(57)【要約】【課題】中空構造部の形状の安定化と、減圧封止状態を保持と、を成し得た電子装置を提供する。【解決手段】中空構造部を有し、第１層と、第１層と対面して設けられている第２層と、第１層と第２層との間に設けられている第１絶縁部及び第２絶縁部と、を備え、中空構造部に対して第１層、第２層、及び第１絶縁部が面している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
中空構造部を有する電子装置であって、
第１層と、
前記第１層と対面して設けられている第２層と、
前記第１層と前記第２層との間に設けられている第１絶縁部及び第２絶縁部と、を備え、
前記中空構造部に対して前記第１層、前記第２層、及び前記第１絶縁部が面していることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
中空構造部を有する電子装置であって、
第１層と、
前記第１層と対面して設けられている第２層と、
前記第１層と対面する一方面と表裏の関係にある前記第２層の他方面と対面して設けられている第３層と、
前記第１層と前記第２層との間に設けられている第１絶縁部、及び第２絶縁部と、
前記第２層と前記第３層との間に設けられている第３絶縁部と、
を備え、
前記中空構造部に対して前記第１層、前記第２層、前記第３層、及び第１絶縁部が面しているとともに、前記第３層が前記第２層に向かって延設して前記第２層に接続されていることを特徴とする電子装置。
【請求項３】
請求項２に記載の電子装置において、
前記第３層には前記中空構造部に連通する孔が設けられ、前記孔は封止部によって塞がれていることを特徴とする電子装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電子装置において、
前記中空構造部は、その内部が大気圧と比べて減圧されていることを特徴とする電子装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電子装置において、
前記第１絶縁部は、シリコン窒化物を含むことを特徴とする電子装置。
【請求項６】
中空構造部を有する電子装置の製造方法であって、
第１層を準備する工程と、
前記第１層と対面する第２層を形成する工程と、
前記第１層と対面する一方面と表裏の関係にある前記第２層の他方面と対面して第３層を形成する工程と、
前記中空構造部に連通する孔を前記第３層に形成する工程と、
前記孔を塞ぐ封止部を形成する工程と、
前記第１層と前記第２層との間に第１絶縁部、及び第２絶縁部とを形成する工程と、
前記第２層と前記第３層との間に第３絶縁部を形成する工程と、
前記中空構造部となる部分に形成された第２絶縁部及び第３絶縁部を除去する工程と、を含み、
前記中空構造部に対して前記第１層、前記第２層、及び前記第３層が面するとともに、前記第３層が前記第２層に向かって延伸して前記第２層に接続する様に形成することを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載された電子装置が搭載されていることを特徴とする電子機器。
【請求項８】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載された電子装置が搭載されていることを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置、電子装置の製造方法、電子機器、及び移動体に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体微細加工技術を利用して形成された電子装置の一つとして、ＭＥＭＳ（Micro  Electro  Mechanical  System）デバイスと呼ばれる機械的に変位可能な構造体を備えた電気機械系構造体（例えば、振動子、フィルター、加速度センサー、モーター等）が知られている。
これら電子装置の構造体は変位が微小なため、変位の妨げになる気体の流動が抑制された中空構造内に設けられることが多く、その中空構造中の気体が電子装置の性能、及び信頼性の低下を引き起こす要因となっている。
【０００３】
例えば、特許文献１に示す電子装置の様に、変位可能な構造体（受動素子）を備えた電子装置において、一般的なＣＭＯＳプロセスを用いてＣＭＯＳ回路など能動素子と、中空構造を形成し、その中空構造内に設けた受動素子と、を一体化した電子装置を実現する方法が知られている。また、特許文献１に示す電子装置は、シリコン酸化物からなる層間絶縁部を配線間及び中空構造となる部分を形成し、後に中空構造となる部分に形成された層間絶縁部を除去することにより中空を形成する。即ち、中空構造となる部分の層間絶縁部を、いわゆる犠牲層として用いている。
また、例えば、特許文献２に示す様に、中空構造を形成するための犠牲層としての酸化物は、配線層の様にＣＶＤ法などで形成するほか、ゲート酸化膜などのシリコン熱酸化膜、ＬＯＣＯＳやＳＴＩなどの素子分離酸化膜、あるいはＳＯＩ基板を用いた場合には基板の埋め込み酸化膜（ＢＯＸ（Buried Oxide）層）を用いる方法が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１０５４１１号公報
