(57)【要約】【課題】信頼性が高い面発光レーザ素子、光源および光モジュールを提供すること。【解決手段】光共振器を構成する第１反射鏡および第２反射鏡と、前記第１反射鏡と前記第２反射鏡との間に配置された活性層と、を備え、前記活性層は、前記第１反射鏡と前記第２反射鏡との間に形成されたメサ構造に含まれており、前記第２反射鏡は、誘電体からなる第１屈折率層と前記第１屈折率層よりも屈折率が高い誘電体からなる第２屈折率層とが交互に積層したものであり、かつ、前記第２屈折率層が前記メサ構造の側表面に接した状態で該メサ構造を覆うように形成されている面発光レーザ素子、光源および光モジュール。【選択図】図１
2014204119.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光共振器を構成する第１反射鏡および第２反射鏡と、
前記第１反射鏡と前記第２反射鏡との間に配置された活性層と、を備え、
前記活性層は、前記第１反射鏡と前記第２反射鏡との間に形成されたメサ構造に含まれており、
前記第２反射鏡は、誘電体からなる第１屈折率層と前記第１屈折率層よりも屈折率が高い誘電体からなる第２屈折率層とが交互に積層したものであり、かつ、前記第２屈折率層が前記メサ構造の側表面に接した状態で該メサ構造を覆うように形成されていることを特徴とする面発光レーザ素子。
【請求項２】
前記第２反射鏡と前記活性層との間に配置され、電流注入部と選択酸化熱処理によって前記電流注入部の外周に形成された選択酸化層とを有する電流狭窄層を備え、
前記電流狭窄層は、前記メサ構造に含まれていることを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ素子。
【請求項３】
複数の前記第１屈折率層および前記第２屈折率層が前記メサ構造の側表面を覆っていることを特徴とする請求項１または２に記載の面発光レーザ素子。
【請求項４】
前記第２屈折率層の一部の厚さの部分が前記メサ構造の側表面に接した状態で該メサ構造を覆っていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の面発光レーザ素子。
【請求項５】
前記メサ構造の側表面に接した第２屈折率層の厚さは５０ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の面発光レーザ素子。
【請求項６】
前記メサ構造の測表面に接した第２屈折率層の屈折率が２．０以上であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の面発光レーザ素子。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一つに記載の面発光レーザ素子を備えることを特徴とする光源。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか一つに記載の面発光レーザ素子を備えることを特徴とする光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、面発光レーザ素子、ならびにこれを用いた光源および光モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
面発光レーザ素子は、光共振器を構成する第１反射鏡および第２反射鏡と、第１反射鏡と第２反射鏡との間に配置された活性層とを備えている。第２反射鏡はたとえば誘電体からなる低屈折率層と高屈折率層とを交互に積層して形成される（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１８３０７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
面発光レーザ素子の実使用においては、信頼性が高いことが要求されている。
【０００５】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、信頼性が高い面発光レーザ素子、光源および光モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る面発光レーザ素子は、光共振器を構成する第１反射鏡および第２反射鏡と、前記第１反射鏡と前記第２反射鏡との間に配置された活性層と、を備え、前記活性層は、前記第１反射鏡と前記第２反射鏡との間に形成されたメサ構造に含まれており、前記第２反射鏡は、誘電体からなる第１屈折率層と前記第１屈折率層よりも屈折率が高い誘電体からなる第２屈折率層とが交互に積層したものであり、かつ、前記第２屈折率層が前記メサ構造の側表面に接した状態で該メサ構造を覆うように形成されていることを特徴とする。
