(57)【要約】【課題】信頼性を向上することが可能な液晶表示装置を提供する。【解決手段】画像を表示するアクティブエリアの外周に沿って形成され第１反射面を有する外周配線と、前記外周配線を覆う第１絶縁膜と、を備えた第１基板と、前記第１基板に対向配置され第２絶縁膜を備えた第２基板と、前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜との間に位置し、互いに離間した複数のセグメントによって形成され、前記第１反射面と対向する第２反射面を有する反射層と、前記アクティブエリアを囲み、前記外周配線に沿って形成され、前記第１基板と前記第２基板との間にセルギャップを形成した状態で前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる感光性樹脂材料からなるシール材と、前記シール材によって囲まれた内側のセルギャップに保持された液晶層と、を備えた液晶表示装置。【選択図】      図５
2014235278.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を表示するアクティブエリアの外周に沿って形成され第１反射面を有する外周配線と、前記外周配線を覆う第１絶縁膜と、を備えた第１基板と、
前記第１基板に対向配置され第２絶縁膜を備えた第２基板と、
前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜との間に位置し、互いに離間した複数のセグメントによって形成され、前記第１反射面と対向する第２反射面を有する反射層と、
前記アクティブエリアを囲み、前記外周配線に沿って形成され、前記第１基板と前記第２基板との間にセルギャップを形成した状態で前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる感光性樹脂材料からなるシール材と、
前記シール材によって囲まれた内側のセルギャップに保持された液晶層と、
を備えた液晶表示装置。
【請求項２】
前記反射層は、前記第１絶縁膜の前記第２絶縁膜と対向する第１表面上、あるいは、前記第２絶縁膜の前記第１絶縁膜と対向する第２表面上に形成された、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記セグメントの各々は、島状またはストライプ状に形成された、請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記反射層は、前記外周配線の前記アクティブエリア側に位置する第１端部に対向するとともに前記第１端部よりも前記アクティブエリア側に延在した第１セグメント、及び、前記外周配線の前記第１基板端部側に位置する第２端部に対向するとともに前記第２端部よりも前記第１基板端部側に延在した第２セグメントを有する、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記反射層は、さらに、前記第１セグメントと前記第２セグメントとの間に、前記外周配線の延出方向に沿って延出したストライプ状の第３セグメントを有する、請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記外周配線及び前記反射層は、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銀（Ａｇ）を含む材料によって形成された、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、各種分野の表示装置として利用されている。液晶表示パネルを構成する一対の基板は、液晶層を保持するためのセルギャップを形成した状態でシール材によって貼り合わせられている。シール材は、紫外線硬化型樹脂などの感光性樹脂材料によって形成されている。
【０００３】
近年、液晶表示パネルの額縁すなわちアクティブエリアからパネル端部までの幅が狭くなる傾向にある。このため、シール材がアクティブエリアの外側に位置する外周配線と重なるように配置されることが多い。シール材が外周配線の上方に位置している場合、外周配線は遮光性の配線材料によって形成されているため、シール材を硬化させるために照射した光が外周配線によって遮光され、シール材に到達しにくくなる。このため、シール材の一部が未硬化となることがある。未硬化のシール材が液晶層と接触すると、シール材に含まれる不純物により液晶層の汚染を招くおそれがある。また、未硬化のシール材は、一対の基板を接着する接着力の低下や各基板との密着性の低下を招き、信頼性を損なう虞がある。
【０００４】
このため、シール材と重なる配線にスリットを設けて、シール材に向けて光を照射しやすくすることが提案されている。しかしながら、狭額縁化の要求に伴い、配線の幅を拡張しにくく、電位安定性などの観点から配線にスリットを設けることが困難となる傾向にある。
【０００５】
一方で、赤色着色層と、緑色着色層と、青色着色層とを重ね合わせた遮光領域を有する遮光膜を備えた液晶表示装置において、シール材と接触する遮光膜の領域には青色着色層のみが形成され、シール材の光硬化性材料は青色帯域の波長に光反応域を有するように構成する技術が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−１１３３７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本実施形態の目的は、信頼性を向上することが可能な液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本実施形態によれば、
