(57)【要約】      （修正有）【課題】裁縫・繊維分野において、ソレノイドの磁化時間を短縮することが可能な磁化方法及び磁化装置を提供する。【解決手段】所定の巻き数のソレノイドに対して、当該ソレノイドの直流抵抗と当該ソレノイドのピーク磁化電流との積の１．５倍以上の所定の磁化電圧を印加するステップＳ１０１と、上記ソレノイドを用いることにより、上記ソレノイド内の磁場可逆永久磁石を上記所定の磁化電圧で磁化するステップＳ１０２とで前記磁場可逆永久磁石を磁化する。【選択図】図１
2014033606.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁化方法であって、
所定の巻き数のソレノイドに対して、当該ソレノイドの直流抵抗と当該ソレノイドのピーク磁化電流との積の１．５倍以上の所定の磁化電圧を印加するステップと、
前記ソレノイドを用いることにより、前記ソレノイド内の磁場可逆永久磁石を前記所定の磁化電圧で磁化するステップと
を含むことを特徴とする磁化方法。
【請求項２】
請求項１記載の磁化方法において、当該磁化方法は、前記所定の巻き数の前記ソレノイドに対して前記所定の磁化電圧を印加するステップに先立って、
前記ソレノイドのアンペアターンを設定するステップと、
前記ソレノイドの前記アンペアターンと、前記巻き数及び前記磁化電流の対応関係とに従って、前記ソレノイドのピーク磁化電流を取得するステップと、
前記ソレノイドの前記ピーク磁化電流と前記直流抵抗とに従って、前記所定の磁化電圧を取得するステップとを含むことを特徴とする磁化方法。
【請求項３】
請求項１記載の磁化方法において、当該磁化方法は、
前記ソレノイドの前記磁化電流が遮断された場合は、前記ソレノイドの前記アンペアターンと、当該アンペアターン及び残留磁気の対応関係とに従って、前記磁場可逆永久磁石の所定の残留磁気を取得するステップと、
前記磁場可逆永久磁石が、前記所定の残留磁気の作用により、前記ソレノイドの一端の永久磁石に対する作用力を発生させて、それにより、バイトを前記永久磁石に連結するステップと
を含むことを特徴とする磁化方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか記載の磁化方法において、
前記所定の磁化電圧は、前記ソレノイドの前記直流抵抗と前記ソレノイドの前記ピーク磁化電流との前記積の３倍以上である
ことを特徴とする磁化方法。
【請求項５】
請求項４記載の磁化方法において、
前記所定の磁化電圧は、前記ソレノイドの前記直流抵抗と前記ソレノイドの前記ピーク磁化電流との前記積の５倍以上である
ことを特徴とする磁化方法。
【請求項６】
請求項１乃至３のいずれか記載の磁化方法において、
前記ソレノイドの前記所定の巻き数は５３３、前記ソレノイドの前記直流抵抗は６．３Ω、前記ソレノイドの前記ピーク磁化電流は１．６５Ａであり、
前記所定の磁化電圧は３０．５Ｖである
ことを特徴とする磁化方法。
【請求項７】
請求項１乃至３のいずれか記載の磁化方法において、
前記ソレノイドの前記所定の巻き数は５３３、前記ソレノイドの前記直流抵抗は６．３Ω、前記ソレノイドの前記ピーク磁化電流は１．６５Ａであり、
前記所定の磁化電圧は６１Ｖである
ことを特徴とする磁化方法。
【請求項８】
磁化装置であって、
所定の巻き数のソレノイドに対して、当該ソレノイドの直流抵抗と当該ソレノイドのピーク磁化電流との積の１．５倍以上の所定の磁化電圧を印加する電圧印加モジュールと、
前記ソレノイドを用いることにより、前記ソレノイド内の磁場可逆永久磁石を前記所定の磁化電圧で磁化する磁化モジュールと
を有することを特徴とする磁化装置。
