(57)【要約】【課題】液晶表示装置において、画素レイアウトの制約条件を満たしつつ、いわゆるラビング影の発生に伴う光漏れを低減する。【解決手段】液晶層の厚さを保持するスペーサー部３４が、平面視において、ゲート配線１３とソース配線１４との交差部１５に設けられており、スペーサー部３４を遮光するスペーサー部用遮光部３８が設けられている。スペーサー部３４は、平面視において、スペーサー部用遮光部３８が設けられた領域３８ａ内に配置されている。そして、ソース配線１４は、平面視において、スペーサー部用遮光部３８が設けられた領域３８ａ内で、互いに異なる方向に屈曲する２つの屈曲部３９、４０を有する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板と対向配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟まれた液晶層と、
前記第１基板上に、平面視において、第１方向に沿って設けられた複数のゲート配線と、
前記第１基板上に、平面視において、前記第１方向と交差する第２方向に沿って設けられた複数のソース配線と、
前記複数のゲート配線と前記複数のソース配線とにより区画された複数の画素と、
前記ゲート配線と前記ソース配線との交差部に設けられた薄膜トランジスタと、
前記第２基板であって、前記複数の画素の間の部分に設けられた遮光部と、
前記交差部に設けられ、前記第１基板と前記第２基板との間隔を保持するスペーサー部と、
を有し、
前記遮光部は、前記スペーサー部を遮光するスペーサー部用遮光部を含み、
前記スペーサー部は、平面視において、前記スペーサー部用遮光部が設けられた領域内に配置されており、
前記ソース配線は、
平面視において、前記スペーサー部用遮光部が設けられた領域内で、第３方向に屈曲する第１屈曲部と、
平面視において、前記スペーサー部用遮光部が設けられた領域内で、前記第３方向と異なる第４方向に屈曲する第２屈曲部と、
を有する、液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶表示装置において、
前記第１屈曲部は、平面視において、交互に逆方向に２回屈曲しており、
前記第２屈曲部は、平面視において、交互に逆方向に２回屈曲している、液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載の液晶表示装置において、
前記複数の画素は、前記ソース配線に沿って隣り合う第１画素および第２画素を含み、
前記薄膜トランジスタ、前記スペーサー部および前記スペーサー部用遮光部は、前記第１画素に設けられており、
前記第１画素において、前記スペーサー部用遮光部が設けられた領域の外側の領域では、前記ソース配線は、平面視において、前記第２方向に延在しており、
前記第２画素において、前記ソース配線は、平面視において、前記第２方向と異なる第５方向に延在している、液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１に記載の液晶表示装置において、
前記ソース配線は、平面視において、前記スペーサー部用遮光部が設けられた領域の外側の領域で屈曲する第３屈曲部を有する、液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１に記載の液晶表示装置において、
前記ソース配線は、平面視において、前記遮光部が設けられた領域内に配置されている、液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１に記載の液晶表示装置において、
前記スペーサー部は、前記第２基板に設けられている、液晶表示装置。
【請求項７】
請求項１に記載の液晶表示装置を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に関し、特に、複数の画素を備えた液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube：陰極線管）と比較して軽量、薄型、低消費電力という特徴があるため、表示用として多くの電子機器に使用されている。液晶表示装置は、一定の方向に整列した液晶分子の向きを電界により変えて、液晶層の光の透過量を変化させて画像を表示させるものである。
【０００３】
液晶表示装置は、例えばアレイ基板と、カラーフィルター基板とからなる一対の基板を有する。アレイ基板には、液晶表示装置の各画素に対応して、例えばスイッチング素子としての薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）がアレイ状に形成されている。カラーフィルター基板には、液晶表示装置の各画素に対応して、カラーフィルターが形成されている。アレイ基板とカラーフィルター基板との間の空間には、液晶層が充填されており、各画素においてＴＦＴを切り替えることで、液晶層に印加する電界を変化させる。
【０００４】
このような液晶層に電界を印加する方法として、縦電界方式のものと横電界方式のものとが知られている。
【０００５】
上記した横電界方式の液晶表示装置は、例えばアレイ基板とカラーフィルター基板からなる一対の基板のうちの一方の液晶層側に一対の電極を互いに絶縁して設け、概ね横方向の電界を液晶分子に対して印加するものである。この横電界方式の液晶表示装置としては、一対の電極が平面視で重ならないＩＰＳ（In-Plane Switching）モードのものと、重なるＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードのものとが知られている。
【０００６】
このうち、ＦＦＳモードの液晶表示装置は、絶縁膜を介して共通電極と画素電極とからなる一対の電極をそれぞれ異なる層に配置し、液晶層側の共通電極または画素電極にスリット状開口を設け、このスリット状開口を通る概ね横方向の電界を液晶層に印加するものである。このＦＦＳモードの液晶表示装置は、広い視野角を得ることができるととともに、画像コントラストを改善できるという効果があるので、近年、多く用いられるようになってきている。
【０００７】
このＦＦＳモードの液晶表示装置として、共通電極および画素電極が、ともに、アレイ基板上であってＴＦＴの上方に配置されたものが知られている。このような構造を有する液晶表示装置では、アレイ基板においてＴＦＴ等の表面が層間樹脂膜で被覆され、この層間樹脂膜の表面に、透明導電性材料からなる下電極と、スリット状開口を有する上電極とが、電極間絶縁膜を挟んで形成されている。
【０００８】
一方、カラーフィルター基板の液晶層側であって、各画素の間の部分には、遮光部が形成されている。特開２０１１−１６４３６９号公報（特許文献１）および特開２０１１−２７９５１号公報（特許文献２）には、ＦＦＳモードの液晶表示装置において、カラーフィルター基板上であって走査線および信号線に対向する位置に、遮光部を形成する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１１−１６４３６９号公報
【特許文献２】特開２０１１−２７９５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記したＦＦＳモードの液晶表示装置では、アレイ基板と、カラーフィルター基板との間隔を保持し、液晶層を一定の厚みに保持するためのフォトスペーサー（スペーサー部）が形成されている。フォトスペーサー（スペーサー部）は、例えばカラーフィルター基板上に形成されている。
【００１１】
アレイ基板には、互いに交差する複数の走査線（ゲート配線）と複数の信号線（ソース配線）とが形成されており、各々の走査線（ゲート配線）と信号線（ソース配線）との交差部に、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が設けられている。画素の開口率を低下させないように、フォトスペーサー（スペーサー部）は、平面視において、ソース配線とゲート配線との交差部に設けられ、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）と重なる位置に形成されることがある。
【００１２】
また、アレイ基板の液晶層側の最表面と、カラーフィルター基板の液晶層側の最表面には、それぞれ液晶層を配向させるための配向膜が形成されている。この配向膜を形成する工程においては、例えばラビングローラを用い、信号線（ソース配線）の延在方向に沿って、ラビングを行う。ところが、カラーフィルター基板には、フォトスペーサー（スペーサー部）が形成されている。そのため、カラーフィルター基板の最表面であって、フォトスペーサー（スペーサー部）に対して、ラビング方向における下流側の領域では、配向膜がラビングされない領域、いわゆるラビング影が生ずる。配向膜がラビングされない領域では、配向膜を十分配向させることができないため、液晶層の配向を揃えることができず、黒表示をさせるときに画素の一部分から光漏れが発生するという問題がある。その結果、表示画像の画質が低下し、液晶表示装置の性能が低下する。
【００１３】
このような光漏れの発生を防止するためには、フォトスペーサー（スペーサー部）を移動させることも考えられる。しかし、フォトスペーサー（スペーサー部）の移動に伴って、液晶表示装置の画素の幅寸法も増加してしまうため、画素レイアウトの制約条件に適合しなくなってしまう。
【００１４】
