(57)【要約】【課題】製造コストを低減することを課題とする。【解決手段】（１００）の結晶面を有するＳｉ基板２３と、前記Ｓｉ基板上にエピタキシャル成長により形成された（１００）の配向膜３１と、前記配向膜上にエピタキシャル成長により形成された下記式１を満たす格子定数ｄを有する物質を含む第１の導電膜３６と、を具備する配向膜基板である。  ０．３００ｎｍ≦ｄ≦０．５５０ｎｍ  ・・・式１【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１００）の結晶面を有するＳｉ基板と、
前記Ｓｉ基板上にエピタキシャル成長により形成された（１００）の配向膜と、
前記配向膜上にエピタキシャル成長により形成された下記式１を満たす格子定数ｄを有する物質を含む第１の導電膜と、
を具備することを特徴とする配向膜基板。
０．３００ｎｍ≦ｄ≦０．５５０ｎｍ  ・・・式１
【請求項２】
（１００）の結晶面を有するＳｉ基板と、
前記Ｓｉ基板上にエピタキシャル成長により形成された（１００）の配向膜と、
前記配向膜上にエピタキシャル成長により形成された磁性を有する第２の導電膜と、
前記第２の導電膜上にエピタキシャル成長により形成された下記式１を満たす格子定数ｄを有する物質を含む第１の導電膜と、
を具備することを特徴とする配向膜基板。
０．３００ｎｍ≦ｄ≦０．５５０ｎｍ  ・・・式１
【請求項３】
請求項１または２において、
前記格子定数ｄを有する物質は金属を含むことを特徴とする配向膜基板。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記格子定数ｄを有する物質は、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｎｉ、Ｎｉ合金及びＮｉ−Ｃｕ合金の少なくとも一つの金属または前記少なくとも一つの金属にＡｇを含有する金属であることを特徴とする配向膜基板。
【請求項５】
請求項２において、
前記第２の導電膜は金属を含むことを特徴とする配向膜基板。
【請求項６】
請求項２または５において、
前記第２の導電膜は、磁性を有する金属が４０質量％以上含まれていることを特徴とする配向膜基板。
【請求項７】
請求項２、５及び６のいずれか一項において、
前記第２の導電膜は、Ｆｅ、Ｆｅ合金及びＦｅ−Ｎｉ合金の群から選択された少なくとも一つの金属または前記少なくとも一つの金属にＡｇを含有する金属からなることを特徴とする配向膜基板。
【請求項８】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記第１の導電膜は電極であることを特徴とする配向膜基板。
【請求項９】
請求項２及び５乃至７のいずれか一項において、
前記第２の導電膜は電極であることを特徴とする配向膜基板。
【請求項１０】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記配向膜及び前記第１の導電膜は５００℃の耐熱性を有することを特徴とする配向膜基板。
【請求項１１】
請求項２、５乃至７、及び９のいずれか一項において、
前記配向膜、前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜は５００℃の耐熱性を有することを特徴とする配向膜基板。
【請求項１２】
請求項１乃至３、及び５乃至１１のいずれか一項において、
前記配向膜は、ＺｒＯ２膜とＹ２Ｏ３膜を積層した積層膜またはＹＳＺ膜であることを特徴とする配向膜基板。
【請求項１３】
請求項１において、
前記配向膜と前記第１の導電膜との間に形成されたペロブスカイト構造物質を含む第１のバッファ層を有することを特徴とする配向膜基板。
【請求項１４】
請求項２、５乃至７、９及び１１のいずれか一項において、
前記配向膜と前記第２の導電膜との間に形成されたペロブスカイト構造物質を含む第１のバッファ層を有することを特徴とする配向膜基板。
【請求項１５】
請求項１乃至３、及び５乃至１４のいずれか一項において、
前記第１の導電膜上に形成され、（１００）に配向した誘電体膜を有することを特徴とする配向膜基板。
【請求項１６】
請求項１５において、
前記誘電体膜はＰＺＴ膜であることを特徴とする配向膜基板。
【請求項１７】
請求項１５または１６において、
前記第１の導電膜と前記誘電体膜との間に形成されたペロブスカイト構造物質を含む第２のバッファ層を有することを特徴とする配向膜基板。
【請求項１８】
請求項１３、１４及び１７のいずれか一項において、
前記ペロブスカイト構造物質は、一般式ＡＢＯ３で表され、Ａは、Ａｌ、Ｙ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｌａ、Ｓｒ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｂｉおよび周期表のランタン系列の元素からなる群から選択される少なくとも一つの元素を含んでなり、Ｂは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｏｓ、ＩｒＰｔ、Ｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、ＭｏおよびＷからなる群から選択される少なくとも一つの元素を含んでなるペロブスカイト物質、または、酸化ビスマス層と、ペロブスカイト型構造ブロックとが交互に積層された構造を有するビスマス層状構造強誘電体結晶であり、前記ペロブスカイト型構造ブロックは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ、Ｂｉ、Ｐｂおよび希土類元素から選ばれる少なくとも１つの元素Ｌと、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、ＳｉおよびＧｅから選ばれる少なくとも１つの元素Ｒと、酸素とによって構成されることを特徴とする配向膜基板。
【請求項１９】
（１００）の結晶面を有するＳｉ基板を用意し、
前記Ｓｉ基板上にエピタキシャル成長によりＺｒＯ２膜とＹ２Ｏ３膜を積層した積層膜またはＹＳＺ膜を形成し、
前記積層膜またはＹＳＺ膜上にエピタキシャル成長により下記式１を満たす格子定数ｄを有する物質を含む第１の導電膜を形成する配向膜基板の製造方法であり、
前記積層膜は（１００）に配向しており、
前記ＹＳＺ膜は（１００）に配向しており、
前記物質は、Ａｌ及びＡｌ合金の少なくとも一つの金属または前記少なくとも一つの金属にＡｇを含有する金属であることを特徴とする配向膜基板の製造方法。
０．３００ｎｍ≦ｄ≦０．５５０ｎｍ  ・・・式１
【請求項２０】
（１００）の結晶面を有するＳｉ基板を用意し、
前記Ｓｉ基板上にエピタキシャル成長によりＺｒＯ２膜とＹ２Ｏ３膜を積層した積層膜またはＹＳＺ膜を形成し、
前記配向膜またはＹＳＺ膜上にエピタキシャル成長により磁性を有する第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜上にエピタキシャル成長により下記式１を満たす格子定数ｄを有する物質を含む第１の導電膜を形成する配向膜基板の製造方法であり、
前記積層膜は（１００）に配向しており、
前記ＹＳＺ膜は（１００）に配向しており、
前記第２の導電膜は、Ｆｅ、Ｆｅ合金及びＦｅ−Ｎｉ合金の群から選択された少なくとも一つの金属または前記少なくとも一つの金属にＡｇを含有する金属からなり、
前記格子定数ｄを有する物質は、Ａｌ及びＡｌ合金の少なくとも一つの金属または前記少なくとも一つの金属にＡｇを含有する金属であることを特徴とする配向膜基板の製造方法。
０．３００ｎｍ≦ｄ≦０．５５０ｎｍ  ・・・式１
【請求項２１】
請求項２０において、
前記第２の導電膜は、磁性を有する金属が４０質量％以上含まれていることを特徴とする配向膜基板の製造方法。
【請求項２２】
請求項１９において、
前記積層膜またはＹＳＺ膜を形成した後で且つ前記第１の導電膜を形成する前に、前記積層膜またはＹＳＺ膜上にペロブスカイト構造物質を含む第１のバッファ層を形成することを特徴とする配向膜基板の製造方法。
【請求項２３】
請求項２０または２１において、
前記第２の導電膜を形成した後で且つ前記第１の導電膜を形成する前に、前記第２の導電膜上にペロブスカイト構造物質を含む第１のバッファ層を形成することを特徴とする配向膜基板の製造方法。
【請求項２４】
請求項１９乃至２３のいずれか一項において、
前記第１の導電膜を形成した後に、前記第１の導電膜上に（１００）に配向した誘電体膜を形成することを特徴とする配向膜基板の製造方法。
【請求項２５】
請求項２４において、
前記誘電体膜はＰＺＴ膜であることを特徴とする配向膜基板の製造方法。
【請求項２６】
請求項２４または２５において、
前記第１の導電膜を形成した後で且つ前記誘電体膜を形成する前に、前記第１の導電膜上にペロブスカイト構造物質を含む第２のバッファ層を形成することを特徴とする配向膜基板の製造方法。
【請求項２７】
請求項２３または２６において、
前記ペロブスカイト構造物質は、一般式ＡＢＯ３で表され、Ａは、Ａｌ、Ｙ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｌａ、Ｓｒ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｂｉおよび周期表のランタン系列の元素からなる群から選択される少なくとも一つの元素を含んでなり、Ｂは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｏｓ、ＩｒＰｔ、Ｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、ＭｏおよびＷからなる群から選択される少なくとも一つの元素を含んでなるペロブスカイト物質、または、酸化ビスマス層と、ペロブスカイト型構造ブロックとが交互に積層された構造を有するビスマス層状構造強誘電体結晶であり、前記ペロブスカイト型構造ブロックは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ、Ｂｉ、Ｐｂおよび希土類元素から選ばれる少なくとも１つの元素Ｌと、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、ＳｉおよびＧｅから選ばれる少なくとも１つの元素Ｒと、酸素とによって構成されることを特徴とする配向膜基板の製造方法。
【請求項２８】
第１のチャンバーに第１のゲートバルブを介して接続された搬送室と、
前記搬送室内に配置された、Ｓｉ基板を搬送する搬送機構と、
前記搬送室に第４のゲートバルブを介して接続された第４のチャンバーと、
前記第１のチャンバー内で（１００）の結晶面を有する前記Ｓｉ基板上にＹＳＺ膜を成膜する第１のスパッタリング装置と、
