(57)【要約】【課題】ユーザーの利便性を向上させる有機発光表示装置を提供する。【解決手段】基板と、基板と対向して配された封止部材と、基板と封止部材との間に形成され、発光領域及び非発光領域を持つ複数のピクセルと、少なくとも発光領域と重なって形成された第１電極と、第１電極上に形成されて有機発光層を備える中間層と、中間層上に形成される第２電極と、封止部材の面のうち基板と対向する面に配されて発光領域に対応する開口部及び開口部周辺に形成されて非発光領域に対応する反射面を備える反射部材と、を備える有機発光表示装置。【選択図】図１
2014199812.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板と対向して配された封止部材と、
前記基板と前記封止部材との間に形成され、発光領域及び非発光領域を持つ複数のピクセルと、
少なくとも前記発光領域と重なって形成された第１電極と、
前記第１電極上に形成されて有機発光層を備える中間層と、
前記中間層上に形成される第２電極と、
前記封止部材の面のうち前記基板と対向する面に配されて前記発光領域に対応する開口部及び前記開口部周辺に形成されて前記非発光領域に対応する反射面を備える反射部材と、を備える有機発光表示装置。
【請求項２】
前記非発光領域に形成され、前記反射面と重なって配された透過領域をさらに備える、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記透過領域は、前記複数のピクセルのうち２つ以上のピクセルにかけて共通形成される、請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記透過領域に対応して、前記第２電極は透過窓を備える、請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記ピクセルは、一つ以上の絶縁膜を備え、
前記透過領域に対応して、前記絶縁膜は透過窓を備える、請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記ピクセルは、一つ以上の絶縁膜を備え、
前記透過領域に対応して、前記絶縁膜は透過窓を備え、前記透過領域に対応して、前記第２電極は透過窓を備え、前記絶縁膜の透過窓及び前記第２電極の透過窓は、同じパターンを持つように形成された、請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記反射部材の反射面は、鏡面反射特性を持つ、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記反射部材の反射面の反射率は、前記発光領域の平均反射率の９０％以上１１０％以下である、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記反射部材の反射面の反射率は、７００ｎｍから８００ｎｍの光に対する反射率よりも、４００ｎｍから５００ｎｍの光に対する反射率の方が低いことを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記反射部材は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｗ、ＶまたはＭｏを含むように形成された、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置に係り、さらに詳細には、ユーザーの利便性を向上させる有機発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置は、携帯可能な薄型のフラットパネルディスプレイ装置に代替される趨勢である。フラットパネルディスプレイ装置の中でも有機発光表示装置は、自発光型表示装置であり、視野角が広く、かつコントラストに優れるだけではなく、応答速度が速いという長所を持ち、次世代ディスプレイ装置として注目されている。
【０００３】
有機発光表示装置は、中間層、第１電極及び第２電極を備える。中間層は有機発光層を備え、第１電極及び第２電極に電圧を加えると、有機発光層から可視光線が発生する。
【０００４】
一方、有機発光表示装置に備えられた第１電極、第２電極及びその他の金属層によって外光が反射され、このような反射は理論的にユーザーの視認性を低めて画質特性を低減させる恐れがある。
【０００５】
また、有機発光表示装置の発光領域での第１電極、第２電極及びその他の金属層による反射と発光領域周辺の反射との特性が著しく異なると、有機発光表示装置の画質特性向上及び利便性向上に限界がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、ユーザーの利便性を容易に向上させる有機発光表示装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、基板と、前記基板と対向して配された封止部材と、前記基板と前記封止部材との間に形成され、発光領域及び非発光領域を持つ複数のピクセルと、少なくとも前記発光領域と重なって形成された第１電極と、前記第１電極上に形成されて有機発光層を備える中間層と、前記中間層上に形成される第２電極と、前記封止部材の面のうち前記基板と対向する面に配されて前記発光領域に対応する開口部及び前記開口部周辺に形成されて前記非発光領域に対応する反射面を備える反射部材と、を備える有機発光表示装置を開示する。
【０００８】
本発明は、前記非発光領域に形成され、前記反射面と重なって配された透過領域をさらに備える。
【０００９】
本発明において、前記透過領域は、前記複数のピクセルのうち２つ以上のピクセルにかけて共通に形成される。