本発明は、上述のような従来技術の問題点を解決すべくなされたものであって、平面視において、スペーサー部が、ソース配線とゲート配線との交差部に設けられた液晶表示装置において、画素レイアウトの制約条件を満たしつつ、いわゆるラビング影の発生に伴う光漏れを低減することができる液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１６】
代表的な実施の形態による液晶表示装置は、液晶層の厚さを保持するスペーサー部が、平面視において、ソース配線とゲート配線との交差部に設けられており、スペーサー部を遮光するスペーサー部用遮光部が設けられている。スペーサー部は、平面視において、スペーサー部用遮光部が設けられた領域内に配置されている。そして、ソース配線は、平面視において、スペーサー部用遮光部が設けられた領域内で、互いに異なる方向に屈曲する２つの屈曲部を有する。
【発明の効果】
【００１７】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１８】
代表的な実施の形態によれば、平面視において、スペーサー部が、ソース配線とゲート配線との交差部に設けられた液晶表示装置において、画素レイアウトの制約条件を満たしつつ、いわゆるラビング影の発生に伴う光漏れを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】実施の形態１の液晶表示装置の概要を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【図４】実施の形態１の液晶表示装置のうちＹ軸方向に隣り合う２つの画素の概要を示す平面図である。
【図５】実施の形態１の液晶表示装置の１つのサブ画素の概要を示す平面図である。
【図６】実施の形態１の液晶表示装置の１つのサブ画素のうち走査線（ゲート配線）と信号線（ソース配線）との交差部付近の部分を拡大して示す平面図である。
【図７】図６のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。
【図８】実施の形態１の液晶表示装置の製造工程中の要部断面図である。
【図９】実施の形態１の液晶表示装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１０】実施の形態１の液晶表示装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１１】実施の形態１の液晶表示装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１２】実施の形態１の液晶表示装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１３】比較例１の液晶表示装置の概要を示す平面図である。
【図１４】比較例１の液晶表示装置のラビング工程中のカラーフィルター基板の断面図である。
【図１５】比較例２の液晶表示装置の概要を示す平面図である。
【図１６】実施の形態２の液晶表示装置の概要を示す平面図である。
【図１７】実施の形態３の液晶表示装置の概要を示す平面図である。
【図１８】実施の形態４の液晶表示装置の概要を示す平面図である。
【図１９】実施の形態５の電子機器の一例としての携帯電話を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。
【００２１】
また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。
【００２２】
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことはいうまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００２３】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施の形態では、特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００２４】
さらに、実施の形態で用いる図面においては、断面図であっても図面を見やすくするためにハッチングを省略する場合もある。また、平面図であっても図面を見やすくするためにハッチングを付す場合もある。
【００２５】
（実施の形態１）
＜液晶表示装置＞
本発明の一実施の形態である実施の形態１の液晶表示装置１０を、図面を参照して説明する。
【００２６】
はじめに、図１〜図３を参照し、実施の形態１の液晶表示装置１０の概略の構成について説明する。
【００２７】
図１は、実施の形態１の液晶表示装置の概要を示す平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。図３は、図１のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【００２８】
本実施の形態１の液晶表示装置１０は、例えばカラー表示の横電界方式のＦＦＳモードの液晶表示装置であり、図１に示すような画素１１を複数備えている。また、本実施の形態１の液晶表示装置１０は、図２および図３に示すように、液晶層ＬＣがアレイ基板ＡＲとカラーフィルター基板ＣＦで挟持される構成となっている。すなわち、液晶表示装置１０は、アレイ基板ＡＲ、アレイ基板ＡＲと対向配置されたカラーフィルター基板ＣＦ、および、アレイ基板ＡＲとカラーフィルター基板ＣＦとの間に挟まれた液晶層ＬＣを有する。画素１１はＦＦＳモードで作動するものであり、液晶層ＬＣを共通で使用することができる。画素１１は、行方向（図１のＸ軸方向）および列方向（図１のＹ軸方向）に、複数個整列している。画素１１は、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の３色を表示するためのサブ画素１２で構成され、これらの色の光の混色により、各画素１１の色が定められる。
【００２９】
図１では、３色表示の例を示すが、液晶表示装置１０は、３色表示に限られない。例えば２色以下のサブ画素１２により画素１１を構成することもでき、あるいは、４色以上のサブ画素１２により画素１１を構成することもできる（以下の実施の形態においても同様）。
【００３０】
なお、本願明細書では、領域Ｒ１を１つのサブ画素１２に対応した領域と定義するが、サブ画素ごとに周期的な構造が繰り返されるように定義するのであれば、他の定義により１つのサブ画素を定義することもできる。
【００３１】
また、図１においては、理解を簡単にするために、カラーフィルター基板ＣＦのうちフォトスペーサー（スペーサー部）３４（図２参照）以外の部分を除去した（透視した）状態を図示している（以下、図４〜図６、図１３、図１５〜図１８においても同様）。また図１においては、理解を簡単にするために、アレイ基板ＡＲのうちゲート絶縁膜２１（図２参照）、半導体層２２（図２参照）、層間樹脂膜（平坦化膜）２３（図２参照）、下電極２４（図２参照）および電極間絶縁膜２５（図２参照）を除去した（透視した）状態を図示している（以下、図４〜図６、図１３、図１５〜図１８においても同様）。さらに、図１においては、理解を簡単にするために、カラーフィルター基板ＣＦに設けられた、遮光部３１（図２参照）の外周を二点鎖線により図示している（以下、図４〜図６、図１６〜図１８においても同様）。また、図１においては、理解を簡単にするために、フォトスペーサー（スペーサー部）３４については、外周のみを実線で示している（以下、図４、図５、図１６〜図１８においても同様）。
【００３２】
図１に示すように、サブ画素１２は、アレイ基板ＡＲ上に、走査線（ゲート配線）１３および信号線（ソース配線）１４を有する。走査線（ゲート配線）１３は、Ｘ軸方向に延在しており、例えばアルミニウム（Ａｌ）またはモリブデン（Ｍｏ）等の不透明な金属からなる。信号線（ソース配線）１４は、Ｙ軸方向に延在しており、例えばアルミニウム（Ａｌ）またはモリブデン（Ｍｏ）等の不透明な金属からなる。また、サブ画素１２は、アレイ基板ＡＲ上であって、走査線（ゲート配線）１３と信号線（ソース配線）１４との交差部１５に設けられたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１６を有する。
【００３３】
なお、本願明細書では、交差部１５とは、走査線（ゲート配線）１３と信号線（ソース配線）１４とが交差する部分およびその周辺部分を含むものとし、ドレイン電極ＤＥを含むＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１６が形成された領域も含むものとする。
【００３４】
また、Ｙ軸方向は、Ｘ軸方向と交差する方向であり、好ましくは、Ｙ軸方向は、Ｘ軸方向と直交する方向である。
【００３５】
図２および図３に示すように、アレイ基板ＡＲは第１透明基板２０を基体として有する。第１透明基板２０は、透明な絶縁性を有するガラスや石英、プラスチック等からなる。なお、図２および図３では、図面をみやすくするために、第１透明基板２０、ゲート絶縁膜２１、層間樹脂膜（平坦化膜）２３および電極間絶縁膜２５のハッチングを省略している（以下、図７、図８〜図１０においても同様）。
【００３６】
第１透明基板２０上には、液晶層ＬＣに面する側に、走査線（ゲート配線）１３が形成されている。前述したように、走査線（ゲート配線）１３は、行方向（Ｘ軸方向）に延在しており、例えばアルミニウム（Ａｌ）またはモリブデン（Ｍｏ）等の不透明な金属からなる。走査線（ゲート配線）１３からは、ゲート電極ＧＥが延設されている。
