(57)【要約】【課題】効率的なマスクの支持が可能な成膜装置を提供する。【解決手段】本発明の一形態に係る成膜装置１は、蒸着源３と、被成膜部が下方側に配置される基板６を支持する基板支持部４と、蒸着源３及び基板支持部４を収容する収容部５と、を備え、基板支持部４は、磁性体から成り、基板６の被成膜部に対応する位置に配置される貫通部８ａの周囲に梁８ｂを有するマスク８と、マスク８を支持するマスク支持部９と、基板６をマスク８と挟む込むカバー部１０と、を備え、カバー部１０は、梁８ｂに対応する位置に磁石１０ｂを有する。【選択図】図２
2014088606.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜源と、
被成膜部が下方側に配置される基板を支持する基板支持部と、
前記成膜源及び前記基板支持部を収容する収容部と、を備え、
前記基板支持部は、
磁性体から成り、前記基板の被成膜部に対応する位置に配置される貫通部の周囲に梁を有するマスクと、
前記マスクを支持するマスク支持部と、
前記基板を前記マスクと挟む込むカバー部と、を備え、
前記カバー部は、前記梁に対応する位置に磁石を有する、成膜装置。
【請求項２】
前記磁石は、２つの交差する前記梁の交点近傍に配置される、請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記カバー部は、非磁性体から成り、前記基板の側に配置される第１のカバー部材と、磁性体から成り、前記第１のカバー部材を挟んで前記基板と逆側に配置される第２のカバー部材と、をさらに備え、
前記第１のカバー部材は、第１の方向及び前記第１の方向に直交する第２の方向に沿って配列される複数の孔を有し、
前記磁石は、前記複数の孔に選択的に挿入される、請求項１又は２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記マスクの貫通部は、前記基板及び前記マスクが予め設定される温度に上昇すると、前記基板の被成膜部に対応する位置に配置されるように、予め設定されたオフセット量で配置される、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記マスク支持部は、前記基板が内部に配置される外周リングと、前記外周リングに固定され、前記外周リングとの間に配置される前記マスクの外周部を前記外周リングの側に抑える抑え部材と、を備え、
前記マスクと前記外周リングとは、予め設定される温度に上昇した際の膨張量が略等しい、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項６】
基板の被成膜部の側に配置されるマスクと、前記基板の被成膜部と逆側に配置されるカバー部とで、前記基板を挟み込み、前記基板の被成膜部を下方側に配置した状態で支持する工程と、
前記マスクにおける前記基板の被成膜部に対応する位置に配置される貫通部の周囲の梁を前記カバー部が有する磁石で磁気吸着し、前記マスクを前記基板に略密着させる工程と、
前記マスクの貫通部を介して前記基板の被成膜部に成膜する工程と、
を備える成膜方法。
【請求項７】
前記磁石は、２つの交差する前記梁の交点近傍に配置する、請求項６に記載の成膜方法。
【請求項８】
前記磁石は、前記梁の位置に応じて配置する、請求項６又は７に記載の成膜方法。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか１項に記載の成膜方法を実行する工程と、
基板を切断する工程と、
を備える、素子製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置、成膜方法及び素子製造方法に関し、例えば基板の被成膜面を下方側に配置した状態で当該基板の被成膜面に薄膜を形成する成膜装置、成膜方法及び素子製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガラスやシリコン等から成る基板に薄膜等を形成する際に、基板の被成膜面を下方側に配置した状態、即ち基板の被成膜面を斜め下方や真下に向けて配置した状態で、当該基板の所定の位置にマスクを用いて成膜することがある。
