(57)【要約】【課題】  基板ホルダー回転駆動器から、反応炉の中心部に設けられ外周に歯車を有する基板ホルダー回転板を介して、前記基板ホルダー回転板の周囲に設けられ外周に歯車を有する複数の基板ホルダーに回転駆動力を伝達することにより、前記基板ホルダーを回転させる構成を備えた気相成長装置において、大きな基板を複数枚用いた気相成長においても、基板ホルダー回転板にひびが入ったり割れたりすることなく、基板ホルダーを安定して回転させることができる気相成長装置を提供する。【解決手段】  前述のような気相成長装置において、基板ホルダー回転板を加熱するための円環状のヒータを、基板ホルダー回転板と３〜３０ｍｍの間隙を介して設ける。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板ホルダー回転駆動機から、反応炉の中心部に設けられ外周に歯車を有する基板ホルダー回転板を介して、該基板ホルダー回転板の周囲に設けられ外周に歯車を有する複数の基板ホルダーに回転駆動力を伝達することにより、該基板ホルダーを回転させる構成を備えた気相成長装置であって、基板ホルダー回転板を加熱するための円環状のヒータが、該基板ホルダー回転板と３〜３０ｍｍの間隙を介して設けられてなることを特徴とする気相成長装置。
【請求項２】
基板ホルダー回転板を加熱するための円環状のヒータが、１００〜２００ｍｍの内径、２００〜３５０ｍｍの外径、及び５０〜２００ｍｍの円環幅を有する請求項１に記載の気相成長装置。
【請求項３】
基板ホルダー回転板を加熱するための円環状のヒータが、別々に温度制御される複数の円環状のヒータからなる請求項１に記載の気相成長装置。
【請求項４】
最外周の円環状のヒータが、最内周の円環状のヒータより高出力の加熱が可能である請求項３に記載の気相成長装置。
【請求項５】
基板ホルダー回転板の外径が２００〜３５０ｍｍである請求項１に記載の気相成長装置。
【請求項６】
基板ホルダー回転板が、ベアリングボールを介して中心部の基台に対し回転自在に保持された請求項１に記載の気相成長装置。
【請求項７】
基台がサセプタの上に固定して設けられた請求項６に記載の気相成長装置。
【請求項８】
基板ホルダー回転駆動機から基板ホルダー回転板への回転駆動力の伝達は、複数の突起を有する基板ホルダー回転駆動軸の突起を介して行なう請求項１に記載の気相成長装置。
【請求項９】
基板ホルダー回転板と突起が噛み合わされるとき、基板ホルダー回転板の上面と基板ホルダー回転駆動軸の下面との間に間隙が形成される請求項８に記載の気相成長装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、気相成長装置に関し、詳細には、基板ホルダー回転駆動器から、反応炉の中心部に設けられた基板ホルダー回転板を介して、複数の基板ホルダーに回転駆動力を伝達することにより、基板ホルダーを回転させる構成を備えた気相成長装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
結晶膜を基板上に成長する方法には、化学的気相成長（ＣＶＤ）法等があり、基板加熱を伴うＣＶＤ法は熱ＣＶＤ法等として知られている。近年、高温条件（例えば１０００℃以上）で基板を加熱して行う気相成長が増加しており、青色若しくは紫外ＬＥＤまたは青色若しくは紫外レーザーダイオードを製作するためのIII族窒化物半導体の気相成長もその一つである。例えば、III族窒化物半導体結晶膜の成長は、トリメチルガリウム、トリメチルインジウム、またはトリメチルアルミニウム等の有機金属ガスをIII族金属源として、アンモニアを窒素源として用い、１０００℃以上の高温に加熱されたシリコン（Ｓｉ）、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）または窒化ガリウム（ＧａＮ）等の基板上に結晶膜を気相成長する熱ＣＶＤ法により行われることがある。
