(57)【要約】【課題】素子と基板との間におけるメッキ液の残留を低減することの可能なデバイスおよび電子装置を提供する。【解決手段】デバイスは、基板と、基板上に実装された機能素子とを備える。機能素子は、同一面に配置された複数の電極を有する。基板は、支持基板上に、第１シードメタル、第２シードメタルおよび樹脂部材を有する。第１シードメタルは、複数の電極のうち第１電極の少なくとも一部と対向する位置に配置され、かつ第１電極とメッキ接合されている。第２シードメタルは、複数の電極のうち第２電極の少なくとも一部と対向する位置に配置され、かつ第２電極とメッキ接合されている。樹脂部材は、機能素子と支持基板とを互いに固定しており、第１シードメタルおよび第２シードメタルにおける互いに対向する辺部のうち、少なくとも機能素子の端辺近傍を避けて形成されている。【選択図】図５
2014013818.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と
前記基板上に実装された機能素子と
を備え、
前記機能素子は、同一面に配置された複数の電極を有し、
前記基板は、
支持基板上に、
前記複数の電極のうち第１電極の少なくとも一部と対向する位置に配置され、かつ前記第１電極とメッキ接合された第１シードメタルと、
前記複数の電極のうち第２電極の少なくとも一部と対向する位置に配置され、かつ前記第２電極とメッキ接合された第２シードメタルと、
前記機能素子と前記支持基板との間の層内に配置され、かつ前記機能素子と前記支持基板とを互いに固定する樹脂部材と
を有し、
前記樹脂部材は、前記第１シードメタルおよび前記第２シードメタルにおける互いに対向する辺部のうち、少なくとも前記機能素子の端辺近傍を避けて形成されている
デバイス。
【請求項２】
前記基板は、前記第１シードメタルおよび前記第２シードメタルにおける互いに対向する辺部に沿って延在すると共に前記機能素子と前記支持基板との間の領域を貫通する通路を有する
請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記第１電極に窪みを有し、
前記第１シードメタルは、前記窪みと対向する箇所の少なくとも一部を避けるように形成されており、
前記流路は、前記窪みに連通している
請求項２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記第１シードメタルは、同一面において、前記窪みと対向する箇所を間にして互いに対向する２つの分割シードメタルで構成される
請求項３に記載のデバイス。
【請求項５】
前記基板は、前記支持基板と前記第１シードメタルおよび前記第２シードメタルとの間の層内に形成された遮光膜を有し、
前記遮光膜は、前記樹脂部材と対向しない箇所であって、かつ少なくとも前記通路と対向する箇所に形成されている
請求項２に記載のデバイス。
【請求項６】
前記第１シードメタルおよび前記第２シードメタル、ならびに前記第１電極および前記第２電極は、直角三角形状となっており、かつ前記第１シードメタルおよび前記第２シードメタルの斜辺同士が互いに対向するように配置され、
前記樹脂部材は、前記第１シードメタルと前記第２シードメタルとの間の領域と対向する箇所であって、かつ前記機能素子と対向しない箇所およびその近傍を避けて形成されている
請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
前記基板は、前記支持基板と前記第１シードメタルおよび前記第２シードメタルとの間の層内に形成された遮光膜を有し、
前記遮光膜は、前記樹脂部材と対向しない箇所に形成されている
請求項６に記載のデバイス。
【請求項８】
前記基板は、前記支持基板と前記第１シードメタルおよび前記第２シードメタルとの間の層内に形成された遮光膜を有し、
前記遮光膜は、前記機能素子と対向しない箇所に形成されている
請求項１に記載のデバイス。
【請求項９】
前記機能素子は、発光素子または受光素子である
請求項１に記載のデバイス。
【請求項１０】
基板と、前記基板上に実装された機能素子とを有する実装基板と、
前記機能素子を駆動する駆動部と
を備え、
前記機能素子は、同一面に配置された複数の電極を有し、
前記配線基板は、
支持基板上に、
前記複数の電極のうち第１電極の少なくとも一部と対向する位置に配置され、かつ前記第１電極とメッキ接合された第１シードメタルと、
前記複数の電極のうち第２電極の少なくとも一部と対向する位置に配置され、かつ前記第２電極とメッキ接合された第２シードメタルと、
前記機能素子と前記支持基板との間の層内に配置され、かつ前記機能素子と前記支持基板とを互いに固定する樹脂部材と
を有し、
前記樹脂部材は、前記第１シードメタルおよび前記第２シードメタルにおける互いに対向する辺部のうち、少なくとも前記機能素子の端辺近傍を避けて形成されている
電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、１または複数の機能素子が配置されたデバイスおよびそれを備えた電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板に対する素子実装において、特に実装する素子が微細で多数の場合、配線基板に多数の素子を精度良く一括して配置（転写）することが必要となる。実装する素子が微細で多数の場合には、さらに、歩留まりを上げるために、素子を配線基板に配置した後に、素子の電極パッドと配線との電気的、機械的接合を強固にすることが必要となる。
【０００３】
例えば、特許文献１には、電解メッキによる固定方法が開示されている。具体的には、まず、基板にシードメタルを形成し、素子の電極パッドがシードメタルと電気的に非接続でシードメタルの上方に位置するように、当該素子を基板に仮固定する。その後、シードメタルを給電層として電解メッキを行い、このとき成長するメッキ層によって電極パッドをシードメタルに接合させて素子を固定する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−２３３７３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記の方法では、メッキ接合を行ったときに、素子と基板との間にメッキ液が残留し、信頼性不良を引き起こすことが懸念される。
【０００６】
