(57)【要約】【課題】本発明は、（ＣｕａＳｉｂ）ＸＭ１−Ｘ合金を含む合金ターゲット、記録層、光記録媒体およびそれを含むブルーレイディスクを提供する。【解決手段】  本発明は、（ＣｕａＳｉｂ）ＸＭ１−Ｘ合金を含む合金ターゲット、記録層、光記録媒体およびそれを含むブルーレイディスクを提供することにより、従来の二重記録層の相変化温度が高過ぎるために光記録媒体の焼き込み速度が制限されたり、その記録品質が劣化したりするなどの問題を解決する。前述した抗腐食性元素（Ｍ）は、銅金属の酸化作用が起こるのを防止することができる。さらに（ＣｕａＳｉｂ）ＸＭ１−Ｘ合金の相変化温度を１５０℃から４２５℃にすることにより、光記録媒体の記録層に適合する合金材料とされる。したがって、本発明は、（ＣｕａＳｉｂ）ＸＭ１−Ｘ合金のブルーレイディスクが高い安定性を有し、高倍速焼き込みが可能である利点を同時に兼ね備えることを含む。【選択図】図４
2014091854.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ＣｕａＳｉｂ）ＸＭ１−Ｘ合金からなる記録層用の合金ターゲットであって、式中、Ｍはニッケル、クロム、モリブデンまたはチタンであり、Ｘは０．９から０．９９であり、ａは０．６５から０．７５であり、ｂは０．２５から０．３５である、記録層用の合金ターゲット。
【請求項２】
（ＣｕａＳｉｂ）ＸＭ１−Ｘ合金からなる光記録媒体用の記録層であって、式中、Ｍはニッケル、クロム、モリブデンまたはチタンであり、Ｘは０．９から０．９９であり、ａは０．６５から０．７５であり、ｂは０．２５から０．３５である、光記録媒体用の記録層。
【請求項３】
基板と
当該基板上に設けられる反射層と、
当該反射層上に設けられる第１誘電体層と、
当該第１誘導体層上に設けられる二重記録層と、
当該二重記録層上に設けられる第２誘電体層と、
当該第２誘電体層上に設けられる保護層と、
を含み、このうち当該二重記録層が非晶質シリカ層および合金材料層を含み、当該合金材料層が（ＣｕａＳｉｂ）ＸＭ１−Ｘ合金からなり、式中、Ｍはニッケル、クロム、モリブデンまたはチタンであり、Ｘは０．９から０．９９であり、ａは０．６５から０．７５であり、ｂは０．２５から０．３５である、光記録媒体。
【請求項４】
当該非晶質シリカ層が当該反射層上に設けられ、当該合金材料層が当該非晶質シリカ層および当該第２誘電体層の間に設けられる、請求項３に記載の光記録媒体。
【請求項５】
当該合金材料層が当該反射層上に設けられ、当該非晶質シリカ層が当該合金材料層および当該第２誘電体層の間に設けられる、請求項３に記載の光記録媒体。
【請求項６】
当該二重記録層の厚さが５ｎｍから３０ｎｍである、請求項３に記載の光記録媒体。
【請求項７】
請求項２に記載の光記録媒体用の記録層を含む、ブルーレイディスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録層用の合金ターゲット、記録層および光記録媒体に関し、特に抗腐食性元素を含有する合金ターゲット、記録層および光記録媒体に関する。このほか、本発明は、前記記録層を含む１回書き込み型のブルーレイディスクにも関する。
【背景技術】
【０００２】
ブルーレイディスク（Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ）は、波長が４０５ｎｍの青色レーザー光を使用してデータの読み書き動作を行うために命名され、データ記憶媒体の次世代レーザーディスク規格である。現在、すでに大容量のデータまたは高画質の映像ファイルの記憶に幅広く応用されている。
