(57)【要約】【課題】簡単な構成で粘接着層の転着の抑制及び基材フィルムとの剥離強度の確保を両立できる粘接着フィルム、及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】粘接着フィルム１では、基材フィルム１１側を向く一方面１３Ａのタック強度ＦＡと、基材フィルム１１側とは反対を向く他方面１３Ｂのタック強度ＦＢとが、ＦＡ＞ＦＢ及び１０ｇｆ≦ＦＢ≦８００ｇｆを満たしている。これにより、粘接着層１３と基材フィルム１１との剥離強度が確保される一方で、ダイシングフレーム２２に対する粘接着層１３の転着の発生を抑制することが可能となる。また、粘接着フィルム１に対して別部材を用いないので構成が複雑化することもなく、コストの低減も図られる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルムと、
前記基材フィルムの一面側に形成された単一組成の粘接着層と、を備え、
前記粘接着層において、前記基材フィルム側を向く一方面の３０℃におけるタック強度をＦＡ、他方面の３０℃におけるタック強度をＦＢとした場合に、ＦＡ＞ＦＢ及び１０ｇｆ≦ＦＢ≦８００ｇｆを満たすことを特徴とする粘接着フィルム。
【請求項２】
前記タック強度は、直径５．１ｍｍのＳＵＳ３０４からなる面に対するタック強度であることを特徴とする請求項１記載の粘接着フィルム。
【請求項３】
前記基材フィルムと前記粘接着層の前記一方面との間の２５℃における９０°ピール強度が４０Ｎ／ｍ以上であることを特徴とする請求項１又は２記載の粘接着フィルム。
【請求項４】
前記粘接着層は、所定の樹脂組成物を含むワニスをキャリアフィルム上に塗布及び乾燥させた後、片面側から放射線を照射することによって形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の粘接着フィルム。
【請求項５】
請求項１〜５のいずれか一項記載の粘接着フィルムの前記一方面をダイシングフレーム及び半導体ウェハに貼り合わせ、前記半導体ウェハをダイシングするダイシング工程と、
前記ダイシング工程で得られた粘接着層付き半導体素子をピックアップして被着体に固定するピックアップ工程と、
前記ピックアップ工程の後、前記粘接着フィルムを前記ダイシングフレームから剥離するフィルム剥離工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、粘接着フィルム及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子の小型化及び高性能化に伴い、素子周りに使用される部材にも小型化及び細密化が要求されている。かかる要求に対し、従来では銀ペーストが用いられてきたが、銀ペーストのはみ出しや半導体素子の傾きに起因するワイヤーボンディング時の不具合、接着剤層の厚さ制御の困難性、及び接着剤層でのボイドの発生といった種々の問題があった。これらの問題の解決及び工程の簡単化のため、フィルム状の粘接着剤による半導体ウェハ固定機能と半導体素子接着機能とを併せ持つ粘接着フィルムが提案されている（例えば特許文献１，２参照）。
【０００３】
このような粘接着フィルムを用いる場合、半導体ウェハのダイシングの後、チップ化された半導体素子を裏面側に粘接着層を付着させた状態でピックアップすることができる。その後、半導体素子をリードフレームや有機基板にマウントし、加熱などにより粘接着層を硬化させることで、いわゆるダイレクトダイボンディングが可能となる。
【０００４】
通常の粘着フィルムに用いられる基材フィルムは、粘着フィルムとの間の密着性を良好にするため、表面処理が行われている。具体的には、コロナ放電、低圧水銀灯などを用いた表面処理装置によって生成されるオゾンによって基材フィルムの表面を酸化させて改質する手法や、基材フィルムの表面にプライマーと呼ばれる材料を塗布する手法が採られている。しかしながら、上述した粘接着フィルムの場合では、粘接着層と基材フィルムとの剥離強度が必要であるため、通常では表面処理は行われないようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平２−３２１８１号公報
【特許文献２】特開平１０−８００１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の粘接着フィルムでは、ダイシング時に半導体ウェハの固定に繰り返し用いられる治具（ダイシングフレーム）への粘接着層の転着が発生することがあった。転着を防止するための対策としては、（１）転着防止用の別の粘着テープを貼り合わせる、（２）基材フィルムの所定の箇所に表面処理を施す、（３）粘接着層のタック性を組成の段階から低くする、といったことが考えられる。しかしながら、（１）ではコストの増加、（２）では表面処理を施す位置の精度確保の困難性及び作業性の低下、（３）では基材フィルムとの剥離強度の低下、などがそれぞれ課題となっている。
【０００７】
本発明は、上記課題の解決のためになされたものであり、簡単な構成で粘接着層の転着の抑制及び基材フィルムとの剥離強度の確保を両立できる粘接着フィルム、及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題の解決のため、本発明に係る粘接着フィルムは、基材フィルムと、基材フィルムの一面側に形成された単一組成の粘接着層と、を備え、粘接着層において、基材フィルム側を向く一方面の３０℃におけるタック強度をＦＡ、他方面の３０℃におけるタック強度をＦＢとした場合に、ＦＡ＞ＦＢ及び１０ｇｆ≦ＦＢ≦８００ｇｆを満たすことを特徴としている。
【０００９】
この粘接着フィルムでは、基材フィルム側を向く一方面のタック強度ＦＡと他方面のタック強度ＦＢとが、ＦＡ＞ＦＢ及び１０ｇｆ≦ＦＢ≦８００ｇｆを満たしている。これにより、粘接着層と基材フィルムとの剥離強度が確保される一方で、ダイシングフレームに対する粘接着層の転着の発生を抑制することが可能となる。また、別部材を用いないので構成が複雑化することもなく、コストの低減も図られる。
【００１０】
また、タック強度は、直径５．１ｍｍのＳＵＳ３０４からなる面に対するタック強度であることが好ましい。この場合、ダイシングフレームに対する粘接着層の転着の発生をより確実に抑制できる。
【００１１】
また、基材フィルムと粘接着層の一方面との間の２５℃における９０°剥離強度が４０Ｎ／ｍ以上であることが好ましい。これにより、基材フィルムに対する粘接着層の剥離強度が一層好適なものとなる。
【００１２】
また、粘接着層は、所定の樹脂組成物を含むワニスをキャリアフィルム上に塗布及び乾燥させた後、片面側から放射線を照射することによって形成されていることが好ましい。これにより、簡易な方法で粘接着層のタック強度に差異を設けることができる。
【００１３】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記の粘接着フィルムの一方面をダイシングフレーム及び半導体ウェハに貼り合わせ、半導体ウェハをダイシングするダイシング工程と、ダイシング工程で得られた粘接着層付き半導体素子をピックアップして被着体に固定するピックアップ工程と、ピックアップ工程の後、粘接着フィルムをダイシングフレームから剥離するフィルム剥離工程と、を備えたことを特徴としている。
【００１４】
この半導体装置の製造方法では、使用する粘接着フィルムにおいて、粘接着層と基材フィルムとの剥離強度が確保される。したがって、ダイシング時のチップ飛びといった不具合を防止できる。また、粘接着フィルムをダイシングフレームから剥離する際に、ダイシングフレームに対する粘接着層の転着の発生を抑制することが可能となる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、簡単な構成で粘接着層の転着の抑制及び基材フィルムとの密着性の確保を両立できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態に係る粘接着フィルムの構成を示す断面図である。
