(57)【要約】【課題】液晶層中のイオン性不純物を効果的にトラップ可能な液晶装置の駆動方法、液晶装置、該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。【解決手段】液晶装置１００は、第１領域としての表示領域Ｅ１に、画素電極１５と、画素電極１５に液晶層５０を挟んで対向する共通電極２３とが形成され、第２領域としてのダミー画素領域Ｅ２には、第１電極としてのダミー画素電極１２１，１２２が形成されている。液晶装置１００の駆動方法は、ダミー画素電極１２１，１２２と共通電極２３との間に、液晶の透過率を変化させる閾値電圧より小さい電圧を印加する。これにより、ダミー画素電極１２１，１２２を電子見切り部１２０として機能させると共に、表示領域Ｅ１からイオン性不純物をダミー画素電極１２１，１２２に引き寄せることができる。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シール材により貼り合わされた第１基板と第２基板との間に液晶が挟持され、電圧無印加時に画素の透過率が最小となるノーマリーブラック方式の液晶装置の駆動方法であって、
画像が表示される領域である第１領域と、
平面視で、前記第１領域と前記シール材との間に位置し、前記第１領域の縁に沿って設けられた第２領域と、を含み、
前記第１領域には、前記第１基板の前記液晶に面する側に画素電極と、前記第１基板又は前記第２基板の前記液晶に面する側に共通電極と、が形成され、
前記第２領域には、前記第１基板の前記液晶に面する側に第１電極と、前記第１基板又は前記第２基板の前記液晶に面する側に第２電極と、が形成され、
前記第１電極と前記第２電極との間に、前記液晶の透過率を変化させる閾値電圧より小さい電圧を印加することを特徴とする液晶装置の駆動方法。
【請求項２】
前記第１電極には、前記第２電極の電位より高電位と低電位とに遷移する交流電位が与えられることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置の駆動方法。
【請求項３】
前記交流電位の周波数は、前記第１領域における前記画素電極に供給される画像信号の周波数と同じであることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置の駆動方法。
【請求項４】
前記第１電極には、前記第２電極の電位より低い直流電位が与えられることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置の駆動方法。
【請求項５】
前記第２領域と前記シール材との間に第３電極を有し、
前記第３電極に前記第１電極の電位より大きく前記第２電極の電位より低い直流電位が与えられることを特徴とする請求項４に記載の液晶装置の駆動方法。
【請求項６】
表示期間終了後、前記第１電極と前記第２電極との間に印加する電圧を前記閾値電圧と同じ又は前記閾値電圧より大きくすることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の液晶装置の駆動方法。
【請求項７】
シール材により貼り合わされた第１基板と第２基板との間に液晶が挟持され、電圧無印加時に画素の透過率が最小となるノーマリーブラック方式の液晶装置であって、
画像が表示される領域である第１領域と、
平面視で、前記第１領域と前記シール材との間に位置し、前記第１領域に沿って設けられた第２領域と、を含み、
前記第１領域には、前記第１基板の前記液晶に面する側に画素電極と、前記第１基板又は前記第２基板の前記液晶に面する側に共通電極と、が形成され、
前記第２領域には、前記第１基板の前記液晶に面する側に第１電極と、前記第１基板又は前記第２基板の前記液晶に面する側に第２電極と、が形成され、
表示期間中に、前記液晶の透過率を変化させる閾値電圧より小さい電圧が前記第１電極と前記第２電極との間に印加されることを特徴とする液晶装置。
【請求項８】
前記共通電極は、前記第２基板において前記第１領域と前記第２領域とに亘って形成され、前記第２電極を兼ねることを特徴とする請求項７に記載の液晶装置。
【請求項９】
前記第２電極は、前記第１基板に形成されていることを特徴とする請求項７に記載の液晶装置。
【請求項１０】
前記第２領域と前記シール材との間に、第３電極を有し、前記第３電極に前記第１電極の電位よりも大きい負極性の電位が与えられることを特徴とする請求項７乃至９のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項１１】
前記画素電極、前記第１電極、前記第２電極、前記共通電極を覆う無機配向膜を有することを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項１２】
シール材により貼り合わされた第１基板と第２基板との間に液晶が挟持され、電圧無印加時に画素の透過率が最小となるノーマリーブラック方式の液晶装置を備え、
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の液晶装置の駆動方法を用いて前記液晶装置が駆動されることを特徴とする電子機器。
【請求項１３】
請求項７乃至１１のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置の駆動方法、液晶装置、該液晶装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置は、一対の基板の間に液晶層が挟持された液晶パネルを備えている。このような液晶装置に光が入射すると、液晶パネルを構成する液晶材料や配向膜などと入射光とが光化学反応を起こし、反応生成物としてイオン性不純物が発生することがある。また、液晶パネルの製造過程で、シール材や封止材などから液晶層に拡散するイオン性不純物もあることが知られている。特に、投射型表示装置（プロジェクター）の光変調手段（ライトバルブ）に用いられる液晶装置では、入射光の光束密度が直視型の液晶装置に比べて高くなるので、イオン性不純物が表示に影響を及ぼすことを抑制する必要がある。
【０００３】
イオン性不純物の表示に対する影響を抑制する手段として、例えば、特許文献１には、表示領域の周囲に形成された電子見切り領域をイオン掃き寄せ手段とする液晶表示装置とその駆動方法が開示されている。上記電子見切り領域には、電子見切り画素電極があり、表示動作モードにおいては、黒表示となる交流電圧が電子見切り画素電極に与えられ、非表示動作モードにおいては、液晶内部のイオンを掃き出すための交流電圧が所定の時間印加される。非表示動作モードにおける電子見切り画素電極へイオンを掃き寄せるための交流電圧の周波数は、表示動作モードにおける表示領域の画素を駆動するための交流電圧の周波数よりも１０倍から１００倍程度高速であることが好ましいとされている。
【０００４】
また、特許文献２には、複数の画素が配列した画素領域とシール材との間の外縁領域に形成されたイオントラップ部を有する電気光学装置が開示されている。該イオントラップ部は、互いの枝電極が噛み合わされるように配置された平面視櫛歯状の第１電極及び第２電極を有している。該イオントラップ部にトラップしようとするイオン性不純物の極性に応じて、例えば、第１電極に−５Ｖ、第２電極に０Ｖの直流電圧を印加すれば正電荷を有するイオン性不純物がトラップされる。また、例えば、第１電極に５Ｖ、第２電極に０Ｖの直流電圧を印加すれば負電荷を有するイオン性不純物がトラップされる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４９７２３４４号公報
【特許文献２】特開２０１３−２５０６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１の液晶表示装置とその駆動方法によれば、非表示動作モードのときに電子見切り領域にイオン性不純物が掃き寄せられ、表示動作モードのときにはイオン性不純物の掃き寄せができないので、イオン性不純物を効果的に電子見切り領域に掃き寄せすることができないという課題がある。また、電子見切り画素電極に画素電極よりも高い周波数の交流電圧を印加すると、正または負の極性を有するイオン性不純物が交流電圧の変化に追いつかずに、電子見切り画素電極に効率的にイオン性不純物を掃き寄せることができないおそれがある。
上記特許文献２の電気光学装置では、イオントラップ部は第１基板に形成され、第１基板に液晶層を挟んで対向する第２基板には、イオントラップ部と重なる位置に周辺見切り部が形成されている。イオントラップ部の第１電極と第２電極との間に印加された電圧によって液晶分子の配向状態が変化すると、第１基板と第２基板の組立位置精度によっては、イオントラップ部で生じた液晶分子の配向状態の変化に起因する光漏れが認識されるおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
