(57)【要約】【課題】転写材料への凹凸パターンの転写不良や凹凸パターンを損傷させることなく、インプリントモールドと転写材料とを容易に剥離させることができるインプリントモールドを提供する。【解決手段】転写材料に凹凸からなるパターンを転写させるインプリントモールド１３０であって、基板１３３を有している。基板１３３の上面には、パターンを転写するための凹凸パターン１３２が形成されている。さらに、凹凸パターン１３２に隣接する基板１３３の上面箇所には、方形状基板１３３の一辺寄りの中央部分に位置して、パターン転写後の転写材料と凹凸パターン１３２との剥離を助成する剥離助成パターン１３１が設けられている。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
転写材料に凹凸からなるパターンを転写させるインプリントモールドであって、
基板を有し、
前記基板の上面に前記パターンを転写するための凹凸パターンが形成され、
前記凹凸パターンに隣接する前記基板の上面箇所に、パターン転写後の前記転写材料と前記凹凸パターンとの剥離を助成する剥離助成パターンが設けられている、
ことを特徴とするインプリントモールド。
【請求項２】
前記剥離助成パターンの前記転写材料と接触する面は平面であることを特徴とする請求項１記載のインプリントモールド。
【請求項３】
前記基板の上面を平面視した場合に同一の面積の輪郭内において、前記剥離助成パターンの表面積は、前記凹凸パターンの表面積より小さいことを特徴とする請求項１または２記載のインプリントモールド。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか１項記載のインプリントモールドを用いて作製されたパターン成形体であって、
前記凹凸パターンと前記剥離助成パターンとを有する、
ことを特徴とするパターン成形体。
【請求項５】
転写材料に凹凸からなるパターンを形成するためのインプリントモールドの製造方法であって、
基板の上面にレジスト膜を形成する塗膜工程と、
前記レジスト膜に前記凹凸からなるパターンを転写させる凹凸パターン及びパターン転写後の前記転写材料と前記凹凸パターンとの剥離を助成する剥離助成パターンをパターニングするパターニング工程と、
前記パターニングされたレジスト膜をマスクとして前記基板の上面に前記凹凸パターン及び前記剥離助成パターンを形成するエッチング工程と、
前記レジスト膜を除去する工程と、
を備える特徴とするインプリントモールド製造方法。
【請求項６】
前記剥離助成パターンの前記転写材料と接触する面は平面であることを特徴とする請求項５記載のインプリントモールド製造方法。
【請求項７】
前記基板の上面を平面視した場合に同一の面積の輪郭において、前記剥離助成パターンの表面積は、前記凹凸パターンの表面積より小さいことを特徴とする請求項５または６項記載のインプリントモールド製造方法。
【請求項８】
前記レジスト膜が形成される前の前記基板の上面にハードマスク層を形成する工程をさらに備え、前記ハードマスク層は前記パターニング工程時に前記レジスト膜と一体にパターニングされることを特徴とする請求項５乃至７の何れか１項記載のインプリントモールド製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、凹凸パターンを形成するためのインプリントモールド及びその製造方法並びにインプリントモールドを用いて作製されたパターン成形体に関する。
【０００２】
近年、種々の用途に応じて、特定の微細な凹凸パターン（３次元構造パターン）を形成する方法が求められている。
例えば、半導体デバイス、光学素子、配線回路、データストレージメディア（ハードディスク、光学メディアなど）、医療用部材（分析検査用チップ、マイクロニードルなど）、バイオデバイス（バイオセンサ、細胞培養基板など）、精密検査機器用部材（検査プローブ、試料保持部材など）、ディスプレイパネル、パネル部材、エネルギーデバイス（太陽電池、燃料電池など）、マイクロ流路、マイクロリアクタ、ＭＥＭＳデバイス、インプリントモールド、フォトマスクなどの用途が挙げられる。
【０００３】
このような微細な凹凸パターンを形成する方法として、インプリント方法と呼ばれるパターン転写技術が提案されている（非特許文献１参照）。
