(57)【要約】【課題】コロイダルシリカや酸化セリウム等の研磨材に由来する微粒子汚れをより良好に除去できるハードディスク基板用洗浄剤を提供する。【解決手段】（Ａ）成分：特定のポリオキシアルキレンジサルフェート及び特定のポリオキシアルキレンモノサルフェートから選択される１種以上と、（Ｂ）成分：特定のホスホン酸系キレート剤及びスルホン基を有する特定の有機酸とから選択される１種以上とを含有することよりなる。前記（Ａ）成分／前記（Ｂ）成分で表される質量比は、１／９９〜５０／５０であることが好ましい。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）成分：下記一般式（ａ１）で表されるポリオキシアルキレンジサルフェート及び下記一般式（ａ２）で表されるポリオキシアルキレンモノサルフェートから選択される１種以上と、
（Ｂ）成分：下記一般式（ｂ１）で表される化合物、下記一般式（ｂ２）で表される化合物及び下記一般式（ｂ３）で表される化合物から選択される１種以上とを含有するハードディスク基板用洗浄剤。
Ｍ１Ｏ３ＳＯ（Ａ１Ｏ）ｎ１（Ａ１Ｏ）ＳＯ３Ｍ１  ・・・（ａ１）
（（ａ１）式中、Ａ１Ｏはそれぞれ独立に炭素数２〜４のオキシアルキレン基を表し、ｎ１は２〜９９の数であり、Ｍ１はそれぞれ独立にＮａ、Ｋ、ＮＨ４又はＨである。）
ＨＯ−（Ａ２Ｏ）ｎ２（Ａ２Ｏ）ＳＯ３Ｍ２  ・・・（ａ２）
（（ａ２）式中、Ａ２Ｏはそれぞれ独立に炭素数２〜４のオキシアルキレン基を表し、ｎ２は２〜９９の数であり、Ｍ２はＮａ、Ｋ、ＮＨ４又はＨである。）
【化１】
2014088537.tif 000015
（（ｂ１）式中、Ｘ１はＨ又はＯＨ、Ｘ２はそれぞれ独立にＨ、Ｎａ又はＫ、Ｒ１はＨ又は炭素数１〜４のアルキル基である。）
【化２】
2014088537.tif 000016
【化３】
2014088537.tif 000017
（（ｂ２）式中、Ｙ１はＨ、（ｂ２−１）式で表される基又は（ｂ２−２）式で表される基、Ｒ２は炭素数１〜６のアルキレン基である。（ｂ２）式、（ｂ２−２）式中、Ｑはそれぞれ独立に、Ｈ又は（ｂ２−３）式で表される基である。（ｂ２）式、（ｂ２−１）式、（ｂ２−２）式、（ｂ２−３）式中、Ｙ２はそれぞれ独立にＨ、Ｎａ又はＫである。（ｂ２）式、（ｂ２−２）式、（ｂ２−３）式中、Ｒ３はそれぞれ独立に炭素数１〜３のアルキレン基である。）
【化４】
2014088537.tif 000018
（（ｂ３）式中、ＺはＨ、Ｎａ又はＫ、Ｒ４は炭素数１〜６のアルキル基、ＮＨ２又は−Ｒ５−ＮＨ２である。Ｒ５は炭素数１〜４のアルキレン基である。）
【請求項２】
前記（Ａ）成分／前記（Ｂ）成分で表される質量比は、１／９９〜５０／５０である請求項１に記載のハードディスク基板用洗浄剤。
【請求項３】
（Ｃ）成分：アニオン界面活性剤及び水溶性のアニオン性高分子から選択される１種以上を含有する請求項１又は２に記載のハードディスク基板用洗浄剤。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のハードディスク基板用洗浄剤を含有することを特徴とする、ハードディスク基板用洗浄液。
【請求項５】
前記（Ａ）成分と前記（Ｂ）成分との合計量が０．０１〜２質量％であり、ｐＨ１以上ｐＨ５未満であることを特徴とする請求項４に記載のハードディスク基板用洗浄液。
【請求項６】
請求項４又は５に記載のハードディスク基板用洗浄液を用いることを特徴とするハードディスク基板の洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスク基板用洗浄剤、ハードディスク基板用洗浄液及びハードディスク基板の洗浄方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスにおいては、微細な汚れが動作不良や性能低下を招きやすい。このため、半導体基板、ハードディスク基板、液晶パネル等に用いられるディスプレイ基板等の電子デバイス用基板には、可及的に清浄であることが求められる。
【０００３】
近年、ハードディスクは、より小型化、より高容量化の傾向にあり、これに応じて、ハードディスク基板の研磨工程において、基板の表面粗さや基板表面の微少うねりを低減したり、スクラッチ・ピットとよばれる傷等の表面欠陥を軽減したりすることが求められる。
加えて、ハードディスクの小型化や高容量化には、ハードディスク基板のより一層の清浄化が重要である。
【０００４】
ハードディスク基板は、酸化セリウム等の研磨材で粗研磨が施された後、コロイダルシリカ等の研磨材で仕上げ研磨が施されて、製造される。粗研磨後や仕上げ研磨後のハードディスク基板の表面には、研磨材や研磨カスが残留するため、各研磨の後にこれらを除去する必要がある。