本適用例に係わる液晶装置の駆動方法は、シール材により貼り合わされた第１基板と第２基板との間に液晶が挟持され、電圧無印加時に画素の透過率が最小となるノーマリーブラック方式の液晶装置の駆動方法であって、画像が表示される領域である第１領域と、平面視で、前記第１領域と前記シール材との間に位置し、前記第１領域に沿って設けられた第２領域と、を含み、前記第１領域には、前記第１基板の前記液晶に面する側に画素電極と、前記第１基板又は前記第２基板の前記液晶に面する側に共通電極と、が形成され、前記第２領域には、前記第１基板の前記液晶に面する側に第１電極と、前記第１基板又は前記第２基板の前記液晶に面する側に第２電極と、が形成され、前記第１電極と前記第２電極との間に、前記液晶の透過率を変化させる閾値電圧より小さい電圧を印加することを特徴とする。
【０００９】
本適用例によれば、第１電極と第２電極との間に液晶の透過率を変化させる閾値電圧より小さい電圧を印加することにより、第２領域を電子見切り部として機能させると共に、第１電極と第２電極との間に生じさせた電界によって、第１領域の液晶中に含まれるイオン性不純物を第２領域に引き寄せてトラップすることが可能な液晶装置の駆動方法を提供できる。
【００１０】
上記適用例の液晶装置の駆動方法において、前記第１電極には、前記第２電極の電位よりも高電位と低電位とに遷移する交流電位が与えられることが好ましい。
この方法によれば、第１電極に正及び負の極性を有するイオン性不純物を引き寄せることができる。
【００１１】
また、上記適用例の液晶装置の駆動方法において、前記交流電位の周波数は、前記第１領域における前記画素電極に供給される画像信号の周波数と同じであることが好ましい。
この方法によれば、画像信号の周波数と異なる周波数の交流電位を生成する必要がないので、液晶装置の駆動回路の構成を簡略化できる。
【００１２】
また、上記適用例の液晶装置の駆動方法において、前記第１電極には、前記第２電極の電位より低い直流電位が与えられるとしてもよい。
この方法によれば、第２領域に正極性を有するイオン性不純物（カチオン）を引き寄せてトラップすることができる。
【００１３】
さらに、上記適用例の液晶装置の駆動方法において、前記第２領域と前記シール材との間に第３電極を有し、前記第３電極に前記第１電極の電位より大きく前記第２電極よりも低い直流電位が与えられることが好ましい。
この方法によれば、第２領域に引き寄せられた正極性のイオン性不純物（カチオン）を、第２領域よりも外側に配置された第３電極に移動させてトラップすることができる。つまり、第２領域に正極性のイオン性不純物（カチオン）が蓄積されることを避けることができ、より効果的に第１領域から正極性のイオン性不純物（カチオン）を第２領域に引き寄せることができる。
【００１４】
加えて、上記適用例の液晶装置の駆動方法において、表示期間終了後、前記第１電極と前記第２電極との間に印加する電圧を前記閾値電圧と同じ又は前記閾値電圧よりも大きくすることが好ましい。
この方法によれば、表示期間終了後であれば、第１領域における表示状態に係わらず、より効果的に第２領域にイオン性不純物を引き寄せてトラップすることができる。
【００１５】
本適用例に係わる液晶装置は、シール材により貼り合わされた第１基板と第２基板との間に液晶が挟持され、電圧無印加時に画素の透過率が最小となるノーマリーブラック方式の液晶装置であって、画像が表示される領域である第１領域と、平面視で、前記第１領域と前記シール材との間に位置し、前記第１領域に沿って設けられた第２領域と、を含み、前記第１領域には、前記第１基板の前記液晶に面する側に画素電極と、前記第１基板又は前記第２基板の前記液晶に面する側に共通電極と、が形成され、前記第２領域には、前記第１基板の前記液晶に面する側に第１電極と、前記第１基板又は前記第２基板の前記液晶に面する側に第２電極と、が形成され、表示期間中に、前記液晶の透過率を変化させる閾値電圧より小さい電圧が前記第１電極と前記第２電極との間に印加されることを特徴とする。
【００１６】
本適用例によれば、表示期間中に、第１電極と第２電極との間に液晶の透過率を変化させる閾値電圧より小さい電圧が印加されることにより、第２領域を電子見切り部として機能させると共に、第１電極と第２電極との間に生じさせた電界によって、第１領域の液晶中に含まれるイオン性不純物を第２領域に引き寄せてトラップすることが可能な液晶装置を提供できる。
【００１７】
上記適用例の液晶装置において、前記共通電極は、前記第２基板において前記第１領域と前記第２領域とに亘って形成され、前記第２電極を兼ねることが好ましい。
この構成によれば、第２電極を別途形成する必要がないので、より小型な液晶装置を提供できる。
【００１８】
また、上記適用例の液晶装置において、前記第２電極は、前記第１基板に形成されているとしてもよい。
この構成によれば、第１基板の第２領域に第１電極と第２電極とが形成されるので、第２領域を横電界方式の電子見切り部とすることができ、イオン性不純物をトラップ可能であると共に、視角特性上で優れた電子見切り部を有する液晶装置を提供できる。
【００１９】
さらに、上記適用例の液晶装置において、前記第２領域と前記シール材との間に、第３電極を有し、前記第３電極に前記第１電極の電位よりも大きい負極性の電位が与えられることが好ましい。
この構成によれば、第２領域に引き寄せられた正極性のイオン性不純物（カチオン）を、第２領域よりも外側に配置された第３電極に移動させてトラップすることができる。つまり、第２領域に正極性のイオン性不純物（カチオン）が蓄積されることを避けることができ、より効果的に第１領域から正極性のイオン性不純物（カチオン）を第２領域に引き寄せることができる。
【００２０】
加えて、上記適用例の液晶装置において、前記画素電極、前記第１電極、前記第２電極、前記共通電極を覆う無機配向膜を有することを特徴とする。
この構成によれば、無機配向膜はイオン性不純物を吸着し易いので、イオン性不純物による表示不具合がより目立ち難い例えばＶＡ方式の液晶装置を提供できる。
【００２１】
本適用例に係わる電子機器は、シール材により貼り合わされた第１基板と第２基板との間に液晶が挟持され、電圧無印加時に画素の透過率が最小となるノーマリーブラック方式の液晶装置を備え、上記適用例に記載の液晶装置の駆動方法を用いて前記液晶装置が駆動されることを特徴とする。
【００２２】
本適用例に係わる他の電子機器は、上記適用例の液晶装置を備えたことを特徴とする。
これらの構成によれば、第２領域が電子見切り部として機能し、且つイオン性不純物による表示不具合が改善された電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】（ａ）は第１実施形態の液晶装置の構成を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＨ−Ｈ’線に沿う概略断面図。
【図２】第１実施形態の液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】第１実施形態の液晶装置の画素の構造を示す概略断面図。
【図４】無機材料の斜め蒸着方向とイオン性不純物に起因する表示不具合との関係を示す概略平面図。
【図５】（ａ）は表示に寄与する画素及びダミー画素の配置を示す概略平面図、（ｂ）は電子見切り部の配線図。
【図６】図５（ａ）のＡ−Ａ’線に沿った液晶パネルの構造を示す概略断面図。
【図７】第１実施形態の液晶装置における画素の透過率と駆動電圧との関係を示すグラフ。
【図８】第２実施形態の液晶装置における電子見切り部の構成を示す配線図。
【図９】第２実施形態の液晶装置の構造を示す概略断面図。
【図１０】第３実施形態の液晶装置における画素の構成を示す概略平面図。
【図１１】第３実施形態の液晶装置における電子見切り部の構造を示す概略断面図。
【図１２】第４実施形態の液晶装置における画素の構成を示す概略平面図。
【図１３】第４実施形態の液晶装置における電子見切り部の構造を示す概略断面図。
【図１４】投射型表示装置の構成を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２５】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００２６】
（第１実施形態）
本実施形態では、薄膜トランジスター（Thin  Film  Transistor；ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２７】
＜液晶装置＞
まず、本実施形態の液晶装置について、図１及び図２を参照して説明する。図１（ａ）は第１実施形態の液晶装置の構成を示す概略平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）に示すＨ−Ｈ’線に沿う概略断面図である。図２は第１実施形態の液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
【００２８】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを有する。素子基板１０の基材１０ｓ及び対向基板２０の基材２０ｓは、それぞれ透明な例えば石英基板やガラス基板が用いられている。素子基板１０が本発明の第１基板に相当し、対向基板２０が本発明の第２基板に相当するものである。
