(57)【要約】【課題】欠陥を発生させるような余計な工程を付加することなく、反りを低減したＥＵＶマスクブランク、ＥＵＶマスクブランクの作製方法およびＥＵＶマスクブランクの製造装置を提供することを課題とする。【解決手段】基板１上に多層反射層２を備えたＥＵＶマスクブランクの作製方法であって、前記基板に反り補正チャック３１により外力を加える工程と、前記基板に多層反射層を成膜する工程を備えてなり、前記外力は、前記基板の多層反射層が形成される面が縮む方向に向いていることを特徴とするＥＵＶマスクブランクの作製方法。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に多層反射層を備えたＥＵＶマスクブランクの作製方法であって、前記基板に外力を加える工程と、この外力を加えたまま前記基板に多層反射層を成膜する工程を備えてなり、前記外力は、前記基板の多層反射層が形成される面が縮む方向に向いていることを特徴とするＥＵＶマスクブランクの作製方法。
【請求項２】
前記基板に外力を加える工程を、前記多層反射層の成膜後に発生するＥＵＶマスクブランクの反り量と同程度、且つ反対方向の反りを持った表面形状を有する反り補正チャックを使用して実施することを特徴とする請求項１に記載のＥＵＶマスクブランクの作製方法。
【請求項３】
前記反り補正チャックが、真空チャック、静電チャック、メカニカルチャック、クランプのいずれかであることを特徴とする請求項２に記載のＥＵＶマスクブランクの作製方法。
【請求項４】
前記反り補正チャックが、前記基板を反らさずに外力を加えて圧縮させる手段であることを特徴とする請求項２に記載のＥＵＶマスクブランクの作製方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のＥＵＶマスクブランクの作製方法を使用することを特徴とするＥＵＶマスクブランクの製造装置。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のＥＵＶマスクブランクの作製方法を使用して作製されたことを特徴とするＥＵＶマスクブランク。
【請求項７】
平坦度が２００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項６に記載のＥＵＶマスクブランク。
【請求項８】
多層反射層の内部応力が１００ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項６または７に記載のＥＵＶマスクブランク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射型マスクブランク及びその作製方法に関し、特に極端紫外線（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ；以下「ＥＵＶ」と表記する）を光源とするＥＵＶリソグラフィを用いた半導体製造装置などに利用される反射型マスクブランクとその作製方法およびその製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの微細化に伴い、波長が１３．５ｎｍ近傍のＥＵＶを光源に用いたＥＵＶリソグラフィが提案されている。ＥＵＶリソグラフィは光源波長が短く光吸収性が非常に高いため、真空中で行われる必要がある。また、ＥＵＶの波長領域においては、ほとんどの物質の屈折率は１よりもわずかに小さい値であるため、ＥＵＶリソグラフィにおいては、従来から用いられてきた透過型の屈折光学系を使用することができず、反射型の光学系となる。従って、原版となるフォトマスク（以下、マスクと呼ぶ。）も、従来の透過型のマスクは使用できないため、反射型のマスクとする必要がある。
【０００３】
このような反射型マスクの元となる反射型マスクブランクは、低熱膨張性基板の上に、露光光源波長に対して高い反射率を示す多層反射層と、露光光源波長を吸収する吸収層とが順次形成されており、更にその基板の裏面には、露光機内における静電チャックのための裏面導電膜が形成されている。また、多層反射層と吸収層の間に緩衝層を有する構造を持つマスクもある。
