(57)【要約】【課題】  メッキの厚みにばらつきが生じる可能性の低減した無電解メッキ装置を供給する。【解決手段】  無電解メッキ装置Ｘ１は、メッキ液３を保持するためのメッキ槽２と、メッキ液３をメッキ槽２に導入するための導入孔１８と、導入孔１８の上方に配置され、第１開口領域１２ａおよび第１非開口領域１３ａを有する第１部材１１ａと、第１部材１１ａの上方に配置され、第２開口領域１２ｂおよび第２非開口領域１３ｂを有する第２部材１１ｂとを備え、平面視して、第１開口領域１１ａおよび第２非開口領域１２ｂが重なった第１重畳領域１４ａと、第１開口領域１１ａおよび第２開口領域１２ａが重なった第２重畳領域１４ｂとを備える。【選択図】  図２
2014189811.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メッキ液を保持するためのメッキ槽と、
前記メッキ液を前記メッキ槽に導入するための導入孔と、
該導入孔の上方に配置され、第１開口領域および第１非開口領域を有する第１部材と、
該第１部材の上方に配置され、第２開口領域および第２非開口領域を有する第２部材と、を備え、
平面視して、前記第１開口領域および前記第２非開口領域が重なった第１重畳領域と、前記第１開口領域および前記第２開口領域が重なった第２重畳領域とを備えることを特徴とする無電解メッキ装置。
【請求項２】
前記第１開口領域は、複数設けられており、かつ一方方向に長い矩形状をなしており、
前記第２開口領域は、複数設けられており、かつ正方形状または円形状をなしている、請求項１に記載の無電解メッキ装置。
【請求項３】
前記第１開口領域は、複数設けられており、かつ正方形状または円形状をなしており、
前記第２開口領域は、複数設けられており、かつ一方方向に長い矩形状をなしている、請求項１に記載の無電解メッキ装置。
【請求項４】
前記第２重畳領域が前記メッキ槽の壁面近傍に位置している、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の無電解メッキ装置。
【請求項５】
メッキが形成される複数の基板が、立設した状態でメッキ槽の中央部に配置されており、
前記第２重畳領域が前記メッキ槽の前記中央部に配置されている、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の無電解メッキ装置。
【請求項６】
複数の前記基板が、支持部材により支持されており、
該支持部材の下方に前記第２重畳領域が配置されている、請求項５に記載の無電解メッキ装置。
【請求項７】
複数の前記基板の配列方向に沿って第２重畳領域が配置されている、請求項５または６に記載の無電解メッキ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無電解メッキ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板をメッキ液に浸漬させ、基板上にメッキ層を形成する無電解メッキ装置が知られている。このような無電解メッキ装置は、メッキ液を保持するためのメッキ槽と、メッキ液をメッキ槽に導入するための導入孔と、導入孔の上方に多孔板を配置するものが知られている。導入孔からメッキ槽へメッキ液を均一に供給するために多孔板は複数設けられており、多孔板の開口はそれぞれ重畳しないように設けられている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平０６−０８１１５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載された無電解メッキ装置では、多孔板の開口はそれぞれ重畳しないように設けられているため、多孔板から排出されるメッキ液の流速が小さくなり、基板の配置条件等によるばらつきに起因して、基板上のメッキ層の厚みにばらつきが生じる可能性がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施形態に係る無電解メッキ装置は、メッキ液を保持するメッキ槽と、前記メッキ液を前記メッキ槽に導入するための導入孔と、該導入孔の上方に配置され、第１開口領域および第１非開口領域を有する第１部材と、該第１部材の上方に配置され、第２開口領域および第２非開口領域を有する第２部材とを備えている。