(57)【要約】  【課題】不揮発性メモリの劣化をコンピュータと非接続の状態においても検出することを可能とする。  【解決手段】不揮発性メモリの劣化要因を検出する検出部と、寿命推測値を保持する記憶部と、検出部によって検出される劣化要因によって寿命推測値を更新する更新部と、更新部によって更新された寿命推測値を使用して通知信号を生成する判定部とを備えるメモリ装置である。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
不揮発性メモリの劣化要因を検出する検出部と、
寿命推測値を保持する記憶部と、
前記検出部によって検出される前記劣化要因によって前記寿命推測値を更新する更新部と、
更新部によって更新された寿命推測値を使用して通知信号を生成する判定部と
を備えるメモリ装置。
【請求項２】
前記不揮発性メモリに対してコンピュータからのアクセスがなされる時に、前記寿命推測値が求められて、前記記憶部に格納される請求項１に記載のメモリ装置。
【請求項３】
前記不揮発性メモリが半導体メモリであって、前記寿命推測値が前記半導体メモリに対する書き換え回数によって求められる値である請求項２に記載のメモリ装置。
【請求項４】
前記劣化要因が温度であって、前記検出部が温度を予め設定された周期毎に測定する請求項１に記載のメモリ装置。
【請求項５】
前記通知信号が無線通信により外部の管理装置に対して送信される請求項１に記載のメモリ装置。
【請求項６】
前記通知信号によって発光素子の発光を制御するようになされた請求項１に記載のメモリ装置。
【請求項７】
前記不揮発性メモリ、前記検出部、前記記憶部、前記更新部および前記判定部が共通のケース内に収納されて可搬型とされる請求項１に記載のメモリ装置。
【請求項８】
検出部によって、不揮発性メモリの劣化要因を検出し、
記憶部によって、寿命推測値を保持し、
更新部によって、前記検出部によって検出される前記劣化要因によって前記寿命推測値を更新し、
判定部によって、更新された寿命推測値を使用して通知信号を生成する
メモリ管理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、不揮発性メモリ例えば不揮発性半導体メモリに適用されるメモリ装置およびメモリ管理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、不揮発性半導体メモリの価格低下が進み、次々と新しい用途に不揮発性半導体メモリが使われるようになっている。このような用途の一つとして、不揮発性半導体メモリをプラスティックの媒体に封じ込め、従来のテープメディアの代替えとして使うことが考えられる。
【０００３】
不揮発性メモリの一つとして磁気記憶装置（ハードディスク、磁気テープ等）が知られている。例えば放送局やデータセンタ等においてデータの長期保存としてテープ媒体が使用されている。テープ媒体の場合では、劣化に対して、劣化状況を評価し、劣化が進んでいるテープ媒体を、新たなテープ媒体にコピーすることが必要となる。しかし、巻数が多い場合には、その作業に膨大な手間がかかる問題がある。
【０００４】
テープ媒体の代わりに、不揮発性半導体メモリをカートリッジに入れて、テープカートリッジと同様に取り扱うことが考えられる。不揮発性半導体メモリは近年急速に価格が低下している。また不揮発性半導体メモリであれば、読み出すために高価なドライブ装置が必要なく、電源とインターフェースを接続するだけで書き込みや、読み出しが可能となる。
【０００５】
しかしながら、不揮発性半導体メモリの劣化が問題となる。特に、近年、半導体プロセスの微細化が進み、不揮発性半導体メモリの価格低下と同時進行で、信頼性の低下が問題となりつつある。特に低価格を実現する多値ＮＡＮＤフラッシュメモリにおいては、書き換え回数を重ねた後のデータ保持時間が短くなってきており、これを使用した製品では、データの化けが発生する可能性が高まってきている。
【０００６】
