(57)【要約】【課題】取り付けの向きの制約が少なく、電流をより確実に遮断し得るヒューズ素子を提供する。【解決手段】基板２上に導体配線３が設けられており、導体配線３の一部を覆うように低融点金属層６が設けられており、第１の溶断部９及び第２の溶断部１０上に低融点金属層５，６が設けられており、第１の溶断部９から見た第１，第２の導体配線部３ｅ，３ｆの方向を第１及び第２の方向、第２の溶断部１０から見た第３，第４の導体配線部３ｇ，３ｈの方向をそれぞれ第３及び第４の方向としたときに、第１の方向と第２の方向とが異なる方向であり、第３の方向と第４の方向とが異なる方向であり、第１の方向及び第２の方向のうち少なくとも一方の方向が、第３の方向及び第４の方向と異なっている、ヒューズ素子１。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられている導体配線と、
前記導体配線の一部を覆うように設けられており、前記導体配線よりも融点が低く、融液となって前記導体配線を溶解させて溶断部を形成する低融点金属層とを備えるヒューズ素子であって、
前記溶断部が、第１の溶断部と第２の溶断部とを有し、
前記第１の溶断部及び前記第２の溶断部をそれぞれ構成するように、前記低融点金属層が、前記導体配線の前記第１の溶断部に設けられた第１の低融点金属層と、前記第２の溶断部に設けられた第２の低融点金属層とを有し、
前記第１の溶断部の一方側の導体配線部分を第１の導体配線部、他方側の導体配線部分を第２の導体配線部とし、前記第２の溶断部の一方側の導体配線部分を第３の導体配線部、他方側の導体配線部分を第４の導体配線部とし、
第１の溶断部から見た第１の導体配線部の方向を第１の方向、第１の溶断部から見た第２の導体配線部の方向を第２の方向、第２の溶断部から見た第３の導体配線部の方向を第３の方向、第２の溶断部から見た第４の導体配線部の方向を第４の方向としたときに、第１の方向と第２の方向とが異なる方向であり、第３の方向と第４の方向とが異なる方向であり、
第１の方向及び第２の方向のうち少なくとも一方の方向が、第３の方向及び第４の方向と異なっている、ヒューズ素子。
【請求項２】
前記第１の方向と、前記第２の方向と、前記第３の方向と、前記第４の方向とが、それぞれ異なる方向である、請求項１に記載のヒューズ素子。
【請求項３】
前記第１の方向と前記第２の方向とが逆方向であり、前記第３の方向と前記第４の方向とが逆方向である、請求項２に記載のヒューズ素子。
【請求項４】
前記第１，第２の方向と平行な直線と、前記第３，第４の方向と平行な直線とが直交する関係にある、請求項３に記載のヒューズ素子。
【請求項５】
前記導体配線に第３の溶断部を構成するように、前記導体配線を覆うように前記第１，第２の溶断部以外の位置に設けられている少なくとも１つの第３の低融点金属層をさらに備える、請求項１〜４のいずれか１項に記載のヒューズ素子。
【請求項６】
前記溶断部において、前記導体配線が半田喰われを生じる金属からなり、前記低融点金属層が半田からなる、請求項１〜５のいずれか１項に記載のヒューズ素子。
【請求項７】
前記溶断部の導体配線がＡｇからなる、請求項６に記載のヒューズ素子。
【請求項８】
前記基板に設けられたビア導体をさらに備え、該ビア導体の一端が、前記溶断部に接続されている、請求項１〜７のいずれか１項に記載のヒューズ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、過電流が流れた際に溶断し、電子回路等を保護するヒューズ素子に関し、より詳細には、基板上に溶断部を有するように導体配線が設けられているヒューズ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子機器を過電流から保護するために、様々なヒューズ素子が用いられている。下記の特許文献１には、金属からなるヒューズ導体の一部に、錫や鉛等の低融点金属が付着されているヒューズ素子が開示されている。