(57)【要約】      （修正有）【課題】多孔度が小さく、ＷＥＲＲ値がより小さく、またクラッキングがより少ない、低−ｋ炭素系膜を堆積させる新しい方法を提供する。【解決手段】基板上に酸化ケイ素層を堆積させる方法は、堆積チャンバに基板を提供することを含む。第１ケイ素含有前駆体、第２ケイ素含有前駆体及びＮＨ３プラズマが反応して酸化ケイ素層を形成する。第１ケイ素含有前駆体は、Ｓｉ−Ｈ結合及びＳｉ−Ｓｉ結合の少なくとも１つを含む。第２ケイ素含有前駆体は、少なくとも１つのＳｉ−Ｎ結合を含む。堆積された酸化ケイ素層はアニールされる。【選択図】図３
2014013905.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に酸化ケイ素層を堆積させる方法であって、
堆積チャンバに基板を提供するステップと、
酸化ケイ素層を形成するために、第１ケイ素含有前駆体、第２ケイ素含有前駆体及びＮＨ３プラズマを反応させるステップであって、前記第１ケイ素含有前駆体は、Ｓｉ−Ｈ結合及びＳｉ−Ｓｉ結合の少なくとも１つを含み、前記第２ケイ素含有前駆体は、少なくとも１つのＳｉ−Ｎ結合を含む、ステップと、
前記堆積された酸化ケイ素層をアニールするステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記第１ケイ素含有前駆体が、ＴＭＤＳＯ、トリメトキシシロキサン（ＴＲＩＭＯＳ）、ヘキサクロロジシロキサン（ＨＣＤＳ）、ＤＭＴＭＤＳ、ＳＡＭ２４、ＴＭＣＴＳ及びＢＴＢＡＳからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１ケイ素含有前駆体がＴＭＤＳＯである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１ケイ素前駆体が、約８以下のＣ：Ｓｉ原子比を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第２ケイ素含有前駆体がトリシリルアミン（ＴＳＡ）を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ＴＳＡのＳｉ−Ｈ結合の少なくとも１つが、Ｓｉ−ＣＨ３結合により置き換えられている、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第２ケイ素含有前駆体が、約４００ｓｃｃｍと約４３０ｓｃｃｍの間の流量を有するＴＳＡである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１ケイ素含有前駆体、前記第２ケイ素含有前駆体及び前記ＮＨ３プラズマを反応させるステップが、約１０℃と約２５℃の間の処理温度を有する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第１ケイ素含有前駆体を反応させる時に、前記第１ケイ素含有前駆体が、約１，０００ｍｇｍの流量を有するＴＭＤＳＯである、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記ＮＨ３プラズマが、約１，２００ｓｃｃｍと約１，２５０ｓｃｃｍの間の流量を有する前駆体から生成される、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記堆積された酸化ケイ素層をアニールするステップが、水蒸気アニール、熱アニール、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）アニール、紫外線アニール、ｅ−線アニール、酸蒸気触媒作用アニール、塩基蒸気触媒作用アニール及びマイクロ波アニールの少なくとも１つを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
基板上に酸化ケイ素層を堆積させる方法であって、
堆積チャンバに基板を提供するステップと、
ハロゲンガスを含むガス混合物からプラズマを生成させるステップと、
原子状酸素前駆体を生成させるために、前記プラズマによってオゾン含有前駆体をイオン化し、前記原子状酸素前駆体を前記チャンバに導入するステップと、
前記堆積チャンバにケイ素前駆体を導入するステップであって、前記ケイ素前駆体は、約８以下のＣ：Ｓｉ原子比を有し、前記ケイ素前駆体及び前記原子状酸素前駆体は前記チャンバ内で初めて混合される、ステップと、
前記基板上に前記酸化ケイ素層を形成するために、前記ケイ素前駆体及び前記原子状酸素前駆体を反応させるステップと、
前記堆積された酸化ケイ素層をアニールするステップと、
を含む方法。
【請求項１３】
前記オゾン含有前駆体が、オゾン及び酸素の混合ガスであり、前記オゾンが約６％と約２０％の間の重量パーセントを有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記オゾンが酸素から生成される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記酸素の流量が、約３標準リットル／分（ｓｌｍ）と約２０ｓｌｍの間である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記ケイ素前駆体と前記原子状酸素前駆体とのモル比が、約１：１０と約１００：１の間である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記ケイ素前駆体及び前記原子状酸素前駆体を反応させるステップが、約１００Ｔｏｒｒと約７６０Ｔｏｒｒの間の処理圧力を有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
前記ケイ素前駆体及び前記原子状酸素前駆体を反応させるステップが、約−１０℃と約２００℃の間の処理温度を有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１９】
前記ケイ素前駆体が、約３以上のＯ：Ｓi比を有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項２０】
前記ケイ素前駆体が、シロキサン、シラゾキサン及びハロゲン化シロキサンの少なくとも１種を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項２１】
前記シロキサンが、トリエトキシシロキサン、テトラメトキシシロキサン、トリメトキシシロキサン、ヘキサメトキシジシロキサン、オクタメトキシトリシロキサン、オクタメトキシドデカシロキサン及びオクタメトキシドデカシロキサンからなる群から選択される、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記シラゾキサンが、ヘキサメトキシジシラゾキサン、メチルヘキサメトキシジシラゾキサン、クロロヘキサメトキシジシラゾキサン、ヘキサエトキシジシラゾキサン、オクタメトキシ環状シラゾキサン及びノナメトキシトリシラゾキサンからなる群から選択される、請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
前記ハロゲン化シロキサンが、テトラクロロシラン、ジクロロジエトキシシロキサン、クロロトリエトキシシロキサン、ヘキサクロロジシロキサン及びオクタクロロトリシロキサンからなる群から選択される、請求項２０に記載の方法。
【請求項２４】
前記ケイ素前駆体が、アミノシラン、アルキルジシラン、アルコキシジシラン、アルコキシ−アルキルジシラン、アルコキシ−アセトキシジシラン又はシクロシランを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項２５】
前記アミノシランが、トリシリルアミン（ＴＳＡ）、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、シラトラン、テトラキス（ジメチルアミノ）シラン、ビス（ジエチルアミノ）シラン、ビス−ｔｅｒｔ−ブチルアミノシラン、ビス−ジメチルアミノシラン（ＢＤＭＡＳ）、トリス（ジメチルアミノ）クロロシラン及びメチルシラトランからなる群から選択される、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記堆積された酸化ケイ素層をアニールするステップが、水蒸気アニール、熱アニール、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）アニール、紫外線アニール、ｅ−線アニール、酸蒸気触媒作用アニール、塩基蒸気触媒作用アニール及びマイクロ波アニールの少なくとも１つを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項２７】
基板上に酸化ケイ素層を堆積させる方法であって、
堆積チャンバに基板を提供するステップと、
ハロゲンガスを含むガス混合物からプラズマを生成させるステップと、
原子状酸素前駆体を生成させるために、オゾン及び酸素のガス混合物を含む前駆体を前記プラズマによってイオン化するステップと、
前記堆積チャンバの外部でオゾン含有前駆体をプラズマ化することによって原子状酸素前駆体を生成させ、前記原子状酸素前駆体を前記チャンバに導入するステップと、