研磨材である酸化セリウムやコロイダルシリカ、又は研磨カスは、微粒子汚れとしてハードディスク基板の表面に付着しやすい。このため、ハードディスクの小型化や高容量化に応じるために、酸化セリウムやコロイダルシリカ等の研磨材や研磨カスを可及的に除去できる洗浄剤が求められている。
こうした問題に対し、例えば、ホスホン酸系キレート剤と、ヒドロキシカルボン酸及び／又はその塩とを特定の質量比で含有する、ガラス製ハードディスク基板の洗浄に用いられる洗浄剤組成物が提案されている（例えば、特許文献１）。特許文献１に記載された発明によれば、酸化セリウムに対する洗浄力を高めることが図られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−５７８３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の発明では、ハードディスク基板の清浄度を必ずしも満足できるものではなかった。
そこで、本発明は、コロイダルシリカや酸化セリウム等の研磨材や研磨カスに由来する微粒子汚れ（以下、単に微粒子汚れということがある）をより良好に除去できるハードディスク基板用洗浄剤を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のハードディスク基板用洗浄剤は、（Ａ）成分：下記一般式（ａ１）で表されるポリオキシアルキレンジサルフェート及び下記一般式（ａ２）で表されるポリオキシアルキレンモノサルフェートから選択される１種以上と、（Ｂ）成分：下記一般式（ｂ１）で表される化合物、下記一般式（ｂ２）で表される化合物及び下記一般式（ｂ３）で表される化合物から選択される１種以上とを含有することを特徴とする。
Ｍ１Ｏ３ＳＯ（Ａ１Ｏ）ｎ１（Ａ１Ｏ）ＳＯ３Ｍ１  ・・・（ａ１）
（（ａ１）式中、Ａ１Ｏはそれぞれ独立に炭素数２〜４のオキシアルキレン基を表し、ｎ１は２〜９９の数であり、Ｍ１はそれぞれ独立にＮａ、Ｋ、ＮＨ４又はＨである。）
ＨＯ−（Ａ２Ｏ）ｎ２（Ａ２Ｏ）ＳＯ３Ｍ２  ・・・（ａ２）
（（ａ２）式中、Ａ２Ｏはそれぞれ独立に炭素数２〜４のオキシアルキレン基を表し、ｎ２は２〜９９の数であり、Ｍ２はＮａ、Ｋ、ＮＨ４又はＨである。）
【０００８】
【化１】
2014088537.tif 000002
【０００９】
（（ｂ１）式中、Ｘ１はＨ又はＯＨ、Ｘ２はそれぞれ独立にＨ、Ｎａ又はＫ、Ｒ１はＨ又は炭素数１〜４のアルキル基である。）
【００１０】
【化２】
2014088537.tif 000003
【００１１】
【化３】
2014088537.tif 000004
【００１２】
（（ｂ２）式中、Ｙ１はＨ、（ｂ２−１）式で表される基又は（ｂ２−２）式で表される基、Ｒ２は炭素数１〜６のアルキレン基である。（ｂ２）式、（ｂ２−２）式中、Ｑはそれぞれ独立に、Ｈ又は（ｂ２−３）式で表される基である。（ｂ２）式、（ｂ２−１）式、（ｂ２−２）式、（ｂ２−３）式中、Ｙ２はそれぞれ独立にＨ、Ｎａ又はＫである。（ｂ２）式、（ｂ２−２）式、（ｂ２−３）式中、Ｒ３はそれぞれ独立に炭素数１〜３のアルキレン基である。）
【００１３】
【化４】
2014088537.tif 000005
【００１４】
（（ｂ３）式中、ＺはＨ、Ｎａ又はＫ、Ｒ４は炭素数１〜６のアルキル基、ＮＨ２又は−Ｒ５−ＮＨ２である。Ｒ５は炭素数１〜４のアルキレン基である。）
【００１５】
前記（Ａ）成分／前記（Ｂ）成分で表される質量比は、１／９９〜５０／５０が好ましく、（Ｃ）成分：アニオン界面活性剤及び水溶性のアニオン性高分子から選択される１種以上を含有することが好ましい。
【００１６】
本発明のハードディスク基板用洗浄液は、本発明のハードディスク基板用洗浄剤を含有することを特徴とする。
前記（Ａ）成分と前記（Ｂ）成分との合計量が０．０１〜２質量％であり、ｐＨ１以上ｐＨ５未満であることが好ましい。
【００１７】
本発明のハードディスク基板の洗浄方法は、前記の本発明のハードディスク基板用洗浄液を用いることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明のハードディスク基板用洗浄剤によれば、コロイダルシリカや酸化セリウム等の研磨材や研磨カスに由来する微粒子汚れをより良好に除去できる。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
（ハードディスク基板用洗浄剤）
本発明のハードディスク基板用洗浄剤（以下、単に洗浄剤ということがある）は、後述する（Ａ）成分と、（Ｂ）成分とを含有するものである。
