(57)【要約】【課題】金属ナノワイヤーを含む層との接続部分における接触抵抗が低く且つ電極や配線を配置するための自由度が高い導電パターン形成基板を提供すること。【解決手段】光透過性を有する基材２と、基材２の外面に設けられ金属ナノワイヤー４を含有し光透過性を有するナノワイヤー層３と、金属ナノワイヤー４と接するようにナノワイヤー層３上に設けられ一様な導電性を有する光透過性の中継導電層８と、中継導電層８と接して設けられ中継導電層８より面抵抗が小さな配線層９と、を備え、配線層９は、少なくとも一部が中継導電層８に接する複数の導電性フィラーと、複数の導電性フィラーが分散された状態で複数の導電性フィラーを支持するバインダーと、を有し、中継導電層８に接する金属ナノワイヤー４は当該中継導電層８に接する複数の導電性フィラーに対して中継導電層８を介して電気的に接続される。【選択図】図２
2014013820.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性を有する基材と、
前記基材の外面に設けられ金属ナノワイヤーを含有し光透過性を有するナノワイヤー層と、
前記金属ナノワイヤーと接するように前記ナノワイヤー層上に設けられ一様な導電性を有する光透過性の中継導電層と、
前記中継導電層と接して設けられ前記中継導電層より面抵抗が小さな配線層と、
を備え、
前記配線層は、
少なくとも一部が前記中継導電層に接する複数の導電性フィラーと、
前記複数の導電性フィラーが分散された状態で前記複数の導電性フィラーを支持するバインダーと、
を有し、
前記中継導電層に接する前記金属ナノワイヤーは当該中継導電層に接する複数の導電性フィラーに対して前記中継導電層を介して電気的に接続される
ことを特徴とする導電パターン形成基板。
【請求項２】
請求項１に記載の導電パターン形成基板であって、
前記ナノワイヤー層は、
前記金属ナノワイヤーを含有する導電パターンと、
前記導電パターン間を絶縁状態とする絶縁パターンと、
を有し、
前記中継導電層は、前記導電パターン上の全面に積層されていることを特徴とする導電パターン形成基板。
【請求項３】
請求項１または２に記載の導電パターン形成基板であって、
前記ナノワイヤー層は、
前記金属ナノワイヤーを含有する所定形状の複数の電極部と、
前記電極部間を絶縁する絶縁パターンと、
を有し、
前記中継導電層は前記電極部上の全面に積層されていることを特徴とする導電パターン形成基板。
【請求項４】
請求項１に記載の導電パターン形成基板であって、
前記中継導電層は、互いに連結された複数の金属粒子を含む層であることを特徴とする導電パターン形成基板。
【請求項５】
請求項１に記載の導電パターン形成基板であって、
前記中継導電層は、導電性を有する金属酸化物若しくは導電性高分子を含むことを特徴とする導電パターン形成基板。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の導電パターン形成基板であって、
前記中継導電層は、前記ナノワイヤー層上に積層され、
前記配線層は、前記中継導電層の外面のうち前記中継導電層が前記ナノワイヤー層と接する面と反対側の面上に積層されている
ことを特徴とする導電パターン形成基板。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載の導電パターン形成基板であって、
前記配線層は前記基材に接していることを特徴とする導電パターン形成基板。
【請求項８】
請求項７に記載の導電パターン形成基板であって、
前記配線層の少なくとも一部は前記ナノワイヤー層と接していることを特徴とする導電パターン形成基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電パターンが形成された基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板上に形成された導電パターンの例として、金属ナノワイヤーやカーボンナノチューブ等の繊維状導体を有する導電パターンが知られている。これらの導電パターンは、光透過性を有する導電パターンとして構成されることがあり、タッチパネルの画面上に配置される透明電極などに採用されている。
【０００３】
