(57)【要約】【課題】動作のアンバランスを十分に低減させる。【解決手段】半導体モジュール１００ｂは、半導体モジュール１００ａの内部構造と鏡対称な内部構造を有する。半導体モジュール１００ａおよび半導体モジュール１００ｂを鏡対称に隣接配置する隣接配置状態において、半導体モジュール１００ａの端子１１，１２および半導体モジュール１００ｂの端子１１，１２は、半導体モジュール１００ａ，１００ｂ間において配置中心線Ｃ１に対し線対称となる位置に配置される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１端子を有する第１半導体モジュールと、
前記第１半導体モジュールと同機能の第２半導体モジュールとを備え、
前記第２半導体モジュールは、前記第１端子と同機能の第２端子を有し、かつ、前記第１半導体モジュールの内部構造と鏡対称な内部構造を有し、
前記第１半導体モジュールおよび前記第２半導体モジュールを鏡対称に隣接配置する所定の隣接配置状態において、前記第１端子および前記第２端子は、前記第１半導体モジュールおよび前記第２半導体モジュール間において鏡対称軸に対し線対称となる位置に配置される
半導体モジュール対。
【請求項２】
請求項１に記載の前記半導体モジュール対を含む半導体装置であって、
前記第１半導体モジュールおよび前記第２半導体モジュールは前記所定の隣接配置状態で配置される
半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の前記半導体モジュール対を複数個含む半導体装置であって、
前記第１半導体モジュールおよび前記第２半導体モジュールは前記所定の隣接配置状態で横方向に交互に配置される
半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の前記半導体モジュール対を複数個含む半導体装置であって、
前記第１半導体モジュールおよび前記第２半導体モジュールは前記所定の隣接配置状態で横方向および縦方向に交互に配置される
半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体モジュール対および半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
インバータ等のパワーエレクトロニクス機器において、出力の大容量化を目的とし、複数のパワーモジュールを並列使用する構成が用いられている。この構成では、通常、同一設計の複数のモジュールを並べて、当該複数のモジュールに配線を行う。しかしながら、動作中の各モジュールが、電磁的な影響を互いに受けることは不可避である。また、モジュールの内部構造は、当該モジュールの中心線に対して左右対称でない場合が多い。以下においては、内部構造が、モジュールの中心線に対して左右対称でないモジュールを、非対称モジュールともいう。
【０００３】
ここで、２個の非対称モジュールを横方向（左右方向）に並べて配置したとする。以下においては、２個の非対称モジュールの一方および他方を、それぞれ、非対称モジュールＡおよび非対称モジュールＢともいう。この場合、非対称モジュールＡが、非対称モジュールＢに与える電磁的な影響と、非対称モジュールＢが非対称モジュールＡに与える電磁的な影響は等価でない。なお、２個以上のモジュールを並列使用した場合も、上記と同じ状況である。
【０００４】
特許文献１，２には、１つのモジュール内において並列して配置された複数の回路を設けた技術（以下、従来技術Ａともいう）が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平５−２３５２５８号公報
【特許文献２】特開平１０−１２５８５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来技術Ａでは、回路パターンを線対称とする構成であるが、モジュールの端子の位置等までは考慮されていない。そのため、従来技術Ａでは、モジュールの動作のアンバランスの対策が十分ではないという問題がある。
【０００７】