前記第４のチャンバー内で前記ＹＳＺ膜上に下記式１を満たす格子定数ｄを有する物質を含む第１の導電膜を成膜する第４のスパッタリング装置と、
を具備し、
前記第１のスパッタリング装置は、
第１のチャンバーと、
前記第１のチャンバー内に配置された、前記Ｓｉ基板を保持する保持機構と、
前記保持機構に保持され、前記Ｓｉ基板の下面にランプ光を照射して前記基板を８００℃以上に加熱するランプヒーターと、
前記第１のチャンバー内に配置され、前記保持機構に保持された前記Ｓｉ基板の上面と対向するＹとＺｒを含有するスパッタリングターゲットと、
前記スパッタリングターゲットに電気的に接続されたスパッタ電極と、
前記スパッタ電極に電気的に接続された第１の電源と、
前記保持機構に保持された前記基板と前記スパッタリングターゲットとの間に配置されたグリッド電極と、
前記グリッド電極に設けられた複数の貫通孔と、
前記グリッド電極に電気的に接続された第２の電源と、
前記保持機構に保持された前記基板と前記グリッド電極との間の第１の空間から真空排気する排気機構と、
前記第２の空間に不活性ガスを導入し、前記第１の空間に酸素ガスを導入するガス導入機構と、
を具備し、
前記グリッド電極によって前記第１のチャンバーは、前記第１の空間と、前記グリッド電極と前記スパッタリングターゲットとの間の第２の空間に二分割されていることを特徴とするマルチチャンバー装置。
０．３００ｎｍ≦ｄ≦０．５５０ｎｍ  ・・・式１
【請求項２９】
請求項２８において、
前記搬送室に第３のゲートバルブを介して接続された第３のチャンバーと、
前記第３のチャンバー内で前記ＹＳＺ膜上に磁性を有する第２の導電膜を成膜する第３のスパッタリング装置と、
を具備することを特徴とするマルチチャンバー装置。
【請求項３０】
第１のチャンバーに第１のゲートバルブを介して接続された搬送室と、
前記搬送室内に配置された、Ｓｉ基板を搬送する搬送機構と、
前記搬送室に第２のゲートバルブを介して接続された第２のチャンバーと、
前記搬送室に第４のゲートバルブを介して接続された第４のチャンバーと、
前記第１のチャンバー内で（１００）の結晶面を有する前記Ｓｉ基板上にＺｒＯ２膜を成膜する第１のスパッタリング装置と、
前記第２のチャンバー内で前記ＺｒＯ２膜上にＹ２Ｏ３膜を成膜する第２のスパッタリング装置と、
前記第４のチャンバー内で前記Ｙ２Ｏ３膜上に下記式１を満たす格子定数ｄを有する物質を含む第１の導電膜を成膜する第４のスパッタリング装置と、
を具備し、
前記第１のスパッタリング装置及び前記第２のスパッタリング装置は、それぞれ、
第１のチャンバーと、
前記第１のチャンバー内に配置された、前記Ｓｉ基板を保持する保持機構と、
前記保持機構に保持され、前記Ｓｉ基板の下面にランプ光を照射して前記基板を８００℃以上に加熱するランプヒーターと、
前記第１のチャンバー内に配置され、前記保持機構に保持された前記Ｓｉ基板の上面と対向するスパッタリングターゲットと、
前記スパッタリングターゲットに電気的に接続されたスパッタ電極と、
前記スパッタ電極に電気的に接続された第１の電源と、
前記保持機構に保持された前記基板と前記スパッタリングターゲットとの間に配置されたグリッド電極と、
前記グリッド電極に設けられた複数の貫通孔と、
前記グリッド電極に電気的に接続された第２の電源と、
前記保持機構に保持された前記基板と前記グリッド電極との間の第１の空間から真空排気する排気機構と、
前記第２の空間に不活性ガスを導入し、前記第１の空間に酸素ガスを導入するガス導入機構と、
を具備し、
前記グリッド電極によって前記第１のチャンバーは、前記第１の空間と、前記グリッド電極と前記スパッタリングターゲットとの間の第２の空間に二分割されており、
前記第１のスパッタリング装置のスパッタリングターゲットは、Ｚｒからなり、
前記第２のスパッタリング装置のスパッタリングターゲットは、Ｙからなることを特徴とするマルチチャンバー装置。
０．３００ｎｍ≦ｄ≦０．５５０ｎｍ  ・・・式１
【請求項３１】
請求項３０において、
前記搬送室に第３のゲートバルブを介して接続された第３のチャンバーと、
前記第３のチャンバー内で前記Ｙ２Ｏ３膜上に磁性を有する第２の導電膜を成膜する第３のスパッタリング装置と、
を具備することを特徴とするマルチチャンバー装置。
【請求項３２】
請求項２８乃至３１のいずれか一項において、
前記搬送室に第５のゲートバルブを介して接続された第５のチャンバーと、
前記第５のチャンバー内で誘電体膜を成膜する第５のスパッタリング装置と、
を具備することを特徴とするマルチチャンバー装置。
【請求項３３】
請求項２８乃至３１のいずれか一項において、
前記搬送室に第６のゲートバルブを介して接続された第６のチャンバーと、
前記第６のチャンバーを有する誘電体膜成膜装置と、
を具備し、
前記誘電体膜成膜装置は、ゾルゲル溶液をスピンコートにより塗布して誘電体膜を製膜する装置であることを特徴とするマルチチャンバー装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配向基板、配向膜基板の製造方法、スパッタリング装置及びマルチチャンバー装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のPb(Zr,Ti)O3（以下、「PZT」という。）ペロブスカイト型強誘電体セラミックスの製造方法について説明する。
【０００３】
4インチSiウエハ上に膜厚300nmのSiO2膜を形成し、このSiO2膜上に膜厚5nmのTiOX膜を形成する。次に、このTiOX膜上に例えば(111)に配向した膜厚150nmのPt膜を形成し、このPt膜上にスピンコーターによってPZTゾルゲル溶液を回転塗布する。この際のスピン条件は、1500rpmの回転速度で30秒間回転させ、4000rpmの回転速度で10秒間回転させる条件である。
【０００４】
次に、この塗布されたPZTゾルゲル溶液を250℃のホットプレート上で30秒間加熱保持して乾燥させ、水分を除去した後、さらに500℃の高温に保持したホットプレート上で60秒間加熱保持して仮焼成を行う。これを複数回繰り返すことで膜厚150nmのPZTアモルファス薄膜を生成する。
【０００５】
次いで、このPZTアモルファス薄膜に加圧式ランプアニール装置（RTA: rapidly thermal anneal）を用いて700℃のアニール処理を行ってPZT結晶化を行う。このようにして結晶化されたPZT膜はペロブスカイト構造からなる（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】ＷＯ２００６／０８７７７７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記の従来技術では、(111)に配向したPt膜が必要となり、Ptが高価であるため、製造コストが高くなるという課題がある。
【０００８】
本発明の一態様は、製造コストを低減することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
以下に、本発明の種々の態様について説明する。
［１］（１００）の結晶面を有するＳｉ基板と、
前記Ｓｉ基板上にエピタキシャル成長により形成された（１００）の配向膜と、
前記配向膜上にエピタキシャル成長により形成された下記式１を満たす格子定数ｄを有する物質を含む第１の導電膜と、
を具備することを特徴とする配向膜基板。
０．３００ｎｍ≦ｄ≦０．５５０ｎｍ  ・・・式１
【００１０】
［２］（１００）の結晶面を有するＳｉ基板と、
前記Ｓｉ基板上にエピタキシャル成長により形成された（１００）の配向膜と、
前記配向膜上にエピタキシャル成長により形成された磁性を有する第２の導電膜と、
前記第２の導電膜上にエピタキシャル成長により形成された下記式１を満たす格子定数ｄを有する物質を含む第１の導電膜と、
を具備することを特徴とする配向膜基板。
０．３００ｎｍ≦ｄ≦０．５５０ｎｍ  ・・・式１
【００１１】
［３］上記［１］または［２］において、
前記格子定数ｄを有する物質は金属を含むことを特徴とする配向膜基板。
【００１２】
［４］上記［１］乃至［３］のいずれか一項において、
前記格子定数ｄを有する物質は、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｎｉ、Ｎｉ合金及びＮｉ−Ｃｕ合金の少なくとも一つの金属または前記少なくとも一つの金属にＡｇを含有する金属であることを特徴とする配向膜基板。
【００１３】
［５］上記［２］において、
前記第２の導電膜は金属を含むことを特徴とする配向膜基板。
【００１４】
［６］上記［２］または［５］において、
前記第２の導電膜は、磁性を有する金属が４０質量％以上含まれていることを特徴とする配向膜基板。
【００１５】
［７］上記［２］、［５］及び［６］のいずれか一項において、
前記第２の導電膜は、Ｆｅ、Ｆｅ合金及びＦｅ−Ｎｉ合金の群から選択された少なくとも一つの金属または前記少なくとも一つの金属にＡｇを含有する金属からなることを特徴とする配向膜基板。
【００１６】
［８］上記［１］乃至［７］のいずれか一項において、
前記第１の導電膜は電極であることを特徴とする配向膜基板。
【００１７】
［９］上記［２］及び［５］乃至［７］のいずれか一項において、
前記第２の導電膜は電極であることを特徴とする配向膜基板。
【００１８】
［１０］上記［１］乃至［９］のいずれか一項において、
前記配向膜及び前記第１の導電膜は５００℃の耐熱性を有することを特徴とする配向膜基板。
【００１９】
［１１］上記［２］、［５］乃至［７］、及び［９］のいずれか一項において、
前記配向膜、前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜は５００℃の耐熱性を有することを特徴とする配向膜基板。
【００２０】
［１２］上記［１］乃至［１１］のいずれか一項において、
前記配向膜は、ＺｒＯ２膜とＹ２Ｏ３膜を積層した積層膜またはＹＳＺ膜であることを特徴とする配向膜基板。
【００２１】
［１３］上記［１］乃至［１２］のいずれか一項において、
前記配向膜と前記第１の導電膜との間に形成されたペロブスカイト構造物質を含む第１のバッファ層を有することを特徴とする配向膜基板。
【００２２】
［１４］上記［２］、［５］乃至［７］、［９］及び［１１］のいずれか一項において、
前記配向膜と前記第２の導電膜との間に形成されたペロブスカイト構造物質を含む第１のバッファ層を有することを特徴とする配向膜基板。
【００２３】
［１５］上記［１］乃至［１４］のいずれか一項において、
前記第１の導電膜上に形成され、（１００）に配向した誘電体膜を有することを特徴とする配向膜基板。
【００２４】
［１６］上記［１５］において、