【００１０】
本発明において、前記透過領域に対応して、前記第２電極は透過窓を備える。
【００１１】
本発明において、前記ピクセルは、一つ以上の絶縁膜を備え、前記透過領域に対応して、前記絶縁膜は透過窓を備える。
【００１２】
本発明において、前記ピクセルは、一つ以上の絶縁膜を備え、前記透過領域に対応して、前記絶縁膜は透過窓を備え、前記透過領域に対応して、前記第２電極は透過窓を備え、前記絶縁膜の透過窓及び前記第２電極の透過窓は、同じパターンを持つように形成される。
【００１３】
本発明において、前記反射部材の反射面は、鏡面反射（ｓｐｅｃｕｌａｒ  ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）特性を持つ。
【００１４】
本発明において、前記反射部材の反射面の反射率は、前記発光領域の平均反射率の９０％以上１１０％以下である。
【００１５】
本発明において、前記反射部材の反射面の反射率は、７００ｎｍから８００ｎｍの光に対する反射率よりも、４００ｎｍから５００ｎｍの光に対する反射率の方が低いことを特徴とする。
【００１６】
本発明において、前記反射部材は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｗ、ＶまたはＭｏを含むように形成される。
【００１７】
本発明において、前記ピクセルは、発光領域を駆動するためのピクセル回路部を備え、前記ピクセル回路部は、前記発光領域と重なって配される。
【００１８】
本発明において、前記ピクセルは、非発光領域に配された回路領域を備え、前記ピクセルは、発光領域を駆動するためのピクセル回路部を備え、前記ピクセル回路部は、前記回路領域に配される。
【００１９】
本発明において、前記ピクセルは、発光領域を駆動するためのピクセル回路部を備え、前記ピクセル回路部は、前記第１電極と電気的に連結され、活性層、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を備える薄膜トランジスタをさらに備える。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の有機発光表示装置は、ユーザーの利便性を容易に向上させる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置を概略的に示す断面図である。
【図２】図１のＡ部分を拡大した図面である。
【図３】図２の発光領域の具体的な例を示す図面である。
【図４】図２の反射部材を具体的に説明するために示す平面図である。
【図５】本発明の他の実施形態に関する有機発光表示装置を概略的に示す断面図である。
【図６】図５の有機発光表示装置の一ピクセルを示す断面図である。
【図７】図６のさらに他の変形例である。
【図８】図６の反射部材を具体的に説明するために示す平面図である。
【図９】本発明のさらに他の実施形態に関する有機発光表示装置を概略的に示す断面図である。
【図１０】図９の有機発光表示装置の一ピクセルを示す断面図である。
【図１１】図１０の反射部材を具体的に説明するために示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、添付した図面に示された本発明に関する実施形態を参照して本発明の構成及び作用を詳細に説明する。
【００２３】
図１は、本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置を概略的に示す断面図であり、図２は、図１のＡ部分を拡大した図面である。図３は、図２の発光領域の具体的な例を示す図面であり、図４は、図１の反射部材を具体的に説明するために示す平面図である。
【００２４】
図１から図４を参照すれば、有機発光表示装置１００は、基板１０１、封止部材１９１、及び基板１０１と封止部材１９１との間に配された表示部１０を備える。
【００２５】
基板１０１と封止部材１９１とは、シーリング部材１８０によって接合される。シーリング部材１８０によって形成された基板１０１と封止部材１９１との間の空間には、吸湿剤または充填材などが配されてもよい。
【００２６】
基板１０１は、ＳｉＯ２を主成分とする透明なガラス材質からなる。基板１０１は、必ずしもこれに限定されるものではなく、透明なプラスチック材で形成してもよい。
【００２７】
封止部材１９１は、基板１０１と同じ材質、すなわち、透明なガラス材質またはプラスチック材で形成できる。
【００２８】
基板１０１上の表示部１０は、複数のピクセルを備える。図２を参照すれば、一つのピクセルＰ１が示されており、図４には、３つのピクセルＰ１、Ｐ２、Ｐ３が示されている。
【００２９】
図２を参照すれば、ピクセルＰ１は、発光領域ＬＡ１及び非発光領域ＮＡ１を備える。
【００３０】
発光領域ＬＡ１は、可視光線を直接発生させてユーザーの認識する画像を具現する領域である。発光領域ＬＡ１は、多様な形態をとることができる。
【００３１】
図３は、図２の発光領域ＬＡ１の具体的な例を示す図面である。図３を参照すれば、発光領域ＬＡ１には、第１電極１１１、第２電極１１２及び中間層１１３が形成される。
【００３２】
第１電極１１１は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３などを含むことができる。また第１電極１１１は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、ＹｂまたはＣａなどを含んでもよい。
【００３３】
