(57)【要約】【課題】生産性および信頼性が向上された無電解めっき方法、多層基材の製造方法、多層基材および入力装置を提供する。【解決手段】めっき材料である金属および還元剤を含む無電解めっき液３０がめっき槽２に収容される。めっき槽２内の無電解めっき液３０に接するように参照電極５および対極６が配置される。被めっき対象の導電性部分が触媒を介さずにめっき槽２内の無電解めっき液３０に接触される。この状態で、参照電極５の電位を基準とする被めっき対象の導電性部分の電位が、被めっき対象の導電性部分にめっき材料が析出する電位以下に保持される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性部分を有する被めっき対象に無電解めっきを行うための無電解めっき方法であって、
めっき材料である金属および還元剤を含む無電解めっき液をめっき槽に収容する工程と、
前記めっき槽内の前記無電解めっき液に接するように参照電極および対極を配置する工程と、
前記被めっき対象の前記導電性部分を触媒を介さずに前記めっき槽内の前記無電解めっき液に接触させる工程と、
前記参照電極の電位を基準とする前記被めっき対象の前記導電性部分の電位を、前記被めっき対象の前記導電性部分に前記めっき材料が析出する電位以下に保持する工程とを含む、無電解めっき方法。
【請求項２】
前記めっき材料は、ニッケルまたはニッケル合金を含み、
前記被めっき対象は、銅または銅合金を含み、
前記電位を保持する工程は、前記参照電極の電位を基準とする前記被めっき対象の前記導電性部分の電位を−０．７Ｖ以下に保持することを含む、請求項１記載の無電解めっき方法。
【請求項３】
絶縁層と導電性部分を有する被めっき対象とが積層された基材を準備する工程と、
請求項１または２記載の無電解めっき方法により前記被めっき対象の前記導電性部分に触媒を介さずにめっき材料を析出させる工程とを含む、多層基材の製造方法。
【請求項４】
前記被めっき対象は導体層を含み、
前記導電性部分に触媒を介さずにめっき材料を析出させる工程は、前記導体層の前記導電性部分に０．０１μｍ以上５０μｍ以下の厚みを有するめっき材料を析出させることを含む、請求項３記載の多層基材の製造方法。
【請求項５】
前記被めっき対象は所定のパターンを有する複数の導体パターンを含み、
前記複数の導体パターンの間隔は３μｍ以上５０μｍ以下であり、
前記導電性部分に触媒を介さずにめっき材料を析出させる工程は、前記複数の導体パターンの前記導電性部分に０．０１μｍ以上２０μｍ以下の厚みを有するめっき材料を析出させることを含む、請求項３記載の多層基材の製造方法。
【請求項６】
前記被めっき対象の前記導電性部分に析出する前記めっき材料が１％以上１５％以下のリンを含むように前記無電解めっき方法における前記無電解めっき液の前記還元剤が次亜リン酸を含む、請求項３〜５のいずれか一項に記載の多層基材の製造方法。
【請求項７】
前記被めっき対象の前記導電性部分に析出する前記めっき材料が０．３％以上３％以下のホウ素を含むように前記無電解めっき方法における前記無電解めっき液の前記還元剤がジメチルアミンボランを含む、請求項３〜５のいずれか一項に記載の多層基材の製造方法。
【請求項８】
請求項３〜７のいずれか一項に記載の製造方法により製造される多層基材。
【請求項９】
使用者により接触された位置を検出する検出回路に接続される入力装置であって、
請求項３〜７のいずれか一項に記載の製造方法により製造される多層基材と、
前記多層基材の前記被めっき対象を前記検出回路に電気的に接続する配線回路基板とを備え、
前記多層基材の絶縁層は透明である、入力装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無電解めっき方法、多層基材の製造方法、多層基材および入力装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、無電解めっきでは、被めっき物の表面に触媒を付着させた後、その被めっき物を無電解めっき液に浸漬させ、電流を流すことなく還元反応により被めっき物の表面に金属を析出させる。無電解めっきによれば、絶縁物の表面にも金属被膜を形成することが可能である。そのため、無電解めっきは、産業界で広く利用されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１の無電解めっき方法においては、長尺状基材の表面にパラジウム触媒が付着された後、長尺状基材に水洗処理が行われる。長尺状基材は、金属基板上に絶縁層を介して導体層が形成された構成を有する。この長尺状基材がニッケルイオンを含む無電解めっき液中に浸漬される。これにより、長尺状基材の導体層の表面に無電解めっきによりニッケル薄膜が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−２１９２７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の無電解めっき方法においては、長尺状基材の表面のパラジウム触媒が水洗処理により水酸化物として洗浄水に沈殿する。長尺状基材に付着した洗浄水が次の工程において無電解めっき液に混入した場合、洗浄水中のパラジウム触媒がめっき槽の底面または側面に付着することにより、めっき槽の底面または側面にニッケルの析出が発生する。めっき槽にニッケルが付着した状態で無電解めっきを行うと、長尺状基材の導体層上に所望の形状を有するニッケル薄膜を精度よく形成することが困難になり、長尺状基材の信頼性が低下する。
【０００６】
そのため、めっき槽に付着したニッケルを除去するための保守作業を定期的に行う必要がある。しかしながら、保守作業を頻繁に行うと、長尺状基材の生産性が低下する。
【０００７】
本発明の目的は、生産性および信頼性が向上された無電解めっき方法、多層基材の製造方法、多層基材および入力装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）第１の発明に係る無電解めっき方法は、導電性部分を有する被めっき対象に無電解めっきを行うための無電解めっき方法であって、めっき材料である金属および還元剤を含む無電解めっき液をめっき槽に収容する工程と、めっき槽内の無電解めっき液に接するように参照電極および対極を配置する工程と、被めっき対象の導電性部分を触媒を介さずにめっき槽内の無電解めっき液に接触させる工程と、参照電極の電位を基準とする被めっき対象の導電性部分の電位を、被めっき対象の導電性部分にめっき材料が析出する電位以下に保持する工程とを含むものである。
【０００９】
この無電解めっき方法においては、めっき材料である金属および還元剤を含む無電解めっき液がめっき槽に収容される。めっき槽内の無電解めっき液に接するように参照電極および対極が配置される。被めっき対象の導電性部分が触媒を介さずにめっき槽内の無電解めっき液に接触される。
【００１０】
この状態で、参照電極の電位を基準とする被めっき対象の導電性部分の電位が、被めっき対象の導電性部分にめっき材料が析出する電位以下に保持される。これにより、被めっき対象の導電性部分に触媒を付着させることなく、被めっき対象の導電性部分にめっき材料を析出させることができる。
【００１１】
この方法によれば、被めっき対象の導電性部分に触媒を付着させる必要がないので、触媒が水酸化物としてめっき槽に付着しない。そのため、めっき槽にめっき材料の析出が発生することがない。したがって、めっき槽に付着するめっき材料を除去するための保守作業を定期的に行う必要がない。これにより、無電解めっき方法の生産性を向上させることができる。
【００１２】
また、めっき槽にめっき材料が付着しないので、めっき槽の電位が変化することが防止される。したがって、めっき材料の析出速度が不安定に変化しない。これにより、めっき材料の品質が低下することが防止され、被めっき対象の導電性部分上に所望の形状を有するめっき材料を精度よく析出させることができる。その結果、無電解めっき方法の信頼性を向上させることができる。
【００１３】
（２）めっき材料は、ニッケルまたはニッケル合金を含み、被めっき対象は、銅または銅合金を含み、電位を保持する工程は、参照電極の電位を基準とする被めっき対象の導電性部分の電位を−０．７Ｖ以下に保持することを含んでもよい。この場合、触媒を用いることなく、被めっき対象上にめっき材料を容易に析出させることができる。
【００１４】
（３）第２の発明に係る多層基材の製造方法は、絶縁層と導電性部分を有する被めっき対象とが積層された基材を準備する工程と、第１の発明に係る無電解めっき方法により被めっき対象の導電性部分に触媒を介さずにめっき材料を析出させる工程とを含むものである。
【００１５】
この多層基材の製造方法においては、絶縁層と導電性部分を有する被めっき対象とが積層された基材が準備される。上記の無電解めっき方法により、被めっき対象の導電性部分に触媒を介さずにめっき材料が析出される。
