(57)【要約】【課題】  セパレータからのダイシング・ダイボンドフィルムの剥離が容易なセパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルムを提供すること。【解決手段】  セパレータと、平面視での外周部において外側に凸の延出片を有するダイボンドフィルムと、ダイシングフィルムとがこの順で積層されたセパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルム。【選択図】  図１Ｂ
2014090116.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セパレータと、
平面視での外周部において外側に凸の延出片を有するダイボンドフィルムと、
ダイシングフィルムと
がこの順で積層されたセパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルム。
【請求項２】
前記延出片はテーパー状の先端部を有する請求項１に記載のセパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルム。
【請求項３】
前記延出片はＶ字状の先端部を有する請求項２に記載のセパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルム。
【請求項４】
前記Ｖ字状の先端部の内角は３０°以上９０°以下である請求項３に記載のセパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルム。
【請求項５】
前記延出片の延出方向に垂直な方向における前記延出片の根元部の最小差渡し距離は、前記延出片の根元部と先端部との間の中間部の最大差渡し距離より小さい請求項１〜４のいずれか１項に記載のセパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルム。
【請求項６】
前記根元部の最小差渡し距離が１ｍｍ以下である請求項５に記載のセパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルム。
【請求項７】
前記セパレータは、長尺セパレータである請求項１〜６のいずれか１項に記載のセパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルム。
【請求項８】
前記延出片は、前記長尺セパレータの長手方向に沿って配置されている請求項７に記載のセパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルム。
【請求項９】
前記ダイボンドフィルムには、平面視での前記ダイボンドフィルムの外周の一部において、該外周上の前記延出片の２点の延出起点を挟む該外周上の２点を延出起点とし、かつ前記延出片の２点の延出起点を延出先端点とするテーパー状の延出部が形成されており、
前記延出片の２点の延出起点と前記延出部の２点の延出起点とをそれぞれ結ぶ２線分は、前記延出片の２点の延出起点のいずれか一方及び前記延出部の２点の延出起点の３点を通る円弧より内側に位置する請求項１〜８のいずれか１項に記載のセパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルム。
【請求項１０】
前記２線分が直線である請求項９に記載のセパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルム。
【請求項１１】
前記２線分がなす角度は１２０°以上１７５°以下である請求項１０に記載のセパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルム。
【請求項１２】
前記ダイシングフィルムは、基材と該基材上に積層された粘着剤層とを有しており、
前記ダイシングフィルムの前記粘着剤層上に、前記ダイボンドフィルムが積層されている請求項１〜１１のいずれか１項に記載のセパレータ付きダイシングフィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の製造工程において、ダイシングフィルム上に熱硬化性のダイボンドフィルムが積層されたダイシング・ダイボンドフィルムが用いられている（例えば、特許文献１参照）。このダイシング・ダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造工程においては、まず、ダイシング・ダイボンドフィルムに半導体ウェハが貼り合わされて固定され、その状態でダイシングが行われる。これにより、半導体ウェハは、所定のサイズに個片化され、半導体チップとなる。次に、ダイシング・ダイボンドフィルムに固定された半導体チップをダイシングフィルムから剥離するために、半導体チップのピックアップが行われる。その後、ダイボンドフィルムと共にピックアップした半導体チップを、ダイボンドフィルムを介して基板等の被着体に固定させる。
【０００３】
上述のようなダイシング・ダイボンドフィルムでは、半導体ウェハの大きさに合わせて円形等にそれぞれ打ち抜かれたダイシングフィルム及びダイボンドフィルムが積層されている。ダイシング・ダイボンドフィルムは長尺のセパレータ上にダイボンドフィルムを貼り合わせ側として所定の間隔をおいて配置されている。半導体ウェハとの貼り合わせの際には、ウェハマウント装置等を用いてセパレータからダイシング・ダイボンドフィルムが剥離され、その後、半導体ウェハに貼り付けられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２１８５７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
セパレータには一般的にダイシング・ダイボンドフィルムの剥離性を高めるために離型剤等による離型処理が施されている。しかしながら、ダイシング・ダイボンドフィルムのセパレータからの剥離の際に、セパレータとダイボンドフィルムとの間での剥離がうまく進行せず、ダイボンドフィルムはセパレータ上に残ったままで、ダイシングフィルムのみが剥離されることがある。
【０００６】
本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、セパレータからのダイシング・ダイボンドフィルムの剥離が容易なセパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願発明者らは、前記問題点を解決すべく検討した結果、下記の構成を採用することにより、前記問題点を解決可能であることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００８】
すなわち、本発明は、セパレータと、
平面視での外周部において外側に凸の延出片を有するダイボンドフィルムと、
ダイシングフィルムと
がこの順で積層されたセパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルムである。
【０００９】
当該セパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルム（以下、「セパレータ付きフィルム」ともいう。）では、ダイボンドフィルムが、平面視での外周部において外側に凸の延出片（以下、単に「延出片」ともいう。）を有するので、延出片が形成されている側から剥離する際に、この延出片が剥離の起点となり、その結果、セパレータからのダイシング・ダイボンドフィルムの剥離を容易に行うことができる。一方、ダイボンドフィルムが延出片を有しない場合は、ダイボンドフィルムの剥離の起点となる領域がより直線に近い状態となり、剥離の初期にダイボンドフィルムがセパレータから受ける応力（ダイボンドフィルムをセパレータ側に引き付けようとする応力。以下、「引き付け応力」ともいう。）が大きくなって、従来のような剥離の不具合が生じる場合がある。