本技術はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、素子と基板との間におけるメッキ液の残留が低減されたデバイスおよびそれを備えた電子装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本技術のデバイスは、基板と、基板上に実装された機能素子とを備えたものである。機能素子は、同一面に配置された複数の電極を有している。基板は、支持基板上に、第１シードメタル、第２シードメタルおよび樹脂部材を有している。第１シードメタルは、複数の電極のうち第１電極の少なくとも一部と対向する位置に配置され、かつ第１電極とメッキ接合されたものである。第２シードメタルは、複数の電極のうち第２電極の少なくとも一部と対向する位置に配置され、かつ第２電極とメッキ接合されたものである。樹脂部材は、機能素子と支持基板との間の層内に配置され、かつ機能素子と支持基板とを互いに固定するものである。この樹脂部材は、第１シードメタルおよび第２シードメタルにおける互いに対向する辺部のうち、少なくとも機能素子の端辺近傍を避けて形成されている。
【０００８】
本技術の電子装置は、基板と、基板上に実装された機能素子とを有する実装基板を備えたものである。この電子装置は、さらに、実装基板に含まれる機能素子を駆動する駆動部を備えている。この電子装置に搭載された実装基板は、上記のデバイスと同一の構成要素を有している。
【０００９】
本技術のデバイスおよび電子装置では、支持基板上の第１シードメタルおよび第２シードメタルが、機能素子の第１電極および第２電極とメッキ接合されている。さらに、機能素子と支持基板とを互いに固定する樹脂部材が、第１シードメタルおよび第２シードメタルにおける互いに対向する辺部のうち、少なくとも機能素子の端辺近傍を避けて形成されている。これにより、製造過程でメッキ接合を行ったときに、メッキ液は、機能素子と支持基板との間の領域から、樹脂部材の未形成領域を介して外部に排出され得る。
【発明の効果】
【００１０】
本技術のデバイスおよび電子装置によれば、製造過程でメッキ接合を行ったときに、メッキ液が、機能素子と支持基板との間の領域から、樹脂部材の未形成領域を介して外部に排出され得るようにしたので、機能素子と基板との間におけるメッキ液の残留を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本技術の第１の実施の形態に係る表示装置の一例を表す斜視図である。
【図２】図１の実装基板の表面のレイアウトの一例を表す平面図である。
【図３】図１の表示装置のうち、発光装置を横断する切断面の構成の一例を表す断面図である。
【図４】図３の発光装置の上面構成の一例を表す平面図である。
【図５】図４の発光装置のＡ−Ａ，Ｂ−Ｂ矢視方向の断面構成の一例を表す断面図である。
【図６】図５の発光装置における電極パッドの面内レイアウトの一例を表す平面図である。
【図７】比較例に係る発光装置における電極パッドの面内レイアウトの一例を表す平面図である。
【図８】比較例に係る発光装置における電極パッドの面内レイアウトの他の例を表す平面図である。
【図９】第１変形例に係る発光装置の上面構成の一例を表す平面図である。
【図１０】図９の発光装置のＡ−Ａ矢視方向の断面構成の一例を表す断面図である。
【図１１】図１０の発光装置における電極パッドの面内レイアウトの一例を表す平面図である。
【図１２】図９の発光装置の製造過程の一例を説明するための断面図である。
【図１３】比較例に係る発光装置の製造過程の一例を説明するための断面図である。
【図１４】第２変形例に係る発光装置の上面構成の一例を表す平面図である。
【図１５】図１４の発光装置のＡ−Ａ，Ｂ−Ｂ矢視方向の断面構成の一例を表す断面図である。
【図１６】図１５の発光装置における電極パッドの面内レイアウトの一例を表す平面図である。
【図１７】発光素子が図４〜図６と同様の態様で、直接、配線基板に実装されたものの断面構成の一例を表す断面図である。
【図１８】発光素子が図９〜図１１と同様の態様で、直接、配線基板に実装されたものの断面構成の一例を表す断面図である。
【図１９】発光素子が図１４〜図１６と同様の態様で、直接、配線基板に実装されたものの断面構成の一例を表す断面図である。
【図２０】本技術の第２の実施の形態に係る撮像装置の一例を表す斜視図である。
【図２１】図２０の実装基板の概略構成の一例を表す斜視図である。
【図２２】図２１の受光装置に含まれる受光素子の構成の一例を表す断面図である。
【図２３】図２２の受光素子が図４〜図６、図９〜図１１、または、図１４〜図１６と同様の態様で、直接、配線基板に実装されたものの概略構成の一例を表す斜視図である。
【図２４】本技術の第３の実施の形態に係る半導体アレイ装置の一例を表す斜視図である。
【図２５】図２４の半導体装置に含まれる半導体素子の構成の一例を表す断面図である。
【図２６】図２５の半導体素子の回路構成の一例を表す図である。
【図２７】図２５の半導体素子が図４〜図６、図９〜図１１、または、図１４〜図１６と同様の態様で、直接、配線基板に実装されたものの概略構成の一例を表す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、発明を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．本技術の概要
２．第１の実施の形態（図１〜図８）
３．第１の実施の形態の変形例（図９〜図１９）
４．第２の実施の形態（図２０〜図２２）
５．第２の実施の形態の変形例（図２３）
６．第３の実施の形態（図２４〜図２６）
７．第３の実施の形態の変形例（図２７）
８．上記各実施の形態に共通する変形例
【００１３】
＜本技術の概要＞
本技術のデバイスは、基板と、基板上に実装された機能素子とを備えたものである。この基板は、基板上に、１つの機能素子だけ有していてもよいし、複数の機能素子を有していてもよい。この基板は、例えば、画素チップ内に用いられる素子基板であってもよいし、実装基板に用いられる配線基板であってもよい。機能素子は、例えば、発光素子、受光素子または半導体素子である。発光素子は、例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）チップである。受光素子は、例えば、ＰＤ（Photo Diode:フォトダイオード）である。半導体素子は、例えば、１または複数のアモルファスＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）を含む回路ブロックである。機能素子は、同一面に配置された複数の電極を有している。機能素子の電極の数は、２つであってもよいし、３つ以上であってもよい。機能素子が発光素子である場合、本技術のデバイスは、例えば、表示画素を構成している。機能素子が受光素子である場合、本技術のデバイスは、例えば、受光画素を構成している。
【００１４】
