(57)【要約】【課題】フラッシュメモリ等の不揮発性メモリにおいて、電源の瞬断等により生じたリテンション不良を解消しつつ、メモリ全体を満遍なく使用する。【解決手段】フラッシュメモリは、データを保存するデータ領域と、データ領域の状態を示す管理データを保存する管理領域からなる複数のレコードに区分けされ、車載装置のＣＰＵは、予め定められた順番に従い対象レコードを選択し、該対象レコードにデータを保存する。そして、ＣＰＵは、電力供給開始時に、各レコードに保存されたデータと該順番とに基づき、対象レコードと、最後にデータが書き込まれた最終レコードを特定し（Ｓ３０５）、最終レコードに同一データを上書きすると共に（Ｓ３１５）、対象レコードにダミーデータを保存する（Ｓ３２０）。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
予め定められた記憶単位領域毎にデータの書き込みを行うことが可能な不揮発性メモリを制御する管理手段（１４）と、
予め定められた規則に従い、前記不揮発性メモリにおけるデータの書き込みがなされていない１または複数の前記記憶単位領域を、データの書き込みを行う書き込み領域として設定する設定手段（Ｓ３０５，Ｓ３２０）と、
前記管理手段を介して、前記設定手段により設定された前記書き込み領域に新規データを書き込む書き込み手段（Ｓ３２０）と、
自装置への電力供給が開始されると、前記管理手段を介して前記不揮発性メモリから読み出したデータと前記規則とに基づき、該電力供給が開始されるまでに、前記管理手段により最後にデータが書き込まれた前記記憶単位領域である最終記憶単位領域を特定する特定手段（Ｓ３０５）と、
前記特定手段により前記最終記憶単位領域が特定されると、前記管理手段を介して、該最終記憶単位領域に対し、該最終記憶単位領域に保存されているデータを書き込む上書き手段（Ｓ３１５）と、
を備え、
前記書き込み手段は、前記上書き手段によるデータ書き込みに続いて、前記設定手段により設定された前記書き込み領域に前記新規データを書き込むこと、
を特徴とする書き込み装置（１０）。
【請求項２】
請求項１に記載の書き込み装置において、
前記不揮発性メモリとは、複数の前記記憶単位領域から構成されるブロック（１００）毎に保存されているデータを消去することができるフラッシュメモリ（１６）であり、
前記管理手段は、前記不揮発性メモリの前記ブロック毎にデータを消去する制御を行うこと、
を特徴とする書き込み装置。
【請求項３】
請求項２に記載の書き込み装置において、
前記設定手段は、データを保存するためのデータ領域（１１１）と、該データ領域の状態を示す管理データが保存される管理領域（１１２）とを有し、１または複数の前記記憶単位領域から構成される記憶領域をレコード（１１０）とし、前記規則に従い、データの書き込みがなされていないいずれかの前記レコードを、前記書き込み領域として設定し、
前記書き込み手段は、前記管理手段を介して、前記書き込み領域である前記レコードの前記データ領域に前記新規データを書き込むと共に、該レコードの前記管理領域に、該データ領域にデータが保存されていることを示す前記管理データを書き込み、
前記特定手段は、前記電力供給が開始されると、前記管理手段を介して前記不揮発性メモリから読み出したデータと前記規則とに基づき、該電力供給が開始されるまでに、前記書き込み手段により最後に前記新規データが書き込まれた前記レコードを特定すると共に、該レコードを構成する前記記憶単位領域を前記最終記憶単位領域として特定すること、
を特徴とする書き込み装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のうちのいずれか１項に記載の書き込み装置において、
前記書き込み手段は、前記電力供給が開始されると、前記新規データとしてダミーデータを書き込むこと、
を特徴とする書き込み装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のうちのいずれか１項に記載の書き込み装置において、
前記書き込み装置は、車両に搭載されていること、
