(57)【要約】【課題】表示品質を向上させることが可能な電気光学装置、及び電子機器を提供する。【解決手段】対向配置された画素電極２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ及び対向電極３１を備えると共に異なる色光を射出する複数のサブ画素４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂと、対向配置された画素電極２７Ｗ及び対向電極３１を備えると共に、いずれのサブ画素４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂとも異なる白色光を射出するサブ画素４１Ｗと、を有する画素４０を備え、複数のサブ画素４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂによって構成される白色光Ｗ１とサブ画素４１Ｗによって表示される白色光Ｗ２との色が略同じになるように、画素電極２７Ｗ及び対向電極３１の厚みと、少なくとも画素電極２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ及び対向電極３１の一方の厚みとが異なる。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された第１画素電極及び第１対向電極を備えると共に赤色光、緑色光、青色光を射出する複数の第１サブ画素と、
対向配置された第２画素電極及び第２対向電極を備えると共に、白色光を射出する第２サブ画素と、
を有する画素を備え、
前記複数の第１サブ画素によって構成される第１白色光と前記第２サブ画素によって表示される第２白色光との色が略同じになるように、前記第２画素電極及び前記第２対向電極の厚みと、少なくとも前記第１画素電極及び前記第１対向電極の一方の厚みとが異なることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置であって、
前記第２画素電極及び前記第２対向電極の厚みに対し、前記第１画素電極及び前記第１対向電極の少なくとも一方の厚みを、厚くする又は薄くすることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置であって、
前記第１画素電極と前記第１対向電極との間隔と、前記第２画素電極と前記第２対向電極との間隔とが同じであることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記第２白色光と比較して前記第１白色光の色調が青色に寄っている場合、前記第１画素電極及び前記第１対向電極のうち少なくとも一方の膜厚を、前記第２画素電極及び前記第２対向電極の膜厚と比較して厚くすることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記第２白色光と比較して前記第１白色光の色調が黄色に寄っている場合、前記第１画素電極及び前記第１対向電極のうち少なくとも一方の膜厚を、前記第２画素電極及び前記第２対向電極の膜厚と比較して薄くすることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記第２画素電極及び前記第２対向電極の膜厚は、緑色の可視光波長域で透過率の極大点を含む膜厚であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記複数の第１サブ画素は、赤色、緑色、青色であり、
前記第２サブ画素は、白色光であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記電気光学装置として、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子としてトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。液晶装置は、例えば、直視型ディスプレイやライトバルブなどにおいて用いられている。
【０００３】
液晶装置は、例えば、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の画素により１つの表示要素が構成されている。また、特許文献１には、画面を明るくするため、赤色、緑色、青色、及び白色（Ｗ）の画素により構成された液晶装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第７２８６１３６号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）で構成された白色光と、単独の白色（Ｗ）で構成された白色光との色が異なることによって、色ムラが生じたりざらつきを感じたりするなど、表示品質が劣化するという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、対向配置された第１画素電極及び第１対向電極を備えると共に赤色光、緑色光、青色光を射出する複数の第１サブ画素と、対向配置された第２画素電極及び第２対向電極を備えると共に、白色光を射出する第２サブ画素と、を有する画素を備え、前記複数の第１サブ画素によって構成される第１白色光と前記第２サブ画素によって表示される第２白色光との色が略同じになるように、前記第２画素電極及び前記第２対向電極の厚みと、少なくとも前記第１画素電極及び前記第１対向電極の一方の厚みとが異なることを特徴とする。
【０００８】
本適用例によれば、第２画素電極及び第２対向電極の膜厚に対し、第１画素電極及び第１対向電極の少なくとも一方の膜厚を変えて、第１白色光と第２白色光とが略同じ色になるようにするので、１つのサブ画素で構成される第２サブ画素と、複数のサブ画素で構成される第１サブ画素との色のバラツキを抑えることができる。よって、白ムラが抑えられ滑らかな画像になるなど表示品質を向上させることができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第２画素電極及び前記第２対向電極の厚みに対し、前記第１画素電極及び前記第１対向電極の少なくとも一方の厚みを、厚くする又は薄くすることが好ましい。
【００１０】
本適用例によれば、第２サブ画素（第２画素電極、第２対向電極）に対し第１サブ画素（第１画素電極、第１対向電極）の膜厚を薄くすると、例えば、緑の色調より青の色調を強くすることができる。また、第２サブ画素に対し第１サブ画素の膜厚を厚くすると、例えば、緑の色調より赤の色調を強くすることができる。これらの調整により白色の色調を合わせることができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第１画素電極と前記第１対向電極との間隔と、前記第２画素電極と前記第２対向電極との間隔とが同じであることが好ましい。
【００１２】
本適用例によれば、各々の一対の電極間の間隔が同じであるので、第１サブ画素の白色光と第２サブ画素の白色光とを合わせるために膜厚を変えた場合でも、各々の電極間（言い換えれば、液晶層の厚み）を同じにすることが可能となり、より色ムラの発生を抑えることができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第２白色光と比較して前記第１白色光の色調が青色に寄っている場合、前記第１画素電極及び前記第１対向電極のうち少なくとも一方の膜厚を、前記第２画素電極及び前記第２対向電極の膜厚と比較して厚くすることが好ましい。
