(57)【要約】【課題】本発明は、トータルメンテナンス時間短縮の為、その一つであるプレコートの時間をより短縮し、かつ水晶振動子に付着困難であった材料を付着可能にすることができる真空蒸着装置及びその蒸着方法を提供することにある。【解決手段】真空チャンバ内に配置された少なくとも２つ以上の蒸発源と、この蒸発源のそれぞれに対応して設置された膜厚センサとを有し、前記蒸発源のうち、一方の蒸発源に有する付着しにくい材料の前記膜厚センサに他方の蒸発源に有する材料を導入するようにしたものである。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバ内に配置された少なくとも２つ以上の蒸発源と、この蒸発源のそれぞれに対応して設置された膜厚センサとを有し、
前記蒸発源のうち、一方の蒸発源に有する付着しにくい材料の前記膜厚センサに他方の蒸発源に有する材料を導入することを特徴とする真空蒸着装置。
【請求項２】
請求項１記載の真空蒸着装置において、
前記付着しにくい材料はマグネシウムであり、他方の蒸発源に有する材料は銀であることを特徴とする真空蒸着装置。
【請求項３】
請求項１又は２のいずれかに記載の真空蒸着装置において、
前記膜厚センサは前記マグネシウムを導入するノズルと銀を導入するノズルとを備えていることを特徴とする真空蒸着装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の真空蒸着装置において、
前記膜厚センサに取り付けられた銀用のノズルは銀の付着量を制御するシャッタを備え、このシャッタの近傍には銀用角度制限板を備えていることを特徴とする真空蒸着装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の真空蒸着装置において、
前記膜厚センサには少なくとも２個の水晶振動子を備えていることを特徴とする真空蒸着装置。
【請求項６】
水晶振動子に付着しにくい材料であるかを判断するスッテプと、
使用中の水晶振動子が継続して使用可能かを判断するステップと、
水晶振動子に接着性材料をノズルにて付着するスッテプと、
接着性材料の塗布量が適切であるかを判断するスッテプと、
水晶振動子の接着性材料上に付着しにくい材料を塗布するスッテプ、
とからなることを特徴とする真空蒸着方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空蒸着装置及びその蒸着方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬデバイス製造工程の中で水晶振動子は真空状態の中で膜厚制御を行っている。この水晶振動子は円形をしており、その外径の約半分程度の大きさの金属膜(ニッケルやクロム等の下地＋金等の膜)が形成されている。
【０００３】
その原理は、水晶振動子に付着した膜の重さによって発振周波数が変化する事を利用するものである。発振周波数の低下を検出することによって膜の重さから膜厚を計算し制御を行う。その為、膜厚制御を行う上で水晶振動子のRate値（以下、レート値という）は極めて重要な役割をもっている。
【０００４】
このように膜厚制御は、水晶振動子に付着する材料によって周波数が減少する原理を利用している。しかしながら、水晶振動子の表面に付着困難な材料もあり、正確な蒸発レート値を検出することが出来ない場合がある。その付着困難な材料としてマグネシウムが取り上げられる。
【０００５】
付着困難な材料はPre-coat（以下、プレコートという）が完了するまでは、実際の蒸発レートと検出レートが全く異なっており、検出レート値の方が数倍低い値を示す。
【０００６】
従来技術として、マグネシウムを蒸着する際は蒸発レートを正確に検出する為、水晶振動子にマグネシウムを付着させるプレコート作業がある。このプレコート作業の時間短縮の為に、通常デバイス工程で必要な蒸気の７〜１０倍の蒸気を出してプレコート作業を行っている。その状況下でも１つの水晶振動子に３〜４時間のプレコート時間を要している。また、もう一つの短縮策として、生産を行っている間に並行してプレコートを行う方式を検討した。
【０００７】
この方式とは水晶振動子の機構内にシャッタを設け、生産時にシャッタを開け、次に使用する水晶振動子のプレコートを行う方式である。
