(57)【要約】【課題】センサ特性が悪化してしまうのをより抑制することのできる圧力センサを得る。【解決手段】圧力センサ１０は、ダイアフラム部２１を備える半導体基板２２と、ダイアフラム部２１に加えられた圧力を抵抗値変化として検出するピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４とを備えている。また、ダイアフラム部２１の表面２１ａおよびピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４の表面Ｐ１ａ，Ｐ２ａ，Ｐ３ａ，Ｐ４ａを含む半導体基板２２の表面２２ａを覆う絶縁膜２６を備えている。さらに、絶縁膜２６のピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４の表面Ｐ１ａ，Ｐ２ａ，Ｐ３ａ，Ｐ４ａに対応する表面２６ａ上を少なくとも覆う導電性薄膜２５を備えている。そして、導電性薄膜２５は、絶縁膜２６のダイアフラム部２１の表面２１ａに対応する表面２６ａのうちの一部のみを覆っている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイアフラム部を備える半導体基板と、前記ダイアフラム部に加えられた圧力を抵抗値変化として検出するピエゾ抵抗素子と、前記ダイアフラム部表面および前記ピエゾ抵抗素子表面を含む半導体基板表面を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜の前記ピエゾ抵抗素子表面に対応する表面上を少なくとも覆う導電性薄膜と、を備え、
前記導電性薄膜は、前記絶縁膜の前記ダイアフラム部表面に対応する表面のうちの一部のみを覆っていることを特徴とする圧力センサ。
【請求項２】
前記ピエゾ抵抗素子を複数備えることを特徴とする請求項１に記載の圧力センサ。
【請求項３】
前記導電性薄膜は、平面視で、前記ダイアフラム部の中心点に対して点対称な形状をしていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の圧力センサ。
【請求項４】
前記導電性薄膜は、平面視で、前記ダイアフラム部の領域外で当該ダイアフラム部を囲うように配置された囲繞部と、前記ピエゾ抵抗素子上に配置される素子被覆部と、で構成されており、
前記素子被覆部は、前記囲繞部の素子被覆部近傍に位置する部位に連結されていることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の圧力センサ。
【請求項５】
複数の前記ピエゾ抵抗素子上にそれぞれ別個の前記素子被覆部が配置されていることを特徴とする請求項４に記載の圧力センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧力センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、圧力センサとして、ダイアフラム部が形成された半導体基板を備え、ダイアフラム部表面に配置した複数のピエゾ抵抗素子によりブリッジ回路を構成したものが知られている（例えば、特許文献１参照）
そして、このようなブリッジ回路を構成することで、圧力を受けた際にダイアフラム部に生じる撓みを、ピエゾ抵抗素子の抵抗値の変化に伴うブリッジ回路の印加バイアスに対する出力電圧の変化として検出するようにしている。
【０００３】
ところで、上述したような構成の圧力センサでは、ブリッジ回路に電源を投入した際にオフセット電圧（センサに圧力が印加されていない時のブリッジ回路の出力電圧値）が変動する現象が起きることがある。このような現象が起きる一因として、センサ表面上に存在する可動イオンが電源投入後にピエゾ抵抗素子表面を移動することによりピエゾ抵抗素子の抵抗値が変化することが考えられる。
【０００４】
そこで、上記特許文献１では、ピエゾ抵抗素子表面上に導電性薄膜を形成し、可動イオンによるピエゾ抵抗素子の抵抗値の変化を抑制できるようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−１０２７７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１では、撓み変形しやすいダイアフラム部の全面に導電性薄膜を形成している。そのため、温度が変化した場合等に、導電性薄膜とダイアフラム部上のシリコンやシリコン酸化膜との線膨張係数の違いによってダイアフラム部が撓んでしまうおそれがある。このように、温度変化等によってダイアフラム部が撓んでしまうと、当該撓みがセンサ特性に影響して、センサ特性が悪化してしまうおそれがある。
【０００７】
