(57)【要約】      （修正有）【課題】エピタキシャル成長層の表面欠陥密度を低減し、信頼性の高い炭化珪素半導体素子を形成可能な炭化珪素エピタキシャルウエハおよびその製造方法を提供する。【解決手段】α型の結晶構造を有し、（０００１）Ｓｉ面を０°よりも大きく５°未満傾斜させた炭化珪素基板上にエピタキシャル成長層が配される炭化珪素エピタキシャルウエハであって、前記炭化珪素基板の基板表面における基底面転位に起因するジャイアントステップバンチングに基づく前記エピタキシャル成長層の表面欠陥密度が、２０個／ｃｍ２以下であり、炭化珪素エピタキシャルウエハの製造は、炭化珪素基板表面に対し、エッチングガスを導入する水素エッチング工程と、原料ガスを導入して前記基板表面上にエピタキシャル成長層を形成するエピタキシャル成長層形成工程とを含み、前記水素エッチング工程は、前記基板表面に対するエッチング深さを１ｎｍ以下とするエッチング条件で実施される。【選択図】図８（ａ）
2014189436.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
α型の結晶構造を有し、（０００１）Ｓｉ面を０°よりも大きく５°未満傾斜させた炭化珪素基板上にエピタキシャル成長層が配される炭化珪素エピタキシャルウエハであって、
前記炭化珪素基板の基板表面における基底面転位に起因するジャイアントステップバンチングに基づく前記エピタキシャル成長層の表面欠陥密度が、２０個／ｃｍ２以下であることを特徴とする炭化珪素エピタキシャルウエハ。
【請求項２】
少なくとも、α型の結晶構造を有し、（０００１）Ｓｉ面を０°よりも大きく５°未満傾斜させた炭化珪素基板の基板表面に対し、水素ガスを含むエッチングガスを導入して水素エッチングする水素エッチング工程と、原料ガスを導入して前記水素エッチング後の前記基板表面上にエピタキシャル成長層を形成するエピタキシャル成長層形成工程と、を含む炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法であって、
前記水素エッチング工程が、前記基板表面に対するエッチング深さを１ｎｍ以下とするエッチング条件で実施されることを特徴とする炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法。
【請求項３】
水素エッチング工程におけるエッチング深さが、水素流量を制御して調整される請求項２に記載の炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法。
【請求項４】
水素エッチング工程におけるエッチングガスの導入停止と略同時に、エピタキシャル成長層形成工程における原料ガスの導入を開始するか、又は、前記エッチングガスの導入を継続した状態で、前記エッチングガスで不足するエピタキシャル成長層の形成に必要なガスを前記原料ガスとして追加導入して、前記水素エッチング工程及び前記エピタキシャル成長層形成工程を連続的に実施する請求項２から３のいずれかに記載の炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法。
【請求項５】
エッチングガス及び原料ガスにシランガスを含む請求項２から４のいずれかに記載の炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法。
【請求項６】
（０００１）Ｓｉ面を＜１１−２０＞方向へ０°よりも大きく５°未満傾斜させた炭化珪素基板を用いる請求項２から５のいずれかに記載の炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法。
【請求項７】
請求項１に記載の炭化珪素エピタキシャルウエハを製造する炭化珪素エピタキシャルウエハの製造装置であって、
排出弁を介して炉内の圧力を調整可能とするガス排出口、前記炉内の温度を昇温可能とする加熱部、一の導入弁を介して前記炉内にエッチングガスを導入可能とするエッチングガス導入口、他の導入弁を介して前記炉内に原料ガスを導入可能とする原料ガス導入口、及び前記炉内に前記炭化珪素基板を設置する設置部を有する反応炉と、
前記エッチングガス導入口に接続されるエッチングガス導入管と、
前記原料ガス導入口に接続される原料ガス導入管と、を有することを特徴とする炭化珪素エピタキシャルウエハの製造装置。
【請求項８】
請求項１に記載の炭化珪素エピタキシャルウエハを有する炭化珪素半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面欠陥の少ない炭化珪素エピタキシャルウエハ、同ウエハの製造方法、及び同ウエハの製造装置、並びに同ウエハを有する炭化珪素半導体素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
パワー半導体素子は、電力変換時のエネルギー損失を低減し、省エネルギー化を期待できる。これまで、パワー半導体素子は、シリコン（Ｓｉ）半導体を用いて性能を向上させてきたが、シリコン半導体素子は、Ｓｉの物性限界のため、これ以上の性能向上が見込めない状況となってきている。
一方、炭化珪素（ＳｉＣ）は、Ｓｉに比べて絶縁破壊電界強度が約１０倍、禁制帯幅と熱伝導率が約３倍という優れた物性を持っており、パワー半導体素子の更なる性能向上が期待でき、これを用いたＳｉＣ半導体の早急な普及が求められている。
【０００３】