【０００８】
ここでの問題として、前者の方式では生産開始までに時間を多く要する点、また７〜１０倍の蒸気を出している為、プレコート用の材料を多く要し、材料消費量が多くなる点である。
【０００９】
また後者の方式では生産中に行うプレコート時間の短縮にはなるが、装置立ち上げ後の生産に使用する水晶振動子のプレコート時間は必要となってくる。また前者と同様、プレコート用の材料も必要であり、材料消費量に影響を与える。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平５-３２０９０１号公報
【特許文献２】特開平５-３２０９０２号公報
【特許文献３】特開平７-１１８８４７号公報
【特許文献４】特開２００５-３２５４００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
近年、大型基板用の金属蒸発源の開発が進行している。その中で膜厚制御は水晶振動子を用いており、稼働時間を延ばす為に水晶振動子は多連式となっている。複数ある水晶振動子を全てプレコートするには上述の通りデバイス工程で必要な蒸気の７〜１０倍の蒸気を出している。且つ、１つの水晶振動子に３〜４時間のプレコート時間がかかる為、膨大な時間と材料が必要であった。
【００１２】
有機ＥＬ製造装置においては、真空中での膜厚制御は水晶振動子の検出レート値（Rate値）を頼りにする以外、現在手段が無い。その為、水晶振動子の検出レート値の確からしさは重要なキーポイントとなる。レート値の信頼性向上の為には、蒸発してきた材料を水晶振動子の表面で弾くことなく付着させる事が重要である。
【００１３】
マグネシウム等の水晶振動子に付着困難な材料は生産前にプレコートを行い、その時間を加速させる為に、高い電力をかけることによって豊富な蒸気状態で行っている。その中で高い電力をかける事で材料消費量が上がってしまう事を十分念頭に置かなければならない。
【００１４】
それと同時に、有機EL製造工程では材料充填の為、定期的なメンテナンスを行っている。材料が消費した時点でヒータを落としチャンバを開け、材料が充填されたるつぼの交換、水晶振動子の交換、マスク交換等の一連のメンテナンスを行った上で、再昇温を行う。
この生産停止時間をいかに短縮するかが重要な課題項目であり、先に述べたプレコート時間の短縮も同様である。
【００１５】
また、生産を行っている間に並行して次に使用する水晶振動子のプレコートを行う方式もプレコートを行っている水晶振動子が不良品(NG品)、もしくは生産中にプレコートが完了出来ていない場合は完了するまで生産を中断せざるを得ない等の課題がある。また上述したように、水晶振動子の表面に付着しにくい材料（マグネシウム）の蒸着レートを測定する場合、正確な蒸発レート値を検出することが出来ないという課題がある。
【００１６】
上記課題を解決するために本発明は、トータルメンテナンス時間短縮の為、その一つであるプレコートの時間をより短縮し、かつ水晶振動子に付着困難であった材料を付着可能にすることができる真空蒸着装置及びその蒸着方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記課題を解決するために本発明は、真空チャンバ内に配置された少なくとも２つ以上の蒸発源と、この蒸発源のそれぞれに対応して設置された膜厚センサとを有し、前記蒸発源のうち、一方の蒸発源に有する付着しにくい材料の前記膜厚センサに他方の蒸発源に有する材料を導入することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、トータルメンテナンス時間短縮の為、その一つであるプレコートの時間をより短縮し、かつ水晶振動子に付着困難であった材料を付着可能にすることができる真空蒸着装置及びその蒸着方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施例に係る蒸発源装置の分解斜視図である。
【図２】本発明の実施例に係る蒸発源装置を備えた薄膜形成装置の断面図である。
【図３】本発明の実施例１に係る蒸発源装置の斜視図である。
【図４】本発明の実施例１に係る水晶振動子の正面図である。
【図５】本発明の実施例１に係る銀用膜厚制御装置の斜視図である。
【図６】本発明の実施例１に係るマグネシウム用膜厚制御装置の斜視図である。
