(57)【要約】【課題】光ファイバを精度よく位置決めすることが可能な光配線基板、光配線基板の製造方法、及び光モジュールを提供する。【解決手段】光配線基板１０は、樹脂からなる絶縁体層３と、絶縁体層３に積層された金属からなる導体層２とを備え、光ファイバ５の端部を収容する光ファイバ収容部２０が形成された光配線基板１０であって、導体層２には、光ファイバ５を伝搬する光を反射する反射面２２ａが絶縁体層３に対して傾斜して形成され、光ファイバ収容部２０には、その一端部に、挿入された光ファイバ５の先端が突き当てられる第１の突き当て面２１１ａ及び第２の突き当て面２２１ａが形成されている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂からなる絶縁体層と、前記絶縁体層に積層された金属からなる導体層とを備え、光ファイバの端部を収容する光ファイバ収容部が形成された光配線基板であって、
前記導体層には、前記光ファイバを伝搬する光を反射する反射面が前記絶縁体層に対して傾斜して形成され、
前記光ファイバ収容部には、その一端部に、挿入された前記光ファイバの先端が突き当てられる突き当て面が形成された
光配線基板。
【請求項２】
前記突き当て面は、前記導体層の一部に形成された、
請求項１に記載の光配線基板。
【請求項３】
前記突き当て面は、前記絶縁体層の一部に形成された、
請求項１に記載の光配線基板。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか１項に記載の光配線基板と、
光電変換素子とを備えた
光モジュール。
【請求項５】
請求項２に記載の光配線基板の製造方法であって、
前記絶縁体層に前記導体層を形成する工程と、
前記導体層の一部を除去して配線パターン及び前記光ファイバ収容部を形成すると共に、前記光ファイバ収容部の一端に前記突き当て面を形成する工程と、
前記配線パターンの一部に前記反射面を構成する傾斜面を形成する工程とを有する
光配線基板の製造方法。
【請求項６】
請求項３に記載の光配線基板の製造方法であって、
前記絶縁体層に前記導体層を形成する工程と、
前記導体層の一部を除去して配線パターンを形成すると共に、前記光ファイバ収容部となる凹部を形成する工程と、
前記配線パターンの一部に前記反射面を構成する傾斜面を形成する工程と、
前記凹部の底面にあたる前記絶縁体層を除去して前記光ファイバ収容部を形成すると共に、前記光ファイバ収容部の一端に前記突き当て面を形成する工程とを有する
光配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ファイバを収容する光配線基板及びその製造方法、ならびに光配線基板を有する光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の光配線基板として、例えば、光ファイバを保持する溝を有し、かつ光電変換素子が実装される光実装基板が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
特許文献１に記載の光実装基板は、高温加熱で軟化した基板材料に三角柱状の突起部を有する金型を押し付けて金型の突起部の反転形状を基板材料に転写させることで成形されている。光実装基板は、光ファイバを位置決めするためのガイド溝と、ガイド溝の終端に形成され、光実装基板の表面に対して傾斜したテーパ面とを有している。テーパ面には、光ファイバ内を伝搬する光を反射させるミラーが形成されている。光ファイバは、例えば紫外線硬化樹脂を用いてガイド溝内に実装固定される。テーパ面の上方には、ミラーによって反射された光を受光するフォトダイオードが実装される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１６７１７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載の光実装基板では、テーパ面がガイド溝に連続して形成されているため、光ファイバをガイド溝に挿入する際、光ファイバの先端がテーパ面上に乗り上げてしまう可能性があった。この場合において、テーパ面上に乗り上げた光ファイバがテーパ面の上方に実装されたフォトダイオードを押し上げて、光実装基板からフォトダイオードが外れてしまうおそれがあった。