洗浄剤は、液体でもよいし、粒状、タブレット、ブリケット、シート又はバー等の固体でもよい。
洗浄剤が液体（以下、液体洗浄剤ということがある）の場合、（Ａ）成分と（Ｂ）成分とが共に分散媒中に混在した一液型であってもよいし、（Ａ）成分を含有する第一の液体と、（Ｂ）成分を含有する第二の液体とからなる二液型であってもよい。
一液型の液体洗浄剤としては、使用時に水で希釈して用いられる濃縮型や、水で希釈せずに用いられるストレート型が挙げられる。
【００２０】
また、固体の洗浄剤（以下、固体洗浄剤ということがある）の場合、（Ａ）成分と（Ｂ）成分とが混合されていてもよいし、（Ａ）成分と（Ｂ）成分とが各々別個の粒状物として用意されたものであってもよい。
【００２１】
＜（Ａ）成分＞
（Ａ）成分は、下記一般式（ａ１）で表されるポリオキシアルキレンジサルフェート（以下、（ａ１）成分ということがある）及び下記一般式（ａ２）で表されるポリオキシアルキレンモノサルフェート（以下、（ａ２）成分ということがある）から選択される１種以上である。（Ａ）成分は、ハードディスク基板に付着した微粒子汚れにマイナスの電荷を付与し、ハードディスク基板から微粒子汚れを剥離し（汚れ剥離効果）、かつ洗浄液中に分散した微粒子汚れがハードディスク基板に再付着するのを防止する（再付着防止効果）。
（Ａ）成分としては、（ａ１）成分が好ましい。（ａ１）成分であれば、洗浄力のさらなる向上を図れる。
【００２２】
Ｍ１Ｏ３ＳＯ（Ａ１Ｏ）ｎ１（Ａ１Ｏ）ＳＯ３Ｍ１  ・・・（ａ１）
（（ａ１）式中、Ａ１Ｏはそれぞれ独立に炭素数２〜４のオキシアルキレン基を表し、ｎ１は２〜９９の数であり、Ｍ１はＮａ、Ｋ、ＮＨ４又はＨである。）
【００２３】
（ａ１）式中、Ａ１Ｏは炭素数２〜４のオキシアルキレン基であり、炭素数２〜３のオキシアルキレン基がより好ましい。炭素数が上記下限値以上であれば、再付着防止効果をより高められ、上記上限値以下であれば、後述する濯ぎ操作において、洗浄剤を容易に除去できる。
Ａ１Ｏが２種以上のオキシアルキレン基である場合、それらはブロック状でもよいし、ランダム状でもよい。
ｎ１は（Ａ１Ｏ）の平均繰返し数（即ち、アルキレンオキシドの平均付加モル数）を表す２〜９９の数であり、１９〜４９が好ましい。上記下限値以上であれば、再付着防止効果をより高められ、上記上限値以下であれば、後述する濯ぎ操作において、洗浄剤を容易に除去できる。
Ｍ１はそれぞれ独立にＮａ、Ｋ、ＮＨ４又はＨであり、Ｎａ又はＨが好ましい。
【００２４】
このような（ａ１）成分としては、ポリオキシエチレンジサルフェート、ポリオキシプロピレンジサルフェート、ポリオキシエチレン／プロピレンジサルフェート及びこれらの塩等が挙げられる。
（ａ１）成分の市販品としては、例えば、ニューコール２４０（商品名、ポリオキシプロピレンジサルフェートナトリウム、日本乳化剤株式会社製）等が挙げられる。
（ａ１）成分は、１種単独で用いられてもよいし、２種以上が組み合わされて用いられてもよい。
【００２５】
ＨＯ−（Ａ２Ｏ）ｎ２（Ａ２Ｏ）ＳＯ３Ｍ２  ・・・（ａ２）
（（ａ２）式中、Ａ２Ｏはそれぞれ独立に炭素数２〜４のオキシアルキレン基を表し、ｎ２は２〜９９の数であり、Ｍ２はＮａ、Ｋ、ＮＨ４又はＨである。）
【００２６】
（ａ２）式中、Ａ２Ｏは、（ａ１）式中のＡ１Ｏと同様である。
ｎ２は（Ａ２Ｏ）の平均繰返し数を表す２〜９９の数であり、１９〜４９が好ましい。上記下限値以上であれば、再付着防止効果をより高められ、上記上限値以下であれば、後述する濯ぎ操作において、洗浄剤を容易に除去できる。
Ｍ２は（ａ１）式中のＭ１と同様である。
（ａ２）成分は、１種単独で用いられてもよいし、２種以上が組み合わされて用いられてもよい。
【００２７】
洗浄剤中の（Ａ）成分の含有量は、洗浄剤の剤形等を勘案して適宜決定される。濃縮型の液体洗浄剤であれば、液体洗浄剤中の（Ａ）成分の含有量は、例えば、０．０５〜５質量％が好ましく、０．１〜３質量％がより好ましい。
【００２８】
＜（Ｂ）成分＞
（Ｂ）成分は、下記一般式（ｂ１）で表される化合物（以下、（ｂ１）成分ということがある）、下記一般式（ｂ２）で表される化合物（以下、（ｂ２）成分ということがある）及び下記一般式（ｂ３）で表される化合物（以下、（ｂ３）成分ということがある）から選択される１種以上である。（Ｂ）成分は、ハードディスク基板に付着した微粒子汚れにマイナスの電荷を付与し、汚れ剥離効果及び再付着防止効果を発揮する。
（Ｂ）成分としては、（ｂ１）成分が好ましい。（ｂ１）成分であれば、汚れ剥離効果と再付着防止効果をより高めて、洗浄力のさらなる向上を図れる。
【００２９】
【化５】
2014088537.tif 000006
