(57)【要約】【課題】高簡単な製造工程で製造される高性能な電気光学装置を提供する事。【解決手段】電気光学装置は、第一基板と第二基板と液晶とを備えると共に、表示領域１Ａと周辺領域１Ｂとを有する。第一基板の周辺領域１Ｂには、周辺電極６１とこれを覆う第一配向膜１４が形成され、第二基板の周辺領域１Ｂには、共通電極２１とこれを覆う第二配向膜１６とが形成されている。そして、表示領域１Ａの第一配向膜１４の密度と周辺領域１Ｂの第一配向膜１４の密度とが異なるか、或いは、表示領域１Ａの第二配向膜１６の密度と周辺領域１Ｂの第二配向膜１６の密度とが異なるか、のいずれかとなっている。周辺領域１Ｂの第一配向膜１４の密度と第二配向膜１６の密度とが異なるので、第一基板と第二基板との間に特異な電界が形成され、液晶中に存在するイオン性不純物を効率的に捕獲する事ができる。【選択図】図３
2014115361.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一基板と、
前記第一基板に対向配置された第二基板と、
表示領域及び前記表示領域の外側に設けられた周辺領域において前記第一基板と前記第二基板とにより挟持された電気光学材料と、
を備え、
前記第一基板は、
前記表示領域に設けられたスイッチング素子及び前記スイッチング素子に電気的に接続された画素電極と、
前記周辺領域に設けられた周辺電極と、
前記画素電極及び前記周辺電極と前記電気光学材料との間に設けられた第一配向膜と、
を含み、
前記第二基板は、
共通電極と、
前記共通電極と前記電気光学材料との間に設けられた第二配向膜と、
を含み、
前記表示領域に形成された第一配向膜の密度と、前記周辺領域に形成された第一配向膜の密度とが異なるか、
或いは、前記表示領域に形成された第二配向膜の密度と、前記周辺領域に形成された第二配向膜の密度と、が異なるか、
のいずれかである事を特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記周辺領域に形成された第一配向膜の密度と前記周辺領域に形成された第二配向膜の密度とが異なる事を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記表示領域に形成された第一配向膜の密度と前記表示領域に形成された第二配向膜の密度とがほぼ等しい事を特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記表示領域に形成された第一配向膜の密度と前記表示領域に形成された第二配向膜の密度と前記周辺領域に形成された第二配向膜の密度とがほぼ等しく、
前記表示領域に形成された第一配向膜の密度と前記周辺領域に形成された第一配向膜の密度とが異なる事を特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記表示領域に形成された第一配向膜の密度と前記表示領域に形成された第二配向膜の密度と前記周辺領域に形成された第一配向膜の密度とがほぼ等しく、
前記表示領域に形成された第二配向膜の密度と前記周辺領域に形成された第二配向膜の密度とが異なる事を特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記表示領域に形成された第一配向膜の密度と前記表示領域に形成された第二配向膜の密度とがほぼ等しく、
前記周辺領域に形成された第一配向膜の密度と前記周辺領域に形成された第二配向膜の密度とが異なり、
前記表示領域に形成された第一配向膜の密度と前記周辺領域に形成された第一配向膜の密度とが異なり、
前記表示領域に形成された第二配向膜の密度と前記周辺領域に形成された第二配向膜の密度とが異なる事を特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えた事を特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
プロジェクターは、透過型電気光学装置や反射型電気光学装置に光を照射し、これらの電気光学装置により変調された透過光や反射光をスクリーン上に投射する電子機器である。これは光源から発せられた光を電気光学装置に集光して入射させ、電気信号に応じて変調された透過光又は反射光を、投射レンズを通じて、スクリーンに拡大投射する様に構成される物で、大画面を表示するとの長所を有している。この様な電子機器に使用される電気光学装置としては液晶装置が知られており、これは液晶の誘電異方性と光の旋光性とを利用して画像を形成している。こうした液晶装置では、製造過程で液晶材料中に混入したイオン性不純物や、光照射等による部材の劣化によって生じたイオン性不純物が、表示品質の低下を引き起こす事が知られている。例えば、イオン性不純物の濃度が高い領域では、輝度の低下などが生じ、シミやムラとなって視認される。
【０００３】
製造過程においてイオン性不純物を全く混入させない事は困難である為、特許文献１や特許文献２に記載されている様に、非表示領域に設けた電極にイオン性不純物を吸着させる事により表示領域へのイオン性不純物の拡散を抑制する事が提案されている。又、特許文献３では、イオン性不純物を捕獲する為の不純物イオン吸着電極の上に多孔質の低熱伝導性材料の層を設ける事でイオン性不純物の吸着保持性を高め、これによって不純物イオン吸着電極への印加電圧を低く抑えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−３８３８９号公報
【特許文献２】特開２０００−３３８５１０号公報
【特許文献３】特開２００７−２４９１０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１や特許文献２に記載されている液晶装置では、イオン性不純物を捕獲する為に液晶材料に大きな電圧を印加し続ける必要があり、液晶材料が経時劣化を引き起こすという課題があった。又、液晶材料に大きな電圧を印加し続ける事は、新たな不純物の発生を招き、加速度的に液晶材料の経時劣化を進めていた。即ち、特許文献１や特許文献２に記載の液晶装置では、表示品質の低下が避けられず、液晶装置の製品寿命が制限されるという課題があった。一方、特許文献３記載の構成では、印加電圧を低く抑える事はできるものの、電極上に特殊な材料を成膜する必要があり、製造工程が煩雑になるという課題があった。この様に、従来の液晶装置では、液晶装置の製品寿命と簡便な製造工程とを両立させる事が困難であるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決する為になされたものであり、以下の形態又は適用例として実現する事が可能である。
【０００７】
（適用例１）  本適用例に係わる電気光学装置は、第一基板と、第一基板に対向配置された第二基板と、表示領域及び表示領域の外側に設けられた周辺領域において第一基板と第二基板とにより挟持された電気光学材料と、を備え、第一基板は、表示領域に設けられたスイッチング素子及びスイッチング素子に電気的に接続された画素電極と、周辺領域に設けられた周辺電極と、画素電極及び周辺電極と電気光学材料との間に設けられた第一配向膜と、を含み、第二基板は、共通電極と、共通電極と電気光学材料との間に設けられた第二配向膜と、を含み、表示領域に形成された第一配向膜の密度と、周辺領域に形成された第一配向膜の密度とが異なるか、或いは、表示領域に形成された第二配向膜の密度と、周辺領域に形成された第二配向膜の密度と、が異なるか、のいずれかである事を特徴とする。
電気光学材料に液晶を用いた電気光学装置（液晶装置）では、表示領域に形成される第一配向膜と第二配向膜とは同質な物として、基板間での電気的な対称性を保ち、表示品質の経時劣化を防いでいる。従って、この構成によると、周辺領域に形成された第一配向膜の密度と周辺領域に形成された第二配向膜の密度とが異なる事になり、周辺領域では電気的に非対称となる。これにより、第一基板と第二基板との間に特異な電界が形成されるので、液晶中に存在するイオン性不純物を効率的に捕獲する事ができる。即ち、シミやムラなど表示不良が削減されて高い表示品位が得られると共に、液晶材料に大きな電圧を印加し続ける必要もなく、簡便な製造工程で製造された液晶装置の高い表示品質の低下を抑制する事が可能になる。換言すると、液晶装置の製品寿命と簡便な製造工程とを両立させる事ができる。
【０００８】
（適用例２）  上記適用例に係わる電気光学装置において、周辺領域に形成された第一配向膜の密度と周辺領域に形成された第二配向膜の密度とが異なる事が好ましい。
この構成によると、周辺領域では電気的に非対称となり、第一基板と第二基板との間に特異な電界が形成されるので、液晶中に存在するイオン性不純物を効率的に捕獲する事ができる。即ち、液晶材料に大きな電圧を印加し続ける必要もなく、簡便な製造工程で製造された液晶装置の高い表示品質の低下を抑制する事が可能になる。換言すると、液晶装置の製品寿命と簡便な製造工程とを両立させる事ができる。
【０００９】
（適用例３）  上記適用例に係わる電気光学装置において、表示領域に形成された第一配向膜の密度と表示領域に形成された第二配向膜の密度とがほぼ等しい事が好ましい。
この構成によると、表示領域に形成される第一配向膜と第二配向膜とは同質な物となるので、基板間で電気的な対称性が保たれ、表示品質の経時劣化を防ぐ事ができる。更に、周辺領域に形成された第一配向膜の密度と周辺領域に形成された第二配向膜の密度とが異なる事になるので、周辺領域では電気的に非対称となる。これにより、第一基板と第二基板との間に特異な電界が形成され、液晶中に存在するイオン性不純物を効率的に捕獲する事ができる。即ち、シミやムラなど表示不良が削減されて高い表示品位が得られると共に、液晶材料に大きな電圧を印加し続ける必要もなく、簡便な製造工程で製造された液晶装置の高い表示品質の低下を抑制する事が可能になる。換言すると、液晶装置の製品寿命と簡便な製造工程とを両立させる事ができる。
【００１０】
