(57)【要約】【課題】多層配線板に内蔵された弾性波デバイスの信頼性の低下を抑制することのできる電子部品モジュールを提供すること。【解決手段】複数の絶縁層（１０、１２、１４、１６）と、複数の絶縁層間に形成された内部配線層（２２、２４、２６）と、複数の絶縁層のうち最も外側の絶縁層上に形成された表面配線層（２０、２８）と、が積層された多層配線板３０と、多層配線板３０の内部に設けられた弾性波デバイス４０と、を備え、弾性波デバイス４０は、基板４２上に設けられ弾性波を励振する機能部４４と、機能部４４上に空隙４６を有するように機能部を封止する封止部４８と、を含み、表面配線層２０のうち、電子部品の端子が固定される領域である端子部２０ａは、多層配線板３０の積層方向から見た場合に、弾性波デバイス４０の空隙４６と重ならないことを特徴とする電子部品モジュール。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁層と、前記複数の絶縁層間に形成された内部配線層と、前記複数の絶縁層のうち最も外側の絶縁層上に形成された表面配線層と、が積層された多層配線板と、
前記多層配線板の内部に設けられた弾性波デバイスと、を備え、
前記弾性波デバイスは、基板上に設けられ弾性波を励振する機能部と、前記機能部上に空隙を有するように前記機能部を封止する封止部と、を含み、
前記表面配線層のうち、電子部品の端子が固定される領域である端子部は、前記多層配線板の積層方向から見た場合に、前記弾性波デバイスの前記空隙と重ならないことを特徴とする電子部品モジュール。
【請求項２】
前記封止部は、前記機能部の周囲を囲う側壁部と、前記側壁部上に形成された蓋部とを含み、
前記蓋部上に当該蓋部と電気的に接続して形成され、前記複数の絶縁層のうち少なくとも１つを貫通する第１ビアを備えることを特徴とする請求項１に記載の電子部品モジュール。
【請求項３】
前記表面配線層は、前記空隙上の領域に形成され、電気的に浮遊した浮遊金属層を含み、
前記浮遊金属部は、前記第１ビアを介して前記蓋部と電気的に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の電子部品モジュール。
【請求項４】
前記端子部下に当該端子部と電気的に接続して形成され、前記複数の絶縁層のうち少なくとも１つを貫通する第２ビアを備え、
前記第１ビア及び前記第２ビアは、前記多層配線板の積層方向から見た場合に、互いに重ならないことを特徴とする請求項２または３に記載の電子部品モジュール。
【請求項５】
前記蓋部は、当該蓋部の少なくとも一部に形成され、前記第１ビアと電気的に接続された金属層である蓋部金属層を含むことを特徴とする請求項２〜４のいずれか１項に記載の電子部品モジュール。
【請求項６】
前記端子部は、当該端子部に前記電子部品の端子を固定した場合に、当該電子部品が前記空隙上の領域を跨いで実装される位置に形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子部品モジュール。
【請求項７】
前記弾性波デバイスは、弾性表面波デバイスを含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子部品モジュール。
【請求項８】
前記弾性波デバイスは、圧電薄膜共振器を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子部品モジュール。
【請求項９】
前記端子部に端子が固定された前記電子部品を備えることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子部品モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線板に弾性波デバイスが内蔵された電子部品モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性波を利用する弾性波デバイスは、例えば携帯電話端末等の無線通信機器のフィルタ及び分波器に用いられている。弾性波デバイスには、弾性表面波ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）を利用する弾性表面波デバイスと、バルク波（Bulk Acoustic Wave）を利用するバルク波デバイスとがある。弾性表面波デバイスには、圧電基板上に櫛歯状のＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極が形成されたＳＡＷデバイスの他に、ＩＤＴ電極が誘電体膜で覆われたラブ波デバイス、ＩＤＴ電極が封止された弾性境界波デバイスが含まれる。バルク波デバイスには、圧電膜の上下両面が電極により挟まれた圧電薄膜共振器デバイスの他に、ラム波を利用したラム波デバイスが含まれる。
