(57)【要約】【課題】光デバイスを歩留まり良く製造することができる。【解決手段】  光デバイスの製造方法は、基板の＋Ｚ側の面に複数の半導体層を積層し、ＸＹ平面に平行に２次元配列された複数のレーザチップを一体に含むチップ形成基板を作成する工程と、基板の−Ｚ側の面に複数の溝を形成する工程と、チップ形成基板を、長手方向（Ｘ軸方向）に１次元配列された複数のレーザチップをそれぞれが一体に含む複数のバー状体に分割する一次ヘキ開工程と、複数のバー状体それぞれを、複数のレーザチップに分割する二次ヘキ開工程と、を含み、二次ヘキ開工程では、複数のバー状体それぞれの、隣接する２つのレーザチップを含む領域における前記長手方向の両端が基板の＋Ｚ側から支持された状態で前記隣接する２つのレーザチップの境界である二次ヘキ開位置に基板の−Ｚ側から荷重が掛けられることで、複数のバー状体それぞれが複数のレーザチップに分割される。【選択図】図２１
2014033035.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの発光部を有する光デバイスの製造方法であって、
基板の一側の面に複数の半導体層を積層し、２次元配列された複数の光デバイスを一体に含む光デバイスアレイを作成する工程と、
前記基板の他側の面に複数の溝を形成する工程と、
前記光デバイスアレイを、長手方向に１次元配列された複数の光デバイスをそれぞれが一体に含む複数のバー状体に分割する一次ヘキ開工程と、
前記複数のバー状体それぞれを、複数の光デバイスに分割する二次ヘキ開工程と、を含み、
前記二次ヘキ開工程では、前記複数のバー状体それぞれの、隣接する２つの光デバイスを含む領域における前記長手方向の両端が前記基板の一側から支持された状態で前記隣接する２つの光デバイスの境界である二次ヘキ開位置に前記基板の他側から荷重が掛けられることで、前記複数のバー状体それぞれが複数の光デバイスに分割される光デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記隣接する２つの光デバイスを含む領域における前記長手方向の両端には、前記発光部が形成されていないことを特徴とする請求項１に記載の光デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記複数の溝は、前記基板の他側の面の少なくとも一部に、前記複数の光デバイスそれぞれの二次ヘキ開面に平行になるように形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の光デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記複数の溝は、前記基板の他側の面の少なくとも一部に、前記複数の光デバイスそれぞれの二次ヘキ開面に非平行になるように形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の光デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記複数の溝は、前記基板の他側の面における前記複数のバー状体それぞれの前記二次ヘキ開位置近傍にのみ形成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の光デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記複数のチップ状部分それぞれの二次ヘキ開面は、前記基板に平行な方向に関する幅が一次ヘキ開面よりも短いことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の光デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記少なくとも１つの発光部は、少なくとも１つの面発光レーザであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の光デバイスの製造方法。
【請求項８】
所定の２次元平面に沿って配列された複数の光デバイスを含む光デバイスアレイをヘキ開するためのヘキ開装置であって、
前記光デバイスアレイの前記２次元平面に平行な一軸方向に関する一のヘキ開位置を前記一軸方向に挟む両側を支持する少なくとも１つの受け刃と、
前記一のヘキ開位置に前記少なくとも１つの受け刃の反対側から荷重を掛けるためのカッタと、を備え、
前記カッタの刃の先端の、前記２次元平面の法線方向及び前記一軸方向のいずれにも平行な断面の形状は、前記光デバイスアレイに前記ヘキ開位置で当接する頂点を挟む二辺のうち、一方が前記ヘキ開位置を含み前記一軸方向に直交する仮想平面に対して一側に傾斜し、他方が前記仮想平面上に位置するか又は該仮想平面に対して一側に傾斜している三角形状であるヘキ開装置。
【請求項９】
前記頂点を挟む二辺は、４５°以下の角度を成していることを特徴とする請求項８に記載のヘキ開装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光デバイスの製造方法、及びヘキ開装置に係り、更に詳しくは、発光部を有する光デバイスの製造方法、及び複数の光デバイスを含む光デバイスアレイをヘキ開するためのヘキ開装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光部を有する半導体レーザが１枚の基板上に同時に複数個形成され、ヘキ開工程において複数のレーザチップ（光デバイス）に個別に分離されている。
【０００３】
特許文献１には、ヘキ開工程において、ウエハ（基板）の一側部分を２つの冶具で挟んだ状態で、ウエハの他側部分に荷重を掛けてヘキ開するウエハヘキ開方法が開示されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示されているウエハヘキ開方法では、ウエハの一側部分に形成された発光部に冶具が当たるため、発光部が損傷するおそれがあり、光デバイスを歩留まり良く製造することが困難であった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、少なくとも１つの発光部を有する光デバイスの製造方法であって、基板の一側の面に複数の半導体層を積層し、２次元配列された複数の光デバイスを一体に含む光デバイスアレイを作成する工程と、前記基板の他側の面に複数の溝を形成する工程と、前記光デバイスアレイを、長手方向に１次元配列された複数の光デバイスをそれぞれが一体に含む複数のバー状体に分割する一次ヘキ開工程と、前記複数のバー状体それぞれを、複数の光デバイスに分割する二次ヘキ開工程と、を含み、前記二次ヘキ開工程では、前記複数のバー状体それぞれの、隣接する２つの光デバイスを含む領域における前記長手方向の両端が前記基板の一側から支持された状態で前記隣接する２つの光デバイスの境界である二次ヘキ開位置に前記基板の他側から荷重が掛けられることで、前記複数のバー状体それぞれが複数の光デバイスに分割される光デバイスの製造方法である。
