(57)【要約】【課題】静電気流入による損傷を防止できる有機発光表示装置が提供される。【解決手段】有機発光表示装置は基板、基板上に形成された第１配線、第１配線と絶縁されて交差する第２配線、および第２配線と絶縁されて交差する静電気分散パターンを含む。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された第１配線と、
前記第１配線と絶縁されて交差する第２配線と、
前記第２配線と絶縁されて交差する静電気分散パターンと、を含む有機発光表示装置。
【請求項２】
前記第１配線は、少なくとも一端が前記基板の側壁に整列された基板側壁整列配線である請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記第１配線の一端の側面は、前記基板の側壁と同一平面上に配置される請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記第１配線の一端の側面は、前記基板の一面に対して垂直である請求項３に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記第１配線は駆動信号が印加されないダミー配線である請求項２〜４のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記第１配線の一端と前記基板の側壁とは、同一の切断工程により形成される請求項２〜５のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記基板は、表示領域および非表示領域を含み、前記静電気分散パターンは前記非表示領域に位置する請求項１〜６のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記静電気分散パターンは、前記基板の側壁から離隔して配置され、前記基板の側壁と整列しない基板側壁非整列配線である請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記第１配線と前記静電気分散パターンは、同一層に形成される請求項１〜８のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記静電気分散パターンは、長方形形状で形成され、前記第２配線と複数のスポットで交差する請求項１〜９のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１１】
前記静電気分散パターンと絶縁されて交差する半導体パターンをさらに含む請求項１〜１０のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１２】
前記半導体パターンは、第１辺、第２辺、第３辺、および第４辺を含み、
前記第１ないし第４辺のうち何れか一つは少なくとも他の一つと連結されている請求項１１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１３】
前記第２配線を基準として前記基板の側壁に近い方向である第２配線の外側で、前記静電気分散パターンと前記半導体パターンとが交差する請求項１１または１２に記載の有機発光表示装置。
【請求項１４】
前記半導体パターンと連結された導電パターン層をさらに含む請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１５】
前記導電パターン層は、前記半導体パターンと絶縁膜を間において形成され、前記絶縁膜に形成されたコンタクトを介して相互連結される請求項１４に記載の有機発光表示装置。
【請求項１６】
前記導電パターン層は、前記第２配線と同一層に形成される請求項１５に記載の有機発光表示装置。
【請求項１７】
前記静電気分散パターン、前記絶縁膜、前記半導体パターンおよび前記導電パターン層は薄膜トランジスタを構成する請求項１６に記載の有機発光表示装置。
【請求項１８】
基板と、
前記基板上に形成され、相互絶縁されて交差するゲートラインおよびデータラインと、
前記ゲートラインとデータラインのうち何れか一つと同一層に形成され、少なくとも一端が前記基板の側壁に整列したダミー配線と、
前記ダミー交差配線と絶縁されて交差するダミー交差配線と、
前記ダミー交差配線と絶縁されて交差する静電気分散パターンと、を含む有機発光表示装置。
【請求項１９】
前記ダミー交差配線の一端の側面は、前記基板の側壁と同一平面上に配置される請求項１８に記載の有機発光表示装置。
【請求項２０】
前記ダミー交差配線の一端の側面は、前記基板の一面に対して垂直である請求項１９に記載の有機発光表示装置。
【請求項２１】
前記ダミー交差配線の一端と前記基板の側壁とは、同一の切断工程により形成される請求項１８〜２０のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項２２】
前記静電気分散パターンは、前記基板の側壁から離隔して配置され、前記基板の側壁と整列しない基板側壁非整列配線である請求項１８に記載の有機発光表示装置。
【請求項２３】
前記ダミー交差配線と前記静電気分散パターンとは、同一層に形成される請求項１８〜２２のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項２４】
前記ダミー交差配線は、前記ゲートラインとデータラインのうち他の一つと同一層に形成される請求項１８〜２３のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項２５】
前記静電気分散パターンと絶縁されて交差する半導体パターンをさらに含む請求項１８〜２４のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項２６】
前記半導体パターンと連結された導電パターン層をさらに含む請求項１９〜２５のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項２７】
