(57)【要約】【課題】複数の基板を、同時に処理しテクスチャーを形成する製造装置であって、処理の際に、すべての基板と各々の基板面内のテクスチャーを均一に形成し、すべての基板と各々の基板面内の反射率を均一化するノンプラズマドライエッチ装置を提供する。【解決手段】反応室内で、排気スリットを有するステージと、インナーチャンバーと、インナーチャンバー内部でプロセスガスを噴射するスプレーノズルを有するノンプラズマドライエッチング装置を用いれば、各々の基板面内に均一なエッチングを行うことができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空排気可能な反応室と、
基板を複数枚載置可能なステージと、
前記反応室の内部に配置され、各々の基板に対向して設置されるインナーチャンバーと、
前記インナーチャンバーの内部にプロセスガスを供給するガス供給機構と、
を有するノンプラズマドライエッチング装置であって、
前記インナーチャンバーは、基板の四辺を包囲すると共にその下縁部は前記ステージと離間して設けられ、隣り合うインナーチャンバー同士は、前記インナーチャンバーの下縁部で連結して構成され、かつ、
前記ステージは、第１の基板の載置面と、隣り合う第２の基板の載置面との間に排気スリットを有し、最外に設けられる基板の載置面の外方には、排気スリットが形成されていないこと、
を特徴とするノンプラズマドライエッチング装置。
【請求項２】
前記ステージと前記ガス供給機構との間にシャワープレートを更に設ける、
請求項１記載のノンプラズマドライエッチング装置。
【請求項３】
前記反応室は、一方にロードロック室が連結され、他方にアンロードロック室が連結され、前記反応室、前記ロードロック室、及び、前記アンロードロック室の内部に複数のローラーを備え、前記ローラーの回転によって前記ステージが移動可能とする、
請求項１または２に記載のノンプラズマドライエッチング装置。
【請求項４】
前記プロセスガスは、ＣｌＦ３，ＸｅＦ２，ＢｒＦ３およびＢｒＦ５からなる群から選ばれる一以上のガスを含む、
請求項１〜３の何れか一項に記載のノンプラズマドライエッチング装置。
【請求項５】
前記プロセスガスは、分子中に酸素原子を含有するガスを更に含む、請求項４記載のノンプラズマドライエッチング装置。
【請求項６】
前記プロセスガスは、Ｎ２ガス、及び、希ガスを更に含む、請求項５記載のノンプラズマドライエッチング装置。
【請求項７】
前記反応室の内部圧力は、１ＫＰａ〜１００ＫＰａの範囲に調整可能である、請求項１〜６の何れか一項に記載のノンプラズマドライエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ノンプラズマドライエッチング装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
シリコン太陽電池（光電変換素子）などにおいて、シリコン基板の受光面にテクスチャーと称される凹凸形状を設けて、入射光の反射を抑え、かつシリコン基板に取り込んだ光を外部に漏らさないようにしている。シリコン基板の表面へのテクスチャー形成は、一般的にアルカリ（ＫＯＨ）水溶液をエッチャントとするウェットプロセスにより行われている。ウェットプロセスによるテクスチャー形成は、後処理としてフッ化水素による洗浄工程や、熱処理工程などが必要とされる。そのため、シリコン基板表面を汚染する恐れがあることに加え、コスト面からも不利な点があった。
【０００３】
一方で、シリコン基板の表面へのテクスチャー形成をドライプロセスにて行う方法も提案されている。例えば、１）プラズマによる反応性イオンエッチング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）といわれる手法を用いる方法、２）シリコン基板のある大気圧雰囲気下の反応室に、ＣｌＦ３，ＸｅＦ２，ＢｒＦ３およびＢｒＦ５のいずれかのガスを導入することで、シリコン基板表面をエッチングする方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、上記２）の方法の量産向け設備として、反応室内に移動可能なステージを設け、ステージ用に載値されたシリコン基板に向けて、基板に対向したノズルより、エッチングガスを噴射させ、ステージを移動させながら連続的に複数枚の基板を処理するドライエッチング装置も提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
