(57)【要約】【課題】この発明の主たる目的は、層間絶縁層に埋没されるコンデンサにおいて、層間絶縁層とコンデンサの外部電極との密着性を向上させうるコンデンサを提供する。【解決手段】コンデンサとしての積層セラミックコンデンサ１０は、層間絶縁層を有する基板において、層間絶縁層に埋没される。この積層セラミックコンデンサは、セラミック素体１２と第１および第２の外部電極１４ａ，１４ｂとから構成される。セラミック素体１２は、複数のセラミック層とそのセラミック層に挟まれるように内部電極とを有する。第１および第２の外部電極１４ａ，１４ｂは、セラミック素体１２の両端面に形成され、内部電極と接続するように形成される。第１および第２の外部電極１４ａ，１４ｂの表面の算術平均粗さは、０．２９μｍ以上である。【選択図】図１
2014239139.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
層間絶縁層を有する基板において、前記層間絶縁層に埋没されるコンデンサであって、
複数のセラミック層と内部電極の積層体からなるセラミック素体と、
前記セラミック素体における前記内部電極と接続するように設けられる外部電極と、
を有し、
前記外部電極の表面の算術平均粗さが、０．２９μｍ以上あることを特徴とする、コンデンサ。
【請求項２】
前記外部電極の最表層は、Ｃｕめっき層であることを特徴とする、コンデンサ。
【請求項３】
層間絶縁層を有する基板において、前記層間絶縁層に埋没されるコンデンサの製造方法であって、
セラミックと内部電極の積層体からなるセラミック積層体を準備する第１の工程と、
前記内部電極と接続される外部電極を形成する第２の工程と、
前記外部電極の表面の算術平均粗さが０．２９μm以上となるように処理する第３の工程と、
を含む、コンデンサの製造方法。
【請求項４】
前記第３の工程は、少なくとも前記外部電極を粗化処理液に１〜１０分浸漬する処理であることを特徴とする、請求項３に記載のコンデンサの製造方法。
【請求項５】
前記外部電極の少なくとも最表層は電解めっきによって形成されることを特徴とする、請求項３または請求項４に記載のコンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、層間絶縁層を有する基板において、該層間絶縁層に埋没されるコンデンサおよびその製造方法に関し、特に、たとえば、積層セラミックコンデンサおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、コンデンサが内蔵された基板として、特許文献１に記載のものが開示されている。このコンデンサが内蔵された基板は、チップコンデンサが、ガラスエポキシ樹脂により形成された層間絶縁層に埋め込まれている基板である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平６−３２６４７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述したように、ガラスエポキシ樹脂等により形成された層間絶縁層にチップコンデンサが埋め込まれることにより形成されている基板においては、たとえば、実装基板に実装する際にリフロー処理等が行われるため耐熱性が求められるところ、このような基板が高温にさらされると、コンデンサの外部電極と層間絶縁層との間が剥離するという問題があった。
【０００５】
それゆえに、この発明の主たる目的は、層間絶縁層に埋没されるコンデンサにおいて、層間絶縁層とコンデンサの外部電極との密着性を向上させうるコンデンサおよびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明にかかるコンデンサは、層間絶縁層を有する基板において、層間絶縁層に埋没されるコンデンサであって、セラミックと内部電極の積層体からなるセラミック素体と、セラミック素体における内部電極と接続するように設けられる外部電極と、を有し、外部電極の表面の算術平均粗さが、０．２９μｍ以上あることを特徴とする、コンデンサである。
また、この発明にかかるコンデンサは、外部電極の最表層がＣｕめっき層であることが好ましい。
この発明にかかるコンデンサの製造方法は、層間絶縁層を有する基板において、層間絶縁層に埋没されるコンデンサの製造方法であって、セラミックと内部電極の積層体からなるセラミック積層体を準備する第１の工程と、内部電極と接続される外部電極を形成する第２の工程と、外部電極の表面の算術平均粗さが０．２９μm以上となるように処理する第３の工程と、を含む、コンデンサの製造方法である。
また、この発明にかかるコンデンサの製造方法は、第３の工程が少なくとも外部電極を粗化処理液に１〜１０分浸漬する処理であることが好ましい。