【００３０】
（（ｂ１）式中、Ｘ１はＨ又はＯＨ、Ｘ２はそれぞれ独立にＨ、Ｎａ又はＫ、Ｒ１はＨ又は炭素数１〜４のアルキル基である。）
【００３１】
（ｂ１）成分は、ホスホン酸系キレート剤である。
（ｂ１）式中、Ｘ１はＨ又はＯＨであり、ＯＨが好ましい。
Ｘ２はそれぞれ独立にＨ、Ｎａ又はＫであり、Ｈ又はＮａが好ましい。
Ｒ１はＨ又は炭素数１〜４のアルキル基であり、炭素数１〜４のアルキル基が好ましい。
Ｒ１がアルキル基である場合、アルキル基の炭素数は１〜３が好ましく、１〜２がより好ましい。
【００３２】
（ｂ１）成分としては、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）又はその塩、メチレンジホスホン酸又はその塩等が挙げられ、中でも、ＨＥＤＰ又はその塩が好ましい。
ＨＥＤＰとしては、フェリオックス１１５Ａ（商品名、ライオン株式会社製）等が挙げられる。
（ｂ１）成分は、１種単独で用いられてもよいし、２種以上が組み合わされて用いられてもよい。
【００３３】
【化６】
2014088537.tif 000007
【００３４】
【化７】
2014088537.tif 000008
【００３５】
（（ｂ２）式中、Ｙ１はＨ、（ｂ２−１）式で表される基又は（ｂ２−２）式で表される基、Ｒ２は炭素数１〜６のアルキレン基である。（ｂ２）式、（ｂ２−２）式中、Ｑはそれぞれ独立に、Ｈ又は（ｂ２−３）式で表される基である。（ｂ２）式、（ｂ２−１）式、（ｂ２−２）式、（ｂ２−３）式中、Ｙ２はそれぞれ独立にＨ、Ｎａ又はＫである。（ｂ２）式、（ｂ２−２）式、（ｂ２−３）式中、Ｒ３はそれぞれ独立に炭素数１〜３のアルキレン基である。）
【００３６】
（ｂ２）成分は、（ｂ１）成分とは構造が異なるホスホン酸系キレート剤である。
（ｂ２）式中、Ｙ１はＨ、（ｂ２−１）式で表される基又は（ｂ２−２）式で表される基であり、洗浄力をより高める観点から、（ｂ２−２）式で表される基が好ましい。
Ｒ２は炭素数１〜６のアルキレン基であり、溶解性を高める観点から炭素数１〜４のアルキレン基が好ましい。
（ｂ２）式、（ｂ２−２）式中、Ｑはそれぞれ独立に、Ｈ又は（ｂ２−３）式で表される基であり、洗浄力のさらなる向上を図る観点から、（ｂ２−３）式で表される基が好ましい。
（ｂ２）式、（ｂ２−１）式、（ｂ２−２）式、（ｂ２−３）式中、Ｙ２はそれぞれ独立にＨ、Ｎａ又はＫであり、Ｈ又はＮａが好ましい。
（ｂ２）式、（ｂ２−２）式、（ｂ２−３）式中、Ｒ３はそれぞれ独立に炭素数１〜３のアルキレン基であり、溶解性を高める観点から炭素数１〜２のアルキレン基が好ましい。
【００３７】
（ｂ２）成分としては、ニトリロトリスメチレンホスホン酸（ＮＴＭＰ）又はその塩、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸（ＥＤＴＭＰ）又はその塩、プロピレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ヘキサメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）等が挙げられ、中でも、ＮＴＭＰ又はその塩、ＥＤＴＭＰ又はその塩が好ましい。
ＮＴＭＰとしては、キレストＰＨ−３２０（商品名、キレスト株式会社製）等が挙げられる。
ＥＤＴＭＰとしては、キレストＰＨ−５４０（商品名、キレスト株式会社製）等が挙げられる。
（ｂ２）成分は、１種単独で用いられてもよいし、２種以上が組み合わされて用いられてもよい。
【００３８】
【化８】
2014088537.tif 000009
【００３９】
（（ｂ３）式中、ＺはＨ、Ｎａ又はＫ、Ｒ４は炭素数１〜６のアルキル基、ＮＨ２又は−Ｒ５−ＮＨ２である。Ｒ５は炭素数１〜４のアルキレン基である。）
【００４０】
（ｂ３）成分は、スルホン酸基を有する有機酸である。
（ｂ３）式中、ＺはＨ、Ｎａ又はＫであり、Ｈ又はＮａが好ましい。
Ｒ４は炭素数１〜６のアルキル基、ＮＨ２又は−Ｒ５−ＮＨ２であり、炭素数１〜６のアルキル基又はＮＨ２が好ましい。Ｒ４がアルキル基である場合、アルキル基の炭素数は１〜４が好ましく、１〜２がより好ましい。
Ｒ５は炭素数１〜４のアルキレン基である。Ｒ５の炭素数は、１〜３が好ましい。
【００４１】
（ｂ３）成分としては、メタンスルホン酸、スルファミン酸等が挙げられ、中でも、メタンスルホン酸、スルファミン酸が好ましい。
メタンスルホン酸としては、Ｌｕｔｒｏｐｕｒ（Ｒ）ＭＳＡ（商品名、ＢＡＳＦ社製）等が挙げられる。
スルファミン酸としては、扶桑化学株式会社製のもの等が挙げられる。
（ｂ３）成分は、１種単独で用いられてもよいし、２種以上が組み合わされて用いられてもよい。