上記の基板は、支持基板上に、第１シードメタル、第２シードメタルおよび樹脂部材を有している。第１シードメタルは、電解メッキにおける給電層として機能するものであり、さらに、機能素子の実装先である電極パッドとしても機能するものである。第１シードメタルは、複数の電極のうち第１電極の少なくとも一部と対向する位置に配置され、かつ第１電極とメッキ接合されている。第２シードメタルは、第１シードメタルと同様、電解メッキにおける給電層として機能するものであり、さらに、機能素子の実装先である電極パッドとしても機能するものである。第２シードメタルは、複数の電極のうち第２電極の少なくとも一部と対向する位置に配置され、かつ第２電極とメッキ接合されている。
【００１５】
樹脂部材は、電解メッキを行う際に、機能素子を支持基板の上方（つまり、中空に）支持し、機能素子の電極と支持基板のシードメタルとの間に、空隙を設けるためのものである。樹脂部材は、機能素子と支持基板との間の層内に配置され、かつ機能素子と支持基板とを互いに固定している。樹脂部材は、さらに、第１シードメタルおよび第２シードメタルにおける互いに対向する辺部のうち、少なくとも機能素子の端辺近傍を避けて形成されている。これにより、製造過程でメッキ接合を行ったときに、メッキ液は、機能素子と支持基板との間の領域から、樹脂部材の未形成領域を介して外部に排出され得る。その結果、機能素子と基板との間におけるメッキ液の残留を低減することができる。
【００１６】
本技術のデバイスにおいて、基板が、第１シードメタルおよび第２シードメタルにおける互いに対向する辺部に沿って延在すると共に機能素子と支持基板との間の領域を貫通する通路を有していてもよい。この場合に、第１電極に窪みが存在するときは、第１シードメタルが、窪みと対向する箇所の少なくとも一部を避けるように形成され、さらに、流路が窪みに連通していることが好ましい。例えば、第１シードメタルは、同一面において、窪みと対向する箇所を間にして互いに対向する２つの分割シードメタルで構成されている。
【００１７】
上述の通路は、後述する遮光膜を利用することによって形成可能である。具体的には、まず、支持基板と第１シードメタルおよび第２シードメタルとの間の層内に遮光膜を形成しておく。具体的には、樹脂部材と対向しない箇所であって、かつ少なくとも、通路を形成したい箇所と対向する箇所に遮光膜を形成しておく。次に、機能素子と支持基板との間の層内に設けた未硬化の感光性樹脂に対して、遮光膜、第１シードメタルおよび第２シードメタルで遮光しつつ、紫外線を照射する。
【００１８】
本技術のデバイスにおいて、第１シードメタルおよび第２シードメタル、ならびに第１電極および第２電極は、直角三角形状となっており、かつ第１シードメタルおよび第２シードメタルの斜辺同士が互いに対向するように配置されていてもよい。この場合に、樹脂部材は、第１シードメタルと第２シードメタルとの間の領域と対向する箇所であって、かつ機能素子と対向しない箇所およびその近傍を避けて形成されていることが好ましい。
【００１９】
上記の樹脂部材は、後述する遮光膜を利用することによって形成可能である。具体的には、まず、支持基板と第１シードメタルおよび第２シードメタルとの間の層内に遮光膜を形成しておく。具体的には、樹脂部材を形成したい箇所と対向しない箇所に遮光膜を形成しておく。次に、機能素子と支持基板との間の層内に設けた未硬化の感光性樹脂に対して、遮光膜、第１シードメタルおよび第２シードメタルで遮光しつつ、紫外線を照射する。
【００２０】
本技術のデバイスにおいて、支持基板と第１シードメタルおよび第２シードメタルとの間の層内に遮光膜を形成する際に、遮光膜を、機能素子と対向しない箇所に形成してもよい。このようにした場合には、樹脂部材を機能素子の直下だけに形成することができる。
【００２１】
これ以降、本技術の種々の実施形態について具体的に説明する。
【００２２】
＜２．第１の実施の形態＞
[構成]
図１は、本技術の一実施の形態に係る表示装置１の概略構成の一例を斜視的に表したものである。本実施の形態の表示装置１は、いわゆるＬＥＤディスプレイと呼ばれるものであり、表示画素としてＬＥＤが用いられたものである。この表示装置１は、例えば、図１に示したように、表示パネル１０と、表示パネル１０（具体的には後述する発光素子４６）を駆動する駆動回路２０とを備えている。
【００２３】
（表示パネル１０）
表示パネル１０は、実装基板１０Ａと、対向基板１０Ｂとを互いに重ね合わせたものである。対向基板１０Ｂの表面が映像表示面となっており、中央部分に表示領域を有し、その周囲に、非表示領域であるフレーム領域を有している。
【００２４】
図２は、実装基板１０Ａの対向基板１０Ｂ側の表面のうち表示領域に対応する領域のレイアウトの一例を表したものである。図３は、図１の表示装置１のうち、後述する発光装置４０を横断する部分の断面構成の一例を表したものである。
【００２５】
（実装基板１０Ａ）
実装基板１０Ａは、当該実装基板１０Ａの表面のうち表示領域に対応する領域に、例えば、図２に示したように、データ配線に相当する複数のＹ配線１４と、スキャン配線に相当する複数のＸ配線１５とを有している。複数のＹ配線１４は、所定の方向（図中では列方向）に延在して形成されており、かつ所定のピッチで並列配置されている。複数のＸ配線１５は、Ｙ配線１４と交差（例えば直交）する方向（図中では行方向）に延在して形成されており、かつ所定のピッチで並列配置されている。Ｙ配線１４およびＸ配線１５は、例えば、Ｃｕ（銅）などの導電性材料からなる。
【００２６】
実装基板１０Ａは、表示画素に相当する複数の発光装置４０を有している。複数の発光装置４０は、例えば、Ｙ配線１４とＸ配線１５との交差部分の近傍ごとに、１つずつまたは複数個ずつ（図中では３個ずつ）配置されている。つまり、複数の発光装置４０は、表示領域内においてマトリクス状に配置されている。各発光装置４０は、導電性の接続部１７を介して、Ｙ配線１４と電気的に接続されるとともに、導電性の接続部１８を介して、Ｘ配線１５と電気的に接続されている。Ｙ配線１４とＸ配線１５との交差部分の近傍に３個の発光装置４０が設けられている場合、１つの発光装置４０は、例えば、後述の発光素子４６として赤色光を発する発光素子４６Ｒを有している。そして、別の１つの発光装置４０は、例えば、後述の発光素子４６として緑色光を発する発光素子４６Ｇを有しており、残りの１つの発光装置４０は、例えば、後述の発光素子４６として青色光を発する発光素子４６Ｂを有している。なお、発光装置４０の内部構成については、後に詳述する。
【００２７】
