(57)【要約】【課題】  電極の上に形成された発光層を酸素プラズマ処理にて所定のパターンに加工する際、電極の表面が酸化されてキャリア注入性が低下し、発光素子の駆動電圧が上昇する。【解決手段】  酸化された電極の表面に、電極表面を還元する工程または電極の表面層除去する工程を行って、電極表面の酸素の量を低減した後に有機化合物層を形成する。【選択図】  図１
2014002900.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも発光層を含む有機化合物層と、前記有機化合物層にキャリアを供給する電極とを備えた有機ＥＬ素子を複数有する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
複数の電極が設けられた基板の上に第１有機物化合物層を形成する工程と、
前記複数の電極のうち、一部の電極の上に形成された前記第１有機化合物層を、酸素プラズマを用いて選択的に除去する第１の工程と、
前記第１有機化合物層が除去された一部の電極の表面を、該表面の仕事関数のエネルギーが前記第１の工程直後のそれより低くなるように処理する第２の工程と、
前記第２の工程で処理された一部の電極上に前記第１有機化合物層とは異なる第２有機化合物層を形成する第３の工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２の工程は、前記電極表面を還元する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記電極表面を還元する工程は、還元ガスを用いたプラズマ処理であることを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記還元ガスは、水素ガスであることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２の工程は、前記電極表面を還元する工程の後にオゾン処理工程を含むことを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２の工程は、前記電極の表面層を除去する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記電極の表面層を除去する工程は、不活性ガスを用いたエッチング工程であることを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記不活性ガスはアルゴンガスであることを特徴とする請求項７に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２の工程は、前記電極の表面層を除去する工程の後にオゾン処理工程を含むことを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第２有機化合物層が形成された電極のうち、一部の電極の上に形成された前記第２有機化合物層を、酸素プラズマを用いて選択的に除去する第４の工程と、
前記第２有機化合物層が除去された一部の電極の表面を、該表面の仕事関数のエネルギーが前記第４の工程直後のそれより低くなるように処理する第５の工程と、
前記第５の工程で処理された一部の電極上に、前記第１有機化合物層および第２有機化合物層とは異なる第３有機化合物層を形成する第６の工程と、
をさらに有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１１】
第５の工程は、前記電極表面を還元する工程を含むことを特徴とする請求項１０に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記電極表面を還元する工程は、還元ガスを用いたプラズマ処理であることを特徴とする請求項１１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記還元ガスは、水素ガスであることを特徴とする請求項１２に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第５の工程は、前記電極表面を還元する工程の後にオゾン処理工程を含むことを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第５の工程は、前記電極の表面層を除去する工程を含むことを特徴とする請求項１０に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記電極の表面層を除去する工程は、不活性ガスを用いたエッチング工程であることを特徴とする請求項１５に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記不活性ガスはアルゴンガスであることを特徴とする請求項１６に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第５の工程は、前記電極の表面層を除去する工程の後にオゾン処理工程を含むことを特徴とする請求項１５乃至１７のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１９】
少なくとも発光層を含む有機化合物層と、前記有機化合物層にキャリアを供給する電極とを備えた有機ＥＬ素子を複数有する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
複数の電極が設けられた基板の上に第１有機物化合物層を形成する工程と、
前記複数の電極のうち、一部の電極の上に形成された前記第１有機化合物層を、酸素プラズマを用いて選択的に除去する第１の工程と、
前記第１有機化合物層が除去された一部の電極の表面を、アルゴンプラズマまたは水素プラズマにて処理する第２の工程と、
前記第２の工程で処理された一部の電極上に前記第１有機化合物層とは異なる第２有機化合物層を形成する第３の工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記電極が酸化物導電材料からなることを特徴とする請求項１乃至１９のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機ＥＬ表示装置の製造方法に関するものである。より具体的には、有機化合物層を基板の広い範囲に形成した後に、酸素プラズマエッチング処理にて所定のパターンに加工する工程を有する有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
