍ、体積抵抗は１×１０8 Ω・ｃｍである。
次に、図６（ｇ）に示す電極−支持部材接着工程において、電極と支持部材とを接着する。
図６（ｄ）の貫通孔形成工程で形成した支持部材と、図６（ｆ）の抵抗体形成工程において抵抗体が形成された電極部材とを接着する。
本実施例では真空用のエポキシ接着剤で接着する。その他、Ｆｕｓｉｏｎ  ｂｏｎｄｉｎｇ、陽極接合や他の接着剤による接着などを用いてもよい。
【００１７】
次に、図６（ｈ）に示すハンドル層００７及びＢＯＸ層００８の除去工程において、つぎのようにハンドル層とＢＯＸ層を除去する。
ハンドル層００７のＳｉを除去する際は、まず５０μｍ程度の厚さまでバックグラインド及びＣＭＰ研削を行う。これは工程時間の短縮のためであり、ハンドル層００７が十分に薄い場合には必ずしも必要ではない。
続いて、薄く残ったハンドル層００７をＴＭＡＨによるウェットエッチングによって除去する。エッチャントはＴＭＡＨの他にＫＯＨなどのアルカリ溶液から適宜選択してもよい。またドライエッチングで行う場合には、ＳＦ6、ＣＦ4、ＣＨＦ3、ＸｅＦ2等のエッチングガスから選択してもよい。
続いて、ＢＯＸ層００８をフッ化アンモニウム水溶液によるウェットエッチングによって除去する。
エッチャントは、その他フッ酸を含む水溶液から適宜選択してもよい。
この際、分割部の絶縁体０１４がエッチングに対する耐性が無い場合には、図６（ｅ）の工程での絶縁体形成前に、ＳｉＮ膜等の適切な保護膜を形成し、ＢＯＸ層除去時にエッチャントと絶縁体が直接接触しないようにするのが好適である。図６（ｈ）中の００２ｏｒ００３とは、貫通孔が複数ある場合には貫通孔を有する領域Ｂ００３の隣の領域が領域Ａ００２の場合と領域Ｂ００３の場合とどちらもあり得ることを意味している。
以上で本発明に係る静電レンズの電極の一つと支持部材が完成する。
【００１８】
つぎに、図６で示した工程を用いて形成した電極と支持部材を用いて、本発明の静電レンズを製造する製造方法の例を、図７を用いて説明する。
図７は本発明の静電レンズの一例である電極三層積層のアインツェルレンズの製造方法のプロセスフローの例を示した図である。
アインツェルレンズとは三枚の電極からなる静電レンズであり、レンズの入り口と出口が同じ電位になることを特徴とする。レンズ前後で電位変化が無いため装置を構成しやすく、広く用いられている。
【００１９】
まず、図７（ｉ）に示す電極部材準備工程において、上記図６の電極部材製造方法で作製した電極部材を、複数用いるための準備をする。
次に、図７（ｊ）に示す電極部材積層工程において、電極部材を二つ積層して接着する。
接着方法としては真空用のエポキシ接着剤を用いた。その他Ｆｕｓｉｏｎ  ｂｏｎｄｉｎｇ、陽極接合、その他の接着剤などを用いてもよい。
次に、図７（ｋ）に示す工程において、図６（ｆ）の抵抗体形成工程において抵抗体が形成された電極部材を準備する。
図７（ｋ）に示す部材は、図６（ｆ）に示される工程で作製された部材である。次に、図７（ｌ）に示す工程において、上記図７（ｊ）の電極部材積層工程で得られた部材と、図７（ｋ）で準備した部材と接着する。
接着剤については、図７（ｊ）と同様のものを用いることができる。
次に、図７（ｍ）に示すハンドル層除去工程において、ハンドル層を除去する。除去方法等については、図６（ｈ）の工程と同様の方法を用いることができる。
【００２０】
以上の工程により作製されたアインツェルレンズに図７（ｎ）に示すように電圧を印加し、放電による寿命への影響を調べた。
印加した電圧は１０ｋＶである。結果、本発明の静電レンズは通常のＳｉ電極のみで構成された同様のアインツェルレンズに比べて放電による寿命の劣化が抑制されていることが確認された。
本実施例では、図６（ｈ）、図７（ｉ）に示す電極と支持部材の接着された部材を複数作ってから積層したが、図６に示す工程を繰り返していくことで電極、支持部材、電極、支持部材と順々に重ねて積層して製造しても構わない。
