(57)【要約】【課題】広い周波数範囲において良好な特性が得られる基板、及び当該基板を含むアンテナを提供すること。【解決手段】絶縁層（１２）と、絶縁層を挟む一対の導電層（１１，１３）と、を備え、一対の導電層の一方（１３）は、所定周波数の電磁波を同位相で反射するように複数の導電素子（１３１）が所定周期で配列されたパターンを有し、絶縁層は、磁化容易軸（Ａ１，Ａ２）の向きが異なる複数の磁性層（１２１，１２２）を含むように構成した。【選択図】図１
2014216751.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、前記絶縁層を挟む一対の導電層と、を備え、
前記一対の導電層の一方は、所定周波数の電磁波を同位相で反射するように複数の導電素子が所定周期で配列されたパターンを有し、
前記絶縁層は、磁化容易軸の向きが異なる複数の磁性層を含むことを特徴とする基板。
【請求項２】
前記一対の導電層の一方は、前記複数の導電素子が複数の方向に所定周期で配列されたパターンを有し、
前記複数の磁性層は、それぞれ、前記複数の導電素子の各配列方向に沿う前記磁化容易軸を有することを特徴とする請求項１記載の基板。
【請求項３】
前記複数の磁性層の比透磁率は、それぞれ、１０以上であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の基板。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板の一方側の主面にアンテナ素子を備えることを特徴とするアンテナ。
【請求項５】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板の一方側の主面及び他方側の主面にアンテナ素子を備えることを特徴とするアンテナ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、所定周波数の電磁波を同位相で反射し、高周波電流の伝導を抑制できる基板、及び当該基板を含むアンテナに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、アンテナに対する高性能化の要求が強まっており、所定の周波数帯域において完全磁気導体（ＰＭＣ：Perfect Magnetic Conductor）の特性を示す人工磁気導体（ＡＭＣ：Artificial  Magnetic  Conductor）が注目されている。一般に、ＡＭＣ基板は、導電素子を狭い間隔で周期的に配置した周波数選択面（ＦＳＳ:Frequency  Selective  Surface）と、ＦＳＳに対して所定間隔を空けて設けられる導電性の地板とで構成される（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
上述のＡＭＣ基板は、対象周波数の電磁波を同位相で反射するので、入射波及び反射波は、ＡＭＣ基板の表面近傍で同位相となり強め合う。よって、このＡＭＣ基板をアンテナの反射板として用いると、効率を維持しながらアンテナ素子と反射板との距離を小さくしてアンテナを低姿勢化できる。また、ＡＭＣ基板は、電磁バンドギャップ（ＥＢＧ：Electromagnetic  Band  Gap）構造を有しているので、高周波電流はＡＭＣ基板の表面を殆ど伝導しない。これにより、ＡＭＣ基板からアンテナ素子への不要な放射を抑制してアンテナを高効率化できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２０４１２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上述の特許文献１に記載されるＡＭＣ基板において、電磁波を略同位相で反射できるのは極めて狭い周波数範囲に限られている。そのため、例えば、ある程度広い周波数範囲での使用が想定されるアンテナ等においては、全ての帯域において良好な特性を得るのが難しいという問題があった。
