(57)【要約】【課題】中心位置を基準として点対称位置に同じ結晶面が存在する結晶構造を有する結晶のウェハーにおいて、ウェハーのスライス後に選択した鏡面研磨を行う面に応じた所望の結晶面の方向を示す目印を備え、平坦化する際の研磨量を低減できるウェハーの製造方法を提供する。【解決手段】同じ結晶配向面が点対称に配置された結晶構造を有する結晶のインゴットをスライスした後、ウェハーの主表面の片面を鏡面研磨するウェハーの製造方法であって、  前記結晶配向面のそれぞれの方向を示す２つの仮目印をスライス前のインゴットの側面に形成し、  ウェハーの主表面の片面を鏡面研磨する際、ウェハーの凸面を研磨面とし、該研磨面の方向を示す仮目印を用いてウェハーの向きを合わせることを特徴とするウェハーの製造方法を提供する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
同じ結晶配向面が点対称に配置された結晶構造を有する結晶のインゴットをスライスした後、ウェハーの主表面の片面を鏡面研磨するウェハーの製造方法であって、
前記結晶配向面のそれぞれの方向を示す２つの仮目印をスライス前のインゴットの側面に形成し、
ウェハーの主表面の片面を鏡面研磨する際、ウェハーの凸面を研磨面とし、該研磨面の方向を示す仮目印を用いてウェハーの向きを合わせることを特徴とするウェハーの製造方法。
【請求項２】
さらに前記ウェハーの端面部の面取りを行い、前記仮目印を消す工程を有する請求項１に記載のウェハーの製造方法。
【請求項３】
前記２つの仮目印の形状および／またはサイズが異なる、請求項１または２に記載されたウェハーの製造方法。
【請求項４】
前記研磨面の方向を示す前記仮目印の位置に本目印を形成し、ウェハーの主表面の片面を鏡面研磨する際、前記本目印を用いてウェハーの向きをあわせることを特徴とする請求項１乃至３いずれか一項に記載のウェハーの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載のウェハーの製造方法において、前記本目印を形成する際に用いるノッチ加工装置であって、
前記ウェハーを支持する、ウェハー支持手段と、
前記ウェハーに形成された一方の仮目印の位置を検出する仮目印検出手段と、
前記仮目印検出手段の対向位置に配置されており、他方の仮目印位置にノッチの形成および／またはノッチの形状に沿った面取りを行うノッチ加工手段と、を有し、
前記ノッチ加工手段は円盤状の加工砥石を備えており、
前記円盤状の加工砥石は、前記円盤状の加工砥石の回転方向と、前記ウェハー支持手段上に支持されたウェハーの表面とが、直交するように配置されている、ノッチ加工装置。
【請求項６】
前記仮目印検出手段として、隣接して配置した複数の接触式の変位センサーを用いる請求項５に記載のノッチ加工装置。
【請求項７】
前記仮目印がオリエンテーション・フラットであり、前記オリエンテーション・フラットの弦の長さが４ｍｍ以上であることを特徴とする請求項６に記載のノッチ加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェハーの製造方法、ノッチ加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から各種半導体装置等を製造するために、各種ウェハーが用いられている。
【０００３】
そして、半導体装置等の製造工程においてウェハーに対して加工を行う際に、ウェハーの材質やその用途によってはウェハーの結晶面の位置や、結晶方位が問題となることがある。
【０００４】
ここで、特定の結晶配向面が点対称位置にある結晶構造の模式図を図１Ａに示す。この点対称結晶構造の模式図において、結晶の上面を１２Ａ、下面を１２Ｂとした場合、点対称位置にある同一の結晶配向面１１Ａと１１Ｂ、および、点対称位置にある他の同一の結晶配向面１３Ａと１３Ｂと、が存在する。
【０００５】
ここで、図１Ａにおいて、結晶の上面１２Ａと下面１２Ｂを、１２Ａを下面、１２Ｂを上面に入れ替える場合、すなわち、垂直方向（図１Ａ中の矢印Ｘの方向）に１８０°回転した場合の図を図１Ｂに示す。この場合、１２Ａと１２Ｂは入れ替わるが、１１Ａの位置に１３Ｂ、１３Ｂの位置に１１Ａ、１１Ｂの位置に１３Ａ、１３Ａの場所に１１Ｂが配置されることになり、結晶配向面の配置が変わってしまう。
【０００６】
結晶配向面の向きが変わらないように１２Ａと１２Ｂを入れ替えるにはまず、垂直方向（図１Ａ中の矢印Ｘの方向）に１８０°回転し図１Ｂの状態とし、次いで、水平方向（図１Ａ中の矢印Ｙの方向）に１８０°回転する必要がある。係る操作を行うことにより、図１Ｃに示した様に結晶配向面の向きが変わらないように１２Ａと１２Ｂを入れ替えることができる。
【０００７】