前記誘電体膜はＰＺＴ膜であることを特徴とする配向膜基板。
【００２５】
［１７］上記［１５］または［１６］において、
前記第１の導電膜と前記誘電体膜との間に形成されたペロブスカイト構造物質を含む第２のバッファ層を有することを特徴とする配向膜基板。
【００２６】
［１８］上記［１３］、［１４］及び［１７］のいずれか一項において、
前記ペロブスカイト構造物質は、一般式ＡＢＯ３で表され、Ａは、Ａｌ、Ｙ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｌａ、Ｓｒ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｂｉおよび周期表のランタン系列の元素からなる群から選択される少なくとも一つの元素を含んでなり、Ｂは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｏｓ、ＩｒＰｔ、Ｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、ＭｏおよびＷからなる群から選択される少なくとも一つの元素を含んでなるペロブスカイト物質、または、酸化ビスマス層と、ペロブスカイト型構造ブロックとが交互に積層された構造を有するビスマス層状構造強誘電体結晶であり、前記ペロブスカイト型構造ブロックは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ、Ｂｉ、Ｐｂおよび希土類元素から選ばれる少なくとも１つの元素Ｌと、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、ＳｉおよびＧｅから選ばれる少なくとも１つの元素Ｒと、酸素とによって構成されることを特徴とする配向膜基板。
【００２７】
［１９］（１００）の結晶面を有するＳｉ基板を用意し、
前記Ｓｉ基板上にエピタキシャル成長によりＺｒＯ２膜とＹ２Ｏ３膜を積層した積層膜またはＹＳＺ膜を形成し、
前記積層膜またはＹＳＺ膜上にエピタキシャル成長により下記式１を満たす格子定数ｄを有する物質を含む第１の導電膜を形成する配向膜基板の製造方法であり、
前記積層膜は（１００）に配向しており、
前記ＹＳＺ膜は（１００）に配向しており、
前記物質は、Ａｌ及びＡｌ合金の少なくとも一つの金属または前記少なくとも一つの金属にＡｇを含有する金属であることを特徴とする配向膜基板の製造方法。
０．３００ｎｍ≦ｄ≦０．５５０ｎｍ  ・・・式１
【００２８】
［２０］（１００）の結晶面を有するＳｉ基板を用意し、
前記Ｓｉ基板上にエピタキシャル成長によりＺｒＯ２膜とＹ２Ｏ３膜を積層した積層膜またはＹＳＺ膜を形成し、
前記配向膜またはＹＳＺ膜上にエピタキシャル成長により磁性を有する第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜上にエピタキシャル成長により下記式１を満たす格子定数ｄを有する物質を含む第１の導電膜を形成する配向膜基板の製造方法であり、
前記積層膜は（１００）に配向しており、
前記ＹＳＺ膜は（１００）に配向しており、
前記第２の導電膜は、Ｆｅ、Ｆｅ合金及びＦｅ−Ｎｉ合金の群から選択された少なくとも一つの金属または前記少なくとも一つの金属にＡｇを含有する金属からなり、
前記格子定数ｄを有する物質は、Ａｌ及びＡｌ合金の少なくとも一つの金属または前記少なくとも一つの金属にＡｇを含有する金属であることを特徴とする配向膜基板の製造方法。
０．３００ｎｍ≦ｄ≦０．５５０ｎｍ  ・・・式１
【００２９】
［２１］上記［２０］において、
前記第２の導電膜は、磁性を有する金属が４０質量％以上含まれていることを特徴とする配向膜基板の製造方法。
【００３０】
［２２］上記［１９］において、
前記積層膜またはＹＳＺ膜を形成した後で且つ前記第１の導電膜を形成する前に、前記積層膜またはＹＳＺ膜上にペロブスカイト構造物質を含む第１のバッファ層を形成することを特徴とする配向膜基板の製造方法。
【００３１】
［２３］上記［２０］または［２１］において、
前記第２の導電膜を形成した後で且つ前記第１の導電膜を形成する前に、前記第２の導電膜上にペロブスカイト構造物質を含む第１のバッファ層を形成することを特徴とする配向膜基板の製造方法。
【００３２】
［２４］上記［１９］乃至［２３］のいずれか一項において、
前記第１の導電膜を形成した後に、前記第１の導電膜上に（１００）に配向した誘電体膜を形成することを特徴とする配向膜基板の製造方法。
【００３３】
［２５］上記［２４］において、
前記誘電体膜はＰＺＴ膜であることを特徴とする配向膜基板の製造方法。
【００３４】
［２６］上記［２４］または［２５］において、
前記第１の導電膜を形成した後で且つ前記誘電体膜を形成する前に、前記第１の導電膜上にペロブスカイト構造物質を含む第２のバッファ層を形成することを特徴とする配向膜基板の製造方法。
【００３５】
［２７］上記［２３］または［２６］において、
前記ペロブスカイト構造物質は、一般式ＡＢＯ３で表され、Ａは、Ａｌ、Ｙ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｌａ、Ｓｒ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｂｉおよび周期表のランタン系列の元素からなる群から選択される少なくとも一つの元素を含んでなり、Ｂは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｏｓ、ＩｒＰｔ、Ｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、ＭｏおよびＷからなる群から選択される少なくとも一つの元素を含んでなるペロブスカイト物質、または、酸化ビスマス層と、ペロブスカイト型構造ブロックとが交互に積層された構造を有するビスマス層状構造強誘電体結晶であり、前記ペロブスカイト型構造ブロックは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ、Ｂｉ、Ｐｂおよび希土類元素から選ばれる少なくとも１つの元素Ｌと、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、ＳｉおよびＧｅから選ばれる少なくとも１つの元素Ｒと、酸素とによって構成されることを特徴とする配向膜基板の製造方法。
【００３６】
［２８］第１のチャンバーに第１のゲートバルブを介して接続された搬送室と、
前記搬送室内に配置された、Ｓｉ基板を搬送する搬送機構と、
前記搬送室に第４のゲートバルブを介して接続された第４のチャンバーと、
前記第１のチャンバー内で（１００）の結晶面を有する前記Ｓｉ基板上にＹＳＺ膜を成膜する第１のスパッタリング装置と、
前記第４のチャンバー内で前記ＹＳＺ膜上に下記式１を満たす格子定数ｄを有する物質を含む第１の導電膜を成膜する第４のスパッタリング装置と、
を具備し、
前記第１のスパッタリング装置は、
第１のチャンバーと、
前記第１のチャンバー内に配置された、前記Ｓｉ基板を保持する保持機構と、
前記保持機構に保持され、前記Ｓｉ基板の下面にランプ光を照射して前記基板を８００℃以上に加熱するランプヒーターと、
前記第１のチャンバー内に配置され、前記保持機構に保持された前記Ｓｉ基板の上面と対向するＹとＺｒを含有するスパッタリングターゲットと、
前記スパッタリングターゲットに電気的に接続されたスパッタ電極と、
前記スパッタ電極に電気的に接続された第１の電源と、
前記保持機構に保持された前記基板と前記スパッタリングターゲットとの間に配置されたグリッド電極と、
前記グリッド電極に設けられた複数の貫通孔と、
前記グリッド電極に電気的に接続された第２の電源と、
前記保持機構に保持された前記基板と前記グリッド電極との間の第１の空間から真空排気する排気機構と、
前記第２の空間に不活性ガスを導入し、前記第１の空間に酸素ガスを導入するガス導入機構と、
を具備し、
前記グリッド電極によって前記第１のチャンバーは、前記第１の空間と、前記グリッド電極と前記スパッタリングターゲットとの間の第２の空間に二分割されていることを特徴とするマルチチャンバー装置。
０．３００ｎｍ≦ｄ≦０．５５０ｎｍ  ・・・式１
【００３７】
［２９］上記［２８］において、
前記搬送室に第３のゲートバルブを介して接続された第３のチャンバーと、
前記第３のチャンバー内で前記ＹＳＺ膜上に磁性を有する第２の導電膜を成膜する第３のスパッタリング装置と、
を具備することを特徴とするマルチチャンバー装置。
【００３８】
［３０］第１のチャンバーに第１のゲートバルブを介して接続された搬送室と、
前記搬送室内に配置された、Ｓｉ基板を搬送する搬送機構と、
前記搬送室に第２のゲートバルブを介して接続された第２のチャンバーと、
前記搬送室に第４のゲートバルブを介して接続された第４のチャンバーと、
前記第１のチャンバー内で（１００）の結晶面を有する前記Ｓｉ基板上にＺｒＯ２膜を成膜する第１のスパッタリング装置と、
前記第２のチャンバー内で前記ＺｒＯ２膜上にＹ２Ｏ３膜を成膜する第２のスパッタリング装置と、
前記第４のチャンバー内で前記Ｙ２Ｏ３膜上に下記式１を満たす格子定数ｄを有する物質を含む第１の導電膜を成膜する第４のスパッタリング装置と、
を具備し、
前記第１のスパッタリング装置及び前記第２のスパッタリング装置は、それぞれ、
第１のチャンバーと、
前記第１のチャンバー内に配置された、前記Ｓｉ基板を保持する保持機構と、
前記保持機構に保持され、前記Ｓｉ基板の下面にランプ光を照射して前記基板を８００℃以上に加熱するランプヒーターと、
前記第１のチャンバー内に配置され、前記保持機構に保持された前記Ｓｉ基板の上面と対向するスパッタリングターゲットと、
前記スパッタリングターゲットに電気的に接続されたスパッタ電極と、
前記スパッタ電極に電気的に接続された第１の電源と、
前記保持機構に保持された前記基板と前記スパッタリングターゲットとの間に配置されたグリッド電極と、
前記グリッド電極に設けられた複数の貫通孔と、
前記グリッド電極に電気的に接続された第２の電源と、
前記保持機構に保持された前記基板と前記グリッド電極との間の第１の空間から真空排気する排気機構と、
前記第２の空間に不活性ガスを導入し、前記第１の空間に酸素ガスを導入するガス導入機構と、
を具備し、
前記グリッド電極によって前記第１のチャンバーは、前記第１の空間と、前記グリッド電極と前記スパッタリングターゲットとの間の第２の空間に二分割されており、
前記第１のスパッタリング装置のスパッタリングターゲットは、Ｚｒからなり、
前記第２のスパッタリング装置のスパッタリングターゲットは、Ｙからなることを特徴とするマルチチャンバー装置。
０．３００ｎｍ≦ｄ≦０．５５０ｎｍ  ・・・式１
【００３９】