さらに、この発明にかかるコンデンサの製造方法は、外部電極の少なくとも最表層は電解めっきによって形成されることが好ましい。
【０００７】
この発明にかかるコンデンサによれば、層間絶縁層を有する基板において、層間絶縁層に埋没されるコンデンサであって、コンデンサの外部電極の表面の算術平均粗さが０．２９μm以上となるように処理される。そのため、樹脂により形成される層間絶縁層を有する基板において、このコンデンサを層間絶縁層に埋没した場合に、外部電極の層間絶縁層に対するアンカー効果が高められるので、層間絶縁層とコンデンサとの剥離を抑制することができる。
また、外部電極の最表層がＣｕめっき層である場合は、外部電極に対する粗化処理を容易に行うことができる。
この発明にかかるコンデンサの製造方法によれば、層間絶縁層を有する基板において、層間絶縁層に埋没されるコンデンサの製造方法であって、第３の工程において、外部電極の表面の算術平均粗さが０．２９μm以上となるように処理される。そのため、樹脂により形成される層間絶縁層を有する基板において、このコンデンサを層間絶縁層に埋没した場合に、外部電極の層間絶縁層に対するアンカー効果が高められるので、層間絶縁層とコンデンサとの剥離を抑制することができるコンデンサを得ることができる。
また、第３の工程が少なくとも外部電極を粗化処理液に１〜１０分浸漬する処理である場合は、算術平均粗さを増加させることができる。そのため、上述のアンカー効果をより高めることができるので、層間絶縁層とコンデンサとの剥離をより抑制することができるコンデンサを得ることができる。
さらに、外部電極の少なくとも最表層は電解めっきによって形成される場合は、外部電極に対する粗化処理を容易に行うことができる。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、層間絶縁層に埋没されるコンデンサにおいて、層間絶縁層とコンデンサの外部電極との密着性を向上させうるコンデンサが得られる。
この発明によれば、層間絶縁層に埋没されるコンデンサにおいて、層間絶縁層とコンデンサの外部電極との密着性を向上させうるコンデンサを製造することができる。
【０００９】
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】この発明にかかるコンデンサの一例である積層セラミックコンデンサを示す外観斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線における断面を示す断面図解図である。
【図３】この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法において、外部電極を形成する工程の一例を示す断面図解図である。
【図４】この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法において、コンデンサが実装基板に配置された状態を示す断面図解図である。
【図５】この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法において、実装基板の表面に配置されたコンデンサがエポキシ樹脂により埋没された状態を示す断面図解図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
（積層セラミックコンデンサ）
この発明にかかるコンデンサの一実施の形態の一例について説明する。図１は、積層セラミックコンデンサの一例を示す外観斜視図であり、図２は、図１のＡ−Ａ線における断面を示す断面図解図を示す。この実施の形態にかかるコンデンサは、積層セラミックコンデンサを例として示す。
【００１２】
この実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサ１０は、セラミック素体１２（積層体）と、セラミック素体１２の表面に形成される第１および第２の外部電極１４ａ，１４ｂとから構成される。
【００１３】
セラミック素体１２は、複数の積層されたセラミック層１６ａ，１６ｂから構成される。そして、セラミック素体１２は、直方体状に形成され、長さ方向および幅方向に沿って延びる第１主面１８ａおよび第２主面１８ｂと、長さ方向および高さ方向に沿って延びる第１側面２０ａおよび第２側面２０ｂと、幅方向および高さ方向に沿って延びる第１端面２２ａおよび第２端面２２ｂとを有する。なお、セラミック素体１２は、角部２４および稜部２６に丸みがつけられていることが好ましい。
【００１４】
