(57)【要約】【課題】半導体ウェハを台座に良好に固定できるとともに、半導体ウェハから台座を容易に分離できる半導体装置製造用接着シートを提供する。【解決手段】半導体ウェハを台座に固定するために用いられる半導体装置製造用接着シートであって、第１接着剤層と、多数の貫通孔を有する構造体及び／又は不織布状の構造体を骨格とする第２の層とを有し、前記第２の層の接着力が、前記第１接着剤層の接着力より低いことを特徴とする半導体装置製造用接着シートに関する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハを台座に固定するために用いられる半導体装置製造用接着シートであって、
第１接着剤層と、多数の貫通孔を有する構造体及び／又は不織布状の構造体を骨格とする第２の層とを有し、
前記第２の層の接着力が、前記第１接着剤層の接着力より低いことを特徴とする半導体装置製造用接着シート。
【請求項２】
前記貫通孔及び前記不織布状の構造体の多孔が接着剤組成物により充填されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置製造用接着シート。
【請求項３】
前記半導体装置製造用接着シートの少なくとも周辺部が前記第１接着剤層により形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置製造用接着シート。
【請求項４】
前記周辺部よりも内側の中央部が、前記第１接着剤層と前記第２の層との積層により形成されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置製造用接着シート。
【請求項５】
前記周辺部よりも内側の中央部が、前記第２の層により形成されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置製造用接着シート。
【請求項６】
前記第１接着剤層と、前記第２の層との積層により形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置製造用接着シート。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１に記載の半導体装置製造用接着シートを用いて半導体ウェハを台座に固定する工程と、
前記半導体ウェハから前記台座を分離する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置製造用接着シート及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の製造工程において、台座上に半導体ウェハを仮固定した後、半導体ウェハに対してバックグラインドなどの所定の処理を行い、その後、半導体ウェハから台座を分離するといった工程が行なわれることがある。このような工程では、半導体ウェハから台座を容易に分離できることが重要である。
【０００３】
台座上に半導体ウェハを仮固定する方法として、液状の接着剤を使用することが知られている。液状の接着剤はスピンコートにより半導体ウェハ又は台座に塗布される。
【０００４】
特許文献１には、第１基板としてのデバイスウェハと第２基板としてのキャリアー基板とを強い接着結合を形成しない充填層を介して圧着するとともに、充填層の周縁に対して接合素材を充填して硬化することによりエッジボンドを形成して、第１基板と第２基板とを接着する方法が開示されている。
【０００５】
また、特許文献２には、イミド、アミドイミドおよびアミドイミド−シロキサンのポリマーおよびオリゴマーからなる群の中から選択される、オリゴマーおよびポリマーからなる群の中から選択される化合物を含む接合用組成物層を介して第１の基板と第２の基板とを接合する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特表２０１１−５１０５１８号公報
【特許文献２】特表２０１０−５３１３８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載の充填層や特許文献２に記載の接合用組成物層は、スピンコート等により塗布されている。しかしながら、接着に必要な厚さ１０μｍ以上の層を塗布により形成すると、一般的に塗布面が粗くなり、凹凸追従性が悪く、所望の接着力が得られず、半導体ウェハを台座に充分に固定できない場合がある。
【０００８】
また、スピンコートにより塗布する場合、材料の大半が無駄になるといった問題がある。また、材料が接着用の粘度の高いものであるため、スピンコーターの汚れを取り除くには、労力を要する。
【０００９】
本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、半導体ウェハを台座に良好に固定できるとともに、半導体ウェハから台座を容易に分離できる半導体装置製造用接着シートを提供することを目的とする。また、該半導体装置製造用接着シートを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願発明者は、下記の構成を採用することにより、前記の課題を解決できることを見出して本発明を完成させるに至った。
【００１１】
本発明は、半導体ウェハを台座に固定するために用いられる半導体装置製造用接着シートであって、第１接着剤層と、多数の貫通孔を有する構造体及び／又は不織布状の構造体を骨格とする第２の層とを有し、前記第２の層の接着力が、前記第１接着剤層の接着力より低い半導体装置製造用接着シートに関する。
【００１２】
前記接着シートはシート状であるため、スピンコートのように材料を無駄にすることがない。また、スピンコーターの汚れを取り除く必要がなく装置メンテナンスが容易である。前記接着シートはシート状であるため、スピンコートにより接着剤層を形成する場合に比べ、第１接着剤層表面を均一に形成でき、第１接着剤層の接着力を良好なものにできる。
【００１３】
前記接着シートは第１接着剤層を有するため半導体ウェハを台座に良好に固定できる。一方、第１接着剤層よりも接着力の低い第２の層を有するため、外力により、半導体ウェハから台座を容易に分離できる。
