(57)【要約】【課題】規定した条件を満たす測定値についての詳細な観測を可能とし、かつ測定値の変動を把握できない時間帯を生じさせることなく、少容量の記憶素子で記憶部を構成する。【解決手段】制御部８が、Ｎａ個の測定データＤ１ａ，Ｄ１ｂが記憶部６に記憶される都度、Ｎａ個の測定データＤ１ａ，Ｄ１ｂを対象とするデータ圧縮処理によって測定データＤ２ａ，Ｄ２ｂを生成して記憶部７に記憶させると共に、変更条件が満たされたときに、変更条件に対応して規定されたＮｂ個の測定データＤ１ａ，Ｄ１ｂが記憶部６に記憶される都度、Ｎｂ個の測定データＤ１ａ，Ｄ１ｂを対象とするデータ圧縮処理によって測定データＤ２ａ，Ｄ２ｂを生成して記憶部７に記憶させ、かつ、Ｎｂ個の測定データＤ１ａ，Ｄ１ｂを対象とするデータ圧縮処理によって生成した測定データＤ２ａ，Ｄ２ｂを特定可能なデータ圧縮情報Ｄ３ａ，Ｄ３ｂを生成して記憶部７に記憶させる。【選択図】図１
2014219244.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力信号をＡ／Ｄ変換処理して予め規定された周期で第１の測定データを順次出力する測定部と、
前記第１の測定データを記憶する第１の記憶部と、
前記第１の測定データを対象とするデータ圧縮処理を実行して第２の測定データを生成する処理部と、
前記第２の測定データを記憶する第２の記憶部とを備えて構成された測定装置であって、
前記処理部は、予め規定されたＮａ個（Ｎａは、自然数）の前記第１の測定データが前記第１の記憶部に記憶される都度、当該Ｎａ個の第１の測定データを対象とする前記データ圧縮処理によって前記第２の測定データを生成して前記第２の記憶部に記憶させると共に、予め規定された変更条件が満たされたときに、当該変更条件に対応して予め規定されたＮｂ個（Ｎｂは、Ｎａとは相違する自然数）の前記第１の測定データが前記第１の記憶部に記憶される都度、当該Ｎｂ個の第１の測定データを対象とする前記データ圧縮処理によって前記第２の測定データを生成して前記第２の記憶部に記憶させ、かつ、当該Ｎｂ個の第１の測定データを対象とする前記データ圧縮処理によって生成した前記第２の測定データを特定可能なデータ特定情報を生成して前記第２の記憶部に記憶させる測定装置。
【請求項２】
前記処理部は、前記変更条件としての予め規定された第１の条件が満たされたときに、当該第１の条件に対応して予め規定された前記Ｎｂ個としてのＭａ個（Ｍａは、２以上の自然数）の前記第１の測定データが前記第１の記憶部に記憶される都度、当該Ｍａ個の第１の測定データを対象とする前記データ圧縮処理を実行すると共に、前記変更条件としての予め規定された第２の条件が満たされたときに、当該第２の条件に対応して予め規定された前記Ｎｂ個としてのＭｂ個（Ｍｂは、（Ｍａ−１）個以下の自然数）の前記第１の測定データが前記第１の記憶部に記憶される都度、当該Ｍｂ個の第１の測定データを対象とする前記データ圧縮処理を実行する請求項１記載の測定装置。
【請求項３】
前記処理部は、前記第１の測定データの値が予め規定された信号レベルとなったときに前記変更条件が満たされたとする請求項１または２記載の測定装置。
【請求項４】
前記処理部は、前記第１の測定データの値の変化率が予め規定された変化率となったときに前記変更条件が満たされたとする請求項１から３のいずれかに記載の測定装置。
【請求項５】
前記処理部は、予め規定された時刻が到来したときに前記変更条件が満たされたとする請求項１から４のいずれかに記載の測定装置。
【請求項６】
前記処理部は、最初の前記データ圧縮処理を実行してから予め規定された時間を経過したときに前記変更条件が満たされたとする請求項１から５のいずれかに記載の測定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、入力信号をＡ／Ｄ変換処理して生成した第１の測定データを対象とするデータ圧縮処理を実行して第２の測定データを生成可能に構成された測定装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種の測定装置として、特開２００２−４００５６号公報に波形測定装置が開示されている。この波形測定装置では、入力回路を経てＡ／Ｄ変換器に電圧信号が入力されたときに、電圧信号の電圧値を示すデジタルのデータ（以下、「第１の測定データ」ともいう）がＡ／Ｄ変換器から出力されると共に、この第１の測定データがデータ処理回路においてデータ処理され、処理後のデータ（以下、「第２の測定データ」ともいう）がメモリに順次記憶される構成が採用されている。また、この波形測定装置では、メモリに記憶された第２の測定データが表示制御回路においてデータ処理されて波形データ（表示データ）が生成されて表示データメモリに蓄積保存され、この波形データに基づく信号波形が表示器に表示される構成が採用されている。
【０００３】
この場合、この種の測定装置では、例えば、測定処理時に設定したサンプリングレートが低すぎる場合（第１の測定データに基づいて第２の測定データを生成する周期が長すぎる場合）には、波形（測定値の変化）を詳細に観測するのが困難となる。一方、サンプリングレートを高くすることにより、波形を詳細に観測することが可能となるものの、メモリに記憶される測定データ（上記の例における第２の測定データや、第２の測定データに基づいて生成される波形データ）の数が多数となる結果、それらを記憶可能な大容量のメモリが必要となる。
