(57)【要約】【課題】  シロキサン変性樹脂を含有する電子写真感光体において、初期摩擦力（初期摩擦係数）の低減と、電子写真感光体の繰り返し使用時のゴースト画像を抑制を両立した電子写真感光体、ならびに電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供する。【解決手段】  電子写真感光体の表面層が、（α）特定のシロキサン変性樹脂、（β）特定の化合物、および電荷輸送物質を含有する。【選択図】  図１
2014115618.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体、該支持体上に設けられた電荷発生層および該電荷発生層上に設けられた電荷輸送層を有する電子写真感光体であって、
該電子写真感光体の表面層が、下記（α）、（β）および電荷輸送物質を含有することを特徴とする電子写真感光体。
（α）下記式（Ａ）〜（Ｄ）のいずれかで示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂
（β）ヘキサノール、ヘプタノール、シクロヘキサノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、ニトロベンゼン、ピロリドン、Ｎ−メチルピロリドン、安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸ベンジル、３−エトキシプロピオン酸エチル、アセトフェノン、サリチル酸メチル、フタル酸ジメチルおよびスルホランからなる群より選択される少なくとも１種の化合物
【化１】
2014115618.tif 000050
（式（Ａ）中、Ｙ１は単結合、メチレン基、エチリデン基、プロピリデン基、フェニルエチリデン基、シクロヘキシリデン基または酸素原子を示す。Ｘ１は、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基または２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。ｎは０または１である。Ｗ１は、下記式（Ｗ１）または下記式（Ｗ２）で示される１価の基を示す。）
【化２】
2014115618.tif 000051
（式（Ｗ１）および式（Ｗ２）中、Ｒ１〜Ｒ３は、それぞれ独立に炭素数１〜４のアルキル基を示す。ａは括弧内の構造の繰り返し数を示し、式（Ａ）で示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂におけるａの平均値は、１０以上１５０以下である。ｂおよびｃは、それぞれ独立に括弧内の構造の繰り返し数を示し、式（Ａ）で示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂におけるｂ＋ｃの平均値は、１０以上１５０以下である。）
【化３】
2014115618.tif 000052
（式（Ｂ）中、Ｘ２は、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基または２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。ｎは０または１である。Ｒ４〜Ｒ６は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基またはフェニル基を示す。Ｖ１は、下記式（Ｖ１）または下記式（Ｖ２）で示される１価の基を示す。）
【化４】
2014115618.tif 000053
（式（Ｖ１）および式（Ｖ２）中、Ｒ７〜Ｒ９は、それぞれ独立に炭素数１〜４のアルキル基を示す。ｄは２以上１０以下の整数を示す。ｅは括弧内の構造の繰り返し数を示し、式（Ｂ）で示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂におけるｅの平均値は、１０以上１５０以下である。ｆおよびｇは、それぞれ独立に括弧内の構造の繰り返し数を示し、式（Ｂ）で示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂におけるｆ＋ｇの平均値は、１０以上１５０以下である。）
【化５】
2014115618.tif 000054
（式（Ｃ）中、Ｘ３は、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基または２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。ｎは０または１である。ｈ、ｉおよびｊは、それぞれ独立に括弧内の構造の繰り返し数を示す。式（Ｃ）で示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂におけるｈおよびｉの平均値は、それぞれ独立に１以上１０以下であり、式（Ｃ）で示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂におけるｊの平均値は、２０以上２００以下である。）
【化６】
2014115618.tif 000055
（式（Ｄ）中、Ｘ４は、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基または２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。ｎは０または１である。ｋは括弧内の構造の繰り返し数を示し、式（Ｄ）で示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂におけるｋの平均値は、２０以上２００以下である。）
【請求項２】
前記（β）が、シクロヘキサノール、ベンジルアルコール、安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸ベンジル、３−エトキシプロピオン酸エチル、アセトフェノン、サリチル酸メチルおよびフタル酸ジメチルからなる群より選択される少なくとも１種の化合物である請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記（β）の含有量が、前記表面層の全質量に対して０．００１質量％以上２．０質量％以下である請求項１または２に記載の電子写真感光体。
【請求項４】
前記（α）の含有量が、前記表面層の全質量に対して１質量％以上４５質量％以下である請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項５】
前記シロキサン変性樹脂が、さらに下記式（Ｅ）で示される構造単位を有する請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【化７】
2014115618.tif 000056
（式（Ｅ）中、Ｙ５は単結合、メチレン基、エチリデン基、プロピリデン基、フェニルエチリデン基、シクロヘキシリデン基または酸素原子を示す。Ｘ５は、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基または２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。ｎは０または１である。Ｒ１１〜Ｒ１４は、それぞれ独立に、水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を示す。）
【請求項６】
前記電荷輸送物質が、トリアリールアミン化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、スチルベン化合物およびエナミン化合物からなる群より選択される少なくとも１種である請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項７】
前記表面層が、前記電荷輸送層である請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項８】
前記シロキサン変性樹脂中のシロキサン部位の含有量が、前記シロキサン変性樹脂の全質量に対して１質量％以上５０質量％以下である請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項９】
