(57)【要約】【課題】検査効率を向上させる。【解決手段】検査対象のコンデンサ２００の各端子に対して検査用信号を供給する供給処理および検査用信号の供給によってコンデンサ２００に蓄積された電荷を放電させる放電処理を実行すると共に、各処理の実行時に検出した各端子間の物理量に基づいてコンデンサ２００の絶縁抵抗およびコンデンサ２００の容量を測定して各測定値に基づいてコンデンサ２００の良否を検査する検査部を備え、検査部は、供給処理を実行している状態で検出した物理量としての端子間に流れる端子間電流の値と各端子間に生じる端子間電圧の値とに基づいてコンデンサ２００の絶縁抵抗を測定し、供給処理を開始したときから絶縁抵抗の測定を開始するまでの時間Ｔａ内および放電処理を開始したときから放電処理を終了するまでの時間Ｔｂ内に検出した端子間電流の値と端子間電圧の値とに基づいてコンデンサ２００の容量を測定して良否を検査する。【選択図】図３
2014219335.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査対象のコンデンサの各端子に対して検査用信号を供給する供給処理および当該検査用信号の供給によって当該コンデンサに蓄積された電荷を放電させる放電処理を実行すると共に、前記各処理の実行時に検出した前記各端子間の物理量に基づいて前記コンデンサの絶縁抵抗および当該コンデンサの容量を測定して各測定値に基づいて当該コンデンサの良否を検査する検査部を備えた検査装置であって、
前記検査部は、前記供給処理を実行している状態で検出した前記物理量としての前記端子間に流れる端子間電流の値と当該各端子間に生じる端子間電圧の値とに基づいて前記コンデンサの前記絶縁抵抗を測定し、前記供給処理を開始したときから当該絶縁抵抗の測定を開始するまでの第１の時間および前記放電処理を開始したときから当該放電処理を終了するまでの第２の時間の少なくとも一方の時間内に検出した前記端子間電流の値と前記端子間電圧の値とに基づいて前記コンデンサの容量を測定して当該コンデンサの良否を検査する検査装置。
【請求項２】
前記検査部は、前記第１の時間内において検出した前記端子間電流の値および前記端子間電圧の値、並びに前記第２の時間内において検出した前記端子間電流の値および前記端子間電圧の値に基づいて測定した前記コンデンサの容量に基づいて当該コンデンサの良否を検査する請求項１記載の検査装置。
【請求項３】
前記検査部は、前記第２の時間内に検出した前記端子間電流の値と前記端子間電圧の値とに基づいて測定した前記コンデンサの容量に基づいて当該コンデンサの良否を検査する請求項１記載の検査装置。
【請求項４】
検査対象のコンデンサの各端子に対して検査用信号を供給する供給処理および当該検査用信号の供給によって当該コンデンサに蓄積された電荷を放電させる放電処理を実行すると共に、前記各処理の実行時に検出した前記各端子間の物理量に基づいて前記コンデンサの絶縁抵抗および当該コンデンサの容量を測定して各測定値に基づいて当該コンデンサの良否を検査する検査方法であって、
前記供給処理を実行している状態で検出した前記物理量としての前記端子間に流れる端子間電流の値と当該各端子間に生じる端子間電圧の値とに基づいて前記コンデンサの前記絶縁抵抗を測定し、前記供給処理を開始したときから当該絶縁抵抗の測定を開始するまでの第１の時間および前記放電処理を開始したときから当該放電処理を終了するまでの第２の時間の少なくとも一方の時間内に検出した前記端子間電流の値と前記端子間電圧の値とに基づいて前記コンデンサの容量を測定して当該コンデンサの良否を検査する検査方法。
【請求項５】
前記第１の時間内において検出した前記端子間電流の値および前記端子間電圧の値、並びに前記第２の時間内において検出した前記端子間電流の値および前記端子間電圧の値に基づいて測定した前記コンデンサの容量に基づいて当該コンデンサの良否を検査する請求項４記載の検査方法。
【請求項６】