本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、動作のアンバランスを十分に低減させることが可能な半導体モジュール対等を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る半導体モジュール対は、第１端子を有する第１半導体モジュールと、前記第１半導体モジュールと同機能の第２半導体モジュールとを備え、前記第２半導体モジュールは、前記第１端子と同機能の第２端子を有し、かつ、前記第１半導体モジュールの内部構造と鏡対称な内部構造を有し、前記第１半導体モジュールおよび前記第２半導体モジュールを鏡対称に隣接配置する所定の隣接配置状態において、前記第１端子および前記第２端子は、前記第１半導体モジュールおよび前記第２半導体モジュール間において鏡対称軸に対し線対称となる位置に配置される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、前記第２半導体モジュールは、前記第１半導体モジュールの内部構造と鏡対称な内部構造を有する。また、さらに、前記第１半導体モジュールおよび前記第２半導体モジュールを鏡対称に隣接配置する所定の隣接配置状態において、第１端子および第２端子は、前記第１半導体モジュールおよび前記第２半導体モジュール間において鏡対称軸に対し線対称となる位置に配置される。
【００１０】
これにより、第１および第２半導体モジュールの各々が、他方の半導体モジュールから受ける電磁的な影響を等価に（等しく）することができる。その結果、前記第１半導体モジュールおよび前記第２半導体モジュールを鏡対称に隣接配置した隣接配置状態において、第１および第２半導体モジュールの動作のアンバランスを十分に低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の構成を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態２に係る半導体装置の構成を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態２に係る半導体装置の他の構成を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態３に係る半導体装置の構成を示す図である。
【図５】半導体装置の詳細な構成の一例を示す図である。
【図６】比較例としての半導体装置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。以下の説明では、同一の構成要素には同一の符号を付してある。それらの名称および機能も同じである。したがって、それらについての詳細な説明を省略する場合がある。
【００１３】
なお、実施の形態において例示される各構成要素の寸法、材質、形状、それらの相対配置などは、本発明が適用される装置の構成や各種条件により適宜変更されるものであり、本発明はそれらの例示に限定されるものではない。また、各図における各構成要素の寸法は、実際の寸法と異なる場合がある。
【００１４】
＜実施の形態１＞
図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置１０００の構成を示す図である。半導体装置１０００は、例えば、インバータ装置である。なお、半導体装置１０００は、インバータ装置に限定されず、他の装置であってもよい。なお、図１では、図の簡略化のために、配線等は図示していない。
【００１５】
図１において、Ｘ，Ｙ方向の各々は、互いに直交する。以下の図に示されるＸ，Ｙ方向の各々も、互いに直交する。以下においては、Ｘ方向と、当該Ｘ方向の反対の方向（−Ｘ方向）とを含む方向をＸ軸方向ともいう。また、以下においては、Ｙ方向と、当該Ｙ方向の反対の方向（−Ｙ方向）とを含む方向をＹ軸方向ともいう。
【００１６】
図１に示すように、半導体装置１０００は、半導体モジュール対１００Ｐと、図示しない他の構成要素と含む。当該他の構成要素は、例えば、半導体モジュール対１００Ｐを駆動させるための回路、配線等である。半導体モジュール対１００Ｐは、半導体モジュール１００ａ，１００ｂから構成される。すなわち、半導体モジュール対１００Ｐは、半導体モジュール１００ａ，１００ｂを備える。
【００１７】
半導体モジュール１００ａ，１００ｂの各々は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）等のパワーモジュールである。ここで、ＭＯＳＦＥＴは、例えば、ＳｉＣ材料を用いた高耐圧のＭＯＳＦＥＴである。なお、ＭＯＳＦＥＴは、当該ＳｉＣ材料を用いた高耐圧のＭＯＳＦＥＴ以外のＭＯＳＦＥＴであってもよい。
【００１８】
半導体モジュール１００ａ，１００ｂの各々は、同じ構成要素（素子等）を有する。すなわち、半導体モジュール１００ａ，１００ｂの各々は、同じ機能を有する。すなわち、半導体モジュール１００ｂは、半導体モジュール１００ａと同機能のモジュールである。
【００１９】
半導体装置１０００において、半導体モジュール１００ａ，１００ｂは並列動作する。また、半導体装置１０００において、半導体モジュール１００ａ，１００ｂは電気的に並列に接続される。