【０００４】
したがって、上記の波形測定装置では、第２の測定データの値が設定レベルの範囲内のときに、その第２の測定データに対応する波形データを表示データメモリに蓄積保存して信号波形を表示させると共に、第２の測定データの値が設定レベルの範囲外のときには、波形データを保存せずに、その時間幅だけを計測する構成が採用されている。このため、この波形測定装置では、十分に高いサンプリングレートで第２の測定データや波形データを生成するように設定して測定処理を実行することにより、第２の測定データの値が設定レベルの範囲内のときには、その第２の測定データに基づいて生成される波形データの信号波形を参照して波形を詳細に観測することができ、また、第２の測定データの値が設定レベルの範囲外のときには、表示データメモリに記憶させるべき波形データが生成されないため、少容量の記憶素子で表示データメモリを構成することが可能となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−４００５６号公報（第２−３頁、第１−４図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、従来の波形測定装置には、以下の解決すべき問題点が存在する。すなわち、従来の波形測定装置では、第２の測定データの値が設定レベルの範囲外のときに波形データを生成せずに時間幅だけを計測することで、表示データメモリに記憶させる波形データの数（データ量）を低減し、これにより、少容量の記憶素子で構成した表示データメモリでも波形データを記憶することができるように構成されている。この場合、この種の測定装置を用いた測定対象の観測に際しては、設定レベル範囲内の測定値の変動を詳細に把握するのは当然として、たとえ設定レベル範囲外であっても、測定値の変動の概要を把握できるのが好ましい。しかしながら、従来の波形測定装置では、上記したように、第２の測定データの値が設定レベルの範囲外のときに波形データが生成されないため、設定レベル範囲外の測定値の変動を観測することができないという問題点が存在する。
【０００７】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、規定した条件を満たす測定値についての詳細な観測を可能とし、かつ測定値の変動を把握できない時間帯を生じさせることなく、少容量の記憶素子で記憶部を構成し得る測定装置を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成すべく請求項１記載の測定装置は、入力信号をＡ／Ｄ変換処理して予め規定された周期で第１の測定データを順次出力する測定部と、前記第１の測定データを記憶する第１の記憶部と、前記第１の測定データを対象とするデータ圧縮処理を実行して第２の測定データを生成する処理部と、前記第２の測定データを記憶する第２の記憶部とを備えて構成された測定装置であって、前記処理部は、予め規定されたＮａ個（Ｎａは、自然数）の前記第１の測定データが前記第１の記憶部に記憶される都度、当該Ｎａ個の第１の測定データを対象とする前記データ圧縮処理によって前記第２の測定データを生成して前記第２の記憶部に記憶させると共に、予め規定された変更条件が満たされたときに、当該変更条件に対応して予め規定されたＮｂ個（Ｎｂは、Ｎａとは相違する自然数）の前記第１の測定データが前記第１の記憶部に記憶される都度、当該Ｎｂ個の第１の測定データを対象とする前記データ圧縮処理によって前記第２の測定データを生成して前記第２の記憶部に記憶させ、かつ、当該Ｎｂ個の第１の測定データを対象とする前記データ圧縮処理によって生成した前記第２の測定データを特定可能なデータ特定情報を生成して前記第２の記憶部に記憶させる。
【０００９】
また、請求項２記載の測定装置は、請求項１記載の測定装置において、前記処理部は、前記変更条件としての予め規定された第１の条件が満たされたときに、当該第１の条件に対応して予め規定された前記Ｎｂ個としてのＭａ個（Ｍａは、２以上の自然数）の前記第１の測定データが前記第１の記憶部に記憶される都度、当該Ｍａ個の第１の測定データを対象とする前記データ圧縮処理を実行すると共に、前記変更条件としての予め規定された第２の条件が満たされたときに、当該第２の条件に対応して予め規定された前記Ｎｂ個としてのＭｂ個（Ｍｂは、（Ｍａ−１）個以下の自然数）の前記第１の測定データが前記第１の記憶部に記憶される都度、当該Ｍｂ個の第１の測定データを対象とする前記データ圧縮処理を実行する。
【００１０】
さらに、請求項３記載の測定装置は、請求項１または２記載の測定装置において、前記処理部は、前記第１の測定データの値が予め規定された信号レベルとなったときに前記変更条件が満たされたとする。
【００１１】
また、請求項４記載の測定装置は、請求項１から３のいずれかに記載の測定装置において、前記処理部は、前記第１の測定データの値の変化率が予め規定された変化率となったときに前記変更条件が満たされたとする。
【００１２】
さらに、請求項５記載の測定装置は、請求項１から４のいずれかに記載の測定装置において、前記処理部は、予め規定された時刻が到来したときに前記変更条件が満たされたとする。
【００１３】