前記堆積チャンバにケイ素前駆体を導入するステップであって、前記ケイ素前駆体は、約８以下のＣ：Ｓｉ原子比を有し、前記ケイ素前駆体及び前記原子状酸素前駆体は前記チャンバ内で初めて混合される、ステップと、
前記基板上に前記酸化ケイ素層を形成するために、前記ケイ素前駆体及び前記原子状酸素前駆体を、約１００Ｔｏｒｒと約７６０Ｔｏｒｒの間の処理圧力で反応させるステップと、
前記堆積された酸化ケイ素層をアニールするステップと、
を含む方法。
【請求項２８】
前記オゾンが約６％と約２０％の間の重量パーセントを有する、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記酸素の流量が、約３標準リットル／分（ｓｌｍ）と約２０ｓｌｍの間である、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記ケイ素前駆体と前記原子状酸素前駆体とのモル比が、約１：１０と約１００：１の間である、請求項２７に記載の方法。
【請求項３１】
前記ケイ素前駆体及び前記原子状酸素前駆体を反応させるステップが、約−１０℃と約２００℃の間の処理温度を有する、請求項２７に記載の方法。
【請求項３２】
前記ケイ素前駆体が、シロキサン、シラゾキサン及びハロゲン化シロキサンの少なくとも１種を含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項３３】
前記シロキサンが、トリエトキシシロキサン、テトラメトキシシロキサン、トリメトキシシロキサン、ヘキサメトキシジシロキサン、オクタメトキシトリシロキサン、オクタメトキシドデカシロキサン及びオクタメトキシドデカシロキサンからなる群から選択される、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
前記シラゾキサンが、ヘキサメトキシジシラゾキサン、メチルヘキサメトキシジシラゾキサン、クロロヘキサメトキシジシラゾキサン、ヘキサエトキシジシラゾキサン、オクタメトキシ環状シラゾキサン及びノナメトキシトリシラゾキサンからなる群から選択される、請求項３２に記載の方法。
【請求項３５】
前記ハロゲン化シロキサンが、テトラクロロシラン、ジクロロジエトキシシロキサン、クロロトリエトキシシロキサン、ヘキサクロロジシロキサン及びオクタクロロトリシロキサンからなる群から選択される、請求項３２に記載の方法。
【請求項３６】
前記ケイ素前駆体が、アミノシラン、アルキルジシラン、アルコキシジシラン、アルコキシ−アルキルジシラン、アルコキシ−アセトキシジシラン又はシクロシランを含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項３７】
前記アミノシランが、トリシリルアミン（ＴＳＡ）、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、シラトラン、テトラキス（ジメチルアミノ）シラン、ビス（ジエチルアミノ）シラン、ビス−ｔｅｒｔ−ブチルアミノシラン、ビス−ジメチルアミノシラン（ＢＤＭＡＳ）、トリス（ジメチルアミノ）クロロシラン及びメチルシラトランからなる群から選択される、請求項２７に記載の方法。
【請求項３８】
前記堆積された酸化ケイ素層をアニールするステップが、水蒸気アニール、熱アニール、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）アニール、紫外線アニール、ｅ−線アニール、酸蒸気触媒作用アニール、塩基蒸気触媒作用アニール及びマイクロ波アニールの少なくとも１つを含む、請求項２７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
[技術分野]
[関連出願の相互参照]
[0001]本出願は、本出願人に譲渡された米国特許仮出願第６０／８０３４９９号（Ｌｕｂｏｍｉｒｓｋｙ他、出願は２００６年５月３０日、名称は「ＰＲＯＣＥＳＳ ＣＨＡＭＢＥＲ ＦＯＲ ＤＩＥＬＥＣＴＲＩＣ ＧＡＰＦＩＬＬ」）に関連する。本出願は、本出願人に譲渡された米国特許第６３８７２０７号（Ｊａｎａｋｉｒａｍａｎ他、発行は２００２年５月１４日、名称は「ＩＮＴＥＧＲＡＴＩＯＮ ＯＦ ＲＥＭＯＴＥ ＰＬＡＳＭＡ ＧＥＮＥＲＡＴＯＲ ＷＩＴＨ ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ ＰＲＯＣＥＳＳＩＮＧ ＣＨＡＭＢＥＲ」）に関連する。本出願は、本出願人に譲渡された米国特許第６８３０６２４号（Ｊａｎａｋｉｒａｍａｎ他、発行は２００４年１２月１４日、名称は「ＢＬＯＣＫＥＲ ＰＬＡＴＥ ＢＹ−ＰＡＳＳ ＦＯＲ ＲＥＭＯＴＥ ＰＬＡＳＭＡ ＣＬＥＡＮ」）に関連する。本出願はまた、本出願人に譲渡された米国特許第５５５８７１７号（Ｚｈａｏ他、名称は「ＣＶＤ ＰＲＯＣＥＳＳＩＮＧ ＣＨＡＭＢＥＲ」）にも関連する。全ての関連出願の全内容は、全ての目的のために、参照によって本明細書に組み込まれる。
【背景技術】
【０００２】
[0002]半導体デバイスの幾何形状は、数１０年前にそれらが導入されてから、寸法が劇的に小さくなった。現在の半導体製造設備は、２５０ｎｍ、１８０ｎｍ、及び６５ｎｍの凹凸寸法（ｆｅａｔｕｒｅ ｓｉｚｅ）を有するデバイスをごく普通に生産し、新しい設備が開発されて、さらに小さい幾何形状を有するデバイスを製造するために提供されている。しかし、より小さい寸法は、デバイス素子が互いに接近して作動しなければならないので、クロストーク及び寄生容量を含めて、電気的干渉の機会を増大させ得ることを意味する。
【０００３】
[0003]電気的干渉の度合いを少なくするために、誘電体絶縁材料が、デバイス素子、金属配線、及び他のデバイスの凹凸（ｆｅａｔｕｒｅ）の間のギャップ、トレンチ、及び他のスペースを充填するために用いられる。誘電体材料は、デバイスの凹凸の間のスペースにおけるそれらの生成のし易さ、それらの低い誘電率（すなわち、「ｋ−値」）により選択される。より低いｋ−値を有する誘電体は、クロストーク及びＲＣ遅延時間をできるかぎり小さくし、さらには、デバイス全体の電力消費を低減することに、より優れている。通常の誘電材料には酸化ケイ素が含まれ、これは、通常のＣＶＤ法により堆積された場合、４．０と４．２の間の平均ｋ−値を有する。
【０００４】
[0004]通常のＣＶＤ酸化ケイ素のｋ−値は、多くのデバイス構造にとって許容できるものであるが、デバイス素子の絶えず減少する寸法及び増加する密度のために、半導体製造業者は、より低いｋ−値を有する誘電材料を捜し続けている。１つの手法は、フッ素を酸化ケイ素にドープして、約３．４から３．６のように低い誘電率を有するフッ素ドープ酸化ケイ素膜（すなわち、「ＦＳＧ」膜）とすることであった。別の手法は、水素シルセスキオキサン（ＨＳＱ）のような非常に流動性のある前駆体により基板を被覆して多孔質の低−ｋ膜を形成するスピン−オンガラス法の開発であった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
[0005]より最近になって、３．０以下のｋ−値を有するケイ素−酸素−炭素（Ｓｉ−Ｏ−Ｃ）膜が開発された。これらの低−ｋ膜は、基板上への炭素−ケイ素及び酸素の前駆体の化学気相堆積によって堆積されることが多い。これらのＳｉ−Ｏ−Ｃ膜は、純粋な酸化ケイ素及びフッ素ドープ酸化ケイ素膜より低いｋ−値を有するが、それらはまた、かなり一層多孔質である傾向もあり、このことが、負の結果を有し得る。多孔質膜は、水の吸着が多い傾向があり、このために、膜のｋ−値は増大し得る。多孔質膜はまた、膜の腐食及びストレスクラッキングの傾向をより高め得る、より大きな「ウェットエッチレート比（ｗｅｔ ｅｔｃｈ ｒａｔｅ ｒａｔｉｏ）」（ＷＥＲＲ）を有する。このため、多孔度が小さく、ＷＥＲＲ値がより小さく、またクラッキングがより少ない、低−ｋ炭素系膜を堆積させる新しい方法が求められている。これらの及び他の問題点が本発明の実施形態によって取り組まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
[0006]本発明の実施形態はまた、基板上に酸化ケイ素層を堆積させる方法を含む。この方法は、堆積チャンバに基板を提供することを含む。第１ケイ素含有前駆体、第２ケイ素含有前駆体及びＮＨ３プラズマが反応して酸化ケイ素層を形成する。第１ケイ素含有前駆体は、Ｓｉ−Ｈ結合及びＳｉ−Ｓｉ結合の少なくとも１つを含む。第２ケイ素含有前駆体は、少なくとも１つのＳｉ−Ｎ結合を含む。堆積された酸化ケイ素層はアニールされる。
【０００７】
[0007]本発明の実施形態は、基板上に酸化ケイ素層を堆積させる方法を含む。この方法は、堆積チャンバに基板を提供することを含み得る。原子状酸素前駆体が、堆積チャンバの外部で生成され、チャンバに導入され得る。ケイ素前駆体が堆積チャンバに導入される。ケイ素前駆体は、約８以下のＣ：Ｓｉ原子比を有し得る。ケイ素前駆体及び原子状酸素前駆体は、初めて、チャンバ内で混合され得る。ケイ素前駆体及び原子状酸素前駆体は反応して、基板上に酸化ケイ素層を形成し得る。堆積された酸化ケイ素層はアニールされ得る。
【０００８】
