(57)【要約】【課題】表示品質を向上させることができる液晶装置の製造方法、液晶装置、及び電子機器を提供する。【解決手段】第１基材１０ａ上の第２領域７２に、第１領域７１の蒸着角度より大きい蒸着角度となる凸部４１を形成する工程と、凸部４１を含む第１基材１０ａ上の全体に無機材料からなる配向膜２８を形成する工程と、を有する。【選択図】図６
2014026142.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板と対向配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、
前記第１基板と前記第２基板とに挟持された液晶層と、を含み、
前記第１基板の前記液晶層側の面は、表示領域を含む第１領域と、前記第１領域と前記シール材との間に位置する第２領域と、を有する
液晶装置の製造方法であって、
前記第２領域に、前記第１基板の主面に対して傾斜する部分を有する凸部を形成する凸部形成工程と、
前記第１領域より前記第２領域の前記部分で蒸着角度が大きくなるように、前記第１領域と前記第２領域に無機材料を斜方蒸着して無機配向膜を形成する配向膜形成工程と、
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記第１領域は、前記表示領域の周囲に形成されたダミー画素領域を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記第２領域は、前記表示領域の角部の外側の領域を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記シール材の一部が離間した注入口から液晶を注入する液晶注入工程と、
前記注入口を封止部で埋める封止部形成工程と、を有し、
前記第２領域は、少なくとも前記注入口と表示領域と間の領域を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記凸部は、前記凸部における蒸着角度が大きい斜面側の面積が、蒸着角度の小さい斜面側の面積と比較して広いことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記第１基板上に透明材料からなる第１画素電極を形成する第１画素電極形成工程を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記第１基板上に反射性材料からなる第２画素電極を形成する第２画素電極形成工程を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項８】
第１基板と、
前記第１基板と対向配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、
前記第１基板と前記第２基板とに挟持された液晶層と、
前記第１基板上に設けられた無機材料からなる無機配向膜と、
を含み、
前記第１基板の前記液晶層側の面は、表示領域を含む第１領域と、前記第１領域と前記シール材との間に位置する第２領域と、を有し、
前記無機配向膜において、前記第２領域に設けられた前記第１基板の主面に対して傾斜する部分を有する凸部の一部の柱状構造物の角度は、前記第１領域に設けられた柱状構造物の角度と比較して大きいことを特徴とする液晶装置。
【請求項９】
請求項８に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置の製造方法、液晶装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記液晶装置は、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子としてトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。液晶装置は、例えば、直視型ディスプレイやライトバルブなどにおいて用いられている。
【０００３】
このような液晶装置の製造方法において、液晶注入時に混入したり、液晶層を取り囲んでいるシール材や封止材から溶出したりしたイオン性不純物が、液晶装置の駆動や熱拡散により、画素領域（表示領域）に拡散及び凝集することにより、液晶装置の表示特性が劣化する恐れがあることが知られている。
【０００４】
例えば、特許文献１に記載のように、無機材料からなる無機配向膜を用いた場合、不純物が界面に吸着されやすくなるため、不純物の一層の局在化をもたらし、シミやムラの原因になる場合がある。また、特許文献１には、表示領域の無機配向膜の膜密度が、非表示領域の無機配向膜の膜密度よりも大きくなるように形成し、液晶層の配向特性を変える技術が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−２０２５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１では、表示領域において非表示領域よりも無機配向膜の膜密度を低くしているので、表示領域の無機配向膜において不純物が吸着されてしまい、表示不良がおこる。また、膜密度を変えるために、マスクを用いて無機配向膜にイオンビームを照射している（図７（ｃ））。よって、マスクにもイオンビームが照射されるため、マスクにアライメントマークを設けることができず、マスクの外縁と基板の外縁で位置あわせを行う必要があり、その結果、膜密度が変わる境界の位置精度が低下するという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、第１基板と、前記第１基板と対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、前記第１基板と前記第２基板とに挟持された液晶層と、を含み、前記第１基板の前記液晶層側の面は、表示領域を含む第１領域と、前記第１領域と前記シール材との間に位置する第２領域と、を有する液晶装置の製造方法であって、前記第２領域に、前記第１基板の主面に対して傾斜する部分を有する凸部を形成する凸部形成工程と、前記第１領域より前記第２領域の前記部分で蒸着角度が大きくなるように、前記第１領域と前記第２領域に無機材料を斜方蒸着して無機配向膜を形成する配向膜形成工程と、を有することを特徴とする。
【０００９】
本適用例によれば、第１領域の蒸着角度より大きい蒸着角度となる領域を有する凸部を予め形成しておくので、基板上に無機配向膜を同一工程（同条件）で形成することにより、第１領域と比較して第２領域には、配向膜を構成する柱状構造物の間隔が広い無機配向膜を形成することができる。よって、第２領域の配向膜の柱状構造物間に不純物をトラップすることができる。また、基板上における第１領域と第２領域との蒸着角度が変わることにより、柱状構造物の間隔の異なる無機配向膜の領域を制御できるので、境界の位置精度を向上させることができる。加えて、柱状構造物の幅が異なる無機配向膜を一括で形成することができるので、表示特性が劣化することを抑えることができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記第１領域は、前記表示領域の周囲に形成されたダミー画素領域を含むことが好ましい。
【００１１】