ＳｉＣには、多くの結晶型が存在するが、電力変換用次世代半導体素子として期待されるＳｉＣ半導体素子用のＳｉＣ基板には、４Ｈ型の結晶構造を有するものが一般的に使用されている。また、ステップ制御エピタキシー技術を使用する観点から、オフ角を有する４Ｈ−ＳｉＣ基板が主流とされている。オフ角が５°未満、特に２°未満の低オフ角のＳｉＣ基板上に、有効にエピタキシャル成長層を形成させることができれば、ＳｉＣ半導体素子の製造コストを低減でき、これに伴い広く社会に有効利用されることが期待されている。
ＳｉＣ基板には、通常、ＳｉＣインゴットから切り出す際に、（０００１）Ｓｉ面から所定のオフ角が付けられる。切り出されたＳｉＣ基板は、研磨等で表面加工された後、基板表面上にエピタキシャル成長層が形成されたエピタキシャルウエハの状態で使用される。
ここで、エピタキシャルウエハの表面に荒れている箇所が存在すると、その上に作製される半導体構造の性能が低下し、信頼性が低下する。特に、酸化膜の信頼性の低下は、顕著であり、ＭＯＳＦＥＴなどの信頼性向上には、エピタキシャルウエハの表面平坦性の向上が不可欠である。
【０００４】
ところで、ＳｉＣインゴットから切り出されたＳｉＣ基板に対して、研磨傷等の表面ダメージを取り除いて表面を平坦化する等の目的で、エピタキシャル成長層の形成前に水素エッチングが行われており、その平坦性向上のための手法も提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４５８１０８１号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】田村謙太郎、佐々木雅之、工藤千秋、迫秀樹、北畠真、児島一聡、「４Ｈ−ＳｉＣ（０００１）Ｓｉ面のステップバンチング発生原因とオフ角依存性」、２０１２年、公益社団法人  応用物理学会
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、オフ角が５°よりも小さくなると、水素エッチング時に、ＳｉＣ基板の基板表面に基底面転位（ＢＰＤ）に起因するジャイアントステップバンチング（ＧＳＢ）が発生しやすくなり、基板の平坦性が局所的に劣化することが分かってきた（非特許文献１参照）。水素エッチング時に発生するＢＰＤ起因のＧＳＢは、高さが５ｎｍ以上であり、長さが１ｍｍ以下であることが分かっている。このＢＰＤ起因のＧＳＢの存在は、その後に形成されるエピタキシャル成長層の表面に、ＧＳＢと略同形状の欠陥を発生させ、半導体素子、特に酸化膜の信頼性低下を引き起こす。また、ＢＰＤ起因のＧＳＢは、オフ角が小さくなるほど長く伸びる傾向にあり、低オフ角のＳｉＣ基板を用いる場合の障害が大きくなる。
こうした、低オフ角のＳｉＣ基板の平坦性を局所的に劣化させるＢＰＤ起因のＧＳＢの発生を抑制することができれば、より平坦性の良好なＳｉＣエピタキシャルウエハを提供することができ、延いては、信頼性の高いＳｉＣ半導体素子を提供することができる。
【０００８】
本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、低オフ角の炭化珪素基板に対し、水素エッチング時に発生する基底面転位（ＢＰＤ）に起因するジャイアントステップバンチング（ＧＳＢ）の発生を抑制して、エピタキシャル成長層の表面欠陥密度を低下させ、信頼性の高い炭化珪素半導体素子を形成可能な炭化珪素エピタキシャルウエハ、同ウエハの製造方法、及び同ウエハの製造装置、並びに同ウエハを有する炭化珪素半導体素子を提供することを目的とする。
【０００９】
前記課題を解決するため、本発明者らが鋭意検討を行った結果、ＳｉＣ基板に対する水素エッチングのエッチング深さを一定値以下にすることで、水素エッチング時に発生するＢＰＤに起因するＧＳＢの発生を抑制することができることの知見を得た。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。
＜１＞  α型の結晶構造を有し、（０００１）Ｓｉ面を０°よりも大きく５°未満傾斜させた炭化珪素基板上にエピタキシャル成長層が配される炭化珪素エピタキシャルウエハであって、前記炭化珪素基板の基板表面における基底面転位に起因するジャイアントステップバンチングに基づく前記エピタキシャル成長層の表面欠陥密度が、２０個／ｃｍ２以下であることを特徴とする炭化珪素エピタキシャルウエハ。
＜２＞  少なくとも、α型の結晶構造を有し、（０００１）Ｓｉ面を０°よりも大きく５°未満傾斜させた炭化珪素基板の基板表面に対し、水素ガスを含むエッチングガスを導入して水素エッチングする水素エッチング工程と、原料ガスを導入して前記水素エッチング後の前記基板表面上にエピタキシャル成長層を形成するエピタキシャル成長層形成工程と、を含む炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法であって、前記水素エッチング工程が、前記基板表面に対するエッチング深さを１ｎｍ以下とするエッチング条件で実施されることを特徴とする炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法。
＜３＞  水素エッチング工程におけるエッチング深さが、水素流量を制御して調整される前記＜２＞に記載の炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法。