過電流が流れた場合には、低融点金属が溶融し、かつその融液がヒューズ導体を溶解させる。それによって、回路が遮断される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−９９３７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載のような従来の低融点金属を用いたヒューズ素子には、溶断部において、低融点金属の融液や低融点金属の融液により溶解されたヒューズ導体溶液のような液状物が留まるおそれがあった。そのため、回路を確実に遮断することができないことがあった。
【０００５】
本発明の目的は、電流を確実に遮断することができるヒューズ素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るヒューズ素子は、基板と、導体配線と、低融点金属層とを備える。導体配線は上記基板上に設けられている。上記低融点金属層は、上記導体配線を一部覆うように設けられている。また、低融点金属層は、上記導体配線よりも融点が低く、融液となって上記導体配線を溶解させて溶断部を形成する。
【０００７】
また、本発明では、上記溶断部が、第１，第２の溶断部を有する。また、第１，第２の溶断部をそれぞれ構成するように、低融点金属層は、導体配線の第１の溶断部に設けられた第１の低融点金属層と、第２の溶断部に設けられた第２の低融点金属層とを有する。
【０００８】
第１の溶断部の一方側の導体配線部分を第１の導体配線部とし、他方側の導体配線部分を第２の導体配線部とする。また、第２の溶断部の一方側の導体配線部分を第３の導体配線部とし、他方側の導体配線部分を第４の導体配線部とする。第１の溶断部から見た第１の導体配線部の方向を第１の方向、第１の溶断部から見た第２の導体配線部の方向を第２の方向、第２の溶断部から見た第３の導体配線部の方向を第３の方向、第２の溶断部から見た第４の導体配線部の方向を第４の方向とする。第１の方向と第２の方向とが異なる方向であり、第３の方向と第４の方向とが異なる方向である。また、第１の方向及び第２の方向のうち少なくとも一方の方向が、第３の方向及び第４の方向と異なっている。
【０００９】
本発明に係るヒューズ素子では、前記第１の方向と、前記第２の方向と、前記第３の方向と、前記第４の方向とが、それぞれ異なる方向であってもよい。
【００１０】
本発明に係るヒューズ素子では、前記第１の方向と前記第２の方向とが逆方向であり、前記第３の方向と前記第４の方向とが逆方向であってもよい。
【００１１】
本発明に係るヒューズ素子では、前記第１，第２の方向と平行な直線と、前記第３，第４の方向と平行な直線とが直交する関係にあってもよい。
【００１２】
本発明に係るヒューズ素子では、前記導体配線に第３の溶断部を構成するように、前記導体配線を覆うように前記第１，第２の溶断部以外の位置に設けられている少なくとも１つの第３の低融点金属層がさらに備えられていてもよい。
【００１３】
本発明に係るヒューズ素子では、好ましくは、前記溶断部において、前記導体配線が半田喰われを生じる金属からなり、前記低融点金属層が半田からなる。
【００１４】
本発明に係るヒューズ素子では、好ましくは、前記溶断部の導体配線がＡｇからなる。
【００１５】
本発明に係るヒューズ素子では、好ましくは、前記基板に設けられたビア導体をさらに備え、該ビア導体の一端が、前記溶断部に接続されている。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係るヒューズ素子によれば、ヒューズ素子の実装状態や向きによらず、第１及び第２の溶断部の少なくとも一方を確実に溶断させることができる。よって、ヒューズ素子が搭載されている回路において、電流を確実に遮断することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係るヒューズ素子の模式的平面図及び（ａ）中のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図２】第１の実施形態において、低融点金属層を取り除いた状態を示すヒューズ素子の平面図である。
