(57)【要約】【課題】プラズマを用いたドライエッチングにより、面内において厚さの異なる部分を有する基材の一側に高精度の微細凹凸パターンを有するインプリントモールドを製造する方法、及び厚さの異なる部分を有する基材の一側に、プラズマを用いたドライエッチングにより微細凹凸パターンを高精度に形成する方法を提供する。【解決手段】第１の側１０ａと、当該第１の側１０ａに対向する第２の側１０ｂとを有し、第２の側１０ｂに窪み部１３が形成されてなり、第１の誘電体を含む基材１０を用いてインプリントモールド１を製造する方法は、第２の誘電体を含む誘電率調整部材３０を窪み部１３内に配置する誘電率調整部材配置工程と、誘電率調整部材３０が窪み部１３内に配置された基材１０の第１の側１０ａに、プラズマを用いたドライエッチングにより微細凹凸パターン２を形成するパターン形成工程とを含む。【選択図】図１
2014151609.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の側と、当該第１の側に対向する第２の側とを有し、前記第２の側に窪み部が形成されてなり、第１の誘電体を含む基材を用いてインプリントモールドを製造する方法であって、
第２の誘電体を含む誘電率調整部材を前記窪み部内に配置する誘電率調整部材配置工程と、
前記誘電率調整部材が前記窪み部内に配置された前記基材の第１の側に、プラズマを用いたドライエッチングにより微細凹凸パターンを形成するパターン形成工程と
を含むことを特徴とするインプリントモールドの製造方法。
【請求項２】
前記第２の側が上方に位置するようにした前記基材の平面視において、前記第１の側における前記微細凹凸パターンの形成される領域が、前記窪み部の底部に包摂される関係となるように、前記微細凹凸パターンを形成することを特徴とする請求項１に記載のインプリントモールドの製造方法。
【請求項３】
前記第２の誘電体は、前記第１の誘電体と実質的に等しい誘電率を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリントモールドの製造方法。
【請求項４】
前記第２の側が上方に位置するようにした前記基材の平面視において、前記誘電率調整部材は、前記窪み部の外形よりも小さく、かつ前記窪み部の外形に相似する形状を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のインプリントモールドの製造方法。
【請求項５】
前記第２の側が上方に位置するようにした前記基材の平面視において、前記誘電率調整部材は、前記窪み部の底部に当接するように配置されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のインプリントモールドの製造方法。
【請求項６】
前記第２の側が上方に位置するようにした前記基材の平面視において、前記誘電率調整部材の厚みは、前記窪み部の高さ以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のインプリントモールドの製造方法。
【請求項７】
前記誘電率調整部材配置工程において、前記窪み部内に固定可能な固定部材を用いて、前記窪み部内に前記誘電率調整部材を固定することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のインプリントモールドの製造方法。
【請求項８】
プラズマを用いたドライエッチングを行うドライエッチング装置内に前記基材が搬送される前に、前記誘電率調整部材が前記窪み部内に配置されることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のインプリントモールドの製造方法。
【請求項９】
プラズマを用いたドライエッチングを行うドライエッチング装置内において、前記誘電率調整部材が前記窪み部内に配置されることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のインプリントモールドの製造方法。
【請求項１０】
第１の側と、当該第１の側に対向する第２の側とを有し、第１の誘電体を含む基材における前記第１の側に、プラズマを用いたドライエッチングを行うドライエッチング装置を用いて微細凹凸パターンを形成する方法であって、
