(57)【要約】【課題】加熱源の出力を変えることに要する時間が長くなることと、処理の温度が基板ごとに異なることとを抑えることの可能な光照射装置を提供する。【解決手段】紫外線を照射する紫外線照射部と、赤外線を照射する赤外線照射部と、前記紫外線照射部と前記赤外線照射部との間で基板Ｓを保持する基板ホルダー１８と、基板ホルダー１８に設けられて基板Ｓの温度を測定する温度センサー１８ｓと、前記温度センサー１８ｓの測定結果に基づいて前記赤外線照射部の出力を制御する制御部とを備える。そして、基板ホルダー１８が、処理の対象となる膜が形成された第１の側面を前記紫外線照射部に向け、且つ、前記第１の側面と向い合う第２の側面を前記赤外線照射部に向けた状態で基板Ｓを保持し、温度センサー１８ｓが、前記第２の側面と接する部分である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
紫外線を照射する紫外線照射部と、
赤外線を照射する赤外線照射部と、
前記紫外線照射部と前記赤外線照射部との間で基板を保持する保持部材と、
前記保持部材に設けられて前記基板の温度を測定する測定部と、
前記測定部の測定結果に基づいて前記赤外線照射部の出力を制御する制御部とを備え、
前記保持部材が、処理の対象となる膜が形成された第１の側面を前記紫外線照射部に向け、且つ、前記第１の側面と向い合う第２の側面を前記赤外線照射部に向けた状態で前記基板を保持し、
前記測定部が、前記第２の側面と接する部分である
ことを特徴とする光照射装置。
【請求項２】
前記保持部材が、前記基板を支持する支持ピンであり、
前記測定部が、前記支持ピンの先端である
請求項１に記載の光照射装置。
【請求項３】
前記保持部材に設けられて前記基板の温度が所定の温度以上であるか否かを検知する検知部をさらに備え、
前記検知部が、前記第２の側面と接する部分である
請求項１又は２に記載の光照射装置。
【請求項４】
前記制御部は、
前記検知部の検知結果が所定の温度未満である場合には、
前記測定部の測定結果に基づいて前記赤外線照射部の出力を制御し、
前記検知部の検知結果が所定の温度以上である場合には、
前記測定部の測定結果に基づく前記出力の制御を停止して前記赤外線照射部の出力を下げる
請求項３に記載の光照射装置。
【請求項５】
前記赤外線照射部が、
前記基板における第１の照射部位に赤外線を照射する第１の赤外線源と、
前記基板の中心からの距離が前記第１の照射部位よりも大きい第２の照射部位に赤外線を照射する第２の赤外線源とを備え、
前記測定部が、
前記基板における第１の測定部位に接する第１の測定部と、
前記基板の中心からの距離が前記第１の測定部位よりも大きい第２の測定部位に接する第２の測定部とを備え、
前記制御部が、
前記第１の測定部の測定結果に基づいて前記第１の赤外線源の出力を制御し、
前記第２の測定部の測定結果に基づいて前記第２の赤外線源の出力を制御する、
請求項４に記載の光照射装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の技術は、紫外線と赤外線とを基板に照射する光照射装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程では、絶縁膜の機能を塗布膜に与える工程にて、塗布膜に紫外線を照射する光照射装置が用いられる。この際に、相互に異なる複数の機能が絶縁膜には求められるから、上述の光照射装置では、それらの機能が１回の照射で与えられる必要がある。
【０００３】
一方で、絶縁膜に求められる複数の機能の各々は、相互に異なる膜構造によって発現されることが少なくない。例えば、機械的な耐性を高める機能を発現させる膜構造と、誘電率を下げる機能を発現させる膜構造とは、相互に異なる。それゆえに、紫外線が照射される際には、塗布膜を構成する各種の分子の活性化や活性化された分子間における結合の形成等が、所定の膜構造を得ることに適した順序で進められる必要がある。そこで、各種の反応を進行させる様々な大きさのエネルギーがこれに適した順序で塗布膜に与えられるべく、特許文献１に記載されるように、紫外線の照射と加熱とが同時に進められる装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−０１０２３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上述の加熱を実現する加熱源には、ホットプレートと赤外線ランプとが知られている。ホットプレートが加熱源である場合には、ホットプレートの熱容量が基板よりも大きいから、ホットプレートの温度が直接測定されることによって、基板の温度が正確に測定される。しかし、加熱源の出力を変えるメンテナンスや加熱源そのもののメンテナンスが行われる際には、赤外線ランプが加熱源である場合に比べて、加熱源の出力を変えることに必要な時間が長くなる。
【０００６】
一方で、赤外線ランプが加熱源である場合には、熱電対などの温度センサーの内蔵された基板によって、赤外線ランプの出力と基板の温度とが予め対応付けられる。そして、基板に対して紫外線が照射される際には、通常は、基板の温度の設定値に応じて赤外線ランプの出力が変えられる。しかし、基板に積み重ねられる膜の特性や基板そのものの抵抗率によって基板の熱伝導率が変わるから、赤外線ランプからの出力がたとえ同じであっても、基板ごとに温度が異なる場合がある。そのために、上述のメンテナンスに要する時間がホットプレートに比べて短くなるとはいえ、膜における処理の温度が設定値とは異なってしまう。
【０００７】
