(57)【要約】【課題】  外部配線からの熱伝導の影響を低減でき、さらに曲げた場合でもクラックが生じ難く、フィルムに非焼成で直接成膜することができるサーミスタ材料層を有した温度センサを提供すること。【解決手段】  絶縁性フィルム３と、絶縁性フィルムの表面にＴｉＡｌＮのサーミスタ材料で形成された薄膜サーミスタ部３と、薄膜サーミスタ部の上に複数の櫛部４ａを有して互いに対向して金属でパターン形成された一対の櫛型電極４と、一対の櫛型電極に接続され絶縁性フィルムの表面にパターン形成された一対のパターン電極５とを備え、パターン電極の少なくとも一部が、導電性樹脂で形成されている。【選択図】図１
2014070955.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性フィルムと、
該絶縁性フィルムの表面にＴｉＡｌＮのサーミスタ材料で形成された薄膜サーミスタ部と、
前記薄膜サーミスタ部の上及び下の少なくとも一方に複数の櫛部を有して互いに対向して金属でパターン形成された一対の櫛型電極と、
前記一対の櫛型電極に接続され前記絶縁性フィルムの表面にパターン形成された一対のパターン電極とを備え、
前記パターン電極の少なくとも一部が、導電性樹脂で形成されていることを特徴とする温度センサ。
【請求項２】
請求項１に記載の温度センサにおいて、
前記パターン電極が、繰り返し折り返されたミアンダ形状とされていることを特徴とする温度センサ。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の温度センサにおいて、
前記絶縁性フィルムが、前記薄膜サーミスタ部と前記櫛型電極とが形成された先端側フィルム部と、前記パターン電極が形成された基端側フィルム部とに分割して構成され、
前記櫛型電極と前記パターン電極の導電性樹脂で形成された部分とが導電性樹脂で接続されていると共に前記先端側フィルム部と前記基端側フィルム部とが導電性樹脂で連結されていることを特徴とする温度センサ。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の温度センサにおいて、
前記薄膜サーミスタ部が、一般式：ＴｉｘＡｌｙＮｚ（０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相であることを特徴とする温度センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、外部配線からの熱伝導の影響を受け難いフィルム型サーミスタ温度センサである温度センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
温度センサ等に使用されるサーミスタ材料は、高精度、高感度のために、高いＢ定数が求められている。従来、このようなサーミスタ材料には、Ｍｎ，Ｃｏ，Ｆｅ等の遷移金属酸化物が一般的である（特許文献１及び２参照）。また、これらのサーミスタ材料では、安定なサーミスタ特性を得るために、６００℃以上の焼成が必要である。
【０００３】
また、上記のような金属酸化物からなるサーミスタ材料の他に、例えば特許文献３では、一般式：ＭｘＡｙＮｚ（但し、ＭはＴａ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｔｉ及びＺｒの少なくとも１種、ＡはＡｌ，Ｓｉ及びＢの少なくとも１種を示す。０．１≦ｘ≦０．８、０＜ｙ≦０．６、０．１≦ｚ≦０．８、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される窒化物からなるサーミスタ用材料が提案されている。また、この特許文献３では、Ｔａ−Ａｌ−Ｎ系材料で、０．５≦ｘ≦０．８、０．１≦ｙ≦０．５、０．２≦ｚ≦０．７、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１としたものだけが実施例として記載されている。このＴａ−Ａｌ−Ｎ系材料では、上記元素を含む材料をターゲットとして用い、窒素ガス含有雰囲気中でスパッタリングを行って作製されている。また、必要に応じて、得られた薄膜を３５０〜６００℃で熱処理を行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２２６５７３号公報
【特許文献２】特開２００６−３２４５２０号公報
【特許文献３】特開２００４−３１９７３７号公報
【特許文献４】特開２００１−１１６６２５号公報
【特許文献５】特開２０１０−１９０７３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
近年、樹脂フィルム上にサーミスタ材料を形成したフィルム型サーミスタセンサの開発が検討されており、フィルムに直接成膜できるサーミスタ材料の開発が望まれている。すなわち、フィルムを用いることで、フレキシブルなサーミスタセンサが得られることが期待される。さらに、０．１ｍｍ程度の厚さを持つ非常に薄いサーミスタセンサの開発が望まれているが、従来はアルミナ等のセラミックス材料を用いた基板材料がしばしば用いられ、例えば、厚さ０．１ｍｍへと薄くすると非常に脆く壊れやすい等の問題があったが、フィルムを用いることで非常に薄いサーミスタセンサが得られることが期待される。
従来、ＴｉＡｌＮからなる窒化物系サーミスタを形成した温度センサでは、フィルム上にＴｉＡｌＮからなるサーミスタ材料層と電極とを積層して形成する場合、サーミスタ材料層上にＡｕ等の電極層を成膜し、複数の櫛部を有した櫛型にパターニングしている。
このようなフィルム型サーミスタセンサは、絶縁性フィルム上に、サーミスタ材料層と、該サーミスタ材料層に接した一対の櫛型電極と、これら櫛型電極に接続された一対の引き出し電極部と、これら引き出し電極部と外部配線とを接続するための電極パッドと、その接続部分を外部応力から保護するためのオーバーモールド樹脂とから構成されている。このフィルム型サーミスタセンサでは、サーミスタ材料層が外部配線からの熱の影響を受けないように、電極パッドとサーミスタ材料層とに距離をもたせる必要がある。しかしながら、オーバーモールド樹脂が、サーミスタ材料層よりも温度が高い場合、熱伝導率の大きい金属（例えばＣｕ：４００Ｗ／ｍ・Ｋ、Ａｕ：３１８Ｗ／ｍ・Ｋ）の引き出し電極部を通して伝熱現象が発生するため、温度精度に影響を及ぼすおそれがあることから、熱絶縁を行うために、引き出し電極部の配線を十分長く設定する必要があった。このため、全体が大きくなり、小型化が困難になるという問題があった。特に、絶縁性フィルムを基板として用いたフィルム型であるため、アルミナ等の他の絶縁性基板上に配線した場合に比べてフィルム側の熱伝導が低く、外部配線から引き出し電極部を介して伝わる熱の影響が相対的に大きいという不都合があった。