前記電荷輸送物質の含有量が、表面層の全質量に対して、２０質量％以上５０質量％以下である請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項１１】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段及び転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真装置に搭載される電子写真感光体は、有機光導電性物質（電荷発生物質）を含有する電子写真感光体がよく用いられている。電子写真装置が繰り返し画像形成するのに伴い、電子写真感光体の表面には、帯電、露光、現像、転写およびクリーニングなどの電気的や機械的外力が直接加えられるため、それらに対する耐久性が要求される。さらに、電子写真感光体の表面には、接触部材（クリーニングブレードなど）との摩擦力の低減（潤滑性、滑り性）も求められている。
【０００３】
潤滑性という課題に対して、特許文献１および特許文献２には、特定のシロキサン変性（シロキサン構造を有する）ポリカーボネート樹脂を電子写真感光体の表面層に含有させる方法が提案されている。また、特許文献３には、特定のシロキサン変性ポリエステル樹脂を表面層に含有させる方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１９５９０５号公報
【特許文献２】特開２００６−３２８４１６号公報
【特許文献３】特開２００９−８４５５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、本発明者らの検討の結果、電子写真感光体の表面層に上記のシロキサン材料と電荷輸送物質を含有させると、ゴーストが発生しやすくなることが分かった。具体的には、出力画像中、前回転時に光が照射された部分のみ濃度が濃くなる、いわゆるポジゴーストという現象が発生しやすい。
【０００６】
特許文献１〜３に開示された特定のシロキサン変性ポリカーボネート樹脂やシロキサン変性ポリエステル樹脂を用いた場合、電子写真感光体の繰り返し使用時のゴースト画像に関して、改善の余地があることが分かった。
【０００７】
本発明の目的は、特定のシロキサン変性樹脂を含有する電子写真感光体において、初期摩擦力（初期摩擦係数）の低減と、電子写真感光体の繰り返し使用時のゴースト画像の抑制を両立した電子写真感光体を提供することにある。また、本発明の別の目的は、そのような電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ、及び電子写真装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的は、以下の本発明によって達成される。
【０００９】
本発明は、支持体、該支持体上に設けられた電荷発生層および該電荷発生層上に設けられた電荷輸送層を有する電子写真感光体であって、
該電子写真感光体の表面層が、下記（α）、（β）および電荷輸送物質を含有することを特徴とする電子写真感光体に関する。
（α）下記式（Ａ）〜（Ｄ）のいずれかで示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂
（β）ヘキサノール、ヘプタノール、シクロヘキサノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、ニトロベンゼン、ピロリドン、Ｎ−メチルピロリドン、安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸ベンジル、３−エトキシプロピオン酸エチル、アセトフェノン、サリチル酸メチル、フタル酸ジメチル、およびスルホランからなる群より選択される少なくとも１種の化合物
【００１０】
【化１】
2014115618.tif 000003
【００１１】
（式（Ａ）中、Ｙ１は単結合、メチレン基、エチリデン基、プロピリデン基、フェニルエチリデン基、シクロヘキシリデン基または酸素原子を示す。Ｘ１は、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基または２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。ｎは０または１である。Ｗ１は、下記式（Ｗ１）または下記式（Ｗ２）で示される１価の基を示す。）
【００１２】
【化２】
2014115618.tif 000004
【００１３】
（式（Ｗ１）および式（Ｗ２）中、Ｒ１〜Ｒ３は、それぞれ独立に炭素数１〜４のアルキル基を示す。ａは括弧内の構造の繰り返し数を示し、ｂおよびｃは、それぞれ独立に括弧内の構造の繰り返し数を示す。式（Ａ）で示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂におけるａの平均値は、１０以上１５０以下である。式（Ａ）で示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂におけるｂ＋ｃの平均値は、１０以上１５０以下である。）
【００１４】
【化３】
2014115618.tif 000005
【００１５】
（式（Ｂ）中、Ｘ２は、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基または２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。ｎは０または１である。Ｒ４〜Ｒ６は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基またはフェニル基を示す。Ｖ１は、下記式（Ｖ１）または下記式（Ｖ２）で示される１価の基を示す。）
【００１６】
【化４】
2014115618.tif 000006
【００１７】
（式（Ｖ１）および式（Ｖ２）中、Ｒ７〜Ｒ９は、それぞれ独立に炭素数１〜４のアルキル基を示す。ｄは括弧内の構造の繰り返し数を示し、２以上１０以下の整数である。ｅは括弧内の構造の繰り返し数を示し、ｆおよびｇは、それぞれ独立に括弧内の構造の繰り返し数を示す。式（Ｂ）で示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂におけるｅの平均値は、１０以上１５０以下である。式（Ｂ）で示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂におけるｆ＋ｇの平均値は、１０以上１５０以下である。）
【００１８】
【化５】
2014115618.tif 000007
【００１９】
（式（Ｃ）中、Ｘ３は、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基または２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。ｎは０または１である。ｈ、ｉおよびｊは、それぞれ独立に括弧内の構造の繰り返し数を示す。式（Ｃ）で示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂におけるｈおよびｉの平均値は、１以上１０以下であり、式（Ｃ）で示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂におけるｊの平均値は、２０以上２００以下である。）
【００２０】
【化６】
2014115618.tif 000008
【００２１】
（式（Ｄ）中、Ｘ４は、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基または２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。ｎは０または１である。ｋは括弧内の構造の繰り返し数を示し、式（Ｄ）で示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂におけるｋの平均値は、２０以上２００以下である。）
【００２２】
また、本発明は、前記電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジに関する。
【００２３】
また、本発明は、前記電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置に関する。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、初期摩擦係数の低減と、電子写真感光体の繰り返し使用時のゴースト画像の抑制との両立に優れた電子写真感光体、ならびに該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。
【図２】ゴースト電位、ゴースト画像評価の際に用いるゴースト評価用印字を説明するための図である。
【図３】１ドット桂馬パターン画像を説明するための図である。
【図４】電子写真感光体の層構成の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明は、電子写真感光体の表面層が、下記（α）、（β）および電荷輸送物質を含有することを特徴とする。
