(57)【要約】【課題】逆テーパ形状の隔壁が備えられる表示装置において、第２の電極（上部電極）の膜厚を薄くすることが可能な表示装置を提供する。【解決手段】基板と、基板上の表示領域に設けられる複数の有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子の設けられる領域を規定するとともに、表示領域外に設けられるコンタクトホールを規定する隔壁とを有する表示装置であって、複数の有機ＥＬ素子は、第１の電極と、当該第１の電極よりも基板から離間して設けられる第２の電極と、電極間に設けられる１または複数の有機ＥＬ層とを有し、第２の電極は、表示領域からコンタクトホールまで隔壁上を延在する接続部を有し、隔壁の基板側の端部は、表示領域では、その側面とその底面との成す角が鈍角となるように形成され、コンタクトホールが形成される領域では、その側面とその底面との成す角が鋭角となるように形成されている、表示装置。【選択図】図１
2014235885.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上の表示領域に設けられる複数の有機ＥＬ素子と、
前記有機ＥＬ素子の設けられる領域を規定するとともに、前記表示領域外に設けられるコンタクトホールを規定する隔壁とを有する表示装置であって、
前記複数の有機ＥＬ素子は、第１の電極と、当該第１の電極よりも前記基板から離間して設けられる第２の電極と、前記電極間に設けられる１または複数の有機ＥＬ層とを有し、
前記第２の電極は、前記表示領域から前記コンタクトホールまで前記隔壁上を延在する接続部を有し、
前記隔壁の基板側の端部は、
前記表示領域では、その側面とその底面との成す角が鈍角となるように形成され、
前記コンタクトホールが形成される領域では、その側面とその底面との成す角が鋭角となるように形成されている、表示装置。
【請求項２】
前記隔壁の基板側とは反対側の端部は、前記表示領域では、その側面とその底面との成す角が鋭角となるように形成されている、請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記第２の電極の基板側の表面は、有機ＥＬ素子の中央部から隔壁に近づくにつれて、基板から離間するように形成される、請求項１または２記載の表示装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の表示装置の製造方法であって、
ネガ型のフォトレジストを基板上に塗布して隔壁形成用膜を形成し、表示領域とコンタクトホールが設けられる領域とで露光量を異ならせて、前記隔壁形成用膜を露光し、現像することにより前記隔壁を形成する工程を有する、表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置のひとつとして、画素の光源に有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子を用いたものがある。たとえばカラー表示装置では、画素の光源として３種類の有機ＥＬ素子が設けられる。すなわち（１）赤色の光を出射する赤色有機ＥＬ素子、（２）緑色の光を出射する緑色有機ＥＬ素子、（３）青色の光を出射する青色有機ＥＬ素子が、それぞれ基板上に設けられる。
【０００３】
基板上には通常、有機ＥＬ素子の設けられる領域を規定する隔壁が設けられている。このような隔壁として、たとえば格子状の隔壁が設けられている。上記３種類の有機ＥＬ素子は、隔壁に囲まれた領域にそれぞれ整列して配置されている。
【０００４】
図１０は所定の画素を模式的に示す断面図である。隔壁には、大きく分けて、いわゆる順テーパ形状の隔壁と逆テーパ形状の隔壁とがある。順テーパ形状の隔壁とは、隔壁の側面とその底面との成す角が鋭角となるように形成されたものである。逆テーパ形状の隔壁とは、隔壁の側面とその底面との成す角が鋭角となるように形成されたものである。図１０には逆テーパ形状の隔壁５１が示されている。
【０００５】
各有機ＥＬ素子５２は、隔壁に囲まれた領域に、第１の電極５３、１または複数の有機ＥＬ層５４，５５および第２の電極５６を順次積層することにより形成される。
【０００６】
有機ＥＬ層５４，５５はたとえば塗布法によって形成される。具体的には、有機ＥＬ層５４，５５となる材料を含むインキを、隔壁５１に囲まれた領域に塗布し、これを固化することにより形成される。
【０００７】
なお、隔壁５１に囲まれた領域に塗布されたインキは、第１の電極５３表面や隔壁５１表面で弾かれる場合もある。このように、インキが第１の電極５３表面や隔壁５１表面で弾かれると、有機ＥＬ層５４，５５に穴などの欠陥が生じることがある。
【０００８】
逆テーパ形状の隔壁５１を用いた場合には、このような問題の発生を抑えることができる。逆テーパ形状の隔壁５１を用いた場合、隔壁５１と第１の電極５３との表面との接する部位は、その先端部５７ほど狭くなるように構成されているため、先端部５７において毛管現象が生じる。この毛管現象により、インキが全体に広がるという作用が生じ、有機ＥＬ層５４，５５の欠陥の発生を防ぐことができる（たとえば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００７−２２７２８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
有機ＥＬ素子５２は、第１の電極５３と第２の電極５６間に電圧を印加することにより発光する。そのため第１の電極５３および第２の電極５６と外部の電源とを電気的に接続する必要がある。
【００１１】
第１の電極５３はたとえば基板５８中に設けられた回路を介して外部の電源と電気的に接続される。
【００１２】
他方、第２の電極５６は、たとえば隔壁５１上に形成される配線等を介して外部の電源と電気的に接続される。具体的には、第２の電極５６は、複数の有機ＥＬ素子が設けられる表示領域から当該表示領域の外のコンタクト領域まで隔壁上を延在する接続部６１と、コンタクト領域に設けられたコンタクト導体６２と、基板上に設けられる電極配線６３とを介して、外部の電源と接続される。
【００１３】
図１１は、コンタクト領域を模式的に示す断面図である。上述の隔壁５１は、有機ＥＬ素子の設けられる領域を規定するだけでなく、表示領域外に設けられるコンタクトホールを規定するように形成される。なお、有機ＥＬ素子の設けられる領域を規定する隔壁５１とコンタクトホールを規定する隔壁５１とは、たとえばフォトリソグラフィー工程により、同一の工程にて一括して形成される。また、上述の隔壁５１上を延在する接続部６１およびコンタクトホール中に設けられるコンタクト導体６２は、第２の電極５６を形成するさいに一括して形成される。
【００１４】
このように接続部６１およびコンタクト導体６２を第２の電極５６と同一の工程で形成する場合、接続部６１およびコンタクト導体６２は、第２の電極５６と同一の膜厚となる。そのため、蒸着法などで膜厚の薄い第２の電極６１を形成すると、図１２に示すように、コンタクト領域において断線が生じるおそれがある。
【００１５】
このコンタクト領域の断線を防ぐためには、第２の電極の膜厚（すなわち接続部の膜厚）を厚くする必要がある。このように第２の電極の膜厚を厚くする場合、電極の形成に要する時間が長くなるとともに、電極形成時に発光層などに与えるダメージが増加するという問題がある。なお、表示領域では、たとえ薄い膜厚の第２の電極を形成したとしても、隔壁に囲まれた領域には有機ＥＬ層５４，５５が形成されているため、断線の発生を避けることができる。
