(57)【要約】【課題】ゾーンを区切るマーカから情報を得ることが容易な磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態の磁気記録媒体は，基板と，前記基板上に配置され，互いに異なる第１，第２，および第３の方向に列をなす，複数の第１の磁性体ドットを有する，データ領域と，前記第３の方向に列をなし，かつこの第３の方向において第１の磁性体ドットより長い複数の第1の磁性体部と，これら複数の第1の磁性体部の間に配置され，前記複数の第１の磁性体ドットに対して，前記第１，第２の方向の延長上に配置される第２の磁性体ドットと，を有し，前記基板上に前記データ領域と並んで配置される，境界磁性体部と，を具備する。【選択図】図４
2014026701.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と，
前記基板上に配置され，互いに異なる第１，第２，および第３の方向に列をなす，複数の第１の磁性体ドットを有する，データ領域と，
前記第３の方向に列をなし，かつこの第３の方向において第１の磁性体ドットより長い複数の第1の磁性体部と，これら複数の第1の磁性体部の間に配置され，前記複数の第１の磁性体ドットに対して，前記第１，第２の方向の延長上に配置される第２の磁性体ドットと，を有し，前記基板上に前記データ領域と並んで配置される，境界磁性体部と，
を具備する磁気記録媒体。
【請求項２】
前記複数の第１の磁性体ドットおよび前記第２の磁性体ドットが，略同一形状，略同一サイズである
請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記複数の第１の磁性体ドットが略六方稠密配列である
請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記基板上に配置され，前記境界磁性体部を介して，前記データ領域と並んで配置され，前記第１，第２，および第３の方向に列をなす，複数の第３の磁性体ドットを有する，第２のデータ領域，をさらに具備し，
前記境界磁性体部が，前記複数の第３の磁性体ドットに対して前記第１，第２の方向の延長上に配置される第４の磁性体ドットを有する
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記第２，第４の磁性体ドットが，前記第１，または第２の方向に並んで配置される
請求項４記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記境界磁性体部が，
前記第３の方向に列をなす，複数の第２の磁性体部と，
前記複数の第1の磁性体部および前記複数の第２の磁性体部の間に配置される，複数の第５の磁性体ドットと，を有する，
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
前記基板が，円板形状であり，
前記複数の第５の磁性体ドットが，前記円板の周方向に並んで配置される
請求項６記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
基板と，この基板上に配置される磁気記録層とを有する積層体を準備する工程と，
互いに異なる第１，第２，および第３の方向に列をなす，複数の第１の突出部を有する，第１の領域と，
前記第３の方向に列をなし，かつこの第３の方向において第１の突出部より長い複数の第２の突出部と，これら複数の第２の突出部の間に配置され，前記複数の第１の突出部に対して，前記第１，第２の方向の延長上に配置される第３の突出部と，を有し，前記第１の領域と並んで配置される，第２の領域と，
を備えるマスクを前記磁気記録層上に形成する工程と，
前記マスクを用いて，前記磁気記録層をエッチングし，複数の第１の突出部に対応する複数の第１の磁性体ドットと，前記複数の第２の突出部に対応する複数の磁性体部と，前記第３の突出部に対応する第２の磁性体ドットと，を形成する工程と，
を具備する磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
前記複数の第２の突出部に対応する複数の第１のガイドパターンと，前記第３の突出部に対応する第２のガイドパターンと，を第２の基板上に形成する工程と，
前記第１，第２のガイドパターンが形成された第２の基板に自己組織化材料を塗布する工程と，
前記塗布された自己組織化材料を自己組織化して，前記複数の第１の突出部に対応する複数のドットパターンを形成する工程と，
前記複数のドットパターンが形成された基板を用いて，前記マスクを形成する工程と，
をさらに具備する請求項８記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
前記第１，第２のガイドパターンを形成する工程が，前記複数の第１の突出部のいずれか１つに対応する第３のガイドパターンを形成する工程を含む，
請求項９記載の磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は，磁気記録媒体およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録媒体（例えば，ハードディスク（ＨＤ））は，磁気を用いて，情報を記録，再生するための記録媒体として，用いられ，記録密度の向上が進められている。磁気記録媒体の記録密度を向上させる技術として，パターンド媒体（例えば，ビットパターンド媒体：ＢＰＭ）が研究されている。パターンド媒体は，磁性体の連続膜を所定のビット数（例えば，１ビット）毎のパターン（例えば，ドット）に加工したものである。パターンド媒体では，現行のグラニュラー薄膜の磁気記録媒体での熱揺らぎによる不安定性を低減可能であることから，盛んに研究されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許公報第８，５０９，３５０Ｂ２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
磁気記録媒体は，管理上の要請から，データ領域が半径方向に複数のゾーンに区切られるのが通例である。磁気記録媒体のデータ領域が複数のゾーンに区切られ，これらの境界にマーカが配置される。マーカに磁性体を用いることで，磁気ヘッドがゾーンを横切る際に，マーカからの信号が得られる。この信号は，記録，再生するゾーンを切り替えるためのトリガーとして，利用できる。
【０００５】
しかしながら，磁気ヘッドがマーカを横切るときに，マーカから得られる情報は必ずしも十分ではない。
本発明は，ゾーンを区切るマーカから情報を得ることが容易な磁気記録媒体およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態の磁気記録媒体は，基板と，前記基板上に配置され，互いに異なる第１，第２，および第３の方向に列をなす，複数の第１の磁性体ドットを有する，データ領域と，前記第３の方向に列をなし，かつこの第３の方向において第１の磁性体ドットより長い複数の第1の磁性体部と，これら複数の第1の磁性体部の間に配置され，前記複数の第１の磁性体ドットに対して，前記第１，第２の方向の延長上に配置される第２の磁性体ドットと，を有し，前記基板上に前記データ領域と並んで配置される，境界磁性体部と，を具備する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】実施形態に係る磁気記録媒体を表す模式図である。
【図２】磁気記録媒体上でのデータの配列の概略を表す模式図である。
【図３】磁気記録媒体上でのデータの配列の詳細を表す模式図である。
【図４】磁気記録媒体のサーボ領域とデータ領域の一例を表す模式図である。
