(57)【要約】【課題】発光層の主に裏面から出射される光を効率よく取り出すことができる発光チップを効率的に生産することができる加工方法を提供すること。【解決手段】加工方法は透光性樹脂層形成工程と樹脂層平坦化工程と分割工程とを備える。透光性樹脂層形成工程では表面Ｗａに複数の分割予定ラインによって複数の領域が区画されこの区画された領域に発光層２ａが形成されたウエーハＷの裏面Ｗｂに発光層２ａから出射される光を透過する性質を有する液状樹脂を塗布し硬化してウエーハＷの裏面Ｗｂに透光性樹脂層Ｒを形成する。樹脂層平坦化工程ではウエーハＷ表面Ｗａ側を保持テーブルで保持してウエーハＷの裏面Ｗｂに形成された透光性樹脂層Ｒを露出させ透光性樹脂層Ｒを平坦化する。分割工程では透光性樹脂層Ｒ及びウエーハＷを分割予定ラインに沿って個片化して複数の発光チップ２に分割する。【選択図】図５
2014239100.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に発光層を備えたチップと、該チップの裏面側に貼着された該発光層から出射される光を透過する透光性部材と、から形成された発光チップを製造する加工方法であって、
基板の表面に複数の分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域に発光層が形成されたウエーハの裏面に、該発光層から出射される光を透過する性質を有する液状樹脂を塗布し硬化して、ウエーハの裏面に透光性樹脂層を形成する透光性樹脂層形成工程と、
該透光性樹脂層形成工程を実施した後に、ウエーハ表面側を保持テーブルで保持してウエーハの裏面に形成された透光性樹脂層を露出させ、該透光性樹脂層を平坦化する樹脂層平坦化工程と、
樹脂層平坦化工程を実施した後に、該透光性樹脂層及び該ウエーハを該分割予定ラインに沿って個片化して複数の発光チップに分割する分割工程と、
を備える加工方法。
【請求項２】
前記樹脂層平坦化工程では、バイト切削手段で該透光性樹脂層を切削して平坦化する請求項１記載の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオード等の発光デバイスを形成する発光チップを製造する加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、ＬＤ（Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅ）等の光デバイスは、結晶成長用基板上にエピタキシャル層（結晶層）を成長させ、更に格子状の分割予定ラインで区画された各領域に形成される。その後、例えば結晶成長用基板を分割予定ラインに沿って分割して個片化することで、個々の光デバイスが製造されている。
【０００３】
緑色や青色の光を出射する発光層がＩｎＧａＮ系のチップでは、サファイアが結晶成長用基板に一般的に用いられ、このサファイア基板上に順次ｎ型ＧａＮ半導体層、ＩｎＧａＮ発光層、ｐ型ＧａＮ半導体層をエピタキシャル成長させる。そして、ｎ型ＧａＮ半導体層とｐ型ＧａＮ半導体層のそれぞれに外部取り出し用電極が形成されて光デバイスが形成される。
【０００４】
ＬＥＤ等の光デバイスにおいては、より高い輝度が求められており、光の取り出し効率の向上が要望されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平４−１０６７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
サファイア基板の厚みが薄すぎる場合には、ＧａＮ半導体層（発光層）の裏面側から出射した光は、サファイア基板を透過して、パッケージ基板で反射しＧａＮ半導体層（発光層）側に再入斜してしまい、輝度がその分低下してしまうという問題がある。一方で、サファイア基板を厚くすることでＧａＮ半導体層（発光層）の裏面側から出射する光は、パッケージ基板で反射しても再度ＧａＮ半導体層（発光層）に入斜することなく外部へ発光されるため、輝度の向上が図れるが、厚いサファイア基板を加工することは困難を極める。
【０００７】
