(57)【要約】【課題】透明性、帯電防止性、耐衝撃性及び熱安定性に優れた成形体とすることができるポリカーボネート樹脂組成物及びその成形体を提供する。【解決手段】ポリカーボネート樹脂１００質量部に対し、下記の一般式（１）で表されるホスホニウム塩を０．６〜１．８質量部含有し、ジグリセリン脂肪酸エステルを実質的に含有しないポリカーボネート樹脂組成物。      ［（Ｒ1）3Ｒ2Ｐ］+・（Ｒ3ＳＯ2）（Ｒ4ＳＯ2）Ｎ-        （１）［上記式（１）中、Ｒ1は炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ2は炭素数８〜２０のアルキル基を示し、Ｒ3及びＲ4は炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基を示し、Ｒ3及びＲ4は同一であっても異なっていてもよい。］【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリカーボネート樹脂１００質量部に対し、下記の一般式（１）で表されるホスホニウム塩を０．６〜１．８質量部含有し、ジグリセリン脂肪酸エステルを実質的に含有しないポリカーボネート樹脂組成物。
［（Ｒ1）3Ｒ2Ｐ］+・（Ｒ3ＳＯ2）（Ｒ4ＳＯ2）Ｎ-        （１）
［上記式（１）中、Ｒ1は炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ2は炭素数８〜２０のアルキル基を示し、Ｒ3及びＲ4は炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基を示し、Ｒ3及びＲ4は同一であっても異なっていてもよい。］
【請求項２】
前記ホスホニウム塩が、一般式（１）において、Ｒ1が炭素数２〜４のアルキル基を示し、Ｒ2が炭素数８〜１２のアルキル基を示し、Ｒ3及びＲ4が炭素数１又は２のパーフルオロアルキル基を示すホスホニウム塩である、請求項１に記載のポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項３】
ポリエーテル系樹脂、アクリル系樹脂、及びポリエステル系樹脂から選ばれる１種又は２種以上の熱可塑性樹脂を含有する、請求項１又は２に記載のポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項４】
ＪＩＳ Ｋ７１０５に準拠して測定した全光線透過率が８５％以上である成形体が得られる、請求項１〜３のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂組成物を用いて成形される厚み０．５〜１５ｍｍの成形体。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂組成物を用いて成形される厚み０．５〜１５ｍｍの板状成形体。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂組成物を、金型温度１００℃以上で射出成形して得られる厚み０．５〜１５ｍｍの成形体。
【請求項８】
請求項１〜４のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂組成物を、金型温度１００℃以上で射出成形して得られる厚み０．５〜１５ｍｍの板状成形体。
【請求項９】
請求項１〜４のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂組成物を、金型温度１００℃未満で射出成形して得られる厚み２．５〜１５ｍｍの成形体。
【請求項１０】
請求項１〜４のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂組成物を、金型温度１００℃未満で射出成形して得られる厚み２．５〜１５ｍｍの板状成形体。
【請求項１１】
請求項１〜４のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂組成物を、押出し成形して得られる成形体。
【請求項１２】
請求項１〜４のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂組成物を、押出し成形して得られる板状成形体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明性、帯電防止性、耐衝撃性及び熱安定性に優れた成形体とすることができるポリカーボネート樹脂組成物及びその成形体に関する。
【背景技術】
【０００２】
ポリカーボネート樹脂は、透明性、機械的特性及び耐熱性等に優れる一方で、表面固有抵抗が大きい性質を有する。そのため、ポリカーボネート樹脂の成形体表面に静電気が発生した場合、埃が付着して除去しにくくなり、また電気機器部品とした際に誤作動等の問題を引き起こすおそれがある。そこで、帯電防止性が付与されたポリカーボネート樹脂組成物に関する技術が多く検討されている。
例えば、スルホン酸ホスホニウム塩を帯電防止剤として含むポリカーボネート樹脂組成物（特許文献１及び２参照）や、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂及び光硬化性樹脂等に適用可能であるホスホニウムイミドを含む帯電防止剤（特許文献３参照）、また帯電防止剤としてジグリセリン脂肪酸エステルと特定のフッ素含有ホスホニウム塩とを併用したポリカーボネート樹脂組成物（特許文献４参照）等が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−３２７８９９号公報
【特許文献２】特開２００５−２９８５６２号公報
【特許文献３】特開２００８−１９２４９号公報
【特許文献３】特開２０１１−２４１３０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１及び２に記載のポリカーボネート樹脂組成物に付与される帯電防止性能は満足できるまでに至っておらず、さらなる改善が求められている。また、特許文献３に記載の帯電防止剤を帯電防止性能が発現できる程度にポリカーボネート樹脂に溶融混練し、射出成形又は押出成形を行うと、得られた成形体が白化し透明性が著しく損なわれてしまい、また特許文献４に記載されるようなジグリセリン脂肪酸エステルを併用する方法では、高温での熱安定性が著しく悪く着色し易いという欠点がある。
【０００５】
そこで本発明は、射出成形又は押出成形を行ったとしても、透明性、帯電防止性、耐衝撃性及び熱安定性に優れた成形体とすることができるポリカーボネート樹脂組成物及びその成形体を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、ジグリセリン脂肪酸エステルを実質的に含有せず、特定のホスホニウム塩を特定量含有するポリカーボネート樹脂組成物により上記課題を解決し得ることを見出した。