【図５】磁気記録媒体のサーボ領域とデータ領域の一例を表す模式図である。
【図６】磁気記録媒体のサーボ領域とデータ領域の一例を表す模式図である。
【図７】磁気記録媒体のサーボ領域とデータ領域の一例を表す模式図である。
【図８】サーボ領域と再生信号の対応関係の一例を表す図である。
【図９】サーボ領域と再生信号の対応関係の一例を表す図である。
【図１０】実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法を表すフロー図である。
【図１１Ａ】製造される磁気記録媒体を表す模式図である。
【図１１Ｂ】製造される磁気記録媒体を表す模式図である。
【図１１Ｃ】製造される磁気記録媒体を表す模式図である。
【図１１Ｄ】製造される磁気記録媒体を表す模式図である。
【図１１Ｅ】製造される磁気記録媒体を表す模式図である。
【図１１Ｆ】製造される磁気記録媒体を表す模式図である。
【図１２】実施形態に係る磁気記録媒体の型の製造方法を表すフロー図である。
【図１３Ａ】製造される磁気記録媒体の型を表す模式図である。
【図１３Ｂ】製造される磁気記録媒体の型を表す模式図である。
【図１３Ｃ】製造される磁気記録媒体の型を表す模式図である。
【図１３Ｄ】製造される磁気記録媒体の型を表す模式図である。
【図１３Ｅ】製造される磁気記録媒体の型を表す模式図である。
【図１３Ｆ】製造される磁気記録媒体の型を表す模式図である。
【図１４】ガイドパターンと自己組織化材料の配置を表す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下，図面を参照して，実施形態を詳細に説明する。図１は，実施形態に係る磁気記録媒体１０（パターンド媒体）を表す模式図である。磁気記録媒体１０は，例えば，ハードディスク（ＨＤ）として利用でき，基板１１，磁気記録層１２を有する。
【０００９】
基板１１は，開口（貫通孔）を有する略円板形状であり，その材料として，非磁性材料（ガラス，金属，半導体，セラミックス，及びプラスチック等）を使用できる。
【００１０】
磁気記録層１２は，データを磁気的に記録する層である。後述の磁気ヘッドを用いて，磁気記録層１２からデータを記録（書き込み）および再生（読み出し）できる。
【００１１】
磁気記録層１２は，基板１１の周方向および径方向に，複数のセクター２１に区分される。磁気記録媒体１０の周方向（後述のデータトラックＴ）に沿って，データが記録，再生されるが，この周が複数のセクター２１に分割される。
【００１２】
また，磁気記録媒体１０は，例えば，下地層，保護層，潤滑層を有しても良い。下地層は，基板１１と磁気記録層１２の間に配置され，磁気記録層１２の結晶配向を制御したり，密着性を向上させたりする。保護層は，磁気記録層１２上に配置され，磁気記録層１２を保護する。潤滑剤層は，保護層上に配置され，例えば，パーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）等の潤滑剤が配置される層である。
【００１３】
図２，図３はそれぞれ，磁気記録媒体１０上でのデータの配列の概略および詳細を表す模式図である。
【００１４】
セクター２１は，サーボ領域２２と，データ領域２３に区分できる。サーボ領域２２には，磁気ヘッド５１を制御するためのサーボ信号が記録される。データ領域２３は，所定のビット数（例えば，１ビット）にそれぞれ対応する，複数の磁性体のドット（後述の磁性体ドット４１）を有し，データが記録および再生される。
【００１５】
サーボ領域２２は，機能の異なる複数のサーボ信号領域（ここでは，プリアンブル２４，アドレス部２５，サーボ信号部２６）に区分できる。プリアンブル２４には，再生同期信号などの同期信号が記録される。アドレス部２５には，データの所在を示すアドレス信号が記録される。サーボ信号部２６には，データ列（磁性体ドット４１の列）の適切位置（所望のデータトラックＴ）に磁気ヘッド５１を配置（制御）するためのサーボ信号が記録される。サーボ信号として，位相差サーボを適用できる。
【００１６】
データトラック（トラック）Ｔは，データ列が格納されている周方向にそった領域である。データトラックＴの境界自体は，磁気記録媒体１０の構造には直接現れないが，図２では，理解の助けのために，データトラックＴの境界を点線で示している。
【００１７】
図３に示すように，データ領域２３は，データ部３１，境界磁性体部３２に区分できる。データ部３１には，後述の磁性体ドット４１が配置され，データが記録される。境界磁性体部３２は，データ領域２３を半径方向および周方向に区切る。区切られたデータ領域２３がデータ部３１となる。
【００１８】
データ部３１と境界磁性体部３２の周辺のさらに詳しい模式図を図４に示す。データ部３１では，ほぼ円形（円柱状）の磁性体ドット４１が互いに異なる方向Ａ１〜Ａ３に列をなして，ピッチ（間隔）Ｐ１で配列される（六方稠密配列）。即ち，３つの近接する磁性体ドット４１が略正三角形をなすように配置される。但し，後述のように，この配置にはある程度のバラツキが許容される。
【００１９】
磁性体ドット４１の配置は一般には自由に選べる。しかし，磁気記録媒体１０の密度を上げるためには，円形の磁性体ドット４１が六方稠密配置しているのが好ましい。こうすることで，磁性体ドット４１の径が同一でも，その密度を大きくして，記録密度を向上できる。
【００２０】
各磁性体ドット４１は，物理的に分断され，それぞれが単一の独立した磁化反転を示す，いわゆる単磁区粒子である。ここでは，方向Ａ３を磁気記録媒体１０の周方向（トラック方向）としている。即ち，磁性体ドット４１の周方向Ａ３の列それぞれがデータトラックＴを構成する。マクロレベルでは，磁気記録媒体１０の周方向は円周であるが，磁性体ドット４１が問題となるミクロレベル（例えば，数μｍ〜数十ｎｍ）では，事実上，直線として表すことができる。
【００２１】
磁気記録媒体１０は，円板形状であり，内周側と外周側で一周の長さが異なる。このため，磁気記録媒体１０の外周ほど，一周当たりの記録密度を大きくすることが可能である。この一方，内周側と外周側で，一周当たりの記録密度を同一とすることも可能である。
【００２２】
前者では，磁性体ドット４１のピッチ（間隔）Ｐ１を磁気記録媒体１０全面で一定とする。即ち，磁気記録媒体１０全面で，ピッチ（間隔）Ｐ１を同一とし，磁性体ドット４１を六方稠密配列する。
【００２３】
このようにすることで，磁気記録媒体１０を高記録密度とすることが容易となり，また保磁力（磁化反転に必要な磁界）の乱れ・分布が小さくなる。この一方，記録周波数が半径とともに変化することから，記録再生システムが複雑化する。
【００２４】
後者では，磁気記録媒体１０の外周ほど，磁性体ドット４１のピッチＰ１（通常，磁性体ドット４１の大きさ（径Ｄ１）も）を大きくする。この場合，記録周波数が一定となり，記録再生システムを簡略化できる。しかし，この場合，磁気記録媒体１０を高記録密度とすることが困難となる。また，磁性体ドット４１のピッチＰ１（径Ｄ１）が一定でないため，保磁力が変動する可能性がある。また，磁性体ドット４１間に作用する静磁気相互作用が一定でないため，保磁力あるいは熱安定性が変動する可能性がある。
【００２５】
なお，磁気記録媒体１０を半径方向に区分するセクター２１単位で，磁気記録媒体１０の外周に向かって，磁性体ドット４１のピッチＰ１を大きくすることも可能である。こうすれば，セクター２１内では記録周波数は一定で，セクター２１を切り替わる際に記録周波数を変更すればよい。このようにすることで，記録再生システムの設計の自由度が大きくなる。
【００２６】
以上のように，磁性体ドット４１のピッチ（間隔）Ｐ１を一定とする場合，可変とする（外周方向（図４の上方向）に大きくする）場合それぞれに，一長一短があり，この両者は適宜に利用され得る。