【０００３】
気相成長装置には、基板の結晶成長面を上向きに配置するもの（フェイスアップ型）、基板の結晶成長面を下向きに配置するもの（フェイスダウン型）がある。また、１バッチあたり１枚の基板上に結晶膜を成長させる気相成長装置があるが、生産性を向上するために１バッチあたり複数枚の基板上に結晶膜を成長させる気相成長装置も知られている。
これらの気相成長装置においては、基板を自転させることにより、基板面内で均一な膜厚及び膜質の結晶膜を成長させることができる。また、基板を自公転させることにより、同一基板面内だけでなく各基板間においても均一な膜厚及び膜質を得ることができる。
【０００４】
基板を自公転させながら気相成長を行える気相成長装置の構成としては、例えば、基板を保持する複数の基板ホルダーがサセプタにより回転自在に保持され、サセプタが架台により回転自在に保持されている構成が挙げられる。例えば特許文献１、２に記載されている気相成長装置はそのような構成を有し、同一または別々の回転駆動器から基板ホルダー及びサセプタに回転駆動力が伝達されて、基板ホルダー及び基板は自公転する。気相成長装置は、成膜条件を最適化するために基板の自転速度と公転速度の比率を適宜変化させられるように、基板の自転機構と公転機構が別々に設けられることが望ましい。
【０００５】
基板の自転機構としては、基板ホルダー回転駆動器から、反応炉の中心部に設けられ外周に歯車を有する基板ホルダー回転板を介して、前記基板ホルダー回転板の周囲に設けられ外周に歯車を有する複数の基板ホルダーに回転駆動力を伝達することにより、前記基板ホルダーを回転させる構成が知られている。例えば、特許文献１に記載されている気相成長装置においては、基板ホルダー回転駆動軸（基板回転軸）が基板ホルダー回転板（中心ギア）に結合され、基板ホルダー回転駆動器（第二モータ）からの回転駆動力が基板ホルダー回転板（中心ギア）を介して基板ホルダーに伝達される。
【特許文献１】特開２００４−２４１４６０号公報
【特許文献２】特開２００９−９９７７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１、２に記載の気相成長装置において、窒化ガリウム系化合物半導体を製造する際、すなわち、原料としてトリメチルガリウム、トリメチルインジウム、トリメチルアルミニウム等と、アンモニア等を用いて気相成長する際には、基板（基板ホルダー）を１０００℃以上の高温に加熱する必要があり、基板ホルダーと歯車を介して接する基板ホルダー回転板には、不規則で大きな熱応力がかかるという問題がある。特に４インチ基板、６インチ基板等大きな基板を複数枚用いた気相成長においては、基板ホルダー回転板には大きな回転力をかける必要があり、そのためこのような回転力をかけた際に、基板ホルダー回転板にひびが入ったり割れることがある。また、基板ホルダー回転板の下には何も支えがなく不安定である。
【０００７】
従って、本発明が解決しようとする課題は、大きな基板を複数枚用いた気相成長においても、基板ホルダー回転板にひびが入ったり割れたりすることなく、基板ホルダーの回転不良（回転速度の変動等）を起こすことなく、基板ホルダー（基板ホルダー回転板）を安定して回転させることができる気相成長装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の発明者らは、このような課題を解決すべく鋭意検討した結果、前述のような気相成長装置において、基板ホルダー回転板を加熱するための円環状のヒータを、該基板ホルダー回転板と３〜３０ｍｍの間隙を介して設けることにより、大きな基板を複数枚用いた気相成長においても、ひびが入ったり割れたりすることなく、基板ホルダー回転板及び基板ホルダーを安定して回転させることができることを見出し、本発明の気相成長装置に到達した。