実装基板１０Ａは、例えば、図３に示したように、配線基板３０上に複数の発光装置４０が実装されたものである。配線基板３０は、例えば、支持基板１１上に、層間絶縁膜１２および層間絶縁膜１３をこの順に積層して構成されたものである。支持基板１１は、例えば、ガラス基板、または樹脂基板などからなる。層間絶縁膜１２および層間絶縁膜１３は、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、またはＡｌ2Ｏ3からなる。ここで、層間絶縁膜１３は、支持基板１１の最表面を構成する層であり、Ｙ配線１４が、例えば、最表層である層間絶縁膜１３と同一層内に形成されている。このとき、Ｙ配線１４は、層間絶縁膜１３と同一層内に形成された導電性の接続部１６を介して接続部１７に電気的に接続されている。一方、Ｘ配線１５は、例えば、支持基板１１と層間絶縁膜１３との間の層内に形成されており、例えば、層間絶縁膜１２の層内に形成されている。このとき、Ｘ配線１５は、層間絶縁膜１２，１３と同一層内に形成された導電性の接続部（図示せず）を介して接続部１８に電気的に接続されている。
【００２８】
（対向基板１０Ｂ）
対向基板１０Ｂは、例えば、図３に示したように、透明基板２１と、透明基板２１の実装基板１０Ａ側に形成されたブラックマトリクス２２とを有している。透明基板２１は、例えば、ガラス基板、または透明樹脂基板などからなる。
【００２９】
次に、発光装置４０の内部構成について説明する。図４は、発光装置４０の上面構成の一例を表したものである。図５Ａは、図４の発光装置４０のＡ−Ａ矢視方向の断面構成の一例を表したものである。図５Ｂは、図４の発光装置４０のＢ−Ｂ矢視方向の断面構成の一例を表したものである。図６は、図４の発光装置４０における後述の電極パッド４５Ａ，４５Ｂの面内のレイアウトの一例を表したものである。
【００３０】
発光装置４０は、素子基板４１上に発光素子４６（機能素子）を実装したものである。発光素子４６は、例えば、ＬＥＤチップである。発光素子４６は、例えば、導電型の互いに異なる半導体層で活性層を挟み込んだ積層構造を含む半導体層４６−１と、この半導体層４６−１の共通の面（同一面）に配置された２つの電極４６−２，４６−３とを有している。電極４６−２は、半導体層４６−１内の一方の導電型の半導体層と電気的に接続されており、電極４６−３は、半導体層４６−１内の他方の導電型の半導体層と電気的に接続されている。
【００３１】
素子基板４１は、例えば、支持基板４２上に、遮光膜４４、絶縁層４３、２つの電極パッド４５Ａおよび２つの電極パッド４５Ｂをこの順に積層して構成されている。２つの電極パッド４５Ａからなる電極と、２つの電極パッド４５Ｂからなる電極とは、同一面で、所定の間隙を介して互いに対向配置されている。なお、個々の電極パッド４５Ａが、本技術の「分割シードメタル」の一具体例に相当し、２つの電極パッド４５Ａからなる電極が、本技術の「第１シードメタル」の一具体例に相当する。また、２つの電極パッド４５Ｂからなる電極が、本技術の「第２シードメタル」の一具体例に相当する。
【００３２】
支持基板４２は、例えば、シリコン基板、または樹脂基板などからなる。絶縁層４３は、電極パッド４５Ａ，４５Ｂの形成面である平坦面を形成するものであり、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、またはＡｌ2Ｏ3からなる。電極パッド４５Ａ，４５Ｂは、電解メッキにおける給電層として機能するものであり、さらに、発光素子４６の実装先である電極パッドとしても機能するものである。
【００３３】
発光素子４６は、電極パッド４５Ａ，４５Ｂ上に実装されている。具体的には、発光素子４６の一方の電極４６−２がメッキ金属４７Ａを介して電極パッド４５Ａに接続されており、発光素子４６の他方の電極４６−３がメッキ金属４７Ｂを介して電極パッド４５Ｂに接続されている。つまり、２つの電極パッド４５Ａは、電極４６−２の少なくとも一部と対向する位置に配置されており、かつ電極４６−２とメッキ接合されている。また、２つの電極パッド４５Ｂは、電極４６−３の少なくとも一部と対向する位置に配置されており、かつ電極４６−３とメッキ接合されている。また、電極パッド４５Ａと、電極パッド４５Ｂとは、電極パッド４５Ａおよび電極パッド４５Ｂの対向方向と同一の方向において互いに対向して配置されている。
【００３４】
ところで、電極４６−２において何らか都合で窪み５１が形成されている場合、２つの電極パッド４５Ａは、窪み５１と対向する箇所の少なくとも一部を避けるように形成されている。具体的には、２つの電極パッド４５Ａは、窪み５１と対向する箇所を間にして互いに対向して配置されていることが好ましい。同様に、電極４６−３において何らか都合で窪み５１が形成されている場合、２つの電極パッド４５Ｂは、窪み５１と対向する箇所を間にして互いに対向して配置されていることが好ましい。なお、窪み５１は、例えば、電極４６−２（または電極４６−３）と半導体層４６−１とを互いに電気的に接続するために設けられたビアホールである。
【００３５】
素子基板４１は、さらに、発光素子４６と支持基板４２との間の層内に樹脂部材４８を有している。樹脂部材４８は、発光素子４６と支持基板４２とを互いに固定するものであり、例えば、紫外線硬化樹脂を硬化させたものである。樹脂部材４８は、電解メッキを行う際に、発光素子４６を支持基板４２の上方（つまり、中空に）支持し、電極４６−２，４６−３と電極パッド４５Ａ，４５Ｂとの間に、空隙を設けるためのものでもある。
【００３６】
樹脂部材４８は、電極パッド４５Ａ，４５Ｂ（または２つの電極パッド４５Ａからなる電極および２つの電極パッド４５Ｂからなる電極）における互いに対向する辺部のうち、少なくとも発光素子４６の端辺近傍を避けて形成されている。具体的には、樹脂部材４８は、電極パッド４５Ａ，４５Ｂにおける互いに対向する辺部を避けて形成されている。その結果、素子基板４１は、電極パッド４５Ａ，４５Ｂにおける互いに対向する辺部に沿って延在すると共に発光素子４６と支持基板４２との間の領域を貫通する通路１９を有している。この通路１９は、図６に示したように、電極パッド４５Ａまたは電極パッド４５Ｂの辺部に沿って形成されていることから、Ｔ字型となっている。また、電極パッド４５Ａ，４５Ｂが、上述したように、窪み５１と対向する箇所の少なくとも一部を避けるように形成されているので、通路１９は、窪み５１に連通している。従って、電解メッキを行っている最中にメッキ液が窪み５１に滞留したとしても、そのメッキ液は、通路１９を介して外部に排出され、窪み５１に残らない。
【００３７】
上述の通路１９は、上述した遮光膜４４を利用することによって形成可能である。遮光膜４４は、支持基板４２と電極パッド４５Ａ，４５Ｂとの間の層内に配置されている。具体的には、遮光膜４４は、樹脂部材４８と対向しない箇所であって、かつ少なくとも、通路１９を形成したい箇所と対向する箇所に形成されている。例えば、図６に示したように、電極４６−２と対向する箇所を含む箇所に１つの遮光膜４４が形成されており、さらに、電極４６−３と対向する箇所を含む箇所に別の１つの遮光膜４４が形成されている。このとき、２つの遮光膜４４同士は、例えば、互いに接しておらず、同一面で所定の間隙を介して互いに対向して配置されている。