そこで、本発明は、センサ特性が悪化してしまうのをより抑制することのできる圧力センサを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の特徴は、ダイアフラム部を備える半導体基板と、前記ダイアフラム部に加えられた圧力を抵抗値変化として検出するピエゾ抵抗素子と、前記ダイアフラム部表面および前記ピエゾ抵抗素子表面を含む半導体基板表面を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜の前記ピエゾ抵抗素子表面に対応する表面上を少なくとも覆う導電性薄膜と、を備え、前記導電性薄膜は、前記絶縁膜の前記ダイアフラム部表面に対応する表面のうちの一部のみを覆っていることを要旨とする。
【０００９】
本発明の第２の特徴は、前記ピエゾ抵抗素子を複数備えることを要旨とする。
【００１０】
本発明の第３の特徴は、前記導電性薄膜は、平面視で、前記ダイアフラム部の中心点に対して点対称な形状をしていることを要旨とする。
【００１１】
本発明の第４の特徴は、前記導電性薄膜は、平面視で、前記ダイアフラム部の領域外で当該ダイアフラム部を囲うように配置された囲繞部と、前記ピエゾ抵抗素子上に配置される素子被覆部と、で構成されており、前記素子被覆部は、前記囲繞部の素子被覆部近傍に位置する部位に連結されていることを要旨とする。
【００１２】
本発明の第５の特徴は、複数の前記ピエゾ抵抗素子上にそれぞれ別個の前記素子被覆部が配置されていることを要旨とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、センサ特性が悪化してしまうのをより抑制することのできる圧力センサを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施形態にかかる圧力センサの断面図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかるセンサチップを概略的に示した断面図である。
【図３】本発明の一実施形態にかかるセンサチップを概略的に示した平面図である。
【図４】本発明の一実施形態にかかるピエゾ抵抗素子の回路図である。
【図５】本発明の一実施形態の変形例にかかるセンサチップを概略的に示した断面図である。
【図６】本発明の一実施形態の変形例にかかるセンサチップを概略的に示した平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、以下では、圧力センサとして、洗濯機内の流体（水等）を内部に取り込んで圧力を測定するものを例示する。
【００１６】
本実施形態にかかる圧力センサ１０は、図１に示すように、ダイアフラム部２１が形成されたセンサチップ２０を有しており、このセンサチップ２０は、集積回路チップ３０とともに容器状のパッケージ４０内に収納されている。パッケージ４０は、ハウジング４１を備えており、ハウジング４１の底部４１ａには、紙面表裏方向に並設される複数の端子部４２が配置されている。そして、端子部４２の両端部４２ａ、４２ｂがハウジング４１の両側から所定量突出するように配置されている。また、センサチップ２０と集積回路チップ３０、および各チップ２０，３０と端子部４２とがボンディングワイヤ５０によって電気的に接続されている。
【００１７】
ハウジング４１内には、センサチップ２０、集積回路チップ３０および端子部４２を収納した状態でポッティング材６０が充填されるようになっており、このポッティング材６０の硬化によって各チップ２０，３０および端子部４２が埋設状態で固定される。ポッティング材６０としては、例えば、シリコン基板との密着性が高いＪＣＲ（Junction Coating Resin）を用いることが好ましい。
【００１８】
特に、洗濯機内の流体（水等）を内部に取り込んで圧力を測定するようにした場合、圧力センサ１０は高湿環境のもとで使用されることとなる。このとき、センサチップ２０が高湿環境に曝された状態にあると、湿気によってセンサチップ２０が劣化してしまう可能性がある。そのため、圧力センサを洗濯機に取り付けて用いる場合には、センサチップ２０を保護（湿気によるセンサチップ２０の劣化を抑制）するために、少なくともセンサチップ２０上にＪＣＲを塗布するのが好ましい。
【００１９】
このように、センサチップ２０上にＪＣＲを塗布する（センサチップ２０をＪＣＲによって埋設状態で固定する）ようにすれば、センサチップ２０が高湿環境に曝されてしまうのを抑制することができ、センサチップ２０を湿気から保護することができる。
【００２０】
そして、ハウジング４１の開口部４１ｂはカバー４３によって閉止されている。
【００２１】
また、ハウジング４１の底部４１ａの略中央部には、センサチップ２０とは反対側に向けて突出する柱状のボス部４１ｃが設けられており、このボス部４１ｃの内部には、軸方向に貫通してセンサチップ２０に流体圧（水圧）を印加させる圧力導入孔４１ｄが形成されている。本実施形態では、圧力導入孔４１ｄ内にはオイルが充填されており、このオイルを介して流体圧（水圧）がセンサチップ２０に伝達されるようになっている。そして、センサチップ２０に伝達された流体圧（水圧）がダイアフラム部２１に印加されるようになっている。