（α）式（Ａ）〜（Ｄ）のいずれかで示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂
（β）ヘキサノール、ヘプタノール、シクロヘキサノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、ニトロベンゼン、ピロリドン、Ｎ−メチルピロリドン、安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸ベンジル、３−エトキシプロピオン酸エチル、アセトフェノン、サリチル酸メチル、フタル酸ジメチルおよびスルホランからなる群より選択される少なくとも１種の化合物。
【００２７】
本発明者らは、電子写真感光体の表面層が上記（β）（以下、構成要件βとも称する）を含有することにより、初期摩擦係数の低減と、電子写真感光体の繰り返し使用時のゴースト画像の抑制との両立に優れた効果を奏する理由を以下のように推測している。
【００２８】
ゴーストが発生する原因の１つとして、表面層が含有する電荷輸送物質が凝集したことによる電荷の移動阻害の発生が考えられる。そして、電荷輸送物質の凝集が生じる要因として、表面層中に含有するシロキサン変性樹脂と電荷輸送物質との相溶性が低いと考えられる。
【００２９】
一方、構成要素βと電荷輸送物質との相溶性は、構成要素（β）と上記（α）（以下、構成要素αとも称する）との相溶性よりも高いと考えられる。
【００３０】
従って、構成要素αと電荷輸送物質との間に構成要素βが介在することで、構成要素αと電荷輸送物質との相溶性の低下が抑制され、電荷輸送物質の凝集を抑制していると考えている。これにより、電荷輸送物質の凝集が抑制され、電子写真感光体の繰り返し使用時のゴースト画像の抑制効果が得られるものと推測している。
【００３１】
〈構成要素α〉
構成要素αは、下記式（Ａ）〜（Ｄ）のいずれかで示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂である。
【００３２】
【化７】
2014115618.tif 000009
【００３３】
式（Ａ）中、Ｙ１は単結合、メチレン基、エチリデン基、プロピリデン基、フェニルエチリデン基、シクロヘキシリデン基または酸素原子を示す。Ｘ１は、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基または２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。ｎは０または１である。Ｗ１は、下記式（Ｗ１）または下記式（Ｗ２）で示される１価の基を示す。
【００３４】
【化８】
2014115618.tif 000010
【００３５】
式（Ｗ１）および式（Ｗ２）中、Ｒ１〜Ｒ３は、それぞれ独立に炭素数１〜４のアルキル基を示す。ａは括弧内の構造の繰り返し数を示し、式（Ａ）で示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂におけるａの平均値は、１０以上１５０以下である。ｂおよびｃは、それぞれ独立に括弧内の構造の繰り返し数を示し、式（Ａ）で示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂におけるｂ＋ｃの平均値は、１０以上１５０以下である。
【００３６】
【化９】
2014115618.tif 000011
【００３７】
式（Ｂ）中、Ｘ２は、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基または２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。ｎは０または１である。Ｒ４〜Ｒ６は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基またはフェニル基を示す。Ｖ１は、下記式（Ｖ１）または下記式（Ｖ２）で示される１価の基を示す。
【００３８】
【化１０】
2014115618.tif 000012
【００３９】
式（Ｖ１）および式（Ｖ２）中、Ｒ７〜Ｒ９は、それぞれ独立に炭素数１〜４のアルキル基を示す。ｄは括弧内の構造の繰り返し数を示し、２以上１０以下の整数である。ｅは括弧内の構造の繰り返し数を示し、式（Ｂ）で示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂におけるｅの平均値は、１０以上１５０以下である。ｆおよびｇは、それぞれ独立に括弧内の構造の繰り返し数を示し、式（Ｂ）で示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂におけるｆ＋ｇの平均値は、１０以上１５０以下である。
【００４０】
【化１１】
2014115618.tif 000013
【００４１】
式（Ｃ）中、Ｘ３は、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基または２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。ｎは０または１である。ｈ、ｉおよびｊは、それぞれ独立に括弧内の構造の繰り返し数を示す。式（Ｃ）で示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂におけるｈおよびｉの平均値は、それぞれ独立に１以上１０以下であり、式（Ｃ）で示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂におけるｊの平均値は、２０以上２００以下である。
【００４２】
【化１２】
2014115618.tif 000014
【００４３】
式（Ｄ）中、Ｘ４は、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基または２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。ｎは０または１である。ｋは括弧内の構造の繰り返し数を示し、式（Ｄ）で示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂におけるｋの平均値は、２０以上２００以下である。
【００４４】
式（Ａ）〜（Ｄ）中のＸ１〜Ｘ４がｍ−フェニレン基またはｐ−フェニレン基である場合、ｍ−フェニレン基であるものとｐ−フェニレン基であるものとを併用することが好ましい。併用する場合、Ｘ１〜Ｘ４がｍ−フェニレン基であるもの／Ｘ１〜Ｘ４がｐ−フェニレン基であるものが３／７〜７／３（モル比）であることが好ましく、１／１（モル比）であることがより好ましい。
【００４５】
以下に、上記式（Ａ）の具体例を示す。
【００４６】
【表１】
2014115618.tif 000015
【００４７】
表１中、「ｍ／ｐ」はｍ−フェニレン基／ｐ−フェニレン基が１／１（モル比）であることを意味し、「ｐ−Ｏ−ｐ」は２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。
【００４８】
以下に、上記式（Ｂ）の具体例を示す。
【００４９】
【表２】
2014115618.tif 000016
【００５０】
表２中、「ｍ／ｐ」はｍ−フェニレン基／ｐ−フェニレン基が１／１（モル比）であることを意味し、「ｐ−Ｏ−ｐ」は２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。
【００５１】
以下に、上記式（Ｃ）で示される構造単位の例を示す。
【００５２】
【表３】
2014115618.tif 000017
【００５３】
表３中、「ｍ／ｐ」はｍ−フェニレン基／ｐ−フェニレン基が１／１（モル比）であることを意味し、「ｐ−Ｏ−ｐ」は２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。
【００５４】
以下に、上記式（Ｄ）の具体例を示す。
【００５５】
【表４】
2014115618.tif 000018
【００５６】
表４中、「ｍ／ｐ」はｍ−フェニレン基／ｐ−フェニレン基が１／１（モル比）であることを意味し、「ｐ−Ｏ−ｐ」は２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。
【００５７】
上記式（Ａ）〜（Ｄ）のいずれかで示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂は、さらに、下記式（Ｅ）で示される構造単位を有してもよい。
【００５８】
【化１３】
2014115618.tif 000019