【０００３】
ブルーレイディスクのうち、Ｃｕ／Ｓｉ系の１回書き込み型のブルーレイディスクは、金属誘起結晶化の相変化機構（ｍｅｔａｌ  ｉｎｄｕｃｅｄ  ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ  ｐｈａｓｅ  ｃｈａｎｇｅ  ｍｅｃｈａｎｉｓｍ）を利用しており、比較的低い相変化温度において、銅金属の誘起により、非晶質シリカが結晶を形成する。それにより、記録層の青色レーザー光に対するその場反射率（ｉｎ−ｓｉｔｕ  ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｉｔｙ）が上昇し、データ記録の動作が完了する。
【０００４】
既存技術におけるＣｕ／Ｓｉ系の１回書き込み型の光記録媒体でよく見られる層状構造は、順番に基板、反射層、第１誘電体層、二重記録層、第２誘導体層および保護層を含む。このうち、当該二重記録層は、銅層および非晶質シリカ層からなる。既存技術における二重記録層の相変化温度は高すぎる（約５００℃）ため、ブルーレイディスクの書き込み効率を向上させる必要がある（少なくとも８ｍＷ）。二重記録層表面で比較的高い温度を生じさせると、相変化を順調に起こすことができ、データの記録動作が完了する。さらに、ブルーレイディスクの書き込み効率を向上させると、光記録媒体の焼き込みコストが上昇する。
【０００５】
前記問題を克服するため、現在、すでに多くの人々が既存技術における光記録媒体の二重記録層の材料を改良しようとしており、銅シリコン合金を元々の銅層の代わりに利用している。銅シリコン合金を非晶質シリカ層にスパッタリングし、非晶質シリカ層と反応させることにより、Ｃｕ３Ｓｉの結晶相が生成されるため、比較的低い温度で結晶を形成することができる。しかしながら、銅シリコン合金の相変化温度が低いと、銅金属の自発的反応および酸化反応が起こりやすく、逆に光記録媒体の記録品質が劣化することがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
既存技術が直面する問題を克服するため、本発明の主要な目的は、光記録媒体の記録層として適合する合金材料を設計することである。これは適当な相変化温度を有することができ、これにより、光記録媒体の焼き込み速度および記録品質を向上させる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するため、本発明は（ＣｕａＳｉｂ）ＸＭ１−Ｘ合金からなる、記録層用の合金ターゲットを提供する。式中、Ｍはニッケル、クロム、モリブデンまたはチタンであり、ａは０．６５から０．７５であり、ｂは０．２５から０．３５であり、さらにＸは０．９から０．９９である。
【０００８】
好ましくは、当該合金ターゲットの基相（ｂａｓｅ  ｐｈａｓｅ）は銅シリコン合金であり、当該合金ターゲットの化合物相（ｃｏｍｐｏｕｎｄ  ｐｈａｓｅ）はシリコンニッケル合金、シリコンクロム合金、シリコンモリブデン合金またはシリコンチタン合金である。
【０００９】
好ましくは、当該合金ターゲットは、粉末冶金法または製錬法を使用して作製される。
【００１０】
前記目的を達成するため、本発明は、他に（ＣｕａＳｉｂ）ＸＭ１−Ｘ合金からなる、光記録媒体用の記録層を提供する。式中、Ｍはニッケル、クロム、モリブデンまたはチタンであり、ａは０．６５から０．７５であり、ｂは０．２５から０．３５であり、さらにＸは０．９から０．９９である。
【００１１】