【０００３】
このとき、基板を下方側からマスクで支持することになるが、基板の所定の位置に精度良く成膜することができるように、マスクが基板の自重によって撓まないように当該マスクを支持する必要がある。
【０００４】
例えば特許文献１の斜方蒸着治具は、斜方蒸着治具のステージに放射状に配置された磁石を埋め込んでいる。そして、基板を磁性体から成るマスクと斜方蒸着治具のステージとの間に挟み込み、マスクを斜方蒸着治具の磁石に磁気吸着させることで、マスクの撓みを防いでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−２６５５９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１の斜方蒸着治具は、磁石が放射状に配置されているため、当該磁石がマスクの貫通部に配置される可能性がある。そのため、特許文献１の斜方蒸着治具は、効率的にマスクを支持することができる構成とされていない。
【０００７】
本発明の目的は、上述した課題を解決するためになされたものであり、効率的なマスクの支持が可能な成膜装置、成膜方法及び素子製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一形態に係る成膜装置は、成膜源（３）と、被成膜部が下方側に配置される基板（６）を支持する基板支持部（４）と、前記成膜源（３）及び前記基板支持部（４）を収容する収容部（５）と、を備え、前記基板支持部（４）は、磁性体から成り、前記基板（６）の被成膜部に対応する位置に配置される貫通部（８ａ）の周囲に梁（８ｂ）を有するマスク（８）と、前記マスク（８）を支持するマスク支持部（９）と、前記基板（６）を前記マスク（８）と挟む込むカバー部（１０）と、を備え、前記カバー部（１０）は、前記梁（８ｂ）に対応する位置に磁石（１０ｂ）を有する。
本発明の一形態に係る成膜方法は、基板（６）の被成膜部の側に配置されるマスク（８）と、前記基板（６）の被成膜部と逆側に配置されるカバー部（１０）とで、前記基板（６）を挟み込み、前記基板（６）の被成膜部を下方側に配置した状態で支持する工程と、前記マスク（８）における前記基板（６）の被成膜部に対応する位置に配置される貫通部（８ａ）の周囲の梁（８ｂ）を前記カバー部（１０）が有する磁石（１０ｂ）で磁気吸着し、前記マスク（８）を前記基板（６）に略密着させる工程と、前記マスク（８）の貫通部（８ａ）を介して前記基板（６）の被成膜部に成膜する工程と、を備える。
本発明の一形態に係る素子製造方法は、上記の成膜方法を実行する工程と、基板（６）を切断する工程と、を備える。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、効率的なマスクの支持が可能な成膜装置、成膜方法及び素子製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施の形態１の成膜装置を概略的に示す図である。
【図２】本発明の実施の形態１の成膜装置における、基板支持部を概略的に示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１の成膜装置における、マスクを示す図である。
【図４】外周リングと基板との関係を示す図である。
【図５】カバー部における第１のカバー部材の貫通部に磁石が挿脱可能な様子を示す図である。
【図６】マスクの梁と磁石との配置関係を示す図である。
【図７】マスクと外周リングと抑え部材との配置関係を示す図である。
【図８】マスクの梁と磁石とカバー部における第１のカバー部材の貫通部との配置関係を示す図である。