インプリント方法は、最終的に転写すべき凹凸パターンのネガポジ反転像に対応する凹凸パターンが形成されたインプリントモールドと呼ばれる原型を、転写材料に型押しし、その状態で転写材料を硬化させることで、凹凸パターンの転写を行うものである。繰り返し転写をすることで、容易に微細なパターンを形成することができる。
【０００４】
例えば、熱により転写材料を硬化させる熱インプリント法が提案されている（特許文献１参照）。
また、例えば、露光光により転写材料を硬化させる光インプリント法が提案されている（特許文献２参照）。
【０００５】
一例として、図１により、従来の一般的な光インプリント方法によるパターン形成について説明する。
まず、図１（ａ）に示すように、転写基板１１１上に、転写材料１１２を積層し、インプリントモールド１１０を対向して配置する。
次に、図１（ｂ）に示すように、転写基板１１１とインプリントモールド１１０を接近させ、転写材料１１２とインプリントモールド１１０を接触させ、転写材料１１２を硬化する。
次に、図１（ｃ）に示すように、転写基板１１１からインプリントモールド１１０を剥離し遠ざけることで、転写パターン１１３を有するパターン成形体を得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−３３５０１２号公報
【特許文献２】特開２０００−１９４１４２号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】Ａｐｐｌ．ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌ．６７，ｐ３３１４（１９９５）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
インプリント法の原理上、インプリントモールドは、転写材料と物理的に接触および剥離することになる。
互いに接触したインプリントモールド１２０と転写材料１２１の面内において、最初に剥がれる箇所が非常に重要である。剥離工程に関して図２を用いて説明する。
例えば、図２（ａ）に示すように、ライン・アンド・スペース（Ｌｉｎｅ＆Ｓｐａｃｅ）パターンを持つインプリントモールド１２０の凹凸パターンを転写材料に転写した場合において、図２（ｂ）に示すように、インプリントモールド１２０が転写凹凸パターン１２２のライン方向でインプリントモールド１２０の一端に対応する中央位置Ａ点（図２（ａ）参照）を起点にして、インプリントモールド１２０が転写凹凸パターン１２２から剥がされる場合では、転写パターン１２２への影響は少ない。しかし、図２（ｃ）に示すように、転写凹凸パターン１２２のライン方向と直角な方向でインプリントモールド１２０の一端に対応する位置Ｂ点（図２（ａ）参照）を起点にして剥がされる場合は、転写パターン１２２の倒れや欠損などが発生しやすい。また、図２（ｄ）に示すように、インプリントモールド１２０の中心位置Ｃ点（図２（ａ）参照）を起点にして剥がれる場合も同様に、転写凹凸パターン１２２の端にてパターン倒れや欠損などが発生し易い。
また、図２（ｂ）〜（ｄ）に示すように、最初に剥がれる箇所が異なる条件にて、繰り返し転写を行うと、異なる転写凹凸パターン１２２が形成されるため、品質管理の面も懸念される。
【０００９】
本発明は、上述の問題を解決するためになされたものであり、転写材料への凹凸パターンの転写不良や凹凸パターンを損傷させることなく、インプリントモールドと転写材料とを容易に剥離させることができるインプリントモールド及びインプリントモールドの製造方法並びにインプリントモールドを用いて作製されたパターン成形体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１に係わる発明は、転写材料に凹凸からなるパターンを転写させるインプリントモールドであって、基板を有し、前記基板の上面に前記パターンを転写するための凹凸パターンが形成され、前記凹凸パターンに隣接する前記基板の上面箇所に、パターン転写後の前記転写材料と前記凹凸パターンとの剥離を助成する剥離助成パターンが設けられていることを特徴とする。
【００１１】
請求項２に係わる発明は、請求項１記載のインプリントモールドにおいて、前記剥離助成パターンの前記転写材料と接触する面は平面であることを特徴とする。
【００１２】
請求項３に係る発明は、請求項１または２記載のインプリントモールドにおいて、前記基板の上面を平面視した場合に同一の面積の輪郭において、前記剥離助成パターンの表面積は、前記凹凸パターンの表面積より小さいことを特徴とする。