上記工程のうち、図６（ｇ）のハンドル層、ＢＯＸ層除去工程及び、図６（ｈ）の抵抗体形成工程は、各々の電極と支持部材との接着工程の後に各々行ってもよいし、両電極を支持部材に接着した後に行ってもよい。
また、本実施例では同一工程で形成した電極部材を積層してレンズを製造しているが、異なる構造、寸法で作られた電極部材を積層してレンズを製造しても本発明の機能は失われない。
【００２１】
［実施例２］
実施例２として、実施例１とは異なる形態の静電レンズの製造方法について、図８を用いて説明する。
図８は、本発明の静電レンズの電極部材及び支持部材を製造する製造方法の一例を示した図である。
本実施例では、フローの最終工程で抵抗体を形成する製造方法について説明する。
本実施例の方法を用いると、抵抗体が複数のプロセスを経ることが無いため抵抗値の制御性を高めることができるため好適である。
【００２２】
以下に、本実施例における各製造工程について説明する。
図８（ａ）〜図８（ｅ）までの各工程は、実施例１における図６（ａ）〜図６（ｅ）の工程と、同様の工程である。
図８（ｆ）に示す電極−支持部材接着工程において、図８（ｄ）で形成した支持部材と、図８（ｅ）で形成した電極部材とを接着する。
その際、本実施例ではＦｕｓｉｏｎ  ｂｏｎｄｉｎｇと呼ばれる接合方法を用いて接着する。その他、陽極接合、接着剤による接着などを用いてもよい。
次に、図８（ｇ）に示すハンドル層及びＢＯＸ層除去工程において、実施例１における図６（ｈ）の工程と同様の方法により、ハンドル層及びＢＯＸ層を除去する。
次に、図８（ｈ）に示す抵抗体形成工程において、抵抗体０１５を形成する。
抵抗体はフォトリソグラフィにより、領域Ａ００２と領域Ｂ００３を電気的に接続するように配置される。
材料は抵抗制御の観点から、Ａｌ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｓｉ等金属の酸化物、窒化物、その他化合物、炭素を主とする膜（例：ダイアモンドライクカーボン）などが好ましい。
絶縁体０１４が電子線の照射を受ける領域に存在している場合には、絶縁体０１４の帯電を避けるため、抵抗体０１５が絶縁体０１４を完全に覆うように形成されていることが望ましい。
本実施例ではアルミニウムを窒素雰囲気化で反応性スパッタリングしてＡｌＮ膜を形成する。
形成したＡｌＮの膜厚は２００ｎｍ、体積抵抗は１×１０7 Ω・ｃｍである。以上で本発明に係る静電レンズの電極の一つと支持部材が完成する。
【００２３】
上記工程で製造したレンズ部材を実施例１と同様に積層してアインツェルレンズを作製し、電圧を印加して放電による寿命への影響を調べた。
印加した電圧は１０ｋＶである。
結果、本発明の静電レンズは通常のＳｉ電極のみで構成された同様のアインツェルレンズに比べて放電による寿命の劣化が抑制されていることが確認された。
【００２４】
［実施例３］
実施例３として、上記各実施例とは異なる形態の静電レンズの製造方法について、図９を用いて説明する。
図９は本発明の静電レンズの電極部材及び支持部材を製造する製造方法の一例を示した図である。
本実施例では、電極形成にＳＯＩを使わない場合の製造方法の例について説明する。
本実施例の方法を用いると、高価なＳＯＩをウェハーＳｉ等で代用することでコストが削減できる。
【００２５】
以下に、本実施例における各製造工程について説明する。
まず、図９（ａ）に示す電極材料準備工程において、電極材料を準備する。
本実施例では膜厚５２５μｍ、体積抵抗値０．１Ω・ｃｍのウェハーＳｉを用いる。
次に、図９（ｂ）に示す支持部材材料準備工程を実施する。この工程は実施例１の図６（ｃ）の工程と同様である。
次に、図９（ｃ）に示す貫通孔形成工程を実施する。この工程は実施例１の図６（ｄ）の工程と同様である。
次に、図９（ｄ）に示す電極−支持部材接着工程において、電極と支持部材とを接着する。その際、実施例１の図６（ｇ）の工程と同様にＦｕｓｉｏｎ  ｂｏｎｄｉｎｇ、陽極接合、接着剤等を用いて接着することができる。
本実施例ではＦｕｓｉｏｎ  ｂｏｎｄｉｎｇを用いて接合した。接着剤を用いて接着する場合には、領域分割後に領域Ａ００２と領域Ｂ００３がどちらも支持部材に接着されるよう、接着剤の配置に留意が必要である。