すなわち、本発明は、下記ポリカーボネート樹脂組成物及びその成形体に関する。
【０００７】
１．  ポリカーボネート樹脂１００質量部に対し、下記の一般式（１）で表されるホスホニウム塩を０．６〜１．８質量部含有し、ジグリセリン脂肪酸エステルを実質的に含有しないポリカーボネート樹脂組成物。
［（Ｒ1）3Ｒ2Ｐ］+・（Ｒ3ＳＯ2）（Ｒ4ＳＯ2）Ｎ-        （１）
［上記式（１）中、Ｒ1は炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ2は炭素数８〜２０のアルキル基を示し、Ｒ3及びＲ4は炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基を示し、Ｒ3及びＲ4は同一であっても異なっていてもよい。］
２．  前記ホスホニウム塩が、一般式（１）において、Ｒ1が炭素数２〜４のアルキル基を示し、Ｒ2が炭素数８〜１２のアルキル基を示し、Ｒ3及びＲ4が炭素数１又は２のパーフルオロアルキル基を示すホスホニウム塩である、前記１に記載のポリカーボネート樹脂組成物。
３．  ポリエーテル系樹脂、アクリル系樹脂、及びポリエステル系樹脂から選ばれる１種又は２種以上の熱可塑性樹脂を含有する、前記１又は２に記載のポリカーボネート樹脂組成物。
４．  ＪＩＳ Ｋ７１０５に準拠して測定した全光線透過率が８５％以上である成形体が得られる、前記１〜３のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂組成物。
５．  前記１〜４のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂組成物を用いて成形される厚み０．５〜１５ｍｍの成形体。
６．  前記１〜４のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂組成物を用いて成形される厚み０．５〜１５ｍｍの板状成形体。
７．  前記１〜４のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂組成物を、金型温度１００℃以上で射出成形して得られる厚み０．５〜１５ｍｍの成形体。
８．  前記１〜４のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂組成物を、金型温度１００℃以上で射出成形して得られる厚み０．５〜１５ｍｍの板状成形体。
９．  前記１〜４のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂組成物を、金型温度１００℃未満で射出成形して得られる厚み２．５〜１５ｍｍの成形体。
１０．  前記１〜４のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂組成物を、金型温度１００℃未満で射出成形して得られる厚み２．５〜１５ｍｍの板状成形体。
１１．  前記１〜４のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂組成物を、押出し成形して得られる成形体。
１２．  前記１〜４のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂組成物を、押出し成形して得られる板状成形体。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のポリカーボネート樹脂組成物は、透明性、帯電防止性、耐衝撃性及び熱安定性に優れた成形体とすることができ、特に射出成形又は押出成形を行っても上記特性を有する成形体とすることができる。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
［ポリカーボネート樹脂組成物］
本発明のポリカーボネート樹脂組成物は、ポリカーボネート樹脂及び特定のホスホニウム塩を含有するものであり、さらにポリカーボネート樹脂以外の透明性を有する熱可塑性樹脂を含有することができる。また、本発明のポリカーボネート樹脂組成物は、ジグリセリン脂肪酸エステルを実質的に含有しないものである。ジグリセリン脂肪酸エステルを含有した場合、前述のとおり高温での樹脂組成物の熱安定性が著しく悪くなり、着色しやすくなるためである。
以下、本発明において用いられる上記ポリカーボネート樹脂、特定のホスホニウム塩及び熱可塑性樹脂について説明する。
【００１０】
（ポリカーボネート樹脂）
本発明で用いられるポリカーボネート樹脂は、芳香族ポリカーボネート樹脂であっても脂肪族ポリカーボネート樹脂であってもよいが、耐衝撃性及び耐熱性等の観点から芳香族ポリカーボネート樹脂を用いることが好ましい。
芳香族ポリカーボネート樹脂としては、通常、二価フェノールとカーボネート前駆体との反応により製造される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いることができる。芳香族ポリカーボネート樹脂は、透明性、耐衝撃性及び耐熱性が良好であるため樹脂組成物の主成分とすることができる。
【００１１】
二価フェノールとしては、４，４’−ジヒドロキシジフェニル；１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、及び２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン〔ビスフェノールＡ〕等のビス（４−ヒドロキシフェニル）アルカン；ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロアルカン；ビス（４−ヒドロキシフェニル）オキシド；ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフィド；ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン；ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホキシド；ビス（４−ヒドロキシフェニル）ケトン等を挙げることができる。なかでも、ビスフェノールＡが好ましい。二価フェノールとしては、上記二価フェノールの１種を用いたホモポリマーでも、２種以上を用いたコポリマーであってもよい。さらに、多官能性芳香族化合物を二価フェノールと併用して得られる熱可塑性ランダム分岐ポリカーボネート樹脂であってもよい。
【００１２】
