(57)【要約】 【課題】  複数のショット領域の描画データを共通化し且つ描画精度の点で有利な技術を提供する。【解決手段】  描画装置は、第１方向に沿って配置され、それぞれが複数の荷電粒子線を基板に照射する複数の荷電粒子光学系と、前記基板を保持し、前記第１方向とは直交する第２方向に沿って前記複数の荷電粒子光学系に対して移動するステージと、前記基板上のショット領域の前記第１方向における配列ピッチをＰｓとし、前記複数の荷電粒子光学系による前記基板上の複数の描画領域それぞれの前記第１方向における幅をＳＷとし、かつ前記複数の描画領域の前記第１方向における配列ピッチをＰｃとするとき、ＳＷ＝Ｐｃ／α＝Ｐｓ／β（α、βは自然数）との関係を満たすように、前記複数の荷電粒子光学系のそれぞれが前記複数の荷電粒子線のうちで前記描画に使用する荷電粒子線の決定を行う制御部と、を有する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
第１方向に沿って配置され、それぞれが複数の荷電粒子線を基板に照射する複数の荷電粒子光学系と、
前記基板を保持し、前記第１方向とは直交する第２方向に沿って前記複数の荷電粒子光学系に対して移動するステージと、
前記基板上のショット領域の前記第１方向における配列ピッチをＰｓとし、前記複数の荷電粒子光学系による前記基板上の複数の描画領域それぞれの前記第１方向における幅をＳＷとし、かつ前記複数の描画領域の前記第１方向における配列ピッチをＰｃとするとき、ＳＷ＝Ｐｃ／α＝Ｐｓ／β（α、βは自然数）との関係を満たすように、前記複数の荷電粒子光学系のそれぞれが前記複数の荷電粒子線のうちで前記描画に使用する荷電粒子線の決定を行う制御部と、
を有することを特徴とする描画装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記基板上のショット領域の前記第１方向における設計上の配列ピッチをＰｓとして、前記決定を行う、ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記関係を満たすように、前記複数の荷電粒子光学系の少なくとも１つにおいて前記描画に使用する荷電粒子線の偏向量を決定する、ことを特徴とする請求項１または２に記載の描画装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記関係式を満たすように、前記複数の荷電粒子光学系による前記複数の荷電粒子線の投影倍率を決定する、ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項５】
前記決定に係る前記幅ＳＷをそれぞれ有する前記ショット領域の複数の部分領域のそれぞれに関して描画データを生成する生成部を有する、ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項６】
前記生成部は、前記描画データを格納する格納部を含む、ことを特徴とする請求項５に記載の描画装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記基板に形成されたショット領域およびその中の部位の少なくとも一方の位置に関する情報に基づいて前記描画に使用する荷電粒子線が偏向されるように、前記複数の荷電粒子光学系を制御する、ことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項８】
前記基板に形成されたマークを検出する検出器を有し、
前記制御部は、前記検出器の出力に基づいて前記情報を取得する、ことを特徴とする請求項７に記載の描画装置。
【請求項９】
前記複数の荷電粒子光学系のそれぞれは、前記第１方向および前記第２方向に沿って配列された複数の荷電粒子線を前記基板に照射し、かつ前記第２方向に沿って配列された複数の荷電粒子線を前記基板上の目標部位に対して多重に照射する、ことを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置、およびそれを用いた物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、半導体集積回路等のデバイス製造に用いられる描画装置として、生産性を高めるために、複数の電子光学系（荷電粒子光学系）を用いて基板上の複数のショット領域に同時に描画を行う描画装置が提案されている。複数の電子光学系を用いて同時に描画を行う場合、電子光学系が保持、ハンドリングする描画パターンデータの総量も電子光学系の数量に応じて増大してしまう。しかし多くの場合は、同一形状のパターンを複数のショット領域に描画している。