【００１６】
したがって本発明の目的は、逆テーパ形状の隔壁が備えられる表示装置において、第２の電極（上部電極）の膜厚を薄くすることが可能な表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明は、基板と、
前記基板上の表示領域に設けられる複数の有機ＥＬ素子と、
前記有機ＥＬ素子の設けられる領域を規定するとともに、前記表示領域外に設けられるコンタクトホールを規定する隔壁とを有する表示装置であって、
前記複数の有機ＥＬ素子は、第１の電極と、当該第１の電極よりも前記基板から離間して設けられる第２の電極と、前記電極間に設けられる１または複数の有機ＥＬ層とを有し、
前記第２の電極は、前記表示領域から前記コンタクトホールまで前記隔壁上を延在する接続部を有し、
前記隔壁の基板側の端部は、
前記表示領域では、その側面とその底面との成す角が鈍角となるように形成され、
前記コンタクトホールが形成される領域では、その側面とその底面との成す角が鋭角となるように形成されている、表示装置に関する。
【００１８】
また本発明は、前記隔壁の基板側とは反対側の端部は、前記表示領域では、その側面とその底面との成す角が鋭角となるように形成されている、前記表示装置に関する。
また本発明は、前記第２の電極の基板側の表面は、有機ＥＬ素子の中央部から隔壁に近づくにつれて、基板から離間するように形成される、前記表示装置に関する。
【００１９】
また本発明は、前記表示装置の製造方法であって、
ネガ型のフォトレジストを基板上に塗布して隔壁形成用膜を形成し、表示領域とコンタクトホールが設けられる領域とで露光量を異ならせて、前記隔壁形成用膜を露光し、現像することにより前記隔壁を形成する工程を有する、表示装置の製造方法に関する。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、逆テーパ形状の隔壁が備えられる表示装置において、第２の電極（上部電極）の膜厚を薄くすることが可能な表示装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】表示装置１の平面図である。
【図２】表示領域３０の一部を模式的に示す平面図である。
【図３】表示領域３０内において１個の有機ＥＬ素子４が設けられる領域を示す断面図である。
【図４】コンタクト領域３１を列方向Ｙに垂直な平面で切断したときの断面図である。
【図５】表示装置の製造方法を説明するために示す形成途中の表示装置の断面図である。
【図６】表示装置の製造方法を説明するために示す形成途中の表示装置の断面図である。
【図７】表示装置の製造方法を説明するために示す形成途中の表示装置の断面図である。
【図８】表示装置の製造方法を説明するために示す形成途中の表示装置の断面図である。
【図９】表示装置１の平面図である。
【図１０】所定の画素を模式的に示す断面図である。
【図１１】コンタクト領域を模式的に示す断面図である。
【図１２】コンタクト領域を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明の表示装置は、基板と、前記基板上の表示領域に設けられる複数の有機ＥＬ素子と、前記有機ＥＬ素子の設けられる領域を規定するとともに、前記表示領域外に設けられるコンタクトホールを規定する隔壁とを有する表示装置であって、前記複数の有機ＥＬ素子は、第１の電極と、当該第１の電極よりも前記基板から離間して設けられる第２の電極と、前記電極間に設けられる１または複数の有機ＥＬ層とを有し、前記第２の電極は、前記表示領域から前記コンタクトホールまで前記隔壁上を延在する接続部を有し、前記隔壁の基板側の端部は、前記表示領域では、その側面とその底面との成す角が鈍角となるように形成され、前記コンタクトホールが形成される領域では、その側面とその底面との成す角が鋭角となるように形成されている、表示装置である。
【００２３】
表示装置には主にアクティブマトリクス駆動型の装置と、パッシブマトリクス駆動型の装置とがある。本発明は両方の型の表示装置に適用可能であるが、本実施形態では一例としてアクティブマトリクス駆動型の表示装置に適用される表示装置について説明する。
【００２４】
＜表示装置の構成＞
まず表示装置の構成について説明する。図１は表示装置１の平面図である。表示装置１は主に、基板２と、前記基板１上の表示領域３０に設けられる複数の有機ＥＬ素子４と、有機ＥＬ素子４の設けられる領域を規定するとともに、表示領域外に設けられるコンタクトホールを規定する隔壁３とを含んで構成される。
【００２５】
基板２上には表示領域３０とコンタクト領域３１とが設定される。
【００２６】
表示領域３０には複数の有機ＥＬ素子４が設けられる。本実施形態では隔壁３は、基板２上において、表示領域３０およびコンタクト領域３１を除く領域では、大略、一面に形成される。また本実施形態では隔壁３は、表示領域３０内において、格子状に設けられる。なお他の実施形態としてたとえば隔壁３は表示領域３０内においてストライプ状に設けられる。
【００２７】
図２は表示領域３０の一部を模式的に示す平面図である。図２では隔壁３の設けられている領域にハッチングを施している。図２に示すように本実施形態では隔壁３は格子状に設けられる。また有機ＥＬ素子４はそれぞれ隔壁３に囲まれた領域に設けられる。
【００２８】
図３は表示領域３０内において１個の有機ＥＬ素子４が設けられる領域を示す断面図である。
【００２９】
基板２上には、隔壁３と基板２とによって規定される複数の凹部５が設定される。この凹部５に各有機ＥＬ素子４が設けられる。
【００３０】
本実施形態の隔壁３は格子状に設けられる。そのため基板２の厚み方向Ｚの一方から見て（以下、「平面視で」ということがある。）、複数の凹部５がマトリクス状に配置されている。すなわち凹部５は行方向Ｘに所定の間隔をあけるとともに、列方向Ｙにも所定の間隔をあけて整列して設けられている。各凹部５の平面視における形状はとくに限定されない。たとえば凹部５は、平面視で略矩形および略楕円形に形成される。本実施形態では平面視で略矩形状の凹部５が設けられている。なお本明細書において上記の行方向Ｘおよび列方向Ｙは、基板の厚み方向Ｚに垂直な方向であって、かつ互いに垂直な方向を意味する。
【００３１】
なお他の実施形態としてストライプ状の隔壁が設けられる場合、隔壁は、たとえば行方向Ｘに延在する複数本の隔壁部材が、列方向Ｙに所定の間隔をあけて配置されて構成される。この形態ではストライプ状の隔壁と基板とによって、ストライプ状の凹部が規定される。
【００３２】
隔壁３の基板２側の端部３ａは、表示領域３０では、その側面とその底面との成す角θ１が鈍角となるように形成されている。たとえば列方向Ｙに延在する隔壁３を、その延在方向（列方向Ｙ）に垂直な平面で切断したときの断面形状は、基板２から離間するにしたがって幅広になるように形成されている。
【００３３】
表示領域３０では、隔壁３の側面と基板の表面との成す角度θ１、すなわち隔壁側面の傾斜角θ１は９５°〜１７０°程度であり、１００°〜１２０°が好ましい。なおこの隔壁側面の傾斜角θ１が０°〜９０°までの隔壁３はいわゆる順テーパ形状の隔壁と呼称され、隔壁側面の傾斜角θ１が９０°〜１８０°までの隔壁３はいわゆる逆テーパ形状の隔壁と呼称される。すなわち本実施形態では表示領域３０には逆テーパ形状の隔壁３が設けられる。