［３１］上記［３０］において、
前記搬送室に第３のゲートバルブを介して接続された第３のチャンバーと、
前記第３のチャンバー内で前記Ｙ２Ｏ３膜上に磁性を有する第２の導電膜を成膜する第３のスパッタリング装置と、
を具備することを特徴とするマルチチャンバー装置。
【００４０】
［３２］上記［２８］乃至［３１］のいずれか一項において、
前記搬送室に第５のゲートバルブを介して接続された第５のチャンバーと、
前記第５のチャンバー内で誘電体膜を成膜する第５のスパッタリング装置と、
を具備することを特徴とするマルチチャンバー装置。
【００４１】
［３３］上記［２８］乃至［３１］のいずれか一項において、
前記搬送室に第６のゲートバルブを介して接続された第６のチャンバーと、
前記第６のチャンバーを有する誘電体膜成膜装置と、
を具備し、
前記誘電体膜成膜装置は、ゾルゲル溶液をスピンコートにより塗布して誘電体膜を製膜する装置であることを特徴とするマルチチャンバー装置。
【発明の効果】
【００４２】
本発明の一態様を適用することで、製造コストを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の一態様に係るマルチチャンバー装置を模式的に示す平面図である。
【図２】本発明の一態様に係る第１のスパッタリング装置を模式的に示す断面図である。
【図３】（Ａ）は図２に示すＳｉウエハ２３、保持機構２２及びランプヒーター２４の詳細を示す平面図と断面図、（Ｂ）は（Ａ）に示す保持機構２２の比較例を示す平面図と断面図、（Ｃ）は（Ａ）に示す集光型反射板及びその周辺を拡大した断面図であり、（Ｄ）は図２の第１のスパッタリング装置の変形例であるＥＢ型蒸着装置である。
【図４】（Ａ）は本発明の一態様に係る配向膜基板を示す断面図、（Ｂ）は（Ａ）に示す配向膜基板の変形例１を示す断面図である。
【図５】（Ａ）は図４（Ａ）に示す配向膜基板の変形例２を示す断面図、図４（Ｂ）に示す配向膜基板の変形例３を示す断面図である。
【図６】（Ａ）はヘテロエピタキシャル成長による図４（Ｂ）の配向膜基板を格子定数から説明する図、（Ｂ）はヘテロエピタキシャル成長による図４（Ａ）の配向膜基板を格子定数から説明する図である。
【図７】ヘテロエピタキシャル成長による図４（Ｂ）の配向膜基板を格子定数から説明する図である。
【図８】本発明の一態様に係るマルチチャンバー装置を模式的に示す平面図である。
【図９】本発明の一態様に係るマルチチャンバー装置を模式的に示す平面図である。
【図１０】（Ａ）は本発明の一態様に係る配向膜基板を示す断面図、（Ｂ）は（Ａ）に示す配向膜基板の変形例１を示す断面図である。
【図１１】（Ａ）は、図１０（Ａ）に示す配向膜基板の変形例２を示す断面図、（Ｂ）は図１０（Ｂ）に示す配向膜基板の変形例３を示す断面図である。
【図１２】実施例及び比較例のヒステリシス曲線である。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
以下では、本発明の実施形態及び実施例について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施形態の記載内容及び実施例に限定して解釈されるものではない。
【００４５】
（第１の実施形態）
≪製造装置≫
図１は、本発明の一態様に係るマルチチャンバー装置を模式的に示す平面図である。
マルチチャンバー装置は、ロードロック室１と、搬送室２と、搬送ロボット３と、ＹＳＺスパッタ室４と、磁性を持つ物質のスパッタ室５と、特定の格子定数を持つ物質のスパッタ室６と、ＰＺＴスパッタ室７とを有している。
【００４６】
ロードロック室１には真空ポンプ（図示せず）が接続されており、成膜処理を施すＳｉ基板（例えばＳｉウエハ）をロードロック室１内に導入し、真空ポンプによってロードロック室１内が真空排気されるようになっている。
【００４７】
搬送室２は、ゲートバルブ５１を介してロードロック室１に接続されている。搬送室２内には搬送ロボット３が配置されている。搬送室２には真空ポンプ（図示せず）が接続されており、その真空ポンプによって搬送室２内が真空排気されるようになっている。
【００４８】
ＹＳＺスパッタ室４は、Ｓｉウエハ（Ｓｉ基板ともいう）２３上にＹＳＺ膜を反応性スパッタリングによって成膜するものであり、ゲートバルブ５１を介して搬送室２に接続されている。ＹＳＺスパッタ室４は第１のチャンバーを有しており、マルチチャンバー装置は第１のチャンバーを有する第１のスパッタリング装置（図２参照）を有している。搬送ロボット３によってＳｉウエハ２３をロードロック室１内から搬送室２を通ってＹＳＺスパッタ室４の第１のチャンバーに搬送するようになっている。図２に示す第１のスパッタリング装置については後述する。
【００４９】
なお、本明細書において「ＹＳＺ膜」とは、ＹとＺｒが酸素によって酸化されたＹ２Ｏ３とＺｒＯ２の混合物からなる安定した状態にある膜をいう。広義にはＺｒＯ２に数％のＹ２Ｏを混合したもの（Ｚｒの酸化数を安定化するため）で良く知られているのはＺｒＯ２が８％添加されたもの、或いはＺｒに数％のＹを添加した合金を酸化したもので、これも良く知られているのはＺｒに８％Ｙを添加した合金を酸化したものである。
【００５０】
磁性を持つ物質のスパッタ室５は、Ｓｉウエハ２３上に磁性を持つ物質を含む第２の導電膜をスパッタリングによって成膜するものであり、ゲートバルブ５１を介して搬送室２に接続されている。スパッタ室５は、第２のチャンバーを有する第２のスパッタリング装置（図示せず）を有している。搬送ロボット３によってＳｉウエハ２３をＹＳＺスパッタ室４の第１のチャンバー内から搬送室２を通ってスパッタ室５の第２のチャンバー内に搬送するようになっている。
【００５１】
特定の格子定数を持つ物質のスパッタ室６は、Ｓｉウエハ２３上に下記式１を満たす格子定数ｄを有する物質を含む第１の導電膜をスパッタリングによって成膜するものであり、ゲートバルブ５１を介して搬送室２に接続されている。スパッタ室６は、第３のチャンバーを有する第３のスパッタリング装置（図示せず）を有している。搬送ロボット３によってＳｉウエハ２３をスパッタ室５の第２のチャンバー内から搬送室２を通ってスパッタ室６の第３のチャンバー内に搬送するようになっている。
０．３００ｎｍ≦ｄ≦０．５５０ｎｍ  ・・・式１
【００５２】
ＰＺＴスパッタ室７は、Ｓｉウエハ２３上にＰＺＴ膜をスパッタリングによって成膜するものであり、ゲートバルブ５１を介して搬送室２に接続されている。ＰＺＴスパッタ室７は、第４のチャンバーを有する第４のスパッタリング装置（図示せず）を有している。搬送ロボット３によってＳｉウエハ２３をスパッタ室６の第３のチャンバー内から搬送室２を通ってスパッタ室７の第４のチャンバー内に搬送するようになっている。なお、ＰＺＴスパッタ室７の第４のチャンバー内でＰＺＴ膜を成膜するスパッタリング装置を用いているが、第４のチャンバー内でＰＺＴ以外の誘電体膜を成膜するスパッタリング装置を用いてもよい。
【００５３】
搬送ロボット３によるＳｉウエハ２３の搬送は上述したものに限定されず、例えばＳｉウエハ２３をスパッタ室５の第２のチャンバー内から搬送室２を通ってスパッタ室７の第４のチャンバー内に搬送してもよい。
【００５４】
図２は、本発明の一態様に係る第１のスパッタリング装置を模式的に示す断面図である。図３（Ａ）は、図２に示すＳｉウエハ２３、保持機構２２及びランプヒーター２４の詳細を示す平面図と断面図であり、図３（Ｃ）は図３（Ａ）に示す集光型反射板及びその周辺を拡大した断面図である。図３（Ｂ）は、図３（Ａ）に示す保持機構２２の比較例を示す平面図と断面図である。
【００５５】
図２及び図３（Ａ）に示すように、第１のスパッタリング装置は、第１のチャンバー（プロセスチャンバーともいう）２１を有し、プロセスチャンバー２１内には基板（例えばＳｉウエハ２３）を保持する保持機構２２が配置されている。保持機構２２は基板電極としての機能を有し、Ｓｉウエハ２３は基板電極に電気的に接触している。基板電極は図示せぬ電源に電気的に接続されている。Ｓｉウエハ２３は例えば（１００）の結晶面を有する。
【００５６】
保持機構２２には、Ｓｉウエハ２３の下面にランプ光を照射してＳｉウエハ２３を８００℃以上に加熱するランプヒーター２４が設けられている。図３（Ａ），（Ｃ）に示すように、ランプヒーター２４は、Ｓｉウエハ２３の下面の下方に配置され、平面が円形状のＳｉウエハ２３の中心から同心円状に配置されている。ランプヒーター２４とＳｉウエハ２３との間で且つＳｉウエハ２３の外周を覆うように集光型反射部材（集光リフレクターともいう）１５が保持機構２２に設けられている。集光リフレクター１５は、ランプヒーター２４から照射されるランプ光がＳｉウエハ２３の下面の外側に漏れるのを遮る遮光部材としても機能し、またランプ光をＳｉウエハ２３の下面に集光させる集光部材としても機能する。集光リフレクター１５は例えばＡｌ製であり、集光リフレクター１５には例えばＡｕメッキが施されている。
【００５７】
図３（Ｃ）に示すように、集光リフレクター１５は保持機構２２に取り付けられている。図３（Ｂ）に示すように、保持機構２２に集光リフレクター１５が取り付けられていない場合、ランプヒーター４から照射されるランプ光がＳｉウエハ２３の下面の外側に漏れる量１８が多くなる。これに対し、図３（Ａ）に示すように、保持機構２２に集光リフレクター１５が取り付けられている場合、ランプヒーター４から照射されるランプ光がＳｉウエハ２３の下面の外側に漏れる量１７が少なくなる。これにより、Ｓｉウエハ２３を加熱する能力を飛躍的に向上させることができる。
【００５８】
図２に示すように、第１のチャンバー２１内には、保持機構２２に保持されたＳｉウエハ２３の上面と対向するスパッタリングターゲット２６が配置されている。スパッタリングターゲット２６は、例えば  ＹとＺｒを含有するターゲット、Ｚｒからなるターゲット、またはＹからなるターゲットを用いることができる。
【００５９】
スパッタリングターゲット２６にはスパッタ電極２５が電気的に接続されており、スパッタ電極２５にはスパッタ電源（第１の電源ともいう）２８が電気的に接続されている。スパッタ電源２８は高周波電源または直流電源である。
【００６０】
スパッタリングターゲット２６の裏面側にはモーターＭによって矢印のように回転するロータリーマグネット２７が配置されている。これにより、スパッタリングターゲット２６の表面側に発生するプラズマを均一化することができる。なお、本実施形態では、ロータリーマグネット２７を用いているが、回転させないマグネットを用いてもよい。
【００６１】
