(57)【要約】【課題】凹部を設けた基板、または蓋部材を用いることなく、半導体チップの上方に樹脂の存在しない空間を有する半導体装置を簡便に得る。【解決手段】原基板２Ａの上面に複数の半導体チップ１を戴置し固定する固定工程と、複数の半導体チップ１の電極と基板の電極とをワイヤ３で接続する接続工程と、複数の半導体チップ１の間に樹脂４をポッティングして半導体チップ１の側方全周を樹脂封止する封止工程と、複数の半導体チップ１を跨るように、１枚の保護カバー５Ａを樹脂４の表面に接着する接着工程と、保護カバー５Ａが樹脂４を介して接着された原基板２Ａを個々の半導体装置１０に切断する切断工程とを備え。半導体チップ１の上面と保護カバー５の内面との間にワイヤ３が一部露出する空間ＳＰが形成されるように、半導体チップ１の側方全周を封止する樹脂４の上面に保護カバー５が接着される。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、基板上に載置され、機能素子を有する半導体チップと、前記半導体チップの周囲を封止する樹脂と、前記樹脂の上面に接着された平板状の保護カバーとを有する半導体装置の製造方法において、
前記個々の基板となる１枚の原基板の上面に前記複数の半導体チップを所定の位置に戴置し固定する固定工程と、
前記複数の半導体チップの電極と前記原基板の電極とをワイヤで接続する接続工程と、
前記原基板の上面において、前記複数の半導体チップの間に樹脂をポッティングして半導体チップの側方全周を樹脂封止する封止工程と、
前記複数の半導体チップを跨るように、前記個々の保護カバーとなる１枚の保護カバーを前記樹脂の表面に接着する接着工程と、
前記１枚の保護カバーが前記樹脂を介して前記原基板に接着された半導体装置集合体を個々の半導体装置に切断する切断工程とを備え、
前記各半導体チップの上面と前記１枚の保護カバーの内面との間に前記ワイヤが一部露出する空間が形成されるように、前記各半導体チップの側方全周を封止する前記樹脂の上面に前記１枚の保護カバーが接着されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記封止工程では、前記半導体チップの周囲で前記ワイヤの最高高さ位置より高くなるように前記樹脂をポッティングし、
前記接着工程は、未硬化状態あるいは半硬化状態の前記樹脂の上面に前記１枚の保護カバーを押圧する押圧工程を含み、前記１枚の保護カバーの厚さと前記樹脂が硬化したときの前記樹脂の厚さの和が、前記原基板の上面から前記ワイヤの最高高さ位置までの寸法よりも大きくなるようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記封止工程では、前記半導体チップの周囲で前記ワイヤの最高高さ位置より高くなるように前記樹脂をポッティングし、
前記製造方法は、
前記樹脂を硬化する硬化工程と、
前記硬化された樹脂の表面に接着剤を塗布する塗付工程とをさらに含み、
前記接着工程では、前記硬化された樹脂の表面に接着剤によって前記１枚の保護カバーを接着することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記封止工程では、前記半導体チップの周囲で前記ワイヤの最高高さ位置より高くなるように前記樹脂をポッティングし、
前記製造方法は、
支持薄板に個々の保護カバーとなる樹脂層を塗布する塗付工程と、
未硬化状態あるいは半硬化状態の前記樹脂の上面に前記樹脂層を介在させて前記支持薄板を押圧する押圧工程と、
前記樹脂層と前記樹脂が硬化した後、前記支持薄板を剥がし前記樹脂の上面に前記個々の保護カバーとなる樹脂層を接着する剥離/形成工程とを含み、
前記剥離/形成工程の後の前記樹脂層の厚さと前記樹脂の厚さの和が、前記原基板の上面から前記ワイヤの最高高さ位置までの寸法よりも大きくなるようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記封止工程では、前記半導体チップの周囲で前記半導体チップのほぼ上面の高さ位置まで前記樹脂をポッティングし、