本開示の技術は、加熱源の出力を変えることに要する時間が長くなることと、処理の温度が基板ごとに異なることとを抑えることの可能な光照射装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示における光照射装置の一態様は、紫外線を照射する紫外線照射部と、赤外線を照射する赤外線照射部と、前記紫外線照射部と前記赤外線照射部との間で基板を保持する保持部材と、前記保持部材に設けられて前記基板の温度を測定する測定部と、前記測定部の測定結果に基づいて前記赤外線照射部の出力を制御する制御部とを備える。そして、前記保持部材が、処理の対象となる膜が形成された第１の側面を前記紫外線照射部に向け、且つ、前記第１の側面と向い合う第２の側面を前記赤外線照射部に向けた状態で前記基板を保持し、前記測定部が、前記第２の側面と接する部分である。
【０００９】
本開示における光照射装置の一態様によれば、赤外線照射部が照射する赤外線によって基板が加熱されるため、加熱源がホットプレートである場合に比べて、加熱源の出力を変えることに要する時間が長くなることが抑えられる。また、基板を保持する保持部材のうち基板と接する部分が、基板の温度を測定する測定部として機能するため、処理の温度を基板ごとに測定することができる。そして、測定部の測定結果に基づいて赤外線照射部の出力が制御されるから、処理の温度が基板ごとに異なることが抑えられる。
すなわち、加熱源の出力を変えることに要する時間が長くなることと、処理の温度が基板ごとに異なることとを抑えることが可能である。
本開示における光照射装置の他の態様は、前記保持部材が、前記基板を支持する支持ピンであり、前記測定部が、前記支持ピンの先端である。
【００１０】
本開示における光照射装置の他の態様によれば、基板を支持する支持ピンの先端が測定部であるから、基板と測定部との接触が基板の自重によって確保される。それゆえに、基板の自重が測定部に作用しない装置に比べて、基板と測定部との接触の確実性が高められる。
【００１１】
本開示における光照射装置の他の態様は、前記保持部材に設けられて前記基板の温度が所定の温度以上であるか否かを検知する検知部をさらに備え、前記検知部が、前記第２の側面と接する部分である。
【００１２】
本開示における光照射装置の他の態様によれば、基板を保持する保持部材のうち基板と接する部分は、基板の温度が所定の温度以上であるか否かを検知する検知部としても機能する。そして、基板の温度が所定の温度以上であるか否かが基板ごとに検知される。こうした態様は、基板の温度が所定の温度以上であるか否かを示す情報が必要とされる場合に好ましい。
【００１３】
本開示における光照射装置の他の態様では、前記制御部は、前記検知部の検知結果が所定の温度未満である場合には、前記測定部の測定結果に基づいて前記赤外線照射部の出力を制御する。そして、前記検知部の検知結果が所定の温度以上である場合には、前記測定部の測定結果に基づく前記出力の制御を停止して前記赤外線照射部の出力を下げる。
【００１４】
本開示における光照射装置の他の態様によれば、基板の温度が所定の温度以上である場合には、測定部の測定結果にかかわらず、赤外線照射部の出力が下げられる。こうした態様は、測定部の測定結果にかかわらず、基板の温度が所定の温度以上になることを抑えるうえで好ましい。
【００１５】
本開示における光照射装置の他の態様では、前記赤外線照射部が、前記基板における第１の照射部位に赤外線を照射する第１の赤外線源と、前記基板の中心からの距離が前記第１の照射部位よりも大きい第２の照射部位に赤外線を照射する第２の赤外線源とを備える。そして、前記測定部が、前記基板における第１の測定部位に接する第１の測定部と、前記基板の中心からの距離が前記第１の測定部位よりも大きい第２の測定部位に接する第２の測定部とを備える。また、前記制御部が、前記第１の測定部の測定結果に基づいて前記第１の赤外線源の出力を制御し、前記第２の測定部の測定結果に基づいて前記第２の赤外線源の出力を制御する。
【００１６】
本開示における光照射装置の他の態様によれば、基板の中心からの距離が相互に異なる２つの部位に赤外線が照射され、且つ、基板の中心からの距離が相互に異なる２つの部位の温度が測定される。そして、２つの照射部位のうち相対的に基板の中心に近い部位への照射は、２つの測定部位のうち相対的に基板の中心に近い部位の測定結果に基づいて制御される。反対に、２つの照射部位のうち相対的に基板の中心から遠い部位への照射は、２つの測定部位のうち相対的に基板の中心から遠い部位の測定結果に基づいて制御される。結果として、測定部位が１つである場合に比べて、基板の面内における温度の分布は、赤外線照射部の出力に追従しやすくなる。この際に、２つの照射部位のうち基板の中心側の照射部位と、２つの測定部位のうち基板の中心側の測定部位とが対応付けられているため、基板の面内における温度の分布を所望の分布に合わせることが容易にもなる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本開示における光照射装置の各実施形態での装置構成を示す構成図。
【図２】第１実施形態における光照射装置の基板ホルダーの平面構造を赤外線源と共に示す平面図。
【図３】第１実施形態における光照射装置の電気的構成を機能的に示すブロック図。
【図４】第１実施形態における光照射装置の照射の態様を示すタイミングチャート。
【図５】第２実施形態における光照射装置の基板ホルダーの平面構造を赤外線源と共に示す平面図。
【図６】第２実施形態における光照射装置の照射の態様を示すタイミングチャート。
【図７】第３実施形態における光照射装置の基板ホルダーの平面構造を赤外線源と共に示す平面図。
【図８】変形例における光照射装置の支持ピンの断面構造を示す断面図。
【図９】変形例における光照射装置の支持ピンの断面構造を示す断面図。
【図１０】変形例における光照射装置の支持ピンの断面構造を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
