(57)【要約】【課題】有機エレクトロルミネッセンス表示装置の高精細化及び混色の防止を実現することを目的とする。【解決手段】本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、基板と、前記基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に画素毎に形成された複数の陽極と、前記画素の境界に沿って前記複数の陽極の少なくとも外周を覆う画素分離膜と、前記複数の陽極上及び前記画素分離膜上にわたって形成された、発光層を有する有機層と、を有し、前記有機層の一部が、前記画素分離膜上において分離構造を有することを特徴とする。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に画素毎に形成された複数の陽極と、
前記画素の境界に沿って前記複数の陽極の少なくとも外周を覆う画素分離膜と、
前記複数の陽極上及び前記画素分離膜上にわたって形成された、発光層を有する有機層と、を有し、
前記有機層の一部が、前記画素分離膜上において分離構造を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記画素分離膜の一部が、
前記陽極の外周を覆う画素分離膜下部と、
前記画素分離膜下部の上面に、下面が接するように形成された画素分離膜上部と、を有し、
前記画素分離膜上部の前記下面の外周が、平面視で前記画素分離膜下部の上面の外周よりも外側に位置し、
前記分離構造が、前記画素分離膜上部の上に形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記画素分離膜上部が、複数の層が積層してなり、
前記複数の層のそれぞれの平面視の大きさが下から上へ順に小さくなる、
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項４】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記画素分離膜が、前記画素の境界に沿って形成された、第１の孔部を有し、
前記第１の孔部は、
溝状の第１の孔部上部と、
前記第１の孔部上部の下に連続して、隣接する前記陽極同士の間において前記絶縁膜の一部を露出する第１の孔部下部と、を有し、
前記第１の孔部上部と前記第１の孔部下部の境界が、平面視で前記第１の孔部下部の内周面の内側に位置し、
前記有機層が前記境界を挟んで分断されることにより、前記分離構造が形成されている、
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項５】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記画素分離膜が、前記画素の境界に沿って形成された第２の孔部を有し、
前記第２の孔部は、
前記画素分離膜を貫通する第２の孔部上部と、
前記第２の孔部上部の下に連続する、前記絶縁膜に形成された第２の孔部下部と、を有し、
前記第２の孔部上部の前記画素分離膜下面における開口が、平面視で前記第２の孔部下部の開口の内側に位置し、
前記有機層が前記第２の孔部上部の開口を挟んで分断されることにより、前記分離構造が形成されている、
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記有機層上に陰極が形成され、
前記画素分離膜上において前記陰極の一部が分断されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項７】
基板上に複数の陽極を画素毎に形成する工程と、
前記画素の境界に沿って前記複数の陽極の少なくとも外周を覆う画素分離膜を形成する工程と、
前記複数の陽極上及び前記画素分離膜上にわたって、発光層を有する有機層を形成する工程と、を有し、
前記有機層を形成する工程において、
前記有機層の一部を前記画素分離膜上において分離することにより、前記有機層に分離構造を形成する、
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
前記画素分離膜を形成する工程が、
前記画素同士の間の一部の領域に、前記陽極の外周を覆う画素分離膜下部を形成する工程と、
前記画素分離膜下部の上面を覆うように、前記画素分離膜下部の材料よりもエッチングレートの低い材料からなる画素分離膜上部を形成する工程と、
前記画素分離膜上部の下面の外周が、平面視で前記画素分離膜下部の上面の外周よりも外側に位置するようにエッチングを行う工程と、
を有し、
前記有機層を形成する工程において、
前記有機層の一部を前記画素分離膜上部の上において分断することにより前記分離構造を形成する、
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
前記画素分離膜上部を形成する工程が、それぞれ前記エッチングレートの異なる材料からなる複数の層を、前記エッチングレートの低い順に積層する工程からなり、
前記エッチングを行う工程において、
前記複数の層のそれぞれの平面視の大きさが、下から上へ順に小さくなるように前記エッチングを行う、
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
前記画素分離膜を形成する工程が、
隣接する前記陽極同士の間に、前記画素の境界に沿うように基礎膜を形成する工程と、
前記陽極の上面及び前記基礎膜の上面を覆うように前記画素分離膜を形成する工程と、
前記基礎膜上の前記画素分離膜の一部をエッチングにより除去することにより、前記基礎膜の上面の一部を露出する溝状の第１の孔部上部を形成する工程と、
エッチングにより前記基礎膜を除去することにより、隣接する前記陽極同士の間において前記絶縁膜の一部を露出する第１の孔部下部を形成する工程と、を有し、
前記第１の孔部下部を形成する工程において、
前記第１の孔部上部と前記第１の孔部下部の境界が、平面視で前記第１の孔部下部の内周面の内側に位置するように前記エッチングを行い、
前記有機層を形成する工程において、
前記境界を挟んで前記有機層の一部を分断することにより前記分離構造を形成する、
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
前記画素分離膜を形成する工程が、
前記絶縁膜よりもエッチングレートの低い材料からなる前記画素分離膜を形成する工程と、
エッチングにより、前記画素分離膜の一部を前記画素の境界に沿って貫通する第２の孔部を形成する工程と、
を有し、
前記第２の孔部を形成する工程が、
前記画素分離膜を貫通する第２の孔部上部を形成する工程と、
前記第２の孔部上部の下に連続する、溝状の第２の孔部下部を前記絶縁膜に形成する工程と、
を有し、
前記第２の孔部下部を形成する工程において、
前記第２の孔部上部の前記画素分離膜下面における開口が、平面視で前記第２の孔部下部の開口の内側に位置するように前記エッチングを行い、
前記有機層を形成する工程において、
前記画素分離膜下面における開口を挟んで前記有機層の一部を分断することにより前記分離構造を形成する、
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項７乃至請求項１１のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
前記有機層上に陰極を形成する工程を有し、
前記陰極を形成する工程において、
前記画素分離膜上において前記陰極の一部を分断することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型で軽量な発光源として、有機エレクトロルミネッセンス発光（organic electro luminescent）素子が注目を集めており、多数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子を備える画像表示装置が開発されている。有機エレクトロルミネッセンス発光素子は、発光層を有する有機層が、陽極と陰極とで挟まれた構造を有する。
【０００３】
このような有機エレクトロルミネッセンス表示装置としては、例えば、特許文献１において、溝を有する絶縁膜が隣接する有機エレクトロルミネッセンス発光素子同士の間に設けられ、溝の内側に有機層の一部が形成された構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２０１２−２１６３３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１の構成によれば、画素の微細化により隣接する有機エレクトロルミネッセンス発光素子同士の間隔が短くなるほど、有機層を介してのリーク電流が発生しやすくなる。これにより、一部の有機エレクトロルミネッセンス発光素子を発光させると、隣接する有機エレクトロルミネッセンス発光素子もリーク電流により発光し、混色が発生するなどの問題が生じる。このため、混色の防止を実現することは困難であった。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の混色の防止を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、基板と、前記基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に画素毎に形成された複数の陽極と、前記画素の境界に沿って前記複数の陽極の少なくとも外周を覆う画素分離膜と、前記複数の陽極上及び前記画素分離膜上にわたって形成された、発光層を有する有機層と、を有し、前記有機層の一部が、前記画素分離膜上において分離構造を有することを特徴とする。
【０００８】
（２）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（１）において、前記画素分離膜の一部が、前記陽極の外周を覆う画素分離膜下部と、前記画素分離膜下部の上面に、下面が接するように形成された画素分離膜上部と、を有し、前記画素分離膜上部の前記下面の外周が、平面視で前記画素分離膜下部の上面の外周よりも外側に位置し、前記分離構造が、前記画素分離膜上部の上に形成されていてもよい。
【０００９】
（３）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（２）において、前記画素分離膜上部が、複数の層が積層してなり、前記複数の層のそれぞれの平面視の大きさが下から上へ順に小さくなってもよい。
【００１０】
（４）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（１）において、前記画素分離膜が、前記画素の境界に沿って形成された、第１の孔部を有し、前記第１の孔部は、溝状の第１の孔部上部と、前記第１の孔部上部の下に連続して、隣接する前記陽極同士の間において前記絶縁膜の一部を露出する第１の孔部下部と、を有し、前記第１の孔部上部と前記第１の孔部下部の境界が、平面視で前記第１の孔部下部の内周面の内側に位置し、前記有機層が前記境界を挟んで分断されることにより、前記分離構造が形成されていてもよい。
【００１１】
（５）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（１）において、前記画素分離膜が、前記画素の境界に沿って形成された第２の孔部を有し、前記第２の孔部は、前記画素分離膜を貫通する第２の孔部上部と、前記第２の孔部上部の下に連続する、前記絶縁膜に形成された第２の孔部下部と、を有し、前記第２の孔部上部の前記画素分離膜下面における開口が、平面視で前記第２の孔部下部の開口の内側に位置し、前記有機層が前記第２の孔部上部の開口を挟んで分断されることにより、前記分離構造が形成されていてもよい。
【００１２】
（６）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（１）乃至（５）のいずれか一項において、前記有機層上に陰極が形成され、前記画素分離膜上において前記陰極の一部が分断されていてもよい。
【００１３】
（７）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、基板上に複数の陽極を画素毎に形成する工程と、前記画素の境界に沿って前記複数の陽極の少なくとも外周を覆う画素分離膜を形成する工程と、前記複数の陽極上及び前記画素分離膜上にわたって、発光層を有する有機層を形成する工程と、を有し、前記有機層を形成する工程において、前記有機層の一部を前記画素分離膜上において分離することにより、前記有機層に分離構造を形成する、ことを特徴とする。