【０００６】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、広い周波数範囲において良好な特性が得られる基板、及び当該基板を含むアンテナの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の基板は、絶縁層と、前記絶縁層を挟む一対の導電層と、を備え、前記一対の導電層の一方は、所定周波数の電磁波を同位相で反射するように複数の導電素子が所定周期で配列されたパターンを有し、前記絶縁層は、磁化容易軸の向きが異なる複数の磁性層を含むことを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、一対の導電層に挟まれる絶縁層として磁性層を用いているので、広い周波数範囲の電磁波を略同位相で反射できる。また、絶縁層は、磁化容易軸の向きが異なる複数の磁性層を含むので、磁化容易軸の偏りで特性に異方性が現れるのを防止できる。よって、広い周波数範囲において良好な特性を得ることができる。
【０００９】
本発明の基板において、前記一対の導電層の一方は、前記複数の導電素子が複数の方向に所定周期で配列されたパターンを有し、前記複数の磁性層は、それぞれ、前記複数の導電素子の各配列方向に沿う前記磁化容易軸を有することが好ましい。この構成によれば、複数の磁性層は、それぞれ、複数の導電素子の各配列方向に沿う磁化容易軸を有するので、磁化容易軸の偏りで特性に異方性が現れるのを適切に防止できる。
【００１０】
本発明の基板において、前記複数の磁性層の比透磁率は、それぞれ、１０以上であることが好ましい。この構成によれば、複数の磁性層の比透磁率が、それぞれ、１０以上となるので、基板を十分に小型化できる。
【００１１】
本発明のアンテナは、上記基板の一方側の主面にアンテナ素子を備えることを特徴とする。この構成によれば、広い周波数帯域において特性が良好なアンテナを実現できる。
【００１２】
本発明のアンテナは、上記基板の一方側の主面及び他方側の主面にアンテナ素子を備えることを特徴とする。この構成によれば、広い周波数帯域において特性が良好なアンテナを実現できる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、広い周波数範囲において良好な特性が得られる基板、及び当該基板を含むアンテナを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本実施の形態に係るＡＭＣ基板の構成例を示す模式図である。
【図２】本実施の形態に係るＡＭＣ基板のシミュレーションモデルを示す断面模式図である。
【図３】本実施の形態に係るＡＭＣ基板のシミュレーション結果を示すグラフである。
【図４】比較例Ａに係るＡＭＣ基板のシミュレーションモデルを示す断面模式図である。
【図５】比較例Ａに係るＡＭＣ基板のシミュレーション結果を示すグラフである。
【図６】比較例Ｂに係るＡＭＣ基板のシミュレーションモデルを示す断面模式図である。
【図７】比較例Ｂに係るＡＭＣ基板のシミュレーション結果を示すグラフである。
【図８】本実施の形態に係るＡＭＣ基板を用いたアンテナの構成例を示す断面模式図である。
【図９】変形例に係るＡＭＣ基板の構成例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態に係る基板の構成を説明する。なお、以下の実施の形態では、説明の便宜上、ＡＭＣ基板の一例について説明するが、本発明に係る基板の構成は必ずしも実施の形態の記載に限定されない。
【００１６】
図１は、本実施の形態に係るＡＭＣ基板の構成例を示す模式図である。図１Ａは、ＡＭＣ基板を一方の主面側から見た平面図であり、図１Ｂは、図１ＡのＩＢ−ＩＢ断面図である。ＡＭＣ基板（基板）１は、平板状の第１の導電層１１を備えている。第１の導電層１１の一方の主面１１ａには、主面１１ａの略全体を覆う絶縁層１２が形成されている。絶縁層１２において、第１の導電層１１と反対側の主面１２ａには、所定のパターンを有する第２の導電層１３が設けられている。つまり、絶縁層１２は、第１の導電層１１及び第２の導電層１３によって挟まれている。