【００１０】
当該セパレータ付きフィルムでは、前記延出片はテーパー状の先端部を有することが好ましい。これにより、延出片の先端部とセパレータとの接触面積が小さくなり、セパレータからの引き付け応力を低減させることができ、ダイシング・ダイボンドフィルムをより容易に剥離することができる。
【００１１】
当該セパレータ付きフィルムでは、前記延出片はＶ字状の先端部を有することが好ましい。延出片の先端部をＶ字状とすることにより、延出片の機械的強度を維持しつつ、セパレータからの引き付け応力を低減可能となるとともに、先端部を直線で形成された簡易な構造とすることができるので延出片の形成が容易となる。
【００１２】
当該セパレータ付きフィルムでは、前記Ｖ字状の先端部の内角は３０°以上９０°以下であることが好ましい。これにより、セパレータからの引き付け応力のさらなる低減が可能となり、セパレータからのダイシング・ダイボンドフィルムの剥離をより良好に行うことができる。
【００１３】
当該セパレータ付きフィルムでは、前記延出片の延出方向に垂直な方向における前記延出片の根元部の最小差渡し距離は、前記延出片の根元部と先端部との間の中間部の最大差渡し距離より小さいことが好ましい。このように延出片の根元部を絞った形状とすることにより、仮に剥離時に延出片の先端部（及び中間部）がセパレータ側に残存しても、剥離が根元部を越えて進行した際に剥離の応力（延出片の先端部から中間部がセパレータから受ける引き付け応力と、根元部を越えた領域（すなわち、ダイボンドフィルムの延出片以外の領域。以下、この領域をダイボンドフィルムの「ベース部」ともいう。）が引き上げられようとする応力との和）が根元部に集中して根元部が切断される。その結果、延出片の切断箇所付近においてベース部の新たな剥離の起点を設けることができ、剥離の不具合の発生を可能な限り抑制することができる。
【００１４】
当該セパレータ付きフィルムでは、前記根元部の最小差渡し距離が１ｍｍ以下であることが好ましい。これにより剥離が根元部を越えて進行した際の根元部の切断を促進させることができ、ベース部からの新たな剥離を容易に促進させることができる。
【００１５】
当該セパレータ付きフィルムでは、前記セパレータは、長尺セパレータであってもよい。長尺セパレータ上にダイシング・ダイボンドフィルムを所定間隔で複数配置することにより、連続的な作業が可能となり半導体装置の製造効率を向上させることができる。
【００１６】
当該セパレータ付きフィルムでは、前記延出片は、前記長尺セパレータの長手方向に沿って配置されていることが好ましい。繰り出されている長尺のセパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルムからダイシング・ダイボンドフィルムを連続的に剥離する際に、延出片が長尺セパレータの長手方向に沿って配置されていると、剥離方向が長尺セパレータの長手方向と平行になるので、連続的剥離を効率良く行うことができる。
【００１７】
当該セパレータ付きフィルムにおいて、前記ダイボンドフィルムには、平面視での前記ダイボンドフィルムの外周の一部において、該外周上の前記延出片の２点の延出起点を挟む該外周上の２点を延出起点とし、かつ前記延出片の２点の延出起点を延出先端点とするテーパー状の延出部が形成されており、前記延出片の２点の延出起点と前記延出部の２点の延出起点とをそれぞれ結ぶ２線分は、前記延出片の２点の延出起点のいずれか一方及び前記延出部の２点の延出起点の３点を通る円弧より内側に位置することが好ましい。該形態では、いわば、ダイボンドフィルムの外周形状自体をテーパー状とした相対的に大きい延出部と、この延出部の先端部分に連結する相対的に小さい延出片との２段構成となっている。このような構成を採用することにより、ダイシング・ダイボンドフィルムのセパレータからの剥離の際に、仮に延出片における剥離が進行しなくても、剥離が延出片の根元部（又は延出起点）を越えた際には、テーパー状とすることでセパレータからの引き付け応力を低減させた延出部において剥離を誘起させることができ、予期しない剥離の不具合の発生を可能な限り抑制することができる。
【００１８】
当該セパレータ付きフィルムでは、前記延出部の延出起点と延出先端点（すなわち、延出片の延出起点）とを結ぶ前記２線分が直線であることが好ましい。これにより、延出部の形成が容易となるとともに、セパレータからの引き付け応力を効率的に低減させることができる。
【００１９】
当該セパレータ付きフィルムでは、前記２線分がなす角度は１２０°以上１７５°以下であることが好ましい。この構成により、セパレータからの引き付け応力の効率的な低減を可能にしつつ、ダイボンドフィルムにおける半導体ウェハを貼り付けるための有効面積を十分に確保することができる。
【００２０】
前記ダイシングフィルムは、基材と該基材上に積層された粘着剤層とを有しており、前記ダイシングフィルムの前記粘着剤層上に、前記ダイボンドフィルムが積層されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１Ａ】本発明の一実施形態に係るセパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。
【図１Ｂ】図１Ａに示したセパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルムのダイボンドフィルムを示す透視平面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るダイボンドフィルムの延出片を示す一部拡大平面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るセパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルムを用いる半導体装置の製造工程の一工程を示す断面模式図である。
【図４】図１Ａに示したセパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルムにおけるダイボンドフィルムを介して半導体チップを実装した例を示す断面模式図である。
【図５Ａ】本発明の他の実施形態に係るダイボンドフィルムの一部を示す拡大平面図である。
【図５Ｂ】本発明の他の実施形態に係るセパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルムのダイボンドフィルムを示す透視平面図である。
【図６Ａ】本発明の別の実施形態に係るダイボンドフィルムの延出片を示す一部拡大平面図である。
【図６Ｂ】本発明の別の実施形態に係るダイボンドフィルムの延出片を示す一部拡大平面図である。
【図６Ｃ】本発明の別の実施形態に係るダイボンドフィルムの延出片を示す一部拡大平面図である。
【図６Ｄ】本発明の別の実施形態に係るダイボンドフィルムの延出片を示す一部拡大平面図である。
【図６Ｅ】本発明の別の実施形態に係るダイボンドフィルムの延出片を示す一部拡大平面図である。
【図６Ｆ】本発明の別の実施形態に係るダイボンドフィルムの延出片を示す一部拡大平面図である。
【図６Ｇ】本発明の別の実施形態に係るダイボンドフィルムの延出片を示す一部拡大平面図である。
