(57)【要約】【課題】  台座上に形成された配線にワークを実装した後、配線付きのワークを台座から分離して半導体装置を製造する際、簡便に当該半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】  ワークが配線上に実装された構造を有する半導体装置の製造方法であって、第１接着剤層と、多数の貫通孔を有する構造体及び／又は不織布状の構造体を骨格とする第２の層とを有し、台座に貼り付けた後の第２の層の接着力が、第１接着剤層の接着力より低い接着シートを準備する工程と、接着シートを、下面を貼り合わせ面として台座に貼り合わせる工程と、台座に貼り合わせ後の接着シート上に、配線を形成する工程と、配線にワークを実装する工程と、実装の後、配線付きのワークを、台座から分離する工程とを含む半導体装置の製造方法。【選択図】  図１
2014090123.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークが配線上に実装された構造を有する半導体装置の製造方法であって、
第１接着剤層と、多数の貫通孔を有する構造体及び／又は不織布状の構造体を骨格とする第２の層とを有し、台座に貼り付けた後の前記第２の層の接着力が、前記第１接着剤層の接着力より低い接着シートを準備する工程と
前記接着シートを台座に貼り合わせる工程と、
前記台座に貼り合わせ後の前記接着シート上に、配線を形成する工程と、
前記配線にワークを実装する工程と、
前記実装の後、配線付きのワークを、前記台座から分離する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記貫通孔及び前記不織布状の構造体の多孔が接着剤組成物により充填されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記接着シートは、少なくとも周辺部が前記第１接着剤層により形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記接着シートは、前記周辺部よりも内側の中央部が、前記第１接着剤層と前記第２の層との積層により形成されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記接着シートは、前記周辺部よりも内側の中央部が、前記第２の層により形成されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１に記載の半導体装置の製造方法に使用される接着シート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法、及び、接着シートに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の製造工程において、台座上にデバイスを仮固定した後、デバイスに対して所定の処理を行い、その後、台座を分離するといった工程が行なわれることがある（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
【０００３】
特許文献１には、第１基板としてのデバイスウェハと第２基板としてのキャリアー基板とを強い接着結合を形成しない充填層を介して圧着するとともに、充填層の周縁に対して接合素材を充填して硬化することによりエッジボンドを形成して、第１基板と第２基板とを接着する方法が開示されている。特許文献１には、第１基板と第２基板とが接着した状態で希望する処理工程を行い、その後、第１基板と第２基板とを分離することが開示されている。分離においては、まず、エッジボンドを溶媒に溶解するか、レーザー切断した後、低機械力を加えることにより第１基板と第２基板とを分離している。
【０００４】
また、特許文献２には、イミド、アミドイミドおよびアミドイミド−シロキサンのポリマーおよびオリゴマーからなる群の中から選択される、オリゴマーおよびポリマーからなる群の中から選択される化合物を含む接合用組成物層を介して第１の基板と第２の基板とを接合してなる積層体を提供し、前記積層体を、前記接合層を軟化させるのに十分な温度に暴露し、前記第１の基板と前記第２の基板とを分離することを含むウエハの接合方法が開示されている。
【０００５】
一方、従来、チップを外部の配線に接続（実装）する方法として、該チップの電極位置に配線の特定部分を対応させて両者を接続する方法（例えば、フリップチップボンディング）が用いられるようになっている。外部の配線とは、チップと共に封止されるパッケージ用回路基板や、他の素子が多数実装される一般的な回路基板などに形成されている配線等、チップとは別に形成されている配線である。また、チップとパッケージ用回路基板との接続には、インターポーザと称される接点付きのフレキシブル配線回路基板を間に介在させる場合もある。
【０００６】
前記のようなインターポーザなどのフレキシブルな配線回路基板は、そのフレキシブルな性質のために、チップ実装などの製造工程での取り扱い性は良好ではない。よって、従来では、まず、金属支持基板上にフレキシブルな配線回路基板を形成して適当な剛性を持った該配線回路基板とし、工程での取り扱い性を改善した状態でチップ実装を行ない、剛体であるチップが実装された後に金属支持基板を除去するといった方法が用いられている。
【０００７】
従来では、上記説明のとおり、金属支持基板上にフレキシブルな配線回路基板を形成し、チップ実装された後に金属支持基板を除去するといった加工を行っている。ここで、金属支持基板と配線回路基板とは、一体不可分な積層体として形成され、チップ実装の後、該金属支持基板を除去する際には、エッチングが用いられている。しかしながら、エッチングによって金属支持基板を除去する工程があるために、レジストの付与と除去など、製造工程が煩雑になっており、製造コストが高くなっていることも問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特表２０１１−５１０５１８号公報
【特許文献２】特表２０１０−５３１３８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
そこで、金属支持基板と配線回路基板とを特許文献１で開示されているような充填層及びエッジボンドを利用して接着し、チップ実装した後に剥離する方法が考えられた。また、金属支持基板と配線回路基板とを特許文献２で開示されているような接合用組成物層を介して接着し、チップ実装した後に剥離する方法が考えられた。
【００１０】
特許文献１に記載の充填層や特許文献２に記載の接合用組成物層は、溶液状の材料をスピンコート等により一方の基板に塗布して形成されている。しかしながら、接着に必要な厚さ１００μｍ程度の層を塗布により形成すると、一般的に塗布面が荒くなり、所望の接着力が得られない場合があるといった問題がある。また、特に、スピンコートにより塗布する場合、材料の大半は、基板外に飛散するため、材料が無駄になるといった問題がある。また、材料が、接着用の粘度の高いものであるため、飛散した材料によるスピンコーターの汚れを取り除くには、労力を要するといった問題がある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願発明者等は、下記の構成を採用することにより、前記の課題を解決できることを見出して本発明を完成させるに至った。
【００１２】
すなわち、本発明に係る半導体装置の製造方法は、ワークが配線上に実装された構造を有する半導体装置の製造方法であって、
第１接着剤層と、多数の貫通孔を有する構造体及び／又は不織布状の構造体を骨格とする第２の層とを有し、台座に貼り付けた後の前記第２の層の接着力が、前記第１接着剤層の接着力より低い接着シートを準備する工程と
前記接着シートを台座に貼り合わせる工程と、
前記台座に貼り合わせ後の前記接着シート上に、配線を形成する工程と、
前記配線にワークを実装する工程と、
前記実装の後、配線付きのワークを、前記台座から分離する工程と
を含むことを特徴とする。
【００１３】