不揮発性半導体メモリの劣化検出方法に関しては、例えば特許文献１、特許文献２に記載されている。特許文献１では、不揮発性半導体メモリ内に書き込み回数を記憶する書き込み回数記憶部を設け、書き込み回数の設定値と実際の書き込み回数を比較し、設定値を超える場合に警告を発生するようにしている。特許文献２では、複数のセクタを含むページをメモリアレイから読み出す段階と、複数のセクタのそれぞれが許容範囲内の数のエラーを含むかどうかを決定する段階と、複数のセクタのそれぞれが許容範囲内の数のエラーを含む場合、成功インジケータを提供する段階とを備える、メモリデバイスが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平８−２４１５９９号公報
【特許文献２】特表２０１０―５００６９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
これらの特許文献１および特許文献２に記載のものは、制御装置（コンピュータ）が不揮発性半導体メモリに対してアクセスを行い、書き込み回数或いはエラーを読み取った上で、制御装置が劣化の程度を判定するものである。したがって、不揮発性半導体メモリが制御装置に接続されていない状態、例えば上述したようにカートリッジに収納された状態で保管されているような場合では、劣化を検出することができない問題があった。
【０００９】
したがって、本開示の目的は、制御装置等によってアクセスできない状態においても、劣化を検出することができるメモリ装置およびメモリ管理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述の課題を解決するために、本開示は、不揮発性メモリの劣化要因を検出する検出部と、
寿命推測値を保持する記憶部と、
検出部によって検出される劣化要因によって寿命推測値を更新する更新部と、
更新部によって更新された寿命推測値を使用して通知信号を生成する判定部と
を備えるメモリ装置である。
【発明の効果】
【００１１】
本開示によれば、コンピュータとの接続がなされていない状態においても、不揮発性メモリの劣化を検出することができる。例えばコンピュータに接続されている状態において、書き換え回数から寿命推測値が求められ、求められた寿命推測値が記憶部に保持される。コンピュータと非接続の状態において、劣化要因例えば温度が検出され、検出された温度によって寿命推測値が更新される。更新された寿命推測値が所定値より短い場合には、ユーザに対しての通知信号が生成される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】不揮発性半導体メモリの劣化の説明のための略線図である。
【図２】本開示の一実施の形態の電気的構成を示すブロック図である。
【図３】インターフェース回路の一例の構成を示すブロック図である。
【図４】不揮発性メモリ媒体の一例の構成を示すブロック図である。
【図５】フラッシュメモリの内部構成の一例を示すブロック図である。
【図６】期待寿命テーブルの一例を示す略線図である。
【図７】フラッシュメモリへの書込時にコントローラが行う処理を説明するためのフローチャートである。
【図８】不揮発性半導体メモリ媒体の状態をチェックする処理を説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に説明する実施の形態は、本開示の好適な具体例であり、技術的に好ましい種々の限定が付されている。しかしながら、本開示の範囲は、以下の説明において、特に本開示を限定する旨の記載がない限り、これらの実施の形態に限定されないものとする。
以下の説明は、下記の順序にしたがってなされる。
＜１．フラッシュメモリの劣化＞
＜２．一実施の形態＞
＜３．他の実施の形態＞
＜４．変形例＞
【００１４】
＜１．フラッシュメモリの劣化＞
不揮発性半導体メモリの一例として、一実施の形態では、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリを使用している。ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ以外の不揮発性半導体メモリとして、ＮＯＲ型フラッシュメモリ、ＥＥＰＲＯＭ(Electrical Erasable Programmable ＲＯＭ）、磁気抵抗ＲＡＭ(Random Access Memory)、抵抗変化型メモリ、相変化メモリ等に対しても本開示を適用することができる。さらに、半導体メモリ以外の不揮発性メモリ例えば強誘電体メモリに対しても本開示を適用することができる。
