(57)【要約】【課題】配線パターンの一部に反射面を形成しながらも、実装部品の小型化に対応可能な光配線基板、光配線基板の製造方法、及び光モジュールを提供する。【解決手段】光配線基板１０は、樹脂からなる絶縁体層３と、絶縁体層３に積層され、光ファイバ５の光軸に対して傾斜した反射面２２ａを有する金属からなる導体層２とを備え、導体層２には、光電変換素子１１の第１電極１１１が接続される第１接続部２１１を含む第１配線パターン２１と、光電変換素子１１の第２電極１１２が接続される第２接続部２２２を含む第２配線パターン２２とが形成され、第１配線パターン２１と第２配線パターン２２との間の距離は、第１接続部２１１と第２接続部２２２との間で最も狭く、第１接続部２１１と第２接続部２２２との間の距離Ｄ２は、導体層２の厚み方向の寸法Ｈよりも短い。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂からなる絶縁体層と、
前記絶縁体層に積層され、光ファイバの光軸に対して傾斜した傾斜面を有する金属からなる導体層とを備え、
前記導体層には、
光電変換素子の第１電極が接続される第１接続部を含む第１配線パターンと、
前記光電変換素子の第２電極が接続される第２接続部を含む第２配線パターンとが形成され、
前記第１配線パターンと前記第２配線パターンとの間の距離は、前記第１接続部と前記第２接続部との間で最も狭く、
前記第１接続部と前記第２接続部との間の距離は、前記導体層の厚み方向の寸法よりも短い
光配線基板。
【請求項２】
前記導体層の厚み方向の寸法は４０μｍ以上である、
請求項１に記載の光配線基板。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の光配線基板と、
前記光配線基板にフリップチップ実装された前記光電変換素子とを備えた
光モジュール。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の光配線基板の製造方法であって、
前記絶縁体層の表面に前記導体層を形成する工程と、
前記導体層の一部を除去して前記第１配線パターン及び前記第２配線パターンを形成する工程とを有し、
前記第１配線パターン及び前記第２配線パターンを形成する工程は、
前記導体層に、前記第１接続部と前記第２接続部との間で最も狭く、かつ前記第１接続部と前記第２接続部との間の距離が前記導体層の厚み方向の寸法よりも短くなるようにレジストを塗布する工程と、
前記レジストが塗布されていない部分の前記導体層をエッチングにより除去する工程とを含む
光配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線パターンが形成された光配線基板及びその製造方法、ならびに光配線基板を有する光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気配線がパターニングされ、光電変換素子が実装された光モジュールが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
特許文献１に記載の光モジュールは、絶縁樹脂層、及び絶縁樹脂層の表面に形成された金属層からなる基板と、この基板に実装された光電変換素子と、光ファイバに光学接続された光導波路と、光ファイバ及び光導波路の内部を伝搬する光を反射する反射面が形成された光信号路変換部品とを備える。光導波路から光電変換素子側に、あるいは光電変換素子から光導波路側に精度よく光信号を反射させるため、光信号路変換部品の高さは、光導波路の厚み方向の寸法（光ファイバの外径）と一致している。配線パターンの形成方法は、配線パターンに合わせてレジストパターンを形成し、エッチングにより配線パターンを形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１５１０７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載の光配線基板では、別途光信号路変換部品を搭載する必要があるため、部品点数及び作業工数の増加につながる。そこで、本願の発明者は、配線パターンの一部に反射面を形成し、この反射面によって光ファイバを伝搬する光の光路を変えるという着想を得た。この場合、反射面の高さ（光ファイバの外径）に応じた厚みの金属層によって配線パターンを形成する必要があり、隣り合う配線パターンが近接する部分の隙間を金属層の厚みに応じて広くする必要がある。例えば、金属層の厚みを７０μｍとする場合、配線パターンをエッチングによって精度よく形成するためには、隣り合う配線パターンの間の距離を７０μｍ以上で確保することが望ましい。