［第１実施形態］
【００１９】
本開示における光照射装置の第１実施形態について図１から図４を参照して説明する。なお、第１実施形態の光照射装置による光照射の対象は、一つの側面にＬｏｗ−ｋ膜が形成された円板状をなす基板であり、光照射装置による光照射は、Ｌｏｗ−ｋ膜の内部構造を安定化させるいわゆるキュアを行う処理である。また、図２では、支持ピンと赤外線源との相対的な位置を説明する便宜上、赤外線源にのみドットが付されている。
［光照射装置の構成］
図１に示されるように、光照射装置のチャンバ１１は、紫外線透過窓１２によって、紫外線照射チャンバ１１ａと赤外線照射チャンバ１１ｂとに区切られている。
【００２０】
紫外線照射チャンバ１１ａの内部には、紫外線透過窓１２の直上に、紫外線照射部として紫外線源１３が収容されている。紫外線源１３は、例えば、紙面の左右方向に延びる直線形状をなして紙面の手前に向けて配列された複数の紫外線ランプによって構成される。紫外線源１３は、紫外線透過窓１２の全体に向けて紫外線を照射する。
【００２１】
紫外線透過窓１２は、紫外線を透過する石英等からなる板部材であって、紙面と直交する面である水平面に沿って広がる平板状に形成されている。紫外線透過窓１２は、赤外線照射チャンバ１１ｂの上部を密閉するとともに、紫外線源１３からの紫外線を赤外線照射チャンバ１１ｂの内部に導く。
【００２２】
赤外線照射チャンバ１１ｂには、ガス供給部１４と排気部１５とが接続されている。ガス供給部１４は、所定の流量でガスを供給するマスフローコントローラー等を含み、赤外線照射チャンバ１１ｂの内部に、希ガス、不活性ガス、及び、酸素等の光照射に用いられるガスを供給する。
【００２３】
排気部１５は、ドライポンプやターボ分子ポンプ等の真空ポンプと、真空ポンプの上流で排気コンダクタンスを変更する圧力調整弁とを含み、赤外線照射チャンバ１１ｂの内部を排気して、赤外線照射チャンバ１１ｂの内部の圧力を圧力センサー１５ｓの測定結果に基づいて調整する。例えば、排気部１５は、赤外線照射チャンバ１１ｂの内部の圧力を１０−５Ｐａ以上１Ｐａ以下の範囲にて所定の圧力に調整する。
【００２４】
なお、基板Ｓから放出されるガスの量は、基板Ｓに形成されたＬｏｗ−ｋ膜の膜厚や材料ごとに異なり、また、基板Ｓが処理される温度によっても異なる。一方で、ドライポンプやターボ分子ポンプには、通常、それの排気に適した圧力範囲が定められている。それゆえに、排気部１５では、光照射の処理に必要とされる圧力に応じて、赤外線照射チャンバ１１ｂに接続される真空ポンプがドライポンプとターボ分子ポンプとの間で切替られてもよい。
【００２５】
赤外線照射チャンバ１１ｂの内部には、赤外線照射部としての赤外線源１７が収容され、赤外線源１７と紫外線透過窓１２との間には、基板Ｓを保持する基板ホルダー１８が配置されている。
【００２６】
図２に示されるように、赤外線源１７は、紫外線透過窓１２と平行な面上にて円環形状をなす３つの赤外線ランプ１７ｉ，１７ｍ，１７ｏによって構成されている。３つの赤外線ランプ１７ｉ，１７ｍ，１７ｏの各々は、中心軸Ｃを中心とした同心円状に配置されている。赤外線源１７は、紫外線透過窓１２の全体に向けて赤外線を照射する。
【００２７】
基板ホルダー１８を構成する３つの支持脚１８ａは、赤外線を透過する石英等からなり、紫外線透過窓１２と平行な面上にて中心軸Ｃから放射状に延びている。３つの支持脚１８ａの各々にて紫外線透過窓１２に対向する側面には、紫外線透過窓１２に向けて延びる円柱形状をなす保持部材としての支持ピン１８ｐが連結されている。３つの支持ピン１８ｐの各々は、赤外線を透過する石英等からなる。３つの支持ピン１８ｐの各々の基端部は、支持脚１８ａに連結され、３つの支持ピン１８ｐの各々の先端部は、紫外線透過窓１２と平行な仮想平面上に配置されている。
【００２８】
基板ホルダー１８は、基板Ｓの側面のうち、Ｌｏｗ−ｋ膜の形成された第１の側面Ｓｔを紫外線透過窓１２に向け、且つ、第１の側面Ｓｔと向い合う第２の側面Ｓｂを支持脚１８ａに向けた状態で基板Ｓを保持する。この際に、３つの支持ピン１８ｐの各々の先端部は、基板Ｓにおける第２の側面Ｓｂと当接する。３つの支持脚１８ａと３つの支持ピン１８ｐとが、赤外線の透過する石英等からなるため、３つの支持脚１８ａに支持された基板Ｓには、赤外線源１７からの赤外線が基板ホルダー１８を通じて照射される。
【００２９】
なお、赤外線源１７の直上では、通常、赤外線の強度が最も強くなる。一方で、赤外線の透過する石英等からなる支持ピン１８ｐであっても、赤外線の減衰は生じ得る。それゆえに、赤外線源１７から照射される赤外線が基板Ｓの加熱に対して有効的に利用されるうえでは、３つの支持ピン１８ｐは、赤外線源１７の直上から離れて配置されることが好ましい。
【００３０】
３つの支持ピン１８ｐのうち１つの支持ピン１８ｐの先端部は、測定部としての温度センサー１８ｓによって構成されている。温度センサー１８ｓは、それが当接する第２の側面Ｓｂの温度を測定し、その測定結果を出力する。温度センサー１８ｓには、例えば、第２の側面Ｓｂの有する熱を電気エネルギーに変換する熱電変換素子や第２の側面Ｓｂの放出する光を電気エネルギーに変換する光電変換素子が用いられる。
【００３１】
基板ホルダー１８は、基板ホルダー１８を中心軸Ｃに沿って上昇、及び、下降させるリフト機構１８Ｌに連結されている。リフト機構１８Ｌは、光照射装置以外の他の装置から光照射装置の内部に基板Ｓが搬入される際に、基板ホルダー１８を下降、及び、上昇させて、３つの支持ピン１８ｐに基板Ｓを支持させる。また、リフト機構１８Ｌは、光照射装置の内部から光照射装置以外の他の装置に基板Ｓが搬出される際に、基板ホルダー１８を下降、及び、上昇させて、３つの支持ピン１８ｐから基板Ｓを離脱させる。