【請求項９】
請求項８記載の磁化装置において、当該磁化装置はさらに、
前記ソレノイドのアンペアターンを設定する設定モジュールと、
前記ソレノイドの前記アンペアターンと、前記巻き数及び前記磁化電流の対応関係とに従って、前記ソレノイドのピーク磁化電流を取得する電流モジュールと、
前記ソレノイドの前記ピーク磁化電流と前記直流抵抗とに従って、前記所定の磁化電圧を算出する電圧モジュールと
を有することを特徴とする磁化装置。
【請求項１０】
請求項８又は９記載の磁化装置において、当該磁化装置はさらに、
前記ソレノイドの前記磁化電流が遮断された場合は、前記ソレノイドの前記アンペアターンと、当該アンペアターン及び残留磁気の対応関係とに従って、前記磁場可逆永久磁石の所定の残留磁気を算出する残留磁気モジュールと、
前記磁場可逆永久磁石の前記所定の残留磁気の作用により、前記ソレノイドの一端の永久磁石に対する作用力を発生させて、それにより、バイトを前記永久磁石に連結する連結モジュールと
を有することを特徴とする磁化装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、裁縫・繊維分野に関し、特に、磁化方法及び磁化装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
編み機のアクチュエータには、いくつかのソレノイドが並列配置されており、各ソレノイドには、磁場可逆永久磁石が挿通されている。ソレノイドの一端には永久磁石が配されており、当該永久磁石は、バイトと接続している。ソレノイドの電源が投入されると、ソレノイドには磁場が形成されて、磁場可逆永久磁石（すなわち、ソレノイド内の磁場可逆永久磁石）が磁化される。ソレノイドの磁場が定格磁場強度に達すると、磁場可逆永久磁石の磁気は所定の磁場強度に達し、この時、磁場可逆永久磁石と永久磁石との間に作用力が発生して、それにより、ソレノイドの一端の永久磁石が移動し、バイトが永久磁石に連結される。こうして、針の選択が可能となる。
【０００３】
しかし、従来のアクチュエータにおいては、ソレノイドの磁化時間は約１ミリ秒〜２ミリ秒であり、ソレノイド内の磁場可逆永久磁石を磁化する場合、磁場可逆永久磁石が所定の磁場強度に達するまでに必要な時間はさらに長くなる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、ソレノイドの磁化時間を短縮することが可能な磁化方法及び磁化装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的のために、本発明の技術的解決方法は、以下のように実施される。
【０００６】
磁化方法は以下を含む。
【０００７】
所定の巻き数のソレノイドに対して、当該ソレノイドの直流抵抗と当該ソレノイドのピーク磁化電流との積の１．５倍以上の所定の磁化電圧を印加するステップ。
【０００８】
上記ソレノイドを用いることにより、上記ソレノイド内の磁場可逆永久磁石を上記所定の磁化電圧で磁化するステップ。
【０００９】
好適には、上記磁化方法はさらに、上記所定の巻き数の上記ソレノイドに対して上記所定の磁化電圧を印加するステップに先立って、以下を含む。
【００１０】
ソレノイドのアンペアターンを設定するステップ。
【００１１】
上記ソレノイドの上記アンペアターンと、上記巻き数及び上記磁化電流の対応関係とに従って、上記ソレノイドのピーク磁化電流を取得するステップ。
【００１２】
上記ソレノイドの上記ピーク磁化電流と上記直流抵抗とに従って、上記所定の磁化電圧を取得するステップ。
【００１３】
また、上記磁化方法はさらに、以下を含む。
【００１４】