【発明の効果】
【０００６】
これによれば、光デバイスを歩留まり良く製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施形態に係るレーザプリンタの概略構成を説明するための図である。
【図２】図１における光走査装置を示す概略図である。
【図３】レーザチップを説明するための図である。
【図４】レーザチップにおける複数の発光部の配列を説明するための図である。
【図５】発光部の構成を説明するための図である。
【図６】レーザチップの製造方法を説明するための図（その１）である。
【図７】レーザチップの製造方法を説明するための図（その２）である。
【図８】レーザチップの製造方法を説明するための図（その３）である。
【図９】レーザチップの製造方法を説明するための図（その４）である。
【図１０】レーザチップの製造方法を説明するための図（その５）である。
【図１１】レーザチップの製造方法を説明するための図（その６）である。
【図１２】レーザチップにおける電極パッドを説明するための図（その１）である。
【図１３】レーザチップにおける電極パッドを説明するための図（その２）である。
【図１４】レーザチップの製造方法を説明するための図（その７）である。
【図１５】レーザチップの製造方法を説明するための図（その８）である。
【図１６】ダイシングフィルム及び金属リングを説明するための図である。
【図１７】スクライブラインを説明するための図である。
【図１８】保護シートを説明するための図である。
【図１９】一次ヘキ開工程を説明するための図（その１）である。
【図２０】一次ヘキ開工程を説明するための図（その２）である。
【図２１】図２１（Ａ）及び図２１（Ｂ）は、二次ヘキ開時に発生するおそれがある異常ヘキ開について説明するための図（その１及びその２）である。
【図２２】複数のレーザチップを含むバー状体の斜視図である。
【図２３】図２３（Ａ）は、従来例及び本実施形態における二次ヘキ開時のバー状体に発生する応力分布を示す図であり、図２３（Ｂ）は、従来例の二次ヘキ開時のバー状体の斜視図であり、図２３（Ｃ）は、本実施形態の二次ヘキ開時のバー状体の斜視図である。
【図２４】第１変形例のバー状体の斜視図である。
【図２５】第２変形例のバー状体の斜視図である。
【図２６】第３変形例のバー状体の平面図である。
【図２７】図２７（Ａ）は、従来のヘキ開装置におけるカッタの刃の断面形状について説明するための図であり、図２７（Ｂ）は、第４変形例のヘキ開装置におけるカッタの刃の断面形状及びその作用について説明するための図である。
【図２８】カラープリンタの概略構成を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の一実施形態を図１〜図２３に基づいて説明する。図１には、一実施形態に係る画像形成装置としてのレーザプリンタ１０００の概略構成が示されている。
【０００９】
このレーザプリンタ１０００は、光走査装置１０１０、感光体ドラム１０３０、帯電装置１０３１、現像ローラ１０３２、転写チャージャ１０３３、除電ユニット１０３４、クリーニングユニット１０３５、トナーカートリッジ１０３６、給紙コロ１０３７、給紙トレイ１０３８、レジストローラ対１０３９、定着ローラ１０４１、排紙ローラ１０４２、排紙トレイ１０４３、通信制御装置１０５０、及び上記各部を統括的に制御するプリンタ制御装置１０６０などを備えている。なお、これらは、プリンタ筐体１０４４の中の所定位置に収容されている。
【００１０】
通信制御装置１０５０は、ネットワークなどを介した上位装置（例えばパソコン）との双方向の通信を制御する。
【００１１】
プリンタ制御装置１０６０は、ＣＰＵ、該ＣＰＵにて解読可能なコードで記述されたプログラム及び該プログラムを実行する際に用いられる各種データが格納されているＲＯＭ、作業用のメモリであるＲＡＭ、アナログデータをデジタルデータに変換するＡＤ変換回路などを有している。そして、プリンタ制御装置１０６０は、上位装置からの要求に応じて各部を制御するとともに、上位装置からの画像情報を光走査装置１０１０に送る。
【００１２】
感光体ドラム１０３０は、円柱状の部材であり、その表面には感光層が形成されている。すなわち、感光体ドラム１０３０の表面が被走査面である。そして、感光体ドラム１０３０は、図１における矢印方向に回転するようになっている。
【００１３】
帯電装置１０３１、現像ローラ１０３２、転写チャージャ１０３３、除電ユニット１０３４及びクリーニングユニット１０３５は、それぞれ感光体ドラム１０３０の表面近傍に配置されている。そして、感光体ドラム１０３０の回転方向に沿って、帯電装置１０３１→現像ローラ１０３２→転写チャージャ１０３３→除電ユニット１０３４→クリーニングユニット１０３５の順に配置されている。
帯電装置１０３１は、感光体ドラム１０３０の表面を均一に帯電させる。
【００１４】
光走査装置１０１０は、帯電装置１０３１で帯電された感光体ドラム１０３０の表面を、上位装置からの画像情報に基づいて変調された光束により走査し、感光体ドラム１０３０の表面に画像情報に対応した潜像を形成する。ここで形成された潜像は、感光体ドラム１０３０の回転に伴って現像ローラ１０３２の方向に移動する。なお、この光走査装置１０１０の構成については後述する。
【００１５】
トナーカートリッジ１０３６にはトナーが格納されており、該トナーは現像ローラ１０３２に供給される。
【００１６】
現像ローラ１０３２は、感光体ドラム１０３０の表面に形成された潜像にトナーカートリッジ１０３６から供給されたトナーを付着させて画像情報を顕像化させる。ここでトナーが付着した像（以下では、便宜上「トナー像」ともいう）は、感光体ドラム１０３０の回転に伴って転写チャージャ１０３３の方向に移動する。
【００１７】
給紙トレイ１０３８には記録紙１０４０が格納されている。この給紙トレイ１０３８の近傍には給紙コロ１０３７が配置されており、該給紙コロ１０３７は、記録紙１０４０を給紙トレイ１０３８から１枚ずつ取り出し、レジストローラ対１０３９に搬送する。該レジストローラ対１０３９は、給紙コロ１０３７によって取り出された記録紙１０４０を一旦保持するとともに、該記録紙１０４０を感光体ドラム１０３０の回転に合わせて感光体ドラム１０３０と転写チャージャ１０３３との間隙に向けて送り出す。
【００１８】
転写チャージャ１０３３には、感光体ドラム１０３０の表面のトナーを電気的に記録紙１０４０に引きつけるために、トナーとは逆極性の電圧が印加されている。この電圧により、感光体ドラム１０３０の表面のトナー像が記録紙１０４０に転写される。ここで転写された記録紙１０４０は、定着ローラ１０４１に送られる。
【００１９】