【００１４】
（８）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、（７）において、前記画素分離膜を形成する工程が、前記画素同士の間の一部の領域に、前記陽極の外周を覆う画素分離膜下部を形成する工程と、前記画素分離膜下部の上面を覆うように、前記画素分離膜下部の材料よりもエッチングレートの低い材料からなる画素分離膜上部を形成する工程と、前記画素分離膜上部の下面の外周が、平面視で前記画素分離膜下部の上面の外周よりも外側に位置するようにエッチングを行う工程と、を有し、前記有機層を形成する工程において、前記有機層の一部を前記画素分離膜上部の上において分断することにより前記分離構造を形成してもよい。
【００１５】
（９）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、（８）において、前記画素分離膜上部を形成する工程が、それぞれ前記エッチングレートの異なる材料からなる複数の層を、前記エッチングレートの低い順に積層する工程からなり、前記エッチングを行う工程において、前記複数の層のそれぞれの平面視の大きさが、下から上へ順に小さくなるように前記エッチングを行ってもよい。
【００１６】
（１０）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、（７）において、前記画素分離膜を形成する工程が、隣接する前記陽極同士の間に、前記画素の境界に沿うように基礎膜を形成する工程と、前記陽極の上面及び前記基礎膜の上面を覆うように前記画素分離膜を形成する工程と、前記基礎膜上の前記画素分離膜の一部をエッチングにより除去することにより、前記基礎膜の上面の一部を露出する溝状の第１の孔部上部を形成する工程と、エッチングにより前記基礎膜を除去することにより、隣接する前記陽極同士の間において前記絶縁膜の一部を露出する第１の孔部下部を形成する工程と、を有し、前記第１の孔部下部を形成する工程において、前記第１の孔部上部と前記第１の孔部下部の境界が、平面視で前記第１の孔部下部の内周面の内側に位置するように前記エッチングを行い、前記有機層を形成する工程において、前記境界を挟んで前記有機層の一部を分断することにより前記分離構造を形成してもよい。
【００１７】
（１１）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、（７）において、前記画素分離膜を形成する工程が、前記絶縁膜よりもエッチングレートの低い材料からなる前記画素分離膜を形成する工程と、エッチングにより、前記画素分離膜の一部を前記画素の境界に沿って貫通する第２の孔部を形成する工程と、を有し、前記第２の孔部を形成する工程が、前記画素分離膜を貫通する第２の孔部上部を形成する工程と、前記第２の孔部上部の下に連続する、溝状の第２の孔部下部を前記絶縁膜に形成する工程と、を有し、前記第２の孔部下部を形成する工程において、前記第２の孔部上部の前記画素分離膜下面における開口が、平面視で前記第２の孔部下部の開口の内側に位置するように前記エッチングを行い、前記有機層を形成する工程において、前記画素分離膜下面における開口を挟んで前記有機層の一部を分断することにより前記分離構造を形成してもよい。
【００１８】
（１２）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、（７）乃至（１１）において、前記有機層上に陰極を形成する工程を有し、前記陰極を形成する工程において、前記画素分離膜上において前記陰極の一部を分断してもよい。
【発明の効果】
【００１９】
上記（１）乃至（６）のいずれかによれば、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、隣接する画素間における、有機層を介してのリーク電流の発生が防がれる。これにより、所望の有機エレクトロルミネッセンス発光素子を発光させても、隣接する有機エレクトロルミネッセンス発光素子がリーク電流により発光することを防ぐことができる。以上により、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の混色の防止を実現することが可能となる。
【００２０】
上記（７）乃至（１２）のいずれかによれば、混色の発生を防止可能な有機エレクトロルミネッセンス表示装置を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は本発明の第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の概略平面図である。
【図２】図２は図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＩＩ−ＩＩ切断線における概略断面図である。
【図３】図３は図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＩＩＩ領域の部分拡大図である。
【図４】図４は図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＩＶ領域の部分拡大図である。
【図５】図５は図４に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＶ−Ｖ切断線における概略断面図である。
【図６】図６は図４に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＶＩ−ＶＩ切断線における概略断面図である。
【図７】図７は第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＶ−Ｖ切断線に対応する概略断面図である。
【図８】図８は第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＶＩ−ＶＩ切断線に対応する概略断面図である。
【図９】図９は第３の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＩＶ領域に対応する領域の部分拡大図である。
【図１０】図１０は図９に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＸ−Ｘ切断線における概略断面図である。
【図１１】図１１は図９に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＸＩ−ＸＩ切断線における概略断面図である。
【図１２】図１２は第４の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＩＶ領域に対応する領域の部分拡大図である。
【図１３】図１３は図１２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ切断線における概略断面図である。
【図１４】図１４は図１２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＸＩＶ−ＸＩＶ切断線における概略断面図である。
【図１５】図１５は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す、ＩＶ領域に対応する領域の部分拡大図である。
【図１６】図１６は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための図１５中に示すＸＶＩ−ＸＶＩ切断線における概略断面図である。
【図１７】図１７は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための図１５中に示すＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ切断線における概略断面図である。
【図１８】図１８は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す、ＩＶ領域に対応する領域の部分拡大図である。
【図１９】図１９は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための図１８中に示すＸＩＸ−ＸＩＸ切断線における概略断面図である。
【図２０】図２０は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための図１８中に示すＸＸ−ＸＸ切断線における概略断面図である。
【図２１】図２１は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法の変形例を示す、ＩＶ領域に対応する領域の部分拡大図である。
【図２２】図２２は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法の変形例を説明するための図２１中に示すＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ切断線における概略断面図である。
【図２３】図２３は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法の変形例を説明するための図２１中に示すＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ切断線における概略断面図である。
【図２４】図２４は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す、ＩＶ領域に対応する領域の部分拡大図である。
【図２５】図２５は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための図２４中に示すＸＸＶ−ＸＸＶ切断線における概略断面図である。
【図２６】図２６は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための図２５中に示すＸＸＶＩ−ＸＸＶＩ切断線における概略断面図である。
【図２７】図２７は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す、ＩＶ領域に対応する領域の部分拡大図である。
【図２８】図２８は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための図２７中に示すＸＸＶＩＩＩ−ＸＸＶＩＩＩ切断線における概略断面図である。
【図２９】図２９は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための図２７中に示すＸＸＩＸ−ＸＸＩＸ切断線における概略断面図である。
【図３０】図３０は第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す、ＩＶ領域に対応する領域の部分拡大図である。
【図３１】図３１は第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための図３０中に示すＸＸＸＩ−ＸＸＸＩ切断線における概略断面図である。
【図３２】図３２は第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための図３０中に示すＸＸＸＩＩ−ＸＸＸＩＩ切断線における概略断面図である。
【図３３】図３３は第３の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す、ＩＶ領域に対応する領域の部分拡大図である。
【図３４】図３４は第３の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための図３３中に示すＸＸＸＩＶ−ＸＸＸＩＶ切断線における概略断面図である。
【図３５】図３５は第３の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための図３３中に示すＸＸＸＶ−ＸＸＸＶ切断線における概略断面図である。
【図３６】図３６は第３の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す、ＩＶ領域に対応する領域の部分拡大図である。
