(57)【要約】    【課題】  接続信頼性に優れるプリント配線板の提供    【解決手段】  多層コア基板のスルーホール導体のランドが第１と第２無電解めっき膜と第１と第２電解めっき膜を含み、無電解めっき膜と電解めっき膜が交互に形成されている。そして、第２無電解めっき膜と第２電解めっき膜で形成されているスルーホール導体は、スルーホール導体のランドを形成している第１無電解めっき膜の側壁と第１電解めっき膜の側壁と接している。  【選択図】  図８
2014216375.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する第１の絶縁層と、第３面と前記第３面と反対側の第４面とを有する第２の絶縁層と、前記第１の絶縁層の第２面と前記第２の絶縁層の第３面との間に位置する両面板と、前記第１の絶縁層の第１面上に形成されている第１導体層と、前記第１の絶縁層の第２面下に形成されている第２導体層と、前記第２の絶縁層の第３面上に形成されている第３導体層と、前記第２の絶縁層の第４面下に形成されている第４導体層と、前記第１の絶縁層と前記両面板と前記第２の絶縁層を貫通しているスルーホール導体用の貫通孔の側壁に形成されていて、前記第１導体層と前記第４導体層を接続している筒状のスルーホール導体と、前記第１の絶縁層を貫通し前記第１導体層と前記第２導体層を接続している第１のビア導体と、前記筒状のスルーホール導体内を充填している樹脂充填材と、前記樹脂充填材を覆っている被覆回路とを有する多層コア基板と、
前記第１の絶縁層と前記第１導体層上に形成されている上側のビルドアップ層と、
前記第２の絶縁層と前記第４導体層下に形成されている下側のビルドアップ層とを有するプリント配線板であって、
前記第１導体層は前記スルーホール導体の周りに形成されていて前記スルーホール導体に直接繋がっている第１スルーホールランドを有し、前記第１スルーホールランドは金属箔と金属箔上の第１無電解めっき膜と前記第１無電解めっき膜上の第１電解めっき膜と前記第１電解めっき膜上の第２無電解めっき膜と前記第２無電解めっき膜上の第２電解めっき膜を含み、前記スルーホール導体は前記第２無電解めっき膜と前記第２無電解めっき膜上の前記第２電解めっき膜で形成されていて、前記スルーホール導体を形成している前記第２無電解めっき膜は前記スルーホール導体用の貫通孔により露出される前記金属箔の側壁と前記第１無電解めっき膜の側壁と前記第１電解めっき膜の側壁上に形成されている。
【請求項２】
請求項１に記載のプリント配線板であって、前記第１のビア導体は前記第１無電解めっき膜と前記第１無電解めっき膜上の第１電解めっき膜で形成されている。
【請求項３】
請求項２に記載のプリント配線板であって、前記被覆回路は、更に、前記スルーホールランド上に形成されていて、前記第２電解めっき膜上の第３無電解めっき膜と前記第３無電解めっき膜上の第３電解めっき膜で形成されている。
【請求項４】
請求項３に記載のプリント配線板であって、前記第１導体層は前記金属箔と前記金属箔上の前記第１無電解めっき膜と前記第１無電解めっき膜上の前記第１電解めっき膜と前記第１電解めっき膜上の前記第２無電解めっき膜と前記第２無電解めっき膜上の前記第２電解めっき膜と前記第２電解めっき膜上の前記第３無電解めっき膜と前記第３無電解めっき膜上の前記第３電解めっき膜で形成されていて、前記第１のビア導体上に前記第２無電解めっき膜と前記第２無電解めっき膜上の前記第２電解めっき膜と前記第２電解めっき膜上の前記第３無電解めっき膜と前記第３無電解めっき膜上の前記第３電解めっき膜が形成されている。
【請求項５】
請求項１に記載のプリント配線板であって、前記両面板は表面と表面と反対側の裏面とを有する絶縁層と前記絶縁層の表面に形成されている表側の導体層と前記絶縁層の裏面に形成されている裏側の導体層で形成されていて、前記第２導体層と前記表側の導体層は同じ導体層であって、前記第３導体層と前記裏側の導体層は同じ導体層である。
【請求項６】
第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する第１の絶縁層と、第３面と前記第３面と反対側の第４面とを有する第２の絶縁層と、前記第１の絶縁層の第２面と前記第２の絶縁層の第３面との間に位置する両面板とを有する中間基板を準備することと、
前記第１の絶縁層に第１のビア導体用の開口を形成することと、
前記第１のビア導体用の開口に前記第１のビア導体を形成することと、
前記第１のビア導体を形成することより後に、前記中間基板を貫通するスルーホール導体用の貫通孔を形成することと、
前記スルーホール導体用の貫通孔の内壁に筒状のスルーホール導体を形成することと、
前記筒状のスルーホール導体内に樹脂充填材を形成することと、
前記樹脂充填材を覆う被覆回路を形成することと、を含む多層コア基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ビア導体とスルーホール導体を有する多層コア基板とその多層コア基板を有するプリント配線板とその多層コア基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