本発明の光記録媒体用の記録層では、銅シリコン共晶点の成分（Ｃｕ３Ｓｉ）を利用し、記録層がレーザー光照射を受け、相変化が生じる速度を高めることができる。さらに、同時に記録層が非晶質相から結晶相に変化する相変化温度を低下させる。
【００１２】
ここで、前述したＭは抗腐食性元素であり、銅金属に酸化作用が生じるのを防止することができる。さらに、（ＣｕａＳｉｂ）ＸＭ１−Ｘ合金の相変化温度を１５０℃から４２５℃にすることにより、高倍速の光記録媒体における記録層の合金材料として適合させる。
【００１３】
好ましくは、前述した記録層は、前記合金ターゲットをスパッタリングすることにより形成することができる。
【００１４】
前記目的を達成するため、本発明は光記録媒体も提供する。これは、基板、当該基板上に設けられる反射層、当該反射層上に設けられる第１誘電体層、当該第１誘電体層上に設けられる二重記録層、当該二重記録層上に設けられる第２誘電体層、および当該第２誘電体層上に設けられる保護層を含む。このうち、当該二重記録層は非晶質シリカ層および合金材料層を含み、当該合金材料層は（ＣｕａＳｉｂ）ＸＭ１−Ｘ合金からなる。式中、Ｍはニッケル、クロム、モリブデンまたはチタンであり、ａは０．６５から０．７５であり、ｂは０．２５から０．３５であり、さらにＸは０．９から０．９９である。
【００１５】
ここで、前述した二重記録層における非晶質シリカ層および合金材料層は、上下に置換することができる。
【００１６】
本発明の光記録媒体の実施態様において、当該非晶質シリカ層は当該第１誘電体上に設けることができ、さらに当該合金材料層は、当該非晶質シリカ層および第２誘電体層の間に設けることができる。あるいは、本発明の光記録媒体の別の実施態様において、当該合金材料層は当該第１誘電体層上に設けることができ、さらに当該非晶質シリカ層は、当該合金材料層および当該第２誘電体層の間に設けることができる。
【００１７】
好ましくは、前述した基板はＰＣ基板でよい。
【００１８】
好ましくは、前述した反射層は、純粋な銀金属、銀合金、純粋な金金属、金合金、アルミニウム合金または銅合金でよい。
【００１９】
好ましくは、前述した第１誘電体層および第２誘電体層は、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、硫化亜鉛−二酸化ケイ素（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）、五酸化二タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化インジウムスズ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、三酸化二アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ゲルマニウム（Ｇｅ３Ｎ４）、窒化チタン（Ｔｉ３Ｎ４）または酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）でよい。
【００２０】
好ましくは、当該保護層は二酸化セリウム−三酸化二アルミニウム（ＣｅＯ２−Ａｌ２Ｏ３）、ゲルマニウムクロム合金（ＧｅＣｒ）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）または酸化インジウムスズ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）でよい。
【００２１】
好ましくは、前述した二重記録層の厚さは、５ｎｍから３０ｎｍでよい。
【００２２】
好ましくは、当該合金材料層の厚さは、２ｎｍから３０ｎｍでよい。
