(57)【要約】【課題】テラヘルツ波を用いた計測対象物の特性の分析精度に対する再帰反射鏡の傾きに起因した影響を軽減する。【手段】テラヘルツ波計測装置（１００）は、第１レーザ光（ＬＢ１）が照射されることでテラヘルツ波（ＴＨｚ）を発生する発生手段（１１０）と、第１レーザ光を再帰反射する再帰反射手段（１２０）とを備え、検出手段は、第２レーザ光の照射位置の第１方向（Ｚ１）に沿った位置ずれの許容度が、第２レーザ光の照射位置の第２方向（Ｙ１）に沿った位置ずれの許容度よりも大きくなるという方向依存性を有しており、再帰反射手段は、第３方向（Ｚ２）に沿った再帰反射手段の傾きによって再帰反射が不可能になる一方で、第４方向（Ｙ２）に沿った再帰反射手段の傾きが生じても再帰反射が可能であるという方向依存性を有しており、第１方向（Ｚ１）と第３方向（Ｚ２）とが揃っている。【選択図】図１１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１レーザ光が照射されることで、テラヘルツ波を発生する発生手段と、
第２レーザ光が照射されることで、前記発生手段から計測対象物に対して照射された前記テラヘルツ波を検出する検出手段と、
前記第２レーザ光を再帰反射すると共に、再帰反射した前記第２レーザ光を、前記検出手段に導く再帰反射手段と
を備え、
前記検出手段は、前記第２レーザ光の照射位置の第１方向に沿った位置ずれの許容度が、前記第２レーザ光の照射位置の前記第１方向とは異なる第２方向に沿った位置ずれの許容度よりも大きくなるという方向依存性を有しており、
前記再帰反射手段は、第３方向に沿った再帰反射手段の傾きによって前記再帰反射が不可能になる一方で、第３方向とは異なる第４方向に沿った再帰反射手段の傾きが生じても前記再帰反射が可能であるという方向依存性を有しており、
前記第１方向と前記第３方向とが揃っている
ことを特徴とするテラヘルツ波計測装置。
【請求項２】
前記検出手段は、間に間隙を挟み込むように延在する２つの導電部を備えており、
前記第１方向は、前記間隙の延在方向に沿った方向であり、
前記第２方向は、前記間隙の延在方向と異なる方向である
ことを特徴とする請求項１に記載のテラヘルツ波計測装置。
【請求項３】
前記検出手段は、間に間隙を挟み込むように延在する２つの導電部を備えており、
前記第１方向は、前記間隙の延在方向に沿った方向及び前記間隙の延在方向に直交する方向の夫々とは異なる方向であり、
前記第２方向は、前記第１方向に直交する方向である
ことを特徴とする請求項１に記載のテラヘルツ波計測装置。
【請求項４】
前記第１方向は、前記第２レーザ光の照射位置の位置ずれの許容度が最大になる方向であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のテラヘルツ波計測装置。
【請求項５】
前記第１方向は、前記検出手段による前記テラヘルツ波の検出精度の、前記第２レーザ光の照射位置の位置ずれに起因した劣化量が最小となる方向であることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のテラヘルツ波計測装置。
【請求項６】
前記第３方向は、前記再帰反射手段が前記第２レーザ光を再帰反射している状態で前記再帰反射手段に入射する前記第２レーザ光の光路及び前記再帰反射手段によって反射される前記第２レーザ光の光路を含む平面に沿った方向とは異なる方向であり、
前記第４方向は、前記再帰反射手段が前記第２レーザ光を再帰反射している状態で前記再帰反射手段に入射する前記第２レーザ光の光路及び前記再帰反射手段によって反射される前記第２レーザ光の光路を含む平面に沿った方向である
ことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のテラヘルツ波計測装置。
【請求項７】
前記再帰反射手段は、第１反射鏡と、当該第１反射鏡の反射面に対して９０度の角度で交わる反射面を有する第２反射鏡とを含んでおり、
前記第３方向は、前記第１反射鏡の反射面と前記第２反射鏡の反射面とが対向する方向と異なる方向であり、
前記第４方向は、前記第１反射鏡の反射面と前記第２反射鏡の反射面とが対向する方向に沿った方向である
ことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載のテラヘルツ波計測装置。
【請求項８】
前記発生手段は、前記第１レーザ光の照射位置の第５方向に沿った位置ずれの許容度が、前記第１レーザ光の照射位置の前記第５方向とは異なる第６方向に沿った位置ずれの許容度よりも大きくなるという方向依存性を有しており、
前記第２レーザ光の照射位置の前記第１方向に沿った位置ずれの許容度が、前記第１レーザ光の照射位置の前記第５方向に沿った位置ずれの許容度よりも大きい場合には、（ｉ）前記再帰反射手段は、前記第２レーザ光を再帰反射し、（ｉｉ）前記第１方向と前記第３方向とが揃っており、
前記第１レーザ光の照射位置の前記第５方向に沿った位置ずれの許容度が、前記第１レーザ光の照射位置の前記第１方向に沿った位置ずれの許容度よりも大きい場合には、（ｉ）前記再帰反射手段は、前記第１レーザ光を再帰反射し、（ｉｉ）前記第５方向と前記第３方向とが揃っている
ことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載のテラヘルツ波計測装置。
【請求項９】
第１レーザ光が照射されることで、テラヘルツ波を発生する発生手段と、
第２レーザ光が照射されることで、前記発生手段から計測対象物に対して照射された前記テラヘルツ波を検出する検出手段と、
前記第１レーザ光を再帰反射すると共に、再帰反射した前記第１レーザ光を、前記発生手段に導く再帰反射手段と
を備え、
前記発生手段は、前記第１レーザ光の照射位置の第１方向に沿った位置ずれの許容度が、前記第１レーザ光の照射位置の前記第１方向とは異なる第２方向に沿った位置ずれの許容度よりも大きくなるという方向依存性を有しており、
前記再帰反射手段は、第３方向に沿った再帰反射手段の傾きによって前記再帰反射が不可能になる一方で、第３方向とは異なる第４方向に沿った再帰反射手段の傾きが生じても前記再帰反射が可能であるという方向依存性を有しており、
前記第１方向と前記第３方向とが揃っている
ことを特徴とするテラヘルツ波計測装置。
【請求項１０】
前記発生手段は、間に間隙を挟み込むように延在する２つの導電部を備えており、
前記第１方向は、前記間隙の延在方向に沿った方向であり、
前記第２方向は、前記間隙の延在方向と異なる方向である
ことを特徴とする請求項９に記載のテラヘルツ波計測装置。
【請求項１１】
前記発生手段は、間に間隙を挟み込むように延在する２つの導電部を備えており、
前記第１方向は、前記間隙の延在方向に沿った方向及び前記間隙の延在方向に直交する方向の夫々とは異なる方向であり、
前記第２方向は、前記第１方向に直交する方向である
ことを特徴とする請求項９に記載のテラヘルツ波計測装置。
【請求項１２】
前記第１方向は、前記第１レーザ光の照射位置の位置ずれの許容度が最大になる方向であることを特徴とする請求項９から１１のいずれか一項に記載のテラヘルツ波計測装置。
【請求項１３】
前記第１方向は、前記発生手段が発生する前記テラヘルツ波の振幅の、前記第１レーザ光の照射位置の位置ずれに起因した減少量が最小となる方向であることを特徴とする請求項９から１２のいずれか一項に記載のテラヘルツ波計測装置。
【請求項１４】
前記第３方向は、前記再帰反射手段が前記第１レーザ光を再帰反射している状態で前記再帰反射手段に入射する前記第１レーザ光の光路及び前記再帰反射手段によって反射される前記第１レーザ光の光路を含む平面に沿った方向とは異なる方向であり、
前記第４方向は、前記再帰反射手段が前記第１レーザ光を再帰反射している状態で前記再帰反射手段に入射する前記第２レーザ光の光路及び前記再帰反射手段によって反射される前記第１レーザ光の光路を含む平面に沿った方向である
ことを特徴とする請求項９から１３のいずれか一項に記載のテラヘルツ波計測装置。
【請求項１５】
前記再帰反射手段は、第１反射鏡と、当該第１反射鏡の反射面に対して９０度の角度で交わる反射面を有する第２反射鏡とを含んでおり、
前記第３方向は、前記第１反射鏡の反射面と前記第２反射鏡の反射面とが対向する方向と異なる方向であり、
前記第４方向は、前記第１反射鏡の反射面と前記第２反射鏡の反射面とが対向する方向に沿った方向である
ことを特徴とする請求項９から１４のいずれか一項に記載のテラヘルツ波計測装置。
【請求項１６】
前記検出手段は、前記第２レーザ光の照射位置の第５方向に沿った位置ずれの許容度が、前記第２レーザ光の照射位置の前記第５方向とは異なる第６方向に沿った位置ずれの許容度よりも大きくなるという方向依存性を有しており、
前記第１レーザ光の照射位置の前記第１方向に沿った位置ずれの許容度が、前記第２レーザ光の照射位置の前記第５方向に沿った位置ずれの許容度よりも大きい場合には、（ｉ）前記再帰反射手段は、前記第１レーザ光を再帰反射し、（ｉｉ）前記第１方向と前記第３方向とが揃っており、
前記第２レーザ光の照射位置の前記第５方向に沿った位置ずれの許容度が、前記第１レーザ光の照射位置の前記第１方向に沿った位置ずれの許容度よりも大きい場合には、（ｉ）前記再帰反射手段は、前記第２レーザ光を再帰反射し、（ｉｉ）前記第５方向と前記第３方向とが揃っている
ことを特徴とする請求項９から１５のいずれか一項に記載のテラヘルツ波計測装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばテラヘルツ波を用いて計測対象物の特性を分析するテラヘルツ波計測装置の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
テラヘルツ波計測装置として、テラヘルツ時間領域分光法（Ｔｅｒａｈｅｒｔｚ  Ｔｉｍｅ−Ｄｏｍａｉｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を利用する装置が知られている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。テラヘルツ波計測装置は、以下の手順で、計測対象物の特性を分析する。まず、超短パルスレーザ光（例えば、フェムト秒パルスレーザ光）を分岐することで得られる一のレーザ光であるポンプ光（言い換えれば、励起光）が、バイアス電圧が印加されているテラヘルツ波発生素子（特に、テラヘルツ波発生素子が備えるダイポールアンテナのギャップ部）に照射される。その結果、テラヘルツ波発生素子は、テラヘルツ波を発生する。テラヘルツ波発生素子が発生したテラヘルツ波は、計測対象物に照射される。計測対象物に照射されたテラヘルツ波は、計測対象物からの反射光又は透過光として、超短パルスレーザ光を分岐することで得られる他のレーザ光であって且つポンプ光に対する光学的な遅延（つまり、光路長差）が付与されたプローブ光（言い換えれば、励起光）が照射されているテラヘルツ波検出素子（特に、テラヘルツ波検出素子が備えるダイポールアンテナのギャップ部）に照射される。その結果、テラヘルツ波検出素子は、計測対象物で反射又は透過したテラヘルツ波の強度に応じた電流信号を検出する。当該検出されたテラヘルツ波（つまり、時間領域のテラヘルツ波であり、電流信号）をフーリエ変換することで、当該テラヘルツ波のスペクトル（つまり、振幅及び位相の周波数応答特性）等が取得される。その結果、当該テラヘルツ波のスペクトルを解析することで、計測対象物の特性が分析される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０００／０７９２４８号パンフレット
【特許文献２】特開２００１−２１５０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、プローブ光（或いは、ポンプ光）に付与される光学的な遅延は、入射する光を再帰反射することが可能な再帰性反射鏡に対してプローブ光（或いは、ポンプ光）を入射させることで付与されることが多い。尚、ここでいう「再帰反射」とは、入射光を、当該入射光の入射方向と平行な方向に向けて反射する状態を示す。再帰性反射鏡の一例としては、リトロリフレクタが例示される。しかしながら、リトロリフレクタを製造するためには、夫々の反射面が互いに９０度の角度を有して交わる３つの反射鏡を高精度に配置する必要がある。このため、高い偏角精度（つまり、入射光に対する反射光の平行度）を有するリトロリフレクタの製造が困難である。
【０００５】
