(57)【要約】      （修正有）【課題】一酸化炭素を短い接触時間で水素化して、良好な転化率レベル、低メタン選択率及び良好な生成速度で、液体燃料を製造できる方法の提供。【解決手段】水素と一酸化炭素とを含む供給流を、少なくとも２００℃の温度において、触媒を含む反応チャンバー中に流す工程；担持されたＣｏ、Ｒｕ、Ｆｅ、Ｒｅ、Ｏｓ及びこれらの組み合わせからなる群より選択されるフィッシャー・トロプシュ触媒金属を含む該触媒；定常状態条件下で該供給流が２秒未満の接触時間を有するような充分な速度で、該反応チャンバーから該反応チャンバーの壁（但し壁の厚みは１．５ｃｍ以下）と熱接触している冷却チャンバーへ熱を伝える工程；生成物流を捕集する工程。該方法は、２５％未満のメタン選択率で、２５％超の一酸化炭転化率であり、２０℃及び１気圧で測定して、１分当りの液体生成物が少なくとも１ｍｌ及びガス状炭化水素生成物が少なくとも１ｌである生成速度である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔質担体；
界面層；及び
フィッシャー・トロプシュ触媒金属を含む触媒であって；
該触媒を、恒温炉内にある管中に配置し、２５０℃及び平均滞留時間１２．５秒で、水素ガスの一酸化炭素に対する割合が３〜１から成る供給流に対して曝す場合、圧力が６気圧のときに比べて、２４気圧のときに、メタンへの選択率が高く、一酸化炭素の転化率が低いような触媒活性を有する前記触媒。
【請求項２】
該多孔質担体が、金属である請求項１記載の触媒。
【請求項３】
請求項１記載の触媒を含む反応チャンバーの中にＨ２及びＣＯを流す工程を含む一酸化炭素を水素化する方法。
【請求項４】
多孔質担体上に担持されたフィッシャー・トロプシュ触媒金属を含む触媒であって；
該触媒を、恒温炉内にある管中に配置し、２５０℃、６気圧、及び５秒未満の接触時間で、水素ガスの一酸化炭素に対する割合が３〜１から成る供給流に対して曝し、得られた生成物流を捕集し室温まで冷却する場合に、メタンへの選択率が２５％未満であり、一酸化炭素転化率が２５％超であるような触媒活性を有する前記触媒。
【請求項５】
該触媒を、恒温炉内にある管中に配置し、２５０℃、６気圧、及び２秒未満の接触時間で、水素ガスの一酸化炭素に対する割合が３〜１から成る供給流に対して曝し、得られた生成物流を捕集し室温まで冷却する場合に、メタンへの選択率が１５％未満であり、一酸化炭素転化率が５０％超であるような触媒活性を有する請求項４記載の触媒。
【請求項６】
該触媒を、恒温炉内にある管中に配置し、２５０℃、６気圧、及び１秒未満の接触時間で、水素ガスの一酸化炭素に対する割合が３〜１から成る供給流に対して曝し、得られた生成物流を捕集し室温まで冷却する場合に、メタンへの選択率が１５％未満であり、一酸化炭素転化率が２５％超であるような触媒活性を有する請求項４記載の触媒。
【請求項７】
伝熱チャンバー壁を有する反応チャンバー；
該反応チャンバー中に、担持されたフィッシャー・トロプシュ触媒金属を含む触媒；及び
該反応チャンバーの少なくとも１つのチャンバー壁と熱接触している熱交換器を含み、且つ該触媒が約１．５ｃｍ以下の厚さを有し；該触媒が少なくとも１つの反応チャンバー壁の０．５ｃｍ以内に存在する一酸化炭素を水素化するための反応器。
【請求項８】
水素と一酸化炭素とを含む供給流を、少なくとも２００℃の温度において、触媒を含む反応チャンバー中に流す工程；
担持されたフィッシャー・トロプシュ触媒金属を含む該触媒；
定常状態条件下で該供給流が約２秒未満の接触時間を有するような充分な速度で、該反応チャンバーから熱を伝える工程；
生成物流を捕集する工程を含む一酸化炭素を水素化する方法であって、該方法が：
２５％未満のメタン選択率、２５％超の一酸化炭素転化率、及び液体生成物の体積を２０℃及び気圧で測定する場合に、１分当たり液体生成物を少なくとも１ミリリットル含む生成速度、又はガス状生成物の体積を２０℃及び１気圧で測定する場合に、生成物が分子１個当たり少なくとも２個の炭素原子を含むガス状炭化水素生成物を１分当たり少なくとも１リットル含む生成速度を有することを特徴とする前記方法。
【請求項９】
炭化水素を含む請求項８記載の方法によって製造される生成物。
【請求項１０】
該炭化水素が、室温及び１気圧で液体である請求項９記載の生成物。
【請求項１１】
第一細孔表面領域と、少なくとも約０．１μｍの第一細孔サイズとを有する第一多孔質構造を有する触媒構造物；
該第二細孔表面領域と該第一細孔サイズ未満の第二細孔サイズとを有する多孔質界面層であって、該第一細孔表面領域上に配置されている該多孔質界面層；
第二細孔表面領域上に配置された、コバルト、ルテニウム、鉄、レニウム、オスミウム及びそれらの組合せから成る群より選択されるフィッシャー・トロプシュ触媒を含むフィッシャー・トロプシュ合成のための触媒構造物。
【請求項１２】
該多孔質構造物が、フォーム、フェルト、ワッド及びそれらの組合せから選択される幾何形状を有する請求項１１記載の触媒構造物。
【請求項１３】
該多孔質構造物が、金属、セラミック及びそれらの組合せから成る群より選択される材料から成る請求項１１記載の触媒構造物。
【請求項１４】
該多孔質界面層を、γ−Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、酸化マグネシウム、酸化バナジウム、酸化クロム、酸化マンガン、酸化鉄、酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化銅、酸化亜鉛、酸化モリブデン、酸化錫、酸化カルシウム、酸化アルミニウム、ランタン系列の酸化物（１種又は複数種）、ゼオライト（１種又は複数種）及びそれらの組合せから成る群より選択する請求項１１記載の触媒構造物。
【請求項１５】
反応体を流すマイクロチャネルを画定する壁を有する反応チャンバー中に配置される請求項１１記載の触媒構造物。
【請求項１６】
該壁が、少なくとも１つの冷却チャンバーから該反応チャンバーを分離する請求項１５記載の触媒構造物。
【請求項１７】
（ａ）第一細孔表面領域と、少なくとも約０．１μｍの第一細孔サイズとを有する第一多孔質構造を有する触媒構造物；
第二細孔表面領域と該第一細孔サイズ未満の第二細孔サイズとを有する多孔質界面層であって、該第一細孔表面領域上に配置される該多孔質界面層；及び  該第二細孔表面領域上に配置される、コバルト、ルテニウム、鉄、レニウム、オスミウム及びそれらの組合せから成る群より選択されるフィッシャー・トロプシュ触媒を提供する工程；及び  （ｂ）該触媒構造物中に水素ガスと一酸化炭素との混合物を有する供給流を流し、該触媒構造物を作業圧力において少なくとも２００℃まで加熱する工程であって、該供給流は、該触媒構造物内において５秒未満の滞留時間を有し、それにより、一酸化炭素転化率が少なくとも２５％で、メタンへの選択率がせいぜい２５％の生成物流が得られる工程を含むフィッシャー・トロプシュ反応の方法。