【００２３】
好ましくは、当該反射層の厚さは、８０ｎｍから１２０ｎｍである。
【００２４】
好ましくは、当該反射層、第１誘電体層、二重記録層、第２誘電体層および保護層の厚さは、総合すると１０ｎｍから２２０ｎｍである。
【００２５】
前記目的を達成するため、本発明はさらに、前述したような記録媒体用の記録層を含むブルーレイディスクを提供する。
【００２６】
好ましくは、前述したブルーレイディスクは、前記光記録媒体と同じ層状構造を有することができる。
【００２７】
好ましくは、前述したブルーレイディスクは、１回書き込み型のブルーレイディスクである。
【００２８】
好ましくは、前述したブルーレイディスクの焼き込み速度は、６Ｘ（２１６Ｍｂｉｔ／ｓ）以上に達することができる。
【００２９】
上記をまとめると、本発明は相変化温度が１５０℃から４２５℃である（ＣｕａＳｉｂ）ＸＭ１−Ｘ合金材料を設計し、この（ＣｕａＳｉｂ）ＸＭ１−Ｘ合金材料を光記録媒体の記録層の材料とし、光記録媒体が低温下で自発的反応および酸化反応を起こさないようにすることができる。また、高倍速の焼き込み（接触時間が短い）下において、青色レーザー光により相変化を迅速に生じさせることができ、高い安定性を有し、高倍速の焼き込みが可能な光記録媒体の記録層の材料となる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】図１は、本発明の実施例２における（Ｃｕ０．７Ｓｉ０．３）０．９５Ｎｉ０．０５合金ターゲットの金属組織図である。
【図２】図２は、本発明の実施例６における（Ｃｕ０．７Ｓｉ０．３）０．９８Ｃｒ０．０２合金ターゲットの金属組織図である。
【図３】図３は、本発明の実施態様における、光記録媒体の層状構造の概要図である。
【図４】図４は、本発明の別の実施態様における、光記録媒体の層状構造の概要図である。
【図５】図５は、実施例２、４、６および比較例２の光記録媒体の、異なる温度下におけるその場反射率の結果図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下に、具体的実施例により本発明の実施方式を説明する。当業者は、本明細書の内容を通して、本発明で達成しうる長所および効果を容易に理解することができる。さらに本発明の精神から逸脱しない範囲で行われる各種の修飾および変更は、本発明を実施または応用した内容である。
【実施例】
【００３２】
まず、本発明の作製工程を説明する。
【００３３】
１．記録層用の合金ターゲットの作製
ａ．実施例１：（Ｃｕ０．６５Ｓｉ０．３５）０．９５Ｎｉ０．０５合金ターゲット
８４８．５ｇの銅粉末、２０１．９ｇのケイ素粉末および６３．５ｇのニッケル粉末を均等に混合し、温度が６００〜８００℃、圧力が約５００ｂａｒの条件下において、加熱プレスを３時間行い、（Ｃｕ０．６５Ｓｉ０．３５）０．９５Ｎｉ０．０５合金ターゲットを作製した。
【００３４】
このうち、銅含量は（Ｃｕ０．６５Ｓｉ０．３５）０．９５Ｎｉ０．０５合金全体の６１．７５ａｔ％を占め、ケイ素含量は（Ｃｕ０．６５Ｓｉ０．３５）０．９５Ｎｉ０．０５合金全体の３３．２５ａｔ％を占め、ニッケル含量は（Ｃｕ０．６５Ｓｉ０．３５）０．９５Ｎｉ０．０５合金全体の５ａｔ％を占めた。
【００３５】
ｂ．実施例２：（Ｃｕ０．７Ｓｉ０．３）０．９５Ｎｉ０．０５合金ターゲット
９３９．２ｇの銅粉末、１７７．９ｇのケイ素粉末および６５．２ｇのニッケル粉末を均等に混合し、温度が６００〜８００℃、圧力が約５００ｂａｒの条件下において、加圧プレスを３時間行い、（Ｃｕ０．７Ｓｉ０．３）０．９５Ｎｉ０．０５合金ターゲットを作製した。
