(57)【要約】【課題】安全性が高く、高収率で得ることができるイミノクロライド誘導体の製造方法及びフェニルイミダゾール誘導体の製造方法を提供する。【解決手段】一般式（１）で表される化合物と、クロル化剤とを、含窒素反応補助剤の存在下、で反応させ、一般式（２）で表されるイミノクロライド誘導体を製造する。【化１】2014091722.tif 000017［式中、Ｒ１及びＲ２は、炭素数３以上の分岐アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Ｒ３は、置換基を表す。Ｒ４は、芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を表す。nは、０〜３の整数を表す。］【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される化合物と、クロル化剤とを、含窒素反応補助剤の存在下で、反応させ、下記一般式（２）で表されるイミノクロライド誘導体を製造することを特徴とするイミノクロライド誘導体の製造方法。
【化１】
2014091722.tif 000015
［式中、Ｒ１及びＲ２は、炭素数３以上の分岐アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Ｒ３は、置換基を表す。Ｒ４は、芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を表す。nは、０〜３の整数を表す。］
【請求項２】
前記含窒素反応補助剤として、含窒素複素環化合物を使用することを特徴とする請求項１に記載のイミノクロライド誘導体の製造方法。
【請求項３】
前記含窒素反応補助剤として、トリエチルアミン、ピリジン、ピコリン又はジメチルホルムアミドを使用することを特徴とする請求項１に記載のイミノクロライド誘導体の製造方法。
【請求項４】
前記含窒素反応補助剤は、前記一般式（１）で表される化合物に対してモル比で０．２〜１．０倍の範囲内であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のイミノクロライド誘導体の製造方法。
【請求項５】
下記一般式（１）で表される化合物と、クロル化剤を含窒素反応補助剤の存在下で反応させて、下記一般式（２）で表されるイミノクロライド誘導体を製造し、続いて下記一般式（３）で表される化合物と反応させて、下記一般式（４）で表されるフェニルイミダゾール誘導体を製造することを特徴とするフェニルイミダゾール誘導体の製造方法。
【化２】
2014091722.tif 000016
［式中、Ｒ１及びＲ２は、炭素数３以上の分岐アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Ｒ３は、置換基を表す。Ｒ４は、芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を表す。Ｒ５は、水素原子又は置換基を表す。Ｒ６は、アルキル基を表す。nは０〜３の整数を表す。］
【請求項６】
前記含窒素反応補助剤として、含窒素複素環化合物を使用することを特徴とする請求項５に記載のイミノクロライド誘導体の製造方法。
【請求項７】
前記含窒素反応補助剤として、トリエチルアミン、ピリジン、ピコリン又はジメチルホルムアミドを使用することを特徴とする請求項５に記載のイミノクロライド誘導体の製造方法。
【請求項８】
前記含窒素反応補助剤は、前記一般式（１）で表される化合物に対してモル比で０．２〜１．０倍の範囲内であることを特徴とする請求項５〜７のいずれか一項に記載のイミノクロライド誘導体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機合成化合物の中間体及び有機エレクトロルミネッセンス用材料として有用なイミノクロライド誘導体の製造方法及びフェニルイミダゾール誘導体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フェニルイミダゾール誘導体の合成法として、イミノクロライド誘導体を経由する方法（例えば、特許文献１及び２参照）、ベンズアルデヒド誘導体、オキサルアルデヒド及びアニリン誘導体を用いる方法（例えば、特許文献３参照）、イミダゾリン誘導体を経由し過マンガン酸カリウム（例えば、特許文献４参照）で酸化する方法が知られている。
これらのうち、イミノクロライド誘導体を経由する方法は、危険有害性を有する試薬を使用せず、収率も比較的高いことから量産適正に優れている。
しかしながら、フェニルイミダゾール誘導体のフェニル基のオルト位に嵩高い基を置換した場合に、上記のイミノクロライド誘導体を経由する方法で合成すると、反応性が低下することや、イミノクロライド誘導体以外の副生成物が大量に生成すること等により、収率が大幅に低下することが判明した。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願公開２０１１／５７５５９号明細書
【特許文献２】特開２０１１−１２１８７４号公報
【特許文献３】特開２０１２−６８７８号公報
【特許文献４】米国特許７９０２１７４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、安全性が高く、高収率で得ることができるイミノクロライド誘導体の製造方法及びフェニルイミダゾール誘導体の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者等は、上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討する過程において、下記一般式（１）で表される化合物と、クロル化剤と、含窒素反応補助剤の存在下で、反応させ、続いて下記一般式（３）で表される化合物と反応させることによって、フェニル基のオルト位に嵩高い基を置換した下記一般式（４）で表されるフェニルイミダゾール誘導体を、安全性が高く、高収率で得ることができることを見出し本発明に至った。
すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。
１．下記一般式（１）で表される化合物と、クロル化剤とを、含窒素反応補助剤の存在下で、反応させ、下記一般式（２）で表されるイミノクロライド誘導体を製造することを特徴とするイミノクロライド誘導体の製造方法。
【化１】
2014091722.tif 000002
［式中、Ｒ１及びＲ２は、炭素数３以上の分岐アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Ｒ３は、置換基を表す。Ｒ４は、芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を表す。nは、０〜３の整数を表す。］
【０００６】
２．前記含窒素反応補助剤として、含窒素複素環化合物を使用することを特徴とする第１項に記載のイミノクロライド誘導体の製造方法。 
【０００７】
３．前記含窒素反応補助剤として、トリエチルアミン、ピリジン、ピコリン又はジメチルホルムアミドを使用することを特徴とする第１項に記載のイミノクロライド誘導体の製造方法。
【０００８】
４．前記含窒素反応補助剤は、前記一般式（１）で表される化合物に対してモル比で０．２〜１．０倍の範囲内であることを特徴とする第１項〜第３項のいずれか一項に記載のイミノクロライド誘導体の製造方法。
【０００９】
５．下記一般式（１）で表される化合物と、クロル化剤を含窒素反応補助剤の存在下で反応させて、下記一般式（２）で表されるイミノクロライド誘導体を製造し、続いて下記一般式（３）で表される化合物と反応させて、下記一般式（４）で表されるフェニルイミダゾール誘導体を製造することを特徴とするフェニルイミダゾール誘導体の製造方法。
【化２】
2014091722.tif 000003
［式中、Ｒ１及びＲ２は、炭素数３以上の分岐アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Ｒ３は、置換基を表す。Ｒ４は、芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を表す。Ｒ５は、水素原子又は置換基を表す。Ｒ６は、アルキル基を表す。nは０〜３の整数を表す。］
【００１０】
６．前記含窒素反応補助剤として、含窒素複素環化合物を使用することを特徴とする第５項に記載のイミノクロライド誘導体の製造方法。
【００１１】
７．前記含窒素反応補助剤として、トリエチルアミン、ピリジン、ピコリン又はジメチルホルムアミドを使用することを特徴とする第５項に記載のイミノクロライド誘導体の製造方法。
【００１２】
８．前記含窒素反応補助剤は、前記一般式（１）で表される化合物に対してモル比で０．２〜１．０倍の範囲内であることを特徴とする第５項〜第７項のいずれか一項に記載のイミノクロライド誘導体の製造方法。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の上記手段により、フェニル基のオルト位に嵩高い基を置換したフェニルイミダゾール誘導体を、安全性が高く、高収率で得ることができるイミノクロライド誘導体の製造方法及びフェニルイミダゾール誘導体の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施例１における、ＤＭＦ添加量と、例示化合物１−３、イミノエーテル及び副生成物の反応率との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明のイミノクロライド誘導体の製造方法は、上記一般式（１）で表される化合物と、クロル化剤とを、含窒素反応補助剤の存在下で、反応させ、上記一般式（２）で表されるイミノクロライド誘導体を製造することを特徴とする。この特徴は、請求項１〜請求項６までの請求項に係る発明に共通又は対応する技術的特徴である。
【００１６】
本発明のフェニルイミダゾール誘導体の製造方法は、上記一般式（１）で表される化合物と、クロル化剤を含窒素反応補助剤の存在下で反応させて、上記一般式（２）で表されるイミノクロライド誘導体を製造し、続いて上記一般式（３）で表される化合物と反応させて、上記一般式（４）で表されるフェニルイミダゾール誘導体を製造することが好ましい。
本発明の実施態様としては、本発明の効果発現の観点から、前記含窒素反応補助剤として、含窒素複素環化合物、特にピリジン又はピコリンを使用することが好ましく、またトリエチルアミン又はジメチルホルムアミドを使用することも好ましい。
また、前記含窒素反応補助剤は、前記一般式（１）で表される化合物に対してモル比で０．２〜１．０倍の範囲内であることが、副生成物の生成を抑制する効果が大きい点で好ましい。
以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、「〜」は、その前後に記載されている数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。
【００１７】
［本発明のイミノクロライド誘導体及びフェニルイミダゾール誘導体の製造方法］
本発明のイミノクロライド誘導体の製造方法は、下記一般式（１）で表される化合物と、クロル化剤とを、含窒素反応補助剤の存在下で反応させて、下記一般式（２）で表されるイミノクロライド誘導体を製造する。
また、本発明のフェニルイミダゾール誘導体の製造方法は、前記イミノクロライド誘導体を製造した後、下記一般式（３）で表される化合物と反応させて、下記一般式（４）で表されるフェニルイミダゾール誘導体を製造する。
【化３】
2014091722.tif 000004
【００１８】
