(57)【要約】【課題】接合強度に優れた金属層を有するベース基板、このベース基板を備えた信頼性の高い電子デバイス、この電子デバイスを備えた信頼性の高い電子機器を提供すること。【解決手段】ベース基板２１０は、基板２２０と、基板２２０に設けられた金属層（メタライズ層２４０、電極層２３０）と、を有し、金属層は、少なくとも、材料にニッケルを含むニッケル含有膜と、ニッケル含有膜に対して基板２２０と反対側に位置し、材料にパラジウムを含むパラジウム含有膜と、を有しており、ニッケル含有膜およびパラジウム含有膜の少なくとも一方は、リンの含有量が１質量％未満である。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に設けられている金属層と、を有し、
前記金属層は、少なくとも、材料にニッケルを含むニッケル含有膜と、前記ニッケル含有膜に対して前記基板と反対側に位置し、材料にパラジウムを含むパラジウム含有膜と、を有しており、
前記ニッケル含有膜および前記パラジウム含有膜の少なくとも一方は、リンの含有量が１質量％未満であることを特徴とするベース基板。
【請求項２】
前記金属層は、前記基板と他の部材とが接合するためのメタライズ層である請求項１に記載のベース基板。
【請求項３】
前記金属層は、電極層である請求項１に記載のベース基板。
【請求項４】
前記ニッケル含有膜および前記パラジウム含有膜は、それぞれ、無電解めっき処理により形成されている請求項１ないし３のいずれか一項に記載のベース基板。
【請求項５】
前記パラジウム含有膜の平均厚さは、０．１５μｍ以上である請求項１ないし４のいずれか一項に記載のベース基板。
【請求項６】
前記パラジウム含有膜は、前記ニッケル含有膜とが直接重なっている請求項１ないし５のいずれかに一項に記載のベース基板。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか一項に記載のベース基板と、前記メタライズ層を介して前記基板に接合されている蓋体と、を有するパッケージと、
前記パッケージ内に収容されている電子部品と、を含むことを特徴とする電子デバイス。
【請求項８】
請求項７に記載の電子デバイスを含むことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ベース基板、電子デバイスおよび電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、例えば、振動素子等の電子部品をパッケージに収納して構成される電子デバイスが知られている。また、パッケージは、板状のベース基板と、キャップ状のリッドとをメタライズ層を介して接合した構成が知られている。また、ベース基板には、電子部品との接続をとるための端子（金属層）が形成されており、この端子の構成としては、例えば、特許文献１のように、厚さが０．０１〜０．５μｍのニッケルめっき皮膜と、ニッケルめっき皮膜上に形成された厚さが０．０１〜１μｍの金めっき皮膜との積層体を有するものが知られている。このような構成によれば、はんだリフロー時に、ニッケルめっき皮膜および金めっき皮膜の全てがはんだに溶解するため、端子とはんだとの接合が良好となる効果が得られる。
しかしながら、特許文献１のような構成のメタライズ層では、熱負荷によって、ニッケルがメタライズ層の表面へ移動（拡散）してしまい、メタライズ層の表面に、ニッケル酸化被膜が形成されるおそれがある。そして、このようなニッケル酸化膜によって、リッドとの接合性（接合強度）が悪化し、封止の気密性が低下するという問題がる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１５８２０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、接合強度に優れた金属層を有するベース基板、このベース基板を備えた信頼性の高い電子デバイス、この電子デバイスを備えた信頼性の高い電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
［適用例１］
本発明のベース基板は、基板と、
前記基板に設けられている金属層と、を有し、
前記金属層は、少なくとも、材料にニッケルを含むニッケル含有膜と、前記ニッケル含有膜に対して前記基板と反対側に位置し、材料にパラジウムを含むパラジウム含有膜と、を有しており、
前記ニッケル含有膜および前記パラジウム含有膜の少なくとも一方は、リンの含有量が１質量％未満であることを特徴とする。
これにより、金属層表面へのニッケルの移動（拡散）を抑制でき、金属層の表面にニッケル酸化物が形成されてしまうのを抑制することができる。そのため、接合強度に優れたベース基板が得られる。
【０００６】
［適用例２］
本発明のベース基板では、前記金属層は、前記基板と他の部材とが接合するためのメタライズ層であることが好ましい。
これにより、例えば、ベース基板とリッドとの接合をより強化かつ確実に行うことができ、これらの内部空間の気密性を高めることができる。
【０００７】
［適用例３］
本発明のベース基板では、前記金属層は、電極層であることが好ましい。
これにより、接合強度に優れた電極層が得られる。
［適用例４］
本発明のベース基板では、前記ニッケル含有膜および前記パラジウム含有膜は、それぞれ、無電解めっき処理により形成されていることが好ましい。
これにより、ニッケル含有膜およびパラジウム含有膜を容易に形成することができる。
【０００８】
［適用例５］
本発明のベース基板では、前記パラジウム含有膜の平均厚さは、０．１５μｍ以上であることが好ましい。
これにより、金属膜表面へのニッケルの移動（拡散）をより効果的に抑制することができる。
［適用例６］
本発明のベース基板では、前記パラジウム含有膜は、前記ニッケル含有膜とが直接重なっていることが好ましい。
これにより、金属層の構成をより簡易化することができる。
【０００９】
［適用例７］
本発明の電子デバイスは、本発明のベース基板と、前記メタライズ層を介して前記基板に接合されている蓋体と、を有するパッケージと、