本発明は、上記問題に鑑みなされたもので、その目的は、ＧａＮ半導体層（発光層）の主に裏面から出射される光を効率よく取り出すことができる発光チップを効率的に生産することができる加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の加工方法は、表面に発光層を備えたチップと、該チップの裏面側に貼着された該発光層から出射される光を透過する透光性部材と、から形成された発光チップを製造する加工方法であって、基板の表面に複数の分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域に発光層が形成されたウエーハの裏面に、該発光層から出射される光を透過する性質を有する液状樹脂を塗布し硬化して、ウエーハの裏面に透光性樹脂層を形成する透光性樹脂層形成工程と、該透光性樹脂層形成工程を実施した後に、ウエーハ表面側を保持テーブルで保持してウエーハの裏面に形成された透光性樹脂層を露出させ、該透光性樹脂層を平坦化する樹脂層平坦化工程と、樹脂層平坦化工程を実施した後に、該透光性樹脂層及び該ウエーハを該分割予定ラインに沿って個片化して複数の発光チップに分割する分割工程と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
また、前記加工方法は、前記樹脂層平坦化工程では、バイト切削手段で該透光性樹脂層を切削して平坦化することが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本願発明の加工方法によれば、発光層を有するウエーハの裏面に液状樹脂を塗布し、液状樹脂が硬化して形成された透光性樹脂層を平坦化する。このために、容易に厚さの均一な透光性樹脂層を形成することができ、輝度の向上可能なＧａＮ半導体層（発光層）を有する基板層の裏面に透光性部材を貼着した発光チップを効率的に生産することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、実施形態１に係る加工方法により製造される発光チップを含んで構成される発光ダイオードの構成例を模式的に示す斜視図である。
【図２】図２（ａ）は、実施形態１に係る加工方法により発光チップに加工されるウエーハの構成例を示す斜視図であり、図２（ｂ）は、実施形態１に係る加工方法の透光性樹脂層形成工程の概要を示す側断面図である。
【図３】図３は、実施形態１に係る加工方法の樹脂層平坦化工程の一部の概要を示す側断面図である。
【図４】図４は、実施形態１に係る加工方法の樹脂層平坦化工程の残りの一部の概要を示す側断面図である。
【図５】図５は、実施形態１に係る加工方法の分割工程の概要を示す側断面図である。
【図６】図６は、実施形態２に係る加工方法の分割工程の一部の概要を示す側断面図である。
【図７】図７は、実施形態２に係る加工方法の分割工程の残りの一部の概要を示す側断面図である。
【図８】図８は、図７の要部の概要を示す側断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１３】
〔実施形態１〕
実施形態１に係る加工方法を、図１から図５に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係る加工方法により製造される発光チップを含んで構成される発光ダイオードの構成例を模式的に示す斜視図、図２（ａ）は、実施形態１に係る加工方法により発光チップに加工されるウエーハの構成例を示す斜視図、図２（ｂ）は、実施形態１に係る加工方法の透光性樹脂層形成工程の概要を示す側断面図、図３は、実施形態１に係る加工方法の樹脂層平坦化工程の一部の概要を示す側断面図、図４は、実施形態１に係る加工方法の樹脂層平坦化工程の残りの一部の概要を示す側断面図、図５は、実施形態１に係る加工方法の分割工程の概要を示す側断面図である。
【００１４】
実施形態１に係る加工方法は、図１に示す発光ダイオード１の発光チップ２を製造する加工方法である。発光ダイオード１は、図１に示すように、基台となるリードフレーム３と、リードフレーム３に支持固定される発光チップ２とを備えている。
【００１５】
リードフレーム３は、円柱状に形成されており、底面に配線（不図示）等を介して外部の電源（不図示）に接続される２本のリード部材３ａ，３ａが設けられている。リードフレーム３の表面には、互いに絶縁された２本の接続端子３ｂ，３ｂが所定の間隔をあけて配置され、接続端子３ｂ，３ｂ間に透光性を有する樹脂（不図示）により発光チップ２が接着されて固定される。なお、接続端子３ｂ，３ｂとリード部材３ａ，３ａとは、１対１で対応し、対応したもの同士が接続されている。