【００１５】
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリは、書き換え回数が増加するにしたがってデータ保持保証時間が短くなる劣化が生じる。さらに、温度が高いほどデータ保持保証時間が短い。図１は、フラッシュメモリの書き換え回数とデータ保持保証時間と温度との関係を概略的に示す。図１において、破線は、温度が２５℃の場合のデータ保持保証時間の変化を示し、実線は、温度が８５℃の場合のデータ保持保証時間の変化を示す。このように、メモリ内のデータが安定的に保持されることが保証される時間であるデータ保持保証時間は、書き換え回数が増加していくにつれて低下するとともに、周囲の温度によっても変化する。特に、温度が高くなるほど、データ保持保証時間は短くなる。
【００１６】
＜２．一実施の形態＞
「メモリ装置の構成」
図２は、本開示の一実施の形態の電気的構成を示す。例えばカートリッジ内に不揮発性半導体メモリおよびその周辺回路が収納されて不揮発性半導体メモリ媒体が構成される。複数の不揮発性半導体メモリ媒体１1 〜１N （各媒体を特に区別する必要がない場合は、単に不揮発性半導体メモリ媒体１と称する）がホストコンピュータ２に対してインターフェース回路３1 〜３N （各回路を特に区別する必要がない場合は、単にインターフェース回路３と称する）を介して接続されている。
【００１７】
ホストコンピュータ２は、システム全体の制御を行う。不揮発性半導体メモリ媒体１とホストコンピュータ２との間で、データの入出力と電源供給とが光ファイバにより行われる。各不揮発性半導体メモリ媒体１に対して３本ずつ光ファイバを用いている。ホストコンピュータ２からの情報は、インターフェース回路３に伝えられる。インターフェース回路３では、ホストコンピュータからのコマンドに応じて、コマンド内容および記録再生データをシリアルデータに変換して、光ファイバ３０および光ファイバ３１を介して不揮発性半導体メモリ媒体１に伝送する。さらに、インターフェース回路３は、不揮発性半導体メモリ媒体１を動作させるために必要な電力（例えば略２Ｗ程度）を、光エネルギーに変換し、光ファイバ３２を使って伝送する。
【００１８】
ホストコンピュータ２が複数の不揮発性半導体メモリ媒体１を制御する場合には、制御の切り替えは、それぞれの不揮発性半導体メモリ媒体１に対応するインターフェース回路３が行う。
【００１９】
インターフェース回路３例えばインターフェース回路３1 は、図３に示すように構成されている。他のインターフェース回路３2 〜３Nもインターフェース回路３1 と同様の構
成を有する。ホストコンピュータ２との間で送受される情報は、制御ロジック３３に入力される。制御ロジック３３は、ホストコンピュータ２からの情報を解析して、自分が担当する不揮発性半導体メモリ媒体１に宛てた指示であるかどうかを判断する。自分の担当する指示である場合に、制御ロジック３３はＡＰＣ(Automatic Power Control)回路３６に
指示を出して、半導体レーザ３７の出力を立ち上げる。
【００２０】
ＡＰＣ回路３６は、半導体レーザ３７の出力が所定の値（例えば２Ｗ）で発光するように、半導体レーザ３７のドライブ電流を制御する。半導体レーザ３７は、例えば波長８００ｎｍの半導体レーザであり、レーザ光線を出力する。このレーザ光線はコネクタを介して光ファイバ３２を介して伝送される。レーザ光線を受けた不揮発性半導体メモリ媒体１がレーザ光線から駆動電力を形成する。
【００２１】
さらに、制御ロジック３３は、ホストコンピュータ２からの指示内容をシリアルデータに変換し、光送信機３５（TOSA: Transmitter Optical SubAssesmbly)にシリアルデータ
を供給する。光送信機３５は、内蔵するレーザを変調し、変調されたレーザ光線を光ファイバ３０に送り込む。一方、光受信機３４（ROSA: Receiver Optical SubAssembly）は、不揮発性半導体メモリ媒体１から光ファイバ３１経由で送られてきた光信号を、電気信号に変換し、制御ロジック３３に伝える。
【００２２】
このようにして制御ロジック３３は、２本の光ファイバ３０および３１により、不揮発性半導体メモリ媒体１との光通信を確立する。
【００２３】