（適用例４）  上記適用例に係わる電気光学装置において、表示領域に形成された第一配向膜の密度と表示領域に形成された第二配向膜の密度と周辺領域に形成された第二配向膜の密度とがほぼ等しく、表示領域に形成された第一配向膜の密度と周辺領域に形成された第一配向膜の密度とが異なる事が好ましい。
この構成によると、表示領域に形成される第一配向膜と第二配向膜とは同質な物となるので、基板間で電気的な対称性が保たれ、表示品質の経時劣化を防ぐ事ができる。更に、周辺領域に形成された第一配向膜の密度と周辺領域に形成された第二配向膜の密度とが異なる事になるので、周辺領域では電気的に非対称となる。これにより、第一基板と第二基板との間に特異な電界が形成され、液晶中に存在するイオン性不純物を効率的に捕獲する事ができる。即ち、シミやムラなど表示不良が削減されて高い表示品位が得られると共に、液晶材料に大きな電圧を印加し続ける必要もなく、簡便な製造工程で製造された液晶装置の高い表示品質の低下を抑制する事が可能になる。換言すると、液晶装置の製品寿命と簡便な製造工程とを両立させる事ができる。
【００１１】
（適用例５）  上記適用例に係わる電気光学装置において、表示領域に形成された第一配向膜の密度と表示領域に形成された第二配向膜の密度と周辺領域に形成された第一配向膜の密度とがほぼ等しく、表示領域に形成された第二配向膜の密度と周辺領域に形成された第二配向膜の密度とが異なる事が好ましい。
この構成によると、表示領域に形成される第一配向膜と第二配向膜とは同質な物となるので、基板間で電気的な対称性が保たれ、表示品質の経時劣化を防ぐ事ができる。更に、周辺領域に形成された第一配向膜の密度と周辺領域に形成された第二配向膜の密度とが異なる事になるので、周辺領域では電気的に非対称となる。これにより、第一基板と第二基板との間に特異な電界が形成され、液晶中に存在するイオン性不純物を効率的に捕獲する事ができる。即ち、シミやムラなど表示不良が削減されて高い表示品位が得られると共に、液晶材料に大きな電圧を印加し続ける必要もなく、簡便な製造工程で製造された液晶装置の高い表示品質の低下を抑制する事が可能になる。換言すると、液晶装置の製品寿命と簡便な製造工程とを両立させる事ができる。
【００１２】
（適用例６）  上記適用例に係わる電気光学装置において、表示領域に形成された第一配向膜の密度と表示領域に形成された第二配向膜の密度とがほぼ等しく、周辺領域に形成された第一配向膜の密度と周辺領域に形成された第二配向膜の密度とが異なり、表示領域に形成された第一配向膜の密度と周辺領域に形成された第一配向膜の密度とが異なり、表示領域に形成された第二配向膜の密度と周辺領域に形成された第二配向膜の密度とが異なる事が好ましい。
この構成によると、表示領域に形成される第一配向膜と第二配向膜とは同質な物となるので、基板間で電気的な対称性が保たれ、表示品質の経時劣化を防ぐ事ができる。更に、周辺領域に形成された第一配向膜の密度と周辺領域に形成された第二配向膜の密度とを異ならせる事ができるので、周辺領域では電気的に非対称とできる。これにより、第一基板と第二基板との間に特異な電界が形成され、液晶中に存在するイオン性不純物を効率的に捕獲する事ができる。即ち、シミやムラなど表示不良が削減されて高い表示品位が得られると共に、液晶材料に大きな電圧を印加し続ける必要もなく、簡便な製造工程で製造された液晶装置の高い表示品質の低下を抑制する事が可能になる。換言すると、液晶装置の製品寿命と簡便な製造工程とを両立させる事ができる。
【００１３】
（適用例７）  本適用例に係わる電子機器は、上記適用例のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えた事を特徴とする。
この構成によると、製品寿命の長い電子機器を比較的簡便な製造工程で製造する事ができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】液晶装置の構成を説明する平面図。
【図２】図１に示すＩ−Ｉ線に沿う位置における液晶装置の部分断面図。
【図３】液晶装置の概略的な拡大断面図。
【図４】イオン捕獲の原理を説明する図。
【図５】電子機器としての投射型表示装置の構成を示す模式図。
【図６】液晶装置の概略的な拡大断面図。
【図７】液晶装置の概略的な拡大断面図。
【図８】液晶装置の概略的な拡大断面図。
【図９】液晶装置の概略的な拡大断面図。
【図１０】液晶装置の概略的な拡大断面図。
【図１１】液晶装置の概略的な拡大断面図。
【図１２】液晶装置の概略的な拡大断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。尚、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにする為、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。
【００１６】
（実施形態１）
「電気光学装置の概要」
図１は液晶装置の構成を説明する平面図である。図２は、図１に示すＩ−Ｉ線に沿う位置における液晶装置の部分断面図である。まず電気光学装置の概要を、図１と図２とを参照して、説明する。本実施形態では、電気光学装置は反射型の液晶装置１００であり、液晶装置１００は、薄膜トランジスター（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えている。尚、以下の説明で参照する図においては、素子基板に形成される層を説明する際、上層側或いは表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側（対向基板が位置する側）を意味し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側を意味する。又、対向基板に形成される層を説明する際、上層側或いは表面側とは対向基板の基板本体が位置する側とは反対側（素子基板が位置する側）を意味し、下層側とは対向基板の基板本体が位置する側を意味する。
【００１７】
図１及び図２に示される様に、電気光学装置（液晶装置１００）は、第一基板（素子基板１０）と、第一基板に対向配置された透光性の第二基板（対向基板２０）と、第一基板と第二基板とにより挟持された電気光学材料（液晶材料５０）と、液晶材料５０の周囲を囲んで形成されるとともに一部に液晶注入口５１ａを有する矩形枠状のシール材５１と、シール材５１の液晶注入口５１ａを封止する封止剤５２と、を備えている。
【００１８】
素子基板１０上には、シール材５１の外縁とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が対向配置され、シール材５１を介して素子基板１０と対向基板２０とが貼り合わされている。素子基板１０は、対向基板２０よりも大きく、対向基板２０の一端部よりも外側に張り出した張出部１０ａを備えている。張出部１０ａには、駆動ＩＣチップ１０１が実装されていると共に、複数の外部回路接続端子１０２が形成された端子部が設けられている。以降、図１にて上辺及び下辺に沿った方向をＸ方向とし、右辺及び左辺に沿った方向をＹ方向とする。
【００１９】
シール材５１は、素子基板１０と対向基板２０とが対向する領域の周縁部に沿って設けられている。液晶注入口５１ａは、シール材５１の４つの辺のうち張出部１０ａに面する辺に設けられている。封止剤５２は、対向基板２０の端面に沿って、張出部１０ａの液晶注入口５１ａを外側から閉塞する位置に塗布されている。シール材５１と封止剤５２とが液晶材料５０の周囲を囲み、液晶材料５０を素子基板１０と対向基板２０との間に封止している。要するにシール材５１によって囲まれた領域には液晶材料５０が封入されている。液晶材料５０は負の誘電異方性を有する。シール材５１としては、例えば、熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用される。シール材５１には、素子基板１０と対向基板２０との間隔を一定に保持する為のスペーサー（図示省略）が混入されている。素子基板１０と対向基板２０との間への液晶の封入方法（充填方法）としては、この他に滴下方式（Ｏｎｅ  Ｄｒｏｐ  Ｆｉｌｌ方式、ＯＤＦ方式）が用いられても良い。滴下方式とは、一方の基板（例えば素子基板１０）の外周に沿ってシール材５１を枠状に配置し、配置されたシール材５１を土手として、その内側に所定量の液晶を滴下し、次いで、減圧下で一方の基板と他方の基板とを貼り合わせる方式である。
【００２０】
シール材５１に囲まれた領域には、複数の画素ＰＸが行列状に配置されてなる矩形状の表示領域１Ａと、表示領域１Ａとシール材５１との間に位置する矩形枠状の周辺領域１Ｂとが設けられている。即ち、電気光学装置には、表示領域１Ａと、表示領域１Ａの外側に周辺領域１Ｂと、が設けられており、電気光学装置で表示領域１Ａ以外の領域が周辺領域１Ｂになる。尚、周辺領域１Ｂは必ずしも表示領域１Ａを囲んでいる必要性はなく、例えば、表示領域１Ａの一辺がシール材５１と一致して表示領域１Ａの残りの三辺に周辺領域１Ｂが設けられていても良い。シール材５１の外側における対向基板２０の角部には、素子基板１０と対向基板２０とを電気的に接続する為の銀点等を有する基板間導通部１０６が設けられている。
【００２１】
表示領域１Ａには行列状に画素ＰＸが複数配置されている。各画素ＰＸでは、スイッチング素子（ＴＦＴ）に電気的に接続された画素電極３０（図２参照）が第一基板に形成されている。一方、周辺領域１Ｂには、表示領域１Ａを取り囲む矩形枠状のダミー部１Ｄと、ダミー部１Ｄの外側に設けられた矩形枠状のイオントラップ部６０と、が配置されている。
【００２２】
ダミー部１Ｄには、表示領域１Ａの最外周部に位置する画素ＰＸと各々隣り合う複数のダミー画素ＤＭが設けられている。ダミー画素ＤＭには第一電位が供給される。表示領域１Ａとは、要するに、複数の画素ＰＸが配置され、様々な画像を表示し得る領域である。これに対して、ダミー部１Ｄとは複数のダミー画素ＤＭが配置され、ダミー部１Ｄの全体で一定階調の表示を行う領域である。本実施形態では、ダミー部１Ｄは暗表示（黒表示）を行う様に第一電位が供給される。
