(57)【要約】【課題】液晶表示装置において、開口率ロスの発生を防止もしくは抑制するか、または、走査線と下電極との間の寄生容量を十分に低減しつつ、上電極とドレイン電極とを確実に電気的に接続する。【解決手段】ドレイン電極ＤＥ上に層間樹脂膜２３が形成され、層間樹脂膜２３にホール４１が形成され、ホール４１の底面部４１ａに露出したドレイン電極ＤＥ上に、下電極２４と分離して島状の電極４２が形成されている。そして、島状の電極４２上に、電極間絶縁膜２５が形成され、電極間絶縁膜２５にコンタクトホール２７が形成され、コンタクトホール２７の底面部２７ａに露出した島状の電極４２上に、上電極２６が形成されている。【選択図】図５
2014026131.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板と対向配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟まれた液晶層と、
前記第１基板上に、平面視において、第１方向に沿って設けられた複数のゲート配線と、
前記第１基板上に、平面視において、前記第１方向と交差する第２方向に沿って設けられた複数のソース配線と、
前記複数のゲート配線と前記複数のソース配線とにより区画された複数の画素と、
前記ゲート配線と前記ソース配線との交差部に設けられ、ドレイン電極を含む薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜を貫通して前記ドレイン電極に達する第１開口部と、
前記第１開口部に露出した前記ドレイン電極上に形成され、前記ドレイン電極と電気的に接続された第１電極と、
前記第１絶縁膜上に形成され、前記第１電極と分離した第２電極と、
前記第１電極上および前記第２電極上に形成された第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜を貫通して前記第１電極に達する第２開口部と、
前記第２開口部に露出した前記第１電極上、および、前記第２絶縁膜上に形成され、前記第１電極と電気的に接続された第３電極と、
を有する、液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶表示装置において、
前記第２開口部は、前記第２方向に沿って、前記第１開口部とずれた位置に形成されている、液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載の液晶表示装置において、
前記第１電極は、平面視において、前記ドレイン電極の上面のうち前記第１開口部に露出した領域の内部に形成されている、液晶表示装置。
【請求項４】
請求項２に記載の液晶表示装置において、
前記第２基板であって、前記複数の画素の間の部分に設けられた遮光部を有し、
前記第２電極には、平面視において、前記遮光部と重なる領域内に、第３開口部が形成されており、
前記第１電極と前記第２開口部の底面部とは、平面視において、前記第３開口部内に配置されている、液晶表示装置。
【請求項５】
請求項４に記載の液晶表示装置において、
前記第３開口部は、平面視において、前記ゲート配線を横切るように形成されている、液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１に記載の液晶表示装置において、
前記画素内で、前記第２電極と、前記第３電極とは、前記第２絶縁膜を介して対向している、液晶表示装置。
【請求項７】
請求項１に記載の液晶表示装置において、
前記第１電極と前記第２電極とは、同一の材料からなる、液晶表示装置。
【請求項８】
請求項１に記載の液晶表示装置を備えた電子機器。
【請求項９】
第１基板と、前記第１基板と対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟まれた液晶層と、前記第１基板上に、平面視において、第１方向に沿って設けられた複数のゲート配線と、前記第１基板上に、平面視において、前記第１方向と交差する第２方向に沿って設けられた複数のソース配線と、前記複数のゲート配線と前記複数のソース配線とにより区画された複数の画素と、前記ゲート配線と前記ソース配線との交差部に設けられ、ドレイン電極を含む薄膜トランジスタと、を有する液晶表示装置の製造方法であって、
（ａ）前記薄膜トランジスタが形成された基板を用意する工程、
（ｂ）前記薄膜トランジスタ上に第１絶縁膜を形成する工程、
（ｃ）前記第１絶縁膜を貫通して前記ドレイン電極に達する第１開口部を形成する工程、
（ｄ）前記第１開口部に露出した前記ドレイン電極上、および、前記第１絶縁膜上に、導電膜を形成する工程、
（ｅ）前記導電膜をパターン加工することで、前記ドレイン電極上に形成された前記導電膜からなり、前記ドレイン電極と電気的に接続された第１電極を形成するとともに、前記第１絶縁膜上に形成された前記導電膜からなり、前記第１電極と分離した第２電極を形成する工程、
（ｆ）前記第１電極上および前記第２電極上に、第２絶縁膜を形成する工程、
（ｇ）前記第２絶縁膜を貫通して前記第１電極に達する第２開口部を形成する工程、
（ｈ）前記第２開口部に露出した前記第１電極上、および、前記第２絶縁膜上に、前記第１電極と電気的に接続された第３電極を形成する工程、
を有する液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
前記（ｇ）工程において、前記第２開口部を、前記第２方向に沿って、前記第１開口部とずれた位置に形成する、液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
前記（ｅ）工程において、前記導電膜をパターン加工することで、平面視において、前記ドレイン電極の上面のうち前記第１開口部に露出した領域の内部に前記第１電極を形成するとともに、前記第２電極を形成する、液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置およびその製造方法に関し、特に、複数の画素を備えた液晶表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube：陰極線管）と比較して軽量、薄型、低消費電力という特徴があるため、表示用として多くの電子機器に使用されている。液晶表示装置は、一定の方向に整列した液晶分子の向きを電界により変えて、液晶層の光の透過量を変化させて画像を表示させるものである。
【０００３】
液晶表示装置は、例えばアレイ基板と、カラーフィルター基板とからなる一対の基板を有する。アレイ基板には、液晶表示装置の各画素に対応して、例えばスイッチング素子としての薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）がアレイ状に形成されている。カラーフィルター基板には、液晶表示装置の各画素に対応して、カラーフィルターが形成されている。アレイ基板とカラーフィルター基板との間の空間には、液晶層が充填されており、各画素においてＴＦＴを切り替えることで、液晶層に印加する電界を変化させる。
【０００４】
このような液晶層に電界を印加する方法として、縦電界方式のものと横電界方式のものとが知られている。
【０００５】
上記した横電界方式の液晶表示装置は、例えばアレイ基板とカラーフィルター基板からなる一対の基板のうちの一方の液晶層側に一対の電極を互いに絶縁して設け、概ね横方向の電界を液晶分子に対して印加するものである。この横電界方式の液晶表示装置としては、一対の電極が平面視で重ならないＩＰＳ（In-Plane Switching）モードのものと、重なるＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードのものとが知られている。
【０００６】
このうち、ＦＦＳモードの液晶表示装置は、絶縁膜を介して共通電極と画素電極とからなる一対の電極をそれぞれ異なる層に配置し、液晶層側の共通電極または画素電極にスリット状開口を設け、このスリット状開口を通る概ね横方向の電界を液晶層に印加するものである。このＦＦＳモードの液晶表示装置は、広い視野角を得ることができるととともに、画像コントラストを改善できるという効果があるので、近年、多く用いられるようになってきている。
【０００７】
このようなＦＦＳモードの液晶表示装置を含む各種の液晶表示装置では、アレイ基板上に形成された走査線、信号線およびＴＦＴの表面が層間樹脂膜で被覆され、この層間樹脂膜上に、画素電極が形成されている。また、層間樹脂膜には、層間樹脂膜を貫通してＴＦＴのドレイン電極に達するコンタクトホールが形成されており、画素電極とドレイン電極とは、コンタクトホールを介して電気的に接続されている。また、カラーフィルター基板の液晶層側であって、各画素の間の部分には、遮光部が形成されている。
【０００８】
特開２００１−１７４８４４号公報（特許文献１）および特開２００１−２７２６９８号公報（特許文献２）には、ドレイン電極上の層間樹脂膜を貫通してドレイン電極に達するコンタクトホールを形成した後、画素電極を形成することで、画素電極とドレイン電極とを電気的に接続する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００１−１７４８４４号公報