下記特許文献１の図１（Ｄ）によれば、コア基板の両面に層間樹脂絶縁層が形成される。そして、特許文献１の図１（Ｅ）によれば、コア基板とコア基板の両面に積層されている層間樹脂絶縁層にスルーホール導体用の貫通孔が形成される。それから、特許文献１の図２（Ａ）によれば、コア基板の両面に積層されている層間樹脂絶縁層にビア導体用の開口が形成される。続いて、特許文献１の図２（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）によれば、スルーホール導体用の開口とビア導体用の開口に同時にめっき膜が形成されている。また、特許文献１の図３（Ｃ）によれば、ビア導体内に樹脂が充填されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−１２７４３４号公報
【発明の概要】
【０００４】
本発明の目的は、接続信頼性に優れる多層コア基板及びその多層コア基板を有するプリント配線板を提供することにある。別の目的は、そのようなプリント配線板を製造するための方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のプリント配線板は、第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する第１の絶縁層と、第３面と前記第３面と反対側の第４面とを有する第２の絶縁層と、前記第１の絶縁層の第２面と前記第２の絶縁層の第３面との間に位置する両面板と、前記第１の絶縁層の第１面上に形成されている第１導体層と、前記第１の絶縁層の第２面下に形成されている第２導体層と、前記第２の絶縁層の第３面上に形成されている第３導体層と、前記第２の絶縁層の第４面下に形成されている第４導体層と、前記第１の絶縁層と前記両面板と前記第２の絶縁層を貫通しているスルーホール導体用の貫通孔の側壁に形成されていて、前記第１導体層と前記第４導体層を接続している筒状のスルーホール導体と、前記第１の絶縁層を貫通し前記第１導体層と前記第２導体層を接続している第１のビア導体と、前記筒状のスルーホール導体内を充填している樹脂充填材と、前記樹脂充填材を覆っている被覆回路とを有する多層コア基板と、前記第１の絶縁層と前記第１導体層上に形成されている上側のビルドアップ層と、前記第２の絶縁層と前記第４導体層下に形成されている下側のビルドアップ層とを有する。そして、前記第１導体層は前記スルーホール導体の周りに形成されていて前記スルーホール導体に直接繋がっている第１スルーホールランドを有し、前記第１スルーホールランドは金属箔と金属箔上の第１無電解めっき膜と前記第１無電解めっき膜上の第１電解めっき膜と前記第１電解めっき膜上の第２無電解めっき膜と前記第２無電解めっき膜上の第２電解めっき膜を含み、前記スルーホール導体は前記第２無電解めっき膜と前記第２無電解めっき膜上の前記第２電解めっき膜で形成されていて、前記スルーホール導体を形成している前記第２無電解めっき膜は前記スルーホール導体用の貫通孔により露出される前記金属箔の側壁と前記第１無電解めっき膜の側壁と前記第１電解めっき膜の側壁上に形成されている。
【０００６】
本発明の多層コア基板の製造方法は、第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する第１の絶縁層と、第３面と前記第３面と反対側の第４面とを有する第２の絶縁層と、前記第１の絶縁層の第２面と前記第２の絶縁層の第３面との間に位置する両面板とを有する中間基板を準備することと、前記第１の絶縁層に第１のビア導体用の開口を形成することと、前記第１のビア導体用の開口に前記第１のビア導体を形成することと、前記第１のビア導体を形成することより後に、前記中間基板を貫通するスルーホール導体用の貫通孔を形成することと、前記スルーホール導体用の貫通孔の内壁に筒状のスルーホール導体を形成することと、前記筒状のスルーホール導体内に樹脂充填材を形成することと、前記樹脂充填材を覆う被覆回路を形成することと、を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の断面図。
【図２】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図３】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図４】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図５】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図６】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図７】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図８】第１実施形態のプリント配線板の多層コア基板の一部と上側のビルドアップ層を示す断面図。