また、請求項６記載の測定装置は、請求項１から５のいずれかに記載の測定装置において、前記処理部は、最初の前記データ圧縮処理を実行してから予め規定された時間を経過したときに前記変更条件が満たされたとする。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１記載の測定装置では、処理部が、Ｎａ個の第１の測定データが第１の記憶部に記憶される都度、Ｎａ個の第１の測定データを対象とするデータ圧縮処理によって第２の測定データを生成して第２の記憶部に記憶させると共に、変更条件が満たされたときに、変更条件に対応して規定されたＮｂ個の第１の測定データが第１の記憶部に記憶される都度、Ｎｂ個の第１の測定データを対象とするデータ圧縮処理によって第２の測定データを生成して第２の記憶部に記憶させ、かつ、Ｎｂ個の第１の測定データを対象とするデータ圧縮処理によって生成した第２の測定データを特定可能なデータ特定情報を生成して第２の記憶部に記憶させる。
【００１５】
また、請求項２記載の測定装置では、処理部が、第１の条件が満たされたときに、第１の条件に対応して規定されたＭａ個の第１の測定データが第１の記憶部に記憶される都度、Ｍａ個の第１の測定データを対象とするデータ圧縮処理を実行すると共に、第２の条件が満たされたときに、第２の条件に対応して規定されたＭｂ個の第１の測定データが第１の記憶部に記憶される都度、Ｍｂ個の第１の測定データを対象とするデータ圧縮処理を実行する。
【００１６】
したがって、請求項１，２記載の測定装置によれば、測定処理の開始時点から終了時点まで第２の測定データを途切れさせることなく第２の記憶部に記憶させることができるため、測定値の変動を把握できない時間帯が生じる事態を回避することができると共に、変更条件（第１の条件）として、測定値を詳細に観測すべきときに満たされる条件を設定し、かつ、データ圧縮処理の対象数であるＮｂ個（Ｍａ個）を十分に少ない数に規定しておくことにより、その変更条件（第１の条件）が満たされたときに、測定値の変化を詳細に観測可能な十分な量の第２の測定データが第２の記憶部に記憶されるため、測定値の変動を詳細に観測することができ、変更条件（第２の条件）として、測定値を詳細に観測する必要がないときに満たされる条件を設定し、かつ、データ圧縮処理の対象数であるＮｂ個（Ｍｂ個）を十分に多い数に規定しておくことにより、その変更条件が満たされたときに、測定値の変化の概要を把握可能な程度の少量の第２の測定データが第２の記憶部に記憶されるため、第２の測定データを記憶する第２の記憶部を少容量の記憶素子で構成して測定装置の製造コストを十分に低減することができる。
【００１７】
さらに、請求項３記載の測定装置では、処理部が、第１の測定データの値が予め規定された信号レベルとなったときに変更条件が満たされたとする。また、請求項４記載の測定装置では、処理部が、第１の測定データの値の変化率が予め規定された変化率となったときに変更条件が満たされたとする。さらに、請求項５記載の測定装置では、処理部が、予め規定された時刻が到来したときに変更条件が満たされたとする。また、請求項６記載の測定装置では、処理部が、最初のデータ圧縮処理を実行してから予め規定された時間を経過したときに変更条件が満たされたとする。
【００１８】
したがって、請求項３から６記載の測定装置によれば、測定値の変化を詳細に観測可能な十分な量の第２の測定データを第２の記憶部に記憶させるときと、第２の記憶部に記憶させる第２の測定データの量を減少させて第２の記憶部の貴重な記憶容量の消費を抑えるときとを任意に規定して、所望する測定結果を確実に取得することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】測定装置１の構成図である。
【図２】入力信号Ｓｉの電圧値と測定データＤ２ａの生成周期との関係の一例について説明するための説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明に係る測定装置の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。
【００２１】
図１に示す測定装置１は、「測定装置」の一例であって、測定ユニット２ａ，２ｂ、クロック発生部３、操作部４、表示部５、記憶部６，７および制御部８を備えて構成されている。測定ユニット２ａ，２ｂは、「測定部」の一例であって、本例の測定装置１では、各種の測定ユニットのなかから測定処理の内容に応じて任意の測定ユニットを選択して装着することができるように構成されている。具体的には、本例では、一例として、測定ユニット２ａとしての電圧測定ユニットが装着され、かつ測定ユニット２ｂとしての温度測定ユニットが装着されている。
【００２２】
この場合、測定ユニット２ａは、入力信号ＳｉをＡ／Ｄ変換処理するＡ／Ｄ変換器を備え、後述するようにクロック発生部３から出力されるクロック信号Ｓｃに同期して予め規定された周期で入力信号Ｓｉの電圧値を示す測定データＤ１ａを生成して出力する。また、測定ユニット２ｂは、温度センサ１０からのセンサ信号ＳｓをＡ／Ｄ変換処理するＡ／Ｄ変換器を備え、クロック発生部３から出力されるクロック信号Ｓｃに同期して予め規定された周期で温度センサ１０の周囲の温度を示す測定データＤ１ｂを生成して出力する。なお、本例では、上記の測定データＤ１ａ，Ｄ１ｂが「第１の測定データ」に相当する。
【００２３】
