(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体素子を安定的に作動できる配線基板を提供する。【解決手段】素子搭載部１ａ及びフレーム接合部１ｂを有する複数の製品領域Ｘｂが切断領域Ｚｂを挟んで形成されたベース配線基板１０と、製品領域Ｘｂに対応する製品領域Ｘｆ及び切断領域Ｚｂに対応する切断領域Ｚｆを有するとともに各素子搭載部１ａを囲繞する開口部１５を有するフレーム配線基板２０とを具備し、フレーム接合部１ｂに設けられた複数の第１の接合パッド６と、フレーム配線基板２０の下面に設けられた複数の第２の接合パッド１６とを接合するとともに、ベース配線基板１０とフレーム配線基板２０との間に封止樹脂１８を充填して成る配線基板Ａであって、第１及び第２の接合パッド６、１６は、切断領域Ｚを挟んで千鳥状の２列のパッド列を有し２列のパッド列において切断領域Ｚに沿う接合パッド同士よりも切断領域Ｚを挟んだ接合パッド同士の間隔の方が狭い。【選択図】図１
2014090148.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に素子搭載部および該素子搭載部を囲繞する枠状のフレーム接合部を有する複数の製品領域が間に切断領域を挟んで縦横の並びに一体的に形成された平板状のベース配線基板と、該ベース配線基板上に接合されており、前記製品領域に対応する製品領域および前記切断領域に対応する切断領域を有するとともに各前記素子搭載部を囲繞する複数の開口部を有するフレーム配線基板とを具備して成り、各前記フレーム接合部に設けられた複数の第１の接合パッドと、前記フレーム配線基板の下面における前記第１の接合パッドと対応する位置に設けられた複数の第２の接合パッドとを半田バンプを介して接合するとともに、前記フレーム接合部上の前記ベース配線基板と前記フレーム配線基板との間に封止樹脂を充填して成る配線基板であって、前記第１および第２の接合パッドは、前記切断領域に沿う方向に該切断領域を挟んで互いに隣接して千鳥状に並ぶ２列のパッド列を有し、該２列のパッド列における接合パッド同士の隣接間隔が前記切断領域に沿う接合パッド同士よりも前記切断領域を挟んだ接合パッド同士の方が狭いことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記ベース配線基板は、前記フレーム接合部の上面から下面にかけて樹脂注入孔が形成されているとともに該樹脂注入孔を介して前記封止樹脂が充填されていることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
上面に素子搭載部および該素子搭載部を囲繞する枠状のフレーム接合部を有する複数の製品領域が間に切断領域を挟んで縦横の並びに一体的に形成されるとともに、それぞれのフレーム接合部上に複数の第１の接合パッドが形成された平板状のベース配線基板と、前記製品領域に対応する製品領域および前記切断領域に対応する切断領域を有するとともに各前記素子搭載部を囲繞する開口部を有し、下面における前記第１の接合パッドに対応する位置に複数の第２の接合パッドが形成されたフレーム配線基板と、を準備する工程と、
次に、前記ベース配線基板と前記フレーム配線基板とを、それぞれ対応する前記第１の接合パッドと第２の接合パッドとが対向するように配置するとともに、対向する前記第１の接合パッドと第２の接合パッドとを半田バンプを介して接合する工程と、
次に、前記フレーム接合部上の前記ベース配線基板と前記フレーム配線基板との間に封止樹脂を注入するとともに硬化させる工程と、を行なう配線基板の製造方法において、前記第１および第２の接合パッドは、前記切断領域に沿う方向に該切断領域を挟んで互いに隣接して千鳥状に並ぶ２列のパッド列を有し、該２列のパッド列における接合パッド同士の隣接間隔が前記切断領域に沿う接合パッド同士よりも前記切断領域を挟んだ接合パッド同士の方が狭いことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記ベース配線基板における前記フレーム接合部の上面から下面にかけて樹脂注入孔が形成されているとともに該樹脂注入孔を介して前記封止樹脂を注入することを特徴とする請求項３記