このため、製造の容易性という観点から、夫々の反射面が９０度の角度を有して交わる２つの反射鏡からなる再帰性反射鏡が用いられることが多い。しかしながら、２つの反射鏡からなる再帰性反射鏡では、３つの反射鏡からなるリトロリフレクタとは異なり、振動等に起因して再帰性反射鏡が傾いた場合には、当該再帰性反射鏡が傾いた方向によっては、再帰反射することができなくなることがある。例えば、再帰性反射鏡が再帰反射している状態での入射光の光路及び反射光の光路を含む平面に沿う方向に沿って２つの反射鏡が傾いたとしても、再帰性反射鏡は、再帰反射し続けることができる。一方で、再帰性反射鏡が再帰反射している状態での入射光の光路及び反射光の光路を含む平面に沿った方向とは異なる方向に２つの反射鏡が傾いた場合には、再帰性反射鏡は、再帰反射することができなくなってしまう。再帰反射することができない場合には、再帰性反射鏡によって反射されたプローブ光（或いは、ポンプ光）がテラヘルツ波検出素子（或いは、テラヘルツ波発生素子）のギャップ部に適切に照射されないおそれがある。その結果、テラヘルツ波を用いた計測対象物の特性の分析精度に影響が生じかねない。
【０００６】
本発明が解決しようとする課題には上記のようなものが一例として挙げられる。本発明は、テラヘルツ波を発生する又は検出するために用いられるレーザ光を再帰反射する再帰反射鏡の傾きに起因した、テラヘルツ波を用いた計測対象物の特性の分析精度に対する影響を軽減することを可能とならしめるテラヘルツ波計測装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、第１のテラヘルツ波計測装置は、第１レーザ光が照射されることで、テラヘルツ波を発生する発生手段と、第２レーザ光が照射されることで、前記発生手段から計測対象物に対して照射された前記テラヘルツ波を検出する検出手段と、前記第２レーザ光を再帰反射すると共に、再帰反射した前記第２レーザ光を、前記検出手段に導く再帰反射手段とを備え、前記検出手段は、前記第２レーザ光の照射位置の第１方向に沿った位置ずれの許容度が、前記第２レーザ光の照射位置の前記第１方向とは異なる第２方向に沿った位置ずれの許容度よりも大きくなるという方向依存性を有しており、前記再帰反射手段は、第３方向に沿った再帰反射手段の傾きによって前記再帰反射が不可能になる一方で、第３方向とは異なる第４方向に沿った再帰反射手段の傾きが生じても前記再帰反射が可能であるという方向依存性を有しており、前記第１方向と前記第３方向とが揃っている。
【０００８】
上記課題を解決するために、第２のテラヘルツ波計測装置は、第１レーザ光が照射されることで、テラヘルツ波を発生する発生手段と、第２レーザ光が照射されることで、前記発生手段から計測対象物に対して照射された前記テラヘルツ波を検出する検出手段と、前記第１レーザ光を再帰反射すると共に、再帰反射した前記第１レーザ光を、前記発生手段に導く再帰反射手段とを備え、前記発生手段は、前記第１レーザ光の照射位置の第１方向に沿った位置ずれの許容度が、前記第１レーザ光の照射位置の前記第１方向とは異なる第２方向に沿った位置ずれの許容度よりも大きくなるという方向依存性を有しており、前記再帰反射手段は、第３方向に沿った再帰反射手段の傾きによって前記再帰反射が不可能になる一方で、第３方向とは異なる第４方向に沿った再帰反射手段の傾きが生じても前記再帰反射が可能であるという方向依存性を有しており、前記第１方向と前記第３方向とが揃っている。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施例のテラヘルツ波計測装置の構成を示すブロック図である。
【図２】テラヘルツ波発生素子及びテラヘルツ波検出素子の夫々の構成を示す斜視図である。
【図３】テラヘルツ波検出素子上でのプローブ光の照射位置の位置ずれの量とテラヘルツ波検出素子から出力される電流信号との関係を示すグラフである。
【図４】再帰反射鏡の傾き（位置ずれ）に対するプローブ光の光路（入射光路及び反射光路）を示す平面図である。
【図５】第１実施例におけるテラヘルツ波検出素子及び再帰反射鏡の配置態様を示す斜視図である。
【図６】第１実施例におけるテラヘルツ波検出素子の構成の他の例を示す平面図である。
【図７】第１実施例における光遅延器の構成の他の例を示す平面図である。
【図８】再帰反射鏡の傾き（位置ずれ）に対するプローブ光の光路（入射光路及び反射光路）を示す平面図である。
【図９】変形例におけるテラヘルツ波検出素子及び再帰反射鏡の配置態様を示す斜視図である。
【図１０】第２実施例のテラヘルツ波計測装置の構成を示すブロック図である。
【図１１】第２実施例におけるテラヘルツ波発生素子及び再帰反射鏡の配置態様を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、テラヘルツ波計測装置の実施形態について順に説明する。
【００１１】
（第１実施形態のテラヘルツ波計測装置）
＜１＞
第１実施形態のテラヘルツ波計測装置は、第１レーザ光が照射されることで、テラヘルツ波を発生する発生手段と、第２レーザ光が照射されることで、前記発生手段から計測対象物に対して照射された前記テラヘルツ波を検出する検出手段と、前記第２レーザ光を再帰反射すると共に、再帰反射した前記第２レーザ光を、前記検出手段に導く再帰反射手段とを備え、前記検出手段は、前記第２レーザ光の照射位置の第１方向に沿った位置ずれの許容度が、前記第２レーザ光の照射位置の前記第１方向とは異なる第２方向に沿った位置ずれの許容度よりも大きくなるという方向依存性を有しており、前記再帰反射手段は、第３方向に沿った再帰反射手段の傾きによって前記再帰反射が不可能になる一方で、第３方向とは異なる第４方向に沿った再帰反射手段の傾きが生じても前記再帰反射が可能であるという方向依存性を有しており、前記第１方向と前記第３方向とが揃っている。
【００１２】
第１実施形態のテラヘルツ波計測装置によれば、発生手段、検出手段及び再帰反射手段の動作により、テラヘルツ時間領域分光法（Ｔｅｒａｈｅｒｔｚ  Ｔｉｍｅ−Ｄｏｍａｉｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて、測定対象物に照射されたテラヘルツ波が検出される。検出されたテラヘルツ波は、測定対象物の特性の分析に利用される。尚、テラヘルツ時間領域分光法を用いたテラヘルツ波の検出方法自体は、既存の検出方法を用いてもよい。以下、テラヘルツ時間領域分光法を用いたテラヘルツ波の検出方法の概略について、簡単に説明する。
【００１３】
具体的には、発生手段は、当該発生手段に第１レーザ光が励起光（例えば、ポンプ光）として照射されることで、テラヘルツ波を発生させる。発生手段が発生したテラヘルツ波は、測定対象物に照射される。
【００１４】
検出手段は、当該検出手段に第２レーザ光が励起光（例えば、プローブ光）として照射されることで、測定対象物によって反射された又は測定対象物を透過したテラヘルツ波を検出する。
【００１５】
第１実施形態では、再帰反射手段は、第２レーザ光を再帰反射する。再帰反射された第２レーザ光は、検出手段に導かれる。その結果、再帰反射手段は、第１レーザ光の光路と第２レーザ光の光路との間の光路長差を調整する。言い換えれば、第１レーザ光の光路と第２レーザ光の光路との間の光路長差が、所望値に設定される。このような光路長差の調整は、サブピコ秒というオーダーで現れるテラヘルツ波の波形を好適に検出するために行われる。
【００１６】
ここで、検出手段は、当該検出手段に照射される第２レーザ光の照射位置（つまり、検出手段上における照射位置）の位置ずれに対する方向依存性を有している。具体的には、検出手段は、当該検出手段に照射される第２レーザ光の照射位置の位置ずれの方向に依存して、当該検出手段によるテラヘルツ波の検出精度が変動するという方向依存性を有している。より具体的には、検出手段は、第２レーザ光の照射位置の第１方向に沿った位置ずれの許容度が、第２レーザ光の照射位置の第２方向に沿った位置ずれの許容度よりも大きくなるという方向依存性を有している。ここで、「位置ずれの許容度」は、位置ずれの発生を許容し得る度合いを示す。具体的には、「位置ずれの許容度」が大きいほど、位置ずれに起因したテラヘルツ波の検出精度に対する影響（言い換えれば、このようなテラヘルツ波を用いた計測対象物の特性の分析精度に対する影響）が小さくなる。従って、典型的には、第２レーザ光の照射位置が第１方向に沿って位置ずれした場合の検出手段によるテラヘルツ波の検出精度は、第２レーザ光の照射位置が第２方向に沿って位置ずれした場合の検出手段によるテラヘルツ波の検出精度よりも良好になる。このため、典型的には、第２レーザ光の照射位置が第１方向に沿って位置ずれした場合の分析精度は、第２レーザ光の照射位置が第２方向に沿って位置ずれした場合の分析精度よりも良好になる。
【００１７】
加えて、再帰反射手段は、当該再帰反射手段の傾きに対する方向依存性を有している。具体的には、再帰反射手段は、当該再帰反射手段の傾きの方向に依存して、再帰反射の可否が変わるという方向依存性を有している。より具体的には、再帰反射手段は、第３方向に沿った再帰反射手段の傾きによって再帰反射が不可能になるという方向依存性を有している。一方で、再帰反射手段は、第４方向に沿った再帰反射手段の傾きが生じても再帰反射が可能であるという方向依存性を有している。
【００１８】
尚、第１方向と第２方向とは、互いに直交することが好ましい。但し、第１方向と第２方向とが互いに異なる方向である限りは、第１方向と第２方向とは、どのような方向であってもよい。同様に、第３方向と第４方向とは、互いに直交することが好ましい。但し、第３方向と第４方向とが互いに異なる方向である限りは、第３方向と第４方向とは、どのような方向であってもよい。
【００１９】
第１実施形態では特に、検出手段及び再帰反射手段は、このような方向依存性を考慮した上で、テラヘルツ波を用いた計測対象物の特性の分析精度に対する影響を軽減するために、以下のように配置されている。
【００２０】
具体的には、検出手段に照射される第２レーザ光の照射位置の位置ずれの許容度が相対的に大きくなる第１方向と、再帰反射手段における再帰反射が不可能になる第３方向とが揃う（典型的には、一致する）ように、検出手段及び再帰反射手段が配置されている。このような配置を前提として、再帰反射手段が第３方向に沿って傾いた場合を想定する。この場合、後に図面を用いて詳細に説明するように、再帰反射手段は、第２レーザ光の入射光路とは平行でない反射光路（典型的には、入射光路から第３方向に沿って徐々に遠ざかっていく反射光路）に沿って第２レーザ光を反射する。従って、再帰反射手段が第３方向に沿って傾いた場合には、第２レーザ光の検出手段上での照射位置は、第３方向に沿って位置ずれする。ここで、第３方向と第１方向とが揃っているため、第２レーザ光の照射位置の第３方向に沿った位置ずれは、第２レーザ光の照射位置の第１方向に沿った位置ずれと実質的に等価である。そうすると、第２レーザ光の照射位置の第１方向に沿った位置ずれの許容度が相対的に大きいがゆえに、第１方向と第３方向とが揃っていない場合と比較して、再帰反射手段が第３方向に沿って傾いた場合（つまり、再帰反射が不可能な場合）であっても、検出手段におけるテラヘルツ波の検出精度に対して再帰反射手段の傾きが与える影響の度合いが軽減される。従って、第１実施形態では、第１方向と第３方向とが揃っていない場合と比較して、再帰反射手段が第３方向に沿って傾いた場合（つまり、再帰反射が不可能な場合）であっても、計測対象物の特性の分析精度の影響が軽減される。
【００２１】
尚、参考までに、再帰反射手段が第４方向に沿って傾いた場合を想定する。この場合、後に図面を用いて詳細に説明するように、再帰反射手段は、第２レーザ光の入射光路と平行な反射光路に沿って第２レーザ光を反射する。従って、再帰反射手段が第４方向に沿って傾いたとしても、第２レーザ光の検出手段上での照射位置が位置ずれすることは殆ど又は全くない。従って、再帰反射手段が第４方向に沿って傾いたとしても、テラヘルツ波を用いた計測対象物の特性の分析精度に対する影響が軽減されていることは言うまでもない。
【００２２】
＜２＞
第１実施形態のテラヘルツ波計測装置の他の態様では、前記検出手段は、間に間隙を挟み込むように延在する２つの導電部を備えており、前記第１方向は、前記間隙の延在方向に沿った方向であり、前記第２方向は、前記間隙の延在方向と異なる方向である。
【００２３】
この態様によれば、検出手段は、間隙が延在する方向に沿った第２レーザ光の照射位置の位置ずれの許容度が、間隙が延在する方向と異なる（好ましくは、交わる、より好ましくは、直交する）方向に沿った第２レーザ光の照射位置の位置ずれの許容度よりも大きくなるという方向依存性を有する。