【００１３】
請求項４に係る発明は、請求項１乃至３の何れか１項記載のインプリントモールドを用いて作製されたパターン成形体であって、前記凹凸パターンと前記剥離助成パターンとを有することを特徴とする。
【００１４】
請求項５に係る発明は、転写材料に凹凸からなるパターンを形成するためのインプリントモールドの製造方法であって、基板の上面にレジスト膜を形成する塗膜工程と、前記レジスト膜に前記凹凸からなるパターンを転写させる凹凸パターン及びパターン転写後の前記転写材料と前記凹凸パターンとの剥離を助成する剥離助成パターンをパターニングするパターニング工程と、前記パターニングされたレジスト膜をマスクとして前記基板の上面に前記凹凸パターン及び前記剥離助成パターンを形成するエッチング工程と、前記レジスト膜を除去する工程とを備える特徴とする。
【００１５】
請求項６に係る発明は、請求項５記載のインプリントモールド製造方法において、前記剥離助成パターンの前記転写材料と接触する面は平面であることを特徴とする。
【００１６】
請求項７に係る発明は、請求項５または６項記載のインプリントモールド製造方法において、前記基板の上面を平面視した場合に同一の面積の輪郭において、前記剥離助成パターンの表面積は、前記凹凸パターンの表面積より小さいことを特徴とする。
【００１７】
請求項８に係る発明は、請求項５乃至７の何れか１項記載のインプリントモールド製造方法において、前記レジスト膜が形成される前の前記基板の上面にハードマスク層を形成する工程をさらに備え、前記ハードマスク層は前記パターニング工程時に前記レジスト膜と一体にパターニングされることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明のインプリントモールド及びその製造方法並びにパターン成形体によれば、凹凸パターンに隣接する基板の上面箇所に、パターン転写後の転写材料と凹凸パターンとの剥離を助成する剥離助成パターンが設けられているので、インプリントモールドと転写材料との剥離に際しては、転写材料との接触面積が小さく、かつ凹凸パターンのない剥離助成パターンの箇所を起点にして、インプリントモールドと転写材料との剥がしを開始することができる。これにより、インプリントモールドと転写材料との剥離がスムーズに行われ、パターンの転写不良を防ぐことができるとともに、パターン倒れや欠損などの発生もなくなり、繰り返し転写時にも同じ品質の転写パターンが形成できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は従来の光インプリント法によるパターン形成体の製作過程を示す説明用断面図である。
【図２】（ａ）は従来のインプリントモールドを示す平面図であり、また、（ｂ）〜（ｄ）は、インプリント法による剥離工程を示す説明用断面図である。
【図３】（ａ）は本発明に係るインプリントモールドの構成を示す平面図であり、（ｂ）は、平面図のＡ−Ａ’線に沿う一部の断面図であり、（ｃ）は、平面図のＢ−Ｂ’ 線に沿う一部の断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｆ）は本発明の光インプリントモールドにおける図２（ａ）のＡ−Ａ’線に沿う凹凸パターンの製造工程を示す説明用断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｆ）は本発明の光インプリントモールドにおける図２（ａ）のＢ−Ｂ’線に沿う凹凸パターン及び剥離助成パターンの製造工程を示す説明用断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｅ）は本発明の熱インプリントモールドにおける図２（ａ）のＢ−Ｂ’線に沿う凹凸パターン及び剥離助成パターンの製造工程を示す説明用断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明の実施の形態について図１および図３〜図５に基づいて詳細に説明する。
本発明の一実施の形態に係るインプリントモールド１３０は、図３に示すように、転写材料（図１に示す転写材料１１２相当する）に凹凸からなるパターンを転写させるためのもので、基板１３３を有し、この基板１３３の上面には、上記パターンを転写するための凹凸パターン１３２が形成されている。さらに、凹凸パターン１３２に隣接する基板１３３の上面箇所、例えば、方形状基板１３３の一辺寄りの中央部分に位置する箇所には、パターン転写後の転写材料と凹凸パターン１３２との剥離を助成する剥離助成パターン１３１が設けられている。