上記ソレノイドの上記磁化電流が遮断された場合は、上記ソレノイドの上記アンペアターンと、当該アンペアターン及び残留磁気の対応関係とに従って、上記磁場可逆永久磁石が保持する所定の残留磁気を取得するステップ。
【００１５】
上記磁場可逆永久磁石が、上記所定の残留磁気の作用により、上記ソレノイドの一端の永久磁石に対する作用力を発生させて、それにより、バイトを上記永久磁石に連結するステップ。
【００１６】
好適には、以下である。
【００１７】
上記所定の磁化電圧は、ソレノイドの直流抵抗とソレノイドのピーク磁化電流との積の３倍以上である。
【００１８】
好適には、以下である。
【００１９】
上記所定の磁化電圧は、ソレノイドの直流抵抗とソレノイドのピーク磁化電流との積の５倍以上である。
【００２０】
好適には、上記ソレノイドの上記所定の巻き数は５３３、上記ソレノイドの上記直流抵抗は６．３Ω、上記ソレノイドの上記ピーク磁化電流は１．６５Ａである。
【００２１】
したがって、上記所定の磁化電圧は、３０．５Ｖである。
【００２２】
好適には、上記ソレノイドの上記所定の巻き数は５３３、上記ソレノイドの上記直流抵抗は６．３Ω、上記ソレノイドの上記ピーク磁化電流は１．６５Ａである。
【００２３】
したがって、上記所定の磁化電圧は、６１Ｖである。
【００２４】
また、本発明は磁化装置を提供し、当該磁化装置は、以下を有する。
【００２５】
所定の巻き数のソレノイドに対して、当該ソレノイドの直流抵抗と当該ソレノイドのピーク磁化電流との積の１．５倍以上の所定の磁化電圧を印加する電圧印加モジュール。
【００２６】
上記ソレノイドを用いることにより、上記ソレノイド内の磁場可逆永久磁石を上記所定の磁化電圧で磁化する磁化モジュール。
【００２７】
上記磁化装置はさらに、以下を有する。
【００２８】
上記ソレノイドのアンペアターンを設定する設定モジュール。
【００２９】
上記ソレノイドの上記アンペアターンと、上記巻き数及び上記磁化電流の対応関係とに従って、上記ソレノイドのピーク磁化電流を取得する電流モジュール。
【００３０】
上記ソレノイドの上記ピーク磁化電流と上記直流抵抗とに従って、上記所定の磁化電圧を算出する電圧モジュール。
【００３１】
上記磁化装置はさらに、以下を有する。
【００３２】
上記ソレノイドの上記磁化電流が遮断された場合は、上記ソレノイドの上記アンペアターンと、当該アンペアターン及び残留磁気の対応関係とに従って、上記磁場可逆永久磁石が保持する所定の残留磁気を算出する残留磁気モジュール。
【００３３】
上記所定の残留磁気の作用により、上記ソレノイドの一端の永久磁石に対する作用力を発生させて、それにより、バイトを上記永久磁石に連結する連結モジュール。
【発明の効果】
【００３４】
従来技術に比べて、本発明の磁化方法および磁化装置では、ソレノイドの所定の磁化電圧は、ソレノイドの直流抵抗とソレノイドのピーク磁化電流との積の１．５倍以上であり、この点が、一般的にソレノイドの磁化電圧がソレノイドの直流抵抗とソレノイドのピーク磁化電流との積に等しい従来技術とは異なる。実験データから見て取れるように、本発明の磁化方法及び磁化装置は、ソレノイドの磁化時間を効果的に短縮することができる。
【００３５】
また、本発明の磁化方法及び磁化装置を用いて、以下の好ましい効果を得ることができる。
【００３６】
１．磁化時間の短縮により、磁場可逆永久磁石は所定の磁場強度に短時間で達することが可能であり、それにより、ソレノイドの一端の永久磁石に対する作用力を発生させて、永久磁石を引きつけて、バイトを永久磁石に連結する（すなわち、バイトの反応時間を短縮させる）。
【００３７】
