(57)【要約】【課題】貫通導体内に空洞部が生じることを抑制するとともに、例えば厚みが２０μｍ以下の微細な配線導体を備えた電気的な接続信頼性に優れる高密度配線の配線基板の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】上面と下面とを有する絶縁層１の上面と下面との間に貫通孔２を形成する工程と、貫通孔２内のみに第１めっき導体３を析出させることにより、貫通孔２内を第１めっき導体３で充填する工程と、第１めっき導体３上を含む上面および下面に第２めっき導体４を所定パターンに選択的に析出させる工程とを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面と下面とを有する絶縁層の前記上面と下面との間に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔内のみに第１めっき導体を析出させることにより、前記貫通孔内を前記第１めっき導体で充填する工程と、前記第１めっき導体上を含む前記上面および下面に第２めっき導体を所定パターンに選択的に析出させる工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、薄型の配線基板として、絶縁層に複数の貫通孔を設けてこれらの貫通孔内をめっき導体で充填して貫通導体を形成するとともに、絶縁層の上下面に貫通導体と同じめっき導体から成る配線導体を形成した配線基板が知られている。このような配線基板は、例えば次のように形成される。まず、厚みが４０〜３００μｍ程度の絶縁層にレーザ加工により直径が５０〜１１０μｍ程度の貫通孔を複数形成する。次に、無電解めっき法により貫通孔内壁および絶縁層の上下面に０．１〜１μｍ程度の薄い無電解めっき層を被着させる。次に、この無電解めっき層上に配線導体に対応した開口パターンを有するめっきレジストを形成する。次に、電解めっき法により貫通孔内にめっき導体を充填させるとともに、絶縁層上の開口パターン内にめっき導体を被着する。最後にめっきレジストを剥離除去するとともにめっき導体から露出する無電解めっき層をエッチング除去することで、貫通孔内および絶縁層上に貫通導体および配線導体が形成される。
【０００３】
ところが、貫通孔内にめっき導体を充填させるときに、貫通孔の開口部付近では電解めっき液が良好に流動してめっき導体を析出させるための金属イオンが十分に供給されやすいものの、貫通孔の内部には電解めっき液が滞留しやすいのでめっき導体を析出させるための金属イオンが十分に供給されにくい。したがって、貫通孔の開口部付近は、貫通孔の内部に比べてめっき導体の析出が速い。このため、貫通孔の開口部付近が先に充填されて塞がれてしまい、貫通孔の内部に電解めっき液が残留する空洞部が生じてしまう。その結果、残留する電解めっき液により貫通導体に腐食が生じて貫通導体の電気的な接続信頼性が損なわれてしまう場合がある。
これを回避するために、電解めっきの際に通電する電流を小さくすることが考えられる。通電する電流を小さくすることで、貫通孔の開口部付近で消費される金属イオンの消費速度を低減し、貫通孔の中央部に十分な量の金属イオンを供給することができる。これにより、貫通孔の開口部付近および中央部におけるめっき導体の析出速度差をなくし、貫通導体に空洞部が生じることを抑制できる。
しかし、通電する電流を小さくすると、貫通孔内をめっき導体で充填するための時間が長くなってしまう。このため、絶縁層上にめっき導体が過剰に析出して配線導体の厚みが厚くなるため、微細な配線導体を有する高密度配線の配線基板を形成することができないという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１８８７４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、絶縁層に設けられた貫通孔内をめっき導体から成る貫通導体で充填するとともに、絶縁層の上下面にめっき導体から成る配線導体を備えた配線基板において、貫通導体内に空洞部が生じることを抑制するとともに、例えば厚みが２０μｍ以下の微細な配線導体を備えた電気的な接続信頼性に優れる高密度配線の配線基板の製造方法を提供することを課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の製造方法は、上面と下面とを有する絶縁層の上面と下面との間に貫通孔を形成する工程と、貫通孔内のみに第１めっき導体を析出させることにより、貫通孔内を第１めっき導体で充填する工程と、第１めっき導体上を含む上面および下面に第２めっき導体を所定パターンに選択的に析出させる工程とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の配線基板の製造方法によれば、まず、貫通孔内のみに第１めっき導体を析出させて貫通孔内を第１めっき導体で充填した後、第１めっき導体上を含む上面および下面に第２めっき導体を所定パターンに選択的に析出させることから、貫通孔内に第１めっき導体を析出させるための電流の大きさや時間にかかわらず、絶縁層の上下面に所定の厚みの第２めっき層を析出させることが可能になる。したがって、貫通孔内を第１めっき導体で充填する際に、通電する電流を小さくして長時間かけて空洞部を形成することなく良好に充填することができる。さらに、第２めっき導体を所定パターンに析出させる際に、第２めっき導体の厚みを例えば２０μm以下の薄いものとして微細な配線導体を形成することができる。したがって、貫通導体内に空洞部のない、微細配線導体を備えた電気的な接続信頼性に優れる高密度配線の配線基板が製造可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１（ａ）〜（ｇ）は、本発明の配線基板の製造方法における実施形態の一例を説明するための工程毎の要部概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