【００４２】
洗浄剤中の（Ｂ）成分の含有量は、洗浄剤の剤形等を勘案して適宜決定される。濃縮型の液体洗浄剤であれば、液体洗浄剤中の（Ｂ）成分の含有量は、例えば、０．５〜２０質量％が好ましく、２〜２０質量％がより好ましい。
濃縮型の液体洗浄剤中、（Ａ）成分と（Ｂ）成分との合計量（ＡＢ合計量）は、例えば、１〜２０質量％が好ましく、３〜１５質量％がより好ましい。ＡＢ合計量が上記下限値以上であれば、輸送効率を高められ、保管スペースを過度に広くする必要がない。ＡＢ合計量が上記上限値以下であれば、液安定性をより高められる。
【００４３】
洗浄剤は、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の相乗効果により、汚れ剥離効果及び再付着防止効果を高めて、優れた洗浄力を発揮する。ただし、（Ａ）成分が（Ｂ）成分よりも多くなると、（Ｂ）成分の機能が発揮されにくくなり、洗浄剤の洗浄力を低下させるおそれがある。
このため、洗浄剤中、（Ａ）成分／（Ｂ）成分で表される質量比（以下、Ａ／Ｂ比ということがある）は、１／９９〜５０／５０が好ましく、３／９７〜３０／７０がより好ましい。Ａ／Ｂ比が上記下限値以上であれば、（Ａ）成分と（Ｂ）成分との相乗効果がより高まって、洗浄力のさらなる向上を図れ、上記上限値以下であれば、（Ｂ）成分の機能を阻害することなく、洗浄力をより高められる。
【００４４】
＜（Ｃ）成分：アニオン界面活性剤及び水溶性のアニオン性高分子から選択される１種以上＞
洗浄剤は、（Ｃ）成分：アニオン界面活性剤（以下、（ｃ１）成分ということがある）及び水溶性のアニオン性高分子（以下、（ｃ２）成分ということがある）から選択される１種以上を含有してもよい。洗浄剤は、（Ｃ）成分を含有することで、洗浄力のさらなる向上を図れる。
【００４５】
（ｃ１）成分は、アニオン界面活性剤である。（ｃ１）成分としては、従来公知のアニオン界面活性剤を用いることができ、例えば、アルカンスルホン酸又はその塩（アルカンスルホン酸（塩））、アルキルベンゼンスルホン酸又はその塩（アルキルベンゼンスルホン酸（塩））、α−オレフィンスルホン酸又はその塩（α−オレフィンスルホン酸（塩））、α−スルホ脂肪酸エステル又はその塩（α−スルホ脂肪酸エステル（塩））等のスルホン酸系界面活性剤、アルキル硫酸又はその塩（アルキル硫酸（塩））、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸又はその塩（ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸（塩））等の硫酸エステル系界面活性剤、石鹸等が挙げられる。（ｃ１）成分を構成する塩としては、ナトリウム、カリウム、アンモニウム、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン又は水酸化テトラメチルアンモニウム等が挙げられる。中でも、（ｃ１）成分としては、アルカンスルホン酸（塩）、アルキルベンゼンスルホン酸（塩）が好ましく、アルカンスルホン酸（塩）がより好ましい。
これらの（ｃ１）成分は、１種単独で用いられてもよいし、２種以上が組み合わされて用いられてもよい。
【００４６】
アルカンスルホン酸（塩）としては、例えば、下記一般式（ｃ１−１）で表されるＳＡＳ３０Ａ（商品名、アルカンスルホン酸ナトリウム、クラリアントジャパン株式会社製）が挙げられる。
アルキルベンゼンスルホン酸（塩）としては、例えば、ライポンＬＨ−２００（商品名、アルキルベンゼンスルホン酸、ライオン株式会社製）等が挙げられる。
【００４７】
【化９】
2014088537.tif 000010
【００４８】
（（ｃ１−１）式中、ｐ及びｑはそれぞれ独立に１以上の数であり、ｐ＋ｑ＝１０〜１４である。）
【００４９】
（ｃ２）成分は水溶性のアニオン性高分子である。「水溶性」とは、水（２０℃）に対する溶解度が０．１ｇ／水１００ｇ以上のものである。また「高分子」とは、重量平均分子量が１０００以上のものである。重量平均分子量は、ポリエチレングリコールを標準物質としてゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で求められる。
【００５０】
（ｃ２）成分としては、例えば、ポリ２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、アクリル酸と２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸との共重合体等、スルホン酸基を有する高分子化合物；ポリアクリル酸、ポリマレイン酸、アクリル酸とマレイン酸との共重合体等、カルボン酸基を有する高分子化合物；等が挙げられる。中でも、アクリル酸と２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸との共重合体、アクリル酸とマレイン酸との共重合体が好ましい。