【００３６】
このうち、銅含量は（Ｃｕ０．７Ｓｉ０．３）０．９５Ｎｉ０．０５合金全体の６６．５ａｔ％を占め、ケイ素含量は（Ｃｕ０．７Ｓｉ０．３）０．９５Ｎｉ０．０５合金全体の２８．５ａｔ％を占め、ニッケル含量は（Ｃｕ０．７Ｓｉ０．３）０．９５Ｎｉ０．０５合金全体の５ａｔ％を占めた。
【００３７】
図１に示すように、当該灰色相は合金ターゲットの基相であり、主に銅シリコン合金からなる。当該黒色相は合金ターゲットの化合物相であり、主にシリコンニッケル合金からなる。
【００３８】
ｃ．実施例３：（Ｃｕ０．７５Ｓｉ０．２５）０．９５Ｎｉ０．０５合金ターゲット
１０３５ｇの銅粉末、１５２．５ｇのケイ素粉末および６７．１ｇのニッケル粉末を均等に混合し、温度が６００〜８００℃、圧力が約５００ｂａｒの条件下において、加圧プレスを３時間行い、（Ｃｕ０．７５Ｓｉ０．２５）０．９５Ｎｉ０．０５合金ターゲットを作製した。
【００３９】
このうち、銅含量は（Ｃｕ０．７５Ｓｉ０．２５）０．９５Ｎｉ０．０５合金全体の７１．２５ａｔ％を占め、ケイ素含量は（Ｃｕ０．７５Ｓｉ０．２５）０．９５Ｎｉ０．０５合金全体の２３．７５ａｔ％を占め、ニッケル含量は（Ｃｕ０．７５Ｓｉ０．２５）０．９５Ｎｉ０．０５合金全体の５ａｔ％を占めた。
【００４０】
ｄ．実施例４：（Ｃｕ０．７Ｓｉ０．３）０．９８Ｎｉ０．０２合金ターゲット
９６２．１ｇの銅粉末、１８２．２ｇのケイ素粉末および２５．９ｇのニッケル粉末を均等に混合し、温度が６００〜８００℃、圧力が約５００ｂａｒの条件下において、加熱プレスを３時間行い、（Ｃｕ０．７Ｓｉ０．３）０．９８Ｎｉ０．０２合金ターゲットを作製した。
【００４１】
このうち、銅含量は（Ｃｕ０．７Ｓｉ０．３）０．９８Ｎｉ０．０２合金全体の６８．６ａｔ％を占め、ケイ素含量は（Ｃｕ０．７Ｓｉ０．３）０．９８Ｎｉ０．０２合金全体の２９．４ａｔ％を占め、ニッケル含量は（Ｃｕ０．７Ｓｉ０．３）０．９８Ｎｉ０．０２合金全体の２ａｔ％を占めた。
【００４２】
ｅ．実施例５：（Ｃｕ０．６５Ｓｉ０．３５）０．９５Ｃｒ０．０５合金ターゲット
８４５．４ｇの銅粉末、２０１．２ｇのケイ素粉末および５６ｇのクロム粉末を均等に混合し、温度が６００〜８００℃、圧力が約５００ｂａｒの条件下において、加熱プレスを３時間行い、（Ｃｕ０．６５Ｓｉ０．３５）０．９５Ｃｒ０．０５合金ターゲットを作製した。
【００４３】
このうち、銅含量は（Ｃｕ０．６５Ｓｉ０．３５）０．９５Ｃｒ０．０５合金全体の６１．７５ａｔ％を占め、ケイ素含量は（Ｃｕ０．６５Ｓｉ０．３５）０．９５Ｃｒ０．０５合金全体の３３．２５ａｔ％を占め、クロム含量は（Ｃｕ０．６５Ｓｉ０．３５）０．９５Ｃｒ０．０５合金全体の５ａｔ％を占めた。
【００４４】
ｆ．実施例６：（Ｃｕ０．７Ｓｉ０．３）０．９８Ｃｒ０．０２合金ターゲット
９６０．６ｇの銅粉末、１８２ｇのケイ素粉末および２２．９ｇのクロム粉末を均等に混合し、温度が６００〜８００℃、圧力が約５００ｂａｒの条件下において、加熱プレスを３時間行い、（Ｃｕ０．７Ｓｉ０．３）０．９８Ｃｒ０．０２合金ターゲットを作製した。
【００４５】
このうち、銅含量は（Ｃｕ０．７Ｓｉ０．３）０．９８Ｃｒ０．０２合金全体の６８．６ａｔ％を占め、ケイ素含量は（Ｃｕ０．７Ｓｉ０．３）０．９８Ｃｒ０．０２合金全体の２９．４ａｔ％を占め、クロム含量は（Ｃｕ０．７Ｓｉ０．３）０．９８Ｃｒ０．０２合金全体の２ａｔ％を占めた。
【００４６】
図２に示すように、当該淡灰色相は合金ターゲットの基相であり、主に銅シリコン合金からなる。当該濃灰色相は合金ターゲットの化合物相であり、主にシリコンクロム合金からなる。