【０００９】
すなわち本発明は、基板ホルダー回転駆動機から、反応炉の中心部に設けられ外周に歯車を有する基板ホルダー回転板を介して、該基板ホルダー回転板の周囲に設けられ外周に歯車を有する複数の基板ホルダーに回転駆動力を伝達することにより、該基板ホルダーを回転させる構成を備えた気相成長装置であって、基板ホルダー回転板を加熱するための円環状のヒータが、該基板ホルダー回転板と３〜３０ｍｍの間隙を介して設けられてなることを特徴とする気相成長装置である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の気相成長装置において、基板ホルダー回転板は、３〜３０ｍｍの間隙を介して設けられた円環状のヒータからの加熱により、高温度の気相成長中において熱応力の歪が緩和されるので、ひびの発生または割れの発生を抑制することができる。また、基板ホルダー回転板を、ベアリングボールを介して中心部の基台に対し回転自在に保持し、基板ホルダー回転板を支える構成とすることにより、さらに基板ホルダー回転板のひびの発生または割れの発生を抑制することができる。また、基板ホルダー回転駆動機から基板ホルダー回転板への回転駆動力の伝達を、複数の突起を有する基板ホルダー回転駆動軸の突起を介して行なった場合、円環状のヒータから基板ホルダー回転板に伝達された熱の外部への散逸を抑制することができ、外部の機器等への悪影響を防ぐことができる。これらの結果、本発明においては、大きな基板を複数枚用いた気相成長であっても、基板ホルダー回転板のひび発生または割れ発生を抑制することができ、基板ホルダー回転板及び基板ホルダーの回転不良（回転速度の変動等）を起こすことなく、気相成長を安定して行なうことが可能である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明は、基板ホルダー回転駆動器から、反応炉の中心部に設けられ外周に歯車を有する基板ホルダー回転板を介して、前記基板ホルダー回転板の周囲に設けられ外周に歯車を有する複数の基板ホルダーに回転駆動力を伝達することにより、前記基板ホルダーを回転させる構成を備えた気相成長装置に適用される。以下、本発明を、図１〜図４に基づいて詳細に説明するが、本発明がこれらにより限定されることはない。
尚、図１は、本発明の気相成長装置の一例を示す垂直断面構成図であり、図２は、図１のＢ−Ｂ断面構成図であり、図３は、図１のＣ−Ｃ断面構成図である。また、図４は、図１のＡ部の拡大図である。
【００１２】
本発明の気相成長装置は、図１に示すように、基板ホルダー回転駆動器８から、反応炉の中心部に設けられ外周に歯車を有する基板ホルダー回転板６を介して、前記基板ホルダー回転板６の周囲に設けられ外周に歯車を有する複数の基板ホルダー３に回転駆動力を伝達することにより、前記基板ホルダー３を回転させる構成を備えた気相成長装置であって、図４に示すように、基板ホルダー回転板３を加熱するための円環状のヒータ１２’が、該基板ホルダー回転板６と３〜３０ｍｍの間隙を介して設けられてなる気相成長装置である。
【００１３】
本発明の気相成長装置は、さらに図４に示すように、基板ホルダー回転板６がベアリングボール２を介して中心部の基台１０に対し回転自在に保持された構成とすることが好ましい。例えば、基板ホルダー回転板６は、基板ホルダー回転板６の下面及び基台１０の上面にそれぞれ刻まれたベアリング溝（６ｃ、１０ａ）により挟持されているベアリングボール２を介して、サセプタ上の反応炉１３の中心部に設けられた基台１０により回転自在に保持される。このような構成とすることにより、基板ホルダー回転板が下から支えられるので、基板ホルダー回転板のひび発生または割れ発生を抑制する効果がより高くなり、さらに基板ホルダーの回転不良（回転速度の変動等）が起こり難くなり、気相成長を安定して行なうことが可能となる。
