(57)【要約】【課題】基板処理時における基板周囲の環境の変化を検知することが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供すること。【解決手段】基板を収容可能なチャンバーと、当該チャンバーに収容された基板に対して、金属を含む塗布膜の形成に関する所定の処理を行う処理部と、チャンバー内の気体のうちカルコゲン元素を含む所定気体の濃度を検出する検出部とを備える。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容可能なチャンバーと、
前記チャンバーに収容された前記基板に対して、金属を含む塗布膜の形成に関する所定の処理を行う処理部と、
前記チャンバー内の気体のうちカルコゲン元素を含む所定気体の濃度を検出する検出部と
を備える基板処理装置。
【請求項２】
前記所定の処理は、前記金属及び溶媒を含む液状体を前記基板に塗布する塗布処理、及び、前記液状体が塗布された前記基板を加熱する加熱処理のうち少なくとも一方の処理を含む
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記検出部の検出結果を用いて、前記チャンバー内の雰囲気中における前記所定気体の濃度を調整する調整部
を更に備える請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記調整部は、前記チャンバー内に前記所定気体及び前記カルコゲン元素を含む固体のうち少なくとも一方を供給する供給部を有する
請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記調整部は、前記チャンバー内の前記所定気体を排出する排気部を有する
請求項３又は請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記検出部は、前記排気部の近傍に配置されている
請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記検出部は、前記基板のうち前記液状体が塗布された面に対向して配置されている
請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記検出部は、前記チャンバー内の複数個所に配置されている
請求項１から請求項７のうちいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記所定気体は、硫化水素及びセレン化水素のうち少なくとも一方を含む
請求項１から請求項８のうちいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
基板を収容可能な第一チャンバーと、
前記第一チャンバーに収容された前記基板に対して、金属を含む塗布膜の形成に関する第一処理を行う第一処理部と、
前記第一処理が行われた前記基板を収容可能な第二チャンバーと、
前記第二チャンバーに収容された前記基板に対して、前記塗布膜の形成に関する第二処理を行う第二処理部と、
前記第一チャンバー及び前記第二チャンバーの少なくとも一方のチャンバー内の気体のうちカルコゲン元素を含む所定気体の濃度を検出する検出部と
を備える基板処理装置。
【請求項１１】
前記第一処理は、前記金属及び溶媒を含む液状体を前記基板に塗布する塗布処理を含み、
前記第二処理は、前記液状体が塗布された前記基板を加熱する加熱処理を含む
請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
基板をチャンバーに収容する収容ステップと、
前記チャンバーに収容された前記基板に対して、金属を含む塗布膜の形成に関する所定の処理を行う処理ステップと、
前記処理ステップにおいて、前記チャンバー内の気体のうちカルコゲン元素を含む所定気体の濃度を検出する検出ステップと
を含む基板処理方法。
【請求項１３】
前記所定の処理は、前記金属及び溶媒を含む液状体を前記基板に塗布する塗布処理、及び、前記液状体が塗布された前記基板を加熱する加熱処理のうち少なくとも一方の処理を含む
請求項１２に記載の基板処理方法。
【請求項１４】
前記検出ステップの検出結果を用いて、前記チャンバー内の雰囲気中における前記所定気体の濃度を調整する調整ステップ
を更に含む請求項１２又は請求項１３に記載の基板処理方法。
【請求項１５】
前記調整ステップは、前記チャンバー内に前記所定気体及び前記カルコゲン元素を含む固体を供給する供給ステップを有する
請求項１４に記載の基板処理方法。
【請求項１６】
前記調整ステップは、前記チャンバー内の前記所定気体を排出する排気ステップを有する
請求項１２又は請求項１５に記載の基板処理方法。
【請求項１７】
前記検出ステップは、前記排気部の近傍で前記所定気体の前記濃度を検出することを含む
請求項１６に記載の基板処理方法。
【請求項１８】
前記検出ステップは、前記基板のうち前記液状体が塗布された面に対向する位置で前記所定気体の前記濃度を検出することを含む
請求項１２から請求項１７のうちいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１９】
前記検出ステップは、前記チャンバー内の複数個所で前記所定気体の前記濃度を検出することを含む
請求項１２から請求項１８のうちいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項２０】
前記所定気体は、硫化水素及びセレン化水素のうち少なくとも一方を含む
請求項１２から請求項１９のうちいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項２１】
基板を第一チャンバーに収容する第一収容ステップと、
前記第一チャンバーに収容された前記基板に対して、金属を含む塗布膜の形成に関する第一処理を行う第一処理ステップと、
前記第一処理が行われた前記基板を第二チャンバーに収容する第二収容ステップと、
前記第二チャンバーに収容された前記基板に対して、前記塗布膜の形成に関する第二処理を行う第二処理ステップと、
前記第一処理ステップ及び前記第二処理ステップのうち少なくとも一方において、前記基板が収容されているチャンバー内の気体のうちカルコゲン元素を含む所定気体の濃度を検出する検出ステップと
を含む基板処理方法。
【請求項２２】
前記第一処理は、前記金属及び溶媒を含む液状体を前記基板に塗布する塗布処理を含み、
前記第二処理は、前記液状体が塗布された前記基板を加熱する加熱処理を含む
請求項２１に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｃｕ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｚｎおよびこれらの組合せなどの金属と、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、およびこれらの組合せなどの元素カルコゲンとを含む半導体材料を用いたＣＩＧＳ型太陽電池やＣＺＴＳ型太陽電池は、高い変換効率を有する太陽電池として注目されている（例えば特許文献１〜特許文献３参照）。
【０００３】
例えばＣＺＴＳ型太陽電池は、光吸収層（光電変換層）として、例えばＣｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｅの４種類の半導体材料からなる膜を用いる構成になっている。このような太陽電池の構成として、例えばガラスなどからなる基板上にモリブデンなどからなる裏面電極が設けられ、当該裏面電極の上に上記光吸収層が配置される構成が知られている。
【０００４】
このＣＺＴＳ型太陽電池は、従来型の太陽電池に比べて光吸収層の厚さを薄くすることができるため、曲面への設置や運搬が容易となる。このため、高性能でフレキシブルな太陽電池として、広い分野への応用が期待されている。光吸収層を形成する手法として、従来、例えば蒸着法やスパッタリング法などを用いて形成する手法が知られていた（例えば、特許文献２〜特許文献５参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−３４０４８２号公報
【特許文献２】特開２００５−５１２２４号公報
【特許文献３】特表２００９−５３７９９７号公報
【特許文献４】特開平１−２３１３１３号公報
【特許文献５】特開平１１−２７３７８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
これに対して、本発明者は、光吸収層を形成する手法として、上記半導体材料を液状体で基板上に塗布し、当該基板を加熱することで塗布膜を形成する手法を提案する。光吸収層を上記手法によって形成する場合、以下の課題が挙げられる。
【０００７】
基板を加熱する際の温度や圧力などの加熱条件により、形成された塗布膜の膜質が変化する。膜質の高い塗布膜を形成するには、加熱時における基板周囲の環境を調整することが求められており、そのためには、加熱時における基板周囲の環境の変化を検知することが求められている。なお、この点については、加熱処理に限られず、例えば基板に液状体を塗布する塗布処理など、他の基板処理においても同様に、基板処理時において基板周囲の環境の変化を検知することが求められている。
【０００８】
以上のような事情に鑑み、本発明は、基板処理時における基板周囲の環境の変化を検知することが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第一の態様に係る基板処理装置は、基板を収容可能なチャンバーと、当該チャンバーに収容された基板に対して、金属を含む塗布膜の形成に関する所定の処理を行う処理部と、チャンバー内の気体のうちカルコゲン元素を含む所定気体の濃度を検出する検出部とを備える。
【００１０】
この構成によれば、チャンバー内の気体のうちカルコゲン元素を含む所定気体の濃度を検出する検出部を備えるので、基板の周囲のカルコゲン元素を含む所定気体の濃度の変化を検知することができる。これにより、金属を含む塗布膜の形成に関する所定の処理を基板に対して行う時（基板処理時）に基板の周囲の環境の変化を検知することができる。
【００１１】