カーボネート前駆体としては、カルボニルハライド、ハロホーメート、炭酸エステル等が挙げられ、具体的にはホスゲン、二価フェノールのジハロホーメート、ジフェニルカーボネート、ジメチルカーボネート、及びジエチルカーボネート等が挙げられる。
【００１３】
さらに芳香族ポリカーボネート樹脂は、分岐構造を有していてもよい。
分岐構造を導入するためには分岐剤を用いればよく、例えば１，１，１−トリス（４−ヒドキシフェニル）エタン；α，α’，α”−トリス（４−ヒドロキシフェニル）−１，３，５−トリイソプロピルベンゼン；１−〔α−メチル−α−（４’−ヒドロキシフェニル）エチル〕−４−〔α’，α’−ビス（４”−ヒドロキシフェニル）エチル〕ベンゼン；フロログルシン、トリメリット酸、及びイサチンビス（ｏ−クレゾール）等の官能基を三個以上有する化合物等を用いることができる。
本発明で用いられる芳香族ポリカーボネート樹脂として、分岐構造を有する芳香族ポリカーボネート樹脂を単独で用いてもよく、分岐構造を有さない芳香族ポリカーボネート樹脂と併用してもよい。併用する場合、成形性や耐熱性等の観点から、分岐構造を有する芳香族ポリカーボネート樹脂と分岐構造を有さない芳香族ポリカーボネート樹脂との割合は、質量比で３５：６５〜６５：３５であることが好ましく、４０：６０〜６０：４０であることがより好ましい。
【００１４】
本発明で用いられるポリカーボネート樹脂としては、ポリカーボネート共重合体であってもよい。ポリカーボネート共重合体としては、例えば、テレフタル酸等の二官能性カルボン酸やそのエステル形成誘導体等のエステル前駆体の存在下にポリカーボネートの重合反応を行うことによって得られるポリエステル−ポリカーボネート共重合体や、下記一般式（Ａ）で表されるフェノール変性ジオールを用いることにより形成されるポリカーボネート共重合体等が挙げられる。
なお、本発明において用いることができるポリカーボネート共重合体は上記ポリカーボネート共重合体に限定されない。
【００１５】
【化１】
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【００１６】
上記（Ａ）中、Ｒ5及びＲ6は、それぞれ独立に炭素数１〜３のアルキル基を示し、Ｙは炭素数２〜１５の直鎖又は分岐鎖のアルキレン基を示す。ａ及びｂは、それぞれ独立に０〜４の整数を示し、ｎは、２〜２００の整数を示す。Ｒ5及びＲ6が複数ある場合それぞれ同一でも異なっていてもよい。
【００１７】
また、本発明で用いられるポリカーボネート樹脂は、フッ素原子及びケイ素原子を含まないことが好ましい。フッ素原子及びケイ素原子を含まないポリカーボネート樹脂を用いることにより、帯電防止剤がポリカーボネート樹脂組成物の成形体表面に出やすくなり優れた帯電防止性を付与することができる。
【００１８】
ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量は、樹脂組成物の物性面から、１０，０００〜４０，０００であることが好ましく、１３，０００〜３５，０００であることがより好ましい。
上記粘度平均分子量（Ｍｖ）は、ウベローデ型粘度計を用いて、２０℃における塩化メチレン溶液の粘度を測定し、これより極限粘度［η］を求め、次式にて算出するものである。
［η］＝１．２３×１０-5Ｍｖ0.83
【００１９】
（ホスホニウム塩）
本発明で用いられるホスホニウム塩は下記の一般式（１）で表され、帯電防止剤として用いられる。
［（Ｒ1）3Ｒ2Ｐ］+・（Ｒ3ＳＯ2）（Ｒ4ＳＯ2）Ｎ-        （１）
上記式（１）中、Ｒ1は炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ2は炭素数８〜２０のアルキル基を示し、Ｒ3及びＲ4は炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基を示し、Ｒ3及びＲ4は同一であっても異なっていてもよい。
【００２０】
Ｒ1で示される炭素数１〜４のアルキル基としては、直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基であり、好ましくは炭素数２〜４のアルキル基であり、特に好ましくは炭素数４のアルキル基である。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基が挙げられる。
Ｒ2で示される炭素数８〜２０のアルキル基としては、直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基であり、好ましくは炭素数８〜１２の直鎖状アルキル基であり、特に好ましくは炭素数８〜１０の直鎖状アルキル基である。具体的には、例えばオクチル基、２−メチルヘプチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、２−メチルオクチル基、デシル基、２−メチルノニル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基等が挙げられる。
Ｒ3及びＲ4で示される炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基としては、直鎖状又は分岐鎖状のパーフルオロアルキル基であり、好ましくは炭素数１又は２のパーフルオロアルキル基であり、特に好ましくは炭素数１のパーフルオロアルキル基である。具体的には、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、ノナフルオロブチル基等が挙げられる。
【００２１】
ホスホニウム塩としては、例えば、１，１，１−トリメチル−１−オクチルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリメチル−１−ノニルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリメチル−１−デシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリメチル−１−ウンデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリメチル−１−ドデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリメチル−１−トリデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリメチル−１−テトラデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリメチル−１−ペンタデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリメチル−１−ヘキサデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリメチル−１−ヘプタデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリメチル−１−オクタデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリメチル−１−ノナデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリメチル−１−イコシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、