前述のようにウェハーの結晶方位や結晶面の位置が問題となる場合、上記のような点対称の結晶構造を有する結晶からなる図２に示すウェハー２０において、ウェハー２０の軸Ｘが結晶構造１０の軸Ｘに対応し、結晶構造１０の各面の方向とウェハーに含まれる結晶面の方向が一致する場合、結晶構造の場合と同様に、主表面２２Ａ、２２Ｂいずれを選択するかによって、２１Ａ、２１Ｂとで異なる特性の方向を示すことになる。
【０００８】
このため、係る結晶方位、結晶面が問題となる場合、ウェハーの結晶面、結晶方位等を示すために、所望の結晶面、結晶方位を示す目印としてオリエンテーション・フラットやノッチ等が設けられる場合がある。
【０００９】
オリエンテーション・フラットやノッチは、ウェハー形状に加工してから形成する場合、それぞれのウェハーの周面全体について結晶面や結晶方位を検出してから、加工を行うこととなるため、加工効率が悪くなり、さらには欠けや傷が発生しやすくなる。このため、スライス前の円柱状ブロック（インゴット）の段階でオリエンテーション・フラット等を形成する加工が行われている（例えば特許文献１）。
【００１０】
そして、円柱状ブロックの段階でつけられたオリエンテーション・フラット等に基づいてスライスしたウェハーに対して所定の加工を行うこととなる。すなわち、ウェハーのスライスを行う前に所定の加工を行う面（方向）が決まることとなる。
【００１１】
ところで、ウェハーは一般的にインゴットをスライスすることにより製造されているが、スライスされた各ウェハーに反り、すなわち、凸面と凹面とが生じる場合がある。特に1本のインゴットで凹凸の程度は必ずしも小さくなくその向きもインゴットの向きに対し揃わない場合がある。
【００１２】
しかし、近年、製品仕様におけるウェハー平坦度の要求が厳しくなってきており、このように切断時にウェハーに反りが生じた場合には、加工により平坦化して平坦度を高める必要がある。
【００１３】
反りを有するウェハーを平坦化する際、一方の面を鏡面に、他方の面を梨地に加工する場合、いわゆる片面研磨品のウェハーを作製する場合、上述の様に反りを有するウェハーの凸面側を鏡面（表面）にするように研磨すると、少ない研磨量でも反りを低減できる。
【００１４】
ところが、前記のような点対称の結晶構造を持つウェハーで上述のようにウェハーの反り方向による研磨面の選択をした場合、従来のようなオリエンテーション・フラット等の形成の仕方だと、研磨する面によってはオリエンテーション・フラット等の目印が必要な結晶配向の方向と異なる方向を示すため、スライス後に鏡面研磨する面を任意に選択することができない。そして、上述の様に、１本のインゴットを切断した際に、反りを生じる方向が一律でない場合、ウェハーの凸面側を常に鏡面研磨する面とすることができなくなる。
【００１５】
このため、上記のような結晶構造を有する結晶のウェハーを平坦化する際には研磨量が少なくなる上記研磨方法は採用できなかった。従って、所望の平坦度を有するウェハーを製造するために、凹面を研磨してもウェハーを平坦にできるように、例えばインゴットからウェハーをスライスする際に切断厚さを厚くして研磨量を多くすることにより修正する方法が採られていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１６】
【特許文献１】特開２００４−２５０２４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
しかしながら、上記のように凹面を研磨してもウェハーを平坦にできるようにする場合、インゴットからウェハーを厚くスライスするため、１本のインゴットから採取できるウェハーの枚数が少なくなる。また、ウェハーが厚く研磨量が多く研磨に時間を要するため生産性が低下し、さらに研磨の際に用いる研磨剤の寿命が短くなるという問題があった。
【００１８】
そこで、本発明は、上記従来技術が有する問題に鑑み、同じ結晶配向面が点対称位置に配置された結晶構造を有するウェハーの製造方法において、ウェハーをスライス後、平坦化する際の研磨量を低減できるウェハーの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記課題を解決するため本発明は、同じ結晶配向面が点対称に配置された結晶構造を有する結晶のインゴットをスライスした後、ウェハーの主表面の片面を鏡面研磨するウェハーの製造方法であって、
前記結晶配向面のそれぞれの方向を示す２つの仮目印をスライス前のインゴットの側面に形成し、
ウェハーの主表面の片面を鏡面研磨する際、ウェハーの凸面を研磨面とし、該研磨面の方向を示す仮目印を用いてウェハーの向きを合わせることを特徴とするウェハーの製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、同じ結晶配向面が点対称位置に配置された結晶構造を有するウェハーの製造方法において、ウェハーをスライス後、平坦化する際の研磨量を低減できるウェハーの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１Ａ】点対称の結晶構造の説明図