図９は、特許文献１に記載のエッチング方法を具現化する装置の図である。
【０００６】
反応室１のステージ２上にシリコン基板３が直立して載置されている。圧力調整弁４に調節されながら、真空ポンプ５によりプロセスガス８が排気され、反応室１は所定の圧力を保持している。
【０００７】
プロセスガス８は、希釈ガスとして、Ｎ２ガス、反応ガスとして、ＣｌＦ３，ＸｅＦ２，ＢｒＦ３およびＢｒＦ５のいずれかのガスをガスボンベ６より、マスフローコントローラー７を介して、所定の流量として、反応室１に供給される。反応室１では、シリコン基板３とプロセスガス８が反応し、基板表面に微細な凹凸形状を形成することで、太陽電池用のテクスチャーが製作される。
【０００８】
この技術を応用し、量産向けの製造装置として提案されている装置が、図１０に示す、特許文献２に記載の製造装置である。これは、複数枚を効率よく均一に処理する装置として提案されている。
【０００９】
反応室１は、ロードロック室９とアンロードロック室１０と連結され、シリコン基板３が載置されたトレイ状のステージ２が、ローラー１１を用いて移動する仕組みになっている。反応室１中のシリコン基板３が載置されたステージ２は、ローラー１１を用いて移動する際に、ブレード状ノズル１２より、希釈ガスとしてＮ２ガスと、反応ガスとして、ＣｌＦ３，ＸｅＦ２，ＢｒＦ３およびＢｒＦ５のいずれかのガスが、混合されたガスをプロセスガス８として、噴射され、それと共に、ブレード状ノズル１３より冷却ガスが、噴射される。
【００１０】
シリコン基板３が、プロセスガス８に曝露されることにより、シリコン基板３とプロセスガス８が反応し、基板表面に微細な凹凸形状を形成することで、太陽電池用のテクスチャーが製作される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開平１０−３１３１２８号公報
【特許文献２】特開２０１２−１８６２８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、量産向けの製造装置として、特許文献２のような従来の構成では、トレイ状に載置された基板すべてに渡って、一様なテクスチャーを形成させるのは困難であることが筆者らの検討で明らかになってきた。
【００１３】
図１１は、筆者らが、プロセスガスとしてＣｌＦ３ガスを用い、希釈ガスをＮ２ガスとして、面方位１１１の単結晶シリコン基板をエッチングした際に、形成されたテクスチャーのサイズとＣｌＦ３ガス濃度との関係を表した図である。
【００１４】
ＣｌＦ３ガス濃度が高くなるに従い、テクスチャーサイズが大きくなっていることが見て取れる。なお、テクスチャーサイズは、形成された凹凸の高低差とした。また、図１２は、形成されたテクスチャーのサイズとその時のテクスチャー付き基板の反射率との関係を表した図である。テクスチャーサイズが大きくなるにつれ反射率が低くなることが見て取れる。このことは、基板が、その面内に異なる濃度のプロセスガスに曝露された場合、局所的に反射率が高い部分を有する基板を、製作してしまうことを表している。
【００１５】
そして、特許文献２のような従来の構成においては、反応室１内での、シリコン基板３に曝露されるプロセスガス濃度が均一でないことも分かってきた。
【００１６】
図１３は、特許文献２のブレード状ノズル１２、ブレード状ノズル１３と、トレイ状のステージ２、シリコン基板３の構成部分を、拡大した図である。これを用いて説明する。
【００１７】
ブレード状ノズル１２からプロセスガス８が噴射され、ブレード状ノズル１３より冷却ガス１４が噴射されている場合、図１３の点線で囲まれた部分Ａは、ブレード状ノズル１２の直下に当たり、プロセスガス８の濃度が比較的濃い部分である。
【００１８】