前記ドライエッチング装置は、上部電極と、当該上部電極に対向する下部電極とを少なくとも有し、
前記基材は、少なくとも前記第２の側が非平坦面に構成されていることで、前記ドライエッチング装置における前記下部電極上に載置されたときに、前記上部電極と前記下部電極との対向する方向において、前記下部電極との間に気相領域が存在し得る形状を有しており、
前記基材と前記下部電極との間に存在する前記気相領域内に、第２の誘電体を含む誘電率調整部材を配置し、
前記誘電率調整部材が配置された前記基材の第１の側に、プラズマを用いたドライエッチングにより前記微細凹凸パターンを形成することを特徴とする微細凹凸パターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリントモールドを製造する方法及び微細凹凸パターンを形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
微細加工技術としてのナノインプリント技術は、基材の表面に微細凹凸パターンが形成されてなる型部材（インプリントモールド）を用い、当該微細凹凸パターンをインプリント樹脂等の被加工物に等倍転写するパターン形成技術である（特許文献１参照）。特に、半導体デバイスにおける配線パターン等のさらなる微細化の進行等に伴い、半導体デバイスの製造プロセス等においてナノインプリント技術が益々注目されている。
【０００３】
このナノインプリント技術として、光インプリント技術及び熱インプリント技術が知られているが、一般に、光インプリント技術が用いられている。光インプリントは、室温で低い印加圧力により微細凹凸パターンの転写が可能であり、熱インプリントのような加熱・冷却サイクルが不要であることでマスターモールドや樹脂の熱による寸法変化が生じないため、熱インプリントに比して、解像性、アライメント精度、生産性等の点で優れていると言われている。そのため、インプリントモールドを構成する基材としては、光インプリントにおける露光光を透過可能な石英基板が主に用いられている。
【０００４】
ナノインプリント技術に用いられるインプリントモールドとして、図８（ｃ）に示すように、第１の側１００ａと、第１の側１００ａに対向する第２の側１００ｂとを有し、第１の側１００ａに微細凹凸パターン２００が形成され、第２の側１００ｂに窪み部１３０が形成されてなるインプリントモールド１００が知られている（特許文献２参照）。このインプリントモールド１００においては、第１の側１００ａは、基材のほぼ中央に位置する肉薄領域１４０と、その周囲に位置する肉厚領域１５０とにより構成される。そして、第１の側１００ａの微細凹凸パターン２００が形成されているパターン領域１２０は、平面視において窪み部１３０に包摂されている。
【０００５】
このインプリントモールド１００によれば、微細凹凸パターン２００の形成されているパターン領域１２０が肉薄領域１４０に位置することで、微細凹凸パターン２００を被加工物としてのインプリント樹脂に押し当てるときに第１の側１００ａに向かって凸状に湾曲させることができるため、インプリント樹脂が濡れ広がるときに気泡を閉じ込めてしまうことなく微細凹凸パターン２００を転写することができる。また、微細凹凸パターン２００が転写されたインプリント樹脂からインプリントモールド１００を引き離す際にも同様に湾曲させることができるため、インプリント樹脂からのインプリントモールド１００の剥離容易性を向上させることができる。そのため、インプリント樹脂に形成される転写パターンの破損等を生じさせることなく、高精度に微細凹凸パターン２００を転写することができる。
【０００６】
このようなインプリントモールド１００は、以下のようにして製造され得る。
まず、第２の側１００ｂに窪み部１３０が形成されてなる基材１０’を用意する。なお、第１の側１００ａには、微細凹凸パターン２００に対応する所定の開口部を有するエッチングマスク１６０が設けられている。そして、当該基材１０’の第１の側１００ａにおけるパターン領域１２０に、プラズマを用いたドライエッチングにより微細凹凸パターン２００を形成し、エッチングマスク１６０を除去する（図８参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】米国特許第５，７７２，９０５号