【０００３】
弾性波デバイスでは、弾性波を励振する電極（圧電基板上に形成されたＩＤＴ電極、または圧電膜の上下両面に形成された電極対）を含む機能部上に空隙が形成されるように、弾性波デバイスの機能部を封止する封止部が設けられている。これにより、弾性波を励振するための領域を確保し、弾性波デバイスの特性を維持することができる。
【０００４】
無線通信機器の小型化に伴い、弾性波デバイスが実装される電子部品モジュールにおいても、更なる小型化が求められている。そこで、電子部品モジュールを小型化するため、金属等の配線層と樹脂等の絶縁層とが積層された多層配線板の内部に、弾性波デバイスを配置する技術が知られている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−３１２１０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
弾性波デバイスを多層配線板に内蔵した電子部品モジュールでは、表面に実装される電子部品に何らかの衝撃が加わった場合に、当該衝撃が内部の弾性波デバイスの封止部に伝達され、空隙が押しつぶされることで封止が破壊されてしまう場合があった。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、多層配線板に内蔵された弾性波デバイスの信頼性の低下を抑制することのできる電子部品モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、複数の絶縁層と、前記複数の絶縁層間に形成された内部配線層と、前記複数の絶縁層のうち最も外側の絶縁層上に形成された表面配線層と、が積層された多層配線板と、前記多層配線板の内部に設けられた弾性波デバイスと、を備え、前記弾性波デバイスは、基板上に設けられ弾性波を励振する機能部と、前記機能部上に空隙を有するように前記機能部を封止する封止部と、を含み、前記表面配線層のうち、電子部品の端子が固定される領域である端子部は、前記多層配線板の積層方向から見た場合に、前記弾性波デバイスの前記空隙と重ならないことを特徴とする電子部品モジュール。
【０００９】
上記構成において、前記封止部は、前記機能部の周囲を囲う側壁部と、前記側壁部上に形成された蓋部とを含み、前記蓋部上に当該蓋部と電気的に接続して形成され、前記複数の絶縁層のうち少なくとも１つを貫通する第１ビアを備える構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記表面配線層は、前記空隙上の領域に形成され、電気的に浮遊した浮遊金属層を含み、前記浮遊金属部は、前記第１ビアを介して前記蓋部と電気的に接続されている構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記端子部下に当該端子部と電気的に接続して形成され、前記複数の絶縁層のうち少なくとも１つを貫通する第２ビアを備え、前記第１ビア及び前記第２ビアは、前記多層配線板の積層方向から見た場合に、互いに重ならない構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記蓋部は、当該蓋部の少なくとも一部に形成され、前記第１ビアと電気的に接続された金属層である蓋部金属層を含む構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記端子部は、当該端子部に前記電子部品の端子を固定した場合に、当該電子部品が前記空隙上の領域を跨いで実装される位置に形成されている構成とすることができる。
【００１４】
上記構成において、前記弾性波デバイスは、弾性表面波デバイスを含む構成とすることができる。
【００１５】
上記構成において、前記弾性波デバイスは、圧電薄膜共振器を含む構成とすることができる。
【００１６】
