(57)【要約】  【課題】  本発明の液晶表示装置は、ライン反転駆動方式によって消費電力を低減するとともに、クロストークの発生を抑制して表示品位を向上させることができる。  【解決手段】  液晶表示装置１では、第１薄膜トランジスタTFT１は、第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２との間で第１ソース配線224ａに接続され、第２薄膜トランジスタTFT２は、第２画素Ｐ２と第３画素Ｐ３との間で第２ソース配線224ｂに接続され、第３薄膜トランジスタTFT３は、第３画素Ｐ３の第２画素Ｐ２と反対側で第１ソース配線224ａに接続されていることを特徴とする。【選択図】  図４
2014026135.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面同士を対向させて配置された第１基板および第２基板と、前記第１基板および前記第２基板の間に配置された液晶層と、前記第２基板の前記主面上にＹ方向に順次配列して設けられた第１ゲート配線、第２ゲート配線、第３ゲート配線および第４ゲート配線と、前記第２基板の前記主面上にＹ方向に直交するＸ方向に順次配列して設けられた、前記第１ゲート配線〜前記第４ゲート配線の各々に交差する第１ソース配線および前記第２ソース配線と、前記第２ゲート配線上に位置する第１薄膜トランジスタと、前記第３ゲート配線上に位置する第２薄膜トランジスタと、前記第４ゲート配線上に位置する第３薄膜トランジスタと、前記第１ゲート配線〜前記第４ゲート配線、前記第１ソース配線、前記第２ソース配線および前記第１薄膜トランジスタ〜前記第３薄膜トランジスタを覆うように前記第２基板の前記主面上に設けられた絶縁膜と、該絶縁膜上に設けられた、前記第１薄膜トランジスタ〜前記第３薄膜トランジスタの各々に電気的に接続された複数の第１表示電極と、前記第１表示電極との間で電界を形成するための第２表示電極とを備え、
前記第１ゲート配線、前記第２ゲート配線、前記第１ソース配線および前記第２ソース配線によって囲まれた、Ｘ方向を長辺方向とする長方形状の第１画素と、前記第２ゲート配線、前記第３ゲート配線、前記第１ソース配線および前記第２ソース配線によって囲まれた、Ｘ方向を長辺方向とする長方形状の第２画素と、前記第３ゲート配線、前記第４ゲート配線、前記第１ソース配線および前記第２ソース配線によって囲まれた、Ｘ方向を長辺方向とする長方形状の第３画素とを有し、
前記第１薄膜トランジスタは、前記第１画素と前記第２画素との間で前記第１ソース配線に接続され、前記第２薄膜トランジスタは、前記第２画素と前記第３画素との間で前記第２ソース配線に接続され、前記第３薄膜トランジスタは、前記第３画素の前記第２画素と反対側で前記第１ソース配線に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
１フレーム期間において前記第１ソース配線には正極性の電圧のみが印加され、
前記１フレーム期間において前記第２ソース配線には負極性の電圧のみが印加される請求項１に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話、デジタルカメラ、携帯ゲーム機または携帯型情報端末などの様々な用途に用いられる液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、互いに対向する一対の基板と、一対の基板間に介在する液晶層とを備える。この一対の基板のうち一方の基板側には、Ｙ方向に配列して設けられた複数のゲート配線と、Ｙ方向と直交するＸ方向に配列して設けられた複数のソース配線と、複数のゲート配線と複数のソース配線とによって囲まれた画素ごとに設けられた複数の薄膜トランジスタと、画素に位置する信号電極とが設けられているとともに、他方の基板側には画素に位置する共通電極などが設けられている。
【０００３】
各画素はＹ方向を長辺方向とする長方形状を成しており、Ｙ方向に隣り合う各画素の薄膜トランジスタは同じソース配線に接続されている。このソース配線および薄膜トランジスタを介して信号電圧が画素に位置する信号電極に印加され、信号電極と共通電極との間で電界を発生させることで液晶層中の液晶分子の方向を制御する。
【０００４】
このような液晶表示装置では、ライン反転駆動方式が採用されている。ライン反転駆動方式では、図９（ａ）に示すように、全画素を１回走査する際に表示される画面（１フレームとよばれる）において各ソース配線に印加される信号電圧が正または負のいずれかの極性であり、次の１フレームに移行する際に各ソース配線に印加される信号電圧を異なる極性へ反転させる。さらに、ライン反転駆動方式では、１フレーム期間における隣り合うソース配線で印加される信号電圧の極性が反転している。これによって、Ｘ方向に隣り合う画素においては、印加される信号電圧の極性が反転されている。