【００１４】
本適用例によれば、第２サブ画素の各電極の膜厚と比較して、第１サブ画素の各電極の膜厚を厚くすることにより、青色の波長領域の透過率を小さくすることができる。言い換えれば、青色の色調から赤色の色調に変えることが可能となる。よって、青色の色調の第１白色光を白色に近づけることができ、第２白色光と第１白色光との色ムラを抑えることができる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第２白色光と比較して前記第１白色光の色調が黄色に寄っている場合、前記第１画素電極及び前記第１対向電極のうち少なくとも一方の膜厚を、前記第２画素電極及び前記第２対向電極の膜厚と比較して薄くすることが好ましい。
【００１６】
本適用例によれば、第２サブ画素の各電極の膜厚と比較して、第１サブ画素の各電極の膜厚を薄くすることにより、青色の波長領域の透過率を大きくすることができる。言い換えれば、黄色の色調から青色の色調に変えることが可能となる。よって、黄色の色調の第１白色光を白色に近づけることができ、第２白色光と第１白色光との色ムラを抑えることができる。
【００１７】
［適用例６］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第２画素電極及び前記第２対向電極の膜厚は、緑色の可視光波長域で透過率の極大点を含む膜厚であることが好ましい。
【００１８】
本適用例によれば、可視光波長域で透過率の極大点を含む膜厚に第２画素電極及び第２対向電極を設定することにより、照射された光をよりそのままの状態で透過させることが可能となり、白色光の基準とすることができる。
【００１９】
［適用例７］上記適用例に係る電気光学装置において、前記複数の第１サブ画素は、赤色、緑色、青色であり、前記第２サブ画素は、白色であることが好ましい。
【００２０】
本適用例によれば、赤色と緑色と青色とによって構成された第１白色光と、白色によって構成された第２白色光との色調を近づけることにより、第１白色光と第２白色光との色ムラを抑えることが可能となり、表示品質を向上させることができる。
【００２１】
［適用例８］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする。
【００２２】
本適用例によれば、色ムラが抑えられ表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】第１実施形態の液晶装置の構成を示す模式平面図。
【図２】図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。
【図３】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】液晶装置の構造を示す模式断面図。
【図５】画素を構成するサブ画素の配列を示す模式平面図。
【図６】図５に示す画素のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図。
【図７】図５に示す画素のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図。
【図８】各サブ画素における画素電極の膜厚を変えた場合の分光透過率を示すグラフ。
【図９】液晶装置を備えた電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図。
【図１０】第２実施形態のサブ画素の構成を示す模式断面図。
【図１１】サブ画素の構成を示す模式断面図。
【図１２】第３実施形態のサブ画素の構成を示す模式断面図。
【図１３】サブ画素の構成を示す模式断面図。
【図１４】画素電極及び対向電極の膜厚を変えた場合の分光透過率を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２５】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００２６】
本実施形態では、電気光学装置として、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２７】
（第１実施形態）
＜液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構成を、図１〜図３を参照しながら説明する。
【００２８】
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０および対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、および対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。
【００２９】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。その隙間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。シール材１４は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００３０】
シール材１４の内側には、複数の画素Ｐが配列した画素領域Ｅ（表示領域）が設けられている。画素領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。また、図１及び図２では図示を省略したが、画素領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光部（ブラックマトリックス；ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。
【００３１】
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材１４と該１辺部との間に、データ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と画素領域Ｅとの間に、検査回路２５が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４と画素領域Ｅとの間に走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。
【００３２】
対向基板２０側における額縁状に配置されたシール材１４の内側には、同じく額縁状に遮光部１８（見切り部）が設けられている。遮光部１８は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光部１８の内側が複数の画素Ｐを有する画素領域Ｅとなっている。なお、図３では図示を省略したが、画素領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光部が設けられている。
【００３３】
これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子６１に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。なお、検査回路２５の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路２２に沿ったシール材１４と画素領域Ｅとの間に設けてもよい。
