(57)【要約】【課題】  冷凍チャックを用いて反りのある被研削材（ワーク）の平坦化研削加工を行う。【解決手段】  冷凍チャック枠２内に冷凍固定液３をその深さが２．５〜１０ｍｍとなる量注入・流延し、その冷凍固定液膜上に被研削材ｗを載置した後、前記冷凍チャック２の温度を０℃以下に下げて冷凍固定液膜３を凍結させて被研削材を冷凍固定した後、被研削材ｗと研削砥石４，４０とが接触する加工点に研削液を供給しながら研削砥石と被研削材の相対的な動きにより被研削材表面を研削加工する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
冷凍チャック枠内に注入される冷凍固定液をその深さが２．５〜１０ｍｍとなる量注入し、その冷凍固定液膜上に被研削材を載置した後、前記冷凍チャックの温度を０℃以下に下げて前記冷凍固定液膜を凍結させて被研削材を冷凍固定した後、被研削材と研削砥石とが接触する加工点に研削液を供給しながら研削砥石と被研削材の相対的な動きにより被研削材表面を研削加工することを特徴とする、被研削材の研削加工方法。
【請求項２】
被研削材が半導体基板であり、研削砥石が研磨パッドであることを特徴とする、請求項１記載の被研削材の平坦化研削加工方法。
【請求項３】
冷凍チャック枠内に注入される冷凍固定液をその深さが２．５〜１０ｍｍとなる量注入し、その冷凍固定液膜上にＳｉＣ結晶基板を載置した後、前記冷凍チャックの温度を０℃以下に下げて冷凍固定液膜を凍結させてＳｉＣ結晶基板を冷凍固定した後、ＳｉＣ結晶基板と砥番＃８，０００のダイヤモンドビトリファイドボンドカップホイール型研削砥石とが接触する加工点に研削液を供給しながら前記研削砥石とＳｉＣ結晶基板の相対的な動きによりＳｉＣ結晶基板表面を平坦化研削加工した後、冷凍固定液膜の凍結を維持した状態で砥番＃３０，０００のダイヤモンドビトリファイドボンドカップホイール型研削砥石を用い、研削液を供給しながら前記砥番＃３０，０００のダイヤモンドビトリファイドボンドカップホイール型研削砥石とＳｉＣ結晶基板の相対的な動きによりＳｉＣ結晶基板表面を更に平坦化研削加工することを特徴とする、ＳｉＣ結晶基板の平坦化研削加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、研削砥石を用いて反りのある被研削材、特に半導体基板、ベアウエハの表面を研削加工する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
単結晶シリコンインゴット、ＳｉＣ単結晶インゴット、サファイアインゴット等の外周面を円筒研削し、ついで、ワーヤーカットで厚み７７０〜７９０μｍの円板状基板にスライス加工された基板は、高さ２〜５ｍｍの反りが発生する。よって、特開２００８−１０３６５０号公報（特許文献１）に示されるように、スライス基板の両面をラップ研磨加工した後、アルゴンガス雰囲気中で焼鈍熱処理して反りを軽減したＳｉＣ基板を得ることが実施されている。また、半導体基板の裏面研削加工に供される半導体基板は、途中の研削工程や研磨工程での熱履歴を受けて１〜５ｍｍの高さに反っていることが多いので、テンプレートにワックス、照射硬化型アクリル系樹脂粘着剤、または、熱分解型アクリル系樹脂粘着剤を介して半導体基板の配線プリント面を貼付した後、半導体基板裏面のシリコン基盤面をカップホイール型研削砥石による裏面研削に供し、シリコン基盤面の厚みを７５０〜７６０μｍ減らす薄肉平坦化加工が実施されている。
【０００３】
また、特開２００３−２２５８６１号公報（特許文献２）は、摺動テーブル上に設けられた電磁チャック上に厚み０．２〜３ｍｍの弾性シートを敷設し、その上に研削される厚み０．１〜２．０ｍｍの難削材シート状物のワークを載置させた後、電磁チャックの磁性を作用させてワークを固定し、該ワークと回転する砥石とを相対移動させてワークを平面研削して加工表面側が平坦なワークを得る方法を提案する。
【０００４】