【００２２】
１，１，１−トリエチル−１−オクチルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリエチル−１−ノニルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリエチル−１−デシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリエチル−１−ウンデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリエチル−１−ドデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリエチル−１−トリデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリエチル−１−テトラデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリエチル−１−ペンタデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリエチル−１−ヘキサデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリエチル−１−ヘプタデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリエチル−１−オクタデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリエチル−１−ノナデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリエチル−１−イコシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、
【００２３】
１，１，１−トリプロピル−１−オクチルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリプロピル−１−ノニルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリプロピル−１−デシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリプロピル−１−ウンデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリプロピル−１−ドデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリプロピル−１−トリデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリプロピル−１−テトラデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリプロピル−１−ペンタデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリプロピル−１−ヘキサデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリプロピル−１−ヘプタデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリプロピル−１−オクタデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリプロピル−１−ノナデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリプロピル−１−イコシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、
【００２４】
１，１，１−トリブチル−１−オクチルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ノニルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−デシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ウンデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ドデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−トリデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−テトラデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ペンタデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ヘキサデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ヘプタデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−オクタデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ノナデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−イコシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、
【００２５】
１，１，１−トリブチル−１−オクチルホスホニウム＝ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ノニルホスホニウム＝ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−デシルホスホニウム＝ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ウンデシルホスホニウム＝ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ドデシルホスホニウム＝ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−トリデシルホスホニウム＝ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−テトラデシルホスホニウム＝ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ペンタデシルホスホニウム＝ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ヘキサデシルホスホニウム＝ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ヘプタデシルホスホニウム＝ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−オクタデシルホスホニウム＝ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ノナデシルホスホニウム＝ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−イコシルホスホニウム＝ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、
【００２６】
１，１，１−トリブチル−１−オクチルホスホニウム＝ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ノニルホスホニウム＝ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−デシルホスホニウム＝ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ウンデシルホスホニウム＝ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ドデシルホスホニウム＝ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−トリデシルホスホニウム＝ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−テトラデシルホスホニウム＝ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ペンタデシルホスホニウム＝ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ヘキサデシルホスホニウム＝ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ヘプタデシルホスホニウム＝ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−オクタデシルホスホニウム＝ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ノナデシルホスホニウム＝ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−イコシルホスホニウム＝ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、
【００２７】
１，１，１−トリブチル−１−オクチルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ノニルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−デシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ウンデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ドデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−トリデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−テトラデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ペンタデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ヘキサデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ヘプタデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−オクタデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ノナデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−イコシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、
【００２８】
１，１，１−トリブチル−１−オクチルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ノニルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−デシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ウンデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ドデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−トリデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−テトラデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ペンタデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ヘキサデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ヘプタデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−オクタデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ノナデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−イコシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド、
