(57)【要約】【課題】  堆積膜の特性および均一性を同時に向上させる方法を提供する。【解決手段】  減圧にし得る反応容器の中に、円筒状基体並びに前記円筒状基体の上部及び／又は下部と接する補助基体を設置し、気相成長法により、前記円筒状基体の表面に堆積膜を形成する堆積膜形成方法であって、前記補助基体は、外周面、端面、及び端面と外周面の間の面取り面を有し、該補助基体を繰り返し使用する前に、すくなくとも、前記円筒状基体と接する前記端面を、研磨部材で研磨処理し、該端面のＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１で規定される算術平均粗さＲａを０．０１μｍ以上１．００μｍ以下に再生処理する。【選択図】  図４
2014002224.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧にし得る反応容器の中に、円筒状基体並びに前記円筒状基体の上部及び／又は下部と接する補助基体を設置し、気相成長法により、前記円筒状基体の表面に堆積膜を形成する堆積膜形成方法であって、
前記補助基体は、外周面、端面、及び端面と外周面の間の面取り面を有し、
該補助基体を繰り返し使用する前に、すくなくとも、前記円筒状基体と接する前記端面を、研磨部材で研磨処理し、
該端面のＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１で規定される算術平均粗さＲａを、０．０１μｍ以上１．００μｍ以下に再生処理することを特徴とする堆積膜形成方法。
【請求項２】
前記端面の円周方向に沿って測定した算術平均粗さＲａが、円周に対して垂直な方向に沿って測定した算術平均粗さＲａより小さい請求項１に記載の堆積膜形成方法。
【請求項３】
前記外周面と前記面取り面のＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１で規定される算術平均粗さＲａを、０．０１μｍ以上０．１０μｍ以下に再生処理する請求項１または２に記載の堆積膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、堆積膜形成方法に関し、特に、光（ここでは、紫外線、可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線等の広義の光を指す。）のような電磁波に感受性のある光受容部材を安定して形成することに適した堆積膜形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
固体撮像装置、あるいは像形成分野における電子写真感光体や原稿読み取り装置における光導電層を形成する材料には、以下の（１）〜（３）の特性が要求される。（１）高感度でＳＮ比［光電流（Ｉｐ）／（Ｉｄ）］が高く、照射する電磁波のスペクトル特性にマッチングした吸収スペクトル特性を有する。（２）光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時において人体に無害である。（３）固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に処理することができる。
特に事務機としてオフィスで使用される電子写真感光体の場合には、上記の使用時における無害性は重要な点である。このような観点に立脚して注目されている材料に、水素やハロゲン原子等の一価の元素でダングリングボンドが修飾されたアモルファスシリコン（以下、「ａ−Ｓｉ」とも表記する。）が電子写真感光体へ応用されている。
【０００３】
電子写真感光体としては種々の形態が知られているが、いわゆるドラム状の形態とするものが一般的である。この場合、円筒状の基体の表面に光導電層などの所望とする層、すなわち光受容層を形成して光受容部材を形成する。円筒状基体の上にａ−Ｓｉからなる光受容層を形成する方法としては以下の（１）〜（４）の方法が知られている。（１）スパッタリング法、（２）熱により原料ガスを分解する方法（熱ＣＶＤ法）、（３）光により原料ガスを分解する方法（光ＣＶＤ法）、（４）プラズマにより原料ガスを分解する方法（プラズマＣＶＤ法）。
なかでもプラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガスに、ＤＣ電力やＲＦ高周波電力を引加して、原料ガスを分解し、円筒状基体の上に堆積膜を形成する方法は、電子写真感光体の形成方法等において、現在、実用化が進んでいる。
【０００４】
特にａ−Ｓｉ電子写真感光体の更なる高画質化のために、更に、均一な膜を得るとともに、微小な画像欠陥の発生を抑制することが行われている。
例えば、基体の両端に基体と同一の外径を有する補助基体を配置して、補助基体の温度を制御することで特性の均一化を図る技術が開示されている（特許文献１参照）。
更に、補助基体の外面の表面粗さを、所定の範囲にし、膜ハガレの低減および温度分布の改善を行うことで、特性の均一化および画像欠陥の低減を図る技術が開示されている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−０７３１７３号公報
【特許文献２】特開２０１０−１３４０５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来、上記のような方策により、堆積膜形成方法の向上が図られてきた。その結果、ある程度の、特性の均一化および画像欠陥の低減が成された。
しかし近年、例えば、電子写真装置の画像特性向上のために電子写真装置内の光学露光装置、現像装置、転写装置等の改良がなされた結果、電子写真感光体においても従来以上の特性の均一性と画像特性の向上が求められるようになった。
【０００７】
上記の感光体の製造工程で発生する画像欠陥とは次のようなものである。
ａ−Ｓｉ膜は円筒状基体表面に数μｍオーダーのダストが付着した場合、成膜中にそのダストを核として異常成長、いわゆる「球状突起」が成長してしまうという性質を持っている。球状突起はダストを起点とした円錐形を逆転させた形をしており、正常堆積部分と球状突起部分の界面では局在準位が非常に多いために低抵抗化し、帯電電荷が界面を通って円筒状基体側に抜けてしまう。
このため、球状突起のある部分は、画像上ではべた黒画像で白い点となって現れる（反転現像の場合はべた白画像に黒い点となって現れる）。このいわゆる「ポチ」と呼ばれる画像欠陥は年々規格が厳しくなっており、大きさによってはＡ３用紙に数個存在していても不良として扱われることがある。さらには、カラー複写機に搭載される場合にはさらに規格は厳しくなり、Ａ３用紙に１個存在していても不良となる場合がある。
【０００８】
この球状突起は、ダストを起点としているため、そのダストの発生を抑制するために、努力されてきている。
例えば、成膜前に円筒状基体表面にダストが付着することを防止するために、使用する円筒状基体は成膜前に精密に洗浄され、成膜装置に設置する行程は全てクリーンルームあるいは真空下で作業が行われる。
このようにして、成膜開始前および成膜中に円筒状基体上に付着するダストは極力少なくするよう努力されてきており、効果を上げてきた。
【０００９】
しかし、例えば、球状突起の発生数には製造ロット毎にバラツキが発生する場合がり、その結果画像特性が低下する場合がある。
本発明は、堆積膜の特性および均一性を同時に向上させる堆積膜形成方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述した目的を達成するため、本発明は、減圧にし得る反応容器の中に、円筒状基体並びに前記円筒状基体の上部及び／又は下部と接する補助基体を設置し、気相成長法により、前記円筒状基体の表面に堆積膜を形成する堆積膜形成方法であって、