【００２３】
イオントラップ部６０は、本実施形態では、表示領域１Ａを取り囲んで配置されている。図１では、表示領域１Ａから周辺領域１Ｂに向かって拡散するイオン性不純物と、シール材５１から溶出し、表示領域１Ａに向けて侵入するイオン性不純物を効率的に捕獲する為に、イオントラップ部６０は、全体として、表示領域１Ａの外周に沿って閉じた枠状に形成されている。但し、イオントラップ部６０は、必ずしも表示領域１Ａを取り囲む矩形枠状でなくても良く、レイアウトの都合などに応じて、枠状の他に、表示領域１Ａの外側の一部に沿って線状に形成する等、様々な形態が可能である。尚、図１では、総ての画素ＰＸやダミー画素ＤＭを描いている訳ではなく、説明を分かり易くする為に、これらの一部を描いてある。
【００２４】
次に、図２を参照して液晶装置１００の断面構造について説明する。素子基板１０は、例えば透明な石英ガラスや無アルカリガラス或いは不透明なシリコン基板などの基板本体１０Ａ上に、画素電極３０やダミー電極３０Ｄ、周辺電極６１、或いはこれらを駆動する不図示の駆動素子等が形成された基板である。一方、対向基板２０は、例えば透明な石英ガラスや無アルカリガラスなどの基板本体２０Ａ上に共通電極２１等を備えている。素子基板１０と対向基板２０との間に液晶材料５０が配置される。
【００２５】
図２に示される様に、イオントラップ部６０は、素子基板１０の基板本体１０Ａ上に形成された周辺電極６１を備えている。即ち、第一基板のイオントラップ部６０には、周辺電極６１が形成されている。イオントラップ部６０では、周辺電極６１と共通電極２１との間に発生する厚み方向の電界によって、液晶材料５０中のイオン性不純物を捕獲する。尚、本実施形態では、イオントラップ部６０の共通電極２１（共通電極２１で周辺電極６１と液晶材料５０を介して対向する部分）を第二周辺電極６２と称する事もある。従って、イオントラップ部６０とは、断面視で周辺電極６１と第二周辺電極６２とに挟まれた領域である。イオン性不純物をイオントラップ部６０が効果的に捕獲すべく、周辺電極６１には周辺電極信号ＶITが供給される。共通電極２１には共通電位Ｖcomが供給される。尚、本実施形態では、周辺電極６１は、平面視で、表示領域１Ａを取り囲む矩形枠状の電極であるが、枠状の他に、表示領域１Ａの外側の一部に沿って線状に形成する等、様々な形態が可能である。図１に示される様に、周辺電極６１は、シール材５１を跨いで延びる引き出し線６３、６４を介して、駆動ＩＣチップ１０１に接続されている。
【００２６】
基板本体１０Ａの液晶材料５０側の面には、酸化珪素膜等からなる下地絶縁膜１１が形成されている。下地絶縁膜１１上に、複数種の配線３５、３６、６５ａ、６５ｂ、６７、６９、７１が形成されている。これらの配線を覆う様にして酸化珪素膜等からなる第一層間絶縁膜１２が形成され、更に第一層間絶縁膜１２を覆う様にして窒化珪素膜等からなる第二層間絶縁膜１３が形成されている。
【００２７】
第二層間絶縁膜１３上に、画素電極３０、ダミー電極３０Ｄ、及び配線７２が形成されている。画素電極３０及びダミー電極３０Ｄは、第一層間絶縁膜１２及び第二層間絶縁膜１３を貫通して形成されたコンタクトホールを介して、下層側の配線３５、３６に接続されている。画素電極３０及びダミー電極３０Ｄは、本実施形態の場合、チタン窒化膜上にアルミニウム膜を形成した積層膜からなる導電性反射膜からなる。尚、液晶装置１００を透過型の液晶装置として構成する場合には、画素電極３０及びダミー電極３０Ｄは、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電材料を用いて形成される。
【００２８】
配線７２は、第一層間絶縁膜１２及び第二層間絶縁膜１３を貫通して形成されたコンタクトホールを介して、下層側の配線７１に接続されている。配線７１及び配線７２は、シール材５１の内側に形成された画素ＰＸやダミー画素ＤＭと、シール材５１の外側の駆動ＩＣチップ１０１とを接続する配線である。本実施形態の場合、異なる配線層に形成された配線７１、７２が、シール材５１の形成領域内において接続されている。
【００２９】
画素電極３０、ダミー電極３０Ｄ及び配線７２を覆う様にして第三絶縁膜３１が形成されている。第三絶縁膜３１は、液晶材料５０の抵抗値に対して２桁以上高抵抗の材料を用いて形成され、例えば酸化珪素膜や窒化珪素膜からなる。第三絶縁膜３１上に、周辺電極６１、導通部電極６６、及び外部回路接続端子１０２が形成されている。
【００３０】
周辺電極６１は、第一層間絶縁膜１２、第二層間絶縁膜１３、及び第三絶縁膜３１を貫通して形成されたコンタクトホールを介して、下層側の配線６５ａ、６５ｂに接続されている。配線６５ａ、６５ｂは、図１に示した引き出し線６３、６４を介して駆動ＩＣチップ１０１に接続されている。本実施形態の場合、１つの周辺電極６１に対して、２つの配線６５ａ、６５ｂが接続されているが、配線６５ａ、６５ｂは単一の配線であっても良い。
【００３１】
導通部電極６６は、第一層間絶縁膜１２、第二層間絶縁膜１３、及び第三絶縁膜３１を貫通して形成されたコンタクトホールを介して、下層側の配線６７に接続されている。配線６７は駆動ＩＣチップ１０１に接続されている。導通部電極６６上には銀点等の基板間導通部１０６が設けられている。
【００３２】
外部回路接続端子１０２は、第一層間絶縁膜１２、第二層間絶縁膜１３、及び第三絶縁膜３１を貫通して形成されたコンタクトホールを介して、下層側の配線６９に接続されている。配線６９は駆動ＩＣチップ１０１に接続されている。
【００３３】
シール材５１の内側の素子基板１０の表面には、第三絶縁膜３１及び周辺電極６１を覆う第一配向膜１４が形成されている。即ち、画素電極３０とダミー電極３０Ｄと周辺電極６１とを覆う第一配向膜１４が表示領域１Ａと周辺領域１Ｂとに形成されている。第一配向膜１４は、斜方蒸着等により柱状構造を形成した酸化珪素膜からなる無機配向膜や、ポリイミド等の有機配向膜を用いる事ができる。又、第一配向膜１４は、シール材５１の形成領域やシール材５１の外側の領域まで延設されていても良い。この様に、本明細書では、第一基板に形成される配向膜を第一配向膜１４と称している。
【００３４】
第二基板の基板本体２０Ａの液晶材料５０側の面には、酸化珪素膜等からなる下地絶縁膜２３が形成されている。下地絶縁膜２３は、基板本体２０Ａの外周部における膜厚が、シール材５１よりも内側の領域における膜厚よりも薄く形成されている。即ち、下地絶縁膜２３には、遮光膜ＢＭの外周端に沿って段差部２３ｄが形成されている。
【００３５】
下地絶縁膜２３上には、素子基板１０上の周辺電極６１と対向する領域に、金属膜やカーボン膜からなる遮光膜ＢＭが形成されている。遮光膜ＢＭは、ダミー部１Ｄの周囲を縁取る矩形枠状の周辺見切りとして形成されている。遮光膜ＢＭは、画素ＰＸ及びダミー画素ＤＭを平面的に区画するブラックマトリックスとしての遮光膜を含んでいても良い。
【００３６】
遮光膜ＢＭ及び下地絶縁膜２３を覆って、窒化珪素膜等からなる保護絶縁膜２２が形成されている。保護絶縁膜２２は必要に応じて設けられる絶縁膜であり、省略する事もできる。
【００３７】
保護絶縁膜２２を覆って、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる共通電極２１が形成されている。本実施形態の場合、素子基板１０上の周辺電極６１と対向する領域にも共通電極２１が形成され、共通電極２１の一部が第二周辺電極６２を構成している。
【００３８】
共通電極２１のほぼ全面を覆って、絶縁膜３２が形成されている。絶縁膜３２は、液晶材料５０の抵抗値に対して２桁以上高抵抗の材料を用いて形成され、例えば酸化珪素膜や窒化珪素膜からなる。絶縁膜３２の膜厚は、液晶材料に対して十分に高い抵抗値が得られる膜厚であれば特に限定されない。絶縁膜３２を酸化珪素膜又は窒化珪素膜により構成する場合には、１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下の膜厚とする事で、通常の液晶材料を用いて形成された液晶材料５０に対して１００倍程度の抵抗値を得る事ができる。
【００３９】
絶縁膜３２には、基板間導通部１０６の形成位置に対応して開口部３２ａが形成されている。開口部３２ａの内側に露出された共通電極２１には、基板間導通部１０６が接続されている。基板間導通部１０６の液晶材料５０側には、シール材５１が設けられている。シール材５１の内周端は段差部２３ｄによって形成された対向基板２０表面の段差部分に配置されている。
【００４０】
シール材５１に囲まれた領域の対向基板２０の表面には、絶縁膜３２を覆う第二配向膜１６が形成されている。即ち、第二基板には、共通電極２１と、共通電極を覆う第二配向膜１６と、が形成されている。第二配向膜１６は素子基板１０上の第一配向膜１４と同様、有機配向膜又は無機配向膜により形成する事ができる。又、第二配向膜１６はシール材５１の形成領域やシール材５１の外側の領域まで延設されていても良い。先と同様に、本明細書では、第二基板に形成される配向膜を第二配向膜１６と称している。
【００４１】
液晶材料５０は、画素電極３０と共通電極２１との間に発生する液晶材料厚方向の電界（縦電界）によって駆動される縦電界方式の液晶材料である。縦電界方式としては、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式が代表的であるが、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）方式やＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）方式などの他の方式でもよい。
【００４２】