【図６Ｈ】本発明の別の実施形態に係るダイボンドフィルムの延出片を示す一部拡大平面図である。
【図６Ｉ】本発明の別の実施形態に係るダイボンドフィルムの延出片を示す一部拡大平面図である。
【図６Ｊ】本発明の別の実施形態に係るダイボンドフィルムの延出片を示す一部拡大平面図である。
【図６Ｋ】本発明の別の実施形態に係るダイボンドフィルムの延出片を示す一部拡大平面図である。
【図６Ｌ】本発明の別の実施形態に係るダイボンドフィルムの延出片を示す一部拡大平面図である。
【図６Ｍ】本発明の別の実施形態に係るダイボンドフィルムの延出片を示す一部拡大平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
＜第１実施形態＞
［セパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルム］
本発明の一実施形態である第１実施形態に係るセパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルムについて、以下に説明する。図１Ａは、本発明の一実施形態に係るセパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図であり、図１Ｂは、その透視平面図である。図２は、図１Ｂに示したダイボンドフィルムの延出片を示す一部拡大平面図である。
【００２３】
図１Ａ及び１Ｂに示すように、セパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルム１０は、長尺セパレータ１４上に平面視円形状のダイボンドフィルム３及びダイシングフィルム１１がこの順で積層された構成を有する。これらダイボンドフィルム３及びダイシングフィルム１１によりダイシング・ダイボンドフィルム１２が構成されている。なお、図１Ｂでは説明の都合上、ダイシングフィルム１１は図示しておらず、長尺セパレータ１４とこの上に積層されたダイボンドフィルム３のみを示している。ダイシングフィルム１１は基材１上に粘着剤層２を積層して構成されており、粘着剤層２にダイシングフィルム１１よりも径の小さいダイボンドフィルム３が積層されている。ダイシングフィルム１１は、粘着剤層２及びダイボンドフィルム３が対向するようにセパレータ１４に積層されている。なお、ダイシングフィルム１１のダイボンドフィルム３の外周を越えた部分は、図１Ａに示したようにセパレータ１４と接していなくてもよく、接していてもよい。
【００２４】
図示していないが、本実施形態のセパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルム１０では、複数のダイシング・ダイボンドフィルム１２が長尺セパレータ１４上に所定間隔で配置されている。これにより、セパレータ１４からのダイシング・ダイボンドフィルム１２の剥離、及びそれに続く半導体ウェハとの貼り合わせを連続的に行うことができ、半導体装置の製造効率を向上させることができる。連続的な繰り出しを可能にする観点から、長尺のセパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルム１０は、ロール状に巻回された巻回体であってもよい。また、セパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルムは、長尺セパレータ上に、複数のダイボンドフィルムが所定間隔で配置され、これら複数のダイボンドフィルムを覆うように長尺のダイシングフィルムが積層された形態であってもよい。
【００２５】
（セパレータ）
長尺セパレータ１４は、実用に供するまでダイボンドフィルム３を保護する保護材としての機能等を有している。また、長尺セパレータ１４は、更に、粘着剤層２にダイボンドフィルム３を転写する際の支持基材として用いることもできる。長尺セパレータ１４はダイボンドフィルム３上にワークを貼着する際に剥がされる。長尺セパレータ１４の材質としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等を挙げることができる。なお、セパレータは、本実施形態のように長尺物であってもよく、ダイシングフィルム１１と同様に平面視で略円形で同程度のサイズを有する形状であってもよい。
【００２６】
長尺セパレータ１４の厚さは、特に限定されないものの、２５〜１００μｍが好ましく、２５〜７５μｍがより好ましく、３５〜６０μｍがさらに好ましい。上記範囲とすることで、保護材としての強度を維持することができるとともに、セパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルム１０の巻回体を容易に作製することができる。
【００２７】
（ダイボンドフィルム）
図１Ｂに示すように、ダイボンドフィルム３は、平面視での外周部において外側に凸の延出片３ａを有する。なお、ダイシングフィルム１１は、この延出片３ａを含めたダイボンドフィルム全体を覆うように積層されている。なお、ダイボンドフィルム３は、図１Ｂに示したように、延出片３ａを１つ有していてもよく、２つ以上の複数有していてもよい。
【００２８】
（延出片）
図２に示したように、延出片３ａは、外周上の２点の延出起点Ｅａ、Ｅａから延出方向Ｚに沿って外側に凸に延び出るように形成されている。延出起点Ｅａ、Ｅａは、ダイボンドフィルム３のベース部分の外周から外側に向かって延出を開始する点である。ダイボンドフィルム３における延出起点Ｅａ、Ｅａを挟んで延出片３ａと反対側の部分がダイボンドフィルム３のベース部となる。延出片３ａは、平面視略菱形であって、鋭角の先端部の一部が延出起点Ｅａ、Ｅａを通る線分で切り取られたような形状を有しており、具体的には、延出方向Ｚに沿ってダイボンドフィルムの円形の外周からの立ち上がり部分を含む根元部分から、延出方向Ｚに垂直な方向に膨らんだ中間部を経て、Ｖ字状にテーパー化された先端部に至る形状を有する。延出片３ａの先端部をＶ字状とすることにより、延出片３ａの機械的強度を維持しつつ、セパレータ１４からの引き付け応力を低減することができる。また、先端部を直線で形成された簡易な構造とすることができるので延出片を容易に形成することができる。
【００２９】
上記Ｖ字状の先端部の内角αは、特に限定されないものの、セパレータ１４からのダイシング・ダイボンドフィルム１２の剥離の容易性の観点から、その上限は９０°以下が好ましく、７５°以下がより好ましい。また、上記内角αの下限は３０°以上が好ましく、４５°以上がより好ましい。
【００３０】
延出片３ａの延出方向Ｚに垂直な方向における前記延出片の根元部の最小差渡し距離ｄｍｉｎ（すなわち、本実施形態の延出起点Ｅａ、Ｅａ間の距離）は、延出片３ａの根元部と先端部との間の中間部の最大差渡し距離ｄｍａｘ（すなわち、本実施形態の鈍角の先端部の頂点間の距離）より小さいことが好ましい。延出片３ａの根元部を中間部と比較して絞った形状とすることにより、仮に剥離時に延出片３ａの先端部（及び中間部）がセパレータ１４側に残存しても、剥離が根元部を越えて進行した際に剥離の応力が根元部に集中して根元部の切断を促進することができる。その結果、延出片３ａの切断箇所付近においてダイボンドフィルム３の新たな剥離の起点を設けることができ、剥離の不具合の発生を可能な限り抑制することができる。
【００３１】
根元部の最小差渡し距離ｄｍｉｎは、剥離時の根元部における切断促進の観点から、１ｍｍ以下が好ましい。最小差渡し距離ｄｍｉｎの下限は、根元部の機械的強度の観点から、０．５ｍｍ以上が好ましい。
【００３２】