【０００７】
また、本発明に係る面発光レーザ素子は、上記発明において、前記第２反射鏡と前記活性層との間に配置され、電流注入部と選択酸化熱処理によって前記電流注入部の外周に形成された選択酸化層とを有する電流狭窄層を備え、前記電流狭窄層は、前記メサ構造に含まれていることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明に係る面発光レーザ素子は、上記発明において、複数の前記第１屈折率層および前記第２屈折率層が前記メサ構造の側表面を覆っていることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明に係る面発光レーザ素子は、上記発明において、前記第２屈折率層の一部の厚さの部分が前記メサ構造の側表面に接した状態で該メサ構造を覆っていることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明に係る面発光レーザ素子は、上記発明において、前記メサ構造の側表面に接した第２屈折率層の厚さは５０ｎｍ以上であることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明に係る面発光レーザ素子は、上記発明において、前記メサ構造の測表面に接した第２屈折率層の屈折率が２．０以上であることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明に係る光源は、上記発明における面発光レーザ素子を備えることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明に係る光モジュールは、上記発明における面発光レーザ素子を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、信頼性が高い面発光レーザ素子、光源および光モジュールを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、実施の形態に係る面発光レーザ素子の模式的な断面図である。
【図２】図２は、工程を説明する図である。
【図３】図３は、工程を説明する図である。
【図４】図４は、工程を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に、本発明に係る面発光レーザ素子の実施の形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、これらの実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えた実施の形態が可能である。また、各図面において、同一または対応する要素には適宜同一の符号を付している。さらに、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係などは、現実のものとは異なる場合があることに留意する必要がある。図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。
【００１７】
（実施の形態）
図１は、実施の形態に係る面発光レーザ素子の模式的な断面図である。図１に示すように、面発光レーザ素子１００は、面方位（００１）のｎ型ＧａＡｓからなる基板１上に積層された、第１反射鏡として機能するアンドープの下部ＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｂｒａｇｇ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）ミラー２、ｎ型コンタクト層３、ｎ側電極４、ｎ型クラッド層５、活性層６、ｐ型クラッド層７、電流狭窄層８、ｐ型スペーサ層９、電流拡散層１０、ｐ側電極１１、位相調整層１２、および第２反射鏡として機能する上部誘電体ＤＢＲミラー１３を備える。
【００１８】