【図１Ｂ】点対称の結晶構造を垂直方向に１８０°回転した図
【図１Ｃ】点対称の結晶構造を垂直方向および水平方向に１８０°回転した図
【図２】結晶構造とウェハーとの関係の説明図
【図３】第１の実施形態における仮目印を形成したインゴットの説明図
【図４】第１の実施形態におけるウェハーの端面部の面取りを行い、仮目印を消す工程の説明図
【図５】第２の実施形態におけるノッチ加工装置の構成例の説明図
【図６】第２の実施形態において、隣接して配置した２つの接触式のセンサーにより仮目印を検出する方法の説明図
【図７】第２の実施形態におけるノッチ加工装置によるノッチの形成方法の説明図
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明するが、本発明は、下記の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、下記の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。
［第１の実施形態］
本実施の形態では、本発明のウェハーの製造方法の構成例について説明する。
【００２３】
本実施形態のウェハーの製造方法は、同じ結晶配向面が点対称（位置）に配置された結晶構造を有する結晶のインゴットをスライスした後、ウェハーの主表面の片面を鏡面研磨するウェハーの製造方法に関する。そして、結晶配向面のそれぞれの方向を示す２つの仮目印をスライス前のインゴットの側面に形成し、ウェハーの主表面の片面を鏡面研磨する際、ウェハーの凸面を研磨面とし、該研磨面の方向を示す仮目印を用いてウェハーの向きを合わせることができる。
【００２４】
本実施形態で製造するウェハーの結晶の結晶構造（結晶格子）は、図２に示すように、結晶構造１０の中心Ｏ（結晶構造１０の中心軸Ｘ上にあり、上面１２Ａ及び下面１２Ｂから等距離にある点）を基準（対称点または相似点）として点対称位置（または相似位置）に同一の結晶配向面１１Ａ、１１Ｂを有している。
【００２５】
このため、上記のように結晶構造１０において、上記結晶配向面１１Ａ、１１Ｂについて、上面１２Ａ（または下面１２Ｂ）からみた場合の、図中ブロック矢印で示す１４Ａ側と下面１２Ｂからみた場合の図中ブロック矢印で示す１４Ｂ側とは等価な方向となる。また、同様に、上面１２Ａから見た場合の１４Ｂ側は、下面側１２Ｂから見た場合の１４Ａ側と等価な方向になる。
【００２６】
そして、図２中、このような結晶構造１０を有する結晶のウェハー２０と、上記結晶構造１０とについてそれぞれに示した軸Ｘの方向が一致し、結晶配向面の方向も一致している場合、結晶構造１０における結晶配向面１４Ａ、１４Ｂに対応する方向がウェハー２０における２１Ａ、２１Ｂの方向に対応する。該ウェハー２０において、例えば結晶構造１０における上面側１１Ａから見た１４Ａの方向と等価な方向に目印を形成しようとすると、ウェハー２０の主表面２２Ａを基準にすると２１Ａ側（例えば２３Ａ部分）に、主表面２２Ｂを基準にすると２１Ｂ側（例えば２３Ｂ部分）に目印を形成することとなる。
【００２７】
このような結晶構造を有しており、上記のような方向（１４Ａと１４Ｂ）をウェハーにおいて識別する必要がある場合には、基準となる面に応じてその方向が識別できるように２３Ａまたは２３Ｂのいずれか一方の所望の部分に目印を形成することが必要になる。
【００２８】
本実施形態のウェハー製造方法では、このような結晶構造を有するウェハーにおいて、鏡面研磨を行う際、ウェハーの凸面を研磨面とし、研磨面に対応した仮目印、または本目印を用いてウェハーの位置合わせを行うことができる。このため、ウェハーの反りを除去し平坦な形状とする際の研磨量を従来よりも少なくすることができる。このように研磨量を少なくすることが可能になるため、１本のインゴットから得られるウェハーの枚数を多くすることができ、更には、研磨に要する時間を低減し、研磨剤の寿命を従来よりも長くすることができる。
【００２９】
なお、図１、２においては、結晶構造中の結晶配向面１１Ａまたは１１Ｂが上面１２Ａ又は下面１２Ｂに隣接している例を用いて説明しているが、該結晶配向面が結晶構造１０の中心Ｏを基準として点対称の位置にあればよく、係る形態に限定されるものではない。
【００３０】
また、図１に示す結晶面の配置を有する材料としては、例えばサファイアが挙げられるが、これに限定されるものではなく、上記結晶構造を有するウェハーに本実施形態の製造方法を同様に適用することができる。
【００３１】
本実施形態のウェハー製造方法について以下に説明する。
【００３２】
まず、結晶配向面のそれぞれの方向を示す２つの仮目印をスライス前のインゴットの側面に形成する工程について説明する。