前記導電パターン層は、前記半導体パターンと絶縁膜を間において形成され、前記絶縁膜に形成されたコンタクトを介して相互連結される請求項２０に記載の有機発光表示装置。
【請求項２８】
前記導電パターン層は、前記ダミー交差配線と同一層に形成される請求項２１に記載の有機発光表示装置。
【請求項２９】
前記静電気分散パターン、前記絶縁膜、前記半導体パターンおよび前記導電パターン層は薄膜トランジスタを構成する請求項２２に記載の有機発光表示装置。
【請求項３０】
基板と、
前記基板上に形成された第１配線と、
前記第１配線と絶縁されて交差する第２配線と、
前記第２配線と絶縁されて交差し、閉曲線形状で形成された静電気分散パターンと、
前記静電気分散パターンと絶縁されて交差する半導体パターンを含む有機発光表示装置。
【請求項３１】
前記半導体パターンと絶縁膜を間において形成され、コンタクトを介して前記半導体パターンと連結された導電パターン層をさらに含む請求項３０に記載の有機発光表示装置。
【請求項３２】
前記導電パターン層は、前記ダミー交差配線と同一層に形成される請求項３１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３３】
前記第１配線は、少なくとも一端が前記基板の側壁に整列した基板側壁整列配線である請求項３０〜３２のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置に関し、より詳細には静電気（ＥＳＤ）の流入による損傷を防止する有機発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光表示装置は、有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ：ＯＬＥＤ）を含み、有機発光素子の有機発光層の内部で電子と正孔が結合して生成された励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）が励起状態から基底状態に落ちる際に発生するエネルギーによって発光する。
【０００３】
有機発光表示装置は、個別製造することもできるが、生産性の向上のために一つの母基板上に多数の有機発光表示装置を形成した後、各々の有機発光表示装置に切断して製造する。この場合、各々の有機発光表示装置に切断した後に有機発光表示装置のパネル検査を行うと、検査の効率性が落ちるため、各々の有機発光表示装置に分離する前に母基板上でシート単位のパネル検査を行う。
【０００４】
しかし、シート単位のパネル検査の際に使用した検査配線、いわゆるシート配線は、母基板を切断した後にも依然として有機発光表示装置に残り、シート単位に母基板を切断した際発生する静電気がシート配線を介して流入して、内部素子の損傷を引き起こす。
【０００５】
特に、各々の有機発光表示装置の間にダミー（ｄｕｍｍｙ）空間を設け、母基板を切断する際に２度切断する工程（２  Ｓｔｅｐ  Ｃｕｔｔｉｎｇ）を行う場合には、有機発光表示装置に残るシート配線の量が少なく問題なかった。しかし、生産の効率性を高めるため、ダミー空間をなくし、１度切断する工程（１  Ｓｔｅｐ  Ｃｕｔｔｉｎｇ）では、有機発光表示装置に残るシート配線の量が相対的に増加して静電気流入による損傷がさらなる問題となっている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記問題に鑑みて、本発明が解決しようとする課題は、静電気流入による損傷を防止できる有機発光表示装置を提供することである。
【０００７】
本発明の課題は、以上で言及した技術的課題に制限されず、言及されていないまた他の技術的課題は次の記載から当業者に明確に理解できるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するための本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、基板、前記基板上に形成された第１配線、前記第１配線と絶縁されて交差する第２配線と、前記第２配線と絶縁されて交差する静電気分散パターンと、を含む。
【０００９】
前記課題を解決するための本発明の他の実施形態による有機発光表示装置は、基板、前記基板上に形成され、相互絶縁されて交差するゲートラインおよびデータライン、前記ゲートラインとデータラインのうち何れか一つと同一層に形成され、少なくとも一端が前記基板の側壁に整列したダミー配線、前記ダミー交差配線と絶縁されて交差するダミー交差配線と、前記ダミー交差配線と絶縁されて交差する静電気分散パターンと、を含む。
【００１０】
前記課題を解決するための本発明のまた他の実施形態による有機発光表示装置は、基板、前記基板上に形成された第１配線、前記第１配線と絶縁されて交差する第２配線、前記第２配線と絶縁されて交差し、閉曲線形状で形成された静電気分散パターン、および前記静電気分散パターンと絶縁されて交差する半導体パターンと、を含む。
【００１１】
その他実施形態の具体的な内容は詳細な説明および図面に含まれている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の実施形態によれば、少なくとも次のような効果がある。すなわち、静電気流入による損傷を防止できる有機発光表示装置を提供することができる。また、母基板上に形成された各々の有機発光表示装置を１度切断する工程を用いる場合でも静電気流入による損傷を防止できる有機発光表示装置を提供することができる。
【００１３】
本発明による効果は、以下で例示した内容によって制限されず、さらに多様な効果が本明細書内に含まれている。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の母基板の概略上面図である。
【図２】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の平面配置の概略図である。
【図３】図２のＡ領域の拡大図である。
【図４】本発明のいくつかの実施形態による基板側壁整列配線の断面図である。