【０００６】
一方、従来のＴｉＡｌＮからなるサーミスタ材料層は、曲率半径が大きく緩やかに曲げられた場合には、クラックが生じ難く抵抗値等の電気特性に変化がないが、曲率半径が小さくきつく曲げた場合に、クラックが発生し易くなり、抵抗値等が大きく変化して電気特性の信頼性が低くなってしまう。特に、フィルムを櫛部の延在方向に直交する方向に小さい曲率半径できつく曲げた場合、櫛部の延在方向に曲げた場合に比べて櫛型電極とサーミスタ材料層との応力差により、電極エッジ付近にクラックが発生し易くなり、電気特性の信頼性が低下してしまう不都合があった。
また、樹脂材料で構成されるフィルムは、一般的に耐熱温度が１５０℃以下と低く、比較的耐熱温度の高い材料として知られるポリイミドでも３００℃程度の耐熱性しかないため、サーミスタ材料の形成工程において熱処理が加わる場合は、適用が困難であった。上記従来の酸化物サーミスタ材料では、所望のサーミスタ特性を実現するために６００℃以上の焼成が必要であり、フィルムに直接成膜したフィルム型サーミスタセンサを実現できないという問題点があった。そのため、非焼成で直接成膜できるサーミスタ材料の開発が望まれているが、上記特許文献３に記載のサーミスタ材料でも、所望のサーミスタ特性を得るために、必要に応じて、得られた薄膜を３５０〜６００℃で熱処理する必要があった。また、このサーミスタ材料では、Ｔａ−Ａｌ−Ｎ系材料の実施例において、Ｂ定数：５００〜３０００Ｋ程度の材料が得られているが、耐熱性に関する記述がなく、窒化物系材料の熱的信頼性が不明であった。
【０００７】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、外部配線からの熱伝導の影響を低減でき、さらに曲げた場合でもクラックが生じ難く、フィルムに非焼成で直接成膜することができるサーミスタ材料層を有した温度センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、第１の発明に係る温度センサは、絶縁性フィルムと、該絶縁性フィルムの表面にＴｉＡｌＮのサーミスタ材料で形成された薄膜サーミスタ部と、前記薄膜サーミスタ部の上及び下の少なくとも一方に複数の櫛部を有して互いに対向して金属でパターン形成された一対の櫛型電極と、前記一対の櫛型電極に接続され前記絶縁性フィルムの表面にパターン形成された一対のパターン電極とを備え、前記パターン電極の少なくとも一部が、導電性樹脂で形成されていることを特徴とする。
【０００９】
すなわち、この温度センサでは、パターン電極の少なくとも一部が導電性樹脂で形成されているので、金属に比べて熱伝導率が低い導電性樹脂により外部の配線からパターン電極を介して流入する熱を低減することができ、引き出し電極部であるパターン配線の距離を長く設定しなくても十分な断熱を図ることが可能になる。特に、絶縁性フィルムを基板として採用しているため、他の絶縁性基板に比べて基板側の熱伝導が低いので、相対的に配線の影響が大きくなるが、熱伝導の低い導電性樹脂により、影響を抑制することができる。このように、パターン精度が要求される櫛型電極をフォトリソグラフィ技術等により金属で形成し、パターン精度よりも断熱性が要求されるパターン配線を導電性樹脂で形成することで、高精度な温度測定が可能になる。また、金属に比べて柔軟性がある導電性樹脂を採用することで、全体としてのフレキシブル性が向上する。
【００１０】
なお、一般に、導電性樹脂の熱伝導率は約２Ｗ／ｍ・Ｋと金属の熱伝導率より１／１００位低いため、パターン電極の端子部からの熱の流入を極力減らして熱絶縁することも可能となる。
電気抵抗の面では、導電性樹脂の電気抵抗率は約５×１０−５Ω・ｃｍであり、例えば配線抵抗を考えると、引き出し電極の厚み１０μｍ、電極幅０．５ｍｍ、電極長さ５ｍｍとすると、配線抵抗は２線分を合わせて１Ω程度なので、サーミスタ材料の電気抵抗でよく使われる１０ｋΩと比較すると、１／１００００なので配線抵抗の影響は少ない。また、特許文献４に記載されたような白金測温抵抗体に導電性樹脂を使用した場合、白金測温抵抗体は通常１００Ω品（Ｐｔ１００）がよく使用されるが、導電性樹脂による配線抵抗値が１％程度加わってしまい、かつ配線抵抗の抵抗値精度も問題となるので、使用できない。さらに、特許文献５に記載されているフィルム型熱電対についても、導電性樹脂で配線すると熱起電力を精度よく測定することができない。よって、引き出し電極を導電性樹脂を用いることは高抵抗のサーミスタ材料のみ可能となる。
【００１１】
第２の発明に係る温度センサは、第１の発明において、前記パターン電極が、繰り返し折り返されたミアンダ形状とされていることを特徴とする。
すなわち、この温度センサでは、パターン電極が、繰り返し折り返されたミアンダ形状とされているので、先端から基端までの距離を実質的に短くして全体の小型化が可能になると共に、小さいスペースに長いパターン電極を確保でき、より高い断熱性を得ることができる。
【００１２】
第３の発明に係る温度センサは、第１又は第２の発明において、前記絶縁性フィルムが、前記薄膜サーミスタ部と前記櫛型電極とが形成された先端側フィルム部と、前記パターン電極が形成された基端側フィルム部とに分割して構成され、前記櫛型電極と前記パターン電極の導電性樹脂で形成された部分とが導電性樹脂で接続されていると共に前記先端側フィルム部と前記基端側フィルム部とが導電性樹脂で連結されていることを特徴とする。
すなわち、この温度センサでは、櫛型電極とパターン電極とが導電性樹脂で接続されていると共に先端側フィルム部と基端側フィルム部とが導電性樹脂で連結されているので、互いに樹脂材を含む導電性樹脂のパターン電極と異方性導電性樹脂とが接続されることで、良好な電気的接続と接着性とが得られる。また、樹脂である先端側フィルム部と基端側フィルム部とが導電性樹脂で連結されることで、高い接着性も得ることができる。さらに、先端側フィルム部と基端側フィルム部との間に断熱性の高い導電性樹脂が介在することで、基端側フィルム部からの熱の影響を低減することができる。また、絶縁性フィルムを先端側フィルム部と基端側フィルム部とに分けて別々に作製を行うことで、サイズや設置箇所に応じて形状等が異なるフィルム部に替えて温度センサを作製することも可能になる。なお、接着に用いる導電性樹脂には、異方性導電性接着材を採用することが好ましい。