本適用例によれば、第１領域がダミー画素領域を含み、その周囲に第２領域が設けられるので、第２領域でトラップした不純物が表示領域に拡散して表示特性に悪影響（例えば、シミ）を与えることをより抑えることができる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記第２領域は、前記表示領域の角部の外側の領域を含むことが好ましい。
【００１３】
本適用例によれば、少なくとも表示領域の角部の外側に第２領域があるので、比較的不純物が溜まりやすい表示領域の角部において、不純物をトラップすることが可能となり、いわゆる角シミが発生することを抑えることができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記シール材の一部が離間した注入口から液晶を注入する液晶注入工程と、前記注入口を封止部で埋める封止部形成工程と、を有し、前記第２領域は、少なくとも前記注入口と表示領域と間の領域を含むことが好ましい。
【００１５】
本適用例によれば、少なくとも第２領域が注入口周辺の領域を含むので、例えば、注入口からシール材で囲まれた中に液晶を注入する際、液晶に含まれた不純物を注入する段階でトラップすることができる。よって、効率よく不純物をトラップすることができる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記凸部は、前記凸部における蒸着角度が広い斜面側の面積が、蒸着角度の小さい斜面側の面積と比較して大きいことが好ましい。
【００１７】
本適用例によれば、蒸着角度が大きい斜面側、つまり、凸部における蒸着源から遠い側の斜面の面積が広いので、より多くの不純物を捕獲することができる。
【００１８】
［適用例６］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記第１基板上に透明材料からなる第１画素電極を形成する第１画素電極形成工程を有することが好ましい。
【００１９】
本適用例によれば、画素電極が透明材料（例えば、ＩＴＯ）からなるので、透過型の液晶装置（透過型のライトバルブ）に用いることができる。
【００２０】
［適用例７］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記第１基板上に反射性材料からなる第２画素電極を形成する第２画素電極形成工程を有することが好ましい。
【００２１】
本適用例によれば、画素電極が反射性材料（例えば、アルミニウム）からなるので、反射型の液晶装置（反射型のライトバルブ）に用いることができる。
【００２２】
［適用例８］本記適用例に係る液晶装置は、第１基板と、前記第１基板と対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、前記第１基板と前記第２基板とに挟持された液晶層と、前記第１基板上に設けられた無機材料からなる無機配向膜と、を含み、前記第１基板の前記液晶層側の面は、表示領域を含む第１領域と、前記第１領域と前記シール材との間に位置する第２領域と、を有し、前記無機配向膜において、前記第２領域に設けられた前記第１基板の主面に対して傾斜する部分を有する凸部の一部の柱状構造物の角度は、前記第１領域に設けられた柱状構造物の角度と比較して大きいことを特徴とする。
【００２３】
本適用例によれば、第１領域と、第１領域の蒸着角度より大きくなる領域を有する凸部が配置された第２領域と、を設けるので、例えば、基板上に無機配向膜を同一工程（同条件）で形成することで、第１領域と比較して第２領域には、配向膜を構成する柱状構造物の間隔が広い無機配向膜を形成することができる。よって、第２領域の配向膜の柱状構造物間に不純物をトラップすることができる。また、基板上における第１領域と第２領域との蒸着角度を変えることにより、柱状構造物の間隔の異なる無機配向膜の領域を制御できるので、境界の位置精度を向上させることができる。
【００２４】
［適用例９］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の液晶装置を備えることを特徴とする。
【００２５】
本適用例によれば、上記した液晶装置を備えているので、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】第１実施形態の液晶装置の構成を示す模式平面図。
【図２】図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。
【図３】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】液晶装置の構造を示す模式断面図。
【図５】液晶装置のうち主に配向膜の構成を示す模式平面図。
【図６】図５に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図。
【図７】凸部の断面形状を模式的に示す模式断面図。
【図８】凸部の寸法を変えた場合に対応する各寸法値を示す図表。
【図９】液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。
【図１０】液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式断面図。
【図１１】液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図。
【図１２】第２実施形態の液晶装置のうち主に配向膜の構成を示す模式平面図。
【図１３】図１２に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図。
【図１４】凸部の断面形状を模式的に示す模式断面図。
【図１５】凸部の寸法を変えた場合に対応する各寸法値を示す図表。
【図１６】第２実施形態の凸部の製造方法を示す模式断面図。
【図１７】変形例における凸部の製造方法を示す模式断面図。
【図１８】変形例の液晶装置の構成（特に凸部の構成）を示す模式平面図。
【図１９】変形例の液晶装置の構成（特に凸部の構成）を示す模式平面図。
【図２０】変形例の凸部の断面形状を示す模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２８】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００２９】
本実施形態では、液晶装置として、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００３０】
（第１実施形態）
＜液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構成を、図１〜図３を参照しながら説明する。
【００３１】
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０および対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、および対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。
【００３２】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。その隙間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。シール材１４は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００３３】