上記の基板処理装置において、前記所定の処理は、前記金属及び溶媒を含む液状体を前記基板に塗布する塗布処理、及び、前記液状体が塗布された前記基板を加熱する加熱処理のうち少なくとも一つの処理を含むことが好ましい。
この構成によれば、塗布処理及び加熱処理において、基板の周囲のカルコゲン元素を含む所定気体の濃度の変化を検知することができる。
【００１２】
上記の基板処理装置は、前記検出部の検出結果を用いて、前記チャンバー内の雰囲気中における前記所定気体の濃度を調整する調整部を更に備えることが好ましい。
この構成によれば、調整部により、検出部の検出結果を用いてチャンバー内の雰囲気中における所定気体の濃度を調整することが可能となるため、基板の周囲の環境を調整する能力に優れた基板処理装置が得られる。
【００１３】
上記の基板処理装置において、前記調整部は、前記チャンバー内に前記所定気体及び前記カルコゲン元素を含む固体のうち少なくとも一方を供給する供給部を有することが好ましい。
この構成によれば、調整部がチャンバー内に所定気体及びカルコゲン元素を含む固体のうち少なくとも一方を供給する供給部を有するため、検出結果においてカルコゲン元素を含む所定気体の濃度が所定値よりも低い場合に、当該気体の濃度を高めることができる。
【００１４】
上記の基板処理装置において、前記調整部は、前記チャンバー内の前記所定気体を排出する排気部を有することが好ましい。
この構成によれば、調整部がチャンバー内の所定気体を排出する排気部を有するため、検出結果においてカルコゲン元素を含む所定気体の濃度が所定値よりも高い場合に、当該気体の濃度を低くすることができる。
【００１５】
上記の基板処理装置において、前記検出部は、前記排気部の近傍に配置されていることが好ましい。
この構成によれば、検出部が排気部の近傍に配置されているため、排気部から排気される気体について所定気体の濃度を検出することができる。
【００１６】
上記の基板処理装置において、前記検出部は、前記基板のうち前記液状体が塗布された面に対向して配置されていることが好ましい。
この構成によれば、基板のうち液状体が塗布された面に対向して検出部が配置されているため、基板のうち液状体が塗布された面の周囲を効率的に測定することができる。
【００１７】
上記の基板処理装置において、前記検出部は、前記チャンバー内の複数個所に配置されていることが好ましい。
この構成によれば、チャンバー内の複数個所に検出部が配置されているため、基板の周囲の環境を複数個所の検出部で検出することができる。これにより、基板の周囲の環境についてのより正確な検出結果を得ることができる。
【００１８】
上記の基板処理装置において、前記所定気体は、硫化水素及びセレン化水素のうち少なくとも一方を含むことが好ましい。
この構成によれば、加熱時における基板の周囲の環境として、硫化水素及びセレン化水素のうち少なくとも一方を含む所定気体の濃度を把握することができる。
【００１９】
本発明の第二の態様に係る基板処理装置は、基板を収容可能な第一チャンバーと、前記第一チャンバーに収容された前記基板に対して、金属を含む塗布膜の形成に関する第一処理を行う第一処理部と、前記第一処理が行われた前記基板を収容可能な第二チャンバーと、前記第二チャンバーに収容された前記基板に対して、前記塗布膜の形成に関する第二処理を行う第二処理部と、前記第一チャンバー及び前記第二チャンバーの少なくとも一方のチャンバー内の気体のうちカルコゲン元素を含む所定気体の濃度を検出する検出部とを備える。
【００２０】
この構成によれば、基板に対して第一処理を第一チャンバーで行い、第一処理が行われた後に第二処理を第二チャンバーで行う場合に、第一チャンバー及び第二チャンバーの少なくとも一方のチャンバー内の気体のうちカルコゲン元素を含む所定気体の濃度を検出することができるため、第一処理及び第二処理のうち少なくとも一方の処理時において、基板の周囲の環境の変化を検知することができる。
【００２１】
上記の基板処理装置は、前記第一処理は、前記金属及び溶媒を含む液状体を前記基板に塗布する塗布処理を含み、前記第二処理は、前記液状体が塗布された前記基板を加熱する加熱処理を含むことが好ましい。
この構成によれば、基板に対して塗布処理を行い、その後加熱処理を行う場合、塗布処理時及び加熱処理時の少なくとも一方の処理時において基板の周囲の環境の変化を検知することができる。
【００２２】
本発明の第三の態様に係る基板処理方法は、基板をチャンバーに収容する収容ステップと、前記チャンバーに収容された前記基板に対して、金属を含む塗布膜の形成に関する所定の処理を行う処理ステップと、前記処理ステップにおいて、前記チャンバー内の気体のうちカルコゲン元素を含む所定気体の濃度を検出する検出ステップとを含む。
この構成によれば、チャンバー内の気体のうちカルコゲン元素を含む所定気体の濃度を検出する検出ステップを行うので、基板の周囲のカルコゲン元素を含む所定気体の濃度の変化を検知することができる。これにより、基板に対して金属を含む塗布膜の形成に関する所定の処理を行う処理ステップ時に基板の周囲の環境の変化を検知することができる。
【００２３】
上記の基板処理方法において、前記所定の処理は、前記金属及び溶媒を含む液状体を前記基板に塗布する塗布処理、及び、前記液状体が塗布された前記基板を加熱する加熱処理のうち少なくとも一方の処理を含むことが好ましい。
この構成によれば、塗布処理及び加熱処理において、基板の周囲のカルコゲン元素を含む所定気体の濃度の変化を検知することができる。
【００２４】
上記の基板処理方法は、前記検出ステップの検出結果を用いて、前記チャンバー内の雰囲気中における前記所定気体の濃度を調整する調整ステップを更に含むことが好ましい。
この構成によれば、検出結果を用いて、チャンバー内の雰囲気中における所定気体の濃度を調整するため、基板の周囲の環境が所望の状態に調整されることになる。これにより、基板の周囲の環境を調整する能力に優れた基板処理方法を提供することができる。
【００２５】
上記の基板処理方法において、前記調整ステップは、前記チャンバー内に前記所定気体及び前記カルコゲン元素を含む固体を供給する供給ステップを有することが好ましい。
この構成によれば、チャンバー内に所定気体及びカルコゲン元素を含む固体のうち少なくとも一方を供給するため、検出結果においてカルコゲン元素を含む所定気体の濃度が所定値よりも低い場合に、当該気体の濃度を高めることができる。
【００２６】
上記の基板処理方法において、前記調整ステップは、前記チャンバー内の前記所定気体を排出する排気ステップを有することが好ましい。
この構成によれば、チャンバー内の所定気体を排出するため、検出結果においてカルコゲン元素を含む所定気体の濃度が所定値よりも高い場合に、当該気体の濃度を低くすることができる。
【００２７】
上記の基板処理方法において、前記検出ステップは、前記排気部の近傍で前記所定気体の前記濃度を検出することを含むことが好ましい。
この構成によれば、排気部から排気される気体について所定気体の濃度を検出することができる。
【００２８】
上記の基板処理方法において、前記検出ステップは、前記基板のうち前記液状体が塗布された面に対向する位置で前記所定気体の前記濃度を検出することを含むことが好ましい。
この構成によれば、基板のうち液状体が塗布された面に対向する位置で所定気体の濃度を検出するため、基板のうち液状体が塗布された面の周囲を効率的に測定することができる。
【００２９】
上記の基板処理方法において、前記検出ステップは、前記チャンバー内の複数個所で前記所定気体の前記濃度を検出することを含むことが好ましい。
この構成によれば、チャンバー内の複数個所で所定気体の濃度を検出するため、基板の周囲の環境を複数個所で検出することができる。これにより、基板の周囲の環境についてのより正確な検出結果を得ることができる。
【００３０】
上記の基板処理方法において、前記所定気体は、硫化水素及びセレン化水素のうち少なくとも一方を含むことが好ましい。
この構成によれば、加熱時における基板の周囲の環境として、硫化水素及びセレン化水素のうち少なくとも一方を含む所定気体の濃度を把握することができる。
【００３１】
本発明の第四の態様に係る基板処理方法は、基板を第一チャンバーに収容する第一収容ステップと、前記第一チャンバーに収容された前記基板に対して、金属を含む塗布膜の形成に関する第一処理を行う第一処理ステップと、前記第一処理が行われた前記基板を第二チャンバーに収容する第二収容ステップと、前記第二チャンバーに収容された前記基板に対して、前記塗布膜の形成に関する第二処理を行う第二処理ステップと、前記第一処理ステップ及び前記第二処理ステップのうち少なくとも一方において、前記基板が収容されているチャンバー内の気体のうちカルコゲン元素を含む所定気体の濃度を検出する検出ステップとを含む。
【００３２】
この構成によれば、第一処理ステップ及び第二処理ステップの少なくとも一方において、基板が収容されているチャンバー内の気体のうちカルコゲン元素を含む所定気体の濃度を検出することができるため、第一処理及び第二処理のうち少なくとも一方の処理時において、基板の周囲の環境の変化を検知することができる。
【００３３】
上記の基板処理方法は、前記第一処理は、前記金属及び溶媒を含む液状体を前記基板に塗布する塗布処理を含み、前記第二処理は、前記液状体が塗布された前記基板を加熱する加熱処理を含むことが好ましい。
この構成によれば、塗布処理及び加熱処理において、基板の周囲のカルコゲン元素を含む所定気体の温度の変化を検知することができる。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、基板処理時における基板周囲の環境の変化を検知することが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の実施の形態に係る塗布装置の全体構成を示す図。
【図２】本実施形態に係る塗布装置の全体構成を示す図。
【図３】本実施形態に係るノズルの構成を示す図。
【図４】本実施形態に係るノズルを−Ｚ側から視た構成を示す図。
【図５】本実施形態に係るノズル及びノズル先端管理部の断面形状を示す図。
【図６】本実施形態に係る減圧乾燥部の構成を示す模式図。
【図７】本実施形態に係る加熱チャンバーの構成を示す断面図。