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記フレーム配線基板を下側にして前記封止樹脂を注入することを特徴とする請求項３または４に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、上面に半導体素子が搭載される素子搭載部を有するベース配線基板の上面に、素子搭載部を囲繞する開口部を有するフレーム配線基板を接合して成る配線基板およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図５（ａ）および（ｂ）に従来の配線基板Ｂを示す。配線基板Ｂは、半導体素子Ｓが搭載されるベース配線基板３０と上にフレーム配線基板４０が接合されて成る。ここで、図５（ａ）は、図５（ｂ）に示すＷ−Ｗ間を通る断面図である。配線基板Ｂは、複数の製品領域Ｘ２と、製品領域Ｘ２の周囲に切断領域Ｚ２を挟んで一体的に形成された捨て代領域Ｙ２とを有しており、製品領域Ｘ２同士の間、および製品領域Ｘ２と捨て代領域Ｙ２との間の切断領域Ｚ２を切断することで、個々の製品が同時に多数個製造される。
【０００３】
ベース配線基板３０は、上下に貫通する複数のスルーホール２２を有する絶縁基板２１と、絶縁基板２１の上下面およびスルーホール２２内に被着された配線導体層２３と、絶縁基板２１と配線導体層２３の上に被着されたソルダーレジスト層２４とを有している。なお、スルーホール２２の内部は孔埋め樹脂により充填されている。
【０００４】
ベース配線基板３０の上面には、半導体素子Ｓを搭載するための素子搭載部２１ａが形成されている。この素子搭載部２１ａには、半導体素子Ｓの電極Ｔと電気的に接続するための複数の半導体素子接続パッド２５が配線導体層２３の一部により形成されている。これらの半導体素子接続パッド２５は、ソルダーレジスト層２４に設けた開口部２４ａ内に露出している。そして、この半導体素子接続パッド２５に半導体素子Ｓの電極Ｔを半田バンプＨを介して接続することにより、半導体素子Ｓとベース配線基板３０とが電気的に接続される。さらに、ベース配線基板３０の上面には、フレーム配線基板４０が接合される枠状のフレーム接合部２１ｂが素子搭載部２１ａを囲繞するようにして形成されている。このフレーム接合部２１ｂには、フレーム配線基板４０と電気的に接続するための複数の第１の接合パッド２６が配線導体層２３の一部により形成されている。これらの第１の接合パッド２６は、隣接する製品領域Ｘ２間の切断領域Ｚ２を挟んで線対称な位置に配置されており、ソルダーレジスト層２４に設けた開口部２４ｂ内に露出している。なお、これらの第１の接合パッド２６と半導体素子接続パッド２５の一部とは、互いに電気的に接続されている。また、ベース配線基板３０の下面には、外部の電気回路基板と接続するための複数の外部接続パッド２７が配線導体層２３の一部により形成されている。これらの外部接続パッド２７は、ソルダーレジスト層２４に設けた開口部２４ｃ内に露出している。これらの外部接続パッド２７は、スルーホール２２を介して半導体素子接続パッド２５に電気的に接続されている。
【０００５】
フレーム配線基板４０は、上下に貫通する複数のスルーホール３２を有する絶縁基板３１と、絶縁基板３１やスルーホール３２内に被着された配線導体層３３と、絶縁基板３１の上下面に被着されたソルダーレジスト層３４とを有している。なお、スルーホール３２の内部は孔埋め樹脂により充填されている。このフレーム配線基板４０には、素子搭載部２１ａを囲繞する大きさの開口部３５が形成されている。また、フレーム配線基板４０の下面には、ベース配線基板３０の第１の接合パッド２６に対応する位置に複数の第２の接合パッド３６が配線導体層３３の一部により形成されている。これらの第２の接合パッド３６は、ソルダーレジスト層３４に設けた開口部３４ａ内に露出している。そして、これらの第２の接合パッド３６と第１の接合パッド２６とが半田バンプＨを介して互いに接合されており、これによりベース配線基板３０の配線導体層２３の一部とフレーム配線基板４０の配線導体層３３とが電気的に接続されている。また、フレーム配線基板４０の上面には、複数の第３の接合パッド３７が配線導体層３３の一部により形成されている。これらの第３の接合パッド３７は、ソルダーレジスト層３４に設けた開口部３４ｂ内に露出している。この第３の接合パッド３７には、さらに他の配線基板や導電性の蓋体が開口部３５を覆うようにして接合される。