を特徴とする書き込み装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラッシュメモリ等の不揮発性メモリへのデータの書き込みを行う書き込み装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
データの書き換えが可能な不揮発性メモリの一例としてフラッシュメモリが知られているが、このフラッシュメモリでは、一般的に、２バイト程度の記憶領域毎にデータの書き込みや読み出しが行われると共に、数キロバイトの記憶領域（ブロック）毎にデータの消去が行われる。
【０００３】
ここで、フラッシュメモリへのデータの書き込み中に電源の瞬断等が発生し、データの書き込みが完了しない場合が想定される。このような場合、メモリセルに蓄えられた電荷が不足し、本来の保証期間にわたりデータを保持できないリテンション不良が生じる可能性がある。
【０００４】
データ書き込み時にリテンション不良が生じた場合、その電荷によっては、該データ書き込み後の一定期間は記憶領域から正常にデータが読み出されるため、メモリセルに蓄えられた電荷が十分かどうか、すなわちリテンション不良の有無を判別することができない。このため、例えば、メモリセルに蓄えられている電荷を測定し、測定結果に基づきリテンション不良の有無を判定するといった対策が考えられるが、このような測定を行うとなると、ハードウェア構成が大規模化すると考えられる。
【０００５】
これに対し、特許文献１では、フラッシュメモリの書き込み処理が瞬断により中断すると、電力供給再開時に、瞬断発生の直前に書き込みがなされた記憶領域に再度同一データを書き込むことが記載されている。これにより、瞬断によりデータの書き込みが中断した可能性のある記憶領域のメモリセルに十分な電荷を注入し、リテンション不良を解消することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−９７３８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載の方法では、データ書き込み中の瞬断を検出するための処理が新たに必要となり、該処理を行うため、フラッシュメモリに、保存されている各データの有効／無効情報を保存するチェック領域を設けることが必要となる。そして、データの書き込みの度に、対応するチェック領域に保存されている有効／無効情報が更新され、電力供給開始時に、チェック領域に保存されている有効／無効情報に基づき、データの書き込み中に瞬断が生じたか否かが判定される。
【０００８】
このため、チェック領域に保存されている有効／無効情報を更新するタイミングで電源瞬断等が発生しデータの書き込みが完了せず、該チェック領域にてリテンション不良が発生した場合には、該有効／無効情報を本来の保証期間にわたり保持することができなくなる。このため、該チェック領域に対応するデータの信頼性を確保することができなくなる。
【０００９】
これに対し、電力供給開始の度に、最後に書き込みがなされた記憶領域に対し、該有効／無効情報を上書きするという対策が考えられる。これにより、データ書き込み中に瞬断等が生じ、リテンション不良が生じている可能性のある記憶領域のメモリセルに十分な電荷を注入することができ、電荷測定するためのハードウェアを用いることなくリテンション不良を解消することができる。
【００１０】
しかしながら、フラッシュメモリの更新頻度によっては、電源投入の度に、リテンション不良が生じていない同一の記憶領域に対して繰り返し上書きが行われる可能性がある。同一の記憶領域に対して上書きが繰り返された場合、一部のメモリセルだけが繰り返し使用される。メモリ全体が満遍なく使用されていないにも関わらず、一部のメモリセルだけが繰り返し使用され、メモリセルあるいは制御回路が使用限度に達することで、そのフラッシュメモリは寿命に達したことになる。これは、メモリ全体を満遍なく使用した場合に比べて寿命が短くなっていることを意味する。
【００１１】
