(57)【要約】【課題】ケースに対する半導体チップの位置を正確に位置決めすることが可能となり、その結果、寸法精度が高く信頼性が高い半導体装置を提供する。【解決手段】  開口部を有する枡状のケースであって、底面部１１、側面部１２及び凸形状のベース部１３を有する導電性のケース１０と、ベース部１３の上面に配設された半導体チップ２０と、半導体チップ２０の他方面２４上に配設されている接続子３０と、樹脂４０とを備え、ケース１０の側面部１２のうちの一部が、外部回路と接続するための第１外部端子部１４を構成し、第１外部端子部１４における外部回路との接続面１５と接続子３０の第２外部端子部３２における外部回路との接続面３４とが同一平面上にあり、底面部１１、側面部１２及びベース部１３は、同一の金属部材から一体的に形成されたものであることを特徴とする半導体装置１。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部を有する枡状のケースであって、底面部、前記底面部の外縁に立設された側面部及び前記底面部の内表面の中央に形成された凸形状のベース部を有する導電性のケースと、
一方面が前記ベース部の上面とはんだを介して接合された状態で前記ベース部の上面に配設された半導体チップと、
一方の端部が前記半導体チップの他方面とはんだを介して接合され他方の端部が前記ケースの外部に導出された状態で、前記半導体チップの他方面上に配設されている接続子と、
表面が、前記ケースの端部と接触し、かつ、前記ケースの端部と面一となる又は前記底面部側に凹形状となるように前記ケース内部に充填されている樹脂とを備え、
前記ケースの側面部のうちの一部が、外部回路と接続するための第１外部端子部を構成し、
前記接続子は、一方の端部側に位置し前記半導体チップの他方面とはんだを介して接合された半導体チップ接合部と、他方の端部側に位置し外部回路と接続するための第２外部端子部と、前記半導体チップ接合部及び前記第２外部端子部の間に挟まれた連結部とを有し、
前記半導体チップ接合部と前記連結部とは、前記半導体チップ接合部の端部で前記半導体チップとの接合面とは反対側に屈曲された構造となるように連結されており、
前記半導体チップの前記一方面及び他方面には、それぞれ電極が形成され、前記半導体チップの一方面に形成された電極と前記ベース部とがはんだを介して電気的に接続されているとともに、前記半導体チップの他方面に形成された電極と前記半導体チップ接合部とがはんだを介して電気的に接続されており、
前記第１外部端子部における外部回路との接続面と前記第２外部端子部における外部回路との接続面とが同一平面上にあり、
前記ベース部の上面の外形が、前記半導体チップの一方面の外形に対応した外形を有し、
前記半導体チップ接合部の外形が、前記半導体チップの他方面の外形と対応した外形を有する半導体装置であって、
前記底面部、前記側面部及び前記ベース部は、同一の金属部材から一体的に形成されたものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記底面部の外表面の中央に凹部が設けられ、
前記凹部の底表面は、前記ベース部の上面と平行であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体装置において、
前記ベース部の上面は、前記底面部の内表面と平行であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の半導体装置において、
前記ベース部の上面は平面形状となっており、
前記第１外部端子側における前記ベース部の端部の厚さは、前記第１外部端子側とは反対側における前記ベース部の端部の厚さよりも薄いことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかの半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
底面部、側面部及び前記底面部の内表面の中央に形成され半導体チップの一方面の外形に対応した上面の外形を有する凸形状のベース部を有し、かつ、前記底面部、前記側面部及び前記ベース部が同一の金属部材から一体的に形成されたケースにおける前記ベース部と、前記半導体チップの一方面とを対向させるように前記ケース及び前記半導体チップを位置決めして配設する第１配設工程と、
接続子の一方の端部側に位置し前記半導体チップの他方面の外形に対応した外形を有する半導体チップ接合部と、前記半導体チップの他方面とを対向させるように前記半導体チップ及び接続子を位置決めして配設する第２配設工程と、
樹脂の表面が前記ケースの端部と接触し、かつ、樹脂の表面が前記ケースの端部と面一となる又は前記底面部側に凹形状となるように前記ケース内部に樹脂を充填する樹脂充填工程とを、前記第１配設工程、前記第２配設工程及び前記樹脂充填工程の順序、又は、前記第２配設工程、前記第１配設工程及び前記樹脂充填工程の順序で含み、
前記第２配設工程においては、前記接続子の他方の端部が前記ケースの外部に導出された状態となるように前記接続子を配設し、
前記接続子は、前記半導体チップ接合部と前記連結部とが、前記半導体チップ接合部の端部における前記半導体チップと接合するための面とは反対側に屈曲された構造となるように連結されており、
前記第１配設工程又は前記第２配設工程においては、前記ケースの前記側面部のうちの一部が構成する第１外部端子部における外部回路との接続面と、前記接続子の他方の端部側に位置し前記第２外部端子部における外部回路との接続面とが同一平面上となるように前記ケース、前記半導体チップ及び前記接続子を配設し、
前記樹脂充填工程の前段に、
前記ベース部と前記半導体チップの一方面に形成された電極とを電気的に接続するように、前記ベース部と前記半導体チップの一方面とをはんだを介して接合する第１接合工程と、
前記半導体チップの他方面に形成された電極と前記半導体チップ接合部とを電気的に接続するように、前記半導体チップの他方面と前記接続子とをはんだを介して接合する第２接合工程とをさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１接合工程と前記第２接合工程とを同時に実施することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ケースの側面部及び接続子を介して基板に面実装して使用される半導体装置が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
図９は、従来の半導体装置９００を説明するために示す図である。図９（ａ）は従来の半導体装置９００の側断面図であり、図９（ｂ）は図９(ａ)の矢印Ａ側から見た従来の半導体装置９００の平面図である。なお、図９中、はんだの図示は省略している。
【０００４】
従来の半導体装置９００は、図９に示すように、開口部を有する枡状のケース９１０と、半導体チップ９２０と、接続子９３０と、ケース９１０内部に充填されている樹脂９４０とを備える。
【０００５】
ケース９１０は、底面部９１１、底面部９１１の外縁に立設された側面部９１２及び底面部９１１の内表面の中央に形成された凸形状のベース部９１３を有する導電性のケースである。ケース９１０の側面部９１２のうちの一部が、外部回路と接続するための第１外部端子部９１４を構成する。