【００１３】
第４の発明に係る温度センサは、第１から第３のいずれか一項に記載の温度センサにおいて、前記薄膜サーミスタ部が、一般式：ＴｉｘＡｌｙＮｚ（０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相であることを特徴とする。
本発明者らは、窒化物材料の中でもＡｌＮ系に着目し、鋭意、研究を進めたところ、絶縁体であるＡｌＮは、最適なサーミスタ特性（Ｂ定数：１０００〜６０００Ｋ程度）を得ることが難しいため、Ａｌサイトを電気伝導を向上させる特定の金属元素で置換すると共に、特定の結晶構造とすることで、非焼成で良好なＢ定数と耐熱性とが得られることを見出した。
したがって、本発明は、上記知見から得られたものであり、薄膜サーミスタ部が、一般式：ＴｉｘＡｌｙＮｚ（０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相であるので、非焼成で良好なＢ定数が得られると共に高い耐熱性を有している。
【００１４】
なお、上記「ｙ／（ｘ＋ｙ）」（すなわち、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ））が０．７０未満であると、ウルツ鉱型の単相が得られず、ＮａＣｌ型相との共存相又はＮａＣｌ型相のみの相となってしまい、十分な高抵抗と高Ｂ定数とが得られない。
また、上記「ｙ／（ｘ＋ｙ）」（すなわち、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ））が０．９５を超えると、抵抗率が非常に高く、きわめて高い絶縁性を示すため、サーミスタ材料として適用できない。
また、上記「ｚ」（すなわち、Ｎ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ））が０．４未満であると、金属の窒化量が少ないため、ウルツ鉱型の単相が得られず、十分な高抵抗と高Ｂ定数とが得られない。
さらに、上記「ｚ」（すなわち、Ｎ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ））が０．５を超えると、ウルツ鉱型の単相を得ることができない。このことは、ウルツ鉱型の単相において、窒素サイトにおける欠陥がない場合の正しい化学量論比は、Ｎ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ）＝０．５であることに起因する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係る温度センサによれば、パターン電極の少なくとも一部が導電性樹脂で形成されているので、パターン配線の距離を長く設定しなくても十分な断熱を図ることが可能になる。また、金属に比べて柔軟性がある導電性樹脂を採用することで、全体としてのフレキシブル性が向上する。
さらに、薄膜サーミスタ部を、一般式：ＴｉｘＡｌｙＮｚ（０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相である材料とすることで、非焼成で良好なＢ定数が得られると共に高い耐熱性が得られる。
したがって、本発明の温度センサによれば、外部配線からの熱影響を抑制可能になり、高精度な測定と小型化とを実現可能である。また、上記薄膜サーミスタ部を採用することで、曲げに対してクラックが生じ難く、フレキシブルで凹凸が少なく、電子機器の基板等の隙間、非接触給電装置やバッテリー等の狭い隙間に挿入して設置することや、曲面に設置することも可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明に係る温度センサの第１実施形態を示す平面図及び断面図である。
【図２】第１実施形態において、サーミスタ用金属窒化物材料の組成範囲を示すＴｉ−Ａｌ−Ｎ系３元系相図である。
【図３】第１実施形態において、製造工程のうちパターン配線形成工程までを工程順に示す平面図である。
【図４】第１実施形態において、製造工程のうち保護膜形成工程以降を工程順に示す平面図である。
【図５】本発明に係る温度センサの第２実施形態を示す平面図及び断面図である。
【図６】本発明に係る温度センサの第３実施形態を示す平面図及び断面図である。
【図７】第３実施形態において、製造工程のうち保護膜形成工程までを工程順に示す平面図である。
【図８】第３実施形態において、接着工程を示す説明図である。
【図９】第３実施形態において、接着工程後の状態を示す断面図である。
【図１０】本発明に係る温度センサの実施例において、サーミスタ用金属窒化物材料の膜評価用素子を示す正面図及び平面図である。
【図１１】本発明に係る実施例及び比較例において、２５℃抵抗率とＢ定数との関係を示すグラフである。
【図１２】本発明に係る実施例及び比較例において、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）比とＢ定数との関係を示すグラフである。
【図１３】本発明に係る実施例において、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＝０．８４としたｃ軸配向が強い場合におけるＸ線回折（ＸＲＤ）の結果を示すグラフである。
【図１４】本発明に係る実施例において、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＝０．８３としたａ軸配向が強い場合におけるＸ線回折（ＸＲＤ）の結果を示すグラフである。
【図１５】本発明に係る比較例において、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＝０．６０とした場合におけるＸ線回折（ＸＲＤ）の結果を示すグラフである。
【図１６】本発明に係る実施例において、ａ軸配向の強い実施例とｃ軸配向の強い実施例とを比較したＡｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）比とＢ定数との関係を示すグラフである。