【図３】第１の実施形態のヒューズ素子における第１の溶断部付近の構造を示す正面図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係るヒューズ素子の模式的平面図及び（ａ）中のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図５】第２の実施形態において、低融点金属層を取り除いた状態を示すヒューズ素子の平面図である。
【図６】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第３の実施形態に係るヒューズ素子の模式的平面図及び（ａ）中のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。
【図７】第３の実施形態において、低融点金属層を取り除いた状態を示すヒューズ素子の平面図である。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第４の実施形態に係るヒューズ素子の模式的平面図及び（ａ）中のＤ−Ｄ線に沿う断面図である。
【図９】第４の実施形態において、低融点金属層を取り除いた状態を示すヒューズ素子の平面図である。
【図１０】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第５の実施形態に係るヒューズ素子の模式的平面図及び（ａ）中のＥ−Ｅ線に沿う断面図である。
【図１１】第５の実施形態において、低融点金属層を取り除いた状態を示すヒューズ素子の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００１９】
図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係るヒューズ素子の平面図及び（ａ）中のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【００２０】
ヒューズ素子１は、基板２を有する。基板２は、適宜の絶縁性材料からなる。このような絶縁性材料としては、低温焼成セラミック材料や、高温焼成セラミック材料などの絶縁性セラミック材料を好適に用いることができる。低温焼成セラミック材料としては、Ｂａ、Ａｌ及びＳｉを主成分とする材料などが好適に用いられる。高温焼成セラミック材料としては、アルミナなどを用いることができる。
【００２１】
基板２の上面には、導体配線３が設けられている。本実施形態では、導体配線３は矩形枠状の形状から、１つのコーナー部分を除去した形状とされている。導体配線３の一部を覆うように、複数の低融点金属層４〜７が設けられている。
【００２２】
図２は、上記低融点金属層４〜７を除去して導体配線３の形状を示す平面図である。導体配線３は、第１の端部３ａと、第２の端部３ｂとを有する。第１の端部３ａから第２の端部３ｂに向かう線路において、複数の溶断部８〜１１が設けられている。この複数の溶断部８〜１１以外の部分では、導体配線３は、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｐｄなどの金属からなる。他方、溶断部８〜１１は、導体配線３の全幅に至るように設けられている。そして、溶断部８〜１１は、前述した低融点金属層４〜７が溶解し融液となった場合、該融液により溶解される金属からなる。低融点金属層４〜７としては、例えば、Ｓｎ、ＳｎとＡｇ、ＳｎとＡｇとＣｕ、ＳｎとＣｕ等の錫系半田、ＢｉとＡｇ、ＢｉとＳｂ等のビスマス系半田などが用いられ、上記溶断部８〜１１としては、このような低融点金属の融液により溶解される金属、たとえばＡｇ、ＡｇとＰｄ、ＡｇとＰｔ等のＡｇ系合金などからなる。好ましくは、半田喰われにより容易に溶解するＡｇが用いられる。
【００２３】