一方、特開平９−７９８６号公報（特許文献３）は、冷凍チャック上に界面活性剤を２０〜６０体積％含有する純水（冷凍液）を約１０ｍｌだけ滴下し、その液面上にウェーハを載置した後、前記冷凍液を６００〜７００Ｔｏｒｒにひき、脱ガス処理を行う。ついで、冷凍チャックの温度を下げてウェーハを冷凍固定した後、レジンボンド砥石で取り代５〜１０μｍの研削加工を行う。さらに、冷凍液をいったん解凍し、ウェーハ研削面を下にして再び冷凍チャックに冷凍固定し、上記と同じ条件で研削加工してウェーハの表裏面が平坦研削加工されたウェーハを作製する方法を開示する。
【０００５】
また、特開平６−３１５６７号公報（特許文献４）は、固着手段を備えた工作機械のテーブル上に基盤を介して被工作物を載置して固定する方法において、前記基盤の頂面と被工作物の底面間に凍結性の液を介在し、前記液を基盤の内側から冷却して基盤と被工作物の両面に密着した凍結層を形成して被工作物を固定した後、被工作物を研削加工する方法を提案する。
【０００６】
また、特開平８−１０８３３０号公報（特許文献５）は、研削装置のテーブルに固定された冷凍チャックとワークとの接触部に散布した水を氷点下となる所定のチャッキング温度で凍結して前記ワークを固定し、氷点が前記チャッキング温度では凍結しない不凍液による加工液を摂氏零度以下の所定の温度に冷却して前記ワークに供給しながらそのワークを砥石で研削加工する冷凍チャックを用いた機械加工方法を提案する。
【０００７】
さらに、特許第３４３２４３９号明細書（特許文献６）は、固定用面と該固定用面を温度制御する手段を備えた冷凍式チャック装置の前記固定用面にワークを固定するためすくなくともワークと固定用面の間に介在させられる媒体であって、該ワーク固定用媒体が、低分子シリコーンオイルで代表されるシリコーンオイルを主成分とする液状物と固体粒子
を（９：１）〜（５．１：４．９）の比で配合したクリーム状物ないしペースト状物からなることを特徴とするワーク固定用媒体を用い、研削装置のテーブルに固定された冷凍チャック上に前記ワーク固定用媒体を０．１ｍｍ厚み塗布した後、ワークをこの固定用媒体塗膜上に載置し、冷凍式チャック装置にプラス電流を通電して前記ワーク固定用媒体を１℃で凍結させ、続いてワークと砥番＃２８０の電着ダイヤモンド砥石とが接触する加工点に３℃の研削液を供給しながらワーク表面を砥石で研削加工する冷凍チャックを用いた機械加工方法を提案する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００８−１０３６５０号公報
【特許文献２】特開２００３−２２５８６１号公報
【特許文献３】特開平９−７９８６号公報
【特許文献４】特開平６−３１５６７号公報
【特許文献５】特開平８−１０８３３０号公報
【特許文献６】特許第３４３２４３９号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
現在、広く実施されているテンプレートに照射硬化型アクリル系樹脂粘着剤、または、熱分解型アクリル系樹脂粘着剤を介して半導体基板の配線プリント面を貼付した後、半導体基板裏面のシリコン基盤面をカップホイール型研削砥石により裏面研削加工してシリコン基盤の厚みを８０〜１２０μｍまでに減らす裏面研削方法は、シリコン基盤の厚みを２０〜６０μｍまでに減らす裏面研削方法に適用すると、テンプレートと粘着剤層の間に存在する保護樹脂フィルムの存在が邪魔して研削砥石に樹脂フィルム研削屑が付着して砥石寿命を短くする（砥石交換時期が速い）欠点がある、あるいは、薄肉平坦化加工された半導体基板のエッジ部にチッピングが生じる欠点がある。それゆえ、粘着剤を塗布した保護樹脂フィルムを半導体基板に貼付した際、保護樹脂フィルムが半導体基板の外周面よりはみ出さない寸法にして裏面研削加工を行うか、ディスコ社のタイコー方式のように、半導体基板の直径より小さい直径のカップホイール型砥石を用い、外周縁堰が残るシリコン基盤の裏面研削加工を行い、裏面研削加工後に前記外周縁堰を切り落とす切削作業を行う方法が採用されつつある。
