(57)【要約】【課題】放射線照射量検出用画素の欠陥を容易に検出可能にすることを目的とする。【解決手段】線量に対する放射線照射量検出用画素の出力値が、正常な場合には線形特性を有するが、欠陥の影響で線量に対して、予め定めた高線量の領域や予め定めた低線量の領域で線形性を保たなくなる場合があるので、この線形性を利用して、放射線照射量検出用画素の欠陥を判定する。すなわち、予め定めた高線量及び低線量の少なくとも一方の線量における放射線照射量検出用画素の画素値と、予め定めた正常値とに基づいて、放射線照射量検出用画素の欠陥を検出する。【選択図】図９
2014068857.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線の照射量を検出するための放射線照射量検出用画素と、
欠陥が発生しているときの出力が非線形になる、実験的に求まる予め定めた高線量及び低線量の少なくとも一方の線量で撮影したときの前記放射線照射量検出用画素の画素値と、予め定めた正常値とに基づいて、前記放射線照射量検出用画素の欠陥を検出する検出手段と、
を備えた放射線画像撮影装置。
【請求項２】
前記検出手段は、予め定めた高線量及び低線量の少なくとも一方の線量を含む異なる２線量で撮影したときの前記放射線照射量検出用画素の各々の画素値から線量の変化に対する画素値の変化を表す変化率を求め、求めた前記変化率と、各線量に対する前記正常値から求めた、線量の変化に対する画素値の変化を表す基準変化率と、を比較することによって、前記放射線照射量検出用画素の欠陥を検出する請求項１に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項３】
前記正常値は、予め定めた値、前記放射線照射量検出用画素の周辺における放射線画像を撮影するための放射線画像撮影用画素の画素値、又は他の前記放射線照射量検出用画素の画素値である請求項１又は請求項２に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項４】
前記検出手段が、
前記高線量及び前記低線量の少なくとも一方の線量で撮影したときの前記放射線照射量検出用画素の画素値と、予め定めた正常値とを比較して欠陥を検出する第１検出手段と、
前記第１検出手段によって前記放射線照射量検出用画素の欠陥が検出された場合に、前記高線量及び前記低線量の少なくとも一方の線量を含む異なる２線量で撮影したときの前記放射線照射量検出用画素の各々の画素値から線量の変化に対する画素値の変化を表す変化率を求め、求めた前記変化率と、各線量に対する前記正常値から求めた、線量の変化に対する画素値の変化を表す基準変化率と、を比較することによって、前記放射線照射量検出用画素の欠陥を検出する第２検出手段と、
を有する請求項１又は請求項３に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項５】
前記検出手段が、
前記高線量及び前記低線量の少なくとも一方の線量で撮影したときの前記放射線照射量検出用画素の画素値と、予め定めた正常値とを比較して欠陥を検出する第１検出手段と、
前記高線量及び前記低線量の少なくとも一方の線量を含む異なる２線量で撮影したときの前記放射線照射量検出用画素の各々の画素値から線量の変化に対する画素値の変化を表す変化率を求め、求めた前記変化率と、各線量に対する前記正常値から求めた、線量の変化に対する画素値の変化を表す基準変化率と、を比較することによって、前記放射線照射量検出用画素の欠陥を検出する第２検出手段と、
を有し、前記第１検出手段及び前記第２検出手段の各々の検出結果に基づいて、前記放射線照射量検出用画素の欠陥を検出する請求項１又は請求項３に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項６】
前記放射線照射量検出用画素は、照射された放射線に応じた電荷を発生し、発生された電荷を前記信号線へ直接出力するセンサ部を含む請求項１〜５の何れか１項に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか１項に記載の放射線画像撮影装置と、
被検体を介して前記放射線画像撮影装置に放射線を照射する放射線照射手段と、
を備えた放射線画像撮影システム。
【請求項８】
放射線の照射量を検出するための放射線照射量検出用画素と、を備えた放射線画像撮影装置を用いて、欠陥が発生しているときの出力が非線形になる、実験的に求まる予め定めた高線量及び低線量の少なくとも一方の線量で撮影したときの前記放射線照射量検出用画素の画素値を取得する取得ステップと、
前記取得ステップで取得した前記画素値と、予め定めた正常値とに基づいて、前記放射線照射量検出用画素の欠陥を検出手段によって検出する検出ステップと、
を備えた放射線画像撮影装置の欠陥判定方法。
【請求項９】
前記検出ステップは、予め定めた高線量及び低線量の少なくとも一方の線量を含む異なる２線量で撮影したときの前記放射線照射量検出用画素の各々の画素値から線量の変化に対する画素値の変化を表す変化率を求め、求めた前記変化率と、各線量に対する前記正常値から求めた、線量の変化に対する画素値の変化を表す基準変化率と、を比較することによって、前記放射線照射量検出用画素の欠陥を検出する請求項８に記載の放射線画像撮影装置の欠陥判定方法。
【請求項１０】
前記正常値は、予め定めた値、前記放射線照射量検出用画素の周辺における放射線画像を撮影するための放射線画像撮影用画素の画素値、又は他の前記放射線照射量検出用画素の画素値である請求項８又は請求項９に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項１１】
前記検出ステップが、
前記高線量及び前記低線量の少なくとも一方の線量で撮影したときの前記放射線照射量検出用画素の画素値と、予め定めた正常値とを比較して欠陥を検出する第１検出ステップと、
前記第１検出ステップで前記放射線照射量検出用画素の欠陥が検出された場合に、前記高線量及び前記低線量の少なくとも一方の線量を含む異なる２線量で撮影したときの前記放射線照射量検出用画素の各々の画素値を取得して取得した各々の画素値から線量の変化に対する画素値の変化を表す変化率を求め、求めた前記変化率と、各線量に対する前記正常値から求めた、線量の変化に対する画素値の変化を表す基準変化率と、を比較することによって、前記放射線照射量検出用画素の欠陥を検出する第２検出ステップと、
を有する請求項８又は請求項１０に記載の放射線画像撮影装置の欠陥判定方法。
【請求項１２】
前記検出ステップが、
前記高線量及び前記低線量の少なくとも一方の線量で撮影したときの前記放射線照射量検出用画素の画素値と、予め定めた正常値とを比較して欠陥を検出する第１検出ステップと、
前記高線量及び前記低線量の少なくとも一方の線量を含む異なる２線量で撮影したときの前記放射線照射量検出用画素の各々の画素値を取得して取得した各々の画素値から線量の変化に対する画素値の変化を表す変化率を求め、求めた前記変化率と、各線量に対する前記正常値から求めた、線量の変化に対する画素値の変化を表す基準変化率と、を比較することによって、前記放射線照射量検出用画素の欠陥を検出する第２検出ステップと、
を有し、前記第１検出ステップ及び前記第２検出ステップの各々の検出結果に基づいて、前記放射線照射量検出用画素の欠陥を検出する請求項８又は請求項１０に記載の放射線画像撮影装置の欠陥判定方法。
【請求項１３】
コンピュータを、請求項１〜６の何れか１項に記載の放射線画像撮影装置における前記検出手段として機能させるための放射線画像撮影プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線画撮影制御装置、放射線画撮影システム、放射線動画撮影装置の欠陥判定方法、及び放射線画撮影制御プログラムに関する
【背景技術】
【０００２】
近年、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）アクティブマトリクス基板上に放射線感応層を配置し、放射線量をデジタルデータ（電気信号）に変換できるＦＰＤ（Flat Panel Detector）等の放射線検出器（「電子カセッテ」等という場合がある）が実用化されており、この放射線検出器を用いて、照射された放射線量により表わされる放射線画像を撮影する放射線画像撮影装置が実用化されている。
【０００３】
このような放射線画像撮影装置では、放射線の照射開始や停止を制御するために、放射線をモニタするための放射線照射量検出用画素が設けられているものがある。
【０００４】
ところで、ＦＰＤ等の放射線検出器における放射線画像の画質低下の一因としては、欠陥画素が挙げられる。すなわち、欠陥画素が生じている部分は適正な画像を得ることができず、また、照射線照射量検出用画素において欠陥画素が生じている場合には放射線の照射開始や停止を精度よく行うことができなくなってしまう。
【０００５】
このような欠陥画素の検出方法としては、例えば、特許文献１や特許文献２に記載の技術などが提案されている。
【０００６】
特許文献１に記載の技術では、放射線画像撮影用画素の欠陥検出を行う際に、検出用画像の基準値を予め定めておき、該基準値との差が、検出用画像において所定の閾値を超える画素を欠陥画素として検出することが提案されている。