【図９】予想される不具合を示す断面図。
【図１０】本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の断面図。
【図１１】スルーホールランドとスルーホール導体の一部を示す断面図。
【図１２】第２実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
[第１実施形態]
多層コア基板を貫通しているスルーホール導体の長さは長いので、ヒートサイクルでスルーホール導体の断線や剥がれが発生しやすいと予想される。特に、多層コア基板を形成している絶縁層の層数が５層以上であると、断線や剥がれが発生しやすい。また、多層コア基板の厚みが０．８ｍｍ以上であると、断線や剥がれが発生しやすい。
特許文献１では、特許文献１の図２（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）に示されるように、多層コア基板のスルーホール導体とビア導体が同時に形成されている。この場合、ビア導体用の開口がめっきで充填されると、図９に示されるように、スルーホール導体用の開口の両端がめっきで閉じられやすい。その場合、スルーホール導体の内側にボイドが存在すると考えられる。そのボイドによりスルーホール導体の断線が発生すると考えられる。
【０００９】
図９に示されているボイドを防ぐために、スルーホール導体のめっき膜の厚みが薄いと特許文献１の図３（Ａ）に示されているように、ビア導体が大きな凹部を有する。その場合、多層コア上にビルドアップ層を形成することが難しい。
このような課題を解決するためのプリント配線板が図１などに示されている。
【００１０】
本発明の第１実施形態に係るプリント配線板が図１の断面図を参照して説明される。第１実施形態のプリント配線板１０は、第１主面Ｆと第１主面Ｆと反対側の第２主面Ｓを有する多層コア基板３０と多層コア基板の第１主面上に形成されている上側のビルドアップ層５５Ｆと多層コア基板の第２主面下に形成されている下側のビルドアップ層５５Ｓを有する。
多層コア基板３０は、表面と表面と反対側の裏面を有する絶縁層２０Ｚと絶縁層２０Ｚの表面上に形成されている表側の導体層２００ＺＦと裏面下に形成されている裏側の導体層２００ＺＳとで形成されている両面板２００ｚを有する。さらに、多層コア基板３０は、第１面と第１面と反対側の第２面とを有する第１の絶縁層２０Ａと第３面と第３面と反対側の第４面とを有する第２の絶縁層２０Ｂとを有し、両面板２００ｚは第１の絶縁層と第２の絶縁層の間に形成されている。図１では、両面板は第１の絶縁層の第２面と第２の絶縁層の第３面で挟まれている。多層コア基板はさらに、第１の絶縁層の第１面上に形成されている第１導体層３４Ｃと、第２の絶縁層の第４面下に形成されている第４導体層３４Ｄを有している。図１に示されているプリント配線板の多層コア基板の導体層は４層であるので、第１の絶縁層の第２面下に形成されている第２導体層は両面板の表側の導体層２００ＺＦと同じであり、第２の絶縁層の第３面上に形成されている第３導体層は両面板の裏側の導体層２００ＺＳと同じである。
多層コア基板は第１の絶縁層を貫通し第１導体層と第２導体層を接続している第１のビア導体３８Ｃを有している。
多層コア基板は第２の絶縁層を貫通し第４導体層と第３導体層を接続している第２のビア導体３８Ｄを有している。
多層コア基板は第１の絶縁層２０Ａと両面板の絶縁層２０Ｚと第２の絶縁層２０Ｂを貫通しているスルーホール導体３６を有している。スルーホール導体により第１導体層と第４導体層は接続されている。実施形態のスルーホール導体の形状は筒状である。
多層コア基板の第１導体層は第１スルーホールランドＴＬ１を有し、多層コア基板の第４導体層は第２スルーホールランドＴＬ２を有している。スルーホールランドはスルーホール導体の周りに形成されていてスルーホール導体に直接繋がっている導体回路である。
【００１１】
図１１（Ａ）はスルーホール導体用の貫通孔３１の一部とスルーホールランドを形成している金属箔２１と第１無電解めっき膜２４と第１電解めっき膜２５を示している。図１１（Ａ）に示されているように、金属箔２１の側壁と第１無電解めっき膜２４の側壁と第１電解めっき膜２５の側壁がスルーホール導体用の貫通孔により露出される。貫通孔により露出している金属箔２１と第１無電解めっき膜２４と第１電解めっき膜２５の側壁上にスルーホール導体を形成している第２無電解めっき膜１７ａが形成されている。
スルーホールランドとスルーホール導体の一部が図１１（Ｂ）に示されている。図１１（Ｂ）に示されているスルーホールランドは第１スルーホールランドＴＬ１である。第２スルーホールランドは第１スルーホールランドと同様な構造を有している。図１１（Ｂ）に示されているように、第１スルーホールランドは第１の絶縁層上の金属箔２１と金属箔上の第１無電解めっき膜２４と第１無電解めっき膜上の第１電解めっき膜２５と第１電解めっき膜上の第２無電解めっき膜１７ａと第２無電解めっき膜上の第２電解めっき膜１７ｂを含む。そして、スルーホール導体は第２無電解めっき膜１７ａと第２無電解めっき膜上の第２電解めっき膜１７ｂで形成されていて、金属箔２１の側壁と第１無電解めっき膜２４の側壁と第１電解めっき膜２５の側壁に接している。第１無電解めっき膜と第１電解めっき膜はスルーホール導体に延びていなく、スルーホール導体の側壁に接している。