【００１４】
また、第２の層は、多数の貫通孔を有する構造体及び／又は不織布状の構造体を骨格とする層であり、例えば、金網などのメッシュ、不織布などにより形成できる。このため、接着シートの製造にあたり接着材料として第１接着剤層の接着剤組成物を用意すればよく、特許文献１のように充填層とエッジボンドの２種類の接着剤を用意する必要がない。
【００１５】
本発明において、第１接着剤層の接着力、及び第２の層の接着力とは、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力をいう。なお、第１接着剤層が、イミド化や熱硬化等を行なうことにより接着させるものである場合、シリコンウェハに固定した状態（例えば、イミド化後や熱硬化後）における９０°ピール剥離力をいう。第２の層についても同様である。具体的には実施例に記載の方法で測定できる。
【００１６】
前記貫通孔及び前記不織布状の構造体の多孔が接着剤組成物により充填されていることが好ましい。この場合、接着剤組成物が半導体ウェハ又は台座と接触する面積を、貫通孔を有する構造体の開口率や不織布状の構造体の密度などによってコントロールでき、低接着力の第２の層を容易に形成できる。
【００１７】
前記半導体装置製造用接着シートの少なくとも周辺部が前記第１接着剤層により形成されていることが好ましい。
前記接着シートの周辺部が第１接着剤層により形成されているため、この部分において良好に固定できる。
【００１８】
前記周辺部よりも内側の中央部が、前記第１接着剤層と前記第２の層との積層により形成されていることが好ましい。前記構成によれば、第１接着剤層のみからなる面で、半導体ウェハ又は台座を強固に固定できる。第１接着剤層及び第２の層を有する面で、半導体ウェハ又は台座を良好に固定できる。
また、前記接着シートは、第１接着剤層が周辺部に形成されているため、第１接着剤層を切断したり、第１接着剤層の接着力を低下させたりし易く、分離を容易に行うことができる。
【００１９】
前記接着シートは、前記周辺部よりも内側の中央部が、前記第２の層により形成されていることも好ましい。前記構成によれば、第１接着剤層及び第２の層を有する面で、半導体ウェハ又は台座を良好に固定できる。また、前記接着シートは、第１接着剤層が周辺部に形成されているため、第１接着剤層を切断したり、第１接着剤層の接着力を低下させたりし易く、分離を容易に行うことができる。
【００２０】
また、前記接着シートは、前記第１接着剤層と、前記第２の層との積層により形成されていることも好ましい。
【００２１】
本発明はまた、前記半導体装置製造用接着シートを用いて半導体ウェハを台座に固定する工程と、前記半導体ウェハから前記台座を分離する工程とを含む半導体装置の製造方法に関する。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、半導体ウェハを台座に良好に固定できるとともに、半導体ウェハから台座を容易に分離できる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】実施形態１の接着シートの断面図である。
【図２】実施形態１の接着シートの平面図である。
【図３】多数の貫通孔を有する構造体の平面図である。
【図４】第３の層を備える接着シートの断面図である。
【図５】実施形態２の接着シートの断面図である。
【図６】実施形態２の接着シートの平面図である。
【図７】実施形態３の接着シートの断面図である。
【図８】実施形態１の接着シートを用いて半導体ウェハを台座に固定した様子を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
［接着シート］
本発明の半導体装置製造用接着シートは、第１接着剤層と、多数の貫通孔を有する構造体及び／又は不織布状の構造体を骨格とする第２の層とを有し、前記第２の層の接着力が、前記第１接着剤層の接着力より低い。
【００２５】
以下、本発明の接着シートについて図面を参照しつつ説明する。
【００２６】
［実施形態１］
図１は、実施形態１の接着シート５の断面図である。図１に示すように、接着シート５は、周辺部５４が第１接着剤層５０により形成されるとともに、周辺部５４よりも内側の中央部５３が、第１接着剤層５０と多数の貫通孔を有する構造体及び／又は不織布状の構造体を骨格とする第２の層５１との積層により形成されている。すなわち、接着シート５は、第２の層５１と、第２の層５１上に第２の層５１の上面及び側面を覆う態様で積層された第１接着剤層５０とを有する。第２の層５１の接着力は、第１接着剤層５０の接着力よりも低い。
【００２７】
第１接着剤層５０のみからなる面で、半導体ウェハ又は台座を強固に固定できる。第１接着剤層５０及び第２の層５１を有する面で、半導体ウェハ又は台座を良好に固定できる。
【００２８】
接着シート５は、接着力が低い第２の層５１を有するため、例えば、第１接着剤層５０を切断したり、接着力を低下させることで、外力により、半導体ウェハから台座を容易に分離できる。接着シート５は、第１接着剤層５０が周辺部５４に形成されているため、第１接着剤層５０を切断したり、第１接着剤層５０の接着力を低下させたりし易く、分離を容易に行うことができる。
【００２９】
接着シート５の厚さは特に限定されず、例えば、１０μｍ以上であり、好ましくは５０μｍ以上である。１０μｍ以上であると、半導体ウェハ表面の凹凸に追従でき、隙間なく接着シートを充填できる。また、接着シート５の厚さは、例えば、５００μｍ以下であり、好ましくは３００μｍ以下である。５００μｍ以下であると、厚みのばらつきや加熱時の収縮・膨張を抑制又は防止できる。
【００３０】
中央部５３における第１接着剤層５０の厚さは適宜設定できるが、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上、更に好ましくは１μｍ以上である。また、該厚さは、好ましくは３００μｍ以下であり、より好ましくは２００μｍ以下である。
また、中央部５３における第２の層５１の厚さは適宜設定できる。
【００３１】