【図８】本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図。
【図９】本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図。
【図１０】本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図。
【図１１】本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図。
【図１２】本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図。
【図１３】本実施形態に係る塗布装置の減圧乾燥処理の過程を示す図。
【図１４】本実施形態に係る塗布装置の減圧乾燥処理の過程を示す図。
【図１５】本実施形態に係る塗布装置の減圧乾燥処理の過程を示す図。
【図１６】本実施形態に係る塗布装置の減圧乾燥処理の過程を示す図。
【図１７】本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図。
【図１８】本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図。
【図１９】本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図。
【図２０】本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図。
【図２１】本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図。
【図２２】変形例に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図。
【図２３】変形例に係る塗布装置の構成を示す図。
【図２４】変形例に係る塗布装置の構成を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
図１、２は、本実施形態に係る塗布装置（基板処理装置）ＣＴＲの構成を示す概略図である。
図１、２示すように、塗布装置ＣＴＲは、基板Ｓに液状体を塗布する装置である。塗布装置ＣＴＲは、基板供給回収部ＬＵ、第一チャンバーＣＢ１、第二チャンバーＣＢ２、接続部ＣＮ及び制御部ＣＯＮＴを有している。第一チャンバーＣＢ１は、塗布部ＣＴを有している。第二チャンバーＣＢ２は、焼成部ＢＫを有している。接続部ＣＮは、減圧乾燥部ＶＤを有している。
【００３７】
塗布装置ＣＴＲは、例えば工場などの床面ＦＬに載置されて用いられる（図２参照）。塗布装置ＣＴＲは、一つの部屋に収容される構成であっても構わないし、複数の部屋に分割して収容される構成であっても構わない。塗布装置ＣＴＲは、基板供給回収部ＬＵ、塗布部ＣＴ、減圧乾燥部ＶＤ及び焼成部ＢＫがこの順で一方向に並んで配置されている。
【００３８】
なお、装置構成について、塗布装置ＣＴＲは、基板供給回収部ＬＵ、塗布部ＣＴ、減圧乾燥部ＶＤ及び焼成部ＢＫがこの順で一方向に並んで配置されることに限られることは無い。例えば、基板供給回収部ＬＵが不図示の基板供給部と不図示の基板回収部に分割されても構わないし、減圧乾燥部ＶＤが省略されても構わない。勿論、一方向に並んで配置されていなくてもよく、不図示のロボットを中心とした上下に積層する配置や、左右に配置する構成でもよい。
【００３９】
以下の各図において、本実施形態に係る塗布装置の構成を説明するにあたり、表記の簡単のため、ＸＹＺ座標系を用いて図中の方向を説明する。当該ＸＹＺ座標系においては、床面に平行な平面をＸＹ平面とする。このＸＹ平面において塗布装置ＣＴＲの各構成要素（基板供給回収部ＬＵ、塗布部ＣＴ、減圧乾燥部ＶＤ及び焼成部ＢＫ）が並べられた方向をＸ方向と表記し、ＸＹ平面上でＸ方向に直交する方向をＹ方向と表記する。ＸＹ平面に垂直な方向はＺ方向と表記する。Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向のそれぞれは、図中の矢印の方向が＋方向であり、矢印の方向とは反対の方向が−方向であるものとして説明する。
【００４０】
本実施形態では、基板Ｓとして、例えばガラスや樹脂などからなる板状部材を用いている。本実施形態では更に、基板Ｓ上に裏面電極としてスパッタにてモリブデンを形成している。勿論、裏面電極として、他の導電性物質を用いる構成としても構わない。基板Ｓとして、Ｚ方向視における寸法が３３０ｍｍ×３３０ｍｍの基板を例に挙げて説明する。なお、基板Ｓの寸法については、上記のような３３０ｍｍ×３３０ｍｍの基板に限られることは無い。例えば、基板Ｓとして、寸法が１２５ｍｍ×１２５ｍｍの基板を用いても構わないし、寸法が１ｍ×１ｍの基板を用いても構わない。勿論、上記寸法よりも大きい寸法の基板や小さい寸法の基板を適宜用いることができる。
【００４１】
本実施形態では、基板Ｓに塗布する液状体として、例えば所定の溶媒に、銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、セレン（Ｓｅ）または銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、スズ（Ｓｎ）、セレン（Ｓｅ）といった金属を含有する液状組成物を用いている。この液状組成物は、ＣＩＧＳまたはＣＺＴＳ型太陽電池の光吸収層（光電変換層）を構成する金属材料を含んでいる。
【００４２】
本実施形態では、この液状組成物は、ＣＩＧＳまたはＣＺＴＳ太陽電池の光吸収層のグレインサイズを確保するための物質を含んでいる。勿論、液状体として、他の金属、たとえば金属ナノ粒子を分散させた液状体を用いる構成としても構わない。
【００４３】
（基板供給回収部）
基板供給回収部ＬＵは、塗布部ＣＴに対して未処理の基板Ｓを供給すると共に、塗布部ＣＴからの処理済の基板Ｓを回収する。基板供給回収部ＬＵは、チャンバー１０を有している。チャンバー１０は、直方体の箱状に形成されている。チャンバー１０の内部には、基板Ｓを収容可能な収容室１０ａが形成されている。チャンバー１０は、第一開口部１１、第二開口部１２及び蓋部１４を有している。第一開口部１１及び第二開口部１２は、収容室１０ａとチャンバー１０の外部とを連通する。
【００４４】
第一開口部１１は、チャンバー１０の＋Ｚ側の面に形成されている。第一開口部１１は、Ｚ方向視で基板Ｓの寸法よりも大きく形成されている。チャンバー１０の外部に取り出される基板Ｓや、収容室１０ａへ収容される基板Ｓは、第一開口部１１を介して基板供給回収部ＬＵに出し入れされる。
【００４５】
第二開口部１２は、チャンバー１０の＋Ｘ側の面に形成されている。第二開口部１２は、Ｘ方向視で基板Ｓの寸法よりも大きく形成されている。塗布部ＣＴへ供給される基板Ｓや塗布部ＣＴから戻される基板Ｓは、第二開口部１２を介して基板供給回収部ＬＵに出し入れされる。
【００４６】
蓋部１４は、第一開口部１１を開放又は閉塞させる。蓋部１４は、矩形の板状に形成されている。蓋部１４は、不図示のヒンジ部を介して第一開口部１１の＋Ｘ側の辺に取り付けられている。このため、蓋部１４は、第一開口部１１の＋Ｘ側の辺を中心としてＹ軸周りに回動する。第一開口部１１は、蓋部１４をＹ軸周りに回動させることで開閉可能となっている。
【００４７】
収容室１０ａには、基板搬送部１５が設けられている。基板搬送部１５は、複数のローラー１７を有している。ローラー１７は、Ｙ方向に一対配置されており、当該一対のローラー１７がＸ方向に複数並んでいる。
【００４８】
各ローラー１７は、Ｙ軸方向を中心軸方向としてＹ軸周りに回転可能に設けられている。複数のローラー１７は、それぞれ等しい径となるように形成されており、複数のローラー１７の＋Ｚ側の端部はＸＹ平面に平行な同一平面上に配置されている。このため、複数のローラー１７は、基板ＳがＸＹ平面に平行な姿勢になるように当該基板Ｓを支持可能である。
【００４９】
各ローラー１７は、例えば不図示のローラー回転制御部によって回転が制御されるようになっている。基板搬送部１５は、複数のローラー１７が基板Ｓを支持した状態で各ローラー１７をＹ軸周りに時計回り又は反時計回りに回転させることにより、基板ＳをＸ方向（＋Ｘ方向又は−Ｘ方向）に搬送する。基板搬送部１５としては、基板を浮上させて搬送する不図示の浮上搬送部を用いても構わない。
【００５０】
（第一チャンバー）
第一チャンバーＣＢ１は、床面ＦＬに載置された基台ＢＣ上に配置されている（図２参照）。第一チャンバーＣＢ１は、直方体の箱状に形成されている。第一チャンバーＣＢ１の内部には、処理室２０ａが形成されている。塗布部ＣＴは、処理室２０ａに設けられている。塗布部ＣＴは、基板Ｓに対して液状体の塗布処理を行う。
【００５１】
第一チャンバーＣＢ１は、第一開口部２１及び第二開口部２２を有している。第一開口部２１及び第二開口部２２は、処理室２０ａと第一チャンバーＣＢ１の外部とを連通する。第一開口部２１は、第一チャンバーＣＢ１の−Ｘ側の面に形成されている。第二開口部２２は、第一チャンバーＣＢ１の＋Ｘ側の面に形成されている。第一開口部２１及び第二開口部２２は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。基板Ｓは、第一開口部２１及び第二開口部２２を介して第一チャンバーＣＢ１に出し入れされる。
【００５２】
塗布部ＣＴは、吐出部３１、メンテナンス部３２、液状体供給部３３、洗浄液供給部３４、廃液貯留部３５、気体供給排出部３７及び基板搬送部２５を有する（図１参照）。
【００５３】
吐出部３１は、ノズルＮＺ、処理ステージ２８及びノズル駆動部ＮＡを有している（図１参照）。
図３は、ノズルＮＺの構成を示す図である。
図３に示すように、ノズルＮＺは、長尺状に形成されており、長手方向がＸ方向に平行になるように配置されている。ノズルＮＺは、本体部ＮＺａ及び突出部ＮＺｂを有している。本体部ＮＺａは、内部に液状体を収容可能な筐体である。本体部ＮＺａは、例えばチタン又はチタン合金を含んだ材料を用いて形成されている。突出部ＮＺｂは、本体部ＮＺａに対して＋Ｘ側及び−Ｘ側にそれぞれ突出して形成されている。突出部ＮＺｂは、ノズル駆動部ＮＡ（図１参照）の一部に保持される。
【００５４】