【００１６】
この方法によれば、被めっき対象の導電性部分に触媒を付着させる必要がないので、触媒が水酸化物としてめっき槽に付着しない。そのため、めっき槽にめっき材料の析出が発生することがない。したがって、めっき槽に付着するめっき材料を除去するための保守作業を定期的に行う必要がない。これにより、多層基材の生産性を向上させることができる。
【００１７】
また、めっき槽にめっき材料が付着しないので、めっき槽の電位が変化することが防止される。したがって、めっき材料の析出速度が不安定に変化しない。これにより、めっき材料の品質が低下することが防止され、被めっき対象の導電性部分上に所望の形状を有するめっき材料を精度よく析出させることができる。その結果、多層基材の信頼性を向上させることができる。
【００１８】
（４）被めっき対象は導体層を含み、導電性部分に触媒を介さずにめっき材料を析出させる工程は、導体層の導電性部分に０．０１μｍ以上５０μｍ以下の厚みを有するめっき材料を析出させることを含んでもよい。この場合、導体層の防錆性を十分に向上させることができる。
【００１９】
（５）被めっき対象は所定のパターンを有する複数の導体パターンを含み、複数の導体パターンの間隔は３μｍ以上５０μｍ以下であり、導電性部分に触媒を介さずにめっき材料を析出させる工程は、複数の導体パターンの導電性部分に０．０１μｍ以上２０μｍ以下の厚みを有するめっき材料を析出させることを含んでもよい。
【００２０】
この場合、複数の導体パターンの防錆性を十分に向上させることができる。また、多層基材を微細化しつつ複数の導体パターン間の絶縁抵抗の低下および複数の導体パターン間の短絡を防止することができる。
【００２１】
（６）被めっき対象の導電性部分に析出するめっき材料が１％以上１５％以下のリンを含むように無電解めっき方法における無電解めっき液の還元剤が次亜リン酸を含んでもよい。
【００２２】
この場合、導体層の導電性部分にめっき材料を容易に析出させることできる。また、導体層の導電性部分に析出されるめっき材料の厚みを容易に均一にすることができる。
【００２３】
（７）被めっき対象の導電性部分に析出するめっき材料が０．３％以上３％以下のホウ素を含むように無電解めっき方法における無電解めっき液の還元剤がジメチルアミンボランを含んでもよい。
【００２４】
この場合、導体層の導電性部分にめっき材料を容易に析出させることできる。また、導体層の導電性部分に析出されるめっき材料の厚みを容易に均一にすることができる。
【００２５】
（８）第３の発明に係る多層基材は、第２の発明に係る製造方法により製造されるものである。
【００２６】
この多層基材は、上記の製造方法により製造される。この場合、被めっき対象の導電性部分に触媒を付着させる必要がないので、触媒が水酸化物としてめっき槽に付着しない。そのため、めっき槽にめっき材料の析出が発生することがない。したがって、めっき槽に付着するめっき材料を除去するための保守作業を定期的に行う必要がない。これにより、多層基材の生産性を向上させることができる。
【００２７】
また、めっき槽にめっき材料が付着しないので、めっき槽の電位が変化することが防止される。したがって、めっき材料の析出速度が不安定に変化しない。これにより、めっき材料の品質が低下することが防止され、被めっき対象の導電性部分上に所望の形状を有するめっき材料を精度よく析出させることができる。その結果、多層基材の信頼性を向上させることができる。
【００２８】
（９）第４の発明に係る入力装置は、使用者により接触された位置を検出する検出回路に接続される入力装置であって、第２の発明に係る製造方法により製造される多層基材と、多層基材の被めっき対象を検出回路に電気的に接続する配線回路基板とを備え、多層基材の絶縁層は透明であるものである。
【００２９】
この入力装置においては、多層基材の絶縁層は透明である。多層基材の被めっき対象は、配線回路基板により検出回路に電気的に接続される。使用者が入力装置を接触した場合、使用者により接触された位置が検出回路により検出される。
【００３０】
この多層基材は、上記の製造方法により製造される。この場合、被めっき対象の導電性部分に触媒を付着させる必要がないので、触媒が水酸化物としてめっき槽に付着しない。そのため、めっき槽にめっき材料の析出が発生することがない。したがって、めっき槽に付着するめっき材料を除去するための保守作業を定期的に行う必要がない。これにより、入力装置の生産性を向上させることができる。
【００３１】
また、めっき槽にめっき材料が付着しないので、めっき槽の電位が変化することが防止される。したがって、めっき材料の析出速度が不安定に変化しない。これにより、めっき材料の品質が低下することが防止され、被めっき対象の導電性部分上に所望の形状を有するめっき材料を精度よく析出させることができる。その結果、入力装置の信頼性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、無電解めっき方法、多層基材の製造方法、多層基材および入力装置の信頼性および生産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の一実施の形態に係る無電解めっき方法に用いる無電解めっきシステムの概略図である。
【図２】図１の無電解めっき装置の構成を示す模式図である。
【図３】被めっき対象の第１の例を示す模式的断面図である。
【図４】被めっき対象の第１の例を示す模式的断面図である。
【図５】被めっき対象の第２の例を示す模式的断面図である。
【図６】被めっき対象の第３の例を示す模式的断面図である。
【図７】被めっき対象の第４の例を示す模式的断面図である。
【図８】被めっき対象の第５の例を示す模式的断面図である。
【図９】被めっき対象の第６の例を示す模式的断面図である。
【図１０】透明導電性基材の平面図である。
【図１１】透明導電性基材を用いたタッチパネルの模式図である。
【図１２】比較例１における無電解めっきシステムの概略図である。
【図１３】比較例２における無電解めっきシステムの概略図である。
【図１４】実施例２〜７に係る透明導電性基材の平面図である。
【図１５】比較例３に係る透明導電性基材の平面図である。
【図１６】比較例４に係る透明導電性基材の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、本発明の実施の形態に係る無電解めっき方法、多層基材および入力装置について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００３５】
（１）無電解めっきシステムの構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る無電解めっき方法に用いる無電解めっきシステムの概略図である。図１に示すように、無電解めっきシステム１００は、無電解めっき装置１、搬送制御装置７、送出ロール３１および巻取ロール３２を含む。また、無電解めっきシステム１００は、酸洗処理槽５１、水洗処理槽５２，５３，５６，５７、エアーナイフ処理槽５８および乾燥処理槽５９を含む。
【００３６】
無電解めっき装置１は、被めっき対象として長尺状基材１０に無電解めっきを行うために用いられる。送出ロール３１、酸洗処理槽５１および水洗処理槽５２，５３は、無電解めっき装置１の上流側に順に設けられる。水洗処理槽５６，５７、エアーナイフ処理槽５８、乾燥処理槽５９および巻取ロール３２は、無電解めっき装置１の下流側に順に設けられる。
【００３７】
送出ロール３１および巻取ロール３２が回転することにより、長尺状基材１０が矢印の方向に搬送される。送出ロール３１から送り出された長尺状基材１０は、酸洗処理槽５１、水洗処理槽５２，５３および無電解めっき装置１を通過する。その後、長尺状基材１０は、水洗処理槽５７、エアーナイフ処理槽５８および乾燥処理槽５９を通過して巻取ロール３２により巻き取られる。送出ロール３１および巻取ロール３２の回転速度は、搬送制御装置７により制御される。それにより、長尺状基材１０の搬送速度が制御される。
【００３８】
長尺状基材１０には、酸洗処理槽５１において酸洗処理が行われ、水洗処理槽５２，５３において水洗処理が行われる。無電解めっき装置１において、後述する方法により長尺状基材１０の表面に無電解めっきによりニッケル（Ｎｉ）からなる金属薄膜（Ｎｉ薄膜）が形成される。その後、水洗処理槽５６，５７において、長尺状基材１０に水洗処理が行われた後、エアーナイフ処理槽５８において、長尺状基材１０の表面に付着する水分が吹き飛ばされ、乾燥処理槽５９において長尺状基材１０が乾燥される。
【００３９】