【図５】本発明のいくつかの実施形態による基板側壁整列配線の断面図である。
【図６】本発明のいくつかの実施形態による基板側壁非整列配線の断面図である。
【図７】図２のＢ領域の拡大図である。
【図８】図２のＣ領域の拡大図である。
【図９】図２のＤ領域の拡大図である。
【図１０】図９のＸ−Ｘ’線に沿って切断した断面図である。
【図１１】本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の部分断面図である。
【図１２】本発明のまた他の実施形態による有機発光表示装置の平面配置の概略図である。
【図１３】図１２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ’線に沿って切断した断面図である。
【図１４】本発明のまた他の実施形態による有機発光表示装置の平面配置の概略図である。
【図１５】図１４のＸＶ−ＸＶ’線に沿って切断した断面図である。
【図１６】本発明の例示的な実施形態による有機発光表示装置の画素領域と静電気分散領域を比較して図示する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の利点及び特徴、これらを達成する方法は、添付する図面と共に詳細に後述する実施形態において明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示する実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で実現されるものであり、本実施形態は、単に本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は、請求項の範囲によってのみ定義される。
【００１６】
素子（ｅｌｅｍｅｎｔｓ）または層が、他の素子または層の「上（ｏｎ）」と記述される場合、他の素子の真上または中間に他の素子を介在する場合が含まれる。明細書全体にわたって同一参照符号は同一構成要素を指称する。
【００１７】
第１、第２などが多様な素子、構成要素を記述するために使用されるが、これら素子、構成要素はこれらの用語によって制限されないことはいうまでもない。これらの用語は、単に一つ構成要素を他の構成要素と区別するために使用するものである。したがって、以下で言及される第１構成要素は本発明の技術的思想内で第２構成要であり得ることはいうまでもない。
【００１８】
以下、添付する図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
【００１９】
図１は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置の母基板の概略上面図である。図１を参照すると、母基板１０は複数のセルＣＥを含む。各セルＣＥはマトリックス形状で配列され得る。各セルＣＥは実質に同一構造および同一サイズを有することができる。
【００２０】
各セルＣＥ間の境界には切断線（ｃｕｔｔｉｎｇ  ｌｉｎｅ：ＣＬ）が定義されており、切断線ＣＬに沿って切断した各セルＣＥは、一つの有機発光表示装置となる。母基板１０の周辺部には母基板駆動部１１が形成され得る。母基板駆動部１１と隣接するセルＣＥの間にも切断線ＣＬが定義され、母基板駆動部１１は切断によってセルＣＥから分離および除去され得る。
【００２１】
母基板１０上には複数の信号配線１２が形成される。信号配線１２の具体的な例としては、ゲートライン、データライン、電源供給ライン、検査配線などが挙げられる。いくつかの信号配線１２＿１、例えばゲートラインやデータラインは、複数のセルＣＥを横切る。他のいくつかの信号配線１２＿２は、特定セルＣＥを横切らず、特定セルＣＥ内にその末端が位置するか、または特定セルＣＥ内に進入してから曲がって、再び進入してきた方向に戻るように形成される。
【００２２】
少なくとも一部の信号配線１２は、母基板駆動部１１と連結され得る。母基板駆動部１１は、信号配線１２や信号配線１２に直間接的に連結された素子をテストまたはシミュレーションをするための各種電気的信号（電圧や電流）を提供することができる。テストの例として、検査信号を信号配線１２に提供し、これに連結された複数のセルＣＥおよびそれに含まれた複数の画素に対する点灯検査を行うことができる。また、検査信号を信号配線に提供して各セルＣＥや画素の素子に対してエイジング検査、漏洩電流検査などを行うことができる。
【００２３】
前述した母基板駆動部１１の代案的な一実施形態またはこれを組み込んだ実施形態は、例えば、プローブ（ｐｒｏｂｅ）を利用して電気的信号を印加できる配線パッド部を母基板１０の周辺部に設けることを含む。
【００２４】
母基板駆動部１１や特定セルＣＥから隣接する他のセルＣＥに延びて進入または進出した信号配線１２は、母基板１０を切断線ＣＬに沿って切断する際に共に切断される。したがって、切断されたセルＣＥの基板（図２の１１０）の側壁と切断された信号配線１２の端部とは、実質的に相互整列されることになる。
【００２５】
母基板１０は一面に垂直な方向に切断することができる。したがって、切断されたセルＣＥにおいて、基板（図２の１１０）の側壁は、基板（図２の１１０）の一面または他面に対して垂直であり得る。同様に、切断された信号配線１２の端部も基板の一面または他面に対して垂直であり得る。さらに、基板（図２の１１０）の側壁と信号配線１２端部の面とは、同一の平面内に配置され得る。
【００２６】
図２は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置の平面配置の概略図であり、図１の母基板１０を切断線に沿って切断することにより得られた一つのセルに対応する有機発光表示装置の平面配置を図示する。図３は、図２のＡ領域の拡大図である。
【００２７】
図２および図３を参照すると、有機発光表示装置１００は、表示領域ＤＡおよび非表示領域ＮＤＡが定義された基板１１０を含み得る。表示領域ＤＡには複数の画素ＰＸが配置され得る。各画素ＰＸはマトリックス形状で配列され得、複数の色相のうち何れか一つを表示する画素であり得る。例えば、各画素ＰＸは、赤色画素、緑色画素、青色画素のうち一つであり得る。いくつかの実施形態で、複数の画素ＰＸには白色画素がさらに含まれ得る。