本願発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、電源の瞬断等により生じたリテンション不良を解消しつつ、フラッシュメモリ等の不揮発性メモリ全体を満遍なく使用できる書き込み装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題に鑑みてなされた請求項１に係る書き込み装置は、予め定められた記憶単位領域毎にデータの書き込みを行うことが可能な不揮発性メモリを制御する管理手段と、予め定められた規則に従い、不揮発性メモリにおけるデータの書き込みがなされていない１または複数の記憶単位領域を、データの書き込みを行う書き込み領域として設定する設定手段と、管理手段を介して、設定手段により設定された書き込み領域に新規データを書き込む書き込み手段と、を備える。
【００１３】
また、該書き込み装置は、自装置への電力供給が開始されると、管理手段を介して不揮発性メモリから読み出したデータと規則とに基づき、該電力供給が開始されるまでに、管理手段により最後にデータが書き込まれた記憶単位領域である最終記憶単位領域を特定する特定手段と、特定手段により最終記憶単位領域が特定されると、管理手段を介して、該最終記憶単位領域に対し、該最終記憶単位領域に保存されているデータを書き込む上書き手段と、を備える。
【００１４】
そして、書き込み手段は、上書き手段によるデータ書き込みに続いて、設定手段により設定された前記書き込み領域に前記新規データを書き込む。
このような構成によれば、自装置への電力供給開始時に、最後にデータの書き込みがなされた最終記憶単位領域に同一データが書き込まれる。このため、仮に、最終記憶単位領域へのデータの書き込み中に、例えば、電源の瞬断等による電力供給の停止や、ノイズにより生じたＣＰＵのリセット等により書き込みが中断し、最終記憶単位領域にてリテンション不良が生じていたとしても、これを解消することができる。
【００１５】
また、電力供給開始時に新たな記憶単位領域にデータが書き込まれるため、次回の電力供給開始時に最終記憶単位領域として特定される記憶単位領域を変更することができ、不揮発性メモリの同一の記憶領域への上書きが繰り返されることを回避できる。
【００１６】
これにより、各記憶領域の書き込み頻度の偏りを抑えることができ、各記憶領域に対し、満遍なくデータ書き込みを行うことが可能となる。このため、データ書き込みが殆どなされていない記憶領域が存在するにも関らず、寿命に達することを防ぐことができる。
【００１７】
したがって、請求項１に係る書き込み装置によれば、電源の瞬断等により生じたリテンション不良を解消しつつ、フラッシュメモリ等の不揮発性メモリ全体を満遍なく使用することができる。
【００１８】
なお、請求項２に記載されているように、不揮発性メモリとは、複数の記憶単位領域から構成されるブロック毎に保存されているデータを消去することができるフラッシュメモリであり、管理手段は、不揮発性メモリのブロック毎にデータを消去する制御を行っても良い。
【００１９】
こうすることにより、電源の瞬断等により生じたリテンション不良を解消しつつ、フラッシュメモリ等の不揮発性メモリ全体を満遍なく使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】車載装置の構成を示すブロック図である。
【図２】レコードやブロックの構成を示す図である。
【図３】電源の瞬断時におけるリテンション不良の発生や、電力供給開始時におけるデータの上書き及びダミーデータの書き込みを示す図である。
【図４】電源投入処理についてのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。なお、本発明の実施の形態は、下記の実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の形態を採りうる。
【００２２】
［構成の説明］
本実施形態の車載装置１０は、当該装置を統括制御するためのＣＰＵ１１，ＲＯＭ１５，ＲＡＭ１３，Ｉ／Ｏ１２を備えると共に、該ＣＰＵ１１からアクセスされるフラッシュメモリ１６と、フラッシュメモリ１６を制御するコントローラ１４と、電源回路１７を備える（図１参照）。