前記補助基体は、外周面、端面、及び端面と外周面の間の面取り面を有し、
該補助基体を繰り返し使用する前に、すくなくとも、前記円筒状基体と接する前記端面を、研磨部材で研磨処理し、
該端面のＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１で規定される算術平均粗さＲａを０．０１μｍ以上１．００μｍ以下に再生処理することを特徴とする堆積膜形成方法を提供するものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、補助基体の円筒状基体と接する端面を研磨処理することで、堆積膜形成工程中に生じる塵埃の発生を、抑制することが出来る。
また、これら作用を簡単な方法で実現し、画像特性を向上させることが可能となる。
同時に特性の均一性を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の堆積膜形成方法で用いることができるａ−Ｓｉ電子写真感光体の製造装置の一例を示す模式図である。
【図２】本発明の堆積膜形成方法で用いることができる上補助基体と下補助基体の一例を示す模式図である。
【図３】本発明の堆積膜形成方法における、補助基体の設置方法の一例を示す模式図である。
【図４】本発明の堆積膜形成方法で用いることができる研磨装置の一例を示す模式図である。
【図５】本発明の堆積膜形成方法で用いることができる、補助基体の算術平均粗さＲａを測定するために用いるテスト補助基体の一例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の具体的な実施形態について、図面を参照して説明する。
（堆積膜形成装置）
図１は、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）−プラズマＣＶＤ法（Ｐｌａｓｍａ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法）の如き気相成長法によって、電子写真感光体を製造するための堆積膜形成装置１００の一例を模式的に示した図である。堆積膜形成装置１００は、プラズマ処理によって円筒状基体１０２に堆積膜を形成する装置である。円筒状カソード電極１０３、絶縁体１０４、上壁１０５、ゲート弁１０６、底壁１０７により、減圧可能な反応容器１０１を形成している。
【００１４】
反応容器１０１には底壁１０７の排気部１２２、排気管１０８、排気バルブ１０９を介して真空ポンプユニット１１０が接続され、反応容器１０１の内部を減圧可能としている。他に、反応容器１０１の下部には、真空計１１３、さらには、受台１１１を回転可能にするモータ１１２が取り付けられている。
円筒状基体１０２は、上補助基体１３０、下補助基体１４０、およびリング状部材１５０と共に、基体ホルダ１１４に装着された状態で、反応容器１０１の内部の受台１１１の上に載置される。
【００１５】
さらに、反応容器１０１の内部には、基体ホルダ１１４を内部から加熱するヒータ１１５、および原料ガス導入管１１６が設置されている。原料ガス導入管１１６は、円筒状基体１０２を取り囲むように複数本配設され、その側面には、長手方向に沿って多数の細孔（不図示）が設けられている。更に、原料ガス導入管１１６は、ガス供給系に接続されている。そのガス供給系には、原料ガスの流量を調整するためのマスフローコントローラ（不図示）を内在させたミキシング装置１１７が設けられている。
またガス供給系には、原料ガス供給管１１８を介して原料ガス導入管１１６に供給する原料ガスの流量を調整するための原料ガス導入バルブ１１９が設けられている。
また、円筒状カソード電極１０３はマッチングボックス１２０を介して高周波電源１２１に接続されている。
【００１６】
（補助基体）
図２は、上補助基体１３０と下補助基体１４０の一例を模式的に示した図である。
上補助基体１３０は、円筒状形状をしており、外周面１３１、上端面１３３、下端面１３４、面取り面１３２、インロー１３５、内周面１３６で構成されている。外周面１３１は長さがＬ０で、上端面１３３は幅がＬ１、下端面１３４は幅がＬ２となっている。面取り面１３２は、半径がＲ１のＲ面取りとなっている。
【００１７】
上補助基体１３０の内面下部には、インロー１３５が設けられており、円筒状基体１０２に設けられているインロー（不図示）と同一の形状をしている。円筒状基体１０２に設けられているインロー（不図示）は、電子写真感光体にフランジを取り付ける際にフランジを嵌める部分となる。
図１に示したように、上補助基体１３０においては、下端面１３４が、円筒状基体１０２の上部の端面と接する部分となる。下端面１３４は、後述するように、補助基体の再生処理時には、研磨部材で研磨処理される。
【００１８】
下補助基体１４０は、円筒状形状をしており、外周面１４１、上端面１４３、下端面１４４、面取り面１４２、インロー１４５、内周面１４６で構成されている。外周面１４１は長さがＬ３で、上端面１４３は幅がＬ２、下端面１３４も幅がＬ２となっている。面取り面１４２は、半径がＲ１のＲ面取りとなっている。
下補助基体１４０の内面には、インロー１４５が上端部および下端部に設けられており、円筒状基体１０２に設けられているインロー（不図示）と同一の形状をしている。
【００１９】
図１に示したように、下補助基体１４０においては、上端面１４３が円筒状基体１０２の下部の端面と接する部分となる。上端面１４３は、後述するように、補助基体の再生処理時には、研磨部材で研磨処理される。
上記の円筒状基体１０２と上補助基体１３０、下補助基体１４０を用い、堆積膜形成装置１００を用いて、ａ−Ｓｉ電子写真感光体を作製する一例を以下に示す。
【００２０】
（堆積膜形成方法）
まず、基体ホルダ１１４に、円筒状基体１０２、上補助基体１３０、下補助基体１４０、リング状部材１５０を装着する。
装着の仕方の一例を、図３（ａ）〜（ｈ）を用いて説明する。
【００２１】
図３（ａ）〜（ｈ）は、基体ホルダ１１４に、円筒状基体１０２、上補助基体１３０、下補助基体１４０、リング状部材１５０を装着する一構成例を示す模式図である。
基体ホルダ１１４、円筒状基体１０２、上補助基体１３０、下補助基体１４０、リング状部材１５０としては、図１、図２に示すものと同一形状を使用している。
円筒状基体１０２は、使用目的に応じた材質であればよい。円筒状基体１０２の材質としては、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタンやこれらの合金を用いることができる。中でも加工性や製造コストを考慮するとアルミニウムが優れている。この場合、Ａｌ−Ｍｇ系合金、Ａｌ−Ｍｎ系合金のいずれかを用いることが好ましい。
【００２２】
リング状部材１５０の材質は特に制限は無く、円筒状基体１０２と同じ材質でもよいし、円筒状基体１０２と異なる材質でも良い。
上補助基体１３０、下補助基体１４０の材質は、使用目的に応じた材質であればよく、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタンやこれらの合金、例えばステンレス等が挙げられる。補助基体の材質は必ずしも円筒状基体１０２と一致している必要はないが、円筒状基体１０２と同種の材質であることが、補助基体上に堆積した堆積膜の密着性を向上させる観点からは好ましい。
【００２３】
本実施形態では、基体ホルダ１１４、円筒状基体１０２、上補助基体１３０、下補助基体１４０、リング状部材１５０はいずれも、アルミニウム系合金を使用した。