尚、本実施形態では、共通電極２１が対向基板２０側に設けられた縦電界方式で液晶材料５０を駆動しているが、共通電極２１として機能する電極を素子基板１０側に設け、この電極と画素電極３０との間に発生する基板面方向の電界（横電界；液晶材料の厚さ方向と概ね直交する方向の電界）によって液晶材料５０を駆動してもよい。この様な駆動方式は、横電界方式と呼ばれる。横電界方式としては、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式やＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式が代表的である。この場合、対向基板２０の表面には共通電極２１に代わり、ＩＴＯなどの導電性材料で第二周辺電極６２を形成する。第二周辺電極６２には共通電位Ｖcomを供給する。
【００４３】
「イオン捕獲原理」
図３は液晶装置の概略的な拡大断面図である。又、図４はイオン捕獲の原理を説明する図である。次にイオン性不純物の捕獲原理を、図３と図４とを参照して、説明する。
【００４４】
電気光学装置では、図３に示される様に、表示領域１Ａに形成された第一配向膜１４の密度と、周辺領域１Ｂに形成された第一配向膜１４（本実施形態の場合、表示領域１Ａに形成された第一配向膜１４より低密度の第一配向膜１４Ｌ）の密度とが異なるか、或いは、後に実施形態２にて図６を用いて説明する様に、表示領域１Ａに形成された第二配向膜１６の密度と、周辺領域１Ｂに形成された第二配向膜１６（実施形態２の場合、表示領域１Ａに形成された第二配向膜１６より低密度の第二配向膜１６Ｌ）の密度と、が異なるか、のいずれかとなっている。一方、表示領域１Ａに形成された第一配向膜１４の密度と表示領域１Ａに形成された第二配向膜１６の密度とはほぼ等しくされ、これらの配向膜が同質な物とされている。その結果、表示領域１Ａにおいては、第一基板と第二基板との間で電気的な対称性ＥＳｍが保たれ、表示品質の経時劣化が防止されている。広義には、電気光学装置で、表示領域１Ａに形成された第一配向膜１４の密度と表示領域１Ａに形成された第二配向膜１６の密度との差よりも、周辺領域１Ｂに形成された第一配向膜１４の密度と周辺領域１Ｂに形成された第二配向膜１６の密度との差が大きくされている。
【００４５】
図３に示される様に、表示領域１Ａに形成された第一配向膜１４の密度と周辺領域１Ｂに形成された低密度の第一配向膜１４Ｌの密度とが異なり、表示領域１Ａに形成された第二配向膜１６の密度と周辺領域１Ｂに形成された第二配向膜１６の密度とがほぼ等しいと、周辺領域１Ｂに形成された低密度の第一配向膜１４Ｌの密度と周辺領域１Ｂに形成された第二配向膜１６の密度とが異なる事になり、周辺領域１Ｂでは電気的に非対称となる。これにより、第一基板と第二基板との間に大きな直流成分を持つ特異な電界ＳＥＦが形成され、液晶材料５０中に存在するイオン性不純物がイオントラップ部６０に集積されて効率的に捕獲される。要するに、図３に示される様に、表示領域１Ａに形成された第一配向膜１４の密度と表示領域１Ａに形成された第二配向膜１６の密度と周辺領域１Ｂに形成された第二配向膜１６の密度とがほぼ等しく、表示領域１Ａに形成された第一配向膜１４の密度と周辺領域１Ｂに形成された低密度の第一配向膜１４Ｌの密度とが異なる様にすると、シミやムラなど表示不良が削減されて高い表示品位が得られると共に、液晶材料５０に大きな電圧を印加し続ける必要もなく、簡便な製造工程で製造された液晶装置１００の表示品位を高め、且つその経時劣化を抑制する事が可能になる。換言すると、液晶装置１００の製品寿命と簡便な製造工程とを両立させる事ができる。
【００４６】
図４では、周辺領域１Ｂに形成された第一配向膜１４の密度と周辺領域１Ｂに形成された第二配向膜１６の密度とが異なると、第一基板と第二基板との間に大きな直流成分を持つ特異な電界ＳＥＦが発生する事が説明されている。図４の横軸は液晶材料５０に正負５Ｖ（±５Ｖ）の振幅を持つ交番電界を印加し続けた時間を示している。交番電界の周波数は６０Ｈｚである。図４の縦軸は直流成分を持つ特異な電界ＳＥＦが発生している事を示している。第一配向膜１４の密度と第二配向膜１６の密度とが異なる状態で、液晶材料５０に交番電界を印加し続けると、正極駆動（共通電位Ｖｃｏｍよりも周辺電極６１の電位が高い状態）と負極駆動（共通電位Ｖcomよりも周辺電極６１の電位が低い状態）との対称性がずれてくる。要するに正極駆動と負極駆動とで表示される明るさが異なってきて、フリッカー（ちらつき）が目立ちはじめる。これは、液晶材料５０に電気的な非対称性が生じ、上下の電極間に（共通電極２１と周辺電極６１との間に）残留ＤＣ成分（特異な電界ＳＥＦ）が生ずる為である。このフリッカーが最小になる様に各時刻で共通電位Ｖcomを調整し、そのずれ（共通電位ずれＶcom  Ｓｈｉｆｔ）を示したのが図４の縦軸である。
【００４７】
本実施形態では、第二配向膜１６の密度が第一配向膜１４の密度よりも高い為に、対向基板２０側のプレチルト角は約１°で、素子基板１０側のプレチルト角は約５°となり、共通電位ずれＶcom  Ｓｈｉｆｔは、図４に三角印にて記載されている（Ｅｍｂ１）。本発明では、この残留ＤＣ成分（特異な電界ＳＥＦ）を、イオン性不純物を引き寄せるドライビングフォースとしている。残留ＤＣ成分（特異な電界ＳＥＦ）の面内の勾配によって、イオン性不純物がドライビングフォースを獲得する事が図４に示されている。表示領域１Ａでイオンを引き寄せる様な大きな残留ＤＣ成分（特異な電界ＳＥＦ）が発生すると表示品位が低下してしまうが、非表示領域となる周辺領域１Ｂでこれが発生しても、イオントラップ部６０は遮光膜ＢＭに覆われていて、使用者に視認されないので、問題にはならない。従って、非表示領域に設けた周辺電極６１上で大きな残留ＤＣ成分（特異な電界ＳＥＦ）を発生させ、イオン性不純物を選択的に集積させる本願の技術は極めて有用と言える。
【００４８】
この様に、第一基板と第二基板との間で配向膜の密度を異ならせた液晶装置１００では、大きな残留ＤＣ成分（特異な電界ＳＥＦ）が発生する。これは、配向膜密度に応じてプレチルト角が異なる為である。本実施形態の様に、対向基板２０側の第二配向膜１６の密度が素子基板１０側の第一配向膜１４の密度よりも高いと、対向基板２０側のプレチルト角が素子基板１０側のプレチルト角よりも小さくなり（垂直配向に近くなり）、これにより液晶装置１００には正極の大きな残留ＤＣ成分（特異な電界ＳＥＦ）が発生する事になる。この結果、負イオンがイオントラップ部６０の周辺電極６１側に集積されて捕獲されるので、表示領域１Ａ内のイオン性不純物による表示品位低下を防ぐ事ができる。尚、配向膜の密度とその結果変動するプレチルト角を制御する製造時のパラメーターとして、配向膜を蒸着する際の真空度や処理温度などが挙げられるが、成膜条件は特に限定されない。
【００４９】
結局、電気光学装置では、表示領域１Ａにおける第一基板側でのプレチルト角と周辺領域１Ｂにおける第一基板側でのプレチルト角とが異なるか、或いは、後に実施形態２にて説明する様に、表示領域１Ａにおける第二基板側でのプレチルト角と周辺領域１Ｂにおける第二基板でのプレチルト角とが異なるか、のいずれかとなっている。一方、表示領域１Ａにおける第一基板側でのプレチルト角と表示領域１Ａにおける第二基板側でのプレチルト角とはほぼ等しくされている。その結果、表示領域１Ａにおいては、第一基板と第二基板との間で電気的な対称性ＥＳｍが保たれ、表示品質の経時劣化が防止されている。
【００５０】
表示領域１Ａにおける第一基板側でのプレチルト角と周辺領域１Ｂにおける第一基板側でのプレチルト角とが異なり、表示領域１Ａにおける第二基板側でのプレチルト角と周辺領域１Ｂにおける第二基板側でのプレチルト角とがほぼ等しいと、周辺領域１Ｂにおける第一基板側でのプレチルト角と周辺領域１Ｂにおける第二基板側でのプレチルト角とが異なる事になり、周辺領域１Ｂでは電気的に非対称となる。これにより、第一基板と第二基板との間に大きな直流成分を持つ特異な電界ＳＥＦが形成され、液晶材料５０中に存在するイオン性不純物がイオントラップ部６０に集積されて効率的に捕獲される。要するに、表示領域１Ａにおける第一基板側でのプレチルト角と表示領域１Ａにおける第二基板側でのプレチルト角と周辺領域１Ｂにおける第二基板側でのプレチルト角とがほぼ等しく、表示領域１Ａにおける第一基板側でのプレチルト角と周辺領域１Ｂに形成された第一基板でのプレチルト角とが異なる様にすると、シミやムラなど表示不良が削減されて高い表示品位が得られると共に、液晶材料に大きな電圧を印加し続ける必要もなく、簡便な製造工程で製造された液晶装置の表示品位を高め、且つその経時劣化を抑制する事が可能になる。換言すると、液晶装置の製品寿命と簡便な製造工程とを両立させる事ができる。
【００５１】
第一配向膜１４や第二配向膜１６の密度の値は、これらの配向膜が酸化珪素膜（ＳｉＯ2膜）から成る無機配向膜の場合、１．８ｇ／ｃｍ3から２ｇ／ｃｍ3の範囲である事が好ましい。こうした密度の酸化珪素膜は射方蒸着法等の製造条件を調整する事で作製できる。１．８ｇ／ｃｍ3から２ｇ／ｃｍ3の密度範囲内で、周辺領域１Ｂにて第一配向膜１４と第二配向膜１６とで高密度と低密度との非対称を生じさせるのが好ましい。又、プレチルト角に関しては、１°から５°の範囲である事が好ましい。この範囲で第一基板側と第二基板側との間で、周辺領域１Ｂにて高プレチルト角と低プレチルト角といった非対称性を生じさせるのが好ましい。尚、周辺領域１Ｂにて第一基板側と第二基板側との間で、プレチルト角を変える事ができれば、第一配向膜１４や第二配向膜１６は無機膜に限られず、ポリイミド等の有機膜で有っても構わない。
【００５２】
第一配向膜１４と低密度の第一配向膜１４Ｌと第二配向膜１６とは、酸化珪素膜や窒化珪素膜等の、従来から液晶装置１００の構成材料として用いられている絶縁膜を用いて形成される為、これらを形成するのに特別な材料や製造工程は不要である。従って、イオントラップ部６０を設けても、液晶装置１００の製造性が損なわれる事はない。又、第一配向膜１４と低密度の第一配向膜１４Ｌとは、必要箇所のみに開口部が設けられたマスクを用いる、所謂マスク蒸着法、等で容易に作り分ける事ができる。