一方、点線で囲まれた部分Ｂはブレード状ノズル１３の直下に当たり、冷却ガス１４の濃度が比較的濃い部分である。更に、点線で囲まれた部分Ｃは、プロセスガス８と冷却ガス１４のガス噴射が交わる部分である。便宜的に、点線で囲まれた部分Ａ、Ｂ、Ｃと区分けした場合、プロセスガスの濃度は、濃度が高い順に、
点線で囲まれた部分Ａ  ＞  点線で囲まれた部分Ｃ  ＞点線で囲まれた部分Ｂ
の順序で表される。
【００１９】
この環境下で、移動方向に従い、トレイ状のステージ２がシリコン基板３を載置した状態で移動すると、シリコン基板３は、プロセスガスの濃度の濃い部分、プロセスガスの濃度の薄い部分を交互に曝露されながら移動することになり、複数枚、載置されたシリコン基板３の各々の基板に対して、一定濃度のプロセスガスを曝露させることが困難である。
【００２０】
ブレード状ノズル１２から噴射されたプロセスガス８とブレード状ノズル１３から噴射された冷却ガス１４は、シリコン基板３表面上で混ざり合わず、場合によっては、局所的にプロセスガスの濃度の高い部分と低い部分を作り出してしまう。このことにより、シリコン基板３面内に一様なテクスチャーを形成させ、基板面内に一様な反射率を実現させることが困難であることが分かる。
【００２１】
逆に、局所的にプロセスガスの濃度の高い部分と低い部分を作り出さないようにするためには、シリコン基板３とブレード状ノズル１２およびブレード状ノズル１３との距離を大きく取ればよい。そうするとプロセスガス８と冷却ガス１４がシリコン基板３に到達するまでに、ガス拡散が促進され、プロセスガス８と冷却ガス１４が均一に混ぜることが可能である。しかしながら、これはすなわち、冷却ガス１４のそもそもの冷却効果をなくしてしまうこととなる。
【００２２】
本発明は、上記従来の課題を解決するものであり、複数の基板を、同時に処理しテクスチャーを形成する製造装置であって、処理の際に、すべての基板と各々の基板面内のテクスチャーを均一に形成し、すべての基板と各々の基板面内の反射率を均一化する製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
上記目的を達成するために、本発明は、真空排気可能な反応室と、プロセスガス供給機構と、基板を複数枚載置可能なステージと、各々の基板に対向して設置されたインナーチャンバーを有するノンプラズマドライエッチング装置であって、前記インナーチャンバーは、各々の基板四辺を包囲し、かつ、その下縁を基板面より上部に位置し、かつ、隣り合うインナーチャンバーに対して、前記下縁全周で連結されている。インナーチャンバー内部には、プロセスガスを噴射するスプレーノズルを有している。
【００２４】
更に、前記ステージは、載置される各々の基板の辺と辺が隣接する間に、排気スリットを有することを特徴としているノンプラズマドライエッチング装置を提供する。
【００２５】
このような構成によれば、ステージ上に載置された、各々の基板に対し、各々上部に設置されたインナーチャンバー内部よりプロセスガスが噴射される。噴射されたプロセスガスはインナーチャンバー内部のみで拡散し、プロセスガス濃度を保持した状態で基板面に到達する。基板面上では、所定の化学反応が成され、プロセスガスは基板面上を伝わり、基板四辺に対し開口した、排気スリットより排気される。これら一連のプロセスが連続的な行われ、エッチングが進行しテクスチャーが形成される。
【００２６】
この構成では、各々の基板に対して、各々のインナーチャンバー内で噴射されたプロセスガスは、各々の基板に対してのみ曝露され、隣り合う基板に対して、混ざり合うことを防止できる。また、インナーチャンバー内部ではプロセスガスが循環しながら、基板面上では等方的に排気されるため、各々の基板面内に均一なエッチングを行うことができる。
【００２７】
つまり本構成により、ステージに載置された複数の基板を同一濃度のガスに一様に曝露することが可能で、その結果、処理の際に、すべての基板のテクスチャーサイズを均一化に形成し、すべての基板の反射率を均一化することが可能となる。
【発明の効果】
【００２８】