セラミック層１６ａ，１６ｂとしては、たとえば、ＢａＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＣａＺｒＯ3などの主成分からなる誘電体セラミックが用いられる。また、これらの主成分にＭｎ化合物、Ｍｇ化合物、Ｓｉ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物、希土類化合物などの副成分を添加したものを用いてもよい。そのほか、セラミック層１６ａ，１６ｂとしては、ＰＺＴ系セラミックなどの圧電体セラミック、スピネル系セラミックなどの半導体セラミック、あるいは、磁性体セラミックなどが用いられる。セラミック層１６ａ，１６ｂの厚みは０．５μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。
【００１５】
なお、この実施の形態にかかるセラミック素体１２については、誘電体セラミックを用いるので、コンデンサとして機能する。
【００１６】
セラミック素体１２は、複数のセラミック層１６ａおよびセラミック層１６ｂに挟まれるように複数の第１の内部電極２８ａおよび第２の内部電極２８ｂを有する。第１および第２の内部電極２８ａ，２８ｂは、セラミック層１６ａ，１６ｂを挟んで対向しており、対向部分により電気特性（例えば、静電容量など）が発生する。第１および第２の内部電極２８ａ，２８ｂの材料としては、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕなどを用いることができる。第１および第２の内部電極２８ａ，２８ｂの厚みは、０．３μｍ以上２．０μｍ以下である。なお、電子部品本体１０が積層タイプでない場合には、第１および第２の内部電極２８ａ，２８ｂは形成されない。
【００１７】
第１の内部電極２８ａは、対向部３０ａと引出し部３２ａとを有する。対向部３０ａは、第２の内部電極２８ｂと対向する。引出し部３２ａは、対向部３０ａからセラミック素体１２の第１端面２２ａに引出される。そして、第１の内部電極２８ａの引出し部３２ａの端部がセラミック素体１２の第１端面２２ａに延びて露出するように形成される。
【００１８】
また、第２の内部電極２８ｂは、第１の内部電極２８ａと同様に、第１の内部電極２８ａと対向する対向部３０ｂと、対向部３０ｂからセラミック素体１２の第２端面２２ｂに引出された引出し部３２ｂとを有する。第２の内部電極２８ｂの引出し部３２ｂの端部がセラミック素体１２の第２端面２２ｂに延びて露出するように形成される。
【００１９】
セラミック素体１２の第１端面２２ａには、第１の外部電極１４ａが第１の内部電極２８ａに電気的に接続され、第１端面２２ａ及び第１の内部電極２８ａを覆うように形成される。同様に、セラミック素体１２の第２端面２２ｂには、第２の外部電極１４ｂが第２の内部電極２８ｂに電気的に接続され、第２端面２２ｂ及び第２の内部電極２８ｂを覆うように形成される。
【００２０】
第１および第の外部電極１４ａ，１４ｂの表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、０．２９μｍ以上である。また、第１および第２の外部電極１４ａ，１４ｂの算術平均粗さ（Ｒａ）は、後述する第１および第２の外部電極１４ａ，１４ｂにおけるＣｕめっき層３８ａ，３８ｂの厚みより小さい。なお、算術平均粗さ（Ｒａ）は、ＪＩＳＢ０６０１−１９９４で規定される算術平均粗さ（Ｒａ）である。
【００２１】
第１の外部電極１４ａは、電極層３４ａと電極層３４ａの表面に配置されるＮｉめっき層３６ａとを有する。さらに、第１の外部電極１４ａは、Ｎｉめっき層３６ａの表面に配置されるＣｕめっき層３８ａを有する。また、第２の外部電極１４ｂは、電極層３４ｂと電極層３４ｂの表面に配置されるＮｉめっき層３６ｂとを有する。さらに、第２の外部電極１４ｂは、Ｎｉめっき層３６ｂの表面に配置されるＣｕめっき層３８ｂを有する。すなわち、第１および第２の外部電極１４ａ，１４ｂの最表層は、Ｃｕめっき層３８ａ，３８ｂである。Ｎｉめっき層３６ａ，３６ｂの主成分としては、Ｎｉが含まれる。また、Ｃｕめっき層３８ａ，３８の主成分として、Ｃｕが含まれる。なお、Ｎｉめっき層３６ａ，３６ｂの厚みは、１μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。また、Ｃｕめっき層３８ａ，３８ｂの厚みは、３μｍ以上１２μｍ以下でることが好ましい。
【００２２】
電極層３４ａ，３４ｂの材料には、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ等を用いることができる。このうち、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ等の卑金属を用いることが好ましい。電極層３４ａ，３４ｂは、第１および第２の内部電極２８ａ，２８ｂと同時焼成したコファイアによるものでもよく、導電性ペーストを塗布して焼き付けたポストファイアによるものでもよい。また、直接めっきにより形成されていてもよく、熱硬化性樹脂を含む導電性樹脂を硬化させることにより形成されていてもよい。電極層３４ａ，３４ｂの厚みは、最も厚い部分において、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