【図２】図１に示した粘接着フィルムの製造工程を示す断面図である。
【図３】図１に示した粘接着フィルムを用いた半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図４】図３の後続の工程を示す断面図である。
【図５】図４の後続の工程を示す断面図である。
【図６】図５の後続の工程を示す断面図である。
【図７】図６の後続の工程を示す断面図である。
【図８】本発明の効果確認試験の結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照しながら、本発明に係る粘接着フィルム及び半導体装置の製造方法の好適な実施形態について詳細に説明する。
【００１８】
図１は、本発明の一実施形態に係る粘接着フィルムの構成を示す断面図である。同図に示すように、粘接着フィルム１は、基材フィルム１１と、キャリアフィルム１２と、粘接着層１３とを備えている。基材フィルム１１は、粘接着層１３の一方面１３Ａ側に積層され、キャリアフィルム１２は、粘接着層１３の他方面１３Ｂ側に積層されている。この粘接着フィルム１は、半導体装置の製造工程において、半導体ウェハのダイシング及び半導体素子のダイボンディングに用いられるダイシング−ダイボンディングフィルムとして構成されている。
【００１９】
基材フィルム１１は、粘接着フィルム１の強度母体となるフィルムである。基材フィルム１１は、引っ張り方向の張力を加えた時の伸縮量を確保できるフィルムであることが好ましく、例えばポリオレフィンフィルムが用いられる。このほか、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリカーボネート、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、ポリ塩化ビニル、及びこれらの混合物からなるフィルム等を用いることができる。基材フィルム１１の厚さは、特に限定はないが、例えば５μｍ〜２００μｍ程度であることが好ましい。
【００２０】
キャリアフィルム１２は、後述の加熱及び乾燥に耐えるものであれば特に限定されるものではなく、例えばポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、メチルペンテンフィルム等を用いることができる。また、これらのフィルムが２種以上組み合わされた多層フィルムであってもよく、表面がシリコーン系、シリカ系等の離型剤などで処理されたものであってもよい。
【００２１】
粘接着層１３は、単一組成の層であり、例えば厚さ３μｍ〜２００μｍ程度となっている。この粘接着層１３は、タック強度が互いに異なる高タック面１６及び低タック面１７を有している。より具体的には、粘接着層１３において、基材フィルム１１が設けられている一方面１３Ａ側の３０℃におけるタック強度をＦＡ、キャリアフィルム１２が設けられている他方面１３Ｂ側の３０℃におけるタック強度をＦＢとした場合に、ＦＡ＞ＦＢ及び１０ｇｆ≦ＦＢ≦８００ｇｆを満たすようになっている。また、基材フィルム１１と粘接着層１３の一方面１３Ａとの間の２５℃における９０°ピール強度は、４０Ｎ／ｍ以上となっている。
【００２２】
ここでいうタック強度ＦＡ，ＦＢとは、直径５．１ｍｍのＳＵＳ３０４（１８％のＣｒと８％のＮｉとを含むオーステナイト系ステンレス鋼）からなる面に対するタック強度を指している。このタック強度は、例えばタッキング試験機（株式会社レスカ製）を用い、圧力１ａｔｍ、温度４０℃、押込速度２ｍｍ／ｓｅｃ、引上速度１０ｍｍ／ｓｅｃ、停止荷重１００ｇｆ／ｃｍ２、停止時間１秒の条件にて測定される。
【００２３】
ＦＡについては、前述の関係を満たせば、特に制限を設けるものではないが、ダイシング時のチップ飛びなどの不具合を防止する観点からは、ＦＡ≧８００ｇｆであることが好ましく、ＦＡ≧１０００ｇｆであることがさらに好ましく、ＦＡ≧１２００ｇｆであることが特に好ましい。
【００２４】
一方、ＦＢについては、前述の関係を満たすことが重要であるが、５０ｇｆ≦ＦＢ≦６００ｇｆであることがより好ましく、１００ｇｆ≦ＦＢ≦４００ｇｆであることが特に好ましい。ＦＢ＜１０ｇｆであると、粘接着フィルム１を半導体ウェハへ貼り付ける際の温度が高温（１００℃を超える温度）となる可能性が高くなる傾向にある。また、ＦＢ＜１０ｇｆであるとダイシングフレームとの密着力が不十分になり易く、半導体装置の製造工程において、粘接着フィルム１とダイシングフレームとが剥離してしまう可能性がある。
【００２５】
なお、半導体ウェハへの貼り付け温度は、半導体ウェハの保護テープ及び基材フィルム１１の軟化温度以下であることが好ましい。また、熱応力に起因する半導体ウェハの反りを抑えるという観点から、貼り付け温度は、２０℃〜１００℃が好ましく、２０〜９０℃がより好ましく、２０〜８０℃が特に好ましい。粘接着フィルム１を用いると、低温（１００℃以下）で粘接着フィルム１を半導体ウェハに貼り付けることが可能となる。これにより、反りの影響を受け易い極薄半導体ウェハの反りを十分に抑えつつ、粘接着フィルム１を半導体ウェハに貼り付けることができる。
【００２６】
このような粘接着層１３の形成にあたっては、例えば図２に示すように、まず、キャリアフィルム１２上に粘接着層１３を形成するための樹脂組成物及び有機溶媒を含むワニスを塗布する。ワニスは、樹脂組成物を有機溶媒中で混合及び混練することによって調製される。混合及び混練は、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜組み合わせて行うことができる。
【００２７】
有機溶媒は、材料を均一に溶解、混練又は分散できるものであれば制限はなく、例えばジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ―メチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トルエン、ベンゼン、キシレン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブ、ジオキサン、シクロヘキサノン、酢酸エチル等を用いることができる。
【００２８】
次に、キャリアフィルム１２に塗布したワニスを加熱乾燥させ、フィルム化する。加熱条件は、使用した有機溶媒が十分に揮散する条件であれば特に制限はないが、通常は５０℃〜２００℃の温度化で０．１分〜９０分程度加熱を行う。
【００２９】
その後、キャリアフィルム１２上の粘接着層１３に放射線を照射する。使用される放射線は、特に制限されるものではないが、例えば１５０ｎｍ〜７５０ｎｍの波長域を持つ活性光線である紫外線、遠紫外線、近紫外線、可視光線、電子線、赤外線、近赤外線などを用いることができる。これらの放射線は、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノンランプ、メタルハライドランプ、ブラックライト、発光ダイオードを使用し、例えば０.０１Ｊ／ｃｍ２〜１００００Ｊ／ｃｍ２で照射することができる。
【００３０】
紫外線の光源としては、特に制限はないが、低圧水銀ランプ、中圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、キセノンフラッシュランプ、エキシマランプ、ＵＶ放電ランプ、ブラックライト、発光ダイオード等を用いることができる。光源から発せられる波長幅が狭いブラックライトを用いることが好ましい。