前記構成によれば、接着シートを台座に貼り合わせ、前記台座に貼り合わせ後の前記接着シート上に、配線を形成する。その後、前記配線にワークを実装し、前記実装の後、配線付きのワークを、前記台座から分離する。前記接着シートは、シート状であるため、台座に貼り合わせるだけで簡便に使用することができる。また、シート状の接着シートを用いるため、スピンコートのように材料を無駄にすることが少ない。また、接着シートは、別途準備するため、シート面が均一なものを準備することが可能となる。このように、前記構成によれば、台座上に形成された配線にワークを実装した後、配線付きのワークを前記台座から分離して半導体装置を製造する際、シート状の接着シートを用いるため、材料を無駄にすることなく簡便に当該半導体装置を製造することができる。
また、前記構成によれば、第２の層は、多数の貫通孔を有する構造体及び／又は不織布状の構造体を骨格とする層であり、例えば、金網などのメッシュ、不織布などにより形成できる。このため、接着シートの製造にあたり接着材料として第１接着剤層の接着剤組成物を用意すればよく、特許文献１のように充填層とエッジボンドの２種類の接着剤を用意する必要がない。
また、前記構成によれば、第１接着剤層と前記第１接着剤層よりも接着力の低い第２の層とを有する接着シートを用いる。第１接着剤層が存在するため、配線を形成する工程や、ワークを実装する工程等において、配線等を台座に固定しておくことができる。また、第１接着剤層のみではなく、第１接着剤層よりも接着力の低い第２の層を有するため、分離する工程において、外力により、容易に台座と配線付きのワークとを上下に分離することが可能となる。なお、分離する工程においては、第１接着剤層の接着力を低下させてから分離してもよい。第１接着剤層の接着力を低下させる方法としては、溶剤により第１接着剤層を溶解させて接着力を低下させる方法、第１接着剤層に、カッターやレーザー等により物理的な切り込みを入れて接着力を低下させる方法、第１接着剤層を加熱により接着力が低下する材料で形成しておき、加熱により接着力を低下させる方法等を挙げることができる。なお、本発明において、台座に貼り付けた後の第１接着剤層の接着力、及び、第２の層の接着力とは、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力をいう。例えば、台座に貼り付けた後にイミド化や熱硬化等を行なうことにより、第１接着剤層や第２の層の接着力が台座に貼り付ける前後で変化する場合には、台座に貼り付けた後の状態（例えば、イミド化後や熱硬化後）における第１接着剤層や第２の層の、シリコンウェハに対する９０°ピール剥離力をいう。また、本発明において、ワークとは、回路が形成されていないウエハ、回路が形成されているウエハ、回路が形成されていない個片化されたウエハ、及び、半導体チップ（回路が形成されている個片化されたウエハ）を含む。なかでも、本発明のワークは、回路が形成されていない個片化されたウエハ、又は、半導体チップであることが好ましい。なお、回路が形成されていない個片化されたウエハ、及び、半導体チップは、チップ状ワークとも呼ぶ。
【００１４】
前記構成において、前記貫通孔及び前記不織布状の構造体の多孔が接着剤組成物により充填されていることが好ましい。この場合、貫通孔を有する構造体の開口率や不織布状の構造体の密度などによって、接着剤組成物が配線や台座と接触する面積をコントロールでき、低接着力の第２の層を容易に形成できる。
【００１５】
前記構成において、前記接着シートは、少なくとも周辺部が前記第１接着剤層により形成されていることが好ましい。前記接着シートの周辺部が第１接着剤層により形成されているため、この部分において良好に固定できる。
【００１６】
前記構成において、前記接着シートは、前記周辺部よりも内側の中央部が、前記第１接着剤層と前記第２の層との積層により形成されていることが好ましい。前記構成によれば、第１接着剤層のみからなる面で、配線や台座を強固に固定できる。第１接着剤層及び第２の層を有する面で、配線や台座を良好に固定できる。また、前記接着シートは、第１接着剤層が周辺部に形成されているため、第１接着剤層を切断したり、第１接着剤層の接着力を低下させたりし易く、分離を容易に行うことができる。
【００１７】
前記構成において、前記接着シートは、前記周辺部よりも内側の中央部が、前記第２の層により形成されていることも好ましい。前記構成によれば、第１接着剤層及び第２の層を有する面で、配線や台座を良好に固定できる。また、前記接着シートは、第１接着剤層が周辺部に形成されているため、第１接着剤層を切断したり、第１接着剤層の接着力を低下させたりし易く、分離を容易に行うことができる。
【００１８】
また、本発明に係る接着シートは、前記の課題を解決するために、前記に記載の半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、台座上に形成された配線にワークを実装した後、配線付きのワークを台座から分離して半導体装置を製造する際、簡便に当該半導体装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第１実施形態に係る接着シートを示す断面模式図である。
【図２】図１に示した接着シートの平面図である。
【図３】多数の貫通孔を有する構造体の一例を示す平面図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る接着シートを示す断面模式図である。
【図５】図４に示した接着シートの平面図である。
【図６】本発明の第３実施形態に係る接着シートを示す断面模式図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。
【図１３】図１２に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。
【図１４】図１２に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。
【図１５】図１２に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。
【図１６】図１２に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。
【図１７】図１２に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。
【図１８】図１２に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。
【図１９】図１２に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。
【図２０】図１２に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、ワークが配線上に実装された構造を有する半導体装置の製造方法であって、第１接着剤層と、多数の貫通孔を有する構造体及び／又は不織布状の構造体を骨格とする第２の層とを有し、台座に貼り付けた後の前記第２の層の接着力が、前記第１接着剤層の接着力より低い接着シートを準備する工程と、前記接着シートを台座に貼り合わせる工程と、前記台座に貼り合わせ後の前記接着シート上に、配線を形成する工程と、前記配線にワークを実装する工程と、前記実装の後、配線付きのワークを、前記台座から分離する工程とを少なくとも含む。
【００２２】
以下、本発明の一実施形態に係る各工程について図面を参照しつつ説明する。尚、本発明で用いている「上面」、「下面」など、上下を示す語句は、あくまで層の位置関係を説明するためのものであって、接着シートや半導体装置の実際の上下の姿勢を限定するものではない。なお、以下の実施形態では、本発明のワークが、半導体チップである場合について説明するが、この例に限定されず、回路が形成されていないウエハであってもよく、回路が形成されているウエハであってもよく、回路が形成されていない個片化されたウエハであってもよい。
【００２３】
［接着シートを準備する工程］
まず、第１接着剤層と、多数の貫通孔を有する構造体及び／又は不織布状の構造体を骨格とする第２の層とを有し、台座に貼り付けた後の前記第２の層の接着力が、前記第１接着剤層の接着力より低い接着シートを準備する。
