(57)【要約】【課題】圧電膜の有効駆動面積を確保し易い圧電素子等を提供すること。【解決手段】本圧電素子は、第１の金属膜、及び前記第１の金属膜上に形成された第１の導電性酸化物膜、を備えた第１の電極と、前記第１の導電性酸化物膜上に形成された圧電膜と、前記圧電膜上に形成された第２の電極と、を有し、前記第１の導電性酸化物膜の側面の断面形状は、前記第１の金属膜側から前記圧電膜側に向かうに従って幅が広くなる形状である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の金属膜、及び前記第１の金属膜上に形成された第１の導電性酸化物膜、を備えた第１の電極と、
前記第１の導電性酸化物膜上に形成された圧電膜と、
前記圧電膜上に形成された第２の電極と、を有し、
前記第１の導電性酸化物膜の側面の断面形状は、前記第１の金属膜側から前記圧電膜側に向かうに従って幅が広くなる形状である圧電素子。
【請求項２】
少なくとも、前記圧電膜の下面の面積は、各々前記第１の導電性酸化物膜の下面の面積よりも大きい請求項１記載の圧電素子。
【請求項３】
少なくとも、前記第２の電極の下面の面積は、各々前記第１の導電性酸化物膜の下面の面積よりも大きい請求項１又は２記載の圧電素子。
【請求項４】
前記第２の電極は、第２の金属膜を備えた請求項１乃至３の何れか一項記載の圧電素子。
【請求項５】
前記第２の電極は、第２の導電性酸化物膜上に第２の金属膜を備えた請求項１乃至３の何れか一項記載の圧電素子。
【請求項６】
前記第１の導電性酸化物膜と前記第２の導電性酸化物膜の何れか一方又は双方は、Ｌａ、Ｎｉ、Ｉｒ、Ｂａ、Ｌｉ、Ｓｒ、Ｒｕ、Ｔｉの何れか１つ以上を含む請求項１乃至５の何れか一項記載の圧電素子。
【請求項７】
前記第１の導電性酸化物膜と前記第２の導電性酸化物膜の何れか一方又は双方は、化学式ＡＢＯ３で記述される複合酸化物である請求項１乃至６の何れか一項記載の圧電素子。
【請求項８】
前記第１の金属膜及び前記第２の金属膜は、各々Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｔｉの何れか１つ以上を含む請求項４乃至７の何れか一項記載の圧電素子。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか一項記載の圧電素子を具備する液滴吐出ヘッド。
【請求項１０】
請求項９記載の液滴吐出ヘッドを具備する液滴吐出装置。
【請求項１１】
第１の金属膜上に、側面の断面形状が前記第１の金属膜側から上方に向かうに従って幅が広くなる形状である開口部を備えた被覆膜を形成する工程と、
前記開口部内に露出する前記第１の金属膜上に、断面形状が前記第１の金属膜側から上方に向かうに従って幅が広くなる形状の第１の導電性酸化物膜を形成する工程と、
前記被覆膜を除去する工程と、
前記第１の導電性酸化物膜上に圧電膜を形成する工程と、
前記圧電膜上に第２の電極を形成する工程と、を有する圧電素子の製造方法。
【請求項１２】
前記被覆膜は少なくともＳｉＯ２膜を備える請求項１１記載の圧電素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電素子及びその製造方法、並びに前記圧電素子を備えた液滴吐出ヘッド、及び前記液滴吐出ヘッドを備えた液滴吐出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリンタ、ファクシミリ、複写装置等の画像記録装置或いは画像形成装置として使用されるインクジェット記録装置及び液滴吐出ヘッドに関して、インク滴を吐出するノズルと、このノズルが連通する加圧室（インク流路、加圧液室、圧力室、吐出室、液室等とも称される）と、加圧室内のインクを加圧する圧電素子と、インク流路の壁面を形成する振動板とを備え、圧電素子により加圧室内のインクを加圧することでノズルからインク滴を吐出させる技術が知られている。
【０００３】
上記技術において、圧電素子は、例えば、第１の電極（下部電極）、圧電膜、及び第２の電極（上部電極）が順次積層された構造を有する。圧電膜としては、例えば、ＰＺＴ膜が用いられる。第１の電極（下部電極）は、例えば、Ｐｔ膜等の金属膜とＳｒＲｕＯ３膜等の導電性酸化物膜との積層構造とされ、導電性酸化物膜上にＰＺＴ膜が形成されている。Ｐｔ膜とＰＺＴ膜との界面にＳｒＲｕＯ３膜を挿入することにより、圧電素子の疲労耐性を向上できる。
【０００４】
上記圧電素子の製造工程では、例えば、金属膜上にエッチングによりパターニングされた導電性酸化物膜を形成して第１の電極を作製し、更に、導電性酸化物膜上のみに圧電膜としてＰＺＴ膜を形成し、更に、ＰＺＴ膜上に第２の電極をパターニングする（例えば、特許文献１参照）。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ＳｒＲｕＯ３膜等の導電性酸化物膜はエッチングし難く、ドライエッチングやウェットエッチングによりパターニングすると、エッチング後の導電性酸化物膜の側面の断面形状はテーパ状となりやすい。断面形状がテーパ状の側面は、エッチングにより形成された欠陥密度の高い領域となるため、圧電膜を形成する際には、テーパ及びテーパの領域近傍を避けなければならない。その結果、圧電膜の有効駆動面積が小さくなり、同じ駆動力を発生させるためには、駆動電圧を高くしなければならない。
【０００６】
又、圧電膜の有効駆動面積が小さくなると、振動板の剛性が大きくなるために振動板が撓みづらくなり、インク吐出に必要な振動板の変位が得られなくなるおそれがある。更に、圧電膜の有効駆動面積が小さくなると、第２の電極の中心ずれによって、インク吐出量がばらつくおそれがある。なお、圧電膜の有効駆動面積とは、第１の電極の上面及び下面並びに第２の電極の上面及び下面の全てと平面視において重複する部分の圧電膜の面積を指す。
【０００７】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、圧電膜の有効駆動面積を確保し易い圧電素子等を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本圧電素子は、第１の金属膜、及び前記第１の金属膜上に形成された第１の導電性酸化物膜、を備えた第１の電極と、前記第１の導電性酸化物膜上に形成された圧電膜と、前記圧電膜上に形成された第２の電極と、を有し、前記第１の導電性酸化物膜の側面の断面形状は、前記第１の金属膜側から前記圧電膜側に向かうに従って幅が広くなる逆テーパ形状であることを要件とする。