前記第２の時間内に検出した前記端子間電流の値と前記端子間電圧の値とに基づいて測定した前記コンデンサの容量に基づいて当該コンデンサの良否を検査する請求項４記載の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンデンサの絶縁抵抗および容量に基づいてコンデンサの良否を検査する検査装置および検査方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種の検査装置として、特開２０１１−１１２５８２号公報に開示された検査装置が知られている。この検査装置は、コンデンサに検査用信号を供給する電源、コンデンサに直列接続される検査用抵抗の両端電圧を測定する電圧計、および測定した両端電圧から求めた絶縁抵抗の良否（絶縁抵抗が基準値以上であるか否か）を判定する判定手段を備えて構成されている。
【０００３】
一方、出願人は、上記した絶縁抵抗の良否判定に加えて、コンデンサの容量を測定して、その容量の良否（容量が基準範囲内であるか否か）を判定する検査装置を開発している。この検査装置では、絶縁抵抗測定用の検査用信号をコンデンサに供給して絶縁抵抗の良否判定を行った後に、コンデンサに蓄積された電荷を放電させ、その後に、容量測定用の検査用信号をコンデンサに供給してコンデンサの容量を測定して測定した容量の良否判定を行う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１１２５８２号公報（第５−６頁、第１図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、出願人が既に開発している上記の検査装置には、改善すべき以下の課題がある。すなわち、上記した検査装置では、絶縁抵抗の良否判定を行った後にコンデンサに蓄積された電荷を放電させ、その後にコンデンサの容量の良否判定を行っている。この場合、電荷の放電にはある程度の時間が必要なため、この検査装置では、絶縁抵抗の良否判定が終了してから電荷の放電が終了するまでは、容量の良否判定を開始することなく待機する必要がある。また、この検査装置では、容量測定用の検査用信号を供給した後に再び蓄積された電荷を放電する必要がある。このため、この検査装置には、数多くのコンデンサに対して検査を行うときには、待機時間や放電時間が長くなることに起因して検査効率の向上が困難となるという課題が存在する。
【０００６】
また、上記した検査装置を用いて基板上に実装された数多くのコンデンサに対して検査を行うときには、全てのコンデンサに対する絶縁抵抗の良否判定を連続して行った後に、全てのコンデンサに対する容量の良否判定を連続して行う方法を採用することもできる。この方法を採用したときには、絶縁抵抗の良否判定を連続して行う過程で良否判定が終了したコンデンサから順に電荷の放電を行うことで、全てのコンデンサに対する絶縁抵抗の良否判定が終了する頃には、先に放電を開始したコンデンサの放電が終了して、良否判定を直ちに開始することができることがあり、このときには全体の検査時間を短縮することが可能となる。この場合、この方法を採用するときには、測定対象のコンデンサの端子に接触させているプローブと電源および放電回路との接続を切り替える接続切替処理を、絶縁抵抗の良否判定を全てのコンデンサに対して連続して行う工程と、容量の良否判定を全てのコンデンサに対して連続して行う工程との両工程において、プローブの指定順序を一致させつつ行うことが好ましい。しかしながら、このような接続切替処理を誤りなく実行するのは容易ではないため、却って検査効率の向上の阻害要因となるおそれがある。
【０００７】