また、平面視して、前記第１開口領域とおよび前記第２非開口領域が重なった第１重畳領域と、前記第１開口領域および前記第２開口領域が重なった第２重畳領域とを備えている。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、メッキ液を分散させるとともに、メッキ液の流速を部分的に大きくすることができ、メッキ層の厚みにばらつきが生じる可能性を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の無電解メッキ装置の一実施形態を示す側面図である。
【図２】（ａ）は図１に示す無電解メッキ装置の第１部材の平面図、（ｂ）は図１に示す無電解メッキ装置の第２部材の平面図、（ｃ）は図１に示す無電解メッキ装置の整流板の平面図である。
【図３】（ａ）は図２（ｃ）に示すＩ−Ｉ線断面図、（ｂ）は従来の整流板のメッキ液の流れを示す概略図、（ｃ）は、図２（ｃ）に示す整流板のメッキ液の流れを示す概略図である。
【図４】図１に示す無電解メッキ装置の基板と支持部材とを示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は裏面図である。
【図５】本発明の他の実施形態に係る無電解メッキ装置を示し、（ａ）は第１部材の平面図、（ｂ）は第２部材の平面図、（ｃ）は無電解メッキ装置の整流板の平面図である。
【図６】（ａ）は図５（ａ）に示す第１部材のメッキ液の流れを示す概略図、（ｂ）は図５（ｂ）に示す第２部材のメッキ液の流れを示す概略図、（ｃ）は、図５（ｃ）に示す整流板のメッキ液の流れを示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
＜第１の実施形態＞
図１〜４を用いて無電解メッキ装置Ｘ１について説明する。
【０００９】
無電解メッキ装置Ｘ１は、複数の基板１が浸漬されるメッキ槽２と、メッキ槽２内の基板１を揺動する揺動手段４と、メッキ槽２内のメッキ液３を循環させる循環機構７とで構成されている。
【００１０】
メッキ槽２の内部には、メッキ液３が保持されており、複数の基板１が支持部材５により固定された状態で浸漬されている。メッキ槽２の下方には導入孔１８が設けられており、導入孔１８からメッキ液３がメッキ槽２に供給される。導入孔１８と支持部材５との間には、導入孔１８から供給されたメッキ液３の流れを均一に近づけるための整流板１１が設けられている。導入孔１８は、メッキ槽２の下方の中央部に設けられており、平面視してメッキ槽２の中央部に設けられている。導入孔１８は、例えば、平面視して、直径が１５〜５０ｍｍ程度の円形状に形成すればよい。
【００１１】
無電解メッキ装置Ｘ１は、メッキ槽２内に保持されたメッキ液３を、後述する循環機構７の作用によって下部より上部に向かって流動させてメッキ槽２の外部へ流出させるとともに、循環機構７を介して再びメッキ槽２の導入孔１８に流入させて循環するようになっている。これにより、メッキ液３の温度がメッキ槽２内で略均一に保たれ、メッキ槽２内のメッキ条件のばらつきを小さくしている。
【００１２】
基板１は、Ｓｉ等の半導体材料あるいはＡｌ等の絶縁材料により平板状に形成され、一方主面上にアルミニウムあるいは銅等の金属材料からなる多数の電極パッド（不図示）が被着されており、支持部材５によって互いの主面同士が略平行に対向するように配列されている。隣り合う基板１間の間隔は２ｍｍ〜２０ｍｍに設定することができる。