まず、図３（ａ）に示すように、リング状部材１５０を、下補助基体１４０の上方に移動させる。
次に、図３（ｂ）に示すように、リング状部材１５０を、下補助基体１４０の上部のインロー１４５に取り付ける。
次に、図３（ｃ）に示すように、リング状部材１５０の上方に円筒状基体１０２を移動させる。そして、円筒状基体１０２をリング状部材１５０に被せる様にする。
【００２４】
そして、そのまま円筒状基体１０２の端面と、下補助基体１４０の上端面１４３が密着するまで、円筒状基体１０２を降下させる。その状態を、図３（ｄ）に示す。
この様に、下補助基体１４０と円筒状基体１０２の接触部にリング状部材１５０を設置することで、下補助基体１４０と円筒状基体１０２の同軸性が、大きくズレることを防止している。
【００２５】
次に、図３（ｅ）に示すように、第２のリング状部材１５０を、円筒状基体１０２の上方側の端部に取り付ける。取り付け方は、前述のように、第２のリング状部材１５０を円筒状基体１０２の内面に挿入する。
次に、図３（ｆ）に示すように、第２のリング状部材１５０の上方に上補助基体１３０を移動させる。
【００２６】
そして、上補助基体１３０をリング状部材１５０に被せる様にする。この時、後述するように、研磨処理された上補助基体１３０の下端面１３４側から、被せる様にする。
そして、そのまま円筒状基体１０２の端面と、上補助基体１３０の下端面１３４が密着するまで、上補助基体１３０を降下させる。その状態を、図３（ｇ）に示す。
そして、リング状部材１５０が設置された状態で、上補助基体１３０、円筒状基体１０２、下補助基体１４０を、基体ホルダ１１４に取り付ける。その状態を、図３（ｈ）に示す。
【００２７】
次に、反応容器１０１のゲート弁１０６を開ける。そして、円筒状基体１０２、下補助基体１４０、上補助基体１３０およびリング状部材１５０が装着された基体ホルダ１１４を受台１１１の上に載置してゲート弁１０６を閉める。
次に、排気バルブ１０９を開いて反応容器１０１の内部を排気する。そして、真空計１１３の読みが例えば、１Ｐａ以下になった時点で原料ガス導入バルブ１１９を開け、加熱用の不活性ガス（例えば、Ａｒガス）を原料ガス導入管１１６より反応容器１０１の内部に導入する。反応容器１０１の内部が所望の圧力になるように加熱用の不活性ガスのガス流量および真空ポンプユニット１１０の排気速度を調整する。
【００２８】
その後、不図示の温度コントローラーを作動させて円筒状基体１０２をヒータ１１５により加熱し、円筒状基体１０２の温度を例えば２０℃〜３５０℃の所定の温度に制御する。円筒状基体１０２が所定の温度に加熱されたところで、不活性ガスの導入を徐々に止めて、堆積膜形成用の所定の原料ガスを原料ガス供給装置からミキシング装置１１７により混合した後に反応容器１０１の内部に徐々に導入する。
原料ガスとしては、例えばＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ６、ＮＯ等の材料ガスと、Ｂ２Ｈ６、ＰＨ３等のドーピングガス、Ｈ２、Ｈｅ、Ａｒ等の希釈ガスを用いる。次に、不図示のマスフローコントローラーによって、原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反応容器１０１の内部が例えば０．１Ｐａから数１００Ｐａの圧力を維持するよう真空計１１３を見ながら真空ポンプユニット１１０の排気速度を調整する。
【００２９】
以上の手順によって堆積膜形成の準備を完了した後、堆積膜の形成を行う。反応容器１０１の内部の圧力が安定したことを確認した後、高周波電源１２１を所定の電力に設定して高周波電力をカソード電極１０３に印加し高周波グロー放電を励起させる。このときマッチングボックス１２０を高周波の反射電力が最小となるように調整し、高周波の入射電力から反射電力を差し引いた値が所定の値となるように調整する。
この放電エネルギーによって反応容器１０１の内部に導入された原料ガスが分解され、円筒状基体１０２の上に所定の堆積膜が形成される。なお、堆積膜の形成を行っている間は、モータ１１２を運転し、円筒状基体１０２を所定の速度、例えば１ｒｐｍで回転させる。
【００３０】
所定の膜厚の堆積膜が形成された後、高周波電力の供給を止め、原料ガス導入バルブ１１９を閉じて、反応容器１０１への原料ガスの導入を止め、反応容器１０１の内部を一旦高真空に排気して堆積膜の形成を終える。上記のような操作を繰り返し行うことによって、所定の層構成のａ−Ｓｉ電子写真感光体が形成できる。
堆積膜が形成された後には、堆積膜形成用の原料ガスおよび高周波電力、加熱用ヒータ１１５の電力の供給を停止し、反応容器１０１の中を排気する。その後、反応容器１０１および原料ガス導入管１１６内をパージガス、例えばＡｒやＨｅの様な不活性ガスおよびＮ２の少なくとも一方を用いてパージ処理する。パージ処理完了後、ａ−Ｓｉ堆積膜が形成された円筒状基体１０２と下補助基体１４０、上補助基体１３０およびリング状部材１５０が装着された基体ホルダ１１４を反応容器１０１から取り出す。このようにして、ａ−Ｓｉ電子写真感光体が完成する。
【００３１】
（反応容器クリーニング処理）
その後に、反応容器１０１の中に堆積した堆積膜およびポリシランをクリーニング処理する。クリーニング処理の一例として、ドライエッチィング処理を以下に示す。手順としては、まず、円筒状基体１０２の替わりに、略同一形状のクリーニング用ダミー基体（不図示）を装着した基体ホルダ１１４を、反応容器１０１に搬入、設置する。
【００３２】
次に、真空ポンプユニット１１０により反応容器１０１の中を排気する。続いて、反応容器１０１の中にミキシング装置１１７および原料ガス導入管１１６を介してクリーニング処理に必要なクリーニング性ガスを導入する。そして、反応容器１０１の内部の圧力を所定の圧力になるように真空計１１３を確認しながら真空ポンプユニット１１０の回転周波数を調整する。
【００３３】
クリーニング処理時に使用するクリーニング性ガスとしては、例えばＣＦ４、ＣＦ４／Ｏ２、ＳＦ６、ＮＦ３、ＣｌＦ３（三フッ化塩素）が挙げられるが、本実施形態では、クリーニング時間を短縮する面から有効であるＣｌＦ３を用いる。また、本実施形態においては、クリーニング性ガスの濃度を調整するためにも、希釈用の不活性ガスを用いることが有効である。この不活性ガスとしては、例えばＨｅ、Ｎｅ、Ａｒが挙げられるが、なかでもＡｒを用いることが好ましい。
【００３４】
反応容器１０１の内部の圧力が安定した後、高周波電源１２１を所望の電力に設定して、高周波電力を、マッチングボックス１２０を介して円筒状カソード電極１０３に供給することで、高周波グロー放電を生起させる。供給電力は、例えば、１３．５６［ＭＨｚ］の周波数とすることができる。この放電エネルギーによって、反応容器１０１の中に導入されたクリーニング性ガスが分解され、反応容器１０１の内部のクリーニング処理が開始される。
【００３５】
その後、例えば所定の時間が経過後、クリーニング性ガスおよび高周波電力の供給を停止し、反応容器１０１の中を排気する。その後、反応容器１０１および原料ガス導入管１１６の内部をパージガス、例えばＡｒやＨｅの様な不活性ガスおよびＮ２の少なくとも一方を用いてパージ処理する。パージ処理完了後、クリーニング用のダミー基体（不図示）が装着された基体ホルダ１１４を反応容器１０１から搬出する。
【００３６】
（補助基体再生処理）
堆積膜形成後、反応容器１０１から搬出された、上補助基体１３０、下補助基体１４０は、再生処理され、再び堆積膜形成に使用される。
【００３７】
（第１の実施形態）
（堆積膜除去処理）
まず、外周面１３１、１４１および面取り面１３２，１４２の表面に付いている堆積膜を除去する。
