(57)【要約】      （修正有）【課題】表示装置の大型化、高解像度および立体映像の表示に適した画素を含む表示装置およびその駆動方法を提供する。【解決手段】表示装置は複数の画素を含み、前記複数の画素は、ゲート電極、データラインに連結されているスイッチングトランジスタと、リレートランジスタ、および有機発光ダイオードに連結されている駆動トランジスタと、第２キャパシタと、発光信号が印加されるゲート電極に連結されている補償トランジスタと、リセット信号が印加されるゲート電極と前記データラインに連結されているリセットトランジスタと、前記発光信号が印加されるゲート電極、第１電源電圧に連結されている発光トランジスタとを含む。【選択図】図３
2014235426.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を含み、
前記複数の画素それぞれは、
走査信号が印加されるゲート電極、データラインに連結されている一電極、および第１ノードに連結されている他電極を含むスイッチングトランジスタと、
書き込み信号が印加されるゲート電極、前記第１ノードに連結されている一電極、および第２ノードに連結されている他電極を含むリレートランジスタと、
前記第２ノードに連結されているゲート電極、第３ノードに連結されている一電極、および有機発光ダイオードに連結されている他電極を含む駆動トランジスタと、
前記第３ノードに連結されている一電極、および第４ノードに連結されている他電極を含む第２キャパシタと、
発光信号が印加されるゲート電極、前記第２ノードに連結されている一電極、および前記第４ノードに連結されている他電極を含む補償トランジスタと、
リセット信号が印加されるゲート電極、前記データラインに連結されている一電極、および前記第４ノードに連結されている他電極を含むリセットトランジスタと、
前記発光信号が印加されるゲート電極、第１電源電圧に連結されている一電極、および前記第３ノードに連結されている他電極を含む発光トランジスタとを含むことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記複数の画素それぞれは、
前記書き込み信号が印加されるゲート電極、前記書き込み信号が印加される一電極、および前記駆動トランジスタの他電極に連結されている他電極を含む第２補償トランジスタと、
前記発光信号が印加されるゲート電極、前記駆動トランジスタの他電極に連結されている一電極、および前記有機発光ダイオードに連結されている他電極を含む第２発光トランジスタとをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記複数の画素それぞれは、
前記書き込み信号が印加されるゲート電極、初期化電圧に連結されている一電極、および前記駆動トランジスタの他電極に連結されている他電極を含む第２補償トランジスタと、
前記発光信号が印加されるゲート電極、前記駆動トランジスタの他電極に連結されている一電極、および前記有機発光ダイオードに連結されている他電極を含む第２発光トランジスタとをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記複数の画素それぞれは、
前記第１ノードに連結されている一電極、および初期化電圧に連結されている他電極を含む第１キャパシタをさらに含み、
前記発光トランジスタおよび前記補償トランジスタがターンオンされ、前記第２ノードに第１データ電圧および前記駆動トランジスタのしきい電圧が反映された電圧が印加されることにより、前記駆動トランジスタに流れる駆動電流によって前記有機発光ダイオードが発光する発光期間が前記複数の画素に同時に行われる時、前記複数の画素それぞれに対応するゲートオン電圧の走査信号に対応する第２データ電圧が前記第１キャパシタに格納されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第２データ電圧は、現在フレームにおいて前記複数の画素それぞれに書き込まれるデータ電圧であり、前記第１データ電圧は、現在フレームの直前フレームにおいて前記複数の画素それぞれに書き込まれたデータ電圧であり、
前記第２ノードに前記第２データ電圧が印加され、前記第３ノードに前記第２データ電圧および前記駆動トランジスタのしきい電圧が反映された電圧が作られた後、前記発光トランジスタおよび前記補償トランジスタがターンオンされることにより、前記第２キャパシタによるカップリングで前記データ電圧および前記駆動トランジスタのしきい電圧が反映された電圧が前記第２ノードに印加されることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
データラインと第１ノードとの間に連結されているスイッチングトランジスタと、前記第１ノードと初期化電圧との間に連結されている第１キャパシタと、前記第１ノードと第２ノードとの間に連結されているリレートランジスタと、前記第２ノードにゲート電極が連結され、第３ノードに印加される第１電源電圧から有機発光ダイオードに流れる駆動電流を制御する駆動トランジスタと、前記第１電源電圧と前記第３ノードとの間に連結されている発光トランジスタと、前記第３ノードと第４ノードとの間に連結されている第２キャパシタと、前記第２ノードと前記第４ノードとの間に連結されている補償トランジスタとを含む表示装置の駆動方法において、
第１フレームの走査期間において、前記リレートランジスタがターンオフされ、前記スイッチングトランジスタがターンオンされ、前記データラインに印加される第２データ電圧が前記第１キャパシタに格納される走査段階と、
前記第１フレームの発光期間において、前記発光トランジスタおよび前記補償トランジスタがターンオンされ、前記第２ノードに第１データ電圧および前記駆動トランジスタのしきい電圧が反映された電圧が印加されることにより、前記駆動トランジスタに流れる駆動電流によって前記有機発光ダイオードが発光する発光段階とを含み、
前記走査段階および前記発光段階は時間的に重なって行われることを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項７】
前記発光段階は、前記複数の画素に同時に行われ、
前記第２データ電圧は、現在フレームにおいて前記複数の画素それぞれに書き込まれるデータ電圧であり、前記第１データ電圧は、現在フレームの直前フレームにおいて前記複数の画素それぞれに書き込まれたデータ電圧であることを特徴とする請求項６に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項８】
データラインに連結された第１ないし第６トランジスタおよび有機発光ダイオードを含み、前記第１トランジスタのゲート電極は走査ラインに連結されている複数の画素と、
前記第６トランジスタに第１電源電圧を供給し、前記有機発光ダイオードに第２電源電圧を供給する電源供給部と、
前記走査ラインに走査信号を印加し、前記第２トランジスタのゲート電極に第１信号を印加し、前記第４トランジスタおよび前記第６トランジスタに第２信号を印加し、前記第５トランジスタに第３信号を印加する制御部とを含むことを特徴とする表示装置。
【請求項９】
前記第１トランジスタは第１ノードに連結され、前記第２トランジスタは前記第１ノードと第２ノードとの間に連結され、前記第３トランジスタは前記有機発光ダイオードと第３ノードとの間に連結され、前記第４トランジスタは前記第２ノードと第４ノードとの間に連結され、前記第５トランジスタは前記第４ノードに連結され、前記第６トランジスタは前記第３ノードに連結され、
前記画素は、
前記第１ノードに連結された第１キャパシタと、