【００２１】
剥離助成パターン１３１は、凸型を呈し、樹脂製の転写材料と接触する面は平面をなしている。また、剥離助成パターン１３１の平面は、凹凸パターン１３２に比べ、インプリントモールド１３０と樹脂製の転写材料との接触する表面積が小さい。すなわち、基板の１３３上面を平面視した場合に同一の面積の輪郭内において、剥離助成パターン１３１の表面積は、凹凸パターン１３２の凹凸からなる表面積より小さい。そのため、インプリントモールドと転写材料とを剥離する時、凹凸パターン１３２よりも剥がれやすい。また、剥離助成パターン１３１が設けられる基板１３３の上面箇所は、図３（ａ）に示す箇所に限らず、インプリントモールド１３０と転写材料との接触する面内において、凹凸パターン１３２の形成エリアに支障を及ぼさない任意の位置に設けることができる。また、剥離助成パターン１３１の形状は、凸型に限らず、凹型でもよい。
【００２２】
凹凸パターン１３２は、ライン・アンド・スペース（Ｌｉｎｅ＆Ｓｐａｃｅ）やホール、ドット（Ｈｏｌｅ、Ｄｏｔ）パターンなど適宜選択してよい。特に、ライン・アンド・スペースパターンの場合、図３（ａ）に示すように、ラインと平行な方向にインプリントモールドと転写材料との剥離が進行する位置に剥離助成パターン１３１を設けることが望ましい。
【００２３】
次に、本発明の一実施の形態に係るインプリントモールドの製造方法について、図４及び図５参照して説明する。
まず、図４（ａ）及び図５（ａ）に示すように、基板１４０の上面にハードマスク層１４１を形成する（ハードマスク層形成工程）。このハードマスク層１４１の形成方法としては、ハードマスク層１４１に選択した材料に応じて、適宜公知の薄膜形成法を用いて形成して良い。例えば、スパッタ法などを用いられる。
【００２４】
基板１４０は、用途に応じて適宜選択して良い。例えば、シリコン基板、石英基板、サファイア基板、ＳＯＩ基板などが用いられる。ハードマスク層１４１は、選択した基板１４０に対して、エッチング選択比が高い材料であれば良い。
【００２５】
また、基板１４０は、石英基板であり、ハードマスク層１４１は、クロムからなる層であることが好ましい。石英基板は、一般的な露光光に対して透過性を有しており、特に、光インプリント法に用いるインプリントモールドや、フォトマスクなどの製造工程に本発明のパターン形成方法を用いる場合に好適である。この場合、石英基板に対するハードマスク層１４１としてはクロムからなる層を用いることで、一般的なエッチング条件において、ハードマスク層１４１を基板１４０に対してエッチング選択比を高く設定することができる。これにより、後述するレジストパターン１４３の形成において、基板の帯電（チャージアップ）を抑制することができる。
【００２６】
次に、図４（ｂ）及び図５（ｂ）に示すように、ハードマスク層１４１の上面にレジスト材料１４２を塗膜する（塗膜工程）。レジスト材料１４２は、パターニングを行うフォトリソグラフィや電子線などに応じて、適宜選択してよい。また、レジスト材料１４２の塗膜形成方法としては、粘度に応じて適宜公知の薄膜形成技術を用いれば良い。例えば、ダイコート法、スピンコート法などを用いても良い。
【００２７】
続いて、図４（ｃ）に示す凹凸用レジストパターン１４３のパターニング工程、及び図５（ｃ）に示す剥離助成用レジストパターン１４４のパターニング工程に移行される。このパターニング工程では、レジスト材料１４２に、電子線を用いてパターニングを行った後、現像処理を行うことで、レジストパターン１４３と剥離助成用レジストパターン１４４が形成される（図４（ｃ）及び図５（ｃ）参照）。現像処理は、用いたレジスト膜に応じて適宜行って良い。また、フォトリソグラフィ法を用いても良い。
剥離助成用レジストパターン１４４が形成される領域は、インプリントモールドと転写基板の接触する面内において、任意の位置に設けることができる。
【００２８】
次に、図４（ｄ）及び図５（ｄ）に示すように、凹凸用レジストパターン１４３及び剥離助成用レジストパターン１４４をマスクとしてハードマスク層１４１にエッチングを行い、ハードマスクパターン１４５を形成する。この場合のエッチングとしては、適宜公知の方法により行って良い。例えば、ドライエッチング、ウェットエッチングなどを行っても良い。エッチングの条件は、用いたレジスト／基板に応じて、適宜調節して良い。