電流拡散層１０およびｎ型コンタクト層３は、下部ＤＢＲミラー２と上部誘電体ＤＢＲミラー１３との間に配置されている。活性層６は、下部ＤＢＲミラー２と上部誘電体ＤＢＲミラー１３との間に配置されている。電流狭窄層８は、電流拡散層１０と活性層６との間に配置されている。ｐ型スペーサ層９は、電流狭窄層８と電流拡散層１０との間に介在している。ｐ側電極１１は電流拡散層１０上に形成され、ｎ側電極４はｎ型コンタクト層３上に形成されている。
【００１９】
下部ＤＢＲミラー２と上部誘電体ＤＢＲミラー１３との間において、ｎ型クラッド層５から電流拡散層１０まで（活性層６および電流狭窄層８を含む）の積層構造は、エッチング処理等によって柱状に成形されたメサポストＭとして形成されている。メサポスト径はたとえば直径３０μｍである。また、ｎ型コンタクト層３はメサポストＭの外周側に延設している。また、下部ＤＢＲミラー２と上部誘電体ＤＢＲミラー１３とは光共振器を構成している。
【００２０】
下部ＤＢＲミラー２は、ｎ型ＧａＡｓからなる基板１上に積層されたアンドープＧａＡｓバッファ層（不図示）上に形成される。下部ＤＢＲミラー２は、低屈折率層として機能するＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層と、高屈折率層として機能するＧａＡｓ層とが交互に積層した構成を１ペアとする複合半導体層がたとえば４０．５ペア積層された、周期構造を有する半導体多層膜ミラーとして形成されている。下部ＤＢＲミラー２の複合半導体層を構成する各層の層厚は、λ／４ｎ（λ：レーザ発振波長、ｎ：屈折率）である。たとえば、λが１．０６μｍの場合、Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層の層厚は約８８ｎｍであり、ＧａＡｓ層の層厚は約７６ｎｍである。
【００２１】
ｎ型コンタクト層３およびｎ型クラッド層５は、ｎ型ＧａＡｓを材料として形成される。
【００２２】
ｐ型クラッド層７は、ｐ型ＡｌＧａＡｓを材料として形成される（たとえば、Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓが望ましい）。ｐ型スペーサ層９は、ｐ型ＡｌＧａＡｓを材料として形成される。電流拡散層１０は、ｐ型ＧａＡｓを材料として形成したｐ型コンタクト層からなる。ただし、電流拡散層１０は、上記の構造に限らず、１層または複数積層されたｐ型ＧａＡｓまたはｐ型ＡｌＧａＡｓを材料として形成したｐ型層と、ｐ型層上に形成されたｐ型ＧａＡｓを材料として形成したｐ型コンタクト層の積層構造としても良い。
【００２３】
ｐ型クラッド層７、ｐ型スペーサ層９のキャリア濃度は、ｐ型ドーパントによる吸収損失の増加を防ぐため、たとえば３×１０１７ｃｍ−３程度となっている。また、ｎ型クラッド層５、ｎ型コンタクト層３のキャリア濃度はたとえばそれぞれ１×１０１８ｃｍ−３、２×１０１８ｃｍ−３程度である。また、電流拡散層１０のｐ型コンタクト層およびｐ型層のキャリア濃度は、たとえば３×１０１９ｃｍ−３程度である。
【００２４】
下部ＤＢＲミラー２と上部誘電体ＤＢＲミラー１３とに挟まれたｎ型コンタクト層３、ｎ型クラッド層５、ｐ型クラッド層７、およびｐ型スペーサ層９は、活性層６の位置に光共振器内でレーザ光が形成する光の定在波の腹が形成されている。電流拡散層１０は、電流拡散層１０においてキャリア濃度の高い領域と定在波の節が合うように形成すると、光共振器内部での光吸収によるロスを抑制できるので好ましい。
【００２５】
電流拡散層１０は、ｐ型クラッド層７、ｐ型スペーサ層９よりも導電率が高い層領域を含み、ｐ側電極１１から注入される電流を横方向（層の表面に沿った方向）に流すことができるものである。
【００２６】
電流狭窄層８は、電流注入部としての開口部８ａと電流狭窄部としての選択酸化層８ｂとから構成されている。開口部８ａはＡｌ１−ｘＧａｘＡｓ（０≦ｘ＜０．１）からなり、選択酸化層８ｂは（Ａｌ１−ｘＧａｘ）２Ｏ３からなる。なお、ｘはたとえば０．０２である。
【００２７】
電流狭窄層８は、Ａｌ１−ｘＧａｘＡｓからなるＡｌ含有半導体層を選択酸化熱処理することによって形成される。すなわち、選択酸化層８ｂは、このＡｌ含有半導体層がメサポストＭの外周部から積層面に沿って所定範囲だけ酸化されることで、開口部８ａの外周にリング状に形成されている。選択酸化層８ｂは、絶縁性を有し、ｐ側電極１１から注入される電流を狭窄して開口部８ａ内に集中させることで、開口部８ａの直下における活性層６に注入される電流密度を高める機能を有する。開口部８ａの開口径はたとえば６μｍであるが、高速動作と信頼性の観点では、たとえば４μｍ〜１５μｍが好ましい。さらに、高次の横モード発振を抑制するためには、たとえば４μｍ〜８μｍがさらに好ましい。