例えば特許文献１には、導電金属細線（金属ナノワイヤー）によって電極及び配線のパターンが形成されたタッチパネルが開示されている。特許文献１に記載のタッチパネルは、紫外線硬化樹脂内に分散された金属ナノワイヤーを有する薄膜をエッチング液に浸漬してパターン形成をすることによって電極が形成されている。
また、特許文献１においては、金属ナノワイヤーが分散された紫外線硬化樹脂からなる層に、銅箔からなる層が積層されることにより、金属ナノワイヤーと銅箔とが導通状態とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１４６０２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に開示された技術では、金属ナノワイヤーが分散された紫外線硬化樹脂からなる層上に銅箔が積層された積層体から、不要な銅箔をエッチングにより除去し、さらに別のエッチング法により不要な金属ナノワイヤーを除去している。このため、銅箔の下層に配された金属ナノワイヤーを除去することは実質的に不可能であり、電極や配線を配置するための自由度が制限されている。
【０００６】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、金属ナノワイヤーを含む層との接続部分における接触抵抗が低く、金属ナノワイヤー同士の接続安定性が高く、且つ電極や配線を配置するための自由度が高い導電パターン形成基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
本発明の導電パターン形成基板は、光透過性を有する基材と、前記基材の外面に設けられ金属ナノワイヤーを含有し光透過性を有するナノワイヤー層と、前記金属ナノワイヤーと接するように前記ナノワイヤー層上に設けられ一様な導電性を有する光透過性の中継導電層と、前記中継導電層と接して設けられ前記中継導電層より面抵抗が小さな配線層と、を備え、前記配線層は、少なくとも一部が前記中継導電層に接する複数の導電性フィラーと、前記複数の導電性フィラーが分散された状態で前記複数の導電性フィラーを支持するバインダーと、を有し、前記中継導電層に接する前記金属ナノワイヤーは当該中継導電層に接する複数の導電性フィラーに対して前記中継導電層を介して電気的に接続されることを特徴とする導電パターン形成基板である。
【０００８】
また、前記ナノワイヤー層は、前記金属ナノワイヤーを含有する導電パターンと、前記導電パターン間を絶縁状態とする絶縁パターンと、を有し、前記中継導電層は、前記導電パターン上の全面に積層されていてもよい。
【０００９】
また、前記ナノワイヤー層は、前記金属ナノワイヤーを含有する所定形状の複数の電極部と、前記電極部間を絶縁する絶縁パターンと、を有し、前記中継導電層は前記電極部上の全面に積層されていてもよい。
【００１０】
また、前記中継導電層は、互いに連結された複数の金属粒子を含む層であってもよい。
また、前記中継導電層は、導電性を有する金属酸化物若しくは導電性高分子を含んでいてもよい。
【００１１】
また、前記中継導電層は、前記ナノワイヤー層上に積層され、前記配線層は、前記中継導電層の外面のうち前記中継導電層が前記ナノワイヤー層と接する面と反対側の面上に積層されていてもよい。
【００１２】
また、前記配線層は前記基材に接していてもよい。
また、前記配線層の少なくとも一部は前記ナノワイヤー層と接していてもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の導電パターン形成基板は、金属ナノワイヤーの外面に面接触する中継導電層を介して金属ナノワイヤーと配線層とが電気的に接続されるので、金属ナノワイヤーを含む層との接続部分における接触抵抗が低い。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施形態の導電パターン形成基板を示す模式的な平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線における断面図である。
【図３】図２の拡大図である。