画像を表示するアクティブエリアの外周に沿って形成され第１反射面を有する外周配線と、前記外周配線を覆う第１絶縁膜と、を備えた第１基板と、前記第１基板に対向配置され第２絶縁膜を備えた第２基板と、前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜との間に位置し、互いに離間した複数のセグメントによって形成され、前記第１反射面と対向する第２反射面を有する反射層と、前記アクティブエリアを囲み、前記外周配線に沿って形成され、前記第１基板と前記第２基板との間にセルギャップを形成した状態で前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる感光性樹脂材料からなるシール材と、前記シール材によって囲まれた内側のセルギャップに保持された液晶層と、を備えた液晶表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本実施形態の液晶表示装置ＤＳＰの一例を概略的に示す平面図である。
【図２】図２は、図１に示したアレイ基板ＡＲを対向基板側から見たときの一画素ＰＸの構造例を概略的に示す平面図である。
【図３】図３は、図１に示した対向基板ＣＴにおける一画素ＰＸの構造例を概略的に示す平面図である。
【図４】図４は、図３のＡ−Ｂ線で切断した表示パネルＰＮＬの断面構造を概略的に示す断面図である。
【図５】図５は、図１に示した表示パネルＰＮＬの周辺エリアＰＲＰの構造の一例を概略的に示す断面図である。
【図６】図６は、図５に示した反射層ＲＬ及び外周配線ＣＮの位置関係の一例を概略的に示す平面図である。
【図７】図７は、図５に示した反射層ＲＬ及び外周配線ＣＮの位置関係の他の例を概略的に示す平面図である。
【図８】図８は、図１に示した表示パネルＰＮＬの周辺エリアＰＲＰの構造の他の例を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１１】
図１は、本実施形態の液晶表示装置ＤＳＰの一例を概略的に示す平面図である。
【００１２】
すなわち、液晶表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬを備えている。表示パネルＰＮＬは、アクティブマトリクスタイプの液晶表示パネルであり、アレイ基板ＡＲと、アレイ基板ＡＲに対向配置された対向基板ＣＴと、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、を備えている。アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、これらの間に所定のセルギャップを形成した状態でシール材ＳＥによって貼り合わせられている。セルギャップは、アレイ基板ＡＲまたは対向基板ＣＴに形成された図示しない柱状スペーサによって形成されている。液晶層ＬＱは、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間のセルギャップにおいてシール材ＳＥによって囲まれた内側に保持されている。表示パネルＰＮＬは、シール材ＳＥによって囲まれた内側に、画像を表示するアクティブエリアＡＣＴを備えている。アクティブエリアＡＣＴは、例えば、略長方形状であり、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている。
【００１３】
アレイ基板ＡＲは、第１方向Ｘに沿って延出したゲート配線Ｇ、第１方向Ｘに交差する第２方向Ｙに沿って延出しゲート配線Ｇと交差するソース配線Ｓ、ゲート配線Ｇ及びソース配線Ｓに接続されたスイッチング素子ＳＷ、スイッチング素子ＳＷに接続された画素電極ＰＥなどを備えている。液晶層ＬＱを介して画素電極ＰＥの各々と対向する共通電極ＣＥは、例えば対向基板ＣＴに備えられているが、アレイ基板ＡＲに備えられていても良い。
【００１４】
なお、表示パネルＰＮＬの詳細な構成については説明を省略するが、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｅｎｄ）モード、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｅｄ）モードなどの主として縦電界や斜め電界を利用するモードでは、画素電極ＰＥがアレイ基板ＡＲに備えられる一方で、共通電極ＣＥの少なくとも一部が対向基板ＣＴに備えられている。また、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードなどの主として横電界を利用するモードでは、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方がアレイ基板ＡＲに備えられる。
【００１５】
また、各画素ＰＸは、図示しないバックライトからのバックライト光を選択的に透過する透過型、対向基板側から入射した外光を選択的に反射する反射型、あるいは、透過型及び反射型双方の機能を有する半透過型として構成することが可能である。透過型の場合には、画素電極ＰＥは、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成される。反射型の場合には、画素電極ＰＥは、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銀（Ａｇ）などの高反射率（あるいは低透過率）の金属材料によって形成される。半透過型の場合には、画素電極ＰＥは、上記の透明な導電材料及び高反射率の金属材料を組み合わせて形成される。