【００３１】
放射線の照射方法については特に制限は無いが、粘接着層１３の高タック面１６と低タック面１７のタック強度差を十分に得る観点から、図２に示すように、キャリアフィルム１２側から照射することが好ましい。これにより、粘接着層１３におけるキャリアフィルム１２側の面のタック強度を放射線重合反応による高分子化により低下させつつ、反対側の面のタック強度を空気中の酸素による放射線硬化阻害により維持させることができる。その後、低タック面１７側に基材フィルム１１を貼り合わせることで、図１に示した粘接着フィルム１が得られる。
【００３２】
なお、粘接着フィルム１の合計の厚みは、特に制限はないが、３μｍ〜２００μｍであることが好ましい。３μｍより薄いと応力緩和効果が乏しくなる傾向があり、２００μｍより厚いと経済的でなくなる上に、半導体装置の小型化の要求に応えられなくなるおそれがある。また、粘接着層１３と基材フィルム１１の合計の厚みは８μｍ〜４００μｍ程度であることが好ましく、１０μｍ〜２５０μｍ程度であることがより好ましい。基材フィルム１１は、粘接着層１３と同厚かやや厚めに設定すると作業性がよくなるので、使用する条件や装置等によって適宜決定すればよい。
【００３３】
次に、粘接着層１３の組成について説明する。
【００３４】
粘接着層１３は、熱硬化成分、熱可塑性樹脂、放射線照射によって反応性の原子団又は分子団を発生する化合物、放射線重合化合物、及び添加剤を含有する。
【００３５】
熱硬化成分としては、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂ポリエステルなどが挙げられるが、硬化して粘接着作用を有するものであれば特に限定されない。例えばエポキシ樹脂では、ビスフェノールＡ型エポキシなどの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂または脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを適用することができる。
【００３６】
エポキシ樹脂として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂であれば、油化シェルエポキシ（株）製エピコート８０７，８１５，８２５，８２７，８２８，８３４，１００１，１００４，１００７，１００９、ダウケミカル社製ＤＥＲ−３３０，３０１，３６１、東都化成（株）製ＹＤ８１２５，ＹＤＦ８１７０などが挙げられる。また、フェノールノボラック型エポキシ樹脂であれば、油化シェルエポキシ（株）製エピコート１５２，１５４、日本化薬（株）製 ＥＰＰＮ−２０１、ダウケミカル社製 ＤＥＮ−４３８などが挙げられる。
【００３７】
また、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂であれば、日本化薬（株）製ＥＯＣＮ−１０２Ｓ，１０３Ｓ，１０４Ｓ，１０１２，１０２５，１０２７、東都化成（株）製ＹＤＣＮ７００−２，７００−３，７００−５，７００−７，７００−１０，７０４，７０４Ａなどが挙げられる。多官能エポキシ樹脂であれば、油化シェルエポキシ（株）製Ｅｐｏｎ１０３１Ｓ、チバスペシャリティーケミカルズ社製アラルダイト０１６３、ナガセ化成（株）製デナコールＥＸ−６１１，６１４，６１４Ｂ，６２２，５１２，５２１，４２１，４１１，３２１などが挙げられる。
【００３８】
高機能型エポキシ樹脂であれば、ＤＩＣ（株）製ＨＰ−４０３２，４０３２Ｄ，７２００Ｌ，７２００，４７００，４７７０，８２０，ＥＸＡ−４８５０−１５０，４８５０−１０００などが挙げられる。アミン型エポキシ樹脂であれば、油化シェルエポキシ（株）製エピコート６０４、東都化成（株）製ＹＨ−４３４、三菱ガス化学（株）製ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ，ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ、住友化学（株）製ＥＬＭ−１２０などが挙げられる。複素環含有エポキシ樹脂であれば、チバスペシャリティーケミカルズ社製アラルダイトＰＴ８１０等、ＵＣＣ社製ＥＲＬ４２３４，４２９９，４２２１，４２０６などが挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００３９】
熱硬化成分の硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができる。例えばアミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ，ビスフェノールＳといったフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、及びクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂などが挙げられる。特に吸湿時の耐電食性に優れる点で、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、及びクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂を用いることが好ましい。
【００４０】
フェノール樹脂硬化剤であれば、例えばＤＩＣ（株）製ＴＤ−２１３１，２１０６，２０９３，２０９１，２０９０，２１４９，２０９０−６０Ｍ，２０９３−６０Ｍ、ＶＨ−４１５０，４１７０，４２４０、ＫＨ−６０２１、ＫＡ−１１６０，１１６３，１１６５、ＬＦ−２８８２，２８２２，４７１１，６１６１，４８７１、三井化学（株）製ＸＬ−２２５−３Ｌ、ＸＬＣ−ＬＬ，３Ｌ，４Ｌ、明和化成（株）製ＭＥＨ−７８００Ｍ，７８００Ｓ，７８００ＳＳ、エア・ウォーター・ケミカル（株）製ＨＥ２００C−１０，１７、ＨＥ６１０Ｃ−０７、ＨＥ１００Ｃ−１０，１２，１５，３０、ＨＥ１１２Ｃ−０５、ＨＥ５１０−０５，０４、ＨＥ９１０−１０，２０、群栄化学（株）製ＰＳＭ−４３２４、４３２６、４３５７、６２００などが挙げられる。
【００４１】
熱可塑性樹脂としては、少なくとも未硬化状態において熱可塑性を有し、加熱後に架橋構造を形成する樹脂であれば特に制限はないが、接着性向上の点で官能基を有する（メタ）アクリル共重合体が好ましい。（メタ）アクリルとは、アクリル及びメタクリルの双方を含む意味である。官能基としては、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、カルボキシル基、水酸基、エピスルフィド基が好ましいが、中でも架橋性の点でグリシジル基が好ましい。具体的には、重量平均分子量が１０万以上であるグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体が挙げられる。
【００４２】
また、耐リフロー性の点で、エポキシ樹脂と非相溶であることが好ましい。熱硬化性成分としてエポキシ樹脂を用いた場合に、成分がエポキシ樹脂と非相溶であると、官能基を有する（メタ）アクリル共重合体からなるゴム層が海島構造の「海」となり、エポキシ樹脂層が「島」となり易い。これにより、ゴム特性が発現され、応力緩和性に優れるようになる。ただし、相溶性は高分子量成分の特性のみでは決定しないので、両者が相溶しない組み合わせを選択することになる。
【００４３】