【０００３】
特許文献１の描画装置では、複数の電子光学系で用いる描画データを複数のショット領域で共通化し、同じ描画データで複数のショット領域に同時に描画を行うことで、保持、ハンドリングすべき描画データの規模の低減を図っている。また、特許文献１の描画装置は、複数の独立した補正機構を有する電子光学系を規則的に並べて構成することで、描画済みの下地パターンとの重ね合せ描画を行う場合、下地パターンの形状に合わせて重ね合せる描画パターンの位置を電子光学系毎に補正している。
【０００４】
このような複数の電子光学系を用いてウエハ上の複数のショット領域に同時に描画を行う様子を図１に示す。図１では、ウエハ１０上の５行５列の２５のショット領域に３つの電子光学系を用いて描画を行う。３つの電子光学系Col_1、Col_2、Col_3は、それぞれ５行５列の複数の電子線をウエハ１０に向けて投射可能である。
【０００５】
ウエハ１０を載置した不図示のステージによりウエハ１０が、電子光学系Col_1〜Col_3に対して図面上方に移動することにより、各電子光学系Col_1〜Col_3がストライプ状の領域（S1〜S3）を描画する。そのストライプ描画において、各電子光学系のウエハ１０の移動方向（列方向）に配列された複数の電子線は、ウエハ１０を多重描画し、各電子線の照射のオンオフによりウエハ１０上に電子線の照射量が制御される。
【０００６】
電子線の照射量の制御は、設計データから事前に生成した描画データを繰り返し利用して行われる。各電子光学系Col_1〜Col_3が同時に描画するのに必要な描画データは、各ストライプ状の領域（S1〜S3）の幅の描画データであり、図１のようにショット領域毎の描画位置が異なるため、電子光学系毎に異なる。そのため、設計データから、電子光学系毎に異なる描画データを冗長に事前に生成して保持する必要があり、描画データの総量を増大させてしまうという問題がある。
【０００７】
このような問題を解決する方策として、特許文献２には、複数の電子光学系の光軸間の距離を機械的に調整可能にした電子線描画が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開昭６２−１４４３２３号公報
【特許文献２】特許４３０８５０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、電子光学系毎の描画データを共通化するために電子光学系の光軸間の距離を機械的に調整する特許文献２に記載の手法では、機械的調整精度、もって描画精度の点で問題があった。
【００１０】
本発明は、例えば、複数のショット領域の描画データを共通化し且つ描画精度の点で有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、第１方向に沿って配置され、それぞれが複数の荷電粒子線を基板に照射する複数の荷電粒子光学系と、前記基板を保持し、前記第１方向とは直交する第２方向に沿って前記複数の荷電粒子光学系に対して移動するステージと、前記基板上のショット領域の前記第１方向における配列ピッチをＰｓとし、前記複数の荷電粒子光学系による前記基板上の複数の描画領域それぞれの前記第１方向における幅をＳＷとし、かつ前記複数の描画領域の前記第１方向における配列ピッチをＰｃとするとき、ＳＷ＝Ｐｃ／α＝Ｐｓ／β（α、βは自然数）との関係を満たすように、前記複数の荷電粒子光学系のそれぞれが前記複数の荷電粒子線のうちで前記描画に使用する荷電粒子線の決定を行う制御部と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、例えば、複数のショット領域の描画データを共通化し且つ描画精度の点で有利な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】複数の電子光学系を用いて複数のショット領域に同時に描画を行う様子を示す図