【０００６】
半導体チップ９２０は、一方面９２２がベース部９１３の上面とはんだ（図示せず。）を介して接合された状態でベース部９１３の上面に配設されている。
【０００７】
接続子９３０は、一方の端部が半導体チップ９２０の他方面９２４とはんだを介して接合され、他方の端部がケース９１０の外部に導出された状態で、半導体チップ９２０の他方面９２４上に配設されている。
【０００８】
接続子９３０は、一方の端部側に位置し半導体チップ９２０の他方面とはんだを介して接合された半導体チップ接合部９３１と、他方の端部側に位置し外部回路と接続するための第２外部端子部９３２と、半導体チップ接合部９３１及び第２外部端子部９３２の間に挟まれた連結部９３３とを有する。半導体チップ接合部９３１と連結部９３３とは、半導体チップ接合部９３１の端部でケース９１０の開口部側に屈曲された構造となるように連結されている。
【０００９】
従来の半導体装置９００においては、半導体チップ９２０の一方面９２２及び他方面９２４には、それぞれ電極（図示せず。）が形成されており、半導体チップ９２０の一方面９２２に形成された電極とベース部９１３とがはんだを介して電気的に接続されているとともに、半導体チップ９２０の他方面９２４に形成された電極と半導体チップ接合部９３１とがはんだを介して電気的に接続されている。
【００１０】
従来の半導体装置９００においては、第１外部端子部９１４における外部回路との接続面９１５と第２外部端子部９３２における外部回路との接続面９３４とが同一平面上にある。
【００１１】
従来の半導体装置９００によれば、底面部９１１の内表面の中央に配設された凸形状のベース部９１３を有することから、半導体チップ９２０をベース部９１３の上面にはんだを介して接合する過程において、ベース部９１３の上面に配設したはんだを溶融する際、溶融したはんだが表面張力によりベース部９１３の上面に留まりやすくなる。このため、半導体チップ９２０の一方面とベース部９１３の上面とを接合するのに十分な量のはんだをベース部９１３の上面に留めることが可能となり、ベース部９１３と半導体チップ９２０とが強い接合強度で接合された半導体装置となる。
【００１２】
また、従来の半導体装置９００によれば、半導体チップ９２０の一方面に形成された電極とケース９１０のベース部９１３とがはんだを介して電気的に接続されることから、半導体チップ９２０の一方面に形成された電極とベース部９１３とが電気的に接続されることとなり、ケース９１０を外部端子として利用することが可能となる。
【００１３】
また、従来の半導体装置９００によれば、半導体チップ９２０がケース９１０のベース部９１３の上面に配設され、かつ、樹脂９４０がケース内部に充填されていることから、半導体チップ９２０から発生する熱をケース９１０及び樹脂９４０を介して外部に効果的に放熱することが可能となる。
【００１４】
また、従来の半導体装置９００によれば、ケース９１０の側面部９１２のうちの一部が、外部回路と接続するための第１外部端子部９１４を構成することから、ケース９１０の内側に配設された半導体チップ９２０から発生する熱を、第１外部端子部９１４を介して外部回路へと効果的に放熱することが可能となる。
【００１５】
さらにまた、従来の半導体装置９００によれば、第１外部端子部９１４における外部回路との接続面９１５と第２外部端子部９３２における外部回路との接続面９３４とが同一平面上にあることから、平面状の基板に形成された外部回路に安定して取り付けることが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１６】
【特許文献１】特開平１１−８３３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
しかしながら、従来の半導体装置９００において、底面部９１１とベース部９１３とをはんだを介して接合するために底面部９１１の所定の領域に配設したはんだを溶融する際、溶融したはんだが当該領域以外の領域に流れ出るおそれがあり、流れ出るはんだに引きずられてベース部９１３が位置ずれするおそれがある。このため、半導体チップ９２０をベース部９１３に対して正確に位置決めして配設しても、ベース部９１３が底面部９１１の所定の領域から位置ずれするおそれがあるため、ケース９１０に対する半導体チップ９２０の位置を正確に位置決めすることが困難となるおそれがある。その結果、寸法精度が高く信頼性が高い半導体装置とすることが困難となるおそれが生じるという問題がある。
【００１８】
そこで、本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、ケースに対する半導体チップの位置を正確に位置決めすることが可能となり、その結果、寸法精度が高く信頼性が高い半導体装置を提供することを目的とする。また、このような半導体装置を製造するための半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
[１]本発明の半導体装置は、開口部を有する枡状のケースであって、底面部、前記底面部の外縁に立設された側面部及び前記底面部の内表面の中央に形成された凸形状のベース部を有する導電性のケースと、一方面が前記ベース部の上面とはんだを介して接合された状態で前記ベース部の上面に配設された半導体チップと、一方の端部が前記半導体チップの他方面とはんだを介して接合され他方の端部が前記ケースの外部に導出された状態で、前記半導体チップの他方面上に配設されている接続子と、表面が、前記ケースの端部と接触し、かつ、前記ケースの端部と面一となる又は前記底面部側に凹形状となるように前記ケース内部に充填されている樹脂とを備え、前記ケースの側面部のうちの一部が、外部回路と接続するための第１外部端子部を構成し、前記接続子は、一方の端部側に位置し前記半導体チップの他方面とはんだを介して接合された半導体チップ接合部と、他方の端部側に位置し外部回路と接続するための第２外部端子部と、前記半導体チップ接合部及び前記第２外部端子部の間に挟まれた連結部とを有し、前記半導体チップ接合部と前記連結部とは、前記半導体チップ接合部の端部で前記半導体チップとの接合面とは反対側に屈曲された構造となるように連結されており、前記半導体チップの前記一方面及び他方面には、それぞれ電極が形成され、前記半導体チップの一方面に形成された電極と前記ベース部とがはんだを介して電気的に接続されているとともに、前記半導体チップの他方面に形成された電極と前記半導体チップ接合部とがはんだを介して電気的に接続されており、前記第１外部端子部における外部回路との接続面と前記第２外部端子部における外部回路との接続面とが同一平面上にあり、前記ベース部の上面の外形が、前記半導体チップの一方面の外形に対応した外形を有し、前記半導体チップ接合部の外形が、前記半導体チップの他方面の外形と対応した外形を有する半導体装置であって、前記底面部、前記側面部及び前記ベース部は、同一の金属部材から一体的に形成されたものであることを特徴とする。
【００２０】
[２]本発明の半導体装置においては、前記底面部の外表面の中央に凹部が設けられ、前記凹部の底表面は、前記ベース部の上面と平行であることが好ましい。