【請求項１８】
該作業圧力を低下させ、且つメタンへの選択率を低下させる工程を更に含む請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
該冷却を、該触媒構造物と熱接触している冷却チャンバーによって行う請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
（ａ）反応器中に、その上に触媒を有する多孔質構造を含む触媒構造物を提供する工程；
（ｂ）一酸化炭素ガスと水素ガスとを含む供給流を、該触媒構造物中に流す工程；及び
（ｃ）該触媒構造物を少なくとも２００℃まで加熱する工程を含み、
該供給流が該反応器中で５秒未満の滞留時間を有し、
少なくとも２５％の一酸化炭素転化率及びせいぜい２５％のメタンへの選択率を特性として示す生成物流が得られることを特徴とする、一酸化炭素を水素化する方法。
【請求項２１】
該多孔質構造物が、金属フォームを含む請求項２０記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発明の分野 本発明は、フィッシャー・トロプシュ合成の触媒構造物及びその作製方法、及びフィッシャー・トロプシュ合成の方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フィッシャー・トロプシュ合成は、限定するものではないが水蒸気改質（生成物流Ｈ2／ＣＯ 〜２）、部分酸化（生成物流Ｈ2／ＣＯ 〜２）、自熱式改質（生成物流Ｈ2／ＣＯ 〜２．５）、ＣＯ2改質（Ｈ2／ＣＯ 〜１）、石炭ガス化（生成物流Ｈ2／ＣＯ 〜１）及びそれらの組合せを含む別の反応からの生成物流に関して通常行われる一酸化炭素の水素化である。
【０００３】
基本的には、フィッシャー・トロプシュ合成は、速い表面反応動力学を有する。しかし、総反応速度は、従来の触媒又は構造と共に、伝熱及び物質移動によって厳しく制限される。速い表面反応動力学と共に、伝熱が限定される結果として、触媒床においてホットスポットが生じるかもしれない。ホットスポットはメタン生成に有利である。商業的プロセスでは、小さな内径を有する固定床反応器、又は小さな触媒粒子（＞５０ミクロン、μｍ）を有するスラリータイプ及び流動タイプの反応器を用いて、伝熱及び物質移動の限界を緩和する。更に、フィッシャー・トロプシュ反応器が、ワンパス当たり、より低い転化率で運転される重要な理由は、触媒床における温度動作範囲を最小にすることに起因している。メタン化を回避するのに必要な運転パラメーターが原因で、従来の反応器は、より活性なフィッシャー・トロプシュ合成触媒を用いても改良されない。運転の詳細は表１及び図１に要約してある。
【０００４】
【表１】
2014065916.tif 000002
【０００５】
複数の実験条件に関する結果を含む参照に関して、我々の求める転化率、選択率及び／又は条件に最も適合した試行を、接触時間を比較するために選択した。
（Ａ）参照
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Bessell. S.,Appl. Catal. A: Gen. 96. 253 (1993).
【非特許文献２】Hutchings, G.J.. Topics Catal. 2. 163 (1995).
【非特許文献３】Iglesia. E., S.L. Soled and R.A. Fiato (Exxon Res. And Eng. Co.). U.S. patent 4,738.948, Apr. 19, 1988.
【非特許文献４】Iglesia. E., S.C. Reyes. R.J. Madon and S.L. Soled, Adv. Catal. 39 .221 (1993).
【非特許文献５】Karn. F.S.. J.F. Shultz 及び R.B. Anderson, Ind. Eng. Chem. Prod. Res. Dev. 4(4). 265 (1965).
【非特許文献６】King. F.. E. Shun 及び A.I. Thomson. Platinum Metals Rev. 29(44). 146 (1985).
【非特許文献７】Shultz. J.F.. F.S. Karn 及び R.B. Anderson. Rep. Invest. − US. Bu r. Mines 6974. 20 (1967).
【０００７】
文献のデータ（表１及び図１）は、固定床式反応器において、より低いＨ2／ＣＯ比（２：１）及びより長い接触時間（３秒以上）で得られた。低いＨ2／ＣＯ（特に２〜２．５）、長い接触時間、低温、及びより高い圧力は、フィッシャー・トロプシュ合成に有利である。ＣＨ4への選択率は、Ｈ2／ＣＯ比を２から３まで上げると、有意に増大する。また、接触時間を長くすると、触媒性能に関して劇的に好ましい効果がある。表１の参照３は満足な結果を示しているが、その実験は、フィッシャー・トロプシュ合成が有利となる条件（少なくとも３秒の滞留時間、及びＨ2／ＣＯ＝２）下で行った。更に、参照３の実験は、実験的規模で粉末触媒を用いて行った。粉末触媒は、圧力低下を引き起こすので、商業的には実用的ではないと考えられる。より高い温度で運転すると、転化率が向上するが、ＣＨ4への選択率がはるかに高くなる。また、市販のフィッシャー・トロプシュのユニットにおける接触時間が少なくとも１０秒であることにも注目すべきである。而して、より短い接触時間及び／又はより高いＨ2／ＣＯにおいて、同じか又はより高い転化率を達成できるフィッシャー・トロプシュ合成の触媒構造物及び方法に関するニーズがある。
【発明の概要】
【０００８】
本発明は、第一細孔表面領域と、少なくとも約０．１μｍ、好ましくは約１０μｍ 〜 約３００μｍの第一細孔サイズとを有する第一多孔質構造を有するフィッシャー・トロプシュ合成のための触媒構造物、及び前記触媒構造物を製造する方法を含む。第二細孔表面領域と、第一細孔サイズ未満の第二細孔サイズとを有する多孔質界面層を、第一細孔表面領域上に配置した。コバルト、ルテニウム、鉄、ニッケル、レニウム、オスミウム及びそれらの組合せから成る群より選択されるフィッシャー・トロプシュ触媒を、第二細孔表面領域上に配置する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】従来技術のフィッシャー・トロプシュ法に関して、接触時間に対するＣＯ転化率を示している図である。
【図２】本発明による触媒構造物の横断面図である。
【図３】触媒をそれぞれ含む複数反応チャンバーと複数の熱交換器とを有する反応器設計を示している図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