２．ソレノイドの所定の磁化電圧は、ソレノイドの直流抵抗とソレノイドのピーク磁化電流との積の１．５倍以上であり、この点が、一般的にソレノイドの磁化電圧がソレノイドの直流抵抗とソレノイドのピーク磁化電流との積に等しい従来技術とは異なる。実験データから見て取れるように、本発明の磁化方法及び磁化装置は、ソレノイドの磁化にかかるエネルギー消費量を効果的に減少させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
本発明の実施形態又は従来技術の技術的解決方法を明確に説明するために、以下、実施形態又は従来技術の説明のために必要な図面を簡略的に紹介する。明らかなように、以下に説明する図面は、本発明のいくつかの実施形態であって、当業者であれば、これらの図面に基づく他の図面を創作活動を行うことなく作成できるだろう。
【００３９】
【図１】本発明の実施形態１による磁化方法を示すフローチャートである。
【図２】本発明の実施形態２による別の磁化方法を示すフローチャートである。
【図３】本発明の実施形態３による磁化装置を示すブロック図である。
【図４】本発明の実施形態４による別の磁化装置を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
本発明の上記の目的、技術的解決方法及び実施形態の効果をさらに明確に示すために、以下、本発明の実施形態の技術的解決方法について、本発明の実施形態の図面を参照しながら、明確かつ詳細に説明する。明らかなように、本明細書中で説明する実施形態は、本発明の一部の実施形態であり、その全てではない。本発明の実施形態に基づいて、当業者が創作活動を行うことなく実施できる他の全ての実施形態は、本発明の保護範囲に含まれる。
【００４１】
実施形態１
【００４２】
図１を参照すると、本発明の実施形態は、以下のステップを含む磁化方法を提供する。
【００４３】
ステップＳ１０１：所定の巻き数のソレノイドに対して、当該ソレノイドの直流抵抗と当該ソレノイドのピーク磁化電流との積の１．５倍以上の所定の磁化電圧を印加するステップ。
【００４４】
ここで、所定の磁化電圧とは、１つの磁化サイクル中にソレノイドの両端に印加される直流電圧成分のことを言う。
【００４５】
ステップＳ１０２：上記ソレノイドを用いることにより、ソレノイド内の磁場可逆永久磁石を上記所定の磁化電圧で磁化するステップ。
【００４６】
本発明の実施形態１による磁化方法では、ソレノイドの所定の磁化電圧は、ソレノイドの直流抵抗とソレノイドのピーク磁化電流との積の１．５倍以上であり、この点が、一般的にソレノイドの磁化電圧がソレノイドの直流抵抗とソレノイドのピーク磁化電流との積に等しい従来技術とは異なる。実験データから見て取れるように、本発明による磁化方法は、ソレノイドの磁化時間を効果的に短縮することができる。
【００４７】
実施形態２
【００４８】
本発明の実施形態２は、別の磁化方法を提供する。図２を参照すると、この方法の一例としては、編み機のアクチュエータが挙げられ、以下のステップを含む。
【００４９】
ステップＳ２０１：上記ソレノイドのアンペアターンを設定するステップ。
【００５０】
ここで、ソレノイドのアンペアターンは、磁場強度、つまり、ソレノイドの巻き数とソレノイドのピーク磁化電流の積を表している。
【００５１】
ステップＳ２０２：上記ソレノイドの上記アンペアターンと、上記巻き数及び上記磁化電流の対応関係とに従って、上記ソレノイドのピーク磁化電流を取得するステップ。
【００５２】
ステップＳ２０３：上記ソレノイドの上記ピーク磁化電流と上記直流抵抗とに従って、上記所定の磁化電圧を取得するステップ。
【００５３】