定着ローラ１０４１では、熱と圧力とが記録紙１０４０に加えられ、これによってトナーが記録紙１０４０上に定着される。ここで定着された記録紙１０４０は、排紙ローラ１０４２を介して排紙トレイ１０４３に送られ、排紙トレイ１０４３上に順次、積み重ねられる。
【００２０】
除電ユニット１０３４は、感光体ドラム１０３０の表面を除電する。
クリーニングユニット１０３５は、感光体ドラム１０３０の表面に残ったトナー（残留トナー）を除去する。残留トナーが除去された感光体ドラム１０３０の表面は、再度帯電装置１０３１に対向する位置に戻る。
【００２１】
次に、前記光走査装置１０１０の構成について説明する。
この光走査装置１０１０は、一例として図２に示されるように、光源１４、カップリングレンズ１５、開口板１６、シリンドリカルレンズ１７、反射ミラー１８、ポリゴンミラー１３、第１走査レンズ１１ａ、第２走査レンズ１１ｂ、及び走査制御装置（図示省略）などを備えている。そして、これらは、光学ハウジング３０の所定位置に組み付けられている。
【００２２】
なお、以下では、便宜上、主走査方向に対応する方向を「主走査対応方向」と略述し、副走査方向に対応する方向を「副走査対応方向」と略述する。
【００２３】
カップリングレンズ１５は、光源１４から射出された光束を略平行光とする。
開口板１６は、開口部を有し、カップリングレンズ１５を介した光束のビーム径を規定する。
【００２４】
シリンドリカルレンズ１７は、開口板１６の開口部を通過した光束を、反射ミラー１８を介してポリゴンミラー１３の偏向反射面近傍に副走査対応方向に関して結像する。
【００２５】
光源１４とポリゴンミラー１３との間の光路上に配置される光学系は、偏向器前光学系とも呼ばれている。本実施形態では、偏向器前光学系は、カップリングレンズ１５と開口板１６とシリンドリカルレンズ１７と反射ミラー１８とから構成されている。
【００２６】
ポリゴンミラー１３は、高さの低い正六角柱状部材からなり、側面に６面の偏向反射面が形成されている。このポリゴンミラー１３は、副走査対応方向に平行な軸のまわりを等速回転しながら、反射ミラー１８からの光束を偏向する。
【００２７】
第１走査レンズ１１ａは、ポリゴンミラー１３で偏向された光束の光路上に配置されている。
【００２８】
第２走査レンズ１１ｂは、第１走査レンズ１１ａを介した光束の光路上に配置されている。そして、この第２走査レンズ１１ｂを介した光束が、感光体ドラム１０３０の表面に照射され、光スポットが形成される。この光スポットは、ポリゴンミラー１３の回転に伴って感光体ドラム１０３０の長手方向に移動する。すなわち、感光体ドラム１０３０上を走査する。このときの光スポットの移動方向が「主走査方向」である。また、感光体ドラム１０３０の回転方向が「副走査方向」である。
【００２９】
ポリゴンミラー１３と感光体ドラム１０３０との間の光路上に配置される光学系は、走査光学系とも呼ばれている。本実施形態では、走査光学系は、第１走査レンズ１１ａと第２走査レンズ１１ｂとから構成されている。なお、第１走査レンズ１１ａと第２走査レンズ１１ｂの間の光路上、及び第２走査レンズ１１ｂと感光体ドラム１０３０の間の光路上の少なくとも一方に、少なくとも１つの折り返しミラーが配置されても良い。
【００３０】
光源１４は、一例として図３に示されるように、２次元的に配列されている３２個の発光部１４０、及び該３２個の発光部１４０の周囲に設けられ、各発光部に対応した３２個の電極パッド１５０を有するレーザチップ１００（光デバイス）を有している。また、各電極パッドは、対応する発光部と配線部材によって電気的に接続されている。レーザチップ１００における３２個の電極パッド１５０の周囲には、所定の大きさのスペースがある。
【００３１】
なお、本明細書では、各発光部からの光の射出方向をＺ軸方向、このＺ軸方向に直交する平面内で互いに直交する２つの方向をＸ軸方向及びＹ軸方向として説明する。
【００３２】
３２個の発光部１４０は、図４に示されるように、全ての発光部をＸ軸方向に延びる仮想線上に正射影したときに、発光部間隔が等しく（図４では「ｄ１」）なるように配置されている。なお、本明細書では、「発光部間隔」とは２つの発光部の中心間距離をいう。
【００３３】
ここでは、各発光部は、発振波長が７８０ｎｍ帯の垂直共振器型の面発光レーザ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ：ＶＣＳＥＬ）である。すなわち、レーザチップ１００は、２次元配列された複数の面発光レーザ（発光部）を有する面発光レーザアレイを含んでいる。
【００３４】
各発光部は、一例として、図５に示されるように、基板１０１、バッファ層１０２、下部半導体ＤＢＲ１０３、下部スペーサ層１０４、活性層１０５、上部スペーサ層１０６、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９、ｐ側電極１１３、及びｎ側電極１１４などを有している。
【００３５】
基板１０１は、ｎ−ＧａＡｓ単結晶基板である。
基板１０１の−Ｚ側の面には、Ｙ軸方向に延び、Ｘ軸方向に互いに離間する複数の溝３００が形成されている。
【００３６】
バッファ層１０２は、基板１０１の＋Ｚ側の面上に積層され、ｎ−ＧａＡｓからなる層である。
【００３７】
下部半導体ＤＢＲ１０３は、バッファ層１０２の＋Ｚ側に積層され、ｎ−ＡｌＡｓからなる低屈折率層と、ｎ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる高屈折率層のペアを４０．５ペア有している。各屈折率層の間には、電気抵抗を低減するため、一方の組成から他方の組成へ向かって組成を徐々に変化させた厚さ２０ｎｍの組成傾斜層が設けられている。そして、各屈折率層はいずれも、隣接する組成傾斜層の１／２を含んで、発振波長をλとするとλ／４の光学的厚さとなるように設定されている。なお、光学的厚さがλ／４のとき、その層の実際の厚さＤは、Ｄ＝λ／４ｎ（但し、ｎはその層の媒質の屈折率）である。
【００３８】
下部スペーサ層１０４は、下部半導体ＤＢＲ１０３の＋Ｚ側に積層され、ノンドープの（Ａｌ０．１Ｇａ０．９）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなる層である。
【００３９】
活性層１０５は、下部スペーサ層１０４の＋Ｚ側に積層され、３層の量子井戸層と４層の障壁層とを有する３重量子井戸構造の活性層である。各量子井戸層は、０．７％の圧縮歪みを誘起する組成であるＧａＩｎＡｓＰからなり、バンドギャップ波長が約７８０ｎｍである。また、各障壁層は、０．６％の引張歪みを誘起する組成であるＧａＩｎＰからなる。
【００４０】
上部スペーサ層１０６は、活性層１０５の＋Ｚ側に積層され、ノンドープの（Ａｌ０．１Ｇａ０．９）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなる層である。
【００４１】
