(57)【要約】【課題】Ｘ線管と検出器が共に同一中心の周りに円軌道を描き且つ互いに独立して回転可能な撮像系にて、より簡単にパノラマ画像を再構成する。【解決手段】Ｘ線管（２１）及び検出器（２２）を常に互いに対向させ、撮像部位に沿って定めた基準断層面（ＳＳ）にＸ線焦点が合うようにＸ線管及び検出器の同一中心周りの回転を互いに独立に制御してＸ線ビームで撮像部位をスキャンさせる。スキャン中に採るＸ線管から検出器までの距離の変化幅の中で予め定めた固定距離、又は、その変化幅の中で検出器が実際に位置している距離に応じてスリット（２３）の開口サイズを制御する。検出器から出力されるフレームデータを所定周期で収集する。Ｘ線管と検出器との間の最離間距離（Ｒｍａｘ）の位置に検出器を仮想的に配置したと仮定してメモリ領域（Ｍ）にフレームデータをマッピングする。マッピングされたフレームデータに基づいて顎部の断層面のパノラマ画像を再構成する。【選択図】  図１３
2014161510.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
連続エネルギを有するＸ線を照射するＸ線管と、
前記Ｘ線をファン状のＸ線ビームに成形する開口を有するスリットと、
前記Ｘ線ビームの光子に応じた電気パルスを出力する画素を２次元的に配置した画素群を有する検出回路を備えた検出器と、
前記Ｘ線管と前記検出器を常に互いに対向可能であって、被験者の撮像部位の周りに互いに独立して回転可能に支持する支持手段と、
前記Ｘ線管及び前記検出器を常に互いに対向させ、かつ、前記撮像部位に沿って予め定めた基準断層面に前記Ｘ線ビームの焦点が合うように当該Ｘ線管及び当該検出器の回転を互いに独立に制御して当該Ｘ線ビームで当該撮像部位をスキャンさせるスキャン手段と、
前記スキャン手段により回転制御されている間に採る前記Ｘ線管から前記検出器までの距離の変化幅の中で予め定めた固定距離、又は、当該変化幅の中で前記検出器が実際的に位置している距離に応じて前記スリットの開口のサイズを制御するスリット制御手段と、
前記スキャン手段による前記スキャンの間に前記検出器から出力される前記Ｘ線ビームの前記撮像部位の透過状態を反映した前記電気パルスをフレームデータとして所定周期で収集するデータ収集手段とを
備えたことを特徴とするパノラマ撮像装置。
【請求項２】
前記支持手段は、前記Ｘ線管と前記検出器を互いに異なる径の２つの円軌道に沿って機械的に回転させる回転機構を備えことを特徴とする請求項１に記載のパノラマ撮像装置。
【請求項３】
前記回転機構は、前記Ｘ線管と前記検出器を同一の回転中心の周りに回転させるように構成されていることを特徴とする請求項２に記載のパノラマ撮像装置。
【請求項４】
前記Ｘ線管と前記検出器との間の最も離れた距離の位置に当該検出器を仮想的に配置したと仮定したフレームデータ保存用のメモリを持った記憶部と、
前記データ収集手段により前記所定周期毎に収集された前記フレームデータをそれぞれ前記メモリにマッピングして、前記検出器を前記最も離れた距離に仮想的に配置したと仮定した状態におけるフレームデータを得るマッピング手段と、
前記マッピング手段によりマッピングされた前記フレームデータに基づいて前記顎部の断層のパノラマ画像を再構成する再構成手段と、
を備えたことを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載のパノラマ撮像装置。
【請求項５】
前記スリット制御手段は、前記Ｘ線管から前記検出器までの距離の変化幅の中で予め定めた前記固定距離に応じて前記開口のサイズを固定するように構成されている請求項１〜４の何れか一項に記載のパノラマ撮像装置。
【請求項６】
前記固定値は、前記距離の変化幅に属する距離であって、前記Ｘ線管と前記検出器が互いに最も近接するときの最小距離、前記Ｘ線管と前記検出器が互いに最も離間するときの最大距離、及び、前記最小距離及び最大距離を除いた前記Ｘ線管と前記検出器の間の所定の固定距離のうちの何れかであることを特徴とする請求項５に記載のパノラマ撮像装置。
【請求項７】
前記スリット制御手段は、前記Ｘ線管から照射される前記Ｘ線ビームのパスの各角度において、前記検出器を前記最小距離、前記最大距離、又は前記所定の固定距離に位置させると仮定したときに、当該Ｘ線ビームの照射野が前記仮定した距離に位置する当該検出器の検出面に一致するように前記開口サイズを制御するように構成されている請求項６に記載のパノラマ撮像装置。
【請求項８】
前記メモリの記憶領域のサイズは、前記検出器を前記最小距離、前記最大距離、及び前記所定の固定距離のうちの何れに位置させると仮定するかに応じて、互いに異なることを特徴とする請求項７に記載のパノラマ撮像装置。
【請求項９】
前記スリット制御手段は、前記変化幅の中で前記検出器が実際的に位置している距離に応じて前記開口のサイズを可変制御するように構成されている請求項１〜４の何れか一項に記載のパノラマ撮像装置。
【請求項１０】
前記スリット制御手段は、前記Ｘ線管から照射される前記Ｘ線ビームのパスの角度毎に、前記Ｘ線ビームの照射野が当該検出器の検出面に一致するように前記開口サイズを制御するように構成されている請求項９に記載のパノラマ撮像装置。
【請求項１１】
前記メモリの記憶領域のサイズは、前記検出器の検出面の画素サイズと同一に設定されていることを特徴とする請求項１０に記載のパノラマ撮像装置。
【請求項１２】
前記再構成手段は、前記メモリにマッピングされた前記フレームデータに基づいて前記撮像部位のパノラマ画像を作成するように構成れている請求項１〜１１の何れか一項に記載のパノラマ撮像装置。
【請求項１３】
前記撮像部位は前記被験者の顎部であり、
前記再構成手段は、前記メモリにマッピングされた前記フレームデータに基づいて、前記顎部に存在する歯列の各歯の位置に自動的に焦点を合わせ且つその実際の位置及び形状を反映した２次元のパノラマ画像を３次元的に展開した擬似的な３次元パノラマ画像を作成するように構成されている請求項１２に記載のパノラマ撮像装置。
【請求項１４】
前記検出器は光子計数型の検出器であって、
前記Ｘ線ビームの連続エネルギに対してエネルギ閾値をＮ個（Ｎ≧２）以上与え、且つ前記各画素から出力される前記電気パルスを前記Ｎ個のエネルギ閾値により弁別するとともに、前記Ｘ線の光子数を、前記Ｎ個のエネルギ閾値で分けられ且つ当該Ｎ個のエネルギ閾値により分けられた複数のエネルギ帯域のそれぞれに応じて画素毎に収集する収集回路を備えた請求項１〜４の何れか一項に記載のパノラマ撮像装置。
【請求項１５】
前記支持手段は、前記パノラマ撮像装置とは別体である歯科用チェアに座った又は横たわった前記被験者の顎部が前記Ｘ線管及び前記検出器の間の撮像空間に位置可能なように当該Ｘ線管及び当該検出器を支持可能になっていることを特徴とする請求項１〜１４の何れか一項に記載のパノラマ撮像装置。
【請求項１６】
連続エネルギを有するＸ線を照射するＸ線管と、
前記Ｘ線をファン状のＸ線ビームに成形する開口を有するスリットと、
前記Ｘ線ビームの光子に応じた電気パルスを出力する画素を２次元的に配置した画素群を有する検出回路を備えた検出器と、
前記Ｘ線管と前記検出器を常に互いに対向可能であって、被験者の撮像部位の周りに互いに独立して回転可能に支持する支持手段と、
前記Ｘ線管及び前記検出器を常に互いに対向させ、かつ、前記撮像部位に沿って予め定めた基準断層面に前記Ｘ線ビームの焦点が合うように当該Ｘ線管及び当該検出器の回転を互いに独立に制御して当該Ｘ線ビームで当該撮像部位をスキャンさせるスキャン手段と、
前記スキャン手段により回転制御されている間に採る前記Ｘ線管から前記検出器までの距離の変化幅の中で予め定めた固定距離、又は、当該変化幅の中で前記検出器が実際的に位置している距離に応じて前記開口のサイズを制御するスリット制御手段と、
前記スキャン手段による前記スキャンの間に前記検出器から出力される前記Ｘ線ビームの前記撮像部位の透過状態を反映した前記電気パルスをフレームデータとして所定周期で収集するデータ収集手段とを
備えたパノラマ撮像装置におけるパノラマ画像の再構成方法において、
前記支持手段を駆動して前記Ｘ線管及び前記検出器を、当該Ｘ線管及び当該検出器の回転速度を互いに独立して制御し、且つ前記撮像部位に沿って予め定めた基準断層面に前記Ｘ線ビームの焦点が合うように回転させ、
前記Ｘ線管及び前記検出器を前記撮像部位の周りに回転させている間に、前記検出器から出力される前記Ｘ線ビームの前記撮像部位の透過状態を反映した前記パルスをフレームデータとして所定周期で収集し、
前記Ｘ線管と前記検出器との間の最も離れた距離の位置に当該検出器を仮想的に配置したと仮定して、前記所定周期毎に収集された前記フレームデータをそれぞれメモリにマッピングし、
このマッピングされた前記フレームデータに基づいて前記撮像部位の断層のパノラマ画像を再構成する、
