(57)【要約】【課題】  基板の載置位置とヒータとの間に光透過性セラミックス板を備え、該ヒータと光透過性セラミックス板の間隙に不活性ガスを供給する構成を備えたIII族窒化物半導体の気相成長装置において、気相成長装置から排出される排ガスに含まれるアンモニアを高収率で回収できる気相成長装置を提供する。【解決手段】  前記の気相成長装置において、ヒータと光透過性セラミックス板の間隙から排出される不活性ガスの排出部を、反応ガスの排出部と分離して設ける。好ましくは、不活性ガス供給部を中心部に備え、不活性ガスの排出部を周辺部に備える。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の載置位置とヒータとの間に光透過性セラミックス板を備え、該ヒータと光透過性セラミックス板の間隙に不活性ガスを供給する構成を備えたIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、前記不活性ガスの排出部が、反応ガスの排出部と分離して設けられてなることを特徴とする気相成長装置。
【請求項２】
ヒータの周囲に、光透過性セラミックス板、ヒータの断熱板、及びヒータの外側に配置された支持部材からなるヒータを囲む構造を有し、該構造内に不活性ガスを流通する構成を備えた請求項１に記載の気相成長装置。
【請求項３】
反応ガス排出部がアンモニア回収装置に接続されてなる請求項１に記載の気相成長装置。
【請求項４】
中心部に不活性ガス供給部が備えられ、周辺部に不活性ガス排出部が備えられてなる請求項１に記載の気相成長装置。
【請求項５】
光透過性セラミックス板が支持部材により保持または補強されてなる請求項１に記載の気相成長装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、III族窒化物半導体の気相成長装置に関し、詳細には、基板の載置位置とヒータとの間に光透過性セラミックス板を備え、該ヒータと光透過性セラミックス板の間隙に不活性ガスを供給する構成を備えたIII族窒化物半導体の気相成長装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
III族窒化物半導体は、青色若しくは紫外ＬＥＤ又は青色若しくは紫外レーザーダイオードの材料として広く用いられている。III族窒化物半導体の結晶膜を、シリコン（Ｓｉ）、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）又は窒化ガリウム（ＧａＮ）等の基板上に成長する方法には、化学的気相成長（ＣＶＤ）法等の方法があり、基板加熱を伴うＣＶＤ法は熱ＣＶＤ法等として知られている。近年、高温条件（例えば１０００℃以上）で基板を加熱して行う気相成長が増加しており、III族窒化物半導体の気相成長もその一つである。III族窒化物半導体膜の形成は、例えば、トリメチルガリウム、トリメチルインジウム、又はトリメチルアルミニウム等の有機金属ガスをIII族金属源として、アンモニアを窒素源として用い、１０００℃程度の高温に加熱された基板上に結晶膜を気相成長する熱ＣＶＤ法により行われる。
【０００３】
III族窒化物半導体の気相成長装置の構成としては、基板を載置するためのサセプタ、前記基板を加熱するヒータを有し、前記ヒータと基板の載置位置の間に光透過性セラミックス板が設けられている構成がある（特許文献１参照）。このような光透過性セラミックス板を用いることにより、高温で腐食性の高いガス（アンモニア等）からヒータを遮蔽することにより、ヒータを保護することができるだけでなく、光透過性セラミックス板がヒータから放出される熱線を透過するので、基板を効率的に加熱することができる。特に、特許文献１に記載されている気相成長装置のように、光透過性セラミックス板を隔ててヒータ側に不活性ガスを供給する手段を設けることにより、ヒータ周辺が不活性ガスで満たされるので、ヒータの劣化を防止することができる。
【０００４】
一方、III族窒化物半導体の窒素源として広く用いられるアンモニアは、分解効率が悪いため、III族のトリメチルガリウム等のガスに比べて極めて大量に必要とされる。また、前記半導体の製造工程に使用されるアンモニアは、工業用のアンモニアを蒸留あるいは精留した高純度のアンモニア、またはこれをさらに精製した高価なアンモニアである。しかもその大部分は気相成長反応に使用されることなく、未反応のまま大量に廃棄されている。そのため、III族窒化物半導体の製造工程から排出されるアンモニアを含む排ガスは、該排ガスに含まれるアンモニアを回収し、再利用されることが望ましい。
