(57)【要約】【課題】ビルドアップ層にクラックが発生することを抑制する。【解決手段】ランド６１の側面に、はんだ１３０とモールド樹脂１５０との界面に対して交差する表面を有する剥離抑制部材６６を備える。これにより、仮にはんだ１３０とモールド樹脂１５０との界面において剥離が生じても、剥離抑制部材６６の表面において剥離の進展を堰き止めることができる。したがって、ビルドアップ層３０の上方において、剥離の進展を抑制することが可能となり、ビルドアップ層３０にクラックが発生することを抑制することが可能となる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面（２０ａ）を有するコア層（２０）と、
前記コア層の表面に形成された内層配線（５１）と、
前記コア層の表面に前記内層配線を覆う状態で配置されたビルドアップ層（３０）と、
前記ビルドアップ層のうち前記コア層と反対側の一面（３０ａ）に形成され、はんだ（１３０）を介して電子部品（１２１〜１２３）が搭載されるランド（６１）と、を備え、
前記電子部品および前記ランドがモールド樹脂（１５０）にて封止される電子装置の製造に適用される多層基板であって、
前記ランドの側面（６１ｃ）に対して交差し、前記側面から前記ランドの外側に向かって形成されると共に、前記モールド樹脂からの剥離強度が該モールド樹脂と前記はんだとの間の剥離強度よりも大きな材料で構成された剥離抑制部材（６６）を備えていることを特徴とする多層基板。
【請求項２】
前記剥離抑制部材は、前記ランドの側面に配置された銀ペーストであることを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
【請求項３】
前記剥離抑制部材は、前記ビルドアップ層の表面において、前記ランドの側面に配置されたソルダーレジスト（１１０）であることを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１つに記載の多層基板と、
前記ランドの表面に配置された前記はんだと、
前記はんだを介して前記ランドに搭載された前記電子部品と、
前記電子部品と前記ランドを封止する前記モールド樹脂と、を備える電子装置。
【請求項５】
表面（２０ａ）を有するコア層（２０）と、
前記コア層の表面に形成された内層配線（５１）と、
前記コア層の表面に前記内層配線を覆う状態で配置されたビルドアップ層（３０）と、
前記ビルドアップ層のうち前記コア層と反対側の一面（３０ａ）に形成されたランド（６１）と、を備えてなる多層基板（１０）と、
前記ランドの表面に配置されたはんだ（１３０）と、
前記はんだを介して前記ランドに搭載された電子部品（１２１〜１２３）と、
前記電子部品と前記ランドを封止するモールド樹脂（１５０）と、を備える電子装置であって、
前記ビルドアップ層のうち前記ランドの端部の下方に形成された溝部（３０ｂ）内に前記モールド樹脂が入り込み、該モールド樹脂の一部によって、前記ランドの側面（６１ｃ）に対して交差すると共に前記側面から前記ランドの外側に向かって形成される剥離抑制部材（６６）が構成されていることを特徴とする電子装置。
【請求項６】
表面（２０ａ）を有するコア層（２０）と、
前記コア層の表面に形成された内層配線（５１）と、
前記コア層の表面に前記内層配線を覆う状態で配置されたビルドアップ層（３０）と、
前記ビルドアップ層のうち前記コア層と反対側の一面（３０ａ）に形成されたランド（６１）と、を備えてなる多層基板（１０）と、
前記ランドの表面に配置されたはんだ（１３０）と、
前記はんだを介して前記ランドに搭載された電子部品（１２１〜１２３）と、
前記電子部品と前記ランドを封止するモールド樹脂（１５０）と、を備える電子装置であって、
前記ランドの側面まで濡れ広がった前記はんだに接しつつ、前記はんだよりも前記ランドの外側に配置され、前記モールド樹脂からの剥離強度および前記はんだとの間の剥離強度が前記モールド樹脂と前記はんだとの間の剥離強度よりも大きな材料で構成された剥離抑制部材（６６）が備えられていることを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品がはんだを介して搭載されるランドを有する多層基板およびこれを用いた電子装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、この種の電子装置として、次のものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