【００３３】
仮目印は、ウェハーをスライス（切断）する前、すなわちインゴット（円柱状ブロック）の状態で形成する。これは、ウェハーをスライスする前に、該結晶配向面１１Ａ、１１Ｂに対応する位置（方向）を検出し、インゴットの側面に一律に形成することにより効率よく仮目印を形成することができるためである。
【００３４】
本実施形態の場合、仮目印は、図２に示す結晶構造１０の結晶配向面１１Ａ及び１１Ｂの方向(１４Ａ及び１４Ｂ)にそれぞれ対応する位置（方向）であって、インゴットの側面部分に形成される。これは、図２に示したウェハー２０とした場合に、主表面２２Ａ、２２Ｂのいずれの面を、鏡面研磨を行う面として選択した場合でも仮目印を用いてウェハーの向きをあわせることができるようにするためである。
【００３５】
仮目印をインゴットに形成した場合の構成例について図３を用いて説明する。図３（Ａ）は、仮目印を付与したインゴットの斜視図を、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）において、矢印Ａの方向から見た図を示している。
【００３６】
図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、インゴット３０の側面であって、仮目印を付与しようとする結晶配向面の方向に対応する位置にあり、インゴットの中心軸と平行な仮目印３１、３２を形成する。この場合、仮目印３１、３２はインゴットの対向する位置に形成されることとなる。
【００３７】
なお、図３では、仮目印として、オリエンテーション・フラットを設けた例を示しているが、仮目印の形態は特に限定されるものではなく、鏡面研磨工程や、例えば後述する本目印を形成する工程を行う場合にその位置が検出できるものであればよい。例えばオリエンテーション・フラットや、ノッチ等を形成する方法、マークをレーザー等により書き込む等により形成することができる。ただし、ウェハーの最終製品とした場合に、ウェハーに仮目印が残っていないことが好ましいことから、研磨や、化学処理を施すことによりウェハーにダメージを与えずに消去できるものであることが好ましい。
【００３８】
仮目印の大きさは特に限定されるものではない。ただし、大きすぎると上記の様に研磨等により除去した際、ウェハーの使用可能な面積が減少するため、可能な限り小さいことが好ましい。例えば、後述する本目印を形成する工程等で仮目印を使用する際に、仮目印の位置を検出する検出器により検出可能な最小のサイズとすることが好ましい。
【００３９】
仮目印形成工程においては、各仮目印を設けた部分が、図２における２１Ａ、２１Ｂいずれの方向であるかを識別できるようにしておくことが好ましい。具体的には例えば、本工程において形成した２つの仮目印の形状および／またはサイズが異なることが好ましい。すなわち、図３において、対向する位置に形成した一方の仮目印３１と他方の仮目印３２の形状および／またはサイズが異なることが好ましい。ここで、形状が異なるとは、例えば、一方についてオリエンテーション・フラットとし、他方をノッチとしたり、両側にノッチを形成し、その形状を異なるものとしたりすることが考えられる。このように仮目印を形成する際、異なるサイズ、および／または、形状の仮目印を付与しておくことにより、各仮目印が示す方向を混同することをより確実に防止できる。このため、例えば、後述する本目印を付与（形成）する場合などに、側面部分の結晶面を検出する工程を省略することが可能になり、より生産性を高めることが可能になる。
【００４０】
仮目印を形成後、インゴットをスライスしてウェハーを形成する切断工程を行うことができる。切断工程については、ウェハーの材料にあわせて最適なスライス（切断）方法を選択し、実施することができる。例えば、ワイヤソーを用いてインゴットをスライス（切断）することができる。
【００４１】
なお、後述する本目印を形成する工程を行う場合、本目印を設ける位置を容易に選択できるよう、本工程においては、スライスして得られたウェハーについて、図２における表面２２Ａと、裏面２２Ｂとが認識できるようにしておくことが好ましい。具体的には例えば本切断工程を行う際に、インゴットを支持する支持部材に表面または裏面の方向を示す表示を予め設けておく方法が挙げられる。このように、形成したウェハーの表面と裏面を識別できるように構成しておくことにより、後述のように本目印を形成する際に容易に本目印を形成する位置を特定することが可能になる。
【００４２】
次に、ウェハーの主表面のうち鏡面研磨を行う面を選択する工程を行うことができる。
【００４３】
上述のように、ウェハーの主表面のうち一方の面が鏡面で、他方の面が梨地のウェハー、いわゆる片面研磨品を作製する場合、反りを有するウェハーの凸面側を鏡面（表面）にするように研磨すると、少ない研磨量に関わらず、ウェハーを平坦化する（反りを除去又は低減する）ことができる。