【００２２】
ダイアフラム部２１は、印加された流体圧（水圧）によって撓み変形するが、その撓み量によって流体圧（水圧）の大きさ、つまり、流体の基準面からの高さ（水位）を検知できるようになっている。具体的には、図２〜図４に示すように、ダイアフラム部２１の撓み量の大きさは４個のピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４によって検出されるようになっている。なお、ダイアフラム部２１は、図３に示すように、半導体基板２２の中央部に略矩形状に形成されている。
【００２３】
パッケージ４０は、全体的にケース７０によって覆われている。このケース７０は、本実施形態では、ハウジング４１の底部４１ａ側と開口部４１ｂ側とに分割された第１ケース７１と第２ケース７２とで構成されている。そして、第１ケース７１の底壁部７１ａの内側にパッケージ４０を配置するとともに、パッケージ４０を挟むようにして第２ケース７２を配置し、これら第１、第２ケース７１，７２を互いに嵌着することで圧力センサ１０を形成している。
【００２４】
第１ケース７１の底壁部７１ａには、パッケージ４０を係合する浅凹部７１ｂが設けられており、その浅凹部７１ｂの内側領域には、ボス部４１ｃを嵌合する深凹部７１ｃが設けられている。具体的には、浅凹部７１ｂには、ハウジング４１の底部４１ａ側が位置決めされた状態で固定されるとともに、深凹部７１ｃには、ハウジング４１のボス部４１ｃが固定されるようになっている。
【００２５】
なお、浅凹部７１ｂにパッケージ４０を嵌合させた際には、パッケージ４０から突出した端子部４２の両端部４２ａ，４２ｂが、底壁部７１ａの浅凹部７１ｂの外側領域の内面に当接することとなる。また、端子部４２の両端部４２ａ，４２ｂには、取付孔４２ｃが形成されており、第１ケース７１の底壁部７１ａの内面には、かしめ突起７１ｄが突設されている。そして、かしめ突起７１ｄを取付孔４２ｃに挿通してかしめることで、パッケージ４０が第１ケース７１に固定されるようになっている。
【００２６】
また、深凹部７１ｃにボス部４１ｃを嵌合させた状態で、深凹部７１ｃの内周にＯリング８０が嵌挿されるようにしており、このＯリング８０によってボス部４１ｃと第１ケース７１との間の液密性が保たれるようにしている。本実施形態では、Ｏリング８０はワッシャー８１によって抜止めがなされており、ワッシャー８１は、かしめ部７１ｆによって抜止めがなされている。
【００２７】
また、端子部４２の一端部４２ａは、かしめ突起７１ｄによるかしめ部分よりもさらに外側に突出しており、第１、第２ケース７１，７２のケース端部７１ｅ，７２ａも、端子部４２の一端部４２ａを両側から覆うように突出している。そして、第１、第２ケース７１，７２を結合させた際には、ケース端部７１ｅ，７２ａが端子部４２の一端部４２ａを囲繞することとなり、雄コネクタＣが形成されるようにしている。この雄コネクタＣに図示省略した雌コネクタを接続させることで、端子部４２に入力されたセンサチップ２０および集積回路チップ３０の電気信号を外部に取り出すことができるようになる。
【００２８】
また、第１ケース７１の底壁部７１ａのセンサチップ２０とは反対側には、深凹部７１ｃの底部を貫通して筒状の突出部７１ｇが突設されている。この突出部７１ｇの内部には、流体通路Ｓが形成されている。そして、深凹部７１ｃにボス部４１ｃを嵌合させた際に、流体通路Ｓ（突出部７１ｇ）の基端部７１ｈ内にボス部４１ｃの圧力導入孔４１ｄが連通して配置されるようになっている。そして、突出部７１ｇの流体通路Ｓに取り込まれた流体の圧力（水圧）が圧力導入孔４１ｄ内のオイルを介してセンサチップ２０に印加されるようになっている。
【００２９】
第１ケース７１の突出部７１ｇは所定の肉厚をもって形成されており、この突出部７１ｇが洗濯機内の流体（水等）と接触するように、圧力センサ１０が洗濯機に取り付けられることとなる。そして、突出部７１ｇの先端部７１ｉには、流体（水等）の導入口７１ｊが設けられており、この導入口７１ｊから洗濯機内の流体（水等）を突出部７１ｇの流体通路Ｓに取り込むことで、洗濯機内の流体（水等）の圧力測定がなされるようにしている。
【００３０】
ここで、本実施形態では、半導体基板２２として、表面２２ａが（１００）面の単結晶シリコンを用いており、半導体基板２２を、平面視で輪郭形状が矩形状となるように形成している。
【００３１】
そして、半導体基板２２の裏面２２ｂ側から異方性エッチングを施すことで、半導体基板２２の中央部に薄板状のダイアフラム部２１を形成している。
【００３２】