図２は、実施形態１の接着シート５の平面図である。図２に示すように、接着シート５は、平面視したときの形状が円形である。
接着シート５の直径は特に限定されない。例えば、接着シート５の直径は、台座の直径に対して＋１．０〜−１．０ｍｍが好ましい。
【００３２】
また、接着シート５を平面視したとき、第２の層５１の形状が円形である。接着シート５を平面視したときの第２の層５１の面積は、接着シート５を平面視したときの接着シート５の面積に対して、好ましくは１０％以上、より好ましくは２０％以上、更に好ましくは５０％以上である。１０％以上であると、周辺部５４に形成された第１接着剤層５０を切断したり、接着力を低下させたりし易く、半導体ウェハから台座を分離し易い。また、第２の層５１の面積は、好ましくは９９．９５％以下、より好ましくは９９．９％以下である。９９．９５％以下であると、半導体ウェハを台座に強固に固定できる。
【００３３】
第１接着剤層５０の接着力は、例えば、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力が、０．３０Ｎ／２０ｍｍ以上であることが好ましく、０．４０Ｎ／２０ｍｍ以上であることがより好ましい。０．３０Ｎ／２０ｍｍ以上であると、半導体ウェハを台座に良好に保持でき、バックグラインドなどを良好に行うことができる。また、該９０°ピール剥離力の上限は、特に限定されず、大きいほど好ましいが、例えば、３０Ｎ／２０ｍｍ以下、好ましくは２０Ｎ／２０ｍｍ以下である。
【００３４】
第１接着剤層５０を構成する接着剤組成物としては特に限定されないが、イミド基を有し、且つ、少なくとも一部にエーテル構造を有するジアミンに由来する構成単位を有するポリイミド樹脂を好適に使用できる。また、シリコーン樹脂も好適に使用できる。なかでも、耐熱性、耐薬性、糊残り性という点から、前記ポリイミド樹脂が好ましい。
【００３５】
前記ポリイミド樹脂は、一般的に、その前駆体であるポリアミド酸をイミド化（脱水縮合）することにより得ることができる。ポリアミド酸をイミド化する方法としては、例えば、従来公知の加熱イミド化法、共沸脱水法、化学的イミド化法等を採用することができる。なかでも、加熱イミド化法が好ましい。加熱イミド化法を採用する場合、ポリイミド樹脂の酸化による劣化を防止するため、窒素雰囲気下や、真空中等の不活性雰囲気下にて加熱処理を行なうことが好ましい。
【００３６】
前記ポリアミド酸は、適宜選択した溶媒中で、酸無水物とジアミン（エーテル構造を有するジアミンと、エーテル構造を有さないジアミンの両方を含む）とを実質的に等モル比となるように仕込み、反応させて得ることができる。
【００３７】
前記エーテル構造を有するジアミンは、エーテル構造を有し、且つ、アミン構造を有する端末を少なくとも２つ有する化合物である限り、特に限定されない。例えば、グリコール骨格を有するジアミンなどが挙げられる。
【００３８】
前記グリコール骨格を有するジアミンとしては、例えば、ポリプロピレングリコール構造を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミン、ポリエチレングリコール構造を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミン、ポリテトラメチレングリコール構造を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミン等のアルキレングリコールを有するジアミンを挙げることができる。また、これらのグリコール構造の複数を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミンを挙げることができる。
【００３９】
前記エーテル構造を有するジアミンの分子量は、１００〜５０００の範囲内であることが好ましく、１５０〜４８００であることがより好ましい。前記エーテル構造を有するジアミンの分子量が１００〜５０００の範囲内であると、低温での接着力が高く、且つ、高温において剥離性を奏する第１接着剤層５０をえやすい。
【００４０】
前記ポリイミド樹脂の形成には、エーテル構造を有するジアミン以外に、エーテル構造を有さないジアミンを併用することもできる。エーテル構造を有さないジアミンとしては、脂肪族ジアミンや芳香族ジアミンを挙げることができる。エーテル構造を有さないジアミンを併用することにより、被着体との密着力をコントロールすることができる。エーテル構造を有するジアミンと、エーテル構造を有さないジアミンとの配合割合は、モル比で、１００：０〜１０：９０の範囲内にあることが好ましく、より好ましくは、１００：０〜２０：８０であり、さらに好ましくは、９９：１〜３０：７０である。前記エーテル構造を有するジアミンと前記エーテル構造を有さないジアミンとの配合割合が、モル比で、１００：０〜１０：９０の範囲内にあると、高温での熱剥離性により優れる。
【００４１】
前記脂肪族ジアミンとしては、例えば、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、１，８−ジアミノオクタン、１，１０−ジアミノデカン、１，１２−ジアミノドデカン、４，９−ジオキサ−１，１２−ジアミノドデカン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン（α、ω−ビスアミノプロピルテトラメチルジシロキサン）などが挙げられる。前記脂肪族ジアミンの分子量は、通常、５０〜１，０００，０００であり、好ましくは１００〜３０，０００である。
【００４２】
芳香族ジアミンとしては、例えば、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルプロパン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）−２，２−ジメチルプロパン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン等が挙げられる。前記芳香族ジアミンの分子量は、通常、５０〜１０００であり、好ましくは１００〜５００である。前記脂肪族ジアミンの分子量、及び、前記芳香族ジアミンの分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により測定し、ポリスチレン換算により算出された値（重量平均分子量）をいう。