【図７】本発明の実施例２に係る蒸発源の断面図である。
【図８】本発明の実施例２に係る銀用膜厚制御装置の斜視図である。
【図９】本発明の実施例２に係る銀用膜厚制御装置の側面図である。
【図１０】本発明による蒸着方法を説明するフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の有機ＥＬデバイス製造装置における実施形態を図１から図９において説明する。
【００２１】
なお、本実施形態における有機ＥＬデバイス装置は、大気から真空状態に処理するロードロックチャンバ１から搬入された処理対象の基板はある工程を経て、蒸着室に搬送される。さらに本実施例では、基板の蒸着面を上面にして搬送し、基板を垂直にして蒸着を行う構成となっている。
【実施例１】
【００２２】
有機ＥＬデバイス装置は、発光材料層に加え、正孔注入層や輸送層、電子注入層や輸送層、また金属材料など、様々な材料が薄膜で積み重なっている多層構造となっている。
【００２３】
図１は本発明の実施例に係る蒸発源装置の分解斜視図である。
【００２４】
図１において、ＥＬ材料の蒸発源装置１は水平な一方向に向かって長く伸びた筐体２（水冷シールドボックス）を備え、この筐体２内部にマグネシウム用るつぼ３と銀用るつぼ４が矢印方向から納められる。銀用るつぼ４はマグネシウム用るつぼ２の下部に位置し、４個に分割されて配置されている。これらの両るつぼ３，４を所定の温度で加熱するための加熱装置５（ヒータ）が図２に示すようにそれぞれのるつぼ３，４の周囲に取り付けられている。
【００２５】
またそれぞれのるつぼ３，４の前面にはガス放出用板３ａ、４ａが取り付けられている。このガス放出用板３ａ，４ａには複数のガス放出孔３ｂ、４ｂが水平方向に均一に形成されている。このガス放出孔３ｂ、４ｂは両端部での間隔距離が中央部の距離よりも近接するように形成されている。
【００２６】
図２は本発明の実施例に係る蒸発源装置を備えた薄膜形成装置の断面図である。
【００２７】
図２において、点線で示した真空チャンバ７内に蒸発源装置１が収納されている。この真空チャンバ７内では有機ＥＬデバイスを製造するガラス板などの被蒸着基板８を保持装置（図示せず）によって直立させて固定している。蒸発源装置１は矢印で示すように、被蒸着基板８に対して上下動するようになっている。蒸発源装置１は上下動しながら被蒸着基板８に対して上記加熱装置５による加熱によってガス状になった有機ＥＬデバイス用材料６の蒸発粒子３ｃ、４ｃをガス放出孔３ｂ、４ｂから噴射するようになっている。これにより、被蒸着基板８の表面上に有機ＥＬデバイス用材料６の蒸発粒子３ｃ、４ｃが広く蒸着されることになる。
【００２８】
図３は本発明の実施例１に係る蒸発源装置の斜視図である。
【００２９】
図３は本発明の実施例を備えた蒸発源装置の斜視図である。なお、図３は説明の都合上ガス放出板を外した状態で描いてある。
【００３０】
図３において、上述したように、上段は冷却機構（図示せず）を備えた筐体２の中にマグネシウム用るつぼ３が取り付けられている。このマグネシウム用るつぼ３の両端には膜厚制御を行うための水晶振動子を備えたマグネシウム用膜厚制御装置９（膜厚センサともいう）が設置されている。このマグネシウム用膜厚制御装置９には水晶振動子に繋がり、マグネシウム用るつぼ３に対向する導入管１０（ノズルともいう）と銀用るつぼ４に対向する銀プレコート用導入管１１で構成されている。
【００３１】
一方、下段はマグネシウム用るつぼ３と同じ様に冷却機構（図示せず）を備えた筐体２の中に銀用るつぼ４が取り付けられている。この銀用るつぼ４の両端には膜厚制御を行うための水晶振動子を備えた第１の銀用膜厚制御装置１２が設置されている。この第１の銀用膜厚制御装置１２には、水晶振動子に繋がる導入管１３が取り付けられている。
【００３２】
第１の銀用膜厚制御装置１２の導入管１３は４つに分割された銀用るつぼ４のうち、点線の矢印で示すように両端部のるつぼ４に向けられている。第１の銀用膜厚制御装置１２の下方には第２の銀用膜厚膜制御装置１２ａが取り付けられている。第２の銀用膜厚制御装置１２ａの導入管１３ａは４つに分割された銀用るつぼ４のうち、点線の矢印で示すように中央の２つのるつぼに向けられている。
【００３３】
