(57)【要約】【課題】有機材料の利用効率を高めることができること。【解決手段】実施形態に係る蒸着装置２は、移動する基板Ｇの被処理面に向けてホスト材を含むガスを噴き出して有機膜を基板Ｇの被処理面に面状に蒸着させる第１の蒸着部と、第１の蒸着部の前段または後段に配置され、移動する基板Ｇの被処理面に向けてゲスト材を含むガスを噴き出して有機膜を基板Ｇの被処理面にライン状に蒸着させる第２の蒸着部とを有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理対象の基板を収容する処理室と、
発光層を形成する有機材料を含むガスを噴出する蒸着部と、
前記処理室内で、前記基板の被処理面を前記蒸着部に対して相対的に所定方向に移動させる移動部と、を備え、
前記蒸着部は、
移動する前記基板の被処理面に向けて前記有機材料のうちホスト材を含むガスを噴き出して第１の有機膜を前記被処理面に面状に蒸着させる第１の蒸着部と、
前記第１の蒸着部の前段または後段に配置され、移動する前記基板の被処理面に向けて前記有機材料のうちゲスト材を含むガスを噴き出して第２の有機膜を前記被処理面にライン状に蒸着させる第２の蒸着部と、を有する蒸着装置。
【請求項２】
前記第２の蒸着部の後段または前段に配置され、前記処理室で移動する前記基板の被処理面に向けて有機材料を含むガスを噴き出して前記第１の有機膜および前記第２の有機膜上に第３の有機膜を面状に蒸着させる第３の蒸着部と、を備える、請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項３】
前記第３の蒸着部は、
前記有機材料を含むガスとしてホスト材を含むガスを噴出する、請求項２に記載の蒸着装置。
【請求項４】
前記第３の蒸着部は、
前記有機材料を含むガスとして正孔阻止層を形成する有機材料を含むガスを噴出する、請求項２に記載の蒸着装置。
【請求項５】
前記第２の蒸着部は、
前記所定方向に対し交差する方向に前記ガスを噴き出す複数の噴出口が一定間隔を空けて配列された複数のノズルを有し、
前記複数のノズルは、前記所定方向に並べられ、かつ、前記所定方向において噴出口の位置を互いにずらして配置される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の蒸着装置。
【請求項６】
前記複数のノズルは、それぞれ異なる色の発光層を形成するゲスト材を含むガスを噴き出す、請求項５に記載の蒸着装置。
【請求項７】
前記第１の蒸着部は、
前記所定方向に対し交差する方向に延びるスリット状の噴出口を有する、
請求項１〜６のいずれか１項に記載の蒸着装置。
【請求項８】
前記第３の蒸着部は、
前記所定方向に対し交差する方向に延びるスリット状の噴出口を有する
ことを特徴とする請求項２〜４のいずれか１項に記載の蒸着装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の蒸着装置を用いて製造された有機ＥＬディスプレイ。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の蒸着装置を用いて製造された有機ＥＬ照明装置。
【請求項１１】
処理室内で、処理対象の基板を相対的に移動させる移動工程と、
発光層を形成する有機材料を含むガスを噴出して前記基板の被処理面に前記有機材料を蒸着させる蒸着工程と、を含み、
前記蒸着工程は、
移動する前記基板の被処理面に向けて前記有機材料のうちホスト材を含むガスを噴き出して第１の有機膜を前記被処理面に面状に蒸着させる第１の蒸着工程と、
前記第１の蒸着工程の前または後に、移動する前記基板の被処理面に向けて前記有機材料のうちゲスト材を含むガスを噴き出して第２の有機膜を前記被処理面にライン状に蒸着させる第２の蒸着工程と、を含む蒸着方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
開示の実施形態は、蒸着装置、蒸着方法、有機ＥＬディスプレイ、および有機ＥＬ照明装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、次世代を担うフラットパネルディスプレイとして、有機材料を用いて発光させる有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を用いた有機ＥＬディスプレイが注目されている。
【０００３】
有機ＥＬディスプレイは、自発光型でバックライトが不要なことから、薄型化および軽量化が容易であり、視野角、解像度、コントラスト、応答速度、消費電力、可撓性などの面でも非常に優れている。
【０００４】
有機ＥＬ素子は、透明基板上に形成され、有機層を陽極（アノード）および陰極（カソード）にてサンドイッチした構造をしている。有機ＥＬ素子の陽極および陰極に電圧を印加すると、陽極からは正孔（ホール）が有機層に注入され、陰極からは電子が有機層に注入される。注入された正孔および電子は有機層にて再結合して発光層を励起し、その励起状態から再び基底状態に戻る際に光を発生する。
【０００５】
有機ＥＬディスプレイにおいて、フルカラーの画像を表示するための発光方式の１つとして、透明基板上にＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の３原色画素を並べて配置する並置方式が知られている。この並置方式では、基板上でＲ、Ｇ、Ｂの各色発光層が塗り分けされる。各色発光層の塗り分けを行う成膜方法として、マスク蒸着法が現在の主流になっている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