【００２７】
図４に示す磁性体ドット４１は，六方稠密に概ね配置されればよい。即ち，磁気記録媒体１０の周方向（方向Ａ３）に，データトラックＴを構成できれば，六方稠密の配置がある程度乱れていても良い。記録密度や，磁気ヘッド５１のトラッキング精度によるが，一般には，トラックピッチＰｔの１／１０程度の範囲内で，磁性体ドット４１がデータトラックＴに略平行に配置されれば良い。即ち，ピッチＰ１は，トラックピッチＰｔの１／１０程度のバラツキが許容される（ピッチＰ１の精度が±１０％程度）。
【００２８】
磁気ヘッド５１がトラッキングできれば，半径方向（方向Ａ１，Ａ２）のピッチＰ１がある程度乱れていても良い。但し，高密度の磁気記録媒体１０を得るには，例えば，トラックピッチＰｔの１／１０程度以内で，磁性体ドット４１のピッチ（間隔）Ｐ１が一定であるのが好ましい（ピッチＰ１の精度が±１０％程度）。
【００２９】
境界磁性体部３２は，磁性体部４２，磁性体ドット４３を有する。
【００３０】
磁性体部４２は，磁性体からなり，セクター２１（ゾーン）を区切るマーカを構成する。磁気ヘッドがセクター２１の境界を横切るときに，磁性体部４２からの信号が得られ，セクター２１（ゾーン）の切り替えに対応可能となる。
【００３１】
磁性体部４２（マーカ）は，周方向（方向Ａ３）に長い形状を有する。即ち，方向Ａ３に沿った長辺（辺４２１）を有する。ここで，磁性体部４２（マーカ）が，ある程度以上長い磁性体であると，反転磁区が形成されるので，ノイズ源となって，好ましくない。このため，磁性体部４２（マーカ）は，磁性体部４２の周方向（方向Ａ３）において，反転磁区が発生しない程度に短く，区分されている。
【００３２】
磁性体ドット４３は，磁性体からなり，マーカとしての磁性体部４２を補助する補助マーカとして機能する。
【００３３】
既述のように，磁性体部４２はマーカとして機能し，磁気ヘッドがセクター２１の境界を横切るときに，境界を示す信号が生成される。しかし，このときには，データの信号（データ部３１内の磁性体ドット４１からの信号）は再生されず，データ情報が途切れる。特に，磁気ヘッドがセクター２１の境界（磁性体部４２，方向Ａ３）に沿って移動するときには，データ情報の途切れる時間が長くなる。
【００３４】
このため，本実施形態では，磁性体部４２の間に，磁性体ドット４３を配置することで，磁気ヘッドが境界磁性体部３２から得られる情報量を多くしている。このようにすることで，既に再生した信号を処理したり，次に読むべきデータのタイミング合わせの信号を予備的に得たりすることが容易となる。
【００３５】
磁性体ドット４３は，データ部３１の磁性体ドット４１と概ね同じ形状（円柱状），大きさで，同じ位相条件を満たす。
【００３６】
境界磁性体部３２から信号が得られれば良いので，磁性体ドット４３の直径Ｄ２は，磁性体ドット４１の直径Ｄ１の±１０％の範囲内であればよい。磁性体ドット４３の直径Ｄ２が磁性体ドット４１の直径Ｄ１よりも５０％大きくなると，磁性体ドット４３の直径Ｄ２は，磁性体ドット４１の直径Ｄ１とその間隔（ピッチＰ１）を合わせた程度の大きさになる。この場合，位相の情報が得にくくなり，好ましくない。
【００３７】
同じ位相条件を満たすとは，図４に示すように，六方稠密の配列方向（方向Ａ１，Ａ２）が交差する位置に，境界磁性体部３２内の磁性体ドット４３の中心が位置することを意味する。上記のように，磁性体ドット４１は，ある程度の六方稠密構造であるので，位相条件を満たす精度（配列軸上にある精度）もその六方稠密の精度と同程度であればよい。即ち，方向Ａ１，Ａ２が交差する位置に対して，トラックピッチＰｔの１／１０程度（ピッチＰ１の±１０％程度）の誤差が許容される。
【００３８】
磁性体部４２は，磁性体ドット４１の配列方向Ａ１〜Ａ３のいずれか（図４では方向Ａ３）に沿った長辺（辺４２１）を有する。即ち，この辺４２１は，セクター２１（ゾーン）の境界に沿っている。
【００３９】
磁性体部４２が，データ部３１の磁性体ドット４１と概ね同じ形状・大きさであると，データ部３１の磁性体ドット４１との区別がつきにくくなるので好ましくない。また，このようなパターンを電子線描画等で形成する場合に，高密度なパターンを描画する必要があるので，製造コストが増加して好ましくない。
【００４０】
磁性体部４２の大きさ（方向Ａ３での長さ等）は，磁区が形成されない程度であればよい。磁区が形成されない大きさは，用いる磁性体の磁気特性と膜厚，及び周囲の磁化状態によって変化する。即ち，磁性体部４２の大きさは，装置設計時に決定する事項であり，本実施形態で特段に規定するものではない。一般的に，磁性体部４２の大きさ（方向Ａ３での長さＬ）は，データ部３１の磁性体ドット４１の径Ｄ１より大きい（例えば，径Ｄ１の１．５〜１０倍程度）。
【００４１】
データ部３１および境界磁性体部３２は，図４以外の構成も取りうる。その例を図５に示す。この場合，境界磁性体部３２は，データ部３１ａ，３１ｂの境界に配置される。境界磁性体部３２の辺４２１，４２２が，方向Ａ３に沿い，データ部３１ａ，３１ｂに対向する。ここで，境界磁性体部３２の磁性体ドット４３ａ，４３ｂは，近接するデータ部３１ａ，３１ｂの磁性体ドット４１ａ，４１ｂそれぞれと位相条件を満たすことが好ましい。即ち，磁性体ドット４１ａ，４１ｂが配列される方向Ａ１，Ａ２が交差する位置それぞれと，磁性体ドット４３ａ，４３ｂの中心と，が対応する。このとき，磁性体ドット４３のピッチＰ２は，接するデータ部３１の磁性体ドット４１のピッチＰ１の略整数倍となる（図４では，約３倍）。
【００４２】
ここで，図５において，下方から上方に，磁気ヘッドが境界磁性体部３２を通過するとする。この場合，図５下方のデータ部３１ａの位相情報と，図５上方のデータ部３１ｂの位相情報と，が順に入手できる。得られた信号は，例えば，再生済みの下方のデータ部３１ａでの信号処理，およびこれから再生するデータ部３１ｂの位相調整処理に用いることができる。この結果，より高速の磁気記録再生システム（例えば，ＨＤＤ）を構成できる。
【００４３】
ただし，この場合，境界磁性体部３２の幅が大きくなり，その分，データ部３１ａ，３１ｂの幅が狭くなる。このため，磁気記録媒体１０の記録容量が，１トラック分程度，減少することになる。
【００４４】
ここで，例えば，磁性体ドット４１ａ，４１ｂのピッチＰ１が同一の場合，磁性体ドット４３ａ，４３ｂは，方向Ａ１，またはＡ２に並んで配置できる（方向Ａ１，またはＡ２の線上に配置）。このようにすると，磁性体ドット４１ａ，４１ｂ，４３ａ，４３ｂが全体として，位相条件を満たすことになる。その結果，磁性体ドット４３ａ，４３ｂからの信号双方がデータ部３１ａ，３２ｂの位相情報を反映する。
【００４５】
但し，磁性体ドット４１ａ，４１ｂのピッチＰ１が異なる場合，磁性体ドット４３ａ，４３ｂは，方向Ａ１，またはＡ２の線上からずれて配置される。この場合，磁性体ドット４３ａ，４３ｂからの信号それぞれがデータ部３１ａ，３２ｂの位相情報を反映することになる。
【００４６】
なお，図５では，データ部３１ｂに接する境界磁性体部３２の磁性体ドット４３ｂの上部の一部が，距離Δｄだけ，データ部３１ｂに入り込んでいる。データ部３１ｂの最初のデータトラックＴの記録再生に影響を及ぼさなければ，このような構成も許容される。
【００４７】
図６に別の構成を示す。境界磁性体部３２を構成する磁性体部４２間の辺４２３，４２４が半径方向（方向Ａ３）に対して斜めである。磁性体部４２間（辺４２３，４２４間）に複数の磁性体ドット４３ａ，４３ｂが配置される。この場合でも，本実施形態の効果（磁気ヘッドがマークを横切るときに得られる情報量が増加する）を得ることができる。
【００４８】