図２は、図１の無電解めっき装置１の構成を示す模式図である。図２に示すように、無電解めっき装置１は、めっき槽２、ポテンショスタット３、一対の導通部材４、参照電極５および対極６を備える。めっき槽２は、無電解めっき液３０を収容する。本実施の形態では、無電解めっき液３０は、ニッケルのイオンを含む。また、無電解めっき液３０は、次亜リン酸またはジメチルアミンボラン等の還元剤をさらに含むことが好ましい。
【００４０】
めっき槽２の対向する一対の側壁にはそれぞれ開口が設けられる。一方の開口を閉塞するように、水平方向に延びる一対の搬送ローラ３３，３４が回転可能に設けられる。また、他方の開口を閉塞するように水平方向に延びる一対の搬送ローラ３５，３６が回転可能に設けられる。図１の水洗処理槽５３を通過した長尺状基材１０は、一対の搬送ローラ３３，３４間、めっき槽２内および一対の搬送ローラ３５，３６間を通って図１の水洗処理槽５６に送り出される。
【００４１】
長尺状基材１０は、例えば、回路付きサスペンション基板（以下、サスペンション基板と呼ぶ）の製造工程における半製品である。半製品は、例えばステンレスからなる長尺状の金属基板、例えばポリイミドからなる絶縁層および所定のパターンを有する例えば銅からなる導体層を順に備える。導体層は、例えば配線、パッド電極または接地導体である。導体層は、絶縁層の一面の全体に形成されていてもよい。
【００４２】
一方の導通部材４は、めっき槽２の上流側で長尺状基材１０の導体層に電気的に接触するように設けられ、他方の導通部材４は、めっき槽２の下流側で長尺状基材１０の導体層に電気的に接触するように設けられる。この場合、長尺状基材１０の導体層が作用電極となる。
【００４３】
参照電極５および対極６は、めっき槽２内の無電解めっき液３０中に浸漬される。参照電極５は、例えば飽和カロメル電極である。対極６は、例えば白金（Ｐｔ）からなる不溶性電極である。対極６はアノード（陽極）となり、長尺状基材１０の導体層がカソード（陰極）となる。
【００４４】
導通部材４、参照電極５および対極６は、ポテンショスタット３に接続される。ポテンショスタット３は、参照電極５の電位を基準とする長尺状基材１０の導体層（作用電極）の電位が金属の析出電位以下になるように、長尺状基材１０の導体層と対極６との間に流れる電流を制御する。以下、参照電極５の電位を基準とする長尺状基材１０の導体層の電位を相対電位と呼ぶ。析出する金属がニッケルである場合、相対電位は、−０．７Ｖ以下の一定値に保持されることが好ましい。
【００４５】
なお、金属の析出電位は以下の手法により確認することができる。相対電位をポテンショスタット３により所定範囲で変化させる。この状態で、金属が析出されたときの相対電位が、その金属の析出電位である。
【００４６】
ここで、奥野製薬工業株式会社製化学ニッケルを含む無電解めっき液３０に長尺状基材１０を浸漬させた。長尺状基材１０は、ポリイミドおよび銅からなる２層基材（新日鉄住金化学株式会社製ＥＳＰＡＮＥＸ（登録商標））である。この状態で、相対電位をポテンショスタット３により０Ｖから−１．２Ｖまで変化させたところ、触媒として２層基材の銅上にパラジウム（Ｐｄ）が付着していない場合でも、相対電位が−０．７Ｖのときに銅上にニッケルが析出した。したがって、ニッケルの相対電位は−０．７Ｖであることが確認された。
【００４７】
（２）無電解めっき方法
（ａ）被めっき対象の第１の例
図３および図４は、被めっき対象の第１の例を示す模式的断面図である。図３（ａ）は無電解めっき前の被めっき対象を示し、図３（ｂ）は無電解めっき後の被めっき対象を示す。無電解めっき後の被めっき対象には、さらに図３（ｃ）〜図４（ｃ）の処理が行われる。
【００４８】
図３（ａ）の被めっき対象は長尺状基材１０である。図３および図４の製造工程により図４（ｃ）の透明導電性基材１０Ａが作製される。
【００４９】
図３（ａ）に示すように、長尺状基材１０は、例えばポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）からなる透明の絶縁層１２を備える。絶縁層１２は、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリスチレン樹脂、セルロース樹脂またはシクロオレフィンポリマー樹脂（ＣＯＰ）等の透明な光学等方性材料により形成されてもよい。
【００５０】
絶縁層１２上に、樹脂からなる光学調整層１８、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）からなる透明の導体層１６、および銅からなる導体層１３が形成される。光学調整層１８は、例えば反射防止のために設けられる。光学調整層１８は例えば塗工により形成され、導体層１６，１３は例えばスパッタリングにより形成される。透明導電性基材１０Ａの製造工程では、図３（ｂ）に示すように、導体層１３の表面に無電解めっきにより例えばニッケルからなる金属薄膜１５が形成される。金属薄膜１５の厚みは、例えば０．０１μｍ以上５μｍ以下である。この場合、導体層１３の防錆性を十分に向上させることができる。本例においては、金属薄膜１５の厚みは３０ｎｍである。
【００５１】
長尺状基材１０の無電解めっき時には、長尺状基材１０の導体層１３に電気的に接触するように導通部材４を配置する。また、図２のめっき槽２内に無電解めっき液３０を収容する。この状態で、長尺状基材１０がめっき槽２内の無電解めっき液３０中を一定速度で搬送されるように搬送制御装置７が送出ロール３１および巻取ロール３２を回転させる。
【００５２】
長尺状基材１０の搬送中に、相対電位が金属（本例ではニッケル）の析出電位以下となるように、ポテンショスタット３が長尺状基材１０の導体層１３と対極６との間に流れる電流を制御する。これにより、長尺状基材１０の導体層１３の表面にニッケルからなる金属薄膜１５がそれぞれ形成される。
【００５３】
ここで、無電解めっき液３０が還元剤として次亜リン酸を含む場合には、導体層１３の表面に形成される金属薄膜１５は１％以上１５％以下のリンを含むことが好ましい。あるいは、無電解めっき液３０が還元剤としてジメチルアミンボランを含む場合には、導体層１３の表面に形成される金属薄膜１５は０．３％以上３％以下のホウ素を含むことが好ましい。これらの場合、導体層１３の表面に金属薄膜１５を容易に形成することできる。また、導体層１３の表面に形成される金属薄膜１５の厚みを容易に均一にすることができる。
【００５４】
その後、図３（ｃ）に示すように、金属薄膜１５上に所定の形状を有するエッチングレジストパターン１９ａを形成する。エッチングレジストパターン１９ａは、例えば金属薄膜１５上にエッチング用のレジスト膜を形成した後、レジスト膜を所定の形状に露光および現像することにより形成される。
【００５５】
次に、エッチングレジストパターン１９ａから露出する金属薄膜１５および導体層１３，１６の部分をエッチングにより除去する。これにより、図４（ａ）に示すように、金属パターン１５ａおよび導体パターン１３ａ，１６ａが形成される。その後、エッチングレジストパターン１９ａを除去する。
【００５６】
続いて、図４（ｂ）に示すように、光学調整層１８上の端部の金属パターン１５ａおよび導体パターン１３ａ，１６ａを覆うように光学調整層１８上にエッチングレジストパターン１９ｂを形成する。エッチングレジストパターン１９ｂは、例えば光学調整層１８上にエッチング用のレジスト膜を形成した後、光学調整層１８上の両側のエッチングレジストパターン１９ｂが残存するようにレジスト膜を露光および現像することにより形成される。この場合、光学調整層１８上の中央部の金属パターン１５ａおよび導体パターン１３ａ，１６ａは、エッチングレジストパターン１９ｂに覆われずに露出する。
【００５７】
その後、エッチングレジストパターン１９ｂから露出する金属パターン１５ａおよび導体パターン１３ａをハーフエッチングにより除去する。この場合、光学調整層１８上の中央部の金属パターン１５ａおよび導体パターン１３ａが除去され、光学調整層１８上の両側の金属パターン１５ａおよび導体パターン１３ａは除去されない。最後に、エッチングレジストパターン１９ｂを除去することにより、図４（ｃ）に示すように、透明導電性基材１０Ａが完成する。
【００５８】
以下、光学調整層１８上の中央部の導体パターン１６ａにより形成されるパターンを接触検出パターン２１と呼ぶ。また、光学調整層１８上の両側の導体パターン１６ａ，１３ａおよび金属パターン１５ａにより形成されるパターンを配線パターン２２と呼ぶ。透明導電性基材１０Ａの詳細については後述する。
【００５９】
（ｂ）被めっき対象の第２の例
図５は、被めっき対象の第２の例を示す模式的断面図である。図５（ａ）は無電解めっき前の被めっき対象を示し、図５（ｂ）は無電解めっき後の被めっき対象を示す。被めっき対象の第２の例における無電解めっき方法は、以下の点を除いて被めっき対象の第１の例における無電解めっき方法と同様である。
【００６０】