前記第３ノードと前記第４ノードとの間に連結された第２キャパシタとをさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
全体発光期間の間、前記第１および第３信号は第１論理レベルを有し、前記第２信号は第２論理レベルを有し、前記全体発光期間の第１パートの間、前記走査信号はゲートオフ電圧を有し、前記全体発光期間の第２パートの間、前記走査信号はゲートオン電圧を有し、前記全体発光期間の第３パートの間、前記走査信号はゲートオフ電圧を有し、
前記第１パートの間に一定のハイ電圧が前記データラインに印加され、前記第２パートの間に画素の階調レベルを示す複数のレベルのうちの１つの電圧が前記データラインに印加され、前記第３パートの間に一定のロー電圧が前記データラインに印加されることを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置およびその駆動方法に関するものであって、より詳細には、有機発光ダイオードを含む画素を含むアクティブマトリクス型（Ａｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ）有機発光表示装置およびその駆動方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機発光表示装置は、電流または電圧によって輝度が制御される有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）を用いる。有機発光ダイオードは、電界を形成する陽極層および陰極層と、電界によって発光する有機発光材料とを含む。
【０００３】
通常、有機発光表示装置は、有機発光ダイオードを駆動する方式により、パッシブマトリクス型ＯＬＥＤ（ＰＭＯＬＥＤ）とアクティブマトリクス型ＯＬＥＤ（ＡＭＯＬＥＤ）に分類される。
【０００４】
このうち、解像度、コントラスト、動作速度の観点から、単位画素ごとに選択して点灯するアクティブマトリクス型ＯＬＥＤが主流となっている。アクティブマトリクス型表示装置の１フレームは、映像データを書き込むための走査期間と、書き込まれた映像データに応じて発光する発光期間とを含む。
【０００５】
現在、表示装置は、大きさが大型に増加し解像度が増加する傾向にある。表示装置の大きさが大型に増加し解像度が増加するほど、映像データを書き込む走査期間が長くなり、１フレームにおける発光期間の割合は減少する。この場合、映像の平均輝度確保のためには、電源電圧を上昇させて発光輝度を高めなければならない。電源電圧の上昇によって表示装置の消費電力が増加する。そして、発光時、画素に流れる駆動電流も増加し、電圧降下による輝度不均一の問題も相対的に増加する。
【０００６】
一方、表示装置が立体映像を表示する場合には、１フレームにおける発光期間の割合はより減少し、上述した問題はさらに深刻になり得る。例えば、表示装置がＮＴＳＣ（Ｎａｔｉｏｎａｌ  Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ  Ｓｙｓｔｅｍ  Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅ）方式によって立体映像を表示する場合、表示装置は、１秒で左眼映像６０フレームおよび右眼映像６０フレームを交互に表示しなければならない。したがって、立体映像を表示する表示装置の駆動周波数は、一般映像を表示する表示装置の駆動周波数に比べて少なくとも２倍以上にならなければならない問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明が解決しようとする技術的課題は、表示装置の大型化、高解像度および立体映像の表示に適した画素を含む表示装置およびその駆動方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態にかかる表示装置は、複数の画素を含み、前記複数の画素それぞれは、走査信号が印加されるゲート電極、データラインに連結されている一電極、および第１ノードに連結されている他電極を含むスイッチングトランジスタと、書き込み信号が印加されるゲート電極、前記第１ノードに連結されている一電極、および第２ノードに連結されている他電極を含むリレートランジスタと、前記第２ノードに連結されているゲート電極、第３ノードに連結されている一電極、および有機発光ダイオードに連結されている他電極を含む駆動トランジスタと、前記第３ノードに連結されている一電極、および第４ノードに連結されている他電極を含む第２キャパシタと、発光信号が印加されるゲート電極、前記第２ノードに連結されている一電極、および前記第４ノードに連結されている他電極を含む補償トランジスタと、リセット信号が印加されるゲート電極、前記データラインに連結されている一電極、および前記第４ノードに連結されている他電極を含むリセットトランジスタと、前記発光信号が印加されるゲート電極、第１電源電圧に連結されている一電極、および前記第３ノードに連結されている他電極を含む発光トランジスタとを含む。
【０００９】
前記複数の画素それぞれは、前記書き込み信号が印加されるゲート電極、前記書き込み信号が印加される一電極、および前記駆動トランジスタの他電極に連結されている他電極を含む第２補償トランジスタと、前記発光信号が印加されるゲート電極、前記駆動トランジスタの他電極に連結されている一電極、および前記有機発光ダイオードに連結されている他電極を含む第２発光トランジスタとをさらに含むことができる。
【００１０】
前記複数の画素それぞれは、前記書き込み信号が印加されるゲート電極、初期化電圧に連結されている一電極、および前記駆動トランジスタの他電極に連結されている他電極を含む第２補償トランジスタと、前記発光信号が印加されるゲート電極、前記駆動トランジスタの他電極に連結されている一電極、および前記有機発光ダイオードに連結されている他電極を含む第２発光トランジスタとをさらに含むことができる。
【００１１】
前記複数の画素それぞれは、前記第１ノードに連結されている一電極、および初期化電圧に連結されている他電極を含む第１キャパシタをさらに含み、前記発光トランジスタおよび前記補償トランジスタがターンオンされ、前記第２ノードに第１データ電圧および前記駆動トランジスタのしきい電圧が反映された電圧が印加されることにより、前記駆動トランジスタに流れる駆動電流によって前記有機発光ダイオードが発光する発光期間が前記複数の画素に同時に行われる時、前記複数の画素それぞれに対応するゲートオン電圧の走査信号に対応する第２データ電圧が前記第１キャパシタに格納され得る。
【００１２】
前記第２データ電圧は、現在フレームにおいて前記複数の画素それぞれに書き込まれるデータ電圧であり、前記第１データ電圧は、現在フレームの直前フレームにおいて前記複数の画素それぞれに書き込まれたデータ電圧であり、前記第２ノードに前記第２データ電圧が印加され、前記第３ノードに前記第２データ電圧および前記駆動トランジスタのしきい電圧が反映された電圧が作られた後、前記発光トランジスタおよび前記補償トランジスタがターンオンされることにより、前記第２キャパシタによるカップリングで前記データ電圧および前記駆動トランジスタのしきい電圧が反映された電圧が前記第２ノードに印加され得る。
【００１３】