このようなパターンが容易に形成できる場合には，このような形状の磁性体部４２であることが好ましい。ただし，磁性体部４２の鋭角部を描画するには，解像度の高い描画が必要になり，製造コストを増やす可能性もある。
【００４９】
図７に別の構成を示す。この場合，境界磁性体部３２は，磁性体部４２ａ，４２ｂ，磁性体ドット４３ａ，４３ｂ，４４を有する。磁性体部４２ａ，４２ｂと磁性体ドット４３ａ，４３ｂの２組が半径方向（方向Ａ３）に並んで配置される。これらの間に，磁性体ドット４４が半径方向（方向Ａ３）に並んで配置される。磁性体ドット４４の直径Ｄ３は，磁性体ドット４１の直径Ｄ１と同程度である（例えば，磁性体ドット４１の直径Ｄ１の±１０％の範囲内）。
【００５０】
このような構成にすると，磁性体ドット４４の列を磁気ヘッド５１が通過する際に，大きなＳＮ比の特殊な再生信号を得ることができる。この結果，この再生信号を基に，詳細な信号処理やフィードバック制御を行える。
【００５１】
記録再生システムの要請でセクター２１（ゾーン）を横切る際に特殊な信号生成が必要な場合には，このようなやり方で対応できる。しかしながら，この構成にすると境界磁性体部３２が相対的に広くなるために，磁気記録媒体１０の記録密度がその分減少する。なお，この構成では，磁性体ドット４４が無くても本実施形態の効果は得られる。
【００５２】
なお，図７に示す例では，境界磁性体部３２中の領域４５には磁性体ドット４３ａが配置されない。即ち，領域４５の前後に，境界磁性体部３２を構成する磁性体部４２ａが続けて配置されている。このような構成でも本実施形態の効果を得ることができる。セクター２１（ゾーン）を横切る際の信号の仕様によってはこのような構成にしても構わない。
【００５３】
磁気ヘッド５１が境界磁性体部３２を通過する場合の信号について説明する。図８に，磁性体ドット４３と磁性体部４２とで構成される基本的な例を示す。データ部３１にある磁性体ドット４１の再生を終わるなどして，磁気ヘッド５１が境界磁性体部３２を通過する場合を考える。
【００５４】
磁気ヘッド５１は軌跡ＴＲに沿って境界磁性体部３２を通過する。なお，所望のデータトラックＴを目指してシーク動作をする場合，連続的に再生している場合などでは，磁気ヘッド５１の軌跡は，この軌跡ＴＲと異なる。また，磁気ヘッド５１の軌跡は，磁気記録媒体１０のフラッタリング，偏心，磁気ヘッド５１のトラッキング動作誤差（Track Mis-Registration）の影響も受ける。しかしながら，図８で示したような範囲においては，図８に模式的に示すように，磁気ヘッド５１は概ね直線的に境界磁性体部３２を通過すると考えてよい。
【００５５】
図８の下部に，この軌跡ＴＲでの移動によって，磁気ヘッド５１で得られる再生信号Ｇの時間変化を示す。磁気ヘッド５１の通過によって，磁性体ドット４３に相当する再生信号が得られる。この再生信号の周期ｔ２は，データ部３１（磁性体ドット４１）の周期の整数倍であり，再生信号はデータ部３１の周期に関する情報を含む。また，データ部３１（磁性体ドット４１）の位相に関する情報も，磁性体ドット４３の位相に相当する時間ｔ１として得ることができる。
【００５６】
時間ｔ１は，周期ｔ２で繰り返されるパターンの位相情報である。磁性体ドット４３に相当する信号だけを，例えば，バンドパスフィルターなどで抽出した後，ＦＦＴ（高速フーリエ変換）することで，周期情報（周期ｔ２）と位相情報（時間ｔ１）が得られる。この位相情報はデータ部３１の記録／再生クロックと関連を持つ情報である。このため，この情報を用いて，既に再生したデータ部３１のクロック情報を修正・補正することで，エラー率を向上させたり，処理時間を短縮させたりできる。
【００５７】
また，境界磁性体部３２を横断する際の再生信号は，図８に示すように，データ部３１の再生時とは異なる，特徴的な波形を有する。この横断時の再生信号は，データ部３１での再生信号と異なることから，この信号をパターン認識して，セクター２１（ゾーン）の通過を示す信号とすることができる。但し，この波形は用いる記録再生システムや磁気記録媒体製造の都合である程度変化する。
【００５８】
この波形はデータ部３１にない長周期成分を含む。このため，ローパスフィルターを使って，この長周期成分を抽出することで，セクター２１（ゾーン）を横切る信号を簡易に得ることができる。
【００５９】
図９は，データ部３１ａ，３１ｂの間に配置される境界磁性体部３２を用いた場合に，磁気ヘッド５１がセクター２１（ゾーン）を横切る際の模式図を示す。境界磁性体部３２の中の磁性体ドット４３ａ，４３ｂはそれぞれ，近接するデータ部３１ａ，３１ｂと同じ位相条件を有する。即ち，磁性体ドット４１ａ，４１ｂが配列される方向Ａ１，Ａ２が交差する位置それぞれと，磁性体ドット４３ａ，４３ｂの中心と，が対応する。
【００６０】
この境界磁性体部３２を磁気ヘッド５１が通過する。ここで，磁気ヘッド５１が，データ部３１ａ，３１ｂ側それぞれの軌跡ＴＲａ，ＴＲｂに沿って，移動する場合を考える。
【００６１】
境界磁性体部３２の幅が広い場合，あるいは磁気ヘッド５１のセクター２１（ゾーン）をまたぐ速度が遅い場合には，図８に示すように，同一の境界磁性体部３２を二度横切る可能性がある。しかし，本実施形態はこの状況に限定されるものではない。例えば，隣接する２つのセクター２１で，異なる軌跡ＴＲａ，ＴＲｂを通っても良い。また，同じセクター２１内で，軌跡が軌跡ＴＲａ，ＴＲｂと変化しても良い。以下の説明は上記のいずれの場合にも成り立つ。
【００６２】
再生信号波形Ｇａは，軌跡ＴＲａに沿って，磁気ヘッド５１が，データ部３１ａと接している境界磁性体部３２を通過した場合の再生信号波形である。図８に示す例と同様に，磁性体ドット４３ａの周期に関する情報や位相に関する情報を，時間ｔ１ａ，周期ｔ２ａとして，得ることができる。前述と同様に，この情報により，データ部３１ａの再生信号処理に利用することができ，エラー率の向上や精度の向上を実現できる。
【００６３】
再生信号波形Ｇｂは，軌跡ＴＲｂに沿って，磁気ヘッド５１が，データ部３１ｂと接している境界磁性体部３２を通過した場合の再生信号波形である。図８に示す例と同様に，磁性体ドット４３ｂの周期に関する情報や位相に関する情報を，時間ｔ１ｂ，周期ｔ２ｂとして，得ることができる。前述のように，この情報を，データ部３１ｂの記録再生のためのクロック位相情報調整に利用することができ，動作速度を向上できる。
【００６４】
図９下部に模式的に示したように，データ部３１ａ，３１ｂ側それぞれでの境界磁性体部３２の再生信号において，位相に関連する情報（時刻ｔ１ａ，ｔ１ｂ）や周期に関する情報（間隔ｔ２ａ，ｔ２ｂ）が異なる場合がある。両データ部３１ａ，３１ｂで，磁性体ドット４１ａ，４１ｂのピッチや位相が異なるためである。
【００６５】
このように，複数のデータ部３１ａ，３１ｂにわたって，記録再生する場合，セクター２１（ゾーン）を横切る際に各データ部３１ａ，３１ｂの違いの情報が得られる。このため，記録再生システムは，高速，高精度で，処理できる。
【００６６】
なお，これらの効果は，図６，図７に示す例でも得ることができる。また，図５〜図９に示した例に限定されないことも明らかである。
【００６７】
（磁気記録媒体の製造方法）
本実施形態による磁気記録媒体１０の製造方法を説明する。図１０は，磁気記録媒体の製造方法の一例を示すフロー図である。図１１Ａ〜図１１Ｆは，この製造方法で製造される磁気記録媒体を表す断面模式図である。
【００６８】