【特許文献２】特開２００１−２７２６９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記したＦＦＳモードの液晶表示装置の製造工程では、層間樹脂膜の表面に、透明導電性材料からなる下電極と、スリット状開口を有する上電極とが、電極間絶縁膜を挟んで形成される。その具体的な製造工程としては、例えば、ドレイン電極上の層間樹脂膜を貫通してドレイン電極に達するホールを形成し、層間樹脂膜上に下電極を形成した後、そのホールの底面部に露出したドレイン電極上、および、下電極上に、電極間絶縁膜を形成する。次に、電極間絶縁膜をエッチングしてコンタクトホールを形成し、そのコンタクトホールの底面部に露出したドレイン電極上に、上電極を形成する。
【００１１】
上記した製造工程では、下電極を形成する際に、層間樹脂膜上に導電膜を形成し、下電極に開口部を形成する。画素レイアウトの制約により、下電極に形成される開口部が、平面視において、遮光部が形成された領域からはみ出して形成された場合、そのはみ出した領域では、下電極が存在せず、画像を表示することができないので、実質的に画素の開口率が減少する。すなわち、開口率ロスが発生するという問題がある。あるいは、画素レイアウトの制約により、走査線（ゲート配線）と下電極とが重なる部分の面積が十分に低減できなかった場合、走査線（ゲート配線）と下電極との間の寄生容量を十分に低減することができないという問題がある。
【００１２】
このような開口率ロスの発生を防止もしくは抑制するため、または、走査線（ゲート配線）と下電極との間の寄生容量を十分に低減するためには、下電極に形成される開口部を、ドレイン電極の位置とずれた位置に形成することも考えられる。
【００１３】
ところが、上記した製造工程では、電極間絶縁膜をエッチングしてコンタクトホールを形成する際に、コンタクトホールの断面形状が、いわゆる逆テーパー形状になりやすい。コンタクトホールが逆テーパー形状の断面形状を有する場合、コンタクトホールの側面部に形成された上電極と、コンタクトホールの底面部に形成された上電極とが一体として繋がらなくなり、上電極とドレイン電極とを確実に電気的に接続することが困難になる。下電極に形成される開口部を、ドレイン電極の位置とずれた位置に形成する場合にも、コンタクトホールの断面形状が、逆テーパー形状になりやすく、上電極とドレイン電極とを確実に電気的に接続することが困難になる。
【００１４】
本発明は、上述のような従来技術の問題点を解決すべくなされたものであって、開口率ロスの発生を防止もしくは抑制するか、または、走査線と下電極との間の寄生容量を十分に低減しつつ、上電極とドレイン電極とを確実に電気的に接続することができる液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１６】
代表的な実施の形態による液晶表示装置は、アレイ基板に形成されたドレイン電極上に層間樹脂膜が形成され、層間樹脂膜にホールが形成され、ホールに露出したドレイン電極上に、下電極と分離して島状の電極が形成されたものである。そして、島状の電極上に、電極間絶縁膜が形成され、電極間絶縁膜にコンタクトホールが形成され、コンタクトホールの底面部に露出した島状の電極上に、上電極が形成されたものである。
【００１７】
また、代表的な実施の形態による液晶表示装置の製造方法は、アレイ基板に形成されたドレイン電極上に層間樹脂膜を形成し、層間樹脂膜にホールを形成し、ホールに露出したドレイン電極上に、導電膜を形成し、導電膜をパターン加工することで、下電極と分離して島状の電極を形成する。次いで、島状の電極上に、電極間絶縁膜を形成し、電極間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、コンタクトホールの底面部に露出した島状の電極上に、上電極を形成する。
【発明の効果】
【００１８】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１９】
代表的な実施の形態によれば、開口率ロスの発生を防止もしくは抑制するか、または、走査線と下電極との間の寄生容量を十分に低減しつつ、上電極とドレイン電極とを確実に電気的に接続することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】実施の形態１の液晶表示装置の概要を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【図４】実施の形態１の液晶表示装置の１つのサブ画素のうちドレイン電極付近の部分を拡大して示す平面図である。
【図５】図４のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。
【図６】図４のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。
【図７】実施の形態１の液晶表示装置の製造工程中の要部断面図である。
【図８】実施の形態１の液晶表示装置の製造工程中の要部断面図である。
【図９】実施の形態１の液晶表示装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１０】実施の形態１の液晶表示装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１１】実施の形態１の液晶表示装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１２】実施の形態１の液晶表示装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１３】実施の形態１の液晶表示装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１４】実施の形態１の液晶表示装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１５】実施の形態１の液晶表示装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１６】実施の形態１の液晶表示装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１７】実施の形態１の液晶表示装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１８】実施の形態１の液晶表示装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１９】実施の形態１の液晶表示装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２０】実施の形態１の液晶表示装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２１】比較例の液晶表示装置の１つのサブ画素のうちドレイン電極付近の部分を拡大して示す平面図である。
【図２２】図２１のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。
【図２３】図２１のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。
【図２４】比較例の液晶表示装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２５】比較例の液晶表示装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２６】比較例の液晶表示装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２７】実施の形態２の液晶表示装置の１つのサブ画素のうちドレイン電極付近の部分を拡大して示す平面図である。
【図２８】図２７のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。
【図２９】実施の形態２の液晶表示装置の製造工程中の要部断面図である。
【図３０】実施の形態２の液晶表示装置の製造工程中の要部断面図である。
【図３１】実施の形態２の液晶表示装置の製造工程中の要部断面図である。
【図３２】実施の形態３の電子機器の一例としての携帯電話を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。
【００２２】
また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。
【００２３】
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことはいうまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００２４】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施の形態では、特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００２５】
さらに、実施の形態で用いる図面においては、断面図であっても図面を見やすくするためにハッチングを省略する場合もある。また、平面図であっても図面を見やすくするためにハッチングを付す場合もある。
【００２６】
（実施の形態１）
＜液晶表示装置＞
本発明の一実施の形態である実施の形態１の液晶表示装置１０を、図面を参照して説明する。
【００２７】
はじめに、図１〜図３を参照し、実施の形態１の液晶表示装置１０の概略の構成について説明する。
【００２８】
図１は、実施の形態１の液晶表示装置の概要を示す平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。図３は、図１のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【００２９】