【００２４】
ここで、本実施形態に係る接着シートについて説明する。
［第１実施形態］
図１は、本発明の第１実施形態に係る接着シートを示す断面模式図である。図１に示すように、接着シート５は、周辺部５４が第１接着剤層５０により形成されるとともに、周辺部５４よりも内側の中央部５３が、第１接着剤層５０と多数の貫通孔を有する構造体及び／又は不織布状の構造体を骨格とする第２の層５１との積層により形成されている。すなわち、接着シート５は、第２の層５１と、第２の層５１上に第２の層５１の上面及び側面を覆う態様で積層された第１接着剤層５０とを有する。第２の層５１の接着力は、第１接着剤層５０の接着力よりも低い。なお、接着シート５は、台座に貼り合わせる工程において第２の層５１が表出している側の面を貼り合わせ面として台座に貼り合わせられる。
【００２５】
接着シート５では、第２の層５１と比較して接着力の高い第１接着剤層５０が周辺部に存在するため、この部分において台座、及び、配線に強固に貼り合わせることができる。また、第１接着剤層５０のみではなく、第１接着剤層よりも接着力の低い第２の層を有するため、後述する分離する工程において、第１接着剤層５０の接着力を低下させれば、外力により、容易に台座と配線付きの半導体チップとを上下に分離することが可能となる。
また、接着シート５では、第１接着剤層５０のみが表出している面では、接着シート５０上に形成される配線をより強固に固定することができる。また、中央部５３は、第１接着剤層５０と第２の層５１との積層により形成されている。従って、第１接着剤層５０と第２の層５１との積層により形成されている中央部５３は、第１接着剤層５０のみで形成されている周辺部５４よりも、相対的に接着力が低い。従って、周辺部５４の接着力を少なくとも低下させれば、外力により、容易に台座と配線付きの半導体チップとを上下に分離することが可能となる。また、第２の層５１も台座と接しているため、分離する工程の後に、当該接着シート５を台座から剥離しやすくなる。従って、台座を再利用しやすくなる。また、第１接着剤層５０が接着シート５における周辺部５４に形成されているため、後述する分離する工程において、第１接着剤層５０を溶剤により溶解させたり、カッターやレーザー等により物理的に切り込みを入れたりして、第１接着剤層５０の接着力を低下させ易い。
【００２６】
接着シート５の厚さは特に限定されず、例えば、１０μｍ以上であり、好ましくは５０μｍ以上である。１０μｍ以上であると、台座表面や配線表面の凹凸に追従でき、隙間なく接着シートを充填できる。また、接着シート５の厚さは、例えば、５００μｍ以下であり、好ましくは３００μｍ以下である。５００μｍ以下であると、厚みのばらつきや加熱時の収縮・膨張を抑制又は防止できる。
【００２７】
中央部５３における第１接着剤層５０の厚さは適宜設定できるが、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上、更に好ましくは１μｍ以上である。また、該厚さは、好ましくは３００μｍ以下であり、より好ましくは２００μｍ以下である。また、中央部５３における第２の層５１の厚さは適宜設定できる。
【００２８】
図２は、図１に示した接着シートの平面図である。図２に示すように、接着シート５は、平面視したときの形状が円形である。接着シート５の直径は特に限定されない。例えば、接着シート５の直径は、台座の直径に対して＋１．０〜−１．０ｍｍが好ましい。
【００２９】
また、接着シート５を平面視したとき、第２の層５１の形状が円形である。接着シート５を平面視したときの第２の層５１の面積は、接着シート５を平面視したときの接着シート５の面積に対して、好ましくは１０％以上、より好ましくは２０％以上、更に好ましくは５０％以上である。１０％以上であると、周辺部５４に形成された第１接着剤層５０を切断したり、接着力を低下させたりし易く、配線付きの半導体チップから台座を分離し易い。また、第２の層５１の面積は、好ましくは９９．９５％以下、より好ましくは９９．９％以下である。９９．９５％以下であると、配線付きの半導体チップを台座に強固に固定できる。
【００３０】
第１接着剤層５０の接着力は、例えば、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力が、０．３０Ｎ／２０ｍｍ以上であることが好ましく、０．４０Ｎ／２０ｍｍ以上であることがより好ましい。０．３０Ｎ／２０ｍｍ以上であると、台座と接着シート５とをより強固に固定することができる。また、該９０°ピール剥離力の上限は、特に限定されず、大きいほど好ましいが、例えば、３０Ｎ／２０ｍｍ以下、好ましくは２０Ｎ／２０ｍｍ以下である。
【００３１】
第１接着剤層５０を構成する接着剤組成物としては特に限定されないが、イミド基を有し、且つ、少なくとも一部にエーテル構造を有するジアミンに由来する構成単位を有するポリイミド樹脂を好適に使用できる。また、シリコーン樹脂も好適に使用できる。なかでも、耐熱性、耐薬性、糊残り性という点から、前記ポリイミド樹脂が好ましい。
【００３２】
前記ポリイミド樹脂は、一般的に、その前駆体であるポリアミド酸をイミド化（脱水縮合）することにより得ることができる。ポリアミド酸をイミド化する方法としては、例えば、従来公知の加熱イミド化法、共沸脱水法、化学的イミド化法等を採用することができる。なかでも、加熱イミド化法が好ましい。加熱イミド化法を採用する場合、ポリイミド樹脂の酸化による劣化を防止するため、窒素雰囲気下や、真空中等の不活性雰囲気下にて加熱処理を行なうことが好ましい。
【００３３】
前記ポリアミド酸は、適宜選択した溶媒中で、酸無水物とジアミン（エーテル構造を有するジアミンと、エーテル構造を有さないジアミンの両方を含む）とを実質的に等モル比となるように仕込み、反応させて得ることができる。
【００３４】
前記エーテル構造を有するジアミンは、エーテル構造を有し、且つ、アミン構造を有する端末を少なくとも２つ有する化合物である限り、特に限定されない。例えば、グリコール骨格を有するジアミンなどが挙げられる。
【００３５】
前記グリコール骨格を有するジアミンとしては、例えば、ポリプロピレングリコール構造を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミン、ポリエチレングリコール構造を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミン、ポリテトラメチレングリコール構造を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミン等のアルキレングリコールを有するジアミンを挙げることができる。また、これらのグリコール構造の複数を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミンを挙げることができる。
【００３６】
前記エーテル構造を有するジアミンの分子量は、１００〜５０００の範囲内であることが好ましく、１５０〜４８００であることがより好ましい。前記エーテル構造を有するジアミンの分子量が１００〜５０００の範囲内であると、低温での接着力が高く、且つ、高温において剥離性を奏する第１接着剤層５０をえやすい。
【００３７】
前記ポリイミド樹脂の形成には、エーテル構造を有するジアミン以外に、エーテル構造を有さないジアミンを併用することもできる。エーテル構造を有さないジアミンとしては、脂肪族ジアミンや芳香族ジアミンを挙げることができる。エーテル構造を有さないジアミンを併用することにより、被着体との密着力をコントロールすることができる。エーテル構造を有するジアミンと、エーテル構造を有さないジアミンとの配合割合は、モル比で、１００：０〜１０：９０の範囲内にあることが好ましく、より好ましくは、１００：０〜２０：８０であり、さらに好ましくは、９９：１〜３０：７０である。前記エーテル構造を有するジアミンと前記エーテル構造を有さないジアミンとの配合割合が、モル比で、１００：０〜１０：９０の範囲内にあると、高温での熱剥離性により優れる。
【００３８】
