(57)【要約】【課題】生産性にも優れ、信頼性を向上させた有機ＥＬ素子を提供することを目的としている。【解決手段】基板１０上に第一の電極１１、ＩＴＯ層１２、発光層を含む有機化合物層１３、第二の電極１４、密着層１８、封止層１５が形成されており、前記発光層からの発光がバンク１６で区切られているトップエミッション型の有機ＥＬ素子１であって、前記第二の電極１４が、前記第一の電極１１、前記ＩＴＯ層１２、前記有機化合物層１３及び前記バンク１６を覆っており、前記封止層１５が前記第二の電極１４を覆っており、前記密着層１８が前記第二の電極１４の外側で、かつ前記封止層１５との接合面上に非連続的に形成されていることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第一の電極、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）層、発光層を含む有機化合物層、第二の電極、密着層、封止層が形成され、前記発光層からの発光がバンクで区切られているトップエミッション型の有機ＥＬ素子であって、
前記第二の電極が、前記第一の電極、前記ＩＴＯ層、前記有機化合物層及び前記バンクを覆っており、
前記封止層が前記第二の電極を覆っており、
前記密着層が前記第二の電極の外側で、かつ前記封止層との接合面上に非連続的に形成されていることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項２】
前記密着層の材料が前記第二の電極の材料と同じであることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項３】
前記密着層及び前記第二の電極が、少なくとも金属薄膜からなることを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項４】
前記金属薄膜が、少なくともマグネシウム合金からなることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項５】
前記マグネシウム合金が、少なくとも銀を含むことを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項６】
請求項１及至５のいずれかに記載の有機ＥＬ素子をライン状に配置することを特徴とするプリンターヘッド。
【請求項７】
請求項６に記載のプリンターヘッドを備えることを特徴とする露光装置。
【請求項８】
請求項７に記載の露光装置を備えることを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トップエミッション型の有機ＥＬ素子、プリンターヘッド、露光装置及び画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機ＥＬ表示装置などの電気光学装置は、基板上に陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極等が積層された素子構造のものが知られている。
【０００３】
このような有機ＥＬ素子は、有機材料からなる正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が大気中の酸素や水分の侵入による変質により、発光素子として寿命が短くなるといった問題があった。
【０００４】
さらに、有機ＥＬ材料だけでなく、発光領域を隔離するバンク材料などの有機材料も、外部環境や通電時の発熱による高温環境下での体積膨張が大きく、発生した応力が電極などの無機材料との界面に発生して剥離することで水分などが侵入し、結果として発光素子の耐久性が低下してしまうといった問題があった。
【０００５】
そのため、外部環境から酸素や水分の浸透を防止するため、通常、ガラス板や金属板で覆い、樹脂等のシール材で貼り合せる封止構造が提案されている（特許文献１）。
【０００６】
しかしながら、シール材も酸素や水分の透過が多く、素子に到達しないように高速で吸湿するゲッター材などを用いて空間を設けて設置する必要が生じてしまう。また、このようなガラスキャップを用いた有機ＥＬ素子は、製造コストが高騰する問題があり、さらに、表示素子が厚くなってしまう欠点がある。