【００１６】
共通電極ＣＥは、通常、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されるが、共通電極ＣＥが表示に寄与しない領域に配置された構成においては、共通電極ＣＥは、アルミニウムなどの高反射率の金属材料によって形成されていても良い。
【００１７】
駆動ＩＣチップ２及びフレキシブル・プリンテッド・サーキット（ＦＰＣ）基板３などの表示パネルＰＮＬの駆動に必要な信号を供給する信号供給源は、アクティブエリアＡＣＴよりも外側の周辺エリアＰＲＰに実装されている。図示した例では、駆動ＩＣチップ２及びＦＰＣ基板３は、対向基板ＣＴの基板端部ＣＴＥよりも外側に延出したアレイ基板ＡＲの実装部ＭＴに実装されている。周辺エリアＰＲＰは、アクティブエリアＡＣＴを囲むエリアであり、シール材ＳＥが配置されるエリアを含み、矩形枠状に形成されている。なお、図示した表示パネルＰＮＬは、四角形状であり、実装部ＭＴを除く３辺については、アレイ基板ＡＲの基板端部と対向基板ＣＴの基板端部とが重なり、パネル端部を形成している。
【００１８】
シール材ＳＥは、実装部ＭＴにおいては基板端部ＣＴＥに沿って形成されるとともに、実装部ＭＴを除く３辺についてはパネル端部に沿って形成されている。図示した例では、シール材ＳＥは、矩形枠状の閉ループ形状をなすように形成されている。シール材ＳＥは、例えば、紫外線硬化型樹脂などの感光性樹脂材料によって形成されている。
【００１９】
アレイ基板ＡＲは、さらに、アクティブエリアＡＣＴの外周に沿って形成された外周配線ＣＮを備えている。外周配線ＣＮは、周辺エリアＰＲＰに位置し、実装部ＭＴを除いたアレイ基板ＡＲの３辺に沿って形成され、実装部ＭＴにおいて信号供給源（図示した例ではＦＰＣ基板３）に接続されている。また、外周配線ＣＮは、シール材ＳＥに沿うように配置され、その一部はシール材ＳＥと重なる位置に形成されている。外周配線ＣＮは、例えば、コモン電位が供給されるコモン配線であり、共通電極ＣＥなどと電気的に接続されている。また、外周配線ＣＮの少なくとも一部は、ゲート配線Ｇあるいはソース配線Ｓなどと同様の配線材料（アルミニウム、チタン、モリブデン、タングステン、銀などの光をほとんど透過せず高反射率の導電材料）によって形成されている。
【００２０】
次に、アクティブエリアに配置される一画素の一構成例について説明する。
【００２１】
図２は、図１に示したアレイ基板ＡＲを対向基板側から見たときの一画素ＰＸの構造例を概略的に示す平面図である。ここでは、Ｘ−Ｙ平面における平面図を示している。
【００２２】
アレイ基板ＡＲは、ゲート配線Ｇ１、ゲート配線Ｇ２、ソース配線Ｓ１、ソース配線Ｓ２、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、第１配向膜ＡＬ１などを備えている。図示した構成例では、アレイ基板ＡＲは、さらに、共通電極ＣＥの一部である第１共通電極ＣＥ１を備えているが、この第１共通電極ＣＥ１は省略しても良い。
【００２３】
スイッチング素子ＳＷは、図示した例では、ゲート配線Ｇ１及びソース配線Ｓ１に電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、主画素電極ＰＡ及び副画素電極ＰＢを備えている。主画素電極ＰＡ及び副画素電極ＰＢは、一体的あるいは連続的に形成され、互いに電気的に接続されている。
【００２４】
主画素電極ＰＡは、ソース配線Ｓ１とソース配線Ｓ２との間に位置し、画素ＰＸの上側端部付近及び下側端部付近まで第２方向Ｙに沿って直線的に延出している。図示した例では、主画素電極ＰＡは、ソース配線Ｓ１とソース配線Ｓ２との略中間に位置している。主画素電極ＰＡは、第１方向Ｘに沿って略同一の幅を有する帯状に形成されている。
【００２５】
副画素電極ＰＢは、画素ＰＸの略中央部に位置し、第１方向Ｘに沿って直線的に延出している。図示した例では、副画素電極ＰＢは、主画素電極ＰＡの第２方向Ｙに沿った略中央部で交差している。副画素電極ＰＢは、第２方向Ｙに沿って略同一の幅を有する帯状に形成されている。なお、図示した例では、画素電極ＰＥは十字形状に形成されているが、画素電極ＰＥの形状は図示した例に限らない。
【００２６】
第１共通電極ＣＥ１は、第１主共通電極ＣＡ１及び第１副共通電極ＣＢ１を備えている。第１主共通電極ＣＡ１及び第１副共通電極ＣＢ１は、一体的あるいは連続的に形成され、互いに電気的に接続されている。
【００２７】
第１主共通電極ＣＡ１は、Ｘ−Ｙ平面内において、主画素電極ＰＡを挟んだ両側に位置し、第２方向Ｙに沿って直線的に延出している。第１主共通電極ＣＡ１は、ソース配線Ｓと対向する位置に形成され、帯状に形成されている。図示した例では、第１主共通電極ＣＡ１は、第１方向Ｘに間隔をおいて２本平行に並んでおり、画素ＰＸの左側端部に配置された第１主共通電極ＣＡＬ１と、画素ＰＸの右側端部に配置された第１主共通電極ＣＡＲ１と、を備えている。第１主共通電極ＣＡＬ１はソース配線Ｓ１と対向し、第１主共通電極ＣＡＲ１はソース配線Ｓ２と対向している。
【００２８】