【図２】電子光学系の構成を示す図
【図３】本発明の描画装置の構成を示す図
【図４】本発明の描画装置による描画方法を説明する図
【図５】本発明の描画装置による描画方法を説明する図
【図６】ショットの配列ピッチ、電子光学系の配置ピッチおよびストライプ描画幅の関係を説明する図
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、第１方向に沿って配置され、それぞれが複数の荷電粒子線を基板に向けて射出可能な複数の荷電粒子光学系を用いて基板上の複数のショット領域に同時に描画を行う描画装置の実施形態を説明する。なお、実施形態を説明するための全図を通して、原則として、同一の部材等には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１５】
［描画装置］
図２は、基板に対して荷電粒子線を投影する荷電粒子光学系（電子光学系）１００の構成を示す図である。電子源１０１は、例えば、電子放出材としてＬａＢ６またはＢａＯ／Ｗ（ディスペンサーカソード）等を含むいわゆる熱電子型の電子源である。コリメータレンズ１０２は、例えば静電型のレンズであって、電界により電子線を収束させる。電子源１０１から射出された電子線は、コリメータレンズ１０２によって略平行の電子線となる。
【００１６】
ブランキングアパーチャアレイ１０３は、コリメータレンズ１０２からの略平行な電子線を、２次元に配列された開孔（不図示）で複数の電子線に分割する。分割された複数の電子線は、個別に駆動可能な静電型のブランカー（不図示）により、電子光学系１００の描画領域ＥＡへの照射のオンオフが制御されている。なお、電子線のブランキング（照射のオフ）は、例えば偏向器を含む構成により行いうるが、それ以外の構成によってもよい。静電型の電子レンズ１０４と磁界型の電子レンズ１０５とは、双方のレンズ作用により、ブランキングアパーチャアレイ１０３の複数の開孔の中間像を形成する。磁界型の電子レンズ１０６は、対物レンズとして作用し、先の中間像を描画領域ＥＡに投影する。偏向器１０７は、ブランキングアパーチャアレイ１０３を通過した複数の電子線を、一括して所定の方向に偏向して描画位置を移動させる。
【００１７】
図３は、複数の電子光学系を用いて基板上の複数のショット領域に同時に描画を行う描画装置の構成を示す図である。なお、本実施形態の描画装置は、複数の電子線で基板に描画を行うが、イオン線等の電子線以外の荷電粒子線を用いてもよく、複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置に一般化しうる。本実施形態の描画装置は、３つの電子光学系１００を備える。ステージ１１は、基板（ウエハ）１０を保持し、描画を行うときに、第１方向とそれに直交する第２方向とに沿って複数の電子光学系１００に対して相対的に移動可能である。ステージ１１は、ウエハ１０を保持するための静電チャック（不図示）と、電子線が入射する開口パターンを含み電子線の位置を検出する電子線検出器（不図示）とを含んでいる。検出器１２は、ウエハ１０上に形成された位置合わせマークにレジストが感光しない波長の光を照射し、このマークからの正反射像を撮像素子で検出する。
【００１８】
ブランキング制御回路１３は、各電子光学系１００のブランキングアパーチャアレイ１０３を個別に制御する。バッファメモリ及びデータ処理回路１４は、ブランキング制御回路１３の電子光学系１００毎の制御データを生成する。偏向器制御回路１５は、各電子光学系１００の偏向器１０７による偏向量を個別に制御する。電子レンズ制御回路２２は、電子レンズ１０４〜１０６を制御して電子光学系１００の投影倍率（縮小率）を調整する。位置検出処理回路１６は、検出器１２からの信号に基づき、ウエハ１０に形成されたパターン（ショット領域）のシフト、回転等のずれを算出する。ステージ制御回路１７は、ステージ１１の位置を計測する不図示のレーザ干渉計と協働してステージ１１の位置を制御する。
【００１９】