上記構成において、前記端子部に端子が固定された前記電子部品を備える構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、弾性波を励振する電極上の空隙に水分等が侵入することを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】第１の比較例に係る電子部品モジュールを示す図である。
【図２】第２の比較例に係る電子部品モジュールを示す図である。
【図３】実施例１に係る電子部品モジュールの構成を示す図である。
【図４】弾性波デバイスの詳細な構成を示す図（その１）である。
【図５】弾性波デバイスの詳細な構成を示す図（その１）である。
【図６】実施例１に係る電子部品モジュールの製造方法を示す図（その１）である。
【図７】実施例１に係る電子部品モジュールの製造方法を示す図（その２）である。
【図８】実施例１に係る電子部品モジュールの製造方法を示す図（その３）である。
【図９】実施例１に係る電子部品モジュールの製造方法を示す図（その４）である。
【図１０】実施例１に係る電子部品モジュールの製造方法を示す図（その５）である。
【図１１】実施例１に係る電子部品モジュールの製造方法を示す図（その５）である。
【図１２】実施例２に係る電子部品モジュールの構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図１は、第１の比較例に係る電子部品モジュールを示す断面模式図である。図１に示すように、比較例に係る電子部品モジュールは、多層配線板３０と、多層配線板内に配置（内蔵）された弾性波デバイス４０と、多層配線板３０上に実装された電子部品６０とを備える。
【００２０】
多層配線板３０は、複数の絶縁層１０、１２、１４、１６と、複数の配線層２０、２２、２４、２６、２８とが互いに積層されて形成されている。複数の配線層は、多層配線板３０の表面に形成された表面配線層（２０、２８）と、絶縁層間に形成された内部配線層（２２、２４、２６）とを含む。複数の配線層同士は、絶縁層を貫通する配線であるビア（３２、３４）により、互いに電気的に接続されている。
【００２１】
弾性波デバイス４０は、基板４２上に形成されたＩＤＴ等からなり弾性波を励振する機能部４４と、機能部４４上に空隙４６を有するように機能部４４を封止する封止部４８とを含む。封止部４８は、機能部４４の周囲を囲う側壁部５０と、側壁部５０上に形成された蓋部５２とから構成される。蓋部５２は金属層から構成され、その上に形成されたビア３２を介して、多層配線板３０の表面と電気的に接続されている。本比較例では、弾性波デバイスに弾性表面波共振器を用いているが、他の弾性波デバイス（例えば、バルク波デバイス）を用いることもできる。
【００２２】
電子部品６０は、例えば抵抗素子、インダクタ、或いはキャパシタ等のチップ部品、及びパワーアンプ、アンテナスイッチ、或いは高周波ＩＣ（Integrated Circuit：集積回路）等の能動素子から構成され、多層配線板３０の表面配線層２０に実装される。多層配線板３０の上面に形成された表面配線層２０は、上記のような電子部品６０を実装するための端子として機能する（以下の説明では、表面配線層２０のうち電子部品が固定される領域を、端子部２０ａと称する）。電子部品６０は、例えば半田６２により端子部２０ａに固定される。また、多層配線板３０の下面に形成された表面配線層２８は、電子部品モジュールにおける外部接続用端子として機能する。すなわち、実施例１に係る電子部品モジュールは、多層配線板３０の下面における表面配線層２８を介して、電子機器のマザーボードにおける端子等と電気的に接続される。
【００２３】
本比較例では、電子部品６０の端子が固定される表面配線層２０の端子部２０ａが、弾性波デバイス４０における空隙の直上の領域に形成されている。また、蓋部５２と端子部２０ａとは、ビア３２により接続されている。このため、電子部品６０に何らかの衝撃が加わると、その応力がビア３２を介して蓋部５２に伝達され、弾性波デバイス４０の空隙４６押しつぶされて、蓋部５２と側壁部５０の接続部もしくは蓋部５２や側壁部５０自体が破壊されてしまう。その結果、外部から空隙４６に水分が侵入しやすくなり、湿度に対する信頼性が低下してしまう。また、空隙４６が押し潰されたことで蓋部５２が機能部４４に接触してしまうと、弾性波として機能しなくなる場合がある。また、絶縁層１０、１２、１４、１６が樹脂で形成されている場合には、電子部品モジュールを電子機器のマザーボード等に実装する際の熱によって、絶縁層から水分及び／或いは未反応生成物（例えば、フッ素或いは塩素）が気化、脱ガスするが、多層配線板３０の内層である絶縁層に於いて生じた水分及び／或いは未反応生成物は、外部に放出されることなく、多層配線板３０内に保持され、経時変化によって、これらの水分及び／或いは未反応生成物が空隙４６内に侵入することも生じてしまう。