図５（ａ）に示すように、長尺状基材１０は、例えばポリイミドからなる絶縁層１２を備える。絶縁層１２上に銅からなる導体層１３が形成される。絶縁層１２の厚みは例えば２５μｍであり、導体層１３の厚みは例えば１０μｍである。図５（ｂ）に示すように、導体層１３の表面に無電解めっきにより例えばニッケルからなる金属薄膜１５が形成される。金属薄膜１５の厚みは、例えば０．０１μｍ以上５０μｍであり、１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上２０μｍ以下であることがより好ましい。この場合、導体層１３の防錆性を十分に向上させることができる。また、マイグレーションを十分に防止することができる。本例においては、金属薄膜１５は３μｍである。
【００６１】
長尺状基材１０の無電解めっき時には、長尺状基材１０の導体層１３に電気的に接触するように導通部材４を配置する。この状態で、長尺状基材１０がめっき槽２内の無電解めっき液３０中を一定速度で搬送されるように搬送制御装置７が送出ロール３１および巻取ロール３２を回転させる。これにより、長尺状基材１０の導体層１３の表面にニッケルからなる金属薄膜１５が形成される。このようにして多層基材１０Ｂが完成する。
【００６２】
（ｃ）被めっき対象の第３の例
図６は、被めっき対象の第３の例を示す模式的断面図である。図６（ａ）は無電解めっき前の被めっき対象を示し、図６（ｂ）は無電解めっき後の被めっき対象を示す。被めっき対象の第３の例における無電解めっき方法は、以下の点を除いて被めっき対象の第１の例における無電解めっき方法と同様である。
【００６３】
図６（ａ）に示すように、長尺状基材１０は、例えばポリイミドからなる絶縁層１２を備える。絶縁層１２の一面および他面上に銅からなる導体層１３，１６がそれぞれ形成される。導体層１６の厚みは、例えば１０μｍである。図６（ｂ）に示すように、導体層１３，１６の表面に無電解めっきにより例えばニッケルからなる金属薄膜１５，１７がそれぞれ形成される。金属薄膜１５，１７の厚みは、例えばそれぞれ０．０１μｍ以上５０μｍであり、１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上２０μｍ以下であることがより好ましい。この場合、導体層１３，１６の防錆性を十分に向上させることができる。また、マイグレーションを十分に防止することができる。本例においては、金属薄膜１５，１７の厚みは３μｍである。
【００６４】
長尺状基材１０の無電解めっき時には、長尺状基材１０の導体層１３，１６に電気的に接触するように導通部材４を配置する。この状態で、長尺状基材１０がめっき槽２内の無電解めっき液３０中を一定速度で搬送されるように搬送制御装置７が送出ロール３１および巻取ロール３２を回転させる。これにより、長尺状基材１０の導体層１３，１６の表面にニッケルからなる金属薄膜１５，１７がそれぞれ形成される。このようにして、多層基材１０Ｃが完成する。
【００６５】
（ｄ）被めっき対象の第４の例
図７は、被めっき対象の第４の例を示す模式的断面図である。図７（ａ）は無電解めっき前の被めっき対象を示し、図７（ｂ）は無電解めっき後の被めっき対象を示す。被めっき対象の第４の例における無電解めっき方法は、以下の点を除いて被めっき対象の第１の例における無電解めっき方法と同様である。
【００６６】
図７には、長尺状基材１０の一部が示される。図７（ａ）に示すように、長尺状基材１０は、例えばポリイミドからなる絶縁層１２を備える。絶縁層１２上に銅からなる複数の導体パターン１３ａが形成される。各導体パターン１３ａの厚みは、例えば１０μｍである。図７（ｂ）に示すように、各導体パターン１３ａの表面に無電解めっきにより例えばニッケルからなる金属薄膜１５が形成される。
【００６７】
複数の導体パターン１３ａの間隔は３μｍ以上５０μｍ以下である。金属薄膜１５の厚みは例えば０．０１μｍ以上２０μｍであり、１μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。この場合、複数の導体パターン１３ａの防錆性を十分に向上させることができる。また、長尺状基材１０を微細化しつつ複数の導体パターン１３ａ間の絶縁抵抗の低下および複数の導体パターン１３ａ間の短絡を防止することができる。
【００６８】
長尺状基材１０の無電解めっき時には、長尺状基材１０の導体パターン１３ａに電気的に接触するように導通部材４を配置する。この状態で、長尺状基材１０がめっき槽２内の無電解めっき液３０中を一定速度で搬送されるように搬送制御装置７が送出ロール３１および巻取ロール３２を回転させる。これにより、長尺状基材１０の導体パターン１３ａの表面にニッケルからなる金属薄膜１５が形成される。このようにして、フレキシブルプリント基板（以下、ＦＰＣ基板と呼ぶ）１０Ｄが完成する。
【００６９】
（ｅ）被めっき対象の第５の例
図８は、被めっき対象の第５の例を示す模式的断面図である。図８（ａ）は無電解めっき前の被めっき対象を示し、図８（ｂ）は無電解めっき後の被めっき対象を示す。被めっき対象の第５の例における無電解めっき方法は、以下の点を除いて被めっき対象の第１の例における無電解めっき方法と同様である。
【００７０】
図８には、長尺状基材１０の一部が示される。図８（ａ）に示すように、長尺状基材１０は、例えばポリイミドからなる絶縁層１２を備える。絶縁層１２の一面および他面上に銅からなる複数の導体パターン１３ａ，１６ａがそれぞれ形成される。各導体パターン１６ａの厚みは、例えば１０μｍである。図８（ｂ）に示すように、各導体パターン１３ａ，１６ａの表面に無電解めっきにより例えばニッケルからなる金属薄膜１５，１７が形成される。
【００７１】
複数の導体パターン１３ａ，１６ａの間隔は３μｍ以上５０μｍ以下である。金属薄膜１５，１７の厚みは例えばそれぞれ０．０１μｍ以上２０μｍであり、１μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。この場合、複数の導体パターン１３ａ，１６ａの防錆性を十分に向上させることができる。また、長尺状基材１０を微細化しつつ複数の導体パターン１３ａ間の絶縁抵抗の低下および複数の導体パターン１３ａ間の短絡を防止することができる。同様に、複数の導体パターン１６ａ間の絶縁抵抗の低下および複数の導体パターン１６ａ間の短絡を防止することができる。
【００７２】
長尺状基材１０の無電解めっき時には、長尺状基材１０の導体パターン１３ａ，１６ａに電気的に接触するように導通部材４を配置する。この状態で、長尺状基材１０がめっき槽２内の無電解めっき液３０中を一定速度で搬送されるように搬送制御装置７が送出ロール３１および巻取ロール３２を回転させる。これにより、長尺状基材１０の導体パターン１３ａ，１６ａの表面にニッケルからなる金属薄膜１５，１７がそれぞれ形成される。このようにして、ＦＰＣ基板１０Ｅが完成する。
【００７３】
（ｆ）被めっき対象の第６の例
図９は、被めっき対象の第６の例を示す模式的断面図である。図９（ａ）は無電解めっき前の被めっき対象を示し、図９（ｂ）は無電解めっき後の被めっき対象を示す。被めっき対象の第６の例における無電解めっき方法は、以下の点を除いて被めっき対象の第１の例における無電解めっき方法と同様である。
【００７４】
図９には、長尺状基材１０の一部が示される。図９（ａ）に示すように、長尺状基材１０は、例えばステンレスからなる金属基板１１を備える。金属基板１１上に、例えばポリイミドからなる絶縁層１２、銅からなる導体層１３、および例えばポリイミドからなる絶縁層１４が順に形成される。絶縁層１４は、導体層１３の表面の一部が露出するように設けられる。図９（ｂ）に示すように、導体層１３の露出した表面に無電解めっきにより例えばニッケルからなる金属薄膜１５が形成される。
【００７５】
長尺状基材１０の無電解めっき時には、長尺状基材１０の導体層１３に電気的に接触するように導通部材４を配置する。本例では、長尺状基材１０の導体層１３の一部が金属基板１１に接続されている。この場合、導通部材４が金属基板１１に接触するように設けられてもよい。この状態で、長尺状基材１０がめっき槽２内の無電解めっき液３０中を一定速度で搬送されるように搬送制御装置７が送出ロール３１および巻取ロール３２を回転させる。これにより、長尺状基材１０の導体層１３の露出した表面にニッケルからなる金属薄膜１５が形成される。このようにして、サスペンション基板１０Ｆが完成する。
【００７６】
（３）透明導電性基材の構成
図１０は、透明導電性基材１０Ａの平面図である。図１０に示すように、透明導電性基材１０Ａは、絶縁層１２および複数の電極２０を含む。図１０においては、構成の理解を容易にするために、複数の電極２０にハッチングが付されている。なお、図４（ｃ）は、図１０のＡ−Ａ線断面図に相当する。
【００７７】