前記１枚の保護カバーは、前記原基板の複数の電極に接続された前記複数のワイヤを囲繞する大きさの開口部を有し、前記１枚の保護カバーの厚さと前記樹脂の厚さの和が、前記原基板の上面から前記ワイヤの最高高さ位置までの寸法よりも大きくなるように形成され、
前記樹脂が未硬化あるいは半硬化した状態で前記１枚の保護カバーを前記樹脂に押圧して接着することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記封止工程では、前記半導体チップの周囲で前記半導体チップのほぼ上面の高さ位置まで前記樹脂をポッティングし、
前記１枚の保護カバーは、前記原基板の電極に接続された前記ワイヤを囲繞する大きさの開口部を有し、前記１枚の保護カバーの厚さと前記樹脂の厚さの和が、前記１枚の基板の上面から前記ワイヤの最高高さ位置までの寸法よりも大きくなるように形成され、
硬化した前記樹脂に前記１枚の保護カバーを接着材で接着することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
基板と、
機能素子を有し、前記基板上に載置されて前記機能素子の電極と前記基板の電極とがワイヤで接続された半導体チップと、
前記半導体チップの周囲において、前記ワイヤの最高高さ位置より高い位置まで設けられて封止する樹脂と、
前記樹脂の表面に接着された平板状の保護カバーとを備え、
前記半導体チップの上面と前記保護カバーの内面との間に前記ワイヤが一部露出する空間が形成されるように、前記半導体チップの側方全周を封止する前記樹脂の上面に前記保護カバーが接着されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子をセラミック等の材料中に密封し中空構造となる電子パッケージ部品の製造方法においては、複数の凹部を有する基板を作製し、凹部に半導体素子を収納し、基板全面にわたって板状の封止部材で密封してから凹部の中間部において切断することにより、個々の半導体装置を製造する方法が知られている（たとえば特許文献１参照）。
【０００３】
また、半導体素子を平板状の基板に載置し、凹部を形成した蓋部材で封止することにより中空構造をもった半導体装置を製造する方法も知られている（たとえば特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−３０７６６４
【特許文献２】特開平４−１４８５５３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来技術のように、半導体装置の基板や蓋部材に凹部を形成すると、平板状の基板に比べコストが割高となる。また、封止用の蓋部材を貼り付けるための土手部が必要となり、半導体装置が大型になってしまう。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（１）請求項１に記載の発明は、基板と、基板上に載置され、機能素子を有する半導体チップと、半導体チップの周囲を封止する樹脂と、樹脂の上面に接着された平板状の保護カバーとを有する半導体装置の製造方法において、個々の基板となる１枚の原基板の上面に複数の半導体チップを所定の位置に戴置し固定する固定工程と、複数の半導体チップの電極と原基板の電極とをワイヤで接続する接続工程と、原基板の上面において、複数の半導体チップの間に樹脂をポッティングして半導体チップの側方全周を樹脂封止する封止工程と、複数の半導体チップを跨るように、個々の保護カバーとなる１枚の保護カバーを樹脂の表面に接着する接着工程と、１枚の保護カバーが樹脂を介して原基板に接着された半導体装置集合体を個々の半導体装置に切断する切断工程とを備え、各半導体チップの上面と１枚の保護カバーの内面との間にワイヤが一部露出する空間が形成されるように、各半導体チップの側方全周を封止する樹脂の上面に１枚の保護カバーが接着されることを特徴とする。