【００４３】
前記酸無水物としては、例えば、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ピロメリット酸二無水物、エチレングリコールビストリメリット酸二無水物等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００４４】
前記酸無水物と前記ジアミンを反応させる際の溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、シクロペンタノン等を挙げることができる。これらは、単独で使用してもよく、複数を混合して用いてもよい。また、原材料や樹脂の溶解性を調整するために、トルエンや、キシレン等の非極性の溶媒を適宜、混合して用いてもよい。
【００４５】
前記シリコーン樹脂としては、例えば、過酸化物架橋型シリコーン系粘着剤、付加反応型シリコーン系粘着剤、脱水素反応型シリコーン系粘着剤、湿気硬化型シリコーン系粘着剤等が挙げられる。前記シリコーン樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。前記シリコーン樹脂を用いると、耐熱性が高くなり、高温下における貯蔵弾性率や粘着力が適切な値となり得る。前記シリコーン樹脂の中でも、不純物が少ない点で、付加反応型シリコーン系粘着剤が好ましい。
【００４６】
第１接着剤層５０を構成する接着剤組成物は、他の添加剤を含有していてもよい。このような他の添加剤としては、例えば、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤などが挙げられる。難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂などが挙げられる。シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシランなどが挙げられる。イオントラップ剤としては、例えば、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマスなどが挙げられる。このような他の添加剤は、１種のみであっても良いし、２種以上であっても良い。
【００４７】
第２の層５１は、多数の貫通孔５６を有する構造体５７及び／又は不織布状の構造体を骨格とする。図３は、多数の貫通孔５６を有する構造体５７の平面図である。図３に示すように、貫通孔５６は、構造体５７の厚さ方向（接着シート５の厚さ方向ともいえる）に貫通している。
【００４８】
多数の貫通孔５６を有する構造体５７の開孔率を調整することで、第２の層５１の接着力を調整できる。具体的には、貫通孔５６が後述の接着剤組成物により充填されている場合、開孔率を大きくすることで接着力を高くでき、開口率を小さくすることで接着力を低くできる。
構造体５７の開孔率は、好ましくは５％以上であり、より好ましくは８％以上、更に好ましくは１０％以上である。５％以上であると、貫通孔５６に充填した接着剤組成物が被着体に到達でき、第２の層５１の接着力を調整することが可能となる。
また、開孔率は、好ましくは９８％以下であり、より好ましくは９５％以下であり、更に好ましくは９０％以下である。９８％以下であると、第１接着剤層５０と同じ接着剤組成物を貫通孔５６に充填した場合でも、第２の層５１の接着力を第１接着剤層５０に比べて低くできる。
【００４９】
構造体５７において、貫通孔５６の形状（接着シート５を平面視したときの貫通孔５６の形状）は特に限定されず、例えば、円形、楕円形、多角形等が挙げられる。貫通孔５６の形状は全て同じであってもよく、異なっていてもよい。
【００５０】
接着シート５を平面視したとき、ひとつの貫通孔５６の大きさ（面積）は、好ましくは７０μｍ２以上、より好ましくは１００μｍ２以上である。また、好ましくは２０ｍｍ２以下、より好ましくは７ｍｍ２以下である。なお、貫通孔５６の大きさは全て同じであってもよく、異なっていてもよい。
【００５１】
多数の貫通孔５６を有する構造体５７及び不織布状の構造体の材料は特に限定されない。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、紙等が挙げられる。また、鉄、銅、ニッケル、タングステン、アルミ、金、銀、銅、真鍮、丹銅、燐青銅、ニクロム、モネルメタル、ブロンズ、ステンレス（ＳＵＳ）等の金属材料が挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。なかでも、多数の貫通孔５６を有する構造体５７である場合、耐熱性の点から、金属材料、前述のポリイミド樹脂、前述のシリコーン樹脂が好ましく、ＳＵＳ、アルミがより好ましい。不織布状の構造体の場合、耐熱性、汚染性の点から、前述のポリイミド樹脂、前述のシリコーン樹脂、金属材料が好ましい。
【００５２】
多数の貫通孔５６を有する構造体５７及び不織布状の構造体の接着力は、低いほど好ましい、例えば、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力が０．３０Ｎ／２０ｍｍ未満であることが好ましく、０．２０Ｎ／２０ｍｍ以下であることがより好ましく、０．１０Ｎ／２０ｍｍ以下であることが更に好ましい。０．３０Ｎ／２０ｍｍ未満であると、第２の層５１を容易に剥離できる。該９０°ピール剥離力の下限は、例えば、０Ｎ／２０ｍｍ以上であり、０．００１Ｎ／２０ｍｍ以上である。
なお、多数の貫通孔５６を有する構造体５７及び不織布状の構造体が、イミド化や熱硬化等を行なうことにより接着させるものである場合、前記９０°ピール剥離力は、シリコンウェハに固定した状態（例えば、イミド化後や熱硬化後）における９０°ピール剥離力をいう。具体的には実施例に記載の方法で測定できる。
【００５３】