【特許文献２】特開２００９−２７８３６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献２に示す構造では中空構造となるＢＯＸ層に犠牲層として形成された酸化膜（物）のエッチング（除去）ストッパーが存在しない。よって、酸化間膜のエッチングは処理時間の長短で酸化膜のエッチング量を制御する方法が用いられるため、エッチングレートのバラツキによっては中空構造の変形を生じる虞があった。また、処理時間を調整しても、中空構造内に露出した酸化膜（物）が残存することが避けられず、その酸化膜から離脱する気体が中空構造内に放散し、中空構造内に設けられた受動素子の可動に影響を及ぼすことがあった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態、又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］
本適用例に係る電子装置は、中空構造部を有し、第１層と、第１層と対面して設けられている第２層と、第１層と第２層との間に設けられている第１絶縁部及び第２絶縁部と、を備え、中空構造部に対して第１層、第２層、及び第１絶縁部が面していることを特徴とする。
【０００８】
この様な電子装置によれば、中空構造部に対して第１層、第２層、及び第１絶縁部が面しているため、中空構造部に対して第２絶縁部が接しないように設けられている。例えば、第２絶縁部にシリコン酸化物等を用いた際に、当該酸化物に含まれる気体が脱離して中空構造部内に放出されることを抑制することができる。
従って、中空構造部内の状態を安定させた信頼度の高い電子装置を得ることができる。
【０００９】
［適用例２］
本適用例に係る電子装置は、中空構造部を有し、第１層と、第１層と対面して設けられている第２層と、第１層と対面する一方面と表裏の関係にある第２層の他方面と対面して設けられている第３層と、第１層と第２層との間に設けられている第１絶縁部、及び第２絶縁部と、第２層と第３層との間に設けられている第３絶縁部と、を備え、中空構造部に対して第１層、第２層、第３層、及び第１絶縁部が面しているとともに、第３層が第２層に向かって延設して第２層に接続されていることを特徴とする。
【００１０】
この様な電子装置によれば、中空構造部に対して第１層、第２層、第３層、及び第１絶縁部が面しているため、中空構造部に対して第２絶縁部及び第３絶縁部が接しないように設けられている。
これによって、中空構造部内に面した第２層には変位可能な可動体を設けることができる。また、第２絶縁部及び第３絶縁部にシリコン酸化物等を用いた際に、当該酸化物に含まれる気体が脱離して中空構造部に放出されることを抑制することができる。
従って、中空構造部内に設けられた可動体の変位の妨げとなる気体の放散が抑制された信頼度の高い電子装置を得ることができる。
【００１１】
［適用例３］
上記適用例に係る電子装置の第３層には、中空構造部に連通する孔が設けられ、当該孔は封止部によって塞がれていることが好ましい。
【００１２】
この様な電子装置によれば、中空構造部に連通する孔が設けられることで中空構造部内の気体を抽出（抽気）し、封止部で当該孔を塞ぐことができる。これによって、中空構造部内を気密に保つことができる。従って、中空構造部内に可動体の変位の妨げとなる気体の流入が抑制された信頼度の高い電子装置を得ることができる。
【００１３】
［適用例４］
上記適用例に係る電子装置の中空構造部は、その内部が大気圧と比べて減圧されていることが好ましい。
【００１４】
この様な電子装置によれば、中空構造部の内部が大気圧と比べて減圧されているため、可動体の変位の妨げとなる気体の残留が抑制され、信頼度の高い電子装置を得ることができる。
【００１５】
［適用例５］
上記適用例に係る電子装置の第１絶縁部は、シリコン窒化物を含むことが好ましい。
【００１６】
この様な電子装置によれば、中空構造部に面する第１絶縁部にシリコン窒化物を用いることで、第２絶縁部から中空構造部内に放出される気体を抑制しつつ、第１層と第２層との間を絶縁することができる。
【００１７】
［適用例６］
本適用例に係る中空構造部を有する電子装置の製造方法は、第１層を準備する工程と、第１層と対面する第２層を形成する工程と、第１層と対面する一方面と表裏の関係にある第２層の他方面と対面して第３層を形成する工程と、中空構造部に連通する孔を第３層に形成する工程と、孔を塞ぐ封止部を形成する工程と、第１層と第２層との間に第１絶縁部、及び第２絶縁部とを形成する工程と、第２層と第３層との間に第３絶縁部を形成する工程と、中空構造部となる部分に形成された第２絶縁部及び第３絶縁部を除去する工程と、を含み、中空構造部に対して第１層、第２層、及び第３層が面するとともに、第３層が第２層に向かって延伸して第２層に接続する様に形成することを特徴とする。
【００１８】
この様な電子装置の製造方法は、中空構造部に対して第１層、第２層、第３層、及び、第１絶縁部が面する様に形成することで、これらが中空構造部となる部分に形成された第２絶縁部及び第３絶縁部を除去（エッチング）する工程において、いわゆるエッチングストッパーとして機能させることができる。
これによって、中空構造部となる部分に形成された第２絶縁部及び第３絶縁部は、形成及び除去が容易なシリコン酸化物等を用いることができる。また、当該絶縁部を除去する工程において、処理時間の精密な制御をすることなく選択的に第２絶縁部及び第３絶縁部を除去することができる。
従って、中空構造部内に第２絶縁部及び第３絶縁部の除去に伴う当該絶縁部の残渣が生じることを抑制し、残渣から脱離する気体の放散を抑制することができる。
【００１９】
［適用例７］
本適用例に係る電子機器は、上述したいずれかの電子装置が搭載されていることを特徴とする。
【００２０】