クロック発生部３は、制御部８の制御に従い、クロック信号Ｓｃを生成して測定ユニット２ａ，２ｂに出力する。操作部４は、測定装置１の動作条件（測定条件）等を設定するための各種操作スイッチを備え、スイッチ操作に応じた操作信号を制御部８に出力する。表示部５は、制御部８の制御下で動作条件設定画面や測定結果表示画面（図示せず）を表示する。記憶部６は、「第１の記憶部」の一例であって、制御部８の制御下で測定ユニット２ａ，２ｂから出力された測定データＤ１ａ，Ｄ１ｂを記憶する。この場合、本例の測定装置１では、一例として、記憶部６内にリングバッファ形式の記憶領域が規定され、この記憶領域内に測定データＤ１ａ，Ｄ１ｂが順次記憶させられる構成が採用されている。記憶部７は、「第２の記憶部」の一例であって、測定条件データＤ０ａ，Ｄ０ｂや、後述するように制御部８によって生成される測定データＤ２ａ，Ｄ２ｂおよびデータ圧縮情報Ｄ３ａ，Ｄ３ｂなどを記憶する。
【００２４】
制御部８は、測定装置１を総括的に制御する。具体的には、制御部８は、クロック発生部３を制御してクロック信号Ｓｃを生成させる（出力させる）と共に、測定ユニット２ａ，２ｂを制御して測定処理（測定データＤ１ａ，Ｄ１ｂを生成する処理）を実行させる。また、制御部８は、測定ユニット２ａから出力された測定データＤ１ａを記憶部６に順次記憶させると共に、測定ユニット２ｂから出力された測定データＤ１ｂを記憶部６に順次記憶させる。さらに、制御部８は、「処理部」に相当し、予め規定された数の測定データＤ１ａが記憶部６に記憶される都度、規定数の測定データＤ１ａを対象とするデータ圧縮処理を実行して測定データＤ２ａ（「第２の測定データ」の一例）を生成し、生成した測定データＤ２ａを記憶部７に記憶させると共に、予め規定された数の測定データＤ１ｂが記憶部６に記憶される都度、規定数の測定データＤ１ｂを対象とするデータ圧縮処理を実行して測定データＤ２ｂ（「第２の測定データ」の他の一例）を生成し、生成した測定データＤ２ｂを記憶部７に記憶させる。
【００２５】
この場合、本例の測定装置１では、測定ユニット２ａ，２ｂが、前述したＡ／Ｄ変換器の分解能に応じた一定の周期でクロック信号Ｓｃに同期して測定データＤ１ａ，Ｄ１ｂを順次出力し、制御部８が、後述するように測定処理の開始に先立って設定されるサンプリングレートに応じて、規定数の測定データＤ１ａ，Ｄ１ｂが記憶部６に記憶される都度、その測定データＤ１ａ，Ｄ１ｂを圧縮して測定データＤ２ａ，Ｄ２ｂを生成して記憶部７に記憶させる構成が採用されている。具体的には、一例として、測定ユニット２ａ（２ｂ）が「１ミリ秒」程度の一定の周期で測定データＤ１ａ（Ｄ１ｂ）を順次生成して出力し、測定データＤ２ａ（Ｄ２ｂ）の生成レート（サンプリングレート）として「１秒」が設定されているときに、制御部８が、１，０００個の測定データＤ１ａ（Ｄ１ｂ）を記憶部６に記憶させる都度、１，０００個の測定データＤ１ａ（Ｄ１ｂ）を対象とするデータ圧縮処理を実行して１つの測定データＤ２ａ（Ｄ２ｂ）を生成する構成が採用されている。
【００２６】
また、本例の測定装置１では、上記の「データ圧縮処理」として、設定されたサンプリングレートに応じた数の測定データＤ１ａ，Ｄ１ｂの値を平均化処理して測定データＤ２ａ，Ｄ２ｂを生成する処理、設定されたサンプリングレートに応じた数の測定データＤ１ａ，Ｄ１ｂの値のうちの最大値を測定データＤ２ａ，Ｄ２ｂとする処理、設定されたサンプリングレートに応じた数の測定データＤ１ａ，Ｄ１ｂの値のうちの最小値を測定データＤ２ａ，Ｄ２ｂとする処理、設定されたサンプリングレートに応じた数の測定データＤ１ａ，Ｄ１ｂうちの最先の測定データＤ１ａ，Ｄ１ｂ（最初に生成された測定データＤ１ａ，Ｄ１ｂ）を測定データＤ２ａ，Ｄ２ｂとする処理、および設定されたサンプリングレートに応じた数の測定データＤ１ａ，Ｄ１ｂうちの最新の測定データＤ１ａ，Ｄ１ｂ（最後に生成された測定データＤ１ａ，Ｄ１ｂ）を測定データＤ２ａ，Ｄ２ｂとする処理のうちの予め指定された処理を実行する構成が採用されている。
【００２７】
さらに、本例の測定装置１では、後述するように、予め設定した条件に応じて、上記の測定データＤ２ａ，Ｄ２ｂの生成周期（サンプリングレート）を変更することができるように構成されている。なお、制御部８による測定データＤ２ａ，Ｄ２ｂの生成周期（サンプリングレート）の変更に関しては、後に具体例を挙げて詳細に説明する。また、制御部８は、記憶部７に記憶させた測定データＤ２ａ，Ｄ２ｂに基づく測定結果を表示部５に表示させたり、図示しない外部メモリに測定データＤ２ａ，Ｄ２ｂ記憶させたりする。
【００２８】
この測定装置１を用いた測定処理に際しては、一例として、操作部４を操作して測定条件を設定する。具体的には、一例として、測定ユニット２ａのみを使用して測定対象からの入力信号Ｓｉの電圧値を測定する際には、後に設定する条件を満たさない状態における測定データＤ２ａの生成周期（サンプリングレート：以下、「常態時サンプリングレート」ともいう）と、条件を満たした状態における測定データＤ２ａの生成周期（サンプリングレート：以下、「詳細記録時サンプリングレート」ともいう）とをそれぞれ設定する。この際には、常態時サンプリングレートとして「１秒」を設定し、かつ、詳細記録時サンプリングレートとして「１０ミリ秒」を設定する。
【００２９】