【００３４】
また隔壁３の基板２側とは反対側の端部３ｂは、前記表示領域３０では、その側面とその底面との成す角が鋭角となるように形成されていることが好ましい。すなわち隔壁３は、基板２側の端部３ａから基板２側とは反対側の端部３ｂまで、一貫して逆テーパ形状に形成されているのではなく、基板２側の端部３ａは逆テーパ形状に形成され、基板２側とは反対側の端部３ｂでは順テーパ形状に形成されていることが好ましい。このような形状にすることで、隔壁３と有機ＥＬ層との境界領域において第２の電極が断線することを、より防ぐことができる。
【００３５】
有機ＥＬ素子４は隔壁３によって画成される区画（すなわち凹部５）に設けられる。本実施形態のように格子状の隔壁３が設けられる場合、各有機ＥＬ素子４はそれぞれ各凹部５に設けられる。すなわち有機ＥＬ素子４は、各凹部５と同様にマトリクス状に配置され、基板２上において、行方向Ｘに所定の間隔をあけるとともに、列方向Ｙにも所定の間隔をあけて整列して設けられている。
【００３６】
なお他の実施形態としてストライプ状の隔壁が設けられる場合、有機ＥＬ素子４は行方向Ｘに延在する各凹部において、行方向Ｘにそれぞれ所定の間隔をあけて配置される。
【００３７】
本実施形態では３種類の有機ＥＬ素子４が設けられる。すなわち（１）赤色の光を出射する赤色有機ＥＬ素子４Ｒ、（２）緑色の光を出射する緑色有機ＥＬ素子４Ｇ、および（３）青色の光を出射する青色有機ＥＬ素子４Ｂが設けられる。これら３種類の有機ＥＬ素子４Ｒ，４Ｇ，４Ｂは、たとえば以下の（Ｉ）（ＩＩ）（ＩＩＩ）の行を、列方向Ｙにこの順で繰り返し配置することによって、それぞれ整列して配置される（図２参照）。
（Ｉ）赤色有機ＥＬ素子４Ｒが行方向Ｘにそれぞれ所定の間隔をあけて配置される行。
（ＩＩ）緑色有機ＥＬ素子４Ｇが行方向Ｘにそれぞれ所定の間隔をあけて配置される行。
（ＩＩＩ）青色有機ＥＬ素子４Ｂが行方向Ｘにそれぞれ所定の間隔をあけて配置される行。
【００３８】
なお他の実施の形態として、上記３種類の有機ＥＬ素子に加えて、たとえば白色の光を出射する有機ＥＬ素子がさらに設けられてもよい。また１種類のみの有機ＥＬ素子を設けることによって、モノクロ表示装置を実現してもよい。
【００３９】
有機ＥＬ素子４は、第１の電極６と、当該第１の電極よりも前記基板から離間して設けられる第２の電極１０と、前記電極間に設けられる１または複数の有機ＥＬ層とを有する。本明細書では第１の電極６と第２の電極１０との間に設けられる１または複数の層をそれぞれ有機ＥＬ層という。有機ＥＬ素子４は有機ＥＬ層として少なくとも１層の発光層を備える。なお有機ＥＬ素子４は、１層の発光層に加えて、必要に応じて発光層とは異なる有機ＥＬ層をさらに備えることもある。たとえば第１の電極６と第２の電極１０との間には、有機ＥＬ層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、電子輸送層、および電子注入層などが設けられる。また第１の電極６と第２の電極１０との間には２層以上の発光層が設けられることもある。
【００４０】
有機ＥＬ素子４は、陽極および陰極からなる一対の電極として、第１の電極６と第２の電極１０とを備える。第１の電極６および第２の電極１０のうちの一方の電極は陽極として設けられ、他方の電極は陰極として設けられる。
【００４１】
本実施形態では一例として、陽極として機能する第１の電極６、正孔注入層として機能する第１の有機ＥＬ層７、発光層として機能する第２の有機ＥＬ層９、陰極として機能する第２の電極１０がこの順で基板２上に積層されて構成される有機ＥＬ素子４について説明する。
【００４２】
本実施形態では３種類の有機ＥＬ素子が設けられるが、これらは第２の有機ＥＬ層（本実施形態では発光層）９の構成がそれぞれ異なる。赤色有機ＥＬ素子４Ｒは赤色の光を放射する赤色発光層９Ｒを備え、緑色有機ＥＬ素子４Ｇは緑色の光を放射する緑色発光層９Ｇを備え、青色有機ＥＬ素子４Ｂは青色の光を放射する青色発光層９Ｂを備える。
【００４３】
本実施形態では第１の電極６は有機ＥＬ素子４ごとに設けられる。すなわち有機ＥＬ素子４と同数の第１の電極６が基板２上に設けられる。第１の電極６は有機ＥＬ素子４の配置に対応して設けられ、有機ＥＬ素子４と同様にマトリクス状に配置される。なお本実施形態の隔壁３は、主に第１の電極６を除く領域に格子状に形成されるが、さらに第１の電極６の周縁部を覆うように形成されている（図３参照）。
【００４４】
正孔注入層に相当する第１の有機ＥＬ層７は、凹部５において第１の電極６上にそれぞれ設けられる。この第１の有機ＥＬ層７は、必要に応じて、有機ＥＬ素子の種類ごとに、その材料または膜厚を異ならせて設けられる。なお第１の有機ＥＬ層７の形成工程の簡易さの観点から、同じ材料、同じ膜厚で全ての第１の有機ＥＬ層７を形成してもよい。
【００４５】
発光層として機能する第２の有機ＥＬ層９は、凹部５において第１の有機ＥＬ層７上に設けられる。上述したように発光層は有機ＥＬ素子の種類に応じて設けられる。そのため赤色発光層９Ｒは赤色有機ＥＬ素子４Ｒが設けられる凹部５に設けられ、緑色発光層９Ｇは緑色有機ＥＬ素子４Ｇが設けられる凹部５に設けられ、青色発光層９Ｂは青色有機ＥＬ素子４Ｂが設けられる凹部５に設けられる。
【００４６】
第２の電極１０は有機ＥＬ素子４が設けられる表示領域において全面に形成される。すなわち第２の電極１０は、第２の有機ＥＬ層９上だけでなく、隔壁３上にも形成され、複数の有機ＥＬ素子に亘って連続して形成されている。
【００４７】
第２の電極１０の基板２側の表面は、有機ＥＬ素子４の中央部から隔壁３に近づくにつれて、基板２から離間するように形成されることが好ましい。換言すると、第２の電極１０に接する有機ＥＬ層９および隔壁３により構成される面が、有機ＥＬ素子４の中央部から隔壁３に近づくにつれて、基板２から離間するように形成されることが好ましい。第２の電極１０に接する有機ＥＬ層９および隔壁３により構成される面がこのように構成されることにより、第２の電極１０が、有機ＥＬ層９と隔壁３との境界領域で断線することを、より防ぐことができる。
【００４８】
以上の実施形態では隔壁３は、第１の電極６の周縁部を覆って、基板２に接して設けられているが、他の実施形態として、隔壁３と基板２との間に、さらに絶縁膜を設けてもよい。絶縁膜はたとえば隔壁と同様に格子状に形成され、第１の電極６の周縁部を覆って形成される。このような絶縁膜は好ましくは隔壁３よりも親液性を示す材料によって形成される。
【００４９】
本実施形態では、コンタクト領域３１は、表示領域３０の行方向Ｘの一方（図１では左方）に離間した位置において、列方向Ｙに延在して設けられる。なおコンタクト領域とは本明細書ではコンタクトホールおよびコンタクト導体が設けられる領域を意味する。さらに本実施形態では、コンタクト領域３１は、表示領域３０の行方向Ｘの他方（図１では右方）に離間した位置において、列方向Ｙに延在して設けられる。図４はコンタクト領域３１を列方向Ｙに垂直な平面で切断したときの断面図である。
【００５０】
前記コンタクトホールが形成される領域では、隔壁の基板側の端部（図４では下端部）は、その側面とその底面との成す角θ２が鋭角となるように形成されている。すなわち本実施形態では、コンタクトホールが形成される領域では、順テーパ形状の隔壁３が設けられる。θ２は５°〜８５°程度であり、２０°〜６０°が好ましい。