ことを特徴とするパノラマ画像の再構成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被検体の所望の撮像部位をＸ線でスキャンしながら、その撮像部位の透過Ｘ線を検出して、その検出したＸ線データをトモシンセシス(tomosynthesis)法で処理することにより撮像部位の断面のパノラマ像を再構成するパノラマ撮像装置及びパノラマ画像の再構成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、トモシンセシス法に依る被検体の断層撮影法が盛んに行われるようになっている。このトモシンセシス法の原理はかなり古くから知られているが（例えば特許文献１を参照）、近年では、そのトモシンセシス法に依る画像再構成の簡便さを享受しようとする断層撮影法も提案されている（例えば特許文献２及び特許文献３を参照）。また、歯科用でその例が多数見られるようになっている（例えば特許文献４、特許文献５を参照）。
【０００３】
トモシンセシス法の歯科への応用の一つとして、通常、湾曲した歯列を２次元平面状に展開したパノラマ画像を得るパノラマ撮像装置が実用化されている。このパノラマ撮像装置は、通常、被検体の口腔部の周囲にＸ線管と縦長の幅にわたって画素を有する検出器との対を、その回転中心が想定された歯列に沿った一定軌道を画くように、その回転中心を複雑に移動させながら回転させる機構を備える。Ｘ線管と検出器との間は一定値に保持される。上述の一定軌道は、標準の形状及びサイズと見做される歯列に沿って予め設定した基準断層面(３次元的に存在する断層面)に焦点を当てるための軌道である。この回転中に、一定間隔で、Ｘ線管から照射されたＸ線が被検体を透過して検出器によりデジタル量のフレームデータとして検出される。このため、基準断層面に焦点を絞ったフレームデータが一定間隔毎に収集される。このフレームデータをトモシンセシス法で再構成して、基準断層面のパノラマ画像を得る。
【０００４】
また、特許文献６には、Ｘ線管と検出器が共に円軌道を描くように且つ互いに独立して回転可能な撮像系を持つパノラマ撮像装置の一例が開示されている。顎部はその円軌道の中に位置付けられる。Ｘ線管から照射されたＸ線は常に検出器の検出面に向くように制御される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開昭５７−２０３４３０
【特許文献２】特開平６−８８７９０
【特許文献３】特開平１０−２９５６８０
【特許文献４】米国特許公開 US2006/0203959 A1
【特許文献５】特開２００７−１３６１６３
【特許文献６】国際公開WO2012/008492
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述した特許文献６に記載のパノラマ撮像装置の場合、Ｘ線管と検出器の間の距離が固定ではなく、スキャンにより照射されるＸ線のパス毎にその距離が変わる。このため、障害陰影となる頸椎や左右の上顎を極力回避した所望のＸ線パスを設計し易いが、Ｘ線管及び検出器を回転させる円軌道上の角速度の制御が複雑になる。さらに、検出器とＸ線管の間の距離がＸ線ビームのパス毎に変わることから、被写体の拡大率が大きく変わる。角速度の制御の複雑化の回避及び拡大率の変化の抑制を両立させるＸ線管及び検出器の回転制御は非常に難しい。このため、拡大率の変化をある程度容認した再構成になってしまう。
【０００７】
反面、歯列撮像に対して障害陰影になる頸椎などの構造物をなるべく回避するＸ線パスを実現する角速度を容易に設計できるが、所望の断層面をトモシンセシス法による再構成の処理、特に、シフト・アンド・アッドの処理が複雑になる。しかも、この再構成の処理をより正確に行おうとすると、断層方向の距離とシフフト・アンド・アッドの量の関係、すなわち撮像空間の構造を把握するためにファントムを用いて種々のキャリブレーションを行う必要がある。つまり、キャリブレーションの工程が複雑で時間が掛かる。加えて、このキャリブレーションの数に応じた収集場面にしか対応が出来ず、Ｘ線管と検出器が互いに独立して自在に回転可能である、つまり、Ｘ線管・検出器間の距離が可変である撮像系が持つ折角の利点を有効に活用するには、Ｘ線ビームのパスの角度とＸ線管及び検出器の自転角度（姿勢）の組合せパターンが無限であることを考慮せねばならない。このため、理論構築がやり辛いことも、実現化を阻んでいた大きな要因である。
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、Ｘ線管と検出器が共に円軌道を描くように且つ互いに独立して回転可能な撮像系の有利さを活かしつつ、より簡単にパノラマ画像の再構成を行うことができるパノラマ撮像装置及びパノラマ画像の再構成方法を提供することを、その目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るＸ線撮像装置は、連続エネルギを有するＸ線を照射するＸ線管と、前記Ｘ線をファン状のＸ線ビームに成形する開口を有するスリットと、前記Ｘ線ビームの光子に応じた電気パルスを出力する画素を２次元的に配置した画素群を有する検出回路を備えた検出器と、前記Ｘ線管と前記検出器を常に互いに対向可能であって、被験者の撮像部位の周りに互いに独立して回転可能に支持する支持手段と、前記Ｘ線管及び前記検出器を常に互いに対向させ、かつ、前記撮像部位に沿って予め定めた基準断層面に前記Ｘ線ビームの焦点が合うように当該Ｘ線管及び当該検出器の回転を互いに独立に制御して当該Ｘ線ビームで当該撮像部位をスキャンさせるスキャン手段と、前記スキャン手段により回転制御されている間に採る前記Ｘ線管から前記検出器までの距離の変化幅の中で予め定めた固定距離、又は、当該変化幅の中で前記検出器が実際的に位置している距離に応じて前記開口のサイズを制御するスリット制御手段と、前記スキャン手段による前記スキャンの間に前記検出器から出力される前記Ｘ線ビームの前記撮像部位の透過状態を反映した前記電気パルスをフレームデータとして所定周期で収集するデータ収集手段とを備えたことを特徴とする。
【００１０】
好適な一例として、前記支持手段は、前記Ｘ線管と前記検出器を互いに異なる径の２つの円軌道に沿って機械的に回転させる回転機構を備える。好適には、前記回転機構は、前記Ｘ線管と前記検出器を同一の回転中心の周りに回転させるように構成されている。
【００１１】
さらに好適には、前記Ｘ線管と前記検出器との間の最も離れた距離の位置に当該検出器を仮想的に配置したと仮定したフレームデータ保存用のメモリを持った記憶部と、前記データ収集手段により前記所定周期毎に収集された前記フレームデータをそれぞれ前記メモリにマッピングして、前記検出器を前記最も離れた距離に仮想的に配置したと仮定した状態におけるフレームデータを得るマッピング手段と、前記マッピング手段によりマッピングされた前記フレームデータに基づいて前記顎部の断層のパノラマ画像を再構成する再構成手段と、を備える。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、Ｘ線管と検出器が共に円軌道を描くように且つ互いに独立して回転可能な撮像系の有利さを活かしつつ、より簡単にパノラマ画像の再構成を行うことができるパノラマ撮像装置及びパノラマ画像の再構成方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
添付図面において、
【図１】図１は、一実施形態に係るパノラマ撮像装置の概要を示す斜視図、
【図２】図２は、上記パノラマ撮像装置のＸ線管及び検出器の配置構成を説明する図、
【図３】図３は、上記パノラマ撮像装置のＸ線管及び検出器の配置構成を、当該Ｘ線管及び検出器の回転可能な方向及びそれらの正対状態と共に説明する別の図、
【図４】図４は、検出器の構成の概略を説明する配置例の図、
【図５】図５は、検出器の電気的な構成を説明するブロック図、
【図６】図６は、光子計数型の検出器に与える、Ｘ線フォトンの入射に応答して検出される電気パルスと閾値との関係を説明するグラフ、
【図７】図７は、Ｘ線のフォトンの入射頻度（計数値）に対するエネルギスペクトラムと弁別回路による与えるエネルギ領域との関係例を説明するグラフ、
【図８】図８は、上記パノラマ撮像装置全体の電気的な構成の概略を示すブロック図、
【図９】図９は、実施形態で実行されるスキャン時の、被験者の撮像部位の位置、Ｘ線管及び検出器それぞれの実際の軌道、及び検出器を仮想的に移動さえる軌道の関係を説明する図、
【図１０】図１０は、従来知られている、歯列に設定した基準断層面に焦点を当てながら歯列を通るＸ線ビームの回転角度毎のパスを説明する図、
【図１１】図１１は、スリット制御モード１に係る、回転角度毎にＸ線管と検出器の間の変化する距離、検出器を仮想的に位置させる軌道上の位置、スリットの開口制御を行うための検出器の位置、及びＸ線ビームの照射野を説明する図、