【特許文献２】特表２００９−５３６５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述したように、上記インプリントモールド１００は、第２の側１００ｂに窪み部１３０が形成されてなる基材１０’の第１の側１００ａ（パターン領域１２０）に、反応性プラズマを用いたドライエッチングにより微細凹凸パターン２００を形成することで製造される。
【０００９】
ドライエッチングにより微細凹凸パターン２００を形成する際、ドライエッチング装置内の一対の電極（アノード及びカソード）間に基材１０’が載置される。このとき、基材１０’の第２の側１００ｂに窪み部１３０が形成されていることにより、基材１０’の肉薄領域１４０部分は、基材１０’の厚さ方向に見たときに、基材１０’と気相（空気）との積層体とみなすことができる。よって、基材１０’の肉薄領域１４０部分における誘電率は、基材１０’を構成する材料（誘電体）と気相（空気）との平均誘電率となる。一方、基材１０’の肉厚領域１５０部分の誘電率は、基材を構成する材料（誘電体）の誘電率となる。そのため、肉薄領域１４０と肉厚領域１５０とで誘電率が異なることになる。これにより、基材１０’の肉薄領域１４０（特に、パターン領域１２０）内におけるエッチング選択比の悪化、基材１０’の第１の側１００ａ（特に、パターン領域１２０）におけるイオンやラジカルの分布や指向性の均一性の悪化、微細凹凸パターン２００の断面形状の悪化（微細凹凸パターン２００の側壁の立ち上がり角度（微細凹凸パターン２００の凹部上面に対する凸部側壁の角度）の悪化）等が生じ、エッチング精度が低下するという問題がある。
【００１０】
このように、面内における厚さが均一ではない、誘電体により構成される基材の一の側に、プラズマを用いたドライエッチングにより微細凹凸パターンを形成する場合には、基材の厚さの違いにより、基材とドライエッチング装置の下部電極間に部分的に気相が存在し、その気相に起因する誘電率差によってエッチング精度の低下が生じ得るという問題がある。
【００１１】
かかる実情に鑑み、本発明は、プラズマを用いたドライエッチングにより、面内において厚さの異なる部分を有する基材の一側に高精度の微細凹凸パターンを有するインプリントモールドを製造する方法、及び厚さの異なる部分を有する基材の一側に、プラズマを用いたドライエッチングにより微細凹凸パターンを高精度に形成する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明は、第１の側と、当該第１の側に対向する第２の側とを有し、前記第２の側に窪み部が形成されてなり、第１の誘電体を含む基材を用いてインプリントモールドを製造する方法であって、第２の誘電体を含む誘電率調整部材を前記窪み部内に配置する誘電率調整部材配置工程と、前記誘電率調整部材を前記窪み部内に配置された前記基材の第１の側に、プラズマを用いたドライエッチングにより微細凹凸パターンを形成するパターン形成工程とを含むことを特徴とするインプリントモールドの製造方法を提供する（発明１）。
【００１３】
上記発明（発明１）においては、前記第２の側が上方に位置するようにした前記基材の平面視において、前記第１の側における前記微細凹凸パターンの形成される領域が、前記窪み部の底部に包摂される関係となるように、前記微細凹凸パターンを形成するのが好ましい（発明２）。
【００１４】
上記発明（発明１，２）においては、前記第２の誘電体は、前記第１の誘電体と実質的に等しい誘電率を有するのが好ましい（発明３）。
【００１５】
なお、本発明において「誘電率が実質的に等しい」とは、一の誘電体（第１の誘電体）の誘電率ε１と他の誘電体（第２の誘電体）の誘電率ε２とが、下記式の関係を有することを意味するものとする。
０．８≦ε１／ε２≦１．２
【００１６】
上記発明（発明１〜３）においては、前記第２の側が上方に位置するようにした前記基材の平面視において、前記誘電率調整部材は、前記窪み部の外形よりも小さく、かつ前記窪み部の外形に相似する形状を有するのが好ましい（発明４）。