次世代フラットパネルディスプレイとして、有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置が注目されている。多色表示を行う有機ＥＬ表示装置の場合、白色光を発する有機ＥＬ素子と赤、緑、青のカラーフィルタを組み合わせた構成や、赤、緑、青のいずれかを表示する３種類の有機ＥＬ素子を配置した構成などが採用される。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、一対の電極と、前記一対の電極の間に配置され少なくとも発光層を含む有機化合物層とを備えており、発光層は有機ＥＬ素子で表示させる色に適した材料で構成する。複数種類の有機ＥＬ素子を形成するためには、有機ＥＬ素子の種類（表示色）毎に発光層を選択的に形成する必要があるため、メタルマスクを用いた真空蒸着法により、発光層を所定の領域に選択的に形成する方法が広く用いられている。
【０００４】
ところが、近年は表示装置の高精細化が進み、より微小な面積に高い精度で膜を形成する技術が求められている。メタルマスクを用いた真空蒸着法は、メタルマスクの加工精度や蒸着時の輻射熱によるメタルマスクの歪み等の問題があり、表示装置の高精細化に対応するのは難しい状況である。
【０００５】
所定の領域に高い精度で発光層を選択的に形成する方法として、特許文献１や特許文献２には、フォトリソグラフィを用いて発光層を含む有機化合物層を所定のパターンに加工する方法が開示されている。具体的には、電極層が形成された基板面全体に形成した有機化合物層の上に、フォトリソグラフィを用いてフォトレジスト層（マスク層）を所定の領域に選択的に形成し、フォトレジスト層に覆われていない領域の有機化合物層を除去して、所定のパターンに加工する。有機化合物層を形成する工程とフォトリソグラフィを利用して所定のパターンに加工する工程とを複数回繰り返すことにより、複数種類の有機化合物層をそれぞれ所定の領域に選択的に形成することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−３６９７１号公報
【特許文献２】特開２００７−２８７５３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１および２には、マスク層に覆われていない領域の有機化合物層を除去する際、加工精度の高いドライエッチングを用いるのが好ましく、特に、酸素単体または酸素を含むガスを用いたドライエッチング（酸素プラズマエッチング処理）が好ましいことが記載されている。酸素プラズマエッチング処理は、有機系材料の酸化反応による分解除去が可能となるため、加工を短時間で行うことができるからである。加えて、電極として用いられるインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）等の酸化物導電膜をほとんどエッチングすることがないので好ましい。
【０００８】
ところが、有機化合物層を酸素プラズマエッチング処理にて除去した場合、電極の表面はほとんどエッチングされないものの、酸化されてキャリア注入性が低下し発光素子の駆動電圧が上昇するという課題が生じることが分かった。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は上記課題を解決するものであり、酸素プラズマ処理にて有機化合物層を所定のパターンに加工する工程（パターニング工程）を用いて、駆動電圧が低く高精細な有機ＥＬ表示装置を製造することを目的としている。
【００１０】
本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、
少なくとも発光層を含む有機化合物層と、前記有機化合物層にキャリアを供給する電極とを備えた有機ＥＬ素子を複数有する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
複数の電極が設けられた基板の上に第１有機物化合物層を形成する工程と、
前記複数の電極のうち、一部の電極の上に形成された前記第１有機化合物層を、酸素プラズマを用いて選択的に除去する第１の工程と、
前記第１有機化合物層が除去された一部の電極の表面を、該表面の仕事関数のエネルギーが前記第１の工程直後のそれより低くなるように処理する第２の工程と、
前記第２の工程で処理された一部の電極上に前記第１有機化合物層とは異なる第２の有機化合物層を形成する第３の工程と、
を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、第２の有機化合物層を形成する前に、酸素プラズマエッチング処理によって過度に酸化された電極表面の酸素濃度を調整して仕事関数を低エネルギー化し、キャリア注入性を高めている。その結果、駆動電圧の低い高精細な有機ＥＬ表示装置を製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す図。
【図２】本発明の第１および第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を示す図。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
有機ＥＬ素子の電極には、自身が接する有機化合物層への高いキャリア注入性が求められる。電極に接する有機化合物層の材料にもよるが、一般的には、陽極であれば、正孔注入性を向上させる為に５．０〜５．４ｅＶの仕事関数の仕事関数を有しているのが好ましい。
【００１４】
例えば、陽極の電極材料として広く用いられるインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）は、スパッタリング法など公知の成膜方法で形成されただけの状態（ａｓ−Ｄｅｐｏ状態）では仕事関数が４．７ｅＶ程度である。このままでは、正孔注入に適した仕事関数の範囲よりも低い。そこで、高精細なメタルマスクを用いて有機化合物層を形成する製造方法では、有機化合物層を形成する前に、オゾン処理や酸素プラズマ処理などの酸化処理を行って電極表面の酸素濃度を制御し、仕事関数を調整している。
【００１５】
ところで、本願発明や引用文献１や２の製造方法において、有機化合物層の除去に用いられる酸素プラズマエッチング処理は、有機化合物層のエッチングレートを高めて加工時間を短縮することに主眼を置いて条件が決められる。そのため、仕事関数の調整に用いられるオゾン処理や酸素プラズマ処理の条件に比べて工程中に高いエネルギーを持った酸素原子が電極表面に衝突することになり、電極表面が過度に酸化されてしまう。以下、酸素プラズマを用いて有機化合物層の除去する条件での処理を酸素プラズマエッチング処理、酸素プラズマを用いて電極表面の仕事関数を調整する条件での処理を酸素プラズマ処理と呼んで区別する。