【図１２】図１２は、スリット制御モード２に係る、回転角度毎にＸ線管と検出器の間の変化する距離、検出器を仮想的に位置させる軌道上の位置、スリットの開口制御を行うための検出器の位置、及びＸ線ビームの照射野を説明する図、
【図１３】図１３は、スリット制御モード３に係る、回転角度毎にＸ線管と検出器の間の変化する距離、検出器を仮想的に位置させる軌道上の位置、スリットの開口制御を行うための検出器の位置、及びＸ線ビームの照射野を説明する図、
【図１４】図１４は、スリット制御モード４に係る、回転角度毎にＸ線管と検出器の間の変化する距離、検出器を仮想的に位置させる軌道上の位置、スリットの開口制御を行うための検出器の位置、及びＸ線ビームの照射野を説明する図、
【図１５】図１５は、コントローラ及びデータプロセッサが協働して実行する処理の概要を説明するフローチャート、
【図１６】図１６は、絞られたＸ線ビームの照射野と検出器の検出面の大きさの関係、及び、スリットの開口制御と検出器のフレームデータをマッピングするメモリの記憶領域のサイズの関係を説明する図、
【図１７】図１７は、再構成されたパノラマ画像の一例を模式的に示す画像図、及び
【図１８】図１８は、本実施形態では補正される拡大率を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。
【００１５】
図１〜図１８を参照して、本発明に係るパノラマ撮像装置の一つの実施形態を説明する。
【００１６】
このパノラマ撮像装置は、被験者の顎部（歯列を含む）のパノラマ画像を撮像する歯科用の装置として構成されている。この装置によれば、後述する構成及び機能によって、被検体の顎部の擬似的な３次元断面像（画像それ自体は２次元画像であるが、歯列などの撮影部位の形状に応じて３次元的に表示される断面像）を撮影できる。なお、本実施形態に係るパノラマ撮像装置として構成されているが、必ずしも歯科の分野に限られず、乳房撮影、耳鼻咽喉撮影、手足の骨・関節部分など、様々な部位に適用できる。また、本人同定のための死体鑑定や、非破壊検査などの用途にも適用することができる。
【００１７】
図１に、本実施形態に係る歯科用のパノラマ撮像装置１の外観を示す。
【００１８】
このパノラマ撮像装置１は、キャスター１１を装着した台座１２と、この台座１２に搭載された昇降ユニット１３及び電源ボックス１４と、コンソール１７を備える。昇降ユニット１３は、その内部に昇降機構（図示せず）を備え、同ユニットの上側の昇降部を台座１２（つまり床面）に対して電動で所定範囲の中で上下動可能に構成されている。この昇降ユニット１３の上下動方向をＺ軸とすると、図示のようなＸＹＺ直交座標を想定できる。なお、電源部１４はシステムの各部に必要な電力を供給する。
【００１９】
また、このパノラマ撮像装置１は、昇降ユニット１３の昇降部からＸ軸方向（つまり、横方向に伸びた２つのアーム１５，１６を備える。この２つのアーム１５，１６はＹ軸方向に沿って見た場合、共に、略Ｌ字状に形成され、それらアーム１５，１６夫々の一端部が互いに重なるように重合され、昇降部の側面に取り付けられている。昇降ユニット１３の内部には、それら２つのアーム１５，１６を互いに独立して、すなわち互いに異なる速度で回転させることができる回転機構１３Ｄが装備されている。上記２つのアーム１５，１６の夫々の先端部分には、Ｘ線管２１及び検出器２２がそれぞれ装備されている。Ｘ線管２１のＸ線照射側の前面には、Ｘ線をファン状に成形するスリット（絞り）２３が配設される。このスリット２３の開口の面積は可変になっており、この開口面積の大きさが後述するモータなどの開口駆動部２３Ｄ（図８参照）によって制御される。回転機構１３Ｄとアーム１５，１６により、Ｘ線管２１及び検出器２２に対する，相互に独立して駆動可能に支持する支持手段が構成される。
【００２０】
Ｘ線管２１はタングステン等の適宜な陽極材に用いた回転陽極型Ｘ線管として構成される。Ｘ線管２１は点状のＸ線焦点（例えば径が０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ）ＦＰを有する。このＸ線管２１は、後述する高電圧発生装置から供給される駆動電力に応答してＸ線を曝射する。Ｘ線管２１のＸ線焦点ＦＰから曝射されたＸ線は、スリット２３で絞られてファン状のＸ線ビームに成形される。このＸ線ビームは、その後、被験者Ｐの顎部ＪＷを透過して減衰し、その減衰状態を反映した透過Ｘ線ビームが検出器２２に入射する。
【００２１】
撮影時には、図２に示すように、Ｘ線管２１と検出器２２との間に画成される３次元の撮影空間ＩＳの所定位置に被験者Ｐの顎部ＪＷが位置決めされる。このため、Ｘ線管２１と検出器２２は顎部を挟んで互いに対向（正対）する。照射されたＸ線ビームはスリット２３を通った後、顎部ＪＷ（歯列など）を透過し、検出器２２により検出される。撮影時には回転機構１３Ｄにより２つのアーム１５，１６が回転駆動されるので、１つの回転中心Ｏを中心にＸ線管２１と検出器２２は顎部の周りを各々、所定の円形軌道に沿って回転する。その回転中に所定間隔でＸ線ビームの照射及び検出が実行される。
【００２２】
ＹＺ面に対向するＸ軸方向に沿ってみた場合、Ｘ線管２１及び検出器２２は、予めシステム側で定めた回転中心Ｏを中心とする円形の軌道Ｔｘ，Ｔｄに沿ってそれぞれ回転駆動される。この回転中心Ｏから円形軌道Ｔｘ，Ｔｄまでの半径Ｄｘ、ＤｄはＸ線被ばく、検出精度、装置の小形化、患者との機械的な干渉などを考慮して、互いに異なった値に設定されている（図２参照）。本実施形態では、Ｄｘ≠Ｄｄであって、特にＤｘ＞Ｄｄに設定されている。回転中心Ｏから検出器２２までの距離（半径Ｄｄ）の方が、回転中心ＯからＸ線管２１までのそれ（半径Ｄｘ）よりも小さい理由は、検出器２２の位置を極力、顎部ＪＷに接近させ、Ｘ線の入射強度の減弱を少なくするためである。回転中心ＯからＸ線管２１までの距離（半径Ｄｘ）は、規格で定められたＸ線管・皮膚間距離を確保できる値に設定されている。
【００２３】
このため、Ｘ線管２１及び検出器２２を常に互いに対向（正対）させ、且つ、顎部ＪＷ（歯列）に対する予め定めた複数の所望のＸ線パスに沿ったＸ線の照射及び検出を実行させるため、Ｘ線管２１及び検出器２２は互いに異なる角速度で独立して駆動される。
【００２４】
なお、上述した「互いに対向」とは、図３に示すように、Ｘ軸方向に沿って見た場合、Ｘ線管２１の点状のＸ線焦点ＦＰから照射されてスリット２３によりコーン状に成形されたＸ線ビームの照射範囲と、検出器２２のＸ線検出面２２Ａ（後述する）とが一致している状態を言う。特に、そのＸ線ビームのＹＺ面に沿った方向の中心線が、そのＸ線検出面の幅方向（ＹＺ面に沿った方向の幅）の中心位置Ｃに９０°で交差する軸Ｔを含む状態を「正対している状態」と呼ぶ（図３参照）。なお、図３において、機械的な回転中心ＯからＺ軸方向に伸びる直線位置を回転角θ＝０とし、この回転位置から時計方向及び反時計方向に±の回転方向が設定されている。
【００２５】
このため、上述した「常に互いに対向（又は正対）」を実現するため、前記アーム１５，１６のうち、Ｘ線管２１、検出器２２を内蔵している対向アーム部分１５Ａ，１６Ａは、軸ＡＸｓ、ＡＸｄを中心にそれぞれ独立して回動（自転、即ち姿勢）可能になっている（図１〜図３参照）。そのためのモータ等の回転駆動機構１５Ｂ，１６Ｂがアーム１５，１６にそれぞれ装備されている。この回転駆動機構１５Ｂ，１６Ｂの駆動制御は後述するコンソール１７のコントローラにより実行される。
【００２６】
なお、本実施形態では、Ｙ軸方向において交差位置Ｃと軸ＡＸｄの位置を一致させている。また、図３に示す円軌道Ｔｘ，Ｔｄを辿るのは、それぞれ、ＹＺ面で見たときの前述した軸ＡＸｓ、ＡＸｄの位置である。
【００２７】
検出器２２は、図４に示すように、それぞれＸ線撮像素子を２次元に配列した、複数の検出モジュールＢ１〜Ｂｍのアレイ（センサ回路）を有する。複数の検出モジュールＢ１〜Ｂｍは互いに独立したブロックとして作成され、それらを基板（図示せず）上に所定の矩形状に実装して検出器２２の全体が作成される。
【００２８】
なお、複数の検出モジュールＢ１〜Ｂｍは、個々のモジュールの間は一定の隙間を設けつつ、縦（Ｘ軸）方向に複数個(縦方向に１７個並べるとともに、個々のモジュールをスキャン方向ＯＹに対して角度θだけ斜めに傾けて配置している。この角度θは例えば約１４°に設定される。この複数の検出モジュールＢ１〜Ｂｍが作る、縦横の長さの比が大きい、つまり、細長い矩形状の表面がＸ線検出面２２Ａを成している。検出モジュールＢ１〜Ｂｍを斜めに配置しているため、Ｘ線検出面２２Ａは複数のモジュールＢ１〜Ｂｍの個々の検出面の内側を辿る（内接する）ように形成されている。勿論、角度θ＝０°に設定してもよい。
【００２９】