ステップＳ２０４：所定の巻き数の上記ソレノイドに対して、上記所定の磁化電圧を印加するステップ。
【００５４】
ここで、上記所定の磁化電圧は、ソレノイドの直流抵抗とソレノイドのピーク磁化電流との積の１．５倍以上である。
【００５５】
詳細には、本実施形態において、上記所定の磁化電圧は、ソレノイドの直流抵抗とソレノイドのピーク磁化電流との積の３倍以上である。
【００５６】
あるいは、ここで、上記所定の磁化電圧は、ソレノイドの直流抵抗とソレノイドのピーク磁化電流との積の５倍以上である。
【００５７】
例えば、（１）上記ソレノイドの上記所定の巻き数は５３３、上記ソレノイドの上記直流抵抗は６．３Ω、上記ソレノイドの上記ピーク磁化電流は１．６５Ａである。
【００５８】
したがって、上記所定の磁化電圧は、３０．５Ｖである。
【００５９】
あるいは、（２）上記ソレノイドの上記所定の巻き数は５３３、上記ソレノイドの上記直流抵抗は６．３Ω、上記ソレノイドの上記ピーク磁化電流は１．６５Ａである。
【００６０】
したがって、上記所定の磁化電圧は、６１Ｖである。
【００６１】
ステップＳ２０５：上記ソレノイドを用いることにより、上記ソレノイド内の磁場可逆永久磁石を上記所定の磁化電圧で磁化するステップ。
【００６２】
ステップＳ２０６：上記ソレノイドの上記磁化電流が遮断された場合は、上記ソレノイドの上記アンペアターンと、当該アンペアターン及び残留磁気の対応関係とに従って、上記磁場可逆永久磁石が保持する所定の残留磁気を取得するステップ。
【００６３】
ここで、残留磁気とは、ソレノイドの磁化電流が０である場合に、磁場可逆永久磁石が保持する所定の残留磁気のことを言う。
【００６４】
詳細には、本実施形態において、上記ソレノイドの上記アンペアターンが、巻き数５５３と１．６５Ａとの積である場合は、上記アンペアターン及び残留磁気の対応関係に従って取得される、上記磁場可逆永久磁石が保持する所定の残留磁気は、７２０Ｇｓである。
【００６５】
ステップＳ２０７：上記磁場可逆永久磁石の上記所定の残留磁気の作用により、上記ソレノイドの一端の永久磁石に対する作用力を発生させて、それにより、バイトを上記永久磁石に連結するステップ。
【００６６】
実験データ
【００６７】
電圧、時間及びエネルギー消費量の関係
【００６８】
【表１】
2014033606.tif 000003
【００６９】
ここで、従来のアクチュエータにおけるソレノイドの所定の磁化電圧は、１３．３Ｖであり、したがって、ソレノイドの磁化時間、つまり、ソレノイドのゼロ電流からピーク磁化電流までの間隔は、１６００μｓである。また、ソレノイドの磁化にかかるエネルギー消費量は２８．７ｍｊであり、当該エネルギー消費量は、ソレノイドコイルの電力損失と磁場可逆永久磁石の磁気吸収によって生じるエネルギー損失との合計である。
【００７０】
上の表から見て取れるように、ソレノイドの所定の磁化電圧は次第に増加するため、ソレノイドの磁化にかかるエネルギー消費量の減少は緩やかになり、次第に一定となる。なぜなら、所定の磁化電圧が高い場合は、ソレノイドコイルが消費量する電力損失は次第に、小さな一定値に近づくためである。磁場可逆永久磁石の磁気吸収によって生じるエネルギー損失は一定値であり、約１１ｍｊである。このように、ソレノイドコイルによって生じる電力損失は、磁場可逆永久磁石の磁気吸収によって生じるエネルギー損失に対して非常に小さい値である。そのため、ソレノイドの所定の磁化電圧が増加すると、ソレノイドの磁化にかかる総エネルギー消費量に対する電力損失の影響は小さくなり、ソレノイドの磁化にかかるエネルギー消費量は、上記の一定値となる傾向がある。
【００７１】