（２）請求項７に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、基板と、機能素子を有し、基板上に載置されて機能素子の電極と基板の電極とがワイヤで接続された半導体チップと、半導体チップの周囲において、ワイヤの最高高さ位置より高い位置まで設けられて封止する樹脂と、樹脂の表面に接着された平板状の保護カバーとを備え、半導体チップの上面と保護カバーの内面との間にワイヤが一部露出する空間が形成されるように、半導体チップの側方全周を封止する樹脂の上面に保護カバーが接着されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、半導体装置に凹部を設けた基板や蓋部材を用いることなく、中空構造を有した半導体装置を作製することができる。また、蓋部材を貼り付けるための土手部も不要となるため、半導体装置の小型化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明による半導体装置の実施形態１を示す分解斜視図である。
【図２】図１のII-II線断面図である。
【図３】図１の半導体装置の製造方法である実施形態１を説明する図である。
【図４】本発明による半導体装置の実施形態２を示す図１のII-II線断面に相当する断面図である。
【図５】図４の半導体装置の製造方法である実施形態２を説明する図である。
【図６】図１の半導体装置の製造方法である実施形態３を説明する図である。
【図７】本発明による半導体装置の実施形態４を示す分解斜視図である。
【図８】図７のVIII-VIII線断面図である。
【図９】図７の半導体装置の製造方法である実施形態４を説明する図である。
【図１０】本発明による半導体装置の実施形態５を示す図７のVIII-VIII線断面に相当する断面図である。
【図１１】本発明による半導体装置の実施形態６を示す図７のVIII-VIII線断面に相当する断面図である。
【図１２】図１１の半導体装置の製造方法である実施形態６を説明する図である。
【図１３】本発明による半導体装置の実施形態７を示す図７のVIII-VIII線断面に相当する断面図である。
【図１４】さらに他の半導体装置の製造方法である実施形態８を説明する図である。
【図１５】（ａ）は、本発明による半導体装置の実施形態９を示す図７のVIII-VIII線断面に相当する断面図、（ｂ）は、本発明による半導体装置の実施形態１０を示す図７のVIII-VIII線断面に相当する断面図である。
【図１６】本発明による半導体装置の実施形態１１を示す図７のVIII-VIII線断面に相当する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
図１〜１６を参照して、本発明による半導体装置およびその製造方法の実施形態を説明する。
【００１０】
（実施形態１）
図１は、本発明による半導体装置の実施形態１を示す分解斜視図、図２は図１のII−II線断面図である。
実施形態１の半導体装置１０は、基板２の上面に実装された半導体チップ１と、基板２上の半導体チップ１の周囲を封止する樹脂４と、封止した樹脂４の表面を覆う保護カバー５とを備え、封止樹脂４は開口４Ａを有している。なお、図２〜３から分かるように、開口４Ａの縁部は実際はなだらかな縁部となっている。
半導体チップ１は、たとえば、加速度センサ、ジャイロセンサ等密閉が必要なものが用いられる。また、カバー５は、樹脂で作成された薄い板状の平板である。さらに、半導体チップ１の上面と保護カバー５の内面との間にワイヤ３が一部露出する空間ＳＰが形成されるように、半導体チップ１の側方全周を封止する樹脂４の上面に保護カバー５が接着されている。
【００１１】
図３（ａ）〜（ｄ）は、図１に示した実施形態１の半導体装置１０の製造方法を説明する図である。
（準備工程）
複数個の半導体チップ１と、１枚の大きな原基板２Ａと、不透明な樹脂製の１枚の大きな保護カバー５Ａを準備する。原基板２Ａは絶縁基板であり、上面に電極パターンや配線パターンが形成されている。基板２は、ガラスエポキシ樹脂やセラミック、リードフレーム等を用いて作製される。