【００２１】
[３]本発明の半導体装置においては、前記ベース部の上面は、前記底面部の内表面と平行であることが好ましい。
【００２２】
[４]本発明の半導体装置においては、前記ベース部の上面は平面形状となっており、前記第１外部端子側における前記ベース部の端部の厚さは、前記第１外部端子側とは反対側における前記ベース部の端部の厚さよりも薄くなることが好ましい。
【００２３】
[５]本発明の半導体装置の製造方法は、［１］〜［４］のいずれかの半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、底面部、側面部及び前記底面部の内表面の中央に形成され半導体チップの一方面の外形に対応した上面の外形を有する凸形状のベース部を有し、かつ、前記底面部、前記側面部及び前記ベース部が同一の金属部材から一体的に形成されたケースにおける前記ベース部と、前記半導体チップの一方面とを対向させるように前記ケース及び前記半導体チップを位置決めして配設する第１配設工程と、接続子の一方の端部側に位置し前記半導体チップの他方面の外形に対応した外形を有する半導体チップ接合部と、前記半導体チップの他方面とを対向させるように前記半導体チップ及び接続子を位置決めして配設する第２配設工程と、樹脂の表面が前記ケースの端部と接触し、かつ、樹脂の表面が前記ケースの端部と面一となる又は前記底面部側に凹形状となるように前記ケース内部に樹脂を充填する樹脂充填工程とを、前記第１配設工程、前記第２配設工程及び前記樹脂充填工程の順序、又は、前記第２配設工程、前記第１配設工程及び前記樹脂充填工程の順序で含み、前記第２配設工程においては、前記接続子の他方の端部が前記ケースの外部に導出された状態となるように前記接続子を配設し、前記接続子は、前記半導体チップ接合部と前記連結部とが、前記半導体チップ接合部の端部における前記半導体チップと接合するための面とは反対側に屈曲された構造となるように連結されており、前記第１配設工程又は前記第２配設工程においては、前記ケースの前記側面部のうちの一部が構成する第１外部端子部における外部回路との接続面と、前記接続子の他方の端部側に位置し前記第２外部端子部における外部回路との接続面とが同一平面上となるように前記ケース、前記半導体チップ及び前記接続子を配設し、前記樹脂充填工程の前段に、前記ベース部と前記半導体チップの一方面に形成された電極とを電気的に接続するように、前記ベース部と前記半導体チップの一方面とをはんだを介して接合する第１接合工程と、前記半導体チップの他方面に形成された電極と前記半導体チップ接合部とを電気的に接続するように、前記半導体チップの他方面と前記接続子とをはんだを介して接合する第２接合工程とをさらに含むことを特徴とする。
【００２４】
[６]本発明の半導体装置の製造方法においては、前記第１接合工程と前記第２接合工程とを同時に実施することが好ましい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の半導体装置によれば、底面部、側面部及びベース部は、同一の金属部材から一体的に形成されたものであるため、底面部とベース部とをはんだを介して接合する必要がなく、流れ出るはんだに引きずられてベース部が位置ずれするおそれもない。従って、ケースに対する半導体チップの位置を正確に位置決めすることが可能となり、寸法精度が高く信頼性が高い半導体装置となる。
【００２６】
また、本発明の半導体装置によれば、底面部、側面部及びベース部は、同一の金属部材から一体的に形成されたものであるため、底面部とベース部とをはんだを介して接合する必要がなく、ベース部を位置決めする工程や底面部とベース部とをはんだを介して接合する工程等が不要となる。このため、時間と手間と設備とがかかることがなく、高い生産性で製造可能な半導体装置となる。
【００２７】
また、本発明の半導体装置によれば、底面部、側面部及びベース部は、同一の金属部材から一体的に形成されたものであるため、従来の半導体装置と比較して、ケースの内部抵抗を低くすることが可能となり、内部抵抗による損失を少なくすることができる。
【００２８】
また、本発明の半導体装置によれば、表面がケースの端部と接触するようにケース内部に充填されている樹脂を備えるため、半導体チップ及び半導体チップ接合部が十分に保護された半導体装置となり、外部からの衝撃に強い半導体装置となる。
【００２９】
また、本発明の半導体装置によれば、ケースの端部と面一となる又は底面部側に凹形状となるようにケース内部に充填されている樹脂を備えることから、樹脂を充填する際に、ケースから樹脂があふれ出して側面部に構成された第１外部端子部に到達することや、樹脂が接続子の連結部を這い上がって第２外部端子部にまで達することを防ぐことが可能となる。このため、半導体装置を外部回路に実装する際、第１外部端子部や第２外部端子部に樹脂が付着していることに起因して外部回路との接続が不良となることを防ぐことが可能となる。
【００３０】
また、本発明の半導体装置によれば、ベース部の上面の外形が半導体チップの一方面の外形に対応した外形を有することから、ベース部と半導体チップとの接触面積を大きくすることが可能となる。その結果、半導体チップから発生する熱をケースに効率的に放熱することが可能となる。
【００３１】
さらにまた、本発明の半導体装置によれば、接続子の半導体チップ接合部の外形が、半導体チップの他方面の外形と対応した外形を有することから、半導体チップと接続子との接触面積を大きくすることが可能となる。その結果、半導体チップから発生する熱を接続子に効率的に放熱することが可能となる。
【００３２】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、第１配設工程において、底面部、側面部及びベース部が同一の金属部材から一体的に形成されたものであるケースを用いるため、底面部とベース部とをはんだを介して接合する必要がなく、流れ出るはんだに引きずられてベース部が位置ずれするおそれもない。従って、ケースに対する半導体チップの位置を正確に位置決めすることが可能となり、信頼性が高い半導体装置を製造することが可能となる。
【００３３】
また、本発明の半導体装置の製造方法によれば、第１配設工程において、底面部、側面部及びベース部が同一の金属部材から一体的に形成されたものであるケースを用いるため、底面部とベース部とをはんだを介して接合する必要がなく、ベース部を位置決めする工程や底面部とベース部とをはんだを介して接合する工程が不要となる。このため、時間と手間と設備とがかかることがなく、高い生産性で半導体装置を製造することが可能となる。
【００３４】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、本発明の半導体装置を製造する製造方法であるため、上記した効果を有する半導体装置を製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】実施形態１に係る半導体装置１を説明するために示す図である。
【図２】実施形態１に係る半導体装置の製造方法を説明するために示すフローチャートである。