【図４】同実施形態の導電パターン形成基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図５】同実施形態の変形例の構成を示す図で、図１のＡ−Ａ線と同様の位置における断面図である。
【図６】同実施形態の変形例における他の構成を示す図で、図１のＡ−Ａ線と同様の位置における断面図である。
【図７】（ａ）及び（ｂ）は、同実施形態の他の変形例の構成を示す図で、図１のＡ−Ａ線と同様の位置における断面図である。
【図８】本発明の第２実施形態の導電パターン形成基板を示す模式的な断面図である。
【図９】同実施形態の導電パターン形成基板の製造工程を示す図である。
【図１０】同実施形態の導電パターン形成基板の製造工程を示す図である。
【図１１】同実施形態の導電パターン形成基板の製造工程を示す図である。
【図１２】同実施形態の導電パターン形成基板の製造工程を示す図である。
【図１３】図１２の拡大図である。
【図１４】同実施形態の導電パターン形成基板の製造工程を示す図である。
【図１５】同実施形態の変形例の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態の導電パターン形成基板１（以下単に「基板１」と称する。）について説明する。
まず、基板１の構成について説明する。図１は、本実施形態の導電パターン形成基板を示す模式的な平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ線における断面図である。図３は、図２において符号Ｘで示す部分の拡大図である。
図１及び図２に示すように、基板１は、基材２と、ナノワイヤー層３と、中継導電層８と、配線層９とがこの順に積層された積層構造を有している。また、基板１の厚さ方向から見たときの中央部には、光透過性を有し、映像等を基板１の厚さ方向に透過させることができる矩形形状の窓部１５が設けられている。窓部１５の外側領域は、光透過性を有していない枠部１６となっている。
本実施形態において、枠部１６は、基板１が組み込まれる対象となる装置（タッチパネルやタブレット等）の筐体によって覆われる部分となる。また、窓部１５は、基板１が組み込まれる対象となる上記装置において操作者が上記映像等を見ながらタッチ入力をするための部分となる。例えば、窓部１５は、液晶ディスプレイ装置において映像等が表示される面に重ねて配置される。
【００１６】
基材２は、板材、フィルム、シート、または膜によって形成されており、絶縁性を有する。基材２は、光透過性を有していてもよい。また、基材２は、可撓性を有していてもよい。本実施形態では、基材２として、ポリエチレンテレフタレートのシートが採用されている。なお、基材２の材料としては、ポリエチレンテレフタレートの他に、ポリカーボネート、ＰＥＮ、アクリル樹脂、シクロオレフィンポリマーなどを採用することができる。また、基材２の材料として、ガラスが採用されていてもよい。
【００１７】
図３に示すように、ナノワイヤー層３は、基材２の外面に設けられ金属ナノワイヤー４を含有する層である。具体的には、ナノワイヤー層３は、複数の金属ナノワイヤー４が回路パターンをなして配置された導電パターン５と、金属ナノワイヤー４が取り除かれていることにより絶縁性となっている絶縁パターン７とを有する。
【００１８】
導電パターン５は、複数の金属ナノワイヤー４からなる。導電パターン５を構成する金属ナノワイヤー４は、例えば長さが数十μｍ程度の微細な金属線材である。金属ナノワイヤー４の材料は、銀、金、銅、アルミニウムなど、導電性の高い金属材料であることが好ましい。導電パターン５内において、複数の金属ナノワイヤー４は光透過性樹脂６内に略均一に分散されている。複数の金属ナノワイヤー４の大部分は、隣接する金属ナノワイヤー４と接しており、隣接する金属ナノワイヤー４と電気的に接続されている。これにより、導電パターン５は、電極や配線等として機能する。さらに導電パターン５は、金属ナノワイヤー４間に隙間が空いていることにより、光透過性を有する。
本実施形態では、導電パターン５は、基板１を厚さ方向からみたときの窓部１５内において１以上の電極部５ａ、及び、電極部５ａに電気的に接続され窓部１５から枠部１６へと引き出される引き出し線５ｂを構成している。
【００１９】