【００１６】
発光チップ２は、表面に発光層２ａを備えたチップ２ｂと、チップ２ｂの裏面側に貼着された透光性部材２ｃと、から形成されている。チップ２ｂは、平面形状が矩形状の基板層２ｄと、基板層２ｄの表面に設けられた発光層２ａとを備えている。基板層２ｄは、実施形態１では、ＧａＮ（窒化ガリウム）で構成されたＧＡＮ基板、ＳｉＣ（炭化珪素)で構成されたＳｉＣ基板、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）などで構成された基板が用いられる。
【００１７】
発光層２ａは、ＧａＮ系の半導体材料を用いて形成される複数の半導体層（ＧａＮ半導体層）を含む。発光層２ａは、電子が多数キャリアとなるｎ型半導体層（例えば、ｎ型ＧａＮ層）、半導体層（例えば、ＩｎＧａＮ層）、正孔が多数キャリアとなるｐ型半導体層（例えば、ｐ型ＧａＮ層）を順にエピタキシャル成長させることで形成される。また、発光チップ２の表面には、ｎ型半導体層及びｐ型半導体層のそれぞれと接続され、発光層２ａに電圧を印加する２個の電極（不図示）が形成される。なお、これらの電極は、リード線４ａ，４ａを介して、接続端子３ｂ，３ｂと接続される。発光層２ａは、電圧が印加されると発光する即ち光を出射する。
【００１８】
透光性部材２ｃは、発光チップ２の基板層２ｄの裏面に配置されている。透光性部材２ｃは、発光層２ａから出射される光を透過する樹脂などで構成されている。透光性部材２ｃは、基板層２ｄの裏面に塗布された液状樹脂Ｊ（図２（ｂ）に示す）が硬化することで得られる。なお、この液状樹脂Ｊは、硬化後に発光層２ａから出射される光を透過する性質を有するものである。透光性部材２ｃは、基板層２ｄと同等以上の厚みを有することが望ましい。
【００１９】
発光ダイオード１は、発光チップ２の透光性部材２ｃが透光性を有する樹脂（不図示）でリードフレーム３の表面に接着され、接続端子３ｂ，３ｂにリード線４ａ，４ａを介して発光チップ２の電極に接続されて得られる。また、発光ダイオード１は、リードフレーム３の外周縁に発光チップ２の表面側を覆い発光層２ａから放出される光を所定方向へと導くドーム状のレンズ部材５が取り付けられている。
【００２０】
発光ダイオード１は、発光層２ａに電圧が印加されると、半導体層にはｎ型半導体層から電子が流れ込むと共に、ｐ型半導体層から正孔が流れ込む。その結果、半導体層において電子と正孔との再結合が生じ、所定の波長の光が放出される。実施形態１では、ＧａＮ系の半導体材料を用いて発光層となる半導体層を形成しているので、ＧａＮ系の半導体材料のバンドギャップに相当する青色や緑色の光が放出される。半導体層で生じた光は、主に、発光層２ａの表面及び裏面から放出される。発光層２ａの表面から放出された光は、レンズ部材５等を通じて発光ダイオード１の外部に取り出される。
【００２１】
一方、発光ダイオード１において、発光層２ａの裏面から放出された光は、一部が基板層２ｄと透光性部材２ｃとの界面において反射するが、別の一部が基板層２ｄと透光性部材２ｃとの界面を透過して透光性部材２ｃの側面等から外部に取り出される。このように、実施形態１に係る発光ダイオード１は、表面に発光層２ａを備える発光チップ２の裏面側に、発光層２ａから出射される光を透過させる透光性部材２ｃを備えるので、リードフレーム３との界面で反射して発光層２ａに戻る光の割合を低く抑え、発光層２ａの主に裏面から出射される光を効率よく取り出すことができ、光の取り出し効率を高めることができるものである。
【００２２】
実施形態１に係る加工方法は、表面Ｗａに前述した発光層２ａが複数形成されたウエーハＷに、透光性樹脂層形成加工、樹脂層平坦化加工と、分割加工を施す加工方法であって、透光性樹脂層形成工程と、樹脂層平坦化工程と、分割工程とを備える。なお、加工対象であるウエーハＷは、基板層２ｄを構成するものであって、ＧａＮ（窒化ガリウム）、ＳｉＣ、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）などで構成されている。ウエーハＷは、図２（ａ）に示すように、基板の表面Ｗａに複数の分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された各領域に発光層２ａが形成されたものである。