第１副共通電極ＣＢ１は、Ｘ−Ｙ平面内において、副画素電極ＰＢを挟んだ両側に位置し、第１方向Ｘに沿って直線的に延出している。第１副共通電極ＣＢ１は、ゲート配線Ｇと対向する位置に形成され、帯状に形成されている。図示した例では、第１副共通電極ＣＢ１は、第２方向Ｙに間隔をおいて２本平行に並んでおり、画素ＰＸの上側端部に配置された第１副共通電極ＣＢＵ１と、画素ＰＸの下側端部に配置された第１副共通電極ＣＢＢ１と、を備えている。第１副共通電極ＣＢＵ１はゲート配線Ｇ１と対向し、第１副共通電極ＣＢＢ１はゲート配線Ｇ２と対向している。なお、図示した例では、第１共通電極ＣＥ１は、第１主共通電極ＣＡ１及び第１副共通電極ＣＢ１により、画素ＰＸを区画する格子状に形成されているが、第１共通電極ＣＥ１の形状は図示した例に限らない。
【００２９】
このようなアレイ基板ＡＲにおいて、画素電極ＰＥ及び第１共通電極ＣＥ１は、第１配向膜ＡＬ１によって覆われている。第１配向膜ＡＬ１には、液晶層ＬＱの液晶分子を初期配向させるために、第１配向処理方向ＰＤ１に沿って配向処理がなされている。
【００３０】
図３は、図１に示した対向基板ＣＴにおける一画素ＰＸの構造例を概略的に示す平面図である。ここでは、Ｘ−Ｙ平面における平面図を示している。なお、ここでは、説明に必要な構成のみを図示し、また、アレイ基板の主要部である画素電極ＰＥ及び第１共通電極ＣＥ１を破線で示している。
【００３１】
対向基板ＣＴは、共通電極ＣＥの一部である第２共通電極ＣＥ２を備えている。第２共通電極ＣＥ２は、第２主共通電極ＣＡ２及び第２副共通電極ＣＢ２を備えている。第２主共通電極ＣＡ２及び第２副共通電極ＣＢ２は、一体的あるいは連続的に形成され、互いに電気的に接続されている。第２主共通電極ＣＡ２及び第２副共通電極ＣＢ２は、例えば、アクティブエリアの外側などにおいて、アレイ基板に備えられた第１共通電極ＣＥ１と電気的に接続されており、第１共通電極ＣＥ１と同電位である。
【００３２】
第２主共通電極ＣＡ２は、Ｘ−Ｙ平面内において、主画素電極ＰＡを挟んだ両側に位置し、第２方向Ｙに沿って直線的に延出している。第２主共通電極ＣＡ２は、第１主共通電極ＣＡ１と対向する位置に形成され、帯状に形成されている。図示した例では、第２主共通電極ＣＡ２は、第１方向Ｘに間隔をおいて２本平行に並んでおり、画素ＰＸの左側端部に配置された第２主共通電極ＣＡＬ２と、画素ＰＸの右側端部に配置された第２主共通電極ＣＡＲ２と、を備えている。第２主共通電極ＣＡＬ２は第１主共通電極ＣＡＬ１と対向し、第２主共通電極ＣＡＲ２は第１主共通電極ＣＡＲ１と対向している。
【００３３】
第２副共通電極ＣＢ２は、Ｘ−Ｙ平面内において、副画素電極ＰＢを挟んだ両側に位置し、第１方向Ｘに沿って直線的に延出している。第２副共通電極ＣＢ２は、第１副共通電極ＣＢ１と対向する位置に形成され、帯状に形成されている。図示した例では、第２副共通電極ＣＢ２は、第２方向Ｙに間隔をおいて２本平行に並んでおり、画素ＰＸの上側端部に配置された第２副共通電極ＣＢＵ２と、画素ＰＸの下側端部に配置された第２副共通電極ＣＢＢ２と、を備えている。第２副共通電極ＣＢＵ２は第１副共通電極ＣＢＵ１と対向し、第２副共通電極ＣＢＢ２は第１副共通電極ＣＢＢ１と対向している。なお、図示した例では、第２共通電極ＣＥ２は、第２主共通電極ＣＡ２及び第２副共通電極ＣＢ２により、画素ＰＸを区画する格子状に形成されているが、第２共通電極ＣＥ２の形状は図示した例に限らない。
【００３４】
このような対向基板ＣＴにおいては、第２共通電極ＣＥ２は、第２配向膜ＡＬ２によって覆われている。第２配向膜ＡＬ２には、液晶層ＬＱの液晶分子を初期配向させるために、第２配向処理方向ＰＤ２に沿って配向処理がなされている。第２配向膜ＡＬ２が液晶分子を初期配向させる第２配向処理方向ＰＤ２は、例えば第１配向処理方向ＰＤ１と平行である。
【００３５】
図４は、図３のＡ−Ｂ線で切断した表示パネルＰＮＬの断面構造を概略的に示す断面図である。なお、ここでは、説明に必要な箇所のみを図示している。
【００３６】
表示パネルＰＮＬを構成するアレイ基板ＡＲの背面側には、バックライト４が配置されている。バックライト４としては、種々の形態が適用可能であるが、詳細な構造については説明を省略する。
【００３７】
アレイ基板ＡＲは、透明な第１絶縁基板１０を用いて形成されている。アレイ基板ＡＲは、第１絶縁基板１０の内側、つまり、対向基板ＣＴと対向する側においてソース配線Ｓ１、ソース配線Ｓ２、画素電極ＰＥ、第１共通電極ＣＥ１、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第１配向膜ＡＬ１などを備えている。
【００３８】
なお、図示しないが、スイッチング素子のポリシリコンからなる半導体層は第１絶縁基板１０と第１絶縁膜１１との間に形成され、ゲート配線は第１絶縁膜１１の上に形成されるとともに第２絶縁膜１２によって覆われている。ソース配線Ｓ１及びソース配線Ｓ２は、第２絶縁膜１２の上に形成され、第３絶縁膜１３によって覆われている。第３絶縁膜１３は、例えば透明な樹脂材料によって形成されている。
【００３９】
画素電極ＰＥや第１共通電極ＣＥ１は、第３絶縁膜１３の上に形成されている。画素電極ＰＥ及び第１共通電極ＣＥ１は、同一層に形成され、同一材料を用いて形成されている。第１配向膜ＡＬ１は、アレイ基板ＡＲの対向基板ＣＴと対向する面に配置され、アクティブエリアＡＣＴの略全体に亘って延在している。第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥ及び第１共通電極ＣＥ１を覆っており、第３絶縁膜１３の上にも配置されている。このような第１配向膜ＡＬ１は、水平配向性を示す材料によって形成されている。
【００４０】