【００２８】
活性層６は、井戸層と障壁層とが交互に積層した多重量子井戸（ＭＱＷ：Ｍｕｌｔｉｐｌｅ  Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｗｅｌｌ）層の両側を分離閉じ込め（Ｓｅｐａｒａｔｅ  Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ  Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）層で挟んだＭＱＷ−ＳＣＨ構造を有する。なお、井戸層は所望の波長の光を放出するように選択される材料からなり、たとえばＧａＩｎＡｓ系の半導体材料からなる。障壁層はたとえばＧａＡｓからなる。この活性層６は、ｐ側電極１１から注入されて電流狭窄層８によって狭窄された電流により、たとえば１．０μｍ〜１．１μｍ（１．０μｍ帯とする）の波長の光を含む自然放出光を発するようにその半導体材料の組成および層厚が設定されている。
【００２９】
位相調整層１２は、ＳｉＮｘなどの誘電体からなり、上部誘電体ＤＢＲミラー１３の直下に形成されている。この位相調整層１２は、その層厚の調整によって、電流拡散層１０におけるキャリア濃度が高い領域が光の定在波の節に位置し、上部誘電体ＤＢＲミラー１３の最下面が定在波の腹に位置するように調整する機能を有する。位相調整層１２は少なくとも、発振するレーザ光のモードに合わせた領域に形成されていることが好ましく、レーザ光の電界分布において、積層面に平行な平面において電界の２乗の強度がピークの１／ｅ２となる幅の領域より広く形成されているのが好ましい。位相調整層１２は、図１に示すように、電流拡散層１０上に、一部ｐ側電極１１にも乗り上げるように形成してもよい。また、位相調整層１２は、図１の構造に限らず、ｐ側電極１１に乗り上げることなく、電流狭窄層８の開口部８ａより広い幅でｐ側電極１１によって囲まれた領域に形成しても良い。
【００３０】
上部誘電体ＤＢＲミラー１３は、低屈折率のＳｉＯ２層である第１屈折率層１３ａと、第１屈折率層１３ａより屈折率が高いＳｉＮｘ層である第２屈折率層１３ｂとが交互に積層した構成を１ペアとする複合誘電体層が、たとえば５〜１５ペア積層された、周期構造を有する誘電体多層膜ミラーとして形成されており、下部ＤＢＲミラー２と同様に各層の層厚がλ／４ｎとされている。
【００３１】
ｐ側電極１１は、電流拡散層１０上にリング状に形成されている。一方、ｎ側電極４は、メサポストＭの外周側に延設したｎ型コンタクト層３の延設部分の表面に形成され、メサポストＭの周囲を取り囲むようにＣ字状に形成されている。
【００３２】
ここで、本発明者らが面発光レーザ素子の信頼性を高めるために鋭意検討して得られた知見によれば、メサポストを構成する半導体層の一部に側面から大気中の水分が浸入し、面発光レーザ素子の信頼性を低下させる場合があることを見出した。とりわけ、Ａｌを組成として含むなどして、熱処理等で酸化された半導体層への水分の浸入が信頼性低下に大きな影響を与えることを見出した。なお、水分が半導体層中に浸入すると、その後面発光レーザ素子が熱履歴を受けた際に、浸入した水分が蒸発し、半導体層に歪みを与えることが、信頼性低下の原因の一つと見出した。また、このような水分の浸入は、活性層や電流狭窄層の近傍で生じた場合に特に影響が大きいと考えられる。
【００３３】
これに対して、本実施の形態に係る面発光レーザ素子１００では、屈折率が高い第２屈折率層１３ｂが、メサポストＭの側表面に接した状態で、メサポストＭを覆うように形成されている。ＳｉＮｘ層である第２屈折率層１３ｂは、ＳｉＯ２層である低屈折率の第１屈折率層１３ａよりも充填度が高い密な膜であり、半導体に対する密着性が高いので、外部からメサポストＭを構成する半導体層への大気中の水分の浸入を抑制ないし防止する遮蔽効果を発揮する。これによって面発光レーザ素子１００の信頼性が向上する。ＳｉＮｘ層である第２屈折率層１３ｂは屈折率が高いほど密な膜になり、水分の遮蔽効果が高い。そのため、第２屈折率層１３ｂの屈折率は２．０以上が好ましい。また、第２屈折率層１３ｂの屈折率は２．０以上４．０以下としても良い。
【００３４】
なお、第１屈折率層／第２屈折率層の組み合わせは、ＳｉＯ２／ＳｉＮｘに限らず、たとえば、ＣａＦ２／ａ−Ｓｉ、ＳｉＯ２／ａ−Ｓｉ、ＳｉＯ２／ＴｉＯ２、ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３などの組み合わせがある。
