(57)【要約】【課題】傾動部材の最大傾動角度を大きくし、かつ小さな駆動電圧で傾動部材を傾動させることが可能なＭＥＭＳ装置を提供する。【解決手段】本明細書が開示するＭＥＭＳ装置は、ＸＹ面に沿って配置された基板と、基板に対してＹ軸周りに傾動可能に支持された傾動部材と、基板に対して少なくともＸ方向に移動可能に支持されたスライド部材と、スライド部材をＸ方向に移動させるＸ方向アクチュエータを備えている。そのＭＥＭＳ装置では、スライド部材のＸ方向の移動に応じて、傾動部材の傾動角度が変化する。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＸＹ面に沿って配置された基板と、
基板に対してＹ軸周りに傾動可能に支持された傾動部材と、
基板に対して少なくともＸ方向に移動可能に支持されたスライド部材と、
スライド部材をＸ方向に移動させるＸ方向アクチュエータを備えており、
スライド部材のＸ方向の移動に応じて、傾動部材の傾動角度が変化するＭＥＭＳ装置。
【請求項２】
スライド部材のＸ方向の移動に応じて、傾動軸から離れた箇所において傾動部材がスライド部材と当接し、スライド部材によって傾動部材がＺ方向に押し上げまたは押し下げられることで、傾動部材の傾動角度が変化する、請求項１のＭＥＭＳ装置。
【請求項３】
傾動部材の端部および／またはスライド部材の端部に、テーパが形成されている、請求項２のＭＥＭＳ装置。
【請求項４】
傾動部材および／またはスライド部材がＹ軸に直交する面内で反りを有する、請求項２または３のＭＥＭＳ装置。
【請求項５】
スライド部材の端部をＺ方向に付勢するＺ方向アクチュエータをさらに備える、請求項２から４の何れか一項のＭＥＭＳ装置。
【請求項６】
Ｘ方向アクチュエータが櫛歯電極アクチュエータである、請求項１から５の何れか一項のＭＥＭＳ装置。
【請求項７】
傾動部材に固定されたミラーをさらに備える、請求項１から６の何れか一項のＭＥＭＳ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書は、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に、ＸＹ面に沿って配置された基板と、基板に対してＹ軸周りに傾動可能に支持された傾動部材を備えるＭＥＭＳ装置が開示されている。このＭＥＭＳ装置では、傾動軸から離れた箇所において傾動部材に設けられた可動電極と、可動電極に対向するように基板に設けられた固定電極の間に駆動電圧を印加し、静電引力によるトルクを傾動部材に作用させることで、傾動部材の傾動角度を変化させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−４５６５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の技術において、傾動部材の最大傾動角度を大きくするためには、それだけ傾動部材と基板の間の間隔を大きくする必要がある。しかしながら、傾動部材と基板の間の間隔を大きくすると、それだけ傾動部材に設けられた可動電極と基板に設けられた固定電極の距離が大きくなり、傾動部材を傾動させるために必要な駆動電圧は大きくなってしまう。
【０００５】
本明細書は上記課題を解決する技術を提供する。本明細書では、傾動部材の最大傾動角度を大きくし、かつ小さな駆動電圧で傾動部材を傾動させることが可能なＭＥＭＳ装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本明細書が開示するＭＥＭＳ装置は、ＸＹ面に沿って配置された基板と、基板に対してＹ軸周りに傾動可能に支持された傾動部材と、基板に対して少なくともＸ方向に移動可能に支持されたスライド部材と、スライド部材をＸ方向に移動させるＸ方向アクチュエータを備えている。そのＭＥＭＳ装置では、スライド部材のＸ方向の移動に応じて、傾動部材の傾動角度が変化する。