具体的には、この電子装置は、樹脂等で構成されるコア層とビルドアップ層とが積層され、コア層とビルドアップ層との間に内層配線が形成されていると共にビルドアップ層のうちコア層と反対側の一面にランドが形成された多層基板を備えている。ランドは、板状とされた金属膜と、金属膜よりはんだ濡れ性が高く、金属膜のうちビルドアップ層と反対側の一面および側面の全面に形成された金属メッキとを有する構成とされている。このランド上に、はんだを介してパワー素子や制御素子等の電子部品が搭載されている。そして、耐環境（耐腐食）性を向上させるためのモールド樹脂によって電子部品を含む多層基板の一面側が覆われることにより、電子装置が構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開昭６１−１３５１９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、図１３に示すように、モールド樹脂Ｊ１によって電子部品Ｊ２が覆われる上記電子装置では、金属膜Ｊ３の一面Ｊ３ａおよび側面Ｊ３ｂに金属メッキＪ４が形成されており、ランドＪ５の側面まではんだＪ６が濡れ広がる。また、モールド樹脂Ｊ１とはんだＪ６との密着力は、通常モールド樹脂Ｊ１とランドＪ５（金属）との密着力より弱い。このため、上記電子装置では、モールド樹脂Ｊ１がはんだＪ６との界面から剥離し易く、モールド樹脂Ｊ１がはんだＪ６から剥離するとビルドアップ層Ｊ７にクラックＪ８が発生する。
【０００６】
すなわち、モールド樹脂Ｊ１がはんだＪ６から剥離することによって生じる応力がビルドアップ層Ｊ７に伝播してビルドアップ層Ｊ７にクラックＪ８が発生する。
【０００７】
また、モールド樹脂Ｊ１が剥離することにより、モールド樹脂Ｊ１にてランドＪ５の変位を抑制できなくなるため、使用環境に応じてランドＪ５の膨張および収縮が可能となる。そして、ランドＪ５とビルドアップ層Ｊ７とは熱膨張係数が異なるため、ビルドアップ層Ｊ７に応力が印加される。特に、低温使用環境では、ランドＪ５が収縮することにより、ビルドアップ層Ｊ７のうちランドＪ５との界面の端部に多大な引張応力が印加され、ビルドアップ層Ｊ７にクラックＪ８が発生する。
【０００８】
そして、ビルドアップ層Ｊ７に発生したクラックＪ８が内層配線に到達すると、当該クラックＪ８に水等の異物が浸入した場合、ランドＪ５と内層配線とがショートするという問題が発生する。
【０００９】
本発明は上記点に鑑みて、ビルドアップ層にクラックが発生することを抑制できる多層基板およびこれを用いた電子装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、請求項１ないし４に記載の発明では、電子部品（１２１〜１２３）およびランド（６１）がモールド樹脂（１５０）にて封止される電子装置の製造に適用される多層基板であって、ランドの側面（６１ｃ）に対して交差し、その側面からランドの外側に向かって形成されると共に、モールド樹脂からの剥離強度が該モールド樹脂とはんだとの間の剥離強度よりも大きな材料で構成された剥離抑制部材（６６）を備えていることを特徴としている。
【００１１】
このように、ランドの側面に対して交差するように、その側面からランドの外側に向かって形成されると共に、モールド樹脂からの剥離強度が該モールド樹脂とはんだとの間の剥離強度よりも大きな材料で構成された剥離抑制部材を備えるようにしている。このため、仮にはんだとモールド樹脂との界面において剥離が生じても、剥離抑制部材の表面において剥離の進展を堰き止めることができる。したがって、ビルドアップ層の上方において、剥離の進展を抑制することが可能となり、ビルドアップ層にクラックが発生することを抑制することが可能となる。
【００１２】
請求項５に記載の発明では、ビルドアップ層（３０）のうちランド（６１）の端部の下方に形成された溝部（３０ｂ）内にモールド樹脂（１５０）が入り込み、該モールド樹脂の一部によって、ランドの側面（６１ｃ）に対して交差すると共に側面からランドの外側に向かって形成される剥離抑制部材（６６）が構成されていることを特徴としている。
【００１３】
このように、モールド樹脂をランドの端部の下方に形成された溝部に入り込ませることで剥離抑制部材を構成しても、請求項１と同様の効果を得ることができる。
【００１４】