【００２３】
電源回路１７は、自車両に搭載されたバッテリから電力供給を受け、ＣＰＵ１１，ＲＯＭ１５，ＲＡＭ１３，Ｉ／Ｏ１２，フラッシュメモリ１６，コントローラ１４等、車載装置１０の各部位に電力を供給する。
【００２４】
また、ＲＯＭ１５には、ＣＰＵ１１により実行されるプログラムが保存されており、該プログラムとして、フラッシュメモリ１６を制御するためのフラッシュメモリドライバや、各種アプリケーションが保存されている。
【００２５】
また、フラッシュメモリ１６は、一例として２バイトの記憶領域（記憶単位領域）毎にデータの書き込みや読み出しが行われると共に、数キロバイトの記憶領域からなるブロック１〜ｎが複数設けられており、ブロック１００毎に一括してデータの消去が行われる。
【００２６】
そして、ＣＰＵ１１は、フラッシュメモリドライバに従い動作することで、コントローラ１４を制御し、フラッシュメモリ１６に対するデータの書き込み及び読み出しや、ブロック１００に保存されているデータの消去を行う。
【００２７】
［フラッシュメモリについて］
次に、車載装置１０におけるフラッシュメモリ１６の管理方法について説明する。
フラッシュメモリ１６は、初期状態では、各記憶単位領域を構成するメモリセルに電荷が蓄えられておらず、１が表現された状態となっており、各記憶単位領域には例えば０ｘＦＦＦＦ（初期データ）が保存された状態となっている。そして、記憶単位領域にデータを書き込む際には、該データにおける０であるビットに対応するメモリセルに電荷が注入され、保持されている値を１から０に変更することで、該記憶単位領域にデータが保存される。
【００２８】
このため、データが保存されている（初期状態でない）記憶単位領域にデータを上書きした場合、メモリセルに保持された値を１から０に変更することはできるが、０から１に変更することはできず、データの上書きには制限が加えられる。
【００２９】
したがって、一旦記憶単位領域にデータを書き込むと、該記憶単位領域を含むブロック１００全体のデータを消去し、ブロック１００における全ての記憶単位領域のメモリセルを初期状態にした後でなければ、自由にデータを書き込むことができない。
【００３０】
このような点を踏まえ、本実施形態では、一例として、以下のような規則に従いフラッシュメモリ１６へのデータの書き込みが行われる。
すなわち、各ブロック１００は、複数の記憶単位領域から構成されるレコード１〜ｎに区分される。このレコード１１０は、１または複数の記憶単位領域からなるデータ領域１１１と管理領域１１２を有し、データ領域１１１はデータを保存するために用いられ、管理領域１１２は、データ領域１１１の状態を示す管理データを保存するために用いられる（図２（ａ）参照）。
【００３１】
そして、レコード１１０の管理領域１１２（或いはデータ領域１１１）に初期データが保存されていれば、レコード１１０は、データ領域１１１にデータが書き込まれていない未使用状態と判別される。一方、管理領域１１２等に初期データ以外が保存されていれば、レコード１１０は、データ領域１１１にデータが書き込まれた使用状態と判別される。
【００３２】
なお、データが保存されていない初期状態において各記憶単位領域が不定値となっているフラッシュメモリが用いられる場合も想定される。このような場合、フラッシュメモリのレジスタにアクセスし、レジスタの内容に基づき、管理領域１１２等が初期状態か否か判定し、判定結果により、レコード１１０が使用状態か否かを判別することが考えられる。
【００３３】
また、ＣＰＵ１１は、アドレスの若い順に、初期状態のブロック１〜ｎのうちのいずれかを、データの書き込みを行う対象ブロック１００として選択する（なお、アドレスが最大であるブロックｎの次には、アドレスが最小であるブロック１が選択される）。また、対象ブロック１００における未使用状態のレコード１１０のうち、アドレスの最も若いものを、書き込みを行うレコード１１０（対象レコード）として選択する。