前記パッケージ内に収容されている電子部品と、を含むことを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
［適用例８］
本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを含むことを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる電子デバイスの平面図である。
【図２】図１に示す電子デバイスの断面図である。
【図３】図１に示す電子デバイスが有する振動素子の平面図である。
【図４】図１に示す電子デバイスが有するベース基板の部分拡大断面図である。
【図５】図１に示す電子デバイスが有するベース基板の製造方法を説明するための図である。
【図６】本発明の第２実施形態にかかる電子デバイスが有するメタライズ層断面図である。
【図７】本発明の第３実施形態にかかる電子デバイスが有するメタライズ層断面図である。
【図８】本発明の第４実施形態にかかる電子デバイスの断面図である。
【図９】本発明の電子デバイスを備える電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。
【図１０】本発明の電子デバイスを備える電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図１１】本発明の電子デバイスを備える電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【図１２】本発明の電子デバイスを備える電子機器を適用した移動体（自動車）の構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明のベース基板、電子デバイスおよび電子機器を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態にかかる電子デバイスの平面図、図２は、図１に示す電子デバイスの断面図、図３は、図１に示す電子デバイスが有する振動素子の平面図、図４は、図１に示す電子デバイスが有するベース基板の部分拡大断面図、図５は、図１に示す電子デバイスが有するベース基板の製造方法を説明するための図である。なお、以下では、説明の都合上、図２中の上側を「上」、下側を「下」として説明する。
【００１２】
１．電子デバイス
まず、本発明の電子デバイスについて説明する。
図１および図２に示すように、電子デバイス１００は、パッケージ２００と、パッケージ２００内に収容された機能素子としての振動素子３００とを有している。
−振動素子−
図３（ａ）は、振動素子３００を上方から見た平面図であり、同図（ｂ）は、振動素子３００を上方から見た透過図（平面図）である。
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、振動素子３００は、平面視形状が長方形（矩形）の板状をなす圧電基板３１０と、圧電基板３１０の表面に形成された一対の励振電極３２０、３３０とを有している。
【００１３】
圧電基板３１０は、主として厚み滑り振動をする水晶素板である。本実施形態では、圧電基板３１０としてＡＴカットと呼ばれるカット角で切り出された水晶素板を用いている。なお、ＡＴカットとは、水晶の結晶軸であるＸ軸とＺ軸とを含む平面（Ｙ面）をＸ軸回りにＺ軸から反時計方向に約３５度１５分程度回転させて得られる主面（Ｘ軸とＺ’軸とを含む主面）を有するように切り出すことを言う。このような圧電基板３１０は、その長手方向が水晶の結晶軸であるＸ軸と一致する。
【００１４】
励振電極３２０は、圧電基板３１０の上面に形成された電極部３２１と、圧電基板３１０の下面に形成されたボンディングパッド３２２と、電極部３２１およびボンディングパッド３２２を電気的に接続する配線３２３とを有している。一方、励振電極３３０は、圧電基板３１０の下面に形成された電極部３３１と、圧電基板３１０の下面に形成されたボンディングパッド３３２と、電極部３３１およびボンディングパッド３３２を電気的に接続する配線３３３とを有している。そして、電極部３２１、３３１は、圧電基板３１０を介して対向して設けられており、ボンディングパッド３２２、３３２は、圧電基板３１０の下面の図３中右側の端部に離間して設けられている。
【００１５】
このような励振電極３２０、３３０は、例えば、圧電基板３１０上に蒸着やスパッタリングによってニッケル（Ｎｉ）またはクロム（Ｃｒ）の下地層を成膜した後、下地層の上に蒸着やスパッタリングによって金（Ａｕ）の電極層を成膜し、その後フォトリソグラフィおよび各種エッチング技術を用いて、所望の形状にパターニングすることにより形成することができる。下地層を形成することにより、圧電基板３１０と前記電極層との接着性が向上し、信頼性の高い振動素子３００が得られる。
このような振動素子３００は、一対の導電性接着剤２９１、２９２を介してパッケージ２００に固定されている。
【００１６】
−パッケージ−
図１および図２に示すように、パッケージ２００は、板状のベース基板２１０と、下側に開放する凹部を有するキャップ状のリッド（蓋部）２５０とを有している。このようなパッケージ２００では、リッド２５０の開口がベース基板２１０によって塞がれ、前述の振動素子３００を収納する収納空間Ｓが形成されている。
【００１７】
リッド２５０は、有底筒状の本体２５１と、本体２５１の下端（すなわち、本体２５１の開口の周囲）に形成されたフランジ２５３とを有している。このようなリッド２５０の構成材料としては、特に限定されないが、ベース基板２１０の構成材料と線膨張係数が近似する部材であると良い。例えば、ベース基板２１０の構成材料を後述のようなセラミックスとした場合には、コバール等の合金とするのが好ましい。
【００１８】
また、フランジ２５３の下面には、開口の周囲を覆うように、ろう材２５５が膜状に設けられている。ろう材２５５は、例えば、スクリーン印刷法を用いて形成することができる。ろう材２５５としては、特に限定されず、金ろう、銀ろうなどを用いることができるが、銀ろうを用いるのが好ましい。また、ろう材２５５の融点としては、特に限定されないが、８００℃以上、１０００℃以下程度であるのが好ましい。このような融点を有することにより、レーザー封止に適したパッケージ２００となる。