図３に示されるように、光照射装置を構成する制御装置２０には、入出力部２０Ａ、制御部２０Ｂ、及び、記憶部２０Ｃが備えられている。
入出力部２０Ａは、制御装置２０に入力される各種の信号の入力処理を実行し、また、制御装置２０から出力される制御信号の出力処理を実行する。
【００３２】
制御部２０Ｂは、制御機能や演算機能を含むＣＰＵやＣＰＵの作業領域として機能するメモリ等から構成され、光照射の手順に従って各駆動部を制御すると共に、光照射に必要とされる各種の演算を実行する。
【００３３】
記憶部２０Ｃは、光照射の手順が記述されたプログラムや光照射の処理条件に関するデータを格納する。記憶部２０Ｃは、例えば、処理条件に関するデータとして、基板Ｓの目標温度Ｔｐ、紫外線源の出力値、プロセスガスの流量、及び、赤外線照射チャンバ１１ｂの圧力等を格納する。また、記憶部２０Ｃは、赤外線ランプ１７ｉ，１７ｍ，１７ｏの各々の出力値に対し、温度センサー１８ｓの測定値と基板Ｓの目標温度Ｔｐとを対応付けた温度出力変換データを格納する。
制御装置２０には、ヒューマンインターフェースである入力機器２１と信号処理部２２とが接続されている。
入力機器２１は、光照射の手順が記述されたプログラムの編集内容や光照射に必要とされる各種条件に関するデータを制御装置２０に出力する。
【００３４】
信号処理部２２は、温度センサー１８ｓの出力信号を制御装置２０で処理可能な信号に変換し、変換された信号を制御装置２０に出力する。また、信号処理部２２は、圧力センサー１５ｓの出力信号を制御装置２０で処理可能な信号に変換し、変換された信号を制御装置２０に出力する。制御部２０Ｂは、記憶部２０Ｃに格納される温度出力変換データに対し、温度センサー１８ｓの測定値と基板Ｓの目標温度Ｔｐとを適用して、赤外線ランプ１７ｉ，１７ｍ，１７ｏの各々に出力させる出力値を算出する。
制御装置２０には、ガス供給系駆動部３１、排気系駆動部３２、紫外線源駆動部３３、赤外線源駆動部３４、及び、リフト機構駆動部３５が接続されている。
【００３５】
ガス供給系駆動部３１は、制御装置２０の出力する制御信号を入力し、ガス供給部１４を駆動するための駆動信号を制御信号に応じて生成する。ガス供給系駆動部３１は、生成された駆動信号をガス供給部１４に出力する。例えば、ガス供給系駆動部３１は、ガス供給部１４から希ガスを供給するための制御信号を制御装置２０から入力し、ガス供給部１４から希ガスを供給するための駆動信号を生成してガス供給部１４に出力する。
【００３６】
排気系駆動部３２は、制御装置２０の出力する制御信号を入力し、排気部１５を駆動するための駆動信号を制御信号に応じて生成する。排気系駆動部３２は、生成された駆動信号を排気部１５に出力する。例えば、排気系駆動部３２は、赤外線照射チャンバ１１ｂの内部の圧力を所定の圧力に調整するための制御信号を制御装置２０から入力し、排気部１５を駆動するための駆動信号を生成して排気部１５に出力する。
【００３７】
紫外線源駆動部３３は、制御装置２０の出力する制御信号を入力し、紫外線源１３を駆動するための駆動信号を制御信号に応じて生成する。紫外線源駆動部３３は、生成された駆動信号を紫外線源１３に出力する。例えば、紫外線源駆動部３３は、紫外線を照射するための制御信号を制御装置２０から入力し、紫外線ランプを点灯するための駆動信号を生成して紫外線ランプに出力する。
【００３８】
赤外線源駆動部３４は、制御装置２０の出力する制御信号を入力し、赤外線源１７を駆動するための駆動信号を制御信号に応じて生成する。赤外線源駆動部３４は、生成された駆動信号を赤外線源１７に出力する。例えば、赤外線源駆動部３４は、赤外線を照射するための制御信号を制御装置２０から入力し、赤外線ランプ１７ｉ，１７ｍ，１７ｏの各々の出力を所望の出力するための駆動信号を生成して赤外線ランプ１７ｉ，１７ｍ，１７ｏに出力する。この際に、制御装置２０は、光照射の手順が記述されたプログラムと光照射に必要とされる各種条件に関するデータとに従い、温度センサー１８ｓの測定値と基板Ｓの目標温度とに基づいて、測定値を目標温度にするための出力値を算出する。そして、赤外線源駆動部３４は、算出結果に応じた制御信号を制御装置２０から受けて、当該制御信号に応じた駆動信号を赤外線ランプ１７ｉ，１７ｍ，１７ｏの各々に出力する。
【００３９】
リフト機構駆動部３５は、制御装置２０の出力する制御信号を入力し、リフト機構１８Ｌを駆動するための駆動信号を制御信号に応じて生成する。リフト機構駆動部３５は、生成された駆動信号をリフト機構１８Ｌに出力する。例えば、リフト機構駆動部３５は、基板ホルダー１８を上昇させるための制御信号を制御装置２０から入力し、基板ホルダー１８を上昇させるための駆動信号を生成してリフト機構１８Ｌに出力する。
［光照射装置の作用］
【００４０】
光照射装置では、光照射の処理に先立ち、排気部１５の駆動によって赤外線照射チャンバ１１ｂの内部が所定の圧力にまで減圧される。この状態から、光照射の対象である基板がリフト機構１８Ｌの駆動によって赤外線照射チャンバ１１ｂの内部に搬入されて、光照射装置での光照射の処理が開始される。
【００４１】
図４に示されるように、光照射装置にて光照射の処理が開始されると、制御装置２０は、光照射の手順が記述されたプログラムと光照射に必要とされる各種条件に関するデータとを読み出す。
【００４２】
次いで、制御装置２０は、温度センサー１８ｓの測定値と基板Ｓの目標温度Ｔｐとに基づいて、測定値を目標温度Ｔｐに上昇させるための出力値を算出する。続いて、赤外線源駆動部３４は、制御装置２０から入力される制御信号に応じた駆動信号をそれに対応した赤外線ランプ１７ｉ，１７ｍ，１７ｏに出力する。これによって、基板Ｓの温度はタイミングｔ０から上昇し始める。そして、赤外線ランプ１７ｉ，１７ｍ，１７ｏに対する上記出力値の制御が所定の制御周期で繰り返されるによって、温度センサー１８ｓの測定値はタイミングｔ１にて目標温度Ｔｐに到達する。なお、赤外線ランプ１７ｉ，１７ｍ，１７ｏに対する出力値の制御は、光照射処理の終了時まで継続される。また、Ｌｏｗ−ｋ膜に対する目標温度Ｔｐとしては、例えば、３５０℃以上４５０℃以下の温度の範囲が設定される。