【０００４】
反射型マスクブランクから反射型マスクへ加工する際には、ＥＢリソグラフィとエッチング技術とにより吸収層を部分的に除去し、緩衝層を有する構造の場合は緩衝層も同様に除去し、吸収部と反射部とからなる回路パターンを形成する。このように作製された反射型マスクによって反射された光像が反射光学系を経て半導体基板上に転写される。
【０００５】
特にＥＵＶリソグラフィ用の反射型マスクブランク（以後、ＥＵＶマスクブランクと呼ぶ。）に用いられる多層反射層は、Ｓｉ（シリコン）とＭｏ（モリブデン）をそれぞれ約４．２ｎｍと約２．８ｎｍの膜厚で交互に成膜されており、トータルで４０〜５０ペア（層数で８０層から１００層程度）から構成されている。ＳｉやＭｏは、ＥＵＶ光に対する吸収（消衰係数）が小さく、且つＳｉとＭｏのＥＵＶ光における屈折率差が大きいので、ＳｉとＭｏの界面での反射率を高く出来るために用いられている。最初の界面でＥＵＶ光の一部が反射されるが、残りの反射できずに透過したＥＵＶ光は次の界面、さらには次の界面で、というように４０回（４０ペアの場合）の反射するチャンスがある。各界面で反射したＥＵＶ光は、それぞれ位相が揃っており、それらの合算が多層反射層からのＥＵＶ光の反射率となる。ブランクメーカ各社から販売されているＥＵＶマスク用基板であるＥＵＶマスクブランクでは、ＥＵＶ光の反射率は概ね６０〜６５％程度である。
【０００６】
ＥＵＶマスクブランクのＥＵＶ光の反射率（以下、ＥＵＶ反射率と呼ぶ）は、半導体チップ製造のスループット（生産能力）に直接効いてくるため、出来るだけ高いことが望まれるが、現在知られている材料とその組み合わせは、上述したＳｉとＭｏの多層反射層が最良とされている。反射率を生み出す本質的な能力を上げるには、ＳｉとＭｏの界面が清浄にきちんと形成されていることが重要である。例えばＳｉとＭｏの界面に空気中の水分や酸素などが存在しないことが望ましい。このため、ＳｉとＭｏを同一真空チャンバー内で、真空を破らずに交互に成膜（主としてスパッタリング法で）する方法が取られている。
【０００７】
また、一般の真空成膜（スパッタリング法）では、成膜後の材料は強い内部応力を有しているために、基板の熱処理（アニール）によって、材料の応力調整、安定化などが成されるのが一般的であるが、ＥＵＶマスクブランクでは、成膜後の熱処理は、ＳｉとＭｏの材料のミキシング（拡散）が発生するために、積極的な熱処理が出来ない。ミキシングによってＳｉとＭｏの界面における元素分布が階段的な変化をせず、界面が不明確になるため、ＥＵＶ光の反射率の低下を招く。
【０００８】
従って、現在のＥＵＶマスクブランクは、多層反射層に強い圧縮応力が残留しており、これによって、例えば図２に示すような反りを生じ、６０２５基板（６インチ角、６．３５ｍｍ厚）の場合、基板全体で多層反射層側が凸状になった５００〜１０００ｎｍ程度の反りが生じてしまう。このような反ったＥＵＶマスクブランクからＥＵＶマスクを作製しようとすると、マスク用の電子線描画機で描画する際にフォーカス精度が低下するため、マスクパターンの寸法精度と位置精度が低下する。
【０００９】
また、反ったＥＵＶマスクブランクから作製したＥＵＶマスクは当然反っている（図３参照）。このように反ったＥＵＶマスクをＥＵＶ露光機に使用すると、マスクを露光機内の静電チャックステージにチャッキングした際に、ＥＵＶマスクの持っている凸状の反りが静電チャックに合わせて平坦に戻される（図４参照）。すると、マスク作製直後のマスクパターン位置精度と露光機で使用する際のマスクパターン位置精度に差異が生じるため、結果としてウェハ転写のオーバーレイ精度（パターン重ね精度）が低下する。
【００１０】
このような問題を解決するために、多層反射層と多層反射層が形成された基板の間やその基板の裏面側に、応力補正膜を形成することによってＥＵＶマスクブランクの反りを低減した構成のＥＵＶマスクブランクが提案されている（特許文献１参照）。
【００１１】