【００２９】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外縁に沿って配置されたシール材４０を介して間隔を置いて貼り合わされ、その間隔に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層５０が構成されている。シール材４０は、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材４０には、一対の基板の上記間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００３０】
シール材４０の内側には、マトリックス状に配列した複数の画素Ｐを含む画素領域Ｅが設けられている。また、シール材４０と画素領域Ｅとの間に画素領域Ｅを取り囲んで見切り部２１が設けられている。見切り部２１は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなる。なお、画素領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。また、図１では図示省略したが、画素領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光部（ブラックマトリックス；ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。
【００３１】
素子基板１０には、複数の外部接続端子１０４が配列した端子部が設けられている。該端子部に沿った第１の辺部とシール材４０との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、第１の辺部に対向する第２の辺部に沿ったシール材４０と画素領域Ｅとの間に検査回路１０３が設けられている。さらに、第１の辺部と直交し互いに対向する第３及び第４の辺部に沿ったシール材４０と画素領域Ｅとの間に走査線駆動回路１０２が設けられている。第２の辺部のシール材４０と検査回路１０３との間に、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。
【００３２】
これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、第１の辺部に沿って配列した複数の外部接続端子１０４に接続されている。以降、第１の辺部に沿った方向をＸ方向とし、第３の辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。なお、検査回路１０３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路１０１と画素領域Ｅとの間のシール材４０の内側に沿った位置に設けてもよい。
【００３３】
図１（ｂ）に示すように、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極１５及びスイッチング素子である薄膜トランジスター（以降、ＴＦＴと呼称する）３０と、信号配線と、これらを覆う配向膜１８とが形成されている。また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。素子基板１０は、基材１０ｓと、基材１０ｓ上に形成された画素電極１５、ＴＦＴ３０、信号配線、配向膜１８を含むものである。
【００３４】
素子基板１０に対向配置される対向基板２０は、基材２０ｓと、基材２０ｓ上に形成された見切り部２１と、これを覆うように成膜された平坦化層２２と、平坦化層２２を覆い、少なくとも画素領域Ｅに亘って設けられた共通電極２３と、共通電極２３を覆う配向膜２４とを含むものである。
【００３５】
見切り部２１は、図１（ａ）に示すように画素領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの回路に入射する光を遮蔽して、これらの回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Ｅに入射しないように遮蔽して、画素領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００３６】
平坦化層２２は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して見切り部２１を覆うように設けられている。このような平坦化層２２の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００３７】
共通電極２３は、例えばＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層２２を覆うと共に、図１（ａ）に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００３８】
画素電極１５を覆う配向膜１８及び共通電極２３を覆う配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、正の誘電異方性を有する液晶分子に対して略水平配向処理が施された有機配向膜や、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。
【００３９】
このような液晶装置１００は透過型であって、電圧無印加状態で画素Ｐの透過率が最大となるノーマリーホワイトモードや、電圧無印加状態で画素Ｐの透過率が最小となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。素子基板１０と対向基板２０とを含む液晶パネル１１０の光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
本実施形態では、以降、配向膜１８，２４として前述した無機配向膜と、負の誘電異方性を有する液晶とを用い、ノーマリーブラックの光学設計が適用された例について説明する。
【００４０】
次に図２を参照して、液晶装置１００の電気的な構成について説明する。液晶装置１００は、少なくとも画素領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する信号配線としての複数の走査線３ａ及び複数のデータ線６ａと、データ線６ａに沿って平行に配置された容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
【００４１】
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極１５と、ＴＦＴ３０と、蓄積容量１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００４２】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。画素電極１５はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。
【００４３】
データ線６ａはデータ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは走査線駆動回路１０２（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを画素Ｐに供給する。
【００４４】
データ線駆動回路１０１からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００４５】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１５を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して対向配置された共通電極２３との間で一定期間保持される。
【００４６】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と共通電極２３との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量１６が接続されている。蓄積容量１６は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。
【００４７】
なお、図１（ａ）に示した検査回路１０３には、データ線６ａが接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図２の等価回路では省略している。
【００４８】