なお、一般的に、ソレノイドの磁化時間は４０μｓより長い。磁化時間がそれより短いと、導体（コンダクタ）を通過する全ての電流が導体表面に集中して、磁場可逆永久磁石のうず電流損が増加し、それにより、ソレノイドの磁化にかかるエネルギー消費量が増加する。
【００７２】
このように、本実施形態において、ソレノイドの所定の磁化電圧は、ソレノイドの直流抵抗とソレノイドのピーク磁化電流との積の１．５倍以上であり、さらに、ソレノイドの所定の磁化電圧は、ソレノイドの直流抵抗とソレノイドのピーク磁化電流との積の３倍以上又は５倍以上であり、この点が、一般的にソレノイドの磁化電圧がソレノイドの直流抵抗とソレノイドのピーク磁化電流との積に等しい従来技術とは異なる。実験データから見て取れるように、本発明の磁化方法は、ソレノイドの磁化時間を効果的に短縮することができる。
【００７３】
また、磁化時間の短縮により、磁場可逆永久磁石は所定の磁場強度に短時間で達することになり、それにより、ソレノイドの一端の永久磁石に対する作用力を発生させて、永久磁石を引きつけて、バイトを永久磁石に連結する（すなわち、バイトの反応時間を短縮させる）。
【００７４】
同時に、ソレノイドの所定の磁化強度は、ソレノイドの直流抵抗とソレノイドのピーク磁化電流との積の１．５倍以上であり、この点が、一般的にソレノイドの磁化電圧がソレノイドの直流抵抗とソレノイドのピーク磁化電流との積に等しい従来技術とは異なる。実験データから見て取れるように、本発明の磁化方法は、ソレノイドの磁化にかかるエネルギー消費量を効果的に抑制することができる。
【００７５】
また、本発明の実施形態２による磁化方法は、アクチュエータだけでなく、例えば、ソレノイド弁及び中継器といった、電磁誘導又は磁気アクチュエータを用いた他の装置にも適用することができる。
【００７６】
実施形態３
【００７７】
図３を参照すると、本発明の実施形態３は、実施形態１に従った一の磁化装置を提供し、当該磁化装置は、以下を有する。
【００７８】
所定の巻き数のソレノイドに対して、当該ソレノイドの直流抵抗と当該ソレノイドのピーク磁化電流との積の１．５倍以上の所定の磁化電圧を印加する印加モジュール３１。
【００７９】
上記ソレノイドを用いることにより、ソレノイド内の磁場可逆永久磁石を上記所定の磁化電圧で磁化する磁化モジュール３２。
【００８０】
本発明の本実施形態による磁化装置において、ソレノイドの所定の磁化電圧は、ソレノイドの直流抵抗とソレノイドのピーク磁化電流との積の１．５倍以上であり、さらに、ソレノイドの所定の磁化電圧は、ソレノイドの直流抵抗とソレノイドのピーク磁化電流との積の３倍以上又は５倍以上であり、この点が、一般的にソレノイドの磁化電圧がソレノイドの直流抵抗とソレノイドのピーク磁化電流との積に等しい従来の技術とは異なる。実験データから見て取れるように、本発明による磁化装置は、ソレノイドの磁化時間を効果的に短縮することができる。
【００８１】
実施形態４
【００８２】
本発明の実施形態４は、実施形態２に従った別の磁化装置を提供し、当該磁化装置は、編み機のアクチュエータに適用される。アクチュエータには、いくつかのソレノイドが並列配置されており、各ソレノイドには、磁場可逆永久磁石が挿通されている。また、磁場可逆永久磁石の一端には、永久磁石が交互に配置されており、各永久磁石は、アクチュエータのニードルヘッドであるバイトと接続している。図４を参照すると、上記磁化装置は以下を有する。
【００８３】
上記ソレノイドのアンペアターンを設定する設定モジュール４１。
【００８４】
上記ソレノイドの上記アンペアターンと、上記巻き数及び上記磁化電流の対応関係とに従って、上記ソレノイドのピーク磁化電流を取得する電流モジュール４２。
【００８５】