対向基板ＣＴは、透明な第２絶縁基板２０を用いて形成されている。対向基板ＣＴは、第２絶縁基板２０の内側、つまり、アレイ基板ＡＲと対向する側においてブラックマトリクスＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、第２共通電極ＣＥ２、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。
【００４１】
ブラックマトリクスＢＭは、第２絶縁基板２０のアレイ基板ＡＲに対向する内面２０Ａに配置され、各画素ＰＸを区画し、開口部ＡＰを形成する。すなわち、ブラックマトリクスＢＭは、ソース配線Ｓ、ゲート配線Ｇ、スイッチング素子ＳＷなどの配線部に対向するように配置されている。このようなブラックマトリクスＢＭは、例えば、黒色に着色された樹脂材料や、クロム（Ｃｒ）などの遮光性の金属材料によって形成されている。
【００４２】
カラーフィルタＣＦは、各画素ＰＸに対応して配置されている。すなわち、カラーフィルタＣＦは、第２絶縁基板２０の内面２０ＡにおいてブラックマトリクスＢＭによって区画された内側に配置されるとともに、その一部がブラックマトリクスＢＭに乗り上げている。第１方向Ｘに隣接する画素ＰＸにそれぞれ配置されたカラーフィルタＣＦは、互いに色が異なる。例えば、カラーフィルタＣＦは、赤色、青色、緑色といった３原色にそれぞれ着色された樹脂材料によって形成されている。赤色に着色された樹脂材料からなる赤色カラーフィルタは、赤色画素に対応して配置されている。青色に着色された樹脂材料からなる青色カラーフィルタは、青色画素に対応して配置されている。緑色に着色された樹脂材料からなる緑色カラーフィルタは、緑色画素に対応して配置されている。カラーフィルタＣＦ同士の境界は、ブラックマトリクスＢＭと重なる位置にある。
【００４３】
オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦを覆っている。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦの表面の凹凸の影響を緩和する。このようなオーバーコート層ＯＣは、例えば、透明な樹脂材料によって形成されている。
【００４４】
第２共通電極ＣＥ２は、オーバーコート層ＯＣのアレイ基板ＡＲと対向する側に形成され、ブラックマトリクスＢＭの下方に位置している。上記の開口部ＡＰにおいて、画素電極ＰＥと第１共通電極ＣＥ１及び第２共通電極ＣＥ２との間の領域は、いずれもバックライト光が透過可能な透過領域に相当する。
【００４５】
第２配向膜ＡＬ２は、対向基板ＣＴのアレイ基板ＡＲと対向する面に配置され、アクティブエリアＡＣＴの略全体に亘って延在している。第２配向膜ＡＬ２は、第２共通電極ＣＥ２やオーバーコート層ＯＣを覆っている。このような第２配向膜ＡＬ２は、水平配向性を示す材料によって形成されている。
【００４６】
上述したようなアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、それぞれの第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２が対向するように配置されている。このとき、アレイ基板ＡＲの第１配向膜ＡＬ１と対向基板ＣＴの第２配向膜ＡＬ２との間には、例えば、樹脂材料によって一方の基板に一体的に形成された柱状スペーサにより、例えば２〜７μｍのセルギャップが形成される。液晶層ＬＱは、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に形成されたセルギャップに保持され、第１配向膜ＡＬ１と第２配向膜ＡＬ２との間に配置されている。
【００４７】
第１絶縁基板１０の外面１０Ｂには、第１偏光板ＰＬ１を含む第１光学素子ＯＤ１が接着されている。第２絶縁基板２０の外面２０Ｂには、第２偏光板ＰＬ２を含む第２光学素子ＯＤ２が接着されている。
【００４８】
図５は、図１に示した表示パネルＰＮＬの周辺エリアＰＲＰの構造の一例を概略的に示す断面図である。
【００４９】
アレイ基板ＡＲは、周辺エリアＰＲＰにおいては、第１絶縁基板１０の対向基板ＣＴに対向する側に、外周配線ＣＮや第１周辺絶縁膜５１などを備えている。
【００５０】
外周配線ＣＮは、周辺エリアＰＲＰにおいて比較的高密度で配置されているが、ここでは、最も太い線幅を有する配線（例えばコモン配線）に着目している。外周配線ＣＮは、ゲート配線やソース配線と同一層に形成されている。なお、図示した例では、簡略化のため、外周配線ＣＮは、第１絶縁基板１０の上に位置しているが、第１絶縁基板１０と外周配線ＣＮとの間に他の絶縁膜が介在していても良い。外周配線ＣＮは、第１反射面ＲＦ１を有している。第１反射面ＲＦ１は、外周配線ＣＮの表面、つまり対向基板ＣＴと対向する面に相当する。
【００５１】
第１周辺絶縁膜５１は、外周配線ＣＮを覆っている。第１反射面ＲＦ１は、第１周辺絶縁膜５１によって覆われている。このような第１周辺絶縁膜５１は、透明（あるいは、後述するシール材を硬化させるのに必要な光の波長に対する透過率が高い）であり、アクティブエリアＡＣＴの第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、及び、第３絶縁膜１３の少なくとも１つがアクティブエリアＡＣＴから周辺エリアＰＲＰに延在したものである。第１周辺絶縁膜５１は、アクティブエリアＡＣＴに近接する側のみならず、第１絶縁基板１０の基板端部１０Ｅに近接する側にも配置されている。図示した例では、第１周辺絶縁膜５１において、溝部５１Ｃが形成されている。溝部５１Ｃは、例えば第１絶縁基板１０に到達するまでの深さを有している。
【００５２】