【００１４】
尚、図１の気相成長装置には、前述の他、ベアリングボール２を介して複数の基板ホルダー３を回転自在に保持するサセプタ９、ベアリングボール２を介してサセプタ９を回転自在に保持する架台１９、サセプタの対面１１、基板ホルダー３に載置され基板５を加熱する均熱板４、均熱板４を加熱するヒータ１２、サセプタ９とサセプタの対面１１の間隙からなる反応炉１３、反応炉１３へ原料ガスを供給する原料ガス導入部１４、反応炉１３から反応ガスを排出する反応ガス排出部１５も備えられており、基板ホルダー３の回転により基板５が自転し、サセプタ９の回転により基板５が公転する構成となっている。
【００１５】
本発明において、円環状のヒータ１２’は、均熱板４を加熱するヒータ１２（円環状）の内周側空間に設けられる。そして円環状のヒータ１２’と基板ホルダー回転板６との間隙は、常温（２５℃）において、通常は３〜３０ｍｍ、好ましくは５〜２５ｍｍとなるように設定される。円環状のヒータ１２’と基板ホルダー回転板６との間隙が３ｍｍ未満の場合は、気相成長に必要な温度まで加熱された際に、円環状のヒータ１２’と基板ホルダー回転板６が接触する虞がある。また、円環状のヒータ１２’と基板ホルダー回転板６との間隙が３０ｍｍを超える場合は、円環状のヒータ１２’から基板ホルダー回転板６への熱伝達の効率が悪化する。
【００１６】
本発明において、基板ホルダー回転板６の外径は、その周囲に複数の基板ホルダー３を配置することから、通常は２００〜３５０ｍｍであり、厚さは３〜２０ｍｍである。また、円環状のヒータ１２’の外径は、基板ホルダーを効率よく加熱するため、基板ホルダー回転板６の外径とほぼ同じにすることが好ましく、通常は２００〜３５０ｍｍである。円環状のヒータ１２’の内径は、基板ホルダー回転駆動軸７の外径より大きく設定する必要があり、通常は１００〜２００ｍｍである。また、ヒータ１２’の円環幅は通常は５０〜２００ｍｍ、厚さは通常は４〜１０ｍｍである。
【００１７】
前述の円環状のヒータ１２’は、基板ホルダー回転板６の温度をより正確にコントロールして、基板ホルダー回転板のひびの発生または割れの発生を防止する効果を高めるために、別々に温度コントロールされる複数の円環状のヒータからなることが好ましい。このように円環状のヒータ１２’を分割した場合は、通常は最外周の円環状のヒータが、最内周の円環状のヒータより高出力の加熱ができるようにされることが好ましい。尚、円環状のヒータ１２’の温度コントロールは、通常はヒータ１２とは別々に温度コントロールされる。
【００１８】
本発明の気相成長装置に用いられる基板ホルダーは、通常は直径２インチ以上、好ましくは直径３インチ以上、より好ましくは直径４インチ以上の基板を１枚保持できるように設定されていることが好ましいが、そのような設定に限定されることはない。本発明の気相成長装置には基板ホルダーは複数設けられ、各基板ホルダーの外周には歯車が設けられている。例えば、図１の気相成長装置において、各基板ホルダー３は円環ないし筒の形状を有し、基板５の結晶成長面が下向きとなるように基板５を保持している。基板ホルダーは、ベアリングボール等の手段により回転自在に保持されていることが好ましく、例えば、図１の気相成長装置において、各基板ホルダー３は、基板ホルダー３の下面及びサセプタ９の上面のそれぞれに刻まれたベアリング溝（３ｂ、９ｂ）により挟持されたベアリングボール２を介して、サセプタ９により回転自在に保持されている。
【００１９】