【図３７】図３７は第３の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための図３６中に示すＸＸＸＶＩＩ−ＸＸＸＶＩＩ切断線における概略断面図である。
【図３８】図３８は第３の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための図３６中に示すＸＸＸＶＩＩＩ−ＸＸＸＶＩＩＩ切断線における概略断面図である。
【図３９】図３９は第３の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す、ＩＶ領域に対応する領域の部分拡大図である。
【図４０】図４０は第３の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための図３９中に示すＸＬ−ＸＬ切断線における概略断面図である。
【図４１】図４１は第３の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための図３９中に示すＸＬＩ−ＸＬＩ切断線における概略断面図である。
【図４２】図４２は第４の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す、ＩＶ領域に対応する領域の部分拡大図である。
【図４３】図４３は第４の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための図４２中に示すＸＬＩＩＩ−ＸＬＩＩＩ切断線における概略断面図である。
【図４４】図４４は第４の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための図４２中に示すＸＬＩＶ−ＸＬＩＶ切断線における概略断面図である。
【図４５】図４５は第４の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す、ＩＶ領域に対応する領域の部分拡大図である。
【図４６】図４６は第４の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための図４５中に示すＸＬＶＩ−ＸＬＶＩ切断線における概略断面図である。
【図４７】図４７は第４の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための図４５中に示すＸＬＶＩＩ−ＸＬＶＩＩ切断線における概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置について、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａを例として図面に基づいて説明する。なお、以下の説明において参照する図面は、特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際と同じであるとは限らない。また、以下の説明において例示される材料等は一例であって、各構成要素はそれらと異なっていてもよく、その要旨を変更しない範囲で変更して実施することが可能である。
【００２３】
はじめに、本発明の第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置について説明する。図１は本発明の第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの概略平面図であり、図２は図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａのＩＩ−ＩＩ切断線における概略断面図である。
【００２４】
本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａは、基板１０と、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０と、封止膜４０と、対向基板５０と、フレキシブル回路基板２と、ドライバ３を有している。
【００２５】
基板１０は絶縁性の基板であって、その上面１０ａに、後述する薄膜トランジスタ１１を有する回路層１２及び有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０が形成される部材である。なお、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０は上面１０ａ上に複数設けられているが、説明の便宜上、図２においては詳細な図示を省略する。
【００２６】
有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０は、例えば平面視で基板１０よりも小さい外周を有する表示領域Ｄに設けられており、その外側の領域には、例えばシール材Ｓが配置されている。表示領域Ｄには、多数の画素が規則的に、例えばマトリクス状に配置されている。
【００２７】
基板１０の上面１０ａのうち、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０が形成されていない領域１０ａ１には、フレキシブル回路基板２が接続され、さらに、ドライバ３が設けられている。ドライバ３は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの外部からフレキシブル回路基板２を介して画像データを供給されるドライバである。ドライバ３は、画像データを供給されることにより、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０に、各画素に印加する電圧信号を供給する。
【００２８】
次に、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの表示領域Ｄの構成について、その詳細を説明する。図３は図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａのＩＩＩ領域の部分拡大図である。このＩＩＩ領域は、表示領域Ｄにおける１つの画素Ｐに対応する領域である。ＩＩＩ領域の基板１０上には、薄膜トランジスタ１１を有する回路層１２と、回路層１２上に形成された平坦化膜１３と、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０と、封止膜４０と、対向基板５０とが積層されている。
【００２９】
薄膜トランジスタ１１は、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０を駆動するためのトランジスタであり、基板１０上に画素Ｐごとに設けられている。薄膜トランジスタ１１は、例えば、ポリシリコン半導体層１１ａ、ゲート絶縁層１１ｂ、ゲート線（ゲート電極）１１ｃ、ソース・ドレイン電極１１ｄ、第１の絶縁膜１１ｅ、第２の絶縁膜１１ｆから構成されている。
【００３０】
薄膜トランジスタ１１（回路層１２）上には、絶縁膜である平坦化膜１３が形成されている。平坦化膜１３は、例えばＳｉＯ２やＳｉＮ、アクリル、ポリイミド等の絶縁性を有する材料からなる。平坦化膜１３が薄膜トランジスタ１１上に設けられていることにより、隣接する薄膜トランジスタ１１間や、薄膜トランジスタ１１と有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０の間が電気的に絶縁される。
【００３１】
また、平坦化膜１３には、画素Ｐ毎に、薄膜トランジスタ１１を有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０に接続するコンタクトホール３２ａが形成されている。
【００３２】
平坦化膜１３上の各画素Ｐに対応する領域には、反射膜３１が設けられていてもよい。反射膜３１は、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０から発出した光を封止膜４０側へ向けて反射するために設けられている。反射膜３１は、光反射率が高いほど好ましく、例えばアルミニウムや銀（Ａｇ）等からなる金属膜を用いることができる。
【００３３】
有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０は、例えば反射膜３１を介して平坦化膜１３上に設けられている。有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０は、平坦化膜１３上（反射膜３１上）に形成された陽極３２と、少なくとも発光層を有する有機層３３と、有機層３３上を覆うように形成された陰極３４と、から概略構成されている。
【００３４】
陽極３２は、有機層３３に駆動電流を注入する電極である。陽極３２はコンタクトホール３２ａに接続していることにより、薄膜トランジスタ１１に電気的に接続されて、薄膜トランジスタ１１から駆動電流を供給される。
【００３５】
複数の陽極３２は、各画素Ｐに対応して、平坦化膜１３上にマトリクス状に形成されている。陽極３２は例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性及び導電性を有する材料からなる。なお、反射膜３１が銀等の金属からなり、かつ、陽極３２に接触するものであれば、反射膜３１は陽極３２の一部となる。反射膜３１と陽極３２を同一サイズとしてもよい。この場合、一括形成によりプロセスが短縮できるメリットがある。
【００３６】
また、隣接する各陽極３２同士の間には、バンク状の画素分離膜１４が陽極３２の外周３２ｂと平坦化膜１３の上面１３ａとコンタクトホール３２ａを覆うように形成されている。画素分離膜１４は、隣接する陽極３２同士の接触、及び、陽極３２と陰極３４との間の漏れ電流を防止するために形成されている。画素分離膜１４が形成されていることにより、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０は画素Ｐ毎に区分される。画素分離膜１４の開口Ａの内側の、陽極３２と有機層３３が接触する領域が発光領域Ｅとなる。
【００３７】
画素分離膜１４は絶縁性を有する材料からなる。画素分離膜１４は、例えば、ＳｉＮ膜の単層膜、ＳｉＮ膜の多層膜、ポリイミド膜、アクリル膜、あるいはこれらの組み合わせからなる積層膜であってもよい。また、画素分離膜１４の材料はここに挙げた例に限られず、任意の材料を選択することができる。なお、画素分離膜１４の詳細な構成については、説明の便宜上、後述する。
【００３８】
発光層を有する有機層３３は少なくとも発光層を有する、有機材料により形成された層であり、複数の陽極３２上及び画素分離膜１４上を覆うように形成されている。有機層３３は例えば、陽極３２側から順に、図示しないホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が積層してなる。なお、有機層３３の積層構造はここに挙げたものに限られず、少なくとも発光層を有するものであれば、その積層構造は特定されない。また、有機層３３は、低分子材料からなる層の積層構造でも、高分子材料からなる層の積層構造でも、これらの層の組み合わせからなるものであってもよい。
【００３９】
有機層３３は白色光を発するものであっても、その他の色の光を発するものであってもよい。発光層は、例えば、正孔と電子とが結合することによって発光する有機エレクトロルミネッセンス物質から構成されている。
【００４０】
陰極３４は、有機層３３上を覆うように形成された透明な共通電極である。陰極３４は表示領域Ｄの画素Ｐの配置されている領域全面を覆うように形成されている。このような構成を有することにより、陰極３４は、複数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０の有機層３３に共通に接触する。陰極３４は、例えばＩＴＯ等の透光性及び導電性を有する材料からなる。陰極３４の材料は、具体的には例えば、ＩＴＯであることが好ましいが、ＩＴＯやＩｎＺｎＯ等の導電性金属酸化物に銀やマグネシウム等の金属を混入したものであってもよい。
【００４１】
陰極３４の上面は、複数の画素Ｐにわたって封止膜４０により覆われている。封止膜４０は、有機層３３をはじめとする各層への酸素や水分の侵入を防ぐ透明の膜である。封止膜４０は、例えば、窒化珪素（ＳｉＮ）層を有していることが好ましいが、例えばＳｉＯ層、ＳｉＯＮ層、樹脂層などを有していてもよい。また、封止膜４０は、これらの材料からなる単層膜であっても、積層膜であってもよい。