しかしながら、この方法では、ＥＵＶ露光には直接必要のない層を成膜する工程が増えるため、欠陥の発生確率が高くなってしまう。特に、この応力調整膜は多層反射層と同等程度の強い応力を持つ膜であるため、基板との密着性が悪く、剥離し易いため、マスク製造プロセス中や露光や洗浄を繰り返すうちに剥離し、それによる欠陥を発生してしまうことも懸念されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特許第３９３９１３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、欠陥を発生させるような余計な工程を付加することなく、反りを低減したＥＵＶマスクブランク、ＥＵＶマスクブランクの作製方法およびＥＵＶマスクブランクの製造装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記の課題を解決するための手段として、請求項１に記載の発明は、基板上に多層反射層を備えたＥＵＶマスクブランクの作製方法であって、前記基板に外力を加える工程と、この外力を加えたまま前記基板に多層反射層を成膜する工程を備えてなり、前記外力は、前記基板の多層反射層が形成される面が縮む方向に向いていることを特徴とするＥＵＶマスクブランクの作製方法である。
【００１５】
また、請求項２に記載の発明は、前記基板に外力を加える工程を、前記多層反射層の成
膜後に発生するＥＵＶマスクブランクの反り量と同程度、且つ反対方向の反りを持った表面形状を有する反り補正チャックを使用して実施することを特徴とする請求項１に記載のＥＵＶマスクブランクの作製方法である。
【００１６】
また、請求項３に記載の発明は、前記反り補正チャックが、真空チャック、静電チャック、メカニカルチャック、クランプのいずれかであることを特徴とする請求項２に記載のＥＵＶマスクブランクの作製方法である。
【００１７】
また、請求項４に記載の発明は、前記反り補正チャックが、前記基板を反らさずに外力を加えて圧縮させる手段であることを特徴とする請求項２に記載のＥＵＶマスクブランクの作製方法である。
【００１８】
また、請求項５に記載の発明は、請求項１〜４のいずれか１項に記載のＥＵＶマスクブランクの作製方法を使用することを特徴とするＥＵＶマスクブランクの製造装置である。
【００１９】
また、請求項６に記載の発明は、請求項１〜４のいずれか１項に記載のＥＵＶマスクブランクの作製方法を使用することを特徴とするＥＵＶマスクブランクの製造装置である。
【００２０】
また、請求項７に記載の発明は、平坦度が２００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項６に記載のＥＵＶマスクブランクである。
【００２１】
また、請求項８に記載の発明は、多層反射層の内部応力が１００ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項６または７に記載のＥＵＶマスクブランクである。
【発明の効果】
【００２２】
本発明のＥＵＶマスクブランクの作製方法によると、多層反射層の応力を低減したＥＵＶマスクブランクが得られ、そのＥＵＶマスクブランクを用いたＥＵＶマスクの作製後とそのＥＵＶマスクの露光機投入後の両方において、位置精度の高いＥＵＶマスクが得られる。また、パターンエリア外周部の多層反射層を除去した遮光領域を有するタイプのＥＵＶマスクにおいても、遮光領域形成工程による基板の反りの変化がないため、位置精度の高いＥＵＶマスクとなる。これらのＥＵＶマスクを用いることで、ウェハ転写後のオーバーレイ精度が向上し、高品質の半導体デバイスを製造できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明のＥＵＶマスクブランクの層構成の一例を示す概略断面図。
【図２】従来のＥＵＶマスクブランクの一例を示す概略断面図。
【図３】従来のＥＵＶマスクの一例を示す概略断面図。
【図４】従来のＥＵＶマスクを露光機の静電チャックステージにセットした際の一例を示す概略断面図。