【００１６】
過度に酸化されたＩＴＯ電極表面では、仕事関数が有機化合物層へのキャリア注入に適したエネルギー範囲より高くなり、キャリア注入性が低下する。そこで、本発明では、ＩＴＯ電極表面のキャリア注入性を好ましい範囲に調整するために、過度に酸化されたＩＴＯ電極表面の酸素濃度を制御して仕事関数を低エネルギー化する。
【００１７】
電極表面の仕事関数を、酸素プラズマエッチング処理にて有機化合物層を除去した直後の値よりも低エネルギー化する工程は、過度に酸化された電極表面の酸素濃度を低減するものであれば良い。具体的には、電極の表面層を除去する工程と電極表面を還元する工程の２つが挙げられる。
【００１８】
過度に酸化された電極の表面層を除去する工程は、電極を酸化させずに除去するのが好ましく、電極材料を酸化させない不活性ガス、例えばアルゴンや窒素などを用いたドライエッチング処理が好ましい。電極表面を還元する工程には、例えば水素などの電極材料を還元する還元ガスを用いたプラズマ処理を用いることができる。いずれの工程でも、電極表面の酸素濃度を調整して仕事関数を低エネルギー化することが可能となる。
【００１９】
電極の表面層を除去する工程あるいは電極表面を還元する工程のみで、仕事関数を調整するのが困難な場合は、オゾン処理または酸素プラズマ処理を組み合わせると良い。電極の表面層を除去する工程あるいは電極表面を還元する工程で一旦ａｓ−Ｄｅｐｏ状態に近い状態まで仕事関数を下げた後、オゾン処理または酸素プラズマ処理を行って仕事関数を有機化合物層へのキャリア注入に適した範囲まで高めることができる。
【００２０】
続いて、本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法を、図面を参照しながら詳細に説明する。ここでは、基板１の上に、互いに異なる発光層を含み互いに異なる色を表示する第１有機ＥＬ素子、第２有機ＥＬ素子、第３有機ＥＬ素子を備えた多色表示の有機ＥＬ表示装置を例にとって説明する。以下に説明する実施形態は、公知の技術を用いて適宜変更が可能であって、本発明はこれらに限定されるものではない。また、本明細書において、特に図示しない部材あるいは説明しない工程等には、当該技術分野の周知或いは公知の技術を適用することができる。
【００２１】
図１は、本発明の第１の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法の各工程を示す図である。図２は、図１の製造方法により製造される有機ＥＬ表示装置例を示している。基板１には表示領域１０と外部接続端子１１が設けられている。表示領域１０には、一対の電極と一対の電極に挟まれた第１有機化合物層３とを備える第１有機ＥＬ素子、第１有機ＥＬ素子と同様の構成の第２有機化合物層７を備える第２有機ＥＬ素子および第３有機化合物層８を備える第３有機ＥＬ素子の複数種類の有機ＥＬ素子が配置されている。外部接続端子１１は、不図示の配線によって、有機ＥＬ素子を駆動するための駆動回路（不図示）に電気的に接続されている。
【００２２】
［第１電極を形成する工程］
まず、基板１の上に、第１有機ＥＬ素子、第２有機ＥＬ素子、第３有機ＥＬ素子のそれぞれを構成する第１電極２ａ、２ｂ、２ｃを形成する（図１（ａ））。
【００２３】
基板１には、有機ＥＬ表示装置を安定に製造することができかつ駆動できるものであれば、特に形状や材質の制限なく用いることができる。有機ＥＬ表示装置の用途にもよるが、変形の小さいガラス基板やＳｉウェハが好適である。基板１には、必要に応じて有機ＥＬ表示装置を駆動するための駆動回路による凹凸を平坦化するための平坦化層や、電極間に設けて発光領域を区画する分離層などを設けてもよい。
【００２４】
第１電極２ａ、２ｂ、２ｃは、基板１の片面全体に、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法などの公知の方法にて導電層を形成した後、公知のフォトリソグラフィにて導電層をパターニングして形成する。パターニングによって第１電極２ａ、２ｂ、２ｃを互いに分離し、各有機ＥＬ素子が発光を独立して制御可能としている。
【００２５】
第１電極は、第１電極と接する有機化合物層に対する正孔注入性が高く、公知の方法でパターニング可能な導電性材料で構成する。例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩｎＺｎＯ）などの酸化物導電材料や、Ａｌ、Ｔｉなどの金属材料、これらの材料からなる層を積層した膜などを用いることができる。
【００２６】
［第１有機化合物層を形成する工程］
形成した第１電極２ａ、２ｂ、２ｃの表面の仕事関数は、ａｓ−Ｄｅｐｏ状態と同等の仕事関数であるため、従来技術と同様に、オゾン処理によって酸化して正孔注入に適した仕事関数の範囲に調整しておく。続いて、第１電極２ａ、２ｂ、２ｃが形成された基板１の上に、第１有機化合物層３を形成する（図１（ｂ））。第１有機化合物層３を構成する材料は、公知の低分子系材料或いは高分子系材料の中から選択し、選択した材料に応じて真空蒸着法や塗布法を適宜用いることができる。本発明の有機化合物層は、少なくとも発光層を含んでいる。つまり、本発明において、有機化合物層は、１層若しくは複数層の発光層から構成される場合、またはこのような発光層に加えて更に電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層などから成る他の層を１層以上含んだ複数の層の積層体から構成される場合を包含するものである。また、本発明において、互いに「異なる有機化合物層」とは、発光層の材料、組成、膜厚、発光層を形成する場合の成膜方法、成膜条件、発光層以外の他の層の材料、組成、膜厚、他の層を形成する場合の成膜方法、成膜条件等のうち、少なくとも一つが互いに異なる有機化合物層のことを言う。発光層には、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、縮合多環炭化水素化合物、複素環式芳香族化合物、複素環式縮合多環化合物、有機金属錯体化合物等及びこれらの単独オリゴ体あるいは複合オリゴ体などから選択して使用することができる。後述する第２有機化合物層、第３有機化合物層も、用いることのできる材料、成膜方法等は第１有機化合物層３と同様である。