【００４３】
この際に、赤外線ランプ１７ｉ，１７ｍ，１７ｏの照射する赤外線によって、基板Ｓは加熱される。そのため、加熱源がホットプレートである場合に比べて、加熱源の出力を変えることに要する時間が長くなることが抑えられる。しかも、基板Ｓを保持する基板ホルダー１８のうち基板Ｓと接する部分が、基板Ｓの温度を測定する。そのため、複数の基板Ｓの性状が基板Ｓごとに異なる場合であっても、その基板Ｓにおける実際の処理の温度を測定することができる。そして、温度センサー１８ｓの測定結果に基づいて赤外線ランプ１７ｉ，１７ｍ，１７ｏの出力が制御されるから、処理の温度が基板Ｓごとに異なることが抑えられる。特に、基板Ｓを支持する支持ピン１８ｐの先端が測定部であるから、基板Ｓと測定部との接触が基板Ｓの自重によって確保される。それゆえに、基板Ｓの自重が測定部に作用しない装置に比べて、基板Ｓと測定部との接触の確実性が高められる。
【００４４】
一方で、温度センサー１８ｓの測定値が目標温度Ｔｐに到達すると、制御装置２０は、紫外線源１３に紫外線を照射させるための制御信号を紫外線源駆動部３３に出力する。紫外線源駆動部３３は、制御装置２０から入力される制御信号に応じた駆動信号を紫外線源１３に出力する。これによって、基板Ｓに形成されたＬｏｗ−ｋ膜は、紫外線源１３からの紫外線を受ける。なお、紫外線源１３からの紫外線の照射は、タイミングｔ２からタイミングｔ３まで継続される。また、Ｌｏｗ−ｋ膜に対する紫外線照射時の照射線量としては、例えば、２０００ｍＷ／ｃｍ２・ｓｅｃ以上４０００ｍＷ／ｃｍ２・ｓｅｃ以下の範囲が挙げられる。
【００４５】
この際に、赤外線の照射による基板Ｓの加熱と、紫外線の照射によるＬｏｗ−ｋ膜の変性とが同時に進行して、この間では、温度センサー１８ｓの測定値が目標温度Ｔｐに保たれる。上述したように、基板Ｓの温度の測定部と基板Ｓとの接触が基板Ｓの自重によって確保されるため、赤外線と紫外線とが共に照射される期間においても、赤外線から供給される熱量の精度を確保することが可能でもある。
【００４６】
次いで、紫外線の照射が終了すると、制御装置２０は、プロセスガスを供給するための制御信号をガス供給系駆動部３１に出力する。ガス供給系駆動部３１は、制御装置２０から入力される制御信号に応じた駆動信号をガス供給部１４に出力する。これによって、赤外線照射チャンバ１１ｂの内部には、Ｌｏｗ−ｋ膜に所定の処理を施すためのガスが供給される。例えば、赤外線照射チャンバ１１ｂの内部に希ガスや不活性ガスが供給されて、Ｌｏｗ−ｋ膜の表面に付着したガスが希ガスや不活性ガスに置換される。また、例えば、赤外線照射チャンバ１１ｂの内部に反応性のガスが供給されて、Ｌｏｗ−ｋ膜の表面を改質するための反応が進められる。
【００４７】
この際に、赤外線の照射による基板Ｓの加熱と、プロセスガスとＬｏｗ−ｋ膜との接触とが同時に進行し、その期間では、温度センサー１８ｓの測定値が目標温度Ｔｐに保たれる。上述したように、基板Ｓの温度の測定部と基板Ｓとの接触が基板Ｓの自重によって確保されるため、赤外線の照射とプロセスガスの供給とが共に進められる期間においても、赤外線から供給される熱量の精度を確保することが可能でもある。
上記説明の通り、第１実施形態の光照射装置によれば以下の効果が得られる。
【００４８】
（１）赤外線ランプ１７ｉ，１７ｍ，１７ｏが照射する赤外線によって基板Ｓが加熱されるため、加熱源がホットプレートである場合に比べて、加熱源の出力を変えることに要する時間が長くなることが抑えられる。
（２）基板Ｓを保持する基板ホルダー１８のうち基板Ｓと接する部分が基板Ｓの温度を測定するため、処理の温度を基板Ｓごとに測定することが可能となる。
【００４９】
（３）基板Ｓを支持する支持ピン１８ｐの先端が基板Ｓの温度の測定部であるから、基板Ｓと測定部との接触が基板Ｓの自重によって確保される。それゆえに、基板Ｓの自重が測定部に作用しない装置に比べて、基板Ｓと測定部との接触の確実性が高められる。
［第２実施形態］
【００５０】
本開示における光照射装置の第２実施形態について図５と図６とを参照して説明する。なお、検知部の検知結果に基づいて赤外線ランプの出力が制御される点にて、第２実施形態の光照射装置は第１実施形態と異なる。そこで、以下では、第１実施形態とは異なる点について特に説明し、第１実施形態と同様の構成については、同一の符号を付してその説明を省略する。
［光照射装置の構成］
【００５１】
図５に示されるように、基板ホルダー４８を構成する３つの支持脚４８ａ,４８ｂ,４８ｃのうち紫外線透過窓１２に対向する側面の各々には、紫外線透過窓１２に向けて延びる円柱形状をなす保持部材としての支持ピンＰａ,Ｐｂ,Ｐｃが連結されている。３つの支持ピンＰａ,Ｐｂ,Ｐｃの各々の基端部は、支持脚４８ａ,４８ｂ,４８ｃに連結され、３つの支持ピンＰａ,Ｐｂ,Ｐｃの各々の先端部は、紫外線透過窓１２と平行な仮想平面上に配置されている。３つの支持ピンＰａ,Ｐｂ,Ｐｃの各々の先端部は、基板Ｓにおける第２の側面Ｓｂと当接する。
【００５２】