【００１７】
第１の導電層１１は、例えば、銅、アルミニウム、又は鉄といった導電性の金属を含む金属板である。第１の導電層１１は、低インピーダンスに構成されており、ＡＭＣ基板１のグランドプレーンとして機能する。この第１の導電層１１の他方側の主面１１ｂは、ＡＭＣ基板１の主面１ｂとなる。なお、第１の導電層１１は、金属以外の導電性を有する材料で形成されても良い。
【００１８】
絶縁層１２は、高い比透磁率を有する磁性材料で構成された絶縁性の磁性層１２１，１２２を含む。高い比透磁率を有する磁性材料で絶縁層１２を構成することにより、広い周波数範囲の電磁波を略同位相で反射可能なＡＭＣ基板１を実現できる。また、磁性層１２１，１２２の比透磁率は、それぞれ、１０以上とすることが望ましい。磁性層１２１，１２２の比透磁率を１０以上とすることで、ＡＭＣ基板１を十分に小型化できる。
【００１９】
磁性層１２１，１２２は、高い比透磁率を有する磁性材料で構成されており、それぞれ、磁化し易い方向を示す磁化容易軸（磁化容易方向）Ａ１，Ａ２を有している。磁化容易軸Ａ１，Ａ２は、第１の導電層１１の主面１１ａ，１１ｂと略平行な面内において互いに直交している。このように、磁化容易軸Ａ１，Ａ２の向きが異なる複数の磁性層１２１，１２２で絶縁層１２を構成することにより、ＡＭＣ基板１の反射特性等に異方性が現れるのを防止できる。
【００２０】
第２の導電層１３は、銅、アルミニウム、又は鉄といった導電性の金属を含む材料で構成される複数の導電素子１３１を備えている。各導電素子１３１は、略正方形状の平面形状を有し、絶縁層１２の主面１２ａ，１２ｂに略平行な面内の所定方向に沿って、所定間隔を空けて配置されている。具体的には、各導電素子１３１の配列方向Ｄ１，Ｄ２は、互いに直交する磁化容易軸Ａ１，Ａ２のそれぞれに平行である。つまり、第２の導電層１３は、互いに直交する配列方向Ｄ１，Ｄ２に沿って複数の導電素子１３１が所定周期で配列された正方格子状のパターンを有している。
【００２１】
第２の導電層１３の一方側の主面１３ａは、ＡＭＣ基板１の主面１ａとなる。また、第２の導電層１３は、複数の導電素子１３１が所定周期で配列されたパターンを有することで、周波数選択面（ＦＳＳ:Frequency  Selective  Surface）として機能する。なお、第２の導電層１３は、金属以外の導電性を有する材料で形成されても良い。
【００２２】
絶縁層１２の各導電素子１３１と対応する位置には、一方側の主面１２ａから他方側の主面１２ｂに達する貫通孔が形成されている。各貫通孔には、第１の導電層１１の一方側の主面１１ａ及び第２の導電層１３の他方側の主面１３ｂ（各導電素子１３１の裏面）と接する貫通電極１４が設けられている。第１の導電層１１と第２の導電層１３（各導電素子１３１）とは、この貫通電極１４により電気的に接続されている。
【００２３】
このように構成されたＡＭＣ基板１は、対象となる周波数範囲の電磁波を略同位相で反射する。また、高周波電流はＡＭＣ基板１の表面を殆ど伝導しない。よって、本実施の形態に係るＡＭＣ基板１をアンテナの反射板に用いることで、アンテナの低姿勢化及び高効率化を実現できる。また、本実施の形態に係るＡＭＣ基板１は、絶縁層１２として比透磁率の高い磁性層１２１，１２２を用いているので、広い周波数範囲の電磁波を略同位相で反射できる。さらに、絶縁層１２は、磁化容易軸Ａ１，Ａ２の向きが異なる複数の磁性層１２１，１２２を含むので、ＡＭＣ基板１の反射特性等に異方性が現れるのを防止できる。よって、広い周波数範囲において良好な特性を得ることができる。
【００２４】