【００２４】
図２は、第２の比較例に係る電子部品モジュールを示す断面模式図である。比較例１（図１）と共通の構成には、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。図１と異なり、蓋部５２上の領域と、端子部２０ａ下の領域には、ビアが形成されていない。しかし、多層配線板３０の積層方向から見た場合に、端子部２０ａが弾性波デバイス４０の空隙４６と重なる位置に形成されている。このため、電子部品６０に何らかの衝撃が加わると、その応力が絶縁層１０及び１２を介して蓋部５２に伝達され、弾性波デバイス４０の空隙４６が押しつぶされて、蓋部５２と側壁部５０の接続部もしくは蓋部５２や側壁部５０自体が破壊されてしまう。その結果、外部から空隙４６に水分或いは未反応生成物が侵入しやすくなり、湿度に対する信頼性が低下してしまう。また、空隙４６が押し潰されたことで蓋部５２が機能部４４に接触してしまうと、弾性波として機能しなくなる場合がある。
【００２５】
以上のように、比較例に係る電子部品モジュールでは、表面に実装される電子部品６０に加わる衝撃により、多層配線板３０に内蔵された弾性波デバイス４０が機械的に破壊されてしまうという課題があった。また、上記の機械的な破壊に伴う水分侵入や、意図しない電気的導通による弾性波デバイス４０の信頼性の低下が生じる場合もあった。以下の実施例では、多層配線板３０に内蔵された弾性波デバイス４０の機械的な破壊及び信頼性の低下を抑制することのできる電子部品モジュールの構成及び製造方法について説明する。
【実施例１】
【００２６】
図３は、実施例１に係る電子部品モジュールを示す断面模式図である。比較例１（図１）と共通の構成には、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。実施例１では、表面配線層２０の端子部２０ａが、弾性波デバイス４０における空隙４６上の領域（符号４１）の外側に形成されている。換言すれば、表面配線層２０の端子部２０ａは、多層配線板３０の積層方向から見た場合に、弾性波デバイス４０の空隙４６と重ならない位置に形成されている。
【００２７】
実施例１においても、蓋部５２は金属層（例えば、Ｃｕ）により形成される。そして、蓋部５２上には、絶縁層１２を貫通する第１ビア３２ａが形成され、当該第１ビア３２ａ及び絶縁層１０を貫通するビア３２ｃを介して、蓋部５２が表面配線層２０の浮遊金属層２０ｂと電気的に接続されている。浮遊金属層２０ｂは、電気的に浮いた（電源または接地のいずれにも接続されていない）配線パターンであり、蓋部５２からの熱をビア（３２ａ、３２ｃ）を介して放出する放熱パターンとして機能する。
【００２８】
また、端子部２０ａには、絶縁層１０を貫通する第２ビア３２ｂが形成されている。第２ビア３２ｂは、内部配線層２２の一部である配線パターン２２ａと接続されている。配線パターン２２ａには、蓋部５２と接続された第１ビア３２ａも接続されている。従って、弾性波デバイス４０及び電子部品６０は、第１ビア３２ａ及び第２ビア３２ｂを介して電気的に接続される構成となっている。
【００２９】
図４は、弾性波デバイス４０部分の詳細な構成を示す図である。図４（ａ）は弾性波デバイス４０の外観斜視図、図４（ｂ）は蓋部５２を透過して見た平面模式図である。弾性波デバイス４０の基板４２には、例えばタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）またはニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）等の圧電材料からなる圧電基板を用いることができる。基板４２上には、櫛形電極（ＩＤＴ）と、その両側に位置する反射器Ｒとを含む機能部４４が形成されている。基板４２の厚さは、例えば２５０μｍとすることができる。ＩＤＴ及び反射器Ｒには、例えばアルミニウム（Ａｌ）等の金属を用いることができる。図４（ｂ）では、１組のＩＤＴと反射器Ｒとを表示するのみであるが、実際の弾性波デバイス４０では、ＩＤＴ及び反射器Ｒを含む弾性波デバイス素子が複数個組み合わされて、フィルタ回路等、所望の回路が形成されている。
