(57)【要約】【課題】ドライエッチングガスとして使用される不飽和フルオロカーボンまたは硫化カルボニルを選択的に検知できるガス検知装置を提供する。【解決手段】硫酸シリカゲル層１１ａ、２１ａと多孔性ポリマービーズ層１１ｂ、２１ｂとを有し、不飽和フルオロカーボン及び硫化カルボニルのうち、少なくともいずれかのガスを透過させるフィルタ１１、２１と、フィルタ１１、２１を透過したガスを検知するセンサ部２とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
硫酸シリカゲル層と多孔性ポリマービーズ層とを有し、不飽和フルオロカーボン及び硫化カルボニルのうち、少なくともいずれかのガスを透過させるフィルタと、前記フィルタを透過したガスを検知するセンサ部とを備えるガス検知装置。
【請求項２】
前記多孔性ポリマービーズ層は、分子長軸方向の長さが６Å以上のガス分子、及び双極子モーメントの大きさが１．４ｄｅｂｙｅ以上のガス分子を吸着または捕捉可能に構成してある請求項１に記載のガス検知装置。
【請求項３】
それぞれに前記フィルタが配置され、前記ガスを前記センサ部に導入する少なくとも二つの導入ラインと、前記ガスを前記導入ラインに導入する導入手段と、前記フィルタに前記ガスの導入方向とは逆の方向にクリーニングガスを流すクリーニング手段とを備え、一方の導入ラインに前記導入手段により前記ガスを導入するとき、他方の導入ラインに前記クリーニング手段により前記クリーニングガスを導入するように構成し、前記ガスを導入する導入ラインを切り替える切替手段を設けた請求項１または２に記載のガス検知装置。
【請求項４】
前記ガスを前記導入ラインに導入すると共に前記センサ部を経由することなく前記導入ラインから排出する第２の導入手段を、さらに備え、
一方の導入ラインに前記導入手段により前記ガスを導入するとき、他方の導入ラインに、前記クリーニング手段による前記クリーニングガスまたは前記第２の導入手段による前記ガスを導入するように構成し、
それぞれの導入ラインにおいて、前記クリーニング手段による前記クリーニングガスの導入と、前記第２の導入手段による前記ガスの導入とを切り替える第２の切替手段を設けた請求項３に記載のガス検知装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、不飽和フルオロカーボンまたは硫化カルボニルを検知するガス検知装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
不飽和フルオロカーボンや硫化カルボニル等のドライエッチングガスは、半導体の製造プロセスにおいて、微細加工のための高性能材料として用いられる一方、毒性の課題から不飽和フルオロカーボンについては管理濃度２ｐｐｍの規制、硫化カルボニルについては許容濃度５ｐｐｍの規制が敷かれている。
この種のガスを検知できる警報器としては、熱分解炉でフルオロカーボンを分解し、発生したフッ化水素を検知する定電位電解式センサ（例えば、特許文献１参照）を用いたものや、酸性ガスによる呈色反応を利用したテープ式センサ（例えば、特許文献２参照）を用いたものが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平７−５５７６４号公報
【特許文献２】特開平２００１−３２４４９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、半導体の製造工場では、ドライエッチングガス以外に、洗浄剤、溶剤、熱媒体等としてのノベック、フロリナート、ガルデン等も使用されており、これらは、検知対象外のガスであるにも関わらず、熱分解によってフッ化水素が発生する。このため、半導体の製造工場において定電位電解式センサは、フルオロカーボン系洗浄剤や熱媒体に対して感度を有してしまうという問題があった。また、テープ式センサを用いた場合にも、酸性ガスによる呈色反応を利用していることから、同様の問題が生じていた。