以上のように、本発明のノンプラズマドライエッチング装置によれば、複数のシリコン基板の表面を均一にエッチングすることができるので量産化にも対応できる。また、エッチングガスの組成を好適化することで、これまで実現されなかった微細凹凸のテクスチャー構造をシリコン基板表面に形成することができる。更に、好適には、太陽電池として適切なテクスチャー付きシリコン基板を提供することができ、太陽電池の光電変換率を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の実施の形態１における量産向けノンプラズマドライエッチング装置を示す図
【図２】本発明の実施の形態１における量産向けノンプラズマドライエッチング装置のステージ正面図
【図３】本発明の実施の形態１における量産向けノンプラズマドライエッチング装置のインナーチャンバー周辺拡大図
【図４】本発明の実施の形態１における量産向けノンプラズマドライエッチング装置の最外周に載置されたインナーチャンバー周辺拡大図
【図５】本発明の実施の形態１のドライエッチング実験における基板配置と測定箇所を示す図
【図６】本発明の実施の形態１のドライエッチング実験におけるテクスチャーサイズと反射率の測定結果を示す図
【図７】本発明の実施の形態２における量産向けノンプラズマドライエッチング装置のインナーチャンバー周辺拡大図
【図８】本発明の実施の形態３における量産向けノンプラズマドライエッチング装置を示す図
【図９】特許文献１に記載された従来のノンプラズマドライエッチング装置を示す図
【図１０】特許文献２に記載された従来の量産向けノンプラズマドライエッチング装置を示す図
【図１１】テクスチャーサイズとＣｌＦ３ガス濃度との関係を表す図
【図１２】テクスチャーサイズと基板反射率との関係を表す図
【図１３】特許文献２に記載された従来の量産向けノンプラズマドライエッチング装置の反応室内拡大図
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００３１】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における量産向けノンプラズマドライエッチング装置を示す図である。図１において、図１０、図１１と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。
【００３２】
なお、以降の実施の形態において、スプレーノズル１６を挙げて例示しているが、スプレーノズル１６はあくまで一例であり、ガスを噴射するガス供給機構であれば良い。
【００３３】
図１において、真空排気可能な反応室１内に、トレイ状のステージ２が設置してあり、ステージ２には、複数のシリコン基板３が載置されている。圧力調整弁４を介して真空ポンプ５にて、反応室１内を所定の圧力に調整できる構造になっている。反応室１内にはインナーチャンバー１５が設置され、インナーチャンバー１５内にスプレーノズル１６にて、プロセスガス８を噴射することが可能となっている。
【００３４】
図２は、図１における、複数のシリコン基板３が格子状に載置されたトレイ状のステージ２の上面図である。ステージ２には、複数のシリコン基板３が格子状に載置されており、載置される各々のシリコン基板３の四辺に対し開口した、排気スリット１７を有している。この排気スリット１７を通じて、プロセスガス８が排気される構造になっている。
【００３５】
図１において、インナーチャンバー１５は、図２に示すトレイ状のステージ２上に載置された複数のシリコン基板３各々に対して対向して、各々に設置されている。
【００３６】
図３は、本発明の実施の形態１における量産向けノンプラズマドライエッチング装置のインナーチャンバー周辺拡大図である。この図３を用いて説明すると、各々のインナーチャンバー１５は、各々のシリコン基板３の四辺を包囲し、かつ、その下縁をシリコン基板３より上部に位置し、かつ、内部に、プロセスガス８を噴射するスプレーノズル１６を有し、かつ、隣り合うインナーチャンバー１５に対して、その下縁全周を連結部１８で連結されている。
【００３７】
この構成を用いると、各々のインナーチャンバー１５内のスプレーノズル１６より噴射されたプロセスガス８は、各々のインナーチャンバー１５内で拡散する。インナーチャンバー１５は、シリコン基板３の四辺を包囲しているため、隣り合うインナーチャンバー１５同士のプロセスガス８と混ざり合うことなく、対向したシリコン基板３の表面に到達する。基板面上では、所定の化学反応が成され、エッチングが進行する。プロセスガス８は基板面上を伝わり、その一部は、再度インナーチャンバー内を循環し、また他の一部は、排気スリット１７より、排気される。