【００１９】
一方、ベース基板２１０は、板状の基板２２０と、基板２２０に設けられた電極層（金属層）２３０およびメタライズ層（金属層）２４０とを有している。
基板２２０の構成材料としては、絶縁性を有していれば、特に限定されず、例えば、酸化物系セラミックス、窒化物系セラミックス、炭化物系セラミックス等の各種セラミックスなどを用いることができる。
【００２０】
電極層２３０は、基板２２０の上面（収納空間Ｓに臨む面）に設けられた一対の接続電極２３１、２３２と、基板２２０の下面に設けられた一対の外部実装電極２３３、２３４と、基板２２０を貫通して設けられ、接続電極２３１、２３２と外部実装電極２３３、２３４とを接続する一対の貫通電極２３５、２３６とを有している。
メタライズ層２４０は、基板２２０の上面の縁部に沿って枠状に設けられている。また、メタライズ層２４０は、電極層２３０と非接触に設けられている。このようなメタライズ層２４０は、リッド２５０のフランジ２５３との間に設けられており、当該部分にて、基板２２０とリッド２５０とを接合している。これにより、パッケージ２００の内部（収納空間Ｓ）が気密的に封止される。
【００２１】
収納空間Ｓには、振動素子３００が収納されている。収納空間Ｓに収納された振動素子３００は、一対の導電性接着剤２９１、２９２を介してベース基板２１０に片持ち支持されている。導電性接着剤２９１は、接続電極２３１とボンディングパッド３２２とに接触して設けられており、これにより、導電性接着剤２９１を介して接続電極２３１とボンディングパッド３２２とが電気的に接続されている。一方の導電性接着剤２９２は、接続電極２３２とボンディングパッド３３２とに接触して設けられており、これにより、導電性接着剤２９２を介して接続電極２３２とボンディングパッド３３２とが電気的に接続されている。
以上、電子デバイス１００の構成について簡単に説明した。
【００２２】
次に、電極層２３０およびメタライズ層２４０の構成について説明する。なお、電極層２３０およびメタライズ層２４０は、互いに同様の構成であるため、以下では、説明の便宜上、メタライズ層２４０について代表して説明し、電極層２３０についてはその説明を省略する。また、以下に示すメタライズ層２４０の構成は、リッド２５０とレーザー封止される前における構成である。
【００２３】
図４に示すように、メタライズ層２４０は、複数の金属膜が積層した積層体で構成されており、複数の金属膜には、少なくとも、材料にＮｉ（ニッケル）を含むＮｉ含有膜と、Ｎｉ含有膜に対して基板２２０と反対側に位置し、材料にＰｄ（パラジウム）を含むＰｄ含有膜とが含まれている。さらに、Ｎｉ含有膜およびＰｄ含有膜の少なくとも一方は、リンの含有量が１質量％未満となっている。メタライズ層２４０をこのような構成とすることにより、メタライズ層２４０表面（最表層）へのニッケルの移動が防止され、優れた接合性を有するメタライズ層２４０となる。
【００２４】
ここで、Ｎｉ含有膜およびＰｄ含有膜は、それぞれ、無電解めっき処理にて形成されているのが好ましい。これにより、これら層を簡単に形成することができる。なお、Ｎｉ含有膜およびＰｄ含有膜の形成方法としては、無電解めっき処理に限定されず、例えば、電解めっき処理によって形成してもよい。
【００２５】
メタライズ層２４０を構成する金属膜の数としては、特に限定されないが、５層程度であるのが好ましい。これにより、金属膜の数が過度に多くならず、メタライズ層２４０の形成が容易となる。また、メタライズ層２４０の厚みが過度に厚くなるのを防止でき、例えば、メタライズ層２４０に残留する応力をより小さくすることができる。そのため、全体として残留応力の少ないパッケージ２００を得ることができる。
また、メタライズ層２４０の平均厚さとしては、特に限定されないが、１０μｍ以上、２０μｍ以下程度であるのが好ましい。これにより、メタライズ層２４０に残留する応力を抑えつつ、ベース基板２１０とリッド２５０とを強固に接合することができる。また、パッケージ２００の厚みの増加を抑えることができる。
【００２６】
具体的には、本実施形態のメタライズ層２４０は、基板２２０側から、第１金属膜２４０ａ、第２金属膜２４０ｂ、第３金属膜２４０ｃ、第４金属膜２４０ｄ、第５金属膜２４０ｅが順に積層してなる積層体で構成されている。
第１金属膜２４０ａは、例えば、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブテン）、Ｗ（タングステン）等の金属材料や、これら金属材料を含む合金などからなる金属膜を好適に用いることができる。このような第１金属膜２４０ａは、例えば、蒸着やスパッタリングによって形成することができる。また、第１金属膜２４０ａは、例えば、第２金属膜２４０ｂを電解めっき処理により形成する場合のシード層として用いられる。第１金属膜２４０ａの平均厚さとしては、特に限定されないが、０．２μｍ以上、０．５μｍ以下程度とするのが好ましい。
【００２７】
第２金属膜２４０ｂは、例えば、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、または、これらのうちの少なくとも１種を含む（主成分とする）合金からなる金属膜を好適に用いることができる。また、第２金属膜２４０ｂの平均厚さとしては、特に限定されないが、５μｍ以上、１５μｍ以下程度とするのが好ましい。このような第２金属膜２４０ｂは、例えば、第１金属膜２４０ａをシード層とした電解めっき処理によって形成することができる。ただし、第１金属膜２４０ａの形成方法としては、特に限定されず、例えば、スパッタリング、蒸着等の各種気相成膜法によって形成することもできる。
【００２８】
第３金属膜２４０ｃは、第２金属膜２４０ｂを保護するバリア層として機能する。このような第３金属膜２４０ｃは、Ｎｉ−Ｐ皮膜（Ｎｉ含有膜）で構成されている。なお、第３金属膜２４０ｃ中のＮｉの含有量は、８８〜９６質量％程度であり、Ｐの含有量は、４〜１２質量％程度であるのが好ましい。また、第３金属膜２４０ｃには、Ｎｉ、Ｐの他に、Ｃｏ（コバルト）、Ｗ（タングステン）、Ｍｏ（モリブテン）のような他の金属材料が含有されていてもよい。