【００３７】
走査線（ゲート配線）１３およびゲート電極ＧＥを覆うようにして、例えば窒化ケイ素や酸化ケイ素等からなる透明なゲート絶縁膜２１が積層（形成）されている。そして、平面視でゲート電極ＧＥと重なるゲート絶縁膜２１上には、例えば非晶質シリコンまたは多結晶シリコン等からなる半導体層２２が形成されている。
【００３８】
ゲート絶縁膜２１上には、信号線（ソース配線）１４が形成されている。前述したように、信号線（ソース配線）１４は、列方向（Ｙ軸方向）に延在しており、例えばアルミニウム（Ａｌ）またはモリブデン（Ｍｏ）等の不透明な金属からなる。信号線（ソース配線）１４からは、ソース電極ＳＥが延設されている。ソース電極ＳＥは、半導体層２２の表面と部分的に接触している。
【００３９】
ゲート絶縁膜２１上には、信号線（ソース配線）１４と同一の材料で同時に形成されたドレイン電極ＤＥが設けられている。ドレイン電極ＤＥは、ソース電極ＳＥと近接配置されて半導体層２２と部分的に接触している。
【００４０】
平面視において、隣り合う２本の走査線（ゲート配線）１３と、隣り合う２本の信号線（ソース配線）１４とによって囲まれた領域により、サブ画素１２が画成される。すなわち、サブ画素１２は、隣り合う２本の走査線（ゲート配線）１３と、隣り合う２本の信号線（ソース配線）１４とにより区画される。そして、サブ画素１２には、ゲート電極ＧＥ、ゲート絶縁膜２１、半導体層２２、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥによってスイッチング素子となるＴＦＴ１６が構成されている。
【００４１】
さらに、信号線（ソース配線）１４、ＴＦＴ１６およびゲート絶縁膜２１の露出部分を覆うようにして、例えばフォトレジスト等の透明樹脂材料からなる層間樹脂膜（平坦化膜）２３が積層（形成）されている。すなわち、ドレイン電極ＤＥを含むＴＦＴ１６上には、層間樹脂膜（平坦化膜）２３が形成されている。層間樹脂膜（平坦化膜）２３は、信号線（ソース配線）１４、ＴＦＴ１６およびゲート絶縁膜２１の露出部分を覆うとともに、信号線（ソース配線）１４、ＴＦＴ１６およびゲート絶縁膜２１の凹凸面を平坦化する。
【００４２】
なお、層間樹脂膜（平坦化膜）２３の下層として、信号線（ソース配線）１４、ＴＦＴ１６およびゲート絶縁膜２１の露出部分の一部または全部を覆うようにして、例えば窒化ケイ素や酸化ケイ素等からなる透明なパッシベーション膜を積層（形成）することもできる。そして、パッシベーション膜を覆うように、層間樹脂膜（平坦化膜）２３を積層（形成）することもできる。
【００４３】
層間樹脂膜（平坦化膜）２３を覆うようにして、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）またはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電性材料からなる下電極２４が形成されている。下電極２４は、各サブ画素１２の領域を含む略全透明領域に連続して一体に形成されており、共通電極として作動する。
【００４４】
下電極２４を覆うようにして、例えば窒化ケイ素または酸化ケイ素等からなる透明な電極間絶縁膜２５が積層（形成）されている。そして、電極間絶縁膜２５を覆うようにして、例えばＩＴＯまたはＩＺＯ等の透明導電性材料からなる上電極２６が形成されている。上電極２６は、平面視において、各サブ画素１２で、下電極２４と重なる位置に、形成されている。すなわち、サブ画素１２において、下電極２４と上電極２６とは、電極間絶縁膜２５を挟んで（介して）対向している。
【００４５】
サブ画素１２では、平面視において、ドレイン電極ＤＥと重なる位置に、電極間絶縁膜２５および層間樹脂膜（平坦化膜）２３を貫通してＴＦＴ１６のドレイン電極ＤＥに達するコンタクトホール２７が形成されている。コンタクトホール２７の底面部には、ドレイン電極ＤＥが露出している。上電極２６は、コンタクトホール２７の底面部に露出したドレイン電極ＤＥと、電気的に接続されている。そのため、上電極２６は、画素電極として作動する。
【００４６】
なお、図１では、理解を簡単にするために、上電極２６の一部のみを図示している（以下、図４、図５、図１６〜図１８においても同様）。また、図１では、理解を簡単にするために、上電極２６の周縁部が、後述する遮光部３１と重なっていないように図示されているが、上電極２６の周縁部が遮光部３１と重なるように、上電極２６を形成することもできる（以下、図４、図５、図１６〜図１８においても同様）。
【００４７】
そして、上電極２６を覆うように、例えばポリイミドからなる配向膜（図示は省略）が積層（形成）されている。この配向膜は、図１のＹ軸方向の正の方向にラビング処理が施されている。
【００４８】
サブ画素１２に形成された上電極２６には、信号線（ソース配線）１４の延在方向に延在するスリット状開口２８が形成されている。サブ画素１２は、Ｘ軸方向を横方向とし、Ｙ軸方向を縦方向としたとき、縦方向の長さ寸法よりも横方向の長さ寸法が短い縦長の形状を有する。そのため、スリット状開口２８を横方向に延在させるとスリット状開口２８の両端の数が多くなる。このスリット状開口２８の端部は、液晶分子の異常配向領域となり、開口率の低下の原因となる。そこで、本実施の形態１の液晶表示装置１０では、図１に示すように、スリット状開口２８の延在方向を、Ｘ軸方向よりもＹ軸方向に近づけることにより、スリット状開口２８の端部の数を少なくし、開口率の低下を低減している。
【００４９】
カラーフィルター基板ＣＦは、第２透明基板３０を基体としている。第２透明基板３０は、透明な絶縁性を有するガラスや石英、プラスチック等からなる。サブ画素１２では、走査線（ゲート配線）１３および信号線（ソース配線）１４に対向する位置に、遮光性を有し、例えば樹脂または金属からなる遮光部（ブラックマトリックス）３１が形成されている。また、サブ画素１２では、サブ画素１２毎に異なる色の光（例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ））を透過するカラーフィルター層３２が形成されている。したがって、遮光部（ブラックマトリックス）３１は、カラーフィルター層３２が形成されたサブ画素１２同士の間に設けられている。なお、図２および図３では、図面をみやすくするために、第２透明基板３０、カラーフィルター層３２およびオーバーコート層３３のハッチングを省略している（以下、図７、図１１、図１２においても同様）。
【００５０】
なお、サブ画素１２の面積（領域Ｒ１の面積）のうち、遮光部３１に覆われていない部分の面積の占める割合が、開口率に相当する。
【００５１】
各サブ画素１２の遮光部３１およびカラーフィルター層３２を覆うようにして、例えばフォトレジスト等の透明樹脂材料からなるオーバーコート層３３が積層（形成）されている。各サブ画素１２のオーバーコート層３３は、異なる色のカラーフィルター層３２による段差を平坦にし、また、遮光部３１やカラーフィルター層３２から流出する不純物が液晶層ＬＣ内に入らないようにするために形成されている。
【００５２】
オーバーコート層３３上には、アレイ基板ＡＲとカラーフィルター基板ＣＦとの間隔を保持し、液晶層ＬＣを一定の厚みに保持するためのフォトスペーサー（スペーサー部）３４が、形成されている。フォトスペーサー（スペーサー部）３４は、例えばフォトレジスト等の透明樹脂材料からなる。そして、オーバーコート層３３およびフォトスペーサー（スペーサー部）３４を覆うようにして、例えばポリイミドからなる配向膜（図示は省略）が形成されている。このカラーフィルター基板ＣＦに形成された配向膜（図示は省略）には、アレイ基板ＡＲに形成された配向膜（図示は省略）とは逆方向のラビング処理が施されている。
【００５３】
このようなアレイ基板ＡＲとカラーフィルター基板ＣＦとは、アレイ基板ＡＲとカラーフィルター基板ＣＦとの間隔を保持するフォトスペーサー（スペーサー部）３４を介して、互いに対向するように配置（対向配置）されている。また、図示は省略するが、アレイ基板ＡＲの外周部と、カラーフィルター基板ＣＦの外周部との間には、シール材が設けられている。そして、互いに対向するように配置（対向配置）されたアレイ基板ＡＲとカラーフィルター基板ＣＦとの間には、例えばホモジニアス配向の液晶層ＬＣが充填されている。なお、図２および図３では、図面をみやすくするために、液晶層ＬＣのハッチングを省略している（以下、図７においても同様）。
【００５４】
なお、図１に示す例では、フォトスペーサー（スペーサー部）３４は、全てのサブ画素１２に対応して設けられているが、フォトスペーサー（スペーサー部）３４は、全てのサブ画素１２に対応して設けられていなくてもよい。例えば、走査線（ゲート配線）１３の延在方向（Ｘ軸方向）に沿って配列した２つのサブ画素１２ごとに１つのフォトスペーサー（スペーサー部）３４が設けられていてもよい。または、走査線（ゲート配線）１３の延在方向（Ｘ軸方向）に沿って配列した３つのサブ画素１２ごとに１つのフォトスペーサー（スペーサー部）３４が設けられていてもよい。あるいは、信号線（ソース配線）１４の延在方向（Ｙ軸方向）に沿って配列した２つ以上のサブ画素１２ごとに１つのフォトスペーサー（スペーサー部）３４が設けられていてもよい。
【００５５】