ここで各るつぼ３，４の構成について説明する。マグネシウム用るつぼ３の内部には蒸着する有機ＥＬデバイス用材料６を有し、加熱装置５で加熱制御する事で安定した蒸着レートが得られる。るつぼ３の前面には複数のガス放出孔が並んでおり、このガス放出孔から加熱によって蒸発された材料が噴射する構造となっている。
【００３４】
下段の銀用るつぼ４はマグネシウム用るつぼ３よりも横幅が短くなっており、横一列に複数設置されている（本実施例では４個としたが、この個数に限定されるものではない）。この銀用るつぼ４はマグネシウム用るつぼ３と同様に、内部に蒸着する有機ＥＬデバイス用材料６を有し、るつぼ４の前面には複数のガス放出孔４ｂが並んでいる。このガス放出孔４ｂから銀用るつぼ４は個別に制御されて其々の制御によって加熱され、蒸発された蒸着粒子４ｃが噴射する構造となっている。
【００３５】
なお、銀用るつぼ４は複数のるつぼが横一列に並んでいる為、有機ＥＬ用デバイス成膜前に膜厚調整が必要となってくる。その膜厚調整時に１枚目の水晶振動子の銀プレコートを行う。また、２枚目以降の銀のプレコートは有機ＥＬ用デバイス成膜時に行うものとする。
【００３６】
次に本形態で用いる膜厚制御を行う為の水晶振動子全体の構成を図４、図５、図６にて説明する。
【００３７】
図４は本発明の実施例に係る水晶振動子の正面図である。
【００３８】
図４において、円盤状のリテーナ１５上に直径約２０ｍｍの水晶振動子１４が１２個リング状に取り付けられている。水晶振動子１４による厚膜制御は、水晶振動子１４に金属膜が付着すると発振周波数が低下することを利用して被蒸着基板８に付着した金属膜の厚さを検出するものである。
【００３９】
図５は本発明の実施例に係る銀用膜厚制御装置の斜視図である。
【００４０】
図５において、第１の銀用膜厚制御装置１２は図４に示した水晶振動子１４を電気的に制御する機構を備えたリテーナ１５を備えている。このリテーナ１５はリテーナホルダ１６によって保持されている。また、第１の銀用膜厚制御装置１２は水晶振動子１４の電気的処理機構を内部に備えた冷却ジャケット１７を備えている。
【００４１】
水晶振動子１４は前述の通り、金属膜がある程度付着する事で周波数が減少し正確な膜厚制御が出来なくなる為に、定期的な交換が必要である。その為、リテーナ１５には複数の水晶振動子１４を備えており、使用する水晶振動子１４の前に銀粒子を導入する為の導入管１８で構成されている。
【００４２】
なお、第２の銀用膜厚制御装置１２ａは第１の銀用膜厚制御装置１２と構成は全く同じであるため、その説明は省略する。
【００４３】
次にマグネシウム用膜厚制御装置について説明する。
【００４４】
図６は本発明の実施例に係るマグネシウム用膜厚制御装置の斜視図である。
【００４５】
図６において、マグネシウム用膜厚制御装置９は図４に示す水晶振動子１４を電気的に制御する機構を備えたリテーナ１９を備えている。リテーナ１９はリテーナホルダ２０によって保持されている。また、マグネシウム用膜厚制御装置９は水晶振動子１４の電気的処理機構を内部に備えた冷却ジャケット２１を備えている。また、マグネシウム用膜厚制御装置９はマグネシウム粒子を導入する為の導入管１０も備えているが、銀用と構成が大きく異なる点はマグネシウム用の膜厚制御機構には下段にある銀粒子を導入する為の銀プレコート用導入管１１を備えている点である。
【００４６】
ここで本発明を実現する為の銀用プレコートについて説明する。
【００４７】
図３で示した通り、近年、銀とマグネシウムは１つのチャンバ内で同時に蒸着する共蒸着が一般的となっている。そこで本発明の実施例では、マグネシウム検出用水晶振動子に銀を先に付着させるようにした。
【００４８】
つまり、マグネシウムは水晶振動子に付着しにくい材料であるため、生産前にプレコート（時間を加速させる為に、高い電力をかけて豊富な蒸気状態にする）を行っている。しかしながら、高い電力をかける事で材料消費量が上がってしまうという課題に対し、本実施例では水晶振動子に銀をあらかじめ付着させるようにしたものである。これにより、マグネシウムを水晶振動子に付着させることができるようになったものである。換言すると、水晶振動子に対して銀をマグネシウムの一種の接着剤としたものである。
【００４９】