マスク蒸着法は、基板上の成膜材料を付着させたい部位に対応する箇所に穴が開いているシャドウマスクを基板の手前に配置し、シャドウマスクの開口部を通して成膜材料を蒸着させる。上記並置方式の場合、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色発光層のパターンが同じであるため、同一シャドウマスクの位置を基板と平行にずらすことによって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色発光層を蒸着法により塗り分けることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−３２５４２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、マスク蒸着法では、シャドウマスクの開口がマスク全体の面積の中で占める割合はわずかであり、蒸発物質の大部分（一般に９５％以上）がマスクに付着するため、材料の利用効率が悪い。Ｒ、Ｇ、Ｂの各色発光層に用いられる有機材料は高価であることから、有機ＥＬディスプレイや有機ＥＬ照明装置の大型化および量産性の阻害要因にとなっている。
【０００９】
実施形態の一態様は、有機材料の利用効率を高めることができる蒸着装置、蒸着方法、有機ＥＬディスプレイ、および有機ＥＬ照明装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
実施形態の一態様に係る蒸着装置は、処理対象の基板を収容する処理室と、発光層を形成する有機材料を含むガスを噴出する蒸着部と、前記処理室内で、前記基板の被処理面を前記蒸着部に対して相対的に所定方向に移動させる移動部と、を備え、前記蒸着部は、移動する前記基板の被処理面に向けて前記有機材料のうちホスト材を含むガスを噴き出して第１の有機膜を前記被処理面に面状に蒸着させる第１の蒸着部と、前記第１の蒸着部の前段または後段に配置され、移動する前記基板の被処理面に向けて前記有機材料のうちゲスト材を含むガスを噴き出して第２の有機膜を前記被処理面にライン状に蒸着させる第２の蒸着部と、を有する。
【発明の効果】
【００１１】
実施形態の一態様によれば、有機材料の利用効率を高めることができる蒸着装置、蒸着方法、有機ＥＬディスプレイ、および照明装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、第１の実施形態に係る基板処理システムの構成を示す図である。
【図２】図２は、第１の実施形態に係る有機ＥＬカラーディスプレイのデバイス構造の一例を示す模式断面図である。
【図３】図３は、図１に示す蒸着装置の構成を示す図である。
【図４】図４は、図１に示す蒸着装置におけるノズルの構成および配置を示す図である。
【図５Ａ】図５Ａは、ガラス基板上にＲＧＢ発光層が形成される様子を示す平面図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、図５Ａに示す領域Ｑの拡大図である。
【図６】図６は、蒸着装置による有機層形成の様子を示す図である。
【図７Ａ】図７Ａは、図６に示すＥ−Ｅ線模式断面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、拡散によって、Ｒ発光層、Ｇ発光層およびＢ発光層が形成された状態のＥ−Ｅ線模式断面図である。
【図８】図８は、多孔型のノズルによって形成される膜形状の一例を示す図である。
【図９】図９は、ＲＧＢ発光層の形状例を示す図である。
【図１０】図１０は、パッシブマトリクス方式の構成例を示す図である。
【図１１】図１１は、第２の実施形態に係る蒸着装置による有機層形成の様子を示す図である。
【図１２Ａ】図１２Ａは、図１１に示すＦ−Ｆ線模式断面図である。
【図１２Ｂ】図１２Ｂは、拡散によって、Ｒ発光層、Ｇ発光層およびＢ発光層が形成された状態のＦ−Ｆ線模式断面図である。
【図１３】図１３は、第２の実施形態に係る有機ＥＬカラーディスプレイのデバイス構造の一例を示す模式断面図である。
【図１４】図１４は、他の実施形態に係る有機ＥＬカラーディスプレイのデバイス構造の一例を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本願の開示する蒸着装置、蒸着方法、有機ＥＬディスプレイ、および有機ＥＬ照明装置の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。例えば、以下においては、有機ＥＬディスプレイや有機ＥＬ照明装置の有機層を形成する例について説明するが、蒸着装置および蒸着方法によって製造される装置は、ディスプレイや照明装置に限定されるものではない。
【００１４】
［１．第１の実施形態］
［１．１．基板処理システムの構成］
まず、第１の実施形態に係る基板処理システムについて説明する。図１は、第１の実施形態に係る基板処理システムの構成を示す図である。図１に示すように、第１の実施形態に係る基板処理システム１は、複数の処理容器を有するクラスタ型装置であり、ロードロック室ＬＬＭ、搬送室ＴＭ、前処理室ＣＭおよび４つのプロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ４を有する。
【００１５】
ロードロック室ＬＬＭは、大気系から搬送されたガラス基板（以下、基板Ｇと記載する）を、真空度の高いプロセスモジュールＰＭに搬送するために内部を減圧状態に保持する。基板Ｇ上には、予め陽極としてインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）が形成される。基板Ｇは、搬送室ＴＭの搬送アームＡｒｍによって前処理室ＣＭ内に搬送され、ＩＴＯ表面をクリーニングした後、プロセスモジュールＰＭ１内に搬送される。
【００１６】
プロセスモジュールＰＭ１には、ガスフロー型の蒸着装置２が配置され、透明陽極ＩＴＯ上に後述する複数の有機膜が連続して形成される。このように有機層が形成された基板Ｇは、プロセスモジュールＰＭ４内に搬送され、スパッタリングにより有機層上に陰極層（メタル電極）が形成される。
【００１７】
さらに、基板Ｇは、プロセスモジュールＰＭ２内に搬送され、配線用のパターンがエッチングにより形成された後、再び、プロセスモジュールＰＭ４内にてスパッタリングによりエッチング部分に金属配線が成膜される。そして、最後に、基板Ｇは、プロセスモジュールＰＭ３内に搬送され、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：気相成長法）により有機層を封止する封止膜が形成される。
【００１８】