Ｓｉウエハ２３とスパッタリングターゲット２６との間にはグリッド電極２９が配置されており、グリッド電極２９には複数の貫通孔２９ａが設けられている。グリッド電極２９は、導電体（例えばカーボン）で形成されている。グリッド電極２９にはグリッド電源（第２の電源ともいう）１０が電気的に接続されている。グリッド電源１０は、直流電源または第１の電源２８の周波数より低い周波数の高周波電源である。
【００６２】
プロセスチャンバー２１は、グリッド電極２９によって第１の空間５２と第２の空間５３に二分割されている。つまり、第１の空間５２はＳｉウエハ２３とグリッド電極２９との間に位置し、第２の空間５３はグリッド電極２９とスパッタリングターゲット２６との間に位置する。第１の空間５２と第２の空間５３はグリッド電極２９の貫通孔２９ａによって空間的に繋がっている。
【００６３】
第１のスパッタリング装置は、第２の空間５３にスパッタ放電ガスを導入する放電ガス導入機構１３と、第１の空間５２に反応ガスを導入する反応ガス導入機構１４とを有している。スパッタ放電ガスは例えば不活性ガス（Ａｒ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅなど）である。反応ガスは例えば酸素ガス（Ｏ２）である。
【００６４】
第１のスパッタリング装置は第１の空間５２からプロセスチャンバー２１の内部を真空排気する排気機構を有しており、この排気機構は真空ポンプＰを有している。この真空ポンプＰは、配管及びバルブ５４を介してプロセスチャンバー２１に接続されている。
【００６５】
グリッド電極２９は、第２の空間５３に発生するプラズマを遮蔽し、そのプラズマを第２の空間５３に閉じ込める機能を有する。真空ポンプＰによって第１の空間５２から真空排気することで、グリッド電極２９の貫通孔２９ａを通して第２の空間５３も真空排気される。この際、第２の空間５３より第１の空間５２の方が高真空となる。別言すれば、貫通孔２９ａの大きさや数は、真空ポンプＰによって真空排気することで、第２の空間５３より第１の空間５２の方が高真空となる程度のものとするとよい。
【００６６】
Ｓｉウエハ２３とグリッド電極２９との間（即ち第１の空間５２）には熱電子を発生させるフィラメント１１が配置されている。フィラメント１１にはフィラメント電源（第３の電源ともいう）１２が電気的に接続されており、フィラメント電源１２は直流電源または交流電源である。フィラメント１１から発生させた熱電子は、グリッド電極２９の貫通孔２９ａから通過したイオン化したスパッタ粒子を中和する機能を有する。
【００６７】
≪第１のスパッタリング装置の変形例≫
図１に示すマルチチャンバー装置が有する図２の第１のスパッタリング装置を、ボート型蒸着装置、ＥＢ型蒸着装置またはＲＦ型イオンプレーティング装置に代えて実施してもよい。つまり、図１に示すマルチチャンバー装置がボート型蒸着装置、ＥＢ型蒸着装置またはＲＦ型イオンプレーティング装置を有するように変更しても良い。
【００６８】
ボート型蒸着装置、ＥＢ型蒸着装置またはＲＦ型イオンプレーティング装置それぞれは、ＹとＺｒを含有する蒸着材料、Ｚｒを含有する蒸着材料、またはＹを含有する蒸着材料を備えた蒸着源を有し、これらの蒸着材料を蒸発させた蒸発物質と酸素を反応させた酸化物を基板上に成膜する装置である。
【００６９】
図３（Ｄ）は、第１のスパッタリング装置の変形例であるＥＢ型蒸着装置である。
ＥＢ型蒸着装置は成膜チャンバー４１を有しており、成膜チャンバー４１の下部には蒸着源４３が配置されている。成膜チャンバー４１の上部には基板ホルダー４４が配置されており、この基板ホルダー４４は蒸着源４３と対向するように配置されている。蒸着源４３は、ＹとＺｒを含有する蒸着材料、Ｚｒを含有する蒸着材料、またはＹを含有する蒸発材料を収容したルツボ及び電子銃（ＥＢgun）４２を有している。ルツボには冷却機構（図示せず）が取り付けられている。蒸着源４３は、電子銃４２からの電子ビームを蒸発材料に照射して加熱し、蒸発材料を蒸発させるものである。
【００７０】
基板ホルダー４４はＳｉ基板２３を保持するものであり、基板ホルダー４４は回転機構４９に取り付けられている。回転機構４９によって基板ホルダー４４を回転させることができるようになっている。また、基板ホルダー４４の上部側面（Ｓｉ基板２３の設置部と反対側の側面）には基板加熱用の加熱ヒータ（赤外線ランプ）４７が配置されている。基板ホルダー４４の下面（基板の設置面）には反射板（図示せず）が配置されている。また、基板ホルダー４４は基板温度を下げるための基板冷却機構（図示せず）を備えている。
【００７１】
成膜チャンバー４１には、反応ガスを供給する反応ガス供給機構（図示せず）が接続されている。反応ガスは例えば酸素ガス（Ｏ２）である。また、成膜チャンバー４１には、成膜チャンバー４１の内部圧力を所定圧力まで下げるための排気ポンプ系（図示せず）が接続されている。
【００７２】
≪配向膜基板の製造方法≫
図４（Ａ）は、本発明の一態様に係る配向膜基板を示す断面図である。この配向膜基板は、図１に示すマルチチャンバー装置と図２及び図３に示す第１のスパッタリング装置を用いて作製される。
【００７３】
（１００）の結晶面を有するＳｉ基板２３を用意し、Ｓｉ基板２３をＹＳＺスパッタ室４の第１のチャンバー２１に導入し、保持機構２２にＳｉ基板２３を保持する。このＳｉ基板２３の（１００）の結晶面上には、ＳｉＯ２膜やＴｉＯ２膜などの酸化膜が形成されていてもよい。第１のチャンバー２１を真空ポンプＰによって真空排気し、放電ガス導入機構１３によって放電ガスとしてＡｒガスを第２の空間５３に導入し、反応ガス導入機構１４によって反応ガスとして酸素ガスを第１の空間５２に導入する。放電ガス及び反応ガスの導入と排気のバランスによって第１のチャンバー２１内を所定の圧力にする。詳細には、第２の空間５３がグリッド電極２９の貫通孔２９ａを通しても真空排気されるため、第２の空間５３より第１の空間５２の方が高真空となる。
【００７４】
また、モーターＭによってロータリーマグネット２７を回転させ、ＹＳＺからなるスパッタリングターゲット２６に高周波電力を印加し、この高周波電力の周波数より低い周波数の高周波電力をグリッド電極２９に印加する。フィラメント１１に交流を印加し、ランプヒーター２４によってランプ光をＳｉ基板２３の裏面に照射してＳｉ基板２３を８００℃に加熱する。このようにして第２の空間５３にプラズマを発生させ、スパッタ粒子を生成する。そのスパッタ粒子はグリッド電極２９の貫通孔２９ａを通過する。その際にイオン化されていたスパッタ粒子は中和されるが、一部中和されずにイオン化されたままのスパッタ粒子はフィラメント１１から発生する熱電子によって中和される。そして、イオン化されていないスパッタ粒子（Ｙ粒子、Ｚｒ粒子）が８００℃に加熱されたＳｉ基板２３の（１００）の結晶面上で酸素と反応して酸化物となって堆積される。これにより、Ｓｉ基板２３上にエピタキシャル成長によるＹＳＺ膜３１が形成される。このＹＳＺ膜３１はＳｉ基板２３の（１００）の結晶面と同様に（１００）に配向している（図４（Ａ）参照）。
【００７５】
なお、本実施形態では、Ｓｉ基板２３上にＹＳＺ膜３１を形成しているが、ＹＳＺ膜３１に限定されるものではなく、ＹＳＺ膜以外の（１００）の配向膜をエピタキシャル成長によりＳｉ基板２３上に形成してもよい。ここでいう（１００）の配向膜とは、Ｓｉ基板２３の（１００）の結晶面と同様に（１００）に配向する膜をいう。
【００７６】
次に、搬送ロボット３によってＳｉウエハ２３をＹＳＺスパッタ室４の第１のチャンバー内から搬送室２を通ってスパッタ室６の第３のチャンバー内に搬送する（図１参照）。
【００７７】
次に、第３のチャンバー内でスパッタリングによりＹＳＺ膜３１上にエピタキシャル成長による下記式１を満たす格子定数ｄを有する物質を含む第１の導電膜３６を形成する。格子定数ｄを有する物質は金属を含むとよい。第１の導電膜３６は、ＹＳＺ膜３１と同様に（１００）に配向している。第１の導電膜３６は電極として機能するとよい。なお、第１の導電膜３６は、下記式１を満たす格子定数ｄを有するものであれば金属以外の酸化膜であってもよい。また、格子定数ｄは例えばＰｔの格子定数に近いとよい。
０．３００ｎｍ≦ｄ≦０．５５０ｎｍ  ・・・式１
【００７８】
格子定数ｄを有する物質は、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｎｉ、Ｎｉ合金及びＮｉ−Ｃｕ合金の少なくとも一つの金属または前記少なくとも一つの金属にＡｇを含有する金属であるとよい。
【００７９】
Ａｌ合金とは、Ａｌを５０質量％以上含有する合金であり、例えばＡｌに、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｎｉの少なくとも一つを含有する合金であり、また、Ａｌ−Ｃｕ系合金、Ａｌ−Ｍｎ系合金、Ａｌ−Ｓｉ系合金、Ａｌ−Ｍｇ系合金、Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系合金、Ａｌ−Ｚｎ−Ｍｇ系合金、Ａｌ−Ｚｎ−Ｍｇ−Ｃｕ系合金（ジュラルミン）、Ａｌ−Ｃｕ−Ｎｉ−Ｍｇ系合金（ＡＣ５Ａ）である。また、Ａｌ合金の具体例としては表１及び表２に示す化学成分を有する合金が挙げられる。
【００８０】
Ｎｉ合金は、例えばＮｉ−Ｆｅ合金を含む。Ｎｉ−Ｆｅ合金は、例えばパーマロイ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ合金などを含む。
また、上記の少なくとも一つの金属にＡｇを含有する金属は、例えばＮｉ−Ａｇ混合金属、Ｎｉ−Ｆｅ−Ａｇ合金などを含む。
【００８１】
【表１】
2014169466.tif 000003
【００８２】
【表２】
2014169466.tif 000004
【００８３】
次に、搬送ロボット３によってＳｉウエハ２３をスパッタ室６の第３のチャンバー内から搬送室２を通ってＰＺＴスパッタ室７の第４のチャンバー内に搬送する（図１参照）。
【００８４】
次に、第４のチャンバー内でスパッタリングによって第１の導電膜３６上にエピタキシャル成長によるＰＺＴ膜３３を形成する。ＰＺＴ膜３３は、第１の導電膜３６と同様に（１００）に配向している。なお、本実施形態では、第１の導電膜３６上にＰＺＴ膜３３を形成しているが、これに限定されるものではなく、第１の導電膜３６上にＰＺＴ膜３３以外の（１００）に配向した誘電体膜を形成してもよい。
【００８５】
本実施形態によれば、グリッド電極２９の貫通孔２９ａによって第２の空間５３より第１の空間５２を高真空とするため、ＹＳＺ膜３１の結晶性を良くすることができる。つまり、ＹＳＺ膜３１の結晶性は成膜時の圧力が高真空であるほど良いため、第１の空間５２を第２の空間５３より高真空にすることで、結晶性を良くすることができる。
【００８６】
また、ＰＺＴ膜３３の下に格子定数ｄを有する物質を含む第１の導電膜３６及びＹＳＺ膜３１を形成するため、結晶性の良いＰＺＴ膜３３を形成することができる。また、第１の導電膜３６が格子定数ｄを有するため、ＰＺＴ膜３３の結晶性を良くすることができる。