貫通孔５６及び不織布状の構造体の多孔は、接着剤組成物により充填されていてもよく、充填されていなくともよい。構造体５７の開口率や不織布状の構造体の密度などをコントロールすることによって低接着力の第２の層を容易に形成できるという点から、充填されていることが好ましい。
【００５４】
貫通孔５６や不織布の多孔を充填する接着剤組成物としては特に限定されず、例えば、前述のポリイミド樹脂、前述のシリコーン樹脂などが挙げられる。
【００５５】
第２の層５１の接着力は、第１接着剤層５０の接着力よりも低い。第２の層５１の接着力は、例えば、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力が０．３０Ｎ／２０ｍｍ未満であることが好ましく、０．２０Ｎ／２０ｍｍ以下であることがより好ましい。０．３０Ｎ／２０ｍｍ未満であると、第２の層５１を容易に剥離できる。該９０°ピール剥離力の下限は、低いほど好ましいが、好ましくは０Ｎ／２０ｍｍ以上であり、より好ましくは０．００１Ｎ／２０ｍｍ以上、更に好ましくは０．０１Ｎ／２０ｍｍ以上、特に好ましくは０．１０Ｎ／２０ｍｍ以上である。
第２の層５１の接着力は、構造体５７の開口率や不織布状の構造体の密度、貫通孔５６や不織布の多孔に充填する接着剤組成物の種類、構造体５７の材料等によって調整できる。
【００５６】
図４に示すように、接着シート５は、他の層が形成されたものであってもよい。図４は、第３の層５５を備える接着シート５の断面図である。図４の接着シート５は、周辺部５４及び中央部５３にわたって、第３の層５５が形成されている。第３の層５５の接着力は、第１接着剤層５０の接着力よりも低い。
【００５７】
第３の層５５のみからなる面を半導体ウェハ又は台座に貼り付けた場合、接着シート５を容易に剥離できる。また、半導体ウェハ又は台座への糊残りを無くすことができ、洗浄工程を省略できる。
【００５８】
第３の層５５の接着力は、第１接着剤層５０の接着力よりも低ければ、特に制限されない。例えば、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力が、０．３０Ｎ／２０ｍｍ未満であることが好ましく、０．２０Ｎ／２０ｍｍ以下であることがより好ましい。０．３０Ｎ／２０ｍｍ未満であると、糊残りなく剥離でき、半導体ウェハ等の洗浄工程を省略できる。また、該９０°ピール剥離力の下限は、特に限定されず、例えば、０Ｎ／２０ｍｍ以上であり、好ましくは０．００１Ｎ／２０ｍｍ以上である。０Ｎ／２０ｍｍ以上であると、半導体ウェハを台座に保持できる。
【００５９】
第３の層５５を構成する材料としては、第３の層５５の接着力が、第１接着剤層５０の接着力よりも低くなるように選択する限り、特に限定されず、例えば、前述のポリイミド樹脂、前述のシリコーン樹脂を好適に使用できる。なかでも、耐熱性、耐薬性、糊残り性という点から、前記ポリイミド樹脂が好ましい。
【００６０】
接着シート５の製造方法は特に限定されない。例えば、多数の貫通孔５６を有する構造体５７及びその周囲（構造体５７の周囲の領域）に、第１接着剤層５０を形成するための組成物を含む溶液を塗布して、貫通孔５６を前記溶液で充填するとともに構造体５７上及び構造体５７の周囲に塗布層を形成することにより製造できる。この方法では、構造体５７の周囲に形成された塗布層が周辺部５４の第１接着剤層５０となる。
【００６１】
なお、第２の層５１が不織布状の構造体を骨格とする場合、不織布状の構造体及びその周囲に、第１接着剤層５０を形成するための組成物を含む溶液を塗布して、不織布状の構造体の多孔を前記溶液で充填するとともに構造体上及び構造体の周囲に塗布層を形成することにより製造できる。この方法では、構造体の周囲に形成された塗布層が周辺部５４の第１接着剤層５０となる。
【００６２】
塗布する溶液の粘度は適宜設定できる。塗布量は適宜設定すればよい。
【００６３】
［実施形態２］
本発明の接着シートは、接着シート５の形状に限定されない。図５は、実施形態２の接着シート６の断面図である。図６は、実施形態２の接着シート６の平面図である。図５、６に示すように、接着シート６は、周辺部６４が第１接着剤層６０により形成されるとともに、周辺部６４よりも内側の中央部６３が、多数の貫通孔６６を有する構造体を骨格とする第２の層６１により形成されている。第２の層６１の接着力は、第１接着剤層６０の接着力よりも低い。
【００６４】
なお、第２の層６１は不織布状の構造体を骨格とするものでもよい。
【００６５】
第１接着剤層６０及び第２の層６１を有する面で、半導体ウェハ又は台座を良好に固定できる。
【００６６】
接着シート６は、接着力が低い第２の層６１を有するため、例えば、第１接着剤層６０を切断したり、接着力を低下させることで、外力により、半導体ウェハから台座を容易に分離できる。接着シート６は、第１接着剤層６０が周辺部６４に形成されているため、第１接着剤層６０を切断したり、第１接着剤層６０の接着力を低下させたりし易く、分離を容易に行うことができる。
【００６７】
接着シート６の厚さは特に限定されず、例えば、実施形態１の接着シート５で例示したものが挙げられる。
【００６８】
図６に示すように、接着シート６は、平面視したときの形状が円形である。接着シート６の直径は特に限定されず、例えば、実施形態１の接着シート５で例示したものが挙げられる。また、接着シート６を平面視したときの第２の層６１の面積は特に限定されず、例えば、実施形態１の接着シート５で例示したものが挙げられる。
【００６９】
第１接着剤層６０の接着力としては、第１接着剤層５０で例示したものが挙げられる。
第１接着剤層６０の説明は、第１接着剤層５０の内容と同様である。
【００７０】
第２の層６１の接着力としては、第２の層５１で例示したものが挙げられる。
第２の層６１の説明は、第２の層５１の内容と同様である。
【００７１】
接着シート６の製造方法は特に限定されない。例えば、多数の貫通孔６６を有する構造体及びその周囲（構造体の周囲の領域）に、第１接着剤層６０を形成するための組成物を含む溶液を塗布して、貫通孔６６を前記溶液で充填するとともに構造体の周囲に塗布層を形成することにより製造できる。この方法では、構造体の周囲に形成された塗布層が周辺部６４の第１接着剤層６０となる。
【００７２】