【００３０】
基板４２には、ＩＤＴ及び反射器Ｒの周囲を囲むように、平面形状が略矩形状を有する側壁部５０が形成されている。側壁部５０は、例えばＣｕまたはニッケル（Ｎｉ）等を含む金属により形成することができ、その厚さは例えば３０μｍとすることができる。側壁部５０上には、ＩＤＴ及び反射器Ｒ上に空隙４６が形成されるように、ＩＤＴ及び反射器Ｒ上を覆って板状の蓋部５２が形成されている。蓋部５２は、例えばＣｕ又はＮｉ等を含む金属板により形成することができ、その厚さは例えば２０μｍとすることができる。このように、ＩＤＴ及び反射器Ｒは、側壁部５０及び蓋部５２とからなる封止部４８により、上部に空隙４６を有するように封止されている。
【００３１】
封止部４８の外側の基板４２上には、突起電極５４が４つ配置されている。４つの突起電極のうち、１つは信号入力用（５４ａ）、１つは信号出力用（５４ｂ）、残りの２つ（５４ｃ、５４ｄ）は接地用である。信号入力用の突起電極５４及び信号出力用の突起電極５４は、配線５６を介してＩＤＴと電気的に接続されている。当該配線５６と側壁部５０との間には絶縁層（不図示）が設けられ、両者は電気的に絶縁されている。一方、接地用の突起電極５４ｃ及び５４ｄは、配線５７を介して側壁部５０と電気的に接続されている。これにより、弾性波デバイス４０におけるＩＤＴ及び反射器Ｒは、側壁部５０及び蓋部５２により、外部の電磁界に対して遮蔽される。
【００３２】
図５は、図４（ｂ）の線Ａ−Ａに沿った断面図である。個々の突起電極５４は、柱状の下側部分５４ｘ、柱状の上側部分５４ｙ、及び両柱状部の間に配設された接合部材５８から構成されている。接合部材５８には、例えば金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）半田を用いることができる。また、封止部４８を構成する側壁部５０及び蓋部５２も、接合部材５８によって接合されている。
【００３３】
次に、実施例１に係る電子部品モジュールの製造方法について説明する。
【００３４】
図６〜図１０は、実施例１に係る電子部品モジュールの製造方法を示す断面模式図である。電子部品モジュールの詳細な構成については図３で既に説明したため、以下の製造工程の図面においては、適宜符号の表示を省略する。最初に、図６（ａ）に示すように、基板４２上にＩＤＴ、反射器Ｒ、側壁部５０、及び突起電極５４の下側部分５４ｘを形成する。ＩＤＴ及び反射器Ｒは、例えばアルミニウムを主体とする金属の蒸着及びリフトオフ法を用いて形成することができる。側壁部５０及び突起電極５４の下側部分５４ｘは、例えば電解めっき法を適用し、銅を主体とする金属を選択的に被着することにより形成することができる。
【００３５】
上記の金属層の形成と並行して、例えばＳＵＳ３０４等のステンレスからなる支持基板７０上（図６では下向きで表示）に、蓋部５２及び突起電極５４の上側部分５４ｙを選択的に形成する。その後、蓋部５２の上面の縁部及び突起電極５４の上側部分５４ｙの表面に、例えば金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）半田からなる接合部材５８を形成する。これらの蓋部５２、突起電極５４の上側部分５４ｙ、及び接合部材５８は、例えば電解めっき法を用いて形成することができる。
【００３６】
次に、蓋部５２が側壁部５０に対向し、突起電極５４の上側部分５４ｙが下側部分５４ｘに対向するように、支持基板７０を基板４２上に配置する。そして、接合部材５８の融点以上の温度（例えば２５０℃〜３００℃）に接合部材５８を加熱して、支持基板７０を基板４２側に加圧する。これにより、図６（ｂ）に示すように、接合部材５８を介して蓋部５２が側壁部５０上に接合され、ＩＤＴと反射器Ｒ上に空隙４６を有する封止部４８が形成される。また、突起電極５４の下側部分５４ｘと上側部分５４ｙが接合部材５８によって接合され、突起電極５４が形成される。その後、支持基板７０を除去することにより、ＩＤＴと反射器Ｒ上に空隙４６を有する封止部４８が形成され、且つ封止部４８の周囲に複数個の突起電極５４が配設された弾性波デバイス４０が形成される。