本例においては、絶縁層１２は矩形状を有する。図１０において、絶縁層１２の対向する一組の辺が延びる方向をＸ方向と呼び、絶縁層１２の対向する他の一組の辺が延びる方向をＹ方向と呼ぶ。また、Ｘ方向およびＹ方向に直交する方向をＺ方向と呼ぶ。複数の電極２０は、Ｙ方向に平行に延びかつＸ方向に並ぶように絶縁層１２の一面に配置される。複数の電極２０は、互いに電気的に絶縁されている。
【００７８】
各電極２０は、図４（ｃ）の複数の接触検出パターン２１および配線パターン２２からなる。図１０の例においては、各接触検出パターン２１は矩形状を有する。各電極２０において、複数の接触検出パターン２１がＹ方向に並ぶように配置される。隣り合う２つの接触検出パターン２１の頂点は、互いに電気的に接続される。
【００７９】
略半数の電極２０の各々においては、Ｙ方向の一方の端部に位置する接触検出パターン２１の頂点に、配線パターン２２が電気的に接続される。他の略半数の電極２０の各々においては、Ｙ方向の他方の端部に位置する接触検出パターン２１の頂点に、配線パターン２２が電気的に接続される。各電極２０の配線パターン２２は、絶縁層１２上の縁を通って、後述する図１１のＦＰＣ基板１１０に接続される。
【００８０】
（４）透明導電性基材を用いたタッチパネル
次に、上記の透明導電性基材１０Ａを用いたタッチパネルについて説明する。図１１は、透明導電性基材１０Ａを用いたタッチパネルの模式図である。タッチパネル２００は、テレビ、携帯電話機、携帯情報端末またはその他の光学的表示装置の表示画面ＤＰに重なるように設けられる。なお、図１１の例においては、タッチパネル２００は静電容量方式のタッチパネルである。
【００８１】
図１１に示すように、タッチパネル２００は、図１０の２つの透明導電性基材１０Ａを含む。また、タッチパネル２００は、ＦＰＣ基板１１０、接着層１２０，１３０、保護層１４０，１５０および検出回路１６０をさらに含む。２つの透明導電性基材１０Ａは、光学用透明接着剤（ＯＣＡ）により接着された状態で積層される。
【００８２】
ここで、一方の透明導電性基材１０Ａは、他方の透明導電性基材１０Ａに対してＺ方向（図１０）を中心に９０°回転させた状態で配置される。この場合、一方の透明導電性基材１０Ａの複数の接触検出パターン２１と他方の透明導電性基材１０Ａの複数の接触検出パターン２１とは、Ｚ方向において互いに重ならない。タッチパネル２００は、図１０の２つの透明導電性基材１０Ａに代えて、一面および他面にそれぞれ複数の電極２０が形成された１つの透明導電性基材を含んでもよい。
【００８３】
接着層１２０，１３０は、ＯＣＡを含む。一方の透明導電性基材１０Ａは、接着層１２０を介して表示画面ＤＰに接着される。保護層１４０は、例えばカバーガラスを含む。保護層１４０は、接着層１３０を介して他方の透明導電性基材１０Ａに接着される。保護層１５０は、例えば反射防止膜を含む。保護層１５０は、保護層１４０上に設けられる。保護層１４０は、ＯＣＡを介して保護層１５０に接着されてもよい。
【００８４】
検出回路１６０は、例えば集積回路（ＩＣ）により構成される。ＦＰＣ基板１１０は、各透明導電性基材１０Ａの複数の電極２０の配線パターン２２（図１０）に接続される。ＦＰＣ基板１１０は、透明導電性基材１０Ａの縁を通って透明導電性基材１０Ａの外部に引き出され、検出回路１６０に接続される。検出回路１６０は、透明導電性基材１０Ａ上に設けられてもよい。この場合、ＦＰＣ基板１１０は、透明導電性基材１０Ａの外部に引き出されず、透明導電性基材１０Ａの縁を通って透明導電性基材１０Ａ上の検出回路１６０に接続される。
【００８５】
使用者は、指またはタッチペン（図１１の例では指）でタッチパネル２００の保護層１５０の任意の位置を接触する。この場合、一方の透明導電性基材１０Ａの複数の電極２０のうち、接触された保護層１５０の位置に重なる位置付近の複数の電極２０間の静電容量が変化する。同様に、他方の透明導電性基材１０Ａの複数の電極２０のうち、接触された保護層１５０の位置に重なる位置付近の複数の電極２０間の静電容量が変化する。
【００８６】
検出回路１６０は、一方の透明導電性基材１０Ａの複数の電極２０間の静電容量の変化を検出することにより、使用者が接触したタッチパネル２００のＹ方向の位置を算出する。また、検出回路１６０は、他方の透明導電性基材１０Ａの複数の電極２０間の静電容量の変化を検出することにより、使用者が接触したタッチパネル２００のＸ方向の位置を算出する。これらの結果、検出回路１６０は、使用者が接触したタッチパネル２００の二次元的な位置を検出することができる。
【００８７】
（５）他の実施の形態
（ａ）上記実施の形態においては、無電解めっき液３０がニッケルのイオンを含むが、これに限定されない。例えば、無電解めっき液３０が、コバルト（Ｃｏ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、錫（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、錫合金、または銅合金等の種々の金属のイオンまたは合金を含んでもよい。
【００８８】
（ｂ）上記実施の形態においては、被めっき対象の材料は銅からなる導体層１３，１６であるが、被めっき対象の材料はこれに限定されない。被めっき対象の材料は、銅合金、ステンレス、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）または錫合金等の他の金属または合金であってもよい。あるいは、被めっき対象の材料は、導電性の樹脂であってもよい。
【００８９】
（ｃ）上記実施の形態においては、被めっき対象は透明導電性基材１０Ａ、多層基材１０Ｂ，１０Ｃ、ＦＰＣ基板１０Ｄ，１０Ｅまたはサスペンション基板１０Ｆの半製品である長尺状基材１０であるが、これに限定されない。被めっき対象がフレキシブル配線回路基板、またはリジッド配線回路基板等の他の配線回路基板もしくは透明導電性基材の半製品であってもよい。また、被めっき対象は配線回路基板に限らず、無電解めっき装置１を用いて種々の対象物に無電解めっきを行うことができる。
【００９０】
（ｄ）上記実施の形態においては、ロール・トゥ・ロール方式により長尺状基材１０を搬送しつつ導体層１３に無電解めっきを行う例について説明したが、本発明は、バッチ式の無電解めっき装置にも適用可能である。バッチ式の無電解めっき装置では、被めっき対象を搬送することなく、めっき槽内の無電解めっき液中に一定時間浸漬させる。この場合、無電解めっき液の劣化が進行しても、無電解めっき液中の金属の析出速度が一定に保たれる。したがって、無電解めっき液中への被めっき対象の浸漬時間を一定に管理することにより、被めっき対象の表面に均一に金属薄膜を形成することができる。
【００９１】
（ｅ）上記実施の形態においては、制御部の一例としてポテンショスタット３が用いられる。制御部として、ポテンショスタット３の代わりにガルバノスタット等の他の制御回路が用いられてもよい。
【００９２】
（ｆ）上記実施の形態においては、入力装置の一例として静電容量方式のタッチパネルについて説明したが、これに限定されない。本発明は、抵抗膜方式のタッチパネル等の種々の入力装置にも適用可能である。
【００９３】
（ｇ）上記実施の形態において、金属薄膜１５，１７を覆うように金めっきが形成されてもよいし、ポリイミド等の被覆層が形成されてもよい。
【００９４】
（６）効果
本実施の形態に係る無電解めっき方法においては、相対電位が、長尺状基材１０の導体層１３の表面にニッケルからなる金属薄膜１５が形成される電位以下に保持される。これにより、長尺状基材１０の導体層１３の表面に触媒を付着させることなく、長尺状基材１０の導体層１３の表面に金属薄膜１５を析出させることができる。
【００９５】
この方法によれば、長尺状基材１０の導体層１３の表面に触媒を付着させる必要がないので、触媒が水酸化物としてめっき槽２に付着しない。そのため、めっき槽２にニッケルの析出が発生することがない。したがって、めっき槽２に付着するニッケルを除去するための保守作業を定期的に行う必要がない。これにより、無電解めっき方法の生産性を向上させることができる。
【００９６】
また、めっき槽２にニッケルが付着しないので、めっき槽２の電位が変化することが防止される。したがって、ニッケルの析出速度が不安定に変化しない。これにより、金属薄膜１５の品質が低下することが防止され、長尺状基材１０の導体層１３の表面に所望の形状を有する金属薄膜１５を精度よく形成することができる。その結果、無電解めっき方法の信頼性を向上させることができる。
【００９７】
なお、一般に、めっき槽２に付着するニッケルを除去する場合には、強い酸化力を有する硝酸など、取扱いに注意を要する薬品が用いられる。本実施の形態に係る無電解めっき方法においては、このような薬品を用いることがほとんどないので、無電解めっきシステム１００の取扱いが容易である。
【００９８】