なお、第２の層６１が不織布状の構造体を骨格とする場合、不織布状の構造体及びその周囲に、第１接着剤層６０を形成するための組成物を含む溶液を塗布して、不織布状の構造体の多孔を前記溶液で充填するとともに構造体の周囲に塗布層を形成することにより製造できる。この方法では、構造体の周囲に形成された塗布層が周辺部６４の第１接着剤層６０となる。
【００７３】
塗布する溶液の粘度は適宜設定できる。塗布量は適宜設定すればよい。
【００７４】
［実施形態３］
本発明の接着シートは、接着シート５、６の形状に限定されない。図７は、実施形態３の接着シート７の断面図である。図７に示すように、接着シート７は、第１接着剤層７０と、多数の貫通孔を有する構造体及び／又は不織布状の構造体を骨格とする第２の層７１との積層により形成されている。第２の層７１の接着力は、第１接着剤層７０の接着力よりも低い。
【００７５】
接着シート７は、第１接着剤層７０を有するため半導体ウェハを台座に良好に固定できる。また、第１接着剤層７０よりも接着力の低い第２の層７１を有するため、外力により、半導体ウェハから台座を容易に分離できる。例えば、第１接着剤層７０と第２の層７１との境界に切り込みを入れて分離する方法等が挙げられる。
【００７６】
第１接着剤層７０の厚さは特に限定されず、例えば、１０μｍ以上であり、好ましくは５０μｍ以上である。１０μｍ以上であると、半導体ウェハ表面の凹凸を追従でき、接着シート７を隙間なく充填できる。また、第１接着剤層７０の厚さは、例えば、５００μｍ以下であり、好ましくは３００μｍ以下である。５００μｍ以下であると、厚みのばらつきや加熱時の収縮・膨張を抑制又は防止できる。
【００７７】
第２の層７１の厚さは特に限定されず、例えば、１μｍ以上であり、好ましくは５μｍ以上である。１μｍ以上であると、台座との貼り合せが容易である。また、第２の層７１の厚さは、例えば、５００μｍ以下であり、好ましくは３００μｍ以下である。５００μｍ以下であると、厚みのばらつきや加熱時の収縮・膨張を抑制又は防止できる。
【００７８】
なお、接着シート７を平面視したときの形状は特に限定されないが、通常、円形である。
【００７９】
第１接着剤層７０の接着力としては、第１接着剤層５０で例示したものが挙げられる。
第１接着剤層７０の説明は、第１接着剤層５０の内容と同様である。
【００８０】
第２の層７１の接着力は、例えば、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力が０．３０Ｎ／２０ｍｍ未満であることが好ましく、０．２０Ｎ／２０ｍｍ以下であることがより好ましい。０．３０Ｎ／２０ｍｍ未満であると、半導体ウェハから台座を容易に分離できる。一方、該９０°ピール剥離力の下限は、好ましくは０．００１Ｎ／２０ｍｍ以上であり、より好ましくは０．００５Ｎ／２０ｍｍ以上、更に好ましくは０．０１０Ｎ／２０ｍｍ以上である。０．００１Ｎ／２０ｍｍ以上であると、半導体ウェハを台座に良好に固定でき、バックグラインドなどを良好に行うことができる。
【００８１】
第２の層７１の説明は、第２の層５１の内容と同様である。
【００８２】
接着シート７の製造方法は特に限定されない。例えば、多数の貫通孔を有する構造体に、第１接着剤層７０を形成するための組成物を含む溶液を塗布して、貫通孔を前記溶液で充填するとともに構造体上に塗布層を形成することにより製造できる。
【００８３】
なお、第２の層７１が不織布状の構造体を骨格とする場合、不織布状の構造体に、第１接着剤層７０を形成するための組成物を含む溶液を塗布して、不織布状の構造体の多孔を前記溶液で充填するとともに構造体上に塗布層を形成することにより製造できる。
【００８４】
塗布する溶液の粘度は適宜設定できる。塗布量は適宜設定すればよい。
【００８５】
以上の説明では、平面視したときの形状が円形である接着シート５〜７を説明した。しかし、該形状は特に限定されず、多角形、楕円形等、他の形状でもよい。
【００８６】
また、平面視したとき、第２の層５１、６１、７１の形状が円形である接着シート５〜７を説明した。しかし、該形状は特に限定されず、多角形、楕円形等、他の形状でもよい。
【００８７】
本発明の半導体装置製造用接着シートは、半導体ウェハを台座に固定するために用いられる。具体的には、後述の半導体装置の製造方法に好適に使用できる。
【００８８】
［半導体装置の製造方法］
本発明の半導体装置の製造方法は、接着シートを用いて半導体ウェハを台座に固定する工程と、半導体ウェハから台座を分離する工程とを含む。
【００８９】
以下の説明では、実施形態１の接着シート５を用いた場合について説明する。図８は、実施形態１の接着シート５を用いて半導体ウェハ３を台座１に固定した様子を示す模式図である。
【００９０】
まず、接着シート５を用いて半導体ウェハ３を台座１に固定する工程を行う。具体的には、接着シート５の第１接着剤層５０及び第２の層５１が表出している面を台座１に貼り付け、接着シート５の第１接着剤層５０のみが表出している面を半導体ウェハ３の回路形成面に貼り付ける。
【００９１】
半導体ウェハ３としては特に限定されず、例えば、ゲルマニウムウエハ、ガリウム−ヒ素ウエハ、ガリウム−リンウエハ、ガリウム−ヒ素−アルミニウムウエハ、サファイアウェハ等の化合物半導体ウェハなどが挙げられる。なかでも、シリコンウェハが好ましい。
【００９２】
半導体ウェハ３として、回路形成面及び非回路形成面を有するものを使用する。また、シリコン貫通電極（ｔｈｒｏｕｇｈ−ｓｉｌｉｃｏｎ  ｖｉａ）を有するものを好適に使用できる。通常、シリコン貫通電極を有するシリコンウェハは、後述のバックグラインドにより薄型化されるため、台座１に固定し、強度を補強することが望ましいからである。
【００９３】
半導体ウェハ３の厚さは特に限定されないが、例えば、４００〜１２００μｍであり、好ましくは４５０〜１０００μｍである。
【００９４】
半導体ウェハ３の直径は特に限定されないが、例えば、７５〜４５０ｍｍである。このような半導体ウェハ３としては、市販の２００ｍｍウェハ、３００ｍｍウェハなどを使用できる。
【００９５】