本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、検査効率を向上し得る検査装置および検査方法を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成すべく請求項１記載の検査装置は、検査対象のコンデンサの各端子に対して検査用信号を供給する供給処理および当該検査用信号の供給によって当該コンデンサに蓄積された電荷を放電させる放電処理を実行すると共に、前記各処理の実行時に検出した前記各端子間の物理量に基づいて前記コンデンサの絶縁抵抗および当該コンデンサの容量を測定して各測定値に基づいて当該コンデンサの良否を検査する検査部を備えた検査装置であって、前記検査部は、前記供給処理を実行している状態で検出した前記物理量としての前記端子間に流れる端子間電流の値と当該各端子間に生じる端子間電圧の値とに基づいて前記コンデンサの前記絶縁抵抗を測定し、前記供給処理を開始したときから当該絶縁抵抗の測定を開始するまでの第１の時間および前記放電処理を開始したときから当該放電処理を終了するまでの第２の時間の少なくとも一方の時間内に検出した前記端子間電流の値と前記端子間電圧の値とに基づいて前記コンデンサの容量を測定して当該コンデンサの良否を検査する。
【０００９】
また、請求項２記載の検査装置は、請求項１記載の検査装置において、前記検査部は、前記第１の時間内において検出した前記端子間電流の値および前記端子間電圧の値、並びに前記第２の時間内において検出した前記端子間電流の値および前記端子間電圧の値に基づいて測定した前記コンデンサの容量に基づいて当該コンデンサの良否を検査する。
【００１０】
また、請求項３記載の検査装置は、請求項１記載の検査装置において、前記検査部は、前記第２の時間内に検出した前記端子間電流の値と前記端子間電圧の値とに基づいて測定した前記コンデンサの容量に基づいて当該コンデンサの良否を検査する。
【００１１】
また、請求項４記載の検査方法は、検査対象のコンデンサの各端子に対して検査用信号を供給する供給処理および当該検査用信号の供給によって当該コンデンサに蓄積された電荷を放電させる放電処理を実行すると共に、前記各処理の実行時に検出した前記各端子間の物理量に基づいて前記コンデンサの絶縁抵抗および当該コンデンサの容量を測定して各測定値に基づいて当該コンデンサの良否を検査する検査方法であって、前記供給処理を実行している状態で検出した前記物理量としての前記端子間に流れる端子間電流の値と当該各端子間に生じる端子間電圧の値とに基づいて前記コンデンサの前記絶縁抵抗を測定し、前記供給処理を開始したときから当該絶縁抵抗の測定を開始するまでの第１の時間および前記放電処理を開始したときから当該放電処理を終了するまでの第２の時間の少なくとも一方の時間内に検出した前記端子間電流の値と前記端子間電圧の値とに基づいて前記コンデンサの容量を測定して当該コンデンサの良否を検査する。
【００１２】
また、請求項５記載の検査方法は、請求項４記載の検査方法において、前記第１の時間内において検出した前記端子間電流の値および前記端子間電圧の値、並びに前記第２の時間内において検出した前記端子間電流の値および前記端子間電圧の値に基づいて測定した前記コンデンサの容量に基づいて当該コンデンサの良否を検査する。
【００１３】
また、請求項６記載の検査方法は、請求項４記載の検査方法において、前記第２の時間内に検出した前記端子間電流の値と前記端子間電圧の値とに基づいて測定した前記コンデンサの容量に基づいて当該コンデンサの良否を検査する。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１記載の検査装置、および請求項４記載検査方法では、コンデンサの各端子に対して検査用信号を供給する供給処理を開始したときからコンデンサの絶縁抵抗の測定を開始するまでの第１の時間、および検査用信号の供給によってコンデンサに蓄積された電荷を放電させる放電処理を開始したときから放電処理が終了するまでの第２の時間の少なくとも一方の時間内に検出した端子間電流の値と端子間電圧の値とに基づいてコンデンサの容量を測定して各測定値に基づいてコンデンサの良否を検査する。