【００３４】
無論、対象ブロック１００や対象レコード１１０の選択順序はこれに限定されることは無く、例えば、アドレスの大きいものから順に、対象ブロック１００や対象レコード１１０を選択しても良い。
【００３５】
そして、ＣＰＵ１１は、対象レコード１１０のデータ領域１１１にデータを書き込んだ直後に、該対象レコード１１０の管理領域１１２に、該データ領域１１１に有効なデータが保存されている旨を示す管理データ（有効情報）を書き込む。
【００３６】
また、ＣＰＵ１１は、レコード１１０のデータ領域１１１に保存されているデータが不用となった場合には、該レコード１１０の管理領域１１２に、該データ領域１１１に無効なデータが保存されている旨を示す管理データ（無効情報）を上書きする（なお、有効情報が保存された管理領域１１２に無効情報の上書きが可能となるよう、これらの情報の値が設定されていることは言うまでも無い）。
【００３７】
このため、対象ブロック１００の各レコード１１０は、アドレスの若いものから順番に使用状態となり、所定回数にわたりフラッシュメモリ１６への新規データの書き込みがなされると、対象ブロック１００の全レコード１１０が使用状態となる（図２（ｂ）参照）。
【００３８】
このとき、ＣＰＵ１１は、対象ブロック１００から、管理領域に無効情報が保存されているレコード１１０と、管理領域に有効情報が保存されているレコード１１０を特定すると共に、上述した順番に従い新たな対象ブロック１００を選択する。また、ＣＰＵ１１は、選択した新たな対象ブロック１００のデータを消去する。
【００３９】
そして、ＣＰＵ１１は、無効情報が保存されているレコード１１０が特定された場合には、有効情報が保存されているレコード１１０からデータを読み出し、新たな対象ブロック１００のレコード１１０に読み出したデータを書き込む。その後、ＣＰＵ１１は、新たな対象ブロック１００におけるアドレスが最も若い未使用状態のレコード１１０を対象レコード１１０として選択し、新規データの書き込みを行う。
【００４０】
一方、無効情報が保存されているレコード１１０が特定されなかった場合には、ＣＰＵ１１は、新たな対象ブロック１００におけるアドレスが最も若い未使用状態のレコード１１０を対象レコード１１０とする。
【００４１】
これにより、ブロック１〜ｎが循環的に使用され、フラッシュメモリ１６の各記憶領域に対し、偏り無く書き込みが行われる。
［動作の説明］
次に、本実施形態の車載装置１０の動作の概要について、図３を用いて説明する。
【００４２】
車載装置１０の稼動中、ＣＰＵ１１は、適宜フラッシュメモリ１６に対するデータの書き込みや読み出しを行うが、例えば、電源の瞬断や、ノイズによるＣＰＵ１１のリセット等により、対象レコードの書き込み中に車載装置１０への電力供給が停止する可能性がある（Ｓ２００，Ｓ２０５）。
【００４３】
既に述べたように、対象レコードは、データ領域，管理領域の順に書き込みが行われるが、管理領域への書き込みに失敗し、有効情報が保存されていないという場合であれば、データ領域に保存されているデータを無効とすれば良い。
【００４４】
しかし、管理領域に有効情報が保存されている場合であっても、メモリセルに蓄えられた電荷が不足しており、本来の保証期間にわたりデータを保持できないリテンション不良が生じている可能性がある。仮に、管理領域に保存されている有効情報が失われたら、データ領域のデータは使用できない。
【００４５】
このため、ＣＰＵ１１は、自装置への電力供給開始時に、該電力供給開始時までの期間（換言すれば、前回の電力供給停止時までの期間）における最後の対象レコード（最終レコード）を特定する。そして、最終レコードの管理領域を構成する記憶単位領域を、該期間に最後に書き込みがなされた可能性がある記憶単位領域（最終記憶単位領域）とみなし、該管理領域に有効情報を書き込む（Ｓ２１０）。これにより、仮に、前回の電力供給の停止により該管理領域にてリテンション不良が生じていたとしても、これを解消することができる。
【００４６】