本発明の他の実施形態にかかるデータラインと第１ノードとの間に連結されているスイッチングトランジスタと、前記第１ノードと初期化電圧との間に連結されている第１キャパシタと、前記第１ノードと第２ノードとの間に連結されているリレートランジスタと、前記第２ノードにゲート電極が連結され、第３ノードに印加される第１電源電圧から有機発光ダイオードに流れる駆動電流を制御する駆動トランジスタと、前記第１電源電圧と前記第３ノードとの間に連結されている発光トランジスタと、前記第３ノードと第４ノードとの間に連結されている第２キャパシタと、前記第２ノードと前記第４ノードとの間に連結されている補償トランジスタとを含む表示装置の駆動方法は、第１フレームの走査期間において、前記リレートランジスタがターンオフされ、前記スイッチングトランジスタがターンオンされ、前記データラインに印加される第２データ電圧が前記第１キャパシタに格納される走査段階と、前記第１フレームの発光期間において、前記発光トランジスタおよび前記補償トランジスタがターンオンされ、前記第２ノードに第１データ電圧および前記駆動トランジスタのしきい電圧が反映された電圧が印加されることにより、前記駆動トランジスタに流れる駆動電流によって前記有機発光ダイオードが発光する発光段階とを含み、前記走査段階および前記発光段階は時間的に重なって行われる。
【００１４】
前記発光段階は、前記複数の画素に同時に行われ、前記第２データ電圧は、現在フレームにおいて前記複数の画素それぞれに書き込まれるデータ電圧であり、前記第１データ電圧は、現在フレームの直前フレームにおいて前記複数の画素それぞれに書き込まれたデータ電圧であり得る。
【００１５】
本発明のさらに他の実施形態にかかる表示装置は、データラインに連結された第１ないし第６トランジスタおよび有機発光ダイオードを含み、前記第１トランジスタのゲート電極は走査ラインに連結されている複数の画素と、前記第６トランジスタに第１電源電圧を供給し、前記有機発光ダイオードに第２電源電圧を供給する電源供給部と、前記走査ラインに走査信号を印加し、前記第２トランジスタのゲート電極に第１信号を印加し、前記第４トランジスタおよび前記第６トランジスタに第２信号を印加し、前記第５トランジスタに第３信号を印加する制御部とを含む。
【００１６】
前記第１トランジスタは第１ノードに連結され、前記第２トランジスタは前記第１ノードと第２ノードとの間に連結され、前記第３トランジスタは前記有機発光ダイオードと第３ノードとの間に連結され、前記第４トランジスタは前記第２ノードと第４ノードとの間に連結され、前記第５トランジスタは前記第４ノードに連結され、前記第６トランジスタは前記第３ノードに連結され、前記画素は、前記第１ノードに連結された第１キャパシタと、前記第３ノードと前記第４ノードとの間に連結された第２キャパシタとをさらに含むことができる。
【００１７】
全体発光期間の間、前記第１および第３信号は第１論理レベルを有し、前記第２信号は第２論理レベルを有し、前記全体発光期間の第１パートの間、前記走査信号はゲートオフ電圧を有し、前記全体発光期間の第２パートの間、前記走査信号はゲートオン電圧を有し、前記全体発光期間の第３パートの間、前記走査信号はゲートオフ電圧を有し、前記第１パートの間に一定のハイ電圧が前記データラインに印加され、前記第２パートの間に画素の階調レベルを示す複数のレベルのうちの１つの電圧が前記データラインに印加され、前記第３パートの間に一定のロー電圧が前記データラインに印加され得る。
【発明の効果】
【００１８】
提案する画素は、１フレームにおける発光期間の割合を十分に確保できるようにする。そして、提案する画素は、表示装置の大型化、高解像度および立体映像の表示を可能にする。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施形態にかかる表示装置を示すブロック図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる表示装置の駆動方式を示す図である。
【図３】本発明の一実施形態にかかる画素を示す回路図である。
【図４】本発明の一実施形態にかかる表示装置の駆動方法を示すタイミング図である。
【図５】本発明の他の実施形態にかかる表示装置の駆動方式を示す図である。
【図６】本発明の他の実施形態にかかる画素を示す回路図である。
【図７】本発明のさらに他の実施形態にかかる画素を示す回路図である。
【図８】本発明のさらに他の実施形態にかかる画素を示す回路図である。
【図９】本発明のさらに他の実施形態にかかる画素を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、添付した図面を参考にして、本発明の実施形態について、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。本発明は、様々な異なる形態で実現可能であり、ここで説明する実施形態に限定されない。
【００２１】
また、様々な実施形態において、同一の構成を有する構成要素については同一の符号を用いて代表的に第１実施形態で説明し、その他の実施形態では、第１実施形態と異なる構成についてのみ説明する。
【００２２】
本発明を明確に説明するために説明上不必要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一または類似の構成要素については同一の参照符号を付す。
【００２３】
明細書全体において、ある部分が他の部分に「連結」されているとする時、これは、「直接的に連結」されている場合のみならず、その中間に別の素子を挟んで「電気的に連結」されている場合も含む。また、ある部分がある構成要素を「含む」とする時、これは、特に反対となる記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに包含できることを意味する。
【００２４】
図１は、本発明の一実施形態にかかる表示装置を示すブロック図である。
【００２５】
図１を参照すれば、表示装置１０は、信号制御部１００と、走査駆動部２００と、データ駆動部３００と、電源供給部４００と、書き込み信号部５００と、発光信号部６００と、リセット信号部７００と、表示部８００とを含む。
【００２６】
信号制御部１００は、外部装置から入力される映像信号ＩｍＳおよび同期信号を受信する。入力映像信号ＩｍＳは、複数の画素の輝度（ｌｕｍｉｎａｎｃｅ）情報を含んでいる。輝度は、定められた数、例えば、１０２４（＝２１０）、２５６（＝２８）または６４（＝２６）個の階調（ｇｒａｙ）を有している。同期信号は、水平同期信号Ｈｓｙｎｃ、垂直同期信号Ｖｓｙｎｃおよびメインクロック信号ＭＣＬＫを含む。
【００２７】
信号制御部１００は、映像信号ＩｍＳ、水平同期信号Ｈｓｙｎｃ、垂直同期信号Ｖｓｙｎｃおよびメインクロック信号ＭＣＬＫに応じて、第１ないし第６駆動制御信号ＣＯＮＴ１、ＣＯＮＴ２、ＣＯＮＴ３、ＣＯＮＴ４、ＣＯＮＴ５、ＣＯＮＴ６および映像データ信号ＩｍＤを生成する。
【００２８】
信号制御部１００は、垂直同期信号Ｖｓｙｎｃに応じてフレーム単位で映像信号ＩｍＳを区分し、水平同期信号Ｈｓｙｎｃに応じて走査ライン単位で映像信号ＩｍＳを区分して、映像データ信号ＩｍＤを生成する。信号制御部１００は、映像データ信号ＩｍＤを第１駆動制御信号ＣＯＮＴ１と共にデータ駆動部３００に伝送する。
【００２９】
表示部８００は、複数の画素を含む表示領域である。表示部８００には、略行方向に延びて互いにほぼ平行な複数の走査ライン、および略列方向に延びて互いにほぼ平行な複数のデータラインが複数の画素に連結されるように形成される。そして、表示部８００には、複数の電源ライン、複数の書き込み信号ライン、複数の発光信号ラインおよび複数のリセット信号ラインが複数の画素に連結されるように形成される。複数の画素は、略行列形態に配列できる。
【００３０】
走査駆動部２００は、複数の走査ラインに連結され、第２駆動制御信号ＣＯＮＴ２に応じて複数の走査信号Ｓ［１］〜Ｓ［ｎ］を生成する。走査駆動部２００は、複数の走査ラインにゲートオン電圧の走査信号Ｓ［１］〜Ｓ［ｎ］を順次に印加することができる。
【００３１】