【０００６】
一方、近年の情報処理装置や通信装置等の電子機器における部品の高密度化に伴って光電変換素子も小型化が進み、光電変換素子の電極パッド間の距離が狭くなっている。上記の厚手の金属層を用いて配線パターンを形成した場合、光電変換素子の電極パッド間の距離が配線パターンの間の距離よりも狭いと、光電変換素子を配線パターン上に実装できなくなる。
【０００７】
そこで、本発明は、配線パターンの一部に反射面を形成しながらも、実装部品の小型化に対応可能な光配線基板、光配線基板の製造方法、及び光モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記課題を解決することを目的として、樹脂からなる絶縁体層と、前記絶縁体層に積層され、光ファイバの光軸に対して傾斜した傾斜面を有する金属からなる導体層とを備え、前記導体層には、光電変換素子の第１電極が接続される第１接続部を含む第１配線パターンと、前記光電変換素子の第２電極が接続される第２接続部を含む第２配線パターンとが形成され、前記第１配線パターンと前記第２配線パターンとの間の距離は、前記第１接続部と前記第２接続部との間で最も狭く、前記第１接続部と前記第２接続部との間の距離は、前記導体層の厚み方向の寸法よりも短い光配線基板を提供する。
【０００９】
また、本発明は、上記課題を解決することを目的として、前記光配線基板と、前記光配線基板にフリップチップ実装された前記光電変換素子とを備えた光モジュールを提供する。
【００１０】
また、本発明は、上記課題を解決することを目的として、前記光配線基板の製造方法であって、前記絶縁体層の表面に前記導体層を形成する工程と、前記導体層の一部を除去して前記第１配線パターン及び前記第２配線パターンを形成する工程とを有し、前記第１配線パターン及び前記第２配線パターンを形成する工程は、前記導体層に、前記第１接続部と前記第２接続部との間で最も狭く、かつ前記第１接続部と前記第２接続部との間の距離が前記導体層の厚み方向の寸法よりも短くなるようにレジストを塗布する工程と、前記レジストが塗布されていない部分の前記導体層をエッチングにより除去する工程とを含む光配線基板の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る光配線基板、光配線基板の製造方法、及び光モジュールによれば、配線パターンの一部に反射面を形成しながらも、実装部品の小型化に対応することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る光配線基板、及びその光配線基板を備えた光モジュールの構成例を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】（ａ）は図１のＢ−Ｂ線断面図、（ｂ）は（ａ）のＣ部拡大図である。
【図４】図１における光電変換素子及びその周辺部の拡大図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、光配線基板の形成工程を示す断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、光配線基板の形成工程を示す平面図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係る光配線基板、及びその光配線基板を備えた光モジュールの構成例を示し、光ファイバの長手方向から見た平面図である。
【図８】第２の実施の形態に係る光モジュールを示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は（ａ）のＤ部拡大図である。
【図９】（ａ）〜（ｄ）は、第２の実施の形態に係る光配線基板の形成工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る光配線基板、及びその光配線基板を備えた光モジュールの構成例を示す平面図である。