【図１７】本発明に係る実施例において、ｃ軸配向が強い実施例を示す断面ＳＥＭ写真である。
【図１８】本発明に係る実施例において、ａ軸配向が強い実施例を示す断面ＳＥＭ写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明に係る温度センサにおける第１実施形態を、図１から図４を参照しながら説明する。なお、以下の説明に用いる図面の一部では、各部を認識可能又は認識容易な大きさとするために必要に応じて縮尺を適宜変更している。
【００１８】
本実施形態の温度センサ１は、フィルム型サーミスタセンサであって、図１に示すように、絶縁性フィルム２と、該絶縁性フィルム２の表面にＴｉＡｌＮのサーミスタ材料でパターン形成された薄膜サーミスタ部３と、薄膜サーミスタ部３の上に複数の櫛部４ａを有して互いに対向して金属でパターン形成された一対の櫛型電極４と、一対の櫛型電極４に接続され絶縁性フィルム２の表面にパターン形成された一対のパターン電極５とを備えている。なお、図１の（ｂ）及び他の断面図は、パターン電極及び櫛型電極に沿った断面図を示している。
【００１９】
また、上記パターン電極５の少なくとも一部は、導電性樹脂で形成されている。なお、本実施形態では、一対のパターン電極５は全長にわたって導電性樹脂で形成され、帯状の絶縁性フィルム２に沿って平行に延在した直線状に形成されている。
この導電性樹脂としては、例えばＡｇフィラー、Ｃｕフィラー又はめっきボール含有のエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂又はアクリル樹脂等が採用可能である。
【００２０】
また、本実施形態の温度センサ１は、パターン配線５の基端部（端子部５ａ）が配されている絶縁性フィルム２の基端部を除いて、絶縁性フィルム２上に形成され薄膜サーミスタ部３、櫛型電極４及びパターン電極５を覆う保護膜７と、一対のパターン電極５の基端部（端子部５ａ）にはんだ材９により端部が接着され外部配線となる一対のリード線１０と、はんだ材９と共にリード線１０とパターン電極５との接合部分を覆うオーバーモールド樹脂１１とを備えている。
なお、本実施形態では、薄膜サーミスタ部３の上に櫛型電極４を形成しているが、薄膜サーミスタ部６の下に櫛型電極を形成しても構わない。
【００２１】
上記絶縁性フィルム２は、例えば厚さ７．５〜１２５μｍのポリイミド樹脂シートで帯状に形成されている。なお、絶縁性フィルム５としては、他にＰＥＴ：ポリエチレンテレフタレート，ＰＥＮ：ポリエチレンナフタレート等でも構わない。
上記薄膜サーミスタ部３は、ＴｉＡｌＮのサーミスタ材料で形成されている。特に、薄膜サーミスタ部６は、一般式：ＴｉｘＡｌｙＮｚ（０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相である。
【００２２】
上記パターン電極５及び櫛型電極４は、薄膜サーミスタ部３上に形成された膜厚５〜１００ｎｍのＣｒ又はＮｉＣｒの接合層と、該接合層上にＡｕ等の貴金属で膜厚５０〜１０００ｎｍで形成された電極層とを有している。
一対の櫛型電極４は、互いに対向状態に配されて交互に櫛部４ａが並んだ櫛型パターンの部分を有し、薄膜サーミスタ部３上の複数の櫛部４ａから基端部４ｂまで延在部４ｃで繋がれている。
【００２３】
一対のパターン電極５は、対応する櫛型電極４に先端部が接続され基端部が絶縁性フィルム２の基端部に配された端子部５ａとされている。
上記保護膜７は、絶縁性樹脂膜等であり、例えば厚さ２０μｍのポリイミド膜が採用される。
【００２４】
上記薄膜サーミスタ部３は、上述したように、金属窒化物材料であって、一般式：ＴｉｘＡｌｙＮｚ（０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系の結晶系であってウルツ鉱型（空間群Ｐ６３ｍｃ（Ｎｏ．１８６））の単相である。すなわち、この金属窒化物材料は、図２に示すように、Ｔｉ−Ａｌ−Ｎ系３元系相図における点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄで囲まれる領域内の組成を有し、結晶相がウルツ鉱型である金属窒化物である。
なお、上記点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの各組成比（ｘ、ｙ、ｚ）（原子％）は、Ａ（１５、３５、５０），Ｂ（２．５、４７．５、５０），Ｃ（３、５７、４０），Ｄ（１８、４２、４０）である。
【００２５】
また、この薄膜サーミスタ部３は、例えば膜厚１００〜１０００ｎｍの膜状に形成され、前記膜の表面に対して垂直方向に延在している柱状結晶である。さらに、膜の表面に対して垂直方向にａ軸よりｃ軸が強く配向していることが好ましい。
なお、膜の表面に対して垂直方向（膜厚方向）にａ軸配向（１００）が強いかｃ軸配向（００２）が強いかの判断は、Ｘ線回折（ＸＲＤ）を用いて結晶軸の配向性を調べることで、（１００）（ａ軸配向を示すミラー指数）と（００２）（ｃ軸配向を示すミラー指数）とのピーク強度比から、「（１００）のピーク強度」／「（００２）のピーク強度」が１未満であることで決定する。
【００２６】
この温度センサ１の製造方法について、図３及び図４を参照して以下に説明する。
本実施形態の温度センサ１の製造方法は、絶縁性フィルム２上に薄膜サーミスタ部３を形成する薄膜サーミスタ部形成工程と、互いに対向した一対の櫛型電極４を薄膜サーミスタ部３上にパターン形成する櫛型電極形成工程と、さらに絶縁性フィルム２上に一対のパターン電極５をパターン形成するパターン電極形成工程と、これらの上に保護膜７を形成する保護膜形成工程とを有している。
【００２７】
より具体的な製造方法の例としては、厚さ４０μｍのポリイミドフィルムの絶縁性フィルム２上に、Ｔｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲットを用い、窒素含有雰囲気中で反応性スパッタ法にて、ＴｉｘＡｌｙＮｚ（ｘ＝９、ｙ＝４３、ｚ＝４８）のサーミスタ膜を膜厚２００ｎｍで形成する。その時のスパッタ条件は、到達真空度５×１０−６Ｐａ、スパッタガス圧０．４Ｐａ、ターゲット投入電力（出力）２００Ｗで、Ａｒガス＋窒素ガスの混合ガス雰囲気下において、窒素ガス分率を２０％で作製する。
【００２８】