【００１０】
前記特許文献３から特許文献６で提案される冷凍チャックおよび冷凍固定液を用いる研削方法は、粘着剤保護フィルムのような消費材を用いる裏面研削方法と比較して冷凍固定液が安価で濾過により再使用可能であるため実用性が高い利点を有する。しかし、反りのある半導体基板、シリコンベアウェーハ、サファイア基板、ＳｉＣ基板の平坦化加工に冷凍チャックおよび冷凍固定液を用いる研削方法が実用化されることはなかった。
【００１１】
本願発明者らは、何故、冷凍チャックおよび冷凍固定液を用いる研削方法が半導体基板の平坦化研削加工に供せられなかった理由を見出すため、前記特許文献３から特許文献６で提案される実施例を追試し、次の理由を見出した。（ｉ）．特許文献３の１０ｍｌの冷凍固定液の膜厚は、６インチベアシリコン基盤から計算すると約５０μｍの冷凍固定液の膜厚と算出される。また、特許文献６は冷凍固定液の膜厚０．１ｍｍと開示する。これら冷凍固定液の膜厚は、半導体基板やベア基盤の反りの高さ２〜５ｍｍの値と比較すると極めて小さい値である。（ｉｉ）．水の表面張力が安定するのは、水膜形成後、約６０分である。よって、冷凍チャック上に冷凍固定液を０．１ｍｍ厚み塗布し、反りのあるワークを冷凍固定液膜上に載置し、直ちに前記冷凍固定液膜を凍結させても、ワーク表面と凍結冷凍固定液膜表面間には、反りの空間部分を完全に埋めることが出来なかった空間部分が存在する。よって、裏面研削加工時にこの残存空間部に起因してワークに割れが生じたり
、研削加工基盤の外周縁部にチッピングが生じる。（ｉｉｉ）．特許文献３開示の冷凍固定液膜中の気泡をバキューム引きにより無くす工程は、前記残余空間部を消滅させるには何の効果も期待できない。（ｉｖ）．水は氷結（凍結）により体積が約９％膨張し、ワークは、温度低下により熱収縮する。
【００１２】
本発明者らは、冷凍チャックおよび冷凍固定液を用いる研削方法において、冷凍チャック枠内に注入される冷凍液の深さ（Ｈ）が２．５〜１０ｍｍとなる量用いることにより、基板の反りが減じられるとともに基板の割れやチッピングが生じない平坦化研削加工基板を得ることができることを見出した。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
請求項１の発明は、冷凍チャック枠内に注入される冷凍固定液をその深さ（Ｈ）が２．５〜１０ｍｍとなる量注入し、その冷凍固定液膜上に被研削材を載置した後、前記冷凍チャックの温度を０℃以下に下げて前記冷凍固定液膜を凍結させて被研削材を冷凍固定した後、被研削材と研削砥石とが接触する加工点に研削液を供給しながら研削砥石と被研削材の相対的な動きにより被研削材表面を研削加工することを特徴とする、被研削材の研削加工方法にある。
【００１４】
請求項２の発明は、被研削材が半導体基板またはベアウエハであり、研削砥石が研磨パッドであることを特徴とする、請求項１記載の被研削材の平坦化研削加工方法にある。
【００１５】
請求項３の発明は、冷凍チャック枠内に注入される冷凍固定液をその深さ（Ｈ）が２．５〜１０ｍｍとなる量注入し、その冷凍固定液膜上にＳｉＣ結晶基板（被研削材）を載置した後、前記冷凍チャックの温度を０℃以下に下げて冷凍固定液膜を凍結させてＳｉＣ結晶基板を冷凍固定した後、ＳｉＣ結晶基板と砥番＃８，０００のダイヤモンドビトリファイドボンドカップホイール型研削砥石とが接触する加工点に研削液を供給しながら前記研削砥石とＳｉＣ結晶基板の相対的な動きによりＳｉＣ結晶基板表面を平坦化研削加工した後、冷凍固定液膜の凍結を維持した状態で砥番＃３０，０００のダイヤモンドビトリファイドボンドカップホイール型研削砥石を用い、研削液を供給しながら前記砥番＃３０，０００のダイヤモンドビトリファイドボンドカップホイール型研削砥石とＳｉＣ結晶基板の相対的な動きによりＳｉＣ結晶基板表面を更に平坦化研削加工することを特徴とする、ＳｉＣ結晶基板の平坦化研削加工方法にある。
【発明の効果】
【００１６】