【図９】（Ａ）は、図７のＡ部分での基板の被成膜部と加熱前後におけるマスクの貫通部との配置関係を示す図である。（Ｂ）は、図７のＢ部分での基板の被成膜部と加熱前後におけるマスクの貫通部との配置関係を示す図である。
【図１０】他の実施の形態の成膜装置における、マスクを示す図である。
【図１１】マスクの梁と磁石とカバー部における第１のカバー部材の貫通部との配置関係を示す図である。
【図１２】他の実施の形態の成膜装置における、マスクを示す図である。
【図１３】マスクの梁と磁石とカバー部における第１のカバー部材の貫通部との配置関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の実施の形態に係る成膜装置、成膜方法及び素子製造方法について説明する。但し、本発明が以下の実施の形態に限定される訳ではない。また、説明を明確にするため、以下の記載及び図面は、適宜、簡略化されている。
【００１２】
＜実施の形態１＞
先ず、本実施の形態の成膜装置を概略的に説明する。本実施の形態の成膜装置は、基板の被成膜面を斜め下方又は真下に向けて配置した状態で、基板の被成膜面の所定の領域（被成膜部）にマスクを用いて材料を成膜する。
【００１３】
このとき、成膜装置は、下方側からマスクによって基板を支持し、基板の被成膜面に成膜するが、マスクが基板の自重で撓まないように、当該基板を挟んでマスクと逆側に配置された磁石でマスクを磁気吸着し、マスクを基板に密着させる。
【００１４】
特に、磁石はマスクの貫通部の周囲の梁と対応する位置に配置する。これにより、磁石がマスクの磁気吸着に寄与しない位置に配置されることが殆どなく、効率的にマスクを支持することができる。
【００１５】
次に、本実施の形態の成膜装置を詳細に説明する。図１に示すように、本実施の形態の成膜装置１は、熱源２、蒸着源（成膜源）３、基板支持部４及び収容部５を備えている。熱源２は、基板６を加熱するために、収容部５内を加熱する。熱源２としては、例えばランプヒータを用いることができるが、一般的な成膜装置に用いられる熱源を用いることができる。
【００１６】
蒸着源３は、基板６の被成膜面に成膜される材料である。例えば、蒸着源３は、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）の配向膜材料であるＳｉＯ２であり、るつぼ７内に収容されている。るつぼ７は、図１に示すように、収容部５の内部底面に配置されている。これにより、加熱された蒸着源３の成膜材料が収容部５内において上方に向かって気化する。ここで、基板６は、例えば、厚さが０．７〜１ｍｍ程度の表面に透明電極を形成したガラス基板及び画素毎の反射電極と駆動回路をアクティブマトリクス状に配置したシリコン等である。なお、基板６の形状については後述する。
【００１７】
ここで、基板支持部４は、基板６の被成膜面が下方側、即ち基板６の被成膜面が斜め下方又は真下に向かって配置されるように、基板６を支持する。基板支持部４は、図１に示すように、収容部５の内部における所定の高さ位置であって、るつぼ７の上方に配置される。例えば、基板支持部４は、図２に示すように、基板６の法線Ｌ１と、基板６とるつぼ７とを結ぶ直線Ｌ２と、が成す角度θが４０°〜６０°に設定されることで斜方蒸着による配向膜が形成される。
【００１８】
基板支持部４は、図２に示すように、マスク８、マスク支持部９及びカバー部１０を備えている。マスク８は、磁性体から成る薄板であり、例えば厚さが０．１ｍｍ程度のステンレス板から成る。そして、マスク８は、基板６の被成膜面を覆うのに十分な大きさを備え、図３に示すように、例えば略円盤形状に形成されている。
【００１９】