成膜したサーミスタ膜の上にレジスト液をバーコーターで塗布した後、１１０℃で１分３０秒プリベークを行い、露光装置で感光後、現像液で不要部分を除去し、さらに１５０℃で５分のポストベークにてパターニングを行う。その後、不要なＴｉｘＡｌｙＮｚのサーミスタ膜を市販のＴｉエッチャントでウェットエッチングを行い、図３の（ａ）に示すように、レジスト剥離にて３００×４００μｍの薄膜サーミスタ部３にする。
【００２９】
次に、薄膜サーミスタ部３及び絶縁性フィルム２上に、スパッタ法にて、Ｃｒ膜の接合層を膜厚２０ｎｍ形成する。さらに、この接合層上に、スパッタ法にてＡｕ膜の電極層を膜厚２００ｎｍ形成する。
【００３０】
次に、成膜した電極層の上にレジスト液をバーコーターで塗布した後、１１０℃で１分３０秒プリベークを行い、露光装置で感光後、現像液で不要部分を除去し、１５０℃で５分のポストベークにてパターニングを行う。その後、不要な電極部分を市販のＡｕエッチャント及びＣｒエッチャントの順番でウェットエッチングを行い、図４の（ｂ）に示すように、レジスト剥離にて所望の櫛型電極４を形成する。なお、これらの櫛型電極４は、例えば幅３０μｍ、間隔３０μｍで配した６対の櫛部４ａを有している。
【００３１】
さらに、絶縁性フィルム２上に導電性樹脂を、図３の（ｃ）に示すように、印刷法により所定パターンで厚さ１０μｍ形成し、１５０℃１０ｍｉｎのキュアを行って一対のパターン電極５を形成する。この際、パターン電極５の先端を、対応する櫛型電極４の基端部に接続させる。
次に、端子部５ａとなる部分を含む絶縁性フィルム２の基端部を除いて絶縁性フィルム２上に、ポリイミドワニスを印刷法により膜を塗布し、２５０℃、１０ｍｉｎでキュアを行い、図４の（ｂ）に示すように、２０μｍ厚のポリイミド保護膜７を形成する。
【００３２】
さらに、端子部５ａとなる部分に、図４の（ｃ）に示すように、はんだ接続用の無電解Ａｕの厚付けめっきによるめっき層８を厚さ０．３μｍ行い、その上にジュメット線（０．２ｍｍφ）のリード線１０をはんだ材９により接続する。さらに、図１に示すように、その上にオーバーモールド樹脂１１を０．７ｍｍ以上塗布して、１５０℃  １０ｍｉｎのキュアを行い、リード線１０を固定してフィルム型サーミスタ温度センサが作製される。
【００３３】
なお、複数の温度センサ１を同時に作製する場合、絶縁性フィルム２の大判シートに複数の薄膜サーミスタ部３、櫛型電極４、パターン電極５及び保護膜７を上述のように形成した後に、大判シートから各温度センサ１に切断する。
【００３４】
このように本実施形態の温度センサ１では、パターン電極５の少なくとも一部が導電性樹脂で形成されているので、金属に比べて熱伝導率が低い導電性樹脂により外部配線のリード線１０からパターン電極５を介して流入する熱を低減することができ、引き出し電極部であるパターン電極５の距離を長く設定しなくても十分な断熱を図ることが可能になる。特に、絶縁性フィルム２を基板として採用しているため、他の絶縁性基板に比べて基板側の熱伝導が低いので、相対的に配線の影響が大きくなるが、熱伝導の低い導電性樹脂により、影響を抑制することができる。このように、パターン精度が要求される櫛型電極４をフォトリソグラフィ技術等により金属で形成し、パターン精度よりも断熱性が要求されるパターン電極５を導電性樹脂で形成することで、高精度な温度測定が可能になる。また、金属に比べて柔軟性がある導電性樹脂を採用することで、全体としてのフレキシブル性が向上する。
【００３５】
また、薄膜サーミスタ部３が、一般式：ＴｉｘＡｌｙＮｚ（０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系の結晶系であってウルツ鉱型の単相であるので、非焼成で良好なＢ定数が得られると共に高い耐熱性を有している。
また、この金属窒化物材料では、膜の表面に対して垂直方向に延在している柱状結晶であるので、膜の結晶性が高く、高い耐熱性が得られる。
さらに、この金属窒化物材料では、膜の表面に対して垂直方向にａ軸よりｃ軸を強く配向させることで、ａ軸配向が強い場合に比べて高いＢ定数が得られる。
【００３６】
なお、本実施形態のサーミスタ材料層（薄膜サーミスタ部３）の製造方法では、Ｔｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲットを用いて窒素含有雰囲気中で反応性スパッタを行って成膜するので、上記ＴｉＡｌＮからなる上記金属窒化物材料を非焼成で成膜することができる。
また、反応性スパッタにおけるスパッタガス圧を、０．６７Ｐａ未満に設定することで、膜の表面に対して垂直方向にａ軸よりｃ軸が強く配向している金属窒化物材料の膜を形成することができる。
【００３７】
したがって、本実施形態の温度センサ１では、絶縁性フィルム２上に上記サーミスタ材料層で薄膜サーミスタ部３が形成されているので、非焼成で形成され高Ｂ定数で耐熱性の高い薄膜サーミスタ部３により、樹脂フィルム等の耐熱性の低い絶縁性フィルム２を用いることができると共に、良好なサーミスタ特性を有した薄型でフレキシブルなサーミスタセンサが得られる。
また、従来アルミナ等のセラミックスを用いた基板材料がしばしば用いられ、例えば、厚さ０．１ｍｍへと薄くすると非常に脆く壊れやすい等の問題があったが、本発明においてはフィルムを用いることができるので、上記のように、例えば厚さ０．１ｍｍの非常に薄いフィルム型サーミスタセンサを得ることができる。
【００３８】
次に、本発明に係る温度センサの第２実施形態及び第３実施形態について、図５から図９を参照して以下に説明する。なお、以下の各実施形態の説明において、上記実施形態において説明した同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。
【００３９】
第２実施形態と第１実施形態との異なる点は、第１実施形態では、一対のパターン電極５が直線状に形成されているのに対し、第２実施形態の温度センサ２１では、図５に示すように、繰り返し折り返されたミアンダ形状とされている点である。すなわち、第２実施形態では、パターン電極２５がジグザグ状に折れ曲がりながら絶縁性フィルム２の延在方向に全体として延在し、先端から基端までの距離が第１実施形態よりも短くなっている。また、これに伴って、第２実施形態の絶縁性フィルム２は、第１実施形態よりも短くなっている。
【００４０】