スルーホール導体を形成している第２無電解めっき膜と第２電解めっき膜はスルーホールランド上に延びている。
多層コア基板の第２導体層は第２スルーホールランドを有している。第２スルーホールランドは第２の絶縁層下の金属箔と金属箔下の第１無電解めっき膜と第１無電解めっき膜下の第１電解めっき膜と第１電解めっき膜下の第２無電解めっき膜と第２無電解めっき膜下の第２電解めっき膜を含む。
【００１２】
実施形態のコア基板は多層コア基板なので、スルーホール導体用の貫通孔が長い。そのため、ヒートサイクルでスルーホール導体に掛かる応力は大きい。また、実施形態の多層コア基板は、複数の絶縁層で形成されていて、複数の絶縁層の内、最外の絶縁層（多層コア基板の最外の絶縁層）にビア導体（多層コア基板の最外のビア導体）が形成されている。多層コア基板内で第１の絶縁層は最上であって最外の絶縁層であり、第２の絶縁層は最下であって最外の絶縁層である。
【００１３】
多層コア基板の最外のビア導体はスルーホール導体とスルーホール導体の間に形成されている。そのため、実施形態の多層コア基板の変形は、多層コア基板の最外のビア導体を有していない多層コア基板より複雑になりやすい。しかしながら、実施形態のスルーホールランドは複数の無電解めっき膜と複数の電解めっき膜を含み、無電解めっき膜と電解めっき膜は交互に積層されている。そのため、スルーホール導体の周りの剛性が高くなる。また、スルーホール導体とスルーホールランドを構成しているめっき膜の側壁が接している。そのため、スルーホール導体とスルーホールランド間の接触面積が大きくなる。従って、実施形態の多層コア基板によれば、スルーホール導体の信頼性が高くなる。
【００１４】
それに対し、上述の特許文献１の図３（Ａ）によれば、特許文献１のスルーホールランドは１層の無電解銅めっき膜と１層の電解銅めっき膜で形成されている。また、特許文献１では、スルーホール導体がコア基板上に延びていて、スルーホール導体はスルーホールランドを形成しているめっき膜の側壁と接していない。そのため、ヒートサイクルで特許文献１のスルーホール導体の信頼性が低下すると考えられる。
【００１５】
実施形態の多層コア基板の第１導体層は第１のビアランドを有し、第１のビアランドは第１の絶縁層上に形成されている。また、第１のビアランドは第１の絶縁層に形成されているビア導体（多層コア基板の第１の最外のビア導体）３８Ｃに直接繋がっていて、第１の最外のビア導体３８Ｃの周りに形成されている。第１の絶縁層は多層コア基板の第１の最外のビア導体用の開口２３を有している。第１の最外のビア導体は開口２３に形成されている第１無電解めっき膜と第１無電解めっき膜上の第１電解めっき膜で形成されていて、開口２３は第１電解めっき膜で実質的に充填されている。第１のビアランドは、第１の絶縁層上の金属箔と金属箔上の第１無電解めっき膜と第１無電解めっき膜上の第１電解めっき膜で形成されている。第１の最外のビア導体や第１のビアランドは第２無電解めっき膜で被覆されている。第１の最外のビア導体や第１のビアランド上に、さらに、第２無電解めっき膜上の第２電解めっき膜が形成されている。
【００１６】
多層コア基板の第４導体層は第２のビアランドを有し、第２のビアランドは第２の絶縁層下に形成されている。また、第２のビアランドは第２の絶縁層に形成されているビア導体（多層コア基板の第２の最外のビア導体）３８Ｄに直接繋がっていて、第２の最外のビア導体の周りに形成されている。
第２の絶縁層は多層コア基板の第２の最外のビア導体用の開口２３を有している。第２の最外のビア導体は開口２３に形成されている第１無電解めっき膜と第１無電解めっき膜下の第１電解めっき膜で形成されていて、開口２３は第１電解めっき膜で実質的に充填されている。第２のビアランドは、第２の絶縁層下の金属箔と金属箔下の第１無電解めっき膜と第１無電解めっき膜下の第１電解めっき膜で形成されている。第２の最外のビア導体や第２のビアランドは第２無電解めっき膜で被覆されている。第２の最外のビア導体や第２のビアランド下に、さらに、第２無電解めっき膜下の第２電解めっき膜が形成されている。
【００１７】
多層コア基板の第１と第２のビアランドは金属箔と第１無電解めっき膜と第１電解めっき膜と第２無電解めっき膜と第２電解めっき膜を有する。第１や第２のビアランドは複数の無電解めっき膜と複数の電解めっき膜を有する。それに対し、特許文献１のビアランドは１層の無電解銅めっき膜と１層の電解銅めっき膜で形成されている。この違いにより、実施形態では、多層コア基板の最外のビア導体とそのビア導体に繋がっているビアランド間の接続信頼性が向上する。
【００１８】