マスク８は、基板６における素子等が形成される被成膜部に対応する位置に配置される貫通部８ａを備えている。本実施の形態では、矩形状の貫通部８ａがアレイ状に配置されている。つまり、複数の貫通部８ａは、第１の方向及び当該第１の方向と直交する第２の方向に沿って配列されている。そして、貫通部８ａの長手方向は第１の方向に配置されている。貫通部８ａは、収容部５内を加熱して基板６及びマスク８が熱膨張した際に、基板６の被成膜部に配置されるように、所定のオフセット量で配置されているが、詳細は後述する。
【００２０】
さらにマスク８は、貫通部８ａの周囲に梁８ｂを備えている。本実施の形態の梁８ｂは、格子状に配置されている。また、マスク８は、マスク８の周縁近傍であって、中心を挟んで略対向する位置に位置決め孔８ｃ及び８ｄを備えている。位置決め孔８ｃ及び８ｄについては後述する。
【００２１】
マスク支持部９は、図２に示すように、外周リング１１及び抑え部材１２を備えている。外周リング１１は、図２及び図４に示すように、基板６を収納可能な貫通部１１ａを備えている。ちなみに、貫通部１１ａは、基板６の熱膨張を許容するように、基板６の端面との間にクリアランスを備えている。
【００２２】
外周リング１１は、図４に示すように、基板６を位置決めするための位置決め部１１ｂ及び１１ｃを備えている。位置決め部１１ｂ及び１１ｃは、外周リング１１の貫通部１１ａにおける下方領域に形成されており、外周リング１１の貫通部１１ａの一部を成す平面部である。位置決め部１１ｂは、第１の方向に配置されている。また、位置決め部１１ｃは、第２の方向に配置されている。
【００２３】
ここで、基板６は略円盤形状に形成されており、位置決め部１１ｂ及び１１ｃに対応するように、基板基準部６ａ及び６ｂを備えている。ここで基板基準部６ａ及び６ｂの少なくとも一方は、基板６の端面の一部を成す平面部である。基板基準部６ａは、外周リング１１の位置決め部１１ｂに当接し、第１の方向に配置されている。また、基板基準部６ｂは、外周リング１１の位置決め部１１ｃに当接し、第２の方向に配置されている。
【００２４】
外周リング１１は、図４に示すように、マスク８と向かい合う側の面に位置決めピン１１ｄ及び１１ｅを備えている。位置決めピン１１ｄと１１ｅとは、外周リング１１の中心を挟んで略対向するように配置されている。
【００２５】
位置決めピン１１ｄには、マスク８の位置決め孔８ｃが挿入されている。位置決めピン１１ｄの外形とマスク８の位置決め孔８ｃの内形とは略等しく形成されている。ここで、例えば位置決めピン１１ｄは、位置決め部１１ｂが形成される領域に対応するように、即ち位置決め部１１ｂの近傍に配置されてもよい。具体的な効果については後述する。なお、ここでは、位置決めピン１１ｄを位置決め部１１ｂの近傍に配置しているが、位置決め部１１ｃの近傍に配置してもよい。
【００２６】
位置決めピン１１ｅには、マスク８の位置決め孔８ｄが挿入されている。マスク８の位置決め孔８ｄの内形は、マスク８の熱膨張を許容するように、長穴形状となっている。
【００２７】
なお、マスク８の位置決め孔８ｃ、８ｄ及び外周リング１１の位置決めピン１１ｄ、１１ｅの配置は、マスク８を位置決めしつつ、マスク８の熱膨張を許容できるように配置されていればよい。
【００２８】
抑え部材１２は、図２に示すように、外周リング１１との間に配置されるマスク８の外周部を当該外周リング１１側に抑える。本実施の形態の抑え部材１２は、マスク８の貫通部８ａが露出するように貫通部１２ａを備える板状部材である。抑え部材１２は、スペーサ１３を介して外周リング１１に接合されている。
【００２９】
この抑え部材１２は、マスク８の熱膨張を許容するように当該マスク８を抑える。つまり、抑え部材１２は、マスク８を外周リング１１に強く押し付けるのではなく、マスク８等の落下を防ぐために、外周リング１１に反力をとって下方側から基板６を支持しているだけである。
【００３０】
カバー部１０は、基板６をマスク８と共に挟み込む。本実施の形態のカバー部１０は、図２に示すように、第１のカバー部材１０ａ、磁石１０ｂ及び第２のカバー部材１０ｃを備えている。第１のカバー部材１０ａは、第２のカバー部材１０ｃに対して基板６側に配置されている。そして、第１のカバー部材１０ａは、外周リング１１の貫通部１１ａに配置されている。
