(57)【要約】  【課題】  容量基板とパッケージとの接続において、容量基板の実装信頼性が向上されたものとする。  【解決手段】  本発明の一つの態様による容量基板は、絶縁基板１と、絶縁基板１の上面に設けられた第１電極層２と、絶縁基板１の下面に設けられ、第１電極層２に対向するように配置された第２電極層３と、該第２電極層３の下面に設けられた接合用電極層４とを含んでいる。平面視において接合用電極層４は島状に複数設けられている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
該絶縁基板の上面に設けられた第１電極層と、
前記絶縁基板の下面に設けられ、前記第１電極層に対向するように配置された第２電極層と、
該第２電極層の下面に設けられた接合用電極層とを備えており、
平面視において前記接合用電極層は島状に複数設けられていることを特徴とする容量基板。
【請求項２】
前記第２電極層は、表面に接合用のろう材に対し濡れにくい合金層を有していることを特徴とする請求項１記載の容量基板。
【請求項３】
請求項１記載の容量基板と、電子デバイスと、回路基板と、
前記容量基板と前記電子デバイスと前記回路基板とが搭載されたパッケージとを備えていることを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、容量基板および電子装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、セラミックスの優れた信頼性および電気特性を用いて、衛星通信、携帯電話等の基地局のパワーアンプのインピーダンス整合用として、高比誘電率のセラミック基板を用いた容量基板および電子装置が用いられている。
【０００３】
このような容量基板および電子装置は、セラミックからなる絶縁基板と、絶縁基板の上面に設けられた導体電極層と、絶縁基板の下面に設けられた接合用電極層とを有しており、容量基板が金属からなるパッケージに搭載される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開2001−160665号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、容量基板をパッケージに搭載すると、セラミックからなる絶縁基板と金属からなるパッケージとの熱膨脹差により容量基板に応力が発生し、接合用電極層にクラックが発生して導体電極層と接合用電極層との間で所望の高い容量値が得られない可能性があった。また、接合用電極層にクラックが発生することにより、容量基板がパッケージから剥がれてしまう可能性があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一つの態様による容量基板は、絶縁基板と、該絶縁基板の上面に設けられた第１電極層と、前記絶縁基板の下面に設けられ、前記第１電極層に対向するように配置された第２電極層と、該第２電極層の下面に設けられた接合用電極層とを備えており、平面視において前記接合用電極層は島状に複数設けられていることを特徴とする。
【０００７】
本発明の他の態様による電子装置は、上記構成の容量基板と、該容量基板が搭載されたパッケージとを備えていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一つの態様による容量基板は、絶縁基板と、絶縁基板の上面に設けられた第１電極層と、絶縁基板の下面に設けられ、第１電極層に対向するように配置された第２電極層と、該第２電極層の下面に設けられた接合用電極層とを備えており、平面視において接合用電極層は島状に複数設けられている。これらによって、容量基板をパッケージに搭載した場合に、セラミックからなる絶縁基板と金属からなるパッケージとの熱膨脹差により絶縁基板とパッケージとの間に熱応力が発生したとしても、平面視において接合用電極層は島状に複数設けられていることにより、絶縁基板とパッケージとの熱膨脹差による応力は分散され、接合用電極層にクラックが発生しにくいものとなり、第１電極層と第２電極層（接合用電極層）との間で所望の高い容量値が得られるとともに、容量基板がパッケージから剥がれるのを抑制し、容量基板の実装信頼性は向上されたものとなる。
【０００９】
本発明の他の態様による電子装置は、上記構成の容量基板を備えていることをによって、実装信頼性に関して良好なものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】（ａ）は本発明の実施形態における容量基板を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示された容量基板のＡ−Ａ線における縦断面図、（ｃ）は（ａ）に示された容量基板の背面図である。