本発明の気相成長装置に用いられるサセプタは、複数の基板ホルダーを保持可能な部材であればよく、図３に示すように円環状であることが好ましいが、円環状に限定されることはない。サセプタが円環状である場合には、基台はサセプタの円環の中心の空間部に、サセプタに保持されて設置されることが好ましい。サセプタは、通常は外径３００〜１０００ｍｍ、内径１００〜５００ｍｍ、厚さ５〜３０ｍｍの円環状であり、６〜１５個の基板ホルダーを保持できることが好ましいが、このような大きさに限定されることはない。
【００２０】
本発明において用いられるベアリングボールの径は１〜１０ｍｍであることが好ましい。本発明に用いられるベアリングボールは、カーボン、窒化ホウ素（ＢＮ）、二硫化モリブデン（ＭｏＳ２）、二硫化タングステン（ＷＳ２）及びそれらの組み合わせから選択される材質からなることが好ましいが、このような材質に限定されることはない。これらの材質は、潤滑性、耐腐食性及び耐熱性に優れているため、ベアリングボールとその接触部の摩擦を低減し、気相成長装置内部のような環境下での使用にも耐久性がある。
【００２１】
図１の気相成長装置には、基板５を自公転させる基板回転機構が設けられている。すなわち、基板ホルダー３及び基板ホルダー回転板６が、前述のように回転自在に保持され、同様にサセプタ９もベアリングボール２を用いて円環状の架台１９により回転自在に保持されている。基板ホルダー回転駆動器８からの回転駆動力は、まず、磁性流体シール等の手段により反応容器２０の密封性を損なわないように回転自在にシールされた基板ホルダー回転駆動軸７に伝達される。基板ホルダー回転駆動軸７の基板ホルダー回転板６側の先端には複数本の突起７ａが設けられており、突起７ａが基板ホルダー回転板６の上面に設けられた穴６ａに差し込まれることにより着脱可能に噛み合わさり、回転駆動力が基板ホルダー回転板６に伝達される。複数の基板ホルダー３が、原料ガス導入部１４の周囲に設けられており、図２に示すように、基板ホルダー回転板６の外周に設けられた歯車６ｂと各基板ホルダー３の歯車３ａが噛み合わさることにより各基板ホルダー３に回転駆動力が伝達され、各基板５は自転し、各基板面内において均一な膜質及び膜厚の結晶膜を得ることができる。
【００２２】
尚、突起７ａは、円柱、楕円柱、角柱、円錐、角錐、またはこれらに類似する形状、これらを組み合せた形状であるが、直径３〜１０ｍｍ、長さ１０〜３０ｍｍの円柱状であることが好ましい。また、突起７ａは、２〜１０本設けられることが好ましいが、特にこれらの本数に限定されない。すべての突起７ａの断面積の合計は、基板ホルダー回転駆動軸７の断面積よりも小さく、（すべての突起７ａの断面積の合計）／（基板ホルダー回転駆動軸７の断面積）の比が、０．０５〜０．５であることがより好ましい。基板ホルダー回転板６の上面に設けられる突起７ａの差込口は、基板ホルダー回転板６の下面にまで貫通した貫通穴でも、貫通しない凹部でもよい。突起７ａの差込口は、突起７ａ１個につき１箇所ずつ設けられ、直径６〜３０ｍｍ、深さ５〜２０ｍｍの凹部であることがより好ましい。また、噛み合わせが形成されるときに、基板ホルダー回転板６の上面と基板ホルダー回転駆動軸７の下面との間に隙間（２〜２０ｍｍ程度）を有することが好ましい。
【００２３】
また、サセプタ回転駆動器１６からの回転駆動力は、まず磁性流体シール等の手段により反応容器２０の密封性を損なわないように回転自在にシールされたサセプタ回転駆動軸１７を介して、サセプタ回転駆動軸１７のサセプタ側先端に固定されたサセプタ回転板１８に伝達される。図３に示すように、サセプタ９の周縁部には歯車９ａが設けられ、サセプタ回転板１８の周縁部には歯車１８ａが設けられており、それらが互いに噛み合わさることによりサセプタ回転駆動器１６からの回転駆動力はサセプタ９に伝達されて、サセプタ９は回転する。このようにしてサセプタ９を回転させることにより基板５は公転し、各基板面間において均一な膜質及び膜厚の結晶膜を得ることができる。
【００２４】