【００３７】
蓋部５２は、高い放熱性及び低い電気抵抗を得るために、Ｃｕを含むことが好ましく、厚さの不均一性を低減させるために、Ｃｕ層上にＮｉ層を設けることが好ましい。また、支持基板７０は、例えばＳＵＳ３０４のように、Ｃｕに対してめっきの基材として機能し、且つ、封止後に蓋部５２から容易に剥離できる程度の密着性を有する材料が好ましい。また、熱膨張係数の相違による位置ズレを低減するために、支持基板７０として基板４２と同じ圧電体材料を用いてもよい。支持基板７０として圧電体を用いる場合には、支持基板７０表面に電解めっき用金属層（例えば、電気抵抗の低いＡｌ層又はＣｕ層）を、更にその上にめっき層と適度な密着性を有する金属層（例えば、めっきが剥離しやすいＴｉ層）を形成することが好ましい。
【００３８】
以上が弾性波デバイス４０の製造工程である。続いて、弾性波デバイス４０を内蔵した電子部品モジュールの製造方法について説明する。
【００３９】
最初に、図７に示すように、上記工程により形成された弾性波デバイス４０を、絶縁層１４に埋め込む。絶縁層１４には、絶縁層１４を貫通するビア３４と、絶縁層１４の上下両面に選択的に設けられた内部配線層２４及び２６が形成されている。弾性波デバイス４０の上面は絶縁層１４の上面に露出し、少なくとも蓋部５２の上面は絶縁層１４の上面と同一平面をなしていることが好ましい。
【００４０】
次に、図８に示すように、絶縁層１４の上面側にプリプレグの絶縁層１２と配線層２２とを順に配置すると共に、絶縁層１４の下面側にプリプレグの絶縁層１６と配線層２８とを順に配置する。その後、絶縁層１２及び１６、並びに配線層２２及び２８を加熱して、支持体７２を用いて絶縁層１２及び１６並びに配線層２２及び２８を絶縁層１４側に加圧する。これにより、図９（ａ）に示すように、絶縁層１２及び１６並びに配線層２２及び２８が絶縁層１４に圧着して、弾性波デバイス４０が内蔵された多層配線板を得ることができる。
【００４１】
次に、図９（ｂ）に示すように、配線層２２の上面及び配線層２８の下面に対し、例えばレジスト層（不図示）をマスクにエッチング処理を施すことで、配線層２２及び２８に開口を形成する。これにより、絶縁層１２及び１６が露出する。次に、露出した絶縁層１２及び１６に対して、例えばレーザを照射することで、絶縁層１２及び１６を貫通する貫通孔８０を形成する。これにより、配線層２４及び２６が露出する。
【００４２】
次に、図９（ｃ）に示すように、貫通孔８０にビア３２を形成する。ビア３２は、例えば、最初に無電解めっき法によりシードメタルを形成し、当該シードメタルを給電線とした電解めっき法により形成することができる。また、絶縁層１２の上面及び絶縁層１６の下面にもめっき層が形成されるため、絶縁層１２の上面全面及び絶縁層１６の下面全面に配線層２２及び２８が再度形成される。
【００４３】
次に、図１０（ａ）に示すように、配線層２２の上面及び配線層２８の下面に対し、例えばレジスト層（不図示）をマスクにエッチング処理を施すことで、配線層２２、２８を所望の形状にパターニングする。次に、図１０（ｂ）及び図１１（ａ）に示すように、図８から図１０（ａ）で説明した処理と同様な処理を繰り返し、弾性波デバイス４０が内蔵された多層配線板３０を形成する。その後、図１１（ｃ）に示すように、多層配線板３０の上面の表面配線層２０に対し、半田６２を供給し、リフローすることにより、電子部品６０を実装する。これにより、実施例１に係る電子部品モジュールが形成される。
【００４４】
実施例１に係る電子部品モジュールによれば、電子部品６０に衝撃が加わった場合、当該衝撃による応力の主要部分は、多層配線板３０の積層方向に伝導する。従って、図３に示すように、電子部品６０の端子が固定される端子部２０ａを、弾性波デバイス４０の空隙４６上の領域に形成しないようにすることで、電子部品６０に衝撃が加わった場合でも、その応力が空隙４６を維持するための蓋部５２に伝達することが抑制される。その結果、蓋部５２は、弾性波デバイス４０の機能部４４に対して平行に保たれ、空隙４６が潰れなくなるため、弾性波デバイス４０の機械的な破壊を抑制することができる。また、空隙４６が潰れないように維持することで、外部から空隙４６への水分または未反応生成物の侵入を抑制することができるため、湿度に対する信頼性を向上させることができる。また、空隙４６を維持することにより、意図しない電気的導通の発生を抑制することができる。