【００２４】
ここで、検出手段は、２つの導電部の間に位置する間隙に第２レーザ光が照射されることで、テラヘルツ波を検出する。従って、検出手段によるテラヘルツ波の検出精度を良好に維持するためには、２つの導電部の間に位置する間隙に第２レーザ光が照射されていることが好ましい。このような検出手段の特性を考慮すれば、間隙が延在する方向に沿って第２レーザ光の照射位置がずれた場合には、間隙が延在する方向と異なる（好ましくは、交わる、より好ましくは、直交する）方向に沿って第２レーザ光の照射位置がずれた場合と比較して、第２レーザ光が間隙に照射され続ける可能性は高くなる。従って、間隙が延在する方向に沿った第２レーザ光の照射位置の位置ずれの許容度は、間隙が延在する方向とは異なる方向に沿った第２レーザ光の照射位置の位置ずれの許容度よりも大きくなると推測される。つまり、間隙が延在する方向に沿った第２レーザ光の照射位置の位置ずれの許容度が最大になる可能性が高いと推測される。
【００２５】
従って、間隙が延在する方向である第１方向と再帰反射手段における再帰反射が不可能になる第３方向とが揃うがゆえに、第１方向と第３方向とが揃っていない場合と比較して、再帰反射手段が第３方向に沿って傾いた場合（つまり、再帰反射が不可能な場合）であっても、検出手段によるテラヘルツ波の検出精度に対して再帰反射手段の傾きが与える影響の度合いが相対的に軽減される。従って、上述した各種効果が好適に享受される。
【００２６】
＜３＞
第１実施形態のテラヘルツ波計測装置の他の態様では、前記検出手段は、間に間隙を挟み込むように延在する２つの導電部を備えており、前記第１方向は、前記間隙の延在方向に沿った方向及び前記間隙の延在方向に直交する方向の夫々とは異なる方向であり、前記第２方向は、前記第１方向に直交する方向である。
【００２７】
この態様によれば、間隙が延在する方向に沿った第２レーザ光の照射位置の位置ずれの許容度が最大にならない場合も想定される。言い換えれば、間隙が延在する方向とは異なる方向に沿った第２レーザ光の照射位置の位置ずれの許容度が最大になる場合も想定される。従って、この態様によれば、間隙が延在する方向とは異なる方向に沿った第２レーザ光の照射位置の位置ずれの許容度が最大になる場合であっても、間隙が延在する方向とは異なる方向である第１方向と再帰反射手段における再帰反射が不可能になる第３方向とが揃う。従って、上述した各種効果が好適に享受される。
【００２８】
＜４＞
第１実施形態のテラヘルツ波計測装置の他の態様では、前記第１方向は、前記第２レーザ光の照射位置の位置ずれの許容度が最大になる方向である。
【００２９】
この態様によれば、第２レーザ光の照射位置の位置ずれの許容度が最大になる方向である第１方向と再帰反射手段における再帰反射が不可能になる第３方向とが揃う。従って、第１方向と第３方向とが揃っていない場合と比較して、再帰反射手段が第３方向に沿って傾いた場合（つまり、再帰反射が不可能な場合）であっても、検出手段によるテラヘルツ波の検出精度に対して再帰反射手段の傾きが与える影響の度合いが相対的に軽減される。従って、上述した各種効果が好適に享受される。
【００３０】
＜５＞
第１実施形態のテラヘルツ波計測装置の他の態様では、前記第１方向は、前記検出手段による前記テラヘルツ波の検出精度の、前記第２レーザ光の照射位置の位置ずれに起因した劣化量が最小となる方向である。
【００３１】
この態様によれば、検出手段によるテラヘルツ波の検出精度が最良になる（つまり、第２レーザ光の照射位置の位置ずれに起因した、テラヘルツ波の検出精度の劣化量が最小となる）方向である第１方向と再帰反射手段における再帰反射が不可能になる第３方向とが揃う。従って、第１方向と第３方向とが揃っていない場合と比較して、再帰反射手段が第３方向に沿って傾いた場合（つまり、再帰反射が不可能な場合）であっても、検出手段によるテラヘルツ波の検出精度に対して再帰反射手段の傾きが与える影響の度合いが相対的に軽減される。従って、上述した各種効果が好適に享受される。
【００３２】
＜６＞
第１実施形態のテラヘルツ波計測装置の他の態様では、前記第３方向は、前記再帰反射手段が前記第２レーザ光を再帰反射している状態で前記再帰反射手段に入射する前記第２レーザ光の光路及び前記再帰反射手段によって反射される前記第２レーザ光の光路を含む平面に沿った方向とは異なる方向であり、前記第４方向は、前記再帰反射手段が前記第２レーザ光を再帰反射している状態で前記再帰反射手段に入射する前記第２レーザ光の光路及び前記再帰反射手段によって反射される前記第２レーザ光の光路を含む平面に沿った方向である。
【００３３】
この態様によれば、後に図面を用いて詳細に説明するように、再帰反射手段は、再帰反射手段への第２レーザ光の入射光路及び再帰反射手段からの第２レーザ光の反射光路を含む平面に沿った方向とは異なる（典型的には、交わる又は直交する）方向に沿った再帰反射手段の傾き（典型的には、当該平面に沿った方向であって、第２レーザ光の入射光路及び反射光路に直交する方向を回転中心とする再帰反射手段の傾き）によって再帰反射が不可能になるという方向依存性を有している。また、再帰反射手段は、再帰反射手段への第２レーザ光の入射光路及び再帰反射手段からの第２レーザ光の反射光路を含む平面に沿った再帰反射手段の傾き（典型的には、当該平面に直交する方向を回転中心とする再帰反射手段の傾き）が生じても再帰反射が可能であるという方向依存性を有している。
【００３４】
＜７＞
第１実施形態のテラヘルツ波計測装置の他の態様では、前記再帰反射手段は、第１反射鏡と、当該第１反射鏡の反射面に対して９０度の角度で交わる反射面を有する第２反射鏡とを含んでおり、前記第３方向は、前記第１反射鏡の反射面と前記第２反射鏡の反射面とが対向する方向と異なる方向であり、前記第４方向は、前記第１反射鏡の反射面と前記第２反射鏡の反射面とが対向する方向に沿った方向である。
【００３５】
この態様によれば、２つの反射鏡（つまり、第１反射鏡及び第２反射鏡）を用いて、再帰反射手段は、第２レーザ光を再帰反射することができる。
【００３６】
＜８＞
第１実施形態のテラヘルツ波計測装置の他の態様では、前記発生手段は、前記第１レーザ光の照射位置の第５方向に沿った位置ずれの許容度が、前記第１レーザ光の照射位置の前記第５方向とは異なる第６方向に沿った位置ずれの許容度よりも大きくなるという方向依存性を有しており、前記第２レーザ光の照射位置の前記第１方向に沿った位置ずれの許容度が、前記第１レーザ光の照射位置の前記第５方向に沿った位置ずれの許容度よりも大きい場合には、（ｉ）前記再帰反射手段は、前記第２レーザ光を再帰反射し、（ｉｉ）前記第１方向と前記第３方向とが揃っており、前記第１レーザ光の照射位置の前記第５方向に沿った位置ずれの許容度が、前記第２レーザ光の照射位置の前記第１方向に沿った位置ずれの許容度よりも大きい場合には、（ｉ）前記再帰反射手段は、前記第１レーザ光を再帰反射し、（ｉｉ）前記第５方向と前記第３方向とが揃っている。
【００３７】
この態様によれば、発生手段は、検出手段と同様に、方向依存性を有している。つまり、発生手段は、当該発生手段に照射される第１レーザ光の照射位置（つまり、発生手段上における照射位置）の位置ずれに対する方向依存性を有している。具体的には、発生手段は、当該発生手段に照射される第１レーザ光の照射位置の位置ずれの方向に依存して、当該発生手段が発生したテラヘルツ波の特性（例えば、振幅等）が変動するという方向依存性を有している。具体的には、発生手段は、第１レーザ光の照射位置の第５方向に沿った位置ずれの許容度が、第１レーザ光の照射位置の第６方向に沿った位置ずれの許容度よりも大きくなるという方向依存性を有している。従って、典型的には、第１レーザ光の照射位置が第５方向に沿って位置ずれした場合に発生手段が発生するテラヘルツ波の特性は、第１レーザ光の照射位置が第６方向に沿って位置ずれした場合に発生手段が発生するテラヘルツ波の特性よりも良好になる。このため、典型的には、第１レーザ光の照射位置が第５方向に沿って位置ずれした場合の分析精度は、第１レーザ光の照射位置が第６方向に沿って位置ずれした場合の分析精度よりも良好になる。
【００３８】
加えて、この態様によれば、再帰反射手段は、第２レーザ光に加えて又は代えて、第１レーザ光を再帰反射してもよい。つまり、再帰反射手段は、典型的には、第１レーザ光及び第２レーザ光のうちのいずれか一方を再帰反射する一方で、第１レーザ光及び第２レーザ光のうちのいずれか他方を再帰反射しなくともよい。この場合、第２レーザ光の照射位置の第１方向に沿った位置ずれの許容度と第１レーザ光の照射位置の第５方向に沿った位置ずれの許容度と間の大小関係に基づいて、再帰反射手段が再帰反射するレーザ光が決定される。
【００３９】
具体的には、第２レーザ光の照射位置の第１方向に沿った位置ずれの許容度が第１レーザ光の照射位置の第５方向に沿った位置ずれの許容度よりも大きい場合には、再帰反射手段が再帰反射するレーザ光は、第２レーザ光となる。その結果、再帰反射手段における再帰反射が不可能になる第３方向が、再帰反射する第２レーザ光の照射位置の位置ずれの許容度が相対的に大きくなる第１方向に揃えられる。その結果、第２レーザ光の照射位置の第１方向に沿った位置ずれの許容度が第１レーザ光の照射位置の第５方向に沿った位置ずれの許容度よりも大きいがゆえに、第３方向と第５方向とを揃えた場合と比較して、計測対象物の特性の分析精度に対して再帰反射手段の傾きが与える影響の度合いが相対的に軽減される。
【００４０】
他方で、第１レーザ光の照射位置の第５方向に沿った位置ずれの許容度が第２レーザ光の照射位置の第１方向に沿った位置ずれの許容度よりも大きい場合には、再帰反射手段が再帰反射するレーザ光は、第１レーザ光となる。その結果、再帰反射手段における再帰反射が不可能になる第３方向が、再帰反射する第１レーザ光の照射位置の位置ずれの許容度が相対的に大きくなる第５方向に揃えられる。その結果、第１レーザ光の照射位置の第５方向に沿った位置ずれの許容度が第２レーザ光の照射位置の第１方向に沿った位置ずれの許容度よりも大きいがゆえに、第３方向と第１方向とを揃えた場合と比較して、計測対象物の特性の分析精度に対して再帰反射手段の傾きが与える影響の度合いが相対的に軽減される。
【００４１】
（第２実施形態のテラヘルツ波計測装置）
＜９＞
第２実施形態のテラヘルツ波計測装置は、第１レーザ光が照射されることで、テラヘルツ波を発生する発生手段と、第２レーザ光が照射されることで、前記発生手段から計測対象物に対して照射された前記テラヘルツ波を検出する検出手段と、前記第１レーザ光を再帰反射すると共に、再帰反射した前記第１レーザ光を、前記発生手段に導く再帰反射手段とを備え、前記発生手段は、前記第１レーザ光の照射位置の第１方向に沿った位置ずれの許容度が、前記第１レーザ光の照射位置の前記第１方向とは異なる第２方向に沿った位置ずれの許容度よりも大きくなるという方向依存性を有しており、前記再帰反射手段は、第３方向に沿った再帰反射手段の傾きによって前記再帰反射が不可能になる一方で、第３方向とは異なる第４方向に沿った再帰反射手段の傾きが生じても前記再帰反射が可能であるという方向依存性を有しており、前記第１方向と前記第３方向とが揃っている。
【００４２】
第２実施形態のテラヘルツ波計測装置によれば、第１実施形態のテラヘルツ波計測装置と同様に、発生手段、検出手段及び再帰反射手段の動作により、テラヘルツ時間領域分光法（Ｔｅｒａｈｅｒｔｚ  Ｔｉｍｅ−Ｄｏｍａｉｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて、測定対象物に照射されたテラヘルツ波が検出される。
【００４３】
第２実施形態では、再帰反射手段は、第１レーザ光を再帰反射する。再帰反射された第１レーザ光は、発生手段に導かれる。その結果、再帰反射手段は、第１レーザ光の光路と第２レーザ光の光路との間の光路長差を調整する。言い換えれば、第１レーザ光の光路と第２レーザ光の光路との間の光路長差が、所望値に設定される。
【００４４】
