(57)【要約】【課題】  大型の液晶パネルの欠けや破損の発生を低減し、更に、ディンプルの発生に伴う表示不良を大幅に抑制することができる液晶パネル研磨方法を提供する。【解決手段】  薄膜トランジスタ層を形成した第１のガラス基板とカラーフィルター層を形成した第２のガラス基板との間に液晶部材を挟持してなる液晶パネルの表面に化学研磨を施す化学研磨工程を有する液晶パネル研磨方法において、前記化学研磨工程の前に、前記液晶パネルの前記第１及び第２のガラス基板の面取りを行う面取工程と、前記化学研磨工程後の前記第１のガラス基板表面に存在するディンプルの平均径が２００μｍ以下となるように、前記第１のガラス基板の機械研磨を行う第１ガラス基板機械研磨工程と、前記液晶パネル表面の残渣を除去する第１残渣処理工程と、前記化学研磨工程後に、化学研磨工程で発生する反応生成物を除去する反応生成物除去工程を有することを特徴とする。【選択図】図２
2014115347.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタ層を形成した第１のガラス基板とカラーフィルター層を形成した第２のガラス基板との間に液晶部材を挟持してなる液晶パネルの表面に化学研磨を施す化学研磨工程を有する液晶パネル研磨方法において、前記化学研磨工程の前に、前記液晶パネルの前記第１及び第２のガラス基板の面取りを行う面取工程と、前記化学研磨工程後の前記第１のガラス基板表面に存在するディンプルの平均径が２００μｍ以下となるように、前記第１のガラス基板の機械研磨を行う第１ガラス基板機械研磨工程と、前記液晶パネル表面の残渣を除去する第１残渣処理工程と、前記化学研磨工程後に、化学研磨工程で発生する反応生成物を除去する反応生成物除去工程を有することを特徴とする液晶パネル研磨方法。
【請求項２】
前記化学研磨工程後の前記第２のガラス基板表面に存在するディンプルの平均径が５０μｍ以下となるように、前記第２のガラス基板の機械研磨を行う第２ガラス基板機械研磨工程と、前記液晶パネル表面の残渣及び、前記化学研磨工程で発生した反応生成物を除去する第２残渣処理工程を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶パネル研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶パネル研磨方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話、携帯ゲーム機器、携帯端末機器等の表示用ディスプレイとして、液晶ディスプレイ（以下、ＬＣＤと表記する）が用途に応じて用いられている。
【０００３】
これらＬＣＤの中でも、特に薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと表記する）型ＬＣＤは、表示が高精細であることから幅広く用いられている。
【０００４】
このＴＦＴ型ＬＣＤでは、ＴＦＴ層を形成したガラス基板と、カラーフィルター（以下ＣＦと表記する）層を形成したガラス基板により、スペーサーを含む液晶部材を挟んで積層し、封止した構成の液晶パネルが用いられている。
【０００５】
一方、このＴＦＴ型ＬＣＤは、近年、携帯型端末機器等に使用されることから薄型化の要求が高まっている。そして、このＴＦＴ型ＬＣＤの薄型化に対しては、ＴＦＴ型ＬＣＤに用いられる液晶パネルの主要材料であるガラス基板を薄くすることによってＴＦＴ型ＬＣＤ全体の薄型化を可能とすることができる。
【０００６】
液晶パネルに用いられているガラス基板の薄型化を図る方法としては、一般に、液晶パネル全体又は片面を、フッ酸等の研磨液に浸漬してガラス基板表面を研磨する化学研磨法が行われている。
【０００７】
しかしながら、この浸漬による化学研磨法では、研磨後のガラス基板表面にディンプルや、反応生成物が発生することがあった。
【０００８】