【００１２】
（固定工程）
複数の半導体チップ１を原基板２Ａの上面の所定位置に配置して固定し、すなわち実装し、その上面の電極パッドをボンディングワイヤ３で原基板２Ａ上の電極パットと接続する（図３（ａ））。図３（ａ）の中間製品を符号１０Ａで示す。
【００１３】
（ポッティング工程）
図３（ａ）の中間製品１０Ａの複数の半導体チップ１の間に、流動性のある熱硬化性樹脂４をポッティングする。熱硬化性樹脂は、半導体チップ１の高さ以上およびボンディングワイヤ３の高さ以上となるようにポッティングする。ポッティングされた樹脂４は、その表面張力と粘性により、半導体チップ１の側面の最上端から斜めに立ち上がり、断面が略台形の形状となる（図３（ｂ）参照）。熱硬化性樹脂４は、たとえばエポキシ樹脂のように、遮光性のある不透明な樹脂である。
【００１４】
（半硬化工程）
ポッティングした熱硬化性樹脂４をその硬化開始温度以上で所定の時間だけ加熱して半硬化状態にする。樹脂４の硬化温度が１５０℃であれば、１００℃程度の加熱温度にて樹脂４を所定時間加熱して半硬化させる。この中間製品を図３（ｃ）において符号１０Ｂで示す。
【００１５】
（接着工程）
図３（ｂ），（ｃ）の中間製品１０Ｂの樹脂４は半硬化状態であり、その表面は粘着性を有する。この樹脂４の上面から樹脂製の１枚の保護カバー５Ａを押圧する（図３（ｃ））。カバー５Ａの押圧力は半導体装置１が所定の高さ寸法になるように設定される。なお、押圧力は、半硬化状態での樹脂の粘度に依存するので、半硬化にするための加熱温度や加熱時間、すなわち、所定の粘度を得るための加熱温度や加熱時間は、使用される樹脂に応じて適宜決定すればよい。
【００１６】
（硬化工程）
保護カバー５Ａに所定の押圧力を付与した状態あるいは付与しない状態で樹脂４を硬化させる。たとえば、１５０℃以上の温度で所定時間だけ再加熱を行う。保護カバー５Ａが接着された状態で樹脂４が完全に硬化した後、１枚の原基板２Ａ上にマトリクス状に配置した複数個の半導体装置１０を個片化して（図３（ｄ））、図１に示す半導体装置１０を得る。
【００１７】
なお、図３では、原基板２Ａ上に３つの半導体チップ１を実装しているが、実際は、数十〜千個程度の半導体チップ１が原基板２Ａにマトリクス状に戴置されている。したがって、図３は、原基板２Ａおよびこれに戴置された半導体チップ１、薄板樹脂製保護カバー５Ａの一部を例示するものである。また、以下で説明する各実施形態の図でも同様である。
【００１８】
実施形態１の半導体装置１０は、基板２と、基板２上に載置され、加速度センサ、ジャイロセンサ等の半導体チップ１と、半導体チップ１の周囲を封止する樹脂４と、樹脂４の表面に接着された平板状の保護カバー５とを有する。この半導体装置１０の製造方法は、原基板２Ａの上面に複数の半導体チップ１を所定の位置に戴置し固定する固定工程と、複数の半導体チップ１の電極と原基板２Ａの電極とをワイヤ３で接続する接続工程と、原基板２Ａの上面において、複数の半導体チップ１の間に樹脂４をポッティングして半導体チップ１の側方全周を樹脂封止する封止工程と、複数の半導体チップ１を跨るように、１枚の保護カバー５Ａを樹脂４の上面に接着する接着工程と、１枚の保護カバー５Ａが樹脂４を介して接着された原基板２Ａを個々の半導体装置１０に切断する切断工程とを備える。そして、半導体チップ１の上面と保護カバー５Ａの内面との間にワイヤ３が一部露出する空間ＳＰが形成されるように、半導体チップ１の側方全周を封止する樹脂４の上面に保護カバー５が接着される。
【００１９】
接着工程は、半硬化状態の樹脂４の上面に保護カバー５Ａを押圧する押圧工程を含み、保護カバー５Ａの厚さと樹脂４が硬化したときの樹脂４の厚さの和が、原基板２Ａの上面からワイヤ３の最高高さ位置までの寸法よりも大きくなるように設定している。
【００２０】
以上説明した実施形態１の半導体装置の製造方法によれば、以下のような作用効果を奏することができる。
（１）凹部を設けた基板、または蓋部材を作成することなく、中空構造を有する半導体装置を作成することができ、コストを低下させることができる。