次に、本実施の形態に係るＡＭＣ基板１の反射特性を確認するために行ったシミュレーションを説明する。図２は、本実施の形態に係るＡＭＣ基板のシミュレーションモデルを示す断面模式図である。ここでは、周波数ｆ０において入射波と反射波の位相差がゼロとなるようにＡＭＣ基板１の各パラメータを設定し、周波数ｆ０の周辺において入射波に対する反射波の位相変化を確認した。周波数ｆ０としては、２．４ＧＨｚと０．８ＧＨｚとを用いた。
【００２５】
周波数ｆ０が２．４ＧＨｚの場合、絶縁層１２の厚さ（つまり、第１の導電層１１と第２の導電層１３との間隔）ｈを１ｍｍとし、第２の導電層１３を構成する各導電素子１３１の幅ｗを３ｍｍとし、各導電素子１３１の間隔ｇを０．０５ｍｍとした。また、磁性層１２１，１２２にＣｏＰｄＳｉＯ／ポリイミドを用いることを想定し、比透磁率μｒを３５、比誘電率εｒを４とした。磁性層１２１，１２２の磁化容易軸Ａ１，Ａ２は互いに直交させた。
【００２６】
一方、周波数ｆ０が０．８ＧＨｚの場合、絶縁層１２の厚さｈを４ｍｍとし、第２の導電層１３を構成する各導電素子１３１の幅ｗを６ｍｍとし、各導電素子１３１の間隔ｇを０．０６ｍｍとした。ＡＭＣ基板１のインピーダンスは周波数に依存するので、このように、周波数ｆ０に応じてＡＭＣ基板１の各パラメータを変更することで、周波数ｆ０において入射波と反射波の位相差をゼロにできる。なお、磁性層１２１，１２２の比透磁率μｒ、比誘電率εｒ、及び磁化容易軸Ａ１，Ａ２の向きは、周波数ｆ０が２．４ＧＨｚの場合と同じとした。
【００２７】
図３は、上記シミュレーションモデルを用いたシミュレーション結果を示すグラフである。図３Ａは、周波数ｆ０を２．４ＧＨｚとする場合の反射波の位相特性を示し、図３Ｂは、周波数ｆ０を０．８ＧＨｚとする場合の反射波の位相特性を示す。ここでは、入射波に対する反射波の位相変化が±９０°となる周波数を上限及び下限として周波数帯域幅ｆＷを決定し、周波数ｆ０を基準（１００％）に周波数帯域幅ｆＷを百分率で表している（バンド幅（Ｂ．Ｗ））。図３に示すように、周波数ｆ０が２．４ＧＨｚの場合、ＡＭＣ基板１のバンド幅は約８６％であり、周波数ｆ０が０．８ＧＨｚの場合、ＡＭＣ基板１のバンド幅は約１３３％であった。
【００２８】
図４は、比較例Ａに係るＡＭＣ基板のシミュレーションモデルを示す断面模式図である。比較例Ａに係るＡＭＣ基板２では、絶縁層２２を、比透磁率及び比誘電率の低い単層で構成した。周波数ｆ０が２．４ＧＨｚの場合、絶縁層２２の厚さ（つまり、第１の導電層２１と第２の導電層２３との間隔）ｈを１ｍｍとし、第２の導電層２３を構成する各導電素子２３１の幅ｗを１００ｍｍとし、各導電素子２３１の間隔ｇを４ｍｍとした。また、絶縁層２２の比透磁率μｒを１、比誘電率εｒを２．２とした。一方、周波数ｆ０が０．８ＧＨｚの場合、絶縁層２２の厚さｈを４ｍｍとし、第２の導電層２３を構成する各導電素子２３１の幅ｗを２００ｍｍとし、各導電素子２３１の間隔ｇを５ｍｍとした。絶縁層２２の比透磁率μｒ、及び比誘電率εｒは、周波数ｆ０が２．４ＧＨｚの場合と同じとした。
【００２９】
このように、比透磁率μｒ、及び比誘電率εｒの低い絶縁層２２を用いる比較例ＡのＡＭＣ基板２では、周波数ｆ０において入射波と反射波の位相差がゼロとなるように各パラメータを設定すると、各導電素子２３１の幅ｗは著しく大きくなる。これに対して、本実施の形態に係るＡＭＣ基板１は、高い比透磁率を有する磁性材料で絶縁層１２を構成しているので、各導電素子１３１の幅ｗを小さくでき小型化に有利である。特に、絶縁層１２（磁性層１２１，１２２）の比透磁率を１０以上とすれば、ＡＭＣ基板１を十分に小型化できる。
【００３０】
図５は、比較例Ａに係るシミュレーション結果を示すグラフである。図５Ａは、周波数ｆ０を２．４ＧＨｚとする場合の反射波の位相特性を示し、図５Ｂは、周波数ｆ０を０．８ＧＨｚとする場合の反射波の位相特性を示す。図５に示すように、周波数ｆ０が２．４ＧＨｚの場合、ＡＭＣ基板２のバンド幅は約５％であり、周波数ｆ０が０．８ＧＨｚの場合、ＡＭＣ基板２のバンド幅は約７％であった。ＡＭＣ基板１のバンド幅とＡＭＣ基板２のバンド幅との比較から、本実施の形態に係るＡＭＣ基板１では、広い周波数範囲において良好な反射特性を得られるのが分かる。