図１に示すように、絶縁パターン７は、導電パターン５の周囲に設けられており、導電パターン５を構成する各線間を絶縁している。なお、絶縁パターン７を間に挟んで隣り合う導電パターン５が短絡しなければ、絶縁パターン７内に微量の金属ナノワイヤー４が存在していてもよい。
【００２０】
図２および図３に示すように、中継導電層８は、金属ナノワイヤー４と接するようにナノワイヤー層３に設けられている。また、中継導電層８は光透過性を有している。また、基板１の厚さ方向からみて窓部１５内に位置する導電パターン５上には、中継導電層８が積層されている。さらに、枠部１６において、中継導電層８は、ナノワイヤー層３と配線層９とに挟まれている。
中継導電層８は、一様な導電性を有する。中継導電層８は、金属酸化物若しくは導電性高分子を含み且つ光透過性を有する層であってよい。具体的には、中継導電層８として、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）、インジウム鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等を採用することができる。また、中継導電層８としては、導電性ポリマーからなる光透過性導電膜を採用することもできる。中継導電層８として採用可能な導電性ポリマーとしては、例えば、ポリチオフェン系導電性ポリマーであるＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）を採用することができる。中継導電層８が導電性高分子である場合には、印刷により容易に成膜できるので、蒸着等を必要とする他の材質を採用する場合よりも製造工程を簡素化できる。さらに、導電性高分子により形成された膜状の中継導電層８とした場合、中継導電層８は折り曲げに対する耐性が高く、中継導電層８の形成後に所望の三次元形状に成形しやすい。
中継導電層８に含まれる導体成分の一部は、ナノワイヤー層３の外面に露出された金属ナノワイヤー４の表面において、実質的に面接触となるように多数の点若しくは線状に金属ナノワイヤー４と接触する。また、中継導電層８に含まれる導体成分は、中継導電層８内に一様に存在している。なお、中継導電層８は、実質的に絶縁体を含まないことが好ましいが、微量の絶縁体を含んでいても構わない。
【００２１】
配線層９は、中継導電層８と接し、枠部１６内に設けられている。また、配線層９は、中継導電層８より面抵抗が低い。例えば、配線層９は、導電性フィラー１０がバインダー１１中に分散されてなる層とすることができる。導電性フィラー１０は、少なくとも一部が中継導電層８に接する導電性の粉粒体である。例えば、導電性フィラー１０としては、金、銀、銅、白金、ニッケル、錫、鉛、あるいはこれらの合金等を材料とすることができる。バインダー１１は、導電性フィラー１０が分散された状態で導電性フィラー１０を支持する部材である。バインダー１１は、導電性を有することが好ましい。なお、本実施形態では、絶縁体をバインダー１１として採用することもできる。また、配線層９は、光透過性を有していていても構わないが、本実施形態では、枠部１６は光不透過であるので、配線層９が光透過性を有していることは必須でない。配線層９は、光学的特性よりも、電気抵抗が低いものであることに着目して選択されることが好ましい。
【００２２】
次に、本実施形態の基板１の製造方法について説明する。図４は、本実施形態の導電パターン形成基板の製造方法を示すフローチャートである。
まず、基材２の外面に、ナノワイヤー層３を形成する（図４に示すステップＳ１）。
ステップＳ１では、まず、金属ナノワイヤー４及び微量の水溶性ポリマーが水系溶媒に分散された溶液を、基材２の外面に塗布し、乾燥させる。これにより、金属ナノワイヤー４は、水溶性ポリマーによって基材２の外面に付着し、基材２に対して仮固定される。
続いて、光透過性樹脂の流動体を基材２の外面に塗布し、当該流動体を硬化させて光透過性樹脂６とする。光透過性樹脂６として、例えば、熱硬化性樹脂、溶剤蒸発乾燥性樹脂、２液硬化性樹脂、可視光硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、及び電子線硬化性樹脂等から適宜選択して採用することができる。硬化した光透過性樹脂６によって、金属ナノワイヤー４は基材２に固定される。光透過性樹脂６は、基材２上において層状となっており、金属ナノワイヤー４の一部が光透過性樹脂６から突出した状態で、上述の仮固定よりも強く金属ナノワイヤー４を基材２に固定する補強層となっている。