前記脂肪族ジアミンとしては、例えば、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、１，８−ジアミノオクタン、１，１０−ジアミノデカン、１，１２−ジアミノドデカン、４，９−ジオキサ−１，１２−ジアミノドデカン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン（α、ω−ビスアミノプロピルテトラメチルジシロキサン）などが挙げられる。前記脂肪族ジアミンの分子量は、通常、５０〜１，０００，０００であり、好ましくは１００〜３０，０００である。
【００３９】
芳香族ジアミンとしては、例えば、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルプロパン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）−２，２−ジメチルプロパン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン等が挙げられる。前記芳香族ジアミンの分子量は、通常、５０〜１０００であり、好ましくは１００〜５００である。前記脂肪族ジアミンの分子量、及び、前記芳香族ジアミンの分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により測定し、ポリスチレン換算により算出された値（重量平均分子量）をいう。
【００４０】
前記酸無水物としては、例えば、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ピロメリット酸二無水物、エチレングリコールビストリメリット酸二無水物等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００４１】
前記酸無水物と前記ジアミンを反応させる際の溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、シクロペンタノン等を挙げることができる。これらは、単独で使用してもよく、複数を混合して用いてもよい。また、原材料や樹脂の溶解性を調整するために、トルエンや、キシレン等の非極性の溶媒を適宜、混合して用いてもよい。
【００４２】
前記シリコーン樹脂としては、例えば、過酸化物架橋型シリコーン系粘着剤、付加反応型シリコーン系粘着剤、脱水素反応型シリコーン系粘着剤、湿気硬化型シリコーン系粘着剤等が挙げられる。前記シリコーン樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。前記シリコーン樹脂を用いると、耐熱性が高くなり、高温下における貯蔵弾性率や粘着力が適切な値となり得る。前記シリコーン樹脂の中でも、不純物が少ない点で、付加反応型シリコーン系粘着剤が好ましい。
【００４３】
第１接着剤層５０を構成する接着剤組成物は、他の添加剤を含有していてもよい。このような他の添加剤としては、例えば、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤などが挙げられる。難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂などが挙げられる。シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシランなどが挙げられる。イオントラップ剤としては、例えば、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマスなどが挙げられる。このような他の添加剤は、１種のみであっても良いし、２種以上であっても良い。
【００４４】
第２の層５１は、多数の貫通孔５６を有する構造体５７及び／又は不織布状の構造体を骨格とする。図３は、多数の貫通孔を有する構造体の一例を示す平面図である。図３に示すように、貫通孔５６は、構造体５７の厚さ方向（接着シート５の厚さ方向ともいえる）に貫通している。
【００４５】
多数の貫通孔５６を有する構造体５７の開孔率を調整することで、第２の層５１の接着力を調整できる。具体的には、貫通孔５６が後述の接着剤組成物により充填されている場合、開孔率を大きくすることで接着力を高くでき、開口率を小さくすることで接着力を低くできる。
構造体５７の開孔率は、好ましくは５％以上であり、より好ましくは８％以上、更に好ましくは１０％以上である。５％以上であると、貫通孔５６に充填した接着剤組成物が被着体に到達でき、第２の層５１の接着力を調整することが可能となる。
また、開孔率は、好ましくは９８％以下であり、より好ましくは９５％以下であり、更に好ましくは９０％以下である。９８％以下であると、第１接着剤層５０と同じ接着剤組成物を貫通孔５６に充填した場合でも、第２の層５１の接着力を第１接着剤層５０に比べて低くできる。
【００４６】
構造体５７において、貫通孔５６の形状（接着シート５を平面視したときの貫通孔５６の形状）は特に限定されず、例えば、円形、楕円形、多角形等が挙げられる。貫通孔５６の形状は全て同じであってもよく、異なっていてもよい。
【００４７】
接着シート５を平面視したとき、ひとつの貫通孔５６の大きさ（面積）は、好ましくは７０μｍ２以上、より好ましくは１００μｍ２以上である。また、好ましくは２０ｍｍ２以下、より好ましくは７ｍｍ２以下である。なお、貫通孔５６の大きさは全て同じであってもよく、異なっていてもよい。
【００４８】
多数の貫通孔５６を有する構造体５７及び不織布状の構造体の材料は特に限定されない。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、紙等が挙げられる。また、鉄、銅、ニッケル、タングステン、アルミ、金、銀、銅、真鍮、丹銅、燐青銅、ニクロム、モネルメタル、ブロンズ、ステンレス（ＳＵＳ）等の金属材料が挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。なかでも、多数の貫通孔５６を有する構造体５７である場合、耐熱性の点から、金属材料、前述のポリイミド樹脂、前述のシリコーン樹脂が好ましく、ＳＵＳ、アルミがより好ましい。不織布状の構造体の場合、耐熱性、汚染性の点から、前述のポリイミド樹脂、前述のシリコーン樹脂、金属材料が好ましい。
【００４９】
多数の貫通孔５６を有する構造体５７及び不織布状の構造体の接着力は、低いほど好ましい。例えば、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力が０．３０Ｎ／２０ｍｍ未満であることが好ましく、０．２０Ｎ／２０ｍｍ以下であることがより好ましく、０．１０Ｎ／２０ｍｍ以下であることが更に好ましい。０．３０Ｎ／２０ｍｍ未満であると、第２の層５１を容易に剥離できる。該９０°ピール剥離力の下限は、例えば、０Ｎ／２０ｍｍ以上であり、０．００１Ｎ／２０ｍｍ以上である。
なお、多数の貫通孔５６を有する構造体５７及び不織布状の構造体が、イミド化や熱硬化等を行なうことにより接着させるものである場合、前記９０°ピール剥離力は、シリコンウェハに固定した状態（例えば、イミド化後や熱硬化後）における９０°ピール剥離力をいう。具体的には実施例に記載の方法で測定できる。
【００５０】
貫通孔５６及び不織布状の構造体の多孔は、接着剤組成物により充填されていてもよく、充填されていなくともよい。構造体５７の開口率や不織布状の構造体の密度などをコントロールすることによって低接着力の第２の層を容易に形成できるという点から、充填されていることが好ましい。
【００５１】
貫通孔５６や不織布の多孔を充填する接着剤組成物としては特に限定されず、例えば、前述のポリイミド樹脂、前述のシリコーン樹脂などが挙げられる。
【００５２】
第２の層５１の接着力は、第１接着剤層５０の接着力よりも低い。第２の層５１の接着力は、例えば、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力が０．３０Ｎ／２０ｍｍ未満であることが好ましく、０．２０Ｎ／２０ｍｍ以下であることがより好ましい。０．３０Ｎ／２０ｍｍ未満であると、第２の層５１を容易に剥離できる。該９０°ピール剥離力の下限は、低いほど好ましいが、好ましくは０Ｎ／２０ｍｍ以上であり、より好ましくは０．００１Ｎ／２０ｍｍ以上、更に好ましくは０．０１Ｎ／２０ｍｍ以上、特に好ましくは０．１０Ｎ／２０ｍｍ以上である。