【００２７】
［剥離層を形成する工程］
次に、第１電極２ａの上に形成された第１有機化合物層３の上に、剥離層４ａを所定のパターンに選択的に形成する。剥離層４ａは、それ自身が溶解することにより、剥離層４ａの上に形成された層を、第１有機化合物層３や後に形成される第２有機化合物層７が設けられた基板の上から剥離（リフトオフ）するために設ける層である。従って、剥離層４ａには、第１有機化合物層３および第２有機化合物層７の溶解度が低い溶解液（剥離液）に対する溶解度が高く、かつ、剥離層４ａの形成時に第１有機化合物層３にダメージを与えない材料を用いる。例えば、第１有機化合物層３に、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、縮合多環炭化水素化合物など、水にほとんど溶解しない材料を用いた場合、剥離層４ａを溶解する剥離液として水を好適に用いることができる。そして、剥離層４ａには、ＬｉＦ、ＮａＣｌなどの水溶性無機材料、或いは、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）などの水に溶解し易い水溶性高分子材料を用いることができる。
【００２８】
剥離層４ａを選択的に形成する方法には、剥離層４ａに用いる材料の特性に応じて様々な方法を採用することができる。例えば、第１有機化合物層３が形成された基板面全体に剥離層４ａとフォトレジスト層とを順次形成した場合は、フォトレジスト層をフォトリソグラフィでパターニングし、パターニングされたフォトレジスト層をマスク層として剥離層４ａをパターニングすることができる。剥離層４ａが感光性材料からなる場合は、第１有機化合物層３が形成された基板面全体に剥離層４ａを形成した後、剥離層４ａ自体をフォトリソグラフィで所定のパターンにパターニングすることができる。また、剥離層４ａが高分子系の材料の場合は、インクジェット法や印刷法などを用いて所定のパターンに選択的に形成することもできる。
【００２９】
本実施形態では、基板１の第１有機化合物層３が形成された面全体に、剥離層４ａとフォトレジスト層５ａとを順次形成し（図１（ｃ））、第１電極２ａの上にフォトレジスト層５ａが残存するよう、フォトレジスト層５ａをフォトリソグラフィにてパターニングしている（図１（ｄ））。この場合、フォトレジスト層５ａの現像に用いられる現像液に対するフォトレジスト層５ａのエッチングレートが、剥離層４ａのそれよりも大きいフォトレジスト材料を用いる。もしフォトレジスト層５ａの現像液が、剥離層４ａや第１有機化合物層３の溶解や変質を引き起こす場合には、剥離層４ａとフォトレジスト層５ａとの間に保護層を設けておくのが好ましい。保護層には、それ自体が有機溶媒には溶解せずかつ有機溶媒を透過しない材料が好ましく、窒化シリコンや酸化シリコンなどの無機材料が好適である。保護層を用いることで、フォトレジスト層５ａの形成によって生じる剥離層４ａや第１有機化合物層３の溶解や変質を抑制することができ、剥離層４ａの上に形成するフォトレジスト層５ａに用いることのできる材料の選択肢を増やすことができる。
【００３０】
パターニングされたフォトレジスト層５ａに覆われていない領域の剥離層４ａを除去すれば、所定の領域に剥離層４ａを選択的に形成することができる。剥離層４ａを水溶性高分子材料で形成した場合は、酸素プラズマを用いてエッチングすることができるため、剥離層４ａと第１有機化合物層とを連続してエッチングし、パターニングすることができる。
【００３１】
剥離層４ａとフォトレジスト層５ａとの間に無機材料からなる保護層を形成した場合は、酸素プラズマを用いて剥離層４ａを除去した後、第１有機化合物層を除去する前にフッ素系ガスを用いたドライエッチングにて保護層を除去しておく。
【００３２】
本実施形態では、工程簡略化のため、剥離層４ａを水溶性高分子材料で形成するものとし、剥離層４ａのパターニングは第１有機化合物層３のパターニングと連続して行う。従って、剥離層４ａのパターニングについては、次の第１有機化合物層３のパターニング工程の中で説明する。
【００３３】
なお、剥離層４ａは、第１有機化合物層３の上に形成された層を基板１から剥離できれば、必ずしも層全体が剥離液に対する溶解度の高い材料で構成されている必要はない。例えば、剥離層４ａを複数の層からなる積層体で形成し、第１有機化合物層３に接する一層のみを剥離液に溶解する材料で形成することもできる。
【００３４】
［第１有機化合物層のパターニング工程］
次に、フォトレジスト層５ａに覆われていない領域、即ち第１電極２ｂ、２ｃの上に形成されている剥離層４ａおよび第１有機化合物層３を除去して、第１有機化合物層３をパターニングする（図１（ｅ））。本発明において、第１有機化合物層３の除去は、パターニング精度が高くかつ有機系材料のエッチングレートが高い、酸素を用いたドライエッチング（酸素プラズマエッチング）にて行う。酸素に、アルゴンやヘリウムなどの希ガスや窒素を添加したガスを用いてエッチングを行ってもよい。
【００３５】
酸素プラズマエッチングにおける無機材料のエッチングレートは、有機系材料のエッチングレートに比べて十分に遅いため、酸化物導電材料などからなる第１電極２ｂ、２ｃは、ほとんどエッチングされない。従って、第１電極２ｂ、２ｃ上の第１有機化合物層３を選択的に除去することができる。
【００３６】
本実施形態では、フォトレジスト層５ａをマスクとして、剥離層４ａと第１有機化合物層３とを酸素プラズマエッチングにて連続して除去することができる。この間に、有機系材料であるフォトレジスト層５ａも、第１有機化合物層３と共にエッチングされる。第１有機化合物層３の除去が完了するまでに、除去しない領域の第１有機化合物層３の表面が露出したり、剥離層４ａが薄くなりすぎたりしないよう、フォトレジスト層５ａや剥離層４ａの膜厚を決める必要がある。
【００３７】
［第１電極２ｂ、２ｃの仕事関数を低エネルギー化する工程］
前述したように、第１電極２ｂ、２ｃは、前段工程である酸素プラズマエッチングによって表面が過度に酸化され、仕事関数が正孔注入に適したエネルギー範囲よりも高くなる。そこで、上昇してしまったＩＴＯ電極（第１電極２ｂ、２ｃ）の表面の仕事関数を、第２有機化合層を形成する前に、前記１有機化合物層を酸素プラズマエッチングにて除去する工程直後よりも低エネルギー化する工程を行う（図１（ｆ））。
【００３８】
電極表面の仕事関数を低エネルギー化するためには、過度に酸化された電極表面の酸素濃度を低減するとよい。具体的には、過度に酸化された電極表面を除去するか、還元するすればばよい。図１（ｆ）の符号６は、ＩＴＯ表面の仕事関数を下げるための手段を示しており、不活性ガスのプラズマや電極材料を還元する水素ガス等を用いた還元プラズマである。