本実施形態における画素回路を駆動制御する周辺回路は、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２、検査回路１０３を含んでいる。また、周辺回路は、上記画像信号をサンプリングしてデータ線６ａに供給するサンプリング回路、データ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を上記画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。
【００４９】
次に、本実施形態の液晶装置１００（液晶パネル１１０）における画素Ｐの構造について説明する。図３は、第１実施形態の液晶装置の画素の構造を示す概略断面図である。
図３に示すように、素子基板１０の基材１０ｓ上には、まず走査線３ａが形成される。走査線３ａは、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）などの金属のうちの少なくとも１つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層されたものを用いることができ、遮光性を有している。
【００５０】
走査線３ａを覆うように例えば酸化シリコンなどからなる第１絶縁膜（下地絶縁膜）１１ａが形成され、第１絶縁膜１１ａ上に島状に半導体層３０ａが形成される。半導体層３０ａは例えば多結晶シリコン膜からなり、不純物イオンが注入されて、第１ソース・ドレイン領域、接合領域、チャネル領域、接合領域、第２ソース・ドレイン領域を有するＬＤＤ（Lightly  Doped  Drain）構造が形成されている。
【００５１】
半導体層３０ａを覆うように第２絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１ｂが形成される。さらに第２絶縁膜１１ｂを挟んでチャネル領域に対向する位置にゲート電極３０ｇが形成される。
【００５２】
ゲート電極３０ｇと第２絶縁膜１１ｂとを覆うようにして第３絶縁膜１１ｃが形成され、半導体層３０ａのそれぞれの端部と重なる位置に第２絶縁膜１１ｂ、第３絶縁膜１１ｃを貫通する２つのコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２が形成される。
【００５３】
そして、２つのコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２を埋めると共に第３絶縁膜１１ｃを覆うようにＡｌ（アルミニウム）やその合金などの遮光性の導電部材料を用いて導電膜を成膜し、これをパターニングすることにより、コンタクトホールＣＮＴ１を介して第１ソース・ドレイン領域に繋がるソース電極３１ならびにデータ線６ａが形成される。同時にコンタクトホールＣＮＴ２を介して第２ソース・ドレイン領域に繋がるドレイン電極３２（第１中継電極６ｂ）が形成される。
【００５４】
次に、データ線６ａ及び第１中継電極６ｂと第３絶縁膜１１ｃを覆って第１層間絶縁膜１２が形成される。第１層間絶縁膜１２は、例えばシリコンの酸化物や窒化物からなり、ＴＦＴ３０が設けられた領域を覆うことによって生ずる表面の凹凸を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的機械的研磨処理（Chemical  Mechanical  Polishing：ＣＭＰ処理）やスピンコート処理などが挙げられる。
【００５５】
第１中継電極６ｂと重なる位置に第１層間絶縁膜１２を貫通するコンタクトホールＣＮＴ３が形成される。このコンタクトホールＣＮＴ３を被覆すると共に第１層間絶縁膜１２を覆うように例えばＡｌ（アルミニウム）やその合金などの遮光性の金属からなる導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、配線７ａと、コンタクトホールＣＮＴ３を介して第１中継電極６ｂに電気的に接続される第２中継電極７ｂとが形成される。
配線７ａは、平面的にＴＦＴ３０の半導体層３０ａやデータ線６ａと重なるように形成され、固定電位が与えられてシールド層として機能するものである。
【００５６】
配線７ａと第２中継電極７ｂとを覆うように第２層間絶縁膜１３ａが形成される。第２層間絶縁膜１３ａも、例えばシリコンの酸化物や窒化物あるいは酸窒化物を用いて形成することができ、ＣＭＰ処理などの平坦化処理が施される。
【００５７】
第２層間絶縁膜１３ａの第２中継電極７ｂと重なる位置にコンタクトホールＣＮＴ４が形成される。このコンタクトホールＣＮＴ４を被覆すると共に第２層間絶縁膜１３ａを覆うように例えばＡｌ（アルミニウム）やその合金などの遮光性の金属からなる導電膜が形成され、これをパターニングすることにより、第１容量電極１６ａと第３中継電極１６ｄとが形成される。
【００５８】
第１容量電極１６ａのうち、後に形成される誘電体層１６ｂを介して第２容量電極１６ｃと対向する部分の外縁を覆うように絶縁膜１３ｂがパターニング形成される。また、第３中継電極１６ｄのうちコンタクトホールＣＮＴ５と重なる部分を除いた外縁を覆うように絶縁膜１３ｂがパターニング形成される。
【００５９】
絶縁膜１３ｂと第１容量電極１６ａを覆って誘電体層１６ｂが成膜される。誘電体層１６ｂとしては、シリコン窒化膜や、酸化ハウニュウム（ＨｆＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）などの単層膜、またはこれらの単層膜のうち少なくとも２種の単層膜を積層した多層膜を用いてもよい。平面的に第３中継電極１６ｄと重なる部分の誘電体層１６ｂはエッチング等により除かれる。誘電体層１６ｂを覆うように例えばＴｉＮ（窒化チタン）などの導電膜が形成され、これをパターニングすることにより、第１容量電極１６ａに対向配置され、第３中継電極１６ｄに繋がる第２容量電極１６ｃが形成される。誘電体層１６ｂと、誘電体層１６ｂを挟んで対向配置された第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｃとにより蓄積容量１６が構成される。
【００６０】
次に、第２容量電極１６ｃと誘電体層１６ｂとを覆う第３層間絶縁膜１４が形成される。第３層間絶縁膜１４も例えばシリコンの酸化物や窒化物からなり、ＣＭＰ処理などの平坦化処理が施される。第２容量電極１６ｃが第３中継電極１６ｄと接した部分に到達するように第３層間絶縁膜１４を貫通するコンタクトホールＣＮＴ５が形成される。
【００６１】
このコンタクトホールＣＮＴ５を被覆し、第３層間絶縁膜１４を覆うようにＩＴＯなどの透明導電膜（電極膜）が成膜される。この透明導電膜（電極膜）をパターニングしてコンタクトホールＣＮＴ５を介して第２容量電極１６ｃ及び第３中継電極１６ｄと電気的に繋がる画素電極１５が形成される。
【００６２】
第２容量電極１６ｃは第３中継電極１６ｄ、コンタクトホールＣＮＴ４、第２中継電極７ｂ、コンタクトホールＣＮＴ３、第１中継電極６ｂを介してＴＦＴ３０のドレイン電極３２と電気的に接続すると共に、コンタクトホールＣＮＴ５を介して画素電極１５と電気的に接続している。
【００６３】
第１容量電極１６ａは複数の画素Ｐに跨るように形成され、等価回路（図２参照）における容量線３ｂとして機能している。第１容量電極１６ａには固定電位が与えられる。これにより、ＴＦＴ３０のドレイン電極３２を介して画素電極１５に与えられた電位を第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｃとの間において保持することができる。
【００６４】
このように素子基板１０の基材１０ｓ上には、複数の配線が形成されており、配線間を絶縁する絶縁膜や層間絶縁膜の符号を用いて配線層を表すこととする。すなわち、第１絶縁膜１１ａ、第２絶縁膜１１ｂ、第３絶縁膜１１ｃを括って配線層１１と呼ぶ。配線層１１の代表的な配線は走査線３ａである。配線層１２の代表的な配線はデータ線６ａである。第２層間絶縁膜１３ａ、絶縁膜１３ｂ、誘電体層１６ｂを括って配線層１３と呼び、代表的な配線は配線７ａである。同じく、配線層１４の代表的な配線は、第１容量電極１６ａ（容量線３ｂ）である。
【００６５】
画素電極１５を覆うように配向膜１８が形成され、液晶層５０を介して素子基板１０に対向配置される対向基板２０の共通電極２３を覆うように配向膜２４が形成される。前述したように、配向膜１８，２４は無機配向膜であって、酸化シリコンなどの無機材料を所定の方向から例えば斜め蒸着して柱状に成長したカラム１８ａ，２４ａの集合体からなる。このような配向膜１８，２４に対して負の誘電異方性を有する液晶分子ＬＣは、配向膜面の法線方向に対してカラム１８ａ，２４ａの傾斜方向に３度〜５度のプレチルト角度θｐを有して略垂直配向（ＶＡ；Vertical  Alignment）する。画素電極１５と共通電極２３との間に交流電圧を印加して液晶層５０を駆動することによって液晶分子ＬＣは画素電極１５と共通電極２３との間に生ずる電界方向に傾くように挙動（振動）する。
【００６６】