請求項６に記載の発明では、ランド（６１）の側面（６１ｃ）まで濡れ広がったはんだ（１３０）に接しつつ、はんだよりもランドの外側に配置され、モールド樹脂（１５０）からの剥離強度およびはんだからの剥離強度が該モールド樹脂とはんだとの間の剥離強度よりも大きな材料で構成された剥離抑制部材（６６）が備えられていることを特徴としている。
【００１５】
このように、ランド上にはんだを形成してから、剥離抑制部材を備えることもできる。この場合にも、剥離抑制部材がはんだやモールド樹脂との間において高い密着力を有しているため、はんだとモールド樹脂の界面における剥離が剥離抑制部材によって堰き止められるようにできる。このように、はんだとランドとの接続よりも後に剥離抑制部材を配置するようにしても、請求項１と同様の効果を得ることができる。
【００１６】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１実施形態における電子装置の断面図である。
【図２】図１中の領域Ａの拡大図である。
【図３】図１に示す電子装置において、パワー素子１２１が接続されるランド６１および剥離抑制部材６６を基板表面に対する垂直方向から視たときのレイアウト図である。
【図４】図１に示す多層基板の製造工程を示す断面図である。
【図５】図４に続く多層基板の製造工程を示す断面図である。
【図６】図５に続く多層基板の製造工程を示す断面図である。
【図７】本発明の第２実施形態にかかる電子装置の部分拡大図である。
【図８】図７に示す電子装置において、受動素子１２３が接続されるランド６１および剥離抑制部材６６を基板表面に対する垂直方向から視たときのレイアウト図である。
【図９】本発明の第３実施形態にかかる電子装置の部分拡大図である。
【図１０】図９に示す電子装置において、受動素子１２３が接続されるランド６１および剥離抑制部材６６を基板表面に対する垂直方向から視たときのレイアウト図である。
【図１１】本発明の第４実施形態にかかる電子装置の部分拡大図である。
【図１２】本発明の第５実施形態にかかる電子装置の部分拡大図である。
【図１３】多層基板にクラックが発生した様子を示す電子装置の拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１９】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について説明する。なお、本実施形態の電子装置は、例えば、自動車等の車両に搭載され、車両用の各種電子装置を駆動するために適用されると好適である。
【００２０】
図１に示されるように、電子装置は、一面１０ａおよび他面１０ｂを有する多層基板１０と、多層基板１０の一面１０ａ上に搭載された電子部品１２１〜１２３と、を備えている。そして、多層基板１０の一面１０ａ側を電子部品１２１〜１２３と共にモールド樹脂１５０で封止することにより、電子装置が構成されている。
【００２１】
多層基板１０は、絶縁樹脂層としてのコア層２０と、コア層２０の表面２０ａに配置された表面２０ａ側のビルドアップ層３０と、コア層２０の裏面２０ｂ側に配置された裏面２０ｂ側のビルドアップ層４０と、内層配線５１、５２などを備える積層基板である。
【００２２】
なお、コア層２０およびビルドアップ層３０、４０は、ガラスクロスの両面を樹脂で封止してなるプリプレグ等で構成され、プリプレグの樹脂としては、エポキシ樹脂等が挙げられる。また、プレプレグの樹脂には、必要に応じて、アルミナやシリカ等の電気絶縁性かつ放熱性に優れたフィラーが含有されていてもよい。
【００２３】
そして、コア層２０とビルドアップ層３０との界面には、パターニングされた表面側内層配線５１（以下では、単に内層配線５１という）が形成されている。同様に、コア層２０とビルドアップ層４０との界面には、パターニングされた裏面側内層配線５２（以下では、単に内層配線５２という）が形成されている。
【００２４】
また、ビルドアップ層３０の表面３０ａには、パターニングされた表面側表層配線６１〜６３（以下では、単に表層配線６１〜６３という）が形成されている。本実施形態では、表層配線６１〜６３は、電子部品１２１〜１２３が搭載される搭載用のランド６１、電子部品１２１、１２２とボンディングワイヤ１４１、１４２を介して電気的に接続されるボンディング用のランド６２、外部回路と電気的に接続される表面パターン６３とされている。
【００２５】
同様に、ビルドアップ層４０の表面４０ａには、パターニングされた裏面側表層配線７１、７２（以下では、単に表層配線７１、７２という）が形成されている。本実施形態では、表層配線７１、７２は、後述するフィルドビアを介して内層配線５２と接続される裏面パターン７１、放熱用のヒートシンクが備えられるヒートシンク用パターン７２（以下では、単にＨＳ用パターン７２という）とされている。