【００２１】
（２）凹部を設けた基板、または蓋部材において形成された土手部が不要になることにより、半導体装置をより一層小型化することができる。
【００２２】
上述した実施形態１の半導体装置を次のように変形して実施することもできる。
（１）半導体装置１０は、半導体チップに光学素子を用い、また、保護カバー５を透明な樹脂を用いて作製することにより、光半導体装置を作製することもできる。
【００２３】
（２）上記の実施形態１では、樹脂４が半硬化した状態で保護カバー５Ａを押圧するとしたが、樹脂４が最初から適度な粘性を有している場合は、樹脂４が半硬化していない状態、すなわち樹脂４をポッティングした後にカバー５Ａを接着してもよい。半硬化状態での樹脂４の固さおよび粘着性は、その未硬化状態からの加熱温度や加熱時間、さらに使用される樹脂に応じて異なる。接着の際のカバー５Ａの押圧力は、樹脂４の固さに応じ、またカバー５Ａの押圧によりこのカバー５Ａがボンディングワイヤ３に接触してこれを変形あるいは損傷しないように、あるいは押圧された未硬化の樹脂４が半導体チップ１の上に移動しないように適宜設定する。
【００２４】
（３）樹脂４の硬化が進み、その表面の粘着性が低下した場合であっても、完全に硬化していなければ、保護カバー５Ａを押圧する際にさらに加熱することで表面が軟化して接着性を出すことができる。樹脂表面の接着性は、使用する樹脂の特性と硬化状態に依存するので、樹脂とその硬化状態に合わせて、保護カバー５Ａの貼り付け時の押圧力と温度を設定する。
【００２５】
なお、上記で説明したように半硬化状態での樹脂４の粘着性を利用してカバー５Ａを接着しているが、これ以外に、樹脂４を半硬化することの効果として、以下のようなものがある。
樹脂４を半硬化すると、その形状がある程度安定するので取り扱いが容易である。
また、樹脂４からは有機成分を含むガスが放出される場合があるが、半硬化のために樹脂４をある程度加熱すると、このガス放出が促進される。この加熱によりガスが充分放出されたあとでカバー５Ａを接着することにより、樹脂４から放出されるガスで、密封された上記の中空部にガスが溜まって圧力が上がり、カバーが破損することを防ぐことができる。
また、放出ガスには有機成分が含まれており、この有機成分が半導体チップ１に搭載されたセンサに付着すると、センサによっては特性に影響を与える場合があるが、樹脂４が半硬化した状態で、ガスが充分放出されたあとでカバー５Ａを接着することにより、センサに対する放出ガスの影響を防ぐことができる。
なお、樹脂により放出ガスが少ない場合や、後述する実施形態４〜１１のように保護カバー５が開口部を備える場合は、上記のような樹脂からの放出ガスは問題とならない。
【００２６】
（実施形態２）
図４は、実施形態２の半導体装置１００の断面図である。図４は図１（ａ）のII−II線断面に相当する図である。実施形態１では、半硬化状態の樹脂４の表面に保護カバー５Ａを押圧し樹脂４を硬化させて保護カバー５Ａを樹脂４の表面に接着したが、実施形態２では、樹脂４が完全に硬化した状態で保護カバー５Ａが樹脂４の表面に接着剤６で接着される。接着剤６は、エポキシ系の接着剤でよいが、樹脂４と薄板樹脂製保護カバー５Ａとを接着できるものであれば特に限定するものではない。
【００２７】
図５（ａ）、（ｂ）は本発明による半導体装置の製造方法の実施形態２を示す。
図３の中間製品１０Ｂの半硬化状態の樹脂４を硬化させた中間製品１０Ｄを図５（ａ）に示す。中間製品１０Ｄの樹脂４の表面に接着剤６を塗布し、保護カバー５Ａを樹脂４の表面に接着する（図５（ａ））。接着剤６が完全に硬化して、保護カバー５Ａが樹脂４に接着された後、１枚の原基板２Ａ上にマトリクス状に設けた複数個の半導体装置１０を個片化して（図５（ｂ））、図４に示す半導体装置１０を得る。
【００２８】