【００８７】
図６（Ｂ）は、ヘテロエピタキシャル成長による図４（Ａ）の配向膜基板を格子定数から説明する図である。図６（Ｂ）に示す格子整合は、ヘテロエピタキシャル成長の幾つかのタイプのうちの一つである。
【００８８】
Ｓｉ基板２３のＳｉの格子定数、ＹＳＺ膜３１のＹＳＺの格子定数、第１の導電膜３６の一例のＮｉ−Ｆｅの格子定数、ＰＺＴ膜３３の格子定数は、図６（Ｂ）の表に示すとおりである。Ｎｉ−Ｆｅの格子定数は、Ｓｉ及びＹＳＺの格子定数とＰＺＴの格子定数との間で整合性が良いため、ＰＺＴ膜３３の結晶性を良くすることができると考えられる。
【００８９】
図６（Ｂ）に示すＮｉ／ＹＳＺの格子整合性は良好である。Ｎｉは小さいが、ＹＳＺの上で４５°回転すると対角線長さがＹＳＺのａ軸と整合するためである。また、ＮｉとＰＺＴは格子ミスマッチが比較的大きいが、特開平７−２６７７９９に開示されているように１９％くらいのミスマッチでもヘテロエピタキシャル成長は可能である。また、少しでも整合性を良くするにはＮｉ−Ｆｅ合金としてＮｉの格子定数をベガード則に従って大きくすることでミスマッチ幅を縮小することができる。
【００９０】
また、本実施形態では、図３（Ａ）に示す第１のスパッタリング装置を用いてＹＳＺ膜３１を成膜しているが、第１のスパッタリング装置の変形例である図３（Ｄ）に示すＥＢ型蒸着装置を用いてＹＳＺ膜３１を成膜してもよい。詳細には、基板ホルダー４４にＳｉ基板２３を設置し、基板ホルダー４４を回転機構４９により回転させる。次いで、成膜チャンバー４１内に反応ガス供給機構により酸素ガスを供給し、成膜チャンバー４１内を排気ポンプ系により真空引きを行い、成膜チャンバー４１の内部圧力を所定圧力に到達させる。次いで、加熱ヒータ４７を点灯させ、基板温度を８００℃まで上昇させ、この温度にＳｉ基板２３を維持する。蒸着源４３のＹとＺｒを含有する蒸発材料に電子銃４２により電子ビームを照射して加熱し、蒸発材料を蒸発させ、酸素ガスと反応させてＹＳＺ膜３１をＳｉ基板２３上に成膜する。
【００９１】
≪配向膜基板の製造方法の変形例１≫
図４（Ｂ）は、図４（Ａ）に示す配向膜基板の変形例１であり、図４（Ａ）と同一部分には同一符号を付し、同一部分の説明は省略する。
【００９２】
図４（Ａ）に示す配向膜基板と同様の方法で、Ｓｉ基板２３上にＹＳＺ膜３１を形成する。
【００９３】
次に、スパッタリングによりＹＳＺ膜３１上にエピタキシャル成長によるペロブスカイト構造物質を含む第１のバッファ層３４を形成する。第１のバッファ層３４は、ＹＳＺ膜３１と同様に（１００）に配向している。
【００９４】
上記のペロブスカイト構造物質は、一般式ＡＢＯ３で表され、Ａは、Ａｌ、Ｙ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｌａ、Ｓｒ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｂｉおよび周期表のランタン系列の元素からなる群から選択される少なくとも一つの元素を含んでなり、Ｂは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｏｓ、ＩｒＰｔ、Ｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、ＭｏおよびＷからなる群から選択される少なくとも一つの元素を含んでなるペロブスカイト物質、または、酸化ビスマス層と、ペロブスカイト型構造ブロックとが交互に積層された構造を有するビスマス層状構造強誘電体結晶からなるＢｉ層状構造ペロブスカイト物質であり、前記ペロブスカイト型構造ブロックは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ、Ｂｉ、Ｐｂおよび希土類元素から選ばれる少なくとも１つの元素Ｌと、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、ＳｉおよびＧｅから選ばれる少なくとも１つの元素Ｒと、酸素とによって構成される。
【００９５】
次に、図４（Ａ）に示す配向膜基板と同様の方法で、第１のバッファ層３４上にエピタキシャル成長による格子定数ｄを有する物質を含む第１の導電膜３６を形成する。
【００９６】
次に、スパッタリングにより第１の導電膜３６上にエピタキシャル成長によるペロブスカイト構造物質を含む第２のバッファ層３５を形成する。第２のバッファ層３５は、第１の導電膜３６と同様に（１００）に配向している。
【００９７】
次に、図４（Ａ）に示す配向膜基板と同様の方法で、第２のバッファ層３５上にＰＺＴ膜３３を形成する。
【００９８】
図６（Ａ）及び図７は、ヘテロエピタキシャル成長による図４（Ｂ）の配向膜基板を格子定数から説明する図である。図６（Ａ）及び図７に示す格子整合は、ヘテロエピタキシャル成長の幾つかのタイプのうちの一つである。
【００９９】
Ｓｉ基板２３のＳｉの格子定数、ＹＳＺ膜３１のＹＳＺの格子定数、第１の導電膜３６の一例のＮｉ−Ｆｅの格子定数、ＰＴＯまたはＢＬＴの格子定数、ＰＺＴ膜３３の格子定数は、図６（Ａ）及び図７の表に示すとおりである。Ｎｉ−Ｆｅ及びＰＴＯの格子定数は、Ｓｉ及びＹＳＺの格子定数とＰＺＴの格子定数との間で整合性が良いため、ＰＺＴ膜３３の結晶性を良くすることができると考えられる。
【０１００】
図６（Ａ）及び図７に示すＮｉ／ＹＳＺの格子整合性は良好である。Ｎｉは小さいが、ＹＳＺの上で４５°回転すると対角線長さがＹＳＺのａ軸と整合するためである。また、少しでも整合性を良くするために、ＰＴＯ（即ちＰｂＴｉＯ３）、ＢＬＴ（即ち｛（Ｂｉ，Ｌａ）４Ｔｉ３Ｏ１２｝）等をバッファ層として入れてＰＺＴ側の格子定数を小さくすることでミスマッチ幅を縮小することができる。
【０１０１】
≪配向膜基板の製造方法の変形例２≫
図５（Ａ）は、図４（Ａ）に示す配向膜基板の変形例２であり、図４（Ａ）と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【０１０２】
本変形例は、図４（Ａ）の配向膜基板のＹＳＺ膜３１と第１の導電膜３６の間に第２の導電膜３２を形成する点が異なる。
【０１０３】
ＹＳＺ膜３１を形成した後に、搬送ロボット３によってＳｉウエハ２３をＹＳＺスパッタ室４の第１のチャンバー内から搬送室２を通ってスパッタ室５の第２のチャンバー内に搬送する（図１参照）。
【０１０４】
次に、第２のチャンバー内でスパッタリングによりＹＳＺ膜３１上にエピタキシャル成長による磁性を有する第２の導電膜３２を形成する。第２の導電膜３２は、ＹＳＺ膜３１と同様に（１００）に配向している。第２の導電膜３２は電極として機能するとよい。第２の導電膜３２は、磁性を有する金属が４０質量％以上（好ましくは７０質量％以上）含まれているとよい。なお、第２の導電膜３２は、磁性を有するものであれば金属以外の酸化膜であってもよい。
【０１０５】
第２の導電膜３２は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｎｉ合金、Ｎｉ−Ｃｕ合金、Ｎｉ−Ａｌ−Ｃｕ−Ｍｇ合金、Ｆｅ合金及びＦｅ−Ｎｉ合金の群から選択された少なくとも一つの金属または前記少なくとも一つの金属にＡｇを含有する金属からなるとよい。
【０１０６】
Ｆｅ合金は、例えばステンレスであり、オーステナイト系ステンレス、フェライト系ステンレス（１８％のＣｒを含有するステンレス鋼が代表的）、マルテンサイト系ステンレス、オーステナイトとフェライトの二相組織のステンレスであってもよい。また、Ｆｅ−Ｎｉ合金は、例えばパーマロイ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金などである。また、上記のＡｇを含有する金属は、例えばＦｅ−Ｎｉ−Ａｇ合金、Ｎｉ−Ａｇ混合金属などである。
【０１０７】
次に、搬送ロボット３によってＳｉウエハ２３をスパッタ室５の第２のチャンバー内から搬送室２を通ってスパッタ室６の第３のチャンバー内に搬送する（図１参照）。
【０１０８】
次に、図４（Ａ）の配向膜基板と同様の方法で、第３のチャンバー内でスパッタリングにより第２の導電膜３２上にエピタキシャル成長による格子定数ｄを有する物質を含む第１の導電膜３６を形成する。その後の工程は図４（Ａ）の配向膜基板と同様である。
【０１０９】
本変形例は、図４（Ａ）の配向膜基板と同様の効果を奏する。さらに、ＰＺＴ膜３３の下に磁性を有する第２の導電膜３２及びＹＳＺ膜３１を形成するため、結晶性の良いＰＺＴ膜３３を形成することができる。また、第２の導電膜３２が磁性を有するため、ＰＺＴ膜３３の結晶性を良くすることができる。
【０１１０】
また、ＰＺＴ膜３３上に電極（図示せず）を形成し、ＰＺＴ膜３３に直流高電界、磁場などを印加することによるポーリング処理（分極処理）を行ってもよい。これにより、圧電特性を向上させることができる。このポーリング処理を行う際に、ＰＺＴ膜３３の下に磁性を有する導電膜３２を有するため、その磁性でポーリングアシスト効果が得られ、圧電特性をより向上させることができる。
【０１１１】
≪配向膜基板の製造方法の変形例３≫
図５（Ｂ）は、図４（Ｂ）に示す配向膜基板の変形例３であり、図４（Ｂ）と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【０１１２】
本変形例は、図４（Ｂ）の配向膜基板の第１のバッファ層３４と第１の導電膜３６の間に第２の導電膜３２を形成する点が異なる。
【０１１３】
第１のバッファ層３４を形成した後に、図５（Ａ）に示す配向膜基板と同様の方法で、第１のバッファ層３４上にエピタキシャル成長による磁性を有する第２の導電膜３２を形成する。第２の導電膜３２は、第１のバッファ層３４と同様に（１００）に配向している。第２の導電膜３２は電極として機能するとよい。
【０１１４】
次に、図４（Ｂ）に示す配向膜基板と同様の方法で、第２の導電膜３２上にエピタキシャル成長による格子定数ｄを有する物質を含む第１の導電膜３６を形成する。その後の工程は図４（Ｂ）の配向膜基板と同様である。
【０１１５】
本変形例は、図４（Ｂ）の配向膜基板と同様の効果を奏する。さらに、ＰＺＴ膜３３の下に磁性を有する第２の導電膜３２及びＹＳＺ膜３１を形成するため、結晶性の良いＰＺＴ膜３３を形成することができる。また、第２の導電膜３２が磁性を有するため、ＰＺＴ膜３３の結晶性を良くすることができる。
【０１１６】
また、ＰＺＴ膜３３上に電極（図示せず）を形成し、ＰＺＴ膜３３に直流高電界、磁場などを印加することによるポーリング処理（分極処理）を行ってもよい。この際、前述したように、ＰＺＴ膜３３の下に磁性を有する導電膜３２によってポーリングアシスト効果が得られる。
【０１１７】
（第２の実施形態）
≪製造装置≫