３つの支持ピンＰａ,Ｐｂ,Ｐｃのうち１つの支持ピンＰａの先端部は、測定部としての温度センサー４８ｓによって構成されている。温度センサー４８ｓは、それが当接する第２の側面Ｓｂの温度を測定し、その測定結果を出力する。３つの支持ピンＰａ,Ｐｂ,Ｐｃのうち１つの支持ピンＰｃの先端部は、検知部としての検知センサー４８ｅｍによって構成されている。検知センサー４８ｅｍは、それが当接する第２の側面Ｓｂの温度を測定し、その測定結果が所定の温度である監視温度Ｔｍａｘ以上であるか否かの検知結果を出力する。これら温度センサー４８ｓと検知センサー４８ｅｍとには、例えば、第２の側面Ｓｂの有する熱を電気エネルギーに変換する熱電変換素子や第２の側面Ｓｂの放出する光を電気エネルギーに変換する光電変換素子が用いられる。なお、検知センサー４８ｅｍの機能は、第２の側面Ｓｂの温度が監視温度Ｔｍａｘ以上であるか否かを検知することで足るため、検知センサー４８ｅｍは、温度センサー４８ｓに比べて、ダイオード等の簡素な構成によって具体化される。
【００５３】
光照射装置を構成する記憶部２０Ｃは、光照射の手順が記述されたプログラムや光照射の処理条件に関するデータを格納する。記憶部２０Ｃは、例えば、処理条件に関するデータとして、基板Ｓの目標温度Ｔｐ、紫外線源の出力値、プロセスガスの流量、赤外線照射チャンバ１１ｂの圧力の他、基板Ｓの監視温度Ｔｍａｘを格納する。監視温度Ｔｍａｘは、目標温度Ｔｐよりも高い温度であって、例えば、光照射装置の各構成要素が熱的に耐えられる範囲内の温度、あるいは、基板Ｓに形成された膜が熱的に耐えられる範囲内の温度に設定されている。
【００５４】
光照射装置を構成する信号処理部２２は、温度センサー４８ｓの出力信号を制御装置２０で処理可能な信号に変換し、変換された信号を制御装置２０に出力する。また、信号処理部２２は、検知センサー４８ｅｍの出力信号を制御装置２０で処理可能な信号に変換し、変換された信号を制御装置２０に出力する。
【００５５】
制御部２０Ｂは、記憶部２０Ｃに格納される温度出力変換データに対し、温度センサー１８ｓの測定値と基板Ｓの目標温度Ｔｐとを適用して赤外線ランプ１７ｉ，１７ｍ，１７ｏの各々の出力値を算出する。
【００５６】
制御部２０Ｂは、基板Ｓの温度が監視温度Ｔｍａｘ以上である場合には、検知センサー４８ｅｍの検知結果に基づいて、以下の割り込み処理を実行する。すなわち、制御部２０Ｂは、割り込み処理として、温度センサー４８ｓの測定値と目標温度Ｔｐとに基づく上記出力の制御を停止し、且つ、赤外線ランプ１７ｉ，１７ｍ，１７ｏの出力を停止させるための制御信号を赤外線源駆動部３４に出力する。一方で、制御部２０Ｂは、基板Ｓの温度が監視温度Ｔｍａｘ未満である場合には、検知センサー４８ｅｍの検知結果に基づいて、温度センサー４８ｓの測定値と目標温度Ｔｐとに基づく上記出力の制御を継続する。
［光照射装置の作用］
【００５７】
図６に示されるように、光照射装置にて光照射の処理が開始されると、制御装置２０は、光照射の手順が記述されたプログラムと光照射に必要とされる各種条件に関するデータとを読み出す。
【００５８】
次いで、制御装置２０は、温度センサー４８ｓの測定値Ｔｍと基板Ｓの目標温度Ｔｐとに基づいて、測定値Ｔｍを目標温度Ｔｐに上昇させるための出力値を算出する。続いて、赤外線源駆動部３４は、制御装置２０から入力される制御信号に応じた駆動信号を赤外線ランプ１７ｉ，１７ｍ，１７ｏの各々に出力する。これによって、基板Ｓの温度は、タイミングｔ０から上昇し始める一方で、基板Ｓの温度が監視温度Ｔｍａｘ以上であるか否かの監視が制御装置２０で行われる。
【００５９】
ここで、温度センサー４８ｓが正常に稼働している場合には、温度センサー４８ｓの測定値Ｔｍと基板Ｓの温度Ｔａとは略一致する。一方で、温度センサー４８ｓが経年使用等によって劣化すると、温度センサー４８ｓの測定値Ｔｍと基板Ｓの実際の温度Ｔａとの間に誤差が生じる。そして、実際の温度Ｔａよりも測定値Ｔｍが低い場合には、実際の温度Ｔａが目標温度Ｔｐに到達しているにも関わらず、測定値Ｔｍは目標温度Ｔｐ未満を示す。結果として、実際の温度Ｔａが目標温度Ｔｐに到達するタイミングｔ１の後も、赤外線ランプ１７ｉ，１７ｍ，１７ｏの出力値は増え続ける。そして、図６の二点差線で示されるように、測定値Ｔｍが目標温度Ｔｐに到達するまで、目標温度Ｔｐを超えた温度で基板Ｓは加熱され続ける。
【００６０】
この点にて、第２実施形態の光照射装置では、基板Ｓの温度が監視温度Ｔｍａｘ以上であるか否かが、検知センサー４８ｅｍの出力によって監視される。そして、目標温度Ｔｐを超えた温度で基板Ｓが加熱され続けられる場合には、検知センサー４８ｅｍの測定値と実際の温度Ｔａとが略一致することを前提として、基板Ｓの温度が監視温度Ｔｍａｘ以上であることが、検知センサー４８ｅｍによって検知される。結果として、実際の温度Ｔａが監視温度Ｔｍａｘ以上になるタイミングｔＬ１では、測定値Ｔｍと目標温度Ｔｐとに基づく上記出力の制御が停止されて、赤外線ランプ１７ｉ，１７ｍ，１７ｏの出力が停止される。すなわち、基板Ｓの過度な加熱が検知センサー４８ｅｍで検知されることによって、光照射装置の各構成要素やＬｏｗ−ｋ膜に対する熱的なダメージが軽減される。
【００６１】
なお、実際の温度Ｔａが監視温度Ｔｍａｘ未満になるタイミングｔＬ２では、基板Ｓの温度が監視温度Ｔｍａｘ未満であることが、検知センサー４８ｅｍによって検知される。そして、上述の割り込み処理が終了し、赤外線ランプ１７ｉ，１７ｍ，１７ｏの出力と紫外線源１３の出力とが停止された状態で、赤外線照射チャンバ１１ｂからの基板Ｓの搬出処理が制御装置２０によって行われる。
上記説明の通り、第２実施形態の光照射装置によれば以下の効果が得られる。
【００６２】
（４）基板Ｓの温度が監視温度Ｔｍａｘ以上であるか否かを検知する検知センサー４８ｅｍが、基板Ｓを保持する基板ホルダー４８のうち基板Ｓと接する部分に備えられる。それゆえに、複数の基板Ｓの各々で基板Ｓの性状が相互に異なる場合であっても、こうした検知を基板Ｓごとに実施することが可能となる。
【００６３】
（５）基板Ｓを支持する支持ピンＰｃの先端が上述の検知部であるから、基板Ｓと検知部との接触が基板Ｓの自重によって確保される。それゆえに、基板Ｓと検知部との接触を確保するための部材が別途備えられる装置に比べて、光照射装置を構成する部材の部材の点数が多くなることも抑えられる。