【００５３】
本実施形態では、表示領域１Ａに形成された第一配向膜１４の密度と表示領域１Ａに形成された第二配向膜１６の密度と周辺領域１Ｂに形成された第二配向膜１６の密度とがほぼ等しく、表示領域１Ａに形成された第一配向膜１４の密度よりも周辺領域１Ｂに形成された低密度の第一配向膜１４Ｌの密度の方が低かった。これに伴い、表示領域１Ａにおける第一基板側でのプレチルト角と表示領域１Ａにおける第二基板側でのプレチルト角と周辺領域１Ｂにおける第二基板側でのプレチルト角とがほぼ等しく、表示領域１Ａにおける第一基板側でのプレチルト角が周辺領域１Ｂにおける第一基板側でのプレチルト角よりも小さかった。これとは反対に、表示領域１Ａに形成された第一配向膜１４の密度と表示領域１Ａに形成された第二配向膜１６の密度と周辺領域１Ｂに形成された第二配向膜１６の密度とがほぼ等しく、表示領域１Ａに形成された第一配向膜１４の密度よりも周辺領域１Ｂに形成された第一配向膜１４の密度の方を高くしても良い。この場合、表示領域１Ａにおける第一基板側でのプレチルト角と表示領域１Ａにおける第二基板側でのプレチルト角と周辺領域１Ｂにおける第二基板側でのプレチルト角とがほぼ等しく、表示領域１Ａにおける第一基板側でのプレチルト角が周辺領域１Ｂにおける第一基板側でのプレチルト角よりも大きくなる。こうした構成を取ると、液晶材料５０中に存在する正のイオン性不純物がイオントラップ部６０の周辺電極６１近傍に集積されて効率的に捕獲される。
【００５４】
尚、配向膜の密度がほぼ等しいとは、これらの配向膜を製造する際に、意図的に異なった膜にする訳ではないとの意味である。同様に、プレチルト角がほぼ等しいとは、プレチルト角を定める製造工程で、意図的にプレチルト角を異ならせているのではない、との意味である。
【００５５】
「周辺電極信号」
液晶装置１００では、画像表示前、画像表示中、又は画像表示後に、周辺電極６１に周辺電極信号ＶITを供給して、周辺電極６１と第二周辺電極６２（共通電極２１）との間に発生させた電界を液晶材料５０に作用させ、液晶材料５０中のイオン性不純物を捕獲する。これにより、表示領域１Ａで発生したイオン性不純物や、シール材５１や封止剤５２から溶出したイオン性不純物を周辺領域１Ｂに固定する事ができる。その結果、イオン性不純物が表示領域１Ａ内の配向膜等に吸着される事態が抑制され、これが原因となる画像焼きつきやシミなどの表示不良が少ない液晶装置とする事ができる。
【００５６】
周辺電極６１に印加する周辺電極信号ＶITは、共通電位Ｖcomに対して正負の振幅を持つ交番電位となる。交番電位の周波数は例えば２４０Ｈｚである。この結果、イオントラップ部６０では液晶材料５０に対して交番電界が印加される為、液晶材料５０中のイオン性不純物を効果的に捕獲する事ができる。
【００５７】
尚、本実施形態では、イオントラップ部６０が表示領域１Ａを取り囲み、平面視で矩形枠状である場合について説明したが、この構成に限定されるものではない。例えば、周辺領域１Ｂにおいて、間欠的に複数のイオントラップ部６０（周辺電極６１）が配置されている構成としても良い。或いは、表示領域１Ａの角部（特に、シミやムラ等の表示不良が発生し易い、液晶分子の配向方向に位置する角部）に対応する位置にのみイオントラップ部６０が設けられていても良いし、表示領域１Ａの辺縁に沿って直線状のイオントラップ部６０が設けられている構成としても良い。又、他の例としては、矩形枠状のイオントラップ部６０を二重枠状や三重枠状に複数配置した構成としても良い。
【００５８】
「電子機器」
図５は電子機器としての投射型表示装置の構成を示す模式図である。次に、図５を参照して、本実施形態の電子機器を説明する。
【００５９】
図５に示される様に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、３つのダイクロイックミラー１１１１，１１１２，１１１５と、２つの反射ミラー１１１３，１１１４と、３つの光変調素子としての反射型の液晶装置１００を含む液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０と、クロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００６０】
偏光照明装置１１００は、ハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００６１】
偏光照明装置１１００から出射された偏光光束は、互いに直交して配置されたダイクロイックミラー１１１１とダイクロイックミラー１１１２とに入射する。光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１１は、入射した偏光光束のうち赤色光Ｒを反射する。もう一方の光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１２は、入射した偏光光束のうち緑色光Ｇと青色光Ｂとを反射する。
【００６２】
反射した赤色光Ｒは反射ミラー１１１３により再び反射され、液晶ライトバルブ１２５０に入射する。一方、反射した緑色光Ｇと青色光Ｂとは反射ミラー１１１４により再び反射して光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１５に入射する。ダイクロイックミラー１１１５は緑色光Ｇを反射し、青色光Ｂを透過する。反射した緑色光Ｇは液晶ライトバルブ１２６０に入射する。透過した青色光Ｂは液晶ライトバルブ１２７０に入射する。
【００６３】
液晶ライトバルブ１２５０は、反射型の液晶パネル１２５１（液晶装置１００）と、反射型偏光素子としてのワイヤーグリッド偏光板１２５３とを備えている。液晶ライトバルブ１２５０は、ワイヤーグリッド偏光板１２５３によって反射した赤色光Ｒがクロスダイクロイックプリズム１２０６の入射面に垂直に入射する様に配置されている。又、ワイヤーグリッド偏光板１２５３の偏光度を補う補助偏光板１２５４が液晶ライトバルブ１２５０における赤色光Ｒの入射側に配置され、もう１つの補助偏光板１２５５が赤色光Ｒの出射側においてクロスダイクロイックプリズム１２０６の入射面に沿って配置されている。尚、反射型偏光素子として偏光ビームスプリッターを用いた場合には、一対の補助偏光板１２５４，１２５５を省略する事も可能である。この様な反射型の液晶ライトバルブ１２５０の構成と各構成の配置は、他の反射型の液晶ライトバルブ１２６０，１２７０においても同じである。
【００６４】
液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０に入射した各色光は、画像情報に基づいて変調され、再びワイヤーグリッド偏光板１２５３，１２６３，１２７３を経由してクロスダイクロイックプリズム１２０６に入射する。クロスダイクロイックプリズム１２０６では、各色光が合成され、合成された光は投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００６５】
本実施形態では、液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０における反射型の液晶パネル１２５１，１２６１，１２７１として上述の反射型の液晶装置１００が適用されている。
【００６６】
この様な投射型表示装置１０００によれば、反射型の液晶装置１００を液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０に用いているので、明るい画像を投射可能であると共に高速駆動が可能な反射型の投射型表示装置１０００を提供できる。こうした構成を取ると、表示品位が高く、製品寿命の長い電子機器を比較的簡便な製造工程で製造する事ができる。
【００６７】
以上述べてきた様に、本実施形態の電気光学装置では、表示領域１Ａに形成される第一配向膜１４と第二配向膜１６とは同質な物となるので、基板間で電気的な対称性ＥＳｍが保たれ、表示品質の経時劣化を防ぐ事ができる。更に、周辺領域１Ｂに形成された低密度の第一配向膜１４Ｌの密度と周辺領域１Ｂに形成された第二配向膜１６の密度とが異なる事になるので、周辺領域では電気的に非対称となる。これにより、第一基板と第二基板との間に特異な電界ＳＥＦが形成され、液晶材料５０中に存在するイオン性不純物を効率的に捕獲する事ができる。即ち、シミやムラなど表示不良が削減されて高い表示品位が得られると共に、液晶材料５０に大きな電圧を印加し続ける必要もなく、簡便な製造工程で製造された液晶装置１００の高い表示品質の低下を抑制する事が可能になる。換言すると、液晶装置１００の製品寿命と簡便な製造工程とを両立させる事ができる。
【００６８】
（実施形態２）
「第二配向膜が異なる形態」
図６は、液晶装置の概略的な拡大断面図である。次に第二配向膜１６が異なる形態を、図６と図４とを参照して、説明する。尚、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。
【００６９】
本実施形態（図６）は実施形態１（図３）と比べて、第一配向膜１４と第二配向膜１６との形態が異なっている。それ以外の構成は、実施形態１とほぼ同様である。こうした構成としても、実施形態１と同じ効果が得られる。本実施形態の電気光学装置では、図６に示される様に、表示領域１Ａに形成された第二配向膜１６の密度と、周辺領域１Ｂに形成された第二配向膜１６（本実施形態の場合、低密度の第二配向膜１６Ｌ）の密度と、が異なっている。実施形態１と同様に、表示領域１Ａに形成された第一配向膜１４の密度と表示領域１Ａに形成された第二配向膜１６の密度とはほぼ等しくされ、これらの配向膜が同質な物とされている。その結果、表示領域１Ａにおいては、第一基板と第二基板との間で電気的な対称性ＥＳｍが保たれ、表示品質の経時劣化が防止されている。
【００７０】