溶断部８〜１１は、低融点金属層４〜７が融液となった際に溶断部８〜１１を構成している金属が溶解し、電流を遮断する機能を果たす。これを、溶断部９を代表して図３を参照して説明する。
【００２４】
図３に示すように、溶断部９においては、溶断部９の上方に低融点金属層５が積層されている。過電流が流れた場合、あるいは後述する発熱素子の発熱による熱が与えられると、低融点金属層５が溶融し、融液状態となる。この融液に接触している溶断部９を構成している金属が溶解され、液状物となる。この液状物が、溶断部から溶断部の外側（第１の導体配線部３ｅ側や第２の導体配線部３ｆ側）へと移動していく。
【００２５】
その結果、溶断部９の一方側の第１の導体配線部３ｅと、他方側の第２の導体配線部３ｆとの間の領域から上記液状物がなくなり、第１の導体配線部３ｅと第２の導体配線部３ｆとが遮断される。このようにして、電流遮断機能が発現する。他の溶断部８，１０，１１においても、同様にして、電流が遮断され得る。
【００２６】
複数の溶断部８〜１１のうち、溶断部９が、本発明における第１の溶断部を、溶断部１０が本発明における第２の溶断部に相当する。この点については、後ほど詳述する。
【００２７】
図１（ｂ）に示すように、基板２内には、ビアホール導体１２が設けられている。ビアホール導体１２の上端は、導体配線３の溶断部８に電気的に接続されている。本実施形態では、導体配線３のうち溶断部８を構成している部分において、溶断部８の下面にビアホール導体１２の上端が接合されている。他方、ビアホール導体１２の下端は、基板２の下面に至っている。基板２の下面には、端子電極１３が設けられている。端子電極１３にビアホール導体１２が電気的に接続されている。
【００２８】
また、図２に破線で示すように、溶断部１１においても、ビアホール導体１４の上端が溶断部１１の下面に電気的に接続されている。ビアホール導体１４は、基板２の下面に至っている。
【００２９】
図１（ｂ）に戻り、基板２の下面には、端子電極１５と接続電極１６とが設けられている。接続電極１６に、上記ビアホール導体１４の下端が図示されていない位置において接続されている。
【００３０】
また、図１（ｂ）に示すように、端子電極１５と接続電極１６とは、ビアホール導体１７，１８により発熱素子１９に電気的に接続されている。発熱素子１９は、基板２に埋設されている。
【００３１】
発熱素子１９は、図１（ｂ）では明確ではないが、上記溶断部８〜１１が設けられている部分の下方に至るように配置されている。なお、溶断部８では、ビアホール導体１２が設けられているため、該ビアホール導体１２と接触しないように発熱素子１９が溶断部８の下方の領域に至っている。溶断部１１においてもビアホール導体１４に接触しないように、溶断部１１の下方の領域に発熱素子１９が至っている。
【００３２】
発熱素子１９は、電流が流れた場合に発熱する抵抗発熱体により形成することができる。このような抵抗発熱体としては、Ｎｉを主体とし、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ及びＦｅのうち少なくとも１種を含む合金などにより形成することができる。
【００３３】
発熱素子１９が発熱した場合、その熱が溶断部８〜１１に与えられるように、発熱素子１９が基板２内に配置されている。すなわち、前述したように、溶断部８〜１１の下方に発熱素子１９が位置している。加えて、発熱素子１９の位置は、発熱素子１９の溶断部８〜１１に与え得るように選択されている。
【００３４】
上記構成では、端子電極１３と端子電極１５との間に、導体配線３と、発熱素子１９とが直列に接続されている。
【００３５】
本実施形態では、端子電極１３と端子電極１５との間に過電流が流れた場合、あるいは過充電により発熱素子１９が発熱した場合に、溶断部８〜１１のうち少なくとも１カ所において溶断により電流が遮断される。特に上記溶断部８〜１１が以下のように設けられているため、ヒューズ素子１が配置される向きの如何に関わらず、電流を確実に遮断することができる。
【００３６】