【０００６】
そこで、本発明は、光ファイバを精度よく位置決めすることが可能な光配線基板、光配線基板の製造方法、及び光モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題を解決することを目的として、樹脂からなる絶縁体層と、前記絶縁体層に積層された金属からなる導体層とを備え、光ファイバの端部を収容する光ファイバ収容部が形成された光配線基板であって、前記導体層には、前記光ファイバを伝搬する光を反射する反射面が前記絶縁体層に対して傾斜して形成され、前記光ファイバ収容部には、その一端部に、挿入された前記光ファイバの先端が突き当てられる突き当て面が形成された光配線基板を提供する。
【０００８】
また、本発明は、上記課題を解決することを目的として、前記光配線基板と、光電変換素子とを備えた光モジュールを提供する。
【０００９】
また、本発明は、上記課題を解決することを目的として、前記絶縁体層に前記導体層を形成する工程と、前記導体層の一部を除去して配線パターン及び前記光ファイバ収容部を形成すると共に、前記光ファイバ収容部の一端に前記突き当て面を形成する工程と、前記配線パターンの一部に前記反射面を構成する傾斜面を形成する工程とを有する光配線基板の製造方法を提供する。
【００１０】
また、本発明は、上記課題を解決することを目的として、前記絶縁体層に前記導体層を形成する工程と、前記導体層の一部を除去して前記配線パターンを形成する工程と、前記配線パターンの一部に前記反射面を構成する傾斜面を形成する工程と、前記絶縁体層の一部を除去して前記光ファイバ収容部を形成すると共に、前記光ファイバ収容部の一端に前記突き当て面を形成する工程とを有する光配線基板の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る光配線基板、光配線基板の製造方法、及び光モジュールによれば、光ファイバを精度よく位置決めすることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る光配線基板、及びその光配線基板を備えた光モジュールの一構成例を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】（ａ）は図１のＢ−Ｂ線断面図、（ｂ）は（ａ）のＣ部拡大図である。
【図４】光配線基板を示し、（ａ）は図１における光電変換素子及びその周辺部の拡大図、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ線断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、光配線基板の形成工程を示す断面図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る光モジュールを示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は（ａ）のＥ部拡大図である。
【図７】第２の実施の形態に係る光配線基板を示し、（ａ）は光電変換素子及びその周辺部の拡大図、（ｂ）は（ａ）のＦ−Ｆ線断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は、第２の実施の形態に係る光配線基板の形成工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る光配線基板、及びその光配線基板を備えた光モジュールの一構成例を示す平面図である。
【００１４】
（光モジュール１の構成）