【００５１】
コンタクト領域３１では、隔壁３にはコンタクトホールに相当する領域に貫通孔が形成される。この貫通孔は、本実施形態では列方向Ｙに延在するように形成される。
【００５２】
また基板２上には、貫通孔の基板側の端部（図４では下端）に接する位置に、外部の電源に接続される電極配線２０が形成されている。さらに、隔壁３上およびコンタクトホール内には、第２の電極１０から一体的に延在する導電体膜が形成される。この導電体膜において、前記表示領域から前記コンタクトホールまで隔壁上を延在する部位を接続部２３と称し、コンタクトホールに形成される部位をコンタクト導体２２と称する。
【００５３】
このように第２の電極１０、接続部２３およびコンタクト導体２２が一体的に形成され、さらにコンタクト導体２２が上記の電極配線２０に接続されるため、これら接続部２３、コンタクト導体２２、電極配線２０によって、第２の電極が外部の電源に接続される。
【００５４】
以下、図５〜図８を参照しつつ表示装置の製造方法について説明する。なお図５，６は、図３に対応する領域（表示領域）を示し、図７，８は、図４に対応する領域（コンタクト領域）を示す。
【００５５】
（基板を用意する工程）
本工程では基板２上に第１の電極６と電極配線２０とを形成する（図５Ａ，図７Ａ参照）。なお本工程では第１の電極６および電極配線２０がそのうえに形成された基板を市場から入手することによって、第１の電極６および電極配線２０が形成された基板２を用意してもよい。
【００５６】
アクティブマトリクス型の表示装置の場合、複数の有機ＥＬ素子を個別に駆動するための回路が予め形成された基板を本実施形態の基板２として用いることができる。たとえばＴＦＴ（Thin Film Transistor）およびキャパシタなどが予め形成された基板を基板として用いることができる。
【００５７】
まず基板２上に複数の第１の電極６をマトリクス状に形成するとともに、所定の部位に電極配線２０を形成する。第１の電極６は、たとえば基板２上の一面に導電性薄膜を形成し、これをフォトリソグラフィー法によってマトリクス状にパターニングすることによって形成される。またたとえば所定の部位に開口が形成されたマスクを基板２上に配置し、このマスクを介して基板２上の所定の部位に導電性材料を選択的に堆積することにより第１の電極６をパターン形成してもよい。また電極配線２０は、第１の電極６と同様の方法で、たとえば第１の電極６と同じ工程で第１の電極６と一括して形成される。第１の電極６および電極配線２０の材料については後述する（図５Ａ，図７Ａ参照）。
【００５８】
（隔壁を形成する工程）
本工程では、ネガ型のフォトレジストを基板上に塗布して隔壁形成用膜を形成し、表示領域とコンタクトホールが設けられる領域とで露光量を異ならせて、前記隔壁形成用膜を露光し、現像することにより前記隔壁を形成する。なおコンタクトホールが設けられる領域とは、コンタクト導体が設けられる領域とこの領域の周縁部とを含む領域を意味する。
【００５９】
まず感光性樹脂を含むインキを前記基板２上に塗布成膜し、隔壁形成用膜８を形成する（図５Ｂ，図７Ｂ参照）。
【００６０】
インキの塗布方法としては、たとえばスピンコート法やスリットコート法などを挙げることができる。
【００６１】
感光性樹脂を含むインキを前記基板上に塗布成膜した後、通常はプリベークを行う。たとえば８０℃〜１１０℃の温度で、６０秒〜１８０秒間、基板を加熱することによってプリベークを行い、溶媒を除去する。
【００６２】
つぎに基板２上に所定のパターンの光を遮光するフォトマスク２１を配置し、このフォトマスク２１を介して、隔壁形成用膜８に対して露光を行う。感光性樹脂には、ポジ型およびネガ型の樹脂があるが、本工程ではネガ型の感光性樹脂を使用する。ネガ型の感光性樹脂を用いた場合には、隔壁形成用膜８のうちで主に隔壁３が形成されるべき部位に光を照射する。
【００６３】
なお、本実施形態では、有機ＥＬ素子が設けられる領域とコンタクトホールが設けられる領域とでは、露光量を異ならせて隔壁形成用膜８を露光する。このように露光量を異ならせることによって、表示領域３０においては逆テーパ形状の隔壁３を形成し、コンタクト領域３１においては順テーパ形状の隔壁３を形成することができる。
【００６４】
具体的には、分割露光のできないプロキシミティ露光機を用いた場合には、２枚のフォトマスクを用いて、露光領域を分けて、２回の露光を行なう。これにより露光量を異ならせることができる。
【００６５】
また分割露光の可能なステッパーを使用した場合には、１枚のフォトマスクを用いて、露光領域に応じて露光量を変えることにより、露光量を異ならせることができる。
【００６６】
本実施形態では、分割露光のできないプロキシミティ露光機を用いる。具体的には、露光領域を第１の露光領域と第２の露光領域とに分けて、それぞれの露光領域に対応する２種類のフォトマスク２１を用いて、２回にわけて露光を行なう。
【００６７】
図９は露光領域を説明するための表示装置１の平面図である。本実施形態では第１の露光領域は、表示領域３０およびこの表示領域３０の周縁部３２に対応する。図９ではこの表示領域３０の周縁部３２にハッチングを施している。第２の露光領域は表示領域３０を除く領域に対応する。すなわち第２の露光領域はコンタクト領域を含む。なおこの場合、第１の露光領域と第２の露光領域とには、表示領域３０の周縁部３２において重なりが生じる。そのため表示領域３０の周縁部３２は２回露光されることになる。
まず第１の露光領域の露光を行なう。図５Ｃに示すように、基板２上に第１のフォトマスク２１ａを配置し、このフォトマスク２１ａを介して光を照射することによって、第１の露光領域において隔壁形成用膜８のうちで主に隔壁３が形成されるべき部位に第１の露光量にて光を照射する。なお本工程では第１のフォトマスク２１ａによってコンタクト領域３１は遮光されている。図５Ｃでは隔壁形成用膜８に照射する光を模式的に矢印記号で示している。
【００６８】
つぎに第２の露光領域の露光を行なう。図７Ｃに示すように、基板上に第２のフォトマスク２１ｂを配置し、このフォトマスク２１ｂを介して光を照射することによって、第２の露光領域において、隔壁形成用膜８のうち主に隔壁３が形成されるべき部位、すなわちコンタクト領域を除く領域に第２の露光量にて光を照射する。なお本工程では第２のフォトマスク２１ｂによってコンタクト領域３１および表示領域３０は遮光されている。図７Ｃでは隔壁形成用膜８に照射する光を模式的に矢印記号で示している。
【００６９】
なお第１の露光領域と第２の露光領域とが重なる領域には、第１の露光量と第２の露光量とを積算した光量が照射されることになる。
【００７０】
一般にネガ型の感光性樹脂の場合、露光量を多くするほど、隔壁側面の傾斜角θ１，θ２が小さくなる傾向にある。そこで第１の露光量は、第２の露光量よりも露光量が少なくなるように設定される。第１の露光量は、傾斜角θ１に応じて設定されるが、たとえば２０ｍＪ／ｍ２〜６０ｍＪ／ｍ２であり、２０ｍＪ／ｍ２〜４０ｍＪ／ｍ２がさらに好ましい。
【００７１】
第２の露光量は、傾斜角θ２に応じて設定されるが、たとえば６０ｍＪ／ｍ２〜２００ｍＪ／ｍ２であり、８０ｍＪ／ｍ２〜１００ｍＪ／ｍ２がさらに好ましい。
【００７２】