上述した実施の形態では、電力および信号線を全て光ファイバで伝送し、電気的な接続を使っていない。この結果、不揮発性半導体メモリ媒体１を電気的に絶縁された状態でホストコンピュータ２と接続することができる。絶縁物である光ファイバによる接続なので、近くに落雷などがあり、誘導雷による影響がインターフェース線にあっても、不揮発性半導体メモリ媒体１の内容を破壊から防ぐことが可能となる。
【００２４】
不揮発性半導体メモリ媒体１は、図４に示すように構成されている。光ファイバ３０を経由して送られた光エネルギーは、光電エネルギー変換素子１５により電気エネルギーに変換される。この電気エネルギーは、不揮発性半導体メモリ媒体１の全回路に動作電源として供給されて回路を動作させる。光電エネルギー変換素子１５としては、例えば化合物半導体（ガリウム・ヒ素）を使った光給電素子を使用することができる。
【００２５】
コントローラ１３は、フラッシュメモリ１４に対する書き込む動作、読み出し動作を制御するＩＣ(Integrated Circuit)である。この種のＩＣは、フラッシュメモリを制御する専用のコントローラとして、複数の半導体メーカによって製造されている。コントローラ１３は、光ファイバ３０および３１、光送信機１１および光受信機１０を介して、インターフェース回路３と通信する。インターフェース回路３から記録データが送られてきた場合、コントローラ１３は記録データをＲＡＭ１２に一時的に蓄える。その後コントローラ１３は、ＲＡＭ１２に蓄えられた記録データをフラッシュメモリ１４の所定の場所に書き込む。
【００２６】
さらに、コントローラ１３は、フラッシュメモリ１４内に格納されたデータを読み出し、光送信機１１を経由してホストコンピュータ２に送信する。フラッシュメモリは、ブロックまたはページと称される単位でもってデータの消去がなされる。
【００２７】
さらに、不揮発性半導体メモリ媒体１は、リアルタイムクロック（図４では、ＲＴＣと表記する）１６、補助コントローラ１７、電池１８、ＢＴＬＥ１９、および温度測定用の温度センサ２０を有する。リアルタイムクロック１６は、一次電池を搭載して長期例えば１０年間以上動作し続けるリアルタイムクロックのチップである。リアルタイムクロック１６から発生する、現在時刻（年・月・日・時・分）のデータが補助コントローラ１７に供給される。さらに、リアルタイムクロック１６は、１次電池でバックアップされた不揮発メモリ領域を備えている。この不揮発メモリ領域は、補助コントローラ１７とコントローラ１３の両方からアクセスできるように構成されている。
【００２８】
電池１８から供給される電力は、補助コントローラ１７に供給される。補助コントローラ１７は、超低消費電力のスリープモードを持つＣＰＵ(Central Processing Unit) によって構成される。電池１８として、例えば高容量のボタン電池が使われる。さらに、不揮発性半導体メモリ媒体１のカートリッジのケース外面に取り付けた太陽電池（図示しない）から微少電力が得られる場合には、高容量のボタン電池の代わりに太陽電池を使用しても良い。例えば薄膜固体２次電池として、長期間（１５年以上）の寿命と、１０万回以上の充放電が保証されている製品が入手可能である。
【００２９】
温度センサ２０は、不揮発性半導体メモリ媒体１の温度例えばカートリッジ内部の温度を測定し、測定結果を補助コントローラ１７に対して供給する。ＢＴＬＥ１９は、(BlueTooth Low Energy)規格（BlueToothは、登録商標）に従った低パワーの無線通信チップで
ある。補助コントローラ１７は、このＢＴＬＥ１９を介して、警告メッセージのような劣化検査結果を示す通知信号を外部のサーバに無線送信する。ＢＴＬＥ以外の無線通信モジュールを使用しても良い。検査結果をサーバに対して送信する場合、不揮発性半導体メモリ媒体１を特定することができるＩＤ（識別子）が付加され、サーバ側のどの不揮発性半導体メモリ媒体１に関しての検査結果であるかを識別できる。
【００３０】
補助コントローラ１７は、電池１８から供給される電力を使い、定期的にウェイクアップして自動起動する。補助コントローラ１７は、定期的に温度センサ２０を駆動し、フラッシュメモリ１４の温度計測を行う。この温度測定結果と、温度測定を行った時刻（年・月・日）情報はリアルタイムクロック１８内部の不揮発メモリ領域に保存される。
