(57)【要約】【課題】フォトリソプロセスを利用しつつ良好な素子特性をもった有機機能素子を製造する有機機能素子の製造方法を提供する。【解決手段】第一電極と第二電極と、前記第一電極と前記第二電極との間に配置されている有機化合物層と、を有する有機機能素子の製造方法において、有機化合物層の構成材料からなる有機薄膜を形成する有機薄膜の形成工程と、前記有機薄膜の上に犠牲層を形成する犠牲層の形成工程と、前記有機薄膜を所定のパターンに加工して有機化合物層を形成する有機化合物層の形成工程と、前記犠牲層を極性溶媒にて除去する犠牲層の除去工程と、を含み、前記犠牲層の形成工程が、所定の構造的特徴を有する有機化合物を成膜する工程であることを特徴とする。【選択図】図２
2014133727.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の置換基と、第二の置換基と、極性を有する部分構造と、を有し、
前記第一の置換基及び前記第二の置換基が、Ｓｐ2混成原子を６個以上有し、かつ前記Ｓｐ2混成原子を一平面上に配置してなる置換基であり、
前記第一の置換基がなす平面と、前記第二の置換基がなす平面と、でなす平面角が５０°以上９０°以下であり、
ガラス転移温度が９０℃以上であり、
昇華性を有することを特徴とする、有機化合物。
【請求項２】
下記一般式（１）に示される部分構造を有することを特徴とする、請求項１に記載の有機化合物。
【化１】
2014133727.tif 000014
（式（１）において、Ａは、Ｓｐ3混成原子を表し、Ｂ1乃至Ｂ4は、それぞれＳｐ2混成原子を表す。
尚、Ｂ1及びＢ2は、それぞれ前記第一の置換基を構成するＳｐ2混成原子であり、Ｂ3及びＢ4は、それぞれ前記第二の置換基を構成するＳｐ2混成原子である。Ａは、前記第一の置換基がなす平面と前記第二の置換基がなす平面とが交差することによって形成される直線上に存在するＳｐ3混成原子である。）
【請求項３】
第一電極と第二電極と、前記第一電極と前記第二電極との間に配置されている有機化合物層と、を有する有機機能素子の製造方法において、
有機化合物層を形成する有機化合物層の形成工程と、
前記有機化合物の上に犠牲層を形成する犠牲層の形成工程と、
前記有機化合物を所定のパターンに加工して所定の領域にのみ有機化合物層が設けられるように有機化合物層を加工する有機化合物層の加工工程と、
前記犠牲層を極性溶媒にて除去する犠牲層の除去工程と、を含み、
前記犠牲層の形成工程が、請求項１又は２に記載の有機化合物を成膜する工程を含むことを特徴とする、有機機能素子の製造方法。
【請求項４】
前記犠牲層の形成工程と前記有機化合物層の加工工程との間に、
前記犠牲層の上に保護層を形成する保護層の形成工程をさらに有し、
前記有機化合物層の加工工程が、前記有機化合物層と、前記犠牲層と、前記保護層と、を所定のパターン形状に加工する工程であり、
前記犠牲層の除去工程が、前記犠牲層を極性溶媒に溶解させて前記犠牲層及び前記犠牲層の上に設けられる保護層を除去する工程であることを特徴とする、請求項３に記載の有機機能素子の製造方法。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の有機機能素子の製造方法によって製造された有機機能素子を複数有し、
前記有機機能素子が、有機ＥＬ素子であることを特徴とする、有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
請求項３又は４に記載の有機機能素子の製造方法によって製造される有機トランジスタであって、
前記有機機能素子を構成する有機化合物層が、有機半導体層であり、
前記有機機能素子を構成する第一電極が、ゲート電極であり、
前記有機機能素子を構成する第二電極が、ソース電極及びドレイン電極であることを特徴とする、有機トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びその製造方法、並びにその製造方法で用いられる有機化合物に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に知られている有機機能素子（有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）、有機トランジスタ等）を搭載した表示装置は、有機機能素子を単数あるいは複数有する画素を所定のパターンで配列してなる装置である。またこの画素により、表示装置内の表示領域は二次元的にかつ高精細に分割されている。ここで、画素に含まれる有機ＥＬ素子は、例えば、赤、緑又は青のいずれかの光を出力する電子素子である。有機ＥＬ素子を搭載した表示装置は、所望の色を出力する有機ＥＬ素子を所望の発光強度で駆動させることでフルカラー画像の出力を実現している。そして有機トランジスタは、複数の表示素子（有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子、液晶素子等）を個別に駆動させるために用いられる電子素子である。
【０００３】
現在では、表示装置について画素の高精細化が要求されており、このような状況の中、フォトリソプロセスによって高精細化された有機機能素子を有する表示装置を作製する方法が提案されている。特許文献１には、水溶性高分子を剥離層として用いてこの剥離層ごとフォトレジストを剥離する技術が提案されている。また、特許文献２では、有機ＥＬ素子を構成する有機化合物層の上に残ったフォトレジストの残渣を取り除く目的で、有機化合物層の表面を所定の溶媒（クロロベンゼン、酢酸エチル等）で洗浄しスピン乾燥するプロセスが提案されている。また特許文献３には、有機化合物層の上にアルコール可溶性ナイロン又は光吸収材料を含有するアルコール可溶ナイロンからなり、有機化合物層をレジスト材料等から保護する中間層を形成するパターン形成方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−３３２０５１号公報
【特許文献２】特開２００７−２８７５３７号公報
【特許文献３】特開２００６−０５８４９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１乃至３に示されているフォトリソプロセスで利用されている部材、即ち、レジスト層、中間層、剥離層等の部材は、一般に絶縁性の材料からなる部材である。このため、これらの部材を有機ＥＬ素子を構成する部材（発光層等）の表面に残したままにすると、これらの部材は抵抗となって有機ＥＬ表示装置に含まれる有機ＥＬ素子の素子特性が著しく悪化する。このため、上述した部材（レジスト、中間層、剥離層等）を、有機ＥＬ素子を構成する部材（発光層等）の表面に残らないよう除去する必要がある。
【０００６】
さらに、上述した部材（レジスト、中間層、剥離層等）に含まれている微量不純物や、上述した部材（レジスト、中間層、剥離層等）を塗布形成する際に使用される溶媒が有機化合物層を構成する部材（発光層等）へ拡散する可能性がある。係る場合、有機化合物層に当該溶媒が浸透することによって有機化合物層自体が溶解したり有機化合物層に含まれている分子の配向状態が変化したりする可能性がある。そうすると、有機化合物層の材料の性質によるが、膜の状態変化や膜の結晶化等が起こり、素子特性の悪化が懸念される。さらに、上述した部材を除去したときに、除去する部材に起因した結晶析出物等の異物が発生することも懸念される。このため、フォトリソプロセスを利用した従来の方法では、作製された有機ＥＬ表示装置に含まれる有機ＥＬ素子の素子特性は、メタルマスク等を用いて、真空一貫で所定のパターン形状に形成された有機ＥＬ素子の素子特性よりも劣る場合があった。
【０００７】
本発明は、上述した課題を解決するためになされるものであり、その目的は、フォトリソプロセスを利用しつつ良好な素子特性をもった有機機能素子を作製する有機機能素子の製造方法を提供することである。また、その製造方法で使用される有用な有機化合物を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の有機化合物は、下記（ｉ）乃至（ｖ）の特徴を有している。
（ｉ）第一の置換基と、第二の置換基と、極性を有する部分構造と、を有すること
（ｉｉ）前記第一の置換基及び前記第二の置換基が、Ｓｐ2混成原子を６個以上有し、かつ前記ｓｐ2混成原子を一平面上に配置してなる置換基であること
（ｉｉｉ）前記第一の置換基がなす平面と、前記第二の置換基がなす平面と、でなす平面角が５０°以上９０°以下であること
（ｉｖ）ガラス転移温度が９０℃以上であること
（ｖ）昇華性を有すること
また、本発明の有機機能素子の製造方法は、第一電極と第二電極と、前記第一電極と前記第二電極との間に配置されている有機化合物層と、を有する有機機能素子の製造方法において、
有機化合物層の構成材料からなる有機薄膜を形成する有機薄膜の形成工程と、
前記有機薄膜の上に犠牲層を形成する犠牲層の形成工程と、
前記有機薄膜を所定のパターンに加工して有機化合物層を形成する有機化合物層の形成工程と、
前記犠牲層を極性溶媒にて除去する犠牲層の除去工程と、を含み、
前記犠牲層の形成工程が、上記（ｉ）乃至（ｖ）の特徴を有する有機化合物を成膜する工程を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、フォトリソプロセスを利用しつつ良好な素子特性をもった有機機能素子（有機ＥＬ素子、有機薄膜トランジスタ等）を作製する有機機能素子の製造方法を提供することができる。また、その製造方法で使用される有用な有機化合物を提供することができる。
【００１０】
本発明の製造方法では、有機機能素子を構成する有機化合物層を保護する目的で形成される犠牲層の構成材料として、所定の構造的特徴を有する有機化合物が用いられている。この有機化合物の構造的特徴により、化合物そのものは立体障害を有する化合物となり、分子間の平面部分同士のスタックを妨げ分子同士の配向を抑制して、結晶化の原因となる分子間の近接を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の製造方法で製造される有機ＥＬ表示装置の例を示す断面模式図である。
【図２】有機ＥＬ表示装置の製造方法における第一の具体例を示す断面模式図である。
【図３】ＩＰＡ水溶液に対する化合物Ａ１及び化合物Ａ２の溶解度を示すグラフである。
【図４】ＩＰＡ水溶液に対する化合物Ａ１及び化合物Ａ２のエッチングレートを示すグラフである。
【図５】有機ＥＬ表示装置の製造方法における第二の具体例を示す断面模式図である。
【図６】本発明の製造方法で製造される有機薄膜トランジスタの例を示す断面模式図である。
【図７】有機薄膜トランジスタの製造方法における第一の具体例を示す断面模式図である。
【図８】有機薄膜トランジスタの製造方法における第二の具体例を示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
［有機化合物］
まず、本発明の有機化合物について説明する。本発明の有機化合物は、後述するように有機機能素子を製造するために用いられる化合物であり、下記（ｉ）乃至（ｖ）に示される構造的又は物性的特徴を有する化合物である。
（ｉ）第一の置換基と、第二の置換基と、極性を有する部分構造と、を有すること
（ｉｉ）第一の置換基及び第二の置換基が、Ｓｐ2混成原子を６個以上有し、かつＳｐ2混成原子を一平面上に配置してなる置換基であること
（ｉｉｉ）前記第一の置換基がなす平面と、前記第二の置換基がなす平面と、でなす平面角が５０°以上９０°以下であること
（ｉｖ）ガラス転移温度が９０℃以上であること
（ｖ）昇華性を有すること
【００１３】
以下、（ｉ）乃至（ｖ）に示される特徴について順次説明する。
【００１４】
（構造的特徴）
炭素原子を始めとする第２周期以降の原子は、複数の混成軌道、例えば、Ｓｐ3混成軌道、Ｓｐ2混成軌道、Ｓｐ混成軌道等を取ることができる。Ｓｐ3混成軌道の原子は、その混成軌道が表す方向性は、正四面体の頂点方向と一致し、本願ではその原子をＳｐ3混成原子と呼ぶ。一方、Ｓｐ2混成軌道の原子では、その混成軌道が表す方向性は、ｘ−ｙ平面上に集約され、対称軸１２０°を成して交差する方向となり、本願ではその原子をＳｐ2混成原子と呼ぶ。
【００１５】
本発明において、本発明の有機化合物の構造的特徴である特徴（ｉｉ）を有する化合物は、特徴（ｉｉ）でいう第一の置換基及び第二の置換基が、Ｓｐ2混成軌道をとることが可能な元素からなるものであれば、特に限定されるものではない。
【００１６】
特徴（ｉｉ）でいう第一の置換基及び第二の置換基として、例えば、ベンゼンやナフタレンをはじめとする芳香族炭化水素や複素式化合物等からなる置換基が挙げられる。また第一の置換基及び第二の置換基にそれぞれ含まれる複数のＳｐ2混成原子によってなされる平面にはπ電子が平面的に配されており、そのπ電子平面間では相互作用が生じる。このためＳｐ2混成原子からなる置換基（第一の置換基、第二の置換基）が分子構造中に含まれる有機化合物は、真空蒸着法を用いて薄膜を形成すると、安定なアモルファス膜を得やくなる。一方、アルカン等の脂肪鎖のみからなる化合物は、真空蒸着法を用いて薄膜を形成しようとすると、基板上で配向して結晶化しながら蒸着膜が形成されていくため好ましくない。
【００１７】
上記特徴（ｉｉ）でいう６個以上のＳｐ2混成原子からなる平面の例として炭素原子を例にとると、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フルオレン、アズレン、インドール等の芳香族化合物であってその化合物に含まれる炭素原子が属する平面を指す。具体例としてベンゼンを取り上げると、ベンゼンにはＳｐ2混成原子である炭素原子が６個ふくまれており、その６個の炭素原子は同一の平面内に属する。つまりＳｐ2混成原子を６個以上有する置換基は１つの平面を形成しているといえる。ただし、多数のＳｐ2混成原子からなる置換基として、例えば、ピレン、ペンタセン、ペリレンといった大きな縮合環は、大きな平面構造部分を有し、分子同士のスタック性を著しく高めて、極性溶媒への溶解性が低下するため好ましくない。また分子同士のスタック性については、上述した縮合環の中に、窒素、酸素、硫黄、リン等といったヘテロ原子が導入された複素環式化合物であっても同様である。
【００１８】
第一の置換基と第二の置換基とがそれぞれなす二つの平面は、少なくとも３個以上のＳｐ2混成原子からなる部分構造が二つ以上ある場合であって、かつ単結合によってこれら二つの部分構造が結合された場合に発生する。ところで、二つの平面が平行の状態又は同一平面内に存在することを除き、二つの平面は交線において交差する。
【００１９】
本発明の有機化合物は、上記特徴（ｉｉ）を有しているため、分子内に二つの平面（第一の置換基がなす平面、第二の置換基がなす平面）を有することになる。この二つの平面においては、各置換基に含まれる原子同士が接近等することによって生じる相互作用により、少なからず０度ではない二面角（二つの平面がなす角）が存在する。
【００２０】
例えば、ベンゼンとベンゼンを単結合でつないだビフェニルという化合物で二面角について考える。ビフェニルの二面角は、二つのベンゼン環にそれぞれ含まれるＳｐ2混成原子が成す平面角である。気相中におけるビフェニルの二面角は、各ベンゼン環のオルト位の水素原子の立体反発によって４５°であることが知られている。気相中において４５°なる平面角は、固体状態ではほぼ平面（二面角が小さい）の状態であり、配向やスタックを伴って分子の状態は安定化する。従って、気相中での二面角が４５°以下の場合では固体状態での平面化を防げず、配向やスタックを防止するには不十分である。従って、気相状態において少なくとも平面角が４５°よりも大きくなる場合、水素原子よりも大きい立体反発が働くことを意味し、第一と第二の置換基間の平面化を抑制する効果を持つことになる。平面化が阻害されるほど、分子間の平面同士のスタッキングは阻害できる。よって、本発明の有機化合物においては、分子内の二つの平面が成す角は少なくとも４５°より大きいことが好ましく、より好ましくは５０°以上である。さらに好ましくは９０°である。
【００２１】