[0008]本発明の実施形態はまた、基板上に酸化ケイ素層を堆積させる方法を含んでもよい。この方法は、堆積チャンバに基板を提供することを含み得る。原子状酸素前駆体が、堆積チャンバの外部でオゾン含有前駆体をプラズマ化することによって生成され、チャンバに導入され得る。ケイ素前駆体が、堆積チャンバに導入され得る。ケイ素前駆体は、約８以下のＣ：Ｓｉ原子比を有し得る。ケイ素前駆体及び原子状酸素前駆体は、初めてチャンバ内で混合され得る。ケイ素前駆体及び原子状酸素前駆体は、約１００Ｔｏｒrから約７６０Ｔｏｒｒの間の処理圧力で反応して、基板上に酸化ケイ素層を形成し得る。堆積された酸化ケイ素層はアニールされ得る。
【０００９】
[0009]さらなる実施形態及び特徴は、一部は以下の説明に記載され、一部は本明細書の検討により当業者に明らかになるであろう、或いは、本発明の実施によって習得され得る。本発明の特徴及び利点は、本明細書に記載される媒介の手段、組合せ、及び方法により、実現され、獲得され得る。
【００１０】
[0010]本発明の特質及び利点のさらなる理解は、本明細書の残りの部分及び図（図では、類似のコンポーネントを表すために類似の参照番号が、いくつかの図の全体を通して用いられている）を参照することによって達成され得る。場合によっては、サブラベル（ｓｕｂｌａｂｅｌ）が参照数字に結び付けられ、ハイフンの後に置かれて、複数の類似のコンポーネントの１つを示す。存在するサブラベルの指定なしに参照番号が参照される場合、このような複数の類似のコンポーネントの全てが参照されるものとする。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】基板上に酸化物層を形成する例示的方法１００におけるステップを含むフローチャートを示す。
【図２Ａ】基板上に酸化ケイ素層を形成する例示的方法を示す概略的断面図である。
【図２Ｂ】基板上に酸化ケイ素層を形成する例示的方法を示す概略的断面図である。
【図２Ｃ】基板上に酸化ケイ素層を形成する例示的方法を示す概略的断面図である。
【図２Ｄ】基板上に酸化ケイ素層を形成する例示的方法を示す概略的断面図である。
【図３】酸化ケイ素層を形成する別の例示的実施形態を示すフローチャートである。
【図４Ａ】例示的な薄膜堆積システムの垂直断面図を示す。
【図４Ｂ】薄膜堆積システムの例示的システムモニタ／コントローラコンポーネントの簡略化した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
[0016]所望の流動性を有する酸化ケイ素層を堆積させ、次いで、この層を、所望の特性を有する酸化物層又は充填物（ｆｉｌｌ）へとアニール（すなわち、硬化）するためのシステム及び方法が記載される。最初に形成される酸化物の所望の流動性により、酸化物は、アスペクト比を有するギャップ及びトレンチ（例えば、５：１を超えるアスペクト比）を、ギャップ又はシーム（ｓｅａｍ）なしに、充填する。次いで、アニーリングステップが湿気を追い出して、酸化ケイ素膜での実際上の限界値に匹敵し得るウェットエッチレート比（ＷＥＲＲ）（例えば、約１．８から約１．４まで下がったＷＥＲＲ）を有する、高密度の酸化物膜が後に残される。
【００１３】
[0017]例示的方法は、堆積／反応チャンバの外部での反応性原子状酸素の遠隔生成（ｒｅｍｏｔｅ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）を含み得る。原子状酸素は、約８以下のＣ：Ｓｉ原子比を有するケイ素前駆体と、堆積チャンバで初めて混合され、そのチャンバで、それらは、低い温度及び圧力でさえ反応し、基板上に酸化ケイ素を堆積できる。生成する酸化物は、ケイ素に結合した、所望のレベルのヒドロキシル基を有し、このために酸化物は望ましく流動できる。一旦堆積されると、酸化物は、低温でさえ、望ましく流動して、ギャップ又はトレンチ充填の間に、生じようとするボイド及びシームを充填するであろう。次いで、堆積の後、アニーリングステップが、かなりの量のＳｉ−ＯＨ基を二酸化ケイ素及び水蒸気（これは、堆積された膜から追い出される）に変換し得る。
【００１４】
例示的酸化物層形成プロセス
[0018]図１は、基板上に酸化物層を形成する例示的方法１００におけるステップを含むフローチャートを示す。方法１００は、ステップ１０２において、堆積チャンバに基板２００を提供することを含み得る。基板２００は、例えば、シリコン基板、ＩＩＩ−Ｖ化合物基板、ケイ素／ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）基板、エピ基板、シリコン−オン−インシュレーター（ＳＯＩ）基板、ディスプレイ基板（例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイ、エレクトロルミネセンス（ＥＬ）ランプディスプレイ）、又は発光ダイオード（ＬＥＤ）基板であり得る。いくつかの実施形態では、基板２００は、少なくとも１つの構造、例えば、トレンチ構造、ウェル、接合、ダイオード、トランジスタ、金属−酸化物−半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）、層間絶縁（ＩＬＤ）構造、金属間誘電（ＩＭＤ）構造、回路、他の半導体構造又はこれらの様々な組合せを含み得る。基板２００は、半導体ウェハ（例えば、２００ｍｍ、３００ｍｍ、４００ｍｍなどのシリコンウェハ）であり得る。いくつかの実施形態において、基板２００は、図２Ａに示される、それに形成されたトレンチ２１０のような、少なくとも１つのトレンチを有し得る。いくつかの実施形態において、基板２００は、半導体ウェハ（例えば、２００ｍｍ、３００ｍｍ、４００ｍｍなどのシリコンウェハ）であり、より早期のプロセスにおいて形成された構造、デバイスコンポーネントなどを含み得る。例えば、基板は、高さと幅のアスペクト比が大きい（例えば、５：１以上、６：１以上、７：１以上、８：１以上、９：１以上、１０：１以上、１１：１以上、１２：１以上などのアスペクト比）トレンチ２１０を含み得る。
【００１５】
[0019]いくつかの実施形態において、方法１００は、ステップ１０４において、堆積チャンバの外部の位置での原子状酸素前駆体の遠隔生成を含み得る。原子状酸素前駆体は、分子状酸素（Ｏ２）、オゾン（Ｏ３）、窒素−酸素化合物（例えば、ＮＯ，ＮＯ２、Ｎ２Ｏなど）、水素−酸素化合物（例えば、Ｈ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２など）、炭素−酸素化合物（例えば、ＣＯ、ＣＯ２など）、さらには他の酸素含有前駆体及び前駆体の組合せのような酸素含有前駆体の解離によって生成され得る。
【００１６】
[0020]いくつかの実施形態において、原子状酸素前駆体は、オゾン含有前駆体の解離によって生成され得る。オゾン含有前駆体は、酸素及びオゾンの混合ガスであり得る。例えば、酸素が、オゾン発生装置に供給され得る。オゾン発生装置内で、酸素の少なくとも一部がオゾンとしてオゾン化され得る。いくつかの実施形態において、酸素は、約３標準リットル／分（ｓｌｍ）と約２０ｓｌｍの間の流量を有し得る。オゾン化の後、酸素内のオゾンは約６％と約２０％の間の重量パーセントを有し得る。
【００１７】
[0021]いくつかの実施形態において、方法の中でも特に、原子状酸素を生成させるための酸素含有前駆体の解離は、熱解離、紫外線解離、及び／又はプラズマ解離によってなされ得る。プラズマ解離は、遠隔プラズマ生成チャンバにおいて、ヘリウム、アルゴンなどからプラズマを発生させること、及び酸素前駆体をプラズマに導入して原子状酸素前駆体を生成させることを含み得る。
【００１８】
[0022]原子状酸素前駆体は、ステップ１０６において、堆積チャンバに導入することができ、そこで、原子状酸素前駆体は、初めて、ケイ素前駆体と混ざることができ、ケイ素前駆体はステップ１０８においてチャンバに導入され得る。原子状酸素前駆体は、ステップ１１０において、約−１０℃と約２００℃の間の温度、及び約１０Ｔｏｒｒと約７６０Ｔｏｒｒのチャンバ全圧の間の圧力で、ケイ素前駆体（及び、反応チャンバに存在し得る他の堆積前駆体）と反応して、酸化ケイ素膜２２０（図２Ｂに示される）を生成し得る。酸化ケイ素膜２２０は、トレンチ２１０のアスペクト比をトレンチ２１０ａのそれに低下させ得る。
【００１９】
[0023]ケイ素前駆体は、約８以下のＣ：Ｓｉ原子比（例えば、７、６、５、４、３、２、１又はこれ未満のＣ：Ｓｉ比）を有し得る。これは、ケイ素前駆体分子中に存在する各ケイ素原子に対して、８個より少数の炭素原子が存在し得ることを意味する。
【００２０】
[0024]いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、シロキサン化合物、例えば、シロキサン化合物の中でも特に、トリエトキシシロキサン（ＴＲＩＥＳ）、テトラメトキシシロキサン（ＴＭＯＳ）、トリメトキシシロキサン（ＴＲＩＭＯＳ）、ヘキサメトキシジシロキサン（ＨＭＯＤＳ）、オクタメトキシトリシロキサン（ＯＭＯＴＳ）、及び／又はオクタメトキシドデカシロキサン（ＯＭＯＤＤＳ）であり得る。
【化１】
2014013905.tif 000003
トリエトキシシロキサン （ＴＲＩＥＳ）
【化２】
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テトラメトキシシロキサン （ＴＭＯＳ）