設計データメモリ１８には、描画装置によって描画されるべきパターンの設計データが記憶されている。データ変換用計算機１９は、設計データを、描画装置で設定されている幅のストライプ単位（部分領域）に分割して、後続の処理を容易に行えるようにした中間データに変換する。中間データメモリ（格納部）は、部分領域毎の中間データを記憶（格納）する。主制御系２１は、描画するパターンに応じて、中間データをバッファメモリ及びデータ処理回路１４のバッファメモリに転送し、上記の複数の制御回路や処理回路を制御し、描画装置を統括的に制御する。データ変換用計算機１９および中間データメモリ２０は、描画装置が使用する描画データを生成する生成部２４を構成している。また、主制御系２１、ブランキング制御回路１３、バッファメモリ及びデータ処理回路１４、偏向器制御回路１５、電子レンズ制御回路２２、位置検出処理回路１６、ステージ制御回路１７は、描画装置による描画を制御する制御部２３を構成している。
【００２０】
図４は、本発明に係る描画装置の描画方法を説明する図である。図４（ａ）は、電子光学系１００の描画領域上での電子線の配列例である。本実施形態では、５行２０列の電子線で構成され、列ピッチに対し、行ピッチは２倍になっている。図４（ａ）に示すように、ステージ１１は、図面上から下へ移動する。ここで、図４（ａ）に示す電子線の列が、図４（ｂ）に示すようなウエハ１０上の電子線の行方向に配列する位置１〜６に、指定の露光量（Ｄｏｓｅ）となる露光パターンで描画を行う方法を説明する。なお、すべての電子線は、同一クロックでウエハ１０を照射し、対象とする電子線列の５つの行をそれぞれｊ〜ｎとする。ステージ１１は、単位クロック毎に行ピッチ分だけ移動する速度で連続的に移動しているとする。
【００２１】
そのとき、図４（ｃ）に示すような、単位クロック毎のオンオフ制御信号のタイムテーブルで対象とする電子線列の各行ｊ〜ｎの電子線を制御すると、図４（ｂ）のような露光パターンが得られる。図４（ｂ）において、破線ライン１〜６上に位置する信号は、前述のウエハ１０上の電子線の行方向に配列する位置１〜６で露光される各行ｊ〜ｎの電子線のオンオフ制御信号となる。
【００２２】
各行ｊ〜ｎの電子線のウエハ１０上の照射位置は、単位クロック毎に行ピッチ分だけ列方向に移動するステージ１１によって移動する。そのため、ある行の電子線のウエハ１０上の位置は、２クロック後に前の行が描画していた位置に到達することになるため、各行の制御信号が２クロック分だけＴｉｍｅ方向にシフトしている。すなわち、図４（ｂ）の露光パターンは、ｊ〜ｎの５つの電子線によるＤｏｓｅを積算したものであり、オンとなった行数で、露光パターンの階調を制御するため、全ての行の電子線による描画を終了しないと露光パターンを得ることができない。図４に示す方法で５行２０列の計１００本の電子線を制御することで、１つの電子光学系１００によりストライプ状の領域を描画することができる。各電子光学系１００が描画するストライプ状の領域のステージ移動方向と直交する方向における幅を描画可能領域幅ＳＷ０と呼ぶこととする。
【００２３】
図５は、３つの電子光学系１００を用いてウエハ１０に描画を行う方法を説明する図である。図５（ａ）は、ウエハ１０に、３つの電子光学系１００を用いて、縦横に規則的に整列したショット領域ＳＨにパターンを描画する様子を示す図である。ステージ１１の１回のスキャン移動の間に３つの電子光学系１００は、それぞれストライプ状の領域ＥＡ１〜ＥＡ３を描画する。各電子光学系１００が、１列分のストライプ描画を完了すると、主制御系２１は、ステージ１１をステージスキャン（走査）方向と直交する方向にステップ移動させ、次の列のストライプ描画を行う。その様子を図５（ｂ）に示す。ステージ１１のスキャン移動及び各電子光学系１００によるストライプ描画と、ステージ１１のステップ移動とを繰り返すことで、縦横に規則的に配列された複数のショット領域の全体に描画を行うことができる。
【００２４】
図６は、ステージスキャン方向と直交する方向における、ショット領域ＳＨの配列ピッチＰｓ、１つの電子光学系１００による描画領域の共通の幅ＳＷ、各電子光学系１００による描画領域の配列ピッチＰｃの関係を説明する図である。なお、ショット領域ＳＨの配列ピッチＰｓは、ノミナル値または設計値（プロセス設計上の値）であって、ウエハ１０に形成されたショット領域の実際の値または計測値ではない。本発明では、電子光学系１００の間隔すなわちピッチを変更しなくても、各電子光学系１００による描画領域のピッチＰｃは可変にすることができる。主に電子光学系１００の機械的な配置上の制約により、複数の電子光学系１００の配置ピッチは、一定以上の距離が必要となる。その制約の中で、ステージスキャン方向と直交する方向における配置ピッチが、一定のピッチとなるように複数の電子光学系１００を配置する。ショット領域ＳＨには、１つ以上のチップ配列が構成される。ステージスキャン方向と直交する方向におけるショット領域ＳＨのピッチＰｓは、製造すべきデバイスの設計により異なる。