【００４２】
封止膜４０の上面は、例えば充填剤４５を介して対向基板５０によって覆われている。対向基板５０は例えば平面視で基板１０よりも小さい外周を有する基板であり、基板１０の上面１０ａのうち一部の領域に対向するように配置されている。このような対向基板５０としては具体的には例えば、カラーフィルタＣと、カラーフィルタＣを画素Ｐ毎に区分する、図示しないブラックマトリクスとが形成された基板（カラーフィルタ基板）を用いることができる。
【００４３】
以下、本実施形態における画素分離膜１４の詳細な構成について説明する。図４は図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａのＩＶ領域の部分拡大図である。本実施形態においては、平面視形状が長方形の画素Ｐを有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａを例として説明する。なお、説明の便宜上、図４においては、基板１０、薄膜トランジスタ１１、有機層３３、陰極３４、封止膜４０、充填材４５及び対向基板５０の図示を省略する。なお、説明の便宜上、図４においては、画素分離膜１４の平面視形状について主に示す。
【００４４】
画素分離膜１４は、画素Ｐの境界Ｐ１に沿って、複数の陽極３２の少なくとも外周３２ｂ、３２ｃを覆うように形成されている。境界Ｐ１とは、各画素Ｐ同士の間を区分する境界である。本実施形態における陽極３２の平面視形状は例えば長方形であり、その外周のうち長辺を長辺３２ｂ、短辺を短辺３２ｃとする。また、陽極３２の長辺３２ｂが互いに隣接する方向を方向Ｘとし、短辺３２ｃが互いに隣接する方向を方向Ｙとする。陽極３２は、外周３２ｂ、３２ｃが画素分離膜１４によって覆われることにより、その一部が画素分離膜１４の開口Ａから露出される。
【００４５】
また、図４に示すように、画素分離膜１４は、画素分離膜下部１５と、画素分離膜下部１５上に重なる画素分離膜上部１６と、を有している。画素分離膜上部１６は、隣接する陽極３２上に形成された有機層３３の一部同士を電気的に分離させるために形成されている。
【００４６】
画素分離膜１４の構成は、具体的には、画素分離膜下部１５は陽極３２の長辺３２ｂの少なくとも一部を覆うように形成され、画素分離膜上部１６は、画素分離膜下部１５上、陽極３２の短辺３２ｃ及びコンタクトホール３２ａ上を覆うように形成されている。
【００４７】
なお、画素分離膜下部１５と画素分離膜上部１６は異なる絶縁材料からなる。画素分離膜下部１５の材料のエッチングレートは、画素分離膜上部１６の材料のエッチングレートよりも大きい。
【００４８】
次いで、画素分離膜１４の断面構造について説明する。図５は図４に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａのＶ−Ｖ切断線における概略断面図であり、図６は図４に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａのＶＩ−ＶＩ切断線における概略断面図である。なお、説明の便宜上、図５，６においては、基板１０、薄膜トランジスタ１１、封止膜４０、充填材４５及び対向基板５０の図示を省略する。
【００４９】
図５に示すように、陽極３２の長辺３２ｂの一部は画素分離膜１４の一部に覆われている。この画素分離膜１４の一部は、画素分離膜下部１５と画素分離膜上部１６との二層構造となっている。また、画素分離膜上部１６は、画素分離膜下部１５の上面１５ａに、その下面１６ｂが接するように形成されている。
【００５０】
画素分離膜１４の断面形状は、オーバーハング構造となっている。具体的には、画素分離膜上部１６の下面１６ｂの外周１６ｂ１が、平面視で画素分離膜下部１５の上面１５ａの外周１５ａ１よりも外側に位置している。このため、画素分離膜上部１６の下面１６ｂのＸ方向の幅ｄ２は、画素分離膜下部１５の上面１５ａのＸ方向の幅ｄ１よりも大きい。このような構成を有することにより、外周１６ｂ１はＸ方向において、外周１５ａ１よりも発光領域Ｅ側に位置する。
【００５１】
また、有機層３３の一部は、Ｘ方向に互いに間隔を空けて並ぶ、画素分離膜上部１６上に形成された複数の分離構造３３ａを有する。分離構造３３ａは、隣接する陽極３２上にわたって形成された有機層３３の一部を電気的に分離させる構造である。分離構造３３ａは、隣接する陽極３２上に形成された有機層３３の一部が分断されて不連続となることにより構成されている。分離構造３３ａは、画素Ｐの境界のうち、Ｙ方向に延在する部分に沿うように形成されている。
【００５２】
分離構造３３ａは、具体的には例えば、図５に示すように、画素分離膜上部１６上を覆う有機層３３が、画素分離膜上部１６に隣接する陽極３２上を覆う有機層３３から分断されることにより形成されている。本実施形態における画素分離膜上部１６の下面１６ｂの外周１６ｂ１は、Ｘ方向において、画素分離膜下部１５の上面１５ａの外周１５ａ１よりも発光領域Ｅ側に位置する。このため、画素分離膜上部１６上を覆う有機層３３の端部３３ｂと、陽極３２上を覆う有機層３３の端部３３ｃとの間に、陽極３２上の画素分離膜下部１５の高さの分、段差が生じる。このため、端部３３ｂと端部３３ｃが分断された構成となる。
【００５３】
なお、分離構造３３ａは、図５に示すように、画素分離膜上部１６上の有機層３３が、Ｘ方向の両端において、陽極３２上を覆う有機層３３から分断された構成に限られない。分離構造３３ａは、隣接する発光領域Ｅ（画素Ｐ）同士の間において、有機層３３の少なくとも一箇所が分断されていればよい。
【００５４】
また、陰極３４の一部は、Ｘ方向に互いに間隔を空けて並ぶ、画素分離膜上部１６上に形成された複数の分離構造３４ａを有することが好ましい。分離構造３４ａは、隣接する陽極３２上にわたって形成された陰極３４の一部を電気的に分離させる構造である。分離構造３４ａは、画素分離膜上部１６上に形成された陰極３４と、この画素分離膜上部１６に隣接する陽極３２上に形成された陰極３４とが分断されて不連続となることにより構成される。分離構造３４ａは、画素Ｐの境界のうち、Ｙ方向に延在する部分に沿うように形成されている。
【００５５】
分離構造３４ａは、具体的には例えば、図５に示すように、画素分離膜上部１６上の陰極３４が、画素分離膜上部１６に隣接する陽極３２上を覆う陰極３４から分断されることにより形成される。具体的には、画素分離膜上部１６上に形成された陰極３４の端部３４ｂと、陽極３２上に形成された陰極３４の端部３４ｃとが、有機層３３の分離構造３３ａ上において分断された構成となる。また、分離構造３４ａは、図５に示した構成に限られず、隣接する発光領域Ｅ（画素Ｐ）同士の間において、陰極３４の少なくとも一箇所が分断されていればよい。
【００５６】
また、図６に示すように、画素分離膜１４のうち、陽極３２の短辺３２ｃを覆う部分には画素分離膜下部１５が形成されておらず、画素分離膜上部１６の一層構造となっている。また、画素分離膜上部１６の下面１６ｂは、陽極３２の短辺３２ｃに接している。このため、画素分離膜上部１６上を覆う有機層３３及び陰極３４は、Ｙ方向において、陽極３２上を覆う有機層３３及び陰極３４にわたって連続するように形成されている。このような構成を有することにより、有機層３３及び陰極３４は、Ｙ方向において電気的に連続する。
【００５７】
以上のように、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａは、有機層３３の一部が、画素分離膜１４上において分離構造３３ａを有することにより、隣接する画素Ｐ間において電気的な電流経路が分断される。このため、有機層３３を介してのリーク電流の発生が防がれる。また、分離構造３３ａが形成されている箇所は有機層３３の一部であるため、全画素Ｐ間における有機層３３の導通は維持される。
【００５８】
このような構成を有することにより、所望の有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０を発光させても、隣接する有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０がリーク電流により発光することが防がれる。このため、混色が発生するなどの問題を防ぐことができる。以上により、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、混色の防止を実現することが可能となる。また、画素Ｐの微細化により、隣接する有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０同士の間隔が短くなっても混色が防がれるため、画素Ｐの微細化を実現することができる。
【００５９】
また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａは、画素分離膜１４の一部が、画素分離膜下部１５と画素分離膜上部１６を有し、画素分離膜上部１６の下面１６ｂの外周１６ｂ１が、平面視で画素分離膜下部１５の上面１５ａの外周１５ａ１よりも外側に位置している。このような構成を有することにより、画素分離膜上部１６上を覆う有機層３３の端部３３ｂと、陽極３２上を覆う有機層３３の端部３３ｃが分断された分離構造３３ａが、画素分離膜上部１６上に形成される。このような構成を有することにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、隣接する画素Ｐ間における電気的な電流経路がより確実に分断される。このため、画素Ｐの微細化と、有機層３３を介してのリーク電流の発生の防止を実現することができる。
【００６０】
また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａは、画素分離膜１４（画素分離膜上部１６）上における陰極３４の一部が、陽極３２上を覆う陰極３４から分断されている。このような構成を有することにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、隣接する画素Ｐ間における電気的な電流経路が分断され、陰極３４を介してのリーク電流の発生が防がれる。また、陰極３４が分断されている箇所は陰極３４の一部であるため、全画素Ｐ間における陰極３４の導通は維持される。このため、画素Ｐの微細化と、混色の防止を実現することが可能となる。
【００６１】
また、本実施形態においては、平面視形状が長方形の画素Ｐを例として説明したが、画素Ｐの平面視形状は長方形に限られず、正方形であってもよい。また、画素分離膜下部１５は画素ＰのＸ方向のみならず、Ｘ方向、Ｙ方向の両方に形成されていてもよい。すなわち、有機層３３の分離構造３３ａ及び陰極３４の分離構造３４ａが、画素ＰのＸ方向、Ｙ方向の両方に形成されていてもよい。
【００６２】
画素Ｐの平面視形状が正方形の場合は、分離構造３３ａ及び分離構造３４ａは、画素ＰのＸ方向、Ｙ方向の両方に形成されていることが好ましい。また、画素分離膜下部１５の形成される箇所は、上記の箇所に限られず、隣接する画素Ｐ間における電流のリークを防ぎたい箇所を適宜選択すればよい。
【００６３】
次いで、第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂについて説明する。図７は第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂのＶ−Ｖ切断線に対応する概略断面図であり、図８は第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂのＶＩ−ＶＩ切断線に対応する概略断面図である。
【００６４】
第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂは、画素分離膜上部２１６が複数の積層した層からなる点が、第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａと異なっている。よって、以下、画素分離膜上部２１６に関する構成について説明し、第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａと同様の構成についてはその説明を省略する。
【００６５】
画素分離膜上部２１６は、複数の層が積層してなる。本実施形態においては、例えば、画素分離膜上部２１６が３つの層からなる例について説明する。なお、画素分離膜上部２１６を構成する層は３つに限られず、２層以上であれば、何層であってもよい。