図４は無機材料の斜め蒸着方向とイオン性不純物に起因する表示不具合との関係を示す概略平面図である。カラム１８ａ，２４ａを形成するところの無機材料の斜め蒸着方向は、図４に示すように、例えば素子基板１０側では、破線の矢印で示したように右上から左下に向かって所定の方位角度θａでＹ方向と交差する方向である。素子基板１０に対して対向配置される対向基板２０側では、実線の矢印で示したように左下から右上に向かって所定の方位角度θａでＹ方向と交差する方向である。所定の角度θａは例えば４５度である。なお、図４に示した斜め蒸着方向は、液晶装置１００を対向基板２０側から見たときの方向である。
【００６７】
液晶層５０を駆動することにより、液晶分子ＬＣの挙動（振動）が生じ、液晶層５０と配向膜１８，２４との界面近傍に図４に示した破線あるいは実線の矢印で示した斜め蒸着方向に液晶分子ＬＣのフロー（流れ）が生ずる。仮に液晶層５０に極性が正または負のイオン性不純物が含まれていると、イオン性不純物は液晶分子ＬＣのフロー（流れ）に沿って画素領域Ｅの角部に向かって移動し偏在するおそれがある。イオン性不純物の偏在により角部に位置する画素Ｐにおいて液晶層５０の絶縁抵抗が低下すると、当該画素Ｐにおいて駆動電位の低下を招き、図４に示すような表示ムラや通電による焼き付き現象が顕著となる。特に、配向膜１８，２４に無機配向膜を用いた場合には、無機配向膜がイオン性不純物を吸着し易いので、有機配向膜に比べて表示ムラや焼き付き現象が目立ち易い。
【００６８】
本実施形態の液晶装置１００では、図４に示すような表示ムラや焼き付き現象を改善するため、画素領域Ｅにおいて、実際の表示に寄与する複数の画素Ｐを囲む複数のダミー画素を電子見切り部として機能させると共に、当該電子見切り部をイオントラップ部として機能させている。以降、本実施形態における電子見切り部について、図５〜図７を参照して説明する。
【００６９】
図５（ａ）は表示に寄与する画素及びダミー画素の配置を示す概略平面図、図５（ｂ）は電子見切り部の配線図、図６は図５（ａ）のＡ−Ａ’線に沿った液晶パネルの構造を示す概略断面図、図７は第１実施形態の液晶装置における画素の透過率と駆動電圧との関係を示すグラフである。
【００７０】
図５（ａ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００の画素領域Ｅは、表示に寄与する画素Ｐが配置された表示領域Ｅ１と、表示領域Ｅ１を取り囲んで配置された複数のダミー画素ＤＰを有するダミー画素領域Ｅ２とを含んでいる。額縁状にシール材４０が配置された領域とダミー画素領域Ｅ２との間に、前述した遮光性を有する見切り部２１が設けられており、見切り部２１が設けられた領域が液晶装置１００のＯＮ・ＯＦＦに依存しない見切り領域Ｅ３となっている。表示領域Ｅ１が本発明の第１領域に相当し、ダミー画素領域Ｅ２が本発明の第２領域に相当するものである。
【００７１】
ダミー画素領域Ｅ２には、Ｘ方向において表示領域Ｅ１を挟んで２個ずつ、Ｙ方向において表示領域Ｅ１を挟んで２個ずつのダミー画素ＤＰが配置されている。なお、ダミー画素領域Ｅ２におけるダミー画素ＤＰの配置数はこれに限定されるものではなく、Ｘ方向、Ｙ方向のそれぞれにおいて、表示領域Ｅ１を挟んで少なくとも１個ずつのダミー画素ＤＰが配置されていればよい。また、３個ずつ以上でもよく、Ｘ方向とＹ方向とにおける配置数が異なっていてもよい。本実施形態では、ダミー画素ＤＰを電子見切り部として機能させるので、複数のダミー画素ＤＰに符号１２０を与えて、電子見切り部１２０と呼ぶこととする。
【００７２】
図５（ｂ）に示すように、表示領域Ｅ１を囲み、表示領域Ｅ１の縁に沿って配列され、表示領域Ｅ１に近い位置に配置された複数のダミー画素ＤＰの各々は、ダミー画素電極１２２を有している。表示領域Ｅ１の縁に沿って配列され、表示領域Ｅ１からダミー画素電極１２２より遠い位置に配置された複数のダミー画素ＤＰの各々は、ダミー画素電極１２１を有している。Ｘ方向に沿って配列された複数のダミー画素電極１２１と複数のダミー画素電極１２２とは、Ｙ方向に隣り合って配置され、Ｙ方向に沿って配列された複数のダミー画素電極１２１と複数のダミー画素電極１２２とは、Ｘ方向に隣り合って配置されている。つまり、電子見切り部１２０は、Ｘ方向とＹ方向とにそれぞれ配列された複数のダミー画素電極１２１，１２２を有している。また、電子見切り部１２０は、複数のダミー画素電極１２１同士を電気的に接続させる接続配線１２３と、複数のダミー画素電極１２２同士を電気的に接続させる接続配線１２４とを有している。接続配線１２４は、Ｘ方向に延在して、Ｘ方向に配列する複数のダミー画素電極１２２を電気的に接続させると共に、接続配線１２３に電気的に接続された一対の配線１２４ａと、Ｙ方向に延在して、Ｙ方向に配列する複数のダミー画素電極１２２を電気的に接続させる配線１２４ｂとを含んでいる。
【００７３】
平面視で四角形をなす接続配線１２３の左下及び右下の角部に、Ｙ方向に延在する一対の引き回し配線１２５の一方の端が電気的に接続されている。一対の引き回し配線１２５の他方の端は、素子基板１０において外部接続端子１０４に接続されている。一対の引き回し配線１２５が接続された外部接続端子１０４を他の外部接続端子１０４と区別するため、外部接続端子１０４（ＥＡ）と表すこととする。外部接続端子１０４（ＥＡ）と隣り合う外部接続端子１０４には、対向基板２０の共通電極２３が電気的に接続されている。共通電極２３には、共通電位（ＬＣＣＯＭ）が与えられる。したがって、共通電極２３に電気的に接続された外部接続端子１０４を外部接続端子１０４（ＬＣＣＯＭ）と表すこととする。
【００７４】
電子見切り部１２０は、複数のダミー画素電極１２１，１２２と、外部接続端子１０４（ＥＡ）から供給される所定の電位を複数のダミー画素電極１２１，１２２に与えるための接続配線１２３，１２４と、一対の引き回し配線１２５とを有するものである。
ダミー画素領域Ｅ２において、液晶層５０を挟んで対向するダミー画素電極１２１，１２２と共通電極２３のうち、ダミー画素電極１２１，１２２が本発明の第１電極に相当し、共通電極２３の一部が本発明の第２電極に相当するものである。
【００７５】
なお、本実施形態では、複数のダミー画素電極１２１，１２２に与えられる所定の電位が、素子基板１０上のダミー画素電極１２１，１２２の位置によってばらつくことを抑制するために、２つの外部接続端子１０４（ＥＡ）から所定の電位を供給する構成としたが、これに限定されるものではない。外部接続端子１０４（ＥＡ）は１つでもよいし、３つ以上であってもよい。
【００７６】
次に、図６を参照して、電子見切り部１２０の電気的な機能について説明する。なお、図６では、素子基板１０側の配向膜１８と、対向基板２０側の配向膜２４の表示を省略している。
図６に示すように、液晶パネル１１０（液晶装置）の素子基板１０は、基材１０ｓ上に複数の配線層１１〜１４を有している。画素Ｐの画素電極１５と、ダミー画素ＤＰのダミー画素電極１２１，１２２とは、第３層間絶縁膜１４上に形成されている。ダミー画素電極１２１，１２２は、画素電極１５を形成する工程で、画素電極１５と同じ透明導電膜（例えばＩＴＯ膜）を用いて形成されている。ダミー画素電極１２１，１２２の平面的な形状及び大きさや配置ピッチは、画素電極１５と同じである。ダミー画素電極１２１，１２２に所定の電位を供給するための接続配線１２３，１２４は、配線層１４に形成されている。つまり、接続配線１２３，１２４は、例えば、前述した第１容量電極１６ａを形成する工程で、第１容量電極１６ａと同じ導電膜（例えばＡｌとＴｉの合金）を用いて形成されている。ダミー画素電極１２１，１２２と接続配線１２３，１２４とはそれぞれ第３層間絶縁膜１４を貫通するコンタクトホール内の導電膜を介して電気的に接続されている。
なお、接続配線１２３，１２４は、配線層１４に形成されることに限定されず、配線層１４よりもさらに下層の配線層に形成されていてもよい。
【００７７】
＜液晶装置１００の駆動方法＞
表示期間中に、画素電極１５には、共通電極２３の電位を基準として、画像の階調レベルに対応した画像信号（交流電位）が与えられる。ダミー画素電極１２１，１２２には、共通電極２３の電位を基準として高電位と低電位とに遷移する交流電位が接続配線１２３，１２４を介して与えられる。共通電極２３の電位に対してダミー画素電極１２１，１２２の電位が高ければ、共通電極２３からダミー画素電極１２１，１２２に向う破線の矢印で示した電界が生ずる。また、共通電極２３の電位に対してダミー画素電極１２１，１２２の電位が低ければ、ダミー画素電極１２１，１２２から共通電極２３に向う実線の矢印で示した電界が生ずる。
表示領域Ｅ１とダミー画素領域Ｅ２の境界において隣り合う画素電極１５とダミー画素電極１２２との間にも相互の電位に応じて破線あるいは実線の矢印で示した電界が生ずる。
本実施形態では、外部接続端子１０４（ＬＣＣＯＭ）と外部接続端子１０４（ＥＡ）との間に液晶の透過率が変化する閾値電圧よりも小さい交流電圧を印加する。
【００７８】