基板１０１上に第１電極１１１を形成する前に、バッファ層（図示せず）を形成できる。バッファ層（図示せず）は、基板１０１由来の不純元素の浸透を防止し、基板１０１の上部に平坦な面を提供するものであり、このような役割を行える多様な物質で形成される。一例として、バッファ層（図示せず）は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化チタンまたは窒化チタンなどの無機物や、ポリイミド、ポリエステル、アクリルなどの有機物を含むことができ、例示した材料のうち複数の積層体で形成される。
【００３４】
中間層１１３は、第１電極１１１上に形成される。中間層１１３は、可視光線を具現する有機発光層を備える。中間層１１３の有機発光層は、低分子または高分子有機膜で形成される。中間層１１３の有機発光層が低分子有機膜で形成される場合、中間層１１３は、正孔注入層（ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）、正孔輸送層（ＨＴＬ：Ｈｏｌｅ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ）、有機発光層、電子輸送層（ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ）、電子注入層（ＥＩＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）などを備える。
【００３５】
正孔注入層（ＨＩＬ）は、銅フタロシアニンなどのフタロシアニン化合物またはスターバースト（Ｓｔａｒｂｕｒｓｔ）型アミン類であるＴＣＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＰＢなどで形成できる。
【００３６】
正孔輸送層（ＨＴＬ）は、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（α−ＮＰＤ）などで形成される。
【００３７】
電子注入層（ＥＩＬ）は、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯ、Ｌｉｑなどの物質を用いて形成できる。
【００３８】
電子輸送層（ＥＴＬ）は、Ａｌｑ３を用いて形成できる。
【００３９】
有機発光層は、ホスト物質及びドーパント物質を含む。有機発光層のホスト物質としては、トリス（８−ヒドロキシ−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、９，１０−ジ（ナフティ−２−イル）アントラセン（ＡＮＤ）、３−Ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（ナフティ−２−イル）アントラセン（ＴＢＡＤＮ）、４，４’−ビス（２，２−ジフェニル−エテン−１−イル）−４，４’−ジメチルフェニル（ＤＰＶＢｉ）、４，４’−ビス（２，２−ジフェニル−エテン−１−イル）−４，４’−ジメチルフェニル（ｐ−ＤＭＤＰＶＢｉ）、Ｔｅｒｔ（９，９−ジアリールフルオレン）（ＴＤＡＦ）、２−（９，９’−スピロビフルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビフルオレン（ＢＳＤＦ）、２，７−ビス（９，９’−スピロビフルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビフルオレン（ＴＳＤＦ）、ビス（９，９−ジアリールフルオレン）（ＢＤＡＦ）、４，４’−ビス（２，２−ジフェニル−エテン−１−イル）−４，４’−ジ−（ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル（ｐ−ＴＤＰＶＢｉ）、１，３−ビス（カルバゾール−９−イル）ベンゼン（ｍＣＰ）、１，３，５−トリス（カルバゾール−９−イル）ベンゼン（ｔＣＰ）、４，４’，４’’−トリス（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（ＴｃＴａ）、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル（ＣＢＰ）、４，４’−ビス（９−カルバゾリル）−２，２’−ジメチル−ビフェニル（ＣＢＤＰ）、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）−９，９−ジメチル−フルオレン（ＤＭＦＬ−ＣＢＰ）、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）−９，９−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール）フルオレン（ＦＬ−４ＣＢＰ）、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）−９，９−ジ−トリル−フルオレン（ＤＰＦＬ−ＣＢＰ）、９，９−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール）フルオレン（ＦＬ−２ＣＢＰ）などが使われる。有機発光層のドーパント物質としては、４，４’−ビス［４−（ジ−ｐ−トルイルアミノ）スチリル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）、９，１０−ジ（ナフ−２−チル）アントラセン（ＡＤＮ）、３−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（ナフ−２−チル）アントラセン（ＴＢＡＤＮ）などが使われる。
【００４０】
第２電極１１２は、中間層１１３上に形成される。第２電極１１２は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａなどの金属で形成されてもよい。また場合によって、第２電極１１２は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３を含むように形成してもよい。