平面角については、直接測定しても構わないが一般的な分子軌道法や密度汎関数法等で計算された分子構造に基づく値でもよい。ただしビフェニルの二面角をさまざまな分子軌道計算で求めると全くの同一の値にはならない。ここで本発明の有機化合物では、平面角あるいは二面角を計算しておく。そしてビフェニルの二面角よりも大きな二面角もしくは平面角を有する化合物であることが望ましい。
【００２２】
ここで、本発明の構造的特徴の１つである上述した特徴（ｉｉｉ）について説明する。本発明の有機化合物に特徴（ｉｉｉ）を持たせる方法としては下記（ｉｉｉａ）又は（ｉｉｉｂ）に示される方法が挙げられる。
（ｉｉｉａ）Ｓｐ2混成原子で構成される平面同士を４５°よりもねじるために水素以上の立体障害を持つ嵩高い置換基を導入する方法
（ｉｉｉｂ）Ｓｐ3混成原子を介して二つの置換基がそれぞれなす平面同士を交差させる方法
【００２３】
（ｉｉｉａ）の方法は、アルキル基等の立体障害の大きい嵩高い置換基でＳｐ2混成原子からなる二つの部分構造同士を結合する単結合をねじれさせて二面角を大きくする方法である。（ｉｉｉａ）の方法を採用して設計された化合物として、例えば、下記一般式（＊）で表される部分構造を有する化合物群が該当する。
【００２４】
【化１】
2014133727.tif 000003
【００２５】
（式（＊）において、Ｂ1乃至Ｂ3は、それぞれ第一の置換基に含まれるＳｐ2混成原子を表し、Ｃ1乃至Ｃ3は、それぞれ第二の置換基に含まれるＳｐ2混成原子を表す。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ水素原子、Ｓｐ2混成原子又はヒドロキシル基以上の立体的な大きさの置換基を表す。）
【００２６】
式（＊）において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4のいずれかにヒドロキシル基以上の嵩高い置換基を導入することで、Ｂ1とＣ1とを結ぶ単結合にねじれが生じ二面角が大きくなる。
【００２７】
（ｉｉｉｂ）の方法は、（ｉｉｉａ）の方法よりも簡便で大きな二面角を得るのにより好ましい方法である。また（ｉｉｉｂ）の方法により二面角が直角となることがある。（ｉｉｉｂ）の方法を採用する場合、より好ましくは、二面角が自由に変動させないように、各置換基（第一の置換基、第二の置換基）を単結合によって固定して一群の置換基にする。こうすると、分子構造に剛直性が生じ固体状態での平面化は完全に阻害される。
【００２８】
（ｉｉｉｂ）の方法を採用して設計された化合物として、例えば、下記一般式（１）のような化合物があげられる。
【００２９】
【化２】
2014133727.tif 000004
【００３０】
式（１）において、Ａは、Ｓｐ3混成原子を表す。好ましくは、Ｓｐ3混成の第１４族原子であり、より好ましくは、Ｓｐ3混成の炭素原子である。
【００３１】
式（１）において、Ｂ1乃至Ｂ4は、それぞれＳｐ2混成原子を表す。
【００３２】
尚、式（１）において、好ましくは、Ｂ1及びＢ2が、それぞれ前記第一の置換基を構成するＳｐ2混成原子であり、Ｂ3及びＢ4が、それぞれ前記第二の置換基を構成するＳｐ2混成原子である。このときＡは、前記第一の置換基がなす平面と前記第二の置換基がなす平面とが交差することによって形成される直線上に存在するＳｐ3混成原子である。
【００３３】
（ｉｉｉａ）の方法、（ｉｉｉｂ）の方法のいずれを採用するにしても第一の置換基と第二の置換基との間における立体障害の効果で、本発明の有機化合物は、固体状態において平面的な部分構造同士のスタックを妨げることができる。また分子同士の配向を抑制することもできる。従って、結果として分子間の近接を阻害することにつながり、結晶状態をとりづらくなるので、本発明の有機化合物は、（特に、蒸着法を用いて）薄膜状にすると、アモルファスの膜となる。
【００３４】
次に、本発明の有機化合物が有する極性を有する部分構造について説明する。
【００３５】
極性を有する部分構造とは、具体的には、複素環式化合物を含む置換基、電子吸引性置換基、電子供与性置換基等が挙げられる。
【００３６】
複素環式化合物として、例えば、ピリジン、ビピリジン、トリアジン、フェナントロリン、キノリン、イミダゾール、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール等が挙げられる。尚、複素環式化合物を含む置換基とは、複素環化合物を基本骨格として含む置換基群であって、複素環化合物基そのものに限定されるものではない。
【００３７】
電子吸引性置換基として、カルボニル基、カルボキシル基、スルホニル基、スルホキシル基、ホスホニル基、ケトン基、シアノ基等が挙げられる。
【００３８】
電子供与性置換基として、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アミノ基等が挙げられる。
【００３９】
尚、電子吸引性置換基及び電子供与性置換基には、親水性を高める置換基が当然に含まれる。
【００４０】
また、溶解性と分散性との観点から、アルキルアルコール等の水溶性を高める置換基を、極性を有する置換基として含ませてもよい。例えば、メトキシエタノール等のメトキシ部分のメチル基部分で式（＊）や式（１）に示される部分構造と共有結合した有機化合物も挙げられる。
【００４１】
次に、本発明の有機化合物の物性的特徴の一つである昇華性について説明する。昇華可能な有機化合物とは、真空蒸着可能でアモルファス状態の有機蒸着膜を得られる有機化合物を意味する。例えば、分子量が大きすぎると昇華せずに熱分解して膜が得られない。また、分子量が低すぎると基板上に着膜せず良好なアモルファス膜が得られない。よって昇華可能な有機化合物として、好ましい分子量の範囲としては、２００乃至１０００である。昇華可能な材料で真空蒸着による膜を形成することで、ウェット工程特有のリスク、即ち、溶媒との接触というリスクから有機機能素子を構成する有機化合物層を守ることができる。このリスクには、溶媒の浸透に伴う、有機化合物層の溶解、変質、不純物の浸透等が挙げられる。
【００４２】
尚、本発明の有機化合物には金属元素を含まないことが好ましい。例えば、有機金属錯体のように金属原子を含んだ有機化合物では、中心金属がドライエッチングの時に残渣になりやすく、ドライエッチングのために塩素等の腐食性のガスを使う必要がある。塩素等の腐食性のガスは、基板や配線、有機化合物層へ悪影響があるので使用しないのが望ましい。このため本発明の有機化合物は、金属元素を含まない有機化合物であることが好ましい。
【００４３】
以下、式（＊）で表される部分構造を有し、二面角で５０°以上９０°以下となる化合物の具体例を示す。
【００４４】
【化３】
2014133727.tif 000005
【００４５】
以下、式（１）で表される部分構造を有し、二面角で５０°以上９０°以下となる化合物の具体例を示す。
【００４６】
【化４】
2014133727.tif 000006
【００４７】
以上に列挙された例示化合物は、上記特徴（ｉｉ）及び（ｉｉｉ）を有する化合物であるため、特徴（ｉｉ）及び（ｉｉｉ）を有することで生じる立体障害により、固体状態にしたときの平面的な部分構造同士のスタックや、分子同士の配向は抑制される。このようなスタックや配向の抑制により、分子同士の近接を阻害できるため、本発明の有機化合物は結晶状態をとりづらくなる。つまり、本発明の有機化合物でできた蒸着膜を溶媒でウェットエッチングをした場合に結晶析出物の発生を防止する効果がある。また特徴（ｉｉ）及び（ｉｉｉ）を有することで、真空蒸着で得たアモルファス膜の結晶化も同じ理由で阻害されるため、蒸着膜のアモルファス性が向上する。
【００４８】
有機化合物の結晶化のしやすさについては、例えば、示差走査熱量計（ＤＳＣ）によって求めることができる。一般的な化合物では、粉末を一度融解させ、低温に急速冷却するとガラス状態にすることができる。このガラス状態の化合物を加熱していき、結晶化すると発熱ピークを検出できる。一方で、本発明の有機化合物では、結晶化が抑制されているため、結晶化温度の指標となる発熱ピークの測定は困難である。
【００４９】
また、フォトリソプロセス中では加熱工程があり、例えば、ドライエッチング等のプロセスで基板の温度が上がるため、プロセス中の加熱によって化合物そのものが変化しないことが好ましい。このため本発明の有機化合物では、ガラス転移温度（Ｔｇ）が９０°以上であることが好ましい。より好ましくは、プロセス中のベーク温度以上のガラス転移温度（Ｔｇ）を有することが好ましい。これによってフォトリソプロセスで形成したパターニング構造物が本発明の有機化合物からなる層によって変形するのを防ぐことができる。高いガラス転移温度（Ｔｇ）を得るためには、適宜、置換基の大きさを大きくしたり、ｔ−ブチル基等の立体障害基をさらに導入したりすればよい。
【００５０】
ところで分子間の近接を抑制するだけならば立体障害の大きな嵩高い置換基（ｔ−ブチル基等）を第一の置換基又は第二の置換基に同有することが考えられるが、ｔ−ブチル基の嵩高い置換基及び極性基のみでは真空蒸着による良好なアモルファス膜を得ることが困難な場合がある。これに対して、本発明の有機化合物のように、上記（ｉｉ）及び（ｉｉｉ）の構造的特徴を有する化合物に対して嵩高い置換基を導入すると、さらなる分子間の近接抑制につながる。
【００５１】
［有機化合物の用途］
以上説明した本発明の有機化合物は、蒸着法によって形成された薄膜の状態で、有機機能素子及びこの有機機能素子を有するデバイスの製造プロセスで使用することができる。ここで有機機能素子とは、所定の機能を発現する有機化合物層を有する電子素子を言うものであり、具体的には、有機ＥＬ素子、有機トランジスタ等が挙げられる。尚、有機機能素子等の製造プロセスにおいて本発明の有機化合物が如何に使用されるか、については、後述する。
【００５２】
ところで、薄膜状態になっている本発明の有機化合物は、フォトリソグラフィーを用いて所定のパターン形状に加工することができる。ただし、本発明の有機化合物からなる層の加工方法はフォトリソグラフィーに限定されず、インクジェット法、印刷法、レーザー加工等の一般的なパターン形成方法を採用することができる。
【００５３】
［有機機能素子の製造方法］
次に、本発明の有機化合物を利用した有機機能素子の製造方法について説明する。尚、以下に説明する製造方法は、フォトリソプロセスを用いた製造方法である。
【００５４】
本発明の製造方法によって製造される有機機能素子は、第一電極と第二電極と、前記第一電極と前記第二電極との間に配置されている有機化合物層と、からなる電子素子である。ここで有機機能素子を構成する有機化合物層は、本発明の製造方法によって所望の形状にパターニングされている。
【００５５】
ここで本発明の製造方法は、少なくとも下記に示す工程（Ａ）乃至（Ｄ）を有している。
（Ａ）第一電極の上に有機化合物層を形成する工程（有機化合物層の形成工程）
（Ｂ）有機化合物層の上に犠牲層を形成する工程（犠牲層の形成工程）
（Ｃ）有機化合物層が所定の領域にのみ設けられるように有機化合物層を加工する工程（有機化合物層の加工工程）
（Ｄ）犠牲層を極性溶媒にて除去する工程（犠牲層の除去工程）
【００５６】
本発明においては、工程（Ｂ）において本発明の有機化合物が使用される。
【００５７】
また本発明においては、工程（Ｂ）と工程（Ｃ）との間に、犠牲層の上に保護層を形成する工程（保護層の形成工程）をさらに有するのが好ましい。係る場合、工程（Ｃ）（有機化合物層の形成工程）は、具体的には、有機化合物層と、犠牲層と、保護層と、を所定のパターン形状に加工する工程である。また係る場合、工程（Ｄ）（犠牲層の除去工程）は、犠牲層を極性溶媒に溶解させて犠牲層及び犠牲層の上に設けられる保護層を除去する工程である。
【００５８】
本発明の製造方法において形成される犠牲層は、極性溶媒に可溶である本発明の有機化合物からなる蒸着膜である。一般的に、有機機能素子を構成する有機化合物層は、極性溶媒に対する溶解度が小さい化合物を用いて形成される。従って、工程（Ｄ）（犠牲層の除去工程）において、有機化合物層はほとんど溶けることがなく、選択的に犠牲層のみを溶かすことが可能となる。また工程（Ｄ）（犠牲層の除去工程）を終えた段階で有機化合物層の表面から電気抵抗となる不純物が除去されているため、有機化合物層の上に第二電極等の有機機能素子を構成する層・部材を形成したとしても、電荷の流れを妨げることがない。尚、本発明において有機機能素子の一つである有機ＥＬ素子を作製する際には、上記工程（Ｄ）（犠牲層の除去工程）の後に、アルカリ金属を含む層等を形成する工程をさらに含めるのが好ましい。
【００５９】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。尚、以下の説明において、特に図示又は記載がない部分に関しては、当該技術分野の周知技術又は公知技術を適用することができる。また以下に説明する実施形態は、あくまでも本発明の実施形態の一つにすぎず、本発明はこれらに限定されるものではない。また本発明の趣旨を逸脱しない限り、以下に説明する実施形態を適宜組み合わせてもよい。
【００６０】
［有機ＥＬ表示装置］
図１は、本発明の製造方法で製造される有機ＥＬ表示装置の例を示す断面模式図である。図１の有機ＥＬ表示装置１は、支持基板である基板１０の上に、三種類の副画素、即ち、第一副画素２０ａと、第二副画素２０ｂと、第三副画素２０ｃと、が設けられている。ここで第一副画素２０ａと、第二副画素２０ｂと、第三副画素２０ｃと、により、１組の画素が構成されている。尚、図１の有機ＥＬ表示装置１には、第一副画素２０ａと、第二副画素２０ｂと、第三副画素２０ｃと、からなる１組の画素が示されているが、実際の有機ＥＬ表示装置では、基板１０の上に複数組の画素が、例えば、マトリックス状に配置されている。
【００６１】
また、図１の有機ＥＬ表示装置１において、各副画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）は、それぞれ第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）と、有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）と、共通層２３と、第二電極２４と、が順次積層されてなる有機ＥＬ素子を有する。つまり、図１の有機ＥＬ表示装置１は、有機ＥＬ素子（有機機能素子）を複数有している。
【００６２】
第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）は、基板１０の上に設けられる電極層（下部電極）であり、副画素ごとに個別に設けられている。また第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）は、トランジスタ等のスイッチング素子（不図示）と電気接続されている。
【００６３】
有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）は、所定の有機化合物からなる単層あるいは複数層からなる積層体である。尚、有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）には、少なくとも、赤色、緑色、青色等のいずれか一色の光を出力させるための発光層（不図示）を有している。
【００６４】
共通層２３は、第二電極２４から注入される正孔又は電子を、各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）に注入・輸送するために設けられる層であり、電荷注入・輸送層とも呼ばれる層である。尚、図１の有機ＥＬ表示装置１では、共通層２３は、各副画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）に共通する層として設けられているが、本発明においてはこれに限定されるものではない。つまり、有機ＥＬ素子を構成する電荷注入・輸送層は、共通層２３として形成してもよいし、副画素ごとに個別に設けてもよい。
【００６５】
図１の有機ＥＬ表示装置１では、第二電極２４（上部電極）は、共通層２３（電荷注入・輸送層）と同様に各副画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）に共通する層として設けられているが、本発明はこれに限定されるものではない。つまり、第二電極２４は、副画素ごとに個別に設けてもよい。