【００３１】
図６は、比較例Ｂに係るＡＭＣ基板のシミュレーションモデルを示す断面模式図である。比較例Ｂに係るＡＭＣ基板３では、絶縁層３２を、比誘電率の高い単層で構成した。周波数ｆ０が２．４ＧＨｚの場合、絶縁層３２の厚さ（つまり、第１の導電層３１と第２の導電層３３との間隔）ｈを１ｍｍとし、第２の導電層３３を構成する各導電素子３３１の幅ｗを３ｍｍとし、各導電素子３３１の間隔ｇを０．１ｍｍとした。また、絶縁層３２の比透磁率μｒを１、比誘電率εｒを１００とした。一方、周波数ｆ０が０．８ＧＨｚの場合、絶縁層３２の厚さｈを４ｍｍとし、第２の導電層３３を構成する各導電素子３３１の幅ｗを６ｍｍとし、各導電素子３３１の間隔ｇを０．１ｍｍとした。絶縁層３２の比透磁率μｒ、及び比誘電率εｒは、周波数ｆ０が２．４ＧＨｚの場合と同じとした。このように、絶縁層３２の比誘電率を高めれば、各導電素子３３１の幅ｗを小さくできる。
【００３２】
図７は、比較例Ｂに係るシミュレーション結果を示すグラフである。図７Ａは、周波数ｆ０を２．４ＧＨｚとする場合の反射波の位相特性を示し、図７Ｂは、周波数ｆ０を０．８ＧＨｚとする場合の反射波の位相特性を示す。図７に示すように、周波数ｆ０が２．４ＧＨｚの場合、ＡＭＣ基板３のバンド幅は約５％となり、周波数ｆ０が０．８ＧＨｚの場合、ＡＭＣ基板３のバンド幅は約７％となった。ＡＭＣ基板１のバンド幅とＡＭＣ基板３のバンド幅との比較から、本実施の形態に係るＡＭＣ基板１では、広い周波数範囲において良好な反射特性を得られるのが分かる。
【００３３】
次に、比透磁率が高い絶縁層１２を用いる効果についてより詳細に説明する。上述のＡＭＣ基板１は、導電素子１３１と貫通電極１４と第１の導電層１１とで構成される経路の自己インダクタンスをＬ、隣接する導電素子１３１によるキャパシタンスをＣとする並列ＬＣ回路に近似される。具体的には、ＡＭＣ基板１のインピーダンスＺは、下記式（１）で表される。式（１）において、Ｌは自己インダクタンスを表し、ωは電磁波によって生じる交流の角周波数を表し、ω０（＝２πｆ０）は並列ＬＣ回路の共振角周波数を表し、ｊは虚数単位を表す。
【数１】
2014216751.tif 000003
【００３４】
また、ω０は、下記式（２）で表され、Ｌは、下記式（３）で表される。式（２）において、Ｃはキャパシタンスを表す。式（３）において、μ０は真空の透磁率を表し、μｒは絶縁層１２の比透磁率を表し、ｈは絶縁層１２の厚さを表す。
【数２】
2014216751.tif 000004
【数３】
2014216751.tif 000005
【００３５】
角周波数ωが共振角周波数ω０に近い条件（つまり、電磁波の周波数ｆが周波数ｆ０に近い条件）において、式（１）の分母はゼロに近づく。この時、インピーダンスＺは十分に高くなり、入射波は略同位相で反射される。式（２）及び式（３）から、式（１）の分子には比透磁率μｒが含まれるので、比透磁率μｒが高くなれば、ω０の周辺の広い周波数範囲においてインピーダンスＺが十分に高くなる。その結果、角周波数ωが共振角周波数ω０から僅かにずれても、入射波と反射波との位相差を殆どゼロに維持できる。よって、絶縁層１２の比透磁率μｒを高めることで、広い周波数範囲において良好な反射特性を得ることができる。
【００３６】
ところで、上述のような高い比透磁率を有する磁性材料は異方性を有し、磁化し易い方向（磁化容易軸、又は磁化容易方向）が決まっている。そのため、比透磁率の高い磁性材料を用いて絶縁層１２を構成すれば、ＡＭＣ基板１の特性にも異方性が現れる。そこで、本実施の形態に係るＡＭＣ基板１では、絶縁層１２に２層の磁性層１２１，１２２を用い、各磁性層１２１，１２２の磁化容易軸Ａ１，Ａ２を直交させている。より詳細には、第２の導電層１３の正方格子状のパターンにおいて直交する導電素子１３１の各配列方向Ｄ１，Ｄ２と、磁化容易軸Ａ１，Ａ２の向きとを一致させている。これにより、磁化容易軸の向きに起因する絶縁層の異方性を緩和して、ＡＭＣ基板１の反射特性等に異方性が現れるのを防止できる。