これでステップＳ１は終了し、ステップＳ２へ進む。
【００２３】
ステップＳ２は、ナノワイヤー層３に導電パターン５および絶縁パターン７を形成するステップである。
ステップＳ２では、ナノワイヤー層３において絶縁パターン７とする領域にレーザー光を照射する。すると、レーザー光が照射された領域内の金属ナノワイヤー４が消失する。これにより、絶縁パターン７においては導体が除去される。ナノワイヤー層３における絶縁パターン７以外の領域が導電パターン５となる。なお、導電パターン５は、電力や電気信号を伝えるためのパターン以外に、例えば電磁波等のノイズの影響を緩和するためのシールドとなるパターンを含んでいてもよい。
また、ステップＳ２では、レーザー光を用いた所謂レーザーエッチングに代えて、例えばウェットエッチングによって絶縁パターン７における金属ナノワイヤー４を除去してもよい。
これでステップＳ２は終了し、ステップＳ３へ進む。
【００２４】
ステップＳ３は、中継導電層８を形成するステップである。
ステップＳ３では、中継導電層８となる導体を、所望のパターン形状となるようにナノワイヤー層３上に形成する。具体的には、中継導電層８は、導電パターン５と同形状となるように、導電パターン５に積層される。すなわち、導電パターン５における電極部５ａ及び引き出し線５ｂには中継導電層８が設けられる。
例えば中継導電層８としてＩＴＯ、ＦＴＯ、ＩＺＯ、若しくはＺｎＯ等の光透過性導電膜、又は導電性ポリマー等からなる光透過性導電膜を形成する場合には、光透過性導電膜を導電パターン５上にパターン形成する。中継導電層８が導電パターン５に積層されることにより、導電パターン５においてナノワイヤー層３から突出状態にある金属ナノワイヤー４は、突出部分が中継導電層８に覆われた状態となる。すなわち、導電パターン５から突出した金属ナノワイヤー４の外面は、突出部分において中継導電層８と面接触している。
これでステップＳ３は終了し、ステップＳ４へ進む。
【００２５】
ステップＳ４は、配線層９を形成するステップである。
ステップＳ４では、中継導電層８のうち、基板１の厚さ方向から見て枠部１６内に位置する部分に、パターン形状となるように配線層９を形成する。例えば、中継導電層８と重なる領域を有する所望の配線パターンをなす開口が形成されたスクリーン版を用いたスクリーン印刷によって配線層９を形成することができる。これにより、中継導電層８がナノワイヤー層３と接する面と反対側の面上に、配線層９が積層される。
これでステップＳ４は終了する。
【００２６】
次に、基板１の作用について説明する。
まず、基板上において金属ナノワイヤーを他の配線に接続する従来の技術について示す。
従来、金属ナノワイヤーは、樹脂の流動体に分散させて塗布された後に樹脂が硬化することによって保持されている。このため、樹脂の外面から露出する金属ナノワイヤーの本数や露出量を厳密に制御することは困難である。その結果、金属ナノワイヤーと他の配線との接触抵抗の大きさにばらつきがあり、また金属ナノワイヤーと他の配線との導通不良が発生する場合もある。
また、従来の技術では、金属ナノワイヤー同士、及び金属ナノワイヤーと他の配線とは、点接触もしくは線接触によって機械的に接しており、例えば、基板が曲げられた場合には金属ナノワイヤーが他の配線から容易に外れる場合がある。金属ナノワイヤーと他の配線との接触機会が失われることにより、製造時には正常な導通状態であった基板の導通状態が使用に伴って不良となる場合もある。
【００２７】
また、金属ナノワイヤー同士の接触機会は、金属ナノワイヤーの密度に依存している。したがって、基板の製造後に金属ナノワイヤーの密度が低い領域と高い領域とが生じた場合、金属ナノワイヤーの密度が低い領域では、金属ナノワイヤー同士の電気的な接続経路が、金属ナノワイヤーの密度が低い領域よりも少なくなる。この場合には、金属ナノワイヤー同士の接触抵抗にムラが生じる。このため、導電パターン上における金属ナノワイヤーの密度が低い一部の領域で導通不良が生じないように留意しなければならない。