【００３８】
なお、図示しないが、２つの遮光膜４４同士が、互いに接して１枚の遮光膜となっていてもよい。ただし、その場合には、電極パッド４５Ａと電極パッド４５Ｂとの間の領域において少なくとも一部に開口が設けられ、その開口に対応して樹脂部材４８が形成されていればよい。
【００３９】
［製造方法］
次に、発光装置４０の製造方法の一例について説明する。まず、支持基板４２上に、樹脂部材４８と対向しない箇所であって、かつ少なくとも、通路１９を形成したい箇所と対向する箇所に遮光膜４４を形成する。次に、遮光膜４４を絶縁膜４３で覆って平坦面を形成し、その平坦面上に、電極パッド４５Ａ，４５Ｂを形成する。次に、表面全体に感光性樹脂を塗布したのち、電極パッド４５Ａ，４５Ｂの直上に、発光素子４６をマウントする。次に、遮光膜４４および電極パッド４５Ａ，４５Ｂで遮光しつつ、支持基板４２側から紫外線を照射する。その結果、感光性樹脂が硬化し、電極パッド４５Ａ，４５Ｂにおける互いに対向する辺部のうち、少なくとも発光素子４６の端辺近傍を避けた位置に、樹脂部材４８が形成される。このようにして、発光装置４０が製造される。
【００４０】
［作用・効果］
次に、表示装置１の作用、効果について、図７、図８の比較例と対比しつつ説明する。図７は、比較例に係る発光装置における電極パッド４５Ａ，４５Ｂを含む面内のレイアウトの一例を表したものである。図８は、比較例に係る発光装置における電極パッド４５Ａ，４５Ｂを含む面内のレイアウトの他の例を表したものである。
【００４１】
図７では、窪み５１がメッキ金属４７Ａ，４７Ｂによって封鎖されている。そのため、電解メッキを行っている最中にメッキ液が窪み５１に滞留すると、そのメッキ液が窪み５１に残留する可能性が高い。また、図８Ａでは、電極パッド４５Ａ，４５Ｂに切り欠きが設けられており、窪み５１がメッキ金属４７Ａ，４７Ｂによって封鎖されていない。しかし、電極パッド４５Ａ，４５Ｂの切り欠きのうち鋭角の部分に、メッキ液が残留する可能性が高い。また、図８Ｂでは、電極パッド４５Ａ，４５Ｂの直上に、発光素子４６をマウントした場合に、発光素子４６の位置ずれが生じ、窪み５１の一部が電極パッド４５Ａ，４５Ｂにかかっているときは、窪み５１と電極パッド４５Ａ，４５Ｂとが互いに対向する部分に、メッキ液が残留する可能性が高い。また、図８Ｃでは、発光素子４６の位置ずれが生じたとしても、窪み５１の一部が電極パッド４５Ａ，４５Ｂにかからないようになっている。しかし、この場合には、電極パッド４５Ａ，４５Ｂに対して大きな切り欠きを設けることが必要となるので、発光素子４６が小さい場合や、高電流密度素子であった場合には、そのような構成を採ることは難しい。また、発光素子４６と電極パッド４５Ａ，４５Ｂとの接合面積を所望の範囲内にすることが難しく、高い実装位置精度が求められる。
【００４２】
一方、本実施の形態では、電極パッド４５Ａ，４５Ｂが、発光素子４６の電極４６−２，４６−３とメッキ接合されている。さらに、発光素子４６と素子基板４１とを互いに固定する樹脂部材４８が、電極パッド４５Ａ，４５Ｂにおける互いに対向する辺部のうち、少なくとも発光素子４６の端辺近傍を避けて形成されている。これにより、製造過程でメッキ接合を行ったときに、メッキ液は、発光素子４６と素子基板４１との間の領域から、樹脂部材４８の未形成領域を介して外部に排出され得る。その結果、発光素子４６と素子基板４１との間におけるメッキ液の残留を低減することができる。
【００４３】
＜３．第１の実施の形態の変形例＞
[変形例１]
上記実施の形態では、電極パッド４５Ａ，４５Ｂならびに電極４６−２，４６−３が、方形状となっており、電極パッド４５Ａ，４５Ｂの１つの辺同士が互いに対向するように配置されていた。しかし、例えば、電極パッド４５Ａ，４５Ｂならびに電極４６−２，４６−３が、直角三角形状となっており、電極パッド４５Ａ，４５Ｂの１つの斜辺同士が互いに対向するように配置されていてもよい。
【００４４】
図９は、本変形例に係る発光装置４０の上面構成の一例を表したものである。図１０は、図９の発光装置４０のＡ−Ａ矢視方向の断面構成の一例を表したものである。図１１は、図１０の発光装置４０における電極パッド４５Ａ，４５Ｂを含む面のレイアウトの一例を表したものである。本変形例では、電極パッド４５Ａ，４５Ｂならびに電極４６−２，４６−３が、直角三角形状となっており、電極パッド４５Ａ，４５Ｂの１つの斜辺同士が互いに対向するように配置されている。
【００４５】
本変形例においても、樹脂部材４８は、電極パッド４５Ａ，４５Ｂ（または２つの電極パッド４５Ａからなる電極および２つの電極パッド４５Ｂからなる電極）における互いに対向する辺部のうち、少なくとも発光素子４６の端辺近傍を避けて形成されている。具体的には、樹脂部材４８は、電極パッド４５Ａと電極パッド４５Ｂとの間の領域と対向する箇所であって、かつ発光素子４６と対向しない箇所およびその近傍を避けて形成されている。また、樹脂部材４８は、２つの電極パッド４５Ａからなる電極と、２つの電極パッド４５Ｂからなる電極との間の領域と対向する箇所であって、かつ発光素子４６と対向しない箇所およびその近傍を避けて形成されている。樹脂部材４８は、発光素子４６の直下にだけ形成されている。
【００４６】
従って、電解メッキを行っている最中にメッキ液が発光素子４６と支持基板４２との間の領域に滞留したとしても、そのメッキ液は、通路１９を介して外部に排出され、発光素子４６と支持基板４２との間の領域に残らない。また、例えば、図１２Ａに示したように、製造過程において、遮光膜４４および電極パッド４５Ａ，４５Ｂで遮光しつつ、支持基板４２側から紫外線Ｌを照射したときに、感光性樹脂４８Ｄの傾斜面（フィレット）に紫外線が当たらないので、その傾斜面（フィレット）による紫外線Ｌの反射が生じない。その結果、例えば、図１２Ｂに示したように、電極４６−２，４６−３と電極パッド４５Ａ，４５Ｂとの間に樹脂部材４８が形成されるのを低減することができる。
【００４７】
上述の通路１９は、遮光膜４４を利用することによって形成可能である。本変形例において、遮光膜４４は、支持基板４２と電極パッド４５Ａ，４５Ｂとの間の層内に配置されている。具体的には、遮光膜４４は、樹脂部材４８と対向しない箇所であって、かつ少なくとも、通路１９を形成したい箇所と対向する箇所に形成されている。例えば、図１１に示したように、電極パッド４５Ａと電極パッド４５Ｂとの間の領域と対向する箇所であって、かつ発光素子４６と対向しない２箇所およびその近傍に遮光膜４４が１つずつ形成されている。このとき、２つの遮光膜４４同士は、例えば、互いに接しておらず、同一面で所定の間隙を介して互いに対向して配置されている。
【００４８】