既述のように，製造される磁気記録媒体１０は，次のようなものである。すなわち，この磁気記録媒体１０は，サーボ領域２２とデータ領域２３とを有する。データ領域２３は，周方向及び半径方向に境界磁性体部３２で区切られる。データ領域２３において，物理的に分断された複数の磁性体ドット４１が六方稠密に概ね配列している（磁性体ドット４１が３方向に周期的に配列されている）。境界磁性体部３２は，複数の磁性体部４２，複数の磁性体ドット４３を有する。複数の磁性体部４２の間に，磁性体ドット４１と概ね同じ大きさの複数の磁性体ドット４３が配置される。データ部３１に接している側において，境界磁性体部３２の磁性体ドット４３は磁性体ドット４１と同じ位相条件を満たす。
【００６９】
（１）原盤７１ａの準備（ステップ１１，図１１Ａ〜図１１Ｃ）
原盤７１ａを準備する。例えば，次のようにして，原盤７１ａを作成する。
まず，マスクパターンを形成する原盤に用いる基板７１の上にレジストを塗布し，レジスト層７２を形成する（図１１Ａ）。
【００７０】
このレジスト層７２に，例えば，電子線で所望のパターンを描画する。描画にはいわゆる一括縮小露光で大きなパターンを光学的に縮小投影して行っても良い。
【００７１】
こうやって描画したレジスト層７２を現像して，パターン化されたレジスト層（加工パターン）７２ａを形成する（図１１Ｂ）。なお，加工パターンは，ナノインプリントなどで物理的に転写して形成しても良い。そして，加工パターン（レジスト層７２ａ）をマスクにして，基板７１をエッチングすることで，マスクパターンの原盤７１ａを得る（図１１Ｃ）。
【００７２】
（２）積層体（基板，磁気記録層）の準備（ステップＳ１２）
基板７３，磁気記録層７４が積層された積層体を準備する。基板７３は，非磁性材料からなり，磁気記録層７４は，磁性材料からなる。
【００７３】
（３）磁気記録層７４へのマスクの形成（ステップＳ１３，図１１Ｄ，図１１Ｅ）
磁気記録層７４にマスク（パターン化されたレジスト層７５ａ）を形成する。即ち，積層体の磁気記録層７４上にレジストからなるマスク層（レジスト層７５）を形成する。原盤７１ａを基に作成したナノインプリントモールド７６をレジスト層７５に押しつける（図１１Ｄ）。ナノインプリントモールド７６は原盤７１ａ自体でも構わない。これにより磁気記録層７４の上に所望の形状のパターンを有したレジスト層７５ａが形成される（図１１Ｅ）。
【００７４】
レジスト層７５ａは，磁気記録媒体１０のデータ部３１，境界磁性体部３２それぞれに対応する領域Ｒ１，Ｒ２を有する。領域Ｒ１には，磁性体ドット４１に対応する突出部７５ｂが配置される。領域Ｒ２には，磁性体部４２に対応する突出部７５ｃおよび磁性体ドット４３に対応する突出部７５ｄが配置される。これら突出部７５ｂ〜７５ｄは，磁性体ドット４１，磁性体部４２，磁性体ドット４３に対応する形状，大きさ，および配置を有する。
【００７５】
（４）磁気記録層のエッチング（ステップＳ１４，図１１Ｆ）
レジスト層７５ａを介して磁気記録層７４をエッチングする（図１１Ｆ）。エッチングの手法としては，イオンミリング，反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等，磁性体を加工する手法として知られている手法を用いることができる。
【００７６】
なお，図１１Ａ〜図１１Ｄに示す工程を省略しても良い。すなわち，磁気記録層７４の上に設けられたレジスト層７５に電子線描画でパターンを直接描画しても良い。これを現像することで，図１１Ａ〜図１１Ｄに示す工程を経ずに，図１１Ｅに示すレジスト層７５ａを作成できる。この場合，プロセスが簡単になり，マスク精度も向上する。但し，作成のスループットが低下する可能性はある。
【００７７】
上記説明及び図１１Ａ〜図１１Ｆで示したプロセスフローは必要最低限を示している。プロセスの精度向上などのために一般に知られる追加の工程を入れても良い。例えば，レジスト層７２，または７５を複数層にすることができる。また，レジスト層７２，または７５の下層にエッチングストップ層などを設け，加工精度を向上しても良い。あるいはプロセスの途中に，保護層の設置／除去工程を挿入しても構わない。磁気記録層７４の上下に複数の下地層，保護層等を設けても良い。
【００７８】
（自己組織化）
本実施形態による磁気記録媒体用のナノインプリントモールド７６の製造方法を説明する。図１２は，ナノインプリントモールド７６（型）の製造方法の一例を示すフロー図である。図１３Ａ〜図１３Ｆは，この製造方法で製造されるナノインプリントモールド（型）を表す断面模式図である。
【００７９】
（１）ガイドパターンの形成（ステップＳ２１，図１３Ａ〜図１３Ｃ）
基板８１に境界磁性体部３２の形状のガイドパターン８１ｂ〜８１ｄを形成する。Ｓｉの基板８１にフォトレジストを塗布し，レジスト層８２を形成する（図１３Ａ）。この後，電子線描画等のリソグラフィー技術あるいは，ナノインプリント等の技術で，レジスト材料によるガイドパターン（パターン化されたレジスト層８２ａ）を形成する（図１３Ｂ）。
【００８０】
パターン化されたレジスト層８２を基に，基板８１をエッチングし，パターン化された基板８１ａを作成する（図１３Ｃ）。パターン化された基板８１ａは，磁性体部４２，磁性体ドット４３にそれぞれ対応する，Ｓｉからなるガイドパターン（凸部）８１ｂ〜８１ｄを有する。
【００８１】
ガイドパターン８１ｄは，無くてもよい。後述のように，ガイドパターン８１ｄが有れば，ＰＤＭＳドット８３の自己組織化の配列精度をより向上できる。
【００８２】
ガイドパターン８１ｂは，図４〜図７に示す磁性体部４２を対応する形状（後述の辺８１１）を有し，例えば，ＰＤＭＳドット８３を辺８１１に沿って配列させる。ガイドパターン８１ｃは，後述のＰＤＭＳドット８３の配列の基準となる。
【００８３】
なお，Ｓｉ基板の代わりに，石英基板上に堆積したＳｉ膜を用いても構わない。また，任意の基板上にＳｉを含有するＨＳＱ（水素シルセスキオキサン）レジストを塗布し，それを電子線描画・現像しても良い。さらに，ＨＳＱレジストにナノインプリントを行っても良い。
【００８４】
（２）自己組織化層（例えば，ＰＤＭＳドット８３とＰＳ母材８４の複合体）の形成（ステップＳ２２，図１３Ｄ）
自己組織化材料を塗布し，ガイドパターン８１ｂ，８１ｃに従って，自己組織化させる。即ち，ガイドパターン８１ｂ，８１ｃに自己組織化材料を塗布し，自己組織化させる（図１３Ｄ）。
【００８５】
自己組織化材料は，例えば，ポリスチレン（ＰＳ）−（ポリジメチルシロキサン）ＰＤＭＳのジブロックコポリマーを利用できる。
【００８６】
熱または溶媒によって，ジブロックコポリマーが動き易い状態とすることで（熱アニール，溶媒アニール），ジブロックコポリマーが自己組織化される。即ち，ＰＳ−ＰＤＭＳジブロックコポリマーは，球状のＰＤＭＳドット８３とその周りを取り囲むＰＳ母材８４に自己組織化される。
【００８７】
自己組織化の結果，ＰＤＭＳドット８３は，六方稠密に配置される。ここで，ＰＤＭＳドット８３は，ガイドパターン８１ｃを基準として，ガイドパターン８１ｂの辺８１１（図１４参照）に沿って配列される。このように，ガイドパターン８１ｂ，８１ｃを基準として，ＰＤＭＳドット８３が配列されることで，磁性体ドット４３の整列の確実性が担保される。
【００８８】
（３）自己組織化層の部分エッチング（ステップＳ２３，図１３Ｅ，図１３Ｆ）
自己組織化層を部分エッチングし，磁性体ドット４１に相当するマスクパターン（原盤８１ｅ）を形成する。
【００８９】
ＰＳ−ＰＤＭＳジブロックコポリマーは，ＰＤＭＳブロックのみにＳｉを含む。このため，酸素を用いたＲＩＥではＰＳが選択的にエッチングされ，ＣＦ４を用いたＲＩＥではＰＤＭＳが選択的にエッチングされる。
【００９０】
即ち，自己組織化層に酸素ＲＩＥを施すことで，ＰＳ母材８４を選択的にエッチングできる（図１３Ｅ）。この後，ＣＦ４を用いたＲＩＥあるいはイオンミリングなどでエッチングすることで，所望のＢＰＭパターン形状を有したＳｉの原盤８１ｅが得られる（図１３Ｆ）。この原盤８１ｅは，磁性体部４２，磁性体ドット４３，磁性体ドット４１にそれぞれ対応するガイドパターン８１ｆ，８１ｇ，８１ｈを有する。