また、本発明は：第一細孔表面領域と、少なくとも約０．１μｍの第一細孔サイズとを有する多孔質担体を含む触媒構造物を提供する工程；任意に、該多孔質担体上に緩衝層を堆積させる工程；第二細孔表面領域と、該第一細孔サイズ未満の第二細孔サイズとを有する多孔質界面層を、該緩衝層上に堆積させる工程（緩衝層が存在している場合）；及び該第二細孔表面領域上にフィッシャー・トロプシュ触媒を堆積させる工程を有するフィッシャー・トロプシュ触媒を製造する方法も提供する。
更に、本発明は： 第一細孔表面領域と、少なくとも約０．１μｍの第一細孔サイズとを有する触媒構造物を提供する工程；
任意に、多孔質担体上に配置された緩衝層；
第二細孔表面領域と該第一細孔サイズ未満の第二細孔サイズとを有する多孔質界面層であって、該緩衝層（存在している場合）上に又は該第一細孔表面領域上に配置されている多孔質界面層；
該第二細孔表面領域上に配置されたフィッシャー・トロプシュ触媒；及び 水素ガスと一酸化炭素ガスとの混合物を有する供給流を該触媒構造物に流し、該触媒構造物を、作業圧力において、少なくとも２００℃まで加熱し、該供給流が、該触媒構造物内において５秒未満の滞留時間を有し、それにより、少なくとも２５％の一酸化炭素転化率及びメタンへの選択率がせいぜい２５％の生成物流を得る工程を有するフィッシャー・トロプシュ合成の方法も提供する。
【００１１】
また、本発明は、それらの特性によって特徴付けられる様々な担持されたフィッシャー・トロプシュ触媒も含む。例えば、２５０℃及び滞留時間１２．５秒において、水素ガスの一酸化炭素に対する比が３〜１から成る供給流に対して曝す場合、転化率はより低い圧力においてより高いとしても、圧力が６気圧（接触時間４秒）のときに比べて、２４気圧（接触時間１秒）のときの方が高いメタンへの選択率を示す触媒が提供される。
【００１２】
触媒活性は、触媒の真性的性質である。本発明では、この特性は、様々な試験条件によって規定される。例えば、好ましい触媒は、多孔質担体上に担持されたフィッシャー・トロプシュ触媒金属を有し；その場合、該触媒は、恒温炉内の管中に配置され、２５０℃及び６気圧において５秒未満の接触時間で、水素ガスの一酸化炭素に対する比が３〜１から成る供給流に対して曝され、その結果得られた生成物流を捕集し室温まで冷却する場合に、メタンへの選択率が２５％未満であって、一酸化炭素転化率が２５％超であるような触媒活性を有する。触媒が、要求される活性特性を満足しているかどうかを調べるには、特定条件下での試験のみを要する。
【００１３】
また、本発明は、一酸化炭素を水素化する方法も提供する。前記方法では、水素と一酸化炭素とを含む供給流を、少なくとも２００℃の温度で、担持されたフィッシャー・トロプシュ触媒金属を有する触媒を含む反応チャンバー中に流し；生成物流を捕集する。このプロセスでは、定常状態条件下で、供給流が：約２秒未満の接触時間；液体生成物を２０℃及び１気圧で測定する場合、１分当たり液体生成物が少なくとも１ミリリットルである生成速度であるか、又は少なくとも２個の炭素原子を有する分子から成るガス状炭化水素生成物が少なくとも１分当たり１リットルである生成速度；２５％未満のメタン選択率、及び２５％を超える一酸化炭素転化率；を有するように、充分な速度で熱が反応チャンバーから伝えられる。前記炭化水素は、飽和、不飽和又は部分酸化することができ；燃料として用いるためには、好ましくは飽和炭化水素である。
【００１４】
更に、本発明は、本明細書記載の触媒のいずれかを用いる反応器も含む。また、本発明は、本明細書記載の方法のいずれかによって製造される炭化水素燃料も含む。更にまた、本発明は、本明細書記載の触媒のいずれかを用いる一酸化炭素を水素化する方法も含む。
【００１５】
本発明によって提供され得る利点としては、（ｉ）従来技術に比べて短い滞留時間／接触時間で、より高い転化率が達成され、且つメタン選択率が増加しない点；及び（ｉｉ）滞留時間／接触時間が増加すると、転化率が増加し、メタン選択率が低下する点が挙げられる。驚くべきことに、一酸化炭素を短い接触時間で水素化して、良好な転化率レベル、低メタン選択率及び良好な生成速度で、液体燃料を製造できることを見出した。
【００１６】
本発明の主題を、特に指摘し、本明細書の文頭で厳密に特許請求する。しかしながら、運転の機構及び方法、ならびにそれらの更なる利点及び目的は、同じ参照文字は同じ要素を指している添付の図面に関連して記載してある以下の説明を参照することによって最も良く理解されるかもしれない。
【００１７】
好ましい態様の説明 多孔質担体１００、緩衝層１０２、界面層１０４及び任意に触媒層１０６を有する本発明の触媒を図１に記載してある。いずれの層も、スポットもしくはドットの形態で、又はギャップもしくはホールを有する層の形態で、連続もしくは不連続であっても良い。
【００１８】
多孔質担体１００は、多孔質セラミック又は多孔質金属であっても良い。本発明の使用に適する多孔質担体としては、炭化物、窒化物、及び複合材料が挙げられる。層を堆積させる前に、多孔質担体は、水銀圧入法で測定した場合に、好ましくは約３０％〜約９９％、更に好ましくは約６０％〜約９８％の空隙率を有し、光学顕微鏡及び走査型電子顕微鏡で測定した場合に、１μｍ 〜 １０００μｍの平均細孔サイズを有する。多孔質担体の好ましい形態は、フォーム、フェルト、ワッド、及びそれらの組合せである。フォームは、構造全体にわたって細孔を画定する連続壁を有する構造である。フェルトは、それらの間に隙間空間を有する繊維の構造である。ワッドは、スチールウールのような絡まりあったストランドの構造である。好ましさは劣るが、多孔質担体としては、前記した空隙率及び細孔サイズの特性を有するという条件付きで、例えばペレット及びハニカムのような他の多孔質媒体も挙げられる。金属フォームの連続気泡は、好ましくは１インチあたり約２０個の細孔（ｐｐｉ）から約３０００個の細孔、更に好ましくは約４０〜約６００個の細孔を有する。ＰＰＩは、１インチ当たりの最大細孔数と規定される（等方性材料では、測定方向は無関係であるが；異方性材料では、測定は、細孔数が最大になる方向で行う）。本発明では、ｐｐｉは走査型電子顕微鏡で測定する。多孔質担体は、低い圧力低下、従来のセラミックパレット担体を超える伝熱の向上、及び化学反応器へのローディング／アンローディングの容易さを含む、本発明におけるいくつもの利点を提供することを発見した。
【００１９】