【００６６】
本実施形態における画素分離膜上部２１６は、画素分離膜上部第一層２１６ｃと、画素分離膜上部第一層２１６ｃ上を覆うように形成された画素分離膜上部第二層２１６ｄと、画素分離膜上部第二層２１６ｄ上を覆うように形成された画素分離膜上部第三層２１６ｅと、を有する。
【００６７】
画素分離膜上部第一層２１６ｃ、画素分離膜上部第二層２１６ｄ及び画素分離膜上部第三層２１６ｅの平面視の大きさは、下から上へ順に小さくなるように形成されている。すなわち、画素分離膜上部第二層２１６ｄのＸ方向の幅の幅は、画素分離膜上部第一層２１６ｃのＸ方向の幅よりも小さく、画素分離膜上部第二層２１６ｄのＸ方向の幅は、画素分離膜上部第一層２１６ｃのＸ方向の幅よりも小さく形成されている。
【００６８】
このような構成を有することにより、画素分離膜上部第二層２１６ｄの平面視の大きさは画素分離膜上部第一層２１６ｃの平面視の大きさよりも小さく、画素分離膜上部第三層２１６ｅの平面視の大きさは画素分離膜上部第二層２１６ｄの平面視の大きさよりも小さくなる。よって、画素分離膜上部２１６は下側から上側に向けて、先細りの形状となる。
【００６９】
また、画素分離膜上部第二層２１６ｄのエッチングレートは画素分離膜上部第一層２１６ｃのエッチングレートよりも大きく、画素分離膜上部第三層２１６ｅのエッチングレートは画素分離膜上部第二層２１６ｄのエッチングレートよりも大きい。これら各層は、下側から上側に向けて、そのエッチングレートが大きくなるものであれば、その材料は限定されない。
【００７０】
また、画素分離膜上部第一層２１６ｃ、画素分離膜上部第二層２１６ｄ及び画素分離膜上部第三層２１６ｅの側面を、それぞれ側面２１６ｃ１、側面２１６ｄ１、側面２１６ｅ１とする。各側面２１６ｃ１、２１６ｄ１、２１６ｅ１の、平坦化膜１３の上面１３ａに対する角度は、それぞれ異なっていてもよい。
【００７１】
また、画素分離膜上部第一層２１６ｃの下面２１６ｂのＸ方向の幅ｄ２は、画素分離膜下部１５の上面１５ａのＸ方向の幅ｄ１よりも大きいため、下面２１６ｂの外周２１６ｂ１はＸ方向において、上面２１５ａの外周２１５ａ１よりも発光領域Ｅ側に位置する。このような構成を有することにより、有機層３３の一部は、Ｘ方向において、画素分離膜上部１６上に分離構造３３ａを有する。すなわち、画素分離膜上部１６上を覆う有機層３３の端部３３ｂと、陽極３２上を覆う有機層３３の端部３３ｃとは分断されて不連続となる。
【００７２】
また、陰極３４の一部は、Ｘ方向に互いに間隔を空けて並ぶ、画素分離膜上部２１６上に形成された複数の分離構造３４ａを有する。分離構造３４ａは、具体的には、画素分離膜上部２１６上に形成された陰極３４の端部３４ｂと、陽極３２上に形成された陰極３４の端部３４ｃとが、分離構造３３ａ上において分断された構成となる。分離構造３４ａは、画素Ｐの境界のうち、Ｙ方向に延在する部分に沿うように形成されている。
【００７３】
また、図８に示すように、画素分離膜２１４のうち、陽極３２の短辺３２ｃを覆う部分は、画素分離膜上部２１６が短辺３２ｃに接するように形成されている。このため、画素分離膜上部２１６上を覆う有機層３３及び陰極３４は、Ｙ方向において、陽極３２上を覆う有機層３３及び陰極３４に連続している。このような構成を有することにより、有機層３３及び陰極３４は、Ｙ方向において電気的に連続する。
【００７４】
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂは、画素分離膜上部２１６が複数の層からなる積層構造を有し、これらの層の平面視の大きさが下から上へ順に小さくなるように形成されている。このため、画素分離膜上部２１６全体の厚さや、側面２１６ｃ１、２１６ｄ１、２１６ｅ１の角度を調節することにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、分離構造３３ａ、３４ａが形成されやすい。このため、隣接する画素Ｐ間における有機層３３、陰極３４を介してのリーク電流の発生が防がれ、混色の発生を防ぐことができる。
【００７５】
次いで、第３の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｃについて説明する。第３の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｃは、画素分離膜３１４が一層からなり、さらに、画素分離膜３１４に、画素Ｐの境界Ｐ１に沿って形成された第１の孔部６０が形成されている点が、第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａと異なっている。以下、画素分離膜３１４と第１の孔部６０に関する構成について説明し、第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａと同様の構成についてはその説明を省略する。
【００７６】
図９は第３の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｃのＩＶ領域に対応する領域の部分拡大図である。本実施形態における画素分離膜３１４は一層構造であり、複数の陽極３２の少なくとも外周３２ｂ、３２ｃを覆うように形成されている。また、画素分離膜３１４には、画素Ｐの境界Ｐ１に沿って第１の孔部６０が形成されている。
【００７７】
第１の孔部６０は画素Ｐの境界Ｐ１の一部に沿って延在するように形成されている。本実施形態においては、図９に示すように、隣接する陽極３２の長辺３２ｂ同士の間に第１の孔部６０が形成された構成を例として説明する。
【００７８】
図１０は図９に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｃのＸ−Ｘ切断線における概略断面図である。図１０に示すように、画素分離膜３１４のうち、第１の孔部６０のＸ方向両側の部分は、画素Ｐの境界Ｐ１側に向けてオーバーハング構造を有している。
【００７９】
第１の孔部６０は、画素分離膜３１４にオーバーハング構造を構成させるために形成されている。第１の孔部６０は、画素分離膜３１４を貫通する孔であり、第１の孔部上部６０ａと、第１の孔部上部６０ａよりも平面視形状の大きい第１の孔部下部６０ｂとを有している。
【００８０】
第１の孔部上部６０ａは、画素Ｐの境界Ｐ１の一部に沿って延在する、溝状の孔である。画素分離膜３１４にオーバーハング構造が形成されるためには、第１の孔部上部６０ａの内周面６０ａ１が、第１の孔部上部６０ａと第１の孔部下部６０ｂの境界６０ｃから画素Ｐの境界Ｐ１の外側に向かって広がる形状であることが好ましい。なお、本実施形態における境界６０ｃは、第１の孔部上部６０ａの内周面６０ａ１の下端となる。
【００８１】
第１の孔部下部６０ｂは、第１の孔部上部６０ａと第１の孔部下部６０ｂの境界６０ｃにオーバーハング構造を構成させるために形成されている。第１の孔部下部６０ｂは第１の孔部上部６０ａの下に連続して形成され、画素分離膜３１４を貫通している。このような構成を有することにより、第１の孔部６０は、隣接する陽極３２同士の間において、絶縁膜である平坦化膜１３の一部の上面１３ａを露出している。本実施形態においては、画素Ｐの境界Ｐ１における上面１３ａが画素分離膜３１４から露出した構成を例として説明する。
【００８２】
第１の孔部下部６０ｂは第１の孔部上部６０ａよりも平面視形状が大きい。本実施形態におけるオーバーハング構造とは、具体的には図９、図１０に示すように、第１の孔部上部６０ａの内周面６０ａ１の下端である境界６０ｃが、平面視で第１の孔部下部６０ｂの内周面６０ｂ１の上端６０ｂ２の内側に位置する構成を示す。このような構成を有することにより、境界６０ｃはＸ方向において、上端６０ｂ２よりも画素Ｐの境界Ｐ１側に位置する。
【００８３】
また、このような構成を有することにより、画素分離膜３１４上を覆う有機層３３の境界Ｐ１側の端部３３ｄと、第１の孔部下部６０ｂ内の平坦化膜１３の上面１３ａを覆う有機層３３の一部３３ｃの端部３３ｅとの間に、上面１３ａから境界６０ｃまでの高さの分、段差が生じる。このため、端部３３ｄと端部３３ｅが分断されて不連続となる。
【００８４】
このような構成を有することにより、有機層３３の一部は、境界６０ｃを挟んで分断され、分離構造３３ａを構成する。なお、図１０に示す例においては、有機層３３の一部３３ｃが平坦化膜１３上の画素Ｐの境界Ｐ１に対応する領域に形成されているが、分離構造３３ａの構成はここに挙げたものに限られない。分離構造３３ａは、隣接する画素Ｐ同士の間において、隣接する境界６０ｃを挟んで有機層３３の少なくとも一箇所が分断されて不連続となっていればよい。
【００８５】
また、陰極３４の一部３４ｃは、Ｘ方向において、境界６０ｃを挟んで少なくとも一箇所が分断されることにより分離構造３４ａを構成する。図１０に示す例においては、分断された陰極３４の一部３４ｃが第１の孔部下部６０ｂ内の有機層３３の一部３３ｃ上に形成されているが、分離構造３４ａの構成はここに挙げたものに限られない。分離構造３４ａは、隣接する画素Ｐ同士の間において、境界６０ｃを挟んで陰極３４の少なくとも一箇所が分断されて不連続となっていればよい。
【００８６】
図１１は図９に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｃのＸＩ−ＸＩ切断線における概略断面図である。図１１に示すように、画素分離膜３１４のうち、陽極３２の短辺３２ｃを覆う部分の上に形成された有機層３３及び陰極３４は、Ｙ方向において、陽極３２上を覆う有機層３３及び陰極３４に連続している。このような構成を有することにより、有機層３３及び陰極３４は、Ｙ方向において電気的に連続する。
【００８７】
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｃは、画素分離膜３１４が、画素Ｐの境界Ｐ１に沿って形成された第１の孔部６０を有し、境界６０ｃが平面視で第１の孔部下部６０ｂの内周面６０ｂ１の上端６０ｂ２の内側に位置することにより、有機層３３と陰極３４は境界６０ｃを挟んで分断される。このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、有機層３３の分離構造３３ａと陰極３４の分離構造３４ａが、画素Ｐの境界Ｐ１に近い位置に形成される。
【００８８】
このため、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｃは、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べて分離構造３３ａ、３４ａと画素Ｐとの距離が大きくなる。これにより、分離構造３３ａ、３４ａによる有機層３３や陰極３４への影響を抑えることができ、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｃの信頼性を向上することができる。
【００８９】
次いで、第４の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｄについて説明する。第４の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｄは、画素分離膜４１４が、画素Ｐの境界Ｐ１に沿って形成された第２の孔部７０を有する点と、第２の孔部７０が、第２の孔部上部７０ａと、絶縁膜である平坦化膜１３に形成された第２の孔部下部７０ｂとを有する点が、第３の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｃと異なっている。以下、第２の孔部７０に関する構成について説明し、第３の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｃと同様の構成についてはその説明を省略する。
【００９０】
図１２は第４の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｄのＩＶ領域に対応する領域の部分拡大図である。本実施形態における画素分離膜４１４は、複数の陽極３２の少なくとも外周３２ｂ、３２ｃを覆うように形成されている。また、画素分離膜４１４は、平坦化膜１３よりもエッチングレートの低い材料からなる。
【００９１】
画素分離膜４１４には、画素Ｐの境界Ｐ１の一部に沿って延在するように第２の孔部７０が形成されている。本実施形態においては、図１２に示すように、隣接する陽極３２の長辺３２ｂ同士の間に第２の孔部７０が形成された構成を例として説明する。