【００２３】
（積層セラミックコンデンサの製造方法）
次に、以上の構成からなる積層セラミックコンデンサを製造するための積層セラミックコンデンサの製造方法の一実施の形態について説明する。
【００２４】
最初に、以下に示すような積層セラミックコンデンサの製造方法における第１の工程において、セラミック素体１２が準備される。
【００２５】
まず、セラミックグリーンシート、第１および第２の内部電極２８ａ，２８ｂを形成するための内部電極用導電性ペーストおよび第１および第２の外部電極１４ａ，１４ｂを形成するための外部電極用導電性ペーストが準備される。なお、セラミックグリーンシート、内部電極用導電性ペーストおよび外部電極用導電性ペーストには、有機バインダおよび溶剤が含まれるが、公知の有機バインダや有機溶剤を用いることができる。
【００２６】
そして、セラミックグリーンシート上に、例えば、所定のパターンで内部電極用導電性ペーストを印刷し、セラミックグリーンシートには、内部電極のパターンが形成される。なお、内分電極用導電性ペーストは、スクリーン印刷法などの公知の方法により印刷することができる。
【００２７】
次に、内部電極パターンが印刷されていない外層用セラミックグリーンシートが所定枚数積層され、その上に、内部電極パターンが印刷されたセラミックグリーンシートが順次積層され、その上に、外層用セラミックグリーンシートが所定枚数積層され、マザー積層体が作製される。必要に応じて、このマザー積層体は、静水圧プレスなどの手段により積層方向に圧着させてもよい。
【００２８】
その後、マザー積層体が所定の形状寸法に切断され、生のセラミック積層体が切り出される。このとき、バレル研磨などにより積層体の角部や稜部に丸みをつけてもよい。続いて、切り出された生のセラミック積層体が焼成され、積層体であるセラミック素体が生成される。なお、生のセラミック積層体の焼成温度は、セラミックの材料や内部電極用導電性ペーストの材料に依存するが、９００℃以上１３００℃以下であることが好ましい。
【００２９】
続いて、以下に示すような積層セラミックコンデンサの製造方法における第２の工程において、セラミック素体１２に第１および第２の外部電極１４ａ，１４ｂが形成される。
【００３０】
まず、図３に示すように、焼成後のセラミック素体１２の第１端面２２ａ側に外部電極用導電性ペースト４０が、ディップ工法等によって塗布され、さらに、第２端面２２ｂ側に外部電極用導電性ペースト４０が同様にして塗布される。そして、セラミック素体１２の両端面に塗布された外部電極用導電性ペースト４０は、焼き付けられ、第１および第２の外部電極１４ａ，１４ｂにおける電極層３４ａ，３４ｂが形成される。焼き付け温度は、６００℃以上８００℃以下であることが好ましい。また、外部電極用導電性ペースト４０の焼成および生のセラミック積層体の焼成は、たとえば、大気中、Ｎ2雰囲気中、水蒸気＋Ｎ2雰囲気中などにおいて行われる。
【００３１】
次に、電極層３４ａ，３４ｂの表面にＮｉめっき層３６ａ，３６ｂが形成される。Ｎｉめっき層３６ａ，３６ｂは、電極層３４ａ，３４ｂを焼き付けることにより形成された後に、たとえば、硫酸Ｎｉ、塩化Ｎｉ、ホウ酸を含有するＮｉめっき液に浸漬し電解めっき法にて形成される。
【００３２】
続いて、Ｎｉめっき層３６ａ，３６ｂの表面に、Ｃｕめっき層３８ａ，３８ｂが形成される。Ｃｕめっき層３８ａ，３８ｂは、Ｎｉめっき層３６ａ，３６ｂが形成された後に、ピロリン酸Ｃｕを主成分とするＣｕめっき液に浸漬し、電解めっき法にて形成される。
以上のようにして、セラミック素体１２の第１端面２２ａに第１の外部電極１４ａが形成され、第２端面２２ｂに第２の外部電極１４ｂが形成される。
【００３３】
続いて、以下に示すような積層セラミックコンデンサの製造方法における第３の工程において、積層セラミックコンデンサ１０における第１および第２の外部電極１４ａ，１４ｂの表面の算術平均粗さが０．２９μm以上となるように処理するための粗化処理が行われる。Ｃｕめっき層３８ａ，３８ｂの形成後、積層セラミックコンデンサ１０の第１および第２の外部電極１４ａ，１４ｂに対して、たとえば、以下の条件で粗化処理が行われる。
【００３４】
（前処理）
まず、粗化前処理液（メック社製：製品名ＣＡ−５３３０Ａ）を純水で２倍に希釈することにより得られた処理液に、複数（たとえば、１０００個）の積層セラミックコンデンサ１０を入れた網かごが浸漬される。そして、粗化前処理液に浸漬された網かごは手で揺らされ、前処理をするために必要な温度および時間、たとえば、常温で２０秒間、攪拌される。