【０００７】
また、特許文献２に記載の技術では、放射線を照射する放射線源と、放射線源から照射される放射線を検出し放射線画像を生成する固体検出器と、放射線源から照射される放射線量を検出するＡＥＣセンサの出力に基づき、放射線源から照射する放射線量を制御する放射線源制御部と、固体検出器及びＡＥＣセンサの基準となる出力の範囲を規定した基準出力範囲が記憶される基準出力記憶部と、固体検出器及びＡＥＣセンサの出力と基準出力範囲とを比較して、固体検出器、ＡＥＣセンサ又は放射線源のいずれかの異常を検出可能な異常検出部とを備えることが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１０-２２６６３４号公報
【特許文献２】特開２００８-２２８７５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１や特許文献２の技術により放射線画像撮影用画素やＡＥＣセンサの欠陥を検出することができるが、放射線照射量検出用画素は、スイッチング素子を介さずに、複数の放射線照射量検出用画素の各々の画素によって検出された信号が同一信号配線に流れるものがあり、このような構成の放射線照射量検出用画素では、複数の画素の値が加算されてしまうため、放射線照射量検出用画素に欠陥が発生した場合に、欠陥画素を検出し難い場合がある。
【００１０】
また、放射線照射量検出用画素は、照射する線量によっては正常な画素の画素値と差が無く、欠陥の判定が難しい場合がある。
【００１１】
本発明は、上記事実を考慮して成されたもので、放射線照射量検出用画素の欠陥を容易に検出可能にすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために本発明の放射線画像撮影装置は、放射線の照射量を検出するための放射線照射量検出用画素と、欠陥が発生しているときの出力が非線形になる、実験的に求まる予め定めた高線量及び低線量の少なくとも一方の線量で撮影したときの前記放射線照射量検出用画素の画素値と、予め定めた正常値とに基づいて、前記放射線照射量検出用画素の欠陥を検出する検出手段と、を備えている。
【００１３】
本発明の放射線画像撮影装置によれば、放射線照射量検出用画素は、放射線の照射量を検出するために用いられる。
【００１４】
ところで、放射線照射量検出用画素は、正常な場合には線形特性を有するが、欠陥の影響で線量に対して、予め定めた高線量の領域や低線量の領域において線形性を保たなくなる場合がある。そこで、検出手段は、この線形性を利用して放射線照射量検出用画素の欠陥を判定する。すなわち、検出手段では、欠陥が発生しているときの出力が非線形になる、実験的に求まる予め定めた高線量及び低線量の少なくとも一方の線量で撮影したときの前記放射線照射量検出用画素の画素値と、予め定めた正常値とに基づいて、放射線照射量検出用画素の欠陥が検出される。これによって、放射線照射量検出用画素の欠陥を容易に検出することが可能となる。
【００１５】
例えば、検出手段は、予め定めた高線量及び低線量の少なくとも一方の線量を含む異なる２線量で撮影したときの前記放射線照射量検出用画素の各々の画素値から線量の変化に対する画素値の変化を表す変化率を求め、求めた前記変化率と、各線量に対する前記正常値から求めた、線量の変化に対する画素値の変化を表す基準変化率と、を比較することによって、前記放射線照射量検出用画素の欠陥を検出するようにしてもよい。
【００１６】
また、正常値は、予め定めた値、前記放射線照射量検出用画素の周辺における放射線画像を撮影するための放射線画像撮影用画素の画素値、又は他の前記放射線照射量検出用画素の画素値を適用するようにしてもよい。
【００１７】
また、検出手段が、前記高線量及び前記低線量の少なくとも一方の線量で撮影したときの前記放射線照射量検出用画素の画素値と、予め定めた正常値とを比較して欠陥を検出する第１検出手段と、前記第１検出手段によって前記放射線照射量検出用画素の欠陥が検出された場合に、前記高線量及び前記低線量の少なくとも一方の線量を含む異なる２線量で撮影したときの前記放射線照射量検出用画素の各々の画素値から線量の変化に対する画素値の変化を表す変化率を求め、求めた前記変化率と、各線量に対する前記正常値から求めた、線量の変化に対する画素値の変化を表す基準変化率と、を比較することによって、前記放射線照射量検出用画素の欠陥を検出する第２検出手段と、を有してもよい。すなわち、２段階の検出を行うことによって、より正確に欠陥検出が可能となる。
【００１８】
また、検出手段が、前記高線量及び前記低線量の少なくとも一方の線量で撮影したときの前記放射線照射量検出用画素の画素値と、予め定めた正常値とを比較して欠陥を検出する第１検出手段と、前記高線量及び前記低線量の少なくとも一方の線量を含む異なる２線量で撮影したときの前記放射線照射量検出用画素の各々の画素値から線量の変化に対する画素値の変化を表す変化率を求め、求めた前記変化率と、各線量に対する前記正常値から求めた、線量の変化に対する画素値の変化を表す基準変化率と、を比較することによって、前記放射線照射量検出用画素の欠陥を検出する第２検出手段と、を有し、前記第１検出手段及び前記第２検出手段の各々の検出結果に基づいて、前記放射線照射量検出用画素の欠陥を検出するようにしてもよい。このようにしても２種類の方法で欠陥を検出するので、より正確に欠陥検出が可能となる。
【００１９】
また、前記放射線照射量検出用画素は、照射された放射線に応じた電荷を発生し、発生された電荷を前記信号線へ直接出力するセンサ部を含む構成としてもよい。
【００２０】
なお、本発明は、上述の放射線動画撮影装置と、被検体を介して前記放射線画像撮影装置に放射線を照射する放射線照射手段と、を備えた放射線画像撮影システムとしてもよい。
【００２１】
一方、本発明の放射線画像撮影装置の欠陥判定方法は、放射線の照射量を検出するための放射線照射量検出用画素と、を備えた放射線画像撮影装置を用いて、欠陥が発生しているときの出力が非線形になる、実験的に求まる予め定めた高線量及び低線量の少なくとも一方の線量で撮影したときの前記放射線照射量検出用画素の画素値を取得する取得ステップと、前記取得ステップで取得した前記画素値と、予め定めた正常値とに基づいて、前記放射線照射量検出用画素の欠陥を検出手段によって検出する検出ステップと、を備えている。
【００２２】
本発明の放射線画像撮影装置の欠陥判定方法によれば、取得ステップでは、放射線の照射量を検出するための放射線照射量検出用画素と、を備えた放射線画像撮影装置を用いて、欠陥が発生しているときの出力が非線形になる、実験的に求まる予め定めた高線量及び低線量の少なくとも一方の線量で撮影したときの放射線照射量検出用画素の画素値を取得する。
【００２３】
上述したように、放射線照射量検出用画素は、正常な場合には線形特性を有するが、欠陥の影響で線量に対して、予め定めた高線量の領域や低線量の領域において線形性を保たなくなる場合があるので、検出ステップが、この線形性を利用して放射線照射量検出用画素の欠陥を判定する。すなわち、検出ステップでは、取得ステップで取得した前記画素値と、予め定めた正常値とに基づいて、前記放射線照射量検出用画素の欠陥を検出手段によって検出する。これによって、放射線照射量検出用画素の欠陥を容易に検出することが可能となる。
【００２４】
例えば、検出ステップは、予め定めた高線量及び低線量の少なくとも一方の線量を含む異なる２線量で撮影したときの前記放射線照射量検出用画素の各々の画素値から線量の変化に対する画素値の変化を表す変化率を求め、求めた前記変化率と、各線量に対する前記正常値から求めた、線量の変化に対する画素値の変化を表す基準変化率と、を比較することによって、前記放射線照射量検出用画素の欠陥を検出するようにしてもよい。
【００２５】
また、正常値は、予め定めた値、前記放射線照射量検出用画素の周辺における放射線画像を撮影するための放射線画像撮影用画素の画素値、又は他の前記放射線照射量検出用画素の画素値を適用するようにしてもよい。
【００２６】
また、検出ステップが、前記高線量及び前記低線量の少なくとも一方の線量で撮影したときの前記放射線照射量検出用画素の画素値と、予め定めた正常値とを比較して欠陥を検出する第１検出ステップと、前記第１検出ステップで前記放射線照射量検出用画素の欠陥が検出された場合に、前記高線量及び前記低線量の少なくとも一方の線量を含む異なる２線量で撮影したときの前記放射線照射量検出用画素の各々の画素値を取得して取得した各々の画素値から線量の変化に対する画素値の変化を表す変化率を求め、求めた前記変化率と、各線量に対する前記正常値から求めた、線量の変化に対する画素値の変化を表す基準変化率と、を比較することによって、前記放射線照射量検出用画素の欠陥を検出する第２検出ステップと、を有してもよい。すなわち、２段階の検出を行うことによって、より正確に欠陥検出が可能となる。
【００２７】