【発明の効果】
【０００９】
開示の技術によれば、圧電膜の有効駆動面積を確保し易い圧電素子等を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本実施の形態に係る圧電素子を例示する断面図である。
【図２】本実施の形態に係る圧電素子の製造工程を例示する図（その１）である。
【図３】本実施の形態に係る圧電素子の製造工程を例示する図（その２）である。
【図４】本実施の形態に係る圧電素子の製造工程を例示する図（その３）である。
【図５】インクジェット塗布装置を例示する斜視図である。
【図６】比較例に係る圧電素子の製造工程を例示する図である。
【図７】本実施の形態に係る圧電素子を用いた液滴吐出ヘッドを例示する断面図である。
【図８】図７の液滴吐出ヘッドを複数個配置した例を示す断面図である。
【図９】インクジェット記録装置を例示する斜視図である。
【図１０】インクジェット記録装置の機構部を例示する側面図である。
【図１１】比較例のストライプパターンの形状を段差計で測定した結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
［圧電素子の構造］
本実施の形態では、圧電素子の例を示す。まず、圧電素子の構造について説明する。図１は、本実施の形態に係る圧電素子を例示する断面図である。図１を参照するに、圧電素子１は、第１の電極１１と、圧電膜１３と、第２の電極１４とを有する。なお、第１の電極１１及び第２の電極１４は、各々下部電極及び上部電極と称される場合もある。
【００１２】
第１の電極１１は、第１の金属膜１１ａ及び第１の導電性酸化物膜１１ｂを有する。第１の金属膜１１ａは、例えば、シリコン等の基板上（図示せず）に形成されている。第１の金属膜１１ａの材料としては、例えば、アルカンチオールとの反応により、ＳＡＭ（Ｓｅｌｆ  Ａｓｓｅｍｂｌｅｄ  Ｍｏｎｏｌａｙｅｒ）膜を形成可能な金属を用いることができる。
【００１３】
具体的には、低い反応性を有するルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、プラチナ（Ｐｔ）等の白金族金属や、これら白金族金属を含む合金材料等を用いることができる。或いは、Ｔｉを用いても構わない。
【００１４】
第１の金属膜１１ａ上の所定領域には、第１の導電性酸化物膜１１ｂが形成されている。なお、所定領域は、圧電膜１３が形成される領域である。第１の導電性酸化物膜１１ｂの材料としては、例えば、化学式ＡＢＯ３で記述され、ＡはＬｉ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ、Ｌａの何れか１つ以上、ＢはＲｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉの何れか１つ以上を主成分とする複合酸化物を用いることが好ましい。ＡはＳｒを含むこと、ＢはＲｕを含むことが、各々特に好ましい。
【００１５】
具体的には、ＳｒＲｕＯ３やＣａＲｕＯ３、これらの固溶体である（Ｓｒ１−ｘ  Ｃａｘ）Ｏ３、ＬａＮｉＯ３やＳｒＣｏＯ３、これらの固溶体である（Ｌａ，  Ｓｒ）（Ｎｉ１−ｙ  Ｃｏｙ）Ｏ３（ｙ＝１でも良い）等を挙げることができる。又、それ以外の酸化物材料として、（Ｌｉ，Ｌａ）ＴｉＯ３、ＩｒＯ２、ＲｕＯ２等を挙げることができる。
【００１６】
第１の導電性酸化物膜１１ｂは、周知慣用の方法により形成できるが、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法、及びＣＳＤ（Chemical Solution Deposition）法の何れか１つから選ばれる方法で形成されることが好ましい。第１の電極１１の厚さ（第１の金属膜１１ａと第１の導電性酸化物膜１１ｂを合わせた総厚）は、０．０５〜１μｍ程度とすることが好ましく、０．１〜０．５μｍ程度とすることが更に好ましい。
【００１７】
なお、第１の導電性酸化物膜１１ｂに上記の材料を用いることにより、圧電膜１３がＰｂを含む場合でも、Ｐｂが第１の金属膜１１ａに拡散するおそれを低減できる。つまり、Ｐｂの拡散による第１の電極１１の劣化を防止できる。
【００１８】
本実施の形態では、第１の導電性酸化物膜１１ｂの側面の断面形状は、第１の金属膜１１ａ側から圧電膜１３側に向かうに従って幅が広くなる逆テーパ形状とされている。つまり、第１の導電性酸化物膜１１ｂの上面（圧電膜１３と接する面）の面積よりも、第１の導電性酸化物膜１１ｂの下面（第１の金属膜１１ａと接する面）の面積の方が小さい。
【００１９】
第１の導電性酸化物膜１１ｂにおいて、テーパ部分の幅Ｗは、例えば、２μｍ程度とすることができる。なお、第１の導電性酸化物膜１１ｂの側面の断面形状は直線状であっても曲線状であってもよく、直線と曲線を含む形状であってもよい。第１の導電酸化物膜１１ｂの側面の断面形状が直線状である場合、テーパ角は４５度程度とすることが好ましい。
【００２０】
第１の電極１１の第１の導電性酸化物膜１１ｂ上には、圧電膜１３が形成されている。圧電膜１３の下面の面積は、各々第１の導電性酸化物膜１１ｂの下面の面積よりも大きくすることが好ましい。圧電膜１３の有効駆動面積を大きくするためである。
【００２１】
圧電膜１３の材料としては、例えば、ＰＺＴを用いることができる。ＰＺＴとはジルコン酸鉛（ＰｂＺｒＯ３）とチタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ３）の固溶体である。例えば、ＰｂＺｒＯ３とＰｂＴｉＯ３の比率が５３：４７の割合で、化学式で示すとＰｂ（Ｚｒ０．５３、Ｔｉ０．４７）Ｏ３、一般にはＰＺＴ（５３／４７）と示されるＰＺＴ等を使用することができる。ＰｂＺｒＯ３とＰｂＴｉＯ３の比率によって、ＰＺＴの特性が異なる。
【００２２】