根元部の最小差渡し距離ｄｍｉｎの中間部の最大差渡し距離ｄｍａｘに対する比（ｄｍｉｎ／ｄｍａｘ）は、延出片の機械的強度の確保と根元部の剥離時の切断促進とのバランスの観点から、０．７以下が好ましく、０．５以下がより好ましい。
【００３３】
延出片３ａのベース部からの延出量ｈは、延出片３ａがダイシング・ダイボンドフィルム１２の剥離起点として作用し得る限り特に限定されないが、１〜１０ｍｍが好ましく、３〜５ｍｍがより好ましい。なお、延出量ｈは、延出起点Ｅａ、Ｅａを通る直線と延出片３ａの最先端点を通る延出方向Ｚに垂直な直線との間の距離として求められる。延出起点Ｅａ、Ｅａを通る直線が延出方向Ｚに垂直でない場合、延出起点Ｅａ、Ｅａを直線で結んだ線分の二等分点と延出片３ａの先端点を通る延出方向Ｚに垂直な直線との間の距離として求める。
【００３４】
延出片３ａの中間部のベース部からの延出量ｈｍｉｄは、特に限定されないものの、０．５〜１０ｍｍが好ましく、０．５〜５ｍｍがより好ましい。なお、中間部の延出量ｈｍｉｄは、延出起点Ｅａ、Ｅａを通る直線と延出片３ａの中間部の最大差渡し距離ｄｍａｘを与える２点を通る直線との間の距離として求められる。延出起点Ｅａ、Ｅａを通る直線又は延出片３ａの中間部の最大差渡し距離ｄｍａｘを与える２点を通る直線が延出方向Ｚに垂直でない場合、延出起点Ｅａ、Ｅａを直線で結んだ線分の二等分点と延出片３ａの中間部の最大差渡し距離ｄｍａｘを与える２点を直線で結んだ線分の二等分点との間の距離として求める。
【００３５】
図１Ｂに示したように、延出片３ａは、長尺セパレータ１４の長手方向Ｘに沿って配置されていることが好ましい。繰り出されている長尺のセパレータ付きフィルム１０からダイシング・ダイボンドフィルム１２を連続的に剥離する際に、延出片３ａが長尺セパレータ１４の長手方向Ｘに沿って配置されていると、剥離方向が長尺セパレータ１４の長手方向Ｘと平行になるので、連続的剥離を効率良く行うことができる。
【００３６】
さらに、延出片が長尺セパレータ１４の長手方向Ｘに沿って配置されている場合、長尺セパレータ１４の長手方向Ｘに沿ったダイボンドフィルム３の両端部（図１Ｂにおいて図示されたダイボンドフィルム３の延出片３ａが設けられた左端と、これとは反対側の延出片が設けられていない右端）に延出片が設けられていることが好ましい。これにより、特に、巻回体とした長尺のセパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルム１０の繰り出し方向を問うことなく、ダイシング・ダイボンドフィルム１２の連続的な剥離が可能となる。
【００３７】
（ダイボンドフィルムの構成材料等）
ダイボンドフィルム３の層構造は、本実施形態のように、接着剤層の単層のみからなるものや、コア材料の片面又は両面に接着剤層を形成した多層構造のもの等が挙げられる。前記コア材料としては、フィルム（例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等）、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、シリコン基板又はガラス基板等が挙げられる。
【００３８】
ダイボンドフィルム３を構成する接着剤組成物としては、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を併用したものが挙げられる。
【００３９】
前記熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等の含有が少ないエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。
【００４０】
前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。
【００４１】
前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、フェノールビフェニル樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。
【００４２】
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂との配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。
【００４３】
前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。
【００４４】
前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体（アクリル共重合体）等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はエイコシル基等が挙げられる。
【００４５】
また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えば、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート等の様なグリシジル基含有モノマー、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマー、スチレンモノマー、又は、アクリロニトリルが挙げられる。
【００４６】
また、ダイボンドフィルム３には、その用途に応じてフィラーを適宜配合することができる。フィラーの配合は、導電性の付与や熱伝導性の向上、弾性率の調節等を可能とする。前記フィラーとしては、無機フィラー、及び、有機フィラーが挙げられるが、取り扱い性の向上、熱電導性の向上、溶融粘度の調整、チキソトロピック性付与等の特性の観点から、無機フィラーが好ましい。前記無機フィラーとしては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウィスカ、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカ等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。熱電導性の向上の観点からは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカが好ましい。また、上記各特性のバランスがよいという観点からは、結晶質シリカ、又は、非晶質シリカが好ましい。また、導電性の付与、熱電導性の向上等の目的で、無機フィラーとして、導電性物質（導電フィラー）を用いることとしてもよい。導電フィラーとしては、銀、アルミニウム、金、胴、ニッケル、導電性合金等を球状、針状、フレーク状とした金属粉、アルミナ等の金属酸化物、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等が挙げられる。前記フィラーの平均粒径は、０．１〜８０μｍとすることができる。なお、フィラーの平均粒径は、光度式の粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、装置名；ＬＡ−９１０）により求めた値である。
【００４７】
前記フィラー配合量は、熱硬化性樹脂成分、及び、熱可塑性樹脂成分、及び、フィラーの合計１００重量部に対して、５重量部以上であることが好ましく、１０重量部以上９５重量部以下であることがより好ましく、２０重量部以上９０重量部以下であることがさらに好ましい。
【００４８】
尚、ダイボンドフィルム３には、前記フィラー以外に、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。