図２に、基板処理システム１により製造される有機ＥＬカラーディスプレイのデバイス構造の一例を示す模式断面図である。図２に示すように、有機ＥＬカラーディスプレイは、基板Ｇ上に透明陽極ＩＴＯ、正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、発光層ＥＭＬ、電子輸送層ＥＴＬ、電子注入層ＥＩＬおよび陰極（カソード）を積層形成したデバイス構造を有する。
【００１９】
第１の実施形態に係る発光層ＥＭＬは、Ｒ（赤）発光層ＲＥＬ、Ｇ（緑）発光層ＧＥＬ、Ｂ（青）発光層ＢＥＬ（以下、ＲＧＢ発光層と総称する場合がある）を含む。これらのＲＧＢ発光層は、後述するようにホスト材による薄膜（以下、ホスト膜と記載する）にＲＧＢ発光層用の各ゲスト材による薄膜を形成し、ゲスト材をホスト膜に拡散させることによって形成される。
【００２０】
ホスト材は、発光層においてキャリア輸送を担う材料であり、例えば、Ａｌｑ３（蛍光材料ホスト）、ＣＢＰ、ｍ−ＣＰ、ｍ−ＣＢＰ（燐光材料ホスト）等である。かかるホスト材は、例えば、ＨＯＭＯ−ＬＵＭＯ準位、ギャップ、ゲスト材料との適合性から適宜選択される。また、ゲスト（ドーパント）材は、発光層において発光を担う材料であり、Ｒ発光層ＲＥＬ用のゲスト材は、例えば、ＤＣＭ、ＤＣＭ２、ＤＣＪＴＢ（赤色蛍光材料）、Ｉｒ（ｐｉｑ）３、（ｂｔｐ）２Ｉｒ（ａｃａｃ）（赤色燐光材料）等であり、Ｇ発光層ＧＥＬ用のゲスト材は、例えば、Ｃｏｕｍａｒｉｎ６（緑色蛍光材料）、Ｉｒ（ｐｐｙ）３、（ｐｐｙ）２Ｉｒ（ａｃａｃ）（緑色燐光材料）等であり、Ｂ発光層ＢＥＬ用のゲスト材は、例えば、ＴＢＰ(青色蛍光材料)、Ｉｒ（Ｆｐｐｙ）３、ＦＩｒｐiｃ（青色燐光材料）等である。なお、ホスト材およびゲスト材は、上述した材料に限定されるものではなく、発光特性等を考慮し種々の材料を用いることができる。
【００２１】
プロセスモジュールＰＭ１内に配置される蒸着装置２は、１つの処理室内において、これら正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、発光層ＥＭＬ、電子輸送層ＥＴＬおよび電子注入層ＥＩＬの全５層を、１回の蒸着プロセスで同時に形成する。
【００２２】
［１．２．蒸着装置の構成］
図３は、蒸着装置２の構成を示す図である。図３に示すように、蒸着装置２は、処理室１０と、移動機構２０と、蒸発機構３０と、原料ガス噴き出し部４０と、コントローラ５０とを備えており、上述した正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、発光層ＥＭＬ、電子輸送層ＥＴＬ、電子注入層ＥＩＬ（図２参照）を順次形成する。
【００２３】
処理室１０の側壁には、ゲートバルブ１１によって開閉される基板搬入搬出用の開口１２が形成され、被処理基板である基板Ｇを処理室１０に対して出し入れ可能となっている。また、処理室１０は、その側壁または底面に形成される排気口１３を介して真空ポンプなどの排気装置（図示せず）に接続されており、処理室１０内の減圧が可能である。なお、ゲートバルブ１１や排気装置は、例えば、コントローラ５０によって制御される。
【００２４】
移動機構２０は、コントローラ５０によって制御され、処理室１０内で基板Ｇを水平な一方向（Ｘ方向）に一定速度で移動させる。この移動機構２０は、基板Ｇの被処理面を下方に向けた状態で保持するステージ２１と、このステージ２１に結合され、Ｘ方向にステージ２１をスライド移動する走査部２２とを有する。
【００２５】
ステージ２１には、基板Ｇを静電吸着力によって着脱可能に保持する静電チャック（図示せず）が埋め込まれており、この静電チャックは、コントローラ５０により制御されるスイッチを介して高圧の直流電源（図示せず）に電気的に接続される。また、ステージ２１の内部には媒体通路が形成されており、コントローラ５０は、熱媒体循環装置（図示せず）を制御して、ステージ２１内部の媒体通路に所定温度の熱媒体（例えば、冷媒）を循環供給させることで基板Ｇを所定温度に調整する。
【００２６】
蒸発機構３０は、処理室１０の外に、基板Ｇ上に形成する薄膜の種類に応じた個数の蒸発源３１ａ〜３１ｇ（以下、蒸発源３１と総称する場合がある）を有する。各蒸発源３１は、容器内に形成したルツボの中で、有機材料を加熱、蒸発させて原料ガスを生成する。
【００２７】
具体的には、蒸発源３１ａは、正孔注入層ＨＩＬの原料となる有機物の成膜材料を加熱、蒸発させてＨＩＬ原料ガスを生成し、蒸発源３１ｂは、正孔輸送層ＨＴＬの原料となる有機物の成膜材料を加熱、蒸発させてＨＴＬ原料ガスを生成し、蒸発源３１ｃは、発光層ＥＭＬのホスト材となる有機物の成膜材料を加熱、蒸発させてＥＭＬ原料ガスを生成する。
【００２８】
また、蒸発源３１ｄは、Ｒ発光層ＲＥＬのゲスト材となる有機物の成膜材料を加熱、蒸発させてＥＭＬｒ原料ガスを生成し、蒸発源３１ｅは、Ｇ発光層ＧＥＬのゲスト材となる有機物の成膜材料を加熱、蒸発させてＥＭＬｇ原料ガスを生成し、蒸発源３１ｆは、Ｂ発光層ＢＥＬのゲスト材となる有機物の成膜材料を加熱、蒸発させてＥＭＬｂ原料ガスを生成する。
【００２９】
また、蒸発源３１ｇは、電子輸送層ＥＴＬの原料となる有機物の成膜材料を加熱、蒸発させてＥＴＬ原料ガスを生成し、蒸発源３１ｈは、電子注入層ＥＩＬの原料となる有機物の成膜材料を加熱、蒸発させてＥＩＬ原料ガスを生成する。
【００３０】
各蒸発源３１ａ〜３１ｈは、各有機材料を加熱するためのヒータとして、例えば高融点材料からなる抵抗発熱素子３２ａ〜３２ｈ（以下、抵抗発熱素子３２と総称する）を備える。ヒータ電源部３３は、各抵抗発熱素子３２に電流を個別に供給して、各蒸発源３１における加熱温度（例えば２００℃〜５００℃）を個別に制御する。
【００３１】
蒸発機構３０は、各蒸発源３１において生成される原料ガスをそれぞれキャリアガスに混合して原料ガス噴き出し部４０まで搬送するためのキャリアガス供給機構３４を備える。このキャリアガス供給機構３４は、キャリアガス供給源３５と、ガス管３６ａ〜３６ｈ（以下、ガス管３６と総称する場合がある）、開閉弁３７ａ〜３７ｈ（以下、開閉弁３７と総称する場合がある）と、マス・フロー・コントローラ３８ａ〜３８ｈ（以下、ＭＦＣ３８と総称する場合がある）とを有する。
【００３２】
キャリアガス供給源３５は、キャリアガスとして不活性ガス（例えばアルゴンガス、ヘリウムガス、クリプトンガスまたは窒素ガス）を個別に各ガス管３６の基端部へ送出する。各ガス管３６の中途部には、それぞれ開閉弁３７およびＭＦＣ３８が配置される。