【００４４】
係るウェハーの平坦化方法によれば、従来ウェハーの厚さを厚くスライスし、研磨により平坦化していた方法に比べて研磨量を少なくすることができる。このため、研磨時間を短くすることができ、研磨の際に用いる研磨剤の寿命を長くすることができる。また、インゴットからウェハーをスライスする際のウェハーの厚さを薄くすることができるため、１本のインゴットからより多くのウェハーを得ることができる。
【００４５】
このため、本工程においては、切断工程において得られたウェハーが反りを有する場合には、凸面側を鏡面研磨を行う面として選択することが好ましい。なお、反りを有さないウェハーが得られた場合にはいずれの面を鏡面研磨を行う面として選択しても良い。
【００４６】
凸面は切断工程により得られたウェハーについて接触式または非接触式の形状測定器を用いてウェハーの形状を測定し、係る測定結果に基づいて選択することができる。
【００４７】
選択した面については後段の工程で認識できればよく、特に加工等を行う必要はないが、例えば必要に応じて選択した面、またはその裏面にマーク等をレーザー等により書き込むこともできる。
【００４８】
上記のように、ウェハーの主表面のうち鏡面研磨を行う面を選択する工程において、例えばウェハーの凸面を鏡面研磨の研磨面として選択することができる。そして、選択された研磨面の方向を示す仮目印、すなわち選択された研磨面に対応した仮目印を用いて、ウェハーの主表面の鏡面研磨を行う際等にウェハーの向きを合わせることができる。
【００４９】
特にウェハーの主表面の鏡面研磨を行う前に、選択された鏡面研磨の研磨面に基づき、仮目印の一方に本目印を形成する工程を行うことが好ましい。
【００５０】
本工程は、研磨面の方向を示す仮目印の位置に本目印を形成するものである。すなわち、研磨面に基づき、２つの仮目印のうちの一方に本目印を形成する工程である。このように本目印を形成することにより、鏡面研磨工程等において、本目印を用いてウェハーの向きをあわせることができる。
【００５１】
図２に示した結晶構造１０において、主表面１２Ａから見た１４Ａ側と等価な方向に本目印を形成する場合を例に説明する。前記鏡面研磨を行う面を選択する工程において、ウェハー２０の主表面２２Ａを、鏡面研磨を行う研磨面として選択した場合には２１Ａ側に、本目印を形成することとなる。また、ウェハー２０の主表面２２Ｂを、鏡面研磨を行う研磨面として選択した場合には、２１Ｂ側に本目印を形成することとなる。
【００５２】
なお、ここでは、結晶構造１０において、上面１２Ａから見た１４Ａ側に等価な方向に本目印を形成する場合で説明したが、当然係る形態に限定されるものではなく、上面１２Ａから見た１４Ｂ側と等価な方向に本目印を形成する構成としても良い。この場合は、上記説明とは反対側の方向に本目印を形成することとなる。
【００５３】
本工程においては、上記のように仮目印を形成する工程、切断工程において形成した各仮目印の方向、各表面（裏面）の方向が識別できている場合には、各面、仮目印の方向、そして、選択した面に基づいて本目印を形成することができる。このように、２箇所に設けたそれぞれの仮目印が図２における２１Ａ側、２１Ｂ側のいずれの側であるかが分かるようにして各工程を行い、さらに、上記切断工程において、表面と裏面とを識別できるようにして操作した場合には、仮目印が形成された部分の側面について結晶面の検出を行わなくても良い。この場合は前記鏡面研磨を行う面を選択する工程において選択された面が２２Ａ、２２Ｂいずれの面であるかに基づいて、所望の側に本目印を容易に付与することができる。
【００５４】
また、各面の方向が識別できない場合には、仮目印が形成された部分の側面について結晶面を検出し、検出結果に基づいて所定の側に本目印を形成することができる。このため、ウェハー毎に行う側面部の結晶面の検出範囲が限定されるため、生産性の低下を抑制することができる。
【００５５】
本目印の形態やサイズについては特に限定されるものではなく、ユーザーの要望等に応じて任意に選択することができる。例えばオリエンテーション・フラットや、ノッチを形成することや、マークをレーザー等により書き込むことにより本目印を形成できる。ただし、本工程の後さらに、ウェハーに対して研磨や面取り等の加工を行う場合には、係る加工の際に本目印が消えないものを選択することが好ましい。このため、本目印はオリエンテーション・フラットまたはノッチであることがより好ましい。なお、オリエンテーション・フラットやノッチを形成する場合でも、ユーザーに供給するまでに行う加工により消えないサイズ、または、形状であることが好ましい。
【００５６】