このため、この検査装置および検査方法によれば、コンデンサに対する絶縁抵抗の良否判定を行った後にコンデンサに蓄積された電荷を放電させ、その後にコンデンサの容量の良否判定を行う従来の構成および方法において絶縁状態の良否判定を行うのに要する時間内に、絶縁状態の良否判定と容量の適否の判定との双方を行うことができる。したがって、この検査装置および検査方法では、従来の構成および方法と比較して、１つのコンデンサに対する検査に要する検査時間を十分に短縮することができる結果、検査効率を十分に向上させることができる。また、この検査装置および検査方法によれば、複数のコンデンサの検査を行う際に、１つのコンデンサに対する絶縁状態の良否判定と容量の適否の判定との双方をコンデンサの端子と信号出力回路や放電回路の接続を切り替える接続切替処理を行うことなく一度に行うことができるため、全てのコンデンサに対する絶縁抵抗の良否を連続して判定する工程を行った後に、全てのコンデンサに対する容量の良否を連続して判定する工程を行う構成および方法とは異なり、両工程における接続切替処理で指定するコンデンサの端子の指定順序を一致させるような検査効率の向上を阻害する要因となる煩雑な作業を排除することができる。
【００１５】
また、請求項２記載の検査装置、および請求項５記載検査方法では、第１の時間および第２の時間の双方の時間内においてそれぞれ検出した端子間電流の値と端子間電圧の値とに基づいて測定したコンデンサの容量に基づいてコンデンサの良否を検査する。このため、この検査装置および検査方法によれば、端子間電圧が増加する過程で測定した容量、および端子間電圧が減少する過程で測定した容量の２つの容量、つまり、異なる条件下で測定した２つの容量に基づいてコンデンサの良否を検査することができる結果、検査精度を十分に向上させることができる。
【００１６】
また、請求項３記載の検査装置、および請求項６記載検査方法では、第２の時間内に検出した端子間電流の値と端子間電圧の値とに基づいて測定したコンデンサの容量に基づいてコンデンサの良否を検査する。このため、この検査装置および検査方法によれば、絶縁抵抗値を測定する際に端子間に高い電圧が生じることに起因してコンデンサの内部に短絡等の欠陥が生じたときに、その欠陥が生じたことによって容量が基準を満たさなくなったことを確実に検査することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】検査装置１の構成を示す構成図である。
【図２】検査方法を説明する第１の説明図である。
【図３】検査方法を説明する第２の説明図である。
【図４】従来の検査方法を説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、検査装置および検査方法の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。
【００１９】
最初に、検査装置の一例としての図１に示す検査装置１の構成について説明する。検査装置１は、例えば、図２に示す回路基板１００に実装されている複数のコンデンサ２００（同図では、１つのコンデンサ２００のみを図示している）の良否を後述する検査方法に従って検査可能に構成されている。具体的には、検査装置１は、図１に示すように、基板保持部２、プローブユニット３、移動機構４、スキャナ部５、記憶部６および検査部７を備えて構成されている。
【００２０】
基板保持部２は、回路基板１００を保持可能に構成されている。プローブユニット３は、図１に示すように、複数のプローブ３１を備えて治具型に構成されている。この場合、プローブユニット３は、回路基板１００に実装されている各コンデンサ２００の端子２０１（図２参照）に対してプローブ３１がそれぞれ接触するように、プローブ３１の数や配列パターンが規定されて構成されている。移動機構４は、検査部７の制御に従い、プローブユニット３を上下方向に移動させることによってプロービングを実行する。
【００２１】