図４は、−Ｚ側からノズルＮＺを見たときの構成を示している。
図４に示すように、ノズルＮＺは、本体部ＮＺａの−Ｚ側の端部（先端ＴＰ）に吐出口ＯＰを有している。吐出口ＯＰは、液状体が吐出される開口部である。吐出口ＯＰは、Ｘ方向に長手となるようにスリット状に形成されている。吐出口ＯＰは、例えば長手方向が基板ＳのＸ方向の寸法とほぼ同一となるように形成されている。
【００５５】
ノズルＮＺは、例えば上記のＣｕ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅの４種類の金属が所定の組成比で混合された液状体を吐出する。ノズルＮＺは、接続配管（不図示）などを介して、それぞれ液状体供給部３３（図１参照）に接続されている。ノズルＮＺは、内部に液状体を保持する保持部を有している。なお、上記保持部に保持された液状体の温度を調整する温調部が配置されていても構わない。
【００５６】
図１及び図２に戻って、処理ステージ２８は、塗布処理の対象となる基板Ｓを載置する。処理ステージ２８の＋Ｚ側の面は、基板Ｓを載置する基板載置面となっている。当該基板載置面は、ＸＹ平面に平行に形成されている。処理ステージ２８は、例えばステンレスなどを用いて形成されている。
【００５７】
図１に示したノズル駆動部ＮＡは、ノズルＮＺをＸ方向に移動させる。ノズル駆動部ＮＡは、リニアモータ機構を構成する固定子４０及び可動子４１を有している。なお、ノズル駆動部ＮＡとしては、例えばボールスクリュー機構など、他の駆動機構が用いられた構成であっても構わない。固定子４０は、Ｙ方向に延在されている。固定子４０は、支持フレーム３８に支持されている。支持フレーム３８は、第一フレーム３８ａ及び第二フレーム３８ｂを有している。第一フレーム３８ａは、処理室２０ａの−Ｙ側端部に配置されている。第二フレーム３８ｂは、処理室２０ａのうち第一フレーム３８ａとの間で処理ステージ２８を挟む位置に配置されている。
【００５８】
図２に示すように可動子４１は、固定子４０の延在方向（Ｙ方向）に沿って移動可能である。可動子４１は、ノズル支持部材４２及び昇降部４３を有する。ノズル支持部材４２は、門型に形成されており、ノズルＮＺの突出部ＮＺｂを保持する保持部４２ａを有している。ノズル支持部材４２は、昇降部４３と共に固定子４０に沿って第一フレーム３８ａと第二フレーム３８ｂとの間をＹ方向に一体的に移動する。このため、ノズル支持部材４２に保持されるノズルＮＺは、処理ステージ２８をＹ方向に跨いで移動する。ノズル支持部材４２は、昇降部４３の昇降ガイド４３ａに沿ってＺ方向に移動する。可動子４１は、ノズル支持部材４２をＹ方向及びＺ方向に移動させる不図示の駆動源を有している。
【００５９】
図１に示したメンテナンス部３２は、ノズルＮＺのメンテナンスを行う部分である。メンテナンス部３２は、ノズル待機部４４及びノズル先端管理部４５を有している。
ノズル待機部４４は、ノズルＮＺの先端ＴＰ（図４参照）が乾燥しないように当該先端ＴＰをディップさせる不図示のディップ部と、ノズルＮＺを交換する場合やノズルＮＺに供給する液状体を交換する場合にノズルＮＺ内に保持された液状体を排出する不図示の排出部とを有している。
【００６０】
ノズル先端管理部４５は、ノズルＮＺの先端ＴＰ及びその近傍を洗浄したり、ノズルＮＺの吐出口ＯＰから予備的に吐出したりすることで、ノズル先端のコンディションを整える部分である。ノズル先端管理部４５は、ノズルＮＺの先端ＴＰを払拭する払拭部４５ａと、当該払拭部４５ａを案内するガイドレール４５ｂと、を有している。ノズル先端管理部４５には、ノズルＮＺから排出された液状体や、ノズルＮＺの洗浄に用いられた洗浄液などを収容する廃液収容部３５ａが設けられている。
【００６１】
図５は、ノズルＮＺ及びノズル先端管理部４５の断面形状を示す図である。図５に示すように、払拭部４５ａは、断面視においてノズルＮＺの先端ＴＰ及び先端ＴＰ側の斜面の一部を覆う形状に形成されている。
【００６２】
ガイドレール４５ｂ（図１参照）は、ノズルＮＺの吐出口ＯＰをカバーするようにＸ方向に延びている。払拭部４５ａは、不図示の駆動源などにより、ガイドレール４５ｂに沿ってＸ方向に移動可能に設けられている。払拭部４５ａがノズルＮＺの先端ＴＰに接触した状態でＸ方向に移動することで、先端ＴＰが払拭されることになる。
【００６３】
図１に戻って、液状体供給部３３は、第一液状体収容部３３ａ及び第二液状体収容部３３ｂを有している。第一液状体収容部３３ａ及び第二液状体収容部３３ｂには、基板Ｓに塗布する液状体が収容される。また、第一液状体収容部３３ａ及び第二液状体収容部３３ｂは、それぞれ異なる種類の液状体を収容可能である。
【００６４】
洗浄液供給部３４は、塗布部ＣＴの各部、具体的にはノズルＮＺの内部やノズル先端管理部４５などを洗浄する洗浄液が収容されている。洗浄液供給部３４は、不図示の配管やポンプなどを介して、これらノズルＮＺの内部やノズル先端管理部４５などに接続されている。
【００６５】
廃液貯留部３５は、ノズルＮＺから吐出された液体のうち再利用しない分を回収する。なお、ノズル先端管理部４５のうち、予備吐出を行う部分と、ノズルＮＺの先端ＴＰを洗浄する部分とが別々に設けられた構成であっても構わない。また、ノズル待機部４４において予備吐出を行う構成であっても構わない。
【００６６】
気体供給排出部３７は、気体供給部３７ａ及び排気部３７ｂを有している。気体供給部３７ａは、処理室２０ａに窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスを供給する。排気部３７ｂは、処理室２０ａを吸引し、処理室２０ａの気体を第一チャンバーＣＢ１の外部に排出する。
【００６７】
基板搬送部２５は、処理室２０ａにおいて基板Ｓを搬送する。基板搬送部２５は、複数のローラー２７を有している。ローラー２７は、処理室２０ａのＹ方向の中央部をＸ方向に横切るように二列に配置されている。各列に配置されるローラー２７は、それぞれ基板Ｓの＋Ｙ側端辺及び−Ｙ側端辺を支持する。
【００６８】
基板Ｓを支持した状態で各ローラー２７をＹ軸周りに時計回り又は反時計回りに回転させることにより、各ローラー２７によって支持される基板ＳがＸ方向（＋Ｘ方向又は−Ｘ方向）に搬送される。なお、基板を浮上させて搬送する不図示の浮上搬送部を用いても構わない。
【００６９】
（接続部）
接続部ＣＮは、第一チャンバーＣＢ１と第二チャンバーＣＢ２とを接続する。基板Ｓは、接続部ＣＮを経由して、第一チャンバーＣＢ１と第二チャンバーＣＢ２との間を移動するようになっている。接続部ＣＮは、第三チャンバーＣＢ３を有している。第三チャンバーＣＢ３は、直方体の箱状に形成されている。第三チャンバーＣＢ３の内部には、処理室５０ａが形成されている。本実施形態では、処理室５０ａには、減圧乾燥部ＶＤが設けられている。減圧乾燥部ＶＤは、基板Ｓ上に塗布された液状体を乾燥させる。第三チャンバーＣＢ３には、ゲートバルブＶ２及びＶ３が設けられている。
【００７０】
第三チャンバーＣＢ３は、第一開口部５１及び第二開口部５２を有している。第一開口部５１及び第二開口部５２は、処理室５０ａと第三チャンバーＣＢ３の外部とを連通する。第一開口部５１は、第三チャンバーＣＢ３の−Ｘ側の面に形成されている。第二開口部５２は、第三チャンバーＣＢ３の＋Ｘ側の面に形成されている。第一開口部５１及び第二開口部５２は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。基板Ｓは、第一開口部５１及び第二開口部５２を介して第三チャンバーＣＢ３に出し入れされる。
【００７１】
図６は、減圧乾燥部ＶＤの構成を示す模式図である。
図６に示すように、減圧乾燥部ＶＤは、基板搬送部５５及び気体供給部５８、排気部５９及び加熱部５３を有している。
基板搬送部５５は、複数のローラー５７を有している。ローラー５７は、Ｙ方向に一対配置されており、当該一対のローラー５７がＸ方向に複数並んでいる。複数のローラー５７は、第一開口部５１を介して処理室５０ａに配置された基板Ｓを支持する。
【００７２】
基板Ｓを支持した状態で各ローラー５７をＹ軸周りに時計回り又は反時計回りに回転させることにより、各ローラー５７によって支持される基板ＳがＸ方向（＋Ｘ方向又は−Ｘ方向）に搬送される。なお、基板を浮上させて搬送する不図示の浮上搬送部を用いても構わない。
【００７３】
気体供給部５８は、処理室５０ａに窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスを供給する。気体供給部５８は、第一供給部５８ａ及び第二供給部５８ｂを有している。第一供給部５８ａ及び第二供給部５８ｂは、ガスボンベやガス管などのガス供給源５８ｃに接続されている。処理室５０ａへのガスの供給は主として第一供給部５８ａを用いて行われる。第二供給部５８ｂは、第一供給部５８ａによる気体の供給量を微調整する。
【００７４】
排気部５９は、処理室５０ａを吸引し当該処理室５０ａの気体を第三チャンバーＣＢ３の外部に排出して、処理室５０ａを減圧させる。処理室５０ａを減圧させることにより、基板Ｓの液状体に含まれる溶媒の蒸発を促進させ、液状体を乾燥させる。排気部５９は、第一吸引部５９ａ及び第二吸引部５９ｂを有している。第一吸引部５９ａ及び第二吸引部５９ｂは、ポンプなどの吸引源５９ｃ及び５９ｄに接続されている。処理室５０ａからの吸引は主として第一吸引部５９ａを用いて行われる。第二吸引部５９ｂは、第一吸引部５９ａによる吸引量を微調整する。
【００７５】
加熱部５３は、処理室５０ａに配置された基板Ｓ上の液状体を加熱する。加熱部５３としては、例えば赤外線装置やホットプレートなどが用いられる。加熱部５３の温度は、例えば室温〜１００℃程度に調整可能である。加熱部５３を用いることにより、基板Ｓ上の液状体に含まれる溶媒の蒸発を促進させ、減圧下での乾燥処理をサポートする。
【００７６】
加熱部５３は、昇降機構（移動部）５３ａに接続されている。昇降機構５３ａは、加熱部５３をＺ方向に移動させる。昇降機構５３ａとしては、例えばモーター機構やエアシリンダ機構などが用いられている。昇降機構５３ａにより加熱部５３をＺ方向に移動させることにより、加熱部５３と基板Ｓとの間の距離を調整できるようになっている。昇降機構５３ａによる加熱部５３の移動量や移動のタイミングなどは、制御部ＣＯＮＴによって制御されるようになっている。