シール材１４の内縁より内側には、複数の画素Ｐが配列した画素領域Ｅ（表示領域）が設けられている。画素領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。また、図１及び図２では図示を省略したが、画素領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光部（ブラックマトリックス；ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。
【００３４】
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材１４と該１辺部との間に、データ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と画素領域Ｅとの間に、検査回路２５が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４と画素領域Ｅとの間に走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。
【００３５】
対向基板２０における環状に配置されたシール材１４と画素領域Ｅとの間には、遮光部１８（見切り部）が設けられている。遮光部１８は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光部１８の内側が複数の画素Ｐを有する画素領域Ｅとなっている。なお、図１では図示を省略したが、画素領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光部が設けられている。
【００３６】
これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子６１に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。なお、検査回路２５の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路２２に沿ったシール材１４と画素領域Ｅとの間に設けてもよい。
【００３７】
図２に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極２７およびスイッチング素子である薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor、以降、「ＴＦＴ３０」と呼称する）と、信号配線と、これらを覆う配向膜２８とが形成されている。
【００３８】
また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも画素電極２７、ＴＦＴ３０、信号配線、配向膜２８を含むものである。
【００３９】
対向基板２０の液晶層１５側の表面には、遮光部１８と、これを覆うように成膜された平坦化層３３と、平坦化層３３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を覆う配向膜３２とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも遮光部１８、対向電極３１、配向膜３２を含むものである。
【００４０】
遮光部１８は、図１に示すように画素領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている（図示簡略）。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Ｅに入射しないように遮蔽して、画素領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００４１】
平坦化層３３は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光部１８を覆うように設けられている。このような平坦化層３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００４２】
対向電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層３３を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００４３】
画素電極２７を覆う配向膜２８および対向電極３１を覆う配向膜３２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、正の誘電異方性を有する液晶分子に対して略水平配向処理が施された有機配向膜や、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。本実施形態では、配向膜２８，３２として上記無機配向膜が採用されている。
【００４４】
このような液晶装置１００は、例えば透過型であって、画素Ｐが非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードや、非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。本実施形態ではノーマリーブラックモードが採用されている。
【００４５】
図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも画素領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
【００４６】
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００４７】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域（ソース領域）に電気的に接続されている。画素電極２７は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域（ドレイン領域）に電気的に接続されている。
【００４８】
データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。
【００４９】
データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングで供給する。
【００５０】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された対向電極３１との間で一定期間保持される。
【００５１】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と対向電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。容量素子１６は、２つの容量電極の間に誘電体層を有するものである。
【００５２】
図４は、液晶装置の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図４を参照しながら説明する。なお、図４は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００５３】