台座１としては、特に限定されないが、シリコンウェハ、ＳｉＣウェハ、ＧａＡｓウェハ等の化合物ウェハ、ガラスウェハ、ＳＵＳ、６−４Ａｌｌｏｙ，Ｎｉ箔、Ａｌ箔等の金属箔等が挙げられる。平面視で、丸い形状を採用する場合は、シリコンウェハ又はガラスウェハが好ましい。また、平面視で矩形の場合は、ＳＵＳ板、又は、ガラス板が好ましい。
【００９６】
また、台座１として、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、紙等を用いることもできる。
【００９７】
台座１は、単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用しても良い。台座１の厚みは、特に限定されないが、例えば、通常１０μｍ〜２０ｍｍ程度である。
【００９８】
台座１の直径は特に限定されないが、例えば、１００〜４５０ｍｍである。このような台座１としては、市販の２００ｍｍウェハ、３００ｍｍウェハなどを使用できる。
【００９９】
貼り付け（固定）方法は特に限定されないが、圧着が好ましい。圧着は、通常、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行われる。圧着の条件としては、例えば、２０〜３００℃、０．００１〜１０ＭＰａ、０．００１〜１０ｍｍ／ｓｅｃが好ましい。圧着時間は、通常０．１〜１０分である。
圧着後、必要に応じて、第１接着剤層５０をイミド化する。これにより、半導体ウェハ３を台座１に良好に固定できる。イミド化は従来公知の方法で行うことができ、例えば、１５０〜５００℃、０．５〜５時間の条件でイミド化できる。
なお、第１接着剤層５０のイミド化に加えて、貫通孔や不織布の多孔に充填された接着剤組成物をイミド化してもよく、多数の貫通孔を有する構造体又は不織布状の構造体をイミド化してもよい。
【０１００】
次いで、前記半導体ウェハ３をバックグラインドする。バックグラインドは、従来公知の方法で行うことができる。
【０１０１】
バックグラインドした半導体ウェハの厚さは、例えば、１〜３００μｍであり、好ましくは５〜１００μｍである。
【０１０２】
バックグラインドした後、半導体ウェハ３の非回路形成面（バックグラインドされた面）は加工することができる。加工方法としては、電極形成、金属配線形成、保護膜形成等が挙げられる。なお、当該加工により、シリコン貫通電極が形成されてもよい。
【０１０３】
バックグラインドや加工などを行った後、半導体ウェハ３から台座１を分離する。
【０１０４】
分離方法は特に限定されないが、第１接着剤層５０を切断して分離する方法、第１接着剤層５０の接着力を低下させて分離する方法が好適である。
【０１０５】
切断方法は特に限定されず、例えば、接着シート５の側面から内側に向かって第１接着剤層５０に切り込みを入れて第１接着剤層５０を切断する方法が挙げられる。切断は、カッターやレーザー等従来公知の方法で行うことができる。
第１接着剤層５０の接着力を低下させる方法は特に限定されず、溶剤により第１接着剤層５０を溶解させる方法、加熱により接着力が低下する材料で第１接着剤層５０を形成しておき、加熱により接着力を低下させる方法などが挙げられる。
【０１０６】
以上の説明では、接着シート５を用いて半導体ウェハ３を台座１に固定する方法として、接着シート５の第１接着剤層５０及び第２の層５１が表出している面を台座１に貼り付け、接着シート５の第１接着剤層５０のみが表出している面を半導体ウェハ３の回路形成面に貼り付ける方法を説明した。しかし、接着シート５を用いて半導体ウェハ３を台座１に固定する方法は特に限定されず、接着シート５の第１接着剤層５０のみが表出している面を台座１に貼り付け、接着シート５の第１接着剤層５０及び第２の層５１が表出している面を半導体ウェハ３の回路形成面に貼り付ける方法などであってもよい。
【０１０７】
また、半導体ウェハ３として、回路形成面及び非回路形成面を有するもの使用する場合について説明した。しかし、回路形成面及び非回路形成面を有するものに限定されず、両面が非回路形成面のものなどでもよい。
【実施例】
【０１０８】
以下、本発明に関し実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
【０１０９】
実施例で使用した成分について説明する。
ＰＭＤＡ：ピロメリット酸二無水物（分子量：２１８．１）
ＤＤＥ：４，４‘−ジアミノジフェニルエーテル（分子量：２００．２）
Ｄ−４０００：ハインツマン製のポリエーテルジアミン（分子量：４０２３．５）
ＤＭＡｃ：Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
ＮＭＰ：Ｎ−メチル−２−ピロリドン
Ｄ−２０００：ハインツマン製のポリエーテルジアミン（分子量：１９９０．８）
ＢＰＤＡ：３，３´，４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸ニ無水物
ＰＰＤ：ｐ−フェニレンジアミン
セパレータ（片面がシリコーン系剥離剤にて処理された長尺ポリエステルフィルム）
【０１１０】
実施例１
窒素気流下の雰囲気において、１２５７ｇのＤＭＡｃ中に、Ｄ−４０００  ３６５ｇ、ＤＤＥ  ７４ｇ、及び、ＰＭＤＡ  １００ｇを７０℃で混合して反応させた後、室温（２３℃）になるまで冷却し、第１接着剤溶液を得た。
表１の配合に従った点以外は第１接着剤溶液と同様の方法で第２接着剤溶液を得た。第２接着剤溶液を、セパレータに塗布し、９０℃で３分間乾燥させ、第２接着剤溶液の塗布層を有するシートを作製した後、シート厚さ方向の貫通孔を多数形成し、孔あきシートを得た。孔あきシートを平面視したときの貫通孔の形状が円形であり、孔あきシートを平面視したときの各貫通孔の面積は、７８．５μｍ２であった。各貫通孔の直径は１０μｍであった。開口率は５０％であった。
孔あきシート及びその周囲（孔あきシートの周囲の領域）に第１接着剤溶液を塗布し、貫通孔を第１接着剤溶液で充填するとともに、第１接着剤溶液の塗布層を形成した。その後、９０℃で３分間乾燥させ、図１、２に示す実施形態１の形状の接着シートを得た。
接着シート全体の直径は２００ｍｍ、厚さは１００μｍであった。