【００７７】
（第二チャンバー）
図１、２に戻って、第二チャンバーＣＢ２は、床面ＦＬ（図２参照）に載置された基台ＢＢ上に配置されている。第二チャンバーＣＢ２は、直方体の箱状に形成されている。第二チャンバーＣＢ２の内部には、処理室６０ａが形成されている。焼成部ＢＫは、処理室６０ａに設けられている。焼成部ＢＫは、基板Ｓ上に塗布された塗布膜を焼成する。
【００７８】
第二チャンバーＣＢ２は、開口部６１を有している。開口部６１は、処理室６０ａと第二チャンバーＣＢ２の外部とを連通する。開口部６１は、第二チャンバーＣＢ２の−Ｘ側の面に形成されている。開口部６１は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。基板Ｓは、開口部６１を介して第二チャンバーＣＢ２に出し入れされる。
【００７９】
焼成部ＢＫは、基板搬送部６５及び気体供給部（不図示）、排気部（不図示）及び加熱チャンバー７０を有している。
基板搬送部６５は、複数のローラー６７と、アーム部７１とを有している。ローラー６７は、Ｙ方向に一対配置されており、当該一対のローラー６７がＸ方向に複数並んでいる。複数のローラー６７は、開口部６１を介して処理室６０ａに配置された基板Ｓを支持する。
【００８０】
基板Ｓを支持した状態で各ローラー６７をＹ軸周りに時計回り又は反時計回りに回転させることにより、各ローラー６７によって支持される基板ＳがＸ方向（＋Ｘ方向又は−Ｘ方向）に搬送される。なお、基板を浮上させて搬送する不図示の浮上搬送部を用いても構わない。
【００８１】
アーム部７１は、架台７４上に配置されており、複数のローラー６７と加熱チャンバー７０との間で基板Ｓの受け渡しを行う。アーム部７１は、搬送アーム７２及びアーム駆動部７３を有している。搬送アーム７２は、基板支持部７２ａ及び移動部７２ｂを有している。基板支持部７２ａは、基板Ｓの＋Ｙ側及び−Ｙ側の辺を支持する。移動部７２ｂは、基板支持部７２ａに連結されており、Ｘ方向に移動可能であり、かつθＺ方向に回動可能である。
【００８２】
アーム駆動部７３は、移動部７２ｂをＸ方向又はθＺ方向に駆動する。アーム駆動部７３によって移動部７２ｂを＋Ｘ方向に移動させた場合には、基板支持部７２ａが加熱チャンバー７０内に挿入されると共に、基板Ｓが加熱チャンバー７０のＺ方向視中央部に配置されるようになっている。
【００８３】
図７は、加熱チャンバー７０の構成を示す断面図である。
加熱チャンバー７０は、架台７４（図１、２参照）上に配置されており、図７に示すように、第一収容部８１、第二収容部８２、第一加熱板８３、第二加熱板８４、リフト部８５、封止部８６、気体供給部８７及び排気部８８を有している。
第一収容部８１は、Ｚ方向視において矩形の枡状に形成されており、開口部が＋Ｚ側を向くように第二チャンバーＣＢ２（図１、２参照）の底部に載置されている。第二収容部８２は、Ｚ方向視において矩形の枡状に形成されており、開口部が第一収容部８１に対向するように配置されている。第二収容部８２は、不図示の昇降機構を用いてＺ方向に移動可能である。第二収容部８２の縁部８２ａを第一収容部８１の縁部８１ａに重ねることにより、当該第一収容部８１及び第二収容部８２の内部が密閉される。この場合、第一収容部８１、第二収容部８２及び封止部８６によって密閉された焼成室８０が形成される。
【００８４】
第一加熱板８３は、第一収容部８１に収容されている。第一加熱板８３は、基板Ｓを載置させた状態で当該基板Ｓを加熱する。第一加熱板８３は、例えば石英などを用いて形成されており、内部には赤外線装置やホットプレートなどの加熱装置が設けられている。第一加熱板８３の温度は、例えば２００℃〜８００℃程度に調整可能である。第一加熱板８３には複数の貫通孔８３ａが形成されている。貫通孔８３ａは、リフト部８５の一部を貫通させる。
【００８５】
第二加熱板８４は、第二収容部８２に収容されている。第二加熱板８４は、例えば金属材料を用いて形成されており、内部には赤外線装置やホットプレートなどの加熱装置が設けられている。第二加熱板８４の温度は、例えば２００℃〜８００℃程度に調整可能である。第二加熱板８４は、不図示の昇降機構によって第二収容部８２とは別個にＺ方向への移動が可能に設けられている。第二加熱板８４をＺ方向へ移動させることにより、第二加熱板８４と基板Ｓとの間隔を調整できるようになっている。
【００８６】
リフト部８５は、アーム部７１と第一加熱板８３との間で基板Ｓを移動させる。リフト部８５は、複数の支持ピン８５ａと、当該支持ピン８５ａを保持してＺ方向に移動可能な移動部８５ｂとを有している。図示を判別しやすくするため、図７では支持ピン８５ａが２つ設けられた構成が示されているが、実際には例えば１６個（図７参照）配置させることができる。第一加熱板８３に設けられる複数の貫通孔８３ａは、Ｚ方向視で複数の支持ピン８５ａに対応する位置に配置されている。
【００８７】
封止部８６は、第一収容部８１の縁部８１ａに形成されている。封止部８６としては、例えば樹脂材料などを用いて形成されたＯリングを用いることができる。封止部８６は、第二収容部８２の縁部８２ａが第一収容部８１の縁部８１ａに重ねられた状態で、当該第一収容部８１と第二収容部８２との間を封止する。このため、第一収容部８１及び第二収容部８２の内部を密閉することができる。
【００８８】
気体供給部８７は、処理室６０ａに窒素ガスなどを供給する。気体供給部８７は、第二チャンバーＣＢ２（図１、２参照）の＋Ｚ側の面に接続されている。気体供給部８７は、ガスボンベやガス管などの気体供給源８７ａと、当該気体供給源８７ａと加熱チャンバー７０とを接続する接続管８７ｂとを有している。気体供給源８７ａは、窒素ガスの供給源と、カルコゲン元素を含む気体（例、硫化水素、セレン化水素）の供給源とを有している。なお、気体供給源８７ａが他のガスの供給源を有する構成であってもよい。
【００８９】
排気部８８は、処理室６０ａを吸引し、処理室６０ａの気体を第二チャンバーＣＢ２（図１、２参照）の外部に排出する。排気部８８は、第二チャンバーＣＢ２の−Ｚ側の面に接続されている。排気部８８は、ポンプなどの吸引源８８ａと、当該吸引源８８ａと第二チャンバーＣＢ２（図１、２参照）とを接続する接続管８８ｂとを有している。
【００９０】
また、本実施形態では、加熱チャンバー７０内には、気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２が設けられている。気体濃度検出部ＳＲ１及びＳＲ２は、加熱チャンバー７０に収容される基板の周囲の雰囲気のうちカルコゲン元素を含む気体（所定気体）の濃度を検出する。また、気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２は、検出結果を制御部ＣＯＮＴ（図１、２参照）に送信する。
【００９１】
本実施形態では、気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２は、カルコゲン元素として、硫黄及びセレンのうち少なくとも一方を含む気体を検出可能である。このような気体としては、例えば硫化水素やセレン化水素などが挙げられる。気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２は、それぞれ、硫化水素を検出するセンサ及びセレン化水素を検出するセンサのうち少なくとも一方を有している。また、気体濃度検出部ＳＲ１は、昇華した単体の硫黄やセレンを検出可能なセンサを有していてもよい。
【００９２】
気体濃度検出部ＳＲ１は、加熱チャンバー７０のうち第二収容部８２の天井部８２ｂに設けられている。気体濃度検出部ＳＲ１の検出面ＳＲａは、−Ｚ側に向けられており、基板Ｓが載置される第一加熱板８３に対向するように配置されている。この配置により、基板Ｓのうち液状体が塗布された面に対向して気体濃度検出部ＳＲ１が配置されることになる。気体濃度検出部ＳＲ１は、気体供給部８７の接続管８７ｂから供給される気体を直接受ける領域から外れた位置に配置されることが好ましい。したがって、図７に示す位置よりも第二収容部８２の壁部側に配置された構成であってもよい。また、気体濃度検出部ＳＲ１と接続管８７ｂとの間に気体を遮蔽する遮蔽部（不図示）が配置されていてもよい。
【００９３】
なお、基板Ｓの上記面に対向配置される位置であれば、気体濃度検出部ＳＲ１の位置は第二収容部８２に限られず、他の位置に配置されてもよい。このような他の位置としては、例えば、第二収容部８２の一部から第二加熱板８４の−Ｚ側に不図示の支持部材が引き伸ばされた構成とし、この支持部材に気体濃度検出部ＳＲ１が取り付けられた構成としてもよい。また、気体濃度検出部ＳＲ１が第二収容部８２の天井部８２ｂとは異なる部分（例、壁部など）に配置された構成であってもよい。また、気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２に接続される配線部分を熱から保護する保護部（断熱カバー、冷却機構などを含む）が設けられていてもよい。
【００９４】
一方、気体濃度検出部ＳＲ２は、加熱チャンバー７０のうち第一収容部８１の底部８１ｂに設けられている。気体濃度検出部ＳＲ２は、排気部８８の近傍に配置されている。より具体的には、気体濃度検出部ＳＲ２は、接続管８８ｂの近傍に配置されている。気体濃度検出部ＳＲ２の検出面ＳＲｂは、＋Ｚ側に向けられている。なお、気体濃度検出部ＳＲ２は、接続管８８ｂの内部に設けられた構成であってもよい。
【００９５】
また、本実施形態では、固体供給部８９が設けられている。固体供給部８９は、加熱チャンバー７０の内部に、カルコゲン元素を含む固体を供給する。このようなカルコゲン元素としては、例えば硫黄、セレンの固体などが挙げられる。図７では、一例として、固体供給部８９が第一収容部８１の側部から底部８１ｂに固体を供給する構成を示しているが、これに限られることはない。例えば、第二収容部８２の天井部８２ｂ側から固体を加熱チャンバー７０内に供給する構成であってもよい。また、第一収容部８１及び第二収容部８２の少なくとも一方に、固体を配置する固体配置部（台状、棚状など）を予め形成しておき、固体供給部８９が当該固体配置部に固体を配置する構成であってもよい。また、開閉可能な蓋を有し上記固体を収容した容器又は収容部を加熱チャンバー７０の内部に配置しておき、加熱チャンバー７０の内部に固体を供給する場合には容器の蓋を開き、固体を供給しない場合には蓋を閉じる構成としてもよい。