圧電膜１３としてＰＺＴを使用する場合、例えば、出発材料に酢酸鉛、ジルコニウムアルコキシド化合物、チタンアルコキシド化合物を使用し、共通溶媒としてメトキシエタノールに溶解させ、ＰＺＴの前駆体溶液を作製する。酢酸鉛、ジルコニウムアルコキシド化合物、チタンアルコキシド化合物の混合量は、所望のＰＺＴの組成（ＰｂＺｒＯ３とＰｂＴｉＯ３の比率）に応じて、当業者が適宜選択できるものである。
【００２３】
なお、金属アルコキシド化合物は、大気中の水分により容易に分解する。そのため、ＰＺＴ前駆体溶液に、安定剤としてアセチルアセトン、酢酸、ジエタノールアミン等を添加してもよい。
【００２４】
圧電膜１３の材料として、例えば、Ｐｂを含まないチタン酸バリウム等を用いても構わない。この場合は、バリウムアルコキシド、チタンアルコキシド化合物を出発材料にし、共通溶媒に溶解させることでチタン酸バリウムの前駆体溶液を作製することが可能である。
【００２５】
これら材料は一般式ＡＢＯ３で記述され、Ａ＝Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ  Ｂ＝Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｎｂを主成分とする複合酸化物が該当する。その具体的な記述として（Ｐｂ１−ｘ、Ｂａ）（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ３、（Ｐｂ１−ｘ、Ｓｒ）（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ３、と表され、これはＡサイトのＰｂを一部ＢａやＳｒで置換した場合である。このような置換は２価の元素であれば可能であり、その効果は熱処理中の鉛の蒸発による特性劣化を低減させる作用を示す。
【００２６】
圧電膜１３の厚さは、０．５〜５μｍ程度とすることが好ましく、１〜２μｍ程度とすることが更に好ましい。圧電膜１３の膜厚が０．５μｍ未満であると十分な変位を発生することができなくなり、圧電膜１３の膜厚が５μｍを超えると所望の膜厚を得るために何層もの積層が必要とされ、工程数が増加してプロセス時間が長くなるからである。
【００２７】
圧電膜１３上には、第２の電極１４が形成されている。第２の電極１４は、例えば、圧電膜１３上の外縁部を除く領域に形成されている。第２の電極１４は、第２の導電性酸化物膜１４ａと第２の金属膜１４ｂとが順次積層された積層構造とすることができる。第２の電極１４の下面の面積は、各々第１の導電性酸化物膜１１ｂの下面の面積よりも大きくすることが好ましい。圧電膜１３の有効駆動面積を大きくするためである。
【００２８】
第２の導電性酸化物膜１４ａの材料は、前述の第１の導電性酸化物膜１１ｂの材料の中から適宜選択できる。但し、第２の導電性酸化物膜１４ａの材料は、第１の導電性酸化物膜１１ｂの材料と同一でも良いし、異なっても良い。第２の金属膜１４ｂの材料は、前述の第１の金属膜１１ａの材料の中から適宜選択できる。又、第２の金属膜１４ｂの材料として、Ａｇ合金、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ等を用いても構わない。但し、第２の金属膜１４ｂの材料は、第１の金属膜１１ａの材料と同一でも良いし、異なっても良い。第２の電極１４の厚さは、０．０５〜１μｍ程度とすることが好ましく、０．１〜０．５μｍ程度とすることが更に好ましい。
【００２９】
なお、以降は、第１の金属膜１１ａ及び第２の金属膜１４ｂとしてＰｔ膜、第１の導電性酸化物膜１１ｂ及び第２の導電性酸化物膜１４ａとしてＳｒＲｕＯ３膜、圧電膜１３としてＰＺＴ膜を用いた場合を例として説明を行う。
［圧電素子の製造方法］
次に、圧電素子の製造方法について説明する。図２〜図４は、本実施の形態に係る圧電素子の製造工程を例示する図である。まず、図２（ａ）に示す工程では、基板１０を準備し、基板１０上に絶縁膜１５を形成する。基板１０としては、例えば、シリコン（００１）基板等を用いることができる。絶縁膜１５としては、例えば、熱酸化膜（ＳｉＯ２）等を用いることができる。絶縁膜１５の厚さは、例えば、１μｍ程度とすることができる。
【００３０】
続いて、基板１０の絶縁膜１５上に、例えばスパッタリング法により、密着層１６、第１の金属膜１１ａ、及びシリコン酸化膜１７（ＳｉＯ２膜）を順番に積層形成する。密着層１６は、絶縁膜１５と第１の金属膜１１ａとの密着性を向上するために設ける膜である。但し、密着層１６は、必要に応じて設ければよい。なお、シリコン酸化膜１７は、本発明に係る被覆膜の代表的な一例である。
【００３１】
絶縁膜１５として熱酸化膜（ＳｉＯ２）、第１の金属膜１１ａとしてＰｔ膜を用いる場合には、密着層１６の材料として、Ｔｉ、ＴｉＯ２、ＴｉＮ、Ｔａ、Ｔａ２Ｏ５、Ｔａ３Ｎ５、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３等や、これらの積層膜を用いると好適である。密着層１６の厚さは、例えば、５０ｎｍ程度とすることができる。第１の金属膜１１ａ（Ｐｔ膜）の厚さは、例えば、２００ｎｍ程度とすることができる。シリコン酸化膜１７の厚さは、例えば、２００ｎｍ程度とすることができる。
【００３２】
次に、図２（ｂ）に示す工程では、例えば、フォトリソグラフィ法により、シリコン酸化膜１７上に、開口部２００ｘを有するレジスト層２００を形成する。なお、開口部２００ｘを形成する領域は、後述の工程で第１の導電性酸化物膜１１ｂを形成する領域である。
【００３３】
次に、図２（ｃ）に示す工程では、レジスト層２００の開口部２００ｘ内に露出するシリコン酸化膜１７をウェットエッチングにより除去する。ウェットエッチングに用いるエッチング液としては、例えば、フッ酸系液（ＨＦ若しくはＮＨ４Ｆを加えるもの）を用いることができる。開口部２００ｘ内に露出するシリコン酸化膜１７をウェットエッチングにより除去すると、シリコン酸化膜１７には側面の断面形状が第１の金属膜１１ａ側から上方に向かうに従って幅が広くなる逆テーパ形状である開口部１７ｘが形成される。開口部１７ｘの平面形状は、例えば、矩形状とすることができる。
【００３４】