これらの（ｃ２）成分は、１種単独で用いられてもよいし、２種以上が組み合わされて用いられてもよい。
【００５１】
アクリル酸と２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸との共重合体としては、例えば、下記一般式（ｃ２−１）で表される化合物が挙げられる。このような化合物としては、アロンＡ−１２ＳＬ（商品名、東亞合成株式会社製）が挙げられる。
【００５２】
【化１０】
2014088537.tif 000011
【００５３】
（（ｃ２−１）式中、ｒは構成単位の平均繰返し数を表す数であり、ｓは構成単位の平均繰返し数を表す数である。）
【００５４】
アクリル酸とマレイン酸との共重合体としては、例えば、下記一般式（ｃ２−２）で表される化合物が挙げられる。このような化合物としては、例えば、アロンＡ−６３３０（商品名、東亞合成株式会社製）が挙げられる。
【００５５】
【化１１】
2014088537.tif 000012
【００５６】
（（ｃ２−２）式中、ｔは構成単位の平均繰返し数を表す数であり、ｕは構成単位の平均繰返し数を表す数である。）
【００５７】
洗浄剤中の（Ｃ）成分の含有量は、洗浄剤の剤形等を勘案して適宜決定される。濃縮型の液体洗浄剤であれば、液体洗浄剤中の（Ｃ）成分の含有量は、例えば、０．０１〜５質量％が好ましく、０．２〜２質量％がより好ましい。
【００５８】
＜任意成分＞
洗浄剤は、本発明の効果を損なわない範囲で、必要に応じて、（Ａ）〜（Ｃ）成分以外の任意成分を含有してもよい。
任意成分としては、（Ｃ）成分を除く界面活性剤（任意界面活性剤）、可溶化剤、分散媒、ｐＨ調整剤、消泡剤、防腐剤、酸化防止剤、無機塩、分散剤等が挙げられる。
【００５９】
任意界面活性剤としては、例えば、カチオン界面活性剤、ノニオン界面活性剤、両性界面活性剤等が挙げられる。
分散媒としては、例えば、水、エタノールやイソプロパノール等の１価の低級（炭素数１〜６）アルコール、及び１価の低級アルコールと水との混合物等が挙げられる。
可溶化剤としては、ｐ−トルエンスルホン酸、ｍ−キシレンスルホン酸、ｐ−トルイル酸、クメンスルホン酸、ヘキシルジグリコール、ブチルジグリコール、ブチルトリグリコール、ジブチルジグリコール等が挙げられる。可溶化剤は１種単独で用いられてもよいし、２種以上が組み合わされて用いられてもよい。
ｐＨ調整剤としては、例えば、硫酸、クエン酸、ジエタノールアミン、モノエタノールアミン等が挙げられる。
【００６０】
＜製造方法＞
洗浄剤の製造方法としては、剤形に応じて公知の製造方法を採用できる。
例えば、液体洗浄剤の場合には、分散媒に各成分を順次添加し、攪拌する方法が挙げられる。
【００６１】
（ハードディスク基板用洗浄液）
本発明のハードディスク基板用洗浄液は、本発明の洗浄剤を含有するものである。
洗浄液は、洗浄剤を含有すればよく、例えば、ストレート型の液体洗浄剤をそのまま洗浄液としてもよいし、濃縮型の液体洗浄剤や固体洗浄剤を純水等の分散媒に溶解又は分散して洗浄液としてもよい。
洗浄液中のＡＢ合計量は、０．０１〜２質量％が好ましく、０．０２〜１質量％がより好ましい。ＡＢ合計量が上記下限値以上であれば、微粒子汚れに対して、さらなる洗浄力の向上を図れ、上記上限値以下であれば、後述する濯ぎ操作において、洗浄剤を容易に除去できる。
純水に分散される洗浄剤の量は、洗浄液中の（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の含有量が上記範囲内になる量とされる。濃縮型の液体洗浄剤であれば、例えば、純水で１０〜２００倍（体積換算）に希釈されて、洗浄液とされる。
【００６２】
洗浄液のｐＨは、例えば、５未満が好ましく、３以下がより好ましく、２以下がさらに好ましい。上記上限値以下であれば、洗浄力のさらなる向上を図れる。洗浄液のｐＨの下限は、特に限定されないが、１以上が好ましく、１．５以上がより好ましい。上記下限値以上であれば、再付着防止効果をより高められる。
洗浄液のｐＨは、必要に応じて、硫酸、クエン酸、ジエタノールアミン、モノエタノールアミン等のｐＨ調整剤により調整される。
【００６３】
洗浄液は、洗浄剤やｐＨ調整剤以外に、カチオン界面活性剤、ノニオン界面活性剤、両性界面活性剤等、（Ｃ）成分以外の界面活性剤等を含有してもよい。
【００６４】