実施形態２による半導体装置の製造方法において、封止工程では、半導体チップ１の周囲でワイヤ３の最高高さ位置より高くなるように樹脂４をポッティングしている。そして、製造方法は、樹脂４を硬化する硬化工程と、硬化された樹脂４の表面に接着剤６を塗布する塗付工程とをさらに含み、接着工程では、硬化された樹脂４の表面に接着剤６によって保護カバー５を接着している。
実施形態２においても、実施形態１と同様の作用効果を奏することができる。
【００２９】
（実施形態３）
図６（ａ）〜（ｃ）は、本発明による半導体装置の製造方法の実施形態３を示す。実施形態３の製造方法で作製される半導体装置１０は図１および２に示すものである。
図６（ａ）には、樹脂４が半硬化状態である図３に示した中間製品１０Ｂを示す。可撓性のある金属等の薄い支持板８の上に熱硬化性樹脂を塗布して樹脂層７Ａを形成する。この樹脂層７Ａが半硬化した状態で、図６（ａ），（ｂ）に示すように、樹脂層７Ａを下側にして、中間製品１０Ｂの樹脂４の上方から樹脂層７Ａにより支持薄板８を貼り付ける。
【００３０】
樹脂層７Ａが接着されて完全に硬化したら、支持薄板８を剥がして除去する（図６（ｃ））。これにより、図３（ｄ）と同様の中間製品１０Ｃとが得られる。この中間製品１０Ｃを裁断して図１および図２に示す個々の半導体デバイス１０を作製する。
【００３１】
なお、支持薄板８は、その表面の凹凸が１０μｍ以下程度のものを用いる。これは次の理由による。すなわち、支持薄板８の表面が平坦なほど樹脂層７Ａの離型性が良くなるためである。
【００３２】
実施形態３の半導体装置の製造方法において、封止工程では、半導体チップ１の周囲でワイヤ３の最高高さ位置より高くなるように樹脂４をポッティングしている。そして、製造方法はさらに、支持薄板８に保護カバー５となる樹脂層７を塗布する塗付工程と、半硬化状態の樹脂４の上面に樹脂層７を介在させて支持薄板８を押圧する押圧工程と、樹脂層７と樹脂４が硬化した後、支持薄板８を剥がし樹脂４の上面に保護カバー７Ａを形成する剥離/形成工程とを含む。剥離/形成工程の後の保護カバー７Ａの厚さと樹脂４の厚さの和が、原基板２Ａの上面からワイヤ３の最高高さ位置までの寸法よりも大きくなるように設定した。その後、個々の半導体装置に個片化する。
【００３３】
実施形態３においても、実施形態１と同様の作用効果を奏することができる。また、実施形態３の製造方法によれば、樹脂４と樹脂層７Ａがともに半硬化状態で接着するようにしたので、樹脂４と樹脂層７Ａとの界面が比較的均一な層となる。
【００３４】
（実施形態３の変形例１）
実施形態３では、樹脂４が半硬化状態で樹脂層７Ａを接着剤で樹脂４の表面に接着するようにしたが、樹脂４が硬化した状態で樹脂層７Ａを貼り付けてもよい。
【００３５】
（実施形態３の変形例２）
また、実施形態３では、樹脂層７Ａを半硬化した状態で中間製品１０Ｂの樹脂４に押圧して接着するとした。しかし、樹脂層７Ａの粘度等により、押圧力を充分弱くすれば、この樹脂層７Ａが未硬化状態のまま樹脂４に接着することも可能である。さらには、実施形態１で説明したように、樹脂４が未硬化状態であっても接着は可能である。
樹脂層７Ａが未硬化であれば、押圧により樹脂層７Ａがボンディングワイヤ３に接触しても、樹脂層７Ａが変形するので、ボンディングワイヤ３が変形することはない。
【００３６】
（実施形態４）
図７は、実施形態４の半導体装置２０の外観図、図８は図７のVIII−ＶIII線断面図である。半導体装置２０は、基板２の上面に実装された半導体チップ１と、半導体チップ１を封止する樹脂４と、封止した樹脂４の表面を覆うカバー５０とを備えている。半導体チップ１は、たとえば、フォトダイオード（ＰＤ）や発光ダイオード（ＬＥＤ）等の光学素子のチップであり、封止樹脂４は開口４Ａを有している。また、カバー５０は、樹脂で作成された薄い板状の平板であり、半導体チップ１の平面視形状よりも大きな開口部５１を有している。
【００３７】
図９（ａ）〜（ｃ）は、本発明による半導体装置の製造方法の実施形態４を示す。
上記の実施形態１〜３では、半導体チップ１の上側を全面的に覆うような薄板樹脂製保護カバー５を用いた。実施形態４の半導体装置２０は、保護カバー５に代え、開口部５１と枠部５２とを備える保護カバー５０を用いている。実施形態４の半導体装置２０は、半導体チップ１の開口部を保護カバー５０で塞がないようにしたものである。