そして、粗化前処理液により攪拌された積層セラミックコンデンサ１０は、洗瓶入り純水で、常温で１０秒、洗い流れ、次に、蛇口からの流水（純水）で、常温で６０秒、洗浄される。
【００３５】
（エッチング処理）
続いて、粗化処理液（メック社製：製品名ＣＺ−８１０１Ｂ）の原液に、複数（たとえば、１０００個）の積層セラミックコンデンサ１０を入れた網かごが浸漬される。そして、粗化処理液に浸漬された網かごは手で揺らされ、エッチング処理をするために必要な温度および時間、たとえば、常温で１分から１０分の間、攪拌される。
そして、粗化処理液により攪拌された積層セラミックコンデンサ１０は、洗瓶入りの純水で、常温で１０秒、洗い流され、次に、蛇口からの流水（純水）で、常温で６０秒、洗浄される。
【００３６】
（塩酸洗浄処理）
続いて、３５％の塩酸を純水で１０倍に希釈することにより得られた処理液に、複数（たとえば、１０００個）の積層セラミックコンデンサ１０を入れた網かごが浸漬される。そして、塩酸を希釈化することにより得られた処理液に浸漬された網かごが手で揺らされ、塩酸洗浄処理をするために必要な温度および時間、たとえば、常温で１５秒、攪拌される。
そして、上述の処理液により攪拌された積層セラミックコンデンサ１０は、洗瓶入りの純水で、常温で１０秒、洗い流され、次に、蛇口からの流水（純水）で、常温で６０秒、洗浄される。
【００３７】
（防錆処理）
続いて、防錆処理液（メック社製：製品名ＣＬ−８３００）を純水で２０倍に希釈することにより得られた処理液に、複数（たとえば、１０００個）の積層セラミックコンデンサ１０を入れた網かごが浸漬される。そして、防錆処理液に浸漬された網かごは手で揺らされ、防錆処理をするために必要な温度および時間、たとえば、常温で２０秒、攪拌される。
そして、防錆処理液により攪拌された積層セラミックコンデンサ１０は、洗瓶入りの純水で、常温で１０秒、洗い流され、次に、蛇口からの流水（純水）で、常温で６０秒、洗浄される。
そして、洗浄された積層セラミックコンデンサ１０は、水切りされ、自然乾燥される。
【００３８】
上述のようにして、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０が製造される。
【００３９】
図１に示す積層セラミックコンデンサ１０では、第１および第２の外部電極１４ａ，１４ｂの表面が粗化処理されることで、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．２９μｍ以上である。そのため、樹脂により形成される層間絶縁層を有する基板において、この積層セラミックコンデンサ１０を層間絶縁層に埋没した場合に、第１および第２の外部電極１４ａ，１４ｂの層間絶縁層４２に対するアンカー効果が高められるので、層間絶縁層と積層セラミックコンデンサ１０との剥離を防止することができる。
【００４０】
（実験例）
実験例では、以下に示す実施例１、実験例２および比較例１の積層セラミックコンデンサを製造し、それらの積層セラミックコンデンサについて、それぞれの外部電極の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）を評価した。
【００４１】
（実施例１）
実施例１では、上述の方法で図１に示す積層セラミックコンデンサ１０を製造した。なお、上述の積層セラミックコンデンサの製造方法の第３の工程におけるエッチング処理において、粗化処理液によって攪拌する時間は１分とした。
また、この場合、積層セラミックコンデンサ１０におけるセラミック素体１２の外形寸法を長さ１．０ｍｍ、幅０．５ｍｍ、高さ０．１５ｍｍとした。また、セラミック層１４（誘電体セラミック）として、チタン酸バリウム系誘電体セラミックを用いた。さらに、第１および第２の内部電極２８ａ、２８ｂの材料としてＮｉを主成分として用いた。さらに、外部電極１４ａ、１４ｂの電極層３４ａ，３４ａの材料としてＣｕを用いた。
【００４２】
（実施例２）
実施例２では、実施例１と同様の方法で、セラミック素子１２、第１および第２の外部電極１４ａ、１４ｂを形成し、積層セラミックコンデンサ１０を得た。なお、積層セラミックコンデンサの製造方法の第３の工程におけるエッチング処理において、粗化処理液によって攪拌する時間は４分とした。
【００４３】
（比較例１）
比較例１では、実施例１と同様の方法で、セラミック素子１２、第１および第２の外部電極１４ａ、１４ｂを形成したが、上述の積層セラミックコンデンサの製造方法における前処理、エッチング処理、塩酸洗浄処理および防錆処理を含む第３の工程による粗化処理を実施しなかった。
【００４４】
（算術平均粗さの評価）
次に、実施例１、実施例２および比較例１の各積層セラミックコンデンサについて、以下に示すような方法により、それぞれの外部電極の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）を評価した。