データ駆動部３００は、複数のデータラインに連結され、第１駆動制御信号ＣＯＮＴ１に応じて、入力された映像データ信号ＩｍＤをサンプリングおよびホールディングし、複数のデータラインそれぞれに複数のデータ信号ｄａｔａ［１］〜ｄａｔａ［ｍ］を伝達する。データ駆動部３００は、ゲートオン電圧の走査信号Ｓ［１］〜Ｓ［ｎ］に対応して、複数のデータラインに所定の電圧範囲を有するデータ信号ｄａｔａ［１］〜ｄａｔａ［ｍ］を印加する。
【００３２】
電源供給部４００は、複数の電源ラインに連結され、複数の画素に第１電源電圧ＥＬＶＤＤ、第２電源電圧ＥＬＶＳＳおよび初期化電圧Ｖｉｎｉｔを供給する。電源供給部４００は、第３駆動制御信号ＣＯＮＴ３に応じて、第１電源電圧ＥＬＶＤＤおよび第２電源電圧ＥＬＶＳＳの電源レベルを調節する。
【００３３】
書き込み信号部５００は、複数の書き込み信号ラインに連結され、第４駆動制御信号ＣＯＮＴ４に応じて書き込み信号ＧＷを生成する。書き込み信号部５００は、複数の画素にゲートオン電圧の書き込み信号ＧＷを同時に印加することができる。
【００３４】
発光信号部６００は、複数の発光信号ラインに連結され、第５駆動制御信号ＣＯＮＴ５に応じて発光信号ＥＭを生成する。発光信号部６００は、複数の画素にゲートオン電圧の発光信号ＥＭを同時に印加することができる。
【００３５】
リセット信号部７００は、複数のリセット信号ラインに連結され、第６駆動制御信号ＣＯＮＴ６に応じてリセット信号ＧＲを生成する。リセット信号部７００は、複数の画素にゲートオン電圧のリセット信号ＧＲを同時に印加することができる。
【００３６】
図２は、本発明の一実施形態にかかる表示装置の駆動方式を示す図である。
【００３７】
図２を参照すれば、表示部８００に１つの映像が表示される１フレーム期間は、画素の有機発光ダイオードの駆動電圧をリセットするリセット期間１と、画素の駆動トランジスタのしきい電圧を補償する補償期間２と、複数の画素それぞれにデータが書き込まれる走査期間３と、複数の画素が書き込まれたデータに対応して発光する発光期間４とを含む。時間的に走査期間３と発光期間４は重なって発生する。
【００３８】
現在フレームの発光期間４に、画素は、直前フレームの走査期間３に書き込まれたデータに応じて発光する。そして、現在フレームの走査期間３に画素に書き込まれるデータに応じて、画素は、次フレームの発光期間４に発光する。
【００３９】
例えば、期間Ｔ１にＮ番目フレームの走査期間３および発光期間４が含まれるとする。期間Ｔ１の走査期間３に画素に書き込まれるデータは、Ｎ番目フレームのデータであり、期間Ｔ１の発光期間４に、画素は、Ｎ−１番目フレームの走査期間Ｄに書き込まれたＮ−１番目フレームのデータに応じて発光する。
【００４０】
期間Ｔ２は、Ｎ＋１番目フレームの走査期間３および発光期間４が含まれる。期間Ｔ２の走査期間３に画素に書き込まれるデータは、Ｎ＋１番目フレームのデータであり、期間Ｔ２の発光期間４に、画素は、Ｎ番目フレームの走査期間３、つまり、期間Ｔ１に書き込まれたＮ番目フレームのデータに応じて発光する。
【００４１】
期間Ｔ３は、Ｎ＋２番目フレームの走査期間３および発光期間４が含まれる。期間Ｔ３の走査期間３に画素に書き込まれるデータは、Ｎ＋２番目フレームのデータであり、期間Ｔ３の発光期間４に、画素は、Ｎ＋１番目フレームの走査期間３、つまり、期間Ｔ２に書き込まれたＮ＋１番目フレームのデータに応じて発光する。
【００４２】
期間Ｔ４は、Ｎ＋３番目フレームの走査期間３および発光期間４が含まれる。期間Ｔ４の走査期間３に画素に書き込まれるデータは、Ｎ＋３番目フレームのデータであり、期間Ｔ４の発光期間４に、画素は、Ｎ＋２番目フレームの走査期間３、つまり、期間Ｔ３に書き込まれたＮ＋２番目フレームのデータに応じて発光する。
【００４３】
現在フレームのデータが走査期間３に書き込まれ、走査期間３と重なる期間である発光期間４に直前フレームのデータに応じて発光する画素構造を、図３を参照して説明する。
【００４４】
図３は、本発明の一実施形態にかかる画素を示す回路図である。
【００４５】
図３を参照すれば、第１実施形態にかかる画素２０は、スイッチングトランジスタＭ１１と、リレートランジスタＭ１２と、駆動トランジスタＭ１３と、補償トランジスタＭ１４と、リセットトランジスタＭ１５と、発光トランジスタＭ１６と、第１キャパシタＣ１１と、第２キャパシタＣ１２と、有機発光ダイオードＯＬＥＤとを含む。
【００４６】
スイッチングトランジスタＭ１１は、走査信号Ｓ［ｉ］が印加されるゲート電極、データラインＤｊに連結されている一電極、および第１ノードＮ１１に連結されている他電極を含む。スイッチングトランジスタＭ１１は、ゲートオン電圧の走査信号Ｓ［ｉ］によってターンオンされ、データラインＤｊに印加される電圧を第１ノードＮ１１に印加する。
【００４７】
リレートランジスタＭ１２は、書き込み信号ＧＷが印加されるゲート電極、第１ノードＮ１１に連結されている一電極、および第２ノードＮ１２に連結されている他電極を含む。リレートランジスタＭ１２は、ゲートオン電圧の書き込み信号ＧＷによってターンオンされ、第１ノードＮ１１の電圧を第２ノードＮ１２に印加する。
【００４８】
駆動トランジスタＭ１３は、第２ノードＮ１２に連結されているゲート電極、第３ノードＮ１３に連結されている一電極、および有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に連結されている他電極を含む。駆動トランジスタＭ１３は、第２ノードＮ１２の電圧によってオンオフされ、有機発光ダイオードＯＬＥＤに供給される駆動電流を制御する。
【００４９】
補償トランジスタＭ１４は、発光信号ＥＭが印加されるゲート電極、第２ノードＮ１２に連結されている一電極、および第４ノードＮ１４に連結されている他電極を含む。
【００５０】
リセットトランジスタＭ１５は、リセット信号ＧＲが印加されるゲート電極、データラインＤｊに連結されている一電極、および第４ノードＮ１４に連結されている他電極を含む。リセットトランジスタＭ１５は、ゲートオン電圧のリセット信号ＧＲによってターンオンされ、データラインＤｊに印加される電圧を第４ノードＮ１４に印加する。
【００５１】
発光トランジスタＭ１６は、発光信号ＥＭが印加されるゲート電極、第１電源電圧ＥＬＶＤＤに連結されている一電極、および第３ノードＮ１３に連結されている他電極を含む。
【００５２】
第１キャパシタＣ１１は、第１ノードＮ１１に連結されている一電極、および初期化電圧Ｖｉｎｉｔに連結されている他電極を含む。
【００５３】
第２キャパシタＣ１２は、第３ノードＮ１３に連結されている一電極、および第４ノードＮ１４に連結されている他電極を含む。
【００５４】
有機発光ダイオードＯＬＥＤは、駆動トランジスタＭ１３の他電極に連結されているアノード電極と、第２電源電圧ＥＬＶＳＳに連結されているカソード電極とを含む。有機発光ダイオードＯＬＥＤは、基本色（ｐｒｉｍａｒｙ  ｃｏｌｏｒ）のうちの１つの光を発することができる。基本色の例としては、赤色、緑色、青色の三原色が挙げられ、これら三原色の空間的和または時間的和で所望の色が表示できる。
【００５５】
スイッチングトランジスタＭ１１、リレートランジスタＭ１２、駆動トランジスタＭ１３、補償トランジスタＭ１４、リセットトランジスタＭ１５および発光トランジスタＭ１６は、ｐ−チャネル電界効果トランジスタであり得る。この時、スイッチングトランジスタＭ１１、リレートランジスタＭ１２、駆動トランジスタＭ１３、補償トランジスタＭ１４、リセットトランジスタＭ１５、発光トランジスタＭ１６をターンオンさせるゲートオン電圧はローレベル電圧であり、ターンオフさせるゲートオフ電圧はハイレベル電圧である。
【００５６】