第２の層５１の接着力は、構造体５７の開口率や不織布状の構造体の密度、貫通孔５６や不織布の多孔に充填する接着剤組成物の種類、構造体５７の材料等によって、調整できる。
【００５３】
接着シート５の製造方法は特に限定されない。例えば、多数の貫通孔５６を有する構造体５７及びその周囲（構造体５７の周囲の領域）に、第１接着剤層５０を形成するための組成物を含む溶液を塗布して、貫通孔５６を前記溶液で充填するとともに構造体５７上及び構造体５７の周囲に塗布層を形成することにより製造できる。この方法では、構造体５７の周囲に形成された塗布層が周辺部５４の第１接着剤層５０となる。
【００５４】
なお、第２の層５１が不織布状の構造体を骨格とする場合、不織布状の構造体及びその周囲に、第１接着剤層５０を形成するための組成物を含む溶液を塗布して、不織布状の構造体の多孔を前記溶液で充填するとともに構造体上及び構造体の周囲に塗布層を形成することにより製造できる。この方法では、構造体の周囲に形成された塗布層が周辺部５４の第１接着剤層５０となる。
【００５５】
塗布する溶液の粘度は適宜設定できる。塗布量は適宜設定すればよい。
【００５６】
［第２実施形態］
本発明の接着シートは、接着シート５の形状に限定されない。図４は、本発明の第２実施形態に係る接着シートを示す断面模式図である。図５は、図４に示した接着シートの平面図である。図４、図５に示すように、接着シート６は、周辺部６４が第１接着剤層６０により形成されるとともに、周辺部６４よりも内側の中央部６３が、多数の貫通孔６６を有する構造体を骨格とする第２の層６１により形成されている。第２の層６１の接着力は、第１接着剤層６０の接着力よりも低い。
【００５７】
なお、第２の層６１は不織布状の構造体を骨格とするものでもよい。
【００５８】
接着シート６では、中央部６３が第２の層６１により形成されているため、後述する分離する工程において、周辺部６４にある第１接着剤層６０の接着力を低下させれば、外力により、容易に台座と配線付きの半導体チップとを上下に分離することが可能となる。
また、中央部６３が第２の層６１により形成されており、第２の層６１も台座と接しているため、分離する工程の後に、当該接着シート６を台座から剥離しやすくなる。従って、台座を再利用しやすくなる。また、第１接着剤層６０が接着シート６における周辺部６４に形成されているため、後述する分離する工程において、第１接着剤層６０を溶剤により溶解させたり、カッターやレーザー等により物理的に切り込みを入れたりして、第１接着剤層６０の接着力を低下させ易い。
【００５９】
接着シート６の厚さは特に限定されず、例えば、第１実施形態の接着シート５で例示したものが挙げられる。
【００６０】
図５に示すように、接着シート６は、平面視したときの形状が円形である。接着シート６の直径は特に限定されず、例えば、第１実施形態の接着シート５で例示したものが挙げられる。また、接着シート６を平面視したときの第２の層６１の面積は特に限定されず、例えば、第１実施形態の接着シート５で例示したものが挙げられる。
【００６１】
第１接着剤層６０の接着力としては、第１接着剤層５０で例示したものが挙げられる。第１接着剤層６０の説明は、第１接着剤層５０の内容と同様である。
【００６２】
第２の層６１の接着力としては、第２の層５１で例示したものが挙げられる。第２の層６１の説明は、第２の層５１の内容と同様である。
【００６３】
接着シート６の製造方法は特に限定されない。例えば、多数の貫通孔６６を有する構造体及びその周囲（構造体の周囲の領域）に、第１接着剤層６０を形成するための組成物を含む溶液を塗布して、貫通孔６６を前記溶液で充填するとともに構造体の周囲に塗布層を形成することにより製造できる。この方法では、構造体の周囲に形成された塗布層が周辺部６４の第１接着剤層６０となる。
【００６４】
なお、第２の層６１が不織布状の構造体を骨格とする場合、不織布状の構造体及びその周囲に、第１接着剤層６０を形成するための組成物を含む溶液を塗布して、不織布状の構造体の多孔を前記溶液で充填するとともに構造体の周囲に塗布層を形成することにより製造できる。この方法では、構造体の周囲に形成された塗布層が周辺部６４の第１接着剤層６０となる。
【００６５】
塗布する溶液の粘度は適宜設定できる。塗布量は適宜設定すればよい。
【００６６】
［第３実施形態］
本発明の接着シートは、接着シート５、６の形状に限定されない。図６は、本発明の第３実施形態に係る接着シートを示す断面模式図である。図６に示すように、接着シート７は、第１接着剤層７０と、多数の貫通孔を有する構造体及び／又は不織布状の構造体を骨格とする第２の層７１との積層により形成されている。第２の層７１の接着力は、第１接着剤層７０の接着力よりも低い。
【００６７】
接着シート７では、第１接着剤層７０が存在するため、配線を形成する工程や、ワークを実装する工程等において、配線等を台座に固定しておくことができる。また、第１接着剤層７０のみではなく、第１接着剤層７０よりも接着力の低い第２の層７１を有するため、分離する工程において、外力により、容易に台座と配線付きのワークとを上下に分離することが可能となる。また、接着シート７は、第２の層７１を貼り合わせ面として台座に貼り合わせられるため、第１接着剤剤層７０上に配線が形成されることになる。従って、配線を形成する工程や、ワークを実装する工程等において、配線等をより強固に台座に固定しておくことができる。
【００６８】
第１接着剤層７０の厚さは特に限定されず、例えば、１０μｍ以上であり、好ましくは５０μｍ以上である。１０μｍ以上であると、台座表面や配線表面の凹凸を追従でき、接着シート７を隙間なく充填できる。また、第１接着剤層７０の厚さは、例えば、５００μｍ以下であり、好ましくは３００μｍ以下である。５００μｍ以下であると、厚みのばらつきや加熱時の収縮・膨張を抑制又は防止できる。
【００６９】
第２の層７１の厚さは特に限定されず、例えば、１μｍ以上であり、好ましくは５μｍ以上である。１μｍ以上であると、台座表面や配線表面の凹凸を追従でき、接着シート７を隙間なく充填できる。また、第２の層７１の厚さは、例えば、５００μｍ以下であり、好ましくは３００μｍ以下である。５００μｍ以下であると、厚みのばらつきや加熱時の収縮・膨張を抑制又は防止できる。
【００７０】
なお、接着シート７を平面視したときの形状は特に限定されないが、通常、円形である。
【００７１】
第１接着剤層７０の接着力としては、第１接着剤層５０で例示したものが挙げられる。第１接着剤層７０の説明は、第１接着剤層５０の内容と同様である。
【００７２】
第２の層７１の接着力は、例えば、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力が０．３０Ｎ／２０ｍｍ未満であることが好ましく、０．２０Ｎ／２０ｍｍ以下であることがより好ましい。０．３０Ｎ／２０ｍｍ未満であると、半導体ウェハから台座を容易に分離できる。一方、該９０°ピール剥離力の下限は、好ましくは０．００１Ｎ／２０ｍｍ以上であり、より好ましくは０．００５Ｎ／２０ｍｍ以上、更に好ましくは０．０１０Ｎ／２０ｍｍ以上である。０．００１Ｎ／２０ｍｍ以上であると、半導体ウェハを台座に良好に固定でき、バックグラインドなどを良好に行うことができる。
【００７３】
第２の層７１の説明は、第２の層５１の内容と同様である。
【００７４】
接着シート７の製造方法は特に限定されない。例えば、多数の貫通孔を有する構造体に、第１接着剤層７０を形成するための組成物を含む溶液を塗布して、貫通孔を前記溶液で充填するとともに構造体上に塗布層を形成することにより製造できる。
【００７５】
なお、第２の層７１が不織布状の構造体を骨格とする場合、不織布状の構造体に、第１接着剤層７０を形成するための組成物を含む溶液を塗布して、不織布状の構造体の多孔を前記溶液で充填するとともに構造体上に塗布層を形成することにより製造できる。
【００７６】
塗布する溶液の粘度は適宜設定できる。塗布量は適宜設定すればよい。
【００７７】