【００１７】
上記発明（発明１〜４）においては、前記第２の側が上方に位置するようにした前記基材の平面視において、前記誘電率調整部材は、前記窪み部の底部に当接するように配置されるのが好ましい（発明５）。
【００１８】
上記発明（発明１〜５）においては、前記第２の側が上方に位置するようにした前記基材の平面視において、前記誘電率調整部材の厚みは、前記窪み部の高さ以下であるのが好ましい（発明６)。
【００１９】
上記発明（発明１〜６）においては、前記誘電率調整部材配置工程において、前記窪み部内に固定可能な固定部材を用いて、前記窪み部内に前記誘電率調整部材を固定するのが好ましい（発明７)。
【００２０】
上記発明（発明１〜７）においては、プラズマを用いたドライエッチングを行うドライエッチング装置内に前記基材が搬送される前に、前記誘電率調整部材が前記窪み部内に配置されてもよいし（発明８）、プラズマを用いたドライエッチングを行うドライエッチング装置内において、前記誘電率調整部材が前記窪み部内に配置されてもよい（発明９）。
【００２１】
また、本発明は、第１の側と、当該第１の側に対向する第２の側とを有し、第１の誘電体を含む基材における前記第１の側に、プラズマを用いたドライエッチングを行うドライエッチング装置を用いて微細凹凸パターンを形成する方法であって、前記ドライエッチング装置は、上部電極と、当該上部電極に対向する下部電極とを少なくとも有し、前記基材は、少なくとも前記第２の側が非平坦面に構成されていることで、前記ドライエッチング装置における前記下部電極上に載置されたときに、前記上部電極と前記下部電極との対向する方向において、前記下部電極との間に気相領域が存在し得る形状を有しており、前記基材と前記下部電極との間に存在する前記気相領域内に、第２の誘電体を含む誘電率調整部材を配置し、前記誘電率調整部材が配置された前記基材の第１の側に、プラズマを用いたドライエッチングにより前記微細凹凸パターンを形成することを特徴とする微細凹凸パターン形成方法を提供する（発明１０）。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、プラズマを用いたドライエッチングにより、面内において厚さの異なる部分を有する基材の一側に高精度の微細凹凸パターンを有するインプリントモールドを製造する方法、及び厚さの異なる部分を有する基材の一側に、プラズマを用いたドライエッチングにより微細凹凸パターンを高精度に形成する方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造方法を概略的に示す工程フロー図である。
【図２】図２（ａ）は、本発明の一実施形態において用いられる基材の概略構成を示す切断端面図であり、図２（ｂ）は当該基材の底面図である。
【図３】図３は、本発明の一実施形態における基材の窪み部と誘電率調整部材との関係を概略的に示す断面図である。
【図４】図４（ａ）は、本発明の一実施形態における誘電率調整部材の概略構成を示す平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図である。
【図５】図５（ａ）は、本発明の一実施形態における固定冶具を構成する軸体の概略構成を示す平面図であり、図５（ｂ）は当該軸体の断面図である。
【図６】図６は、本発明の一実施形態における固定冶具を構成する固定部材の概略構成を示す斜視図である。
【図７】図７は、本発明の一実施形態において固定冶具により誘電率調整部材を窪み部内に固定する動作を概略的に示す部分断面図である。
【図８】図８は、従来のインプリントモールドの製造方法を概略的に示す工程フロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造方法を、図面を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係るインプリントモールドの製造方法を概略的に示す工程フロー図であり、図２は、本実施形態において用いられる基材を示す切断端面図（図２（ａ））及び底面図（図２（ｂ））である。
【００２５】
〔基材準備工程〕