【００５９】
式（Ｅ）中、Ｙ５は単結合、メチレン基、エチリデン基、プロピリデン基、フェニルエチリデン基、シクロヘキシリデン基または酸素原子を示す。Ｘ５は、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基または２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。ｎは０または１である。Ｒ１１〜Ｒ１４は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基またはフェニル基を示す。
【００６０】
以下に、上記式（Ｅ）で示される構造単位の例を示す。
【００６１】
【表５】
2014115618.tif 000020
【００６２】
表５中、「ｍ／ｐ」はｍ−フェニレン基／ｐ−フェニレン基が１／１（モル比）であることを意味し、「ｐ−Ｏ−ｐ」は２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。  シロキサン変性樹脂に用いられる上記式（Ｅ）で示される構造単位は、１種でも、２種以上であっても良い。
【００６３】
本発明において、シロキサン部分を構成する両端のケイ素原子、およびそれらに結合する基と、該両端のケイ素原子に挟まれた酸素原子、ケイ素原子、およびそれらに結合する基を含む部位をシロキサン部位と称する。例えば、下記式（Ｗ１−Ｓ）および下記式（Ｃ−Ｓ）で示される構造単位の場合、シロキサン部位は、それぞれ破線で囲まれた部位のことである。
【００６４】
【化１４】
2014115618.tif 000021
【００６５】
上記シロキサン変性樹脂の全質量に対するシロキサン部位の含有量は一般的な分析手法で解析可能である。以下に、分析手法の例を示す。
【００６６】
電子写真感光体の表面層を溶剤で溶解させた後、サイズ排除クロマトグラフィーや高速液体クロマトグラフィーのような各組成成分を分離回収可能な分取装置で、表面層に含有される種々の材料を分取する。分取されたシロキサン変性樹脂を、１Ｈ−ＮＭＲ測定による水素原子（樹脂を構成している水素原子）のピーク位置、およびピーク面積比による換算法によって構成材料構造、および含有量を確認することができる。それらの結果より、シロキサン部分の繰り返し数やモル比を算出し、含有量（質量比）に換算する。また、シロキサン変性樹脂をアルカリ存在下などで加水分解させ、カルボン酸部分とビスフェノール部分に分解する。得られたビスフェノール部分に対し、核磁気共鳴スペクトル分析や質量分析により、シロキサン部分の繰り返し数やモル比を算出し、含有量（質量比）に換算することができる。
【００６７】
本発明においても上記の手法を用いて、シロキサン変性樹脂中に含有されるシロキサン部位の質量比を測定することが可能である。また、シロキサン変性樹脂中に含有されるシロキサン部位の質量比は、重合時のシロキサン部位を含むモノマー単位の原材料の使用量と関係するため、目的のシロキサン部位の質量比とするために、原材料の使用量を調整した。
【００６８】
シロキサン変性樹脂中のシロキサン部位の含有量は、シロキサン変性樹脂の全質量に対して１質量％以上５０質量％以下であることが好ましい。
【００６９】
シロキサン変性樹脂は、上記式（Ａ）〜（Ｄ）のいずれかで示される構造単位と上記式（Ｅ）で示される構造単位との共重合体であることが好ましい。その共重合形態は、ブロック共重合、ランダム共重合、交互共重合などのいずれの形態であってもよい。また、シロキサン変性樹脂は、末端にシロキサン構造を有さない方が好ましい。
【００７０】
シロキサン変性樹脂の重量平均分子量は、１０，０００以上１５０，０００以下であることが好ましい。さらには、２０，０００以上１００，０００以下であることがより好ましい。
【００７１】
本発明において、樹脂の重量平均分子量とは、常法に従い、特開２００７−７９５５５号公報に記載の方法により測定されたポリスチレン換算の重量平均分子量である。
【００７２】
以下に、上記シロキサン変性樹脂のうち、ポリカーボネート樹脂の合成例を示す。
【００７３】
上記ポリカーボネート樹脂は、特開平５−１５８２４９号公報、特開平１０−１８２８３２号公報、特開２００６−３２８４１６号公報および特開２００８−１９５９０５号公報に記載の合成方法を用いて合成することが可能である。本発明においても同様の合成方法を用い、上記式（Ａ）〜（Ｄ）のいずれかで示される構造単位、および上記式（Ｅ）で示される構造単位に応じた原材料を用いて表６〜表９の合成例に示す構成要素α（ポリカーボネート樹脂）を合成した。合成したポリカーボネート樹脂の重量平均分子量およびポリカーボネート樹脂中のシロキサン部位の含有量（質量％）を表６〜表９に示す。
【００７４】
【表６】
2014115618.tif 000022
【００７５】
表６中、「ａ」、「ｂ」、「ｃ」は、式（Ａ）で示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂におけるａ、ｂまたはｃの平均値を示す。
【００７６】
【表７】
2014115618.tif 000023
【００７７】
表７中、「ｅ」、「ｆ」、「ｇ」は、式（Ｂ）で示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂におけるｅ、ｆまたはｇの平均値を示す。
【００７８】
【表８】
2014115618.tif 000024
【００７９】
表８中、「ｈ」、「ｉ」、「ｊ」は、式（Ｃ）で示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂におけるｈ、ｉまたはｊの平均値を示す。
【００８０】
【表９】
2014115618.tif 000025
【００８１】
表９中、「ｋ」は、式（Ｄ）で示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂におけるｋの平均値を示す。
【００８２】
以下に、上記シロキサン変性樹脂のうち、ポリエステル樹脂の合成例を示す。
【００８３】
上記ポリエステル樹脂は、特開平０５−０４３６７０号公報、特開平０８−２３４４６８号公報および特開２００９−０８４５５６号公報に記載の合成方法を用いて合成することが可能である。本発明においても同様の合成方法を用い、上記式（Ａ）〜（Ｄ）で示される繰り返し単位、および上記式（Ｅ）で示される構造単位に応じた原材料を用いて表１０〜表１３の合成例に示す構成要素α（ポリエステル樹脂）を合成した。合成したポリエステル樹脂の重量平均分子量およびポリエステル樹脂中のシロキサン部位の含有量（質量％）を表１０〜表１３に示す。
【００８４】
【表１０】
2014115618.tif 000026
【００８５】
表１０中、「ａ」、「ｂ」、「ｃ」は、式（Ａ）で示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂におけるａ、ｂまたはｃの平均値を示す。
【００８６】
【表１１】
2014115618.tif 000027
【００８７】
表１１中、「ｅ」、「ｆ」、「ｇ」は、式（Ｂ）で示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂におけるｅ、ｆまたはｇの平均値を示す。
【００８８】
【表１２】
2014115618.tif 000028
【００８９】
表１２中、「ｈ」、「ｉ」、「ｊ」は、式（Ｃ）で示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂におけるｈ、ｉまたはｊの平均値を示す。
【００９０】
【表１３】
2014115618.tif 000029
【００９１】
表１３中、「ｋ」は、式（Ｄ）で示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂におけるｋの平均値を示す。
【００９２】
電子写真感光体の表面層（電荷輸送層、保護層）に含有される構成要素αの含有量は、表面層の全質量に対して、０．１質量％以上６０質量％以下であると、初期摩擦係数の低減と、繰り返し使用時のゴースト画像の抑制の観点から好ましい。より好ましくは、１質量％以上４５質量％以下である。
【００９３】
〈構成要素βについて〉
上述の表面層には、構成要素βとして、ヘキサノール、ヘプタノール、シクロヘキサノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、ニトロベンゼン、ピロリドン、Ｎ−メチルピロリドン、安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸ベンジル、３−エトキシプロピオン酸エチル、アセトフェノン、サリチル酸メチル、フタル酸ジメチルおよびスルホランからなる群より選択される少なくとも１種の化合物を含有する。