ここでは、ｐ−チャネル電界効果トランジスタを示したが、スイッチングトランジスタＭ１１、リレートランジスタＭ１２、駆動トランジスタＭ１３、補償トランジスタＭ１４、リセットトランジスタＭ１５、発光トランジスタＭ１６のうちの少なくともいずれか１つは、ｎ−チャネル電界効果トランジスタであってもよい。この時、ｎ−チャネル電界効果トランジスタをターンオンさせるゲートオン電圧はハイレベル電圧であり、ターンオフさせるゲートオフ電圧はローレベル電圧である。
【００５７】
図４は、本発明の一実施形態にかかる表示装置の駆動方法を示すタイミング図である。
【００５８】
図３および図４を参照すれば、第１実施形態にかかる画素２０を含む表示装置１０の駆動方法について説明する。
【００５９】
リセット期間１において、第１電源電圧ＥＬＶＤＤおよび第２電源電圧ＥＬＶＳＳはハイレベル電圧として印加される。そして、リセット信号ＧＲおよび発光信号ＥＭはゲートオン電圧として印加され、書き込み信号ＧＷおよび走査信号Ｓ［１］〜Ｓ［ｎ］はゲートオフ電圧として印加される。この時、データ信号ｄａｔａ［１］〜ｄａｔａ［ｍ］は初期化電圧Ｖｉｎｉｔとして印加される。ゲートオン電圧のリセット信号ＧＲによってリセットトランジスタＭ１５がターンオンされ、ターンオンされたリセットトランジスタＭ１５を介してデータラインＤｊの初期化電圧Ｖｉｎｉｔが第４ノードＮ１４に印加される。ゲートオン電圧の発光信号ＥＭによって補償トランジスタＭ１４および発光トランジスタＭ１６がターンオンされる。補償トランジスタＭ１４がターンオンされることにより、第２ノードＮ１２と第４ノードＮ１４とが連結され、第４ノードＮ１４に印加された初期化電圧Ｖｉｎｉｔが第２ノードＮ１２に印加される。初期化電圧Ｖｉｎｉｔはローレベル電圧であり得る。ターンオンされた発光トランジスタＭ１６を介して第１電源電圧ＥＬＶＤＤが第３ノードＮ１３に印加される。駆動トランジスタＭ１３がターンオンされ、第１電源電圧ＥＬＶＤＤが有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に伝達される。この時、第２電源電圧ＥＬＶＳＳはハイレベル電圧として印加されているため、有機発光ダイオードＯＬＥＤには電流が流れない。このように、駆動トランジスタＭ１３のゲート電圧、つまり、第２ノードＮ１２の電圧は初期化電圧Ｖｉｎｉｔにリセットされ、有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電圧はハイレベル電圧にリセットされる。
【００６０】
補償期間２において、データ信号ｄａｔａ［１］〜ｄａｔａ［ｍ］が基準電圧Ｖｒｅｆに変動する。基準電圧Ｖｒｅｆはハイレベル電圧であり得る。この時、リセットトランジスタＭ１５はターンオンされた状態を維持し、リセットトランジスタＭ１５を介して第４ノードＮ１４に基準電圧Ｖｅｒｆが印加される。この時、発光信号ＥＭはゲートオフ電圧として印加され、ゲートオフ電圧の発光信号ＥＭによって補償トランジスタＭ１４および発光トランジスタＭ１６がターンオフされる。そして、書き込み信号ＧＷがゲートオン電圧として印加され、ゲートオン電圧の書き込み信号ＧＷによってリレートランジスタＭ１２がターンオンされる。ターンオンされたリレートランジスタＭ１２を介して第１キャパシタＣ１１に格納されているデータ電圧ｄａｔａが第２ノードＮ１２に印加される。第１キャパシタＣ１１に格納されているデータ電圧ｄａｔａは、現在フレームの直前フレームの走査期間３に第１キャパシタＣ１１に格納されるデータ電圧である。以降、第２電源電圧ＥＬＶＳＳがローレベル電圧に変動すると、有機発光ダイオードＯＬＥＤの寄生キャパシタによるカップリングで有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極の電圧がローレベル電圧に低下する。有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極の電圧がローレベル電圧に低下すると、第３ノードＮ１３の電圧がｄａｔａ−Ｖｔｈ電圧になるまで、駆動トランジスタＭ１３を介して第３ノードＮ１３から有機発光ダイオードＯＬＥＤに電流が流れ、第３ノードＮ１３の電圧はｄａｔａ−Ｖｔｈ電圧となる。ここで、ｄａｔａは、データ信号ｄａｔａ［１］〜ｄａｔａ［ｍ］の電圧を意味する。Ｖｔｈは、駆動トランジスタＭ１３のしきい電圧で、負の値を有することができる。つまり、第３ノードＮ１３の電圧は、データ電圧ｄａｔａおよび駆動トランジスタＭ１３のしきい電圧Ｖｔｈが反映された電圧となる。
【００６１】
発光期間４において、第１電源電圧ＥＬＶＤＤはハイレベル電圧として印加され、第２電源電圧ＥＬＶＳＳはローレベル電圧として印加される。そして、リセット信号ＧＲおよび書き込み信号ＧＷはゲートオフ電圧として印加され、発光信号ＥＭがゲートオン電圧として印加される。発光信号ＥＭがゲートオン電圧として印加されることにより、補償トランジスタＭ１４および発光トランジスタＭ１６がターンオンされる。ターンオンされた発光トランジスタＭ１６を介して第１電源電圧ＥＬＶＤＤが第３ノードＮ１３に伝達される。第３ノードＮ１３の電圧は、ｄａｔａ＋Ｖｔｈ電圧からＥＬＶＤＤ電圧に変動する。ここで、ＥＬＶＤＤは、第１電源電圧ＥＬＶＤＤのハイレベル電圧を意味する。第３ノードＮ１３の電圧がＥＬＶＤＤ電圧に変動することにより、第２キャパシタＣ１２によるカップリングで、第４ノードＮ１４の電圧は、ＥＬＶＤＤ−（ｄａｔａ−Ｖｔｈ）電圧だけ変動し、ＥＬＶＤＤ−（ｄａｔａ−Ｖｔｈ）＋Ｖｒｅｆ電圧となる。ターンオンされた補償トランジスタＭ１４を介して第４ノードＮ１４の電圧が第２ノードＮ１２、つまり、駆動トランジスタＭ１３のゲート電極に伝達される。つまり、第２ノードにデータ電圧ｄａｔａおよび駆動トランジスタＭ１３のしきい電圧Ｖｔｈが反映された電圧が印加される。駆動トランジスタＭ１３は、ゲート−ソース電圧差によってターンオンされ、駆動トランジスタＭ１３を介して駆動電流Ｉｏｌｅｄが流れる。駆動電流Ｉｏｌｅｄは、Ｉｏｌｅｄ＝ｋ（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）２＝ｋ（（（ＥＬＶＤＤ−（ｄａｔａ−Ｖｔｈ）＋Ｖｒｅｆ）−ＥＬＶＤＤ）−Ｖｔｈ）２＝ｋ（Ｖｒｅｆ−ｄａｔａ）２となる。ここで、ｋは、駆動トランジスタＭ１３の特性によって決定されるパラメータである。
【００６２】
駆動電流Ｉｏｌｅｄは有機発光ダイオードＯＬＥＤに流れ、有機発光ダイオードＯＬＥＤは、駆動電流Ｉｏｌｅｄに対応する明るさで発光する。有機発光ダイオードＯＬＥＤは、第１電源電圧ＥＬＶＤＤの電圧降下、駆動トランジスタＭ１３のしきい電圧Ｖｔｈに関係なく、データ電圧ｄａｔａに対応する明るさで発光することができる。第２電源電圧ＥＬＶＳＳがハイレベル電圧に変動すると、有機発光ダイオードＯＬＥＤに電流が流れなくなり、発光期間４が終了する。
【００６３】
走査期間３において、複数の走査信号Ｓ［１］〜Ｓ［ｎ］は順次にゲートオン電圧として印加され、複数の走査信号Ｓ［１］〜Ｓ［ｎ］に対応して、所定の電圧範囲のデータ信号ｄａｔａ［１］〜ｄａｔａ［ｍ］が印加される。この時、リセット信号ＧＲおよび書き込み信号ＧＷはゲートオフ電圧として印加され、リレートランジスタＭ１２およびリセットトランジスタＭ１５はターンオフされる。ゲートオン電圧の走査信号Ｓ［ｉ］によってスイッチングトランジスタＭ１１がターンオンされ、ターンオンされたスイッチングトランジスタＭ１１を介して第１ノードＮ１１にデータ電圧ｄａｔａが印加される。第１キャパシタＣ１１にＶｉｎｉｔ−ｄａｔａ電圧が格納される。第１キャパシタＣ１１に格納された電圧は、次フレームの発光期間４に使用される。
【００６４】