（ハードディスク基板の洗浄方法）
本発明のハードディスク基板の洗浄方法（以下、単に洗浄方法ということがある）は、本発明の洗浄液を用いるものである。
本発明の洗浄方法について、ガラス製のハードディスク基板を製造する場合を例にして説明する。
まず、ハードディスク基板の表面を酸化セリウムで粗研磨する（粗研磨工程）。ハードディスク基板を粗研磨する方法としては特に限定されず、例えば、研磨機を用いて研磨材を含む研磨スラリーを供給しながらハードディスク基板を加圧して表面を研磨する方法等が挙げられる。
【００６５】
次いで、洗浄液でハードディスク基板を洗浄する（洗浄操作）。
洗浄方法としては特に限定されず、例えば、洗浄対象（粗研磨後のハードディスク基板）に、洗浄液をスプレーで吹き付け、その後に拭き取る方法、洗浄対象を洗浄液に浸漬する方法、洗浄対象に洗浄液を吹き付けながらブラシで擦る方法、洗浄対象を洗浄液に浸漬し又は洗浄対象に洗浄液を吹き付けながら超音波を印加する方法（超音波周波数３８〜９５０ｋＨｚ）等が挙げられる。
洗浄液の温度は、特に限定されず、例えば、室温（２５℃）〜５０℃が好ましい。
洗浄時間は、洗浄対象の汚れの程度に応じて適宜決定され、例えば、３〜２０分が好ましい。
【００６６】
洗浄操作後、純水を洗浄対象にスプレー等で吹き付け、又は洗浄対象を純水に浸漬し、純水をオーバーフローさせることで、洗浄対象を濯ぎ、基板に残存する洗浄剤等を除去する（濯ぎ操作）。
濯ぎ操作後、公知の方法で乾燥して、ハードディスク基板に残存する純水を除去する（乾燥操作）（以上、第一の洗浄工程）。
【００６７】
第一の洗浄工程で処理したハードディスク基板について、コロイダルシリカ等の研磨材を用いて仕上げ研磨をする（仕上研磨工程）。
ハードディスク基板を仕上げ研磨する方法は、特に限定されず、粗研磨する方法と同様の方法が挙げられる。
次いで、仕上げ研磨後のハードディスク基板を上述した第一の洗浄工程と同様にして洗浄する（第二の洗浄工程）。
【００６８】
なお、本発明の洗浄方法は上述した方法に限定されず、例えば、第一の洗浄工程に本発明の洗浄剤を用い、第二の洗浄工程に公知の洗浄剤を用いてもよいし、第一の洗浄工程に公知の洗浄剤を用い、第二の洗浄工程に本発明の洗浄剤を用いてもよいし、第一及び第二の洗浄工程の双方に本発明の洗浄剤を用いてもよい。
【００６９】
上述の通り、本発明の洗浄剤は、（Ａ）成分と（Ｂ）成分とを含有するため、コロイダルシリカや酸化セリウム等の研磨材や、研磨カスに由来する微粒子汚れをより良好に除去できる。
【実施例】
【００７０】
以下、実施例を示して本発明を詳細に説明するが、本発明は以下の記載によって限定されるものではない。
【００７１】
（使用原料）
＜（Ａ）成分＞
Ａ−１：（ａ１）式中、Ｍ１がＮａ、（Ａ１Ｏ）がオキシエチレン基、ｎ１が１９のポリオキシエチレンジサルフェートナトリウム（ＰＯＥジサルフェートＮａ）。下記合成方法により合成されたもの。
【００７２】
≪Ａ−１の合成方法≫
薄膜流下式反応器（内径１０ｍｍ×２．５ｍ、外部ジャケット付き）の内部に、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ、重量平均分子量１０００）を４５℃、供給速度３００〜４００ｇ／ｍｉｎの条件で供給し、反応器内部に薄膜状に流下させた。硫酸化剤であるＳＯ３を４０ｇ／ｍｉｎの速度で蒸発器に供給し気化させ、窒素ガスで希釈して、ＳＯ３希釈ガス（ＳＯ３含有量：７〜８体積％）を得た。このＳＯ３希釈ガスを用い、反応器内部で薄膜状に流下するＰＥＧを硫酸化して、ジサルフェートを得た。この時のＳＯ３希釈ガスの温度は５０℃であり、反応器の外部ジャケットには３０〜４０℃の水を通水した。ＰＥＧとＳＯ３希釈ガスとの間には、窒素ガスを導入した。
得られたジサルフェートを４質量％ＮａＯＨ水溶液により、７０℃以下で中和し、濃度６０質量％のポリオキシエチレンジサルフェートナトリウム（Ａ−１）を得た。
得られたＡ−１の同定方法は、Ａ−１をアルカリ処理して脱スルホン化した後、ガスクロマトグラフィー（カラム：ＩＮＮＯＷＡＸ（Ａｇｉｌｅｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製）、カラム温度：１６５℃、入口温度：２６０℃、キャリアガス（Ｈｅ）流量：７０ｍＬ／ｍｉｎ）を用いて行った。
【００７３】
Ａ−２：（ａ１）式中、Ｍ１がＮａ、（Ａ１Ｏ）がオキシエチレン基とオキシプロピレン基とのブロック重合体、ｎ１が３４のポリオキシエチレン／プロピレンジサルフェートナトリウム（ＰＯＥＰジサルフェートＮａ）。下記合成方法により合成されたもの。
【００７４】
≪Ａ−２の合成方法≫