この様な電子機器は、上述した構造体の可動が阻害されることを抑制されたいずれかの電子装置が搭載されることで、信頼度及び精度に優れた電子機器を得ることができる。
【００２１】
［適用例８］
本適用例に係る移動体は、上述したいずれかの電子装置が搭載されていることを特徴とする。
【００２２】
この様な移動体は、上述した構造体の可動が阻害されることを抑制されたいずれかの電子装置が搭載されることで、信頼度及び精度に優れた移動体を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】第１実施形態に係る電子装置を模式的に示す平面図。
【図２】第１実施形態に係る電子装置を模式的に示す断面図。
【図３】第１実施形態に係る電子装置の一部を拡大した断面図。
【図４】第１実施形態に係る電子装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図５】第１実施形態に係る電子装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図６】変形例に係る電子装置の一部を拡大した断面図。
【図７】実施例に係る電子機器としてのパーソナルコンピューターを模式的に示す図。
【図８】実施例に係る電子機器としての携帯電話機を模式的に示す図。
【図９】実施例に係る電子機器としてのデジタルスチールカメラを模式的に示す図。
【図１０】実施例に係る移動体としての自動車を模式的に示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の実施形態について上記の各図面を用いて説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際の構成要素とは適宜に異ならせて記載する場合がある。
【００２５】
（実施形態）
本実施形態に係る電子装置について、図１から図５を用いて説明する。
図１は、第１実施形態に係る電子装置の概略を模式的に示す平面図である。図２は、図１中の線分Ａ−Ａ’で示す部分の電子装置の断面を模式的に示す断面図である。図３は、電子装置の動作を説明する断面図である。図４及び図５は、図１中の線分Ａ−Ａ’で示す部分の電子装置の断面を模式的に示し、その製造工程を説明する断面図である。
【００２６】
（電子装置１の構造）
図１及び図２に示す第１実施形態に係る電子装置１は、変位を伴う受動素子部４２が搭載されたＭＥＭＳ部１００と、当該受動素子部４２を駆動させる能動素子部４４で構成された回路部１２０と、で構成されている。
電子装置１は、第１層としての基板１０と、第１絶縁部としてのベース絶縁部２０と、第２絶縁部としての絶縁部３０と、が設けられている。また、電子装置１は、第２層としての機能素子部４０と、第３絶縁部としての層間絶縁部６０と、第３層としての配線部７０と、が設けられている。また、電子装置１はＭＥＭＳ部１００には、中空構造部５０と、保護部８０と、孔９０と、が設けられている。
【００２７】
（基板１０）
基板１０には、ベース絶縁部２０、絶縁部３０及び機能素子部４０等が設けられている一方面である主面１０ａを有する。基板１０は、後述する電子装置１を製造する工程において熱酸化されることで絶縁部３０が形成される。絶縁部３０は複数に分割して形成され、その絶縁部３０間で基板１０が熱酸化されない部分には、アクティブ領域２２が配設されている。基板１０は、その材料として、例えば、シリコンを用いることができる。本実施形態の電子装置１は、基板１０としてシリコン基板を用いている。
以降の説明において主面１０ａ側と称する場合は、絶縁部３０等が設けられる方向として説明する。
【００２８】
（絶縁部３０）
絶縁部３０は、基板１０の主面１０ａに設けられている。
絶縁部３０は、基板１０と、ベース絶縁部２０、機能素子部４０、層間絶縁部６０、及び配線部７０と、の間を絶縁するために設けられている。
絶縁部３０は、基板１０を熱酸化させるＬＯＣＯＳ（Local Oxidation of Silicon）法を用いて形成されている。絶縁部３０は、基板１０を構成するシリコンが酸化して生成されたシリコン酸化物（ＳｉＯ2）である。絶縁部３０の形成方法は、詳細に後述する。
なお、絶縁部３０は図２に示す様に、主面１０ａ上において複数に分割して設けられている。
以降の説明において主面３０ａ側と称する場合は、基板１０（主面１０ａ）と反対側の絶縁部３０の一方面を示すものとして説明する。
【００２９】
（ベース絶縁部２０）
ベース絶縁部２０は、ＭＥＭＳ部１００に設けられた絶縁部３０の主面３０ａ側に設けられている。また、ベース絶縁部２０は、図３に示す様に、その一部分が絶縁部３０の側面１２ｃにも設けられている。ベース絶縁部２０は、機能素子部４０と、基板１０及び絶縁部３０と、の間を絶縁するために設けられている。ベース絶縁部２０は、その材料として、例えばシリコン窒化物が用いられている。ベース絶縁部２０は、後述する電子装置１の製造方法において中空構造部５０を形成するために用いられている。
【００３０】
（機能素子部４０）
機能素子部４０は、ＭＥＭＳ部１００に設けられている受動素子部４２と、回路部１２０に設けられている能動素子部４４と、で構成されている。
受動素子部４２は、上述したベース絶縁部２０上に設けられている。受動素子部４２が設けられた周囲には中空構造部５０が設けられている。これにより、受動素子部４２が変位することができる。
能動素子部４４は、層間絶縁部６０に囲まれる様に設けられている。
機能素子部４０は、その材料として、例えばポリシリコンを用いることができる。