【００６６】
［有機ＥＬ表示装置の製造方法］
次に、図１の有機ＥＬ表示装置１の製造方法を具体例として、互いに異なる色を表示する３種類の副画素を備える、有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。
【００６７】
本発明の有機機能素子の製造方法を有機ＥＬ表示装置の製造方法に適用する場合、少なくとも下記に示す工程（Ａ１）乃至（Ｅ１）を有する。
（Ａ１）第一電極の上に有機化合物層を形成する工程（有機化合物層の形成工程）
（Ｂ１）有機化合物層の上に犠牲層を形成する工程（犠牲層の形成工程）
（Ｃ１）有機化合物層を所定の領域にのみ設けられるように有機化合物層を加工する工程（有機化合物層の加工工程）
（Ｄ１）犠牲層を極性溶媒にて除去する工程（犠牲層の除去工程）
【００６８】
また本発明の有機機能素子の製造方法においても説明したが、工程（Ｂ１）と工程（Ｃ１）との間に、犠牲層の上に保護層を形成する工程（保護層の形成工程）をさらに有するのが好ましい。
【００６９】
［有機機能素子の製造方法（第一の実施形態）］
図２は、有機ＥＬ表示装置の製造方法における第一の具体例を示す断面模式図である。尚、図２に示される製造プロセスは、図１の有機ＥＬ表示装置の製造プロセスの一例を示す図であり、本発明の有機機能素子の製造方法における第一の実施形態を示す図でもある。図２に示されるように、図１の有機ＥＬ表示装置１を製造する際には、例えば、以下の工程を経て有機ＥＬ表示装置が製造される。
（１）第一電極の形成工程（図２（ａ））
（２）（第一）有機化合物層の形成工程（図２（ｂ））
（３）犠牲層の形成工程（図２（ｂ））
（４）第一保護層の形成（図２（ｃ））
（５）レジスト層の形成工程（図２（ｄ））
（６）レジスト層の露光・現像工程（図２（ｅ））
（７）犠牲層の加工工程（図２（ｆ））
（８）（第一）有機化合物層の加工工程（図２（ｇ））
（９）レジスト層の除去工程（図２（ｍ））
（１０）犠牲層の除去工程（図２（ｎ））
（１１）共通層の形成工程（図２（ｏ））
（１２）第二電極の形成工程（図２（ｐ））
【００７０】
ただし、上記（１）乃至（１１）にて示された工程はあくまでも具体例であり、本発明は、この態様に限定されるものではない。尚、図１の有機ＥＬ表示装置１は、発光色が異なる３種類の副画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）をそれぞれ作製する必要があるため、工程（１）を行った後は、工程（９）を行う前に、工程（２）乃至工程（８）を合計で３回行う必要がある。例えば、ます第一副画素２０ａに含まれる第一有機化合物層２２ａを（２）乃至（８）の工程で形成する（図２（ｂ）乃至図２（ｇ））。次に、第二副画素２０ｂに含まれる第二有機化合物層２２ｂを、工程（２）乃至工程（８）で形成する（図２（ｈ）乃至図２（ｉ））。最後に、第三副画素２０ｃに含まれる第三有機化合物層２２ｃを、工程（２）乃至工程（８）で形成する（図２（ｊ）乃至図２（ｋ））。
【００７１】
次に、上記工程（１）乃至工程（１１）の各工程についてそれぞれ具体的に説明する。
【００７２】
（１）第一電極の形成工程
まず支持基板（基板１０）の上に、各副画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）にそれぞれ含まれる第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）をそれぞれ形成する。支持基板となる基板１０は、ガラス基板等の公知の基板を選択することができる。
【００７３】
第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）は、公知の電極材料からなる電極層であり、光の取り出し方向に対応してその構成材料を適宜選択する。トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置を作製する場合は、第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）を反射電極とし、後述する第二電極２４を光透過性電極とする。一方、ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置を作製する場合は、第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）を光透過性電極とし、第二電極２４を反射電極とする。
【００７４】
反射電極として第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）を形成する場合、第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）の構成材料として、好ましくは、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等の金属材料である。これら金属材料の中でも反射率が高い材料は、光取り出し効率をより向上させることができるのでより好ましい。反射電極である第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）の形成方法としては、例えば、スパッタリング等の公知の方法で上記金属材料の薄膜を成膜し、フォトリソグラフィー等を用いて所望の形状に加工する方法がある。こうすることで、第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）が副画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）ごとに別個に形成される。尚、これらの金属材料からなる薄膜の上には、当該薄膜の保護あるいは仕事関数の調節等の理由により、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛等の光透過性を有する酸化物半導体からなる層をさらに設けてもよい。また、第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）を形成する際には、メタルマスクを使用した蒸着を利用してもよい。メタルマスクを使用した蒸着を行った場合でも、第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）は、副画素ごとに別個に形成される。
【００７５】
一方、光透過性電極として第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）を形成する場合、第一電極２１ａ、２１ｂ、２１ｃの構成材料としては、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛等の光透過性を有する酸化物半導体が挙げられる。
【００７６】
（２）有機化合物の形成工程
本工程にて形成される各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）は、それぞれ有機ＥＬ表示装置１の一構成部材であって、少なくとも発光層を含む単層又は複数の層からなる積層体である。各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）に含まれる発光層以外の層としては、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層等が挙げられる。ただし本発明はこれらに限定されるものではない。ここで発光層に接する層としては、電荷輸送層（正孔輸送層、電子輸送層）であってもよいし、電荷ブロック層（電子ブロック層、正孔ブロック層）であってもよい。
【００７７】
また第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）に対する各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）の具体的構成については、第一電極２１が有機化合物層２２へ向けて注入するキャリアの種類に応じて適宜設定すればよい。即ち、第一電極２１から正孔が注入される場合では、第一電極２１側に正孔を注入・輸送する層（正孔注入層、正孔輸送層）が設けられる一方で、第二電極２５側に電子を注入・輸送する層（電子注入層、電子輸送層）が設けられる。反対に、第一電極２１から電子が注入される場合では、第一電極２１側に電子を注入・輸送する層（電子注入層、電子輸送層）が設けられる一方で、第二電極２５側に正孔を注入・輸送する層（正孔注入層、正孔輸送層）が設けられる。
【００７８】
尚、有機化合物層２２は、発光効率の観点からアモルファス膜であることが好ましい。また光学干渉効果を得られるように、発光波長によって、各有機化合物層の膜厚を適切に設計することが好ましい。
【００７９】
ここで正孔注入層あるいは正孔輸送層又はその両方を設ける場合、正孔注入層、正孔輸送層の構成材料である正孔注入・輸送性材料は、特に限定されるものではない。ただ少なくとも発光層の構成材料よりも仕事関数が小さく正孔輸送性が高い材料を用いることが好ましい。また正孔注入層、正孔輸送層は、正孔を輸送する機能に加えて、発光層から流れ込む電子をブロックする機能を付加させてもよい。また正孔注入層や正孔輸送層とは別に、発光層から流れ込む電子をブロックする機能を有する層（電子ブロック層）を正孔輸送層（あるいは正孔注入層）と発光層との間に挿入してもよい。
【００８０】
発光層に含まれる各色（赤色／緑色／青色）の有機発光材料として、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、縮合多環炭化水素化合物、複素環式芳香族化合物、複素環式縮合多環化合物、有機金属錯体化合物等及びこれらの単独オリゴ体あるいは複合オリゴ体を使用することができる。ただし本発明においては、上記材料に限定されるものではない。
【００８１】
尚、図１の有機ＥＬ表示装置を製造する際に、第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）にそれぞれ設けられる各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）にそれぞれ含まれる発光層の発光色は、それぞれ青色、赤色、緑色と異なっている。また発光色の組み合わせは特に限定されない。
【００８２】
本発明においては、発光層に隣接する層として正孔ブロック層を設けてもよい。正孔ブロック層の構成材料としては、発光層から陰極方向へ正孔が漏れるのを防止するためのエネルギー障壁を有し、かつ電子輸送性を有する材料であれば特に限定されるものではない。
【００８３】
本発明の製造方法では、有機化合物層の加工工程の後に犠牲層の除去工程を行う。また本発明の製造方法では、上記犠牲層の除去工程を円滑に行う目的で、犠牲層を選択的にエッチングする工程（犠牲層の加工工程）を行う。一方で、本発明においては、犠牲層の除去工程を円滑に行えるようにするために、有機化合物層の形成工程にて形成される各有機化合物層の構成材料が、犠牲層よりも極性溶媒に対して溶解度が低い材料にするのが好ましい。ここで各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）の構成材料とは、少なくとも発光層、さらに正孔ブロック層、電子ブロック層、電荷輸送層（正孔輸送層、電子輸送層）又は電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）から選択される層の構成材料である。
【００８４】
ここで本工程にて形成される有機化合物層の、特に、その最上層の構成材料となる化合物として、好ましくは、縮合多環炭化水素化合物が単結合により複数結合されてなる有機化合物である。尚、この有機化合物には、主骨格である縮合多環炭化水素骨格に、メチル基、エチル基等のアルキル基が適宜置換されている化合物も含まれる。このような有機化合物は、主骨格中あるいは置換基中にヘテロ原子（Ｎ、Ｏ等）を有する化合物を含んでいないため、極性溶媒に対する溶解度が特に低い。
【００８５】
ここで縮合多環炭化水素化合物とは、炭化水素のみで構成された環状不飽和有機化合物である。より具体的には、少なくともベンゼン環等の芳香環の１辺が縮合されてなる縮合環を含む化合物である。縮合多環炭化水素化合物として、具体的には、ナフタレン、フルオレン、フルオランテン、クリセン、アントラセン、テトラセン、フェナントレン、ピレン、トリフェニレン等が挙げられる。
【００８６】
ただし、上記の縮合多環炭化水素化合物は、そのままでは熱安定性が低いため、有機化合物層の構成材料としては利用しづらい。従って、これらの縮合多環炭化水素化合物に適宜置換基が付加された化合物を有機化合物層の構成材料として使用するのが好ましい。
【００８７】
ところで、上記縮合多環炭化水素化合物からなる層は電荷輸送性を有する。ここで電荷輸送性とは、電流を流すことができる特性をいう。電流を流すことができる特性を有する層として、具体的には、電子輸送層や正孔輸送層が挙げられる。ただしこれらに限定されるものではなく、電子注入層、正孔注入層、電荷ブロック層（正孔ブロック層、電子ブロック層）等も、電荷輸送性を有する層に含まれる。
【００８８】
尚、上記縮合多環炭化水素化合物からなる層の成膜方法としては、真空蒸着法、スピンコート法、ディップコート法、インクジェット法等の既存の方法を用いることが可能である。有機ＥＬ表示装置の発光特性を考慮すると、成膜方法は、真空蒸着法がより好ましい。
【００８９】
（３）犠牲層の形成工程
各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）の上に設けられる犠牲層３０は、単一の層であってもよいし、複数の層からなる積層体であってもよい。本発明では、犠牲層３０が単一の層からなる場合、この層は極性溶媒に可溶な材料からなる蒸着膜である。また犠牲層３０が複数の層からなる積層体である場合、当該積層体を構成する層のうち少なくとも最下層は、真空蒸着法によって成膜される低分子材料からなる層である。より具体的には、犠牲層３０の最下層は、極性溶媒に可溶な材料からなる蒸着膜である。以上説明したように犠牲層３０の構成材料及び形成方法を選択することにより、極性溶媒を使用することで犠牲層３０を結晶析出が無く選択的に除去することが可能になる。また、本発明において犠牲層３０は、アモルファス膜であることが好ましい。
【００９０】
ここで犠牲層３０（又は少なくともその最下層）を、真空蒸着法によって形成する蒸着膜とする理由について説明する。
【００９１】
真空蒸着法は、昇華性の高い化合物に対して適用される薄膜形成方法であるので、真空蒸着法にて成膜される材料は、自ずと昇華性を有する低分子化合物に限定される。昇華性の高い化合物とは、具体的には、１０-4Ｐａ乃至１０-5Ｐａの圧力条件下で、かつ４００℃以下の温度条件下で昇華する化合物である。また蒸着膜に含まれる化合物の分子量は、高分子材料と比較して小さいため、蒸着膜を構成する分子同士の相互作用（分子間力）が弱く、また各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）への吸着力も弱い。さらにアモルファス状態で形成された蒸着膜中の分子の状態、例えば、分子同士の配向はランダムである。このため蒸着膜中に含まれる化合物の分子は、固体状態や結晶状態と比べると分子間距離は大きくなっている。このため分子がばらけて溶媒分子が入りやすい状態、即ち、溶けやすい状態になっている。よって、真空蒸着法によって形成された（有機化合物の）蒸着膜は、極性溶媒を含む溶剤に接触させることによって、表面からほぼ均一にエッチングされ除去することができる。
【００９２】
ところで、後述する犠牲層の除去工程において、犠牲層を除去するために使用される極性溶媒としては、水と混和する有機溶媒と、水と、を混合した混合溶媒であることがより好ましい。ここで水と混和する有機溶媒は複数種類使用してもよい。
【００９３】