【００１４】
（光モジュール１の構成）
この光モジュール１は、光配線基板１０と、光配線基板１０の実装面１０ａにフリップチップ実装された光電変換素子１１と、光電変換素子１１に電気的に接続された半導体回路素子１２とを備えている。
【００１５】
光電変換素子１１は、本体部１１０に、複数の電極（本実施の形態では第１電極１１１、第２電極１１２、及び第３電極１１３）が設けられている。第１電極１１１及び第３電極１１３は、光配線基板１０の実装面１０ａに形成された第１配線パターン２１に電気的に接続されている。第２電極１１２は、光配線基板１０の実装面１０ａに形成された第２配線パターン２２に電気的に接続されている。光電変換素子１１は、第２配線パターン２２の一部に形成された反射面２２ａに対向する位置に実装されている。
【００１６】
本実施の形態では、光電変換素子１１は、光ファイバ５の長手方向に対して平行な方向の寸法が、例えば３５０μｍであり、光ファイバ５の長手方向に対して垂直な方向の寸法が、例えば２５０μｍである。第１電極１１１と第２電極１１２との間の距離（最短距離）は、例えば４０〜５０μｍである。
【００１７】
光電変換素子１１は、電気信号を光信号に変換し、又は光信号を電気信号に変換する素子である。前者の例としては、半導体レーザ素子やＬＥＤ（Light Emitting Diode；発光ダイオード）等の発光素子が挙げられる。また、後者の例としては、フォトダイオード等の受光素子が挙げられる。光電変換素子１１は、光配線基板１０の実装面１０ａ側に設けられた受発光部１１４から、光配線基板１０に対して垂直な方向に光を出射又は入射するように構成されている。
【００１８】
半導体回路素子１２は、光配線基板１０の実装面１０ａにフリップチップ実装され、本体部１２０に、複数（本実施の形態では１０個）のパッド電極１２１が設けられている。複数のパッド電極１２１は、それぞれ半導体回路素子用配線パターン２３に電気的に接続されている。複数のパッド電極１２１のうち信号伝送用の１つのパッド電極１２１ａは、光電変換素子１１の第２電極１１２が接続された第２配線パターン２２に接続され、これにより半導体回路素子１２と光電変換素子１１とが電気的に接続されている。
【００１９】
光電変換素子１１が電気信号を光信号に変換する素子である場合、半導体回路素子１２は、光電変換素子１１を駆動するドライバＩＣである。光電変換素子１１が光信号を電気信号に変換する素子である場合、半導体回路素子１２は、光電変換素子１１から入力される信号を増幅する受信ＩＣである。
【００２０】
なお、光配線基板１０には、光電変換素子１１及び半導体回路素子１２の他に、コネクタやＩＣ（Integrated Circuit）、あるいは能動素子（トランジスタ等）や受動素子（抵抗器、コンデンサ等）などの電子部品を実装してもよい。
【００２１】
光ファイバ５は、その先端面が、第２配線パターン２２に形成された反射面２２ａに対して対向するように配置され、光配線基板１０の実装面１０ａの上方から押え部材４によって押えられている。
【００２２】
（光配線基板１０の構成）
図２は、図１のＡ−Ａ線断面図である。図３（ａ）は、図１のＢ−Ｂ線断面図、（ｂ）は（ａ）のＣ部拡大図である。
【００２３】
光配線基板１０は、樹脂からなる絶縁体層３と、絶縁体層３の主面３ａに積層され、光ファイバ５の光軸に対して傾斜した傾斜面２００ａを有する金属からなる導体層２とを備えている。本実施の形態では、傾斜面２００ａと絶縁体層３の主面３ａとがなす角は４５°である。
【００２４】
導体層２は、例えば銅等の良電導性の金属からなり、その厚み方向の寸法Ｈは７０μｍ以上である。なお、導体層２の厚み方向の寸法Ｈは、７０〜８０μｍであることが望ましい。
【００２５】
本実施の形態では、図３（ｂ）に示すように、導体層２の表面２ａに、ニッケル（Ｎｉ）からなるＮｉメッキ層２５及び金（Ａｕ）からなる金メッキ層２６が積層されている。同様にして、導体層２に形成された傾斜面２００ａについても、その表面にＮｉメッキ層２５及び金メッキ層２６が積層されている。反射面２２ａは、金メッキ層２６の最表面に形成されている。
【００２６】