【００２６】
なお、ビルドアップ層３０の表面３０ａとは、ビルドアップ層３０のうちコア層２０と反対側の一面のことであり、多層基板１０の一面１０ａとなる面のことである。また、ビルドアップ層４０の表面４０ａとは、ビルドアップ層４０のうちコア層２０と反対側の一面のことであり、多層基板１０の他面１０ｂとなる面のことである。そして、内層配線５１、５２、表層配線６１〜６３、表層配線７１、７２は、具体的には後述するが、銅等の金属箔や金属メッキが適宜積層されて構成されている。
【００２７】
内層配線５１と内層配線５２とは、コア層２０を貫通して設けられた貫通ビア８１を介して電気的および熱的に接続されている。具体的には、貫通ビア８１は、コア層２０を厚さ方向に貫通する貫通孔８１ａの壁面に銅等の貫通電極８１ｂが形成され、貫通孔８１ａの内部に充填材８１ｃが充填されて構成されている。
【００２８】
また、内層配線５１と表層配線６１〜６３、および内層配線５２と表層配線７１、７２とは、適宜各ビルドアップ層３０、４０を厚さ方向に貫通して設けられたフィルドビア９１、１０１を介して電気的および熱的に接続されている。具体的には、フィルドビア９１、１０１は、各ビルドアップ層３０、４０を厚さ方向に貫通する貫通孔９１ａ、１０１ａが銅等の貫通電極９１ｂ、１０１ｂにて充填された構成とされている。
【００２９】
なお、充填材８１ｃは、樹脂、セラミック、金属等が用いられるが、本実施形態では、エポキシ樹脂とされている。また、貫通電極８１ｂ、９１ｂ、１０１ｂは、銅等の金属メッキにて構成されている。
【００３０】
そして、各ビルドアップ層３０、４０の表面３０ａ、４０ａには、表面パターン６３および裏面パターン７１を覆うソルダーレジスト１１０が形成されている。なお、表面パターン６３を覆うソルダーレジスト１１０には、図１とは別断面において、表面パターン６３のうち外部回路と接続される部分を露出させる開口部が形成されている。
【００３１】
電子部品１２１〜１２３は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）等の発熱が大きいパワー素子１２１、マイコン等の制御素子１２２、チップコンデンサや抵抗等の受動素子１２３である。そして、各電子部品１２１〜１２３は、はんだ１３０を介してランド６１上に搭載されてランド６１と電気的、機械的に接続されている。また、パワー素子１２１および制御素子１２２は、周囲に形成されているランド６２ともアルミニウムや金等のボンディングワイヤ１４１、１４２を介して電気的に接続されている。
【００３２】
なお、ここでは、電子部品１２１〜１２３としてパワー素子１２１、制御素子１２２、受動素子１２３を例に挙げて説明したが、電子部品１２１〜１２３はこれらに限定されるものではない。
【００３３】
モールド樹脂１５０は、ランド６１、６２および電子部品１２１〜１２３を封止するものであり、エポキシ樹脂等の一般的なモールド材料が金型を用いたトランスファーモールド法やコンプレッションモールド法等により形成されたものである。
【００３４】
なお、本実施形態では、モールド樹脂１５０は、多層基板１０の一面１０ａのみに形成されている。つまり、本実施形態の電子装置は、いわゆるハーフモールド構造とされている。また、多層基板１０の他面１０ｂ側には、特に図示していないが、ＨＳ用パターン７２に放熱グリス等を介してヒートシンクが備えられている。
【００３５】
以上が本実施形態における電子装置の基本的な構成である。次に、本実施形態の特徴点である電子部品１２１〜１２３が搭載されるランド６１の構造について図２および図３を参照して説明する。なお、ここでは電子部品１２１〜１２３のうちパワー素子１２１を図示してあるが、制御素子１２２や受動素子１２３についても同様である。
【００３６】
パワー素子１２１が搭載されるランド６１は、図２に示されるように、はんだ１３０を介してパワー素子１２１の裏面と電気的および物理的に接続される。本実施形態では、パワー素子１２１としてＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴなどを想定していることから、パワー素子１２１を構成するチップは四角形状となっており、ランド６１のパワー素子１２１と対応する一回り大きな寸法の四角形状とされている。