【０００７】
このような問題に対処した有機ＥＬ素子として、封止層として無機膜を形成する方法が知られている（特許文献２）。特に窒化ケイ素はピンホールの非常に少ない膜を形成でき、酸素透過抑制、水分透過抑制に優れており、これらの透過をほぼ遮断できることが知られている。
【０００８】
しかしながら、窒化ケイ素膜自体の遮断能力が高いにも関わらず、有機ＥＬ素子の劣化が顕著に現れることがよくある。原因は窒化ケイ素膜と下地層との界面からの酸素、水分の進入によるものである。この窒化ケイ素膜と下地層との界面の密着性が不十分な場合、封止構造体として不完全なものになり、結果、有機ＥＬ素子の劣化を招いてしまう。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は上記従来技術を鑑みてなされたものであり、即ち、生産性にも優れ、信頼性を向上させた有機ＥＬ素子を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは鋭意検討した結果、第二の電極が第一の電極、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）層、有機化合物層、バンクを覆っており、封止層が第二の電極を覆っているトップエミッション型の有機ＥＬ素子において、密着層を第二の電極の外側で、かつ封止層との接合面上に非連続的に形成することにより、上記課題を解決できることを見出した。
【００１１】
すなわち本発明は、基板上に第一の電極、ＩＴＯ層、発光層を含む有機化合物層、第二の電極、密着層、封止層が形成され、前記発光層からの発光がバンクで区切られているトップエミッション型の有機ＥＬ素子であって、前記第二の電極が、前記第一の電極、前記ＩＴＯ層、前記有機化合物層及び前記バンクを覆っており、前記封止層が前記第二の電極を覆っており、前記密着層が前記第二の電極の外側で、かつ前記封止層との接合面上に非連続的に形成されていることを特徴とする有機ＥＬ素子である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、生産性にも優れ、信頼性を向上させた有機ＥＬ素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に係る有機ＥＬ素子の一実施形態に係る構成図である。
【図２】図１の構成図の平面図を示したものである。
【図３】本発明には含まれない有機ＥＬ素子の一実施形態に係る構成図である。
【図４】有機ＥＬ素子の一例の構成図である。
【図５】図４の構成図の平面図を示したものである。
【図６】本発明に係るプリンターヘッドの一実施形態における有機ＥＬ素子の配置の構成図である。
【図７】本発明に係る露光装置の一実施形態における構成図である。
【図８】本発明に係る画像形成装置の一実施形態における構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明について実施の形態を示して、説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において任意に変更して実施することができる。
【００１５】
本発明に係る有機ＥＬ素子は、基板１０上に第一の電極１１、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）層１２、発光層を含む有機化合物層１３、第二の電極１４、密着層１８、封止層１５が形成されており、前記発光層からの発光がバンク１６で区切られているトップエミッション型の有機ＥＬ素子１であって、前記第二の電極１４が、前記第一の電極１１、前記ＩＴＯ層１２、前記有機化合物層１３及び前記バンク１６を覆っており、前記封止層１５が前記第二の電極１４を覆っており、前記密着層１８が前記第二の電極の外側に非連続的に形成されていることを特徴とする。
【００１６】
以下、本発明を実施するための形態について説明する。