上述の多層コア基板内のスルーホールランドやビアランドは金属箔を含んでいる。しかし、特許文献１と同様に、多層コア基板の最外の絶縁層上に金属箔を介することなく、第１無電解めっき膜が形成されてもよい。その場合、上述のスルーホールランドやビアランドは第１無電解めっき膜と第１無電解めっき膜上の第１電解めっき膜と第１電解めっき膜上の第２無電解めっき膜と第２無電解めっき膜上の第２電解めっき膜で形成される。
【００１９】
筒状のスルーホール導体の内部に樹脂と無機粒子を含む充填剤（樹脂充填剤）３３ａが充填されている。
充填剤３３ａとスルーホールランド上に被覆回路３３０が形成されている。被覆回路３３０は充填剤３３ａを覆っている。第１の絶縁層上の被覆回路は第１被覆回路３３ａｆであり、第２の絶縁層下の被覆回路は第２被覆回路３３ａｓである。第１被覆回路は第１導体層に含まれ、第２被覆回路は第４導体層に含まれる。
第１被覆回路３３ａｆは第３無電解めっき膜１８ａと第３無電解めっき膜上の第３電解めっき膜１８ｂで形成されていて、第１被覆回路の第３無電解めっき膜は第２電解めっき膜上に形成されている。
第２被覆回路３３ａｓは第３無電解めっき膜と第３無電解めっき膜下の第３電解めっき膜で形成されていて、第２被覆回路の第３無電解めっき膜は第２電解めっき膜下に形成されている。
第１被覆回路を形成している第３無電解めっき膜と第３電解めっき膜は第１のビアランドや多層コア基板の第１の最外のビア導体上に形成されている。第１被覆回路の第３無電解めっき膜は第２電解めっき膜上に形成されている。
第２被覆回路を形成している第３無電解めっき膜と第３電解めっき膜は第２のビアランドや多層コア基板の第２の最外のビア導体下に形成されている。第２被覆回路の第３無電解めっき膜は第２電解めっき膜下に形成されている。
【００２０】
第４導体層はビアランドやスルーホールランド以外に第４導体回路を含む。第４導体回路は、金属箔と金属箔上の第１無電解めっき膜と第１無電解めっき膜上の第１電解めっき膜と第１電解めっき膜上の第２無電解めっき膜と第２無電解めっき膜上の第２電解めっき膜と第２電解めっき膜上の第３無電解めっき膜と第３無電解めっき膜上の第３電解めっき膜で形成されている。
【００２１】
第４導体層はビアランドやスルーホールランド以外に第４導体回路を含む。第４導体回路は、金属箔と金属箔下の第１無電解めっき膜と第１無電解めっき膜下の第１電解めっき膜と第１電解めっき膜下の第２無電解めっき膜と第２無電解めっき膜下の第２電解めっき膜と第２電解めっき膜下の第３無電解めっき膜と第３無電解めっき膜下の第３電解めっき膜で形成されている。導体回路が３層の無電解めっき膜と３層の電解めっき膜を含むため、導体回路の抵抗が低い。第１導体回路や第２導体回路はプレーン層であって、電源層やグランド層として機能することが好ましい。ＩＣチップに安定な電力が供給される。
【００２２】
多層コア基板内の第１や第４導体回路は金属箔を含んでいる。しかし、特許文献１と同様に、多層コア基板の最外の絶縁層上に金属箔を介することなく、第１無電解めっき膜が形成されてもよい。その場合、多層コア基板内の第１や第４導体回路は第１無電解めっき膜と第１無電解めっき膜上の第１電解めっき膜と第１電解めっき膜上の第２無電解めっき膜と第２無電解めっき膜上の第２電解めっき膜と第２電解めっき膜上の第３無電解めっき膜と第３無電解めっき膜上の第３電解めっき膜とで形成される。
【００２３】
多層コア基板内で最外の絶縁層以外の絶縁層はガラスクロスなどの補強材を含み、最外の絶縁層はガラスクロス等の補強材を含まないことが好ましい。但し、多層コア基板内の各絶縁層はシリカなどの無機粒子を含む。多層コア基板内の最外の絶縁層が補強材を含まないので、最外の絶縁層の強度が低い。そのため、スルーホール導体とスルーホールランド間やビア導体とビアランド間に掛かる応力が大きくなる。しかしながら、実施形態では、スルーホールランドとビアランドが複数の無電解めっき膜と複数の電解めっき膜を含むので、スルーホール導体とスルーホールランド間やビア導体とビアランド間で断線が発生しない。
また、多層コア基板の最外の絶縁層のビア導体の径が小さくなるので、プリント配線板のサイズが小さくなる。そのため、応力が小さくなるので多層コア基板の信頼性が高くなる。
多層コア基板は、第１の絶縁層と両面板間に別の絶縁層と別の導体層を含むことができる。多層コア基板は第２の絶縁層と両面板間に別の絶縁層と別の導体層を含むことができる。
【００２４】
多層コア基板３０の第１の絶縁層と第１導体層３４Ｃ上に上側のビルドアップ層が形成されている。上側のビルドアップ層は、多層コア基板の第１主面上に形成されている上側の層間樹脂絶縁層５０Ａと上側の層間樹脂絶縁層５０Ａ上の上側の導体層５８Ａと上側の層間樹脂絶縁層を貫通し上側の導体層５８Ａと第１導体層３４Ｃを接続している上側のビア導体６０Ａを有する。
上側のビルドアップ層は、さらに、上側の層間樹脂絶縁層５０Ａと上側の導体層５８Ａ上に形成されている最上の層間樹脂絶縁層５０Ｃと最上の層間樹脂絶縁層５０Ｃ上に形成されている最上の導体層５８Ｃと最上の層間樹脂絶縁層を貫通し上側の導体層と最上の導体層を接続している最上のビア導体６０Ｃを有する。上側のビルドアップ層は上側の層間樹脂絶縁層と最上の層間樹脂絶縁層間に別の層間樹脂絶縁層と別の導体層を含んでも良い。