なお、受動素子部４２と、能動素子部４４と、は一体として一般的なＣＭＯＳ製造技術によって形成することができる。
【００３１】
（中空構造部５０）
中空構造部５０は、ＭＥＭＳ部１００に設けられている。本実施形態の電子装置１の中空構造部５０は、減圧された状態で封止されている。中空構造部５０には、第１中空構造部５２と、第２中空構造部５４と、が設けられている。
第１中空構造部５２は、基板１０、ベース絶縁部２０、及び受動素子部４２が面する様に設けられている。また、第２中空構造部５４は、受動素子部４２及び配線部７０が面する様に設けられている。
なお、中空構造部５０は、絶縁部３０間に設けられ、絶縁部３０と中空構造部５０との間には、ベース絶縁部２０、及びアクティブ領域２２として基板１０が延伸して設けられている。
【００３２】
電子装置１は、中空構造部５０に対して、基板１０、ベース絶縁部２０、能動素子部４４、及び配線部７０が面する様に設けられている。
ここで、シリコン酸化物を含む絶縁部３０及び層間絶縁部６０は、減圧、又は加熱されるとシリコン酸化物に含まれている気体が脱離する虞がある。
そこで、電子装置１は、絶縁部３０及び層間絶縁部６０を中空構造部５０に露出させない様に構成されている。これにより、中空構造部５０の減圧状態を維持するととともに、受動素子部４２の変位の妨げとなる気体が中空構造部５０に放散されることを抑制することができる。
【００３３】
（層間絶縁部６０）
層間絶縁部６０は、機能素子部４０と、後述する配線部７０と、の間を絶縁するために設けられている。層間絶縁部６０は、その材料として、例えばシリコン酸化物を用いることができる。
層間絶縁部６０は、後述する電子装置１の製造工程において、その工程の進捗に応じて第１層間絶縁部６１、第２層間絶縁部６２、及び第３層間絶縁部６３が形成され、構成されている。なお、図１から図３においては、第１層間絶縁部６１、第２層間絶縁部６２、及び第３層間絶縁部６３を総括して層間絶縁部６０として示している。
【００３４】
（配線部７０、孔９０）
配線部７０は、第３層としての第１配線部７２、第２配線部７４、及び封止部としての第３配線部７６で構成されている。
配線部７０は、ＭＥＭＳ部１００に設けられた受動素子部４２と、回路部１２０に設けられた能動素子部４４と、を接続する第１配線部７２を備えている。また、前述の第１配線部７２と接続され機能素子部４０の電気信号を電子装置１の外部と出力を行う第２配線部７４を備えている。
【００３５】
第１配線部７２は、ＭＥＭＳ部１００において受動素子部４２と接続されている。また、第１配線部７２は、回路部１２０のアクティブ領域２２において基板１０、及び図示を省略するが能動素子部４４と接続されている。
【００３６】
第２配線部７４は、ＭＥＭＳ部１００において受動素子部４２から延伸する第１配線部７２と接続され、主に電子装置１の外部との入出力を行うため層間絶縁部６０上に一部が露出して設けられている。また、第２配線部７４は、中空構造部５０の蓋体として設けられ、内部を減圧するための孔９０が設けられている。なお、孔９０の設ける数は特に限定されるものでない。
【００３７】
第３配線部７６は、封止部として孔９０を塞ぐ様に設けられている。
第３配線部７６は、封止部として孔９０を塞ぎ、他の電子装置との電気信号の入出力のための配線として設けられている。
【００３８】
配線部７０は、その一部が中空構造部５０に面して設けられている。中空構造部５０の構成については前述したとおり、中空構造部５０に対して配線部７０が面する様に設けられている。よって、中空構造部５０に層間絶縁部６０が露出しないため、層間絶縁部６０を構成するシリコン酸化物から気体が脱離し、中空構造部５０に放散されることを抑制することができる。
【００３９】
上述した配線部７０は、その材料として、例えばアルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、及び銅（Ｃｕ）を用いることができる。配線部７０を形成する材料は特に限定されることなく、導電性を有し、後述する電子装置１の製造工程において層間絶縁部６０が除去される工程に耐えうる材料であれば適宜変更しても良い。
【００４０】
（保護部８０）
保護部８０は、第２配線部７４を保護及び絶縁するために設けられている。保護部８０は、第２配線部７４上に設けられている。また、保護部８０は、後述する電子装置１の製造方法において層間絶縁部６０を除去する工程で第２配線部７４を保護するためにも設けられている。
保護部８０は、その材料として、例えばシリコン窒化物（Ｓｉ3Ｎ4）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）やこれらを含む合金を用いることができる。保護部８０の材料は特に限定されることなく、電子装置１の製造工程において層間絶縁部６０を除去する工程に耐えうる材料であれば適宜変更しても良い。
【００４１】
（電子装置１の製造方法）
次に、電子装置１の製造方法について説明する。
図４及び図５は、本実施形態に係る電子装置１の製造方法を工程順に説明する断面図である。なお、図４及び図５は、図１において示す電子装置１の線分Ａ−Ａ’の断面を模式的に示すものである。
【００４２】
本実施形態の電子装置１を形成する工程は、第１層としての基板１０を準備する工程と、第２層としての機能素子部４０を形成する工程と、第１絶縁部としてのベース絶縁部２０を形成する工程と、第２絶縁部としての絶縁部３０を形成する工程と、を含む。電子装置１を形成する工程は、第３絶縁部としての層間絶縁部６０を形成する工程と、第３層としての配線部７０を形成する工程と、中空構造部となる部分に形成された絶縁部３０及び層間絶縁部６０を除去する工程と、保護部８０を形成する工程と、を含む。