この光モジュール１は、光配線基板１０と、光配線基板１０の実装面１０ａにフリップチップ実装された光電変換素子１１と、光電変換素子１１に電気的に接続された半導体回路素子１２とを備えている。
【００１５】
光電変換素子１１は、本体部１１０に、複数（本実施の形態では３個）の電極１１１が設けられている。３個の電極１１１のうち２個の電極１１１は、光配線基板１０の実装面１０ａに形成された第１配線パターン２１に電気的に接続されている。残る１個の電極１１１は、光配線基板１０の実装面１０ａに形成された第２配線パターン２２に電気的に接続されている。第２配線パターン２２には、光ファイバ５を伝搬する光を反射する反射面２２ａが形成されている。光電変換素子１１は、この反射面２２ａの上方に実装されている。
【００１６】
本実施の形態では、光電変換素子１１は、光ファイバ５の長手方向に対して平行な方向の寸法が、例えば３５０μｍであり、光ファイバ５の長手方向に対して直角な短手方向の寸法が、例えば２５０μｍである。
【００１７】
光電変換素子１１は、電気信号を光信号に変換し、又は光信号を電気信号に変換する素子である。前者の例としては、半導体レーザ素子やＬＥＤ（Light Emitting Diode；発光ダイオード）等の発光素子が挙げられる。また、後者の例としては、フォトダイオード等の受光素子が挙げられる。光電変換素子１１は、光配線基板１０の実装面１０ａ側に設けられた受発光部１１２から、光配線基板１０に対して直角な方向に光を出射又は入射するように構成されている。
【００１８】
半導体回路素子１２は、光配線基板１０の実装面１０ａにフリップチップ実装され、本体部１２０に、複数（本実施の形態では１０個）のパッド電極１２１が設けられている。複数のパッド電極１２１は、それぞれ半導体回路素子用配線パターン２３に電気的に接続されている。複数のパッド電極１２１のうち信号伝送用の１つのパッド電極１２１ａは、光電変換素子１１の１個の電極１１１が接続された第２配線パターン２２に接続され、これにより半導体回路素子１２と光電変換素子１１とが電気的に接続されている。
【００１９】
光電変換素子１１が電気信号を光信号に変換する素子である場合、半導体回路素子１２は、光電変換素子１１を駆動するドライバＩＣである。光電変換素子１１が光信号を電気信号に変換する素子である場合、半導体回路素子１２は、光電変換素子１１から入力される信号を増幅する受信ＩＣである。
【００２０】
なお、光配線基板１０には、光電変換素子１１及び半導体回路素子１２の他に、コネクタやＩＣ（Integrated Circuit）、あるいは能動素子（トランジスタ等）や受動素子（抵抗器、コンデンサ等）などの電子部品を実装してもよい。
【００２１】
光ファイバ５は、その先端面が、第２配線パターン２２に形成された反射面２２ａに対して対向するように配置され、光配線基板１０の実装面１０ａの上方から押え部材４によって押えられている。
【００２２】
（光配線基板１０の構成）
図２は、図１のＡ−Ａ線断面図である。図３（ａ）は、図１のＢ−Ｂ線断面図、（ｂ）は（ａ）のＣ部拡大図である。
【００２３】
光配線基板１０は、樹脂からなる絶縁体層３と、絶縁体層３の主面３ａに積層され、絶縁体層３に対して傾斜した反射面２２ａを有する金属からなる導体層２とを備えている。本実施の形態では、反射面２２ａと絶縁体層３の主面３ａとがなす角は４５°である。
【００２４】
第１配線パターン２１、第２配線パターン２２、及び半導体回路素子用配線パターン２３は、導体層２の一部であり、反射面２２ａは第２配線パターン２２の端面に形成されている。また、導体層２には、光ファイバ５の端部を収容する光ファイバ収容部２０が形成されている。
【００２５】
導体層２は、例えば銅等の良電導性の金属からなる下地導体層２４の表面２４ｂに、ニッケル（Ｎｉ）からなるＮｉメッキ層２５及び金（Ａｕ）からなる金メッキ層２６が積層されて構成されている。導体層２の厚みは、例えば７０〜８０μｍである。