また傾斜角θ１、θ２は、現像時間を調整することによっても調整することができる。一般にネガ型の感光性樹脂の場合、現像時間を長くするほど傾斜角θ１，θ２が大きくなる傾向にある。またフォトマスクと基板との距離を調整することによっても傾斜角θ１，θ２を調整することができる。一般にネガ型の感光性樹脂の場合、フォトマスクと基板との距離を短くするほど、傾斜角θ１，θ２が９０°に近づく傾向にある。
【００７３】
さらに傾斜角θ１，θ２は隔壁形成用膜８の膜厚にも依存することがある。そこで、隔壁形成用膜８の膜厚としては、０．５μｍ〜１μｍが好ましく、０．６μｍ〜０．７μｍがさらに好ましい。
【００７４】
つぎに現像を行う。これによって隔壁３がパターン形成される（図６Ａ，図８Ａ参照）。現像後、必要に応じてポストベークを行う。たとえば２００℃〜２３０℃の温度で、１５分〜６０分間、基板を加熱することによってポストベークを行い、隔壁３を硬化する。
【００７５】
以上のように隔壁を形成することにより、表示領域３０では逆テーパ形状の隔壁３が形成され、コンタクト領域３１では順テーパ形状の隔壁３が形成される。
【００７６】
隔壁の形成に使用される感光性樹脂組成物には一般にバインダー樹脂、架橋材、光反応開始材、溶媒、紫外線吸収剤、およびその他の添加剤を配合したものが使用される。
【００７７】
バインダー樹脂は、予め重合されたものである。その例としては、自ら重合性を有しない非重合性バインダー樹脂、重合性を有する置換基が導入された重合性バインダー樹脂が挙げられる。バインダー樹脂は、ポリスチレンを標準としてゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で求められる重量平均分子量が５，０００〜４００，０００の範囲にある。
【００７８】
バインダー樹脂としては、たとえばフェノール樹脂、ノボラック樹脂、メラミン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂などが挙げられる。バインダー樹脂としては、単量体はそれぞれ単独または２種以上を組み合わせた共重合体を使用することもできる。バインダー樹脂は、上記感光性樹脂を含むインクの全固形分に対して、質量分率で通常５％〜９０％である。
【００７９】
架橋材としては、光を照射することによって光重合開始剤から発生した活性ラジカル、酸などによって重合し得る化合物であって、たとえば、重合性炭素−炭素不飽和結合を有する化合物が挙げられる。架橋材は、分子内に重合性炭素−炭素不飽和結合を１個有する単官能の化合物であってもよいし、重合性炭素−炭素不飽和結合を２個またはそれ以上有する２官能または３官能以上の多官能の化合物であってもよい。上記感光性樹脂を含むインクにおいて、架橋材は、バインダー樹脂と架橋材との合計量を１００質量部とすると、通常０．１質量部以上７０質量部以下である。また上記感光性樹脂を含むインクにおいて光反応開始材は、バインダー樹脂と架橋材との合計量を１００質量部とすると、通常１質量部以上３０質量部以下である。
【００８０】
具体的には、ネガ型の感光性樹脂組成物（日本ゼオン株式会社製ZPN2464）を使用することができる。
【００８１】
さらに、感光性樹脂組成物に撥液剤を混合し、撥液剤を含む感光性樹脂組成物を調整してもよい。撥液剤には例えば、ダイキン製撥液剤オプトエース（登録商法）ＨＰシリーズを使用することができる。撥液剤を除く感光性樹脂組成物の全固形分に対する撥液剤の固形分濃度比｛（撥液剤／撥液剤を除く感光性樹脂組成物の全固形分）×１００｝は０．１％〜１．０％（重量）が好ましい。
【００８２】
本感光性樹脂組成物に照射される光（照射光）は、紫外線吸収剤などに吸収されるため、表面側から離間するほど弱くなる。そのため、本感光性樹脂組成物は光照射側（表面側）の方が硬化しやすく、表面側から離間するほど硬化しにくいという特徴がある。そのため、露光量が小さい場合は照射光の届きにくい底面付近は硬化しにくくなり、現像液に曝されることによって、隔壁端部の形状は逆テーパ形状となる。他方、感光性樹脂組成物を厚み方向に亘って硬化させるのに十分な量の露光量で光を照射した場合は、順テーパ形状とすることができる。
【００８３】
現像に使用される現像液としては、たとえば塩化カリウム水溶液、水酸化テトラメチルアンモニウム（TMAH）水溶液などを挙げることができる。
【００８４】
隔壁３の形状およびその配置は、画素数および解像度などの表示装置の仕様や製造の容易さなどに応じて適宜設定される。たとえば表示領域３０における隔壁３の行方向Ｘまたは列方向Ｙの幅は、５μｍ〜５０μｍ程度であり、隔壁３の高さは０．３μｍ〜５μｍ程度であり、行方向Ｘまたは列方向Ｙに隣り合う隔壁３間の間隔、すなわち凹部５の行方向Ｘまたは列方向Ｙの幅は、１０μｍ〜２００μｍ程度である。また第１の電極６の行方向Ｘまたは列方向Ｙの幅はそれぞれ１０μｍ〜２００μｍ程度である。
【００８５】
コンタクト領域３１における隔壁３のコンタクトホールの行方向Ｘの幅は、３μｍ〜５０００μｍ程度である。
【００８６】
（有機ＥＬ層を形成する工程）
本工程では有機ＥＬ層を形成する（図６Ｂ参照）。本実施形態では１層以上の有機ＥＬ層のうち、少なくとも１層の有機ＥＬ層を塗布法によって形成する。本実施形態では、第１の有機ＥＬ層７および第２の有機ＥＬ層９を塗布法によって形成する。
【００８７】
まず第１の有機ＥＬ層７となる材料を含むインキ２２を隔壁３に囲まれた領域（凹部５）に供給する。インキは、隔壁３の形状、成膜工程の簡易さ、および成膜性などを勘案して適宜最適な方法によって供給される。インキはたとえばインクジェットプリント法、ノズルコート法、凸版印刷法、凹版印刷法などによって供給される。
【００８８】
つぎに供給されたインキが固化することによって第１の有機ＥＬ層７が形成される。インキの固化は、たとえば自然乾燥、加熱乾燥、真空乾燥によって行うことができる。またインキが、エネルギーを加えることによって重合する材料を含む場合、インキを供給した後に、薄膜を加熱したり、薄膜に光を照射したりすることによって、有機ＥＬ層を構成する材料を重合してもよい。このように有機ＥＬ層を構成する材料を重合することによって、この有機ＥＬ層上に有機ＥＬ層をさらに形成する際に使用されるインキに対して、有機ＥＬ層を難溶化することができる。
【００８９】
つぎに発光層として機能する第２の有機ＥＬ層９を形成する。第２の有機ＥＬ層９は第１の有機ＥＬ層７と同様に形成することができる。すなわち赤色発光層９Ｒ、緑色発光層９Ｇ、青色発光層９Ｂとなる材料を含む３種類のインキを、隔壁３に囲まれた領域にそれぞれ供給し、さらにこれを固化することによって各発光層９Ｒ，９Ｇ，９Ｂを形成することができる。
【００９０】
以上のように有機ＥＬ層を塗布法で形成することにより、逆テーパ形状の隔壁が設けられるため、隔壁３に囲まれた領域（凹部５）に供給されたインキは、毛細管現象によって、第１の電極６と隔壁３とが接続される先細状の部位７ａに吸い込まれるように充填される。この状態を維持したままインキの溶媒が蒸発することによって、第１の電極６と隔壁３とが接続される部位にも有機ＥＬ層が形成される。これによって均一な膜厚の有機ＥＬ層を得ることができる。
【００９１】
そして、第１の電極６と隔壁３とが接続される先細状の部位７ａが有機ＥＬ層７によって充填されることにより、第２の電極１０に接する有機ＥＬ層９および隔壁３により構成される面が、有機ＥＬ素子４の中央部から隔壁３に近づくにつれて、基板２から離間するように形成される。
