(57)【要約】【課題】信頼性の高い光電変換装置となる製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の一実施形態に係る光電変換装置の製造方法では、ガラス基板１上に電極層２を形成する電極層形成工程と、電極層２の一部をガラス基板１が露出するように除去して隙間部Ｐ１を形成する隙間部形成工程とを備える。さらに、本実施形態では、隙間部Ｐ１に水蒸気Ｍを供給して隙間部Ｐ１における前記ガラス基板１上に水蒸気Ｍを凝結させて水分層ＭＬを形成する水分層形成工程と、電極層２上および水分層ＭＬ上に光電変換層を形成する光電変換層形成工程とを備えている。【選択図】  図１
2014090134.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上に電極層を形成する電極層形成工程と、
前記電極層の一部を前記ガラス基板が露出するように除去して隙間部を形成する隙間部形成工程と、
前記隙間部に水蒸気を供給して前記隙間部における前記ガラス基板上に前記水蒸気を凝結させて水分層を形成する水分層形成工程と、
前記電極層上および前記水分層上に光電変換層を形成する光電変換層形成工程とを備えた光電変換装置の製造方法。
【請求項２】
前記水分層形成工程は、前記水蒸気を前記電極層上に供給して前記電極層上に前記水蒸気を凝結させて水分層を形成する電極層水分層形成工程をさらに含む、請求項１に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項３】
前記水分層形成工程の前に、前記隙間部にクリーニング部材を連続的に接触させて、該隙間部における前記ガラス基板上をクリーニングするクリーニング工程をさらに備える、請求項１または請求項２に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項４】
前記光電変換層形成工程は、前記電極層上および前記水分層上に前記光電変換層の原料を含む原料溶液を塗布して皮膜を形成した後、該皮膜を熱処理することによって前記光電変換層を形成する、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の光電変換装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光電変換装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光電変換装置は、様々な種類のものがあるが、ＣＩＳ系（銅インジウムセレナイド系）、ＣＩＧＳ系に代表されるカルコパイライト系光電変換セルは比較的低コストで大面積化が容易なことから、研究開発が進められている。
【０００３】
このような光電変換セルのうち、ＣＩＧＳ系のものは、例えば、以下のように製造される。まず、ガラス基板上にモリブデンなどの金属を成膜して電極層を形成する。次に、この電極層をレーザなどでスクライブして、分離溝を形成することによって短冊状に分離する。次いで、この電極層上にＣＩＧＳ系の化合物半導体からなる光吸収層を形成している。この光吸収層の形成方法としては、銅およびインジウム、ガリウム化合物を堆積して前駆体層を形成し、この前駆体層にセレン化水素（Ｈ２Ｓｅ）ガスまたはガス状のセレンを供給して結晶化を進行させることによって行なわれる（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−４９３５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、光電変換層の一部である光吸収層の形成工程において、分離溝から露出する基板上に前駆体層の一部が配されるが、当該基板との密着性が小さい。これは、レーザで分離溝を設ける際に、基板表面に形成された傷が形成されるため、前駆体層と基板との間に小さな気泡ができることによるものと推察される。このように、前駆体層と基板との密着性が小さい場合、光吸収層が基板から剥離する可能性が高くなる。
【０００６】