【０００７】
上記のＭＥＭＳ装置では、Ｘ方向アクチュエータに駆動電圧を印加して、スライド部材をＸ方向に移動させることで、傾動部材の傾動角度を変化させる。従って、傾動部材と基板の間の間隔を大きくすることなく、傾動部材の最大傾動角度を大きくすることができる。上記のＭＥＭＳ装置によれば、傾動部材の最大傾動角度を大きくし、かつ小さな駆動電圧で傾動部材を傾動させることができる。
【０００８】
上記のＭＥＭＳ装置は、スライド部材のＸ方向の移動に応じて、傾動軸から離れた箇所において傾動部材がスライド部材と当接し、スライド部材によって傾動部材がＺ方向に押し上げまたは押し下げられることで、傾動部材の傾動角度が変化するように構成することができる。
【０００９】
上記のＭＥＭＳ装置によれば、簡素な構造によって、スライド部材のＸ方向の移動に応じて傾動部材の傾動角度を変化させることができる。複雑な構造を用いる必要がないため、製造しやすく信頼性の高いＭＥＭＳ装置を実現することができる。
【００１０】
上記のＭＥＭＳ装置は、傾動部材の端部および／またはスライド部材の端部に、テーパが形成されているように構成することができる。
【００１１】
上記のＭＥＭＳ装置によれば、傾動部材の端部および／またはスライド部材の端部にテーパが形成されているので、傾動部材をスライド部材に向けて移動させたときに、スライド部材を傾動部材に乗り上げまたは潜り込ませることができる。スライド部材のＸ方向の移動に応じて、スライド部材によって傾動部材をＺ方向に押し上げまたは押し下げることができる。
【００１２】
上記のＭＥＭＳ装置は、傾動部材および／またはスライド部材がＹ軸に直交する面内で反りを有するように構成することができる。
【００１３】
上記のＭＥＭＳ装置によれば、傾動部材の端部とスライド部材の端部がＺ方向に関してオフセットするため、スライド部材を傾動部材に向けて移動させたときに、スライド部材を傾動部材に乗り上げまたは潜り込ませることができる。スライド部材のＸ方向の移動に応じて、スライド部材によって傾動部材をＺ方向に押し上げまたは押し下げることができる。
【００１４】
上記のＭＥＭＳ装置は、スライド部材の端部をＺ方向に付勢するＺ方向アクチュエータをさらに備えるように構成することができる。
【００１５】
上記のＭＥＭＳ装置によれば、Ｚ方向アクチュエータの付勢力によってスライド部材の端部がＺ方向に傾斜し、スライド部材の端部を傾動部材の端部に対してオフセットさせることができる。スライド部材を傾動部材に向けて移動させたときに、スライド部材を傾動部材に乗り上げまたは潜り込ませることができる。スライド部材のＸ方向の移動に応じて、スライド部材によって傾動部材をＺ方向に押し上げまたは押し下げることができる。
【００１６】
上記のＭＥＭＳ装置は、Ｘ方向アクチュエータが櫛歯電極アクチュエータであるように構成することができる。
【００１７】
上記のＭＥＭＳ装置によれば、スライド部材をＸ方向に移動させるための駆動電圧を小さくすることができる。また、Ｘ方向アクチュエータの省スペース化を図り、ＭＥＭＳ装置を小型化することができる。
【００１８】
上記のＭＥＭＳ装置は、傾動部材に固定されたミラーをさらに備えるように構成することができる。
【００１９】
上記のＭＥＭＳ装置によれば、小さな駆動電圧でミラーの反射角を大きく変化させることが可能な光偏向装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】ＭＥＭＳ装置２の概略の構成を示す平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ断面で見た縦断面図である。
【図３】ＭＥＭＳ装置２においてスライド部材２０がＸ方向へ移動した状態を示す平面図である。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ断面で見た縦断面図である。