以下、図４及び図５を用いて、工程順に電子装置１の製造方法について工程順に説明する。
【００４３】
（基板１０の準備工程）
図４（ａ）は、電子装置１を形成する基板１０が準備された状態を示している。
基板１０を準備する工程は、後述する各工程で絶縁部３０、機能素子部４０、及び配線部７０等を形成する基板１０を準備する工程である。本実施形態の電子装置１では、基板１０としてシリコン基板を準備する。なお、電子装置１の製造方法の説明においても絶縁部３０等を形成する基板１０の一方面を主面１０ａと称する。
【００４４】
（絶縁部３０の形成工程）
図４（ｂ）は、基板１０の主面１０ａに絶縁部３０が形成された状態を示している。
絶縁部３０を形成する工程は、例えば、ＬＯＣＯＳ（Local Oxidation of Silicon）法を用いることができる。ＬＯＣＯＳ法による絶縁部３０の形成は、絶縁部３０の形成を欲する部分が開口したマスクパターンを主面１０ａに形成し、基板１０を加熱することで開口した部分の基板１０が熱酸化することによってできる。シリコン基板で構成される基板１０は、加熱されることでマスクパターンが開口した部分の主面１０ａにシリコン酸化物を含む絶縁部３０が形成される。
また、マスクパターンは絶縁部３０の形成後に除去するものである。マスクパターンを除去することで、マスクが施されていた部分の基板１０が露出し、その部分をアクティブ領域２２として用いることができる。
なお、電子装置１の製造方法の説明においても機能素子部４０等を形成する絶縁部３０の一方面を主面３０ａと称する。
【００４５】
（ベース絶縁部２０、及び第１層間絶縁部６１の形成工程）
図４（ｃ）は、絶縁部３０の主面３０ａ上にベース絶縁部２０と、第１層間絶縁部６１が形成された状態を示している。
【００４６】
ベース絶縁部２０を形成する工程は、上述した絶縁部３０の主面３０ａ上、及びＭＥＭＳ部１００のアクティブ領域２２にベース絶縁部２０を形成する工程である。
ベース絶縁部２０を形成する工程は、例えば、シリコン窒化物（Ｓｉ3Ｎ4）等を含むベース絶縁部２０をＣＶＤ法によって形成することができる。
絶縁部３０（主面３０ａ）には、ベース絶縁部２０の他に、後述する工程で第１層間絶縁部６１を形成する。そのためベース絶縁部２０を形成する工程は、ベース絶縁部２０の形成を欲しない主面３０ａ上の部分（領域）にマスクパターンを施し、ベース絶縁部２０の形成を行う。マスクパターンは、ベース絶縁部２０が形成した後に除去するものである。
ベース絶縁部２０を形成する方法は、ＣＶＤ法に限定されること無く、ＰＶＤ（Physical Vapour Deposition）法等を用いて、ベース絶縁部２０を形成しても良い。
【００４７】
第１層間絶縁部６１を形成する工程は、上述した絶縁部３０の主面３０ａ上、及び回路部１２０のアクティブ領域２２に第１層間絶縁部６１を形成する工程である。
第１層間絶縁部６１を形成する工程は、シリコン酸化物（ＳｉＯ2）等の絶縁性材料を含む第１層間絶縁部６１をＣＶＤ法によって形成することができる。
絶縁部３０（主面３０ａ）には、第１層間絶縁部６１の他に、前述した工程でベース絶縁部２０が形成される。そのため第１層間絶縁部６１を形成する工程は、第１層間絶縁部６１の形成を欲しない主面３０ａ上の部分（領域）にマスクパターンを施し、第１層間絶縁部６１の形成を行う。マスクパターンは、第１層間絶縁部６１が形成された後に除去するものである。
第１層間絶縁部６１を形成する方法は、ＣＶＤ法に限定されること無く、ＰＶＤ（Physical Vapour Deposition）法等を用いて行っても良い。
【００４８】
（機能素子部４０、及び第２層間絶縁部６２の形成工程）
図４（ｄ）は、上述の工程で形成したベース絶縁部２０、及び第１層間絶縁部６１上に機能素子部４０、及び機能素子部４０を覆う第２層間絶縁部６２が形成された状態を示している。
【００４９】
機能素子部４０を形成する工程は、ＭＥＭＳ部１００に設けられている受動素子部４２と、回路部１２０に設けられている能動素子部４４と、を形成する工程である。
機能素子部４０を形成する工程は、一般的なＣＭＯＳプロセスを用いて受動素子部４２と、機能素子部４０と、を一体として形成することができる。機能素子部４０を形成する工程は、例えば、機能素子部４０の基となるポリシリコン等の半導体材料を含む層（膜）をベース絶縁部２０、及び第１層間絶縁部６１上にＣＶＤ法によって形成する。次に、形成されたポリシリコン層をフォトリソグラフィー法によってパターニングして受動素子部４２と、能動素子部４４と、を形成することができる。
【００５０】
第２層間絶縁部６２を形成する工程は、上述の工程で形成された機能素子部４０を覆う様に第２層間絶縁部６２を形成する工程である。
第２層間絶縁部６２を形成する工程は、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯ2）等の絶縁性材料を含む第２層間絶縁部６２をＣＶＤ法によって形成することができる。第２層間絶縁部６２を形成する方法は、ＣＶＤ法に限定されること無く、ＰＶＤ法等を用いて行っても良い。
【００５１】
（第１配線部７２の形成工程）
図５（ｅ）は、上述した機能素子部４０、及び基板１０へ接続される第１配線部７２が形成された状態を示している。
第１配線部７２を形成する工程は、機能素子部４０及び基板１０に接続する導電材料を用いた配線を形成する工程である。