【０００５】
また、不飽和フルオロカーボンや硫化カルボニルを検知するための警報器は、半導体工場内に設置される場合があり、半導体工場内では、アルコール系、ケトン系、エーテル系、カルボン酸系、芳香族系等の様々な溶剤、若しくはそれらを成分として含む材料を使用しているため、それらのガス種が存在する。前処理として熱分解炉を利用する場合、このような環境下では、熱分解炉の負担が大きくなり、不完全燃焼によるガスの炭素化等によって、熱分解炉を劣化させるという問題があった。また、熱分解炉における分解効率を向上させるために触媒を用いる場合があるが、この場合には触媒反応活性点の消失によって分解効率が低下する恐れがあった。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、ドライエッチングガスとして使用される不飽和フルオロカーボンまたは硫化カルボニルを選択的に検知できるガス検知装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、鋭意検討し、硫酸シリカゲル層と多孔性ポリマービーズ層とを有するフィルタを用いることで、不飽和フルオロカーボンまたは硫化カルボニルを選択的に透過させることができることを見出し、本発明に至った。
【０００８】
すなわち、本発明に係るガス検知装置の第１特徴構成は、硫酸シリカゲル層と多孔性ポリマービーズ層とを有し、不飽和フルオロカーボン及び硫化カルボニルのうち、少なくともいずれかのガスを透過させるフィルタと、前記フィルタを透過したガスを検知するセンサ部とを備える点にある。
【０００９】
本構成のように、硫酸シリカゲル層と多孔性ポリマービーズ層とを有するフィルタを用いることにより、ガス中の水、アルコール、揮発性有機溶剤等をフィルタに吸着または捕捉させることができるため、不飽和フルオロカーボンまたは硫化カルボニルを選択的に検知することができる。
【００１０】
本発明に係るガス検知装置の第２特徴構成は、前記多孔性ポリマービーズ層を、分子長軸方向の長さが６Å以上のガス分子、及び双極子モーメントの大きさが１．４ｄｅｂｙｅ以上のガス分子を吸着または捕捉可能に構成した点にある。
【００１１】
本構成によれば、雑ガス成分として含まれるメタノール、エタノール、フロリナート、ガルデン、ノベックや、トルエン、キシレン等の揮発性有機溶剤等を吸着または捕捉させることができると共に、不飽和フルオロカーボンまたは硫化カルボニルを選択的に透過して検知することができる。
すなわち、まず、雑ガス成分として含まれるアルコール系や揮発性有機溶剤のガスは、硫酸シリカゲル層に吸着させることができる共に、多孔性ポリマービーズ層により静電的な力（双極子間相互作用）で吸着させることができる。
一方、フロリナート、ガルデン、ノベック等の分子サイズが大きいガスについては、多孔性ポリマービーズ層のサイズ排除効果及び静電的な力（双極子間相互作用）により、一旦吸着または捕捉し、不飽和フルオロカーボン及び硫化カルボニルに対して、多孔性ポリマービーズ層を透過する時間を大幅に遅延させることができる。
【００１２】
本発明に係るガス検知装置の第３特徴構成は、それぞれに前記フィルタが配置され、前記ガスを前記センサ部に導入する少なくとも二つの導入ラインと、前記ガスを前記導入ラインに導入する導入手段と、前記フィルタに前記ガスの導入方向とは逆の方向にクリーニングガスを流すクリーニング手段とを備え、一方の導入ラインに前記導入手段により前記ガスを導入するとき、他方の導入ラインに前記クリーニング手段により前記クリーニングガスを導入するように構成し、前記ガスを導入する導入ラインを切り替える切替手段を設けた点にある。
【００１３】