【００３７】
ランド６１は、ビルドアップ層３０側と反対側の一面６１ａ、ビルドアップ層３０側の他面６１ｂ、これら一面６１ａと他面６１ｂとを繋ぐ側面６１ｃを有する板状とされている。具体的には、ランド６１は、例えばビルドアップ層３０の表面に形成した金属膜６４の表面を金属メッキ６５により覆った構成とされている。金属膜６４は、銅等で構成され、ビルドアップ層３０側と反対側の一面６４ａ、ビルドアップ層３０側の他面６４ｂ、これら一面６４ａと他面６４ｂとを繋ぐ側面６４ｃを有する板状とされている。金属メッキ６５は、金属膜６４よりはんだ濡れ性が高い金等で構成され、金属膜６４の一面６４ａや側面６４ｃに形成されているが、一面６４ａのみに形成されていても良い。
【００３８】
そして、このように構成されるランド６１の側面６１ｃに、はんだ１３０とモールド樹脂１５０との界面に対して交差する表面を有する剥離抑制部材６６を備えてある。剥離抑制部材６６は、ビルドアップ層３０の表面もしくはそれよりも上方において、はんだ１３０とモールド樹脂１５０との間の剥離の進展を堰き止めることで抑制する役割を果たす。本実施形態では、剥離抑制部材６６をランド６１の外周全周を囲むように形成しており、ランド６１の側面からはんだ１３０の外周端よりも外側の位置まで形成している。また、本実施形態では、剥離抑制部材６６をはんだ１３０よりもモールド樹脂１５０と高い密着力で密着する材料、換言すれば剥離するのに必要な剥離強度が高い材料で構成しており、例えばＡｇ（銀）ペーストやポリアミドイミドなどの接着材料で構成している。このため、剥離抑制部材６６をはんだ１３０とモールド樹脂１５０との界面に対して交差するように設けることで剥離の進展を堰き止めるのに加えて、モールド樹脂１５０と高い密着力で密着することで、剥離の進展を抑制している。また、剥離抑制部材６６をＡｇペーストやポリアミドイミドなどの接着材料で構成した場合、はんだ１３０やランド６１の構成材料とも高い密着性を有していることから、剥離抑制部材６６とはんだ１３０もしくはランド６１との間からの剥離も抑制できる。
【００３９】
以上が本実施形態における電子装置の構成である。次に、上記電子装置の製造方法について図４〜図６を参照しつつ説明する。なお、図４〜図６は、多層基板１０のうちパワー素子１２１が搭載される部分近傍の断面図である。
【００４０】
まず、図４（ａ）に示されるように、コア層２０の表面２０ａおよび裏面２０ｂに銅箔等の金属箔１６１、１６２が配置されたものを用意する。そして、図４（ｂ）に示されるように、ドリル等によって金属箔１６１、コア層２０、金属箔１６２を貫通する貫通孔８１ａを形成する。
【００４１】
その後、図４（ｃ）に示されるように、無電解メッキや電気メッキを行い、貫通孔８１ａの壁面および金属箔１６１、１６２上に銅等の金属メッキ１６３を形成する。これにより、貫通孔８１ａの壁面に、金属メッキ１６３にて構成される貫通電極８１ｂが形成される。なお、無電解メッキおよび電気メッキを行う場合には、パラジウム等の触媒を用いて行うことが好ましい。
【００４２】
続いて、図４（ｄ）に示されるように、金属メッキ１６３で囲まれる空間に充填材８１ｃを配置する。これにより、貫通孔８１ａ、貫通電極８１ｂ、充填材８１ｃを有する上記貫通ビア８１が形成される。
【００４３】
その後、図５（ａ）に示されるように、無電解メッキおよび電気メッキ等でいわゆる蓋メッキを行い、金属メッキ１６３および充填材８１ｃ上に銅等の金属メッキ１６４、１６５を形成する。
【００４４】
次に、図５（ｂ）に示されるように、金属メッキ１６４、１６５上に図示しないレジストを配置する。そして、当該レジストをマスクとしてウェットエッチング等を行い、金属メッキ１６４、金属メッキ１６３、金属箔１６１を適宜パターニングして内層配線５１を形成すると共に、金属メッキ１６５、金属メッキ１６３、金属箔１６２を適宜パターニングして内層配線５２を形成する。つまり、本実施形態では、内層配線５１は、金属箔１６１、金属メッキ１６３、金属メッキ１６４が積層されて構成され、内層配線５２は、金属箔１６２、金属メッキ１６３、金属メッキ１６５が積層されて構成されている。
【００４５】
なお、次の図５（ｃ）以降では、金属箔１６１、金属メッキ１６３、金属メッキ１６４、および金属箔１６２、金属メッキ１６３、金属メッキ１６５をまとめて１層として示してある。
【００４６】
