(57)【要約】      （修正有）【課題】２５０〜４００℃における使用を想定した抵抗体材料として、ルテニウム酸化物に代替可能な導電性を有する高耐熱性の抵抗体材料、抵抗体膜及びその製造方法を提供する。【解決手段】（１＋ａ）（Ａ（１-ｘ）Ｂｘ）（１-ｙ）ＣｙＭｎＯ３（ただし、−０．２≦ａ≦０．２、０≦ｘ＜１．０、０．５＜ｙ＜１．０、ＡはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選んだ一つの金属で、ＢはＡ以外のＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選んだ少なくとも一つの金属で、ＣはＢａ，Ｃａ，Ｓｒから選んだ少なくとも一つの金属である）で示されるペロブスカイト構造を有するＭｎ酸化物を主成分とする抵抗体材料。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１＋ａ）（Ａ（１-ｘ）Ｂｘ）（１-ｙ）ＣｙＭｎＯ３（ただし、−０．２≦ａ≦０．２、０≦ｘ＜１．０、０．５＜ｙ＜１．０、ＡはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選んだ一つの金属で、ＢはＡ以外のＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選んだ少なくとも一つの金属で、ＣはＢａ，Ｃａ，Ｓｒから選んだ少なくとも一つの金属である）で示されるペロブスカイト構造を有するＭｎ酸化物を主成分とする抵抗体材料。
【請求項２】
ＡがＬａであることを特徴とする請求項１に記載の酸化物を主成分とする抵抗体材料。
【請求項３】
ＣがＳｒであることを特徴とする請求項１又は２に記載の酸化物を主成分とする抵抗体材料。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の酸化物を主成分とする抵抗体材料が無配向基板上の配向膜上に形成されていることを特徴とする抵抗体膜。
【請求項５】
室温からから４００℃の温度範囲で、抵抗温度係数が１０００ｐｐｍ／Ｋ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の酸化物を主成分とする抵抗体膜。
【請求項６】
ＲｕＯ２若しくはＰｂ２Ｒｕ２Ｏ６．５のルテニウム酸化物と請求項１〜３のいずれか一項に記載の材料の混合又は多層膜からなるハイブリッド抵抗体膜。
【請求項７】
銀若しくは銀とパラジウム及び請求項１〜３のいずれか一項に記載の材料の混合又は多層膜からなるハイブリッド抵抗体膜。
【請求項８】
銀若しくは銀とパラジウム及びＲｕＯ２若しくはＰｂ２Ｒｕ２Ｏ６．５のルテニウム酸化物と請求項１〜３のいずれか一項に記載の材料の混合又は多層膜からなるハイブリッド抵抗体膜。
【請求項９】
金属有機酸塩と請求項１〜３のいずれか一項に酸化物材料からなる抵抗体材料を基材に塗布し、光照射若しくは焼成により作製することを特徴とする抵抗体膜の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜３のいずれか一項に記載する抵抗体材料を含む有機金属化合物からなる先駆体溶液を準備する工程と、前記先駆体溶液を基板上に塗布して有機化合物層を形成する工程と、抵抗体の形状に相当するパターンで前記有機化合物層に対して紫外レーザーを照射する第１のレーザー照射工程と、前記有機化合物層のうち前記紫外レーザーの未照射部を除去してパターニングを行う工程と、前記パターニング後の前記有機化合物層に対して紫外レーザーを照射する第２のレーザー照射工程と、を備えることを特徴とする抵抗体膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高耐熱性の抵抗体材料、抵抗体膜及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
厚膜抵抗体用の導電材料としては、低抵抗率域では銀・パラジウム系合金、中抵抗率域では酸化ルテニウム系材料、高抵抗率域では鉛を含むルテニウムのパイロクロア系材料が用いられてきた。
【０００３】
しかしながら、近年、ルテニウム地金の大きな価格的変動があったように、安定供給という観点からは、ルテニウム系材料の代替、もしくは使用量の低減が望ましく、特に酸化ルテニウムに代わる導電材料の開発が強く望まれている。