本発明で用いる有機ＥＬの素子構成は、図１に示すように、基板１０上に反射性を有し、パターニングされた第一の電極１１、第一の電極１１と同形状にパターニングされたＩＴＯ層１２、発光層を含む有機化合物層１３、半透明性を有する第二の電極１４の順に積層されている。ここで、発光領域はバンク１６により分割されており、第二の電極１４は、第一の電極１１、ＩＴＯ層１２、有機化合物層１３、バンク１６を覆っており、封止層１５は第二の電極１４を覆っている。さらに、密着層１８が第二の電極１４の外側で、かつ前記封止層１５との接合面上に非連続的に形成されている。
【００１７】
以下、各構成材料、形成プロセスについて説明する。
図１に示した有機ＥＬ素子の基板１０は、有機ＥＬ素子に一般的に使用されるものを使用することができ、特に制限されるものではないが、表面平滑性、防水性等に優れたガラス基板、シリコン基板およびプラスチック基板が好ましい。また、トップエミッション型の有機ＥＬ素子では、この基板１０の対向側から発光光を取り出す構成であるので、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。
【００１８】
本発明に用いられる第一の電極１１としては、導電性及び反射性を有するものであれば特に限定されるものではなく、公知の金属、合金、有機導電材料等を使用できる。例えば、Ａｇ、Ａｇ合金（ＡｇＮｄＣｕ、ＡｇＰｄＣｕ等）、Ａｌ等が挙げられる。中でもＡｌは反射率が高く、第一の電極１１として有用である。これらは単独で用いてもよく、あるいは２種以上用いてもよい。
【００１９】
第一の電極１１の厚さに制限はないが、比抵抗が低く、高反射が確保される膜厚が好ましい。膜厚としては２０ｎｍ〜５００ｎｍが好ましく、５０ｎｍ〜２００ｎｍが更に好ましい。
【００２０】
第一の電極１１は、公知のスパッタリング、蒸着などの真空成膜や、各種印刷法により成膜される。これらプロセスでは、シャドーマスクなどを用いてのパターニングが可能である。また、微細パターニングもフォトリソグラフィーにより可能である。
【００２１】
本発明に用いられるＩＴＯ層１２は、正孔注入層的な機能を担っている。よって導電性を確保するような膜厚は必ずしも必要なく、連続膜として形成できうる１０ｎｍ以上であれば良い。成膜方式は第一の電極１１と同様な方式が挙げられる。
また、後述する有機化合物層１３においても正孔注入層が用いられ得るが、有機化合物層１３の正孔注入層とは別に当該ＩＴＯ層１２を用いることが好ましい。ＩＴＯ層１２を用いることにより、安定的に正孔を注入することができ、有機ＥＬ素子における発光の信頼性が向上する。
【００２２】
本発明に用いられる有機化合物層１３は、具体的には正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層に分けられる。材料は特に限定されるものでなく、また機能を合わせ持つ場合には層を省略しても構わない。例えば、正孔注入層が正孔輸送の機能を有する場合は、正孔輸送層が省略される。
有機化合物層１３を構成する各層については、図１には図示していないが、ＩＴＯ層１２上に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の順に積層されているのが好ましい。
【００２３】
正孔注入層として、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）や、４，４，４−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＴＤＡＴＡ）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、及び酸化バナジウムなどが挙げられる。
正孔注入及び正孔輸送を有する材料としては、トリフェニルジアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ポリフィリル誘導体、スチルベン誘導体、及びポリ（ビニルカルバゾール）、ポリ（チオフェン）、その他導電性高分子等が挙げられる。また、代表的なものとして、ビス（Ｎ−（１−ナフチル−Ｎ−フェニル）ベンジジン）（α−ＮＰＤ）が挙げられる。正孔注入層又は正孔輸送層に用いられるものとしては、１種でもよく、あるいは２種以上でもよい。なお、後述する実施例で用いたα−ＮＰＤの構造を下記式に示す。