【特許文献１】特開２００７−９６２８０号公報
【特許文献２】特開２００８−７３７８号公報
【特許文献３】特開２０００−３１７２４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前述のような気相成長装置において、気相成長に用いられた原料ガスは、大部分のアンモニアが未反応の状態で排ガスとして反応ガス排出部から排出されるが、光透過性セラミックス板を隔ててヒータ側に不活性ガスを供給する手段から供給される不活性ガスも、反応ガスと共に反応ガス排出部から排出される。このような気相成長装置（気相成長反応に使用された後の反応ガスと、ヒータの保護のために使用された後の不活性ガスが混合して排出される構成の気相成長装置）において、排ガスに含まれるアンモニアを回収するためには、排ガス中に多量に含まれる不活性ガス等を除去しなければならず、アンモニア回収時の効率あるいは収率が低下するという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の発明者らは、このような課題を解決すべく鋭意検討した結果、基板の載置位置とヒータとの間に光透過性セラミックス板を備え、該ヒータと光透過性セラミックス板の間隙に不活性ガスを供給する構成を備えたIII族窒化物半導体の気相成長装置において、前記不活性ガスの排出部を、反応ガスの排出部と分離して設けることにより前述の課題を解決できることを見出し、本発明の気相成長装置に到達した。
【０００７】
すなわち本発明は、基板の載置位置とヒータとの間に光透過性セラミックス板を備え、該ヒータと光透過性セラミックス板の間隙に不活性ガスを供給する構成を備えたIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、前記不活性ガスの排出部が、反応ガスの排出部と分離して設けられてなることを特徴とする気相成長装置である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の気相成長装置には、ヒータと光透過性セラミックス板の間隙に供給される不活性ガスの排出部が、反応ガスの排出部と分離して設けられているので、前記不活性ガスの供給による排ガス中のアンモニア濃度の低下を防止でき、効率よく高収率でアンモニアを回収できる。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明は、基板の載置位置とヒータとの間に光透過性セラミックス板を備え、該ヒータと光透過性セラミックス板の間隙に不活性ガスを供給する構成を備えたIII族窒化物半導体の気相成長装置に適用される。以下、本発明を、図１〜図８に基づいて詳細に説明するが、本発明がこれらにより限定されることはない。
【００１０】
尚、図１は、本発明における気相成長システム（気相成長装置のほか、原料ガス供給装置及びアンモニア回収装置を含む）の一例を示す構成図であり、図２は、本発明の気相成長装置の一例を示す垂直断面構成図であり、図３は、本発明の図２以外の気相成長装置の一例を示す垂直断面構成図であり、図４は、本発明の図２、図３以外気相成長装置の一例を示す垂直断面構成図であり、図５は、本発明の図２〜図４以外の気相成長装置の一例を示す垂直断面構成図である。図６は、図２のＡ−Ａ断面図であり、図７は、図３のＡ’−Ａ’断面図である。図８は、本発明における気相成長システムに用いられるアンモニア回収装置の一例を示す構成図である。
【００１１】
本発明の気相成長装置は、III族窒化物半導体の気相成長装置であり、特に、窒化ガリウム系半導体の気相成長装置として好適である。本発明における気相成長システムは、例えば図１に示すように、各原料の供給源、各原料ガスの精製装置、及び気相成長装置等からなり、気相成長装置において基板上にIII族窒化物半導体が気相成長される。本発明の気相成長装置においては、窒素源としてアンモニアを用いることが好ましい。また、本発明の気相成長装置においては、III族金属源として有機金属化合物（トリメチルガリウム、トリエチルガリウム、トリメチルインジウム、トリエチルインジウム、トリメチルアルミニウム、またはトリエチルアルミニウムから選ばれる有機金属化合物）を気化して用いることができる。
【００１２】