本構成によれば、切替手段により、ガスをセンサ部に導入する導入ラインを切り替えることができるため、ガスを導入しない側の導入ラインのフィルタをクリーニングすることができる。したがって、フィルタの性能の低下させることなく、連続してガスを検知することができる。
【００１４】
本発明に係るガス検知装置の第４特徴構成は、前記ガスを前記導入ラインに導入すると共に前記センサ部を経由することなく前記導入ラインから排出する第２の導入手段を、さらに備え、一方の導入ラインに前記導入手段により前記ガスを導入するとき、他方の導入ラインに、前記クリーニング手段による前記クリーニングガスまたは前記第２の導入手段による前記ガスを導入するように構成し、それぞれの導入ラインにおいて、前記クリーニング手段による前記クリーニングガスの導入と、前記第２の導入手段による前記ガスの導入とを切り替える第２の切替手段を設けた点にある。
【００１５】
本構成によれば、第２の切替手段により、１つの導入ラインにおいて、クリーニング手段によるクリーニングガスの導入と、第２の導入手段によるガスの導入とを切り替えることができ、導入手段によってガスを導入ラインに導入する前に、その導入ラインに第２の導入手段によってガスを所定時間導入することで、予め、導入ラインをガスで満たすことができるため、その後に、その導入ラインを介してガスをセンサ部に導入する場合に、ガスがほぼタイムラグなく、センサ部に導入することができ、ほぼ連続してガスを検知することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第一の実施形態に係るガス検知装置の概略図である。
【図２】第一の実施形態に係るガス検知装置の運転方法を示す概略図である。
【図３】第二の実施形態に係るガス検知装置の概略図である。
【図４】第二の実施形態に係るガス検知装置の運転方法を示す概略図である。
【図５】実施例１における不飽和フルオロカーボンの濃度測定結果を示すグラフである。
【図６】実施例１における硫化カルボニルの濃度測定結果を示すグラフである。
【図７】実施例１におけるガルデン（ＨＴ−１３５）の濃度測定結果を示すグラフである。
【図８】実施例１におけるフロリナート（ＦＣ−３２８３）の濃度測定結果を示すグラフである。
【図９】実施例１におけるエタノールの濃度測定結果を示すグラフである。
【図１０】実施例２における不飽和フルオロカーボンの濃度測定結果を示すグラフである。
【図１１】実施例２におけるガルデン（ＨＴ−１３５）の濃度測定結果を示すグラフである。
【図１２】実施例２におけるフロリナート（ＦＣ−３２８３）の濃度測定結果を示すグラフである。
【図１３】実施例２におけるエタノールの濃度測定結果を示すグラフである。
【図１４】比較例で使用したガス検知装置の概略図である。
【図１５】比較例における不飽和フルオロカーボン、ガルデン（ＨＴ−１３５）、フロリナート（ＦＣ−３２８３）、エタノールの濃度測定結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明に係るガス検知装置は、硫酸シリカゲル層と多孔性ポリマービーズ層とを有し、不飽和フルオロカーボン及び硫化カルボニルのうち、少なくともいずれかのガスを透過させるフィルタと、前記フィルタを透過したガスを検知するセンサ部とを備えるものである。このガス検知装置によれば、半導体の製造工場やクリーンルーム等において、不飽和フルオロカーボンまたは硫化カルボニルを検知する場合に、水、アルコール系ガス、フロリナート、ガルデン、ノベックや、トルエン、キシレン等の揮発性有機溶剤等がフィルタに吸着または捕捉されるため、不飽和フルオロカーボンまたは硫化カルボニルを選択的に検知することができる。
【００１８】
〔第一の実施形態〕
以下、本発明に係るガス検知装置の一実施形態について、図面を参照して説明する。但し、本発明はこれに限られるものではない。
【００１９】