なお、開口部１７ｘが逆テーパ形状となるのは、単一のシリコン酸化膜１７において、フッ酸系エッチング液は全ての方向に一様なエッチング速度を有し、上部のエッチング時間は下部のエッチング時間より長いためである。シリコン酸化膜１７が多層構造である場合（例えば、下部に緻密性が高い酸化膜、上部に緻密性が低い酸化膜を備える場合）、緻密性が高い酸化膜は緻密性が低い酸化膜と比べてエッチング速度が遅いので、テーパ効果はより大きくなる。
【００３５】
次に、図２（ｄ）に示す工程では、図２（ｃ）に示すレジスト層２００を除去する。次に、図３（ｅ）に示す工程では、開口部１７ｘ内に露出する第１金属膜１１ａ上及びシリコン酸化膜１７上に、例えばスパッタリング法により、第１の導電性酸化物膜１１ｂとしてＳｒＲｕＯ３膜を形成する。第１の導電性酸化物膜１１ｂの厚さは、例えば、５０ｎｍ程度とすることができる。
【００３６】
次に、図３（ｆ）に示す工程では、例えばウェットエッチングにより、シリコン酸化膜１７及びシリコン酸化膜１７上に形成された第１の導電性酸化物膜１１ｂを除去する。ウェットエッチングには、例えば、フッ酸等を用いることができる。この工程により、第１の金属膜１１ａ上の所定領域に、断面形状が第１の金属膜１１ａ側から上方に向かうに従って幅が広くなる逆テーパ形状の第１の導電性酸化物膜１１ｂが積層された第１の電極１１が形成される。第１の導電性酸化物膜１１ｂにおいて、テーパ部分の幅Ｗは、例えば、２μｍ程度とすることができる。なお、第１の導電性酸化物膜１１ｂの側面の断面形状は直線状であっても曲線状であってもよく、直線と曲線を含む形状であってもよい。
【００３７】
次に、図３（ｇ）に示す工程では、第１の導電性酸化物膜１１ｂから露出する第１の金属膜１１ａを表面改質させて疏水化する。具体的には、第１の金属膜１１ａ及び第１の導電性酸化物膜１１ｂを、例えばチオール化合物（アルカンチオール等）からなるＳＡＭ材料で浸漬処理し、第１の導電性酸化物膜１１ｂから露出する第１の金属膜１１ａの表面にＳＡＭ膜１２を自己配列させる。アルカンチオールとしては、例えば、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデカンチオール（ＰＦＤＴ）等を用いることができる。ＳＡＭ材料は第１の導電性酸化物膜１１ｂ上には形成されず、第１の導電性酸化物膜１１ｂから露出する第１の金属膜１１ａ上のみに形成される。
【００３８】
これにより、ＳＡＭ膜１２が形成された領域（第１の金属膜１１ａ上）は疎水部となり、ＳＡＭ膜１２が形成されていない領域（第１の導電性酸化物膜１１ｂ上）は親水部となる。例えば、ＳＡＭ膜１２が形成された領域（第１の金属膜１１ａ上）の純水に対する接触角は９２度となり疎水性を示し、ＳＡＭ膜１２が形成されていない領域（第１の導電性酸化物膜１１ｂ上）の純水に対する接触角は５４度となり親水性を示す。
【００３９】
このように、ＳＡＭ膜１２を形成することにより、濡れ性のコントラストが高くなるため、後述の工程でインクジェット法によりＰＺＴ前駆体溶液１３ｘを塗布する際の塗布精度を向上できる。
【００４０】
ここで、図３（ｈ）に示す工程後に用いるインクジェット塗布装置６０について説明する。図５は、インクジェット塗布装置を例示する斜視図である。図５に示すインクジェット塗布装置６０において、架台６１の上にＹ軸駆動手段６２が設置してあり、その上に基板６３を搭載するステージ６４がＹ軸方向に駆動できるように設置されている。なおステージ６４には図示されていない真空、静電気などの吸着手段が付随しており基板６３が固定されている。
【００４１】
又、Ｘ軸支持部材６５にはＸ軸駆動手段６６が取り付けられており、これにＺ軸駆動手段６７上に搭載されたヘッドベース６８が取り付けられており、Ｘ軸方向に移動できるようにされている。ヘッドベース６８の上にはインクを吐出させるインクジェットヘッド６９が搭載されている。インクジェットヘッド６９には図示しない各インクタンクから各々着色樹脂インク供給用パイプ７０を介してインクが供給される。
【００４２】
図３（ｇ）に示す工程の後、図３（ｈ）〜図４（ｊ）に示す工程では、第１の導電性酸化物膜１１ｂ上（親水部上）に、インクジェット法により圧電膜１３を形成する。まず、図３（ｈ）に示す工程では、図３（ｇ）に示す構造体をインクジェット塗布装置６０のステージ６４上に載置し、インクジェットヘッド６９から、第１の導電性酸化物膜１１ｂ上（親水部上）にＰＺＴ前駆体溶液１３ｘを塗布する。ＰＺＴ前駆体溶液１３ｘは、最終的に圧電膜１３となるものである。このように、インクジェット法により圧電膜１３を形成することにより、圧電膜１３の原材料の使用量を減らすことができる。
【００４３】
次に、図４（ｉ）に示す工程では、ＰＺＴ前駆体溶液１３ｘに熱処理を行い、単層の圧電膜１３ａを形成する。インクジェット法を用いた場合、単層の圧電膜１３ａは１００ｎｍ程度の膜厚になるため、例えば、１０００ｎｍの圧電膜１３を形成するためには、図３（ｇ）、図３（ｈ）、及び図４（ｉ）の工程を繰り返し、単層の圧電膜１３ａを複数積層する。これにより、例えば、図４（ｊ）に示すように、所望の膜厚（例えば、１０００ｎｍ）の圧電膜１３が得られる。
【００４４】
次に、図４（ｋ）に示す工程では、圧電膜１３上に、例えばスパッタリング法により、第２の導電性酸化物膜１４ａとしてＳｒＲｕＯ３膜、第２の金属膜１４ｂとしてＰｔ膜を順番に積層形成する。第２の導電性酸化物膜１４ａの厚さは、例えば、２００ｎｍ程度とすることができる。第２の金属膜１４ｂの厚さは、例えば、１００ｎｍ程度とすることができる。
【００４５】
そして、例えば、所定領域をマスクしたエッチングにより、圧電膜１３の外縁部に形成された第２の導電性酸化物膜１４ａ及び第２の金属膜１４ｂを除去する。これにより、第２の導電性酸化物膜１４ａ上に第２の金属膜１４ｂが積層された第２の電極１４が形成され、圧電素子１が完成する。
【００４６】
第２の電極１４の下面の面積は、第１の電極１１の第１の導電性酸化物膜１１ｂの下面の面積と同等以上とすることが可能となるため、圧電膜１３の有効駆動面積を第１の電極１１の第１の導電性酸化物膜１１ｂの下面の面積と同等とすることができる。つまり、圧電膜１３の駆動効率を向上できる。
【００４７】