本実施形態に係るインプリントモールドの製造方法において、図１（ａ）に示すように、まず、第１の側１０ａと、第１の側１０ａに対向する第２の側１０ｂを有し、石英、酸化チタン、フッ化カルシウム、シリコン、樹脂等の第１の誘電体により構成される、平面視略方形状の基材１０を準備する。
【００２６】
基材１０の第１の側１０ａの略中央には、平面視略方形状の凸構造（メサ構造）１１が設けられており、平面視における凸構造１１の略全面（上面）が、微細凹凸パターン２の形成されるパターン領域１２である。また、第２の側１０ｂの略中央には、平面視略円形状の窪み部１３が形成されている。すなわち、基材１０の第２の側１０ｂの略中央に窪み部１３が形成されることで、基材１０の平面視における略中央が肉薄領域１４として構成され、その周囲が肉厚領域１５として構成される。
【００２７】
図２に示すように、上記基材１０における凸構造１１（パターン領域１２）及び窪み部１３は、窪み部１３の形成されている第２の側１０ｂを上方に位置させるようにした平面視にて、凸構造１１（パターン領域１２）が窪み部１３の底面部１３ａに包摂される関係を有する。すなわち、窪み部１３は、その底面部１３ａの面積が凸構造１１（パターン領域１２）の外形により規定される面積よりも大きくなるように、第２の側１０ｂに形成されている。
【００２８】
基材１０の側面視（図２（ａ）参照）において、凸構造１１（パターン領域１２）の端部１１ｅから窪み部１３の側壁１３ｂまでの長さＬ（面内方向における長さ）は、平面視における窪み部１３の直径の５〜４０％程度の範囲で適宜設定され得る
【００２９】
窪み部１３の深さＤは、基材１０の肉薄領域１４部分がインプリント時（転写時、剥離時等）に第１の側１０ａに向かって凸状に湾曲可能な程度の厚さＴ14を有するように設定され得る。例えば、窪み部１３の深さＤは、基材１０の肉厚領域１５部分の厚さＴ15の７０〜９０％程度に設定され得る。
【００３０】
なお、基材１０の第１の側１０ａには、凸構造１１（パターン領域１２）上に所定の開口部（形成される微細凹凸パターン２の凹部２１に対応する開口部）を有する、クロム、クロム酸化物、クロム窒化物、酸化シリコン、窒化シリコン、レジスト材料等により構成されるエッチングマスク１６が形成されている。
【００３１】
〔誘電率調整部材配置工程〕
次に、図１（ｂ）に示すように、基材１０全体の厚さ方向における誘電率差を小さくすることのできる、第２の誘電体により構成される誘電率調整部材３０を、窪み部１３内に配置する。窪み部１３内に誘電率調整部材３０が配置されることで、基材１０の肉薄領域１４部分と肉厚領域１５部分との間の誘電率差を小さくすることができ、誘電率差に起因するエッチング精度の低下を抑制することができる。
【００３２】
誘電率調整部材３０を構成する第２の誘電体の誘電率ε２は、基材１０に含まれる第１の誘電体の誘電率ε１と実質的に等しい。具体的には、第１の誘電体の誘電率ε１と第２の誘電体の誘電率ε２とは、下記式に示す関係を有するのが望ましい。
０．８≦ε１／ε２≦１．２
【００３３】
なお、本実施形態において、基材１０及び誘電率調整部材３０に含まれる第１の誘電体及び第２の誘電体の誘電率ε１，ε２は、例えば、誘電体測定システム（１２６０９６型，東洋テクニカ社製）等を用いて測定される値である。
【００３４】
第１の誘電体と第２の誘電体とは、同一材料であってもよいし、互いに異なる材料であってもよい。第２の誘電体としては、例えば、石英、シリコン、アルマイト、ＰＥＥＫ（ポリエチルエーテルケトン）、ポリイミド、テフロン（登録商標）、塩化ビニル等を用いることができる。プラズマを用いたドライエッチングの際に、発塵性やガス発生が少ない、プラズマ耐食性を有する材料（石英、ＰＥＥＫ、ポリイミド等）が好ましい。
【００３５】
図３に示すように、誘電率調整部材３０は、その平面視外形が窪み部１３の平面視外形よりもわずかに小さく、窪み部１３内に配置され得るように挿脱可能に構成されている。また、誘電率調整部材３０は、窪み部１３の平面視における外形に実質的に相似する形状を有する。誘電率調整部材３０の平面視外形が窪み部１３の平面視外形に実質的に相似することで、窪み部１３内に誘電率調整部材３０を配置したときに、窪み部１３と誘電率調整部材３０との間隙の体積をより低減することができ、肉薄領域１４部分と肉厚領域１５部分との誘電率差をより小さくすることができる。なお、本実施形態において、窪み部１３及び誘電率調整部材３０は平面視略円形状を有しており、誘電率調整部材３０の平面視直径が窪み部１３の平面視直径よりもわずかに小さくなるように構成されている。