算術平均粗さ（Ｒａ）は、レーザー顕微鏡（Ｋｅｙｅｎｃｅ社製：製品名ＶＫ−９５１０）を使用して測定した。なお、レーザー顕微鏡は、レンズ倍率１００倍とし、カラー超深度モードに設定した。レーザー顕微鏡による測定領域は、Ｃｕめっき層３８ａ，３８ｂを形成した後、外部電極１４ａ，１４ｂの折り返し部（セラミック素子の第１主面あるいは第２主面、または第１側面あるいは第２側面に形成される部分）における中央部分を含む９０μｍ角の領域とした。側定数は、実施例１、実施例２および比較例１の各積層セラミックコンデンサに対して、各２個とした。
【００４５】
（密着強度の評価）
続いて、樹脂による層間絶縁層４２を有する基板４０において、実施例１、実施例２および比較例１の各積層セラミックコンデンサ１０とその各積層セラミックコンデンサを埋没した層間絶縁層４２との密着強度を評価した。
まず、図４に示すように、基板４０の表面に各積層セラミックコンデンサ１０を配置した。基板４０は、ガラスエポキシ基板とした。
そして、図５に示すように、各積層セラミックコンデンサ１０が配置された樹脂からなるシートでラミネートすることにより層間絶縁層４２を形成し、基板４０の表面に配置された積層セラミックコンデンサ１０を層間絶縁層４２に埋没させた。その後、１８０℃で加熱して、樹脂からなるシートを硬化させた。この樹脂は、エポキシ樹脂を使用した。
【００４６】
次に、上記の方法で層間絶縁層４２に埋め込んだ積層セラミックコンデンサ１０に対し、以下の試験条件を施した。評価数は、実施例１、実施例２および比較例１に対して、各５個とした。
（試験条件）
・予熱：１２５＋５／−０℃，２４時間
・リフロー：ピーク温度を２６０℃として、これを５回行う。
・冷却時間：１２０秒とした。
【００４７】
上記の試験条件を施した後、実施例１、実施例２および比較例１の各積層セラミックコンデンサ１０が埋め込まれた基板４０および層間絶縁層４２の断面をそれぞれ露出させ、目視にて層間絶縁層／積層セラミックコンデンサの剥離の有無を確認した。
【００４８】
表１は、実施例１、実施例２および比較例１における算術平均粗さ（Ｒａ）の評価結果および層間絶縁層／積層セラミックコンデンサの剥離の有無を確認することにより得られた密着強度の評価結果を示す。
【００４９】
【表１】
2014239139.tif 000003
【００５０】
結果、比較例１に対し、実施例１および実施例２は、剥離発生数が低減することがわかった。これは、外部電極の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が０．２９μｍ以上であることから、積層セラミックコンデンサの外部電極の表面に形成された面の層間絶縁層４２に対するアンカー効果が高められることにより、層間絶縁層４２と積層セラミックコンデンサ１０との剥離が抑制されたと考えられる。
【００５１】
なお、この発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形される。
たとえば、前記実施の形態において、外部電極の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が０．２９μm以上となるように処理する方法としては、積層セラミックコンデンサを粗化処理液へ浸漬することにより実施したが、この方法に限られるものではなく、外部電極の表面に物理的な衝撃（たとえば、研磨等）を与えて、外部電極の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が０．２９μｍ以上となるようにしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
この発明にかかるコンデンサは、特に、たとえば、層間絶縁層を有する基板において、該層間絶縁層に埋没されるコンデンサに好適に用いられる。
【符号の説明】
【００５３】
１０  電子部品本体
１２  セラミック素体
１４ａ  第１の外部電極
１４ｂ  第２の外部電極
１６ａ、１６ｂ  セラミック層
１８ａ  第１主面
１８ｂ  第２主面
２０ａ  第１側面
２０ｂ  第２側面
２２ａ  第１端面
２２ｂ  第２端面
２４  角部
２６  稜部
２８ａ  第１の内部電極
２８ｂ  第２の内部電極
３０ａ、３０ｂ  対向部
３２ａ、３２ｂ  引出し部
３４ａ、３４ｂ  電極層
３６ａ、３６ｂ  Ｎｉめっき層
３８ａ、３８ｂ  Ｃｕめっき層
４０  外部電極用導電性ペースト
４２  基板
４４  層間絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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