導体層２には、前述の第１配線パターン２１、第２配線パターン２２、及び半導体回路素子用配線パターン２３が形成されている。また、導体層２には、光ファイバ５を傾斜面２００ａ（反射面２２ａ）に導き、光ファイバ５の端部を収容する収容部２０が形成されている。反射面２２ａは、収容部２０に配置された光ファイバ５のコア５１に対向する位置に形成されている。
【００２７】
図３（ａ）に示すように、反射面２２ａは、光ファイバ５内を伝搬する光がコア５１から出射されたとき、その出射光を光電変換素子１１側に反射する。光電変換素子１１が受光素子である場合、反射面２２ａで反射した光は、光電変換素子１１の本体部１１０に設けられた受発光部１１４から光電変換素子１１内に入射し、光電変換素子１１は、この入射光による光信号を電気信号に変換する。
【００２８】
また、光電変換素子１１が発光素子である場合、光電変換素子１１は、半導体回路素子１２から出力される電気信号を光信号に変換し、この光信号を表す光を受発光部１１４から出射する。この出射光は、反射面２２ａで光ファイバ５の先端面５ａ側に反射されてコア５１内に入射し、光ファイバ５内を伝搬する。図３（ａ）では、光ファイバ５を伝搬媒体とする光の光路Ｌを一点鎖線で示している。
【００２９】
絶縁体層３は、例えばポリイミド等の樹脂からなり、その厚みは例えば３８μｍである。絶縁体層３は、光ファイバ収容部２０に収容された光ファイバ５を支持する支持面２０ａを有している。より具体的には、光ファイバ収容部２０は、導体層２の厚み方向の全体に亘って貫通し、絶縁体層３の主面３ａが露出している。したがって、絶縁体層３の主面３ａは、その一部が光ファイバ収容部２０の支持面２０ａとして形成される。
【００３０】
光ファイバ５は、コア５１及びクラッド５２を有している。光ファイバ５は、本実施の形態では、コア５１の直径が例えば５０μｍであり、クラッド５２の径方向の厚みが例えば１５μｍである。すなわち、光ファイバ５の直径（コア５１及びクラッド５２を合わせた直径）は８０μｍであり、導体層２の厚み方向の寸法Ｈと同程度の寸法である。
【００３１】
光ファイバ収容部２０は、導体層２の上方から押え部材４によって覆われ、光ファイバ５は、光ファイバ収容部２０内に充填される接着剤等により固定される。本実施の形態では、光ファイバ５のクラッド５２の外周面が、光ファイバ収容部２０の内面に接触している。
【００３２】
図４は、図１における光電変換素子１１及びその周辺部の拡大図である。なお、図４では、光電変換素子１１の外形を二点鎖線で示している。
【００３３】
導体層２に形成された第１配線パターン２１は、光電変換素子１１の第１電極１１１が接続される第１接続部２１１と、光電変換素子１１の第３電極１１３が接続される第３接続部２１３とを有している。第１接続部２１１は、外縁の一部が、円状の第１電極１１１に対応するように円弧状に形成されている。同様に、第３接続部２１３は、外縁の一部が、円状の第３電極１１１に対応するように円弧状に形成されている。第１接続部２１１と第３接続部２１３との間の距離は、第１電極１１１と第３電極１１３との間の距離に応じて設定されている。
【００３４】
導体層２に形成された第２配線パターン２２は、光電変換素子１１の第２電極１１２が接続される第２接続部２２２を有している。第２接続部２２２は、前述の第１接続部２１１及び第３接続部２１３と同様に、外縁の一部が、円状の第２電極１１２に対応するように円弧状に形成されている。
【００３５】
第１配線パターン２１と第２配線パターン２２との間の距離は、第１接続部２１１と第２接続部２２２との間で最も狭く、第１接続部２１１と第２接続部２２２との間の距離（最短距離）Ｄ２は、導体層２の厚み方向の寸法Ｈ（図３（ａ）参照）よりも短い（Ｄ２＜Ｈ）。本実施の形態では、第１配線パターン２１と第２配線パターン２２との間の距離Ｄ１は、第１接続部２１１と第２接続部２２２との間を除き、導体層２の厚み方向の寸法Ｈ以上である（Ｄ１≧Ｈ）。
【００３６】
（光配線基板１０の製造方法）
次に、図５及び図６を参照して、光配線基板１０の製造方法を説明する。
【００３７】
図５（ａ）〜（ｃ）は、光配線基板１０の形成工程を示す断面図である。図６（ａ）〜（ｃ）は、光配線基板１０の形成工程を示す平面図である。
【００３８】