また、検出ステップが、前記高線量及び前記低線量の少なくとも一方の線量で撮影したときの前記放射線照射量検出用画素の画素値と、予め定めた正常値とを比較して欠陥を検出する第１検出ステップと、前記高線量及び前記低線量の少なくとも一方の線量を含む異なる２線量で撮影したときの前記放射線照射量検出用画素の各々の画素値を取得して取得した各々の画素値から線量の変化に対する画素値の変化を表す変化率を求め、求めた前記変化率と、各線量に対する前記正常値から求めた、線量の変化に対する画素値の変化を表す基準変化率と、を比較することによって、前記放射線照射量検出用画素の欠陥を検出する第２検出ステップと、を有し、前記第１検出ステップ及び前記第２検出ステップの各々の検出結果に基づいて、前記放射線照射量検出用画素の欠陥を検出するようにしてもよい。このようにしても２種類の方法で欠陥を検出するので、より正確に欠陥検出が可能となる。
【００２８】
なお、本発明は、コンピュータを、上述の放射線画像撮影装置における前記検出手段として機能させるための放射線画像撮影プログラムとしてもよい。
【発明の効果】
【００２９】
以上説明した如く本発明では、放射線照射量検出用画素の欠陥を容易に検出可能にすることができる、という優れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本実施の形態に係る放射線画像撮影システムの一例の概略構成を示す概略構成図である。
【図２】本実施の形態に係る電子カセッテの全体構成の一例を示す構成図である。
【図３】本実施の形態に係る放射線検出器の構成の一例を示す平面図である。
【図４】本実施の形態に係る放射線検出器の一例の線断面図である。
【図５】本実施の形態に係る放射線検出器の一例の線断面図である。
【図６】本実施の形態に係る放射線画像撮影装置の信号検出回路の概略構成の一例を示す概略構成図である。
【図７】本実施の形態の電子カセッテにおける制御部の構成例を示す機能ブロック図である。
【図８】１ライン上に複数の放射線照射量検出用画素が存在する図を示す図である。
【図９】（Ａ）は高線量の領域における放射線照射量検出用画素の欠陥を説明するための図であり、（Ｂ）は低線量の領域における放射線照射量検出用画素の欠陥を説明するための図である。
【図１０】制御部で行われる放射線照射量検出用画素の欠陥検出処理の一例を示すフローチャートである。
【図１１】制御部で行われる放射線照射量検出用画素の欠陥検出処理の変形例を示すフローチャートである。
【図１２】（Ａ）はその他の画素構成例を示す図であり、（Ｂ）はその他の画素構成例における回路構成を示す図であり、（Ｃ）は画素構成の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、各図面を参照して本実施の形態の一例について説明する。
【００３２】
まず、本実施の形態の放射線画像処理装置を備えた放射線画像撮影システム全体の概略構成について説明する。図１には、本実施の形態の放射線画像撮影システムの一例の全体構成の概略の概略構成図を示す。本実施の形態の放射線画像撮影システム１０は、動画像としての放射線画像に加え、静止画像を撮影することが可能である。なお、本実施の形態において動画像とは、静止画像を高速に次々と表示して、動画像として認知させることをいい、静止画像を撮影し、電気信号に変換し、伝送して当該電気信号から静止画像を再生する、というプロセスを高速に繰り返すものである。従って、前記「高速」の度合いによって、予め定められた時間内に同一領域（一部または全部）を複数回撮影し、かつ連続的に再生する、いわゆる「コマ送り」も動画像に包含されるものとする。また、本実施の形態の放射線画像撮影システム１０は、電子カセッテ２０自身が、放射線の照射開始（撮影開始）を検出する機能及び放射線の照射停止（撮影終了）を検出する機能を有している。
【００３３】
本実施の形態の放射線画像撮影システム１０は、コンソール１６を介して外部のシステム（例えば、ＲＩＳ：Ｒａｄｉｏｌｏｇｙ  ＩＮｆｏｒｍａｔｉｏｎ  Ｓｙｓｔｅｍ：放射線情報システム）から入力された指示（撮影メニュー）に基づいて、医師や放射線技師等の操作により放射線画像の撮影を行う機能を有するものである。
【００３４】
また、本実施の形態の放射線画像撮影システム１０は、撮影された放射線画像をコンソール１６のディスプレイ５０や放射線画像読影装置１８に表示させることにより、医師や放射線技師等に放射線画像を読影させる機能を有するものである。
【００３５】
本実施の形態の放射線画像撮影システム１０は、放射線発生装置１２、放射線画像処理装置１４、コンソール１６、記憶部１７、放射線画像読影装置１８、及び電子カセッテ２０を備えている。
【００３６】
放射線発生装置１２は、電源２２、放射線照射制御部２３、及び高電圧発生装置２４を備えている。放射線照射制御部２３は、放射線画像処理装置１４の放射線制御部６２の制御に基づいて放射線照射源２５から放射線Ｘを撮影台３２上の被検者３０の撮影対象部位に照射させる機能を有している。本実施の形態の放射線照射制御部２３は、電源２２から供給された電流を高電圧発生装置２４に供給し、高電圧発生装置２４により発生させた高電圧を放射線照射源２５に供給し、放射線Ｘを発生させている。なお、電源２２は、交流電源及び直流電源のいずれであってもよい。また、高電圧発生装置２４は、単相変圧器方式、三相変圧器方式、インバータ方式、及びコンデンサ方式のいずれであってもよい。また、図１では、据え付け型の放射線発生装置１２を示しているがこれに限らず、放射線発生装置１２は、モバイル形式であってもよい。
【００３７】
被検者３０を透過した放射線Ｘは、撮影台３２内部の保持部３４に保持された電子カセッテ２０に照射される。電子カセッテ２０は、被検者３０を透過した放射線Ｘの線量に応じた電荷を発生し、発生した電荷量に基づいて放射線画像を示す画像情報を生成して出力する機能を有するものである。本実施の形態の電子カセッテ２０は、放射線検出器２６を備えて構成されている。なお、本実施の形態において「線量」とは、放射線強度のことをいい、例えば、単位時間当たりに所定の管電圧と所定の管電流にて照射する放射線のことをいう。
【００３８】
本実施の形態では、電子カセッテ２０により出力された放射線画像を示す画像情報は、放射線画像処理装置１４を介してコンソール１６に入力される。本実施の形態のコンソール１６は、無線通信（ＬＡＮ：Ｌｏｃａｌ  Ａｒｅａ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）等を介して外部システム（ＲＩＳ）等から取得した撮影メニューや各種情報等を用いて、放射線発生装置１２及び電子カセッテ２０の制御を行う機能を有している。また、本実施の形態のコンソール１６は、放射線画像処理装置１４との間で放射線画像の画像情報を含む各種情報の送受信を行う機能と共に、電子カセッテ２０との間で各種情報の送受信を行う機能を有している。
【００３９】
本実施の形態のコンソール１６は、サーバー・コンピュータとして構成されており、制御部４９、ディスプレイドライバ４８、ディスプレイ５０、操作入力検出部５２、操作パネル５４、Ｉ／Ｏ部５６、Ｉ／Ｆ部５７、及びＩ／Ｆ部５８を備えて構成されている。
【００４０】
制御部４９は、コンソール１６全体の動作を制御する機能を有しており、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、及びＨＤＤを備えている。ＣＰＵは、コンソール１６全体の動作を制御する機能を有しており、ＲＯＭには、ＣＰＵで使用される制御プログラムを含む各種プログラム等が予め記憶されている。ＲＡＭは、各種データを一時的に記憶する機能を有しており、ＨＤＤ（ハードディスク・ドライブ）は、各種データを記憶して保持する機能を有している。
【００４１】
ディスプレイドライバ４８は、ディスプレイ５０への各種情報の表示を制御する機能を有している。本実施の形態のディスプレイ５０は、撮影メニューや撮影された放射線画像等を表示する機能を有している。操作入力検出部５２は、操作パネル５４に対する操作状態を検出する機能を有している。操作パネル５４は、放射線画像の撮影に関する操作指示を、医師や放射線技師等が入力するためのものである。本実施の形態では操作パネル５４は、例えば、タッチパネル、タッチペン、複数のキー、及びマウス等を含んで構成されている。なお、タッチパネルとして構成する場合は、ディスプレイ５０と同一として構成してもよい。
【００４２】
また、Ｉ／Ｏ部５６及びＩ／Ｆ部５８は、無線通信により、放射線画像処理装置１４及び放射線発生装置２４との間で各種情報の送受信を行うと共に、電子カセッテ２０との間で画像情報等の各種情報の送受信を行う機能を有している。また、Ｉ／Ｆ部５７は、ＲＩＳとの間で、各種情報の送受信を行う機能を有している。
【００４３】
制御部４９、ディスプレイドライバ４８、操作入力検出部５２、Ｉ／Ｆ部５８、及びＩ／Ｏ部５６は、システムバスやコントロールバス等のバス５９を介して相互に情報等の授受が可能に接続されている。従って、制御部４９は、ディスプレイドライバ４８を介したディスプレイ５０への各種情報の表示の制御、並びに、Ｉ／Ｆ部５８を介した放射線発生装置１２及び電子カセッテ２０との各種情報の送受信の制御を各々行うことができる。
【００４４】
本実施の形態の放射線画像処理装置１４は、コンソール１６からの指示に基づいて、放射線発生装置１２及び電子カセッテ２０を制御する機能を有すると共に、電子カセッテ２０から受信した放射線画像の記憶部１７への記憶、並びにコンソール１６のディスプレイ５０や放射線画像読影装置１８への表示を制御する機能を有するものである。