【００２０】
また、半導体モジュール１００ａ，１００ｂの各々は、詳細は後述するが、一例として、並列動作する２個の素子を有する。当該２個の素子は、電気的に並列に接続される。なお、半導体モジュール１００ａ，１００ｂの各々に含まれる素子の数は、２に限定されず、３以上であってもよい。
【００２１】
半導体モジュール１００ａ，１００ｂは、所定方向（Ｘ軸方向）に沿って隣接して配置される。図１に示すように、隣接して配置される半導体モジュール１００ａ，１００ｂの横方向（Ｘ軸方向）の中心を、Ｙ軸方向に沿って通る線を、配置中心線Ｃ１と表記する。また、半導体モジュール１００ａの横方向（Ｘ軸方向）の中心を、Ｙ軸方向に沿って通る線を、中心線Ａ１と表記する。また、半導体モジュール１００ｂの横方向（Ｘ軸方向）の中心を、Ｙ軸方向に沿って通る線を、中心線Ｂ１と表記する。
【００２２】
半導体モジュール１００ａは、当該半導体モジュール１００ａの中心線Ａ１に対して左右非対称な内部構造を有する。当該内部構造は、電気回路等で構成される。
【００２３】
以下、半導体モジュール１００ａについて具体的に説明する。半導体モジュール１００ａは、素子形成部Ｐ１，Ｎ１と，端子１０，１１，１２とを備える。素子形成部Ｐ１は、半導体モジュール１００ａの左半分の領域に形成される。以下においては、半導体モジュール（例えば、半導体モジュール１００ａ）の左半分の領域を、左領域ともいう。素子形成部Ｎ１は、半導体モジュール１００ａの右半分の領域に形成される。以下においては、半導体モジュール（例えば、半導体モジュール１００ａ）の右半分の領域を、右領域ともいう。素子形成部Ｐ１，Ｎ１の各々には、異なる素子が形成される。以下においては、左領域および右領域に、それぞれ、素子形成部Ｐ１および素子形成部Ｎ１が形成されている半導体モジュールの型をＲ型ともいう。
【００２４】
素子形成部Ｐ１には、例えば、Ｐ側素子が形成される。Ｐ側素子は、高圧側のスイッチング素子である。素子形成部Ｎ１には、例えば、Ｎ側素子が形成される。Ｎ側素子は、低圧側のスイッチング素子である。Ｐ側素子およびＮ側素子は、電気的に並列に接続される。また、Ｐ側素子およびＮ側素子は、並列動作する。
【００２５】
端子１０は、交流電圧を出力するための端子である。端子１０は、素子形成部Ｐ１内の素子（Ｐ側素子）と、素子形成部Ｎ１内の素子（Ｎ側素子）と電気的に接続される。端子１１は、素子形成部Ｐ１内の素子（Ｐ側素子）と電気的に接続される。端子１２は、素子形成部Ｎ１内の素子（Ｎ側素子）と電気的に接続される。以下においては、端子１１および端子１２を、それぞれ、Ｐ端子およびＮ端子ともいう。
【００２６】
また、端子１１および端子１２は、半導体モジュール１００ａの中心線Ａ１に対して、線対称に配置される。なお、端子１１および端子１２は、中心線Ａ１に対して、線対称に配置されなくてもよい。
【００２７】
半導体モジュール１００ａは、例えば、端子１１（Ｐ端子）および端子１２（Ｎ端子）に印加された直流電圧を交流電圧に変換し、当該交流電圧を、端子１０から出力する。
【００２８】
半導体モジュール１００ｂは、半導体モジュール１００ａと同様、当該半導体モジュール１００ｂの横方向（Ｘ軸方向）の中心線Ｂ１に対して左右非対称な内部構造を有する。
【００２９】
以下、半導体モジュール１００ｂについて具体的に説明する。半導体モジュール１００ｂは、半導体モジュール１００ａと比較して、素子形成部Ｐ１の位置と素子形成部Ｎ１の位置とを入れ替えた点と、端子１１，１２の位置を互いに入れ替えた点とが異なる。半導体モジュール１００ｂのそれ以外の構成は、半導体モジュール１００ａと同様なので詳細な説明は繰り返さない。したがって、半導体モジュール１００ａの端子１０，１１，１２と、半導体モジュール１００ｂの端子１０，１１，１２とは、同じ機能を有する。すなわち、半導体モジュール１００ｂは、半導体モジュール１００ａの端子１０，１１，１２と同機能の端子１０，１１，１２を有する。
【００３０】
以下においては、左領域および右領域に、それぞれ、素子形成部Ｎ１および素子形成部Ｐ１が形成されている半導体モジュールの型をＬ型ともいう。
【００３１】
半導体モジュール１００ｂの端子１１および端子１２は、半導体モジュール１００ｂの中心線Ｂ１に対して、線対称に配置される。なお、端子１１および端子１２は、中心線Ｂ１に対して、線対称に配置されなくてもよい。
【００３２】