【００２５】
多層コア基板の第２の絶縁層と第４導体層３４Ｄ下に下側のビルドアップ層が形成されている。下側のビルドアップ層は、下側の層間樹脂絶縁層５０Ｂと下側の層間樹脂絶縁層５０Ｂ下に形成されている下側の導体層５８Ｂと下側の層間樹脂絶縁層５０Ｂを貫通し下側の導体層５８Ｂと第４導体層３４Ｄを接続している下側のビア導体６０Ｂを有する。
下側のビルドアップ層は、さらに、下側の層間樹脂絶縁層と下側の導体層下に形成されている最下の層間樹脂絶縁層５０Ｄと最下の層間樹脂絶縁層下に形成されている最下の導体層５８Ｄと最下の層間樹脂絶縁層５０Ｄを貫通し最下の導体層と下側の導体層を接続している最下のビア導体６０Ｄを有する。下側のビルドアップ層は下側の層間樹脂絶縁層と最下の層間樹脂絶縁層間に別の層間樹脂絶縁層と別の導体層を含んでも良い。
【００２６】
最上の層間樹脂絶縁層５０Ｃと最上の導体層上に上側のソルダーレジスト層７０Ｆが形成され、最下の層間樹脂絶縁層５０Ｄと最下の導体層下に下側のソルダーレジスト層７０Ｓが形成されている。ソルダーレジスト層７０Ｆ，７０Ｓは、それぞれ最上の導体層５８Ｃと最下の導体層５８Ｄの少なくとも一部を露出している開口７１Ｆ，７１Ｓを有する。開口７１Ｆ，７１Ｓの内部に、それぞれ半田バンプ７６Ｆ，７６Ｓが形成されている。
第１や２実施形態では、第１や第４導体層が３層の無電解めっき膜と３層の電解めっき膜で形成されている。そのため、ビア導体上の上面と導体回路の上面が同一平面に位置し易い。
【００２７】
[第２実施形態]
多層コア基板内の最外のビア導体の第１電解めっき膜２５が図１２（Ａ）に示されているような凹みを有しても、上述の第１実施形態では、第１電解めっき膜上に直接第２無電解めっき膜が形成され、第２無電解めっき膜上に直接第２電解めっき膜が形成されている。そして、第２電解めっき膜上に直接第３無電解めっき膜が形成され、第３無電解めっき膜上に直接第３電解めっき膜が形成されている。
多層コア基板内の最外のビア導体上の第２電解めっき膜１７ｂが図１２（Ｂ）に示されているような凹みを有しても、上述の第１実施形態では、第１電解めっき膜上に直接第２無電解めっき膜が形成され、第２無電解めっき膜上に直接第２電解めっき膜が形成され、第２電解めっき膜上に直接第３無電解めっき膜が形成され、第３無電解めっき膜上に直接第３電解めっき膜が形成されている。
それに対して、第２実施形態では、多層コア基板内の最外のビア導体上の第２電解めっき膜が図１２（Ｂ）に示されているような凹みを有する場合、その窪みに、スルーホール導体内の空洞を充填している充填剤（樹脂充填剤）と同じ材料からなる充填剤３３ｂが充填されている（図１２（Ｃ））。そして、その充填剤上に第３無電解めっき膜１８ａと第３電解めっき膜１８ｂが形成される（図１２（Ｄ））。充填剤により、多層コア基板内の最外のビア導体上のめっき膜が平坦になる。上側と下側のビルドアップ層のうねりや反りが小さくなる。窪みの深さ（Δ）は、７μｍ以下であることが好ましい。多層コア基板内の最外のビア導体のランドと第２無電解めっき膜間で剥がれが発生しがたい。
【００２８】
第２実施形態では、多層コア基板内の最外のビア導体３８Ｃ、３８Ｄが窪みを有していても、充填剤により最外のビア導体上の面が平坦となる。そのため、ビア導体上の面と導体回路の上面が同一平面に位置しやすい。多層コア基板上のビルドアップ層に微細な導体回路を形成することができる。
第１や第２導体層が厚いと、プリント配線板上のＩＣチップに安定な電源を供給することができる。特許文献１の方法と実施形態の方法で、同じ厚みを有する第１や第４導体層が形成されると、第１や第２実施形態の第１や第４導体層は、特許文献１より多くのめっき膜を含んでいる。実施形態では、複数に分けてめっきが行われるため、実施形態では、第１や第４導体層に含まれる各導体回路の厚みのバラツキが小さくなる。そのため、実施形態のプリント配線板にＩＣチップが搭載されると、ＩＣチップが誤動作しがたい。
【００２９】
図８は、第１や第２実施形態のプリント配線板の一部を示す。充填剤３３ｂは省略されている。
図８に示されているように、上側のビルドアップ層内の最上と上側のビア導体６０Ａ、６０Ｃが第１の最外のビア導体３８Ｃ上に積層されている。所謂、スタックビア構造が第１の最外のビア導体上に形成されている。また、スルーホールランドと充填剤を覆っている被覆回路上に上側のビルドアップ層内の最上と上側のビア導体６０Ａ、６０Ｃが積層されている。所謂、スタックビア構造が被覆回路上に形成されている。スタックビア構造はスルーホールランドを覆っている被覆回路上に形成されることが好ましい。実施形態によれば、スタックビア構造が３層の無電解めっき膜と３層の電解めっき膜を含むめっき膜上に形成される。そのめっき膜は金属箔上に形成されていることが好ましい。高強度な導体上にスタックビア構造が形成されるので、スタックビア構造の信頼性が高い。スタックビア構造が４つ以上のビア導体を含んでも、スタックビア構造の信頼性が高い。４つ以上のビア導体が積層されても信頼性が高い。
【００３０】
[製造方法]
第１実施形態のプリント配線板１０の製造方法が図２〜図６に示される