【００４５】
また、本実施の形態の放射線画像処理装置１４は、システム制御部６０、放射線制御部６２、パネル制御部６４、画像処理制御部６６、及びＩ／Ｆ部６８を備えている。
【００４６】
システム制御部６０は、放射線画像処理装置１４全体を制御する機能を有すると共に、放射線画像撮影システム１０を制御する機能を有している。システム制御部６０は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、及びＨＤＤを備えている。ＣＰＵは、放射線画像処理装置１４全体及び放射線画像撮影システム１０の動作を制御する機能を有しており、ＲＯＭには、ＣＰＵで使用される制御プログラムを含む各種プログラム等が予め記憶されている。ＲＡＭは、各種データを一時的に記憶する機能を有しており、ＨＤＤは、各種データを記憶して保持する機能を有している。放射線制御部６２は、コンソール１６の指示等に基づいて、放射線発生装置１２の放射線照射制御部２３を制御する機能を有している。パネル制御部６４は、コンソール１６の指示等に基づいて、電子カセッテ２０を制御する機能を有している。画像処理制御部６６は、放射線画像に対して各種画像処理を施す機能を有している。
【００４７】
システム制御部６０、放射線制御部６２、パネル制御部６４、及び画像処理制御部６６は、システムバスやコントロールバス等のバス６９を介して相互に情報等の授受が可能に接続されている。
【００４８】
本実施の形態の記憶部１７は、撮影された放射線画像及び当該放射線画像に関係する情報を記憶する機能を有するものである。記憶部１７としては、例えば、ＨＤＤ等が挙げられる。
【００４９】
また、本実施の形態の放射線画像読影装置１８は、撮影された放射線画像を読影者が読影するための機能を有する装置であり、特に限定されないが、いわゆる、読影ビューワやコンソール等が挙げられる。本実施の形態の放射線画像読影装置１８は、パーソナル・コンピュータとして構成されており、コンソール１６や放射線画像処理装置１４と同様に、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、ＨＤＤ、ディスプレイドライバ、ディスプレイ４０、操作入力検出部、操作パネル４２、Ｉ／Ｏ部、及びＩ／Ｆ部を備えて構成されている。なお、図１では、記載が煩雑になるのを避けるため、これらの構成のうち、ディスプレイ４０及び操作パネル４２のみを示し、その他の記載を省略している。
【００５０】
次に、本実施の形態の電子カセッテ２０の概略構成について説明する。図２に、本実施の形態の電子カセッテ２０の一例の概略構成図を示す。本実施の形態では、Ｘ線等の放射線を一旦光に変換し、変換した光を電荷に変換する間接変換方式の放射線検出器２６に本発明を適用した場合について説明する。本実施の形態では、電子カセッテ２０は、間接変換方式の放射線検出器２６を備えて構成されている。なお、図２では、放射線を光に変換するシンチレータの記載は省略している。
【００５１】
本実施の形態の電子カセッテ２０は、放射線検出器２６に対する放射線Ｘの照射が開始されたときに当該照射開始を検知して放射線画像の撮影を開始する等、放射線画像の撮影動作を制御する同期制御処理を行う。また、電子カセッテ２０は、放射線検出器２６に対する放射線Ｘの照射量を検出して累積照射量に基づいて放射線画像の撮影を終了させる等、放射線画像の撮影動作を制御するＡＥＣ（Automatic Exposure Control）制御処理を行う。
【００５２】
放射線検出器２６には、光を受けて電荷を発生し、発生した電荷を蓄積するセンサ部１０３と、センサ部１０３に蓄積された電荷を読み出すためのスイッチング素子であるＴＦＴスイッチ７４と、を含んで構成される画素１００が複数、マトリックス状に配置されている。本実施の形態では、シンチレータによって変換された光が照射されることにより、センサ部１０３が、電荷が発生する。
【００５３】
各画素１００は、一方向（図２のゲート配線方向）及び当該ゲート配線方向に対する交差方向（図２の信号配線方向）にマトリクス状に複数配置されている。図２では、画素１００の配列を簡略化して示しているが、例えば、画素１００はゲート配線方向及び信号配線方向に１０２４個×１０２４個配置されている。
【００５４】
本実施の形態では、複数の画素１００のうち、放射線画像撮影用画素１００Ａと放射線照射量検出用画素１００Ｂが予め定められている。図２では、放射線照射量検出用画素１００Ｂを破線で囲んでいる。放射線画像撮影用画素１００Ａは、放射線Ｘを検出して放射線Ｘが示す画像を生成するために用いられる。放射線照射量検出用画素１００Ｂは、放射線Ｘの照射開始や停止等を検出するための放射線Ｘの検知に用いられる画素であり、ＴＦＴスイッチ７４のオン／オフに関わらず、電荷の蓄積期間であっても、電荷を出力する画素であり、本実施の形態では、ＴＦＴスイッチ７４のソースとドレインを短絡している。
【００５５】
また、放射線検出器２６には、基板７１（図４参照）上に、ＴＦＴスイッチ７４をオン／オフするための複数のゲート配線１０１と、上記センサ部１０３に蓄積された電荷を読み出すための複数の信号配線７３と、が互いに交差して設けられている。本実施の形態では、一方向の各画素列に信号配線７３が１本ずつ設けられ、交差方向の各画素列にゲート配線１０１が１本ずつ設けられており、例えば、画素１００がゲート配線方向及び信号配線方向に１０２４個×１０２４個配置されている場合、信号配線７３及びゲート配線１０１は１０２４本ずつ設けられている。
【００５６】
さらに、放射線検出器２６には、各信号配線７３と並列に共通電極配線９５が設けられている。共通電極配線９５は、一端及び他端が並列に接続されており、一端が所定のバイアス電圧を供給するバイアス電源１１０に接続されている。センサ部１０３は共通電極配線９５に接続されており、共通電極配線９５を介してバイアス電圧が印加されている。
【００５７】
ゲート配線１０１には、各ＴＦＴスイッチ７４をスイッチングするためのスキャン信号が流れる。このようにスキャン信号が各ゲート配線１０１に流れることによって、各ＴＦＴスイッチ７４がスイッチングされる。
【００５８】
信号配線７３には、各画素１００のＴＦＴスイッチ７４のスイッチング状態に応じて、各画素１００に蓄積された電荷に応じた電気信号が流れる。より具体的には、各信号配線７３には、当該信号配線７３に接続された画素１００の何れかのＴＦＴスイッチ７４がオンされることにより蓄積された電荷量に応じた電気信号が流れる。
【００５９】
各信号配線７３には、各信号配線７３に流れ出した電気信号を検出する信号検出回路１０５が接続されている。また、各ゲート配線１０１には、各ゲート配線１０１にＴＦＴスイッチ７４をオン／オフするためのスキャン信号を出力するスキャン信号制御回路１０４が接続されている。図２では、信号検出回路１０５及びスキャン信号制御回路１０４を１つに簡略化して示しているが、例えば、信号検出回路１０５及びスキャン信号制御回路１０４を複数設けて所定本（例えば、２５６本）毎に信号配線７３又はゲート配線１０１を接続する。例えば、信号配線７３及びゲート配線１０１が１０２４本ずつ設けられている場合、スキャン信号制御回路１０４を４個設けて２５６本ずつゲート配線１０１を接続し、信号検出回路１０５も４個設けて２５６本ずつ信号配線７３を接続する。
【００６０】
信号検出回路１０５は、各信号配線７３毎に、入力される電気信号を増幅する増幅回路１２０（図６参照）を内蔵している。信号検出回路１０５では、各信号配線７３より入力される電気信号を増幅回路により増幅し、ＡＤＣ（アナログ・デジタル変換器）によりデジタル信号へ変換する（詳細後述）。
【００６１】
この信号検出回路１０５及びスキャン信号制御回路１０４には、信号検出回路１０５において変換されたデジタル信号に対してノイズ除去などの所定の処理を施すとともに、信号検出回路１０５に対して信号検出のタイミングを示す制御信号を出力し、スキャン信号制御回路１０４に対してスキャン信号の出力のタイミングを示す制御信号を出力する制御部１０６が接続されている。
【００６２】
本実施の形態の制御部１０６は、マイクロコンピュータによって構成されており、ＣＰＵ（中央処理装置）、ＲＯＭおよびＲＡＭ、フラッシュメモリ等からなる不揮発性の記憶部を備えている。制御部１０６は、ＲＯＭに記憶されたプログラムをＣＰＵで実行することにより、放射線画像の撮影のための制御を行う。また、制御部１０６は、上記所定の処理が施された画像データに対して、各放射線照射量検出用画素１００Ｂの画像データを補間する処理（補間処理）を行って、照射された放射線Ｘが示す画像を生成する。すなわち、制御部１０６は、各放射線照射量検出用画素１００Ｂの画像データを、上記所定の処理が施された画像データに基づいて補間することで、照射された放射線Ｘが示す画像を生成する。
【００６３】