そして、本実施形態のウェハーの製造方法においては、上記のように、ウェハーの主表面のうち、選択された一方の主表面について鏡面研磨を行うことができる。この際、上記のように、選択された研磨面の方向を示す仮目印を用いてウェハーの向きをあわせることができる。また、上記のように本目印を形成した場合には、本目印を用いてウェハーの向きをあわせることができる。
【００５７】
ウェハーを鏡面研磨する方法は特に限定されるものではなく、例えば片面研磨装置等を用いて行うことができる。
【００５８】
以上に本実施形態のウェハーの製造方法について説明してきたが、本実施形態のウェハーの製造方法においては、さらに任意の工程を付加することができる。
【００５９】
例えば、ウェハーに形成した仮目印を消す工程を有することが好ましい。具体的には、ウェハーの端面部の面取りを行い、該仮目印を消す工程とすることができる。
【００６０】
例えば、図４に示すように、その両端部に、仮目印としてオリエンテーション・フラット４１、４２を形成し、本目印として、仮目印のオリエンテーション・フラット４２側に、新たなオリエンテーション・フラット４３を形成した場合を例に説明する。この場合、本目印であるオリエンテーション・フラット４３を形成することにより仮目印のオリエンテーション・フラット４２は消えているが、他方のオリエンテーション・フラット４１は残っている。このため、図中点線４４で示す線までウェハーの端面部分の面取りを行うことにより、本目印のオリエンテーション・フラット４３は残しつつ、仮目印のオリエンテーション・フラット４１を消すことができる。
【００６１】
この際、仮目印のオリエンテーション・フラットやノッチが大きいと、面取り工程において広い面積を除去しなくてはならなくなる。このため、既述の様に仮目印のサイズは検出装置で検出可能な最小限のサイズとしておき、面取り工程において除去する量が少なくなることが好ましい。
【００６２】
仮目印を消す（除去する）工程を行うタイミングは特に限定されるものではなく、仮目印が不要になった後任意のタイミングで行うことができる。例えば、本目印を形成した場合、本目印を形成する工程を行った後に行うことができる。また、ウェハーの主表面を鏡面研磨する際の目印としてのみ仮目印を用いる場合は、鏡面研磨を行った後に仮目印を消す工程を行うことができる。
【００６３】
なお、最終製品において、仮目印が残っていても問題とならない場合や、仮目印を除去した方が好ましい場合であっても、その他の加工工程において仮目印が消える場合には、本工程を行わないこともできる。
【００６４】
また、本実施形態のウェハー製造方法においては、上記工程以外に、ウェハーの表面が所望の物性となるように、ウェハーの端面部分を研磨する端面研磨工程、ウェハーをアニールして平坦化する（反りを除去する）工程等を付加することもできる。さらに、場合によっては鏡面研磨を行った面とは反対側の面についてサンドブラスト処理等により所望の程度の梨地の面とすることもできる。
【００６５】
以上説明してきた本実施形態のウェハー製造方法によれば、同じ結晶配向面が点対称位置に配置された結晶構造を有するウェハーを製造する際、ウェハーをスライス後、平坦化する際の研磨量を低減し、生産性を向上させることができる。
［第２の実施形態］
本実施形態では、第１の実施形態で説明したウェハー製造方法において、本目印を形成する際に好ましく用いることができるノッチ加工装置について説明する。
【００６６】
本実施形態のノッチ加工装置は、前記本目印を形成する際に用いるノッチ加工装置であって、
前記ウェハーを支持する、ウェハー支持手段と、
前記ウェハーに形成された一方の仮目印の位置を検出する仮目印検出手段と、
前記仮目印検出手段の対向位置に配置されており、他方の仮目印位置にノッチの形成および／またはノッチの形状に沿った面取りを行うノッチ加工手段と、を有し、
前記ノッチ加工手段は円盤状の加工砥石を備えており、
前記円盤状の加工砥石は、前記円盤状の加工砥石の回転方向と、前記ウェハー支持手段上に支持されたウェハーの表面とが、直交するように配置されている。
【００６７】
図５に本実施形態のノッチ加工装置の構成例を示す。図５は本実施形態のノッチ加工装置の上面図を示したものである。
【００６８】
図５に示すように、ノッチ加工装置５０は、ウェハー５１を保持するウェハー支持手段５２と、ウェハー５１に形成された一方の仮目印の位置を検出する仮目印検出手段５３と、ノッチの形成および／またはノッチの形状に沿った面取りを行うノッチ加工手段５４とを備えている。
【００６９】
ウェハー支持手段５２は、その面上にウェハー５１を支持し、ノッチを形成する際にウェハーが動かないように固定できる手段であることが好ましい。ウェハー支持手段５２は例えば、真空チャックや、静電チャックにより構成されていることが好ましい。なお、後述のようにウェハー５１にノッチ加工手段５４の加工砥石を当ててノッチを形成するため、ウェハー支持手段５２とノッチ加工手段５４とが接触しないように構成されていることが好ましい。例えば、（図５では構成を明らかにするため、ウェハー支持手段５４をウェハー５１の直径よりも大きく記載しているが）ウェハー支持手段５２の直径が、ウェハー５１の直径よりも、小さくなるように構成する方法が挙げられる。