具体的には、ダイアフラム部２１は、アルカリ性湿式異方性エッチング液（例えば、ＫＯＨ（水酸化カリウム水溶液）、ＴＭＡＨ（テトラメチル水酸化アンモニウム水溶液）等）を用いたシリコン異方性エッチングにより半導体基板２２の一部を除去することで形成している。
【００３３】
そして、ピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４を、図３に示すように、ダイアフラム部２１の所定部位に配置している。本実施形態では、一対のピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ３を、ダイアフラム部２１の対向辺部の略中央部にそれぞれ配置しており、残りの一対のピエゾ抵抗素子Ｐ２，Ｐ４を、ピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ３を配置した対向辺部と直交する方向（交差する方向）に延在する対向辺部の略中央部にそれぞれ配置している。
【００３４】
このとき、各ピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４は、平面視で、ダイアフラム部２１の中心点Ｏに対して点対称となるように配置されている。さらに、本実施形態では、ピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４は、平面視で、ダイアフラム部２１の中心点Ｏを通る直線（図３の上下方向に延在する直線または左右方向に延在する直線）に対して線対称となるように配置されている。
【００３５】
そして、ダイアフラム部２１の撓み変化に伴って生じる各ピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４の抵抗値Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４の変化に基づいて、ダイアフラム部２１の撓み量が計測されるようにしている。
【００３６】
具体的には、ピエゾ抵抗素子Ｐ１の一方端を拡散リード線２３ａと薄膜金属配線２４ａを介して電圧出力端子Ｖｏｕｔ−に接続するとともに、他方端を拡散リード線２３ｂと薄膜金属配線２４ｄを介してバイアス電圧印加用端子Ｖｄｄに接続している。
【００３７】
また、ピエゾ抵抗素子Ｐ２の一方端を拡散リード線２３ｃと薄膜金属配線２４ａを介して電圧出力端子Ｖｏｕｔ−に接続するとともに、他方端を拡散リード線２３ｄと薄膜金属配線２４ｂを介して接地端子ＧＮＤに接続している。
【００３８】
また、ピエゾ抵抗素子Ｐ３の一方端を拡散リード線２３ｅと薄膜金属配線２４ｂを介して接地端子ＧＮＤに接続するとともに、他方端を拡散リード線２３ｆと薄膜金属配線２４ｃを介して電圧出力端子Ｖｏｕｔ＋に接続している。
【００３９】
そして、ピエゾ抵抗素子Ｐ４の一方端を拡散リード線２３ｇと薄膜金属配線２４ｄを介してバイアス電圧印加用端子Ｖｄｄに接続するとともに、他方端を拡散リード線２３ｈと薄膜金属配線２４ｃを介して電圧出力端子Ｖｏｕｔ＋に接続している。
【００４０】
こうすることで、ピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４が、図４に示すようなブリッジ回路ＢＣを構成するようにしている。すなわち、ピエゾ抵抗素子Ｐ１およびピエゾ抵抗素子Ｐ３、ピエゾ抵抗素子Ｐ２およびピエゾ抵抗素子Ｐ４がそれぞれ対になってブリッジ回路ＢＣ上で対向配置されるようにしている。
【００４１】
このような構成の圧力センサ１０を用いると、ダイアフラム部２１の一方の表面から圧力を受けた場合に、ダイアフラム部２１の表面２１ａと裏面２１ｂとの間に差圧が生じることによってダイアフラム部２１に撓みが生じることとなる。そして、ダイアフラム部２１が撓むことでピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４を構成する結晶が歪み、各ピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４の抵抗値Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４が変化する。そして、各ピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４の抵抗値Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４の変化が、ブリッジ回路ＢＣを利用してバイアス電圧印加用端子Ｖｄｄに印加されたバイアス電圧Ｂｉａｓに対する電圧変化として電圧出力端子Ｖｏｕｔ＋，Ｖｏｕｔ−から検出されることとなる。
【００４２】
さらに、本実施形態では、半導体基板２２の表面２２ａには、半導体基板２２の表面２２ａの全面を覆うように絶縁膜２６が形成されている。この絶縁膜２６は、例えば、半導体基板２２の表面２２ａに酸化シリコン膜を成膜することで形成することができる。