共重合体としては、アクリルゴムを用いることもできる。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、（メタ）アクリル酸エステル及びアクリロニトリルから選択されるモノマーの共重合により形成されるものが好ましい。（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えばメチルアクリレート、エチルアクリレート、プロピルアクリレート、イソプロピルアクリレート、ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、ヘキシルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ラウリルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソプロピルアクリレート、ブチルメタクリレート、イソブチルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレート、ラウリルメタクリレートなどが挙げられる。具体的なモノマーの組み合わせによる共重合体としてはブチルアクリレートとアクリロニトリルからなる共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリルからなる共重合体が挙げられる。
【００４４】
官能基としてグリシジル基を選択する場合、共重合体モノマー成分としてグリシジルアクリレート、又はグリシジルメタクリレート等の（メタ）アクリル酸エステルを使用することが好ましい。このようなグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体は、上記モノマーから適宜モノマーを選択して製造することもできるし、市販品（例えばナガセケムテックス株式会社製ＨＴＲ−８６０Ｐ−３−８０万、ＨＴＲ−８６０Ｐ−３−３０万、ＨＴＲ−８６０Ｐ−５等）を用いることもできる。
【００４５】
熱可塑性樹脂において、官能基の数は、架橋密度に影響するので重要である。用いる樹脂によっても異なるが、高分子量成分を複数のモノマーの共重合体として得る場合は、原料として使用する官能基含有モノマーの量を共重合体に対して０．５重量％〜６．０重量％となっていることが好ましい。
【００４６】
熱可塑性樹脂としてグリシジル基含有アクリル共重合体を使用する場合、原料として使用するグリシジルアクリレート、又はグリシジルメタクリレート等のグリシジル基含有モノマーの量は、共重合体に対して０．５重量％〜６．０重量％となっていることが好ましく、０．５重量％〜５．０重量％となっていることがより好ましく、０．８重量％〜５．０重量％となっていることが特に好ましい。グリシジル基含有反復単位の量がこの範囲にあると、グリシジル基の緩やかな架橋が起こるため、粘接着力を確保できるとともに、ゲル化を防止できる。また、熱硬化性成分と非相溶になるため、既に述べたように、応力緩和性に優れるようになる。
【００４７】
また、グリシジルアクリレート、又はグリシジルメタクリレート等に他の官能基を組み込んでモノマーとすることもできる。この場合の混合比率は、グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体のガラス転移温度（以下「Ｔｇ」という）を考慮し、Ｔｇは−１０℃以上であることが好ましい。Ｔｇが−１０℃以上であると、Ｂステージ状態での粘接着層のタック性が好適となり、取り扱い性に問題を生じないからである。熱可塑性樹脂として、上記モノマーを重合させて、グリシジル基含有アクリル共重合体を使用する場合、その重合方法としては特に制限はなく、例えばパール重合、溶液重合などの方法を使用することができる。
【００４８】
なお、熱可塑性樹脂の重量平均分子量は、５万〜２００万であることが好ましく、１０万〜１００万であることがより好ましい。重量平均分子量がこの範囲にあると、シート状又はフィルム状としたときの強度、可撓性、及びタック性が好適となる。また、フロー性が良好となり、配線の回路充填性が確保できる。ここでの重量平均分子量とは、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーで測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を指す。
【００４９】
放射線照射によって反応性の原子団又は分子団を発生する化合物としては、特に制限はなく、例えばラジカル重合、カチオン重合、アニオン重合性のものを使用することができる。例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタール、α-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシメチルフェニルプロパン、イミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾール、１−メチルイミダゾール等のイミダゾール誘導体、ピペラジン、２，５−ジメチルピペラジン等のピペラジン誘導体、ピペリジン、１，２−ジメチルピペリジン等のピペリジン誘導体、プロリン誘導体、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン等のトリアルキルアミン誘導体、４−メチルアミノピリジン、４−ジメチルアミノピリジン等の４位にアミノ基またはアルキルアミノ基が置換したピリジン誘導体、ピロリジン、ｎ−メチルピロリジン等のピロリジン誘導体、トリエチレンジアミン、１，８−ジアザビスシクロ（５，４，０）ウンデセン−１（ＤＢＵ）等の脂環式アミン誘導体、ベンジルメチルアミン、ベンジルジメチルアミン、ベンジルジエチルアミン等のベンジルアミン誘導体等を使用することができる。
【００５０】
また、放射線照射によって塩基を発生する化合物を用いることもできる。発生する塩基としては、反応性、硬化速度の点から強塩基性化合物が好ましい。一般的には、塩基性の指標として酸解離定数の対数であるｐＫａ値が使用され、水溶液中でのｐＫａ値が７以上の塩基が好ましく、さらに９以上の塩基がより好ましい。
【００５１】
放射線照射によって塩基性化合物を発生するものとしては、例えばＪｏｕｒｎａｌｏｆ Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ１２巻、３１３〜３１４項（１９９９年）やＣｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ１１巻、１７０〜１７６項（１９９９年）等に記載されている４級アンモニウム塩誘導体を用いることができる。これらは、活性光線の照射により高塩基性のトリアルキルアミンを生成するため、エポキシ樹脂の硬化には最適である。また、Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ａｍｅｒｉｃａｎ ＣｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ１１８巻 １２９２５頁（１９９６年）やＰｏｌｙｍｅｒ Ｊｏｕｒｎａｌ ２８巻 ９５頁（１９９６年）等に記載されているカルバミン酸誘導体を用いることができる。
【００５２】
さらに、活性光線の照射によって１級のアミノ基を発生するオキシム誘導体、光ラジカル発生剤として市販されている２−メチル−１（４−（メチルチオ）フェニル）−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１、ヘキサアリールビスイミダゾール誘導体（ハロゲン、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基等の置換基がフェニル基に置換されていてもよい）、ベンゾイソオキサゾロン誘導体等を用いることもできる。
【００５３】