本発明の気相成長装置は、例えば図２〜図５に示すように、基板の載置位置とヒータ２８との間に光透過性セラミックス板３６を備え、ヒータ２８と光透過性セラミックス板３６の間隙に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部３３を備え、前記不活性ガスの排出部３４が、反応ガスの排出部３２と分離して設けられている。
本発明の気相成長装置は、生産性の向上等の目的で、基板が複数枚保持される構成とすることができる。各基板は、例えば、図２〜図５に示す気相成長装置のように、リング状、または円筒状の形状を有する基板ホルダーにより、基板の結晶成長面が下向きとなるように保持されてよいが、下向きに保持されることに限定されることはなく、例えば、上向きまたは横向きに保持されてもよい。尚、本発明は、反応炉の中央部から原料ガスを供給し、周辺部から外部に排出する気相成長装置に限定されることはなく、例えば反応炉の一端から原料ガスを供給し、反応後のガスを他の一端から外部に排出する気相成長装置に適用することもできる。
【００１３】
本発明の気相成長装置に用いられる光透過性セラミックス板は、基板の載置位置と基板を加熱するヒータを隔てるように設けられる。本発明の気相成長装置には光透過性セラミックス板の他に、例えば、図２〜図５に示すように、基板４１を保持する基板ホルダー２４、基板４１を加熱するヒータ２８、基板ホルダー２４に載置されヒータ２８からの熱を基板４１に伝達する均熱板２５、基板ホルダー２４を載置するためのサセプタ２６、サセプタ２６とサセプタの対面２７からなる反応炉３０、基板４１に原料ガスを供給する原料ガス供給部３１、気相成長に用いられた原料ガスを反応ガスとして排出する反応ガス排出部３２、ヒータ２８と光透過性セラミックス板３６の間隙に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部３３、及び該不活性ガスを排出する不活性ガス排出部３４等を設けることができる。
【００１４】
本発明の気相成長装置において、ヒータ及び光透過性セラミックス板の材質、形状、大きさ等は、特許文献１に記載されているような材質、形状、大きさ等であることが好ましいが、このような材質、形状、大きさ等に限定されることはない。尚、光透過性セラミックス板は複数個に分割して設置されることが好ましい。また、本発明の気相成長装置において、光透過性セラミックス板は支持部材により保持または補強されていることが好ましいが、支持部材により保持または補強されていなくてもよい。本発明の気相成長装置に用いられる光透過性セラミックス板は、特許文献１に記載されているような支持部材により保持または補強されていることが特に好ましいが、このような支持部材による保持または補強に限定されることはない。
【００１５】
本発明の気相成長装置には、例えば前述のような腐食性ガスが分割して設置された光透過性セラミックス板の隙間等からヒータ周辺に流入することを防ぐために、ヒータと光透過性セラミックス板の間隙に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部が設けられる。図２〜図５に示す気相成長装置の例では、原料ガス供給部３１及び反応ガス排出部３２が、光透過性セラミックス板３６を隔てて基板４１の載置位置側に備えられ、不活性ガス供給部３３及び不活性ガス排出部３４が、前記光透過性セラミックス板３６を隔ててヒータ２８側に備えられており、断熱板２９、光透過性セラミックス板３６、及び支持部材３５Ａ、３５Ｂによりヒータ２８を囲む構造を有している。このヒータを囲む構造に、不活性ガスを供給する不活性ガス供給部及び不活性ガス排出部を設けることにより、該構造内を不活性ガスで満たすことができる。
【００１６】
不活性ガスとしては、窒素ガス、ヘリウムガス、ネオンガス、アルゴンガス、クリプトンガス、キセノンガス、あるいはラドンガス等があり、通常は窒素ガスが多用される。不活性ガスの流量は、５０Ｌ／ｍｉｎ〜３００Ｌ／ｍｉｎであることが好ましいが、このような流量に限定されることはない。また、該構造は成膜に用いられる腐食性の強いガスが侵入しにくいように、密閉性の高い構造としておくことが望ましい。尚、ヒータ２８と光透過性セラミックス板３６の間隙、光透過性セラミックス板３６とサセプタ２６の間隙は、いずれも通常は１〜２０ｍｍ、好ましくは３〜１５ｍｍ、さらに好ましくは５〜１０ｍｍである。１〜２０ｍｍであればヒータの保護が可能である。間隙が２０ｍｍを超えるとヒータの効果が低減する。