ディンプルは、化学研磨後のガラス基板表面に点状、又は列状に現れる窪みであって、化学研磨の前にガラス基板表面に存在する数十μｍ程度の傷や微細孔が、化学研磨により拡大して窪みとして検出されるものである。
【０００９】
また、反応生成物は、ガラス基板の材料に含まれる成分が化学研磨液と反応したものや、化学研磨液に溶けた成分であって、これが、ガラス表面に固着する。
【００１０】
そして、このようなディンプルが発生したり、反応生成物が固着した液晶パネルを用いてＴＦＴ型ＬＣＤを製造した場合には、ディンプルを原因とした輝点と呼ばれる表示不良が発生したり、反応生成物が固着して膜特性が低下することによる、表示不良やタッチパネルの不具合等が発生することがあった。
【００１１】
これまでに、このディンプルを解消する方法として、予めディンプルの原因となる傷や微細孔を消滅させるために、化学研磨前のガラス基板表面に機械研磨を施す方法が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。
【００１２】
しかしながら、この方法は、ディンプルの抑制のみを目的としたものであり、化学研磨により発生する反応生成物の固着を抑制することは目的としていないため、反応生成物に起因する表示不良やタッチパネルの不具合までを解決できるものではなかった。
【００１３】
一方、液晶パネルは、現在、一般にＧ（generation）で表される規格のＧ５（１２００ｍｍ×１０００ｍｍ）程度の大型のサイズの液晶パネルを切断して、最終製品の画面サイズとしている。
【００１４】
このような現状において、製造現場では、大型の液晶パネルを取り扱う際に、液晶パネル側面の欠けや、液晶パネル自体の破損が発生することがあった。そして、これら液晶パネルの欠けや破損は歩留まりの低下を招き、製造コストの上昇の原因となっていた。
【００１５】
なお、従来の液晶パネルの製造現場では、これらのＧ５程度の大型の液晶パネルを取り扱う際の欠けや破損の発生の対策を考慮していなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１６】
【特許文献１】特開２００３−１５１１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明は、上記のような背景から従来の問題点を解消し、大型の液晶パネルの欠けや破損の発生を低減し、更に、ディンプルの発生、そして反応生成物の固着に伴う表示不良等の不具合を大幅に抑制することができる液晶パネル研磨方法を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
即ち、本発明の液晶パネル研磨方法は以下のことを特徴としている。
【００１９】
第１に、ＴＦＴ層を形成した第１のガラス基板とカラーフィルター層を形成した第２のガラス基板との間に液晶部材を挟持してなる液晶パネルの表面に化学研磨を施す化学研磨工程を有する液晶パネル研磨方法において、前記化学研磨工程の前に、前記液晶パネルの前記第１及び第２のガラス基板の面取りを行う面取工程と、前記化学研磨工程後の前記第１のガラス基板表面に存在するディンプルの平均径が２００μｍ以下となるように、前記第１のガラス基板の機械研磨を行う第１ガラス基板機械研磨工程と、前記液晶パネル表面の残渣を除去する第１残渣処理工程と、前記化学研磨工程後に、化学研磨工程で発生する反応生成物を除去する反応生成物除去工程を有することを特徴とする。
【００２０】
第２に、上記第１の液晶パネル研磨方法において、前記化学研磨工程後の前記第２のガラス基板表面に存在するディンプルの平均径が５０μｍ以下となるように、前記第２のガラス基板の機械研磨を行う第２ガラス基板機械研磨工程と、前記液晶パネル表面の残渣及び、前記化学研磨工程で発生した反応生成物を除去する第２残渣処理工程を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