このように第２実施形態の温度センサ２１では、パターン電極２５が、繰り返し折り返されたミアンダ形状とされているので、先端から基端までの距離を実質的に短くして全体の小型化が可能になると共に、小さいスペースに長いパターン電極２５を確保でき、より高い断熱性を得ることができる。
【００４１】
次に、第３実施形態と第１実施形態との異なる点は、第１実施形態では、一枚の絶縁性フィルム２上に薄膜サーミスタ部３、パターン電極５及び櫛型電極４等が形成されているのに対し、第３実施形態の温度センサ３１では、図６に示すように、絶縁性フィルム３２が、薄膜サーミスタ部３３と櫛型電極４とが形成された先端側フィルム部３２Ａと、パターン電極３５が形成された基端側フィルム部３２Ｂとに分割して構成されている点である。
【００４２】
また、第３実施形態では、櫛型電極４とパターン電極３５とが、異方性導電性樹脂３７で接続されていると共に先端側フィルム部３２Ａと基端側フィルム部３２Ｂとが異方性導電性樹脂３７で連結されている点で、第１実施形態と異なっている。すなわち、第３実施形態の温度センサ３１は、互いに端部で接続された先端側のセンサ先端部３６Ａと基端側のセンサ基端部３６Ｂとから構成されている。上記異方性導電性樹脂３７としては、例えば異方性導電性膜（ＡＣＦ）「ソニーケミカル製のＣＰ９０６ＡＭ−２５ＡＣ」等が採用される。
【００４３】
この第３実施形態の温度センサ３１の製造方法を、図７及び図８を参照して説明する。
まず、図７の（ａ）に示すように、先端側フィルム部３２Ａの表面全体に、第１実施形態と同様に薄膜サーミスタ部３３を形成する。さらに、図７の（ｂ）に示すように、櫛型電極４を第１実施形態と同様にパターン形成する。次に、図７の（ｃ）に示すように、先端側フィルム部３２Ａの端部に配された櫛型電極４の基端部４ｂを除いて薄膜サーミスタ部３３上に先端側保護膜７Ａを形成して、櫛型電極４を覆う。このようにしてセンサ先端部３６Ａを作製する。
【００４４】
一方、基端側フィルム部３２Ｂには、図８に示すように、導電性樹脂によりパターン電極３５を第１実施形態と同様に形成して、センサ基端部３６Ｂを作製する。さらに、作製したセンサ先端部３６Ａとセンサ基端部３６Ｂとの互いの端部を異方性導電性樹脂３７で接着する。すなわち、センサ先端部３６Ａの基端部に帯状に異方性導電性樹脂３７を塗布し、櫛型電極４の基端部４ｂとパターン電極３５の先端部とが互いに重なるようにセンサ先端部３６Ａを裏返してセンサ基端部３６Ｂの端部に載置し、さらに櫛型電極４の基端部４ｂとパターン電極３５の先端部とが重なった部分を加圧することで接着及び櫛型電極４とパターン電極３５との導通を行って温度センサ３１が作製される。なお、この異方性導電性樹脂３７は、パターン電極３５の導電性樹脂と同じ樹脂材料を含むことが好ましい。
【００４５】
このように第３実施形態の温度センサ３１では、櫛型電極４とパターン電極３５とが異方性導電性樹脂３７で接着されていると共に先端側フィルム部３２Ａと基端側フィルム部３２Ｂとが異方性導電性樹脂３７で連結されているので、互いに樹脂材を含む導電性樹脂のパターン電極３５と異方性導電性樹脂３７とが接続されることで良好な電気的接続と接着性とが得られる。また、樹脂である先端側フィルム部３２Ａと基端側フィルム部３２Ｂとが異方性導電性樹脂３７で連結されることで、高い接着性も得ることができる。さらに、先端側フィルム部３２Ａと基端側フィルム部３２Ｂとの間に断熱性の高い異方性導電性樹脂３７が介在することで、基端側フィルム部３２Ａからの熱の影響を低減することができる。また、絶縁性フィルム３２を先端側フィルム部３２Ａと基端側フィルム部３２Ｂとに分けて別々に作製を行うことで、サイズや設置箇所に応じて形状等が異なるフィルム部に替えて温度センサを作製することも可能になる。
【実施例】
【００４６】
次に、本発明に係る温度センサについて、上記実施形態に基づいて作製した実施例により評価した結果を、図１０から図１８を参照して具体的に説明する。
【００４７】
＜膜評価用素子の作製＞
本発明のサーミスタ材料層（薄膜サーミスタ部３）の評価を行う実施例及び比較例として、図１０に示す膜評価用素子１２１を次のように作製した。
まず、反応性スパッタ法にて、様々な組成比のＴｉ−Ａｌ合金ターゲットを用いて、Ｓｉ基板Ｓとなる熱酸化膜付きＳｉウエハ上に、厚さ５００ｎｍの表１に示す様々な組成比で形成された金属窒化物材料の薄膜サーミスタ部６を形成した。その時のスパッタ条件は、到達真空度：５×１０−６Ｐａ、スパッタガス圧：０．１〜１Ｐａ、ターゲット投入電力（出力）：１００〜５００Ｗで、Ａｒガス＋窒素ガスの混合ガス雰囲気下において、窒素ガス分率を１０〜１００％と変えて作製した。
【００４８】
次に、上記薄膜サーミスタ部３の上に、スパッタ法でＣｒ膜を２０ｎｍ形成し、さらにＡｕ膜を１００ｎｍ形成した。さらに、その上にレジスト液をスピンコーターで塗布した後、１１０℃で１分３０秒プリベークを行い、露光装置で感光後、現像液で不要部分を除去し、１５０℃で５分のポストベークにてパターニングを行った。その後、不要な電極部分を市販のＡｕエッチャント及びＣｒエッチャントによりウェットエッチングを行い、レジスト剥離にて所望の櫛形電極部１２４ａを有するパターン電極１２４を形成した。そして、これをチップ状にダイシングして、Ｂ定数評価及び耐熱性試験用の膜評価用素子１２１とした。
なお、比較としてＴｉｘＡｌｙＮｚの組成比が本発明の範囲外であって結晶系が異なる比較例についても同様に作製して評価を行った。
【００４９】
＜膜の評価＞
（１）組成分析
反応性スパッタ法にて得られた薄膜サーミスタ部３について、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）にて元素分析を行った。このＸＰＳでは、Ａｒスパッタにより、最表面から深さ２０ｎｍのスパッタ面において、定量分析を実施した。その結果を表１に示す。なお、以下の表中の組成比は「原子％」で示している。
【００５０】
なお、上記Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）は、Ｘ線源をＭｇＫα（３５０Ｗ）とし、パスエネルギー：５８．５ｅＶ、測定間隔：０．１２５ｅＶ、試料面に対する光電子取り出し角：４５ｄｅｇ、分析エリアを約８００μｍφの条件下で定量分析を実施した。なお、定量精度について、Ｎ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ）の定量精度は±２％、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）の定量精度は±１％ある。