上述のように、第１実施形態にかかる画素２０を含む表示装置１０は、データの書き込みおよび発光を同時に行うことができるため、データの書き込み時間を十分に確保することができる。
【００６５】
図５は、本発明の他の実施形態にかかる表示装置の駆動方式を示す図である。
【００６６】
図５を参照すれば、表示装置１０がシャッタ眼鏡方式によって左眼映像と右眼映像を交互に表示する駆動方式である。図５に示されているように、各フレームは、リセット期間１と、補償期間２と、走査期間３と、発光期間４とを含む。
【００６７】
左眼映像を示す複数のデータ信号（以下、左眼映像データ信号という）が複数の画素それぞれに書き込まれるフレームは、図面符号「Ｌ」を用いて示し、右眼映像を示す複数のデータ信号（以下、右眼映像データ信号という）が複数の画素それぞれに書き込まれるフレームは、図面符号「Ｒ」を用いて示す。
【００６８】
リセット期間１、補償期間２、走査期間３および発光期間４それぞれにおいて、リセット信号ＧＲ、書き込み信号ＧＷ、発光信号ＥＭ、走査信号Ｓ［１］〜Ｓ［ｎ］およびデータ信号ｄａｔａ［１］〜ｄａｔａ［ｍ］の波形は、図４に示された波形と同一であるので、各期間に関する具体的な説明は省略する。
【００６９】
期間Ｔ２１の走査期間３に、Ｎ＿Ｌフレームの左眼映像データ信号が複数の画素に書き込まれる。走査期間３の間、複数の画素それぞれに対応する左眼映像データ信号が書き込まれる。この時、期間Ｔ２１の発光期間４の間、Ｎ−１＿Ｒフレームの走査期間３に書き込まれた右眼映像データ信号に応じて複数の画素が発光する。
【００７０】
期間Ｔ２２の走査期間３に、Ｎ＿Ｒフレームの右眼映像データ信号が複数の画素に書き込まれる。走査期間３の間、複数の画素それぞれに対応する右眼映像データ信号が書き込まれる。この時、期間Ｔ２２の発光期間４の間、Ｎ＿Ｌフレームの走査期間３に書き込まれた左眼映像データ信号に応じて複数の画素が発光する。
【００７１】
期間Ｔ２３の走査期間３に、Ｎ＋１＿Ｌフレームの左眼映像データ信号が複数の画素に書き込まれる。走査期間３の間、複数の画素それぞれに対応する左眼映像データ信号が書き込まれる。この時、期間Ｔ２３の発光期間４の間、Ｎ＿Ｒフレームの走査期間３に書き込まれた右眼映像データ信号に応じて複数の画素が発光する。
【００７２】
期間Ｔ２４の走査期間３に、Ｎ＋１＿Ｒフレームの右眼映像データ信号が複数の画素に書き込まれる。走査期間３の間、複数の画素それぞれに対応する右眼映像データ信号が書き込まれる。この時、期間Ｔ２４の発光期間４の間、Ｎ＋１＿Ｌフレームの走査期間３に書き込まれた左眼映像データ信号に応じて複数の画素が発光する。
【００７３】
このような方式で左眼映像が書き込まれる間に右眼映像が同時に発光し、右眼映像が書き込まれる間に左眼映像が同時に発光する。すると、発光期間を十分に確保することができ、立体映像の画質が向上する。
【００７４】
走査期間３と発光期間４が同じ期間に属するため、各フレームの発光期間４間の間隔Ｔ３１を走査期間に関係なく設定することができる。この時、シャッタ眼鏡の液晶応答速度に最適化した間隔に発光期間４間の間隔Ｔ３１を設定することができる。
【００７５】
走査期間３と発光期間４が同じ期間に属しない従来の場合、走査期間３後に発光期間４が位置するため、１フレームの期間中、発光期間４を設定可能な時間的マージンが少ない。提案する駆動方式では、１フレームの期間中、リセット期間１および補償期間２を除いた期間に発光期間４を設定することができる。したがって、発光期間４を設定可能な時間的マージンが従来に比べて増加し、シャッタ眼鏡の液晶応答速度を考慮して発光期間４間の間隔Ｔ３１を設定することができる。
【００７６】
例えば、左眼映像（または右眼映像）の発光が終わった時点からシャッタ眼鏡の右眼レンズ（または左眼レンズ）を完全に開けるのに必要な時間を考慮して発光期間４間の間隔Ｔ３１を設定することができる。
【００７７】
図６は、本発明の他の実施形態にかかる画素を示す回路図である。
【００７８】
図６を参照すれば、第２実施形態にかかる画素３０は、スイッチングトランジスタＭ２１と、リレートランジスタＭ２２と、駆動トランジスタＭ２３と、第１補償トランジスタＭ２４と、リセットトランジスタＭ２５と、発光トランジスタＭ２６と、第２補償トランジスタＭ２７と、第１キャパシタＣ２１と、第２キャパシタＣ２２と、有機発光ダイオードＯＬＥＤとを含む。
【００７９】
第１実施形態にかかる画素２０との相違点として、第２実施形態にかかる画素３０は、第２補償トランジスタＭ２７をさらに含む。
【００８０】
第２補償トランジスタＭ２７は、書き込み信号ＧＷが印加されるゲート電極、書き込み信号ＧＷが印加される一電極、および第５ノードＮ２５に連結されている他電極を含む。第５ノードＮ２５には、駆動トランジスタＭ２３の他電極および有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極が連結されている。第２補償トランジスタＭ２７は、ゲートオン電圧の書き込み信号ＧＷによってターンオンされ、ゲートオン電圧の書き込み信号ＧＷを第５ノードＮ２５に印加する。
【００８１】
第２補償トランジスタＭ２７は、ｐ−チャネル電界効果トランジスタであり得る。ここでは、第２補償トランジスタＭ２７がｐ−チャネル電界効果トランジスタであると示したが、第２補償トランジスタＭ２７は、ｎ−チャネル電界効果トランジスタであってもよい。
【００８２】
第２実施形態にかかる画素３０は、図４で説明したタイミング図に従って駆動可能である。
【００８３】
ただし、補償期間２において、ゲートオン電圧の書き込み信号ＧＷによって第２補償トランジスタＭ２７がターンオンされ、ターンオンされた第２補償トランジスタＭ２７を介してローレベル電圧の書き込み信号ＧＷが第５ノードＮ２５に印加される。第５ノードＮ２５の電圧はローレベル電圧となり、第３ノードＮ２３の電圧はｄａｔａ−Ｖｔｈ電圧となる。
【００８４】
その他の動作は、図４で説明した通りであるので、第２実施形態にかかる画素３０を含む表示装置の駆動方法に関する詳細な説明は省略する。
【００８５】
図７は、本発明のさらに他の実施形態にかかる画素を示す回路図である。
【００８６】
図７を参照すれば、第３実施形態にかかる画素４０は、スイッチングトランジスタＭ３１と、リレートランジスタＭ３２と、駆動トランジスタＭ３３と、第１補償トランジスタＭ３４と、リセットトランジスタＭ３５と、発光トランジスタＭ３６と、第２補償トランジスタＭ３７と、第１キャパシタＣ３１と、第２キャパシタＣ３２と、有機発光ダイオードＯＬＥＤとを含む。
【００８７】
第１実施形態にかかる画素２０との相違点として、第３実施形態にかかる画素４０は、第２補償トランジスタＭ３７をさらに含む。
【００８８】
第２補償トランジスタＭ３７は、書き込み信号ＧＷが印加されるゲート電極、初期化電圧Ｖｉｎｉｔに連結されている一電極、および第５ノードＮ３５に連結されている他電極を含む。第５ノードＮ３５には、駆動トランジスタＭ３３の他電極および有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極が連結されている。第２補償トランジスタＭ３７は、ゲートオン電圧の書き込み信号ＧＷによってターンオンされ、初期化電圧Ｖｉｎｉｔを第５ノードＮ３５に印加する。
【００８９】
第２補償トランジスタＭ３７は、ｐ−チャネル電界効果トランジスタであり得る。ここでは、第２補償トランジスタＭ３７がｐ−チャネル電界効果トランジスタであると示したが、第２補償トランジスタＭ３７は、ｎ−チャネル電界効果トランジスタであってもよい。
【００９０】
第３実施形態にかかる画素４０は、図４で説明したタイミング図に従って駆動可能である。
【００９１】