【０００５】
しかしながら、ライン反転駆動方式では、Ｙ方向に隣り合う画素間で同一極性の電圧分布が生じてしまい、クロストークが発生し、表示品質が低下するという問題点があった。
【０００６】
この問題点に対して、ドット反転駆動方式を採用している液晶表示装置がある（例えば、特許文献１参照）。ドット反転駆動方式では、図９（ｂ）に示すように、１フレーム期間における各ソース配線に印加される信号電圧の極性を正負で交互に反転させており、１フレーム期間においてＸ方向およびＹ方向に隣り合う画素に印加される信号電圧の極性を反転させ、隣り合う画素での同一極性の電圧分布の発生を抑制し、クロストークの発生を低減している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−２５５９０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、このような液晶表示装置では、図９（ｂ）のように、１フレーム期間において各ソース配線での信号電圧の極性を繰り返し反転させているので、各ソース配線で充電および放電が何度も繰り返されることになり、液晶表示装置の消費電力が増加するという問題点がある。さらに、この問題点はソース配線の形成数が多くなればなるほど顕著になる。
【０００９】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ライン反転駆動方式によって消費電力を低減するとともに、クロストークの発生を抑制して表示品位を向上させることができる液晶表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の液晶表示装置は、主面同士を対向させて配置された第１基板および第２基板と、前記第１基板および前記第２基板の間に配置された液晶層と、前記第２基板の前記主面上にＹ方向に順次配列して設けられた第１ゲート配線、第２ゲート配線、第３ゲート配線および第４ゲート配線と、前記第２基板の前記主面上にＹ方向に直交するＸ方向に順次配列して設けられた、前記第１ゲート配線〜前記第４ゲート配線の各々に交差する第１ソース配線および前記第２ソース配線と、前記第２ゲート配線上に位置する第１薄膜トランジスタと、前記第３ゲート配線上に位置する第２薄膜トランジスタと、前記第４ゲート配線上に位置する第３薄膜トランジスタと、前記第１ゲート配線〜前記第４ゲート配線、前記第１ソース配線、前記第２ソース配線および前記第１薄膜トランジスタ〜前記第３薄膜トランジスタを覆うように前記第２基板の前記主面上に設けられた絶縁膜と、該絶縁膜上に設けられた、前記第１薄膜トランジスタ〜前記第３薄膜トランジスタの各々に電気的に接続された複数の第１表示電極と、前記第１表示電極との間で電界を形成するための第２表示電極とを備え、前記第１ゲート配線、前記第２ゲート配線、前記第１ソース配線および前記第２ソース配線によって囲まれた、Ｘ方向を長辺方向とする長方形状の第１画素と、前記第２ゲート配線、前記第３ゲート配線、前記第１ソース配線および前記第２ソース配線によって囲まれた、Ｘ方向を長辺方向とする長方形状の第２画素と、前記第３ゲート配線、前記第４ゲート配線、前記第１ソース配線および前記第２ソース配線によって囲まれた、Ｘ方向を長辺方向とする長方形状の第３画素とを有し、前記第１薄膜トランジスタは、前記第１画素と前記第２画素との間で前記第１ソース配線に接続され、前記第２薄膜トランジスタは、前記第２画素と前記第３画素との間で前記第２ソース配線に接続され、前記第３薄膜トランジスタは、前記第３画素の前記第２画素と反対側で前記第１ソース配線に接続されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の液晶表示装置によれば、ライン反転駆動方式によって消費電力を低減するとともに、クロストークの発生を抑制して表示品位を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１の実施形態における液晶表示装置を示す平面図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。
【図３】図１のＫ部分の拡大平面図である。
【図４】各画素の第２基板上の配線、電極および薄膜トランジスタを示す平面図である。
【図５】図４のII−II線に沿った断面図である。
【図６】図１の液晶表示装置における駆動時での各画素の極性を示す概略図である。
【図７】本発明の第２の実施形態における液晶表示装置の要部を示す平面図である。