【００３４】
図２に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極２７およびスイッチング素子である薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor、以降、「ＴＦＴ３０」と呼称する）と、信号配線と、これらを覆う第１配向膜２８とが形成されている。
【００３５】
また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも画素電極２７、ＴＦＴ３０、信号配線、第１配向膜２８を含むものである。
【００３６】
対向基板２０の液晶層１５側の表面には、遮光部１８と、これを覆うように成膜された平坦化層３３と、平坦化層３３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を覆う第２配向膜３２とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも遮光部１８、対向電極３１、第２配向膜３２を含むものである。
【００３７】
遮光部１８は、図１に示すように画素領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている（図示簡略）。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Ｅに入射しないように遮蔽して、画素領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００３８】
平坦化層３３は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光部１８を覆うように設けられている。このような平坦化層３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００３９】
対向電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層３３を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００４０】
画素電極２７を覆う第１配向膜２８および対向電極３１を覆う第２配向膜３２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、正の誘電異方性を有する液晶分子に対して略水平配向処理が施された有機配向膜や、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。本実施形態では、第１配向膜２８および第２配向膜３２として上記無機配向膜が採用されている。
【００４１】
このような液晶装置１００は、例えば透過型であって、画素Ｐが非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードや、非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。本実施形態ではノーマリーブラックモードが採用されている。
【００４２】
図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも画素領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
【００４３】
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００４４】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域（ソース領域）に電気的に接続されている。画素電極２７は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域（ドレイン領域）に電気的に接続されている。
【００４５】
データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。
【００４６】
データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００４７】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された対向電極３１との間で一定期間保持される。
【００４８】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と対向電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。容量素子１６は、２つの容量電極の間に誘電体層を有するものである。
【００４９】
図４は、液晶装置の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図４を参照しながら説明する。なお、図４は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００５０】
図４に示すように、液晶装置１００は、一対の基板のうち一方の素子基板１０と、これに対向配置される他方の対向基板２０とを備えている。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、及び対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、上記したように、例えば、石英基板等によって構成されている。
【００５１】
第１基材１０ａ上には、チタン（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）等からなる下側遮光膜３ｃが形成されている。下側遮光膜３ｃは、平面的に格子状にパターニングされており、各画素の開口領域を規定している。なお、下側遮光膜３ｃは、走査線３ａの一部として機能するようにしてもよい。第１基材１０ａ及び下側遮光膜３ｃ上には、シリコン酸化膜等からなる下地絶縁層１１ａが形成されている。
【００５２】
下地絶縁層１１ａ上には、ＴＦＴ３０及び走査線３ａ等が形成されている。ＴＦＴ３０は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン等からなる半導体層３０ａと、半導体層３０ａ上に形成されたゲート絶縁膜１１ｇと、ゲート絶縁膜１１ｇ上に形成されたポリシリコン膜等からなるゲート電極３０ｇとを有する。上記したように、走査線３ａは、ゲート電極３０ｇとしても機能する。
【００５３】
半導体層３０ａは、例えば、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンが注入されることにより、Ｎ型のＴＦＴ３０として形成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チャネル領域３０ｃと、データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ１と、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ１と、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとを備えている。