本実施形態のガス検知装置１は、図１に示すように、ガスを検知するセンサ部２と、ガスをセンサ部２に導入する二つの導入ライン１０、２０と、ガス吸引口３からダストフィルタ４を介して吸引し、導入ライン１０、２０に導入する導入手段の一例としての吸引ポンプ７と、それぞれの導入ライン１０、２０に配置したフィルタ１１、２１とを備える。吸引ポンプ７の先は、吸引したガスを排出するため、排気口や排気ダクト等に接続してある（図示しない）。それぞれのフィルタ１１、２１のガスの導入方向に対する上流側及び下流側には三方弁１２、２２、１３、２３が設けてあり、それぞれの下流側の三方弁１３、２３には、ガスの吸引と、クリーニングガスの一例としての清浄空気の供給とを兼ねる吸引・供給ライン３０が接続してある。吸引・供給ライン３０には三方弁３１が設けてあり、この三方弁３１の一方には活性炭フィルタ４１と清浄空気を供給する供給ポンプ４２とを備えた供給ライン４０が接続してあり、三方弁３１の他方にはガスを吸引する別の吸引ポンプ５１を備えた吸引ライン５０が接続してある。別の吸引ポンプ５１の先は、吸引ポンプ７の場合と同様に、排気口や排気ダクト等に接続してある（図示しない）。また、導入ライン１０、２０のそれぞれの上流側の三方弁１２、２２には、フィルタ１１、２１を通過した清浄空気を排出する排気ライン６０が接続してあり、排気ライン６０は、排気口や排気ダクト等に接続してある（図示しない）。尚、本実施形態においては、吸引・供給ライン３０、三方弁３１、供給ライン４０、活性炭フィルタ４１、供給ポンプ４２が、本発明におけるクリーニング手段に相当し、吸引・供給ライン３０、三方弁３１、吸引ライン５０、別の吸引ポンプ５１が、本発明における第２の導入手段に相当する。
【００２０】
フィルタ１１、２１は、硫酸シリカゲル層１１ａ、２１ａと多孔性ポリマービーズ層１１ｂ、２１ｂとを有する。硫酸シリカゲル層１１ａ、２１ａと多孔性ポリマービーズ層１１ｂ、２１ｂとの配置位置には、特に制限はないが、本実施形態では、ガスが導入される上流側にそれぞれ硫酸シリカゲル層１１ａ、２１ａを配置し、下流側にそれぞれ多孔性ポリマービーズ層１１ｂ、２１ｂを配置してある。また、フィルタ１１、２１には、例えば、硫酸シリカゲル層１１ａ、２１ａや多孔性ポリマービーズ層１１ｂ、２１ｂに対するガスの吸着力を制御する等のために、フィルタ１１、２１の温度を制御するヒーター等の温度制御部１１ｃ、２１ｃが設けてある。尚、ガス検知装置をクリーンルーム等の温度変動の小さい環境で使用する場合には、温度制御部１１ｃ、２１ｃを省略することもできる。
【００２１】
硫酸シリカゲル層１１ａ、２１ａは、不飽和フルオロカーボン及び硫化カルボニルを吸着させず、透過させるが、アルコール系や揮発性有機溶剤等のガスは吸着させることができる。
【００２２】
多孔性ポリマービーズ層１１ｂ、２１ｂは、不飽和フルオロカーボン及び硫化カルボニルを吸着させず、透過させることができるものを選択する。多孔性ポリマービーズ層１１ｂ、２１ｂとしては、分子長軸方向の長さが６Å以上のガス分子、及び双極子モーメントの大きさが１．４ｄｅｂｙｅ以上のガス分子を吸着または捕捉可能できるものが好ましい。このような多孔性ポリマービーズ層１１ｂ、２１ｂを用いることにより、雑ガス成分として含まれるアルコール系や揮発性有機溶剤のガスを、静電的な力（双極子間相互作用）で吸着させると共に、フロリナート、ガルデン、ノベック等を、多孔性ポリマービーズ層のサイズ排除効果及び静電的な力（双極子間相互作用）により、一旦吸着または捕捉し、不飽和フルオロカーボン及び硫化カルボニルに対して、多孔性ポリマービーズ層１１ｂ、２１ｂを透過する時間を大幅に遅延させることができる。多孔性ポリマービーズ層１１ｂ、２１ｂは、特に限定されないが、ビーズの大きさが５０〜１２０メッシュのものが好ましく、ポリマーが、カルボン酸，エステル，エーテル，アミド，ニトリル，アルデヒド，ケトン，アルコール，アミンのいずれかの官能基を有するものが好ましい。多孔性ポリマービーズ層１１ｂ、２１ｂの一例としては、市販されているポラパックＮ（商品名）シリーズ等を挙げることができる。尚、ポラパックＮ（商品名）は、ジビニルベンゼン、エチルビニルベンゼンとエチレングリコールジメタクリレートの共重合体である。