第１配線部７２を形成する工程は、例えば、第２層間絶縁部６２上に第１配線部７２の形成を欲する部分が開口したマスクパターンをフォトリソグラフィー法で形成し、基板１０、及び機能素子部４０と接続される第１配線部７２が形成されるコンタクトホール等をドライエッチング法で形成する。次に、マスクパターンが形成された第２層間絶縁部６２上にアルミニウム（Ａｌ）等の導電性材料を含む第１配線部７２をスパッタリング法によって形成することができる。
【００５２】
（第３層間絶縁部６３、第２配線部７４、保護部８０、孔９０の形成工程）
図５（ｆ）は、上述した第１配線部７２を覆う第３層間絶縁部６３と、第１配線部７２へ接続される第２配線部７４、及び第２配線部７４の保護部８０が形成された状態を示している。
【００５３】
第３層間絶縁部６３（６０）を形成する工程は、配線部７０の保護をする絶縁性材料を含む第３層間絶縁部６３を形成する工程である。
第３層間絶縁部６３を形成する工程は、上述の第２層間絶縁部６２を形成する工程と同様に、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯ2）等の絶縁性材料を含む第３層間絶縁部６３をＣＶＤ法によって形成することができる。
【００５４】
第２配線部７４を形成する工程は、第１配線部７２に接続する配線を形成する工程である。
第２配線部７４を形成する工程は、第１配線部７２の形成工程と同様に第２配線部７４の形成を欲する部分が開口したマスクパターンをフォトリソグラフィー法で形成し、第１配線部７２と接続される第２配線部７４が形成されるコンタクトホール等をドライエッチング法で形成する。次に、マスクパターンが形成された第３層間絶縁部６３上にアルミニウム（Ａｌ）等の導電性材料を含む第１配線部７２をスパッタリング法によって形成することができる。
【００５５】
保護部８０を形成する工程は、先の工程で形成した第３層間絶縁部６３及び第２配線部７４を覆う様に保護部８０を形成する工程である。
保護部８０を形成する工程は、例えば、シリコン窒化物等の絶縁性材料を含む保護部８０をＣＶＤ法によって形成することができる。
【００５６】
孔９０を形成する工程は、中空構造部５０の減圧封止に用いる孔９０を形成する工程である。
孔９０を形成する工程は、フォトリソグラフィー法によって第２配線部７４及び保護部８０を貫く孔９０を形成することができる。
【００５７】
（中空構造部５０の形成工程）
図５（ｇ）は、受動素子部４２を可動させるための中空構造部５０が形成された状態を示している。
中空構造部５０の形成工程は、当該中空構造部５０となる部分に形成されている絶縁部３０、及び層間絶縁部６０を除去する工程である。
中空構造部５０の形成工程は、当該中空構造部５０となる部分に、いわゆる犠牲層として形成されている絶縁部３０、及び層間絶縁部６０を選択的に除去することが求められる。そこで、中空構造部５０を形成する工程は、例えば、ウエットエッチング法によって絶縁部３０及び層間絶縁部６０のエッチング（除去）を行う。
ウエットエッチング法による絶縁部３０及び層間絶縁部６０の除去は、フッ酸を含むエッチャント（洗浄液）を用いると好適である。フッ酸を含むエッチャントを用いることで、シリコン酸化物を含む絶縁部３０及び層間絶縁部６０に対するエッチング速度が、基板１０、ベース絶縁部２０、機能素子部４０、配線部７０、及び保護部８０に対するエッチング速度に比べて早いことから絶縁部３０及び層間絶縁部６０を選択的、かつ、残渣が生じることを抑制して効率的に除去することができる。
【００５８】
（第３配線部７６の形成工程）
図５（ｈ）は、封止部として中空構造部５０を封止に用いる第３配線部７６が孔９０を塞ぐ様に形成された状態を示している。
第３配線部７６を形成する工程は、孔９０を塞ぐ第３配線部７６を形成する工程である。
第３配線部７６を形成する工程は、例えば、保護部８０と一部が重なる用に上にアルミニウム（Ａｌ）等の導電性材料を含む第３配線部７６をスパッタリング法で形成することができる。
また、第３配線部７６を形成する工程は、フォトリソグラフィー法によって第３配線部７６として不要な部分を除去することができる。
ここで、第３配線部７６をスパッタリング法によって形成する工程は、大気圧と比べて減圧されたチャンバー内で第３配線部７６を形成する導電材料のスパッタリングを行うことが好ましい。減圧されたチャンバー内で行うことで、孔９０を塞ぐ第３配線部７６の形成に伴って中空構造部５０が減圧された状態で封止することができる。中空構造部５０が減圧された状態で封止されることで、受動素子部４２の変位に伴う抵抗（大気抵抗）を低減させることができる。
【００５９】
上述した第３配線部７６を形成し、孔９０を塞ぐことで、電子装置１を製造する工程が完了する。
【００６０】
上述した実施形態によれば、以下の効果が得られる。
この様な電子装置１によれば、受動素子部４２が設けられた中空構造部５０に酸化物で構成された絶縁部３０及び層間絶縁部６０が露出されていないため、酸化物から脱離する気体が中空構造部５０に放散されることを抑制することができる。
従って、中空構造部５０内に受動素子部４２の変位の妨げとなる気体の放散が抑制され、減圧封止状態が維持することができる信頼度の高い電子装置１を得ることができる。
【００６１】
また、電子装置１の形成工程において、中空構造部５０の形成と、受動素子部４２を変位可能に形成するために、形成が容易なシリコン酸化物で構成された層間絶縁部６０を犠牲層として用いることがでる。