【００２９】
１，１，１−トリブチル−１−オクチルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ノニルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−デシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ウンデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ドデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−トリデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−テトラデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ペンタデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ヘキサデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ヘプタデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−オクタデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ノナデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−イコシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド等が挙げられる。
【００３０】
ポリカーボネート樹脂組成物における上記ホスホニウム塩の含有量は、ポリカーボネート樹脂１００質量部に対して、０．６〜１．８質量部であり、好ましくは０．７〜１．７質量部、より好ましくは０．８〜１．６である。ホスホニウム塩の上記含有量が０．６質量部未満であると、ポリカーボネート樹脂組成物に優れた帯電防止性を付与することができない。また、上記含有量が１．８質量部を超えると帯電防止性には優れるが、ポリカーボネート樹脂組成物の熱安定性が劣り、成形体の透明性が著しく損なわれ、樹脂組成物を混練し、射出及び押出しにより成形して透明な成形体とすることはできない。
【００３１】
（熱可塑性樹脂）
本発明のポリカーボネート樹脂組成物には、透明性を損なわない程度に前記ポリカーボネート樹脂以外の透明性を有する熱可塑性樹脂を含有させることができる。
上記熱可塑性樹脂としては、ポリカーボネート樹脂組成物の帯電防止性をさらに向上させることができる観点から、ポリエーテル系樹脂、アクリル系樹脂、及びポリエステル系樹脂から選ばれる１種又は２種以上の熱可塑性樹脂であることが好ましい。
【００３２】
ポリエーテル系樹脂としては、ポリオキシアルキレングリコールや、例えば、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール等のポリアルキレングリコール等が挙げられる。上記ポリエーテル系樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
また、上記ポリアルキレングリコールとポリアミドとのエステル等も透明性を損なわない程度に添加することができる。
【００３３】
アクリル系樹脂としては、アクリル酸、アクリル酸エステル、アクリロニトリル及びその誘導体のモノマー単位から選ばれる少なくとも１種を繰り返し単位とする重合体であり、単独重合体又はスチレン等との共重合体でもよい。
アクリル系樹脂としては、例えば、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリアクリロニトリル、アクリル酸エチル−アクリル酸−２−クロロエチル共重合体、アクリル酸−ｎ−ブチル−アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル−スチレン共重合体、アクリル酸エステル-スチレン共重合体等が挙げられる。上記アクリル系樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３４】
ポリエステル系樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、テレフタル酸と１，３−ブロパンジオール或いは１，４−ブロパンジオール或いは１，４−シクロヘキサンジメタノールとの共重合体、テレフタル酸とイソフタル酸との共重合体、ポリ乳酸及び／又はポリ乳酸を含む共重合体等が挙げられる。上記ポリエステル系樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３５】
ポリカーボネート樹脂組成物における上記熱可塑性樹脂の含有量は、ポリカーボネート樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．０５〜２０質量部である。熱可塑性樹脂の含有量が上記範囲内であれば、ポリカーボネート樹脂組成物の帯電防止性をさらに向上させる効果を発揮することができる。
【００３６】
（添加剤）
また、本発明のポリカーボネート樹脂組成物には、本発明の目的が損なわれない範囲で、必要に応じ、離型剤、酸化防止剤等の各種添加剤を適宜含有させることができる。
【００３７】
離型剤としては、一価又は多価アルコールの高級脂肪酸エステルを挙げることができる。上記高級脂肪酸エステルとしては、一価又は多価アルコールと飽和脂肪酸との部分エステル又は完全エステルが好ましく、炭素数１〜２０の一価又は多価アルコールと、炭素数１０〜３０の飽和脂肪酸との部分エステル又は完全エステルがより好ましい。
一価又は多価アルコールと飽和脂肪酸との部分エステル又は完全エステルとしては、例えば、ステアリン酸モノグリセリド、ステアリン酸モノソルビテート、ベヘニン酸モノグリセリド、ペンタエリスリトールモノステアレート、ペンタエリスリトールテトラステアレート、プロピレングリコールモノステアレート、ステアリルステアレート、パルミチルパルミテート、ブチルステアレート、メチルラウレート、イソプロピルパルミテート、２−エチルヘキシルステアレート等が挙げられる。