光配線基板１０の製造工程は、絶縁体層３の主面３ａに導体層２を形成する第１工程と、導体層２の一部を除去して第１配線パターン２１、第２配線パターン２２、半導体回路素子用配線パターン２３、及び収容部２０を形成する第２工程と、導体層２に傾斜面２００ａ及び収容部２０を形成する第３工程と、導体層２の表面２ａ及び傾斜面２００ａにＮｉメッキ層２５及び金メッキ層２６を積層する第４工程とを有している。以下、第１〜第４工程について、より詳細に説明する。
【００３９】
第１工程では、図５（ａ）及び図６（ａ）に示すように、絶縁体層３の主面３ａの全体に導体層２を、例えば接着、蒸着、又は無電解メッキによって形成する。本実施の形態では、導体層２は、主として良電導性を有する銅（Ｃｕ）からなる。
【００４０】
第２工程では、図５（ｂ）及び図６（ｂ）に示すように、エッチングによって導体層２の一部を除去し、第１配線パターン２１、第２配線パターン２２、半導体回路素子用配線パターン２３、及び収容部２０をそれぞれ形成する。より具体的には、導体層２の除去部分２１０に対応する部分以外にレジストを塗布する工程と、レジストが塗布されていない部分の導体層２をエッチングにより除去する工程とを有する。
【００４１】
レジストを塗布する工程では、第１接続部２１１と第２接続部２２２との間で最も狭く、かつ第１接続部２１１と第２接続部２２２との間の距離Ｄ２が導体層２の厚み方向の寸法Ｈよりも短くなるように（Ｄ２＜Ｈ）、レジストを導体層２に塗布する。
【００４２】
導体層２をエッチングにより除去する工程では、レジストが塗布されていない部分の導体層２をエッチングにより溶解させる。これにより、除去部分２１０に対応する導体層２が溶解し、第１配線パターン２１、第２配線パターン２２、図略の半導体回路素子用配線パターン２３、及び収容部２０に対応する導体層２のみが残る。このとき、絶縁体層３の主面３ａの一部が、収容部２０の支持面２０ａとして形成される。
【００４３】
第３工程では、図５（ｃ）及び図６（ｃ）に示すように、導体層２の表面２ａから裏面２ｂに向かって導体層２を斜めに切削することにより傾斜面２００ａを形成する。
【００４４】
第４工程では、導体層２の表面２ａ及び傾斜面２００ａの表面にニッケル（Ｎｉ）及び金（Ａｕ）のメッキを施して、Ｎｉメッキ層２５及び金メッキ層２６を形成する。このニッケル（Ｎｉ）メッキ及び金メッキ等は、例えば無電解メッキによって行うことができる。金メッキ層２６の最表面に反射面２２ａを形成する。
【００４５】
（実施の形態の作用及び効果）
以上説明した実施の形態によれば、次のような作用及び効果が得られる。
【００４６】
光配線基板１０に形成された第１配線パターン２１と第２配線パターン２２との間の距離は、第１接続部２１１と第２接続部２２２との間で最も狭く、第１接続部２１１と第２接続部２２２との間の距離を導体層２の厚み方向の寸法Ｈよりも短くすることにより（Ｄ２＜Ｈ）、光電変換素子１１の第１電極１１１と第２電極１１２との間の距離Ｄ１が導体層２の厚み方向の寸法Ｈと同等であっても、光電変換素子１１を第１配線パターン２１及び第２配線パターン２２上に実装することができる。
【００４７】
つまり、例えば第１配線パターン２１と第２配線パターン２２とが並列する長い区間に亘って第１配線パターン２１と第２配線パターン２２との間の距離を導体層２の厚み方向の寸法Ｈよりも狭く形成することはエッチング液の液回り性の観点から困難であるが、第１配線パターン２１と第２配線パターン２２との間の距離を第１接続部２１１と第２接続部２２２との間で局部的に寸法Ｈよりも短くする場合には、問題なく第１配線パターン２１と第２配線パターン２２との間をエッチングすることができる。これは、第１配線パターン２１と第２配線パターン２２との間が寸法Ｈよりも狭い区間が短ければ、その区間の周辺部を介してエッチング液が流動してエッチングが行われるためであると考えられる。これにより、厚手の導体層２が形成された光配線基板１０においても、小型の光電変換素子１１の実装に対応することが可能である。
【００４８】
［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態について、図７乃至図９を参照して説明する。図７乃至図９において、第１の実施の形態に係る光配線基板１０について説明したものと同一の機能を有する部位については共通する符号を付し、その重複した説明を省略する。
【００４９】