図６に示される様に、表示領域１Ａに形成された第二配向膜１６の密度と周辺領域１Ｂに形成された低密度の第二配向膜１６Ｌの密度とが異なり、表示領域１Ａに形成された第一配向膜１４の密度と周辺領域１Ｂに形成された第一配向膜１４の密度とがほぼ等しいと、周辺領域１Ｂに形成された低密度の第二配向膜１６Ｌの密度と周辺領域１Ｂに形成された第一配向膜１４の密度とが異なる事になり、周辺領域１Ｂでは電気的に非対称となる。これにより、第一基板と第二基板との間に大きな直流成分を持つ特異な電界ＳＥＦが形成され、液晶材料５０中に存在するイオン性不純物がイオントラップ部６０に集積されて効率的に捕獲される。要するに、図６に示される様に、表示領域１Ａに形成された第二配向膜１６の密度と表示領域１Ａに形成された第一配向膜１４の密度と周辺領域１Ｂに形成された第一配向膜１４の密度とがほぼ等しく、表示領域１Ａに形成された第二配向膜１６の密度と周辺領域１Ｂに形成された低密度の第二配向膜１６Ｌの密度とが異なる様にすると、シミやムラなど表示不良が削減されて高い表示品位が得られると共に、液晶材料５０に大きな電圧を印加し続ける必要もなく、簡便な製造工程で製造された液晶装置１００の表示品位を高め、且つその経時劣化を抑制する事が可能になる。換言すると、液晶装置１００の製品寿命と簡便な製造工程とを両立させる事ができる。
【００７１】
本実施形態では、周辺領域１Ｂにおける低密度の第二配向膜１６Ｌの密度が第一配向膜１４の密度よりも低い為に、周辺領域１Ｂにおける対向基板２０側のプレチルト角は約５°で、素子基板１０側のプレチルト角は約１°となり、共通電位ずれＶcom  Ｓｈｉｆｔは、図４に丸印にて記載されている（Ｅｍｂ２）。本実施形態の様に、対向基板２０側の低密度の第二配向膜１６Ｌの密度が素子基板１０側の第一配向膜１４の密度よりも低いと、対向基板２０側のプレチルト角が素子基板１０側のプレチルト角よりも大きくなり、これにより液晶装置１００には負極の大きな残留ＤＣ成分（特異な電界ＳＥＦ）が発生する事になる。この結果、正イオンがイオントラップ部６０の周辺電極６１側に集積されて捕獲されるので、表示領域１Ａ内のイオン性不純物による表示品位低下を防ぐ事ができる。
【００７２】
本実施形態では、表示領域１Ａにおける第二基板側でのプレチルト角と周辺領域１Ｂにおける第二基板側でのプレチルト角とが異なり、表示領域１Ａにおける第一基板側でのプレチルト角と周辺領域１Ｂにおける第一基板側でのプレチルト角とがほぼ等しい。その結果、周辺領域１Ｂにおける第二基板側でのプレチルト角と周辺領域１Ｂにおける第一基板側でのプレチルト角とが異なる事になり、周辺領域１Ｂでは電気的に非対称となる。これにより、第一基板と第二基板との間に大きな直流成分を持つ特異な電界ＳＥＦが形成され、液晶材料５０中に存在するイオン性不純物がイオントラップ部６０に集積されて効率的に捕獲される。要するに、表示領域１Ａにおける第一基板側でのプレチルト角と表示領域１Ａにおける第二基板側でのプレチルト角と周辺領域１Ｂにおける第一基板側でのプレチルト角とがほぼ等しく、表示領域１Ａにおける第二基板側でのプレチルト角と周辺領域１Ｂにおける第二基板側でのプレチルト角とが異なる様にすると、シミやムラなど表示不良が削減されて高い表示品位が得られると共に、液晶材料５０に大きな電圧を印加し続ける必要もなく、簡便な製造工程で製造された液晶装置１００の表示品位を高め、且つその経時劣化を抑制する事が可能になる。換言すると、液晶装置１００の製品寿命と簡便な製造工程とを両立させる事ができる。
【００７３】
本実施形態では、表示領域１Ａに形成された第一配向膜１４の密度と表示領域１Ａに形成された第二配向膜１６の密度と周辺領域１Ｂに形成された第一配向膜１４の密度とがほぼ等しく、表示領域１Ａに形成された第二配向膜１６の密度よりも周辺領域１Ｂに形成された低密度の第二配向膜１６Ｌの密度の方が低かった。これに伴い、表示領域１Ａにおける第一基板側でのプレチルト角と表示領域１Ａにおける第二基板側でのプレチルト角と周辺領域１Ｂにおける第一基板側でのプレチルト角とがほぼ等しく、表示領域１Ａにおける第二基板側でのプレチルト角が周辺領域１Ｂにおける第二基板側でのプレチルト角よりも小さかった。これとは反対に、表示領域１Ａに形成された第一配向膜１４の密度と表示領域１Ａに形成された第二配向膜１６の密度と周辺領域１Ｂに形成された第一配向膜１４の密度とがほぼ等しく、表示領域１Ａに形成された第二配向膜１６の密度よりも周辺領域１Ｂに形成された第二配向膜１６の密度の方を高くしても良い。この場合、表示領域１Ａにおける第一基板側でのプレチルト角と表示領域１Ａにおける第二基板側でのプレチルト角と周辺領域１Ｂにおける第一基板側でのプレチルト角とがほぼ等しく、表示領域１Ａにおける第二基板側でのプレチルト角が周辺領域１Ｂにおける第二基板側でのプレチルト角よりも大きくなる。こうした構成を取ると、液晶材料５０中に存在する負のイオン性不純物がイオントラップ部６０の周辺電極６１近傍に集積されて効率的に捕獲される。
【００７４】
（実施形態３）
「第一配向膜と第二配向膜とが異なる形態１」
図７は、液晶装置の概略的な拡大断面図である。次に第一配向膜１４と第二配向膜１６とが異なる形態を、図７を参照して、説明する。尚、実施形態１乃至２と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。
【００７５】
本実施形態（図７）は実施形態１（図３）と比べて、第一配向膜１４と第二配向膜１６との形態が異なっている。それ以外の構成は、実施形態１とほぼ同様である。こうした構成としても、実施形態１と同じ効果が得られる。本実施形態の電気光学装置では、図７に示される様に、表示領域１Ａに形成された第一配向膜１４の密度と、周辺領域１Ｂに形成された第一配向膜１４（本実施形態の場合、低密度の第一配向膜１４Ｌ）の密度と、が異なり、更に、表示領域１Ａに形成された第二配向膜１６の密度と、周辺領域１Ｂに形成された第二配向膜１６（本実施形態の場合、高密度の第二配向膜１６Ｈ）の密度と、が異なっている。実施形態１と同様に、表示領域１Ａに形成された第一配向膜１４の密度と表示領域１Ａに形成された第二配向膜１６の密度とはほぼ等しくされ、これらの配向膜が同質な物とされている。その結果、表示領域１Ａにおいては、第一基板と第二基板との間で電気的な対称性ＥＳｍが保たれ、表示品質の経時劣化が防止されている。
【００７６】
図７に示される様に、表示領域１Ａに形成された第二配向膜１６の密度と周辺領域１Ｂに形成された高密度の第二配向膜１６Ｈの密度とが異なり、表示領域１Ａに形成された第一配向膜１４の密度と周辺領域１Ｂに形成された低密度の第一配向膜１４Ｌの密度とが異なり、表示領域１Ａに形成された第二配向膜１６の密度と表示領域１Ａに形成された第一配向膜１４の密度とがほぼ等しいと、周辺領域１Ｂに形成された高密度の第二配向膜１６Ｈの密度と周辺領域１Ｂに形成された低密度の第一配向膜１４Ｌの密度とが異なる事になり、周辺領域１Ｂでは電気的に非対称となる。これにより、第一基板と第二基板との間に大きな直流成分を持つ特異な電界ＳＥＦが形成され、液晶材料５０中に存在するイオン性不純物がイオントラップ部６０に集積されて効率的に捕獲される。要するに、図７に示される様に、表示領域１Ａに形成された第一配向膜１４の密度と表示領域１Ａに形成された第二配向膜１６の密度とがほぼ等しく、周辺領域１Ｂに形成された低密度の第一配向膜１４Ｌの密度と周辺領域１Ｂに形成された高密度の第二配向膜１６Ｈの密度とが異なり、表示領域１Ａに形成された第一配向膜１４の密度と周辺領域１Ｂに形成された低密度の第一配向膜１４Ｌの密度とが異なり、表示領域１Ａに形成された第二配向膜１６の密度と周辺領域１Ｂに形成された高密度の第二配向膜１６Ｈの密度とが異なる様にすると、シミやムラなど表示不良が削減されて高い表示品位が得られると共に、液晶材料５０に大きな電圧を印加し続ける必要もなく、簡便な製造工程で製造された液晶装置１００の表示品位を高め、且つその経時劣化を抑制する事が可能になる。換言すると、液晶装置１００の製品寿命と簡便な製造工程とを両立させる事ができる。尚、本実施形態では、低密度の第一配向膜１４Ｌの密度は１．８ｇ／ｃｍ3であり、表示領域１Ａに形成された第一配向膜１４の密度と表示領域１Ａに形成された第二配向膜１６の密度とは１．９ｇ／ｃｍ3であり、高密度の第二配向膜１６Ｈの密度は２．０ｇ／ｃｍ3であった。
【００７７】
本実施形態では、表示領域１Ａにおける第一基板側でのプレチルト角と周辺領域１Ｂにおける第一基板側でのプレチルト角とが異なり、表示領域１Ａにおける第二基板側でのプレチルト角と周辺領域１Ｂにおける第二基板側でのプレチルト角とが異なり、表示領域１Ａにおける第一基板側でのプレチルト角と表示領域１Ａにおける第二基板側でのプレチルト角とがほぼ等しい。その結果、周辺領域１Ｂにおける第二基板側でのプレチルト角と周辺領域１Ｂにおける第一基板側でのプレチルト角とが異なる事になり、周辺領域１Ｂでは電気的に非対称となる。これにより、第一基板と第二基板との間に大きな直流成分を持つ特異な電界ＳＥＦが形成され、液晶材料５０中に存在するイオン性不純物がイオントラップ部６０に集積されて効率的に捕獲される。要するに、表示領域１Ａにおける第一基板側でのプレチルト角と表示領域１Ａにおける第二基板側でのプレチルト角とがほぼ等しく、周辺領域１Ｂにおける第一基板側でのプレチルト角と周辺領域１Ｂにおける第二基板側でのプレチルト角とが異なる様にすると、シミやムラなど表示不良が削減されて高い表示品位が得られると共に、液晶材料５０に大きな電圧を印加し続ける必要もなく、簡便な製造工程で製造された液晶装置１００の表示品位を高め、且つその経時劣化を抑制する事が可能になる。換言すると、液晶装置１００の製品寿命と簡便な製造工程とを両立させる事ができる。
【００７８】