【００４３】
そして、ピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４の表面Ｐ１ａ，Ｐ２ａ，Ｐ３ａ，Ｐ４ａに対応する絶縁膜２６の表面２６ａには、導電性薄膜２５が形成されている。なお、導電性薄膜２５の電位は、他の電極と接続することにより固定電位としてもよいし、他の電極と接続せずにオープン電位としてもよい。このような構成とすることで、導電性薄膜２５は、電源投入時に半導体基板２２の表面２２ａ上に存在する可動イオンがピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４の抵抗値Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４を変化させてしまうのを抑制するシールド層として機能することとなる。その結果、電源導入時にブリッジ回路ＢＣのオフセット電圧が変化してしまうのを抑制することができるようになる。
【００４４】
この導電性薄膜２５は、アルミニウムまたはポリシリコンにより形成するのが好ましい。導電性薄膜２５をアルミニウムにより形成した場合、アルミニウムは半導体プロセスにおいて一般的に使用される電極及び配線材料であるので、圧力センサ１０を安価に構成することができる。また、導電性薄膜２５をポリシリコンにより形成した場合には、アルミニウムを使用した場合と比べて、線膨張係数の相違による影響を軽減することができるという利点がある。
【００４５】
なお、導電性薄膜２５の表面または絶縁膜２６と導電性薄膜２５との間に、絶縁膜２６との応力バランスを取るために窒化膜を形成するようにしてもよい。
【００４６】
このように、本実施形態では、センサチップ２０が、ダイアフラム部２１を備える半導体基板２２と、ダイアフラム部２１に加えられた圧力を抵抗値変化として検出する複数（本実施形態では４つ）のピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４とを備えている。
【００４７】
また、センサチップ２０は、ダイアフラム部２１の表面２１ａおよびピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４の表面Ｐ１ａ，Ｐ２ａ，Ｐ３ａ，Ｐ４ａを含む半導体基板２２の表面２２ａを覆う絶縁膜２６を備えている。さらに、センサチップ２０は、絶縁膜２６のピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４の表面Ｐ１ａ，Ｐ２ａ，Ｐ３ａ，Ｐ４ａに対応する表面２６ａ上を少なくとも覆う導電性薄膜２５を備えることとなる。
【００４８】
ここで、本実施形態では、導電性薄膜２５が、絶縁膜２６のダイアフラム部２１の表面２１ａに対応する表面２６ａのうちの一部のみを覆うようにしている。
【００４９】
具体的には、導電性薄膜２５を、平面視で、ダイアフラム部２１の領域外で当該ダイアフラム部２１を囲うように配置された囲繞部２５ａと、ピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４上に配置される素子被覆部２５ｂと、で構成している。
【００５０】
そして、素子被覆部２５ｂを、囲繞部２５ａの素子被覆部２５ｂ近傍に位置する部位に連結している。
【００５１】
本実施形態では、複数（４つ）のピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４上にそれぞれ別個の素子被覆部２５ｂを配置し、それぞれの素子被覆部２５ｂが別個に囲繞部２５ａに連結されるようになっている。
【００５２】
具体的には、ピエゾ抵抗素子Ｐ１上に配置される素子被覆部２５ｂは、ピエゾ抵抗素子Ｐ１およびピエゾ抵抗素子Ｐ１と囲繞部２５ａとを最短で結ぶ線分（領域）を覆うようにして囲繞部２５ａに連結されている。ピエゾ抵抗素子Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４上に配置される素子被覆部２５ｂも同様の要領で囲繞部２５ａに連結されている（図３参照）。
【００５３】
このように、本実施形態では、絶縁膜２６のピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４の表面Ｐ１ａ，Ｐ２ａ，Ｐ３ａ，Ｐ４ａに対応する表面２６ａ上を４つの素子被覆部２５ｂが別個に覆っている。そして、４つの素子被覆部２５ｂは、それぞれの素子被覆部２５ｂが配置されるピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４、および当該ピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４と囲繞部２５ａとを最短で結ぶ線分（領域）を覆うようにして囲繞部２５ａにそれぞれ連結されている。