【図２】（ａ）は本発明の実施形態における電子装置を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示された電子装置のＡ部を拡大して示す縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の例示的な実施形態について図面を参照して説明する。
【００１２】
図１に示されているように、本発明の実施形態における容量基板は、絶縁基板１と、第１電極層２と、第２電極層３と、接合用電極層４とを含んでいる。
【００１３】
絶縁基板１は、例えば、高比誘電率のセラミック基板からなり、酸化チタン（ＴｉＯ２）系（酸化チタンを主成分とするもの），チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３），チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３），チタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉＯ３），チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ３），酸化マグネシウム（ＭｇＯ）−酸化チタン，チタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉＯ３）−チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ３）等からなる。
【００１４】
絶縁基板１は、上述のセラミック材料の原料粉末に適当な有機バインダおよび溶媒を添加混合して泥漿状となすとともに、これをドクターブレード法等によってシート状に成形し、セラミックグリーンシートを作製する。
【００１５】
次にセラミックグリーンシート、積層体を用いる場合はセラミックグリーンシートを重ね合わせて圧着して積層体を作製し、セラミックグリーンシートまたは積層体を焼成することによって絶縁基板１が作製される。
【００１６】
第１電極層２は、絶縁基板１の上面に設けられており、例えば密着金属層、中間金属層および主導体層が順次積層された３層構造の導体層から成る薄膜導体層で形成されており、蒸着法，スパッタリング法，イオンプレーティング法等の薄膜形成法によって各層を形成する。密着金属層は、セラミックス等から成る絶縁基板１との密着性を良好とするという観点からは、チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ），タンタル（Ｔａ），ニオブ（Ｎｂ），ニッケル−クロム（Ｎｉ−Ｃｒ）合金，窒化タンタル（Ｔａ２Ｎ）等の熱膨張率がセラミックスと近い金属のうち少なくとも１種より成るのが好ましく、その厚みは０．０１〜０．２μｍ程度が好ましい。密着金属層の厚みが０．０１〜０．２μｍであると成膜時の内部応力によって絶縁基板１から剥離しにくいものとなり、密着金属層を絶縁基板１により強固に密着することが可能となる。
【００１７】
また、中間金属層は、白金（Ｐｔ），パラジウム（Ｐｄ），ロジウム（Ｒｈ），ニッケル（Ｎｉ），Ｎｉ−Ｃｒ合金，Ｔｉ−Ｗ合金等の熱伝導性の良好な金属のうち少なくとも１種より成ることが好ましく、その厚みは０．０５〜１μｍ程度が好ましい。中間金属層の厚みが０．０５〜１μｍであるとピンホール等の欠陥が発生しにくいものとなり、また成膜時の内部応力によって密着金属層から剥離しにくいものとなり、中間金属層を密着金属層により強固に密着することが可能となる。なお、中間金属層にＮｉ−Ｃｒ合金を用いる場合は、Ｎｉ−Ｃｒ合金は基体１との密着性が良好なため、密着金属層を省くことも可能である。
【００１８】
さらに、主導体層は、電気抵抗の小さい金（Ａｕ），銅（Ｃｕ），Ｎｉ，銀（Ａｇ）の少なくとも１種より成ることが好ましく、その厚みは０．１〜５μｍ程度が好ましい。主
導体層の厚みが０．１〜５μｍであると主導体層の電気抵抗が大きいものとはならず、配線導体１ｃに要求される電気抵抗を満足できるものとなる。また成膜時の内部応力によって中間金属層から剥離しにくいものとなり、主導体層を中間金属層により強固に密着することが可能となる。なお、主導体層の上にＡｕまたはＮｉおよびＡｕからなる保護層を被覆してもよい。
【００１９】