（１）補強材と樹脂を含む絶縁層２０Ｚと絶縁層２０Ｚの両面に形成されている複数の導体回路を含む導体層２００ＺＦ、２００ＺＳとで形成されている両面板２００ｚが用意される（図２（Ａ））。補強材として、例えばガラスクロス、アラミド繊維、ガラス繊維などが挙げられる。ガラスクロスが好適である。樹脂としては、エポキシ樹脂、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂などが挙げられる。
【００３１】
（２）両面板２００ｚの両面に絶縁層（層間樹脂絶縁層用樹脂フィルム（味の素社製：商品名；ＡＢＦ−４５ＳＨ））を介して銅箔２１、２１が積層される。その後、加熱プレスで、第１の絶縁層２０Ａと第２の絶縁層２０Ｂと第１の絶縁層２０Ａと第２の絶縁層２０Ｂの間に位置する両面板と第１の絶縁層上の金属箔（銅箔）２１と第２の絶縁層下の金属箔（銅箔）２１で形成されている中間基板３００が得られる（図２（Ｂ））。第１の絶縁層２０Ａは第１面と第１面と反対側の第２面を有し、銅箔２１は第１の絶縁層の第１面上に形成されている。第２の絶縁層２０Ｂは第３面と第３面と反対側の第４面を有し、銅箔２１は第２の絶縁層の第４面下に形成されている。両面板は第１の絶縁層の第２面と第２の絶縁層の第３面の間に形成されている。両面板は、第１の絶縁層の第２面と第２の絶縁層の第３面で挟まれている。第１と第２の絶縁層は補強剤を有してもよい。
【００３２】
（３）ＣＯ２レーザで第１の絶縁層２０Ａに導体層２００ＺＦに至るビア導体用の開口２３が形成される。また、ＣＯ２レーザで第２の絶縁層２０Ｂに導体層２００ＺＳに至るビア導体用の開口２３が形成される（図２（Ｃ））。
【００３３】
（４）ビア導体用の開口を有する中間基板３００の表面及びビア導体用の開口２３、２３の内壁に第１無電解めっき膜２４が形成される（図２（Ｄ））。
【００３４】
（５）第１無電解めっき膜をシード層として、第１無電解めっき膜２４、２４上第１電解めっき膜２５、２５が形成される。開口２３、２３は第１電解めっき膜で実質的に充填される。フィルドビアから成るビア導体３８Ｃ、３８Ｄが開口２３、２３に形成される（図２（Ｅ））。第１無電解めっき膜と第１電解めっき膜で第１導体膜１６が形成される。
【００３５】
（６）ドリルにより、ビア導体３８Ｃ、３８Ｄを有する中間基板３００にスルーホール導体用の貫通孔３１が形成される（図３（Ａ））。図１１（Ａ）に示されるように、スルーホール導体用の貫通孔３１により、銅箔などの金属箔２１と銅箔上の第１無電解めっき膜２４と第１無電解めっき膜上の第１電解めっき膜２５の側壁が露出する。
【００３６】
（７）ビア導体３８Ｃ、３８Ｄを有する中間基板の表面、及び、スルーホール導体用の貫通孔３１の内壁に、第２無電解めっき膜１７ａが形成される。更に、第２無電解めっき膜１７ａ上に第２電解めっき膜１７ｂが形成され、第２無電解めっき膜と第２電解めっき膜からなる第２導体膜１７が形成される（図３（Ｂ））。第２無電解めっき膜と第２無電解めっき膜上の第２電解めっき膜でスルーホール導体が形成される。
この時、図１１（Ｂ）に示されるように第２無電解めっき膜１７ａは、貫通孔３１により露出されている金属箔２１の側壁と第１無電解めっき膜２４の側壁と第１電解めっき膜２５の側壁上に形成される。第２電解めっき膜１７ｂも第２無電解めっき膜１７ａを介して金属箔の側壁と第１無電解めっき膜の側壁と第１電解めっき膜の側壁上に形成される。スルーホール導体３６は、貫通孔３１により露出している多層コア基板の絶縁層の側壁と金属箔２１、２１の側壁と第１導体膜１６の側壁上に形成される。
【００３７】
（８）筒状のスルーホール導体内に樹脂充填剤３３ａが充填される（図３（Ｃ））。樹脂充填材は、シリカ等の無機粒子とエポキシ等の樹脂を含む。
【００３８】
（９）第２電解めっき膜と樹脂充填剤３３ａ上に第３無電解めっき膜１８ａが形成される。続いて、第３無電解めっき膜上に第３電解めっき膜１８ｂが形成される（図４（Ａ））。第３無電解めっき膜と第３電解めっき膜で第３導体膜１８が形成される。
【００３９】
（１０）第３導体膜１８上エッチングレジスト４２が形成される（図４（Ｂ））。
【００４０】
（１１）エッチングレジスト４２から露出する第３導体膜１８、第２導体膜１７、第１導体膜１６と金属箔２１が除去される。そして、エッチングレジスト４２が除去される。これにより、第１の絶縁層上に第１導体層３４Ｃが形成され、第２の絶縁層下に第４導体層３４Ｄが形成される。また、最外のビア導体やスルーホール導体が形成される。多層コア基板３０が完成する（図４（Ｃ））。
図４（Ｃ）に示されている多層コア基板は４層の導体層を有している。両面板の第１の絶縁層側の導体層は表側の導体層であり、両面板の第２の絶縁層側の導体層は裏側の導体層である。表側の導体層は第１の絶縁層の第２面下に形成されていて、裏側の導体層は第２の絶縁層の第３面上に形成されている。
図４（Ｃ）では、多層コア基板の最外のビア導体は第１導体膜で形成されていて、スルーホール導体は第２導体膜で形成されている。ビア導体とスルーホール導体は別のめっき膜で形成されている。