＜４＞  水素エッチング工程におけるエッチングガスの導入停止と略同時に、エピタキシャル成長層形成工程における原料ガスの導入を開始するか、又は、前記エッチングガスの導入を継続した状態で、前記エッチングガスで不足するエピタキシャル成長層の形成に必要なガスを前記原料ガスとして追加導入して、前記水素エッチング工程及び前記エピタキシャル成長層形成工程を連続的に実施する前記＜２＞から＜３＞のいずれかに記載の炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法。
＜５＞  エッチングガス及び原料ガスにシランガスを含む前記＜２＞から＜４＞のいずれかに記載の炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法。
＜６＞  （０００１）Ｓｉ面を＜１１−２０＞方向へ０°よりも大きく５°未満傾斜させた炭化珪素基板を用いる前記＜２＞から＜５＞のいずれかに記載の炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法。
＜７＞  前記＜１＞に記載の炭化珪素エピタキシャルウエハを製造する炭化珪素エピタキシャルウエハの製造装置であって、排出弁を介して炉内の圧力を調整可能とするガス排出口、前記炉内の温度を昇温可能とする加熱部、一の導入弁を介して前記炉内にエッチングガスを導入可能とするエッチングガス導入口、他の導入弁を介して前記炉内に原料ガスを導入可能とする原料ガス導入口、及び前記炉内に前記炭化珪素基板を設置する設置部を有する反応炉と、前記エッチングガス導入口に接続されるエッチングガス導入管と、前記原料ガス導入口に接続される原料ガス導入管と、を有することを特徴とする炭化珪素エピタキシャルウエハの製造装置。
＜８＞  前記＜１＞に記載の炭化珪素エピタキシャルウエハを有する炭化珪素半導体素子。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、従来技術における前記諸問題を解決することができ、低オフ角の炭化珪素基板に対し、水素エッチング時に発生する基底面転位（ＢＰＤ）に起因するジャイアントステップバンチング（ＧＳＢ）の発生を抑制して、エピタキシャル成長層の表面欠陥密度を低下させ、信頼性の高い炭化珪素半導体素子を形成可能な炭化珪素エピタキシャルウエハ、同ウエハの製造方法、及び同ウエハの製造装置、並びに同ウエハを有する炭化珪素半導体素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】ＢＰＤ起因のＧＳＢを説明する説明図である。
【図２】炭化珪素エピタキシャルウエハ製造装置１の概略構成を示す説明図である。
【図３】実施例１の水素エッチング工程の条件に基づいて作製した観察用基板の基板表面を撮影した共焦点顕微鏡像を示す図である。
【図４】実施例１の水素エッチング工程の条件に基づいて作製した観察用基板の基板表面を撮影した共焦点顕微鏡像から観察されるＧＳＢの長さ分布を示す図である。
【図５】比較例１の水素エッチング工程の条件に基づいて作製した比較用観察用基板の基板表面を撮影した共焦点顕微鏡像を示す図である。
【図６】比較例１の水素エッチング工程の条件に基づいて作製した比較用観察用基板の基板表面を撮影した共焦点顕微鏡像から観察されるＧＳＢの長さ分布を示す図である。
【図７】実施例１の水素エッチング工程の条件に基づいて作製した観察用基板の基板表面におけるＧＳＢを撮影したＡＦＭ像及びその断面プロファイルを示す図である。
【図８（ａ）】実施例１、２及び比較例１〜３に係る各炭化珪素エピタキシャルウエハにおける、エッチング深さに対応するＢＰＤ起因のＧＳＢ密度をプロットしたグラフを示す図である。
【図８（ｂ）】水素エッチング工程における水素流量、基板加熱温度及び圧力と、エッチング深さの関係を示すグラフを示す図である。
【図９】ＭＯＳキャパシタの素子構造の概略構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（炭化珪素エピタキシャルウエハ）
本発明の炭化珪素エピタキシャルウエハは、α型の結晶構造を有し、（０００１）Ｓｉ面を０°よりも大きく５°未満傾斜させた炭化珪素基板上にエピタキシャル成長層が配される炭化珪素エピタキシャルウエハであって、前記炭化珪素基板の基板表面における基底面転位（以下、「ＢＰＤ」と略す）に起因するジャイアントステップバンチング（以下、「ＧＳＢ」と略す）に基づく前記エピタキシャル成長層の表面欠陥密度が、２０個／ｃｍ２以下であることを特徴とする。
【００１４】
前記ＧＳＢの形状を図１に示す。該図１は、前記ＢＰＤ起因の前記ＧＳＢを説明する説明図である。
該図１に示すように、前記ＧＳＢは、前記基板表面上に突出して形成される、高さＨが５ｎｍ以上であり、長さＬが１ｍｍ以下の突出した表面欠陥である。前記炭化珪素エピタキシャルウエハの製造に際し、前記水素エッチング以外の処理を原因とする他のステップバンチングが発生することがあるが、こうしたステップバンチングは、前記ＧＳＢに含まない。前記他のステップバンチングは、高さＨが５ｎｍ未満の形状であるか又は長さＬが１ｍｍを超える形状である。
前記ＧＳＢの存在は、この上に形成される前記エピタキシャル成長層に略同形状の突出した表面欠陥を与える。
【００１５】