堆積膜の除去方法としては、例えばブラスト処理、エッチング処理、研磨処理が挙げられる。本実施形態では、処理がし易く、また、処理コストを低減する面から有効である、ブラスト処理を用いた。
【００３８】
ブラスト処理とは、例えば砂やビーズなどの研磨剤を圧縮空気の力でたたきつけることで、表面に堆積した硬度の高いａ−Ｓｉ膜を除去する処理方法である。
ブラスト処理としては、例えば、圧縮空気のみを用いて処理する乾式ブラスト処理、水も同時に圧縮空気の力で吹き付ける湿式ブラスト処理が挙げられる。本実施形態では、研磨材の舞い上がりが少なく、処理部分の表面を過度に粗さないことから、湿式ブラスト処理を用いた。
【００３９】
ブラスト処理に用いられる研磨剤としては例えば、ガラスビーズ、カーボランダム、ジルコニアビーズ、アルミナ、エメリー、スチールビーズ、ステンレスビーズ、砂などが挙げられる。本実施形態では、補助基体の母材を痛めにくいことからガラスビーズを用いた。
ブラスト処理に用いられる研磨剤の粒径は、処理速度や希望する面粗さなどから所望の粒径が用いられ、一例としては５０μｍ〜４００μｍが挙げられる。本実施例では、中心粒径２５０μｍを用いた。
【００４０】
（研磨処理）
次に、上補助基体１３０、下補助基体１４０において、円筒状基体１０２と接する下端面１３４、上端面１４３の研磨処理を行う。
研磨処理の方向の一例を、図４を用いて説明する。
図４は、補助基体を研磨処理する研磨装置４００の一例を模式的に示した図である。
研磨装置４００は、補助基体回転機構４１０、外周面研磨機構４２０、面取り面研磨機構４３０、端面研磨機構４４０から構成されている。
【００４１】
補助基体回転機構４１０は、モータ４１１、シャフト４１２、チャッキング４１３から構成されている。
チャッキング４１３は、上補助基体１３０を内周面１３６で保持する。上補助基体１３０を保持した状態で、モータ４１１を駆動させることで、シャフト４１２、チャッキング４１３、上補助基体１３０が、矢印Ａの方向に回転する。
【００４２】
（外周面の研磨）
外周面研磨機構４２０は、円筒状の研磨部材４２１、モータ４２２、ベース４２３から構成されている。モータ４２２を駆動することで、研磨部材４２１が、矢印Ｂの方向に回転する。また、移動機構（不図示）によって、外周面研磨機構４２０が前後に（矢印Ｃの方向に）移動可能となっている。このように、外周面研磨機構４２０が前後に移動することで、研磨部材４２１が上補助基体１３０の外周面１３１に当接および離間可能となっている。また、移動機構（不図示）によって、当接する圧力は可変可能となっている。
【００４３】
（面取り面の研磨）
面取り面研磨機構４３０は、円筒状の研磨部材４３１、モータ４３２、ベース４３３から構成されている。面取り面研磨機構４３０は、上補助基体１３０の両端の面取り部を研磨処理出来る様に、両端に設置されている。モータ４３２を駆動することで、研磨部材４３１が、矢印Ｄの方向に回転する。また、移動機構（不図示）によって、面取り面研磨機構４３０が前後に（矢印Ｅの方向に）移動可能となっている。このように、面取り面研磨機構４３０が前後に移動することで、研磨部材４３１が上補助基体１３０の面取り面１３２に当接および離間可能となっている。
また、移動機構（不図示）によって、当接する圧力は可変可能となっている。さらに往復機構（不図示）によって、面取り面研磨機構４３０が円軌道に沿って（矢印Ｆの方向に）往復することが可能となっている。これにより、研磨部材４３１が上補助基体１３０の面取り面１３２と当接しながら、面取り面１３２に沿って、往復運動することが可能となっている。
【００４４】
（端面の研磨）
端面研磨機構４４０は、ベルト状の研磨部材４４１、台座４４２、ベース４４３から構成されている。端面研磨機構４４０は、上補助基体１３０の両端面を研磨処理出来る様に、両端に設置されている。送り装置（不図示）を駆動することで、ベルト状の研磨部材４４１を矢印Ｇの方に送ることが可能となっている。また、移動機構（不図示）によって、端面研磨機構４４０が左右に（矢印Ｈの方向に）移動可能となっている。
このように、端面研磨機構４４０が左右に移動することで、台座４４２部分の研磨部材４３１が上補助基体１３０の端面１３４および端面１３３に当接および離間可能となっている。また、移動機構（不図示）によって、当接する圧力は可変可能となっている。
【００４５】
上記の研磨装置４００を用いて、上補助基体１３０を研磨する一例を以下に示す。
まず、チャッキング４１３に、前述のように、ホーニング処理により膜除去された上補助基体１３０をセットする。次に端面研磨機構４４０の移動機構（不図示）を駆動し、研磨部材４４１を、端面１３３、端面１３４に当接させる。次にモータ４１１を駆動させ、上補助基体１３０を、矢印Ａの方向に回転させる。こうすることで、上補助基体１３０の端面１３３、１３４が研磨処理される。
【００４６】
研磨部材４４１としては、例えば、研磨布紙、不織布研磨材、フェルト、砥石などが挙げられる。さらに、それらを複数組み合わせたものを用いてもよい。また、例えばフェルトだけでは研磨力が充分でない場合は必要に応じて研磨材を染み込ませた状態で使うこともできる。本実施形態では、耐水性のベルト状の研磨布紙を用いた。
研磨部材４４１の当接の仕方としては、本実施例のように、回転している端面１３４の一部分に研磨部材４４１を当接しても良いし、端面１３４の数か所で当接したり、あるいは端面の全周に当接しても良い。
【００４７】
また研磨部材４４１は、すくなくとも円筒状基体１０２と接する端面（本実施形態の場合、端面１３４）を研磨処理することが必須であるが、本実施形態のように、円筒状基体１０２と接しない端面（本実施形態の場合、端面１３３）を研磨処理してもよい。
また、研磨部材４４１の形状としては、例えば、ベルト状、シート状、ディスク状が挙げられるが端面の研磨がムラ無く実施できれば、特に制限は無い。
【００４８】
研磨部材４４１は、使用するにつれて、劣化する。その結果、研磨ムラや、研磨残りが発生する場合が有る。そのため、所定回数使用したら、交換する必要が生じる。例えば、シート状の研磨布紙からなる研磨部材４４１や、砥石からなる研磨部材４４１を台座４４２にセットして研磨を実施している場合には、台座４４２から研磨部材４４１を外し、新しい研磨部材４４１をセットすればよい。
また本実施例のように、研磨部材４４１をベルト状にし、所定回数使用したら、送り装置（不図示）を駆動し、ベルト状の研磨部材４４１を矢印Ｇの方に送り、台座４４２部分には、新しい研磨面をセットするように実施しても良い。
【００４９】
研磨部材４４１に使用する砥材は、例えば、アルミナ、ジルコニア、シリコンカーバイト、ガーネット、ダイヤモンドなどが挙げられる。本実施形態では、アルミナを用いている。
砥材の粒度は、補助基体の材質の硬度および目標とする研磨後の表面性により、例えば、研磨布紙であれば、１００〜２０００が挙げられ、研削砥石であれば、１００〜６０００が挙げられる。本実施形態では、粒度４００の研磨布紙を使用した。
【００５０】
回転速度は、端面１３４にて、０．０１μｍ以上１．００μｍ以下の算術平均粗さＲａが得られるように設定されれば、いかなる値でも用いることが出来る。一例を挙げるなら、例えば０．５ｒｐｍ〜１００ｒｐｍとすることが出来る。算術平均粗さＲａは、処理される補助部材の回転速度、補助部材の当接圧力、研磨処理時間、研磨部材の種類を調整することで所定の値を得ることができるが、本実施形態では、２０ｒｐｍとした。
【００５１】