【図８】図７のIII−III線に沿った断面図である。
【図９】（ａ）はライン反転駆動方式におけるソース配線に印加される信号電圧の駆動波形を示す図である。（ｂ）はドット反転駆動方式におけるソース配線に印加される信号電圧の駆動波形を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
［第１の実施形態］
本発明の第１の実施形態における液晶表示装置１について、図１〜図６を参照しながら説明する。
【００１４】
液晶表示装置１は、液晶パネル２と、液晶パネル２に向けて光を出射する光源装置３と、液晶パネル２上に配置される第１偏光板４と、液晶パネル２と光源装置３との間に配置される第２偏光板５とを備えている。
【００１５】
液晶パネル２では、第１基板21と第２基板22とが対向配置され、第１基板21と第２基板22との間に液晶層23が設けられているとともに、この液晶層23を取り囲むように第１基板21と第２基板22とを接合するシール材24が設けられている。
【００１６】
第１基板21は、画像表示の際に表示面として用いられる第１主面21ａと、第１主面21ａとは反対側に位置する第２主面21ｂとを有している。第１基板21は、例えばガラス、プラスチックなどによって形成される。
【００１７】
第１基板21の第２主面21ｂ上には、遮光膜211、カラーフィルタ212、第１平坦化膜213
および共通電極214が設けられている。
【００１８】
遮光膜211は光を遮光する機能を有する。遮光膜211は、第１基板21の第２主面21ｂ上に各画素Ｐの外周に沿って格子状に設けられている。遮光膜211の材料は、例えば、遮光性
の高い色（例えば黒色）の染料あるいは顔料が添加された樹脂、またはクロムなどの金属が挙げられる。なお、本実施形態における遮光膜211は第２主面21ｂ上に格子状に形成さ
れているが、これには限られない。
【００１９】
カラーフィルタ212は、可視光のうち特定の波長のみを透過させる機能を有する。複数
のカラーフィルタ212は、第１基板21の第２主面21ｂ上に位置しており、各画素Ｐごとに
設けられている。各カラーフィルタ212は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）のいずれ
かの色を有している。また、カラーフィルタ212は上記の色に限られず、例えば、黄色、
白色などのカラーフィルタ212を配置してもよい。カラーフィルタ212の材料としては、例えば染料あるいは顔料を添加した樹脂が挙げられる。
【００２０】
なお、図３に示すように、画素ＰはＸ方向を長辺方向とする長方形状を成している。また、カラーフィルタ212は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の順でＹ方向に配列して
いるが、これには限られず、青（Ｂ）、緑（Ｇ）および赤（Ｒ）の順にＹ方向に配列してもよい。
【００２１】
第１平坦化膜213は、遮光膜211およびカラーフィルタ212を覆うように設けられている
。第１平坦化膜213は、有機材料によって形成され、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂も
しくはポリイミド系樹脂などが挙げられる。第１平坦化膜213の膜厚は例えば１μｍ〜５
μｍの範囲で設定されている。
【００２２】
共通電極214は、駆動ＩＣ（図示せず）から印加された電圧によって信号電極226との間で電界を発生させる機能を有する。共通電極214は第１平坦化膜213上に設けられている。共通電極214は、導電性を有する透明材料によって形成され、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ、Ａ
ＴＯ、ＡＺＯ、酸化錫、酸化亜鉛または導電性高分子によって形成される。
【００２３】
第２基板22は、第１基板21の第２主面21ｂに対向する第１主面22ａと、第１主面22ａの反対側に位置する第２主面22ｂとを有している。なお、第２基板22は第１基板21と同様の材料で形成できる。
【００２４】
第２基板22の第１主面22ａ上には、複数のゲート配線221が設けられており、複数のゲ
ート配線221を覆うようにゲート絶縁膜222が設けられている。ゲート絶縁膜222上にはソ
ース配線224が設けられており、複数のソース配線224を覆うように第１層間絶縁膜223が
設けられている。また、第１層間絶縁膜223上には第２平坦化膜225が設けられている。この第２平坦化膜225上には信号電極226が設けられている。
【００２５】
ゲート配線221は、駆動ＩＣ（図示せず）から供給される電圧を薄膜トランジスタTFTに印加する機能を有する。図４に示すように、ゲート配線221は、第２基板22の第１主面22