【００５４】
チャネル領域３０ｃには、ボロン（Ｂ）イオン等のＰ型の不純物イオンがドープされている。その他の領域（３０ｓ１，３０ｓ，３０ｄ１，３０ｄ）には、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンがドープされている。このように、ＴＦＴ３０は、Ｎ型のＴＦＴとして形成されている。
【００５５】
ゲート電極３０ｇ、下地絶縁層１１ａ、及び走査線３ａ上には、シリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁層１１ｂが形成されている。第１層間絶縁層１１ｂ上には、容量素子１６が設けられている。具体的には、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及び画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極としての第１容量電極１６ａと、固定電位側容量電極としての容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）の一部とが、誘電体膜１６ｃを介して対向配置されることにより、容量素子１６が形成されている。
【００５６】
容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、Ａｌ（アルミニウム）膜から形成することも可能である。
【００５７】
第１容量電極１６ａは、例えば、導電性のポリシリコン膜からなり容量素子１６の画素電位側容量電極として機能する。ただし、第１容量電極１６ａは、容量線３ｂと同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。第１容量電極１６ａは、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホールＣＮＴ５２、中継層５５、コンタクトホールＣＮＴ５３、ＣＮＴ５１を介して、画素電極２７とＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）とを中継接続する機能を有する。
【００５８】
容量素子１６上には、第２層間絶縁層１１ｃを介してデータ線６ａが形成されている。データ線６ａは、第１層間絶縁層１１ｂ及び第２層間絶縁層１１ｃに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ５４を介して、半導体層３０ａのデータ線側ソースドレイン領域３０ｓ（ソース領域）に電気的に接続されている。
【００５９】
データ線６ａ上には、第３層間絶縁層１１ｄを介して画素電極２７が形成されている。画素電極２７は、第２層間絶縁層１１ｃ及び第３層間絶縁層１１ｄに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ５２、ＣＮＴ５３、中継層５５を介して第１容量電極１６ａに接続されることにより、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）に電気的に接続されている。なお、画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透明導電性膜から形成されている。
【００６０】
画素電極２７及び第３層間絶縁層１１ｄ上には、第４層間絶縁層１１ｅを介して、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した第１配向膜２８が設けられている。第１配向膜２８上には、シール材１４（図２参照）により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層１５が設けられている。
【００６１】
一方、第２基材２０ａ上には、その全面に渡って対向電極３１が設けられている。対向電極３１上（図４では下側）には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した第２配向膜３２が設けられている。対向電極３１は、上述の画素電極２７と同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。
【００６２】
液晶層１５は、画素電極２７からの電界が印加されていない状態で第１配向膜２８及び第２配向膜３２によって所定の配向状態をとる。シール材１４は、素子基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサーが混入されている。
【００６３】
＜サブ画素の構造＞
図５は、画素を構成するサブ画素の配列を示す模式平面図である。図６及び図７は、図５に示す画素のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。図８は、各サブ画素における画素電極の膜厚を変えた場合の分光透過率を示すグラフである。以下、サブ画素における画素電極の膜厚と対向電極の膜厚との関係について、図５〜図８を参照しながら説明する。
【００６４】
図５に示すように、画素Ｐは、例えば、複数のサブ画素（４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂ，４１Ｗ）がマトリックス状に配置されている。具体的には、画素４０は、赤色（Ｒ）のサブ画素４１Ｒ、緑色（Ｇ）のサブ画素４１Ｇ、青色（Ｂ）のサブ画素４１Ｂ、白色（Ｗ）のサブ画素４１Ｗ（第２サブ画素）の４つのサブ画素で構成されている。また、バックライト（図示せず）は、例えば、蛍光ランプや白色発光ダイオード（白色ＬＥＤ）などの白色光源を用いたものである。
【００６５】
図６に示すように、液晶装置１００における赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各サブ画素（４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂ）は、カラーフィルター４２における赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のフィルター層（透過領域）を含み、それぞれ対応するように配置されている。
【００６６】
各サブ画素４１は、白色のバックライトから発生された白色光の中で、該当波長域の光を選択的に透過させ、他の波長域の光は吸収する。また、白色（Ｗ）のサブ画素４１Ｗは、基本的にはカラーフィルター４２において対応する吸収フィルター層を有しない。すなわち、サブ画素４１Ｗを透過する光は、カラーフィルター４２による吸収を受けることなく、白色光のまま液晶装置１００から出射される。
【００６７】
なお、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３つのサブ画素４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂを透過した光は、観察者には、白色光として視認される。よって、３つのサブ画素４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂによって構成される白色光Ｗ１（第１白色光）と、１つのサブ画素４１Ｗによって表示される白色光Ｗ２（第２白色光）とは、色ムラを抑え画像の滑らかさを向上させる点で、同等の白色であることが重要となる。