図３には、本実施形態に係る間接変換方式の放射線検出器２６の構造を示す平面図が示されており、図４には、図３の放射線画像撮影用画素１００ＡのＡ−Ａ線断面図が示されており、図５には、図３の放射線照射量検出用画素１００ＢのＢ−Ｂ線断面図が示されている。    図４に示すように、放射線検出器２６の画素１００Ａは、無アルカリガラス等からなる絶縁性の基板７１上に、ゲート配線１０１（図３参照）、ゲート電極７２が形成されており、ゲート配線１０１とゲート電極７２は接続されている（図３参照）。このゲート配線１０１、ゲート電極７２が形成された配線層（以下、この配線層を「第１信号配線層」ともいう）は、Ａｌ若しくはＣｕ、又はＡｌ若しくはＣｕを主体とした積層膜を用いて形成されているが、これらに限定されるものではない。
【００６４】
この第１信号配線層上には、一面に絶縁膜８５が形成されており、ゲート電極７２上に位置する部位がＴＦＴスイッチ７４におけるゲート絶縁膜として作用する。この絶縁膜８５は、例えば、ＳｉＮＸ等からなっており、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）成膜により形成される。
【００６５】
絶縁膜８５上のゲート電極７２上には、半導体活性層７８が島状に形成されている。この半導体活性層７８は、ＴＦＴスイッチ７４のチャネル部であり、例えば、アモルファスシリコン膜からなる。
【００６６】
これらの上層には、ソース電極７９、及びドレイン電極８３が形成されている。このソース電極７９及びドレイン電極８３が形成された配線層には、ソース電極７９、ドレイン電極８３とともに、信号配線７３が形成されている。ソース電極７９は信号配線７３に接続されている（図３参照）。ソース電極７９、ドレイン電極８３、及び信号配線７３が形成された配線層（以下、この配線層を「第２信号配線層」ともいう）は、Ａｌ若しくはＣｕ、又はＡｌ若しくはＣｕを主体とした積層膜が用いて形成されるが、これらに限定されるものではない。当該ソース電極７９及びドレイン電極８３と半導体活性層７８との間には不純物添加アモルファスシリコン等による不純物添加半導体層（図示省略）が形成されている。これらによりスイッチング用のＴＦＴスイッチ７４が構成される。なお、ＴＦＴスイッチ７４は後述する下部電極８１により収集、蓄積される電荷の極性によってソース電極７９とドレイン電極８３が逆となる。
【００６７】
これら第２信号配線層を覆い、基板７１上の画素１００が設けられた領域のほぼ全面（ほぼ全領域）には、ＴＦＴスイッチ７４や信号配線７３を保護するために、ＴＦＴ保護膜層９８が形成されている。このＴＦＴ保護膜層９８は、例えば、ＳｉＮＸ等からなっており、例えば、ＣＶＤ成膜により形成される。
【００６８】
このＴＦＴ保護膜層９８上には、塗布型の層間絶縁膜８２が形成されている。この層間絶縁膜８２は、低誘電率（比誘電率εｒ＝２〜４）の感光性の有機材料（例えば、ポジ型感光性アクリル系樹脂：メタクリル酸とグリシジルメタクリレートとの共重合体からなるベースポリマーに、ナフトキノンジアジド系ポジ型感光剤を混合した材料など）により１〜４μｍの膜厚で形成されている。
【００６９】
本実施の形態の放射線検出器２６では、この層間絶縁膜８２によって層間絶縁膜８２上層と下層に配置される金属間の容量を低く抑えている。また、一般的にこのような材料は平坦化膜としての機能も有しており、下層の段差が平坦化される効果も有する。本実施の形態の放射線検出器２６では、この層間絶縁膜８２及びＴＦＴ保護膜層９８のドレイン電極８３と対向する位置にコンタクトホール８７が形成されている。
【００７０】
層間絶縁膜８２上には、コンタクトホール８７を埋めつつ、画素領域を覆うようにセンサ部１０３の下部電極８１が形成されており、この下部電極８１は、ＴＦＴスイッチ７４のドレイン電極８３と接続されている。この下部電極８１は、後述する半導体層９１が１μｍ前後と厚い場合には導電性があれば材料に制限がほとんどない。このため、Ａｌ系材料、ＩＴＯ等導電性の金属を用いて形成すれば問題ない。
【００７１】
一方、半導体層９１の膜厚が薄い場合（０．２〜０．５μｍ前後）、半導体層９１で光が吸収が十分でないため、ＴＦＴスイッチ７４への光照射によるリーク電流の増加を防ぐため、遮光性メタルを主体とする合金、若しくは積層膜とすることが好ましい。
【００７２】
下部電極８１上には、フォトダイオードとして機能する半導体層９１が形成されている。本実施の形態では、半導体層９１として、ｎ＋層、ｉ層、ｐ＋層（ｎ＋アモルファスシリコン、アモルファスシリコン、ｐ＋アモルファスシリコン）を積層したＰＩＮ構造のフォトダイオードを採用しており、下層からｎ＋層２１Ａ、ｉ層２１Ｂ、ｐ＋層２１Ｃを順に積層して形成する。ｉ層２１Ｂは、光が照射されることにより電荷（一対の自由電子と自由正孔）が発生する。ｎ＋層２１Ａ及びｐ＋層２１Ｃは、コンタクト層として機能し、下部電極８１及び後述する上部電極９２とｉ層２１Ｂをと電気的に接続する。
【００７３】
各半導体層９１上には、それぞれ個別に上部電極９２が形成されている。この上部電極９２には、例えば、ＩＴＯやＩＺＯ（酸化亜鉛インジウム）などの光透過性の高い材料を用いている。本実施の形態に係る放射線検出器２６では、上部電極９２や半導体層９１、下部電極８１を含んでセンサ部１０３が構成されている。
【００７４】
層間絶縁膜８２、半導体層９１及び上部電極９２上には、上部電極９２に対応する一部で開口９７Ａを持ち、各半導体層９１を覆うように、塗布型の層間絶縁膜９３が形成されている。
【００７５】
この層間絶縁膜９３上には、共通電極配線９５がＡｌ若しくはＣｕ、又はＡｌ若しくはＣｕを主体とした合金あるいは積層膜で形成されている。共通電極配線９５は、開口９７Ａ付近にコンタクトパッド９７が形成され、層間絶縁膜９３の開口９７Ａを介して上部電極９２と電気的に接続される。
【００７６】
一方、図５に示すように、放射線検出器２６の放射線照射量検出用画素１００Ｂでは、ソース電極７９とドレイン電極８３とが接触するようにＴＦＴスイッチ７４が形成されている。すなわち、画素１００Ｂでは、ＴＦＴスイッチ７４のソースとドレインが短絡している。これにより、画素１００Ｂでは、下部電極８１に収集された電荷がＴＦＴスイッチ７４のスイッチング状態にかかわらず信号配線７３に流れ出す。
【００７７】
このように形成された放射線検出器２６には、必要に応じてさらに光吸収性の低い絶縁性の材料により保護膜が形成されて、その表面に光吸収性の低い接着樹脂を用いて放射線変換層であるシンチレータが貼り付けられる。または、真空蒸着法により、シンチレータが形成される。シンチレータとしては、吸収可能な波長領域の光を発生できるような、比較的広範囲の波長領域を有した蛍光を発生するシンチレータが望ましい。このようなシンチレータとしては、ＣｓＩ：Ｎａ、ＣａＷＯ４、ＹＴａＯ４：Ｎｂ、ＢａＦＸ：Ｅｕ（ＸはＢｒまたはＣｌ）、または、ＬａＯＢｒ：Ｔｍ、及びＧＯＳ等がある。具体的には、放射線ＸとしてＸ線を用いて撮像する場合、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）を含むものが好ましく、Ｘ線照射時の発光スペクトルが４２０ｎｍ〜７００ｎｍにあるＣｓＩ：Ｔｌ（タリウムが添加されたヨウ化セシウム）やＣｓＩ：Ｎａを用いることが特に好ましい。なお、ＣｓＩ：Ｔｌの可視光域における発光ピーク波長は５６５ｎｍである。また、シンチレータとしてＣｓＩを含むシンチレータを用いる場合、真空蒸着法で短冊状の柱状結晶構造として形成したものを用いることが好ましい。
【００７８】
放射線検出器２６は、図４に示すように、半導体層９１が形成された側から放射線Ｘが照射されて、当該放射線Ｘの入射面の裏面側に設けられたＴＦＴ基板により放射線画像を読み取る、いわゆる裏面読取方式（ＰＳＳ（Ｐｅｎｔｒａｔｉｏｎ  Ｓｉｄｅ  Ｓａｍｐｌｉｎｇ）方式）とされた場合、半導体層９１上に設けられたシンチレータの同図上面側でより強く発光する。一方、ＴＦＴ基板側から放射線Ｘが照射されて、当該放射線Ｘの入射面の表面側に設けられたＴＦＴ基板により放射線画像を読み取る、いわゆる表面読取方式（ＩＳＳ（Ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ  Ｓｉｄｅ  Ｓａｍｐｌｉｎｇ）方式）とされた場合、ＴＦＴ基板を透過した放射線Ｘがシンチレータに入射してシンチレータのＴＦＴ基板側がより強く発光する。ＴＦＴ基板に設けられた各画素１００のセンサ部１０３には、シンチレータで発生した光により電荷が発生する。このため、放射線検出器２６は、表面読取方式とされた場合の方が裏面読取方式とされた場合よりもＴＦＴ基板に対するシンチレータの発光位置が近いため、撮影によって得られる放射線画像の分解能が高い。
【００７９】
なお、放射線検出器２６は、図３〜図５に示したものに限らず、種々の変形が可能である。例えば、裏面読取方式の場合、放射線Ｘが到達する可能性が低いため、上述のものに代えて、放射線Ｘに対する耐性が低い、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）イメージセンサ等の他の撮影素子とＴＦＴとを組み合わせてもよい。また、ＴＦＴのスキャン信号に相当するシフトパルスにより電荷をシフトしながら転送するＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ−Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）イメージセンサに置き換えるようにしてもよい。
【００８０】