ただし、補償期間２において、ゲートオン電圧の書き込み信号ＧＷによって第２補償トランジスタＭ３７がターンオンされ、ターンオンされた第２補償トランジスタＭ３７を介してローレベル電圧の初期化電圧Ｖｉｎｉｔが第５ノードＮ３５に印加される。第５ノードＮ３５の電圧はローレベル電圧となり、第３ノードＮ３３の電圧はｄａｔａ−Ｖｔｈ電圧となる。
【００９２】
その他の動作は、図４で説明した通りであるので、第３実施形態にかかる画素４０を含む表示装置の駆動方法に関する詳細な説明は省略する。
【００９３】
図８は、本発明のさらに他の実施形態にかかる画素を示す回路図である。
【００９４】
図８を参照すれば、第４実施形態にかかる画素５０は、スイッチングトランジスタＭ４１と、リレートランジスタＭ４２と、駆動トランジスタＭ４３と、第１補償トランジスタＭ４４と、リセットトランジスタＭ４５と、第１発光トランジスタＭ４６と、第２補償トランジスタＭ４７と、第２発光トランジスタＭ４８と、第１キャパシタＣ４１と、第２キャパシタＣ４２と、有機発光ダイオードＯＬＥＤとを含む。
【００９５】
第１実施形態にかかる画素２０との相違点として、第４実施形態にかかる画素５０は、第２補償トランジスタＭ４７と、第２発光トランジスタＭ４８とをさらに含む。
【００９６】
第２補償トランジスタＭ４７は、書き込み信号ＧＷが印加されるゲート電極、書き込み信号ＧＷが印加される一電極、および第５ノードＮ４５に連結されている他電極を含む。第２補償トランジスタＭ４７は、ゲートオン電圧の書き込み信号ＧＷによってターンオンされ、ゲートオン電圧の書き込み信号ＧＷを第５ノードＮ４５に印加する。第５ノードＮ４５には、駆動トランジスタＭ４３の他電極が連結されている。
【００９７】
第２発光トランジスタＭ４８は、発光信号ＥＭが印加されるゲート電極、第５ノードＮ４５に連結されている一電極、および有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に連結されている他電極を含む。
【００９８】
第２補償トランジスタＭ４７および第２発光トランジスタＭ４８は、ｐ−チャネル電界効果トランジスタであり得る。ここでは、第２補償トランジスタＭ４７および第２発光トランジスタＭ４８がｐ−チャネル電界効果トランジスタであると示したが、第２補償トランジスタＭ４７および第２発光トランジスタＭ４８のうちの少なくともいずれか１つは、ｎ−チャネル電界効果トランジスタであってもよい。
【００９９】
第４実施形態にかかる画素５０は、図４で説明したタイミング図に従って駆動可能である。
【０１００】
ただし、補償期間２において、ゲートオン電圧の書き込み信号ＧＷによって第２補償トランジスタＭ４７がターンオンされ、ターンオンされた第２補償トランジスタＭ４７を介してローレベル電圧の書き込み信号ＧＷが第５ノードＮ４５に伝達される。第５ノードＮ４５の電圧がローレベル電圧となり、第３ノードＮ４３の電圧はｄａｔａ−Ｖｔｈ電圧となる。この時、第２発光トランジスタＭ４８のゲート電極にはゲートオフ電圧の発光信号ＥＭが印加され、第２発光トランジスタＭ４８はターンオフされ、第５ノードＮ４５と有機発光ダイオードＯＬＥＤとの連結を遮断する。
【０１０１】
第２発光トランジスタＭ４８は、リセット期間１において、ゲートオン電圧の発光信号ＥＭによってターンオンされ、有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極がハイレベル電圧にリセットできるようにする。そして、第２発光トランジスタＭ４８は、発光期間４において、ゲートオン電圧の発光信号ＥＭによってターンオンされ、有機発光ダイオードＯＬＥＤに駆動電流Ｉｏｌｅｄが流れるようにする。
【０１０２】
その他の動作は、図４で説明した通りであるので、第４実施形態にかかる画素５０を含む表示装置の駆動方法に関する詳細な説明は省略する。
【０１０３】
図９は、本発明のさらに他の実施形態にかかる画素を示す回路図である。
【０１０４】
図９を参照すれば、第５実施形態にかかる画素６０は、スイッチングトランジスタＭ５１と、リレートランジスタＭ５２と、駆動トランジスタＭ５３と、第１補償トランジスタＭ５４と、リセットトランジスタＭ５５と、第１発光トランジスタＭ５６と、第２補償トランジスタＭ５７と、第２発光トランジスタＭ５８と、第１キャパシタＣ５１と、第２キャパシタＣ５２と、有機発光ダイオードＯＬＥＤとを含む。
【０１０５】
第１実施形態にかかる画素２０との相違点として、第５実施形態にかかる画素６０は、第２補償トランジスタＭ５７と、第２発光トランジスタＭ５８とをさらに含む。
【０１０６】
第２補償トランジスタＭ５７は、書き込み信号ＧＷが印加されるゲート電極、初期化電圧Ｖｉｎｉｔに連結されている一電極、および第５ノードＮ５５に連結されている他電極を含む。第２補償トランジスタＭ５７は、ゲートオン電圧の書き込み信号ＧＷによってターンオンされ、ローレベル電圧の初期化電圧Ｖｉｎｉｔを第５ノードＮ５５に印加する。第５ノードＮ５５には、駆動トランジスタＭ５３の他電極が連結されている。
【０１０７】
第２発光トランジスタＭ５８は、発光信号ＥＭが印加されるゲート電極、第５ノードＮ５５に連結されている一電極、および有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に連結されている他電極を含む。
【０１０８】
第２補償トランジスタＭ５７および第２発光トランジスタＭ５８は、ｐ−チャネル電界効果トランジスタであり得る。ここでは、第２補償トランジスタＭ５７および第２発光トランジスタＭ５８がｐ−チャネル電界効果トランジスタであると示したが、第２補償トランジスタＭ５７および第２発光トランジスタＭ５８のうちの少なくともいずれか１つは、ｎ−チャネル電界効果トランジスタであってもよい。
【０１０９】
第５実施形態にかかる画素６０は、図４で説明したタイミング図に従って駆動可能である。
【０１１０】
ただし、補償期間２において、ゲートオン電圧の書き込み信号ＧＷによって第２補償トランジスタＭ５７がターンオンされ、ターンオンされた第２補償トランジスタＭ５７を介してローレベル電圧の初期化電圧Ｖｉｎｉｔが第５ノードＮ５５に伝達される。第５ノードＮ５５の電圧がローレベル電圧となり、第３ノードＮ５３の電圧はｄａｔａ−Ｖｔｈ電圧となる。この時、第２発光トランジスタＭ５８のゲート電極にはゲートオフ電圧の発光信号ＥＭが印加され、第２発光トランジスタＭ５８はターンオフされ、第５ノードＮ５５と有機発光ダイオードＯＬＥＤとの連結を遮断する。
【０１１１】
第２発光トランジスタＭ５８は、リセット期間１において、ゲートオン電圧の発光信号ＥＭによってターンオンされ、有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極がハイレベル電圧にリセットできるようにする。そして、第２発光トランジスタＭ５８は、発光期間４において、ゲートオン電圧の発光信号ＥＭによってターンオンされ、有機発光ダイオードＯＬＥＤに駆動電流Ｉｏｌｅｄが流れるようにする。
【０１１２】
その他の動作は、図４で説明した通りであるので、第５実施形態にかかる画素６０を含む表示装置の駆動方法に関する詳細な説明は省略する。
【０１１３】