【００３１】
ここで、第１のカバー部材１０ａは、図５に示すように、板状部材であって、複数の貫通部１０ａ１を備えていることが好ましい。貫通部１０ａ１は、第１の方向と第２の方向とを含む平面に対して垂直方向に第１のカバー部材１０ａを貫通している。そして、貫通部１０ａ１は、図８に示すように、第１の方向及び第２の方向に沿って配列されていることが好ましい。つまり、第１の方向に配置される複数の貫通部１０ａ１の中心を結ぶ直線と、第２の方向に配置される複数の貫通部１０ａ１の中心を結ぶ直線と、で格子状を形成する。この第１のカバー部材１０ａは、非磁性体から成ることが好ましい。
【００３２】
磁石１０ｂは、第１のカバー部材１０ａの貫通部１０ａ１に挿入及び離脱可能な形状とされている。本実施の形態の磁石１０ｂは、第１のカバー部材１０ａの貫通部１０ａ１と略等しい高さを備えている。そして、磁石１０ｂは、第１のカバー部材１０ａの貫通部１０ａ１の内形よりも小さい外形を備えている。この磁石１０ｂは、図６に示すように、マスク８の梁８ｂが配置される位置に対応するように、第１のカバー部材１０ａの貫通部１０ａ１に選択的に挿入される。
【００３３】
第２のカバー部材１０ｃは、第１のカバー部材１０ａを外周リング１１に接合する。本実施の形態の第２のカバー部材１０ｃは、外周リング１１の外形と略等しい外形を有する板状部材である。そして、第２のカバー部材１０ｃは、第１のカバー部材１０ａと接合されている。また、第２のカバー部材１０ｃは、外周リング１１におけるマスク８が配置される側と逆側の面に接合されている。この第２のカバー部材１０ｃは、磁性体から成ることが好ましい。
【００３４】
収容部５は、熱源２、蒸着源３、基板支持部４を収容する。例えば収容部５は、真空チャンバーであり、外部の真空ポンプに接続されている。
【００３５】
次に、上述の成膜装置１を用いた成膜方法及び素子製造方法を説明する。先ず、スペーサ１３を介してマスク８を外周リング１１と抑え部材１２とで挟み込み、抑え部材１２を外周リング１１に接合する。このとき、マスク８の位置決め孔８ｃが外周リング１１の位置決めピン１１ｄに挿入される。一方、マスク８の位置決め孔８ｄが外周リング１１の位置決めピン１１ｅに挿入される。これにより、マスク８は、位置決め孔８ｃ（外周リング１１の位置決めピン１１ｄ）を基準位置として熱膨張する。
【００３６】
次に、外周リング１１の貫通部１１ａにおけるマスク８と逆側から基板６を挿入し、マスク８で基板６を支持する。その結果、基板６は被成膜面を下方側に配置した状態で支持される。
【００３７】
このとき、外周リング１１の貫通部１１ａの下方領域に位置決め部１１ｂ及び１１ｃが形成されているので、基板６の自重によって、外周リング１１の位置決め部１１ｂに基板６の基板基準部６ａが当接し、外周リング１１の位置決め部１１ｃに基板６の基板基準部６ｂが当接した状態となる。これにより、基板６を所定の位置に簡単に配置することができ、図７に示すように、加熱前の基板６とマスク８の貫通部８ａとの位置関係を規定することができる。
【００３８】
次に、第１のカバー部材１０ａを第２のカバー部材１０ｃに接合し、図６に示すように、第１のカバー部材１０ａの複数の貫通部１０ａ１に選択的に磁石１０ｂを挿入する。つまり、磁石１０ｂが基板６を挟んでマスク８の梁８ｂが配置される位置に対応するように、磁石１０ｂを貫通部１０ａ１に挿入する。つまり、マスク８の磁気吸着に寄与しない、マスク８の開口部８ａに対応する位置に磁石１０ｂを配置しない。
【００３９】
このとき、磁石１０ｂは、加熱後のマスク８の梁８ｂの交点近傍に配置されることが好ましく、マスク８の第１の方向と第２の方向との両方向の撓みを抑制することができる。ちなみに、マスク８の撓みの抑制と、成膜後の基板６の撤去の容易性と、を考慮して、磁石１０ｂの個数は適宜設定すればよい。