【００２４】
【化１】
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【００２５】
発光層には、公知の発光材料をいずれも好適に用いることができ、単体で機能する材料でも、ホスト材料と発光ドーパントや電荷輸送ドーパント、等との混合層として機能する材料でもよい。また、代表的なものの例として、アルミキノリノール錯体（Ａｌｑ３）が挙げられる。発光層に用いられるものとしては、１種でもよく、あるいは２種以上でもよい。なお、後述する実施例で用いたＡｌｑ３の構造を下記式に示す。
【００２６】
【化２】
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【００２７】
本発明によって得られる有機ＥＬ素子は、前記発光層からの発光がバンク１６で区切られている構造を有している。バンク１６は、公知の材料を用いることができ、公知の方法により作製される。例えば、ＤＬ−１０００（東レ製）を用いてフォトリソグラフィー法により作製することが挙げられる。
【００２８】
電子輸送層としては、公知の材料、例えばアルミキノリノール錯体（Ａｌｑ３）やフェナントロリン化合物等を用いることができる。電子輸送層に用いられるものとしては、１種でもよく、あるいは２種以上でもよい。
【００２９】
電子注入層としては、アルカリ土類金属、またはアルカリ土類金属化合物の極薄膜を用いることができる。例えば、ＬｉＦやＫＦ、ＭｇＯが好ましい。電子注入層に用いられるものとしては、１種でもよく、あるいは２種以上でもよい。
【００３０】
本発明に用いられる第二の電極１４としては、導電性及び半透明性を有するものであれば特に限定されるものではないが、有機化合物層１３上へ直接形成することから、真空蒸着法による金属薄膜が好適に用いられる。例えば、薄膜の金、白金、銀、アルミニウム、クロム、マグネシウム又はこれらの合金が挙げられる。中でも、マグネシウム合金が、電子注入層とのエネルギー準位適合性や安定性といった理由から、好ましく用いられる。
また、銀含有薄膜は良好な導電率と反射率を有しており、トップエミッション型の共振器構造体形成に有利である。従って、さらに好ましくは、前記マグネシウム合金が、少なくとも銀を含む場合である。
【００３１】
また、第二の電極１４は５ｎｍ〜２０ｎｍの膜厚であることが好ましい。５ｎｍ未満では共振器構造体として十分な反射率が得られず、２０ｎｍより大きくなると反射率が大きくなり、共振器構造体として不利となる。
【００３２】
密着層１８としては、金属薄膜を用いることができる。第二の電極１４の材料が密着層１８の材料と同じであることが好ましく、密着層１８は、第二の電極１４と同様に、真空蒸着法による金属薄膜が好適に用いられる。前述したように、例えば、薄膜の金、白金、銀、アルミニウム、クロム、マグネシウム又はこれらの合金が挙げられ、中でもマグネシウム合金が好ましく用いられる。さらに好ましくは、前記マグネシウム合金が、少なくとも銀を含む場合である。
生産性を考慮すると、密着層１８は第二の電極１４と同レイヤー、同材料、同膜厚が好ましい。
【００３３】
封止層１５としては、例えば無機化合物からなるもので、特にケイ素化合物、すなわちケイ素窒化物やケイ素酸化物等が好ましい。ケイ素化合物以外でも、例えばアルミナや酸化タンタルなどから形成されてもよい。
【００３４】
封止層１５として、異なるケイ素化合物からなる層での積層構造としてもよい。あるいはケイ素化合物層とアルミナ層との積層構造としてもよい。またはケイ素化合物層と有機層との積層構造でもよい。ケイ素化合物層の応力が大きい場合に、特にこれら積層構造体での応力緩和効果が大きくなる。
【００３５】
さらに、上記以外にも、組成比の異なるケイ素窒化物の積層構造としてもよい。あるいは、積層構造とすることなく、その組成を不均一にしてその濃度が連続的に、あるいは非連続的に変化するような構造としてもよい。
【００３６】
また、封止層１５の厚さとしては、５０ｎｍ〜２０００ｎｍであるのが好ましい。５０ｎｍ未満であると、膜バリア性が充分確保できなく、２０００ｎｍより大きいと応力による膜割れが生じるおそれがある。
【００３７】