【００１７】
本発明の気相成長装置においては、前記構造の内部に不活性ガスが均一に流通されるように、中心部に不活性ガス供給部が備えられ、周辺部に不活性ガス排出部が備えられていることが好ましいが、このような構成に限定されることはない。
本発明の気相成長装置において、中心部に不活性ガス供給部が備えられる際には、例えば図２、３に示すように、中心部支持部材３５Ｂの周辺に設けられた不活性ガス供給部３３から不活性ガスを供給する構成とすることができ、例えば図４、５に示すように、不活性ガス供給部３３からの供給された不活性ガスが、円筒形の中心部支持部材３５Ｂに設けられた通気孔３５Ｃを通り、円筒形の内周側から外周側に向けて供給される構成とすることもできる。本発明の気相成長装置に用いられる不活性ガス供給部は、ヒータの近傍に設けられることが多いために耐熱性に優れた材質であることが好ましく、カーボン、パイオロリティックグラファイト（ＰＧ）、グラッシカーボン（ＧＣ）等のカーボン系材料、又は窒化ホウ素、炭化ケイ素、窒化ケイ素等のセラミックス系材料等から構成されることが特に好ましいが、このような材質に限定されることはない。
【００１８】
本発明の気相成長装置において、不活性ガス排出部は複数設けられることが好ましく、不活性ガス排出部が複数設けられるときは、例えば図２〜図５の気相成長装置のように、各不活性ガス排出部は、等間隔かつ不活性ガス供給部から等距離に設けられることが好ましいが、等間隔かつ等距離であることに限定されることはない。また、本発明の気相成長装置において中心部に不活性ガス供給部が備えられる際には、ヒータ全体が不活性ガスにより保護されるように、不活性ガス排出部がヒータの周辺に設けられることが好ましいが、ヒータの周辺に設けられることに限定されることはない。
【００１９】
本発明の気相成長装置の反応ガス排出部はアンモニア回収装置に接続されていることが好ましいが、アンモニア回収装置に接続されていなくてもよい。例えば、本発明に用いられるアンモニア回収装置は、図８のアンモニア回収装置のように、アンモニア、水素、窒素、及び固体化合物を含む排ガスを、フィルター濾過して該排ガスに含まれる固体化合物を除去した後、加圧処理及びヒートポンプによる冷却処理を行なうことにより、該排ガスに含まれるアンモニアを液化して水素及び窒素と分離し、アンモニアを回収するアンモニア回収装置であることが好ましいが、このような回収装置に限定されることはなく、特許文献２、特許文献３に記載されているようなアンモニア回収装置であってもよい。
図１の気相成長システムにおいては、III族窒化物半導体の気相成長装置９から排出されるアンモニア、水素、窒素、及び固体化合物を含む排ガスは、フィルター１０で濾過して該排ガスに含まれる固体化合物を除去した後、ガス圧縮機１１により加圧し、ヒートポンプ式冷却機１２により排ガスに含まれるアンモニアを液化して水素及び窒素と分離し、アンモニアを液体として回収される。
【００２０】
本発明に使用されるアンモニア回収装置において、ヒートポンプは、冷媒が減圧して気化する際に排ガスから気化熱を奪い、排ガスを冷却する原理を用いたものであることが好ましい。例えば、図８に示すアンモニア回収装置においては、冷媒送液器１７、膨張弁１８、凝縮弁１９、熱交換器２０、液体アンモニア槽２１からなるヒートポンプ式冷却機１２が用いられている。この冷却機においては、冷媒送液器１７により膨張弁１８に送られた液体冷媒が、膨張弁１８において蒸発するとともに熱交換器２０においてアンモニアを含む排ガスから熱を奪い、該排ガスが冷却されてアンモニアが液化する。その後、気体冷媒は凝縮弁１９により加圧され液体となって冷媒送液器１７に送られ循環する。
【００２１】
図８に示すアンモニア回収装置は、このような原理を利用して排ガスを冷却するので、排ガスと冷媒を単に熱交換する方法と比較してアンモニアを冷却する効果が優れている。そのため、本発明の気相成長装置から排出される排ガスのように、アンモニアの含有率が１０〜４０ｖｏｌ％程度のガスであっても、予め排ガスを水にバブリングしてアンモニアを水に溶解する等、水素及び窒素を除去する操作、あるいは水素及び窒素の含有率を大幅に低下させる操作を行なう必要がなく、排ガス中のアンモニアを効率よく液化することができる。しかし、不活性ガスの排出部が、反応ガスの排出部と分離して設けられていないと、排ガス中のアンモニアの含有率が前記の５０〜７５％程度となることが多く、前述のようなアンモニア回収装置であっても高収率でアンモニアを回収できないことがある。