【図５】実施例１に示した本発明のＥＵＶマスクブランクの作製工程の一例を示す概略断面図であり、（ａ）は基板、（ｂ）は凹面を備えた反り補正チャックに基板を装着した状態、（ｃ）は（ｂ）の状態で基板表面に多層反射層を形成した状態、（ｄ）は多層反射層形成後、成膜装置から取り出して反り補正チャックから基板を外してから多層反射層の表面に保護層を形成した状態、（ｅ）は保護層の表面に吸収層を形成した状態、を示す概略断面図である。
【図６】実施例２に示した本発明のＥＵＶマスクブランクの作製工程の一例を示す概略断面図であり、（ａ）は基板、（ｂ）は基板に圧縮応力を加える機構を備えた反り補正チャックに基板を装着した状態、（ｃ）は（ｂ）の状態で基板表面に多層反射層を形成した状態、（ｄ）は多層反射層形成後、成膜装置から取り出して反り補正チャックから基板を外してから多層反射層の表面に保護層を形成した状態、（ｅ）は保護層の表面に吸収層を形成した状態、を示す概略断面図である。
【図７】実施例２の基板圧縮応力を加える機構としてクランプ手段を備えた反り補正チャックの一例を示す概略図であり、（ａ）はその概略断面図、（ｂ）は概略上面図である。
【図８】実施例３において本発明のＥＵＶマスクブランクを用いたＥＵＶマスクの作製工程の一例を示す概略断面図であり、（ａ）は本発明のＥＵＶマスクブランク、（ｂ）はそのＥＵＶマスクブランクの表面にレジストを形成した状態、（ｃ）はそのレジストをパターン化した状態、（ｄ）は本発明のＥＵＶマスクブランクの吸収層をエッチング除去した状態、（ｅ）はそのパターン化したレジストを除去した状態、を示す概略断面図である。
【図９】従来のＥＵＶマスクブランクと本発明の実施例１および実施例２に示したＥＵＶマスクブランクを用いて作製したＥＵＶマスクの位置精度の測定結果の一例を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。 
【００２５】
（本実施形態に係るＥＵＶマスクブランクの層構成）
まず、本実施形態に係るＥＵＶマスクブランクの構成について説明する。図１は本実施形態に係るＥＵＶマスクブランク２０１の層構成の一例を示す概略断面図である。
【００２６】
図１に示すＥＵＶマスクブランク２０１は、基板１の表面に多層反射層２、保護層３、吸収層４が順次形成され、基板１の裏面に導電膜５が形成された構造を有している。保護層３と吸収層４の間には、緩衝層が介在する場合もある。緩衝層は、吸収層４のマスクパターン修正時（イオンビーム、微細プローブによる機械的研削等）に、下地の保護層３にダメージを与えないために設けられる層である。また、保護膜３は、酸やアルカリに対する洗浄耐性を有する材料からなる必要があり、一般にはルテニウムやシリコンが用いられる。
【００２７】
（多層反射層、保護層、緩衝層）
図１に示すＥＵＶマスクブランクの多層反射層２は、ＥＵＶ光に対して６０％程度の反射率を達成できるように設計されており、モリブデン層とシリコン層を交互に４０〜５０ペア積層した積層膜である。多層反射層２の上に形成された保護層３は２〜３ｎｍの膜厚のルテニウム層あるいは１０ｎｍ程度の膜厚のシリコン層である。この場合、ルテニウムからなる保護層３の下に隣接する多層反射層２の最上層はシリコン層である。
【００２８】
モリブデンやシリコンは、ＥＵＶ光に対する吸収（消衰係数）が小さく、且つモリブデンとシリコンのＥＵＶ光での屈折率差が大きいので、シリコンとモリブデンの界面での反射率を高くすることが出来るために用いられている。ルテニウムからなる保護層３は、吸収層４の加工におけるストッパー層やマスク洗浄における薬液に対する保護層としての役割を果たすことができる。保護層３をシリコンにより構成する場合は、吸収層４との間に緩衝層が設けられる場合もある。緩衝層は、吸収層４のエッチングやパターン修正時に、緩衝層の下に隣接する多層反射層２の最上層であるシリコン層を保護するために設けられ、クロムの窒素化合物で構成されている。
【００２９】
（吸収層）