【０００６】
さらに、フレーム接合部２１ｂ上におけるベース配線基板３０とフレーム配線基板４０との間には、封止樹脂３８が充填されている。この封止樹脂３８は、ベース配線基板３０とフレーム配線基板４０とを強固に接合するとともに、ベース配線基板３０とフレーム配線基板４０との接合部の隙間から素子搭載部２１ａ側に水分や異物などが浸入することを防止することで半導体素子Ｓを保護する機能を有している。
【０００７】
なお、ベース配線基板３０上にフレーム配線基板４０を接合するには、以下の方法が採用されている。まず、ベース配線基板３０の第１の接合パッド２６またはフレーム配線基板４０の第２の接合パッド３６の少なくとも一方に半田バンプＨ用の半田を溶着する。半田の溶着には、半田ペーストを印刷した後にリフローさせる方法や、半田ボールを載置した後にリフローさせる方法を用いる。次に、互いに対応する第１の接合パッド２６と第２の接合パッド３６とが対向するようにベース配線基板３０上にフレーム配線基板４０を載置するとともに半田をリフローさせ、それぞれ対応する第１の接合パッド２６と第２の接合パッド３６とをリフローされた半田から成る半田バンプＨを介して接合する。このとき、フレーム接合部２１ｂ上におけるベース配線基板３０とフレーム配線基板４０との間には、半田バンプＨに対応する高さの隙間が形成される。次に、フレーム接合部２１ｂ上におけるベース配線基板３０とフレーム配線基板４０との隙間に液状の封止樹脂３８を注入するとともに硬化させる。なお、ベース配線基板３０とフレーム配線基板４０との間に液状の封止樹脂３８を注入するには、フレーム配線基板４０の上面から下面にかけて貫通する樹脂注入孔３９を複数設けておくとともに、フレーム配線基板４０の上面側から樹脂注入孔３９を介して封止樹脂３８を注入する方法が採用されている。
【０００８】
ところで、ベース配線基板３０とフレーム配線基板４０との隙間に注入された液状の封止樹脂３８は、注入直後には樹脂注入孔３９を起点にして放射状に濡れ広がっていく。次に、封止樹脂３８が最初の半田バンプＨに接触すると、その半田バンプＨから張力を受けてその半田バンプＨの方向に優先的に濡れ広がっていく。そして、封止樹脂３８は、その半田バンプＨを起点にしてさらに放射状に濡れ広がり、次に最も近くに隣接する半田バンプＨに接触してその半田バンプＨの方向に優先的に濡れ広がっていくことを繰り返す。ところが、従来の配線基板Ｂのように、半田バンプＨが切断領域Ｚ２を挟んで線対称に配置されていると、切断領域Ｚ２を挟んで斜めに隣接する半田バンプＨ同士の距離が切断領域Ｚ２に沿って隣接する半田バンプＨ同士の距離よりも長くなってしまう。したがって、封止樹脂３８は、図６（ａ）に示すように、最初に接触した半田バンプＨから切断領域Ｚ２に沿って隣接する半田バンプＨに先に接触してその方向に順次優先的に濡れ広がっていく。このため、切断領域Ｚ２を挟んで対角線方向には封止樹脂３８の濡れ広がりが遅くなり、図６（ｂ）に示すように、切断領域Ｚ２上に空気が取り残されて封止樹脂３８による充填のない空隙が生じることがある。その結果、切断領域Ｚ２を切断して個々の製品を製造したときに、ベース配線基板３０とフレーム配線基板４０との隙間に露出した空隙から、水分や異物などが浸入して半導体素子Ｓの機能を損なう場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００１−１４４３８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、各製品領域間の切断領域上に空隙が生じることを防いで、個々の製品におけるベース配線基板とフレーム配線基板との隙間から水分や異物などが浸入することを防止する。