【００２８】
これに対して、本実施形態では、図３に示すように、ナノワイヤー層３と配線層９との間に、中継導電層８が設けられている。中継導電層８と金属ナノワイヤー４との接点は接触界面８ａにおいて無数にあり、また、中継導電層８と配線層９との接点は接触界面８ｂにおいて無数にある。中継導電層８に接する金属ナノワイヤー４は、中継導電層８に接する複数の導電性フィラー１０に対して中継導電層８を介して電気的に接続される。
このように、中継導電層８は、ナノワイヤー層３から露出された金属ナノワイヤー４に実質的に面接触し、且つ、配線層９と実質的に面接触する。これにより、ナノワイヤー層３上に積層された中継導電層８は、ナノワイヤー層３と配線層９との間で電力や電気信号を中継する多数の経路を提供することができる。
さらに、中継導電層８と金属ナノワイヤー４とが実質的に面接触状態であるので、基板１が曲げられた場合に金属ナノワイヤー４が僅かに移動したとしても、金属ナノワイヤー４と中継導電層８との機械的接触が維持される。これにより、金属ナノワイヤー４と中継導電層８とが導通不良となりにくい。
【００２９】
さらに、導電パターン５の電極部５ａや引き出し線５ｂにおいて、金属ナノワイヤー４同士の接触機会が少ない領域があったとしても、中継導電層８を介して金属ナノワイヤー４が電気的に接続される。これにより、導電パターン５の導通不良や接触抵抗の増加が生じにくくなっている。
【００３０】
また、本実施形態では、中継導電層８は、ナノワイヤー層３と配線層９との間に挟まれた層状構造を有しており、中継導電層８の層厚を薄くすれば、ナノワイヤー層３と配線層９との間における電気抵抗を低くすることができる。
【００３１】
以上説明したように、本実施形態の基板１では、金属ナノワイヤー４に対して実質的に面接触状態で導通する中継導電層８を介して配線層９と接続された構成を有しているので、接触抵抗が低い。
さらに、ナノワイヤー層３に導電パターン５および絶縁パターン７が形成された後に中継導電層８がパターン形成されるので、中継導電層８及び配線層９の下層を絶縁パターン７とするようなパターン形成も可能であり、導電パターン５及び絶縁パターン７を形成する自由度が高い。
【００３２】
また、配線層９が中継導電層８を介して金属ナノワイヤー４と導通しているので、金属ナノワイヤー４と配線層９とを直接接触させにくいような相性問題がある場合に、配線層９に面接触し、且つ金属ナノワイヤー４に面接触する特性を有する中継導電層８を介在させることにより、当該相性問題を解消できる可能性が高まる。
【００３３】
（変形例１）
次に、本発明の変形例について説明する。なお、以下に説明する各変形例において、上述の実施形態と同様の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図５は、本変形例の構成を示す図で、図１のＡ−Ａ線と同様の位置における断面図である。図６は、本変形例における他の構成を示す図で、図１のＡ−Ａ線と同様の位置における断面図である。
図５に示すように、本変形例では、配線層９においてナノワイヤー層３に向けられた面とは異なる面に中継導電層８の一部が接している。本変形例の中継導電層８は、ナノワイヤー層３上に配線層９を形成した後に形成される。
本変形例の場合には、配線層９とナノワイヤー層３とが直接接する部分においては、従来と同様の導通状態となっている。これに加えて、本変形例の中継導電層８は、配線層９との双方に面接触し、金属ナノワイヤー４と配線層９との間に上述の実施形態と同様に無数の経路を提供することができる。
なお、本発明と上述の実施形態とを組み合わせて、配線層９の全周を覆うように配線層９に接する中継導電層８としてもよい（図６参照）。この場合、上述の実施形態と比較して配線層９と中継導電層８との接触面積が増え、金属ナノワイヤー４と配線層９との導通経路をさらに増やすことができる。その結果、金属ナノワイヤー４と配線層９とを安定した導通状態で接続することができる。
【００３４】
（変形例２）
次に、本発明の他の変形例について説明する。図７（ａ）及び図７（ｂ）は、本変形例の構成を示す図で、図１のＡ−Ａ線と同様の位置における断面図である。