この場合、本例の測定装置１では、前述したように、測定ユニット２ａが「１ミリ秒」程度の一定の周期で測定データＤ１ａを順次生成するように構成されている。したがって、常態時サンプリングレートとして「１秒」を設定した場合には、後に設定する条件が満たされていない状態において、１，０００個の測定データＤ１ａが記憶部６に記憶される都度、この１，０００個の測定データＤ１ａを対象とする上記のデータ圧縮処理が実行されて、１，０００個の測定データＤ１ａを代表する１個の測定データＤ２ａが生成されることとなる（「Ｎａ個」、および「Ｎｂ個としてのＭｂ個」が「１，０００個」の例）。このため、常態時サンプリングレートとして電圧値の変化の概要を把握できる程度の十分に低いレートを設定することにより、条件を満たさない状態において生成される測定データＤ２ａの数を十分に少なくすることが可能となる。
【００３０】
また、詳細記録時サンプリングレートとして「１０ミリ秒」を設定した場合には、後に設定する条件が満たされた状態において、１０個の測定データＤ１ａが記憶部６に記憶される都度、この１０個の測定データＤ１ａを対象とする上記のデータ圧縮処理が実行されて、１０個の測定データＤ１ａを代表する１個の測定データＤ２ａが生成されることとなる（「Ｎｂ個としてのＭａ個」が「１０個」の例）。このため、詳細記録時サンプリングレートとして十分に高いレートを設定することにより、条件を満たした状態において、電圧値の変化を詳細に観測し得る十分な量の測定データＤ２ａを記憶させることが可能となる。
【００３１】
次いで、上記の常態時サンプリングレートから詳細記録時サンプリングレートに変更する条件、および詳細記録時サンプリングレートから常態時サンプリングレートに変更する条件をそれぞれ設定する。この際には、一例として、「測定ユニット２ａから出力される測定データＤ１ａの値が図２に示すレベルＬ１以上となったとき」との条件（「変更条件」としての「第１の条件」の一例である「第１の測定データの値が予め規定された信号レベルとなったとき」との条件の例）を常態時サンプリングレートから詳細記録時サンプリングレートに変更する条件として設定する。また、「測定ユニット２ａから出力される測定データＤ１ａの値が、上記のレベルＬ１以上の状態から図２に示すレベルＬ２を下回ったとき」との条件（「変更条件」としての「第２の条件」の一例である「第１の測定データの値が予め規定された信号レベルとなったとき」との条件の例）を詳細記録時サンプリングレートから常態時サンプリングレートに変更する条件として設定する。
【００３２】
この場合、本例の測定装置１では、「変更条件」として、上記の例のような「測定データＤ１ａの値が規定したレベル以上となったとき」や「測定データＤ１ａの値が規定したレベルを下回ったとき」との条件だけでなく、「測定データＤ１ａの値の変化率が予め規定された変化率となったとき」との条件、「予め規定された時刻が到来したとき」との条件、および「測定処理を開始してからの経過時間、すなわち、最初の測定データＤ２ａを生成するデータ圧縮処理を実行してから予め規定した時間を経過したとき」との条件などの複数の各種の条件のうちから選択した条件を「変更条件」として設定することができるように構成されている。また、本例のように測定ユニット２ｂとして温度測定ユニットが装着されている場合には、「測定データＤ１ｂの値（温度）が規定したレベル以上となったとき」や「測定データＤ１ｂの値（温度）が規定したレベルを下回ったとき」などの条件を「変更条件」として設定することもできる。
【００３３】
一方、サンプリングレートの変更条件（変更条件）の設定操作が完了したときに、制御部８は、変更条件の設定操作に先立って設定された上記の常態時サンプリングレートおよび詳細記録時サンプリングレートと、設定された変更条件とに基づき、測定ユニット２ａを用いた測定処理の測定条件を示す測定条件データＤ０ａを生成して記憶部７に記憶させる。この場合、測定ユニット２ａだけを用いた測定処理を実行する本例とは相違するが、測定ユニット２ｂを用いた測定処理を実行する場合には、上記の例示と同様の設定操作を行うことにより、制御部８によって、測定ユニット２ｂを用いた測定処理の測定条件を示す測定条件データＤ０ｂが生成されて記憶部７に記憶される。
【００３４】
次いで、測定ユニット２ａを測定対象に接続した状態において、操作部４の測定開始スイッチを操作する。この際には、測定ユニット２ａが入力信号ＳｉをＡ／Ｄ変換処理して測定データＤ１ａを生成し、生成した測定データＤ１ａを「１ミリ秒」程度の一定の周期で出力する。また、制御部８は、出力された測定データＤ１ａを、記憶部６内のリングバッファ形式の記憶領域に順次記憶させると共に、その値がレベルＬ１以上であるか否かを逐次判別する。
【００３５】
この際に、図２に示す例では、測定処理を開始した時点ｔ０から後述する時点ｔ１まで、測定データＤ１ａの値（電圧レベル）がレベルＬ１を下回っている。したがって、制御部８は、測定条件データＤ０ａに従い、常態時サンプリングレートでの測定データＤ２ａの生成処理を開始する。具体的には、制御部８は、１，０００個の測定データＤ１ａが記憶部６に記憶される都度、この１，０００個の測定データＤ１ａを対象とする上記のデータ圧縮処理（一例として、１，０００個の測定データＤ１ａの値を平均化する処理）を実行し、１，０００個の測定データＤ１ａを代表する１個の測定データＤ２ａ（この例では、１，０００個の測定データＤ１ａの値の平均値を示すデータ）を生成して記憶部７に記憶させる。これにより、「１秒」の周期で記憶部７に測定データＤ２ａが順次追記される。また、制御部８は、記憶部７に順次追記される測定データＤ２ａが「１秒」の周期で生成された旨を示すデータ圧縮情報Ｄ３ａを生成して記憶部７に記憶させる。