具体的には、本実施形態の液晶装置１００は、前述したように無機配向膜を用いたＶＡ方式のノーマリーブラックモードの光学設計が適用されている。したがって、液晶装置１００における画素Ｐの透過率と駆動電圧との関係は、画素電極１５と共通電極２３との間に駆動電圧が与えられていないときの透過率を０％とし、画素電極１５と共通電極２３との間に所定の駆動電圧が与えられているときの透過率を１００％としている。例えば、誘電率ε／／＝４．０、誘電率ε⊥＝８．５、弾性定数ｋ１＝１５ｐＮ、弾性定数ｋ２＝１６ｐＮ、弾性定数ｋ３＝１７ｐＮの負の誘電異方性を有する液晶を用いた場合、図７に示すように、画素電極１５と共通電極２３との間に印加される実効的な電圧が２．０Ｖを越えると透過率が変化し始める。このように透過率が変化し始める実効的な電圧を閾値電圧という。
【００７９】
本実施形態では、ダミー画素電極１２１，１２２と共通電極２３との間に閾値電圧（２Ｖ）よりも小さい電圧、例えば１．５Ｖが印加されている。より具体的には、共通電極２３に与えられる共通電位（ＬＣＣＯＭ）を例えば６Ｖとすると、ダミー画素電極１２１，１２２には共通電極２３の電位を基準とした交流電位が与えられるので、ダミー画素電極１２１，１２２の電位は４．５Ｖ〜７．５Ｖの間で変化することになる。
【００８０】
表示期間中において、画素電極１５と共通電極２３との間に印加される画像信号（交流電圧）の周波数は例えば６０Ｈｚであり、ダミー画素電極１２１，１２２と共通電極２３との間に印加される交流電圧の周波数は、画像信号と同じ周波数であることが好ましい。
【００８１】
ダミー画素電極１２１，１２２と共通電極２３との間に閾値電圧よりも小さい電圧が印加されるので、ダミー画素領域Ｅ２における透過率はほとんど変化することなく黒表示（透過率が０％の状態）のままとなる。これにより、複数のダミー画素ＤＰは電子見切り部１２０として機能する。
一方で、液晶層５０中に、正極性（＋）あるいは負極性（−）のイオン性不純物が含まれていると、これらのイオン性不純物は、前述したように液晶装置１００の駆動に伴って表示領域Ｅ１の角部に運ばれる。そして、当該角部の周辺に位置するダミー画素電極１２１，１２２と共通電極２３との間に生ずる電界によって引き寄せられて、表示領域Ｅ１からダミー画素領域Ｅ２に掃き寄せられる。
【００８２】
上記第１実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）液晶装置１００及びその駆動方法は、表示領域Ｅ１を囲むダミー画素領域Ｅ２のダミー画素電極１２１，１２２と共通電極２３との間に、共通電極２３の電位を基準として、画素Ｐの透過率が変化する閾値電圧よりも小さい交流電圧が印加される。したがって、ダミー画素電極１２１，１２２を含むダミー画素ＤＰが電子見切り部１２０として機能すると共に、表示領域Ｅ１からイオン性不純物をダミー画素領域Ｅ２へ掃き寄せることができる。つまり、表示領域Ｅ１においてイオン性不純物の偏在に起因する表示むらや焼き付きなどの表示不具合が改善される。
（２）表示期間中において、ダミー画素電極１２１，１２２と共通電極２３との間に印加される交流電圧の周波数は、画素電極１５と共通電極２３との間に印加される画像信号と同じ周波数であるため、画像信号と異なる周波数の交流電圧を生成する必要がないので、液晶装置１００を駆動する外部駆動回路の構成が複雑にならずに済む。
【００８３】
なお、上記第１実施形態では、ダミー画素電極１２１，１２２と共通電極２３との間に交流電圧を印加したが、これに限定されるものではない。液晶層５０に含まれるおそれがあるイオン性不純物は正極性のカチオンが多いことが知られている。それゆえに、共通電極２３の電位を基準としてダミー画素電極１２１，１２２に共通電極２３の電位よりも低い直流電位を与えてもよい。共通電極２３の電位を例えば６Ｖとすれば、ダミー画素電極１２１，１２２の電位を４．５Ｖの直流電位とする。あるいは共通電極２３の電位を例えば０Ｖとすれば、ダミー画素電極１２１，１２２の電位を−１．５Ｖの直流電位とする。これによれば、ダミー画素電極１２１，１２２と共通電極２３との間に印加される実効的な直流電圧が閾値電圧よりも小さくなり、ダミー画素電極１２１，１２２を電子見切り部１２０として機能させると共に、正極性のイオン性不純物（カチオン）を表示領域Ｅ１から電子見切り部１２０が設けられたダミー画素領域Ｅ２に効果的に掃き寄せることができる。
【００８４】
また、ダミー画素電極１２１，１２２と共通電極２３との間に交流電圧または直流電圧を印加するのは、表示期間中に限らず表示期間終了後も継続してもよい。特に、表示期間終了後では、ダミー画素電極１２１，１２２と共通電極２３との間に印加される交流電圧または直流電圧を閾値電圧と同じまたは閾値電圧より大きくしてもよい。つまり、表示期間終了後であれば、表示領域Ｅ１における表示状態を気にせずに、ダミー画素電極１２１，１２２と共通電極２３との間に閾値電圧以上の電圧を与えて、より効果的にイオン性不純物をダミー画素領域Ｅ２に掃き寄せることができる。
【００８５】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態の液晶装置について、図８及び図９を参照して説明する。図８は第２実施形態の液晶装置における電子見切り部の構成を示す配線図、図９は第２実施形態の液晶装置の構造を示す概略断面図である。第２実施形態の液晶装置は第１実施形態の液晶装置１００に対してダミー画素ＤＰの配置を異ならせたものである。したがって、第１実施形態の液晶装置１００と同じ構成には同じ符号を付して詳細の説明は省略し、第１実施形態の液晶装置１００と異なる部分について説明を行う。
【００８６】
本実施形態の液晶装置２００は、ノーマリーブラックモードの光学設計が適用されたものである。図８に示すように、本実施形態の液晶装置２００（液晶パネル２１０）は、表示領域Ｅ１を囲む位置に、表示領域Ｅ１側からダミー画素電極１２２、ダミー画素電極１２１、ダミー画素電極１２６がそれぞれ配置されている。つまり、Ｘ方向とＹ方向とにおいて、それぞれ表示領域Ｅ１を挟んで３つずつのダミー画素ＤＰが配置されている。複数のダミー画素電極１２１同士を電気的に接続させる接続配線１２３と、複数のダミー画素電極１２２同士を電気的に接続させると共に、接続配線１２３に電気的に接続された接続配線１２４とが設けられている。また、複数のダミー画素電極１２１よりも外側に配置された複数のダミー画素電極１２６同士を電気的に接続させる接続配線１２７が設けられている。ダミー画素電極１２６は本発明の第３電極に相当するものである。ダミー画素電極１２６の平面的な形状や大きさは画素電極１５と同じである。
【００８７】
接続配線１２３は、Ｙ方向に延在する一対の引き回し配線１２５により外部接続端子１０４（ＥＡ１）に電気的に接続されている。接続配線１２３と接続配線１２７は電気的に分離されており、接続配線１２７は、Ｙ方向に延在する一対の引き回し配線１２８により外部接続端子１０４（ＥＡ２）に電気的に接続されている。外部接続端子１０４（ＥＡ１）と外部接続端子１０４（ＥＡ２）とは隣り合っており、さらに外部接続端子１０４（ＥＡ２）に隣り合うように、共通電極２３に電気的に接続された外部接続端子１０４（ＬＣＣＯＭ）が配置されている。
外部接続端子１０４（ＥＡ１）と外部接続端子１０４（ＥＡ２）とには、外部接続端子１０４（ＬＣＣＯＭ）に供給される共通電位を基準として、負極性の（共通電位より低い）直流電位が供給される。
【００８８】
図９に示すように、第３電極としてのダミー画素電極１２６は、ダミー画素電極１２１，１２２及び画素電極１５と同様に第３層間絶縁膜１４上に形成されている。つまり、ダミー画素電極１２６は、画素電極１５を形成する工程で、画素電極１５と同じ透明導電膜を用いて形成されている。また、ダミー画素電極１２６は、平面視で見切り領域Ｅ３に形成されている。したがって、見切り部２１によってダミー画素電極１２６は遮光される。
ダミー画素電極１２６に所定の電位を供給する接続配線１２７は、配線層１４に形成されている。つまり、配線層１４において、例えば第１容量電極１６ａを形成する工程で、第１容量電極１６ａと同じ導電膜を用いて形成されている。なお、接続配線１２７は配線層１４に形成されることに限定されず、配線層１４よりも下層の配線層に形成されていてもよい。
【００８９】
＜液晶装置２００の駆動方法＞
表示期間中において、電子見切り部１２０として機能するダミー画素電極１２１，１２２には、共通電極２３の電位（ＬＣＣＯＭ）を基準として、閾値電圧よりも小さい負極性の直流電位を印加する。第３電極としてのダミー画素電極１２６には、ダミー画素電極１２１，１２２に印加された負極性の直流電位よりも大きな負極性の直流電位を印加する。
これにより、ダミー画素電極１２１，１２２と共通電極２３との間には、共通電極２３からダミー画素電極１２１，１２２に向う電界が生ずる。ダミー画素電極１２１，１２２と共通電極２３との間の電界よりも強い電界が、共通電極２３からダミー画素電極１２６に向う方向に生ずる。
したがって、液晶層５０に正極性（＋）のイオン性不純物（カチオン）が含まれていた場合には、正極性のイオン性不純物は表示領域Ｅ１からダミー画素領域Ｅ２に掃き寄せられ、さらにダミー画素領域Ｅ２に掃き寄せられた正極性のイオン性不純物は見切り領域Ｅ３に掃き寄せられる。つまり、ダミー画素電極１２１，１２２を有する電子見切り部１２０に正極性のイオン性不純物が蓄積され滞留することを抑制できる。一方で、負極性（−）のイオン性不純物（アニオン）は、電子見切り部１２０に生じた電界により表示領域Ｅ１側にはじかれる。つまり、負極性のイオン性不純物が表示領域Ｅ１とダミー画素領域Ｅ２との境界付近に滞留して偏在することを抑制できる。