【００１３】
メッキ槽２は、ポリテトラフルオロエチレンあるいはステンレス等により、直方体状あるいは円柱状を成すように形成されており、内部にメッキ液３を保持するための空洞が設けられている。また、上部にメッキ液３を外部へ流出させ、かつ複数の基板１を浸漬可能とするための開口が設けられている。また、下部にメッキ液３を流入させるための導入孔１８が設けられている。
【００１４】
メッキ液３としては、例えば、基板１にＮｉメッキ層を形成する場合、硫酸ニッケルを主成分とし、安定剤としてクエン酸、エチレンジアミン四酢酸等から成る安定剤を含んだＮｉメッキ溶液が好適に用いられ、その温度は８０℃〜９０℃に設定されることが好ましい。
【００１５】
メッキ槽２の導入口１８におけるメッキ液３の流速Ｖ１は、５ｍｍ／ｓｅｃ〜１６ｍｍ／ｓｅｃに設定することが好ましく、かかる構成によってメッキ槽２内の温度差を１℃以内に抑えることができる。
【００１６】
図２に示すように、整流板１１は、第１部材１１ａと、第１部材１１ａ上に設けられた第２部材１１ｂとを有している。整流板１１は、メッキ槽２の内径と略同じ大きさに形成されており、そのため、導入孔１８から供給されたメッキ液３は、整流板１１を通過して基板１に供給されることとなる。
【００１７】
第１部材１１ａは、第１開口領域１２ａと第１非開口領域１３ａとを有している。第１開口領域１２ａは、複数設けられ、かつ一方方向に長い矩形状をなしており、図２（ａ）に示すように、同心円状に配置されている。第１非開口領域１３ａは、第１開口領域１２ａが設けられていない位置に配置されている。言い換えると、第１部材１１ａは、複数の矩形状の開口が設けられた板部材により形成されている。
【００１８】
第２部材１１ｂは、第２開口領域１２ｂと第２非開口領域１３ｂとを有している。第２開口領域１２ｂは、複数設けられ、かつ円形状をなしており、図２（ｂ）に示すように、行方向と列方向に均等に配置されている。第２非開口領域１３ｂは、第２開口領域１２ｂが設けられていない位置に配置されている。言い換えると、第２部材１１ｂは、複数の円形状の開口が設けられた板部材により形成されている。
【００１９】
図２（ｃ）に示すように、整流板１１は、第１部材１１ａ上に第２部材１１ｂが配置されている。整流板１１は、第１開口領域１２ａおよび第２非開口領域１３ｂが重なった第１重畳領域１４ａと、第１開口領域１２ａおよび第２開口領域１２ｂが重なった第２重畳領域１４ｂと、第１非開口領域１３ａおよび第２開口領域１２ｂが重なった第３重畳領域１４ｃとを有している。
【００２０】
また、整流板１１は、メッキ槽２の壁面近傍に、第２重畳領域１４ｂが複数配置されており、第２重畳領域群１５を形成している。また、整流板１１は、メッキ槽２の中央部に、第２重畳領域１４ｂが複数配置されており、第２重畳領域群１６を形成している。また、整流板１１は、支持部材５の下方に位置する領域に第２重畳領域１４ｂ複数配置されており、第２重畳領域群１７を形成している。
【００２１】
図３を用いて、整流板１１を通過するメッキ液３の流れについて説明する。図３（ａ）に示すように、無電解メッキ装置Ｘ１は、第１重畳領域１４ａと第２重畳領域１４ｂとを有している。
【００２２】
ここで、従来の無電解メッキ装置は、第１部材１１ａ´および第２部材１１ｂ´が、複数の円形状の第１開口領域（不図示）および第２開口領域（不図示）を備え、第１重畳領域１４ａ´および第３重畳領域１４ｃ´を有している。
【００２３】
そのため、導入孔（不図示）から供給されたメッキ液３は、第１開口領域１２ａ´を通過した後、第２部材１１ｂ´の第２非開口領域１３ｂ´に衝突し、第２部材１２に沿って流れた後、隣り合う第２開口領域１２ｂ´を通過して流れることとなる。その結果、整流板１１´に向けて大きな流速でメッキ液３を供給したとしても、第２開口領域１２ｂ´を通過する際には、メッキ液３の流速は小さくなっており、メッキ液３を均一にメッキ槽２に供給できない問題がある。