【化３】
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トリメトキシシロキサン （ＴＲＩＭＯＳ）
【化４】
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ヘキサメトキシジシロキサン （ＨＭＯＤＳ）
【化５】
2014013905.tif 000007
オクタメトキシトリシロキサン （ＯＭＯＴＳ）
【化６】
2014013905.tif 000008
オクタメトキシドデカシロキサン （ＯＭＯＤＤＳ）
【化７】
2014013905.tif 000009
オクタメトキシ環状シロキサン
【００２１】
[0025]別の実施形態において、ケイ素前駆体はまた、１つ又は複数の窒素基を含むシラゾキサン（ｓｉｌａｚｏｘａｎｅ）化合物であり得る。シラゾキサン化合物には、シラゾキサン化合物の中でも特に、ヘキサメトキシジシラゾキサン（ＨＭＤＳ−Ｈ）、メチルヘキサメトキシジシラゾキサン（ＨＭＤＳ−ＣＨ３）、クロロヘキサメトキシジシラゾキサン（ＨＭＤＳ−Ｃｌ）、ヘキサエトキシジシラゾキサン（ＨＥＤＳ−Ｈ）、ノナメトキシトリシラゾキサン（ＮＭＴＳ）、及びオクタメトキシ環状シラゾキサン（ＯＭＣＳ）が含まれ得る。
【化８】
2014013905.tif 000010
ヘキサメトキシジシラゾキサン （ＨＭＤＳ−Ｈ）
【化９】
2014013905.tif 000011
メチルヘキサメトキシジシラゾキサン （ＨＭＤＳ−ＣＨ３）
【化１０】
2014013905.tif 000012
クロロヘキサメトキシジシラゾキサン （ＨＭＤＳ−Ｃｌ）
【化１１】
2014013905.tif 000013
ヘキサエトキシジシラゾキサン （ＨＥＤＳ−Ｈ）
【化１２】
2014013905.tif 000014
ノナメトキシトリシラゾキサン （ＮＭＴＳ）
【化１３】
2014013905.tif 000015
オクタメトキシ環状シラゾキサン （ＯＭＣＳ）
【００２２】
[0026]さらに別の実施形態において、ケイ素前駆体は、１つ又は複数のハロゲン基（例えば、フッ化物、塩化物、臭化物、又はヨウ化物基）を含むハロゲン化シロキサン化合物であり得る。例えば、ハロゲン化シロキサンは、塩化シロキサン化合物、例えば、塩化シロキサン化合物の中でも特に、テトラクロロシラン（ＴＥＣＳ）、ジクロロジエトキシシロキサン（ＤＣＤＥＳ）、クロロトリエトキシシロキサン（ＣＴＥＳ）、ヘキサクロロジシロキサン（ＨＣＤＳ）、及び／又はオクタクロロトリシロキサン（ＯＣＴＳ）であり得る。
【化１４】
2014013905.tif 000016
テトラクロロシラン （ＴＥＣＳ）
【化１５】
2014013905.tif 000017
ジクロロジエトキシシロキサン （ＤＣＤＥＳ）
【化１６】
2014013905.tif 000018
クロロトリエトキシシロキサン （ＣＴＥＳ）
【化１７】
2014013905.tif 000019
ヘキサクロロジシロキサン （ＨＣＤＳ）
【化１８】
2014013905.tif 000020
オクタクロロトリシロキサン（ＯＣＴＳ）
【００２３】
[0027]ケイ素前駆体は、約０、０．５、１、２、３、４、５、６など、又はこれを超えるＯ：Ｓiの比を有し得る。例えば、ＴＭＯＳは、約４のＯ：Ｓi原子比を有する。他のケイ素前駆体、例えば、ＴＲＩＥＳ、及びＴＲＩＭＯＳは、約３のＯ：Ｓi比を有する。さらに別のもの、例えば、ＨＣＤＳは、０．５のＯ：Ｓi比を有し、ＴＥＣＳは０のＯ：Ｓi比を有する。
【００２４】
[0028]ケイ素前駆体は、有機ケイ素化合物の中でも特に、ＨＭＯＤＳ、ＯＭＯＴＳ、ＯＭＯＤＤＳ、ＨＣＤＳ、及びＯＣＴＳに見られるように、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉの結合を含み得る。ケイ素前駆体におけるこの結合は、炭素及びヒドロキシル基による汚染を減少させ、ＳｉＯｘ膜の形成を容易にし得る。
【００２５】
[0029]いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、アミノシラン、例えば、化合物の中でも特に、トリシリルアミン（ＴＳＡ）、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、シラトラン（Ｓｉｌａｔｒａｎｅ）、テトラキス（ジメチルアミノ）シラン、ビス（ジエチルアミノ）シラン、ビス−ｔｅｒｔ−ブチルアミノシラン、ビス−ジメチルアミノシラン（ＢＤＭＡＳ）、トリス（ジメチルアミノ）クロロシラン及びメチルシラトランを含み得る。
【化１９】
2014013905.tif 000021
トリシリルアミン （ＴＳＡ）
【化２０】
2014013905.tif 000022
ヘキサメチルジシラザン （ＨＭＤＳ）
【化２１】
2014013905.tif 000023
シラトラン
【化２２】
2014013905.tif 000024
テトラキス（ジメチルアミノ）シラン
【化２３】
2014013905.tif 000025
ビス（ジエチルアミノ）シラン
【化２４】
2014013905.tif 000026
トリス（ジメチルアミノ）クロロシラン
【化２５】
2014013905.tif 000027
メチルシラトラン
【００２６】
[0030]別の実施形態において、ケイ素前駆体は、アルコキシジシラン、アルコキシ−アルキルジシラン及びアルコキシ−アセトキシジシランを含めて、ジシランを含み得る。アルコキシジシランは、次を含み得る。
【化２６】
2014013905.tif 000028
式中、Ｒ１〜６は、独立に、Ｃ１〜３アルキルオキシ基である。例えば、アルコキシジシランには、アルコキシジシランの中でも特に、ヘキサメトキシジシラン及びヘキサエトキシジシランが含まれ得る。
【００２７】
[0031]アルコキシジシランには、Ｓｉ部分にアルコキシ基が結合した環状ジシラン化合物が含まれ得る。例えば、アルコキシシクロシランには、中でも特に、オクタエトキシシクロブタシラン、デカブタオキシシクロペンタシラン及びドデカメトキシシクロヘキサシランが含まれ得る。アルコキシジシランのいくつかの例が下に示される。
【化２７】
2014013905.tif 000029
ヘキサメトキシジシラン
【化２８】
2014013905.tif 000030
ヘキサエトキシジシラン
【化２９】
2014013905.tif 000031
ドデカメトキシシクロヘキサシラン
【００２８】
[0032]アルコキシ−アルキルジシランは、次を含み得る。
【化３０】
2014013905.tif 000032
式中、Ｒ７〜１２は、独立に、Ｃ１〜３アルキル基又はＣ１〜３アルキルオキシ基であることができ、ここで、Ｒ７〜１２の少なくとも１つはアルキル基であり、Ｒ７〜１２の少なくとも１つはアルキルオキシ基である。アルコキシ−アルキルジシランはまた、アルキル及びアルコキシ部分を有する環状ジシラン、例えば、少なくとも１つのアルキル及びアルコキシ基がこれらに結合したブタシラン、ペンタシラン、ヘキサシラン、ヘプタシラン、オクタシランなども含み得る。例には、アルコキシ−アルキルシクロシランの中でも特に、オクタメチル−１，４−ジオキサ−２，３，５，６−テトラシラシクロヘキサン、１，４−ジオキサ−２，３，５，６−テトラシラシクロヘキサン、及び、１，２，３，４，５，６−ヘキサメトキシ−１，２，３，４，５，６−ヘキサメチルシクロヘキサシランが含まれる。アルコキシ−アルキルジシランのいくつかの例が下に示される。
【化３１】
2014013905.tif 000033
オクタメチル−１，４−ジオキサ−２，３，５，６−テトラシラシクロヘキサン
【化３２】
2014013905.tif 000034
１，４−ジオキサ−２，３，５，６−テトラシラシクロヘキサン
【化３３】
2014013905.tif 000035
１，１，２，２−テトラエトキシ−１，２−ジメチルジシラン
【００２９】
[0033]アルコキシ−アセトキシジシランは、次を含み得る。
【化３４】
2014013905.tif 000036
式中、Ｒ１３〜１７は、独立に、Ｃ１〜３アルキル基、Ｃ１〜３アルコキシ基、又はアセトキシ基であることができ、ここで、Ｒ１３〜１７の少なくとも１つはアルコキシ基であり、Ｒ１３〜１７の少なくとも１つはアセトキシ基である。
【００３０】
[0034]さらに別の実施形態において、ケイ素前駆体には、オルガノシクロシラン、例えば、シクロブタシラン、シクロペンタシラン、シクロヘキサシラン、シクロヘプタシラン、シクロオクタシランなどが含まれ得る。
【００３１】
[0035]いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、それが堆積チャンバに導入される前に、又はその間に、キャリアガスと混合されてもよい。キャリアガスは、基板２００上への酸化物膜２１０の生成を実質的に妨げない不活性ガスであり得る。キャリアガスの例には、ガスの中でも特に、ヘリウム、ネオン、アルゴン及び水素（Ｈ２）が含まれ得る。
【００３２】