上記第１の発明によれば、化学研磨工程の前に、液晶パネルの前記第１及び第２のガラス基板の面取りを行う面取工程と、化学研磨工程後の前記第１のガラス基板表面に存在するディンプルの平均径が２００μｍ以下となるように、第１のガラス基板の機械研磨を行う第１ガラス基板機械研磨工程と、液晶パネル表面の残渣を除去する第１残渣処理工程を設け、化学研磨工程後に、反応生成物除去工程を設けることにより、大型の液晶パネルの欠けや破損の発生を低減し、ディンプルの発生に伴う表示不良を大幅に抑制し、化学研磨工程により、液晶パネル表面に固着した反応生成物を除去することができる液晶パネル研磨方法を提供することができる。
【００２２】
上記第２の発明によれば、化学研磨工程後の第２のガラス基板表面に存在するディンプルの平均径が５０μｍ以下となるように、前記第２のガラス基板の機械研磨を行い、第２ガラス基板機械研磨工程と、前記液晶パネル表面の残渣及び、化学研磨工程で発生した反応生成物を除去する第２残渣処理工程を設けることにより、上記第１の発明の効果に加え、更にディンプルの発生に伴う表示不良を大幅に抑制した液晶パネル研磨方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】液晶パネルの構成を示す概略断面図である。
【図２】本発明の液晶パネル研磨方法の一実施形態を示すフロー図である。
【図３】本発明の液晶パネル研磨方法の他の実施形態を示すフロー図である。
【図４】（ａ）は上面から見たコーナー部の研磨形状を示す概略図であり、（ｂ）は側面から見た側面部の研磨状態を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明の液晶パネル研磨方法は、図１に示すような構成の液晶パネル表面の研磨を行う液晶パネル研磨方法である。
【００２５】
この液晶パネルは、第１のガラス基板１と第２のガラス基板２により液晶部材３及びスペーサー３１を挟持して、縁部をシール材４により封止した構成となっている。
【００２６】
第１のガラス基板１は、液晶部材３側にＴＦＴ層１１が形成されており、また、第２のガラス基板２は、液晶部材３側にＣＦ層２１が形成されている。
【００２７】
本発明の液晶パネル研磨方法は、液晶パネルの表面、即ち、ガラス基板のＴＦＴ層１１、ＣＦ層２１が形成されていない表面１２、２２側を研磨する方法に関するものである。
【００２８】
以下に、本発明の液晶パネル研磨方法についてフロー図を用いて詳細に説明する。図２は、本発明の液晶パネル研磨方法の一実施形態を示すフロー図である。
【００２９】
この実施形態の液晶パネル研磨方法では、面取工程（Ｓ１）、第１ガラス基板機械研磨工程（Ｓ２）、第１残渣処理工程（Ｓ３）、化学研磨工程（Ｓ４）、反応生成物除去工程（Ｓ５）の工程を有している。
【００３０】
本発明の液晶パネル研磨方法に好適に対応可能な液晶パネルのサイズは、一般にＧ（generation）で表される規格の、大型液晶パネルとされるＧ５（１２００ｍｍ×１０００ｍｍ）程度のサイズのものである。
【００３１】
Ｇ５程度のサイズの液晶パネルでは、通常、ディンプルの発生や、反応生成物の付着に伴う表示不良等を抑制することが非常に困難であり、また、研磨工程等での欠けや割れの発生に伴う損害が大きなものとなる。
【００３２】
そのため、以下に説明する本発明の液晶パネル研磨方法の面取工程（Ｓ１）から反応生成物除去工程（Ｓ５）の一連の工程は重要であり、これらの工程により高品質な液晶パネルを歩留まりよく製造することが可能となる。
＜面取工程（Ｓ１）＞
本発明の液晶パネル研磨方法では、まず、面取工程（Ｓ１）により液晶パネルのコーナー部及び側面部のエッジ部の面取を行う。
【００３３】
面取の条件としては、最終製品のＬＣＤの機能に影響を及ぼさない範囲であれば特に制限はなく、液晶パネルの搬送路の中間部に設けた研磨装置により、液晶パネルのコーナー部及びエッジ部の研磨を行うことができる。
【００３４】
コーナー部の研磨は、例えば、ダイヤモンド粒度＃３００〜６００のメタルボンドの回転砥石を用いて、図４（ａ）に示すようなカット形状で１Ｃ〜５Ｃ又は１Ｒ〜５Ｒとなるように行うことができる（Ｃ及びＲはJISB001:2010に準ずる）。
