(57)【要約】      （修正有）【課題】５Ｖ／μｍのＤＣバイアス変化率が−１５％以内、かつ１０００以上の比較的高い比誘電率を有する誘電体磁器組成物と、その誘電体磁器組成物を用いた誘電体素子の提供。【解決手段】下記式（１）で表される複合酸化物である誘電体磁器組成物。｛［（ＢｉｓＮａｔ）ａ（ＢｉｕＫｖ）ｂＢａｃ］１−ｄＡｄ｝ｘＴｉ１−ｄＮｂｄＯ３…（１）［式（１）中、ＡはＬｉ、Ｎａ、Ｋから選ばれる少なくとも一種の元素を示す。ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｓ、ｔ、ｕ、ｖ及びｘは、それぞれ、下記式を満たす数である。］０．１０≦ａ＜０．９５、０．００＜ｂ≦０．８５、０．０５≦ｃ≦０．７０、ａ＋ｂ＋ｃ＝１、０．１０≦ｄ≦０．５０、０．９０≦ｓ＋ｕ≦１．００、０．４５≦ｔ≦０．５０、０．４５≦ｖ≦０．５０、０．９５≦ｘ≦１．０５【選択図】図１
2014189465.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）の組成を有することを特徴とする誘電体磁器組成物。
｛［（ＢｉｓＮａｔ）ａ  （ＢｉｕＫｖ）ｂＢａｃ］１−ｄＡｄ｝ｘＴｉ１−ｄＮｂｄＯ３…（１）
式（１）中、ＡはＬｉ、Ｎａ、Ｋから選ばれる少なくとも一種の元素を示す。ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｓ、ｔ、ｕ、ｖ及びｘは、それぞれ、下記式を満たす数である。
０．１０≦ａ＜０．９５
０．００＜ｂ≦０．８５
０．０５≦ｃ≦０．７０
ａ＋ｂ＋ｃ＝１
０．１０≦ｄ≦０．５０
０．９０≦ｓ＋ｕ≦１．００
０．４５≦ｔ≦０．５０
０．４５≦ｖ≦０．５０
０．９５≦ｘ≦１．０５
【請求項２】
請求項１に記載の誘電体磁器組成物を備える誘電体素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体磁器組成物およびこれを用いた電子部品に係り、さらに詳しくは、比較的に定格電圧が高い中高圧用途に好適に用いられる誘電体磁器組成物および誘電体素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子回路の高密度化に伴う電子部品の小型化に対する要求は高く、積層セラミックコンデンサの小型・大容量化が急速に進むとともに、用途も拡大し、要求される特性は様々である。
【０００３】
例えば、ＥＣＭ（エンジンエレクトリックコンピュータモジュール）、燃料噴射装置、電子制御スロットル、インバータ、コンバータ、ＨＩＤヘッドランプユニット、ハイブリッドエンジンのバッテリコントロールユニット、デジタルスチールカメラ等の機器に用いられる定格電圧が１００Ｖを超えるような中高圧用コンデンサには、高い電界強度下において高い静電容量が要求される。
【０００４】
しかしながら、従来の誘電体磁器組成物は、例えば１Ｖ／μｍ程度の低電界強度の直流電圧下で使用されることを前提に設計されていたので、用いられる積層セラミックコンデンサの薄層化が進んで、高い電界強度下で使用されると、印加直流電界に対する静電容量の変化率（以下ＤＣバイアス変化率）が大きくなるという問題があった。
【０００５】
ＤＣバイアス変化率が大きいと、積層セラミックコンデンサの実効容量が低下してしまい、設計の段階で必要としていた静電容量を満たさなくなるため、それが用いられている電子機器の動作が不安定になり、延いては動作しなくなるという不具合が発生することが懸念される。
【０００６】
したがって、高電界下での利用を目的としたコンデンサにはＤＣバイアス変化率が小さく、また、高電界印加時に高い誘電率を有する誘電体磁器組成物を用いることが望ましい。なお、ここで言う「高電界」とはたとえば５Ｖ／μｍの電界強度、高い誘電率とは例えば１０００を指す。
【０００７】