【図３】実施形態１に係る半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。
【図４】実施形態２に係る半導体装置の製造方法を説明するために示すフローチャートである。
【図５】実施形態２に係る半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。
【図６】実施形態３に係る半導体装置３を説明するために示す図である。
【図７】実施形態４に係る半導体装置４を説明するために示す図である。
【図８】実施形態５に係る半導体装置５を説明するために示す図である。
【図９】従来の半導体装置９００を説明するために示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
以下、本発明の半導体装置及び半導体装置の製造方法について、図に示す実施形態に基づいて説明する。
【００３７】
［実施形態１］
１．実施形態１に係る半導体装置１の構成
まず、実施形態１に係る半導体装置１の構成を説明する。
図１は、実施形態１に係る半導体装置１を説明するために示す図である。図１（ａ）は半導体装置１の側断面図であり、図１（ｂ）は図１中の矢印Ａから見た半導体装置１の平面図である。なお、図１（ａ）において、はんだの図示は省略している。また、図１（ｂ）において、樹脂４０の図示は省略している。
【００３８】
実施形態１に係る半導体装置１は、図１に示すように、ケース１０と、半導体チップ２０と、接続子３０と、樹脂４０とを備える。
【００３９】
実施形態１に係る半導体装置１は、ケース１０の側面部１２のうちの一部によって構成された後述する第１外部端子部１４及び後述する第２外部端子部３２がそれぞれ外部回路（図示せず）と電気的に接続されるように面実装される。
【００４０】
ケース１０は、開口部を有する枡状のケースであって、底面部１１、底面部１１の外縁に立設された側面部１２及び底面部１１の内表面の中央に形成された凸形状のベース部１３を有する導電性のケースである。ケース１０において、底面部１１、側面部１２及びベース部１３の接合部分及び角は丸みを帯びている。ケースを構成する材料は、例えば、アルミニウムである。
【００４１】
ケース１０において、底面部１１、側面部１２及びベース部１３は、同一の金属部材から一体的に形成されたものである。具体的には、１枚の厚い金属板を準備し、ベース部１３となる領域及び側面部１２となる領域を残してへこませること(打ち出し加工)により、ケース１０を形成する。
【００４２】
底面部１１の形状は正方形形状であり、角が丸みを帯びている。側面部１２は、底面部１１とは垂直な方向に屈曲された構造となるように連結されている。また、側面部１２同士もそれぞれ垂直な方向に屈曲された構造となるように連結されている。底面部１１の厚さ及び側面部１２の厚さはそれぞれ、例えば、０．８ｍｍである。
【００４３】
ベース部１３の上面は、底面部１１の内表面と平行となる。すなわち、ベース部１３の形状は、底面部１１の内表面から垂直に立設された直方体の形状をしている。
【００４４】
ベース部１３の上面の外形は、後述する半導体チップ２０の一方面の外形に対応した外形を有する。具体的には、ベース部１３の上面の外形の形状は、後述する半導体チップ２０の一方面の外形の形状と同じ形状であり、ベース部１３の上面の外形の大きさは、半導体チップ２０の一方面２２の外形の大きさよりもやや大きくなっている。このため、半導体チップ２０の外形とベース部１３の外形との間にわずかな隙間が形成されている。
【００４５】
ベース部１３は、底面部１１の中央に形成されている。ベース部１３の外形の一辺の長さは、一方の側面部１２の内側面から反対側の側面部１２の内側面までの長さの３／５程度である。ベース部１３の厚さは、例えば、０．８ｍｍである。
【００４６】
半導体チップ２０は、一方面２２がベース部１３の上面とはんだを介して接合された状態でベース部１３の上面に配設されている。半導体チップ２０の一方面２２及び他方面２４には、それぞれ電極が形成されている。一方面２２に形成された電極(図示せず。)とベース部１３とは、はんだを介して電気的に接続されている。半導体チップ２０の一方面２２の外形及び他方面２４の外形は、それぞれ正方形である。
【００４７】
接続子３０は、一方の端部が半導体チップ２０の他方面２４とはんだを介して接合され、他方の端部がケース１０の外部に導出された状態で、半導体チップ２０の他方面２４上に配設されている。
【００４８】
接続子３０は、一方の端部側に位置し半導体チップ２０の他方面２４とはんだを介して接合された半導体チップ接合部３１と、他方の端部側に位置し外部回路と接続するための第２外部端子部３２と、半導体チップ接合部３１及び第２外部端子部３２の間に挟まれた連結部３３とを有する。
【００４９】
半導体チップ接合部３１は、平板形状を有し、半導体チップ接合部３１の外形は、半導体チップ２０の他方面２４の外形と対応した外形を有する。具体的には、半導体チップ接合部３１の外形の形状は、半導体チップ２０の他方面の外形の形状（正方形）と同じ形状で、半導体チップ接合部３１の外形の大きさは、半導体チップ２０の他方面の外形の大きさよりもやや小さい。このため、半導体チップの外形と半導体チップ接合部３１の外形との間にわずかな隙間が形成されている。
【００５０】
半導体チップ２０の他方面２４に形成された電極(図示せず。)と半導体チップ接合部３１とは、はんだを介して電気的に接続されている。
【００５１】
第２外部端子部３２は、平板形状を有し、第２外部端子部３２の外形は、長方形である。第２外部端子部３２は、ケース１０の側面部１２とは離間した位置にあり、第１外部端子部１４における外部回路との接続面１５と第２外部端子部３２における外部回路との接続面３４とが同一平面上にある。
【００５２】
連結部３３は、半導体チップ接合部３１と第２外部端子部３２とを連結する板状部材である。接続子３０において、半導体チップ接合部３１と連結部３３とは、半導体チップ接合部３１の端部で半導体チップ２０との接合面とは反対側に屈曲された構造となるように連結されている。また、接続子３０において、第２外部端子部３２と連結部３３とは、第２外部端子部３２の端部でケース１０の内側に屈曲された構造となるように連結されている。それ以外にも、連結部３３は、半導体チップ接合部３１から第２外部端子部３２までの中途でほぼ垂直に屈曲された構造となっている。
【００５３】
樹脂４０は、ポリイミド又はポリエーテルアミドからなり、半導体チップ２０を外部からの衝撃から保護する。樹脂４０は、表面がケース１０の端部と接触し、かつ、表面が底面部１１側に凹形状となるように、ケース１０内部に充填されている。
【００５４】
２．実施形態１に係る半導体装置の製造方法
次に、実施形態１に係る半導体装置の製造方法を説明する。
図２は、実施形態１に係る半導体装置の製造方法を説明するために示すフローチャートである。
図３は、実施形態１に係る半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図３（ａ）〜図３（ｆ）は各工程図である。なお、図３においては、図１と異なり、底面部１１が下になるように図示している。
【００５５】