【００４７】
ｇ．実施例７：（Ｃｕ０．７５Ｓｉ０．２５）０．９５Ｃｒ０．０５合金ターゲット
１０３１ｇの銅粉末、１５１．９ｇのケイ素粉末および５９．２ｇのクロム粉末を均等に混合し、温度が６００〜８００℃、圧力が約５００ｂａｒの条件下において、加熱プレスを３時間行い、（Ｃｕ０．７５Ｓｉ０．２５）０．９５Ｃｒ０．０５合金ターゲットを作製した。
【００４８】
このうち、銅含量は（Ｃｕ０．７５Ｓｉ０．２５）０．９５Ｃｒ０．０５合金全体の７１．２５％を占め、ケイ素含量は（Ｃｕ０．７５Ｓｉ０．２５）０．９５Ｃｒ０．０５合金全体の２３．７５％を占め、ニッケル含量は（Ｃｕ０．７５Ｓｉ０．２５）０．９５Ｃｒ０．０５合金全体の５％を占めた。
【００４９】
ｈ．実施例８：（Ｃｕ０．７Ｓｉ０．３）０．９８Ｍｏ０．０２合金ターゲット
９５５．８ｇの銅粉末、１８１ｇのケイ素粉末および４２．１ｇのモリブデン粉末を均等に混合し、温度が６００〜８００℃、圧力が約５００ｂａｒの条件下において、加熱プレスを３時間行い、（Ｃｕ０．７Ｓｉ０．３）０．９８Ｍｏ０．０２合金ターゲットを作製した。
【００５０】
このうち、銅含量は（Ｃｕ０．７Ｓｉ０．３）０．９８Ｍｏ０．０２合金全体の６８．６ａｔ％を占め、ケイ素含量は（Ｃｕ０．７Ｓｉ０．３）０．９８Ｍｏ０．０２合金全体の２９．４ａｔ％を占め、モリブデン含量は（Ｃｕ０．７Ｓｉ０．３）０．９８Ｍｏ０．０２合金全体の２ａｔ％を占めた。
【００５１】
ｉ．実施例９：（Ｃｕ０．７Ｓｉ０．３）０．９８Ｔｉ０．０２合金ターゲット
９５３．１ｇの銅粉末、１８０．５ｇのケイ素粉末および２０．９ｇのチタン粉末を均等に混合し、温度が６００〜８００℃、圧力が約５００ｂａｒの条件下において、加熱プレスを３時間行い、（Ｃｕ０．７Ｓｉ０．３）０．９８Ｔｉ０．０２合金ターゲットを作製した。
【００５２】
このうち、銅含量は（Ｃｕ０．７Ｓｉ０．３）０．９８Ｔｉ０．０２合金全体の６８．６ａｔ％を占め、ケイ素含量は（Ｃｕ０．７Ｓｉ０．３）０．９８Ｔｉ０．０２合金全体の２９．４ａｔ％を占め、チタン含量は（Ｃｕ０．７Ｓｉ０．３）０．９８Ｔｉ０．０２合金全体の２ａｔ％を占めた。
【００５３】
ｊ．比較例１：（Ｃｕ０．７Ｓｉ０．３）０．８９Ｎｉ０．１１合金ターゲット
８９２．４ｇの銅粉末、１６９．０ｇのケイ素粉末および１４５．６ｇのニッケル粉末を均等に混合し、温度が６００〜８００℃、圧力が約５００ｂａｒの条件下において、加熱プレスを３時間行い、（Ｃｕ０．７Ｓｉ０．３）０．９８Ｔｉ０．０２合金ターゲットを作製した。
【００５４】
このうち、銅含量は（Ｃｕ０．７Ｓｉ０．３）０．８９Ｎｉ０．１１合金全体の６２．３ａｔ％を占め、ケイ素含量は（Ｃｕ０．７Ｓｉ０．３）０．８９Ｎｉ０．１１合金全体の２６．７ａｔ％を占め、チタン含量は（Ｃｕ０．７Ｓｉ０．３）０．８９Ｎｉ０．１１合金全体の１１ａｔ％を占めた。
【００５５】
２．光記録媒体の作製
図３を参照されたい。まず、ＰＣ基板１を提供する。続いて、当該ＰＣ基板１上に、順番に純銀の反射層２およびＺｎＳ−ＳｉＯ２の第１誘電体層３が形成される。ここで、ＰＣ基板１の厚さは約１．１ｍｍであり、当該反射層２の厚さは１００ｎｍであり、当該第１誘電体層３の厚さは１５から５０ｎｍである。
【００５６】
続いて、前記作製方法で得られた（ＣｕａＳｉｂ）ＸＭ１−Ｘ合金ターゲットを使用し、圧力が３ｍトルの真空空洞において、当該第１誘電体層３上に、厚さが約２ｎｍから３０ｎｍの（ＣｕａＳｉｂ）ＸＭ１−Ｘの合金材料層４１をスパッタリング形成する。その後、さらに（ＣｕａＳｉｂ）ＸＭ１−Ｘの合金材料層４１上に非晶質シリカ層４２を堆積させ、二重記録層４の厚さは約５ｎｍから５０ｎｍとなる。