第２の層の直径は１９６ｍｍ、第２の層の厚さは１μｍであった。
接着シートの中央部における第１接着剤層の厚さは９９μｍであった。
【０１１１】
実施例２
表１の配合に従った点以外は実施例１と同様の方法で、第１接着剤溶液を得た。
孔あきシートに代えて、開孔率８０％のアルミメッシュを使用した点以外は実施例１と同様の方法で、図１、２に示す実施形態１の形状の接着シートを得た。
接着シート全体の直径は２００ｍｍ、厚さは１２０．５μｍであった。
第２の層の直径は１９８ｍｍ、第２の層の厚さは０．５μｍであった。
接着シートの中央部における第１接着剤層の厚さは１２０μｍであった。
【０１１２】
実施例３
表１の配合に従い第１接着剤溶液及び第２接着剤溶液を得た点、孔あきシートを平面視したときの貫通孔の形状が三角形である点、各貫通孔の面積が７．０ｍｍ２である点、及び開口率が１０％である点以外は、実施例１と同様の方法で、図１、２に示す実施形態１の形状の接着シートを得た。
接着シート全体の直径は２００ｍｍ、厚さは１００μｍであった。
第２の層の直径は１９７ｍｍ、第２の層の厚さは１μｍであった。
接着シートの中央部における第１接着剤層の厚さは９９μｍであった。
【０１１３】
比較例１
表１の配合に従った点以外は実施例１と同様の方法で、第１接着剤溶液を得た。
第１接着剤溶液を、セパレータに塗布し、９０℃で３分間乾燥させ、第１接着剤からなる単層の接着シートを得た。接着シートは円形であり、直径２００ｍｍ、厚さ１５０μｍであった。
【０１１４】
［第１接着剤層の接着力の測定］
接着シートの第１接着剤層（第１接着剤溶液の塗布層）のみからなる面を８インチシリコンウェハに貼り合せ、３００℃で１．５時間の条件で窒素雰囲気中でイミド化させ、シリコンウェハ付き接着シートを得た。
シリコンウェハ付き接着シートを２０ｍｍ幅、１００ｍｍ長さに加工し、引張試験機（島津製作所製、オートグラフＡＧＳ−Ｈ）を用い、温度２３℃、３００ｍｍ／分にて９０°ピール評価を行った。結果を表１に示す。
【０１１５】
［孔あきシート及びアルミメッシュ（多数の貫通孔を有する構造体）の接着力の測定］
実施例１、３
実施例１、３の孔あきシートを８インチシリコンウェハに貼り合せ、３００℃で１．５時間の条件で窒素雰囲気中でイミド化させ、シリコンウェハ付き孔あきシートを得た。
シリコンウェハ付き孔あきシートを２０ｍｍ幅、１００ｍｍ長さに加工し、引張試験機（島津製作所製、オートグラフＡＧＳ−Ｈ）を用い、温度２３℃、３００ｍｍ／分にて９０°ピール評価を行った。結果を表１に示す。
実施例２
アルミメッシュを８インチシリコンウェハに貼り合せてシリコンウェハ付きアルミメッシュを得た。得られたシリコンウェハ付きアルミメッシュを２０ｍｍ幅、１００ｍｍ長さに加工し、引張試験機（島津製作所製、オートグラフＡＧＳ−Ｈ）を用い、温度２３℃、３００ｍｍ／分にて９０°ピール評価を行った。結果を表１に示す。
【０１１６】
［第２の層の接着力の測定］
接着シートから第２の層（孔あきシート又はアルミメッシュと、それらの貫通孔に充填された第１接着剤とからなる第２の層）を切り出し、切り出した第２の層を８インチシリコンウェハに貼り合せ、３００℃で１．５時間の条件で窒素雰囲気中でイミド化させ、シリコンウェハ付き第２の層を得た。
シリコンウェハ付き第２の層を２０ｍｍ幅、１００ｍｍ長さに加工し、引張試験機（島津製作所製、オートグラフＡＧＳ−Ｈ）を用い、温度２３℃、３００ｍｍ／分にて９０°ピール評価を行った。結果を表１に示す。
【０１１７】
［プロセス耐性評価］
実施例１〜３
実施例１〜３の接着シートの第１接着剤層及び第２の層が表出している面を台座（直径２００ｍｍ、厚さ７２６μｍのシリコンウエハ）に貼り付けた。貼り付けは、温度９０℃、圧力０．１ＭＰａのロールラミネートにより行った。
次に、台座付き接着シートの接着シート面を、直径２００ｍｍ、厚さ７２５μｍのシリコンウエハの回路形成面に貼り付けた。貼り付けは、温度９０℃、圧力０．１ＭＰａで行った。貼り付け後、３００℃で１．５時間、窒素雰囲気下で接着シートをイミド化した。これにより、台座、接着シート及びシリコンウェハが順次積層された積層体を得た。
得られた積層体を用いてバックグラインドを行い、バックグラインド中にシリコンウェハを充分に固定でき良好にバックグラインドできた場合を○、シリコンウェハを充分に固定できずバックグラインドできなかった場合を×として評価した。
比較例１
実施例１〜３と同様の方法により積層体を得て、プロセス耐性を評価した。
結果を表１に示す。
【０１１８】
［剥離性評価］
前記プロセス耐性評価と同様の方法により、台座、接着シート及びシリコンウェハが順次積層された積層体を得た。
トムソン刃を用いて、接着シート層の側面から内側向かって切り込みを入れた。切り込みは、第２の層に達するまで行った。切り込みの後、積層体の上側（シリコンウェハ側）に配置した真空ピンセットを用いて、シリコンウェハを上方向に吸着した。吸着できた場合を○、吸着できなかった場合を×として評価した。結果を表１に示す。
【０１１９】
【表１】
2014088523.tif 000003
【符号の説明】
【０１２０】
１      台座
３      半導体ウェハ
５      接着シート
５０    第１接着剤層
５１    第２の層
５３    中央部
５４    周辺部
５５    第３の層
５６    貫通孔
５７    多数の貫通孔を有する構造体
６      接着シート
６０    第１接着剤層
６１    第２の層
６３    中央部
６４    周辺部
６６    貫通孔
７      接着シート
７０    第１接着剤層
７１    第２の層
【図１】
2014088523.tif 000004
【図２】
2014088523.tif 000005
【図３】
2014088523.tif 000006
【図４】
2014088523.tif 000007
【図５】
2014088523.tif 000008
【図６】
2014088523.tif 000009
【図７】
2014088523.tif 000010
【図８】
2014088523.tif 000011