【００３９】
電極の仕事関数と電極が接する正孔輸送層あるいは正孔注入層のＨＯＭＯ準位とが互いに近いエネルギー値である方が、正孔は注入し易くなる。従って、電極表面の仕事関数を低エネルギー化する工程によって、電極の仕事関数が、電極が接する正孔輸送層あるいは正孔注入層のＨＯＭＯ準位に近いエネルギーとなるのが好ましく、ＨＯＭＯ準位±０．２ｅＶの範囲となるのが特に好ましい。ところが、第１有機化合物層のパターニング工程の酸素プラズマエッチングによって強く酸化されるのは、第１電極表面から数ｎｍ程度の深さであるため、電極表面の仕事関数を低エネルギー化する工程の条件を精度よく制御しないと、ＩＴＯ表面の仕事関数が好ましいエネルギー範囲を超えて低くなってしまう場合がある。例えば、用いる装置の構成によっては、電極表面の仕事関数を好ましいエネルギー範囲に調整するための条件がうまく定まらない場合が考えられる。
【００４０】
ＩＴＯ表面の仕事関数が低くなりすぎた場合は、電極表面を除去する工程または還元する工程の後に、さらにオゾン処理または酸素プラズマ処理を行って適度に酸化することで、仕事関数を調整することが可能である。仕事関数の調整を行うオゾン処理または酸素プラズマ処理は、再び好ましいエネルギー範囲を超えないよう、従来のように酸化速度の遅い条件で行うことが好ましい。
【００４１】
［第２有機化合物層を形成する工程］
第１電極の仕事関数を低エネルギー化する工程に続いて、第１有機化合物層３と同様にして、第１電極２ｂおよび２ｃの上に、第１有機化合物層３とは異なる第２有機化合物層７を形成する（図１（ｇ））。第１電極の仕事関数を低エネルギー化する工程と、第２有機化合物層７を形成する工程とは、真空状態を開放することのない一連の工程で行うのが好ましい。
【００４２】
［第２有機化合物層をリフトオフする工程］
剥離層４ａに剥離液を接触させて剥離層を溶解し、同時に剥離層４ａの上に形成された第２有機化合物層７をリフトオフする（図１（ｈ））。前述したように、剥離液には、第１有機化合物層３および第２有機化合物層７の溶解度が低く、かつ、剥離層４ａの溶解度が高い物質を用いるので、選択的に剥離層４を溶解することができる。
【００４３】
第２有機化合物層７は剥離液に溶解しないため、剥離層４ａが溶解すると、剥離層４ａの上に形成された第２有機化合物層７は第１有機化合物層３の表面から剥がれる。第２有機化合物層７が容易に剥がれなかったり、剥がれた第２有機化合物層７が基板１に再付着したりする場合は、超音波や水流などの物理的な力を加えながら剥離するのが好ましい。
【００４４】
［新たな剥離層を形成する工程］
第１有機化合物層３、および、第１電極２ｂの上に設けられた第２有機化合物層７の上に、剥離層４ａと同様に、新たな剥離層４ｂを形成する。剥離層４ａは、剥離層４ａと同様にして形成することができる。ここでは、先に説明した剥離層４ａの形成工程と同様に、剥離層４ｂとフォトレジスト層５ｂとを第１有機化合物層３および第２有機化合物層７の上全体に形成し（図１（ｉ））、フォトリソグラフィを用いてフォトレジスト層５ｂをパターニングする（図１（ｊ））。この時、剥離層４ｂには、第１有機化合物層３、第２有機化合物層７、および第３有機化合物層８の溶解度が低い剥離液に対する溶解度が高く、かつ、剥離層４ｂの形成時に第１有機化合物層３および第２有機化合物層７にダメージを与えない材料を用いる必要がある。フォトレジスト層５ｂの現像液が、剥離層４ｂや第１有機化合物層３、第２有機化合物層７の溶解や変質を引き起こす場合には、剥離層４ｂとフォトレジスト層５ｂとの間に不図示の保護層を設けておくとよい。
【００４５】
本実施形態では、剥離層４ｂを剥離層４ａと同じ水溶性高分子材料で形成するものとして説明する。この場合、剥離層４ｂと第２有機化合物層７とを連続してエッチングしてパターニングするのが好ましいため、剥離層４ｂのパターニング工程は次の第２有機化合物層７のパターニング工程の中で説明する。
【００４６】
［第２有機化合物層をパターニングする工程］
フォトレジスト層５ｂに覆われていない領域即ち第１電極２ｃ上の領域に形成されている、剥離層４ｂと第２有機化合物層７とを酸素プラズマエッチングにて連続的にエッチングし、剥離層４ｂおよび第２有機化合物層７をパターニングする（図１（ｋ））。酸素プラズマエッチングは、第１有機化合物層３と同様の条件で行うことができる。
【００４７】
［第１電極２ｃの仕事関数を低エネルギー化する工程］
次に、第２有機化合物層７を酸素プラズマエッチングにより除去する間に酸化され、仕事関数が上昇してしまった第１電極２ｃ表面を、前記２有機化合物層を酸素プラズマエッチングにて除去する工程直後よりも低エネルギー化する工程を行う。低エネルギー化する工程は、先に行った第１電極２ｂ、２ｃの仕事関数を低エネルギー化する工程と同様に、電極表面を除去する工程あるいは電極表面を還元する工程で、あるいは、電極表面を除去する工程または電極表面を還元する工程とオゾン処理または酸素プラズマ処理とを組み合わせて行うことができる。
【００４８】
［第３有機化合物層を形成する工程］
第１電極２ｃの仕事関数を低エネルギー化する工程に続いて、第２有機化合物層７と同様の方法で、第１電極２ｃの上に第３有機化合物層８を形成する（図１（ｍ））。調整した電極表面の仕事関数が変化しないように、第１電極２ｃの仕事関数を低エネルギー化する工程と、第３有機化合物層８を形成する工程とは、真空状態を開放することのない一連の工程で行うのが好ましい。
【００４９】
［第３有機化合物層のリフトオフ工程］
剥離層４ｂに剥離液を接触させて剥離層を溶解し、剥離層４ｂの上に形成された第３有機化合物層８をリフトオフする（図１（ｎ））。前述したように、剥離液には、第１有機化合物層３、第２有機化合物層７および第３有機化合物層８の溶解度が低く、かつ、剥離層４ｂの溶解度が高い液体を用いるので、選択的に剥離層４ｂを溶解することができる。第３有機化合物層８の剥離を補助したり、剥がれた第３有機化合物層８が基板１に再付着したりするのを抑制するため、超音音波や水流などの物理的な力を加えながら剥離してもよい。
【００５０】
［第２電極を形成する工程］
所定の領域に選択的に形成された第１有機化合物層３、第２有機化合物層７、第３有機化合物層８の上に共通の第２電極９を形成して、有機ＥＬ表示装置の基本構成が完成する（図１（ｏ））。
【００５１】