図７は、本発明の第２の実施の形態に係る光配線基板６、及びその光配線基板を備えた光モジュール１の構成例を示し、光ファイバ５の長手方向から見た平面図である。図８は、第２の実施の形態に係る光モジュール１を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は（ａ）のＤ部拡大図である。
【００５０】
本実施の形態に係る光配線基板６は、樹脂からなる絶縁体層６３と、絶縁体層６３の第１の主面６３ａに積層され、光ファイバ５の光軸に対して傾斜した傾斜面６１０ａを有する金属からなる第１の導体層６１と、絶縁体層６３を挟んで第１の導体層６１と平行に配置された第２の導体層６２とを備えている。絶縁体層６３は、第１の導体層６１と第２の導体層６２との間を絶縁している。
【００５１】
第１の導体層６１は、例えば銅等の良電導性の金属からなり、その厚みは例えば４０〜８０μｍである。本実施の形態では、図８（ｂ）に示すように、第１の導体層６１の表面６１ａに、ニッケル（Ｎｉ）からなるＮｉメッキ層６１２及び金（Ａｕ）からなる金メッキ層６１３が積層されている。同様にして、第１の導体層６１に形成された傾斜面６１０ａについても、その表面にＮｉメッキ層６１２及び金メッキ層６１３が積層されている。反射面６０１ａは、金メッキ層６１３の最表面に形成されている。
【００５２】
第１の導体層６１には、第１の実施の形態と同様にして、第１配線パターン２１、第２配線パターン２２、及び半導体回路素子用配線パターン２３が形成され、第２配線パターン２２の一部に、傾斜面６１０ａ（反射面６０１ａ）が形成されている。この傾斜面６１０ａ（反射面６０１ａ）は、光ファイバ５のコア５１に対向する位置に形成されている。
【００５３】
絶縁体層６３は、例えばポリイミド等の樹脂からなる。図８（ｂ）に示すように、絶縁体層６３は、厚み方向における寸法ｔ１が光ファイバ５のクラッド５２の径方向における厚さ寸法ｔ２の０．８倍以上１．２倍以下である（０．８×ｔ１≦ｔ２≦１．２×ｔ１）。本実施の形態では、絶縁体層６３の厚み方向における寸法は、例えば３８μｍである。
【００５４】
光配線基板６には、光ファイバ５の長手方向に沿って延びて光ファイバ５の少なくとも一部を収容する収容部６００が、第１の導体層６１及び絶縁体層６３の厚み方向の全体に亘って形成されている。この収容部６００の一端（終端）における絶縁体層６３には、光ファイバ５のクラッド５２に対向する端面６３ｃが形成されている。
【００５５】
第２の導体層６２は、例えば銅等の良電導性の金属からなり、収容部６００に収容された光ファイバ５を支持する支持面６００ａを有している。より具体的には、収容部６００は、第１の導体層６１及び絶縁体層６３の厚み方向の全体に亘って貫通し、第２の導体層６２の裏面６２ｂが露出している。したがって、第２の導体層６２の裏面６２ｂは、その一部が、収容部６００の支持面６００ａとして形成される。なお、第１の導体層６１と同様にして、第２の導体層６２についても、配線パターンを形成してもよい。
【００５６】
図９（ａ）〜（ｄ）は、第２の実施の形態に係る光配線基板６の形成工程を示す断面図である。
【００５７】
本実施の形態に係る光配線基板６の製造工程は、絶縁体層６３の第１の主面６３ａに第１の導体層６１を形成すると共に、絶縁体層６３の第２の主面６３ｂに第２の導体層６２を形成する第１工程と、第１の導体層６１の一部を除去して配線パターン（第１配線パターン２１、第２配線パターン２２、及び半導体回路素子用配線パターン２３）を形成すると共に、収容部６００となる凹部６１１を形成する第２工程と、第１の導体層６１に傾斜面６１０ａを形成する第３工程と、凹部６１１の底面にあたる絶縁体層６３を厚さ方向の全体に亘って第２の導体層６２に至るまで除去することにより収容部６００を形成すると共に、光ファイバ５のクラッド５２に対向する端面６３ｃを形成する第４工程と、第１の導体層６１、第２の導体層６２、及び傾斜面６１０ａにＮｉメッキ層６１２及び金メッキ層６１３を積層する第５工程とを有している。以下、第１〜第５工程について、より詳細に説明する。
【００５８】
第１工程では、図９（ａ）に示すように、絶縁体層６３の第１の主面６３ａの全体に第１の導体層６１を、絶縁体層６３の第２の主面６３ｂの全体に第２の導体層６２を、例えば接着、蒸着、又は無電解メッキによってそれぞれ形成する。本実施の形態では、第１の導体層６１及び第２の導体層６２が、主として良電導性を有する銅（Ｃｕ）からなる。