【００５４】
さらに、本実施形態では、導電性薄膜２５が、平面視で、ダイアフラム部２１の中心点Ｏに対して点対称な形状となるようにしている。
【００５５】
上述したように、ピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４がダイアフラム部２１の中心点Ｏに対して点対称となる位置に配置されているため、本実施形態では、点対称に配置されたピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４上を点対称な形状の導電性薄膜２５が覆うこととなる。
【００５６】
なお、本実施形態では、導電性薄膜２５は、平面視で、ダイアフラム部２１の中心点Ｏを通る直線（図３の上下方向に延在する直線または左右方向に延在する直線）に対して線対称な形状にもなっている。
【００５７】
このような構成とすることで、導電性薄膜２５は、絶縁膜２６のダイアフラム部２１の表面２１ａに対応する表面２６ａのうちの一部のみ（ほぼピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４が配置された部位のみ）を覆うこととなる。
【００５８】
以上、説明したように、本実施形態では、ピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４の表面Ｐ１ａ，Ｐ２ａ，Ｐ３ａ，Ｐ４ａに対応する絶縁膜２６の表面２６ａに導電性薄膜２５が形成されている。そして、この導電性薄膜２５が、絶縁膜２６のダイアフラム部２１の表面２１ａに対応する表面２６ａのうちの一部のみを覆うようにしている。
【００５９】
このように、ピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４上に導電性薄膜２５を形成することで、可動イオンによるピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４の抵抗値Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４の変化を抑制できるようになる。なお、ＪＣＲには、センサ特性に影響を与える可動イオンが多く存在すると考えられている。したがって、センサチップ２０の湿気からの保護等のためにＪＣＲを用いる場合に、ピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４上に導電性薄膜２５を形成しないと、可動イオンによるピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４の抵抗値Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４がより顕著に変化してしまう。しかしながら、ピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４上に導電性薄膜２５を形成すれば、ＪＣＲを用いた場合であっても、可動イオンによるピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４の抵抗値Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４の変化を抑制することができるようになる。
【００６０】
さらに、絶縁膜２６のダイアフラム部２１の表面２１ａに対応する表面２６ａのうちの一部のみを覆うようにすることで、応力影響を受けやすい（撓み変形しやすい）ダイアフラム部２１上の余分領域に導電性薄膜２５を形成しないようにすることができるようになる。
【００６１】
したがって、可動イオンによるピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４の抵抗値Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４の変化を抑制しつつ、線膨張係数の違いによるダイアフラム部２１の撓みを抑制することができるため、センサ特性が悪化してしまうのをより抑制することができるようになる。
【００６２】
このように、本実施形態によれば、センサ特性が悪化してしまうのをより抑制することのできる圧力センサ１０を得ることができるようになる。
【００６３】
また、本実施形態では、導電性薄膜２５を、平面視で、ダイアフラム部２１の中心点Ｏに対して点対称な形状となるようにしている。そのため、ダイアフラム部２１の表面２１ａの応力バランスが不安定となってしまうのを極力抑制することができる。
【００６４】