【００３５】
また、側面部の面取は、例えば、ダイヤモンド粒度＃３００〜６００のメタルボンドの回転砥石を用いて、図４（ｂ）に示すようなカット形状で面取幅０．１ｍｍ以上、面形状Ｃ又はＲとなるように行うことができる（Ｃ及びＲはJISB001:2010に準ずる）。
【００３６】
上記のコーナー部及び側面部の研磨は、液晶パネルを搬送しながら研磨装置により行うものであるが、搬送条件及び研磨装置の運転条件は、導入する液晶パネルのサイズや材質等に応じてそれぞれ適宜設定することができる。
【００３７】
上記の条件による液晶パネルの面取を行うことにより、機械的な衝撃に対するコーナー部及び側面部の強度を飛躍的に向上させることができ、この後の各工程での液晶パネルの欠けや破損を大幅に低減させることが可能となる。
【００３８】
また、この面取工程では、面取後の洗浄乾燥工程により研磨ガラス粉やガラス基板表面の汚れを洗浄除去し、乾燥を行う。
【００３９】
洗浄、乾燥の条件としては、研磨ガラス粉やガラス基板表面の汚れを除去できる条件であれば特に制限はないが、洗浄は、例えば、液晶パネルを搬送しながら液晶パネルの上下面を、材質がナイロン等のディスクブラシと、材質がナイロン等のロールブラシを用いて水により行うことができる。
【００４０】
また乾燥は、例えば、材質がＰＶＡ（ポリビニルアルコール）スポンジ等の脱水ロール及び、エアナイフ、温風乾燥機等を用いて行うことができる。
＜第１ガラス基板機械研磨工程（Ｓ２）＞
次に、ＴＦＴ層を形成した第１のガラス基板表面を機械研磨する第１ガラス基板機械研磨工程（Ｓ２）を行う。
【００４１】
第１ガラス基板機械研磨工程（Ｓ２）で用いる研磨機は、研磨パッド及び研磨材を用いて研磨する通常公知の自動機械研磨機を好適に用いることができ、例えば、材質が発泡ポリウレタン等の研磨パッド及び、材質が酸化セリウム等の研磨材を用いて行うことができる。
【００４２】
第１ガラス基板機械研磨工程（Ｓ２）を、後述する化学研磨工程（Ｓ４）の前に行い、予めＴＦＴ層を形成した第１のガラス基板表面の傷や微細孔を削り取っておくことにより、化学研磨工程後の第１のガラス基板表面に存在するディンプルの平均径を２００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以下に抑制することができる。なお、本発明のディンプルの平均径とはディンプルの直径を意味する。
【００４３】
本発明の液晶パネル研磨方法における第１ガラス基板機械研磨工程で、ＴＦＴ層を形成した第１のガラス基板表面を研磨する理由としては、ディンプルの発生に伴う表示不良が、ＴＦＴ層を形成した第１のガラス基板表面に発生したディンプルによるところが多いためである。
【００４４】
これは、ＴＦＴ層を形成した第１のガラス基板がバックライト側となるため、例えば、ＴＦＴ層を形成した第１のガラス基板表面のディンプルが凹レンズの役割を果たし、これにバックライトからの光が乱反射して拡散し、輝点等の表示不良となることが考慮されるためである。
【００４５】
従って、本発明におけるＴＦＴ層を形成した第１のガラス基板表面を機械研磨する第１ガラス基板機械研磨工程（Ｓ２）は特に重要な工程である。
＜第１残渣処理工程（Ｓ３）＞
本発明の液晶パネル研磨方法では、第１ガラス基板機械研磨工程（Ｓ２）の次に、第１残渣処理工程（Ｓ３）を行う。
【００４６】
この第１残渣処理工程（Ｓ３）は、研磨後の研磨ガラス粉や研磨材の除去及び、第２ガラス基板表面に発生する研磨材の固着を防止するためのスクラブ処理と、洗浄、乾燥処理からなる工程である。
【００４７】
スクラブ処理の条件は、研磨ガラス粉や研磨材が除去できれば特に制限はないが、例えば、液晶パネルの上下面を、研磨材として炭酸カルシウム又は酸化セリウム等を用い、材質がＰＶＡ（ポリビニルアルコール）等のディスクスポンジを用いて行うことができる。
【００４８】