なお、図４（ｌ）に示すように、第２の電極１４の下面の面積が、第１の電極１１の第１の導電性酸化物膜１１ｂの下面の面積よりも大きければ、第２の電極１４の位置が第１の電極１１の中心Ｏからずれてもよい。この場合には、第２の電極１４が、平面視において、第１の電極１１をカバーするように形成されていれば、圧電膜１３の有効駆動面積は図４（ｋ）の場合と変わらないため、インクの吐出量のばらつき等を避けることができる。
【００４８】
ここで、比較例を用いて、本実施の形態に係る圧電素子１の奏する効果について説明する。図６は、比較例に係る圧電素子の製造工程を例示する図である。
【００４９】
まず、図６（ａ）に示す工程では、図２（ａ）に示す工程と同様にして、シリコン（００１）基板である基板１０上に、絶縁膜１５として熱酸化膜（ＳｉＯ２）を略１μｍ、密着層１６としてＴｉ膜を略５０ｎｍ、第１の金属膜１１ａとしてＰｔ膜を略２００ｎｍ、順次積層する。そして、第１の金属膜１１ａ上に、更に第１の導電性酸化物膜１１ｂとしてＳｒＲｕＯ３膜を略６０ｎｍ形成する。
【００５０】
次に、図６（ｂ）に示す工程では、例えば、フォトリソグラフィ法により、第１の導電性酸化物膜１１ｂ上の所定領域にレジスト層２１０を形成する。なお、レジスト層２１０を形成する領域は、後述の工程で圧電膜１３を形成する領域である。
【００５１】
次に、図６（ｃ）に示す工程では、レジスト層２１０から露出する第１の導電性酸化物膜１１ｂをドライエッチングにより除去する。第１の導電性酸化物膜１１ｂをドライエッチングにより除去すると、第１の導電性酸化物膜１１ｂはテーパ形状となる。
【００５２】
この工程により、第１の金属膜１１ａ上の所定領域に、テーパ形状の第１の導電性酸化物膜１１ｂが積層された第１の電極１１ｘが形成される。第１の導電性酸化物膜１１ｂにおいて、テーパ部分の幅Ｗは、例えば、４μｍ程度とすることができる。なお、レジスト層２１０から露出する第１の導電性酸化物膜１１ｂをウェットエッチングにより除去してもよく、その場合もドライエッチングの場合と同様に、第１の導電性酸化物膜１１ｂはテーパ形状となる。
【００５３】
次に、図６（ｄ）に示す工程では、プラズマ処理により、図６（ｃ）に示すレジスト層２１０を除去する。その後、図３（ｇ）〜図４（ｋ）と同様の工程により、第１の電極１１ｘの第１の導電性酸化物膜１１ｂ上に、圧電膜１３及び第２の電極１４を積層形成することにより、圧電素子１ｘが完成する。
【００５４】
比較例に係る圧電素子１ｘでは、第１の電極１１ｘの第１の導電性酸化物膜１１ｂがテーパ形状となる。これは、ＳｒＲｕＯ３膜等である第１の導電性酸化物膜１１ｂが、ドライエッチングやウェットエッチングによりエッチングし難いためである。第１の導電性酸化物膜１１ｂにおいて、テーパ及びテーパ領域の近傍はエッチングにより形成された欠陥の密度が高いので、圧電膜１３を積層する際に、この領域を避けなければならない。
【００５５】
圧電素子をインクジェット記録装置に搭載される液滴吐出ヘッドの構成部品として用いる場合、吐出室上の振動板を圧電素子により変形させてインク滴を吐出する。インク滴を吐出する際の力は、振動板上の圧電膜の面積に依存する。他の条件が一定である場合、圧電膜の幅が狭いほど有効駆動面積が小さくなり、同じ駆動力を得るためには、圧電素子に印加する駆動電圧を高くしなければならない。
【００５６】
ところで、高密度印字、高速印字を行うためには吐出室やノズルを高密度に並べる必要がある。そのため、幅の狭い振動板を高密度で並べる必要が出てくるが、振動板の幅を狭くすると、振動板の剛性が大きくなるので撓みづらくなる。一般的に、パターンを形成するとき、フォトリソグラフィ位置の重ね合わせ精度を考えて、振動板の幅、圧電膜の幅、第２の電極の幅は順次狭くなる。
【００５７】
比較例に係る圧電素子１ｘのように、第１の導電性酸化物膜１１ｂのテーパ及びテーパの領域近傍を避けると、圧電膜１３の幅が狭くなり（面積が小さくなり）、第２の電極１４の幅は更に狭くなる（面積が小さくなる）。つまり、第２の電極１４の下面の面積は、第１の電極１１ｘの第１の導電性酸化物膜１１ｂの上面の面積よりも狭くなるため、圧電膜１３の有効駆動面積を第１の電極１１ｘの第１の導電性酸化物膜１１ｂの上面の面積と同等とすることはできない。
【００５８】
そのため、圧電膜１３の駆動効率が低下し、インク滴の吐出に必要な振動板の変位が得られないおそれが生じる。又、第２の電極１４の幅が狭くなる（面積が小さくなる）と、第２の電極１４の中心ずれによって、インクの吐出量のばらつきが生じるおそれがある。
【００５９】
本実施の形態に係る圧電素子１では、第１の導電性酸化物膜１１ｂが逆テーパ形状であり、又、側面はエッチングされていないため、逆テーパ形状の領域近傍（第１の導電性酸化物膜１１ｂの側面部分）の欠陥密度は高くない。そのため、逆テーパ形状の領域近傍を避けることなく、第１の導電性酸化物膜１１ｂの全面に圧電膜１３を形成できる。
【００６０】
更に、圧電膜１３上に形成される第２の電極１４の上面及び下面の面積を、平面視において、第１の電極１１の下面をカバーする程度の面積とすることができる。その結果、圧電膜１３の有効駆動面積を大きくし易くなり、圧電素子１に印加する駆動電圧を比較的低くしても必要な駆動力を得ることができる。つまり、設計が容易で信頼性が高く、インクジェット記録装置に搭載される液滴吐出ヘッドの構成部品として用いた場合に、駆動電圧が低く、高密度で高速印字が可能な圧電素子１を実現できる。
【００６１】
なお、本発明に係る被覆膜は、側面の断面形状が第１の金属膜１１ａ側から上方に向かうに従って幅が広くなる逆テーパ形状である開口部が形成される材料であれば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）以外の材料を用いてもよい。このような材料としては、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）以外に、シリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）や、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）とシリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）との積層膜構造等を挙げることができる。