図１に示すＥＵＶマスクブランクの吸収層４は、ＥＵＶ光に対して吸収率の高いタンタルの窒素化合物から構成されている。他の材料として、ホウ素窒化タンタル、珪化タンタル、タンタルや、それらの酸化物（硼化酸化窒化タンタル、珪化酸化タンタル、酸化タンタルなど）でも良い。
【００３０】
図１に示すＥＵＶマスクブランクの吸収層４は、上層に波長１９０〜２６０ｎｍの紫外光に対して反射防止機能を有する低反射層を設けた２層構造からなる吸収層であっても良い。低反射層は、マスクの欠陥検査機の検査波長に対して、コントラストを高くし、検査性を向上させるためのものである。
【００３１】
（裏面導電膜）
図１に示す本発明のＥＵＶマスクブランク２０１の裏面導電膜５は、一般にはクロム窒化物で構成されるが、導電性があれば良く、金属材料からなる材料であれば良い。また、図１に示すＥＵＶマスクブランクでは裏面導電膜５を備える構成で説明したが、裏面導電膜５を有しないＥＵＶマスクブランクであってもよい。
【００３２】
（多層反射層の内部応力）
図１に示す本発明のＥＵＶマスクブランク２０１の多層反射層２の内部応力は、１００ＭＰａ以下となっている。一般に、現在のＥＵＶマスクブランクメーカから販売されているＥＵＶマスクブランクの多層反射層の内部応力は、２００〜６００ＭＰａ程度あるが、それに対して十分に応力が低減されている。
【００３３】
図１に示す本発明のＥＵＶマスクブランク２０１の平坦度は、２００ｎｍ以下となっている。一般に、現在のＥＵＶマスクブランクメーカから販売されているＥＵＶマスクブランクの平坦度は４００〜１２００ｎｍで、凸状の反りを有している。平坦度は、多層反射層の内部応力によって生じるものであり、本発明のＥＵＶマスクブランク２０１の平坦度の値が低い理由は、その内部応力を低減しているためである。
【００３４】
（多層反射層の内部応力）
本発明のＥＵＶマスクブランク２０１の多層反射層２の応力低減方法について説明する。まず、従来のＥＵＶマスクブランクの多層反射層の内部応力は、その成膜プロセス中に蓄積されるが、応力を低減するために成膜後の熱処理（アニール）を行うと、シリコンとモリブデンからなる多層反射層の元素が熱拡散を起こし、双方の元素が混合する層を形成するミキシングを発生するため、シリコン層とモリブデン層の界面が不明確となり、ＥＵＶ光の反射率の低下を引き起こす。このため、アニールによる応力低減は採用することが出来ない。
【００３５】
（多層反射層の内部応力の低減方法）
本発明のＥＵＶマスクブランク２０１の応力低減方法は、基板１に対し、多層反射層２の成膜によって発生する反り量と同程度且つ反対向きに、意図的に外力を与えながら反らせた状態で、多層反射層を成膜するものである。言い換えれば、多層反射層２は、基板１の表面積を大きくする方向に基板１の内部に応力を発生させるため、基板１の多層反射層２が形成される面が縮む方向に基板１に外力を加えることによって、その表面積を縮小させた状態で多層反射層を成膜することで、外力を解いた後にその応力を緩和することができる。
【００３６】
そのためには、通常の多層反射層の成膜によって発生する反り量と同程度、且つ反対向きの反りを持った表面形状を有する反り補正チャックに、基板１をチャッキングしながら多層反射層を成膜する。ＥＵＶマスクブランクの場合は、通常は多層反射層成膜後に凸状に反るため、チャックは逆に凹状の表面形状のものを用いる。
【００３７】
次に図５を用いて具体的な作製の手順について説明する。まず、凹状の表面形状の反り補正チャック３１に基板１をチャッキングすると、基板表面も凹状に反った状態になる（図５（ｂ）参照）。凹状になった基板表面は、表面積が小さくなる。次いで、そこへ多層反射層２を成膜する（図５（ｃ）参照）。次いで、基板１を反り補正チャック３１から離すと、基板１は元の平坦な状態に戻るため、基板１の表面積が増えて元に戻る（図５（ｄ）参照）。これによって成膜直後の多層反射層２の大きな内部応力（圧縮応力）が緩和され、ほぼゼロに出来る。こうして、平坦且つ内部応力の小さいＥＵＶマスクブランクを作製することが出来る。
【００３８】