後述する犠牲層の除去工程において、犠牲層を除去するために使用される極性溶媒としては、アルコール類、多価アルコール類、ケトン類、エステル類、ピリジン類、エーテル類等が挙げられる。ただし、後述の犠牲層の除去工程を行った後でこの除去工程で使用した溶剤を揮発させて除去する必要がある。このため、犠牲層の除去工程で使用する有機溶媒は、その沸点が、少なくとも、各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）にそれぞれ含まれる有機化合物の分解温度やガラス転位温度よりも低いことが好ましい。アルコール類を具体例とすると、炭素数が少ないアルコール類、例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等は沸点が低いので、好ましい。
【００９４】
極性溶媒に対する種々の化合物からなる膜のエッチングレートの違い、即ち、溶解性の違いが生じる要因としては、以下のように考えることができる。極性溶媒として列挙された化合物には分子中にヘテロ原子が必ず含まれており、このヘテロ原子が極性溶媒分子の極性部位として機能する。そしてこの極性部位が犠牲層３０の構成材料に含まれる極性部位と相互作用を起こすことで、犠牲層３０の構成材料が極性溶媒に溶解される。またこの極性部位同士の相互作用は、種々の化合物の極性溶媒に対する溶解度に影響を与えている。以上を考慮すると、犠牲層３０の構成材料として用いられる化合物の構造を考慮しながら極性溶媒を適宜選択する。こうすることで、極性溶媒からなる溶剤に対する各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）の溶解性よりも犠牲層３０（特に、その最下層）の溶解性を高めることが可能である。
【００９５】
本発明において、犠牲層の構成材料として使用される本発明の有機化合物には、部分構造として極性を有する構造、具体的には、複素環、電子供与性置換基及び電子吸引性置換基のいずれかを有する。
【００９６】
複素環では、炭素以外のヘテロ元素（Ｎ、Ｏ、Ｓ等）に電荷が極在化している。ここで、環内に窒素原子を有するピリジンを具体例として、以下、説明する。ピリジンは、当該窒素原子上にマイナスの電荷が局在化して分子全体として極性を生じている。ここで水酸基（−ＯＨ）等のプラスの電荷が局在化し、かつ水素原子を含む（水と混和する）有機溶媒が介在しているとする。そうすると、ピリジンが有するマイナスの電荷が局在化する部位（Ｎ原子）と、極性溶媒分子に含まれるプラスの電荷が局在化する水素原子との間で水素結合が形成される。このように水素結合が形成されると、ピリジンは極性溶媒中に溶解する又は溶解し易くなる。ピリジンに限らず、少なくともヘテロ原子（Ｎ，Ｏ、Ｓ等）を含むことで極性が生じている化合物は、縮合多環炭化水素化合物と比べて、極性溶媒に対する溶解性は大きい。
【００９７】
また、芳香族環に電子吸引性基又は電子供与性基が導入された化合物では、π電子の偏りが生じ分極が生じる。ここで電子吸引性置換基を導入した場合では、この置換基上にマイナスの電荷が局在化することで極性が生じる。一方で、電子供与性置換基を導入した場合では、この置換基上にプラスの電荷が局在化することで極性が生じる。この極性の発生によって、当該化合物は極性溶媒の溶媒分子との相互作用が可能になるので、当該極性溶媒に対する溶解性が向上する。
【００９８】
以上の考察のもと、犠牲層３０の構成材料として本発明の有機化合物を用いると、平面的な部分構造同士のスタックや配向を抑制できるため、極性溶媒に溶けやすく、蒸着膜にしたときに結晶が析出しづらい層となる。
【００９９】
ここで有機化合物層の構成材料と犠牲層の構成材料との極性溶媒に対する溶解度の差について説明する。具体例として、有機化合物層の構成材料として縮合多環炭化水素からなる化合物である下記化合物Ａ１と、犠牲層の構成材料として使用される下記化合物Ａ２（例示化合物４−７）のイソプロパノール（ＩＰＡ）水溶液に対する溶解度について説明する。
【０１００】
【化５】
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【０１０１】
図３は、ＩＰＡ水溶液に対する化合物Ａ１及び化合物Ａ２の溶解度を示すグラフである。図３によれば、化合物Ａ１及び化合物Ａ２は、ＩＰＡ濃度が１００％の溶媒（ＩＰＡ溶媒）では溶解度の差は小さいが、水とＩＰＡを混和させその水の比率を上げていくことで、ＩＰＡ水溶液に対する溶解度の差が大きくなることが示されている。
【０１０２】
図４は、ＩＰＡ水溶液に対する化合物Ａ１及び化合物Ａ２のエッチングレートを示すグラフである。尚、図４は、水を４０重量％混和したＩＰＡ水溶液におけるエッチングレートを示すグラフである。本発明においては、エッチングレートが大きいということは溶解速度が速いことを意味する。そして、エッチングレートが大きいということは、対象材料を有する層の溶剤（極性溶媒）に対する溶解度が高いことを意味する。
【０１０３】
ここで化合物Ａ１（縮合多環炭化水素化合物）からなる層は、エッチング時間を長くしても膜厚がほとんど減少しない。一方、化合物Ａ２からなる層は、時間を追うごとに膜厚が減少する。ここで図４に基づいて、水を４０重量％混和したＩＰＡ水溶液におけるエッチングレートをそれぞれ計算した結果、化合物Ａ１からなる層では０．００８ｎｍ／ｓｅｃであるのに対して、化合物Ａ２からなる層では４．６ｎｍ／ｓｅｃであった。つまり、水を４０重量％混和したＩＰＡ水溶液（ＩＰＡ濃度が６０重量％であるＩＰＡ水溶液）のエッチングレートの選択比は、化合物Ａ１と化合物Ａ２とでは５００倍程度の差となり、犠牲層３０の選択的なエッチングが可能であることを示している。
【０１０４】
以上のように、極性部位の相互作用、水素結合等の極性溶媒への溶解度を支配する因子や平面構造部位のスタックや分子の配向を抑制することを踏まえて犠牲層３０の構成材料を選定する。こうすることで、犠牲層３０の極性溶媒に対する溶解度を、犠牲層３０と隣接する有機化合物層を構成する層のいずれに対しても大きくできる。ただし、水以外の極性溶媒では、その種類・濃度によっては溶解度の差が、大差にはならず、エッチングレート比が１に近づいてしまう可能性がある。係る場合では、水と混合した極性溶媒にして用いるのが好ましい。具体的には、有機化合物層に対して犠牲層のエッチングレートがより大きくなるように水の含有量を適宜調節することが好ましい。より好ましくは、有機化合物層を構成する層のうち最も上に設けられる層と犠牲層とのエッチングレートの比が１０倍を超えるように水の含有量を適宜調節することである。これによって犠牲層を選択的に除去することがより容易になるので、フォトリソプロセスにて用いられる材料が残留することによる有機ＥＬ表示装置の特性の低下を防ぐことができる。
【０１０５】
（４）第一保護層の形成工程
犠牲層３０を形成した後で犠牲層３０の上に後述するレジスト層を直接設けてもよいが、犠牲層３０及び各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）を保護する目的で、水溶性高分子からなる第一保護層４０を犠牲層３０の上に形成してもよい。
【０１０６】
第一保護層４０の構成材料である水溶性材料としては、公知の材料の水溶性高分子、例えば、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、ポリビニルピロリドン、等が挙げられる。また第一保護層を形成する際には、公知のスピンコート法、ディップコート法、インクジェット法等の、既存の方法を用いることができる。ここで有機化合物層２２は水に溶解しない材料からなる層であるため、第一保護層４０を形成する際に有機化合物層２２が溶媒でエッチングされることがない。また、保護層４０の膜厚を厚く形成することにより、感光性樹脂層５０の溶媒で有機化合物層２２が溶解したり、有機化合物層２２の膜厚が減少したり、発光材料が溶出したりする等の影響をより軽減することができる。
【０１０７】
（５）犠牲層の加工工程
本発明において、犠牲層３０を所望の形状にパターニング（加工）する手段として、フォトリソグラフィー法を利用することができる。ここでフォトリソグラフィー法を利用した犠牲層の加工プロセス（犠牲層の第一の加工工程）について説明する。
【０１０８】
（５−１）レジスト層の形成工程
フォトリソグラフィー法を利用する場合では、まず犠牲層３０の上にレジスト層５０を設ける必要がある。レジスト層５０の構成材料である感光性樹脂としては、公知の材料を使用することができる。またレジスト層５０の成膜方法としては、スピンコート法、ディップコート法、インクジェット法等の既存の方法を用いることができる。また状況によっては蒸着法を利用することができる。
【０１０９】
（５−２）レジスト層の露光・現像工程
レジスト層５０を形成した後、レジスト層５０の加工を行う。ここでレジスト層５０の加工方法としては、レジスト層５０への露光プロセス（露光工程）と、レジスト層５０の現像プロセス（現像工程）と、に分かれる。
【０１１０】
ここで露光工程においては、既存の光照射装置を用いることができる。尚、露光装置はマスクパターンの精細度に合わせたものを用いればよい。またこの露光工程を行う際には、露光する領域を予め決めておいて、この露光する領域に開口を有するフォトマスク（例えば、図２（ｅ）に示されるフォトマスク６０）を使用する。尚、フォトマスクとしては、一般的に使用されるＣｒ薄膜からなる遮光領域を有するフォトマスクを使用することができる。一方、この露光工程においてレジスト層５０に照射する光として、紫外光や可視光を利用することができる。
【０１１１】
ところで、露光工程を行う際には、レジスト層５０の構成材料である感光性樹脂の性質を考慮してレジスト層５０の露光領域を決めるのが望ましい。具体的には、ポジ型の感光性樹脂を使用する場合は、次の現像工程にて露光された領域に設けられているレジスト層が除去されるため、レジスト層５０を除去したい領域を露光領域とする。一方、ネガ型の感光性樹脂を使用する場合は、次の現像工程を行ったときに露光されていない領域に設けられているレジスト層が除去されるため、レジスト層５０を残したい領域を露光領域とする。ここで図２（ｅ）は、ポジ型の感光性樹脂を使用する場合を示している。図２（ｅ）において、レジスト層５０のうち紫外光６１に照射されている領域（露光領域）に設けられるレジスト層５２は、次の現像工程で除去される。一方、フォトマスク６０によって紫外光が遮られている領域（遮光領域）に設けられているレジスト層５１は、後の工程において、所定の領域に設けられている有機化合物層（例えば、第一副画素２０ａに設けられている第一有機化合物層２２ａ）を保護する。ここで後の工程とは、具体的には、犠牲層の加工工程や有機化合物層の加工工程が挙げられる。
【０１１２】
尚、現像工程を行う際には、レジスト層５０の構成材料である感光性樹脂に適した現像液を用いればよい。
【０１１３】
（５−３）第一保護層の加工工程
レジスト層５１に被覆されていない第一保護層４０の除去方法としては、特に限定されるものではないが、具体的には、ウェットエッチング、ドライエッチング等の既存の薄膜加工方法を用いることができる。ただし、溶媒によるサイドエッチングの影響が他の方法よりも小さいドライエッチングが好ましい。またレジストの現像液が水溶液である場合、第一保護層４０は、このレジストの現像液でレジスト層５２と共に除去されていてもよい。
【０１１４】
（５−４）犠牲層の加工工程
次に、犠牲層３０のうちレジスト５０及び第一保護層４０に被覆されていない領域を選択的に除去することで犠牲層３０の加工を行う。犠牲層３０の選択的な除去方法としては、特に限定されるものではないが、具体的には、ウェットエッチング、ドライエッチング等の既存の薄膜加工方法を用いることができる。ただし、溶媒によるサイドエッチングの影響が他よりも小さいドライエッチングが好ましい。
【０１１５】
以上の説明では、犠牲層３０の加工手段として、フォトレジストを用いたフォトリソプロセスを取り上げているが、犠牲層３０の加工方法はこれに限定されるものではない。例えば、インクジェット方式、印刷法、レーザー加工等を利用した犠牲層３０のパターニング方法を採用しても構わない。
【０１１６】
ところで、本発明の製造方法では各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）を形成する際に、高精細メタルマスクを使用しない。このため、露光領域を適宜調節することによってピクセルサイズを１０μｍ程度と高精細にすることが可能となる。従って、第５世代以降といった支持基板サイズの大きい有機ＥＬ表示装置の製造を実現することができる。
【０１１７】
（６）有機化合物層の加工工程
次に、犠牲層の除去工程と同様にして、有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）を加工して、犠牲層３０に被覆されていない領域にある有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）を選択的に除去する。尚、レジスト層の露光・現像工程の後、犠牲層３０の加工工程と有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）の加工工程とを、一括して行ってもよい。
【０１１８】
以上のプロセスにより、各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）をそれぞれ所定の副画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）に選択的に設けることができる。
【０１１９】
（７）レジスト層、第一保護層の除去工程
有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）を加工した後、有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）の上に設けられている層、即ち、レジスト層５０、第一保護層４０及び犠牲層３０を順次除去する。
【０１２０】
レジスト層５０を除去する方法として、例えば、反応ガスとして酸素ガスを用いるドライエッチングが挙げられる。尚、酸素ガスを用いたドライエッチングによって、第一保護層４０、犠牲層３０、有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）をそれぞれ加工する場合は、このドライエッチングを行う際にレジスト層５１を同時に除去してもよい。
【０１２１】
第一保護層４０は、酸素ガスを用いたドライエッチング又は水との接触により除去することができる。そのため、水溶性材料からなる第一保護層４０水に接触・溶解させることで、レジスト層５０を第一保護層４０と共に除去（リフトオフ）することができる。
【０１２２】
（８）犠牲層の除去工程
次に、犠牲層３０を除去する。この工程は、具体的には、上述した有機化合物層の加工工程の後、水と混合した極性溶媒に犠牲層３０まで形成されている基板１０を浸漬する工程である。ここで犠牲層３０まで形成されている基板１０を、水を混合した極性溶媒に接触させると、犠牲層３０は、基板１０の反対側より順に溶解され、ついには基板１０から除去される。
【０１２３】
ここで犠牲層３０は、各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）の加工工程（パターニング）が完了した後であって、犠牲層３０より上に設けられている層を除去した後に行うのが特に好ましい。プロセス中に、犠牲層３０より上に形成される層やレジスト層５０の現像液や剥離液等に含まれる不純物が、各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）に混入することに起因する素子特性の低下を回避するためである。
【０１２４】
犠牲層の除去工程を行う際に用いる極性溶媒は、この極性溶媒に対するエッチングレートが各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）よりも犠牲層３０の方が速くなっていれば、溶媒の種類やその組成については特に限定されるものではない。例えば、有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）に対して犠牲層３０のエッチングレートを速める方法として、水と極性溶媒（例えば、ＩＰＡ）との混合比を調整する方法がある。こうすることで、有機化合物層の加工工程後に各副画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）にそれぞれ選択的に設けられている各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）の端部は、本工程にて用いられる溶媒に溶解されにくくなっている。