【００３７】
次に、ＡＭＣ基板１を用いたアンテナの構成例について説明する。図８は、本実施の形態に係るＡＭＣ基板を用いたアンテナの構成例を示す断面模式図である。図８Ａは、アンテナの第１の構成例を示し、図８Ｂは、アンテナの第２の構成例を示す。図８Ａに示すように、第１の構成例に係るアンテナ４は、反射板となるＡＭＣ基板１の一方の主面１ａ側にアンテナ素子４１を備えている。アンテナ素子４１は、絶縁基板４２の表面に形成された導電パターンによって構成されている。
【００３８】
一方、図８Ｂに示すように、第２の構成例に係るアンテナ５は、反射板となるＡＭＣ基板１の一方の主面１ａ側及び他方の主面１ｂ側に、アンテナ素子５１，５３を備えている。アンテナ素子５１，５３は、それぞれ、絶縁基板５２，５４の表面に形成された導電パターンで構成されている。このように、本実施の形態に係るＡＭＣ基板１を反射板に用いることで、小型化、低姿勢化、高効率化され、広い周波数帯域において特性が良好なアンテナ４，５を実現できる。なお、ＡＭＣ基板１を用いるアンテナの構成は特に限定されない。例えば、ＡＭＣ基板１の主面１ａ，１ｂにアンテナ素子が作り込まれても良い。
【００３９】
以上のように、本発明のＡＭＣ基板１は、第１の導電層１１及び第２の導電層１３に挟まれる絶縁層１２として磁性層１２１，１２２を用いているので、広い周波数範囲の電磁波を略同位相で反射できる。また、絶縁層１２は、向きの異なる磁化容易軸Ａ１，Ａ２をそれぞれ有する磁性層１２１，１２２を含むので、ＡＭＣ基板１の反射特性等に異方性が現れるのを防止できる。よって、広い周波数範囲において良好な特性を得ることができる。
【００４０】
特に、磁性層１２１，１２２は、それぞれ、複数の導電素子１３１の各配列方向Ｄ１，Ｄ２に沿う磁化容易軸Ａ１，Ａ２を有するので、ＡＭＣ基板１の反射特性等に異方性が現れるのを適切に防止できる。また、磁性層１２１，１２２の比透磁率を、それぞれ、１０以上とすることで、ＡＭＣ基板１を十分に小型化できる。そして、このようなＡＭＣ基板１の主面１ａ，１ｂにアンテナ素子４１，５１，５３を設けることで、広い周波数帯域において特性が良好なアンテナを実現できる。
【００４１】
なお、本発明は上記実施の形態の記載に限定されず、その効果が発揮される態様で適宜変更して実施できる。例えば、上記実施の形態においては、正方格子状のパターンを有する第２の導電層を用いる構成例について説明しているが、第２の導電層のパターンはこれに限定されない。第２の導電層のパターンを変更する場合には、変更後の第２の導電層のパターンに応じて絶縁層の構成を変更するのが望ましい。
【００４２】
図９は、変形例に係るＡＭＣ基板の構成例を示す模式図である。図９Ａは、ＡＭＣ基板を一方の主面側から見た平面図であり、図９Ｂは、図９ＡのＩＸＢ−ＩＸＢ断面図である。変形例に係るＡＭＣ基板（基板）６は、上記実施の形態に係るＡＭＣ基板１の絶縁層１２の構成、及び第２の導電層１３のパターンを変更したものに相当する。ＡＭＣ基板１と共通する構成についての詳細な説明は省略する。
【００４３】
図９に示すように、ＡＭＣ基板６は、平板状の第１の導電層６１を備えている。第１の導電層６１の一方の主面６１ａには、主面６１ａの略全体を覆う絶縁層６２が形成されている。絶縁層６２において、第１の導電層６１と反対側の主面６２ａには、三角格子状のパターンを有する第２の導電層６３が設けられている。第１の導電層６１の他方側の主面６１ｂは、ＡＭＣ基板６の主面６ｂとなり、第２の導電層６３の一方側の主面６３ａは、ＡＭＣ基板６の主面６ａとなる。
【００４４】
絶縁層６２は、高い比透磁率を有する磁性材料で構成された絶縁性の磁性層６２１，６２２，６２３を含んでいる。磁性層６２１，６２２，６２３は、それぞれ、磁化容易軸（すなわち、磁化容易方向）Ａ３，Ａ４，Ａ５を有している。磁化容易軸Ａ３，Ａ４，Ａ５は、第１の導電層６１の主面６１ａ，６１ｂと略平行な面内において互いに６０°（又は、１２０°）の角度で交差している。このように、磁化容易軸Ａ３，Ａ４，Ａ５の向きが異なる磁性層６２１，６２２，６２３で絶縁層６２を構成することにより、ＡＭＣ基板６の反射特性等に異方性が現れるのを防止できる。