なお、仮に管理領域が１の記憶単位領域から構成されている場合には、該記憶単位領域が最終記憶単位領域とみなされる。また、管理領域が複数の記憶単位領域から構成されている場合には、これらの記憶単位領域のうち、最後に書き込みがなされるものを最終記憶単位領域としても良いし、これらの記憶単位領域全てを最終記憶単位領域としても良い。
【００４７】
しかし、フラッシュメモリ１６への書き込み頻度が低く、対象レコードが殆ど変化しない場合には、電源投入のたびに同一の管理領域に上書きが行われる。
これに対し、同一の記憶単位領域への上書きが繰り返され、一部の記憶単位領域あるいは制御回路が使用限度に達し、データ書き込みが殆どなされていない記憶単位領域が存在するにも関らず、そのフラッシュメモリ１６は寿命に達したことになる。すなわち、メモリ全体を満遍なく使用した場合に比べて寿命が短くなっていることを意味する。
【００４８】
このため、ＣＰＵ１１は、管理領域の上書きの後、対象レコードにダミーデータを書き込む（Ｓ２１５）。これにより、電力供給開始の度に新たな対象レコードにダミーデータの書き込みが行われ（Ｓ２２０，Ｓ２２５）、最終レコードとして特定されるレコードが変更される。
【００４９】
したがって、電力供給開始の度に特定の管理領域が上書きされることが無く、各管理領域の書き込み頻度の偏りを抑えることで、一部の管理領域だけが使用限度に達することを防ぐことができ、フラッシュメモリ１６全体を満遍なく使用することが可能となる。
【００５０】
特に、本実施形態においては、自車両に搭載されたバッテリの劣化等により電力供給が不安定となり、瞬断が生じ易くなる車載装置１０において、電力供給開始時の管理領域の上書きやダミーデータの書き込みを行っている。このため、効果的にリテンション不良を防止しつつ、フラッシュメモリ１６全体を満遍なく使用することができる。
【００５１】
次に、電力供給開始時に最終レコードの管理領域の上書きや、ダミーデータの書き込みを行う電源投入処理について、図４に記載のフローチャートを用いて説明する。なお、本処理は、車載装置１０のＣＰＵ１１の起動時に実行される。
【００５２】
Ｓ３００では、ＣＰＵ１１は、自装置への電力供給開始により当該ＣＰＵ１１が起動されたか否かを判定し、肯定判定が得られた場合には（Ｓ３００：Ｙｅｓ）、Ｓ３０５に処理を移行すると共に、否定判定が得られた場合には（Ｓ３００：Ｎｏ）、本処理を終了する。
【００５３】
Ｓ３０５では、ＣＰＵ１１は、各ブロックの先頭のレコードの管理領域に保存されているデータを読み出すと共に、読み出したデータと対象ブロックの選択順序とに基づき、対象ブロックを特定する。
【００５４】
そして、ＣＰＵ１１は、対象ブロックから対象レコードと最終レコードをサーチする。すなわち、ＣＰＵ１１は、対象ブロックにおけるアドレスの若いレコードから順に、管理領域に保存されているデータを読み出す。そして、最初に初期データが読み出された管理領域を含むレコードを対象レコードとして特定すると共に、該対象レコードの直前にデータを読み出したレコードを最終レコードとして特定する。
【００５５】
なお、初期状態において各記憶単位領域が不定値となっているフラッシュメモリが用いられる場合も想定される。このような場合、フラッシュメモリのレジスタにアクセスし、レジスタの内容に基づき、対象ブロックにおけるアドレスの若いレコードから順に未使用状態か否かを判定しても良い。そして、最初に未使用状態と判定されたレコードを対象レコードとして特定すると共に、この直前に該判定がなされたレコードを最終レコードとして特定しても良い。
【００５６】
続くＳ３１０では、ＣＰＵ１１は、対象レコード等のサーチに成功すると（Ｓ３１０：Ｙｅｓ）、Ｓ３１５に処理を移行し、失敗した場合には（Ｓ３１０：Ｎｏ）、本処理を終了する。
【００５７】
Ｓ３１５では、ＣＰＵ１１は、最終レコードの管理領域からデータを読み出すと共に、読み出したデータを該管理領域に上書きし、Ｓ３２０に処理を移行する。
Ｓ３２０では、ＣＰＵ１１は、対象レコードのデータ領域にダミーデータを書き込み、その後、該対象レコードの管理領域に無効情報を書き込むと共に、新たな対象レコードを設定し、本処理を終了する。