本実施の形態１の液晶表示装置１０は、例えばカラー表示の横電界方式のＦＦＳモードの液晶表示装置であり、図１に示すような画素１１を複数備えている。また、本実施の形態１の液晶表示装置１０は、図２および図３に示すように、液晶層ＬＣがアレイ基板ＡＲとカラーフィルター基板ＣＦで挟持される構成となっている。すなわち、液晶表示装置１０は、アレイ基板ＡＲ、アレイ基板ＡＲと対向配置されたカラーフィルター基板ＣＦ、および、アレイ基板ＡＲとカラーフィルター基板ＣＦとの間に挟まれた液晶層ＬＣを有する。画素１１はＦＦＳモードで作動するものであり、液晶層ＬＣを共通で使用することができる。画素１１は、行方向（図１のＸ軸方向）および列方向（図１のＹ軸方向）に、複数個整列している。画素１１は、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の３色を表示するためのサブ画素１２で構成され、これらの色の光の混色により、各画素１１の色が定められる。
【００３０】
図１では、３色表示の例を示すが、液晶表示装置１０は、３色表示に限られない。例えば２色以下のサブ画素１２により画素１１を構成することもでき、あるいは、４色以上のサブ画素１２により画素１１を構成することもできる（以下の実施の形態においても同様）。
【００３１】
なお、本願明細書では、領域Ｒ１を１つのサブ画素１２に対応した領域と定義するが、サブ画素ごとに周期的な構造が繰り返されるように定義するのであれば、他の定義により１つのサブ画素を定義することもできる。
【００３２】
また、図１においては、理解を簡単にするために、カラーフィルター基板ＣＦを除去した（透視した）状態を図示している。また、図１においては、理解を簡単にするために、アレイ基板ＡＲのうち、ゲート絶縁膜２１（図２参照）、半導体層２２（図２参照）、層間樹脂膜（平坦化膜）２３（図２参照）、下電極２４（図２参照）および電極間絶縁膜２５（図２参照）を除去した（透視した）状態を図示している。さらに、図１においては、理解を簡単にするために、カラーフィルター基板ＣＦに設けられた、遮光部３１（図２参照）の外周を二点鎖線により図示している。
【００３３】
図１に示すように、サブ画素１２は、アレイ基板ＡＲ上に、走査線（ゲート配線）１３および信号線（ソース配線）１４を有する。走査線（ゲート配線）１３は、Ｘ軸方向に延在しており、例えばアルミニウム（Ａｌ）またはモリブデン（Ｍｏ）等の不透明な金属からなる。信号線（ソース配線）１４は、Ｙ軸方向に延在しており、例えばアルミニウム（Ａｌ）またはモリブデン（Ｍｏ）等の不透明な金属からなる。また、サブ画素１２は、アレイ基板ＡＲ上であって、走査線（ゲート配線）１３と信号線（ソース配線）１４との交差部１５に設けられたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１６を有する。
【００３４】
なお、本願明細書では、交差部１５とは、走査線（ゲート配線）１３と信号線（ソース配線）１４とが交差する部分およびその周辺部分を含むものとし、ドレイン電極ＤＥを含むＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１６が形成された領域も含むものとする。
【００３５】
また、Ｙ軸方向は、Ｘ軸方向と交差する方向であり、好ましくは、Ｙ軸方向は、Ｘ軸方向と直交する方向である。
【００３６】
図２および図３に示すように、アレイ基板ＡＲは第１透明基板２０を基体として有する。第１透明基板２０は、透明な絶縁性を有するガラスや石英、プラスチック等からなる。なお、図２および図３では、図面をみやすくするために、第１透明基板２０、ゲート絶縁膜２１、層間樹脂膜（平坦化膜）２３および電極間絶縁膜２５のハッチングを省略している（以下、図５〜図１８、図２２〜図２６、図２８〜図３１においても同様）。
【００３７】
第１透明基板２０上には、液晶層ＬＣに面する側に、走査線（ゲート配線）１３が形成されている。前述したように、走査線（ゲート配線）１３は、行方向（Ｘ軸方向）に延在しており、例えばアルミニウム（Ａｌ）またはモリブデン（Ｍｏ）等の不透明な金属からなる。走査線（ゲート配線）１３からは、ゲート電極ＧＥが延設されている。
【００３８】
走査線（ゲート配線）１３およびゲート電極ＧＥを覆うようにして、例えば窒化ケイ素や酸化ケイ素等からなる透明なゲート絶縁膜２１が積層（形成）されている。そして、平面視でゲート電極ＧＥと重なるゲート絶縁膜２１上には、例えば非晶質シリコンまたは多結晶シリコン等からなる半導体層２２が形成されている。
【００３９】
ゲート絶縁膜２１上には、信号線（ソース配線）１４が形成されている。前述したように、信号線（ソース配線）１４は、列方向（Ｙ軸方向）に延在しており、例えばアルミニウム（Ａｌ）またはモリブデン（Ｍｏ）等の不透明な金属からなる。信号線（ソース配線）１４からは、ソース電極ＳＥが延設されている。ソース電極ＳＥは、半導体層２２の表面と部分的に接触している。
【００４０】
ゲート絶縁膜２１上には、信号線（ソース配線）１４と同一の材料で同時に形成されたドレイン電極ＤＥが設けられている。ドレイン電極ＤＥは、ソース電極ＳＥと近接配置されて半導体層２２と部分的に接触している。
【００４１】
平面視において、隣り合う２本の走査線（ゲート配線）１３と、隣り合う２本の信号線（ソース配線）１４とによって囲まれた領域により、サブ画素１２が画成される。すなわち、サブ画素１２は、隣り合う２本の走査線（ゲート配線）１３と、隣り合う２本の信号線（ソース配線）１４とにより区画される。そして、サブ画素１２には、ゲート電極ＧＥ、ゲート絶縁膜２１、半導体層２２、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥによってスイッチング素子となるＴＦＴ１６が構成されている。
【００４２】
さらに、信号線（ソース配線）１４、ＴＦＴ１６およびゲート絶縁膜２１の露出部分を覆うようにして、例えばフォトレジスト等の透明樹脂材料からなる層間樹脂膜（平坦化膜）２３が積層（形成）されている。すなわち、ドレイン電極ＤＥを含むＴＦＴ１６上には、層間樹脂膜（平坦化膜）２３が形成されている。層間樹脂膜（平坦化膜）２３は、信号線（ソース配線）１４、ＴＦＴ１６およびゲート絶縁膜２１の露出部分を覆うとともに、信号線（ソース配線）１４、ＴＦＴ１６およびゲート絶縁膜２１の凹凸面を平坦化する。
【００４３】
なお、層間樹脂膜（平坦化膜）２３の下層として、信号線（ソース配線）１４、ＴＦＴ１６およびゲート絶縁膜２１の露出部分の一部または全部を覆うようにして、例えば窒化ケイ素や酸化ケイ素等からなる透明なパッシベーション膜を積層（形成）することもできる。そして、パッシベーション膜を覆うように、層間樹脂膜（平坦化膜）２３を積層（形成）することもできる。
【００４４】
層間樹脂膜（平坦化膜）２３を覆うようにして、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）またはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電性材料からなる下電極２４が形成されている。下電極２４は、各サブ画素１２の領域を含む略全透明領域に連続して一体に形成されており、共通電極として作動する。
【００４５】
下電極２４を覆うようにして、例えば窒化ケイ素または酸化ケイ素等からなる透明な電極間絶縁膜２５が積層（形成）されている。そして、電極間絶縁膜２５を覆うようにして、例えばＩＴＯまたはＩＺＯ等の透明導電性材料からなる上電極２６が形成されている。上電極２６は、平面視において、各サブ画素１２で、下電極２４と重なる位置に、形成されている。すなわち、サブ画素１２において、下電極２４と上電極２６とは、電極間絶縁膜２５を挟んで（介して）対向している。
【００４６】
サブ画素１２では、平面視において、ドレイン電極ＤＥと重なる位置に、電極間絶縁膜２５および層間樹脂膜（平坦化膜）２３を貫通してＴＦＴ１６のドレイン電極ＤＥに達するコンタクトホール（開口部）２７が形成されている。コンタクトホール（開口部）２７の詳細な構造については、後述するが、上電極２６は、コンタクトホール（開口部）２７を介してドレイン電極ＤＥと電気的に接続されている。そのため、上電極２６は、画素電極として作動する。
【００４７】
なお、図１では、理解を簡単にするために、上電極２６の一部のみを図示している。また、図１では、理解を簡単にするために、上電極２６の周縁部が、後述する遮光部３１と重なっていないように図示されているが、上電極２６の周縁部が遮光部３１と重なるように、上電極２６を形成することもできる。
【００４８】
そして、上電極２６を覆うように、例えばポリイミドからなる配向膜（図示は省略）が積層（形成）されている。この配向膜は、図１のＹ軸方向の正の方向にラビング処理が施されている。
【００４９】
サブ画素１２に形成された上電極２６には、信号線（ソース配線）１４の延在方向に延在するスリット状開口２８が形成されている。サブ画素１２は、Ｘ軸方向を横方向とし、Ｙ軸方向を縦方向としたとき、縦方向の長さ寸法よりも横方向の長さ寸法が短い縦長の形状を有する。そのため、スリット状開口２８を横方向に延在させるとスリット状開口２８の両端の数が多くなる。このスリット状開口２８の端部は、液晶分子の異常配向領域となり、開口率の低下の原因となる。そこで、本実施の形態１の液晶表示装置１０では、図１に示すように、スリット状開口２８の延在方向を、Ｘ軸方向よりもＹ軸方向に近づけることにより、スリット状開口２８の端部の数を少なくし、開口率の低下を低減している。
【００５０】