スキャナ部５は、複数のスイッチ（図示せず）を備えて構成され、検査部７の制御に従って各スイッチをオン状態またはオフ状態に移行させることにより、プローブユニット３の各プローブ３１と検査部７内の信号出力回路との接続および接続解除、並びに各プローブ３１と検査部７内の放電回路との接続および接続解除を行う。
【００２２】
記憶部６は、検査部７によって実行される供給処理において用いられる回路基板データＤｂを記憶する。この場合、回路基板データＤｂは、回路基板１００に実装されている各コンデンサ２００を識別する情報、各コンデンサ２００の端子を識別する情報、および各コンデンサ２００の容量の基準範囲や絶縁抵抗の基準値を示す情報等を含んで構成されている。また、記憶部６は、検査部７によって測定される各コンデンサ２００の絶縁抵抗値Ｒおよび容量値Ｃを記憶すると共に、検査部７によって実行される各コンデンサ２００の良否検査の結果を記憶する。
【００２３】
検査部７は、検査用信号Ｓ（例えば、直流電流）を出力する図外の信号出力回路、および検査用信号Ｓの供給によってコンデンサ２００に蓄積される電荷を放電する図外の放電回路を備えて構成され、検査対象のコンデンサ２００の各端子２０１に対して検査用信号Ｓを供給する供給処理、および検査用信号Ｓの供給によってコンデンサ２００に蓄積された電荷を放電させる放電処理を実行する。また、検査部７は、供給処理および放電処理の実行時に検出した各端子２０１間の物理量に基づいてコンデンサ２００の絶縁抵抗値Ｒおよびコンデンサ２００の容量値Ｃを測定し、その絶縁抵抗値Ｒおよび容量値Ｃに基づいてコンデンサ２００の良否を検査する。
【００２４】
具体的には、検査部７は、供給処理を実行している状態で検出した端子２０１間に流れる電流（物理量の一例であって、以下「端子間電流Ｉｔ」ともいう）の値と、各端子２０１間に生じる電圧（物理量の他の一例であって、以下「端子間電圧Ｖｔ」ともいう）の値とに基づいてコンデンサ２００の絶縁抵抗値Ｒを測定し、測定した絶縁抵抗値Ｒと予め規定された基準値とを比較してコンデンサ２００の良否を検査する。
【００２５】
また、検査部７は、供給処理を開始したときから絶縁抵抗値Ｒの測定を開始するまでの時間Ｔａ（第１の時間：図３参照）内において検出した端子間電流Ｉｔの値と端子間電圧Ｖｔの値とに基づいてコンデンサ２００の容量値Ｃ（以下、この容量値Ｃを「容量値Ｃａ」ともいう）を測定すると共に、放電処理を開始したときから放電処理が終了するまでの時間Ｔｂ（第２の時間：図３参照）内において検出した端子間電流Ｉｔの値と端子間電圧Ｖｔの値とに基づいてコンデンサ２００の容量値Ｃ（以下、この容量値Ｃを「容量値Ｃｂ」ともいう）を測定し、容量値Ｃａ，Ｃｂに基づいてコンデンサ２００の良否を検査する。この場合、この検査装置１では、検査部７は、容量値Ｃａ，Ｃｂの平均値（以下、この値を「平均容量値Ｃａｂ」ともいう）を算出し、平均容量値Ｃａｂと予め規定された基準範囲とを比較してコンデンサ２００の良否を検査する。
【００２６】
次に、検査装置１を用いて、回路基板１００に実装されている複数のコンデンサ２００の良否を検査する検査方法、およびその際の検査装置１の動作について、図面を参照して説明する。
【００２７】
まず、検査対象の回路基板１００を基板保持部２に保持させる。次いで、図外の操作部を用いて検査開始操作を行う。この際に、検査部７が、操作部から出力された操作信号に従い、移動機構４を制御してプローブユニット３を下向きに移動させる。これにより、図２に示すように、プローブユニット３の各プローブ３１の先端部が、回路基板１００に実装されているコンデンサ２００の各端子２０１にそれぞれ接触（プロービング）させられる。
【００２８】
続いて、検査部７は、記憶部６から回路基板データＤｂを読み出す。次いで、検査部７は、回路基板１００に実装されている各コンデンサ２００を識別する情報、および各コンデンサ２００の端子を識別する情報を回路基板データＤｂから抽出する。
【００２９】
続いて、検査部７は、抽出した各情報に基づいて最初に検査対象とするコンデンサ２００を特定すると共に、そのコンデンサ２００の各端子２０１に接触している２つのプローブ３１を特定する。