ここで、発生手段は、当該発生手段に照射される第１レーザ光の照射位置（つまり、発生手段上における照射位置）の位置ずれに対する方向依存性を有している。具体的には、発生手段は、当該発生手段に照射される第１レーザ光の照射位置の位置ずれの方向に依存して、当該発生手段が発生したテラヘルツ波の特性（例えば、振幅等）が変動するという方向依存性を有している。具体的には、発生手段は、第１レーザ光の照射位置の第１方向に沿った位置ずれの許容度が、第１レーザ光の照射位置の第２方向に沿った位置ずれの許容度よりも大きくなるという方向依存性を有している。ここで、「位置ずれの許容度」は、位置ずれの発生を許容し得る度合いを示す。具体的には、「位置ずれの許容度」が大きいほど、位置ずれに起因したテラヘルツ波の特性（例えば、振幅等）に対する影響（言い換えれば、このようなテラヘルツ波を用いた計測対象物の特性の分析精度に対する影響）が小さくなる。従って、典型的には、第１レーザ光の照射位置が第１方向に沿って位置ずれした場合に発生手段が発生するテラヘルツ波の特性は、第１レーザ光の照射位置が第２方向に沿って位置ずれした場合に発生手段が発生するテラヘルツ波の特性よりも良好になる。このため、典型的には、第１レーザ光の照射位置が第１方向に沿って位置ずれした場合の分析精度は、第１レーザ光の照射位置が第２方向に沿って位置ずれした場合の分析精度よりも良好になる。
【００４５】
加えて、再帰反射手段は、当該再帰反射手段の傾きに対する方向依存性を有している。尚、再帰反射手段の方向依存性については、第１実施形態で説明済みであるため、ここでの説明は省略する。
【００４６】
尚、第１実施形態と同様に、第１方向と第２方向とは、互いに直交することが好ましい。但し、第１方向と第２方向とが互いに異なる方向である限りは、第１方向と第２方向とは、どのような方向であってもよい。
【００４７】
第２実施形態では特に、発生手段及び再帰反射手段は、このような方向依存性を考慮した上で、テラヘルツ波を用いた計測対象物の特性の分析精度に対する影響を軽減するために、以下のように配置されている。
【００４８】
具体的には、発生手段に照射される第１レーザ光の照射位置の位置ずれの許容度が相対的に大きくなる第１方向と、再帰反射手段における再帰反射が不可能になる第３方向とが揃う（典型的には、一致する）ように、発生手段及び再帰反射手段が配置されている。このような配置を前提として、再帰反射手段が第３方向に沿って傾いた場合を想定する。この場合、後に図面を用いて詳細に説明するように、再帰反射手段は、第１レーザ光の入射光路とは平行でない反射光路（典型的には、入射光路から第３方向に沿って徐々に遠ざかっていく反射光路）に沿って第１レーザ光を反射する。従って、再帰反射手段が第３方向に沿って傾いた場合には、第１レーザ光の発生手段上での照射位置は、第３方向に沿って位置ずれする。ここで、第３方向と第１方向とが揃っているため、第１レーザ光の照射位置の第３方向に沿った位置ずれは、第１レーザ光の照射位置の第１方向に沿った位置ずれと実質的に等価である。そうすると、第１レーザ光の照射位置の第１方向に沿った位置ずれの許容度が相対的に大きいがゆえに、第１方向と第３方向とが揃っていない場合と比較して、再帰反射手段が第３方向に沿って傾いた場合（つまり、再帰反射が不可能な場合）であっても、発生手段が発生するテラヘルツ波の特性に対して再帰反射手段の傾きが与える影響の度合いが軽減される。従って、第２実施形態では、第１方向と第３方向とが揃っていない場合と比較して、再帰反射手段が第３方向に沿って傾いた場合（つまり、再帰反射が不可能な場合）であっても、計測対象物の特性の分析精度の影響が軽減される。
【００４９】
尚、参考までに、再帰反射手段が第４方向に沿って傾いた場合を想定する。この場合、後に図面を用いて詳細に説明するように、再帰反射手段は、第１レーザ光の入射光路と平行な反射光路に沿って第１レーザ光を反射する。従って、再帰反射手段が第４方向に沿って傾いたとしても、第１レーザ光の発生手段上での照射位置が位置ずれすることは殆ど又は全くない。従って、再帰反射手段が第４方向に沿って傾いたとしても、テラヘルツ波を用いた計測対象物の特性の分析精度に対する影響が軽減されていることは言うまでもない。
【００５０】
＜１０＞
第２実施形態のテラヘルツ波計測装置の他の態様では、前記発生手段は、間に間隙を挟み込むように延在する２つの導電部を備えており、前記第１方向は、前記間隙の延在方向に沿った方向であり、前記第２方向は、前記間隙の延在方向と異なる方向である。
【００５１】
この態様によれば、発生手段は、間隙が延在する方向に沿った第１レーザ光の照射位置の位置ずれの許容度が、間隙が延在する方向と異なる（好ましくは、交わる、より好ましくは、直交する）方向に沿った第１レーザ光の照射位置の位置ずれの許容度よりも大きくなるという方向依存性を有する。
【００５２】
ここで、発生手段は、２つの導電部の間に位置する間隙に第１レーザ光が照射されることで、テラヘルツ波を発生する。従って、発生手段が発生するテラヘルツ波の特性を良好に維持するためには、２つの導電部の間に位置する間隙に第１レーザ光が照射されていることが好ましい。このような発生手段の特性を考慮すれば、間隙が延在する方向に沿って第１レーザ光の照射位置がずれた場合には、間隙が延在する方向と異なる（好ましくは、交わる、より好ましくは、直交する）方向に沿って第１レーザ光の照射位置がずれた場合と比較して、第１レーザ光が間隙に照射され続ける可能性は高くなる。従って、間隙が延在する方向に沿った第１レーザ光の照射位置の位置ずれの許容度は、間隙が延在する方向とは異なる方向に沿った第１レーザ光の照射位置の位置ずれの許容度よりも大きくなると推測される。つまり、間隙が延在する方向に沿った第１レーザ光の照射位置の位置ずれの許容度が最大になる可能性が高いと推測される。
【００５３】
従って、間隙が延在する方向である第１方向と再帰反射手段における再帰反射が不可能になる第３方向とが揃うがゆえに、第１方向と第３方向とが揃っていない場合と比較して、再帰反射手段が第３方向に沿って傾いた場合（つまり、再帰反射が不可能な場合）であっても、発生手段が発生するテラヘルツ波の特性に対して再帰反射手段の傾きが与える影響の度合いが相対的に軽減される。従って、上述した各種効果が好適に享受される。
【００５４】
＜１１＞
第２実施形態のテラヘルツ波計測装置の他の態様では、前記発生手段は、間に間隙を挟み込むように延在する２つの導電部を備えており、前記第１方向は、前記間隙の延在方向に沿った方向及び前記間隙の延在方向に直交する方向の夫々とは異なる方向であり、前記第２方向は、前記第１方向に直交する方向である。
【００５５】
この態様によれば、間隙が延在する方向に沿った第１レーザ光の照射位置の位置ずれの許容度が最大にならない場合も想定される。言い換えれば、間隙が延在する方向とは異なる方向に沿った第１レーザ光の照射位置の位置ずれの許容度が最大になる場合も想定される。従って、この態様によれば、間隙が延在する方向とは異なる方向に沿った第１レーザ光の照射位置の位置ずれの許容度が最大になる場合であっても、間隙が延在する方向とは異なる方向である第１方向と再帰反射手段における再帰反射が不可能になる第３方向とが揃う。従って、上述した各種効果が好適に享受される。
【００５６】
＜１２＞
第２実施形態のテラヘルツ波計測装置の他の態様では、前記第１方向は、前記第１レーザ光の照射位置の位置ずれの許容度が最大になる方向である。
【００５７】
この態様によれば、第１レーザ光の照射位置の位置ずれの許容度が最大になる方向である第１方向と再帰反射手段における再帰反射が不可能になる第３方向とが揃う。従って、第１方向と第３方向とが揃っていない場合と比較して、再帰反射手段が第３方向に沿って傾いた場合（つまり、再帰反射が不可能な場合）であっても、発生手段が発生するテラヘルツ波の特性に対して再帰反射手段の傾きが与える影響の度合いが相対的に軽減される。従って、上述した各種効果が好適に享受される。
【００５８】
＜１３＞
第２実施形態のテラヘルツ波計測装置の他の態様では、前記第１方向は、前記発生手段が発生する前記テラヘルツ波の振幅の、前記第１レーザ光の照射位置の位置ずれに起因した減少量が最小となる方向である。
【００５９】
この態様によれば、発生手段が発生するテラヘルツ波の特性が最良になる（つまり、第１レーザ光の照射位置の位置ずれに起因した、テラヘルツ波の特性の劣化量（例えば、振幅の減少量）が最小となる）方向である第１方向と再帰反射手段における再帰反射が不可能になる第３方向とが揃う。従って、第１方向と第３方向とが揃っていない場合と比較して、再帰反射手段が第３方向に沿って傾いた場合（つまり、再帰反射が不可能な場合）であっても、発生手段が発生するテラヘルツ波の特性に対して再帰反射手段の傾きが与える影響の度合いが相対的に軽減される。従って、上述した各種効果が好適に享受される。
【００６０】
＜１４＞
第２実施形態のテラヘルツ波計測装置の他の態様では、前記第３方向は、前記再帰反射手段が前記第１レーザ光を再帰反射している状態で前記再帰反射手段に入射する前記第１レーザ光の光路及び前記再帰反射手段によって反射される前記第１レーザ光の光路を含む平面に沿った方向とは異なる方向であり、前記第４方向は、前記再帰反射手段が前記第１レーザ光を再帰反射している状態で前記再帰反射手段に入射する前記第１レーザ光の光路及び前記再帰反射手段によって反射される前記第１レーザ光の光路を含む平面に沿った方向である。
【００６１】
この態様によれば、後に図面を用いて詳細に説明するように、再帰反射手段は、再帰反射手段への第１レーザ光の入射光路及び再帰反射手段からの第１レーザ光の反射光路を含む平面に沿った方向とは異なる（典型的には、交わる又は直交する）方向に沿った再帰反射手段の傾き（典型的には、当該平面に沿った方向であって、第１レーザ光の入射光路及び反射光路に直交する方向を回転中心とする再帰反射手段の傾き）によって再帰反射が不可能になるという方向依存性を有している。また、再帰反射手段は、再帰反射手段への第１レーザ光の入射光路及び再帰反射手段からの第１レーザ光の反射光路を含む平面に沿った再帰反射手段の傾き（典型的には、当該平面に直交する方向を回転中心とする再帰反射手段の傾き）が生じても再帰反射が可能であるという方向依存性を有している。
【００６２】
＜１５＞
第２実施形態のテラヘルツ波計測装置の他の態様では、前記再帰反射手段は、第１反射鏡と、当該第１反射鏡の反射面に対して９０度の角度で交わる反射面を有する第２反射鏡とを含んでおり、前記第３方向は、前記第１反射鏡の反射面と前記第２反射鏡の反射面とが対向する方向と異なる方向であり、前記第４方向は、前記第１反射鏡の反射面と前記第２反射鏡の反射面とが対向する方向に沿った方向である。
【００６３】
この態様によれば、２つの反射鏡（つまり、第１反射鏡及び第２反射鏡）を用いて、再帰反射手段は、第１レーザ光を再帰反射することができる。
【００６４】
＜１６＞
第２実施形態のテラヘルツ波計測装置の他の態様では、前記検出手段は、前記第２レーザ光の照射位置の第５方向に沿った位置ずれの許容度が、前記第２レーザ光の照射位置の前記第５方向とは異なる第６方向に沿った位置ずれの許容度よりも大きくなるという方向依存性を有しており、前記第１レーザ光の照射位置の前記第１方向に沿った位置ずれの許容度が、前記第２レーザ光の照射位置の前記第５方向に沿った位置ずれの許容度よりも大きい場合には、（ｉ）前記再帰反射手段は、前記第１レーザ光を再帰反射し、（ｉｉ）前記第１方向と前記第３方向とが揃っており、前記第２レーザ光の照射位置の前記第５方向に沿った位置ずれの許容度が、前記第１レーザ光の照射位置の前記第１方向に沿った位置ずれの許容度よりも大きい場合には、（ｉ）前記再帰反射手段は、前記第２レーザ光を再帰反射し、（ｉｉ）前記第５方向と前記第３方向とが揃っている。
【００６５】
この態様によれば、検出手段は、発生手段と同様に、方向依存性を有している。つまり、検出手段は、当該検出手段に照射される第２レーザ光の照射位置（つまり、検出手段上における照射位置）の位置ずれに対する方向依存性を有している。具体的には、検出手段は、当該検出手段に照射される第２レーザ光の照射位置の位置ずれの方向に依存して、当該検出手段によるテラヘルツ波の検出精度が変動するという方向依存性を有している。より具体的には、検出手段は、第２レーザ光の照射位置の第５方向に沿った位置ずれの許容度が、第２レーザ光の照射位置の第６方向に沿った位置ずれの許容度よりも大きくなるという方向依存性を有している。従って、典型的には、第２レーザ光の照射位置が第５方向に沿って位置ずれした場合の検出手段によるテラヘルツ波の検出精度は、第２レーザ光の照射位置が第６方向に沿って位置ずれした場合の検出手段によるテラヘルツ波の検出精度よりも良好になる。このため、典型的には、第２レーザ光の照射位置が第５方向に沿って位置ずれした場合の分析精度は、第２レーザ光の照射位置が第６方向に沿って位置ずれした場合の分析精度よりも良好になる。
【００６６】