【００９１】
この原盤８１ｅが図１１Ｃに示す原盤７１ａに相当する。この原盤８１ｅを複製してナノインプリントモールド７６を得ても良いし，この原盤８１ｅ自体をナノインプリントモールド７６として，用いても良い。後の工程は，図１０，図１１Ｄ〜図１１Ｆに示したとおりである。
【００９２】
ここでは，Ｓｉを含有する物質（Ｓｉ基板）で，ガイドパターン８１ｂ，８１ｃを作成した。しかし，Ｓｉを含有しない炭素系のフォトポリマーで，ガイドパターン８１ｂ，８１ｃを作成しても良い。この場合，炭素系材料の球が形成される自己組織化材料を用い，図１３Ｄ〜図１３Ｅ，図１３Ｅ〜図１３Ｆに示す工程において，ＣＦ４でのＲＩＥ，酸素でのＲＩＥを順に施すことが考えられる。
【００９３】
このＳｉを含有しない炭素系のフォトポリマーによるガイドパターン形成においては，電子線描画やフォトリソグラフィー技術を用いても良い。また，ナノインプリントで転写して形成しても良い。
【００９４】
この場合に用いる自己組織化材料として，例えば，ＰＭＭＡ（poly(methyl methacrylate））−ＰＭＡＰＯＳＳ（poly(methyl acrylate) polyhedral oligomeric silsesquioxane）を用いることができる。この場合，ＰＭＡＰＯＳＳの母材中にＰＭＭＡのドットが存在する自己組織化パターンが形成される。そうすると，母材がＳｉを含有するＰＯＳＳで構成され，ドットが炭素系のＰＭＭＡになり，上記のプロセスを適用できる。
【００９５】
図１３Ｅの時点での，ガイドパターンと自己組織化材料の配置を説明する平面図を図１４に示す。Ｓｉで形成されているガイドパターン８１ｂ，８１ｃが，境界磁性体部３２の磁性体部４２と磁性体ドット４３に対応する位置に配置される。
【００９６】
ガイドパターン８１ｂ，８１ｃに従って，自己組織化がなされ，図１４に示すように，ＰＤＭＳドット８３がデータ部３１の磁性体ドット４１に対応する位置に配置される。このとき，ガイドパターン８１ｂの辺８１１に沿うように，磁性体ドット４１に相当するガイドパターン８１ｃを基点に，自己組織化が起こる。境界磁性体部３２の磁性体ドット４３はデータ部３１の磁性体ドット４１と概ね同じ大きさなので，自己組織化は，ガイドパターン８１ｃを基準として起こる。その結果，ＰＤＭＳドット８３は，境界磁性体部３２の磁性体ドット４３に相当するガイドパターン８１ｃと同じ位相条件を有することになる。
【００９７】
すなわち，ＰＤＭＳドット８３の配列方向Ａ１，Ａ２の交点が，ガイドパターン８１ｃの中心と対応する。このことにより，本実施形態の磁気記録媒体のパターンを構成することができる。Ｓｉの基板８１ａをさらにエッチングすると，Ｓｉの原盤８１ｅが得られる（図１３Ｆ）。
【００９８】
基板８１ａをさらにエッチングする代わりに，ＵＶ硬化樹脂で形状のレプリカを取りそれを基に原盤を作成しても良い。また，Ｎｉをメッキしそれを基に原盤を作成しても良い。さらに，金属薄膜をＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）で堆積・埋め込みし，そのパターンを剥離し，それを基に原盤を作成しても良い。
【００９９】
図１４において，さらにＰＤＭＳドット８３の自己組織化の配列精度を向上させる目的で，位相条件を満たす位置に追加のドットのガイドパターン８１ｄを設けても良い。ガイドパターン８１ｄを多く設けるとそれだけ配列の精度が向上し，また，磁気記録媒体１０の半径方向に沿って，ピッチＰ１を変調することが可能となる。但し，その分，ガイドパターンの描画に時間がかかる。
【０１００】
図１３Ａ〜図１３Ｆ，図１４に示されるプロセスは，あくまでも一例であり，本実施形態の媒体製造方法はこれに限定されるものではない。
【０１０１】
本実施形態では，磁気ヘッド５１がセクター２１（ゾーン）を横切る際に信号を得ることができる。同時にセクター２１（ゾーン）の前後のデータ部３１のピッチ情報，位相情報といった情報を得ることができる。
【実施例１】
【０１０２】
（実施例１）
実施例１を説明する。この実施例１は，図４〜図７に対応する。
【０１０３】
（１）電子線描画のみによる原盤７１ａの作成
ＢＰＭパターンを有する原盤７１ａを作成した。８インチシリコンウエハにレジスト（ＺＥＰ５２０Ａ（日本ゼオン））を厚み５０ｎｍでスピンコートした。このウエハをホットプレート上で，１８０℃で３分間アニール（加熱）した後，電子線描画装置で描画した。現像液（ＺＥＤ−Ｎ５０）を用いて，記録後のレジストを３０秒間現像し，レジストのパターンを形成した（図１１Ａ〜図１１Ｂ参照）。
【０１０４】
ウエハの径のほぼ中心（半径ｒ＝２２ｍｍ）に，図４〜図７に示すパターンをそれぞれ描画した。データ部３１の半径方向の長さは１μｍとし，各パターンをそれぞれ２０回ずつ繰り返した。
【０１０５】
図５，図６，図７に示すパターンでは，境界磁性体部３２で区切られたデータ部３１ａ，３１ｂそれぞれの内部では磁性体ドット４１のピッチＰ１を一定とした。また，データ部３１ａ，３１ｂ間では，外周側のデータ部３１ｂでのピッチＰ１が，内周側のデータ部３１ａでのピッチＰ１より，１０％大きくなるようにした。図７に示す例では，境界磁性体部３２の中央部の磁性体ドット４４のピッチＰ３を，データ部３１ａ，３１ｂでの磁性体ドット４１のピッチＰ１の平均値（すなわち，内周側のデータ部３１ａでのピッチＰ１の１．０５倍）とした。
【０１０６】
最内周のデータ部３１ａでの磁性体ドット４１のピッチＰ１は４０ｎｍとした。データ部３１ａの磁性体ドット４１の直径Ｄ１は全領域で２０ｎｍとした。周方向には，一周を２５２のセクター２１とし，各セクター２１に，グレーコードによるアドレス，プリアンブルマーク，位相差サーボパターンを形成した。
【０１０７】
境界磁性体部３２の磁性体部４２の周方向（方向Ａ３）の長さは５０ｎｍとし，磁性体部４２の端部と磁性体ドット４３の中心までの距離は，４０ｎｍとした。磁性体ドット４３のピッチＰ２は，接するデータ部３１の磁性体ドット４１のピッチＰ１の５倍とした。図５に示すパターンの描画の際には，外周側に，データ部３１のピッチＰ１の１０％分のずれ（距離Δｄ）を故意に設けた。また，図７に示すパターンの場合には，内周側に抜け（磁性体ドット４３ａを有しない領域４５）を磁性体ドット４３の５個に一個の頻度で挿入した。
【０１０８】
形成したレジストパターン上にＮｉ膜をスパッタ成膜して導電膜とし，電解メッキ法によりＮｉめっき層を堆積した。このＮｉめっき層を剥離してＮｉスタンパを作製した。このＮｉスタンパをナノインプリントモールド７６（図１１Ｄ）とした。
【０１０９】
本実施例では，図１１Ｃに示す工程を省いた。これに対して，図１１Ｂに示すように，レジストパターンを介してＣＦ４を用いたＲＩＥでＳｉ基板をエッチングすることで，Ｓｉの原盤７１ａを得ても良い。このようにすることで，Ｎｉ導電膜の薄膜化ができ，より微細なパターンが高精度で形成できるようになる。
【０１１０】
（２）積層体（基板７３，磁気記録層７４）の準備
基板７３として，２．５インチガラスディスク基板を用いた。このガラスディスク基板上に，Ｎｉ６０Ｔａ４０  （１０ｎｍ），Ｐｄ（４ｎｍ），Ｒｕ（２０ｎｍ），Ｃｏ８０Ｐｔ２０（７ｎｍ），Ｃ（５ｎｍ）を順に積層し，磁気記録媒体１０の原盤（積層体）とした。ＣｏＰｔ層は垂直磁気異方性を示す，いわゆる垂直磁化膜（磁気記録層７４）である。
【０１１１】
本実施形態はこの構成に限定されるものではない。例えば，一般の垂直磁気記録媒体に用いられているような，軟磁性下地層，結晶配向制御や微細構造制御のための複数の下地層，交換結合多層磁気記録層，などを設けても構わない。