図４に示すように、液晶装置１００は、一対の基板のうち一方の基板である素子基板１０と、これに対向配置される他方の基板である対向基板２０とを備えている。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、及び対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、上記したように、例えば、石英基板等によって構成されている。
【００５４】
第１基材１０ａ上には、チタン（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）等からなる下側遮光膜３ｃが形成されている。下側遮光膜３ｃは、平面的に格子状にパターニングされており、各画素の開口領域を規定している。なお、下側遮光膜３ｃは、走査線３ａの一部として機能するようにしてもよい。第１基材１０ａ及び下側遮光膜３ｃ上には、シリコン酸化膜等からなる下地絶縁層１１ａが形成されている。
【００５５】
下地絶縁層１１ａ上には、ＴＦＴ３０及び走査線３ａ等が形成されている。ＴＦＴ３０は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン等からなる半導体層３０ａと、半導体層３０ａ上に形成されたゲート絶縁膜１１ｇと、ゲート絶縁膜１１ｇ上に形成されたポリシリコン膜等からなるゲート電極３０ｇとを有する。上記したように、走査線３ａは、ゲート電極３０ｇとしても機能する。
【００５６】
半導体層３０ａは、例えば、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンが注入されることにより、Ｎ型のＴＦＴ３０として形成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チャネル領域３０ｃと、データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ１と、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ１と、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとを備えている。
【００５７】
チャネル領域３０ｃには、ボロン（Ｂ）イオン等のＰ型の不純物イオンがドープされている。その他の領域（３０ｓ１，３０ｓ，３０ｄ１，３０ｄ）には、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンがドープされている。このように、ＴＦＴ３０は、Ｎ型のＴＦＴとして形成されている。
【００５８】
ゲート電極３０ｇ、下地絶縁層１１ａ、及び走査線３ａ上には、シリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁層１１ｂが形成されている。第１層間絶縁層１１ｂ上には、容量素子１６が設けられている。具体的には、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及び画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極としての第１容量電極１６ａと、固定電位側容量電極としての容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）の一部とが、誘電体膜１６ｃを介して対向配置されることにより、容量素子１６が形成されている。
【００５９】
容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、Ａｌ（アルミニウム）膜から形成することも可能である。
【００６０】
第１容量電極１６ａは、例えば、導電性のポリシリコン膜からなり容量素子１６の画素電位側容量電極として機能する。ただし、第１容量電極１６ａは、容量線３ｂと同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。第１容量電極１６ａは、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホールＣＮＴ５２、中継層５５、コンタクトホールＣＮＴ５３、ＣＮＴ５１を介して、画素電極２７とＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）とを中継接続する機能を有する。
【００６１】
容量素子１６上には、第２層間絶縁層１１ｃを介してデータ線６ａが形成されている。データ線６ａは、第１層間絶縁層１１ｂ及び第２層間絶縁層１１ｃに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ５４を介して、半導体層３０ａのデータ線側ソースドレイン領域３０ｓ（ソース領域）に電気的に接続されている。
【００６２】
データ線６ａ上には、第３層間絶縁層１１ｄを介して画素電極２７が形成されている。画素電極２７は、第２層間絶縁層１１ｃ及び第３層間絶縁層１１ｄに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ５２、ＣＮＴ５３、中継層５５を介して第１容量電極１６ａに接続されることにより、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）に電気的に接続されている。なお、画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透明導電性膜から形成されている。
【００６３】
画素電極２７及び第３層間絶縁層１１ｄ上には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した配向膜２８が設けられている。配向膜２８上には、シール材１４（図１及び図２参照）により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層１５が設けられている。
【００６４】
一方、第２基材２０ａ上には、その全面に渡って対向電極３１が設けられている。対向電極３１上（図４では下側）には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した配向膜３２が設けられている。対向電極３１は、上述の画素電極２７と同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。
【００６５】
液晶層１５は、画素電極２７からの電界が印加されていない状態で配向膜２８，３２によって所定の配向状態をとる。シール材１４は、素子基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサーが混入されている。
【００６６】
＜配向膜の構成＞
図５は、液晶装置のうち主に配向膜の構成を示す模式平面図である。図６は、図５に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。以下、配向膜の構成について、図５及び図６を参照しながら説明する。
【００６７】
図５及び図６に示すように、液晶装置１００を構成する素子基板１０に配向膜２８が設けられており、対向基板２０に配向膜３２が設けられている。素子基板１０の第２領域７２に設けられた凸部４１は、断面が略半球状に形成されており、例えば、第２領域７２において画素領域Ｅを囲むように繋がって設けられている。
【００６８】