その後、図５（ｃ）に示されるように、コア層２０における表面２０ａ側において、内層配線５１上にビルドアップ層３０および銅等の金属板１６６を積層する。また、コア層２０における裏面２０ｂ側において、内層配線５２上にビルドアップ層４０および銅等の金属板１６７を積層する。このようにして、上から順に、金属板１６６、ビルドアップ層３０、内層配線５１、コア層２０、内層配線５２、ビルドアップ層３０および金属板１６７が順に積層された積層体１６８を構成する。
【００４７】
続いて、図５（ｄ）に示されるように、積層体１６８の積層方向から加圧しつつ加熱することにより積層体１６８を一体化する。具体的には、積層体１６８を加圧することにより、ビルドアップ層３０を構成する樹脂を流動させて内層配線５１の間を埋め込むと共に、ビルドアップ層４０を構成する樹脂を流動させて内層配線５２の間を埋め込む。そして、積層体１６８を加熱することにより、ビルドアップ層３０、４０を硬化して積層体１６８を一体化する。
【００４８】
次に、図６（ａ）に示されるように、レーザ等により、金属板１６６、ビルドアップ層３０を貫通して内層配線５１に達する貫通孔９１ａを形成する。同様に、図６（ａ）とは別断面において、金属板１６７、ビルドアップ層４０を貫通して内層配線５２に達する貫通孔１０１ａを形成する。
【００４９】
そして、図６（ｂ）に示されるように、無電解メッキや電気メッキ等でいわゆるフィルドメッキを行い、貫通孔９１ａ、１０１ａを金属メッキ１６９で埋め込む。これにより、ビルドアップ層３０、４０に形成された貫通孔９１ａ、１０１ａに埋め込まれた金属メッキ１６９にて貫通電極９１ｂおよび図１に示した貫通電極１０１ｂが構成される。また、貫通孔９１ａ、１０１ａに貫通電極９１ｂ、１０１ｂが埋め込まれたフィルドビア９１、１０１が形成される。なお、次の図６（ｃ）以降では、金属板１６６および金属メッキ１６９をまとめて１層として示してある。
【００５０】
続いて、図６（ｃ）に示されるように、金属板１６６、１６７上に図示しないレジストを配置する。そして、レジストをマスクとしてウェットエッチング等を行って金属板１６６、１６７をパターニングすると共に、金属メッキ１７０を形成することにより、表層配線６１〜６３および表層配線７１、７２を形成する。つまり、本実施形態では、表層配線６１〜６３は、金属板１６６および金属メッキ１６９、１７０を有する構成とされ、表層配線７１、７２は、金属板１６７および金属メッキ１６９、１７０を有する構成とされている。そして、表層配線６１〜６３における金属膜６３は金属板１６６によって構成され、金属メッキ６５は金属メッキ１６７、１６９によって構成される。
【００５１】
なお、表層配線６１〜６３のうちのランド６１を形成する場合には、例えば、金属膜６４となる金属板１６６の側面６４ｃをマスクで覆った状態で無電解メッキや電気メッキを行うことにより、金属膜６４の一面６４ａのみに金属メッキ６５を形成する。
【００５２】
このようにして、ランド６１をパターン形成したのち、ランド６１の外周を全周囲み、かつ、側面６１ｃに接するように剥離抑制部材６６を配置する。例えば印刷手法などにより、剥離抑制部材６６を配置することができる。
【００５３】
次に、図６（ｄ）に示されるように、ビルドアップ層３０、４０の表面３０ａ、４０ａにそれぞれソルダーレジスト１１０を配置して適宜パターニングすることにより、上記多層基板１０が製造される。なお、図６（ｄ）に示される範囲内において、表面３０ａ上のソルダーレジスト１１０がすべて除去されているが、図１に示すように他の領域においてソルダーレジスト１１０が残された状態になっている。
【００５４】
その後は、特に図示しないが、はんだ１３０を介して電子部品１２１〜１２３をランド６１に搭載する。このとき、リフロー時に溶融したはんだ１３０の外周端がランド６１の表面６１ａ上において終端しても良いが、ランド６１の側面６１ｃ側に届いたとしても、剥離抑制部材６６によって堰き止められる。これにより、剥離抑制部材６６の表面と、ｊはんだ１３０とこの後形成するモールド樹脂１５０とが交差した状態となる。
【００５５】
そして、パワー素子１２１および制御素子１２２とランド６２との間でワイヤボンディングを行い、パワー素子１２１および制御素子１２２とランド６２とを電気的に接続する。続いて、ランド６１、６２および電子部品１２１〜１２３が封止されるように、金型を用いたトランスファーモールド法やコンプレッションモールド法等によってモールド樹脂１５０を形成する。これにより、モールド樹脂１５０がランド６１の側面６１ｃに密着した上記電子装置が製造される。
【００５６】