存在する場合、緩衝層１０２は、担体及び界面層の双方に比して、異なる組成及び／又は密度を有し、好ましくは、多孔質担体の熱膨張率と界面層の熱膨張率との中間の熱膨張率を有する。好ましくは、緩衝層は、金属酸化物又は金属炭化物である。本出願人は、蒸着層が、いくつもの熱サイクル後でも、より良好な付着性及び耐剥離性を示すことから、優れていることを発見した。更に好ましくは、緩衝層は、Ａｌ2Ｏ3，ＴｉＯ2，ＳｉＯ2，及びＺｒＯ2又はそれらの組合せである。更に詳しくは、Ａｌ2Ｏ3は、α−Ａｌ2Ｏ3，γ−Ａｌ2Ｏ3及びそれらの組合せである。α−Ａｌ2Ｏ3は、酸素拡散に対するその優れた抵抗性の故に、更に好ましい。而して、多孔質担体１００上に被覆されたアルミナによって高温酸化に対する抵抗性を向上させ得ることが期待される。緩衝層は、２つ以上の組成的に異なる副層から形成しても良い。多孔質担体１００が金属であるとき、例えばステンレス鋼フォームであるとき、好ましい態様は、２つの組成的に異なる副層（図示されていない）から形成される緩衝層１０２を有する。第一副層（多孔質担体１００と接触している）は、多孔質金属担体１００に対して良好な付着性を示すので、好ましくはＴｉＯ2である。第二副層は、好ましくは、ＴｉＯ2上に配置されるα−Ａｌ2Ｏ3である。好ましい態様では、α−Ａｌ2Ｏ3副層は、下にある金属表面に対して優れた保護を提供する緻密層である。次に、緻密性が低い高表面積アルミナ界面層を、触媒活性層のための担体として堆積させても良い。
【００２０】
典型的には、多孔質担体１００は、界面層１０４とは異なる熱膨張率を有する。而して、高温触媒（Ｔ＞１５０℃）用に、緩衝層１０２を用いて、２つの熱膨張率の間を遷移させることができる。緩衝層の熱膨張率は、多孔質担体及び界面層のそれに匹敵する熱膨張率を得るために組成を調節することによって、調整することができる。緩衝層１０２の別の利点は、例えば剥き出しの金属フォーム表面によって引き起こされるコークス化又は分解のような副反応に対する抵抗性を提供する点である。大表面積の担体を必要としない化学反応、例えば触媒燃焼では、緩衝層１０２は、強力な金属と金属・酸化物との相互作用によって触媒金属を安定化させる。大表面積の担体を必要とする化学反応では、緩衝層１０２は、高表面積界面層１０４に対してより強力な結合を提供する。好ましくは、緩衝層は、開口及びピンホールを有しない、それにより、下にある担体に優れた保護が提供される。更に好ましくは、緩衝層は非多孔質である。緩衝層は、多孔質担体の平均細孔サイズの１／２未満の厚さを有する。緩衝層の厚さは、好ましくは約０．０５〜約１０μｍ、更に好ましくは５μｍ未満である。緩衝層は、高温で、耐熱性及び化学安定性を示すべきである。
【００２１】
本発明のいくつかの態様では、緩衝層を用いなくても、充分な付着及び化学安定性を得ることができるので、緩衝層を除くことができ、而して、コストが節約され、容積が増し、触媒からの伝熱を更に向上させることができる。
【００２２】
界面層１０４は、窒化物、炭化物、硫化物、ハロゲン化物、金属酸化物、炭素及びそれらの組合せから成ることができる。界面層は、高表面積を提供し、及び／又は担持触媒のための所望の触媒・担体相互作用を提供する。界面層は、触媒担体として従来用いられている任意の材料から成ることができる。好ましくは、界面層は金属酸化物である。金属酸化物しては、例えば、γ−Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、酸化タングステン、酸化マグネシウム、酸化バナジウム、酸化クロム、酸化マンガン、酸化鉄、酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化銅、酸化亜鉛、酸化モリブデン、酸化錫、酸化カルシウム、酸化アルミニウム、ランタン系列の酸化物（１種又は複数種）、ゼオライト（１種又は複数種）及びそれらの組合せが挙げられるが、これらに限定されない。界面層１０４は、その上に更なる触媒活性材料を堆積させなくても、触媒活性層として役立つことができる。しかしながら、通常は、界面層１０４は、触媒活性層１０６と組合わせて用いられる。界面層は２種以上の組成的に異なる副層から形成されても良い。界面層は、多孔質担体の平均細孔サイズの１／２未満の厚さを有する。界面層の厚さは、好ましくは約０．５〜約１００μｍ、更に好ましくは約１ 〜 約５０μｍである。界面層は、結晶質又は非晶質であることができ、好ましくは少なくとも１ｍ2／ｇのＢＥＴ表面積を有する。
【００２３】
触媒活性材料１０６（存在するとき）は、界面層１０４上に堆積させることができる。別法として、触媒活性材料は、界面層と一緒に同時に堆積させることができる。触媒活性層（存在するとき）は、典型的には、界面層上に密接に分散される。触媒活性層を、界面層上に「配置する」又は「堆積させる」ということは、顕微鏡的触媒活性粒子を、担体層（すなわち、界面層）表面上に、担体層にあるクレバス中に、及び担体層にある開放気孔中に分散させるという従来の理解を含む。本発明は、触媒活性層においてフィッシャー・トロプシュ触媒金属を用いる。従来のフィッシャー・トロプシュ触媒は、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、ルテニウム（Ｒｕ）、レニウム（Ｒｅ）、オスミウム（Ｏｓ）及びそれらの組合せをベースとしている。本発明における触媒金属は、好ましくは鉄、コバルト、ルテニウム、レニウム、オスミウム及びそれらの組合せである。これらの触媒金属に加えて、助触媒を加えても良い。助触媒としては、遷移金属及びその酸化物（Ａｕ及びＨｇを除く）、ランタニド金属又はその酸化物、及びＩＡ群元素（Ｈを除く）が挙げられる。本明細書記載の界面層と共に、例えば多孔質担体のような適当な担体と組合わせたフィッシャー・トロプシュ触媒金属を、担持されたフィッシャー・トロプシュ触媒金属と呼ぶ。やや好ましい態様では、担持されたフィッシャー・トロプシュ触媒金属は、例えば粉末のような他の担体上に担持されたフィッシャー・トロプシュ触媒金属であることができる。
【００２４】
触媒構造物の物質移動限界を緩和するために、好ましくは、触媒含浸によって、５０μｍ未満の深さ、好ましくは２０μｍ未満の深さを有する多孔質界面層を形成する。而して、拡散経路長は、標準的な触媒粒子のためのそれに比べて、少なくとも５倍短い。より薄い含浸触媒構造物は、伝熱経路が短いので、伝熱も向上し、ＣＨ4への選択率がより低下する。
【００２５】
触媒構造物は、任意の幾何学的形状であっても良い。好ましくは、触媒は、多孔質構造、例えばフォーム、フェルト、ワッド及びそれらの組合せである。好ましくは、触媒（担体及びフィッシャー・トロプシュ触媒金属を含む）は、所定の大きさに作製して反応チャンバー内に適合させる。触媒は、多孔質の連続材料の単一ピース、又は物理的に接触している多数のピースであっても良い。触媒は、分子が触媒全体に拡散し得るような連続材料及び連続多孔性を有することが好ましい。好ましい態様では、ガスが、触媒の周囲ではなく、実質的に触媒（単一又は複数のピース）全体に流れるように、触媒を反応チャンバー中に配置することができる。好ましい態様では、触媒の断面積は、反応チャンバーの断面積の少なくとも８０％、更に好ましくは少なくとも９５％を占める。好ましい態様では、触媒を通過する反応体が触媒中を通る経路沿いのどこででも反応できるように、触媒活性金属を、触媒全体の表面上に散布する；これは、ペレット内部にある大きな体積の未使用空間又は触媒効果の無い空間を有するペレット形触媒を超える有意な利点である。また、充填された粉末によって厳しい圧力低下が引き起こされる可能性があるので、多孔質触媒は、粉末に比べて優れている。触媒は、ＢＥＴで測定した場合、好ましくは約０．５ｍ2／ｇ超の表面積、更に好ましくは約２．０ｍ2／ｇ超の表面積を有する。