第１電極層２は、以上のような構成とすることによって絶縁基板１に強固に密着するとともに、後述するＦＥＴ（Field  effect  transistor）等の電子デバイス１２と容量基
板とを電気的に接続するボンディングワイヤ１４を強固に接続することが可能となる。
【００２０】
第２電極層３は、絶縁基板１の下面に設けられ、第１電極層２に対向するように配置されており、第１電極層２と同様の材料および形成方法で作成すればよく、例えば密着金属層、中間金属層および主導体層が順次積層された３層構造の導体層から成る薄膜導体層で形成されており、蒸着法，スパッタリング法，イオンプレーティング法等の薄膜形成法によって各層を形成する。密着金属層は、セラミックス等から成る絶縁基板１との密着性を良好とするという観点からは、チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ），タンタル（Ｔａ），ニオブ（Ｎｂ），ニッケル−クロム（Ｎｉ−Ｃｒ）合金，窒化タンタル（Ｔａ２Ｎ）等の熱膨張率がセラミックスと近い金属のうち少なくとも１種より成るのが好ましく、その厚みは０．０１〜０．２μｍ程度が好ましい。また、中間金属層は、密着金属層と主導体層との相互拡散を防ぐという観点からは、白金（Ｐｔ），パラジウム（Ｐｄ），ロジウム（Ｒｈ），ニッケル（Ｎｉ），Ｎｉ−Ｃｒ合金，Ｔｉ−Ｗ合金等の熱伝導性の良好な金属のうち少なくとも１種より成ることが好ましく、その厚みは０．０５〜１μｍ程度が好ましい。なお、中間金属層にＮｉ−Ｃｒ合金を用いる場合は、Ｎｉ−Ｃｒ合金は基体１との密着性が良好なため、密着金属層を省くことも可能である。さらに、主導体層は、電気抵抗の小さい金（Ａｕ），銅（Ｃｕ），Ｎｉ，銀（Ａｇ）の少なくとも１種より成ることが好ましく、その厚みは０．１〜５μｍ程度が好ましい。
【００２１】
第２電極層３は、以上のような構成とすることによって第１電極層と第２電極層（接合用電極層）との間で所望の高い容量値が得られるものとなる。
【００２２】
接合用電極層４は、第２電極層３の下面に設けられており、例えばＡｕめっきによって形成され、その厚みは２〜８μｍ程度が好ましい。
【００２３】
平面視において接合用電極層４は島状に複数設けられている。本実施形態による容量基板は、このような構成を含んでいることによって、例えば容量基板をパッケージ１１にＡｕ−Ｓｎ等のろう材１０を介して搭載した場合に、セラミックからなる絶縁基板１と金属からなるパッケージ１１との熱膨脹差により絶縁基板１とパッケージ１１との間に熱応力が発生したとしても、平面視において接合用電極層４は島状に複数設けられていることにより、絶縁基板１とパッケージ１１との熱膨脹差による応力は分散され、接合用電極層４にクラックが発生しにくいものとなり、第１電極層２と第２電極層３（接合用電極層４）との間で所望の高い容量値が得られるとともに、容量基板がパッケージ１１から剥がれるのを抑制し、容量基板の実装信頼性は向上されたものとなる。
【００２４】
また、第２電極層３は、例えば容量基板を加熱（アニール）し、第２電極層３の中間金属層を主導体層に拡散させることにより、第２電極層３の表面に中間金属層と主導体層の合金層３ａが形成される。この容量基板をパッケージ１１にＡｕ−Ｓｎ等のろう材１０を介して搭載した場合に、ろう材１０は、接合用電極層４に接合されるが、第２電極層３の合金層３ａに濡れにくくなって接合されないため、セラミックからなる絶縁基板１と金属からなるパッケージ１１との熱膨脹差により絶縁基板１とパッケージ１１との間に熱応力が発生したとしても、ろう材１０と接合用電極層４との接合は島状に分断され、絶縁基板
１とパッケージ１１との熱膨脹差による応力は分散されて、第２電極層３に応力が発生しにくいものとなり、好ましい。
【００２５】
また、第２電極層３は、絶縁基板１の下面全体にわたって設けられているため、第１電極層２と第２電極層３との間で高い容量値が得られるものとなり、好ましい。
【００２６】
このようにして作製された容量基板は、例えば容量基板の搭載部がＣｕ−Ｍｏ−Ｃｕの合金からなる金属製のパッケージ１１にＦＥＴ等の電子デバイス１２、回路基板１３等とともに搭載され、電子デバイス１２、容量基板、回路基板１３がボンディングワイヤ１４によって電気的に接続されて、電子装置１５となる。
【符号の説明】
【００２７】
１・・・・・絶縁基板
２・・・・・第１電極層
３・・・・・第２電極層
３ａ・・・・合金層
４・・・・・接合用電極層
１２・・・・電子デバイス
【図１】
2014239112.tif 000003
【図２】
2014239112.tif 000004