【００３３】
各開閉弁３７は、コントローラ５０の制御によってそれぞれ独立に開閉（オン／オフ）する。また、各ＭＦＣ３８は、対応するガス管３６を流れるキャリアガスの圧力または流量をコントローラ５０の制御によって制御する。これらＭＦＣ３８および開閉弁３７によって、キャリアガスのオン／オフ、およびキャリアガスの圧力や流量の制御が行われる。
【００３４】
各ガス管３６の先端部は、それぞれ対応する蒸発源３１に接続され、開閉弁３７およびＭＦＣ３８によって、蒸発源３１へのキャリアガスの圧力および流量の制御やキャリアガスの供給／停止が行われる。
【００３５】
原料ガス噴き出し部４０は、処理室１０内に、蒸発源３１ａ〜３１ｈのそれぞれ対応するノズル４１ａ〜４１ｈ（以下、ノズル４１と総称する場合がある）を備え、各蒸発源３１から受け取った各原料ガスを、移動機構２０によって移動されている基板Ｇに向けて噴き出す。
【００３６】
ノズル４１ａ〜４１ｈは、いずれも長尺型のノズルであり、処理室１０内で基板移動方向（Ｘ方向）に一列に並んで配置される。これらのノズル４１ａ〜４１ｈは、各々が基板移動方向（Ｘ方向）と直交する方向（Ｙ方向）に長く延びており、各々の上面に形成された噴出口より原料ガスを上方に噴き出す。
【００３７】
各ノズル４１ａ〜４１ｈは、処理室１０の底壁を貫通する各ガス管４２ａ〜４２ｈ（以下、ガス管４２と総称する場合がある）を介して各蒸発源３１ａ〜３１ｈに接続され、また、移動機構２０による蒸着走査のスタート位置からＸ方向に順次配置される。そして、これらのノズル４１ａ〜４１ｈによって、基板Ｇ上に、ＨＩＬ原料ガス、ＨＴＬ原料ガス、ＥＭＬ原料ガス、ＥＭＬｒ原料ガス、ＥＭＬｇ原料ガス、ＥＭＬｂ原料ガス、ＥＴＬ原料ガス、ＥＩＬ原料ガスがそれぞれ噴出される。なお、各ガス管４２ａ〜４２ｈの中途部には、それぞれ開閉弁４３ａ〜４３ｈが配置される。
【００３８】
図４は、蒸着装置２におけるノズル４１ａ〜４１ｈの構成および配置を示す図である。図４に示すように、ノズル４１ａ〜４１ｇは、その上面に噴出口４４ａ〜４４ｈをそれぞれ有する。各噴出口４４ａ〜４４ｈは、形成する薄膜に応じた形状に形成され、また、蒸着プロセス中に真上を通過する基板Ｇに対し、それぞれの薄膜を形成するのに適した距離に配置される。
【００３９】
具体的には、ノズル４１ａ〜４１ｃ、４１ｇ、４１ｈの上面には、その長手方向（Ｙ方向）にスリット状に延びる噴出口４４ａ〜４４ｃ、４４ｇ、４４ｈが形成され、これらの噴出口４４ａ〜４４ｃ、４４ｇ、４４ｈは、基板Ｇに対して面状薄膜を形成するのに適した比較的遠い距離ＤＬ（例えば、１０〜２０ｍｍ）を隔てるような高さ位置にそれぞれ配置される。
【００４０】
一方、ノズル４１ｄ〜４１ｆの上面には、その長手方向（Ｙ方向）に一定間隔を置いて一列（または複数列）に複数の噴出口４４ｄ〜４４ｆが形成され、これらの噴出口４４ｄ〜４４ｆは、基板Ｇに対してライン状薄膜を形成するのに適した比較的短い距離ＤＳ（例えば、１ｍｍ以下）を隔てるような高さ位置にそれぞれ配置される。
【００４１】
図５Ａは、蒸着装置２によって基板Ｇ上にＲＧＢ発光層が形成される様子を示す平面図、図５Ｂは、図５Ａに示す領域Ｑの拡大図であり、噴出口４４ｄ〜４４ｆとＲＧＢ発光層の形成パターンとの関係が示される。
【００４２】
図５Ａおよび図５Ｂに示すように、各ノズル４１ｄ〜４１ｆは、それぞれの噴出口４４ｄ〜４４ｆがノズル長手方向（Ｙ方向）に対して一定間隔Ｐで一列に配置され、また、噴出口４４ｄ〜４４ｆ間では、ノズル長手方向（Ｙ方向）において噴出口４４ｄ〜４４ｆが互いにＰ／３だけオフセットしている。
【００４３】
噴出口４４ｄ〜４４ｆの口径Ｋ１〜Ｋ３は、並置型のＲＧＢ発光層の各ライン幅Ｗに依存した値に選定される。口径Ｋ１〜Ｋ３の範囲は、例えば、０．１〜１Ｗに設定することができる。例えばＷ＝１００μｍの場合、Ｋ１〜Ｋ３＝１０〜１００μｍに設定される。
【００４４】
このように、噴出口４４ｄ〜４４ｆの口径Ｋ１〜Ｋ３は微細に形成され、かつ、至近距離ＤＳで、基板Ｇの被処理面（以下、基板被処理面と記載する場合がある）に向けて原料ガスを噴き出す。そのため、噴出口４４ｄ〜４４ｆから噴き出された原料ガスが四方、特に基板移動方向（Ｘ方向）への拡散が抑制され、ＲＧＢ発光層を精度よく形成できる。
【００４５】
これに対して、噴出口４４ａ〜４４ｃ、４４ｇ、４４ｈは、広角遠距離噴出型ノズルであり、原料ガスを大きな広がり角で遠距離ＤＬにある基板被処理面に向けて噴き出すので、それらの噴き出された原料ガスが四方、特に基板移動方向（Ｘ方向）に拡散する。これにより、正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、発光層のホスト膜ＥＭＨＦ、電子輸送層ＥＴＬおよび電子注入層ＥＩＬの面状に精度よく形成することができる。
【００４６】
なお、隣接するノズル４１ａ〜４１ｃ、４１ｇ、４１ｈ間には、処理室１０の底壁からノズル噴出口４４ａ〜４４ｃ、４４ｇ、４４ｈを超える高さまで垂直上方（Ｚ方向）に延びる隔壁板４５（図３および図４参照）が設けられており、この隔壁板４５によって、隣接するノズル側への原料ガスの侵入または混入を防止することができる。
【００４７】
［１．３．蒸着装置による有機層形成］
次に、蒸着装置２による有機層の形成について説明する。図６は、蒸着装置２による有機層形成の様子を示す図である。
【００４８】
ゲートバルブ１１が開いて外部搬送装置（図示せず）により被処理対象である基板Ｇが処理室１０の中に搬入されると、コントローラ５０は、移動機構２０を制御してステージ２１を搬入／搬出口の近くに寄せて基板Ｇのローディングを行う。基板Ｇのローディングが完了した後、コントローラ５０は、ゲートバルブ１１を閉じ、排気装置により処理室１０の室内を所定の真空圧力まで減圧させる。なお、蒸着装置２に搬入される基板Ｇの被処理面には、別の成膜装置により前工程で陽極（ＩＴＯ）が形成されている。
【００４９】
コントローラ５０は、基板Ｇを搬入するタイミングに合わせて、蒸発機構３０をスタンバイ状態に制御する。例えば、基板Ｇが搬入される直前に、ヒータ電源部３３をオンにして、各蒸発源３１ａ〜３１ｈにおける各成膜材料の加熱、蒸発を準備させる。なお、このとき、開閉弁４３ａ〜４３ｈは閉じた状態に維持され、原料ガス噴き出し部４０が停止状態に維持される。