【００２２】
図８に示すアンモニア回収装置においては、気相成長装置９から排出される排ガスが、フィルター１０を通過して基板に堆積しなかった窒化ガリウム等の金属化合物が濾過された後、アンモニアを液化しやすくするためにガス圧縮機１１により０．５〜２ＭＰａＧに加圧され、前述のヒートポンプ式冷却機１２において−３０〜−６０℃に冷却される。尚、ガス圧縮機１１により加圧された際に、排ガス中の一部のアンモニアが液化されてもよい。液体アンモニアは液体アンモニア貯蔵槽１４に移送され、気体として残存したアンモニアと、液化されない水素及び窒素は、圧力調整装置１３を通過して排ガス浄化装置に送られ処理される。
【００２３】
本発明の気相成長装置において、アンモニア回収装置に回収されたアンモニアを気化し、該アンモニアとは別のアンモニアと混合した後、該混合ガスを精製して気相成長装置に供給することもできる。具体的には、図１の気相成長システムにおいては、液体アンモニア貯蔵槽１４の液体アンモニアは気化器５により気化され、ガス混合器１５により、アンモニア供給源から供給されるアンモニアと混合され精製されて、気相成長装置９に供給される。本発明の気相成長装置において、アンモニア回収装置に回収されたアンモニアは、この回収されたアンモニアのみを再利用することもできるが、回収されたアンモニアに、新規のアンモニア（回収されたアンモニアとは別のアンモニア）を追加して連続的に気相成長装置に供給することができる。
【実施例】
【００２４】
次に、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明がこれにより限定されるものではない。
【００２５】
［実施例］
（気相成長装置の製作）
以下のようにして、図２に示すような気相成長装置を製作した。まず、ステンレス製の反応容器の内部に、３インチの基板を１枚保持可能な基板ホルダー２４（ＳｉＣコートカーボン製）５個、円板状のサセプタ２６（ＳｉＣコートカーボン製、直径６００ｍｍ、厚さ２０ｍｍ、基板ホルダー２４を５個保持可能）、冷媒を流通する流路３８を備えたサセプタの対面２７（カーボン製）、ヒータ２８（カーボンヒータ）、原料ガス供給部３１（カーボン製）、反応ガス排出部３２、不活性ガス供給部３３（窒化ホウ素製）、不活性ガス排出部３４等を設けた。不活性ガス排出部３４をヒータ２８の周辺に８個設け、各不活性ガス排出部３４は等間隔かつ不活性ガス供給部３３から等距離に設けた。
さらに、特許文献１の実施例１の記載と同様の光透過性セラミックス板３６（石英板）を、特許文献１の実施例１の記載されているように保持及び補強して設けた。尚、光透過性セラミックス板とヒータの間隙は７ｍｍであり、光透過性セラミックス板とサセプタの間隙も７ｍｍであった。
【００２６】
そして、冷媒を流通する流路３８として、配管１本を中心部から周辺部に向かって渦巻き状に配置した。原料ガス供給部３１は、直径２００ｍｍ、厚さ２ｍｍの円板状の仕切り（カーボン製）２個により上下方向に仕切られた３個のガス噴出口を形成し、上層の噴出口からアンモニア、中層の噴出口からＴＭＧを含むガス、下層の噴出口から窒素を供給できるような構成とした。原料ガス供給部の各々のガス流路には、マスフローコントローラー等を介して、所望の流量及び濃度の各ガスが供給できるように配管を接続した。
【００２７】
次に、３インチサイズのサファイアよりなる基板を、各基板ホルダー２４に１枚ずつ計５枚セットした。ガスの噴出口の先端と基板との水平面の距離は３２．４ｍｍであった。
さらに、フィルター１０及びガス圧縮機１１を設置し、これらと、冷媒（アンモニア）送液器１７、膨張弁１８、凝縮弁１９、熱交換器２０、液体アンモニア槽２１からなるヒートポンプ式冷却機１２を配管等で接続し、さらにヒートポンプ式冷却機１２に圧力調整装置１３及び液体アンモニア貯蔵槽１４を接続し、図８に示すようなアンモニア回収装置を製作した。このようにして製作したアンモニア回収装置２３を気相成長装置９の反応ガス排出部３２に接続した。さらに、アンモニアの気化器５等を設けて配管等で接続し、図１に示すような気相成長システムを製作した。
【００２８】
（気相成長実験）                                    