本発明の１つの目的は、分離溝から露出する基板部分からの光電変換層の剥離を低減し、信頼性の高い光電変換装置となる製造方法を提供することである。 
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態に係る光電変換装置の製造方法では、ガラス基板上に電極層を形成する電極層形成工程と、前記電極層の一部を前記ガラス基板が露出するように除去して隙間部を形成する隙間部形成工程とを備える。さらに、本実施形態では、前記隙間部に水蒸気を供給して前記隙間部における前記ガラス基板上に前記水蒸気を凝結させて水分層を形成する水分層形成工程と、前記電極層上および前記水分層上に光電変換層を形成する光電変換層形成工程とを備えている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一実施形態に係る光電変換装置の製造方法では、隙間部から露出する基板部分からの光電変換層の剥離を低減することができるため、信頼性の高い光電変換装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係る光電変換装置の製造方法で製造された光電変換装置の一例を示す斜視図である。
【図２】図１の光電変換セルの断面図である。
【図３】本発明の光電変換装置の製造方法の一実施形態を示す断面図である。
【図４】水蒸気の供給装置の一例を示す模式図である。
【図５】乾式洗浄装置の一例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の光電変換装置の製造方法の実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、図面には、光電変換セル１０の配列方向（図１の図面視左右方向）をＸ軸とする右手系のＸＹＺ座標が付しているものがある。まず、本発明の実施形態で製造される光電変換装置の一例について説明する。
【００１１】
＜光電変換装置＞
光電変換装置Ｌは、図１、図２に示すように、光電変換セル１０が複数並べて形成されている。この光電変換セル１０は、基板１と、下部電極となる電極層２と、光吸収層３と、バッファ層４と、上部電極５と、集電電極６と、接続電極７とを備えている。
【００１２】
なお、本実施形態においては、光吸収層３とこれにヘテロ接合されたバッファ層４とを具備した光電変換層の例を示しているが、これに限定されるものではない。例えば、異なる導電型の半導体層がホモ接合された光電変換層であってもよい。
【００１３】
光電変換セル１０は、光吸収層３およびバッファ層４をまたがるように設けられた接続導体７によって、上部電極５と、隣接する光電変換セル１０の電極層２が延出された部位とが電気的に接続されている。換言すれば、接続導体７は、一方の光電変換セル１０の上部電極５と、他方の光電変換セル１０の電極層２とを電気的に接続している。これにより、隣接する光電変換セル１０同士は、図１中のＸ方向に沿って直列接続され、集積化されている。
【００１４】
なお、一つの光電変換セル１０内において、接続導体７は光吸収層３およびバッファ層４をまたがるように設けられており、上部電極５と電極層２とで挟まれた光吸収層３とバッファ層４とで光電変換が行なわれる。
【００１５】
基板１は、光吸収層３等を支持するためのものである。このような基板１としては、例えばソーダライムガラス（ＳＬＧ）やホウケイ酸ガラスなどの平板状のガラス基板を用いることができる。
【００１６】
電極層２は、一方向（図１および図２中のＸ方向）に互いに間隔をあけて基板１の一主面上に配置されている。なお、本実施形態では、図２において、上記間隔に対応する隙間部（以下、分離溝Ｐ１とする）によって互いに離間した３つの電極層２が設けられている。このような電極層２は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）または金（Ａｕ）等の金属またはこれらの合金や金属積層構造体が用いられる。この電極層２は、基板１上にスパッタリング法または蒸着法等で厚さ０．２〜１μｍ程度に形成される。
【００１７】