下部スペーサ層１０４と活性層１０５と上部スペーサ層１０６とからなる部分は、共振器構造体とも呼ばれており、その厚さが１波長の光学的厚さとなるように設定されている。なお、活性層１０５は、高い誘導放出確率が得られるように、電界の定在波分布における腹に対応する位置である共振器構造体の中央に設けられている。また、共振器反射率は９９％以上となるように設計されている。
【００４２】
上部半導体ＤＢＲ１０７は、上部スペーサ層１０６の＋Ｚ側に積層され、ｐ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓからなる低屈折率層とｐ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる高屈折率層のペアを２５ペア有している。各屈折率層の間には、電気抵抗を低減するため、一方の組成から他方の組成へ向かって組成を徐々に変化させた組成傾斜層が設けられている。そして、各屈折率層はいずれも、隣接する組成傾斜層の１／２を含んで、λ／４の光学的厚さとなるように設定されている。
【００４３】
上部半導体ＤＢＲ１０７における低屈折率層の１つには、ｐ−ＡｌＡｓからなる被選択酸化層１０８が厚さ３３ｎｍで挿入されている。
【００４４】
この被選択酸化層１０８の挿入位置は、電界の定在波分布において、活性層１０５から３番目となる節に対応する位置である。
【００４５】
コンタクト層１０９は、上部半導体ＤＢＲ１０７の＋Ｚ側に積層され、ｐ−ＧａＡｓからなる層である。
【００４６】
コンタクト層１０９からはＳｉＮ膜からなる層間絶縁膜１１１で絶縁してボンディングパッドに延伸する金属の配線部材が形成されている。配線部材およびボンディングパッドは、オーミック材料のＡｕＺｎと配線材としてＡｕがリフトオフ法により形成される。
【００４７】
次に、レーザチップ１００の製造方法について説明する。なお、上記のように、基板１０１上に複数の半導体層が積層されたものを、以下では、便宜上「積層体」ともいう。
【００４８】
（１）上記積層体を有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）あるいは分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ法）による結晶成長によって作成する（図６参照）。
【００４９】
ここでは、ＭＯＣＶＤ法の場合には、ＩＩＩ族の原料には、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）を用い、Ｖ族の原料には、フォスフィン（ＰＨ３）、アルシン（ＡｓＨ３）を用いている。また、ｐ型ドーパントの原料には四臭化炭素（ＣＢｒ４）を用い、ｎ型ドーパントの原料にはセレン化水素（Ｈ２Ｓｅ）を用いている。
【００５０】
（２）積層体の表面の発光部となる複数の部分を、それぞれ一辺が２５μｍの正方形状のレジストパターンでマスクする。また、各レーザチップにおける周囲領域も、エッチングされないようにレジストパターンでマスクする。
【００５１】
（３）Ｃｌ２ガスを用いるＥＣＲエッチング法で、上記レジストパターンをフォトマスクとしてメサ構造体（以下では、便宜上「メサ」と略述する）を形成する。ここでは、エッチングの底面は下部スペーサ層１０４中に位置するようにした。
【００５２】
（４）フォトマスクを除去する（図７参照）。
【００５３】
（５）積層体を水蒸気中で熱処理する。これにより、被選択酸化層１０８中のＡｌ（アルミニウム）がメサの外周部から選択的に酸化され、メサの中央部に、Ａｌの酸化物１０８ａによって囲まれた酸化されていない領域１０８ｂが残留する（図８参照）。すなわち、発光部の駆動電流の経路をメサの中央部だけに制限する、いわゆる酸化狭窄構造体が形成される。上記酸化されていない領域１０８ｂが電流通過領域（電流注入領域）である。このようにして、例えば幅４μｍ程度の略正方形状の電流通過領域が形成される。
【００５４】
（６）気相化学堆積法（ＣＶＤ法）を用いて、ＳｉＮからなる層間絶縁膜１１１を形成する（図９参照）。
【００５５】
（７）レーザ光の射出面となるメサ上部にｐ側電極コンタクトの窓開けを行うためのエッチングマスクを作成する。
【００５６】
（８）ＢＨＦにて層間絶縁膜１１１をエッチングし、ｐ側電極コンタクトの窓開けを行う。
【００５７】
（９）マスクを除去する（図１０参照）。
【００５８】
（１０）メサ上部の光射出部となる領域（射出領域）に一辺１０μｍの正方形状のレジストパターンを形成し、ｐ側の電極材料の蒸着を行う。ｐ側の電極材料としてはＣｒ／ＡｕＺｎ／Ａｕからなる多層膜、もしくはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる多層膜が用いられる。このとき、同時に電極パッド及び配線部材となる部分にもｐ側の電極材料が蒸着される。
【００５９】
（１１）光射出部となる領域に蒸着された電極材料をリフトオフし、ｐ側電極１１３を形成する（図１１参照）。このｐ側電極１１３で囲まれた領域が射出領域である。このとき、同時に電極パッド１５０及び配線部材も形成される（図１２参照）。
【００６０】
電極パッド１５０は、一例として図１３に示されるように、平面視によると、＋Ｘ側の辺が凹凸形状となっている。そこで、電極パッド１５０の＋Ｘ側の辺の長さは、電極パッド１５０のＹ軸方向の寸法ｄよりも長くなる。また、電極パッド１５０の厚さは、約１μｍである。
【００６１】
（１２）基板１０１の裏側（−Ｚ側）を所定の厚さ（例えば、２５０μｍ程度）まで研磨した後、基板１０１の裏面（−Ｚ側の面）全域に、スクライブ装置を用いて、Ｙ軸に平行に延び、Ｘ軸方向に互いに離間する複数の溝３００を形成する（図１４参照）。
【００６２】
（１３）基板１０１の裏面にｎ側電極１１４を形成する（図１５参照）。ここでは、ｎ側電極１１４はＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなる多層膜である。
【００６３】
（１４）アニールによって、ｐ側電極１１３とｎ側電極１１４のオーミック導通をとる。これにより、メサは発光部となり、基板１０１上に複数のレーザチップが形成されたこととなる。なお、以下では、基板１０１上に複数のレーザチップが形成されたものを、便宜上「チップ形成基板２００」という。そして、チップ形成基板２００では、ｐ側電極１１３側（＋Ｚ側）の面を表面、ｎ側電極１１４側（−Ｚ側）の面を裏面という。
【００６４】
（１５）チップ形成基板２００の裏面にダイシングフィルム２１０を貼り付ける。このダイシングフィルム２１０は、厚さが７５μｍの塩化ビニルフィルムであり、その片面にアクリル系粘着剤が１０μｍの厚さで均一に塗布されている。
【００６５】
（１６）ダイシングフィルム２１０を外径が６インチの金属リング２１２に貼り付ける（図１６参照）。
【００６６】