また例えば、フレキシブル基板を用いたものでもよい。フレキシブル基板としては、近年開発されたフロート法による超薄板ガラスを基材として用いたものを適用することが、放射線Ｘの透過率を向上させるうえで好ましい。なお、この際に適用できる超薄板ガラスについては、例えば、「旭硝子株式会社、"フロート法による世界最薄０．１ミリ厚の超薄板ガラスの開発に成功"、[online]、[平成２３年８月２０日検索]、インターネット＜ＵＲＬ：http://www.agc.com/news/2011/0516.pdf＞」に開示されている。
【００８１】
次に、本実施の形態の信号検出回路１０５の概略構成について説明する。図６は、本実施の形態の信号検出回路１０５の一例の概略構成図である。本実施の形態の信号検出回路１０５は、増幅回路１２０、及びＡＤＣ（アナログ・デジタル変換器）１２４を備えて構成されている。なお、図６では、図示を省略したが増幅回路１２０は、信号配線７３毎に設けられている。すなわち、信号検出回路１０５は、放射線検出器２６の信号配線７３の数と同じ数の、複数の増幅回路１２０を備えて構成されている。
【００８２】
増幅回路１２０は、チャージアンプ回路で構成されており、オペアンプ等のアンプ１２２と、アンプ１２２に並列に接続されたコンデンサＣと、アンプ１２２に並列に接続された電荷リセット用のスイッチＳＷ１と、を備えて構成されている。
【００８３】
増幅回路１２０では、電荷リセット用のスイッチＳＷ１がオフの状態で画素１００のＴＦＴスイッチ７４により電荷（電気信号）が読み出され、コンデンサＣにＴＦＴスイッチ７４により読み出された電荷が蓄積されて、蓄積される電荷量に応じてアンプ１２２から出力される電圧値が増加するようになっている。
【００８４】
また、制御部１０６は、電荷リセット用スイッチＳＷ１に電荷リセット信号を印加して電荷リセット用のスイッチＳＷ１のオン／オフを制御するようになっている。なお、電荷リセット用のスイッチＳＷ１がオン状態とされると、アンプ１２２の入力側と出力側とが短絡され、コンデンサＣの電荷が放電される。
【００８５】
ＡＤＣ１２４は、Ｓ／Ｈ（サンプルホールド）スイッチＳＷがオン状態において、増幅回路１２０から入力されたアナログ信号である電気信号をデジタル信号に変換する機能を有するものである。ＡＤＣ１２４は、デジタル信号に変換した電気信号（電荷情報）を制御部１０６に順次出力する。
【００８６】
なお、本実施の形態のＡＤＣ１２４には、信号検出回路１０５に備えられた全ての増幅回路１２０から出力された電気信号が入力される。すなわち、本実施の形態の信号検出回路１０５は、増幅回路１２０（信号配線７３）の数にかかわらず、１つのＡＤＣ１２４を備えている。
【００８７】
本実施の形態では、外部（例えば、放射線画像処理装置１４）からの制御信号を必要としないで放射線Ｘの照射に関する検出を行うように構成している。本実施の形態では、放射線照射量検出用画素１００Ｂが接続された信号配線７３（図２の場合、Ｄ２、Ｄ３の少なくとも一方、例えば、Ｄ２）の電気信号（電荷情報）を信号検出回路１０５の増幅回路１２０で検出してデジタル信号に変換する。本実施の形態では、制御部１０６が、信号検出回路１０５により変換されたデジタル信号を取得し、設定されているパラメータに基づいて、放射線Ｘの照射開始及び照射停止の検出を行うように構成している。なお、本実施の形態で電気信号の「検出」とは、電気信号をサンプリングすることを示している。
【００８８】
図７は、本実施の形態の電子カセッテ２０における制御部１０６の構成例を示す機能ブロック図である。
【００８９】
制御部１０６は、ＣＰＵ１６０、ＲＯＭ１６１、ＲＡＭ１６２、及び入出力部１６３を備えており、それぞれシステムバスやデータバス等のバスに接続されている。
【００９０】
ＣＰＵ１６０は、電子カセッテ２０全体の動作を制御する機能を有しており、ＲＯＭ１６１には、ＣＰＵ１６０で使用される各種プログラムが予め記憶されている。ＲＡＭ１６２は、各種データを一時的に記憶する機能を有して、ＲＯＭ１６１に記憶されたプログラム等を展開して記憶する機能を有している。
【００９１】
入出力部１６３には、ハードディスク（ＨＤＤ）１６５、Ｉ／Ｆ部１６６、スキャン信号制御回路１０４、及び信号検出回路１０５が接続されている。
【００９２】
ＨＤＤは、各種データを記憶して保持する機能を有しており、Ｉ／Ｆ部１６６は、無線通信または有線通信により、放射線画像処理装置１４やコンソール１６等との間で撮影メニューや放射線画像の画像情報等を含む各種情報の送受信を行う機能を有している。
【００９３】
本実施の形態の制御部１０６は、各種プログラムを起動して、スキャン制御回路１０４及び信号検出回路１０５を制御して、放射線検出器２６による撮影を行う。また、制御部１０６は、放射線照射量検出用画素１００Ｂから出力された電気信号（電荷情報）を取得して、放射線の照射開始及び照射停止を検出する機能を有している。
【００９４】
ところで、上述のように構成された電子カセッテ２０では、放射線照射量検出用画素１００Ｂの欠陥を検出しにくい場合がある。
【００９５】
例えば、本実施の形態のように、ＴＦＴスイッチ７４のソースとドレインを短絡した放射線照射量検出用画素１００Ｂでは、図８に示すように、１ライン（１本の信号配線７３）上に複数（図８では２つ）の放射線照射量検出用画素１００Ｂが存在し、１ライン全ての放射線照射量検出用画素１００Ｂの値が加算されて出力されるので、どの画素が欠陥なのか特定できない。また、放射線照射量検出用画素１００Ｂの出力が放射線画像撮影用画素１００Ａの出力に比べて小さい場合には、Ｓ／Ｎ比の観点で欠陥判別が難しい。
【００９６】
また、別センサを用いた場合においても、センサのオフセット出力からセンサ単体の欠陥を検出することができても、他の要因で発生する欠陥（例えば、センサの鉛直上にある異物等）を検出することができない。
【００９７】
さらには、照射する線量によっては欠陥が発生している画素であっても、正常な画素の画素値と差がなく、欠陥の判定が難しい場合がある。
【００９８】
そこで、本実施の形態では、制御部１０６が、予め定めた高線量及び低線量の少なくとも一方の線量における放射線照射量検出用画素１００Ｂの画素値と、予め定めた正常値とに基づいて、放射線照射量検出用画素の欠陥を検出するようになっている。
【００９９】
ここで、予め定めた高線量及び低線量は、欠陥が線形を保たない実験的に求まる線量である。放射線検出器２６の種類によって特性が異なるが、欠陥画素であっても上記高線量と低線量との間では、線形性を保つ場合があるため、本実施の形態では、欠陥が発生しているときの出力が非線形となる実験的に求まる予め定めた高線量或いは低線量側で線量の線形性を判断することで、欠陥画素を判定するものである。
【０１００】
本実施の形態では、線量に対する放射線照射量検出用画素１００Ｂの出力値が、図９（Ａ）、（Ｂ）に示すように、正常な場合には線形特性を有するが、欠陥の影響で線量に対して、上述の高線量の領域（図９（Ａ））や低線量の領域（図９（Ｂ））で線形性を保たなくなる場合があるので、この線形性を利用して、放射線照射量検出用画素１００Ｂの欠陥を判定するようにしている。
【０１０１】
上述の高線量及び低線量は、実験的に求めるようにしてもよいが、実使用を想定して、例えば、被写体をおいて通常画像の関心領域の画素値が飽和してしまうような条件で、或いは画素値が低く画像にならないような低線量の条件で、放射線照射量検出用画素１００Ｂの出力値がおかしな値（例えば、予め定めた値から所定値以上かけ離れた値）にならなければ、欠陥ではないと判断してもよい。
【０１０２】
なお、上述の高線量及び低線量における線量は、本実施の形態では、放射線照射源２５の駆動電流（ｍＡ）で規定するものとする。例えば、放射線照射源２５の駆動電流と時間で表される駆動量（ｍＡｓ）が同じ値でも、放射線照射源２５の単位時間あたりの線量が高い方が、単位時間あたりの線量が低く照射時間が長い場合よりも出力が不安定になるので、本実施の形態では放射線照射源２５の駆動電流（ｍＡ）で線量を規定する。
【０１０３】
ここで、本実施の形態の具体的な放射線照射量検出用画素１００Ｂの欠陥の検出方法について説明する。
【０１０４】
本実施の形態では、上述の高線量及び低線量の少なくとも一方の線量で放射線照射源２５を駆動して電子カセッテ２０に放射線を照射し、放射線照射量検出用画素１００Ｂの画素値を取得する。なお、本実施の形態では、１ライン（１本の信号配線７３）上に複数の放射線照射量検出用画素１００Ｂが存在し、１ライン全ての放射線照射量検出用画素１００Ｂの値が加算されて出力されるので、１ライン分加算された画素値を得るため、加算された画素値をそのまま扱うようにしてもよいし、１画素分として算出した画素値としてもよい。
【０１０５】
次に、実験等によって予め定めた値、他の放射線照射量検出用画素１００Ｂの画素値、又は放射線画像撮影用画素１００Ａの画素値を正常値として取得して比較する。なお、他の放射線照射量検出用画素１００Ｂの画素値としては、放射線照射量検出用画素１００Ｂの画素値として１ライン分加算された画素値の場合には、他のラインの複数の放射線照射量検出用画素１００Ｂの画素値を取得し、放射線画像撮影用画素１００Ａの画素値としては、比較対象の放射線照射量検出用画素１００Ｂの加算数に対応する画素数の放射線画像撮影用画素１００Ａの画素値を取得して比較する。また、放射線照射量検出用画素１００Ｂの画素値が１画素分として算出する場合には、１画素に対応する、他の放射線照射量検出用画素１００Ｂの画素値、又は放射線画像撮影用画素１００Ａの画素値を取得して比較する。さらに、比較を行う際には、高線量又は低線量の１線量のみを正常値と比較するようにしてもよいし、高線量及び低線量の２線量それぞれを正常値と比較するようにしてもよい。