端面の研磨処理は、乾式のまま研磨を行うことも出来るが、潤滑剤として水を供給しながら研磨することがより好ましい。水を供給しながら研磨することによって摩擦熱によって補助基体が昇温することを防止でき、補助基体表面に焼きが入ったり、酸化されることを防止することができる。また、研磨部材に研磨粉が目詰まりすることを防止できるため、研磨処理の研磨速度の低下を防止することができ、さらには研磨の仕上がりも良好となる。本実施形態では、下端面１３４、および上端面１３３に水供給部（不図示）から、水を供給しながら研磨を実施した。
【００５２】
所定の時間が経過したら、まず端面研磨機構４４０の移動機構（不図示）を駆動し、研磨部材４４１を、下端面１３４および上端面１３３から離間させる。次に、モータ４１１を停止させ、上補助基体１３０の回転を停止する。そして、水供給部（不図示）から、水を供給して、上補助基体１３０全体を水洗いする。
そして、上補助基体１３０は、チャッキング４１３から外され、さらに洗浄工程および乾燥工程を経て再び成膜に使用される。
【００５３】
（算術平均粗さＲａの測定方法）
補助基体および円筒状基体の表面粗さは、算術平均粗さＲａ（ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１に規定）で評価した。Ｒａは、次のようにして求められる。
本発明において算術平均粗さＲａの測定は、ＪＩＳ  Ｂ０６５１：２００１に準拠したフォームトレーサー  ＳＶ−Ｃ４０００Ｓ４（株式会社ミツトヨ）を用いて測定した。用いた触針の形状はＪＩＳ  Ｂ０６５１：２００１に従った。すなわち、先端形状は球状の先端をもつ円錐とし、先端半径２μｍ、円錐のテーパー角度６０゜、測定力は０．７５ｍＮとした。
【００５４】
また、基準長さ、評価長さ、λｓ輪郭曲線フィルタ（粗さ成分とそれより短い波長成分との境界を定義するフィルタ）、λｃ輪郭曲線フィルタ（粗さ成分とうねり成分との境界を定義するフィルタ）の設定はＪＩＳ  Ｂ０６３３：２００１、及びＪＩＳ  Ｂ０６５１：２００１に従った。具体的には、測定されるＲａの値より表１のように決定した。
【００５５】
【表１】
2014002224.tif 000003
【００５６】
なお、スキャン速度は０．１ｍｍ／ｓｅｃ、測定環境は気温２５℃、湿度６５％とした。その他、特に記載していない条件に関しては、全てＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１、ＪＩＳ  Ｂ０６３３：２００１、及びＪＩＳ  Ｂ０６５１：２００１に基づいて行った。また、具体的なフォームトレーサー  ＳＶ−Ｃ４０００Ｓ４による測定手順は、全て装置付属の取扱説明書に従って行った。
【００５７】
また、算術平均粗さＲａは、補助基体を研磨処理する場合と、同一条件で図５に示す、テスト補助基体５３０を研磨処理して、テスト補助基体５３０の各面を測定して求めた。テスト補助基体５３０は、長さＬ０の外周面５３１、Ｒ１で、Ｒ面取りされた面取り面５３２、長さＬ１からなる端面５３３および長さＬ４からなる端面５３４、および内周面５３６で構成されている。テスト補助基体５３０は、基本的に、上補助基体１３０、下補助基体１４０と寸法形状だが、基体と接する端面５３４を長さＬ４とし、充分な長さを確保することで、正確に端面の算術平均粗さＲａを測定可能としている。
図５において、破線で示されている矢印は、算術平均粗さＲａの測定位置および、測定方向を示している。端面５３４に関しては、円周方向に沿った測定と、円周に対して垂直な方向に沿った測定を行っている。
【００５８】
（第２の実施形態  端面、外周面、および面取り面の研磨処理）
更に、本発明の別の実施形態として、前述の膜除去後の補助基体に対して、端面の研磨処理と、外周面および面取り面の研磨処理を実施する場合を説明する。
（端面の研磨）
前述と同様に、図４の研磨装置４００を用いて、端面１３４の研磨処理を実施する。所定の時間が経過したら、端面研磨機構４４０の移動機構（不図示）を駆動し、研磨部材４４１を、端面１３４から離間させる。水供給部（不図示）から、水を供給して、上補助基体１３０全体を水洗いする。
【００５９】
（外周面の研磨）
次に外周面研磨機構４２０の移動機構（不図示）を駆動し、研磨部材４２１を、外周面１３１に当接させる。モータ４１１を駆動させ、上補助基体１３０を、矢印Ａの方向に回転させると同時に、外周面研磨機構４２０のモータ４２２を駆動させ、研磨部材４２１を、矢印Ｂの方向に回転させる。
前述のように、研磨条件は外周面１３１にて、本発明の算術平均粗さが得られるように設定されれば、いかなる値でも用いることが出来る。一例として、本実施形態では、研磨部材４２１としては、粒度４００のシリコンカーバイト砥材を使用した不織布研磨を、フラップ形状に加工したものを用いた。研磨部材４２１の回転数を３０ｒｐｍとした。
【００６０】
また、外周面１３１に水供給部（不図示）から、水を供給しながら研磨を実施した。
所定の時間が経過したら、外周面研磨機構４２０の前後駆動機構（不図示）を駆動し、研磨部材４２１を、外周面１３１から離間させる。モータ４１１を停止させ、上補助基体１３０の回転を停止する。そして、水供給部（不図示）から、水を供給して、上補助基体１３０全体を水洗いする。
【００６１】
（面取り面の研磨）
次に面取り面研磨機構４３０の移動機構（不図示）を駆動し、研磨部材４３１を、面取り面１３２に当接させる。モータ４１１を駆動させ、上補助基体１３０を、矢印Ａの方向に回転させると同時に、面取り面研磨機構４３０のモータ４３２を駆動させ、研磨部材４３１を、矢印Ｄの方向に回転させる。
その後、往復機構（不図示）を駆動させ、矢印Ｆのように研磨部材４２１が上補助基体１３０の面取り面１３２と当接しながら、面取り面１３２に沿って、往復運動させる。
【００６２】
前述のように、研磨条件は面取り面１３２にて、本発明の算術平均粗さが得られるように設定されれば、いかなる値でも用いることが出来る。一例として、本実施形態では、研磨部材４３１としては、粒度４００のシリコンカーバイト砥材を使用したホイル形状の不織布研磨を用いた。
研磨部材４３１の回転数を１５ｒｐｍとし、面取り面１３２を往復させる時間を１０秒に設定した。
【００６３】
また、面取り面１３２に水供給部（不図示）から、水を供給しながら研磨を実施した。
所定の時間が経過したら、まず面取り面研磨機構４４０の移動機構（不図示）を駆動し、研磨部材４３１を、面取り面１３から離間させる。モータ４１１を停止させ、上補助基体１３０の回転を停止する。そして、水供給部（不図示）から、水を供給して、上補助基体１３０全体を水洗いする。
【００６４】
補助基体の面取り面は、外周面と端面との境界で急峻に形状が変化することを抑制することで、その部分での堆積膜の密着性を向上させている。面取り面の形状としては、特に制限は無く、例えば、本実施形態の様なＲ面取りや、テーパー状の面取り、及びそれらの組み合わせが、挙げられる。
またそれに応じて、面取り面研磨機構４３０は、面取り面が均一に研磨処理できれば特に制限は無い。例えば、本実施形態のように、面取り面に沿って研磨部材４３１を往復運動させても良いし、例えばテーパー形状の面取り面の場合は、研磨部材４３１を面取り面全面に当接する形状とし、押し当るだけで研磨処理を行っても良い。
そして、上補助基体１３０は、チャッキング４１３から外され、さらに洗浄工程および乾燥工程を経て再び成膜に使用される。
【００６５】
（第３の実施形態）
更に、本発明の別の実施形態として、前述の膜除去後の補助基体に対して、端面の研磨処理と、外周面および面取り面の切削処理を実施する場合を説明する。
（端面の研磨）
前述と同様に、図４の研磨装置４００を用いて、端面１３４の研磨処理を実施する。所定の時間が経過したら、端面研磨機構４４０の移動機構（不図示）を駆動し、研磨部材４４１を、端面１３４から離間させる。水供給部（不図示）から、水を供給して、上補助基体１３０全体を水洗いする。