[0036]方法１００の実施形態において、原子状酸素前駆体及びケイ素前駆体は、堆積チャンバに導入される前に、混合されなくてよい。これらの前駆体は、反応チャンバの周りに振り分けられた、空間的に離れた別々の前駆体入口を通ってチャンバに入ることができる。例えば、原子状酸素前駆体は、基板の真上に位置する、チャンバの最上部の１つの入口（又は複数の入口）から入り得る。入口は、酸素前駆体の流れを、基板の堆積表面に実質的に直交する方向に向け得る。一方、ケイ素前駆体は、堆積チャンバの側面の周りの１つ又は複数の入口から入り得る。入口は、ケイ素前駆体の流れを、堆積表面にほぼ平行な方向に向け得る。
【００３３】
[0037]いくつかの実施形態において、原子状酸素前駆体及びケイ素前駆体は、マルチポートシャワーヘッドの別々のポートを通して送ることができる。例えば、基板の上方に位置するシャワーヘッドは、前駆体が堆積チャンバに入る開口部パターンを含み得る。開口部のサブセットの１つが、原子状酸素前駆体によって供給され、他方、第２の開口部サブセットは、ケイ素前駆体によって供給され得る。異なる開口部セットを通して送られる前駆体は、堆積チャンバへ出て行くまでは、流体として互いに隔離され得る。前駆体取扱い装置の様式及び設計についてのさらなる詳細は、本出願人に譲渡された米国特許仮出願第６０／８０３４９９号（Ｌｕｂｏｍｉｒｓｋｙ他、出願は２００６年５月３０日、名称は「ＰＲＯＣＥＳＳ ＣＨＡＭＢＥＲ ＦＯＲ ＤＩＥＬＥＣＴＲＩＣ ＧＡＰＦＩＬＬ」）に記載されており、この特許の全内容は、全ての目的のために、参照によって本明細書に組み込まれる。
【００３４】
[0038]原子状酸素前駆体及びケイ素前駆体は、堆積チャンバにおいて反応し得るので、ステップ１１０において、それらは、基板の堆積表面上に酸化ケイ素層２１０を形成できる。初期の酸化物層は、所望の流動性を有し、堆積表面に存在する構造における、ギャップ、トレンチ、ボイド、シームなどの中に望ましく移動できる。このため、方法１００は、高さと幅の大きなアスペクト比（例えば、約５：１、６：１、６：１、８：１、９：１、１０：１、１１：１、及び１２：１又はこれを超えるＡＲ）を有するギャップ、トレンチ、及び他の表面構造に、ボイド及びシームが実質的にないことが可能な酸化物の充填物をもたらすことができる。
【００３５】
[0039]再び図１を参照すると、堆積された酸化ケイ素層２１０（図２Ｂに示される）の堆積後アニール１１２が、単一ステップ、又は複数ステップで行われ得る。単一ステップのアニールは、例えば、実質的に乾燥した雰囲気（例えば、乾燥した窒素、ヘリウム、アルゴンなど）中で、堆積された層を約３００℃から約１０００℃（例えば、約６００℃から約９００℃）に加熱することによって行うことができる。アニールは、堆積された層から湿気を除去でき、Ｓｉ−ＯＨ基を酸化ケイ素に変換する。アニールされた酸化ケイ素層は、向上した膜特性（例えば、約６から約３、又はこれ未満のＷＥＲＲ）、及び誘電体としての向上した特性（例えば、純粋な二酸化ケイ素に近い又は等しいｋ−値）を有し得る。いくつかの実施形態において、アニールステップ１１２は、窒素雰囲気中、約９００℃で１時間実施され得る。
【００３６】
[0040]いくつかの実施形態において、複数ステップのアニールは２段階のアニールを含み、この場合、例えば、水蒸気の存在下で約６５０℃に層を加熱するような湿式アニール段階を層は最初に経ることができる。この後、乾式アニール段階が行われ、この段階で、層は、湿気を実質的に含まない雰囲気（例えば、乾燥Ｎ２）中で、より高い温度（例えば、約９００℃）に加熱され得る。
【００３７】
[0041]湿式及び乾式熱アニーリングに加えて、他のアニーリング法（単独で、又は組み合わせて）が、酸化ケイ素層１１４をアニールするために用いられてもよい。これらには、特に、水蒸気アニール、熱アニール、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）アニール、紫外線アニール、ｅ−線アニール、酸蒸気触媒作用アニール、塩基蒸気触媒作用アニール及び／又はマイクロ波アニールが含まれる。
【００３８】
[0042]図２Ｄは、例示的なＳＴＩ構造を示す断面図である。図２Ｄにおいて、高密度プラズマ化学気相堆積（ＨＤＰ ＣＶＤ）層のような誘電体層２３０は、アニールされた酸化ケイ素層２２０ａ上に形成され得る。アニールされた酸化ケイ素層２２０ａは、トレンチ２１０の側壁での厚さより大きい、トレンチ２１０の底の部分の厚さを有し得るので、トレンチ２１０ａのアスペクト比は、望ましく低下し得る。したがって、誘電体層２３０内にシーム、ギャップ又はボイドを実質的に生成することなく、誘電体層２３０がトレンチ２１０ａ内に形成され、また充填され得る。いくつかの実施形態において、誘電体層２３０の形成は、酸化物層２２０が、図２Ａに示されるトレンチ２１０を望ましく充填できる場合には、任意選択であり得る。
【００３９】
[0043]いくつかの実施形態において、誘電体層２３０は、アニールプロセスのような熱処理を受けてもよい（示されていない）。熱処理は、誘電体層２３０を望ましく高密度化する。いくつかの実施形態において、誘電体層２３０の形成及び熱処理のためのプロセスは、任意選択であり得る。酸化ケイ素層２２０（図２Ｂに示される）は、形成され、トレンチ２１０を実質的に充填し得る。
【００４０】
別の例示的酸化物層形成プロセス
[0044]図３は、酸化ケイ素層を形成するための別の例示的方法を示すフローチャートである。図３を参照すると、酸化ケイ素層を形成する方法３００は、ステップ３０２、３０４及び３０６を含み得る。ステップ３０２では、堆積チャンバに基板（示されていない）が備えつけられ得る。基板は、図１に関連して上で記載された基板２００と同様であり得る。
【００４１】
[0045]ステップ３０４において、第１ケイ素含有前駆体、第２ケイ素含有前駆体及びアンモニア（ＮＨ３）プラズマが反応して、酸化ケイ素層を形成し得る。いくつかの実施形態において、第１ケイ素含有前駆体は、Ｓｉ−Ｈ結合及びＳｉ−Ｓｉ結合の少なくとも１つを含み得る。別の実施形態において、第１ケイ素含有前駆体は、ＮＨ３プラズマと反応し得る。さらに別の実施形態において、第１ケイ素含有前駆体は、ＴＭＤＳＯ、トリメトキシシロキサン（ＴＲＩＭＯＳ）、ヘキサクロロジシロキサン（ＨＣＤＳ）、ＤＭＴＭＤＳ、ＳＡＭ２４、ＴＭＣＴＳ及びＢＴＢＡＳの少なくとも１つを含み得る。いくつかの実施形態において、第１ケイ素含有前駆体は、約８以下のＣ：Ｓｉ原子比を有し得る。
【００４２】
[0046]いくつかの実施形態において、第２ケイ素含有前駆体は、少なくとも１つのＳｉ−Ｎ結合を含み得る。第２ケイ素含有前駆体は、酸化ケイ素層の収縮を望ましく減少させ得る。いくつかの実施形態において、第２ケイ素含有前駆体は、酸化ケイ素層の原子構造を膨張させ得る。例えば、酸化ケイ素層の収縮は、約３２％以下であり得る。いくつかの実施形態において、第２ケイ素含有前駆体は、酸化ケイ素層を１１％以下だけ膨張させ得る。
【００４３】
[0047]いくつかの実施形態において、第２含有前駆体はＴＳＡを含み得る。いくつかの実施形態において、ＴＳＡのＳｉ−Ｈ結合の少なくとも１つは、Ｓｉ−ＣＨ３結合によって置き換えられていてもよい。例えば、ＳｉＨ３の各Ｓｉ−Ｈ結合が、Ｓｉ−ＣＨ３結合によって置き換えられていてもよい。
【００４４】
[0048]ＮＨ３プラズマは、外部のプラズマ発生装置において、又は堆積チャンバにおいて生成され得ることに注意されたい。第１ケイ素含有前駆体及び第２ケイ素含有前駆体は、ＮＨ３プラズマと相互作用するように、混合されても、又は堆積チャンバに別々に導入されてもよい。
【００４５】
[0049]ＴＭＤＳＯ及びＴＳＡを用いるいくつかの実施形態において、ステップ３０４は、約０℃以上の間の処理温度を有し得る。いくつかの実施形態において、処理温度は、約１０℃と約２５℃の間である。ＴＳＡの流量は、約１０標準センチメートル／分（ｓｃｃｍ）と約５５０ｓｃｃｍの間であり得る。いくつかの実施形態において、ＴＳＡの流量は、約４００ｓｃｃｍと約４３０ｓｃｃｍの間であり得る。ＴＭＤＳＯの流量は、約１０ミリグラム／分（ｍｇｍ）と約１５００ｍｇｍの間であり得る。いくつかの実施形態において、ＴＭＤＳＯの流量は約１０００ｍｇｍである。いくつかの実施形態において、ＮＨ３プラズマを生成させるための前駆体は、約１０００ｓｃｃｍと約１，２５０ｓｃｃｍの間の流量を有し得る。いくつかの実施形態において、ＮＨ３の流量は、約１，０００ｓｃｃｍと約１、２５０ｓｃｃｍの間である。
【００４６】
[0050]再び図３を参照すると、ステップ３０６では、堆積された酸化ケイ素層が硬化され得る。いくつかの実施形態において、ステップ３０６は、図１に関連して上で記載されたステップ１１２と同様であり得る。
【００４７】
[0051]酸化ケイ素層を形成するためのいくつかの実施形態において、ＴＳＡの流量は約４００ｓｃｃｍであり得る。ＴＭＤＳＯの流量は約１，０００ｍｇｍであり得る。ＮＨ３プラズマを生成させるための前駆体の流量は、約１，２５０ｓｃｃｍであり得る。処理温度は約１０℃であり得る。処理圧力は、約１．５Ｔｏｒｒであり得る。いくつかの実施形態において、硬化ステップ３０６は省かれ得る。アニールプロセス（示されていない）が、堆積された酸化ケイ素層に適用されてもよく、アニールプロセスは２段階水蒸気アニールであり得る。これらのステップの１つは、約６００℃の処理温度を有し、これらのステップの他方は、約８５０℃の処理温度を有し得る。