次に、図１の平面図についての概略図を図２に示す。
第二の電極１４は、第一の電極１１、ＩＴＯ層１２、有機化合物層１３、バンク１６が形成されている領域を覆うように形成される。このようにすることで、次に形成される封止層１５と第二の電極１４上との間で界面を形成し、封止層１５との密着性を格段に向上させ、界面からの酸素、水分の浸入を抑制することができる。
【００３８】
また、第二の電極１４が形成されている領域の外側で、かつ基板１０と封止層１５との接合面上に、密着層１８を形成し、第二の電極１４と封止層１５との界面の密着性をさらに向上させることができる。密着層１８を設けることにより、封止層１５との相互作用力が強まるといった理由から、前記界面の密着性が向上する。この場合、非連続な形状とすることにより、第二の電極１４と電気的につながらず、第一の電極１１とのショート抑制を得ることができる。
【００３９】
また、密着層１８が第二の電極１４の外側に非連続的に形成されることにより、密着層１８と第二の電極１４が導通していない構成となるのが好ましい。
図１では、第二の電極１４の外側に密着層１８が形成されている。密着層１８は、第二の電極１４の外側で、かつ封止層１５との接合面上であればよく、基板１０上に直接形成されていても良いし、基板１０上に直接形成されていなくともよい。また、密着層１８は、第二の電極１４に接していないが、このような構成とすることにより、第二の電極１４と電気的に分離されており、通電による発熱等の影響での密着性低下を回避出来る。
図２では、本発明の有機ＥＬ素子の一例を平面的に図示した図であり、第二の電極１４の外側に密着層１８が形成されている。密着層１８は第二の電極１４の外側を囲むように形成されているが、配線付近で途切れた構成となり、連続的な構造とならないのが好ましい。このような構成とすることで、上述したように、密着層本来の働きである界面の密着性の向上に加え、第一の電極１１と第二の電極１４がショートするのを抑制することができる。
【００４０】
本発明の有機ＥＬ素子における封止層１５は、第二の電極１４を覆う構成を有している。前述したように、第二の電極１４は、封止層１５との密着性の点から、第一の電極１１等を覆う構成をとっている。従って、封止層１５で第二の電極１４を覆うことにより、封止層１５と第二の電極１４の密着性がさらに向上し、水分や酸素の侵入を防ぐことができる。
【００４１】
次に、本発明のプリンターヘッドの構成例について説明する。図６に本発明における有機ＥＬパネル４０が示され、また図７に本発明の露光装置が示されている。図６に示されるように、有機ＥＬパネル４０は素子基板４１に本発明の有機ＥＬ素子１がライン状に配置されてなり、この有機ＥＬパネル４０が本発明のプリンターヘッドとなる。有機ＥＬパネル４０においては、配置する有機ＥＬ素子の数は目的によって変更することができ、図６に示されるような１ラインではなく、２ライン以上にもすることができる。その場合、主露光光源と副露光光源とに分けることもでき、主露光光源が劣化し光量が低下したときに、副露光光源が光量を補うことができ有効である。
【００４２】
また、有機ＥＬパネル４０は有機ＥＬ素子１を駆動させる駆動素子４２を備え、駆動素子４２を制御する制御回路４３を備えている。したがって、制御回路４３により駆動素子４２が制御され、駆動素子４２により有機ＥＬ素子１への通電が制御される。
駆動素子４２としては、特に制限はなく、薄膜トランジスタや薄膜ダイオード等のスイッチング素子を用いることができる。
また、本発明における有機ＥＬ素子１は、トップエミッション型であるため、素子基板４１は特に制限はなく、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。
【００４３】
図７では１つの有機ＥＬパネル４０がプリンターヘッドとなっている場合の模式図が示されているが、有機ＥＬパネル４０は１つでもよいし、複数でも構わない。また本発明の有機ＥＬ素子は信頼性の向上が期待されるため、本発明のプリンターヘッドにおいても、信頼性の向上を図り、安定した光源を提供することができる。
【００４４】
次に、本発明の露光装置５０の構成例について図７を用いて説明する。