次に、図９（ｅ）に示す電極の貫通孔及び分割部形成工程を実施する。この工程は実施例１の図６（ｂ）の工程と同様である。
次に、図９（ｆ）に示す抵抗体形成工程を実施する。この工程は実施例１の図６（ｆ）の工程と同様である。
以上で本発明に係る静電レンズの電極の一つと支持部材が完成する。
【００２６】
上記工程で製造したレンズ部材を実施例１と同様に積層してアインツェルレンズを作製し、電圧を印加して放電による寿命への影響を調べた。
印加した電圧は１０ｋＶである。
結果、本発明の静電レンズは通常のＳｉ電極のみで構成された同様のアインツェルレンズに比べて放電による寿命の劣化が抑制されていることが確認された。
【００２７】
［実施例４］
実施例４として、上記各実施例とは異なる形態の静電レンズの製造方法について、図１０を用いて説明する。
図１０は、本発明の静電レンズの電極部材及び支持部材を製造する製造方法の一例を示した図である。
本実施例では、支持部材上に導電性材料を成膜し電極を形成する場合の製造方法の例について説明する。
本実施例の方法を用いると、製造工程及び部材を削減することができ、低コスト化を図ることが可能となる。
【００２８】
以下に、本実施例における各製造工程について説明する。
まず、図１０（ａ）に示す支持部材準備工程において、支持部材を準備する。この工程は実施例１の図６（ｃ）の工程と同様である。
次に、図１０（ｂ）に示す抵抗体形成工程において、抵抗体を形成する。
ＡｌＮを反応性スパッタリングにより形成する。
実施例１の図６（ｆ）の工程と同様に、Ａｌ、Ｇｅ、Ｔｉ等金属の酸化物、窒化物、その他化合物、炭素を主とする膜（例：ダイアモンドライクカーボン）などを用いてもよい。形成したＡｌＮの膜厚は２００ｎｍ、体積抵抗は１×１０7 Ω・ｃｍである。
次に、図１０（ｃ）に示す電極形成工程において、電極を形成する。
ＳｉをＣＶＤによって形成する。その他、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｕなど導電率の高い金属材料を用いるのも好適である。
形成したＳｉの膜厚は１μｍ、体積抵抗は１×１０1 Ω・ｃｍである。
【００２９】
次に、図１０（ｄ）に示す分割部形成工程において、分割部を形成する。
一般的なフォトリソグラフィプロセスにより電極部０１８に溝０１１を形成する。エッチャントにはＴＭＡＨを用いる。エッチャントはその他、ガス状のものであっても液状のものであっても構わない。
次に、図１０（ｅ）に示す貫通孔形成工程において、貫通孔を形成する。
一般的なフォトリソグラフィプロセスにより、支持部材０１３、抵抗体０１５、電極部０１８を貫通する貫通孔を形成するエッチャントとしてはＫＯＨ及びＢＨＦを用いる。エッチャントはこれに限らず、その他ガス状のものであっても液体状のもので有ってもよい。
また、ドリル加工などの機械加工によって貫通孔を形成してもよい。
機械加工の場合には、ガス状もしくは液状のエッチャントによるエッチングを追加することによって、貫通孔壁面の形状を改善するのが好適である。
【００３０】
以上で本発明に係る静電レンズの電極の一つと支持部材が完成する。
上記工程で製造したレンズ部材を実施例１と同様に積層しアインツェルレンズを作製し、電圧を印加して放電による寿命への影響を調べた。
印加した電圧は１０ｋＶである。
結果、本発明の静電レンズは通常のＳｉ電極のみで構成された同様のアインツェルレンズに比べて放電による寿命の劣化が抑制されていることが確認された。
【符号の説明】
【００３１】
００１：抵抗領域
００２：領域Ａ（貫通孔を含まない）
００３：領域Ｂ（貫通孔を含む）
００４：貫通孔
００５：支持部材
００６：電極（領域Ａ＋領域Ｂ＋抵抗領域）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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