【００４８】
例示的基板処理システム
[0052]本発明の実施形態を実施し得る堆積システムには、システムの中でも特に、高密度プラズマ化学気相堆積（ＨＤＰ−ＣＶＤ）システム、プラズマ促進化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）システム、準常圧（ｓｕｂ−ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ）化学気相堆積（ＳＡＣＶＤ）システム、及び熱化学気相堆積システムが含まれ得る。本発明の実施形態を実施し得るＣＶＤシステムの具体例には、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ， Ｉｎｃ．（Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ、カリフォルニア州）から入手可能なＣＥＮＴＵＲＡ ＵＬＴＩＭＡ（商標）ＨＤＰ−ＣＶＤチャンバ／システム、及びＰＲＯＤＵＣＥＲ（商標）ＰＥＣＶＤチャンバ／システムが含まれる。
【００４９】
[0053]本発明の例示的方法により使用され得る基板処理システムの例には、本出願人に譲渡された米国特許仮出願第６０／８０３４９９号（Ｌｕｂｏｍｉｒｓｋｙ他、出願は２００６年５月３０日、名称は「ＰＲＯＣＥＳＳ ＣＨＡＭＢＥＲ ＦＯＲ ＤＩＥＬＥＣＴＲＩＣ ＧＡＰＦＩＬＬ」）に示され、記載されているものが含まれ得る（この特許の全内容は、全ての目的のために、参照によって本明細書に組み込まれる）。さらなる例示的システムには、米国特許第６３８７２０７号及び米国特許第６８３０６２４号（これらの特許は、全ての目的のために、参照によって本明細書に組み込まれる）に示され、記載されているものが含まれ得る。
【００５０】
[0054]ここで、図４Ａを参照すると、真空又は処理チャンバ１５（これは、チャンバ壁１５ａ及びチャンバ蓋アセンブリ１５ｂを含む）を有するＣＶＤシステム１０の垂直断面図が示されている。ＣＶＤシステム１０は、処理チャンバ１５内の中央にある加熱された台１２上にある基板（示されていない）に、プロセスガスを分散させるためのガス配給マニホールド１１を含む。ガス配給マニホールド１１は、容量性プラズマを生成するための電極としての役目を果たすように、導電性材料により形作られ得る。処理の間、基板（例えば、半導体ウェハ）は、台１２の平坦な（又は、僅かに凸状の）表面１２ａに置かれる。台１２は、下方の装填／脱装填の位置（図４Ａで示される）と、上方の処理位置（図４Ａの破線１４によって示される）（この位置はマニホールド１１に非常に隣接している）との間で、制御して動かすことができる。センターボード（示されていない）は、ウェハの位置についての情報をもたらすセンサを含む。
【００５１】
[0055]堆積及びキャリアガスは、平坦で円形の通常のガス配給表面板１３ａの穿孔１３ｂを通して、チャンバ１５に導入される。より詳細には、堆積プロセスガスは、入口マニホールド１１を通り、通常の穿孔障害板（ｂｌｏｃｋｅｒ ｐｌａｔｅ）４２を通り、次いで、ガス配給表面板１３ａの孔１３ｂを通ってチャンバに流入する。
【００５２】
[0056]マニホールド１１に達する前に、堆積及びキャリアガスは、ガス源７から、ガス供給ライン８を通して混合システム９に投入され、そこで、それらは一緒にされ、次いで、マニホールド１１に送られる。通常、各プロセスガスの供給ラインは、（ｉ）チャンバへのプロセスガスの流れを、自動的に、又は手動で遮断するために使用できるいくつかの安全遮断バルブ（示されていない）、及び（ｉｉ）供給ラインを通るガスの流れを計測するマスフローコントローラ（やはり示されていない）を含む。プロセスにおいて毒性ガスが使用される場合、通常の配置構成で、いくつかの安全遮断バルブが各ガス供給ラインに置かれる。
【００５３】
[0057]ＣＶＤシステム１０において実施される堆積プロセスは、熱プロセス又はプラズマ促進プロセスのいずれかであり得る。プラズマ促進プロセスでは、プロセスガス混合物を励起して、表面板１３ａと台１２の間の円柱状領域内にプラズマを生成するように、ＲＦ電源４４が、ガス配給表面板１３ａと台１２の間に電力を加える。（本明細書では、この領域は、「反応領域」と呼ばれる。）プラズマの構成成分が反応して、台１２に支えられた半導体ウェハの表面に所望の膜を堆積する。ＲＦ電源４４は、真空チャンバ１５に導入された反応性化学種の分解を促進するために、通常、１３．５６ＭＨｚの高ＲＦ周波数（ＲＦ１）及び３６０ｋＨｚの低ＲＦ周波数（ＲＦ２）で電力を供給する混合周波数ＲＦ電源である。熱プロセスでは、ＲＦ電源４４は利用されないと想定され、プロセスガス混合物は、熱的に反応して、台１２（これが、反応のための熱エネルギーを供給するために、抵抗加熱される）に支えられた半導体ウェハの表面に所望の膜を堆積する。
【００５４】
[0058]プラズマ促進堆積プロセスの間、プラズマは、排出通路２３及び遮断バルブ２４を囲むチャンバ本体の壁１５ａを含めて、処理チャンバ１０の全体を加熱する。プラズマが存在しない時、又は熱堆積プロセスの間、高温の液体が、処理チャンバ１５の壁１５ａを通して循環して、チャンバを高い温度に保つ。チャンバ壁１５ａの残りの部分における経路は、示されていない。チャンバ壁１５ａを加熱するために用いられる流体には、通常の種類の流体、すなわち、水系エチレングリコール、又はオイル系熱伝達流体が含まれる。この加熱（「熱交換」による加熱と呼ばれる）は、有益なことに、望ましくない反応生成物の凝縮を少なくする若しくは防ぎ、また、プロセスガスからの揮発性生成物、並びに、もし、冷たい真空経路の壁に凝縮し、ガスの流れがない時に処理チャンバに移動して戻るとしたらプロセスを汚染し得る他の汚染物質の除去を促進する。
【００５５】
[0059]層として堆積しない、混合ガスの残りの部分は、反応の副生成物を含めて、真空ポンプ（示されていない）によってチャンバ１５から排出される。詳細には、ガスは、反応領域を囲む環状の、スロット状オリフィス１６を通して、環状の排出プレナム（ｐｌｅｎｕｍ）１７へ排出される。環状スロット１６及びプレナム１７は、チャンバの円柱状側壁１５ａ（壁の上方の誘電体ライニング１９を含む）の最上部と、円形のチャンバ蓋２０の底との間のギャップによって画定される。スロットオリフィス１６及びプレナム１７の３６０度の円形対称及び均一性は、ウェハに均一な膜を堆積させるように、ウェハ上でプロセスガスの均一な流れを実現することにとって、重要である。
【００５６】
[0060]排出プレナム１７から、ガスは、排出プレナム１７の横方向延長部２１の下を流れ、ビューイングポート（示されていない）を過ぎ、下向きに延びたガス通路２３を通り、真空遮断バルブ２４（この本体は、下方チャンバ壁１５ａと一体化している）を過ぎ、前方ライン（ｆｏｒｅｌｉｎｅ）（やはり示されていない）を通して外部真空ポンプ（示されていない）に接続する排出口２５へと流れる。
【００５７】
[0061]台１２のウェハ支持プラッタ（ｐｌａｔｔｅｒ）（好ましくは、アルミニウム、セラミック、又はこれらの組合せ）は、平行な同心円状に２回フルターンするように設計された、埋め込まれた単一ループ埋め込みヒーター素子を用いて抵抗加熱される。ヒーター素子の外側部分は、支持プラッタの外辺部近くを通り、他方、内側部分は、より小さい半径を有する同心円経路上を通る。ヒーター素子への配線は、台１２の心棒（ｓｔｅｍ）の中を通る。
【００５８】
[0062]通常、チャンバのライニング、ガス入口マニホールド表面板、及び様々な他の反応器ハードウェアのいずれか又は全ては、アルミニウム、陽極酸化アルミニウム、又はセラミックなどの材料で製造される。このようなＣＶＤ装置の例は、本出願人に譲渡された米国特許第５５５８７１７号（Ｚｈａｏ他に発行、名称は「ＣＶＤ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｃｈａｍｂｅｒ」）に記載されており、この特許は、その全体が、参照によって本明細書に組み込まれる。
【００５９】
[0063]リフト機構及びモータ３２（図４Ａ）は、ウェハが、チャンバ１０の側面の挿入／取出し開口部２６を通してロボットブレード（示されていない）によってチャンバ１５の本体へ出し入れされる時に、ヒーター台アセンブリ１２及びそのウェハリフトピン１２ｂを上下させる。モータ３２は、処理位置１４と下方のウェハ装填位置との間で、台１２を上下させる。モータ、供給ライン８に連結したバルブ又はフローコントローラ、ガス配送システム、スロットルバルブ、ＲＦ電源４４、並びにチャンバ及び基板加熱システムは、コントロールライン３６を介してシステムコントローラによって全て制御され、これらの中で、いくつかだけが示されている。コントローラ３４は、コントローラ３４の制御下の適切なモータによって動かされるスロットルバルブ及びサセプターのような可動性機械アセンブリの位置を、光学センサからのフィードバックに頼って特定する。
【００６０】