【００３０】
次いで、検査部７は、供給処理を実行する。この供給処理では、検査部７は、スキャナ部５を制御して、特定した上記の２つ各プローブ３１を信号出力回路に接続させる。これにより、各プローブ３１を介してコンデンサ２００の端子２０１に対する検査用信号Ｓの供給が開始される。また、検査用信号Ｓの供給が開始されたとき（供給処理を開始したとき：図３に示すＰ１の時点）からの時間の経過に伴い、各端子２０１に対する検査用信号Ｓの供給によってコンデンサ２００に徐々に電荷が蓄積され、これに伴って端子２０１間（各端子２０１に接触している２つのプローブ３１間）に生じる端子間電圧Ｖｔが徐々に増加する。
【００３１】
一方、検査部７は、供給処理を開始したときに、各端子２０１間（各端子２０１に接触している２つのプローブ３１間）に流れる端子間電流Ｉｔ、および各端子２０１間に生じる端子間電圧Ｖｔの検出を開始する。
【００３２】
続いて、検査部７は、供給処理を開始したときから予め決められた時間ｔ１（端子間電圧Ｖｔの増加が停止するまでの時間よりも短い時間）が経過した時点でコンデンサ２００の容量値Ｃを測定（算出）する。この場合、検査部７は、一例として、端子間電流Ｉｔの値に時間ｔ１を乗じた値を時間ｔ１における端子間電圧Ｖｔの増加分で除して容量値Ｃを算出する。次いで、検査部７は、算出した（時間Ｔａ内に測定した）容量値Ｃを容量値Ｃａとして記憶部６に記憶させる。
【００３３】
続いて、検査部７は、端子間電圧Ｖｔの増加が停止したとき（図３に示すＰ２の時点）から予め決められた時間が経過するまでの間（端子間電圧Ｖｔの増加が停止している間であって、同図に示すＰ２の時点からＰ３の時点までの間）にコンデンサ２００の絶縁抵抗値Ｒを測定（算出）する。この場合、検査部７は、この間に検出した端子間電圧Ｖｔの値を端子間電流Ｉｔの値で除して絶縁抵抗値Ｒを算出する。次いで、検査部７は、算出した絶縁抵抗値Ｒを記憶部６に記憶させる。  
【００３４】
続いて、検査部７は、放電処理を実行する。この放電処理では、検査部７は、スキャナ部５を制御して、各プローブ３１と信号出力回路との接続を解除させると共に、各プローブ３１を放電回路に接続させる。これにより、コンデンサ２００に蓄積されている電荷の放電が開始される。また、放電が開始されたとき（放電処理を開始したとき：図３に示すＰ３の時点）からの時間の経過に伴い、コンデンサ２００から徐々に電荷が放電され、これに伴って端子２０１間（各端子２０１に接触している２つのプローブ３１間）の端子間電圧Ｖｔが徐々に減少する。
【００３５】
次いで、検査部７は、放電処理が開始されたときから予め決められた時間ｔ２（放電処理が終了して端子間電圧Ｖｔの減少が停止する図３に示すＰ４の時点までの時間よりも短い時間）が経過した時点でコンデンサ２００の容量値Ｃを測定（算出）する。この場合、検査部７は、一例として、端子間電流Ｉｔの値に時間ｔ２を乗じた値を時間ｔ２における端子間電圧Ｖｔの減少分で除して容量値Ｃを算出する。続いて、検査部７は、算出した（時間Ｔｂ内に測定した）容量値Ｃを容量値Ｃｂとして記憶部６に記憶させる。
【００３６】
次いで、検査部７は、上記のようにして測定したコンデンサ２００の絶縁抵抗値Ｒおよびコンデンサ２００の容量値Ｃに基づいてコンデンサ２００の良否を検査する。具体的には、検査部７は、記憶部６から読み出した回路基板データＤｂからコンデンサ２００の絶縁抵抗の基準値を示す情報およびコンデンサ２００の容量値Ｃの基準範囲を示す情報を抽出する。続いて、検査部７は、記憶部６から絶縁抵抗値Ｒおよび容量値Ｃａ，Ｃｂを読み出す。次いで、検査部７は、絶縁抵抗の基準値と絶縁抵抗値Ｒ（測定値）とを比較する。この場合、検査部７は、絶縁抵抗値Ｒが基準値以上のときには、コンデンサ２００の絶縁状態が良好と判定し、絶縁抵抗値Ｒが基準値未満のときには、コンデンサ２００の絶縁状態が不良と判定する。
【００３７】