【００２６】
図３（ｂ）に示すように、Ｎｉメッキ層２５及び金メッキ層２６は、下地導体層２４に形成された傾斜面２４ａの表面にも積層されている。反射面２２ａは、金メッキ層２６の最表面に形成されている。
【００２７】
絶縁体層３は、例えばポリイミド等の樹脂からなり、その厚みは例えば３８μｍである。絶縁体層３は、光ファイバ収容部２０に収容された光ファイバ５を支持する支持面２０ａを有している。より具体的には、光ファイバ収容部２０は、導体層２の厚み方向の全体に亘って貫通し、絶縁体層３の主面３ａが露出している。したがって、絶縁体層３の主面３ａは、その一部が光ファイバ収容部２０の支持面２０ａとして形成される。
【００２８】
光ファイバ収容部２０は、導体層２の上方から押え部材４によって覆われ、光ファイバ５は、光ファイバ収容部２０内に充填される接着剤等により固定される。本実施の形態では、光ファイバ５のクラッド５２の外周面が、光ファイバ収容部２０の内面に接触している。
【００２９】
光ファイバ収容部２０には、その一端部（終端）に、内側に向かって突出する第１の凸部２１１及び第２の凸部２２１が形成されている。なお、図３（ａ）及び図３（ｂ）では、第１の凸部２１１（図４参照）のみが図示されている。
【００３０】
反射面２２ａは、光ファイバ収容部２０に収容された光ファイバ５のコア５１に対向する位置に形成されている。図３（ａ）に示すように、反射面２２ａは、光ファイバ５内を伝搬する光がコア５１から出射されたとき、その出射光を光電変換素子１１側に反射する。光電変換素子１１が受光素子である場合、反射面２２ａで反射した光は、光電変換素子１１の本体部１１０に設けられた受発光部１１２から光電変換素子１１内に入射し、光電変換素子１１は、この入射光による光信号を電気信号に変換する。
【００３１】
また、光電変換素子１１が発光素子である場合、光電変換素子１１は、半導体回路素子１２から出力される電気信号を光信号に変換し、この光信号を表す光を受発光部１１２から出射する。この出射光は、反射面２２ａで光ファイバ５の先端面５ａ側に反射されてコア５１内に入射し、光ファイバ５内を伝搬する。図３（ａ）では、光ファイバ５を伝搬媒体とする光の光路Ｌを一点鎖線で示している。
【００３２】
光ファイバ５は、コア５１及びクラッド５２を有している。光ファイバ５は、本実施の形態では、コア５１の直径が例えば５０μｍであり、クラッド５２の径方向の厚みが例えば１５μｍである。すなわち、光ファイバ５の直径（コア５１及びクラッド５２を合わせた直径）は８０μｍであり、導体層２の厚みと同程度の寸法である。
【００３３】
図４（ａ）は、図１における光電変換素子１１及びその周辺部の拡大図、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＤ−Ｄ線断面図である。なお、図４（ａ）では、光電変換素子１１の外形を二点鎖線で示している。
【００３４】
導体層２に形成された第１配線パターン２１には、第２配線パターン２２に向かって突出する第１の凸部２１１が形成され、第２配線パターン２２には第１配線パターン２１に向かって突出する第２の凸部２２１が形成されている。
【００３５】
第１の凸部２１１及び第２の凸部２２１は、第２配線パターン２２に形成された反射面２２ａと光ファイバ収容部２０との間に介在している。第１の凸部２１１は、反射面２２ａに対向する面の反対側に、光ファイバ５の先端面５ａが突き当てられる第１の突き当て面２１１ａを有している。同様にして、第２の凸部２２１は、反射面２２ａに対向する面の反対側に、光ファイバ５の先端面５ａが突き当てられる第２の突き当て面２２１ａを有している。換言すれば、第１の突き当て面２１１ａ及び第２の突き当て面２２１ａは、光ファイバ収容部２０の一端部（終端）に形成されている。
【００３６】