以上の説明では、平面視したときの形状が円形である接着シート５〜７を説明した。しかし、該形状は特に限定されず、多角形、楕円形等、他の形状でもよい。
【００７８】
また、平面視したとき、第２の層５１、６１、７１の形状が円形である接着シート５〜７を説明した。しかし、該形状は特に限定されず、多角形、楕円形等、他の形状でもよい。
【００７９】
［台座に貼り合わせる工程］
以下の説明では、図１に示した接着シート５を用いた場合について説明する。図７〜図１２は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。接着シート５を準備する工程の後、準備した接着シート５を、接着シート５の下面を貼り合わせ面として台座１に貼り合わせる（図７参照）。貼り合わせ方法は特に限定されないが、圧着による方法が好ましい。圧着は、通常、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行われる。圧着の条件としては、２０℃〜１５０℃、０．０１ＭＰａ〜１０ＭＰａ、１ｍｍ／ｓｅｃ〜１００ｍｍ／ｓｅｃが好ましい。上述したように、接着シート５は、第２の層５１と比較して接着力の高い第１接着剤層５０が下面に表出しているため、台座１に強固に貼り合わせることができる。
【００８０】
［配線を形成する工程］
次に、接着シート５上に、半導体チップ３の電極３１に接続し得る接続用導体部２１と配線２６とを有する配線層２を、接続用導体部２１が配線層２の上面に露出するように形成する（図８参照）。配線層２は、接着シート５側に、外部と電気的な接続を行なうための外部接続用導体部２２を有する。なお、図８では、接続用導体部２１が配線層２の上面に凸状に露出している場合を示しているが、本発明において接続用導体部は、配線層の上面に露出してればよく、接続用導体部の上面が、配線層の上面と面一であってもよい。接着シート５では、第１接着剤層５０のみが上面に表出しているため、接着シート５０上に形成される配線層をより強固に固定することができる。
【００８１】
［半導体チップを実装する工程］
次に、図９に示すように、配線層２の接続用導体部２１と半導体チップ３の電極３１とを接続して、配線層２（配線２６）に半導体チップ３を実装する。図９では、実装後の接続用導体部２１、電極３１のそれぞれの突起を省略して示している。なお、図９では、配線層２に複数の半導体チップ３が実装される場合を示しているが、配線層に実装する半導体チップの数は、特に限定されず、１つであってもよい。
【００８２】
次に、図１０に示すように、必要に応じて、半導体チップ３を覆うように樹脂３２による樹脂封止を行なう。樹脂封止に用いる樹脂３２は、従来公知のもの等を適宜用いることができ、樹脂封止方法についても、従来公知の方法を採用することができる。
【００８３】
［台座から分離する工程］
次に、図１１に示すように、樹脂封止された配線層２付きの半導体チップ３を、台座１から分離する。具体的には、接着シート５における台座１とは反対側の面を界面として、台座１を接着シート５とともに剥離する。なお、樹脂封止を行なわなかった場合には、樹脂封止されていない配線層２付きの半導体チップ３を、台座１から分離する。上述したように、接着シート５は、第１接着剤層５０のみではなく、第１接着剤層５０よりも接着力の低い第２の層５１を有するため、第１接着剤層５０の接着力を低下させれば、外力により、容易に台座と配線層付きの半導体チップとを上下に分離することが可能となる。
また、中央部５３は、第１接着剤層５０と第２の層５１との積層により形成されている。従って、第１接着剤層５０と第２の層５１との積層により形成されている中央部５３は、第１接着剤層５０のみで形成されている周辺部５４よりも、相対的に接着力が低い。従って、周辺部５４の接着力を少なくとも低下させれば、外力により、容易に台座と配線層付きの半導体チップとを上下に分離することが可能となる。また、第１接着剤層５０が接着シート５における周辺部５４に形成されているため、後述する分離する工程において、第１接着剤層５０を溶剤により溶解させたり、カッターやレーザー等により物理的に切り込みを入れたりして、第１接着剤層５０の接着力を低下させ易い。第１接着剤層５０の接着力を低下させる方法としては、溶剤により第１接着剤層５０を溶解させて接着力を低下させる方法、第１接着剤層５０に、カッターやレーザー等により物理的な切り込みを入れて接着力を低下させる方法、第１接着剤層５０を加熱により接着力が低下する材料で形成しておき、加熱により接着力を低下させる方法等を挙げることができる。
【００８４】
その後、必要に応じて、裁断することにより、半導体チップ３が配線層２に実装された半導体装置４が得られる（図１２参照）。なお、台座１を剥離した配線層２に対して、ハンダボールを付与するといった加工を施してもよい。
【００８５】
以上、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明した。以下、図１３〜図２０を参照しながら、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明する。図１３〜図２０は、図１２に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。
【００８６】
〔接着シートを有する台座の準備〕
まず、台座１を準備する（図１３参照）。台座１は、一定以上の強度を有することが好ましい。
【００８７】
台座１としては、特に限定されないが、シリコンウェハ、ＳｉＣウェハ、ＧａＡｓウェハ等の化合物ウェハ、ガラスウェハ、ＳＵＳ、６−４Ａｌｌｏｙ，Ｎｉ箔、Ａｌ箔等の金属箔等が挙げられる。平面視で、丸い形状を採用する場合は、シリコンウェハ又はガラスウェハが好ましい。また、平面視で矩形の場合は、ＳＵＳ板、又は、ガラス板が好ましい。
【００８８】
また、台座１として、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、紙等を用いることもできる。
【００８９】
台座１は、単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用しても良い。台座の厚みは、特に限定されないが、例えば、通常１０μｍ〜２０ｍｍ程度である。
【００９０】
［台座に貼り合わせる工程］
次に、台座１上に接着シート５を貼り合わせる。接着シート５は、すでに説明した通り、第２の層５１と、第２の層５１上に第２の層５１の上面及び側面を覆う態様で積層された第１接着剤層５０とを有する。この工程では、接着シート５を、接着シート５の下面を貼り合わせ面として台座１に貼り合わせる（図１３参照）。
【００９１】
〔配線層の形成〕
次に、台座１の接着シート５上に配線層２を形成する。接着シートを有する台座上に配線層を形成する方法には、セミアディティブ法や、サブトラクティブ法など、従来公知の回路基板やインターポーザの製造技術を適用してもよい。台座上に配線層を形成することにより、製造工程中、寸法安定性が良好となり、また、薄い配線層の取り扱い性が良好となる。以下、配線層の形成方法の一例を示す。なお、図１５〜図２０では、１の半導体チップに対応する部分のみを図示し、その他を省略しているが、他の半導体チップに対応する部分も同様である。
【００９２】
〔ベース絶縁層の形成〕
図１４に示すように、ベース絶縁層２０ａを台座１の接着シート５上に形成する。ベース絶縁層２０ａの材料としては、特に限定はされないが、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、エポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの公知の合成樹脂や、それらの樹脂と、合成繊維布、ガラス布、ガラス不織布、並びに、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２や鉱物、粘土などの微粒子との複合した樹脂などが挙げられる。特に、台座１を剥離した後、より薄く、より大きな機械的強度を有し、より好ましい電気的特性（絶縁特性など）を有するフレキシブルな絶縁層となる点からは、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ガラス布複合エポキシ樹脂が好ましい材料として挙げられる。なかでも、感光性を有するものが好ましい。ベース絶縁層２０ａの厚さは、０．１〜５０μｍが好ましい。