このような課題を解決するべく、下記の特許文献１では、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０２重量％以下のチタン酸バリウムと、酸化ユーロピウム、酸化ガドリニウム、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化エルビウム、酸化ツリウムおよび酸化イッテルビウムの中から選ばれる少なくとも１種と、ジルコン酸バリウムと、酸化マグネシウムと、酸化マンガンとからなり、かつ、次の組成式、｛ＢａＯ｝ｍ  ＴｉＯ２  ＋αＲ２  Ｏ３  ＋βＢａＺｒＯ３  ＋γＭｇＯ＋ｇＭｎＯ（ただし、Ｒ２  Ｏ３  はＥｕ２  Ｏ３  、Ｇｄ２  Ｏ３  、Ｔｂ２Ｏ３  、Ｄｙ２  Ｏ３  、Ｈｏ２  Ｏ３  、Ｅｒ２  Ｏ３  、Ｔｍ２  Ｏ３  およびＹｂ２  Ｏ３  の中から選ばれる少なくとも１種であり、α、β、γおよびｇはモル比を表し、０．００１≦α≦０．０６、０．００５≦β≦０．０６、０．００１＜γ≦０．１２、０．００１＜ｇ≦０．１２、γ＋ｇ≦０．１３、１．０００＜ｍ≦１．０３５の範囲内にある。）で表される主成分を含有するとともに、副成分として酸化珪素を、前記主成分１００モルに対して、ＳｉＯ２  に換算して０．２〜５．０モル含有していることを特徴とする誘電体磁器組成物が開示されている。
【０００８】
しかしながら、特許文献１に示すような誘電体磁器組成物を誘電体としたセラミックコンデンサは、比誘電率が１５００程度と比較的大きいものの、５Ｖ／μｍのＤＣバイアス変化率が−４５％以内と大きいため、更なるＤＣバイアス特性の改善が望まれていた。
【０００９】
また、特許文献２では、ＣａとＳｒとＭｇとＭｎと希土類元素を含有するとともに、Ａサイトの一部が該Ｃａで置換されたペロブスカイト型チタン酸バリウム結晶粒子（ＢＣＴ型結晶粒子）に、前記ＣａとＳｒとＭｇとＭｎと希土類元素の少なくとも一部が固溶してなる主結晶粒子を含有し、Ａｌ元素の含有量が酸化物換算で０．０１質量％以下である誘電体磁器であって、前記主結晶粒子は、Ｃａ濃度が粒子中心よりも粒子表面側において大きく、ＳｒとＭｇとＭｎ及び希土類元素が粒子表面側に偏在したコアシェル型構造であり、平均粒径が０．１〜０．５μｍであることを特徴とする誘電体磁器組成物が開示されている。
【００１０】
しかしながら、特許文献２に示されるようなＢＣＴ型の誘電体磁器組成物では、比誘電率は２５００以上と大きいが、５Ｖ／μｍのＤＣバイアス変化率が−７０％以内と大きいため、ＤＣバイアス特性が良好であるとは言えない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開平１１−３２２４１４号公報
【特許文献２】特開２００６−２０６３６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、比較的に定格電圧が高い中高圧用途に好適に用いられ、５Ｖ／μｍのＤＣバイアス変化率が−１５％以内と非常に小さく、かつ１０００以上の比較的高い比誘電率を有する誘電体磁器組成物と、その誘電体磁器組成物を用いた誘電体素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するため、本発明は、下記式（１）で表される複合酸化物である誘電体磁器組成物を提供する。
【００１４】
｛［（ＢｉｓＮａｔ）ａ  （ＢｉｕＫｖ）ｂＢａｃ］１−ｄＡｄ｝ｘＴｉ１−ｄＮｂｄＯ３…（１）
【００１５】
式（１）中、ＡはＬｉ、Ｎａ、Ｋから選ばれる少なくとも一種の元素を示す。ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｓ、ｔ、ｕ、ｖ及びｘは、それぞれ、下記式を満たす数である。
【００１６】
０．１０≦ａ＜０．９５
０．００＜ｂ≦０．８５
０．０５≦ｃ≦０．７０
ａ＋ｂ＋ｃ＝１
０．１０≦ｄ≦０．５０
０．９０≦ｓ＋ｕ≦１．００
０．４５≦ｔ≦０．５０
０．４５≦ｖ≦０．５０
０．９５≦ｘ≦１．０５
【００１７】
本発明の誘電体磁器組成物は、上記構成を有することにより、５Ｖ／μｍのＤＣバイアス変化率が−１５％以内と非常に小さく、かつ１０００以上の比較的高い比誘電率が得られる。
【００１８】
また、本発明は、上記誘電体磁器組成物を備える誘電体素子を提供する。
【００１９】