【００５０】
コントローラ５０は、基板Ｇに対する蒸着プロセスを実行するために、移動機構２０に対してステージ２１の走査移動を開始させる。そして、走査移動により基板Ｇの前端部が各ノズル４１の手前に差し掛かると、コントローラ５０は、所定のタイミングでノズル４１に対応するガス管３６の開閉弁３７およびガス管４２の開閉弁４３をそれまでの閉（オフ）状態から開（オン）状態に切り換える。また、ＭＦＣ３８は、ガス管３６を流れるキャリアガスの圧力または流量の制御を通じて、ノズル４１のガス噴出圧力または流量を設定値に制御する。
【００５１】
これにより、各ノズル４１は、キャリアガスと混合された原料ガスの噴き出しを開始し、この状態を基板Ｇの後端部が各ノズル４１頭上を通り過ぎるまで維持する。これらのノズル４１ａ〜４１ｈは、上述したように、基板Ｇの移動方向に対して順に並べて設けられており、ノズル４１ａ〜４１ｈの順に原料ガスがその噴出口４４ａ〜４４ｈから基板Ｇに噴出される。
【００５２】
噴出口４４ａ〜４４ｃ、４４ｇ、４４ｈは、基板移動方向と交差する方向に延びるスリット形状を有している。そのため、これらの噴出口４４ａ〜４４ｃ、４４ｇ、４４ｈからは原料ガスが基板Ｇの被処理面に向けて帯状に噴き出される。帯状に噴き出された原料ガスは、その真上を通過する基板Ｇの被処理面に帯状に当たり、その帯状に当たった位置で凝縮して堆積する。これにより、薄膜が一定の膜厚で面状に形成される。
【００５３】
一方、噴出口４４ｄ〜４４ｆは、基板移動方向と交差する方向に列をなす複数の孔を有している。そのため、かかる噴出口４４ｄ〜４４ｆからは、原料ガスが基板Ｇに向けて櫛歯状に噴き出される。櫛歯状に噴き出された原料ガスは、その真上を通過する基板Ｇに形成されたホスト材による薄膜に離散的に当たり、その離散的に当たった各位置で凝縮して堆積する。これにより、薄膜が一定の膜厚および一定の間隔Ｐでライン状に複数本形成される。
【００５４】
ここで、各ノズル４１による薄膜の形成についてさらに具体的に説明する。基板Ｇの移動が開始すると、まず、基板Ｇの前端部が最初にノズル４１ａの上方に差し掛かり、このタイミングで、ノズル４１ａのスリット型噴出口４４ａからＨＩＬ原料ガスを真上に向けて帯状に噴き出す。この状態はノズル４１ａの頭上を基板Ｇの後端部が通り過ぎるまで維持される。これにより、基板Ｇの前端から後端に向かって基板Ｇ全体を覆うように正孔注入層ＨＩＬの薄膜が一定の膜厚で面状に形成される。
【００５５】
次に、基板Ｇの前端部がノズル４１ａの後段にあるノズル４１ｂの上方に差し掛かると、ノズル４１ｂのスリット型噴出口４４ｂからＨＴＬ原料ガスが真上に向けて帯状に噴き出す。この状態はノズル４１ｂの頭上を基板Ｇの後端部が通り過ぎるまで維持される。これにより、基板Ｇの前端から後端に向かって正孔注入層ＨＩＬ全体を覆うように正孔輸送層ＨＴＬの薄膜が一定の膜厚で面状に形成される。
【００５６】
次に、基板Ｇの前端部がノズル４１ｂの後段にあるノズル４１ｃの上方に差し掛かると、ノズル４１ｃのスリット型噴出口４４ｃからＥＭＬ原料ガスが真上に向けて帯状に噴き出す。この状態はノズル４１ｃの頭上を基板Ｇの後端部が通り過ぎるまで維持される。これにより、基板Ｇの前端から後端に向かって正孔輸送層ＨＴＬ全体を覆うように発光層のホスト膜ＥＭＨＦが一定の膜厚で面状に形成される。なお、ホスト膜ＥＭＨＦを形成するための蒸発源３１ｃ、ノズル４１ｃ、キャリアガス供給部（専用のガス管、開閉弁、ＭＦＣ等）が第１の蒸着部に相当する。また、図に示す例では、ＥＭＬ原料ガスを噴射するノズル４１ｃの噴射口をスリット型噴出口としたが、複数の噴射口が形成された多孔型噴出口をノズル４１ｃの噴射口としてもよい。この場合も、スリット型噴出口と同様に、多孔型噴出口よりＥＭＬ原料ガスを帯状に噴き出してホスト膜ＥＭＨＦを一定の膜厚で面状に形成する。また、ＥＭＬ原料ガスを噴射するノズル４１ｃの噴射口を多孔型噴出口とする場合、Ｒ発光層ＲＥＬ、Ｇ発光層ＧＥＬおよびＢ発光層ＢＥＬを形成する位置にそれぞれホスト膜ＥＭＨＦをライン状に形成するようにＥＭＬ原料ガスを多孔型噴出口から噴き出すことで、ホスト膜ＥＭＨＦの厚みを各色ごとに調整してもよい。これによって各色の発光特性を向上させることができる。
【００５７】
次に、基板Ｇの前端部がノズル４１ｃの後段にあるノズル４１ｄの上方に差し掛かると、ノズル４１ｄの多孔型噴出口４４ｄからＥＭＬｒ原料ガスが真上に向けて櫛歯状に噴き出す。この状態はノズル４１ｄの頭上を基板Ｇの後端部が通り過ぎるまで維持される。これにより、ホスト膜ＥＭＨＦ上に、Ｒ発光層ＲＥＬを形成するためのゲスト材の薄膜（以下、Ｒゲスト膜と記載する）が一定の膜厚および一定の間隔Ｐでライン状に複数本形成される。
【００５８】
同様に、基板Ｇの前端部がノズル４１ｄの後段にあるノズル４１ｅの上方に差し掛かると、ノズル４１ｅの多孔型噴出口４４ｅからＥＭＬｇ原料ガスが真上に向けて櫛歯状に噴き出す。この状態はノズル４１ｅの頭上を基板Ｇの後端部が通り過ぎるまで維持される。これにより、Ｒゲスト膜の後を追うように、発光層のホスト膜ＥＭＨＦの上に、Ｒゲスト膜の隣に一定のギャップｇ（図５Ｂ参照）を空けて、Ｇ発光層ＧＥＬを形成するためのゲスト材の薄膜（以下、Ｇゲスト膜と記載する）が一定の膜厚および一定の間隔Ｐでライン状に複数本形成される。なお、Ｒゲスト膜とＧゲスト膜とのギャップｇは、ｇ＝（Ｐ−３Ｗ）／３で与えられる。
【００５９】
同様に、基板Ｇの前端部がノズル４１ｅの後段にあるノズル４１ｆの上方に差し掛かると、ノズル４１ｆの多孔型噴出口４４ｆからＥＭＬｂ原料ガスが真上に向けて櫛歯状に噴き出す。この状態はノズル４１ｆの頭上を基板Ｇの後端部が通り過ぎるまで維持される。これにより、Ｒゲスト膜およびＧゲスト膜の後を追うように、発光層のホスト膜ＥＭＨＦの上であってＲゲスト膜およびＧゲスト膜の間にそれぞれ一定のギャップｇを空けて、Ｂ発光層ＢＥＬを形成するためのゲスト材の薄膜（以下、Ｂゲスト膜と記載する）が一定の膜厚および一定の間隔Ｐでライン状に複数本形成される。なお、Ｒゲスト膜、Ｇゲスト膜、Ｂゲスト膜を形成するための蒸発源３１ｄ〜３１ｆ、ノズル４１ｄ〜４１ｆおよびキャリアガス供給部（専用のガス管、開閉弁、ＭＦＣ等）が第２の蒸着部に相当する。