本変形例では、図７（ａ）に示すように、配線層９は、基材２に接して設けられている。また、中継導電層８は、ナノワイヤー層３の一部及び配線層９の一部を覆うように、ナノワイヤー層３及び配線層９に積層されている。
また、本変形例では、図７（ａ）に示すようにナノワイヤー層３と配線層９とは接していてもよいし、例えば図７（ｂ）に示すようにナノワイヤー層３と配線層９とが離間していてもよい。ナノワイヤー層３と配線層９とが離間している場合には、ナノワイヤー層３と配線層９との間の隙間内に中継導電層８が入り込んでいる。
本変形例の場合でも、中継導電層８は、金属ナノワイヤー４の外面に実質的に面接触状態で導通し、且つ配線層９に対して実質的に面接触状態で導通している。これにより、上述の実施形態と同様に、金属ナノワイヤー４と配線層９との間において、電力や電気信号が流れる無数の経路が中継導電層８によって提供されている。
【００３５】
本変形例でも、上述の実施形態と同様の効果を奏する。
さらに、本変形例では、ナノワイヤー層３の外面のうち、基材２に接する面と交差する方向に向けられた面（以下、「ナノワイヤー層３の側面」と称する。）に中継導電層８が入り込んでいるので、例えば製造時の誤差によってナノワイヤー層３と配線層９との間に隙間が生じたとしても、ナノワイヤー層３と配線層９とが中継導電層８を介して導通状態となる。
また、本変形例では、上述の実施形態とは逆に、基材２の外面に配線層９が形成された後に基材２の外面にナノワイヤー層３を形成してもよい。
【００３６】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態の導電パターン形成基板及びその製造方法について説明する。図８は、本実施形態の導電パターン形成基板を示す模式的な断面図である。
本実施形態の基板２０は、上述の第１実施形態で説明した基板１とは構成が異なる。すなわち、基板２０の厚さ方向から見て絶縁パターン７と重なる領域には、光透過性樹脂６に代えて絶縁性粘着剤２２が配されている。
【００３７】
次に、本実施形態の基板２０の製造方法について説明する。図９ないし図１４は、導電パターン形成基板の製造工程を示す図である。なお、図１３は図１２に符号Ｙで示す部分の模式的な拡大図である。
本実施形態では、まず、図９及び図１０に示すように、上述のステップＳ１と同様にナノワイヤー層３を形成する。
まず、図９に示すように、基材２上に、第１実施形態と同様に金属ナノワイヤー及び水溶性ポリマーを含んだ液体を塗布して乾燥させる。続いて、図１０に示すように、金属ナノワイヤー４の一部を覆うように光透過性樹脂６の流動体を塗布する。
このとき、図１３に示すように、光透過性樹脂６の厚さは、金属ナノワイヤー４のうち基材２側に位置する一部が光透過性樹脂６によって基材２に固定される程度の厚さでよく、上述の第１実施形態と比較して光透過性樹脂６は薄く形成される。また、本実施形態において、光透過性樹脂６の材質は、紫外線硬化型のアクリル樹脂やウレタン系樹脂、あるいは熱硬化型のアクリル系樹脂やウレタン系樹脂などを採用することができる。
【００３８】
続いて、図１１に示すように、中継導電層８を光透過性樹脂６上に積層する。図１３に示すように、中継導電層８を光透過性樹脂６上に積層することにより、光透過性樹脂６の外面から突出した金属ナノワイヤー４が中継導電層８に包まれた状態となる。中継導電層８の形成直後は、ナノワイヤー層３および中継導電層８は電気的にベタパターンとなっている。
【００３９】
続いて、図１２に示すように、配線層９を、中継導電層８に重なり、所望のパターン形状となるように形成する。例えば、中継導電層８のパターンと同形状をなす開口が形成されたスクリーン版を用いたスクリーン印刷によって配線層９を形成することができる。これにより、中継導電層８がナノワイヤー層３と接する面と反対側の面上に、配線層９が積層される。
【００４０】
続いて、図１４に示すように、ナノワイヤー層３において絶縁パターン７とする領域にレーザー光を照射する。すると、レーザー光が照射された領域内の金属ナノワイヤー４が消失する。さらに、さらに、レーザー光の照射によって、中継導電層８及び光透過性樹脂６も除去される。これにより、レーザー光が照射された領域が絶縁パターン７となる。そして、ナノワイヤー層３における絶縁パターン７以外の領域が導電パターン５となる。