【０１２５】
以上に説明する方法で犠牲層３０の除去工程を行った後、極性溶媒中から基板１０を引き上げると、各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）の形状を維持しつつ、犠牲層３０のみを除去することができる。
【０１２６】
極性溶媒中から基板１０を引き上げた後は、有機化合物層２２が設けられている基板１０を加熱して基板１０上あるいは有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）の上に残存する溶剤を除去することが好ましい。より好ましくは、真空条件下において、例えば、１１０℃程度で温度で基板１０を加熱しながら溶媒を除去する。これにより、犠牲層３０を除去する際に使用した溶媒の影響を受けない状態で次の工程（共通層の形成工程）を行うことができる。尚、次の工程（共通層の形成工程）を行う前に、事前に基板１０を真空加熱してもよい。この真空加熱を行うことで、大気中の水、酸素や異物の付着等の影響をさらに低減させることができる。
【０１２７】
（９）共通層（電荷注入層・電荷輸送層）の形成工程
犠牲層３０を除去した後に各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）の上に設けされる共通層２３は、電荷注入層、電荷輸送層又は電荷注入・輸送層として機能する。尚、各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）の上に、例えば、電荷注入・輸送層を設ける際には、各副画素に共通する層として形成するのが好ましい。また、本発明の製造方法は、アルカリ金属成分あるいはアルカリ土類金属成分を含む層を共通層２３として形成する際に好適な方法である。
【０１２８】
共通層２３として電子注入層を形成する場合、電子注入層の構成材料である電子注入材料としては、仕事関数の高い材料がよい。例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、電子輸送材料にアルカリ金属をドープしたもの、アルカリ金属化合物（酸化物、炭酸塩、ハロゲン化塩）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、炭酸塩、ハロゲン化塩）等が挙げられる。ここで、アルカリ金属として、具体的には、セシウム、カリウム、リチウム等を挙げることができる。またアルカリ土類金属として、具体的には、カルシウム、バリウム等が挙げられる。
【０１２９】
（１０）第二電極の形成工程
トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置を作製する場合、上部電極に相当する第二電極２４は、透明導電材料からなる透明電極とする。光透過性を有する透明導電材料は、光の透過率の高い材料が好ましい。例えば、ＩＴＯ、酸化インジウム亜鉛、ＺｎＯ等の透明導電材料や、ポリアセチレン等の有機導電材料が挙げられる。尚、Ａｇ、Ａｌ等の金属材料を１０ｎｍ乃至３０ｎｍ程度に形成した半透過膜を第二電極２４としてもよい。ここでＩＴＯ、酸化インジウム亜鉛、ＺｎＯ等の透明導電材料で光透過性の電極を形成する場合、低消費電力化を目的として、電極として用いるのに必要な低抵抗特性と、光の取り出し効率を高めるのに必要な高透過率特性と、の両方を満足する組成が好ましい。光透過性の電極になる薄膜は、スパッタリング等の公知の方法で成膜することができる。上述した低抵抗特性と高透過率特性とを兼ね備える透明導電膜を作製する場合は、成膜装置の容量、ターゲット、装置内の圧力、成膜時の出力電圧を適宜調整する必要がある。尚、第二電極２４は、トランジスタ（不図示）等のスイッチング素子に電気接続されている。
【０１３０】
以上に説明したように、本発明の製造方法は、高精細メタルマスクを使わない一方でフォトリソプロセスを利用した製造方法である。このため、露光領域を適宜制御することにより、ピクセルサイズを１０μｍ程度と高精細化にすることが可能であり、第５世代以降といった支持基板のサイズの大きい有機ＥＬ表示装置の製造を実現することができる。
【０１３１】
［有機ＥＬ表示装置の駆動方法］
本発明の製造方法で製造された有機ＥＬ表示装置は、各副画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）が有する第一電極２１と第二電極２４との間に電圧を印加することによって駆動することができる。ここで電圧を印加する場合は、例えば、トランジスタを介して各電極と電気接続される電源手段（不図示）を使用する。
【０１３２】
［有機機能素子の製造方法（第二の実施形態）］
図５は、有機ＥＬ表示装置の製造方法における第二の具体例を示す断面模式図である。また図５は、本発明の有機機能素子の製造方法における第二の実施形態を示す図でもある。ここで第二の具体例では、第一の具体例と比較して、第一保護層４０とレジスト層５０との間に、第二保護層７０が設けられており、製造プロセスの中に第二保護層７０の形成工程と第二保護層７０の加工工程が追加されている点で相違する（図５（ａ））。以下、第一の具体例（実施形態）との相違点を中心に第二の実施形態について説明する。
【０１３３】
（第二保護層の形成工程）
本実施形態において、第一保護層４０上に形成される第二保護層７０は、水や有機溶媒に対して不溶の膜であり、防湿性、ガスバリア性を有する膜であることが好ましい。ここで第二保護層７０は、フォトリソグラフィーを用いた有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）を加工する際に使用される光を吸収する特性を有する材料からなる層であることがより好ましい。本発明の製造方法において形成される第二保護層７０としては、窒化珪素（ＳｉＮ）を主材料とする無機化合物の薄膜層であることが好ましい。
【０１３４】
また、第一保護層４０の上に第二保護層７０を形成することにより、次の工程でレジスト層５０を形成する際に使用される溶媒が犠牲層３０を浸透して各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）に接することがなくなる。よって、レジスト層５０の形成・現像の各工程で使用する溶媒を選択するにあたって、有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）を溶解しない溶媒を選択する等の制約がなくなるので、より安価な溶媒を選択することができる。
【０１３５】
（第二保護層の加工工程）
レジスト層５０と第一保護層４０との間に第二保護層７０を設けた場合では、犠牲層３０の加工を行う前に、第二保護層７０の加工を行う必要がある。ここで第二保護層７０の加工工程とは、具体的には、第二保護層７０のうちレジスト層５１（現像工程において除去されなかったレジスト層）に被覆されていない領域に設けられている第二保護層７０を選択的に除去する工程である（図５（ｂ））。第二保護層７０の選択的な除去方法としては、特に限定されるものではないが、公知の技術、例えば、ウェットエッチング、ドライエッチングを利用することができる。例えば、保護層７０の構成材料がＳｉＮの場合では、ＣＦ4を反応ガスとするドライエッチングが利用可能である。
【０１３６】
（第二保護層の除去工程等）
第二保護層７０を設けた場合においても、加工が済んだ部材をマスクとして利用して各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）の加工をそれぞれ行うことについては、第一の実施形態と変わりがない（図５（ｃ）乃至図５（ｄ））。
【０１３７】
ここで本実施形態では、各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）の加工工程が一通り済んだ後、残存している第二保護層７０を、第一保護層４０及び犠牲層３０と同様に除去する工程を行う（図５（ｅ））。ここで第二保護層７０の除去方法としては、上述した第二保護層７０の加工工程の際に利用した方法（ドライエッチング、ウェットエッチング等）を採用することができる。尚、第二保護層７０を除去する方法として、リフトオフを利用する方法がある。具体的には、第一保護層４０又は犠牲層３０を、所定の溶媒を用いて溶解させることで、第二保護層７０を、溶解させた層と共に除去する方法がある。
【０１３８】
［有機電界トランジスタ］
次に、フォトリソプロセスを利用した有機電界トランジスタの製造方法について説明する。
【０１３９】
本発明の有機機能素子の製造方法にて製造される有機電界トランジスタは、本発明の有機化合物を用いた製造プロセスによって製造される有機機能素子の一例であって、これに限定されるものではない。
【０１４０】
図６は、本発明の製造方法で製造される有機電界トランジスタの例を示す断面模式図である。図６の有機トランジスタ２において、基板８０の上の所定の領域にはゲート電極８１が設けられ、基板８０及びゲート電極８１の上には、ゲート電極８１を被覆する絶縁層８２が設けられている。また図６の有機トランジスタ２において、絶縁層８２の上には、有機半導体層８３が設けられており、この有機半導体層８３の上には、ソース電極８４及びドレイン電極８５がそれぞれ設けられている。
【０１４１】
尚、本発明の製造方法を利用して、有機機能素子に相当する図６の有機トランジスタ２を製造する場合、ゲート電極８１が有機機能素子を構成する第一電極に相当し、有機半導体層８３が有機機能素子を構成する有機化合物層に相当する。またソース電極８４及びドレイン電極８５が有機機能素子を構成する第二電極に相当する。
【０１４２】
［有機機能素子の製造方法（第三の実施形態）］
次に、本発明にかかる図６の有機トランジスタの製造方法の具体例を示す。尚、以下に説明する各プロセスにおいて特に記載していない部分については、前述した有機ＥＬ表示装置の製造方法に記載されているものと同様である。
【０１４３】
本発明の製造方法を利用して有機トランジスタを製造する場合、その具体的な製造プロセスには、少なくとも下記に示す工程（Ａ２）乃至工程（Ｆ２）が含まれている。
（Ａ２）パターニングされたゲート電極と、ゲート電極の上に設けられた絶縁層とを有する基板の上に有機半導体層を形成する工程（有機半導体層の形成工程）
（Ｂ２）有機半導体層の上に犠牲層を形成する工程（犠牲層の形成工程）
（Ｃ２）犠牲層を所望の形状に加工する工程（犠牲層の加工工程）
（Ｄ２）犠牲層の加工工程において加工された犠牲層に被覆されていない領域に設けられている有機化合物層を部分的に除去する工程（有機化合物層の加工工程）
（Ｅ２）犠牲層の除去工程
（Ｆ２）ソース電極、ドレイン電極の形成工程
【０１４４】
図７は、有機トランジスタの製造方法における第一の具体例を示す断面模式図である。また図７は、図６の有機トランジスタ２の製造プロセスの一例を示す図でもある。図６の有機トランジスタを製造する際には、例えば、以下の工程により有機トランジスタを製造する。
（１）パターニングされたゲート電極上に絶縁層を設ける工程（図７（ａ））
（２）絶縁層上に有機半導体層を形成する有機半導体層の形成工程（図７（ｂ））
（３）犠牲層の形成工程（図７（ｂ））
（４）第一保護層の形成工程（図７（ｂ））
（５）レジスト層の形成工程（図７（ｂ））
（６）レジスト層の加工工程（図７（ｃ，ｄ））
（７）犠牲層の加工工程（図７（ｅ））
（８）有機半導体層の加工工程（図７（ｅ））
（９）レジスト層の除去工程（図７（ｆ））
（１０）犠牲層の除去工程（図７（ｇ））
（１１）電極（ソース電極、ドレイン電極）の形成工程（図７（ｈ））
【０１４５】
ただし、上記（１）乃至（１１）で示された工程は、あくまでも有機トランジスタの製造プロセスの具体例であり、本発明は、この態様に限定されるものではない。尚、図６の有機トランジスタ２は、例えば、発光画素に含まれる有機ＥＬ素子と電気接続されていてもよい。
【０１４６】
次に、図７に基づいて、上記（１）乃至（１１）の工程について、それぞれ具体的に説明する。
【０１４７】
（１）ゲート電極、絶縁層を設ける工程
まず支持基板である基板８０の上にゲート電極８１を形成する。支持基板として使用される基板８０としては、ガラス基板等の公知の基板を選択することができる。あるいは有機化合物の特徴を生かしてフレキシブルな基板を用いてもよい。
【０１４８】
ソース電極８１の構成材料として、好ましくは、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等の金属材料である。これらの金属材料は、例えば、スパッタリング等の公知の方法で上記金属材料の薄膜を成膜し、フォトリソグラフィー等を用いて所望の形状に加工することで、素子ごとに個別に形成することができる。また、メタルマスクを使用した蒸着法を利用してもよい。あるいは上記金属材料の薄膜を形成した後でレーザー加工法を利用して形成してもよい。
【０１４９】
次に、基板８０及びゲート電極８１の上に、絶縁層８２を設ける。絶縁層８２の構成材料としては、無機材料であってもよいし有機材料であってもよい。無機材料を使用する場合、構成材料の具体例としては、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）等が挙げられ、層の具体的な形成方法としては、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等が挙げられる。また有機材料を使用する場合、構成材料の具体例としては、ポリスチレンやポリイミド等が挙げられ、層の具体的形成方法としては、塗布法等が挙げられる。
【０１５０】
（２）有機半導体層の形成工程
有機半導体層８３の構成材料として用いられる有機化合物として、具体的には、ペンタセン、アントラセン、テトラセン、フタロシアニン等の低分子化合物等が挙げられる。また、低分子化合物として永久双極子モーメントをもつ極性化合物等を使用し一定方向に配向させた膜を有機半導体層８３として使用してもよい。
【０１５１】
ただし、有機半導体層８３の構成材料として有機高分子材料も使用することができる。有機半導体層８３の構成材料として使用される有機高分子材料として、ポリアセチレン及びその誘導体、ポリパラフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリフラン及びその誘導体等が挙げられる。
【０１５２】
有機半導体層８３の形成方法としては、真空蒸着法、スピンコート法、ディップコート法、キャスト法等が挙げられ、これらの方法から好適なものを選べばよい。
【０１５３】
（３）犠牲層の形成工程
有機半導体層８３の上に設けられる犠牲層３０（複数の層からなる場合はその最下層）としては、本発明の有機化合物の蒸着膜が挙げられる。これにより、後の工程（犠牲層の除去工程）にて極性溶媒を使用することで、犠牲層３０の結晶が析出すること無く選択的に犠牲層３０を除去することが可能になる。つまり、本発明の有機化合物を用いることで、有機ＥＬ表示装置を製造するときと同様に、犠牲層の選択的エッチングが可能になる。
【０１５４】
（４）第一保護層の形成工程
犠牲層３０の上には、有機化合物層（有機半導体層８３）を保護するための層として水溶性高分子からなる第一保護層４０を形成してもよい。第一保護層４０の構成材料は有機ＥＬ表示装置の製造方法にて採用された材料及び成膜方法と同様の材料及び成膜方法を採用することができる。
【０１５５】
（５）犠牲層の加工工程
本発明において、犠牲層３０を所望の形状にパターニング（加工）する手段として、フォトリソグラフィー法を利用することができる。ここでフォトリソグラフィー法を利用した犠牲層の加工プロセス（犠牲層の第一の加工工程）について説明する。
【０１５６】
（５−１）レジスト層の形成工程
フォトリソグラフィー法を利用する場合では、まず犠牲層３０の上にレジスト層５０を設ける必要がある。レジスト層５０の構成材料である感光性樹脂としては、公知の材料を使用することができる。またレジスト層５０の成膜方法としては、スピンコート法、ディップコート法、インクジェット法等の既存の方法を用いることができる。また状況によっては蒸着法を利用することができる。