【００２３】
このように構成されたフィルタ１１、２１は、不飽和フルオロカーボン及び硫化カルボニルを吸着させず、透過させるが、分子長軸方向の長さが６Å以上のガス種、及び双極子モーメントが１．４ｄｅｂｙｅ以上のガス種を吸着または捕捉させることができる。例えば、半導体製造工場等で使用されるフロリナート、ガルデン、ノベック、アルコール系、芳香族系等の揮発性有機溶剤等のガスを吸着または捕捉し、誤検知を防止することができる。
【００２４】
センサ部２は、不飽和フルオロカーボン及び硫化カルボニルのうち、検知対象となるガスが検知できるものであれば、特に制限はなく、電気化学式、半導体式、接触燃焼式、紫外・可視・赤外線式等を使用することができるが、本実施形態においては、センサと熱分解炉とを備えた定電位電解式一酸化炭素センサを使用している。定電位電解式一酸化炭素センサの場合、不飽和フルオロカーボンは熱分解炉で分解され、一酸化炭素が生成するため、生成した一酸化炭素を検知することで、不飽和フルオロカーボンを検知することができる。
【００２５】
上記の通り構成されたガス検知装置１の運転方法の一例は、以下の通りである(図２)。
二つの導入ライン１０，２０のうち、一方の導入ライン１０のみ、ガス吸引口３からセンサ部２までが連通するよう三方弁１２、１３を制御する。このとき他方の導入ライン２０においては、上流側の三方弁２２をフィルタ２１側と排気ライン６０とが連通し、下流側の三方弁２３をフィルタ２１側と吸引・供給ライン３０とが連通するように制御すると共に、吸引・供給ライン３０の三方弁３１を供給ライン４０と連通するように制御する（図２（ａ））。そして、吸引ポンプ７によってガス吸引口３からガスを吸引すると共に、供給ポンプ４２によって活性炭４１を通過した空気を清浄空気として導入ライン２０に供給する。
【００２６】
これにより、ガスはフィルタ１１を経由することで、ガス中の、分子長軸方向の長さが６Å以上の分子、及び双極子モーメントが１.４ｄｅｂｙｅ以上の分子がフィルタに吸着または捕捉されるため、不飽和フルオロカーボンまたは硫化カルボニルを選択的に検知することができる。一方、清浄空気はフィルタ２１を逆流し、排気ライン６０に流れるため、フィルタ２１に吸着または捕捉したガスを除去してフィルタ２１をクリーニングすることができる。
【００２７】
そして、所定時間、例えば２分３０秒経過後、吸引・供給ライン３０の三方弁３１を吸引ライン５０と連通すると共に、他方の導入ライン２０の上流側の三方弁２２をガス吸引口３とフィルタ２１とが連通するように制御し（図２（ｂ））、別の吸引ポンプ５１によって他方の導入ライン２０にもガスが流れるようにする。次に、例えば、３０秒後に、他方の導入ライン２０の下流側の三方弁２３をフィルタ２１とセンサ部７とが連通するように制御し、一方の導入ライン１０の上流側の三方弁１２をフィルタ１１側と排気ライン６０とが連通し、下流側の三方弁１３をフィルタ１１側と吸引・供給ライン３０とが連通するように制御すると共に、吸引・供給ライン３０の三方弁３１を供給ライン４０と連通するように制御する（図２（ｃ））。これにより、ガスが通過するラインが他方の導入ライン２０に切り替わり、一方の導入ライン１０のフィルタ１１は清浄空気によってクリーニングされる。その後、図２（ａ）から（ｂ）への切替と同様に、例えば、２分３０秒経過後に、吸引・供給ライン３０の三方弁３１を吸引ライン５０と連通すると共に、一方の導入ライン１０の上流側の三方弁１２をガス吸引口３とフィルタ１１とが連通するように制御し（図２（ｄ））、別の吸引ポンプ５１によって他方の導入ライン２０にもガスが流れるようにした後、例えば３０秒経過後に、図２（ａ）に戻す。ガスをセンサ部２に導入するラインを切り替える前に、別の吸引ポンプ５１によって、ガスをプレ吸引することにより、センサ部に導入する前の導入ラインにガスが満たされるため、その後にガスをセンサ部２に導入するラインを切り替えたときに、ガスをほぼ切れ間なくセンサ部２に導入することができ、ほぼ連続してガスを検知することができる。