【００４５】
また、実施例１によれば、蓋部５２を金属層で形成すると共に、当該蓋部５２上に蓋部５２と電気的に接続される第１ビア３２ａを形成している。これにより、弾性波デバイス４０は、蓋部５２を介して外部との電気的接続を図ることができ、設計の自由度が向上する。なお、蓋部５２に接続される第１ビア３２ａは、多層配線板３０の複数の絶縁層のうち、少なくとも１つの絶縁層を貫通するものであればよい。
【００４６】
また、実施例１によれば、蓋部５２はグランドに接続されており、電子部品６０のグランド端子は、第２ビア３２ｂ及び第１ビア３２ａを介して、蓋部５２に接続されている。これにより、電子部品６０のグランド接続を強化すると共に、グランド端子数を削減することができる。
【００４７】
また、実施例１によれば、蓋部５２に接続される第１ビア３２ａと、端子部２０ａに接続される第２ビア３２ｂとは、それぞれ異なる別個独立のビアであり、かつ多層配線板３０の積層方向から見た場合に、互いに重ならない位置に形成されている。これにより、弾性波デバイス４０と電子部品６０とが電気的に接続される場合であっても、電子部品６０に加わった衝撃が、ビアを介して弾性波デバイス４０の蓋部５２に伝達されることを抑制することができる。その結果、弾性波デバイス４０の機械的な破壊を抑制することができる。また、上記の機械的な破壊に伴う水分侵入や、意図しない電気的導通による弾性波デバイス４０の信頼性の低下を抑制することができる。なお、本実施例において、第１ビア３２ａ及び第２ビア３２ｂは互いに異なる絶縁層（１０、１２）に形成されているが、第１ビア３２ａ及び第２ビア３２ｂを同じ絶縁層に形成してもよい。
【００４８】
また、実施例１によれば、蓋部５２が第１ビア３２ａを介して、表面配線層２０の浮遊金属層２０ｂと接続されている。これにより、弾性波デバイス４０で発生した熱を、放熱パターンとして機能する浮遊金属層２０ｂを介して効率的に逃がすことができる。また、浮遊金属層２０ｂは、電気的に浮いており、電子部品６０が実装されない配線パターンであるから、電子部品６０が実装される配線パターン（端子部２０ａ）に比べ、第１ビア３２ａを介して蓋部５２に衝撃が伝達される度合いが小さい。従って、弾性波デバイス４０の機械的な破壊を抑制することができる。また、上記の機械的な破壊に伴う水分侵入や、意図しない電気的導通による弾性波デバイス４０の信頼性の低下を抑制することができる。
【００４９】
なお、実施例１では、側壁部５０及び蓋部５２が共に金属により形成されている場合を例に示したがこれに限られるものではない。側壁部５０及び蓋部５２は、ポリイミド、エポキシ樹脂等の樹脂、或いはセラミック材等の絶縁物により形成されてもよい。側壁部５０及び蓋部５２を樹脂により形成する場合、両者を接合するために接合部材５８を介在させる必要はない。また、金属と樹脂の複合膜により、蓋部５２を形成してもよい。蓋部５２の全てを金属層で形成しない場合でも、蓋部５２における最上層の少なくとも一部を金属層で形成することにより、当該金属層部分に第１ビア３２ａを接続することで、蓋部５２を介して外部との電気的接続を図ることができる。
【００５０】
なお、側壁部５０と蓋部５２とを異なる材料から形成することもできる。例えば、側壁部５０が金属により形成され、蓋部５２がセラミック材により形成されてもよい。蓋部５２を金属により形成しない場合、弾性波デバイス４０及び電子部品６０は、蓋部５２を介してではなく、突起電極５４を介して電気的に接続される。また、封止部４８は、側壁部５０及び蓋部５２以外の部材を含んでいてもよい。更に、封止部４８は、一体形成されたキャップ形状の部材で構成されてもよい。
【００５１】
また、実施例１では、弾性波デバイス４０を埋め込む層として絶縁層１４を用いたが、代わりに弾性波デバイスを収納するための孔が形成された金属層（金属枠）を用い、金属枠の中央部に樹脂により封止された弾性波デバイス４０を埋め込んでもよい。上記金属層としては、例えば銅（Ｃｕ）を用いることができる。
【実施例２】
【００５２】
実施例２は、電子部品の配置を変更した例である。
【００５３】