また、本発明のＥＵＶマスクブランク２０１の応力低減方法の別の方法としては、基板側面から外力を加えて基板１を圧縮して、多層反射層を成膜するものである。
【００３９】
具体的な作製手順について図６を用いて説明する。図６（ｂ）に示すように、基板１に基板１の側面から外力を加え、基板１を反らさずに圧縮し、基板１の表面および裏面の面積を縮小させる。その様な状態の基板１に多層反射層２を成膜させる（図６（ｃ）参照）。この時点では、多層反射層２には大きな内部応力（圧縮応力）を有している。次いで、基板１を反り補正チャック４１から離すと、圧縮された基板１が元に戻ろうとして、基板１の表面および裏面の面積が増える方向に変化する（図６（ｄ）参照）。多層反射層２の内部応力がすっかり緩和された時に、基板１の表面および裏面の面積が元の面積に戻る条件が満たされると、基板１に反りの発生が無い状態となる。すっかり元の面積まで戻らなくても応力が非常に小さい状態で多層反射層２を形成することができる。こうして、平坦且つ内部応力の小さいＥＵＶマスクブランクを作製することが出来る。
【００４０】
このような反り補正チャック４１は、裏面導電膜５が前もって成膜されている基板であれば、静電チャックが有効であるが、それ以外に真空チャック、メカニカルチャック、クランプ式チャックなどを好適に適用することができる。
【００４１】
多層反射層２の成膜装置は、このような反り補正チャック４１を有しており、上記に説明したように、基板１の少なくとも多層反射層２が形成される表面を圧縮した状態にして多層反射層２を形成するＥＵＶマスクブランクの製造装置である。
【００４２】
本発明のＥＵＶマスクブランク２０１は、最終的に、基板１、多層反射層２、保護層３、吸収層４からなり、必要に応じて緩衝層や裏面導電膜５がある場合もあるが、基板１に多層反射層２を成膜する方法において、本発明の工夫があり、吸収膜４や裏面導電膜５の成膜タイミングは問わない。
【００４３】
以上のようにして、多層反射層の内部応力を低減し、平坦化されたＥＵＶマスクブランクを作製できるため、パターンの位置精度や寸法精度の良好なＥＵＶマスクを得ることができる。さらには、こうして作製したＥＵＶマスクを用いて、ＥＵＶ露光することでオーバーレイ精度を高く出来るため、高品質の半導体デバイスを作製することが出来る。
【実施例１】
【００４４】
以下、本発明のＥＵＶマスクブランクの作製方法について実施例を用いて更に詳細に説明する。
【００４５】
図５（ａ）に本実施例で用意した低熱膨張ガラス製の基板１を示す。基板１の平坦度（ＴＩＲ値）は両面とも５０ｎｍ以下のものを使用した。次いで、シリコンとモリブデンからなる多層反射層２のスパッタリング装置内の反り補正チャック３１にチャッキングし（図５（ｂ）参照）、基板表面に多層反射層２を成膜した（図５（ｃ）参照）。反り補正チャック３１の表面形状は、予め研磨法により凹型の形状に加工しており、その平坦度（ＴＩＲ値）は約６００ｎｍのものを使用した。
【００４６】
次いで、多層反射層２の成膜装置から基板を取り外し、別の成膜装置にて、多層反射層２の上にルテニウムからなる保護層３と、裏面に窒化クロムからなる裏面導電膜５成膜した（図５（ｄ）参照）。最後に、表面に珪化タンタルからなる吸収層４を成膜した（図５（ｆ）参照）。
【００４７】
このＥＵＶマスクブランクの表裏の平坦度（ＴＩＲ値）を平坦度計（Ｕｌｔｒａｆｌａｔ：Ｔｒｏｐｅｌ社）にて測定したところ、両面ともに５０ｎｍ以下で、何も成膜していない状態の基板１と同等レベルの高い平坦度（表面４７ｎｍ、裏面３９ｎｍ）であった。これによって、成膜工程での応力発生を低減したＥＵＶマスクブランク２０１が得られた。
【実施例２】
【００４８】
図６（ａ）に本実施例で用意した低熱膨張ガラス製の基板１を示す。基板１の平坦度（ＴＩＲ値）は両面とも５０ｎｍ以下のものを使用した。次いで、シリコンとモリブデンからなる多層反射層２のスパッタリング装置内の反り補正チャック４１にチャッキングし（図６（ｂ）参照）、側面にある程度の外力を与えたまま、基板表面に多層反射層２を成膜した（図６（ｃ）参照）。本実施例では、反り補正チャック４１は、簡易的にねじ式によって、基板側面を圧縮できる機能を有するよう設計・製造したもので、図７（ａ）に側面から見た概略断面図を、図７（ｂ）に上面からみた概略図を示す。側面から与える力の大きさを変化させるため、ネジの回転量を数水準に振って実施した。