【００４１】
非発光領域ＮＡ１は、発光領域ＬＡ１の周囲に発光領域ＬＡ１と隣接して形成される。非発光領域ＮＡ１には、発光領域ＬＡ１の駆動に必要な回路が配される。また図２及び図４に示されたように、非発光領域ＮＡ１は透過領域ＴＡを備える。透過領域ＴＡは、基板１０１上に形成された絶縁膜（図示せず）のうち一つ以上に透過窓を作って形成できる。または透過領域ＴＡは、基板１０１上に形成された導電膜（図示せず）のうち一つ以上に透過窓を作って形成できる。
【００４２】
一方、図４に示されたように、各ピクセルＰ１、Ｐ２、Ｐ３は、それぞれの発光領域ＬＡ１、ＬＡ２、ＬＡ３及び非発光領域ＮＡ１、ＮＡ２、ＮＡ３を備える。また各ピクセルＰ１、Ｐ２、Ｐ３は、非発光領域ＮＡ１、ＮＡ２、ＮＡ３に形成された共通の透過領域ＴＡを備える。しかし、本発明はこれに限定されず、各ピクセルＰ１、Ｐ２、Ｐ３が発光領域ＬＡ１、ＬＡ２、ＬＡ３と同様に、それぞれ区別された透過領域を持ってもよい。
【００４３】
封止部材１９１の一面には反射部材１７０が形成される。具体的に反射部材１７０は、封止部材１９１の面のうち基板１０１と対向する面に形成される。図２を参照すれば、反射部材１７０は、開口部１７０ａ１及び反射面１７１を備える。反射面１７１は、開口部１７０ａ１の周辺に配される。また反射面１７１は、非発光領域ＮＡ１に対応して形成され、開口部１７０ａ１は、発光領域ＬＡ１に対応して形成される。
【００４４】
具体的に図２の上部から眺めた平面図である図４を参照すれば、反射部材１７０の開口部１７０ａ１は、ピクセルＰ１の発光領域ＬＡ１に対応して形成され、開口部１７０ａ２は、ピクセルＰ２の発光領域ＬＡ２に対応して形成され、開口部１７０ａ３は、ピクセルＰ３の発光領域ＬＡ３に対応して形成される。反射部材１７０の反射面１７１は、開口部１７０ａ１、１７０ａ２、１７０ａ３の周辺に各ピクセルＰ１、Ｐ２、Ｐ３の非発光領域ＮＡ１、ＮＡ２、ＮＡ３に対応して形成される。結果的に反射面１７１は、透過領域ＴＡとも重なる。
【００４５】
反射面１７１は、適当な反射率を持たせる。具体的に反射面１７１は、各ピクセルＰ１、Ｐ２、Ｐ３の反射率、特に、発光領域ＬＡ１、ＬＡ２、ＬＡ３の反射率と同一または同等の反射率を持たせる。発光領域ＬＡ１、ＬＡ２、ＬＡ３の反射率が略６０％であるので、反射面１７１の反射率もこれと同等にする。
【００４６】
反射面１７１の反射率と発光領域ＬＡ１、ＬＡ２、ＬＡ３の平均反射率との差は略１０％以内であることが望ましい。これを通じて本実施形態の有機発光表示装置１００は、画像表示機能とミラー機能とを同時に具現できる。この時、反射面１７１の反射率を画像が表示される発光領域ＬＡ１、ＬＡ２、ＬＡ３の反射率と同一または同等にすることで、すなわち、反射面１７１の反射率が発光領域ＬＡ１、ＬＡ２、ＬＡ３の平均反射率の９０％以上１１０％以下になるようにすることで、発光領域ＬＡ１、ＬＡ２、ＬＡ３で具現される画像に影響を与えずにミラー機能を効果的に具現できる。
【００４７】
特に、発光領域ＬＡ１、ＬＡ２、ＬＡ３での反射形態は、鏡面反射（ｓｐｓｅｃｕｌａｒ  ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）形態であり、反射面１７１での反射形態も、金属表面での反射である鏡面反射形態である。したがって、有機発光表示装置１００で散乱反射（ｄｉｆｆｕｓｅ  ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）を最大限抑制し、鏡面反射を増大してぼやけを効果的に防止し、有機発光表示装置１００のミラーディスプレイ機能を効率的に具現できる。
【００４８】
このために反射面１７１は、所定の金属を用いて形成するが、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｗ、ＶまたはＭｏを含むように形成することが望ましい。これらの材料は、ピクセルＰ１、Ｐ２、Ｐ３の反射率と同等の反射率を持つ。
【００４９】
具体的にピクセルＰ１、Ｐ２、Ｐ３の反射率は、長波長（７００ｎｍから８００ｎｍ）の光に対する反射率よりも、短波長（４００ｎｍから５００ｎｍ）の光に対する反射率の方が低い傾向を示す。したがって、反射面１７１も長波長（７００ｎｍから８００ｎｍ）の光に対する反射率よりも、短波長（４００ｎｍから５００ｎｍ）の光に対する反射率の方が低い傾向を示すようにする。これを通じて、反射面１７１での反射特性を、発光領域ＬＡでの反射特性とほぼ同等にする。
【００５０】
また、反射面１７１は、適当な厚さを持たせる。具体的な例として、反射面１７１は、５００Å以上の厚さを持つことが望ましい。反射面１７１が５００Å未満の厚さを持つ場合、光の一部が透過して反射面１７１の所望の反射率より低い反射率を持つようになり、有機発光表示装置１００の所望のミラーディスプレイ機能を効果的に具現するのが困難となる。
【００５１】
本実施形態の有機発光表示装置１００は、封止部材１９１の下面に形成された反射部材１７０を備える。反射部材１７０は、各ピクセルの発光領域ＬＡ１、ＬＡ２、ＬＡ３に対応する開口部１７０ａ１、１７０ａ２、１７０ａ３を備え、発光領域ＬＡの画像具現には影響を与えず、各ピクセルの非発光領域ＮＡに対応する反射面１７１を備えて有機発光表示装置１００をミラーディスプレイとして機能させる。この時、反射面１７１の反射率を発光領域ＬＡの反射率と同等にし、特に、長波長（７００ｎｍから８００ｎｍ）の光に対する反射率よりも短波長（４００ｎｍから５００ｎｍ）の光に対する反射率の方が低い傾向を示すようにして、発光領域ＬＡの反射形態と同等の反射を引き起こす。これを通じて、画質特性は低下せずに全体的に均一な、鏡面反射性質を持つ有機発光表示装置１００を容易に具現できる。