また、触媒を用いた無電解めっきを長期に渡って行う場合には、不純物の混入により触媒が劣化するため、触媒を定期的に交換する必要がある。したがって、無電解めっきのコストが増加する。これに対し、本実施の形態に係る無電解めっき方法においては、触媒が用いられないので、無電解めっきのコストを低減させることができる。
【００９９】
（７）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１００】
上記実施の形態においては、導体層１３，１６または導体パターン１３ａ，１６ａが導電性部分または被めっき対象の例であり、無電解めっき液３０が無電解めっき液の例であり、めっき槽２がめっき槽の例であり、参照電極５が参照電極の例である。対極６が対極の例であり、絶縁層１２が絶縁層の例であり、長尺状基材１０が基材の例であり、透明導電性基材１０Ａ，多層基材１０Ｂ，１０Ｃ，ＦＰＣ基板１０Ｄ，１０Ｅまたはサスペンション基板１０Ｆが多層基材の例である。導体層１３，１６が導体層の例であり、導体パターン１３ａ，１６ａが導体パターンの例であり、検出回路１６０が検出回路の例であり、タッチパネル２００が入力装置の例であり、ＦＰＣ基板１１０が配線回路基板の例である。
【０１０１】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【０１０２】
（８）無電解めっきシステムについての実施例
（ａ）無電解めっきシステム
実施例１および比較例１，２においては、それぞれ異なる無電解めっきシステムを用いて長尺状基材１０の表面に無電解めっきによりニッケルからなる金属薄膜１５を形成した。その後、各無電解めっきシステムのめっき槽２の底面または側面でのニッケルの析出の有無を判定した。
【０１０３】
実施例１においては、以下の手順により、図１の無電解めっきシステム１００を用いて長尺状基材１０の表面に金属薄膜１５を形成した。室温２５℃の酸洗処理槽５１において、３０秒間長尺状基材１０に希硫酸による酸洗処理を行った。希硫酸の濃度は５０ｇ／Ｌである。
【０１０４】
次に、室温２５℃の水洗処理槽５２において、１分間長尺状基材１０に水洗処理を行った。また、室温２５℃の水洗処理槽５３において、１分間長尺状基材１０に水洗処理を行った。
【０１０５】
続いて、無電解めっき装置１において、長尺状基材１０の表面にニッケルからなる金属薄膜１５を形成した。無電解めっき液３０は、奥野製薬工業株式会社製化学ニッケルを含む。また、無電解めっき液３０は、１％〜５％の次亜リン酸、１％〜５％の硫酸銅およびその他の錯化剤を含む。無電解めっき液３０の温度は４０℃である。無電解めっき装置１の対極６はＰｔ電極であり、参照電極５は飽和カロメル電極である。相対電位は、−０．９Ｖに設定された。
【０１０６】
次に、室温２５℃の水洗処理槽５６において、１分間長尺状基材１０に水洗処理を行った。続いて、室温２５℃の水洗処理槽５７において、１分間長尺状基材１０に水洗処理を行った。その後、エアーナイフ処理槽５８において、長尺状基材１０の表面に付着する水分を吹き飛ばした。最後に、室温８０℃の乾燥処理槽５９において、３０秒間長尺状基材１０を乾燥した。
【０１０７】
図１２は、比較例１における無電解めっきシステムの概略図である。図１２の比較例１における無電解めっきシステム１００Ｂは、以下の点を除いて、図１の無電解めっきシステム１００と同様の構成を有する。図１２に示すように、無電解めっきシステム１００Ｂの水洗処理槽５３と無電解めっき装置１との間には、Ｐｄ触媒処理槽５４および水洗処理槽５５が設けられる。
【０１０８】
比較例１においては、図１２の無電解めっきシステム１００Ｂを用いて長尺状基材１０の表面に金属薄膜１５を形成した。比較例１の金属薄膜１５の形成手順は、以下の点を除いて実施例１の金属薄膜１５の形成手順と同様である。
【０１０９】
水洗処理槽５３における処理と無電解めっき装置１における処理との間に、３０℃のＰｄ触媒処理槽５４において、塩化Ｐｄ溶液を用いて１分間長尺状基材１０の表面にＰｄ触媒を付着させた。塩化Ｐｄ溶液は、奥野製薬工業株式会社製ＩＣＰアクセラ（登録商標）である。塩化Ｐｄ溶液のＰｄの濃度は１０ｍｇ／Ｌ〜５０ｍｇ／Ｌである。また、室温２５℃の水洗処理槽５５において、１分間水洗処理を行った後、さらに１分間水洗処理を行った。
【０１１０】
図１３は、比較例２における無電解めっきシステムの概略図である。図１３の比較例２における無電解めっきシステム１００Ｃは、以下の点を除いて、図１２の無電解めっきシステム１００Ｂと同様の構成を有する。図１３に示すように、無電解めっきシステム１００Ｃの無電解めっき装置１には、ポテンショスタット３、導通部材４、参照電極５および対極６が設けられない。
【０１１１】
比較例２においては、図１３の無電解めっきシステム１００Ｃを用いて長尺状基材１０の表面に金属薄膜１５を形成した。比較例２の金属薄膜１５の形成手順は、無電解めっき装置１において長尺状基材１０の導体層１３の電位が制御されない点を除いて比較例１の金属薄膜１５の形成手順と同様である。
【０１１２】
（ｂ）判定の結果
所定の面積分の長尺状基材１０の表面に金属薄膜１５が形成された時点において、実施例１および比較例１，２の無電解めっきシステム１００，１００Ｂ，１００Ｃのめっき槽２の底面または側面でのニッケルの析出の有無を判定した。判定の結果を表１に示す。
【０１１３】
【表１】
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表１に示すように、実施例１の無電解めっきシステム１００においては、長尺状基材１０を３５００ｍ２処理した時点でも、めっき槽２の底面および側面でのニッケルの析出は確認されなかった。
【０１１４】
比較例１の無電解めっきシステム１００Ｂにおいては、長尺状基材１０を２０００ｍ２処理した時点では、めっき槽２の底面および側面でのニッケルの析出は確認されなかった。しかしながら、長尺状基材１０を３０００ｍ２処理した時点では、めっき槽２の底面または側面でのニッケルの析出が確認された。また、長尺状基材１０を３５００ｍ２処理した時点でのニッケルの析出量は、長尺状基材１０を３０００ｍ２処理した時点でのニッケルの析出量よりも増加した。
【０１１５】
比較例２の無電解めっきシステム１００Ｃにおいては、長尺状基材１０を２０００ｍ２処理した時点では、めっき槽２の底面および側面でのニッケルの析出は確認されなかった。しかしながら、長尺状基材１０を３０００ｍ２処理した時点では、めっき槽２の底面または側面でのニッケルの析出が確認された。また、長尺状基材１０を３５００ｍ２処理した時点でのニッケルの析出量は、長尺状基材１０を３０００ｍ２処理した時点でのニッケルの析出量よりも増加した。
【０１１６】
実施例１と比較例１，２との比較から、長尺状基材１０の表面にＰｄ触媒を付着させる場合、長尺状基材１０を３０００ｍ２処理した時点でめっき槽２の底面または側面でニッケルが析出することが確認された。また、長尺状基材１０の処理を継続すると、めっき槽２の底面または側面でのニッケルの析出量が増加することが確認された。
【０１１７】
（９）透明導電性基材の信頼性、生産性およびコストについての実施例
（ａ）透明導電性基材
実施例２〜７および比較例３〜５においては、種々の透明導電性基材を作製し、各透明導電性基材の信頼性、生産性およびコストを評価した。透明導電性基材の信頼性は、エッチング性、防錆性および抵抗値の変化を含む。
【０１１８】
実施例２〜７においては、図３（ａ）に示すように、ＰＥＴからなる透明の絶縁層１２上にＩＴＯからなる導体層１６および銅からなる導体層１３が形成された長尺状基材１０を準備した。絶縁層１２の厚みは５０μｍであり、導体層１６の厚みは３０ｎｍであり、導体層１３の厚みは２００ｎｍである。本例においては、図３（ａ）の光学調整層１８の形成は省略した。
【０１１９】
図１の無電解めっきシステム１００を用いて、図３（ｂ）に示すように、長尺状基材１０の導体層１３の表面に金属薄膜１５を形成した。無電解めっき液３０は、１％〜５％の次亜リン酸、１％〜５％の硫酸銅およびその他の錯化剤を含む。無電解めっき装置１の対極６はＰｔ電極であり、参照電極５は飽和カロメル電極である。
【０１２０】
実施例２〜７の金属薄膜１５の厚みは、それぞれ１０ｎｍ、３０ｎｍ、５０ｎｍ、１００ｎｍ、２００ｎｍおよび５００ｎｍである。金属薄膜１５の厚みは、長尺状基材１０が図２の無電解めっき液３０を通過する時間（以下、めっき時間と呼ぶ）または相対電位を制御することにより調整することができる。本例においては、相対電位を−０．９Ｖに設定し、めっき時間を制御することにより金属薄膜１５の厚みを調整した。
【０１２１】
なお、本例においては、金属薄膜１５の厚みを１０ｎｍ、３０ｎｍ、５０ｎｍ、１００ｎｍ、２００ｎｍおよび５００ｎｍにするときのめっき時間は、それぞれ１５秒、３０秒、５０秒、１００秒、２００秒および５２０秒であった。金属薄膜１５の厚みは、重量法に基づいて測定された。
【０１２２】