次に、マグネシウム検出用水晶振動子に銀を先に付着させることが本実施例であるが、プレコート時間の削減、且つ正確な膜厚制御を実現する為の銀プレコート制御について以下に説明する。
【００５０】
水晶振動子は付着した膜の重さによって、発振周波数が低くなる事を利用し、膜の重さから膜厚を計算するという原理を利用している。そのため、銀とマグネシウムの密度の異なる物質の周波数減少は当然異なる。
【００５１】
先に銀を付着させることで、マグネシウムの周波数減少、いわゆる検出レート値に影響を与えてはいけない。ここではマグネシウムのレート検出がすぐに出来る程度の銀を付着させ、且つマグネシウム用水晶振動子のレート値が正確に表示出来る事を条件とする。
【実施例２】
【００５２】
ここで上述のレート検出がすぐに出来る程度の銀を付着させ、且つマグネシウム用水晶振動子のレート値が正確に行えるための実施例を図７を使って説明する。
【００５３】
図７は本発明の実施例２に係る蒸発源の断面図である。
【００５４】
図７において、本実施例では、図３に示した蒸発源１の構造に加え、膜質、膜厚を制御するための角度制限板２２，２３を設けたものである。つまり、図３に示したガス放出用板３ａ，４ａに設けられた複数のガス放出孔３ｂ、４ｂのガス噴射方向に角度制限板２２，２３を取り付けたものである。
【００５５】
角度制限板２２，２３は各材料るつぼ３，４の手前（ガス噴射方向）に取り付けたものであり、マグネシウムるつぼ３の手前にはマグネシウム用角度制限板２２が取り付けられている。銀用るつぼ４の手前には銀用角度制限板２３が取り付けられている。
【００５６】
図８は本発明の実施例２に係る銀用膜厚制御装置の斜視図である。
【００５７】
図９は本発明の実施例２に係る銀用膜厚制御装置の側面図である。
【００５８】
図８，図９において、銀用角度制限板２３にはマグネシウム用膜厚制御装置９の銀プレコート用導入管１１が繋がっており、その手前にはある適正な銀付着量を制御する為のシャッタ２４が取り付けられている。
【００５９】
これにより本実施例によれば、シャッタによって水晶振動子の交換調整が簡単に行える。
【００６０】
ところで、材料充填後の１枚目のプレコート時は銀の膜厚調整時に、２枚目以降は生産に使用している水晶振動子が使用範囲内である間に、両者とも水晶振動子の交換前にシャッタ２４が開き、水晶振動子に適度な銀の膜が付着した時点でシャッタ２４を閉じる（なお、シャッタ２４の開のタイミングは問わない。ただし、水晶振動子の交換が必要な時点で銀プレコートは完了している事は必須である）。
【００６１】
ここで、マグネシウム用水晶振動子に最適な銀の付着量と銀プレコート時間について定義する。
（１）水晶振動子はある程度材料が付着したら正確なレートを表示出来なくなる為、適正なタイミングで次の水晶振動子に交換を行う。
（２）水晶振動子を１００[%]有効に使用した場合の寿命に対し、適正なタイミングとは７〜１２[%]程度の使用で交換のタイミングとなる。
（３）約０.３〜０.４[Å/sec]の蒸着Rate時は約３０〜３５[H]で新しい水晶振動子に交換を行う。
（４）一方、最適な銀プレコート膜厚は１００〜１０００[Å]程度とし、０.２[Å/sec]の蒸発レートの場合、シャッタは０.１４〜１.４[H]の開口時間とする。
（５）よって、１つの水晶振動子の有効時間３０〜３５[H]の間に０.１４〜１.４[H]程度の銀プレコートを行うものとする。
（６）このプレコート可否判断は膜厚制御を行っている検出機構と同様の検出機構を備えている為、そこで判断可能なものとする。
【００６２】
図１０は本発明による蒸着方法を説明するフロー図である。
【００６３】
図１０において、ステップ１００でマグネシウム等のように蒸着材料が水晶振動子に付着しにくい材料であるかを判断する。ＮＯの場合はステップ１０１で通常蒸着が行われる、ＹＥＳの場合はステップ１０２で使用中の水晶振動子が継続して使用可能かを判断する。ＮＯの場合はステップ１０３で新しい水晶振動子に交換し、ＹＥＳの場合はステップ１０４で水晶振動子に接着性材料（銀）をノズルにて付着させる。ステップ１０５で接着性材料の付着量を判断する。ＮＯの場合はステップ１０６でノズルのシャッタを閉じ、ＯＫの場合はステップ１０７で接着性材料上に付着しにくい材料を付着させる。
【００６４】