【００９３】
次に、外部接続用導体部２２を形成すべき位置に、開口ｈ１を形成する（図１５参照）。開口ｈ１の形成方法としては、従来公知の方法を採用することができる。例えば、感光性を有する樹脂を用いてベース絶縁層２０ａを形成した場合、開口ｈ１に対応するパターンが形成されたフォトマスクを介して光を照射した後、現像することにより、開口ｈ１を形成することができる。開口形状は特に限定されないが、円形が好ましく、直径も適宜設定可能であるが、例えば、１．０μｍ〜５００μｍとすることができる。
【００９４】
〔接点用の金属膜の形成〕
次に、開口ｈ１に接点用の金属膜２１１を形成する（図１６参照）。金属膜２１１を形成することにより、電気的な接続をより好ましく行い、耐食性を高めることができる。金属膜２１１の形成方法は特に限定されないが、めっきが好ましく、該金属膜の材料としては、銅、金、銀、白金、鉛、錫、ニッケル、コバルト、インジウム、ロジウム、クロム、タングステン、ルテニウムなどの単独金属、またはこれら２種類以上からなる合金などが挙げられる。これらの中でも好ましい材料としては、金、錫、ニッケルなどが挙げられ、下地層をＮｉとし、表層をＡｕとする２層構造などが好ましい金属膜の態様として挙げられる。
【００９５】
〔種膜、下側の導通路、導体層の形成〕
次に、必要に応じて、導体層２３、及び、導通路２５となるべきとなるべき部分の壁面に金属材料を良好に堆積させるための種膜（金属薄膜）２３ａを形成する（図１７参照）。種膜２３ａは、例えば、スパッタリングによって形成することができる。種膜の材料としては、例えば、銅、金、銀、白金、鉛、錫、ニッケル、コバルト、インジウム、ロジウム、クロム、タングステン、ルテニウムなどの単独金属、またはこれら２種類以上からなる合金などが用いられる。導体層２３の厚さは、特に限定はされないが、１〜５００ｎｍの範囲で適宜選択すればよい。また、導通路２５は円柱状が好ましい形状であって、その直径は１．０〜５００μｍ、好ましくは、３．０〜３００μｍである。その後、所定の配線パターンを有する導体層２３、導通路２５を形成する。配線パターンは、例えば、電解めっきにより形成することができる。その後、導体層２３の無い部分の種膜を除去する。
【００９６】
次に、図１８に示すように、導体層２３の上をめっきレジストｒ１にて覆い（導通路を形成すべき部分は除く）、かつ、台座１の下面を全面的にレジストｒ２にて覆い、電解めっきにより、導通路２４を形成する。導体層２３、導通路２４、及び、導通路２５は、回路２６（図８参照）に相当する。
【００９７】
〔接着剤層の形成〕
次に、めっきレジストｒ１、ｒ２を除去し、露出した導体層２３および導通路２４を埋没させるように、エポキシ及びポリイミドを主成分とする接着剤層２０ｂを形成し、導通路２４の上端面が端子部として接着層上面に露出するように、該接着層をアルカリ性溶液などにてエッチングする（図１９参照）。
【００９８】
〔接続用導体部の端面への金属膜の形成〕
次に、図２０に示すように、導通路２４の上端面に、例えば、電解めっきにより、接続用導体部２１を形成する。接続用導体部２１は、例えば、ニッケル膜、金膜等により、形成することができる。
【００９９】
〔実装工程、剥離工程、ダイシング〕
次に、上記で得た配線層２（台座１が剥離可能に付いたもの）に対して、チップを実装する（図８参照）。その後、接着剤層２０ｂのエージングを行い、さらに、必要に応じて配線層２上の各チップ３に樹脂封止を施す（図１０参照）。なお、樹脂封止には、シート状の封止用樹脂シートを用いてもよく、液状の樹脂封止材を用いてもよい。その後、樹脂封止された配線層２付きの半導体チップ３を、台座１から分離する（図１１参照）。なお、樹脂封止を行なわなかった場合には、樹脂封止されていない配線層２付きの半導体チップ３を、台座１から分離する。その後、必要に応じて、裁断することにより、半導体チップ３が配線層２に実装された半導体装置４が得られる（図１２参照）。なお、配線層２に対して、チップを実装する（フリップチップ接続）際には、配線層２とチップの間にアンダーフィル用の樹脂を用いてもよい。アンダーフィル用の樹脂は、シート状のものであってもよく、液状のものであってもよい。また、上述した実施形態では、チップを実装後、樹脂封止を施す場合について説明したが、樹脂封止する代わりに、チップ上に従来公知のフリップチップ型半導体裏面用フィルムが形成されたものを用いてもよい。前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムは、被着体上にフリップチップ接続されたチップ（半導体素子）の裏面に形成するためのフィルムであり、詳細は、例えば、特開２０１１−２４９７３９号公報等に開示されているため、ここでの説明は省略する。
【０１００】
以上の説明では、接着シート５を用いて配線を形成する方法として、接着シート５の第１接着剤層５０及び第２の層５１が表出している面を台座１に貼り付け、接着シート５の第１接着剤層５０のみが表出している面上に配線を形成する場合について説明した。しかし、接着シート５を用いて配線を形成する方法は特に限定されず、接着シート５の第１接着剤層５０のみが表出している面を台座１に貼り付け、接着シート５の第１接着剤層５０及び第２の層５１が表出している面上に配線を形成してもよい。
また、上述した説明では、接着シート５を用いて配線を形成する方法について説明したが、接着シート６や接着シート７を用いても接着シート５を用いた場合と同様にして配線を形成することができる。
【０１０１】
上述した実施形態では、配線が配線層として形成されている場合について説明した。しかしながら、本発明における配線は、この例に限定されない。本発明の配線は、配線層として形成されなくてもよく、例えば、配線が単体で接着シート上に形成されていてもよい。
【０１０２】
本発明における半導体装置の製造方法は、接着シートを有する台座（例えば、長尺の台座）に、配線を形成し、前記配線に複数のワークを実装し、樹脂封止を行ない、その後、裁断して複数の半導体装置を得る方法を含む。当該半導体装置の製造方法によれば、１の台座上で複数の半導体装置のための配線を形成することができる。また、本発明における半導体装置の製造方法は、接着シートを有する台座に、配線を形成し、前記配線に１のワークを実装し、樹脂封止を行なうことにより１の半導体装置を得る方法も含む。
以上、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例について説明したが、本発明における半導体装置の製造方法は、上述した例に限定されず、本発明の要旨の範囲内で適宜変更可能である。
【実施例】
【０１０３】
以下、本発明に関し実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
【０１０４】
実施例で使用した成分について説明する。
ＰＭＤＡ：ピロメリット酸二無水物（分子量：２１８．１）
ＤＤＥ：４，４‘−ジアミノジフェニルエーテル（分子量：２００．２）
Ｄ−４０００：ハインツマン製のポリエーテルジアミン（分子量：４０２３．５）
ＤＭＡｃ：Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
ＮＭＰ：Ｎ−メチル−２−ピロリドン
Ｄ−２０００：ハインツマン製のポリエーテルジアミン（分子量：１９９０．８）
ＢＰＤＡ：３，３´，４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸ニ無水物
ＰＰＤ：ｐ−フェニレンジアミン
セパレータ（片面がシリコーン系剥離剤にて処理された長尺ポリエステルフィルム）
【０１０５】
（実施例１）
窒素気流下の雰囲気において、１２５７ｇのＤＭＡｃ中に、Ｄ−４０００  ３６５ｇ、ＤＤＥ  ７４ｇ、及び、ＰＭＤＡ  １００ｇを７０℃で混合して反応させた後、室温（２３℃）になるまで冷却し、第１接着剤溶液を得た。