【００２９】
また、第３金属膜２４０ｃの平均厚さとしては、特に限定されないが、１μｍ以上、３μｍ以下程度とするのが好ましい。このような厚さとすることにより、上述した機能を発揮するのに十分な厚さとすることができるとともに、第３金属膜２４０ｃが過度に厚くなることを防止することができる。
また、第３金属膜２４０ｃは、前述したように、無電解めっき処理によって形成するのが好ましい。無電解めっき処理によれば、容易に、第３金属膜２４０ｃを形成することができる。
【００３０】
第４金属膜２４０ｄは、第３金属膜２４０ｃに含まれるＮｉの第５金属膜２４０ｅへの移動を阻止するバリア層として機能する。このような第４金属膜２４０ｄは、純Ｐｄ皮膜（Ｐｄ含有膜）で構成されている。このような第４金属膜２４０ｄは、実質的に、Ｐｄ以外の金属材料を含んでいない。すなわち、第４金属膜２４０ｄ中にＰが含まれていない（第４金属膜２４０ｄ中のＰの濃度は０質量％である）。そのため、第４金属膜２４０ｄによって、メタライズ層２４０の最表面への第３金属膜２４０ｃに含まれるＮｉの移動を阻止することができる。
【００３１】
より具体的に説明すると、例えば、レーザー封止等によってメタライズ層２４０に熱負荷がかかると、第３金属膜２４０ｃ中のＰ（リン）がメタライズ層２４０の表面側へ向けて移動し、このＰ（リン）の移動に引っ張られるようにして第３金属膜２４０ｃ中のＮｉ（ニッケル）もメタライズ層２４０の表面側へ向けて移動する。しかし、本実施形態では、第４金属膜２４０ｄによってＰ（リン）の前記移動を止めることができ、それに伴って、Ｎｉ（ニッケル）のメタライズ層２４０の最表面への移動を阻止することができる。ここで、Ｎｉがメタライズ層２４０の最表面（最表層：第５金属膜２４０ｅ）へ移動してしまうと、メタライズ層２４０の最表面にＮｉ酸化膜が形成されてしまい、このＮｉ酸化膜の悪影響によって、メタライズ層２４０の溶接性（接合性）が低下するという問題がある。これに対して本実施形態によれば、最表面でのＮｉ酸化膜の発生を防止することができるため、溶接性の低下を防止でき、優れた溶接性を発揮することができる。そのため、収納空間Ｓ内の気密性を向上させることができる。
【００３２】
また、Ｐｄ含有膜である第４金属膜２４０ｄを、Ｎｉ含有膜である第３金属膜２４０ｃ上に形成することにより、すなわち、第４金属膜２４０ｄと第３金属膜２４０ｃとが直接重なっていることにより、上記の効果をより効果的に発揮することができるとともに、例えば、メタライズ層２４０を構成する金属膜の数を抑えることができ、メタライズ層２４０の構成の簡易化を図ることができる。
【００３３】
第４金属膜２４０ｄの平均厚さとしては、特に限定されないが、０．１５μｍ以上、１μｍ以下程度であるのが好ましい。このような厚さとすることにより、上述した機能を発揮するのに十分な厚さとすることができるとともに、第４金属膜２４０ｄが過度に厚くなることを防止することができる。
【００３４】
また、第４金属膜２４０ｄは、前述したように、無電解めっき処理によって形成するのが好ましい。無電解めっき処理によれば、容易に、第４金属膜２４０ｄを形成することができる。
なお、第４金属膜２４０ｄには、１質量％未満の含有量であればＰ（リン）が含まれていてもよく、この場合であっても、上記と同様の効果を発揮することができる。
【００３５】
第５金属膜２４０ｅは、メタライズ層２４０の酸化を防止するための膜、すなわち酸化防止膜である。このような第５金属膜２４０ｅは、例えば、金（Ａｕ）皮膜で構成することができる。第５金属膜２４０ｅの平均厚さとしては、特に限定されないが、０．０５μｍ以上、０．３μｍ以下程度であるのが好ましい。このような厚さとすることにより、上述した機能を発揮するのに十分な厚さとすることができるとともに、第５金属膜２４０ｅが過度に厚くなることを防止することができる。
なお、このような第５金属膜２４０ｅは、リッド２５０とのレーザー封止の際に第４金属膜２４０ｄなどに拡散し、実質的に消滅してもよい。
【００３６】
以上、メタライズ層２４０の構成について詳細に説明した。前述したように、電極層２３０についてもメタライズ層２４０と同様の構成であるため、電極層２３０は、次のような効果を発揮することができる。すなわち、メタライズ層２４０と同様に、電極層２３０の最表面にＮｉ酸化膜が形成されてしまうことを防止できるため、導電性接着剤２９１、２９２の接続電極２３１、２３２への接着性が向上する。そのため、振動素子３００をより強固にパッケージ２００に固定することができる。また、前述のＮｉ酸化膜が形成されてしまうと、その一部が電極層２３０から離脱（剥離）し、離脱した酸化膜片が振動素子３００に付着して振動素子３００の性能を低下させるおそれがあるが、本実施形態によれば、そのような問題が発生しないため、優れた信頼性を発揮する電子デバイス１００を提供することができる。
【００３７】
２．ベース基板の製造方法
次に、ベース基板２１０の製造方法について説明する。なお、ベース基板２１０の製造方法は、下記の方法に限定されない。
まず、図５（ａ）に示すように、板状の基板２２０を用意する。基板２２０は、セラミックスやガラスを有する原料粉末、有機溶剤およびバインダーの混合物をドクターブレード法等によってシート状に形成してセラミックグリーンシートを得、得られたセラミックグリーンシートを焼成し、その後、必要箇所に貫通孔（ビアを形成する箇所）に貫通孔を形成することにより得られる。この際、セラミックグリーンシートを複数枚積層したものを焼成してもよい。
【００３８】
次に、図５（ｂ）に示すように、例えば、スパッタリングによって基板２２０の表面にクロム（Ｃｒ）で構成されたＣｒ皮膜２４０Ａを形成する。なお、例えば、貫通孔のアスペクト比が大きい（細長い）場合などには、Ｃｒ皮膜２４０Ａを形成する前に、予め、貫通孔に金属材料を埋めておいてもよい。