【００５２】
また、選択的に各ピクセルＰ１、Ｐ２、Ｐ３の非発光領域ＮＡ１、ＮＡ２、ＮＡ３に透過窓ＴＡを持たせ、反射面１７１を透過窓ＴＡに対応させて、反射面１７１で反射した光を、透過窓ＴＡを通じて効果的にユーザー側に取り出させる。これを通じて、有機発光表示装置１００のミラーディスプレイ機能を向上させる。また有機発光表示装置１００の発光領域ＬＡの動作が停止した場合にも、反射面１７１での反射光が透過窓ＴＡを通じて容易に取り出され、一般的な鏡としても容易に使うことができる。
【００５３】
図５は、本発明の他の実施形態に関する有機発光表示装置を概略的に示す断面図であり、図６は、図５の有機発光表示装置の表示部の一ピクセルを示す断面図である。図７は、図６のさらに他の変形例であり、図８は、図６の反射部材を具体的に説明するために示す平面図である。説明の便宜上、前述した実施形態と異なる点を中心として説明する。
【００５４】
図５から図８を参照すれば、有機発光表示装置２００は、基板２０１、封止部材２９１及び基板２０１と封止部材２９１との間に配された表示部２０を備える。
【００５５】
基板２０１と封止部材２９１とは、シーリング部材２８０によって接合される。
【００５６】
基板２０１上の表示部２０は、複数のピクセルを備える。図６を参照すれば、一つのピクセルＰ１が示されており、図８には、３つのピクセルＰ１、Ｐ２、Ｐ３が示されている。
【００５７】
図６を参照すれば、ピクセルＰ１は、発光領域ＬＡ１及び非発光領域ＮＡ１を備える。
【００５８】
発光領域ＬＡ１は、可視光線を直接発生させてユーザーの認識する画像を具現する領域である。発光領域ＬＡ１には、第１電極２１１、第２電極２１２及び中間層２１３が形成される。
【００５９】
また発光領域ＬＡ１には、図８に示したように、ピクセル回路部ＰＣが配される。ピクセル回路部ＰＣには、図８に示したように、データラインＤ、スキャンラインＳ、電源ラインＶが連結される。またピクセル回路部ＰＣは、図６に示したように、一つ以上の薄膜トランジスタＴＦＴを備える。具体的に薄膜トランジスタＴＦＴは、駆動薄膜トランジスタであり、ピクセル回路部ＰＣは、スイッチング薄膜トランジスタやキャパシタなど（図示せず）をさらに備える。
【００６０】
図６を参照すれば、基板２０１上にバッファ層２０２が形成される。前述した通りに、バッファ層２０２は選択的構成要素であるので、省略できる。
【００６１】
バッファ層２０２上に薄膜トランジスタＴＦＴが形成される。薄膜トランジスタＴＦＴは、活性層２０３、ゲート電極２０５、ソース電極２０７及びドレイン電極２０８を備える。
【００６２】
先ず、バッファ層２０２上に所定パターンの活性層２０３が形成される。活性層２０３は、アモルファスシリコンまたはポリシリコンのような無機半導体、酸化物半導体または有機半導体で形成され、ソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域を備える。活性層２０３のソース領域及びドレイン領域は、アモルファスシリコンまたはポリシリコンで形成した後、３族または５族不純物をドーピングして形成できる。
【００６３】
活性層２０３の上部にはゲート絶縁膜２０４が形成され、ゲート絶縁膜２０４上部の所定領域にはゲート電極２０５が形成される。ゲート絶縁膜２０４は、活性層２０３とゲート電極２０５とを絶縁させるためのものであり、有機物またはＳｉＮｘ、ＳｉＯ２などの無機物で形成できる。
【００６４】
ゲート電極２０５は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｍｏを含むことができ、Ａｌ：Ｎｄ、Ｍｏ：Ｗ合金などの金属を含むことができるが、これらに限定されず、隣接している層との密着性、平坦性、電気抵抗及び加工性などを考慮して多様な材料で形成できる。またゲート電極２０５は、単一層または複数層の形態で形成できる。
【００６５】
ゲート電極２０５の上部には層間絶縁膜２０６が形成される。層間絶縁膜２０６及びゲート絶縁膜２０４は、活性層２０３のソース領域及びドレイン領域を露出させるように形成され、このような活性層２０３の露出したソース領域及びドレイン領域と連結してソース電極２０７及びドレイン電極２０８が形成される。
【００６６】
ソース電極２０７及びドレイン電極２０８は、多様な導電物質を用いて形成でき、単層構造または複数層構造である。
【００６７】
薄膜トランジスタＴＦＴの上部にパッシベーション層２０９が形成される。具体的には、ソース電極２０７及びドレイン電極２０８を覆うようにパッシベーション層２０９が形成される。
【００６８】
パッシベーション層２０９は、ドレイン電極２０８の全体を覆わずに所定の領域を露出させるように形成され、露出されたドレイン電極２０８と連結されるように第１電極２１１が形成される。
【００６９】
第１電極２１１は、各ピクセルに独立したアイランド状に形成される。パッシベーション膜２０９上には、第１電極２１１のエッジを覆うように画素定義膜２１９が形成される。
【００７０】
中間層２１３は、第１電極２１１上に形成される。中間層２１３は、可視光線を具現するように有機発光層を備える。
【００７１】
第２電極２１２は、中間層２１３上に形成される。
【００７２】
非発光領域ＮＡ１は、発光領域ＬＡ１の周囲に発光領域ＬＡ１と隣接して形成される。非発光領域ＮＡ１は、透過領域ＴＡを備える。透過領域ＴＡは、第２電極２１２に透過窓２１２ａを作って形成される。
【００７３】