【００６０】
図７Ａは、図６に示すＥ−Ｅ線模式断面図であり、図７Ｂは、拡散によって、Ｒ発光層ＲＥＬ、Ｇ発光層ＧＥＬおよびＢ発光層ＢＥＬが形成された状態のＥ−Ｅ線模式断面図である。
【００６１】
蒸着装置２によって、図７Ａに示すように、ホスト膜ＥＭＨＦ上にＲゲスト膜、Ｇゲスト膜、Ｂゲスト膜が形成される。ホスト膜ＥＭＨＦの膜厚を膜厚Ｄとすると、Ｒ・Ｇ・Ｂゲスト膜の膜厚は、例えば、０．０５Ｄ〜０．２Ｄ程度とすることができる。例えば、ホスト膜ＥＭＨＦの膜厚Ｄ＝４０ｎｍの場合、Ｒ・Ｇ・Ｂゲスト膜の膜厚は、２ｎｍ〜８ｎｍ程度である。なお、Ｒ・Ｇ・Ｂゲスト膜の膜厚は、０．０５Ｄ〜０．２Ｄ程度に限定されるものではなく、ゲスト材の組成に応じて適宜変更可能である。
【００６２】
ホスト膜ＥＭＨＦ上にＲゲスト膜、Ｇゲスト膜、Ｂゲスト膜が形成された後、濃度拡散や熱拡散などによって各ゲスト材がホスト膜ＥＭＨＦ内に拡散して、図７Ｂに示すように、発光層ＥＭＬに、Ｒ発光層ＲＥＬ、Ｇ発光層ＧＥＬおよびＢ発光層ＢＥＬが形成される。
【００６３】
Ｒゲスト膜、Ｇゲスト膜およびＢゲスト膜を形成するノズル４１ｄ〜４１ｆは基板Ｇに対して至近距離ＤＳに配置されることから、ノズル４１ｄ〜４１ｆからの輻射熱を基板Ｇに加えることができる。これにより、各ゲスト材のホスト膜ＥＭＨＦ内への熱拡散を促進することが可能となる。
【００６４】
なお、ノズル４１ｄ〜４１ｆによる過度の輻射熱を抑制するために、例えば、ノズル４１ｄ〜４１ｆの先端部を噴出口４４ｄ〜４４ｆに向かってテーパ状に細くする構成を採ることにより基板Ｇへの輻射熱を調整することができる。また、例えば、冷却媒体（たとえば冷却水）を流す流路を内部に有し、輻射熱の調整が可能な遮熱部を噴出口４４ｄ〜４４ｆの周囲に設けることによって基板Ｇへの輻射熱を調整することもできる。
【００６５】
また、各ゲスト材のホスト膜ＥＭＨＦ内への熱拡散を調整するために、冷媒ガス（例えば、アルゴン）を基板Ｇに吹き付ける吹き付け部を処理室１０内に設けるようにしてもよい。このようにすることで、各ゲスト材のホスト膜ＥＭＨＦ内への熱拡散を止めることができ、ホスト膜ＥＭＨＦ内へのゲスト材の適切な拡散が可能となる。
【００６６】
また、各ゲスト材のホスト膜ＥＭＨＦ内への熱拡散を調整するために、コントローラ５０は、熱媒体循環装置（図示せず）を制御して、ステージ２１内部の媒体通路に所定温度の熱媒体を循環供給させることで基板Ｇを所定温度に調整することもできる。
【００６７】
ここで、多孔型噴出口４４から噴出された原料ガスによって基板Ｇ上に形成される膜は、図８に示すように、多孔型噴出口４４からの噴出方向中心を境として、略山型に形成される。したがって、仮に、ホスト材にゲスト材を混ぜ合わせた有機物の成膜材料を加熱、蒸発させた原料ガスをノズル噴出口４４から噴出した場合、ＲＧＢ発光層が直接ライン状に形成されるものの、その形状は略山型に形成される。
【００６８】
一方、本実施形態に係る発光層ＥＭＬでは、ホスト膜ＥＭＨＦを面状に形成した後、多孔型噴出口４４によってホスト膜よりも薄い膜厚のＲ・Ｇ・Ｂゲスト膜を形成する。そのため、図９に示すように、多孔型噴出口４４によってＲＧＢ発光層を直接ライン状に形成する場合に比べ、平坦化することができ、これにより、ＲＧＢ発光層を精度よく形成することができる。
【００６９】
なお、Ｒゲスト膜、Ｇゲスト膜およびＢゲスト膜のライン幅Ｗを同一のものとして説明したが、各色の発光特性に応じてゲスト膜のライン幅を異なるものとしてもよく、また、各ゲスト材の拡散特性を考慮してＲゲスト膜、Ｇゲスト膜およびＢゲスト膜のライン幅を設定してもよい。また、Ｒゲスト膜、Ｇゲスト膜およびＢゲスト膜の膜厚も同一でなくてもよく、各色の発光特性を所望の発光特性とするための膜厚に設定することができる。また、例えば、各ゲスト材の拡散特性を考慮してＲゲスト膜、Ｇゲスト膜およびＢゲスト膜の膜厚を設定してもよい。Ｒゲスト膜、Ｇゲスト膜およびＢゲスト膜の膜厚やライン幅は、ノズル噴出口４４の口径や数（Ｙ方向の数）によって調整することができ、また、キャリアガスの圧力や流量によっても調整することができる。
【００７０】
図６に戻って、有機膜の形成についての説明を続ける。基板Ｇの前端部がノズル４１ｆの後段にあるノズル４１ｇの上方に差し掛かると、ノズル４１ｇのスリット型噴出口４４ｇからＥＴＬ原料ガスが真上に向けて噴き出す。この状態はノズル４１ｇの頭上を基板Ｇの後端部が通り過ぎるまで維持される。これにより、基板Ｇの前端から後端に向かって発光層ＥＭＬ全体を覆うように電子輸送層ＥＴＬが一定の膜厚で面状に形成される。
【００７１】
そして、基板Ｇの前端部がノズル４１ｇの後段にあるノズル４１ｈの上方に差し掛かると、ノズル４１ｈのスリット型噴出口４４ｈからＥＩＬ原料ガスが真上に向けて噴き出す。この状態はノズル４１ｈの頭上を基板Ｇの後端部が通り過ぎるまで維持される。これにより、基板Ｇの前端から後端に向かって電子輸送層ＥＴＬ全体を覆うように電子注入層ＥＩＬが一定の膜厚で面状に形成される。
【００７２】
このように、本実施形態に係る蒸着装置２においては、処理室１０内で基板Ｇを一方向に１回走査移動させる１回の蒸着プロセスで、当該基板Ｇ上に複数種類の有機物の薄膜を積層して形成することができる。具体的には、基板Ｇ上に、正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、ＲＧＢ発光層をライン状パターンで並置した発光層ＥＭＬ、電子輸送層ＥＴＬおよび電子注入層ＥＩＬを積層することができ、これにより、図２に示すようなデバイス構造の有機ＥＬカラーディスプレイを形成することができる。
【００７３】
また、本実施形態に係る蒸着装置２では、シャドウマスクを使わないことから、有機材料の利用効率、塗り分け効率、多層成膜効率、製造歩留まり、スペース効率、コストを大幅に改善し、大画面化や量産化に容易に対応することができる。
【００７４】
なお、図２に示すようなデバイス構造を有する有機ＥＬカラーディスプレイの駆動方式として、例えば図１０に示すようなパッシブマトリクス方式を用いることができる。この場合、陽極および陰極は互いに直交するライン状電極（行電極／列電極）として形成され、両者が交差する位置の画素（Ｒ・Ｇ・Ｂサブピクセル）に電圧が印加されると、そのサブピクセルが発光する。