続いて、検査部７は、容量値Ｃａ，Ｃｂを平均して平均容量値Ｃａｂを算出し、次いで、平均容量値Ｃａｂと基準範囲とを比較する。この場合、検査部７は、平均容量値Ｃａｂが基準範囲内のときには、コンデンサ２００の容量値Ｃが基準を満たしていると判定し、平均容量値Ｃａｂが基準範囲外のときには、コンデンサ２００の容量値Ｃが基準を満たしていないと判定する。続いて、検査部７は、コンデンサ２００についての検査結果（上記した絶縁状態の良否の判定結果、および容量値Ｃが基準を満たしているか否かの判定結果）を記憶部６に記憶させる。以上により、最初のコンデンサ２００に対する検査が終了する。
【００３８】
ここで、従来の構成および方法では、図４に示すように、検査用信号Ｓを供給している状態で測定した絶縁抵抗値Ｒに基づいて絶縁状態の良否判定を行った後にコンデンサ２００に蓄積された電荷を放電させ、その後にコンデンサ２００の容量値Ｃを測定してその容量値Ｃに基づいて容量値Ｃの適否の判定を行っている。このため、従来の構成および方法では、同図に示すように、電荷の放電が終了するまでは容量値Ｃの測定を開始することなく待機する必要がある。また、この従来の構成および方法では、容量測定用の検査用信号Ｓを供給した後に蓄積された電荷を再び放電する必要がある。
【００３９】
これに対して、この検査装置１では、上記したように、供給処理を開始したときからコンデンサ２００の絶縁抵抗値Ｒの測定を開始するまでの時間Ｔａ内、および放電処理を開始したときから放電処理が終了するまでの時間Ｔｂ内に検出した端子間電流Ｉｔの値と端子間電圧Ｖｔの値とに基づいてコンデンサ２００の容量値Ｃを測定してコンデンサ２００の良否を検査する。このため、この検査装置１では、従来の構成および方法において絶縁状態の良否判定を行うのに要する時間（絶縁抵抗値測定用の検査用信号Ｓの供給開始から蓄積された電荷の放電が終了するまでの間：図４参照）内に、絶縁状態の良否判定と容量値Ｃの適否の判定との双方を行うことが可能となっている。このため、この検査装置１および検査方法では、従来の構成および方法と比較して、１つのコンデンサ２００に対する検査に要する検査時間を十分に短縮することが可能となっている。
【００４０】
次いで、検査部７は、２番目に検査対象とするコンデンサ２００を特定すると共に、そのコンデンサ２００の各端子２０１に接触している２つのプローブ３１を特定する。続いて、検査部７は、図３に示すように、上記した各処理を実行して、２番目のコンデンサ２００の良否を検査して、その検査結果を記憶部６に記憶させる。以下、検査部７は、同様にして、回路基板１００に実装されている各コンデンサ２００の良否を検査する。
【００４１】
このように、この検査装置１および検査方法では、コンデンサ２００の各端子２０１に対して検査用信号Ｓを供給する供給処理を開始したときからコンデンサ２００の絶縁抵抗値Ｒの測定を開始するまでの時間Ｔａ内、および検査用信号Ｓの供給によってコンデンサ２００に蓄積された電荷を放電させる放電処理を開始したときから放電処理が終了するまでの時間Ｔｂ内に検出した端子間電流Ｉｔの値と端子間電圧Ｖｔの値とに基づいてコンデンサ２００の容量値Ｃａ，Ｃｂを測定して各容量値Ｃａ，Ｃｂ（測定値）に基づいてコンデンサ２００の良否を検査する。このため、この検査装置１および検査方法によれば、コンデンサ２００に対する絶縁抵抗の良否判定を行った後にコンデンサ２００に蓄積された電荷を放電させ、その後にコンデンサ２００の容量の良否判定を行う従来の構成および方法において絶縁状態の良否判定を行うのに要する時間内に、絶縁状態の良否判定と容量値Ｃの適否の判定との双方を行うことができる。したがって、この検査装置１および検査方法では、従来の構成および方法と比較して、１つのコンデンサ２００に対する検査に要する検査時間を十分に短縮することができる結果、検査効率を十分に向上させることができる。また、この検査装置１および検査方法によれば、１つのコンデンサ２００に対する絶縁状態の良否判定と容量値Ｃの適否の判定との双方をプローブ３１の接続切替処理を行うことなく一度に行うことができるため、全てのコンデンサ２００に対する絶縁抵抗の良否を連続して判定する工程を行った後に、全てのコンデンサ２００に対する容量の良否を連続して判定する工程を行う構成および方法とは異なり、両工程における接続切替処理で指定するプローブ３１（コンデンサ２００の端子２０１）の指定順序を一致させるような検査効率の向上を阻害する要因となる煩雑な作業を排除することができる。