【００９０】
上記第２実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）液晶装置２００及びその駆動方法は、見切り領域Ｅ３に設けられた複数のダミー画素電極１２６を有し、ダミー画素電極１２６には、電子見切り部１２０として機能するダミー画素電極１２１，１２２の電位よりも大きな負極性の直流電位が印加される。したがって、ダミー画素領域Ｅ２に掃き寄せられた正極性のイオン性不純物を、ダミー画素領域Ｅ２よりも外側の見切り領域Ｅ３に掃き寄せることができる。ゆえに、正極性のイオン性不純物が表示領域Ｅ１を囲むダミー画素領域Ｅ２に滞留することに起因して、表示領域Ｅ１における表示に影響を及ぼすことを低減することができる。
（２）ダミー画素電極１２６は、見切り領域Ｅ３に配置されているので、ダミー画素電極１２６に負極性の直流電位が印加されることによる光漏れが生じたとしても見切り部２１によって遮光されるので、表示領域Ｅ１の表示品位に上記光漏れの影響が及ばない。
【００９１】
なお、表示期間終了後には、ダミー画素電極１２１，１２２，１２６と共通電極２３との間に閾値電圧と同じまたは閾値電圧よりも大きな負極性の直流電圧を与えてもよい。
【００９２】
（第３実施形態）
次に、第３実施形態の液晶装置について、図１０及び図１１を参照して説明する。図１０は第３実施形態の液晶装置における画素の構成を示す概略平面図、図１１は第３実施形態の液晶装置における電子見切り部の構造を示す概略断面図である。なお、図１１は第１実施形態における図６に対応する概略断面図である。
第３実施形態の液晶装置は、第１実施形態の液晶装置１００に対して画素Ｐの構成を異ならせたものである。したがって、第１実施形態の液晶装置１００と同じ構成には同じ符号を付して詳細の説明は省略する。
【００９３】
本実施形態の液晶装置３００は、ノーマリーブラックモードの光学設計が適用されたものである。図１０に示すように、液晶装置３００は、Ｘ方向に延在する走査線３０３と、走査線３０３と平行してＸ方向に延在する共通配線３０４と、Ｙ方向に延在するデータ線３０６とを有している。また、液晶装置３００は、画素Ｐごとに、走査線３０３とデータ線３０６との交差部の近傍に設けられた薄膜トランジスター３３０と、櫛歯状の画素電極３１５と、同じく櫛歯状の共通電極３１６とを有する。薄膜トランジスター３３０の半導体層はＸ方向に延在する走査線３０３と交差するようにＹ方向に沿って配置され、該半導体層と交差した走査線３０３の部分がゲート電極として機能する。つまり、薄膜トランジスター３３０はトップゲート構造となっている。
【００９４】
薄膜トランジスター３３０の半導体層は、ＬＤＤ構造となっており、第１ソース・ドレイン領域にコンタクト部３３１を介してデータ線３０６が接続され、第２ソース・ドレイン領域にコンタクト部３３２を介して画素電極３１５が接続されている。
画素電極３１５と共通電極３１６とは、画素電極３１５の枝電極３１５Ｂ間に、共通電極３１６の枝電極３１６Ｂが位置するように配置されている。共通電極３１６は、コンタクト部３０５を介して共通電位（ＬＣＣＯＭ）が供給される共通配線３０４に接続されている。
【００９５】
図１１に示すように、液晶装置３００の液晶パネル３１０は、基材１０ｓ上に複数の配線層１１〜１４を有する素子基板１０と、素子基板１０に対してシール材４０を介して対向配置された対向基板２０との間に液晶層３５０が挟持されている。液晶層３５０は例えば正の誘電異方性を有する液晶分子を含み、該液晶分子は略水平配向している。図１１において液晶分子を略水平配向させる配向膜の図示は省略されている。当該配向膜は例えばポリイミド膜に対して所定の方向にラビング処理が施されたものである。
【００９６】
液晶パネル３１０は、画素電極３１５及び共通電極３１６を有する画素Ｐが配列した表示領域Ｅ１と、表示領域Ｅ１を囲むダミー画素領域Ｅ２と、ダミー画素領域Ｅ２を囲む見切り領域Ｅ３とを有する。見切り領域Ｅ３において対向基板２０の液晶層３５０側に見切り部２１が設けられている。
表示領域Ｅ１において画素電極３１５及び共通電極３１６は、ＩＴＯなどの透明導電膜を用いて第３層間絶縁膜１４上に形成されている。共通電極３１６が接続される共通配線３０４は、配線層１４に形成されている。画素電極３１５と共通電極３１６との間に、共通電極３１６の電位を基準とした交流電圧を印加することにより横方向の電界を発生させ、略水平配向した液晶分子の配向方位を該電界方向に変えることにより、画素Ｐを透過する光を画像信号に基づいて変調することができる。このように同層に形成された画素電極３１５と共通電極３１６との間に生じさせた横電界を利用して表示を行う方法は、ＩＰＳ（In  Plane  Switching）方式と呼ばれている。
【００９７】
本実施形態では、ダミー画素領域Ｅ２に第１電極３２１と、第２電極３２２とが設けられている。第１電極３２１及び第２電極３２２は、画素電極３１５や共通電極３１６を形成する工程で、同じく透明導電膜を用いて形成されている。第１電極３２１と第２電極３２２とにより１つのダミー画素が構成されている。
配線層１４には、共通配線３０４と同層において、同じ導電膜を用いて接続配線３２３，３２４が形成されている。接続配線３２３は第１電極３２１に電気的に接続され、接続配線３２４は第２電極３２２に電気的に接続されている。なお、共通配線３０４及び接続配線３２３，３２４は配線層１４に形成されることに限定されず、配線層１４よりも下層の配線層に形成されていてもよい。
【００９８】
＜液晶装置３００の駆動方法＞
第２電極３２２には、共通配線３０４と同じ共通電位（ＬＣＣＯＭ）が接続配線３２４を介して供給される。第１電極３２１には、第２電極３２２の電位を基準として高電位と低電位とに遷移する交流電位が接続配線３２３を介して供給される。つまり、第１電極３２１と第２電極３２２との間に、第２電極３２２の電位を基準とした交流電圧が印加される。該交流電圧は画素Ｐの透過率が変化する閾値電圧よりも小さい。これによって、第１電極３２１と第２電極３２２とを含むダミー画素が電子見切り部３２０として機能する。その一方で、第１電極３２１と第２電極３２２との間に生じた横電界により、液晶層３５０中のイオン性不純物（カチオン、アニオン）は、第１電極３２１に引き寄せられる。すなわち、表示領域Ｅ１からイオン性不純物（カチオン、アニオン）をダミー画素領域Ｅ２に掃き寄せることができる。
なお、第１電極３２１と第２電極３２２との間に印加される交流電圧の周波数は、画素電極３１５と共通電極３１６との間に印加される交流電圧の周波数と同じであり、例えば６０Ｈｚである。
また、表示期間終了後に、第１電極３２１と第２電極３２２との間に印加される交流電圧を閾値電圧と同じまたは閾値電圧より大きくしてもよい。
【００９９】
本実施形態によれば、第１電極３２１と第２電極３２２とを含む電子見切り部３２０は、画素Ｐと同じように横電界が生じているものの、第１電極３２１と第２電極３２２との間に印加される交流電圧が閾値電圧より小さいので、ダミー画素領域Ｅ２においてノーマリーブラックの表示状態が維持される。したがって、イオン性不純物を引き寄せることができると共に、斜め方向から見ても光漏れが目立たない視角特性的に優れた電子見切り部３２０を実現できる。
【０１００】
（第４実施形態）
次に、第４実施形態の液晶装置について、図１２及び図１３を参照して説明する。図１２は第４実施形態の液晶装置における画素の構成を示す概略平面図、図１３は第４実施形態の液晶装置における電子見切り部の構造を示す概略断面図である。なお、図１３は第１実施形態における図６に対応する概略断面図である。
第４実施形態の液晶装置は、第１実施形態の液晶装置１００に対して画素Ｐの構成を異ならせたものである。したがって、第１実施形態の液晶装置１００と同じ構成には同じ符号を付して詳細の説明は省略する。
【０１０１】
本実施形態の液晶装置４００は、ノーマリーブラックモードの光学設計が適用されたものである。図１２に示すように、液晶装置４００は、Ｘ方向に延在する走査線４０３と、走査線４０３と平行してＸ方向に延在する共通配線４０４と、Ｙ方向に延在するデータ線４０６とを有している。また、液晶装置４００は、画素Ｐごとに、走査線４０３とデータ線４０６との交差部の近傍に設けられた薄膜トランジスター４３０と、櫛歯状の画素電極４１５と、画素電極４１５と平面視で重なるように設けられた共通電極４１６とを有する。薄膜トランジスター４３０の半導体層はＸ方向に延在する走査線４０３と交差するようにＹ方向に沿って配置され、該半導体層と交差した走査線４０３の部分がゲート電極として機能する。薄膜トランジスター４３０は、第３実施形態の薄膜トランジスター３３０と同様にトップゲート構造となっている。
【０１０２】