次に、温度１１０℃、圧力０．３５ＭＰａおよび速度１．５ｍ／ｍｉｎの条件で、金属薄膜１５上に高解像度のドライフイルムレジスト（ＤＦＲ）をラミネートした。続いて、所定のパターンを有するマスクを通して光量８０ｍＪ／ｃｍ２の露光光をＤＦＲに照射した。
【０１２３】
その後、現像液として濃度１％および温度３０℃の炭酸ナトリウム（Ｎａ２ＣＯ３）溶液を圧力０．１ＭＰａの条件で３０秒間ＤＦＲにスプレーすることにより、ＤＦＲを現像した。これにより、図３（ｃ）に示すように、エッチングレジストパターン１９ａが形成された。
【０１２４】
次に、エッチング液として温度４５℃の塩化第二鉄溶液を圧力０．１５ＭＰａの条件で１分間長尺状基材１０にスプレーした。これにより、図４（ａ）に示すように、エッチングレジストパターン１９ａから露出す導体層１６，１３および金属薄膜１５の部分がエッチングされ、配線パターン２２が形成された。このようにして、実施例２〜７に係る透明導電性基材が作製された。
【０１２５】
図１４は、実施例２〜７に係る透明導電性基材の平面図である。図１４においては、構成の理解を容易にするために、長尺状基材の各部材にハッチングまたはドットパターンが付されている。実施例２〜７においては、図１４（ａ）に示すように、３つの配線パターン２２を絶縁層１２上に平行に並ぶように形成した。また、中央に位置する配線パターン２２の両端に、他の部分の幅よりも広い幅を有する測定用端子部Ｔ１，Ｔ２をそれぞれ形成した。
【０１２６】
その後、図１４（ｂ）に示すように、測定用端子部Ｔ１，Ｔ２上に、銀ペーストＳＰを形成した。また、図１４（ｃ）に示すように、測定用端子部Ｔ１，Ｔ２を露出させつつ３つの配線パターン２２を覆うように絶縁層１２上にＯＣＡからなる厚み５０μｍの被覆膜ＧＬをハンドローラにより形成した。被覆膜ＧＬは、日東電工株式会社製ＬＵＣＩＡＣＳ（登録商標）ＳＣ９６８２である。さらに、オートクレーブにより絶縁層１２と被覆膜ＧＬとの間の気泡（ボイド）を除去した。
【０１２７】
図１５は、比較例３に係る透明導電性基材の平面図である。比較例３に係る透明導電性基材は、以下の点を除いて実施例２〜７に係る透明導電性基材と同様の構成を有する。比較例３においては、長尺状基材１０の導体層１３上に図３（ｂ）の金属薄膜１５を形成しない。
【０１２８】
これにより、比較例３に係る透明導電性基材においては、図１５（ａ）に示すように、図１４（ａ）の３つの配線パターン２２に代えて３つの配線パターン２２ａが絶縁層１２上に形成される。配線パターン２２ａは、図４（ｃ）の金属パターン１５ａを含まない点を除いて、配線パターン２２と同様の構成を有する。中央に位置する配線パターン２２ａの両端に、他の部分の幅よりも広い幅を有する測定用端子部Ｔ１，Ｔ２をそれぞれ形成した。
【０１２９】
その後、図１５（ｂ）に示すように、測定用端子部Ｔ１，Ｔ２上に、銀ペーストＳＰを形成した。また、図１５（ｃ）に示すように、測定用端子部Ｔ１，Ｔ２を露出させつつ３つの配線パターン２２ａを覆うように絶縁層１２上に被覆膜ＧＬを形成した。
【０１３０】
図１６は、比較例４に係る透明導電性基材の平面図である。比較例４に係る透明導電性基材は、以下の点を除いて実施例２〜７に係る透明導電性基材と同様の構成を有する。比較例４においては、長尺状基材１０の導体層１３上に図３（ｂ）の金属薄膜１５を形成しない。
【０１３１】
これにより、比較例４に係る透明導電性基材においては、図１６（ａ）に示すように、図１４（ａ）の３つの配線パターン２２に代えて３つの配線パターン２２ａが絶縁層１２上に形成される。中央に位置する配線パターン２２ａの両端に、他の部分の幅よりも広い幅を有する測定用端子部Ｔ１，Ｔ２をそれぞれ形成した。
【０１３２】
次に、図１６（ｂ）に示すように、測定用端子部Ｔ１，Ｔ２を露出させつつ３つの配線パターン２２ａを覆うように絶縁層１２上に厚み１８μｍの有機防錆膜ＣＲを形成した。有機防錆膜ＣＲは、株式会社アサヒ化学研究所製ＵＶＦ−３０Ｔを絶縁層１２上にスクリーン印刷し、光量９００ｍＪ／ｃｍ２の紫外露光光を照射することにより形成された。
【０１３３】
その後、図１６（ｃ）に示すように、有機防錆膜ＣＲから露出する測定用端子部Ｔ１，Ｔ２上に、銀ペーストＳＰを形成した。また、図１６（ｄ）に示すように、測定用端子部Ｔ１，Ｔ２を露出させつつ有機防錆膜ＣＲを覆うように絶縁層１２上に被覆膜ＧＬを形成した。
【０１３４】
比較例５に係る透明導電性基材は、以下の点を除いて実施例２〜７に係る透明導電性基材と同様の構成を有する。比較例５においては、図１の無電解めっきシステム１００に代えて、電解めっきシステムにより長尺状基材１０の導体層１３上に厚み５０μｍの金属薄膜１５を形成した。電解めっきシステムにおいては、温度４０℃のニッケルめっき浴からなるワット浴に長尺状基材１０が浸漬され、３０秒間１Ａ／ｄｍ２の電流が電解めっきシステムの電極間に流された。
【０１３５】
（ｂ）評価の結果
実施例２〜７および比較例３〜５に係る透明導電性基材のエッチング性、防錆性、抵抗値の変化、生産性およびコストを評価した。各透明導電性基材の配線パターン２２とマスクのパターンとを比較することによりエッチング性を評価した。
【０１３６】
各透明導電性基材を温度８５℃および湿度８５％の環境下に５００時間投入する環境試験を行った後、各透明導電性基材を目視および倍率２０倍の実体顕微鏡で観察することにより防錆性を評価した。実体顕微鏡は株式会社ニコン製ＳＭ２−２Ｂである。
【０１３７】
また、上記の環境試験の前後における各透明導電性基材の測定用端子部Ｔ１，Ｔ２間の抵抗の普遍性を評価した。本例においては、２０％以下の測定用端子部Ｔ１，Ｔ２間の抵抗の変化を良好と判定した。各透明導電性基材のエッチング性、防錆性、抵抗値の不変性、生産性およびコストの評価の結果を表２に示す。
【０１３８】
表２においては、各透明導電性基材の信頼性、生産性またはコストの評価が極めて良好であった例には“○”が表示される。各透明導電性基材の信頼性、生産性またはコストの評価が良好であった例には“△”が表示される。各透明導電性基材の信頼性、生産性またはコストの評価が不良であった例には“×”が表示される。
【０１３９】
【表２】
2014227570.tif 000004
表２に示すように、実施例２〜６に係る透明導電性基材においては、配線パターン２２とマスクのパターンとが同一であり、エッチング性は極めて良好であった。また、配線パターン２２に錆が発生せず、防錆性は極めて良好であった。さらに、環境試験の前後における測定用端子部Ｔ１，Ｔ２間の抵抗の変化は２０％以下となり、抵抗の不変性は極めて良好であった。透明導電性基材の生産性は高く、生産性は極めて良好であった。また、透明導電性基材のコストの増加が防止され、コストは極めて良好であった。
【０１４０】
実施例７に係る透明導電性基材においては、防錆性および抵抗の不変性は極めて良好であった。配線パターン２２とマスクのパターンとが略同一であり、エッチング性は良好であった。しかしながら、配線パターン２２の一部がマスクのパターンと僅かに一致せず、エッチング性が実施例２〜６におけるエッチング性よりも低下した。また、生産性およびコストは良好であったが、生産性は実施例２〜６における生産性よりも僅かに低く、コストは僅かに増加した。
【０１４１】
比較例３に係る透明導電性基材においては、エッチング性、生産性およびコストは極めて良好であった。しかしながら、配線パターン２２ａは金属パターンにより保護されていないため、配線パターン２２ａに錆が発生し、防錆性は不良であった。また、環境試験の前後における測定用端子部Ｔ１，Ｔ２間の抵抗の変化は２０％を超え、抵抗の不変性は不良であった。
【０１４２】
比較例４に係る透明導電性基材においては、エッチング性は極めて良好であった。また、配線パターン２２ａは有機防錆膜ＣＲにより保護されているため、防錆性および抵抗の不変性は極めて良好であった。生産性は良好であったが、実施例２〜６における生産性よりも僅かに低下した。また、コストが大きく増加し、コストは不良であった。
【０１４３】
比較例５に係る透明導電性基材においては、エッチング性、生産性およびコストは極めて良好であった。しかしながら、配線パターン２２に錆が発生し、防錆性は不良であった。また、配線パターン２２における金属パターン１５ａの厚みが不均一であった。さらに、環境試験の前後における測定用端子部Ｔ１，Ｔ２間の抵抗の変化は２０％を超え、抵抗の不変性は不良であった。
【０１４４】
実施例２〜７と比較例３〜５との比較から、導体層１３に無電解めっきにより金属薄膜を形成することにより、良好なエッチング性および良好な防錆性が得られることが確認された。また、抵抗値の変化が小さく、生産性が高く、コストの増加が合資されることが確認された。
【０１４５】