このような誘電体素子は上記誘電体磁器組成物を備えるため、高電界を印加した場合に大きな誘電率を必要とする、例えば高電界印加回路に使用される回路保護用などのコンデンサに有用である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、比較的に定格電圧が高い中高圧用途に好適に用いられ、５Ｖ／μｍのＤＣバイアス変化率が−１５％以内と非常に小さく、かつ１０００以上の比較的高い比誘電率を有する誘電体磁器組成物と、その誘電体磁器組成物を用いた誘電体素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明に係る誘電体素子の好適な一実施形態である。
【図２】本発明に係る誘電体素子の別の実施形態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、場合により図面を参照して、本発明の好適な実施形態について説明する。なお、各図面において、同一または同等の要素には同一の符号を付与し、重複する説明を省略する。
【００２３】
図１は本発明に係る誘電体素子の好適な一実施形態である。図１に示す誘電体素子１００は、円盤状の誘電体１と、この誘電体１の両面に形成された一対の電極２および３を備えたコンデンサを形成している。
【００２４】
誘電体１は、下記式（１）で示される誘電体磁器組成物で形成される。
【００２５】
｛［（ＢｉｓＮａｔ）ａ  （ＢｉｕＫｖ）ｂＢａｃ］１−ｄＡｄ｝ｘＴｉ１−ｄＮｂｄＯ３…（１）
【００２６】
式（１）中、ＡはＬｉ、Ｎａ、Ｋから選ばれる少なくとも一種の元素を示す。ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｓ、ｔ、ｕ、ｖ及びｘは、それぞれ、下記式を満たす数である。
【００２７】
０．１０≦ａ＜０．９５
０．００＜ｂ≦０．８５
０．０５≦ｃ≦０．７０
ａ＋ｂ＋ｃ＝１
０．１０≦ｄ≦０．５０
０．９０≦ｓ＋ｕ≦１．００
０．４５≦ｔ≦０．５０
０．４５≦ｖ≦０．５０
０．９５≦ｘ≦１．０５
【００２８】
このような誘電体磁器組成物は、上記構成を有することにより、比誘電率を１０００以上としつつ、５Ｖ／μｍのＤＣバイアス変化率を−１５％以内と非常に小さくすることができる。
【００２９】
本発明の誘電体磁器は強誘電体および反強誘電体組成物の組み合わせであり、この特定の組み合わせを有することにより比誘電率が比較的高く、ＤＣバイアス特性が良好な誘電体磁器組成物が得られる。
【００３０】
ａ、ｂ、ｃが上記範囲をはずれると、比誘電率が１０００以下となってしまったり、５Ｖ／μｍのＤＣバイアス変化率が−１５％以上となってしまったり、耐電圧が低くなってしまうため好ましくない。
【００３１】
ｄが０．１０未満ではＤＣバイアス特性が悪くなってしまい、０．５０より大きくなると誘電率が１０００未満となってしまうため好ましくない。
【００３２】
ｓ＋ｕ、ｔ、ｖが上記範囲を外れると欠陥が生成されたり、十分な焼結密度が得られず、電荷のリークが生じたり、耐電圧が低くなってしまうため好ましくない。
【００３３】
ｘが０．９５未満又は１．０５を超えると十分な焼結密度を得られず、絶縁抵抗が低くなるため、高電界を印加して使用することは困難になる。
【００３４】
誘電体磁器組成物として実用に十分な誘電率が得られる等の観点から、式（１）で表される複合酸化物の含有量は、誘電体磁器組成物全体を基準として、９０質量％以上であることが好ましく、残部には常誘電体磁器組成物などの副成分のほか、作製プロセス上混入する可能性がある、ＰやＺｒなどの不純物を含んでいても良い。
【００３５】
ここで、誘電体磁器組成物の組成は、例えば、蛍光Ｘ線分析やＩＣＰ発光分光分析で測定することができる。
【００３６】
上記誘電体磁器組成物の相対密度は、９５％以上の相対密度を有することが好ましい。ここで、本明細書において、相対密度とは、理論密度に対する、密度の実測値をいう。なお、理論密度は、Ｘ線回折によって求めた格子定数と、完全結晶を仮定して求めた量論比により計算される。誘電体磁器組成物の相対密度は、例えば、アルキメデス法によって測定することができる。ここで、誘電体磁器組成物の相対密度は、焼成温度や焼成時間を変えることによって調整することができる。
【００３７】
次に、図１に示す誘電体素子の製造方法の一例について以下に説明する。
【００３８】