【００５９】
第２工程では、図９（ｂ）に示すように、エッチングによって第１の導体層６１の一部を除去し、第１配線パターン２１、第２配線パターン２２及び半導体回路素子用配線パターン２３を形成すると共に、収容部６００となる凹部６１１を形成する。より具体的には、第１の導体層６１の除去部分６１０に対応する部分及び凹部６１１に対応する部分以外にレジストを塗布し、レジストが塗布されていない部分の第１の導体層６１をエッチングによって溶解させる。
【００６０】
第１の実施の形態と同様にして、レジストを塗布する工程では、第１接続部２１１と第２接続部２２２との間で最も狭く、かつ第１接続部２１１と第２接続部２２２との間の距離が第１の導体層６１の厚み方向の寸法よりも短くなるように、レジストを第１の導体層６１の表面６１ａに塗布する。
【００６１】
第１の導体層６１をエッチングにより除去する工程では、レジストが塗布されていない部分の第１の導体層６１をエッチングにより溶解させる。これにより、除去部分６１０及び凹部６１１に対応する第１の導体層６１が溶解し、第１配線パターン２１、第２配線パターン２２、半導体回路素子用配線パターン２３、及び凹部６１１に対応する第１の導体層６１のみが残る。
【００６２】
なお、本工程において、第１の導体層６１と同様に、エッチングによって第２の導体層６２の一部を除去して、第２の導体層６２に配線パターンを形成してもよい。
【００６３】
第３工程では、図９（ｃ）に示すように、第１の導体層６１の表面６１ａから裏面６１ｂに向かって第１の導体層６１を斜めに切削することにより、傾斜面６１０ａを形成する。
【００６４】
第４工程では、図９（ｄ）に示すように、凹部６１１の底面にあたる絶縁体層６３の第１の主面６３ａに対して垂直な方向からレーザ光を照射する。このレーザ光として、より具体的には、例えばエキシマレーザやＵＶレーザ（紫外線レーザ）を用いることができる。レーザ光の照射によって、光ファイバ５を収容する収容部６００が形成されると共に、収容部６００の終端における端面６３ｃが、絶縁体層６３に形成される。このレーザ光の強度は、絶縁体層６３を照削（光を照射して削ること）し得る強度であるが、第２の導体層６２は照削しない強度である。したがって、第２の導体層６２の裏面６２ｂは、このレーザ光の照射によって除去されずに残った部分が、収容部６００の支持面６００ａとして形成される。本実施の形態では、端面６３ｃは、収容部６００の支持面６００ａ（第２の導体層６２の裏面６２ｂ）に対して垂直となるように形成されており、収容部６００に光ファイバ５を挿入する際の位置決めとなっている。
【００６５】
第５工程では、第１の実施の形態と同様にして、第１の導体層６１の表面６１ａ、傾斜面６１０ａ、及び第２の導体層６２の表面６２ａに、ニッケル（Ｎｉ）や金（Ａｕ）等のメッキを施して、Ｎｉメッキ層６１２及び金メッキ層６１３を形成する。このニッケル（Ｎｉ）メッキ及び金（Ａｕ）メッキ等は、例えば無電解メッキによって行うことができる。金メッキ層６１３の最表面に、反射面６０１ａを形成する。
【００６６】
（第２の実施の形態の作用及び効果）
以上説明した第２の実施の形態においても、第１の実施の形態の作用及び効果と同様の作用及び効果が得られる。
【００６７】
（実施の形態のまとめ）
次に、以上説明した実施の形態から把握される技術思想について、実施の形態における符号等を援用して記載する。ただし、以下の記載における各符号等は、特許請求の範囲における構成要素を実施の形態に具体的に示した部材等に限定するものではない。
【００６８】
［１］樹脂からなる絶縁体層（３）と、前記絶縁体層（３）に積層され、光ファイバ（５）の光軸に対して傾斜した傾斜面（２００ａ）を有する金属からなる導体層（２）とを備え、前記導体層（２）には、光電変換素子（１１）の第１電極（１１１）が接続される第１接続部（２１１）を含む第１配線パターン（２１）と、前記光電変換素子（１１）の第２電極（１１２）が接続される第２接続部（２２２）を含む第２配線パターン（２２）とが形成され、前記第１配線パターン（２１）と前記第２配線パターン（２２）との間の距離は、前記第１接続部（２１１）と前記第２接続部（２２２）との間で最も狭く、前記第１接続部（２１１）と前記第２接続部（２２２）との間の距離（Ｄ２）は、前記導体層（２）の厚み方向の寸法（Ｈ）よりも短い光配線基板（１０）。