前記炭化珪素エピタキシャルウエハから、前記炭化珪素基板上の前記ＧＳＢに基づく前記エピタキシャル成長層の前記表面欠陥密度を測定する方法としては、前記ＧＳＢが高さ５ｎｍ以上、長さ１ｍｍ以下の突出形状であるため、前記エピタキシャル成長層の表面に対して、ＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）による表面モフォロジーの測定を行い、高さ５ｎｍ以上、長さ１ｍｍ以下の突出した表面欠陥を確認することで行うことができる。
また、前記ＧＳＢが前記ＢＰＤ起因であるか否かの測定としては、Ｘ線トポグラフにより結晶構造を確認して行うことができる。
【００１６】
このような表面欠陥の少ない炭化珪素エピタキシャルウエハを用いることで、炭化珪素半導体素子の信頼性を向上させることが可能となる。また、この炭化珪素エピタキシャルウエハは、以下に説明する本発明の炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法で製造することができる。
【００１７】
（炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法）
本発明の前記炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法は、少なくとも、水素エッチング工程と、エピタキシャル成長層形成工程と、を含み、必要に応じて、他の工程を含む。
【００１８】
＜水素エッチング工程＞
前記水素エッチング工程は、α型の結晶構造を有し、（０００１）Ｓｉ面を０°よりも大きく５°未満傾斜させた炭化珪素基板の基板表面に対し、水素ガスを含むエッチングガスを導入して水素エッチングする工程であり、前記基板表面に対するエッチング深さを１ｎｍ以下とするエッチング条件で実施されることを技術の核とする。
【００１９】
α型の結晶構造の前記炭化珪素基板としては、特に制限はなく、４Ｈ型、６Ｈ型の炭化珪素基板のいずれも用いることができる。
また、前記炭化珪素基板としては、特に制限はないが、（０００１）Ｓｉ面を＜１１−２０＞方向へ０°よりも大きく５°未満傾斜させた炭化珪素基板が好ましい。即ち、このような炭化珪素基板は、最も一般的に開発、市販されている基板であり、容易に入手することができることから、前記炭化珪素エピタキシャルウエハの製造に用い易いという利点を有する。
更に、前記傾斜、即ち、オフ角としては、０°よりも大きく５°未満であれば、特に制限はないが、２°未満であることが好ましい。このようなオフ角を有する炭化珪素基板を用いることで、炭化珪素半導体素子の製造コストを低減させることができる。
なお、前記炭化珪素基板としては、公知の方法に準じて形成してもよく、市販品から入手して用いてもよい。
【００２０】
前記エッチングガスとしては、前記水素ガスを含む限り、特に制限はないが、前記エピタキシャル成長層形成工程で用いられる原料ガスとして用いられるシランガス（ＳｉＨ４）を含むことが好ましい。
前記シランガスを含む場合、前記他のステップバンチングによる前記炭化珪素基板の表面の荒れを抑えることができるとともに、前記水素エッチングのエッチング量を減少させることができる。
【００２１】
前記水素エッチング工程における前記エッチングガスの流量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記水素ガスの流量としては、０ｓｌｍより大きく３００ｓｌｍ以下が好ましい。前記水素ガスの流量が３００ｓｌｍを超えるとエッチング深さを１ｎｍ以下にするために圧力を大気圧以上にする必要があり製造装置の安全性を確保することが困難になることがある。なお、単位、１ｓｌｍは、１．６９Ｐａ・ｍ３／ｓに該当する。
また、前記シランガスの流量としては、０ｓｃｃｍより大きく５ｓｃｃｍ以下が好ましい。前記シランガスの流量が５ｓｃｃｍを超えると前記炭化珪素基板上にピットが大量に発生することがある。なお、単位、１ｓｃｃｍは、１．６９×１０−３Ｐａ・ｍ３／ｓに該当する。
なお、前記シランガスを用いる場合、前記水素ガスと前記シランガスとは、混合した状態で導入してもよいが、それぞれを逐次的に導入してもよい。例えば、前記水素ガスを先行して導入開始し、前記シランガスを後行して導入開始することもできる。
【００２２】
前記水素エッチング工程における温度条件としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１，４００℃〜１，７５０℃が好ましい。前記温度条件が１，４００℃未満であると前記エピタキシャル成長層形成工程への瞬時の移行が困難になることがあり、１，７５０℃を超えると炭化珪素エピタキシャルウエハ製造装置の耐熱性を確保することが困難になることがある。
【００２３】
前記水素エッチング工程における圧力条件としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１ｋＰａ〜１００ｋＰａが好ましい。前記圧力条件が１ｋＰａ未満であるとエッチング深さを１ｎｍ以下にするための温度条件を１，４００℃未満にする必要があるため、前記エピタキシャル成長層形成工程への移行が困難になることがあり、１００ｋＰａを超えると炭化珪素エピタキシャルウエハ製造装置の安全性を確保することが困難になることがある。
【００２４】
前述の通り、前記水素エッチングの前記エッチング条件は、前記エッチング深さ１ｎｍ以下とすることが求められる。前記エッチング深さが１ｎｍを超えると、前記ＢＰＤ起因の前記ＧＳＢが２０個／ｃｍ２を超えて発生し、前記炭化珪素基板を用いる前記炭化珪素半導体素子の信頼性を著しく低下させる。