図４（ｂ）に示すように、第１の凸部２１１の第２の凸部２２１に対向する第１の対向面２１１ｂと第２の凸部２２１の第１の凸部２１１に対向する第２の対向面２２１ｂとの間の距離Ｗは、光ファイバ５のコア５１の直径Ｗ１よりも広く、光ファイバ５全体の直径Ｗ２よりも狭い。すなわち、光ファイバ５のクラッド５２の先端面５２ａが、第１の突き当て面２１１ａ及び第２の突き当て面２２１ａに接触している。コア５１の先端面５１ａは、第１の凸部２１１と第２の凸部２２１との間で露出している。
【００３７】
（光配線基板１０の製造方法）
次に、図５を参照して、光配線基板１０の製造方法を説明する。
【００３８】
図５（ａ）〜（ｃ）は、光配線基板１０の形成工程を示す断面図である。
【００３９】
光配線基板１０の製造工程は、絶縁体層３の主面３ａに下地導体層２４を形成する第１工程と、下地導体層２４の一部を除去して配線パターン（第１配線パターン２１、第２配線パターン２２、及び半導体回路素子用配線パターン２３）及び光ファイバ収容部２０を形成すると共に、光ファイバ収容部２０の一端に第１の突き当て面２１１ａ及び第２の突き当て面２２１ａを形成する第２工程と、下地導体層２４に傾斜面２４ａを形成する第３工程と、下地導体層２４の表面２４ｂ及び傾斜面２４ａにＮｉメッキ層２５及び金メッキ層２６を積層する第４工程とを有している。以下、第１〜第４工程について、より詳細に説明する。
【００４０】
第１工程では、図５（ａ）に示すように、絶縁体層３の主面３ａの全体に下地導体層２４を、例えば接着、蒸着、又は無電解メッキによって形成する。本実施の形態では、下地導体層２４は、主として良電導性を有する銅（Ｃｕ）からなる。
【００４１】
第２工程では、図５（ｂ）に示すように、エッチングによって下地導体層２４の一部を除去し、第１配線パターン２１、第２配線パターン２２、半導体回路素子用配線パターン２３、及び光ファイバ収容部２０をそれぞれ形成すると共に、第１の凸部２１１及び第２の凸部２２１を形成する。
【００４２】
より具体的には、下地導体層２４の除去部分２４０に対応する部分以外にレジストを塗布し、レジストが塗布されていない部分の下地導体層２４をエッチングによって溶解させる。これにより、除去部分２４０に対応する下地導体層２４が溶解し、第１配線パターン２１、第２配線パターン２２、半導体回路素子用配線パターン２３、光ファイバ収容部２０、第１の凸部２１１、及び第２の凸部２２１に対応する下地導体層２４のみが残る。
【００４３】
第３工程では、図５（ｃ）に示すように、下地導体層２４の表面２４ｂから裏面２４ｃに向かって導体層２を斜めに切削することにより傾斜面２４ａを形成する。
【００４４】
第４工程では、下地導体層２４の表面２４ｂ及び傾斜面２４ａの表面にニッケル（Ｎｉ）及び金（Ａｕ）のメッキを施して、Ｎｉメッキ層２５及び金メッキ層２６を形成する。このニッケル（Ｎｉ）メッキ及び金メッキ等は、例えば無電解メッキによって行うことができる。金メッキ層２６の最表面には、反射面２２ａが形成される。
【００４５】
（実施の形態の作用及び効果）
以上説明した実施の形態によれば、次のような作用及び効果が得られる。
【００４６】
（１）光ファイバ収容部２０には、その一端部（終端）に、第１の突き当て面２１１ａ及び第２の突き当て面２２１ａが形成されているため、第１の突き当て面２１１ａ及び第２の突き当て面２２１ａに突き当てられた光ファイバ５は、精度よく位置決めがなされる。第１の突き当て面２１１ａ及び第２の突き当て面２２１ａが形成された第１の凸部２１１及び第２の凸部２２１は、反射面２２ａと光ファイバ収容部２０との間に配置されているため、光ファイバ５の先端が反射面２２ａ上に乗り上げることがなく、光電変換素子１１が光配線基板１０から外れてしまうことを防止することができる。
【００４７】
（２）第１の突き当て面２１１ａ及び第２の突き当て面２２１ａは、第１配線パターン２１及び第２配線パターン２２に、すなわち導体層２に形成されているため、光配線基板１０を製造する際のエッチング工程（第２工程）において、第１配線パターン２１、第２配線パターン２２、及び光ファイバ収容部２０を形成する際に一緒に第１の突き当て面２１１ａ及び第２の突き当て面２２１ａを形成することができ、作業性の向上につながる。