【００４２】
また、この検査装置１および検査方法では、時間Ｔａおよび時間Ｔｂの双方の時間内においてそれぞれ検出した端子間電流Ｉｔの値と端子間電圧Ｖｔの値とに基づいて測定したコンデンサ２００の容量値Ｃａ，Ｃｂに基づいてコンデンサ２００の良否を検査する。このため、この検査装置１によれば、端子間電圧Ｖｔが増加する過程で測定した容量値Ｃａ、および端子間電圧Ｖｔが減少する過程で測定した容量値Ｃｂの２つの容量値Ｃａ，Ｃｂ、つまり、異なる条件下で測定した２つの容量値Ｃａ，Ｃｂに基づいてコンデンサ２００の良否を検査することができる結果、検査精度を十分に向上させることができる。
【００４３】
なお、検査装置および検査方法は、上記した構成および方法に限定されない。例えば、時間Ｔａおよび時間Ｔａの双方の時間内においてそれぞれ検出した端子間電流Ｉｔの値と端子間電圧Ｖｔの値とに基づいて測定したコンデンサ２００についての２つの容量値Ｃａ，Ｃｂを平均した平均容量値Ｃａｂと基準範囲とを比較してコンデンサ２００の良否を検査する構成および方法について上記したが、容量値Ｃａに対応する基準範囲と容量値Ｃｂに対応する基準範囲とを別々に規定して、容量値Ｃａと基準範囲とを比較して判定した判定結果と、容量値Ｃｂと基準範囲とを比較して判定した判定結果とに基づいてコンデンサ２００の良否を検査する（例えば、２つの判定結果がいずれも良好のときだけコンデンサ２００を良好と判定する）構成および方法を採用することもできる。また、容量値Ｃや絶縁抵抗値Ｒの測定方法自体は公知の方法を適宜採用することができる。
【００４４】
また、時間Ｔａ内に検出した端子間電流Ｉｔおよび時間Ｔｂ内に検出した端子間電流Ｉｔの平均値と、時間Ｔａ内に検出した端子間電圧Ｖｔおよび時間Ｔｂ内に検出した端子間電圧Ｖｔの平均値とに基づいてコンデンサ２００の容量値Ｃを測定して、その容量値Ｃと基準範囲とを比較して容量値Ｃの適否を判定する構成および方法を採用することもできる。
【００４５】
また、時間Ｔａおよび時間Ｔｂのうちの一方の時間内において検出した端子間電流Ｉｔの値と端子間電圧Ｖｔの値とに基づいて測定した１つの容量値Ｃだけに基づいてコンデンサ２００の良否を検査する構成および方法を採用することもできる。この場合、時間Ｔｂ内において検出した端子間電流Ｉｔの値と端子間電圧Ｖｔの値とに基づいて測定した１つの容量値Ｃだけに基づいてコンデンサ２００の良否を検査する構成および方法を採用するのが好ましい。この構成および方法を採用した場合、絶縁抵抗値Ｒを測定する際に端子２０１間に高い電圧が生じることに起因してコンデンサ２００の内部に短絡等の欠陥が生じたときに、その欠陥が生じたことによって容量値Ｃが基準を満たさなくなったことを確実に検査することができる。
【００４６】
また、回路基板１００に実装されたコンデンサ２００を検査対象とする例について上記したが、回路基板１００に実装されていないコンデンサ２００を検査対象とすることができ、この場合においても、上記した効果と同様の効果を実現することができる。
【符号の説明】
【００４７】
１  検査装置
７  検査部
２００  コンデンサ
２０１  端子
Ｃ，Ｃａ，Ｃｂ  容量値
Ｃａｂ  平均容量値
Ｒ  絶縁抵抗値
Ｓ  検査用信号
Ｔａ，Ｔｂ  時間
【図１】
2014219335.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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