電極層２上および分離溝Ｐ１上に、光電変換層の一部である光吸収層３が形成される。光吸収層３は、例えばｐ形の導電形を有する厚さ１〜３μｍ程度の薄膜である。本発明に係る光吸収層３の一例は、カルコゲン化合物半導体を含んでいる。カルコゲン化合物半導体とは、カルコゲン元素である硫黄（Ｓ）、セレン（Ｓｅ）またはテルル（Ｔｅ）を含む化合物半導体である。例えば、カルコゲン化合物半導体としては、例えば、Ｉ-III-VI化
合物半導体がある。I-III-VI化合物半導体とは、Ｉ-Ｂ族元素（１１族元素ともいう）とIII-Ｂ族元素（１３族元素ともいう）とVI-Ｂ族元素（１６族元素ともいう）との化合物半導体であり、カルコパイライト構造を有し、カルコパイライト系化合物半導体と呼ばれる（ＣＩＳ系化合物半導体ともいう）。
【００１８】
I-III-VI化合物半導体としては、例えば、二セレン化銅インジウム（ＣｕＩｎＳｅ２）、二セレン化銅インジウム・ガリウム（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２）、二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）２）、二イオウ化銅インジウム・ガリウム（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ２）または薄膜の二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム層を表面層として有する二セレン化銅インジウム・ガリウム等の多元化合物半導体薄膜がある。
【００１９】
光吸収層３上に、その表面にヘテロ接合を形成するためのバッファ層４が形成されている。バッファ層４としては、例えば、硫化カドミウム（ＣｄＳ）または硫化インジウム（ＩｎＳ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）等の混晶化合物半導体がある。
【００２０】
上部電極５は、いわゆる窓層と呼ばれるものを含み、例えばｎ形の導電形を有する禁制帯幅が広く且つ透明で低抵抗の厚さ１〜２μｍ程度の酸化亜鉛（ＺｎＯ）やアルミニウムやボロン、ガリウム、インジウム、フッ素などを含んだ酸化亜鉛との化合物、錫を含んだ酸化インジウム（ＩＴＯ）や酸化錫（ＳｎＯ２）などからなる金属酸化物半導体薄膜である。窓層は光電変換セル１０を構成する一方の電極として見なすことができるため、本実施形態では上部電極５とみなしている。上部電極５は、このような窓層に加えてさらに透明導電膜を形成してもよい。
【００２１】
接続導体７は、光吸収層３およびバッファ層４を貫通し、隣り合う光電変換セル同士において、一方の光電変換セル１０の上部電極５と他方の光電変換セル１０の電極層２とを電気的に接続するものである。接続導体７は、上部電極５と同じ材料であってもよく、金属ペーストを固化したものであってもよい。なお、固化というのは、金属ペーストに用いるバインダーが熱可塑性樹脂である場合の熔融後の固化状態を含み、バインダーが熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂等の硬化性樹脂である場合の硬化後の状態をも含む。接続信頼性を高めるという観点からは、Ａｇ等の金属粉を樹脂バインダー等に分散させた金属ペーストを用いるほうがよい。
【００２２】
また、上部電極５上には、本実施形態のように集電電極６を設けてもよい。集電電極６は、例えば、図１、図２に示すように、光電変換セル１０の一端から接続導体７にわたって線状に形成されている。これにより、光吸収層３およびバッファ層４からなる光電変換層の光電変換により生じた電荷を、上部電極５を介して集電電極６で集電できる。そして、集電された電荷は、接続導体７を介して隣接する光電変換セル１０に良好に導電される。よって、本実施形態では、上部電極５を薄くしても光吸収層３で発生した電荷を効率よく取り出すことができる。
【００２３】
集電電極６は、例えば、Ａｇ等の金属粉を樹脂バインダー等に分散させた金属ペーストをパターン状に印刷し、これを乾燥し、固化することによって形成することができる。
【００２４】
＜光電変換装置の製造方法＞