【図５】ＭＥＭＳ装置２においてスライド部材２０がさらにＸ方向へ移動した状態を示す平面図である。
【図６】図５のＶＩ−ＶＩ断面で見た縦断面図である。
【図７】ＭＥＭＳ装置２の製造プロセスを示す縦断面図である。
【図８】ＭＥＭＳ装置２の製造プロセスを示す縦断面図である。
【図９】ＭＥＭＳ装置２の製造プロセスを示す縦断面図である。
【図１０】ＭＥＭＳ装置２の製造プロセスを示す縦断面図である。
【図１１】ＭＥＭＳ装置２の製造プロセスを示す縦断面図である。
【図１２】ＭＥＭＳ装置２の製造プロセスを示す縦断面図である。
【図１３】ＭＥＭＳ装置２の製造プロセスを示す縦断面図である。
【図１４】ＭＥＭＳ装置２の製造プロセスを示す縦断面図である。
【図１５】ＭＥＭＳ装置２の製造プロセスを示す縦断面図である。
【図１６】ＭＥＭＳ装置２の変形例を示す縦断面図である。
【図１７】ＭＥＭＳ装置２の別の変形例を示す縦断面図である。
【図１８】図１７の変形例のＭＥＭＳ装置２の製造プロセスを示す縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
（実施例）
図１および図２は、本実施例のＭＥＭＳ装置２を示している。図２に示すように、ＭＥＭＳ装置２は、下層４と、中間層６と、上層８が順に積層された積層基板１０上に形成されている。本実施例では、下層４は導電性を付与された単結晶シリコンからなり、中間層６は絶縁性の酸化シリコンからなり、上層８は導電性を付与された単結晶シリコンからなる。本実施例の積層基板１０は、いわゆるＳＯＩ基板である。以下では、酸化シリコンからなる中間層６を犠牲層ともいう。以下では、積層基板１０の積層方向をＺ方向とし、Ｚ方向に直交する方向をＸ方向およびＹ方向と定義する。言い換えると、下層４、中間層６、上層８は、それぞれＸＹ面に沿って配置されている。
【００２２】
ＭＥＭＳ装置２は、基板部１２と、スライド部１４と、傾動部１６を備えている。基板部１２は下層４に形成されている。スライド部１４は、スライド部材２０と、支持梁２２ａ、２２ｂと、支持部材２４ａ、２４ｂと、固定部材３０ａ、３０ｂを備えている。スライド部材２０には、可動櫛歯電極２６ａ、２６ｂと、当接部２８が形成されている。固定部材３０ａ、３０ｂには、それぞれ固定櫛歯電極３２ａ、３２ｂが形成されている。傾動部１６は、傾動部材３４と、ねじり梁３６ａ、３６ｂと、支持部材３８ａ、３８ｂと、ミラー支持部材４０と、ミラー４２を備えている。なお、図１では図示の明瞭化のため、ミラー４２については図示していない。
【００２３】
スライド部材２０、支持梁２２ａ、２２ｂ、支持部材２４ａ、２４ｂは、上層８に継ぎ目無く一体的に形成されている。支持部材２４ａ、２４ｂは、それぞれ中間層６に形成された中間支持部材２５ａ、２５ｂを介して基板部１２に固定されている。スライド部材２０および支持梁２２ａ、２２ｂでは、隣接する中間層６の酸化シリコンが図示しないエッチングホールを介したエッチングにより除去されており、基板部１２に対して変形または移動が可能となっている。スライド部材２０は、Ｙ方向に沿って伸びる支持梁２２ａ、２２ｂを介して、支持部材２４ａ、２４ｂに支持されている。支持梁２２ａ、２２ｂは、Ｘ方向の撓みに対する剛性が十分に低くなるような形状に形成されている。従って、スライド部材２０は、基板部１２に対して、Ｘ方向に移動可能に支持されている。
【００２４】