この斜め配置の検出モジュールを有する検出器２２の構造及びその検出信号のサブピクセル法による処理は、例えば国際特許公報ＷＯ  ２０１２／０８６６４８Ａ１により知られている。
【００３０】
なお、図４における参照符号ＡＸｄは、検出器２２自身を自転（回転）させるときの中心軸である。
【００３１】
個々の検出モジュールＢ１（〜Ｂｍ）はＸ線を直接、電気パルス信号に変換する半導体材料で作成される。このため、検出器２２は、半導体による直接変換方式の光子計数型Ｘ線検出器である。
【００３２】
この検出器２２は、上述したように、複数の検出モジュールＢ１〜Ｂｍのアレイとして形成される。各検出モジュールＢｍは、周知のように、Ｘ線を検出する検出回路Ｃｐ（図５参照）と、その検出回路Ｃｐと一体に積層されたデータ計数回路５１ｎ（図５参照）を備える。検出回路Ｃｐは、検出モジュール毎に、Ｘ線を直接、電気信号に変換する半導体層と、この両面にそれぞれ積層させた荷電電極及び集電電極とを備える（図示せず）。荷電電極にＸ線を入射させる。荷電電極は共通の１枚の電極であり、荷電電極との間にバイアスの高電圧が印加される。半導体層及び集電電極は碁盤目状に分割され、この分割により、相互に一定の距離を置いて２次元アレイ状に配置される複数の小領域が形成される。これにより、荷電電極上に２次元状に配列された複数の、半導体セルＣ（図４，５参照）及び集電電極の積層体が形成される。この複数の積層体が、２次元の碁盤目状に配列された複数の画素Ｓｎを構成する。
【００３３】
この結果、複数の検出モジュールＢ１〜Ｂｍの全体によって、検出器２２に必要な所定領域を占める複数の画素Ｓｎ（ｎ＝１〜Ｎ）が形成される。この複数の画素Ｓｎが画素群Ｃｐを構成する（図５参照）。
【００３４】
検出モジュールＢ１〜Ｂｍそれぞれの画素数は４０×４０画素であり、各画素Ｓｎのサイズは例えば２００μｍ×２００μｍである。この画素サイズは、入射するＸ線を多数の光子の集まりとして検出可能な値に設定されている。各画素Ｓｎは、Ｘ線の各光子の入射に反応し、各光子が持つエネルギに応じた振幅の電気パルスを出力する。つまり、各画素Ｓｎは、その画素に入射するＸ線を直接、電気信号に変換することができる。
【００３５】
このため、検出器２２は、入射するコーンビーム状のＸ線を成す光子を、検出器２２の検出面を構成する画素Ｓｎ毎に計数して、その計数した値を反映させた電気量のデータを例えば３００ｆｐｓの高いフレームレートで出力する。このデータはフレームデータとも呼ばれる。
【００３６】
半導体層、すなわち半導体セルＣの半導体材料としては、テルル化カドミウム半導体（ＣｄＴｅ半導体）、カドミュームジンクテルライド半導体（ＣｄＺｎＴｅ半導体（ＣＺＴ半導体））、シリコン半導体（Ｓｉ半導体）、臭化タリューム（Ｔ１Ｂｒ）、ヨウ化水銀などが用いられる。なお、この半導体セルの代わりに、柱状に細分化し、光学的に各柱が遮光された構造を持つシンチレータ素材と、微細なアバランシェフォトダイオードの組合せで構成した光電変換器を組み合わせたセルで構成してもよい。
【００３７】
このため、半導体セルＣにＸ線が入射すると、セル内部に電荷（電子、正孔）が発生して、その電荷量に応じたパルス電流が流れる。このパルス電流は集電電極により検出される。この結果、電荷量はＸ線の光子のエネルギ値により変わる。このため、検出器２２は、その画素Ｓｎ毎に光子のエネルギ値に応じた電気パルス信号を出力する。
【００３８】
この検出器２２は更に、半導体セルＣのそれぞれ、すなわち、複数の画素Ｓｎそれぞれの出力側にデータ計数回路５１ｎ（ｎ＝１〜Ｎ）を備える。ここで、画素Ｓｎのそれぞれ、すなわち半導体セルＣのそれぞれから各データ計数回路５１１（〜５１Ｎ）に至る経路を、必要に応じて、収集チャンネルＣＮｎ（ｎ＝１〜Ｎ）と呼ぶ（図５参照）。
【００３９】
なお、この半導体セルＣの群の構造は、特開２０００−６９３６９号公報、特開２００４−３２５１８３号公報、特開２００６−１０１９２６号公報によっても知られている。
【００４０】
ところで、前述した各画素Ｓｎのサイズ（２００μｍ×２００μｍ）は、Ｘ線を光子（粒子）として検出することが可能な十分小さい値になっている。本実施形態において、Ｘ線をその粒子として検出可能なサイズとは、「放射線（例えばＸ線）粒子が同一位置又はその近傍に複数個連続して入射したときの各入射に応答した電気パルス間の重畳現象（パイルアップとも呼ばれる）の発生を実質的に無視可能な又はその量が予測可能なサイズ」であると定義される。
【００４１】
しかしながら、このような画素サイズを以ってしても、重畳現象の発生を全て回避できる訳でない。２つ或いはそれ以上の電気パルスが共に同一画素において観測される場合でも、時間的に互いに分離していれば、重畳現象が起きない。これに対し、２つ或いはそれ以上の電気パルスが共に同一画素において時間的に分離し難い場合、重畳現象が起きて、２つの電気パルスが重なって波高値が高くなった１つの電気パルスとして観測される。
【００４２】
この重畳現象が発生すると、Ｘ線粒子の「入射数対実際の計数値」の特性にＸ線粒子の数え落とし（パイルアップカウントロスとも呼ばれる）が発生する。このため、Ｘ線検出器１２に形成する画素Ｓｎのサイズは、この数え落としが発生しない又は実質的に発生しないとみなせる大きさに、又は、数え落し量が推定できる程度に設定されている。
【００４３】
続いて、図５を用いて、検出器２２に電気的に繋がる回路を説明する。複数のデータ計数回路５１ｎ（ｎ＝１〜Ｎ）のそれぞれは、各半導体セルＣから出力されたアナログ量の電気信号を受けるチャージアンプ５２を有し、このチャージアンプ５２の後段に、波形整形回路５３、多段の比較器５４ｉ（ここではｉ＝１〜４）、多段のカウンタ５６ｉ（ここではｉ＝１〜４）、多段のＤ／Ａ変換器５７ｉ（ここではｉ＝１〜４）、ラッチ回路５８、及びシリアル変換器５９を備える。
【００４４】
各チャージアンプ５２は、各半導体セルＳの各集電電極に接続され、Ｘ線粒子の入射に応答して集電される電荷をチャージアップして電気量のパルス信号として出力する。このチャージアンプ５２の出力端は、ゲイン及びオフセットが調整可能な波形整形回路５３に接続されており、検知したパルス信号の波形を、予め調整されているゲイン及びオフセットで処理して波形整形する。この波形整形回路５３のゲイン及びオフセットは、半導体セルＣから成る画素Ｓｎ毎の電荷チャージ特性に対する不均一性と各回路特性のバラツキを考慮して、キャリブレーションされる。これにより、不均一性を排除した波形整形信号の出力とそれに対する相対的な閾値の設定精度とを上げることができる。この結果、各画素Ｓｎに対応した、即ち、各収集チャンネルＣＮｎの波形整形回路５３から出力された波形整形済みのパルス信号は実質的に入射するＸ線粒子のエネルギ値を反映した特性を有する。したがって、収集チャンネルＣＮｎ間のばらつきは大幅に改善される。
【００４５】
この波形整形回路５３の出力端は、複数の比較器５４１〜５４４の比較入力端にそれぞれ接続されている。この複数の比較器５４１〜５４４それぞれの基準入力端には、図５に示す如くそれぞれ値が異なるアナログ量の閾値（電圧値）ｔｈｉ（ここではｉ＝１〜４）が印加されている。これにより、１つのパルス信号と異なるアナログ量閾値ｔｈ１〜ｔｈ４のそれぞれとを比較することができる。図６に、１つのＸ線光子の入力に応じて生起されるパルス電圧の波高値（エネルギを表す）とそれらの閾値ｔｈ１〜ｔｈ４との大小関係（ｔｈ１＜ｔｈ２＜ｔｈ３＜ｔｈ４）模式的に示す。
【００４６】
この比較の理由は、入射したＸ線粒子のエネルギ値が、事前に複数に分けて設定したエネルギ領域のうちのどの領域に入るのか（弁別）について調べるためである。パルス信号の波高値（つまり、入射するＸ線光子のエネルギ値を表す）がアナログ量閾値ｔｈ１〜ｔｈ４のどの値を超えているかについて判断される。これにより、弁別されるエネルギ領域が異なる。なお、最も低いアナログ量閾値ｔｈ１は、通常、外乱や、半導体セルＳ、チャージアンプ４２などの回路に起因するノイズ、或いは、画像化に必要のない低エネルギの放射線を検出しないようにするための閾値として設定される。また、閾値の数、すなわち比較器の数は、必ずしも４個に限定されず、上記アナログ量閾値ｔｈ１の分を含めて３個、又は、５個以上であってもよい。
【００４７】
上述したアナログ量閾値ｔｈ１〜ｔｈ４は、具体的には、コンソール１７のキャリブレーション演算器３８からインターフェース３２を介してデジタル値で画素Ｓｎ毎、即ち収集チャンネル毎に与えられる。このため、比較器５４１〜５４４それぞれの基準入力端は４つのＤ／Ａ変換器５７１〜５７４の出力端にそれぞれ接続されている。このＤ／Ａ変換器５７１〜５７４はラッチ回路５８を介して閾値受信端Ｔ１（〜ＴＮ）に接続され、この閾値受信端Ｔ１（〜ＴＮ）がコンソール１７のインターフェース３２に接続されている。
【００４８】