上述の構成により、サブ画素１２では、ＴＦＴ１６がＯＮ状態になると、下電極２４と上電極２６との間に電界が発生し、液晶層ＬＣの液晶分子の配向が変化する。これにより、液晶層ＬＣの光透過率が変化してＦＦＳモードで画像を表示することとなる。また、下電極２４と上電極２６が電極間絶縁膜２５を挟んで（介して）対向する領域は、補助容量を形成し、ＴＦＴ１６がＯＦＦ状態になったときに下電極２４と上電極２６との間の電界を所定時間保持する。
【００５６】
次に、図４を参照し、本実施の形態１の液晶表示装置１０のうちＹ軸方向に隣り合う２つのサブ画素１２ａ、１２ｂについて詳しく説明する。
【００５７】
図４は、実施の形態１の液晶表示装置のうちＹ軸方向に隣り合う２つの画素の概要を示す平面図である。
【００５８】
画素１１ａは、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の３色を表示するためのサブ画素１２ａで構成されており、画素１１ｂは、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の３色を表示するためのサブ画素１２ｂで構成されている。このとき、本実施の形態１の液晶表示装置１０では、Ｙ軸方向に隣り合うサブ画素１２ａ、１２ｂのうちサブ画素１２ａにおいて、スリット状開口２８の延在方向は、ラビング方向（Ｙ軸方向の正の方向）に対して＋α（時計方向を正とし、αを正とする）傾斜している。また、サブ画素１２ｂにおいて、スリット状開口２８の延在方向は、ラビング方向（Ｙ軸方向の正の方向）に対して−α傾斜している。つまり、サブ画素１２ｂでのスリット状開口２８の延在方向は、サブ画素１２ａでのスリット状開口２８の延在方向と異なる方向である。
【００５９】
全てのスリット状開口２８をラビング方向（Ｙ軸方向の正の方向）に対して時計方向あるいは反時計方向に傾斜させると、液晶分子が一方向にねじれるため視角方向によって色が変化する現象が現れる。これは、液晶分子を見る方向によって見かけの色相差（リタデ−ション）が変化するためである。したがって、本実施の形態１の液晶表示装置１０では、液晶分子を見る方向によって発生する色相差（リタデ−ション）を低減するために、スリット状開口２８の延在方向は、Ｙ軸方向に隣り合うサブ画素１２ａ、１２ｂにおいて、それぞれラビング方向（Ｙ軸方向の正の方向）に対して＋α、−α傾斜している。傾斜角αとして、例えば５度とすることができる。
【００６０】
また、スリット状開口２８の延在方向に伴って、Ｙ軸方向に隣り合うサブ画素１２ａ、サブ画素１２ｂにおいて、信号線（ソース配線）１４も、ラビング方向（Ｙ軸方向の正の方向）に対して＋α、−αの角度だけ傾斜した方向に延在している。すなわち、本実施の形態１の液晶表示装置１０では、サブ画素１２ａにおいて、信号線（ソース配線）１４は、ラビング方向（Ｙ軸方向の正の方向）に対して＋α（前述したように、時計方向を正とし、αを正とする）の角度だけ傾斜した方向に延在している。また、サブ画素１２ｂにおいて、信号線（ソース配線）１４は、ラビング方向（Ｙ軸方向の正の方向）に対して−αの角度だけ傾斜した方向に延在している。その結果、信号線（ソース配線）１４は、Ｙ軸方向に沿ってサブ画素１２ａの交差部１５の前後で２αの角度だけ屈曲することになる。
【００６１】
信号線（ソース配線）１４の形状をスリット状開口２８の形状に対応した形状とすることにより、上電極２６の外形形状も、スリット状開口２８および信号線（ソース配線）１４の形状に対応した形状とすることができる。したがって、上電極２６と下電極２４との間に発生する電界の方向および大きさを、１つのサブ画素内で均一にすることができる。
【００６２】
次に、図１、図４および図５〜図７を参照し、本実施の形態１の液晶表示装置１０の信号線（ソース配線）１４、遮光部３１およびフォトスペーサー（スペーサー部）３４について詳しく説明する。
【００６３】
図５は、実施の形態１の液晶表示装置の１つのサブ画素の概要を示す平面図である。図５は、図１における１つのサブ画素１２に対応した領域Ｒ１を示す。図６は、実施の形態１の液晶表示装置の１つのサブ画素のうち走査線（ゲート配線）と信号線（ソース配線）との交差部付近の部分を拡大して示す平面図である。図７は、図６のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。
【００６４】
前述したように、フォトスペーサー（スペーサー部）３４は、全てのサブ画素１２に対応して設けられなくてもよい。そこで、図５では、理解を簡単にするために、走査線（ゲート配線）１３の延在方向（Ｘ軸方向）に沿って、フォトスペーサー（スペーサー部）３４が設けられているサブ画素１２の隣りのサブ画素にはフォトスペーサー（スペーサー部）３４が設けられていない例について、説明する。また、図５に示す例では、信号線（ソース配線）１４の延在方向（Ｙ軸方向）に沿っても、フォトスペーサー（スペーサー部）３４が設けられているサブ画素１２の隣りのサブ画素にはフォトスペーサー（スペーサー部）３４が設けられていない。
【００６５】
前述したように、本実施の形態１では、アレイ基板ＡＲとカラーフィルター基板ＣＦとの間隔を保持するフォトスペーサー（スペーサー部）３４は、カラーフィルター基板ＣＦの液晶層ＬＣに面する側、すなわち、カラーフィルター基板ＣＦのアレイ基板ＡＲ側に、形成されている。また、画素の開口率を低下させないように、フォトスペーサー（スペーサー部）３４は、走査線（ゲート配線）１３と信号線（ソース配線）１４との交差部１５に、設けられている。
【００６６】
図１、図４および図５に示すように、遮光部３１は、ゲート配線用遮光部３６、および、ソース配線用遮光部３７を含む。ゲート配線用遮光部３６は、Ｘ軸方向に沿って設けられた走査線（ゲート配線）１３、および、交差部１５に設けられたＴＦＴ１６と対向する位置に設けられている。ソース配線用遮光部３７は、Ｙ軸方向に沿って設けられた信号線（ソース配線）１４と対向する位置に設けられている。そのため、各サブ画素１２は、その周囲を、ゲート配線用遮光部３６およびソース配線用遮光部３７により囲まれている。
【００６７】
本実施の形態１では、遮光部３１は、さらに、スペーサー部用遮光部３８を含む。フォトスペーサー（スペーサー部）３４は、平面視において、スペーサー部用遮光部３８が設けられた領域内に配置されている。すなわち、スペーサー部用遮光部３８は、平面視において、フォトスペーサー（スペーサー部）３４が設けられた領域が、スペーサー部用遮光部３８が設けられた領域に含まれるように、配置されている。また、スペーサー部用遮光部３８の一部は、平面視において、ゲート配線用遮光部３６またはソース配線用遮光部３７が設けられた領域の外側の領域に設けられている。すなわち、スペーサー部用遮光部３８は、遮光部３１がゲート配線用遮光部３６およびソース配線用遮光部３７のみからなるときよりも、遮光部３１の面積を増加させる。
【００６８】
図５〜図７に示すように、フォトスペーサー（スペーサー部）３４は、好適には、例えばフォトスペーサー（スペーサー部）３４に印加される応力が、軸対称、すなわち、平面視において、フォトスペーサー（スペーサー部）３４の周方向に沿って均等になるように、円錐台状の形状を有する。このような場合、スペーサー部用遮光部３８の平面形状は、好適には、円形形状である。そして、さらに好適には、平面形状が円形形状であるスペーサー部用遮光部３８の中心は、平面視において、フォトスペーサー（スペーサー部）３４の中心と一致する。これにより、フォトスペーサー（スペーサー部）３４の周囲で液晶層の配向が乱れた場合であっても、いずれの方位から液晶分子を見た場合でも、光漏れを確実に遮光することができる。
【００６９】
本実施の形態１では、信号線（ソース配線）１４は、平面視において、スペーサー部用遮光部３８が設けられた領域３８ａ内の互いに離れた位置で、互いに異なる方向に屈曲する屈曲部３９および屈曲部４０を有する。屈曲部３９は、平面視において、スペーサー部用遮光部３８が設けられた領域３８ａ内で、例えばＹ軸方向の正の方向から、Ｙ軸方向の正の方向に対して傾斜した方向ＤＲ１に屈曲する。また、屈曲部４０は、平面視において、スペーサー部用遮光部３８が設けられた領域３８ａ内で、例えばＹ軸方向の正の方向から、Ｙ軸方向の正の方向に対して傾斜した方向であって、方向ＤＲ１と異なる方向ＤＲ２に屈曲する。
【００７０】
図４を用いて前述したように、液晶分子を見る方向によって色相差（リタデーション）が発生することを低減するためのスリット状開口２８の傾斜に伴って、信号線（ソース配線）１４は、Ｙ軸方向に沿って、サブ画素１２ａの交差部１５の前後で２αの角度だけ屈曲している。このような色相差（リタデーション）を低減するための屈曲とは独立して、信号線（ソース配線）１４には、スペーサー部用遮光部３８が設けられた領域３８ａ内で、屈曲部３９および屈曲部４０が設けられている。これにより、画素レイアウトの制約条件を満たしつつ、後述するようないわゆるラビング影の発生に伴う光漏れを低減することができ、液晶表示装置の性能を向上させることができる。
【００７１】