【００７５】
また、アクティブマトリクス方式も勿論可能である。アクティブマトリクス方式の場合は、図示省略するが、陽極（ＩＴＯ）側にＲ・Ｇ・Ｂのサブピクセル毎のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）および画素電極、さらには走査線、信号線が形成される。一方、陰極は、共通電極となり、一枚の面状薄膜として形成される。
【００７６】
［２．第２の実施形態］
次に、第２の実施形態に係る基板処理システムについて説明する。第２の実施形態に係る基板処理システムは、第１の実施形態の基板処理システム１に対し、蒸着装置における発光層形成の構成が異なる。以下においては、第１の実施形態と異なる部分を主として説明し、共通する部分については同一符号を付し適宜説明を省略する。
【００７７】
図１１は、第２の実施形態に係る蒸着装置２Ａによる有機層形成の様子を示す図である。図１１に示すように蒸着装置２Ａの原料ガス噴き出し部４０Ａには、ノズル４１ｆの後段であってノズル４１ｇの前段に、発光層ＥＭＬのホスト材となる有機物の成膜材料を加熱、蒸発させてＥＭＬ原料ガスを噴き出すノズル４１ｉが設けられる。
【００７８】
このノズル４１ｉは、ノズル４１ｃと同様に、対応する蒸発源３１（図３参照）で発生したＥＭＬ原料ガスがキャリアガスに混合されて供給される。具体的には、蒸発源３１において、発光層ＥＭＬのホスト材となる有機物の成膜材料を加熱、蒸発させてＥＭＬ原料ガスが生成され、ガス管４２（図３参照）を介してノズル４１ｉに供給される。
【００７９】
ノズル４１ｉの上面には、ノズル４１ｃの噴出口４４ｃ（図４参照）と同様にスリット型噴出口４４ｉが形成されており、この噴出口４４ｉの上方に基板Ｇの前端部が差し掛かると、噴出口４４ｉからＥＭＬ原料ガスが真上に向けて帯状に噴き出される。この状態はノズル４１ｉの頭上を基板Ｇの後端部が通り過ぎるまで維持される。
【００８０】
これにより、基板Ｇの前端から後端に向かって基板Ｇの被処理面全体を覆うように発光層のホスト膜ＥＭＨＦが一定の膜厚で面状に形成され、Ｒゲスト膜、Ｇゲスト膜およびＢゲスト膜が上下のホスト膜ＥＭＨＦで挟まれた状態になる。なお、ホスト膜ＥＭＨＦを形成するための蒸発源３１、ノズル４１ｉ、キャリアガス供給部（専用のガス管、開閉弁、ＭＦＣ等）が第３の蒸着部に相当する。
【００８１】
図１２Ａは、図１１に示すＦ−Ｆ線模式断面図であり、図１２Ｂは、拡散によって、Ｒ発光層ＲＥＬ、Ｇ発光層ＧＥＬおよびＢ発光層ＢＥＬが形成された状態の模式断面図である。
【００８２】
蒸着装置２によって、図１２Ａに示すように、ホスト膜ＥＭＨＦ上にＲゲスト膜、Ｇゲスト膜、Ｂゲスト膜が形成され、さらにその上にホスト膜ＥＭＨＦが形成される。そして、その後、濃度拡散や熱拡散などによって各ゲスト材がホスト膜ＥＭＨＦ内に拡散して、図１２Ｂに示すように、発光層ＥＭＬに、Ｒ発光層ＲＥＬ、Ｇ発光層ＧＥＬおよびＢ発光層ＢＥＬが形成される。
【００８３】
このように、ホスト膜ＥＭＨＦによってゲスト膜を挟み込んで発光層を形成することにより、陽極から注入された正孔と陰極から注入された電子とが再結合する位置を調整することができる。したがって、上下のホスト膜ＥＭＨＦの膜厚などを調整することによって発光特性の調整を容易に行うこができる。
【００８４】
なお、第１の実施形態と同様に、発光層ＥＭＬ上には、図１３に示すように、電子輸送層ＥＴＬ、電子注入層ＥＩＬおよび陰極などが形成される。また、第１の実施形態と同様に、Ｒゲスト膜、Ｇゲスト膜およびＢゲスト膜のライン幅Ｗは、同一でなくてもよく、また、各ゲスト材の拡散特性を考慮してＲゲスト膜、Ｇゲスト膜およびＢゲスト膜のライン幅を設定してもよい。
【００８５】
また、Ｒゲスト膜、Ｇゲスト膜およびＢゲスト膜の膜厚も同一でなくてもよく、各色の発光特性を所望の発光特性とするための膜厚に設定してもよい。また、例えば、各ゲスト材の拡散特性を考慮してＲゲスト膜、Ｇゲスト膜およびＢゲスト膜の膜厚を設定してもよい。Ｒゲスト膜、Ｇゲスト膜およびＢゲスト膜の膜厚やライン幅は、ノズル噴出口４４の口径や数（Ｙ方向の数）によって調整することができ、また、キャリアガスの圧力や流量によっても調整することができる。また、ＥＭＬ原料ガスを噴射するノズル４１ｃ、４１ｉの噴射口を多孔型噴出口とし、Ｒ発光層ＲＥＬ、Ｇ発光層ＧＥＬおよびＢ発光層ＢＥＬを形成する位置にそれぞれ上下のホスト膜ＥＭＨＦをライン状に形成するようにＥＭＬ原料ガスを多孔型噴出口から噴き出すことで、上下のホスト膜ＥＭＨＦの厚みを各色ごとに調整してもよい。これによって各色の発光特性を向上させることができる。
【００８６】
このように、第２の実施形態に係る蒸着装置２Ａは、第１の実施形態に係る蒸着装置２に対して、蒸発機構３０、原料ガス噴き出し部４０Ａおよびキャリアガス供給機構３４に、ホスト膜ＥＭＨＦをさらに形成するための蒸発源、ノズル、キャリアガス供給部（専用のガス管、開閉弁、ＭＦＣ等）がそれぞれ増設される。これにより、ホスト膜ＥＭＨＦによってゲスト膜を挟み込んで発光層を形成することができ、発光特性の調整を容易に行うことができる。
【００８７】
なお、ノズル４１ｉから噴き出す原料ガスとして、ＥＭＬ原料ガスに代えて、正孔阻止層ＨＢＬの材料となる有機物の成膜材料を加熱、蒸発させたＨＢＬ原料ガスを用いるようにしてもよい。これにより、正孔が電子輸送層ＥＴＬに拡散する現象を防止することができ、発光特性の向上を図ることができる。
【００８８】
［３．他の実施形態または変形例］
以上本発明の好適な実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内で他の実施形態または種種の変形が可能である。
【００８９】
上記の実施形態では、各色発光層の間はゲスト材が拡散されていないホスト膜ＥＭＨＦで分離されることとしたが、分離用のバンク（隔壁）を設けるデバイス構造としてもよい。例えば、図１４に示すようにバンク６０を設けることによって、ホスト材とゲスト材で形成したＲＧＢ発光層をバンク６０によって分離するようにしてもよい。このようにすることで各色の発光層間を精度よく形成することができる。この場合、ホスト膜ＥＭＨＦの厚みを各色ごとに調整することによって各色の発光特性を向上させることができる。なお、Ｒゲスト膜、Ｇゲスト膜、Ｂゲスト膜を上下のホスト膜ＥＭＨＦによって挟む場合、上下のホスト膜ＥＭＨＦのそれぞれの厚みを各色ごとに調整してもよい。これによって各色の発光特性を向上させることができる。