【００６８】
カラーフィルター４２は、赤色透過領域４２Ｒと、緑色透過領域４２Ｇと、青色透過領域４２Ｂと、無着色領域４２Ｗと、これら各領域４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂ，４２Ｗを囲む遮光部（ブラックマトリックス）とを備える。サブ画素４１Ｒを透過した白色光（Ｗ）は、赤色透過領域４２Ｒを透過することにより色純度が高められる。サブ画素４１Ｇを透過した白色光（Ｗ）は、緑色透過領域４２Ｇを透過することにより色純度が高められる。サブ画素４１Ｂを透過した白色光（Ｗ）は、青色透過領域４２Ｂを透過することにより色純度が高められる。
【００６９】
これら赤色光（Ｒ）と緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とが合わさって白色光Ｗ１となる。また、サブ画素４１Ｗを透過した白色光（Ｗ）は、無色透明な無着色領域４２Ｗを透過することによりそのままの白色光Ｗ２となる。
【００７０】
サブ画素４１Ｗの画素電極２７Ｗ（第２画素電極）の厚みｔ１は、例えば、１４６ｎｍである。なお、白色光を透過させるための膜厚の範囲としては、緑色の可視光波長域で透過率の極大点を含む膜厚であり、１４０ｎｍ〜１６０ｎｍである。
【００７１】
サブ画素４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂの画素電極２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ（第１画素電極）の厚みｔ２は、サブ画素４１Ｗを透過した白色光Ｗ２の色調を基準にして、青色の色調を強くして白色光Ｗ２の色調に調整する場合、又は、赤色の色調を強くして白色光Ｗ２の色調に調整する場合によって、厚みを変える。
【００７２】
例えば、図６に示すように、青色を強めて白色にする場合、画素電極２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂの厚みｔ２を、例えば１２７ｎｍに調整する。なお、画素電極２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂの厚みｔ２の範囲としては、透明電極の青色領域の透過率が一番高くなる、例えば、１００ｎｍ〜１４０ｎｍ未満にすることが好ましい。対向電極３１の厚みは、例えば１４６ｎｍであり、各色とも同様である。
【００７３】
また、図７に示すように、赤色を強めて白色にする場合、画素電極２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂの厚みｔ３を、例えば１８２ｎｍに調整する。なお、画素電極２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂの厚みｔ３の範囲としては、１６０ｎｍより大きく２００ｎｍの範囲であることが好ましい。対向電極３１の厚みは、例えば１４６ｎｍであり、各色とも同様である。
【００７４】
図８に示すグラフは、第１実施形態における分光透過率を示すグラフである。横軸は、波長λ（ｎｍ）を示しており、図示右側にいくに従って波長が高くなっている。縦軸は、透過率（％）を示しており、図示上側にいくに従って透過率が高くなっている。
【００７５】
曲線Ａ，Ｂ，Ｃは、サブ画素４１Ｗの白色光Ｗ２の色調を基準に、サブ画素４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂの色調を青色又は赤色を強めて白色に調整する場合において、サブ画素４１Ｗの透明電極の膜厚に対しサブ画素４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂの膜厚を、薄くする又は厚くしたときの光の波長ごとの透過率を示している。
【００７６】
具体的には、対向電極３１の膜厚、及びサブ画素４１Ｗの画素電極２７Ｗの膜厚ｔ１は、上記したように、１４６ｎｍである。このときの光の波長と透過率のグラグが曲線Ｂとなる。
【００７７】
また、サブ画素４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂの画素電極２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂの厚みｔ２を１２７ｎｍにしたときの光の波長と透過率のグラフが曲線Ａとなる。具体的には、サブ画素４１Ｗの白色光Ｗ２に対して、サブ画素４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂの白色光Ｗ１の色調が黄色く見える場合、上記膜厚ｔ２に設定することにより、グラフに示すような青色の波長を強くすることができる。言い換えれば、青色の波長領域の透過率を大きくすることができる。
【００７８】
また、サブ画素４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂの画素電極２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂの厚みｔ３を１８２ｎｍにしたときの光の波長と透過率のグラフが曲線Ｃとなる。例えば、サブ画素４１Ｗの白色光Ｗ２に対して、サブ画素４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂの白色光Ｗ１の色調が青く見える場合、上記膜厚ｔ３に設定することにより、グラフに示すような赤色の波長を強くすることができる。言い換えれば、青色の波長領域の透過率を小さくすることができる。
【００７９】
このように、サブ画素４１Ｗの白色光Ｗ２の色調を基準に、サブ画素４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂの画素電極２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂの膜厚を調整することにより、サブ画素４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂの白色光Ｗ１の色調と白色光Ｗ２の色調とを近づけることができる。これにより、白色光の色ずれを小さくすることが可能となり、表示品質を向上させることができる。
【００８０】
＜電子機器の構成＞
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図９を参照して説明する。図９は、上記した液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図である。図９（ａ）は概略側断面図であり、図９（ｂ）は上面から見た概略断面図である。
【００８１】
図９（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、照明装置１１００と、光変調手段としての液晶ライトバルブ１５００と、投射光学系としての投射レンズ１６０１とを備えている。液晶ライトバルブ１５００は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶ライトバルブ１５００は、照明装置１１００から射出された照明光を画像情報に基づいて変調し表示光に変換する。変換された表示光が液晶ライトバルブ１５００から射出され投射レンズ１６０１によって例えばスクリーンなどに映し出される。