【００６２】
〈第２の実施の形態〉
第２の実施の形態では、本実施の形態に係る圧電素子を用いた液滴吐出ヘッドの例を示す。なお、第２の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
【００６３】
図７は、本実施の形態に係る圧電素子を用いた液滴吐出ヘッドを例示する断面図である。図７を参照するに、液滴吐出ヘッド２は、圧電素子１と、ノズル板２０と、圧力室基板３０と、振動板４０とを有する。
【００６４】
ノズル板２０には、インク滴を吐出するノズル２１が、例えば、直線状に２列に並べて形成されている。ノズル板２０は、例えばＮｉ電鋳等で形成することができる。ノズル板２０、圧力室基板３０、及び振動板４０により、ノズル２１に連通する圧力室３１（インク流路、加圧液室、加圧室、吐出室、液室等と称される場合もある）が形成されている。振動板４０は、インク流路の壁面の一部を形成している。換言すれば、圧力室３１は、ノズル２１が連通してなり、圧力室基板３０（側面を構成）、ノズル板２０（下面を構成）、振動板４０（上面を構成）で区画されてなる。
【００６５】
圧力室３１は、例えば、エッチングを利用してシリコン単結晶基板を加工することにより作製できる。この場合のエッチング方法としては、異方性エッチングを用いることが一般的である。異方性エッチングとは結晶構造の面方位に対してエッチング速度が異なる性質を利用したものである。例えばＫＯＨ等のアルカリ溶液に浸漬させた異方性エッチングでは、（１００）面に比べて（１１１）面は約１／４００程度のエッチング速度となる。その後、ノズル２１を有するノズル板２０を接合する。なお、図７において、液体供給手段、流路、流体抵抗等についての記述は省略している。
【００６６】
圧電素子１は、密着層１６を介して、振動板４０上に搭載されており、圧力室３１内のインクを加圧する機能を有する。圧電素子１の第１の電極１１は圧電膜１３に信号入力する際の共通電極として機能するため、密着層１６の下に配される振動板４０としては絶縁体を用いることができる。又、振動板４０として導体や半導体を用い、振動板４０と密着層１６との間に絶縁膜１５（図示せず）を形成してもよい。
【００６７】
振動板４０の材料としては、例えば、シリコンを用いることができる。この場合、振動板４０と密着層１６との間に絶縁膜１５（図示せず）が必要となり、絶縁膜１５（図示せず）としては、例えば、厚さ約数百ｎｍ〜数μｍ程度のシリコン酸化膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜又はこれらの膜を積層した膜等を用いることができる。又、熱膨張差を考慮し、酸化アルミニウム膜、ジルコニア膜等のセラミック膜を用いてもよい。シリコン系絶縁膜は、ＣＶＤ法やシリコンの熱酸化処理等により形成できる。又、酸化アルミニウム膜等の金属酸化膜は、スパッタリング法等により形成できる。密着層１６の役割や材料等については、前述の通りである。
【００６８】
圧電素子１において、第１の電極１１と第２の電極１４との間に電圧が印加されると、圧電膜１３が機械的に変位する。圧電膜１３の機械的変位にともなって、振動板４０が例えば横方向（ｄ３１方向）に変形変位し、圧力室３１内のインクを加圧する。これにより、ノズル２１からインク滴を吐出させることができる。液滴吐出ヘッド２に圧電素子１を用いることにより、駆動電圧が低く、高密度で高速印字が可能な液滴吐出ヘッド２を実現できる。
【００６９】
なお、図８に示すように、液滴吐出ヘッド２を複数個並設し、液滴吐出ヘッド３を構成することもできる。
【００７０】
このように、本実施の形態に係る圧電素子１は、例えば、インクジェット記録装置において使用する液滴吐出ヘッドの構成部品として用いることができるが、これには限定されない。本実施の形態に係る圧電素子１を、例えば、マイクロポンプ、超音波モータ、加速度センサ、プロジェクター用２軸スキャナ、輸液ポンプ等の構成部品として用いてもよい。
【００７１】
〈第３の実施の形態〉
第３の実施の形態では、液滴吐出ヘッド３（図８参照）を搭載したインクジェット記録装置の例を示す。図９は、インクジェット記録装置を例示する斜視図である。図１０は、インクジェット記録装置の機構部を例示する側面図である。なお、インクジェット記録装置４は、本発明に係る液滴吐出装置の代表的な一例である。
【００７２】
図９及び図１０を参照するに、インクジェット記録装置４は、記録装置本体８１の内部に主走査方向に移動可能なキャリッジ９３、キャリッジ９３に搭載した液滴吐出ヘッド３の一実施形態であるインクジェット記録ヘッド９４、インクジェット記録ヘッド９４へインクを供給するインクカートリッジ９５等で構成される印字機構部８２等を収納する。
【００７３】
記録装置本体８１の下方部には、多数枚の用紙８３を積載可能な給紙カセット８４（或いは給紙トレイでもよい）を抜き差し自在に装着することができる。又、用紙８３を手差しで給紙するための手差しトレイ８５を開倒することができる。給紙カセット８４或いは手差しトレイ８５から給送される用紙８３を取り込み、印字機構部８２によって所要の画像を記録した後、後面側に装着された排紙トレイ８６に排紙する。
【００７４】
印字機構部８２は、図示しない左右の側板に横架したガイド部材である主ガイドロッド９１と従ガイドロッド９２とでキャリッジ９３を主走査方向に摺動自在に保持する。キャリッジ９３にはイエロー（Ｙ）、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、ブラック（Ｂｋ）の各色のインク滴を吐出するインクジェット記録ヘッド９４を、複数のインク吐出口（ノズル）を主走査方向と交差する方向に配列し、インク滴吐出方向を下方に向けて装着している。又、キャリッジ９３は、インクジェット記録ヘッド９４に各色のインクを供給するための各インクカートリッジ９５を交換可能に装着している。
【００７５】