ラッチ回路５８は、撮像時に、閾値付与器４０からインターフェース３１及び閾値受信端Ｔ１（〜ＴＮ）を介して与えられたデジタル量の閾値ｔｈ１´〜ｔｈ４´をラッチし、対応するＤ／Ａ変換器５７１〜５７４にそれぞれ出力される。このため、Ｄ／Ａ変換器５７１〜５７４は指令されたアナログ量の閾値ｔｈ１〜ｔｈ４を電圧量として比較器５４１〜５４４それぞれに与えることができる。各収集チャンネルＣＮｎは、Ｄ／Ａ変換器５７ｉ（ｉ＝１〜４）から比較器５４ｉ（ｉ＝１〜４）を介してカウンタ５６ｉ（ｉ＝１〜４）に至る１つ又は複数の回路系につながっている。この回路系を「弁別回路」ＤＳｉ（ｉ＝１〜４）と呼ぶ。
【００４９】
図７に、このアナログ量閾値ｔｈｉ（ｉ＝１〜４）に相当するエネルギ閾値ＴＨｉ（ｉ＝１〜４）の設定例を示す。このエネルギ閾値ＴＨｉ（ｉ＝１〜４）は勿論、離散的に設定されるとともに、ユーザが任意の値に設定可能な弁別値である。なお、図７は、Ｘ線管２１の陽極材に適宜な材料を用いたときのＸ線スペクトルを模式的に示す。横軸はＸ線管２１の管電圧に依存するＸ線エネルギを示すと共に、縦軸はＸ線光子の入射頻度を示す。この入射頻度はＸ線光子の計数値（カウント）又は強度を代表するファクタである。
【００５０】
アナログ量閾値ｔｈｉは、各弁別回路ＤＳｉにおいて比較器５４ｉに与えるアナログ電圧であり、エネルギ閾値ＴＨｉはエネルギスペクトラムのＸ線エネルギ（keV）を弁別するアナログ値である。図７に示す連続スペクトルに対して、第１のアナログ量閾値ｔｈ１を、Ｘ線光子数を計数不要領域（計数に意味のあるＸ線情報がなく、かつ回路ノイズが混在する領域）と低目の第１のエネルギ領域ＥＲ１とを弁別可能なエネルギ閾値ＴＨ１に対応して設定する。また、第２及び第３のアナログ量閾値ｔｈ２、ｔｈ３を、第１のエネルギ閾値ＴＨ１より高い、第２、第３のエネルギ閾値ＴＨ２，ＴＨ３を順に供するように設定している。さらに、第４のエネルギ閾値ＴＨ４はエネルギスペクトラムにおける、重畳現象が無ければＸ光子の計数値＝０となる、Ｘ線管への印加電圧に等しいエネルギ値に設定されている。ここで、第４のエネルギ閾値ＴＨ４を、画素Ｓｎ毎に、計数値＝０となるエネルギ値に合わせていることは重要な特徴の一つである。
【００５１】
これにより、エネルギスペクトラムの特性や設計値に基づいた適宜な弁別点が規定され、エネルギ領域ＥＲ１〜ＥＲ４が設定される。
【００５２】
また、これらのエネルギ閾値ＴＨｉは、基準となる一つ以上の被写体を想定し、エネルギ領域毎の所定時間の計数値が概略一定になるように決定される。
【００５３】
このため、比較器５４１〜５４３の出力端は、図５に示すように、複数のカウンタ５６１〜５６４の入力端にそれぞれ接続されている。
【００５４】
カウンタ５６１〜５６４のそれぞれは、比較器５４１〜５４３の出力（パルス）がオンなる度にカウントアップを行う。これにより、各カウンタ５６１（〜５６４）が担当するエネルギ領域ＥＲ１（〜ＥＲ４）に弁別されるエネルギ値以上のエネルギを持つＸ線光子数を一定時間毎の累積値Ｗ１´（〜Ｗ４´）として画素Ｓｎ毎に計数することができる。
【００５５】
具体的には、この計数動作は、４つの比較器５４１〜５４４に入力する検出電圧Ｖｄｅｃ（光子の検出エネルギ値）と閾値ｔｈ１〜ｔｈ４との関係により決まる。つまり、検出電圧Ｖｄｅｃ＜ｔｈ１〜ｔｈ４のときには、全ての比較器５４１〜５４４の出力＝オフとなる。すなわち、その画素Ｓｎの出力＝０となる。これにより、入力エネルギの計数限界として定めたエネルギ閾値ＴＨ１よりも小さいノイズ成分は計数されない。このノイズ成分は、図７の計数不能領域ＥＲｘに属するエネルギ値の信号に相当する。
【００５６】
しかしながら、検出電圧Ｖｄｅｃが最小の閾値ｔｈ１を超える場合（Ｖｄｅｃ≧ｔｈ１）、光子数は計数される。それらの関係がＶｄｅｃ≧ｔｈ１あれば、全ての比較器５４１〜５４４の出力がオンとなる。つまり、全てのカウンタ５６１〜５６４の計数値Ｗ１´〜Ｗ４´がカウントアップされる。
【００５７】
Ｖｄｅｃ≧ｔｈ２の関係になれば、２段目以降の３つの比較器５４２〜５４４の出力がオンとなる。これにより、３つのカウンタ５６２〜５６４の計数値Ｗ２´〜Ｗ４´がカウントアップされる。Ｖｄｅｃ≧ｔｈ３の関係になれば、３段目及び４段目の比較器５４３、５４４の出力がオンとなる。これにより、２つのカウンタ５６３、５６４の計数値Ｗ３´、Ｗ４´がカウントアップされる。
【００５８】
さらに、Ｖｄｅｃ≧ｔｈ４の関係になれば、４段目の比較器５４４のみの出力がオンになって、４段目のカウンタ５６４の計数値Ｗ４´のみがカウントアップされる。この場合、その入力に関わる光子のエネルギ値はイメージングや計数には適さない、第３の高いエネルギ領域ＥＲ３を超える領域ＥＲ４に属するノイズ成分、外乱などである。その一方で、この計数値Ｗ４´は重畳現象を起こした光子や同時に入射した光子を推定したり除外したりするための情報として使用することができる。
【００５９】
このように本実施形態では、カウンタ５６１〜５６４は、それぞれ、自己が計数担当するべきエネルギ領域ＥＲ１（〜ＥＲ４）及びそれを超えるエネルギを持つ光子数をカウントする。このため、第１〜第４のエネルギ領域ＥＲ１〜ＥＲ４それぞれに属するエネルギを持つＸ線光子数、つまり、エネルギ領域毎の求めたいＸ線光子数をＷ１、Ｗ２、Ｗ３，Ｗ４とすると、カウンタ５６１〜５６４の計数値Ｗ１´、Ｗ２´、Ｗ３´、Ｗ４´との関係は、
Ｗ１＝Ｗ１´−Ｗ２´
Ｗ２＝Ｗ２´−Ｗ３´
Ｗ３＝Ｗ３´−Ｗ４´
となる。なお、Ｗ４＝Ｗ４´は重畳現象に因る、意味の無い（つまり、Ｘ線光子が持つエネルギ領域を特定できない）情報であるので演算されない。
【００６０】
そこで、真に求めたい計数値Ｗ１〜Ｗ４は、後述するデータプロセッサで上式に基づく減算処理に求める。なお、理想的には、Ｗ４＝Ｗ４´＝０である。
【００６１】
このように、本実施形態にあっては、第１〜第４のエネルギ領域ＥＲ１〜ＥＲ４それぞれに属するＸ線光子数Ｗ１〜Ｗ４は、実際の計数値Ｗ１´〜Ｗ４´から演算（減算）によって求める。このため、比較器５４１〜５４４の出力のオン、オフの組合せから、今の事象、すなわちＸ線光子の入射がどのエネルギ領域ＥＲ１〜ＥＲ４に属するかを解読する回路が不要になる。これにより、検出器２２のデータ計数回路５１ｎに実装する回路構成が簡単化される。
【００６２】
なお、本願に係るＸ線光子数のエネルギ領域毎の「収集」の意味には、上述のように実際の計数値から「演算によって求める」という意味と、後述する変形例のようにエネルギ領域毎のＸ線光子数を直接的に「計数する」という両方の意味が含まれる。
【００６３】
上述したカウンタ５６１〜５６４にはコンソール１７の後述するコントローラからスタート・ストップ端子Ｔ２を介して起動及び停止の信号が与えられる。一定時間の計数は、カウンタ自身が有するリセット回路を使って外部から管理される。
【００６４】
このようにして、リセットされるまでの一定時間の間に、複数のカウンタ５６１〜５６４により、検出器２２に入射したＸ線の光子数が、画素Ｓｎ毎に計数される。このＸ線の光子数の計数値Ｗｋ´（ｋ＝１〜４）は、カウンタ５６１〜５６４のそれぞれからデジタル量の計数値として並列に出力された後、シリアル変換器５９によりシリアルフォーマットに変換される。このシリアル変換器５９１は残り全ての収集チャンネルのシリアル変換器５９２〜５９Ｎとシリアルに接続されている。このため、全てのデジタル量の計数値は、最後のチャンネルのシリアル変換器５９Ｎからシリアルに出力され、送信端Ｔ３を介してコンソール１７に送られる。
【００６５】
コンソール１７では、インターフェース３１がそれらの計数値を受信して後述する記憶部に格納する。
【００６６】
なお、本実施形態では、上述したＮ個の画素Ｓｎに対応した半導体セルＣ及びデータ計数回路５１ｎはＡＳＩＣ(Application Specific Integrated Circuit)によりＣＭＯＳで一体に構成されている。勿論、このデータ計数回路５１ｎは、半導体セルＣの群とは互いに別体の回路又はデバイスとして構成してもよい。
【００６７】
またなお、上記実施形態において、複数の検出モジュールＢ１〜Ｂｍは、柱状に加工された複数のシンチレータを束ねたシンチレーターアレイと、前記シンチレーターアレイと光学的に接続され、当該シンチレータから入射する光を受ける受光面に複数のアバランシェフォトダイオードを実装し、かつ当該受光面の前記セルに相当する所定サイズの矩形領域毎に当該領域に属する当該アバランシェフォトダイオードをクエンチング要素で電気的に接続した構成を有するシリコンフォトマルティプライヤーと、を備えていてもよい。
【００６８】
また、シンチレータの材料はＬＦＳ（ケイ酸ルテチウム）、ＧＡＧＧ：Ｃｅ（ガドリニウムアルミニウムガリウムガーネット）、ＬｕＡＧ：Ｐｒ（プラセオジム添加ルテチウム・アルミニウム・ガーネット）、あるいは当該ＬｕＡＧ：Ｐｒに同等の減衰時間、発光量、比重を有する材料であってもよい。
【００６９】