【００３８】
ここで、連結部１８が存在することにより、排気されるプロセスガス８も、隣り合うインナーチャンバー１５同士のプロセスガス８と混ざり合うことなく、排気スリット１７のみから排気されることが可能となっている。
【００３９】
しかしながら、最外周に載置されたシリコン基板３においては、そうではないことが好ましい。
【００４０】
なぜなら、最外周に載置されたシリコン基板３に、そのような構成を有している場合、最外周に載置されたシリコン基板３に対して各々に設置されたインナーチャンバー１５は、そのインナーチャンバー１５下縁とステージ２との隙間によって、インナーチャンバー１５外と空間的に繋がりを有してしまう。
【００４１】
このとき、最外周に載置されたシリコン基板３の最外周の排気スリット１７も存在していると、排気口として、インナーチャンバー１５下縁とステージ２との隙間と、最外周の排気スリット１７の二つの排気口を有することとなる。このような構成であると、シリコン基板３面上で、等方的な排気が阻害され、最外周側に偏ったガス流れになり、基板面内に均一なエッチングを行うことができにくくなる。
【００４２】
このため、図４のように、最外周に載置されたシリコン基板３において、隣り合うインナーチャンバー１５が存在しない側のステージには、排気スリット１７を設けないことを、更に特徴としている。
【００４３】
以上のような構成によれば、各々のシリコン基板３に対して、各々のインナーチャンバー１５内で噴射されたプロセスガス８は、各々のシリコン基板３に対してのみ曝露され、隣り合うシリコン基板３に対して、混ざり合うことを防止できる。また、インナーチャンバー１５内部ではプロセスガス８が循環しながら、シリコン基板３面上では等方的に排気されるため、基板面内に均一なエッチングを行うことができる。
【００４４】
更に、最外周に載置されたシリコン基板３におけるステージの最外周の排気口としては、インナーチャンバー１５下縁とステージ２との隙間しか存在しなくなる。これにより、排気の等方性のバランスが取れ、シリコン基板３面上では等方的に排気されるため、最外周に設置された基板においても、基板面内に均一なエッチングを行うことができる。
【００４５】
つまり本構成により、ステージに載置された複数の基板を同一濃度のガスに一様に曝露することが可能で、その結果、処理の際に、すべての基板のテクスチャーサイズを均一化に形成し、すべての基板の反射率を均一化することが可能となる。
【００４６】
本実施の形態の構成を用いて、トレイ状のステージ２に、９枚の面方位（１１１）のシリコン基板を格子状に載置し、希釈用ガスであるＮ２ガスと、それに対して、ＣｌＦ３ガス：５％、Ｏ２ガス：２０％の混合ガスをプロセスガス８として、反応室１内の圧力を９０ｋＰａとする条件下で、エッチング処理を行った。
【００４７】
ここで、面方位（１１１）のシリコン基板をＣｌＦ３とＯ２との混合ガスに曝露し、プラズマを発生させることなくドライエッチングするメカニズムについて述べる。
【００４８】
上記メカニズムは、筆者らの研究により、以下の化学反応のように解釈される。
【００４９】
３Ｓｉ＋４ＣｌＦ３→３ＳｉＦ４↑＋２Ｃｌ２↑  ・・・  （Ａ）
Ｓｉ＋Ｏ２→ＳｉＯ２  ・・・  （Ｂ）
シリコン基板が、ＣｌＦ３ガスに曝露されると、ＣｌＦ３は分解し、化学反応式（Ａ）のように、シリコンは反応し、ＳｉＦ４となる。ＳｉＦ４は気体であるため、シリコン基板より離脱する。一方、混合ガス中には、Ｏ２が存在するため、化学反応（Ａ）でエッチングが進行するとともに、化学反応（Ｂ）により、ＳｉＯ２が微視的に形成される。ＳｉＯ２は、ＣｌＦ３と反応せずエッチングされないため、微視的に形成されたＳｉＯ２がセルフマスクとなり、それを起点として、面方位に沿ったエッチングが成される。混合ガスに曝露される面が（１１１）面である場合、（１００）面、（０１０）面、（００１）面による三面で囲まれたエッチピットを有するテクスチャーが形成される。