第２電極９を形成する前に、第１有機化合物層３、第２有機化合物層７、第３有機化合物層８の上に共通の有機化合物層を形成してもよい。共通の有機化合物層は、発光層より後に形成する層であれば、特に限定されない。発光層は、有機ＥＬ素子の種類に応じてパターニングする必要があるが、例えば正孔輸送層や正孔注入層など他の層は、種類の異なる有機ＥＬ素子に共通する層であっても構わないからである。
【００５２】
第２電極９には、Ａｌ、Ａｇなどの金属材料や、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物などの透明電極材料、或いはそれらの積層膜など、公知の電極材料を用いることができる。有機化合物層で発せられた光を外部に出射させるためには、第１電極および第２電極８の少なくとも一方に、透明あるいは半透明の材料を用いる。ここで言う透明とは、可視光に対して８０％以上の透過率を有するもの、半透明とは、可視光に対して２０％以上８０％未満の透過率を有するものをいう。第２電極９を形成した後、有機ＥＬ素子に外部から水分が浸入するのを抑制するため、公知の封止部材（不図示）を設けるのが好ましい。
【００５３】
図３に第２の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す。図３に示した製造方法は、剥離層４ａとフォトレジスト層５ａとの間、及び剥離層４ｂとフォトレジスト層５ｂとの間に、それぞれ保護層１２ａおよび１２ｂを設けた点で、図１で説明した実施形態と相違し、その他は同一のプロセスである。前述したように、保護層にはそれ自体が有機溶媒には溶解せずかつ有機溶媒を透過しない材料が好ましく、窒化シリコンや酸化シリコンなどの無機材料が好適である。保護層を用いることで、フォトレジスト層５ａや５ｂを形成する際に用いる溶媒や現像液等によって、剥離層４ａや４ｂ、第１有機化合物層３や第２有機化合物層７が溶解や変質を抑制することができる。その結果、剥離層４ａや４ｂの上に形成するフォトレジスト層５ａや５ｂに用いることのできる材料の選択肢を増やすことができる。
【００５４】
（実験例１）
第１電極にＩＴＯ、第１電極と接する有機化合物層として下記構造式で示される化合物（以下、化合物１と記述）からなる正孔輸送層を用いた有機ＥＬ表示装置の製造方法において、酸化されたＩＴＯ電極表面の仕事関数を、電極表面を除去する工程により低エネルギー化する工程について説明する。
【００５５】
【化１】
2014002900.tif 000003
【００５６】
本実験例では、電極表面を除去する工程にアルゴンプラズマプラズマを用い、低エネルギー化するための条件出しを行った。
【００５７】
電極表面の仕事関数を低エネルギー化する工程の条件は、後で説明する実施例で作製する有機ＥＬ素子と同等の試料を複数作製し、各試料の電極を別々の条件で処理し、電極表面の仕事関数を評価することにより決定した。
【００５８】
まず、ガラス基板にスパッタリング法によりＡｌＮｄ膜とＩＴＯ膜とを順次成膜し、ＡｌＮｄ膜とＩＴＯ膜の積層膜からなる電極を形成した。電極の上に、化合物１からなる正孔輸送層を膜厚１２０ｎｍ、公知の青色発光材料からなる青色発光層を膜厚３０ｎｍで順次形成した。
【００５９】
続いて、プラズマ処理を行うチャンバーに青色発光層が形成された基板を投入し、チャンバー内に酸素を３０ｍｌ／ｍｉｎ導入して圧力０．３Ｐａに制御した。そして、１０００Ｗの電力を投入して酸素プラズマを発生させて、正孔輸送層および青色発光層を連続してエッチング除去した。エッチングを始めて約５０ｓｅｃで、電極上の正孔輸送層および青色発光層を除去することができた。
【００６０】
酸素プラズマエッチング処理にて表面の有機化合物層が除去された電極表面の仕事関数を、公知の方法を用いて測定したところ、５．８０ｅＶであった。正孔輸送層に化合物１を用いる本実験例の場合、第１電極表面の好ましい仕事関数は、５．０〜５．３ｅＶである。そこで、電極表面の仕事関数を５．０〜５．３ｅＶの範囲に調整するための条件出しを行った。本実験例では、電極表面の仕事関数を低エネルギー化する工程として、電極表面を除去する工程の一例である、アルゴンプラズマエッチング処理（以下、Ａｒプラズマエッチング処理と記述）の条件出しを行った。Ａｒプラズマエッチング処理の条件出しは、処理の間に基板１の温度が既に形成されている有機化合物層のガラス転移点を超え、有機化合物層にダメージを与えることのないよう留意して行った。
【００６１】
アルゴン流量を３０ｍｌ／ｍｉｎ、圧力を１．０Ｐａ、投入電力を１０００Ｗに固定し、アルゴンプラズマエッチング処理における処理時間と仕事関数との関係を調べた結果を表１に示す。
【００６２】
【表１】
2014002900.tif 000004
【００６３】
アルゴン流量を３０ｍｌ／ｍｉｎ、投入電力を１０００Ｗ、処理時間を２０ｓｅｃに固定し、Ａｒプラズマエッチング処理における圧力と仕事関数との関係を調べた結果を表２に示す。
【００６４】
【表２】
2014002900.tif 000005
【００６５】
アルゴン流量を３０ｍｌ／ｍｉｎ、圧力を１０Ｐａ、処理時間を２０ｓｅｃに固定し、Ａｒプラズマエッチング処理における投入電力と仕事関数との関係を調べた結果を表３に示す。
【００６６】
【表３】
2014002900.tif 000006
【００６７】
以上の結果から、Ａｒプラズマエッチング処理のみで電極表面の仕事関数を調整するための条件、アルゴン流量３０ｍｌ／ｍｉｎ、圧力１０Ｐａ、投入電力を１０００Ｗ、処理時間を２０ｓｅｃが得られた。
【００６８】
表１〜３から分かるように、Ａｒプラズマエッチング処理のみで電極表面の仕事関数を調整する条件はかなり限定されており、装置上の制約が大きいと考えられる。そこで、Ａｒプラズマエッチング処理にて一旦電極表面の仕事関数をａｓ−Ｄｅｐｏに近い状態まで下げた後、オゾン処理にて徐々に酸化して、正孔注入に適した仕事関数に調整する条件出しを行った。
【００６９】
電極表面の仕事関数をａｓ−Ｄｅｐｏに近い状態まで下げる条件は、アルゴン流量３０ｍｌ／ｍｉｎ、圧力１．０Ｐａ、投入電力を１０００Ｗ、処理時間を１２ｓｅｃに固定した。オゾン処理は、ドライエアーを２ｌ／ｍｉｎ流して圧力を１０００Ｐａに制御し、室温において出力１１０Ｗで低圧水銀ランプから波長１８５ｎｍのＵＶ光を照射して行った。オゾン処理時間をふって、電極表面の仕事関数の変化を調べた。結果を表４に示す。
【００７０】
【表４】
2014002900.tif 000007
【００７１】
表４から、必ずしもＡｒプラズマエッチング処理のみで電極表面の仕事関数を調整する必要はないことがわかる。酸化して仕事関数が上昇した電極表面を、一旦ａｓ−Ｄｅｐｏ状態に近い状態に戻し、オゾン処理を用いて仕事関数を好ましい範囲に調整してもよい。