次に、本発明の光電変換装置の製造方法の一実施形態について図３を用いて説明する。
【００２５】
まず、ソーダライムガラス製の基板１を用意する。基板１の大きさは、例えば縦５０〜１００ｃｍ、横１００〜２００ｃｍ程度、厚さ３〜５ｍｍ程度である。
【００２６】
次に、図３（ａ）に示すように、基板１を洗浄した後、その一主面に電極層２となるＭｏ層等をスパッタリング法などで成膜する（電極層形成工程）。
【００２７】
次いで、この電極層２にＹＡＧ（イットリウム、アルミニウム、ガーネット）レーザを照射して、電極層２の一部を基板１の一部が露出するように除去して、幅１０〜１００μｍ程度の隙間部に相当する分離溝Ｐ１を形成する（隙間部形成工程）。これにより、複数の短冊状の電極層２が形成される。この短冊状の電極層２の幅は、例えば、３〜１５ｍｍ程度である。
【００２８】
次に、分離溝Ｐ１に水蒸気Ｍを供給して、分離溝Ｐ１における基板１上に水蒸気Ｍを凝結させて水分層ＭＬを形成する（水分層形成工程）。ここで、水蒸気Ｍを供給して水分層ＭＬを形成する工程について図４を参照しつつ説明する。水分層形成工程は、図４に示した水蒸気供給装置ＭＡが用いられる。
【００２９】
水蒸気供給装置ＭＡは、図４に示すように、例えば、作業テーブル１１、駆動シャフト１２、サーボモーター１３、保持容器１４、導出管１５、電磁弁１６、供給管１７および供給ノズル１８を備えている。
【００３０】
作業テーブル１１は、例えば、厚さ１０〜３０ｍｍ程度のステンレスで構成されている。また、作業テーブル１１の大きさは、基板１より１０〜５０ｍｍ程度大きければよい。作業テーブル１１の基板１を載置する部分には、直径０．５〜２ｍｍ程度の貫通孔を複数設けてもよい。これにより、真空ポンプなどによりこの貫通孔の内部を減圧することによって、作業テーブル１１上で基板１を精度よく固定できる。また、作業テーブル１１は、シーケンサーなどで制御されたサーボモーター１３および駆動シャフト１２により、Ｘ−Ｙ方向に移動できるようになっている。
【００３１】
水蒸気Ｍは、ボイラーなどの水蒸気発生装置（図示なし）から水蒸気Ｍの供給管１７を通って保持容器１４の内部に所定の圧力で保持される。保持容器１４は、例えば、直径５〜１０ｃｍ程度のステンレスで作製された円柱状の密閉容器である。この保持容器１４の下部には、導出管１５が接続されている。導出管１５は、直径０．５〜１ｃｍ程度のステンレス製で、一端部は保持容器１４の内部につながっており、他端部には供給ノズル１８が取り付けられている。さらに、保持容器１４と供給ノズル１８の間に位置する導出管１５には、電磁弁１６が取り付けられている。導出管１５に取り付けられた供給ノズル１８は、例えば、分離溝Ｐ１の位置に合わせて作業テーブル１１の直上に複数配置されてもよい。
【００３２】
次に、水蒸気供給装置ＭＡを用いた水分層形成工程を説明する。まず、分離溝Ｐ１が形成された基板１を作業テーブル１１の上に載置して固定する。次いで、電磁弁１６を開状態にして、保持容器１４の内部に保持された水蒸気Ｍを供給ノズル１８から噴射して、基板１の分離溝Ｐ１上に供給する。このとき、分離溝Ｐ１上に供給される水蒸気Ｍの温度は、１００〜１２０℃であればよい。また、供給ノズル１８から噴射される際の水蒸気Ｍの圧力は、２×１０５〜５×１０５Ｐａ程度であればよい。そして、水蒸気Ｍを噴射させながら作業テーブル１１を所定方向に移動させることによって、分離溝Ｐ１の略全域に水蒸気Ｍを供給する。これにより、水蒸気Ｍが供給された部位のうち、水蒸気Ｍが凝結した部分において図３（ａ）に示された水分層ＭＬが形成される。次いで、作業テーブル１１を停止させた後、電磁弁１６を閉状態にして水蒸気Ｍの供給を停止する。
【００３３】
この水分層形成工程では、隙間部形成工程のレーザ照射時などで生じた基板１の表面に存在する微細なクラック等の内部に水分層ＭＬを入り込ませることができる。これにより、分離溝Ｐ１が形成された部位で露出する基板１と光吸収層３の前駆体層との密着性が高まる。その結果、基板１と前駆体層との間で気泡が発生しにくくなるため、前駆体層の熱処理後に形成される光吸収層３の基板１に対する密着性を高めることができる。
【００３４】