さらに、好適には、図６に示すように、屈曲部３９は、平面視において、位置３９ａ、３９ｂで交互に逆方向に２回屈曲しており、屈曲部４０は、平面視において、位置４０ａ、４０ｂで交互に逆方向に２回屈曲している。例えば、屈曲部３９は、平面視において、位置３９ａで、Ｙ軸方向の正の方向から、方向ＤＲ１に屈曲し、位置３９ｂで、方向ＤＲ１から、Ｙ軸方向の正の方向に対して＋αの角度だけ傾斜した方向（図４参照）に屈曲している。また、例えば、屈曲部４０は、平面視において、位置４０ａで、Ｙ軸方向の負の方向から、方向ＤＲ２に屈曲し、位置４０ｂで、方向ＤＲ２から、Ｙ軸方向の負の方向に対して−αの角度だけ傾斜した方向（図４参照）に屈曲している。このとき、Ｙ軸方向の正の方向に対する方向ＤＲ１の傾斜角を＋β１（時計方向を正とし、β１を正とする）とすると、β１はαよりも大きい。また、Ｙ軸方向の負の方向に対する方向ＤＲ２の傾斜角を−β２（時計方向を正とし、β２を正とする）とすると、β２はαよりも大きい。このような関係にあるとき、屈曲部３９は、平面視において、位置３９ａ、３９ｂで交互に逆方向に２回屈曲し、屈曲部４０は、平面視において、位置４０ａ、４０ｂで交互に逆方向に２回屈曲することになる。
【００７２】
このように、屈曲部３９および屈曲部４０の各々において交互に逆方向に２回屈曲することで、例えばスペーサー部用遮光部３８が設けられた領域３８ａ内における信号線（ソース配線）１４の延在方向を略Ｙ軸方向に平行にしつつ、交差部１５の位置をＸ軸方向に移動させることができる。そのため、画素レイアウトの制約条件を満たしつつ、後述するようないわゆるラビング影の発生に伴う光漏れをさらに低減することができ、液晶表示装置の性能をさらに向上させることができる。
【００７３】
なお、図１および図４に示すように、信号線（ソース配線）１４は、平面視において、ゲート配線用遮光部３６、ソース配線用遮光部３７およびスペーサー部用遮光部３８からなる遮光部３１が設けられた領域内に配置されている。これにより、開口率の低下を低減することができる。
【００７４】
＜液晶表示装置の製造工程＞
次に、図８〜図１２を参照し、本実施の形態１の液晶表示装置１０の製造工程について説明する。図８〜図１２は、実施の形態１の液晶表示装置の製造工程中の要部断面図である。なお、図８〜図１２では、図７に示した断面に対応した断面を示す。
【００７５】
まず、図８に示すように、第１透明基板２０の表面（第１主面）上に、フォトリソグラフィー技術およびエッチングにより、例えば下層から上層の順にＡｌ層、Ｍｏ層からなるゲート電極ＧＥおよび走査線（ゲート配線）１３を形成する。
【００７６】
次に、図８に示すように、ゲート電極ＧＥ上と第１透明基板２０上とに、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、例えば窒化ケイ素等からなるゲート絶縁膜２１を形成する。そして、平面視において、ゲート絶縁膜２１を介してゲート電極ＧＥと重なるように、フォトリソグラフィー技術およびエッチングにより、例えばａ−Ｓｉ層とｎ型の導電性を有するｎ＋Ｓｉ層との２層構造からなる半導体層２２を形成する。
【００７７】
次に、図８に示すように、半導体層２２上に、平面視において、ゲート電極ＧＥおよび半導体層２２と重なるとともに、半導体層２２に電気的に接続されるように、下層から上層の順にＭｏ層、Ａｌ層、Ｍｏ層からなるソース電極ＳＥ、信号線（ソース配線）１４およびドレイン電極ＤＥを形成する。これにより、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１６が形成される。
【００７８】
次に、図８に示すように、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥおよびゲート絶縁膜２１の露出した部分のうち全部または一部を覆うように、層間樹脂膜（平坦化膜）２３を形成する。例えば塗布法により、アクリル系の感光性樹脂からなる保護膜としての層間樹脂膜（平坦化膜）２３を形成する。
【００７９】
なお、層間樹脂膜（平坦化膜）２３の下層として、信号線（ソース配線）１４、ＴＦＴ１６およびゲート絶縁膜２１の露出部分のうち一部または全部を覆うようにして、例えば窒化ケイ素や酸化ケイ素等からなる透明なパッシベーション膜を積層（形成）することもできる。そして、パッシベーション膜を覆うように、層間樹脂膜（平坦化膜）２３を積層（形成）することもできる。
【００８０】
次に、図９に示すように、形成された層間樹脂膜（平坦化膜）２３のうち、ドレイン電極ＤＥ上に形成された部分をフォトリソグラフィー技術およびエッチングにより除去することで、コンタクトホール２７を形成する。これにより、図９に示すように、コンタクトホール２７の底面部に、ドレイン電極ＤＥが露出する。
【００８１】
次に、図１０に示すように、層間樹脂膜（平坦化膜）２３上に、例えばスパッタ法により、ＩＴＯまたはＩＺＯ等からなる下電極２４を形成する。そして、形成された下電極２４のうち、コンタクトホール２７上に形成された部分をフォトリソグラフィー技術およびエッチングにより除去する。これにより、コンタクトホール２７上で層間樹脂膜（平坦化膜）２３が露出し、コンタクトホール２７の底面部において、ドレイン電極ＤＥの表面が露出する。
【００８２】
次に、図１０に示すように、下電極２４、層間樹脂膜（平坦化膜）２３の露出した部分、および、コンタクトホール２７の底面部に露出したドレイン電極ＤＥを覆うように、例えばＣＶＤ法により、窒化ケイ素等からなる電極間絶縁膜２５を形成する。そして、形成された電極間絶縁膜２５のうち、コンタクトホール２７上に形成された部分をフォトリソグラフィー技術およびエッチングにより除去する。これにより、コンタクトホール２７の底面部において、ドレイン電極ＤＥの表面が露出される。
【００８３】
次に、図１０に示すように、電極間絶縁膜２５、および、コンタクトホール２７の底面部に露出したドレイン電極ＤＥを覆うように、例えばスパッタ法により、ＩＴＯまたはＩＺＯ等からなる上電極２６を形成する。このとき、上電極２６の一部は、コンタクトホール２７の底面部に露出したドレイン電極ＤＥ上に形成される。したがって、上電極２６とドレイン電極ＤＥとは、コンタクトホール２７を介して電気的に接続される。そして、図１０では図示を省略するが、形成された上電極２６に、フォトリソグラフィー技術およびエッチングにより、スリット状開口２８（図３参照）を形成する。その後、図１０では図示を省略するが、上電極２６上に、例えば塗布法により、ポリイミド等からなる配向膜を形成する。これにより、液晶表示装置１０のアレイ基板ＡＲが形成される。
【００８４】
一方、図１１に示すように、第２透明基板３０の表面（第１主面）上に、例えば黒色の樹脂材料からなる膜を形成し、エッチングすることにより、遮光部（ブラックマトリックス）３１を形成する。次に、図１１に示すように、フォトリソグラフィー技術により、各サブ画素１２に、カラーフィルター層３２を形成する。具体的には、例えば各サブ画素１２（図１参照）に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルター層３２を形成する。
【００８５】
次に、図１１に示すように、遮光部（ブラックマトリックス）３１上およびカラーフィルター層３２上に、例えば塗布法により、アクリル系の感光性樹脂からなるオーバーコート層３３を形成する。オーバーコート層３３は、遮光部（ブラックマトリックス）３１およびカラーフィルター層３２を覆うように形成される。
【００８６】
次に、図１２に示すように、オーバーコート層３３上に、フォトリソグラフィー技術により、例えばアクリル系の感光性樹脂からなるフォトスペーサー（スペーサー部）３４を形成する。その後、図１２では図示を省略するが、オーバーコート層３３の表面およびフォトスペーサー（スペーサー部）３４の表面に、例えばポリイミド等からなる配向膜を形成する。これにより、液晶表示装置１０のカラーフィルター基板ＣＦが形成される。
【００８７】
このようにして形成されたアレイ基板ＡＲおよびカラーフィルター基板ＣＦを、各々の裏面（第２主面）が対向せず、各々の表面（第１主面）が対向するように配置する（対向配置する）。そして、対向配置されたアレイ基板ＡＲおよびカラーフィルター基板ＣＦの周囲にシール材（図示は省略）を設けることで、アレイ基板ＡＲおよびカラーフィルター基板ＣＦを貼り合せる。その後、アレイ基板ＡＲとカラーフィルター基板ＣＦとの間にホモジニアス配向の液晶を液晶層ＬＣとして充填することにより、本実施の形態１の液晶表示装置１０が得られる。
【００８８】
＜ラビング影の発生に伴う光漏れ＞
図１３は、比較例１の液晶表示装置の概要を示す平面図である。図１３においては、理解を簡単にするために、遮光部１３１の外周を二点鎖線により図示している（以下、図１５においても同様）。また、図１３においては、理解を簡単にするために、フォトスペーサー（スペーサー部）３４については、外周のみを実線で示している（以下、図１５においても同様）。
【００８９】
比較例１の液晶表示装置１１０のうち、信号線（ソース配線）１１４および遮光部１３１以外の各部分については、実施の形態１の液晶表示装置１０のうち、信号線（ソース配線）１４および遮光部３１以外の各部分と同一であるため、その説明を省略する。
【００９０】
なお、比較例１の液晶表示装置１１０のアレイ基板ＡＲ、第１透明基板２０は、それぞれ実施の形態１の液晶表示装置１０のアレイ基板ＡＲ、第１透明基板２０に相当する。また、比較例１の液晶表示装置１１０の画素１１、サブ画素１２、走査線（ゲート配線）１３、交差部１５、ＴＦＴ１６、フォトスペーサー（スペーサー部）３４は、それぞれ実施の形態１の液晶表示装置１０の画素１１、サブ画素１２、走査線（ゲート配線）１３、交差部１５、ＴＦＴ１６、フォトスペーサー（スペーサー部）３４に相当する。
【００９１】