次に、図５（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ法を用いて、Ｃｒ皮膜２４０Ａ上に、メタライズ層２４０および電極層２３０の形状に対応したマスクＭを形成する。次に、電解銅めっき処理によってめっきを施すことにより、Ｃｒ皮膜２４０ＡのマスクＭから露出している部分（すなわち、メタライズ層２４０および電極層２３０に対応する部分）にＣｕ皮膜２４０Ｂ（第２金属膜２４０ｂ）を形成する。この際、貫通孔内にめっきが充填され、貫通電極２３５、２３６が形成される。
【００３９】
次に、図５（ｄ）に示すように、マスクＭを除去した後、第２金属膜２４０ｂをマスクとして用いて、ウエットエッチングによってＣｒ皮膜２４０Ａをパターニングする。これにより、第１金属膜２４０ａが形成される。
次に、図５（ｅ）に示すように、無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理、無電解純Ｐｄめっき処理、無電解金めっき処理を順に行うことにより、第２金属膜２４０ｂ上に、Ｎｉ−Ｐ皮膜２４０Ｃ（第３金属膜２４０ｃ）、純Ｐｄ皮膜２４０Ｄ（第４金属膜２４０ｄ）、Ａｕ皮膜２４０Ｅ（第５金属膜２４０ｅ）を順に形成する。
以上によって、ベース基板２１０が製造される。
【００４０】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の電子デバイスの第２実施形態について説明する。
図６は、本発明の第２実施形態にかかる電子デバイスが有するメタライズ層の断面図である。
以下、第２実施形態の電子デバイスについて、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【００４１】
本発明の第２実施形態の電子デバイスは、メタライズ層および電極層の構成が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した第１実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。なお、本実施形態では、メタライズ層と電極層とが同様の構成であるため、以下では、メタライズ層について代表して説明し、電極層については、その説明を省略する。
【００４２】
図６に示すメタライズ層２４０’は、基板２２０側から、第１金属膜２４０ａ’、第２金属膜２４０ｂ’、第３金属膜２４０ｃ’、第４金属膜２４０ｄ’、第５金属膜２４０ｅ’が順に積層してなる積層体で構成されている。このうち第１、第２、第５金属膜２４０ａ’、２４０ｂ’、２４０ｅ’は、前述した第１実施形態の第１、第２、第５金属膜２４０ａ、２４０ｂ、２４０ｅと同様の構成である。
【００４３】
第３金属膜２４０ｃ’は、前述した第１実施形態と同様に、第２金属膜２４０ｂ’を保護するバリア層として機能する。このような第３金属膜２４０ｃ’は、Ｎｉ−Ｂ皮膜（Ｎｉ含有膜）で構成されている。なお、第３金属膜２４０ｃ’中のＢ（ボロン）の含有量は、３．０質量％未満程度であるのが好ましい。また、第３金属膜２４０ｃ’中には、Ｎｉ、Ｂの他に、Ｃｏ（コバルト）やＷ（タングステン）、Ｍｏ（モリブテン）のような他の金属材料を含有していてもよい。また、第３金属膜２４０ｃ’には、１．０質量％未満の含有量であれば、Ｐ（リン）が含有されていてもよい。
【００４４】
また、第３金属膜２４０ｃ’の平均厚さとしては、特に限定されないが、１μｍ以上、３μｍ以下程度とするのが好ましい。このような厚さとすることにより、上述した機能を発揮するのに十分な厚さとすることができるとともに、第３金属膜２４０ｃ’が過度に厚くなることを防止することができる。
また、第３金属膜２４０ｃ’は、無電解めっき処理によって形成するのが好ましい。無電解めっき処理によれば、容易に、第３金属膜２４０ｃ’を形成することができる。
【００４５】
第４金属膜２４０ｄ’は、Ｐｄ−Ｐ皮膜（Ｐｄ含有膜）で構成されている。なお、第４金属膜２４０ｄ’中のＮｉの含有量は、８８〜９６質量％程度であり、Ｐの含有量は、４〜１２質量％程度であるのが好ましい。また、第４金属膜２４０ｄ’中には、Ｐｄ、Ｐの他に、Ｃｏ（コバルト）、Ｗ（タングステン）、Ｍｏ（モリブテン）のような他の金属材料が含有されていてもよい。
【００４６】
第４金属膜２４０ｄ’の平均厚さとしては、特に限定されないが、０．１５μｍ以上、１μｍ以下程度であるのが好ましい。このような厚さとすることにより、上述した機能を発揮するのに十分な厚さとすることができるとともに、第４金属膜２４０ｄ’が過度に厚くなることを防止することができる。
また、第４金属膜２４０ｄ’は、無電解めっき処理によって形成するのが好ましい。無電解めっき処理によれば、容易に、第４金属膜２４０ｄ’を形成することができる。
【００４７】
以上、本実施形態のメタライズ層２４０’について説明した。このようなメタライズ層２４０’によっても、前述した第１実施形態と同様に、Ｎｉ酸化膜の形成が防止され、優れた溶着性を有するメタライズ層２４０’となる。具体的には、Ｎｉ含有膜である第３金属膜２４０ｃ’には、Ｐ（リン）が含まれておらず（または、含まれていても微小であるため）、前述した第１実施形態で説明したような、熱負荷によるＰ（リン）の移動が発生せず、それに伴うＮｉの移動も発生しない。一方、第４金属膜２４０ｄ’中のＰ（リン）は、メタライズ層２４０’の最表面に向かって移動するが、第４金属膜２４０ｄ’には、Ｎｉ（ニッケル）が含まれていないため、Ｎｉの移動は発生しない。したがって、メタライズ層２４０の最表面でのＮｉ酸化膜の形成が防止され、上述した効果を確実に発揮することができる。
このような第２実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００４８】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の電子デバイスの第３実施形態について説明する。
図７は、本発明の第３実施形態にかかる電子デバイスが有するメタライズ層断面図である。
以下、第３実施形態の電子デバイスについて、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【００４９】