【００６６】
（外周面および面取り面の切削）
その後、上補助基体１３０を、旋盤（不図示）にセットし、外周面１３１、および面取り面１３２を、単結晶ダイヤモンドバイトによって、切削加工を行う。これにより、外周面１３１、および面取り面１３２の表面を、ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１で規定される算術平均粗さＲａで、０．０１μｍ以上０．０５μｍ以下のいわゆる鏡面状態に仕上げる。
【００６７】
その後、上補助基体１３０は、旋盤（不図示）から外され、さらに洗浄工程および乾燥工程を経て再び成膜に使用される。
以上のような、補助基体の端面の研磨処理、または、端面の研磨処理と、外周面および面取り面の表面処理を下補助基体１４０にも実施する。洗浄工程および乾燥工程を経て上補助基体１３０と下補助基体１４０は再び成膜に使用される。
【００６８】
以上のように構成される本発明の堆積膜形成方法によれば、補助基体の円筒状基体と接する端面の研磨処理を行う。それにより、発塵を低減することが可能となる。
従来、補助基体の端面は、円筒状基体と接しているため膜の堆積は生じない。よって、端面部は積極的に処理が行われることがない。
その結果、補助基体の端面には、例えば、外面の膜処理時に生じる、膜片、アルミニウム片、ガラスビーズ片が付着あるいは突き刺さっている場合が有る。また補助基体の端面には、例えば、補助基体取扱時に生じるキズや、バリも存在している場合がある。
【００６９】
この様な状態で、前述のように、基体ホルダ１１４に、円筒状基体１０２、上補助基体１３０、下補助基体１４０を装着する作業をおこなうと、次の様に塵挨が発生する場合がある。
（１）上補助基体１３０および下補助基体１４０を円筒状基体１０２に設置する時、端面に付着していた、膜片、アルミニウム片、ガラスビーズ片が、振動等で脱落する。
（２）円筒状基体１０２の端面と、上補助基体１３０および下補助基体１４０の端面が接触することで、端面に付着していた、膜片、アルミニウム片、ガラスビーズ片が、脱落する。また、キズやバリ部分に生じる凸部分が、欠けたり、折れたりする。その後、反応容器１０１内に、基体ホルダ１１４を設置する際の、振動や、気流により、前述の脱落あるいは折れたりした物が、隙間から円筒状基体表面側に出てくる。
【００７０】
本発明においては、補助基体の再生処理時、すくなくとも、円筒状基体と接する端面は、該端面の表面粗さがＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１で規定される算術平均粗さＲａで、０．０１μｍ以上１．００μｍ以下になるよう研磨部材で研磨処理されている。その結果、端面に付着あるいは突き刺さっている膜片、アルミニウム片、ガラスビーズ片が、除去される。また、円筒状基体側に突き出ているキズの一部や、バリ、ササクレ等が除去される。その結果、前述の（１）、（２）のような発塵が低下される。
【００７１】
また、本発明においては、補助基体の端面の円周方向に沿って測定した算術平均粗さＲａが、円周に対して垂直な方向に沿って測定した算術平均粗さＲａより小さくなるようにすることで、補助基体と円筒状基体との同軸性のズレを低減している。ここで定義している同軸性のズレの低減とは、補助基体と円筒状基体の端面が接触した後に、同軸性が変化する方向に、補助基体と円筒状基体の位置関係がズレることを抑制することを意味している。例えば、補助基体を上から見た断面図で考えた場合、補助基体が上の方向にずれると、同軸性にズレが生じることになる。
これにより補助基体と円筒状基体の端面で摺擦が生じ、例えばアルミニウム片が生じる。そして、上の方にズレた部分から、円筒状基体の堆積膜形成面側に、アルミニウム片が散在してしまう場合が有る。
【００７２】
また、補助基体の端面の円周方向Ｄ１に沿って測定した算術平均粗さＲａが、円周に対して垂直な方向Ｄ２に沿って測定した算術平均粗さＲａより小さいことが好ましい。このようにすることで、同軸性がズレる方向への摩擦力が、補助基体が回転するようにズレる摩擦力より強くなる。その結果、例えば、補助基体１３０と円筒状基体１０２に振動が伝わったり、あるいは回転等で遠心力が加わったとしても、同軸性のズレを低減することが可能となる。
【００７３】
また、本発明により堆積膜の膜特性の均一化を向上させることが可能となった。前述のように、基体ホルダ１１４に、上補助基体１３０、円筒状基体１０２、下補助基体１４０をセットした場合、上補助基体１３０は上補助基体１３０の自重のみによって円筒状基体１０２と接触している。このとき、従来は、上補助基体１３０の下端面１３４の表面には、前述のように、膜片、アルミニウム片、ガラスビーズ片が付着あるいは突き刺さっている場合が有る。
また上補助基体１３０の下端面１３４の表面には例えばキズや、バリも存在している場合がある。つまり、表面に絶縁物が存在したり、表面に凹凸が存在している場合が有る。そのため、円筒状基体１０２と上補助基体１３０とが全周に渡って、充分に接触していない場合が有る。
【００７４】
この様な状態において、高周波の場合、伝送特性は、接触状態の影響を受け易く、高周波電力に対しては、導通が十分に確保されない場合がある。そのため、円筒状基体１０２から上補助基体１３０および下補助基体１４０にかけてのプラズマから見た電位の均一性が十分に確保されず、円筒状基体１０２の上下端でのプラズマが不均一となり、堆積膜の膜特性の均一性が充分に得られない場合がある。
【００７５】
本発明によれば、上補助基体１３０の下端面１３４の表面の絶縁物が低減し、表面性が平滑になる。そのため、円筒状基体１０２と上補助基体１３０との接触性および円筒状基体１０２と下補助基体１４０との接触性が向上し、高周波電力に対する、導通性が向上する。その結果、円筒状基体１０２から上補助基体１３０および下補助基体１４０にかけてのプラズマから見た電位の均一性が向上し、円筒状基体１０２の上下端でのプラズマが均一となり、堆積膜の膜特性の均一性が向上する。
【００７６】
以上の様に、本発明によれば、補助基体の円筒状基体と接する端面の研磨処理を行うことで、補助基体の端面部に存在する発塵源を大幅に低減することが可能となる。また、補助基体と円筒状基体との導通性が向上し、補助基体と円筒状基体との接触部近傍のプラズマを均一化することが可能となる。
【実施例】
【００７７】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。なお、以下の説明では上述した実施形態において示したものと同じ部分に対しては同じ符号を用いて説明する。
【００７８】
＜実施例１＞
図１に示す堆積膜形成装置１００を用いて、アルミニウムよりなる直径８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍ、肉厚３ｍｍの円筒状基体１０２の表面に、表２に示す条件で、堆積膜を形成してａ−Ｓｉ電子写真感光体の作製を行った。
本実施例において、円筒状基体１０２は、内壁面の内径が７８ｍｍで、両端に深さが１３ｍｍで、内径が７９．７ｍｍのインローを備えている。
【００７９】
また、上補助基体１３０は、アルミニウムよりなる直径８４ｍｍ、長さ１００ｍｍ、肉厚３ｍｍ、内壁面の内径が７８ｍｍ、インロー１３５は、深さが１３ｍｍで、内径が７９．７ｍｍとした。そして、面取り面１３２は、Ｒ１＝１．７ｍｍのＲ面取りとした。これにより、上端面１３３の幅Ｌ１＝１．３ｍｍ、下端面１３４の幅Ｌ２＝０．４５ｍｍ、外周面１３１の長さＬ０＝９６．６ｍｍとした。
【００８０】