図１３に示すように、比較例１の液晶表示装置１１０では、遮光部１３１は、ゲート配線用遮光部１３６およびソース配線用遮光部１３７を含む。しかし、遮光部１３１には、フォトスペーサー（スペーサー部）３４を遮光し、ゲート配線用遮光部１３６およびソース配線用遮光部１３７のみからなるときよりも遮光部１３１全体の面積を増加させるスペーサー部用遮光部が含まれていない。また、比較例１の液晶表示装置１１０の信号線（ソース配線）１１４は、実施の形態１でスペーサー部用遮光部３８が設けられた領域に相当する領域１３８ａの内部では、屈曲部を有していない。そのため、領域１３８ａ内では、信号線（ソース配線）１１４は、平面視において、Ｙ軸方向に沿って延在している。
【００９２】
比較例１の液晶表示装置１１０でも、平面視において、フォトスペーサー（スペーサー部）３４は、交差部１５に設けられたＴＦＴ１６上に設けられている。また、ＴＦＴ１６からＸ軸方向の負の方向（−Ｘ方向）側に引き出されたソース電極ＳＥと接続されるため、信号線（ソース配線）１１４は、ＴＦＴ１６よりもＸ軸方向の負の方向（−Ｘ方向）側に設けられている。したがって、信号線（ソース配線）１１４は、フォトスペーサー（スペーサー部）３４よりもＸ軸方向の負の方向（−Ｘ方向）側に設けられている。また、信号線（ソース配線）１１４と対向する位置には、ソース配線用遮光部１３７が設けられている。
【００９３】
このような場合において、比較例１の液晶表示装置１１０では、フォトスペーサー（スペーサー部）３４よりもＹ軸方向の正の方向（＋Ｙ方向）側の領域であり、かつ、ゲート配線用遮光部１３６よりもＹ軸方向の正の方向（＋Ｙ方向）側の領域１３８ｂには、信号線（ソース配線）１１４が設けられていない。そのため、領域１３８ｂの少なくとも一部は、ゲート配線用遮光部１３６およびソース配線用遮光部１３７を含む遮光部１３１によっては、遮光されていない。
【００９４】
図１４は、比較例１の液晶表示装置のラビング工程中のカラーフィルター基板の断面図である。なお、図１４では、理解を簡単にするために、カラーフィルター基板ＣＦのうち、遮光部１３１（図１３参照）、カラーフィルター層３２（図３参照）およびオーバーコート層３３（図３参照）の図示を省略し、第２透明基板３０およびフォトスペーサー（スペーサー部）３４のみを図示している。
【００９５】
図１４に示すように、ラビング工程では、カラーフィルター基板ＣＦは、ラビングステージ５０の上に載置される。カラーフィルター基板ＣＦの最表面には、配向膜（図示は省略）が形成されている。ラビングローラ５１の外周表面には、ラビングのための毛５２が設けられている。図１４において、ラビングローラ５１が例えば１５００ｒｐｍで矢印ＤＲ３に示す反時計周りの回転方向に回転した状態で、カラーフィルター基板ＣＦを載置したラビングステージ５０は、例えば３０ｍｍ／ｓｅｃで矢印ＤＲ４の方向に移動する。このような動作により、カラーフィルター基板ＣＦの最表面に形成された配向膜は、ラビングローラ５１により、矢印ＤＲ５の方向にラビングされる。
【００９６】
一方、カラーフィルター基板ＣＦ上には、フォトスペーサー（スペーサー部）３４が形成されている。このフォトスペーサー（スペーサー部）３４により、カラーフィルター基板ＣＦの最表面には、段差が発生する。この段差の影響により、カラーフィルター基板ＣＦの最表面であって、フォトスペーサー（スペーサー部）３４に対して、ラビング方向ＤＲ５における下流側の領域ＮＡは、ラビングローラ５１の毛５２が配向膜に接触しにくくなり、配向膜にラビングされない領域、いわゆる、ラビング影が生ずる。
【００９７】
一方、図１３に示すＹ軸方向の正の方向（＋Ｙ方向）は、図１４に示すラビング方向ＤＲ５に相当する。したがって、図１４に示す領域ＮＡは、図１３に示す領域１３８ａ内であって、フォトスペーサー（スペーサー部）３４よりもＹ軸方向の正の方向（＋Ｙ方向）側の領域であり、かつ、ゲート配線用遮光部１３６よりもＹ軸方向の正の方向（＋Ｙ方向）側の領域１３８ｂを含む。すなわち、図１３において、領域１３８ｂが、ラビング影が生ずる領域になる。その結果、領域１３８ｂでは、カラーフィルター基板ＣＦに形成された配向膜（図示は省略）を十分配向させることができないため、液晶層ＬＣの配向を揃えることができない。ところが、前述したように、領域１３８ｂの少なくとも一部は、遮光部１３１に遮光されていない。そのため、領域１３８ｂでは、黒表示をさせるときに画素の一部分から光漏れが発生する。
【００９８】
このような光漏れの発生を防止するためには、フォトスペーサー（スペーサー部）３４を、Ｘ軸方向の負の方向（−Ｘ方向）に移動させ、信号線（ソース配線）１１４の真上に配置することも考えられる。すなわち、交差部１５に対するフォトスペーサー（スペーサー部）３４の位置を、比較例１の液晶表示装置１１０における位置よりもＸ軸方向の負の方向に移動させた場合として、比較例２の液晶表示装置１１０ａが考えられる。図１５は、比較例２の液晶表示装置の概要を示す平面図である。
【００９９】
しかし、１つのサブ画素のＸ軸方向に沿った長さ寸法が短い、すなわち、画素が微細化した液晶表示装置では、Ｘ軸方向に沿って、ドレイン電極を含むＴＦＴおよび信号線（ソース配線）が、ほとんど隙間なく配置されている。また、平面視において、ドレイン電極ＤＥ（図６参照）と重なる領域では、コンタクトホール２７（図７参照）が形成されることで段差が大きくなるため、フォトスペーサー（スペーサー部）３４をドレイン電極ＤＥ（図６参照）上に配置することができない。そのため、フォトスペーサー（スペーサー部）３４をＸ軸方向の負の方向（−Ｘ方向）に移動させるのに伴って、Ｘ軸方向の負の方向（−Ｘ方向）に沿って隣り合うサブ画素１２ａのドレイン電極ＤＥ（図６参照）もＸ軸方向の負の方向（−Ｘ方向）に移動させなくてはならない。その結果、比較例２の液晶表示装置１１０ａのサブ画素１２ａの幅寸法Ｗ２（図１５参照）は、実施の形態１の液晶表示装置１０のサブ画素１２ａの幅寸法Ｗ１（図４参照）よりも増加してしまい、画素レイアウトの制約条件に適合しなくなってしまう。
【０１００】
＜本実施の形態の主要な特徴と効果＞
本実施の形態１の液晶表示装置１０では、フォトスペーサー（スペーサー部）３４を遮光するスペーサー部用遮光部３８を有し、フォトスペーサー（スペーサー部）３４は、平面視において、スペーサー部用遮光部３８が設けられた領域３８ａ内に配置されている。また、信号線（ソース配線）１４は、平面視において、スペーサー部用遮光部３８が設けられた領域３８ａ内の互いに離れた位置で、互いに異なる方向に屈曲する屈曲部３９および屈曲部４０を有する。屈曲部３９は、平面視において、スペーサー部用遮光部３８が設けられた領域３８ａ内で、例えばＹ軸方向の正の方向から、Ｙ軸方向の正の方向に対して傾斜した方向ＤＲ１に屈曲する。また、屈曲部４０は、平面視において、スペーサー部用遮光部３８が設けられた領域３８ａ内で、例えばＹ軸方向の正の方向から、Ｙ軸方向の正の方向に対して傾斜した方向であって、方向ＤＲ１と異なる方向ＤＲ２に屈曲する。
【０１０１】
本実施の形態１の液晶表示装置１０でも、平面視において、フォトスペーサー（スペーサー部）３４は、交差部１５に設けられたＴＦＴ１６上に設けられている。また、ＴＦＴ１６からＸ軸方向の負の方向（−Ｘ方向）側に引き出されたソース電極ＳＥと接続されるため、信号線（ソース配線）１４は、ＴＦＴ１６よりもＸ軸方向の負の方向（−Ｘ方向）側に設けられている。したがって、信号線（ソース配線）１４は、フォトスペーサー（スペーサー部）３４よりもＸ軸方向の負の方向（−Ｘ方向）側に設けられている。また、信号線（ソース配線）１４と対向する位置には、ソース配線用遮光部３７が設けられている。
【０１０２】
このような場合において、本実施の形態１の液晶表示装置１０では、図４に示すように、遮光部３１には、フォトスペーサー（スペーサー部）３４を遮光するスペーサー部用遮光部３８が設けられており、フォトスペーサー（スペーサー部）３４は、平面視において、スペーサー部用遮光部３８が設けられた領域３８ａ内に配置されている。また、スペーサー部用遮光部３８の一部は、平面視において、ゲート配線用遮光部３６が設けられた領域の外側の領域に設けられている。すなわち、フォトスペーサー（スペーサー部）３４よりもＹ軸方向の正の方向（＋Ｙ方向）側の領域であり、かつ、ゲート配線用遮光部３６よりもＹ軸方向の正の方向（＋Ｙ方向）側の領域３８ｂには、スペーサー部用遮光部３８が設けられている。つまり、領域３８ｂのうち領域３８ａ内の部分は、スペーサー部用遮光部３８により遮光される。
【０１０３】
また、本実施の形態１の液晶表示装置１０では、信号線（ソース配線）１４が、屈曲部３９および屈曲部４０を有する。したがって、図４に示すように、領域３８ｂのうち領域３８ａの外側の部分に、信号線（ソース配線）１４を設けることができる。また、信号線（ソース配線）１４と対向する位置には、ソース配線用遮光部３７が設けられている。そのため、領域３８ｂのうち領域３８ａの外側の部分は、ソース配線用遮光部３７により遮光される。
【０１０４】
ラビング工程において、領域３８ｂ（図１４の領域ＮＡ）では、配向膜（図示は省略）を十分配向させることができないため、液晶層の配向を揃えることができない。ところが、本実施の形態１では、領域３８ｂでは、カラーフィルター基板ＣＦに形成された配向膜（図示は省略）が、スペーサー部用遮光部３８およびソース配線用遮光部３７に遮光されている。そのため、領域３８ｂにおいて、黒表示をさせるときに画素の一部分から光漏れが発生することを防止または抑制することができる。すなわち、画素レイアウトの制約条件を満たしつつ、いわゆるラビング影の発生に伴う光漏れを低減することができ、液晶表示装置の性能を向上させることができる。