【０１５７】
（５−２）レジスト層の露光・現像工程
レジスト層５０を形成した後、レジスト層５０の加工を行う。ここでレジスト層５０の加工方法としては、レジスト層５０への露光プロセス（露光工程）と、レジスト層５０の現像プロセス（現像工程）と、に分かれる。
【０１５８】
ここで露光工程においては、既存の光照射装置を用いることができる。尚、露光装置はマスクパターンの精細度に合わせたものを用いればよい。またこの露光工程を行う際には、露光する領域を予め決めておいて、この露光する領域に開口を有するフォトマスク（例えば、図７（ｃ）に示されるフォトマスク６０）を使用する。尚、フォトマスクとしては、一般的に使用されるＣｒ薄膜からなる遮光領域を有するフォトマスクを使用することができる。一方、この露光工程においてレジスト層５０に照射する光として、紫外光や可視光を利用することができる。
【０１５９】
ところで、露光工程を行う際には、レジスト層５０の構成材料である感光性樹脂の性質を考慮してレジスト層５０の露光領域を決めるのが望ましい。具体的には、ポジ型の感光性樹脂を使用する場合は、次の現像工程にて露光された領域に設けられているレジスト層が除去されるため、レジスト層５０を除去したい領域を露光領域とする。一方、ネガ型の感光性樹脂を使用する場合は、次の現像工程を行ったときに露光されていない領域に設けられているレジスト層が除去されるため、レジスト層５０を残したい領域を露光領域とする。ここで図７（ｃ）は、ポジ型の感光性樹脂を使用する場合を示している。図７（ｃ）において、レジスト層５０のうち紫外光６１に照射されている領域（露光領域）に設けられるレジスト層５２は、次の現像工程で除去される。一方、フォトマスク６０によって紫外光が遮られている領域（遮光領域）に設けられているレジスト層５１は、後の工程、具体的には、犠牲層の加工工程や有機半導体層の加工工程において、所定の領域に設けられている有機半導体層８３を保護する役割を果たす。
【０１６０】
尚、現像工程を行う際には、レジスト層５０の構成材料である感光性樹脂に適した現像液を用いればよい。
【０１６１】
（５−３）第一保護層の加工工程
レジスト層５１に被覆されていない第一保護層４０の除去方法としては、特に限定されるものではないが、具体的には、ウェットエッチング、ドライエッチング等の既存の薄膜加工方法を用いることができる。ただし、溶媒によるサイドエッチングの影響が他の方法よりも小さいドライエッチングが好ましい。またレジストの現像液が水溶液である場合、第一保護層４０は、このレジストの現像液でレジスト層５２と共に除去されていてもよい。
【０１６２】
（５−４）犠牲層の加工工程
次に、犠牲層３０のうちレジスト５０及び第一保護層４０に被覆されていない領域を選択的に除去することで犠牲層３０の加工を行う。犠牲層３０の選択的な除去方法としては、特に限定されるものではないが、具体的には、ウェットエッチング、ドライエッチング等の既存の薄膜加工方法を用いることができる。ただし、溶媒によるサイドエッチングの影響が他よりも小さいドライエッチングが好ましい。
【０１６３】
以上の説明では、犠牲層３０の加工手段として、フォトレジストを用いたフォトリソプロセスを取り上げているが、犠牲層３０の加工方法はこれに限定されるものではない。例えば、インクジェット方式、印刷法、レーザー加工等を利用した犠牲層３０のパターニング方法を採用しても構わない。
【０１６４】
ところで、本発明の製造方法では有機半導体層８３を形成する際に、高精細メタルマスクを使用しない。このため、露光領域を適宜調節することによってピクセルサイズを１０μｍ程度と高精細にすることが可能となる。
【０１６５】
（６）有機半導体層の加工工程
次に、犠牲層の加工工程と同様にして、有機半導体層８３のうち犠牲層３０に被覆されていない領域に設けられている有機半導体層８３を選択的に除去する。尚、レジスト層の現像工程を行った後、犠牲層３０の加工工程と有機半導体層８３の加工工程とを、一括して行ってもよい。
【０１６６】
（７）レジスト層、第一保護層の除去工程
次に、有機半導体層８３の上に設けられている部材（レジスト層５０、第一保護層４０、犠牲層３０）を順次除去する。
【０１６７】
レジスト層５０の具体的な除去方法としては、反応ガスとして酸素を用いたドライエッチングが挙げられる。尚、第一保護層４０、犠牲層３０及び有機半導体層８３を、それぞれ酸素を用いたドライエッチにて加工する際に、レジスト層５０を除去してもよい。
【０１６８】
第一保護層４０を除去する方法としては、酸素を用いたドライエッチング、水に接触・溶解させる方法等が挙げられる。ここで水溶性材料からなる第一保護層４０に水を接触させて、第一保護層４０を水で溶解させる方法を用いると、第一保護層４０の上に設けられるレジスト層５０も同時に除去（リフトオフ）される。
【０１６９】
（８）犠牲層の除去工程
次に、犠牲層３０を除去する。犠牲層３０の除去方法として、例えば、上述した有機半導体層の加工工程の後、水を混合した極性溶媒に犠牲層３０まで形成されている基板８０を浸漬する工程が挙げられる。ここで犠牲層３０まで形成されている基板８０を、水を混合した極性溶媒に接触させると、犠牲層３０は、支持基板１０の反対側より順に溶解される。
【０１７０】
ここで犠牲層３０は、有機半導体層８３の加工工程（パターニング）が完了した後であって、犠牲層３０より上に設けられている層を除去した後に行うのが特に好ましい。プロセス中に、犠牲層３０より上に形成される層やレジスト層５０の現像液や剥離液等に含まれる不純物が、有機半導体層８３に混入することに起因する素子特性の低下を回避するためである。
【０１７１】
犠牲層の除去工程を行う際に用いる極性溶媒は、この極性溶媒に対するエッチングレートが有機半導体層８３よりも犠牲層３０の方が速くなっていれば、溶媒の種類やその組成については特に限定されるものではない。例えば、有機半導体層８３に対して犠牲層３０のエッチングレートを速める方法として、水と極性溶媒（例えば、ＩＰＡ）との混合比を調整する方法がある。こうすることで、有機半導体層８３の加工工程後に各副画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）にそれぞれ選択的に設けられている各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）の端部は、本工程にて用いられる溶媒に溶解されにくくなっている。
【０１７２】
以上に説明する方法で犠牲層３０の除去工程を行った後、極性溶媒中から基板８０を引き上げると、有機半導体層８３の形状を維持しつつ、犠牲層３０のみを除去することができる。
【０１７３】
極性溶媒中から基板８０を引き上げた後は、有機化合物層２２が設けられている基板１０を加熱して基板８０上あるいは有機半導体層８３の上に残存する溶剤を除去することが好ましい。より好ましくは、真空条件下において、例えば、１１０℃程度で温度で基板８０を加熱しながら溶媒を除去する。これにより、犠牲層３０を除去する際に使用した溶媒の影響を受けない状態で次の工程（共通層の形成工程）を行うことができる。尚、次の工程（共通層の形成工程）を行う前に、事前に基板８０を真空加熱してもよい。この真空加熱を行うことで、大気中の水、酸素や異物の付着等の影響をさらに低減させることができる。
【０１７４】
（９）電極（ソース電極、ドレイン電極）の形成工程
最後にソース電極８４及びドレイン電極８５を形成することにより有機トランジスタが完成する。ここで各電極（ソース電極８４、ドレイン電極８５）の構成材料として、好ましくは、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等の金属材料である。これらの金属材料は、例えば、メタルマスクを使用した真空蒸着やスパッタリング等の公知の方法で上記金属材料の薄膜を成膜し、公知の加工方法により所望の形状に形成してよい。尚、これらの金属材料からなる薄膜と有機半導体層８３の間には、仕事関数や密着性等理由により、別の金属層あるいは金属酸化物層を設けてもよい。
【０１７５】
［有機機能素子の製造方法（第四の実施形態）］
図８は、有機トランジスタの製造方法における第二の具体例を示す断面模式図である。また図８は、本発明の有機機能素子の製造方法における第四の実施形態を示す図でもある。ここで第二の具体例では、第一の具体例と比較して、第一保護層４０とレジスト層５０との間に、第二保護層７０が設けられており、製造プロセスの中に第二保護層７０の形成工程と第二保護層７０の加工工程が追加されている点で相違する（図８（ｂ））。以下、第一の具体例（第三の実施形態）との相違点を中心に本実施形態について説明する。
【０１７６】
（犠牲層の形成工程）
本実施形態において、犠牲層３０の形成方法としては、第三の実施形態を同様の方法を採用することができる。本実施形態では、後の工程（第二保護層の除去工程）でリフトオフを利用して第二保護層７０を犠牲層３０と共にできるようにするため、以下に説明するように犠牲層３０の膜厚を制御するのが好ましい。即ち、リフトオフ性を確保するために、犠牲層３０の膜厚は、好ましくは、１００ｎｍ乃至１０００ｎｍとし、より好ましくは、３００ｎｍ乃至５００ｎｍとする。
【０１７７】
（第二保護層の形成工程）
本実施形態において、第一保護層４０上に形成される第二保護層７０は、水や有機溶媒に対して不溶の膜であり、防湿性、ガスバリア性を有する膜であることが好ましい。ここで第二保護層７０は、フォトリソグラフィーを用いた有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）を加工する際に使用される光を吸収する特性を有する材料からなる層であることがより好ましい。本発明の製造方法において形成される第二保護層７０としては、窒化珪素（ＳｉＮ）を主材料とする無機化合物の薄膜層であることが好ましい。
【０１７８】
また、第一保護層４０の上に第二保護層７０を形成することにより、次の工程でレジスト層５０を形成する際に使用される溶媒が犠牲層３０を浸透して有機半導体層８３に接することがなくなる。よって、レジスト層５０の形成・現像の各工程で使用する溶媒を選択するにあたって、有機半導体層８３を溶解しない溶媒を選択する等の制約がなくなるので、より安価な溶媒を選択することができる。
【０１７９】
（第二保護層の加工工程）
レジスト層５０と第一保護層４０との間に第二保護層７０を設けた場合では、犠牲層３０の加工を行う前に、第二保護層７０の加工を行う必要がある。ここで第二保護層７０の加工工程とは、具体的には、第二保護層７０のうちレジスト層５１（現像工程において除去されなかったレジスト層）に被覆されていない領域に設けられている第二保護層７０を選択的に除去する工程である（図８（ｅ））。第二保護層７０の選択的な除去方法としては、特に限定されるものではないが、公知の技術、例えば、ウェットエッチング、ドライエッチングを利用することができる。例えば、保護層７０の構成材料がＳｉＮの場合では、ＣＦ4を反応ガスとするドライエッチングが利用可能である。
【０１８０】
（第二保護層の除去工程等）
第二保護層７０を設けた場合においても、加工が済んだ部材をマスクとして利用して有機半導体層８３の加工を行うことについては、第三の実施形態と変わりがない（図８（ｆ））。
【０１８１】
ここで本実施形態では、有機半導体層８３の加工工程が一通り済んだ後、残存している第二保護層７０を、第一保護層４０及び犠牲層３０と同様に除去する工程を行う（図８（ｇ））。ここで第二保護層７０の除去方法としては、上述した第二保護層７０の加工工程の際に利用した方法（ドライエッチング、ウェットエッチング等）を採用することができる。尚、第二保護層７０を除去する方法として、リフトオフを利用する方法がある。具体的には、第一保護層４０又は犠牲層３０を、所定の溶媒を用いて溶解させることで、第二保護層７０を、溶解させた層と共に除去する方法がある。
【０１８２】
尚、リフトオフを利用して第二保護層７０を犠牲層３０と共に除去する場合は、プロセスの中に犠牲層を膨潤、溶解させるステップと、パターニングされた第二保護層７０を剥離するための外力を加えるステップと、を含めるのが好ましい。有機半導体層８３へのダメージを最小化するために、第二保護層７０に外力を与える方法として、好ましくは、二流体ジェットを用いる方法がある。
【実施例】
【０１８３】
次に、実施例により本発明を説明するが、本発明は以下に説明する実施例に限定されるものではない。また図面にて特に図示されていなかったり以下の説明において特段記載されていなかったりした部分に関しては、当該技術分野の周知又は公知技術を適用することができる。
【０１８４】
［実施例１］例示化合物４−７の合成
【０１８５】
【化６】
2014133727.tif 000008
【０１８６】
１００ｍＬのナスフラスコに、以下に示す試薬、溶媒を投入した。
２−クロロ−１，１０−フェナントロリン：４２９ｍｇ（２ｍｍｏｌ）
９，９’−スピロビ［フルオレン］−７−イルボロン酸：７２０ｍｇ（２ｍｍｏｌ）
テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）：１００ｍｇ（０．０８６ｍｍｏｌ）
トルエン：１５ｍＬ
エタノール：５ｍＬ
１０重量％炭酸ナトリウム水溶液：１５ｍＬ
【０１８７】
次に、反応溶液を、窒素下で撹拌しながら６時間加熱還流させた。反応終了後、反応溶液を水で洗浄し、硫酸ナトリウムにて乾燥させた後に減圧濃縮を行い粗生成物を得た。次に、この粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）で精製した後、クロロベンゼン／エタノールで再結晶を行い、結晶を得た。次に、得られた結晶を１２０℃で真空乾燥させた後に、昇華精製を行うことにより、目的物化合物である２−（９，９’−スピロビ［フルオレン］−２−イル）−１，１０−フェナントロリン（例示化合物４−７）を７９１ｍｇ（収率８０％）得た。
【０１８８】
ＨＰＬＣを用いて得られた化合物の純度が純度９９％以上であることを確認した。
【０１８９】
また得られた化合物の同定を行った結果を以下に示す。
［ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ（マトリックス支援イオン化−飛行時間型質量分析）（Ｂｒｕｋｅｒ社製Ａｕｔｏｆｌｅｘ  ＬＲＦ）］
【０１９０】
実測値：ｍ／ｚ＝４９４．８８、計算値：Ｃ37Ｈ22Ｎ2＝４９４．１８
【０１９１】
得られた化合物の熱物性を測定した。具体的には示差走査熱量計（ＤＳＣ）（ＮＥＴＺＳＣＨ社製、ＤＳＣ  ２０４  Ｆ１）にて測定したところ、ガラス転移温度は１６１℃であり、結晶化温度は検出できなかった。
【０１９２】
尚、分子軌道計算により平面角を計算したところスピロフルオレン部分の平面角は９０°であった。計算手法は、密度汎関数法（Ｄｅｎｓｉｔｙ  Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ  Ｔｈｅｏｒｙ）を用いて、Ｂ３ＬＹＰ／６−３１Ｇ*レベルでの量子科学計算を用いた。
【０１９３】
［実施例２］例示化合物４−１６の合成
【０１９４】
【化７】
2014133727.tif 000009
【０１９５】
１００ｍＬナスフラスコに、以下に示す試薬、溶媒を投入した。
４−ブロモピリジン：３１６ｍｇ（２ｍｍｏｌ）
２，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチルー１，３，２−ジオキサボランー２−イル）−９，９’―スピロビ［フルオレン］：５６８ｍｇ（１ｍｍｏｌ）
テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）：１００ｍｇ（０．０８６ｍｍｏｌ）
トルエン：１５ｍＬ
エタノール：５ｍＬ
１０重量％炭酸ナトリウム水溶液：１５ｍＬ
【０１９６】