【００２３】
まず、透光性樹脂層形成工程では、図２（ｂ）に示すように、ウエーハＷ（図２（ａ）に示す）の表面Ｗａに保護テープＴ１を貼着する。そして、ウエーハＷ（図２（ａ）に示す）の表面Ｗａを保護テープＴ１を介して、塗布装置１０のチャックテーブル１１に保持させる。その後、ウエーハＷの裏面Ｗｂに、発光層２ａから出射される光を透過する性質を有する液状樹脂Ｊを塗布装置１０の塗布ノズル１２から塗布し、液状樹脂Ｊの塗布後又は塗布中にチャックテーブル１１を軸心回りに回転させる。液状樹脂Ｊを硬化して、ウエーハＷの裏面Ｗｂに透過性樹脂層Ｒを形成する。なお、液状樹脂Ｊとしては、外部刺激としての熱や紫外線により硬化する樹脂を用いることができる。また、液状樹脂Ｊとしては、常温により硬化する樹脂を用いても良い。熱により硬化する樹脂としては、例えば、１５０℃に加熱して２時間３０分程度で硬化するシリコーンボンド剤（信越化学製、ＫＥＲ−３０００）を用いることができ、紫外線により硬化する樹脂としては、例えば、紫外線が照射されることで硬化するクリアパーツ専用ＵＶ硬化樹脂（スジボリ堂製）を用いることができる。そして、樹脂層平坦化工程に進む。
【００２４】
樹脂層平坦化工程では、透光性樹脂層形成工程を実施した後に、まず、図３に示すように、ウエーハＷ表面Ｗａ側を保護テープＴ１を介して、バイト切削装置２０の保持テーブル２１で保持する。ウエーハＷの裏面Ｗｂに形成された透光性樹脂層Ｒを露出させる。そして、バイト切削装置２０のバイト切削手段２２を軸心回りに回転させるとともに、バイト切削手段２２を透光性樹脂層Ｒの表層に接触させながら、保持テーブル２１をバイト切削手段２２に対して水平方向に移動させる。そして、バイト切削手段２２で透光性樹脂層Ｒの表層を切削して、透光性樹脂層Ｒを平坦化する。
【００２５】
また、樹脂層平坦化工程の他の実施形態として、ウエーハＷ表面Ｗａ側を保護テープＴ１を介して、研磨装置３０の保持テーブル３１で保持して、ウエーハＷの裏面Ｗｂに形成された透光性樹脂層Ｒを露出させる。そして、図４に示すように、保持テーブル３１を軸心回りに回転させるとともに、研磨装置３０の研磨ユニット３２を保持テーブル３１と同じ向きに軸心回りに回転させながら透光性樹脂層Ｒの表面に押し付ける。そして、透光性樹脂層Ｒの表面を研磨して、透光性樹脂層Ｒの表面を平坦化して、分割工程に進む。このよに、樹脂層平坦化工程では、図３に示されたバイト切削装置２０と図４に示された研磨装置３０とのうち一方を用いて、透光性樹脂層Ｒの表面を平坦化すればよい。
【００２６】
分割工程では、樹脂層平坦化工程を実施した後に、透光性樹脂層Ｒの平坦化した表面にダイシングテープＴ２を貼着し、図５に示すように、ウエーハＷの表面Ｗａから保護テープＴ１を剥離させる。そして、ダイシングテープＴ２を介して、透光性樹脂層Ｒを切削装置４０のチャックテーブル４１に保持させる。チャックテーブル４１と切削装置４０の軸心回りに回転する切削ブレード４２とを分割予定ラインに沿って相対的に移動させながら、ウエーハＷの表面Ｗａ側から分割予定ラインに沿って切削ブレード４２でウエーハＷを切削する。この際、透光性樹脂層Ｒ及びウエーハＷを切削ブレード４２で切削して、透光性樹脂層Ｒ及びウエーハＷを分割予定ラインに沿って個片化して、複数の透光性部材２ｃ及びチップ２ｂ即ち複数の発光チップ２に分割する。そして、個々に分割された発光チップ２をダイシングテープＴ２から取り外す。
【００２７】
実施形態１に係る加工方法によれば、発光層２ａを有するウエーハＷの裏面Ｗｂに液状樹脂Ｊを塗布し、液状樹脂Ｊが硬化して形成された透光性樹脂層Ｒを平坦化する。このために、実施形態１に係る加工方法は、容易に厚さの均一な透光性樹脂層Ｒを形成することができる。したがって、実施形態１に係る加工方法は、輝度の向上可能なＧａＮ半導体層（発光層）を有する基板層２ｄの裏面に透光性部材２ｃを貼着して、発光層２ａの主に裏面から出射される光を効率よく取り出すことができる発光チップ２を効率的に生産することができる。
【００２８】
〔実施形態２〕