実施例２〜７と比較例３との比較から、導体層上に金属薄膜を形成しない場合、良好な防錆性が得られず、抵抗値の変化が大きくなることが確認された。実施例２〜７と比較例４との比較から、導体層上に金属薄膜の代わりに有機防錆膜を形成した場合、良好な防錆性が得られるが、コストが増加することが確認された。実施例２〜７と比較例５との比較から、導体層上に電解めっきにより金属薄膜を形成した場合、良好な防錆性が得られず、抵抗値の変化が大きくなることが確認された。
【０１４６】
（１０）ＦＰＣ基板の導体パターン間の絶縁性についての実施例
（ａ）ＦＰＣ基板
実施例８〜１３、比較例６〜１１および比較例１２〜１７においては、図７（ｂ）の構成を有する種々のＦＰＣ基板を作製し、各ＦＰＣ基板の導体パターン間の絶縁性を評価した。
【０１４７】
実施例８においては、図７（ａ）に示すように、各導体パターン１３ａの幅が１００μｍであり、導体パターン１３ａ間の間隔が１００μｍである長尺状基材１０を５つ準備した。図１の無電解めっきシステム１００を用いて５つの長尺状基材１０の導体パターン１３ａの表面にそれぞれ１μｍ、３μｍ、５μｍ、１０μｍおよび２０μｍの厚みを有する金属薄膜１５を形成することにより、図７（ｂ）のＦＰＣ基板を作製した。
【０１４８】
ここで、金属薄膜１５の形成工程においては、長尺状基材１０を図２のめっき槽２内の無電解めっき液３０を通過させずに、長尺状基材１０をビーカー内の無電解めっき液３０に浸漬させた。無電解めっき液３０は、奥野製薬工業株式会社製ＩＣＰニコロン（登録商標）ＧＭ−ＳＥである。
【０１４９】
実施例９〜１３のＦＰＣ基板は、以下の点を除き、実施例８のＦＰＣ基板と同様の構成を有する。実施例９のＦＰＣ基板の各導体パターン１３ａの幅は５０μｍであり、導体パターン１３ａ間の間隔は５０μｍである。実施例１０のＦＰＣ基板の各導体パターン１３ａの幅は３０μｍであり、導体パターン１３ａ間の間隔は３０μｍである。
【０１５０】
実施例１１のＦＰＣ基板の各導体パターン１３ａの幅は１５μｍであり、導体パターン１３ａ間の間隔は１５μｍである。実施例１２のＦＰＣ基板の各導体パターン１３ａの幅は８μｍであり、導体パターン１３ａ間の間隔は８μｍである。実施例１３のＦＰＣ基板の各導体パターン１３ａの幅は３μｍであり、導体パターン１３ａ間の間隔は３μｍである。
【０１５１】
比較例６のＦＰＣ基板は、図１の無電解めっきシステム１００ではなく、図１２の無電解めっきシステム１００Ｂを用いて長尺状基材１０の導体パターン１３ａの表面に金属薄膜１５を形成した点を除き、実施例８のＦＰＣ基板と同様の構成を有する。したがって、比較例６のＦＰＣ基板の各導体パターン１３ａの幅は１００μｍであり、導体パターン１３ａ間の間隔は１００μｍである。なお、図１２のＰｄ触媒処理槽５４の塩化Ｐｄ溶液は、奥野製薬工業株式会社製ＩＣＰアクセラ（登録商標）である。
【０１５２】
比較例７〜１１のＦＰＣ基板は、以下の点を除き、比較例６のＦＰＣ基板と同様の構成を有する。比較例７のＦＰＣ基板の各導体パターン１３ａの幅は５０μｍであり、導体パターン１３ａ間の間隔は５０μｍである。比較例８のＦＰＣ基板の各導体パターン１３ａの幅は３０μｍであり、導体パターン１３ａ間の間隔は３０μｍである。
【０１５３】
比較例９のＦＰＣ基板の各導体パターン１３ａの幅は１５μｍであり、導体パターン１３ａ間の間隔は１５μｍである。比較例１０のＦＰＣ基板の各導体パターン１３ａの幅は８μｍであり、導体パターン１３ａ間の間隔は８μｍである。比較例１１のＦＰＣ基板の各導体パターン１３ａの幅は３μｍであり、導体パターン１３ａ間の間隔は３μｍである。
【０１５４】
比較例１２のＦＰＣ基板は、図１２の無電解めっきシステム１００Ｂではなく、図１３の無電解めっきシステム１００Ｃを用いて長尺状基材１０の導体パターン１３ａの表面に金属薄膜１５を形成した点を除き、比較例６のＦＰＣ基板と同様の構成を有する。したがって、比較例１２のＦＰＣ基板の各導体パターン１３ａの幅は１００μｍであり、導体パターン１３ａ間の間隔は１００μｍである。
【０１５５】
比較例１３〜１７のＦＰＣ基板は、以下の点を除き、比較例１２のＦＰＣ基板と同様の構成を有する。比較例１３のＦＰＣ基板の各導体パターン１３ａの幅は５０μｍであり、導体パターン１３ａ間の間隔は５０μｍである。比較例１４のＦＰＣ基板の各導体パターン１３ａの幅は３０μｍであり、導体パターン１３ａ間の間隔は３０μｍである。
【０１５６】
比較例１５のＦＰＣ基板の各導体パターン１３ａの幅は１５μｍであり、導体パターン１３ａ間の間隔は１５μｍである。比較例１６のＦＰＣ基板の各導体パターン１３ａの幅は８μｍであり、導体パターン１３ａ間の間隔は８μｍである。比較例１７のＦＰＣ基板の各導体パターン１３ａの幅は３μｍであり、導体パターン１３ａ間の間隔は３μｍである。
【０１５７】
（ｂ）判定の結果
各ＦＰＣ基板の導体パターン１３ａ間の絶縁性を判定した。判定の結果を表３に示す。表３においては、導体パターン１３ａを覆うように正常に金属薄膜１５が析出した例には“○”が表示される。導体パターン１３ａから突出するように襞状の金属薄膜１５が析出した例には“△”が表示される。隣り合う導体パターン１３ａ上に析出した金属薄膜１５が互いに接触し、短絡が発生した例には“×”が表示される。なお、金属薄膜１５の厚みが導体パターン１３ａ間の間隔の１／２以上である例においては、隣り合う導体パターン１３ａ上に析出した金属薄膜１５が互いに接触し、短絡が発生することが自明である。したがって、これらの例を判定の対象から除外した。
【０１５８】
【表３】
2014227570.tif 000005
表３に示すように、実施例８〜１３および比較例６，１２においては、金属薄膜１５の厚みがそれぞれ２０μｍ、２０μｍ、１０μｍ、５μｍ、３μｍおよび１μｍのときでも正常に金属薄膜１５が析出した。比較例７，１３においては、金属薄膜１５の厚みが５μｍのときには正常に金属薄膜１５が析出したが、金属薄膜１５の厚み１０μｍのときに襞状の金属薄膜１５が析出し、金属薄膜１５の厚み２０μｍのときに短絡が発生した。
【０１５９】
比較例８，１４においては、金属薄膜１５の厚みが１μｍのときには正常に金属薄膜１５が析出したが、金属薄膜１５の厚み３μｍのときに襞状の金属薄膜１５が析出し、金属薄膜１５の厚み５μｍのときに短絡が発生した。比較例９，１０，１５，１６においては、金属薄膜１５の厚みが１μｍのときには正常に金属薄膜１５が析出したが、金属薄膜１５の厚み３μｍのときに短絡が発生した。比較例１１，１７においては、正常に金属薄膜１５が析出されず、金属薄膜１５の厚みが１μｍのときに短絡が発生した。
【０１６０】
実施例８〜１３と比較例６〜１７との比較から、長尺状基材１０の表面にＰｄ触媒を付着させない場合、導体パターン１３ａ間の間隔が小さく、金属薄膜１５の厚みが大きくても導体パターン１３ａ間に短絡が発生しにくくなることが確認された。一方、長尺状基材１０の表面にＰｄ触媒を付着させる場合、導体パターン１３ａ間の間隔が小さく、金属薄膜１５の厚みが大きいほど導体パターン１３ａ間に短絡が発生しやすくなることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【０１６１】
本発明は、配線回路基板等の種々の被めっき対象に無電解めっきを行うため等に利用することができる。
【符号の説明】
【０１６２】
１  無電解めっき装置
２  めっき槽
３  ポテンショスタット
４  導通部材
５  参照電極
６  対極
７  搬送制御装置
１０  長尺状基材
１０Ａ  透明導電性基材
１０Ｂ，１０Ｃ  多層基材
１０Ｄ，１０Ｅ，１１０  ＦＰＣ基板
１０Ｆ  サスペンション基板
１１  金属基板
１２，１４  絶縁層
１３，１６  導体層
１３ａ，１６ａ  導体パターン
１５，１７  金属薄膜
１５ａ  金属パターン
１８  光学調整層
１９ａ，１９ｂ  エッチングレジストパターン
２０  電極
２１  接触検出パターン
２２，２２ａ  配線パターン
３０  無電解めっき液
３１  送出ロール
３２  巻取ロール
３３〜３６  搬送ローラ
５１  酸洗処理槽
５２，５３，５５〜５７  水洗処理槽
５４  Ｐｄ触媒処理槽
５８  エアーナイフ処理槽
５９  乾燥処理槽
１００，１００Ｂ，１００Ｃ  無電解めっきシステム
１２０，１３０  接着層
１４０，１５０  保護層
１６０  検出回路
２００  タッチパネル
ＣＲ  有機防錆膜
ＤＰ  表示画面
ＧＬ  被覆膜
ＳＰ  銀ペースト
Ｔ１，Ｔ２  測定用端子部
【図１】
2014227570.tif 000006
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
2014227570.tif 000019
【図１５】
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【図１６】
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