次に、反応溶液を、窒素下で撹拌しながら６時間加熱還流させた。反応終了後、反応溶液を水で洗浄し、硫酸ナトリウムにて乾燥させた後に減圧濃縮を行い粗生成物を得た。次にこの粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）で精製した後、クロロホルム／エタノールで再結晶を行い、結晶を得た。次に、得られた結晶を１２０℃で真空乾燥させた後に、昇華精製を行うことにより、目的物である２，７−ジ（ピリジン−４−イル）−９，９’−スピロビ［フルオレン］（例示化合物４−１６）を、２１２ｍｇ（収率４５％）得た。
【０１９７】
ＨＰＬＣを用いて得られた化合物の純度が純度９９％以上であることを確認した。
【０１９８】
また得られた化合物の同定を行った結果を以下に示す。
［ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ（マトリックス支援イオン化−飛行時間型質量分析）（Ｂｒｕｋｅｒ社製Ａｕｔｏｆｌｅｘ  ＬＲＦ）］
【０１９９】
実測値：ｍ／ｚ＝４７０．５４、計算値：Ｃ35Ｈ22Ｎ2＝４７０．１８
【０２００】
得られた化合物の熱物性を測定した。具体的には示差走査熱量計（ＤＳＣ）（ＮＥＴＺＳＣＨ社製、ＤＳＣ  ２０４  Ｆ１）にて測定したところ、ガラス転移温度は１３６℃であり、結晶化温度は検出できなかった。
【０２０１】
尚、分子軌道計算により平面角を計算したところスピロフルオレン部分の平面角は９０°であった。計算手法は、密度汎関数法（Ｄｅｎｓｉｔｙ  Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ  Ｔｈｅｏｒｙ）を用いて、Ｂ３ＬＹＰ／６−３１Ｇ*レベルでの量子科学計算を用いた。
【０２０２】
［実施例３］例示化合物４−４の合成
【０２０３】
【化８】
2014133727.tif 000010
【０２０４】
（１）中間体１の合成
１００ｍＬナスフラスコに、以下に示す試薬、溶媒を投入した。
５−ブロモ−１，２，３−トリメトキシベンゼン：４９４ｍｇ（２ｍｍｏｌ）
９，９’−スピロビ［フルオレン］−７−イルボロン酸：７２０ｍｇ（２ｍｍｏｌ）
テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）：１００ｍｇ（０．０８６ｍｍｏｌ）
トルエン：１５ｍＬ
エタノール：５ｍＬ
１０重量％炭酸ナトリウム水溶液：１５ｍＬ
【０２０５】
次に、反応溶液を、窒素下で撹拌しながら６時間加熱還流させた。反応終了後、反応溶液を水で洗浄し、硫酸ナトリウムにて乾燥させた後に減圧濃縮を行い粗生成物を得た。次にこの粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）で精製することにより、中間体１を得た。
【０２０６】
（２）例示化合物４−４の合成
１００ｍＬのナスフラスコに、以下に示す試薬、溶媒を投入した。
中間体１：４８２ｍｇ（１ｍｍｏｌ）
ＢＢｒ3：１０００ｍｇ（４ｍｍｏｌ）
塩化メチレン：１０ｍｌ
【０２０７】
次に、反応溶液を、窒素下、室温で３時間撹拌させた。次に、水５ｍｌを加えて反応を止めた後、有機層を塩化メチレンで抽出し、硫酸ナトリウムにて乾燥させた後に減圧濃縮を行い粗生成物を得た。次に、この粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム：メタノール＝１００：１）で精製することで結晶を得た。次に、得られた結晶を１２０℃で真空乾燥させた後、昇華精製を行うことにより、目的物である５−（９，９’−スピロビ［フルオレン］−２−イル）ベンゼン−１，２，３−トリオール（例示化合物４−４）を３８０ｍｇ得た。
【０２０８】
ＨＰＬＣを用いて得られた化合物の純度が純度９９％以上であることを確認した。
【０２０９】
得られた化合物の同定を行った結果を以下に示す。
［ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ（マトリックス支援イオン化−飛行時間型質量分析）（Ｂｒｕｋｅｒ社製Ａｕｔｏｆｌｅｘ  ＬＲＦ）］
【０２１０】
実測値：ｍ／ｚ＝４４０．１１、計算値：Ｃ31Ｈ2Ｏ3＝４４０．１４
【０２１１】
得られた化合物の熱物性を測定した。具体的には示差走査熱量計（ＤＳＣ）（ＮＥＴＺＳＣＨ社製、ＤＳＣ  ２０４  Ｆ１）にて測定したところ、ガラス転移温度は１２５℃であり、結晶化温度は検出できなかった。
【０２１２】
尚、分子軌道計算により平面角を計算したところスピロフルオレン部分の平面角は９０°であった。計算手法は、密度汎関数法（Ｄｅｎｓｉｔｙ  Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ  Ｔｈｅｏｒｙ）を用いて、Ｂ３ＬＹＰ／６−３１Ｇ*レベルでの量子科学計算を用いた。
【０２１３】
［実施例４］例示化合物４−８の合成
実施例３において、５−ブロモ−１，２，３−トリメトキシベンゼンの代わりに１−ブロモ−３，５−ジメトキシベンゼンを用いた。これ以外は実施例３と同様の方法により、５−（９，９’−スピロビ［フルオレン］−２−イル）ベンゼン−１、３−ジオールを得た。
【０２１４】
【化９】
2014133727.tif 000011
【０２１５】
ＨＰＬＣを用いて得られた化合物の純度が純度９９％以上であることを確認した。
【０２１６】
得られた化合物の同定を行った結果を以下に示す。
［ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ（マトリックス支援イオン化−飛行時間型質量分析）（Ｂｒｕｋｅｒ社製Ａｕｔｏｆｌｅｘ  ＬＲＦ）］
【０２１７】
実測値：ｍ／ｚ＝４２４．５５、計算値：Ｃ31Ｈ20Ｏ2＝４２４．１５
【０２１８】
得られた化合物の熱物性を測定した。具体的には示差走査熱量計（ＤＳＣ）（ＮＥＴＺＳＣＨ社製、ＤＳＣ  ２０４  Ｆ１）にて測定したところ、ガラス転移温度は１２０℃であり、結晶化温度は検出できなかった。
【０２１９】
尚、分子軌道計算により平面角を計算したところスピロフルオレン部分の平面角は９０°であった。計算手法は、密度汎関数法（Ｄｅｎｓｉｔｙ  Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ  Ｔｈｅｏｒｙ）を用いて、Ｂ３ＬＹＰ／６−３１Ｇ*レベルでの量子科学計算を用いた。
【０２２０】
［実施例５］
図２に示される製造プロセスに従って、図１に示される有機ＥＬ表示装置１を作製した。ここで本実施例にて使用される材料の一部を以下に示す。
【０２２１】
【化１０】
2014133727.tif 000012
【０２２２】
（１）第一電極の形成工程（図２（ａ））
まずスパッタリング法により、支持基板（基板１０）上に、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）を成膜しＡｌＮｄ膜（反射電極）を形成した。このときＡｌＮｄ膜の膜厚を１００ｎｍとした。次に、スパッタリング法により、ＡｌＮｄ膜の上にＩＴＯを成膜しＩＴＯ膜を成膜した。このときＩＴＯ膜の膜厚を１０ｎｍとした。尚、上記ＡｌＮｄ膜とＩＴＯ膜とからなる積層体は、積層電極膜として機能する。次に、フォトリソプロセスによる積層電極膜のパターニングを行うことにより、複数の第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）を所定の領域に作製した（図２（ａ））。
【０２２３】
（２）第一有機化合物層（青色有機化合物層）の形成工程
次に、真空蒸着法を用いた連続成膜により、所定のパターン形状を有する第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）が形成されている基板１０の上に、第一有機化合物層２２ａ（青色有機化合物層）を形成した。まず正孔輸送層を膜厚１２０ｎｍで形成した後、青色発光材料を含む発光層を膜厚３０ｎｍで形成した。次に、縮合多環炭化水素化合物（化合物１−１）を成膜し膜厚１０ｎｍの正孔ブロック層を形成した。以上により、第一有機化合物層２２ａを形成した。
【０２２４】
（３）犠牲層の形成工程（図２（ｂ））
次に、真空蒸着法により、青色有機化合物層２２ａの上に、例示化合物４−７を成膜して犠牲層３０を形成した。このとき犠牲層３０の膜厚を６０ｎｍとした（図２（ｂ））。
【０２２５】
（４）第一保護層の形成工程（図２（ｃ））
次に、水溶性高分子材料のポリビニルピロリドン（ＰＶＰ、分子量：３６万）と水とを混合してＰＶＰの重量濃度が５重量％であるＰＶＰ水溶液を調製した。次に、スピンコート法により、犠牲層３０上に、調製したＰＶＰ水溶液を塗布し、乾燥することで、第一保護層４０を形成した（図２（ｃ））。このとき保護層４０の膜厚は５００ｎｍであった。
【０２２６】
（５）レジスト層の形成工程（図２（ｄ））
次に、スピンコート法により、ポジ型のフォトレジスト（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ製、製品名「ＡＺ１５００」）を成膜しレジスト層５０を形成した（図２（ｄ））。このときレジスト層５０の膜厚は１０００ｎｍであった。
【０２２７】
（６）露光・現像工程（図２（ｅ））
次に、露光装置（キヤノン製、商品名：マスクアライナーＭＰＡ６００）を使用し、第一副画素２０ａの領域に設けられるレジスト層５１が残るように、フォトマスク６０を用いてレジスト層５１を遮蔽した状態で紫外光６１による露光を行った（図２（ｅ）））。このとき露光時間は４０秒であった。露光後、現像液（３１２ＭＩＦ（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ製）を水で希釈し濃度を５０％に調製したもの）を用いて１分間現像した。この現像処理により、紫外光６１に露光されたレジスト層５２を除去した。
【０２２８】
（７）第一保護層、犠牲層及び第一有機化合物層の加工工程（図２（ｆ）乃至図２（ｇ））
次に、酸素を反応ガスとするドライエッチングを行い、レジスト層５１にて被覆されていない第一保護層４０を部分的に除去して第一保護層４０を加工した。このとき反応ガスの流量を２０ｓｃｃｍとし、装置内の圧力を圧力８Ｐａとし、出力を１５０Ｗとし、エッチング時間を５分とした。次に、酸素を反応ガスとするドライエッチングを行い、第一保護層４０にて被覆されていない犠牲層３０を部分的に除去して犠牲層３０を加工した（図２（ｆ））。このとき反応ガスの流量を２０ｓｃｃｍとし、装置内の圧力を８Ｐａとし、出力を１５０Ｗとし、反応時間を５分とした。次に、同じ条件でドライエッチングを行うことにより、第一副画素２０ａを設ける領域以外の領域に設けられている青色有機化合物層２２ａを選択的に除去した。このようにして、第一副画素２０ａの領域に選択的に有機化合物層２２ａ（青色有機化合物層）を形成した（図２（ｇ））。
【０２２９】
（８）第二有機化合物層（赤色有機化合物層）の形成工程（図２（ｈ）乃至図２（ｉ））
次に、真空蒸着法を用いた連続成膜により、第二有機化合物層２２ｂ（赤色有機化合物層）を形成した。まず正孔輸送層を膜厚２００ｎｍで形成した後、赤色発光材料を含む発光層を膜厚３０ｎｍで形成した。次に、縮合多環炭化水素化合物（化合物１−１）を成膜し正孔ブロック層を形成した。このとき正孔ブロック層の膜厚を１０ｎｍとした。以上により、第二有機化合物層２２ｂ（赤色有機化合物層）を形成した。次に、真空蒸着法により、フェナントロリン誘導体（例示化合物４−７）を成膜して犠牲層３０を形成した。このとき犠牲層３０の膜厚を６０ｎｍとした。次に、工程（４）にて説明した方法と同様の方法で、第一保護層４０を膜厚５００ｎｍで形成した。次に、工程（５）にて説明した方法と同様の方法で、ポジ型のフォトレジストを成膜しレジスト層５０を形成した（図２（ｈ））。このときレジスト層５０の膜厚は１０００ｎｍであった。次に、工程（６）にて説明した方法と同様の方法でレジスト層５０の加工を行った。次に、工程（７）にて説明した方法と同様の方法で犠牲層３０及び第二有機化合物層２２ｂの加工を行うことにより、第二副画素２０ｂを設ける領域に選択的に第二有機化合物層２２ｂ（赤色有機化合物層）を形成した（図２（ｉ））。
【０２３０】
（９）第三有機化合物層（緑色有機化合物層）の形成工程（図２（ｊ）乃至図２（ｋ））
次に、真空蒸着法を用いた連続成膜により、第三有機化合物層２２ｃ（緑色有機化合物層）を形成した。まず正孔輸送層を膜厚１６０ｎｍで形成した後、緑色発光材料を含む発光層を膜厚３０ｎｍで形成した。次に、縮合多環炭化水素化合物（化合物１−１）を成膜し正孔ブロック層を形成した。このとき正孔ブロック層の膜厚を１０ｎｍとした。以上により、第三有機化合物層２２ｃ（緑色有機化合物層）を形成した。次に、真空蒸着法により、フェナントロリン誘導体（例示化合物４−７）を成膜して犠牲層３０を形成した。このとき犠牲層３０の膜厚を６０ｎｍとした。次に、工程（４）にて説明した方法と同様の方法で第一保護層４０を膜厚５００ｎｍで形成した。次に、工程（５）にて説明した方法と同様の方法で、ポジ型のフォトレジストを成膜しレジスト層５０を形成した（図２（ｊ））。このときレジスト層５０の膜厚は１０００ｎｍであった。次に、工程（６）にて説明した方法と同様の方法でレジスト層５０の加工を行った。次に、工程（７）にて説明した方法と同様の方法で犠牲層３０及び第三有機化合物層２２ｂの加工を行うことにより、第三副画素２０ｃを設ける領域に、第三有機化合物層２２ｃを（緑色有機化合物層）選択的に形成した（図２（ｋ））。
【０２３１】
（１０）感光性樹脂層、第一保護層の除去工程（図２（ｍ））
次に、ドライエッチングを行って残存しているレジスト層５１を除去した（図２（ｌ））。このときエッチングで使用される反応ガスとして酸素を用い、反応ガスの流量を２０ｓｃｃｍとし、装置内の圧力を８Ｐａとし、出力を１５０Ｗとした。次に、流水を用いて第一保護層４０を除去した（図２（ｍ））。
【０２３２】
（１１）犠牲層の除去工程（図２（ｎ））
次に、基板１０を、ＩＰＡと水とを混合して調製したＩＰＡ濃度５０重量％の水溶液に浸漬することで犠牲層３０を除去した（図２（ｎ））。次に、基板１０を水で洗ってリンスしたのちスピン乾燥を行った。次に、基板１０を真空加熱（加熱温度：８０℃）して、各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）の上に残存する溶剤を除去した。尚、各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）の最上層の構成材料（化合物１−１）のＩＰＡ濃度５０重量％水溶液のエッチングレートは、犠牲層３０の構成材料（例示化合物４−７）のエッチングレートよりも十分小さかった。
【０２３３】
（１１）第二電極の形成工程等（図２（ｏ）乃至図２（ｐ））
次に、真空蒸着法により、各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）の上に、化合物１−２を成膜して電荷輸送層（電子輸送層）を形成した。このとき電荷輸送層の膜厚を２０ｎｍとした。次に、化合物１−２と炭酸セシウム（Ｃｓ2ＣＯ3）とを共蒸着して電子注入層を形成した。このとき電子注入層の膜厚を２０ｎｍとした。尚、上述した電荷輸送層と電子注入層とが順次積層されてなる積層体は、共通層２３として機能する。
【０２３４】
次に、スパッタリングにより、共通層２３の上に、Ａｇ膜を膜厚１６ｎｍにて成膜することで、半透明の第二電極２４を形成した（図２（ｏ））。
【０２３５】
次に、窒素雰囲気下において封止ガラス（不図示）を基板１０に接着することにより素子劣化を防ぐ構造とした。以上のようにして有機ＥＬ表示装置１を作製した。
【０２３６】
［比較例１］
実施例５において、犠牲層の形成工程を省略したことを除いては、実施例５と同様の方法により有機ＥＬ表示装置を作製した。尚、本比較例の方法では、第一保護層４０が犠牲層３０の役割も兼ねる。
【０２３７】
［比較例２］
実施例５において、工程（２）乃至（９）を行う代わりに、メタルマスクを用いた真空蒸着法による一貫成膜により各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）をそれぞれ所望のパターン形状にて形成した。これを除いては、実施例５と同様の方法により有機ＥＬ表示装置を作製した。
【０２３８】
（有機ＥＬ表示装置の評価）