【０１０６】
そして、比較結果に基づいて、放射線照射量検出用画素１００Ｂの欠陥を判定する。欠陥の判定は、例えば、比較結果から、注目の放射線照射量検出用画素１００Ｂの画素値が、放射線照射停止制御の精度を得られないくらいの場合に欠陥と判定する。一例としては、比較結果が正常値に対して所定の閾値以上の差がある場合に欠陥と判定する。なお、２線量それぞれの正常値との比較を行う場合には、何れか一方が欠陥と判定された場合には、当該放射線照射量検出用画素１００Ｂを欠陥と判定する。
【０１０７】
なお、本実施の形態では、予め定めた高線量及び低線量の少なくとも一方の線量における放射線照射量検出用画素１００Ｂの画素値と、予め定めた正常値とに基づいて、放射線照射量検出用画素の欠陥を検出するが、これに限るものではなく、例えば、上記高線量及び低線量の少なくとも一方を含む異なる２線量における放射線照射量検出用画素１００Ｂの画素値から傾き（線量の変化に対する画素値の変化を表す変化率）を求めて、各線量における予め定めた正常値から求めた傾き（基準変化率）と比較して、放射線照射停止制御の精度を得られないくらいの出力値の傾きや絶対値のときに、放射線照射量検出用画素１００Ｂが欠陥であると判定するようにしてもよい。
【０１０８】
また、上述の高線量や低線量において、欠陥であると判定された場合には、放射線照射量検出用画素１００Ｂの画素値（出力値）が、予め定めた使用可能な範囲である場合には、オフセット補正やゲイン補正を行うことによって、欠陥と判定した放射線照射量検出用画素１００Ｂを使用するようにしてもよい。
【０１０９】
続いて、本実施の形態に係わる電子カセッテ２０の制御部１０６で行われる処理の一例について説明する。図１０は、制御部１０６で行われる放射線照射量検出用画素の欠陥検出処理の一例を示すフローチャートである。
【０１１０】
ステップＳ１００では、高線量及び低線量の少なくとも一方の線量における放射線照射量検出用画素の値が取得されてステップＳ１０２へ移行する。すなわち、高線量及び低線量の少なくとも一方の線量を照射するように、放射線照射源２５を駆動することにより、撮影を行うことで、放射線照射量検出用画素の値を取得する。本実施の形態では、１ライン分の放射線照射量検出用画素１００Ｂの値が加算された値を取得する。
【０１１１】
ステップＳ１０２では、正常値を取得して取得した値と比較されてステップＳ１０４へ移行する。なお、正常値としては、実験等によって予め定めた値（正常な画素値から定めた値）、他のラインの放射線照射量検出用画素１００Ｂの画素値、又は周辺の放射線画像撮影用画素１００Ａの画素値を適用することができる。そして、当該正常値と、高線量及び低線量の少なくとも一方の線量における放射線照射量検出用画素１００Ｂの値とを比較することにより、図９（Ａ）や図９（Ｂ）のように、高線量領域や低線量領域において線形性を有さない欠陥を検出することが可能となる。また、放射線照射量検出用画素１００Ｂが複数の画素分加算された値であるため、比較を行う際には、正常値を対応する画素数分加算した値として比較する。或いは、放射線照射量検出用画素の画素値を１画素分に換算して比較するようにしてもよい。
【０１１２】
ステップＳ１０４では、ステップＳ１０２の比較結果に基づいて欠陥画素か否か判定される。該判定は、例えば、比較結果が正常値に対して所定の閾値以上の差がある場合に欠陥と判定し、判定が肯定された場合にはステップＳ１０６へ移行し、否定された場合にはステップＳ１１２へ移行する。すなわち、放射線照射量検出用画素１００Ｂに欠陥がある場合に、図９（Ａ）、（Ｂ）のように、高線量や低線量の領域において線形性を保たない場合があるので、これを検出して放射線照射量検出用画素１００Ｂの欠陥を判定する。
【０１１３】
ステップＳ１０６では、欠陥が使用可能レベルか否か判定される。該判定は、例えば、放射線照射量検出用画素１００Ｂの画素値（出力値）が、予め定めた使用可能な範囲である否かを判定し、該判定が否定された場合にはステップＳ１０８へ移行し、肯定された場合にはステップＳ１１０へ移行する。
【０１１４】
ステップＳ１０８では、１ラインの放射線照射量検出用画素１００Ｂが使用禁止設定とされてステップＳ１１２へ移行する。
【０１１５】
また、ステップＳ１１０では、注目ラインの放射線照射量検出用画素１００Ｂに対してオフセット補正又はゲイン補正により使用可能設定とされてステップＳ１１２へ移行する。
【０１１６】
ステップＳ１１２では、全ラインに対して欠陥判定が行われたか否か判定され、該判定が否定された場合にはステップＳ１１４へ移行して注目の放射線照射量検出用画素１００Ｂが変更（ライン変更）されてステップＳ１００に戻って上述の処理が繰り返され、ステップＳ１１２の判定が肯定された場合には一連の処理を終了する。
【０１１７】
このように、本実施の形態では、欠陥によって線形性を保たなくなる高線量及び低線量の少なくとも一方の線量における放射線照射量検出用画素１００Ｂの値と、正常値とに基づいて、放射線照射量検出用画素１００Ｂの欠陥を判定することで、高線量や低線量以外の線量で欠陥検出を行うよりも、放射線照射量検出用画素１００Ｂの欠陥を正確且つ容易に検出することが可能となり、鉛直上に異物がある場合や、１ライン上に複数の放射線照射量検出用画素１００Ｂの値が加算される場合でも、放射線照射量検出用画素１００Ｂの欠陥を容易に検出することが可能となる。
【０１１８】
続いて、本実施の形態に係わる電子カセッテ２０の制御部１０６で行われる処理の変形例について説明する。図１１は、制御部１０６で行われる放射線照射量検出用画素の欠陥検出処理の変形例を示すフローチャートである。なお、上記の実施の形態と同一処理については同一符号を付して説明を省略する
【０１１９】
上記の実施の形態では、高線量及び低線量の少なくとも一方の放射線照射量検出用画素の画素値と、予め定めた正常値とに基づいて、放射線照射量検出用画素の欠陥を検出するようにしたが、変形例では、高線量及び低線量の少なくとも一方の線量における放射線照射量検出用画素の画素値と、予め定めた正常値とに基づいて、放射線照射量検出用画素の欠陥を検出して、欠陥が検出された場合には、検出精度を上げるために、更に異なる線量における放射線照射量検出用画素の画素値を用いて線形性の指標となる変化率（傾き）を算出して、正常値から求めた傾き（予め定めた基準変化率）と比較して欠陥を検出するようにしたものである。なお、変形例では、２段階の欠陥検出を行うため、最初の欠陥検出の際には、高線量又は低線量の１種類の線量の放射線照射量検出用画素の画素値を用いる方が処理速度の観点で好ましい。
【０１２０】
すなわち、変形例のステップＳ２００では、高線量及び低線量の少なくとも一方の線量における放射線照射量検出用画素の値が取得されてステップＳ２０２へ移行する。すなわち、高線量及び低線量の少なくとも一方の線量を照射するように、放射線照射源２５を駆動して撮影を行うことで、放射線照射量検出用画素の値を取得する。図２に示すような上記の実施の形態と同じ画素構成の場合には、１ライン分の放射線照射量検出用画素１００Ｂの値が加算された値を取得する。
【０１２１】
ステップＳ２０２では、正常値を取得して取得した値と比較されてステップＳ２０４へ移行する。なお、正常値としては、実験等によって予め定めた値（正常な画素値から定めた値）、他のラインの放射線照射量検出用画素１００Ｂの画素値、又は周辺の放射線画像撮影用画素１００Ａの画素値を適用することができる。そして、当該正常値と、高線量又は低線量における放射線照射量検出用画素１００Ｂの値とを比較することにより、図９（Ａ）や図９（Ｂ）のように、高線量領域や低線量領域において線形性を有さない欠陥を検出することが可能となる。また、放射線照射量検出用画素１００Ｂが複数の画素分加算された値であるため、比較を行う際には、正常値を対応する画素数分加算した値として比較する。或いは、放射線照射量検出用画素の画素値を１画素分に換算して比較するようにしてもよい。
【０１２２】
ステップＳ２０４では、ステップＳ２０２の比較結果に基づいて欠陥画素か否か判定される。該判定は、例えば、比較結果が正常値に対して所定の閾値以上の差がある場合に欠陥と判定し、判定が肯定された場合にはステップＳ２０６へ移行し、否定された場合にはステップＳ２１８へ移行する。すなわち、放射線照射量検出用画素１００Ｂに欠陥がある場合に、図９（Ａ）、（Ｂ）のように、高線量や低線量の領域において線形性を保たない場合があるので、これを検出して放射線照射量検出用画素１００Ｂの欠陥を判定する。
【０１２３】