また、洗浄は、例えば、材質がナイロン等のロールブラシを用いて水により行うことができる。
【００４９】
また、乾燥は、例えば、材質がＰＶＡ（ポリビニルアルコール）スポンジ等の脱水ロール及び、エアナイフ、温風乾燥機等を用いて行うことができる。
【００５０】
この第１残渣処理工程（Ｓ３）を行うことにより、液晶パネルのＴＦＴ側表面に、ディンプルの原因となる傷や微細孔及び、研磨に伴う残渣のない清浄な液晶パネルとすることができる。
＜化学研磨工程（Ｓ４）＞
次に、化学研磨工程（Ｓ４）を行う。この化学研磨工程（Ｓ４）は、液晶パネルを薄くするために一般に行われる化学研磨法により行うことができる。
【００５１】
この化学研磨方法では、液晶パネル全体を研磨液に浸漬して、第１及び第２のガラス基板表面の研磨を行う。研磨液としては、通常化学研磨で用いられるフッ酸等を挙げることができ、研磨条件は、最終的な液晶パネルの厚さを考慮して適宜設定することができる。
【００５２】
また、化学研磨後は、研磨液の除去を目的とする洗浄及び乾燥工程を行う。
＜反応生成物除去工程（Ｓ５）＞
次に、本発明の液晶パネルの研磨方法では、化学研磨工程（Ｓ４）で発生して固着した反応生成物を除去することを目的として反応生成物除去工程（Ｓ５）を行う。
【００５３】
化学研磨工程で発生する反応生成物は、通常、化学研磨で研磨液として用いられるフッ酸と、研磨液により研磨された液晶パネルの材料成分が反応して生成する物質である。
【００５４】
反応生成物の原因となる液晶パネルの材料成分は、ガラス組成中に含まれるＡｌ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｒ等の物質のほか、液晶パネルの縁部のシール材や基板、ガラスと基板の間の接着剤成分等であり、具体的な反応生成物としては、例えば、フッ化アルミ（ＡｌＦ３）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ケイ素（ＳｉＦ４）等の無機フッ化物や、無機・有機複合物等が挙げられる。また、研磨液に溶解したケイ素（Ｓｉ）等がガラス基板上に再固着したものも含まれる。
【００５５】
これらの、ガラス基板表面に固着した反応生成物は、表示不良やタッチパネルの不具合の原因となるものである。
【００５６】
この反応生成物除去工程（Ｓ５）は、第１ガラス基板及び第２ガラス基板の両表面に対して行うものである。
【００５７】
反応生成物除去工程（Ｓ５）の条件としては、反応生成物が完全に除去できれば特に制限はないが、スクラブ処理は、例えば、研磨材として炭酸カルシウム又は酸化セリウム等と、材質がＰＶＡ（ポリビニルアルコール）等のディスクスポンジを用いて行うことができる。
【００５８】
また、洗浄は、例えば、材質がナイロン等のロールブラシを用いて水により行うことができる。
【００５９】
また乾燥は、例えば、材質がＰＶＡ（ポリビニルアルコール）スポンジ等の脱水ロール及び、エアナイフ、温風乾燥機等を用いて行うことができる。
【００６０】
この反応生成物除去工程（Ｓ５）を行うことにより、液晶パネル全体にディンプルのない、清浄な液晶パネルを製造することができる。
【００６１】
次に、本発明の液晶パネル研磨方法の他の実施形態を、図３のフロー図を用いて詳細に説明する。
【００６２】
この実施形態の液晶パネル研磨方法では、面取工程（Ｓ１）、第１ガラス基板機械研磨工程（Ｓ２）、第１残渣処理工程（Ｓ３）、化学研磨工程（Ｓ４）、第２ガラス基板機械研磨工程（Ｓ６）、第２残渣処理工程（Ｓ７）を有している。
【００６３】
この実施形態において、面取工程（Ｓ１）から化学研磨工程（Ｓ４）の各工程は、先に説明した図２に示す実施形態の面取工程（Ｓ１）から化学研磨工程（Ｓ４）の工程と同様の工程であるためその説明を省略する。
＜第２ガラス基板機械研磨工程（Ｓ６）＞
本発明の液晶パネル研磨方法では、液晶パネルのＣＦ層を形成した第２のガラス基板表面に発生の可能性のあるディンプルの除去することを目的として第２ガラス基板機械研磨工程（Ｓ６）を行うことができる。