【００３１】
上述した不揮発性半導体メモリ媒体１において、補助コントローラ１７は、フラッシュメモリ１４の劣化状況を推測し、必要な場合には、推測結果を外部のサーバに対して送信できる構成とされている。この動作は、光電エネルギー変換素子１５からの供給エネルギーが無い場合でも動作し続けるように、極めて省電力の構成とされている。すなわち、不揮発性半導体メモリ媒体１がホストコンピュータ２と非接続の状態例えば保管状態においても、劣化状況の推測を行うことができる。
【００３２】
フラッシュメモリ１４の内部構成は、図５に概略的に示すように複数のメモリ領域に分割されている。データメモリ領域１４０は、最大の領域を占め、ホストコンピュータ２から与えられた記録データを保存する領域である。管理領域１４１は、記録するデータのアドレスや書き換え回数などの管理情報を貯える領域であり、データメモリ領域１４０とは異なる特性（すなわち、高い信頼性を有する）の半導体メモリチップが使われている。
【００３３】
アドレス管理領域１４２は、ホストコンピュータ２から指示されたアドレスと、実際にデータが置かれるアドレスのとの変換テーブル等が記憶される領域である。書き換え回数管理テーブル１４３は、各アドレス毎に、「何回書き換えが行われたか」という情報を記憶しておく領域である。殆どのフラッシュメモリは、書き換え回数が増えるに従って劣化が進み、記憶保持時間が短くなっていく特性を持っている。
【００３４】
期待寿命テーブル１４４は、書き換え回数に応じて、データ保持特性が保証できる時間（期待寿命と適宜称する）を記録したデータテーブルである。期待寿命テーブル１４４の一例を図６に示す。書き換え回数（ｙ）の範囲毎に、対応する期待寿命 Tmax[y]が定められている。期待寿命は、あるブロックが書き換えられてからそのブロックのデータの保持が保証される時間である。
【００３５】
書き込み時刻テーブル１４５は、あるブロックに対して書き込みがなされた時刻を記憶する領域である。ブロック毎に書き込み時刻が記憶される。
【００３６】
ここで、トータルの書き換え回数ｙが多いほど、期待寿命 Tmax[y]が短くなっていく（Ｔ１＞Ｔ２＞Ｔ３・・・）。なお、書き換え回数ｙは、一般的なフラッシュメモリの制御ソフトウェアが備えたウェアレベリング（WearLeveling）という各ブロックの書き換え回数を平滑化する機能によりカウントされる。そして、書き換え回数がフラッシュメモリ上の管理データとして保存されているので、その値を利用することができる。
【００３７】
図７のフローチャートを参照して、フラッシュメモリ１４への書込時にコントローラ１３が行う処理について説明する。この書き込み処理は、ホストコンピュータ２に対して不揮発性半導体メモリ媒体１が接続されており、光電エネルギー変換素子１５からの電力が供給されているときに行われる。
【００３８】
ステップＳ１：フラッシュメモリ１４のブロックＡに新たにデータが書き込まれる。
ステップＳ２：リアルタイムクロック１６から得られた現在時刻が書き込み時刻テーブル１４５の、ブロックＡに相当する場所に書き込まれる。
【００３９】
ステップＳ３：コントローラ１３は、ブロックＡの寿命推測値を求める。すなわち、ブロックＡの過去の書き換え回数を、書き換え回数管理テーブル１４３から求める。次に、期待寿命テーブル１４４を参照して、ブロックＡの期待寿命を求める。そして最後にブロックＡの書き込み時刻を、書き込み時刻テーブル１４５から求める。書き込み時刻に対して期待寿命を加算することにより、ブロックＡのデータの保持できる時刻が推測される。この結果得られた時刻が寿命推測値とされる。期待寿命が期間であるのに対して、寿命推測値が時刻（年・月・日）である。但し、時刻ではなく、期待寿命の期間の長短によって、不揮発性半導体メモリ１の寿命を判定するようにしても良い。
【００４０】
ステップＳ４：コントローラ１３は、このようなチェックをフラッシュメモリ１４の全てのブロックに対して行う。
ステップＳ５：全てのブロックから得られた寿命推測値の中から、もっとも短い値を選び、最短寿命推測値 ETminとする。コントローラ１３は、このようにして得られた最短寿命推測値 ETminを、リアルタイムクロック内部の不揮発メモリ領域に記憶する。