【００７２】
（実験例２）
酸素プラズマにて表面の有機化合物層が除去された電極表面の仕事関数を、電極表面を還元する工程により低エネルギー化する工程について説明する。本実験例では、電極表面を還元する工程に還元ガスとして水素ガスを用いた水素プラズマ処理を用い、電極を低エネルギー化するための条件出しを行った。プラズマ処理を行うチャンバーに導入するガスを、アルゴンガスから水素ガスおよび窒素ガスに変更した点を除いて、実験例１と同様の手法で条件出しを行った。
【００７３】
水素ガスと窒素ガスそれぞれの流量を０．１ｌ／ｍｉｎ、１．９ｌ／ｍｉｎ、チャンバー内の圧力を１０６Ｐａ、投入電力を７５Ｗに固定し、水素プラズマ処理における処理時間と仕事関数との関係を調べた結果を表５に示す。
【００７４】
【表５】
2014002900.tif 000008
【００７５】
表５から、水素プラズマ処理のみで電極表面の仕事関数を調整する場合の条件として、水素および窒素の流量をそれぞれ０．１ｌ／ｍｉｎ、１．９ｌ／ｍｉｎ、圧力を１０６Ｐａ、投入電力を７５Ｗ、処理時間１０ｓｅｃを得た。
【００７６】
Ａｒプラズマエッチング処理と同様に、水素プラズマ処理にて一旦電極表面の仕事関数をａｓ−Ｄｅｐｏに近い状態まで下げた後、オゾン処理にて徐々に酸化して正孔注入に適した仕事関数に調整する条件についても確認した。結果を表６に示す。水素プラズマ処理にて一旦電極表面の仕事関数をａｓ−Ｄｅｐｏに近い状態に下げる条件は、水素および窒素の流量をそれぞれ０．１ｌ／ｍｉｎ、１．９ｌ／ｍｉｎ、圧力を１０６Ｐａ、投入電力を７５Ｗ、処理時間を６０ｓｅｃに固定した。オゾン処理の条件は実験例１と同じ条件で行った。
【００７７】
【表６】
2014002900.tif 000009
【００７８】
表６から、電極表面の仕事関数をａｓ−Ｄｅｐｏに近い状態に下げる手法が、Ａｒプラズマエッチング処理か水素プラズマ処理かにかかわらず、オゾン処理によって電極表面の仕事関数を調整できることが確認できた。
【００７９】
（実施例）
第２の実施形態を適用した実施例について示す。
【００８０】
図３に示す工程に従って、図２に示した赤、青、緑の３種類の有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ表示装置を作製した。本実施例では、酸素プラズマにて有機化合物層をエッチング除去した後の第１電極の仕事関数を低エネルギー化する工程に、実験例１および実験例２で得られた条件を適用した。
【００８１】
まず、有機ＥＬ素子を駆動するための回路（不図示）を備える基板１の片面全体に、スパッタリング法によりＡｌＮｄ膜とＩＴＯ膜とを順次成膜し、積層膜を形成した。公知のフォトリソグラフィを用い、ＡｌＮｄ膜とＩＴＯ膜との積層膜を有機ＥＬ素子の配置に応じてパターニングし、第１電極２ａ〜２ｂとした。第１有機ＥＬ素子を構成する第１電極２ａ、第２有機ＥＬ素子を構成する第１電極２ｂ、第３有機ＥＬ素子を構成する第１電極２ｃは、それぞれ複数個ずつ形成した（図３（ａ）、図２）。図では省略しているが、各第１電極は、それぞれ所定の回路と電気的に接続されている。
【００８２】
パターニングされた第１電極２ａ、２ｂ、２ｃが形成された基板面全体に、青色を発する発光層を含む第１有機化合物層３を真空蒸着法にて成膜した（図３（ｂ））。まず、正孔輸送層として化合物１を膜厚１２０ｎｍで形成した後、青色発光層を膜厚３０ｎｍ形成した。青色発光層の材料は、公知の材料から選択して用いることが可能である。
【００８３】
次に、水溶性高分子材料のポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）と水とを混合してＰＶＰ水溶液を調製した。調製したＰＶＰ水溶液を第１有機化合物層３の上全体にスピンコート法にて塗布し、乾燥させて膜厚５００ｎｍの剥離層４ａを形成した。剥離層４ａの上に、保護層１２ａを形成した。保護層は、２ｎｍの窒化珪素をＣＶＤ法にて形成した。さらに、第１剥離層４ａの上に、市販のポジ型のフォトレジスト材料（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ製、製品名「ＡＺ１５００」）をスピンコート法により成膜し、フォトレジスト材料中の溶剤を飛ばしてフォトレジスト層５ａを形成した（図３（ｃ））。フォトレジスト層６ａの膜厚は１０００ｎｍとした。
【００８４】
フォトレジスト層５ａまでが形成された基板１を露光装置にセットし、フォトマスクを介して第１電極２ｂ、２ｃの上に形成されたフォトレジスト層５ａに４０秒間露光を行った。露光後、フォトレジスト層５ａの現像液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ製、製品名「３１２ＭＩＦ」を水で希釈し濃度を５０％としたもの）を用いて１分間現像した。この現像処理により第１電極２ｂ、２ｃの上に形成されたフォトレジスト層５を除去した。基板１をエッチング装置に搬送し、基板１に残るフォトレジスト層５ａをマスクとして、ＣＦ４ガスを３０ｍｌ／ｍｉｎ流して保護層１２ａをエッチング除去した（図３（ｄ））。
【００８５】
続いて、別のチャンバーに移して酸素を流量３０ｍｌ／ｍｉｎ流し、圧力１Ｐａ、出力１５０Ｗの条件で酸素プラズマを生成し、フォトレジスト層５ａで被覆されていない剥離層４ａおよび第１有機化合物層３を除去した（図３（ｅ））。第１有機化合物層３のエッチングが完了した時点で、第１電極２ａの上の剥離層４ａを覆うフォトレジスト層５ａはエッチングされてなくなっていたが、エッチングは保護層１２ａで止まっており、剥離層４ａはエッチングされなかった。
【００８６】
次に、第１有機化合物層が除去された第１電極２ｂ、２ｃの表面にＡｒプラズマエッチング処理を行い、第１電極２ｂ、２ｃの表面の仕事関数を低エネルギー化した。Ａｒプラズマエッチング処理は下記の通りである。
導入ガス（流量）      ：アルゴン（３０ｍｌ／ｍｉｎ）
圧力                  ：１０Ｐａ
投入電力              ：１０００Ｗ
処理時間              ：２０ｓｅｃ
【００８７】
第１電極２ｂ、２ｃ表面のＡｒプラズマエッチング処理が完了した後、一連の真空下で基板１を真空蒸着装置へと搬送し、赤色を発する発光層を含む第２有機化合物層７を第１有機化合物層３と同様の方法で形成した。まず、化合物１からなる正孔輸送層を膜厚２００ｎｍで形成した後、公知の赤発光材料を含む発光層を膜厚３０ｎｍで形成した（図３（ｇ））。
【００８８】