図２に示した溶断部８〜１１のうち、溶断部９が第１の溶断部に相当し、溶断部１０が第２の溶断部に相当する。溶断部９においては、溶断部９を挟んで第１の導体配線部３ｅと、第２の導体配線部３ｆとが存在する。すなわち、溶断部９から見て一方側に第１の導体配線部３ｅが、他方側に第２の導体配線部３ｆが存在する。ここで溶断部９から第１の導体配線部３ｅに向かう方向を、図１（ａ）の矢印−Ｘ方向とし、第２の導体配線部３ｆに向かう方向を矢印Ｘ方向とする。
【００３７】
また、第２の溶断部１０においては、一方側に第３の導体配線部３ｇが、他方側に第４の導体配線部３ｈが存在する。溶断部１０から第３の導体配線部３ｇに向かう方向を、図１（ａ）の矢印で示すようにＹ方向とする。溶断部１０から第４の導体配線部３ｈに向かう方向を、図１（ａ）の矢印−Ｙ方向とする。
【００３８】
本実施形態における上記−Ｘ方向が、本発明における第１の方向、Ｘ方向が第２の方向、Ｙ方向が第３の方向、−Ｙ方向が第４の方向となる。したがって、本実施形態では、第１の方向と、第２の方向と、第３の方向と、第４の方向とがそれぞれ異なる方向である。もっとも、本発明では、第１の方向及び第２の方向のうち少なくとも一方の方向が第３の方向及び第４の方向と異なっていればよい。
【００３９】
また、本実施形態では、上記のように、第１の方向である−Ｘ方向、第２の方向であるＸ方向が逆方向であり、第３の方向であるＹ方向と、第４の方向である−Ｙ方向とが逆方向である。特に、Ｘ方向及び−Ｘ方向と平行な直線と、Ｙ方向及び−Ｙ方向と平行な直線とが直交する関係にある。したがって、以下の動作の説明から明らかなように、ヒューズ素子を構成している基板が水平面以外の向きに配置された場合においても、より確実に電流を遮断しやすくすることができる。すなわち、ヒューズ素子の配置の向きの制約を低減することができる。
【００４０】
いま、過電流が流れた場合、溶断部８〜１１において溶断部８〜１１を構成している金属が液状物となる。
【００４１】
仮に、溶断部８〜１１のうち溶断部９のみが設けられている構造では、基板２の短辺側の側面２ｂが上下方向を向いているように配置された場合、隣接する第１の導体配線部３ｅ、第２の導体配線部３ｆの一方のみには移動せず両側に同じように移動する事から溶断部に液状物が残留するおそれが出てくる。すなわち、Ｙ方向及び−Ｙ方向が上下方向に位置している場合には、第１の溶断部９だけでは、電流を確実に遮断できないおそれがある。逆に、第２の溶断部１０のみが設けられている構造においては、長辺側の側面２ａが上下方向を向く場合、すなわちＸ方向及び−Ｘ方向が上下方向となる場合には、第２の溶断部１０から液状物が移動しにくい。
【００４２】
これに対して、本実施形態では、第１の溶断部としての溶断部９と第２の溶断部としての溶断部１０の双方が設けられているため、長辺側の側面２ａが上下方向を向いている場合であっても、あるいは短辺側の側面２ｂが上下方向を向いている場合であっても、より確実に電流を遮断することができる。
【００４３】
さらに、矢印−Ｘ，Ｘ，−Ｙ及びＹ方向に、溶断部９，１０の両側の導体配線部が延ばされているため、上記Ｘ方向やＹ方向が上下方向を向く場合に限らず、基板２の面が水平面以外の場合のいずれの場合にも、液状物が溶断部外（溶断部外の導体配線部）に移動しやすい。
【００４４】
よって、基板２を、その主面が水平面以外を向くようにヒューズ素子１が設置、利用される場合においても、より確実な電流の遮断を実現することができる。言い換えれば、基板２の向きの制約を低減することができる。したがって、ヒューズ素子１では、ヒューズ素子１の取り付け位置の制約が非常に少なくなり、より確実に電流を遮断することができる。
【００４５】
言い換えれば、溶断部９においては、半田喰われが進行し得る軸方向がＸ方向及び−Ｘ方向の２軸であり、溶断部１０ではＹ方向及び−Ｙ方向の２軸である。したがって４軸方向に半田喰われが進行し得るため、上記のように電流をより確実に遮断することができる。つまり、本実施形態によれば、Ｘ方向、−Ｘ方向、Ｙ方向、−Ｙ方向の４軸方向に半田喰われ方向を規定しているため、Ｘ方向、−Ｘ方向、Ｙ方向、−Ｙ方向のうち少なくとも一方向側に半田喰われを進行させることで、電流を確実に遮断することができる。