なお、新たな書き込みデータが無い場合は、コントローラ１３は動作を停止して電力消費を抑える。
【００４１】
不揮発性半導体メモリ媒体１がホストコンピュータと接続されていない状態例えば保管状態において、補助コントローラ１７は、リアルタイムクロック１６から供給されるパルスにより定期的に極めて省電力のモードで起動される。そして、不揮発性半導体メモリ媒体１のチェックを行う。ここでは説明の都合上、補助コントローラ１７が周期Ｔｂで起動されることとする。図８のフローチャートを参照して不揮発性半導体メモリ媒体１の状態をチェックする処理について説明する。
【００４２】
ステップＳ１１：補助コントローラ１７が周期Ｔｂで起動される。
ステップＳ１２：補助コントローラ１７は、温度センサ２０の温度計測値Tmesを読み込む。この温度計測値Tmesは、現在温度を表している。不揮発性半導体メモリ媒体１の素子は温度により指数関数的に劣化することが知られている。
【００４３】
ステップＳ１３：補助コントローラ１７は、温度計測値Tmesを使用してアレニウス・モデルの次の式（１）等を用いて温度加速係数αを算出する。
【００４４】
温度加速係数α＝exp｛（Ea/k）・（(1/Tmes）−(1/Tbase)）｝・・・  （１）
【００４５】
式（１）中の各変数は次のものである。
Ea：活性化エネルギー
ｋ：ボルツマン係数
Tmes：温度センサ２０で計測された絶対温度
Tbase：標準絶対温度（例えば３００度）
【００４６】
ステップＳ１４：補助コントローラ１７は、温度加速係数αと周期Ｔｂを乗算することによって、実質劣化度合いα・Ｔｂを求める。
ステップＳ１５：補助コントローラ１７は、リアルタイムクロック内部の不揮発メモリ領域に記憶されていた最短寿命推測値 ETminを読み出し、次式に示すように更新する。
ETmin[new]＝ETmin[old] −α・Ｔｂ    ・・・  （２）
【００４７】
式（２）において、ETmin[new]は、現時点での最短寿命推測値を示す。補助コントローラ１７は、ETmin[new]の値を、リアルタイムクロック内部の不揮発メモリ領域に戻すことで更新を行う。
【００４８】
ステップＳ１６：この最短寿命推測値 ETmin[new]がゼロまたは負になれば、不揮発性
半導体メモリ媒体１に記録されたメモリ素子のうち、何れかの部分で劣化が進み、寿命に到達している可能性がある。そこで、補助コントローラ１７は、更新された最短寿命推測値 ETmin[new]と、あらかじめ設定されていた警告レベルTw との比較を行う。すなわち、式（３）の比較を行う。例えば警告レベルTw は、記憶の保持が保証できる時刻に対して
所定のマージンを加えた時刻である。
最短寿命推測値  ETmin[new] ＜ 警告レベル  Tw    ・・・  （３）
【００４９】
ステップＳ１７：式（３）を満足した場合には、不揮発性半導体メモリ媒体１のメモリ素子の一部分が寿命に到達するのが近いことを意味する。このような場合、補助コントローラ１７は、低パワーの無線通信チップであるＢＴＬＥ１９を介して、劣化検査結果に基づく警告通知を不揮発性半導体メモリ媒体１のＩＤと共に外部のサーバに無線送信する。無線送信の代わりに、または無線通信と共に、不揮発性半導体メモリ媒体１のケース表面に設けた発光ダイオード（ＬＥＤ）等による警告表示を行うようにしても良い。さらに、音による警告を発生しても良い。
【００５０】
上述したように、本開示により、温度と書き換え回数によって変化するフラッシュメモリのデータ保持保証時間として、温度センサを用いて実効的な時間を算出し、事前に警報を発することができる。したがって、不揮発性半導体メモリ媒体１を保管中にデータが自然に蒸発してしまうことを未然に防ぎ、信頼性を向上させることができる。電池で動作する部分は、周期Ｔｂで間欠的に動作し、その動作で使うエネルギーは、単純な四則演算と温度計測だけであるから、極めて低消費電力であり、１０年以上のような長期間動作することをできる。
【００５１】
＜３．他の実施の形態＞
上述した一実施の形態では、不揮発性半導体メモリ媒体の識別情報と警告通知とを無線送信している。さらに、管理している不揮発性半導体メモリ媒体が多数存在する場合には、識別情報として不揮発性半導体メモリ媒体を特定すると共に、その保管位置を表す情報を使用することが好ましい。