以上説明したように、本実施形態では、ランド６１の側面に、はんだ１３０とモールド樹脂１５０との界面に対して交差する表面を有する剥離抑制部材６６を備えてある。このため、仮にはんだ１３０とモールド樹脂１５０との界面において剥離が生じても、剥離抑制部材６６の表面において剥離の進展を堰き止めることができる。したがって、ビルドアップ層３０の上方において、剥離の進展を抑制することが可能となり、ビルドアップ層３０にクラックが発生することを抑制することが可能となる。
【００５７】
特に、本実施形態のように、剥離抑制部材６６を接着材料で構成した場合、はんだ１３０やランド６１の構成材料とも高い密着性を有していることから、剥離抑制部材６６とはんだ１３０もしくはランド６１との間からの剥離も抑制できる。したがって、より剥離の進展を抑制することが可能となり、更に上記効果が得られる。
【００５８】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して剥離抑制部材６６を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【００５９】
図７および図８に示すように、本実施形態では、剥離抑制部材６６をソルダーレジスト１１０の一部によって構成している。具体的には、ソルダーレジスト１１０の一部をランド６１の側面６１ｃを囲むように残すことにより剥離抑制部材６６を形成している。このため、本実施形態では、剥離抑制部材６６は、ソルダーレジスト１１０の構成材料、例えば熱硬化性エポキシ樹脂皮膜などによって構成される。ソルダーレジスト１１０も、モールド樹脂１５０との間の密着強度、換言すればモールド樹脂１５０からの剥離強度がはんだ１３０とモールド樹脂１５０との間の強度よりも高い材料である。剥離抑制部材６６は、側面６１ｃに接するように形成され、その表面がはんだ１３０とモールド樹脂１５０との界面に対して交差させられている。このため、剥離抑制部材６６により、ビルドアップ層３０よりも上方において、はんだ１３０とモールド樹脂１５０との間の剥離の進展を堰き止めることができる。
【００６０】
このように、剥離抑制部材６６をソルダーレジスト１１０の一部によって構成することもできる。このような構成としても、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６１】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態について説明する。本実施形態も、第１実施形態に対して剥離抑制部材６６を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【００６２】
図９および図１０に示すように、本実施形態では、剥離抑制部材６６をモールド樹脂１５０の一部によって構成している。具体的には、ランド６１を形成した後にビルドアップ層３０の表層部においてランド６１の下方に入り込むように溝部３０ｂを形成し、モールド樹脂１５０の成形時に、溝部３０ｂ内にも樹脂が埋め込まれるようにしている。例えば、ランド６１の外縁部に沿ってレーザ照射などを行うことで溝部３０ｂを形成すれば、ランド６１の下方に入り込むように溝部３０ｂを形成できる。このようにして溝部３０ｂ内に入り込んだモールド樹脂１５０の一部は、その表面がはんだ１３０とモールド樹脂１５０との界面に対して交差した状態になる。このようにして剥離抑制部材６６を構成した場合、モールド樹脂１５０そのもので剥離抑制部材６６を構成していることから、モールド樹脂１５０の他の部分から剥離するのに必要な剥離強度は高くなっている。このため、剥離抑制部材６６により、ビルドアップ層３０の表面において、はんだ１３０とモールド樹脂１５０との間の剥離の進展を堰き止めることができる。
【００６３】
このように、剥離抑制部材６６をビルドアップ層３０に形成した溝部３０ｂ内に埋め込んだモールド樹脂１５０の一部によって構成することもできる。このような構成としても、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６４】
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態について説明する。本実施形態も、第１実施形態に対して剥離抑制部材６６を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【００６５】