対向基板ＣＴは、周辺エリアＰＲＰにおいて、第２絶縁基板２０のアレイ基板ＡＲに対向する側に、第２周辺絶縁膜５２などを備えている。第２周辺絶縁膜５２は、周辺遮光層５２１、周辺カラーフィルタ５２２、周辺オーバーコート層５２３などを備えている。第２周辺絶縁膜５２は、第１絶縁基板２０の基板端部２０Ｅまで延在している。
【００５３】
周辺遮光層５２１は、第２絶縁基板２０のアレイ基板ＡＲと対向する側に形成され、周辺エリアＰＲＰの略全域に亘って延在している。また、周辺遮光層５２１は、アクティブエリアＡＣＴのブラックマトリクスＢＭと同一材料で形成され、ブラックマトリクスＢＭと繋がっている。
【００５４】
周辺カラーフィルタ５２２は、周辺遮光層５２１に積層されている。図示した例では、周辺カラーフィルタ５２２は、周辺エリアＰＲＰに亘って延在している。また、周辺カラーフィルタ５２２は、アクティブエリアＡＣＴのカラーフィルタＣＦのうちのいずれかの色のカラーフィルタ、例えば青色カラーフィルタと同一材料で形成されている。
【００５５】
周辺オーバーコート層５２３は、周辺カラーフィルタ５２２を覆っており、周辺エリアＰＲＰの略全域に亘って延在している。また、周辺オーバーコート層５２３は、アクティブエリア（Ａ、Ｂ、Ｃ）のオーバーコート層ＯＣと同一材料で形成され、オーバーコート層ＯＣと繋がっている。
【００５６】
周辺エリアＰＲＰにおいて、セルギャップを保持するための柱状スペーサＳＰは、第１周辺絶縁膜５１と第２周辺絶縁膜５２との間に介在している。図示した例では、対向基板ＣＴは、周辺エリアＰＲＰにおいて、柱状スペーサＳＰを備えている。柱状スペーサＳＰは、周辺オーバーコート層５２３に積層され、アレイ基板ＡＲに向かって先細りとなるテーパー状に形成されている。柱状スペーサＳＰの先端部は、第１周辺絶縁膜５１に接触している。なお、柱状スペーサＳＰのうち、アクティブエリアＡＣＴに近接する側の柱状スペーサＳＰの先端部が第１周辺絶縁膜５１に接触している一方で、基板端部２０Ｅに近接する側の柱状スペーサＳＰの先端部が第１周辺絶縁膜５１から離間していても良い。柱状スペーサＳＰはアレイ基板ＡＲに備えられていても良く、その場合、柱状スペーサＳＰは第１周辺絶縁膜５１に積層され、その先端部は第２周辺絶縁膜５２に接触している。
【００５７】
アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとを貼り合せるシール材ＳＥは、第１周辺絶縁膜５１と第２周辺絶縁膜５２との間に介在している。シール材ＳＥは、外周配線ＣＮの上方に位置するとともに、アクティブエリア側に位置する柱状スペーサＳＰを包囲するように配置されている。また、図示した例では、シール材ＳＥは、溝部５１Ｃと第２周辺絶縁膜５２との間にも介在している。なお、柱状スペーサＳＰの先端部と第１周辺絶縁膜５１との間には、シール材ＳＥが介在していても良い。
【００５８】
液晶層ＬＱは、シール材ＳＥよりも内側（アクティブエリア側）に封入されている。
【００５９】
本実施形態の液晶駆動モードは、以下通り動作する。すなわち、液晶層ＬＱに電圧が印加されていない状態、つまり、画素電極ＰＥと第２共通電極ＣＥ２との間に電界が形成されていない状態（ＯＦＦ時）には、液晶層ＬＱの液晶分子ＬＭは、その長軸が第１配向膜ＡＬ１の第１配向処理方向ＰＤ１及び第２配向膜ＡＬ２の第２配向処理方向ＰＤ２を向くように配向している。このようなＯＦＦ時において、バックライト４からのバックライト光の一部は、第１偏光板ＰＬ１を透過し、液晶表示パネルＬＰＮに入射する。液晶層ＬＱを通過した直線偏光の偏光状態はほとんど変化しないため、液晶表示パネルＬＰＮを透過した直線偏光は、第１偏光板ＰＬ１に対してクロスニコルの位置関係にある第２偏光板ＰＬ２によって吸収される（黒表示）。
【００６０】
一方、液晶層ＬＱに電圧が印加された状態、つまり、画素電極ＰＥと第２共通電極ＣＥ２との間に電位差（あるいは電界）が形成された状態（ＯＮ時）では、画素電極ＰＥと第２共通電極ＣＥ２との間に基板と略平行な横電界（あるいは斜め電界）が形成される。液晶分子ＬＭは、電界の影響を受け、その長軸が図中の実線で示したようにＸ−Ｙ平面と略平行な平面内で回転する。このとき、一画素内に複数のドメインが形成される。バックライト４から液晶表示パネルＬＰＮに入射したバックライト光は、その一部が第１偏光板ＰＬ１を透過し、液晶表示パネルＬＰＮに入射する。液晶層ＬＱに入射したバックライト光は、液晶層ＬＱでその偏光状態が変化し第２偏光板ＰＬ２を透過する（白表示）。
【００６１】
本実施形態においては、第１周辺絶縁膜５１と第２周辺絶縁膜５２との間には、反射層ＲＬが位置している。また、反射層ＲＬは、第１反射面ＲＦ１と対向する第２反射面ＲＦ２を有している。図示した例では、反射層ＲＬは、アレイ基板ＡＲに備えられ、第１周辺絶縁膜５１の第２周辺絶縁膜５２と対向する表面上に形成されている。第２反射面ＲＦ２は、反射層ＲＬの裏面、つまり第１周辺絶縁膜５１に接している面に相当する。このような反射層ＲＬは、互いに離間した複数のセグメントによって形成されている。図示した断面図においては、反射層ＲＬは、４つのセグメントによって形成されている。これらの４つのセグメントのうち、両サイドに位置する２つのセグメントについては、それぞれ外周配線ＣＮの両端部に対向するとともにさらにその外側に向かって延在した張出部を有しており、外周配線ＣＮに対して庇状に形成されている。このような反射層ＲＬは、ゲート配線Ｇあるいはソース配線Ｓなどと同様の配線材料（アルミニウム、チタン、モリブデン、タングステン、銀などの光をほとんど透過せず高反射率の導電材料）によって形成されている。