【００４０】
次に、第１のカバー部材１０ａを外周リング１１の貫通部１１ａにおけるマスク８と逆側から挿入し、第１のカバー部材１０ａが接合された第２のカバー部材１０ｃを外周リング１１に接合する。これにより、下方から上方に向かって、マスク８、基板６、第１のカバー部材１０ａ、第２のカバー部材１０ｃの順で配置される。
【００４１】
このとき、基板６を支持するマスク８は、基板６を介して磁石１０ｂに磁気吸着して当該基板６に密着し、マスク８の撓みが抑制される。また、第２のカバー部材１０ｃで外周リング１１を覆うように、第２のカバー部材１０ｃを配置するが、第２のカバー部材１０ｃは磁性体から成るため、磁石１０ｂが第２のカバー部材１０ｃに磁気吸着しており、磁石１０ｂの落下を抑制することができる。
【００４２】
なお、第１のカバー部材１０ａと基板６における被成膜面と逆側の面との間に緩衝材等のスペーサ１４が配置される。スペーサ１４は、基板６における被成膜面と逆側の面が第１のカバー部材１０ａに接触することを防ぎ、基板６を健全な状態に維持する。
【００４３】
次に、収容部５内を熱源２で加熱して基板６が所定の温度になると、蒸着源３を加熱して気化させる。このとき、基板６は、外周リング１１の貫通部１１ａの位置決め部１１ｂ及び１１ｃで拘束されつつ、熱膨張する。また、マスク８は、外周リング１１の位置決めピン１１ｄで拘束されつつ、熱膨張する。上述のように、例えば外周リング１１の位置決めピン１１ｄが位置決め部１１ｂの近傍に配置されていると、基板６における位置決め部１１ｂによって熱膨張が拘束される方向と、マスク８における外周リング１１の位置決めピン１１ｄによって熱膨張が拘束される方向と、を略等しくすることができる。つまり、基板６は中心から位置決め部１１ｂ方向への熱変形が拘束され、マスク８は中心から位置決めピン１１ｄ方向への熱変形が拘束されるので、熱膨張後の基板６とマスク８との位置対応が想定し易くなる。
【００４４】
ちなみに、例えば外周リング１１の位置決めピン１１ｄを位置決め部１１ｃの近傍に配置しても、基板６における位置決め部１１ｃによって熱膨張が拘束される方向と、マスク８における外周リング１１の位置決めピン１１ｄによって熱膨張が拘束される方向と、を略等しくすることができる。つまり、基板６は中心から位置決め部１１ｃ方向への熱変形が拘束され、マスク８は中心から位置決めピン１１ｄ方向への熱変形が拘束されるので、熱膨張後の基板６とマスク８との位置対応が想定し易くなる。
【００４５】
ここでマスク８の貫通部８ａは、基板６及びマスク８が熱膨張した際に、基板６の所定の被成膜部に配置されるように、所定のオフセット量で配置されている。そのため、図８に示すように、基板６及びマスク８が熱膨張した際に、マスク８の貫通部８ａは基板６の被成膜部に精度良く配置される。つまり、基板６が所定の温度まで加熱されて平衡状態になると、マスク８の貫通部８ａと基板６の被成膜部との第１の方向及び第２の方向における位置が略一致する。その結果、蒸着源３の材料はマスク８の貫通部８ａを介して基板６の被成膜部に良好に成膜される。
【００４６】
次に、第２のカバー部材１０ｃを外周リング１１から取り外して、外周リング１１の貫通部１１ａから基板６を取り出す。このとき、第１のカバー部材１０ａ、磁石１０ｂ及び第２のカバー部材１０ｃは、一体的に外周リング１１から取り外される。
【００４７】
最後に、配向膜を形成した少なくとも一方がガラス基板である一対の基板６を貼り合わせ、基板６を所定のサイズに切断、液晶を注入することで液晶表示素子を製造することができる。一方の基板に液晶を滴下してから一対の基板を貼り合わせることによっても液晶表示素子を製造することができる。また配向膜を形成した基板を切断してから一対の基板を貼り合わせてもよい。
【００４８】