加えて、この態様によれば、再帰反射手段は、第１レーザ光に加えて又は代えて、第２レーザ光を再帰反射してもよい。つまり、再帰反射手段は、典型的には、第１レーザ光及び第２レーザ光のうちのいずれか一方を再帰反射する一方で、第１レーザ光及び第２レーザ光のうちのいずれか他方を再帰反射しなくともよい。この場合、第１レーザ光の照射位置の第１方向に沿った位置ずれの許容度と第２レーザ光の照射位置の第５方向に沿った位置ずれの許容度と間の大小関係に基づいて、再帰反射手段が再帰反射するレーザ光が決定される。
【００６７】
具体的には、第１レーザ光の照射位置の第１方向に沿った位置ずれの許容度が第２レーザ光の照射位置の第５方向に沿った位置ずれの許容度よりも大きい場合には、再帰反射手段が再帰反射するレーザ光は、第１レーザ光となる。その結果、再帰反射手段における再帰反射が不可能になる第３方向が、再帰反射する第１レーザ光の照射位置の位置ずれの許容度が相対的に大きくなる第１方向に揃えられる。その結果、第１レーザ光の照射位置の第１方向に沿った位置ずれの許容度が第２レーザ光の照射位置の第５方向に沿った位置ずれの許容度よりも大きいがゆえに、第３方向と第５方向とを揃えた場合と比較して、計測対象物の特性の分析精度に対して再帰反射手段の傾きが与える影響の度合いが相対的に軽減される。
【００６８】
他方で、第２レーザ光の照射位置の第５方向に沿った位置ずれの許容度が第１レーザ光の照射位置の第１方向に沿った位置ずれの許容度よりも大きい場合には、再帰反射手段が再帰反射するレーザ光は、第２レーザ光となる。その結果、再帰反射手段における再帰反射が不可能になる第３方向が、再帰反射する第２レーザ光の照射位置の位置ずれの許容度が相対的に大きくなる第５方向に揃えられる。その結果、第２レーザ光の照射位置の第５方向に沿った位置ずれの許容度が第１レーザ光の照射位置の第１方向に沿った位置ずれの許容度よりも大きいがゆえに、第３方向と第１方向とを揃えた場合と比較して、計測対象物の特性の分析精度に対して再帰反射手段の傾きが与える影響の度合いが相対的に軽減される。
【００６９】
本実施形態のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施例から更に明らかにされる。
【００７０】
以上説明したように、第１又は第２実施形態のテラヘルツ波計測装置は、発生手段と、検出手段と、再帰反射手段とを備え、第１又は第２レーザ光の照射位置の位置ずれの許容度が相対的に大きくなる第１方向と、再帰反射が不可能になる第３方向とが揃う。従って、テラヘルツ波を発生する又は検出するために用いられるレーザ光を再帰反射する再帰反射手段の傾きに起因した、テラヘルツ波を用いた計測対象物の特性の分析精度に対する影響を軽減することができる。
【実施例】
【００７１】
以下、図面を参照しながら、実施例について説明する。
【００７２】
（１）第１実施例
初めに、図１から図８を参照しながら、第１実施例のテラヘルツ波計測装置１００について説明する。
【００７３】
（１−１）テラヘルツ波計測装置の構成
初めに、図１を参照しながら、第１実施例のテラヘルツ波計測装置１００の構成について説明する。図１は、第１実施例のテラヘルツ波計測装置１００の構成を示すブロック図である。
【００７４】
図１に示すように、テラヘルツ波計測装置１００は、テラヘルツ波ＴＨｚを測定対象物に照射すると共に、測定対象物を透過した又は測定対象物から反射したテラヘルツ波ＴＨｚ（つまり、測定対象物に照射されたテラヘルツ波ＴＨｚ）を検出する。
【００７５】
テラヘルツ波ＴＨｚは、１テラヘルツ（１ＴＨｚ＝１０１２Ｈｚ）前後の周波数領域（つまり、テラヘルツ領域）に属する電磁波である。テラヘルツ領域は、光の直進性と電磁波の透過性を兼ね備えた周波数領域である。テラヘルツ領域は、様々な物質が固有の吸収スペクトルを有する周波数領域である。従って、テラヘルツ波計測装置１００は、測定対象物に照射されたテラヘルツ波ＴＨｚの周波数スペクトルを解析することで、測定対象物の特性を分析することができる。
【００７６】
測定対象物に照射されたテラヘルツ波ＴＨｚの周波数スペクトルを取得するために、テラヘルツ波計測装置１００は、テラヘルツ時間領域分光法（Ｔｅｒａｈｅｒｔｚ  Ｔｉｍｅ−Ｄｏｍａｉｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を採用している。テラヘルツ時間領域分光法は、テラヘルツ波ＴＨｚを測定対象物に照射すると共に、測定対象物を透過した又は測定対象物から反射したテラヘルツ波ＴＨｚの時間波形をフーリエ変換することで、当該テラヘルツ波の周波数スペクトル（つまり、周波数毎の振幅及び位相）を取得する方法である。
【００７７】
ここで、テラヘルツ波ＴＨｚの周期は、サブピコ秒のオーダーの周期であるがゆえに、当該テラヘルツ波ＴＨｚの時間波形を直接的に検出することが技術的に困難である。そこで、テラヘルツ波計測装置１００は、時間遅延走査に基づくポンプ・プローブ法を採用する、テラヘルツ波ＴＨｚの時間波形を間接的に検出する。
【００７８】
図１に示すように、このようなテラヘルツ時間領域分光法及びポンプ・プローブ法を採用するテラヘルツ波計測装置１００は、パルスレーザ装置１０１と、「発生手段」の一具体例であるテラヘルツ波発生素子１１０と、ビームスプリッタ１６１と、反射鏡１６２と、反射鏡１６３と、光遅延器１２０と、「検出手段」の一具体例であるテラヘルツ波検出素子１３０と、バイアス電圧生成部１４１と、Ｉ−Ｖ（電流−電圧）変換部１４４と、ロックイン検出部１４５と、演算処理部１５０とを備えている。
【００７９】
パルスレーザ装置１０１は、当該パルスレーザ装置１０１に入力される駆動電流に応じた光強度を有するサブピコ秒オーダー又はフェムト秒オーダーのパルスレーザ光ＬＢを生成する。パルスレーザ装置１０１が生成したパルスレーザ光ＬＢは、不図示の導光路（例えば、光ファイバ等）を介して、ビームスプリッタ１６１に入射する。
【００８０】
ビームスプリッタ１６１は、パルスレーザ光ＬＢを、「第１レーザ光」の一具体例であるポンプ光ＬＢ１と「第２レーザ光」の一具体例であるプローブ光ＬＢ２とに分岐する。ポンプ光ＬＢ１は、不図示の導光路を介して、テラヘルツ波発生素子１１０に入射する。一方で、プローブ光ＬＢ２は、不図示の導光路及び反射鏡１６２を介して、光遅延器１２０に入射する。
【００８１】
光遅延器１２０は、ポンプ光ＬＢ１の光路長とプローブ光ＬＢ２の光路長との間の差分（つまり、光路長差）を調整する。具体的には、光遅延器１２０は、プローブ光ＬＢ２の光路長を調整することで、ポンプ光ＬＢ１の光路長とプローブ光ＬＢ２の光路長との間の光路長差を調整する。尚、ポンプ光ＬＢ１の光路長とプローブ光ＬＢ２の光路長との間の光路長差を調整することで、ポンプ光ＬＢ１がテラヘルツ波発生素子１１０に入射するタイミング（或いは、テラヘルツ波発生素子１１０から出射するテラヘルツ波ＴＨｚがテラヘルツ波検出素子１３０に入射するタイミング）と、プローブ光ＬＢ２がテラヘルツ波検出素子１３０に入射するタイミングとの間の相対的なずれ量を調整することができる。例えば、光遅延器１２０によってプローブ光ＬＢ２の光路が０．３ミリメートル（但し、空気中での光路長）だけ長くなると、プローブ光ＬＢ２がテラヘルツ波検出素子１３０に入射するタイミングが１ピコ秒だけ遅くなる。この場合、テラヘルツ波検出素子１３０がテラヘルツ波ＴＨｚを検出するタイミングが、１ピコ秒だけ遅くなる。テラヘルツ波検出素子１３０に対して同一の波形を有するテラヘルツ波ＴＨｚが数十ＭＨｚ程度の間隔で繰り返し入射することを考慮すれば、テラヘルツ波検出素子１３０がテラヘルツ波ＴＨｚを検出するタイミングを徐々にずらすことで、テラヘルツ波検出素子１３０は、テラヘルツ波ＴＨｚの時間波形を間接的に検出することができる。
【００８２】
プローブ光ＬＢ２の光路長を調整するために、光遅延器１２０は、「再帰反射手段」の一具体例である再帰反射鏡１２１と、送りネジ機構１２２と、モータ１２３とを備えている。
【００８３】
再帰反射鏡１２１は、当該再帰反射鏡１２１に入射してくるプローブ光ＬＢ２を再帰反射する。つまり、再帰反射鏡１２１は、当該再帰反射鏡１２１に入射してくるプローブ光ＬＢ２を、当該プローブ光ＬＢ２の入射方向と平行な方向に向けて反射する。第１実施例では、再帰反射鏡１２１は、９０度の角度で交わる第１反射面１２１ａと第２反射面１２１ｂとを備えている。第１反射面１２１ａは、再帰反射鏡１２１に入射してくるプローブ光ＬＢ２を、第２反射面１２１ｂに向けて反射する。第２反射面１２１ｂは、第１反射面１２１ａから第２反射面１２１ｂに入射してくるプローブ光ＬＢ２を、光遅延器１２０の外部（例えば、反射鏡１６３）に向けて反射する。
【００８４】
再帰反射鏡１２１は、送りネジ機構１２２に嵌合する送り溝を備えている。その結果、再帰反射鏡１２１は、モータ１２３の駆動による送りネジ機構１２２の回転に合わせて、プローブ光ＬＢ２の光路（具体的には、再帰反射光１２１に入射する時点でのプローブ光ＬＢ２の光路であって、図１中の上下方向）に沿って移動する。再帰反射鏡１２１の移動により、プローブ光ＬＢ２の光路長が調整される。
【００８５】
尚、再帰反射鏡１２１の移動は、演算処理部１５０の制御の下で行われる。つまり、演算処理部１５０は、モータ１２３の駆動量を指定する制御信号をモータ１２３に出力することで、モータ１２３の動作を制御する。
【００８６】
光遅延器１２０から出射したプローブ光ＬＢ２は、不図示の導光路及び反射鏡１６３を介して、テラヘルツ波検出素子１３０に入射する。
【００８７】
ここで、図２を参照しながら、ポンプ光ＬＢ１が照射されるテラヘルツ波発生素子１１０及びプローブ光ＬＢ２が照射されるテラヘルツ波検出素子１３０について更に詳細に説明する。図２は、テラヘルツ波発生素子１１０及びテラヘルツ波検出素子１３０の夫々の構成を示す斜視図である。尚、図２に示すテラヘルツ波発生素子１１０及びテラヘルツ波検出素子１３０の構成はあくまで一例であり、図２に示す構成とは異なる構成を有する光伝導アンテナ又は光伝導スイッチが、テラヘルツ波発生素子１１０及びテラヘルツ波検出素子１３０として用いられてもよい。
【００８８】
図２（ａ）に示すように、テラヘルツ波発生素子１１０は、基板１１１と、「導電部」の一具体例であるアンテナ（言い換えれば、伝送線路）１１２と、「導電部」の一具体例であるアンテナ（言い換えれば、伝送線路）１１３とを備えている。尚、図２（ａ）中のＸ１軸、Ｙ１軸及びＺ１軸は、夫々が９０度の角度で互いに交わる３つの軸に相当する。
【００８９】
基板１１１は、例えば、ＧａＡｓ（Ｇａｌｌｉｕｍ  Ａｒｓｅｎｉｄｅ）基板等の半導体基板である。アンテナ１１２及びアンテナ１１３の夫々は、長手方向（具体的には、図２（ａ）中のＺ１軸方向）に延在する形状を有するモノポールアンテナである。アンテナ１１２及びアンテナ１１３は、短手方向（具体的には、図２（ａ）中のＹ１軸方向）に沿って並列するように基板１１１上に配置される。アンテナ１１２とアンテナ１１３との間には、数マイクロメートル程度のギャップ（つまり、間隙）１１４が確保される。ギャップ１１４が長手方向に延在するアンテナ１１２及びアンテナ１１３に挟まれているがゆえに、ギャップ１１４もまた、長手方向（具体的には、図２（ａ）中のＺ１軸方向）に延在している。従って、アンテナ１１２及びアンテナ１１３全体として、ダイポールアンテナを構成する。
【００９０】
ギャップ１１４には、アンテナ１１２及びアンテナ１１３を介して、バイアス電圧生成部１４１から出力されるバイアス電圧が印加されている。有効なバイアス電圧（例えば、０Ｖでないバイアス電圧）がギャップ１１４に印加されている状態でポンプ光ＬＢ１がギャップ１１４に照射されると、テラヘルツ波発生素子１１０には、ポンプ光ＬＢ１による光励起によってキャリアが発生する。その結果、テラヘルツ波発生素子１１０には、発生したキャリアに応じたサブピコ秒オーダーの又はフェムト秒オーダーのパルス状の電流信号が発生する。その結果、テラヘルツ波発生素子１１０には、当該パルス状の電流信号に起因したテラヘルツ波ＴＨｚが発生する。
【００９１】
図２（ｂ）に示すように、テラヘルツ波検出素子１３０もまた、テラヘルツ波発生素子１１０と同様の構成を有している。つまり、テラヘルツ波検出素子１３０は、基板１３１と、「導電部」の一具体例であるアンテナ（言い換えれば、伝送線路）１３２と、「導電部」の一具体例であるアンテナ（言い換えれば、伝送線路）１３３とを備えている。基板１３１、アンテナ１３２及びアンテナ１３３は、夫々、基板１１１、アンテナ１１２及びアンテナ１１３と同様の構成を有している。尚、図２（ｂ）中のＸ１軸、Ｙ１軸及びＺ１軸もまた、夫々が９０度の角度で互いに交わる３つの軸に相当する。
【００９２】