これによって、当該層間絶縁部６０を除去（エッチング）する工程において、処理時間の精密な制御をすることなく選択的に犠牲層としての層間絶縁部６０を除去することができる。
従って、中空構造部５０内に層間絶縁部６０の除去に伴う当該酸化物の残渣が生じることを抑制し、残渣から脱離する気体の放散を抑制することができる。また、中空構造部５０の変形や、容積のバラツキを抑制し、特性の安定した電子装置１を得ることができる。
【００６２】
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。ここで、上述した実施形態と同一の構成部位については、同一の符号を付して重複する説明は省略している。
【００６３】
（変形例）
図６は、変形例に係る電子装置の第１中空構造部５２を部分的に拡大した拡大図である。
変形例に係る電子装置２は、絶縁部３０の形成方法が、上述した実施形態に係る電子装置１とは異なる。以下に相違点を説明し、同一の構成、及び製造工程については説明を一部省略する。
【００６４】
変形例に係る電子装置２は、可動を伴う受動素子部４２が搭載されたＭＥＭＳ部１００と、当該受動素子部４２を駆動させる能動素子部４４で構成された回路部１２０と、で構成されている。
電子装置２は、第１層としての基板１０と、第１絶縁部としてのベース絶縁部２０と、第２絶縁部としての絶縁部３０と、第２層としての機能素子部４０と、第３絶縁部としての層間絶縁部６０と、第３層としての配線部７０と、が設けられている。また、電子装置２は、そのＭＥＭＳ部１００に、中空構造部５０と、保護部８０と、孔９０と、が設けられている。
なお、図６では、基板１０と、ベース絶縁部２０、絶縁部３０と、及び機能素子部４０（能動素子部４４）以外の部分は図示を省略している。
【００６５】
電子装置２は、基板１０の主面１０ａにベース絶縁部２０、絶縁部３０、及び中空構造部５０が設けられている。
主面１０ａ上において、絶縁部３０は複数に分割して設けられている。中空構造部５０は、絶縁部３０間に設けられ、絶縁部３０と中空構造部５０との間には、ベース絶縁部２０が設けられている。
電子装置２においてベース絶縁部２０は、第１中空構造部５２と略同じ深さとして設けられている。即ち、ベース絶縁部２０が接続されるアクティブ領域２２は、主面１０ａ上に配設されている。
【００６６】
電子装置２において絶縁部３０及びベース絶縁部２０は、上述した電子装置１と同様にシリコン酸化物及びシリコン窒化物が用いることができる。
【００６７】
電子装置２の形成方法において絶縁部３０を形成する工程は、シリコン酸化物を含む絶縁性材料を、例えば、ＣＶＤ法によって形成し、フォトリソグラフィー法によってパターニングを行うことで形成することができる。
電子装置２において絶縁部３０を形成する工程は、シリコン酸化物を含む材料をＣＶＤ法によって主面１０ａ上に形成するため、絶縁部３０の厚み、アクティブ領域２２に接続されるベース絶縁部３０深さ（長さ）のそれぞれの寸法を等しくすることができる。
【００６８】
電子装置２の形成方法においてベース絶縁部２０を形成する工程は、絶縁部３０の主面３０ａ上、及びアクティブ領域２２にベース絶縁部２０を形成する。ベース絶縁部２０を形成する工程は、電子装置１においてベース絶縁部２０を形成する際と同様に、例えば、シリコン窒化物等を含むベース絶縁部２０をＣＶＤ法によって形成することができる。また、ベース絶縁部２０の形成を欲しない主面３０ａ上の部分（領域）にマスクパターンを施し、ベース絶縁部２０の形成を行う。
電子装置２においてベース絶縁部２０を形成する工程は、アクティブ領域２２となる部分と、第１中空構造部５２となる部分と、の絶縁部３０の厚みの寸法が略等しいため、ベース絶縁部２０を主面１０ａまで延伸して形成することができる。よって、第１中空構造部５２には、ベース絶縁部２０が接するため、シリコン酸化物で構成された絶縁部３０からの気体の離脱を抑制することができる。
【００６９】
上述した電子装置１、及び電子装置２において絶縁部３０及びベース絶縁部２０の形状は、特に限定されることなく、絶縁部３０が中空構造部５０に接しなければ適宜変更しても良い。例えば、基板１０がベース絶縁部２０に向かって延伸して接続されても良い。
また、例えば、機能素子部４０が第３層としての配線部７０（第２配線部７４）に向かって延伸して接続されても良い。これらを換言すると、中空構造部５０に面する部分を構成する材料が、犠牲層としての層間絶縁部６０を除去する工程において、耐エッチング性能を有していれば適宜変更しても良いものである。
また、電子装置１及び電子装置２において絶縁部３０の形成方法も特に限定されることなく、絶縁部３０が中空構造部５０に接しなければ適宜変更しても良い。
【００７０】
（実施例）
次いで、本発明の一実施形態に係る電子装置１及び電子装置２（以下、総括して電子装置１として説明する。）のいずれかを適用した実施例について、図７から図１０を参照しながら説明する。
【００７１】
［電子機器］
先ず、本発明の一実施形態に係る電子装置１を適用した電子機器について、図７から図９を参照しながら説明する。
【００７２】
図７は、本発明の一実施形態に係る電子装置を備える電子機器としてのノート型（又はモバイル型）のパーソナルコンピューターの構成の概略を示す斜視図である。図７において、ノート型パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１００８を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなノート型パーソナルコンピューター１１００には、そのノート型パーソナルコンピューター１１００に加えられる加速度等を検知して表示ユニット１１０６に加速度等を表示するための加速度センサー等として機能する電子装置１が内蔵されている。