カラーフィルター基板ＣＦは、第２透明基板３０を基体としている。第２透明基板３０は、透明な絶縁性を有するガラスや石英、プラスチック等からなる。サブ画素１２では、走査線（ゲート配線）１３、信号線（ソース配線）１４、および、交差部１５に設けられたドレイン電極ＤＥを含むＴＦＴ１６に対向する位置に、遮光性を有し、例えば樹脂または金属からなる遮光部（ブラックマトリックス）３１が形成されている。また、サブ画素１２では、サブ画素１２毎に異なる色の光（例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ））を透過するカラーフィルター層３２が形成されている。したがって、遮光部（ブラックマトリックス）３１は、カラーフィルター層３２が形成されたサブ画素１２同士の間に設けられている。なお、図２および図３では、図面をみやすくするために、第２透明基板３０、カラーフィルター層３２およびオーバーコート層３３のハッチングを省略している（以下、図１９、図２０においても同様）。
【００５１】
なお、サブ画素１２の面積（領域Ｒ１の面積）のうち、遮光部３１に覆われていない部分の面積の占める割合が、開口率に相当する。
【００５２】
各サブ画素１２の遮光部３１およびカラーフィルター層３２を覆うようにして、例えばフォトレジスト等の透明樹脂材料からなるオーバーコート層３３が積層（形成）されている。各サブ画素１２のオーバーコート層３３は、異なる色のカラーフィルター層３２による段差を平坦にし、また、遮光部３１やカラーフィルター層３２から流出する不純物が液晶層ＬＣ内に入らないようにするために形成されている。
【００５３】
オーバーコート層３３上には、アレイ基板ＡＲとカラーフィルター基板ＣＦとの間隔を保持し、液晶層ＬＣを一定の厚みに保持するためのフォトスペーサー３４が、形成されている。フォトスペーサー３４は、例えばフォトレジスト等の透明樹脂材料からなる。そして、オーバーコート層３３およびフォトスペーサー３４を覆うようにして、例えばポリイミドからなる配向膜（図示は省略）が形成されている。このカラーフィルター基板ＣＦに形成された配向膜（図示は省略）には、アレイ基板ＡＲに形成された配向膜（図示は省略）とは逆方向のラビング処理が施されている。
【００５４】
このようなアレイ基板ＡＲとカラーフィルター基板ＣＦとは、アレイ基板ＡＲとカラーフィルター基板ＣＦとの間隔を保持するフォトスペーサー３４（後述する図２０参照）を介して、互いに対向するように配置（対向配置）されている。また、図示は省略するが、アレイ基板ＡＲの外周部と、カラーフィルター基板ＣＦの外周部との間には、シール材が設けられている。そして、互いに対向するように配置（対向配置）されたアレイ基板ＡＲとカラーフィルター基板ＣＦとの間には、例えばホモジニアス配向の液晶層ＬＣが充填されている。なお、図２および図３では、図面をみやすくするために、液晶層ＬＣのハッチングを省略している。
【００５５】
上述の構成により、サブ画素１２では、ＴＦＴ１６がＯＮ状態になると、下電極２４と上電極２６との間に電界が発生し、液晶層ＬＣの液晶分子の配向が変化する。これにより、液晶層ＬＣの光透過率が変化してＦＦＳモードで画像を表示することとなる。また、下電極２４と上電極２６が電極間絶縁膜２５を挟んで（介して）対向する領域は、補助容量を形成し、ＴＦＴ１６がＯＦＦ状態になったときに下電極２４と上電極２６との間の電界を所定時間保持する。
【００５６】
本実施の形態１では、スリット状開口２８は、その途中、例えばスリット状開口２８の延在方向（Ｙ軸方向）に沿って中央部に、屈曲部２８ａを有する。屈曲部２８ａよりもＹ軸方向の正の方向（＋Ｙ方向）側の部分において、スリット状開口２８の延在方向は、ラビング方向（Ｙ軸方向の正の方向）に対して＋α（時計方向を正とし、αを正とする）傾斜している。また、屈曲部２８ａよりもＹ軸方向の負の方向（−Ｙ方向）側の部分において、スリット状開口２８の延在方向は、ラビング方向（Ｙ軸方向の正の方向）に対して−α傾斜している。傾斜角αとして、例えば５度とすることができる。
【００５７】
全てのスリット状開口２８をラビング方向（Ｙ軸方向の正の方向）に対して時計方向あるいは反時計方向に傾斜させると、液晶分子が一方向にねじれるため視角方向によって色が変化する現象が現れる。これは、液晶分子を見る方向によって見かけの色相差（リタデ−ション）が変化するためである。したがって、本実施の形態１の液晶表示装置１０では、液晶分子を見る方向によって発生する色相差（リタデ−ション）を低減するために、スリット状開口２８は、その途中、例えばスリット状開口２８の延在方向に沿って中央部に、屈曲部２８ａを有する。図１に示す例では、スリット状開口２８は、Ｙ軸方向に沿って屈曲部２８ａの前後で２αの角度だけ屈曲することになる。
【００５８】
本実施の形態１では、信号線（ソース配線）１４の延在方向がラビング方向（Ｙ軸方向の正の方向）に対して傾斜しておらず、Ｙ軸方向に平行になっている。すなわち、本実施の形態１では、信号線（ソース配線）１４は、屈曲しておらず、直線状に形成されている。このような構成であっても、例えばスリット状開口２８のラビング方向（Ｙ軸方向の正の方向）に対する傾斜角αが小さい場合には、上電極２６と下電極２４との間に発生する電界の方向および大きさを、１つのサブ画素内で略均一にすることができる。
【００５９】
あるいは、１つのサブ画素１２内で、中央部よりもＹ軸方向の正の方向（＋Ｙ方向）側の部分において、信号線（ソース配線）１４の延在方向を、ラビング方向（Ｙ軸方向の正の方向）に対して＋α傾斜させることもできる。そして、中央部よりもＹ軸方向の負の方向（−Ｙ方向）側の部分において、信号線（ソース配線）１４の延在方向を、ラビング方向（Ｙ軸方向の正の方向）に対して−α傾斜させることもできる。すなわち、スリット状開口２８に対応して、信号線（ソース配線）１４にも、Ｙ軸方向に沿って中央部に屈曲部を設けることもできる。
【００６０】
次に、図４〜図６を参照し、本実施の形態１の液晶表示装置１０の下電極２４、電極間絶縁膜２５、上電極２６およびコンタクトホール（開口部）２７について詳しく説明する。
【００６１】
図４は、実施の形態１の液晶表示装置の１つのサブ画素のうちドレイン電極付近の部分を拡大して示す平面図である。図５は、図４のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。図６は、図４のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。
【００６２】
なお、図４においては、理解を簡単にするために、カラーフィルター基板ＣＦを除去した（透視した）状態を図示している。また、図４においては、理解を簡単にするために、アレイ基板ＡＲのうち、ゲート絶縁膜２１（図５参照）、半導体層２２（図５参照）、層間樹脂膜（平坦化膜）２３（図５参照）、電極間絶縁膜２５（図５参照）および上電極２６（図５参照）を除去し（透視し）、下電極２４が最表面に見える状態を図示している。さらに、図４においては、理解を簡単にするために、電極間絶縁膜２５（図５参照）に形成されたコンタクトホール（開口部）２７の底面部２７ａの外周を図示している。
【００６３】
層間樹脂膜（平坦化膜）２３には、平面視において、ドレイン電極ＤＥと重なる位置に、層間樹脂膜（平坦化膜）２３を貫通してドレイン電極ＤＥに達するホール（開口部）４１が形成されている。ホール（開口部）４１の底面部４１ａには、ドレイン電極ＤＥが露出している。ホール（開口部）４１の底面部４１ａに露出したドレイン電極ＤＥ上には、島状の電極４２が形成されている。また、平面視において、ホール（開口部）４１の底面部４１ａから離れた領域では、層間樹脂膜（平坦化膜）２３上に、下電極２４が形成されている。なお、島状の電極４２は、ホール（開口部）４１の底面部４１ａに露出したドレイン電極ＤＥ上のみならず、ホール（開口部）４１の側面部４１ｂにも形成されている。
【００６４】
前述したように、下電極２４は、各サブ画素１２の領域を含む略全透明領域に連続して一体に形成されている。しかし、図４に示すように、下電極２４には、開口部４３が形成されており、島状の電極４２とホール（開口部）４１の底面部４１ａとは、平面視において、開口部４３内に配置されている。島状の電極４２の下面は、ドレイン電極ＤＥの上面と接触し、島状の電極４２の上面は、後述する上電極２６の下面と接触しているが、島状の電極４２は、ドレイン電極ＤＥおよび上電極２６を除き、いずれの電極または配線とも接触していない。すなわち、島状の電極４２は、平面視において、下電極２４に囲まれてはいるが、下電極２４とは分離しており、平面視において、島状の形状を有する。
【００６５】
島状の電極４２上、下電極２４上、および、平面視において島状の電極４２と下電極２４との間の領域４４に露出した層間樹脂膜（平坦化膜）２３上には、電極間絶縁膜２５が形成されている。電極間絶縁膜２５には、平面視において、島状の電極４２と重なる位置に、電極間絶縁膜２５を貫通して島状の電極４２に達するコンタクトホール（開口部）２７が形成されている。コンタクトホール（開口部）２７の底面部２７ａには、島状の電極４２が露出している。コンタクトホール（開口部）２７の底面部２７ａに露出した島状の電極４２上、および、平面視において島状の電極４２の周囲の電極間絶縁膜２５上には、上電極２６が形成されている。
【００６６】
前述したように、島状の電極４２の下面は、ドレイン電極ＤＥの上面と接触し、島状の電極４２の上面は、上電極２６の下面と接触している。したがって、上電極２６とドレイン電極ＤＥとは、島状の電極４２を介して電気的に接続されている。
【００６７】