実施形態１に係る半導体装置の製造方法は、図２に示すように、「ケース準備工程Ｓ１」と、「半導体チップ配設工程（第１配設工程）Ｓ２」と、「接続子配設工程（第２配設工程）Ｓ３」と、「リフロー工程Ｓ４」と、「樹脂充填工程Ｓ５」とをこの順序で含む。
【００５６】
（１）ケース準備工程Ｓ１
まず、図３（ａ）に示すように、開口部１８を有する枡状のケース１０を準備する。ケース１０は、底面部１１、側面部１２及び底面部１１の内表面の中央に形成され半導体チップ２０の一方面２２の外形に対応した上面の外形を有する凸形状のベース部１３を有し、かつ、底面部１１、側面部１２及びベース部１３が同一の金属部材から一体的に形成されている。ベース部１３の上面は、平面状であり、底面部１１の内表面と平行となる。なお、ケース１０の側面部１２のうちの一部が、外部回路と接続するための第１外部端子部１４を構成する。
【００５７】
（２）半導体チップ配設工程（第１配設工程）Ｓ２
次に、ベース部１３の上面にはんだを配設する。具体的には、まず、ベース部１３の上面にフラックス（図示せず。）を塗布してベース部１３表面の金属酸化物を除去する。このとき、ベース部１３が凸形状をしており、かつ、ベース部１３の上面が平面状であり底面部１１の内表面と平行となることから、フラックスがベース部１３の上面以外の領域に流れ出ることを防ぐことができる。
【００５８】
次に、フラックスが塗布されたベース部１３の上面に、図３（ｂ）に示すように、ペースト状のはんだＨ１を搭載する。はんだＨ１は、厚さは０．０５ｍｍ〜０．１ｍｍ程度である。次に、はんだＨ１上に再びフラックス（図示せず。）を塗布する。次に、位置決め治具（カーボン治具）Ｃを設置する。なお、位置決め治具（カーボン治具）Ｃを設置するタイミングは、半導体チップ２０を配設する前であれば適宜のタイミングで実施することができる。
【００５９】
次に、図３（ｃ）に示すように、ケース１０におけるベース部１３と、半導体チップ２０の一方面２２とを対向させるようにケース１０及び半導体チップ２０を位置決めして半導体チップ２０を配設する。具体的には、半導体チップ２０がベース部１３の上面からはみ出さないようにベース部１３の外形に合わせて位置決めしながら、位置決め治具（カーボン治具）Ｃを用いてベース部１３の上面に半導体チップ２０を配設する。
【００６０】
（３）接続子配設工程（第２配設工程）Ｓ３
次に、半導体チップ２０の他方面２４上にはんだを配設する。具体的には、まず、半導体チップ２０の他方面２４上にフラックス（図示せず。）を塗布して他方面２４の金属酸化物を除去する。次に、フラックスが塗布されたベース部１３の上面に、図３（ｄ）に示すように、ペースト状のはんだＨ２を搭載する。はんだＨ２は、厚さは０．０５ｍｍ〜０．１ｍｍ程度である。次に、はんだＨ２上に再びフラックス（図示せず。）を塗布する。
【００６１】
次に、図３（ｅ）に示すように、半導体チップ２０の他方面２４と半導体チップ２０の他方面２４の外形に対応した外形を有する半導体チップ接合部３１とを対向させるように、半導体チップ２０及び接続子３０を位置決めして接続子３０を配設する。具体的には、接続子３０の一方の端部に形成された半導体チップ接合部３１が半導体チップ２０の他方面２４の上面からはみ出さないように、半導体チップ２０の他方面２４の外形に合わせて位置決めしながら、位置決め治具（カーボン治具）Ｃを用いて半導体チップ２０の他方面２４上に半導体チップ２０を配設する。
【００６２】
このとき、他方の端部がケース１０の外部に導出された状態で一方の端部が半導体チップ２０の他方面とはんだＨ２を介して対向するように接続子３０を配設する。また、ケース１０の側面部１２のうちの一部が構成する第１外部端子部１４における外部回路との接続面１５と、接続子３０の第２外部端子部３２における外部回路との接続面３４とが同一平面上となるようにケース１０、半導体チップ２０及び接続子３０を配設する。
【００６３】
このようにして、ケース１０、半導体チップ２０及び接続子３０からなる構成体を形成する。
【００６４】
（４）リフロー工程Ｓ４
次に、第２配設工程Ｓ３で形成された構成体を位置決め治具（カーボン治具）Ｃから取出し、リフロー炉の中に入れてはんだを溶融させる。このことにより、半導体チップ２０の一方面２２に形成された電極とベース部１３とを電気的に接続するようにベース部１３の上面にはんだを介して半導体チップ２０を接合する工程（第１接合工程）と、半導体チップ２０の他方面２４に形成された電極と半導体チップ接合部３１とを電気的に接続するように半導体チップ２０の他方面にはんだを介して接続子３０を接合する工程（第２接合工程）とを同時に実施する。
【００６５】
リフロー工程Ｓ４において、リフロー炉内の炉内温度は、例えば３５０℃である。リフロー炉内に加熱した不活性ガス（Ｎ２ガス）を導入してもよい。不活性ガスとしては、Ｎ２ガス、Ａｒガスなどを用いることができる。
【００６６】
（５）樹脂充填工程Ｓ５
次に、図３(ｆ)に示すように、リフロー炉から取り出した構成体に対して、樹脂４０の表面がケース１０の端部と接触し、かつ、樹脂４０の表面がケース１０の底面部１１側に凹形状となるようにケース１０内部に樹脂を充填する。
【００６７】
このようにして、半導体装置１を製造することができる。
【００６８】
３．実施形態１に係る半導体装置及び半導体装置の製造方法の効果
【００６９】
実施形態１に係る半導体装置１によれば、底面部１１、側面部１２及びベース部１３は、同一の金属部材から一体的に形成されたものであるため、底面部１１とベース部１３とをはんだを介して接合する必要がなく、流れ出るはんだに引きずられてベース部１３が位置ずれするおそれもない。従って、ケース１０に対する半導体チップ２０の位置を正確に位置決めすることが可能となり、その結果、寸法精度が高く信頼性が高い半導体装置となる。
【００７０】
また、実施形態１に係る半導体装置１によれば、底面部１１、側面部１２及びベース部１３は、同一の金属部材から一体的に形成されたものであるため、底面部１１とベース部１３とをはんだを介して接合する必要がなく、ベース部１３を位置決めする工程や底面部１１とベース部１３とをはんだを介して接合する工程等が不要となる。このため、時間と手間と設備とがかかることがなく、高い生産性で製造可能な半導体装置となる。
【００７１】
また、実施形態１に係る半導体装置１によれば、底面部１１、側面部１２及びベース部１３は、同一の金属部材から一体的に形成されたものであるため、従来の半導体装置と比較して、ケース１０の内部抵抗を低くすることが可能となり、内部抵抗による損失を少なくすることができる。
【００７２】
また、実施形態１に係る半導体装置１によれば、表面がケース１０の端部と接触するようにケース１０内部に充填されている樹脂４０を備えるため、半導体チップ２０及び半導体チップ接合部３１が十分に保護された半導体装置となり、外部からの衝撃に強い半導体装置となる。
【００７３】
また、実施形態１に係る半導体装置１によれば、ケース１０の底面部１１側に凹形状となるようにケース１０内部に充填されている樹脂４０を備えることから、樹脂４０を充填する際に、ケース１０から樹脂があふれ出して側面部１２に構成された第１外部端子部１４に到達することや、樹脂が連結部３３を這い上がって第２外部端子部３２にまで達することを防ぐことが可能となる。このため、半導体装置を外部回路に実装する際、第１外部端子部１４や第２外部端子部３２に樹脂が付着していることに起因して外部回路との接続が不良となることを防ぐことが可能となる。