本発明の露光装置５０は、図６に示される有機ＥＬパネル４０がプリンターヘッドとなった光源を備えており、プリンターヘッドから出射してきた光を結像させる光学結像系５３を備えている。光学結像系５３としては、特に制限はなく、公知のものを用いることができ、例えば、公知のレンズ素子を用いることができる。また、本発明の露光装置５０においては、プリンターヘッドの数に制限はなく、１つを単独で用いてもよいし、２つ以上を用いても構わない。
【００４５】
プリンターヘッドから出射してきた光は、光学結像系５３によって結像され、例えば、画像形成装置の感光体７０に照射される。露光装置５０は、形成する画像に対応する発光パターンで画素（ドット）ごとに有機ＥＬ素子を発光させ、感光体７０を露光する。これにより帯電された感光体７０上に形成する画像に対応した帯電パターンが形成され、トナーを供給することで感光体７０上にトナー画像が形成され、転写紙へ転写、定着される。本発明の有機ＥＬ素子１は信頼性の向上が期待されるため、露光装置５０においても、信頼性の向上を図り、安定して感光体等を露光させることができる。
【００４６】
次に、本発明の画像形成装置６０の構成例について図８を用いて説明する。図８の模式図は、感光体７０が並設されているフルカラー画像形成装置の一例を示す。即ち、４つの異なる色（ブラック、イエロー、マゼンタ、シアン）のトナー像を形成するための４つの感光体７１Ｋ、７１Ｙ、７１Ｍ、７１Ｃを備えた４ドラム型のデジタルカラープリンタの一構成例が示されている。
【００４７】
画像形成装置６０は、黒（Ｋ）用、イエロー（Ｙ）用、マゼンタ（Ｍ）用、シアン（Ｃ）用の各像坦持体である感光体７０Ｋ、７０Ｙ、７０Ｍ、７０Ｃを備えている。この各色用の各感光体としては、通常ＯＰＣ感光体が用いられる。各感光体７０Ｋ、７０Ｙ、７０Ｍ、７０Ｃの周囲には、帯電装置６１、本発明の露光装置５０、黒、マゼンタ、イエロー、シアンの各色用の現像装置６３（６３Ｋ、６３Ｙ、６３Ｍ、６３Ｃ）、１次転写手段としての１次転写バイアスローラ７１Ｋ、７１Ｙ、７１Ｍ、７１Ｃ、クリーニング装置（表示略）、及び除電装置６４等が配設されている。
【００４８】
感光体７０、帯電装置６１、露光装置５０、現像装置６３及び除電装置６４は、画像形成ユニット７４Ｋ、７４Ｙ、７４Ｍ、７４Ｃに収容されてユニット化されており、着脱可能であるため、交換が可能である。この場合、感光体７０、帯電装置６１、露光装置５０、現像装置６３及び除電装置６４の全てがユニット化される必要は無く、目的に応じて変更することができる。
【００４９】
ベルト構成部である中間転写ベルト７２は、駆動ローラ６５によって駆動されており、各感光体７０Ｋ、７０Ｙ、７０Ｍ、７０Ｃと、各１次転写バイアスローラ７１Ｋ、７１Ｙ、７１Ｍ、７１Ｃとの間に介在し、各感光体上に形成された各色のトナー像が順次重ね合わせて転写される。
【００５０】
一方、転写紙Ｐは、給紙部６９から給紙された後、レジストローラ７３を介して、ベルト構成部である転写搬送ベルト６６に担持される。そして、中間転写ベルト７２と転写搬送ベルト６６とが接触するところで、上記中間転写ベルト７２上に転写されたトナー像が、２次転写手段としての２次転写バイアスローラ６７により２次転写（一括転写）される。これにより、転写紙Ｐ上にカラー画像が形成される。このカラー画像が形成された転写紙Ｐは、転写搬送ベルト６６により定着装置６８に搬送され、この定着装置６８により転写された画像が定着された後、プリンタ本体外に排出される。
【実施例】
【００５１】
以下、実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、これらの実施例によって限定されるものではない。
【００５２】
（実施例１）
超音波洗浄、及びＵＶオゾン処理を施したＳｉからなる基板１０上に、スパッタ法により、シャドーマスクを介してＡｇを１５０ｎｍ成膜し、第一の電極１１を形成した。次に、スパッタ法により、シャドーマスクを介してＩＴＯを１５ｎｍ成膜し、ＩＴＯ層１２を形成した。次に、フォトリソグラフィーにより、１ｍｍ□が開口するようにバンク１６を形成した（バンク材料：ＤＬ−１０００（東レ製））。さらに、ＵＶオゾン処理を施し、ＩＴＯ表面を洗浄し、グローブボックスへ搬送し、１２０℃で５分間アニールした。