【００６２】
図６は、図５に示した反射層ＲＬ及び外周配線ＣＮの位置関係の一例を概略的に示す平面図である。
【００６３】
図示した例では、反射層ＲＬは、島状に形成されたセグメントと、ストライプ状に形成されたセグメントとを組み合わせて構成されている。すなわち、反射層ＲＬは、外周配線ＣＮのアクティブエリア側に位置する端部ＣＮＡに対向するセグメントＲＬ１、外周配線ＣＮの基板端部側に位置する端部ＣＮＢに対向するセグメントＲＬ２、セグメントＲＬ１とセグメントＲＬ２との間に位置するセグメントＲＬ３及びセグメントＲＬ４を有している。セグメントＲＬ１及びセグメントＲＬ２は島状に形成され、セグメントＲＬ３及びセグメントＲＬ４はストライプ状に形成されている。なお、セグメントＲＬ１とセグメントＲＬ２との間に位置するセグメントの数は図示した例に限らない。
【００６４】
セグメントＲＬ１は、外周配線ＣＮとその端部ＣＮＡに対向するとともに端部ＣＮＡよりもアクティブエリア側に延在している。セグメントＲＬ２は、外周配線ＣＮとその端部ＣＮＢに対向するとともに端部ＣＮＢよりも基板端部側に延在している。セグメントＲＬ１及びセグメントＲＬ２のそれぞれは、外周配線ＣＮの延出方向に沿って点在している。セグメントＲＬ３及びセグメントＲＬ４は、外周配線ＣＮの延出方向に沿ってそれぞれ直線状に延出している。
【００６５】
図７は、図５に示した反射層ＲＬ及び外周配線ＣＮの位置関係の他の例を概略的に示す平面図である。
【００６６】
図７に示した例は、図６に示した例と比較して、セグメントＲＬ１及びセグメントＲＬ２がストライプ状に形成されている点で相違している。すなわち、反射層ＲＬは、いずれもストライプ状に形成されたセグメントによって構成されている。セグメントＲＬ１は、外周配線ＣＮとその端部ＣＮＡに対向するとともに端部ＣＮＡよりもアクティブエリア側に延在している。セグメントＲＬ２は、外周配線ＣＮとその端部ＣＮＢに対向するとともに端部ＣＮＢよりも基板端部側に延在している。セグメントＲＬ１及びセグメントＲＬ２は、外周配線ＣＮの延出方向に沿ってそれぞれ延出している。セグメントＲＬ３及びセグメントＲＬ４は、外周配線ＣＮの延出方向に沿ってそれぞれ直線状に延出している。
【００６７】
ここで、シール材ＳＥを硬化させるための露光工程について簡単に説明する。
【００６８】
図５に示したように、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に液晶層ＬＱを保持した表示パネルＰＮＬにおいて、アレイ基板ＡＲ及び対向基板ＣＴはいずれもガラス基板や樹脂基板などの透明な絶縁基板を用いて形成されているが、対向基板ＣＴ側には周辺遮光層５２１が配置されているため、感光性樹脂材料からなるシール材ＳＥを硬化させるための光照射は、アレイ基板ＡＲの背面側から行う。シール材ＳＥを硬化させるための光源は、シール材ＳＥを硬化させるのに必要な波長を含む光を放射するものである。例えば、シール材ＳＥが紫外線硬化型樹脂材料からなる場合、光源は、紫外線波長を含む光を放射するものが適用される。
【００６９】
図５に示した例では、周辺エリアＰＲＰのアクティブエリアＡＣＴ側において、アレイ基板ＡＲに光を遮る各種配線が配置されているものの、それらの線幅が細いため、光源から放射された放射光は、発散性を有しているため、各種配線の隙間を通過して回り込み、各種配線の上方に位置するシール材ＳＥの略全体に到達する。
【００７０】
太い線幅を有する外周配線ＣＮの直上の位置においては、外周配線ＣＮにスリットなどの隙間が形成されていないため、光源からの放射光が外周配線ＣＮによって遮られるが、外周配線ＣＮの周囲から第１周辺絶縁膜５１を透過した放射光は、外周配線ＣＮの直上に回り込むなどして直接シール材ＳＥに到達したり、反射層ＲＬの第２反射面ＲＦ２によって第１反射面ＲＦ１に向けて反射されたりする。特に、外周配線ＣＮとその隣接する配線との隙間から入射して第１周辺絶縁膜５１を透過した放射光は、反射層ＲＬのうち、外周配線ＣＮの端部から外側に延在した張出部の第２反射面ＲＦ２で反射され、第１反射面ＲＦ１と第２反射面ＲＦ２とでの反射を繰り返すなどして第１周辺絶縁膜５１を導波し、反射層ＲＬのセグメントの隙間からシール材ＳＥに到達する。発散性を有する放射光は、外周配線ＣＮの周囲あるいは反射層ＲＬのセグメント間の隙間を透過した後に回り込み、シール材ＳＥの略全体に到達する。このため、外周配線ＣＮの直上の領域を含むシール材ＳＥの全体を十分に硬化させることが可能となる。
【００７１】
図６に示した例のように、外周配線ＣＮの両端部から外側に延在する各セグメントが島状に形成されていた場合、反射層ＲＬの第２反射面ＲＦ２での反射によって第１周辺絶縁膜５１を導波させる反射光量は少ないものの、点在するセグメントの隙間から放射光が透過し、セグメントの上方にも十分に回り込むため、シール材ＳＥの略全体に光が到達する。
【００７２】
図７に示した例のように、外周配線ＣＮの両端部から外側に延在する各セグメントがストライプ状に形成されていた場合、図６に示した例と比較して、反射層ＲＬの第２反射面ＲＦ２での反射によって第１周辺絶縁膜５１を導波させる反射光量が増加し、外周配線ＣＮの幅方向に並んだセグメント間の隙間を透過した光の回りこみによって、シール材ＳＥの略全体に光が到達する。このため、図６及び図７のいずれに示した例の反射層ＲＬを適用した場合においても、シール材ＳＥの全体を硬化させることが可能となる。
【００７３】