【００２４】
これに対して、無電解メッキ装置Ｘ１は、第１重畳領域１４ａと、第２重畳領域１４ｂと、第３重畳領域１４ｃとを有している。それにより、第１開口領域１２ａを通過したメッキ液３は、第２非開口領域１３ｂに衝突することなく、第２開口領域１２ｂに流れることとなる。そのため、第２開口領域１２ｂを通過したメッキ液３の流速が小さくなる可能性を低減することができる。それにより、基板１の配置条件等によるばらつきに起因して、基板１に形成されるメッキ層の膜厚にばらつきが生じる可能性を低減することができる。
【００２５】
また、無電解メッキ装置Ｘ１は、第１重畳領域１４ａと、第２重畳領域１４ｂとを有している。そのため、導入孔１８から供給されたメッキ液３は、第１開口領域１２ａを通過
した後、第２非開口領域１３ｂに衝突するメッキ液３と、第２開口領域１２ｂに向けて流れるメッキ液３とに分かれることとなる。
【００２６】
そのため、第２重畳領域１４ｂには、第１開口領域１２ａを通過したメッキ液３と、第２非開口領域１３ｂに衝突して、第２部材１２に沿って流れたメッキ液３とが供給されることなる。それにより、第２重畳領域１４ｂに供給されるメッキ液３の量が不足する可能性を低減することができる。
【００２７】
また、第１重畳領域１４ａを有することにより、第１開口領域１２ａを通過したメッキ液３の一部を第２非開口領域１３ｂに衝突させ、隣り合う第２開口領域１３ａに分散することができ、メッキ液３を分散させた状態でメッキ槽２に供給することができる。それにより、整流板１１を流れたメッキ液３を均一に分散することができる。なお、第３重畳領域１４ｃからは、第２非開口領域１３ｂに衝突したメッキ液３が流れ込むこととなり、第３重畳領域１４ｃからもメッキ液３を流出させることができる。
【００２８】
つまり、無電解メッキ装置Ｘ１は、第１重畳領域１４ａ、第２重畳領域１４ｂおよび第３重畳領域１４ｃを有している。そのため、第１重畳領域１４ａにより、メッキ液３を分散させた状態でメッキ槽２に供給することができ、第２重畳領域１４ｂにより、流速の速いメッキ液３をメッキ槽２に供給することができ、第３重畳領域１４ｃにより、メッキ液３を分散させた状態でメッキ槽２に供給することができる。
【００２９】
第１重畳領域１４ａは、整流板１１の平面視面積の８〜１２％あることが好ましく、第２重畳領域１４ｂは、整流板１１の平面視面積の５〜９％あることが好ましい。それにより、メッキ槽２の内部にメッキ液３の滞留が生じる可能性を低減することができる。
【００３０】
第１部材１１ａは、メッキ槽２の底面から２０〜５０ｍｍの位置に配置することが好ましく、第２部材１１ｂは、第１部材１１ａから１０〜３０ｍｍの位置に配置することが好ましい。それにより、メッキ槽２に分散したメッキ液３を供給することができる。
【００３１】
支持部材５は、複数の基板１を支持する機能を有しており、図４（ａ）に示すように、基板１の下方を両端から保持部１９にて保持する構成を有している。支持部材４は、基板１を保持部１９のみにて保持しており、上方および下方に開口が設けられている。それにより、支持部材５にて基板１を支持しつつ、基板１にメッキ層を形成することができる。支持部材５としては、ポリテトラフルオロエチレン等により形成することができる。
【００３２】
支持部材５は、図１に示すように、基板１が立設した状態となるように、メッキ槽２に浸漬される。そして、支持部材５に固定された揺動手段４により、支持部材５が上下に揺動するように制御され、基板１にメッキ層を設けている。
【００３３】