コンソール１７は、図８に示すように、信号の入出力を担うインターフェース（Ｉ／Ｆ）３１を備え、このインターフェース３１にバス３２を介して通信可能に接続されたコントローラ３３、第１の記憶部３４、データプロセッサ３５、表示器３６、入力器３７、キャリブレーション演算器３８、第２の記憶部３９、第１〜第４のＲＯＭ４０Ａ〜４０Ｄ、及び閾値付与器４１を備えている。
【００７０】
コントローラ３３は、第１のＲＯＭ４０Ａに予め与えられたプログラムに沿ってパノラマ撮像装置１の駆動を制御する。この制御には、Ｘ線管２１に高電圧を供給する高電圧発生装置４２への指令値の送出、スリット２３の開口面積を変更するために開口駆動部２３Ｄへの指令値の送出、及び、キャリブレーション演算器３８への駆動指令も含まれる。第１の記憶部３４は、検出器２２からインターフェース３１を介して送られてきた計数値であるフレームデータ、及び、作成した画像データを保管する。
【００７１】
データプロセッサ３５は、コントローラ３３の管理の下に、第２のＲＯＭ４０Ｂに予め与えられたプログラムに基づいて動作する。パノラマ撮影のときに、データプロセッサ３５は、その動作により、第１の記憶部３４に保管されたフレームデータに、公知のシフト・アンド・アッド（shift and add）と呼ばれる演算法に基づくトモシンセシス法を実施する。これにより、被験者Ｐの口腔部のある断層面のパノラマ画像が得られる。
【００７２】
加えて、データプロセッサ３５は、後述するように、検出器２２から出力されて第１の記憶部３４に保存されているフレームデータに施す前処理も実行する。
【００７３】
表示器３６は、作成される画像の表示や、装置の動作状況を示す情報及び入力器３７を介して与えられるオペレータの操作情報の表示を担う。入力器３７は、オペレータが撮像に必要な情報を装置に与えるために使用される。
【００７４】
また、キャリブレーション演算器３８は、コントローラ３３の管理の下に、第３のＲＯＭ４０Ｃに予め内蔵されているプログラムの下で動作し、データ計数回路における画素Ｓｎ毎のエネルギ弁別回路毎に与える、Ｘ線エネルギ弁別のためのデジタル量の閾値をキャリブレーションする。
【００７５】
閾値付与器４１は、コントローラ３３の制御の下で、撮像時に第２の記憶部３９に格納されているデジタル量の閾値を画素毎に且つ弁別回路毎に呼び出して、その閾値を指令値としてインターフェース３１を介して検出器２２に送信する。この処理を実行するため、閾値付与器４１は第４のＲＯＭ４０Ｄに予め格納されたプログラムを実行する。
【００７６】
コントローラ３３、データプロセッサ３５、キャリブレーション演算器３８、閾値付与器４１は共に、与えられたプログラムで稼動するＣＰＵ（中央処理装置）を備えている。それらのプログラムは、第１〜第４のＲＯＭ４０Ａ〜４０Ｄのそれぞれに事前に格納されている。
【００７７】
また、本実施形態では、国際公開公報WO2011/142343（国際出願番号PCT/JP2011/060731）により知られるように、ファントムを使って撮像空間ＩＳの構造が解析され、検出器２２の収集チャンネルＣＮｎがキャリブレートされる。このキャリブレーションは撮像前、保守点検時などの適宜なタイミングで実行される。
【００７８】
具体的には、パノラマ撮像装置１の撮像空間ＩＳに、予め定めた標準断層面に位置付けられ且つ既知の位置情報をＸ線で画像化可能なマーカを有するファントム（図示せず）が配置される。Ｘ線官２１からのＸ線の透過データが検出器２２で収集され、パノラマ画像が作成される。マーカの既知の位置情報とパノラマ画像上のマーカ位置情報から、Ｘ線管２１と検出器２２の間の距離情報及び検出器に対するＸ線管の高さ情報が演算される。この演算結果と収集データから、Ｘ線管及び検出器を結ぶラインの位置変化量を加味した、Ｘ線管、検出器、及び断層面の位置関係を規定する各種のパラメータが演算される。これにより３Ｄ画像再構成に必要なパラメータがキャリブレーションされる。このため、撮像空間ＩＳの構造を３次元的に把握することで、投影方向が３次元的に表現できる。従って、パノラマ画像の焦点が合っている限りは、３次元表現された画像に歪が生じず又は歪が少なく、正確なパノラマ撮影画像を構築することができる。
【００７９】
次いで、このパノラマ撮像装置１に特徴的な撮像系のスキャン及びそのスキャンによって収集されるフレームデータの処理について説明する。
【００８０】
このパノラマ撮像装置１では、フレームデータにトモシンセシス法を適用してパノラマ画像を再構成する前の段階で、検出器２２から出力されたフレームデータを再構成の処理に渡すための前処理が実行される。この前処理は、撮像空間ＩＳに予め設定した仮想軌道に沿って検出器２２が回転すると仮定し、検出器２２が収集したフレームデータを、Ｘ線官２１の焦点ＦＰからその仮定した仮想軌道までの距離に応じて投影し、その投影したフレームデータをメモリ領域Ｍ（図８参照）にマッピングする。これにより、検出器２２があたかも仮想軌道に沿ってＸ線管２１と対向しながら回転していると仮定できる。
【００８１】
この仮想軌道Ｔｍａｘを図９に示す。同図において、馬蹄形のラインＳＳは被検体Ｐの顎部ＪＷにある歯列ＴＲに沿って予め設定されている３Ｄ基準断層面ＳＳのＹＺ面へ投影した軌跡を示す。この３Ｄ基準断層面ＳＳの面自体は２次元であるが、統計的に標準とされる歯列ＴＲに沿った断層面（断面）であるので、３次元的に広がって存在している。同様に、円状のラインＣＳは顎部の奥にある頸椎のＹＺ面へ投影した軌跡を模式的に示す。なお、基準断層面ＳＳは、被験者が大人や子供など顎部のサイズに差があることを考慮し、相似な馬蹄形であるがサイズの異なる複数種のものが用意され、この中から適宜なサイズの断層面が選択されることが望ましい。
【００８２】
また、図９において、回転角θの範囲が１８０°強である軌道Ｔｘは、機械的な回転中心Ｏを中心に半径Ｄｘで描かれたＸ線管２１の機械的実軌道である。同様に回転角θの範囲が１８０°強である、別の軌道Ｔｄは同じ機械的な回転中心Ｏを中心に同心円状に半径Ｄｄ（＜Ｄｘ）で描かれた検出器２２の機械的実軌道である。この両軌道Ｔｘ、Ｔｄは前述した図３の同一であり、両デバイス２１，２２の回転軸ＡＸｓ、ＡＸｄの部分が描く軌道であることは既に述べた通りである。Ｘ線管２１及び検出器２２は、この機械的な回転中心Ｏを挟んで互いに対向している両軌道Ｔｘ、Ｔｄ上を互いに別々のパターンの回転速度で移動しながら、Ｘ線管２１が照射し且つ顎部を透過したファン状のＸ線ビームを検出器２２が検出する。
【００８３】
上述した仮想軌道Ｔｍａｘは、本実施形態では、上述した３Ｄ基準断層面ＳＳを透過する様々な角度のＸ線ビームＸＢのパスを使って作成される。これを図１０で説明する。同図には、歯列ＴＲに設定した３Ｄ基準断層面ＳＳと、障害陰影となる頸椎ＣＳの写り込みを回避するように定めたＸ線ビームＸＢのパスとが回転角度θの所定値毎に示されている。Ｘ線管２１及び検出器２２は、この断面ＳＳに焦点化するように、互いに独立して軌道Ｔｘ、Ｔｄに沿って回転させられる。
【００８４】
この軌道Ｔｘ、Ｔｄのそれぞれと機械的な回転中心Ｏとの間の距離、すなわち径Ｄｘ，Ｄｄを足した長さ「Ｄｘ＋Ｄｄ」はＸ線管２１と検出器２２が互いに最も離間した距離Ｒｍａｘになる。これを以下、「最離間距離Ｒｍａｘ」と呼ぶ。図１０から判るように、Ｘ線ビームＸＢのパスは必ずしも機械的回転中心Ｏを通らない、むしろ頸椎ＣＳをなるべく回避しようするため殆どのパスは機械的回転中心Ｏを通らない。機械的回転中心Ｏを通るのは、回転角度θ＝０°のパスだけである。回転角度θの上限は±α°（例えばα＝１１５°）である、この上限値±α°の付近でパスは機械的回転中心Ｏに接近している。
【００８５】
さらに、この機械的回転中心Ｏを通るパス以外のパスの場合、Ｘ線管２１と検出器２２の間の距離（以下、「管−検出器間距離」は最離間距離Ｒｍａｘよりも小さい。この管−検出器間距離としては、最離間距離Ｒｍａｘ以外では、Ｘ線管２１と検出器２２の間の距離が最も小さい距離Ｒｍｉｎ(以下、これを「最近接距離Ｒｍｉｎと呼ぶ」、及び、その相互間の距離を最離間距離Ｒｍａｘと最近接距離Ｒｍｉｎとの間で適宜に定めた距離（以下、これを「中間距離Ｒｉｎｔ」が典型的な指標になる。
【００８６】
つまり、管−検出器間距離は、３通りの距離、すなわち最離間距離Ｒｍａｘ、
最近接距離Ｒｍｉｎ、及び、中間距離Ｒｉｎｔの中から選択できる。
【００８７】
このうち、最離間距離Ｒｍａｘを選択する場合、図１０に示すように、各回転角度θのＸ線ビームＸＢのパスにおいてＸ線管２１の機械的実軌道Ｔｘから距離「Ｄｘ＋Ｄｄ」を設定する。これにより、図９に示すように、撮像空間ＩＳには、検出器２２の機械的実軌道Ｔｄの外側に、同軌道Ｔｄを外側に膨らませた膨らみを持ち且つ回転角θ＝０°において検出器２２の機械的実軌道Ｔｄに一致する、仮想的な最離間軌道Ｔｍａｘが設定される。
【００８８】