図５および図６に示すように、コンタクトホール（開口部）２７の底面部２７ａのうち周縁部４５では、電極間絶縁膜２５と層間樹脂膜（平坦化膜）２３との間に、島状の電極４２が挟まれており、電極間絶縁膜２５と層間樹脂膜（平坦化膜）２３とが直接接していない。このような構造により、コンタクトホール（開口部）２７を形成する際に、電極間絶縁膜２５とともに層間樹脂膜（平坦化膜）２３が削られる（えぐられる）ことを、防止または抑制することができる。その結果、コンタクトホール（開口部）２７の幅寸法が下側ほど大きくなり、コンタクトホール（開口部）２７の断面形状が逆テーパー形状になることを、防止または抑制することができる。そして、コンタクトホール（開口部）２７に上電極２６を形成する際に、コンタクトホール（開口部）２７の側面部２７ｂに形成された上電極２６と、コンタクトホール（開口部）２７の底面部２７ａに形成された上電極２６とが繋がらない、いわゆる「段切れ」が発生することを、防止または抑制することができる。
【００６８】
また、島状の電極４２は、図１１〜図１４を用いて後述するように、下電極２４となる導電膜４６（後述する図１１参照）をアレイ基板ＡＲ上に全面に形成し、形成された同一の導電膜４６をパターン加工することで、形成されたものである。これにより、新たな工程を追加することなく、下電極２４を形成する工程において、下電極２４と同時に島状の電極４２を形成することができる。また、島状の電極４２と下電極２４とは、同一の導電膜４６から形成されるため、好適には、島状の電極４２と下電極２４とは、同一の材料からなる。
【００６９】
本実施の形態１の液晶表示装置１０では、好適には、コンタクトホール（開口部）２７は、走査線（ゲート配線）１３と交差する方向、例えば、信号線（ソース配線）１４の延在方向（図４のＹ軸方向）に沿って、ホール（開口部）４１とずれた位置に形成されている。これにより、平面視において、下電極２４に開口部４３が形成される位置を、遮光部３１が形成される位置に対して、Ｙ軸方向に沿ってずらすことができる許容量が増加する。そのため、サブ画素１２における開口率の減少（開口率ロス）を防止または抑制することができる。
【００７０】
また、さらに好適には、平面視において、下電極２４の開口部４３が、走査線（ゲート配線）１３を横切るように、形成されている。開口部４３が走査線（ゲート配線）１３を横切るように形成されることで、下電極２４と走査線（ゲート配線）１３とが重なる部分の面積を低減することができる。そのため、下電極２４と走査線（ゲート配線）１３との間の寄生容量を低減することができる。
【００７１】
なお、本願明細書では、コンタクトホール（開口部）２７が、Ｙ軸方向に沿って、ホール（開口部）４１とずれた位置に形成されているとは、平面視において、コンタクトホール（開口部）２７の底面部２７ａの重心の位置と、ホール（開口部）４１の底面部４１ａの重心の位置とが、Ｙ軸方向に沿って、異なる位置にあることを意味する。すなわち、コンタクトホール（開口部）２７の底面部２７ａの重心の位置と、ホール（開口部）４１の底面部４１ａの重心の位置とが、Ｙ軸方向に沿って、離れていることを意味する。
【００７２】
＜液晶表示装置の製造工程＞
次に、図７〜図２０を参照し、本実施の形態１の液晶表示装置１０の製造工程について説明する。図７〜図２０は、実施の形態１の液晶表示装置の製造工程中の要部断面図である。図７、図９、図１１、図１３、図１５および図１７は、上記図５に示した断面に対応した断面を示す。また、図８、図１０、図１２、図１４、図１６および図１８は、上記図６に示した断面に対応した断面を示す。
【００７３】
まず、図７および図８に示すように、第１透明基板２０の表面（第１主面）上に、フォトリソグラフィー技術およびエッチングにより、例えば下層から上層の順にＡｌ層、Ｍｏ層からなるゲート電極ＧＥおよび走査線（ゲート配線）１３を形成する。
【００７４】
次に、図７および図８に示すように、ゲート電極ＧＥ上と第１透明基板２０上とに、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、例えば窒化ケイ素等からなるゲート絶縁膜２１を形成する。そして、平面視において、ゲート絶縁膜２１を介してゲート電極ＧＥと重なるように、フォトリソグラフィー技術およびエッチングにより、例えばａ−Ｓｉ層とｎ型の導電性を有するｎ＋Ｓｉ層との２層構造からなる半導体層２２を形成する。
【００７５】
次に、図７および図８に示すように、半導体層２２上に、平面視において、ゲート電極ＧＥおよび半導体層２２と重なるとともに、半導体層２２に電気的に接続されるように、下層から上層の順にＭｏ層、Ａｌ層、Ｍｏ層からなるソース電極ＳＥ、信号線（ソース配線）１４およびドレイン電極ＤＥを形成する。これにより、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１６が形成される。
【００７６】
次に、図７および図８に示すように、信号線（ソース配線）１４上、ソース電極ＳＥ上、半導体層２２上、ドレイン電極ＤＥ上、および、ゲート絶縁膜２１上に、層間樹脂膜（平坦化膜）２３を形成する。すなわち、信号線（ソース配線）１４、ソース電極ＳＥ、半導体層２２のうち露出した部分、ドレイン電極ＤＥ、および、ゲート絶縁膜２１のうち露出した部分を覆うように、層間樹脂膜（平坦化膜）２３を形成する。例えば塗布法により、アクリル系の感光性樹脂からなる保護膜としての層間樹脂膜（平坦化膜）２３を形成する。
【００７７】
なお、信号線（ソース配線）１４、ソース電極ＳＥ、半導体層２２のうち露出した部分、ドレイン電極ＤＥ、および、ゲート絶縁膜２１のうち露出した部分のうち一部または全部を覆うようにして、例えば窒化ケイ素や酸化ケイ素等からなる透明なパッシベーション膜を積層（形成）することもできる。そして、パッシベーション膜を覆うように、層間樹脂膜（平坦化膜）２３を積層（形成）することもできる。
【００７８】
次に、形成された層間樹脂膜（平坦化膜）２３のうち、ドレイン電極ＤＥ上に形成された部分を、フォトリソグラフィー技術およびエッチングにより除去する。これにより、図４、図９および図１０に示すように、平面視において、ドレイン電極ＤＥと重なる位置に、層間樹脂膜（平坦化膜）２３を貫通してドレイン電極ＤＥに達するホール（開口部）４１を形成する。また、ホール（開口部）４１の底面部４１ａには、ドレイン電極ＤＥが露出する。
【００７９】
次に、図１１および図１２に示すように、ホール（開口部）４１の底面部４１ａに露出したドレイン電極ＤＥ上、および、層間樹脂膜（平坦化膜）２３上に、例えばスパッタ法により、ＩＴＯまたはＩＺＯ等からなる導電膜４６を形成する。すなわち、ホール（開口部）４１の底面部４１ａに露出したドレイン電極ＤＥ、および、層間樹脂膜（平坦化膜）２３を覆うように、導電膜４６を形成する。
【００８０】
次に、形成された導電膜４６のうち、平面視において、ドレイン電極ＤＥおよびホール（開口部）４１の少なくとも一部と重なる領域に、島状の電極４２が残るように、枠状の領域４４（図４参照）内の部分を、フォトリソグラフィー技術およびエッチングにより除去する。つまり、導電膜４６のうち、枠状の領域４４（図４参照）内の部分をくり抜く。このように、導電膜４６をパターン加工することで、図４、図１３および図１４に示すように、導電膜４６からなる下電極２４を形成する。また、下電極２４を形成するとともに、下電極２４に、開口部４３を形成し、開口部４３内に、導電膜４６からなる島状の電極４２を形成する。このとき、ホール（開口部）４１の底面部４１ａが、平面視において、開口部４３内に配置されるようにする。これにより、下電極２４（図５参照）と上電極２６（図５参照）とが電気的に短絡することを防止できる。
【００８１】
図１３および図１４に示すように、本実施の形態１では、島状の電極４２は、ホール（開口部）４１の底面部４１ａ上、および、ホール（開口部）４１の側面部４１ｂ上に形成されている。
【００８２】
次に、図１５および図１６に示すように、島状の電極４２上、下電極２４上、および、平面視において島状の電極４２と下電極２４との間の領域（枠状の領域）４４（図４参照）に露出した層間樹脂膜（平坦化膜）２３上に、例えばＣＶＤ法により、窒化ケイ素等からなる電極間絶縁膜２５を形成する。すなわち、島状の電極４２、下電極２４、および、平面視において島状の電極４２と下電極２４との間の領域（枠状の領域）４４（図４参照）に露出した層間樹脂膜（平坦化膜）２３を覆うように、電極間絶縁膜２５を形成する。
【００８３】
次に、形成された電極間絶縁膜２５のうち、コンタクトホール（開口部）２７が形成される部分を、フォトリソグラフィー技術およびエッチングにより除去する。これにより、図４、図１７および図１８に示すように、平面視において、電極間絶縁膜２５を貫通して島状の電極４２に達するコンタクトホール（開口部）２７を形成する。また、コンタクトホール（開口部）２７の底面部２７ａには、島状の電極４２が露出する。
【００８４】
図１８に示すように、本実施の形態１では、コンタクトホール（開口部）２７は、走査線（ゲート配線）１３の延在方向と交差する方向（図４のＹ軸方向）に沿って、ホール（開口部）４１とずれた位置に形成されている。これにより、平面視において、下電極２４に開口部４３が形成される位置を、遮光部３１が形成される位置に対して、Ｙ軸方向に沿ってずらすことができる許容量が増加する。
【００８５】
次に、島状の電極４２上、および、電極間絶縁膜２５上に、例えばスパッタ法により、ＩＴＯまたはＩＺＯ等からなる上電極２６を形成する。すなわち、島状の電極４２および電極間絶縁膜２５を覆うように、上電極２６を形成する。これにより、図５および図６に示したように、上電極２６とドレイン電極ＤＥとは、コンタクトホール（開口部）２７を介して電気的に接続される。そして、上電極２６とドレイン電極ＤＥとは、島状の電極４２を介して電気的に接続される。