具体的には、画素領域Ｅの周囲に、第１凸部４２が設けられている。第１凸部４２の周囲には、第１凸部４２と同様の断面形状をした第２凸部４３が設けられている。これら第１凸部４２及び第２凸部４３を含む第１基材１０ａ上（画素電極２７及び画素電極２７間から露出した第３層間絶縁層１１ｄ（図４参照）上）に、配向膜２８が設けられている。
【００６９】
具体的には、画素領域Ｅ（表示領域）の外側で凸部４１が設けられていない領域（画素領域Ｅから所定の間隔）までを第１領域７１と称する。また、第１領域７１の外側の領域であり、シール材の内縁までの領域を第２領域７２と称する。また、第１領域７１上に設けられた配向膜２８を、第１配向膜２８ａと称する。凸部４１を有する第２領域７２上に設けられた配向膜２８を、第２配向膜２８ｂと称する。
【００７０】
また、第１領域７１が画素領域Ｅより一回り外側まで設けられているのは、画素領域Ｅに影響を及ぼさないようにするためである。なお、第１領域７１が画素領域Ｅと同じ領域になるように設定してもよい。
【００７１】
凸部４１に配向膜２８を設けることにより、凸部４１上に設けられた第２配向膜２８ｂを構成する柱状構造物２８ｂ１の間隔を、凸部４１を設けずに形成された第１配向膜２８ａを構成する柱状構造物２８ａ１の間隔より広くすることができる。
【００７２】
具体的には、実質的に蒸着角度が第１領域７１より大きくなる凸部４１の斜面４２ａ，４３ａ上に設けられた柱状構造物２８ｂ１の間隔が第１領域７１の間隔より広くなる。つまり、凸部４１において、蒸着源から遠い側の斜面４２ａ，４３ａ側に設けられた柱状構造物２８ｂ１の間隔が、第１領域７１の間隔より広くなる。換言すると、凸部４１によって蒸着角度が変わることにより、柱状構造物２８ｂ１の間隔が変わり、この場合広くなる。これにより、不純物としてのイオン性不純物４４を第２領域７２（つまり、非表示領域）において柱状構造物２８ｂ１の間に捕獲（トラップ）することができる。
【００７３】
対向基板２０の第２基材２０ａ上には、例えば、第１配向膜２８ａの柱状構造物２８ａ１と同様の構造を有する、配向膜３２が設けられている。
【００７４】
図７は、略半球状の凸部の断面形状を模式的に示す模式断面図である。図８は、凸部の寸法を変えた場合に対応する各寸法値を示す図表である。以下、凸部の形状、及び凸部の各寸法値について、図７及び図８を参照しながら説明する。
【００７５】
図７に示すように、延設する方向に対する断面形状が略半球状の凸部４１の断面形状を凸部４１の最上面と凸部４１の端部とを結ぶようにして模式的に示すと、略二等辺三角形（左右対称）で示される。ここで、凸部４１の幅をｗ、凸部４１の半分の幅をａ、凸部４１の高さをｂ、凸部４１の斜面４２ａ，４３ａの角度をθとする。
【００７６】
最初に、蒸着源から遠い側の斜面４２ａ，４３ａに形成された柱状構造物２８ｂ１について説明する。第１領域７１における蒸着角度は、法線に対して４５°である。蒸着源から遠い側の斜面４２ａ，４３ａにおける、実質的な蒸着角度は、第１領域７１の蒸着角度（仰角）＋「θ」である。例えば、蒸着角度が４５°であり、θが５．７°の場合、実質５０．７°で蒸着される。
【００７７】
このように、蒸着源から遠い側の斜面４２ａ，４３ａに形成された第２配向膜２８ｂは、膜密度が低下し、柱状構造物２８ｂ１の間隔が広くなる。つまり、イオン性不純物４４を、この斜面４２ａ，４３ａに形成された柱状構造物２８ｂ１の間に捕獲（トラップ）することができる。
【００７８】
一方、蒸着源から近い側の斜面４２ｂ，４３ｂに形成された柱状構造物２８ｂ１について説明する。実質的な蒸着角度は、第１領域７１の蒸着角度−「θ」である。例えば、柱状構造物２８ｂ１の蒸着角度は、蒸着角度が４５°であり、θが５．７°の場合、実質３９．３°で蒸着される。
【００７９】
このように、蒸着源に近い側の斜面４２ｂ，４３ｂに形成された第２配向膜２８ｂは、膜密度が向上し、柱状構造物２８ｂ１の間隔が狭くなる。
【００８０】
図８に示す図表は、凸部４１（４２，４３）の片側の斜面の幅ａと、凸部４１の高さｂと、を変えた場合における凸部４１の斜面の角度θを示している。具体的には、ａは、５μｍ、１０μｍ、１５μｍの３種類で変えている。ｂは、１μｍ、１．５μｍ、２μｍの３種類で変えている。
【００８１】
この中でも、凸部４１の寸法は、製造のしやすさなどから、ａが１０μｍ、ｂが１〜１．５μｍ、θが５．７〜８．５であることが好ましい。なお、凸部４１の高さｂは、セル厚よりも小さく設定する必要がある。
【００８２】
また、第１領域７１の外縁からシール材１４までの長さが０．８ｍｍの場合、凸部４１の本数は、最大で４０本形成することが可能である。なお、凸部４１の本数が多いほど、イオン性不純物４４をトラップすることが可能となる。
【００８３】
＜液晶装置の製造方法＞
図９は、液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図１０は、液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式断面図である。以下、液晶装置の製造方法を、図９及び図１０を参照しながら説明する。
【００８４】
最初に、素子基板１０側の製造方法を説明する。ステップＳ１１では、ガラス基板などからなる第１基材１０ａ上にＴＦＴ３０や画素電極２７等を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第１基材１０ａ上にＴＦＴ３０や画素電極２７などを形成する。
【００８５】
ステップＳ１２（凸部形成工程）では、第１基材１０ａ上に凸部４１（４２，４３）を形成する。具体的には、図１０を参照しながら説明する。なお、第１基材１０ａから画素電極２７や第４層間絶縁層１１ｅまでを、第１基材１０ａと称して説明する。
【００８６】
図１０（ａ）に示す工程では、画素電極２７などを含む第１基材１０ａ上に、例えば、スピンコート法を用いて、凸部前駆体膜４１ａとなる感光性樹脂材料を塗布する。感光性樹脂材料としては、例えば、ポジ型の樹脂材料であるノボラック樹脂が挙げられる。その後、凸部前駆体膜４１ａにプレベーク処理を施して硬化させる。
【００８７】
図１０（ｂ）に示す工程では、フォトマスク４５を用いて、凸部前駆体膜４１ａを露光する。これにより、凸部前駆体膜４１ａにおける凸部４１となる領域以外に紫外線４６が照射される。
【００８８】
図１０（ｃ）に示す工程では、現像処理を行う。これにより、凸部前駆体膜４１ａにおける凸部４１となる領域のみの凸部前駆体膜４１ｂが残る。
【００８９】
図１０（ｄ）に示す工程では、凸部前駆体膜４１ｂに熱処理を施す。具体的には、例えば、２２０℃〜２４０℃の温度で熱処理を行う。これにより、角が丸くなり、断面が略半円状の凸部４１（４２，４３）が完成する。
【００９０】
続いて、ステップＳ１３（配向膜形成工程）では、凸部４１を含む第１基材１０ａ上に配向膜２８を形成する。具体的には、図１０（ｅ）を参照しながら説明する。図１０（ｅ）に示す工程では、凸部４１を有する第１基材１０ａ上に、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着法を用いて形成する。
【００９１】
これにより、第１基材１０ａ上における第１領域７１には第１配向膜２８ａが形成される。また、第２領域７２及び凸部４１上には、第１配向膜２８ａの柱状構造物２８ａ１の間隔と比較して、柱状構造物２８ｂ１の間隔が広い第２配向膜２８ｂが形成される。換言すると、凸部４１における蒸着源から遠い側の斜面４２ａ，４３ａに形成された柱状構造物２８ｂ１の間隔が、第１領域７１の柱状構造物２８ａ１の間隔より広く形成される。