【００４８】
［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態について、図６乃至図８を参照して説明する。本実施の形態に係る光配線基板１０Ａは、光ファイバ収容部３０の構成が、第１の実施の形態に係る光配線基板１０の光ファイバ収容部２０の構成と異なる。図６乃至図８において、第１の実施の形態に係る光配線基板１０について説明したものと同一の機能を有する部位については共通する符号を付し、その重複した説明を省略する。
【００４９】
図６は、本発明の第２の実施の形態に係る光モジュール１Ａを示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は（ａ）のＥ部拡大図である。図７は、第２の実施の形態に係る光配線基板１０Ａを示し、（ａ）は光電変換素子１１及びその周辺部の拡大図、（ｂ）は（ａ）のＦ−Ｆ線断面図である。なお、図７（ａ）では、光電変換素子１１の外形を二点鎖線で示している。
【００５０】
本実施の形態に係る光配線基板１０Ａは、光ファイバ５の端部を収容する光ファイバ収容部３０が、導体層２の厚み方向の全体、及び絶縁体層３Ａの厚み方向の一部に亘って形成されている。すなわち、光ファイバ収容部３０は、導体層２においてその厚み方向の全体に亘って貫通し、絶縁体層３においてその厚み方向の全体に亘って貫通せずに一部が底面３０ｂとして残っている。光ファイバ５は、光ファイバ収容部３０の底面３０ｂで支持されている。
【００５１】
光ファイバ収容部３０の長手方向の一端（終端）には、挿入された光ファイバ５の先端面５ａが突き当てられる突き当て面３０ａが、底面３０ｂに対して垂直となるように形成されている。図６（ｂ）及び図７（ｂ）に示すように、光ファイバ収容部３０に収容された光ファイバ５は、クラッド５２の先端面５２ａが、突き当て面３０ａに突き当てられている。コア５１の先端面５１ａは、第１配線パターン２１と第２配線パターン２２との間で露出し、第２配線パターン２２に形成された反射面２２ａに対向している。
【００５２】
図８（ａ）〜（ｄ）は、第２の実施の形態に係る光配線基板１０Ａの形成工程を示す断面図である。
【００５３】
本実施の形態に係る光配線基板１０Ａの製造工程は、絶縁体層３Ａの主面３ａに下地導体層２４を形成する第１工程と、下地導体層２４の一部を除去して配線パターン（第１配線パターン２１、第２配線パターン２２、及び半導体回路素子用配線パターン２３）を形成すると共に、光ファイバ収容部３０となる凹部２４１を形成する第２工程と、下地導体層２４に傾斜面２４ａを形成する第３工程と、凹部２４１の底面にあたる絶縁体層３Ａを除去して光ファイバ収容部３０を形成すると共に、光ファイバ収容部３０の一端（終端）に突き当て面３０ａを形成する第４工程と、下地導体層２４の表面２４ｂ及び傾斜面２４ａにＮｉメッキ層２５及び金メッキ層２６を積層する第５工程とを有する。以下、第１〜第５工程について、より詳細に説明する。
【００５４】
本実施の形態の第１工程では、図８（ａ）に示すように、絶縁体層３Ａの主面３Ａａの全体に下地導体層２４を、例えば接着、蒸着、又は無電解メッキによって形成する。本実施の形態においても、第１の実施の形態と同様に、下地導体層２４は主として良電導性を有する銅（Ｃｕ）からなる。
【００５５】
第２工程では、図８（ｂ）に示すように、エッチングによって下地導体層２４の一部を除去し、第１配線パターン２１、第２配線パターン２２、及び半導体回路素子用配線パターン２３を形成すると共に、光ファイバ収容部３０となる凹部２４１を形成する。下地導体層２４の除去部分２４０に対応する部分及び凹部２４１に対応する部分以外にレジストを塗布し、レジストが塗布されていない部分の下地導体層２４をエッチングによって溶解させる。これにより、除去部分２４０及び凹部２４１に対応する下地導体層２４が溶解し、第１配線パターン２１、第２配線パターン２２、半導体回路素子用配線パターン２３、及び凹部２４１に対応する下地導体層２４のみが残る。