固定部材３０ａ、３０ｂは、それぞれ上層８に形成されている。固定部材３０ａ、３０ｂは、それぞれ中間層６に形成された中間固定部材３１ａ、３１ｂを介して基板部１２に固定されている。固定部材３０ａ、３０ｂに形成された固定櫛歯電極３２ａ、３２ｂでは、隣接する中間層６の酸化シリコンが除去されている。固定櫛歯電極３２ａ、３２ｂは、それぞれ可動櫛歯電極２６ａ、２６ｂと、噛み合うように対向して配置されている。可動櫛歯電極２６ａ、２６ｂと固定櫛歯電極３２ａ、３２ｂの間に電圧を印加すると、互いの対向面積が広くなるように、可動櫛歯電極２６ａ、２６ｂを固定櫛歯電極３２ａ、３２ｂに向けて引き付けるような、Ｘ方向の付勢力が可動櫛歯電極２６ａ、２６ｂに作用する。可動櫛歯電極２６ａ、２６ｂにＸ方向の付勢力が作用すると、支持梁２２ａ、２２ｂがＸ方向に撓んで、スライド部材２０がＸ方向に移動する。すなわち、可動櫛歯電極２６ａ、２６ｂと、固定櫛歯電極３２ａ、３２ｂは、スライド部材２０をＸ方向に移動させるＸ方向の櫛歯電極アクチュエータとして機能する。櫛歯電極アクチュエータを駆動している間は、固定櫛歯電極３２ａ、３２ｂから可動櫛歯電極２６ａ、２６ｂに作用する静電引力と、支持梁２２ａ、２２ｂの復元力が釣り合うＸ方向の位置で、スライド部材２０が保持される。
【００２５】
傾動部材３４と、ねじり梁３６ａ、３６ｂと、支持部材３８ａ、３８ｂは、上層８に継ぎ目無く一体的に形成されている。支持部材３８ａ、３８ｂは、それぞれ中間層６に形成された中間支持部材３９ａ、３９ｂを介して基板部１２に固定されている。傾動部材３４、ねじり梁３６ａ、３６ｂは、隣接する中間層６の酸化シリコンが図示しないエッチングホールを介したエッチングにより除去されており、基板部１２に対して変形または移動が可能となっている。傾動部材３４は、Ｙ方向に沿って伸びるねじり梁３６ａ、３６ｂを介して、支持部材３８ａ、３８ｂに支持されている。ねじり梁３６ａ、３６ｂは、Ｙ軸周りのねじりに対する剛性が十分に低くなるような形状に形成されている。従って、傾動部材３４は、基板部１２に対して、Ｙ軸周りに傾動可能に支持されている。傾動部材３４の傾動軸は、ねじり梁３６ａ、３６ｂの中心軸を通っている。本実施例では、スライド部材２０から見て遠い側の傾動部材３４の端部近傍において、傾動部材３４とねじり梁３６ａ、３６ｂが接続している。
【００２６】
ミラー支持部材４０とミラー４２は、金属製の部材であり、継ぎ目無く一体的に形成されている。ミラー４２はミラー支持部材４０を介して傾動部材３４に固定されている。ミラー４２は基板部１２、スライド部１４および傾動部１６の全体を覆い隠すような大きさで形成されている。ミラー４２は、入射する光を反射する。ミラー４２の反射角は、傾動部材３４を傾動させることで変化する。本実施例では、傾動部材３４の傾動軸の近傍（すなわち、ねじり梁３６ａ、３６ｂの中心軸の延長線の近傍）において、ミラー支持部材４０が傾動部材３４に固定されている。
【００２７】
図２に示すように、当接部２８の先端にはテーパ部２８ａが形成されている。また、スライド部材２０は、Ｙ軸に直交する面内で、当接部２８の先端が基板部１２側に沈み込むような反りを有している。
【００２８】
可動櫛歯電極２６ａ、２６ｂと固定櫛歯電極３２ａ、３２ｂの間に駆動電圧を印加し、スライド部材２０を傾動部材３４に向けてＸ方向に移動させると、スライド部材２０の当接部２８が傾動部材３４の端部と当接する。この状態からさらにスライド部材２０をＸ方向に移動させると、スライド部材２０の当接部２８が傾動部材３４の基板部１２側に潜り込んで、傾動部材３４の端部が当接部２８によってＺ方向に押し上げられる。これによって、ねじり梁３６ａ、３６ｂがねじれ変形して、傾動部材３４がＹ軸周りに傾動する。傾動部材３４の傾動によって、ミラー４２の反射角を変化させることができる。
【００２９】
図５、図６に示すように、可動櫛歯電極２６ａ、２６ｂと固定櫛歯電極３２ａ、３２ｂの間に印加する駆動電圧を増加させ、スライド部材２０をさらに傾動部材３４に向けてＸ方向に移動させると、スライド部材２０の当接部２８によって傾動部材３４の端部がさらに押し上げられて、傾動部材３４の傾動角度が増加する。すなわち、本実施例のＭＥＭＳ装置２によれば、可動櫛歯電極２６ａ、２６ｂと固定櫛歯電極３２ａ、３２ｂの間に印加する駆動電圧の大きさを調整することで、スライド部材２０のＸ方向の移動量を調整し、それによって傾動部材３４の傾動角度を調整することができる。ミラー４２の反射角を調整することができる。