本実施形態では、表示領域１Ａに形成された第一配向膜１４の密度と表示領域１Ａに形成された第二配向膜１６の密度とがほぼ等しく、表示領域１Ａに形成された第一配向膜１４の密度よりも周辺領域１Ｂに形成された低密度の第一配向膜１４Ｌの密度の方が低く、表示領域１Ａに形成された第二配向膜１６の密度よりも周辺領域１Ｂに形成された高密度の第二配向膜１６Ｈの密度の方が高かった。これに伴い、表示領域１Ａにおける第一基板側でのプレチルト角と表示領域１Ａにおける第二基板側でのプレチルト角とがほぼ等しく、表示領域１Ａにおける第一基板側でのプレチルト角が周辺領域１Ｂにおける第一基板側でのプレチルト角よりも小さく、表示領域１Ａにおける第二基板側でのプレチルト角が周辺領域１Ｂにおける第二基板側でのプレチルト角よりも大きかった。こうした構成を取ると、周辺領域１Ｂでの基板間でのプレチルト角の差が大きくなるので、特異な電界ＳＥＦも強くなり、液晶材料５０中に存在する負のイオン性不純物がイオントラップ部６０の周辺電極６１近傍に集積されてより効率的に捕獲される。
【００７９】
（実施形態４）
「第一配向膜と第二配向膜とが異なる形態２」
図８は、液晶装置の概略的な拡大断面図である。次に第一配向膜１４と第二配向膜１６とが異なる別の形態を、図８を参照して、説明する。尚、実施形態１乃至３と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。
【００８０】
本実施形態（図８）は実施形態３（図７）と比べて、第一配向膜１４と第二配向膜１６との形態が異なっている。それ以外の構成は、実施形態３とほぼ同様である。こうした構成としても、実施形態１乃至３と同じ効果が得られる。本実施形態の電気光学装置では、図８に示される様に、表示領域１Ａに形成された第一配向膜１４の密度と、周辺領域１Ｂに形成された第一配向膜１４（本実施形態の場合、高密度の第一配向膜１４Ｈ）の密度と、が異なり、更に、表示領域１Ａに形成された第二配向膜１６の密度と、周辺領域１Ｂに形成された第二配向膜１６（本実施形態の場合、低密度の第二配向膜１６Ｌ）の密度と、が異なっている。実施形態１と同様に、表示領域１Ａに形成された第一配向膜１４の密度と表示領域１Ａに形成された第二配向膜１６の密度とはほぼ等しくされ、これらの配向膜が同質な物とされている。その結果、表示領域１Ａにおいては、第一基板と第二基板との間で電気的な対称性ＥＳｍが保たれ、表示品質の経時劣化が防止されている。
【００８１】
図８に示される様に、表示領域１Ａに形成された第二配向膜１６の密度と周辺領域１Ｂに形成された低密度の第二配向膜１６Ｌの密度とが異なり、表示領域１Ａに形成された第一配向膜１４の密度と周辺領域１Ｂに形成された高密度の第一配向膜１４Ｈの密度とが異なり、表示領域１Ａに形成された第二配向膜１６の密度と表示領域１Ａに形成された第一配向膜１４の密度とがほぼ等しいと、周辺領域１Ｂに形成された低密度の第二配向膜１６Ｌの密度と周辺領域１Ｂに形成された高密度の第一配向膜１４Ｈの密度とが異なる事になり、周辺領域１Ｂでは電気的に非対称となる。これにより、第一基板と第二基板との間に大きな直流成分を持つ特異な電界ＳＥＦが形成され、液晶材料５０中に存在するイオン性不純物がイオントラップ部６０に集積されて効率的に捕獲される。要するに、図８に示される様に、表示領域１Ａに形成された第一配向膜１４の密度と表示領域１Ａに形成された第二配向膜１６の密度とがほぼ等しく、周辺領域１Ｂに形成された高密度の第一配向膜１４Ｈの密度と周辺領域１Ｂに形成された低密度の第二配向膜１６Ｌの密度とが異なり、表示領域１Ａに形成された第一配向膜１４の密度と周辺領域１Ｂに形成された高密度の第一配向膜１４Ｈの密度とが異なり、表示領域１Ａに形成された第二配向膜１６の密度と周辺領域１Ｂに形成された低密度の第二配向膜１６Ｌの密度とが異なる様にすると、シミやムラなど表示不良が削減されて高い表示品位が得られると共に、液晶材料５０に大きな電圧を印加し続ける必要もなく、簡便な製造工程で製造された液晶装置１００の表示品位を高め、且つその経時劣化を抑制する事が可能になる。換言すると、液晶装置１００の製品寿命と簡便な製造工程とを両立させる事ができる。尚、本実施形態では、高密度の第一配向膜１４Ｈの密度は２．０ｇ／ｃｍ3であり、表示領域１Ａに形成された第一配向膜１４の密度と表示領域１Ａに形成された第二配向膜１６の密度とは１．９ｇ／ｃｍ3であり、低密度の第二配向膜１６Ｌの密度は１．８ｇ／ｃｍ3であった。
【００８２】
本実施形態では、表示領域１Ａにおける第一基板側でのプレチルト角と周辺領域１Ｂにおける第一基板側でのプレチルト角とが異なり、表示領域１Ａにおける第二基板側でのプレチルト角と周辺領域１Ｂにおける第二基板側でのプレチルト角とが異なり、表示領域１Ａにおける第一基板側でのプレチルト角と表示領域１Ａにおける第二基板側でのプレチルト角とがほぼ等しい。その結果、周辺領域１Ｂにおける第二基板側でのプレチルト角と周辺領域１Ｂにおける第一基板側でのプレチルト角とが異なる事になり、周辺領域１Ｂでは電気的に非対称となる。これにより、第一基板と第二基板との間に大きな直流成分を持つ特異な電界ＳＥＦが形成され、液晶材料５０中に存在するイオン性不純物がイオントラップ部６０に集積されて効率的に捕獲される。要するに、表示領域１Ａにおける第一基板側でのプレチルト角と表示領域１Ａにおける第二基板側でのプレチルト角とがほぼ等しく、周辺領域１Ｂにおける第一基板側でのプレチルト角と周辺領域１Ｂにおける第二基板側でのプレチルト角とが異なる様にすると、シミやムラなど表示不良が削減されて高い表示品位が得られると共に、液晶材料５０に大きな電圧を印加し続ける必要もなく、簡便な製造工程で製造された液晶装置１００の表示品位を高め、且つその経時劣化を抑制する事が可能になる。換言すると、液晶装置１００の製品寿命と簡便な製造工程とを両立させる事ができる。
【００８３】
本実施形態では、表示領域１Ａに形成された第一配向膜１４の密度と表示領域１Ａに形成された第二配向膜１６の密度とがほぼ等しく、表示領域１Ａに形成された第一配向膜１４の密度よりも周辺領域１Ｂに形成された高密度の第一配向膜１４Ｈの密度の方が高く、表示領域１Ａに形成された第二配向膜１６の密度よりも周辺領域１Ｂに形成された低密度の第二配向膜１６Ｌの密度の方が低かった。これに伴い、表示領域１Ａにおける第一基板側でのプレチルト角と表示領域１Ａにおける第二基板側でのプレチルト角とがほぼ等しく、表示領域１Ａにおける第一基板側でのプレチルト角が周辺領域１Ｂにおける第一基板側でのプレチルト角よりも大きく、表示領域１Ａにおける第二基板側でのプレチルト角が周辺領域１Ｂにおける第二基板側でのプレチルト角よりも小さかった。こうした構成を取ると、周辺領域１Ｂでの基板間でのプレチルト角の差が大きくなるので、特異な電界ＳＥＦも強くなり、液晶材料５０中に存在する正のイオン性不純物がイオントラップ部６０の周辺電極６１近傍に集積されてより効率的に捕獲される。
【００８４】
（実施形態５）
「絶縁膜が異なる形態１」
図９は、液晶装置の概略的な拡大断面図である。次に第三絶縁膜３１と絶縁膜３２とが異なる形態を、図９を参照して、説明する。尚、実施形態１乃至４と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。
【００８５】
本実施形態（図９）は実施形態３（図７）と比べて、第三絶縁膜３１と絶縁膜３２との形態が異なっている。それ以外の構成は、実施形態３とほぼ同様である。こうした構成としても、実施形態３と同じ効果が得られる。実施形態１乃至４では、第一配向膜１４や第二配向膜１６を領域に応じて作り分けるのにマスク蒸着法を使用するといった製造工程を変更する事で対応していた。これに対して、本実施形態の電気光学装置では、図９に示される様に、電気光学装置の構成を変更する事で配向膜の密度を変えている。配向膜は、その下層に位置する下地膜の表面粗さによって膜密度が変化する。本願発明者の研究によると、下地膜の表面が粗い程、その上層に形成される配向膜の密度は低下する。従って、本実施形態では、第三絶縁膜３１又は絶縁膜３２の一方、或いは第三絶縁膜３１と絶縁膜３２との双方、を表示領域１Ａと周辺領域１Ｂとで異なった物とする。下地膜となる第三絶縁膜３１や絶縁膜３２には、酸化珪素膜や窒化珪素膜を用いる事ができ、これらをパシベーション膜として利用しても良い。
【００８６】
図９に示される様に、イオントラップ部６０において、下地膜が表面粗さの大きい第三絶縁膜３１Ｒであると、その上層に形成される第一配向膜１４は低密度の第一配向膜１４Ｌとなり、下地膜が表面粗さの小さい絶縁膜３２Ｓであると、その上層に形成される第二配向膜１６は高密度の第二配向膜１６Ｈとなる。こうして、実施形態３と同じ構成が実現され、周辺領域１Ｂにおいて第一基板と第二基板との間に大きな直流成分を持つ特異な電界ＳＥＦが形成され、液晶材料５０中に存在するイオン性不純物がイオントラップ部６０に集積されて効率的に捕獲される。その結果、周辺領域１Ｂでの基板間でのプレチルト角の差が大きくなるので、特異な電界ＳＥＦも強くなり、液晶材料５０中に存在する負のイオン性不純物がイオントラップ部６０の周辺電極６１近傍に集積されてより効率的に捕獲される。
【００８７】
（実施形態６）
「絶縁膜が異なる形態２」
図１０は、液晶装置の概略的な拡大断面図である。次に第三絶縁膜３１と絶縁膜３２とが異なる別の形態を、図１０を参照して、説明する。尚、実施形態１乃至５と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。
【００８８】
本実施形態（図１０）は実施形態４（図８）と比べて、第三絶縁膜３１と絶縁膜３２との形態が異なっている。それ以外の構成は、実施形態４とほぼ同様である。こうした構成としても、実施形態４と同じ効果が得られる。実施形態１乃至４では、第一配向膜１４や第二配向膜１６を領域に応じて作り分けるのにマスク蒸着法を使用するといった製造工程を変更する事で対応していた。これに対して、本実施形態の電気光学装置では、図１０に示される様に、電気光学装置の構成を変更する事で配向膜の密度を変えている。配向膜は、その下層に位置する下地膜の表面粗さによって膜密度が変化する。本願発明者の研究によると、下地膜の表面が粗い程、その上層に形成される配向膜の密度は低下する。従って、本実施形態では、第三絶縁膜３１又は絶縁膜３２の一方、或いは第三絶縁膜３１と絶縁膜３２との双方、を表示領域１Ａと周辺領域１Ｂとで異なった物とする。下地膜となる第三絶縁膜３１や絶縁膜３２には、酸化珪素膜や窒化珪素膜を用いる事ができ、これらをパシベーション膜として利用しても良い。