【００２８】
一実施形態で、各画素ＰＸは該当する色相に相応する色を発光する発光層を含み得る。例えば、赤色画素は赤色有機発光層を、緑色画素は緑色有機発光層を、青色画素は青色有機発光層を各々含み得る。または、他の実施形態では、各画素ＰＸは白色発光層を含み、光が放出される経路上に赤色、緑色、または青色カラーフィルターが設置され得る。
【００２９】
非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡの周辺部に位置する。図２では長方形形状の表示領域ＤＡに隣接する２辺の外側に非表示領域を形成した場合を例示するが、一辺の外側にのみ非表示領域を形成したり、または３または４辺の外側に非表示領域を形成したりすることもできる。
【００３０】
非表示領域ＮＤＡには駆動部１１１が配置され得る。駆動部１１１はゲート駆動部（１１１＿１）、データ駆動部（１１１＿２）などを含み得る。駆動部１１１は、駆動信号を生成して提供するか、または駆動信号の入力を受けて伝達する駆動チップをさらに含み得る。他の実施形態では、駆動チップは、印刷回路基板やフレキシブル印刷回路基板のような外部基板に実装された後、駆動部１１１に設けられているパッド部に接続することもできる。
【００３１】
基板１１０上には複数の配線が配置される。配線は導電性物質からなる。配線は単一導電膜で形成されるか、または複数の導電膜が積層されてなる。
【００３２】
いくつかの配線は、少なくとも一端が基板１１０の側壁１１０ｓに整列したものであり得る。このような配線は、本明細書で基板側壁整列配線ＡＷと指称する。平面図上の基板側壁整列配線ＡＷは、少なくとも一端が基板１１０のエッジ（ｅｄｇｅ）まで延びた形態を有する。基板側壁整列配線ＡＷは、当初母基板（図１の１０）上では隣接するセル（図１のＣＥ）または母基板駆動部（図１の１１）側に延びるが、母基板を切断線（図１のＣＬ）に沿って切断することによってその端部が基板１１０の側壁１１０ｓに整列されたものであり得る。
【００３３】
図４および図５は、本発明のいくつかの実施形態による基板側壁整列配線の断面図である。図４は、基板側壁整列配線ＡＷ＿１の端部の側面ＡＷ＿１ｓが少なくとも部分的に鋭角（θ１）に傾斜しており、下段部が基板１１０の側壁１１０ｓに整列した場合を例示する。図５は、基板側壁整列配線ＡＷ＿２の端部の側面ＡＷ＿２ｓが基板１１０の一面に対して垂直であり、基板１１０の側壁１１０ｓと実質に平行した場合を例示する。母基板（図１の１０）を切断線（図１のＣＬ）に沿って切断する際に配線が共に切断される場合、図５のように基板１１０の一面を基準に、配線の端部の側面がなす角は、基板１１０の側壁１１０ｓがなす角と同一である。さらに、基板１１０の側壁１１０ｓと切断された基板側壁整列配線ＡＷ＿２の端部の側面ＡＷ＿２ｓは同一平面内に配置され得る。
【００３４】
再び図２および図３を参照すると、他のいくつかの配線は、すべての端部が基板の側壁に整列しなくてもよい。本明細書ではこのような配線を基板側壁非整列配線ＮＡＷと指称する。
【００３５】
図６は、本発明のいくつかの実施形態による基板側壁非整列配線の断面図である。図６に図示するように、基板側壁非整列配線ＮＡＷの端部は、基板１１０の側壁１１０ｓから所定間隔ｄ１で離隔する。基板側壁非整列配線ＮＡＷの端部の側面ＮＡＷｓは、基板１１０の一面に対して所定の傾斜角、例えば鋭角の傾斜角（θ２）を有することができる。
【００３６】
平面図上から見るとき、基板側壁非整列配線ＮＡＷは、すべての端部が基板１１０のエッジまで延びず、エッジから離隔した形状を有する。
【００３７】
再び図２および図３を参照すると、基板１１０上に形成されているいくつかの配線は、実際、電気的な信号が印加され、画素、画素内の電極、駆動チップなどのような多様な素子に信号を伝達する信号配線１２１であり得る。他のいくつかの配線は、母基板では信号が印加されたが、切断された後には駆動信号や検査信号などの信号が印加されないダミー配線１２２であり得る。ダミー配線１２２は、信号配線からフローティングされたフローティング配線であり得る。
【００３８】
信号配線１２１は、ゲートライン１２１＿１およびデータライン１２１＿２を含み得る。ゲートライン１２１＿１は第１方向Ｘ１に延び、データライン１２１＿２は第１方向Ｘ１と交差する第２方向Ｘ２に延び得る。前記第１方向Ｘ１と第２方向Ｘ２とは相互に直交することができる。平面図上でゲートライン１２１＿１とデータライン１２１＿２とは相互に交差するが、これらは絶縁膜を介して互いに異なる層に配置されることによって相互に絶縁され得る。
【００３９】
隣接するゲートライン１２１＿１と隣接するデータライン１２１＿２とが交差して定義される領域には、画素ＰＸが配置され得る。すなわち、ゲートライン１２１＿１とデータライン１２１＿２とは、各々隣接する画素ＰＸの境界に沿って配列され得る。
【００４０】
ゲートライン１２１＿１とデータライン１２１＿２とは隣接する画素ＰＸに対応する電極を含み得る。例えば、ゲートライン１２１＿１は、画素ＰＸ側に拡張されたゲート電極を含み得る。データライン１２１＿２は、画素ＰＸ側に拡張されたソース電極を含み得る。これらの電極は、スイッチング素子の薄膜トランジスタを構成することができる。
【００４１】
ゲートライン１２１＿１とデータライン１２１＿２とは、各々基板１１０の一側辺から他側辺まで横切るように形成され得る。ゲートライン１２１＿１とデータライン１２１＿２とは、以下に述べるように、非表示領域ＮＤＡに位置し、これらのラインの幅を拡大して形成されたパッド部を含み得る。
【００４２】
図７は、図２のＢ領域の拡大図である。図８は、図２のＣ領域の拡大図である。
【００４３】