前記エッチング条件を満たすように、前記水素エッチングを行うためには、前記エッチングガスの流量、圧力、温度の諸条件を適宜調整する必要があるが、中でも、安全性、簡便性の観点から、前記エッチングガスの流量を制御して前記エッチング条件を満たすようにすることが好ましい。一方、圧力、温度を制御する場合、前記水素エッチング工程後、前記エピタキシャル成長層形成工程に移行する際、瞬時に前記エピタキシャル成長層形成工程におけるエピタキシャル成長層形成の圧力、温度条件に調整することが困難である。したがって、前記エピタキシャル成長層形成工程における圧力、温度に応じて、前記水素エッチング工程の圧力、温度を調整しておき、前記水素エッチング工程−前記エピタキシャル成長層形成工程間の移行時は、使用ガスの流量を制御することが好ましい。
【００２５】
＜エピタキシャル成長層形成工程＞
前記エピタキシャル成長層形成工程は、原料ガスを導入して前記水素エッチング後の前記基板表面上にエピタキシャル成長層を形成する工程である。
【００２６】
前記原料ガスとしては、キャリアガスとしての水素ガス、Ｓｉ源としてのシランガス、Ｃ源としてのプロパンガス（Ｃ３Ｈ８）の混合ガスが挙げられる。ただし、前記原料ガスとしては、これらに限られず、他のガスから選択してもよい。
【００２７】
前記原料ガスとして、前記水素ガス、前記シランガス、前記プロパンガスを用いる場合、前記水素ガスの流量としては、５０ｓｌｍ〜３００ｓｌｍが好ましい。前記水素ガスの流量が５０ｓｌｍ未満であると前記エピタキシャル成長層の品質が著しく悪化することがあり、３００ｓｌｍを超えると炭化珪素エピタキシャルウエハ製造装置の安全性の確保が困難になることがある。
また、前記シランガスの流量としては、２ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍが好ましい。前記流量が２ｓｃｃｍ未満であると成長速度が遅いため効率的な製造が困難になることがあり、１００ｓｃｃｍを超えるとシリコンの析出による前記エピタキシャル成長層の品質が低下することがある。
また、前記プロパンガスの流量としては、２ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍが好ましい。前記流量が２ｓｃｃｍ未満であると成長速度が遅いため効率的な製造が困難になることがあり、１００ｓｃｃｍを超えるとステップ制御エピタキシーでの前記エピタキシャル成長層の形成が困難になることがある。
【００２８】
前記水素エッチング工程から前記エピタキシャル成長層形成工程への移行は、瞬時に行われることが好ましい。前記水素エッチング工程から前記エピタキシャル成長層形成工程への移行を緩やかに行うと、前記エピタキシャル成長層形成の最適条件に至る前に形成された前記エピタキシャル成長層に積層欠陥や三角欠陥など、前記エピタキシャル成長層形成工程を原因とする欠陥が生じるおそれがある。
したがって、前記水素エッチング工程における前記エッチングガスの導入停止と略同時に、前記エピタキシャル成長層形成工程における原料ガスの導入を開始するか、又は、前記エッチングガスの導入を継続した状態で、前記エッチングガスで不足するエピタキシャル成長層の形成に必要なガスを前記原料ガスとして追加導入することとして、前記水素エッチング工程及び前記エピタキシャル成長層形成工程を連続的に実施し、これら工程間の移行を瞬時に行うことが好ましい。なお、後者の実施方法において、例えば、前記エッチングガスとして、前記水素ガス、前記シランガスを用い、前記原料ガスとして前記水素ガス、前記シランガス、前記プロパンガスを用いる場合、前記エッチングガスで不足するガス成分である前記プロパンガスを追加導入し、前記エッチングガスで導入する前記水素、前記シランガスの流量に前記原料ガスとしての不足量があれば、これら不足量を追加導入すればよい。また、前記移行は、ガス導入経路を前記エッチングガス用の導入経路と前記原料ガス用の導入経路の２系統に分けることで、瞬時に行うことができる。
【００２９】
前記エピタキシャル成長層形成工程における温度条件としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、１，４００℃〜１，７５０  ℃程度であるが、前記水素エッチング工程から前記エピタキシャル成長層形成工程への移行を瞬時に行う観点から、前記水素エッチング工程における温度条件と同じ温度条件であることが好ましい。
【００３０】
前記エピタキシャル成長層形成工程における圧力条件としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、１ｋＰａ〜１００ｋＰａ程度であるが、前記水素エッチング工程から前記エピタキシャル成長層形成工程への移行を瞬時に行う観点から、前記水素エッチング工程における圧力条件と同じ圧力条件であることが好ましい。
【００３１】
＜その他の工程＞
前記その他の工程としては、本発明の効果を損なわない限り、特に制限はなく、目的に応じて、公知の炭化珪素エピタキシャルウエハの製造に際し、実施される各種製造工程から適宜選択することができる。
以上に説明した前記炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法は、以下に説明する本発明の炭化珪素エピタキシャルウエハの製造装置により、好適に実施することができる。
【００３２】
（炭化珪素エピタキシャルウエハの製造装置）