また、活性光線による塩基発生剤の他に、光フリース転位、光クライゼン転位（光Ｃｌｅｉｓｅｎ転位）やクルチウス転位（Ｃｕｒｔｉｕｓ転位）、スチーブンス転位（Ｓｔｅｖｅｎｓ転位）によって塩基性化合物を発生させ、エポキシ樹脂の硬化を行うこともできる。これらの化合物は、室温で放射線を照射しない状態ではエポキシ樹脂と反応性を示さないため、室温での貯蔵安定性が非常に優れているという特徴を持っている。
【００５４】
放射線重合開始剤としては、東京化成工業（株）製Ａ００６１、Ａ１０２８、Ｂ００５０、Ｂ０２２１、Ｂ３６３３、Ｂ００７９、Ｂ０２２２、Ｂ１０１９、Ｂ１０１５、Ｂ０９４２、Ｂ０８６９、Ｂ００８３、Ｂ０１０３、Ｂ１１６４、Ｂ１２６７、Ｂ２３８０、Ｂ２３８１、Ｂ１２２５、Ｂ０１３９、Ｂ１２７５、Ｂ０４８１、Ｃ００１４、Ｃ０１３６、Ｃ１１５０、Ｃ１４８５、Ｃ０２９２、Ｄ１８０１、Ｄ１６２１、Ｄ１６４０、Ｄ２３７５、Ｄ１７０２、Ｄ２９６３、Ｄ２２４８、Ｄ２２３８、Ｄ２２５３、Ｄ３３５８、Ｅ００６３、Ｆ００２１、Ｆ０３６２、Ｈ０６１７、Ｈ０９９１、Ｐ０２１１、Ｉ０５９１、Ｉ０６７８、Ｍ１２４５、Ｍ２１４０、Ｍ０７９２、Ｂ１２３１、Ｍ１２０９、Ｍ２０２８、Ｎ０５２８、Ｐ１４１０、Ｐ１３７７、Ｂ０４８６、Ｔ０１５７、Ｔ１１８８、Ｔ１６０８、Ｔ２０４１、Ｔ２０４２、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ（株）製ＩＲＧＡＣＵＲＥ６５１，１８４，１１７３，２９５９，１２７，９０７，３６９，３７９，８１９，７８４，ＯＸＥ０１，ＯＸＥ０２，７５４，５００，１８００，１８７０，４２６５，２５０、などが挙げられる。
【００５５】
放射線重合化合物としては、特に制限は無く、例えばアクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、メタクリル酸２−エチルヘキシル、ペンテニルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、スチレン、ジビニルベンゼン、４−ビニルトルエン、４−ビニルピリジン、Ｎ−ビニルピロリドン、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、１，３−アクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロパン、１，２−メタクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロパン、メチレンビスアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミド、トリス（β−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートのトリアクリレート官能基を含むビニル共重合体に少なくとも１個のエチレン性不飽和基と、オキシラン環、イソシアネート基、水酸基、カルボキシル基等の１個の官能基を有する化合物を付加反応させて得られる側鎖にエチレン性不飽和基を有する放射線重合性共重合等などを使用することができる。これらの放射線重合化合物は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００５６】
放射線重合化合物としては、新中村化学（株）製、Ａ−ＬＥＮ−１０、ＡＭ−９０Ｇ，１３０Ｇ、ＡＭＰ−２０ＧＹ、Ａ−ＳＡ、Ｓ−１８００Ａ、７０１Ａ、Ａ−２００、Ａ−４００、Ａ−６００、Ａ−１０００、Ａ−Ｂ１２０６ＰＥ、ＡＢＥ−３００、Ａ−ＢＰＥ−１０、Ａ−ＢＰＥ−２０、Ａ−ＢＰＥ−３０、Ａ−ＢＰＥ−４、ＡＢＰＥＦ、Ａ−ＢＰＰ−３、Ａ−ＤＣＰ、Ａ−ＤＯＤ−Ｎ，Ａ−ＨＤ−Ｎ、Ａ−ＮＯＤ−Ｎ、ＡＰＧ−１００、ＡＰＧ−２００、ＡＰＧ−４００、Ａ−ＰＴＭＧ−６５、Ａ−９３００、Ａ−９３００−１ＣＬ、Ａ−ＧＬＹ−９Ｅ、Ａ−ＧＬＹ−２０Ｅ、Ａ−ＴＭＭ−３、Ａ−ＴＭＭ−３Ｌ、Ａ−ＴＭＭ−３ＬＭ−Ｎ、Ａ−ＴＭＰＴ、ＡＤ−ＴＭＰ、ＡＴＭ−３５Ｅ、Ａ−ＴＭＭＴ、Ａ−９５５０、Ａ−ＤＰＨ、ＣＢ−１、Ｍ−９０Ｇ、Ｍ−２３０Ｇ、ＰＨＥ−１Ｇ、Ｓ、ＳＡ、Ｓ−１８００Ｍ、１Ｇ、２Ｇ、３Ｇ、４Ｇ、９Ｇ、１４Ｇ、２３Ｇ、ＢＰＥ−８０Ｎ、ＢＰＥ−１００、ＢＰＥ−２００、ＢＰＥ−５００、ＢＰＥ−９００、ＢＰＥ−１３００Ｎ、ＤＣＰ、ＤＯＤ−Ｎ、ＨＤ−Ｎ、ＮＯＤ−Ｎ、ＮＰＧ、１２０６ＰＥ、７０１、９ＰＧ、ＴＭＰＴ、東亜合成（製）、Ｍ−１０１Ａ、Ｍ−１２０、Ｍ−１１１、Ｍ−１１３、Ｍ−１１７、Ｍ−１２０、Ｍ−１４０、Ｍ−２０８、Ｍ−２１１Ｂ、Ｍ−２１５、Ｍ−２２０、Ｍ−２２５、Ｍ−２７０、Ｍ−２４０、Ｍ−３０９、Ｍ−３１０、Ｍ−３２１、Ｍ−３５０、Ｍ−３６０、Ｍ−３１３、Ｍ−３１５、Ｍ−３２７、Ｍ−３０６、Ｍ−３０５、Ｍ−４５１、Ｍ−４５０、Ｍ−４０８、Ｍ−４０３、Ｍ−４００、Ｍ−４０２、Ｍ−４０４、Ｍ−４０６、Ｍ−４０５、Ｍ−５３００、Ｍ−５４００、Ｍ−５７００、Ｍ−５１０、Ｍ−５２０、Ｍ−１１００、Ｍ−１２００、Ｍ−１６００、Ｍ−１９６０、Ｍ−６１００、Ｍ−６２００、Ｍ−６２５０、Ｍ−６５００、Ｍ−７１００、Ｍ−７３００Ｋ、Ｍ−８０３０、Ｍ−８０６０、Ｍ−８１００、Ｍ−８５３０、Ｍ−８５６０、Ｍ−９０５０、日立化成工業（株）製、ＦＡ−５１１Ａ，５１２Ａ，５１３Ａ，ＢＺＡ，３１４Ａ，３１８Ａ，１２９Ａ，Ｐ２４０Ａ，Ｐ２７０Ａ，３２４Ａ，７３１Ａ，５１２Ｍ，５１２ＭＴ，５１３Ｍ，７１１ＭＭ，７１２ＨＭ，４００Ｍ，ＢＺＭ，１２４Ｍ，１２５Ｍ，２２０Ｍ，３２１Ｍ，０２３Ｍ、などが挙げられる。
【００５７】
さらに、粘接着層１３には、必要に応じて、無機フィラー、カップリング剤、イオン捕捉剤などを添加することができる。
【００５８】
無機フィラーは、取扱性向上、熱伝導性向上、溶融粘度の調整、及びチキソトロピック性付与などを目的としている。無機フィラーとしては、特に制限はなく、例えば水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられる。これらのフィラーは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。また、フィラーの形状は特に制限されるものではない。
【００５９】
上述の無機フィラーの中でも、熱伝導性向上のためには、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等を用いることが好ましい。また、溶融粘度の調整やチキソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカなどを用いることが好ましい。
【００６０】
無機フィラーの使用量は、粘接着層１３の１００質量部に対して１質量部〜２０質量部が好ましい。１質量部未満だと添加効果が得られない傾向があり、２０質量部を超えると、粘接着層１３の貯蔵弾性率の上昇、粘接着性の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題を起こす傾向がある。
【００６１】
カップリング剤は、異種材料間の界面結合を向上させることを目的としている。カップリング剤としては、例えばシラン系、チタン系、アルミニウム系等が挙げられ、中でも効果が高い点でシラン系カップリング剤が好ましい。
【００６２】