第２有機化合物層７までを形成した基板１を、剥離層４ａの剥離液である水（流水）に接触させた。水溶性のポリビニルピロリドンからなる剥離層４ａの水に対するエッチングレートは、第２有機化合物層７の水に対するエッチングレートよりも１００倍以上大きいため、剥離層４ａを選択的に溶解させることができた。剥離層４ａが溶解することで、剥離層４ａの上に形成された層をリフトオフすることができた。
【００８９】
次に、剥離層４ａ、保護層１２ａと同様にして、ポリビニルピロリドンをスピンコート法で塗布して新たに剥離層４ｂを成膜し、その上に新たな保護層１２ｂを形成した。保護層１２ａの上に、フォトレジスト層５ａと同様にしてフォトレジスト層５ｂを形成した（図３（ｉ））。フォトリソグラフィを用いて、第１電極２ｃの上からフォトレジスト層５ｂを選択的に除去し、さらに保護層１２ｂをエッチングにより除去した（図３（ｊ））。第１電極２ａ、２ｂの上に残存するフォトレジスト層５ｂをマスクとして、第１電極２ｃの上に形成された剥離層４ｂおよび第２有機化合物層７を、酸素プラズマ処理にて連続的にエッチングし除去した（図３（ｋ））。酸素プラズマ処理の条件は、剥離層４ａと第１有機化合物層の除去で用いた条件と同じである。第２有機化合物層７のエッチングが完了した時点で、第１電極２ａ、２ｂの上の剥離層４ｂを覆うフォトレジスト層５ｂはエッチングされてなくなっていた。
【００９０】
続いて、第２有機化合物層７の除去が完了した第１電極２ｃの表面に、Ａｒプラズマエッチング処理を行った（図３（ｌ））。Ａｒプラズマエッチング処理の条件は、図３（ｆ）で第１電極２ｂ、２ｃの表面を処理した条件と同じである。
【００９１】
第１電極２ｃ表面のＡｒプラズマエッチング処理が完了した後、一貫する真空下で基板１を真空蒸着装置へと搬送し、緑色を発する発光層を含む第３有機化合物層８を、第１有機化合物層と同様に形成した（図３（ｍ））。第３有機化合物層８は、化合物１からなる正孔輸送層を膜厚１６０ｎｍ、公知の緑発光材料を含む発光層を膜厚３０ｎｍで順次積層してものである。
【００９２】
次に、第３有機化合物層８までを形成した基板１を、剥離層４ｂの剥離液である水（流水）に接触させた。水溶性のポリビニルピロリドンからなる剥離層４ｂの水に対するエッチングレートは、第１〜第３有機化合物層３、７、８の水に対するエッチングレートよりも１００倍以上大きいため、剥離層４ｂが選択的に溶解した。その結果、剥離層４ｂの上に形成された層がリフトオフされた（図３（ｎ））。
【００９３】
第１〜第３有機化合物層３、７、８それぞれの上に、共通する電子輸送層（不図示）を真空蒸着法で形成した後、スパッタリング法により、膜厚１６ｎｍのＡｇからなる半透明な第２電極９を形成した（図３（ｏ））。
【００９４】
第２電極９を形成した後、大気に曝すことなく基板１を窒素雰囲気下に設置し、封止ガラス（不図示）をＵＶ硬化樹脂からなる接着剤にて素子基板１に接着して有機ＥＬ発光装置を完成させた。以上の手順で作製した有機ＥＬ表示装置を、３−ａとする。
【００９５】
第１電極の仕事関数を低エネルギー化する工程を、Ａｒプラズマエッチング処理とオゾン処理で行った以外は有機ＥＬ表示装置３−ａと同様に作製した有機ＥＬ表示装置を３−ｂとする。同様に、仕事関数を低エネルギー化する工程を、水素プラズマ処理のみで行った有機ＥＬ表示装置を３−ｃ、水素プラズマ処理とオゾン処理とを行った有機ＥＬ表示装置を３−ｄとする。各有機ＥＬ表示装置の第１電極の仕事関数を低エネルギー化する工程における条件は、それぞれ次のとおりである。
【００９６】
有機ＥＬ表示装置３−ｂ
Ａｒプラズマエッチング処理
導入ガス（流量）      ：アルゴン（３０ｍｌ／ｍｉｎ）
圧力                  ：１．０Ｐａ
投入電力              ：１０００Ｗ
処理時間              ：１２ｓｅｃ
オゾン処理
導入ガス（流量）      ：ドライエアー（２ｌ／ｍｉｎ）
圧力                  ：１０００Ｐａ
使用ランプ            ：低圧水銀ランプ
出力                  ：１１０Ｗ
処理時間              ：１０ｍｉｎ
【００９７】
有機ＥＬ表示装置３−ｃ
水素プラズマ処理
導入ガス（流量）      ：水素（０．１ｌ／ｍｉｎ）
窒素（１．９ｌ／ｍｉｎ）
圧力                  ：１０６Ｐａ
投入電力              ：７５Ｗ
処理時間              ：１０ｓｅｃ
【００９８】
有機ＥＬ表示装置３−ｄ
水素プラズマ処理
導入ガス（流量）      ：水素（０．１ｌ／ｍｉｎ）
窒素（１．９ｌ／ｍｉｎ）
圧力                  ：１０６Ｐａ
投入電力              ：７５Ｗ
処理時間              ：６０ｓｅｃ
オゾン処理
導入ガス（流量）      ：ドライエアー（２ｌ／ｍｉｎ）
圧力                  ：１０００Ｐａ
使用ランプ            ：低圧水銀ランプ
出力                  ：１１０Ｗ
処理時間              ：１０ｍｉｎ
【００９９】
比較例ｒｅｆ−１として、第２有機化合物層７、第３有機化合物層８を形成する前に、第１電極の仕事関数を低エネルギー化する工程を省略した点を除いて、有機ＥＬ表示装置３−ａと同様に作製した。
【０１００】
作製した有機ＥＬ表示装置のそれぞれに全面緑色を表示させた、その時の駆動電圧を公知の方法にて測定した。結果を表７に示す。
【０１０１】
【表７】
2014002900.tif 000010
【０１０２】
電極の表面層を除去する工程または電極表面を還元する工程を施した有機ＥＬ表示装置３−ａ〜ｄは、電極の表面層を除去する工程または電極表面を還元する工程を施さなかった有機ＥＬ表示装置ｒｅｆ−１に比べて格段に駆動電圧が低くなった。結果から、電極表面の酸素量を、酸素プラズマエッチングで有機化合物層を除去した直後の値よりも低減し、電極表面の仕事関数を低エネルギー化することで、電極表面でのキャリア生成を可能とし、キャリア注入性を改善できることが確認できた。
【符号の説明】
【０１０３】
１  基板
２ａ、２ｂ、２ｃ  第１電極
３  第１有機化合物層
４ａ、４ｂ  剥離層
５ａ、５ｂ  フォトレジスト層
７  第２有機化合物層
８  第３有機化合物層
９  第２電極
１２ａ、１２ｂ  保護層
【図１】
2014002900.tif 000011
【図２】
2014002900.tif 000012
【図３】
2014002900.tif 000013