半導体モジュール１００ｂの内部構造は、半導体モジュール１００ａの内部構造を、配置中心線Ｃ１に対して左右反転させた構造である。すなわち、半導体モジュール１００ｂの内部構造は、半導体モジュール１００ａの内部構造を鏡に写した構造である。すなわち、半導体モジュール１００ａ，１００ｂの各々の内部構造は、配置中心線Ｃ１に対して互いに線対称である。言い換えれば、半導体モジュール１００ｂは、半導体モジュール１００ａの内部構造と鏡対称な内部構造を有する。すなわち、半導体モジュール１００ａ，１００ｂは、鏡対称軸である配置中心線Ｃ１に対し、鏡対称に隣接配置されている。
【００３３】
以下においては、半導体モジュール１００ａ，１００ｂを鏡対称に隣接配置する状態を、隣接配置状態ともいう。すなわち、図１における半導体モジュール１００ａ，１００ｂの配置状態は、隣接配置状態である。言い換えれば、半導体装置１０００では、半導体モジュール１００ａおよび半導体モジュール１００ｂは所定の隣接配置状態で配置される。
【００３４】
半導体モジュール１００ａの端子１０，１１，１２と、半導体モジュール１００ｂの端子１０，１１，１２とは、鏡対称軸である配置中心線Ｃ１に対し、線対称に配置される。すなわち、上記の所定の隣接配置状態において、半導体モジュール１００ａの端子１０，１１，１２および半導体モジュール１００ｂの端子１０，１１，１２は、半導体モジュール１００ａ，１００ｂ間において鏡対称軸（配置中心線Ｃ１）に対し線対称となる位置に配置される。
【００３５】
以上説明したように、本実施の形態では、半導体モジュール１００ｂは、半導体モジュール１００ａの内部構造と鏡対称な内部構造を有する。また、さらに、半導体モジュール１００ａおよび半導体モジュール１００ｂを鏡対称に隣接配置する所定の隣接配置状態において、半導体モジュール１００ａ，１００ｂの各々の端子１０，１１，１２は、以下のように配置される。すなわち、前述したように、上記の所定の隣接配置状態において、半導体モジュール１００ａの端子１０，１１，１２および半導体モジュール１００ｂの端子１０，１１，１２は、半導体モジュール１００ａ，１００ｂ間において鏡対称軸（配置中心線Ｃ１）に対し線対称となる位置に配置される。
【００３６】
これにより、半導体モジュール１００ａ，１００ｂの構造的な対称性を向上させることができる。その結果、半導体モジュール１００ａ，１００ｂの各々が、他方の半導体モジュールから受ける電磁的な影響を完全に等価に（等しく）することができる。その結果、隣接して配置された２個の半導体モジュールの動作のアンバランスを十分に低減させることができる。すなわち、並列接続された２個の半導体モジュール間の動作のアンバランスを回避することができる。
【００３７】
なお、半導体装置１０００の構成は、図１に示される構成に限定されず、半導体モジュール１００ａ，１００ｂの位置を入れ替えた構成としてもよい。以下においては、半導体モジュール１００ａ，１００ｂの各々を、総括的に、半導体モジュール１００ともいう。
【００３８】
ここで、同一設計の複数のモジュールを並べた比較例としての半導体装置２０００と、本実施の形態に係る半導体装置１０００とを比較してみる。
【００３９】
図６は、比較例としての半導体装置２０００を示す図である。半導体装置２０００は、横方向（Ｘ軸方向）に沿って配置された４個の半導体モジュール１００ａを備える。なお、半導体モジュール１００ａ内には、図示しない主回路およびゲート回路が形成されているとする。
【００４０】
半導体装置２０００において、各半導体モジュール１００ａ内の主回路ループの向きは、同じである。ここで、主回路ループの向きとは、例えば、電流が素子形成部Ｐ１に入って素子形成部Ｎ１から出るという電流の向きである。そのため、隣り合う半導体モジュール１００ａでは、主回路ループの向きが互いに逆向きになるため打ち消される。その結果、半導体装置２０００では、総合的に見ると、両端の半導体モジュール１００ａを通るひとつの大きな回路ループが形成される。
【００４１】
ここで、主回路ループが、個々の半導体モジュール１００ａのゲート回路に与える電磁的影響を考えたとき、各半導体モジュール１００ａのゲート回路と主回路ループとの位置関係は各半導体モジュール１００ａにおいて異なる。そのため、発生する磁束変化の影響を、各々の半導体モジュール１００ａが異なった度合いで受けることになる。その結果、半導体装置２０００は、スイッチング動作などのアンバランスを引き起こす。すなわち、半導体装置２０００は、主回路とゲート回路との電磁的結合により、ゲート信号が乱され、並列接続された各半導体モジュール１００ａにおいて動作のアンバランスが発生する。
【００４２】