さらに、本実施形態では、ピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４もダイアフラム部２１の中心点Ｏに対して点対称となるように配置している。そのため、ダイアフラム部２１の表面２１ａの応力バランスを不安定にすることなくオフセット電圧に対する可動イオンの影響を抑制することができるようになる。
【００６５】
また、本実施形態では、導電性薄膜２５は、平面視で、ダイアフラム部２１の領域外で当該ダイアフラム部２１を囲うように配置された囲繞部２５ａと、ピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４上に配置される素子被覆部２５ｂと、で構成されている。そして、素子被覆部２５ｂは、囲繞部２５ａの素子被覆部２５ｂ近傍に位置する部位に連結されている。
【００６６】
このような構成とすることで、より簡素な構成で、絶縁膜２６のダイアフラム部２１の表面２１ａに対応する表面２６ａにおいて導電性薄膜２５により覆われてしまう面積を極力抑制することができ、センサ特性が悪化してしまうのをより一層抑制することができるようになる。
【００６７】
特に、本実施形態では、半導体基板２２として、表面２２ａが（１００）面の単結晶シリコンを用い、ピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４を、ダイアフラム部２１の各辺部の略中央部に、平面視で、ダイアフラム部２１の中心点Ｏに対して点対称となるように配置している。その結果、ダイアフラム部２１の中央部（より撓みやすい部位）に導電性薄膜２５を形成する必要がなくなるため、より効果的にセンサ特性の悪化を抑制することができるようになる。
【００６８】
また、ピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４上には、別個の素子被覆部２５ｂ，２５ｂ，２５ｂ，２５ｂがそれぞれ配置されるようにしている。そのため、絶縁膜２６のダイアフラム部２１の表面２１ａに対応する表面２６ａにおいて導電性薄膜２５により覆われてしまう面積をより一層抑制することができるようになる。
【００６９】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態には限定されず、種々の変形が可能である。
【００７０】
例えば、ピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４と導電性薄膜２５とを図５および図６に示す構成としたセンサチップ２０Ａを用いることも可能である。
【００７１】
具体的には、図５および図６では、半導体基板２２として表面が（１１０）面の単結晶のシリコン基板を用い、当該半導体基板２２にダイアフラム部２１を形成している。
【００７２】
そして、ダイアフラム部２１の互いに対向する２辺の中央部にピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ３を配置し、ダイアフラム部２１の中央付近にピエゾ抵抗素子Ｐ２，Ｐ４を配置している。さらに、ピエゾ抵抗素子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４の全てを覆うように帯状の導電性薄膜２５を配置することで、導電性薄膜２５が、絶縁膜２６のダイアフラム部２１の表面２１ａに対応する表面２６ａのうちの一部のみを覆うようにしている。
【００７３】
このような構成としても、上記実施形態とほぼ同様の作用、効果を奏することができる。
【００７４】
また、上記実施形態では、パッケージを介してセンサチップをケースに取り付けたものを例示したが、パッケージを介さずにセンサチップを直接ケースに取り付けるようにしてもよい。
【００７５】
また、上記実施形態では、洗濯機内の流体（水等）の圧力を測定する圧力センサを例示したが、他の用途の圧力センサに本発明を適用することも可能である。
【００７６】
例えば、浴槽内に貯められる流体（水または湯）の圧力を測定する圧力センサや給湯器内の流体（水または湯）の圧力を測定する圧力センサに本発明を適用することができる。
【００７７】
また、パッケージやケースその他細部のスペック（形状、大きさ、レイアウト等）も適宜に変更可能である。
【符号の説明】
【００７８】
１０  圧力センサ
２１  ダイアフラム部
２１ａ  表面
２２  半導体基板
２２ａ  表面
２５  導電性薄膜
２５ａ  囲繞部
２５ｂ  素子被覆部
２６  絶縁膜
２６ａ  表面
Ｏ  中心点
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４  ピエゾ抵抗素子
Ｐ１ａ，Ｐ２ａ，Ｐ３ａ，Ｐ４ａ  表面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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