【００２６】
更に、触媒構造物は、流動床反応器で用いられる触媒粒子に求められる触媒摩滅に対する抵抗性を必要としないので、触媒構造物における物質移動を向上させるより大きな空隙率、例えば約３０％超の空隙率を用いても良い。
【００２７】
本発明の触媒は、それらが示す特性によって特徴付けることもできる。これらの特性を生起させるために調節することができるファクターとしては：多孔質担体、緩衝層、界面層、及び触媒活性層の選択；熱膨張率の段階的変化、結晶化度、金属担体相互作用、触媒のサイズ、担体の熱伝導率、選択率、反応チャンバーからの熱伝導係数、堆積技術、及び本明細書の説明から明らかな他のファクターが挙げられる。本発明触媒のある種の好ましい態様は、次の特性：すなわち、付着（空気中での３回の熱サイクル後に、触媒は、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）分析によって観察した場合に、２％未満（面積基準）の剥離を示す）；耐酸化性、一酸化炭素の転化率、接触時間、メタン選択率、圧力低下及び生成速度の１つ以上を示す。
【００２８】
耐酸化性は、熱比重分析（ＴＧＡ）によって測定できる。空気中において５８０℃で２５００分間加熱すると、触媒は、重量基準で５％未満、更に好ましくは３％未満；なお更に好ましくは、空気中において７５０℃で１５００分間加熱すると、触媒は、重量基準で０．５％未満増加する。各熱サイクルは、空気中において、１０℃／分の速度で室温から６００℃まで加熱し、３０００分間６００℃に維持し、そして１０℃／分の速度で冷却する工程から成る。
【００２９】
本発明の別の面は、触媒と、より低圧において、より低いメタン選択率を提供する該触媒を用いる方法とから成る。本発明の多孔質触媒構造物を用いることによって、フィッシャー・トロプシュ反応の圧力を低下させると、収率が増加し、メタンへの選択率がより低下することを予期外に発見した。実施例２を参照されたい。
【００３０】
本発明における伝熱の向上によって、接触時間を短くし、転化率を向上させ、メタン選択率を低下させることができる。伝熱を向上させるために用いることができる様々なファクターとしては：金属担体の使用、好ましくは、例えば金属フォーム又はワッドのような多孔質金属担体の使用、薄い緩衝層（存在する場合）及び界面層、反応チャンバーと熱接触している熱交換器、反応チャンバー及び／又は熱交換器に存在するマイクロチャネル、及び約１５ｃｍ未満、更に好ましくは約１〜１０ｍｍ、及びなお更に好ましくは約１〜３ｍｍの、伝熱方向（例えば、反応チャンバー壁への方向及び流れの方向に対して実質的に直角な方向）における厚さを有する触媒が挙げられる。
【００３１】
更に、本発明は、一酸化炭素を水素化するための装置（すなわち、反応器）及び方法も提供する。好ましい態様では、触媒プロセスは、マイクロチャネルを有する装置で行う。マイクロチャネルは、約１ｍｍ未満の特性寸法を有する。１つの態様では、反応チャンバーは、反応体を反応チャンバー中へ通す少なくとも１つのマイクロチャネルを画定する壁を有する。好ましい態様において、反応チャンバー壁は少なくとも1つの冷却チャンバーから反応チャンバーを分離する。適当なマイクロチャネル装置及び様々なプロセスに関連のあるファクターの例は、その開示内容が以下で完全に再現されるかのような参照として本明細書に取り入れられる米国特許第５，６１１，２１４号、第５，８１１，０６２号、第５，５３４，３２８号、及び米国特許出願第０８／８８３，６４３号、第０８／９３８，２２８号、第０９／１２３，７７９号、第０９／３７５，６１４号（１９９９年８月１７日出願）及び第０９／２６５，２２７号（１９９９年５月８日出願）に記載されている。別の好ましい態様では、触媒は、モノリス（単一で連続していて且つ多孔質の触媒のピース）又は一緒に積重ねられた（充填粉末床又はペレット又はマイクロチャネルの壁上のコーティングではない）いくつもの連続ピースであり、前記ピースは容易に反応チャンバーに差し込んだり、反応チャンバーから取り出したりできる。触媒ピースのピース又は積重ねは、好ましくは０．１ｍｍ〜約２ｃｍの幅、好ましくは約１．５ｃｍ未満の厚さ、更に好ましくは約１．０ｃｍ未満、なお更に好ましくは約１〜約３ｍｍの厚さを有する。本発明の触媒は、触媒プロセスに対して多くの利点：例えば、化学的安定性、繰返される熱サイクリングに対する安定性、熱安定性、触媒の効率的なローディング及びアンローディング、高い伝熱率と物質移動速度、及び所望の触媒活性の維持を提供することができる。
【００３２】
マイクロチャネル装置内の金属表面は、緩衝層及び界面層のいずれか又は双方でコートすることができる。それは、本明細書に記載の方法のいずれかを用いて、好ましくは蒸着によって行うことができる。好ましいコーティング材料は、チタニア、及び５〜１０％ＳｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3を含む。反応チャンバーの内面、熱交換器、及びマイクロチャネル装置の他の表面をコートしても良い。いくつかの態様では、反応チャンバーの壁を、任意の緩衝層、界面層、及び触媒活性材料で、すなわち典型的には触媒活性材料と界面層との組合わせでコーティングして、担持触媒を作製することができる。また、コーティングは、マイクロチャネル装置に対する接続又はマイクロチャネル内における接続を形成する管及びパイプの金属壁に対して施用することもできる。
【００３３】
本発明の好ましい方法にしたがって：（ａ）その上に触媒を有する金属フォームの触媒構造物を提供し；及び（ｂ）水素ガスと一酸化炭素との混合物を有する供給流を触媒構造物中に流し、その触媒構造物を少なくとも２００℃まで加熱し、それにより、一酸化炭素転化率が少なくとも２５％で、メタンへの選択率がせいぜい２５％の生成物流を得ることによって、５秒未満の滞留時間を達成することができる。別の好ましい態様では、触媒構造物は、緩衝層と、界面層上に配置された触媒活性金属を有する界面層とを含む。
【００３４】
本発明は、一酸化炭素を水素化する方法を提供する。好ましい方法では、水素の一酸化炭素に対する割合は、約１：１ 〜 約６：１であり、好ましくは約２：１〜約３．５：１である。水素化は、好ましくは約２００℃を超える温度で、更に好ましくは約２００℃ 〜 約３００℃であり、なお更に好ましくは約２００℃ 〜 約２７０℃で行う。
【００３５】