【００３５】
この面発光レーザ素子１００を製造する際には、まず、公知の方法によって、基板１上に、下部ＤＢＲミラー２、ｎ型コンタクト層３、ｎ側電極４、ｎ型クラッド層５、活性層６、ｐ型クラッド層７、電流狭窄層８、ｐ型スペーサ層９、電流拡散層１０、およびｐ側電極１１の構造を形成する。
【００３６】
その後、ＣＶＤ法などを用いて、位相調整層１２と位相調整層１２の上に上部誘電体ＤＢＲミラー１３の第１屈折率層１３ａを形成する。つぎに、メサポストＭの構造をエッチングによって形成した後、ｐ側電極１１からメサポストＭの側面を覆うように残りの上部誘電体ＤＢＲミラー１３を形成する。このとき、第２屈折率層１３ｂが、メサポストＭの側表面に接した状態で、メサポストＭを覆うように、上部誘電体ＤＢＲミラー１３を形成する。このとき、複数の第２屈折率層１３ｂおよび第１屈折率層１３ａがメサ構造の側表面を覆うように形成すると、メサ構造への大気中の水分の浸入を抑制ないし防止する遮蔽効果が高まるため好ましい。尚、メサポストＭの構造をエッチングによって形成する場合、図１のようにｎ型クラッド層５までをエッチングしてもよく、ｎ型コンタクト層３の一部までエッチングしても良い。
【００３７】
ところで、誘電体からなる位相調整層１２を形成しない場合は、電流拡散層１０の直上は、屈折率が低い第１屈折率層１３ａであることが好ましい。したがって、電流拡散層１０の直上にまず第１屈折率層１３ａを形成してから、メサポストＭを側表面も含めて覆うように第２屈折率層１３ｂを形成することが好ましい。また、この場合、電流拡散層１０と第１屈折率層１３ａとの間で、ｐ側電極１１の内側に半導体からなる位相調整層を設けてもよい。この半導体からなる位相調整層は、電流拡散層１０のｐ型コンタクト層よりもキャリア濃度を小さくする方が光ロス抑制の観点から好ましい。この場合は、半導体からなる位相調整層を形成した後に、位相調整層上にマスクパターンを形成してからエッチング等で窓開けをするなどして電流拡散層１０を露出させた領域にｐ側電極１１を形成する。
【００３８】
また、上記実施の形態では、上部誘電体ＤＢＲミラー１３の第１屈折率層１３ａを１層形成してからメサポストＭの構造をエッチングにより形成したが、上部誘電体ＤＢＲミラー１３を構成する第１屈折率層１３ａと第２屈折率層１３ｂを複数層形成してからメサポストＭの構造をエッチングにより形成した後、第２屈折率層１３ｂがメサポストＭの側表面に接した状態でメサポストＭの側面を覆うように、残りの上部誘電体ＤＢＲミラー１３を形成しても良い。
【００３９】
または、図２〜４に示すような工程を行ってもよい。まず、図２に示すように、電流拡散層を最上層とし、表面にｐ側電極１１が形成された半導体層２０の直上に、第１屈折率層１３ａを形成し、つぎに第１屈折率層１３ａの直上に第２屈折率層の一部１３ｂａを、所定の厚さ（λ／４ｎ）よりも薄く形成する。その後、図３に示すように、第２屈折率層の一部１３ｂａにレジストＲのマスクパターンを形成し、半導体層２０をエッチングしてメサポストＭを形成する。このように、屈折率が高い第２屈折率層の一部１３ｂａ上にレジストＲを形成すると、レジストＲの密着性が高くなるので好ましい。その後、図４に示すように、残りの第２屈折率層１３ｂｂを、メサポストＭの側表面も含めて覆うように所定の厚さになるまでの厚さだけ形成し、第２屈折率層１３ｂとする。このときメサポストＭの表面における第２屈折率層１３ｂの厚さはλ／４ｎである。また、メサポストＭの側表面も含めて覆うように形成する残りの第２屈折率層１３ｂの厚さは、メサポストＭの側表面に対して水分の浸入を防止する効果が発揮される程度の厚さとすることが好ましく、たとえば５０ｎｍ以上とすることが好ましい。なお、図２〜４に示す工程は、最初に形成する第１屈折率層１３ａよりも下側の構成には特に制限されず適用が可能である。たとえば、図１と同様に、位相調整層１２が半導体層２０の表面に形成されている場合にも、図２〜４に示す工程を適用できる。
【００４０】
なお、この面発光レーザ素子１００は以下のように動作する。はじめに、不図示のレーザ制御器が、ｐ側電極１１とｎ側電極４との間にバイアス電圧および変調電圧を印加し電流を注入する。ｐ側のキャリア（ホール）は、電流拡散層１０では層内を紙面横方向に流れ、その後電流狭窄層８の開口部８ａ内に集中して密度が高められた状態で、活性層６に注入される。一方、ｎ側のキャリア（電子）については、ｎ側電極４からｎ型コンタクト層３、ｎ型クラッド層５を通過して、活性層６に注入される。