【００９６】
（基板搬送経路）
図１、２に戻って、基板供給回収部ＬＵの第二開口部１２、塗布部ＣＴの第一開口部２１並びに第二開口部２２、減圧乾燥部ＶＤの第一開口部５１並びに第二開口部５２、焼成部ＢＫの開口部６１は、Ｘ方向に平行な直線上に並んで設けられている。このため、基板Ｓは、Ｘ方向に直線上に移動する。また、基板供給回収部ＬＵから焼成部ＢＫの加熱チャンバー７０に収容されるまでの経路においては、Ｚ方向の位置が保持されている。このため、基板Ｓによる周囲の気体の攪拌が抑制される。
【００９７】
（アンチチャンバー）
図１に示すように、第一チャンバーＣＢ１には、アンチチャンバーＡＬ１〜ＡＬ３が接続されている。
アンチチャンバーＡＬ１〜ＡＬ３は、第一チャンバーＣＢ１の内外を連通して設けられている。アンチチャンバーＡＬ１〜ＡＬ３は、それぞれ処理室２０ａの構成要素を第一チャンバーＣＢ１の外部へ取り出したり、第一チャンバーＣＢ１の外部から処理室２０ａに当該構成要素を入れ込んだりするための経路である。
【００９８】
アンチチャンバーＡＬ１は、吐出部３１に接続されている。吐出部３１に設けられるノズルＮＺは、アンチチャンバーＡＬ１を介して処理室２０ａへの出し入れが可能となっている。アンチチャンバーＡＬ２は、液状体供給部３３に接続されている。液状体供給部３３は、アンチチャンバーＡＬ２を介して処理室２０ａへの出し入れが可能となっている。
【００９９】
アンチチャンバーＡＬ３は、液状体調合部（不図示）に接続されている。液状体調合部（不図示）では、アンチチャンバーＡＬ３を介して液体を処理室２０ａに出し入れ可能となっている。また、アンチチャンバーＡＬ３は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。このため、例えば塗布部ＣＴにおいて液状体の試し塗りを行う場合、アンチチャンバーＡＬ３から未処理の基板Ｓを処理室２０ａに供給することが可能である。また、試し塗りを行った後の基板ＳをアンチチャンバーＡＬ３から取り出すことが可能である。また、緊急時などにアンチチャンバーＡＬ３から臨時に基板Ｓを取り出すことも可能である。
【０１００】
また、第二チャンバーＣＢ２には、アンチチャンバーＡＬ４が接続されている。
アンチチャンバーＡＬ４は、加熱チャンバー７０に接続されている。アンチチャンバーＡＬ４は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。このため、例えば加熱チャンバー７０において基板Ｓの加熱を行う場合、アンチチャンバーＡＬ４から基板Ｓを処理室６０ａに供給することが可能である。また、加熱処理を行った後の基板ＳをアンチチャンバーＡＬ４から取り出すことが可能である。
【０１０１】
（グローブ部）
図１に示すように、第一チャンバーＣＢ１には、グローブ部ＧＸ１が接続されている。また、第二チャンバーＣＢ２には、グローブ部ＧＸ２が接続されている。
グローブ部ＧＸ１及びＧＸ２は、作業者が第一チャンバーＣＢ１及び６０内にアクセスするための部分である。作業者がグローブ部ＧＸ１及びＧＸ２内に手を挿入することにより、第一チャンバーＣＢ１及び６０内のメンテナンス動作などを行うことができるようになっている。グローブ部ＧＸ１及びＧＸ２は、袋状に形成されている。グローブ部ＧＸ１及びＧＸ２は、それぞれ第一チャンバーＣＢ１及び６０の複数個所に配置されている。グローブ部ＧＸ１及びＧＸ２内に作業者が手を入れたか否かを検出するセンサなどが第一チャンバーＣＢ１及び６０内に配置されていても構わない。
【０１０２】
（ゲートバルブ）
図１に示すように、基板供給回収部ＬＵの第二開口部１２と塗布部ＣＴの第一開口部２１との間には、ゲートバルブＶ１が設けられている。ゲートバルブＶ１は、不図示の駆動部によってＺ方向に移動可能に設けられている。ゲートバルブＶ１をＺ方向に移動させることで、基板供給回収部ＬＵの第二開口部１２と塗布部ＣＴの第一開口部２１とが同時に開放又は閉塞される。第二開口部１２及び第一開口部２１が同時に開放されると、これら第二開口部１２と第一開口部２１との間で基板Ｓの移動が可能となる。
【０１０３】
第一チャンバーＣＢ１の第二開口部２２と第三チャンバーＣＢ３の第一開口部５１との間には、ゲートバルブＶ２が設けられている。ゲートバルブＶ２は、不図示の駆動部によってＺ方向に移動可能に設けられている。ゲートバルブＶ２をＺ方向に移動させることで、第一チャンバーＣＢ１の第二開口部２２と第三チャンバーＣＢ３の第一開口部５１とが同時に開放又は閉塞される。第二開口部２２及び第一開口部５１が同時に開放されると、これら第二開口部２２と第一開口部５１との間で基板Ｓの移動が可能となる。
【０１０４】
第三チャンバーＣＢ３の第二開口部５２と第二チャンバーＣＢ２の開口部６１との間には、ゲートバルブＶ３が設けられている。ゲートバルブＶ３は、不図示の駆動部によってＺ方向に移動可能に設けられている。ゲートバルブＶ３をＺ方向に移動させることで、第三チャンバーＣＢ３の第二開口部５２と第二チャンバーＣＢ２の開口部６１とが同時に開放又は閉塞される。第二開口部５２及び開口部６１が同時に開放されると、これら第二開口部５２と開口部６１との間で基板Ｓの移動が可能となる。
【０１０５】
（制御装置）
図１、２に示した制御部ＣＯＮＴは、塗布装置ＣＴＲを統括的に制御する部分である。具体的には、基板供給回収部ＬＵ、塗布部ＣＴ、減圧乾燥部ＶＤ、焼成部ＢＫにおける動作、ゲートバルブＶ１〜Ｖ３の動作などを制御する。調整動作の一例として、制御部ＣＯＮＴは、気体濃度検出部ＳＲ１〜ＳＲ４による検出結果に基づいて、気体供給部３７ａの供給量を調整する。制御部ＣＯＮＴは、処理時間の計測等に用いる不図示のタイマーなどを有している。
【０１０６】
（塗布方法）
次に、本実施形態に係る塗布方法を説明する。本実施形態では、上記のように構成された塗布装置ＣＴＲを用いて基板Ｓ上に、金属を含む塗布膜を形成する。塗布装置ＣＴＲの各部で行われる動作は、制御部ＣＯＮＴによって制御される。
【０１０７】
制御部ＣＯＮＴは、まず、外部から基板供給回収部ＬＵに基板Ｓを搬入させる。この場合、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１を閉塞された状態として、蓋部１４を開けて基板Ｓをチャンバー１０の収容室１０ａに収容させる。基板Ｓが収容室１０ａに収容された後、制御部ＣＯＮＴは、蓋部１４を閉じさせる。
【０１０８】
蓋部１４が閉じられた後、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１を開放させ、チャンバー１０の収容室１０ａと塗布部ＣＴの第一チャンバーＣＢ１の処理室２０ａとを連通させる。ゲートバルブＶ１を開放させた後、制御部ＣＯＮＴは、基板搬送部１５を用いて基板ＳをＸ方向へ搬送する。
【０１０９】
第一チャンバーＣＢ１の処理室２０ａに基板Ｓの一部が挿入された後、制御部ＣＯＮＴは、基板搬送部２５を用いて基板Ｓを処理室２０ａに完全に搬入させる。基板Ｓが搬入された後、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１を閉塞させる。制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１を閉塞させた後、基板Ｓを処理ステージ２８へと搬送する。
【０１１０】
図８は、塗布部ＣＴの構成を簡略化し一部の構成を省略して示す図である。以下、図９〜図１２においても同様である。図８に示すように、基板Ｓが処理ステージ２８上に載置されると、塗布部ＣＴにおいて塗布処理が行われる。当該塗布処理に先立って、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１及びＶ２が閉塞された状態とし、気体供給部３７ａ及び排気部３７ｂを用いて不活性ガスの供給及び吸引を行わせる（図１、２参照）。
【０１１１】
この動作により、処理室２０ａ（図８では不図示）の雰囲気及び圧力が調整される。処理室２０ａの雰囲気及び圧力の調整後、制御部ＣＯＮＴは、ノズル駆動部ＮＡ（図１参照）を用いてノズルＮＺをノズル待機部４４からノズル先端管理部４５へと移動させる。制御部ＣＯＮＴは、以後塗布処理の間、処理室２０ａの雰囲気及び圧力の調整動作を継続して行わせる。
【０１１２】
ノズルＮＺがノズル先端管理部４５に到達した後、制御部ＣＯＮＴは、図９に示すように、ノズルＮＺに対して予備吐出動作を行わせる。予備吐出動作では、制御部ＣＯＮＴは、吐出口ＯＰから液状体Ｑを吐出させる。予備吐出動作の後、制御部ＣＯＮＴは、図１０に示すように、払拭部４５ａをガイドレール４５ｂに沿ってＸ方向に移動させ、ノズルＮＺの先端ＴＰ及びその近傍の傾斜部を払拭させる。
【０１１３】
ノズルＮＺの先端ＴＰを払拭させた後、制御部ＣＯＮＴは、ノズルＮＺを処理ステージ２８へ移動させる。ノズルＮＺの吐出口ＯＰが基板Ｓの−Ｙ側端部に到達した後、制御部ＣＯＮＴは、図１１に示すように、ノズルＮＺを＋Ｙ方向に所定速度で移動させつつ、吐出口ＯＰから基板Ｓへ向けて液状体Ｑを吐出させる。この動作により、基板Ｓ上には液状体Ｑの塗布膜Ｆが形成される。
【０１１４】
基板Ｓの所定領域に液状体Ｑの塗布膜を形成した後、制御部ＣＯＮＴは、図１２に示すように、基板搬送部２５を用いて基板Ｓを処理ステージ２８から第二ステージ２６Ｂへと＋Ｘ方向に移動させる。また、制御部ＣＯＮＴは、ノズルＮＺを−Ｙ方向へ移動させ、ノズル待機部４４へと戻す。
【０１１５】
基板Ｓが第一チャンバーＣＢ１の第二開口部２２に到達した後、制御部ＣＯＮＴは、図１３に示すように、ゲートバルブＶ２を開放させ、基板Ｓを第一チャンバーＣＢ１から第二チャンバーＣＢ２へと搬送させる。なお、当該搬送ステップを行う際に、基板Ｓは接続部ＣＮに配置される第三チャンバーＣＢ３を経由する。制御部ＣＯＮＴは、基板Ｓが第三チャンバーＣＢ３を通過する際に、当該基板Ｓに対して減圧乾燥部ＶＤを用いて乾燥処理を行わせる。具体的には、第三チャンバーＣＢ３の処理室５０ａに基板Ｓが収容された後、制御部ＣＯＮＴは、図１４に示すように、ゲートバルブＶ２を閉塞させる。