【００８２】
本実施形態における照明装置１１００は、発光素子１１１０、第１集光レンズ１１２０、反射部材１１０５の各構成に加えて、第２集光レンズ１３００と、偏光ビームスプリッター１４００と、液晶ライトバルブ１５００に外部からの光が入射しないように、第１集光レンズ１１２０及び第２集光レンズ１３００並びに偏光ビームスプリッター１４００を収納する遮光ボックス１１５０とを含んで構成されている。
【００８３】
発光素子１１１０における固体光源としてのＬＥＤ１１０１、第１集光レンズ１１２０、第２集光レンズ１３００、偏光ビームスプリッター１４００、液晶ライトバルブ１５００、投射レンズ１６０１は、同一光学軸（光軸）上に配置されている。
【００８４】
第２集光レンズ１３００は、第１集光レンズ１１２０の入射面１１２０ａに比べて開口径が大きい平坦な入射面１３０１と入射面１３０１に対して凸のレンズ部１３０２とを有する。また、第２集光レンズ１３００は光軸方向から見たときに真円ではなく上下がそれぞれ切断された切断面１３０３を有している。当該切断面１３０３が上記遮光ボックス１１５０と接している。
【００８５】
第２集光レンズ１３００は光の入射面１３０１が第１集光レンズ１１２０のレンズ部１１２０ｂと対向するように光軸上に配置されている。また、発光素子１１１０から射出され第１集光レンズ１１２０によって集光された光のうち、第２集光レンズ１３００の入射面１３０１に入射しない非有効光を第１集光レンズ１１２０のレンズ部１１２０ｂに向けて再帰反射させる反射部材１３０５を有している。
【００８６】
反射部材１３０５の構成は反射部材１１０５と同じであり、反射面に複数の再帰反射体を有している。また、再帰反射体の配置ピッチは５μｍ以上１００μｍ以下である。図９（ｂ）に示すように、反射部材１３０５は光軸方向から見たときに第２集光レンズ１３００の左右の外縁に接して設けられている。なお、反射部材１３０５は、入射面１３０１に入射する光を妨げず、第１集光レンズ１１２０と第２集光レンズ１３００との間において、入射面１３０１に入射しない非有効光の少なくとも一部を第１集光レンズ１１２０のレンズ部１１２０ｂに再帰反射させる位置に反射部材１３０５を配置すればよい。
【００８７】
偏光ビームスプリッター１４００は、第２集光レンズ１３００によって集光された光を偏光（Ｓ波）に変換するものである。光の入射側に偏光ビームスプリッター１４００が配置されると共に、光の射出側に偏光素子１５６１が配置されている。
【００８８】
このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１５００として、白色光の色ずれを小さくした液晶装置１００を用いているので、高い表示品質を実現することができる。
【００８９】
以上詳述したように、第１実施形態の液晶装置１００によれば、以下に示す効果が得られる。
【００９０】
（１）第１実施形態の液晶装置１００によれば、画素電極２７Ｗの膜厚ｔ１に対し、画素電極２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂの膜厚ｔ２やｔ３を厚くしたり薄くしたりして波長の分散を変えることによって、白色光Ｗ２と白色光Ｗ１との色調が同等になるように調整するので、１つのサブ画素４１Ｗで表示される白色光Ｗ２と、複数のサブ画素４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂで構成される白色光Ｗ１との色のバラツキを抑えることができる。よって、白ムラが抑えられ画像が滑らかになるなど表示品質を向上させることができる。
【００９１】
（２）第１実施形態の液晶装置１００によれば、画素電極２７Ｗの膜厚ｔ１に対し、画素電極２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂの膜厚ｔ３を厚くすることにより、青色の色調から赤色の色調の方向に変えることが可能となる。また、画素電極２７Ｗの膜厚ｔ１に対し、画素電極２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂの膜厚ｔ２を薄くすることにより、黄色の色調から青色の色調の方向に変えることが可能となる。よって、白色光Ｗ１を白色光Ｗ２に近づけることができ、白色光Ｗ１と白色光Ｗ２との色ムラを抑えることができる。
【００９２】
（３）第１実施形態の電子機器によれば、色ムラが抑えられ表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。
【００９３】
（第２実施形態）
＜サブ画素の構成＞
図１０及び図１１は、第２実施形態の画素（サブ画素）の構成を示す模式断面図である。以下、第２実施形態のサブ画素の構成（画素電極の膜厚と対向電極の膜厚との関係）について、図１０及び図１１を参照しながら説明する。なお、画素の平面的な構成は、例えば、図５と同様である。
【００９４】
第２実施形態のサブ画素４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂは、第１実施形態のように画素電極２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂの膜厚を変えることにより白色光の色調を調整していることに対し、対向電極３１側の膜厚を変えることにより白色光の色調を調整している部分が異なっており、その他の構成については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
【００９５】
第２実施形態の画素４０は、上記した図５のように、複数のサブ画素４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂ，４１Ｗがマトリックス状に配置されている。図１０は、対向電極の膜厚を調整し、青色を強めて白色に調整する場合の構造を示している。図１１は、対向電極の膜厚を調整し、赤色を強めて白色に調整する場合の構造を示している。
【００９６】
図１０に示すように、サブ画素４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂ及びサブ画素４１Ｗの画素電極２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ，２７Ｗの膜厚ｔ１は、例えば、１４６ｎｍである。なお、白色光を透過させるための膜厚の範囲としては、１４０ｎｍ〜１６０ｎｍである。また、サブ画素４１Ｗの対向電極３１Ｗ（第２対向電極）の膜厚も同様に、１４６ｎｍである。
【００９７】
図１０に示すように、青色を強めて白色に調整する場合、対向電極３１ＲＧＢ（第１対向電極）の厚みｔ１１を、例えば１２７ｎｍに変更する。なお、対向電極３１ＲＧＢの厚みｔ１１の範囲としては、１００ｎｍ〜１４０ｎｍ未満にすることが好ましい。
【００９８】
図１１に示すように、赤色を強めて白色に調整する場合、対向電極３１ＲＧＢの厚みｔ１３を、例えば１８２ｎｍに変更する。なお、対向電極３１ＲＧＢの厚みｔ１３の範囲としては、１６０ｎｍを超え２００ｎｍ以下の範囲にすることが好ましい。