それにより各製品に搭載される半導体素子を安定的に作動させることができる配線基板を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の配線基板は、上面に素子搭載部および素子搭載部を囲繞する枠状のフレーム接合部を有する複数の製品領域が間に切断領域を挟んで縦横の並びに一体的に形成された平板状のベース配線基板と、ベース配線基板上に接合されており、製品領域に対応する製品領域および切断領域に対応する切断領域を有するとともに各素子搭載部を囲繞する複数の開口部を有するフレーム配線基板とを具備して成り、各フレーム接合部に設けられた複数の第１の接合パッドと、フレーム配線基板の下面における前記第１の接合パッドと対応する位置に設けられた複数の第２の接合パッドとを半田バンプを介して接合するとともに、フレーム接合部上のベース配線基板とフレーム配線基板との間に封止樹脂を充填して成る配線基板であって、第１および第２の接合パッドは、切断領域に沿う方向に切断領域を挟んで互いに隣接して千鳥状に並ぶ２列のパッド列を有し、２列のパッド列における接合パッド同士の隣接間隔が切断領域に沿う接合パッド同士よりも切断領域を挟んだ接合パッド同士の方が狭いことを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の配線基板の製造方法は、上面に素子搭載部および素子搭載部を囲繞する枠状のフレーム接合部を有する複数の製品領域が間に切断領域を挟んで縦横の並びに一体的に形成されるとともに、それぞれのフレーム接合部上に複数の第１の接合パッドが形成された平板状のベース配線基板と、製品領域に対応する製品領域および切断領域に対応する切断領域を有するとともに各素子搭載部を囲繞する開口部を有し、下面における第１の接合パッドに対応する位置に複数の第２の接合パッドが形成されたフレーム配線基板と、を準備する工程と、次に、ベース配線基板とフレーム配線基板とを、それぞれ対応する第１の接合パッドと第２の接合パッドとが対向するように配置するとともに、対向する第１の接合パッドと第２の接合パッドとを半田バンプを介して接合する工程と、次に、フレーム接合部上のベース配線基板とフレーム配線基板との間に封止樹脂を注入するとともに硬化させる工程と、を行なう配線基板の製造方法において、第１および第２の接合パッドは、切断領域に沿う方向に切断領域を挟んで互いに隣接して千鳥状に並ぶ２列のパッド列を有し、２列のパッド列における接合パッド同士の隣接間隔が切断領域に沿う接合パッド同士よりも切断領域を挟んだ接合パッド同士の方が狭いことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の配線基板によれば、第１および第２の接合パッドは、切断領域に沿う方向に切断領域を挟んで互いに隣接して千鳥状に並ぶ２列のパッド列における接合パッド同士の隣接間隔が切断領域に沿う接合パッド同士よりも切断領域を挟んだ接合パッド同士の方が狭い状態に配置されている。したがって、ベース配線基板とフレーム配線基板との間に液状の封止樹脂を注入するときに、封止樹脂が最初に接触した半田バンプを起点にして濡れ広がっていくと、切断領域に沿って隣接する接合パッドよりも切断領域を挟んで隣接する接合パッドに先に接触してさらにその接合パッドを起点に切断領域を挟んで千鳥状に配置された半田バンプを順次伝って切断領域上に優先的に濡れ広がっていく。さらに、切断領域上に濡れ広がった封止樹脂は切断領域を挟んだ両側に濡れ広がっていく。それにより、切断領域上に空隙が生じることを防止することができる。その結果、各製品に搭載される半導体素子を安定的に作動させることが可能な配線基板を提供することができる。
【００１４】
本発明の配線基板の製造方法によれば、隣接する製品領域の間で、第１および第２の接合パッドを、切断領域に沿う方向に切断領域を挟んで互いに隣接して千鳥状に並ぶ２列のパッド列における接合パッド同士の隣接間隔が切断領域に沿う接合パッド同士よりも切断領域を挟んだ接合パッド同士の方が狭い状態に配置しておき、第１の接合パッドと第２の接合パッドを半田バンプを介して接合した後、ベース配線基板およびフレーム配線基板の隙間に封止樹脂を注入する。したがって、ベース配線基板とフレーム配線基板との間に液状の封止樹脂を注入するときに、封止樹脂が最初に接触した半田バンプを起点にして濡れ広がっていくと、切断領域に沿って隣接する接合パッドよりも切断領域を挟んで隣接する接合パッドに先に接触してさらにその接合パッドを起点に切断領域を挟んで千鳥状に配置された半田バンプを順次伝って切断領域上に優先的に濡れ広がっていく。さらに、切断領域上に濡れ広がった封止樹脂は切断領域を挟んだ両側に濡れ広がっていく。それにより、切断領域上に空隙が生じることを防止することができる。その結果、各製品に搭載される半導体素子を安定的に作動させることが可能な配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１（ａ）および（ｂ）は、本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す概略断面図および平面図である。