本実施形態では、実際の検出器２２がその仮想的な最離間軌道Ｔｍａｘに沿って移動するとして、検出器２２から出力されたフレームデータを最離間軌道Ｔｍａｘ上の位置、すなわちＸ線管２１からその同軌道Ｔｍａｘ上の位置までの距離に応じてメモリ領域Ｍにマッピングする。このマッピングは様々な態様で実行できる。
メモリ領域Ｍの領域は、例えば第１の記憶部３４に確保されている（図８参照）。
【００８９】
データプロセッサ３５は、検出器２２からインターフェース３１を介して所定間隔で収集されるフレームデータを一度、第１の記憶部３４の所定記憶領域に一時保管する。次いで、データプロセッサ３５は、例えばスキャンによる全部のデータ収集後に又はスキャン中にマッピングの指令を受けると、第１の記憶部３４の所定記憶領域に保存されているフレームデータを、Ｘ線管２１から最離間軌道Ｔｍａｘの各位置までの距離に応じて、メモリ領域Ｍにマッピングする。したがって、このマッピングは、一度収集したフレームデータを上記距離の位置に投影するという意味合いを持つ。このため、メモリ領域Ｍのサイズは、検出器２２の検出面２２Ａのサイズとそこに入射するＸ線ビームＸＢの照射野の大きさとの大小関係にも依存する。このマッピングは、フレームデータの収集タイミング(例えば３００ｆｐｓ)の都度、すなわちそのタイミングに相当するＸ線ビームＸＢの回転角度毎に実行される。
【００９０】
このため、メモリ領域Ｍにマッピングされたフレームデータは、検出器２２が仮想的に最離間軌道Ｔｍａｘ上に位置した状態で透過Ｘ線を検出したものと見做すことができる。
【００９１】
なお、このメモリ領域Ｍへのフレームデータのマッピングは、後述するように、スキャン後（フレームデータの収集後）であってパノラマ画像の再構成前に行ってもよい。また、特に図示しないが、そのマッピングをスキャンと併行して実行してもよい。これにより、全体の撮影時間の短縮につながる。
【００９２】
図１１〜図１４を参照して、スリット２３の開口面積の制御とＸ線ビームＸＢの照射野との関係を説明する。なお、これらの図において、仮想線で示す符号２２min, ２２int, ２２maxは検出器２２が最近接距離Ｒｍｉｎ、中間距離Ｒｉｎｔ、及び、最離間距離Ｒｍａｘに位置していることを示す。
【００９３】
スリット２３の開口面積を制御するには、その開口面積を固定値に設定するか、可変制御するかという２通りの制御法がある。前者は図１１〜図１３に模式的に示されている。後者は、図１４に模式的に示されている。これらの図１１〜１４から判るように、検出器２２が実際に配置されている軌道Ｔｄ上の位置は、回転角度θの変化に伴って、最離間距離Ｒｍａｘと最近接距離Ｒｍｉｎとの間で変化する。Ｘ線管２１から最も離れたときに最近接距離Ｒｍｉｎの位置を採り、Ｘ線管２１に最も接近したときに最近接距離Ｒｍｉｎの位置を採る。
【００９４】
図１１に示すスリット制御モード１の場合、検出器２２の検出面２２Ａが仮想的に最離間距離Ｒｍａｘに在るとしたときに、スリット２３の長方形状の開口の横幅がその仮想的な最離間距離Ｒｍａｘに在る検出面２２Ａの横方向の幅と一致する固定値に設定される。この横方向とは、検出面２２Ａの長手方向に直交する短手方向（図４におけるＹ軸方向）である。この場合、被検体Ｐの顎部ＪＷを通過するファン状Ｘ線ビームＸＢの幅は、そのビームの伝搬方向の何れの位置においても実際の検出面２２Ａの横幅より狭い。このため、被検体Ｐへの余分なＸ線被ばくがない。また、メモリ領域Ｍに仮想的にマッピングするときに必要な記憶領域のサイズは検出器２２の検出面２２Ａの画素サイズと一致する。勿論、スリット２３の開口の縦方向の長さも横幅と同様に固定値で制御してもよい。
【００９５】
図１２に示すスリット制御モード２の場合、検出器２２の検出面２２Ａが仮想的に最近接距離Ｒｍｉｎに在るとしたときに、スリット２３の開口の横幅がその仮想的な最近接距離Ｒｍｉｎに在る検出面２２Ａの横方向の幅と一致する固定値に設定される。この場合、被検体Ｐの顎部ＪＷを通過するファン状Ｘ線ビームＸＢの幅は、最近接距離Ｒｍｉｎの位置において実際の検出面２２Ａの横幅と一致する。しかし、Ｘ線ビームＸＢの照射野はそれ以外のビーム伝搬方向の位置において実際の検出面２２Ａの横幅より大きくなるものの、照射野が広がる分、断層効果が増して感度が上がる。勿論、スリット２３の開口の縦方向の長さも横幅と同様に固定値で制御してもよい。
【００９６】
図１３に示すスリット制御モード３の場合、検出器２２の検出面２２Ａが仮想的に中間距離Ｒｉｎｔに在るとしたときに、スリット２３の開口の横幅がその仮想的な中間距離Ｒｉｎｔに在る検出面２２Ａの横方向の幅と一致する固定値に設定されている。この場合、被検体Ｐの顎部ＪＷを通過するファン状Ｘ線ビームＸＢの幅は、中間距離Ｒｉｎｔの位置において実際の検出面２２Ａの横幅と一致する。しかし、Ｘ線ビームＸＢの照射野はそれ以外のビーム伝搬方向の位置において実際の検出面２２Ａの横幅より大きいか（中間距離Ｒｉｎｔよりも大きい距離の位置）又は小さい（中間距離Ｒｉｎｔよりも大きい距離の位置）。この場合、上述した制御モード１，２の利点、すなわちＸ線被ばくの程度及び感度向上のバランスさせることができる。勿論、スリット２３の開口の縦方向の長さも横幅と同様に固定値で制御してもよい。
【００９７】
さらに、図１４に示すスリット制御モード４の場合、Ｘ線ビームＸＢがどの回転角θを採っている場合でも、スリット２３の開口の横幅及び縦方向の長さ、すなわち開口の面積が、検出器２２の検出面２２Ａの横方向及び縦方向の幅と一致するように制御される。このためには、各回転角θにおけるＸ線ビームＸＢのパスに沿った管−検出器間距離の情報が予め例えば第１のＲＯＭ４０Ａに予め保存されている。コントローラ３３は、この距離情報に基づいて開口駆動部２３Ｄを制御し、その開口面積ＡＲ（図１４参照）を制御する。
【００９８】
この第４のスリット制御モードの場合、管−検出器間距離が変化しても、検出器２２に入射するＸビームＸＢの照射野は常に検出面２２Ａのエッジとほぼ同一である。このため、Ｘ線が検出面２２Ａの外側には照射されない。したがって、患者への余分なＸ線被ばくも極力低減される。また、Ｘ線器２２が出力するフレームデータは常にその検出面２２Ａの全体で検出したデータである。このため、検出器２２の検出性能が常に一定でかつ最大限に発揮され、感度の良い検出が行われる。
【００９９】
次に、本実施形態において、コントローラ３３とデータプロセッサ３５が協働して実行される画像再構成の処理を図１５のフローチャートに基づいて説明する。
【０１００】
コントローラ３３は、図１５のステップＳ１にて、例えば被験者Ｐの顎部ＪＷを撮像部位してパノラマ撮像（撮影）を行うと判断すると、スリット２３の開口のサイズを固定してパノラマ撮像を行うのか否か判断する（ステップＳ２）。
【０１０１】
この判断はオペレータとの間でインターラクティブに行ってもよいし、デフォルトで設定しておいてもよい。スリットの開口サイズを固定してパノラマ撮像を行う場合（ステップＳ２でＹＥＳ）、その開口サイズの固定値の選択を行う（ステップＳ３）。この選択もオペレータとの間でインターラクティブに行ってもよい。
【０１０２】
この選択のオプションとして、前述したスリット制御モード１，２，３の何れかがある。スリット制御モード１の場合には、各回転角θの如何に関わらず、Ｘ線ビームＸＢの照射野と常に最離間距離Ｒｍａｘに位置すると仮定した検出器２２ｍａｘの検出面２２Ａの面積とが一致するようにスリット２３の開口が絞られる。この開口値は固定値であり、開口の横幅、又は、横幅及び縦方向の長さの何れかである。
【０１０３】
スリット制御モード２の場合には、各回転角θの如何に関わらず、Ｘ線ビームＸＢの照射野と常に最近接距離Ｒｍｉｎに位置すると仮定した検出器２２ｍｉｎの検出面２２Ａの面積とが一致するようにスリット２３の開口が絞られる。この開口値は固定値であり、開口の横幅、又は、横幅及び縦方向の長さの何れかである。
【０１０４】
さらに、スリット制御モード３の場合には、各回転角θの如何に関わらず、Ｘ線ビームＸＢの照射野と常に中間距離Ｒｉｎｔに位置すると仮定した検出器２２ｉｎｔの検出面２２Ａの面積とが一致するようにスリット２３の開口が絞られる。この開口値は固定値であり、開口の横幅、又は、横幅及び縦方向の長さの何れかである。
【０１０５】
一方、ステップＳ２にてＮＯの判断、すなわち、スリット２３の開口面積を回転角θに応じて変えながらパノラマ撮像を行うと判断した場合、コントローラ３３は第１のＲＯＭ４０Ａに予め保存していた、Ｘ線ビームＸＢのパス毎（回転角θ毎）の管−検出器間距離のデータを読み出し（ステップＳ４）。この読みだしたデータに基づいて、かかるパス毎の開口面積を達成するためのスリット２３の板材の移動情報を設定する（ステップＳ５）。この開口可変制御ではスリット２３の開口の縦横のサイズを変更するが、横幅のみの制御であってもよい。
【０１０６】