本発明の実施形態２に係る加工方法を、図６から図８に基づいて説明する。図６は、実施形態２に係る加工方法の分割工程の一部の概要を示す側断面図、図７は、実施形態２に係る加工方法の分割工程の残りの一部の概要を示す側断面図、図８は、図７の要部の概要を示す側断面図である。なお、実施形態１と同一部分には、同一符号を付して説明を省略する。
【００２９】
実施形態２に係る加工方法の加工対象のウエーハＷ及び透光性部材２ｃは、サファイアなどの切削ブレード３２によりフルカットが困難な硬質な材料で構成されている。実施形態２に係る加工方法は、実施形態１と同様に、透光性樹脂層形成工程と、樹脂層平坦化工程と、分割工程とを備える。さらに、実施形態２に係る加工方法は、分割工程の前に、ウエーハＷを透過する波長のレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射して、分割予定ラインに沿ってウエーハＷの内部に改質層Ｋ（分割起点に相当）を形成する分割起点形成工程を実施する。なお、分割起点形成工程は、透光性樹脂層形成工程、樹脂層平坦化工程などの前後に実施しても良い。
【００３０】
なお、改質層Ｋとは、ウエーハＷを分割するための分割起点であって、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味し、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、及びこれらの領域が混在した領域等を例示できる。
【００３１】
分割工程では、樹脂層平坦化工程を実施した後に、まず、図６に示すように、ウエーハＷの表面Ｗａを保護テープＴ１を介して、切削装置４０のチャックテーブル４１に保持させる。チャックテーブル４１と切削装置４０の切削ブレード４２とを分割予定ラインに沿って相対的に移動させながら、透光性樹脂層Ｒ側から分割予定ラインに沿って切削ブレード４２で、透光性樹脂層Ｒを切削する。透光性樹脂層Ｒを切削ブレード４２で切削して、透光性樹脂層Ｒを分割予定ラインに沿って個片化して、複数の透光性部材２ｃに分割する。
【００３２】
そして、保護テープＴ１の外縁部に環状フレームＦを取り付け、ウエーハＷを環状フレームＦ毎、図７に示すように、保護テープＴ１が上方に位置する状態でブレーキング装置５０の保持台５１に保持させる。そして、ブレーキング装置５０の押圧ブレード５２を、ウエーハＷの各分割予定ラインに押圧させて、ウエーハＷの各分割予定ラインに沿って外力を付与する。そして、図８に示すように、改質層Ｋを起点にウエーハＷを分割予定ラインに沿って個片化して複数のチップ２ｂ即ち発光チップ２に分割する。ウエーハＷをすべての分割予定ラインに沿って分割すると、個々に分割された発光チップ２を保護テープＴ１から取り外す。
【００３３】
実施形態２に係る加工方法によれば、前述した実施形態１と同様に、容易に厚さの均一な透光性樹脂層Ｒを形成することができ、発光層２ａの主に裏面から出射される光を効率よく取り出すことができる発光チップ２を効率的に生産することができる。また、実施形態２に係る加工方法によれば、改質層Ｋを起点にウエーハＷを分割するので、ウエーハＷを硬質なサファイアで構成しても、容易に分割でき、発光チップ２を効率的に生産することができる。
【００３４】
前述した実施形態２では、分割起点形成工程では、分割起点として改質層Ｋを形成したが、本発明では、アブレーション加工により分割起点としてレーザー加工溝を形成しても良い。
【００３５】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【符号の説明】
【００３６】
２  発光チップ
２ａ  発光層
２ｂ  チップ
２ｃ  透光性部材
２１  保持テーブル
２２  バイト切削手段
３１  保持テーブル
Ｗ  ウエーハ
Ｗａ  表面
Ｗｂ  裏面
Ｊ  液状樹脂
Ｒ  透光性樹脂層
【図１】
2014239100.tif 000003
【図２】
2014239100.tif 000004
【図３】
2014239100.tif 000005
【図４】
2014239100.tif 000006
【図５】
2014239100.tif 000007
【図６】
2014239100.tif 000008
【図７】
2014239100.tif 000009
【図８】
2014239100.tif 000010