【００４１】
このように、本実施の形態に係る面発光レーザ素子１００は、ｐ側のキャリアおよびｎ側のキャリアのいずれもが、ＤＢＲミラーを経由しないで活性層に注入される、いわゆるダブルイントラキャビティ構造を有する。
【００４２】
キャリアが注入された活性層６は、自然放出光を発生する。発生した自然放出光は、活性層６の光増幅作用と光共振器の作用とによって、１．０μｍ波長帯のいずれかの波長においてレーザ発振する。その結果、この面発光レーザ素子１００は、上部誘電体ＤＢＲミラー１３上から変調信号を含むレーザ信号光を出力する。レーザ発振時には光共振器内においてレーザ光の定在波が形成されている。
【００４３】
なお、本発明は、イントラキャビティ構造でない面発光レーザ素子にも適用できる。すなわち、活性層に注入されるキャリアが、下部ＤＢＲミラー、上部ＤＢＲミラーまたは上下部ＤＢＲミラーのそれぞれを経由して活性層に注入される構造の面発光レーザ素子にも本発明は適用できる。他にも、例えば、中間反射層として、半導体からなる高屈折率層と、半導体からなる低屈折率層とがそれぞれλ／４ｎの奇数倍となる膜厚で繰り返し１〜５ペア形成された構造を上部ＤＢＲミラーと下部ＤＢＲミラーの間に形成しても良い。
【００４４】
また、上記実施の形態では、活性層の下部にｎ型半導体層が配置され、活性層の上部にｐ型半導体層が配置されているが、活性層の上部にｎ型半導体層が配置され、活性層の下部にｐ型半導体層が配置されていてもよい。
【００４５】
また、上記実施の形態では、１．０μｍ波長帯用にその化合物半導体の材料、サイズ等が設定されている。しかしながら、各材料やサイズ等は、所望のレーザ光の発振波長に応じて適宜設定されるものであり、特に限定はされない。たとえば、各半導体層を構成する半導体材料としてＩｎＰ系の材料を用いてもよい。この場合、Ａｌ含有層はＩｎＡｌＡｓ層で構成することができ、少なくともメサ構造のＡｌ含有層の側表面が第２屈折率層で覆われていることが好ましい。
【００４６】
また、上記実施の形態では、上部ＤＢＲミラーや下部ＤＢＲミラーを構成する高屈折率層と低屈折率層の各層の層厚をλ／４ｎとしていたが、λ／４ｎに限らずλ／４ｎの奇数倍としても良い。
【００４７】
また、面発光レーザ素子と、その面発光レーザ素子に印加する電圧を制御する制御回路と、を備える光源においても、上記実施の形態に係る面発光レーザ素子を用いることで信頼性の高い光源を実現することができる。
【００４８】
また、面発光レーザ素子と、その面発光レーザ素子からのレーザ光を伝播する光導波路と、面発光レーザ素子および光導波路を光学的に結合する光結合部と、を備える光モジュールにおいても上記実施の形態に係る面発光レーザ素子を用いることで信頼性の高い光モジュールを実現することができる。
【００４９】
以上のように、本発明にかかる面発光レーザ素子、光源および光モジュールは、光インターコネクションや光ピックアップなどの分野に適用されて好適なものである。
【００５０】
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。よって、本発明のより広範な態様は、以上のように表わしかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、本発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
【符号の説明】
【００５１】
１００  面発光レーザ素子
１  基板
２  下部ＤＢＲミラー
３  ｎ型コンタクト層
４  ｎ側電極
５  ｎ型クラッド層
６  活性層
７  ｐ型クラッド層
８  電流狭窄層
８ａ  開口部
８ｂ  選択酸化層
９  ｐ型スペーサ層
１０  電流拡散層
１１  ｐ側電極
１２  位相調整層
１３  上部誘電体ＤＢＲミラー
１３ａ  第１屈折率層
１３ｂ  第２屈折率層
１３ｂａ  第２屈折率層の一部
１３ｂｂ  残りの第２屈折率層
２０  半導体層
Ｍ  メサポスト
Ｒ  レジスト
【図１】
2014204119.tif 000003
【図２】
2014204119.tif 000004
【図３】
2014204119.tif 000005
【図４】
2014204119.tif 000006