一方、本実施の形態に係る半導体装置１０００では、主回路ループの向きが、各隣り合う半導体モジュール１００において異なる。そのため、総合的にひとつの大きな回路ループは形成されない。すなわち、主回路ループは、各半導体モジュール１００において完結している。各半導体モジュール１００のゲート回路と主回路ループとの位置関係は各々の半導体モジュール１００にて等価である。したがって、電磁的な影響も各々の半導体モジュール１００で等価となり、動作のアンバランスの問題は解決する。
【００４３】
＜実施の形態２＞
図２は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置１０００Ａの構成を示す図である。なお、図２では、図の簡略化のために、配線等は図示していない。
【００４４】
半導体装置１０００Ａは、半導体モジュール対１００Ｐを構成する半導体モジュール１００ａ，１００ｂをＫ（偶数）組含む。ここで、一例として、Ｋは２であるとする。すなわち、半導体装置１０００Ａは、半導体モジュール対１００Ｐを２個含む。つまり、半導体装置１０００Ａは、２個の半導体モジュール１００ａと、２個の半導体モジュール１００ｂとを含む。ここで、前述したように、半導体モジュール１００ａ，１００ｂの各々を、総括的に、半導体モジュール１００ともいう。つまり、半導体装置１０００Ａは、４個の半導体モジュール１００を含む。
【００４５】
半導体装置１０００Ａにおいて、２個の半導体モジュール１００ａおよび２個の半導体モジュール１００ｂは並列動作する。また、半導体装置１０００Ａにおいて、２個の半導体モジュール１００ａおよび２個の半導体モジュール１００ｂは電気的に並列に接続される。
【００４６】
半導体装置１０００Ａに含まれる、４個の半導体モジュール１００（２個の半導体モジュール１００ａおよび２個の半導体モジュール１００ｂ）は、図２に示すように、横方向（Ｘ軸方向）に沿って隣接して配置される。すなわち、半導体装置１０００Ａに含まれる、４個の半導体モジュール１００は、横方向（Ｘ軸方向）に沿って直線状に配置される。
【００４７】
なお、図２に示すように、隣接して配置される半導体モジュール１００ａ，１００ｂ，１００ａ，１００ｂの横方向（Ｘ軸方向）の中心を、Ｙ軸方向に沿って通る線を、配置中心線Ｃ２と表記する。
【００４８】
以下においては、隣接して配置される半導体モジュール１００ａ，１００ｂ，１００ａ，１００ｂのうち、配置中心線Ｃ２より左側の２個の半導体モジュール１００ａ，１００ｂの内部構造を、内部構造Ａともいう。また、以下においては、隣接して配置される半導体モジュール１００ａ，１００ｂ，１００ａ，１００ｂのうち配置中心線Ｃ２より右側の半導体モジュール１００ａ，１００ｂの内部構造を、内部構造Ｂともいう。上記構成によれば、内部構造Ａは、内部構造Ｂを左右反転させた構造である。したがって、図２によれば、半導体モジュール１００ａおよび半導体モジュール１００ｂは前述の所定の隣接配置状態で横方向（Ｘ軸方向）に交互に配置される。
【００４９】
以上説明したように、本実施の形態によれば、実施の形態１と同様な効果を得ることができる。すなわち、配置中心線Ｃ２より左側の２個の半導体モジュール１００ａ，１００ｂが受ける電磁的な影響を、配置中心線Ｃ２より右側の半導体モジュール１００ａ，１００ｂが受ける電磁的な影響と等価に（等しく）することができる。その結果、隣接して（直線状に）配置された４個の半導体モジュールの動作のアンバランスを十分に低減させることができる。
【００５０】
なお、半導体装置１０００Ａ内の半導体モジュール１００ａ，１００ｂの配置は、図２の配置に限定されず、例えば、図３に示す配置であってもよい。
【００５１】
以上の説明では、Ｋは２としたが、Ｋは４以上の偶数であってもよい。この場合、半導体装置１０００Ａは、複数の半導体モジュール対１００Ｐを含む。また、半導体装置１０００Ａに含まれるＬ（Ｌ：２×Ｋ）個の半導体モジュール１００は、横方向に沿って隣接して配置される。すなわち、半導体モジュール１００ａおよび半導体モジュール１００ｂは前述の所定の隣接配置状態で横方向（Ｘ軸方向）に交互に配置される。
【００５２】
また、当該Ｌ個の半導体モジュールのうち、配置中心線Ｃ２より左側のＭ（Ｍ：Ｌ／２）個の半導体モジュール１００の内部構造は、Ｌ個の半導体モジュールのうち配置中心線Ｃ２より右側のＭ個の半導体モジュールの内部構造を左右反転させた構造である。なお、Ｋは４の場合の構成においても、Ｋは２である構成と同様な効果を得ることができる。
【００５３】
＜実施の形態３＞
図４は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置１０００Ｂの構成を示す図である。なお、図４では、図の簡略化のために、配線等は図示していない。