【図２】図２は、図１に示すベース配線基板の切断領域付近の拡大平面図である。
【図３】図３（ａ）および（ｂ）は、本発明のベース配線基板とフレーム配線基板との間を濡れ広がる封止樹脂の状態を示す模式図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は、本発明の配線基板の製造方法における工程ごとの状態を示す概略断面図である。
【図５】図５（ａ）および（ｂ）は、従来の配線基板の実施の形態の一例を示す概略断面図および平面図である。
【図６】図６（ａ）および（ｂ）は、従来のベース配線基板とフレーム配線基板との間を濡れ広がる封止樹脂の状態を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
次に、本発明の配線基板の実施形態の一例を図１〜図３を基に詳細に説明する。
【００１７】
図１（ａ）および（ｂ）に本発明の実施形態の一例である配線基板Ａを示す。配線基板Ａは、半導体素子Ｓが搭載されるベース配線基板１０と上にフレーム配線基板２０が接合されて成る。ここで、図１（ａ）は、図１（ｂ）に示すＶ−Ｖ間を通る断面図である。配線基板Ａは、複数の製品領域Ｘと、製品領域Ｘの周囲に切断領域Ｚを挟んで一体的に形成された捨て代領域Ｙとを有しており、製品領域Ｘ同士の間、および製品領域Ｘと捨て代領域Ｙとの間の切断領域Ｚを切断することで、個々の製品が同時に多数個製造される。なお、後述のベース配線基板１０およびフレーム配線基板２０における製品領域Ｘに対応する部分をＸｂおよびＸｆ、捨て代領域Ｙに対応する部分をＹｂおよびＹｆ、切断領域Ｚに対応する部分をＺｂおよびＺｆの符号を付して説明する。
【００１８】
ベース配線基板１０は、上下に貫通する複数のスルーホール２を有する絶縁基板１と、絶縁基板１の上下面およびスルーホール２内に被着された配線導体層３と、絶縁基板１および配線導体層３上に被着されたソルダーレジスト層４とを有している。なお、スルーホール２の内部は孔埋め樹脂により充填されている。
【００１９】
ベース配線基板１０の上面には、半導体素子Ｓを搭載するための素子搭載部１ａが形成されている。この素子搭載部１ａには、半導体素子Ｓの電極Ｔと電気的に接続するための複数の半導体素子接続パッド５が配線導体層３の一部により形成されている。これらの半導体素子接続パッド５は、ソルダーレジスト層４に設けた開口部４ａ内に露出している。そして、この半導体素子接続パッド５に半導体素子Ｓの電極Ｔを半田バンプＨを介して接続することにより、半導体素子Ｓとベース配線基板１０とが電気的に接続される。
さらに、ベース配線基板１０の上面には、フレーム配線基板２０が接合される枠状のフレーム接合部１ｂが素子搭載部１ａを囲繞するようにして形成されている。このフレーム接合部１ｂには、フレーム配線基板２０と電気的に接続するための複数の第１の接合パッド６が配線導体層３の一部により形成されている。そして、第１の接合パッド６は、切断領域Ｚｂに沿う方向に切断領域Ｚｂを挟んで互いに隣接して千鳥状に並ぶ２列のパッド列を有し、２列のパッド列における接合パッド同士の隣接間隔が切断領域Ｚｂに沿う接合パッド同士よりも切断領域Ｚｂを挟んだ接合パッド同士の方が狭い状態に形成されている。これらの第１の接合パッド６は、ソルダーレジスト層４に設けた開口部４ｂ内に露出している。なお、これらの第１の接合パッド６と半導体素子接続パッド５の一部とは、互いに電気的に接続されている。