揺動手段４は、メッキ槽２内の基板１を揺動するために設けられており、例えば、複数の基板１を支持する支持部材５と、支持部材５を上下方向に揺動させるモータ６とで構成されている。モータ６の動作により支持部材５とともに基板１を上下方向に揺動させ、メッキ液３の流れを適度に乱すことにより、メッキ液３が滞留しやすい基板１の主面の中央域に適度な流速を付与する作用を為す。そのため、新鮮なメッキ液３が基板１の主面の中央域、両端域に良好に供給されることとなり、基板１内に形成されるメッキ層の膜厚のばらつきを小さくすることができる。
【００３４】
揺動手段４により揺動される基板１の揺動速度は、５ｃｍ／ｓｅｃ〜２０ｃｍ／ｓｅｃに、揺動頻度は０．５回／ｍｉｎ〜４回／ｍｉｎにそれぞれ設定することが好ましい。
【００３５】
メッキ槽２内のメッキ液３を循環させる循環機構７は、図示しないヒータによって所定の温度（例えば８０℃〜９０℃）に保持されたメッキ液３を有するリザーブタンク８と、リザーブタンク８内のメッキ液３をメッキ槽２内の流入口に供給するためのポンプ９と、メッキ槽２を内部に収容し、メッキ槽２の開口より流出したメッキ液３を受ける受液槽１０とを含んで構成されている。リザーブタンク８内のメッキ液３を、ポンプ９を用いてメッキ槽２に供給するとともに、メッキ槽２内より溢れて流出したメッキ液３を、受液槽１０を介してリザーブタンク８内に戻すことによって、メッキ槽２内のメッキ液３が循環され、メッキ槽２内でメッキ液３の温度を略均一に成すことができる。
【００３６】
無電解メッキ装置Ｘ１は、第２重畳領域１４ｂがメッキ槽２の壁面近傍に配置しており、メッキ槽２の壁面近傍に第２重畳領域群１５を備えている。そのため、メッキ槽２の壁面近傍に供給されるメッキ液３の流速を早くすることができる。それにより、メッキ槽２から受液槽１０へと効率よくオーバーフローすることができ、効率のよいメッキ液３の循環を行うことができる。
【００３７】
また、メッキ槽２の壁面近傍の領域は、メッキ液３の流れがよどみやすく、メッキ液３中に含まれるゴミ等が浮遊しやすい問題がある。しかしながら、無電解メッキ装置Ｘ１は、第２重畳領域群１５を備えることにより、メッキ液３の流れがよどむ可能性を低減することができる。
【００３８】
また、無電解メッキ装置Ｘ１は、複数の基板１が支持部材５により立設した状態で支持され、メッキ槽２内に浸漬されている。そして、メッキ槽２の中央部に、第２重畳領域群１６を備えていることから、メッキ槽２の中央部における流速を早くすることができる。
【００３９】
それにより、メッキ槽２のメッキ液３が、メッキ槽２の壁面近傍で上昇し、中央部にて下降する流れの循環を生じた場合においても、中央部に生じる下降流を第２重畳領域群１６から供給されるメッキ液３の流れにより相殺することができ、メッキ槽２内に生じるメッキ液３の循環を低減することができる。
【００４０】
また、支持部材５は、基板１を保持部１９にて保持しており、保持部１９は、整流板１１に対向するように配置されている。そのため、整流板１１の上方には保持部１９が配置されることとなる。
【００４１】
無電解メッキ装置Ｘ１は、支持部１９の下方、とりわけ保持部１９の下方に第２重畳領域群１７が配置されている。それにより、保持部１９に向けて流速の速いメッキ液３を供給することができ、保持部１９に沿って流れたメッキ液３を基板１に供給することができ、基板１に十分な量のメッキ液３を供給することができる。そのため、基板１上に設けるメッキ層の膜厚にばらつきが生じる可能性を低減することができる。
【００４２】
なお、メッキ槽２の中央部とは、平面視して、支持部材５が配置される領域を示している。
【００４３】
次に上述した無電解メッキ装置を用いて行う無電解メッキ方法について説明する。
【００４４】
まず、内部にメッキ液３を有するメッキ槽２を準備し、メッキ槽２内のメッキ液３を上述した循環機構７を用いてメッキ槽２の導入孔１８より上部に向かって流動・循環させる。
【００４５】
次に、複数の基板１を準備し、これらの主面同士が対向するように配列した状態で支持部材５にセットし、支持部材５とともに基板１をメッキ槽２内のメッキ液３に浸漬させる