プローブ光ＬＢ２がギャップ１３４に照射されると、テラヘルツ波検出素子１３０には、プローブ光ＬＢ２による光励起によってキャリアが発生する。プローブ光ＬＢ２がギャップ１３４に照射されている状態でテラヘルツ波検出素子１３０にテラヘルツ波ＴＨｚが照射されると、ギャップ１３４には、テラヘルツ波ＴＨｚの光強度に応じた信号強度を有する電流信号が発生する。当該電流信号は、アンテナ１３２及びアンテナ１３３を介して、Ｉ−Ｖ変換部１４４に出力される。
【００９３】
再び図１において、テラヘルツ波発生素子１１０から出射したテラヘルツ波ＴＨｚは、不図示の光学系（例えば、レンズ等）を介して、測定対象物に照射される。測定対象物に照射されたテラヘルツ波ＴＨｚは、測定対象物からの反射光又は透過光として、不図示の光学系（例えば、レンズ等）を介して、テラヘルツ波検出素子１３０に入射する。その結果、テラヘルツ波検出素子１３０からは、テラヘルツ波ＴＨｚの光強度に応じた信号強度を有する電流信号が出力される。
【００９４】
テラヘルツ波検出素子１３０から出力される電流信号は、Ｉ―Ｖ変換部１４４によって、電圧信号に変換される。その後、ロックイン検出部１４５は、電圧信号に対して、バイアス電圧生成部１４１が生成するバイアス電圧を参照信号とする同期検波を行う。その結果、ロックイン検出部１４５は、テラヘルツ波ＴＨｚのサンプル値を検出する。その後、ポンプ光ＬＢ１の光路長とプローブ光ＬＢ２の光路長との間の光路長差を適宜調整しながら同様の動作が繰り返されることで、ロックイン検出部１４５は、テラヘルツ波形の時間波形を検出することができる。ただし、ノイズに対して十分な信号強度が得られる場合はロックイン検出を用いなくてもよい。その後、演算処理部１５０は、検出されたテラヘルツ波形の時間波形をフーリエ変換することで、当該テラヘルツ波の周波数スペクトル（つまり、周波数毎の振幅及び位相）を取得してもよい。更に、演算処理部１５０は、テラヘルツ波の周波数スペクトルを解析することで、測定対象物の特性を分析してもよい。
【００９５】
このようなテラヘルツ波計測装置１００において、第１実施例では、テラヘルツ波検出素子１３０及び再帰反射鏡１２１は、テラヘルツ波検出素子１３０によるテラヘルツ波ＴＨｚの検出精度（言い換えれば、テラヘルツ波計測装置１００による測定対象物の特性の分析精度）に対して再帰反射鏡１２１の傾き（位置ずれ）が与える影響を軽減するという観点から定まる所定条件を満たすように配置される。以下、テラヘルツ波検出素子１３０及び再帰反射鏡１２１の配置態様について詳細に説明する。
【００９６】
（１−２）テラヘルツ波検出素子及び再帰反射鏡の配置態様
続いて、図３から図５を参照して、テラヘルツ波検出素子１３０及び再帰反射鏡１２１の配置態様について説明する。図３は、テラヘルツ波検出素子１３０上でのプローブ光ＬＢ２の照射位置の位置ずれの量とテラヘルツ波検出素子１３０から出力される電流信号との関係を示すグラフである。図４は、再帰反射鏡１２１の傾き（位置ずれ）に対するプローブ光ＬＢ２の光路（入射光路及び反射光路）を示す平面図である。図５は、第１実施例におけるテラヘルツ波検出素子１３０及び再帰反射鏡１２１の配置態様を示す斜視図である。
【００９７】
まず、テラヘルツ波検出素子１３０は、テラヘルツ波検出素子１３０上でのプローブ光ＬＢ２の照射位置がずれる方向に依存して、テラヘルツ波検出素子１３０によるテラヘルツ波ＴＨｚの検出精度（具体的には、テラヘルツ波検出素子１３０が出力する電流信号の変動量）が変動するという方向依存性を有している。具体的には、上述したように、テラヘルツ波検出素子１３０は、プローブ光ＬＢ２がギャップ１３４に照射されている状態でギャップ１３４にテラヘルツ波ＴＨｚが照射されると、電流信号を出力する。ここで、ギャップ１３４は、「第３方向」の一具体例であるＺ１軸方向に沿って延在している。このようなギャップ１３４の延在方向を考慮すれば、プローブ光ＬＢ２の照射位置がギャップ１３４の延在方向（つまり、図２（ｂ）のＺ１軸方向）に沿ってずれたとしても、プローブ光ＬＢ２は、依然としてギャップ１３４に照射されて続けている可能性が相対的に高くなる。一方で、プローブ光ＬＢ２の照射位置がギャップ１３４の延在方向に直交する方向であって且つプローブ光ＬＢの光路の方向（つまり、図２（ｂ）のＸ１軸方向）の双方に直交する方向（つまり、図２（ｂ）のＹ１軸方向）に沿ってずれたとすると、プローブ光ＬＢ２は、ギャップ１３４に照射されなくなる可能性が相対的に高くなる。
【００９８】
そうすると、図３に示すように、プローブ光ＬＢ２の照射位置がギャップ１３４の延在方向（Ｚ１軸方向）に沿ってずれた場合にテラヘルツ波検出素子１３０から出力される電流信号の変動量（具体的には、減少量）は、プローブ光ＬＢ２の照射位置がギャップ１３４の延在方向に直交する方向（Ｙ１軸方向）に沿ってずれた場合にテラヘルツ波検出素子１３０から出力される電流信号の変動量（具体的には、減少量）よりも小さくなる。具体的には、図３に示すように、プローブ光ＬＢ２の照射位置がギャップ１３４の延在方向（Ｚ１軸方向）に沿ってずれた場合及び当該延在方向に直交する方向（Ｙ１軸方向）に沿ってずれた場合のいずれにおいても、ずれ量が大きくなるほど、テラヘルツ波検出素子１３０から出力される電流信号は減少する（尚、説明の簡略化のために、図３の電流信号は、規格化されている）。しかしながら、図３に示すように、プローブ光ＬＢ２の照射位置がギャップ１３４の延在方向（Ｚ１軸方向）に沿って所定量ずれた場合にテラヘルツ波検出素子１３０から出力される電流信号の減少量は、プローブ光ＬＢ２の照射位置がギャップ１３４の延在方向に直交する方向（Ｙ１軸方向）に沿って同一量ずれた場合にテラヘルツ波検出素子１３０から出力される電流信号の減少量よりも小さくなっている。典型的には、プローブ光ＬＢ２の照射位置がギャップ１３４の延在方向（Ｚ１軸方向）に沿ってずれた場合には、プローブ光ＬＢ２の照射位置がギャップ１３４の延在方向（Ｚ１軸方向）とは異なる方向に沿ってずれた場合と比較して、テラヘルツ波検出素子１３０から出力される電流信号の減少量が最小になることが多い。つまり、プローブ光ＬＢ２の照射位置がギャップ１３４の延在方向（Ｚ１軸方向）に沿ってずれた場合には、プローブ光ＬＢ２の照射位置がギャップ１３４の延在方向に直交する方向（Ｙ１軸方向）に沿ってずれた場合と比較して、テラヘルツ波検出素子１３０によるテラヘルツ波ＴＨｚの検出精度（言い換えれば、テラヘルツ波計測装置１００による測定対象物の特性の分析精度）に対する影響が小さいと言える。典型的には、プローブ光ＬＢ２の照射位置がギャップ１３４の延在方向（Ｚ１軸方向）に沿ってずれた場合には、プローブ光ＬＢ２の照射位置がギャップ１３４の延在方向（Ｚ１軸方向）とは異なる方向に沿ってずれた場合と比較して、テラヘルツ波検出素子１３０によるテラヘルツ波ＴＨｚの検出精度（言い換えれば、テラヘルツ波計測装置１００による測定対象物の特性の分析精度）に対する影響が最小になることが多い。言い換えれば、テラヘルツ波検出素子１３０によるテラヘルツ波ＴＨｚの検出精度（言い換えれば、テラヘルツ波計測装置１００による測定対象物の特性の分析精度）に与える影響を軽減するという観点から見れば、ギャップ１３４の延在方向（Ｚ１軸方向）に沿ったプローブ光ＬＢ２の照射位置の位置ずれは、ギャップ１３４の延在方向に直交する方向（Ｙ１軸方向）に沿ったプローブ光ＬＢ２の照射位置の位置ずれよりも、許容されやすい。
【００９９】
このように、テラヘルツ波検出素子１３０は、ギャップ１３４の延在方向（Ｚ１軸方向）に沿ったプローブ光ＬＢ２の照射位置の位置ずれに対する許容度が、ギャップ１３４の延在方向に直交する方向（Ｙ１軸方向）に沿ったプローブ光ＬＢ２の照射位置の位置ずれに対する許容度よりも大きくなるという方向依存性を有している。尚、「Ｚ１軸方向」及び「Ｙ１軸方向」は、夫々、「第１方向」及び「第２方向」の一具体例である。
【０１００】
一方で、再帰反射鏡１２１もまた、プローブ光ＬＢ２を適切に再帰反射することができるか否かが、当該再帰反射鏡１２１の傾きの方向に依存して定まるという方向依存性を有している。
【０１０１】
具体的には、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、２つの反射面１２１ａ及び１２１ｂの夫々が、直交する２つの軸であるＸ２軸及びＹ２軸によって規定される平面に直交する再帰反射鏡１２１を例に挙げて説明する。
【０１０２】
ここで、図４（ａ）に示すように、再帰反射鏡１２１が、当該再帰反射鏡１２１に入射してくるプローブ光ＬＢ２の入射光路及び当該再帰反射鏡１２１から出射していくプローブ光ＬＢ２の反射光路を含む平面（図４（ａ）中のＸ２−Ｙ２平面）に沿った方向であって且つプローブ光ＬＢ２の入射光路及び反射光路の夫々に直交する方向（具体的には、図４（ａ）のＹ２軸方向）に沿って傾いた場合を想定する。言い換えれば、再帰反射鏡１２１が、プローブ光ＬＢ２の入射光路及び反射光路を含む平面に直交する方向（具体的には、図４（ａ）中のＺ２軸方向）を回転中心として傾いた場合を想定する。更に言い換えれば、再帰反射鏡１２１に入射してくるプローブ光ＬＢ２の入射光路を基準とするヨー方向（具体的には、図４（ａ）のＹ２軸方向）に沿って、当該再帰反射１２１が傾いた場合を想定する。
【０１０３】
この場合には、図４（ａ）の下側の図面に示すように、再帰反射鏡１２１は、プローブ光ＬＢ２を再帰反射することができる。従って、テラヘルツ波検出素子１３０上におけるプローブ光ＬＢ２の照射位置が、再帰反射鏡１２１の傾きの方向（Ｙ２軸方向であり、ヨー方向）に沿って位置ずれすることは殆どない。つまり、再帰反射鏡１２１は、再帰反射鏡１２１に入射してくるプローブ光ＬＢ２の入射光路を基準とするヨー方向については、相対的に高い偏角精度を有している。
【０１０４】
他方で、図４（ｂ）に示すように、再帰反射鏡１２１が、当該再帰反射鏡１２１に入射してくるプローブ光ＬＢ２の入射光路及び当該再帰反射鏡１２１から出射していくプローブ光ＬＢ２の反射光路を含む平面（図４（ｂ）中のＸ２−Ｙ２平面）に直交する方向（具体的には、図４（ｂ）のＺ２軸方向）に沿って傾いた場合を想定する。言い換えれば、再帰反射鏡１２１が、プローブ光ＬＢ２の入射光路及び反射光路を含む平面に沿った方向であって且つプローブ光ＬＢ２の入射光路及び反射光路の夫々に直交する方向（具体的には、図４（ｂ）中のＹ２軸方向）を回転中心として傾いた場合を想定する。更に言い換えれば、再帰反射鏡１２１に入射してくるプローブ光ＬＢ２の入射光路を基準とするピッチ方向（具体的には、図４（ｂ）のＺ２軸方向）に沿って、再帰反射鏡１２１が傾いた場合を想定する。
【０１０５】
この場合には、図４（ｂ）の下側の図面に示すように、再帰反射鏡１２１は、プローブ光ＬＢ２を再帰反射することができない。具体的には、再帰反射鏡１２１から出射していくプローブ光ＬＢ２の反射光路は、再帰反射鏡１２１に入射してくるプローブ光ＬＢ２の入射光路に対して、再帰反射鏡１２１の傾きの方向（Ｚ２軸方向であり、ピッチ方向）に沿って徐々にずれることになる。従って、テラヘルツ波検出素子１３０上におけるプローブ光ＬＢ２の照射位置もまた、再帰反射鏡１２１の傾きの方向（Ｚ２軸方向であり、ピッチ方向）に沿って位置ずれすることになる。つまり、再帰反射鏡１２１は、再帰反射鏡１２１に入射してくるプローブ光ＬＢ２の入射光路を基準とするピッチ方向については、相対的に低い偏角精度を有している。
【０１０６】
このように、再帰反射鏡１２１は、プローブ光ＬＢ２の入射光路を基準とするピッチ方向に沿った再帰反射鏡１２１の傾きによってプローブ光ＬＢ２を再帰反射することができなくなる一方で、プローブ光ＬＢ２の入射光路を基準とするヨー方向に沿った再帰反射鏡１２１の傾きが生じてもプローブ光ＬＢ２を再帰反射し続けることができるという方向依存性を有している。尚、「Ｚ２軸方向（ピッチ方向）」及び「Ｙ２軸方向（ヨー方向）」は、夫々、「第３方向」及び「第４方向」の一具体例である。
【０１０７】
このようなテラヘルツ波検出素子１３０の方向依存性及び再帰反射鏡１２１の方向依存性を考慮して、第１実施例では、図５に示すように、プローブ光ＬＢ２を再帰反射することができなくなる再帰反射鏡１２１の傾きの方向（つまり、Ｚ２軸方向であり、ピッチ方向）と、位置ずれの許容度が相対的に大きくなる（好ましくは、最大となる）テラヘルツ波検出素子１３０の方向（つまり、Ｚ１軸方向）とが揃う（典型的には、一致する）ように、テラヘルツ波検出素子１３０及び再帰反射鏡１２１が配置されている。言い換えれば、プローブ光ＬＢ２を再帰反射することができなくなる再帰反射鏡１２１の傾き方向（つまり、Ｚ２軸方向であり、ピッチ方向）と、再帰反射鏡１２１の傾きに起因したテラヘルツ波ＴＨｚの検出精度の減少量（典型的には、電流信号の減少量）が相対的に小さくなる（好ましくは、最小となる）テラヘルツ波検出素子１３０の方向（つまり、Ｚ１軸方向）とが揃う（典型的には、一致する）ように、テラヘルツ波検出素子１３０及び再帰反射鏡１２１が配置されている。つまり、Ｚ２軸方向（ピッチ方向）に沿った再帰反射鏡１２１の傾きに起因したテラヘルツ波検出素子１３０上におけるプローブ光ＬＢ２の照射位置の位置ずれの方向が、テラヘルツ波検出素子１３０が備えるギャップ１３４の延在方向と揃うように、テラヘルツ波検出素子１３０及び再帰反射鏡１２１が配置されている。