結晶膜を生成するための気相成長反応は、反応容器２０内部の反応炉１３において行われる。反応炉１３の中心部には原料ガス導入部１４が設けられ、原料ガスは原料ガス導入部１４の先端から放射状に吹き出し、基板５の結晶成長面に対して水平に供給されるが、このような構成に限定されることはない。気相成長反応は、反応炉１３において、ヒータ１２により均熱板４を介して基板５を加熱しながら、原料ガス導入部１４から原料ガスを供給することにより行われ、基板５の結晶成長面には結晶膜が形成される。気相成長反応に用いられた原料ガスは、そのまま反応ガスとして反応ガス排出部１５から排出される。尚、本発明は、反応炉の中央部から原料ガスを供給し、周辺部から外部に排出する気相成長装置に限定されることはなく、例えば、反応炉の一端から原料ガスを供給し、反応後のガスを他の一端から外部に排出する気相成長装置に適用することもできる。
【００２５】
気相成長中、基板５は、基板ホルダー３の回転により常時自転することが好ましく、基板ホルダー３及びサセプタ９の回転により常時自転及び公転することがより好ましい。基板ホルダー３及びサセプタ９の回転方向及び回転速度は、それぞれ、基板ホルダー回転駆動器８及びサセプタ回転駆動器１６の回転方向及び回転速度を変化させることにより、任意に設定することができる。各基板間において均一な膜厚及び膜質を得るために、各基板ホルダー３は、原料ガス導入部１４を中心とする同一円周上に配置され、原料ガス導入部１４からの距離を等しくすることが好ましい。
【実施例】
【００２６】
次に、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明がこれらにより限定されるものではない。
【００２７】
［実施例１］
（気相成長装置の製作）
図１に示すような気相成長装置を製作した。基板ホルダー回転板６（ＳｉＣコートカーボン製、直径２５５ｍｍ（歯車６ｂを含む）、厚さ８．５ｍｍ）を、直径４ｍｍの窒化ホウ素製の球状のベアリングボール２を介して、基台１０（ＳｉＣコートカーボン製、直径２６０ｍｍ（突出部を含む）、厚さ５ｍｍ）により回転自在に保持した。また、基板ホルダー回転板６の上面と基板ホルダー回転駆動軸７の下面との間に５ｍｍの隙間を設けた。ベアリング溝は、ベアリングボール２が直径２１０ｍｍの円周上を移動可能なように設置した。さらに、基板ホルダー回転板６を保持した基台１０をサセプタ９（ＳｉＣコートカーボン製）により保持した。
【００２８】
また、内周側と外周側に２分割可能で別々に温度コントロールできる円環状のヒータ１２’を、基板ホルダー回転板６との間隙が１８ｍｍとなるように、基板ホルダー回転板６の上部に設けた。円環状のヒータ１２’（内周側）は、外径が１９０ｍｍ、内径が１５０ｍｍ、円環状のヒータ１２’（外周側）は、外径が２３０ｍｍ、内径が１９０ｍｍで、厚さが共に６ｍｍであった。さらに、円環状のヒータ１２’の外周側に、基板ホルダーを加熱するためのヒータ１２（円環状）を設けた。尚、サセプタ９は、外径７２０ｍｍ（歯車９ａを含む）、内径２３０ｍｍ、厚さ１１ｍｍの円環状であり、直径６インチの基板ホルダー６個を保持可能であった。また、同じ大きさ及び材質のベアリングボール２を用いて、各基板ホルダー３及びサセプタ９を回転自在に保持した。
【００２９】
（基板ホルダー回転板の昇温耐久性実験）
このような気相成長装置を用いて、基板ホルダー３に基板５（直径６インチ、サファイア）を１枚ずつ計６枚セットし、基板５の自転（１０ｒｐｍ）及び公転（１ｒｐｍ）を開始するとともに、円環状のヒータ１２’及び１２により、基板ホルダー回転板６及び基板ホルダー３を加熱して、基板ホルダー回転板３の昇温耐久性実験（ひび、割れ有無の確認実験）を行なった。
【００３０】