【００７４】
また、実施形態１に係る半導体装置１によれば、ベース部１３の上面の外形が、半導体チップ２０の一方面の外形に対応した外形を有することから、ベース部１３と半導体チップ２０との接触面積を大きくすることが可能となる。その結果、半導体チップ２０から発生する熱をケース１０に効率的に放熱することが可能となる。
【００７５】
さらにまた、実施形態１に係る半導体装置１によれば、接続子３０の半導体チップ接合部３１の外形が、半導体チップ２０の他方面２４の外形と対応した外形を有することから、半導体チップ２０と接続子３０との接触面積を大きくすることが可能となる。その結果、半導体チップ２０から発生する熱を接続子３０に効率的に放熱することが可能となる。
【００７６】
また、実施形態１に係る半導体装置１によれば、ベース部１３の上面は、底面部１１の内表面と平行となることから、ベース部１３の上面と半導体チップ２０とをはんだを介して接合するためにベース部１３の上面に配設したはんだを溶融する際、溶融したはんだがベース部１３の上面に留まりやすくなる。このため、ケース１０に対する半導体チップ２０の位置を正確に位置決めすることが可能となり、その結果、寸法精度が高く信頼性が高い半導体装置となる。
【００７７】
実施形態１に係る半導体装置の製造方法によれば、第１配設工程Ｓ２において、底面部１１、側面部１２及びベース部１３が同一の金属部材から一体的に形成されたものであるケース１０を用いるため、底面部１１とベース部１３とをはんだを介して接合する必要がなく、ベース部１３を位置決めする工程や底面部１１とベース部１３とをはんだを介して接合する工程が不要となる。このため、時間と手間と設備とがかかることがなく、高い生産性で半導体装置を製造することが可能となる。
【００７８】
また、実施形態１に係る半導体装置の製造方法によれば、第１配設工程Ｓ２において、底面部１１、側面部１２及びベース部１３が同一の金属部材から一体的に形成されたものであるケース１０を用いるため、底面部１１とベース部１３とをはんだを介して接合する必要がなく、ベース部１３を位置決めする工程や底面部１１とベース部１３とをはんだを介して接合する工程が不要となる。このため、時間と手間と設備とがかかることがなく、高い生産性で半導体装置を製造することが可能となる。
【００７９】
また、実施形態１に係る半導体装置の製造方法によれば、第１接合工程と第２接合工程とを同時に実施するため、時間と手間と設備とがかかることがなく、高い生産性で半導体装置を製造することが可能となる。
【００８０】
［実施形態２］
図４は、実施形態２に係る半導体装置の製造方法を説明するために示すフローチャートである。
図５は、実施形態２に係る半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図５（ａ）〜図５（ｆ）は各工程図である。
【００８１】
実施形態２に係る半導体装置の製造方法は、基本的には実施形態１に係る半導体装置の製造方法と同様の工程を含むが、第１配設工程と第２配設工程との順序が逆である点が実施形態１に係る半導体装置の製造方法の場合とは異なる。すなわち、実施形態２に係る半導体装置の製造方法は、図４に示すように、「接続子設置工程Ｓ１１」と、「半導体チップ配設工程（第２配設工程）Ｓ１２」と、「ケース配設工程（第１配設工程）Ｓ１３」と、「リフロー工程Ｓ１４」と、「樹脂充填工程Ｓ１５」とをこの順序で含む。
【００８２】
（ａ）接続子設置工程Ｓ１１
まず、図５（ａ）に示すように、接続子３０を他方端側（第２外部端子部３２側）が下になり、半導体チップ接合部３１の半導体チップ２０との接合面が上になるように位置決め治具（カーボン治具）Ｃに設置する。このとき、半導体チップ接合部３１が位置決め治具の台座部分Ｂ上に水平になるように設置する。
半導体チップ接合部３１は、接続子３０の一方の端部側に位置し半導体チップ２０の他方面２４の外形に対応した外形を有する。また、接続子３０においては、半導体チップ接合部３１と連結部３３とが、半導体チップ接合部３１の端部における半導体チップ２０と接合するための面とは反対側に屈曲された構造となるように連結されている。
【００８３】
（ｂ）半導体チップ配設工程（第２配設工程）Ｓ１２
次に、半導体チップ接合部３１の半導体チップ２０との接合面にフラックス（図示せず。）を塗布した後、図５（ｂ）に示すように、ペースト状のはんだＨ１を搭載する。はんだＨ１は、厚さは０．０５ｍｍ〜０．１ｍｍ程度である。次に、はんだＨ１上に再びフラックス（図示せず。）を塗布する。
【００８４】
次に、図５（ｃ）に示すように、半導体チップ接合部３１と、半導体チップ２０の他方面２４とを対向させるように半導体チップ２０及び接続子３０を位置決めして、半導体チップ２０を半導体チップ接合部３１上に配設する。
【００８５】
（ｃ）ケース配設工程（第１配設工程）Ｓ１３
次に、半導体チップ２０の一方面２２にフラックス（図示せず。）を塗布した後、図５（ｄ）に示すように、ペースト状のはんだＨ２を搭載する。はんだＨ２は、厚さは０．０５ｍｍ〜０．１ｍｍ程度である。次に、はんだＨ２上に再びフラックス（図示せず。）を塗布する。
【００８６】
次に、図５（ｅ）に示すように、ケース１０におけるベース部１３と半導体チップ２０の一方面２２とを対向させるようにケース１０及び半導体チップ２０を位置決めして、ケース１０をかぶせるように配設する。このとき、接続子３０の他方の端部がケース１０の外部に導出された状態となる。また、ケース１０の側面部１２のうちの一部が構成する第１外部端子部１４における外部回路との接続面１５と、接続子３０の他方の端部側に位置し第２外部端子部３２における外部回路との接続面３４とが同一平面上となるようにケース１０、半導体チップ２０及び接続子３０を配設する。
【００８７】
このようにして、ケース１０、半導体チップ２０及び接続子３０からなる構成体を形成する。
【００８８】
次に、リフロー工程Ｓ１４と樹脂充填工程Ｓ１５（図５（ｆ）参照。）とを実施する。リフロー工程Ｓ１４は、実施形態１におけるリフロー工程Ｓ４と、樹脂充填工程Ｓ１５は実施形態１における樹脂充填工程Ｓ５と同様の工程であるため、説明を省略する。
【００８９】
このように、実施形態２に係る半導体装置の製造方法は、第１配設工程と第２配設工程との順序が逆である点が実施形態１に係る半導体装置の製造方法の場合とは異なるが、実施形態１に係る半導体装置の製造方法の場合と同様に、ケース配設工程（第１配設工程）Ｓ１３において、底面部１１、側面部１２及びベース部１３が同一の金属部材から一体的に形成されたケース１０を用いるため、底面部１１とベース部１３とをはんだを介して接合する必要がなく、流れ出るはんだに引きずられてベース部１３が位置ずれするおそれもない。従って、ケース１０に対する半導体チップ２０の位置を正確に位置決めすることが可能となり、信頼性が高い半導体装置を製造することが可能となる。
【００９０】