【００９２】
このように柱状構造物２８ｂ１の間隔が広い第２配向膜２８ｂを形成することにより、第２配向膜２８ｂでイオン性不純物４４を捕獲することが可能となり、画素領域Ｅを含む第１配向膜２８ａ側にイオン性不純物４４が拡散することを抑えることができる。以上により、素子基板１０側が完成する。
【００９３】
次に、対向基板２０側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ２１では、ガラス基板等の透光性材料からなる第２基材２０ａ上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、対向電極３１（共通電極）を形成する。
【００９４】
ステップＳ２２では、対向電極３１上に配向膜３２を形成する。配向膜３２の製造方法は、例えば、斜方蒸着法を用いて形成する。以上により、対向基板２０側が完成する。次に、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる方法を説明する。
【００９５】
ステップＳ３１では、素子基板１０上にシール材１４を塗布する。具体的には、例えば、素子基板１０とディスペンサー（吐出装置でも可能）との相対的な位置関係を変化させて、素子基板１０における画素領域Ｅの周縁部に（画素領域Ｅを囲むように）シール材１４を塗布する。
【００９６】
ステップＳ３２では、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。具体的には、素子基板１０に塗布されたシール材１４を介して素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。より具体的には、互いの基板１０，２０の平面的な縦方向や横方向の位置精度を確保しながら行う。
【００９７】
ステップＳ３３では、液晶注入口（符号省略）から構造体の内部に液晶を注入し、その後、液晶注入口を封止材で封止する。以上により、液晶装置１００が完成する。
【００９８】
＜電子機器の構成＞
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図１１を参照して説明する。図１１は、上記した液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図である。
【００９９】
図１１に示すように、本実施形態の投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【０１００】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【０１０１】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【０１０２】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【０１０３】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。
【０１０４】
このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【０１０５】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【０１０６】
このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、焼き付き等が抑えられた液晶装置１００を用いているので、高い表示品質を実現することができる。
【０１０７】
なお、液晶装置１００が搭載される電子機器としては、投射型表示装置１０００の他、ヘッドアップディスプレイ、スマートフォン、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。
【０１０８】
以上詳述したように、第１実施形態の液晶装置１００の製造方法、液晶装置１００、及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。
【０１０９】
（１）本実施形態の液晶装置１００の製造方法によれば、第１領域７１の蒸着角度よりも大きい蒸着角度にするための凸部４１を予め形成しておくので、第１基材１０ａ上（第４層間絶縁層１１ｅ上）に斜方蒸着法を用いて配向膜２８を形成することにより、第１領域７１の第１配向膜２８ａと比較して第２領域７２（具体的には、凸部４１における蒸着源から遠い側の斜面４２ａ，４３ａ）には、柱状構造物２８ｂ１の間隔が広い第２配向膜２８ｂを形成することができる。よって、第２領域７２の第２配向膜２８ｂの柱状構造物２８ｂ１間にイオン性不純物４４をトラップすることができる。また、第１基材１０ａ上における第１領域７１と第２領域７２との実質的な蒸着角度を変えることにより、柱状構造物２８（２８ａ１，２８ｂ１）の間隔の異なる配向膜２８の領域を制御できるので、境界の位置精度を向上させることができる。加えて、柱状構造物２８ａ１，２８ｂ１の幅が異なる配向膜２８ａ，２８ｂを一括で形成することができるので、表示特性が劣化することを抑えることができる。
【０１１０】
（２）本実施形態の液晶装置１００の製造方法によれば、ダミー画素が設けられた領域までを第１領域７１として、その周囲を第２領域７２とすることにより、シール材１４などから溶出されたイオン性不純物４４が画素領域Ｅ（表示領域）側に拡散することを抑えることができる。よって、画素領域Ｅに悪影響（例えば、シミ）を与えることをより抑えることができる。
【０１１１】
（３）本実施形態の液晶装置１００によれば、第１領域７１の蒸着角度よりも大きい蒸着角度にするための凸部４１が設けられているので、第１基材１０ａ上（第４層間絶縁層１１ｅ上）に斜方蒸着法を用いて配向膜２８を形成することにより、第１領域７１の第１配向膜２８ａと比較して第２領域７２（具体的には、凸部４１における蒸着源から遠い側の斜面４２ａ，４３ａ）には、柱状構造物２８ｂ１の間隔が広い第２配向膜２８ｂを形成することができる。よって、第２領域７２の第２配向膜２８ｂの柱状構造物２８ｂ１間にイオン性不純物４４をトラップすることができる。また、第１基材１０ａ上における第１領域７１と第２領域７２との実質的な蒸着角度を変えることにより、柱状構造物２８ａ１，２８ｂ１の間隔の異なる配向膜２８の領域を制御できるので、境界の位置精度を向上させることができる。加えて、柱状構造物２８ａ１，２８ｂ１の幅が異なる配向膜２８ａ，２８ｂを一括で形成することができるので、表示特性が劣化することを抑えることができる。
【０１１２】
（４）本実施形態の電子機器によれば、上記に記載の液晶装置１００を備えるので、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。
【０１１３】
（第２実施形態）
＜配向膜の構成＞
図１２は、第２実施形態の液晶装置のうち主に配向膜の構成を示す模式平面図である。図１３は、図１２に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。以下、配向膜の構成について、図１２及び図１３を参照しながら説明する。
【０１１４】