【００８６】
なお、図５および図６では図示を省略するが、形成された上電極２６に、フォトリソグラフィー技術およびエッチングにより、スリット状開口２８（図１参照）を形成する。その後、図５および図６では図示を省略するが、上電極２６上に、例えば塗布法により、ポリイミド等からなる配向膜を形成する。これにより、液晶表示装置１０のアレイ基板ＡＲが形成される。
【００８７】
一方、図１９に示すように、第２透明基板３０の表面（第１主面）上に、例えば黒色の樹脂材料からなる膜を形成し、エッチングすることにより、遮光部（ブラックマトリックス）３１を形成する。次に、図１９に示すように、フォトリソグラフィー技術により、各サブ画素１２に、カラーフィルター層３２を形成する。具体的には、例えば各サブ画素１２（図１参照）に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルター層３２を形成する。
【００８８】
次に、図１９に示すように、遮光部（ブラックマトリックス）３１上およびカラーフィルター層３２上に、例えば塗布法により、アクリル系の感光性樹脂からなるオーバーコート層３３を形成する。オーバーコート層３３は、遮光部（ブラックマトリックス）３１およびカラーフィルター層３２を覆うように形成される。
【００８９】
次に、図２０に示すように、オーバーコート層３３上に、フォトリソグラフィー技術により、例えばアクリル系の感光性樹脂からなるフォトスペーサー３４を形成する。その後、図２０では図示を省略するが、オーバーコート層３３の表面およびフォトスペーサー３４の表面に、例えばポリイミド等からなる配向膜を形成する。これにより、液晶表示装置１０のカラーフィルター基板ＣＦが形成される。
【００９０】
このようにして形成されたアレイ基板ＡＲおよびカラーフィルター基板ＣＦを、各々の裏面（第２主面）が対向せず、各々の表面（第１主面）が対向するように配置する（対向配置する）。そして、対向配置されたアレイ基板ＡＲおよびカラーフィルター基板ＣＦの周囲にシール材（図示は省略）を設けることで、アレイ基板ＡＲおよびカラーフィルター基板ＣＦを貼り合せる。その後、アレイ基板ＡＲとカラーフィルター基板ＣＦとの間にホモジニアス配向の液晶を液晶層ＬＣとして充填することにより、本実施の形態１の液晶表示装置１０が得られる。
【００９１】
＜開口率および寄生容量について＞
図２１は、比較例の液晶表示装置の１つのサブ画素のうちドレイン電極付近の部分を拡大して示す平面図である。図２２は、図２１のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。図２３は、図２１のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。
【００９２】
図２４〜図２６は、比較例の液晶表示装置の製造工程中の要部断面図である。図２４〜図２６は、上記図２２に示した断面に対応した断面を示す。
【００９３】
比較例の液晶表示装置１１０のうち、ドレイン電極付近の部分以外の各部分については、実施の形態１の液晶表示装置１０のうち、ドレイン電極付近の部分以外の各部分と同一であるため、その説明を省略する。
【００９４】
また、図２１においては、理解を簡単にするために、カラーフィルター基板ＣＦを除去した（透視した）状態を図示している。また図２１では、理解を簡単にするために、アレイ基板ＡＲのうちゲート絶縁膜２１（図２２参照）、半導体層２２（図２２参照）、層間樹脂膜（平坦化膜）２３（図２２参照）、電極間絶縁膜２５（図２２参照）および上電極２６（図２２参照）を除去し（透視し）、下電極２４が最表面に見える状態を図示している。さらに、図２１においては、理解を簡単にするために、電極間絶縁膜２５（図５参照）に形成されたコンタクトホール（開口部）２７の底面部２７ａの外周を図示している。
【００９５】
図２１〜図２３に示すように、比較例の液晶表示装置１１０でも、層間樹脂膜（平坦化膜）２３には、平面視において、ドレイン電極ＤＥと重なる位置に、層間樹脂膜（平坦化膜）２３を貫通してドレイン電極ＤＥに達するホール（開口部）４１が形成されている。ホール（開口部）４１の底面部４１ａには、ドレイン電極ＤＥが露出している。
【００９６】
一方、ホール（開口部）４１の底面部４１ａに露出したドレイン電極ＤＥ上には、島状の電極４２（図４参照）が、形成されていない。また、平面視において、ホール（開口部）４１の底面部４１ａから離れた領域では、層間樹脂膜（平坦化膜）２３上に、下電極２４が形成されている。
【００９７】
ホール（開口部）４１の底面部４１ａに露出したドレイン電極ＤＥ上、下電極２４上、および、平面視においてドレイン電極ＤＥと下電極２４との間の領域に露出した層間樹脂膜（平坦化膜）２３上には、電極間絶縁膜２５が形成されている。電極間絶縁膜２５には、平面視において、ドレイン電極ＤＥと重なる位置に、層間樹脂膜（平坦化膜）２３を貫通してドレイン電極ＤＥに達するコンタクトホール（開口部）２７が形成されている。コンタクトホール（開口部）２７の底面部２７ａには、ドレイン電極ＤＥが露出している。コンタクトホール（開口部）２７の底面部２７ａに露出したドレイン電極ＤＥ上、および、電極間絶縁膜２５上には、上電極２６が形成されている。したがって、上電極２６は、ドレイン電極ＤＥと直接接するように形成されている。
【００９８】
比較例の液晶表示装置１１０の製造工程では、実施の形態１の液晶表示装置１０の製造工程と同様に、上記図７〜図１２に示した工程を行って、ホール（開口部）４１の底面部４１ａに露出したドレイン電極ＤＥ上、および、層間樹脂膜（平坦化膜）２３上に、導電膜４６を形成する。
【００９９】
その後、比較例の液晶表示装置１１０の製造工程では、図２１および図２４に示すように、形成された導電膜４６のうち、平面視において、ドレイン電極ＤＥおよびホール（開口部）４１の底面部４１ａを含む領域１４４（図２１参照）内の部分をフォトリソグラフィー技術およびエッチングにより除去する。つまり、導電膜４６のうち、領域１４４（図２１参照）内の部分をくり抜く。このとき、下電極２４に形成された開口部４３の内部の領域１４４において、島状の電極４２（図４参照）は形成されない。
【０１００】
次に、図２５に示すように、下電極２４、ホール（開口部）４１の底面部４１ａに露出したドレイン電極ＤＥ、および、平面視において領域１４４（図２１参照）に露出した層間樹脂膜（平坦化膜）２３を覆うように、電極間絶縁膜２５を形成する。
【０１０１】
次に、形成された電極間絶縁膜２５のうち、コンタクトホール（開口部）２７が形成される部分を、フォトリソグラフィー技術およびエッチングにより除去することで、電極間絶縁膜２５を貫通してドレイン電極ＤＥに達するコンタクトホール（開口部）２７を形成する。また、コンタクトホール（開口部）２７の底面部２７ａには、ドレイン電極ＤＥが露出する。
【０１０２】
ところが、図２６に示すように、電極間絶縁膜２５をエッチングする際に、コンタクトホール（開口部）２７の底面部２７ａのうち周縁部１４５において、電極間絶縁膜２５とともに層間樹脂膜（平坦化膜）２３が削られる（えぐられる）。その結果、コンタクトホール（開口部）２７の幅寸法が下側ほど大きくなり、コンタクトホール（開口部）２７の断面形状が、逆テーパー形状になりやすい。
【０１０３】
このように、コンタクトホール（開口部）２７が逆テーパー形状の断面形状を有する場合、コンタクトホール（開口部）２７に上電極２６を形成する際に、上電極２６がコンタクトホール（開口部）２７の底面部２７ａのうち周縁部１４５に堆積しにくくなる。その結果、図２２および図２３に示すように、コンタクトホール（開口部）２７の側面部２７ｂに形成された上電極２６と、コンタクトホール（開口部）２７の底面部２７ａに形成された上電極２６とが一体として繋がらなくなり、いわゆる「段切れ」が発生する。
【０１０４】
また、図２１に示すように、比較例の液晶表示装置１１０では、コンタクトホール（開口部）２７は、走査線（ゲート配線）１３と交差する方向、例えば、信号線（ソース配線）１４の延在方向（図２１のＹ軸方向）に沿って、ホール（開口部）４１と同じ位置に形成されている。
【０１０５】
下電極２４に形成された開口部４３で囲まれた領域１４４は、下電極２４と上電極２６が短絡することを防止するために必要な開口面積を有するものであるため、開口部４３の位置は、ドレイン電極ＤＥの位置により制約を受ける。また、サブ画素１２の微細化と開口率の向上を両立するための画素レイアウトの制約条件により、遮光部３１の位置は、ドレイン電極ＤＥの位置により制約を受ける。したがって、開口部４３の位置と、遮光部３１の位置とは、ともに、ドレイン電極ＤＥの位置により制約を受けるため、開口部４３が形成される位置を、遮光部３１が形成される位置に対して、Ｙ軸方向に沿ってずらすことができる許容量は、極めて小さい範囲に限定される。
【０１０６】
図２１に示す配置では、平面視において、下電極２４に形成された開口部４３で囲まれた領域１４４のうち一部の領域１４４ａが、遮光部３１に対して、Ｙ軸方向の正の方向にはみ出している。この領域１４４ａでは、下電極２４が存在しないため、液晶分子の向きを変えて画像を表示することができない。そのため、実質的にサブ画素１２の開口率が減少する。すなわち、開口率ロスが発生する。
【０１０７】