また、実施形態２に係る半導体装置の製造方法によれば、ケース配設工程（第１配設工程）Ｓ１３において、底面部１１、側面部１２及びベース部１３が同一の金属部材から一体的に形成されたケース１０を用いるため、底面部１１とベース部１３とをはんだを介して接合する必要がなく、ベース部１３を位置決めする工程や底面部１１とベース部１３とをはんだを介して接合する工程が不要となる。このため、時間と手間と設備とがかかることがなく、高い生産性で半導体装置を製造することが可能となる。
【００９１】
また、実施形態２に係る半導体装置の製造方法によれば、ケース１０をかぶせるように配設することから、底面部１１がはんだの上になるように配設することとなり、リフロー工程Ｓ１４において溶融したはんだが底面部１１の内表面に流れ出ることを防ぐことが可能となる。このため、流れ出るはんだに引きずられてベース部１３が位置ずれすることを防ぐことが可能となる
【００９２】
なお、実施形態２に係る半導体装置の製造方法は、第１配設工程と第２配設工程との順序が逆である点以外の点においては実施形態１に係る半導体装置の製造方法と同様の構成を有するため、実施形態１に係る半導体装置の製造方法が有する効果のうち該当する効果を有する。
【００９３】
［実施形態３］
図６は、実施形態３に係る半導体装置３を説明するために示す図である。図６（ａ）は半導体装置３の側断面図であり、図６（ｂ）は図６中の矢印Ａから見た半導体装置３の平面図である。なお、図６（ａ）においてはんだの図示は省略している。また、図６（ｂ）において樹脂４０の図示は省略している。
【００９４】
実施形態３に係る半導体装置３は、基本的には実施形態１に係る半導体装置１と同様の構成を有するが、ケースの底面部に凹部が設けられている点が実施形態１に係る半導体装置１の場合とは異なる。すなわち、実施形態３に係る半導体装置３においては、図６に示すように、底面部１１ａの外表面の中央に凹部１６ａが設けられている。
【００９５】
凹部１６ａにおいては、凹部１６ａの底が平面となっており、凹部１６ａの底表面がベース部１３ａの上面と平行である。凹部１６ａの底表面の外形は、ベース部１３ａの上面と対応した外形を有している。具体的には、凹部１６ａの底表面の外形形状は、ベース部１３ａの上面の外形形状と同じ形状であり、凹部１６ａの外形の大きさは、ベース部１３ａの上面の外形の大きさよりもやや小さくなっている。凹部１６ａの底表面とベース部１３ａの上面との間の厚さは例えば、０．８ｍｍである。
【００９６】
このように、実施形態３に係る半導体装置３は、ケースの底面部に凹部が設けられている点が実施形態１に係る半導体装置１の場合とは異なるが、実施形態１に係る半導体装置１の場合と同様に、底面部１１ａ、側面部１２ａ及びベース部１３ａは、同一の金属部材から一体的に形成されたものであるため、底面部１１ａとベース部１３ａとをはんだを介して接合する必要がなく、流れ出るはんだに引きずられてベース部１３ａが位置ずれするおそれもない。従って、ケース１０ａに対する半導体チップ２０の位置を正確に位置決めすることが可能となり、その結果、寸法精度が高く信頼性が高い半導体装置となる。
【００９７】
また、実施形態３に係る半導体装置３によれば、底面部１１ａの外表面の中央に凹部１６ａが設けられていることから、ケース１０ａの外表面の面積が増加し、半導体チップ２０から発生する熱をケース１０ａから外部へ効率的に放熱することが可能となる。
【００９８】
また、実施形態３に係る半導体装置３によれば、底面部１１ａの外表面の中央に凹部１６ａが設けていることから、熱を発生する半導体チップ２０とケース１０ａの外までの距離が短くなり、このことからも半導体チップ２０から発生する熱をケース１０ａから外部へ効率的に放熱することが可能となる。
【００９９】
また、実施形態３に係る半導体装置３によれば、凹部１６ａの底表面がベース部１３ａの上面と平行であることから、ベース部１３ａの上面に配設された半導体チップ２０の一方面から凹部１６ａの底表面までの距離に差が生じにくく、局所的に熱が集中することを防ぐことができるため、半導体チップ２０から発生する熱をより一層効率的に外部に放熱することが可能となる。
【０１００】
なお、実施形態３に係る半導体装置３は、ケースの底面部に凹部が設けられている点以外の点においては実施形態１に係る半導体装置１と同様の構成を有するため、実施形態１に係る半導体装置１が有する効果のうち該当する効果を有する。
【０１０１】
［実施形態４］
図７は、実施形態４に係る半導体装置４を説明するために示す図である。図７（ａ）は半導体装置４の側断面図であり、図７（ｂ）は図７中の矢印Ａから見た半導体装置４の平面図である。なお、図７（ａ）においてはんだの図示は省略している。また、図７（ｂ）において樹脂４０の図示は省略している。
【０１０２】
実施形態４に係る半導体装置４は、基本的には実施形態１に係る半導体装置１と同様の構成を有するが、ベース部の構成が実施形態１に係る半導体装置１の場合とは異なる。すなわち、実施形態４に係る半導体装置４において、ベース部１３ｂは、図７に示すように、ベース部１３ｂの上面が平面形状となっており、かつ、第１外部端子部１４側におけるベース部１３ｂの端部の厚さが第１外部端子部１４側とは反対側におけるベース部１３ｂの端部の厚さよりも薄い構成（つまり、ベース部１３ｂの上面がケース１０ｂの底面部１１の内表面に対して斜めになっている構成）になっている。
【０１０３】
接続子３０ｂは、基本的には実施形態１における接続子３０と同様の構成を有するが、接続子３０ｂにおいては、半導体チップ接合部３１ｂと連結部３３ｂとが、底面部１１ｂの内表面に対するベース部１３ｂの上面の傾きに対応した角度で半導体チップ接合部３１ｂの端部でケース１０ｂの開口部側に屈曲された構造となるように連結されている。
【０１０４】
このように、実施形態４に係る半導体装置４は、ベース部の構成が実施形態１に係る半導体装置１の場合とは異なるが、実施形態１に係る半導体装置１の場合と同様に、底面部１１ｂ、側面部１２ｂ及びベース部１３ｂは、同一の金属部材から一体的に形成されたものであるため、底面部１１ｂとベース部１３ｂとをはんだを介して接合する必要がなく、溶融したはんだに引きずられてベース部１３ｂが位置ずれするおそれもない。従って、ケース１０ｂに対する半導体チップ２０ｂの位置を正確に位置決めすることが可能となり、その結果、信頼性が高い半導体装置となる。
【０１０５】
また、実施形態４に係る半導体装置４によれば、ベース部１３ｂは、ベース部１３ｂの上面が平面形状となっており、かつ、第１外部端子部１４ｂ側のベース部１３ｂの端部の厚さが第１外部端子部１４ｂ側とは反対側のベース部１３ｂの端部の厚さよりも薄い構成になっていることから、ケース１０ｂの重心の位置が、ベース部の厚さが一定の場合と比較してケース１０ｂの開口部側の位置となる。このため、ケース１０ｂの重量バランスが底面部１１ｂ側に傾くことを防止することが可能となり、接続子３０ｂの第２外部端子部３２ｂが外部回路から離れることを防ぐことが可能となる。その結果、半導体装置と外部回路とが接触不良となることを防ぐことが可能となる。
【０１０６】
なお、実施形態４に係る半導体装置４は、ケースの構成以外の点においては実施形態１に係る半導体装置１と同様の構成を有するため、実施形態１に係る半導体装置１が有する効果のうち該当する効果を有する。
【０１０７】
［実施形態５］