【００４９】
ダイボンドフィルム３の厚さ（積層体の場合は、総厚）は特に限定されないが、例えば、１〜２００μｍの範囲から選択することができ、好ましくは５〜１００μｍ、より好ましくは１０〜８０μｍである。
【００５０】
（基材）
前記基材１は紫外線透過性を有するものが好ましく、ダイシングフィルム１１の強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙等が挙げられる。
【００５１】
また基材１の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその基材１を熱収縮させることにより粘着剤層２とダイボンドフィルム３との接着面積を低下させて、半導体チップ（半導体素子）の回収の容易化を図ることができる。
【００５２】
また、基材１の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。前記基材１は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。
【００５３】
基材１の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５〜２００μｍ程度である。
【００５４】
（粘着剤層）
粘着剤層２の形成に用いる粘着剤としては特に制限されず、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤を用いることができる。前記感圧性粘着剤としては、半導体ウェハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。
【００５５】
前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。尚、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。
【００５６】
前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記
（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、
（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。
【００５７】
更に、前記アクリル系ポリマーは、架橋させる為、多官能性モノマー等も、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。
【００５８】
前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、更に好ましくは４０万〜３００万程度である。
【００５９】
また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高める為、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、更には０．１〜５重量部配合するのが好ましい。更に、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。
【００６０】
粘着剤層２は放射線硬化型粘着剤により形成することができる。放射線硬化型粘着剤は、紫外線等の放射線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができる。放射線照射により放射線硬化型の粘着剤層２を硬化させることにより、硬化して粘着力の低下した粘着剤層２とダイボンドフィルム３との界面は、ピックアップ時に容易に剥がれる性質を有する。
【００６１】
放射線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、前記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化型粘着剤を例示できる。
【００６２】
配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。また放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。
【００６３】
また、放射線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の放射線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の放射線硬化型粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くは含まない為、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができる為好ましい。
【００６４】
前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。
【００６５】
前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。
【００６６】
これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。
【００６７】
前記内在型の放射線硬化型粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー
（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。
【００６８】
前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−
［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェニル−１，２―プロパンジオン−２−（Ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等の光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。
【００６９】
また放射線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシラン等の光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物等の光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤等が挙げられる。
【００７０】
尚、放射線照射の際に、酸素による硬化阻害が起こる場合は、放射線硬化型の粘着剤層２の表面よりなんらかの方法で酸素（空気）を遮断するのが望ましい。例えば、前記粘着剤層２の表面をセパレータで被覆する方法や、窒素ガス雰囲気中で紫外線等の放射線の照射を行う方法等が挙げられる。
【００７１】
粘着剤層２の厚さは、特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着層の固定保持の両立性等の点よりは、１〜５０μｍ程度であるのが好ましい。好ましくは２〜３０μｍ、更には５〜２５μｍが好ましい。
【００７２】
［セパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法］
本実施の形態に係るセパレータ付きダイシングフィルム１０は、例えば、次の通りにして作製される。