【００２９】
続いて、図４（ｅ）及び図５（ｅ）に示すように、ハードマスクパターン１４５をマスクとして基板１４０に凹凸用レジストパターン１４３及び剥離助成用レジストパターン１４４側からエッチングを行い、基板１４０の上面に凹凸パターン１４７及び剥離助成パターン１４８を形成する。その後、ハードマスクパターン１４５を除去することにより、図４（ｆ）及び図５（ｆ）に示すインプリントモールド１４６が作製される。この場合のエッチングとしては、適宜公知のエッチング方法を用いてよく、例えば、ドライエッチング、ウェットエッチングなどを行っても良い。また、エッチングの条件は、用いたハードマスク層／基板に応じて、適宜調節して良い。
【００３０】
上記手順により形成されたインプリントモールド１４６を活用した場合におけるインプリント法について図１を参照して説明を行う。
まず、インプリントモールドを用いたインプリント法を行う工程において、転写基板１１１に転写材料１１２を積層する（図１（ａ）参照）。転写基板１１１は、使用する転写材料１１２に適するように適宜選択することができる。例えば、シリコン、石英ガラスなどが挙げられる。
【００３１】
転写材料１１２は、所望する凹凸パターン、凹凸パターンの用途などに応じて適宜選択してよい。例えば、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、ゾルゲル材料などを用いても良い。特に、フッ素系ＵＶ硬化樹脂の場合、離型性に優れているため望ましい。そして、転写材料１１２の積層方法としては、転写材料の粘度に応じて、適宜公知の薄膜形成技術を用いれば良い。例えば、ダイコート法、スピンコート法などを用いても良い。
【００３２】
次に、転写基板１１１とインプリントモールド１１０とを接近させ、転写材料１１２に対しパターン転写を行い、凹凸反転した樹脂パターン１１３を形成する（図１（ｂ）、（ｃ）参照）。このとき、インプリントモールドには、離型処理を施しても良い。転写材料１１２や、所望するパターンの精度に応じて、転写材料１１２の硬化を行っても良い。例えば、転写材料１１２として熱硬化性樹脂を用いた場合、加熱により硬化を行ってよい。また、例えば、転写材料１１２として光硬化性樹脂を用いた場合、露光光により硬化を行っても良い。
【００３３】
上記のように構成された本発明のインプリントモールドを用いることで、インプリントモールドの凹凸パターン及び剥離助成パターンの反転した転写パターン及び剥離助成パターンをインプリント法によりパターン成形体を形成することができる。
【００３４】
次に、本発明の実施例について説明する。
（実施例１）
本発明の実施例１として、光インプリントモールドを作製した。
まず、石英基板１４０上にクロム層１４１が１０ｎｍの厚さに形成された積層基板上にレジスト材料１４２を１００ｎｍの厚さにコートした（図５（ａ）、（ｂ）参照）。
【００３５】
次に、電子線描画装置にて、レジスト材料１４２に対して電子線を照射してパターニングした後、現像およびリンス処理を行い、凹凸用レジストパターン１４３を形成した（図５（ｃ）参照）。このとき、剥離助成用レジストパターン１４４も同時に形成した。
【００３６】
次に、凹凸用レジストパターン１４３をマスクとして塩素系の混合ガスプラズマを用いたドライエッチングによりクロムパターン１４５を形成した（図５（ｄ）参照）。
次いで、クロムパターン１４５をマスクとして、石英基板１４０にフルオロカーボン系の混合ガスプラズマを用いて１００ｎｍの深さにドライエッチングし、これにより、石英基板１４０に凹凸パターン１４７及び剥離助成パターン１４８を形成した（図５（ｅ）参照）。
最後に、ウェットエッチングにより、クロムパターン１４５の剥離洗浄を行った（図５（ｆ）参照）。以上の手順により光インプリントモールド１４６を作製することができた。
よって、上記光インプリントモールド１４６を用いることにより、凹凸パターン１４７及び剥離助成パターン１４８の反転された転写パターンを有するパターン成形体を形成することができる。
【００３７】
（実施例２）
本発明の実施例２として、熱インプリントモールドを作製した。
まず、シリコン基板１５０上にレジスト材料１５１を１００ｎｍの厚さにコートした（図６（ａ）、（ｂ）参照）。