【００９０】
バンク６０は、例えばアクリル樹脂、ノボラック樹脂、ボリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等の有機物を材質とし、例えばインクジェット法あるいは印刷法等により前工程でも作製できるが、蒸着装置において蒸着法により基板Ｇ上に作製することもできる。また、図１４に示す例では、バンク６０を透明陽極ＩＴＯ上に形成したが、例えば、正孔輸送層ＨＴＬ上にバンク６０を形成するようにしてもよい。
【００９１】
例えば、図１４に示すテバイス構造を製作する場合、蒸発機構３０、原料ガス噴き出し部４０およびキャリアガス供給機構３４に、バンク６０を形成するための蒸発源、ノズル、キャリアガス供給部（専用のガス管、開閉弁、ＭＦＣ等）をそれぞれ増設する。バンク形成用のノズルは、バンク６０を透明陽極ＩＴＯ上に形成する場合、ノズル４１ａよりも上流側の位置に配置される。
【００９２】
また、上記の実施形態では、Ｒゲスト膜、Ｇゲスト膜、Ｂゲスト膜をそれぞれノズル４１ｄ〜４１ｆを用いて形成することとしたが、開口を有するシャドウマスクを用いてＲゲスト膜、Ｇゲスト膜、Ｂゲスト膜を形成するようにしてもよい。発光層ＥＭＬの厚みに対してゲスト膜の厚みは薄いため、シャドウマスクを用いた場合であっても、ホスト材の利用効率を上げることができ、これにより、発光層を形成するための有機材料の利用効率を向上させることができる。
【００９３】
また、上記の実施形態では、面状薄膜を形成するための噴出口４４ａ〜４４ｃ、４４ｇ〜４４ｉをスリット状に形成したが、一列または複数列の多孔型に形成することも可能である。この場合、上方を通過する基板Ｇに対して、原料ガスを実質的に帯状に噴き出すように各噴出口４４ａ〜４４ｃ、４４ｇ〜４４ｉの口径、ピッチおよび離間距離ＤＬが選ばれる。
【００９４】
また、上記の実施形態では、各ノズル４１ａ〜４１ｉの長手方向の向きを基板走査方向（Ｘ方向）に対して直交方向（Ｙ方向）としたが、必要に応じて同方向（Ｙ方向）から水平面内で斜めに傾いていてもよい。また、基板Ｇの姿勢もフェイスダウン方式に限るものではなく、例えばフェイスアップ方式あるいは基板Ｇの被処理面を横方向に向ける方式等も可能である。各ノズル４１ａ〜４１ｉにおいて原料ガスを噴出する方向も、被処理基板の向きまたは姿勢に応じて任意の向きを採ることができる。
【００９５】
また、上記の実施形態では、各薄膜を形成するためのノズル４１ａ〜ノズル４１ｉをそれぞれ１本ずつ設けているが、いずれかまたは全部のノズルを複数本ずつ設けることも可能である。また、上記の実施形態では、各ノズル４１ｄ〜４１ｆの噴出口４４ｄ〜４４ｆを走査移動方向（Ｘ方向）において一つずつとしたが、複数個配列するようにしてもよい。すなわち、Ｙ方向に並べた噴出口４４ｄ〜４４ｆをＸ方向に複数列設けるようにしてもよい。
【００９６】
また、上記の実施形態では、蒸着走査において、Ｒゲスト膜、Ｇゲスト膜およびＢゲスト膜の順序で基板Ｇ上への形成を開始したが、この順序に限るものではなく、任意の順序でライン状のゲスト膜を形成することが可能である。したがって、原料ガス噴き出し部４０において、ノズル４１ｄ、ノズル４１ｅおよびノズル４１ｆの配置順序を任意に選択することができる。
【００９７】
また、上記の実施形態では、透明陽極ＩＴＯを下地層として正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、・・の順に各有機層を重ねて蒸着形成した。しかし、逆方向に、つまり陰極を下地層として電子注入層ＥＩＬ、電子輸送層ＥＴＬ、・・の順に各有機層を重ねて蒸着形成することも可能である。
【００９８】
なお、上記した実施形態の蒸着装置および蒸着方法は、正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、電子輸送層ＥＴＬ、電子注入層ＥＩＬの一部を省く有機ＥＬディスプレイにも適用でき、また、正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、電子輸送層ＥＴＬ、電子注入層ＥＩＬの一部または全部を無機物質の薄膜に置き換えた有機ＥＬディスプレイにも適用できる。
【００９９】
また、上記した実施形態の蒸着装置および蒸着方法は、これを用いることによって照明装置を製造することができる。すなわち、上記した実施形態の蒸着装置および蒸着方法は、これを用いることによって基板Ｇ上にＲＧＢ発光層をライン状に形成し、各発光層を発光させることにより、白色発光の有機ＥＬ照明装置を製造することができる。また、例えば、上記した実施形態の蒸着装置および蒸着方法は、これを用いることによって基板Ｇ上にＲＧＢ発光層をライン状に形成し、各発光層の発光強度を調整可能にすることにより、発光の色味を調整可能な有機ＥＬ照明装置を製造することができる。
【０１００】
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
【符号の説明】
【０１０１】
１  基板処理システム
２  蒸着装置
１０  処理室
２０  移動機構
３０  蒸発機構
４０  原料ガス噴き出し部
５０  コントローラ
【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１】
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【図２】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図１２Ｂ】
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【図１３】
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【図１４】
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