本発明の第３実施形態の電子デバイスは、メタライズ層および電極層の構成が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した第１実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。なお、本実施形態では、メタライズ層と電極層とが同様の構成であるため、以下では、メタライズ層について代表して説明し、電極層については、その説明を省略する。
【００５０】
図７に示すメタライズ層２４０”は、基板２２０側から、第１金属膜２４０ａ”、第２金属膜２４０ｂ”、第３金属膜２４０ｃ”、第４金属膜２４０ｄ”、第５金属膜２４０ｅ”が順に積層してなる積層体で構成されている。このうち第１、第２、第５金属膜２４０ａ”、２４０ｂ”、２４０ｅ”は、前述した第１実施形態の第１、第２、第５金属膜２４０ａ、２４０ｂ、２４０ｅと同様の構成である。
【００５１】
第３金属膜２４０ｃ”は、前述した第１実施形態と同様に、第２金属膜２４０ｂ”を保護するバリア層として機能する。このような第３金属膜２４０ｃ”は、Ｎｉ−Ｂ皮膜（Ｎｉ含有膜）で構成されている。なお、第３金属膜２４０ｃ”中のＢ（ボロン）の含有量は、３．０質量％未満程度であるのが好ましい。また、第３金属膜２４０ｃ”中には、Ｎｉ、Ｂの他に、Ｃｏ（コバルト）やＷ（タングステン）、Ｍｏ（モリブテン）のような他の金属材料を含有していてもよい。また、第３金属膜２４０ｃ”には、１．０質量％未満の含有量であれば、Ｐ（リン）が含有されていてもよい。
【００５２】
また、第３金属膜２４０ｃ”の平均厚さとしては、特に限定されないが、１μｍ以上、３μｍ以下程度とするのが好ましい。このような厚さとすることにより、上述した機能を発揮するのに十分な厚さとすることができるとともに、第３金属膜２４０ｃ”が過度に厚くなることを防止することができる。
また、第３金属膜２４０ｃ”は、無電解めっき処理によって形成するのが好ましい。無電解めっき処理によれば、容易に、第３金属膜２４０ｃ”を形成することができる。
【００５３】
第４金属膜２４０ｄ”は、純Ｐｄ皮膜（Ｐｄ含有膜）で構成されている。このような第４金属膜２４０ｄ”は、実質的に、Ｐｄ以外の金属材料を含んでいない。すなわち、第４金属膜２４０ｄ”中にＰが含まれていない（第４金属膜２４０ｄ”中のＰの濃度が０質量％である）。なお、第４金属膜２４０ｄ”には、１質量％未満の含有量であればＰ（リン）が含まれていてもよい。
第４金属膜２４０ｄ”の平均厚さとしては、特に限定されないが、０．１５μｍ以上、１μｍ以下程度であるのが好ましい。このような厚さとすることにより、上述した機能を発揮するのに十分な厚さとすることができるとともに、第４金属膜２４０ｄ”が過度に厚くなることを防止することができる。
また、第４金属膜２４０ｄ”は、無電解めっき処理によって形成するのが好ましい。無電解めっき処理によれば、容易に、第４金属膜２４０ｄ”を形成することができる。
【００５４】
以上、本実施形態のメタライズ層２４０”について説明した。このようなメタライズ層２４０”によっても、前述した第１実施形態と同様に、Ｎｉ酸化膜の形成が防止され、優れた溶着性を有するメタライズ層２４０’となる。具体的には、Ｎｉ含有膜である第３金属膜２４０ｃ’およびＰｄ含有膜である第４金属膜２４０ｄ”のいずれにもＰ（リン）が含まれておらず（または、含まれていても微小であるため）、前述した第１実施形態で説明したような、熱負荷によるＰ（リン）の移動が発生せず、それに伴うＮｉの移動も発生しない。したがって、メタライズ層２４０”の最表面でのＮｉ酸化膜の形成が防止され、上述した効果を確実に発揮することができる。
このような第３実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００５５】
＜第４実施形態＞
次に、本発明の電子デバイスの第４実施形態について説明する。
図８は、本発明の第４実施形態にかかる電子デバイスの断面図である。
以下、第４実施形態の電子デバイスについて、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【００５６】
本発明の第４実施形態の電子デバイスは、パッケージの構成が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した第１実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
図８に示す電子デバイス１００では、パッケージ２００Ａは、上面に開放する凹部２１１Ａを有するベース基板２１０Ａと、凹部２１１Ａの開口を覆うように設けられた板状のリッド２５０Ａとを有している。このようなパッケージ２００Ａでは、凹部２１１Ａ内に振動素子３００が収納されている。
このような第４実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００５７】
（電子機器）
次いで、本発明の電子デバイスを適用した電子機器（本発明の電子機器）について、図９〜図１２に基づき、詳細に説明する。
図９は、本発明の電子デバイスを備える電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部２０００を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター１１００には、フィルター、共振器、基準クロック等として機能する電子デバイス１００が内蔵されている。
【００５８】
図１０は、本発明の電子デバイスを備える電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部２０００が配置されている。このような携帯電話機１２００には、フィルター、共振器等として機能する電子デバイス１００が内蔵されている。
【００５９】
図１１は、本発明の電子デバイスを備える電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【００６０】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