。このとき、複数の基板１が、その主面が立設するように、支持部材５を浸漬する。続いて、メッキ液３に浸漬させた複数の基板１を、上下方向に上述した所定の頻度、速度で揺動させることにより、基板１にメッキを形成することができる。
【００４６】
なお、第１開口領域１２ａが、複数設けられており、かつ一方方向に長い矩形状をなしているものを例示したが、一方方向に長くなくてもよい。また、矩形状でなくともよい。また、第２開口領域１２ｂが複数設けられており、かつ円形状をなしているものを例示したが、正方形状でもよく、楕円形状でもよい。さらにまた、第１開口領域１２ａおよび第２開口領域１２ｂを一方方向に長い矩形状のものにより形成してもよく、複数の円形状のものにより形成してもよい。なお、第１開口領域１２ａおよび第２開口領域１２ｂが円形状、矩形状、正方形状、あるいは楕円形状とは、完全な円形状、矩形状、正方形状、あるいは楕円形状を意味するものではなく、近似して円形状、矩形状、正方形状、あるいは楕円形状をなすものも含む概念である。
【００４７】
＜第２の実施形態＞
図５，６を用いて無電解メッキ装置Ｘ２について説明する。無電解メッキ装置Ｘ２は、整流板２１の形状が無電解メッキ装置Ｘ１と異なっており、その他の構成は同一である。
【００４８】
整流板２１は、第１部材２１ａと、第１部材２１ａ上に設けられる第２部材２１ｂとを備えている。第１部材２１ａは、第１開口領域２２ａと第１非開口領域２３ａとを有している。第１開口領域２２ａは、円形状をなしており、図５（ａ）に示すように、行方向と列方向に均等に配置されている。
【００４９】
第２部材２１ｂは、第２開口領域２２ｂと第２非開口領域２３ｂとを有している。第２開口領域２２ｂは、一方方向に長い矩形状をなしており、図５（ｂ）に示すように、一方方向に直交する方向に複数設けられている。この一方方向に直交する方向は、基板１の配列方向と同じ方向である。
【００５０】
図５（ｃ）に示すように、整流板２１は、第１開口領域２２ａおよび第２非開口領域２３ｂが重なった第１重畳領域２４ａと、第２開口領域１２ａおよび第２開口領域２２ｂが重なった第２重畳領域２４ｂと、第１非開口領域２３ａおよび第２開口領域２２ｂが重なった第３重畳領域２４ｃとを有している。
【００５１】
無電解メッキ装置Ｘ２は、基板１の配列方向に直交する方向に第２開口領域２２ｂが、配置されている。そのため、整流板２１から供給されるメッキ液３が、隣り合う基板１の間に供給されやすくなり、基板１に効率よくメッキ層を形成することができる。
【００５２】
ここで、図６（ａ）に示すように、第１開口領域２２ａが円形状をなす第１部材２１ａを流れるメッキ液３は、第１開口領域２２ａ上を流れるメッキ液３の流速は速く、第１非開口領域２３ａ上を流れるメッキ液３の流速は遅くなり、側面視して、メッキ液３の流速は、実線で示すようになる。
【００５３】
図６（ｂ）に示すように、第２開口領域２２ｂが一方方向に長い第２部材２１ｂを流れるメッキ液３は、一方方向における中央部を流れるメッキ液３の流速は速く、一方方向における両端部を流れるメッキ液３の流速は遅くなり、側面視して、メッキ液３の流速は、実線で示すようになる。
【００５４】
無電解メッキ装置Ｘ２は、第１部材２１ａの第１開口領域２２ａが円形状をなしており、第２部材２１ｂの第２開口領域２２ｂが一方方向に長い矩形状をなしているため、整流板２１は、第１重畳領域２４ａと第２重畳領域２４ｂが交互に配置されることなる。その
ため、一方方向における流速のばらつきを小さくすることができ、基板１に均一な流速のメッキ液３を供給することができる。その結果、基板１に形成されるメッキ層の膜厚にばらつきが生じる可能性を低減することができる。
【００５５】
なお、整流板２１が、第１部材２１ａと第２部材２１ｂとを設ける例を示したが、第３部材を備えてもよく、４枚以上の板部材を有していてもよい。