【００９２】
図１３は図１２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｄのＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ切断線における概略断面図である。図１３に示すように、画素分離膜４１４のうち、第２の孔部７０のＸ方向両側の部分は、画素Ｐの境界Ｐ１側に向けてオーバーハング構造を有している。
【００９３】
第２の孔部７０は、画素分離膜４１４にオーバーハング構造を構成させるために形成されている。第２の孔部７０は、画素分離膜４１４を貫通する第２の孔部上部７０ａと、平坦化膜１３に形成された凹部である第２の孔部下部７０ｂを有している。
【００９４】
第２の孔部上部７０ａは、画素分離膜４１４を貫通する孔である。また、第２の孔部上部７０ａは、平面視で画素Ｐの境界Ｐ１の一部に沿って延在している。画素分離膜４１４にオーバーハング構造が形成されるためには、第２の孔部上部７０ａの内周面７０ａ１は、第２の孔部上部７０ａと第２の孔部下部７０ｂの境界７０ｃから画素Ｐの境界Ｐ１の外側に向かって広がる形状であることが好ましい。なお、本実施形態における境界７０ｃは、内周面７０ａ１の下端であり、また、画素分離膜４１４の下面４１４ｂにおける第２の孔部上部７０ａの開口となる。
【００９５】
第２の孔部下部７０ｂは、第２の孔部上部７０ａと第２の孔部下部７０ｂの境界７０ｃにオーバーハング構造を構成させるために形成されている。第２の孔部下部７０ｂは、平坦化膜１３に形成された溝状の凹部であり、第２の孔部上部７０ａの下に連続して形成されている。このような構成を有することにより、第２の孔部７０は、隣接する陽極３２同士の間において、平坦化膜１３の一部１３ｂを露出している。
【００９６】
第２の孔部下部７０ｂは、第２の孔部上部７０ａよりも平面視形状が大きい。本実施形態におけるオーバーハング構造とは、具体的には図１２、図１３に示すように、境界７０ｃが、平面視で第２の孔部下部７０ｂの開口の内側に位置している構成を示す。なお、第２の孔部下部７０ｂの開口とは、内周面７０ｂ１の上端７０ｂ２を示す。このような構成を有することにより、境界７０ｃはＸ方向において、上端７０ｂ２よりも画素Ｐの境界Ｐ１側に位置する。
【００９７】
また、このような構成を有することにより、画素分離膜上部４１６上を覆う有機層３３の境界Ｐ１側の端部３３ｉと、平坦化膜１３の一部１３ｂ（第２の孔部下部７０ｂの底面）を覆う有機層３３の一部３３ｇの端部３３ｈとの間に、一部１３ｂから境界７０ｃまでの高さの分、段差が生じる。このため、端部３３ｈと端部３３ｉが分断された構成となる。
【００９８】
このような構成を有することにより、有機層３３は、境界７０ｃを挟んで分断されて、分離構造３３ｆを構成する。なお、図１３に示す例においては、有機層３３の一部３３ｇが平坦化膜１３上の画素Ｐの境界Ｐ１に対応する領域に形成されているが、分離構造３３ｆの構成はここに挙げたものに限られない。分離構造３３ｆは、隣接する画素Ｐ同士の間において、隣接する境界７０ｃを挟んで有機層３３の少なくとも一箇所が分断されて不連続となっていればよい。
【００９９】
また、陰極３４の一部３４ｇは、Ｘ方向において、境界７０ｃを挟んで少なくとも一箇所が分断されることにより分離構造３４ｆを構成する。図１３に示す例においては、分断された陰極３４の一部３４ｇが第２の孔部下部７０ｂ内の有機層３３の一部３３ｇ上に形成されているが、分離構造３４ｆの構成はここに挙げたものに限られない。分離構造３４ｆは、隣接する画素Ｐ同士の間において、境界７０ｃを挟んで陰極３４の少なくとも一箇所が分断されて不連続となっていればよい。
【０１００】
図１４は図１２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｄのＸＩＶ−ＸＩＶ切断線における概略断面図である。図１４に示すように、陽極３２の短辺３２ｃ上に形成された有機層３３及び陰極３４は、Ｙ方向において、陽極３２上を覆う有機層３３及び陰極３４に連続している。このような構成を有することにより、有機層３３及び陰極３４は、Ｙ方向において電気的に連続する。
【０１０１】
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｄは、境界７０ｃが、平面視で第２の孔部下部７０ｂの上端７０ｂ２の内側に位置し、有機層３３及び陰極３４が境界７０ｃを挟んで分断されることにより、分離構造３３ｆ、３４ｆが形成されている。このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、有機層３３の分離構造３３ｆと陰極３４の分離構造３４ｆが、画素Ｐの境界Ｐ１に近い位置に形成される。
【０１０２】
このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べて分離構造３３ｆ、３４ｆと画素Ｐとの距離が大きくなる。このため、分離構造３３ｆ、３４ｆによる有機層３３と陰極３４への影響を抑えることができ、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｄの信頼性を向上することができる。
【０１０３】
次いで、本発明の第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法について図面を用いて説明する。本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法は、図３に示すように、基板１０上に薄膜トランジスタ１１を形成する工程と、平坦化膜１３を形成する工程と、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０を形成する工程と、封止膜４０を形成する工程と、対向基板５０を配置する工程と、を有する。
【０１０４】
初めに絶縁性の基板１０を用意する。次いで、基板１０の表示領域Ｄ上に、ポリシリコン半導体層１１ａ、ゲート絶縁層１１ｂ、ゲート線（ゲート電極）１１ｃ、ソース・ドレイン電極１１ｄ、第１の絶縁膜１１ｅ、第２の絶縁膜１１ｆを積層することにより、図３に示す薄膜トランジスタ１１を形成する。
【０１０５】
次いで、薄膜トランジスタ１１上を覆うように、絶縁膜である平坦化膜１３を形成する。次いで、薄膜トランジスタ１１に接続するコンタクトホール３２ａを平坦化膜１３に形成する。この後、金属膜からなる反射膜３１を平坦化膜１３上の各画素Ｐ、発光領域Ｅに対応する領域に形成する。
【０１０６】
次いで、平坦化膜１３上（反射膜３１上）の各画素Ｐに対応する領域に有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０を形成する。有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０を形成する工程は、陽極３２を形成する工程と、画素分離膜１４を形成する工程と、少なくとも発光層を有する有機層３３を形成する工程と、陰極３４を形成する工程と、を有する。
【０１０７】
図１５は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法を示す、ＩＶ領域に対応する領域の部分拡大図であり、図１６は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法を説明するための図１５中に示すＸＶＩ−ＸＶＩ切断線における概略断面図であり、図１７は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法を説明するための図１５中に示すＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ切断線における概略断面図である。
【０１０８】
まず、平坦化膜１３の上面１３ａ（反射膜３１上）を覆うように、例えばＩＴＯ等の透光性及び導電性を有する材料からなる複数の陽極３２を、画素Ｐ毎に形成する。これにより、陽極３２は、コンタクトホール３２ａを介して、薄膜トランジスタ１１に電気的に接続される。なお、金属からなる反射膜３１の上面に接するように陽極３２を形成した場合、反射膜３１は陽極３２の一部となる。
【０１０９】
なお、本実施形態における陽極３２の平面視形状は例えば長方形であり、その外周のうち長辺を長辺３２ｂ、短辺を短辺３２ｃとする。また、長辺３２ｂが互いに隣接する方向を方向Ｘとし、短辺３２ｃが互いに隣接する方向を方向Ｙとする。
【０１１０】
次いで、画素Ｐの境界Ｐ１に沿って、複数の陽極３２の少なくとも外周３２ｂ、３２ｃを覆うように画素分離膜１４を形成する。図１８は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法を示す、ＩＶ領域に対応する領域の部分拡大図である。
【０１１１】
まず、画素分離膜下部１５を形成する。はじめに、図１８に示すように、画素Ｐ同士の間の一部の領域に、陽極３２の外周の一部を覆う、絶縁材料からなる画素分離膜下部１５を形成する。具体的には例えば、画素分離膜下部１５を、隣接する長辺３２ｂ同士の間の、画素Ｐの境界Ｐ１と、陽極３２の長辺３２ｂの一部を覆うように形成する。
【０１１２】
図１９は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法を説明するための図１８中に示すＸＩＸ−ＸＩＸ切断線における概略断面図であり、図２０は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法を説明するための図１８中に示すＸＸ−ＸＸ切断線における概略断面図である。本実施形態においては、図１８に示すように長辺３２ｂの一部を画素分離膜下部１５により覆い、図１９に短辺３２ｃは示すように画素分離膜下部１５から露出させる。
【０１１３】
画素分離膜下部１５の構成は、図１８に示すものに限られず、その他の構成であってもよい。図２１は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法の変形例を示す、ＩＶ領域に対応する領域の部分拡大図であり、図２２は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法の変形例を説明するための図２１中に示すＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ切断線における概略断面図であり、図２３は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法の変形例を説明するための図２１中に示すＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ切断線における概略断面図である。
【０１１４】
図２１，２２，２３に示すように、画素分離膜下部１５を、陽極３２上において分断するように形成してもよい。また、画素分離膜下部１５の構成はこれらに限られず、陽極３２の外周の一部と、隣接する陽極３２同士の間の平坦化膜１３の上面１３ａの一部を覆うものであれば、その構成は限定されない。
【０１１５】
次いで、平坦化膜１３の上面１３ａ、陽極３２上、コンタクトホール３２ａ上及び画素分離膜下部１５の上面１５ａを覆うように、画素分離膜下部１５とは異なる材料からなる画素分離膜上部１６を形成する。図２４は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法を示す、ＩＶ領域に対応する領域の部分拡大図である。画素分離膜上部１６は、画素分離膜下部１５の材料よりもエッチングレートの低い材料からなるものであれば、その材料は特に制限されない。
【０１１６】
次いで、レジスト１００を形成する。図２５は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法を説明するための図２４中に示すＸＸＶ−ＸＸＶ切断線における概略断面図であり、図２６は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法を説明するための図２５中に示すＸＸＶＩ−ＸＸＶＩ切断線における概略断面図である。レジスト１００を形成する領域は、図２５、２６に示すように、画素Ｐに対応する領域の周辺の領域とする。
【０１１７】