インクカートリッジ９５は、上方に大気と連通する図示しない大気口、下方にはインクジェット記録ヘッド９４へインクを供給する図示しない供給口を、内部にはインクが充填された図示しない多孔質体を有している。多孔質体の毛管力によりインクジェット記録ヘッド９４へ供給されるインクをわずかな負圧に維持している。又、インクジェット記録ヘッド９４としてここでは各色のヘッドを用いているが、各色のインク滴を吐出するノズルを有する１個のヘッドを用いてもよい。
【００７６】
キャリッジ９３は、用紙搬送方向下流側を主ガイドロッド９１に摺動自在に嵌装し、用紙搬送方向上流側を従ガイドロッド９２に摺動自在に載置している。そして、このキャリッジ９３を主走査方向に移動走査するため、主走査モータ９７で回転駆動される駆動プーリ９８と従動プーリ９９との間にタイミングベルト１００を張装し、主走査モータ９７の正逆回転によりキャリッジ９３が往復駆動される。タイミングベルト１００は、キャリッジ９３に固定されている。
【００７７】
又、インクジェット記録装置４は、給紙カセット８４から用紙８３を分離給装する給紙ローラ１０１、フリクションパッド１０２、用紙８３を案内するガイド部材１０３、給紙された用紙８３を反転させて搬送する搬送ローラ１０４、この搬送ローラ１０４の周面に押し付けられる搬送コロ１０５、搬送ローラ１０４からの用紙８３の送り出し角度を規定する先端コロ１０６、を設けている。これにより、給紙カセット８４にセットした用紙８３を、インクジェット記録ヘッド９４の下方側に搬送される。搬送ローラ１０４は副走査モータ１０７によってギヤ列を介して回転駆動される。
【００７８】
用紙ガイド部材である印写受け部材１０９は、キャリッジ９３の主走査方向の移動範囲に対応して搬送ローラ１０４から送り出された用紙８３をインクジェット記録ヘッド９４の下方側で案内する。この印写受け部材１０９の用紙搬送方向下流側には、用紙８３を排紙方向へ送り出すために回転駆動される搬送コロ１１１、拍車１１２を設けている。更に、用紙８３を排紙トレイ８６に送り出す排紙ローラ１１３及び拍車１１４と、排紙経路を形成するガイド部材１１５、１１６とを配設している。
【００７９】
画像記録時には、キャリッジ９３を移動させながら画像信号に応じてインクジェット記録ヘッド９４を駆動することにより、停止している用紙８３にインクを吐出して１行分を記録し、用紙８３を所定量搬送後次の行の記録を行う。記録終了信号又は用紙８３の後端が記録領域に到達した信号を受けることにより、記録動作を終了させ用紙８３を排紙する。
【００８０】
キャリッジ９３の移動方向右端側の記録領域を外れた位置には、インクジェット記録ヘッド９４の吐出不良を回復するための回復装置１１７を有する。回復装置１１７はキャップ手段と吸引手段とクリーニング手段を有する。キャリッジ９３は、印字待機中に回復装置１１７側に移動されてキャッピング手段でインクジェット記録ヘッド９４をキャッピングされ、吐出口部を湿潤状態に保つことによりインク乾燥による吐出不良を防止する。又、記録途中等に、記録と関係しないインクを吐出することにより、全ての吐出口のインク粘度を一定にし、安定した吐出性能を維持する。
【００８１】
吐出不良が発生した場合等には、キャッピング手段でインクジェット記録ヘッド９４の吐出口を密封し、チューブを通して吸引手段で吐出口からインクとともに気泡等を吸い出す。又、吐出口面に付着したインクやゴミ等はクリーニング手段により除去され吐出不良が回復される。更に、吸引されたインクは、本体下部に設置された図示しない廃インク溜に排出され、廃インク溜内部のインク吸収体に吸収保持される。
【００８２】
このように、インクジェット記録装置４においては、液滴吐出ヘッド３の一実施形態であるインクジェット記録ヘッド９４を搭載しているので、駆動電圧が低く、高密度で高速印字が可能なインクジェット記録装置４を実現できる。又、振動板駆動不良によるインク滴吐出不良がなく、安定したインク滴吐出特性が得られるため、画像品質を向上できる。
【００８３】
［実施例］
本実施例では、本実施の形態の図２〜図４を用いて説明した工程に基づいて圧電素子を作製した。まず、シリコン（００１）基板を準備し、シリコン（００１）基板上に、熱酸化膜を略１μｍ形成し、熱酸化膜上にスパッタリング法で密着層としてＴｉ膜を略５０ｎｍ、第１の金属膜としてＰｔ膜を略２００ｎｍ、シリコン酸化膜を略２００ｎｍ、順番に蒸着した（図２（ａ）参照）。
【００８４】
次に、シリコン酸化膜上にフォトレジストでパターニングを行い、第１の導電性酸化物膜（ＳｒＲｕＯ３膜）を形成する領域のシリコン酸化膜をエッチングして除去し、シリコン酸化膜に逆テーパ形状の開口部を形成した（図２（ｂ）及び図２（ｃ）参照）。その後、フォトレジストを除去した（図２（ｄ）参照）。
【００８５】
次に、シリコン酸化膜の開口部内に露出する第１金属膜（Ｐｔ膜）上及びシリコン酸化膜上に、スパッタリング法により、第１の導電性酸化物膜としてＳｒＲｕＯ３膜を略５０ｎｍ蒸着した（図３（ｅ）参照）。そして、ウェットエッチングにより、シリコン酸化膜及びシリコン酸化膜上に形成された第１の導電性酸化物膜（ＳｒＲｕＯ３膜）を除去し、第１の金属膜（Ｐｔ膜）上の所定領域に逆テーパ形状の第１の導電性酸化物膜（ＳｒＲｕＯ３膜）が積層された第１の電極を形成した（図３（ｆ）参照）。
【００８６】
次に、第１の金属膜（Ｐｔ膜）及び第１の導電性酸化物膜（ＳｒＲｕＯ３膜）が形成されたサンプルを純水とエタノールと（体積比３：１）の混合液で１５秒処理する。乾燥後、５００℃、１分間加熱で第１の金属膜（Ｐｔ膜）の表面をクリーニングした。そして、第１の金属膜（Ｐｔ膜）及び第１の導電性酸化物膜（ＳｒＲｕＯ３膜）を、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデカンチオール（ＰＦＤＴ）からなるＳＡＭ材料で浸漬処理し、第１の導電性酸化物膜（ＳｒＲｕＯ３膜）から露出する第１の金属膜（Ｐｔ膜）の表面にＳＡＭ膜を自己配列させ、疎水化した（図３（ｇ）参照）。
【００８７】
次に、第１の導電性酸化物膜（ＳｒＲｕＯ３膜）上に圧電膜を形成した（図３（ｈ）〜図４（ｊ）参照）。具体的には、インクジェット塗布装置６０（図５参照）を用いて、インクジェット法により、第１の導電性酸化物膜（ＳｒＲｕＯ３膜）上（親水部上）にＰＺＴ前駆体溶液を塗布した。ＰＺＴ前駆体の出発材料には、酢酸鉛三水和物、イソプロポキシドチタン、イソプロポキシドジルコニウムを用いた。酢酸鉛の結晶水はメトキシエタノールに溶解後、脱水した。化学量論組成に対し鉛量を１０モル％過剰にした。これは熱処理中のいわゆる鉛抜けによる結晶性低下を防ぐためである。