まず、誘電体１の出発原料として、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）、炭酸ナトリウム（Ｎａ２ＣＯ３）、炭酸カリウム（Ｋ２ＣＯ３）、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）及び酸化二オブ（Ｎｂ２Ｏ５）等の粉末を準備する。
【００３９】
そして、本焼成後の誘電体磁器組成物（焼結体）が、本実施形態に係る誘電体磁器組成物の組成を満たすものとなるように、上記粉末原料を秤量する。
【００４０】
次に、秤量した各原料粉末を、ボールミル等により湿式混合する。そして、湿式混合により得られた混合物を仮焼することにより仮焼物を得る。ここで、仮焼は、通常空気中で施される。また、仮焼温度は７００〜９００℃であることが好ましく、仮焼時間は１〜１０時間が好ましい。
【００４１】
得られた仮焼物を、ボールミル等で湿式粉砕した後、これを乾燥させることにより、仮焼物粉体を得る。次いで、得られた仮焼物粉体に少量の結合剤を添加し、プレス成形することにより、成形体を得る。ここで、成形圧力は５ｔ／ｃｍ２程度であることが好ましい。成形体の形状に特に制限はなく、例えば、平面寸法Φ１７ｍｍ、厚さ１ｍｍ程度の円板状成形体とすることができる。
【００４２】
そして、得られた成形体を焼成することにより誘電体磁器組成物試料を得る。ここで、焼成は、通常空気中で施される。また、焼成温度は９５０〜１３００℃であることが好ましく、焼成時間は２〜１０時間であることが好ましい。
【００４３】
次いで、得られた誘電体磁器組成物試料の両面に、銀等の金属電極を形成する。電極の形成は蒸着、スパッタリング、焼付け、無電解めっき等の方法による。
【００４４】
図２は本発明に係る誘電体素子の別の実施形態を示す断面図である。図２に示す積層型誘電体素子２００は、直方体状の積層体５と、この積層体５の対向する端面にそれぞれ形成された一対の端子電極１１Ａ、１１Ｂとを備えている。
【００４５】
積層体５は、誘電体層７を介して内部電極層（電極層）６Ａ、６Ｂを交互に積層してなる素体８と、この素体８をその積層方向の両端面側（図中上下方向）から挟み込むように設けられた一対の保護層９及び１０とから構成される。素体８においては、誘電体層７と内部電極層６Ａ、６Ｂとが交互に積層されている。
【００４６】
誘電体層７は、本発明に係る誘電体磁器組成物からなる層である。
【００４７】
誘電体層７の１層当たりの厚さは、任意に設定することができるが、例えば１〜１００μｍにすることができる。
【００４８】
内部電極層６Ａ、６Ｂはそれぞれ平行となるように設けられている。内部電極層６Ａは、一方の端部が積層体５における端子電極１１Ａが形成された端面に露出するように形成されている。また、内部電極層６Ｂは、一方の端部が積層体５における端子電極１１Ｂが形成された端面に露出するように形成されている。さらに、内部電極層６Ａと内部電極層６Ｂとは、これらの大部分が積層方向に重なり合うように配置されている。
【００４９】
内部電極層６Ａ、６Ｂの材質としては、例えば、Ａｕ，Ｐｔ若しくはＡｇ等の金属が用いられる。
【００５０】
端子電極１１Ａ，１１Ｂは、これらが設けられている積層体５の端面において、当該端面に露出している内部電極層６Ａ、６Ｂの端部とそれぞれ接している。これにより、端子電極１１Ａ，１１Ｂは、内部電極層６Ａ、６Ｂとそれぞれ電気的に接続される。この端子電極１１Ａ，１１Ｂは、Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ等を主成分とする導電材料から構成することができる。端子電極１１Ａ，１１Ｂの厚さは、用途や積層型誘電素子のサイズ等によって適宜設定されるが、例えば１０〜５０μｍにすることができる。
【００５１】
以上、本実施形態の誘電体磁器組成物および誘電体素子について説明したが、当該誘電体磁器組成物は、高電界を印加した時のＤＣバイアス特性が良好であるため、例えば、比較的に定格電圧が高い中高圧コンデンサに好適に用いることができる。
【００５２】