【００５０】
図５は、本発明の実施の形態１のドライエッチング実験における基板配置と測定箇所を示す図である。
【００５１】
９枚のシリコン基板３をトレイ状ステージに格子状に、載置し、図４のように、紙面上、左上から右下にかけて、シリコン基板３をＳ１からＳ９まで命名した。そのうち、測定用基板として、ステージ２対角方向に、基板Ｓ１、Ｓ５、Ｓ９を抽出し、測定ポイントとして、基板Ｓ１の周辺部Ｐ１、中央部Ｐ２と命名した。同様に基板Ｓ５の周辺部Ｐ３、中央部Ｐ４、基板Ｓ９の周辺部Ｐ５、中央部Ｐ６と命名した。
【００５２】
これらすべての測定ポイントにおいて、テクスチャーサイズと反射率を測定したグラフを図６に示す。なお、測定したテクスチャーサイズは、電子顕微鏡を用いて、各測定ポイントの基板断面を５０００倍にて観察し、一視野内で観察された、凹凸をランダムに１０個測定し、個々の凹凸の高低差とした。また、反射率は、各測定ポイントを分光光度計で測定し、得られたプロファイルから、代表値として、波長６００ｎｍにおける反射率を抽出して比較した。
【００５３】
図６においては、概ねテクスチャーのサイズは、平均で４〜７ｕｍの間のばらつきの範囲に収まっており、均一化されていると言えよう。更に反射率は、５．０〜５．６％と狭いばらつきの範囲に収まっており、均一化されていると言える。
【００５４】
（実施の形態２）
図７は、本発明の実施の形態２における量産向けノンプラズマドライエッチング装置のインナーチャンバー周辺拡大図である。
【００５５】
本実施の形態におけるインナーチャンバー１５内部に、プロセスガス８を噴射するスプレーノズル１６を有し、かつ、スプレーノズル１６の後段に、シャワープレート１９が設置されている。
【００５６】
この構成を用いると、インナーチャンバー１５内のスプレーノズル１６より噴射されたプロセスガス８は、インナーチャンバー１５内のシャワープレート１９前段側で拡散し、シャワープレート１９を介して、平行流の状態で、シリコン基板３の表面に到達する。
【００５７】
このような構成によれば、各々のシリコン基板３に対して、各々のインナーチャンバー１５内で噴射されたプロセスガス８は、シリコン基板３面内をより均一に、曝露され、基板面内に、より均一なエッチングを行う効果が期待できる。
【００５８】
その結果、処理の際に、すべての基板のテクスチャーサイズを、更に均一化に形成し、すべての基板の反射率を更に均一化することが可能となる。
【００５９】
（実施の形態３）
図８は、本発明の実施の形態４における量産向けノンプラズマドライエッチング装置を示す図である。
【００６０】
反応室１の前後に、ロードロック室９、アンロードロック室１０を設け、トレイ状のステージ２を、ローラー１１により、連続的に移動させることが可能であることを特徴としている。インナーチャンバー１５は、トレイ状のステージ２と物理的に接触していないため、インナーチャンバー１５を特別な昇降機構を付加することなく実現することができる。
【００６１】
このような構成により、大量の基板を、連続的に処理することが可能となるため、量産向け装置として、より好適な形態となる。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明のノンプラズマドライエッチング装置によれば、複数のシリコン基板の表面を均一にエッチングすることができるので量産化にも対応できる。更に、エッチングガスの組成を好適化することで、これまで実現されなかった微細凹凸のテクスチャー構造をシリコン基板表面に形成することができる。更に、好適には、太陽電池として適切なテクスチャー付きシリコン基板を提供することができ、太陽電池の光電変換率を高めることができる。
【符号の説明】
【００６３】
１  反応室
２  ステージ
３  シリコン基板
４  圧力調整弁
５  真空ポンプ
８  プロセスガス
１５  インナーチャンバー
１６  スプレーノズル
１７  排気スリット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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