【００３０】
以下では図７から図１５を参照しながら、ＭＥＭＳ装置２の製造方法について説明する。
【００３１】
まず、図７に示すように、積層基板１０としてＳＯＩ基板を用意する。
【００３２】
次いで、図８に示すように、テーパ部２８ａの傾斜方向に対応する異方性エッチングによって、上層８の単結晶シリコンを選択的に除去して、テーパ部２８ａに対応する溝５０を形成する。
【００３３】
次いで、図９に示すように、フォトリソグラフィによってマスク５２を形成して、上層８のスライド部材２０に対応する箇所に、不純物５３を注入する。この際に、不純物５３は上層８の上面近傍の深さに注入する。
【００３４】
次いで、図１０に示すように、マスク５２を除去して、積層基板１０に熱処理を施す。これにより、スライド部材２０に注入された不純物５３が拡散するとともに、不純物５３の注入により単結晶シリコンに加えられたダメージが緩和される。本実施例では、上層８の上面近傍に不純物５３が注入されているので、熱処理を施した後には、スライド部材２０に対応する箇所の単結晶シリコンには、下面側に比べて上面側が広がろうとする残留歪が発生する。
【００３５】
次いで、図１１に示すように、Ｚ方向への異方性エッチングにより、上層８の単結晶シリコンを選択的に除去する。これによって、スライド部材２０、支持梁２２ａ、２２ｂ、支持部材２４ａ、２４ｂ、固定部材３０ａ、３０ｂ、傾動部材３４、ねじり梁３６ａ、３６ｂ、支持部材３８ａ、３８ｂがそれぞれ形成される。
【００３６】
次いで、図１２に示すように、上層８の上面に酸化シリコンを成膜し、エッチバックまたは研磨によって表面を平坦化する。これにより、上層８の上面側に、中間層６と同様な犠牲層５４が形成される。
【００３７】
次いで、図１３に示すように、Ｚ方向への異方性エッチングにより、犠牲層５４の酸化シリコンを選択的に除去して、ミラー支持部材４０に対応する箇所に孔５６を形成する。
【００３８】
次いで、図１４に示すように、スパッタリング等によって金属を成膜する。これによって、ミラー支持部材４０およびミラー４２が形成される。
【００３９】
次いで、図１５に示すように、等方性エッチングにより、中間層６および犠牲層５４の酸化シリコンを除去することで、ＭＥＭＳ装置２が製造される。なお、中間層６と犠牲層５４の酸化シリコンが除去されることで、スライド部材２０の残留歪が開放されて、当接部２８の先端が基板部１２側に沈み込むような反りがスライド部材２０に生じる。
【００４０】
なお、図１６に示すように、スライド部材２０の当接部２８の先端近傍の下面に電極６０を設けて、基板部１２の上面の電極６０と対向する箇所に電極６２を設けて、Ｚ方向の静電アクチュエータ６４を形成してもよい。この構成では、電極６０はスライド部材２０から電気的に絶縁されており、電極６２は基板部１２から電気的に絶縁されている。この構成の場合、電極６０と電極６２の間に電圧を印加することで、静電引力によって当接部２８の先端に基板部１２に向けた付勢力が作用し、当接部２８の先端が基板部１２に向けて沈み込む。このような構成とすることで、当接部２８の先端を大きく沈み込ませて、スライド部材２０による傾動部材３４の傾動を確実に行うことができる。
【００４１】
上記ではスライド部材２０に、当接部２８の先端が基板部１２側に沈み込むような反りをもたせる構成について説明した。これとは異なり、図１７に示すように、傾動部材３４に、Ｙ軸に直交する面内で、傾動部材３４の端部が基板部１２とは反対側に浮き上がるような反りをもたせる構成としてもよい。このような構成とした場合、スライド部材２０を傾動部材３４に向けてＸ方向に移動させると、傾動部材３４の端部がスライド部材２０の当接部２８に乗り上げて、傾動部材３４の端部がスライド部材２０の当接部２８によってＺ方向に押し上げられる。これによって、傾動部材３４をＹ軸周りに傾動させて、ミラー４２の反射角を変化させることができる。