先ず、基材１は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。基材１を着色する場合には、上記色材を添加する。
【００７３】
次に、基材１上に粘着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ（必要に応じて加熱架橋させて）、粘着剤層２を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度８０〜１５０℃、乾燥時間０．５〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて粘着剤層２を形成してもよい。その後、基材１上に粘着剤層２をセパレータと共に貼り合わせる。これにより、ダイシングフィルム１１が作製される。
【００７４】
ダイボンドフィルム３は、例えば、次の通りにして作製される。
先ず、ダイボンドフィルム３の形成材料である接着剤組成物溶液を作製する。当該接着剤組成物溶液には、前述の通り、前記接着剤組成物やフィラー、その他各種の添加剤等が配合されている。
【００７５】
次に、接着剤組成物溶液を基材セパレータ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ、ダイボンドフィルム前駆体を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度７０〜１６０℃、乾燥時間１〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に接着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させてダイボンドフィルム前駆体を形成してもよい。その後、基材セパレータ上にダイボンドフィルム前駆体をセパレータと共に貼り合わせる。
【００７６】
次いで、得られたダイボンドフィルム前駆体を所定の平面視形状となるように型抜き又はカットし、延出片を有するダイボンドフィルム３を作製する。
【００７７】
続いて、ダイシングフィルム１１及びダイボンドフィルム３からそれぞれセパレータを剥離し、ダイボンドフィルム３と粘着剤層２とが貼り合わせ面となる様にして両者を貼り合わせる。貼り合わせは、例えば圧着により行うことができる。このとき、ラミネート温度は特に限定されず、例えば３０〜５０℃が好ましく、３５〜４５℃がより好ましい。また、線圧は特に限定されず、例えば０．１〜２０ｋｇｆ／ｃｍが好ましく、１〜１０ｋｇｆ／ｃｍがより好ましい。
【００７８】
最後に、ダイボンドフィルム３上の基材セパレータを剥離し、セパレータと貼り合わせて、本実施の形態に係るセパレータ付きダイシングフィルム１０が得られる。本実施形態では、セパレータとして長尺セパレータ１４を使用し、複数のダイシング・ダイボンドフィルム１２を所定の間隔をおいてセパレータ１４に貼り合わせる。このような長尺のセパレータ付きフィルム１０をロール状に巻き取って巻回体として用いることができる。
【００７９】
［半導体装置の製造方法］
以下では、図１Ｂ、図３及び図４を参照しながらセパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルム１０を用いた場合を例にして説明する。図３は、本実施形態に係るセパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルムを用いる半導体装置の製造工程の一工程を示す断面模式図であり、図４は、図１Ａに示したセパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルムにおけるダイボンドフィルムを介して半導体チップを実装した例を示す断面模式図である。
【００８０】
図１Ｂに示すように、セパレータ付きフィルム１０は、繰り出し方向Ｙで連続的に繰り出されている。次いで、公知のウェハマウント装置により、ダイシング・ダイボンドフィルム１２を長尺セパレータ１４から剥離し、図３に示すように、剥離したダイシング・ダイボンドフィルム１２に半導体ウェハ４を圧着する（貼り付け工程）。剥離は、ダイボンドフィルム３の延出片３ａが形成された側から行う。これにより延出片３ａが剥離起点となってダイシング・ダイボンドフィルム１２を容易に剥離することができる。また、延出片３ａを長尺セパレータ１４の長手方向Ｘに沿って形成することにより、剥離起点を常に繰り出し方向Ｙの先端側に位置させることができるので、繰り出されてきたダイシング・ダイボンドフィルム１２の剥離を長尺セパレータ１４上の一定の位置で開始することができるとともに、剥離のための複雑な作業を抑制することができる。
【００８１】
貼り付け工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。マウントの際の貼り付け温度は特に限定されず、例えば２０〜８０℃の範囲内であることが好ましい。
【００８２】
次に、半導体ウェハ４のダイシングを行う。これにより、半導体ウェハ４を所定のサイズに切断して個片化し、半導体チップ５を製造する（図４参照）。ダイシングは、例えば半導体ウェハ４の回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えばダイボンドフィルム３まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウェハ４は、ダイシング・ダイボンドフィルム１２により接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウェハ４の破損も抑制できる。
【００８３】
ダイシング・ダイボンドフィルム１２に接着固定された半導体チップ５を剥離する為に、半導体チップ５のピックアップを行う。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ５をダイシングフィルム１１側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。
【００８４】
ここでピックアップは、粘着剤層２が紫外線硬化型である場合、該粘着剤層２に紫外線を照射した後に行う。これにより、粘着剤層２のダイボンドフィルム３に対する粘着力が低下し、半導体チップ５の剥離が容易になる。その結果、半導体チップ５を損傷させることなくピックアップが可能となる。紫外線照射の際の照射強度、照射時間等の条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。また、紫外線照射に使用する光源としては、高圧水銀灯、マイクロ波励起型ランプ、ケミカルランプ等を使用することができる。
【００８５】
ピックアップした半導体チップ５は、ダイボンドフィルム３を介して被着体６に接着固定する（ダイボンド）。被着体６としては、リードフレーム、ＴＡＢフィルム、基板又は別途作製した半導体チップ等が挙げられる。被着体６は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であってもよく、変形することが困難である非変形型被着体（半導体ウェハ等）であってもよい。
【００８６】
前記基板としては、従来公知のものを使用することができる。また、前記リードフレームとしては、Ｃｕリードフレーム、４２Ａｌｌｏｙリードフレーム等の金属リードフレームやガラスエポキシ、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）、ポリイミド等からなる有機基板を使用することができる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体素子をマウントし、半導体素子と電気的に接続して使用可能な回路基板も含まれる。