図１１に示すように、本実施形態では、剥離抑制部材６６をフィルドビア９１によって構成している。フィルドビア９１のうちランド６１側の面の一部がランド６１の側面６１ｃよりも外側に突き出し、その突き出した表面ががはんだ１３０とモールド樹脂１５０との界面に対して交差した状態になっている。このような構成は、図６（ａ）、（ｂ）に示す工程において、ランド６１の外縁部に対応する位置にもフィルドビア９１が形成されるようにし、フィルドビア９１のうちランド６１側の面の一部がランド６１の外側に配置されるようにすれば良い。フィルドビア９１も、はんだ１３０よりもモールド樹脂１５０と高い密着力で密着する材料、換言すれば剥離するのに必要な剥離強度が高い材料で構成している。
【００６６】
このように、フィルドビア９１によって剥離抑制部材６６を構成することもできる。この場合にも、剥離抑制部材６６の表面がはんだ１３０とモールド樹脂１５０との界面に対して交差した状態になるため、剥離抑制部材６６により、ビルドアップ層３０の表面において、はんだ１３０とモールド樹脂１５０との間の剥離の進展を堰き止めることができる。したがって、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６７】
（第５実施形態）
本発明の第５実施形態について説明する。本実施形態も、第１実施形態に対して剥離抑制部材６６の形成タイミングを変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【００６８】
上記第１実施形態では、剥離抑制部材６６を接着材料で構成する場合において、剥離抑制部材６６をランド６１上にはんだ１３０を形成する前に配置したが、はんだ１３０を形成した後で配置するようにしても良い。その場合、図１２に示すように、ランド６１の側面６１ｃにはんだ１３０が濡れ広がった状態になり得るが、この場合にもランド６１の側面６１ｃまで濡れ広がったはんだ１３０に接しつつ、はんだ１３０の端部よりもランド６１の外側に剥離抑制部材６６が形成される。そして、剥離抑制部材６６が接着材料で構成されているため、はんだ１３０やモールド樹脂１５０との間において高い密着力を有している。このため、はんだ１３０とモールド樹脂１５０の界面における剥離が剥離抑制部材６６によって堰き止められるようにできる。このように、はんだ１３０とランド６１との接続よりも後に剥離抑制部材６６を配置するようにしても、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６９】
（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
【００７０】
例えば、上記実施形態では、電子部品としてパワー素子１２１が搭載されるランド６１について剥離抑制部材６６を備える場合を説明したが、他の電子部品１２２、１２３が搭載されるランド６１についても剥離抑制部材６６を備えることができる。また、上記各実施形態では、ランド６１の外周全域において剥離抑制部材６６を形成する場合について説明したが、必ずしも全周形成する必要はない。すなわち、クラックが発生したときに下方に位置する内層配線５１にクラックが繋がってしまうことが問題となる。このため、剥離抑制部材６６をランド６１の側面６１ｃうち下方に内層配線５１が配置されている方向にのみ配置するようにしても良い。
【００７１】
また、上記各実施形態において、コア層２０およびビルドアップ層３０、４０として、プリプレグの単層から構成されるものを図示しているが、コア層２０およびビルドアップ層３０、４０をプリプレグの多層から構成されるものとしてもよい。さらに、上記各実施形態を適宜組み合わせることもできる。例えば、第１、第２実施形態と第４実施形態とを組み合わせることもできる。
【符号の説明】
【００７２】
１０            多層基板
２０            コア層
３０            ビルドアップ層
６１            ランド
６１ａ          一面
６１ｃ          側面
６６            剥離防止部材
９１            フィルドビア
１１０          ソルダーレジスト
１２１〜１２３  電子部品
１３０          はんだ
１５０          モールド樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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