【００４２】
図１７のように傾動部材３４に反りをもたせる場合には、図９に示すイオン注入工程の代わりに、図１８に示すように、フォトリソグラフィによってマスク６６を形成して、上層８の傾動部材３４に対応する箇所に、不純物６８を注入する。この際に、不純物６８は上層８の下面近傍の深さに注入する。上層８の下面近傍に不純物６８が注入されると、その後の熱処理を経て、傾動部材３４に対応する箇所の単結晶シリコンには、上面側に比べて下面側が広がろうとする残留歪が発生する。その後の図１５に示す犠牲層エッチングによって、中間層６と犠牲層５４の酸化シリコンが除去されることで、傾動部材３４の残留歪が開放されて、図１７に示すように、傾動部材３４の端部が浮き上がるような反りを傾動部材３４にもたせることができる。
【００４３】
上記の実施例では、スライド部材２０の当接部２８が矩形断面の棒状に伸びている構成について説明したが、当接部２８の形状はこれに限定されるものではない。スライド部材２０のＸ方向への移動に伴って、傾動部材３４と当接し、傾動部材３４の端部をＺ方向に押し上げることが可能な形状であれば、当接部２８はどのような形状としてもよい。
【００４４】
上記の実施例では、スライド部材２０の当接部２８の先端が、傾動部材３４の端部に比べて、基板部１２側にオフセットしており、スライド部材２０のＸ方向への移動に応じて、スライド部材２０の当接部２８によって傾動部材３４の端部がＺ方向に押し上げられる構成について説明した。これとは反対に、傾動部材３４の端部を、スライド部材２０の当接部２８の先端に比べて、基板部１２側にオフセットさせておいて、スライド部材２０のＸ方向への移動に応じて、スライド部材２０の当接部２８によって傾動部材３４の端部がＺ方向の押し下げされる構成としてもよい。この場合には、スライド部材２０の当接部２８にテーパ部２８ａを設ける代わりに、傾動部材３４の端部にテーパ部を設けることが好ましい。また、スライド部材２０には、Ｙ軸に直交する面内で、当接部２８の先端が基板部１２の反対側に浮き上がるような反りをもたせることが好ましい。あるいは、傾動部材３４に、Ｙ軸に直交する面内で、傾動部材３４の端部が基板部１２側に沈み込むような反りをもたせることが好ましい。
【００４５】
以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
【００４６】
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項に記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００４７】
２  ＭＥＭＳ装置；４  下層；６  中間層；８  上層；１０  積層基板；１２  基板部；１４  スライド部；１６  傾動部；２０  スライド部材；２２ａ、２２ｂ  支持梁；２４ａ、２４ｂ  支持部材；２５ａ、２５ｂ  中間支持部材；２６ａ、２６ｂ  可動櫛歯電極；２８  当接部；２８ａ  テーパ部；３０ａ、３０ｂ  固定部材；３１ａ、３１ｂ  中間固定部材；３２ａ、３２ｂ  固定櫛歯電極；３４  傾動部材；３６ａ、３６ｂ  ねじり梁；３８ａ、３８ｂ  支持部材；３９ａ、３９ｂ  中間支持部材；４０  ミラー支持部材；４２  ミラー；５０  溝；５２  マスク；５３  不純物；５４  犠牲層；５６  孔；６０、６２  電極；６４  静電アクチュエータ；６６  マスク；６８  不純物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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