[0064]例示的実施形態において、システムコントローラは、ハードディスクドライブ（メモリ３８）、フロッピーディスクドライブ及びプロセッサ３７を含む。プロセッサは、シングルボードコンピュータ（ＳＢＣ）、アナログ及びデジタルインプット／アウトプットボード、インターフェイスボード、並びにステッパモータコントローラボードを含む。ＣＶＤシステム１０の様々なパーツは、ボード、カードケージ、及びコネクタの寸法及び型式を定めるＶｅｒｓａ Ｍｏｄｕｌａｒ Ｅｕｒｏｐｅａｎ （ＶＭＥ）規格に適合する。ＶＭＥ規格はまた、１６ビットデータバス及び２４ビットアドレスバスを有するように、バス構造を定める。
【００６１】
[0065]システムコントローラ３４は、ＣＶＤ装置の活動の全てを制御する。システムコントローラは、システム制御ソフトウェアを実行し、これは、メモリ３８のような、コンピュータで読み取り可能な媒体に記憶されたコンピュータプログラムである。好ましくは、メモリ３８はハードディスクドライブであるが、メモリ３８はまた、他の種類のメモリでもあり得る。コンピュータプログラムは、タイミング、ガスの混合、チャンバ圧力、チャンバ温度、ＲＦ電力レベル、サセプター位置、及び特定のプロセスの他のパラメータを規定する命令セットを含む。例えばフロッピーディスク又は他の別の適切なドライブを含めて、他のメモリデバイスに保存された他のコンピュータプログラムも、また、コントローラ３４を動かすために用いられ得る。
【００６２】
[0066]基板に膜を堆積させるためのプロセス又はチャンバ１５をきれいにするためのプロセスが、コントローラ３４によって実行されるコンピュータプログラム製品を用いて実施され得る。コンピュータプログラムコードは、コンピュータで読み取り可能などのような通常のプログラム言語（例えば、６８０００アセンブリ言語、Ｃ、Ｃ＋＋、パスカル、フォートラン又はその他）で書かれていてもよい。適切なプログラムコードは、通常のテキストエディタを用い、１つのファイル、又は複数のファイルに入れられ、コンピュータで使用可能な媒体（例えば、コンピュータのメモリシステム）に保存又は記録される。入力されたコードテキストが高級言語によるものである場合、そのコードはコンパイルされ、得られるコンパイラーコードが、次いで、プリコンパイルされたＭｉｃｒｏｓｏｆｔ Ｗｉｎｄｉｏｗｓ（登録商標）ライブラリルーチンのオブジェクトコードとリンクされる。コンパイルされ、リンクされたオブジェクトコードを実行するために、システムユーザーは、オブジェクトコードを呼び出し、コンピュータシステムにコードをメモリに取り込ませる。次に、ＣＰＵがコードを読み取り、実行して、プログラムに書かれたタスクを行う。
【００６３】
[0067]ユーザーとコントローラ３４の間のインターフェイスは、図４Ｂに示される、ＣＲＴモニタ５０ａ及びライトペン５０ｂを介しており、図４Ｂは、基板処理システム（これは、１つ又は複数のチャンバを含み得る）におけるシステムモニタ及びＣＶＤシステム１０の簡略化された図である。好ましい実施形態において、２台のモニタ５０ａが使用され、１台はオペレータ用で、クリーンルームの壁に設置され、他方は、サービス専門技術者用で、壁の向こう側に設置される。複数のモニタ５０ａは、同じ情報を同時に表示するが、１つのライトペン５０ｂだけが作動している。ライトペン５０ｂの先端の光センサがＣＲＴディスプレイによって発せられる光を検出する。特定のスクリーン又は機能を選択するために、オペレータは、ディスプレイスクリーンの指定された領域に触れ、ペン５０ｂのボタンを押す。触れられた領域は、そのハイライトされた色を変える、又は、新たなメニュ又はスクリーンが表示され、ライトペンとディスプレイスクリーンの間のコミュニケーションが確認される。ユーザーがコントローラ３４とコミュニケーションすることを許すために、他のデバイス、例えば、キーボード、マウス、又は別のポインティング若しくはコミュニケーションデバイスが、ライトペン５０ｂの代わりに、又はそれに加えて用いられてもよい。
【００６４】
[0068]図４Ａは、ガス配給表面板１３ａ及びガス配給マニホールド１１を含む、処理チャンバ１５の蓋アセンブリ１５ｂ上に載せられた遠隔プラズマ発生装置６０を示す。図４Ａで最もよく分かるように、載荷アダプタ６４は、遠隔プラズマ発生装置６０を蓋アセンブリ１５ｂ上に載せる。アダプタ６４は、通常、金属製である。混合デバイス７０は、ガス配給マニホールド１１の上流側に連結している（図４Ａ）。混合デバイス７０は、プロセスガスを混合するための混合ブロックのスロット７４の内側に置かれた混合用インサート７２を含む。セラミックアイソレータ６６が、載荷アダプタ６４と混合デバイス７０の間に置かれる（図６Ａ）。セラミックアイソレータ６６は、Ａｌ２Ｏ３（純度９９％）のようなセラミック材料、Ｔｅｆｌｏｎ（登録商標）などからなり得る。装着される時、混合デバイス７０及びセラミックアイソレータ６６は、蓋アセンブリ１５ｂの一部を成し得る。アイソレータ６６は、下でより詳細に記載されるように、２次プラズマが蓋アセンブリ１５ｂに生成する可能性をできるだけ少なくするために、金属アダプタ６４を、混合デバイス７０及びガス配給マニホールド１１から分離する。３方バルブ７７は、処理チャンバ１５への、直接か、又は遠隔プラズマ発生装置６０を通してかのいずれかのプロセスガスの流れを制御する。
【００６５】
[0069]望ましくは、遠隔プラズマ発生装置６０は、蓋アセンブリ１５ｂに都合よく載せることができ、費用と時間のかかる改修を行わずに既存のチャンバ上に容易に組み込むことができる、自給式の（ｓｅｌｆ−ｃｏｎｔａｉｎｅｄ）コンパクトなユニットである。１つの適切なユニットは、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， Ｉｎｃ．（Ｗｏｂｕｒｎ、マサチューセッツ州）から入手可能なＡＳＴＲＯＮ（登録商標）発生装置である。ＡＳＴＲＯＮ（登録商標）発生装置は、プロセスガスを解離させるのに、低場トロイダルプラズマを用いる。一例として、プラズマは、処理チャンバ１５内の膜堆積物をきれいにするために使用される遊離フッ素を生成させるために、ＮＦ３のようなフッ素含有ガスを含むプロセスガス、及びアルゴンのようなキャリアガスを解離させる。
【００６６】
[0070]いくつかの実施形態を説明したので、様々な修正、代わりとなる構成、及び等価物が、本発明の精神から逸脱することなく使用され得ることが、当業者によって理解されるであろう。さらに、かなりの数のよく知られたプロセス及び要素が、本発明を不必要に分かりにくくすることを避けるために、記述されなかった。したがって、上の説明は、本発明の範囲を限定すると見なされるべきではない。
【００６７】
[0071]数値の範囲が与えられている場合、記述の前後関係から明らかにそうでないことが指図されているのでなければ、下限の量の１０分の１までの、その範囲の上限と下限の間にある各数値もまた、明確に開示されていると理解されている。挙げられている任意の数値又は挙げられている範囲内にある任意の数値と、別の挙げられている任意の数値又はその範囲内にある任意の数値との間の、より狭いそれぞれの範囲も包含される。挙げられている範囲において明確に除外されるいずれかの限界値を前提として、これらのより狭い範囲の上限及び下限は、独立に、その範囲に含められる、又は除外され得る、また、より狭い範囲に、限界値のいずれかが含まれる、限界値のいずれも含まれない、又は両方の限界値が含まれる場合のそれぞれの範囲もまた、本発明に包含される。挙げられている範囲が限界値の一方又は両方を含む場合、含まれるこれらの限界値のいずれか又は両方を除外する範囲もまた含まれる。
【００６８】
[0072]本明細書及び添付の特許請求に範囲において用いられる場合、単数形「１つの」、及び「この」、「その」は、記述の前後関係から明らかにそうでないことが指図されているのでなければ、複数形の指示対象を含む。このため、例えば、「１つの方法」は、複数のこのような方法を含み、「この前駆体」への言及は、１つ又は複数の前駆体、及び当業者に知られているそれらの等価物への言及を含む、などである。
【００６９】
[0073]また、本明細書において、また後の特許請求の範囲において用いられる場合、用語「含む」、「含んでいる」、「備える」、及び「備えている」は、挙げられている特徴、整数、コンポーネント、又はステップの存在を条件とすることが意図されているが、それらの用語は、１つ又は複数の別の特徴、整数、コンポーネント、ステップ、行為、又は群（ｇｒｏｕｐ）の存在又は付加を排除しない。
【図１】
2014013905.tif 000037
【図２Ａ】
2014013905.tif 000038
【図２Ｂ】
2014013905.tif 000039
【図２Ｃ】
2014013905.tif 000040
【図２Ｄ】
2014013905.tif 000041
【図３】
2014013905.tif 000042
【図４Ａ】
2014013905.tif 000043
【図４Ｂ】
2014013905.tif 000044
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月27日(2013.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に酸化ケイ素層を堆積させる方法であって、
堆積チャンバに基板を提供するステップと、
ハロゲンガスを含むガス混合物からプラズマを生成させるステップと、
原子状酸素前駆体を生成させるために、前記プラズマによってオゾン含有前駆体をイオン化し、前記原子状酸素前駆体を前記チャンバに導入するステップと、