【００９４】
これらの化合物を含有することにより、繰り返し使用によるゴースト画像の抑制の効果が得られる。好ましい上記構成要素βの含有量は、表面層の全質量に対して、０．００１質量％以上３．０質量％以下であり、より好ましくは、表面層の全質量に対して、０．００１質量％以上２．０質量％以下である。この範囲においては、特に、初期摩擦係数の低減と、繰り返し使用時のゴースト画像の抑制との両立に優れる。
【００９５】
表面層は、構成要素βを含有する表面層用塗布液の塗膜を支持体上に形成し、塗膜を加熱乾燥させることにより形成される。
【００９６】
構成要素βは、表面層を形成する際の加熱乾燥工程により揮発しやすいため、表面層用塗布液中の構成要素βの含有量は、表面層中の構成要素βの含有量よりも多くすることが好ましい。したがって、表面層用塗布液中の構成要素βの含有量は、表面層用塗布液の全質量に対して、５質量％以上８０質量％以下が好ましい。
【００９７】
表面層中の構成要素βの含有量は、以下に示す測定方法により求めることができる。ＨＰ７６９４  Ｈｅａｄｓｐａｃｅ  ｓａｍｐｅｒ（アジレント・テクノロジー（株）製）と、ＨＰ６８９０  ｓｅｒｉｅｓ  ＧＳ  Ｓｙｓｔｅｍ（アジレント・テクノロジー（株）製）を用いて測定した。前記Ｈｅａｄｓｐａｃｅ  ｓａｍｐｅｒの設定は、Ｏｖｅｎ  １５０℃、Ｌｏｏｐ  １７０℃、Ｔｒａｎｓｆｅｒ  Ｌｉｎｅ  １９０℃とした。製造した表面層を有する電子写真感光体を５ｍｍ×４０ｍｍ片（試料片）に切り出し、バイアル瓶に入れ、前記Ｈｅａｄｓｐａｃｅ  ｓａｍｐｅｒにセットし、発生したガスをガスクロマトグラフィー（ＨＰ６８９０  ｓｅｒｉｅｓ  ＧＳ  Ｓｙｓｔｅｍ）で測定した。該表面層の質量は、測定後、バイアル瓶から取り出した試料片の質量と、その後、表面層を剥がした後の該試料片の質量の差分から求めた。表面層を剥がした試料片とは、バイアル瓶から取り出した試料片をメチルエチルケトンに５分間浸漬して表面層を剥がし、１００℃で５分間で乾燥したものとした。本発明においても、上述の方法を用いて表面層中の構成要素βの含有量を測定した。
【００９８】
次に、電子写真感光体の構成について説明する。
【００９９】
本発明の電子写真感光体は、支持体、該支持体上に設けられた電荷発生層および該電荷発生層上に設けられた電荷輸送層を有する。図４中、（ａ）および（ｂ）は、本発明の電子写真感光体の層構成の一例を示す図である。図４の（ａ）および（ｂ）中、１０１は支持体であり、１０２は電荷発生層であり、１０３は電荷輸送層であり、１０４は保護層（第２電荷輸送層）である。
【０１００】
該電荷発生層は積層構造としてもよく、該電荷輸送層を積層構成としてもよい。電荷輸送層が表面層であるときは、構成要素α、構成要素βおよび電荷輸送物質を含有する。また、電荷輸送層上に保護層（表面層）を形成してもよい。この場合、保護層が構成要素α、構成要素βおよび電荷輸送物質を含有する。
【０１０１】
〔支持体〕
支持体としては、導電性を有するもの（導電性支持体）が好ましい。例えば、アルミニウム、ステンレス、銅、ニッケル、亜鉛などの金属または合金が挙げられる。アルミニウムやアルミニウム合金性の支持体の場合は、ＥＤ管、ＥＩ管や、これらを切削、電解複合研磨、湿式または乾式ホーニング処理した支持体を用いることもできる。また、金属支持体、樹脂支持体上にアルミニウム、アルミニウム合金、または酸化インジウム−酸化スズ合金等の導電性材料の薄膜を形成したものも挙げられる。
【０１０２】
また、カーボンブラック、酸化スズ粒子、酸化チタン粒子、銀粒子などの導電性粒子を樹脂などに含浸した支持体や、導電性結着樹脂を有するプラスチックを用いることもできる。
【０１０３】
導電性支持体の表面は、レーザー光などの散乱による干渉縞の防止などを目的として、切削処理、粗面化処理、アルマイト処理などを施してもよい。
【０１０４】
電子写真感光体において、支持体上に、導電性粒子と樹脂を有する導電層を設けてもよい。導電層は、導電性粒子を結着樹脂に分散させた導電層用塗布液の塗膜を用いて形成される層である。
【０１０５】
導電性粒子としては、カーボンブラック、アセチレンブラックや、アルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロム、銅、亜鉛、銀などの金属粉や、導電性酸化スズ、ＩＴＯなどの金属酸化物粉体などが挙げられる。
【０１０６】
導電層に用いられる結着樹脂としては、具体的には、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルブチラール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂が挙げられる。
【０１０７】
導電層用塗布液の溶剤としては、エーテル系溶剤、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、芳香族炭化水素溶剤などが挙げられる。導電層の膜厚は、０．２μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上３５μｍ以下であることがより好ましく、さらには５μｍ以上３０μｍ以下であることがより好ましい。
【０１０８】
支持体または導電層と、電荷発生層との間に下引き層を設けてもよい。
【０１０９】
下引き層は、結着樹脂を含有する下引き層用塗布液の塗膜を支持体上、または、導電層上に形成し、塗膜を乾燥または硬化させることによって形成することができる。
【０１１０】
下引き層の結着樹脂として具体的には、ポリアクリル酸類、メチルセルロース、エチルセルロース、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド酸樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂が挙げられる。下引き層に用いられる結着樹脂は熱可塑性樹脂が好ましく、具体的には、熱可塑性のポリアミド樹脂が好ましい。ポリアミド樹脂としては、溶液状態で塗布できるような低結晶性または非結晶性の共重合ナイロンが好ましい。
【０１１１】
下引き層用塗布液の溶剤としては、エーテル系溶剤、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、及び芳香族炭化水素溶剤が挙げられる。下引き層の膜厚は、０．０５μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以上３０μｍ以下であることがより好ましい。また、下引き層には、半導電性粒子あるいは電子輸送物質、あるいは電子受容性物質を含有させてもよい。
【０１１２】
〔電荷発生層〕
支持体、導電層または下引き層上には、電荷発生層が形成される。
【０１１３】
電子写真感光体に用いられる電荷発生物質として具体的には、アゾ顔料、フタロシアニン顔料、インジゴ顔料、ペリレン顔料が挙げられる。これら電荷発生物質は１種のみ用いてもよく、２種以上用いてもよい。これらの中でも、特にオキシチタニウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニンなどが高感度であるため好ましい。
【０１１４】
電荷発生層に用いられる結着樹脂として具体的には、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、アクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、尿素樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ブチラール樹脂が特に好ましい。これらの樹脂は、単独、混合または共重合体として１種または２種以上用いることができる。
【０１１５】
電荷発生層は、電荷発生物質を結着樹脂および溶剤とともに分散して得られる電荷発生層用塗布液の塗膜を形成し、塗膜を乾燥させることによって形成することができる。また、電荷発生層は、電荷発生物質の蒸着膜としてもよい。
【０１１６】
分散方法としては、たとえば、ホモジナイザー、超音波、ボールミル、サンドミル、アトライター、ロールミルを用いた方法が挙げられる。
【０１１７】
電荷発生物質と結着樹脂との割合は、結着樹脂１質量部に対して、電荷発生物質が０．１質量部以上１０質量部以下の範囲が好ましく、１質量部以上３質量部以下がより好ましい。
【０１１８】
電荷発生層用塗布液に用いられる溶剤は、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤または芳香族炭化水素溶剤などが挙げられる。