シラン系カップリング剤としては、特に制限はなく、例えばビニルトリクロルシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ‐フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピル−トリス（２−メトキシ−エトキシ−エトキシ）シラン、Ｎ−メチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、トリアミノプロピルトリメトキシシラン、３−４，５−ジヒドロイミダゾール−１−イル−プロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピル−トリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、３−クロロプロピルジメトキシシラン、３−シアノプロピルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリクロロシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、アミルトリクロロシラン、オクチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、メチルトリ（メタクリロイルオキエトキシ）シラン、メチルトリ（グリシジルオキシ）シラン、Ｎ−β（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、オクタデシルジメチル〔３−（トリメトキシシリル）プロピル〕アンモニウムクロライド、γ−クロロプロピルメチルジクロロシラン、γ−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジエトキシシラン、トリメチルシリルイソシアネート、ジメチルシリルイソシアネート、メチルシリルトリイソシアネート、ビニルシリルトリイソシアネート、フェニルシリルトリイソシアネート、テトライソシアネートシラン、エトキシシランイソシアネートなどを使用することができる。また、これらを単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することもできる。
【００６３】
チタン系カップリング剤としては、例えばイソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、イソプロピルトリス（ｎ−アミノエチル）チタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアエチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタンチリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート、テトラメチルオルソチタネート、テトラエチルオルソチタネート、テタラプロピルオルソチタネート、テトライソブチルオルソチタネート、ステアリルチタネート、クレシルチタネートモノマー、クレシルチタネートポリマー、ジイソプロポキシ−ビス（２，４−ペンタジオネート）チタニウム（ＩＶ）、ジイソプロピル−ビス−トリエタノールアミノチタネート、オクチレングリコールチタネート、テトラ−ｎ−ブトキシチタンポリマー、トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレートポリマー、トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレートなどを使用することができる。また、これらを単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することもできる。
【００６４】
アルミニウム系カップリング剤としては、例えばエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトイス（エチルアセトアセテート）、アルキルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムモノアセチルアセテートビス（エチルアセトアセテート）、アルミニウムトリス（アセチルアセトネート）、アルミニウム＝モノイソプロポキシモノオレオキシエチルアセトアセテート、アルミニウム−ジ−ｎ−ブトキシドモノエチルアセトアセテート、アルミニウム−ジ−ｉｓｏ−プロポキシド−モノエチルアセトアセテート等のアルミニウムキレート化合物、アルミニウムイソプロピレート、モノ−ｓｅｃ−ブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウム−ｓｅｃ−ブチレート、アルミニウムエチレート等のアルミニウムアルコレートなどを使用することができる。また、これらを単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することもできる。
【００６５】
上記カップリング剤の使用量は、効果や耐熱性及びコストの面から、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤の１００質量部に対して、０．０１質量部〜１０質量部とすることが好ましい。
【００６６】
イオン捕捉剤は、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性をよくすることを目的としている。このようなイオン捕捉剤としては、特に制限はなく、例えばトリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤等の、銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合物や、ジルコニウム系、アンチモンビスマス系マグネシウムアルミニウム化合物等の無機イオン吸着剤などが挙げられる。
【００６７】
続いて、上述した粘接着フィルム１を用いた半導体装置の製造方法について説明する。
【００６８】
まず、図３に示すように、粘接着フィルム１からキャリアフィルム１２を剥離し、半導体ウェハ２１の裏面側を粘接着フィルム１の低タック面１７に貼り合わせる。また、半導体ウェハ２１を囲むようにダイシングフレーム２２を粘接着フィルム１の低タック面１７に貼り合わせる。ダイシングフレーム２２は、例えば１２インチ程度のリング状をなし、例えばＳＵＳ３０４によって形成されている。
【００６９】
次に、図４に示すように、例えばダイシングブレード２３等の切断装置を用いて半導体ウェハ２１のダイシングを行う（ダイシング工程）。切断装置には、レーザ切断装置を用いることもできる。このとき、ダイシングによって粘接着フィルム１を完全に切断してもよい。粘接着フィルム１を完全に切断する工法はフルカットと呼ばれている。一方、粘接着フィルム１を完全に切断せず、その後の工程で完全に切断する工法も用いてもよい。半導体ウェハ２１から粘接着層１３まで達する深さでダイシングすることにより、複数の粘接着層付き半導体素子２４が得られる。
【００７０】
切断装置としては、公知のダイサーやブレードを使用することができる。ダイサーとしては、例えば株式会社ディスコ社製フルオートマチックダイシングソー６０００シリーズや、セミオートマチックダイシングソー３０００シリーズなどを使用できる。ブレードとしては、例えば株式会社ディスコ社製ダイシングブレードＮＢＣ−ＺＨ０５シリーズやＮＢＣ−ＺＨシリーズなどを使用できる。また、レーザ切断装置としては、例えば株式会社ディスコ社製フルオートマチックレーザソー７０００シリーズなどを使用できる。
【００７１】
次に、図５に示すように、ピックアップ装置２６を用いて粘接着層付き半導体素子２４をピックアップする（ピックアップ工程）。ピックアップに際し、半導体ウェハ２１が貼り付けられている面の反対面側から粘接着フィルム１に向けて放射線を照射する。これにより、粘接着フィルム１と基材フィルム１１との間の剥離強度が低下し、粘接着層付き半導体素子２４のピックアップをスムーズに行うことができる。
【００７２】