【００８７】
ダイボンドフィルム３が熱硬化型である場合、加熱硬化により、半導体チップ５を被着体６に接着固定し、耐熱強度を向上させる。加熱温度は、８０〜２００℃、好ましくは１００〜１７５℃、より好ましくは１００〜１４０℃で行うことができる。また、加熱時間は、０．１〜２４時間、好ましくは０．１〜３時間、より好ましくは０．２〜１時間で行うことができる。尚、ダイボンドフィルム３を介して半導体チップ５が基板等に接着固定されたものは、リフロー工程に供することができる。
【００８８】
熱硬化後のダイボンドフィルム３の剪断接着力は、被着体６に対して０．２ＭＰａ以上であることが好ましく、より好ましくは０．２〜１０ＭＰａである。ダイボンドフィルム３の剪断接着力が少なくとも０．２ＭＰａ以上であると、ワイヤーボンディング工程の際に、当該工程に於ける超音波振動や加熱により、ダイボンドフィルム３と半導体チップ５又は被着体６との接着面でずり変形を生じることが少ない。即ち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動くことが少なく、これによりワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。
【００８９】
尚、本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、ダイボンドフィルム３の加熱処理による熱硬化工程を経ることなくワイヤーボンディングを行い、更に半導体チップ５を封止樹脂で封止して、当該封止樹脂をアフターキュアしてもよい。この場合、ダイボンドフィルム３の仮固着時の剪断接着力は、被着体６に対して０．２ＭＰａ以上であることが好ましく、より好ましくは０．２〜１０ＭＰａである。ダイボンドフィルム３の仮固着時に於ける剪断接着力が少なくとも０．２ＭＰａ以上であると、加熱工程を経ることなくワイヤーボンディング工程を行っても、当該工程に於ける超音波振動や加熱により、ダイボンドフィルム３と半導体チップ５又は被着体６との接着面でずり変形を生じることが少ない。即ち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動くことが少なく、これによりワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。
【００９０】
前記のワイヤーボンディングは、被着体６の端子部（インナーリード）の先端と半導体チップ５上の電極パッド（図示しない）とをボンディングワイヤー７で電気的に接続する工程である。前記ボンディングワイヤー７としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線等が用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、８０〜２５０℃、好ましくは８０〜２２０℃の範囲内で行われる。また、その加熱時間は数秒〜数分間行われる。結線は、前記温度範囲内となる様に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着工ネルギーの併用により行われる。本工程は、ダイボンドフィルム３の熱硬化を行うことなく実行してもよい。
【００９１】
前記封止工程は、封止樹脂８により半導体チップ５を封止する工程である。本工程は、被着体６に搭載された半導体チップ５やボンディングワイヤー７を保護する為に行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行う。封止樹脂８としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、通常１７５℃で６０〜９０秒間行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５〜１８５℃で、数分間キュアすることができる。これにより、封止樹脂を硬化させると共に、ダイボンドフィルム３を介して半導体チップ５と被着体６とを固着させる。即ち、本発明に於いては、後述する後硬化工程が行われない場合に於いても、本工程に於いてダイボンドフィルム３による固着が可能であり、製造工程数の減少及び半導体装置の製造期間の短縮に寄与することができる。
【００９２】
前記後硬化工程に於いては、前記封止工程で硬化不足の封止樹脂８を完全に硬化させる。封止工程に於いてダイボンドフィルム３が完全に熱硬化していない場合でも、本工程に於いて封止樹脂８と共にダイボンドフィルム３の完全な熱硬化が可能となる。本工程に於ける加熱温度は、封止樹脂の種類により異なるが、例えば１６５〜１８５℃の範囲内であり、加熱時間は０．５〜８時間程度である。
【００９３】
＜第２実施形態＞
第１実施形態に係るダイボンドフィルムは、外周から外側に延びる延出片を有する。第２実施形態に係るダイボンドフィルムは、ダイボンドフィルムのベース部の一領域としてテーパー状となった延出部を有しており、その先端部に第１実施形態で説明した延出片が連結されている。以下、該態様について説明する。
【００９４】
図５Ａに示すように、本実施形態のセパレータ付きフィルムにおいて、ダイボンドフィルム２３には、平面視でのダイボンドフィルム２３の外周の一部において、該外周上の前記延出片３ａの２点の延出起点Ｅａ、Ｅａを挟む該外周上の２点を延出起点ＥＡ、ＥＡとし、かつ延出片３ａの２点の延出起点Ｅａ、Ｅａを延出先端点とするテーパー状の延出部３Ａが形成されている。延出片３ａの２点の延出起点Ｅａ、Ｅａと延出部３Ａの２点の延出起点ＥＡ、ＥＡとをそれぞれ結ぶ２線分ＬＡ、ＬＡは、延出片３ａの２点の延出起点Ｅａ、Ｅａのいずれか一方及び延出部３Ａの２点の延出起点ＥＡ、ＥＡの３点を通る円弧ＣＡ、ＣＡより内側に位置する。従って、ダイボンドフィルム２３は、相対的に大きいテーパー状の延出部３Ａと、この延出部３Ａの先端部分に連結する相対的に小さい延出片３ａとを有する。これにより、ダイシング・ダイボンドフィルムのセパレータからの剥離の際に、仮に延出片３ａにおける剥離が進行しなくても、剥離が延出片３ａの根元部（又は延出起点Ｅａ、Ｅａ）を越えた際には、テーパー状とすることでセパレータからの引き付け応力を低減させた延出部３Ａにおいて剥離を誘起させることができ、予期しない剥離の不具合の発生を可能な限り抑制することができる。
【００９５】
延出部３Ａの延出起点ＥＡ、ＥＡと延出先端点（すなわち、延出片の延出起点Ｅａ、Ｅａ）とを結ぶ前記２線分ＬＡ、ＬＡは、上記円弧ＣＡ、ＣＡより内側（ダイボンドフィルムの重心側）に位置していれば直線、曲線又はこれらの組み合わせのいずれであってもよい。２線分ＬＡ、ＬＡが曲線である場合、円弧ＣＡ、ＣＡより内側に位置する限り、ダイボンドフィルムの重心に対して外側に凸の曲線であっても、内側に凸の曲線であってもよい。中でも２線分ＬＡ、ＬＡは、直線であることが好ましい。これにより、延出部３Ａの形成が容易となるとともに、セパレータからの引き付け応力を効率的に低減させることができる。
【００９６】
２線分ＬＡ、ＬＡが直線である場合、これらがなす角度βは１２０°以上１７５°以下であることが好ましく、１３０°以上１６０°以下であることがより好ましい。延出部３Ａの先端部の内角βを上記範囲とすることにより、セパレータからの引き付け応力の効率的な低減を可能にしつつ、ダイボンドフィルム２３における半導体ウェハ４（図３参照）を貼り付けるための有効面積を十分に確保することができる。
【００９７】