【０１１６】
ゲートバルブＶ２を閉塞させた後、制御部ＣＯＮＴは、昇降機構５３ａを用いて加熱部５３のＺ方向の位置を調整させる。その後、制御部ＣＯＮＴは、図１５に示すように、気体供給部５８を用いて処理室５０ａの雰囲気を調整させると共に、排気部５９を用いて処理室５０ａを減圧させる。この動作により処理室５０ａが減圧すると、基板Ｓに形成された液状体Ｑの塗布膜に含まれる溶媒の蒸発が促進され、塗布膜が乾燥する。なお、制御部ＣＯＮＴは、排気部５９を用いて処理室５０ａを減圧する減圧動作を行わせる間に、昇降機構５３ａを用いて加熱部５３のＺ方向の位置を調整させても構わない。
【０１１７】
また、制御部ＣＯＮＴは、図１５に示すように、加熱部５３を用いて基板Ｓ上の塗布膜Ｆを加熱する。この動作により、基板Ｓ上の塗布膜Ｆに含まれる溶媒の蒸発が促進され、減圧下での乾燥処理を短時間で行うことができる。制御部ＣＯＮＴは、加熱部５３によって加熱動作を行う間に、昇降機構５３ａを用いて加熱部５３のＺ方向の位置を調整させても構わない。
【０１１８】
減圧乾燥処理が行われた後、制御部ＣＯＮＴは、図１６に示すように、ゲートバルブＶ３を開放させ、基板Ｓを接続部ＣＮから第二チャンバーＣＢ２へと搬送させる。基板Ｓが第二チャンバーＣＢ２の処理室６０ａに収容された後、制御部ＣＯＮＴはゲートバルブＶ３を閉塞させる。
【０１１９】
基板支持部７２ａの移動により、図１７に示すように、基板Ｓが第一加熱板８３上の中央部に配置される。その後、制御部ＣＯＮＴは、図１８に示すように、リフト部８５を＋Ｚ方向に移動させる。この動作により、基板Ｓは搬送アーム７２の基板支持部７２ａから離れ、リフト部８５の複数の支持ピン８５ａに支持される。このようにして基板Ｓが基板支持部７２ａからリフト部８５へと渡される。基板Ｓがリフト部８５の支持ピン８５ａによって支持された後、制御部ＣＯＮＴは、基板支持部７２ａを加熱チャンバー７０の外部へ−Ｘ方向に退避させる。
【０１２０】
基板支持部７２ａを退避させた後、制御部ＣＯＮＴは、図１９に示すように、リフト部８５を−Ｚ方向に移動させると共に、第二収容部８２を−Ｚ方向に移動させる。この動作により、第二収容部８２の縁部８２ａが第一収容部８１の縁部８１ａに重なり、縁部８２ａと縁部８１ａとの間で封止部８６が挟まれた状態となる。このため、第一収容部８１、第二収容部８２及び封止部８６によって密閉された焼成室８０が形成される（収容ステップ）。
【０１２１】
焼成室８０を形成した後、制御部ＣＯＮＴは、図２０に示すように、リフト部８５を−Ｚ方向へ移動させて基板Ｓを第一加熱板８３上に載置させる。基板Ｓが第一加熱板８３上に載置された後、制御部ＣＯＮＴは、第二加熱板８４を−Ｚ方向に移動させ、第二加熱板８４と基板Ｓとを近づける。制御部ＣＯＮＴは、適宜第二加熱板８４のＺ方向の位置を調整させる。
【０１２２】
第二加熱板８４のＺ方向の位置を調整させた後、制御部ＣＯＮＴは、図２１に示すように、気体供給部８７を用いて焼成室８０に窒素ガスや硫化水素ガス、セレン化水素ガスを供給すると共に、排気部８８を用いて焼成室８０を吸引させる。この動作により、焼成室８０の雰囲気及び圧力が調整されると共に、第二収容部８２から第一収容部８１にかけて窒素ガス、硫化水素ガス、セレン化水素ガスの気流が形成される。窒素ガス、硫化水素ガス、セレン化水素ガスの気流が形成された状態で、制御部ＣＯＮＴは、第一加熱板８３及び第二加熱板８４を作動させ、基板Ｓの焼成動作を行わせる（加熱ステップ）。この動作により、基板Ｓの塗布膜Ｆから溶媒成分が蒸発すると共に、塗布膜Ｆに含まれる気泡などが除去される。また、窒素ガス、硫化水素ガス、セレン化水素ガスの気流により、塗布膜Ｆから蒸発した溶媒成分や気泡などが押し流され、排気部８８から吸引される。
【０１２３】
この基板Ｓの焼成動作において、制御部ＣＯＮＴは、加熱チャンバー７０内の気体のうち硫黄元素、セレン元素を含む所定気体（例、硫化水素ガス、セレン化水素ガス）の濃度を検出させる（検出ステップ）。制御部ＣＯＮＴは、この検出に際して、気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２を用いる。制御部ＣＯＮＴは、気体供給部８７から焼成室８０に硫化水素ガス、セレン化水素ガスが供給された後、気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２を作動させ、この硫化水素ガス、セレン化水素ガスの濃度を検出させる。気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２では、硫化水素ガス、セレン化水素ガスの濃度を検出し、検出結果が制御部ＣＯＮＴに送信される。
【０１２４】
気体濃度検出部ＳＲ１により、基板Ｓのうち塗布膜Ｆが塗布された面に対向する位置で検出が行われるため、基板Ｓの周囲における硫化水素ガス、セレン化水素ガスの濃度が効率的に検出される。また、気体濃度検出部ＳＲ２により、接続管８８ｂから排気される気体に含まれる硫化水素ガス、セレン化水素ガスの濃度が検出されることとなる。
【０１２５】
制御部ＣＯＮＴは、検出結果に基づいて、加熱チャンバー７０内（焼成室８０内）の硫化水素ガス、セレン化水素ガスの濃度を調整する（調整ステップ）。この調整において、制御部ＣＯＮＴは、検出結果が予め設定された下限側の第一閾値を超えており、予め設定された上限側の第二閾値を下回る場合、上記のように硫化水素ガス、セレン化水素ガスの供給を継続しつつ、加熱動作を行わせる。
【０１２６】
一方、検出結果が第一閾値（下限側閾値）を下回る場合、制御部ＣＯＮＴは、気体供給部８７を用いて、加熱チャンバー７０内に硫化水素ガス、セレン化水素ガスを供給する（供給ステップ）。この供給ステップは、加熱チャンバー７０に供給されている硫化水素ガス、セレン化水素ガスの供給量を増加させることを含む。制御部ＣＯＮＴは、検出結果が当該第一閾値を超えるまで、硫化水素ガス、セレン化水素ガスの供給量を増加させたまま維持する。
【０１２７】
また、検出結果が第二閾値（上限側閾値）を超える場合には、気体供給部８７による硫化水素ガス、セレン化水素ガスの供給量を低下させる動作、硫化水素ガス、セレン化水素ガスの供給を停止させる動作、及び、排気部８８を用いて加熱チャンバー７０内の気体を排気させる動作、のいずれかを行わせることで、加熱チャンバー７０内の硫化水素ガス、セレン化水素ガスの濃度を低下させる。制御部ＣＯＮＴは、検出結果が当該第二閾値を下回るまで、硫化水素ガス、セレン化水素ガスの供給量の低下、供給の停止、排気（排気ステップ）の少なくとも１つを行わせる。
【０１２８】
なお、上記焼成動作においては、塗布膜Ｆに含まれる金属成分のうち少なくとも一種類の成分を融点以上まで加熱し、塗布膜Ｆの少なくとも一部を溶解させる。例えば、塗布膜ＦがＣＺＴＳ型の太陽電池に用いられる場合であれば、塗布膜Ｆを構成する成分のうち、Ｓ、Ｓｅについて融点以上まで加熱し、これらの物質を液状化させて塗布膜Ｆを凝集させる。その後、塗布膜Ｆが固形化する温度まで当該塗布膜Ｆを冷却する。塗布膜Ｆを固形化することで、当該塗布膜Ｆの強度が高められることになる。
【０１２９】
このような焼成動作が完了した後、制御部ＣＯＮＴは、基板Ｓを−Ｘ方向へ搬送させる。具体的には、加熱チャンバー７０からアーム部７１、基板案内ステージ６６を経て焼成部ＢＫから搬出され、減圧乾燥部ＶＤ、塗布部ＣＴを経て基板供給回収部ＬＵへ戻される。基板Ｓが基板供給回収部ＬＵへ戻された後、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１を閉塞させた状態で蓋部１４を開放させる。その後、作業者は、チャンバー１０内の基板Ｓを回収し、新たな基板Ｓをチャンバー１０の収容室１０ａに収容させる。
【０１３０】
なお、基板Ｓが基板供給回収部ＬＵへ戻された後、基板Ｓに形成された塗布膜Ｆ上に更に別の塗布膜を重ねて形成する場合、制御部ＣＯＮＴは、再度基板Ｓを塗布部ＣＴへ搬送させ、塗布処理、減圧乾燥処理及び焼成処理を繰り返して行わせる。このようにして基板Ｓ上に塗布膜Ｆが積層される。
【０１３１】
以上のように、本実施形態によれば、加熱チャンバー７０内の気体のうちカルコゲン元素を含む気体（例、硫化水素、セレン化水素）の濃度を検出する気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２を備えるので、基板Ｓの周囲の硫化水素、セレン化水素の濃度の変化を検知することができる。これにより、加熱時における基板Ｓの周囲の環境の変化を検知することができる。
【０１３２】
また、気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２の検出結果を用いて、加熱チャンバー７０内の雰囲気中における硫化水素、セレン化水素の濃度を調整する調整部として、気体供給部８７、排気部８８を備えるため、気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２の検出結果を用いて加熱チャンバー７０内の雰囲気中における硫化水素、セレン化水素の濃度を調整することが可能となる。これにより、基板Ｓの周囲の環境を調整することが可能となる。
【０１３３】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
例えば、上記実施形態では、加熱チャンバー７０内（焼成室８０内）の硫化水素ガス、セレン化水素ガスの濃度の調整において、制御部ＣＯＮＴは、検出結果が第一閾値を下回る場合に、加熱チャンバー７０内に供給する硫化水素ガス、セレン化水素ガスの供給量を増加させる動作を例に挙げて説明したが、これに限られることはない。
【０１３４】
図２２は、変形例に係る焼成処理の一工程を示す図である。
図２２に示すように、制御部ＣＯＮＴは、固体供給部８９を用いて、加熱チャンバー７０の内部に硫黄、セレンの単体を含む固体を供給させてもよい（供給ステップ）。この場合、加熱チャンバー７０の内部に供給された固体に含まれる硫黄、セレンは、加熱チャンバー７０内の熱によって昇華し、雰囲気中の硫黄元素濃度、セレン元素濃度の向上に寄与することとなる。
【０１３５】