【００２８】
上記のように、三方弁を制御して、図２（ａ）から（ｄ）を繰り返し、一定時間毎（例えば３分間毎）に、ガスをセンサ部２に導入するラインを切り替えることにより、フィルタ１１、２１をクリーニングしながら、継続してガスを検知することができる。
尚、本実施形態においては、三方弁１２、２２、１３、２３が、本発明における切替手段に相当し、三方弁３１が、本発明における第２の切替手段に相当する。
【００２９】
〔第二の実施形態〕
次に本発明に係る第二の実施形態について説明する。本実施形態に係るガス検知装置１００では、図３に示すように、第一の実施形態における吸引・供給ライン３０の三方弁３１、吸引ライン５０、別の吸引ポンプ５１を設けず、吸引・供給ライン３０は、供給ライン４０としてある。このため、本実施形態においては、供給ライン４０、活性炭フィルタ４１、供給ポンプ４２が、本発明におけるクリーニング手段に相当する。その他の構成は、第一の実施形態と同様である。
【００３０】
本実施形態においては、図４に示すように、二つの導入ライン１０、２０のうち、一方の導入ライン１０において、吸引ポンプ７によってガス吸引口３からガスを吸引してフィルタ１１を経由させてセンサ部２に導入すると共に、他方の導入ライン２０において、供給ポンプ４２によって清浄空気を導入ライン２０に供給し、フィルタ２１を逆流させることによってクリーニングし（図４（ａ））、所定時間（例えば３分間）経過後は、三方弁を切り替え、他方の導入ライン２０をガス吸引口３からセンサ部２まで連通させ、一方の導入ライン１０を供給ライン４０と連通させる（図４（ｂ））。以後、所定時間毎に、ガスを導入するラインを切り替える。これにより、このガス検知装置１００においても、フィルタ１１、２１をクリーニングしながら、継続してガスを検知することができる。
【００３１】
〔その他の実施形態〕
上記の第一、第二実施形態においては、ガスをセンサ部２導入する導入ライン１０、２０を所定時間毎に切り替え、導入しない導入ラインに清浄空気を逆流させることで、フィルタ１１、２１をクリーニングしながら継続してガスを検知する例を示したが、これに限定されない。例えば、１つの導入ラインのみを設け、その導入ラインにフィルタを設けることもできる。
【実施例】
【００３２】
以下に、本発明に係るガス検知装置を用いた実施例を示し、本発明をより詳細に説明する。但し、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
第一の実施形態で示したガス検知装置１において、６０ｗｔ％の硫酸シリカゲル１．５ｇの硫酸シリカゲル層１１ａ、２１ａと、多孔性ポリマービーズ層１１ｂ、２１ｂとして０．２ｇのポラパックＮ（商品名）とを用い、センサ部２として定電位電解式一酸化炭素センサを用い、３．２ｐｐｍの不飽和フルオロカーボン（Ｃ4Ｆ6）、１０ｐｐｍのガルデン（ＨＴ−１３５）、１０ｐｐｍのフロリナート（ＦＣ−３２８３）、及び１００ｐｐｍエタノールのそれぞれのガスを１時間吸引し、それぞれの濃度を測定した。尚、ガスの吸引は３分間毎に導入ラインを切り替えて行い、ガスを吸引しない側の導入ラインは、切り替え後、２分３０秒間は清浄空気によってフィルタのクリーニングを行い、その後の３０秒間はガスを吸引して導入ライン内をガスで置換した。
また、６ｐｐｍの硫化カルボニルについても、同様に、１６分間ガスを吸引し、その濃度を測定した。