また、さらに他の選択的な実施形態として、透過領域ＴＡは、図７に示したように、第２電極２１２に透過窓２１２ａを作り、画素定義膜２１９に透過窓２１９ａを作って形成されてもよい。この時、第２電極２１２の透過窓２１２ａは、画素定義膜２１９の透過窓２１９ａと同じパターンを持つことが望ましい。
【００７４】
図示していないが、本発明はこれに限定されず、基板２０１上に形成された絶縁膜（図示せず）のうち一つ以上、または導電膜（図示せず）のうち一つ以上に透過窓を作ってもよい。
【００７５】
一方、図８に示したように、各ピクセルＰ１、Ｐ２、Ｐ３はそれぞれの発光領域ＬＡ１、ＬＡ２、ＬＡ３を備え、各ピクセルＰ１、Ｐ２、Ｐ３は共通の透過窓ＴＡを備える。しかし、本発明はこれに限定されず、各ピクセルＰ１、Ｐ２、Ｐ３が発光領域ＬＡ１、ＬＡ２、ＬＡ３と同様に、それぞれ区別された透過領域を持ってもよい。
【００７６】
封止部材２９１の一面には反射部材２７０が形成される。具体的に反射部材２７０は、封止部材２９１の面のうち基板２０１と対向する面に形成される。反射部材２７０は、一つ以上の開口部２７０ａ及び反射面２７１を備える。反射面２７１は、開口部２７０ａの周辺に配される。また反射面２７１は、非発光領域ＮＡに対応して形成され、開口部２７０ａは、発光領域ＬＡに対応して形成される。
【００７７】
具体的に図８を参照すれば、反射部材２７０の開口部２７０ａ１は、ピクセルＰ１の発光領域ＬＡ１に対応して形成され、開口部２７０ａ２は、ピクセルＰ２の発光領域ＬＡ２に対応して形成され、開口部２７０ａ３は、ピクセルＰ３の発光領域ＬＡ３に対応して形成される。反射部材２７０の反射面２７１は、開口部２７０ａ１、２７０ａ２、２７０ａ３の周辺に各ピクセルＰ１、Ｐ２、Ｐ３の非発光領域ＮＡ１、ＮＡ２、ＮＡ３に対応して形成される。結果的に反射面２７１は、非発光領域ＮＡ１、ＮＡ２、ＮＡ３の透過領域ＴＡとも重なる。
【００７８】
反射面２７１は、適当な反射率を持たせる。具体的に反射面２７１は、各ピクセルＰ１、Ｐ２、Ｐ３の反射率、特に、発光領域ＬＡ１、ＬＡ２、ＬＡ３の反射率と同一または同等の反射率を持たせる。発光領域ＬＡ１、ＬＡ２、ＬＡ３の反射率が略６０％であるので、反射面２７１の反射率もこれと同等にする。
【００７９】
反射面１７１の反射率と発光領域ＬＡ１、ＬＡ２、ＬＡ３の平均反射率との差は略１０％以内であることが望ましい。
【００８０】
これを通じて、本実施形態の有機発光表示装置２００は、画像表示機能とミラー機能とを同時に具現できる。この時、反射面２７１の反射率を画像が表示される発光領域ＬＡ１、ＬＡ２、ＬＡ３の反射率と同一または同等にすることで、すなわち、反射面２７１の反射率を発光領域ＬＡ１、ＬＡ２、ＬＡ３の平均反射率の９０％以上１１０％以下にすることで、発光領域ＬＡ１、ＬＡ２、ＬＡ３で具現される画像に影響を与えずにミラー機能を効果的に具現できる。
【００８１】
反射面２７１は、所定の金属を用いて形成するが、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｗ、ＶまたはＭｏを含むように形成することが望ましい。これらの材料は、ピクセルＰ１、Ｐ２、Ｐ３の反射率と同等の反射率を持つ。具体的にピクセルＰ１、Ｐ２、Ｐ３の反射率は、長波長（７００ｎｍから８００ｎｍ）の光に対する反射率よりも短波長（４００ｎｍから５００ｎｍ）の光に対する反射率の方が低い傾向を示す。したがって、反射面１７１も、長波長（７００ｎｍから８００ｎｍ）の光に対する反射率よりも短波長（４００ｎｍから５００ｎｍ）の光に対する反射率を低くする。
【００８２】
また、反射面２７１は、適当な厚さを持たせる。具体的な例として、反射面２７１は、５００Å以上の厚さを持つことが望ましい。反射面２７１が５００Å未満の厚さを持つ場合、光の一部が透過して反射面２７１の所望の反射率より低い反射率を持つようになり、有機発光表示装置２００の所望のミラーディスプレイ機能を効果的に具現するのが困難となる。本実施形態の有機発光表示装置２００は、封止部材２９１の下面に形成された反射部材２７０を備える。反射部材２７０は、各ピクセルの発光領域ＬＡ１、ＬＡ２、ＬＡ３に対応する開口部２７０ａ１、２７０ａ２、２７０ａ３を備え、発光領域ＬＡ１、ＬＡ２、ＬＡ３の画像具現には影響を与えず、各ピクセルの非発光領域ＮＡに対応する反射面２７１を備えて有機発光表示装置２００をミラーディスプレイとして機能させる。この時、反射面２７１の反射率を発光領域ＬＡ１、ＬＡ２、ＬＡ３の反射率と同等にし、特に、長波長（７００ｎｍから８００ｎｍ）の光に対する反射率よりも短波長（４００ｎｍから５００ｎｍ）の光に対する反射率を低くして、発光領域ＬＡ１、ＬＡ２、ＬＡ３の反射形態と同等の反射を引き起こす。これを通じて、画質特性は低下せずに全体的に均一な、鏡面反射特性を持つ有機発光表示装置２００を容易に具現できる。
【００８３】
また、薄膜トランジスタＴＦＴを備えるピクセル回路部ＰＣを発光領域ＬＡ内に配して、発光領域ＬＡで発生した画像が封止部材２９１方向に具現される前面発光形態の場合、発光領域ＬＡを広げて開口率を拡大することで画質が向上する。
【００８４】
選択的に各ピクセルＰ１、Ｐ２、Ｐ３の非発光領域ＮＡに透過窓ＴＡを持たせ、反射面２７１を透過窓ＴＡに対応させて、反射面２７１で反射した光を、透過窓ＴＡを通じて効果的にユーザー側に取り出させる。これを通じて、有機発光表示装置２００の発光領域ＬＡで発生した画像が封止部材２９１方向に具現される場合、基板２０１方向には反射面２７１での反射光が透過窓ＴＡを通じて容易に取り出され、基板２０１方向には一般的な鏡の効果を持つ。
【００８５】