【００２５】
各電子光学系１００は、可描画領域幅ＳＷ０の範囲内の任意の幅でストライプ描画を行うことができる。生産性の観点に立てば、各電子光学系１００の描画領域のステージスキャン方向と直交する方向における幅ＳＷは、その最大幅である可描画領域幅ＳＷ０とすることが理想的である。しかし、各電子光学系１００がＳＷ０幅でストライプ描画を行う場合には、図６（ａ）に示すように、１つのショット領域ＳＨをストライプで分割する境界線が、ショット領域毎や電子光学系毎で異なってしまう状況が生ずる。このような状況に対応して描画を行うためには、中間データメモリ２０に保持しておく中間データは、ショット領域毎や電子光学系毎で異なることとなる。その結果、ストライプで分割する境界線の位置が異なるだけのデータをショット領域毎、電子光学系毎で冗長に保持することが必要となり、メモリ等のストレージ規模を増大させてしまう。
【００２６】
また図６（ａ）の場合、ストライプが、複数のショット領域ＳＨにまたがることもありうる。描画済の下地層のパターンとの重ね合わせ描画を行う場合、まず検出器１２により下地層のパターンに設けられたマークの位置を検出する。主制御系２１は、検出器１２の出力に基づき、位置検出処理回路１６により下地層に形成されたショット領域およびその中の部位の少なくとも一方の位置（シフト、倍率、回転等）に関する情報を予め取得しておく。その後、電子光学系１００毎に独立した偏向器１０７により、下地層のパターンの上に重ね合わせるべきパターンの描画位置を前記位置の情報に基づいて個別に補正、つまり、ストライプ単位で描画位置を補正する。描画位置の補正量は、ショットパターン毎に異なるため、ストライプが隣接するショット領域にまたがる場合、両ショット領域に対する描画位置を補正して描画することを同一のストライプで同時に行うことはできない。
【００２７】
そこで、本発明では、任意サイズすなわち任意のピッチを有する複数のショット領域ＳＨに対し、描画に使用する複数の電子線から成るグループを決定し、そのグループの電子線によって描画されるストライプ幅を調整することで、上述の問題を解消させる。本発明では、ステージスキャン方向と直交する方向における、ショット領域ＳＨのピッチＰｓ、電子光学系１００の描画領域のピッチＰｃ、電子光学系１００による描画領域の幅（ストライプの幅）ＳＷの関係が、図６（ｂ）に示す状態にする。つまり、ストライプの幅ＳＷを、ショット領域ＳＨのピッチＰｓと電子光学系１００の描画領域のピッチＰｃとの双方の約数になるように調整する。
【００２８】
図６（ｂ）に示す配置関係の場合、各ショット領域ＳＨは、同じ分割位置と幅で均等に幅ＳＷのストライプによって分割され、ショット領域の境界とストライプによる描画領域の境界とは一致する。よって、中間データメモリ２０に保持しておくべき中間データは、ショット領域ＳＨを整数で分割したストライプ単位で共通化でき、データを保持するストレージ規模を低減できる。また、ストライプによる描画領域が隣接のショット領域にまたがることも無いため、ショット領域によって異なる補正量の補正を行うことが可能となる。
【００２９】
図６（ｂ）に示す配置関係成立のための条件は、式１、式２の関係式の双方を満たすことである。
ＳＷ≦ＳＷ０・・・（１）
ＳＷ＝Ｐｃ／α＝Ｐｓ／β  （α、βは自然数）・・・（２）
ストライプの幅ＳＷは、ショット領域のピッチＰｓを基準にしつつ、生産性の観点から、可描画領域幅ＳＷ０に近い量とすることが好ましい。具体的には、データ変換用計算機１９は、まずＰｓ／ＳＷ０の値からショット領域のストライプによる分割数に相当する自然数のβを決定し、Ｐｓ／βをストライプの幅ＳＷとして決定する。ストライプの幅ＳＷは、電子線の列ピッチ（描画画素のピッチ）単位で調整可能であり、ストライプの幅ＳＷの描画画素のピッチ以下の微調整は、電子レンズ制御回路２２により電子光学系１００の投影倍率（縮小倍率）を調整することで可能である。投影倍率を調整すると、微小ではあるが描画画素のピッチも変わってしまうため、βを再調整してストライプの幅ＳＷを電子線の列ピッチの倍数に合わせるか、投影倍率の調整量がより小さくなるように調整する。