本発明の前記炭化珪素エピタキシャルウエハの製造装置は、少なくとも、排出弁を介して炉内の圧力を調整可能とするガス排出口、前記炉内の温度を昇温可能とする加熱部、一の導入弁を介して前記炉内にエッチングガスを導入可能とするエッチングガス導入口、他の導入弁を介して前記炉内に原料ガスを導入可能とする原料ガス導入口、及び前記炉内に前記炭化珪素基板を設置する設置部を有する反応炉と、前記エッチングガス導入口に接続されるエッチングガス導入管と、前記原料ガス導入口に接続される原料ガス導入管と、を有し、必要に応じて、その他の構成を有する。
【００３３】
前記炭化珪素エピタキシャルウエハの製造装置では、前記水素エッチング工程から前記エピタキシャル成長層形成工程への移行を瞬時に行う観点から、前記エッチングガス導入管と、前記原料ガス導入管との２系統のガス導入管が配される。即ち、前記水素エッチング工程から前記エピタキシャル成長層形成工程への移行に際し、前記エッチングガス導入管から前記反応炉内に前記エッチングガスの導入を停止するのと略同時に、前記原料ガス導入管から前記反応炉内に前記原料ガスの導入を開始するか、又は、前記エッチングガス導入管からの前記エッチングガスの導入を継続した状態で、前記エッチングガスで不足するエピタキシャル成長層の形成に必要なガスを前記原料ガスとして前記原料ガス導入管から追加導入するように、前記エッチングガス導入口及び前記原料ガス導入口における各弁の開閉を瞬時に切り替え可能とされる。
【００３４】
前記エッチングガス導入管及び前記原料ガス導入管としては、先端側が前記反応炉に接続され、基端側が導入ガス種に応じて導入経路が分岐される構造とされ、各分岐位置には、前記各導入ガスの流量を制御するマスフローコントローラ（ＭＦＣ）が配されることが好ましい。
【００３５】
前記炭化珪素エピタキシャルウエハの製造装置の各部は、公知の気相化学成長装置の構造に準じて形成することができる。
また、前記その他の構成としては、特に制限はなく、目的に応じて、公知の気相化学成長装置に用いられる構成を適宜選択することができる。
【００３６】
（炭化珪素半導体素子）
前記炭化珪素半導体素子は、少なくとも、本発明の前記炭化珪素エピタキシャルウエハを有し、目的とする半導体素子の素子構造に応じて、その他の構造を有する。
【００３７】
前記半導体素子としては、前記炭化珪素エピタキシャルウエハを有する限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、ショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ−Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ＪＦＥＴ（Ｊｕｎｃｔｉｏｎ  Ｆｉｅｌｄ−Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ｐｎダイオード、ｐｉｎダイオード、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ−Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ）、トレンチＭＯＳＦＥＴ等が挙げられる。
【００３８】
前記その他の構造としては、特に制限はなく、前記半導体素子の素子構造に応じて、公知の構造から適宜選択することができる。
【実施例】
【００３９】
（実施例１）
α型の結晶構造を有する炭化珪素基板として代表的な４Ｈの結晶構造を有する炭化珪素基板を用意した。この炭化珪素基板は、（０００１）Ｓｉ面を＜１１−２０＞方向へ０．９°傾斜させた基板表面を有している。
この炭化珪素基板を、図２に示す炭化珪素エピタキシャルウエハ製造装置１における反応炉２内に設置して、以下のように実施例１に係る炭化珪素エピタキシャルウエハを製造した。なお、図２は、炭化珪素エピタキシャルウエハ製造装置１の概略構成を示す説明図である。
【００４０】
ここで、炭化珪素エピタキシャル製造装置１は、気相化学成長装置として、排出弁を介して炉内の圧力を調整可能とするガス排出口、前記炉内の温度を昇温可能とする加熱部、一の導入弁を介して前記炉内にエッチングガスを導入可能とするエッチングガス導入口、他の導入弁を介して前記炉内に原料ガスを導入可能とする原料ガス導入口、及び前記炉内に前記炭化珪素基板を設置する設置部を有する反応炉２と、前記エッチングガス導入口と接続されるエッチングガス導入管３Ａと、前記原料ガス導入口と接続される原料ガス導入管３Ｂとを有する。エッチングガス導入管３Ａ及び原料ガス導入管３Ｂのそれぞれは、先端側が反応炉２に接続され、基端側が導入ガスに応じて２つに分岐された構造とされ、各分岐位置には、ガスの流量を制御するマスフローコントローラ（ＭＦＣ）が配される。
【００４１】
＜水素エッチング工程＞
エッチングガス導入管３Ａから反応炉２内に水素ガスを３０ｓｌｍの流量で導入した状態で、反応炉２内の圧力を１０ｋＰａに保持し、前記加熱部（ここでは、高周波誘導加熱部）による加熱により、前記炭化珪素基板を１，５００℃まで加熱した。次いで、エピタキシャル成長層形成用原料ガスでもあるシランを３．５ｓｃｃｍの流量で導入した状態で、前記炭化珪素基板を１，６６０℃まで加熱し、この状態での水素エッチングを１分間行った。
【００４２】
＜エピタキシャル成長層形成工程＞
次いで、エッチングガス導入管３Ａから反応炉２へのガス導入を止めると同時に、原料ガス導入管３Ｂから反応炉２に対して、水素を１００ｓｌｍ、シランを５０ｓｃｃｍ、プロパンを１２ｓｃｃｍの各流量で導入し、前記炭化珪素基板の基板表面上にエピタキシャル成長層を厚み１０μｍで形成した。