【００５２】
他の実施の形態では、不揮発性半導体メモリ媒体の検査結果と共に、識別情報および保管位置情報を伝送するものである。不揮発性半導体メモリ媒体の構成は、上述した一実施の形態と同様の構成に対して、位置検出装置を付加したものとされる。例えば Wi-Fiを利用した位置推定を使用することができる。さらに、超音波測距技術を用いた構内位置情報システムによって不揮発性半導体メモリ媒体の位置を測定するようになされる。他の構成としては、棚の保管位置が識別可能とされ、その保管位置の情報を保管位置情報として伝送するようにしても良い。さらに、複数の不揮発性半導体メモリ媒体の保管領域を示す位置情報を使用しても良い。この場合には、ＬＥＤ等の発光素子の発光と併用して最終的に不揮発性半導体メモリ媒体を特定するようになされる。
【００５３】
他の実施の形態のように、警告の対象となる不揮発性半導体メモリ媒体の保管位置をサーバに対して通知することによって、当該媒体を探し出すのが容易となる利点がある。
【００５４】
なお、本開示は、以下のような構成も取ることができる。
（１）
不揮発性メモリの劣化要因を検出する検出部と、
寿命推測値を保持する記憶部と、
前記検出部によって検出される前記劣化要因によって前記寿命推測値を更新する更新部と、
前記更新部によって更新された前記寿命推測値を使用して通知信号を生成する判定部と
を備えるメモリ装置。
（２）
前記不揮発性メモリに対してコンピュータからのアクセスがなされる時に、前記寿命推測値が求められて、前記記憶部に格納される（１）に記載のメモリ装置。
（３）
前記不揮発性メモリが半導体メモリであって、前記寿命推測値が前記半導体メモリに対する書き換え回数によって求められる値である（１）および（２）の何れかに記載のメモリ装置。
（４）
前記劣化要因が温度であって、前記検出部が温度を予め設定された周期毎に測定する（１）乃至（３）の何れかに記載のメモリ装置。
（５）
前記通知信号が無線通信により外部の管理装置に対して送信される（１）乃至（４）の何れかに記載のメモリ装置。
（６）
前記通知信号によって発光素子の発光を制御するようになされた（１）乃至（５）の何れかに記載のメモリ装置。
（７）
前記不揮発性メモリ、前記検出部、前記記憶部、前記更新部および前記判定部が共通のケース内に収納されて可搬型とされる（１）乃至（６）の何れかに記載のメモリ装置。
（８）
検出部によって、不揮発性メモリの劣化要因を検出し、
記憶部によって、寿命推測値を保持し、
更新部によって、前記検出部によって検出される前記劣化要因によって前記寿命推測値を更新し、
判定部によって、更新された前記寿命推測値を使用して通知信号を生成する
メモリ管理方法。
【００５５】
＜４．変形例＞
以上、本開示の実施の形態について具体的に説明したが、上述の各実施の形態に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例えば、上述の実施の形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。例えば温度以外の湿度、紫外線量等を劣化要因とする場合に対して本開示を適用しても良い。また、上述の実施の形態の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
【符号の説明】
【００５６】
１，１1 〜１N・・・不揮発性半導体メモリ媒体
２・・・ホストコンピュータ
３，３1 〜３N・・・インターフェース回路
３０，３１，３２・・・光ファイバ
１３・・・コントローラ
１４・・・フラッシュメモリ
１６・・・リアルタイムクロック
１７・・・補助コントローラ
２０・・・温度センサ
【図１】
2014216041.tif 000003
【図２】
2014216041.tif 000004
【図３】
2014216041.tif 000005
【図４】
2014216041.tif 000006
【図５】
2014216041.tif 000007
【図６】
2014216041.tif 000008
【図７】
2014216041.tif 000009
【図８】
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