【００５１】
（２）比抵抗測定
反応性スパッタ法にて得られた薄膜サーミスタ部３について、４端子法にて２５℃での比抵抗を測定した。その結果を表１に示す。
（３）Ｂ定数測定
膜評価用素子１２１の２５℃及び５０℃の抵抗値を恒温槽内で測定し、２５℃と５０℃との抵抗値よりＢ定数を算出した。その結果を表１に示す。
【００５２】
なお、本発明におけるＢ定数算出方法は、上述したように２５℃と５０℃とのそれぞれの抵抗値から以下の式によって求めている。
Ｂ定数（Ｋ）＝ｌｎ（Ｒ２５／Ｒ５０）／（１／Ｔ２５−１／Ｔ５０）
Ｒ２５（Ω）：２５℃における抵抗値
Ｒ５０（Ω）：５０℃における抵抗値
Ｔ２５（Ｋ）：２９８．１５Ｋ  ２５℃を絶対温度表示
Ｔ５０（Ｋ）：３２３．１５Ｋ  ５０℃を絶対温度表示
【００５３】
これらの結果からわかるように、ＴｉｘＡｌｙＮｚの組成比が図２に示す３元系の三角図において、点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄで囲まれる領域内、すなわち、「０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１」となる領域内の実施例全てで、抵抗率：１００Ωｃｍ以上、Ｂ定数：１５００Ｋ以上のサーミスタ特性が達成されている。
【００５４】
上記結果から２５℃での抵抗率とＢ定数との関係を示したグラフを、図１１に示す。また、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）比とＢ定数との関係を示したグラフを、図１２に示す。これらのグラフから、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＝０．７〜０．９５、かつ、Ｎ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ）＝０．４〜０．５の領域で、結晶系が六方晶のウルツ鉱型の単一相であるものは、２５℃における比抵抗値が１００Ωｃｍ以上、Ｂ定数が１５００Ｋ以上の高抵抗かつ高Ｂ定数の領域が実現できている。なお、図１２のデータにおいて、同じＡｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）比に対して、Ｂ定数がばらついているのは、結晶中の窒素量が異なるためである。
【００５５】
表１に示す比較例３〜１２は、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＜０．７の領域であり、結晶系は立方晶のＮａＣｌ型となっている。また、比較例１２（Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＝０．６７）では、ＮａＣｌ型とウルツ鉱型とが共存している。このように、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＜０．７の領域では、２５℃における比抵抗値が１００Ωｃｍ未満、Ｂ定数が１５００Ｋ未満であり、低抵抗かつ低Ｂ定数の領域であった。
【００５６】
表１に示す比較例１，２は、Ｎ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ）が４０％に満たない領域であり、金属が窒化不足の結晶状態になっている。この比較例１，２は、ＮａＣｌ型でも、ウルツ鉱型でもない、非常に結晶性の劣る状態であった。また、これら比較例では、Ｂ定数及び抵抗値が共に非常に小さく、金属的振舞いに近いことがわかった。
【００５７】
（４）薄膜Ｘ線回折（結晶相の同定）
反応性スパッタ法にて得られた薄膜サーミスタ部３を、視斜角入射Ｘ線回折（Grazing Incidence X-ray Diffraction）により、結晶相を同定した。この薄膜Ｘ線回折は、微小角Ｘ線回折実験であり、管球をＣｕとし、入射角を１度とすると共に２θ＝２０〜１３０度の範囲で測定した。
【００５８】
その結果、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）≧０．７の領域においては、ウルツ鉱型相（六方晶、ＡｌＮと同じ相）であり、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＜０．６５の領域においては、ＮａＣｌ型相（立方晶、ＴｉＮと同じ相）であった。また、０．６５＜  Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＜０．７においては、ウルツ鉱型相とＮａＣｌ型相との共存する結晶相であった。
【００５９】
このようにＴｉＡｌＮ系においては、高抵抗かつ高Ｂ定数の領域は、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）≧０．７のウルツ鉱型相に存在している。なお、本発明の実施例では、不純物相は確認されておらず、ウルツ鉱型の単一相である。
なお、表１に示す比較例１，２は、上述したように結晶相がウルツ鉱型相でもＮａＣｌ型相でもなく、本試験においては同定できなかった。また、これらの比較例は、ＸＲＤのピーク幅が非常に広いことから、非常に結晶性の劣る材料であった。これは、電気特性により金属的振舞いに近いことから、窒化不足の金属相になっていると考えられる。
【００６０】
【表１】
2014070955.tif 000003
【００６１】
次に、本発明の実施例は全てウルツ鉱型相の膜であり、配向性が強いことから、Ｓｉ基板Ｓ上に垂直な方向（膜厚方向）の結晶軸においてａ軸配向性が強いか、ｃ軸配向性が強いかであるかについて、ＸＲＤを用いて調査した。この際、結晶軸の配向性を調べるために、（１００）（ａ軸配向を示すミラー指数）と（００２）（ｃ軸配向を示すミラー指数）とのピーク強度比を測定した。
【００６２】
その結果、スパッタガス圧が０．６７Ｐａ未満で成膜された実施例は、（１００）よりも（００２）の強度が非常に強く、ａ軸配向性よりｃ軸配向性が強い膜であった。一方、スパッタガス圧が０．６７Ｐａ以上で成膜された実施例は、（００２）よりも（１００）の強度が非常に強く、ｃ軸配向よりａ軸配向が強い材料であった。