上記ソレノイドの上記ピーク磁化電流と上記直流抵抗とに従って、上記所定の磁化電圧を算出する電圧モジュール４３。
【００８６】
所定の巻き数の上記ソレノイドに対して、上記所定の磁化電圧を印加する電圧印加モジュール４４。
【００８７】
ここで、上記所定の磁化電圧は、ソレノイドの直流抵抗とソレノイドのピーク磁化電流との積の１．５倍以上である。
【００８８】
詳細には、本実施形態において、上記所定の磁化電圧は、ソレノイドの直流抵抗とソレノイドのピーク磁化電流との積の３倍以上である。
【００８９】
あるいは、ここで、上記所定の磁化電圧は、ソレノイドの直流抵抗とソレノイドのピーク磁化電流との積の５倍以上である。
【００９０】
上記ソレノイドを用いることにより、ソレノイド内の磁場可逆永久磁石を上記所定の磁化電圧で磁化する磁化モジュール４５。
【００９１】
上記ソレノイドの上記磁化電流が遮断された場合は、上記ソレノイドの上記アンペアターンと、当該アンペアターン及び残留磁気の対応関係とに従って、上記磁場可逆永久磁石の所定の残留磁気を算出する残留磁気モジュール４６。
【００９２】
上記磁場可逆永久磁石の上記所定の残留磁気の作用により、上記ソレノイドの一端の永久磁石に対する作用力を発生させて、それにより、バイトを上記永久磁石に連結する連結モジュール４７。
【００９３】
このように、本実施形態において、ソレノイドの所定の磁化電圧は、ソレノイドの直流抵抗とソレノイドのピーク磁化電流との積の１．５倍以上であり、さらに、ソレノイドの所定の磁化電圧は、ソレノイドの直流抵抗とソレノイドのピーク磁化電流との積の３倍以上又は５倍以上であり、この点が、一般的にソレノイドの磁化電圧がソレノイドの直流抵抗とソレノイドのピーク磁化電流との積に等しい従来の技術とは異なる。実験データから見て取れるように、本発明による磁化装置は、ソレノイドの磁化時間を効果的に短縮することができる。
【００９４】
また、磁化時間の短縮により、磁場可逆永久磁石は所定の磁場強度に短時間で達することになり、それにより、ソレノイドの一端の永久磁石に対する作用力を発生させて、永久磁石を引きつけて、バイトを永久磁石に連結する（すなわち、バイトの反応時間を短縮させる）。
【００９５】
同時に、ソレノイドの所定の磁化電圧は、ソレノイドの直流抵抗とソレノイドのピーク磁化電流との積の１．５倍以上であり、この点が、一般的にソレノイドの磁化電圧がソレノイドの直流抵抗とソレノイドのピーク磁化電流との積に等しい従来技術とは異なる。実験データから見て取れるように、本発明による磁化装置は、ソレノイドの磁化にかかるエネルギー消費量を効果的に抑制することができる。
【００９６】
また、所定の巻き数の上記ソレノイドの巻き線をマルチストランドの並列巻き線とすること、巻き回数を増加又は減少させること及び磁化電圧に直流成分等価変換を行うこと等が可能である。
【００９７】
なお、上記実施形態は、本発明の技術的解決方法を例示するものにすぎず、本発明を限定するものではない。本発明について、上記実施形態を参照しながら説明してきたが、当業者であれば、修正及び置換に対応する技術的解決方法の本質が本発明の各実施形態の技術的解決方法の趣旨及び範囲から逸脱することがない形で、上記各実施形態に記載された技術的解決方法が修正され得ること及びそれらの技術的特徴の一部が均等物により置換され得ることを理解できるだろう。
【図１】
2014033606.tif 000004
【図２】
2014033606.tif 000005
【図３】
2014033606.tif 000006
【図４】
2014033606.tif 000007
【外国語明細書】
2014033606000001.pdf