このような成膜装置、成膜方法及び素子製造方法は、マスク８の梁８ｂの配置に対応する位置に磁石１０ｂを配置するので、磁石１０ｂがマスク８の磁気吸着に寄与しない位置に配置されることが殆どなく、効率的なマスク８の支持が可能である。また、カバー部１０の軽量化に寄与することができ、作業効率を向上させることができる。
【００４９】
しかも、磁石１０ｂの位置をマスク８の梁８ｂの位置等に応じて変更することができるので、基板６の被成膜部の位置や形状に合わせて、磁石１０ｂの位置を容易に変更することができる。また、磁石１０ｂの個数を変更して、マスク８への磁気吸着力を調整することもできる。ちなみに、磁石１０ｂは、マスク８の梁８ｂの配置と対応する位置に精度良く配置する必要はなく、マスク８を磁気吸着することができる位置に配置すればよい。
【００５０】
次に、マスク８の貫通部８ａのオフセット量について説明する。図９Ａは、図７のＡ部分での基板６の被成膜部と、加熱前後におけるマスク８の貫通部８ａと、の配置関係を示している。また、図９Ｂは、図７のＢ部分での基板６の被成膜部と、加熱前後におけるマスク８の貫通部８ａと、の配置関係を示している。いずれの図も、細い破線が加熱前のマスク８の貫通部８ａを示し、太い破線が加熱後のマスク８の貫通部８ａを示している。
【００５１】
図９Ａ及び図９Ｂに示すように、マスク８の任意の位置から外周リング１１の位置決めピン１１ｄまでの距離が長くなるほど、熱膨張によるマスク８の任意の位置での変位が大きくなるので、外周リング１１の位置決めピン１１ｄまでの距離に応じて、マスク８の貫通部８ａのオフセット量を設定する。つまり、マスク８の貫通部８ａは、外周リング１１の位置決めピン１１ｄとの距離に略比例するオフセット量で配置されている。
【００５２】
＜他の実施の形態＞
上述の成膜装置、成膜方法及び素子製造方法は、以下のマスクを用いても同様に実施することができる。
図１０に示すマスク８０は、実施の形態１のマスク８の貫通部８ａに比べて小さい貫通部８０ａを備えている。例えば、実施の形態１のマスク８の貫通部８ａに比べて、小さい矩形状の貫通部８０ａが第１の方向及び第２の方向に沿ってアレイ状に配列されている。このようなマスク８０を用いる場合も、図１１に示すように、磁石１０ｂがマスク８０の梁８０ｂの配置に対応する位置に配置され、好ましくは梁８０ｂの交点近傍に配置される。
【００５３】
図１２に示すマスク８１は、貫通部８１ａが短冊状に形成されている。例えば、貫通部８１ａの長手方向が第１の方向に配置されている。そして、複数の貫通部８１ａが第２の方向に略平行に配置されている。このようなマスク８１を用いる場合も、図１３に示すように、磁石１０ｂがマスク８１の梁８１ｂの配置に対応する位置に配置される。
【００５４】
本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、蒸着以外のスパッタ、ＣＶＤ等でも実施可能である。また、実施の形態では液晶表示素子の例を説明したが、本発明は他の素子の製造方法へ適用も可能である。
【符号の説明】
【００５５】
１  成膜装置
２  熱源
３  蒸着源
４  基板支持部
５  収容部
６  基板
６ａ、６ｂ  切り欠き部
８  マスク
８ａ  貫通部
８ｂ  梁
８ｃ、８ｄ  位置決め孔
９  マスク支持部
１０  カバー部
１０ａ  第１のカバー部材、１０ａ１  貫通部
１０ｂ  磁石
１０ｃ  第２のカバー部材
１１  外周リング
１１ａ  貫通部
１１ｂ、１１ｃ  位置決め部
１１ｄ、１１ｅ  位置決めピン
１２  抑え部材
１２ａ  貫通部
１３  スペーサ
１４  スペーサ
８０  マスク
８０ａ  貫通部
８０ｂ  梁
８１  マスク
８１ａ  貫通部
８１ｂ  梁
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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