【００７０】
また、ウェハー支持手段５２上に支持されたウェハー５１の仮目印の位置を検出する際に、ウェハー５１を回転させ、仮目印検出手段５３により仮目印の位置を検出できるように構成していることが好ましい。このため、例えば、ウェハー支持手段５２にウェハー支持手段回転手段５５を備えていることが好ましい。
【００７１】
なお、ウェハー５１を回転させることなく、仮目印検出手段５３をウェハーの周面に沿って移動させ、仮目印を検出する構成としてもよいが、この場合、検出した仮目印の対向部分にノッチ加工手段５４も移動する手段も必要となる。
【００７２】
さらに、ウェハー５１やウェハー支持手段５２の位置を調整できるように、ウェハー支持手段５２の位置を変位、調整できる手段、例えばステージ５６を備えていることが好ましい。ステージ５６を設ける場合には、ウェハー支持手段５２、場合によっては更にウェハー支持手段回転手段５５をステージ５６に配置することが好ましい。なお、該ステージは１軸方向についてのみ位置を変位できるものでも良いが、例えば２軸方向に位置を変位できるＸＹステージであることが好ましく、３軸方向について位置を変位できるものであってもよい。
【００７３】
仮目印検出手段５３は、第１の実施形態で説明したウェハーの製造方法において形成した仮目印の位置を検出する手段である。仮目印検出手段５３としては、仮目印を検出できるものであればよく、仮目印の形状や、大きさ等に応じて任意に選択することができる。
【００７４】
仮目印検出手段として、例えば、隣接して配置した複数の接触式の変位センサーや、レーザーによる検出手段等を用いることができる。中でも、センサーのコストが低く、高い精度で検出することができることから、仮目印検出手段として、隣接して配置した複数の接触式の変位センサーを用いることが好ましい。
【００７５】
なお、隣接して配置した複数の接触式の変位センサーとは、接触式の変位センサーを複数個（例えば２つ）並べて配置したセンサーであり、オリエンテーション・フラットまたはノッチのようにウェハーの周面の一部を研削等することにより形成した仮目印を検出することができる。なお、接触式の変位センサーの数は複数であれば良く、例えば２つのセンサーにより構成することができるが、３つ以上配置してもよい。
【００７６】
その検出方法について図６を用いて説明する。図５は、その周面に隣接して配置した２つの接触式センサー６１、６２を接触させながら、ウェハー５１を回転させている状態の上面図を示している。なお、ここではウェハー支持手段等については記載を省略している。
【００７７】
接触式センサー６１、６２と、ウェハー５１との間の距離を均一に保っている場合、ウェハーの周面の仮目印を設けていない部分では、２つのセンサーの検出値の差は一定となっている。これに対して、図６に示すように、ウェハー５１の仮目印であるオリエンテーション・フラット４１を設けている部分に該接触式センサーの一方が接しており、他方が、該仮目印を設けていない部分に接している場合、両センサーの検出値の差が変化する。このため、仮目印を設けている部分とそれ以外の部分とを識別し、仮目印の位置を、該隣接して配置した２つの接触式の変位センサーにより検出することができる。
【００７８】
このように、隣接して配置した複数の接触式の変位センサーをセンサーとして用い、仮目印がオリエンテーション・フラットの場合、仮目印を正確に検出できるように、オリエンテーション・フラットの弦の長さは４ｍｍ以上であることが好ましい。特に、検出精度を高め、ウェハーの面積の低減を抑制するため、該オリエンテーション・フラットの弦の長さは６ｍｍ以上８ｍｍ以下であることがより好ましい。
【００７９】
ここでいうオリエンテーション・フラットの弦の長さとは、図６中のＬを意味している。なお、仮目印であるオリエンテーション・フラットを２箇所に設けた場合、その弦の長さは既述の様に異なっていてもよく、その場合は、それぞれが上記範囲を満たしていることが好ましい。
【００８０】
ここでは、仮目印として、オリエンテーション・フラットを設け、隣接して配置した２つの接触式の変位センサーにより仮目印を検出する方法を説明したが、ウェハーの周面が円周上から変位しているものであれば検出でき、係る形態に限定されるものではない。仮目印がノッチ等の場合であっても該センサーにより検出することができる。
【００８１】
次に、ノッチ加工手段５４について説明する。
【００８２】