【００３６】
一方、図２に示すように、測定データＤ１ａの値（電圧レベル）がレベルＬ１以上となる時点ｔ１において、制御部８は、測定ユニット２ａから出力される測定データＤ１ａの値がレベルＬ１以上となり、サンプリングレートの切替え条件（「第１の条件」の一例）が満たされたと判別し、その時点ｔ１以降に実行する「データ圧縮処理」に関し、測定ユニット２ａを生成する周期（サンプリングレート）を常態時サンプリングレートから詳細記録時サンプリングレートに変更する。
【００３７】
この場合、本例の測定装置１では、上記の「第１の条件」が満たされたときに、条件が満たされた時点ｔ１以降に測定ユニット２ａから出力される測定データＤ１ａを対象とする「データ圧縮処理」だけでなく、条件が満たされた時点ｔ１よりも前に測定ユニット２ａから出力された測定データＤ１ａ（既に「データ圧縮処理」が実行されて測定データＤ２ａが生成された測定データＤ１ａ）のうちの予め規定された時間Ｔａ分の測定データＤ１ａについても、詳細記録時サンプリングレートで「データ圧縮処理」を再度実行して測定データＤ２ａを生成する構成が採用されている。
【００３８】
具体的には、制御部８は、まず、測定データＤ１ａの値がレベルＬ１以上となった時点ｔ１から、予め設定された時間Ｔａだけ遡った時点ｔ１ａから時点ｔ１までの間（時間Ｔａ内）に記憶部６に記憶させた測定データＤ１ａを特定する。次いで、特定した測定データＤ１ａに関し、１０個の測定データＤ１ａを対象とするデータ圧縮処理を実行して１０個の測定データＤ１ａを代表する１個の測定データＤ２ａを生成すると共に、時点ｔ１ａ〜ｔ１までの間に記憶部７に記憶させた測定ユニット２ａ（時点ｔ１ａ〜ｔ１までの間に常態時サンプリングレートで生成した測定データＤ２ａ）に代えて、１０個の測定データＤ１ａに基づいて新たに生成した測定データＤ２ａを記憶部７に記憶させる。
【００３９】
この際に、本例の測定装置１では、一例として、１，０００個の測定データＤ１ａに基づいて生成された測定データＤ２ａ（「１秒」の周期で生成された測定データＤ２ａ）と、１０個の測定データＤ１ａに基づいて生成された測定データＤ２ａ（「１０ミリ秒」の周期で生成される測定データＤ２ａ）との間に、測定データＤ２ａの生成周期を変更した旨を特定可能なダミーデータ（一例として、実測されることのない予め規定された値の測定データＤ２ａ：「データ特定情報」の一例）を挟んで記憶部７に記憶させる構成が採用されている。また、制御部８は、上記のダミーデータ以降に記憶させられる測定データＤ２ａが「１０ミリ秒」の周期で生成された旨を示す情報をデータ圧縮情報Ｄ３ａに追記する。
【００４０】
さらに、上記の時点ｔ１以降に生成される測定データＤ１ａに関し、制御部８は、１０個の測定データＤ１ａが記憶部６に記憶される都度、この１０個の測定データＤ１ａを対象とする上記のデータ圧縮処理を実行し、１０個の測定データＤ１ａを代表する１個の測定データＤ２ａ（１０個の測定データＤ１ａの値の平均値を示すデータ）を生成して記憶部７に記憶させる。これにより、時点ｔ０〜ｔ１ａの時間Ｔ１内に生成された測定データＤ１ａに基づいて「１秒」の周期で生成された測定データＤ２ａに続いて、「１０ミリ秒」の周期で測定データＤ２ａが記憶部７に順次追記される。
【００４１】
また、測定データＤ１ａの値（電圧レベル）がレベルＬ１以上の状態からレベルＬ２を下回るレベルとなる時点ｔ２において、制御部８は、測定ユニット２ａから出力される測定データＤ１ａの値がレベルＬ２を下回り、サンプリングレートの切替え条件（「第２の条件」の一例）が満たされたと判別し、測定ユニット２ａを生成する周期（サンプリングレート）を詳細記録時サンプリングレートから常態時サンプリングレートに変更する。
【００４２】
この場合、本例の測定装置１では、測定データＤ１ａの値がレベルＬ２を下回って上記の「第２の条件」が満たされたときに、条件が満たされた時点ｔ２から予め規定された時間Ｔｂが経過する時点ｔ２ａまでは、時点ｔ２までの測定データＤ２ａのサンプリング周期である詳細記録時サンプリングレートでの測定データＤ２ａの生成処理を継続すると共に、時点ｔ２ａが到来した際に、測定データＤ２ａの生成周期を変更した旨を特定可能なダミーデータを記憶部７に記憶させ、かつダミーデータ以降に記憶させられる測定データＤ２ａが「１秒」の周期で生成されたデータである旨を示す情報をデータ圧縮情報Ｄ３ａに追記した後に、常態時サンプリングレートでの測定データＤ２ａの生成処理を開始する構成が採用されている。
【００４３】
具体的には、時点ｔ２ａ以降において、制御部８は、１，０００個の測定データＤ１ａが記憶部６に記憶される都度、この１，０００個の測定データＤ１ａを対象とする上記のデータ圧縮処理を実行し、１，０００個の測定データＤ１ａを代表する１個の測定データＤ２ａ（１，０００個の測定データＤ１ａの値の平均値を示すデータ）を生成して記憶部７に記憶させる。これにより、前述した時点ｔ１ａ〜ｔ２ａまでの時間Ｔ２内に生成された測定データＤ１ａに基づいて「１０ミリ秒」の周期で生成された測定データＤ２ａに続いて、「１秒」の周期で測定データＤ２ａが記憶部７に順次追記される。この後、制御部８は、一例として、操作部４の測定終了スイッチが操作される時点ｔ３まで上記の処理を継続して実行する。これにより、測定処理が完了する。