第２実施形態の液晶装置２００は、上述の第１実施形態と比べて、凸部１４１の形状が異なり、その他の構成については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
【０１１５】
図１２及び図１３に示すように、第２実施形態の液晶装置２００は、第１基材１０ａ上における第２領域７２に、画素領域Ｅを囲むように繋がった凸部１４１が設けられており、第１基材１０ａ上の全体に配向膜１２８が設けられている。具体的には、画素領域Ｅの周囲に、第１凸部１４２が設けられている。第１凸部１４２の周囲には、第１凸部１４２と同様の形状をした第２凸部１４３が設けられている。
【０１１６】
第１実施形態と同様、画素領域Ｅ（表示領域）の一回り外側までの領域、つまり、凸部１４１が設けられていない領域を第１領域７１と称する。また、第１領域７１の外側の領域であり、凸部１４１が設けられている領域を第２領域７２と称する。また、第１領域７１上に設けられた配向膜１２８を、第１配向膜１２８ａと称する。凸部１４１を有する第２領域７２上に設けられた配向膜１２８を、第２配向膜１２８ｂと称する。
【０１１７】
具体的には、凸部１４１は、断面形状が略三角形状に形成されている。なお、凸部１４１は、蒸着源から遠い側の斜面１４２ａ，１４３ａの領域が、近い側の斜面１４２ｂ，１４３ｂの領域と比べて広くなるように設けられている。つまり、凸部１４１は非対称の形状となっている。
【０１１８】
配向膜１２８の下側に凸部１４１を設けることにより、第１実施形態と同様、凸部１４１上に設けられた第２配向膜１２８ｂを構成する柱状構造物１２８ｂ１の間隔が、凸部１４１を設けずに形成された第１配向膜１２８ａを構成する柱状構造物１２８ａ１の間隔より広くすることができる。
【０１１９】
第２実施形態の特徴として、斜方蒸着する際の蒸着角度に対して大きくなる凸部１４１の斜面（蒸着源から遠い側の凸部１４１の斜面）１４２ａ，１４３ａの面積を広くすることが可能となり、この斜面１４２ａ，１４３ａに設けられた柱状構造物１２８ｂ１の間隔が広くなる。これにより、イオン性不純物４４を第２領域７２（つまり、非表示領域）において柱状構造物１２８ｂ１の間により多く捕獲（トラップ）することができる。
【０１２０】
図１４は、凸部の断面形状を模式的に示す模式断面図である。図１５は、凸部の寸法を変えた場合に対応する各寸法値を示す図表である。以下、凸部の形状、及び凸部の各寸法値について、図１４及び図１５を参照しながら説明する。
【０１２１】
図１４に示すように、第２実施形態の凸部１４１の断面形状を模式的に示すと、左右非対称の略三角形状で示される。言い換えれば、蒸着源から近い側の斜面１４２ｂ，１４３ｂの領域に対して、遠い側の斜面１４２ａ，１４３ａの領域が広くなっている。ここで、凸部１４１の幅をｗ、凸部１４１における斜面１４２ａ，１４３ａ側の幅をａ、凸部１４１の高さをｂ、凸部１４１の斜面１４２ａ，１４３ａの角度（蒸着源から遠い側の斜面の角度）をθとする。
【０１２２】
蒸着源から遠い側の斜面１４２ａ，１４３ａにおける、実質的な蒸着角度は、第１領域７１の蒸着角度（仰角）＋「θ」である。例えば、柱状構造物１２８ｂ１の蒸着角度は、蒸着角度が４５°であり、θが５．７°の場合、実質５０．７°で蒸着される。
【０１２３】
次に、蒸着源から近い側の斜面１４２ｂ，１４３ｂに形成された柱状構造物１２８ｂ１について説明する。実質的な蒸着角度は、第１領域７１の蒸着角度−「θ’」である。例えば、柱状構造物１２８ｂ１の蒸着角度は、蒸着角度が４５°であり、θ’が１６．７°の場合、実質２８．３°で蒸着される。
【０１２４】
図１５に示す図表は、凸部１４１の片側の斜面１４２ａ，１４３ａ（蒸着源から遠い側の斜面）の幅ａと、凸部１４１の高さｂと、を変えた場合における凸部１４１の斜面１４２ａ，１４３ａ側の角度（蒸着源から遠い側の斜面の角度）を示している。具体的には、ａは、５μｍ、１０μｍ、１５μｍの３種類で変えている。ｂは、１μｍ、１．５μｍ、２μｍの３種類で変えている。
【０１２５】
この中でも、凸部１４１の寸法は、製造のしやすさなどから、ｗが１５μｍ、ａが１０μｍ、ｂが１〜１．５μｍ、θが５．７〜８．５であることが好ましい。
【０１２６】
また、第１領域７１の外縁からシール材１４までの長さが０．８ｍｍの場合、凸部１４１の本数は、最大で５３本形成することが可能である。なお、凸部１４１の本数が多いほど、イオン性不純物４４をトラップすることが可能となる。
【０１２７】
＜液晶装置の製造方法＞
図１６は、第２実施形態の凸部の製造方法を示す模式断面図である。以下、凸部の製造方法を、図１６を参照しながら説明する。
【０１２８】
図１６（ａ）に示す工程では、画素電極２７などを含む第１基材１０ａ上に、例えば、スピンコート法を用いて、凸部前駆体膜１４１ａとなる感光性樹脂材料を塗布する。感光性樹脂材料としては、例えば、ポジ型の樹脂材料であるノボラック樹脂が挙げられる。その後、凸部前駆体膜１４１ａにプレベーク処理を施す。
【０１２９】
図１６（ｂ）に示す工程では、第１フォトマスク１４５ａを用いて、凸部前駆体膜１４１ａを露光する。具体的には、凸部前駆体膜１４１ａにおける凸部１４１全体の領域を遮光した第１フォトマスク１４５ａを用いる。
【０１３０】
図１６（ｃ）に示す工程では、第２フォトマスク１４５ｂを用いて、凸部前駆体膜１４１ａにおける、第１フォトマスク１４５ａで遮光した領域の一部の領域を露光する。具体的には、凸部１４１における蒸着源から遠い側の斜面１４２ａ，１４３ａの面積が広くなるように、凸部１４１における蒸着源から遠い側の領域を露光する。なお、図１６（ｂ）に示す工程の露光量より弱い露光量で露光する。
【０１３１】
図１６（ｄ）に示す工程では、現像処理を行う。凸部前駆体膜１４１ａに露光量の異なる紫外線を照射したことにより、膜厚に差が生じる。これにより、凸部１４１となる前の階段状の凸部前駆体膜１４１ｂが形成される。
【０１３２】
図１６（ｅ）に示す工程では、凸部前駆体膜１４１ｂに熱処理を施す。具体的には、例えば、２２０℃〜２４０℃の温度で熱処理を行う。これにより、断面が非対称の略三角形状（偏った半円形状）の凸部１４１（１４２，１４３）が完成する。
【０１３３】
以上詳述したように、第２実施形態によれば、上記（１）〜（４）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【０１３４】
（５）第２実施形態の液晶装置２００の製造方法によれば、蒸着角度が大きくなる斜面側、つまり、凸部１４１における蒸着源から遠い側の斜面１４２ａ，１４３ａの面積が広いので、第１実施形態と比較して、より多くのイオン性不純物４４を第２領域７２において捕獲することができる。その結果、シミなどの発生をより抑えることができる。
【０１３５】
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
【０１３６】
（変形例１）
上記した第２実施形態の凸部１４１は、上記した製造方法に限定されず、図１７に示すような製造方法でもよい。図１７は、変形例における凸部の製造方法を示す模式断面図である。
【０１３７】
まず、図１７（ａ）に示す工程では、第２実施形態と同様、第１基材１０ａ上に凸部前駆体膜１４１ａを成膜する。図１７（ｂ）に示す工程では、透過率の異なるハーフトーンマスク２４５を用いて、凸部前駆体膜１４１ａを露光する。ハーフトーンマスク２４５は、紫外線を透過する透過領域と、半透過する半透過部と、遮光する遮光部とを有する。半透過部の領域が、凸部１４１における段差ができる領域に対応する。図１７（ｃ）及び図１７（ｄ）に示す工程は、第２実施形態と同様、現像処理と熱処理を行う。以上により、第２実施形態と同様な形状の凸部１４１（１４２，１４３）を形成することができる。