図８は、本発明の一態様に係るマルチチャンバー装置を模式的に示す平面図であり、図１と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【０１１８】
図８に示すマルチチャンバー装置は、ゾルゲルスピンコート式ＰＺＴ製膜装置（誘電体膜成膜装置ともいう）８を有する点が図１に示すマルチチャンバー装置と異なる。ゾルゲルスピンコート式ＰＺＴ製膜装置８は第５のチャンバーを有しており、第５のチャンバーはゲートバルブ５１を介して搬送室２に接続されている。
【０１１９】
搬送ロボット３によってＳｉウエハ２３をスパッタ室６の第３のチャンバーまたはスパッタ室７の第４のチャンバーから搬送室２を通ってゾルゲルスピンコート式ＰＺＴ製膜装置８の第５のチャンバー内に搬送するようになっている。
【０１２０】
ゾルゲルスピンコート式ＰＺＴ製膜装置８は、Ｓｉウエハ２３上にゾルゲル溶液をスピンコートにより塗布してＰＺＴ膜を製膜する装置である。
【０１２１】
≪配向膜基板の製造方法≫
図４（Ａ）に示す配向膜基板と異なる点についてのみ説明する。
【０１２２】
図４（Ａ）に示す配向膜基板と同様の方法で、Ｓｉ基板２３上にエピタキシャル成長によりＹＳＺ膜３１を形成し、ＹＳＺ膜３１上にエピタキシャル成長により格子定数ｄを有する物質を含む第１の導電膜３６を形成し、第１の導電膜３６上にエピタキシャル成長によりＰＺＴ膜３３を形成する。
【０１２３】
次に、搬送ロボット３によってＳｉウエハ２３をＰＺＴスパッタ室７の第４のチャンバー内から搬送室２を通ってゾルゲルスピンコート式ＰＺＴ製膜装置８の第５のチャンバー内に搬送する（図５参照）。
【０１２４】
次に、ＰＺＴ膜３３上にゾルゲル溶液をスピンコートにより塗布してＰＺＴ膜を製膜する。その後、ＰＺＴ膜に、乾燥処理、仮焼成及び結晶化処理を行う。この結晶化処理は５００℃以上の温度で行うため、配向膜であるＹＳＺ膜３１及び導電膜３２は５００℃の耐熱性を有するとよい。このＰＺＴ膜は、ＰＺＴ膜３３と同様に（１００）に配向している。なお、本実施形態では、ＰＺＴ膜３３上にＰＺＴ膜を形成しているが、これに限定されるものではなく、ＰＺＴ膜３３上にＰＺＴ膜以外の誘電体膜を形成してもよい。
【０１２５】
また、本実施形態では、ＰＺＴ膜３３上にゾルゲルスピンコート式ＰＺＴ製膜装置８によりＰＺＴ膜を製膜しているが、導電膜３２上にＰＺＴ膜３３を形成せずに、導電膜３２上にゾルゲルスピンコート式ＰＺＴ製膜装置８によりＰＺＴ膜を製膜し、そのＰＺＴ膜に、乾燥処理、仮焼成及び結晶化処理を行ってもよい。
【０１２６】
本実施形態によれば、ゾルゲルスピンコート式ＰＺＴ製膜装置８により形成されたＰＺＴ膜の下に格子定数ｄを有する物質を含む第１の導電膜３６及びＹＳＺ膜３１を形成するため、結晶性の良いＰＺＴ膜を形成することができる。また、第１の導電膜３６が格子定数ｄを有する物質を含むため、ＰＺＴ膜の結晶性を良くすることができる。
【０１２７】
≪配向膜基板の製造方法の変形例１≫
図４（Ｂ）に示す配向膜基板と異なる点についてのみ説明する。
【０１２８】
図４（Ｂ）に示す配向膜基板と同様の方法で、Ｓｉ基板２３上にエピタキシャル成長によりＹＳＺ膜３１を形成し、ＹＳＺ膜３１上にエピタキシャル成長によりペロブスカイト構造物質を含む第１のバッファ層３４を形成し、第１のバッファ層３４上にエピタキシャル成長により格子定数ｄを有する物質を含む第１の導電膜３６を形成し、第１の導電膜３６上にエピタキシャル成長によりペロブスカイト構造物質を含む第２のバッファ層３５を形成し、第２のバッファ層３５上にエピタキシャル成長によりＰＺＴ膜３３を形成する。
【０１２９】
次に、搬送ロボット３によってＳｉウエハ２３をＰＺＴスパッタ室７の第４のチャンバー内から搬送室２を通ってゾルゲルスピンコート式ＰＺＴ製膜装置８の第５のチャンバー内に搬送する（図５参照）。
【０１３０】
次に、ＰＺＴ膜３３上にゾルゲル溶液をスピンコートにより塗布してＰＺＴ膜を製膜する。その後、ＰＺＴ膜に、乾燥処理、仮焼成及び結晶化処理を行う。このＰＺＴ膜は、ＰＺＴ膜３３と同様に（１００）に配向している。なお、本実施形態では、ＰＺＴ膜３３上にＰＺＴ膜を形成しているが、これに限定されるものではなく、ＰＺＴ膜３３上にＰＺＴ膜以外の誘電体膜を形成してもよい。
【０１３１】
また、本実施形態では、ＰＺＴ膜３３上にゾルゲルスピンコート式ＰＺＴ製膜装置８によりＰＺＴ膜を製膜しているが、第２のバッファ層３５上にＰＺＴ膜３３を形成せずに、第２のバッファ層３５上にゾルゲルスピンコート式ＰＺＴ製膜装置８によりＰＺＴ膜を製膜し、そのＰＺＴ膜に、乾燥処理、仮焼成及び結晶化処理を行ってもよい。
【０１３２】
≪配向膜基板の製造方法の変形例２≫
図５（Ａ）に示す配向膜基板と異なる点についてのみ説明する。
【０１３３】
図５（Ａ）に示す配向膜基板のＰＺＴ膜３３上に、図４（Ａ）に示す配向膜基板と同様の方法で、ＰＺＴ膜を形成する。または、図５（Ａ）に示す配向膜基板のＰＺＴ膜３３に代えて、第１の導電膜３６上に、図４（Ａ）に示す配向膜基板と同様の方法で、ＰＺＴ膜を形成する。
【０１３４】
≪配向膜基板の製造方法の変形例３≫
図５（Ｂ）に示す配向膜基板と異なる点についてのみ説明する。
【０１３５】
図５（Ｂ）に示す配向膜基板のＰＺＴ膜３３上に、図４（Ｂ）に示す配向膜基板と同様の方法で、ＰＺＴ膜を形成する。または、図５（Ｂ）に示す配向膜基板のＰＺＴ膜３３に代えて、第２のバッファ層３５上に、図４（Ｂ）に示す配向膜基板と同様の方法で、ＰＺＴ膜を形成する。
【０１３６】
（第３の実施形態）
≪製造装置≫
図９は、本発明の一態様に係るマルチチャンバー装置を模式的に示す平面図であり、図１と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【０１３７】
図９のマルチチャンバー装置は、ＹＳＺスパッタ室４を有してなく、その代わりに、ＺｒＯ２スパッタ室３４と、Ｙ２Ｏ３スパッタ室３５を有する点が異なる。
【０１３８】
ＺｒＯ２スパッタ室３４は、Ｓｉウエハ２３上にＺｒＯ２膜を反応性スパッタリングによって成膜するものであり、ゲートバルブ５１を介して搬送室２に接続されている。ＺｒＯ２スパッタ室３４は第１のチャンバーを有しており、マルチチャンバー装置は第１のチャンバーを有する第１のスパッタリング装置（図２参照）を有している。搬送ロボット３によってＳｉウエハ２３をロードロック室１内から搬送室２を通ってＺｒＯ２スパッタ室３４の第１のチャンバーに搬送するようになっている。
【０１３９】
Ｙ２Ｏ３スパッタ室３５は、Ｓｉウエハ２３上にＹ２Ｏ３膜をスパッタリングによって成膜するものであり、ゲートバルブ５１を介して搬送室２に接続されている。スパッタ室３５は、第１のチャンバーを有する第１のスパッタリング装置（図２参照）を有している。搬送ロボット３によってＳｉウエハ２３をＺｒＯ２スパッタ室３４の第１のチャンバー内から搬送室２を通ってＹ２Ｏ３スパッタ室３５の第１のチャンバー内に搬送するようになっている。
【０１４０】
≪配向膜基板の製造方法≫
図１０（Ａ）は、本発明の一態様に係る配向膜基板を示す断面図であり、図４（Ａ）の配向膜基板と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。図１０（Ａ）の配向膜基板は、図９に示すマルチチャンバー装置を用いて作製される。
【０１４１】
（１００）の結晶面を有するＳｉ基板２３を用意し、Ｓｉ基板２３をＺｒＯ２スパッタ室３４の第１のチャンバー２１に導入し、保持機構２２にＳｉ基板２３を保持する（図２参照）。このＳｉ基板２３の（１００）の結晶面上には、ＳｉＯ２膜やＴｉＯ２膜などの酸化膜が形成されていてもよい。第１のチャンバー２１を真空ポンプＰによって真空排気し、放電ガス導入機構１３によって放電ガスとしてＡｒガスを第２の空間５３に導入し、反応ガス導入機構１４によって反応ガスとして酸素ガスを第１の空間５２に導入する。放電ガス及び反応ガスの導入と排気のバランスによって第１のチャンバー２１内を所定の圧力にする。詳細には、第２の空間５３がグリッド電極２９の貫通孔２９ａを通しても真空排気されるため、第２の空間５３より第１の空間５２の方が高真空となる。
【０１４２】
また、モーターＭによってロータリーマグネット２７を回転させ、Ｚｒからなるスパッタリングターゲット２６に高周波電力を印加し、この高周波電力の周波数より低い周波数の高周波電力をグリッド電極２９に印加する。フィラメント１１に交流を印加し、ランプヒーター２４によってランプ光をＳｉ基板２３の裏面に照射してＳｉ基板２３を８００℃に加熱する。このようにして第２の空間５３にプラズマを発生させ、スパッタ粒子を生成する。そのスパッタ粒子はグリッド電極２９の貫通孔２９ａを通過する。その際にイオン化されていたスパッタ粒子は中和されるが、一部中和されずにイオン化されたままのスパッタ粒子はフィラメント１１から発生する熱電子によって中和される。そして、イオン化されていないスパッタ粒子（Ｚｒ粒子）が８００℃に加熱されたＳｉ基板２３の（１００）の結晶面上で酸素と反応して酸化物となって堆積される。これにより、Ｓｉ基板２３上にエピタキシャル成長によるＺｒＯ２膜３１ａが形成される（図１０（Ａ）参照）。
【０１４３】
次に、搬送ロボット３によってＳｉウエハ２３をＺｒＯ２スパッタ室３４の第１のチャンバー内から搬送室２を通ってＹ２Ｏ３スパッタ室３５の第１のチャンバー内に搬送する（図９参照）。
【０１４４】
Ｓｉ基板２３をＹ２Ｏ３スパッタ室３５の第１のチャンバー２１に導入し、保持機構２２にＳｉ基板２３を保持する（図２参照）。このＳｉ基板２３のＺｒＯ２膜３１ａ上には、ＳｉＯ２膜やＴｉＯ２膜などの酸化膜が形成されていてもよい。第１のチャンバー２１を真空ポンプＰによって真空排気し、放電ガス導入機構１３によって放電ガスとしてＡｒガスを第２の空間５３に導入し、反応ガス導入機構１４によって反応ガスとして酸素ガスを第１の空間５２に導入する。放電ガス及び反応ガスの導入と排気のバランスによって第１のチャンバー２１内を所定の圧力にする。詳細には、第２の空間５３がグリッド電極２９の貫通孔２９ａを通しても真空排気されるため、第２の空間５３より第１の空間５２の方が高真空となる。
【０１４５】
また、モーターＭによってロータリーマグネット２７を回転させ、Ｚｒからなるスパッタリングターゲット２６に高周波電力を印加し、この高周波電力の周波数より低い周波数の高周波電力をグリッド電極２９に印加する。フィラメント１１に交流を印加し、ランプヒーター２４によってランプ光をＳｉ基板２３の裏面に照射してＳｉ基板２３を８００℃に加熱する。このようにして第２の空間５３にプラズマを発生させ、スパッタ粒子を生成する。そのスパッタ粒子はグリッド電極２９の貫通孔２９ａを通過する。その際にイオン化されていたスパッタ粒子は中和されるが、一部中和されずにイオン化されたままのスパッタ粒子はフィラメント１１から発生する熱電子によって中和される。そして、イオン化されていないスパッタ粒子（Ｙ粒子）が８００℃に加熱されたＳｉ基板２３の（１００）の結晶面上で酸素と反応して酸化物となって堆積される。これにより、Ｓｉ基板２３上にエピタキシャル成長によるＹ２Ｏ３膜３１ｂが形成される（図１０（Ａ）参照）。ＺｒＯ２膜３１ａとＹ２Ｏ３膜３１ｂを積層した積層膜はＳｉ基板２３の（１００）の結晶面と同様に（１００）に配向している。