また、走査線（ゲート配線）１３の位置も、ドレイン電極ＤＥの位置により制約を受ける。したがって、開口部４３の位置と、走査線（ゲート配線）１３の位置とは、ともに、ドレイン電極ＤＥの位置により制約を受けるため、開口部４３の位置を、走査線（ゲート配線）１３の位置に対して、Ｙ軸方向に沿ってずらすことができる許容量は、極めて小さい範囲に限定される。
【０１０８】
図２１に示す配置では、平面視において、開口部４３で囲まれた領域１４４のうち一部の領域１４４ｂが、走査線（ゲート配線）１３の一部と重なっている。領域１４４ｂでは、下電極２４が存在しないため、この領域１４４ｂの面積を増加させることで、走査線（ゲート配線）１３と下電極２４とが重なる部分の面積を低減することができ、走査線（ゲート配線）１３と下電極２４との間の寄生容量を低減することができる。しかし、領域１４４ｂの面積を容易に増加させることはできず、寄生容量を低減することは困難である。寄生容量が十分に低減できないと、フリッカー等の発生により表示画像の画質が低下するおそれがある。
【０１０９】
このような開口率ロスの発生を防止もしくは抑制するため、または、走査線（ゲート配線）１３と下電極２４との間の寄生容量を十分に低減するためには、下電極２４に形成される開口部４３を、ドレイン電極ＤＥの位置とずれた位置に形成することも考えられる。
【０１１０】
ところが、比較例の液晶表示装置の製造工程では、上記したように、電極間絶縁膜２５をエッチングしてコンタクトホール（開口部）２７を形成する際に、コンタクトホール（開口部）２７の断面形状が、いわゆる逆テーパー形状になりやすい。したがって、下電極２４に形成される開口部４３を、ドレイン電極ＤＥの位置とずれた位置に形成する場合についても、コンタクトホール（開口部）２７の断面形状が、逆テーパー形状になりやすく、上電極２６とドレイン電極ＤＥとを確実に電気的に接続することが困難になる。あるいは、下電極２４に形成される開口部４３を、ドレイン電極ＤＥの位置とずれた位置に形成する場合には、コンタクトホール（開口部）２７の断面形状が、非対称になるため、さらに逆テーパー形状になりやすく、上電極２６とドレイン電極ＤＥとを確実に電気的に接続することがさらに困難になるおそれがある。
【０１１１】
＜本実施の形態の主要な特徴と効果＞
一方、本実施の形態１の液晶表示装置１０では、上電極２６と、コンタクトホール（開口部）２７の底面部２７ａに露出したドレイン電極ＤＥとが、島状の電極４２を介して電気的に接続されている。また、島状の電極４２と下電極２４とは、同一の導電膜４６から形成されたものである。
【０１１２】
本実施の形態１では、層間樹脂膜（平坦化膜）２３にホール（開口部）４１を形成し、下電極２４を形成し、電極間絶縁膜２５を形成した後、コンタクトホール（開口部）２７を形成する。また、形成されるコンタクトホール（開口部）２７の底面部２７ａのうち周縁部４５（図５および図６参照）では、電極間絶縁膜２５と層間樹脂膜（平坦化膜）２３との間に、島状の電極４２が挟まれており、電極間絶縁膜２５と層間樹脂膜（平坦化膜）２３とが直接接していない。このような構造により、コンタクトホール（開口部）２７を形成する際に、電極間絶縁膜２５とともに層間樹脂膜（平坦化膜）２３が削られる（えぐられる）ことを、防止または抑制することができる。そして、コンタクトホール（開口部）２７の幅寸法が下側ほど大きくなり、コンタクトホール（開口部）２７の断面形状が逆テーパー形状になることを、防止または抑制することができる。
【０１１３】
そして、上電極２６を形成する際に、上電極２６がコンタクトホール（開口部）２７の底面部２７ａのうち周縁部４５（図５および図６参照）にも堆積する。そのため、コンタクトホール（開口部）２７の側面部２７ｂ（図５および図６参照）に形成された上電極２６と、コンタクトホール（開口部）２７の底面部２７ａに形成された上電極２６とが一体として繋がらなくなること、すなわちいわゆる「段切れ」が発生することを、防止または抑制することができる。その結果、上電極２６とドレイン電極ＤＥとを確実に電気的に接続することができ、表示画像の画質の低下を防止し、液晶表示装置の性能を向上させることができる。
【０１１４】
また、島状の電極４２は、下電極２４となる導電膜４６をアレイ基板ＡＲ上に全面に形成し、形成された同一の導電膜４６をパターン加工することで、形成されたものである。これにより、新たな工程を追加することなく、下電極２４を形成する工程において、下電極２４と同時に島状の電極４２を形成することができる。また、島状の電極４２と下電極２４とは、同一の導電膜４６から形成されるため、好適には、島状の電極４２と下電極２４とは、同一の材料からなる。
【０１１５】
本実施の形態１の液晶表示装置１０では、好適には、コンタクトホール（開口部）２７は、走査線（ゲート配線）１３の延在方向（Ｘ軸方向）と交差する方向、例えば、信号線（ソース配線）１４の延在方向（Ｙ軸方向）に沿って、ホール（開口部）４１とずれた位置に形成されている。これにより、平面視において、下電極２４に開口部４３が形成される位置を、遮光部３１が形成される位置に対して、Ｙ軸方向に沿ってずらすことができる許容量が増加する。そのため、下電極２４には、平面視において、遮光部３１と重なる領域内に、開口部４３を形成することができる。これにより、平面視において、開口部４３で囲まれた領域４４が、遮光部３１に対して、Ｙ軸方向の正の方向にはみ出すことを、防止または抑制することができる。したがって、サブ画素１２における開口率の減少（開口率ロス）を防止または抑制しつつ、上電極２６とドレイン電極ＤＥとを確実に電気的に接続することができる。
【０１１６】
また、さらに好適には、図４に示すように、平面視において、下電極２４の開口部４３が、走査線（ゲート配線）１３を横切るように、形成されている。開口部４３が走査線（ゲート配線）１３を横切るように形成されることで、開口部４３で囲まれた領域のうち、走査線（ゲート配線）１３と重なる領域４４ｂの面積を増加させることができ、下電極２４と走査線（ゲート配線）１３とが重なる部分の面積を低減することができる。これにより、下電極２４と走査線（ゲート配線）１３との間の寄生容量を低減しつつ、上電極２６とドレイン電極ＤＥとを確実に電気的に接続することができる。その結果、フリッカー等の発生により表示画像の画質が低下することを防止または抑制でき、液晶表示装置の性能を向上させることができる。
【０１１７】
（実施の形態２）
実施の形態１では、島状の電極は、ホール（開口部）の底面部に露出したドレイン電極上、および、ホール（開口部）の側面部に形成されていた。それに対して、実施の形態２では、島状の電極は、ホール（開口部）の底面部に露出したドレイン電極上には形成されているが、ホール（開口部）の側面部には形成されていない。
【０１１８】
図２７は、実施の形態２の液晶表示装置の１つのサブ画素のうちドレイン電極付近の部分を拡大して示す平面図である。図２８は、図２７のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。
【０１１９】
図２９〜図３１は、実施の形態２の液晶表示装置の製造工程中の要部断面図である。図２９〜図３１は、上記図２８に示した断面に対応した断面を示す。
【０１２０】
実施の形態２の液晶表示装置１０ａの１つのサブ画素１２のうちドレイン電極ＤＥ付近の部分以外の各部分については、実施の形態１の液晶表示装置１０の１つのサブ画素１２のうちドレイン電極ＤＥ付近の部分以外の各部分と同一であるため、その説明を省略する。
【０１２１】
なお、図２７においては、理解を簡単にするために、カラーフィルター基板ＣＦを除去した（透視した）状態を図示している。また図２７では、理解を簡単にするために、アレイ基板ＡＲのうちゲート絶縁膜２１（図２８参照）、半導体層２２（図２８参照）、層間樹脂膜（平坦化膜）２３（図２８参照）、電極間絶縁膜２５（図２８参照）および上電極２６（図２８参照）を除去し（透視し）、下電極２４が最表面に見える状態を図示している。さらに、図２７においては、理解を簡単にするために、電極間絶縁膜２５（図５参照）に形成されたコンタクトホール（開口部）２７の底面部２７ａの外周を図示している。
【０１２２】
図２７および図２８に示すように、本実施の形態２の液晶表示装置１０ａでも、層間樹脂膜（平坦化膜）２３には、平面視において、ドレイン電極ＤＥと重なる位置に、層間樹脂膜（平坦化膜）２３を貫通してドレイン電極ＤＥに達するホール（開口部）４１が形成されている。ホール（開口部）４１の底面部４１ａには、ドレイン電極ＤＥが露出している。ホール（開口部）４１の底面部４１ａに露出したドレイン電極ＤＥ上には、島状の電極４２が形成されている。また、平面視において、ホール（開口部）４１の底面部４１ａから離れた領域では、層間樹脂膜（平坦化膜）２３上に、下電極２４が形成されている。
【０１２３】
一方、本実施の形態２では、島状の電極４２は、平面視において、ドレイン電極ＤＥの上面のうちホール（開口部）４１の底面部４１ａに露出した領域の内部に形成されている。
【０１２４】
本実施の形態２の液晶表示装置１０ａの製造工程では、実施の形態１の液晶表示装置１０の製造工程と同様に、上記図７〜図１２に示した工程を行って、ホール（開口部）４１の底面部４１ａに露出したドレイン電極ＤＥ上、および、層間樹脂膜（平坦化膜）２３上に、導電膜４６を形成する。
【０１２５】
その後、本実施の形態２では、図２９に示すように、形成された導電膜４６のうち、枠状の領域４４（図２７参照）内の部分を、フォトリソグラフィー技術およびエッチングにより除去する。つまり、導電膜４６のうち、枠状の領域４４（図２７参照）内の部分をくり抜く。このとき、平面視において、ドレイン電極ＤＥの上面のうちホール（開口部）４１の底面部４１ａに露出した領域の内部に島状の電極４２が形成されるように、枠状の領域４４（図２７参照）内の部分をくり抜く。