【００４９】
次いで、多層反射層の成膜装置から基板１を取り外し、別の成膜装置にて、多層反射層２の上にＲｕからなる保護層３と、裏面にクロム窒化物からなる裏面導電膜５成膜した（図６（ｄ）参照）。最後に、表面に珪化タンタルからなる吸収層４を成膜した（図６（ｅ）参照）。
【００５０】
このようにして作製したＥＵＶマスクブランクの表裏の平坦度を平坦度計（Ｕｌｔｒａｆｌａｔ：Ｔｒｏｐｅｌ社）にて測定したところ、両面ともに５０ｎｍ（ＴＩＲ値）以下で、何も成膜していない状態の基板１と同等レベルの高い平坦度（表面３５ｎｍ、裏面４１ｎｍ）であった。これによって、成膜工程での応力発生を低減したＥＵＶマスクブランクが得られた。
【実施例３】
【００５１】
本発明の実施例１および実施例２で作製したＥＵＶマスクブランクと、従来の方法で作製したＥＵＶマスクブランクから、それぞれＥＵＶマスクを作製し、その位置精度を測定・比較した。
【００５２】
マスク作製方法は３枚のＥＵＶマスクブランクとも同じである。具体的には、図８（ａ）に示すように、この実施例１にて作製したＥＵＶマスクブランク２０１に対し、ポジ型化学増幅レジスト９（ＦＥＰ１７１：富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）を３００ｎｍの膜厚に塗布し（図８（ｂ）参照）、電子線描画機（ＪＢＸ９０００：日本電子社製）によって所定のパターンに描画した。その後、１１０℃、１０分のＰＥＢ（Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）処理およびスプレー現像装置（ＳＦＧ３０００：シグマメルテック社製）により、図８（ｃ）に示すように、レジストパターン９ａを形成した。
【００５３】
次に、レジストパターン９ａをマスクとして用いて、ＣＦ４プラズマとＣｌ２を用いたレーザーアブレーションプラズマによるドライエッチングによって、吸収層４をエッチングした後（図８（ｄ）参照）、レジストパターン９ａを剥離・洗浄することで、図８（ｅ）に示す評価パターンを有するＥＵＶマスク２１１を作製した。評価パターンとして、ＥＵＶマスクブランク全面１４２ｍｍｘ１４２ｍｍの領域に、位置精度測定用の線幅１μｍ、長さ５μｍの十字マーク２１点×２１点、合計４４１点を配置した。
【００５４】
次いで、位置精度測定用パターンの位置精度を、フォトマスク位置精度測定装置ＩＰＲＯ２（ＫＬＡ社製）を用いて測定した。その結果、図９に示すように、従来の方法で作製したＥＵＶマスクブランクを用いた場合に比べて、実施例１および実施例２の本発明の方法で作製したＥＵＶマスクブランクを用いた場合には、ＥＵＶマスクまで作製した際のマスクパターンの位置精度が、２〜３ｎｍ程度（約３割程度）改善した。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明は、ＥＵＶ光を用いるＥＵＶマスクブランクおよびＥＵＶマスクに有用である。
【符号の説明】
【００５６】
１…基板、２…多層反射層、３…保護層、４…吸収層、５…裏面導電膜、９…レジスト、９ａ…レジストパターン、１０１…従来のＥＵＶマスクブランク、１０２…従来のＥＵＶマスクブランクから作製したＥＵＶマスク、２０１…本発明のＥＵＶマスクブランク、２１１…本発明のＥＵＶマスクブランクを用いて作製したＥＵＶマスク、２０…露光機の静電チャックステージ、３１、４１…反り補正チャック、４２…クランプ
【図４】
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【図５】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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