図９は、本発明のさらに他の実施形態に関する有機発光表示装置を概略的に示す断面図であり、図１０は、図９の有機発光表示装置の一ピクセルを示す断面図であり、図１１は、図１０の反射部材を具体的に説明するために示す平面図である。説明の便宜上、前述した実施形態と異なる点を中心として説明する。
【００８６】
図９から図１１を参照すれば、有機発光表示装置３００は、基板３０１、封止部材３９１及び基板３０１と封止部材３９１との間に配された表示部３０を備える。
【００８７】
基板３０１と封止部材３９１とは、シーリング部材３８０によって接合される。
【００８８】
基板３０１上の表示部３０は、複数のピクセルを備える。図１０を参照すれば、一つのピクセルＰ１が示されており、図１１には、３つのピクセルＰ１、Ｐ２、Ｐ３が示されている。
【００８９】
図１０を参照すれば、ピクセルＰ１は、発光領域ＬＡ１及び非発光領域ＮＡ１を備える。
【００９０】
発光領域ＬＡ１は、可視光線を直接発生させてユーザーの認識する画像を具現する領域である。発光領域ＬＡ１には、第１電極３１１、第２電極３１２及び中間層３１３が形成される。
【００９１】
非発光領域ＮＡ１には、回路領域ＣＡ１及び透過領域ＴＡが形成される。発光領域ＬＡ１に隣接して回路領域ＣＡ１が配され、図１０に示したように、ピクセル回路部ＰＣが回路領域ＣＡ１に配される。
【００９２】
ピクセル回路部ＰＣは、一つ以上の薄膜トランジスタＴＲを備える。図示していないが、前述した実施形態と同様に、ピクセル回路部ＰＣには、データライン（図示せず）、スキャンライン（図示せず）、電源ライン（図示せず）が連結される。
【００９３】
図１０を参照すれば、基板３０１上にバッファ層３０２が形成される。前述した通りに、バッファ層３０２は選択的構成要素であるので、省略できる。
【００９４】
バッファ層３０２上に薄膜トランジスタＴＲが形成される。薄膜トランジスタＴＲは、活性層３０３、ゲート電極３０５、ソース電極３０７及びドレイン電極３０８を備える。
【００９５】
先ず、バッファ層３０２上に所定パターンの活性層３０３が形成される。活性層３０３の上部にはゲート絶縁膜３０４が形成され、ゲート絶縁膜３０４の上部の所定領域にはゲート電極３０５が形成される。
【００９６】
ゲート電極３０５の上部には層間絶縁膜３０６が形成される。層間絶縁膜３０６及びゲート絶縁膜３０４は、活性層３０３のソース領域及びドレイン領域を露出させるように形成され、このような活性層３０３の露出したソース領域及びドレイン領域と連結してソース電極３０７及びドレイン電極３０８が形成される。
【００９７】
薄膜トランジスタＴＲの上部にパッシベーション層３０９が形成される。具体的には、ソース電極３０７及びドレイン電極３０８を覆うようにパッシベーション層３０９が形成される。
【００９８】
パッシベーション層３０９は、ドレイン電極３０８の全体を覆わずに所定の領域を露出させるように形成され、露出されたドレイン電極３０８と連結されるように第１電極３１１が形成される。
【００９９】
第１電極３１１は、各ピクセルに独立したアイランド状に形成される。パッシベーション膜３０９上には、第１電極３１１のエッジを覆うように画素定義膜３１９が形成される。
【０１００】
中間層３１３は、第１電極３１１上に形成される。中間層３１３は、可視光線を具現するように有機発光層を備える。
【０１０１】
第２電極３１２は、中間層３１３上に形成される。
【０１０２】
前述した通りに、非発光領域ＮＡ１は、発光領域ＬＡ１の周囲に発光領域ＬＡ１と隣接して形成され、非発光領域ＮＡ１は、回路領域ＣＡ１及び透過領域ＴＡを備える。
【０１０３】
透過領域ＴＡは、第２電極３１２に透過窓３１２ａを作り、かつ画素定義膜３１９に透過窓３１９ａを作って形成される。この時、第２電極３１２の透過窓３１２ａは、画素定義膜３１９の透過窓３１９ａと同じパターンを持つことが望ましい。
【０１０４】
図示していないが、本発明はこれに限定されず、第２電極３１２または画素定義膜３１９のうち一つのみに透過窓を形成してもよい。
【０１０５】
また、基板３０１上に形成された絶縁膜（図示せず）のうち一つ以上、または導電膜（図示せず）のうち一つ以上に透過窓を作ってもよい。
【０１０６】
一方、図１１に示されたように、各ピクセルＰ１、Ｐ２、Ｐ３は、それぞれの発光領域ＬＡ１、ＬＡ２、ＬＡ３及びそれぞれの回路領域ＣＡ１、ＣＡ２、ＣＡ３を備える。
【０１０７】
各ピクセルＰ１、Ｐ２、Ｐ３は、共通の透過窓ＴＡを備える。しかし、本発明はこれに限定されず、各ピクセルＰ１、Ｐ２、Ｐ３が発光領域ＬＡ１、ＬＡ２、ＬＡ３と同様に、それぞれ区別された透過領域を持ってもよい。
【０１０８】
封止部材３９１の一面には、反射部材３７０が形成される。具体的に反射部材３７０は、封止部材３９１の面のうち基板３０１と対向する面に形成される。反射部材３７０は、一つ以上の開口部３７０ａ１、３７０ａ２、３７０ａ３及び反射面３７１を備える。反射面３７１は、開口部３７０ａ１、３７０ａ２、３７０ａ３の周辺に配される。また反射面３７１は、非発光領域ＮＡに対応して形成され、開口部３７０ａ１、３７０ａ２、３７０ａ３は、各発光領域ＬＡ１、ＬＡ２、ＬＡ３に対応して形成される。
【０１０９】
具体的に図１１を参照すれば、反射部材３７０の開口部３７０ａ１は、ピクセルＰ１の発光領域ＬＡ１に対応して形成され、開口部３７０ａ２は、ピクセルＰ２の発光領域ＬＡ３に対応して形成され、開口部３７０ａ３は、ピクセルＰ３の発光領域ＬＡ３に対応して形成される。反射部材３７０の反射面３７１は、開口部３７０ａ１、３７０ａ２、３７０ａ３の周辺に各ピクセルＰ１、Ｐ２、Ｐ３の非発光領域ＮＡ１、ＮＡ２、ＮＡ３に対応して形成される。結果的に反射面３７１は、各非発光領域ＮＡ１、ＮＡ２、ＮＡ３の回路領域ＣＡ１、ＣＡ２、ＣＡ３及び透過領域ＴＡとも重なる。
【０１１０】