【００５３】
次に、真空蒸着法により、シャドーマスクを介してα−ＮＰＤを５０ｎｍ（２Å／ｓ）、Ａｌｑ３を５０ｎｍ（２Å／ｓ）、ＬｉＦを０．５ｎｍ（０．０５Å／ｓ）を順次成膜し、有機化合物層１３を形成した（背圧：３×１０−５Ｐａ）。
【００５４】
次に、真空蒸着法により、シャドーマスクを介してＭｇＡｇ（２０：１）１５ｎｍ（４Å／ｓ：０．２Å／ｓ）を、第一の電極１１（Ａｇ層）、ＩＴＯ層１２、有機化合物層１３、バンク１６を完全に覆うように成膜し、第二の電極１４を形成した（背圧：３×１０−５Ｐａ）。
【００５５】
第二の電極１４の形成と同時に、シャドーマスクを介し、密着層１８としてＭｇＡｇ１５ｎｍを、第二の電極１４の外側に、第二の電極１４とは導通しないように形成した。
【００５６】
次に、ＣＶＤ法により、シャドーマスクを介してＳｉＮ２０００ｎｍを、第二の電極１４（ＭｇＡｇ）及び密着層１８を覆うように成膜し（３０Å／ｓ）、封止層１５を形成した。
【００５７】
得られた有機ＥＬ素子は、図１、図２に示すような第二の電極１４が第一の電極１１等を覆っており、封止層１５が第二の電極１４を覆っており、さらに密着層１８が第二の電極１４の外側で、かつ封止層１５との接合面上に非連続的に形成されている構成であった。
【００５８】
電流１００ｍＡ／ｃｍ２を印加し、１０００時間連続点灯後の輝度特性を計測したところ、初期に比べて１８％の輝度低下であり、ＳｉＮを用いた封止層１５によるバリア性が大きく向上した。
【００５９】
（実施例２）
超音波洗浄、及びＵＶオゾン処理を施したＳｉからなる基板上に、スパッタ法により、シャドーマスクを介してＡｇを１５０ｎｍ成膜し、第一の電極１１を形成した。次に、スパッタ法により、シャドーマスクを介してＩＴＯを１５ｎｍ成膜し、ＩＴＯ層１２を形成した。次に、フォトリソグラフィーにより、約２１μｍ径のドットがライン状に１０２４個開口配置されるようにしたバンク１６を形成した（バンク材料：ＤＬ−１０００（東レ製））。さらに、ＵＶオゾン処理を施し、ＩＴＯ表面を洗浄し、グローブボックスへ搬送し、１２０℃で５分間アニールした。
【００６０】
次に、真空蒸着法により、シャドーマスクを介してα−ＮＰＤを５０ｎｍ（２Å／ｓ）、Ａｌｑ３を５０ｎｍ（２Å／ｓ）、ＬｉＦを０．５ｎｍ（０．０５Å／ｓ）を順次成膜し、有機化合物層１３を形成した（背圧：３×１０−５Ｐａ）。
【００６１】
次に、真空蒸着法により、シャドーマスクを介してＭｇＡｇ（２０：１）１５ｎｍ（４Å／ｓ：０．２Å／ｓ）を、第一の電極１１（Ａｇ層）、ＩＴＯ層１２、有機化合物層１３、バンク１６を完全に覆うように成膜し、第二の電極１４を形成した（背圧：３×１０−５Ｐａ）。
【００６２】
第二の電極１４の形成と同時に、シャドーマスクを介し、密着層１８としてＭｇＡｇ１５ｎｍを、第二の電極１４の外側に、第二の電極１４とは導通しないように形成した。
【００６３】
次に、ＣＶＤ法により、シャドーマスクを介してＳｉＮ２０００ｎｍを、第二の電極１４（ＭｇＡｇ）及び密着層１８を覆うように成膜し（３０Å／ｓ）、封止層１５を形成し、有機ＥＬ素子１を作製した。
【００６４】
次に、透明基板に作製した有機ＥＬ素子１を１列に並べ、駆動素子４２及び制御回路４３を形成し、有機ＥＬパネル４０を作製した。プリンターヘッドのヘッドケースに作製した有機ＥＬパネル４０及び有機ＥＬパネル４０からの光を結像させるレンズ素子（光学結像系５３）を取り付け、図７に示すような露光装置５０を作製した。露光装置５０に電流印加後、レンズから集光された光を観察したところ、ライン状に配置されたドットの発光が確認された。
【００６５】
（比較例１）
超音波洗浄、及びＵＶオゾン処理を施したＳｉからなる基板１０上に、スパッタ法により、シャドーマスクを介してＡｇを１５０ｎｍ成膜し、第一の電極１１を形成した。次に、スパッタ法により、シャドーマスクを介してＩＴＯを１５ｎｍ成膜し、ＩＴＯ層１２を形成した。次に、フォトリソグラフィーにより、１ｍｍ□が開口するようにバンク１６を形成した（バンク材料：ＤＬ−１０００（東レ製）を使用）。さらに、ＵＶオゾン処理を施し、ＩＴＯ表面を洗浄し、グローブボックスへ搬送し、１２０℃で５分間アニールした。