Ａ−１のＰＥＧをＰＥＧ及びポリプロピレングリコール（ＰＰＧ）のブロック付加体（平均分子量２０００、ＰＥＧ／ＰＰＧの質量比は４０／６０）に換え、供給速度１０００〜１２００ｇ／ｍｉｎとした以外は、「≪Ａ−１の合成方法≫」と同様にして、濃度６０質量％のポリオキシエチレン／プロピレンジサルフェートナトリウム（Ａ−２）を得た。
【００７５】
Ａ−３：ニューコール２４０（濃度３０質量％、ポリオキシプロピレンジサルフェートナトリウム（ＰＯＰジサルフェートＮａ）、日本乳化剤株式会社製）、ジサルフェートＮａにＰＰＧ（平均分子量２０００）を付加したもの。（ａ１）式のＭ１がＮａ、（Ａ１Ｏ）がオキシプロピレン基、ｎ１が２９のもの。
【００７６】
＜（Ａ’）成分：（Ａ）成分の比較品＞
Ａ’−１：ＰＥＧ（重量平均分子量２０００、日油株式会社製）。
Ａ’−２：ＰＰＧ（重量平均分子量２０００、日油株式会社製）。
【００７７】
＜（Ｂ）成分＞
Ｂ−１：フェリオックス１１５Ａ（商品名、ＨＥＤＰ、ライオン株式会社製）、（ｂ１）成分に相当。
Ｂ−２：キレストＰＨ−３２０（商品名、ＮＴＭＰ、キレスト株式会社製）、（ｂ２）成分に相当。
Ｂ−３：キレストＰＨ−５４０（商品名、ＥＤＴＭＰ、キレスト株式会社製）、（ｂ２）成分に相当。
Ｂ−４：Ｌｕｔｒｏｐｕｒ（Ｒ）ＭＳＡ（商品名、メタンスルホン酸、ＢＡＳＦ社製）、（ｂ３）成分に相当。
【００７８】
＜（Ｂ’）成分：（Ｂ）成分の比較品＞
Ｂ’−１：クエン酸（小松屋株式会社製）。
【００７９】
＜（Ｃ）成分＞
Ｃ−１：ＳＡＳ３０Ａ（商品名、アルカンスルホン酸ナトリウム（ＳＡＳ）、クラリアントジャパン株式会社製）。
Ｃ−２：アロンＡ−６３３０（アクリル酸とマレイン酸との共重合体（Ａ／Ｍ共重合体）、東亞合成株式会社製）。
Ｃ−３：アロンＡ−１２ＳＬ（アクリル酸と２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸との共重合体（Ａ／Ａ共重合体）、東亞合成株式会社製）。
【００８０】
＜任意成分＞
可溶化剤：ｍ−キシレンスルホン酸（北星興業株式会社製）。
可溶化剤：ヘキシルジグリコール（日本乳化剤株式会社製）。
【００８１】
（評価方法）
＜洗浄力＞
被洗浄物として、下記条件で研磨された、２．５インチのガラス製ハードディスク基板を用いた。
表１〜２に示した各例の洗浄剤を純水で５０倍（体積換算）に希釈し、硫酸で表１〜２中のｐＨに調整して洗浄液とした。洗浄液５０００ｍＬを超音波洗浄機（周波数１００ｋＨｚ、サン電子株式会社製）に入れ、洗浄液に超音波を印加した。洗浄液に、表面を純水で軽く濯いだ被洗浄物を１０分間浸漬した。洗浄液から被洗浄物を取り出し、水槽に満たした純水に被洗浄物を浸漬し、純水をオーバーフローさせて、被洗浄物を１０分間濯いだ。次いで、被洗浄物をスピン乾燥にて乾燥して、洗浄済基板とした。
表面検査装置（ＣＳ−１０、ケーエルエー・テンコール株式会社製）を用い、洗浄済基板上の粒子数を測定し、下記評価基準に従って分類した。
なお、洗浄液のｐＨは、ｐＨメータ（ＨＭ−２０Ｓ、東亜ディーケーケー株式会社製）とｐＨ電極（ＧＳＴ−５２１１Ｃ、東亜ディーケーケー株式会社製）とを用い、２５℃で１５秒経過後に読み取られた値である。
【００８２】
≪研磨条件≫
研磨機：片面研磨機、スピードファム株式会社製。
研磨材：コロイダルシリカスラリー（ｃｏｍｐｏｌ２０（商品名）、フジミ株式会社製）。
研磨時間：１０分。
【００８３】
◎◎：１００個／枚未満。
◎：１００個／枚以上、５００個／枚未満。
○：５００個／枚以上、１０００個／枚未満。
△：１０００個／枚以上、１００００個／枚未満。
×：１００００個／枚以上。
【００８４】
（実施例１〜１３、比較例１〜５）
表１〜２の組成（純分換算値）に従い、各原料を樹脂性ビーカーに入れ、これをマグネチックスターラーで攪拌して、各例の洗浄剤を得た。得られた洗浄剤を用い、洗浄力を評価し、その結果を表中に示す。
【００８５】
【表１】
2014088537.tif 000013
【００８６】
【表２】
2014088537.tif 000014
【００８７】
表１〜２に示すように、本発明を適用した実施例１〜１３は、洗浄力が「○」〜「◎◎」であった。
実施例３と実施例１２との比較、実施例５と実施例１０〜１１との比較から、（Ｃ）成分を含有することで、洗浄力をより高められることが判った。
（Ａ）成分又は（Ｂ）成分を含有しない比較例１〜２、（Ａ）成分に換えて（Ａ’）成分を用いた比較例３〜４は、洗浄力が「×」であった。（Ｂ）成分に換えて（Ｂ’）成分を用いた比較例５は、洗浄力が「△」であった。
これらの結果から、本発明を適用することで微粒子汚れをより良好に除去できることが判った。