【００６１】
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニター１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。このようなディジタルスチルカメラ１３００には、フィルター、共振器等として機能する電子デバイス１００が内蔵されている。
【００６２】
図１２は、本発明の電子デバイスを備える電子機器を適用した移動体（自動車）の構成を示す斜視図である。自動車１５００には、例えば、ジャイロセンサーとして本発明の電子デバイスが組み込まれる。この場合は、機能素子として、振動素子３００に換えて角速度検出素子を用いた電子デバイス１００’を用いることができる。このような電子デバイス１００’によれば、車体１５０１の姿勢を検出することができる。電子デバイス１００’の検出信号は、車体姿勢制御装置１５０２に供給され、車体姿勢制御装置１５０２は、その信号に基づいて車体１５０１の姿勢を検出し、検出結果に応じてサスペンションの硬軟を制御したり、個々の車輪１５０３のブレーキを制御したりすることができる。その他、このような姿勢制御は、二足歩行ロボットやラジコンヘリコプターで利用することができる。以上のように、各種移動体の姿勢制御の実現にあたって、電子デバイス１００’が組み込まれる。
【００６３】
なお、本発明の電子デバイスを備える電子機器は、図９のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図１０の携帯電話機、図１１のディジタルスチルカメラ、図１２の移動体の他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレーター等に適用することができる。
以上、本発明のベース基板、電子デバイスおよび電子機器について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、各実施形態を適宜組み合わせてもよい。
【実施例】
【００６４】
１．基板の製造
（実施例１）
まず、アルミナを原材料とし、厚さが３００μｍのセラミックス基板を用意した。次に、蒸着によって、セラミックス基板上に、平均厚さが０．２μｍのＣｒ膜を形成した。次に、電解めっき処理によって、Ｃｒ膜上に、平均厚さが１０μｍのＣｕ膜を形成した。次に、無電解めっき処理によって、Ｃｕ膜上に、平均厚さが２μｍのＮｉ−Ｐ膜を形成した。次に、無電解めっき処理によって、Ｎｉ−Ｐ膜上に、平均厚さが０．３μｍの純Ｐｄ膜を形成した。次に、無電解めっき処理によって、純Ｐｄ膜上に、平均厚さが０．０５μｍのＡｕ膜を形成した。以上により、基板上に金属層（メタライズ層、電極層に相当する層）が形成された実施例１のベース基板を得た。なお、Ｎｉ−Ｐ膜中のＰ濃度は、０．８％であった。
【００６５】
（実施例２）
純Ｐｄ膜の平均厚さを０．１５μｍとした以外は、前述の実施例１と同様にして実施例２のベース基板を得た。
（実施例３）
純Ｐｄ膜の平均厚さを０．１０μｍとした以外は、前述の実施例１と同様にして実施例３のベース基板を得た。
【００６６】
（実施例４）
まず、アルミナを原材料とし、厚さが３００μｍのセラミックス基板を用意した。次に、蒸着によって、セラミックス基板上に、平均厚さが０．２μｍのＣｒ膜を形成した。次に、電解めっき処理によって、Ｃｒ膜上に、平均厚さが１０μｍのＣｕ膜を形成した。次に、無電解めっき処理によって、Ｃｕ膜上に、平均厚さが２μｍのＮｉ−Ｂ膜を形成した。次に、無電解めっき処理によって、Ｎｉ−Ｂ膜上に、平均厚さが０．４５μｍのＰｄ−Ｐ膜を形成した。次に、無電解めっき処理によって、Ｐｄ−Ｐ膜上に、平均厚さが０．０５μｍのＡｕ膜を形成した。以上により、基板上に金属層（メタライズ層、電極層に相当する層）が形成された実施例４のベース基板を得た。なお、Ｐｄ−Ｐ膜中のＰ濃度は、０．７％であった。
【００６７】
（実施例５）
まず、アルミナを原材料とし、厚さが３００μｍのセラミックス基板を用意した。次に、蒸着によって、セラミックス基板上に、平均厚さが０．２μｍのＣｒ膜を形成した。次に、電解めっき処理によって、Ｃｒ膜上に、平均厚さが１０μｍのＣｕ膜を形成した。次に、無電解めっき処理によって、Ｃｕ膜上に、平均厚さが２μｍのＮｉ−Ｂ膜を形成した。次に、無電解めっき処理によって、Ｎｉ−Ｂ膜上に、平均厚さが０．３μｍの純Ｐｄ膜を形成した。次に、無電解めっき処理によって、純Ｐｄ膜上に、平均厚さが０．０５μｍのＡｕ膜を形成した。以上により、基板上に金属層（メタライズ層、電極層に相当する層）が形成された実施例５のベース基板を得た。
【００６８】
（比較例１）
まず、アルミナを原材料とし、厚さが３００μｍのセラミックス基板を用意した。次に、蒸着によって、セラミックス基板上に、平均厚さが０．２μｍのＣｒ膜を形成した。次に、電解めっき処理によって、Ｃｒ膜上に、平均厚さが１０μｍのＣｕ膜を形成した。次に、無電解めっき処理によって、Ｃｕ膜上に、平均厚さが２μｍのＮｉ−Ｐ膜を形成した。次に、無電解めっき処理によって、Ｎｉ−Ｐ膜上に、平均厚さが０．３μｍのＰｄ−Ｐ膜を形成した。次に、無電解めっき処理によって、Ｐｄ−Ｐ膜上に、平均厚さが０．０５μｍのＡｕ膜を形成した。以上により、基板上に金属層（メタライズ層、電極層に相当する層）が形成された比較例１のベース基板を得た。
【００６９】
２．評価
各実施例１〜５および比較例１について、熱処理の前後における金属層表面のＮｉ量を定量分析し、Ｎｉの表面への移動の有無およびその量を測定した。なお、前記熱処理として、真空雰囲気中、２７５℃、１２時間の条件で加熱を行い、さらに、その後に、Ｎ２雰囲気中、３００℃、２時間の条件で加熱を行った。また、Ｎｉ量の定量分析は、ＸＰＳ分析（X−ray Photoelectron Spectroscopy）を用いて行った。下記の表１に、その結果を示す。
【００７０】
【表１】
2014013795.tif 000003
【００７１】