また、ベース配線基板１０の下面には、外部の電気回路基板と接続するための複数の外部接続パッド７が配線導体層３の一部により形成されている。これらの外部接続パッド７は、ソルダーレジスト層４に設けた開口部４ｃ内に露出している。これらの外部接続パッド７は、スルーホール２を介して半導体素子接続パッド５に電気的に接続されている。さらにベース配線基板１０には、その下面からフレーム接合部１ｂ上面にかけて貫通する樹脂注入孔８が複数形成されている。この樹脂注入孔８を介して後述する封止樹脂１８がベース配線基板１０のフレーム接合部１ｂとフレーム配線基板２０との間に充填されている。
【００２０】
フレーム配線基板２０は、上下に貫通する複数のスルーホール１２を有する絶縁基板１１と、絶縁基板１１やスルーホール１２内に被着された配線導体層１３と、絶縁基板１１の上下面に被着されたソルダーレジスト層１４とを有している。なお、スルーホール１２の内部は孔埋め樹脂により充填されている。このフレーム配線基板２０には、素子搭載部１ａを囲繞する大きさの開口部１５が形成されている。また、フレーム配線基板２０の下面にはベース配線基板１０の第１の接合パッド６に対応する位置に複数の第２の接合パッド１６が配線導体層１３の一部により形成されている。したがって、第２の接合パッド１６は、切断領域Ｚｆに沿う方向に切断領域Ｚｆを挟んで互いに隣接して千鳥状に並ぶ２列のパッド列を有し、２列のパッド列における接合パッド同士の隣接間隔が切断領域Ｚｆに沿う接合パッド同士よりも切断領域Ｚｆを挟んだ接合パッド同士の方が狭い状態に形成されている。これらの第２の接合パッド１６は、ソルダーレジスト層１４に設けた開口部１４ａ内に露出している。
そして、これらの第２の接合パッド１６と第１の接合パッド６とが半田バンプＨを介して互いに接合されており、これによりベース配線基板１０の配線導体層３の一部とフレーム配線基板２０の配線導体層１３とが電気的に接続されている。
また、フレーム配線基板２０の上面には、複数の第３の接合パッド１７が配線導体層１３の一部により形成されている。これらの第３の接合パッド１７は、ソルダーレジスト層１４に設けた開口部１４ｂ内に露出している。この第３の接合パッド１７には、さらに他の配線基板や導電性の蓋体が開口部１５を覆うようにして接合される。
さらに、フレーム接合部１ｂにおけるベース配線基板１０とフレーム配線基板２０との間には、封止樹脂１８が充填されている。この封止樹脂１８は、ベース配線基板１０とフレーム配線基板２０とを強固に接合するとともに、ベース配線基板１０とフレーム配線基板２０との接合部から素子搭載部１ａ側に水分や異物などが隙間に浸入することを防止することで半導体素子Ｓを保護する機能を有している。
【００２１】
絶縁基板１、１１は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料から成る。また、配線導体層３、１３は例えば銅箔や銅めっき等の良導電性材料により形成されている。そして、ソルダーレジスト層４、１４は、例えばアクリル変性エポキシ樹脂等の感光性を有する熱硬化性樹脂を硬化させた電気絶縁材料から成る。
【００２２】
なお、図２にベース配線基板１０の切断領域Ｚ付近の拡大図を示す。図２のように、本例の配線基板Ａにおいては、第１および第２（不図示）の接合パッド６および１６は、切断領域Ｚに沿う方向に切断領域Ｚを挟んで互いに隣接して千鳥状に並ぶ２列のパッド列を有している。さらに、２列のパッド列における接合パッド同士の隣接間隔が切断領域Ｚに沿う接合パッド同士の間隔ｄ２よりも、切断領域Ｚを挟んだ接合パッド同士の間隔ｄ１の方が狭い状態で配置されている。したがって、ベース配線基板１０とフレーム配線基板２０との間に液状の封止樹脂１８を注入するときに、封止樹脂１８が最初に接触した半田バンプＨを起点にして濡れ広がっていくと、図３（ａ）に示すように、切断領域Ｚに沿って隣接する接合パッドよりも切断領域Ｚを挟んで隣接する接合パッドに先に接触して濡れ広がる。さらに、図３（ｂ）に示すように、その接合パッドを起点に切断領域Ｚを挟んで千鳥状に配置された半田バンプＨを順次伝って切断領域Ｚ上に優先的に濡れ広がっていく。さらに、切断領域Ｚ上に濡れ広がった封止樹脂１８は切断領域Ｚを挟んだ両側に濡れ広がっていく。それにより、切断領域Ｚ上に空隙が生じることを防止することができる。その結果、各製品に搭載される半導体素子Ｓを安定的に作動させることが可能な配線基板Ａを提供することができる。