【００４６】
なお、本実施形態では、上記第１の溶断部として溶断部９及び第２の溶断部としての溶断部１０に加えて、第３の溶断部として溶断部８，１１が設けられている。溶断部８では、導体配線部３ｃ，３ｄ間に溶断部８が配置されている。ここでは、導体配線部３ｄ側に向かう方向がＹ方向となる。また、溶断部１１においては、導体配線部３ｉ，３ｊ間に溶断部１１が配置されている。溶断部１１から導体配線部３ｉに向かう方向がＸ方向となる。
【００４７】
また、本実施形態では溶断部８，１１の下面に、前述したビアホール導体１２，１４が接続されている。したがって、溶断部８，１１において電流を遮断するには上記ビアホール導体１２，１４との電気的接続が遮断されればよい。言い換えれば、溶断部８，１１においては、溶断部８，１１を占めている金属の液状物が溶断部外（溶断部外の導体配線部）に完全に移動する必要はない。ビアホール導体１２，１４の上面から液状物が排除されればよい。ビアホール導体１２，１４の径は、通常、５０μｍ〜２００μｍ程度と小さい。したがって、溶断部９，１０に比べ溶断部８，１１においては、電流をより一層確実にかつ容易に遮断することができる。
【００４８】
よって、本発明においては、好ましくは、ビアホール導体が基板内に設けられており、ビアホール導体の上面が溶断部の下面に接続されていることが望ましい。その場合には、溶断部においてビアホール導体との電気的接続を容易に解くことができる。なお、本実施形態では溶断部８，１１も、上記のように半田喰われ方向がＹ方向及びＸ方向とされているため、溶断部８，１１においても電流遮断機能が発現される。
【００４９】
もっとも、第３の溶断部としての溶断部８，１１は必ずしも設けられずともよい。
【００５０】
また、図１（ｂ）に一点鎖線で示すように、導体的に熱収縮率が小さい基板層２Ａを設けることが望ましい。この基板層２Ａは、残りの基板層よりも熱収縮率が小さいセラミック材料からなる。この場合には、発熱素子１９が発熱した場合、基板層２Ａの収縮率が相対的に小さいため、発熱素子１９に接している基板部分において基板２を破断することができる。それによって、導体配線部３の一部が破断され、電流が遮断される。このように、発熱素子１９を用いた基板の破断によっても、電流遮断機能を果たすことができる。好ましくは、発熱素子１９の発熱により、基板２が破断するように、相対的に熱収縮率が小さい基板層２Ａを設けることが望ましい。より好ましくは、基板層２Ａは発熱素子１９に接触して設けることが好ましい。
【００５１】
図４（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係るヒューズ素子の平面図及び（ａ）中のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。図５は、図４（ａ）から低融点金属層を取り除いた状態を示す平面図である。
【００５２】
図４（ａ）に示すように、本実施形態のヒューズ素子２１では、基板２上に、導体配線部３と、低融点金属層２４〜２６が積層されている。図５に示すように導体配線部３は３個の溶断部２８〜３０を含むように構成されている。溶断部２８〜３０を構成する材料及び溶断部２８〜３０以外の導体配線部分を構成する材料は第１の実施形態と同様である。また、低融点金属層２４〜２６も、第１の実施形態の低融点金属層４〜７と同様の材料で構成されている。
【００５３】
本実施形態では、図４（ａ）に示すように、導体配線部３は、矩形枠状の一辺を取り除いた平面形状を有する。導体配線部３の第１の端部３ａと、第２の端部３ｂとの間の線路において、上記のように３個の溶断部２８〜３０が形成されている。そして、第１の溶断部としての溶断部２８の一方側に導体配線部３ｃが、他方側に導体配線部３ｄが配置されている。溶断部２８から導体配線部３ｃを向く方向が図４（ａ）に示す−Ｙ方向である。溶断部２８から見て、導体配線部３ｄに向かう方向が、図４（ａ）で示すように、Ｙ方向である。