【００８９】
図１０に示される様に、イオントラップ部６０において、下地膜が表面粗さの小さい第三絶縁膜３１Ｓであると、その上層に形成される第一配向膜１４は高密度の第一配向膜１４Ｈとなり、下地膜が表面粗さの大きい絶縁膜３２Ｒであると、その上層に形成される第二配向膜１６は低密度の第二配向膜１６Ｌとなる。こうして、実施形態４と同じ構成が実現され、周辺領域１Ｂにおいて第一基板と第二基板との間に大きな直流成分を持つ特異な電界ＳＥＦが形成され、液晶材料５０中に存在するイオン性不純物がイオントラップ部６０に集積されて効率的に捕獲される。その結果、周辺領域１Ｂでの基板間でのプレチルト角の差が大きくなるので、特異な電界ＳＥＦも強くなり、液晶材料５０中に存在する正のイオン性不純物がイオントラップ部６０の周辺電極６１近傍に集積されてより効率的に捕獲される。
【００９０】
（実施形態７）
「配向膜が二層の形態１」
図１１は、液晶装置の概略的な拡大断面図である。次に配向膜が二層の形態を、図１１を参照して、説明する。尚、実施形態１乃至４と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。
【００９１】
本実施形態（図１１）は実施形態３（図７）と比べて、配向膜の形態が異なっている。それ以外の構成は、実施形態３とほぼ同様である。こうした構成としても、実施形態３と同じ効果が得られる。実施形態１乃至４では、第一配向膜１４や第二配向膜１６は一層の膜であった。これに対して、本実施形態の電気光学装置では、図１１に示される様に、配向膜は二層構造とされている。二層の配向膜では、その下層配向膜の表面粗さによって上層配向膜の膜密度が変化する。本願発明者の研究によると、下層配向膜の表面が粗い程、その上層に形成される上層配向膜の密度は低下する。従って、本実施形態では、第一配向膜１４も第二配向膜１６も二層構造とし、第一配向膜１４と第二配向膜１６との一方、或いは第一配向膜１４と第二配向膜１６との双方、を表示領域１Ａと周辺領域１Ｂとで異なった物とする。下層配向膜は垂直蒸着配向膜であり、上層配向膜は斜方蒸着配向膜としても良い。
【００９２】
図１１に示される様に、表示領域１Ａにおける第一配向膜１４はその下層に第一垂直蒸着配向膜１４Ｖを有し、表示領域１Ａにおける第二配向膜１６はその下層に第二垂直蒸着配向膜１６Ｖを有する。第一垂直蒸着配向膜１４Ｖと第二垂直蒸着配向膜１６Ｖとは同質膜とされ、その結果、表示領域１Ａにおける第一配向膜１４と表示領域１Ａにおける第二配向膜１６とは同じ膜密度を有する同質膜となる。
【００９３】
第一基板のイオントラップ部６０においては、第三絶縁膜３１上に表面粗さが大きい第一垂直蒸着配向膜１４ＶＲが形成され、その上層に低密度の第一配向膜１４Ｌが形成される。第二基板のイオントラップ部６０においては、絶縁膜３２上に表面粗さが小さい第二垂直蒸着配向膜１６ＶＳが形成され、その上層に高密度の第二配向膜１６Ｈが形成される。こうして、実施形態３と同じ構成が実現され、周辺領域１Ｂにおいて第一基板と第二基板との間に大きな直流成分を持つ特異な電界ＳＥＦが形成され、液晶材料５０中に存在するイオン性不純物がイオントラップ部６０に集積されて効率的に捕獲される。その結果、周辺領域１Ｂでの基板間でのプレチルト角の差が大きくなるので、特異な電界ＳＥＦも強くなり、液晶材料５０中に存在する負のイオン性不純物がイオントラップ部６０の周辺電極６１近傍に集積されてより効率的に捕獲される。
【００９４】
（実施形態８）
「配向膜が二層の形態２」
図１２は、液晶装置の概略的な拡大断面図である。次に配向膜が二層の形態を、図１２を参照して、説明する。尚、実施形態１乃至４と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。
【００９５】
本実施形態（図１２）は実施形態４（図８）と比べて、配向膜の形態が異なっている。それ以外の構成は、実施形態４とほぼ同様である。こうした構成としても、実施形態４と同じ効果が得られる。実施形態１乃至４では、第一配向膜１４や第二配向膜１６は一層の膜であった。これに対して、本実施形態の電気光学装置では、図１２に示される様に、配向膜は二層構造とされている。二層の配向膜では、その下層配向膜の表面粗さによって上層配向膜の膜密度が変化する。本願発明者の研究によると、下層配向膜の表面が粗い程、その上層に形成される上層配向膜の密度は低下する。従って、本実施形態では、第一配向膜１４も第二配向膜１６も二層構造とし、第一配向膜１４と第二配向膜１６との一方、或いは第一配向膜１４と第二配向膜１６との双方、を表示領域１Ａと周辺領域１Ｂとで異なった物とする。下層配向膜は垂直蒸着配向膜であり、上層配向膜は斜方蒸着配向膜としても良い。
【００９６】
図１２に示される様に、表示領域１Ａにおける第一配向膜１４はその下層に第一垂直蒸着配向膜１４Ｖを有し、表示領域１Ａにおける第二配向膜１６はその下層に第二垂直蒸着配向膜１６Ｖを有する。第一垂直蒸着配向膜１４Ｖと第二垂直蒸着配向膜１６Ｖとは同質膜とされ、その結果、表示領域１Ａにおける第一配向膜１４と表示領域１Ａにおける第二配向膜１６とは同じ膜密度を有する同質膜となる。
【００９７】
第一基板のイオントラップ部６０においては、第三絶縁膜３１上に表面粗さが小さい第一垂直蒸着配向膜１４ＶＳが形成され、その上層に高密度の第一配向膜１４Ｈが形成される。第二基板のイオントラップ部６０においては、絶縁膜３２上に表面粗さが大きい第二垂直蒸着配向膜１６ＶＲが形成され、その上層に低密度の第二配向膜１６Ｌが形成される。こうして、実施形態４と同じ構成が実現され、周辺領域１Ｂにおいて第一基板と第二基板との間に大きな直流成分を持つ特異な電界ＳＥＦが形成され、液晶材料５０中に存在するイオン性不純物がイオントラップ部６０に集積されて効率的に捕獲される。その結果、周辺領域１Ｂでの基板間でのプレチルト角の差が大きくなるので、特異な電界ＳＥＦも強くなり、液晶材料５０中に存在する正のイオン性不純物がイオントラップ部６０の周辺電極６１近傍に集積されてより効率的に捕獲される。
【００９８】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及びこの電気光学装置を適用する電子機器も又本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【００９９】
（変形例１）
「周辺電極とダミー電極とを兼用する形態」
図１を参照して説明する。実施形態１乃至８では、図１に示される様に、ダミー画素ＤＭの外側にイオントラップ部６０が設けられていた。即ち、ダミー電極３０Ｄの外側に周辺電極６１が設けられていた。これに対して、本変形例にて説明する様に、ダミー電極３０Ｄにて周辺電極６１を兼用させても良い。
【０１００】
具体的には、平面視にて周辺領域１Ｂのほぼ全面をダミー画素ＤＭにて覆い、遮光膜ＢＭにて隠されたダミー画素ＤＭを周辺電極６１として使用する。この場合、表示領域に隣接するダミー画素ＤＭでは第一基板と第二基板との間で電気的な対称性ＥＳｍが保たれ、表示品質の経時劣化が防止されている。一方、イオントラップ部６０に形成されたダミー画素ＤＭでは第一基板と第二基板との間に大きな直流成分を持つ特異な電界ＳＥＦが形成され、液晶材料５０中に存在するイオン性不純物がイオントラップ部６０に集積されて効率的に捕獲される。換言すると、ダミー画素ＤＭが周辺領域１Ｂに複数列設けられている場合には、表示領域１Ａに隣接するダミー画素ＤＭでは、表示領域１Ａと同様に第一基板と第二基板との間で電気的な対称性ＥＳｍを保ち、表示領域１Ａと反対側に位置するダミー画素ＤＭでは、第一基板と第二基板との間に直流成分を持つ特異な電界ＳＥＦが形成される様にする。こうした構成により、イオン性不純物の表示への影響を低減する事が可能となる。尚、表示領域に隣接するダミー画素ＤＭには暗表示（黒表示）を行う様に第一電位が供給され、イオントラップ部６０に形成されたダミー画素ＤＭには実施形態１と同様の周辺電極信号ＶITが供給される。
【符号の説明】
【０１０１】
１Ａ…表示領域、１Ｂ…周辺領域、１Ｄ…ダミー部、５ａ…液晶注入口、１０…素子基板、１０Ａ…基板本体、１０ａ…張出部、１１…下地絶縁膜、１２…第一層間絶縁膜、１３…第二層間絶縁膜、１４…第一配向膜、１４Ｈ…高密度の第一配向膜、１４Ｌ…低密度の第一配向膜、１４Ｖ…第一垂直蒸着配向膜、１４ＶＲ…表面粗さが大きい第一垂直蒸着配向膜、１４ＶＳ…表面粗さが小さい第一垂直蒸着配向膜、１６…第二配向膜、１６Ｈ…高密度の第二配向膜、１６Ｌ…低密度の第二配向膜、１６Ｖ…第二垂直蒸着配向膜、１６ＶＲ…表面粗さが大きい第二垂直蒸着配向膜、１６ＶＳ…表面粗さが小さい第二垂直蒸着配向膜、２０…対向基板、２０Ａ…基板本体、２１…共通電極、２２…保護絶縁膜、２３…下地絶縁膜、２３ｄ…段差部、３０…画素電極、３０Ｄ…ダミー電極、３１…第三絶縁膜、３１Ｒ…表面粗さが大きい第三絶縁膜、３１Ｓ…表面粗さが小さい第三絶縁膜、３２…絶縁膜、３２Ｒ…表面粗さが大きい絶縁膜、３２Ｓ…表面粗さが小さい絶縁膜、３２ａ…開口部、５０…液晶材料、５１…シール材、５２…封止剤、６０…イオントラップ部、６１…周辺電極、６２…第二周辺電極、６３…引き出し線、６４…引き出し線、６６…導通部電極、１００…液晶装置、１０１…駆動ＩＣチップ、１０２…外部回路接続端子、１０６…基板間導通部、１０００…投射型表示装置、１２５１…液晶パネル、１２６１…液晶パネル、１２７１…液晶パネル。
【図１】
2014115361.tif 000003
【図２】
2014115361.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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