以上により、実施例１に係る炭化珪素エピタキシャルウエハを製造した。
【００４３】
（比較例１）
また、実施例１の水素エッチング工程において、水素流量を３０ｓｌｍから１００ｓｌｍに変更したこと以外は同様にして、比較例１に係る炭化珪素エピタキシャルウエハを製造した。
【００４４】
＜測定＞
実施例１の水素エッチング工程と同じ条件で、水素エッチング工程を実施して、観察用基板を作製した。
【００４５】
また、比較例１の水素エッチング工程と同じ条件で、水素エッチング工程を実施して、比較用観察用基板を作製した。
【００４６】
−ＧＢＳ密度の測定−
実施例１の水素エッチング工程の条件に基づいて作製した観察用基板と、比較例１の水素エッチング工程の条件に基づいて作製した比較用観察用基板に対し、これらの基板表面を共焦点顕微鏡で撮影し、ＧＳＢ密度の観察を行った。
図３に、実施例１の水素エッチング工程の条件に基づいて作製した観察用基板の基板表面を撮影した共焦点顕微鏡像を示し、図４に、実施例１の水素エッチング工程の条件に基づいて作製した観察用基板の基板表面を撮影した共焦点顕微鏡像から観察されるＧＳＢの長さ分布を示す。
また、図５に、比較例１の水素エッチング工程の条件に基づいて作製した比較用観察用基板の基板表面を撮影した共焦点顕微鏡像を示し、図６に、比較例１の水素エッチング工程の条件に基づいて作製した比較用観察用基板の基板表面を撮影した共焦点顕微鏡像から観察されるＧＳＢの長さ分布を示す。
図３及び図５に示すように、実施例１の水素エッチング工程の条件に基づいて作製した観察用基板においては、ＧＳＢがほとんど確認されないのに対し、比較例１の水素エッチング工程の条件に基づいて作製した比較用観察用基板においては、ＧＳＢが多数確認される。
また、図４及び図６に示すように、比較例１の水素エッチング工程の条件に基づいて作製した比較用観察用基板に存在するＧＳＢの長さよりも、実施例１の水素エッチング工程の条件に基づいて作製した観察用基板に存在するＧＳＢの長さの方が短くなっている。
また、前記ＧＳＢ密度の観察を行った結果、実施例１の水素エッチング工程の条件に基づいて作製した観察用基板のＧＳＢ密度は、１６個／ｃｍ２であり、比較例１の水素エッチング工程の条件に基づいて作製した比較用観察用基板のＧＳＢ密度は、約２００個／ｃｍ２であった。
また、図７に実施例１に係る炭化珪素エピタキシャルウエハの水素エッチング工程の条件に基づいて作製した観察用基板の基板表面におけるＧＳＢを撮影したＡＦＭ像及びその断面プロファイルを示す。なお、図７中の上側がＡＦＭ像を示し、下側がＡＦＭ像に対応する位置での前記基板表面の部分的な断面プロファイルを示す。該図７では、ＧＳＢの突出した形状を確認することができる。
【００４７】
−エッチング深さの測定−
前記炭化珪素基板の正確なエッチング深さを直接的に測定することは、該エッチング深さが極めて浅いことから困難である。ここでは、前記炭化珪素基板と同じ結晶構造を有する前記エピタキシャル成長層に対するエッチング速度が、前記炭化珪素基板に対するエッチング速度と同じであることを利用して、次のようにエッチング深さを測定した。
即ち、先ず、実施例１に係る炭化珪素エピタキシャルウエハの厚みをフーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ−ＩＲ）を用いて測定した。
次いで、実施例１に係る炭化珪素エピタキシャルウエハの前記エピタキシャル成長層に対して、エッチング時間以外は、実施例１における水素エッチングと同じ条件で水素エッチングを行った。ここで、前記水素エッチング時間は、前記エピタキシャル成長層の厚みの変化を大きくし、測定誤差を少なくする観点から、６０分間とした。
次いで、前記水素エッチング後の実施例１に係る炭化珪素エピタキシャルウエハの厚みを前記ＦＴ−ＩＲを用いて測定し、前記水素エッチング前後における実施例１に係る炭化珪素エピタキシャルウエハの厚みの差を算出した。
そして、前記算出された厚みの差である、総エッチング深さをもとに、実施例１におけるエッチング時間で換算した前記エッチング深さを算出した。即ち、実施例１におけるエッチング時間は、１分間であるので、前記総エッチング深さの１／６０を実施例１における前記エッチング深さとして算出した。
また、比較例１に係る炭化珪素エピタキシャルウエハについても、同様に、前記エッチング深さを算出した。
【００４８】
これらの算出を行った結果、実施例１における炭化珪素エピタキシャルウエハの前記エッチング深さは、１ｎｍであった。また、比較例１における炭化珪素エピタキシャルウエハの前記エッチング深さは、４ｎｍであった。
【００４９】
（実施例２、比較例２，３）
実施例１の水素エッチング工程における水素流量、シラン導入後の基板加熱温度、及び圧力を下記表１に示すように変更したこと以外は、実施例１と同様にして、実施例２及び比較例２，３に係る炭化珪素エピタキシャルウエハを製造した。
また、実施例１と同様にして測定した、エッチング深さ及びＧＳＢ密度を下記表１に併せて示す。
【００５０】
【表１】
2014189436.tif 000003
【００５１】
この表２に示すように、エッチング深さが１ｎｍ以下である条件で、水素エッチング工程を実施した場合、ＢＰＤ起因のＧＳＢ密度を２０個／ｃｍ２以下とすることができている。
一方、エッチング深さが１ｎｍを超える条件で、水素エッチング工程を実施した場合、ＢＰＤ起因のＧＳＢ密度が２０個／ｃｍ２を大きく超える数値を示した。