【００４４】
この場合、上記の測定処理が完了したときには、時点ｔ０〜ｔ１ａまでの時間Ｔ１内に常態時サンプリングレート（「１秒」の周期）で生成された各測定データＤ２ａ、サンプリングレートが変更された旨を示すダミーデータ、時点ｔ１ａ〜ｔ２ａまでの時間Ｔ２内に詳細記録時サンプリングレート（「１０ミリ秒」の周期）で生成された各測定データＤ２ａ、サンプリングレートが変更された旨を示すダミーデータ、および時点ｔ２ａ〜ｔ３までの時間Ｔ３内に常態時サンプリングレート（「１秒」の周期）で生成された各測定データＤ２ａと、上記の各サンプリングレート（測定データＤ２ａの生成周期）を特定可能なデータ圧縮情報Ｄ３ａとが記憶部７に記憶された状態となる。
【００４５】
一方、記憶部７に記憶された測定データＤ２ａ等に基づき、測定対象の電圧値の変化を観測する際には、各測定データＤ２ａを生成順に読み出し、一例として、その値をプロットして電圧値の変化を示すグラフを表示部５に表示させる。この際に、読み出した測定データＤ２ａが「データ特定情報」に相当するダミーデータのときには、データ圧縮情報Ｄ３ａに基づき、そのダミーデータ以降の測定データＤ２ａがどのようなサンプリングレートで生成されたかを特定して電圧値をプロットする。これにより、常態時サンプリングレートで生成された測定データＤ２ａの値、および詳細記録時サンプリングレートで生成された測定データＤ２ａの値を正確にプロットして時点ｔ１から時点ｔ３までの電圧値の変化を示すグラフを表示部５に表示させることが可能となる。
【００４６】
このように、この測定装置１では、制御部８が、１，０００個（または、１０個）の測定データＤ１ａが記憶部６に記憶される都度、１，０００個（または、１０個）の測定データＤ１ａを対象とする「データ圧縮処理」によって測定データＤ２ａを生成して記憶部７に記憶させると共に、「変更条件（サンプリングレート変更条件）」が満たされたときに、その「変更条件」に対応して規定された１０個（または、１，０００個）の測定データＤ１ａが記憶部６に記憶される都度、１０個（または、１，０００個）の測定データＤ１ａを対象とする「データ圧縮処理」によって測定データＤ２ａを生成して記憶部７に記憶させ、かつ、１０個（または、１，０００個）の測定データＤ１ａを対象とする「データ圧縮処理」によって生成した測定データＤ２ａを特定可能な「データ特定情報（この例では、データ圧縮情報Ｄ３ａおよび予め規定された値のダミーデータ」を生成して記憶部７に記憶させる。
【００４７】
具体的には、この測定装置１では、制御部８が、「第１の条件（一例として、測定データＤ１ａの値がレベルＬ１以上のときとの条件）」が満たされたときに、「第１の条件」に対応して規定された１０個の測定データＤ１ａが記憶部６に記憶される都度、１０個の測定データＤ１ａを対象とする「データ圧縮処理」を実行すると共に、「第２の条件（一例として、測定データＤ１ａの値がレベルＬ２を下回っているとの条件）」が満たされたときに、「第２の条件」に対応して規定された１，０００個の測定データＤ１ａが記憶部６に記憶される都度、１，０００個の測定データＤ１ａを対象とする「データ圧縮処理」を実行する。
【００４８】
したがって、この測定装置１によれば、測定処理の開始時点から終了時点まで測定データＤ２ａを途切れさせることなく記憶部７に記憶させることができるため、測定値の変動（上記の例では、電圧値の）を把握できない時間帯が生じる事態を回避することができると共に、「変更条件（第１の条件）」として、測定値（上記の例では、電圧値）を詳細に観測すべきときに満たされる条件を設定し、かつ、「データ圧縮処理」の対象数である「Ｎｂ個（Ｍａ個）」を十分に少ない数（上記の例では、１０個）に規定しておくことにより、その「変更条件（第１の条件）」が満たされたときに、測定値の変化を詳細に観測可能な十分な量の測定データＤ２ａが記憶部７に記憶されるため、測定値の変動を詳細に観測することができ、「変更条件（第２の条件）」として、測定値を詳細に観測する必要がないときに満たされる条件を設定し、かつ、「データ圧縮処理」の対象数である「Ｎｂ個（Ｍｂ個）」を十分に多い数（上記の例では、１，０００個）に規定しておくことにより、その「変更条件」が満たされたときに、測定値の変化の概要を把握可能な程度の少量の測定データＤ２ａが記憶部７に記憶されるため、測定データＤ２ａを記憶する記憶部７を少容量の記憶素子で構成して測定装置１の製造コストを十分に低減することができる。
【００４９】
さらに、この測定装置１では、制御部８が、測定データＤ１ａの値が予め規定された信号レベルとなったとき、測定データＤ１ａの値の変化率が予め規定された変化率となったとき、予め規定された時刻が到来したとき、および最初の「データ圧縮処理」を実行してから予め規定された時間を経過したときのいずれか予め指定された条件が満たされたときに「変更条件」が満たされたとすることにより、測定値の変化を詳細に観測可能な十分な量の測定データＤ２ａを記憶部７に記憶させるときと、記憶部７に記憶させる測定データＤ２ａの量を減少させて記憶部７の貴重な記憶容量の消費を抑えるときとを任意に規定して、所望する測定結果を確実に取得することができる。
【００５０】