【００６９】
［２］前記導体層（２）の厚み方向の寸法（Ｈ）は４０μｍ以上である、［１］に記載の光配線基板（１０）。
【００７０】
［３］［１］又は［２］に記載の光配線基板（１０）と、前記光配線基板（１）にフリップチップ実装された前記光電変換素子（１１）とを備えた光モジュール（１）。
【００７１】
［４］［１］又は［２］に記載の光配線基板（１０）の製造方法であって、前記絶縁体層（３）の表面（３ａ）に前記導体層（２）を形成する工程と、前記導体層（２）の一部を除去して前記第１配線パターン（２１）及び前記第２配線パターン（２２）を形成する工程とを有し、前記第１配線パターン（２１）及び前記第２配線パターン（２２）を形成する工程は、前記導体層（２）に、前記第１接続部（２１１）と前記第２接続部（２２２）との間で最も狭く、かつ前記第１接続部（２１１）と前記第２接続部（２２２）との間の距離（Ｄ２）が前記導体層（２）の厚み方向の寸法（Ｈ）よりも短くなるようにレジストを塗布する工程と、前記レジストが塗布されていない部分の前記導体層（２）をエッチングにより除去する工程とを含む光配線基板（１０）の製造方法。
【００７２】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
【００７３】
本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変形して実施することが可能である。例えば、上記実施の形態では、光配線基板１０に１つの光モジュール１を搭載した場合について説明したが、これに限らず、光配線基板１０に複数の光モジュール構造を形成してもよい。
【００７４】
また、上記実施の形態では、光ファイバ５は、クラッド５２の外周が、押え部材４の凹部４０の内面４０ａ及び絶縁体層３の主面３ａに接触していたが、光ファイバ５は凹部４０内に充填される接着剤等により固定されるので、クラッド５２の外周が押え部材４の凹部４０の内面４０ａ及び絶縁体層３の主面３ａに接触していなくともよい。
【００７５】
また、上記実施の形態では、光配線基板１０は、主に絶縁体層３及び導体層２により構成されていたが、これに限らず、絶縁体層３の裏面側にも配線パターンが形成された導体層を形成してもよい。この場合、配線の取り回しがよくなる。
【００７６】
また、上記実施の形態では、導体層２が銅（Ｃｕ）である場合について説明したが、これに限らず、導体層２の一部又は全部が例えばアルミニウム（Ａｌ）であってもよい。また、メッキ層（Ｎｉメッキ層２５及び金メッキ層２６）における材質も、上記したものに限らない。絶縁体層３の材質も、ポリイミドに限らず、例えばＰＥＴ（Polyethylene terephthalate、ポリエチレンテレフタラート）であってもよい。
【符号の説明】
【００７７】
１…光モジュール、２…導体層、２ａ…表（おもて）面、２ｂ…裏面、３…絶縁体層、３ａ…主面、４…押え部材、５…光ファイバ、５ａ…先端面、１０…光配線基板、１０ａ…実装面、１１…光電変換素子、１２…半導体回路素子、２０…収容部、２０ａ…支持面、２１…第１配線パターン、２２…第２配線パターン、２２ａ…反射面、２３…半導体回路素子用配線パターン、２５…Ｎｉメッキ層、２６…金メッキ層、５１…コア、５２…クラッド、６１…第１の導体層、６１ａ…表面、６１ｂ…裏面、６２…第２の導体層、６２ａ…表面、６２ｂ…裏面、６３…絶縁体層、６３ａ…第１の主面、６３ｂ…第２の主面、６３ｃ…端面、１１０…本体部、１１１…第１電極、１１２…第２電極、１１３…第３電極、１１４…受発光部、１２０…本体部、１２１…パッド電極、１２１ａ…パッド電極、２００ａ…傾斜面、２１０…除去部分、２１１…第１接続部、２１３…第３接続部、２２２…第２接続部、６００…収容部、６００ａ…支持面、６０１ａ…反射面、６１０…除去部分、６１０ａ…傾斜面、６１１…凹部、６１２…Ｎｉメッキ層、６１３…金メッキ層、Ｌ…光路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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