【０１０５】
また、本実施の形態１では、屈曲部３９は、平面視において、交互に逆方向に２回屈曲しており、屈曲部４０は、平面視において、交互に逆方向に２回屈曲している。屈曲部３９および屈曲部４０の各々において交互に逆方向に２回屈曲することで、例えば信号線（ソース配線）１４の延在方向を略Ｙ軸方向に平行にしつつ、交差部１５の位置をＸ軸方向に移動させることができる。そのため、画素レイアウトの制約条件を満たしつつ、いわゆるラビング影の発生に伴う光漏れをさらに低減することができ、液晶表示装置の性能をさらに向上させることができる。
【０１０６】
（実施の形態２）
実施の形態１では、２つの屈曲部は、平面視において、スペーサー部用遮光部が設けられた領域内に設けられていた。それに対して、実施の形態２では、２つの屈曲部は、平面視において、スペーサー部用遮光部が設けられた領域の外側の領域に設けられている。
【０１０７】
図１６は、実施の形態２の液晶表示装置の概要を示す平面図である。
【０１０８】
図１６に示すように、本実施の形態２の液晶表示装置１０ａは、実施の形態１の液晶表示装置１０と同様に、カラー表示の横電界方式のＦＦＳモードの液晶表示装置である。本実施の形態２の液晶表示装置１０ａの画素１１、サブ画素１２、走査線（ゲート配線）１３、交差部１５、ＴＦＴ１６、フォトスペーサー（スペーサー部）３４は、それぞれ実施の形態１の液晶表示装置１０の画素１１、サブ画素１２、走査線（ゲート配線）１３、交差部１５、ＴＦＴ１６、フォトスペーサー（スペーサー部）３４に相当する。また、図１６では図示していないが、本実施の形態２の液晶表示装置１０ａは、実施の形態１の液晶表示装置１０と同様に、液晶層ＬＣ、アレイ基板ＡＲおよびカラーフィルター基板ＣＦを有する。
【０１０９】
本実施の形態２の液晶表示装置１０ａでも、実施の形態１の液晶表示装置１０と同様に、遮光部３１は、平面視において、フォトスペーサー（スペーサー部）３４を遮光するスペーサー部用遮光部３８を有し、フォトスペーサー（スペーサー部）３４は、平面視において、スペーサー部用遮光部３８が設けられた領域３８ａ内に配置されている。また、信号線（ソース配線）１４は、屈曲部３９および屈曲部４０を有する。屈曲部３９および屈曲部４０は、液晶分子を見る方向によって色相差（リタデーション）が発生することを低減するための屈曲とは独立して、設けられている。
【０１１０】
しかし、図１６に示すように、本実施の形態２では、屈曲部３９および屈曲部４０は、平面視において、スペーサー部用遮光部３８が設けられた領域３８ａの外側の互いに離れた位置で、互いに異なる方向に屈曲する。具体的には、図１６に示すように、領域３８ａよりもＹ軸方向の正の方向（＋Ｙ方向）側に屈曲部３９が設けられており、領域３８ａよりもＹ軸方向の負の方向（−Ｙ方向）側に屈曲部４０が設けられている。また、屈曲部３９は、平面視において、例えばＹ軸方向の正の方向から、Ｙ軸方向の正の方向に対して傾斜した方向ＤＲ１に屈曲する。また、屈曲部４０は、平面視において、例えばＹ軸方向の正の方向から、Ｙ軸方向の正の方向に対して傾斜した方向であって、方向ＤＲ１と異なる方向ＤＲ２に屈曲する。
【０１１１】
屈曲部３９および屈曲部４０が、領域３８ａの外側であっても、領域３８ａに近い領域に設けられた場合には、実施の形態１と同様に、領域３８ｂにおいて、カラーフィルター基板ＣＦに形成された配向膜が、スペーサー部用遮光部３８およびソース配線用遮光部３７に遮光される。そのため、領域３８ｂにおいて、黒表示をさせるときに画素の一部分から光漏れが発生することを防止または抑制することができる。すなわち、画素レイアウトの制約条件を満たしつつ、いわゆるラビング影の発生に伴う光漏れを低減することができ、液晶表示装置の性能を向上させることができる。
【０１１２】
なお、本実施の形態２でも、実施の形態１と同様に、屈曲部３９および屈曲部４０の各々において交互に逆方向に２回屈曲することで、例えば信号線（ソース配線）１４の延在方向を略Ｙ軸方向と平行にしつつ、交差部１５の位置をＸ軸方向に移動させることができる。
【０１１３】
（実施の形態３）
実施の形態１では、Ｙ軸方向に隣り合う２つのサブ画素において、信号線（ソース配線）の延在方向が、ラビング方向（Ｙ軸方向の正の方向）に対して、それぞれ＋α、−α傾斜していた。それに対して、実施の形態３では、１つのサブ画素内に２つの領域が設けられており、その２つの領域において、信号線（ソース配線）の延在方向が、ラビング方向（Ｙ軸方向の正の方向）に対して、それぞれ＋α、−α傾斜している。
【０１１４】
図１７は、実施の形態３の液晶表示装置の概要を示す平面図である。
【０１１５】
図１７に示すように、本実施の形態３の液晶表示装置１０ｂは、実施の形態１の液晶表示装置１０と同様に、カラー表示の横電界方式のＦＦＳモードの液晶表示装置である。本実施の形態３の液晶表示装置１０ｂの画素１１、サブ画素１２、走査線（ゲート配線）１３、交差部１５、ＴＦＴ１６、フォトスペーサー（スペーサー部）３４は、それぞれ実施の形態１の液晶表示装置１０の画素１１、サブ画素１２、走査線（ゲート配線）１３、交差部１５、ＴＦＴ１６、フォトスペーサー（スペーサー部）３４に相当する。また、図１７では図示していないが、本実施の形態３の液晶表示装置１０ｂは、実施の形態１の液晶表示装置１０と同様に、液晶層ＬＣ、アレイ基板ＡＲおよびカラーフィルター基板ＣＦを有する。
【０１１６】
本実施の形態３の液晶表示装置１０ｂでも、実施の形態１の液晶表示装置１０と同様に、サブ画素１２では、上電極２６にスリット状開口２８が形成されている。また、スリット状開口２８の延在方向を、Ｘ軸方向よりもＹ軸方向に近づけることにより、スリット状開口２８の端部の数を少なくし、開口率の低下を低減している。
【０１１７】
一方、本実施の形態３の液晶表示装置１０ｂでは、実施の形態１の液晶表示装置１０と異なり、スリット状開口２８は、その途中、例えばスリット状開口２８の延在方向に沿って中央部に、屈曲部２８ａを有する。その結果、屈曲部２８ａよりもＹ軸方向の正の方向（＋Ｙ方向）側の部分において、スリット状開口２８の延在方向は、ラビング方向（Ｙ軸方向の正の方向）に対して＋α（時計方向を正とし、αを正とする）傾斜している。また、屈曲部２８ａよりもＹ軸方向の負の方向（−Ｙ方向）側の部分において、スリット状開口２８の延在方向は、ラビング方向（Ｙ軸方向の正の方向）に対して−α傾斜している。すなわち、液晶分子を見る方向によって発生する色相差（リタデ−ション）を低減するために、本実施の形態３の液晶表示装置１０ｂは、スリット状開口２８の延在方向が、ラビング方向（Ｙ軸方向の正の方向）に対して、＋α傾斜した領域ＴＡ１と、−α傾斜した領域ＴＡ２とを有する。傾斜角αとして、例えば５度とすることができる。
【０１１８】
また、領域ＴＡ１、領域ＴＡ２において、スリット状開口２８の延在方向がラビング方向（Ｙ軸方向の正の方向）に対して＋α、−α傾斜していることに伴って、本実施の形態３では、信号線（ソース配線）１４も、その途中、例えば信号線（ソース配線）１４の延在方向に沿って中央部に、屈曲部４１を有する。すなわち、本実施の形態３では、１つのサブ画素１２内において、屈曲部４１よりもＹ軸方向の正の方向（＋Ｙ方向）側の部分では、信号線（ソース配線）１４は、ラビング方向（Ｙ軸方向の正の方向）に対して＋αの角度だけ傾斜した方向に延在している。また、１つのサブ画素１２内において、屈曲部４１よりもＹ軸方向の負の方向（−Ｙ方向）側の部分では、信号線（ソース配線）１４は、ラビング方向（Ｙ軸方向の正の方向）に対して−αの角度だけ傾斜した方向に延在している。その結果、１つのサブ画素１２内で、信号線（ソース配線）１４は、Ｙ軸方向に沿って屈曲部４１の前後で２αの角度だけ屈曲することになる。
【０１１９】
信号線（ソース配線）１４の形状をスリット状開口２８の屈曲に対応した形状とすることにより、上電極２６の外形形状も、スリット状開口２８および信号線（ソース配線）１４の屈曲に対応した形状とすることができる。したがって、上電極２６と下電極２４との間に発生する電界の方向および大きさを、１つのサブ画素内で均一にすることができる。
【０１２０】
本実施の形態３の液晶表示装置１０ｂでは、遮光部３１は、フォトスペーサー（スペーサー部）３４を遮光するスペーサー部用遮光部３８を有し、フォトスペーサー（スペーサー部）３４は、平面視において、スペーサー部用遮光部３８が設けられた領域３８ａ内に配置されている。また、信号線（ソース配線）１４は、平面視において、スペーサー部用遮光部３８が設けられた領域３８ａ内の互いに離れた位置で、互いに異なる方向に屈曲する屈曲部３９および屈曲部４０を有する。また、前述した信号線（ソース配線）１４の屈曲部４１は、領域３８ａの外側の領域に設けられている。屈曲部３９は、平面視において、スペーサー部用遮光部３８が設けられた領域３８ａ内で、例えばＹ軸方向の正の方向から、Ｙ軸方向の正の方向に対して傾斜した方向ＤＲ１に屈曲する。また、屈曲部４０は、平面視において、スペーサー部用遮光部３８が設けられた領域３８ａ内で、例えばＹ軸方向の正の方向から、Ｙ軸方向の正の方向に対して傾斜した方向であって、方向ＤＲ１と異なる方向ＤＲ２に屈曲する。
【０１２１】
本実施の形態３でも、実施の形態１と同様に、色相差（リタデーション）を低減するための屈曲とは独立して、屈曲部３９および屈曲部４０が設けられている。これにより、画素レイアウトの制約条件を満たしつつ、いわゆるラビング影の発生に伴う光漏れを低減することができ、液晶表示装置の性能を向上させることができる。