冷凍固定液膜の厚み（Ｈ）を２．５〜１０ｍｍと調整することにより、研削加工基板の反りが減じられるとともに、割れやチッピングのない平坦化研削加工基板が得られる。
【００１７】
高番のダイヤモンドビトリファイドボンドカップホイール型研削砥石を用いることにより、平坦化研削加工されたＳｉＣ結晶基板の表面粗さ（Ｒａ）は、１ｎｍ以下であり、かつ、平坦化研削加工されたＳｉＣ結晶基板表面は研削加工螺旋条痕が見受けられない鏡面を呈する。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は反りのある半導体基板の表面を研削加工する工程を示すフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図１に示すように、本発明の被研削材を研削加工する方法は、次の工程を経由して実施される。
（１）．被研削材ｗを平板８上に置いて、被研削材の反り高さ（ｈ）を測定する（図１
ａ）。
（２）．冷凍チャック枠内に冷凍固定液を注入し、その深さ（Ｈ）を２．５〜１０ｍｍとする（図１ｂ）。
（３）．前記冷凍固定液膜上に被研削材ｗを載置した後、前記冷凍チャック２の温度を０℃以下に下げて冷凍固定液膜３を凍結させて被研削材ｗを冷凍固定する（図１ｃ）。
（４）．被研削材ｗと研削砥石４とが接触する加工点に研削液を研削液供給ノズル５より供給しながら研削砥石４と被研削材ｗの相対的な動きにより被研削材表面を研削加工する（図１ｄ）。
（５）．研削加工時間を短縮させることが必要なときは、冷凍固定液膜の凍結を維持した状態でより高番の研削砥石４０による研削加工ステージ６へ冷凍チャック２を移動させ、そのステージでより高番の研削砥石４０を用い、研削液を供給しながら前記高番の研削砥石４０と被研削材ｗの相対的な動きにより被研削材表面を研削加工する（図１ｅ）。
（６）．所望量の研削取り代量となったら研削加工を終了させ、冷凍チャック２を加熱して冷凍固定液膜３を解凍し、液状化させた後、研削砥石を研削加工点より遠ざける（図１ｆ）。
（７）．然る後、被研削材研削加工面に洗浄水を供給して洗浄した(図１ｇ)後、被研削材ｗを冷凍チャック２上より反り測定平板８上へ移送する(図１ｈ)。
【００２０】
研削砥石４としては、砥石車、溝加工用成形砥石車、カップホイール型砥石、平砥石、スエード、パフ、ポリウレタン発泡シート、不織布等の研磨具を定盤の表面に貼付した研磨パッド等が研削加工目的に応じて使用される。また、研削加工時間を短縮するため、砥番の異なった２種の研削砥石を準備し、先に目的研削取り代の７５〜９０％を粗研削砥石４で行った後、より高番の仕上げ研削砥石４０に変えて更に５〜２０μｍの研削取り代を研削加工することも行われる。
【００２１】
冷凍固定液３としては、イオン交換水、蒸留水、深海層水等の純水；メタノール水溶液；エチレンジアミン、酢酸ナトリウム、塩化アンモニウム、水酸化マグネシウム、エタノール、グリセリン、塩化ナトリウム、ポリシュガーエステル等の畜冷剤を溶解した水溶液、エミネンサプライ社製ポリシリコーンオイル含有冷凍固定液“マジックウオーター”（商品名）等の０度以下の温度で氷結し、常温（２３℃）で液状を呈する冷凍固定液が使用できる。再生利用のための排水処理の面および消費剤コストの面からは純水が最も好ましい。
【００２２】
冷凍チャック枠内に冷凍固定液を注入し、その深さ（Ｈ）を２．５〜１０ｍｍとする工程は、冷凍チャック枠内に厚み(高さ)０．５〜１ｍｍのステンレス製枠体（被研削材の形状に応じて円環状リングまたは四角枠体）スペーサー９であって、この枠体スペーサー枠内に被研削材ｗが納まる空間が形成される枠体スペーサー枠内に冷凍固定液３を注入・流延させて枠体スペーサー９を冷凍固定液内に埋没させると使用する冷凍固定液の量を減らすことができるとともに、枠体スペーサー９位置が冷凍固定液膜３上に被研削材を載置する位置である指示体（インディケータ）の役目をなすので便利である。冷凍固定液の膜厚（深さＨ）を２．５〜１０ｍｍとしたのは、２．５ｍｍ未満では研削加工された被研削材に割れやチッピングが生じるからであり、１０ｍｍを超えても平坦化研削加工による反りの低減効果の更なる向上が見受けられず、過剰量の冷凍固定液を使用することとなり、経済的でない。