【０１０８】
このような態様でテラヘルツ波検出素子１３０及び再帰反射鏡１２１が配置されるテラヘルツ波計測装置１００において、再帰反射鏡１２１がＺ２軸方向（ピッチ方向）に沿って傾いた場合を想定する。この場合、Ｚ２軸方向（ピッチ方向）に沿った再帰反射鏡１２１の傾きに起因して、テラヘルツ波検出素子１３０上におけるプローブ光ＬＢ２の照射位置は、再帰反射鏡１２１の傾きの方向（つまり、Ｚ２軸方向（ピッチ方向））に沿って位置ずれすることになる（図５中の一点鎖線の矢印参照）。従って、テラヘルツ波検出素子１３０及び再帰反射鏡１２１の配置態様に何らの工夫がなければ（具体的には、図５に示す如き位置関係を有して配置されていなければ）、プローブ光ＬＢ２がギャップ１３４に照射されなくなってしまうおそれがある。しかるに、第１実施例では、Ｚ２軸方向（ピッチ方向）に沿った再帰反射鏡１２１の傾きに起因したプローブ光ＬＢ２の照射位置の位置ずれの方向が、テラヘルツ波検出素子１３０が備えるギャップ１３４の延在方向と揃っている。従って、Ｚ２軸方向（ピッチ方向）に沿った再帰反射鏡１２１の傾きに起因してプローブ光ＬＢ２の照射位置が位置ずれしたとしても、プローブ光ＬＢ２は、依然としてギャップ１３４に照射されている可能性が高くなる。その結果、テラヘルツ波検出素子１３０によるテラヘルツ波ＴＨｚの検出精度に対して、Ｚ２軸方向（ピッチ方向）に沿った再帰反射鏡１２１の傾きが与える影響が軽減される。言い換えれば、Ｚ２軸方向（ピッチ方向）に沿った再帰反射鏡１２１の傾きに起因したテラヘルツ波検出素子１３０によるテラヘルツ波ＴＨｚの検出精度の劣化が最小限に抑えられる。このため、テラヘルツ波計測装置１００による測定対象物の特性の分析精度に対して、Ｚ２軸方向（ピッチ方向）に沿った再帰反射鏡１２１の傾きが与える影響が軽減される。言い換えれば、Ｚ２軸方向（ピッチ方向）に沿った再帰反射鏡１２１の傾きに起因したテラヘルツ波計測装置１００による測定対象物の特性の分析精度の劣化が最小限に抑えられる。
【０１０９】
尚、参考までに、再帰反射鏡１２１がＹ２軸方向（ヨー方向）に沿って傾いた場合を想定する。この場合、テラヘルツ波検出素子１３０及び再帰反射鏡１２１の配置態様における工夫（具体的には、図５に示す如き位置関係を有した配置態様）の有無に関わらず、再帰反射鏡１２１は、プローブ光ＬＢ２を再帰反射することができる。従って、テラヘルツ波検出素子１３０上におけるプローブ光ＬＢ２の照射位置が、再帰反射鏡１２１の傾きの方向（Ｙ２軸方向であり、ヨー方向）に沿って位置ずれすることは殆どない。このため、帰反射鏡１２１がＹ２軸方向（ヨー方向）に沿って傾いたとしても、プローブ光ＬＢ２は、依然としてギャップ１３４に照射されている可能性が高い。従って、テラヘルツ波計測装置１００による測定対象物の特性の分析精度（言い換えれば、テラヘルツ波検出素子１３０によるテラヘルツ波ＴＨｚの検出精度）に対して、Ｙ２軸方向（ピッチ方向）に沿った再帰反射鏡１２１の傾きが与える影響が小さいことは言うまでもない。
【０１１０】
尚、上述したテラヘルツ波検出素子１３０はあくまで一例であって、図２（ｂ）に例示したテラヘルツ波検出素子１３０とは異なるテラヘルツ波検出素子１３０が用いられてもよい。例えば、図６（ａ）に示すように、ストライプ型のアンテナ１３２ａ及びアンテナ１３３ａを備えるテラヘルツ波検出素子１３０ａが用いられてもよい。或いは、例えば、図６（ｂ）に示すように、ボウタイ型のアンテナ１３２ｂ及びアンテナ１３３ｂを備えるテラヘルツ波検出素子１３０ｂが用いられてもよい。或いは、例えば、図６（ｃ）に示すように、スパイラル型のアンテナ１３２ｃ及びアンテナ１３３ｃを備えるテラヘルツ波検出素子１３０ｃが用いられてもよい。いずれのテラヘルツ波検出素子１３０であっても、テラヘルツ波検出素子１３０上でのプローブ光ＬＢ２の照射位置がずれる方向に依存して、テラヘルツ波検出素子１３０によるテラヘルツ波ＴＨｚの検出精度（具体的には、テラヘルツ波検出素子１３０が出力する電流信号の変動量）が変動するという方向依存性を有している。更には、図６（ａ）から図６（ｃ）に例示したテラヘルツ波検出素子１３０に限らず、テラヘルツ波検出素子１３０上でのプローブ光ＬＢ２の照射位置がずれる方向に依存して、テラヘルツ波検出素子１３０によるテラヘルツ波ＴＨｚの検出精度（具体的には、テラヘルツ波検出素子１３０が出力する電流信号の変動量）が変動するという方向依存性を有している限りは、どのようなテラヘルツ波検出素子１３０が用いられてもよい。
【０１１１】
このような各テラヘルツ検出素子１３０ａからテラヘルツ波検出素子１３０ｃが用いられる場合であっても、プローブ光ＬＢ２を再帰反射することができなくなる再帰反射鏡１２１の方向（つまり、Ｚ２軸方向であり、ピッチ方向）と、位置ずれの許容度が相対的に大きくなるテラヘルツ波検出素子１３０の方向（つまり、Ｚ１軸方向）とが揃う（典型的には、一致する）ように、テラヘルツ波検出素子１３０及び再帰反射鏡１２１が配置されることが好ましい。その結果、上述した各種効果が好適に享受される。
【０１１２】
尚、テラヘルツ波発生素子１１０もまた、テラヘルツ波検出素子１３０と同様に、図２（ａ）に例示したテラヘルツ波発生素子１１０とは異なるテラヘルツ波発生素子１１０（例えば、図６（ａ）から図６（ｃ）参照）が用いられてもよい。
【０１１３】
また、上述した光遅延器１２０もあくまで一例であって、図１に例示した光遅延器１２０とは異なる光遅延器１２０が用いられてもよい。例えば、図７に示すように、不図示のモータ１２３の動作により回転可能な回転基板１２２ａと、複数の（図７では、４つの）再帰反射鏡１２１を備えている光遅延器１２０ａが用いられてもよい。このような光遅延器１２０ａでは、複数の再帰反射鏡１２１は、回転基板１２２ａの回転軸を中心とする円Ｃ上に、好ましくは等間隔に配置されている。従って、複数の再帰反射鏡１２１の夫々は、回転基板１２２ａの回転に伴って、円Ｃ上を周回する。
【０１１４】
このような光遅延器１２０ａであっても、各再帰反射鏡１２１は、プローブ光ＬＢ２を適切に再帰反射することができるか否かが、当該再帰反射鏡１２１の傾きの方向に依存して定まるという方向依存性を有している。
【０１１５】
具体的には、図８（ａ）に示すように、ある一つの反射鏡１２１に着目して説明を進める。再帰反射鏡１２１が、当該再帰反射鏡１２１に入射してくるプローブ光ＬＢ２の入射光路及び当該再帰反射鏡１２１から出射していくプローブ光ＬＢ２の反射光路を含む平面（図８（ａ）中のＸ２−Ｙ２平面）に直交する沿った方向（具体的には、図８（ａ）のＺ２軸方向）に沿って傾いた場合を想定する。具体的には、図８（ａ）の上側の図面に示すように、初期状態として、再帰反射鏡１２１が、Ｚ２軸方向に対してα度の角度を有するように傾いているとする。更に、図８（ａ）の下側の図面に示すように、初期状態として、回転基板１２２ａの中心と再帰反射鏡１２１とを結ぶ線は、Ｙ２軸方向と一致するものとする。
【０１１６】
この場合、図８（ａ）の上側の図面に示すように、再帰反射鏡１２１は、プローブ光ＬＢ２を再帰反射することができない。具体的には、再帰反射鏡１２１から出射していくプローブ光ＬＢ２の反射光路は、再帰反射鏡１２１に入射してくるプローブ光ＬＢ２の入射光路に対して、２α度の角度を有することになる。
【０１１７】
このような初期状態を基準として、図８（ｂ）に示すように、回転基板１２２ａがθ度だけ回転した状態を想定する。つまり、回転基板１２２ａの中心と再帰反射鏡１２１とを結ぶ線が、Ｙ２軸方向に対してθ度の角度で交わる状態を想定する。
【０１１８】
この場合、図８（ｂ）の上側の図面に示すように、回転基板１２２ａの回転に伴って、再帰反射鏡１２１が、Ｚ２軸方向に対してβ度の角度を有するように傾くことになる。この角度βは、β＝ａｒｃｔａｎ（ｔａｎα×ｃｏｓθ）という数式で表現される。つまり、角度βは、回転基板１２２ａの回転角度θに依存して変動することが分かる。従って、テラヘルツ波検出素子１３０上におけるプローブ光ＬＢ２の照射位置もまた、再帰反射鏡１２１の傾きの方向（Ｚ２軸方向であり、ピッチ方向）に沿って且つ回転基板１２２ａの回転角度に依存したずれ量だけ位置ずれすることになる。
【０１１９】
このような光遅延器１２０ａが用いられる場合であっても、プローブ光ＬＢ２を再帰反射することができなくなる再帰反射鏡１２１の傾きの方向（つまり、Ｚ２軸方向であり、ピッチ方向）と、位置ずれの許容度が相対的に大きくなるテラヘルツ波検出素子１３０の方向（つまり、Ｚ１軸方向）とが揃う（典型的には、一致する）ように、テラヘルツ波検出素子１３０及び再帰反射鏡１２１が配置されることが好ましい。その結果、上述した各種効果が好適に享受される。
【０１２０】
（１−３）テラヘルツ波検出素子及び再帰反射鏡の配置態様の変形例
続いて、図９を参照しながら、テラヘルツ波検出素子１３０及び再帰反射鏡１２１の配置態様の変形例について説明する。図９は、変形例におけるテラヘルツ波検出素子１３０及び再帰反射鏡１２１の配置態様を示す斜視図である。
【０１２１】
上述した説明では、プローブ光ＬＢ２を再帰反射することができなくなる再帰反射鏡１２１の傾きの方向は、テラヘルツ波検出素子１３０のギャップ１３４の延在方向と揃っている例を用いて説明を進めた。というのも、上述の説明では、テラヘルツ波検出素子１３０のギャップ１３４の延在方向に沿ったプローブ光ＬＢ２の照射位置の位置ずれの許容度が最大になる（つまり、テラヘルツ波検出素子１３０によるテラヘルツ波ＴＨｚの検出精度が最大となる、実質的には、電流信号の減少量が最小となる）ものと推定しているからである。
【０１２２】
しかしながら、テラヘルツ波計測装置１００の特性（例えば、テラヘルツ波検出素子１３０のギャップ１３４の形状や、再帰反射鏡１２１の仕様等）によっては、テラヘルツ波検出素子１３０のギャップ１３４の延在方向に沿ったプローブ光ＬＢ２の照射位置の位置ずれの許容度が最大にならないこともある。例えば、テラヘルツ波検出素子１３０のギャップ１３４の延在方向と異なる（例えば、０度より大きく且つ９０度よりも小さい角度で交わる）方向（図９中の一点鎖線の矢印に沿った方向）に沿ったプローブ光ＬＢ２の照射位置の位置ずれの許容度が最大になることもある。この場合には、図９に示すように、プローブ光ＬＢ２を再帰反射することができなくなる再帰反射鏡１２１の傾きの方向は、プローブ光ＬＢ２の照射位置の位置ずれの許容度が最大になる方向（例えば、図９中の一点鎖線の矢印に沿った方向）と揃うように、テラヘルツ波検出素子１３０及び再帰反射鏡１２１が配置されることが好ましい。
【０１２３】
このように配置しても、上述した各種効果が好適に享受される。加えて、特に、図７に示すような回転基板１２２ａ上に複数の再帰反射鏡１２１が配置されている場合には、再帰反射鏡１２１がＺ２軸方向に沿って傾いた場合であっても、プローブ光ＬＢ２の照射位置は、Ｚ２軸方向のみならず、Ｙ２軸方向に沿ってずれることもある。この場合であっても、プローブ光ＬＢ２を再帰反射することができなくなる再帰反射鏡１２１の傾きの方向が、プローブ光ＬＢ２の照射位置の位置ずれの許容度が最大になる方向（つまり、テラヘルツ波検出素子１３０によるテラヘルツ波ＴＨｚの検出精度が最大となる方向であって、実質的には電流信号の減少量が最小となる方向）と揃うように、テラヘルツ波検出素子１３０及び再帰反射鏡１２１が配置されている。このため、再帰反射鏡１２１の傾きに起因したテラヘルツ波計測装置１００による測定対象物の特性の分析精度の劣化が最小限に抑えられることに変わりはない。
【０１２４】
（２）第２実施例
続いて、図１０及び図１１を参照しながら、第２実施例のテラヘルツ波計測装置２００について説明する。図１０は、第２実施例のテラヘルツ波計測装置２００の構成を示すブロック図である。図１１は、第２実施例におけるテラヘルツ波発生素子１１０及び再帰反射鏡１２１の配置態様を示す斜視図である。尚、第１実施例のテラヘルツ波計測装置１００と同一の構成及び動作については、同一の参照符号及びステップ番号を付することで、それらの詳細な説明を省略する。
【０１２５】