放射線としては、例えば１５０〜７５０ｎｍの波長域を持つ活性光線を用いることができる。これらの活性光線には、紫外線、遠紫外線、近紫外線、可視光線、電子線、赤外線、近赤外線などがある。これらは、例えば低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノンランプ、メタルハライドランプ、ブラックライト、発光ダイオードを使用し、０.０１Ｊ／ｃｍ2〜１００００Ｊ／ｃｍ2で照射することができる。
【００７３】
また、ピックアップ装置としては、公知のピックアップダイボンダを使用することができる。ピックアップダイボンダとしては、例えばルネサス東日本セミコンダクタ社製フレキシブルダイボンダーＤＢ−７３０やＤＢ−７００、新川社製ダイボンダーＳＰＡ−３００、ＳＰＡ−４００、キャノンマシナリー製ＢＥＳＴＥＭ−Ｄ０２などを使用することができる。
【００７４】
ピックアップ工程の後、図６に示すように、粘接着層付き半導体素子２４を支持部材（被着体）２７にダイボンディングする。また、粘接着層付き半導体素子２４の接続端子と支持部材２７の接続端子とをワイヤ２８によって電気的に接続する。そして、粘接着層付き半導体素子２４を封止材２９によって支持部材２７上で封止することで半導体装置３０を得る。
【００７５】
ダイボンディングを行う際、加熱加圧によって粘接着層付き半導体素子２４の粘接着層１３を支持部材２７に固着させる。このときの加熱温度は、通常２０℃〜１７０℃程度であり、加熱時間は、通常０．１秒〜３００秒程度である。また、荷重は、通常０．０１ｋｇｆ〜２０ｋｇｆ程度である。加熱により、粘接着層１３が硬化し、粘接着層付き半導体素子２４と支持部材２７とが強固に接合される。なお、封止材２９による封止は必ずしも実施しなくてもよい。
【００７６】
一方、図７に示すように、粘接着層付き半導体素子２４をピックアップした後は、使用後の粘接着フィルム１をダイシングフレーム２２から剥離する（フィルム剥離工程）。粘接着フィルム１にあたっては、粘接着層１３の低タック面１７がダイシングフレーム２２に貼り付けられ、粘接着層１３の高タック面が基材フィルム１１に貼り付けられているので、剥離の際の作業性が確保され、粘接着層１３がダイシングフレーム２２に転着してしまうことも防止できる。
【００７７】
以上説明したように、この粘接着フィルム１では、基材フィルム１１側を向く一方面１３Ａのタック強度ＦＡと、基材フィルム１１側とは反対を向く他方面１３Ｂのタック強度ＦＢとが、ＦＡ＞ＦＢ及び１０ｇｆ≦ＦＢ≦８００ｇｆを満たしている。これにより、粘接着層１３と基材フィルム１１との剥離強度が確保される一方で、ダイシングフレーム２２に対する粘接着層１３の転着の発生を抑制することが可能となる。また、粘接着フィルム１に対して別部材を用いないので構成が複雑化することもなく、コストの低減も図られる。
【００７８】
また、粘接着フィルム１では、タック強度は、直径５．１ｍｍのＳＵＳ３０４からなる面に対するタック強度であることが好ましい。この場合、ダイシングフレーム２２に対する粘接着層１３の転着の発生をより確実に抑制できる。
【００７９】
また、粘接着フィルム１では、基材フィルム１１と粘接着層１３の一方面１３Ａとの間の２５℃における９０°剥離強度が４０Ｎ／ｍとなっている。これにより、基材フィルム１１に対する粘接着層１３の剥離強度が一層好適なものとなる。
【００８０】
また、粘接着フィルム１では、粘接着層１３が所定の樹脂組成物を含むワニスをキャリアフィルム１２上に塗布及び乾燥させた後、キャリアフィルム１２側から放射線を照射することによって形成されている。これにより、簡易な方法で粘接着層１３のタック強度に差異を設けることができる。
【００８１】
次に、本発明の効果確認試験について説明する。
【００８２】
この効果確認試験は、実施例及び比較例に係る粘接着フィルムのサンプルをそれぞれ作成し、各サンプルについて、ダイシングフレームへの転着の発生の有無、及び半導体装置における粘接着層の剥離・ボイドの発生の有無を検証したものである。
【００８３】
実施例１のサンプル作製にあたっては、まず、ＹＤＣＮ−７００−１０（東都化成（株）製商品名、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２１０）１５質量部、プライオーフェンＬＦ４８７１（大日本インキ化学工業（株）製商品名、ビスフェノールＡノボラック樹脂）９質量部、ＨＴＲ−８６０Ｐ−３（帝国化学産業（株）製商品名、エポキシ基含有アクリルゴム、分子量１００万、Ｔｇ−７℃）５０質量部、ＦＡ−７３１Ａ（日立化成工業（株）製アクリルモノマ）２５重量部、Ｉ−９０７（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ（株）製商品名、ラジカル重合型光開始剤）２重量部からなる組成物に、メチルエチルケトンを加えて攪拌混合し、真空脱気した。
【００８４】
次に、このワニスをキャリアフィルムである厚さ５０μｍの剥離処理済みのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルムＡ３１）上に塗布した。その後、８０℃で１０分、続いて１２０℃で２０分加熱し、膜厚２０μｍの粘接着層を作製した。そして、紫外線照射機（トーヨーアドテック(株)製商品名、ＭＴＵＶ−１２３６）を用いてキャリアフィルム側から粘接着層に紫外線１００ｍＪ／ｃｍ２を照射し、シリコンゴムロールを用いて温度４０℃、圧力０．２ＭＰａ、速度３ｍ／分の条件で、キャリアフィルムと反対側に基材フィルム（東洋紡（株）製商品名、ＴＭ−００５）を貼り合せた。
【００８５】
この実施例１のサンプルでは、粘接着層の一方面のタック強度ＦＡが１０４７ｇｆ、他方面のタック強度ＦＢが１１０ｇｆ、基材フィルムと粘接着層の一方面との間の２５℃における９０°ピール強度が０．０６Ｎ／２５ｍｍであった。
【００８６】
実施例２のサンプル作製にあたっては、まず、ＨＰ−７２００Ｈ（大日本インキ化学工業（株）製商品名、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、エポキシ当量２８０）２０質量部、プライオーフェンＬＦ４８７１（大日本インキ化学工業（株）製商品名、ビスフェノールＡノボラック樹脂）７質量部、ＨＴＲ−８６０Ｐ−３（帝国化学産業（株）製商品名、エポキシ基含有アクリルゴム、分子量１００万、Ｔｇ−７℃）５０質量部、ＦＡ−７３１Ａ（日立化成工業（株）製アクリルモノマ）２５重量部、Ｉ−９０７（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ（株）製商品名、ラジカル重合型光開始剤）２重量部からなる組成物に、メチルエチルケトンを加えて攪拌混合し、真空脱気した。
【００８７】
次に、このワニスをキャリアフィルムである厚さ５０μｍの剥離処理済みのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルムＡ３１）上に塗布した。その後、８０℃で１０分、続いて１２０℃で２０分加熱し、膜厚２０μｍの粘接着層を作製した。そして、紫外線照射機（トーヨーアドテック(株)製商品名、ＭＴＵＶ−１２３６）を用いてキャリアフィルム側から粘接着層に紫外線１００ｍＪ／ｃｍ２を照射し、シリコンゴムロールを用いて温度４０℃、圧力０．２ＭＰａ、速度３ｍ／分の条件で、キャリアフィルムと反対側に基材フィルム（東洋紡（株）製商品名、ＴＭ−００５）を貼り合せた。
【００８８】
この実施例２のサンプルでは、粘接着層の一方面のタック強度ＦＡが１１１３ｇｆ、他方面のタック強度ＦＢが４５４ｇｆ、基材フィルムと粘接着層の一方面との間の２５℃における９０°ピール強度が０．０８Ｎ／２５ｍｍであった。
【００８９】