（１７）チップ形成基板２００の表面に、隣接するレーザチップの間隙にダイヤモンドペンを用い、Ｘ軸に平行な複数のスクライブライン及びＹ軸に平行な複数のスクライブラインを形成する（図１７参照）。ここでは、Ｘ軸に平行な複数のスクライブラインは、Ｙ軸方向に所定間隔ｗで形成され、Ｙ軸に平行な複数のスクライブラインは、Ｘ軸方向に所定間隔ｗで形成されている。所定間隔ｗを、分離ピッチという。
【００６７】
（１８）チップ形成基板２００の表面に、保護シート２１４を貼り付ける（図１８参照）。この保護シート２１４は、厚さが２５μｍのＰＥＴフィルムである。この保護シート２１４のチップ形成基板２００側の面には、帯電防止剤が塗布され、さらにその上に離型剤としてシリコーンが塗布されている。帯電防止剤が塗布されていないと、２００Ｖ以上の静電気が発生し、レーザチップが静電破壊されるおそれがある。なお、保護シート２１４には粘着性がないため、ダイシングフィルム２１０の粘着面に貼り付けて固定される。
【００６８】
ここで、ヘキ開対象のＸ軸に平行な一のスクライブラインの−Ｙ側にある複数のレーザチップを併せてチップ群Ａとし、ヘキ開対象のＸ軸に平行な一のスクライブラインの＋Ｙ側にある複数のレーザチップを併せてチップ群Ｂとする（図１９参照）。
【００６９】
（１９）チップ形成基板２００を、分離ピッチｗの２倍より狭い幅Ｌの溝を有する受け刃２２０に、ヘキ開対象のＸ軸に平行な一のスクライブラインが受け刃２２０の溝の中央に位置するように載置する。なお、受け刃２２０の溝の幅Ｌは、＋Ｚ方向から見て、チップ群Ａ及びチップ群Ｂの複数の面発光レーザアレイが受け刃２２０の溝内に位置する大きさに設定されている。
【００７０】
（２０）ヘキ開対象のＸ軸に平行な一のスクライブラインの−Ｚ側から、例えばセラミック製のカッタの刃２３０を押し当てる（図２０参照）。
【００７１】
（２１）カッタの刃２３０を所定量押し込んでチップ形成基板２００をヘキ開する。このヘキ開は、一次ヘキ開とも呼ばれる。この結果、チップ群Ａとチップ群Ｂとが分離される。なお、カッタの刃２３０のＸ軸方向の長さは、一例として、チップ形成基板２００のＸ軸方向の長さと同程度に設定されている。
【００７２】
（２２）同様にして、Ｘ軸に平行な他のスクライブラインに対しても、ヘキ開（一次ヘキ開）を行い、チップ形成基板２００を、長手方向（Ｘ軸方向）に１列に並ぶ複数のレーザチップ１００をそれぞれが含む複数のバー状体（短冊状体）に分割する（図２１（Ｂ）参照）。なお、図２１（Ｂ）では、面発光レーザアレイの図示は、省略されている。
【００７３】
（２３）次いで、一次ヘキ開と同様にして、各バー状体のＹ軸に平行な各スクライブラインに対しても、ヘキ開を行い、該バー状体を、複数のレーザチップ１００に分割する。このヘキ開は、二次ヘキ開とも呼ばれる。
【００７４】
以下に、二次ヘキ開について簡単に説明する。ヘキ開対象のＹ軸に平行な一のスクライブラインの−Ｘ側にあるレーザチップをチップＡとし、ヘキ開対象のＹ軸に平行な一のスクライブラインの＋Ｘ側にあるレーザチップをチップＢとする。なお、二次ヘキ開時の、一次ヘキ開時の図１９及び図２０に対応する図は、図１９及び図２０において、Ｘ軸とＹ軸を入れ替え、チップ形成基板２００をバー状体に置き換え、チップ群ＡをチップＡに置き換え、チップ群ＢをチップＢに置き換えることで得られる。
【００７５】
先ず、バー状体を、分離ピッチｗの２倍より狭い幅の溝を有する受け刃に、ヘキ開対象のＹ軸に平行な一のスクライブラインが受け刃の溝の中央に位置ように載置する。なお、受け刃の溝の幅は、＋Ｚ方向から見てチップＡ及びチップＢの複数の面発光レーザアレイが受け刃の溝内に位置する大きさに設定されている。
【００７６】
次いで、ヘキ開対象のＹ軸に平行な一のスクライブラインの−Ｚ側から、例えばセラミック製のカッタの刃を押し当てる。
【００７７】
次いで、カッタの刃を所定量押し込んでバー状体をヘキ開する。この結果、チップＡとチップＢとが分離される。なお、二次ヘキ開の際には、カッタの刃のＹ軸方向の長さを、バー状体のＹ軸方向の長さ（レーザチップの二次ヘキ開面の幅）と同程度に設定しても良い。
【００７８】
（２４）保護シート２１４をはがす。
【００７９】
（２５）５０℃程度に暖めた拡張器を用いて、ダイシングフィルム２１０を３６０度全ての方向に均等に引き伸ばす。これにより、複数のレーザチップは、互いに分離されることとなる。
【００８０】
（２６）複数のレーザチップを、個々にダイシングフィルム２１０からはがす。
【００８１】
そして、いくつかの後工程を経て、レーザチップ１００となる。
【００８２】
ここで、ヘキ開のメカニズムを簡単に説明する。基板の両端を表面側から支持した状態で基板の中間部に裏面側からカッタの刃を押し込むことで荷重を掛けると基板が変形し、基板の表面側部分には引張り応力が発生し、基板の裏面側部分には圧縮応力が発生する（図２１（Ａ）参照）。これらの応力は、スクライブラインに集中する。さらに、カッタの刃を押し込んで、スクライブラインの引張り応力が基板の引張り強さに近くなると、スクライブライン底部に亀裂が発生する。発生した亀裂は、さらに引張り応力を集中させることで、ヘキ開が加速度的に進行し、その結果、基板が破断に至る。
【００８３】
以上説明したように、本実施形態では、チップ形成基板２００を複数のレーザチップ１００に分割するために、ヘキ開法が採用されている。
【００８４】
ヘキ開法は、水を使用しないため乾燥工程が不要であること、ダイシングソーの廃水処理が不要であること、切削領域が不要で基板利用効率がもっとも高いこと、ダシングソーでの切削屑が面発光レーザアレイの発光部に付着しないこと等の利点がある。すなわち、ヘキ開法は、多ｃｈ面発光レーザアレイを高品質で効率良く分離できる工法である。
【００８５】
そこで、発明者は、ヘキ開法の進展を図るべく、開発を進めてきた。そして、ヘキ開法の開発を進めていく過程で、特に、チップの厚さが２５０μｍ以上となり、かつチップの寸法が９００μｍ以下になると、ヘキ開工程において、スクライブライン以外の箇所で、すなわち正規のヘキ開位置以外の位置でヘキ開する不良（以下では、異常ヘキ開と称する）が多発することを見出した。
【００８６】
さらに、発明者は、詳細な調査の結果、この異常ヘキ開は、チップ形成基板を複数のバー状体に分割する一次ヘキ開工程ではなく、バー状体を複数のレーザチップに分割する二次ヘキ開工程で発生していること、さらには、異常ヘキ開が発生する箇所は、カッタの刃が荷重を掛けている箇所ではなく、未ヘキ開領域の受け刃真上付近であることを見出した。
【００８７】
これらのことから、ヘキ開工程において、図２１（Ａ）に示されるように、カッタの刃でバー状体の隣接する２つのレーザチップを含む所定領域のＸ軸方向の両端を受け刃で支持した状態で、該隣接する２つのレーザチップの境界（図２１のｐ点）である二次ヘキ開位置に−Ｚ側から荷重を掛けて凹形状に撓ませると、バー状体の上記所定領域の＋Ｘ側の端に位置する未ヘキ開部（図２１のｑ点）は、受け刃を支点としてダイシングフィルムからの抗力が作用するため、−Ｚ側に凸に変形する。この場合、上記未ヘキ開部の−Ｚ側部分に引張り応力が作用し、＋Ｚ側部分に圧縮応力が作用する（図２１（Ａ）の楕円枠内参照）。なお、図２１（Ａ）の楕円枠内にはｑ点断面の拡大図が示されている。