【００２３】
次に、本発明の配線基板の製造方法の一例について、図４（ａ）〜（ｃ）を基にして詳細に説明する。なお、図４（ａ）〜（ｃ）において、図１を基に説明した配線基板Ａと同一の箇所には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。まず、図４（ａ）に示すように、ベース配線基板１０とフレーム配線基板２０とを準備する。
【００２４】
ベース配線基板１０は、上述したように、上下に貫通する複数のスルーホール２を有する絶縁基板１と、絶縁基板１の上下面およびスルーホール２内に被着された配線導体層３と、絶縁基板１および配線導体層３上に被着されたソルダーレジスト層４とを有している。
ベース配線基板１０の上面には、素子搭載部１ａおよび素子搭載部１ａを囲繞する枠状のフレーム接合部１ｂが形成されている。素子搭載部１ａには、複数の半導体素子接続パッド５が形成されている。また、フレーム接合部１ｂには、複数の第１の接合パッド６が形成されている。第１の接合パッド６は、切断領域Ｚｂに沿う方向に切断領域Ｚｂを挟んで互いに隣接して千鳥状に並ぶ２列のパッド列を有し、２列のパッド列における接合パッド同士の隣接間隔が切断領域Ｚｂに沿う接合パッド同士よりも切断領域Ｚｂを挟んだ接合パッド同士の方が狭い状態に形成されている。
ベース配線基板１０の下面には外部接続パッド７が形成されている。そして半導体素子接続パッド５と第１の接合パッド６と外部接続パッド７とは、対応するもの同士が電気的に接続されている。
上面側のソルダーレジスト層４はベース配線基板１０上面の素子搭載部１ａからフレーム接合部１ｂにかけて被着されている。上面側のソルダーレジスト層４は、素子搭載部１ａにおいて半導体素子接続パッド５を露出させる開口部４ａを有しているとともに、フレーム接合部１ｂにおいて第１の接合パッド６を露出させる開口部４ｂを有している。下面側のソルダーレジスト層４は、外部接続パッド７を露出させる開口部４ｃを有している。さらに、ベース配線基板１０は、その下面からフレーム接合部１ｂ上面にかけて貫通する複数の樹脂注入孔８を有している。
【００２５】
このようなベース配線基板１０は、例えば次のように形成される。まず、ガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させてなる絶縁板の両面に１２〜１８μｍ程度の銅箔が被着された両面銅張り板を用意する。次にドリル加工やレーザ加工、あるいはブラスト加工によりφ５０〜３００μｍ程度のスルーホール２を複数形成する。次に、スルーホール２の内壁に銅めっき層を被着させるとともに、周知のサブトラクティブ法により絶縁板上およびスルーホール２内に所定のパターンを有する配線導体層３を形成する。次に、半導体素子接続パッド５を露出させる開口部４ａおよび第１の接合パッド６を露出させる開口部４ｂを有する上面側のソルダーレジスト層４ならびに外部接続パッド７を露出させる開口部４ｃを有する下面側のソルダーレジスト層４を形成する。次に、フレーム接合部１ｂに上面から下面に貫通するφ０．８〜２ｍｍ程度の樹脂注入孔８をドリル加工により形成することでベース配線基板１０が形成される。
【００２６】
フレーム配線基板２０は、上述したように、上下に貫通する複数のスルーホール１２を有する絶縁基板１１と、絶縁基板１１やスルーホール１２内に被着された配線導体層１３と、絶縁基板１１の上下面に被着されたソルダーレジスト層１４とを有している。そして、ベース配線基板１０の素子搭載部１ａに対応する位置に素子搭載部１ａを囲繞する大きさの開口部１５を有している。
フレーム配線基板２０の下面には、ベース配線基板１０における第１の接合パッド６に対応する位置に複数の第２の接合パッド１６が形成されている。したがって、切断領域Ｚｆに沿う方向に切断領域Ｚｆを挟んで互いに隣接して千鳥状に並ぶ２列のパッド列を有し、２列のパッド列における接合パッド同士の隣接間隔が切断領域Ｚｆに沿う接合パッド同士よりも切断領域Ｚｆを挟んだ接合パッド同士の方が狭い状態に形成されている。フレーム配線基板２０の上面には、第３の接合パッド１７が形成されている。下面側のソルダーレジスト層１４は、第２の接合パッド１６を露出させる開口部１４ａを有している。上面側のソルダーレジスト層１４は、第３の接合パッド１７を露出させる開口部１４ｂを有している。