一方、上述した第１実施形態にかかる画素２０、第２実施形態にかかる画素３０、第３実施形態にかかる画素４０、第４実施形態にかかる画素５０、および第５実施形態にかかる画素６０において、有機発光ダイオードＯＬＥＤの有機発光層は、低分子有機物またはＰＥＤＯＴ（Ｐｏｌｙ３，４−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）などの高分子有機物からなり得る。また、有機発光層は、発光層と、正孔注入層（ｈｏｌｅ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）、正孔輸送層（ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）、電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）、および電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）のうちの１つ以上を含む多重膜で形成できる。これらすべてを含む場合、正孔注入層が陽極である画素電極上に配置され、その上に正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が順に積層される。
【０１１４】
有機発光層は、赤色を発光する赤色有機発光層、緑色を発光する緑色有機発光層および青色を発光する青色有機発光層を含むことができ、赤色有機発光層、緑色有機発光層および青色有機発光層はそれぞれ、赤色画素、緑色画素および青色画素に形成されてカラー画像を実現する。
【０１１５】
また、有機発光層は、赤色有機発光層、緑色有機発光層および青色有機発光層を赤色画素、緑色画素および青色画素のすべてに共に積層し、各画素ごとに赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタおよび青色カラーフィルタを形成してカラー画像を実現することができる。他の例として、白色を発光する白色有機発光層を赤色画素、緑色画素および青色画素すべてに形成し、各画素ごとにそれぞれ赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタおよび青色カラーフィルタを形成してカラー画像を実現することもできる。白色有機発光層とカラーフィルタを用いてカラー画像を実現する場合、赤色有機発光層、緑色有機発光層および青色有機発光層をそれぞれの個別画素つまり、赤色画素、緑色画素および青色画素に蒸着するための蒸着マスクを用いなくてもよい。
【０１１６】
他の例で説明した白色有機発光層は１つの有機発光層として形成できることは当然のことであり、複数の有機発光層を積層して白色を発光できるようにした構成まで含む。例として、少なくとも１つのイエロー有機発光層と少なくとも１つの青色有機発光層とを組み合わせて白色発光を可能にした構成、少なくとも１つのシアン有機発光層と少なくとも１つの赤色有機発光層とを組み合わせて白色発光を可能にした構成、少なくとも１つのマゼンタ有機発光層と少なくとも１つの緑色有機発光層とを組み合わせて白色発光を可能にした構成なども含むことができる。
【０１１７】
また、上述した第１実施形態にかかる画素２０、第２実施形態にかかる画素３０、第３実施形態にかかる画素４０、第４実施形態にかかる画素５０、および第５実施形態にかかる画素６０において、複数のトランジスタのうちの少なくともいずれか１つは、半導体層が酸化物半導体からなる酸化物薄膜トランジスタ（Ｏｘｉｄｅ  ＴＦＴ）であり得る。
【０１１８】
酸化物半導体は、チタン（Ｔｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）またはインジウム（Ｉｎ）を基本とする酸化物、これらの複合酸化物である酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウム−ガリウム−亜鉛酸化物（ＩｎＧａＺｎＯ４）、インジウム−亜鉛酸化物（Ｚｎ−Ｉｎ−Ｏ）、亜鉛−スズ酸化物（Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ）、インジウム−ガリウム酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ）、インジウム−スズ酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ）、インジウム−ジルコニウム酸化物（Ｉｎ−Ｚｒ−Ｏ）、インジウム−ジルコニウム−亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｚｒ−Ｚｎ−Ｏ）、インジウム−ジルコニウム−スズ酸化物（Ｉｎ−Ｚｒ−Ｓｎ−Ｏ）、インジウム−ジルコニウム−ガリウム酸化物（Ｉｎ−Ｚｒ−Ｇａ−Ｏ）、インジウム−アルミニウム酸化物（Ｉｎ−Ａｌ−Ｏ）、インジウム−亜鉛−アルミニウム酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｏ）、インジウム−スズ−アルミニウム酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｏ）、インジウム−アルミニウム−ガリウム酸化物（Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｏ）、インジウム−タンタル酸化物（Ｉｎ−Ｔａ−Ｏ）、インジウム−タンタル−亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｔａ−Ｚｎ−Ｏ）、インジウム−タンタル−スズ酸化物（Ｉｎ−Ｔａ−Ｓｎ−Ｏ）、インジウム−タンタル−ガリウム酸化物（Ｉｎ−Ｔａ−Ｇａ−Ｏ）、インジウム−ゲルマニウム酸化物（Ｉｎ−Ｇｅ−Ｏ）、インジウム−ゲルマニウム−亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇｅ−Ｚｎ−Ｏ）、インジウム−ゲルマニウム−スズ酸化物（Ｉｎ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｏ）、インジウム−ゲルマニウム−ガリウム酸化物（Ｉｎ−Ｇｅ−Ｇａ−Ｏ）、チタン−インジウム−亜鉛酸化物（Ｔｉ−Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ）、ハフニウム−インジウム−亜鉛酸化物（Ｈｆ−Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ）のうちのいずれか１つを含むことができる。
【０１１９】
半導体層は、不純物がドーピングされないチャネル領域と、チャネル領域の両側に不純物がドーピングされて形成されたソース領域およびドレイン領域とを含む。ここで、このような不純物は、薄膜トランジスタの種類に応じて異なり、Ｎ型不純物またはＰ型不純物が可能である。
【０１２０】
半導体層が酸化物半導体からなる場合には、高温に露出するなどの、外部環境に脆弱な酸化物半導体を保護するために、別の保護層が追加可能である。
【０１２１】
これまで参照した図面と記載された発明の詳細な説明は単に本発明の例示的なものであって、これは、単に本発明を説明するための目的で使用されたもので、意味の限定や特許請求の範囲に記載された本発明の範囲を制限するために使用されたものではない。そのため、本技術分野における通常の知識を有する者であれば、これから多様な変形および均等な他の実施形態が可能である点を理解することができる。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、添付した特許請求の範囲の技術的思想によって定められなければならない。
【符号の説明】
【０１２２】
１００：信号制御部
２００：走査駆動部
３００：データ駆動部
４００：電源供給部
５００：書き込み信号部
６００：発光信号部
７００：リセット信号部
８００：表示部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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