【００８８】
さらに、カッタの刃がオーバードライブすることでｑ点の応力は増加する。このような状態でｑ点に応力が集中する例えば傷などの因子があれば、容易にヘキ開が起こってしまう。
【００８９】
この異常ヘキ開を低減するためには、例えばヘキ開の荷重を減らすこと、受け刃真上の基板のｑ点に応力が集中しないようにすること等の対策が考えられる。
そこで、異常ヘキ開のメカニズムをより理解するために、ヘキ開に必要な荷重を試算した。
【００９０】
ヘキ開プロセスは、両端単純支持梁の中央集中荷重と考えられる。荷重Ｐの加わる基板断面を長方形と仮定すると、ヘキ開時の撓みｄは、次の（１）式で表される。
【００９１】
【数１】
2014033035.tif 000003
ここで、ｄは撓み、Ｌは支点間距離（受け刃間隔）、Ｅはヤング率、Ｉは断面二次メントである。
【００９２】
断面二次モーメントＩは、次の（２）式で表される。
【００９３】
【数２】
2014033035.tif 000004
ここで、ｂは断面幅、ｈは厚さである。
【００９４】
また、基板が破断する際の破壊荷重Ｐｍａｘは、材質の最大応力（曲げ応力）σを使って次の（３）式で与えられる。
【００９５】
【数３】
2014033035.tif 000005
ここで、Ｚは断面係数と呼ばれる。
【００９６】
正方形チップの場合、２ｂ≒Ｌなので、二次ヘキ開での破壊荷重Ｐｍａｘは、次の（４）式で表せる。
【００９７】
【数４】
2014033035.tif 000006
上記（４）式に示されるように、正方形チップの場合には、破壊荷重Ｐｍａｘは、厚さｈの２乗に比例するので、異常ヘキ開を減らすには、厚さを薄くすることが最も効果的である。
【００９８】
上記（４）式から、二次ヘキ開での破壊荷重を試算する。基板厚さ２５０μｍの正方形チップの場合には、ＧａＡｓの引張り強さを１３８ＭＰａとすると、ヘキ開に到る破壊荷重Ｐｍａｘは、２９３ｇと試算される。このとき、異常ヘキ開の発生するｑ点には、この破壊荷重の１／２の約１５０ｇの力が作用する。
【００９９】
試算結果から分かるように、二次ヘキ開では数百ｇと小さな荷重でヘキ開が可能である。この場合、異常ヘキ開も起こりやすいと推測される。
【０１００】
図２２には、チップ形成基板２００が一次ヘキ開で分割されて成るバー状体（ここでは、便宜上、３チップ分）が斜視図にて示されている。なお、図２２では、バー状体の−Ｙ側の側面の破線は、二次ヘキ開位置を示している。
【０１０１】
前述したように、基板１０１の裏面（−Ｚ側の面）には、複数の溝３００がＹ軸に平行に、すなわち二次ヘキ開面に平行になるように、スクライブ法により形成されている。図２２の部分拡大断面図から分かるように、本実施形態では、基板１０１の裏面にスクライブ痕としての複数の溝３００を形成した後に、ｎ側電極１１４を基板１０１の裏面全域に形成している。
【０１０２】
ここで、スクライブ法とは、ダイヤモンドなどの刃を基板面に押し当てて、傷をつけて罫書き線を入れる方法であり、端面発光半導体レーザの製造において、一次及び二次ヘキ開を行うために、一般的に利用される工法である。
【０１０３】
本実施形態では、一例として、荷重１０ｇで、スクライブを行い、良好なスクライブ痕を形成している。
【０１０４】
次に、基板１０１の裏面に形成された複数の溝３００の作用について、図２３（Ａ）〜図２３（Ｃ）を参照して説明する。
【０１０５】
チップ形成基板が一次ヘキ開により分離されて成るバー状体を、二次ヘキ開するときには、前述したように、バー状体の未ヘキ開部（図２１のｑ点）には、＋Ｚ側部分に圧縮応力が発生し、−Ｚ側部分に引張り応力が発生する。
【０１０６】
図２３（Ａ）には、二次ヘキ開時のバー状体における未ヘキ開部（図２１のｑ点）付近の引張り応力の分布が示されている。図２３（Ａ）では、細い実線が従来例の引張り応力の分布を示し、太い実線が本実施形態の引張り応力の分布を示している。図２３（Ｂ）には、従来例における二次ヘキ開時のバー状体が斜視図にて示されている。図２３（Ｂ）には、本実施形態における二次ヘキ開時のバー状体が斜視図にて示されている。
【０１０７】
図２３（Ａ）に示されるように、従来例のバー状体では、引張り応力の分布は、中央にピークを持つ一つの山となり、中央付近では、異常ヘキ開が起こる閾値を超えている。この場合、異常ヘキ開が発生してしまう。
【０１０８】
一方、本実施形態の複数の溝３００が形成されたバー状体では、バー状体の引張り応力の分布は、異常ヘキ開が起こる閾値未満のピークをそれぞれが持つＸ軸方向に隣接する複数の山となる。すなわち、本実施形態では、バー状体に発生する引張り応力を、複数の溝３００によって、分散させることができる。
【０１０９】
以上説明したように、本実施形態のレーザチップ１００の製造方法は、基板１０１の＋Ｚ側の面に複数の半導体層を積層し、ＸＹ平面に平行に２次元配列された複数のレーザチップ１００を一体に含むチップ形成基板２００を作成する工程と、基板１０１の−Ｚ側の面に複数の溝３００を形成する工程と、チップ形成基板２００を、長手方向（Ｘ軸方向）に１次元配列された複数のレーザチップ１００をそれぞれが一体に含む複数のバー状体に分割する一次ヘキ開工程と、複数のバー状体それぞれを、複数のレーザチップ１００に分割する二次ヘキ開工程と、を含んでいる。そして、二次ヘキ開工程では、複数のバー状体それぞれの、隣接する２つのレーザチップ１００を含む領域における前記長手方向の両端を基板１０１の＋Ｚ側から支持した状態で前記隣接する２つのレーザチップ１００の境界である二次ヘキ開位置に基板１０１の−Ｚ側から荷重を掛けることで、複数のバー状体それぞれを複数のレーザチップ１００に分割する。
【０１１０】
この場合、二次ヘキ開時にバー状体に発生する引張り応力を、複数の溝３００によって分散させることができ、ひいてはバー状体に異常ヘキ開が発生することを防止できる。
【０１１１】
この結果、本実施形態のレーザチップ１００の製造方法では、レーザチップ１００を歩留まり良く製造することができる。すなわち、レーザチップ１００の単価を下げることができる。
【０１１２】
また、一次ヘキ開時及び二次ヘキ開時にレーザチップ１００の面発光レーザアレイに例えば受け刃が当たることはなく、該面発光レーザアレイの損傷が防止される。この結果、レーザチップ１００の歩留まりを更に向上できる。
【０１１３】
そして、光走査装置１０１０は、光源１４がレーザチップ１００を有しているため、低コスト化を図ることができる。
【０１１４】
また、レーザプリンタ１０００は、光走査装置１０１０を備えているため、その結果として、低コスト化を図ることができる。
【０１１５】