また、水分層形成工程では、水蒸気Ｍを電極層２上にも供給して、電極層２上においても水蒸気Ｍを凝結させて水分層ＭＬを形成する電極層水分層形成工程を含んでいてもよい。これにより、電極層２の表面に電極層２の酸化層を生成できる。このような酸化層としては、例えば、電極層２にモリブデンを用いた場合、酸化モリブデン（ＭｏＯ３など）が挙げられる。この酸化モリブデンは、基板１がナトリウム（Ｎａ）を含有している材質で構成されている場合、このナトリウムを蓄えることができるため、光吸収層３の前駆体層にナトリウムを供給できるようになる。これにより、光吸収層３をカルコパイライト系の化合物半導体で形成する場合、熱処理時に当該化合物半導体の粒成長が促進され、光電変換装置の光電変換効率を向上させることができる。なお、電極層水分層形成工程は、例えば、導出管１５に取り付けられた供給ノズル１８を増やした水蒸気供給装置ＭＡを用いればよい。
【００３５】
また、本実施形態では、水分層形成工程の前に、分離溝Ｐ１にクリーニング部材を連続的に接触させて、分離溝Ｐ１における基板１上を乾式洗浄するクリーニング工程をさらに備えていてもよい。このクリーニング工程について図５を参照しつつ説明する。
【００３６】
乾式洗浄工程の１つであるクリーニング工程には、クリーニング装置ＣＡが用いられる。クリーニング装置ＣＡは、図５に示すように、回転ローラー２１およびクリーニング部材２２を有している。
【００３７】
回転ローラー２１は、例えば直径１０〜３０ｃｍ程度の円柱状で、ステンレスなどの金属やポリプロピレンなどの樹脂で作製されている。回転ローラー２１は、ベルトおよびギヤ等でモーターにつながっており、回転可能な構造となっている。また、回転ローラー２１の表面には、クリーニング部材２２が固定されている。このクリーニング部材２２は、例えば、ネジ、接着剤または嵌め込み等で回転ローラー２１に固定されている。
【００３８】
クリーニング部材２２は、例えば、発泡ポリウレタン等のスポンジ状の樹脂、ナイロンアクリル、木綿、絹などを糸状、紐状または布状に構成したものであってもよい。次に、クリーニング工程について説明する。まず、分離溝Ｐ１が形成された基板１を、作業テーブル１１の上に載置して固定する。次いで、クリーニング部材２２が、基板１の一端側の表面に接触する位置に回転ローラー２１を配置してから、回転ローラー２１を毎分約５０〜２００回転させつつ、基板１の他端部に向けて回転ローラー２１を移動させる。
【００３９】
このようなクリーニング工程では、分離溝Ｐ１に露出する基板１上を洗浄することができる。これにより、分離溝Ｐ１の形成時に発生した加工屑などを基板１上から除去することができる。これにより、分離溝Ｐ１における基板１上に配される光吸収層３の剥離等の不具合を低減できる。さらに、このクリーニング工程を水分層形成工程の前に行うことによって、クリーニング工程において分離溝Ｐ１における基板１の表面に微細なクラック等が形成されたとしても、当該クラックを水分層ＭＬの水分で埋めることができる。また、このクリーニング工程は、多量の純水を使用するような湿式洗浄ではなく、乾式洗浄であることから、排水処理設備等を設ける際に発生するコストを削減できる。
【００４０】
次に、図３（ｂ）に示すように、電極層２上及び水分層ＭＬ上に光吸収層３となるＩ−III−VI族化合物を含む前駆体層の膜をスパッタリング法、蒸着法または塗布法などを用
いて成膜する。スパッタリング法では、Ｃｕ−Ｇａ合金ターゲットを用いてＤＣマグネトロンスパッタを行なって基板１上にＣｕ−Ｇａ層を形成する。次に、Ｉｎターゲットを用いてＤＣマグネトロンスパッタを行なってＣｕ−Ｇａ層上にＩｎ層を形成することによってＩｎ／Ｃｕ−Ｇａの前駆体層が形成される。
【００４１】
一方、塗布法による光吸収層３の形成は以下のように行なわれる。まず、光吸収層３の原料を含む原料溶液を電極層２上および水分層ＭＬ上に塗布した後に、乾燥される処理が行われることで前駆体層となる皮膜を形成する。この原料溶液は、例えば、Ｉ−Ｂ族金属と、III−Ｂ族金属と、カルコゲン元素含有有機化合物と、ルイス塩基性有機溶剤とを含