図１０に示すように、第２実施例のテラヘルツ波計測装置２００は、光遅延器１２０の配置位置が第１実施例の光遅延器１２０の配置位置と異なるという点において、第１実施例のテラヘルツ波計測装置１００と異なる。つまり、第２実施例のテラヘルツ波計測装置２００は、光遅延器１２０がポンプ光ＬＢ１の光路に配置されるという点で、光遅延器１２０がプローブ光ＬＢ２の光路に配置される第１実施例のテラヘルツ波計測装置１００と異なる。第２実施例のテラヘルツ波計測装置２００のその他の構成は、第１実施例のテラヘルツ波計測装置１００のその他の構成と同一であってもよい。
【０１２６】
ここで、テラヘルツ波発生素子１１０もまた、テラヘルツ波検出素子１３０と同様に、テラヘルツ波発生素子１１０上でのポンプ光ＬＢ１の照射位置がずれる方向に依存して、テラヘルツ波発生素子１１０が発生するテラヘルツ波ＴＨｚの特性（例えば、振幅）が変動するという方向依存性を有している。具体的には、上述したように、テラヘルツ波発生素子１１０は、ポンプ光ＬＢ１がギャップ１１４に照射されている状態でギャップ１１４にバイアス電圧が印加されると、テラヘルツ波ＴＨｚを発生する。ここで、ギャップ１１４は、Ｚ１軸方向に沿って延在している（図２（ａ）参照）。このようなギャップ１１４の延在方向を考慮すれば、ポンプ光ＬＢ１の照射位置がギャップ１１４の延在方向（つまり、図２（ａ）のＺ１軸方向）に沿ってずれたとしても、ポンプ光ＬＢ１は、依然としてギャップ１１４に照射されて続けている可能性が相対的に高くなる。一方で、ポンプ光ＬＢ１の照射位置がギャップ１１４の延在方向に直交する方向（つまり、図２（ａ）のＹ１軸方向）に沿ってずれたとすると、ポンプ光ＬＢ１は、ギャップ１１４に照射されなくなる可能性が相対的に高くなる。
【０１２７】
そうすると、ポンプ光ＬＢ１の照射位置がギャップ１１４の延在方向（Ｚ１軸方向）に沿ってずれた場合にテラヘルツ波発生素子１１０が発生するテラヘルツ波ＴＨｚの振幅の変動量（具体的には、減少量）は、ポンプ光ＬＢ１の照射位置がギャップ１１４の延在方向に直交する（Ｙ１軸方向）に沿ってずれた場合にテラヘルツ波発生素子１１０が発生するテラヘルツ波ＴＨｚの振幅の変動量（具体的には、減少量）よりも小さくなる。典型的には、ポンプ光ＬＢ１の照射位置がギャップ１１４の延在方向（Ｚ１軸方向）に沿ってずれた場合には、テラヘルツ波発生素子１１０が発生するテラヘルツ波ＴＨｚの振幅の減少量が最小になることが多い。つまり、ポンプ光ＬＢ１の照射位置がギャップ１１４の延在方向（Ｚ１軸方向）に沿ってずれた場合には、ポンプ光ＬＢ１の照射位置がギャップ１１４の延在方向に直交する方向（Ｙ１軸方向）に沿ってずれた場合と比較して、テラヘルツ波発生素子１１０が発生するテラヘルツ波ＴＨｚの特性（言い換えれば、テラヘルツ波計測装置１００による測定対象物の特性の分析精度）に対する影響が小さいと言える。典型的には、ポンプ光ＬＢ１の照射位置がギャップ１１４の延在方向（Ｚ１軸方向）に沿ってずれた場合には、テラヘルツ波発生素子１１０が発生するテラヘルツ波ＴＨｚの特性（言い換えれば、テラヘルツ波計測装置１００による測定対象物の特性の分析精度）に対する影響が最小になることが多い。言い換えれば、テラヘルツ波発生素子１１０が発生するテラヘルツ波ＴＨｚの特性（言い換えれば、テラヘルツ波計測装置１００による測定対象物の特性の分析精度）に与える影響を軽減するという観点から見れば、ギャップ１１４の延在方向（Ｚ１軸方向）に沿ったポンプ光ＬＢ１の照射位置の位置ずれは、ギャップ１１４の延在方向に直交する方向（Ｙ１軸方向）に沿ったポンプ光ＬＢ１の照射位置の位置ずれよりも、許容されやすい。
【０１２８】
このように、テラヘルツ波発生素子１１０は、ギャップ１１４の延在方向（Ｚ１軸方向）に沿ったポンプ光ＬＢ１の照射位置の位置ずれに対する許容度が、ギャップ１１４の延在方向に直交する方向（Ｙ１軸方向）に沿ったポンプ光ＬＢ１の照射位置の位置ずれに対する許容度よりも大きくなるという方向依存性を有している。
【０１２９】
そこで、第２実施例においても、第１実施例と同様に、図１１に示すように、ポンプ光ＬＢ１を再帰反射することができなくなる再帰反射鏡１２１の傾き方向（つまり、Ｚ２軸方向であり、ピッチ方向）と、位置ずれの許容度が相対的に大きくなる（好ましくは、最大となる）テラヘルツ波発生素子１１０の方向（つまり、Ｚ１軸方向）とが揃う（典型的には、一致する）ように、テラヘルツ波発生素子１１０及び再帰反射鏡１２１が配置されている。言い換えれば、ポンプ光ＬＢ１を再帰反射することができなくなる再帰反射鏡１２１の傾き方向（つまり、Ｚ２軸方向であり、ピッチ方向）と、再帰反射鏡１２１の傾きに起因したテラヘルツ波ＴＨｚの振幅の減少量が相対的に小さくなる（好ましくは、最小となる）テラヘルツ波発生素子１１０の方向（つまり、Ｚ１軸方向）とが揃う（典型的には、一致する）ように、テラヘルツ波発生素子１１０及び再帰反射鏡１２１が配置されている。つまり、Ｚ２軸方向（ピッチ方向）に沿った再帰反射鏡１２１の傾きに起因したテラヘルツ波発生素子１１０上におけるポンプ光ＬＢ１の照射位置の位置ずれの方向が、テラヘルツ波発生素子１１０が備えるギャップ１１４の延在方向と揃うように、テラヘルツ波発生素子１１０及び再帰反射鏡１２１が配置されている。
【０１３０】
このような態様でテラヘルツ波発生素子１１０及び再帰反射鏡１２１が配置されるテラヘルツ波計測装置１００において、再帰反射鏡１２１がＺ２軸方向（ピッチ方向）に沿って傾いた場合を想定する。この場合、Ｚ２軸方向（ピッチ方向）に沿った再帰反射鏡１２１の傾きに起因して、テラヘルツ波発生素子１１０上におけるポンプ光ＬＢ１の照射位置は、再帰反射鏡１２１の傾きの方向（つまり、Ｚ２軸方向（ピッチ方向））に沿って位置ずれすることになる（図１１中の一点鎖線の矢印参照）。従って、テラヘルツ波発生素子１１０及び再帰反射鏡１２１の配置態様に何らの工夫がなければ（具体的には、図１１に示す如き位置関係を有して配置されていなければ）、ポンプ光ＬＢ１がギャップ１１４に照射されなくなってしまうおそれがある。しかるに、第２実施例では、Ｚ２軸方向（ピッチ方向）に沿った再帰反射鏡１２１の傾きに起因したポンプ光ＬＢ２１の照射位置の位置ずれの方向が、テラヘルツ波発生素子１１０が備えるギャップ１１４の延在方向と揃っている。従って、Ｚ２軸方向（ピッチ方向）に沿った再帰反射鏡１２１の傾きに起因したポンプ光ＬＢ１の照射位置が位置ずれしたとしても、ポンプ光ＬＢ１は、依然としてギャップ１１４に照射されている可能性が高くなる。その結果、テラヘルツ波発生素子１１０が発生するテラヘルツ波ＴＨｚの特性に対して、Ｚ２軸方向（ピッチ方向）に沿った再帰反射鏡１２１の傾きが与える影響が軽減される。言い換えれば、Ｚ２軸方向（ピッチ方向）に沿った再帰反射鏡１２１の傾きに起因したテラヘルツ波発生素子１１０が発生するテラヘルツ波ＴＨｚの特性の劣化が最小限に抑えられる。このため、テラヘルツ波計測装置１００による測定対象物の特性の分析精度に対して、Ｚ２軸方向（ピッチ方向）に沿った再帰反射鏡１２１の傾きが与える影響が軽減される。言い換えれば、Ｚ２軸方向（ピッチ方向）に沿った再帰反射鏡１２１の傾きに起因したテラヘルツ波計測装置１００による測定対象物の特性の分析精度の劣化が最小限に抑えられる。
【０１３１】
尚、参考までに、再帰反射鏡１２１がＹ２軸方向（ヨー方向）に沿って傾いた場合を想定する。この場合、テラヘルツ波発生素子１１０及び再帰反射鏡１２１の配置態様における工夫（具体的には、図１１に示す如き位置関係を有した配置態様）の有無に関わらず、再帰反射鏡１２１は、ポンプ光ＬＢ１を再帰反射することができる。従って、テラヘルツ波発生素子１１０上におけるポンプ光ＬＢ１の照射位置が、再帰反射鏡１２１の傾きの方向（Ｙ２軸方向であり、ヨー方向）に沿って位置ずれすることは殆どない。このため、帰反射鏡１２１がＹ２軸方向（ヨー方向）に沿って傾いたとしても、ポンプ光ＬＢ１は、依然としてギャップ１１４に照射されている可能性が高い。従って、テラヘルツ波計測装置１００による測定対象物の特性の分析精度（言い換えれば、テラヘルツ波発生素子１１０が発生するテラヘルツ波ＴＨｚの特性）に対して、Ｙ２軸方向（ピッチ方向）に沿った再帰反射鏡１２１の傾きが与える影響が小さいことは言うまでもない。
【０１３２】
尚、第２実施例においても、第１実施例で説明した各種構成が適宜適用されてもよいことは言うまでもない。
【０１３３】
また、テラヘルツ波発生素子１１０のギャップ１１４の延在方向（Ｚ１軸方向）に沿ったポンプ光ＬＢ１の照射位置の位置ずれに対する許容度と、テラヘルツ波検出素子１３０のギャップ１３４の延在方向（Ｚ１軸方向）に沿ったプローブ光ＬＢ２の照射位置の位置ずれに対する許容度との間の大小関係に応じて、再帰反射鏡１２１が再帰反射するべきレーザ光が、ポンプ光ＬＢ１及びプローブ光ＬＢ２のうちのいずれかに決定されてもよい。
【０１３４】
例えば、テラヘルツ波発生素子１１０のギャップ１１４の延在方向（Ｚ１軸方向）に沿ったポンプ光ＬＢ１の照射位置の位置ずれに対する許容度が、テラヘルツ波検出素子１３０のギャップ１３４の延在方向（Ｚ１軸方向）に沿ったプローブ光ＬＢ２の照射位置の位置ずれに対する許容度よりも大きい場合には、再帰反射鏡１２１は、ポンプ光ＬＢ１を再帰反射してもよい。つまり、再帰反射鏡１２１は、ポンプ光ＬＢ１の光路に設置されてもよい。言い換えれば、再帰反射鏡１２１は、プローブ光ＬＢ２の光路に設置されなくてもよい。この場合、ポンプ光ＬＢ１を再帰反射することができなくなる再帰反射鏡１２１の傾き方向（つまり、Ｚ２軸方向であり、ピッチ方向）と、位置ずれの許容度が相対的に大きくなるテラヘルツ波発生素子１１０の方向（つまり、Ｚ１軸方向であり、ギャップ１１４の延在方向）とが揃うように、テラヘルツ波発生素子１１０及び再帰反射鏡１２１が配置されることが好ましい。言い換えれば、テラヘルツ波検出素子１３０は、プローブ光ＬＢ２を再帰反射することができなくなる再帰反射鏡１２１の傾き方向（つまり、Ｚ２軸方向であり、ピッチ方向）を考慮することなく、配置されてもよい。
【０１３５】
或いは、例えば、テラヘルツ波検出素子１３０のギャップ１３４の延在方向（Ｚ１軸方向）に沿ったプローブ光ＬＢ２の照射位置の位置ずれに対する許容度が、テラヘルツ波発生素子１１０のギャップ１１４の延在方向（Ｚ１軸方向）に沿ったポンプ光ＬＢ１の照射位置の位置ずれに対する許容度よりも大きい場合には、再帰反射鏡１２１は、プローブ光ＬＢ２を再帰反射してもよい。つまり、再帰反射鏡１２１は、プローブ光ＬＢ２の光路に設置されてもよい。言い換えれば、再帰反射鏡１２１は、ポンプ光ＬＢ１の光路に設置されなくてもよい。この場合、プローブ光ＬＢ２を再帰反射することができなくなる再帰反射鏡１２１の傾き方向（つまり、Ｚ２軸方向であり、ピッチ方向）と、位置ずれの許容度が相対的に大きくなるテラヘルツ波検出素子１３０の方向（つまり、Ｚ１軸方向であり、ギャップ１３４の延在方向）とが揃うように、テラヘルツ波検出素子１３０及び再帰反射鏡１２１が配置されることが好ましい。言い換えれば、テラヘルツ波発生素子１１０は、ポンプ光ＬＢ１を再帰反射することができなくなる再帰反射鏡１２１の傾き方向（つまり、Ｚ２軸方向であり、ピッチ方向）を考慮することなく、配置されてもよい。
【０１３６】
また、本発明は、請求の範囲及び明細書全体から読み取るこのできる発明の要旨又は思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴うテラヘルツ波計測装置もまた本発明の技術思想に含まれる。
【符号の説明】
【０１３７】
１００、２００  テラヘルツ波計測装置
１０１  パルスレーザ装置
１１０  テラヘルツ波発生素子
１１１  基板
１１２、１１３  アンテナ
１１４  ギャップ
１２０、２２０  光遅延器
１２１  再帰反射鏡
１２２  送りネジ機構
１２３  モータ
１３０  テラヘルツ波検出素子
１３１  基板
１３２、１３３  アンテナ
１３４  ギャップ
１４１  バイアス電圧生成部
１４４  Ｉ−Ｖ変換部
１４５  ロックイン検出部
１５０  演算処理部
１６１  ビームスプリッタ
１６２、１６３  反射鏡
ＬＢ  パルスレーザ光
ＬＢ１  ポンプ光
ＬＢ２  プローブ光
ＴＨｚ  テラヘルツ波
【図１】
2014115189.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2014115189.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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