【００９２】
（第２の電極等を形成する工程）
つぎに基板２の所定の領域を除く全領域（少なくとも表示領域３０およびコンタクト領域３１、並びに表示領域３０とコンタクト領域３１の間の領域）に導電性薄膜を形成する。これにより第２の電極１０、接続部２３およびコンタクト導体２２が形成される。
【００９３】
本実施形態では、コンタクト領域３１では隔壁３が順テーパ形状に形成されるため、たとえ接続部２３およびコンタクト導体２２の膜厚が薄い場合であっても、隔壁３の端部でこれらが断線することを防ぐことができる。
【００９４】
また表示領域３０では、隔壁３は逆テーパ形状に形成されているが、隔壁３に囲まれる領域の基板２側の端部は有機ＥＬ層７，９によって充填されているため、第２の電極１０の膜厚が薄い場合であっても、隔壁３の端部で第２の電極１０が断線することを防ぐことができる。
【００９５】
このように、コンタクト領域３１では隔壁３を順テーパ形状に形成し、表示領域３０では隔壁３を逆テーパ形状に形成することにより、第２の電極１０、接続部２３およびコンタクト導体２２の膜厚を薄くすることができ、これらを形成するために要する時間を従来技術に比べて短縮することができる。
【００９６】
第２の電極１０、接続部２３およびコンタクト導体２２の膜厚は、必要とされる電気抵抗および成膜時間を勘案して設定されるが、１０ｎｍ〜１μｍであり、５０ｎｍ〜５００ｎｍが好ましく、１００ｎｍ〜２００ｎｍがさらに好ましい。
【００９７】
また前述したように第２の電極１０の基板２側の表面は、有機ＥＬ素子４の中央部から隔壁３に近づくにつれて、基板２から離間するように形成される。換言すると、第２の電極１０に接する有機ＥＬ層９および隔壁３により構成される面が、有機ＥＬ素子４の中央部から隔壁３に近づくにつれて、基板２から離間するように形成される。第２の電極１０に接する有機ＥＬ層９および隔壁３により構成される面がこのように構成されることにより、第２の電極１０が、有機ＥＬ層９と隔壁３との境界領域で断線することを防ぐことができる。
【００９８】
＜有機ＥＬ素子の構成＞
以下では有機ＥＬ素子の構成についてさらに詳しく説明する。有機ＥＬ素子は、有機ＥＬ層として少なくとも１層の発光層を有するが、上述したように有機ＥＬ層として、たとえば正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、および電子注入層などを有する。
【００９９】
本実施の形態の有機ＥＬ素子のとりうる層構成の一例を以下に示す。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔注入層／発光層／陰極
ｃ）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
ｄ）陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｅ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｆ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
ｇ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｈ）陽極／発光層／電子注入層／陰極
ｉ）陽極／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（ここで、記号「／」は、記号「／」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）
【０１００】
なお上述の実施形態では陽極として機能する第１の電極が、第２の電極に対して基板寄りに配置される形態の有機ＥＬ素子について説明したが、本発明は陰極として機能する第１の電極が、第２の電極に対して基板寄りに配置される形態の有機ＥＬ素子にも適用することができる。また有機ＥＬ素子は、たとえば上記のａ）〜ｉ）の態様において、陽極から順次積層して陰極を最後に積層する形態、または陰極から順次積層して陽極を最後に積層する形態をとりうる。
【０１０１】
＜基板＞
基板には、有機ＥＬ素子を製造する工程において化学的に変化しないものが好適に用いられ、たとえばガラス基板、プラスチック基板、高分子フィルム基板、およびシリコン基板、並びにこれらを積層したものなどが用いられる。
【０１０２】
＜陽極＞
発光層から放射される光が陽極を通って外界に出射する構成の有機ＥＬ素子の場合、陽極には光透過性を示す電極が用いられる。光透過性を示す電極としては、金属酸化物、金属硫化物および金属などの薄膜を用いることができ、電気伝導度および光透過率の高いものが好適に用いられる。具体的には酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＺＯ）、金、白金、銀、および銅などから成る薄膜が用いられ、これらの中でもＩＴＯ、ＩＺＯ、または酸化スズから成る薄膜が好適に用いられる。陽極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法などを挙げることができる。また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
【０１０３】
＜陰極＞
陰極の材料としては、仕事関数が小さく、発光層への電子注入が容易で、電気伝導度の高い材料が好ましい。また陽極側から光を取出す構成の有機ＥＬ素子では、発光層から放射される光を陰極で陽極側に反射するために、陰極の材料としては可視光に対する反射率の高い材料が好ましい。陰極には、たとえばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属および周期表の１３族金属などを用いることができる。陰極の材料としては、たとえばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、前記金属のうちの２種以上の合金、前記金属のうちの１種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの１種以上との合金、またはグラファイト若しくはグラファイト層間化合物などが用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などを挙げることができる。また陰極としては導電性金属酸化物および導電性有機物などから成る透明導電性電極を用いることができる。具体的には、導電性金属酸化物として酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ＩＴＯ、およびＩＺＯを挙げることができ、導電性有機物としてポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などを挙げることができる。なお陰極は、２層以上を積層した積層体で構成されていてもよい。なお電子注入層が陰極として用いられることもある。
【０１０４】
陰極の作製方法としては、真空蒸着法、イオンプレーティング法などを挙げることができる。
【０１０５】