なお、「測定装置」の構成は、上記の測定装置１の構成に限定されない。例えば、「変更条件（第１の条件）」が満たされたとき（上記の例では、時点ｔ１において測定データＤ１ａの値がレベルＬ１以上となったとき）に、条件が満たされた時点ｔ１よりも前に測定ユニット２ａから出力された時間Ｔａ分の測定データＤ１ａを含んで、満たされた条件に対応する新たなサンプリングレートで「データ圧縮処理」して測定データＤ２ａを生成する構成を例に挙げて説明したが、このような構成に代えて、「変更条件（第１の条件）」が満たされたとき（例えば、時点ｔ１において測定データＤ１ａの値がレベルＬ１以上となったとき）に、条件が満たされた時点ｔ１以降に測定ユニット２ａから出力される測定データＤ１ａだけを新たなサンプリングレートで「データ圧縮処理」して測定データＤ２ａを生成する構成を採用することもできる。
【００５１】
また、「変更条件（第２の条件）」が満たされたとき（上記の例では、時点ｔ２において測定データＤ１ａの値がレベルＬ２以下となったとき）に、条件が満たされた時点ｔ２から時間Ｔｂが経過する時点ｔ２ａまでに測定ユニット２ａから出力される測定データＤ１ａを、条件が満たされた時点ｔ２以前に実施していた「データ圧縮処理」のサンプリングレートで「データ圧縮処理」して測定データＤ２ａを生成し、時間Ｔｂが経過した時点ｔ２ａ以降に測定ユニット２ａから出力された時間Ｔａ分の測定データＤ１ａを、満たされた条件に対応する新たなサンプリングレートで「データ圧縮処理」して測定データＤ２ａを生成する構成を例に挙げて説明したが、このような構成に代えて、「変更条件（第２の条件）」が満たされたとき（例えば、時点ｔ２において測定データＤ１ａの値がレベルＬ２以下となったとき）に、条件が満たされた時点ｔ２以降に測定ユニット２ａから出力される測定データＤ１ａを新たなサンプリングレートで「データ圧縮処理」して測定データＤ２ａを生成する構成を採用することもできる。
【００５２】
さらに、上記の測定装置１では、測定処理の開始時点から常態時サンプリングレートで測定データＤ２ａを生成し、測定データＤ１ａの値がレベルＬ１以上となったとき（「変更条件」としての「第１の条件」が満たされたとき）に、測定ユニット２ａを生成する周期（サンプリングレート）を常態時サンプリングレートから詳細記録時サンプリングレートに変更すると共に、測定データＤ１ａの値がレベルＬ２を下回ったとき（「変更条件」としての「第２の条件」が満たされたとき）に、測定ユニット２ａを生成する周期（サンプリングレート）を詳細記録時サンプリングレートから常態時サンプリングレートに変更する測定処理を実行可能に構成されている。
【００５３】
このような構成に代えて、例えば、測定処理の開始時点から常態時サンプリングレートで測定データＤ２ａを生成し、測定データＤ１ａの値がレベルＬ１以上となったとき（「変更条件」が満たされたとき）に、測定データＤ２ａを生成する周期（サンプリングレート）を詳細記録時サンプリングレートに変更し、その後に測定データＤ１ａの値がどのように変動したとしても測定データＤ２ａを生成する周期（サンプリングレート）を変更しない構成を採用することもできる。また、測定処理の開始時点から詳細記録時サンプリングレートで測定データＤ２ａを生成し、測定データＤ１ａの値がレベルＬ２を下回ったとき（「変更条件」が満たされたとき）に、測定データＤ２ａを生成する周期（サンプリングレート）を常態時サンプリングレートに変更し、その後に測定データＤ１ａの値がどのように変動したとしても測定データＤ２ａを生成する周期（サンプリングレート）を変更しない構成を採用することもできる。
【００５４】
これらの構成を採用した場合においても、上記の測定装置１と同様にして測定データＤ１ａの値がレベルＬ１以上となっている状態において生成される測定データＤ２ａに基づいて測定値（電圧値）の変化を詳細に観測することができ、また、常態時サンプリングレートで測定データＤ２ａを生成した分だけ、記憶部７に記憶される測定データＤ２ａの数を減少させることができるため、記憶部７を少容量の記憶素子で構成して測定装置１の製造コストを十分に低減することができる。
【００５５】
さらに、「変更条件」を３種類以上規定すると共に、各条件に対応させて測定データＤ２ａを生成する周期（圧縮処理対象数であるＮｂ個）を任意に規定して測定処理を実行させることもできる。また、「データ特定情報」として、ダミーデータとデータ圧縮情報Ｄ３ａとを記憶部７に記憶させる構成を例に挙げて説明したが、このような構成に代えて、例えば、「Ａ１個目からＡ２個目までの測定データＤ２ａは、Ａ３個の測定データＤ１ａを対象とするデータ圧縮処理によって生成され、Ｂ１個目からＢ２個目までの測定データＤ２ａは、Ｂ３個の測定データＤ１ａを対象とするデータ圧縮処理によって生成されている」との事項を特定可能な情報を「データ特定情報」として記憶部７に記憶させる構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【００５６】
１  測定装置
２ａ，２ｂ  測定ユニット
３  クロック発生部
６，７  記憶部
８  制御部
１０  温度センサ
Ｄ０ａ，Ｄ０ｂ  測定条件データ
Ｄ１ａ，Ｄ１ｂ，Ｄ２ａ，Ｄ２ｂ  測定データ
Ｄ３ａ，Ｄ３ｂ  データ圧縮情報
Ｓｃ  クロック信号
Ｓｉ  入力信号
Ｓｓ  センサ信号
ｔ０〜ｔ３，ｔ１ａ，ｔ２ａ  時点
Ｔ１〜Ｔ３，Ｔａ，Ｔｂ  時間
Ｌ１，Ｌ２  レベル
【図１】
2014219244.tif 000003
【図２】
2014219244.tif 000004