前記堆積チャンバにケイ素前駆体を導入するステップであって、前記ケイ素前駆体は、約８以下のＣ：Ｓｉ原子比を有し、前記ケイ素前駆体及び前記原子状酸素前駆体は前記チャンバ内で初めて混合される、ステップと、
前記基板上に前記酸化ケイ素層を形成するために、前記ケイ素前駆体及び前記原子状酸素前駆体を反応させるステップと、
前記堆積された酸化ケイ素層をアニールするステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記オゾン含有前駆体が、オゾン及び酸素の混合ガスであり、前記オゾンが約６％と約２０％の間の重量パーセントを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記オゾンが酸素から生成される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記酸素の流量が、約３標準リットル／分（ｓｌｍ）と約２０ｓｌｍの間である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ケイ素前駆体と前記原子状酸素前駆体とのモル比が、約１：１０と約１００：１の間である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ケイ素前駆体及び前記原子状酸素前駆体を反応させるステップが、約１００Ｔｏｒｒと約７６０Ｔｏｒｒの間の処理圧力を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ケイ素前駆体及び前記原子状酸素前駆体を反応させるステップが、約−１０℃と約２００℃の間の処理温度を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ケイ素前駆体が、約３以上のＯ：Ｓｉ比を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記ケイ素前駆体が、シロキサン、シラゾキサン及びハロゲン化シロキサンの少なくとも１種を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記シロキサンが、トリエトキシシロキサン、テトラメトキシシロキサン、トリメトキシシロキサン、ヘキサメトキシジシロキサン、オクタメトキシトリシロキサン、オクタメトキシドデカシロキサン及びオクタメトキシドデカシロキサンからなる群から選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記シラゾキサンが、ヘキサメトキシジシラゾキサン、メチルヘキサメトキシジシラゾキサン、クロロヘキサメトキシジシラゾキサン、ヘキサエトキシジシラゾキサン、オクタメトキシ環状シラゾキサン及びノナメトキシトリシラゾキサンからなる群から選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記ハロゲン化シロキサンが、テトラクロロシラン、ジクロロジエトキシシロキサン、クロロトリエトキシシロキサン、ヘキサクロロジシロキサン及びオクタクロロトリシロキサンからなる群から選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記ケイ素前駆体が、アミノシラン、アルキルジシラン、アルコキシジシラン、アルコキシ−アルキルジシラン、アルコキシ−アセトキシジシラン又はシクロシランを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記アミノシランが、トリシリルアミン（ＴＳＡ）、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、シラトラン、テトラキス（ジメチルアミノ）シラン、ビス（ジエチルアミノ）シラン、ビス−ｔｅｒｔ−ブチルアミノシラン、ビス−ジメチルアミノシラン（ＢＤＭＡＳ）、トリス（ジメチルアミノ）クロロシラン及びメチルシラトランからなる群から選択される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記堆積された酸化ケイ素層をアニールするステップが、水蒸気アニール、熱アニール、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）アニール、紫外線アニール、ｅ−線アニール、酸蒸気触媒作用アニール、塩基蒸気触媒作用アニール及びマイクロ波アニールの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
基板上に酸化ケイ素層を堆積させる方法であって、
堆積チャンバに基板を提供するステップと、
ハロゲンガスを含むガス混合物からプラズマを生成させるステップと、
原子状酸素前駆体を生成させるために、オゾン及び酸素のガス混合物を含む前駆体を前記プラズマによってイオン化するステップと、
前記堆積チャンバの外部でオゾン含有前駆体をプラズマ化することによって原子状酸素前駆体を生成させ、前記原子状酸素前駆体を前記チャンバに導入するステップと、
前記堆積チャンバにケイ素前駆体を導入するステップであって、前記ケイ素前駆体は、約８以下のＣ：Ｓｉ原子比を有し、前記ケイ素前駆体及び前記原子状酸素前駆体は前記チャンバ内で初めて混合される、ステップと、
前記基板上に前記酸化ケイ素層を形成するために、前記ケイ素前駆体及び前記原子状酸素前駆体を、約１００Ｔｏｒｒと約７６０Ｔｏｒｒの間の処理圧力で反応させるステップと、
前記堆積された酸化ケイ素層をアニールするステップと、
を含む方法。
【請求項１７】
前記オゾンが約６％と約２０％の間の重量パーセントを有する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記酸素の流量が、約３標準リットル／分（ｓｌｍ）と約２０ｓｌｍの間である、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記ケイ素前駆体と前記原子状酸素前駆体とのモル比が、約１：１０と約１００：１の間である、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記ケイ素前駆体及び前記原子状酸素前駆体を反応させるステップが、約−１０℃と約２００℃の間の処理温度を有する、請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
前記ケイ素前駆体が、シロキサン、シラゾキサン及びハロゲン化シロキサンの少なくとも１種を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２２】
前記シロキサンが、トリエトキシシロキサン、テトラメトキシシロキサン、トリメトキシシロキサン、ヘキサメトキシジシロキサン、オクタメトキシトリシロキサン、オクタメトキシドデカシロキサン及びオクタメトキシドデカシロキサンからなる群から選択される、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記シラゾキサンが、ヘキサメトキシジシラゾキサン、メチルヘキサメトキシジシラゾキサン、クロロヘキサメトキシジシラゾキサン、ヘキサエトキシジシラゾキサン、オクタメトキシ環状シラゾキサン及びノナメトキシトリシラゾキサンからなる群から選択される、請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
前記ハロゲン化シロキサンが、テトラクロロシラン、ジクロロジエトキシシロキサン、クロロトリエトキシシロキサン、ヘキサクロロジシロキサン及びオクタクロロトリシロキサンからなる群から選択される、請求項２１に記載の方法。
【請求項２５】
前記ケイ素前駆体が、アミノシラン、アルキルジシラン、アルコキシジシラン、アルコキシ−アルキルジシラン、アルコキシ−アセトキシジシラン又はシクロシランを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２６】
前記アミノシランが、トリシリルアミン（ＴＳＡ）、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、シラトラン、テトラキス（ジメチルアミノ）シラン、ビス（ジエチルアミノ）シラン、ビス−ｔｅｒｔ−ブチルアミノシラン、ビス−ジメチルアミノシラン（ＢＤＭＡＳ）、トリス（ジメチルアミノ）クロロシラン及びメチルシラトランからなる群から選択される、請求項１６に記載の方法。
【請求項２７】
前記堆積された酸化ケイ素層をアニールするステップが、水蒸気アニール、熱アニール、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）アニール、紫外線アニール、ｅ−線アニール、酸蒸気触媒作用アニール、塩基蒸気触媒作用アニール及びマイクロ波アニールの少なくとも１つを含む、請求項１６に記載の方法。
【外国語明細書】
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2014013905000002.pdf
2014013905000003.pdf
2014013905000004.pdf