図５Ｂに示したように、延出片３ａ及び延出部３Ａは、第１実施形態と同様の理由により、長尺セパレータ１４の長手方向Ｘに沿って配置されていることが好ましい。特に、図５Ｂに示したように、長尺セパレータ１４の長手方向Ｘに沿ったダイボンドフィルム２３の両端部に延出片３ａ、３ａ´及び延出部３Ａ、３Ａ´が設けられていることが好ましい。
【００９８】
＜他の実施形態＞
本発明の他の実施形態に係る延出片の変形例を図６Ａ〜６Ｍに示す。ダイボンドフィルムが、図６Ａ〜６Ｍに示した延出片３３ａ〜３３ｍを有することにより、セパレータからのダイシング・ダイボンドフィルムの剥離を容易に行うことができる。第１実施形態における延出片の構造的特徴は、延出片３３ａ〜３３ｍについても同様に適用することができる。
【実施例】
【００９９】
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の要旨をそれらのみに限定する趣旨のものではない。なお、以下において、部とあるのは重量部を意味する。
【０１００】
［実施例１］
（ダイボンドフィルムの作製）
下記（ａ）〜（ｄ）をメチルエチルケトンに溶解ないし分散させ、濃度２５重量％の接着剤組成物溶液を得た。なお、下記（ａ）〜（ｄ）の部数は固形分の部数を指す。
（ａ）エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、ＥＰＰＮ−５０１ＨＹ）        １１部
（ｂ）フェノール樹脂（明和化成（株）製、ＭＥＨ７８５１Ｍ）          １４部
（ｃ）アクリルゴム（ナガセケムテックス製、ＳＧ−Ｐ３  ）          １００部
（ｄ）球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−Ｅ２                  ６７部
【０１０１】
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（セパレータ）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ２５μｍのダイボンドフィルム前駆体を作製した。
【０１０２】
作製したダイボンドフィルム前駆体を、ベース部を直径３３０ｍｍの円形とするとともに、図２に示した形状の延出片を有するように打ち抜き、全体として図１Ｂの平面視形状を有する本実施例に係るダイボンドフィルムを作製した。延出片の形状の詳細は表１の通りである。
【０１０３】
（セパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルムの作製）
次に、延出片を有するダイボンドフィルムをダイシングフィルム（日東電工社製、商品名「ＤＵ−２１８７Ｇ」）に転写した。転写は、ダイシングフィルムの粘着剤層とダイボンドフィルムとが対向するように行った。この積層体をダイシングフィルムの直径が３７０ｍｍとなるように円形に打ち抜くことにより、本実施例のセパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルムを得た。
【０１０４】
［実施例２］
実施例１と同様に作製したダイボンドフィルム前駆体を、ベース部を直径３３０ｍｍの円形とするとともに、図５Ａに示した形状の延出片及び延出部を有するように打ち抜き、全体として図５Ｂの平面視形状を有するダイボンドフィルムを作製したこと以外は、実施例１と同様にセパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルムを作製した。なお、延出片の形状は実施例１と同様とした。延出片の形状の詳細は表１の通りである。
【０１０５】
［実施例３］
延出片の形状を図６Ｍに示した形状としたこと以外は、実施例１と同様にセパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルムを作製した。延出片の形状の詳細は表１の通りである。
【０１０６】
［実施例４］
延出片の形状を図６Ｃに示した形状としたこと以外は、実施例１と同様にセパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルムを作製した。延出片の形状の詳細は表１の通りである。
【０１０７】
［比較例１］
ダイボンドフィルムに延出片を設けず、平面視形状を直径３３０ｍｍの円形としたこと以外は、実施例１と同様にセパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルムを作製した。延出片の形状の詳細は表１の通りである。
【０１０８】
＜セパレータの剥離性の評価＞
ウェハマウンター（日東精機社製、商品名「ＭＡ３０００ＩＩ」）を用い、実施例及び比較例のセパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルムからセパレータを剥離した。なお、実施例１〜４では、延出片が設けられている側から剥離を行った。ダイシングフィルムからダイボンドフィルムが剥がれた場合（ダイボンドフィルムがセパレータに残存した場合）に、ダイシングフィルムの剥がれた部分がダイボンドフィルムにおける１２インチウェハの貼り付け予定領域に到達したものを不良として評価するとともに、サンプル数を５０として不良率｛（不良数／全サンプル数）×１００（％）｝を求めた。結果を表１に示す。
【０１０９】
【表１】
2014090116.tif 000003
【０１１０】
＜結果＞
表１の結果より、ダイボンドフィルムの外周部に外側に凸の延出片を設けることにより、セパレータからのダイシング・ダイボンドフィルムの剥離を容易に行うことができることが分かる。
【符号の説明】
【０１１１】
１    基材
２    粘着剤層
３    ダイボンドフィルム
３ａ、３３ａ〜３３ｌ    延出片
３Ａ    延出部
４    半導体ウェハ
５    半導体チップ
６    被着体
７    ボンディングワイヤー
８    封止樹脂
１０    セパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルム
１１    ダイシングフィルム
１２    ダイシング・ダイボンドフィルム
１４    セパレータ
【図１Ａ】
2014090116.tif 000004
【図１Ｂ】
2014090116.tif 000005
【図２】
2014090116.tif 000006
【図３】
2014090116.tif 000007
【図４】
2014090116.tif 000008
【図５Ａ】
2014090116.tif 000009
【図５Ｂ】
2014090116.tif 000010
【図６Ａ】
2014090116.tif 000011
【図６Ｂ】
2014090116.tif 000012
【図６Ｃ】
2014090116.tif 000013
【図６Ｄ】
2014090116.tif 000014
【図６Ｅ】
2014090116.tif 000015
【図６Ｆ】
2014090116.tif 000016
【図６Ｇ】
2014090116.tif 000017
【図６Ｈ】
2014090116.tif 000018
【図６Ｉ】
2014090116.tif 000019
【図６Ｊ】
2014090116.tif 000020
【図６Ｋ】
2014090116.tif 000021
【図６Ｌ】
2014090116.tif 000022
【図６Ｍ】
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