その結果、図５、６に示すように、不飽和フルオロカーボン、及び硫化カルボニルはフィルタを透過しているのに対し、その他のガスでは、図７〜９に示すように、フィルタに吸着または捕捉され、ほとんど検知されていないことが分かった。
【００３３】
（実施例２）
第二の実施形態で示したガス検知装置において、実施例１と同様に、６０ｗｔ％の硫酸シリカゲル１．５ｇの硫酸シリカゲル層１１ａ、２１ａと、多孔性ポリマービーズ層１１ｂ、２１ｂとしてポラパックＮ（商品名）とを用い、センサ部として定電位電解式一酸化炭素センサを用い、３．２ｐｐｍの不飽和フルオロカーボン（Ｃ4Ｆ6）を１時間吸引し、１０ｐｐｍのガルデン（ＨＴ−１３５）、１０ｐｐｍのフロリナート（ＦＣ−３２８３）、及び１００ｐｐｍエタノールのそれぞれのガスを３時間吸引し、それぞれの濃度を測定した。
その結果、図１０〜１３に示すように、実施例１と同様に、不飽和フルオロカーボンはフィルタを透過しているのに対し、その他のガスではフィルタに吸着または捕捉され、ほとんど検知されないことが分かった。
【００３４】
（比較例）
図１４に示すように、フィルタを設けずに、ガスを吸引して、直接、定電位電解式一酸化炭素センサに導入するガス検知装置において、３．２ｐｐｍの不飽和フルオロカーボン（Ｃ4Ｆ6）、２ｐｐｍのガルデン（ＨＴ−１３５）、２ｐｐｍのフロリナート（ＦＣ−３２８３）、及び２ｐｐｍのエタノールを３時間吸引し、それぞれの濃度を測定した。
その結果、図１５に示すように、ガルデン、フロリナート、及びエタノールの存在が、不飽和フルオロカーボンの検知に影響を及ぼすことがわかった。
【００３５】
上記の実施例２及び比較例において、不飽和フルオロカーボン（Ｃ4Ｆ6）の濃度を１ｐｐｍとしたときのガルデン（ＨＴ−１３５）、フロリナート（ＦＣ−３２８３）、及びエタノールの干渉比の平均値を求めた。その結果、表１に示すように、フィルタを用いることによって、ガルデン（ＨＴ−１３５）、フロリナート（ＦＣ−３２８３）、及びエタノールの干渉を抑えられることがわかった。
【００３６】
【表１】
2014199230.tif 000003
【００３７】
以上の通り、本発明に係るガス検知装置では、不飽和フルオロカーボン及び硫化カルボニルを選択的に検知できることが確認できた。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明に係るガス検知装置は、不飽和フルオロカーボン及び硫化カルボニルを選択的に検知することができるため、半導体の製造工場、クリーンルーム等に設置する警報器等に適用することができる。
【符号の説明】
【００３９】
１              ガス検知装置
２              センサ部
１０、２０      導入ライン
１１、２１      フィルタ
１１ａ、２１ａ  硫酸シリカゲル層
１１ｂ、２１ｂ  多孔性ポリマービーズ層
３０            吸引・供給ライン
３１            三方弁
４０            供給ライン
４１            活性炭フィルタ
４２            供給ポンプ
【図１】
2014199230.tif 000004
【図２】
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【図３】
2014199230.tif 000006
【図４】
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【図５】
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【図６】
2014199230.tif 000009
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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