陽極または陰極の膜厚は、求められる特性や成膜工程の簡易さなどを考慮して適宜設定され、たとえば１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。なお陽極および陰極のうちで第２の電極として設けられる電極は、前述したとおり、その厚みは必要とされる電気抵抗および成膜時間を勘案して設定されるが、１０ｎｍ〜１μｍであり、５０ｎｍ〜５００ｎｍが好ましく、１００ｎｍ〜２００ｎｍがさらに好ましい。
【０１０６】
なお電極配線２０、接続部２３およびコンタクト導体２２は、陰極および陽極の材料として例示した材料を使用することができる。さらに接続部２３およびコンタクト導体２２は、第２の電極と同じ材料を用いて同一の工程で形成することが好ましい。また電極配線２０は第１または第２の電極と同じ材料を用いて形成する必要はないが、第１または第２の電極よりも電気抵抗が小さくなるように形成することが好ましく、またコンタクト導体２２との接触抵抗が小さくなるように形成することが好ましい。
【０１０７】
＜正孔注入層＞
正孔注入層を構成する正孔注入材料としては、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、および酸化アルミニウムなどの酸化物や、フェニルアミン系化合物、スターバースト型アミン系化合物、フタロシアニン系、アモルファスカーボン、ポリアニリン、およびポリチオフェン誘導体などを挙げることができる。
【０１０８】
正孔注入層の成膜方法としては、たとえば正孔注入材料を含む溶液からの成膜を挙げることができる。たとえば正孔注入材料を含む溶液を所定の塗布法によって塗布成膜し、さらにこれを固化することによって正孔注入層を形成することができる。
【０１０９】
正孔注入層の膜厚は、求められる特性および工程の簡易さなどを考慮して適宜設定され、たとえば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０１１０】
＜正孔輸送層＞
正孔輸送層を構成する正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、又はポリ（２，５−チエニレンビニレン）若しくはその誘導体などを挙げることができる。
【０１１１】
正孔輸送層の膜厚は、求められる特性および成膜工程の簡易さなどを考慮して設定され、たとえば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０１１２】
＜発光層＞
発光層は、通常、主として蛍光及び／又はりん光を発光する有機物、または該有機物とこれを補助するドーパントとから形成される。ドーパントは、たとえば発光効率の向上や、発光波長を変化させるために加えられる。なお発光層を構成する有機物は、低分子化合物でも高分子化合物でもよく、塗布法によって発光層を形成する場合には、発光層は高分子化合物を含むことが好ましい。発光層を構成する高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量はたとえば１０３〜１０８程度である。発光層を構成する発光材料としては、たとえば以下の色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料、ドーパント材料を挙げることができる。
【０１１３】
（色素系材料）
色素系材料としては、たとえば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体などを挙げることができる。
【０１１４】
（金属錯体系材料）
金属錯体系材料としては、たとえばＴｂ、Ｅｕ、Ｄｙなどの希土類金属、またはＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｉｒ、Ｐｔなどを中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを配位子に有する金属錯体を挙げることができ、たとえばイリジウム錯体、白金錯体などの三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体などを挙げることができる。
【０１１５】
（高分子系材料）
高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素系材料や金属錯体系発光材料を高分子化したものなどを挙げることができる。
【０１１６】
発光層の厚さは、通常約２ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０１１７】
＜電子輸送層＞
電子輸送層を構成する電子輸送材料としては、公知のものを使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、又は８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体などを挙げることができる。
【０１１８】
電子輸送層の膜厚は、求められる特性や成膜工程の簡易さなどを考慮して適宜設定され、たとえば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０１１９】
＜電子注入層＞
電子注入層を構成する材料としては、発光層の種類に応じて最適な材料が適宜選択され、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属およびアルカリ土類金属のうちの１種類以上を含む合金、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩、およびこれらの物質の混合物などを挙げることができる。アルカリ金属、アルカリ金属の酸化物、ハロゲン化物、および炭酸塩の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、酸化ルビジウム、フッ化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化セシウム、炭酸リチウムなどを挙げることができる。また、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩の例としては、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、フッ化ストロンチウム、炭酸マグネシウムなどを挙げることができる。電子注入層は、２層以上を積層した積層体で構成されてもよく、たとえばＬｉＦ／Ｃａなどを挙げることができる。
【０１２０】
電子注入層の膜厚としては、１ｎｍ〜１μｍ程度が好ましい。
【０１２１】
上述の各有機ＥＬ層は、たとえばノズルプリンティング法、インクジェットプリンティング法、凸版印刷法、凹版印刷法などの塗布法や、真空蒸着法、スパッタリング法、またはＣＶＤ法などによって形成することができる。なお有機ＥＬ層が複数ある場合、少なくとも１層の有機ＥＬ層は塗布法によって形成される。
【０１２２】
なお塗布法では、各有機ＥＬ層となる有機ＥＬ材料を含むインキを塗布成膜し、さらにこれを固化することによって有機ＥＬ層を形成するが、その際に使用されるインキの溶媒には、たとえばクロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタンなどの塩素系溶媒、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテートなどのエステル系溶媒、および水などが用いられる。