本発明のある種の態様は、滞留時間又は接触時間に関して特徴付けることができる。これらの用語は、当技術分野において明確に規定された意味を有する。接触時間は、標準条件で補正された理想気体であると仮定している入口反応体の総流量で割られた触媒チャンバー総容積である（すなわち、触媒チャンバー容積／ＳＴＰ（ＳＴＰは２７３Ｋ及び１気圧である）における総流量）。触媒チャンバーの容積は、触媒ゾーンの直近と周囲の容積を含む。例として、チャネルの１／４を粉末で充填する場合、触媒チャンバーの容積は、ガスが流れることができて、且つ触媒と接触できる領域を含むのみであると考えられる。すなわち、総チャネル容積の１／４だけが、この計算に含まれると考えられる。デッドスペースの容積は、すなわちヘッダー、フッターなどの容積は、この計算では無視される。平均滞留時間（滞留時間とも言う）は、反応器における反応体の実際の温度及び圧力へと補正された、入口反応体の総流量によって割られた触媒チャンバー総容積である（すなわち、触媒チャンバー容積／実際の条件へと補正された総流量）。ＳＴＰにおける総流量は、反応体（すべての反応体、及び存在する場合は、希釈剤を含む）の総体積流量である。入口ガスは、典型的には、標準状態に設定された（すなわち、ユーザーが所望のＳＴＰ流量に前もって設定している）マスフローコントローラーで計量される。実際の状態に補正された総流量＝ＳＴＰにおける総流量ｘ（温度（Ｋ））／２７３ｘ１気圧／（実際の圧力（気圧））：この値を用いて、滞留時間又は反応器内での「真の時間」を計算する。殆どの実施者は、接触時間を用いることを好む。その理由は、反応温度などを１０℃ずつ上昇させながら時間変数を固定する簡便な方法であるからである。
【００３６】
５秒未満の接触時間は標準的な装置で達成できるかもしれないが、圧力低下と、メタン形成が高くなる伝熱不良とを克服するために、反応体の空間速度を増加させるのに著しくエネルギーが消費される。而して、本発明の方法は、好ましくは、触媒が約１．５ｃｍ以下の厚さを有し、熱交換器と熱接触している反応チャンバー壁に接触しているか又は直近にある（約１ｍｍ以内）反応チャンバーで行う。反応チャンバーからの伝熱は、好ましくは、触媒構造物と反対側にある反応チャンバー壁の側面上にある少なくとも１つの反応チャンバー壁上にマイクロチャネルを増設することによって増強される。触媒、好ましくは、大きな圧力低下を防止するために、例えばフォームで認められるような連続していて且つ比較的大きな細孔を有する。好ましくは、触媒における大きな細孔の細孔サイズは、約１０μｍ 〜 約３００μｍである。
【００３７】
本発明の好ましい態様では、一酸化炭素の水素化は、５秒未満、更に好ましくは約２秒未満、なお更に好ましくは約０．１ 〜 約１秒の接触時間で行う。これらの接触時間では、良好なＣＯ転化率及び低いメタン選択率を得ることができる。ＣＯ転化率は、好ましくは少なくとも２５％、更に好ましくは少なくとも５０％、なお更に好ましくは約８０％超である。メタン選択率は、好ましくは２５％未満、更に好ましくは約２０％未満、なお更に好ましくは約１５％〜５％である。更に、これらの粒子は、反応チャンバーの圧力低下を抑えつつ得ることができる。本発明では、反応チャンバーの圧力低下は、好ましくは約１５ｐｓｉｇ未満、更に好ましくは１０ｐｓｉｇ未満、なお更に好ましくは約５ｐｓｉｇ未満、もっと更に好ましくは約１ｐｓｉｇ未満である。
【００３８】
本発明の触媒を作製する方法は、多孔質担体１００を選択する工程、該多孔質担体１００の上に緩衝層１０２を任意に堆積させる工程、及びその上に界面層１０４を堆積させる工程を有する。任意に、触媒層１０６を、界面層１０４上に堆積させても良く、又は界面層と触媒層の双方を、緩衝層１０２上に同時に堆積させても良い。
【００３９】
金属は非多孔質で滑らかなウェブ表面を有するので、緩衝層又は界面層の堆積が妨げられるかもしれない。この問題を緩和する１つの方法は、化学エッチングによって金属表面を粗くすることである。金属フォームに対する、例えばガンマアルミナのような高表面積担持金属触媒の付着は、鉱酸溶液、例えば０．１〜１ＭＨＣｌを用いる化学エッチングによって金属フォームを粗くすると、有意に向上する。粗いウェブ表面は、熱サイクル下での触媒層のスポーリングに対して改良された抵抗性も示す。好ましい態様では、金属フォームを多孔質担体１００として用い、その金属フォームを、緩衝層１０２を蒸着させる前にエッチングする。エッチングは、好ましくは、酸、例えばＨＣｌで行う。
【００４０】
緩衝層１０２の堆積は、好ましくは、化学蒸着、物理蒸着、又はそれらの組合せを含む蒸着によって行うがこれらに限定されない。驚くべきことに、典型的には高温で行われる蒸着により、多孔質担体の表面に対して緩衝層の良好な付着を提供する多結晶質相又は非晶質相が得られることを見出した。前記方法は、金属多孔質担体に対して金属酸化物緩衝層を付着させるのに特に有利である。別法として、溶液塗布によって緩衝層１０２を作製しても良い。例えば、溶液塗布は、金属表面を水蒸気に曝して表面ヒドロキシルを形成させることによって表面を官能化し、次に表面反応及びアルコキシドの加水分解によって金属酸化物のコーティングを得る工程を有する。この溶液塗布は、緩衝層１０２を堆積させる低コスト法として好ましいかもしれない。
【００４１】
界面層１０４は、好ましくは、これらの技術において公知の前駆体を用いて蒸着又は溶液堆積（solution deposition）によって形成する。適当な前駆体としては、有機金属化合物、ハロゲン化物、カルボニル、アセトネート、アセテート、金属、金属酸化物のコロイド分散液、硝酸塩、スラリーなどが挙げられる。例えば、多孔質アルミナ界面層は、ＰＱアルミナ（マサチューセッツ州アシュランドにあるNyacol Products）コロイド分散液でウォシュコートし、次に一晩にわたって真空中で乾燥させてから、５００℃で２時間焼成することができる。
【００４２】
触媒活性材料は、任意の適当な方法によって堆積させることができる。例えば、触媒金属前駆体を、多孔質担体上にコーティングされたコロイド状金属酸化物粒子及びスラリーの上に堆積させ、乾燥させ、そして還元することができる。
【実施例】
【００４３】
実施例１
ＣＯ及びＨ2の触媒転化に関する滞留時間及び反応温度の効果を、定流反応器（constat flow reactor）中で試験した。反応器には、モル比又は体積（理想気体挙動を仮定している）比Ｈ2／ＣＯ＝３で、Ｈ2とＣＯとから成る供給ガスの混合物を供給した。この反応体供給物を、等温炉内にある一定温度に維持された反応チャンバー中に供給した。触媒チャンバーの内部は、長さ３５．６ｍｍ（１．４インチ）、厚さ１．５ｍｍ（０．０６０インチ）及び幅８ｍｍ（０．３１５インチ）である。反応生成物は、反応チャンバーから出して、捕集し、組成を分析した。
【００４４】