尚、ヒータ１２の電気出力を、ヒータの基板側表面の温度が６０℃／ｍｉｎで１２５０℃まで昇温するように設定した。また、円環状のヒータ１２’（内周側）単位面積当たりの電気出力は、ヒータ１２の単位面積当たりの電気出力の７０％、円環状のヒータ１２’（外周側）の単位面積当たりの電気出力は、ヒータ１２の単位面積当たりの電気出力の８５％となるように設定した。ヒータの基板側表面の温度が１２５０℃になった後、これを１時間維持し、冷却して基板ホルダー回転板のひび、割れ有無の確認を行なった。その結果、目視で点検したところ、基板ホルダー回転板６には、ひび及び割れは確認できなかった。同様な実験をさらに４回繰り返したが、いずれも同様にひび及び割れは確認できなかった。また、回転駆動力が適切に基板ホルダー３へ伝達されたことが確認された。
【００３１】
［実施例２］
実施例１における昇温耐久性実験において、円環状のヒータ１２’（内周側）の電気出力を、ヒータ１２の電気出力の５０％、円環状のヒータ１２’（外周側）の電気出力を、ヒータ１２の電気出力の７５％となるように設定したほかは実施例１と同様にして昇温耐久性実験を行なった。その結果、５回の実験共、基板ホルダー回転板６には、ひび及び割れは確認できなかった。また、回転駆動力が適切に基板ホルダー３へ伝達されたことが確認された。
【００３２】
［比較例１］    
実施例１における気相成長装置の製作において、円環状のヒータ１２’の替わりに円環状の仕切板（ＳｉＣコートカーボン製、加熱機能なし）を用いたほかは実施例１と同様にして気相成長装置を製作した。この気相成長装置について、実施例１と同様にして昇温耐久性実験を行なった。その結果、５回の実験うち１回の実験について、基板ホルダー回転板６の表面にひびが確認された。また、その実験について、回転駆動力が適切に基板ホルダー３へ伝達されなかったことによる回転異常が確認された。
【００３３】
以上の実施例のように、本発明の気相成長装置は、大きな基板を複数枚用いた気相成長においても、基板ホルダー回転板にひびが入ったり割れたりすることなく、また基板ホルダーの回転不良（回転速度の変動等）を起こすことなく、これらを安定して回転させることができる。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
本発明の気相成長装置は、例えば、青色、紫外の発光ダイオードまたはレーザーダイオード等の製造に用いられるIII族窒化物半導体の気相成長装置として好適である。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の気相成長装置の一例を示す垂直断面構成図
【図２】図１のＢ−Ｂ断面構成図
【図３】図１のＣ−Ｃ断面構成図
【図４】図１のＡ部の拡大図
【符号の説明】
【００３６】
１  反応容器
２  ベアリングボール
３  基板ホルダー
３ａ  歯車
３ｂ  ベアリング溝
４  均熱板
５  基板
６  基板ホルダー回転板
６ａ  穴
６ｂ  歯車
６ｃ  ベアリング溝
７  基板ホルダー回転駆動軸
７ａ  突起
８  基板ホルダー回転駆動器
９  サセプタ
９ａ  歯車
９ｂ、９ｂ’  ベアリング溝
１０  基台
１０ａ  ベアリング溝
１１  サセプタの対面
１２  ヒータ
１２’  円環状ヒータ
１３  反応炉
１４  原料ガス導入部
１５  反応ガス排出部
１６  サセプタ回転駆動器
１７  サセプタ回転駆動軸
１８  サセプタ回転板
１８ａ  歯車
１９  架台
１９ａ  ベアリング溝
【図１】
2014216485.tif 000003
【図２】
2014216485.tif 000004
【図３】
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【図４】
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