ａ上にＸ方向に延在している。複数のゲート配線221はＹ方向に沿って配列されている。
ゲート配線221は、導電性を有する材料によって形成され、例えば、アルミニウム、モリ
ブデン、チタン、ネオジム、クロム、銅またはこれらを含む合金によって形成される。
【００２６】
図４には、複数のゲート配線221が記載されている。説明の便宜上、これらを第１ゲー
ト配線221ａ、第２ゲート配線221ｂ、第３ゲート配線221ｃ、第４ゲート配線221ｄおよび第５ゲート配線221ｅとする。
【００２７】
ゲート配線221は例えば下記方法によって形成される。
【００２８】
まず、スパッタリング法、蒸着法または化学気相成長法によって、材料を第２基板22の第１主面22ａ上に膜として形成する。この膜の表面に対して感光性樹脂を塗布し、塗布した感光性樹脂に対して露光処理および現像処理を行なうことで、感光性樹脂に所望の形状のパターンを形成する。次いで、この膜を薬液でエッチングして、膜を所望の形状にした後、塗布した感光性樹脂を剥離する。このように、材料を成膜およびパターニングすることでゲート配線221を形成できる。
【００２９】
ゲート絶縁膜222はゲート配線221を覆うように第１主面22ａ上に設けられている。ゲート絶縁膜222は、窒化珪素、酸化珪素などの絶縁性を有する材料によって形成される。な
お、ゲート絶縁膜222は、上記のスパッタリング法、蒸着法または化学気相成長法などに
よって第２基板22の第１主面22ａ上に形成できる。
【００３０】
ソース配線224は、駆動ＩＣから供給される信号電圧を薄膜トランジスタTFTを介して信号電極226に印加する機能を有する。図４に示すように、複数のソース配線224はＹ方向に延在している。また、複数のソース配線224はゲート絶縁膜222上にＸ方向に沿って配列されている。また、ソース配線224に供給される信号電圧は図９（ａ）に示すような駆動波
形をしており、１フレーム期間における各ソース配線224に印加される信号電圧が正また
は負のいずれかの極性であり、次の１フレーム期間に移行する際に各ソース配線224に印
加される信号電圧を負または正極性へ反転させている。また、１フレーム期間における隣り合うソース配線224で供給される信号電圧の極性は異なっている。なお、ソース配線224に印加される信号電圧の極性は、例えば共通電極214に印加される電圧を基準として、こ
の電圧より高い電圧であれば正極性、低い電圧であれば負極性とすることができる。
【００３１】
ソース配線224はゲート配線221と同様の材料で形成してもよい。ソース配線224はゲー
ト配線221と同様の方法によって形成できる。
【００３２】
図４には、複数のソース配線224が記載されている。説明の便宜上、これらを第１ソー
ス配線224ａ、第２ソース配線224ｂおよび第３ソース配線224ｃとする。
【００３３】
また、図４には、複数の画素Ｐが記載されている。説明の便宜上、第１ゲート配線221
ａ、第２ゲート配線221ｂ、第１ソース配線224ａおよび第２ソース配線224ｂによって囲
まれた領域を第１画素Ｐ１とし、第２ゲート配線221ｂ、第３ゲート配線221ｃ、第１ソース配線224ａおよび第２ソース配線224ｂによって囲まれた領域を第２画素Ｐ２とし、第３ゲート配線221ｃ、第４ゲート配線221ｄ、第１ソース配線224ａおよび第２ソース配線224
ｂによって囲まれた領域を第３画素Ｐ３とし、第４ゲート配線221ｄ、第５ゲート配線221ｅ、第１ソース配線224ａおよび第２ソース配線224ｂによって囲まれた領域を第４画素Ｐ４とする。
【００３４】
なお、第１画素Ｐ１における第１基板21の第２主面21ｂ上には赤色（Ｒ）のカラーフィルタ212が設けられており、第２画素Ｐ２には緑色（Ｇ）のカラーフィルタ212が設けられており、第３画素Ｐ３には青色（Ｂ）のカラーフィルタ212が設けられており、第４画素
Ｐ４には赤色（Ｒ）のカラーフィルタ212が設けられている。
【００３５】
第１層間絶縁膜223はソース配線224を覆うようにゲート絶縁膜222上に設けられている
。第１層間絶縁膜223は絶縁性を有する材料によって形成され、例えば、窒化珪素、酸化
珪素などの無機材料が挙げられる。
【００３６】
薄膜トランジスタTFTは、アモルファスシリコン、ポリシリコンまたは酸化物半導体な
どの半導体層と、この半導体層上に設けられるとともに、ソース配線224に接続されたソ
ース電極と、ドレイン電極とを有する。薄膜トランジスタTFTはゲート配線221上に位置している。また、薄膜トランジスタTFTのドレイン電極はコンタクトホールを介して信号電
極226に接続されている。
【００３７】
薄膜トランジスタTFTでは、ゲート配線221を介して半導体層に印加される電圧に応じてソース電極およびドレイン電極間の半導体層の抵抗が変化することで、信号電極226への