図７および図８を参照すると、ゲートライン１２１＿１とデータライン１２１＿２とは、各々表示領域の線幅（ＧＷ１，ＤＷ１）に比べて拡大した幅（ＧＷ２，ＤＷ２）を有するゲートパッド部１２１＿１ｐおよびデータパッド部１２１＿２ｐを含み得る。ゲートライン１２１＿１とデータライン１２１＿２とは、ゲートパッド部１２１＿１ｐおよびデータパッド部１２１＿２ｐを経て基板１１０の側壁１１０ｓまで延び、その端部が側壁１１０ｓに整列され得る。すなわち、ゲートライン１２１＿１とデータライン１２１＿２とは、基板側壁整列配線ＡＷであり得る。側壁１１０ｓに整列したゲートライン１２１＿１とデータライン１２１＿２との端部の線幅（ＧＷ３，ＤＷ３）は、表示領域内での線幅（ＧＷ１，ＤＷ１）と実質的に同一であり得るが、これに制限されない。ゲートパッド部１２１＿１ｐとデータパッド部１２１＿２ｐとは省略することができる。
【００４４】
以下、ダミー配線およびその周辺構造物についてさらに詳細に説明する。図９は、図２のＤ領域の拡大図である。図１０は、図９のＸ−Ｘ’線に沿って切断した断面図である。
図２、図９および図１０を参照すると、ダミー配線１２２は、一端が基板１１０の側壁１１０ｓに整列し得る。基板１１０上に複数のダミー配線１２２が形成され得、この場合複数のダミー配線１２２のうち少なくとも一部は基板側壁整列配線ＡＷであり得る。
【００４５】
ダミー配線１２２は、基板１１０の側壁１１０ｓを開始点として基板１１０の内側方向に延びた形態であり得る。いくつかのダミー配線１２２は、画素ＰＸが配置された表示領域ＤＡまで延び得る。これに制限されるものではないが、ダミー配線１２２は、ゲートライン１２１＿１またはデータライン１２１＿２と同一層に形成され得る。この場合、ダミー配線１２２は、ゲートライン１２１＿１またはデータライン１２１＿２と同一な物質を利用して同一工程により形成され、同一積層構造を有することができる。
【００４６】
ダミー配線１２２は、ダミー交差配線１２４と一つ以上のスポットＳＰ１で絶縁されて交差することができる。ダミー交差配線１２４は、非表示領域ＮＤＡに位置することができ、ダミー配線１２２と相異なる層に形成され得る。ダミー交差配線１２４とダミー配線１２２との間には、絶縁膜１３０が介在することができる。なお、スポットとは、複数の配線が、基板１１０の垂直方向に重畳する部分を指す。
【００４７】
ダミー交差配線１２４は、ゲートライン１２１＿１またはデータライン１２１＿２などのような信号配線であり得る。例えば、ダミー配線１２２がゲートライン１２１＿１と同一層に形成された場合、ダミー交差配線１２４はデータライン１２１＿２であり得る。これに対し、ダミー配線１２２がデータライン１２１＿２と同一層に形成された場合、ダミー交差配線１２４はゲートライン１２１＿１であり得る。代案的な一実施形態で、ダミー交差配線１２４は、信号が印加されない他のダミー配線であり得る。
【００４８】
ダミー交差配線１２４は、交差するダミー配線１２２が整列されている基板１１０の側壁１１０ｓの延長方向と同一方向に沿って延び得る。例えば、基板１１０の一側壁１１０ｓが第２方向Ｘ２に沿って形成されており、ダミー配線１２２はその側壁１１０ｓを開始点として第２方向Ｘ２に垂直な第１方向Ｘ１に延び、ダミー交差配線１２４は第２方向Ｘ２に延び得る。
【００４９】
ダミー配線１２２の近隣には静電気分散パターン１２６が形成され得る。静電気分散パターン１２６は、ダミー配線１２２とは離隔し、ダミー交差配線１２４に対して一つ以上のスポット（ＳＰ２，ＳＰ３）で絶縁されて交差することができる。ダミー交差配線１２４と静電気分散パターン１２６との間には、絶縁膜１３０が介在することができる。基板側壁整列配線ＡＷとして複数本のダミー配線１２２が備えられる場合、これに制限されないが、静電気分散パターン１２６は、各ダミー配線１２２に一対一に対応するように形成され得る。
【００５０】
静電気分散パターン１２６は、例えば導電性物質からなる。静電気分散パターン１２６はダミー交差配線１２４が交差する隣接したダミー配線１２２と同一層に形成され得、さらにダミー配線１２２と同一物質を利用して同一工程により形成され得る。
【００５１】
ダミー配線１２２と静電気分散パターン１２６とは、ゲートライン１２１＿１と同一層に同一物質で形成され得る。この場合、ダミー交差配線１２４は、データライン１２１＿２であるかまたはこれと実質に同一延長方向を有する信号配線またはダミー配線であり得る。他の実施形態で、ダミー配線１２２と静電気分散パターン１２６とは、データライン１２１＿２と同一層に同一物質で形成され得る。この場合、ダミー交差配線１２４は、ゲートライン１２１＿１であるかまたはこれと実質に同一延長方向を有する信号配線またはダミー配線であり得る。
【００５２】
積層構造に関する例示的な実施形態で、基板１１０上にダミー配線１２２と静電気分散パターン１２６とが形成され、これらを絶縁膜１３０が覆い、絶縁膜１３０上にダミー交差配線１２４が形成され得る。
【００５３】
静電気分散パターン１２６は、基板１１０の側壁１１０ｓに整列しない基板側壁非整列配線ＮＡＷであり得る。すなわち、静電気分散パターン１２６は、基板１１０の側壁１１０ｓから内側に離隔して配置され、また非表示領域ＮＤＡ内に配置され得る。さらに、静電気分散パターン１２６は、他の信号配線や駆動回路と離隔して形成されるかまたは、信号配線の密度が低い領域に形成され得る。
【００５４】
静電気分散パターン１２６は、閉曲線形状で形成され得る。この場合、静電気分散パターン１２６とダミー交差配線１２４とが相互絶縁されて交差するスポット（ＳＰ２，ＳＰ３）は、複数個であり得る。図面に例示する交差スポット（ＳＰ２，ＳＰ３）の数は２個である。
【００５５】
例示的な実施形態で、静電気分散パターン１２６は長方形形状であり得る。静電気分散パターン１２６の相互対向する第１辺１２６＿１および第３辺１２６＿３はダミー交差配線１２４と交差し、第２辺１２６＿２はダミー交差配線１２４の外側に位置し、第４辺１２６＿４はダミー交差配線１２４の内側に位置することができる。ここで、ダミー交差配線１２４の外側とはダミー交差配線１２４を基準として基板の側壁に近い方向を意味し、ダミー交差配線１２４の内側とはダミー交差配線１２４を基準として基板１１０の側壁１１０ｓから遠ざかる方向、すなわち、基板１１０の中央部に向かう方向を意味する。
【００５６】