図４（Ｃ）では、多層コア基板の最外のビア導体のランドは金属箔と金属箔上の第１導体膜で形成されている。そして、最外のビア導体と最外のビア導体のランド上に直接第２導体膜が形成され、さらに、第２導体膜上に直接第３導体膜が形成されている。
図４（Ｃ）では、多層コア基板のスルーホール導体のランドは金属箔と金属箔上の第１導体膜と第１導体膜上の第２導体膜で形成されている。そして、スルーホール導体のランド上に直接第３導体膜が形成されている。
図４（Ｃ）では、第１や第４導体層に含まれる導体回路は、金属箔と金属箔上の第１導体膜と第１導体膜上の第２導体膜と第２導体膜上の第３導体膜で形成されている。
第１や第４導体層から金属箔を除去することは可能である。
【００４１】
（１２）多層コア基板３０の両面に上側と下側の層間樹脂絶縁層５０Ａ、５０Ｂが形成される（図４（Ｄ））。
【００４２】
（１３）次に、ＣＯ２ガスレーザにて層間樹脂絶縁層５０Ａ，５０Ｂにそれぞれ上側と下側のビア導体用の開口５１Ａ，５１Ｂが形成される（図５（Ａ））。
【００４３】
（１４）下側と上側の層間樹脂絶縁層５０Ａ，５０Ｂの表面と開口５１Ａ、５１Ｂの内壁に無電解めっき膜５２，５２が形成される（図５（Ｂ））。
【００４４】
（１５）無電解めっき膜５２上にめっきレジスト５４が形成される（図５（Ｃ））。
【００４５】
（１６）めっきレジスト５４から露出する無電解めっき膜５２上に、電解めっき膜５６が形成される（図６（Ａ））。
【００４６】
（１７）めっきレジスト５４が除去される。電解めっき膜間の無電解めっき膜５２がエッチングで除去される。上側と下側の導体層５８Ａ，５８Ｂ及び上側と下側のビア導体６０Ａ，６０Ｂが形成される（図６（Ｂ））。
【００４７】
（１８）次に上述の（１２）〜（１７）の工程が繰り返され、最上と最下の層間樹脂絶縁層５０Ｃ、５０Ｄが形成される。最上の層間樹脂絶縁層５０Ｃ上に最上の導体層５８Ｃが形成され、最下の層間樹脂絶縁層５０Ｃ下に最下の導体層５８Ｄが形成される。最上の層間樹脂絶縁層５０Ｃに上側の導体層と最上の導体層を接続する最上のビア導体６０Ｃが形成される。最下の層間樹脂絶縁層５０Ｄに下側の導体層と最下の導体層を接続する最下のビア導体６０Ｄが形成される。上側と下側のビルドアップ層が完成する。
【００４８】
（１９）上側のビルドアップ層上に開口７１Ｆを有する上側のソルダーレジスト層７０Ｆが形成され、下側のビルドアップ層下に開口７１Ｓを有する下側のソルダーレジスト層７０Ｓが形成される（図７（Ａ））。開口７１Ｆ，７１Ｓから露出される最上の導体層５８Ｃと最下の導体層５８Ｄが半田パッドとして機能する。
【００４９】
（２０）半田パッド上にニッケルめっき層７２が形成され、さらにニッケルめっき層７２上に金めっき層７４が形成される（図７（Ｂ））。
【００５０】
（２１）開口７１Ｆ，７１Ｓ内に半田ボールが搭載され、リフローが行われ、上側のビルドアップ層の半田パッド上に半田バンプ７６Ｆが形成される。下側のビルドアップ層の半田パッド下に半田バンプ７６Ｓが形成される。プリント配線板１０を完成する（図１）。
無電解めっき膜は無電解銅めっき膜が好ましく、電解めっき膜は電解銅めっき膜が好ましい。
【００５１】
[第２実施形態の製造方法]
多層コア基板の最外のビア導体が形成されるとき、第１電解めっき膜を形成するための時間が短い。そのため、最外のビア導体を形成している第１導体膜の上面に窪みが形成される。その窪みの影響で、最外のビア導体３８Ｃ上の第２導体膜の上面に窪み３８Ｃｒが形成される（図１２（Ｂ））。
第２導体膜の窪み３８Ｃｒに充填剤３３ｂが充填される（図１２（Ｃ））。
次いで、充填剤３３ａ、３３ｂと第２電解めっき膜上に第３導体膜が形成される（図１２（Ｄ））。
第３導体膜形成後、第１実施形態と同様な方法で第２実施形態のプリント配線板が形成される。
多層コア基板は両面板と多層コア基板の最外の絶縁層との間に別の絶縁層と別の導体層を有しても良い。
【符号の説明】
【００５２】
１７  第２導体膜
１８  第３導体膜
１８ａ  第３電解めっき膜
２００ｚ  両面板
２０Ａ  第１の絶縁層
２０Ｂ  第２の絶縁層
３０  多層コア基板
３１  スルーホール導体用の貫通孔
３３ａ  樹脂充填材
３８Ｃ、３８Ｄ  ビア導体
３８Ｃｒ  凹部
３６  スルーホール導体
５０Ａ、５０Ｂ  層間樹脂絶縁層
【図１】
2014216375.tif 000003
【図２】
2014216375.tif 000004
【図３】
2014216375.tif 000005
【図４】
2014216375.tif 000006
【図５】
2014216375.tif 000007
【図６】
2014216375.tif 000008
【図７】
2014216375.tif 000009
【図８】
2014216375.tif 000010
【図９】
2014216375.tif 000011
【図１０】
2014216375.tif 000012
【図１１】
2014216375.tif 000013
【図１２】
2014216375.tif 000014