なお、図示しないが、２つの遮光膜４４同士が、互いに接して１枚の遮光膜となっていてもよい。ただし、その場合には、電極パッド４５Ａと電極パッド４５Ｂとの間の領域において少なくとも一部に開口が設けられ、その開口に対応して樹脂部材４８が形成されていればよい。
【００４９】
次に、発光装置４０の製造方法の一例について説明する。まず、支持基板４２上に、樹脂部材４８と対向しない箇所であって、かつ少なくとも、通路１９を形成したい箇所と対向する箇所に遮光膜４４を形成する。次に、遮光膜４４を絶縁膜４３で覆って平坦面を形成し、その平坦面上に、電極パッド４５Ａ，４５Ｂを形成する。次に、表面全体に感光性樹脂４８Ｄを塗布したのち、電極パッド４５Ａ，４５Ｂの直上に、発光素子４６をマウントする。次に、遮光膜４４および電極パッド４５Ａ，４５Ｂで遮光しつつ、支持基板４２側から紫外線Ｌを照射する。その結果、感光性樹脂４８Ｄが硬化し、電極パッド４５Ａ，４５Ｂにおける互いに対向する辺部のうち、少なくとも発光素子４６の端辺近傍を避けた位置に、樹脂部材４８が形成される。
【００５０】
次に、本変形例における表示装置１の作用、効果について、比較例と対比しつつ説明する。図１３Ａ、図１３Ｂは、比較例に係る発光装置の製造過程の一例を表したものである。
【００５１】
図１３Ａでは、電極パッド４５Ａ，４５Ｂで遮光しつつ、支持基板４２側から紫外線Ｌを照射しているが、そのときに、感光性樹脂４８Ｄの傾斜面（フィレット）に紫外線Ｌが当たっている。そのため、その傾斜面（フィレット）によって紫外線Ｌが反射され、その反射光が、感光性樹脂４８Ｄのうち電極４６−２，４６−３と電極パッド４５Ａ，４５Ｂとの間の部位に当たってしまう。その結果、図１３Ｂに示したように、感光性樹脂４８Ｄのうち電極４６−２，４６−３と電極パッド４５Ａ，４５Ｂとの間の部位が硬化し、電極４６−２，４６−３と電極パッド４５Ａ，４５Ｂとのメッキ接合不良が発生する虞がある。
【００５２】
一方、本変形例では、電極パッド４５Ａ，４５Ｂが、発光素子４６の電極４６−２，４６−３とメッキ接合されている。さらに、発光素子４６と素子基板４１とを互いに固定する樹脂部材４８が、電極パッド４５Ａ，４５Ｂにおける互いに対向する辺部のうち、少なくとも発光素子４６の端辺近傍を避けて形成されている。これにより、製造過程でメッキ接合を行ったときに、メッキ液は、発光素子４６と素子基板４１との間の領域から、樹脂部材４８の未形成領域を介して外部に排出され得るだけでなく、電極４６−２，４６−３と電極パッド４５Ａ，４５Ｂとのメッキ接合不良が発生する虞を低減することができる。
【００５３】
[変形例２]
上記変形例１では、電極パッド４５Ａ，４５Ｂならびに電極４６−２，４６−３が、直角三角形状となっており、電極パッド４５Ａ，４５Ｂの１つの斜辺同士が互いに対向するように配置されていた。しかし、上記変形例１において、電極パッド４５Ａ，４５Ｂならびに電極４６−２，４６−３が、方形状となっており、電極パッド４５Ａ，４５Ｂの１つの辺同士が互いに対向するように配置されていてもよい。つまり、電極パッド４５Ａ，４５Ｂならびに電極４６−２，４６−３が、方形状となっており、電極パッド４５Ａ，４５Ｂの１つの辺同士が互いに対向するように配置され、さらに、樹脂部材４８が、発光素子４６の直下にだけ形成されていてもよい。
【００５４】
図１４は、本変形例に係る発光装置４０の上面構成の一例を表したものである。図１５Ａは、図１４の発光装置４０のＡ−Ａ矢視方向の断面構成の一例を表したものである。図１５Ｂは、図１４の発光装置４０のＢ−Ｂ矢視方向の断面構成の一例を表したものである。図１６Ａは、図１５Ａの発光装置４０における電極パッド４５Ａ，４５Ｂを含む面のレイアウトの一例を表したものである。図１６Ｂは、本変形例における遮光膜４４の構成の一例を表したものである。本変形例では、電極パッド４５Ａ，４５Ｂならびに電極４６−２，４６−３が、方形状となっており、電極パッド４５Ａ，４５Ｂの１つの斜辺同士が互いに対向するように配置されている。
【００５５】
本変形例においても、樹脂部材４８は、電極パッド４５Ａ，４５Ｂ（または２つの電極パッド４５Ａからなる電極および２つの電極パッド４５Ｂからなる電極）における互いに対向する辺部のうち、少なくとも発光素子４６の端辺近傍を避けて形成されている。具体的には、樹脂部材４８は、電極パッド４５Ａ，４５Ｂにおける互いに対向する辺部を避けて形成されている。その結果、素子基板４１は、基板は、電極パッド４５Ａ，４５Ｂにおける互いに対向する辺部に沿って延在すると共に発光素子４６と支持基板４２との間の領域を貫通する通路１９を有している。この通路１９は、図１５Ａ、図１５Ｂ、図１６Ａに示したように、電極パッド４５Ａまたは電極パッド４５Ｂの辺部に沿って形成されている。さらに、樹脂部材４８は、発光素子４６と対向する部分（つまり発光素子４６の直下）の一部にだけ形成されている。従って、通路１９は、Ｏ型となっている。従って、電解メッキを行っている最中にメッキ液が発光素子４６と支持基板４２との間の領域に滞留したとしても、そのメッキ液は、通路１９を介して外部に排出され、発光素子４６と支持基板４２との間の領域に残らない。
【００５６】
上述の通路１９は、遮光膜４４を利用することによって形成可能である。遮光膜４４は、支持基板４２と電極パッド４５Ａ，４５Ｂとの間の層内に配置されている。具体的には、遮光膜４４は、樹脂部材４８と対向しない箇所であって、かつ少なくとも、通路１９を形成したい箇所と対向する箇所に形成されている。遮光膜４４は、例えば、図１６Ｂに示したように、電極パッド４５Ａ，４５Ｂにおける互いに対向する辺部と、電極パッド４５Ａと電極パッド４５Ｂとの間の領域であって、かつ発光素子４６と対向しない領域およびその近傍とに形成されている。つまり、遮光膜４４は、Ｏ型となっている。
【００５７】
次に、発光装置４０の製造方法の一例について説明する。まず、支持基板４２上に、樹脂部材４８と対向しない箇所であって、かつ少なくとも、通路１９を形成したい箇所と対向する箇所に遮光膜４４を形成する。次に、遮光膜４４を絶縁膜４３で覆って平坦面を形成し、その平坦面上に、電極パッド４５Ａ，４５Ｂを形成する。次に、表面全体に感光性樹脂を塗布したのち、電極パッド４５Ａ，４５Ｂの直上に、発光素子４６をマウントする。次に、遮光膜４４および電極パッド４５Ａ，４５Ｂで遮光しつつ、支持基板４２側から紫外線を照射する。その結果、感光性樹脂が硬化し、電極パッド４５Ａ，４５Ｂにおける互いに対向する辺部のうち、少なくとも発光素子４６の端辺近傍を避けた位置に、樹脂部材４８が形成される。
【００５８】