【０１２２】
また、本実施の形態３でも、実施の形態１と同様に、屈曲部３９は、平面視において、交互に逆方向に２回屈曲しており、屈曲部４０は、平面視において、交互に逆方向に２回屈曲している。このように交互に逆方向に２回屈曲することで、例えば信号線（ソース配線）１４の延在方向を略Ｙ軸方向と平行にしつつ、交差部１５の位置をＸ軸方向に移動させることができる。
【０１２３】
（実施の形態４）
実施の形態１では、Ｙ軸方向に隣り合う２つのサブ画素において、信号線（ソース配線）の延在方向が、ラビング方向（Ｙ軸方向の正の方向）に対して、それぞれ＋α、−α傾斜していた。それに対して、実施の形態４では、信号線（ソース配線）の延在方向がラビング方向（Ｙ軸方向の正の方向）に対して傾斜しておらず、ラビング方向（Ｙ軸方向の正の方向）に平行になっている。
【０１２４】
図１８は、実施の形態４の液晶表示装置の概要を示す平面図である。
【０１２５】
図１８に示すように、本実施の形態４の液晶表示装置１０ｃは、実施の形態１の液晶表示装置１０と同様に、カラー表示の横電界方式のＦＦＳモードの液晶表示装置である。本実施の形態４の液晶表示装置１０ｃの画素１１、サブ画素１２、走査線（ゲート配線）１３、交差部１５、ＴＦＴ１６、フォトスペーサー（スペーサー部）３４は、それぞれ実施の形態１の液晶表示装置１０の画素１１、サブ画素１２、走査線（ゲート配線）１３、交差部１５、ＴＦＴ１６、フォトスペーサー（スペーサー部）３４に相当する。また、図１８では図示していないが、本実施の形態４の液晶表示装置１０ｃは、実施の形態１の液晶表示装置１０と同様に、液晶層ＬＣ、アレイ基板ＡＲおよびカラーフィルター基板ＣＦを有する。
【０１２６】
本実施の形態４の液晶表示装置１０ｃでも、実施の形態１の液晶表示装置１０と同様に、サブ画素１２では、上電極２６にスリット状開口２８が形成されている。また、スリット状開口２８の延在方向を、Ｘ軸方向よりもＹ軸方向に近づけることにより、スリット状開口２８の端部の数を少なくし、開口率の低下を低減している。
【０１２７】
また、本実施の形態４の液晶表示装置１０ｃでも、実施の形態３の液晶表示装置１０ｂと同様に、スリット状開口２８は、その途中、例えばスリット状開口２８の延在方向に沿って中央部に、屈曲部２８ａを有する。すなわち、液晶分子を見る方向によって発生する色相差（リタデ−ション）を低減するために、本実施の形態４の液晶表示装置１０ｃは、スリット状開口２８の延在方向が、ラビング方向（Ｙ軸方向の正の方向）に対して、＋α傾斜した領域ＴＡ１と、−α傾斜した領域ＴＡ２を有する。
【０１２８】
一方、本実施の形態４では、信号線（ソース配線）１４の延在方向がラビング方向（Ｙ軸方向の正の方向）に対して傾斜しておらず、Ｙ軸方向に平行になっている。すなわち、本実施の形態４では、信号線（ソース配線）１４は、屈曲しておらず、直線状に形成されている。
【０１２９】
このような構成であっても、例えばスリット状開口２８のラビング方向（Ｙ軸方向の正の方向）に対する傾斜角αが小さい場合には、上電極２６と下電極２４との間に発生する電界の方向および大きさを、１つのサブ画素内で略均一にすることができる。
【０１３０】
本実施の形態４の液晶表示装置１０ｃでは、遮光部３１は、フォトスペーサー（スペーサー部）３４を遮光するスペーサー部用遮光部３８を有し、フォトスペーサー（スペーサー部）３４は、平面視において、スペーサー部用遮光部３８が設けられた領域３８ａ内に配置されている。また、信号線（ソース配線）１４は、平面視において、スペーサー部用遮光部３８が設けられた領域３８ａ内の互いに離れた位置で、互いに異なる方向に屈曲する屈曲部３９および屈曲部４０を有する。屈曲部３９は、平面視において、スペーサー部用遮光部３８が設けられた領域３８ａ内で、例えばＹ軸方向の正の方向から、Ｙ軸方向の正の方向に対して傾斜した方向ＤＲ１に屈曲する。また、屈曲部４０は、平面視において、スペーサー部用遮光部３８が設けられた領域３８ａ内で、例えばＹ軸方向の正の方向から、Ｙ軸方向の正の方向に対して傾斜した方向であって、方向ＤＲ１と異なる方向ＤＲ２に屈曲する。また、領域３８ａの外側の領域において、信号線（ソース配線）１４は、Ｙ軸方向に平行に延在している。
【０１３１】
本実施の形態４でも、実施の形態１と同様に、色相差（リタデーション）を低減するための屈曲とは独立して、屈曲部３９および屈曲部４０が設けられている。これにより、画素レイアウトの制約条件を満たしつつ、いわゆるラビング影の発生に伴う光漏れを低減することができ、液晶表示装置の性能を向上させることができる。
【０１３２】
また、本実施の形態４でも、実施の形態１と同様に、屈曲部３９は、平面視において、交互に逆方向に２回屈曲しており、屈曲部４０は、平面視において、交互に逆方向に２回屈曲している。このように交互に逆方向に２回屈曲することで、例えば信号線（ソース配線）１４の延在方向を略Ｙ軸方向に平行にしつつ、交差部１５の位置をＸ軸方向に移動させることができる。
【０１３３】
（実施の形態５）
次に、実施の形態５の電子機器について説明する。実施の形態１から実施の形態４では、スペーサー部用遮光部および２つの屈曲部を備えた液晶表示装置について説明した。それに対して、実施の形態５では、実施の形態１から実施の形態４で説明した液晶表示装置を表示部として有する電子機器について、携帯電話を例示しながら説明する。
【０１３４】
図１９は、実施の形態５の電子機器の一例としての携帯電話を示す斜視図である。
【０１３５】
図１９に示すように、携帯電話３００は、実施の形態１から実施の形態４の液晶表示装置のうちのいずれかを表示部３０１として備え、複数の操作ボタン３０２、受話口３０３および送話口３０４を備えて構成されている。
【０１３６】
表示部３０１として、例えば実施の形態１の液晶表示装置１０から実施の形態４の液晶表示装置１０ｃのいずれかを用いることができる。これにより、表示部３０１において、画素を微細化した場合でも黒表示の際の光漏れを防止することができ、コントラストを向上させることができる。したがって、電子機器としての携帯電話の性能を向上させることができる。
【０１３７】
なお、実施の形態１の液晶表示装置１０から実施の形態４の液晶表示装置１０ｃのいずれかを表示部として備えた電子機器は、上記した携帯電話に限られない。実施の形態１の液晶表示装置１０から実施の形態４の液晶表示装置１０ｃのいずれかは、例えば、電子ブック、パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャを備えた機器等々の電子機器の表示部として好適に用いることができる。また、実施の形態１の液晶表示装置１０から実施の形態４の液晶表示装置１０ｃのいずれかは、例えば、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ（Point of Sale）端末、タッチパネルを備えた機器等々の電子機器の表示部として好適に用いることができる。これにより、いずれの電子機器においても、表示部において、画素を微細化した場合でも黒表示の際の光漏れを防止することができ、コントラストを向上させることができる。したがって、上記した各種の電子機器の性能を向上させることができる。
【０１３８】
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【産業上の利用可能性】
【０１３９】
本発明は、液晶表示装置および電子機器に適用して有効である。
【符号の説明】
【０１４０】
１０、１０ａ〜１０ｃ  液晶表示装置
１１、１１ａ、１１ｂ  画素
１２、１２ａ、１２ｂ  サブ画素
１３  走査線（ゲート配線）
１４  信号線（ソース配線）
１５  交差部
１６  ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
２０  第１透明基板
２１  ゲート絶縁膜
２２  半導体層
２３  層間樹脂膜（平坦化膜）
２４  下電極
２５  電極間絶縁膜
２６  上電極
２７  コンタクトホール
２８  スリット状開口
２８ａ  屈曲部
３０  第２透明基板
３１  遮光部（ブラックマトリックス）
３２  カラーフィルター層
３３  オーバーコート層
３４  フォトスペーサー（スペーサー部）
３６  ゲート配線用遮光部
３７  ソース配線用遮光部
３８  スペーサー部用遮光部
３８ａ、３８ｂ  領域
３９、４０  屈曲部
３９ａ、３９ｂ、４０ａ、４０ｂ  位置
４１  屈曲部
５０  ラビングステージ
５１  ラビングローラ
５２  毛
３００  携帯電話
３０１  表示部
３０２  操作ボタン
３０３  受話口
３０４  送話口
ＡＲ  アレイ基板
ＣＦ  カラーフィルター基板
ＤＥ  ドレイン電極
ＤＲ１〜ＤＲ５  方向
ＧＥ  ゲート電極
ＬＣ  液晶層
ＮＡ、Ｒ１  領域
ＳＥ  ソース電極
ＴＡ１、ＴＡ２  領域
【図１】
2014026130.tif 000003
【図２】
2014026130.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2014026130.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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