【００５６】
第３工程では、第１の実施の形態の第３工程と同様にして、図８（ｃ）に示すように、下地導体層２４の表面２４ｂから裏面２４ｃに向かって下地導体層２４を斜めに切削することにより、傾斜面２４ａを形成する。
【００５７】
第４工程では、図８（ｄ）に示すように、凹部２４１の底面にあたる絶縁体層３Ａの主面３ａに対して直角な方向からレーザ光を照射する。レーザ光の照射によって、光ファイバ５の端部を収容する光ファイバ収容部３０及び突き当て面３０ａが、絶縁体層３Ａに形成される。本実施の形態のレーザ光の強度は、絶縁体層３Ａにおける厚さ方向の一部を照削（光を照射して削ること）し得る強度であり、絶縁体層３Ａは、厚さ方向の全体に亘って照削されない。したがって、絶縁体層３Ａには、このレーザ光の照射によって除去されずに残った部分が光ファイバ収容部３０の底面３０ｂとして形成される。
【００５８】
第５工程では、第１の実施の形態における第４工程と同様にして、下地導体層２４の表面２４ｂ及び傾斜面２４ａの表面にニッケル（Ｎｉ）及び金（Ａｕ）のメッキを施して、Ｎｉメッキ層２５及び金メッキ層２６を形成する。金メッキ層２６の最表面には、反射面２２ａが形成される。
【００５９】
（第２の実施の形態の作用及び効果）
以上説明した第２の実施の形態においても、第１の実施の形態の（１）の作用及び効果の他に、次の作用及び効果が得られる。
【００６０】
突き当て面３０ａは、絶縁体層３Ａに形成された光ファイバ収容部３０の一端部に形成されているため、光配線基板１０の形成工程における光ファイバ収容部３０を形成する工程の中で一緒につきあて面３０ａを形成することができ、作業性の向上につながる。
【００６１】
（実施の形態のまとめ）
次に、以上説明した実施の形態から把握される技術思想について、実施の形態における符号等を援用して記載する。ただし、以下の記載における各符号等は、特許請求の範囲における構成要素を実施の形態に具体的に示した部材等に限定するものではない。
【００６２】
［１］樹脂からなる絶縁体層（３，３Ａ）と、前記絶縁体層（３，３Ａ）に積層された金属からなる導体層（２）とを備え、光ファイバ（５）の端部を収容する光ファイバ収容部（２０，３０）が形成された光配線基板（１０，１０Ａ）であって、前記導体層（２）には、前記光ファイバ（５）を伝搬する光を反射する反射面（２２ａ）が前記絶縁体層（３，３Ａ）に対して傾斜して形成され、前記光ファイバ収容部（２０，３０）には、その一端部に、挿入された前記光ファイバ（５）の先端が突き当てられる突き当て面（２１１ａ，２２１ａ，３０ａ）が形成された光配線基板（１０，１０Ａ）。
【００６３】
［２］前記突き当て面（第１の突き当て面２１１ａ及び第２の突き当て面２２１ａ）は、前記導体層（２）の一部に形成された、［１］に記載の光配線基板（１０）。
【００６４】
［３］前記突き当て面（３０ａ）は、前記絶縁体層（３Ａ）の一部に形成された、［１］に記載の光配線基板（１０Ａ）。
【００６５】
［４］［１］乃至［３］の何れか１項に記載の光配線基板（１０，１０Ａ）と、光電変換素子（１１）とを備えた光モジュール（１，１Ａ）。
【００６６】
［５］［２］に記載の光配線基板（１０）の製造方法であって、前記絶縁体層（３）に前記導体層（２）を形成する工程と、前記導体層（２）の一部を除去して配線パターン（第１配線パターン２１，第２配線パターン２２，半導体回路素子用配線パターン２３）及び前記光ファイバ収容部（２０）を形成すると共に、前記光ファイバ収容部（２０）の一端に前記突き当て面（第１の突き当て面２１１ａ及び第２の突き当て面２２１ａ）を形成する工程と、前記配線パターン（第２配線パターン２２）の一部に前記反射面（２２ａ）を構成する傾斜面（２４ａ）を形成する工程とを有する光配線基板（１０）の製造方法。