【００６６】
次に、真空蒸着法により、シャドーマスクを介してα−ＮＰＤを５０ｎｍ（２Å／ｓ）、Ａｌｑ３を５０ｎｍ（２Å／ｓ）、ＬｉＦを０．５ｎｍ（０．０５Å／ｓ）を順次成膜し、有機化合物層１３を形成した（背圧：３×１０−５Ｐａ）。
【００６７】
次に、真空蒸着法により、シャドーマスクを介してＭｇＡｇ（２０：１）１５ｎｍ（４Å／ｓ：０．２Å／ｓ）を成膜し、第二の電極１４を形成した（背圧：３×１０−５Ｐａ）。
【００６８】
次に、ＣＶＤ法により、シャドーマスクを介してＳｉＮを２０００ｎｍ成膜し（３０Å／ｓ）、封止層１５を形成した。
【００６９】
得られた有機ＥＬ素子は、図３に示すような第二の電極１４が第一の電極１１等を覆っていない構成であった。
【００７０】
電流１００ｍＡ／ｃｍ２を印加し、１０００時間連続点灯後の輝度特性を計測したところ、初期に比べて５２％の輝度低下であった。
【００７１】
（参考例１）
超音波洗浄、及びＵＶオゾン処理を施したＳｉからなる基板１０上に、スパッタ法により、シャドーマスクを介してＡｇを１５０ｎｍ成膜し、第一の電極１１を形成した。次に、スパッタ法により、シャドーマスクを介してＩＴＯを１５ｎｍ成膜し、ＩＴＯ層１２を形成した。次に、フォトリソグラフィーにより、１ｍｍ□が開口するようにバンク１６を形成した（バンク材料：ＤＬ−１０００（東レ製））。さらに、ＵＶオゾン処理を施し、ＩＴＯ表面を洗浄し、グローブボックスへ搬送し、１２０℃で５分間アニールした。
【００７２】
次に、真空蒸着法により、シャドーマスクを介してα−ＮＰＤを５０ｎｍ（２Å／ｓ）、Ａｌｑ３を５０ｎｍ（２Å／ｓ）、ＬｉＦを０．５ｎｍ（０．０５Å／ｓ）を順次成膜し、有機化合物層１３を形成した（背圧：３×１０−５Ｐａ）。
【００７３】
次に、真空蒸着法により、シャドーマスクを介してＭｇＡｇ（２０：１）１５ｎｍ（４Å／ｓ：０．２Å／ｓ）を、第一の電極１１（Ａｇ層）、ＩＴＯ層１２、有機化合物層１３、バンク１６を完全に覆うように成膜し、第二の電極１４を形成した（背圧：３×１０−５Ｐａ）。
【００７４】
次に、ＣＶＤ法により、シャドーマスクを介してＳｉＮ２０００ｎｍを、第二の電極１４（ＭｇＡｇ）を覆うように成膜し（３０Å／ｓ）、封止層１５を形成した。
【００７５】
得られた有機ＥＬ素子は、図４、図５に示すような第二の電極１４が第一の電極１１等を覆っており、封止層１５が第二の電極１４を覆っている構成であった。
【００７６】
電流１００ｍＡ／ｃｍ２を印加し、１０００時間連続点灯後の輝度特性を計測したところ、初期に比べて２４％の輝度低下であった。
【符号の説明】
【００７７】
１    有機ＥＬ素子
１０  基板
１１  第一の電極
１２  ＩＴＯ層
１３  有機化合物層
１４  第二の電極
１５  封止層
１６  バンク
１７  発光領域
１８  密着層
４０  有機ＥＬパネル
４１  素子基板
４２  駆動素子
４３  制御回路
５０  露光装置
５３  光学結像系
６０  画像形成装置
６１  帯電装置
６３、６３Ｋ、６３Ｙ、６３Ｍ、６３Ｃ  現像装置
６４  除電装置
６５  駆動ローラ
６６  転写搬送ベルト
６７  ２次転写バイアスローラ
６８  定着装置
６９  給紙部
７０、７０Ｋ、７０Ｙ、７０Ｍ、７０Ｃ  感光体
７１、７１Ｋ、７１Ｙ、７１Ｍ、７１Ｃ  １次転写バイアスローラ
７２  中間転写ベルト
７３  レジストローラ
７４、７４Ｋ、７４Ｙ、７４Ｍ、７４Ｃ  画像形成ユニット
Ｐ  転写紙
【先行技術文献】
【特許文献】
【００７８】
【特許文献１】特許第４５５２３９０号公報
【特許文献２】特開２０１２−１５１０６０号公報
【図６】
2014199794.tif 000005
【図７】
2014199794.tif 000006
【図８】
2014199794.tif 000007
【図１】
2014199794.tif 000008
【図２】
2014199794.tif 000009
【図３】
2014199794.tif 000010
【図４】
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【図５】
2014199794.tif 000012