また、下補助基体１４０は、アルミニウムよりなる直径８４ｍｍ、長さ１００ｍｍ、肉厚３ｍｍ、内壁面の内径が７８ｍｍ、インロー１４５は、深さが１３ｍｍで、内径が７９．７ｍｍとした。そして、面取り面１４２は、Ｒ１＝１．７ｍｍのＲ面取りとした。これにより、上端面１４３および下端面１４４の幅Ｌ２＝０．４５ｍｍ、外周面１４１の長さＬ０＝９６．６ｍｍとした。
【００８１】
本実施例では、図４に示す研磨装置を使用し、上補助基体１３０および、下補助基体１４０の、端面、面取り面、外周面の研磨処理を行った。
本実施例においては、端面研磨機構４４０を不図示の上下運動機構により、円周に対して垂直な方向に動かすことで、上端面１３３、下端面１３４、上端面１４３、下端面１４４の円周に対して垂直な方向に研磨を行った。そして、上補助基体１３０、下補助基体１４０の回転数は各々０．７ｒｐｍとし、上下運動は、１往復２秒とした。この条件で研磨することで、補助基体の端面の、円周に沿った方向と、円周に対して垂直な方向とで、ほぼ同じ算術平均粗さＲａとなる。
【００８２】
また、端面研磨用の研磨部材４４１として、ベルト状の研磨布紙（株式会社ノリタケコーテッドアブレーシブ製  湿式用レジンクロス）を使用した。そして、上端面１３３、下端面１３４、上端面１４３、下端面１４４の算術平均粗さＲａが、０．１０μｍ以上１．００μｍ以下となるよう調整した３種類を用意した。
このとき目標とする、表面粗さに合わせて、研磨布紙の粗さを、番手＃１００から番手＃６００まで使い分けると共に、研磨部材の押しつけ圧も適宜調整した。
【００８３】
さらに、前記ベルト状の研磨布紙４４１を除去し、代わりに、番手＃４０００の研削砥石４４１を台座４４２にセットした。そして、上端面１３３、下端面１３４、上端面１４３、下端面１４４の算術平均粗さＲａが、０．０１μｍ以上０．１μｍ以下となるよう、研削砥石の押しつけ圧を調整した。
なお、算術平均粗さＲａの測定は、先に詳述した手順に従って、補助基体の端面の、円周に沿った方向と、円周に対して垂直な方向の２パターンについて行った。
【００８４】
また、本実施例においては、外周面研磨用の研磨部材４２１として、不織布研磨材を円筒状に成型し回転軸の回りに取り付けた研磨部材（株式会社イチグチ製スコーライトフラップＳ、粒度４００、但し軸方向の長さは、１００ｍｍの改造品）を使用した。そして、水を供給しながら上補助基体１３０の外周面１３１および、下補助基体１４０の外周面１４１の研磨を行った。
研磨部材４２１の回転数は１０ｒｐｍ、上補助基体１３０、下補助基体１４０の回転数は各々３０ｒｐｍとした。なお、算術平均粗さＲａの測定は、先に詳述した手順に従って、補助基体の外周面を測定した。その結果、Ｒａ＝０．５７２（μｍ）であった。
【００８５】
また、本実施例においては、面取り面研磨用の研磨部材４３１として、不織布研磨材を円筒状に成型し回転軸の回りに取り付けた研磨部材（株式会社イチグチ製スコーライトホイルＴ、粒度４００、直径１０ｍｍ、積層枚数３Ｐ）を使用した。そして、水を供給しながら上補助基体１３０の面取り面１３２および、下補助基体１４０の面取り面１４２の研磨を行った。
研磨部材４２１の回転数は１５ｒｐｍ、上補助基体１３０、下補助基体１４０の回転数は各々２０ｒｐｍとし、１０秒で面取り面１３２、面取り面１４２を往復運動させた。なお、算術平均粗さＲａの測定は、先に詳述した手順に従って、補助基体の外周面を測定した。その結果、Ｒａ＝０．４３４（μｍ）であった。
【００８６】
これら上補助基体１３０、下補助基体１４０を用いて、前述のようにａ−Ｓｉ電子写真感光体を作製した。そして堆積膜形成後、反応容器１０１から、搬出された、上補助基体１３０、下補助基体１４０を、前述のように、外周面１３１、１４１および面取り面１３２，１４２の表面に付いている堆積膜の除去処理を行った。本実施例では、中心粒径２３０μｍのガラスビーズを用いた、湿式ブラスト処理を用いた。
【００８７】
その後、再び、上記のような条件で、上補助基体１３０、下補助基体１４０の外周面、面取り面、上端面および下端面の研磨処理を行い、前述のようにａ−Ｓｉ電子写真感光体を作製した。
上記のようにａ−Ｓｉ電子写真感光体を１０本作製した。
作製されたａ−Ｓｉ電子写真感光体に関して、「軸方向帯電ムラ」「白ポチ」の評価を以下のように実施した。
【００８８】
「軸方向帯電ムラ」の評価
ａ−Ｓｉ電子写真感光体のＶｄ周方向ムラの評価には、複写機（キヤノン製複写機ｉＲＣ６８８０Ｎ）を表面電位測定用に改造したものを用いた。表面電位を測定する際には、現像器を取り外し、現像器の代わりにａ−Ｓｉ電子写真感光体の軸方向の所定の位置の表面電位を測定できる電位プローブ（ＴＲＥＫ社製Ｍｏｄｅｌ３４４）を装着した。
【００８９】
プロセススピードを２６５ｍｍ／ｓｅｃ、前露光（波長６６０ｎｍのＬＥＤ）の光量を４ｌｘ・ｓとし、主帯電器の電流値を１０００μＡの条件にして電子写真感光体を帯電した。
この時、表面電位計により電子写真感光体の暗部表面電位を測定する。そして、電子写真感光体の中央部位置を０位置とし、両側で１１点（０ｃｍ，±４ｃｍ，±８ｃｍ，±１２ｃｍ，±１６ｃｍ、±１８ｃｍ）の電位を測定した。
【００９０】
各位置では、周方向３６点の電位を測定した。つまり、全体で１１ｘ３６＝３９６点の電位を測定した。
軸方向の各１１点において、暗部表面電位として、得られた周方向３６点の電位の平均値を求めた。得られた各位置の暗部表面電位の最大値と最小値の電位差を軸方向帯電ムラとする。得られた１０本分の電位差の平均値を求めた。
【００９１】
「白ポチ」の評価
作製したａ−Ｓｉ電子写真感光体をキヤノン（株）製複写機ｉＲＣ６８８０Ｎに設置し、Ａ３サイズの全面黒くべの画像を出力し、感光体１周分当たりの直径０．１０ｍｍ以上の白ポチ（画像欠陥の部分）の個数を数えた。得られた１０本分の個数の平均値を求めた。
得られた結果を表３に示す。いずれの評価も比較例２で得られた結果を１００としたときの、相対評価で行った。
【００９２】
【表２】
2014002224.tif 000004
【００９３】
＜比較例１＞
実施例１と同様の手順で、表２に示す条件で、堆積膜を形成してａ−Ｓｉ電子写真感光体の作製を行った。
本比較例では、実施例１と同様の手順で補助基体の研磨を行ったが、補助基体の端面（上端面、下端面）の算術平均粗さＲａは、１．００μｍより、大きくなるよう処理を行った。
なお、算術平均粗さＲａの測定は、先に詳述した手順に従って、補助基体の端面の、円周に沿った方向と、円周に対して垂直な方向の２パターンについて行った。
得られた、電子写真感光体の評価は、実施例１と同様に行った。
【００９４】
＜比較例２＞
実施例１と同様の手順で、表２に示す条件で、堆積膜を形成してａ−Ｓｉ電子写真感光体の作製を行った。
本比較例では、補助基体の端面の研磨処理を実施しなかった以外は、実施例１と同様の手順で補助基体の再生処理を行った。
なお、算術平均粗さＲａの測定は、先に詳述した手順に従って、補助基体の端面の、円周に沿った方向と、円周に対して垂直な方向の２パターンについて行った。
得られた、電子写真感光体の評価は、実施例１と同様に行った。
実施例１、比較例１、比較例２の結果を合わせて表３に示す。
【００９５】
【表３】
2014002224.tif 000005
【００９６】
表３から明らかなように、本発明の堆積膜形成方法によれば、電気特性の均一性と画像欠陥の低減を、同時に達成可能であることが判った。
この理由に関しては、以下のように推測される。
比較例２の場合、白ポチは、円筒状基体１０２の下補助基体１４０、上補助基体１３０に近い領域で、比較的顕著に存在していた。
【００９７】