図２の気相成長装置を備えた図１の気相成長システムを用いて、基板の表面に窒化ガリウム（ＧａＮ）の成長する気相成長実験を行なった。まず、窒素（流量：８０Ｌ／ｍｉｎ）を、不活性ガス供給部３３から流通し、不活性ガス排出部３４から外部に排出し、このような不活性ガスの流通を気相成長の終了まで継続した。
原料ガス供給部３１から水素を流しながら基板４１の温度を１０５０℃まで昇温させ、基板４１のアニールを行った。続いて、基板４１の温度を５１０℃まで下げて、原料ガスとしてトリメチルガリウム（ＴＭＧ）とアンモニア、キャリアガスとして水素を用いて、サファイア基板４１の上にＧａＮからなる膜厚２０ｎｍのバッファー層の成長を行い、バッファー層成長後に、ＴＭＧのみ供給を停止し、基板４１の温度を１０５０℃まで上昇させた。その後、原料ガス供給部３１の上層の噴出口からアンモニア（流量：３０Ｌ／ｍｉｎ）、中層の噴出口からＴＭＧ（流量：６０ｃｃ／ｍｉｎ）と水素（流量：３０Ｌ／ｍｉｎ）、下層の噴出口から窒素（流量：４０Ｌ／ｍｉｎ）を供給して、窒化ガリウム膜を２時間成長させた。
【００２９】
この間、反応ガス排出部３２から排出される排ガスの一部をサンプリングするとともに、ガス圧縮機１１、ヒートポンプ式冷却機１２等を稼動させて、排ガス中のアンモニアを液化し、液体アンモニア貯槽１４に回収した。尚、ガス圧縮機により、排ガスは常圧から１ＭＰａＧに加圧され、ヒートポンプ式冷却機により−４０〜−４５℃に冷却された。
測定の結果、反応ガス排出部３２から排出される排ガスの成分は、アンモニア３０％、水素３０％、窒素４０％であった。また、液体アンモニア槽２１におけるアンモニアの回収率は７９％であった。
【００３０】
［比較例］
不活性ガス排出部を設けず、不活性ガス供給部から供給される不活性ガスも反応ガスと共に反応ガス排出部から排出される構成とした他は、実施例で用いた気相成長装置と同様の気相成長装置を製作した。このような気相成長装置を用いて、実施例と同様の気相成長実験を行った。また、この間、実施例と同様にして、アンモニア回収装置によりアンモニアを回収した。
測定の結果、反応ガス排出部３２から排出される排ガスの成分は、アンモニア１７％、水素１７％、窒素６６％であった。また、液体アンモニア槽２１におけるアンモニアの回収率は７３％であった。
【産業上の利用可能性】
【００３１】
本発明の気相成長装置は、III族窒化物半導体の気相成長装置であり、特に、窒化ガリウム系半導体の気相成長装置として好適である。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明における気相成長システムの一例を示す構成図
【図２】本発明の気相成長装置の一例を示す垂直断面構成図
【図３】本発明の図２以外の気相成長装置の一例を示す垂直断面構成図
【図４】本発明の図２、図３以外気相成長装置の一例を示す垂直断面構成図
【図５】本発明の図２〜図４以外の気相成長装置の一例を示す垂直断面構成図
【図６】図２のＡ−Ａ断面図
【図７】図３のＡ’−Ａ’断面図
【図８】本発明における気相成長システムに用いられるアンモニア回収装置の一例を示す構成図
【符号の説明】
【００３３】
１  有機金属化合物の供給源
２  窒素の供給源
３  水素の供給源
４  アンモニアの供給源
５  気化器
６  窒素精製装置
７  水素精製装置
８  アンモニア精製装置
９  気相成長装置
１０  フィルター
１１  ガス圧縮機
１２  ヒートポンプ式冷却機
１３  圧力調整装置
１４  液体アンモニア貯蔵槽
１５  ガス混合器
１６  外部へのガス放出ライン
１７  冷媒送液器
１８  膨張弁
１９  凝縮弁
２０  熱交換器
２１  液体アンモニア槽
２２  液体アンモニア
２３  アンモニア回収装置
２４  基板ホルダー
２５  均熱板
２６  サセプタ
２７  サセプタの対面
２８  ヒータ
２９  断熱板
３０  反応炉
３１  原料ガス供給部
３２  反応ガス排出部
３３  不活性ガス供給部
３４  不活性ガス排出部
３５Ａ  外周端支持部材
３５Ｂ  中心部支持部材
３５Ｃ  通気孔
３６  光透過性セラミックス板
３７  ギア部
３８  冷媒を流通する流路
３９  サセプタ回転軸
４０  サセプタ回転板
４１  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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