このようにスリット２３の開口制御の情報が揃うと、コントローラ３３はスキャンを開始するか否か判断する（ステップＳ６）。スキャン指令が発せられると（ステップＳ６、ＹＥＳ）、前述したように、アーム１５Ａ，１６Ｂを回転及び自転させながら、かつ、フレームデータの収集周期に相当する、Ｘ線ビームのパス毎に固定又は可変で制御されるスリット開口面積の下で（ステップＳ７Ａ）、Ｘ線ビームによる顎部ＪＷのスキャンが実行される（ステップＳ７）。これにより検出器２２が検出したフレームデータが上記収集周期で収集する。この収集したフレームデータは第１の記憶部３４に一時的に保存される。
【０１０７】
なお、本実施形態では、スキャン前の適宜なタイミングで、国際公開公報ＷＯ２０１１／１４２３４３（国際出願番号ＰＣＴ／ＪＰ２０１１／０６０７３１）により知られるように、ファントムを使って撮像空間ＩＳの構造が解析される。これにより、画像再構成のためのゲイン及び検出器２２の収集チャンネルＣＮｎがキャリブレートされている。
【０１０８】
次いで、コントローラはパノラマ画像を再構成するか否かを例えばオペレータとの間でインターラクティブに判断する（ステップＳ８）。再構成しない場合、再構成指令が出るまで待機するが、待機しないで処理を終えてもよい。再構成すると判断した場合、その処理はデータプロセッサ３５に渡される。
【０１０９】
データプロセッサ３５は、再構成前の前処理として、前述したように、仮想軌道（＝最離間軌道）Ｔｍａｘに検出器２２の仮想的に置いたと仮定して、第１の記憶部３４に一時保管されているフレームデータを、その特定のメモリ領域Ｍにマッピングする（ステップＳ８）。このマッピングは、所定の収集周期（例えば３００ｆｐｓ）で収集されたフレームデータ全てについて実行される。
【０１１０】
この状態を１６図に模式的に示す。同図に示すように、スリット制御モード１〜４に応じて、スリット２３で絞られるＸ線ビームＸＢの、検出器２２の検出面２２Ａ上の照射野の大きさと、その検出面２２Ａの大きさとが異なる。すなわち、検出面２２Ａの全ての画素ＳｎがＸ線を検出する場合もあれば、検出面２２Ａの最大面積よりも小さい矩形状のエリアに属する画素ＳｎのみがＸ線を検出する場合もある。このため、メモリ領域Ｍのサイズは適宜に可変できるようになっている。
【０１１１】
なお、このマッピングの際、サブピクセル法によって、画素サイズ及び画素数を変更してもよい。
【０１１２】
この前処理が終わると、データプロセッサ３５は前処理されたフレームデータに基づいて歯列の基準断層面に沿ったパノラマ画像を再構成して表示器３６に表示する（ステップＳ１０）。この再構成に伴うトモシンセシス法、すなわちシフト・アンド・アッド処理は国際公開ＷＯ２０１２／００８４９２公報に沿って実行される。撮像空間ＩＳのキャリブレーションされたゲインは予め保有しているので、このゲインに沿ったシフト量分だけフレームデータをシフトさせて相互に画素値を加算することで、歯列の実在位置を反映した擬似的に３次元のパノラマ画像ＰＩｆｏｃｕｓが自動的に生成される（図１７参照）。このパノラマ画像ＰＩｆｏｃｕｓは３Ｄオートフォーカス画像と呼ばれる。
【０１１３】
この３Ｄオートフォーカス画像ＰＩｆｏｃｕｓは、特定のエネルギ領域ＥＲ１（〜ＥＲ３）で収集したフレームデータを使用してもよいし、全エネルギ領域ＥＲ１〜ＥＲ３のそれらを使用してもよい。
【０１１４】
このように、本実施形態に係るパノラマ撮像装置１によれば、Ｘ線管２１と検出器２２が同心円状に且つ互いに異なる円軌道を描くように互いに独立して回転可能な撮像系を採用している。この撮像系を駆動させるときに、スキャン中に変化する管−検出器間距離の最大値と最小値との間の所定の固定距離又は可変距離の位置にＸ線照射野が当たるようにスリット２３の開口面積を絞っている。その上で、実際の軌道を回る検出器２２が出力したフレームデータを、上記管−検出器間距離の最大値に相当して設定した仮想軌道上の位置に検出器２２があたかも存在しているように、メモリＭに適宜な態様でマッピングする。パノラマ画像の再構成にはそのマッピングしたフレームデータを使用する。
【０１１５】
この結果、仮想軌道（＝最離間軌道）Ｔｍａｘを回る、いわば仮想の検出器２２とＸ線管２１との間の距離は常に一定であるから、従来のパノラマ再構成で使用されているトモシンセシス法をそのまま使用できる。つまり、国際公開ＷＯ２０１２／００８４９２公報に記載されているように、収集周期毎のＸ線パスの角度が変わる度に管−検出器間距離が常に変化する撮像系の場合でも、パノラマ画像の再構成は、管−検出器間距離が一定あることを前提とする従来のトモシンセシス法をそのまま使用できる。これにより、管−検出器間距離が常に変化する撮像系であっても、再構成処理が非常に簡単になり、データプロセッサ３５の演算負荷の増大を抑制できる。また、画像再構成に伴う処理時間の増大も抑制できる。
【０１１６】
勿論、歯列の各部が基準断層面からずれていても、その各部が３次元的に実在する位置が同定され且つそこに焦点が合ったパノラマ画像Ｉｆｏｃｕｓが自動的に提供される。
【０１１７】
ところで、図１８に示すように、被写体である歯の拡大率（Ｄ２／Ｄ１）は、Ｘ線ビームがＸ線焦点ＦＰからファン状に広がって照射されることで生じる。しかも、歯列とＸ線管の位置が各パスによって異なることに因り、拡大率がＸ線ビームＸＢの角度θ毎に異なる。その点、上述したように、本実施形態では、メモリ領域Ｍへのマッピング処理により、管−検出器間距離はＸ線ビームＸＢの角度θの如何を問わず、常に擬似的に一定値である。この「距離＝一定」のもとで画像再構成が実行される。このため、その「距離＝変化」のときの画像再構成に比べて、拡大率の変化をより容易に補正できる。
【０１１８】
なお、本願の実施形態であっては、検出器２２を光子計数型の検出器を用いたが、シンチレータと光電素子を組み合わせて一定時間の間、電気信号を蓄積してフレームデータを出力する、所謂、積分型の検出器であってもよい。
【０１１９】
また、前述したパノラマ撮像装置１は、患者が歯科用チェアに仰向けの寝た状態（臥位）で撮影する装置であった。しかしながら、本発明に係るパノラマ撮像装置は必ずしもそのような姿勢での撮影に拘らず、Ｘ線管及び検出器の間に被検体の顎部を位置させた状態で回転させる撮像系を有していればよく、例えばそのような撮像系がチェアの背面又は支柱に固定設置され、患者が座位又は立位で撮影を受ける装置構成であってもよい。また、そのような撮像系が家屋や車両の壁や天井などの固定構造に取り付けられていてもよい。さらに、そのような撮像系が可搬式のユニットとして構成され、患者の肩に載せたり、一般の椅子の背後に設置したりして撮影を行う構成であってもよい。
【０１２０】
なお、本発明は上述した実施形態及び変形例で示した構成に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の主旨を逸脱しない限り、更に様々に変形して実施可能なものである。
【符号の説明】
【０１２１】
１  歯科用パノラマ撮像装置
１３Ｄ  回転機構（支持手段）
１７  コンソール  
１５，１６  アーム（支持手段）
２１  Ｘ線管
２２  検出器
２３  スリット
３３  コントローラ（各種手段を機能的に実現する要素の一つ）
３４  第１の記憶部
３５  データプロセッサ（各種手段を機能的に実現する要素の一つ）
３６  表示器
３７  入力器
４０Ａ〜４０Ｄ  ＲＯＭ
５１ｎ、１５１ｎ  データ計数回路
５４  比較器
５５  エネルギ領域振分回路
５６  カウンタ
５７  Ｄ／Ａ変換器
５８  ラッチ回路
５９  シリアル変換器
Ｃ  半導体セル
Ｃｐ  検出回路
Ｓｎ  画素
ＤＳｉ  弁別回路
ＣＮｎ  データ収集チャンネル
【図１】
2014161510.tif 000003
【図２】
2014161510.tif 000004
【図３】
2014161510.tif 000005
【図４】
2014161510.tif 000006
【図５】
2014161510.tif 000007
【図６】
2014161510.tif 000008
【図７】
2014161510.tif 000009
【図８】
2014161510.tif 000010
【図９】
2014161510.tif 000011
【図１０】
2014161510.tif 000012
【図１１】
2014161510.tif 000013
【図１２】
2014161510.tif 000014
【図１３】
2014161510.tif 000015
【図１４】
2014161510.tif 000016
【図１５】
2014161510.tif 000017
【図１６】
2014161510.tif 000018
【図１７】
2014161510.tif 000019
【図１８】
2014161510.tif 000020