【００５２】
ここで、エッチング深さと、ＢＰＤ起因のＧＳＢ密度の関係について説明する。図８（ａ）に、実施例１、２及び比較例１〜３に係る各炭化珪素エピタキシャルウエハにおける、エッチング深さに対応するＢＰＤ起因のＧＳＢ密度をプロットしたグラフを示す。また、図８（ｂ）に、水素エッチング工程における水素流量、基板加熱温度及び圧力と、エッチング深さの関係を示すグラフを示す。
これらの結果から、ＢＰＤ起因のＧＳＢ密度を２０個／ｃｍ２以下に抑えるためには、エッチング深さを１ｎｍ以下とする必要があることが確認される。また、エッチング深さを１ｎｍ以下に抑えるためには、水素エッチング工程における水素流量、基板加熱温度、圧力の各条件を適宜調整すればよい。
【００５３】
（実施例３）
図９に示すＭＯＳキャパシタの素子構造を有する実施例３に係る炭化珪素半導体素子を製造した。該図９は、ＭＯＳキャパシタの素子構造の概略構成を示す断面図である。ここで、符号１１は、炭化珪素エピタキシャルウエハを示し、符号１２は、炭化珪素基板を示し、符号１３は、エピタキシャル成長層を示し、符号１４は、二酸化珪素層を示し、符号１５Ａ，１５Ｂは、上部電極を示し、符号１６は、下部電極を示す。
先ず、炭化珪素エピタキシャルウエハ１１として、実施例１における製造条件に準じて製造された、ＢＰＤ起因のＧＳＢに基づくエピタキシャル成長層の表面欠陥密度が１６個／ｃｍ２である炭化珪素エピタキシャルウエハを用意した。
この炭化珪素エピタキシャルウエハ１１のエピタキシャル成長層１３の表面を１，２００℃・Ｏ２雰囲気で熱酸化により酸化させて、二酸化珪素層１４とした。なお、この時の二酸化珪素１４の厚みは、５０ｎｍとした。
また、二酸化珪素層１４上に蒸着法により、Ａｌの上部電極１５Ａ，１５Ｂを形成した。
また、炭化珪素エピタキシャルウエハ１１の炭化珪素基板１２側の面上に蒸着法により、Ａｌの下部電極１６を形成した。
これにより、ＭＯＳキャパシタの素子構造を有する実施例３に係る炭化珪素半導体素子を製造した。
【００５４】
（比較例４）
図９における炭化珪素エピタキシャルウエハ１１として、ＢＰＤ起因のＧＳＢに基づくエピタキシャル成長層の表面欠陥密度が２０個／ｃｍ２である炭化珪素エピタキシャルウエハに代えて、同密度が２００個／ｃｍ２である炭化珪素エピタキシャルウエハを用いたこと以外は、実施例３と同様にして、比較例４に係る炭化珪素半導体素子を製造した。
【００５５】
なお、炭化珪素エピタキシャルウエハ１１からの炭化珪素基板１２上のＧＳＢに基づくエピタキシャル成長層１３の表面欠陥密度の測定は、ＧＳＢが高さ５ｎｍ以上、長さ１ｍｍ以下の突出形状であるため、エピタキシャル成長層１３の表面に対して、ＡＦＭによる表面モフォロジーの測定を行い、高さ５ｎｍ以上、長さ１ｍｍ以下の突出した表面欠陥を確認することで行った。また、ＢＰＤ起因であるか否かの測定は、Ｘ線トポグラフにより結晶構造を確認して行った。
【００５６】
＜経時絶縁破壊評価＞
実施例３及び比較例４に係る各炭化珪素半導体素子に対し、定電流ストレス試験による経時絶縁破壊評価を行った。
即ち、図９で示す上部電極１５Ａ，１５Ｂ−下部電極１６間に電界を印加して、電流密度が０．４５ｍＡ／ｃｍ２のストレス電流を二酸化珪素層１４が絶縁破壊するまで流し続け、二酸化珪素層１４を通過するリーク電流から導出される電荷密度の総和が０．３Ｃ／ｃｍ２以下の段階で絶縁破壊を生じたものを不良品とし、０．３Ｃ／ｃｍ２を超えた段階で絶縁破壊を生じたものを良品とする評価を行った。
なお、この経時絶縁破壊評価に際し、実施例３及び比較例４に係る各炭化珪素半導体素子を、それぞれ５０個ずつ製造し、評価に供した。
以上の経時絶縁破壊評価において、比較例４に係る炭化珪素半導体素子では、不良品の割合が約３０％であるのに対し、実施例３に係る炭化珪素半導体素子では、不良品の割合が約１０％に留まった。
また、実施例３及び比較例４と同様の手順で作製した二酸化珪素層を有するＭＯＳＦＥＴを作製し、同様に継時絶縁破壊評価を行った。不良品割合について同様の結果が得られた。
この結果から、ＢＰＤ起因のＧＳＢに基づくエピタキシャル成長層の表面欠陥密度を低減させることにより、炭化珪素半導体素子、特に該エピタキシャル成長層上に酸化膜を有する炭化珪素半導体素子の信頼性を向上させることができる。
【符号の説明】
【００５７】
１        エピタキシャルウエハ製造装置
２        反応炉
３Ａ      エッチングガス導入管
３Ｂ      原料ガス導入管
１１      炭化珪素エピタキシャルウエハ
１２      炭化珪素基板
１３      エピタキシャル成長層
１４      二酸化珪素層
１５Ａ，１５Ｂ  上部電極
１６      下部電極
【図１】
2014189436.tif 000004
【図２】
2014189436.tif 000005
【図３】
2014189436.tif 000006
【図４】
2014189436.tif 000007
【図５】
2014189436.tif 000008
【図６】
2014189436.tif 000009
【図７】
2014189436.tif 000010
【図８（ａ）】
2014189436.tif 000011
【図８（ｂ）】
2014189436.tif 000012
【図９】
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