画像信号の書き込みまたは非書き込みが制御される。
【００３８】
また、図４には、複数の薄膜トランジスタTFTが記載されている。説明の便宜上、第１
画素Ｐ１と第２画素Ｐ２との間で第１ソース配線224ａに接続される薄膜トランジスタTFTを第１薄膜トランジスタTFT１とし、第２画素Ｐ２と第３画素Ｐ３との間で第２ソース配
線224ｂに接続される薄膜トランジスタTFTを第２薄膜トランジスタTFT２とし、第３画素
Ｐ３と第４画素Ｐ４との間で第１ソース配線224ａに接続される薄膜トランジスタTFTを第３薄膜トランジスタTFT３とし、第４画素Ｐ４の第３画素Ｐ３と反対側で第２ソース配線224ｂに接続される薄膜トランジスタTFTを第４薄膜トランジスタTFT４とする。
【００３９】
第２平坦化膜225は有機材料によって形成され、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂また
はポリイミド系樹脂などが挙げられる。なお、第２平坦化膜225の膜厚は例えば１μｍ〜
５μｍの範囲で設定されている。なお、寄生容量を低減させる観点では、第２平坦化膜225の膜厚を大きくするのが好ましい。
【００４０】
信号電極226は、駆動ＩＣから印加された電圧によって共通電極214との間で電界を発生させる機能を有する。複数の信号電極226は第２平坦化膜225上に設けられており、画素Ｐごとに位置している。なお、信号電極226は共通電極214と同様の材料で形成してもよい。
【００４１】
液晶表示装置１では、第１薄膜トランジスタTFT１は第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２との
間で第１ソース配線224ａに接続され、第２薄膜トランジスタTFT２は第２画素Ｐ２と第３画素Ｐ３との間で第２ソース配線224ｂに接続され、第３薄膜トランジスタTFT３は第３画素Ｐ３と第４画素Ｐ４との間で第１ソース配線224ａに接続され、第４薄膜トランジスタTFT４は第４画素Ｐ４の第３画素Ｐ３と反対側で第２ソース配線224ｂに接続されている。
これによって、隣り合う画素Ｐ間で極性を反転させる場合であっても、ライン反転駆動方式のように、１フレーム期間における各ソース配線224に印加される信号電圧を正または
負極性のいずれかの電圧とし、Ｘ方向に隣り合う第１ソース配線224ａと第２ソース配線224ｂとに印加される信号電圧の極性を異ならせれば、Ｙ方向に隣り合う第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２と、第２画素Ｐ２と第３画素Ｐ３と、第３画素Ｐ３と第４画素Ｐ４とに印加される信号電圧の極性を反転させることができる。したがって、したがって、第１ソース配線224aおよび第２ソース配線224bの各々で、１フレーム期間内で信号電圧の極性を繰り返し反転させる必要はなくなるので、ソース配線224における充電および放電が低減され、液晶表示装置１としての消費電力を削減できるとともに、Ｘ方向およびＹ方向に隣り合う画素Ｐ間で極性が反転しているので、クロストークの発生を抑制して表示品位を向上させることができる。
【００４２】
図６は、液晶表示装置１における駆動時での各画素の極性を示した概略図である。図６（ａ）は、特定の１フレーム期間における各画素Ｐの極性を示した概略図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）の次の１フレーム期間における各画素Ｐの極性を示した概略図である。なお、図６（ａ）および（ｂ）では、＋記号が正極性を表しているとともに、−記号は負極性を表している。
【００４３】
図６（ａ）および（ｂ）に示すように、Ｙ方向に隣り合う画素Ｐ間において薄膜トランジスタTFTが接続されるソース配線224が異なっている。また、各ソース配線224に印加さ
れる信号電圧は図９（ａ）に示すような１フレーム期間において正または負極性のいずれかの電圧であり、Ｘ方向に隣り合うソース配線224では印加される信号電圧の極性が反転
している。これによって、液晶表示装置１では、図６（ａ）のような信号電圧の駆動波形であって１フレーム期間での隣り合うソース配線224に印加される信号電圧の極性を反転
させるライン反転駆動方式を採用しても、Ｘ方向に加えてＹ方向に隣り合う画素Ｐにおいても極性を反転させることが可能になる。そして、図６（ｂ）に示すように、次のフレームに移行する際は各々のソース配線224に印加される信号電圧の極性を反転させるだけで
、Ｘ方向およびＹ方向に隣り合う画素Ｐにおいてその極性を反転させることができる。
【００４４】