なお、同じ成膜条件でポリイミドフィルムに成膜しても、同様にウルツ鉱型相の単一相が形成されていることを確認している。また、同じ成膜条件でポリイミドフィルムに成膜しても、配向性は変わらないことを確認している。
【００６３】
ｃ軸配向が強い実施例のＸＲＤプロファイルの一例を、図１３に示す。この実施例は、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＝０．８４（ウルツ鉱型、六方晶）であり、入射角を１度として測定した。この結果からわかるように、この実施例では、（１００）よりも（００２）の強度が非常に強くなっている。
また、ａ軸配向が強い実施例のＸＲＤプロファイルの一例を、図１４に示す。この実施例は、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＝０．８３（ウルツ鉱型、六方晶）であり、入射角を１度として測定した。この結果からわかるように、この実施例では、（００２）よりも（１００）の強度が非常に強くなっている。
【００６４】
さらに、この実施例について、入射角を０度として、対称反射測定を実施した。なお、グラフ中（＊）は装置由来のピークであり、サンプル本体のピーク、もしくは、不純物相のピークではないことを確認している（なお、対称反射測定において、そのピークが消失していることからも装置由来のピークであることがわかる。）。
【００６５】
なお、比較例のＸＲＤプロファイルの一例を、図１５に示す。この比較例は、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＝０．６（ＮａＣｌ型、立方晶）であり、入射角を１度として測定した。ウルツ鉱型（空間群Ｐ６３ｍｃ（Ｎｏ．１８６））として指数付けできるピークは検出されておらず、ＮａＣｌ型単独相であることを確認した。
【００６６】
次に、ウルツ鉱型材料である本発明の実施例に関して、さらに結晶構造と電気特性との相関を詳細に比較した。
表２及び図１６に示すように、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）比がほぼ同じ比率のものに対し、基板面に垂直方向の配向度の強い結晶軸がｃ軸である材料（実施例５，７，８，９）とａ軸である材料（実施例１９，２０，２１）とがある。
【００６７】
これら両者を比較すると、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）比が同じであると、ａ軸配向が強い材料よりもｃ軸配向が強い材料の方が、Ｂ定数が１００Ｋ程度大きいことがわかる。また、Ｎ量（Ｎ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ））に着目すると、ａ軸配向が強い材料よりもｃ軸配向が強い材料の方が、窒素量がわずかに大きいことがわかる。理想的な化学量論比：Ｎ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ）＝０．５であることから、ｃ軸配向が強い材料のほうが、窒素欠陥量が少なく理想的な材料であることがわかる。
【００６８】
【表２】
2014070955.tif 000004
【００６９】
＜結晶形態の評価＞
次に、薄膜サーミスタ部３の断面における結晶形態を示す一例として、熱酸化膜付きＳｉ基板Ｓ上に成膜された実施例（Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＝０．８４，ウルツ鉱型、六方晶、ｃ軸配向性が強い）の薄膜サーミスタ部３における断面ＳＥＭ写真を、図１７に示す。また、別の実施例（Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＝０．８３，ウルツ鉱型六方晶、ａ軸配向性が強い）の薄膜サーミスタ部３における断面ＳＥＭ写真を、図１８に示す。
これら実施例のサンプルは、Ｓｉ基板Ｓをへき開破断したものを用いている。また、４５°の角度で傾斜観察した写真である。
【００７０】
これらの写真からわかるように、いずれの実施例も高密度な柱状結晶で形成されている。すなわち、ｃ軸配向が強い実施例及びａ軸配向が強い実施例の共に基板面に垂直な方向に柱状の結晶が成長している様子が観測されている。なお、柱状結晶の破断は、Ｓｉ基板Ｓをへき開破断した際に生じたものである。
【００７１】
＜膜の耐熱試験評価＞
表１に示す実施例及び比較例において、大気中，１２５℃,１０００ｈの耐熱試験前後における抵抗値及びＢ定数を評価した。その結果を表３に示す。なお、比較として従来のＴａ−Ａｌ−Ｎ系材料による比較例も同様に評価した。
これらの結果からわかるように、Ａｌ濃度及び窒素濃度は異なるものの、Ｔａ−Ａｌ−Ｎ系である比較例と同じＢ定数で比較したとき、耐熱試験前後における電気特性変化でみたときの耐熱性は、Ｔｉ−Ａｌ−Ｎ系のほうが優れている。なお、実施例５，８はｃ軸配向が強い材料であり、実施例２１，２４はａ軸配向が強い材料である。両者を比較すると、ｃ軸配向が強い実施例の方がａ軸配向が強い実施例に比べて僅かに耐熱性が向上している。
【００７２】
なお、Ｔａ−Ａｌ−Ｎ系材料では、Ｔａのイオン半径がＴｉやＡｌに比べて非常に大きいため、高濃度Ａｌ領域でウルツ鉱型相を作製することができない。ＴａＡｌＮ系がウルツ鉱型相でないがゆえ、ウルツ鉱型相のＴｉ−Ａｌ−Ｎ系の方が、耐熱性が良好であると考えられる。
【００７３】
【表３】
2014070955.tif 000005
【００７４】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態及び実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
【符号の説明】
【００７５】
１，２１，３１…温度センサ、２，３２…絶縁性フィルム、３，３３…薄膜サーミスタ部、４…櫛型電極、４ａ…櫛部、５，２５，３５…パターン電極、７，７Ａ…保護膜、３２Ａ…先端側フィルム部、３２Ｂ…基端側フィルム部、３７…異方性導電性樹脂
【図１】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図２】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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