【０１２６】
このように、導電膜４６をパターン加工することで、図２７および図２９に示すように、導電膜４６からなる下電極２４を形成する。また、下電極２４を形成するとともに、下電極２４に、開口部４３を形成し、開口部４３内に、導電膜４６からなる島状の電極４２を形成する。このとき、ホール（開口部）４１の底面部４１ａが、平面視において、開口部４３内に配置されるようにする。これにより、下電極２４（図２８参照）と上電極２６（図２８参照）とが電気的に短絡することを防止できる。
【０１２７】
次に、図３０に示すように、島状の電極４２上、下電極２４上、および、平面視において島状の電極４２と下電極２４との間の領域（枠状の領域）４４（図２７参照）に露出した層間樹脂膜（平坦化膜）２３上に、例えばＣＶＤ法により、窒化ケイ素等からなる電極間絶縁膜２５を形成する。すなわち、島状の電極４２、下電極２４、および、平面視において島状の電極４２と下電極２４との間の領域（枠状の領域）４４（図２７参照）に露出した層間樹脂膜（平坦化膜）２３を覆うように、電極間絶縁膜２５を形成する。
【０１２８】
次に、形成された電極間絶縁膜２５のうち、コンタクトホール（開口部）２７が形成される部分を、フォトリソグラフィー技術およびエッチングにより除去する。これにより、図２７および図３１に示すように、平面視において、電極間絶縁膜２５を貫通して島状の電極４２に達するコンタクトホール（開口部）２７を形成する。また、コンタクトホール（開口部）２７の底面部２７ａには、島状の電極４２が露出する。
【０１２９】
次に、島状の電極４２上、および、電極間絶縁膜２５上に、例えばスパッタ法により、ＩＴＯまたはＩＺＯ等からなる上電極２６を形成する。すなわち、島状の電極４２および電極間絶縁膜２５を覆うように、上電極２６を形成する。これにより、図２８に示したように、上電極２６とドレイン電極ＤＥとは、コンタクトホール（開口部）２７を介して電気的に接続される。そして、上電極２６とドレイン電極ＤＥとは、島状の電極４２を介して電気的に接続される。
【０１３０】
本実施の形態２では、図２７および図３１に示すように、コンタクトホール（開口部）２７を形成する際に、コンタクトホール（開口部）２７の底面部２７ａが、平面視において、島状の電極４２が形成された領域内に配置されるようにする。このとき、コンタクトホール（開口部）２７の底面部２７ａのうち周縁部４５では、電極間絶縁膜２５と層間樹脂膜（平坦化膜）２３との間に、島状の電極４２が挟まれており、電極間絶縁膜２５と層間樹脂膜（平坦化膜）２３とが直接接していない。このような構造により、コンタクトホール（開口部）２７を形成する際に、電極間絶縁膜２５とともに層間樹脂膜（平坦化膜）２３が削られる（えぐられる）ことを、防止または抑制することができる。そして、コンタクトホール（開口部）２７の幅寸法が下側ほど大きくなり、コンタクトホール（開口部）２７の断面形状が逆テーパー形状になることを、防止または抑制することができる。
【０１３１】
そして、図２８に示すように、上電極２６を形成する際に、上電極２６がコンタクトホール（開口部）２７の底面部２７ａのうち周縁部４５（図２８および図３１参照）にも堆積する。そのため、コンタクトホール（開口部）２７の側面部２７ｂ（図２８参照）に形成された上電極２６と、コンタクトホール（開口部）２７の底面部２７ａに形成された上電極２６とが一体として繋がらなくなること、すなわちいわゆる「段切れ」が発生することを、防止または抑制することができる。
【０１３２】
つまり、「段切れ」が発生することを防止または抑制するためには、島状の電極４２は、ドレイン電極ＤＥの上面のうち、少なくともホール（開口部）４１の底面部４１ａに露出した領域の内部に形成されていれば、足りる。
【０１３３】
なお、図２７に示す例では、コンタクトホール（開口部）２７は、走査線（ゲート配線）１３の延在方向と交差する方向（Ｙ軸方向）に沿って、ホール（開口部）４１と同一の位置に形成されている。このような場合、下電極２４に開口部４３が形成される位置を、遮光部３１が形成される位置に対して、Ｙ軸方向に沿ってずらすことができる許容量はあまり増加しない。したがって、実施の形態１と比較して、各サブ画素１２における開口率の減少（開口率ロス）を防止または抑制する効果、および、下電極２４と走査線（ゲート配線）１３との間の寄生容量を低減する効果は、小さい。
【０１３４】
しかし、コンタクトホール（開口部）２７が、走査線（ゲート配線）１３の延在方向と交差する方向（Ｙ軸方向）に沿って、ホール（開口部）４１と同一の位置に形成されている場合でも、前述した上電極２６のいわゆる「段切れ」の発生を防止または抑制する効果は、得られる。
【０１３５】
（実施の形態３）
次に、実施の形態３の電子機器について説明する。実施の形態１および実施の形態２では、上電極とドレイン電極とが、島状の電極を介して電気的に接続されている液晶表示装置について説明した。それに対して、実施の形態３では、実施の形態１または実施の形態２で説明した液晶表示装置を表示部として有する電子機器について、携帯電話を例示しながら説明する。
【０１３６】
図３２は、実施の形態３の電子機器の一例としての携帯電話を示す斜視図である。
【０１３７】
図３２に示すように、携帯電話３００は、実施の形態１または実施の形態２の液晶表示装置を表示部３０１として備え、複数の操作ボタン３０２、受話口３０３および送話口３０４を備えて構成されている。
【０１３８】
表示部３０１として、例えば実施の形態１の液晶表示装置１０または実施の形態２の液晶表示装置１０ａを用いることができる。これにより、表示部３０１において、上電極にいわゆる「段切れ」が発生せず、上電極とドレイン電極とを確実に電気的に接続することができる。特に、表示部３０１として、実施の形態１の液晶表示装置１０を用いる場合、開口率ロスの発生を防止もしくは抑制するか、または、走査線と下電極との間の寄生容量を十分に低減しつつ、上電極とドレイン電極とを確実に電気的に接続することができる。したがって、電子機器としての携帯電話の性能を向上させることができる。
【０１３９】
なお、実施の形態１の液晶表示装置１０または実施の形態２の液晶表示装置１０ａを表示部として備えた電子機器は、上記した携帯電話に限られない。実施の形態１の液晶表示装置１０または実施の形態２の液晶表示装置１０ａは、例えば、電子ブック、パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャを備えた機器等々の電子機器の表示部として好適に用いることができる。また、実施の形態１の液晶表示装置１０または実施の形態２の液晶表示装置１０ａは、例えば、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ（Point of Sale）端末、タッチパネルを備えた機器等々の電子機器の表示部として好適に用いることができる。これにより、いずれの電子機器においても、表示部において、上電極にいわゆる「段切れ」が発生せず、上電極とドレイン電極とを確実に電気的に接続することができる。特に、実施の形態１の液晶表示装置１０を電子機器の表示部として用いる場合、開口率ロスの発生を防止もしくは抑制するか、または、走査線と下電極との間の寄生容量を十分に低減しつつ、上電極とドレイン電極とを確実に電気的に接続することができる。したがって、上記した各種の電子機器の性能を向上させることができる。
【０１４０】
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【産業上の利用可能性】
【０１４１】
本発明は、液晶表示装置および電子機器に適用して有効である。
【符号の説明】
【０１４２】
１０、１０ａ  液晶表示装置
１１  画素
１２  サブ画素
１３  走査線（ゲート配線）
１４  信号線（ソース配線）
１５  交差部
１６  ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
２０  第１透明基板
２１  ゲート絶縁膜
２２  半導体層
２３  層間樹脂膜（平坦化膜）
２４  下電極
２５  電極間絶縁膜
２６  上電極
２７  コンタクトホール（開口部）
２７ａ  底面部
２７ｂ  側面部
２８  スリット状開口
２８ａ  屈曲部
３０  第２透明基板
３１  遮光部（ブラックマトリックス）
３２  カラーフィルター層
３３  オーバーコート層
３４  フォトスペーサー
４１  ホール（開口部）
４１ａ  底面部
４１ｂ  側面部
４２  島状の電極
４３  開口部
４４、４４ｂ  領域
４５  周縁部（領域）
４６  導電膜
３００  携帯電話
３０１  表示部
３０２  操作ボタン
３０３  受話口
３０４  送話口
ＡＲ  アレイ基板
ＣＦ  カラーフィルター基板
ＤＥ  ドレイン電極
ＧＥ  ゲート電極
ＬＣ  液晶層
Ｒ１  領域
ＳＥ  ソース電極
【図１】
2014026131.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2014026131.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2014026131.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
2014026131.tif 000032
【図３１】
2014026131.tif 000033
【図３２】
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