【０１４６】
次に、図４（Ａ）に示す配向膜基板と同様の方法により、第３のチャンバー内でスパッタリングによりＺｒＯ２膜３１ａとＹ２Ｏ３膜３１ｂを積層した積層膜上にエピタキシャル成長による格子定数ｄを有する物質を含む第１の導電膜３６を形成する。
【０１４７】
次に、図４（Ａ）に示す配向膜基板と同様の方法により、第４のチャンバー内でスパッタリングによって第１の導電膜３６上にエピタキシャル成長によるＰＺＴ膜３３を形成する。
【０１４８】
本実施形態においても第１の実施形態と同様の効果を奏する。
【０１４９】
なお、本実施形態では、図３（Ａ）に示す第１のスパッタリング装置を用いてＺｒＯ２膜３１ａとＹ２Ｏ３膜３１ｂの積層膜を成膜しているが、第１のスパッタリング装置の変形例である図３（Ｄ）に示すＥＢ型蒸着装置を用いてＺｒＯ２膜３１ａとＹ２Ｏ３膜３１ｂの積層膜を成膜してもよい。詳細には、基板ホルダー４４にＳｉ基板２３を設置し、基板ホルダー４４を回転機構４９により回転させる。次いで、成膜チャンバー４１内に反応ガス供給機構により酸素ガスを供給し、成膜チャンバー４１内を排気ポンプ系により真空引きを行い、成膜チャンバー４１の内部圧力を所定圧力に到達させる。次いで、加熱ヒータ４７を点灯させ、基板温度を８００℃まで上昇させ、この温度にＳｉ基板２３を維持する。蒸着源４３のＺｒを含有する蒸発材料に電子銃４２により電子ビームを照射して加熱し、蒸発材料を蒸発させ、酸素ガスと反応させてＺｒＯ２膜３１ａをＳｉ基板２３上に成膜する。
【０１５０】
次いで、基板ホルダー４４にＳｉ基板２３を設置し、基板ホルダー４４を回転機構４９により回転させる。次いで、成膜チャンバー４１内に反応ガス供給機構により酸素ガスを供給し、成膜チャンバー４１内を排気ポンプ系により真空引きを行い、成膜チャンバー４１の内部圧力を所定圧力に到達させる。次いで、加熱ヒータ４７を点灯させ、基板温度を８００℃まで上昇させ、この温度にＳｉ基板２３を維持する。蒸着源４３のＺｒを含有する蒸発材料に電子銃４２により電子ビームを照射して加熱し、蒸発材料を蒸発させ、酸素ガスと反応させてＹ２Ｏ３膜３１ｂをＺｒＯ２膜３１ａ上に成膜する。このようにしてＺｒＯ２膜３１ａとＹ２Ｏ３膜３１ｂの積層膜がＳｉ基板２３上に成膜される。
【０１５１】
≪配向膜基板の製造方法の変形例１≫
図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）に示す配向膜基板の変形例１であり、図４（Ｂ）と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【０１５２】
図１０（Ａ）に示す配向膜基板と同様の方法で、Ｓｉ基板２３上にＺｒＯ２膜３１ａを形成し、ＺｒＯ２膜３１ａ上にＹ２Ｏ３膜３１ｂを形成する。
【０１５３】
次に、スパッタリングによりＹ２Ｏ３膜３１ｂ上にエピタキシャル成長によるペロブスカイト構造物質を含む第１のバッファ層３４を形成する。第１のバッファ層３４は、ＺｒＯ２膜３１ａとＹ２Ｏ３膜３１ｂを積層した積層膜と同様に（１００）に配向している。
【０１５４】
≪配向膜基板の製造方法の変形例２≫
図１１（Ａ）は、図１０（Ａ）に示す配向膜基板の変形例２であり、図１０（Ａ）と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【０１５５】
本変形例は、図１０（Ａ）の配向膜基板のＺｒＯ２膜３１ａとＹ２Ｏ３膜３１ｂを積層した積層膜と第１の導電膜３６の間に第２の導電膜３２を形成する点が異なる。
【０１５６】
第２の導電膜３２は、図５（Ａ）の配向膜基板の第２の導電膜３２と同様の方法で形成される。
【０１５７】
本変形例においても図５（Ａ）の配向膜基板と同様の効果を奏する。
【０１５８】
≪配向膜基板の製造方法の変形例３≫
図１１（Ｂ）は、図１０（Ｂ）に示す配向膜基板の変形例３であり、図１０（Ｂ）と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【０１５９】
本変形例は、図１０（Ｂ）の配向膜基板の第１のバッファ層３４と第１の導電膜３６の間に第２の導電膜３２を形成する点が異なる。
【０１６０】
第２の導電膜３２は、図５（Ｂ）の配向膜基板の第２の導電膜３２と同様の方法で形成される。
【０１６１】
本変形例においても図５（Ｂ）の配向膜基板と同様の効果を奏する。
【０１６２】
なお、上述した実施形態を適宜組合せて実施してもよい。
【実施例】
【０１６３】
実施例によるＮｉ下部電極のＰＺＴ強誘電体膜は以下の要領により作製した。
表面に約０．３μｍの酸化シリコン絶縁膜が形成されたＳｉウエハを基板とした。この基板上に、ＲＦスパッタリング方法により、Ｔｉ膜を１５ｎｍ成膜した。
【０１６４】
Ｔｉ膜の成膜条件は、２×１０−１ＰａのＡｒガス圧、０．１２ｋＷの電源出力、５分の成膜時間であった。スパッタリング時の基板温度は２００℃とした。
【０１６５】
次いで、Ｔｉ膜を酸化してＴｉＯＸ膜にした後、無電解Ｎｉめっき法により、ＴｉＯＸ膜上にＮｉ下部電極を形成した。詳細には、下記の組成を有する無電解Ｎｉめっき浴を用いて無電解Ｎｉめっきを行うことにより、厚さ２００ｎｍのＮｉ・Ｂ合金めっき膜を形成した。
【０１６６】
めっき浴組成は、硫酸ニッケル２５ｇ／リットル、ホウ酸３０ｇ／リットル、クエン酸２０ｇ／リットル、酢酸ナトリウム１３ｇ／リットル、グリシン５ｇ／リットル、チオ尿素３ｍｇ／リットルであり、ｐＨ６．０であった。
【０１６７】
引き続き、Ｎｉ下部電極上にスピンコート法によりＰＺＴ膜を塗布した。前駆体溶液は市販のＰＺＴ（Ｚｒ／Ｔｉ＝５２／４８）溶液を用い、Ｐｂの過剰添加量は２０％のものを用いた。この前駆体溶液をスピンコーター上の真空チャックに固定した基板へ滴下し、スピンコーターの回転により均一に塗布を行った。回転数は５００ｒｐｍで１０秒、２０００ｒｐｍで１０秒、５０００ｒｐｍで１０秒行った。
【０１６８】
その後、ＰＺＴ塗布後の基板をホットプレート上で熱処理を行った。この際の熱処理は乾燥が主な目的であり、乾燥温度は２５０℃で３０秒行い、続けて４５０℃で６０秒行った。
【０１６９】
次に、この膜を焼成炉へ設置し、酸素中で６５０℃、１０分間の酸化熱処理を行い、膜厚２００ｎｍのＰＺＴ単層膜を得た。
【０１７０】
その後、ＰＺＴ単層膜上に厚さ１００ｎｍのＰｔ上部電極を形成した。
【０１７１】
次に、ＰＺＴ単層膜のヒステリシス特性を測定したところ、図１２に示すような曲線が得られた。
【０１７２】
比較例によるＰｔ下部電極のＰＺＴ強誘電体膜は以下の要領により作製した。
表面に約０．３μｍの酸化シリコン絶縁膜が形成されたＳｉウエハを基板とした。この基板上に、ＲＦスパッタリング方法により、Ｔｉ膜を１５ｎｍ成膜し、次いでＰｔ下部電極を１５０ｎｍ成膜した。
【０１７３】
Ｔｉ膜はＰｔ下部電極と酸化シリコン絶縁膜との密着層の役割を果たしている。Ｔｉ膜の成膜条件は、２×１０−１ＰａのＡｒガス圧、０．１２ｋＷの電源出力、５分の成膜時間であった。Ｐｔ下部電極の成膜条件は、ガス圧、電源出力及び成膜時間がＴｉ膜と同じであった。また、スパッタリング時の基板温度は２００℃とした。
【０１７４】
引き続き、Ｐｔ下部電極上にスピンコート法によりＰＺＴ膜を塗布した。前駆体溶液は市販のＰＺＴ（Ｚｒ／Ｔｉ＝５２／４８）溶液を用い、Ｐｂの過剰添加量は２０％のものを用いた。この前駆体溶液をスピンコーター上の真空チャックに固定した基板へ滴下し、スピンコーターの回転により均一に塗布を行った。回転数は５００ｒｐｍで１０秒、２０００ｒｐｍで１０秒、５０００ｒｐｍで１０秒行った。
【０１７５】
その後、ＰＺＴ塗布後の基板をホットプレート上で熱処理を行った。この際の熱処理は乾燥が主な目的であり、乾燥温度は２５０℃で３０秒行い、続けて４５０℃で６０秒行った。
【０１７６】
次に、この膜を焼成炉へ設置し、酸素中で６５０℃、１０分間の酸化熱処理を行い、膜厚２００ｎｍのＰＺＴ単層膜を得た。
【０１７７】
その後、ＰＺＴ単層膜上に厚さ１００ｎｍのＰｔ上部電極を形成した。
【０１７８】
次に、ＰＺＴ単層膜のヒステリシス特性を測定したところ、図１２に示すような曲線が得られた。
【０１７９】
図１２に示すように、実施例のＮｉ下部電極のＰＺＴ強誘電体膜は、比較例のＰｔ下部電極のＰＺＴ強誘電体膜と比較して、角型の良い圧電使用に適したヒステリシスが得られた。
【０１８０】
なお、本実施例では、無電解Ｎｉめっき法により、ＴｉＯＸ膜上にＮｉ下部電極を形成しているが、電解Ｎｉめっき法またはスパッタリング法によりＴｉＯＸ膜上にＮｉ下部電極を形成してもそのＮｉ下部電極のＰＺＴ強誘電体膜は、比較例のＰｔ下部電極のＰＺＴ強誘電体膜と比較して、角型の良い圧電使用に適したヒステリシスが得られると考えられる。
【符号の説明】
【０１８１】
１  ロードロック室
２  搬送室
３  搬送ロボット
４  ＹＳＺスパッタ室
５  磁性を持つ物質のスパッタ室５
６  特定の格子定数を持つ物質のスパッタ室６
７  ＰＺＴスパッタ室
８  ゾルゲルスピンコート式ＰＺＴ製膜装置（誘電体膜成膜装置）
１０  グリッド電源（第２の電源）
１１  フィラメント
１２  フィラメント電源（第３の電源）
１３  放電ガス導入機構
１４  反応ガス導入機構
１５  集光型反射部材（集光リフレクター）
１７，１８  ランプ光がＳｉウエハの下面の外側に漏れる量
２１  第１のチャンバー（プロセスチャンバー）
２２  保持機構
２３  Ｓｉウエハ（Ｓｉ基板）
２４  ランプヒーター
２５  スパッタ電極
２６  スパッタリングターゲット
２７  ロータリーマグネット
２８  スパッタ電源（第１の電源）
２９  グリッド電極
２９ａ  貫通孔
３１  ＹＳＺ膜
３１ａ  ＺｒＯ２膜
３１ｂ  Ｙ２Ｏ３膜
３２  磁性を有する第２の導電膜
３３  ＰＺＴ膜
３４  ペロブスカイト構造物質を含む第１のバッファ層
３５  ペロブスカイト構造物質を含む第２のバッファ層
３６  格子定数ｄを有する物質を含む第１の導電膜
５１  ゲートバルブ
５２  第１の空間
５３  第２の空間
５４  バルブ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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