【０１１２】
（３）マスク（パターン化されたレジスト層７５ａ）の作成
原盤（積層体）の上にポジレジスト（Ｓ１８１８）を１０倍希釈して，スピンコート法で膜厚１００ｎｍ塗布し，レジスト層７５を作製した。この上に，室温高圧のインプリントでＮｉモールド（ナノインプリントモールド７６）のパターンを転写した（図１１Ｄ）。パターンの高さを確認すると４０ｎｍであった。次に，酸素ＲＩＥにより，レジスト層７５のパターン溝の底を除去し，パターン化されたレジスト層７５ａを作成した（図１１Ｅ）。なお，酸素ＲＩＥ時に，パターン溝の底に対応するＣ層（ＣｏＰｔ層（磁気記録層７４）の保護層）を除去し，ＣｏＰｔ層の一部を露出させた。
【０１１３】
（４）磁気記録層７４のエッチング
作成したレジストパターン（レジスト層７５ａ）をマスクとして，ＣｏＰｔ（磁気記録層７４）をＡｒイオンミリング法により加工した（図１１Ｆ）。ミリング時間を制御して，Ｒｕ下地層までエッチングされるようにした。この後，スパッタにて，Ｃ（保護層）を堆積し，低照射角度のＡｒイオンエッチングにより，保護層の表面を平坦化した。以上のようにして，磁気記録媒体が作成された。
【０１１４】
（５）評価
スピンスタンド評価装置によって，作成した磁気記録媒体を再生，評価した。評価に先立ち，磁気記録媒体に２０ｋＯｅの磁界を印加し，全領域を一方向に着磁した。
【０１１５】
再生リード幅６０ｎｍ，リードギャップ３５ｎｍ，浮上量４ｎｍの磁気ヘッド５１を用いた。トラッキングはかけずに，磁気ヘッド５１を少しずつ内周から外周に移動させ，信号の変化をデジタルオシロスコープで調べた。
【０１１６】
磁気記録媒体は取り付け位置により偏心している。このため，再生信号のエンベロープ波形から磁気ヘッド５１が概ねオントラックしている回転位置（ある回転角の位置）を見出した。そして，その角度位置に測定ポイントをロックするように，デジタルオシロスコープを調整した。その状態でトラックプロファイル測定モードを流用して，磁気ヘッド５１をすこしずつ外周に移動させた。データ部３１は着磁により全て一方向を向いた状態（ａｌｌ−ｏｎｅ）である。リードギャップが大きいのでそれほど大きなＳＮ比は得られなかったが，ａｌｌ−ｏｎｅの信号は確認でき，スペクトルアナライザーではそれに対応した周波数ピークを確認できた。
【０１１７】
図４に示すパターンの測定において，境界磁性体部３２での再生信号は，単一周波数信号であるデータ部３１での再生信号と明瞭に区別できた。再生リード幅が広いため，境界磁性体部３２での再生信号には，データ部３１の信号が少し重畳されていたが，この再生信号は概ね図８に示される特徴を示した。
【０１１８】
境界磁性体部３２に最も近い，データ部３１での再生信号，および図８下部の信号と同様になる境界磁性体部３２を通過している際の再生信号をデジタルオシロスコープに取り込んだ。これらの再生信号を数値データに変換し，オフラインでＦＦＴ処理した。
【０１１９】
その結果，境界磁性体部３２での再生信号の周期は，データ部３１での再生信号の周期の５倍であった。この５倍周期が１倍周期となった場合の位相を計算した。この結果，逆算により，磁性体ドット４３の位置は，データ部３１でのピッチＰ１のちょうど半分ずれていた。即ち，磁性体ドット４１，４３は，図４に示す位置関係にあることが判った。
【０１２０】
図５に示す境界磁性体部３２のパターンを調べた。図４に示す例と同様に，境界磁性体部３２での再生信号は，単一周波数信号であるデータ部３１での再生信号と明瞭に区別できた。境界磁性体部３２での再生信号には，データ部３１の信号が少し重畳されていたが，磁性体ドット４３に相当する信号を判別できた。磁気ヘッド５１の移動とともに，磁性体ドット４３に相当する信号が変化し，概ね図９下部に見られるような信号Ｇａ，Ｇｂを得ることができた。
【０１２１】
図４に示す例と同様の処理を行い，境界磁性体部３２の再生信号から得られる周期情報と位相情報を調べた。この結果，同様に，それぞれ接する側のデータ部３１ａ，３１ｂの磁性体ドット４１の周期と位相を逆算できることが判った。なお，ずれ（距離Δｄ）の影響は，再生信号の波形を見る限りにおいては小さく，内周側と外周側とで逆算される周期と位相の情報に差は見られなかった。
【０１２２】
図６に示す境界磁性体部３２のパターンを調べた。図５に示す例よりも磁性体部４２間の距離が短いので，その分の波形成分が多いが，概ね図９に示されるような波形が得られた。図５に示す例と同様の解析で，それぞれ接するデータ部３１ａ，３１ｂの周期情報と位相情報を逆算できることがわかった。
【０１２３】
図７に示す境界磁性体部３２のパターンを調べた。図４に示す例と同様に，境界磁性体部３２での再生信号は，単一周波数信号であるデータ部３１での再生信号と明瞭に区別できた。境界磁性体部３２での再生信号には，データ部３１の信号が少し重畳されていたが，磁性体ドット４３に相当する信号を判別できた。磁気ヘッド５１の移動とともに，磁性体ドット４３に相当する信号が変化し，概ね図９下部に見られるような信号Ｇａ，Ｇｂを得ることができた。
【０１２４】
また，磁気ヘッド５１が境界磁性体部３２の中央を横切るときには，データ部３１と同じ程度の大きな信号が得られ，その部分からは誤差の少ない周期情報と位相情報を逆算できた。
【０１２５】
なお，内周側での抜け（磁性体ドット４３ａを有しない領域４５）により，磁性体ドット４３に相当するＦＦＴ強度が低下した。しかし，５個に１個の頻度であったためか，周期情報と位相情報を逆算できなくなるほどではなかった。但し，誤差がやや増加したので，高速高精度の仕様には適さない可能性がある。なお，境界磁性体部３２の中央部分の連続ドット信号があるので，その情報を用いて補正することで，上記の誤差の影響をキャンセルできた。
【０１２６】
（実施例２）
実施例２を説明する。この実施例２は，図５に対応する。
【０１２７】
（１）電子線描画によるＮｉスタンパの作成
磁気記録媒体１０の原盤を作成し，この原盤からＮｉスタンパを作成した。この原盤には，実施例１の原盤７１ａの材料（８インチシリコンウエハにレジスト（ＺＥＰ５２０Ａ（日本ゼオン））を厚み５０ｎｍでスピンコートした）を用い，電子線で描画した。ウエハの径のほぼ中心（半径ｒ＝２２ｍｍ）に，図５に示す境界磁性体部３２（磁性体部４２，磁性体ドット４３ａ，４３ｂ）のパターンのみを２０回繰り返して作成した。即ち，データ部３１の磁性体ドット４１のパターンは全て省略した。その後，実施例１と同様の工程で，Ｎｉスタンパを作成した。
【０１２８】
（２）ガイドパターン８１ｂ，８１ｃの作成
Ｓｉの基板８１の上にレジスト（Ｓ１８１８）を１０倍希釈して，スピンコート法で，膜厚１００ｎｍのレジストを塗布し，レジスト層８２を作製した（図１３Ａ）。この上に，室温高圧インプリントでＮｉモールドのパターンを転写し，酸素ＲＩＥによりパターン溝の底を除去した（図１３Ｂ）。
【０１２９】
作成したレジストパターン（レジスト層８２ａ）をマスクとして，ＣＦ４ガスでのＲＩＥにより，Ｓｉの基板８１をエッチングし，ガイドパターン８１ｂ，８１ｃを有する基板８１ａを作成した（図１３Ｃ）。
【０１３０】
（３）自己組織化
残留レジストを酸素アッシングで除去した後，自己組織化材料を塗布した（図１３Ｄ）。
自己組織化材料にはポリスチレン−ポリジメチルシロキサン（ＰＳ−ＰＤＭＳ）を用いた。分子量は，ＰＳが１３００００，ＰＤＭＳが７５００である。溶媒にはトルエンを用い，０．５ｗｔ％の溶液に調整し，スピンコートした。
【０１３１】
その後，真空中にて，１８０℃で２４時間アニールし，ＰＳ−ＰＤＭＳを相分離させた。別の実験により，このＰＳ−ＰＤＭＳは３５ｎｍピッチのドットの自己組織化パターンを形成することがわかっている。即ち，自己組織化パターンをＳｉ基板８１ａのガイドパターン８１ｂ，８１ｃの間に発生させた。