【００７３】
図８は、本発明の一実施形態に係る電子装置を備える電子機器としての携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成の概略を示す斜視図である。図８において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４及び送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０８が配置されている。この様な携帯電話機１２００には、携帯電話機１２００に加えられる加速度等を検知して、当該携帯電話機１２００の操作を補助するための加速度センサー等として機能する電子装置１が内蔵されている。
【００７４】
図９は、本発明の一実施形態に係る電子装置１を備える電子機器としてのデジタルスチールカメラの構成の概略を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチールカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge  Coupled  Device）等の撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
デジタルスチールカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部１３０８が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１３０８は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤ等を含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部１３０８に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３１０に転送・格納される。また、このデジタルスチールカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示される様に、ビデオ信号出力端子１３１２には液晶ディスプレイ１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３１０に格納された撮像信号が、液晶ディスプレイ１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。このようなデジタルスチールカメラ１３００には、その落下からデジタルスチールカメラ１３００を保護する機能を動作させるため、落下による加速度を検知する加速度センサーとして機能する電子装置１が内蔵されている。
【００７５】
なお、本発明の一実施形態に係る電子装置１は、図７のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図８の携帯電話機、図９のデジタルスチールカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等の電子機器に適用することができる。
【００７６】
［移動体］
次に、図１０は移動体の一例としての自動車を概略的に示す斜視図である。自動車１５００は本発明に係る電子装置１を備える。例えば、同図に示す様に、移動体としての自動車１５００には、当該自動車１５００の加速度を検知する電子装置１を内蔵してエンジンの出力を制御する電子制御ユニット（ＥＣＵ：electronic  Control  Unit）１５０８が車体１５０７に搭載されている。加速度を検知して車体１５０７の姿勢に応じた適切な出力にエンジンを制御することで、燃料等の消費を抑制した効率的な移動体としての自動車１５００を得ることができる。
また、電子装置１は、他にも、車体姿勢制御ユニット、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム（ＴＰＭＳ：Tire  Pressure  Monitoring  System）、に広く適用できる。
【符号の説明】
【００７７】
１，２…電子装置、１０…基板、２０…ベース絶縁部、３０…絶縁部、２２…アクティブ領域、４０…機能素子部、４２…受動素子部、４４…能動素子部、５０…中空構造部、６０…層間絶縁部、７０…配線部、８０…保護部、９０…孔、１００…ＭＥＭＳ部、１２０…回路部、１１００…ノート型パーソナルコンピューター、１２００…携帯電話機、１３００…デジタルスチールカメラ、１５００…自動車。
【図１】
2014161958.tif 000003
【図２】
2014161958.tif 000004
【図３】
2014161958.tif 000005
【図４】
2014161958.tif 000006
【図５】
2014161958.tif 000007
【図６】
2014161958.tif 000008
【図７】
2014161958.tif 000009
【図８】
2014161958.tif 000010
【図９】
2014161958.tif 000011
【図１０】
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