【０００４】
一方、シリコンカーバイドを用いたパワーエレクトロニクス分野の発展により、その周辺部材の動作温度も高くなってきており、受動部品である抵抗器にも高い耐熱性が要求されてきている。
シリコンカーバイドを用いた素子は２５０℃以上でないと作動しないことから、２５０℃を想定した運転温度、さらには、抵抗器の自己発熱分も含めると４００℃程度の使用環境に耐えうる耐熱性をもつ抵抗体材料の開発が必須である。
また、従来の厚膜抵抗体の想定使用温度である１２５℃以下に対して、２５０℃から４００℃域に置ける抵抗温度係数がより重要になってくる。
【０００５】
しかしなから、これまで報告されてきた抵抗体材料は、従来の厚膜抵抗体の想定使用温度である１２５℃以下に対して設計されたものがほとんどであり、当該課題で想定する２５０℃から４００℃における安定性、抵抗温度係数を保証する抵抗体材料は現状では存在しないと考えられる。
【０００６】
また、高価なルテニウム材料の使用は、コスト面から好ましくなく、なるへく安価な材料を用いて導電材料を作製できることが好ましい。
また、従来の抵抗体は導電材料の抵抗温度係数を調製するために多量のガラス材料や調整剤が用いられており、その含有量を減らすことが簡易作製、高温安定に重要である。
【０００７】
このような課題を解決するため、これまでに酸化ルテニウムなどの抵抗体材料の代替を目指してＬａ１-ｘＳｒｘＭｎＯ３（ｘ＝０．１−１．０）を用いた材料開発が進められてきている(特許文献１参照)。
しかしながら、ｘ＝０．５−１．０の組成では、相分離が起きてしまうことから、ペロブスカイト単相からなる材料を得られていない。また、２５０℃〜４００℃における抵抗変化も検討されていないことから、高温域における抵抗温度係数及び安定性が十分であるか定かでない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−１６４４９６号広報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、２５０〜４００℃における使用を想定した抵抗体材料として、ルテニウム酸化物に代替可能な導電性を有する高耐熱性の抵抗体材料、抵抗体膜及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題から、本願は、次の発明を提供する。
１）（１＋ａ）（Ａ（１-ｘ）Ｂｘ）（１-ｙ）ＣｙＭｎＯ３（ただし、−０．２≦ａ≦０．２、０≦ｘ＜１．０、０．５＜ｙ＜１．０、ＡはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選んだ一つの金属で、ＢはＡ以外のＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選んだ少なくとも一つの金属で、ＣはＢａ，Ｃａ，Ｓｒから選んだ少なくとも一つの金属である）で示されるペロブスカイト構造を有するＭｎ酸化物を主成分とする抵抗体材料。
【００１１】
２）ＡがＬａであることを特徴とする上記１）に記載の酸化物を主成分とする抵抗体材料。
３）ＣがＳｒであることを特徴とする上記１）又は２）に記載の酸化物を主成分とする抵抗体材料。
【００１２】
４）上記１）〜３）のいずれか一項に記載の酸化物を主成分とする抵抗体材料が無配向基板上の配向膜上に形成されていることを特徴とする抵抗体膜。
５）室温から４００℃の温度範囲で、抵抗温度係数が１０００ｐｐｍ／Ｋ以下であることを特徴とする上記１）〜３）のいずれか一項に記載の酸化物を主成分とする抵抗体膜。
６）ＲｕＯ２若しくはＰｂ２Ｒｕ２Ｏ６．５のルテニウム酸化物と上記１）〜３）のいずれか一項に記載の材料の混合又は多層膜からなるハイブリッド抵抗体膜。
７）銀若しくは銀とパラジウム及び上記１）〜３）のいずれか一項に記載の材料の混合又は多層膜からなるハイブリッド抵抗体膜。
８）銀若しくは銀とパラジウム及びＲｕＯ２若しくはＰｂ２Ｒｕ２Ｏ６．５のルテニウム酸化物と上記１）〜３）のいずれか一項に記載の材料の混合又は多層膜からなるハイブリッド抵抗体膜。
【００１３】
９）金属有機酸塩と上記１）〜３）のいずれか一項酸化物材料からなる抵抗体材料を基材に塗布し、光照射若しくは焼成により作製することを特徴とする抵抗体膜の製造方法。