【０１３８】
この方法によれば、第１フォトマスク１４５ａ及び第２フォトマスク１４５ｂの２種類のフォトマスクを用いることなく、１つのハーフトーンマスク２４５で製造することができる。よって、例えば、かかる工数を減らすことができる。
【０１３９】
（変形例２）
上記したように、第１領域７１の周囲（表示領域の周囲）を囲むように繋がった凸部４１，１４１を設けることに限定されず、図１８及び図１９に示すように凸部２４１，３４１ａ，３４１ｂを設けるようにしてもよい。図１８及び図１９は、変形例の液晶装置の構成（特に凸部の構成）を示す模式平面図である。
【０１４０】
図１８に示す液晶装置３００は、画素領域Ｅ（表示領域）の周囲に、蒸着源の方向に対して垂直方向に延びる複数の凸部２４１が配置されている。なお、断面形状は、第１実施形態の凸部４１、及び第２実施形態の凸部１４１のどちらでも可能である。これによれば、イオン性不純物４４がイオントラップ部上を通過するので、より効率的にイオン性不純物４４をトラップすることが可能となり、角シミの防止に効果を発揮することができる。
【０１４１】
また、図１９に示す液晶装置４００は、対向する２箇所の角部のみ、蒸着源の方向（配向方向）に対して垂直方向に延びる凸部３４１ａが配置されている。その他の領域は、対向する角部の方向に繋がる凸部３４１ｂが配置されている。これによれば、角シミにより効果を発揮することができる。
【０１４２】
（変形例３）
上記したように、第２領域７２における凸部４１の断面形状は、隣り合う凸部４１との間に第１基材１０ａが露出するように形成することに限定されず、例えば、図２０のように形成するようにしてもよい。図２０は、変形例の凸部の断面形状を示す模式断面図である。
【０１４３】
図２０に示す凸部４４１は、隣り合う凸部４４１が繋がるように形成されている。具体的には、複数の凸部４４１によって、断面形状が波状のような形状に形成されている。このように形成すれば、第２領域７２に形成できる凸部４４１の本数を増やすことが可能となり、よりイオン性不純物４４をトラップすることができる。
【０１４４】
（変形例４）
上記したように、素子基板１０側に第１配向膜２８ａ及び第２配向膜２８ｂを形成することに限定されず、例えば、対向基板２０側に第１配向膜及び第２配向膜を形成するようにしてもよい。少なくともどちらか一方の基板（素子基板１０、対向基板２０）に形成するようにすることが望ましい。対向基板２０に形成する場合、対向電極３１における画素領域Ｅに第１配向膜３２（２８ａに相当）を形成する。また、画素領域Ｅの周囲に第２配向膜３２（２８ｂに相当）を形成する。
【０１４５】
（変形例５）
上記したように、液晶注入方式の液晶装置１００に適用することに限定されず、液晶滴下方式（ＯＤＦ）の液晶装置に適用するようにしてもよい。なお、上記液晶注入方式の液晶装置１００の場合、液晶にイオン性不純物４４が含まれている場合には、液晶注入口（離間部）と表示領域の間に第２領域７２（第２配向膜２８ｂ）を形成し、液晶の注入時に第２配向膜２８ｂによってイオン性不純物をトラップするようにしてもよい。また、液晶注入口（離間部）に第２領域７２（第２配向膜２８ｂ）を形成し、液晶注入時に第２配向膜２８ｂによってイオン性不純物をトラップし、その後、封止材で埋め込んでも良い。
【０１４６】
（変形例６）
上記したように、イオン性不純物４４によるシミなどの表示不良が画素領域Ｅ（表示領域）の角部に発生しやすいことから、第２配向膜２８ｂを画素領域Ｅの角部周辺のみに設けるようにしてもよい。これによれば、表示領域の角部において、イオン性不純物４４をトラップすることが可能となり、いわゆる角シミ（配向方向の２箇所）が発生することを抑えることができる。
【０１４７】
（変形例７）
上記したように、透過型の液晶装置１００に適用することに限定されず、例えば、反射型の液晶装置に本発明を適用するようにしてもよい。この場合、画素領域Ｅはアルミニウムなどの反射性材料を用いて画素電極（第２画素電極）を形成する。つまり、画素領域Ｅは、画素電極２７上にＳｉＯ2などからなる絶縁膜を形成する。画素領域Ｅ周辺は、例えば、ＩＴＯ膜を形成する。
【０１４８】
なお、第２領域７２のＩＴＯ膜を用いて、画素領域Ｅの周囲にイオントラップ電極を設けるようにしてもよい。
【０１４９】
（変形例８）
上記したように、第２配向膜２８ｂによってイオン性不純物４４をトラップすることに限定されず、例えば、第２領域７２にイオントラップ電極を配置して、両方でイオン性不純物をトラップするようにしてもよい。これによれば、イオン性不純物４４のトラップする能力を向上させることができる。また、捕獲したイオン性不純物４４が、再拡散することを抑えることができる。また、イオントラップ電極に重なるように凸部４１，１４１を設けるようにしてもよい。この場合、少なくとも、凸部４１，１４１において蒸着源から離れた側の斜面４２ａ，４３ａ，１４２ａ，１４３ａがイオントラップ電極と平面的に重なるように設けることが望ましい。
【符号の説明】
【０１５０】
３ａ…走査線、３ｂ…容量線、３ｃ…下側遮光膜、６ａ…データ線、１０…素子基板、１０ａ…第１基材、１１ａ…下地絶縁層、１１ｂ…第１層間絶縁層、１１ｃ…第２層間絶縁層、１１ｄ…第３層間絶縁層、１１ｅ…第４層間絶縁層、１１ｇ…ゲート絶縁膜、１４…シール材、１５…液晶層、１６…容量素子、１６ａ…第１容量電極、１６ｂ…第２容量電極、１６ｃ…誘電体膜、１８…遮光部、２０…対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、２８，３２，１２８…配向膜、２８ａ，１２８ａ…第１配向膜、２８ｂ，１２８ｂ…第２配向膜、２８ａ１，２８ｂ１，１２８ａ１，１２８ｂ１…柱状構造物、２９…配線、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…画素電極側ソースドレイン領域、３０ｄ１…画素電極側ＬＤＤ領域、３０ｇ…ゲート電極、３０ｓ…データ線側ソースドレイン領域、３０ｓ１…データ線側ＬＤＤ領域、３１…対向電極、３３…平坦化層、４１，１４１，２４１，４４１…凸部、４１ａ，４１ｂ，１４１ａ…凸部前駆体膜、４２，１４２…第１凸部、４２ａ，４２ｂ，４３ａ，４３ｂ，１４２ａ，１４２ｂ…斜面、４３，１４３…第２凸部、４４…イオン性不純物、４５…フォトマスク、４６…紫外線、ＣＮＴ５１，５２，５３，５４…コンタクトホール、５５…中継層、６１…外部接続用端子、７１…第１領域、７２…第２領域、１００，２００，３００，４００…液晶装置、１４５ａ…第１フォトマスク、１４５ｂ…第２フォトマスク、２４５…ハーフトーンマスク、３４１ａ，３４１ｂ…凸部、１０００…投射型表示装置、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプ、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投射レンズ、１２１０，１２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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