【００２３】
研削砥石４と被研削材ｗの相対的な動きは、被研削材の研削加工の目的により異なった動きとなる。半導体基板の表面を平坦化加工するときは、回転する被研削材上に回転するカップホイール型研削砥石をインフィードし、当接・摺擦させながら定寸インフィードして基板の平坦化加工を実施する。長尺状被研削材表面に溝加工を行うときは、左右に往復反転移動するワークテーブル上の冷凍チャック内の冷凍固定液凍結膜上の長尺状被研削材
ｗに成形砥石車を当てて一方向シフトプランジ研削加工を行う。長尺状被研削材ｗ表面を平坦化鏡面加工するときは、トラバース研削加工を行う。
【実施例】
【００２４】
実施例１
６インチ径、厚み約７９０μｍのＳｉＣ基板の２０枚を市場より入手し、平板上に置いてＳｉＣ基板の反り高さを測定し、反り高さ（ｈ）が（３．２００±０．０１0）ｍｍ以
内のＳｉＣ基板１０枚を選別した。
図２に示す冷凍チャック２枠内に厚み(高さ)１．５ｍｍ、内径１５４ｍｍのステンレス製円環状枠体スペーサー９を敷設し、この円環状枠体スペーサー９を埋没させる量の表１に示す深さ（Ｈ）が得られるメタノール水溶液（冷凍固定液）３を冷凍チャック２枠内に注入・流延させて円環状枠体スペーサー９を埋没させた表１に示す深さ（Ｈ）の冷凍固定液膜３を形成させた。ついで、前記冷凍固定液膜３上に表１に示す反り（ｈ）を有するＳｉＣ基板ｗを載置した後、前記冷凍チャック２の温度を−５℃に下げて冷凍固定液膜３を凍結させてＳｉＣ基板ｗを冷凍固定液膜上に冷凍固定した。ＳｉＣ基板ｗを冷凍固定液膜３に冷凍固定した冷凍チャック２を株式会社岡本工作機械製作所製インデックス型基板研削装置”ＧＮＸ２１２機“（商品名）上のバキュームチャック上へ移動させ、ついで、砥番＃８，０００のダイヤモンドビトリファイドボンドカップホイール型研削砥石４を３，０００ｍｉｎ−１で回転させながら下方向にインフィードし、１２０ｍｉｎ−１で回転している前記ＳｉＣ基板ｗ表面に当接・摺擦させて平坦化研削加工を開始し、さらに研削砥石の下方向インフィードを続行させて取り代５５０μｍの平坦化研削加工を行った。この平坦化研削加工の際、ＳｉＣ基板ｗと研削砥石４とが接触する加工点に研削液１０リットル／分を研削液供給ノズル５より供給し続けた。所望量の５５０μｍ研削取り代量となったら研削加工を終了させ、冷凍チャック２を加熱して冷凍固定液膜３を解凍し、液状化させた後、研削砥石４を研削加工点より遠ざけ、然る後、ＳｉＣ基板研削加工面に洗浄水を供給して洗浄した。ついで、洗浄スピン乾燥されたＳｉＣ基板の研削加工面を測定平板台７上に載せ、測定平板台表面ＳｉＣ基板の研削加工面間に形成された反り高さ（ｈ０）を測定した。その反り高さ（ｈ０）を表１に示す。
同様にして、他のＳｉＣ基板の６枚を用い、表１に示す膜厚（Ｈ）の冷凍固定液膜を形成させる外は、上記実験例と同様にして平坦化研削加工を行い、表１に示す反り高さ（ｈ０）を有する平坦化加工ＳｉＣ基板を得た。その表面には、螺旋状の研削条痕が見受けられた。
【００２５】
【表１】
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【００２６】
上記表１の実験結果より、冷凍固定液膜の膜厚（Ｈ）を２．５ｍｍ以上の膜厚となるように設けると、反りが低減され、割れやチッピングの無い平坦化研削加工ＳｉＣ基板が得られることが窺い知れる。
【００２７】
(実施例２)
実験番号５において、砥番＃８，０００のダイヤモンドビトリファイドボンドカップホイール型研削砥石４を用いるＳｉＣ基板ｗの取り代５５０μｍの平坦化研削加工を終えた