【００８８】
イソプロポキシドチタン、イソプロポキシドジルコニウムをメトキシエタノールに溶解し、アルコール交換反応、エステル化反応を進め、先記の酢酸鉛を溶解したメトキシエタノール溶液と混合することでＰＺＴ前駆体溶液を合成した。このＰＺＴ濃度は０．３モル／リットルにした。一度の成膜で得られるＰＺＴの膜厚は１００ｎｍ程度が好ましく、ＰＺＴ前駆体溶液の前駆体濃度は成膜面積と前駆体塗布量の関係から適正化される。
【００８９】
ＰＺＴ前駆体溶液は、接触角のコントラストのため、親水部である第１の導電性酸化物膜（ＳｒＲｕＯ３膜）上のみに広がりパターンを形成した。これを第一の加熱（溶媒乾燥）として３００℃処理後、５００℃で仮焼成を行った。このときの膜厚は１１０ｎｍであった。ＳＡＭ膜は加熱処理中、分解されて第１の金属膜（Ｐｔ膜）の表面から消失した。
【００９０】
ＳＡＭ処理→ＰＺＴ前駆体溶液塗布→３００℃乾燥→５００℃仮焼成の工程を３回繰り返し、３３０ｎｍのＰＺＴ膜を得た後、ＲＴＡ（急速熱処理：rapid thermal annealing）で７３０℃結晶化本焼処理を行った。膜にクラック等の不良は生じなかった。更に３回のＳＡＭ膜処理→３００℃乾燥→５００℃仮焼成→７３０℃結晶化本焼処理を行った。膜にクラック等の不良は生じなかった。これらの処理の結果、圧電膜（ＰＺＴ膜）の膜厚は１０００ｎｍに達した。
【００９１】
次に、圧電膜（ＰＺＴ膜）上に、スパッタリング法により、第２の導電性酸化物膜としてＳｒＲｕＯ３膜を略２００ｎｍ、第２の金属膜としてＰｔ膜を略１００ｎｍ、順番に積層形成した。そして、圧電膜（ＰＺＴ膜）の外縁部に形成された第２の導電性酸化物膜（ＳｒＲｕＯ３膜）及び第２の金属膜（Ｐｔ膜）を除去した。これにより、第２の導電性酸化物膜（ＳｒＲｕＯ３膜）上に第２の金属膜（Ｐｔ膜）が積層された第２の電極が形成され、圧電素子が完成した（図４（ｋ）参照）。第２の電極の下面の面積は、第１の電極の第１の導電性酸化物膜（ＳｒＲｕＯ３膜）の下面の面積と同等以上となった。
【００９２】
このようにして、逆テーパ形状の第１の導電性酸化物膜（ＳｒＲｕＯ３膜）上に、圧電膜（ＰＺＴ膜）及び第２の電極（第２の導電性酸化物膜と第２の金属膜の積層体）が順次積層された圧電素子が作製できた。
【００９３】
次に、比較例として、シリコン（００１）基板を準備し、シリコン（００１）基板上に、熱酸化膜を略１μｍ形成し、熱酸化膜上にスパッタリング法で密着層としてＴｉ膜を略５０ｎｍ、第１の金属膜としてＰｔ膜を略２００ｎｍ、順番に蒸着した。そして、第１の金属膜（Ｐｔ膜）上に、更に第１の導電性酸化物膜としてＳｒＲｕＯ３膜を略４５ｎｍ形成した。
【００９４】
次に、第１の導電性酸化物膜（ＳｒＲｕＯ３膜）をドライエッチングしてストライプパターンを形成し、ストライプパターンの形状を段差計で測定した。測定結果を図１１に示す。図１１に示すように、ストライプパターンの側面はテーパ形状となり、テーパ部分の幅は略４μｍであることがわかった。
【００９５】
この結果より、第１の導電性酸化物膜（ＳｒＲｕＯ３膜）をドライエッチングすると、図６（ｃ）等に示すような、テーパ形状の第１の導電性酸化物膜（ＳｒＲｕＯ３膜）が形成されることが確認された。
【００９６】
以上、好ましい実施の形態及び実施例について詳説したが、上述した実施の形態及び実施例に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態及び実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。
【符号の説明】
【００９７】
１  圧電素子
２、３  液滴吐出ヘッド
４  インクジェット記録装置
１０  基板
１１  第１の電極
１１ａ  第１の金属膜
１１ｂ  第１の導電性酸化物膜
１２  ＳＡＭ膜
１３、１３ａ  圧電膜
１３ｘ  ＰＺＴ前駆体溶液
１４  第２の電極
１４ａ  第２の導電性酸化物膜
１４ｂ  第２の金属膜
１５  絶縁膜
１６  密着層
１７  シリコン酸化膜
１７ｘ、２００ｘ  開口部
２０  ノズル板
２１  ノズル
３０  圧力室基板
３１  圧力室
４０  振動板
６０  インクジェット塗布装置
６１  架台
６２  Ｙ軸駆動手段
６３  基板
６４  ステージ
６５  Ｘ軸支持部材
６６  Ｘ軸駆動手段
６７  Ｚ軸駆動手段
６８  ヘッドベース
６９  インクジェットヘッド
７０  着色樹脂インク供給用パイプ
８１  記録装置本体
８２  印字機構部
８３  用紙
８４  給紙カセット
８５  手差しトレイ
８６  排紙トレイ
９１  主ガイドロッド
９２  従ガイドロッド
９３  キャリッジ
９４  インクジェット記録ヘッド
９５  インクカートリッジ
９７  主走査モータ
９８  駆動プーリ
９９  従動プーリ
１００  タイミングベルト
１０１  給紙ローラ
１０２  フリクションパッド
１０３  ガイド部材
１０４  搬送ローラ
１０５  搬送コロ
１０６  先端コロ
１０７  副走査モータ
１０９  印写受け部材
１１１  搬送コロ
１１２  拍車
１１３  排紙ローラ
１１４  拍車
１１５、１１６  ガイド部材
１１７  回復装置
２００  レジスト層
【先行技術文献】
【特許文献】
【００９８】
【特許文献１】特開２００２−２９１２６２号公報
【図１】
2014013842.tif 000003
【図２】
2014013842.tif 000004
【図３】
2014013842.tif 000005
【図４】
2014013842.tif 000006
【図５】
2014013842.tif 000007
【図６】
2014013842.tif 000008
【図７】
2014013842.tif 000009
【図８】
2014013842.tif 000010
【図９】
2014013842.tif 000011
【図１０】
2014013842.tif 000012
【図１１】
2014013842.tif 000013