静電気分散パターン１２６は、ダミー配線１２２の延長方向と実質に同一方向に延びた部分を含み得る。図９の場合、第１辺１２６＿１および第３辺１２６＿３がダミー配線１２２と実質に同一方向に延びている。静電気分散パターン１２６とこれに最も隣接するダミー配線１２２との間には、ダミー配線１２２の延長方向と同一延長方向を有する他の配線が介在しなくてもよい。
【００５７】
静電気分散パターン１２６は少なくとも一つの隅部（角の領域）を含み得る。図面に例示する隅部の数は４個である。各隅部は相対的に尖って形成されることによって、静電気を誘導する役割を果たす。例示的な実施形態において、静電気分散パターン１２６の少なくとも一つまたはすべての隅部の内角は、直角または鋭角であり得る。
【００５８】
以下、前述した有機発光表示装置での静電気の進行経路について説明する。図２、図９および図１０を参照すると、基板側壁整列配線ＡＷのダミー配線１２２は、有機発光表示装置１００のエッジまで延びており、その一端が基板１１０側壁の１１０ｓに整列されているので、ダミー配線１２２の側面は外部に直接露出され得る。
【００５９】
有機発光表示装置１００の外部では、様々な状況で静電気が発生し得る。例えば、有機発光表示装置１００をテストしたり、パッケージングしたりする場合、または有機発光表示装置１００の保管や正常な使用中にも、外部静電気が発生し得る。外部で発生した静電気は、有機発光表示装置１００内部に印加され得る。外部から静電気が流入する開始点は、有機発光表示装置１００の外部表面になるであろう。静電気は導電性物質を介して良く伝達される。したがって、有機発光表示装置１００の表面のうち導電性物質からなる面は、静電気流入の主な経路になる。
【００６０】
前述したように、基板側壁整列配線ＡＷであるダミー配線１２２は導電性物質からなっており、その側面が外部に直接露出しているため、これを介して外部の静電気が装置内に流入され得る。流入された静電気は、ダミー配線１２２に沿って伝達され得る。ダミー配線１２２が表示領域ＤＡまで延びていれば、静電気は表示領域ＤＡまで伝達されるであろう。表示領域ＤＡに伝達される静電気の量が多ければ、隣接する画素ＰＸの素子または信号配線にダメージを与える。
【００６１】
一方、ダミー配線１２２に沿って伝達される静電気の一部は、交差配線１２４との交差スポットＳＰ１でダミー交差配線１２４側に伝達され得る。その結果、ダミー配線１２２の延長方向に沿って表示領域ＤＡ側に流入する静電気の量が少なくなり、画素の素子または信号配線のダメージを減少することができる。ダミー配線１２２とダミー交差配線１２４とは、たとえ電気的に連結されず絶縁されているが、これらが最も近接する交差スポットＳＰ１では、ダミー配線１２２の静電気は、隣接する交差配線１２４でジャンプして伝達され得る。
【００６２】
交差配線１２４にジャンプした静電気は、交差配線１２４の延長方向に沿って伝達される。交差配線１２４を介して伝達される静電気が静電気分散パターン１２６との交差スポット（ＳＰ２，ＳＰ３）に至ると、その一部が静電気分散パターン１２６側にジャンプして伝達され得る。静電気分散パターン１２６に伝達された静電気は、静電気分散パターン１２６の延長方向に沿って分散され得る。外部から流入した静電気の一部を静電気分散パターン１２６に伝達させることによって、ダミー配線１２２を介して表示領域ＤＡに伝達される静電気の量をさらに減少して、表示領域ＤＡへのダメージを低減できる。静電気分散パターン１２６が非表示領域ＮＤＡに位置し、他の信号配線や駆動回路と離隔して形成されるか、または信号配線の密度が低い領域に形成される場合、静電気分散パターン１２６に静電気が伝達されても全体的な有機発光表示装置１００に及ぼす影響は微小である。
【００６３】
一方、静電気分散パターン１２６に伝達された静電気は、静電気分散パターン１２６の隅部に集中するが、この場合、エネルギーが集中することによって静電気分散パターン１２６の隅部が溶けるかまたは焦げてしまう場合もある。しかし、静電気分散パターン１２６が一部損傷しても、これ自体は有機発光表示装置１００の表示品質に影響を与えず、また静電気分散パターン１２６の形成位置が相対的に他素子との距離が遠いため、他の素子に直接的な影響を与えないので大きな問題にならない。むしろ、表示品質に与える影響を最小化し、かつ外部から流入した強力なエネルギーを効果的に放出させる役割を果たしたものと評価することができる。
【００６４】
図１１は、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の部分断面図である。図１１は、図９と同一の平面配置を有する一方で図１０の実施形態以外の多様な積層構造を有し得ることを例示する。図１１を参照すると、本実施形態による有機発光表示装置は、基板１１０上にダミー交差配線１２４が形成され、これを絶縁膜１３０が覆い、絶縁膜１３０上にダミー配線１２２と静電気分散パターン１２６とが形成される。他の構成は図１０の実施形態と実質に同様であるため重複説明は省略する。
【００６５】
図１２は、本発明のまた他の実施形態による有機発光表示装置の平面配置の概略図である。図１３は、図１２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ’線に沿って切断した断面図である。
【００６６】
図１２および図１３を参照すると、本実施形態による有機発光表示装置は、静電気分散パターン１２６にオーバーラップした半導体パターン１４０をさらに含む点が図９の実施形態と異なる。
【００６７】
半導体パターン１４０は、所定の長さを有する少なくとも一つのライン（辺）を含み、少なくとも一つの当該ラインが静電気分散パターン１２６と交差するように形成され得る。例示的な実施形態では、半導体パターン１４０は、第１辺１４０＿１、第２辺１４０＿２、第３辺１４０＿３および第４辺１４０＿４を含む。第１辺１４０＿１、第２辺１４０＿２、第３辺１４０＿３および第４辺１４０＿４のうち何れか一つは他の一つと物理的に連結することができる。
【００６８】