上記に説明した図１０のフローによれば、水晶振動子に付着しにくいマグネシウムなどのプレコートが格段に早く検出可能な有機ＥＬデバイス製造装置を提供する事が出来、稼働率の高い有機ＥＬデバイス製造方法を提供する事が出来る。
【００６５】
以上、説明では有機ＥＬデバイスを例に説明したが、有機ＥＬデバイスと同じ背景にある蒸着装置処理をする成膜装置にも適用出来る。
【００６６】
本実施例によれば、マグネシウムレート検出用の水晶振動子に付着しやすい銀を先に付着させることでマグネシウムのレート検出が格段に早く検出することが出来る。また、水晶振動子の電極部に使用される材質は金、銀、アルミ合金が一般的であるが、一度大気に曝された水晶振動子は有機物に汚染されてしまう。その有機物がより一層材料の付着の妨げになる。そこで銀を付着させた水晶振動子を大気に曝すことなくそのまま生産工程に使用出来る。
【００６７】
また万が一、水晶振動子が不良品(NG品)としても銀の付着は早い為、そのような場合はすぐに銀プレコートを行い、プレコート待ちによる生産の中断を最小限に抑える事が出来る。
【００６８】
以上のごとく本発明によれば、マグネシウムのプレコートが格段に早く検出可能な有機ＥＬデバイス製造装置または有機ＥＬデバイス製造方法あるいは成膜装置または成膜方法を提供する事ができる。また本発明によれば、生産性の高い有機ＥＬデバイス製造装置または有機ＥＬデバイス製造方法あるいは成膜装置または成膜方法を提供する事が出来る。
【００６９】
さらに本発明によれば、稼働率の高い有機ＥＬデバイス製造装置または有機ＥＬデバイス製造方法あるいは成膜装置または成膜方法を提供する事が出来る。
【００７０】
また本発明によれば、有機ＥＬデバイス製造装置及び有機ＥＬデバイス成膜装置であって、水晶振動子を用いて成膜する手法の中で、レート検出が難しい材料(主にマグネシウム)に対し行うプレコート時間の短縮化を図ることが可能な真空蒸着装置及びその蒸着方法を提供できたものである。
【符号の説明】
【００７１】
１…蒸発源装置、                          ２…筐体、
３…マグネシウム用るつぼ、                ３ａ…ガス放出板、
３ｂ…ガス放出孔、                        ３ｃ…蒸着粒子、
４…銀用るつぼ、                          ４ａ…ガス放出板、
４ｂ…ガス放出孔、                        ４ｃ…蒸着粒子、
５…加熱装置、                            ６…有機ＥＬデバイス用材料、
７…真空チャンバ、                        ８…被蒸着基板、
９…マグネシウム用膜厚制御装置、          １０…導入管、
１１…銀プレコート用導入管、              １２…第１の銀用膜厚制御装置、
１２ａ…第２に銀用膜厚制御装置、          １３…導入管、
１３ａ…導入管、                          １４…水晶振動子、
１５…リテーナ、                          １６…リテーナホルダ、
１７…冷却ジャケット、                    １８…導入管、
１９…リテーナ、                          ２０…リテーナホルダ、
２１…冷却ジャケット、                    ２２…角度制限板、
２３…角度制限板、                        ２４…シャッタ。
【図１】
2014070238.tif 000003
【図２】
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【図３】
2014070238.tif 000005
【図４】
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【図５】
2014070238.tif 000007
【図６】
2014070238.tif 000008
【図７】
2014070238.tif 000009
【図８】
2014070238.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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