なお、上記実施形態では、基板の裏面に形成される複数の溝３００は、Ｙ軸に平行に、すなわち二次ヘキ開面に平行になるように形成されているが、これに限らず、例えば図２４に示される第１変形例のように、複数の溝４００を、Ｙ軸に非平行に、すなわち二次ヘキ開面に非平行になるように形成しても良い。
【０１１６】
第１変形例によると、バー状体に発生する引張り応力を分散させながら、またその応力分布も面内で傾斜させることができるため、異常ヘキ開を起こし難い。図２４の部分拡大断面図から分かるように、複数の溝４００の−Ｚ側にｎ側電極が形成されている。溝４００は、上記実施形態と同様のスクライブ法で形成することができる。
【０１１７】
また、上記実施形態では、基板の裏面全域に複数の溝３００が形成されているが、これに限らず、例えば、図２５に示される第２変形例のように、基板の裏面における複数のバー状体それぞれの二次ヘキ開位置近傍にのみ、すなわち二次ヘキ開時に大きな引張り応力が発生する領域（図２３（Ａ）参照）にのみ、応力分散のための複数の溝５００を二次ヘキ開面に平行又は非平行になるように形成することとしても良い。そして、バー状体の二次ヘキ開位置近傍以外の領域にのみｎ側電極２１６を形成することとしても良い（図２５の部分拡大断面図参照）。
【０１１８】
この場合、基板の裏面の二次ヘキ開位置近傍に複数の溝５００を形成した後、二次ヘキ開位置近傍以外の領域にｎ側電極２１６を形成しても良いし、基板の裏面の二次ヘキ開位置近傍以外の領域にｎ側電極２１６を形成した後、二次ヘキ開位置近傍に複数の溝５００を形成しても良い。
【０１１９】
第２変形例によると、複数の溝５００を基板の裏面の一部に形成するため、該複数の溝５００を形成する時間を短縮できる。
【０１２０】
また、上記実施形態では、一次及び二次ヘキ開の分離ピッチ（ｗ）が等しくされているが、これに限られない。例えば、図２６に示される第３変形例のように、二次ヘキ開の分離ピッチｂ２（二次ヘキ開面の幅ｂ２）を、一次ヘキ開の分離ピッチｂ１（一次ヘキ開面の幅ｂ１）よりも短くしても良い。
【０１２１】
この場合、二次ヘキ開時のヘキ開荷重を減らすことができ、その結果、異常ヘキ開を低減することが可能になる。
【０１２２】
上記（４）式から次の（５）式が得られる。
【０１２３】
【数５】
2014033035.tif 000007
たとえば、二次ヘキ開面幅ｂ２/一次ヘキ開面幅ｂ１＝０．８にした場合、上記（５）式から正方形チップの場合の０．８倍の荷重に低減できる。基板の裏面に複数の溝を形成すれば、さらに異常ヘキ開を低減できることは言うまでもない。
【０１２４】
また、上記実施形態でも用いられている従来のヘキ開装置では、カッタの刃の先端のＸＺ断面形状、すなわち基板の法線方向（Ｚ軸方向）及びＸ軸方向のいずれにも平行な断面形状は、バー状体に二次ヘキ開位置で当接する頂点を挟む二辺が、バー状体のヘキ開位置を含むＸ軸に直交する仮想平面に対して−Ｘ側及び＋Ｘ側にそれぞれ傾斜する三角形状とされているが（図２７（Ａ）参照）、これに代えて、例えば、図２７（Ｂ）に示される第４変形例のヘキ開装置のように、カッタの刃の先端のＸＺ断面形状は、バー状体に二次ヘキ開位置で当接する頂点を挟む二辺のうち、一方が上記仮想平面に対して−Ｘ側に傾斜し、他方が上記仮想平面上に位置するか又は上記仮想平面に対して−Ｘ側に傾斜する三角形状とされても良い（図２７（Ｂ）参照）。
【０１２５】
図２７（Ｂ）に示されるように、カッタの刃の未ヘキ開側の面のＸＹ平面に対する角度αは９０°以上（例えば９０°）、かつカッタの刃の既ヘキ開側の面のＸＹ平面に対する角度βは４５°〜７０°であることが好ましい。すなわち、カッタの刃の未ヘキ開側の面と既ヘキ開側の面とが成す角度γは、４５°以下であることが好ましい。
【０１２６】
この場合、角度αを例えば９０°に設定し、バー状体の隣接する２つのレーザチップを含む所定領域のＸ軸方向の両端を受け刃で支持した状態で、該隣接する２つのレーザチップの境界（二次ヘキ開位置）に−Ｚ側から荷重を掛けると、ヘキ開直前までは、バー状体の所定領域の中央が撓む（破線）が、ヘキ開直後は、基板の未ヘキ開領域は、カッタの刃での押さえが無いため、初期状態に戻る（実線）。この結果、異常ヘキ開の要因であるカッタの刃のオーバードライブによる基板の押し込みを無くすことができ、異常ヘキ開を低減できる。なお、ヘキ開装置は、カッタ及び少なくとも１つの受け刃を含んで構成されている。
【０１２７】
なお、上記第４変形例のヘキ開装置は、二次ヘキ開時のみならず、一次ヘキ開時に用いられても良い。
【０１２８】
また、上記実施形態及び各変形例では、基板に形成される複数の溝は、直線状とされているが、例えば、曲線状としても良い。
【０１２９】
また、上記実施形態及び第１の変形例では、基板の裏面全域に複数の溝が形成されているが、これに限らず、要は、基板の裏面の少なくとも一部に複数の溝が形成されていれば良い。この場合、複数の溝は、少なくともバー状体の二次ヘキ開位置近傍に形成されることが好ましい。
【０１３０】
また、上記実施形態、各変形例において、基板に形成される溝の数、間隔、大きさ、深さ、形状は適宜変更可能である。
【０１３１】
また、上記実施形態、第１及び第２変形例では、基板に形成される溝のＸＺ断面形状は、略Ｖ字状とされているが、例えば、略Ｕ字状等のその他の形状とされても良い。
【０１３２】
また、上記実施形態及び各変形例では、基板の表面に複数の半導体層を積層した後に、基板の裏面に複数の溝を形成しているが、基板の裏面に複数の溝を形成した後に、基板の表面に複数の半導体層を積層しても良いし、基板の表面に複数の半導体層を積層することと、基板の裏面に複数の溝を形成することとを並行して行っても良い。
【０１３３】
また、上記実施形態及び各変形例では、光デバイスとして、面発光レーザアレイを含むレーザチップを採用しているが、これに限らず、例えば、面発光レーザ、端面発光レーザ、複数の端面発光レーザを含む端面発光レーザアレイのいずれかを含むチップを採用しても良い。
【０１３４】
なお、上記実施形態及び各変形例では、面発光レーザアレイが３２個の発光部を有する場合について説明しているが、これに限定されるものではない。例えば、面発光レーザアレイが４０個の発光部を有していても良い。
【０１３５】
また、上記実施形態及び各変形例では、発光部の発振波長が７８０ｎｍ帯の場合について説明したが、これに限定されるものではない。感光体の特性に応じて、発光部の発振波長を変更しても良い。
【０１３６】
また、上記面発光レーザアレイは、画像形成装置以外の用途にも用いることができる。その場合には、発振波長は、その用途に応じて、６５０ｎｍ帯、８５０ｎｍ帯、９８０ｎｍ帯、１．３μｍ帯、１．５μｍ帯等の波長帯であっても良い。この場合に、活性層を構成する半導体材料は、発振波長に応じた混晶半導体材料を用いることができる。例えば、６５０ｎｍ帯ではＡｌＧａＩｎＰ系混晶半導体材料、９８０ｎｍ帯ではＩｎＧａＡｓ系混晶半導体材料、１．３μｍ帯及び１．５μｍ帯ではＧａＩｎＮＡｓ（Ｓｂ）系混晶半導体材料を用いることができる。