【０１１９】
電荷発生層の膜厚は、０．０１μｍ以上５μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以上２μｍ以下であることがより好ましい。
【０１２０】
また、電荷発生層には、種々の増感剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤などを必要に応じて添加することもできる。また、電荷発生層において電荷（キャリア）の流れが滞らないようにするために、電荷発生層には、電子輸送物質、電子受容性物質を含有させてもよい。
【０１２１】
〔電荷輸送層〕
電子写真感光体において、電荷発生層上には、電荷輸送層が設けられる。
【０１２２】
電荷輸送層および表面層に含有される電荷輸送物質としては、例えば、トリアリールアミン化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、スチルベン化合物、エナミン化合物が挙げられる。これら電荷輸送物質は１種のみ用いてもよく、２種以上用いてもよい。以下に、電荷輸送物質の例を示す。
【０１２３】
【化１５】
2014115618.tif 000030
【０１２４】
【化１６】
2014115618.tif 000031
【０１２５】
電荷輸送層は、電荷輸送物質および結着樹脂を溶剤に溶解させることによって得られる電荷輸送層用塗布液の塗膜を形成し、塗膜を乾燥させることによって形成することができる。
【０１２６】
表面層（電荷輸送層、保護層）には、樹脂としては、構成要素αを含有するが、他の樹脂をさらに混合して用いてもよい。他の樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂が挙げられる。ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂は、前記式（Ｅ）で示される構造単位を有する樹脂Ｅであることが好ましい。前記式（Ｅ）で示される構造単位としては、例えば、前記（Ｅ−１）〜（Ｅ−１９）が挙げられる。前記式（Ｅ）で示される構造単位を有する樹脂Ｅは、前記式（Ｅ）で示される構造単位のうち、１種の重合体でも、２種以上の共重合体であっても良い。これらの中でも、前記（Ｅ−３）、（Ｅ−４）、（Ｅ−５）、（Ｅ−１５）、（Ｅ−１７）または（Ｅ−１８）で示される構造単位が好ましい。また、他の樹脂は、シロキサン部位を有さない方が好ましい。表面層に上記樹脂Ｅを含有する場合、樹脂Ｅとシロキサン変性樹脂との質量比率は、１／９〜５０／１であることが好ましい。
【０１２７】
樹脂Ｅは、特開２００６−３２８４１６号公報、特開平０５−０４３６７０号公報および特開平０８−２３４４６８号公報に記載の合成方法に記載の合成方法を用いて合成することが可能である。樹脂Ｅ（ポリカーボネート樹脂およびポリエステル樹脂）の合成例を表１４および表１５に示す。
【０１２８】
【表１４】
2014115618.tif 000032
【０１２９】
合成例６４における「（Ｅ−５）／（Ｅ−６）／（Ｅ−７）＝４／５／１」は、共重合比（モル比）を意味する。
【０１３０】
【表１５】
2014115618.tif 000033
【０１３１】
電荷輸送層の膜厚は、好ましくは５〜５０μｍ、より好ましくは１０〜３０μｍである。
【０１３２】
電荷輸送物質と結着樹脂との質量比は、５：１〜１：５、好ましくは３：１〜１：３である。また、繰り返し使用時のゴースト画像の抑制の観点から、表面層中の電荷輸送物質の含有量は、表面層の全質量に対して、２０質量％以上５０質量％以下である。
【０１３３】
電荷輸送層用塗布液に用いられる溶剤は、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤または芳香族炭化水素溶剤などが挙げられる。好ましくは、キシレン、トルエン、およびテトラヒドロフランである。
【０１３４】
電子写真感光体の各層には、各種添加剤を添加することができる。添加剤としては、例えば、酸化防止剤、紫外線吸収剤、対光安定剤のような劣化防止剤や、有機微粒子、無機微粒子などの微粒子が挙げられる。
【０１３５】
劣化防止剤としては、例えば、ヒンダードフェノール系酸化防止剤、ヒンダードアミン系耐光安定剤、硫黄原子含有酸化防止剤、リン原子含有酸化防止剤が挙げられる。
【０１３６】
有機微粒子としては、フッ素原子含有樹脂粒子、ポリスチレン微粒子、ポリエチレン樹脂粒子のような高分子樹脂粒子が挙げられる。無機微粒子としては、例えば、シリカ、アルミナのような金属酸化物が挙げられる。
【０１３７】
上記各層の塗布液を塗布する際には、浸漬塗布法（浸漬コーティング法）、スプレーコーティング法、スピンナーコーティング法、ローラーコーティング法、マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法などの塗布方法を用いることができる。なかでも浸漬塗布法方が好ましい。
【０１３８】
上記各層の塗布液を乾燥させて塗膜を形成する乾燥温度としては、６０℃以上１５０℃以下で乾燥させることが好ましい。このうち、電荷輸送層用塗布液（表面層用塗布液）の乾燥温度としては、特には１１０℃以上１４０℃以下が好ましい。また、乾燥時間としては、１０〜６０分間が好ましく、２０〜６０分間がより好ましい。
【０１３９】
〔電子写真装置〕
図１に、本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す。
【０１４０】
図１において、１は円筒状の電子写真感光体であり、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度をもって回転駆動される。回転駆動される電子写真感光体１の表面は、回転過程において、帯電手段（一次帯電手段：帯電ローラーなど）３により、負の所定電位に均一に帯電される。次いで、スリット露光やレーザービーム走査露光などの露光手段（不図示）から出力される目的の画像情報の時系列電気デジタル画像信号に対応して強度変調された露光光（画像露光光）４を受ける。こうして電子写真感光体１の表面に、目的の画像に対応した静電潜像が順次形成されていく。
【０１４１】
電子写真感光体１の表面に形成された静電潜像は、現像手段５の現像剤に含まれるトナーで反転現像により現像されてトナー像となる。次いで、電子写真感光体１の表面に形成担持されているトナー像が、転写手段（転写ローラーなど）６からの転写バイアスによって、転写材（紙など）Ｐに順次転写されていく。なお、転写材Ｐは、転写材供給手段（不図示）から電子写真感光体１の回転と同期して取り出されて電子写真感光体１と転写手段６との間（当接部）に給送される。また、転写手段６には、バイアス電源（不図示）からトナーの保有電荷とは逆極性のバイアス電圧が印加される。
【０１４２】
トナー像の転写を受けた転写材Ｐは、電子写真感光体１の表面から分離されて定着手段８へ搬入されてトナー像の定着処理を受けることにより画像形成物（プリント、コピー）として装置外へ搬送される。
【０１４３】
トナー像転写後の電子写真感光体１の表面は、クリーニング手段（クリーニングブレードなど）７によって転写残りの現像剤（転写残トナー）の除去を受けて清浄面化される。次いで、前露光手段（不図示）からの前露光光（不図示）により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。なお、図１に示すように、帯電手段３が帯電ローラーなどを用いた接触帯電手段である場合は、前露光は必ずしも必要ではない。
【０１４４】
上記の電子写真感光体１、帯電手段３、現像手段５、転写手段６、およびクリーニング手段７などの構成要素の中から複数のものを選択し、これらを容器に納めてプロセスカートリッジとして一体に支持して構成することが可能である。そして、このプロセスカートリッジを複写機やレーザービームプリンターなどの電子写真装置本体に対して着脱自在に構成してもよい。図１では、電子写真感光体１と、帯電手段３、現像手段５、およびクリーニング手段７とを一体に支持してカートリッジ化して、電子写真装置本体のレールなどの案内手段１０を用いて電子写真装置本体に着脱自在なプロセスカートリッジ９としている。
【実施例】
【０１４５】
以下に、具体的な実施例、比較例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例中の「部」は「質量部」を意味する。下記実施例１〜１５４、比較例１〜１１２の結果は表１６〜表３３に示す。
〔実施例１〕
直径２４ｍｍ、長さ２５７ｍｍのアルミニウムシリンダーを支持体（導電性支持体）とした。