【００６４】
（６）基板Ｓの温度が監視温度Ｔｍａｘ以上である場合には、温度センサー４８ｓの測定結果にかかわらず、赤外線ランプ１７ｉ，１７ｍ，１７ｏの出力が下げられる。それゆえに、温度センサー４８ｓの測定結果にかかわらず、基板Ｓの温度が監視温度Ｔｍａｘ以上になることが抑えられる。
【００６５】
（７）基板Ｓの温度が監視温度Ｔｍａｘ以上である場合には、温度センサー４８ｓの測定結果にかかわらず、赤外線ランプ１７ｉ，１７ｍ，１７ｏの出力が停止される。それゆえに、基板Ｓの温度が監視温度Ｔｍａｘ以上になることが、より抑えられる。
［第３実施形態］
【００６６】
本開示における光照射装置の第３実施形態について図７を参照して説明する。なお、３つの温度センサーが備えられる点にて、第３実施形態の光照射装置は第１実施形態と異なる。そこで、以下では、第１実施形態とは異なる点について特に説明し、第１実施形態と同様の構成については、同一の符号を付してその説明を省略する。
［光照射装置の構成］
【００６７】
図７に示されるように、赤外線源１７は、紫外線透過窓１２と平行な面上にて円環形状をなす３つの赤外線ランプ１７ｉ，１７ｍ，１７ｏによって構成されている。３つの赤外線ランプ１７ｉ，１７ｍ，１７ｏの各々は、赤外線を照射する部位が基板Ｓにおいて相互に異なる。すなわち、最も外側に配置される赤外線ランプ１７ｉは、中心軸Ｃに沿った方向から見て、基板Ｓにて外周部となる部位である外側照射部位Ｓｏを主に照射する。一方で、赤外線ランプ１７ｍは、中心軸Ｃに沿った方向から見て、基板Ｓにて中間部となる部位である中間照射部位Ｓｍを主に照射する。そして、最も内側に配置される赤外線ランプ１７ｏは、中心軸Ｃに沿った方向から見て、基板Ｓにて中間部の内側となる部位である内側照射部位Ｓｉを主に照射する。
【００６８】
基板ホルダー５８を構成する３つの支持脚５８ａ,５８ｂ,５８ｃは、赤外線を透過する石英等からなり、紫外線透過窓１２と平行な面上にて中心軸Ｃから放射状に延びている。３つの支持脚５８ａの各々にて紫外線透過窓１２に対向する側面には、紫外線透過窓１２に向けて延びる円柱形状をなす保持部材としての支持ピンＰａ,Ｐｂ,Ｐｃが連結されている。３つの支持ピンＰａ,Ｐｂ,Ｐｃの各々は、赤外線を透過する石英等からなる。３つの支持ピンＰａ,Ｐｂ,Ｐｃの各々の基端部は、それに対応する支持脚５８ａ,５８ｂ,５８ｃに連結され、３つの支持ピンＰａ,Ｐｂ,Ｐｃの各々の先端部は、紫外線透過窓１２と平行な仮想平面上に配置されている。
【００６９】
３つの支持ピンＰａ,Ｐｂ,Ｐｃの各々は、基板Ｓと接する部位が第２の側面Ｓｂにおいて相互に異なる。すなわち、支持脚５８ａに連結される支持ピンＰａは、第２の側面Ｓｂにおける外側照射部位Ｓｏと対向する位置に配置されて、外側照射部位Ｓｏと接する。一方で、支持脚５８ｂに連結される支持ピンＰｂは、第２の側面Ｓｂにおける中間照射部位Ｓｍと対向する位置に配置されて、中間照射部位Ｓｍと接する。そして、支持脚５８ｃに連結される支持ピンＰａは、第２の側面Ｓｂにおける内側照射部位Ｓｉと対向する位置に配置されて、内側照射部位Ｓｉと接する。
【００７０】
３つの支持ピンＰａ,Ｐｂ,Ｐｃの各々の先端部は、第１の測定部としての温度センサーＫａ、第２の測定部としての温度センサーＫｂ,Ｋｃによって構成されている。温度センサーＫａ,Ｋｂ,Ｋｃの各々は、それが当接する第２の側面Ｓｂの温度を測定し、その測定結果を出力する。温度センサーＫａ,Ｋｂ,Ｋｃには、第１実施形態の温度センサー１８ｓと同様に、例えば、第２の側面Ｓｂの有する熱を電気エネルギーに変換する熱電変換素子や第２の側面Ｓｂの放出する光を電気エネルギーに変換する光電変換素子が用いられる。
【００７１】
光照射装置を構成する信号処理部２２は、３つの温度センサーＫａ,Ｋｂ,Ｋｃの各々の出力信号を制御装置２０で処理可能な信号に変換し、変換された各信号を制御装置２０に出力する。制御部２０Ｂは、記憶部２０Ｃに格納される温度出力変換データに対し、３つの温度センサーＫａ,Ｋｂ,Ｋｃの各々の測定値と基板Ｓの目標温度Ｔｐとを適用して赤外線ランプ１７ｉ，１７ｍ，１７ｏの各々の出力値を算出する。
【００７２】
赤外線源駆動部３４は、制御装置２０の出力する制御信号を入力し、赤外線源１７を駆動するための駆動信号を制御信号に応じて生成する。赤外線源駆動部３４は、赤外線を照射するための制御信号を制御装置２０から入力し、赤外線ランプ１７ｉ，１７ｍ，１７ｏの各々の出力を所望の出力するための駆動信号を生成して赤外線ランプ１７ｉ，１７ｍ，１７ｏに出力する。
［光照射装置の作用］
【００７３】
光照射装置にて光照射の処理が開始されると、制御装置２０は、光照射の手順が記述されたプログラムと光照射に必要とされる各種条件に関するデータとを読み出す。次いで、制御装置２０は、３つの温度センサーＫａ,Ｋｂ,Ｋｃの各々の測定値と基板Ｓの目標温度Ｔｐとに基づいて、各測定値を目標温度Ｔｐに上昇させるための出力値を算出する。続いて、赤外線源駆動部３４は、制御装置２０から入力される制御信号に応じた駆動信号を赤外線ランプ１７ｉ，１７ｍ，１７ｏの各々に出力する。
【００７４】
ここで、赤外線ランプ１７ｉ，１７ｍ，１７ｏの各々から供給される熱量の差異に比べて、基板Ｓにおける熱の伝達が十分に早い場合には、３つの温度センサーＫａ,Ｋｂ,Ｋｃの各々の測定値は相互に一致する。一方で、赤外線ランプ１７ｉ，１７ｍ，１７ｏの各々から供給される熱量の差異に比べて、基板Ｓにおける熱の伝達が十分に早くない場合には、３つの温度センサーＫａ,Ｋｂ,Ｋｃの各々の測定値は相互に異なる。すなわち、基板Ｓの面内において温度の分布が形成される。
【００７５】