【００５７】
その後、二重記録層４上に、順番にＺｎＳ−ＳｉＯ２の第２誘電体層５、ＣｅＯ２−Ａｌ２Ｏ３の保護層６が形成され、光記録媒体の作製が完了する。このうち、第２誘電体層５の厚さは約１５ｎｍから５０ｎｍであり、保護層６の厚さは約２ｎｍから１０ｎｍである。
【００５８】
このほか、本発明の別の実施態様の光記録媒体においては、当該非晶質シリカ層４２を第１誘電体層３上に設けてもよく、さらに当該非晶質シリカ層４２上に（ＣｕａＳｉｂ）ＸＭ１−Ｘの合金材料層４１が形成される。詳細な光記録媒体の層状構造を図４に示す。
【００５９】
次に、各実施例および比較例における、光記録媒体用の記録層の相変化温度は、下表に示す通りである。
【００６０】
【表１】
2014091854.tif 000003
【００６１】
上の表を参照されたい。上の表に示すように、比較例１の二重記録層の相変化温度は２４３℃および４４１℃である。この種の合金材料を使用して、光記録媒体の二重記録層の材料とするとき、光記録媒体の高倍速記録では、比較的短い時間内で相変化を生じさせる必要があるため、相変化温度が高すぎると完全な結晶化反応が起こらず、光記録媒体の記録動作が不完全となり、電気信号に影響を及ぼす。したがって、比較例１の合金スパッタリングターゲットを使用して形成された合金材料層は、高倍速記録の１回書き込み型ブルーレイディスクの作製に適さない。
【００６２】
比較例２の二重記録層の第１相変化温度が１５０℃より低く、銅金属の自発的反応および酸化反応が起こりやすく、光記録媒体のその場反射率の強度が比較的低くなる。これは、比較例２の記録層の材料が高倍速光記録媒体の記録層の材料として適さないことを示す。
【００６３】
上の表を参照されたい。比較例３の二重記録層の相変化温度は高過ぎであり、記録層を非晶質相から結晶相に迅速に変化させることができず、したがって、高倍速光記録媒体の記録層の材料として適さない。
【００６４】
このほか、上の表および図５を併せて参照されたい。実施例２、実施例４および実施例６の二重記録層は、その第１相変化温度および第２相変化温度がともに１５０℃から４２５℃の間にあるため、高い安定性を有し、高倍速焼き込みが可能な光記録媒体の記録層の材料とすることができる。図５に示すように、比較例２のその場反射率の強度と比較して、実施例２、実施例４および実施例６の二重記録層は３００℃から４２５℃の間で、比較的強い強度のその場反射率を有することができる。実験結果により、本発明の（ＣｕａＳｉｂ）ＸＭ１−Ｘ合金は、確実に光記録媒体の二重記録層の材料とすることができ、さらに光記録媒体（例えばブルーレイディスク）の焼き込み速度が大幅に上昇することが証明された。
【００６５】
上記実施例は、説明しやすいように例を挙げたにすぎない。本発明で主張する権利の範囲は、出願する特許請求の範囲を基準とするべきであり、上記実施例に制限されない。
【符号の説明】
【００６６】
１  基板
２  反射層
３  第１誘電体層
４  二重記録層
４１  合金材料層
４２  非晶質シリカ層
５  第２誘電体層
６  保護層
【図１】
2014091854.tif 000004
【図２】
2014091854.tif 000005
【図３】
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【図４】
2014091854.tif 000007
【図５】
2014091854.tif 000008