反射面３７１は、適当な反射率を持たせる。具体的に反射面３７１は、各ピクセルＰ１、Ｐ２、Ｐ３の反射率、特に、発光領域ＬＡ１、ＬＡ２、ＬＡ３の反射率と同一または同等の反射率を持たせる。発光領域ＬＡ１、ＬＡ２、ＬＡ３の反射率が略６０％であるので、反射面３７１の反射率もこれと同等にする。
【０１１１】
反射面３７１の反射率と発光領域ＬＡ１、ＬＡ２、ＬＡ３の平均反射率との差は略１０％以内であることが望ましい。
【０１１２】
これを通じて本実施形態の有機発光表示装置３００は、画像表示機能とミラー機能とを同時に具現できる。この時、反射面３７１の反射率を画像が表示される発光領域ＬＡ１、ＬＡ２、ＬＡ３の反射率と同一または同等にすることで、すなわち、反射面３７１の反射率を発光領域ＬＡ１、ＬＡ２、ＬＡ３の平均反射率の９０％以上１１０％以下にすることで、発光領域ＬＡ１、ＬＡ２、ＬＡ３で具現される画像に影響を与えずにミラー機能を効果的に具現できる。
【０１１３】
反射面３７１は、所定の金属を用いて形成するが、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｗ、ＶまたはＭｏを含むように形成することが望ましい。これらの材料は、ピクセルＰ１、Ｐ２、Ｐ３の反射率と同等の反射率を持つ。具体的にピクセルＰ１、Ｐ２、Ｐ３の反射率は、長波長（７００ｎｍから８００ｎｍ）の光に対する反射率よりも短波長（４００ｎｍから５００ｎｍ）の光に対する反射率の方が低い傾向を示す。したがって、反射面３７１も、長波長（７００ｎｍから８００ｎｍ）の光に対する反射率よりも短波長（４００ｎｍから５００ｎｍ）の光に対する反射率を低くする。
【０１１４】
また、反射面３７１は、適当な厚さを持たせる。具体的な例として、反射面３７１は５００Å以上の厚さを持つことが望ましい。反射面３７１が５００Å未満の厚さを持つ場合、光の一部が透過して反射面３７１の所望の反射率より低い反射率を持つようになり、有機発光表示装置３００の所望のミラーディスプレイ機能を効果的に具現するのが困難となる。
【０１１５】
本実施形態の有機発光表示装置３００は、封止部材３９１の下面に形成された反射部材３７０を備える。反射部材３７０は、各ピクセルの発光領域ＬＡに対応する開口部３７０ａを備え、発光領域ＬＡの画像具現には影響を与えず、各ピクセルの非発光領域ＮＡに対応する反射面３７１を備えて有機発光表示装置３００をミラーディスプレイとして機能させる。この時、反射面３７１の反射率を発光領域ＬＡの反射率と同等にし、特に、長波長（７００ｎｍから８００ｎｍ）の光に対する反射率よりも短波長（４００ｎｍから５００ｎｍ）の光に対する反射率を低くして、発光領域ＬＡの反射形態と同等の反射を引き起こす。これを通じて画質特性は低下せずに全体的に均一な、鏡面反射性質を持つ有機発光表示装置３００を容易に具現できる。
【０１１６】
また、薄膜トランジスタＴＲを備えるピクセル回路部ＰＣを、発光領域ＬＡと重ならない非発光領域ＮＡの回路領域ＣＡに配することで、発光領域ＬＡで発生した画像が基板３０１方向に具現される背面発光型の場合、発光領域ＬＡで発生した光がピクセル回路部ＰＣとの干渉しないため、画質が向上する。
【０１１７】
選択的に各ピクセルＰ１、Ｐ２、Ｐ３の非発光領域ＮＡに透過窓ＴＡを持たせ、反射面３７１を透過窓ＴＡに対応させて、反射面３７１での反射光を、透過窓ＴＡを通じて効果的にユーザー側に取り出させる。これを通じて、有機発光表示装置３００の発光領域ＬＡで発生した画像が基板３０１方向に具現される場合、基板３０１方向に反射面３７１での反射光が透過窓ＴＡを通じて容易に取り出され、有機発光表示装置３００のミラーディスプレイ機能が向上する。
【０１１８】
本発明は、図面に示された実施形態を参照にして説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これより多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。よって、本発明の真の技術的保護範囲は特許請求の範囲の技術的思想によって定められなければならない。
【産業上の利用可能性】
【０１１９】
本発明は、有機発光表示装置関連の技術分野に好適に用いられる。
【符号の説明】
【０１２０】
１０、２０、３０  表示部
１００、２００、３００  有機発光表示装置
１０１、２０１、３０１  基板
１９１、２９１、３９１  封止部材
１８０、２８０、３８０  シーリング部材
１７０、２７０、３７０  反射部材
１７１、２７１、３７１  反射面
１７０ａ１、１７０ａ２、１７０ａ３、２７０ａ、２７０ａ１、２７０ａ２、２７０ａ３、３７０ａ、３７０ａ１、３７０ａ２、３７０ａ３  開口部
１１１、２１１、３１１  第１電極
１１２、２１２、３１２  第２電極
１１３、２１３、３１３  中間層
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３  ピクセル
ＬＡ１、ＬＡ２、ＬＡ３  発光領域
ＮＡ１、ＮＡ２、ＮＡ３  非発光領域
ＴＡ  透過領域
【図１】
2014199812.tif 000003
【図２】
2014199812.tif 000004
【図３】
2014199812.tif 000005
【図４】
2014199812.tif 000006
【図５】
2014199812.tif 000007
【図６】
2014199812.tif 000008
【図７】
2014199812.tif 000009
【図８】
2014199812.tif 000010
【図９】
2014199812.tif 000011
【図１０】
2014199812.tif 000012
【図１１】
2014199812.tif 000013