また、レーザー光を用いた所謂レーザーエッチングに代えて、例えばウェットエッチングによって絶縁パターン７における金属ナノワイヤー４を除去してもよい。
【００４１】
続いて、図８に示すように、絶縁性粘着剤２２を用いて保護層２１を取り付ける。保護層２１は、絶縁体からなる膜、フィルム、シートあるいは板であり、光透過性を有する。保護層２１の材料としては、例えばポリエチレンテレフタレートを用いることができる。
保護層２１の取付方法としては、例えば、配線層９まで形成済みの基材２上に絶縁性粘着剤２２を塗布して保護層２１を貼り付けたり、絶縁性粘着剤２２が保護層２１の厚さ方向の一方の面に設けられた状態で、配線層９まで形成済みの基材２に保護層２１を貼り付けたりすることができる。
なお、保護層２１や絶縁性粘着剤２２以外の絶縁体によって導電パターン５や配線部９が絶縁され得る場合には、保護層２１や絶縁性粘着剤２２が無くてもかまわない。
【００４２】
本実施形態の導電パターン形成基板及びその製造方法によれば、光透過性樹脂６を薄く形成することにより、金属ナノワイヤー４と中継導電層８との接触面積及び接触機会を増加させることができる。これにより、導電パターン５の導通状態を良好にし、抵抗値を安定させることができる。
【００４３】
（変形例）
次に、上述の第２実施形態の変形例について説明する。図１５は、本変形例の構成を示す断面図である。
図１５に示すように、本変形例では、上述のステップＳ１において光透過性樹脂６を積層することなく、金属ナノワイヤー４が基材２に仮固定された状態で基材２上に中継導電層８を積層する。
【００４４】
すなわち、本変形例では、基材２に対して金属ナノワイヤー４を強く固定する補強層としての機能を中継導電層８が担っている。本変形例において、中継導電層８の厚さは、金属ナノワイヤー４が全て中継導電層８内に埋没する厚さであることが好ましい。また、中継導電層８の厚さの上限は特に限定されない。なお、金属ナノワイヤー４が全て中継導電層８内に埋没する範囲内において中継導電層８が薄く構成されていると、ナノワイヤー層３と配線層９との間の電気抵抗を低く抑えることができる。
【００４５】
このような構成であると、金属ナノワイヤー４の外面の大部分（水溶性ポリマーが付着した部分を除いた殆どの部分）に中継導電層８が面接触するので、金属ナノワイヤー４と中継導電層８との接触面積及び接触機会をさらに増加させることができる。これにより、導電パターン５の導通状態をさらに良好にし、抵抗値を安定させることができる。
また、金属ナノワイヤー４が全て中継導電層８内に埋没していると、金属ナノワイヤー４が外気等に触れて腐食するなどの金属ナノワイヤー４の劣化が起こりにくくなり、基板２０の信頼性を高めることができる。
【００４６】
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
また、上述の実施形態及び各変形例において示した構成要素は適宜に組み合わせて構成することが可能である。
例えば、金属ナノワイヤーに代えて、または金属ナノワイヤーとともに、球状、粒状、ワイヤ状、およびロッド状の導電粒子を有していてもよい。
なお、上記具体的な構成に対する設計変更等は上記事項には限定されない。
【符号の説明】
【００４７】
１，２０  導電パターン形成基板
２  基材
３  ナノワイヤー層
４  金属ナノワイヤー
５  導電パターン
６  光透過性樹脂
７  絶縁パターン
８  中継導電層
９  配線層
１０  導電性フィラー
１１  バインダー
１５  窓部
１６  枠部
２１  保護層
２２  絶縁性粘着剤
【図１】
2014013820.tif 000003
【図２】
2014013820.tif 000004
【図３】
2014013820.tif 000005
【図４】
2014013820.tif 000006
【図５】
2014013820.tif 000007
【図６】
2014013820.tif 000008
【図７】
2014013820.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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