実施例３のサンプル作製にあたっては、まず、ＨＰ−７２００Ｈ（大日本インキ化学工業（株）製商品名、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、エポキシ当量２８０）２０質量部、プライオーフェンＬＦ４８７１（大日本インキ化学工業（株）製商品名、ビスフェノールＡノボラック樹脂）４重量部、ミレックスＸＬＣ−ＬＬ（三井化学（株）製商品名、アラルキル型フェノール樹脂）３重量部、ＨＴＲ−８６０Ｐ−３（帝国化学産業（株）製商品名、エポキシ基含有アクリルゴム、分子量１００万、Ｔｇ−７℃）５０質量部、ＦＡ−７３１Ａ（日立化成工業（株）製アクリルモノマ）１２重量部、ＦＡ−Ｐ２４０Ａ（日立化成工業（株）製アクリルモノマ）１２重量部、Ｉ−９０７（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ（株）製商品名、ラジカル重合型光開始剤）２重量部からなる組成物に、メチルエチルケトンを加えて攪拌混合し、真空脱気した。
【００９０】
次に、このワニスを、キャリアフィルムである厚さ５０μｍの剥離処理済みのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルムＡ３１）上に塗布した。その後、８０℃で１０分、続いて１２０℃で２０分加熱し、膜厚２０μｍの粘接着層を作製した。そして、紫外線照射機（トーヨーアドテック（株）製商品名、ＭＴＵＶ−１２３６）を用いてキャリアフィルム側から粘接着層に紫外線２００ｍＪ／ｃｍ２を照射し、シリコンゴムロールを用いて温度４０℃、圧力０．２ＭＰa、速度３ｍ／分の条件で、キャリアフィルムと反対側に基材フィルム（東洋紡（株）製商品名、ＴＭ−００５）を貼り合せた。
【００９１】
この実施例３のサンプルでは、粘接着層の一方面のタック強度ＦＡが１２５４ｇｆ、他方面のタック強度ＦＢが６８７ｇｆ、基材フィルムと粘接着層の一方面との間の２５℃における９０°ピール強度が０．０８Ｎ／２５ｍｍであった。
【００９２】
比較例１のサンプル作製にあたっては、実施例１と同様に粘接着層を作製し、シリコンゴムロールを用いて温度４０℃、圧力０．２ＭＰa、速度３ｍ／分の条件でキャリアフィルムと反対側に基材フィルム（東洋紡（株）製商品名、ＴＭ−００５）を貼り合せた。この比較例１のサンプルでは、粘接着層の一方面のタック強度ＦＡが１０１６ｇｆ、他方面のタック強度ＦＢが１０３ｇｆ、基材フィルムと粘接着層の一方面との間の２５℃における９０°ピール強度が０．０６Ｎ／２５ｍｍであった。
【００９３】
比較例２のサンプル作製にあたっては、実施例２と同様に粘接着層を作製し、シリコンゴムロールを用いて温度４０℃、圧力０．２ＭＰａ、速度３ｍ／分の条件でキャリアフィルムと反対側に基材フィルム（東洋紡（株）製商品名、ＴＭ−００５）を貼り合せた。この比較例２のサンプルでは、粘接着層の一方面のタック強度ＦＡが１０８９ｇｆ、他方面のタック強度ＦＢが１１０２ｇｆ、基材フィルムと粘接着層の一方面との間の２５℃における９０°ピール強度が０．０７Ｎ／２５ｍｍであった。
【００９４】
比較例３のサンプル作製にあたっては、実施例３と同様に粘接着層を作製し、シリコンゴムロールを用いて温度４０℃、圧力０．２ＭＰａ、速度３ｍ／分の条件でキャリアフィルムと反対側に基材フィルム（東洋紡（株）製商品名、ＴＭ−００５）を貼り合せた。この比較例３のサンプルでは、粘接着層の一方面のタック強度ＦＡが１３３２ｇｆ、他方面のタック強度ＦＢが１２２７ｇｆ、基材フィルムと粘接着層の一方面との間の２５℃における９０°ピール強度が０．０８Ｎ／２５ｍｍであった。
【００９５】
なお、タック強度ＦＡ，ＦＢの測定には、タッキング試験器（株式会社レスカ社製タッキング試験器）を用い、キャリアフィルムと基材フィルムとを剥離した状態で、押し込み速度２ｍｍ／ｓｅｃ、引き上げ速度１０ｍｍ／ｓｅｃ、停止加重１００ｇｆ／ｃｍ２、停止時間１秒、温度３０℃の条件にて、５．１ｍｍφのＳＵＳ３０４に対する粘接着層の両面のタック強度をそれぞれ求めた。
【００９６】
また、ピール強度の測定にあたっては、各粘接着フィルムのサンプルに、紫外線照射機（（株）オーク製作所製ＱＲＥ−４０１３−Ａ−００）を用いて基材フィルム側から紫外線２００ｍＪ／ｃｍ２を照射し、キャリアフィルムを剥離した後、剥離した面を両面テープでガラス板に貼り付け、引っ張り速度５０ｍ／分の条件で２５℃における９０°ピール強度を測定した。
【００９７】
図８は、効果確認試験の結果を示す図である。転着防止効果については、各実施例及び各比較例のサンプルからキャリアフィルムを剥離し、その剥離した面をダイシングフレーム（（株）ディスコ製ＤＴＦ２−８−１）に貼り付け、約１時間常温で保管した後、基材フィルムと共にダイシングフレームから剥離した。そして、粘接着層がダイシングフレーム上に残らなかった場合をＯＫ、残った場合をＮＧとした。その結果、図８に示すように、実施例１〜３では、いずれも粘接着層がダイシングフレームに残らなかったのに対し、比較例１〜３では、粘接着層がダイシングフレームに残ってしまっていたことが確認された。
【００９８】
また、半導体装置における剥離・ボイドの発生の有無については、各実施例及び各比較例のサンプルに５０μｍ厚の半導体ウェハを６０℃又は８０℃でラミネートし、株式会社ディスコ社製フルオートダイサーＤＦＤ−６３６１を用いてダイシングを行った。この切断は、ブレード１枚で加工を完了するシグルカット方式で行った。ブレードとして、株式会社ディスコ社製ダイシングブレードＮＢＣ−ＺＨ１０４Ｆ−ＳＥ２７ＨＤＢＢを用い、ブレード回転数４５，０００ｒｐｍ、切断速度５０ｍｍ／ｓの条件にてダイシングを行った。ブレードハイトは、基材フィルムに対して２０μｍ程度切り込む設定（９０μｍ）とした。また、半導体ウェハを切断するサイズは７．５×７．５ｍｍとした。その後、エキスパンドにより接着フィルムを完全に切断し、粘接着層付き半導体素子を作製した。
【００９９】
次に、作製した粘接着層付き半導体素子を、ルネサス東日本セミコンダクタ社製フレキシブルダイボンダーＤＢ−７３０を使用して、１段目に既に他の半導体素子を積層済みの配線付き支持部材に圧着した。圧着時の熱板表面温度を１２０℃に設定し、さらに、ホットプレート上で１５０℃、１時間又は２時間の熱処理を行った。その後、日立化成工業株式会社製封止材ＣＥＬ−９７５０ＺＨＦを配線付き支持部材上に成型し、１７５℃で５時間の硬化処理を行い、半導体装置を得た。
【０１００】
この後、超音波探査映像装置で半導体装置内部の剥離・ボイドの有無を観察し、１２５℃で１２時間乾燥した。また、乾燥後の半導体装置に対してＪＥＤＥＣレベル２（８５℃、６０％ＲＨ、１６８時間）の吸湿処理を行った後、最大温度２６５℃、３０秒となるように設定し、３回のリフロー処理行った。そして、リフロー処理後の半導体装置を再度超音波探査映像装置で観察し、処理前後の剥離・ボイドの変化を観察した。リフロー処理前後それぞれについて、１２個の半導体装置を観察し、全てのサンプルにおいて剥離・ボイドが観察されなかったものを良好、１つのサンプルでも剥離・ボイドが観察されたものを不良とした。その結果、図８に示すように、実施例１〜３及び比較例１〜３の全てのサンプルにおいて剥離・ボイドは観察されなかった。
【符号の説明】
【０１０１】
１…粘接着フィルム、１１…基材フィルム、１２…キャリアフィルム、１３…粘接着層、１３Ａ…一方面、１３Ｂ…他方面、１６…高タック面、１７…低タック面、２１…半導体ウェハ、２２…ダイシングフレーム、２４…粘接着層付き半導体素子、２７…支持部材（被着体）、３０…半導体装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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