後、基板研削装置”ＧＮＸ２１２機“（商品名）のインデックステーブル９を１２０度回転させてＳｉＣ基板を仕上げ研削加工ステージに移動させ、そのステージ場所で砥番＃３０，０００のダイヤモンドビトリファイドボンドカップホイール型研削砥石４０を用い、研削砥石４０を１，８００ｍｉｎ−１で回転させながら下方向にインフィードし、１００ｍｉｎ−１で回転している前記ＳｉＣ基板ｗ表面に当接・摺擦させて平坦化研削加工を開始し、さらに研削砥石の下方向インフィードを続行させて取り代２０μｍの平坦化研削加工を行った。この平坦化研削加工の際、ＳｉＣ基板ｗと研削砥石４とが接触する加工点に研削液１０リットル／分を研削液供給ノズルより供給し続けた。所望量の２０μｍ研削取り代量となったら研削加工を終了させ、冷凍チャック２を加熱して冷凍固定液膜３を解凍し、液状化させた後、研削砥石４０を研削加工点より遠ざけ、然る後、ＳｉＣ基板研削加工面に洗浄水を供給して洗浄した。ついで、洗浄スピン乾燥されたＳｉＣ基板の研削加工面を測定平板台上に載せ、測定平板台表面ＳｉＣ基板の研削加工面間に形成された反り高さ（ｈ０）を測定した。
その反り高さ（ｈ０）は、0.54ｍｍであった。また、研削加工面の表面粗さ（Ｒａ）は、１．０ｎｍ以下であり、研削螺旋条痕が見受けられない鏡面であった。
【００２８】
実施例３
３００ｍｍ径、厚み約６０ｍｍ、シリコン基盤面粗さ（Ｒａ）１．２μｍ、反り高さ１．２ｍｍの裏面研削加工半導体基板（シリコン基盤の表面に配線プリントが施された基板）を市場より入手した。冷凍チャック２枠内に厚み(高さ)１．５ｍｍ、内径３２０ｍｍのステンレス製円環状枠体スペーサー９を敷設し、この円環状枠体スペーサー９を埋没させる量のメタノール水溶液（冷凍固定液）３を冷凍チャック２枠内に注入・流延させて円環状枠体スペーサー９を埋没させた深さ（Ｈ）５．０ｍｍの冷凍固定液膜３を形成させた。ついで、前記冷凍固定液膜３上に前記裏面研削加工半導体基板の敗戦プリント面を下方に向けて冷凍固定液膜３上に載置した後、前記冷凍チャック２の温度を−５℃に下げて冷凍固定液膜３を凍結させて半導体基板を前記冷凍固定液膜上に冷凍固定した。半導体基板を冷凍固定液膜３に冷凍固定した冷凍チャック２を株式会社岡本工作機械製作所製研磨装置”ＰＮＸ３００機“（商品名）上のバキュームチャック上へ移動させ、ついで、研磨パッド４の回転軸を１００ｍｉｎ−１で回転させながら下方向にインフィードし、１２０ｍｉｎ−１で回転している前記半導体基板のシリコン基盤面に当接・摺擦させて平坦化研削加工を開始し、さらに研磨パッドの下方向インフィードを続行させて取り代２０μｍの平坦化研削加工を行った。この半導体基板の平坦化研削加工の際、研磨パッド４上にコロイダルシリカ粒子を分散させた研磨剤スラリーを１０リットル／分供給し続けた。所望量の２０μｍ研削取り代量となったら裏面研削加工を終了させ、冷凍チャック２を加熱して冷凍固定液膜３を解凍し、液状化させた後、研磨パッド４を研削加工点より遠ざけ、然る後、半導体基板のシリコン基盤面に洗浄水を供給して洗浄した。ついで、洗浄スピン乾燥された半導体基板のシリコン基盤面を測定平板台７上に載せ、測定平板台表面とシリコン基盤面間に形成された反り高さ（ｈ０）を測定したところ、反り高さ（ｈ０）は、０．８ｍｍであった。シリコン基盤面の表面粗さは、０．０２μｍであった。
【産業上の利用可能性】
【００２９】
本発明の反りを有する被研削材（ワーク）の冷凍チャックを用いる研削加工方法によると、反りが低減された平坦化研削加工ワークが得られる。さらに、高番の研削砥石を用いたときは、研削螺旋条痕がない鏡面であって、表面粗さが１．０ｎｍ以下の平坦化研削加工ワークが得られる。
【符号の説明】
【００３０】
１    インデックス型基板研削装置
ｗ    被研削材（ワーク）
２    冷凍チャック
３    冷凍固定液
４    粗研削砥石
４０  仕上げ研削砥石
５    研削液供給ノズル
６    研削加工ステージ
７    測定平板台
９    インデックス型ワークテーブル
【図１】
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