ステップＳ２０６では、他の線量における放射線照射量検出用画素１００Ｂの値が取得されてステップＳ２０８へ移行する。すなわち、他の線量で放射線を照射するように放射線照射源２５を駆動して撮影を行うことで、放射線照射量検出用画素の値を取得する。上記の実施の形態のように図２の構成である場合には、ステップＡ２００と同様に、他の１ライン分の放射線照射量検出用画素１００Ｂの値が加算された値を取得する。なお、ステップＳ２００において高線量の放射線照射量検出用画素の値を取得している場合には低線量で撮影して放射線照射量検出用画素１００Ｂの値を取得し、低線量の値を取得している場合には高線量で撮影して放射線照射量検出用画素１００Ｂの値を取得することが好ましい。
【０１２４】
ステップＳ２０８では、２線量における傾きを算出して正常値（基準の傾き）と比較されてステップＳ２１０へ移行する。なお、放射線照射量検出用画素１００Ｂが複数の画素分加算された値であるため、傾きの算出及び比較を行う際には、正常値を対応する画素数分加算した値として傾きを算出して比較する。或いは、放射線照射量検出用画素の画素値を１画素分に換算して傾きを算出して比較するようにしてもよい。
【０１２５】
ステップＳ２１０では、ステップＳ２０８の比較結果に基づいて欠陥画素か否か判定される。該判定は、例えば、比較結果が正常値（基準の傾き）に対して所定の閾値以上の差がある場合に欠陥と判定し、判定が肯定された場合には上述したステップＳ２１２へ移行し、否定された場合には上述したステップＳ２１４へ移行する。すなわち、欠陥検出精度を上げるために、２線量における画素値を用いて線形性の指標となる傾きを算出して正常値と比較することにより、上記の実施の形態よりも放射線照射量検出用画素１００Ｂの欠陥の検出精度を向上することができる。
【０１２６】
ステップＳ２１２では、欠陥が使用可能レベルか否か判定される。該判定は、例えば、放射線照射量検出用画素１００Ｂの画素値（出力値）が、予め定めた使用可能な範囲である否かを判定し、該判定が否定された場合にはステップＳ２１４へ移行し、肯定された場合にはステップＳ２１６へ移行する。
【０１２７】
ステップＳ２１４では、１ラインの放射線照射量検出用画素１００Ｂが使用禁止設定とされてステップＳ２１８へ移行する。
【０１２８】
また、ステップＳ２１６では、注目ラインの放射線照射量検出用画素１００Ｂに対してオフセット補正又はゲイン補正により使用可能設定とされてステップＳ２１８へ移行する。
【０１２９】
ステップＳ２１８では、全ラインに対して欠陥判定が行われたか否か判定され、該判定が否定された場合にはステップＳ２２０へ移行して注目の放射線照射量検出用画素１００Ｂが変更（ライン変更）されてステップＳ２００に戻って上述の処理が繰り返され、ステップＳ２１８の判定が肯定された場合には一連の処理を終了する。
【０１３０】
変形例では、２種類の欠陥検出方法のうち、一方の欠陥検出方法で欠陥検出を行って、欠陥が検出された場合に、他方の欠陥検出方法で更に欠陥検出を行うようにしたが、これに限るものではなく、２種類の欠陥検出方法をそれぞれ行って方法の検出結果を踏まえて欠陥を判定するようにしてもよい。例えば、高線量及び低線量の少なくとも一方の線量における放射線照射量検出用画素の画素値と、予め定めた正常値とに基づいて、放射線照射量検出用画素の欠陥を検出すると共に、異なる２線量における放射線照射量検出用画素の画素値を用いて線形性の指標となる傾きを算出して、各線量の正常値から求めた傾きと比較して欠陥を検出するようにしてもよい。
【０１３１】
なお、電子カセッテ２０自身で放射線Ｘの照射開始や停止を検出するための構成及び方法は本実施の形態に限定されない。例えば、上記では、放射線照射量検出用画素１００Ｂとして、ソースとドレインが短絡されたＴＦＴスイッチ７４を備えた画素について説明したが、これに限らない。例えば、ドレイン電極８３の途中から接続配線を形成して信号配線７３と接続するようにしてもよい。この場合も、ＴＦＴスイッチ７４のソースとドレインは実質的に短絡していることとなる。またＴＦＴスイッチ７４のソースとドレインを短絡させる場合、ゲート電極７２をゲート配線１０１から離して形成するようにしてもよい。また例えば、放射線照射量検出用画素１００Ｂでは、接続配線８２及びコンタクトホール８７を介して、センサ部１０３と信号配線７３とを接続することにより、ドレイン電極８３とコンタクトホール８７の間を電気的に切断してもよい。
【０１３２】
また、本実施の形態及び変形例では、放射線照射量検出用画素１００ＢとしてＴＦＴスイッチ７４が短絡された画素を用いる場合について説明したが、放射線照射量検出用画素１００Ｂは、特に限定されない。例えば、放射線画像撮影用画素１００Ａと同一構成として、ＴＦＴスイッチ７４が短絡していない画素を放射線照射量検出用画素１００Ｂとして用いてもよい。この場合、画素１００ＢのＴＦＴスイッチ７４の制御は、画素１００ＡのＴＦＴスイッチ７４の制御とは独立して制御される。また、この場合の画素１００Ｂは、放射線検出器２６の所定の画素１００を用いてもよいし、放射線検出器２６内の画素１００とは異なる画素を設けてもよい。
【０１３３】
また、上記の実施の形態及び変形例では、放射線画像撮影用画素１００Ａと放射線照射量検出用画素１００Ｂとが１画素としてそれぞれ存在したが、画素構成は、これに限るものではなく、例えば、図１２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、１画素内に放射線画像撮影用画素１００Ａと放射線照射量検出用画素１００Ｂとがそれぞれサブピクセルとして存在する構成を適用するようにしてもよいし、図１２（Ｃ）に示すように、複数の放射線画像撮影用画素１００Ａに対して１つの放射線照射量検出用画素１００Ｂをサブピクセルとして持つ構成としてもよい。図１２（Ａ）、（Ｂ）の構成では、放射線照射量検出用画素１００Ｂは、ＴＦＴスイッチ７４を設けずにセンサ部１０３が信号配線７３に直接接続された構成とされ、ダイレクトに各センサ部１０３の電荷を読み取ることができるので、ＴＦＴスイッチ７４を介してセンサ部１０６と信号配線７３を接続した場合と比較して、迅速に放射線照射量検出（ＡＥＣ）を行うことができる。
【０１３４】
また、上記の実施の形態及び変形例では、放射線照射量検出用画素１００Ｂの欠陥が検出された場合には、出力が予め定めた許容範囲内である場合にはオフセット補正やゲイン補正を行って使用し、許容範囲を超える場合には使用禁止にしたが、これに限るものではなく、例えば、放射線照射量検出用画素１００Ｂの欠陥画素が検出された場合には、欠陥画素の欠陥数や欠陥画素の出力値のずれ量に応じて、電子カセッテ２０を使用しないようにしてもよいし、隣接または近くの放射線照射量検出用画素の出力値を用いて補間するようにしてもよいし、関心領域を算出するときのみに使用するようにしてもよいし、検出した欠陥部分のラインやブロックを除いて線量（放射線の照射量）を算出するようにしてもよい。また、放射線画像撮影用画素１００Ａと同一構成の放射線照射量検出用画素１００Ｂの場合には、放射線照射量検出用画素１００Ｂの画素配置を変更して使用するようにしてもよい。
【０１３５】
また、上記の実施の形態及び変形例では、変換した光を電荷に変換する間接変換方式の放射線検出器２６に本発明を適用した場合について説明したが、これに限定されない。例えば、放射線を吸収して電荷に変換する光電変換層としてアモルファスセレン等の放射線Ｘを直接電荷に変換する材料を使用した直接変換方式の放射線検出器に本発明を適用してもよい。
【０１３６】
その他、本実施の形態で説明した放射線画像撮影システム１０、放射線発生装置１２、電子カセッテ２０、及び放射線検出器２６等の構成、動作等は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において状況に応じて変更可能であることは言うまでもない。
【０１３７】
また、本実施の形態における放射線Ｘは、特に限定されるものではなく、Ｘ線やγ線等を適用することができる。
【０１３８】
また、上記の実施の形態におけるフローチャートで示した処理は、プログラムとして各種記憶媒体に記憶して流通するようにしてもよい。
【０１３９】
さらに、上記では、放射線照射量検出用画素の欠陥画素検出処理を制御部１０６で行う処理として説明したが、これに限るものではなく、例えば、放射線画像処理装置１４で行う処理としてもよいし、コンソール１６で行う処理としてもよい。
【符号の説明】
【０１４０】
１０    放射線画像撮影システム
１２    放射線発生装置
１４    放射線画像処理装置
１６    コンソール
２０    電子カセッテ
２５    放射線照射源
２６    放射線検出器
１００    画素
１００Ａ    放射線画像撮影用画素
１００Ｂ    放射線照射量検出用画素
１０６    制御部
【図１】
2014068857.tif 000003
【図２】
2014068857.tif 000004
【図３】
2014068857.tif 000005
【図４】
2014068857.tif 000006
【図５】
2014068857.tif 000007
【図６】
2014068857.tif 000008
【図７】
2014068857.tif 000009
【図８】
2014068857.tif 000010
【図９】
2014068857.tif 000011
【図１０】
2014068857.tif 000012
【図１１】
2014068857.tif 000013
【図１２】
2014068857.tif 000014