また、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記誘電体素子において、誘電体磁器組成物以外の構成として、公知のものを用いることもできる。また、例えば、上記誘電体素子の製造において、当該仮焼物粉体を水熱合成法等により製造することもできる。また、前駆体として（ＢｉＮａ）ＴｉＯ３、（ＢｉＫ）ＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３、およびＮａＮｂＯ３を作製し、混合、焼結することもできる。
【実施例】
【００５３】
以下、実施例及び比較例を用いて、本発明を更に詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００５４】
（実施例１〜２６、比較例１〜１６）
誘電体磁器組成物を作製するため、出発原料として、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）、炭酸ナトリウム（Ｎａ２ＣＯ３）、炭酸カリウム（Ｋ２ＣＯ３）、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）及び酸化二オブ（Ｎｂ２Ｏ５）の粉末を準備した。実施例１５については上記に加えさらに炭酸リチウム（Ｌｉ２ＣＯ３）の粉末も準備した。実施例１６、１７については上記に加えさらに炭酸カリウム（Ｋ２ＣＯ３）の粉末も準備した。
【００５５】
本焼成後の誘電体磁器組成物（焼結体）が、表１の組成を満たすものとなるように、上記粉末原料を秤量した。なお、ここで、表１中のａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｓ＋ｕ、ｔ、ｖ及びｘは、それぞれ下記式（１）におけるａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｓ＋ｕ、ｔ、ｖ及びｘの数値を示す。実施例１５〜１７以外の実施例および比較例については、Ａ成分がＮａであり、実施例１５はＡ成分がＬｉ、実施例１６はＫ、実施例１７はＮａおよびＫとなる。
【００５６】
｛［（ＢｉｓＮａｔ）ａ  （ＢｉｕＫｖ）ｂＢａｃ］１−ｄＡｄ｝ｘＴｉ１−ｄＮｂｄＯ３…（１）
【００５７】
次に、秤量した各原料粉末を、ボールミルにより湿式混合した後、得られた混合物を、空気中において８５０℃で２時間仮焼して仮焼物を得た。そして、得られた仮焼物をボールミルで湿式粉砕して、仮焼物粉体を得た。次いで、仮焼物粉体に少量の結合剤を添加し、約５ｔ／ｃｍ２の圧力で成形し、平面寸法Φ１７ｍｍ、厚さ１ｍｍ程度の円板状成形体を得た。
【００５８】
次に、得られた成形体を空気中において、焼成温度９５０〜１３００℃、焼成時間２〜１０時間の範囲で、相対密度９５％となる条件で焼成して、誘電体磁器組成物試料を得た。得られた誘電磁器試料について密度測定を行ったところ、すべての試料の密度が、理論密度に対し９５％以上であった。
【００５９】
得られた誘電体磁器組成物試料の組成を分析したところ、秤量した組成比と等しかった。
【００６０】
得られた誘電体磁器組成物試料の両面にＡｇ電極を蒸着し、誘電体素子を作製した。
【００６１】
得られた各誘電体素子のＤＣバイアス特性を最大印加電界Ｅｍａｘ＝５Ｖ／μｍの条件で測定を実施した。
【００６２】
また、各誘電体素子に１０Ｖ／μｍの直流電界を印加し、耐電圧試験を実施した。
【００６３】
室温２５℃での比誘電率およびＤＣバイアス特性を表１に示す。また、表中の棒線部は測定時に電荷がリークしてしまい、値が得られなかったことを示す。また、表中の耐電圧試験の項で、絶縁破壊しなかったものは○、絶縁破壊したものは×で示した。比誘電率が１０００以上、かつ５Ｖ／μｍのＤＣバイアス変化率が−１５％以内であり、かつ１０Ｖ／μｍの直流電界で絶縁破壊しなかったものを良好と判断した。
【表１】
2014189465.tif 000003
【００６４】
以上より、実施例０１〜２６の誘電体磁器組成物はＤＣバイアス変化率が小さく、また、高電界印加時の誘電率が実用上十分大きいことを確認した。
【符号の説明】
【００６５】
１…誘電体、２，３…電極、５…積層体、６Ａ、６Ｂ…内部電極層、７…誘電体層、８…素体、９、１０…保護層、１１Ａ，１１Ｂ…端子電極、１００…誘電体素子、２００…積層誘電体素子
【図１】
2014189465.tif 000004
【図２】
2014189465.tif 000005