また、液晶表示装置１では、画素ＰがＸ方向を長辺方向とする長方形状を成している。ここで、Ｙ方向を長辺方向とする長方形状の画素の場合、ＲＧＢの３つの画素の各々にソース配線224を形成する必要があった。これに対して、液晶表示装置１では、画素ＰがＸ方向を長辺方向とする長方形状を成しているので、例えば、第１ソース配線224ａおよび第２ソース配線224ｂによって第１画素Ｐ１（Ｒ）、第２画素Ｐ２（Ｇ）および第３画素Ｐ３（Ｂ）の３つの画素Ｐを駆動させることができる。すなわち、消費電力が大きくなりやすいソース配線224の形成数を削減できるので、液晶表示装置１の消費電力を低減できる。
【００４５】
液晶層23は、第１基板21と第２基板22との間に設けられている。液晶層23は、ネマティック液晶などの液晶分子を含んでいる。
【００４６】
シール材24は、第１基板21と第２基板22とを貼り合わせる機能を有する。シール材24は第１基板21と第２基板22との間に設けられている。このシール材24はエポキシ樹脂などによって形成される。
【００４７】
光源装置３は、液晶パネル２に向けて光を出射する機能を有する。光源装置３は、光源31および導光板32を有している。なお、本実施形態における光源装置３では、光源31にＬＥＤなどの点光源を採用しているが、冷陰極管などの線光源を採用してもよい。
【００４８】
第１偏光板４は、所定の振動方向の光を選択的に透過させる機能を有する。この第１偏光板４は、液晶パネル２の第１基板21の第１主面21ａに対向するように配置されている。
【００４９】
第２偏光板５は、所定の振動方向の光を選択的に透過させる機能を有する。この第２偏光板５は、第２基板22の第２主面22ｂに対向するように配置されている。
【００５０】
［第２の実施形態］
図７および図８は、第２の実施形態における液晶表示装置１Ａの要部を示す図である。
【００５１】
液晶表示装置１Ａは、第１の実施形態における液晶表示装置１に比べて、信号電極226
上に第２層間絶縁膜227を介して共通電極214が形成されている点で異なる。
【００５２】
第2層間絶縁膜227は信号電極226を覆うように第２平坦化膜225上に設けられている。第2層間絶縁膜227は絶縁性を有する材料によって形成され、例えば、窒化珪素、酸化珪素などの無機材料が挙げられる。
【００５３】
共通電極214は第２層間絶縁膜227を介して信号電極226上に設けられている。また、共
通電極214にはスリットＳが形成されている。信号電極226および共通電極214に対して電
圧を印加すると、信号電極226と共通電極214との間でスリットＳを通して横電界を発生させ、この横電界によって液晶層23中の液晶分子の配向を制御することで、広視野角化を実現できる。
【００５４】
なお、液晶表示装置１Ａでは、信号電極226上に第２層間絶縁膜227を介して共通電極214を形成しているが、これには限定されない。信号電極226の下方に第２層間絶縁膜227を介して共通電極214を形成してもよく、この場合、信号電極226にスリットＳが形成される。
【００５５】
また、第２層間絶縁膜227を設けずに、第２平坦化膜225上に信号電極226および共通電
極214の両方を形成させてもよい。
【００５６】
本発明は上記の第１および第２の実施形態に特に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更および改良が可能である。
【符号の説明】
【００５７】
１、１Ａ  液晶表示装置
２  液晶パネル
21  第１基板
21ａ  第１主面
21ｂ  第２主面（主面）
211  遮光膜
212  カラーフィルタ
213  第１平坦化膜
214  共通電極
22  第２基板
22ａ  第１主面（主面）
22ｂ  第２主面
221  ゲート配線
221ａ  第１ゲート配線
221ｂ  第２ゲート配線
221ｃ  第３ゲート配線
221ｄ  第４ゲート配線
221ｅ  第５ゲート配線
222  ゲート絶縁膜
223  第１層間絶縁膜
224  ソース配線
224ａ  第１ソース配線
224ｂ  第２ソース配線
224ｃ  第３ソース配線
225  第２平坦化膜
226  信号電極
227  第２層間絶縁膜
TFT  薄膜トランジスタ
TFT１  第１薄膜トランジスタ
TFT２  第２薄膜トランジスタ
TFT３  第３薄膜トランジスタ
TFT４  第４薄膜トランジスタ
23  液晶層
24  シール材
４  第１偏光板
５  第２偏光板
３  光源装置
31  光源
32  導光板
Ｓ  スリット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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