【００４５】
第２の導電層６３は、銅、アルミニウム、又は鉄といった導電性の金属を含む材料で構成される複数の導電素子６３１を備えている。各導電素子６３１は、略正六角形状の平面形状を有し、絶縁層６２の主面６２ａ，６２ｂに略平行な面内の所定方向に沿って、所定間隔を空けて配置されている。具体的には、複数の導電素子６３１は、これら各導電素子６３１の中心を結んだ直線が三角格子を形成するように所定周期で所定方向に配列されている。各導電素子６３１の配列方向Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５は、互いに６０°（又は、１２０°）の角度で交差する磁化容易軸Ａ３，Ａ４，Ａ５のそれぞれと平行である。つまり、第２の導電層６３は、互いに６０°（又は、１２０°）の角度で交差する方向Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５に沿って複数の導電素子６３１が所定周期で配列された三角格子状のパターンを有している。
【００４６】
第２の導電層６３の各導電素子６３１に対応する位置において、絶縁層６２には、一方側の主面６２ａから他方側の主面６２ｂに達する貫通孔が形成されている。各貫通孔には、第１の導電層６１の一方側の主面６１ａ及び第２の導電層６３の他方側の主面６３ｂ（各導電素子６３１の裏面）と接する貫通電極６４が設けられている。第１の導電層６１と第２の導電層６３（各導電素子６３１）とは、この貫通電極６４により電気的に接続されている。
【００４７】
このように、変形例に係るＡＭＣ基板６は、三角格子状のパターンを有する第２の導電層６３と、第２の導電層６３のパターンに対応する３層の磁性層６２１，６２２，６２３で構成された絶縁層６２と、を備えている。各磁性層６２１，６２２，６２３の磁化容易軸Ａ３，Ａ４，Ａ５の向きは、それぞれ、各導電素子６３１の配列方向Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５と平行である。このようなＡＭＣ基板６においても、ＡＭＣ基板１と同様の効果を得ることができる。なお、各導電素子６３１の形状は略正六角形状に限定されず、略円形状等でも良い。
【００４８】
また、上記実施の形態においては、平板状の第１の導電層を用いる構成例について説明しているが、第１の導電層は任意のパターンを有しても良い。さらに、上記実施の形態においては、第１の導電層と第２の導電層とが貫通電極を介して電気的に接続される構成例について説明しているが、第１の導電層と第２の導電層とは電気的に接続されていなくても良い。その他、本発明は、その目的とする範囲を逸脱しないで適宜変更して実施できる。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明に係る基板は、例えば、アンテナの反射板等に有用である。
【符号の説明】
【００５０】
１，６  ＡＭＣ基板（基板）
４，５  アンテナ
１１，６１  第１の導電層
１２，６２  絶縁層
１３，６３  第２の導電層
１４，６４  貫通電極
４１，５１，５３  アンテナ素子
４２，５２，５４  絶縁基板
１２１，１２２，６２１，６２２，６２３  磁性層
１３１，６３１  導電素子
Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ａ５  磁化容易軸
Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５  方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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