【０１３７】
また、上記実施形態及び各変形例では、画像形成装置としてレーザプリンタ１０００の場合について説明したが、これに限定されるものではない。
【０１３８】
例えば、レーザ光によって発色する媒体（例えば、用紙）に直接、レーザ光を照射する画像形成装置であっても良い。
【０１３９】
例えば、媒体が、ＣＴＰ（Ｃｏｍｐｕｔｅｒ  ｔｏ  Ｐｌａｔｅ）として知られている印刷版であっても良い。つまり、光走査装置１０１０は、印刷版材料にレーザアブレーションによって直接画像形成を行い、印刷版を形成する画像形成装置にも好適である。
【０１４０】
また、例えば、媒体が、いわゆるリライタブルペーパーであっても良い。これは、例えば紙や樹脂フィルム等の支持体上に、以下に説明するような材料が記録層として塗布されている。そして、レーザ光による熱エネルギー制御によって発色に可逆性を与え、表示／消去を可逆的に行うものである。
【０１４１】
透明白濁型リライタブルマーキング法とロイコ染料を用いた発消色型リライタブルマーキング法があり、いずれも適用できる。
【０１４２】
透明白濁型は、高分子薄膜の中に脂肪酸の微粒子を分散したもので、１１０℃以上に加熱すると脂肪酸の溶融により樹脂が膨張する。その後、冷却すると脂肪酸は過冷却状態になり液体のまま存在し、膨張した樹脂が固化する。その後、脂肪酸が固化収縮して多結晶の微粒子となり樹脂と微粒子間に空隙が生まれる。この空隙により光が散乱されて白色に見える。次に、８０℃から１１０℃の消去温度範囲に加熱すると、脂肪酸は一部溶融し、樹脂は熱膨張して空隙を埋める。この状態で冷却すると透明状態となり画像の消去が行われる。
【０１４３】
ロイコ染料を用いたリライタブルマーキング法は、無色のロイコ型染料と長鎖アルキル基を有する顕消色剤との可逆的な発色及び消色反応を利用している。レーザ光により加熱されるとロイコ染料と顕消色剤が反応して発色し、そのまま急冷すると発色状態が保持される。そして、加熱後、ゆっくり冷却すると顕消色剤の長鎖アルキル基の自己凝集作用により相分離が起こり、ロイコ染料と顕消色剤が物理的に分離されて消色する。
【０１４４】
また、媒体が、紫外光を当てるとＣ（シアン）に発色し、可視光のＲ（レッド）の光で消色するフォトクロミック化合物、紫外光を当てるとＭ（マゼンタ）に発色し、可視光のＧ（グリーン）の光で消色するフォトクロミック化合物、紫外光を当てるとＹ（イエロー）に発色し、可視光のＢ（ブルー）の光で消色するフォトクロミック化合物が、紙や樹脂フィルム等の支持体上に設けられた、いわゆるカラーリライタブルペーパーであっても良い。
【０１４５】
これは、一旦紫外光を当てて真っ黒にし、Ｒ・Ｇ・Ｂの光を当てる時間や強さで、Ｙ・Ｍ・Ｃに発色する３種類の材料の発色濃度を制御してフルカラーを表現し、仮に、Ｒ・Ｇ・Ｂの強力な光を当て続ければ３種類とも消色して真っ白にすることもできる。
【０１４６】
このような光エネルギー制御によって発色に可逆性を与えるものも上記実施形態と同様な光走査装置を備える画像形成装置として実現できる。
【０１４７】
また、像担持体として銀塩フィルムを用いた画像形成装置であっても良い。この場合には、光走査により銀塩フィルム上に潜像が形成され、この潜像は通常の銀塩写真プロセスにおける現像処理と同等の処理で可視化することができる。そして、通常の銀塩写真プロセスにおける焼付け処理と同等の処理で印画紙に転写することができる。このような画像形成装置は光製版装置や、ＣＴスキャン画像等を描画する光描画装置として実施できる。
【０１４８】
また、一例として図２８に示されるように、複数の感光体ドラムを備えるカラープリンタ２０００であっても良い。
【０１４９】
このカラープリンタ２０００は、４色（ブラック、シアン、マゼンタ、イエロー）を重ね合わせてフルカラーの画像を形成するタンデム方式の多色カラープリンタであり、ブラック用のステーション（感光体ドラムＫ１、帯電装置Ｋ２、現像装置Ｋ４、クリーニングユニットＫ５、及び転写装置Ｋ６）と、シアン用のステーション（感光体ドラムＣ１、帯電装置Ｃ２、現像装置Ｃ４、クリーニングユニットＣ５、及び転写装置Ｃ６）と、マゼンタ用のステーション（感光体ドラムＭ１、帯電装置Ｍ２、現像装置Ｍ４、クリーニングユニットＭ５、及び転写装置Ｍ６）と、イエロー用のステーション（感光体ドラムＹ１、帯電装置Ｙ２、現像装置Ｙ４、クリーニングユニットＹ５、及び転写装置Ｙ６）と、光走査装置２０１０と、転写ベルト２０８０と、定着ユニット２０３０などを備えている。
【０１５０】
各感光体ドラムは、図２８中の矢印の方向に回転し、各感光体ドラムの周囲には、回転方向に沿って、それぞれ帯電装置、現像装置、転写装置、クリーニングユニットが配置されている。各帯電装置は、対応する感光体ドラムの表面を均一に帯電する。帯電装置によって帯電された各感光体ドラム表面に光走査装置２０１０により光が照射され、各感光体ドラムに潜像が形成されるようになっている。そして、対応する現像装置により各感光体ドラム表面にトナー像が形成される。さらに、対応する転写装置により、転写ベルト２０８０上の記録紙に各色のトナー像が転写され、最終的に定着ユニット２０３０により記録紙に画像が定着される。
【０１５１】
光走査装置２０１０は、前記レーザチップ１００と同様にして製造されたレーザチップを含む光源を、色毎に有している。そこで、上記光走査装置１０１０と同様の効果を得ることができる。また、カラープリンタ２０００は、この光走査装置２０１０を備えているため、上記レーザプリンタ１０００と同様の効果を得ることができる。
【０１５２】
ところで、カラープリンタ２０００では、各部品の製造誤差や位置誤差等によって色ずれが発生する場合がある。このような場合であっても、点灯させる発光部を選択することで色ずれを低減することができる。
【符号の説明】
【０１５３】
１００…レーザチップ（光デバイス）、１０１…基板、１０２…バッファ層、１０３…下部半導体ＤＢＲ、１０４…下部スペーサ層、１０５…活性層、１０６…上部スペーサ層、１０７…上部半導体ＤＢＲ、１０９…コンタクト層、１１３…ｐ側電極、１１４…ｎ側電極、１４０…発光部（面発光レーザ）、２００…チップ形成基板（光デバイスアレイ）、１０００…レーザプリンタ（画像形成装置）、１０１０…光走査装置、１０３０…感光体ドラム（像担持体）、２０００…カラープリンタ（画像形成装置）、２０１０…光走査装置、Ｋ１，Ｃ１，Ｍ１，Ｙ１…感光体ドラム（像担持体）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０１５４】
【特許文献１】特開２００５−３１７７６１号公報
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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