この実験のための触媒は次のようにして調製した。最初に、酸性ガンマ−アルミナ担体粉末（流れ（Strem））を粉砕し、７０ 〜 １００メッシュ（１５０ 〜 ２２０ミクロン）の篩にかけ、次に５００℃で数時間焼成した（安定化させた）。次に、この粉末を、硝酸コバルト六水和物前駆体と三塩化ルテニウム水和物（又はルテニウムニトロシルニトレート）前駆体とを含む溶液（アルミナ触媒上にコバルト１５重量％、ルテニウム１重量％を生成するような所望の濃度を有する）で含浸した。前駆体溶液は、アルミナ担体を過飽和させずに、アルミナ担体の細孔容積を飽和させるような方法で調製した。次に、この粉末を、温度１００℃を超える真空中で少なくとも４時間乾燥させ、更に次に１００℃で少なくとも１２時間乾燥させた。続いて、その粉末を、３５０℃で少なくとも３時間加熱することにより焼成した。粉末の一部を、水の触媒に対する重量比少なくとも２．５で、蒸留水と混合して、触媒スラリーを製造した。この触媒スラリーを、不活性粉砕媒体ボールを有する容器中に配置し、少なくとも２４時間、回転デバイス上に置いた。次に、そのスラリーで、前処理された金属フォームモノリス形担体をコーティングした。金属フォーム担体モノリスは、典型的には、約２００〜２５０μｍオーダーのマクロ細孔を有し、且つ約９０％（容積基準）の空隙率を有する８０ｐｐｉ（１インチ当たりの細孔数）ステンレス鋼（オハイオ州シンシナティにあるAstroMetによって供給された）である。モノリス前処理は、モノリス内の溶媒を撹拌するための音波処理デバイス中に沈められた水浴において、ジクロロメタンとアセトンとの溶媒中で、連続的に洗浄する工程から成る。次に、任意に、モノリスの金属表面を、酸でエッチングすることによって粗くしても良い。その工程が望ましい場合は、モノリスを、０．１モル硝酸中に沈め、音波処理デバイス中に配置する。次に、モノリスを蒸留水中ですすぎ、約１００℃で乾燥させた。次に、モノリスを、化学蒸着（ＣＶＤ）法を用いて、アルミナの層でコーティングした。ＣＶＤシステムは、３つの前駆体供給源を有する横置きホットウォール形反応器を有する。ＣＶＤコーティングは６００℃の蒸着温度及び５トルの反応器圧で行う。アルミニウムイソプロポキシドを、アルミニウム前駆体として用いた。この前駆体は、堆積中に１００℃に維持された石英容器中に貯蔵され、窒素キャリヤーガスの流れによってＣＶＤ反応器中に運ばれる蒸気を約２０分間生成する。次に、空気を用いて、アルミニウム前駆体をアルミナへと酸化させた。アルミナコーティングの典型的な厚さは、約０．５μｍである。この前処理した金属担体フォームモノリスを、浸漬コーティングによって、触媒スラリーでコートした。次に、そのモノリスを、乾燥触媒スラリー層の均一なカバレージを創り出すような仕方で、モノリスを連続的に回転させながら、室温において、空気又は窒素の流れの中で乾燥させた。そのモノリスを、少なくとも９０℃で１時間乾燥させ、少なくとも１時間にわたって１２０℃までゆっくりと加熱し、更に１２０℃で少なくとも２時間乾燥させ、３５０℃まで加熱し、そして少なくとも３時間焼成した。典型的には、アルミナ担持Ｃｏ−Ｒｕ粉末触媒０．１〜０．２５ｇを、上記した寸法及び特性を有する金属フォームモノリス上にコーティングした。
【００４５】
約０．５ｇの触媒モノリス又は触媒粉末を、反応チャンバー内に配置し、反応前に、約３５０℃ 〜 ４００℃まで加熱することによって活性化させ（又は還元し）、そして不活性キャリヤーガス（例えば、窒素又はヘリウム）中水素約１０ 〜 ２０％（モル又は体積基準）で、且つ少なくとも２０ｃｃ／分（２７３Ｋ及び１気圧で測定した）の流量の水素含有流の下に少なくとも２時間置いた。次にその触媒を、反応温度、すなわち少なくとも２００℃まで冷却した。その後触媒を所望のＨ2とＣＯのモル比を有するＨ2とＣＯとから成る供給ガスに曝した。供給ガスの流量を調節して、所望の接触時間、通常は約１秒の接触時間を正確に与える。ＣＯの転化率及びある種の生成物、例えばメタンへの選択率を評価するために、反応生成物を分析した。反応は、２４気圧（約３５３ｐｓｉａ）以下の圧力で行った。
【００４６】
表Ｅ１−１はこれらの実験の結果を示している。一般的に、触媒が粉末形態であるときは、モノリス形態に比べて、所定の温度で、より大きい転化率が得られた。しかしながら、所定の温度において、モノリス触媒では、メタンがより少なかった。従来のフィッシャー・トロプシュ反応器では、メタン形成は、反応器温度及び供給組成物によって主に影響を受けるが、例えば接触時間のような他のパラメーターからもある程度影響を受ける。モノリス触媒が所定の温度でより低いメタン選択率を与えるという事実は、該モノリスが、反応器の内部から熱をより良く伝えて、充填床又は粉末床の内部にしばしば存在する高い局所温度をより良く防止できることを示唆している。モノリス触媒に関して、転化率は、温度と接触時間の双方の強い関数であり、転化率は、温度及び／又は時間が増すと、増加する。モノリス触媒では、２７５℃で、接触時間が２秒から１秒へと短くなると、転化率が低くなり、メタン選択率が高くなった。
【００４７】
表１において従来の研究結果と比較すると、以下の特性が明らかになる：すなわち、 −これらの参照のすべてと比較すると、充分な触媒性能（約５０％を超えるメタン転化率及び約２５％未満の選択率）は、接触時間が約１／３から１／１２短いときに得ることができる。
【００４８】
−反応器温度及び水素の炭素に対する供給比が高いときに非常に有利となるメタン形成は、殆ど同じ接触時間を用いている参照１及び３の中間であるが；モノリス触媒では、これらの参照で用いられた条件に比べてはるかに不利な条件下において、メタン選択率は同等である。モノリス形態は、２６０℃以下の温度（参照１における２４０℃と比べて）及びＨ2のＣＯに対する供給比３（参照１及び３のときの２と比べて）におけるメタン量を生成することができた。更に、この事は、モノリス形態は、望ましくない条件下でも、粉末又はペレットの形態に比べてより効率的に熱を除去し、またメタン形成を抑制できることを示している。
【００４９】
−同等なＨ2のＣＯに対する供給比３及びＣＯ転化率（約８０％）において、参照７における粉末触媒は、メタン形成が不利であるより低い温度及びより長い接触時間においても、本発明の触媒に比べて、メタンへの選択率がはるかに高い。参照７では、Ｈ2のＣＯに対する供給比が２から３へと変化すると、メタン選択率がほぼ３倍になることに注目されたい。
【００５０】
更に、モノリスにおいて、触媒層の厚さ（典型的には２０μｍ未満）は、固定床反応器で用いられる最も小さい粒径（＞１００μｍ）又はスラリー型もしくは固定床型の反応器で用いられる最も小さい粒径（＞５０μｍ）に比べて、はるかに薄い。而して、内部物質移動拡散経路は、モノリス触媒では、より短い。更に、フィッシャー・トロプシュ合成運転下では、触媒内にある内部細孔は、通常は、炭化水素生成物で満たされ、水素は、ＣＯに比べて、はるかに高い拡散係数を有する。それにより、バルク供給におけるＨ2／ＣＯ比に比べて、ペレット触媒又は粉末触媒の内部におけるＨ2／ＣＯ比ははるかに高くなり、メタン化が有利となる。而して、モノリス触媒を有するより薄い触媒層では、触媒内の局所Ｈ2濃度は比較的低くなり、メタンへの選択率は最小になる。多孔質触媒のもう一つの利点は、過剰な圧力低下を引き起こさずに、分子が通過し、且つ触媒内で反応することができる空間の効率的な使用である。