【００５４】
他方、第２の溶断部としての溶断部２９においては、一方側に導体配線部３ｅが、他方側に導体配線部３ｆが存在する。溶断部２９から見て、導体配線部３ｅに向かう方向が−Ｘ方向であり、導体配線部３ｆに向かう方向がＸ方向である。
【００５５】
なお、第２の実施形態では、導体配線部３ｃ，３ｄが、本発明における第１，第２の導体配線部にそれぞれ相当する。同様に、導体配線部３ｅ，３ｆが、それぞれ、本発明の第３，第４の導体配線部に相当することとなる。
【００５６】
なお、本実施形態では、第１の溶断部として、もう１つの溶断部３０が設けられている。また、図５に示すように、溶断部２８，３０の下面にビアホール導体１２，１４が電気的に接続されている。
【００５７】
その他の構成は、第２の実施形態は第１の実施形態と同様である。したがって、同一部分については同一の参照番号を付することにより、第１の実施形態の説明を引用することとする。
【００５８】
なお、図４（ｂ）に示した発熱素子１９は、上記溶断部２８〜３０の下方の一部に至るように設けられている。
【００５９】
第２の実施形態にヒューズ素子２１においても、第１の溶断部２８，３０において半田喰われが進行する方向がＹ方向及び−Ｙ方向の２軸である。また、第２の溶断部２９においても、Ｘ方向及び−Ｘ方向の２軸である。したがって、全体として半田喰われ方向が４軸であるため、第１の実施形態と同様に電流を確実に遮断することができる。
【００６０】
また、第２の実施形態においても、溶断部２８，３０の下面にビアホール導体１２，１４の上段が接続されている。したがって、溶断部２８，３０においては、より一層容易に電流を遮断することができる。
【００６１】
第２の実施形態から明らかなように、導体配線部３に、２個の第１の溶断部２８，３０と、１個の第２の溶断部２９とを構成してもよい。
【００６２】
図６（ａ）及び（ｂ）は、第３の実施形態のヒューズ素子の平面図及び（ａ）中のＣ−Ｃ線に沿う断面図であり、図７は、低融点金属層を除いた平面図である。
【００６３】
第３の実施形態のヒューズ素子３１は、第２の実施形態のヒューズ素子２１の変形例に相当する。ヒューズ素子３１では、ビアホール導体１２，１４が、溶断部２８，３０の下面ではなく、導体配線部３ｃ，３ｈの下面に接合されていることにある。その他の構造は、第２の実施形態と同様である。このように、ビアホール導体１２，１４は、必ずしも溶断部の下面に接続されておらずともよい。さらに、ビアホール導体１２，１４ではなく、他の接続導体を用いて導体配線部３を端子電極１５等に電気的に接続してもよい。
【００６４】
図８（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第４の実施形態に係るヒューズ素子の平面図及び（ａ）中のＤ−Ｄ線に沿う断面図である。図９は、第４の実施形態のヒューズ素子から低融点金属層を取り除いた状態を示す平面図である。
【００６５】
本実施形態のヒューズ素子４１では、導体配線部３がクランク状の平面形状を有する。すなわち、図９に示すように第１の端部３ａからＹ方向に延びる導体配線部分と、第２の端部３ｂから−Ｙ方向に延びる導体配線部分とが、Ｘ方向に延びる導体配線部分により連結されている。
【００６６】
上記第１の端部３ａ近傍において、Ｙ方向に延びる導体配線部分に溶断部３８が設けられている。Ｘ方向に延びる導体配線部分に溶断部３９が設けられている。第２の端部３ｂ近傍において、Ｙ方向に延びる導体配線部分に溶断部４０が設けられている。ここでは、溶断部３８は第１の端部３ａ近傍に設けられている。低融点金属層３４は第１の端部３ａを覆うように設けられている。また、溶断部４０は第２の端部３ｂ近傍に設けられており、低融点金属層３６は第２の端部３ｂを覆うように設けられている。さらに、低融点金属層３５は、溶断部３９を覆うように設けられている。