【００６４】
この第２ガラス基板機械研磨工程（Ｓ６）では、第１ガラス基板機械研磨工程（Ｓ２）で用いる研磨機と同様の自動機械研磨機を好適に用いて行うことができる。研磨条件としては、例えば、材質が発泡ポリウレタン等の研磨パッド及び、材質が酸化セリウム等の研磨材を用いて行うことができる。
【００６５】
上記のように、第２ガラス基板機械研磨工程（Ｓ６）を化学研磨工程（Ｓ４）の後に行うことにより、化学研磨工程後の第２のガラス基板表面に存在するディンプルの平均径を５０μｍ以下、好ましくは３０μｍ以下に抑制することができる。
＜第２残渣処理工程（Ｓ７）＞
本発明の液晶パネル研磨方法では、第２ガラス基板機械研磨工程（Ｓ６）の次に、第２残渣処理工程（Ｓ７）を行う。
【００６６】
この第２残渣処理工程（Ｓ７）は、第２ガラス基板機械研磨工程（Ｓ６）により生じた研磨後の研磨ガラス粉や研磨材の除去とともに、化学研磨工程（Ｓ４）で発生して固着した反応生成物の除去を目的とする反応生成物除去工程を含む工程であり、スクラブ処理と、洗浄、乾燥処理からなる工程である。
【００６７】
この第２残渣処理工程（Ｓ７）は、第１ガラス基板及び第２ガラス基板の両表面に対して行うものである。
【００６８】
スクラブ処理は、研磨ガラス粉、研磨材及び反応生成物が除去できれば特に制限はないが、例えば、研磨材として炭酸カルシウム又は酸化セリウム等を用い、材質がＰＶＡ（ポリビニルアルコール）等のディスクスポンジを用いて行うことができる。
【００６９】
また、洗浄は、例えば、材質がナイロン等のロールブラシを用いて水により行うことができる。
【００７０】
また乾燥は、例えば、材質がＰＶＡ（ポリビニルアルコール）スポンジ等の脱水ロール及び、エアナイフ、温風乾燥機等を用いて行うことができる。
【００７１】
この第２残渣処理工程（Ｓ７）を行うことにより、研磨ガラス粉、研磨材及び、反応生成物を除去することができ、液晶パネル表面に残渣のない、清浄な液晶パネルを製造することができる。
【００７２】
以上、実施形態に基づき本発明の液晶パネル研磨方法を説明したが、本発明は上記の実施形態に何ら限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲内において各種の変更が可能である。
【００７３】
例えば、上記の実施形態では、第１ガラス基板機械研磨工程（Ｓ２）において、ＴＦＴ層を形成した第１のガラス基板表面のみを機械研磨しているが、この工程でＴＦＴ層を形成した第１のガラス基板表面とＣＦ層を形成した第２のガラス基板表面を同時に、又は片面ずつ別々に機械研磨するようにしてもよい。
【００７４】
例えば、面取工程（Ｓ１）を化学研磨工程（Ｓ４）の後に行なうことで化学研磨工程（Ｓ４）によって損なわれる液晶パネルのコーナー部および側面部の強度を向上させることができる。
【００７５】
また、上記の実施形態では、本発明の液晶パネル研磨方法に好適に対応可能な液晶パネルをＧ５（１２００ｍｍ×１０００ｍｍ）程度のサイズとして説明したが、当然にＧ５以下のパネルサイズ（Ｇ１（４００ｍｍ×３００ｍｍ）からＧ４.５（９２０ｍｍ×７３０ｍｍ）のものも対応可能であり、また、Ｇ５.５（１５００ｍｍ×１３００ｍｍ）以上のサイズについても対応可能である。
【符号の説明】
【００７６】
１  第１のガラス基板
１１  ＴＦＴ層
１２  表面
２  第２のガラス基板
２１  ＣＦ層
２２  表面
３  液晶部材
３１  スペーサー
４  シール材
Ｓ１  面取工程
Ｓ２  第１ガラス基板機械研磨工程
Ｓ３  第１残渣処理工程
Ｓ４  化学研磨工程
Ｓ５  反応生成物液除去工程
Ｓ６  第２ガラス基板機械研磨工程
Ｓ７  第２残渣処理工程
【図１】
2014115347.tif 000003
【図２】
2014115347.tif 000004
【図３】
2014115347.tif 000005
【図４】
2014115347.tif 000006