離型剤は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
また、ポリカーボネート樹脂組成物における離型剤の含有量は、ポリカーボネート樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．００５〜１質量部、より好ましくは０．０１〜０．４質量部である。
【００３８】
酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤及びリン系酸化防止剤が好ましい。
フェノール系酸化防止剤としては、例えば、トリエチレングリコール−ビス［３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、１，６−ヘキサンジオール−ビス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、ペンタエリスリトール−テトラキス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ−ヘキサメチレンビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナマイド）、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ベンジルホスホネートジエチルエステル、トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）イソシアヌレート、３，９−ビス[１，１−ジメチル−２−［β−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ］エチル]−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ（５，５）ウンデカン等が挙げられる。
【００３９】
リン系酸化防止剤としては、例えば、トリフェニルホスファイト、トリスノニルフェニルホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、トリデシルホスファイト、トリオクチルホスファイト、トリオクタデシルホスファイト、ジデシルモノフェニルホスファイト、ジオクチルモノフェニルホスファイト、ジイソプロピルモノフェニルホスファイト、モノブチルジフェニルホスファイト、モノデシルジフェニルホスファイト、モノオクチルジフェニルホスファイト、ビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、２，２−メチレンビス（４，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）オクチルホスファイト、ビス（ノニルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ビス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ジステアリルペンタエリスリトールジホスファイト等が挙げられる。
酸化防止剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
また、ポリカーボネート樹脂組成物における酸化防止剤の含有量は、ポリカーボネート樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．０１〜０.５質量部、より好ましくは０．０１〜０．２質量部である。
【００４０】
（ジグリセリン脂肪酸エステル）
本発明のポリカーボネート樹脂組成物は、グリセリン脂肪酸エステルを実質的に含有しない。グリセリン脂肪酸エステルを一定量以上含有する場合、高温での熱安定性が著しく悪くなり着色し易いという欠点が生じ、本発明の効果を奏することができなくなる。
ここで、上記「実質的に含有しない」とは、本発明のポリカーボネート樹脂組成物１００質量％中、グリセリン脂肪酸エステルの含有量が０．５質量％未満であることをいい、好ましくは０．３質量％以下であり、さらに好ましくは０．１質量％以下である。
【００４１】
［成形体及び成形体の製造方法］
本発明の成形体は、上述のポリカーボネート樹脂及びホスホニウム塩を含むポリカーボネート樹脂組成物を溶融混練した後、成形することにより製造することができる。
溶融混練機としては、例えばバンバリーミキサー、単軸スクリュー押出機、二軸スクリュー押出機、コニーダ及び多軸スクリュー押出機等が挙げられる。溶融混練における加熱温度は、通常２２０〜３００℃が適当である。
また上記成形方法としては、公知の成形方法、例えば中空成形、射出成形、押出成形、真空成形、圧空成形、熱曲げ成形、圧縮成形、カレンダー成形及び回転成形等を適用することにより、成形体とすることができ、特に射出成形及び押出成形による成形法が好ましい。射出成形時の金型温度は、特に薄肉成形品では帯電防止性能を高めるためには高温にすることが好ましく、その際、成形体の取り出し時の変形抑制の観点から、ヒートアンドクール成形等で取り出し時の金型温度を下げる等の方法が可能である。
【００４２】
本発明のポリカーボネート樹脂組成物は、成形体が透明性に優れるものであり、上記樹脂組成物をペレットに成形後に、射出成形により厚み３．２ｍｍの試験片とし、温度２３℃にてＪＩＳ Ｋ７１０５に準拠した測定方法により測定した試験片の全光線透過率が８５％以上となることが好ましい。より好ましくは上記試験片の全光線透過率が８９％以上である。また上記測定方法で測定した上記試験片のヘーズが１％以下となることが好ましく、より好ましくは０．５％以下である。
【００４３】
また、成形体の優れた透明性と充分な帯電防止性能とを両立させる観点から、本発明のポリカーボネート樹脂組成物を金型温度１００℃以上で射出成形して厚み０．５〜１５ｍｍの成形体とすることが好ましい。射出成形時の金型温度が１００℃以上であれば、成形体の厚みが０．５ｍｍ程度に薄くても充分な帯電防止性能を発現させることができる。
また、厚み２．５〜１５ｍｍの成形体の場合には金型温度１００℃未満であっても良い。金型温度１００℃未満の場合、成形体の厚みが２．５ｍｍ以上であれば十分な帯電防止性能を発現させることができ、透明性にも優れる。
また、本発明のポリカーボネート樹脂組成物を押出し成形して成形体を得る場合、成形体の厚みに制限なく成形体の優れた透明性と充分な帯電防止性能とを両立させることができる。
【００４４】
また、本発明の成形体の形状は、用途に応じた形状に成形すればよいが、例えば、平板状、波板状、あるいは凹凸や湾曲等を有する板状成形体等が挙げられる。
なお、成形体が板状でない場合、成形体の体積を成形時の金型への投影面積で割った値を成形体の平均の厚み、即ち成形体の厚みとする。