次いでエッチングを行い、画素Ｐに対応する領域の陽極３２を露出させる。図２７は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法を示す、ＩＶ領域に対応する領域の部分拡大図であり、図２８は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法を説明するための図２７中に示すＸＸＶＩＩＩ−ＸＸＶＩＩＩ切断線における概略断面図である。陽極３２が露出された領域は、発光領域Ｅに対応する。
【０１１８】
画素分離膜上部１６の材料は、画素分離膜下部１５の材料よりもエッチングレートが低いため、このエッチングにより画素分離膜上部１６よりも画素分離膜下部１５の方が多く除去される。これにより、画素分離膜１４のうち、陽極３２の長辺３２ｂを覆う部分は、オーバーハング構造となる。なお、このエッチングは、ドライエッチングでもウェットエッチングでもよく、その方法は制限されない。
【０１１９】
具体的には、画素分離膜上部１６の下面１６ｂの外周１６ｂ１が、平面視で画素分離膜下部１５の上面１５ａの外周１５ａ１よりも外側に位置するように、画素分離膜上部１６と画素分離膜下部１５のエッチングを行う。このエッチングにより、図２８に示すように、画素分離膜上部１６の外周１６ｂ１は、Ｘ方向において、外周１５ａ１よりも発光領域Ｅ側となる。画素分離膜上部１６と画素分離膜下部１５がこのようにエッチングされることにより、画素分離膜上部１６の下面１６ｂのＸ方向の幅ｄ２は、画素分離膜下部１５の上面１５ａのＸ方向の幅ｄ１よりも大きくなる。
【０１２０】
また、このエッチングにより、陽極３２の短辺３２ｃを覆う部分に、一層構造の画素分離膜１４（画素分離膜上部１６）が形成される。図２９は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法を説明するための図２７中に示すＸＸＩＸ−ＸＸＩＸ切断線における概略断面図である。
【０１２１】
次いで、図５、図６に示すように、複数の陽極３２上及び画素分離膜１４上にわたって、発光層を有する有機層３３を形成する。本実施形態における画素分離膜上部１６の下面１６ｂの外周１６ｂ１は平面視で画素分離膜下部１５の上面１５ａの外周１５ａ１よりも外側に位置するため、有機層３３の一部は画素分離膜１４上において分離する。これにより、有機層３３に分離構造３３ａが形成される。
【０１２２】
次いで、有機層３３上を覆うように、例えばＩＴＯ等の透光性及び導電性を有する材料からなる陰極３４を形成する。有機層３３に分離構造３３ａが形成されているため、陰極３４は分離構造３３ａ上において分断され、分離構造３４ａが形成される。
【０１２３】
また、陽極３２の短辺３２ｃを覆う部分の画素分離膜１４は、画素分離膜上部１６の一層構造であるため、図６に示すように、画素分離膜上部１６上に形成した有機層３３及び陰極３４は分断されず、Ｙ方向において、陽極３２上を覆う有機層３３及び陰極３４に連続する。
【０１２４】
次いで、封止膜４０を形成し、封止膜４０上に充填材４５を介して対向基板５０を配置することにより、本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａが形成される。
【０１２５】
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法は、画素分離膜下部１５の材料よりもエッチングレートの低い材料からなる画素分離膜上部１６を画素分離膜下部１５上に形成することにより、画素分離膜上部１６の下面１６ｂの外周１６ｂ１が、平面視で画素分離膜下部１５の上面１５ａの外周１５ａ１よりも外側に位置するようにエッチングされる。
【０１２６】
このため、画素分離膜上部１６上に有機層３３及び陰極３４を形成することで、隣接する画素Ｐ間に分離構造３３ａ、３４ａが形成される。これにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法と比べ、隣接する画素Ｐ間におけるリーク電流の発生を防止可能な有機エレクトロルミネッセンス表示装置１を形成することができる。このため、画素Ｐの微細化と、混色の防止を実現することが可能な有機エレクトロルミネッセンス表示装置１を形成することができる。
【０１２７】
また、画素分離膜下部１５を、陽極３２上において分断するように形成することにより、エッチングにおいて、陽極３２上における画素分離膜下部１５の溶け残りを防ぐことができる。このため、画素分離膜下部１５の溶け残りによる歩留りの低下を防ぐことができる。
【０１２８】
次いで、本発明の第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂの製造方法について説明する。第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂの製造方法は、複数の層を積層することにより画素分離膜上部２１６を形成する点が、第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法と異なっている。よって、以下、画素分離膜上部２１６を形成する工程について説明し、第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法と同様の工程についてはその説明を省略する。
【０１２９】
まず、第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法と同様に、画素分離膜下部２１５までを形成する。図３０は第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂの製造方法を示す、ＩＶ領域に対応する領域の部分拡大図であり、図３１は第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂの製造方法を説明するための図３０中に示すＸＸＸＩ−ＸＸＸＩ切断線における概略断面図であり、図３２は第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂの製造方法を説明するための図３０中に示すＸＸＸＩＩ−ＸＸＸＩＩ切断線における概略断面図である。
【０１３０】
次いで、エッチングレートの異なる材料からなる複数の層を、エッチングレートの低い順に積層することにより、画素分離膜上部２１６を形成する。具体的には例えば、平坦化膜１３の上面１３ａ、陽極３２上、コンタクトホール３２ａ上及び画素分離膜下部２１５の上面２１５ａを覆うように、画素分離膜下部２１５よりもエッチングレートの低い材料からなる画素分離膜上部第一層２１６ｃを形成する。
【０１３１】
次いで、画素分離膜上部第一層２１６ｃを覆うように、画素分離膜上部第一層２１６ｃよりもエッチングレートの高い材料からなる画素分離膜上部第二層２１６ｄを形成する。次いで、画素分離膜上部第二層２１６ｄを覆うように、画素分離膜上部第二層２１６ｄよりもエッチングレートの高い材料からなる画素分離膜上部第三層２１６ｅを形成する。本実施形態においては、画素分離膜上部２１６を形成する工程において３つの層を積層する例について説明するが、層の数は３つに限られず、２層以上であれば何層であってもよい。
【０１３２】
次いでレジスト１００を形成する。次いで、レジスト１００をマスクとしてエッチングを行い、画素Ｐに対応する領域の陽極３２を露出させる。これにより、図７、図８に示す画素分離膜２１４が形成される。画素分離膜上部２１６を構成する各層２１６ｃ、２１６ｄ、２１６ｅは下から上に向けてエッチングレートが大きい材料からなるため、画素分離膜上部第一層２１６ｃよりも画素分離膜上部第二層２１６ｄが多く除去され、画素分離膜上部第二層２１６ｄよりも画素分離膜上部第三層２１６ｅが多く除去される。
【０１３３】
これにより、画素分離膜上部第一層２１６ｃ、画素分離膜上部第二層２１６ｄ及び画素分離膜上部第三層２１６ｅの平面視の大きさは、下から上へ順に小さくなるように形成され、画素分離膜上部２１６は下側から上側に向けて先細りの形状となる。
【０１３４】
また、画素分離膜上部第一層２１６ｃの側面２１６ｃ１、画素分離膜上部第二層２１６ｄの側面２１６ｄ１及び画素分離膜上部第三層２１６ｅの側面２１６ｅ１の、平坦化膜１３の上面１３ａに対する角度は、各層のエッチングレートにより、それぞれ異なる値となる。
【０１３５】
また、画素分離膜上部第一層２１６ｃのエッチングレートは画素分離膜下部２１５のエッチングレートよりも低いため、下面２１６ｂの外周２１６ｂ１の位置は、Ｘ方向において、上面２１５ａの外周２１５ａ１よりも発光領域Ｅ側となる。
【０１３６】
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂの製造方法は、エッチングレートの異なる材料からなる複数の層を、エッチングレートの低い順に積層して画素分離膜上部２１６を形成することにより、下側から上側に向けて、先細りの形状となる画素分離膜上部２１６が形成される。これにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、画素分離膜上部２１６全体の厚さを容易に調整することができる。
【０１３７】
また、画素分離膜上部第一層２１６ｃ、画素分離膜上部第二層２１６ｄ及び画素分離膜上部第三層２１６ｅ各層の材料のエッチングレートを調整することにより、各層の側面２１６ｃ１、２１６ｄ１、２１６ｅ１の平坦化膜１３の上面１３ａに対する角度を調整することができる。このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、分離構造３３ａ、３４ａを形成しやすい。このため、画素Ｐの微細化と、混色の防止を実現することが可能な有機エレクトロルミネッセンス表示装置１を形成することができる。
【０１３８】
次いで、本発明の第３の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｃの製造方法について説明する。第３の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｃの製造方法は、画素Ｐの境界Ｐ１に沿うように基礎膜８０を形成する工程と、陽極３２の上面３２ｄ及び基礎膜８０の上面８２を覆うように画素分離膜３１４を形成する工程と、エッチングにより第１の孔部６０を形成する工程と、を有する点が、第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法と異なっている。よって、以下、画素分離膜３１４を形成する工程について説明し、第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法と同様の工程についてはその説明を省略する。
【０１３９】
まず、第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法と同様に、陽極３２までを形成する。図３３は第３の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｃの製造方法を示す、ＩＶ領域に対応する領域の部分拡大図であり、図３４は第３の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｃの製造方法を説明するための図３３中に示すＸＸＸＩＶ−ＸＸＸＩＶ切断線における概略断面図であり、図３５は第３の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｃの製造方法を説明するための図３３中に示すＸＸＸＶ−ＸＸＸＶ切断線における概略断面図である。
【０１４０】
次いで、基礎膜８０を形成する。基礎膜８０は、後述する第１の孔部下部６０ｂを形成するための膜である。基礎膜８０は、具体的には、例えば図３３に示すように、隣接する陽極３２の長辺３２ｂ同士の間に、画素Ｐの境界Ｐ１に沿うように形成される。また、図３４に示すように、基礎膜８０のＸ方向の端部８１は、基礎膜８０に隣接する陽極３２の長辺３２ｂから離間するように形成される。
【０１４１】
なお、基礎膜８０の構成は、図３３、３４、３５に挙げたものに限られず、隣接する画素Ｐ間において互いに離間して形成されるものであれば、隣接する長辺３２ｂ同士の間に加え、隣接する短辺３２ｃ同士の間に形成されてもよい。
【０１４２】
また、基礎膜８０の材料は、画素分離膜３１４よりもエッチングレートの大きい材料からなるものであれば特に制限されない。