【実施例】
【０１２３】
（実施例１）
まずＩＴＯ薄膜からなる第１の電極（陽極）および電極配線が予めパターン形成されたＴＦＴ基板を用意した（図５Ａ，図７Ａ参照）。
【０１２４】
つぎにネガ型の感光性樹脂溶液（日本ゼオン株式会社製ZPN2464）に撥液剤２（ダイキン製  撥液剤オプトエース（登録商法）ＨＰシリーズ）を混合し、撥液材入りの感光性樹脂溶液を調整した。感光性樹脂に対する撥液剤の固形分濃度比は０．２％（重量）とした。つぎに、用意したＴＦＴ基板の表面上に撥液材入りの感光性樹脂溶液をスピンコータにより塗布成膜し、さらに、ホットプレート上において１１０℃で９０秒間加熱することによってプリベーク処理を行い、溶媒を蒸発させた（図５Ｂ，図７Ｂ参照）。
【０１２５】
つぎにプロキシミティ露光機用フォトマスクＡ、フォトマスクＢを用意した。フォトマスクＡを用いて第１の露光領域（表示領域３０およびこの表示領域３０の周縁部３２）を露光量４０ｍＪ／ｃｍ２で露光した（図５Ｃ，図９参照）。続いてフォトマスクＢを用いて第２の露光領域（表示領域３０を除く領域）を８０ｍＪ／ｃｍ２で露光した。（図７Ｃ，図９参照）。具体的には第２の露光領域において、コンタクト領域を除く領域を露光した。その後、１１０℃で６０秒間露光後ベーク（ＰＥＢ）を行った。続いて現像液（株式会社トクヤマ製SD-1（TMAH2.38wt％））を用いてシャワーにより５０秒間現像し、未露光部分の感光性樹脂を除去した。さらにポストベークとして２３０℃で３０分間加熱し、樹脂を硬化させた。これにより、表示領域内では逆テーパ形状の隔壁が形成され、表示領域外（カソードコンタクト領域を含む）では順テーパ形状の隔壁が形成された（図６Ａ，図８Ａ参照）。
【０１２６】
隔壁の膜厚は０．７μｍとした。上述したように隔壁側面の傾斜角θ１、θ２は膜厚にも依存することがあり、本実施例のように膜厚が０．７μｍの場合は、４０ｍＪ／ｃｍ２以下で逆テーパ形状となり、８０ｍＪ／ｃｍ２以上では順テーパ形状の隔壁が形成できた。表示領域３０では、隔壁３の側面と基板の表面との成す角度θ１は１５０°であった。コンタクトホールが形成される領域では、隔壁３の側面と基板の表面との成す角度θ２は２５°であった。
【０１２７】
なお、隔壁頂面とアニソールとの接触角は５０°であった。また第１の電極（ＩＴＯ薄膜）表面と、純水との接触角は２５°であった。
【０１２８】
つぎに第１の有機ＥＬ層として正孔注入層を形成した。まずオゾン水製造装置（ロキテクノ社製  FA-１０００ZW１２-５C）を用いて、基板表面をオゾン水（濃度：２ppm、処理時間：５分）で洗浄した。この洗浄によって、第１の電極（ＩＴＯ薄膜）表面と純水との接触角が５°以下にまで低下し、第１の電極（ＩＴＯ薄膜）表面に十分な濡れ性を付与することができた。つぎにインクジェット装置（ULVAC社製  Litlex142P）を用いてインキ（固形分濃度１．５重量％のポリ（エチレンジオキシチオフェン）（PEDOT）/ポリスチレンスルホン酸（PSS）水分散液（バイエル社製 ＡＩ４０８３））を、各凹部に塗布した。インキは、接触角の高い隔壁の頂面によって弾かれるため、この頂面を伝わって隣の領域に溢れ出ることが防がれ、凹部内に収容された。他方、凹部に収容されたインキは、毛細管現象によって第１の電極と隔壁とが接続される先細状の部位に吸い込まれるように充填され、凹部内に均一に広がった。この基板を２００℃で焼成することにより、均一な膜厚の正孔注入層（膜厚５０ｎｍ）を形成した（図６Ｂ参照）。ここでの膜厚とは凹部の中心の膜厚を意味する。
【０１２９】
つぎに３種類の発光層を形成した。まず赤色の光を放射する高分子発光材料１を、その濃度が０．８ｗｔ％となるように有機溶媒に混合して、赤インキを調整した。同様に、緑色の光を放射する高分子発光材料２を、その濃度が０．８ｗｔ％となるように有機溶媒に混合して、緑インキを調整した。そして青色の光を放射する高分子発光材料２を、その濃度が０．８ｗｔ％となるように有機溶媒に混合して、青インキを調整した。これら赤、緑、青インキをそれぞれインクジェット装置（ULVAC社製  Litrex142P）を用いて所定の凹部内に塗布した。インキは、接触角の高い隔壁の頂面によって弾かれるため、この頂面を伝わって隣の領域に溢れ出ることが防がれ、凹部内に収容された。他方、凹部に収容されたインキは、毛細管現象によって第１の電極と隔壁とが接続される先細状の部位に吸い込まれるように充填され、凹部内に均一に広がった。この基板を１３０℃で焼成することにより、均一な膜厚の発光層（膜厚６０ｎｍ）を形成した（図６Ｂ参照）。なお高分子発光材料として、たとえばサメイション製のものを使用して発光層を形成することもできる。
【０１３０】
次にＮａＦ（２ｎｍ）からなる層、Ｍｇ（２ｎｍ）からなる層、Ａｌ（２００ｎｍ）からなる層を真空蒸着法によって順次積層し、第２の電極（陰極）、接続部およびコンタクト導体を形成した。その後、封止基板を貼り合せて、有機ＥＬ素子を封止し、表示装置を作製した。
【０１３１】
上記発光層が形成された後の画素周囲の隔壁の下部は有機ＥＬ層で埋められ、隔壁表面から有機ＥＬ層表面に亘って段差のない形状が得られた。そのため、全ての有機ＥＬ素子に亘って連なる、膜厚が２００ｎｍからなるＡｌの第２の電極が形成された。このように画素周囲が逆テーパ形状の隔壁であっても薄い膜厚の陰極が断線することはなかった。さらに、カソードコンタクト領域は隔壁自体が順テーパ形状に形成されているので、薄い膜厚の接続部およびコンタクト導体であっても、これらが断線することはなかった。作製した表示装置は、有機ＥＬ素子が設けられた全発光領域内において正常に発光することが確認された。
【符号の説明】
【０１３２】
１    表示装置
２    基板
３    隔壁
３ａ    隔壁３の基板２側の端部
３ｂ    隔壁３の基板２側とは反対側の端部
４    有機ＥＬ素子
５    凹部
６    第１の電極
７    第１の有機ＥＬ層（正孔注入層）
７ａ    先細状の部位
８    隔壁形成用膜
９    第２の有機ＥＬ層（発光層）
１０    第２の電極
２０    電極配線
２１    フォトマスク
２１ａ  第１のフォトマスク
２１ｂ  第２のフォトマスク
２２    コンタクト導体
２３    接続部
３０    表示領域
３１    コンタクト領域
３２    周縁部
５１    隔壁
５２    有機ＥＬ素子
５３    第１の電極
５４    有機ＥＬ層
５５    有機ＥＬ層
５６    第２の電極
５７    先端部
５８    基板
６１    接続部
６２    コンタクト導体
６３    電極配線
【図１】
2014235885.tif 000003
【図２】
2014235885.tif 000004
【図３】
2014235885.tif 000005
【図４】
2014235885.tif 000006
【図５】
2014235885.tif 000007
【図６】
2014235885.tif 000008
【図７】
2014235885.tif 000009
【図８】
2014235885.tif 000010
【図９】
2014235885.tif 000011
【図１０】
2014235885.tif 000012
【図１１】
2014235885.tif 000013
【図１２】
2014235885.tif 000014