図１１は、実施例２に係る電子部品モジュールを示す断面模式図である。実施例１（図３）と共通の構成には、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。実施例２では、電子部品６０が、弾性波デバイス４０における空隙上の領域を跨ぐように配置されている。換言すれば、表面配線層２０の端子部２０ａは、電子部品６０の端子を当該端子部２０ａに固定した場合に、電子部品６０が空隙４６上の領域を跨いで実装される位置に形成されている。電子部品６０と端子部２０ａとは、半田ボール６４により接続されている。
【００５４】
実施例２に係る電子部品モジュールにおいても、表面配線層２０の端子部２０ａは、多層配線板３０の積層方向から見た場合に、弾性波デバイス４０の空隙４６と重ならない位置に形成されている。このため、実施例１と同様に、電子部品６０に加わる衝撃による弾性波デバイス４０の機械的な破壊を抑制することができる。また、上記の機械的な破壊に伴う水分侵入や、意図しない電気的導通による弾性波デバイス４０の信頼性の低下を抑制することができる。
【００５５】
また、電子部品６０が弾性波デバイス４０の空隙４６上の領域を跨ぐように配置することで、空隙４６上の領域にも電子部品６０を実装することが可能となり、電子部品モジュールの小型化を図ることができる。更に、図１１に示すように、実施例２においても浮遊金属層２０ｂが形成され、第１ビア３２ａを介して蓋部５２と接続されている。これにより、弾性波デバイス４０で発生した熱を、放熱パターンとして機能する浮遊金属層２０ｂを介して効率的に逃がすことができる。
【００５６】
実施例１〜２では、多層配線板３０に内蔵された弾性波デバイス４０が弾性表面波デバイスである場合を例に説明したが、弾性波デバイス４０として、ラブ波デバイスまたは弾性境界波デバイスを用いる場合にあっても、実施例に係る構成を適用することができる。また、弾性波デバイスとしては、弾性表面波を用いるデバイスの他に、バルク派を用いるバルク波デバイス（例えば、圧電薄膜共振器またはラム波デバイス等）を用いることもできる。いずれの弾性波デバイスを用いる場合でも、弾性波を励振するための機能部上に空隙を設ける場合には、端子部２０ａの位置を実施例１〜２のようにすることで、電子部品６０に加わる衝撃による弾性波デバイス４０の機械的な破壊を抑制することができる。また、上記の機械的な破壊に伴う水分侵入や、意図しない電気的導通による弾性波デバイス４０の信頼性の低下を抑制することができる。
【００５７】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００５８】
１０、１２、１４、１６    絶縁層
２０、２８                表面配線層
２０ａ                    端子部
２０ｂ                    浮遊金属層
２２、２４、２６          内部配線層
３０                      多層配線板
３２、３４                ビア
３２ａ                    第１ビア
３２ｂ                    第２ビア
４０                      弾性波デバイス
４２                      基板
４４                      機能部
４６                      空隙
４８                      封止部
５０                      側壁部
５２                      蓋部
５４                      突起電極
５６、５８                配線
６０                      電子部品
６２                      半田
６４                      半田ボール
７０                      支持基板
７２                      支持体
８０                      貫通孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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