【００３０】
このようにしてストライプの幅ＳＷを決定後、データ変換用計算機１９は、電子光学系１００の描画領域のピッチＰｃをストライプの幅ＳＷの倍数になるよう調整する。電子光学系１００の描画領域のピッチＰｃは、基本的には機械的な固定位置で決定されるが、各電子光学系１００の偏向器１０７により微量の調整は可能である。また、ストライプの幅ＳＷを可描画領域幅ＳＷ０以内で調整したことにより生じる余剰な領域幅（ＳＷ０−ＳＷ）を用いて、電子光学系１００の描画領域のピッチＰｃを調整しても良い。ストライプの幅ＳＷは、電子光学系１００の描画領域のピッチＰｃに比べ十分小さい値であり、ストライプの幅ＳＷ程度の微量の調整で、条件を満たす電子光学系１００の描画領域のピッチＰｃを決定することができる。
【００３１】
もし、電子光学系１００の描画領域のピッチＰｃの調整量が大きく、偏向器１０７や余剰な領域幅（ＳＷ０−ＳＷ）による調整可能な範囲内に収まらない場合には、再度βから調整し直す。そうすることで、電子光学系１００の描画領域のピッチＰｃの調整量を調整可能な量に収まるように調整することができる。以上の方法により、データ変換用計算機１９は、式１および式２の双方を満たすストライプの幅ＳＷと電子光学系１００の領域のピッチＰｃを決定する。本発明によれば、電子光学系１００を機械的に調整して電子光学系１００のピッチを変えなくても、１つの電子光学系１００による描画領域が２つのショット領域にまたがることを防止することができる。
【００３２】
ストライプの幅ＳＷは、それが電子光学系１００の描画領域のピッチＰｃとショット領域のピッチＰｓとの最大公約数の約数になるように調整することで決定しても良い。具体的には、データ変換用計算機１９は、まず電子光学系１００の描画領域のピッチＰｃとショット領域のＰｓの最大公約数γを求める。データ変換用計算機１９は、γ／ＳＷ０の値から、電子光学系１００の描画領域のピッチＰｃとショット領域のＰｓの最大公約数の幅をストライプで分割した数に相当する自然数の値を決定し、以降は前述の方法と同様にしてストライプの幅ＳＷを決定する。
【００３３】
本実施形態におけるストライプ描画のように、複数の描画領域に分割して逐次描画を行う場合、電子光学系１００の経時変化等により描画領域間に描画位置のずれが生じ、特に各描画領域の境界をまたがる描画パターンの形状に誤差を生じさせることがある。そのような経時変化等により発生する描画位置のずれに対応する為、描画領域の境界部に隣接し合う描画領域（目標部位）で多重描画を行うオーバーラップ領域を設ける場合がある。また、既に描画済みの下地層のパターンとの重ね合わせ描画を行う場合、描画データを補正することがある。そのような補正に対応するために、描画領域の境界部に隣接し合う領域間をまたがるオーバーラップ領域を設ける場合がある。オーバーラップ領域を設ける場合には、データ変換用計算機１９は、オーバーラップ領域の幅（ＯＷ）を加味してストライプの幅ＳＷを調整すればよい。この場合には、式１は式３に変更される。
ＳＷ≦（ＳＷ０−ＯＷ）・・・（３）
［物品の製造方法］
上記描画装置を用いる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に描画装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板に描画を行う工程）と、当該工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含みうる。さらに、物品の製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能、品質、生産性、生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００３４】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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