次に、本変形例における表示装置１の作用、効果について説明する。本変形例では、電極パッド４５Ａ，４５Ｂが、発光素子４６の電極４６−２，４６−３とメッキ接合されている。さらに、発光素子４６と素子基板４１とを互いに固定する樹脂部材４８が、電極パッド４５Ａ，４５Ｂにおける互いに対向する辺部のうち、少なくとも発光素子４６の端辺近傍を避けて形成されている。これにより、製造過程でメッキ接合を行ったときに、メッキ液は、発光素子４６と素子基板４１との間の領域から、樹脂部材４８の未形成領域を介して外部に排出され得る。その結果、発光素子４６と素子基板４１との間におけるメッキ液の残留を低減することができる。さらに、本変形例では、樹脂部材４８は、発光素子４６と対向する部分（つまり発光素子４６の直下）にだけ形成されている。これにより、発光素子４６から発せられた光が樹脂部材４８に直接入射することがないので、樹脂部材４８の、発光素子４６から発せられた光による劣化を低減することができる。
【００５９】
[変形例３]
上記第１の実施の形態において、例えば、図１７に示したように、発光素子４６が図４〜図６と同様の態様で、直接、配線基板３０に実装されていてもよい。つまり、遮光膜４４および電極パッド４５Ａ，４５Ｂが配線基板３０に形成され、発光素子４６が、図４〜図６と同様の態様で、配線基板３０に設けられた電極パッド４５Ａ，４５Ｂにメッキ接合されていてもよい。樹脂部材４８および遮光膜４４は、上記第１の実施の形態と同様である。
【００６０】
[変形例４]
上記変形例１において、例えば、図１８に示したように、発光素子４６が図９〜図１１と同様の態様で、直接、配線基板３０に実装されていてもよい。つまり、遮光膜４４および電極パッド４５Ａ，４５Ｂが配線基板３０に形成され、発光素子４６が、図９〜図１１と同様の態様で、配線基板３０に設けられた電極パッド４５Ａ，４５Ｂにメッキ接合されていてもよい。樹脂部材４８および遮光膜４４は、上記変形例１の形態と同様である。
【００６１】
[変形例５]
上記変形例２において、例えば、図１９に示したように、発光素子４６が図１４〜図１５と同様の態様で、直接、配線基板３０に実装されていてもよい。つまり、遮光膜４４および電極パッド４５Ａ，４５Ｂが配線基板３０に形成され、発光素子４６が、図１４〜図１６と同様の態様で、配線基板３０に設けられた電極パッド４５Ａ，４５Ｂにメッキ接合されていてもよい。樹脂部材４８および遮光膜４４は、上記変形例２の形態と同様である。
【００６２】
＜４．第２の実施の形態＞
図２０は、本技術の第２の実施の形態に係る撮像装置２の概略構成の一例を斜視的に表したものである。本実施の形態の撮像装置２は、多数の受光素子（例えば、ＰＤ（Photo Diode:フォトダイオード））が２次元配置されたものである。この撮像装置２は、例えば、図２０に示したように、撮像パネル５０と、撮像パネル５０（具体的には後述する受光素子６１）を駆動する駆動回路２０とを備えている。
【００６３】
撮像パネル５０は、実装基板５０Ａと、対向基板１０Ｂとを互いに重ね合わせたものである。対向基板１０Ｂの表面が受光面となっている。実装基板５０Ａは、図２１に示したように、実装基板１０Ａにおいて、発光装置４０の代わりに受光装置６０を設けたものに相当する。受光装置６０は、例えば、図４〜図６、図９〜図１１、または、図１４〜図１６に記載の発光装置４０において、発光素子４６の代わりに図２２に記載の受光素子６１を設けたものに相当する。受光素子６１は、光電変換作用を有する半導体層６２と、半導体層６２と電気的に接続された２つの電極６３，６４を有している。電極６３，６４は、受光素子６１において同一面に形成されており、電極６３が上記実施の形態の電極４６−２に対応しており、電極６４が上記実施の形態の電極４６−３に対応している。
【００６４】
本実施の形態では、電極パッド４５Ａ，４５Ｂが、受光素子６１の電極６３，６４とメッキ接合されている。さらに、受光素子６１と素子基板４１とを互いに固定する樹脂部材４８が、電極パッド４５Ａ，４５Ｂにおける互いに対向する辺部のうち、少なくとも受光素子６１の端辺近傍を避けて形成されている。これにより、製造過程でメッキ接合を行ったときに、メッキ液は、受光素子６１と素子基板４１との間の領域から、樹脂部材４８の未形成領域を介して外部に排出され得る。その結果、受光素子６１と素子基板４１との間におけるメッキ液の残留を低減することができる。
【００６５】
＜５．第２の実施の形態の変形例＞
上記第２の実施の形態において、例えば、図２３に示したように、受光素子６１が図４〜図６、図９〜図１１、または、図１４〜図１６と同様の態様で、直接、配線基板３０に実装されていてもよい。つまり、遮光膜４４および電極パッド４５Ａ，４５Ｂが配線基板３０に形成され、発光素子４６が、図４〜図６、図９〜図１１、または、図１４〜図１６の記載と同様の態様で、配線基板３０に設けられた電極パッド４５Ａ，４５Ｂにメッキ接合されていてもよい。樹脂部材４８および遮光膜４４は、上記第１の実施の形態と同様である。
【００６６】
＜６．第３の実施の形態＞
図２４は、本技術の第３の実施の形態に係る半導体アレイ装置３の概略構成の一例を斜視的に表したものである。本実施の形態の半導体アレイ装置３は、多数の半導体素子（例えば、１または複数のアモルファスＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）を含む回路ブロック）が２次元配置されたものである。この撮像装置２は、例えば、図２４に示したように、実装基板７０と、実装基板７０（具体的には後述する半導体素子８１）を駆動する駆動回路２０とを備えている。
【００６７】
実装基板７０は、実装基板１０Ａにおいて、発光装置４０の代わりに半導体装置８０を設けたものに相当する。半導体装置８０は、例えば、図４〜図６、図９〜図１１、または、図１４〜図１６に記載の発光装置４０において、発光素子４６の代わりに図２５に記載の半導体素子８１を設けたものに相当する。半導体素子８１は、例えば、上述の回路ブロックを含んだものである。この回路ブロックは、例えば、図２６に示したように、３つのアモルファスＴＦＴと、２つの容量素子とで構成されたものであり、例えば、光電変換素子を駆動する画素回路として機能する。
【００６８】
本実施の形態では、電極パッド４５Ａ，４５Ｂが、半導体素子８１の電極８３とメッキ接合されている。さらに、半導体素子８１と素子基板４１とを互いに固定する樹脂部材４８が、電極パッド４５Ａ，４５Ｂにおける互いに対向する辺部のうち、少なくとも半導体素子８１の端辺近傍を避けて形成されている。これにより、製造過程でメッキ接合を行ったときに、メッキ液は、半導体素子８１と素子基板４１との間の領域から、樹脂部材４８の未形成領域を介して外部に排出され得る。その結果、半導体素子８１と素子基板４１との間におけるメッキ液の残留を低減することができる。
【００６９】
＜７．第３の実施の形態の変形例＞