【００５８】
なお、ＣＰＵ１１は、ダミーデータに替えて、例えば、自装置のリセット回数や、リセットの発生時刻や、自車両の走行距離等のデータ等を対象レコードに書き込んでも良い。こうすることにより、有用な情報をフラッシュメモリ１６に保存しつつ、特定のレコードの管理領域が繰り返し上書きされることを防ぐことができ、フラッシュメモリ１６の記憶領域全体を偏り無く使用することができる。
【００５９】
［他の実施形態］
（１）本実施形態の車載装置１０は、フラッシュメモリ１６を構成する各ブロック１００をレコードに区分し、レコード単位でデータの書き込みを行う構成となっているが、フラッシュメモリ１６へのデータの書き込みの規則は、これに限定されることは無い。
【００６０】
具体的には、例えば、フラッシュメモリ１６における未使用状態の各記憶単位領域を、アドレスの若いものから順に（或いは、アドレスの大きいものから順に）選択し、選択した記憶単位領域を書き込み領域として、データを書き込む構成としても良い。
【００６１】
このような場合であっても、電力供給開始時に各記憶単位領域に保存されているデータを読み出し、該データに基づき、電力供給開始までに最後にデータが書き込まれた最終記憶単位領域を特定することができる。
【００６２】
このほかにも、フラッシュメモリのレジスタにアクセスし、レジスタの内容に基づき各記憶単位領域が初期状態か否かを判定することで、最後にデータが書き込まれた最終記憶単位領域を特定することができる。
【００６３】
そして、最終記憶単位領域から読み出されものと同一のデータを最終記憶単位領域に書き込むと共に、各記憶単位領域の選択順序に基づき、最終記憶単位領域の次に選択される記憶単位領域を特定し、該記憶単位領域にダミーデータ等を書き込むことができる。
【００６４】
これにより、最終記憶単位領域におけるリテンション不良を解消すると共に、電力供給開始の度に特定の記憶単位領域に上書きがなされることが無く、フラッシュメモリ１６の記憶領域全体を偏り無く使用することができる。
【００６５】
無論、複数の記憶単位領域からなる記憶領域毎に、同様にして書き込み領域を選択する構成とし、電力供給開始時に、最後にデータが書き込まれた記憶領域を特定して上書きを行うと共に、該記憶領域の次に選択される記憶領域にダミーデータ等を書き込んでも良い。このような場合であっても、同様の効果を得ることができる。
【００６６】
（２）また、本実施形態では、車載装置１０におけるフラッシュメモリ１６の書き換えを例に挙げて説明を行った。しかしながら、携帯端末等の各種電子装置においても、本実施形態と同様にして、電力供給開始時にフラッシュメモリの上書きやダミーデータ等の書き込みを行うことで、同様の効果を得ることができる。
【００６７】
（３）また、本実施形態の車載装置１０は、フラッシュメモリ１６を備えているが、フラッシュメモリ１６に替えて、強誘電体メモリや、磁気抵抗メモリ等といった、他の不揮発性メモリを備えていても良い。このような場合であっても、同様の効果を得ることができる。
【００６８】
［特許請求の範囲との対応］
上記実施形態の説明で用いた用語と、特許請求の範囲の記載に用いた用語との対応を示す。
【００６９】
車載装置１０が書き込み装置に、コントローラ１４が管理手段に相当する。
また、電源投入処理のＳ３０５が特定手段，設定手段に、Ｓ３１５が上書き手段に、Ｓ３２０が設定手段，書き込み手段に相当する。
【符号の説明】
【００７０】
１０…車載装置、１１…ＣＰＵ、１２…Ｉ／Ｏ、１３…ＲＡＭ、１４…コントローラ、１５…ＲＯＭ、１６…フラッシュメモリ、１７…電源回路、１００…ブロック、１１０…レコード、１１１…データ領域、１１２…管理領域。
【図１】
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【図２】
2014206905.tif 000004
【図３】
2014206905.tif 000005
【図４】
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