【００５１】
【表２】
2014065916.tif 000003
【００５２】
実施例２
実験を行って、様々な圧力での運転を実証した。装置は実施例１と同じであった。
【００５３】
文献によると、圧力の変動は、フィッシャー・トロプシュ合成における真の滞留時間に影響を与えるだけである。言い換えると、フィッシャー・トロプシュ反応における従来の知見は、同じ滞留時間の下では、反応速度は圧力に比例するということである。しかしながら、表Ｅ２−１に示したように、本発明の触媒構造物を用いると、同じ滞留時間の下で圧力が低下すると、触媒活性が、予期外に増強された。この驚くべき結果は、本発明の触媒構造物によって可能となった物質移動及び伝熱の向上が原因である。
【００５４】
【表３】
2014065916.tif 000004
【００５５】
実施例３
金属フォーム上触媒として、酸性ガンマアルミナに担持されたＣｏ又はＲｕ単独使用を、実施例１の条件下で試験し、その性能が、例えばＣｏ−Ｒｕのようなバイメタル触媒の性能に比べて劣ることを見出した。
【００５６】
実施例４ 
実験を行って、本発明の緩衝層のある種の利点を実証した。
エッチングされていないステンレス鋼フォーム（オハイオ州シンシナティにあるAstroMet）を、化学蒸着法によって、１０００オングストロームのＴｉＯ2でコーティングした。チタンイソプロポキシド（マサチューセッツ州ニューバリーポートにあるStrem Chemical）を、０．１ 〜 １００トルの圧力、２５０ 〜 ８００℃の温度で蒸着させた。フォームに対して優れた付着力を有するチタニアコーティングが、６００℃の蒸着温度及び３トルの反応器圧で得られた。
【００５７】
ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）分析によると、ＴｉＯ2緩衝層を有するステンレス鋼フォーム担持ガンマ−アルミナは、室温から６００℃までのいくつもの（３回）熱サイクル後に、スポーリングを示さなかった。ＴｉＯ2緩衝層を有しない、ガンマ−アルミナでコートされたステンレス鋼フォーム担体を用いた対照実験では、同じ試験条件下で、ガンマ−アルミナのいくつもの剥離又はスポーリングが観察された。未コーティングのステンレス鋼フォームは、空気中で５００℃まで加熱すると、（重量増加値、すなわち熱比重値によって示されるように）迅速に酸化し、一方、チタニアでコーティングされた鋼は比較的ゆっくりと酸化した。同様に、未コーティングのニッケルフォームは酸化し、一方、同じ条件（空気中で５００℃又は７５０℃まで加熱）下で、チタニアでコートされたニッケルフォームはゼロ酸化（すなわち、検出不可能レベルの酸化）を示した。
【００５８】
結語
本発明の好ましい態様を示し説明して来たが、本発明から逸脱せずに、多くの変更及び改良を成し得ることは、当業者には明らかである。而して、添付の請求の範囲は、本発明の真の精神及び範囲内にあるすべてのそのような変更及び改良に及ぶことを意図している。
【図１】
2014065916.tif 000005
【図２】
2014065916.tif 000006
【図３】
2014065916.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月13日(2013.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水素と一酸化炭素とを含む供給流を、少なくとも２００℃の温度において、触媒を含む反応チャンバー中に流す工程；
担持された、コバルト、ルテニウム、鉄、レニウム、オスミウム及びこれらの組み合わせからなる群より選択されるフィッシャー・トロプシュ触媒金属を含む該触媒；
定常状態条件下で該供給流が２秒未満の接触時間を有するような充分な速度で、該反応チャンバーから該反応チャンバーの壁（ただし壁の厚みは１．５ｃｍ以下）と熱接触している冷却チャンバーへ熱を伝える工程；
生成物流を捕集する工程を含む一酸化炭素を水素化する方法であって、該方法が：
２５％未満のメタン選択率、
２５％超の一酸化炭素転化率、及び
液体生成物の体積を２０℃及び１気圧で測定する場合に、１分当たり液体生成物を少なくとも１ミリリットル含む生成速度、又は
ガス状生成物の体積を２０℃及び１気圧で測定する場合に、生成物が分子１個当たり少なくとも２個の炭素原子を含むガス状炭化水素生成物を１分当たり少なくとも１リットル含む生成速度を有することを特徴とする前記方法。
【請求項２】
炭化水素を含む請求項１記載の方法によって製造される生成物。
【請求項３】
該炭化水素が、室温及び１気圧で液体である請求項２記載の生成物。
【請求項４】
該触媒が、
第一細孔表面領域と、少なくとも０．１μｍの第一細孔サイズとを有する金属、又はセラミックを含む多孔質担体；
第二細孔表面領域と該第一細孔サイズ未満の第二細孔サイズとを有し、窒化物、炭化物、硫化物、ハロゲン化物、金属酸化物、炭素及びこれらの組合せからなる群より選択される多孔質界面層であって、該第一細孔表面領域上に配置される該多孔質界面層；及び
該第二細孔表面領域上に配置される、コバルト、ルテニウム、鉄、レニウム、オスミウム及びそれらの組合せから成る群より選択されるフィッシャー・トロプシュ触媒を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
該触媒が、前記多孔質担体とフィッシャー・トロプシュ触媒金属との間にＡｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、及びＺｒＯ２又はそれらの組合せを含む緩衝層を備える、請求項１記載の方法。
【請求項６】
該緩衝層がα−Ａｌ２Ｏ３を含む、請求項５記載の方法。
【請求項７】
該触媒が、該緩衝層の上に金属酸化物の界面層を含む、請求項５記載の方法。
【請求項８】
該触媒における該界面層が、５０μｍ未満の深さを有する多孔質界面層である、請求項７記載の方法。
【請求項９】
該触媒における該界面層が、２０μｍ未満の深さを有する多孔質界面層である、請求項７記載の方法。
【請求項１０】
該触媒が１〜１０ｍｍの厚さを有する、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
該触媒が反応チャンバー壁に接触している、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
接触時間が０．１〜１秒である、請求項１記載の方法。
【請求項１３】
一酸化炭素の転化率が８０％超であり、メタン選択率が２０％未満である、請求項１記載の方法。
【請求項１４】
該フィッシャー・トロプシュ触媒金属が、コバルト、ルテニウム、鉄、レニウム、オスミウム及びそれらの組合せから成る群より選択され、かつコバルトを必須として含む含む、請求項１記載の方法。
【外国語明細書】
2014065916000001.pdf