【００３８】
実施形態４では、隣り合う２つの半導体チップ１の間に半導体チップ１の高さと同程度となるように樹脂９をポッティングする。この樹脂９は、上記の実施形態１と同様に、熱硬化性の樹脂、たとえばエポキシ樹脂を用い、ポッティングした樹脂９をその硬化温度以上で所定の時間だけ加熱して半硬化の状態にして図９（ａ）の中間製品２０Ａを得る。
【００３９】
次に、半導体チップ１より大きな開口部５１を備える薄板樹脂製の１枚の保護カバー５０Ａを樹脂９の上方から押しつける（図９（ｂ））。その後、加熱して樹脂９を完全に硬化させる（図９（ｃ））。この際の加熱条件は実施形態１〜３の場合と同様である。なお、保護カバー５０Ａの厚さは、枠部上面がボンディングワイヤ３の最高高さ位置より高くなるようにする。またボンディングワイヤ３が当たらないように、開口部５１は十分大きくしておく。
【００４０】
薄板樹脂製保護カバー５０Ａが接着された状態で樹脂９が完全に硬化した中間製品２０Ｂを図９（ｃ）に示す。中間製品２０Ｂを裁断線に沿って切断して個片化して図７および図８に示す半導体装置２０を得る。このような構造を有する半導体装置２０は、より大きなＰＣＢ等にボンディングワイヤに触れないようにマウントすることができる。
このような半導体装置２０がマウントされたＰＣＢは、通常その全体が別のカバーで封止されて、これらの半導体装置の半導体チップが保護される。
【００４１】
なお、上記の実施形態４では、半導体チップ１の高さと同程度となるように樹脂９をポッティングしたが、図９から明らかなように、樹脂９の高さと、薄板樹脂製カバー５０Ａの厚さ、すなわち枠部５２の厚さの和が、基板２の上面からボンディングワイヤ３の最高高さ位置までの寸法より大きければ、ボンディングワイヤ３に触れないように各半導体装置をマウントすることが可能となる。したがって、樹脂９の高さは、半導体チップ１の高さと同一でなくてもよい。
【００４２】
実施形態４の半導体装置の製造方法において、封止工程では、半導体チップ１の周囲で半導体チップ１のほぼ上面の高さ位置まで樹脂９をポッティングする。そして、１枚の保護カバー５０Ａは、原基板２Ａの複数の電極に接続された複数のワイヤを囲繞する大きさの開口部５１を有し、１枚の保護カバー５０の厚さと樹脂９の厚さの和が、原基板２Ａの上面からワイヤ３の最高高さ位置までの寸法よりも大きくなるように設定され、樹脂９が半硬化した状態で１枚の保護カバー５０Ａを樹脂９に押圧して接着する。その後、個々の半導体装置に個片化する。
実施形態４においても、実施形態１と同様の作用効果を奏することができる。
【００４３】
（実施形態５）
なお、図１０に示す半導体装置２００のように、実施形態５で示す薄板樹脂製カバー５０を作製する１枚の大きな保護カバー５０Ａは、実施形態２（図４参照）と同様に、樹脂９の上に接着剤６を塗布して樹脂９に接着してもよい。
なお、この際、薄板樹脂製カバー５０Ａは硬化しているので、接着剤を樹脂９の上でなく、薄板樹脂製カバー５０側に塗布し、この塗布した接着剤の側を樹脂９に押圧するようにしてもよい。
【００４４】
実施形態５の半導体装置の製造方法において、封止工程では、半導体チップ１の周囲で半導体チップ１のほぼ上面の高さ位置まで樹脂９をポッティングし、保護カバー５０Ａは、原基板２Ａの電極に接続されたワイヤ３を囲繞する大きさの開口部５１を有し、保護カバー５０Ａの厚さと樹脂９の厚さの和が、原基板２Ａの上面からワイヤ３の最高高さ位置までの寸法よりも大きくなるように形成され、樹脂９が硬化した後に樹脂９に保護カバー５０Ａを接着剤６で接着するものである。
実施形態５においても、実施形態１と同様の作用効果を奏することができる。
【００４５】
（実施形態６）
図１１は、実施形態６の半導体装置１１０の断面図である。図１１は図１のII−II線断面に相当する図である。実施形態１では、半導体チップ１上方に保護カバー５００で空間ＳＰ１を形成した。実施形態６の半導体装置１１０のカバー５００には開口５０１が設けられている。開口５０１は、たとえば１ｍｍ以下の小さな開口である。