【００６７】
本実施形態においても溶断部３８，４０が第１の溶断部を構成し、溶断部３９が第２の溶断部を構成している。したがって、図４に示した第２の実施形態のヒューズ素子２１と同様に、ヒューズ素子４１においても、第２の実施形態及び第３の実施形態のヒューズ素子２１，３１と同様に、様々な方向を向くようにヒューズ素子４１が配置されたとしても、確実に電流を遮断することができる。なお、本実施形態では、溶断部３８，４０の下面にビアホール導体１２，１４が接続されている。したがって、第２の実施形態と同様に、溶断部３８，４０においては、より一層容易に電流を遮断することができる。
【００６８】
ヒューズ素子４１から明らかなように、３個の溶断部３８〜４０を設ける場合、導体配線部３の平面形状について３軸方向以上の半田喰われ方向を実現する限り特に限定されるものではない。
【００６９】
図１０（ａ）及び（ｂ）は、第５の実施形態に係るヒューズ素子の平面図及び（ａ）中のＥ−Ｅ線に沿う断面図であり、図１１は、低融点金属層を取り除いた本実施形態のヒューズ素子の平面図である。
【００７０】
第５の実施形態のヒューズ素子５１は、Ｌ字状の導体配線部３を有する。このＬ字状の導体配線部３は、Ｙ方向に延びる導体配線部分と、Ｘ方向に延びる導体配線部分とを有する。Ｙ方向に延びる導体配線部分に溶断部２８が設けられており、Ｘ方向に延びる導体配線部分に溶断部２９が設けられている。すなわち、第５の実施形態のヒューズ素子５１は、第２の実施形態のヒューズ素子２１の溶断部２８，２９を設け、溶断部３０を除去した構造に相当する。
【００７１】
このように、１個の第１の溶断部２８と１個の第２の溶断部２９のみを設けてもよい。この場合においても、図１０（ａ）に矢印Ｘ，−Ｘ，Ｙ及び−Ｙで示すように、半田喰われ方向は４極となる。したがって、基板２が水平面以外の方向に向いた場合においても、より確実に過電流が流れた際の電流遮断機能を発現させることができる。
【００７２】
なお、本実施形態においても、溶断部２８，２９の下面にビアホール導体１２，１４が接合されている。したがって、ビアホール導体１２，１４と溶断部２８，２９との電気的接続を解くだけでよいため、液状物の移動により、電流をより一層確実に遮断することができる。
【００７３】
ヒューズ素子５１から明らかなように、本発明においては、１個の第１の溶断部と、１個の第２の溶断部とが設けられておりさえすれば、本発明にしたがってヒューズ素子の向きの如何に関わらず、電流をより確実に遮断することができる。
【００７４】
なお、第１の実施形態においては、第３の溶断部としての溶断部８、１１の半田喰われの方向が、第１の溶断部としての溶断部９の半田喰われの方向または第２の溶断部としての溶断部１０の半田喰われの方向と同方向であったが、第３の溶断部としての溶断部８、１１の半田喰われの方向を、第１の溶断部、第２の溶断部の半田喰われの方向と異なる方向に配設してもよい。このように構成することにより、さらに、様々な向きでヒューズ素子が配置、利用されたとしても、電流をより確実に遮断させることができる。 
【符号の説明】
【００７５】
１…ヒューズ素子
２…基板
２Ａ…基板層
２ａ…長辺側の側面
２ｂ…短辺側の側面
３…導体配線
３ａ…第１の端部
３ｂ…第２の端部
３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆ，３ｇ，３ｈ，３ｉ，３ｊ…導体配線部
４〜７…低融点金属層
８〜１１…溶断部
１２，１４…ビアホール導体
１３，１５，１６…端子電極
１７，１８…ビアホール導体
１９…発熱素子
２１，３１…ヒューズ素子
２４〜２６…低融点金属層
２８〜３０…溶断部
３１…ヒューズ素子
３４〜３６…低融点金属層
３８〜４０…溶断部
４１，５１…ヒューズ素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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