むものなどである。この原料溶液の塗布方法としては、例えば、スピンコータ、スクリーン印刷、ディッピング、スプレーまたはダイコータ等が用いられる。次に、塗布した原料溶液の皮膜を２５０〜３５０℃以下程度に加熱処理する。このとき、水分層ＭＬは、ほぼ皮膜に取り込まれるようになる。
【００４２】
次に、この皮膜を熱処理し、カルコゲン元素との結晶化を行うことにより、光吸収層３を形成する。この熱処理はいわゆる焼成工程に相当する。光吸収層形成工程では、上述の皮膜を形成した基板１を焼成炉内に載置して、炉内を減圧するとともに基板１を４００〜６００℃程度まで昇温し、昇温後この温度を維持しながら炉内にＳｅガスやＨ２Ｓｅガスを導入するなどして、セレンを含む雰囲気下で、６０〜９０分程度処理することで行う。このようにして、例えば、Ｉ−III−VI族化合物としてＣｕ、Ｉｎ、Ｇａを含有した前駆
体層をセレン化することにより、所望の光吸収層３を形成できる。またこの焼成においては、カルコゲン元素としてセレンのほか、イオウやテルルでも応用可能である。
【００４３】
このように、本実施形態では、光吸収層３の原料溶液を水分層ＭＬを介して塗布しているため、基板１の表面に形成されたクラックを水分層ＭＬの水分で埋めた後に原料溶液を塗布して皮膜を形成している。これにより、クラック近傍で生じやすい気泡の発生が低減される。その結果、皮膜の熱処理時に上記気泡が膨張することによって生じ得る基板１からの光吸収層３の剥離が低減される。
【００４４】
次いで、図３（ｃ）に示すように、光吸収層３上にバッファ層４として、例えばＣｄＳを溶液成長法（ＣＢＤ法）などで、１０〜２００ｎｍ程度成膜する。さらに、バッファ層４上に上部電極５として、例えばＩＴＯを、スパッタリング法または蒸着法などで、０．０５〜０．５μｍ程度成膜する。上述の工程によって、電極層２上に光吸収層３およびバッファ層４からなる光電変換層が形成される（光電変換層形成工程）。
【００４５】
次に、下部電極に形成した分離溝Ｐ１から２０〜１００μｍ程度離間した位置に、図３（ｄ）に示すように光吸収層３、バッファ層４、上部電極５を直線状に除去した分割溝Ｐ２を形成する。この分割溝Ｐ２の形成は、金属刃を用いたメカニカルスクライブ法であればよい。
【００４６】
分割溝Ｐ２の幅は、メカニカルスクライブで用いる金属針または金属刃の先端部の太さを変更することにより調整可能であり、例えば光電変換セル１０の光発生電流の大きさやこの部分での抵抗成分などを考慮して、完成した光電変換装置Ｌの光電変換効率が最高になるように決定すればよいが、一例では５０〜５００μｍ程度である。
【００４７】
図３（ｅ）に示すように、上部電極５上および分割溝Ｐ２内に低抵抗化のため銀ペーストなどを印刷することにより、集電電極６および接続導体７を形成する。これにより分割溝Ｐ２において、接続導体７により上部電極５と隣接する電極層２に電気的接続を形成できる。
【００４８】
次いで、図３（ｆ）に示すように、分離溝Ｐ２の端部から１０〜１００μｍ程度離間した位置に、光吸収層３、バッファ層４および上部電極５をメカニカルスクライビングでパターニングして分割溝Ｐ３を形成し、直列接続された複数の光電変換セル１０を有する光電変換装置Ｌを形成する。この分割溝Ｐ３の幅は、例えば、２０〜１００μｍ程度である。
【符号の説明】
【００４９】
Ｌ；光電変換装置
１；基板
２；電極層
３；光吸収層
４；バッファ層
５；上部電極
６；集電電極
７；接続電極
１０；光電変換セル
１１；作業テーブル
１２；駆動シャフト
１３；サーボモーター
１４；保持容器
１５；導出管
１６；電磁弁
１７；供給管
１８；供給ノズル
２１；回転ローラー
２２；クリーニング部材
Ｍ；水蒸気
ＭＬ；水分層
Ｐ１；分割溝（隙間部）
Ｐ２、Ｐ３；分割溝
ＭＡ；水蒸気供給装置
ＣＡ；クリーニング装置
【図１】
2014090134.tif 000003
【図２】
2014090134.tif 000004
【図３】
2014090134.tif 000005
【図４】
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【図５】
2014090134.tif 000007