表１の配合に従った点以外は第１接着剤溶液と同様の方法で第２接着剤溶液を得た。第２接着剤溶液を、セパレータに塗布し、９０℃で３分間乾燥させ、第２接着剤溶液の塗布層を有するシートを作製した後、シート厚さ方向の貫通孔を多数形成し、孔あきシートを得た。孔あきシートを平面視したときの貫通孔の形状が円形であり、孔あきシートを平面視したときの各貫通孔の面積は、７８．５μｍ２であった。各貫通孔の直径は１０μｍであった。開口率は５０％であった。
孔あきシート及びその周囲（孔あきシートの周囲の領域）に第１接着剤溶液を塗布し、貫通孔を第１接着剤溶液で充填するとともに、第１接着剤溶液の塗布層を形成した。その後、９０℃で３分間乾燥させ、図１、２に示す実施形態１の形状の接着シートを得た。
接着シート全体の直径は２００ｍｍ、厚さは１００μｍであった。
第２の層の直径は１９６ｍｍ、第２の層の厚さは１μｍであった。
接着シートの中央部における第１接着剤層の厚さは９９μｍであった。
【０１０６】
（実施例２）
表１の配合に従った点以外は実施例１と同様の方法で、第１接着剤溶液を得た。
孔あきシートに代えて、開孔率８０％のアルミメッシュを使用した点以外は実施例１と同様の方法で、図１、２に示す実施形態１の形状の接着シートを得た。
接着シート全体の直径は２００ｍｍ、厚さは１２０．５μｍであった。
第２の層の直径は１９８ｍｍ、第２の層の厚さは０．５μｍであった。
接着シートの中央部における第１接着剤層の厚さは１２０μｍであった。
【０１０７】
（実施例３）
表１の配合に従い第１接着剤溶液及び第２接着剤溶液を得た点、孔あきシートを平面視したときの貫通孔の形状が三角形である点、各貫通孔の面積が７．０ｍｍ２である点、及び開口率が１０％である点以外は、実施例１と同様の方法で、図１、２に示す実施形態１の形状の接着シートを得た。
接着シート全体の直径は２００ｍｍ、厚さは１００μｍであった。
第２の層の直径は１９７ｍｍ、第２の層の厚さは１μｍであった。
接着シートの中央部における第１接着剤層の厚さは９９μｍであった。
【０１０８】
（比較例１）
表１の配合に従った点以外は実施例１と同様の方法で、第１接着剤溶液を得た。
第１接着剤溶液を、セパレータに塗布し、９０℃で３分間乾燥させ、第１接着剤からなる単層の接着シートを得た。接着シートは円形であり、直径２００ｍｍ、厚さ１５０μｍであった。
【０１０９】
［第１接着剤層の接着力の測定］
接着シートの第１接着剤層（第１接着剤溶液の塗布層）のみからなる面を８インチシリコンウェハに貼り合せ、３００℃で１．５時間の条件で窒素雰囲気中でイミド化させ、シリコンウェハ付き接着シートを得た。
シリコンウェハ付き接着シートを２０ｍｍ幅、１００ｍｍ長さに加工し、引張試験機（島津製作所製、オートグラフＡＧＳ−Ｈ）を用い、温度２３℃、３００ｍｍ／分にて９０°ピール評価を行った。結果を表２に示す。
【０１１０】
［孔あきシート及びアルミメッシュ（多数の貫通孔を有する構造体）の接着力の測定］
（実施例１、実施例３）
実施例１、実施例３の孔あきシートを８インチシリコンウェハに貼り合せ、３００℃で１．５時間の条件で窒素雰囲気中でイミド化させ、シリコンウェハ付き孔あきシートを得た。
シリコンウェハ付き孔あきシートを２０ｍｍ幅、１００ｍｍ長さに加工し、引張試験機（島津製作所製、オートグラフＡＧＳ−Ｈ）を用い、温度２３℃、３００ｍｍ／分にて９０°ピール評価を行った。結果を表２に示す。
（実施例２）
アルミメッシュを８インチシリコンウェハに貼り合せてシリコンウェハ付きアルミメッシュを得た。得られたシリコンウェハ付きアルミメッシュを２０ｍｍ幅、１００ｍｍ長さに加工し、引張試験機（島津製作所製、オートグラフＡＧＳ−Ｈ）を用い、温度２３℃、３００ｍｍ／分にて９０°ピール評価を行った。結果を表２に示す。
【０１１１】
［第２の層の接着力の測定］
接着シートから第２の層（孔あきシート又はアルミメッシュと、それらの貫通孔に充填された第１接着剤とからなる第２の層）を切り出し、切り出した第２の層を８インチシリコンウェハに貼り合せ、３００℃で１．５時間の条件で窒素雰囲気中でイミド化させ、シリコンウェハ付き第２の層を得た。
シリコンウェハ付き第２の層を２０ｍｍ幅、１００ｍｍ長さに加工し、引張試験機（島津製作所製、オートグラフＡＧＳ−Ｈ）を用い、温度２３℃、３００ｍｍ／分にて９０°ピール評価を行った。結果を表２に示す。
【０１１２】
＜プロセス耐性評価＞
（実施例１〜３）
実施例１〜３の接着シートの第１接着剤層及び第２の層が表出している面を台座（直径２００ｍｍ、厚さ７２６μｍのシリコンウエハ）に貼り付けた。貼り付けは、温度９０℃、圧力０．１ＭＰａのロールラミネートにより行った。その後、３００℃で１．５時間、窒素雰囲気下でイミド化した。これにより、台座付き接着シートを得た。次に、セミアディティブ工法にて、接着シート上に配線を形成した。具体的には、上記実施形態にて説明した方法にて形成した。
（比較例１）
実施例１〜３と同様の方法により台座付き接着シートを作成し、次に、セミアディティブ工法にて、接着シート上に配線を形成した。
上記の配線形成の結果、接着シートが台座から剥離せず、且つ、接着シートから形成中の配線が剥離しない場合を〇、接着シートが台座から剥離した場合、又は、接着シートから形成中の配線が剥離した場合を×として評価した。結果を表２に示す。
【０１１３】
＜剥離性評価＞
前記プロセス耐性評価と同様の方法により、台座付き接着シートを得た。
トムソン刃を用いて、接着シート層の側面から内側向かって切り込みを入れた。切り込みは、第２の層に達するまで行った。切り込みの後、接着シートの中央部を、真空ピンセットで吸着させ、上側に引き上げた。接着シート又は接着シートの一部が台座から剥離した場合を、〇、剥離しなかった場合を×として評価した。結果を表２に示す。
【０１１４】
【表１】
2014090123.tif 000003
【０１１５】
【表２】
2014090123.tif 000004
【符号の説明】
【０１１６】
１      台座
２      配線層
２０ａ  ベース絶縁層
２０ｂ  接着剤層
２１    接続用導体部
２２    外部接続用導体部
２３    導体層
２３ａ    種膜
２４    導通路
２５    導通路
２１１  金属膜
３      半導体チップ
３１    電極
４      半導体装置
５      接着シート
５０    第１接着剤層
５１    第２の層
５６    貫通孔
５７    多数の貫通孔を有する構造体
６      接着シート
６０    第１接着剤層
６１    第２の層
６６    貫通孔
７      接着シート
７０    第１接着剤層
７１    第２の層
ｒ１  レジスト
ｒ２  レジスト
【図１】
2014090123.tif 000005
【図２】
2014090123.tif 000006
【図３】
2014090123.tif 000007
【図４】
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【図５】
2014090123.tif 000009
【図６】
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【図７】
2014090123.tif 000011
【図８】
2014090123.tif 000012
【図９】
2014090123.tif 000013
【図１０】
2014090123.tif 000014
【図１１】
2014090123.tif 000015
【図１２】
2014090123.tif 000016
【図１３】
2014090123.tif 000017
【図１４】
2014090123.tif 000018
【図１５】
2014090123.tif 000019
【図１６】
2014090123.tif 000020
【図１７】
2014090123.tif 000021
【図１８】
2014090123.tif 000022
【図１９】
2014090123.tif 000023
【図２０】
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