図１（ａ）〜（ｇ）を基に本発明の配線基板の製造方法における実施形態の一例を説明する。
まず、図１（ａ）に示すように、上面および下面を有する絶縁層１の上面から下面にかけて貫通孔２を形成する。絶縁層１は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料から成る。絶縁層１の厚みは４０〜３００μｍ程度である。このような絶縁層１は、ガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて半硬化させたプリプレグの両面に厚みが２〜１８μｍ程度の金属箔を張りつけたものを熱硬化させた後、両面の金属箔をエッチング除去することにより得られる。
【００１０】
貫通孔２は、例えばレーザ加工やブラスト加工、あるいはドリル加工により形成される。貫通孔の直径は、５０〜１１０μｍ程度である。なお、貫通孔２を形成した後には、デスミア処理をすることが好ましい。
【００１１】
次に、絶縁層１の上下面および貫通孔２内壁に厚みが０．１〜１μｍ程度の薄い無電解めっき層（不図示）を被着させる。無電解めっき層は、後述するめっき導体の下地金属として機能し、例えば、無電解銅めっき層が好適に用いられる。その後、図１（ｂ）に示すように、貫通孔２内を露出させる開口部を有するめっきレジストＲを絶縁層１の上下面に形成する。
【００１２】
次に、図１（ｃ）に示すように、貫通孔２内のみに第１めっき導体３を析出させることにより、貫通孔２内を第１めっき導体３で充填する。なお、第１めっき導体３としては、電解銅めっきが好適に用いられる。このとき、貫通孔２内に空洞部が形成されないように小さい電流を印加しながら、長時間をかけて第１めっき導体３を析出させる。具体的には、例えば絶縁層１の厚みが１００μｍで貫通孔２の直径が１００μｍであれば、銅濃度が５０〜６０ｇ／ｌから成る銅めっき液を用い、めっき液の温度を２１〜２５℃にするとともに５〜４０Aの電流を印加しながら、１〜２時間めっきすることにより貫通孔２の内部を空洞部なしで完全に充填することができる。このようなめっきの条件は、絶縁層１の厚みや貫通孔２の直径などに応じて印加する電流の大きさやめっき時間を変えて充填の具合を確認する実験的手法により見つけ出すことができる。
【００１３】
次に、図１（ｄ）に示すように、めっきレジストＲを剥離する。これにより、貫通孔２内に第１めっき導体３から成る貫通導体が形成される。
【００１４】
次に、図１（ｅ）に示すように、第１めっき導体３上およびその周囲を含む絶縁層１の上面および下面に、配線導体用の所定パターンを有するめっきレジストＲを形成する。
【００１５】
次に、図１（ｆ）に示すように、めっきレジストＲから露出する第１めっき導体３上および絶縁層１上に、第２めっき導体４を析出させる。第２めっき導体４としては、電解銅めっきが好適に用いられる。第２めっき導体の析出には、例えば公知の電解銅めっき液を用い、その推奨条件でめっきすればよい。第２めっき導体４の厚みは、１０〜２０μｍとする。第２めっき導体４の厚みを１０〜２０μｍとすることにより、配線幅および配線間隔が２０μｍ以下の微細な配線導体を形成することが可能になる。
【００１６】
最後に、図１（ｇ）に示すように、めっきレジストＲを剥離するとともに第２めっき導体４から露出する無電解めっき層（不図示）をエッチング除去する。これによって、貫通孔２内に第１めっき導体３から成る貫通導体が形成されているとともに、第１めっき導体３および絶縁層１の上下面に、第２めっき導体４から成る配線導体が形成された配線基板が形成される。
【００１７】
このように、本発明の配線基板の製造方法によれば、まず、貫通孔２内のみに第１めっき導体３を析出させて貫通孔２内を第１めっき導体３で充填した後、第１めっき導体３上を含む上面および下面に第２めっき導体４を所定パターンに選択的に析出させることから、貫通孔２内に第１めっき導体３を析出させるための電流の大きさや時間にかかわらず、絶縁層１の上下面に所定の厚みの第２めっき導体４を析出させることが可能になる。したがって、貫通孔２内を第１めっき導体３で充填する際に、通電する電流を小さくして長時間かけて空洞部を形成することなく良好に充填することができる。さらに、第２めっき導体４を所定パターンに析出させる際に、第２めっき導体４の厚みを例えば２０μm以下の薄いものとして微細な配線導体を形成することができる。したがって、貫通導体内に空洞部のない、微細配線導体を備えた電気的な接続信頼性に優れる高密度配線の配線基板が製造可能となる。
【００１８】
なお、本発明は、上述の実施形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。例えば、上述の製造方法の一例では、図１（ａ）および（ｂ）に示すように、絶縁層１に貫通孔２を形成した後にめっきレジストＲを形成しているが、無電解めっき層を被着させた絶縁層上にめっきレジストを形成した後に貫通孔を形成しても良い。これにより、貫通孔とめっきレジストの開口部とにずれが生じることを抑制できる。
【符号の説明】
【００１９】
１    絶縁層
２    貫通孔
３    第１めっき導体
４    第２めっき導体
【図１】
2014216579.tif 000003