【００６７】
［６］［３］に記載の光配線基板（１０Ａ）の製造方法であって、前記絶縁体層（３Ａ）に前記導体層（２）を形成する工程と、前記導体層（２）の一部を除去して前記配線パターン（第１配線パターン２１，第２配線パターン２２，半導体回路素子用配線パターン２３）を形成すると共に、前記光ファイバ収容部（３０）となる凹部（２４１）を形成する工程と、前記配線パターン（第２配線パターン２２）の一部に前記反射面（２２ａ）を構成する傾斜面（２４ａ）を形成する工程と、前記凹部（２４１）の底面にあたる前記絶縁体層（３Ａ）を除去して前記光ファイバ収容部（３０）を形成すると共に、前記光ファイバ収容部（３０）の一端に前記突き当て面（３０ａ）を形成する工程とを有する光配線基板（１０Ａ）の製造方法。
【００６８】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
【００６９】
本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変形して実施することが可能である。例えば、上記実施の形態では、光配線基板１０，１０Ａに１つの光モジュール１，１Ａを搭載した場合について説明したが、これに限らず、光配線基板１０，１０Ａに複数の光モジュール構造を形成してもよい。
【００７０】
また、上記実施の形態では、光ファイバ５は、クラッド５２の外周が、押え部材４の凹部４０の内面４０ａ及び絶縁体層３の主面３ａに接触していたが、光ファイバ５は凹部４０内に充填される接着剤等により固定されるので、クラッド５２の外周が押え部材４の凹部４０の内面４０ａ及び絶縁体層３の主面３ａに接触していなくともよい。
【００７１】
また、上記実施の形態では、光配線基板１０，１０Ａは、主に絶縁体層３，３Ａ及び導体層２により構成されていたが、これに限らず、絶縁体層３，３Ａの裏面側にも配線パターンが形成された導体層を形成してもよい。この場合、配線の取り回しがよくなる。
【００７２】
また、上記実施の形態では、下地導体層２４が銅（Ｃｕ）である場合について説明したが、これに限らず、下地導体層２４の一部又は全部が例えばアルミニウム（Ａｌ）であってもよい。また、メッキ層（Ｎｉメッキ層２５及び金メッキ層２６）における材質も、上記したものに限らない。絶縁体層３の材質も、ポリイミドに限らず、例えばＰＥＴ（Polyethylene terephthalate、ポリエチレンテレフタラート）であってもよい。
【００７３】
また、上記実施の形態では、光電変換素子１１及び半導体回路素子１２は光配線基板１０にフリップチップ実装されていたが、これに限らず、例えばワイヤボンディングされていてもよい。
【符号の説明】
【００７４】
１，１Ａ…光モジュール、２…導体層、３，３Ａ…絶縁体層、３ａ，３Ａａ…主面、４…押え部材、５…光ファイバ、５ａ…先端面、１０，１０Ａ…光配線基板、１０ａ…実装面、１１…光電変換素子、１２…半導体回路素子、２０…光ファイバ収容部、２０ａ…支持面、２１…第１配線パターン、２２…第２配線パターン、２２ａ…反射面、２３…半導体回路素子用配線パターン、２４…下地導体層、２４ａ…傾斜面、２４ｂ…表面、２４ｃ…裏面、２５…Ｎｉメッキ層、２６…金メッキ層、３０…光ファイバ収容部、３０ａ…突き当て面、３０ｂ…底面、４０…凹部、４０ａ…内面、５１…コア、５１ａ…先端面、５２…クラッド、５２ａ…先端面、１１０…本体部、１１１…電極、１１２…受発光部、１２０…本体部、１２１，１２１ａ…パッド電極、２１１…第１の凸部、２１１ａ…第１の突き当て面、２１１ｂ…第１の対向面、２２１…第２の凸部、２２１ａ…第２の突き当て面、２２１ｂ…第２の対向面、２４０…除去部分、２４１…凹部、Ｌ…光路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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