【００１４】
１０）請求項１〜３のいずれか一項に記載する抵抗体材料を含む有機金属化合物からなる先駆体溶液を準備する工程と、前記先駆体溶液を基板上に塗布して有機化合物層を形成する工程と、抵抗体の形状に相当するパターンで前記有機化合物層に対して紫外レーザーを照射する第１のレーザー照射工程と、前記有機化合物層のうち前記紫外レーザーの未照射部を除去してパターニングを行う工程と、前記パターニング後の前記有機化合物層に対して紫外レーザーを照射する第２のレーザー照射工程と、を備えることを特徴とする抵抗体膜の製造方法。
【発明の効果】
【００１５】
上記本発明によれば、比較的高温域（〜４００℃）まで安定で、鉛フリー又はルテニウムフリー若しくはルテニウムを低減した抵抗体を、比較的安価な材料を用いて製造することができる優れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施例で得られた薄膜のエックス線回折パターンを示す図である。５００℃で仮焼成した膜、その後、８００℃、９００℃、及び１０００℃の各温度で本焼成した膜、またＫｒＦエキシマレーザーにより光照射した膜について示してある。
【図２】実施例１で得られた薄膜の抵抗率の温度依存性を示す図である。（１＋ａ）（Ａ（１-ｘ）Ｂｘ）（１-ｙ）ＣｙＭｎＯ３において、ａ＝０、ｘ＝０、Ａ＝Ｌａ、Ｃ＝Ｓｒであり、ｙ＝０．５−１．０に変化させたときのデータを示した。
【図３】図２の温度依存性から計算した各温度における抵抗値温度係数を示す図である。
【図４】１５０℃−４００℃の各温度に放置したときの薄膜の抵抗値変動を示す図である。
【図５】図４の抵抗値変動を各温度における最初の抵抗値を用いて規格化した値を示す図であり、初期値からの抵抗値変動を各温度間で比較できるようにした図である。
【図６】（１＋ａ）（Ａ（１-ｘ）Ｂｘ）（１-ｙ）ＣｙＭｎＯ３において、ａ＝０、ｘ＝０．２５、ｙ＝０．６、Ａ＝Ｌａ、Ｃ＝Ｓｒであり、Ｂ＝Ｃｅ，Ｐｒ，Ｓｍとしたときで、１０００℃で本焼成をおこなったときの薄膜の抵抗率の温度依存性を示す図である。なお、この図６には、対比のために実施例１の試料、すなわち同じ焼成条件で作製したａ＝０、ｘ＝０、ｙ＝０．６、Ａ＝Ｌａ、Ｃ＝Ｓｒの試料の抵抗率の温度依存性についても併せて示した。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の一実施の形態例について添付図面を参照して詳細に説明する。
本課題を解決するための材料としては、
（１＋ａ）（Ａ（１-ｘ）Ｂｘ）（１-ｙ）ＣｙＭｎＯ３（ただし、−０．２≦ａ≦０．２、０≦ｘ＜１．０、０．５＜ｙ＜１．０、ＡはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選んだ一つの金属で、ＢはＡ以外のＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選んだ少なくとも一つの金属で、ＣはＢａ，Ｃａ，Ｓｒから選んだ少なくとも一つの金属である）で示されるペロブスカイト構造を有するＭｎ酸化物を主成分とする抵抗体である。
なお、必要に応じて、不定比性の制御による低温域での抵抗温度依存性の向上のために、上記ｙを、ｙ＞（１＋ａ）／（２＋ａ）となるように定めることができる。
【００１８】
また、抵抗温度係数を制御するためには、上記ペロブスカイトマンガン酸化物にＲｕＯ２若しくはＰｂ２Ｒｕ２Ｏ６．５のルテニウム酸化物を混合又は多層としたハイブリッド材とした抵抗体にすることも有効である。また、電気抵抗値を制御するためには、抵抗の低い材料、具体的には銀若しくは銀とパラジウムの金属材料との混合又は多層としたハイブリッド材とすることが有効である。  
【００１９】
抵抗体膜の製造に際しては、マンガン系ペロブスカイト抵抗体の原料となる金属有機化合物を金属有機化合物中の金属組成比が所望する抵抗体の金属組成比と一致するように混合し、先駆体溶液を作製する。
作製した先駆体溶液をスピンコーターにてチタン酸ストロンチウム単結晶基板上に塗布する。ここで、基材としては、チタン酸ストロンチウム単結晶、アルミン酸ランタンなど格子定数がマンガン系ペロブスカイトに近い単結晶基板を用いてもよい。