【００９９】
なお、本実施形態の対向電極側の膜厚を変えたときの分光透過率のグラフは、図８で示したグラフと同様である。
【０１００】
このように、サブ画素４１Ｗの白色光Ｗ２の色調を基準に、サブ画素４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂの対向電極３１ＲＧＢの膜厚を調整することにより、サブ画素４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂの白色光Ｗ１の色調と白色光Ｗ２の色調とを近づけることができる。これにより、白色光の色ずれを小さくすることが可能となり、表示品質を向上させることができる。
【０１０１】
以上詳述したように、第２実施形態の液晶装置１００によれば、上記に記載の（２）、（３）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【０１０２】
（４）第２実施形態の液晶装置１００によれば、対向電極３１Ｗの膜厚ｔ１２に対し、対向電極３１ＲＧＢの膜厚ｔ１１を厚くしたり薄くしたりして波長の分散を変えることによって、白色光Ｗ２と白色光Ｗ１との色調が略同じになるように調整するので、１つのサブ画素４１Ｗで表示される白色光Ｗ２と、複数のサブ画素４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂで構成される白色光Ｗ１との色のバラツキを抑えることができる。よって、白ムラが抑えられ画像が滑らかになるなど表示品質を向上させることができる。
【０１０３】
（第３実施形態）
＜サブ画素の構成＞
図１２及び図１３は、第３実施形態の画素（サブ画素）の構成を示す模式断面図である。図１４は、画素電極及び対向電極の膜厚を変えた場合の分光透過率を示すグラフである。以下、第３実施形態のサブ画素の構成と、画素電極の膜厚と対向電極の膜厚との関係について、図１２〜図１４を参照しながら説明する。なお、画素の平面的な構成は、例えば、図５と同様である。
【０１０４】
第３実施形態のサブ画素４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂは、第１実施形態のように画素電極２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂの膜厚を変えることにより白色光の色調を調整していることに対し、画素電極２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ及び対向電極３１ＲＧＢの両方の膜厚を変えることにより白色光の色調を調整している部分が異なっており、その他の構成については概ね同様である。このため第３実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
【０１０５】
第３実施形態の画素４０は、上記した図５のように、複数のサブ画素４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂ，４１Ｗがマトリックス状に配置されている。図１２は、画素電極２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ及び対向電極３１ＲＧＢの膜厚を調整し、青色を強めて白色に調整する場合の構造を示している。図１３は、画素電極２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ及び対向電極３１ＲＧＢの膜厚を調整し、赤色を強めて白色に調整する場合の構造を示している。
【０１０６】
図１２に示すように、サブ画素４１Ｗの画素電極２７Ｗ及び対向電極３１Ｗの膜厚ｔ１，ｔ１２は、例えば、１４６ｎｍである。なお、白色光を透過させるための膜厚の範囲としては、上記したように、１４０ｎｍ〜１６０ｎｍである。
【０１０７】
図１２に示すように、サブ画素４１Ｗの白色光Ｗ２の色調を基準にして、サブ画素４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂの白色光Ｗ１の色調を、青色を強めて白色光Ｗ２に近づける場合、サブ画素４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂの画素電極２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ及び対向電極３１ＲＧＢの膜厚を、例えば、１２７ｎｍにする。なお、青色を強くする場合の膜厚の範囲としては、上記したように、１００ｎｍ以上１４０ｎｍ未満にすることが好ましい。
【０１０８】
図１３に示すように、サブ画素４１Ｗの白色光Ｗ２の色調を基準にして、サブ画素４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂの白色光Ｗ１の色調を、赤色を強めて白色光Ｗ２に近づける場合、サブ画素４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂの画素電極２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ及び対向電極３１ＲＧＢの膜厚ｔ３，ｔ１３を、例えば、１８２ｎｍにする。なお、赤色を強くする場合の膜厚の範囲としては、上記したように、１６０ｎｍを超え２００ｎｍ以下の範囲にすることが好ましい。
【０１０９】
また、図１４に示すグラフは、第３実施形態における分光透過率を示すグラフである。具体的には、図５と同様に、横軸は、波長λ（ｎｍ）を示しており、図示右側にいくに従って波長が高くなっている。縦軸は、透過率（％）を示しており、図示上側にいくに従って透過率が高くなっている。
【０１１０】
図１４に示す曲線Ａ，Ｂ，Ｃは、サブ画素４１Ｗの白色光Ｗ２の色調を基準に、サブ画素４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂの色調を青色又は赤色を強めて白色に調整する場合において、サブ画素４１Ｗの透明電極の膜厚に対しサブ画素４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂの透明電極を、薄くする又は厚くしたときの光の波長ごとの透過率を示している。
【０１１１】
具体的には、図１２に示すように、サブ画素４１Ｗの画素電極２７Ｗ及び対向電極３１Ｗの膜厚ｔ１，ｔ１２は、上記したように、１４６ｎｍである。このときの光の波長と透過率のグラグが曲線Ｂとなる。
【０１１２】
また、サブ画素４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂの画素電極２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ及び対向電極３１ＲＧＢの厚みｔ２，ｔ１１を１２７ｎｍにしたときの光の波長と透過率のグラフが曲線Ａとなる。具体的には、サブ画素４１Ｗの白色光Ｗ２に対して、サブ画素４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂの白色光Ｗ１の色調が黄色く見える場合、上記膜厚ｔ２，ｔ１１に設定することにより、グラフに示すような青色の波長を強くすることができる。
【０１１３】