上記第２の実施の形態において、例えば、図２７に示したように、半導体素子８１が図４〜図６、図９〜図１１、または、図１４〜図１６と同様の態様で、直接、配線基板３０に実装されていてもよい。つまり、遮光膜４４および電極パッド４５Ａ，４５Ｂが配線基板３０に形成され、半導体素子８１が、図４〜図６、図９〜図１１、または、図１４〜図１６の記載と同様の態様で、配線基板３０に設けられた電極パッド４５Ａ，４５Ｂにメッキ接合されていてもよい。樹脂部材４８および遮光膜４４は、上記第１の実施の形態と同様である。
【００７０】
＜８．上記各実施の形態に共通する変形例＞
以上、複数の実施の形態およびそれらの変形例を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。
【００７１】
上記各実施の形態およびそれらの変形例において、各半導体装置４０が発光素子４６を駆動する駆動ＩＣを内蔵していてもよい。また、上記各実施の形態およびそれらの変形例において、各受光装置６０が受光素子６１を駆動する駆動ＩＣを内蔵していてもよい。
【００７２】
また、例えば、上記実施の形態等では、発光装置４０が１つの発光素子４６だけを含んでいたが、複数の発光素子４６を含んでいてもよい。また、上記実施の形態等では、実装基板１０Ａには、複数の発光装置４０が実装されていたが、１つの発光装置４０だけが実装されていてもよい。また、上記実施の形態等では、複数の発光装置４０がマトリクス状に実装されていたが、ライン状に実装されていてもよい。
【００７３】
また、例えば、上記実施の形態等では、受光装置６０が１つの受光素子６１だけを含んでいたが、複数の受光素子６１を含んでいてもよい。また、上記実施の形態等では、実装基板１０Ａには、複数の受光装置６０が実装されていたが、１つの受光装置６０だけが実装されていてもよい。また、上記実施の形態等では、複数の受光装置６０がマトリクス状に実装されていたが、ライン状に実装されていてもよい。
【００７４】
また、例えば、本技術は以下のような構成を取ることができる。
（１）
基板と
前記基板上に実装された機能素子と
を備え、
前記機能素子は、同一面に配置された複数の電極を有し、
前記基板は、
支持基板上に、
前記複数の電極のうち第１電極の少なくとも一部と対向する位置に配置され、かつ前記第１電極とメッキ接合された第１シードメタルと、
前記複数の電極のうち第２電極の少なくとも一部と対向する位置に配置され、かつ前記第２電極とメッキ接合された第２シードメタルと、
前記機能素子と前記支持基板との間の層内に配置され、かつ前記機能素子と前記支持基板とを互いに固定する樹脂部材と
を有し、
前記樹脂部材は、前記第１シードメタルおよび前記第２シードメタルにおける互いに対向する辺部のうち、少なくとも前記機能素子の端辺近傍を避けて形成されている
デバイス。
（２）
前記基板は、前記第１シードメタルおよび前記第２シードメタルにおける互いに対向する辺部に沿って延在すると共に前記機能素子と前記支持基板との間の領域を貫通する通路を有する
（１）に記載のデバイス。
（３）
前記第１電極に窪みを有し、
前記第１シードメタルは、前記窪みと対向する箇所の少なくとも一部を避けるように形成されており、
前記流路は、前記窪みに連通している
（２）に記載のデバイス。
（４）
前記第１シードメタルは、同一面において、前記窪みと対向する箇所を間にして互いに対向する２つの分割シードメタルで構成される
（３）に記載のデバイス。
（５）
前記基板は、前記支持基板と前記第１シードメタルおよび前記第２シードメタルとの間の層内に形成された遮光膜を有し、
前記遮光膜は、前記樹脂部材と対向しない箇所であって、かつ少なくとも前記通路と対向する箇所に形成されている
（２）ないし（４）のいずれか１つに記載のデバイス。
（６）
前記第１シードメタルおよび前記第２シードメタル、ならびに前記第１電極および前記第２電極は、直角三角形状となっており、かつ前記第１シードメタルおよび前記第２シードメタルの斜辺同士が互いに対向するように配置され、
前記樹脂部材は、前記第１シードメタルと前記第２シードメタルとの間の領域と対向する箇所であって、かつ前記機能素子と対向しない箇所およびその近傍を避けて形成されている
（１）に記載のデバイス。
（７）
前記基板は、前記支持基板と前記第１シードメタルおよび前記第２シードメタルとの間の層内に形成された遮光膜を有し、
前記遮光膜は、前記樹脂部材と対向しない箇所に形成されている
（６）に記載のデバイス。
（８）
前記基板は、前記支持基板と前記第１シードメタルおよび前記第２シードメタルとの間の層内に形成された遮光膜を有し、
前記遮光膜は、前記機能素子と対向しない箇所に形成されている
（１）に記載のデバイス。
（９）
前記機能素子は、発光素子または受光素子である
（１）に記載のデバイス。
（１０）
基板と、前記基板上に実装された機能素子とを有する実装基板と、
前記機能素子を駆動する駆動部と
を備え、
前記機能素子は、同一面に配置された複数の電極を有し、
前記配線基板は、
支持基板上に、
前記複数の電極のうち第１電極の少なくとも一部と対向する位置に配置され、かつ前記第１電極とメッキ接合された第１シードメタルと、
前記複数の電極のうち第２電極の少なくとも一部と対向する位置に配置され、かつ前記第２電極とメッキ接合された第２シードメタルと、
前記機能素子と前記支持基板との間の層内に配置され、かつ前記機能素子と前記支持基板とを互いに固定する樹脂部材と
を有し、
前記樹脂部材は、前記第１シードメタルおよび前記第２シードメタルにおける互いに対向する辺部のうち、少なくとも前記機能素子の端辺近傍を避けて形成されている
電子装置。
【符号の説明】
【００７５】
１…表示装置、２…撮像装置、３…半導体アレイ装置、１０…表示パネル、１０Ａ，５０Ａ，７０…実装基板、１０Ｂ…対向基板、１１，４２…支持基板、１２，１３…層間絶縁膜、１４…Ｙ配線、１５…Ｘ配線、１６，１７，１８…接続部、１９…通路、２０…駆動回路、２１…透明基板、２２…ブラックマトリクス、４０，４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂ…発光装置、４１…素子基板、４３…絶縁層、４４…遮光層、４５Ａ，４５Ｂ…電極パッド、４６，４６Ｒ，４６Ｇ，４６Ｂ…発光素子、４６−１…半導体層、４６−２，４６−３，６３，６４，８３…電極、４７Ａ，４７Ｂ…メッキ金属、４８…樹脂部材、４８Ｄ…感光性樹脂、５０…撮像パネル、５１…窪み、６０…受光装置、６１…受光素子、６２，８２…半導体層、８０…半導体装置、８１…半導体素子、Ｌ…紫外線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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