【００３６】
図４に示すように、誘電率調整部材３０の一の面３０ａには、少なくとも１つの固定冶具装着用穴３１が形成されている（本実施形態においては、２つの固定冶具装着用穴３１が形成されている）。
【００３７】
固定冶具装着用穴３１は、平面視略円形で有底の軸体挿入穴３２と、軸体挿入穴３２の側壁３２ａから誘電率調整部材３０の側壁３０１に向かって貫通する固定部材挿入穴３３とにより構成される。
【００３８】
軸体挿入穴３１は、後述（図５参照）の固定冶具４０における軸体４１を挿入可能であって、当該軸体４１が回動可能な程度の穴径（軸体４１の最長径と同一又はそれよりもわずかに大きい径）を有する。また、固定部材挿入穴３２は、後述（図６参照）の固定冶具４０における固定部材４２が、固定部材挿入穴３２内をその軸方向に移動可能な程度の穴径（固定部材４２の直径と同一又はそれよりもわずかに大きい径）を有する。
【００３９】
固定冶具４０は、平面視において互いに曲率半径の異なる２つの円弧４１１，４１２を端部同士で連接して囲まれる形状の第１面４１ａ及び第１面４１ａに対向する第２面４１ｂを有する柱状の軸体４１と、略円柱状の固定部材４２とを有する（図５〜７参照）。軸体４１の第１面４１ａには、軸体４１の回動を容易にするための嵌合溝４１３が形成されている。
【００４０】
図７に示すように、固定部材４２が固定部材挿入穴３２に挿入され、軸体４１が軸体挿入穴３１に挿入された誘電率調整部材３０を窪み部１３内に配置する。このとき、軸体４１は、曲率半径の大きい円弧４１１側の側壁を固定部材挿入穴３２側に向けるようにして軸体挿入穴３１に挿入される。そして、ドライバーなどを嵌合溝４１３に嵌合させて軸体４１を約９０度回動させると、軸体４１の側壁に当接する固定部材４２が窪み部１３の側壁１３ｂに向かって移動し、窪み部１３の側壁１３ｂに当接する。これにより、誘電率調整部材３０を窪み部１３内に固定することができ、基材１０の搬送時等に誘電率調整部材３０が窪み部１３から脱落するのを防止することができる。
【００４１】
固定冶具４０（軸体４１及び固定部材４２）は、後述するように、基材１０の窪み部１３に誘電率調整部材３０を固定した状態でプラズマを用いたドライエッチング環境に曝されることになる。そのため、固定冶具４０は、耐プラズマ性及び低アウトガス性を有する材料により構成されているのが好ましい。そのような材料としては、例えば、ポリイミド（製品名：べスペル（登録商標），デュポン社製）、ＰＥＥＫ等が挙げられる。
【００４２】
図１（ｂ）に示すように、誘電率調整部材３０は、誘電率調整部材３０の一の面３０ａに対向する他の面３０ｂを窪み部１３の底面部１３ａに当接させるように配置されるのが好ましい。第２の側１０ｂに窪み部１３が形成されていることで基材１０の強度が低下し、特に肉薄領域１４部分が変形しやすくなるが、誘電率調整部材３０の他の面３０ｂが窪み部１３の底面部１３ａに当接していることで、基材１０の搬送時に肉薄領域１４を誘電率調整部材３０により支持することができる。
【００４３】
誘電率調整部材３０の厚さＴ30（図３参照）は、基材１０がエッチング装置内に載置されたときに窪み部１３内に可能な限り気相が存在しないように設定されるのが望ましいが、窪み部１３の深さＤよりも厚くてもよいし、薄くてもよい。好ましくは、誘電率調整部材３０の厚さＴ30は、窪み部１３の深さＤ以下であり、より好ましくは窪み部１３の深さＤよりもわずかに薄く構成される。誘電率調整部材３０の厚さＴ30が窪み部１３の深さＤよりも厚いと、窪み部１３内に配置された誘電率調整部材３０の一部が、基材１０の第２の側１０ｂから飛び出してしまい、ドライエッチング装置の電極上に載置したときに、基材１０の平坦性（平行性）を担保するのが困難となるおそれがある。また、誘電率調整部材３０が、窪み部１３の容積の８０％以上を占めるように、誘電率調整部材３０の平面視外形や厚さＴ30が設定されるのが好ましい。