また、アルミナや安定化ジルコニアなどの多結晶基板や石英ガラスなどのアモルファス基板を用いてもよい。また、配向膜を得るために、多結晶基板やアモルファス基板上にディオンヤコブソン型ペロブスカイトなどの中間配向膜を堆積した基板を用いてもよい。
【００２０】
抵抗体材料膜の作製方法については、基材の上にコーティングできる手法であれば物理蒸着、ＣＶＤ、溶液法、スクリーン印刷、溶射などいずれの手法を用いることもできる。特に溶液法は、組成の制御性に優れるため（１＋ａ）（Ａ（１-ｘ）Ｂｘ）（１-ｙ）ＣｙＭｎＯ３抵抗体材料の作製プロセスとして好ましい。また、溶液法の原料としては金属有機酸塩、アセチルアセトナート、アルコキシドなどを用いることができる。
【００２１】
抵抗体の作製には、基材に塗布された膜を、例えば１００℃に加熱して溶媒を除去する。その後、５００℃において仮焼し、有機物を除去する。上記の一連の工程を繰り返すことで、所望する膜厚を得ることができる。
抵抗値の制御は、膜厚を増減させることで可能である。次に、得られた膜を８００℃から１０００℃で焼成し、結晶化した膜を作製した。結晶化の際には焼成の代わりにレーザーを用いて結晶化させてもよい。金属有機化合物は紫外領域に光吸収特性が優れているため、特に紫外線レーザーが良い（特開２０１０−１６５８８８号公報参照）。
【００２２】
次に、具体的な実施例を示し、更に詳細に本願発明について説明する。なお、本願発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
【実施例】
【００２３】
（実施例１）
Ｌａ，Ｓｒ，Ｍｎの２−エチルヘキサン酸塩のキシレン溶液をモル比で０．５：０．５：１．０、０．４：０．６：１．０、０．３：０．７：１．０、０．２：０．８、１．０、０．１：０．９：１．０、及び０．０：１．０：１．０の６種類で混合した溶液をチタン酸ストロンチウムの法線方向が１００の単結晶基板に４０００ｒｐｍ、１０秒間でスピンコートした。
【００２４】
溶媒除去のため１００℃に保った恒温槽中で乾燥後、５００℃に保ったマッフル炉中に保持することにより仮焼成を行った。スピンコートから仮焼成までの工程を３回繰り返した。得られた仮焼成膜を８００℃、９００℃、１０００℃に保った管状炉にて本焼成を３時間行い、３０ｎｍ程度の厚みの膜を得た。
【００２５】
（実施例２）
Ｌａ，Ｓｒ，Ｍｎの２−エチルヘキサン酸塩のキシレン溶液をモル比で０．５：０．５：１．０に混合した溶液をチタン酸ストロンチウムの法線方向が１００の単結晶基板に４０００ｒｐｍ、１０秒間でスピンコートした。溶媒除去のため１００℃に保った恒温槽中で乾燥後、５００℃に保ったマッフル炉中に保持することにより仮焼成を行った。スピンコートから仮焼成までの工程を３回繰り返した。
【００２６】
得られた仮焼成膜を５００℃に保ったホットプレート上に保持し、ＫｒＦエキシマレーザーを用いて、塗布面にレーザー光を照射した。このとき、レーザー強度は７０、８０、８５、９０ｍＪ／ｃｍ２の各強度で、周波数は１０Ｈｚ、照射時間は３０分及び６０分とした。これはパルス数に換算するとそれぞれ１８０００回及び３６０００回に相当する。
【００２７】
実施例１及び実施例２で得られた薄膜の代表的な試料についてのエックス線回折パターンを図１に示す。実施例１及び実施例２の方法でともにペロブスカイトマンガン薄膜がチタン酸ストロンチウム単結晶基板上にエピタキシャル成長したことを示すピークが観察されていることから、本実施例のいずれにおいても、エピタキシャルペロブスカイトマンガン薄膜が作製できたことがわかる。
【００２８】
得られたエピタキシャルペロブスカイトマンガン薄膜についてｖａｎ  ｄｅｒ  Ｐａｕｗ法を用いて、室温から３００℃まで抵抗率を測定した結果を図２に示す。また、このときの抵抗率から計算した各温度における抵抗温度依存性を図３に示す。
図３に示されるように、Ｓｒが０．６から０．７の間で抵抗温度係数が０に近い領域が得られていることがわかる。このことは、実施例１、２に見られるように、溶液法を用いたことにより、単相の、もしくは、極めて単相に近い純度の高いエピタキシャルペロブスカイトマンガン薄膜ペロブスカイト相を得られたこと、また、２５０℃以上の高温域まで抵抗温度係数を系統的に調査した結果、初めてわかったことである。
この事実は抵抗温度係数が小さくなる領域はＳｒが０．２〜０．５であるとする特許文献１の主張とは全く異なっており、本発明の新規性を示している。