【０１３２】
（４）ナノインプリントモールド７６の作成
酸素ＲＩＥでＰＳ母材を除去した（図１３Ｅ）後，ＣＦ４ガスを用いたＲＩＥでＳｉ基板をエッチングした（図１３Ｆ）。時間制御で，Ｓｉ基板のエッチング深さが５０ｎｍになるように調整した。
【０１３３】
このＳｉ原盤８１ｅから実施例１と同様の手法でＮｉスタンパ（ナノインプリントモールド７６）を作成し，それ以降は実施例１と同様の手法で，磁気記録媒体を作成した。
【０１３４】
（５）評価
Ｓｉ原盤８１ｅでのパターン形状を走査型電子顕微鏡で観察し，概ね図５に示されるような形状をしていることがわかった。しかしながら，データ部３１ａ，３１ｂの中央の，境界磁性体部３２から離れた場所では，ドットの配列に５％ほどの配列の乱れが確認された。
【０１３５】
実施例１と同様に，スピンスタンド装置で，作成した磁気記録媒体を評価したところ，実施例１と同様に，境界磁性体部３２と接するデータ部３１ａ，３１ｂの周期情報と位相情報を逆算することができた。
【０１３６】
データ部３１ａ，３１ｂの中央での配列乱れは，次の（１）〜（３）のようなやりかたで補正できる。例えば，（１）高度なエラー補正技術を用いる。（２）エラーデータとして使わない領域に設定する。（３）境界磁性体部３２を用いる頻度を大きくする（データ部３１の半径方向の幅を短くする）。しかしながら，高密度高精度のＢＰＭを得る場合には，より高精度で自己組織化することが好ましい。
【０１３７】
（実施例３）
実施例３を説明する。この実施例３では，溶媒による自己組織化を用いるものであり，図４〜図７に対応する。
【０１３８】
実施例２と同様の手法で，磁気記録媒体１０の原盤を作成した。ただし，２．５インチガラスディスク基板上に，Ｎｉ６０Ｔａ４０（２５ｎｍ），Ｃｒ（５０ｎｍ），Ｐｔ（１０ｎｍ），Ｆｅ５０Ｐｔ５０（３．２ｎｍ），Ｃ（５ｎｍ）を順に積層し，磁気記録媒体１０の原盤（積層体）とした。
【０１３９】
ＮｉＴａ層の形成後に微量の酸素を導入した。ＦｅＰｔ層の成膜時に約２５０℃に加熱した。ＦｅＰｔ層は，垂直磁気異方性を示し，かつＬ１０規則層の磁気特性を示した。
【０１４０】
これ以降の作成プロセスは実施例２と同様であった。ただし，図１４に示すような，境界磁性体部３２に加えてデータ部３１内に想定される磁性体ドット４１の縦，横方向の５個に１個の割合でガイドパターン８１ｄを形成した。
【０１４１】
図５〜図７に示すパターンでは，次のように，ドット状のガイドパターン８１ｄの位置を決めた。即ち，データ部３１ａ，３１ｂそれぞれの内部では磁性体ドット４１のピッチＰ１を一定とし，データ部３１ａ，３１ｂ間では，互いにピッチＰ１が３％異なるようにした。すなわち，ＰＳ−ＰＤＭＳの想定ピッチのデータ部３１ａと，３％拡張させたピッチのデータ部３１ｂとが，半径方向に沿って交互に現れるようにした。また，図７に示す例では，境界磁性体部３２の磁性体ドット４４のピッチＰ３を内周側のデータ部３１ａでのピッチＰ１と同一とした。
【０１４２】
自己組織化のプロセスにおいて，熱によるアニールの代わりに，溶媒によりアニールした。すなわち，ＰＳ−ＰＤＭＳを塗布したＳｉの基板８１ａを密閉容器に封入し，トルエンと窒素の混合飽和ガスを大気圧で３時間流入させた。混合飽和ガスは，溶媒であるトルエン中に窒素ガスをバブリングして作成した。
【０１４３】
実施例２と同様に，Ｓｉ原盤８１ｅでのパターン形状を走査型電子顕微鏡で観察し，概ね図４〜図７に示される形状をしていることがわかった。またデータ部３１でのドットの配列の乱れは確認されたが，データ部３１内で局在することはなく，平均で０．５％ほどであった。
【０１４４】
実施例１と同様に，作成した磁気記録媒体を評価したところ，同様の結果が得られた。すなわち，図４に示すパターンでは，データ部３１の周期情報，位相情報を逆算できることが確認された。図５に示すパターンでは，境界磁性体部３２が接するデータ部３１ａ，３１ｂの周期と位相を逆算できることが判った。図６に示すパターンでは，図５に示すパターンとほぼ同じ結果が得られた。
【０１４５】
図７に示すパターンでは，ドット抜け（磁性体ドット４３ａを有しない領域４５）により，磁性体ドット４３からの再生信号中の誤差成分は増加したが，この再生信号から周期，位相を逆算できた。また，境界磁性体部３２の中央部の磁性体ドット４４からの再生信号を用いて，内周側のデータ部３１ａの周期情報と位相情報を補正できることが確認された。実施例１と同様に，図５に示すパターンのずれ（距離Δｄ）の影響は小さかった。
【０１４６】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが，これらの実施形態は，例として提示したものであり，発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は，その他の様々な形態で実施されることが可能であり，発明の要旨を逸脱しない範囲で，種々の省略，置き換え，変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は，発明の範囲や要旨に含まれるとともに，特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１４７】
１０   磁気記録媒体
１１   基板
１２   磁気記録層
２１   セクター
２１   各セクター
２２   サーボ領域
２３   データ領域
２４   プリアンブル
２５   アドレス部
２６   サーボ信号部
３１，３１ａ，３１ｂ データ部
３２   境界磁性体部
４１，４１ａ，４１ｂ  磁性体ドット
４２，４２ａ，４２ｂ 磁性体部
４２１〜４２４       辺
４３，４３ａ，４３ｂ 磁性体ドット
４４   磁性体ドット
４５   領域
５１   磁気ヘッド
７１   基板
７１ａ 原盤
７２   レジスト層
７２ａ レジスト層
７３   基板
７４   磁気記録層
７５   レジスト層
７５ａ レジスト層
７５ｂ〜７５ｄ       突出部
７６   ナノインプリントモールド
８１   基板
８１ａ 基板
８１ｂ〜８１ｄ       ガイドパターン
８１ｅ 原盤
８１ｆ〜８１ｈ       凸部
８１１ 辺
８２   レジスト層
８２ａ レジスト層
８３   ドット
８４   母材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１１Ｄ】
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【図１１Ｅ】
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【図１１Ｆ】
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【図１２】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１３Ｃ】
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【図１３Ｄ】
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【図１３Ｅ】
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【図１３Ｆ】
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【図１４】
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