ノッチ加工手段５４は、図５に示すように、円盤状の加工砥石５４１を備えており、前記円盤状の加工砥石は、前記円盤状の加工砥石の回転方向と、前記ウェハー支持手段上に支持されたウェハーの表面とが、直交するように配置されている。また、前記加工砥石は、例えばこれに接続された回転スピンドル（モーター）５４２により回転するように構成されている。加工砥石の種類は特に限定されるものではなく、加工対象であるウェハーの種類により選択することができるが、例えば、メタルボンド、またはレジンボンドのダイヤモンド砥石であることが好ましい。また、加工砥石の外周（先端形状）を所望のノッチ溝の幅と角度に合わせてツルーイング（先端加工）しておくことが好ましい。このように構成することにより、ノッチを形成する場合には、高速回転させた加工砥石をウェハーの所定の場所に押し当てる（切り込む）だけで所望の形状のノッチを形成することができる。
【００８３】
そして、ノッチ加工手段５４は、図５に示すように、その位置を調整できるようにステージ５７を備えていることが好ましい。係るステージは１軸方向にのみ位置を変位できるものでもよく、複数の軸方向について変位できるものでもよい。該ステージはウェハー５１との位置を調整するものであるため、例えば前記のようにウェハー支持手段５６がＸＹステージ上に設けられている場合、ステージ５７はＺステージにより構成されていても良い。
また、ウェハー５１を研磨する際に、研磨面を冷却するための切削液を供給する切削液供給手段５８を設けることが好ましい。
【００８４】
ノッチの形成および／またはノッチの面取りを行う際の構成例について、図７を用いて説明する。図７は、ノッチの形成又は面取りを行う際の、ウェハー５１と、ノッチ加工手段５４の円盤状の加工砥石５４１を拡大して示したものである。なお、周辺の部材については記載を省略している。
【００８５】
図７に示すように、ウェハー５１の表面と加工砥石５４１とは直交する様に配置されており、加工砥石５４１が図中ＡまたはＢで示される矢印のいずれかの方向に回転しながらウェハー接触することにより、ノッチの形成および／または面取りを行うことができる。
【００８６】
そしてノッチの形成は、ウェハー５１のノッチを形成する領域に対して、回転した加工砥石５４１を接触することにより行うことができる。ノッチの面取りは、形成されているノッチ７１の面に沿って加工砥石５４１を当てながら移動させることにより行うことができる。
【００８７】
なお、上記のように２つの仮目印のうち所望する側の仮目印にノッチを設ける方法としては、特に限定されるものではなく、任意の方法により行うことができる。
【００８８】
例えば、本ノッチ加工装置にウェハーをセットした際の仮目印の位置によりノッチの形成位置を選択する構成とすることができる。具体的な例としては、本ノッチ加工装置にウェハーをセットした際に、ノッチ加工手段５４に近い方の仮目印にノッチを形成することとし、それに対応するようにユーザーがウェハーをノッチ加工装置にセットする構成とすることができる。
【００８９】
また、上記のように仮目印の形状および／またはサイズが異なる場合は、その違いを仮目印検出手段が検出し、所望の仮目印の側にノッチを形成するように構成することもできる。
【００９０】
以上説明した、本実施形態のノッチ加工装置によれば、短時間で精度良く仮目印を検出し、該所望の場所に容易にノッチを形成することが可能になる。
【００９１】
また、従来、ノッチの面取りを行う際には、砥石の側面に面取り用の溝が形成された面取り用軸付き砥石が用いられ、該溝にノッチ部分の表面を接触させて行われていた。しかし、係る方法によれば特にウェハーの硬度が高い場合には溝の形状が崩れたり、砥石の磨耗が早く進んだりするため、高い頻度で砥石を交換する必要があった。これに対して本実施形態のノッチ加工装置によれば、面取りを行う場合も円盤状の回転砥石を用いて行うため、従来の面取り方法に比較して砥石の耐久性が高く、砥石の交換頻度を低くすることができる。このため、生産性を高め、砥石に要するコストも低減することもできる。
【符号の説明】
【００９２】
１１Ａ、１１Ｂ、１３Ａ、１３Ｂ  結晶配向面
２０、５１                      ウェハー
２２Ａ、２２Ｂ                  主表面
３０                            インゴット
３１、３２、４１、４２          仮目印
４３                            本目印
５２                            ウェハー支持手段
５３                            仮目印検出手段
５４                            ノッチ加工手段
５４１                          加工砥石
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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