半導体パターン１４０の第２辺１４０＿２と第４辺１４０＿４は、相互に平行し、交差スポット（ＳＰ４，ＳＰ５）で静電気分散パターン１２６の第２辺１２６＿２と垂直に交差し得る。半導体パターン１４０の第１辺１４０＿１と第３辺１４０＿３は、相互に平行であり、交差配線１２４と実質的に平行であり得る。半導体パターン１４０の第１辺１４０＿１と第３辺１４０＿３は、第２辺１４０＿２と第４辺１４０＿４の両側端部からさらに外側に突出し得る。４個の突出した部分は長方形形状の実質的な隅部を構成するが、このような隅部は静電気を集中させる役割を果たす。
【００６９】
半導体パターン１４０は非晶質シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコンや、酸化物半導体で形成され得、画素に備えられる薄膜トランジスタのチャンネル領域を構成する物質と同一物質で形成され得る。
【００７０】
なお、本実施形態では、半導体パターン１４０が、ダミー交差配線１２４の外側に位置する静電気分散パターン１２６の第２辺１２６＿２と交差するように形成された場合を例示した。しかし、本発明はこれに制限されず、半導体パターン１４０は、静電気分散パターン１２６の第４辺１２６＿４、第１辺１２６＿１または、第３辺１２６＿３と交差するように形成され得、互いに異なる辺と交差する２個以上の半導体パターンが形成され得る。さらに、一つの辺を交差する２個以上の半導体パターンが形成され得る。以上で例示的に列挙された半導体パターンの数および位置はさらに多様に組み合わせることもできる。
【００７１】
また、図面で例示する半導体パターン１４０の形状は、実質的な長方形形状である。しかし、本発明はこれに制限されるものではなく、静電気分散パターン１２６と交差する少なくとも一つのライン形状に形成され得る。
【００７２】
図１３に示すように、ダミー配線１２２と静電気分散パターン１２６との間には第１絶縁膜１３０＿１が介在し、半導体パターン１４０と静電気分散パターン１２６との間には第２絶縁膜１３０＿２が介在することができる。第１絶縁膜１３０＿１は、前述した図１０および図１１の絶縁膜１３０と実質的に同一である。第２絶縁膜１３０＿２としては、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜またはこれらの組合せを積層した積層膜が適用され得る。第２絶縁膜１３０＿２は、半導体パターン１４０を覆うだけでなく、これに制限されるものではないが、基板１１０の全面を覆う。この場合、ダミー配線１２２と静電気分散パターン１２６とは、第２絶縁膜１３０＿２上に形成され得る。
【００７３】
例示的な実施形態では、第１絶縁膜１３０＿１は画素に備えられた薄膜トランジスタ層間絶縁膜と同一な物質で形成され、第２絶縁膜１３０＿２は画素に備えられた薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と同一物質で形成され得る。
【００７４】
本実施形態において、ダミー配線１２２を介して流入した外部静電気が、静電気分散パターン１２６に伝達されることは図９の実施形態と実質的に同一である。本実施形態の場合は、さらに進んで、静電気分散パターン１２６で分散する静電気の一部がこれと交差する半導体パターン１４０にジャンプしてさらに分散することができる。したがって、ダミー配線１２２を介して表示領域ＤＡの内部に流入する静電気の量をより効果的に分散および減少させることができる。半導体パターン１４０が非表示領域ＮＤＡに位置する場合、半導体パターン１４０に静電気が伝達されても、全体的な有機発光表示装置に及ぼす影響は微小である。すなわち、半導体パターン１４０にエネルギーが集中してパターンが焦げてしまうなどの損傷を受けても、全体的な有機発光表示装置に及ぼす影響が小さいことは前述した通りである。
【００７５】
なお、前述した半導体パターン１４０は、導電性物質からなる導電パターンに置換され得る。この場合にも実質に同一の静電気分散メカニズムが作用することは勿論である。
【００７６】
図１４は、本発明のまた他の実施形態による有機発光表示装置の平面配置の概略図である。図１５は、図１４のＸＶ−ＸＶ’線に沿って切断した断面図である。
【００７７】
図１４および図１５を参照すると、本実施形態による有機発光表示装置は、半導体パターン１４０に電気的に連結された導電パターン層１５０をさらに含むことが図１２の実施形態と異なる。
【００７８】
導電パターン層１５０は、半導体パターン１４０と異なる層に形成され得る。導電パターン層１５０と半導体パターン１４０との間には、少なくとも一つの絶縁膜が介在することができる。例示的な実施形態で、導電パターン層１５０と半導体パターン１４０との間の絶縁膜は、第１絶縁膜１３０＿１であり得る。導電パターン層１５０は、ダミー交差配線１２４と同一層に形成され得る。また、導電パターン層１５０はダミー交差配線１２４と同一物質で形成され得る。
【００７９】
導電パターン層１５０は、半導体パターン１４０の第１辺１４０＿１と少なくとも部分的にオーバーラップ（重畳）した第１導電パターン層１５０＿１、および半導体パターン１４０の第３辺１４０＿３と少なくとも部分的にオーバーラップした第２導電パターン層１５０＿２を含み得る。第１導電パターン層１５０＿１と第２導電パターン層１５０＿２とは、相互から物理的に離隔し得る。また、第１導電パターン層１５０＿１および第２導電パターン層１５０＿２は、ダミー交差配線１２４と実質に平行する延長方向を有し得るが、これに制限されない。
【００８０】
導電パターン層１５０と半導体パターン１４０がオーバーラップした領域には、コンタクト（１５１＿１，１５１＿２，１５１＿３，１５１＿４）が形成される。導電パターン層１５０と半導体パターン１４０とは、コンタクト（１５１＿１，１５１＿２，１５１＿３，１５１＿４）を介して相互電気的に連結することができる。コンタクト（１５１＿１，１５１＿２，１５１＿３，１５１＿４）は、第１絶縁膜１３０＿１と第２絶縁膜１３０＿２とを貫くコンタクトホール内に導電物質を埋め込んでなる。コンタクト（１５１＿１，１５１＿２，１５１＿３，１５１＿４）の構成物質は、導電パターン層１５０の構成物質と同一であり得る。
【００８１】