【００２７】
このようなフレーム配線基板２０は、例えば次のように形成される。まず、ガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させてなる絶縁板の両面に１２〜１８μｍ程度の銅箔が被着された両面銅張り板を用意する。次にドリル加工やレーザ加工、あるいはブラスト加工によりφ５０〜３００μｍ程度のスルーホール１２を複数形成するとともに、ルータ加工やレーザ加工、あるいはブラスト加工により開口部１５を形成する。次に、スルーホール１２内に銅めっき層を被着させるとともに、周知のサブトラクティブ法により絶縁板上およびスルーホール１２内に所定のパターンを有する配線導体層１３を形成する。次に第２の接合パッド１６を露出させる開口部１４ａを有する下面側のソルダーレジスト層１４と第３の接合パッド１７を露出させる開口部１４ｂを有する上面側のソルダーレジスト層１４とを形成する。
【００２８】
次に図４（ｂ）に示すように、ベース配線基板１０とフレーム配線基板２０とを、それぞれ対応する第１の接合パッド６と第２の接合パッド１６とが対向するように配置するとともに、対向する第１の接合パッド６と第２の接合パッド１６とを半田バンプＨを介して接合する。なお、半田バンプＨを介した接合は、例えば次のようにして行なわれる。まず第１の接合パッド６または第２の接合パッド１６の少なくとも一方に半田バンプＨ用の半田を溶着させる。次に対応する第１の接合パッド６と第２の接合パッド１６とが対向するようにベース配線基板１０上にフレーム配線基板２０を載置する。次にリフロー処理により半田を溶融させ、それぞれ対応する第１の接合パッド６と第２の接合パッド１６とを半田バンプＨを介して接合させる。
【００２９】
次に、図４（ｃ）に示すように、フレーム配線基板２０を下側にした状態で樹脂注入孔８から液状の封止樹脂１８をベース配線基板１０とフレーム配線基板２０との間に注入する。このとき、本例の配線基板Ａの製造方法においては、隣接する製品領域Ｘの間で、第１の接合パッド６および第２の接合パッド１６は、切断領域Ｚに沿う方向に切断領域Ｚを挟んで互いに隣接して千鳥状に並ぶ２列のパッド列を有し、２列のパッド列における接合パッド同士の隣接間隔が切断領域Ｚに沿う接合パッド同士よりも切断領域Ｚを挟んだ接合パッド同士の方が狭い状態に配置されていることから、ベース配線基板１０とフレーム配線基板２０との間に液状の封止樹脂１８を注入するときに、封止樹脂１８が最初に接触した半田バンプＨを起点にして濡れ広がっていくと、切断領域Ｚに沿って隣接する接合パッドよりも切断領域Ｚを挟んで隣接する接合パッドに先に接触してさらにその接合パッドを起点に切断領域Ｚを挟んで千鳥状に配置された半田バンプＨを順次伝って切断領域Ｚ上に優先的に濡れ広がっていく。さらに、切断領域Ｚ上に濡れ広がった封止樹脂１８は切断領域Ｚを挟んだ両側に濡れ広がっていく。それにより、切断領域Ｚ上に空隙が生じることを防止することができる。その結果、各製品に搭載される半導体素子Ｓを安定的に作動させることが可能な配線基板Ａを提供することができる。
【００３０】
最後に、ベース配線基板１０とフレーム配線基板２０との間に注入した封止樹脂１８を硬化させることにより、図１に示した配線基板Ａが完成する。
【符号の説明】
【００３１】
１ａ              素子搭載部
１ｂ              フレーム接合部
６                第１の接合パッド
１０              ベース配線基板
１５              開口部
１６              第２の接合パッド
１８              封止樹脂
２０              フレーム配線基板
Ａ                配線基板
Ｈ                半田バンプ
Ｘｂ、Ｘｆ    製品領域
Ｚｂ、Ｚｆ    切断領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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