【０１４６】
次に、ＳｎＯ２コート処理硫酸バリウム（導電性粒子）１０部、酸化チタン（抵抗調節用顔料）２部、フェノール樹脂（結着樹脂）６部、シリコーンオイル（レベリング剤）０．００１部およびメタノール４部およびメトキシプロパノール１６部の混合溶剤を用いて導電層用塗布液を調製した。
【０１４７】
この導電層用塗布液を支持体上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１４０℃で硬化（熱硬化）させることによって、膜厚が１５μｍの導電層を形成した。
【０１４８】
次に、Ｎ−メトキシメチル化ナイロン３部および共重合ナイロン３部をメタノール６５部およびｎ−ブタノール３０部の混合溶剤に溶解させることによって、下引き層用塗布液を調製した。
【０１４９】
この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を１０分間８０℃で乾燥させることによって、膜厚が０．７μｍの下引き層を形成した。
【０１５０】
次に、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．５°、９．９°、１６．３°、１８．６°、２５．１°および２８．３°に強いピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶（電荷発生物質）１０部を用いた。これをシクロヘキサノン２５０部にポリビニルブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＸ−１  積水化学工業（株）製）５部を溶解させた液に加えた。これを、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミル装置で２３±３℃雰囲気下１時間分散し、酢酸エチル２５０部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。
【０１５１】
この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１０分間１００℃で乾燥させることによって、膜厚が０．３μｍの電荷発生層を形成した。
【０１５２】
次に、上記式（ＣＴＭ−１）で示される化合物９部と、樹脂ＰＣ−Ａ（１）１部、および、樹脂ＰＣ−Ｅ（２）９部、安息香酸メチル１０部を、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）６５部に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液を調製した。
【０１５３】
この電荷輸送層用塗布液を前記電荷発生層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１２５℃で４０分間乾燥させることによって、膜厚が１６μｍの電荷輸送層を形成した。このようにして、導電層、下引き層、電荷発生層、電荷輸送層（表面層）を有する電子写真感光体を製造した。
【０１５４】
形成された電荷輸送層には、安息香酸メチルが０．１２質量％が含有されていることがガスクロマトグラフィーを用いて上述の測定方法により確認された。
【０１５５】
次に、評価について説明する。評価は、繰り返し使用時のゴースト画像ならびに初期摩擦係数について行った。
【０１５６】
＜ゴースト画像評価＞
ゴースト画像の評価装置としては、ヒューレットパッカード社製ＨＰ  Ｃｏｌｏｒ  ＬａｓｅｒＪｅｔ  ３７００（直径２４ｍｍの円筒状の電子写真感光体が装着可能）を用いた。プロセスカートリッジに作製した電子写真感光体を装着し、プロセスカートリッジを評価装置に装着し、温度３２．５℃、湿度８０％ＲＨ環境下で評価を行った。Ａ４サイズの普通紙を用い、連続して印字率２％の横線画像の出力を１０，０００枚行った後、図２に示すゴースト評価用画像を出力した。ゴースト評価用画像は、図２に示すように、画像の先頭部に「白画像」中に四角の「ベタ画像」を出した後、図３に示す「１ドット桂馬パターンのハーフトーン画像」を作成したものである。なお、図２中、「ゴースト」部は、「ベタ画像」に起因するゴーストが出現し得る部分である。ゴースト画像の程度は、出力した図２に示す画像から、Ａ：ゴーストがほとんどみられない、Ｂ：ゴーストがわずかに見られる、Ｃ：ゴーストがはっきり分かる、の３段階で評価した。実施例１において、１０，０００枚の繰り返し使用後にゴースト画像はほとんど見られなかった。結果を表２５に示す。
【０１５７】
＜ゴースト電位評価＞
ゴースト電位の評価には、前記ヒューレットパッカード社製ＨＰ  Ｃｏｌｏｒ  ＬａｓｅｒＪｅｔ  ３７００を用いた。プロセスカートリッジに作製した電子写真感光体を装着し、プロセスカートリッジを評価装置に装着し、評価は温度３２．５℃、湿度８０％ＲＨ環境下で行った。ゴースト電位評価は、Ａ４サイズの普通紙を用い、連続して印字率２％の横線画像の出力を１０，０００枚行った後、以下の方法で行った。ゴースト電位の測定は、プロセスカートリッジを改造し、電子写真感光体の端部から１２８ｍｍ位置（中央部）に電位測定用プローブが位置するように固定された冶具と現像器を交換して、現像器位置で行った。電子写真感光体の非露光部の暗部電位が−５００Ｖとなるように印加バイアスを設定し、レーザー光の光量は０．２８μＪ／ｃｍ２となるように設定した。ゴースト電位は、図２に示す画像を出力する信号を評価装置に入力して測定した。図２に示す画像を出力する信号により、感光体表面には、図２に示す画像に相当する静電潜像が形成される。図２に示す画像に相当する静電潜像において、ハーフトーン画像形成領域におけるゴースト画像発生領域の電位と、ハーフトーン画像形成領域におけるゴースト画像発生領域以外の領域における電位との電位差を、ゴースト電位とした。実施例１において、１０，０００枚の繰り返し使用後のゴースト電位は５Ｖであった。結果を表２５に示す。
【０１５８】
＜摩擦係数測定＞
実施例、比較例で製造した電位写真感光体の摩擦係数測定を次に示す方法で行った。常温常湿環境下（２３℃／５０％ＲＨ）において新東科学（株）製のＨＥＩＤＯＮ−１４を用いて摩擦係数測定を行った。ブレード（ウレタンゴムブレード）を一定（５０ｇ）の荷重をかけた状態で電子写真感光体に接触設置した。電子写真感光体を５０ｍｍ／ｍｉｎのスキャンスピードで電子写真感光体の軸方向に平行移動させたときの電子写真感光体とゴムブレードとの間に働く摩擦力を測定する。摩擦力は、ウレタンゴムブレード側に取り付けた歪みゲージの歪み量として計測し、引っ張り荷重（感光体に加わる力）に換算した。動摩擦係数はウレタンゴムブレードが動いている時の〔感光体に加わる力（摩擦力）（ｇｆ）〕／〔ブレードに加えた荷重（ｇｆ）〕から求められる。使用したウレタングムブレードは北辰工業社製ウレタンブレード（ゴム硬度６７°）を５ｍｍ×３０ｍｍ×２ｍｍにカットし、荷重５０ｇでｗｉｔｈ方向、角度２７°にて測定した。実施例１において、摩擦係数は、１．０であった。結果を表２５に示す。
〔実施例２〜３６〕
実施例１において、電荷輸送層の構成要素α、その他の樹脂（樹脂Ｅ）、構成要素β、電荷輸送物質および溶剤の種類と含有量を表１６に示すように変更した以外は、実施例１と同様に電子写真感光体を製造した。なお、実施例３５および実施例３６の電荷輸送層の膜厚は、それぞれ、１０μｍおよび２５μｍであった。結果を表２５に示す。
【０１５９】
【表１６】
2014115618.tif 000034
【０１６０】
〔実施例３７〕
電荷輸送層用塗布液を前記電荷発生層上に浸漬塗布した後の乾燥条件を、１３５℃で６０分間に変更した以外は、実施例３と同様に電子写真感光体を製造した。結果を表２５に示す。
【０１６１】
〔実施例３８〕
電荷輸送層用塗布液を前記電荷発生層上に浸漬塗布した後の乾燥条件を、１２０℃で２０分間に変更した以外は、実施例３と同様に電子写真感光体を製造した。結果を表２５に示す。
【０１６２】
〔実施例３９〜７０〕
実施例１において、電荷輸送層の構成要素α、樹脂Ｅ、構成要素β、電荷輸送物質および溶剤の種類と含有量を表１７に示すように変更した以外は、実施例１と同様に電子写真感光体を製造した。なお、実施例６９および実施例７０の電荷輸送層の膜厚は、それぞれ、１０μｍおよび２５μｍであった。結果を表２６に示す。
【０１６３】
【表１７】
2014115618.tif 000035
【０１６４】
〔実施例７１〕
電荷輸送層用塗布液を前記電荷発生層上に浸漬塗布した後の乾燥条件を、１３５℃で６０分間に変更した以外は、実施例４１と同様に電子写真感光体を製造した。結果を表２６に示す。
【０１６５】
〔実施例７２〕