【０１４３】
次いで、陽極３２の上面３２ｄ及び基礎膜８０の上面８２を覆うように画素分離膜３１４を形成する。次いで、図３４、図３５に示すように、画素分離膜３１４上にレジスト１００を形成する。
【０１４４】
次いで、第１の孔部６０を形成する。第１の孔部６０を形成する工程は、第１の孔部上部６０ａを形成する工程と、第１の孔部下部６０ｂを形成する工程とを有する。
【０１４５】
まず、第１の孔部上部６０ａを形成する。図３６は第３の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｃの製造方法を示す、ＩＶ領域に対応する領域の部分拡大図であり、図３７は第３の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｃの製造方法を説明するための図３６中に示すＸＸＸＶＩＩ−ＸＸＸＶＩＩ切断線における概略断面図であり、図３８は第３の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｃの製造方法を説明するための図３６中に示すＸＸＸＶＩＩＩ−ＸＸＸＶＩＩＩ切断線における概略断面図である。
【０１４６】
具体的には、図３６、図３７に示すように、基礎膜８０上の画素分離膜３１４の一部をエッチングにより除去する。これにより、基礎膜８０の上面８２の一部を露出する、画素Ｐの境界Ｐ１に沿う溝状の第１の孔部上部６０ａが形成される。なお、第１の孔部上部６０ａの内周面６０ａ１の、上面８２と接する部分を境界６０ｃとする。
【０１４７】
次いで、第１の孔部下部６０ｂを形成する。図３９は第３の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｃの製造方法を示す、ＩＶ領域に対応する領域の部分拡大図であり、図４０は第３の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｃの製造方法を説明するための図３９中に示すＸＬ−ＸＬ切断線における概略断面図であり、図４１は第３の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｃの製造方法を説明するための図３９中に示すＸＬＩ−ＸＬＩ切断線における概略断面図である。
【０１４８】
具体的には、基礎膜８０をエッチングにより除去することにより、隣接する陽極３２同士の間に第１の孔部下部６０ｂを形成する。これにより、平坦化膜１３の上面１３ａの一部は、第１の孔部下部６０ｂの底面として露出される。また、第１の孔部上部６０ａと第１の孔部下部６０ｂの境界６０ｃは、平面視で第１の孔部下部６０ｂの内周面６０ｂ１の上端６０ｂ２の内側となる。以上により、第１の孔部上部６０ａと、第１の孔部上部６０ａの下側に連続する第１の孔部下部６０ｂとを有する第１の孔部６０が形成される。
【０１４９】
次いで、図１０、図１１に示すように発光層を有する有機層３３を形成する。本実施形態における境界６０ｃは平面視で第１の孔部下部６０ｂの内周面６０ｂ１の上端６０ｂ２よりも内側に位置するため、有機層３３の一部は境界６０ｃを挟んで分断される。これにより、分離構造３３ａが形成される。
【０１５０】
次いで、有機層３３上を覆うように陰極３４を形成する。有機層３３に分離構造３３ａが形成されているため、陰極３４は分離構造３３ａ上において分断され、分離構造３４ａが形成される。また、図１１に示すように、Ｙ方向における画素分離膜３１４上に形成された有機層３３及び陰極３４は、陽極３２上を覆う有機層３３及び陰極３４に連続する。
【０１５１】
次いで、封止膜４０を形成し、封止膜４０上に充填材４５を介して対向基板５０を配置することにより、本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｃが形成される。
【０１５２】
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｃの製造方法は、本構成を有することにより、境界６０ｃを挟んで分断された有機層３３及び陰極３４が形成される。このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法と比べ、有機層３３の分離構造３３ａと陰極３４の分離構造３４ａが画素Ｐの境界Ｐ１に近い位置に形成され、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｃの信頼性を向上することができる。
【０１５３】
次いで、本発明の第４の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｄの製造方法について説明する。第４の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｄの製造方法は、画素分離膜４１４を形成と平坦化膜１３をエッチングすることにより第２の孔部７０を形成する工程を有する点が、第３の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｃの製造方法と異なっている。よって、以下、画素分離膜４１４を形成する工程について説明し、第３の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｃの製造方法と同様の工程についてはその説明を省略する。
【０１５４】
まず、第３の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｃの製造方法と同様に、陽極３２までを形成する。図４２は第４の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｄの製造方法を示す、ＩＶ領域に対応する領域の部分拡大図であり、図４３は第４の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｄの製造方法を説明するための図４２中に示すＸＬＩＩＩ−ＸＬＩＩＩ切断線における概略断面図であり、図４４は第４の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｄの製造方法を説明するための図４２中に示すＸＬＩＶ−ＸＬＩＶ切断線における概略断面図である。
【０１５５】
次いで、平坦化膜１３の上面１３ａと陽極３２の上面３２ｄを覆うように、平坦化膜１３よりもエッチングレートの低い材料からなる画素分離膜４１４を形成する。次いで、図４３、図４４に示すように、画素分離膜４１４上にレジスト１００を形成する。
【０１５６】
次いで、第２の孔部７０を形成する。第２の孔部７０を形成する工程は、第２の孔部上部７０ａを形成する工程と、第２の孔部下部７０ｂを形成する工程とを有する。
【０１５７】
まず、第２の孔部上部７０ａを形成する。図４５は第４の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｄの製造方法を示す、ＩＶ領域に対応する領域の部分拡大図であり、図４６は第４の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｄの製造方法を説明するための図４５中に示すＸＬＶＩ−ＸＬＶＩ切断線における概略断面図であり、図４７は第４の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｄの製造方法を説明するための図４５中に示すＸＬＶＩＩ−ＸＬＶＩＩ切断線における概略断面図である。
【０１５８】
具体的には、まず、エッチングにより、画素分離膜４１４の一部に、平面視で画素Ｐの境界Ｐ１の一部に沿って貫通する第２の孔部上部７０ａを形成する。第２の孔部上部７０ａが形成されることにより、第２の孔部上部７０ａ内に露出する平坦化膜１３の上面１３ａが露出される。そして、平坦化膜１３の上面１３ａもエッチングされ、第２の孔部上部７０ａの下に連続する、溝状の第２の孔部下部７０ｂが形成される。この第２の孔部下部７０ｂの内周面７０ｂ１の上端７０ｂ２を、第２の孔部下部７０ｂの開口とする。また、画素分離膜４１４の下面４１４ｂに形成された第２の孔部上部７０ａの開口を境界７０ｃとする。
【０１５９】
平坦化膜は画素分離膜４１４よりもエッチングレートが高いため、このエッチングにおいて、上端７０ｂ２は、Ｘ方向において、境界７０ｃよりも境界Ｐ１から離れた位置までエッチングされる。すなわち、境界７０ｃは平面視で上端７０ｂ２の内側となる。以上により、画素分離膜４１４の一部を画素Ｐの境界Ｐ１に沿って貫通する第２の孔部７０が形成される。
【０１６０】
次いで、図１３、図１４に示すように発光層を有する有機層３３を形成する。本実施形態における境界７０ｃは平面視で上端７０ｂ２の内側となるため、複数の陽極３２上及び画素分離膜４１４上にわたって有機層３３を形成することにより、有機層３３の一部は画素分離膜４１４の下面４１４ｂにおける開口である境界７０ｃを挟んで分断される。これにより、分離構造３３ｆが形成される。
【０１６１】
次いで、有機層３３上を覆うように陰極３４を形成する。境界７０ｃは平面視で上端７０ｂ２の内側に位置するため、陰極３４は境界７０ｃを挟んで分断され、分離構造３４ｆが形成される。また、図１４に示すように、Ｙ方向における画素分離膜３１４上に形成された有機層３３及び陰極３４は、陽極３２上を覆う有機層３３及び陰極３４に連続する。
【０１６２】
次いで、封止膜４０を形成し、封止膜４０上に充填材４５を介して対向基板５０を配置することにより、本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｄが形成される。
【０１６３】
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｄの製造方法は、平坦化膜１３よりもエッチングレートの低い材料からなる前記画素分離膜４１４を形成した後に第２の孔部７０を形成することにより、第３の実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｃの製造方法における効果に加え、工程を簡略化することができる。
【０１６４】
以上、本発明の実施形態を説明してきたが、本発明は、上述した実施形態には限られない。例えば、上述した実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成、又は同一の目的を達成することができる構成により置き換えてもよい。
【０１６５】
例えば、画素Ｐの平面視形状は長方形に限られず、正方形であってもよい。また、分離構造３３ａ、３３ｆ、３４ａ、３４ｆを、画素ＰのＸ方向側のみならず、Ｘ方向とＹ方向の両方に形成してもよい。
【符号の説明】
【０１６６】
１ａ，１ｂ，１ｃ  有機エレクトロルミネッセンス表示装置、２  フレキシブル回路基板、３  ドライバ、１０  基板、１０ａ  上面、１０ａ１  領域、１１  薄膜トランジスタ、１３  平坦化膜、１３ａ  上面、１３ｂ  底面、１４  画素分離膜、１５  画素分離膜下部、１５ａ  上面、１５ａ１  外周、１６  画素分離膜上部、１６ｂ  下面、１６ｂ１  外周、３０  有機エレクトロルミネッセンス発光素子、３２  陽極、３２ａ  コンタクトホール、３２ｂ  長辺、３２ｃ  短辺、３２ｄ  上面、３３  有機層、３３ａ  分離構造、３３ｂ  一部、３３ｆ  分離構造、３３ｇ  一部、３４  陰極、３４ａ  分離構造、３４ｆ  分離構造、４０  封止膜、５０  対向基板、６０  第１の孔部、６０ａ  第１の孔部上部、６０ａ１  内周面、６０ｂ  第１の孔部下部、６０ｂ１  内周面、６０ｂ２  上端、６０ｃ  境界、７０  第２の孔部、７０ａ  第２の孔部上部、７０ａ１  内周面、７０ｂ  第２の孔部下部、７０ｂ１  内周面、７０ｂ２  上端、７０ｃ  境界、８０  基礎膜、１００  レジスト、２１４  画素分離膜、２１６  画素分離膜上部、２１６ｃ  画素分離膜上部第一層、２１６ｄ  画素分離膜上部第二層、２１６ｅ  画素分離膜上部第三層、３１４  画素分離膜、４１４  画素分離膜、４１４ｂ  下面、Ａ  開口、Ｓ  シール材、Ｄ  表示領域、ｄ１，ｄ２，幅、Ｅ  発光領域、Ｐ  画素、Ｐ１  境界。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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