また、例えば、上記実施形態では、加熱チャンバー７０の内部に気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２が配置された構成を例に挙げて説明したが、これに限られることはない。例えば、加熱チャンバー７０のうち所定位置の気体を加熱チャンバー７０の外部に排気し、排気された気体に含まれる硫化水素やセレン化水素の濃度を検出する構成であってもよい。
【０１３６】
また、例えば、上記実施形態では、焼成部ＢＫに配置された加熱チャンバー７０に気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２が配置された構成を例に挙げて説明したが、これに限られることはない。例えば、第一チャンバーＣＢ１と第二チャンバーＣＢ２とを接続する第三チャンバーＣＢ３に、上記気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２と同一構成の気体濃度検出部が配置された構成であってもよい。この場合、減圧乾燥部ＶＤによる加熱時に雰囲気中の硫化水素ガス、セレン化水素ガスの濃度の検出、当該濃度の調整を行うようにすればよい。
【０１３７】
また、例えば、気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２と同一構成の気体濃度検出部が、第一チャンバーＣＢ１の内部に配置された構成であってもよい。塗布部ＣＴによって塗布処理を行う際、カルコゲン元素を含む気体（例、硫化水素ガス、セレン化水素ガスなど）が発生する場合がある。したがって、塗布処理時においても、基板周囲の環境の変化を検知することが望ましい。
【０１３８】
この場合、気体濃度検出部は、基板Ｓが第一チャンバーＣＢ１に収容され（第一収容ステップ）、塗布部ＣＴによって基板Ｓに対して液状体の塗布処理が行われる（第一処理ステップ）場合において、塗布処理時に雰囲気中の硫化水素ガス、セレン化水素ガスの濃度を検出（検出ステップ）することが可能である。
【０１３９】
気体濃度検出部の位置は、例えばノズルＮＺの移動経路に沿った位置や、不図示の排気口を設けることで当該排気口又はその近傍の位置とすることができる。また、例えば、気体濃度検出部の位置が、液状体供給部３３と廃液貯留部３５との間の位置や、ノズル待機部４４の＋Ｘ側又は−Ｘ側の位置であってもよい。また、気体濃度検出部は、第一チャンバーＣＢ１の外部（例、外壁）に配置されていてもよい。
【０１４０】
なお、気体濃度検出部は、第一チャンバーＣＢ１、第二チャンバーＣＢ２（加熱チャンバー７０）及び第三チャンバーＣＢ３の内部のうち、少なくとも一つのチャンバー内に設けられた構成としてもよい。この場合、塗布処理、減圧乾燥処理及び加熱処理のうち少なくとも一つの処理時において、雰囲気中の硫化水素ガス、セレン化水素ガスの濃度の検出（検出ステップ）を行うことができ、当該濃度の調整を行うことができる。
【０１４１】
また、上記実施形態においては、第二チャンバーＣＢ２の焼成部ＢＫにおいて焼成動作を行わせる構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば、図２３に示すように、第二チャンバーＣＢ２とは異なる位置に別途第四チャンバーＣＢ４が設けられ、当該第四チャンバーＣＢ４に設けられる加熱部ＨＴによって基板Ｓを加熱する構成であっても構わない。
【０１４２】
この場合、例えば基板Ｓに塗布膜Ｆを積層させた後、第四チャンバーＣＢ４の加熱部ＨＴにおいて、積層された塗布膜Ｆを焼成するための加熱処理（第二加熱ステップ）を行うようにすることができる。第二加熱ステップにおける加熱処理では、焼成部ＢＫによる加熱処理よりも高い加熱温度で塗布膜Ｆを加熱する。この加熱処理により、積層された塗布膜Ｆの固形分（金属成分）を結晶化させることができるので、塗布膜Ｆの膜質を更に高めることができる。
【０１４３】
なお、基板Ｓに塗布膜Ｆを積層させた後の加熱については、第二チャンバーＣＢ２の焼成部ＢＫにおいて行うようにしても構わない。この場合、焼成部ＢＫでは、塗布膜Ｆの各層を焼成する場合の加熱温度よりも、積層させた後の塗布膜Ｆを焼成する場合の加熱温度の方が高くなるように制御すれば良い。
【０１４４】
ここで、第四チャンバーＣＢ４内に上記実施形態に記載の気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２と同一構成の気体濃度検出部ＳＲ３が設けられた構成とすることができる。この場合、第四チャンバーＣＢ４内における加熱時に気体濃度検出部ＳＲ３によって硫化水素、セレン化水素の濃度を検出させることができる。また、気体濃度検出部ＳＲ３の検出結果に基づいて、第四チャンバーＣＢ４の雰囲気を調整することもできる。
【０１４５】
また、上記実施形態では、第三チャンバーＣＢ３内において基板Ｓと加熱部５３との距離を調整する昇降機構５３ａが加熱部５３を移動させる構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば、昇降機構５３ａが加熱部５３のみならず、基板ＳをＺ方向に移動可能な構成であっても構わない。また、昇降機構５３ａが基板ＳのみをＺ方向に移動させる構成であっても構わない。
【０１４６】
また、上記実施形態では、減圧乾燥部ＶＤにおいて、基板Ｓの−Ｚ側（鉛直方向下側）に加熱部５３が配置された構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、例えば加熱部５３が基板Ｓの＋Ｚ側（鉛直方向上側）に配置された構成であっても構わない。また、昇降機構５３ａを用いて、基板Ｓの−Ｚ側の位置と基板Ｓの＋Ｚ側の位置との間を移動可能な構成としても構わない。この場合、加熱部５３の形状として、基板搬送部５５を構成する複数のローラー５７を通過可能な構成（例えば、加熱部５３に開口部が設けられている、など）となっていれば良い。
【０１４７】
また、塗布装置ＣＴＲの構成として、例えば図２４に示すように、基板供給回収部ＬＵの＋Ｘ側に、塗布部ＣＴを有する第一チャンバーＣＢ１、減圧乾燥部ＶＤを有する接続部ＣＮ及び焼成部ＢＫを有する第二チャンバーＣＢ２が繰り返して配置された構成であっても構わない。
【０１４８】
図２４では、第一チャンバーＣＢ１、接続部ＣＮ及び第二チャンバーＣＢ２が３回繰り返して配置された構成が示されているが、これに限られることは無く、第一チャンバーＣＢ１、接続部ＣＮ及び第二チャンバーＣＢ２が２回繰り返して配置された構成や、第一チャンバーＣＢ１、接続部ＣＮ及び第二チャンバーＣＢ２が４回以上繰り返して配置された構成であっても構わない。
【０１４９】
このような構成によれば、第一チャンバーＣＢ１、接続部ＣＮ及び第二チャンバーＣＢ２がＸ方向に直列に繰り返し設けられているため、基板Ｓを一方向（＋Ｘ方向）に搬送すれば良く、基板ＳをＸ方向に往復させる必要が無いため、基板Ｓに対して塗布膜を積層する工程を連続して行うことができる。これにより、基板Ｓに対して効率的に塗布膜を形成することができる。
【０１５０】
なお、上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、設計要求等に基づき種々変更可能である。例えば、上記実施形態においては、塗布部ＣＴの構成として、スリット型のノズルＮＺを用いた構成としたが、これに限られることは無く、例えば中央滴下型の塗布部を用いても構わないし、インクジェット型の塗布部を用いても構わない。また、例えば基板Ｓ上に配置される液状体をスキージなどを用いて拡散させて塗布する構成であっても構わない。
【０１５１】
また、例えば、上記塗布装置ＣＴＲを用いた処理を行う場合、第一チャンバーＣＢ１、第二チャンバーＣＢ２、第三チャンバーＣＢ３、加熱チャンバー７０を含むチャンバー装置の少なくとも１つにおいて、動作時の所定のタイミング（例えば、チャンバー装置への基板Ｓの搬入前、搬出後、ノズルＮＺによる液状体Ｑの吐出前、吐出後、加熱部５３による加熱前、加熱後、第一加熱板８３、第二加熱板８４による加熱前、加熱後など、各チャンバーにおける処理の前後を含む）又は非動作時に、必要に応じてメンテナンス処理や、チャンバー装置の周囲又は内部の状態を所定状態（例えば、初期状態、所定の雰囲気の状態、所定の温度状態など）にするための処理（例えば、構造物の移動、クリーニング、雰囲気調整、温度調整など）を適宜行ってもよい。
【０１５２】
また、上記メンテナンス処理、上記所定状態にするための各処理等を行う場合には、例えば洗浄液などを用いた洗浄を行ってもよいし、気体供給部５８、気体供給部８７あるいはこれらに対応する構成を用いて、窒素ガス、酸素ガス、アルゴンガス、空気、水蒸気などの各種ガスのうち少なくとも１つのガスあるいは他の種類のガスを適宜各チャンバー装置の周囲又は内部に供給してもよい。また、必要に応じて搬送系（例えば、ローラー、アームなど）を適宜作動させるようにしてもよい。
【０１５３】
また、上記実施形態において、塗布装置ＣＴＲが一つの部屋に収容される構成である場合、当該部屋の雰囲気を調整する気体供給排出部が設けられた構成であっても構わない。この場合、当該気体供給排出部を用いて部屋の雰囲気中のヒドラジンなどを排出することができるため、部屋全体の雰囲気の清浄化を行うことができ、より確実に塗布環境の変化を抑制することができる。
【０１５４】
なお、上記において実施形態又はその変形例として記載した各構成要素は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜組み合わせることができるし、また、組み合わされた複数の構成要素のうち一部の構成要素を適宜用いないようにすることもできる。
【符号の説明】
【０１５５】
ＳＲ１、ＳＲ２、ＳＲ３…気体濃度検出部  ＣＴＲ…塗布装置  Ｓ…基板  ＣＯＮＴ…制御部  ＣＴ…塗布部  ＢＫ…焼成部  ＶＤ…減圧乾燥部  Ｑ…液状体  Ｆ…塗布膜  ＨＴ…加熱部  ＣＢ２…第二チャンバー  ＣＢ３…第三チャンバー  ＣＢ４…第四チャンバー  ７０…加熱チャンバー  ８０…焼成室  ８７…気体供給部  ８８…排気部  ８９…固体供給部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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