電荷輸送層用塗布液を前記電荷発生層上に浸漬塗布した後の乾燥条件を、１２０℃で２０分間に変更した以外は、実施例４１と同様に電子写真感光体を製造した。結果を表２６に示す。
【０１６６】
〔実施例７３〜１２０〕
実施例１において、電荷輸送層の構成要素α、樹脂Ｅ、構成要素β、電荷輸送物質および溶剤の種類と含有量を表１８および表１９に示すように変更した以外は、実施例１と同様に電子写真感光体を製造した。なお、実施例１１９および実施例１２０の電荷輸送層の膜厚は、それぞれ、１０μｍおよび２５μｍであった。結果を表２７および表２８に示す。
【０１６７】
【表１８】
2014115618.tif 000036
【０１６８】
【表１９】
2014115618.tif 000037
【０１６９】
〔実施例１２１〕
電荷輸送層用塗布液を前記電荷発生層上に浸漬塗布した後の乾燥条件を、１３５℃で６０分間に変更した以外は、実施例７３と同様に電子写真感光体を製造した。結果を表２８に示す。
【０１７０】
〔実施例１２２〕
電荷輸送層用塗布液を前記電荷発生層上に浸漬塗布した後の乾燥条件を、１２０℃で２０分間に変更した以外は、実施例７３と同様に電子写真感光体を製造した。結果を表２８に示す。
【０１７１】
〔実施例１２３〕
電荷輸送層用塗布液を前記電荷発生層上に浸漬塗布した後の乾燥条件を、１１５℃で２０分間に変更した以外は、実施例７３と同様に電子写真感光体を製造した。結果を表２８に示す。
【０１７２】
〔実施例１２４〜１５２〕
実施例１において、電荷輸送層の構成要素α、樹脂Ｅ、構成要素β、電荷輸送物質および溶剤の種類と含有量を表２０に示すように変更した以外は、実施例１と同様に電子写真感光体を製造した。なお、実施例１５１および実施例１５２の電荷輸送層の膜厚は、それぞれ、１０μｍおよび２５μｍであった。結果を表２９に示す。
【０１７３】
【表２０】
2014115618.tif 000038
【０１７４】
〔実施例１５３〕
電荷輸送層用塗布液を前記電荷発生層上に浸漬塗布した後の乾燥条件を、１３５℃で６０分間に変更した以外は、実施例１２４と同様に電子写真感光体を製造した。結果を表２９に示す。
【０１７５】
〔実施例１５４〕
電荷輸送層用塗布液を前記電荷発生層上に浸漬塗布した後の乾燥条件を、１２０℃で２０分間に変更した以外は、実施例１２４と同様に電子写真感光体を製造した。結果を表２９に示す。
【０１７６】
〔比較例１〜２９〕
実施例１において、電荷輸送層の構成要素α、樹脂Ｅ、構成要素βの比較化合物、電荷輸送物質および溶剤の種類と含有量を表２１に示すように変更した以外は、実施例１と同様に電子写真感光体を製造した。なお、比較例２８および比較例２９の電荷輸送層の膜厚は、それぞれ、１０μｍおよび２５μｍであった。結果を表３０に示す。比較例２０〜２２において、表面層中のモノグライム（比較例２０）、酢酸ｎ−ペンチル（比較例２１）、１−ペンタノール（比較例２２）の含有量は、順に、０．００２質量％、０．０４０質量％、０．０３０質量％であった。
【０１７７】
〔比較例３０〕
電荷輸送層用塗布液を前記電荷発生層上に浸漬塗布した後の乾燥条件を、１３５℃で６０分間に変更した以外は、比較例３と同様に電子写真感光体を製造した。結果を表３０に示す。
【０１７８】
〔比較例３１〕
電荷輸送層用塗布液を前記電荷発生層上に浸漬塗布した後の乾燥条件を、１２０℃で２０分間に変更した以外は、比較例３と同様に電子写真感光体を製造した。結果を表３０に示す。
【０１７９】
【表２１】
2014115618.tif 000039
【０１８０】
〔比較例３２〜５６〕
実施例１において、電荷輸送層の構成要素α、樹脂Ｅ、構成要素βの比較化合物、電荷輸送物質および溶剤の種類と含有量を表２２に示すように変更した以外は、実施例１と同様に電子写真感光体を製造した。なお、比較例５５および比較例５６の電荷輸送層の膜厚は、それぞれ、１０μｍおよび２５μｍであった。結果を表３０に示す。比較例４９〜５１において、表面層中のモノグライム（比較例４９）、酢酸ｎ−ペンチル（比較例５０）、１−ペンタノール（比較例５１）の含有量は、順に、０．００５質量％、０．０４０質量％、０．０４０質量％であった。
【０１８１】
〔比較例５７〕
電荷輸送層用塗布液を前記電荷発生層上に浸漬塗布した後の乾燥条件を、１３５℃で６０分間に変更した以外は、比較例３４と同様に電子写真感光体を製造した。結果を表３０に示す。
【０１８２】
〔比較例５８〕
電荷輸送層用塗布液を前記電荷発生層上に浸漬塗布した後の乾燥条件を、１２０℃で２０分間に変更した以外は、比較例３４と同様に電子写真感光体を製造した。結果を表３０に示す。
【０１８３】
【表２２】
2014115618.tif 000040
【０１８４】
〔比較例５９〜８６〕
実施例１において、電荷輸送層の構成要素α、樹脂Ｅ、構成要素βの比較化合物、電荷輸送物質および溶剤の種類と含有量を表２３に示すように変更した以外は、実施例１と同様に電子写真感光体を製造した。なお、比較例８５および比較例８６の電荷輸送層の膜厚は、それぞれ、１０μｍおよび２５μｍであった。結果を表３１に示す。比較例７１〜７３において、表面層中のモノグライム（比較例７１）、酢酸ｎ−ペンチル（比較例７２）、１−ペンタノール（比較例７３）の含有量は、順に、０．００３質量％、０．０４０質量％、０．０５０質量％であった。
【０１８５】
〔比較例８７〕
電荷輸送層用塗布液を前記電荷発生層上に浸漬塗布した後の乾燥条件を、１３５℃で６０分間に変更した以外は、比較例５９と同様に電子写真感光体を製造した。結果を表３１に示す。
【０１８６】
〔比較例８８〕
電荷輸送層用塗布液を前記電荷発生層上に浸漬塗布した後の乾燥条件を、１２０℃で２０分間に変更した以外は、比較例５９と同様に電子写真感光体を製造した。結果を表３１に示す。
【０１８７】
【表２３】
2014115618.tif 000041
【０１８８】
〔比較例８９〜１１０〕
実施例１において、電荷輸送層の構成要素α、樹脂Ｅ、構成要素βの比較化合物、電荷輸送物質および溶剤の種類と含有量を表２４に示すように変更した以外は、実施例１と同様に電子写真感光体を製造した。なお、比較例１０９および比較例１１０の電荷輸送層の膜厚は、それぞれ、１０μｍおよび２５μｍであった。結果を表３１に示す。比較例１０３〜１０５において、表面層中のモノグライム（比較例１０３）、酢酸ｎ−ペンチル（比較例１０４）、１−ペンタノール（比較例１０５）の含有量は、順に、０．００３質量％、０．０５０質量％、０．０３０質量％であった。
【０１８９】
〔比較例１１１〕
電荷輸送層用塗布液を前記電荷発生層上に浸漬塗布した後の乾燥条件を、１３５℃で６０分間に変更した以外は、比較例８９と同様に電子写真感光体を製造した。結果を表３１に示す。
【０１９０】
〔比較例１１２〕
電荷輸送層用塗布液を前記電荷発生層上に浸漬塗布した後の乾燥条件を、１２０℃で２０分間に変更した以外は、比較例８９と同様に電子写真感光体を製造した。結果を表３１に示す。
【０１９１】
【表２４】
2014115618.tif 000042
【０１９２】
【表２５】
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【０１９３】
【表２６】
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【０１９４】
【表２７】
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【０１９５】
【表２８】
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【０１９６】
【表２９】
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【０１９７】
【表３０】
2014115618.tif 000048
【０１９８】
【表３１】
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【０１９９】
実施例と比較例の対比から、電子写真感光体の表面層に構成要素αのシロキサン変性樹脂と構成要素βの化合物を含有することにより、初期の摩擦係数の低減と、繰り返し使用によるゴーストを抑制する効果を両立していることが示されている。
【符号の説明】
【０２００】
１  電子写真感光体
２  軸
３  帯電手段
４  露光光
５  現像手段
６  転写手段
７  クリーニング手段
８  定着手段
９  プロセスカートリッジ
１０  案内手段
Ｐ  転写材  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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