このような構造の半導体装置１１０は、半導体チップ１が外気に触れるような形態での使用に適している。たとえば、ガス検知や音響検出のための機能素子が半導体チップ１に設けられている場合である。
なお、保護カバー５００の開口５０１の大きさは、半導体装置の仕様に合わせて適宜変更される。
実施形態６においても、実施形態１と同様の作用効果を奏することができる。
【００４６】
図１２は、実施形態６による半導体装置の製造方法を説明する図である。
図１２に示すように、図７の保護カバー５０Ａの開口部５１より小さな開口部５０１を備える樹脂製薄板保護カバー５００Ａを、図３に示す中間製品１０Ｂの半硬化状態の樹脂４の表面に押圧して接着したものである。
実施形態６においても、実施形態１と同様の作用効果を奏することができる。
【００４７】
（実施形態７）
図１３は実施形態７の半導体装置１２０を示す断面図であり、図７のVIII−VIII線断面に相当する図である。開口部５０１を有する保護カバー５００は硬化した樹脂４の上面に接着剤６で接着されている。
【００４８】
（実施形態８）
図１４は、実施形態８による半導体装置の製造方法を説明する図である。本実施形態は、実施形態４の中間製品２０Ｂに、図７の保護カバー５０の開口部５１より小さな開口部５０１を備える保護カバー５００Ａを接着したものである。保護カバー５００Ａの、枠部５２への接着は接着剤を用いてよい。
あるいは、図示を省略するが、枠部５２にさらに樹脂をポッティングし、この樹脂が半硬化あるいは未硬化状態で保護カバー５００Ａを押圧して接着してもよい。
【００４９】
（実施形態９，１０）
図１５（ａ）は実施形態９の半導体装置３００を示す断面図であり、図７のVIII−VIII線断面に相当する図である。
図１５（ｂ）は実施形態１０の半導体装置３１０を示す断面図であり、図７のVIII−VIII線断面に相当する図である。
これらの半導体装置３００，３１０では、ボンディングワイヤ３の上部を覆い、半導体チップ１に搭載された素子の上部を開放する程度の大きさの開口部５５１が形成されたカバー５５０を使用している。
【００５０】
（実施形態１１）
図１６は実施形態１１の半導体装置３２０を示す断面図であり、図７のVIII−VIII線断面に相当する図である。半導体装置３２０は、基板２の上面に２つの機能の異なる半導体チップ１ａ，１ｂを搭載している。これらの保護カバー５６０は、半導体チップ１ａの機能素子の上方に開口する開口部５６１ａと、半導体チップ１ｂの機能素子の上方に開口する開口部５６１ｂａとがそれぞれ設けられている。
【００５１】
以上の説明は本発明の実施形態の例であり、本発明はこれらの実施形態や変形例に限定されない。当業者であれば、本発明の特徴を損なわずにこれらの実施形態や変形例を組み合わせるとともに、様々な変形実施を行うことが可能である。
【００５２】
たとえば、実施形態１の密閉構造は、フォトダイオード（ＰＤ）や発光ダイオード（ＬＥＤ）等の光学素子を搭載した半導体チップや、ＥＰＲＯＭ等の半導体チップにも適用することができる。この場合、当然ながらカバー５Ａには透明な樹脂で作成した平板を用いる。 
【符号の説明】
【００５３】
１，１ａ，１ｂ・・・半導体チップ
２・・・基板
２Ａ・・・原基板
３・・・ボンディングワイヤ
４・・・樹脂
５，５０，５００，５５０、５６０・・・薄板樹脂製カバー
５Ａ，５０Ａ，５００Ａ・・・１枚の大面積の保護カバー
６・・・接着剤
７・・・樹脂層
８・・・支持薄板
９・・・樹脂
５１、５０１，５５１，５６１ａ，５６１ｂ・・・開口部
５２・・・枠部
１０，２０，１００，１１０，１２０，２００，３００，３１０、３２０・・・半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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