表１から、各実施例１〜５では、いずれも、金属層表面へのＮｉの移動（拡散）がほとんど発生していないことが解る。一方、比較例１では、金属層表面へのＮｉの移動が大量に発生していることが解る。
【符号の説明】
【００７２】
１００、１００’…電子デバイス  ２００、２００Ａ…パッケージ  ２１０、２１０Ａ…ベース基板  ２１１Ａ…凹部  ２２０…基板  ２３０…電極層  ２３１、２３２…接続電極  ２３３、２３４…外部実装電極  ２３５、２３６…貫通電極  ２４０、２４０’、２４０”…メタライズ層  ２４０ａ、２４０ａ’、２４０ａ”…第１金属膜  ２４０ｂ、２４０ｂ’、２４０ｂ”…第２金属膜  ２４０ｃ、２４０ｃ’、２４０ｃ”…第３金属膜  ２４０ｄ、２４０ｄ’、２４０ｄ”…第４金属膜  ２４０ｅ、２４０ｅ’、２４０ｅ”…第５金属膜  ２４０Ａ…Ｃｒ皮膜  ２４０Ｂ…Ｃｕ皮膜  ２４０Ｃ…Ｎｉ−Ｐ皮膜  ２４０Ｄ…純Ｐｄ皮膜  ２４０Ｅ…Ａｕ皮膜  ２５０、２５０Ａ…リッド  ２５１…本体  ２５３…フランジ  ２５５…ろう材  ２９１…導電性接着剤  ２９２…導電性接着剤  ３００…振動素子  ３１０…圧電基板  ３２０…励振電極  ３２１…電極部  ３２２…ボンディングパッド  ３２３…配線  ３３０…励振電極  ３３１…電極部  ３３２…ボンディングパッド  ３３３…配線  ２０００…表示部  １１００…パーソナルコンピューター  １１０２…キーボード  １１０４…本体部  １１０６…表示ユニット  １２００…携帯電話機  １２０２…操作ボタン  １２０４…受話口  １２０６…送話口  １３００…ディジタルスチルカメラ  １３０２…ケース  １３０４…受光ユニット  １３０６…シャッタボタン  １３０８…メモリー  １３１２…ビデオ信号出力端子  １３１４…入出力端子  １４３０…テレビモニター  １４４０…パーソナルコンピューター  １５００…自動車  １５０１…車体  １５０２…車体姿勢制御装置  １５０３…車輪  Ｍ…マスク  Ｓ…収納空間
【図１】
2014013795.tif 000004
【図２】
2014013795.tif 000005
【図３】
2014013795.tif 000006
【図４】
2014013795.tif 000007
【図５】
2014013795.tif 000008
【図６】
2014013795.tif 000009
【図７】
2014013795.tif 000010
【図８】
2014013795.tif 000011
【図９】
2014013795.tif 000012
【図１０】
2014013795.tif 000013
【図１１】
2014013795.tif 000014
【図１２】
2014013795.tif 000015
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月1日(2013.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
励振電極３２０は、圧電基板３１０の上面に形成された電極部３２１と、圧電基板３１０の下面に形成されたボンディングパッド３２２と、電極部３２１およびボンディングパッド３２２を電気的に接続する配線３２３とを有している。一方、励振電極３３０は、圧電基板３１０の下面に形成された電極部３３１と、圧電基板３１０の下面に形成されたボンディングパッド３３２と、電極部３３１およびボンディングパッド３３２を電気的に接続する配線３３３とを有している。そして、電極部３２１、３３１は、圧電基板３１０を介して対向して設けられており、ボンディングパッド３２２、３３２は、圧電基板３１０の下面の図３（ｂ）中右側の端部に離間して設けられている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
第４金属膜２４０ｄ’は、Ｐｄ−Ｐ皮膜（Ｐｄ含有膜）で構成されている。なお、第４金属膜２４０ｄ’中のＰｄの含有量は、８８〜９６質量％程度であり、Ｐの含有量は、４〜１２質量％程度であるのが好ましい。また、第４金属膜２４０ｄ’中には、Ｐｄ、Ｐの他に、Ｃｏ（コバルト）、Ｗ（タングステン）、Ｍｏ（モリブテン）のような他の金属材料が含有されていてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
以上、本実施形態のメタライズ層２４０’について説明した。このようなメタライズ層２４０’によっても、前述した第１実施形態と同様に、Ｎｉ酸化膜の形成が防止され、優れた溶着性を有するメタライズ層２４０’となる。具体的には、Ｎｉ含有膜である第３金属膜２４０ｃ’には、Ｐ（リン）が含まれておらず（または、含まれていても微小であるため）、前述した第１実施形態で説明したような、熱負荷によるＰ（リン）の移動が発生せず、それに伴うＮｉの移動も発生しない。一方、第４金属膜２４０ｄ’中のＰ（リン）は、メタライズ層２４０’の最表面に向かって移動するが、第４金属膜２４０ｄ’には、Ｎｉ（ニッケル）が含まれていないため、Ｎｉの移動は発生しない。したがって、メタライズ層２４０’の最表面でのＮｉ酸化膜の形成が防止され、上述した効果を確実に発揮することができる。
このような第２実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
以上、本実施形態のメタライズ層２４０”について説明した。このようなメタライズ層２４０”によっても、前述した第１実施形態と同様に、Ｎｉ酸化膜の形成が防止され、優れた溶着性を有するメタライズ層２４０”となる。具体的には、Ｎｉ含有膜である第３金属膜２４０ｃ”およびＰｄ含有膜である第４金属膜２４０ｄ”のいずれにもＰ（リン）が含まれておらず（または、含まれていても微小であるため）、前述した第１実施形態で説明したような、熱負荷によるＰ（リン）の移動が発生せず、それに伴うＮｉの移動も発生しない。したがって、メタライズ層２４０”の最表面でのＮｉ酸化膜の形成が防止され、上述した効果を確実に発揮することができる。
このような第３実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。