【００５４】
半導体装置１０００Ｂは、図１の半導体装置１０００と比較して、さらに、配置中心線Ｃ３に対し、縦方向（Ｙ軸方向）に反転させた半導体モジュール１００ａ，１００ｂを含む点が異なる。半導体装置１０００Ｂのそれ以外の構成は、半導体装置１０００と同様なので詳細な説明は繰り返さない。
【００５５】
すなわち、半導体装置１０００Ｂは、半導体モジュール１００ａ，１００ｂからなる半導体モジュール対１００Ｐを２個含む。すなわち、半導体装置１０００Ｂは、２個の半導体モジュール１００ａと、２個の半導体モジュール１００ｂとを含む。つまり、半導体装置１０００Ｂは、４個の半導体モジュール１００を含む。
【００５６】
半導体装置１０００Ｂに含まれる４個の半導体モジュール１００（半導体モジュール１００ａ，１００ｂ，１００ａ，１００ｂ）は、四角形状に配置される。すなわち、半導体モジュール１００ａおよび半導体モジュール１００ｂは前述の所定の隣接配置状態で横方向（Ｘ軸方向）および縦方向（Ｙ軸方向）に交互に配置される。
【００５７】
配置中心線Ｃ３は、四角形状に配置された半導体モジュール１００ａ，１００ｂ，１００ａ，１００ｂの縦方向（Ｙ軸方向）の中心を、Ｘ軸方向に沿って通る線である。配置中心線Ｃ１は、四角形状に配置された半導体モジュール１００ａ，１００ｂ，１００ａ，１００ｂの横方向（Ｘ軸方向）の中心を、Ｙ軸方向に沿って通る線である。以下においては、配置中心線Ｃ１と、配置中心線Ｃ３とが交差する点を、配置中心点Ｃ４と表記する。
【００５８】
４個の半導体モジュール１００の各々は、対角に位置する半導体モジュール１００を１８０度の回転対象としたものである。すなわち、４個の半導体モジュール１００のうち、対角に配置される２個の半導体モジュール１００の一方は、該２個の半導体モジュール１００の他方の内部構造を１８０度回転させた内部構造を有する。
【００５９】
具体的には、配置中心点Ｃ４を挟んで対角に配置される２個の半導体モジュール１００ａの一方は、該２個の半導体モジュール１００ａの他方の内部構造を１８０度回転させた内部構造を有する。また、配置中心点Ｃ４を挟んで対角に配置される２個の半導体モジュール１００ｂの一方は、該２個の半導体モジュール１００ｂの他方の内部構造を１８０度回転させた内部構造を有する。
【００６０】
以上説明したように、本実施の形態によれば、実施の形態１と同様な効果を得ることができる。すなわち、隣接して配置された複数の半導体モジュールの動作のアンバランスを十分に低減させることができる。
【００６１】
なお、例えば、実施の形態１の半導体装置１０００の詳細な構成は、例えば、以下のようになる。図５は、半導体装置１０００の詳細な構成の一例を示す図である。半導体装置１０００は、１つのパッケージモジュールとして構成される。
【００６２】
図５に示すように、半導体装置１０００は、さらに、放熱ベース５０を備える。半導体モジュール１００ａ，１００ｂは、放熱ベース５０上に形成される。
【００６３】
半導体モジュール１００ａは、さらに、回路パターン１１１，１１２，１１３と、半導体チップ１２１，１２２とを備える。
【００６４】
回路パターン１１１は、端子１１と接続される。回路パターン１１２は、端子１０と接続される。回路パターン１１３は、端子１２と接続される。回路パターン１１１上には、半導体チップ１２１が実装される。半導体チップ１２１は、配線１３０により、回路パターン１１２と接続される。回路パターン１１２上には、半導体チップ１２２が実装される。半導体チップ１２２は、配線１３０により、回路パターン１１３と接続される。
【００６５】
なお、前述したように、半導体モジュール１００ｂの内部構造は、半導体モジュール１００ａの内部構造を、配置中心線Ｃ１に対して左右反転させた構造である。したがって、半導体モジュール１００ｂが有する構成要素は、半導体モジュール１００ａが有する構成要素と同じである。
【００６６】
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
本発明は、動作のアンバランスを十分に低減させることが可能な半導体モジュール対として、利用することができる。
【符号の説明】
【００６８】
Ｐ１，Ｎ１  素子形成部、１０，１１，１２  端子、１００ａ，１００ｂ  半導体モジュール、１００Ｐ  半導体モジュール対、１０００，１０００Ａ，１０００Ｂ，２０００  半導体装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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