一方、比較例１は、円筒状基体１０２の下補助基体１４０、上補助基体１３０に近い領域の白ポチが僅かに減少し、実施例１においては、大幅に減少していた。
さらに、白ポチ部分の、断面観察を行ったところ、白ポチの原因となっている、球状突起は、全て、円筒状基体１０２表面に存在する、異物から、異常成長していた。さらに、前記異物を分析したところ、ガラスビーズ片、アルミニウム片が観測された。
【００９８】
以上のことから、従来、堆積膜形成前に、上補助基体１３０の下端面１３４および、下補助基体１４０の上端面１４３から、ガラスビーズ片、アルミニウム片の発塵が存在していたと考えられる。発塵は、補助基体の再生処理時、補助基体の端面に付着したにガラスビーズや、端面に付いたキズによるバリ等が、端面表面から脱離し、生じていると考えられる。
本発明によれば、補助基体の円筒状基体と接する端面は、研磨部材で研磨処理されているため、前述の補助基体の端面に存在するガラスビーズ片、アルミニウム片が、研磨処理により除去され、発塵源が、減少していると考えられる。さらに、発塵源は小さいもので、数μｍ程度の大きさとなるため、表面の凹凸を、１．００μｍ以下まで研磨処理することで、小さな発塵源も効果的に除去可能となり、その結果、球状突起が大幅に減少したと考えられる。
【００９９】
また、本発明により堆積膜の膜特性の均一化を向上させることが可能となった。前述のように、従来は、上補助基体１３０の下端面１３４の表面には、前述のように、アルミニウム片、ガラスビーズ片が存在している場合があると考えられる。それにより、表面に絶縁物が存在したり、表面に凹凸が存在することになり、円筒状基体１０２と上補助基体１３０とが全周に渡って、充分に接触していない場合が有る。
その結果、高周波の場合、円筒状基体１０２から上補助基体１３０および下補助基体１４０にかけてのプラズマから見た電位の均一性が十分に確保されない場合が発生する。そのため、円筒状基体１０２の上下端でのプラズマが不均一となり、堆積膜の膜特性の均一性が充分に得られない場合があると考えられる。
【０１００】
本発明によれば、上補助基体１３０の下端面１３４の表面の絶縁物が低減し、表面性が平滑になる。そのため、円筒状基体１０２と上補助基体１３０および下補助基体１４０との接触性が向上し、高周波電力に対する、導通性が向上する。その結果、円筒状基体１０２から上補助基体１３０および下補助基体１４０にかけてのプラズマから見た電位の均一性が向上し、円筒状基体１０２の上下端でのプラズマが均一となり、堆積膜の膜特性の均一性が向上すると考えられる。
【０１０１】
＜実施例２＞
実施例１と同様の手順で、表２に示す条件で、堆積膜を形成してａ−Ｓｉ電子写真感光体の作製を行った。
但し、本実施例においては、実施例１で使用した、不図示の上下運動機構は駆動させず、端面研磨機構４４０を、円周に対して垂直な方向には動かさなかった。そして、端面研磨用の研磨部材４４１として、ベルト状の研磨布紙（株式会社ノリタケコーテッドアブレーシブ製  湿式用レジンクロス）を使用した。そして、上端面１３３、下端面１３４、上端面１４３、下端面１４４の算術平均粗さＲａが、０．１０μｍ以上１．００μｍ以下となるよう調整した３種類を用意した。
このとき目標とする、表面粗さに合わせて、研磨布紙の粗さを、番手＃１００から番手＃６００まで使い分けると共に、研磨部材の押しつけ圧も適宜調整した。また、上補助基体１３０、下補助基体１４０の回転数は各々２０ｒｐｍとした。
【０１０２】
また、前記ベルト状の研磨布紙４４１を除去し、代わりに、番手＃４０００の研削砥石４４１を台座４４２にセットした。そして、研磨端面１３３、端面１３４、端面１４３、端面１４４の算術平均粗さＲａが、０．０１μｍ以上０．１０μｍ以下となるよう、研削砥石の押しつけ圧を調整した。上補助基体１３０、下補助基体１４０の回転数は各々３０ｒｐｍとした。
【０１０３】
なお、算術平均粗さＲａの測定は、先に詳述した手順に従って、補助基体の端面の、円周に沿った方向と、円周に対して垂直な方向の２パターンについて行った。
そして、これら補助基体を用いて、実施例１と同様の手順で、ａ−Ｓｉ電子写真感光体の作製を行った。
そして、実施例１と同様の評価を行った。
実施例２の結果を表４に示す。
【０１０４】
【表４】
2014002224.tif 000006
【０１０５】
表４から明らかなように、本発明の堆積膜形成方法によれば、電気特性の均一性と画像欠陥の低減を、同時に達成可能であることが判った。さらに、実施例１と比較して、前記補助基体の端面の円周に沿って測定した算術平均粗さＲａが、円周に対して垂直な方向に沿って測定した算術平均粗さＲａより小さくなるようにするほうが、白ポチが良好な結果が得られることが判った。
【０１０６】
この理由に関しては、以下のように推測される。
実施例１において、堆積膜形成後の、上補助基体１３０と円筒状基体１０２、および下補助基体１４０と円筒状基体１０２の、接続部分の観察を行った。その結果、円筒状基体と補助基体の同軸性に、ズレが発生している場合が観測された。そして、そのズレ方と、円筒状基体１０２の下補助基体１４０、上補助基体１３０に近い領域の白ポチ数が対応している場合があった。
【０１０７】
一方、実施例２の円周方向に沿って測定した算術平均粗さＲａが、円周に対して垂直な方向に沿って測定した算術平均粗さＲａより小さい条件の場合は、円筒状基体と補助基体の同軸性のズレは、ほとんど観察されなかった。
以上より、円筒状基体と補助基体の同軸性のズレが生じることで、補助基体と円筒状基体の端面で摺擦が生じ、例えばアルミニウム片等の発塵源が生じる。そして、ズレた部分から、円筒状基体の堆積膜形成面側に、アルミニウム片が散在してしまう場合が有ると考えられる。
【０１０８】
本発明のように、補助基体の端面の円周方向に沿って測定した算術平均粗さＲａが、円周に対して垂直な方向に沿って測定した算術平均粗さＲａより小さくなるようにすることで、同軸性がズレる方向への摩擦力が強くなる。その結果、例えば、上補助基体１３０と円筒状基体１０２に振動が伝わったり、あるいは回転等で遠心力が加わったとしても、同軸性のズレを低減することが可能となると考えられる。
【符号の説明】
【０１０９】
１００  堆積膜形成装置
１０１  反応容器
１０２  円筒状基体
１０３  円筒状カソード電極
１０４  絶縁体
１０５  上壁
１０６  ゲート弁
１０７  底壁
１０８  排気管
１０９  排気バルブ
１１０  真空ポンプユニット
１１１  受台
１１２  モータ
１１３  真空計
１１４  基体ホルダ
１１５  ヒータ
１１６  原料ガス導入管
１１７  ミキシング装置
１１８  原料ガス供給管
１１９  原料ガス導入バルブ
１２０  マッチィングボックス
１２１  高周波電源
１３０  上補助基体
１３１、１４１、５３１  外周面
１３２、１４２、５３２  面取り面
１３３、１４３、５３３  上端面
１３４、１４４、５３４  下端面
１３５、１４５  インロー
１３６、１４６、５４６  内周面
１４０  下補助基体
１５０  リング状部材
４００  研磨装置
４１０  補助基体回転機構
４１１  モータ
４１２  シャフト
４１３  チャッキング
４２０  外周面研磨機構
４２１、４３１、４４１  研磨部材
４２２、４３２  モータ
４２３、４３３、４４３  ベース
４３０  面取り面研磨機構
４４０  端面研磨機構
４４２  台座
５３０  テスト補助基体
【図１】
2014002224.tif 000007
【図２】
2014002224.tif 000008
【図３】
2014002224.tif 000009
【図４】
2014002224.tif 000010
【図５】
2014002224.tif 000011