次に、電子線描画装置にて、レジスト材料１５１に対して電子線を照射してパターニングした後、現像およびリンス処理を行い、凹凸用レジストパターン１５２を形成した（図６（ｃ）参照）。このとき、剥離助成用レジストパターン１５３も同時に形成した。
【００３８】
次に、凹凸用レジストパターン１５２及び剥離助成用レジストパターン１５３をマスクとして、シリコン基板１５０にフルオロカーボン系の混合ガスプラズマを用いたドライエッチングにより１００ｎｍの深さにドライエッチングし、これにより、シリコン基板１５０に凹凸パターン１５６及び剥離助成パターン１５７を形成した（図６（ｄ）参照）。
その後、酸素プラズマアッシングによりレジストパターン１５２を除去した（図６（ｅ）参照）。以上の手順により熱インプリントモールド１５４を作製することができた。
よって、上記熱インプリントモールド１５４を用いることにより、凹凸パターン１５６及び剥離助成パターン１５７の反転された転写パターンを有するパターン成形体を形成する得ることができる。
【００３９】
（実施例３）
この実施例３では、上記実施例１で作製した光インプリントモールドを用いて、図１に示すように凹凸パターンが反転した樹脂パターンを形成するインプリント法を行った。
【００４０】
まず、シリコン基板１１１上に転写材料１１２として光硬化性樹脂を１００ｎｍの厚さに積層し、インプリントモールド１１０を対向して配置した（図１（ａ）参照）。
このとき、インプリントモールド１１０のパターン面には、離型剤としてフッ素系表面処理剤をコートした。
【００４１】
次に、転写材料１１２とインプリントモールド１１０を接触させ、インプリントモールド側から露光光を照射し、転写材料１１２を硬化させ（図１（ｂ）参照）、シリコン基板１１１とインプリントモールド１１０とを遠ざけ、転写材料１１２に樹脂パターン１１３を形成した（図１（ｃ）参照）。このとき、インプリントモールド１１０に荷重３ＭＰａを加え、露光光であるＵＶ光の照射量は１００ｍＪ／ｃｍ２であった。
以上より、実施例１で作製したインプリントモールドの凹凸反転した転写パターンをインプリント法によりパターン成形体を形成することができた。
【００４２】
この発明は、上記実施形態に限ることなく、その他、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を実施し得ることが可能である。さらに、上記実施形態には、種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより、種々の発明が抽出され得る。
例えば、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成発明として抽出され得る。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明のパターン形成方法およびパターン形成体は、半導体デバイス、光学素子、配線回路、データストレージメディア（ハードディスク、光学メディアなど）、医療用部材（分析検査用チップ、マイクロニードルなど）、バイオデバイス（バイオセンサ、細胞培養基板など）、精密検査機器用部材（検査プローブ、試料保持部材など）、ディスプレイパネル、パネル部材、エネルギーデバイス（太陽電池、燃料電池など）、マイクロ流路、マイクロリアクタ、ＭＥＭＳデバイスなどの製造方法において用いられる微細なパターン形成に有用に用いることが期待できる。
【符号の説明】
【００４４】
１１０…インプリントモールド
１１１…転写基板
１１２…転写材料
１１３…転写凹凸パターン
１２０…インプリントモールド
１２１…転写基板
１２２…転写パターン
１３０…インプリントモールド
１３１…剥離助成パターン
１３２…凹凸パターン
１４０…石英基板
１４１…ハードマスク層
１４２…レジスト材料
１４３…凹凸用レジストパターン
１４４…剥離助成用レジストパターン
１４５…ハードマスクパターン
１４６…光インプリントモールド
１４７…凹凸パターン
１４８…剥離助成パターン
１５０…シリコン基板
１５１…レジスト材料
１５２…凹凸用レジストパターン
１５３…剥離助成用レジストパターン
１５４…熱インプリントモールド
１５６…凹凸パターン
１５７…剥離助成パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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