【００４５】
本発明のポリカーボネート樹脂組成物は、透明性、帯電防止性、耐衝撃性及び熱安定性に優れる成形体とすることができ、特に射出成形体又は押出成形体とすることでこれらの特性が顕著に発揮される。よって、本発明の成形体は、テレビ、ラジオカセット、ビデオカメラ、携帯電話、コンピュータ、レジスター、複写機、家電製品の筐体等の各種電気・電子機器用部品及びＯＡ機器、カメラ、スライドプロジェクター、計測器、表示器械等の精密機械等の精密機器用部品、照明カバー、保護カバー、インテリア器具類、窓製品等の各種家具用部品、光学レンズ、プロジェクターレンズ、ヘッドランプレンズ等の各種レンズ、パチンコ、スロットマシン、大型ゲーム機器等の各種遊戯機、さらに製品化時に後工程として塗装工程を必要とする各種部品、埃の付着を防止することが要求される各種部品、静電気による帯電を防止することが要求される各種部品等に好適である。
【実施例】
【００４６】
以下の実施例により、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００４７】
［物性評価］
（１）透明性：ヘーズ（％）
ＪＩＳ Ｋ７１０５に記載の測定方法に準拠し、実施例及び比較例で得られたペレットを用いて射出成形により表１及び２に示す成形条件で作製した所定の厚みを有する試験片を用い、スガ試験機株式会社製のＤＩＧＩＴＡＬ ＨＡＺＥ ＣＯＭＰＵＴＥＲにより温度２３℃にて測定した。
（２）透明性：全光線透過率（％）
ＪＩＳ Ｋ７１０５に記載の測定方法に準拠し、実施例及び比較例で得られたペレットを用いて射出成形により表１及び２に示す成形条件で作製した所定の厚みを有する試験片を用い、スガ試験機株式会社製のＤＩＧＩＴＡＬ ＨＡＺＥ ＣＯＭＰＵＴＥＲにより温度２３℃にて測定した。
（３）帯電防止性：帯電半減期（秒）
ＪＩＳ Ｌ１０９４に記載の測定方法に準拠し、実施例及び比較例で得られたペレットを用いて射出成形により表１及び２に示す成形条件で作製し、２５×３０ｍｍで表１及び２に示す所定の厚みを有する試験片とした。作製した試験片を用い、シシド静電気株式会社製ＳＴＡＴＩＣ ＯＮＥＳＴＭＥＴＥＲにより、９ｋＶで３０秒印加を行った後、帯電圧が初期の半分になるまでの時間を測定した。なお、１８０秒で半減しない場合は「１８０＜」として表に示す。
【００４８】
（４）帯電防止性：表面固有抵抗率（Ω／□）
実施例及び比較例で得られたペレットを用いて射出成形により表１及び２に示す成形条件で試験片を作製し、下記条件に従い、表面固有抵抗率を測定した。
試験方法：ＩＥＣ ６００９３ 準拠
試験条件：印加電圧 ５００Ｖ×１分
測定数 ｎ＝２
試験電極 導電性ゴム
主電極径 φ２６
状態調節：２３℃・５０％ＲＨ×４８時間以上
試験環境：２３℃・５０％ＲＨ
試 験 器：ハイレジスタンスメーター 4339B アジレント・テクノロジー株式会社
（５）耐衝撃性：Ｉｚｏｄ衝撃強度（ｋＪ／ｍ2）
ＪＩＳ  Ｋ７１１０に準拠し、実施例及び比較例で得られたペレットを用いて射出成形により厚み３．２ｍｍの試験片とし測定した。
（６）熱安定性：成形熱安定性（ＹＩ値）
実施例及び比較例で得られたペレットを用いて成形温度３４０℃で滞留時間が３分、８分、１３分、１８分となるように条件を設定し、４０×７０×３．２ｍｍの試験片を成形して、日本電色工業株式会社製のＳＺ−ｏｐｔｉｃａｌ ＳＥＮＳＯＲにより、各試験片についてＪＩＳ Ｋ７１０５に準拠してＹＩ値を測定した。
【００４９】
［樹脂組成］
（ポリカーボネート樹脂）
・ＦＮ１７００Ａ
タフロンＦＮ１７００Ａ、出光興産株式会社製、ビスフェノールＡポリカーボネート樹脂、粘度平均分子量：１７，５００
（帯電防止剤）
・ＩＬ−ＡＰ３〔一般式（１）で表されるホスホニウム塩〕
広栄化学工業株式会社製、１，１−トリブチル−１−ドデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド
・ＩＰＳ−１０１〔比較用〕
竹本油脂株式会社製、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩
・ジグリセリン脂肪酸エステル〔比較用〕
ジグリセリンモノラウレート
（離型剤）
・ＥＷ４４０Ａ
理研ビタミン株式会社製、ペンタエリスリトールテトラステアレート
（酸化防止剤）
・Ｉｒｇａｆｏｓ １６８
ＢＡＳＦ株式会社製、リン系酸化防止剤、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト
【００５０】
［実施例１〜６］及び［比較例１〜８］
表１及び２に示す樹脂組成の割合で、各成分を配合し、２軸押出し機［東芝機械株式会社製、機種名「ＴＥＭ−３５Ｂ」］を用い、バレル温度２７０℃にて溶融混練することにより、ポリカーボネート樹脂組成物のペレットを作製した。このペレットを用い、射出成形を行ったのち前述した方法で各種物性評価を行った。物性評価の結果を表１及び２に示す。
【００５１】
【表１】
2014129488.tif 000003
【００５２】
【表２】
2014129488.tif 000004
【００５３】
実施例では、透明性、帯電防止性、耐衝撃性及び熱安定性に優れる射出成形体が得られた。一方で、比較例１ではホスホニウム塩の含有量が多いため透明性が著しく損なわれ、耐衝撃性及び熱安定性にも劣り、また比較例２及び５〜７ではホスホニウム塩を含有しない又は含有量が少ないため、優れた帯電防止性が付与されなかった。比較例３及び４では一般式（１）で表されるホスホニウム塩とは別の帯電防止剤を用いたが、実施例と比べ透明性、帯電防止性、耐衝撃性及び熱安定性に劣る成形体となった。
また、比較例２及び８ではジグリセリンモノラウレートを一定量以上含有しているため熱安定性が著しく損なわれた。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明のポリカーボネート樹脂組成物は、透明性、帯電防止性、耐衝撃性及び熱安定性に優れる成形体とすることができるため、上記特性を要する分野、例えば、テレビ、ラジオカセット、ビデオカメラ、携帯電話、コンピュータ、レジスター、複写機、家電製品の筐体等の各種電気・電子機器用部品及びＯＡ機器、カメラ、スライドプロジェクター、計測器、表示器械等の精密機械等の精密機器用部品、照明カバー、保護カバー、インテリア器具類、窓製品等の各種家具用部品、光学レンズ、プロジェクターレンズ、ヘッドランプレンズ等の各種レンズ、パチンコ、スロットマシン、大型ゲーム機器等の各種遊戯機、さらに製品化時に後工程として塗装工程を必要とする各種部品、埃の付着を防止することが要求される各種部品、静電気による帯電を防止することが要求される各種部品等として好適に用いることができる。