なお、静電気分散パターン１２６、半導体パターン１４０および導電パターン層１５０は、薄膜トランジスタの形状を有することができる。
【００８２】
本実施形態によれば、ダミー配線１２２を介して流入した外部静電気が半導体パターン１４０まで伝達されるだけではなく、半導体パターン１４０に伝達された静電気の一部がコンタクト（１５１＿１，１５１＿２，１５１＿３，１５１＿４）を介して導電パターン層１５０側にさらに伝達され得る。したがって、静電気が導電パターン層１５０までさらに分散し、ダミー配線１２２を介して表示領域ＤＡの内部に流入する静電気の量を効果的に分散および減少させることができる。導電パターン層１５０が非表示領域ＮＤＡに位置する場合、導電パターン層１５０に静電気が伝達されても全体的な有機発光表示装置に及ぼす影響は微小である。さらに、導電パターン層１５０にエネルギーが集中して、導電パターン層１５０の両断が焦げてしまうなど損傷を受けても全体的な有機発光表示装置に及ぼす影響が小さいのは勿論である。
【００８３】
図１６は、本発明の例示的な実施形態による有機発光表示装置の画素領域と静電気分散と領域を比較して図示する断面図である。図１６では静電気分散領域が図１５と実質に同一断面構造を有する場合を例えて説明するが、前述した他の多様な形態に置換して適用され得るのはもちろんである。
【００８４】
図１６を参照すると、基板１００の上面にバッファ層１１２が形成され得る。バッファ層１１２は、基板１１０から侵入する水分または不純物の拡散を防止することができる。
【００８５】
画素領域Ｉのバッファ層１１２上には半導体層１４２が形成され、静電気分散領域ＩＩのバッファ層１１２上には半導体パターン１４０（１４０＿４）が形成される。半導体層１４２は、ゲート電極１２８とオーバーラップしたチャンネル領域、チャンネル領域両端に不純物が高濃度でドーピングされたソース／ドレイン領域を含み得る。半導体層１４２および半導体パターン１４０は、例えば非晶質シリコン層を結晶化したポリシリコン層で形成され得る。
【００８６】
半導体層１４２および半導体パターン１４０上には、第１絶縁膜１３０＿１が形成され得る。第１絶縁膜１３０＿１はゲート絶縁膜であり得る。
【００８７】
画素領域Ｉの第１絶縁膜１３０＿１上にはゲート電極１２８が形成され得る。ゲート電極１２８は、半導体層１４２とオーバーラップするように形成され得る。また、静電気分散領域ＩＩの第１絶縁膜１３０＿１上には、静電気分散パターン１２６（１２６＿１、１２６＿２）およびダミー配線１２２が形成され得る。静電気分散パターン１２６は、一部が半導体パターン１４０とオーバーラップするように形成され得る。ゲート電極１２８、静電気分散パターン１２６およびダミーパターン１２２は各々同一層に形成され、同一物質から形成され得る。
【００８８】
ゲート電極１２８、静電気分散パターン１２６およびダミー配線１２２上には、第２絶縁膜１３０＿２が形成され得る。第２絶縁膜１３０＿２は層間絶縁膜であり得る。
【００８９】
画素領域Ｉの第２絶縁膜１３０＿２上にはソース電極１５４＿１およびドレイン電極１５４＿２が形成され得る。また、静電気分散領域ＩＩの第２絶縁膜１３０＿２上には第１導電パターン層１５０＿１および第２導電パターン層１５０＿２が形成され得る。ソース電極１５４＿１およびドレイン電極１５４＿２は、第２絶縁膜１３０＿２および第１絶縁膜１３０＿１を貫くコンタクトホール（１５５＿１，１５５＿２）を介して下部の半導体層１４２と連結し、第１導電パターン層１５０＿１および第２導電パターン層１５０＿２はコンタクトホール（１５１＿１，１５１＿３）を介して下部の半導体パターン１４０と連結することができる。
【００９０】
ソース電極１５４＿１およびドレイン電極１５４＿２、第１導電パターン層１５０＿１および第２導電パターン層１５０＿２は各々同一層に形成され、同一物質からなりうる。
【００９１】
ソース電極１５４＿１およびドレイン電極１５４＿２、第１導電パターン層１５０＿１および第２導電パターン層１５０＿２上には、平坦化膜１６０が形成され得る。
【００９２】
画素領域Ｉの平坦化膜１６０上には画素電極の第１電極１７０が形成され得る。第１電極１７０は平坦化膜１６０に備えられるコンタクトホール１６２を介してドレイン電極１５４＿２と連結することができる。
【００９３】
第１電極１７０上には画素定義膜１８０が形成され得る。画素定義膜１８０は第１電極１７０の一部を露出させることができる。画素定義膜１８０により露出した第１電極１７０上には有機発光層１８５が位置することができる。有機発光層１８５上には共通電極の第２電極１９０が形成され得る。第２電極１９０の静電気分散領域ＩＩまで延長され形成され得る。
【００９４】
前述した第１電極１７０はアノード電極であり、第２電極１９０はカソード電極であり得、逆に第１電極１７０がカソード電極であり、第２電極１９０がアノード電極であってもよい。
【００９５】
前面発光型有機発光表示装置の場合、第１電極１７０は反射型導電膜で形成され、第２電極１９０は透過型導電膜で形成され得る。これに対し、背面発光型有機発光表示装置の場合、第１電極１７０は透過型導電膜で形成され、第２電極１９０は反射型導電膜で形成され得る。
【００９６】
以上添付する図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者は、本発明のその技術的思想や必須の特徴を変更しない範囲で他の具体的な形態で実施され得ることを理解することができる。したがって、上記実施形態はすべての面で例示的なものであり、限定的なものではないと理解しなければならない。
【符号の説明】
【００９７】
１００    有機発光表示装置、
１１０    基板、
１２２    ダミー配線、
１２４    ダミー交差配線、
１２６    静電気分散パターン、
１４０    半導体パターン、
１５０    導電パターン層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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