【００４４】
〔パターン形成工程〕
続いて、図１（ｃ）に示すように、窪み部１３内に誘電率調整部材３０が配置・固定された基材１０を、プラズマを用いたドライエッチング装置内に搬送し、プラズマを用いたドライエッチングによりパターン領域１２に微細凹凸パターン２を形成する。その後、エッチングマスク１６を除去するとともに、誘電率調整部材３０を窪み部１３内から取り外すことで、パターン領域１２に微細凹凸パターン２が形成されてなるインプリントモールド１を製造することができる（図１（ｄ）参照）。
【００４５】
本実施形態において用いられるドライエッチング装置は、チャンバーと、チャンバー内に配置される上部電極及び下部電極とを有する。このドライエッチング装置においては、チャンバー内で発生させた反応性プラズマにより、チャンバー内に導入されたＣＦ4等のエッチングガスをイオン化させる。そして、下部電極側にイオンやラジカル等の反応種が引き寄せられ、当該反応種と下部電極上に載置された基材１０との反応により微細凹凸パターン２を形成することができる。
【００４６】
本実施形態においては、基材１０の窪み部１３内に誘電率調整部材３０が配置されていることで、基材１０の肉薄領域１４部分と肉厚領域１５部分とにおける誘電率差が小さくなっている。そのため、ドライエッチング装置内でプラズマにより生じたイオン等の肉薄領域１４部分における指向性を向上させることができ、側壁の立ち上がり角度が良好な微細凹凸パターン２を形成することができる。よって、本実施形態によれば、プラズマを用いたドライエッチングにより微細凹凸パターンを形成するときに、基材１０の肉薄領域１４（特に、パターン領域１２）内におけるエッチング選択比の悪化、基材１０の第１の側１０ａ（特に、パターン領域１２）におけるイオンやラジカルの分布や指向性の均一性の悪化、微細凹凸パターン２の断面形状の悪化（微細凹凸パターン２の側壁の立ち上がり角度の悪化）等が生じるのを防止し、エッチング精度を向上させることができる。よって、微細凹凸パターン２を有するインプリントモールド１を高い精度で製造することができる。
【００４７】
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【００４８】
上記実施形態においては、誘電率調整部材３０を窪み部１３内に配置・固定した基材１０をドライエッチング装置内に搬送し、パターン形成工程を行っているが、本発明はこのような態様に限定されるものではなく、ドライエッチング装置内で誘電率調整部材３０を窪み部１３内に配置してもよい。例えば、ドライエッチング装置の下部電極上の所定の位置に誘電率調整部材３０を予め載置しておき、基材１０をドライエッチング装置内に搬送し、下部電極上の誘電率調整部材３０を窪み部１３内に挿入するようにして下部電極上に基材１０を載置することができる。かかる態様においては、誘電率調整部材３０を固定冶具４０により窪み部１３内に固定しなくてもよく、誘電率調整部材３０に固定冶具装着用穴３１が形成されていなくてもよい。
【００４９】
上記実施形態においては、凸構造１１を有する基材１０を例に挙げたが、本発明はこのような態様に限定されるものではなく、凸構造１０を有しない（第１の側１０ａが略平坦面に構成されている）基材１０を用いてインプリントモールドを製造する方法においても本発明を適用することができる。
【００５０】
上記実施形態においては、窪み部１３が形成されてなる基材１０を用いてインプリントモールドを製造する方法を例に挙げたが、本発明は、このような態様に限定されるものではなく、例えば、少なくとも基材１０の第２の側１０ｂが非平坦面（湾曲状、波形状等）に構成されることで、プラズマを用いたドライエッチング装置の下部電極上に基材１０を載置したときに、上部電極と下部電極との対向する方向において、下部電極と基材１０との間に気相領域（空間）が存在し得るような形状を有する基材１０の一の面（第１の側１０ａ）に微細凹凸パターンを形成する方法に適用可能である。具体的には、断面が略弓状又は略長円形状の基材の第１の側に微細凹凸パターンを形成し、断面が略弓状又は略長円形状の光学素子（例えばフレネルレンズ等）の製造における微細パターン形成工程にも適用可能である。この場合において、断面が略弓状又は略長円形状の基材を下部電極上に載置したときに、上部電極と下部電極との対向する方向において基材と下部電極との間に存在する気相領域（空間）に誘電率調整部材を配置し、ドライエッチングを行う。これにより、上記気相領域（空間）の存在による部分的な誘電率差に起因して生じるエッチング精度の低下を抑制することができる。