実施例５、比較例１及び２の方法でそれぞれ作製した有機ＥＬ表示装置について、特性の評価を行った。実施例５の方法により作製した有機ＥＬ表示装置に備える有機ＥＬ素子の電流効率及び駆動耐久寿命は、比較例１の方法により作製した有機ＥＬ表示装置よりも優れ、比較例２の方法により作製した有機ＥＬ表示装置と同等の値が得られた。これは、犠牲層として、真空蒸着法によって形成される蒸着膜を用いることで、犠牲層を除去する段階でＰＶＰと比較して残渣を生じることなく除去することができ、効率低下や寿命悪化を回避できた結果と考えられる。一方、高精細化に関しては、比較例２の方法により作製した有機ＥＬ表示装置が有する副画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）のサイズが１００μｍ角程度で限界であった。これに対し、実施例５の方法により作製した有機ＥＬ表示装置の場合では、有機ＥＬ表示装置が有する副画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）のサイズが９μｍ角程度まで小さくすることができた。
【０２３９】
［実施例６］
図５に示される製造プロセスに基づいて図１に示される有機ＥＬ表示装置１を作製した。
【０２４０】
（１）第一電極の形成工程
実施例５（１）と同様の方法により、第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）を形成した。
【０２４１】
（２）第一有機化合物層（青色有機化合物層）の形成工程
実施例５（２）と同様の方法により、第一有機化合物層２２ａを形成した。
【０２４２】
（３）犠牲層の形成工程（図２（ｂ））
実施例５（３）と同様の方法により、犠牲層３０を形成した。
【０２４３】
（４）第一保護層の形成工程（図２（ｃ））
実施例５（４）と同様の方法により、第一保護層４０を形成した。
【０２４４】
（５）第二保護層の形成工程
次に、ＣＶＤ法により、第一保護層４０の上に、窒化珪素（ＳｉＮ）を成膜して第二保護層７０を形成した。このとき第二保護層７０の膜厚を１０００ｎｍとした。
【０２４５】
（６）レジスト層の形成工程（図５（ａ））
実施例５（５）と同様の方法により、レジスト層５０を形成した（図５（ａ））。
【０２４６】
（７）露光・現像工程（図２（ｅ））
実施例５（６）と同様の方法により、レジスト層５０を露光・現像を行った。
【０２４７】
（８）第二保護層、第一保護層、犠牲層及び第一有機化合物層の加工工程（図５（ｂ）乃至図２（ｃ））
次に、ドライエッチングにより、レジスト層５１に被覆されていない第二保護層７０を除去して第二保護層７０を加工した（図５（ｃ））。このとき反応ガスとしてＣＦ4を使用し、反応ガスの流量を３０ｓｃｃｍとし、出力を１５０ｗとし、装置内の圧力を１０Ｐａとし、処理時間を７分とした。即ち、本工程により、第一副画素２０ａを設ける領域に対応して第二保護層７０が設けられるように第二保護層７０を加工した。
【０２４８】
次に、実施例５（７）と同様の方法により、第一保護層４０、犠牲層３０及び第一有機化合物層２２ａを順次加工した（図５（ｃ））。以上により、第一副画素２０ａを設ける領域に第一有機化合物層２２ａを選択的に形成した。
【０２４９】
（９）第二有機化合物層（赤色有機化合物層）の形成工程
次に、実施例５（８）と同様の方法により、第二有機化合物層２２ｂ、犠牲層３０及び第一保護層４０を順次形成した。次に、工程（５）と同様の方法により、第二保護層７０を形成した。次に、実施例５（５）と同様の方法により、レジスト層５０を形成した。次に、実施例５（８）と同様の方法により、レジスト層５０の露光・現像を行った。次に、工程（８）にて説明した方法と同様の方法により第二保護層７０の加工を行った。次に、実施例５（８）と同様の方法により、第一保護層４０、犠牲層３０及び第二有機化合物層２２ｂを順次加工した。以上により、第二副画素２０ｂを設ける領域に第二有機化合物層２２ｂを選択的に形成した。
【０２５０】
（１０）第三有機化合物層（緑色有機化合物層）の形成工程（図５（ｄ））
次に、実施例５（９）と同様の方法により、第三有機化合物層２２ｃ、犠牲層３０及び第一保護層４０を順次形成した。次に、工程（５）と同様の方法により、第二保護層７０を形成した。次に、実施例５（５）と同様の方法により、レジスト層５０を形成した。次に、実施例５（９）と同様の方法により、レジスト層５０の露光・現像を行った。次に、工程（８）にて説明した方法と同様の方法により第二保護層７０の加工を行った。次に、実施例５（９）と同様の方法により、第一保護層４０、犠牲層３０及び第三有機化合物層２２ｃを順次加工した。以上により、第三副画素２０ｃを設ける領域に第三有機化合物層２２ｃを選択的に形成した（図５（ｄ））。
【０２５１】
（１１）第二保護層の除去工程
次に、実施例５（１０）と同様の方法により、レジスト層５１を除去した。次に、ドライエッチングにより、第二保護層７０を除去した。このとき反応ガスをＣＦ4とし、反応ガスの流量を３０ｓｃｃｍとし、出力を１５０ｗとし、装置内の圧力を１０Ｐａとし、処理時間を７分とした。
【０２５２】
（１２）第一保護層の除去工程
実施例５（１０）と同様の方法により、第一保護層４０を除去した。
【０２５３】
（１３）犠牲層の除去工程（図５（ｅ））
実施例５（１０）と同様の方法により、犠牲層３０を除去した（図５（ｅ））。
【０２５４】
（１４）第二電極の作製工程等（図２（ｏ）乃至図２（ｐ））
実施例５（１１）と同様の方法により、共通層２３及び第二電極２４を順次形成した。以上により、有機ＥＬ表示装置を得た。
【０２５５】
得られた有機ＥＬ表示装置について実施例１と同様の方法で評価したところ、実施例１と同程度の電流効率、駆動寿命、精細度を得ることができた。
【０２５６】
［実施例７］
図６に示される有機トランジスタ２を、図７に示される製造プロセスに従って作製した。ここで、本実施例にて使用した材料の一部を以下に示す。
【０２５７】
【化１１】
2014133727.tif 000013
【０２５８】
（１）ゲート電極の形成工程
電子ビーム蒸着により、洗浄されたシリコン基板（基板８０）の上に、Ａｕを成膜してＡｕ膜を形成した。次に、スピンコート法により、Ａｕ膜の上に、ポジ型のフォトレジスト（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ製、製品名：ＡＺ１５００）を成膜してレジスト層を形成した。このときレジスト層の膜厚は１０００ｎｍであった。次に、露光装置（キヤノン製、マスクアライナーＭＰＡ６００）を使用し、所定のサイズの領域に設けられる感光性樹脂層のみが残るように、この所定のサイズの領域に遮蔽部を有するフォトマスクを用いて紫外光による露光を行った。このとき露光時間は４０秒であった。露光後、現像液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ製、製品名「３１２ＭＩＦ」を水で希釈し濃度を５０％としたもの）を用いて１分間現像を行った。この現像処理により、紫外光に露光された感光性樹脂層が除去された。次に、ＡＵＲＵＭ（関東化学）を用いて、レジスト層に被覆されていないＡｕ膜を部分的に除去した。次に、基板８０を、アセトンで洗浄し、残ったレジスト層を除去した。以上により、ゲート電極８１を所定の領域に形成した。
【０２５９】
（２）絶縁層の形成工程（図７（ａ））
次に、スピンコート法により、基板８０及びゲート電極８１の上に、ポリイミド系樹脂を成膜した後、２５０℃でキュアすることで、基板８０の上に設けられているゲート電極８１を被覆する絶縁層８２を形成した（図７（ａ））。
【０２６０】
（３）有機半導体層の形成工程
次に、真空蒸着法により、絶縁層８２の上に、化合物２−１を成膜して有機半導体層８３を形成した。このとき有機半導体層８３の膜厚を１００ｎｍとし、蒸着レートを０．１ｎｍ／ｓｅｃとした。
【０２６１】
（４）犠牲層の形成工程
次に、真空蒸着法により、有機半導体層８３の上に、例示化合物４−７を成膜して犠牲層３０を形成した。このとき犠牲層３０の膜厚を６０ｎｍとし、蒸着レートを０．１ｎｍ／ｓｅｃとした。
【０２６２】
（５）第一保護層の形成工程
次に、スピンコートにより、犠牲層３０の上に、水溶性高分子であるポリビニルピロリドンを成膜して第一保護層４０を形成した。このとき、第一保護層４０の膜厚は５００ｎｍであった。
【０２６３】
（６）レジスト層の形成工程（図７（ｂ））
次に、スピンコート法により、第一保護層４０の上に、ポジ型のフォトレジスト（ＡＺ１５００）を成膜してレジスト層５０を形成した（図７（ｂ））。このときレジスト層５０の膜厚は１０００ｎｍであった。
【０２６４】
（７）レジスト層の露光・現像工程（図７（ｃ）乃至図７（ｄ））
次に、所定のサイズの領域について光（紫外光）をさえぎる遮蔽部を有するマスク６０を使用して、紫外光６１によるレジスト層５０の露光を行った（図７（ｃ））。このとき露光装置としてＭＰＡ６００を使用し、露光時間を４０秒に設定した。
【０２６５】
露光後、現像液（３１２ＭＩＦを水で希釈し濃度を５０％としたもの）を用いて、レジスト層５０を１分間現像した。この現像処理により、紫外光に露光されたレジスト層５２は除去された（図７（ｄ））。
【０２６６】
（８）第一保護層、犠牲層、有機半導体層の加工工程（図７（ｅ））
次に、レジスト層５１をマスクとして、ドライエッチングにより、レジスト層５１に被覆されていない第一保護層４０を部分的に除去することで第一保護層４０を加工した。このとき反応ガスを酸素とし、反応ガスの流量を２０ｓｃｃｍとし、装置内の圧力を８Ｐａとし、出力を１５０Ｗとし、処理時間を５分とした。
【０２６７】
次に、残存する第一保護層４０及びレジスト層５１をマスクとして、ドライエッチングにより、第一保護層４０に被覆されていない犠牲層３０を部分的に除去することで犠牲層３０を加工した。このとき反応ガスを酸素とし、反応ガスの流量を２０ｓｃｃｍとし、装置内の圧力を８Ｐａとし、出力を１５０Ｗとし、処理時間を５分とした。
【０２６８】
次に、残存する犠牲層３０、第一保護層４０及びレジスト層５１をマスクとして、ドライエッチングにより、犠牲層３０に被覆されていない有機半導体層８３を部分的に除去することで有機半導体層８３を加工した。このとき有機半導体層８３の加工条件は、犠牲層３０の加工条件と同じとした。以上により、所望の形状にパターニングされた第一保護層４０、犠牲層３０及び有機半導体層８３をそれぞれ形成した。尚、本工程で行われたドライエッチングにより、パターニングされたレジスト層５１は除去されていた（図７（ｅ））。
【０２６９】
（９）第一保護層の除去工程（図７（ｆ））
次に、基板８０を水洗することにより、第一保護層４０（ポリビニルピロリドン層）を溶解・除去した。
【０２７０】
（１０）犠牲層の除去工程（図７（ｇ））
次に、基板８０を、ＩＰＡと水とを混合して調製したＩＰＡ濃度５０重量％の水溶液に浸漬することで犠牲層３０を除去した（図７（ｇ））。次に、基板１０を水で洗ってリンスしたのちスピン乾燥を行った。次に、基板１０を真空加熱（加熱温度：８０℃）して、有機半導体層８３の上に残存する溶剤を除去した。尚、有機半導体層８３の構成材料（化合物２−１）のＩＰＡ濃度５０重量％水溶液のエッチングレートは、犠牲層３０の構成材料（例示化合物４−７）のエッチングレートよりも十分小さかった。
【０２７１】
（１１）ソース電極、ドレイン電極の形成工程（図７（ｈ））
最後に、メタルマスクを用いた電子ビーム蒸着法により、パターニングされた有機半導体層８３の上に、Ａｕを成膜してソース電極８４及びドレイン電極８５を一括して形成した（図７（ｈ））。このときソース電極８４とドレイン電極８５との間の幅は１０μｍとした。以上により有機トランジスタ２を得た。
【０２７２】
得られた有機トランジスタについて特性を評価したとこ。その結果、ソース電極８４と有機半導体層８３との間及びドレイン電極８５と有機半導体層８３との間で、いずれも電荷注入性の低下が無い、優れたトランジスタ特性を示す有機トランジスタであることが示された。
【０２７３】
［実施例８］
図６に示される有機トランジスタ２を、図８に示される製造プロセスに従って作製した。
【０２７４】
（１）ゲート電極の形成工程
実施例７（１）と同様の方法により、ゲート電極８１を形成した。
【０２７５】
（２）絶縁層の形成工程（図８（ａ））
実施例７（２）と同様の方法により、絶縁層８２を形成した（図８（ａ））。
【０２７６】
（３）有機半導体層の形成工程
実施例７（３）と同様の方法により、有機半導体層８３を形成した。
【０２７７】
（４）犠牲層の形成工程
次に、真空蒸着法により、有機半導体層８３の上に、例示化合物４−７を成膜して犠牲層３０を形成した。このとき、有機半導体層８３の膜厚を４００ｎｍとし、蒸着レートを０．１ｎｍ／ｓｅｃとした。
【０２７８】
（５）第一保護層の形成工程
実施例７（５）と同様の方法により、第一保護層４０を形成した。
【０２７９】
（６）第二保護層の形成工程
次に、ＣＶＤ法により、第一保護層４０の上に、窒化珪素（ＳｉＮ）を成膜して第二保護層７０を形成した。このとき第二保護層７０の膜厚を１０００ｎｍとした。
【０２８０】
（７）レジスト層の形成工程（図８（ｂ））
実施例７（６）と同様の方法により、レジスト層５０を形成した（図８（ｂ））。
【０２８１】
（８）レジスト層の露光・現像工程（図８（ｃ）乃至図８（ｄ））
実施例７（７）と同様の方法により、レジスト層５０の現像・露光を行った（図８（ｂ））。
【０２８２】
（９）第二保護層、第一保護層、犠牲層、有機半導体層の加工工程（図８（ｅ）乃至図８（ｆ））
次に、残存したレジスト層５１をマスクとして、ドライエッチングにより、レジスト層５１に被覆されていない第二保護層７０を部分的に除去することで第二保護層７０を加工した。このとき反応ガスをＣＦ4とし、反応ガスの流量を３０ｓｃｃｍとし、出力を１５０ｗとし、装置内の圧力を１０Ｐａとし、処理時間を７分とした。
【０２８３】
次に、残存したレジスト層５１及び第二保護層７０をマスクとして、ドライエッチングにより、第二保護層７０に被覆されていない第一保護層４０、犠牲層３０及び有機半導体層８３の部分的除去を順次行った。これにより、第一保護層４０、犠牲層３０及び有機半導体層８３をそれぞれ加工した（図８（ｆ））。このとき反応ガスを酸素し、反応ガスの流量を２０ｓｃｃｍとし、装置内の圧力を８Ｐａ、出力を１５０Ｗとし、処理時間を５分とした。尚、第一保護層４０、犠牲層３０及び有機半導体層８３の加工を行う際に、レジスト層５１が除去された。
【０２８４】
（１０）保護層の除去工程（図８（ｇ））
次に、基板８０を、６０重量％ＩＰＡ水溶液に浸漬した後、基板８０を、６０重量％ＩＰＡ水溶液の二流体ジェットに当てた。これにより、犠牲層３０が溶解し基板８０から除去されると共に、犠牲層３０の上にある層（第一保護層４０、第二保護層７０）も犠牲層３０と共に除去された（図８（ｇ））。
【０２８５】
（１１）ソース電極、ドレイン電極の形成工程（図８（ｈ））
実施例７（１１）と同様の方法により、ソース電極８４及びドレイン電極８５を形成した（図８（ｈ））。以上により、有機トランジスタ２を得た。
【０２８６】
得られた有機トランジスタ２は、ソース電極８４と有機半導体層８３との間及びドレイン電極８５と有機半導体層８３との間において、電荷注入性の低下が無い、優れたトランジスタ特性を示した。また本実施例では、犠牲層３０を除去する際に、保護層（４０、７０）も一体的に除去できたため、工程の削減が実現された。
【符号の説明】
【０２８７】
１：有機ＥＬ表示装置、２：有機トランジスタ、１０（８０）：基板、２０ａ：第一副画素、２０ｂ：第二副画素、２０ｃ：第三副画素、２１（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）：第一電極、２２（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）：有機化合物層、２４：電荷注入・輸送層、２５：第二電極、３０：犠牲層、４０（４１）：第一保護層、５０：感光性樹脂、６０フォトマスク、６１：紫外線、７０：第二保護層、８１：ゲート電極、８２：絶縁層、８３：有機半導体層、８４：ソース電極、８５：ドレイン電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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