【００５６】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。例えば、無電解メッキ装置Ｘ１，Ｘ２を組み合わせて用いてもよい。
【００５７】
例えば、上述の第１ 及び第２ 実施形態においては、Ｎｉメッキ層を無電解メッキによって形成する場合について説明したが、Ａｕメッキ層やＣｕメッキ層を形成する場合に用いてもよい。
【００５８】
また上述の無電解メッキ装置Ｘ１，Ｘ２において、メッキ槽２あるいはリザーブタンク８内のＮｉメッキ液中に窒素やアルゴン等の不活性ガスを吹き込んでもよい。それにより、Ｎｉメッキ液中の酸素濃度が低下することとなり、Ｎｉメッキ液が活性化され、メッキ層の成長速度を向上させることができる。
【実施例】
【００５９】
次に、上述した無電解メッキ装置を用いて基板に対して無電解メッキを行うことにより、上述の効果を確かめる実験を行った。
【００６０】
まず表面にＡｌから成る多数の電極パッドを有するＳｉ基板を、隣接するＳｉ基板の主面同士が対向するように配列するとともに、支持部材に基板が立設した状態で固定した。これらのＳｉ基板を、内部にメッキ液を保持するメッキ槽に浸漬させる無電解メッキ法によって電極パッド上にＮｉメッキ層を形成する実験を行い、個々のＮｉメッキ層における膜厚のばらつき、各Ｓｉ基板内における膜厚のばらつき、各Ｓｉ基板間におけるＮｉメッキ層の膜厚のばらつきを測定した。なお、整流板は第１の実施形態に係る整流板を用いた。
【００６１】
なお、メッキ層の膜厚ばらつきは、膜厚の測定値の標準偏差をσ、測定値の平均値をＸとした場合、［（３σ×２）／Ｘ］×１００％で算出される値に定義し、測定点数は各Ｓｉ基板内における膜厚のばらつきを測定する場合は、各Ｓｉ基板において５箇所、各基板間のメッキ層の膜厚のばらつきを測定する場合は、測定した基板の全域で６５箇所とした。
【００６２】
また前記Ｓｉ基板としては、直径８インチの円盤状のウエハを１３枚使用し、Ｓｉ基板同士の間隔を１０ｍｍとした。また、流入口におけるメッキ液の流速を６．７ｍｍ／ｓｅｃ、Ｓｉ基板の揺動速度を２０ｃｍ／ｓｅｃ，揺動頻度を４回／ｍｉｎとし、これらの条件でＳｉ基板をメッキ槽内に１０分間浸漬してＮｉメッキ層を形成した。
【００６３】
その結果、各Ｓｉ基板内におけるＮｉメッキ層の膜厚ばらつきは６．８％、各Ｓｉ基板間のＮｉメッキ層の膜厚ばらつきは１０．６％であり、いずれの膜厚ばらつきも小さく抑えることができた。
【００６４】
なお、同様の条件で、整流板を図３（ｂ）に示す従来の整流板を用いて実験したところ、各Ｓｉ基板内におけるＮｉメッキ層の膜厚ばらつきは１２．６％、各Ｓｉ基板間のＮｉメッキ層の膜厚ばらつきは１９．２％となり、本発明の第１実施形態に係る無電解メッキ
装置に比べて、膜厚のばらつきが生じる結果となった。
【符号の説明】
【００６５】
Ｘ１，Ｘ２  無電解メッキ装置
１  基板
２  メッキ槽
３  メッキ液
４  揺動部
５  支持部材
６  モータ
７  循環機構
８  リザーブタンク
９  ポンプ
１０  受液槽
１１  整流板
１１ａ  第１部材
１１ｂ  第２部材
１２  開口領域
１２ａ  第１開口領域
１２ｂ  第２開口領域
１３  非開口領域
１３ａ  第１非開口領域
１３ｂ  第２非開口領域
１４  重畳領域
１４ａ  第１重畳領域
１４ｂ  第２重畳領域
１４ｃ  第３重畳領域
１８  導入孔
１９  保持部
【図１】
2014189811.tif 000003
【図２】
2014189811.tif 000004
【図３】
2014189811.tif 000005
【図４】
2014189811.tif 000006
【図５】
2014189811.tif 000007
【図６】
2014189811.tif 000008