【実施例】
【００５１】
以下、実施例等を示して本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は下記の実施例等に何ら限定されるものではない。
【００５２】
〔実施例１〕
第１の側１０ａの略中央に凸構造１１が形成され、第２の側１０ｂの略中央に窪み部１３が形成されてなる、石英により構成される基材１０を準備した。なお、凸構造１１は、１辺２０ｍｍの平面視略正方形状により構成され、窪み部１３は、直径５０ｍｍ、深さ４ｍｍの平面視略円形状により構成されてなるものである。また、第１の側１０ａには、凸構造１１上に所定の開口部が形成されてなる、厚さ１０ｎｍのクロムからなるエッチングマスク１６が形成されている。
【００５３】
次に、石英により構成される誘電体調整部材３０を、基材１０の窪み部１３内に配置して固定した。なお、誘電率調整部材３０は、直径４９ｍｍ、厚さ３．８ｍｍの平面視略円形状により構成されてなるものである。また、誘電率調整部材３０には、２つの固定冶具装着用穴３１が形成され、固定冶具装着用穴３１に固定冶具４０を装着することにより、誘電率調整部材３０を窪み部１３内に固定した（図７参照）。
【００５４】
そして、誘電率調整部材３０が窪み部１３内に配置・固定された基材１０を、プラズマを用いたドライエッチング装置（アルバック社製，製品名：ＭＥＰＳ６０２５）に搬送し、エッチングガスとしてＣＦ4を用いたドライエッチングを行い、アスペクト比＝２の微細凹凸パターン２が形成されてなるインプリントモールド１を製造した。
【００５５】
このようにして製造したインプリントモールド１の微細凹凸パターン２の側壁の立ち上がり角度（微細凹凸パターン２の凹部上面に対する凸部側壁の角度）を、電界放出形透過電子顕微鏡（ＨＦ−３３００，日立ハイテク社製）を用いて測定したところ、当該角度は８２度であった。
【００５６】
〔比較例１〕
誘電率調整部材３０を窪み部１３内に配置しない以外は実施例１と同様にしてインプリントモールドを製造し、当該インプリントモールドの微細凹凸パターンの側壁の立ち上がり角度を測定した。当該角度は７０度であった。
【００５７】
〔参考例〕
基材として窪み部１３を有さない石英基板を用いた以外は実施例１と同様にしてインプリントモールドを製造し、当該インプリントモールドの微細凹凸パターンの側壁の立ち上がり角度を測定した。当該角度は８３度であった。
【００５８】
上述した実施例１により製造されたインプリントモールドにおいては、比較例１により製造されたインプリントモールドに比して、微細凹凸パターンの側壁の立ち上がり角度が良好な結果であった。また、実施例１と参考例とを比較すると、実施例１の方法によれば、側壁の立ち上がり角度において遜色のない微細凹凸パターンを形成可能であることが確認された。
【００５９】
参考例においては、窪み部が形成されていない基材を用いていることから、基材の面内において誘電率が略均一であると考えられる。そのため、実施例１の方法によれば、窪み部１３内に誘電率調整部材３０を配置することで、基材１０の面内における誘電率を略均一にすることができ、微細凹凸パターンが高精度に形成されてなるインプリントモールドを製造可能であることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明は、種々の微細加工を要する技術分野において有用である。
【符号の説明】
【００６１】
１…インプリントモールド
２…微細凹凸パターン
１０，１０’…基材
１０ａ…第１の側
１０ｂ…第２の側
１３…窪み部
３０…誘電率調整部材
４０…固定冶具（固定部材）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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