また、図１４に示すように、サブ画素４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂの画素電極２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ及び対向電極３１の厚みｔ３，ｔ１３を１８２ｎｍにしたときの光の波長と透過率のグラフが曲線Ｃとなる。例えば、サブ画素４１Ｗの白色光Ｗ２に対して、サブ画素４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂの白色光Ｗ１の色調が青く見える場合、上記膜厚ｔ３，ｔ１３に設定することにより、グラフに示すような赤色の波長を強くすることができる。
【０１１４】
このように、サブ画素４１Ｗの白色光Ｗ２の色調を基準に、サブ画素４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂの画素電極２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ及び対向電極３１ＲＧＢの膜厚を調整することにより、サブ画素４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂの白色光Ｗ１の色調と白色光Ｗ２の色調とを近づけることができる。これにより、白色光の色ずれを小さくすることが可能となり、表示品質を向上させることができる。
【０１１５】
以上詳述したように、第３実施形態の液晶装置１００によれば、上記に記載の（２）、（３）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【０１１６】
（５）第３実施形態の液晶装置１００によれば、画素電極２７Ｗの膜厚ｔ１及び対向電極３１Ｗの膜厚ｔ１２に対し、画素電極２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂの膜厚ｔ２、ｔ３及び対向電極３１ＲＧＢの膜厚ｔ１１，ｔ１３を厚くしたり薄くしたりして波長の分散を変えることによって、白色光Ｗ２と白色光Ｗ１との色調が略同じになるように調整するので、１つのサブ画素４１Ｗで構成される白色光Ｗ２と、複数のサブ画素４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂで構成される白色光Ｗ１との色のバラツキを抑えることができる。よって、白ムラが抑えられ画像が滑らかになるなど表示品質を向上させることができる。
【０１１７】
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
【０１１８】
（変形例１）
上記したように、サブ画素４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂ，４１Ｗがマトリックス状に配置されていることに限定されず、例えば、ストライプ状やその他の配列になるようにしてもよい。また、各画素電極２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ，２７Ｗの面積が同じであることに限定されず、各画素電極２７の面積が異なるようにしてもよい。また、画素電極２７の配置が図５に示す配置と異なるような配置にしてもよい。
【０１１９】
（変形例２）
上記したように、カラーフィルター４２は、対向基板２０側に配置することに限定されず、例えば、素子基板１０側に配置するようにしてもよい。
【０１２０】
（変形例３）
上記したように、液晶装置１００は、透過型に限定されず、反射型に適用するようにしてもよい。
【０１２１】
（変形例４）
上記したように、画素電極２７や対向電極３１などの透明電極の膜厚を調整して白色光Ｗ１と白色光Ｗ２との色調を合わせることに加えて、例えば、セル厚を変えることによって白色光Ｗ１と白色光Ｗ２との色調を合わせるようにしてもよい。
【０１２２】
（変形例５）
上記したように、画素電極２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ，２７Ｗ及び対向電極３１ＲＧＢ，３１Ｗの膜厚を調整した際、セル厚が変わる。これを、膜厚を調整してもセル厚が一定の間隔になるように、例えば、素子基板１０側や対向基板２０側に凹凸を設けて、画素電極２７や対向電極３１の表面に段差が生じないようにしてもよい。
【０１２３】
（変形例６）
上記したように、液晶装置１００を投射型表示装置１０００に用いることに限定されず、例えば、ヘッドアップディスプレイ、スマートフォン、携帯電話機、ヘッドマウントディスプレイ、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。
【符号の説明】
【０１２４】
３ａ…走査線、３ｂ…容量線、３ｃ…下側遮光膜、６ａ…データ線、１０…素子基板、１０ａ…第１基材、１１ａ…下地絶縁層、１１ｂ…第１層間絶縁層、１１ｃ…第２層間絶縁層、１１ｄ…第３層間絶縁層、１１ｅ…第４層間絶縁層、１１ｇ…ゲート絶縁膜、１４…シール材、１５…液晶層、１６…容量素子、１６ａ…第１容量電極、１６ｂ…第２容量電極、１６ｃ…誘電体膜、１８…遮光部、２０…対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７，２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ…第１画素電極としての画素電極、２７Ｗ…第１画素電極としての画素電極、２８…第１配向膜、２９…配線、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…画素電極側ソースドレイン領域、３０ｄ１…画素電極側ＬＤＤ領域、３０ｇ…ゲート電極、３０ｓ…データ線側ソースドレイン領域、３０ｓ１…データ線側ＬＤＤ領域、３１…対向電極、３１ＲＧＢ…第１対向電極としての対向電極、３１Ｗ…第２対向電極としての対向電極、３２…第２配向膜、３３…平坦化層、４０…画素、４１，４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂ…第１サブ画素としてのサブ画素、４１Ｗ…第２サブ画素としてのサブ画素、４２…カラーフィルター、４２Ｂ…青色透過領域、４２Ｇ…緑色透過領域、４２Ｒ…赤色透過領域、４２Ｗ…無着色領域、ＣＮＴ５１，５２，５３，５４…コンタクトホール、５５…中継層、６１…外部接続用端子、１００…液晶装置、１０００…投射型表示装置、１１００…照明装置、１１０１…ＬＥＤ、１１０５…反射部材、１１１０…発光素子、１１２０…第１集光レンズ、１１２０ａ…入射面、１１２０ｂ…レンズ部、１１５０…遮光ボックス、１３００…第２集光レンズ、１３０１…入射面、１３０２…凸のレンズ部、１３０３…切断面、１３０５…反射部材、１４００…偏光ビームスプリッター、１５００…液晶ライトバルブ、１５６１…偏光素子、１６０１…投射レンズ。
【図１】
2014002339.tif 000003
【図２】
2014002339.tif 000004
【図３】
2014002339.tif 000005
【図４】
2014002339.tif 000006
【図５】
2014002339.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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