薄膜トランジスター４３０の半導体層は、ＬＤＤ構造となっており、第１ソース・ドレイン領域にコンタクト部４３１を介してデータ線４０６が接続され、第２ソース・ドレイン領域にコンタクト部４３２を介して画素電極４１５が接続されている。
画素電極４１５と共通電極４１６とは、層間絶縁膜を介して対向するように配置されている。画素電極４１５の枝電極４１５Ｂ間にも、共通電極４１６が存在する。共通電極４１６は、コンタクト部４０５を介して共通電位（ＬＣＣＯＭ）が供給される共通配線４０４に接続されている。
【０１０３】
図１３に示すように、液晶装置４００の液晶パネル４１０は、基材１０ｓ上に複数の配線層１１〜１４を有する素子基板１０と、素子基板１０に対してシール材４０を介して対向配置された対向基板２０との間に液晶層３５０が挟持されている。液晶層３５０は例えば正の誘電異方性を有する液晶分子を含み、該液晶分子は略水平配向している。図１３において液晶分子を略水平配向させる配向膜の図示は省略されている。当該配向膜は例えばポリイミド膜に対して所定の方向にラビング処理が施されたものである。
【０１０４】
液晶パネル４１０は、画素電極４１５及び共通電極４１６を有する画素Ｐが配列した表示領域Ｅ１と、表示領域Ｅ１を囲むダミー画素領域Ｅ２と、ダミー画素領域Ｅ２を囲む見切り領域Ｅ３とを有する。見切り領域Ｅ３において対向基板２０の液晶層３５０側に見切り部２１が設けられている。
表示領域Ｅ１において、画素電極４１５は、ＩＴＯなどの透明導電膜を用いて第３層間絶縁膜１４上に形成されている。共通電極４１６は、画素電極４１５と同様に透明導電膜を用いて配線層１４に形成されている。共通電極４１６が接続される共通配線４０４は、配線層１４の下層の配線層１３に形成されている。画素電極４１５と共通電極４１６との間に、共通電極４１６の電位を基準とした交流電圧を印加することにより略横方向の電界を発生させ、略水平配向した液晶分子の配向方位を該電界方向に変えることにより、画素Ｐを透過する光を画像信号に基づいて変調することができる。このように異なる配線層に形成された画素電極４１５と共通電極４１６との間に生じさせた略横電界を利用して表示を行う方法は、ＦＦＳ（Fringe  Field  Switching）方式と呼ばれている。
【０１０５】
本実施形態では、ダミー画素領域Ｅ２に第１電極４２１と、第２電極４２２とが設けられている。第１電極４２１は、画素電極４１５を形成する工程で、透明導電膜を用いて形成されている。第２電極４２２は、共通電極４１６を形成する工程で、同じく透明導電膜を用いて形成されている。第１電極４２１と第２電極４２２とにより１つのダミー画素が構成されている。
配線層１４には、接続配線４２３が形成されている。配線層１３には、共通配線４０４と同層において、同じ導電膜を用いて接続配線４２４が形成されている。接続配線４２３は第１電極４２１に電気的に接続され、接続配線４２４は第２電極４２２に電気的に接続されている。
【０１０６】
＜液晶装置４００の駆動方法＞
第２電極４２２には、共通配線４０４と同じ共通電位（ＬＣＣＯＭ）が接続配線４２４を介して供給される。第１電極４２１には、第２電極４２２の電位を基準として高電位と低電位とに遷移する交流電位が接続配線４２３を介して供給される。つまり、第１電極４２１と第２電極４２２との間に、第２電極４２２の電位を基準とした交流電圧が印加される。該交流電圧は画素Ｐの透過率が変化する閾値電圧よりも小さい。これによって、第１電極４２１と第２電極４２２とを含むダミー画素が電子見切り部４２０として機能する。その一方で、第１電極４２１と第２電極４２２との間に生じた略横電界により、液晶層３５０中のイオン性不純物（カチオン、アニオン）は、第１電極４２１に引き寄せられる。すなわち、表示領域Ｅ１からイオン性不純物（カチオン、アニオン）をダミー画素領域Ｅ２に掃き寄せることができる。
なお、第１電極４２１と第２電極４２２との間に印加される交流電圧の周波数は、画素電極４１５と共通電極４１６との間に印加される交流電圧の周波数と同じであり、例えば６０Ｈｚである。
また、表示期間終了後に、第１電極４２１と第２電極４２２との間に印加される交流電圧を閾値電圧と同じまたは閾値電圧より大きくしてもよい。
【０１０７】
本実施形態によれば、第１電極４２１と第２電極４２２とを含む電子見切り部４２０は、画素Ｐと同じように略横電界が生じているものの、第１電極４２１と第２電極４２２との間に印加される交流電圧が閾値電圧より小さいので、ダミー画素領域Ｅ２においてノーマリーブラックの表示状態が維持される。したがって、イオン性不純物を引き寄せることができると共に、斜め方向から見ても光漏れが目立たない視角特性的に優れた電子見切り部４２０を実現できる。
【０１０８】
（第５実施形態）
＜電子機器＞
次に、第５実施形態である電子機器としての投射型表示装置について、図１４を参照して説明する。図１４は投射型表示装置の構成を示す概略図である。
【０１０９】
図１４に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【０１１０】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【０１１１】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【０１１２】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【０１１３】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【０１１４】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した電子見切り部１２０を有する液晶装置１００または液晶装置２００が適用されたものである。液晶パネル１１０（または液晶パネル２１０）の色光の入射側と射出側とにクロスニコルに配置された一対の偏光素子が隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【０１１５】
このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、上記液晶装置１００または上記液晶装置２００が用いられているので、イオン性不純物に起因する表示不具合が改善され、優れた表示品質を有する投射型表示装置１０００を提供することができる。
【０１１６】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置の駆動方法ならびに該液晶装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０１１７】
（変形例１）液晶装置１００及びその駆動方法において、ダミー画素電極１２１，１２２と共通電極２３との間に交流電圧を印加する場合、ダミー画素ＤＰの構造を画素Ｐと同じにして、ダミー画素電極１２１，１２２ごとにＴＦＴ３０を設ける構成とする。そして、ＴＦＴ３０を介して、ダミー画素電極１２１，１２２のそれぞれに交流電位を印加するとしてもよい。このような構成とすることで、ダミー画素電極１２１，１２２と共通電極２３との間に印加する交流電圧を外部接続端子１０４（ＥＡ）から供給せずに、データ線駆動回路１０１を使って供給することも可能となる。
【０１１８】
（変形例２）液晶装置１００、液晶装置２００、液晶装置３００、液晶装置４００は、透過型であることに限定されない。例えば、光反射性を有する導電膜を用いて画素電極１５，３１５，４１５や共通電極３１６，４１６を形成したり、あるいは画素電極１５，３１５，４１５及び共通電極３１６，４１６の下層に光反射層を設けた反射型の液晶装置に本発明を適用することもできる。
また、ＶＡ方式、ＩＰＳ方式、ＦＦＳ方式の液晶装置に適用されることに限定されず、ＯＣＢ（Optically  Compensated  Birefringence）方式の液晶装置にも適用可能である。
【０１１９】
（変形例３）液晶装置１００、液晶装置２００、液晶装置３００、液晶装置４００が適用される電子機器は、上記第５実施形態の投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部に適用することができる。
【符号の説明】
【０１２０】
１０…第１基板としての素子基板、１５，３１５，４１５…画素電極、１８，２４…無機配向膜としての配向膜、２０…第２基板としての対向基板，２３，３１６，４１６…共通電極、４０…シール材、５０，３５０…液晶層、１００，２００，３００，４００…液晶装置、１２０，３２０，４２０…電子見切り部、１２１，１２２…第１電極としてのダミー画素電極、１２６…第３電極としてのダミー画素電極、３１６，４１６…共通電極、３２１，４２１…第１電極、３２２，４２２…第２電極、１０００…電子機器としての投射型表示装置、Ｅ１…第１領域としての表示領域、Ｅ２…第２領域としてのダミー画素領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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