この点で、第２実施形態の光照射装置では、温度センサーＫａの測定値と基板Ｓの目標温度Ｔｐとに基づいて、外側照射部位の温度を目標温度Ｔｐに上昇させるための出力値が赤外線ランプ１７ｏの出力値として算出される。同様に、温度センサーＫｂの測定値と基板Ｓの目標温度Ｔｐとに基づいて、中間照射部位の温度を目標温度Ｔｐに上昇させるための出力値が赤外線ランプ１７ｍの出力値として算出される。また、温度センサーＫｃの測定値と基板Ｓの目標温度Ｔｐとに基づいて、外側照射部位の温度を目標温度Ｔｐに上昇させるための出力値が赤外線ランプ１７ｏの出力値として算出される。
【００７６】
それゆえに、３つの照射部位の各々に対する照射は、その照射部位を測定部位とする温度センサーの測定結果に基づいて制御される。結果として、測定部位が１つである場合に比べて、基板Ｓの全体の温度が赤外線ランプ１７ｉ,１７ｍ,１７ｏの出力に追従しやすくなる。そして、基板Ｓの面内における温度の分布を所望の分布に合わせることが容易にもなる。
上記説明の通り、第３実施形態の光照射装置によれば以下の効果が得られる。
【００７７】
（８）基板Ｓの面内における各照射部位と、基板Ｓの面内における各測定部位とが対応付けられ、且つ、各測定部位の測定結果に基づいて、その測定部位に対応する照射部位への照射が制御される。それゆえに、基板Ｓの面内における温度の分布を所望の分布に合わせることが容易となる。
（９）基板Ｓの面内における温度の測定部位が１つである場合に比べて、基板Ｓの全体における温度の分布は、赤外線ランプ１７ｉ,１７ｍ,１７ｏの出力によって所望の分布に追従しやすくなる。
上述の各実施形態は、以下の形態に変更されてもよい。
・温度センサーは、基板Ｓを保持する保持部材において、第２の側面Ｓｂと接する部分であればよい。
【００７８】
例えば、図８に示されるように、温度センサー１８ｓは、支持ピン１８ｐの先端部自体であって先端に向けて細くなる形状をなす部分であってもよいし、図９に示されるように、温度センサー１８ｓは、支持ピン１８ｐの先端部の一部であって支持ピン１８ｐの本体に埋め込まれる構成であってもよい。
【００７９】
また、図１０に示されるように、支持ピン１８ｐが、基端部１８ｐ１と、基端部１８ｐ１とは別体である先端部１８ｐ２とによって構成されて、温度センサー１８ｓが、この先端部１８ｐ２に埋め込まれる構成であってもよい。この構成であれば、基端部１８ｐ１の形成材料は、赤外線を透過する石英等である一方で、先端部１８ｐ２の形成材料は、温度センサー１８ｓの取り付けに適した材料として選択される。
【００８０】
・第１実施形態において、温度センサー１８ｓは、３つの支持脚１８ａの各々に備えられてもよい。また、第２実施形態において、温度センサー４８ｓは、２つの支持脚４８ａ,４８ｂの各々に備えられてもよい。
【００８１】
この際に、赤外線ランプ１７ｉ,１７ｍ,１７ｏの出力の制御は、単一の温度センサーの測定値に基づいて制御されて、単一の温度センサーは、２以上の温度センサーの中から適宜選択されてもよい。あるいは、２以上の温度センサーの測定値の平均値に基づいて、赤外線ランプ１７ｉ,１７ｍ,１７ｏの出力が制御されてもよい。
【００８２】
・第２実施形態における制御装置２０では、基板の温度が監視温度以上であることが検知された場合に、赤外線ランプ１７ｉ,１７ｍ,１７ｏの出力が所定の出力値に下げられる構成であってもよい。要するに、測定部の測定結果に基づく出力の制御が停止されて、赤外線照射部の出力が下げられる構成であればよい。
【００８３】
・第２実施形態における制御装置２０では、基板の温度が監視温度以上であることが検知された場合に、その検知結果が光照射装置の外部に報知される構成であってもよい。要するに、検知センサーの検知結果の利用の態様は任意であって、基板の温度が監視温度以上であるか否かを検知する検知部が備えられる構成であればよい。
・第３実施形態の光照射装置は、第２実施形態に記載の検知部を搭載してもよい。
【００８４】
・支持脚の数は、任意に選択されるものである。また、温度センサーの数は、支持脚の数に合わせて選択されるものであって、また、１つの支持脚に備えられる温度センサーの数は、任意に選択されるものである。
【００８５】
・光照射装置では、基板を保持する保持部材が基板と接する部分に測定部が備えられていればよいし、例えば、支持ピンが割愛されると共に、支持脚自体に基板が保持されて、支持脚自体に温度センサーが備えられてもよい。
【００８６】
・赤外線照射部は、赤外線を照射する機能を有していればよい。赤外線照射部は、例えば、１つの赤外線ランプから構成されてもよいし、１以上の赤外線レーザから構成されてもよい。同様に、紫外線照射部は、紫外線を照射する機能を有していればよい。紫外線照射部は、例えば、１つの紫外線ランプから構成されてもよいし、１以上の紫外線レーザから構成されてもよい。
【符号の説明】
【００８７】
Ｃ…中心軸、Ｓ…基板、Ｋａ,Ｋｂ,Ｋｃ…温度センサー、Ｐａ,Ｐｂ,Ｐｃ…支持ピン、Ｓｂ…第２の側面、Ｓｉ…内側照射部位、Ｓｍ…中間照射部位、Ｓｏ…外側照射部位、Ｓｔ…第１の側面、Ｔｐ…目標温度、Ｔｍａｘ…監視温度、１１…チャンバ、１１ａ…紫外線照射チャンバ、１１ｂ…赤外線照射チャンバ、１２…紫外線透過窓、１３…紫外線源、１４…ガス供給部、１５…排気部、１５ｓ…圧力センサー、１７…赤外線源、１７ｉ,１７ｍ,１７ｏ…赤外線ランプ、１８,４８,５８…基板ホルダー、１８ａ,４８ａ,４８ｂ,４８ｃ,５８ａ,５８ｂ,５８ｃ…支持脚、１８ｐ…支持ピン、１８ｓ,４８ｓ…温度センサー、２０…制御装置、４８ｅｍ…検知センサー。
【図１】
2014033148.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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