【００２９】
図４に、本マンガン系ペロブスカイト薄膜を１５０℃、１７５℃、２００℃、２５０℃、３００℃、３５０℃、及び４００℃の各温度にて放置したときの抵抗値の変化を示す。
また、図５に、各温度における抵抗値変動がよりわかりやすくなるように、抵抗値の変動を各温度における最初の抵抗値で規格化した値を示す。各温度においてその変動の傾向は異なるものの１００から２５０時間放置したときの変動はいずれも３０００ｐｐｍ以内に収まっており、本材料の高温域における高い信頼性を示す結果である。
【００３０】
（実施例３）
Ｌａ，Ｃｅ，Ｓｒ，Ｍｎの２−エチルヘキサン酸塩のキシレン溶液をモル比で０．３：０．１：０．６：１．０で混合した溶液をチタン酸ストロンチウムの法線方向が１００の単結晶基板に４０００ｒｐｍ、１０秒間でスピンコートした。
【００３１】
溶媒除去のため１００℃に保った恒温槽中で乾燥後、５００℃に保ったマッフル炉中に保持することにより仮焼成を行った。スピンコートから仮焼成までの工程を３回繰り返した。得られた仮焼成膜を１０００℃に保った管状炉にて本焼成を３時間行い、３０ｎｍ程度の厚みの膜を得た。
【００３２】
（実施例４）
Ｌａ，Ｐｒ，Ｓｒ，Ｍｎの２−エチルヘキサン酸塩のキシレン溶液をモル比で０．３：０．１：０．６：１．０で混合した溶液をチタン酸ストロンチウムの法線方向が１００の単結晶基板に４０００ｒｐｍ、１０秒間でスピンコートした。
【００３３】
溶媒除去のため１００℃に保った恒温槽中で乾燥後、５００℃に保ったマッフル炉中に保持することにより仮焼成を行った。スピンコートから仮焼成までの工程を３回繰り返した。得られた仮焼成膜を１０００℃に保った管状炉にて本焼成を３時間行い、３０ｎｍ程度の厚みの膜を得た。
【００３４】
（実施例５）
Ｌａ，Ｓｍ，Ｓｒ，Ｍｎの２−エチルヘキサン酸塩のキシレン溶液をモル比で０．３：０．１：０．６：１．０で混合した溶液をチタン酸ストロンチウムの法線方向が１００の単結晶基板に４０００ｒｐｍ、１０秒間でスピンコートした。
【００３５】
溶媒除去のため１００℃に保った恒温槽中で乾燥後、５００℃に保ったマッフル炉中に保持することにより仮焼成を行った。スピンコートから仮焼成までの工程を３回繰り返した。得られた仮焼成膜を１０００℃に保った管状炉にて本焼成を３時間行い、３０ｎｍ程度の厚みの膜を得た。
【００３６】
実施例１のうちＬａ，Ｓｒ，Ｍｎの２−エチルヘキサン酸塩のキシレン溶液をモル比で０．４：０．６：１．０で混合し、１０００℃で本焼成した試料、すなわち、（１＋ａ）（Ａ（１-ｘ）Ｂｘ）（１-ｙ）ＣｙＭｎＯ３において、ａ＝０、Ａ＝Ｌａ、Ｃ＝Ｓｒ、ｘ＝０、ｙ＝０．６の試料、並びに、実施例３，４及び５の試料、すなわち、（１＋ａ）（Ａ（１-ｘ）Ｂｘ）（１-ｙ）ＣｙＭｎＯ３において、ａ＝０、Ａ＝Ｌａ、ＢはそれぞれＢ＝Ｃｅ，Ｐｒ，Ｓｍ、ｘ＝０．２５，ｙ＝０．６である試料のペロブスカイトマンガン薄膜についてｖａｎ  ｄｅｒ  Ｐａｕｗ法を用いて、室温から４００℃まで抵抗率を測定し、このときの抵抗率から計算した各温度における抵抗温度依存性を図６に示す。
【００３７】
図６に示されるように、Ｃ＝Ｓｒ、ｙ＝０．６、すなわち、Ｓｒが０．６のときに、ｘ＝０．２５で、Ｂ＝Ｃｅ，Ｐｒ，Ｓｍ、すなわち、ＬａをそれぞれＣｅ、Ｐｒ、Ｓｍに２５％置換したとき、Ｐｒ，Ｃｅ置換の場合には、抵抗温度係数がより低温域まで０に近い領域が得られていることがわかる。また、Ｓｍ置換の場合には、室温から１４０℃付近まで、抵抗温度係数の絶対値がＬａのみの場合に比べて小さくなっており、室温付近での抵抗値変動が抑制されていることがわかる。すなわち、ＬａをさらにＣｅ，Ｐｒ，Ｓｍなどの金属元素で適切に一部置換することにより、より低温域まで抵抗値変動の小さな抵抗体材料を得られることを示している。
【００３８】
以上、具体的な実施例をもとにマンガン系のペロブスカイト材料が抵抗温度係数及び高温安定性の観点から高耐熱抵抗体材料として極めて有効であることを示した。
本結果は、異なるドープの類似のマンガン系ペロブスカイト材料にも適用できることは明白である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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