図８は、実施形態５に係る半導体装置５を説明するために示す図である。図８（ａ）は半導体装置５の側断面図であり、図８（ｂ）は図８中の矢印Ａから見た半導体装置５の平面図である。なお、図８（ａ）においてはんだの図示は省略している。また、図８（ｂ）において樹脂４０の図示は省略している。
【０１０８】
実施形態５に係る半導体装置５は、基本的には実施形態４に係る半導体装置４と同様の構成を有するが、ケースの底面部に凹部が設けられている点が実施形態４に係る半導体装置４の場合とは異なる。すなわち、実施形態５に係る半導体装置５においては、図８に示すように、底面部１１ｃの外表面の中央に凹部１６ｃが設けられている。
【０１０９】
凹部１６ｃにおいては、凹部１６ｃの底が平面となっており、凹部１６ｃの底表面がベース部１３ｃの上面と平行である。凹部１６ｃの底表面の外形は、ベース部１３ｃの上面と対応した外形を有しており、凹部１６ｃの底表面のサイズは、ベース部１３ｃの上面よりも一回り小さいサイズで形成されている。凹部１６ｃの底表面とベース部１３ｃの上面との間の厚さは例えば、０．８ｍｍである。
【０１１０】
このように、実施形態５に係る半導体装置５は、ケースの底面部に凹部が設けられている点が実施形態４に係る半導体装置４の場合とは異なるが、実施形態４に係る半導体装置４の場合と同様に、底面部１１ｃ、側面部１２ｃ及びベース部１３ｃは、同一の金属部材から一体的に形成されたものであるため、底面部１１ｃとベース部１３ｃとをはんだを介して接合する必要がなく、流れ出るはんだに引きずられてベース部１３ｃが位置ずれするおそれもない。従って、ケース１０ｃに対する半導体チップ２０の位置を正確に位置決めすることが可能となり、その結果、寸法精度が高く信頼性が高い半導体装置となる。
【０１１１】
また、実施形態５に係る半導体装置５によれば、底面部１１ｃの外表面の中央に凹部１６ｃが設けられていることから、ケース１０ｃの外表面の面積が増加し、半導体チップ２０から発生する熱をケース１０ｃから外部へ効率的に放熱することが可能となる。
【０１１２】
また、実施形態５に係る半導体装置５によれば、底面部１１ｃの外表面の中央に凹部１６ｃが設けていることから、熱を発生する半導体チップ２０とケース１０ｃの外までの距離が短くなり、このことからも半導体チップ２０から発生する熱をケース１０ａから外部へ効率的に放熱することが可能となる。
【０１１３】
また、実施形態５に係る半導体装置５によれば、凹部１６ｃの底表面は、ベース部１３ｃの上面と平行であることから、ベース部１３ｃの上面に配設された半導体チップ２０の一方面２２から凹部１６ｃの底表面までの距離に差が生じにくく、局所的に熱が集中することを防ぐことができるため、半導体チップ２０から発生する熱を効率的に外部に放熱することが可能となる。
【０１１４】
なお、実施形態５に係る半導体装置５は、ケースの底面部に凹部が設けられている点以外の点においては実施形態４に係る半導体装置４と同様の構成を有するため、実施形態４に係る半導体装置４が有する効果のうち該当する効果を有する。
【０１１５】
以上、本発明を上記の実施形態に基づいて説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではない。その趣旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば、次のような変形も可能である。
【０１１６】
（１）上記各実施形態においては、ケースが打ち出し加工によって形成されてなる場合を例にとって本発明を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、ケースが絞り加工によって形成されてなる場合であっても本発明を適用可能である。
【０１１７】
（２）上記各実施形態においては、第１接合工程と第２接合工程とを同時に実施する場合を例にとって本発明を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。第１接合工程と前記第２接合工程とを別々に実施する場合であっても本発明を適用可能である。
【０１１８】
（３）上記各実施形態においては、接続子の表面が底面部側に凹形状となるように樹脂がケース内部に充填されている場合を例にとって本発明を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、接続子の表面がケースの端部と面一となった状態で樹脂がケース内部に充填されている場合であっても本発明を適用可能である。
【０１１９】
（４）上記各実施形態においては、底面部の形状が正方形形状である場合を例にとって本発明を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。底面部の形状が、正方形形状以外の四角形形状、四角形以外の多角形形状その他の形状をしている場合であっても本発明を適用可能である。
【０１２０】
（５）上記各実施形態においては、底面部の形状が、角に丸みを帯びている場合を例にとって本発明を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。底面部の形状が、角に丸みを帯びていない場合であっても本発明を適用可能である。
【０１２１】
（６）上記各実施形態においては、リフロー工程において不活性ガスを導入した場合を例にとって本発明を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。リフロー工程において不活性ガスを導入しない場合であっても本発明を適用可能である。
【符号の説明】
【０１２２】
１，２，３，４，９００…半導体装置、１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，９１０…ケース、１１，１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，９１１…底面部、１２，１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，９１２…側面部、１３，１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，９１３…ベース部、１４，１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，９１４…第１外部端子部、１５，１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，９１５…（第１外部端子部の）接続面、１６，１６ｃ，９１６…凹部、１８…開口部、２０，９２０…半導体チップ、２２，９２２…（半導体チップの）一方面、２４，９２４…（半導体チップの）他方面、３０，３０ｂ，３０ｃ，９３０…接続子、３１，３１ｂ，３１ｃ，９３１…半導体チップ接合部、３２，３２ｂ，３２ｃ，９３２…第２外部端子部、３３，３３ｂ，３３ｃ，９３３…連結部、３４，３４ｂ，３４ｃ，９３４…（第２外部端子部の）接続面、４０，９４０…樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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