近年、液晶表示装置の小型化及び大画面化といった要望が高まり、画像を表示するアクティブエリアＡＣＴを囲む額縁の幅が狭くなる傾向にあり、一方では、静電気対策などのためにアクティブエリアＡＣＴの周辺に外周配線ＣＮを必要とする機種が増えてきている。狭額縁化された表示パネルＰＮＬにおいては、アクティブエリアＡＣＴとシール材ＳＥとの間に広い幅を確保することが困難であり、シール材ＳＥの一部は、外周配線ＣＮに重なるように形成される。感光性樹脂材料からなるシール材ＳＥを硬化させるためには、シール材ＳＥに向けて光を照射する必要があるが、外周配線ＣＮはゲート配線などと同様の配線材料によって形成されるため、シール材ＳＥに向けて照射された光を遮る。このため、外周配線ＣＮの直上の領域に光が到達しにくく、シール材ＳＥの一部が未硬化となりやすい。未硬化のシール材ＳＥが液晶層ＬＱと接触すると、シール材ＳＥに含まれる不純物により液晶層ＬＱの汚染を招くおそれがある。また、未硬化のシール材ＳＥは、一対の基板を接着する接着力の低下や各基板との密着性の低下を招き、信頼性を損なう虞がある。また、外周配線ＣＮに供給される電位の安定性を確保し、また、狭額縁化の要求に伴って外周配線ＣＮの線幅の拡張を避けるためには、外周配線ＣＮにスリットを設けてシール材ＳＥに向けて光を照射しやすくするといった技術の適用は困難である。
【００７４】
そこで、本実施形態では、外周配線ＣＮと対向する反射層ＲＬを設けることにより、シール材ＳＥを硬化させるために照射された光を外周配線ＣＮの第１反射面ＲＦ１及び反射層ＲＬの第２反射面ＲＦ２で反射させながら導波し、外周配線ＣＮの直上に位置するシール材ＳＥに到達させている。これにより、シール材ＳＥの略全体に放射光が到達し、シール材ＳＥの未硬化を抑制することが可能となる。したがって、シール材ＳＥと液晶層ＬＱとが接触したとしても、シール材ＳＥから液晶層ＬＱへの不純物の溶出を抑制することができ、液晶層ＬＱの汚染に起因した表示品位の劣化を抑制することが可能となる。また、シール材ＳＥのアレイ基板ＡＲ及び対向基板ＣＴとの接着力を確保することが可能となる。さらに、外周配線ＣＮにスリットなどの隙間を設ける必要がないため、外周配線ＣＮの線幅を拡張することなく、外周配線ＣＮに供給される電位の安定性を確保することが可能となる。したがって、信頼性を向上することが可能となる。
【００７５】
反射層ＲＬがアレイ基板ＡＲに備えられた構成においては、反射層ＲＬは、外周配線ＣＮよりも上層に位置する高反射率の配線材料を用いて形成される。例えば、外周配線ＣＮがゲート配線と同一層に位置している場合、反射層ＲＬはソース配線Ｓと同一材料によって形成しても良いし、画素電極ＰＥや第１共通電極ＣＥ１と同一材料によって形成しても良い。また、反射層ＲＬを形成するために、ソース配線Ｓや画素電極ＰＥ及び第１共通電極ＣＥ１とは異なるレイヤを追加しても良い。
【００７６】
次に、他の構成例について説明する。
【００７７】
図８は、図１に示した表示パネルＰＮＬの周辺エリアＰＲＰの構造の他の例を概略的に示す断面図である。
【００７８】
図８に示した構成例は、図５に示した構成例と比較して、反射層ＲＬが対向基板ＣＴに備えられている点で相違している。すなわち、反射層ＲＬは、第２周辺絶縁膜５２の第１周辺絶縁膜５１と対向する表面上に形成されている。第２反射面ＲＦ２は、反射層ＲＬの表面、つまり第１周辺絶縁膜５１に対向する面に相当する。このような反射層ＲＬは、互いに離間した複数のセグメントによって形成されている。反射層ＲＬ及び外周配線ＣＮの位置関係については、図６及び図７に示した通りである。また、反射層ＲＬを形成する材料については、図５を参照して説明した通りである。
【００７９】
このような構成例においても、図５に示した例と同様の効果が得られる。
【００８０】
反射層ＲＬが対向基板ＣＴに備えられた構成においては、反射層ＲＬは、第２共通電極ＣＥ２と同一材料によって形成しても良い。特に本実施形態では、対向基板ＣＴ上の共通電極ＣＥはブラックマトリクスＢＭと重なる部分に形成され開口部ＡＰには形成されていないため、他の液晶モードのように共通電極を透明導電材料（ＩＴＯ等）で形成する必要はない。このため、第２共通電極は光の反射率の高い導電材料（アルミニウム、チタン、モリブデン、タングステン、銀など）で形成しても良い。したがって、本実施形態の液晶モードでは、光学特性に影響を与えることなく、また、製造工程を増やすことなく、対向基板ＣＴ上にシール材を硬化させるための反射層ＲＬを形成することができる。
【００８１】
以上説明したように、本実施形態によれば、信頼性を向上することが可能な液晶表示装置を提供することができる。
【００８２】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。例えば、対向基板ＣＴ上に反射層ＲＬを形成するために、第２共通電極ＣＥ２とは異なるレイヤを追加しても良い。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００８３】
ＰＮＬ…表示パネル  ＡＲ…アレイ基板  ＣＴ…対向基板  ＬＱ…液晶層
ＳＥ…シール材  ＣＮ…外周配線  ＲＬ…反射層
【図１】
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【図２】
2014235278.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2014235278.tif 000008
【図７】
2014235278.tif 000009
【図８】
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