一般式（１）、一般式（２）及び一般式（４）において、Ｒ１及びＲ２で表される炭素数３以上の分岐アルキル基として、例えば、iso-プロピル基、sec-ブチル基、iso-ブチル基、t-ブチル基、neo-ペンチル基、2-エチルヘキシル基、t-オクチル基等の各基が挙げられる。
一般式（１）、一般式（２）及び一般式（４）において、Ｒ１及びＲ２で表されるシクロアルキル基として例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロオクチル基等が挙げられる。これらのうちで好ましいものはiso-プロピル基である。
【００１９】
一般式（１）、一般式（２）及び一般式（４）において、Ｒ３で表される置換基として例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アシルアミノ基、スルホンアミド基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ハロゲン原子、複素環、スルホニル基、スルフィニル基、ホスホニル基、アシル基、カルバモイル基、スルファモイル基、シアノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、複素環オキシ基、シロキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アミノ基、アルキルアミノ基、イミド基、ウレイド基、スルファモイルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、カルボキシ基、トリアルキルシリル基、トリアリールシリル基等の各基が挙げられる。
Ｒ３が複数ある場合、それぞれ同じ置換基であっても異なる置換基であってもよい。
また、隣接する基同士で環を形成してもよい。
【００２０】
一般式（１）、一般式（２）及び一般式（４）において、Ｒ４で表される芳香族炭化水素環基として例えば、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ−テルフェニル環、ｍ−テルフェニル環、ｐ−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等の各基が挙げられる。
一般式（１）、一般式（２）及び一般式（４）において、Ｒ４で表される芳香族複素環基として例えば、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環等の各基が挙げられる。
【００２１】
一般式（３）において、Ｒ５で表される置換基としては、Ｒ３で表される置換基と同様の基を表す。
一般式（３）において、Ｒ６で表されるアルキル基として例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基等が挙げられる。
【００２２】
上記の基は、いずれもさらに置換基によって置換されていてもよく置換基として例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アシルアミノ基、スルホンアミド基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ハロゲン原子、複素環、スルホニル基、スルフィニル基、ホスホニル基、アシル基、カルバモイル基、スルファモイル基、シアノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、複素環オキシ基、シロキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アミノ基、アルキルアミノ基、イミド基、ウレイド基、スルファモイルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、カルボキシ基、トリアルキルシリル基、トリアリールシリル基等の各基が挙げられる。
【００２３】
上記一般式（１）及び（４）において、ｎは、０〜３の整数を表す。
【００２４】
以下に、本発明の一般式（１）で表される化合物の代表的具体例を示すが、本発明はこれらに限定されものではない。
＜一般式（１）で表される化合物例＞
【化４】
2014091722.tif 000005
【００２５】
以下に、本発明の一般式（２）で表される化合物の代表的具体例を示すが、本発明はこれらに限定されものではない。
＜一般式（２）で表される化合物例＞
【化５】
2014091722.tif 000006
【００２６】
以下に、本発明の一般式（３）で表される化合物の代表的具体例を示すが、本発明はこれらに限定されものではない。
＜一般式（３）で表される化合物例＞
【化６】
2014091722.tif 000007
【００２７】
以下に、本発明の一般式（４）で表される化合物の代表的具体例を示すが、本発明はこれらに限定されものではない。
＜一般式（４）で表される化合物＞
【化７】
2014091722.tif 000008
【００２８】
＜含窒素反応補助剤＞
本発明で用いられる含窒素反応補助剤としては、例えば、脂肪族アミン（トリエチルアミン、テトラメチルエチレンジアミン、１，４−ジアザビシクロ〔２．２．２〕オクタン（ＤＡＢＣＯ）、１，８−ジアザビシクロ〔５．４．０〕−７−ウンデセン（ＤＢＵ）等）、芳香族アミン（ジメチルアニリン、ジエチルアニリン等）、含窒素複素環（ピリジン、ピコリン、ルチジン、ピリミジン、ピラジン等）、アミド化合物（ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）等）が挙げられる。これらのうちで好ましいものは、含窒素複素環であり、特にピリジン又はピコリンを使用することが好ましく、またトリエチルアミン又はジメチルホルムアミドを使用することも好ましい。
【００２９】
本発明で用いられる含窒素反応補助剤は、一般式（１）の化合物に対してモル比で０．２〜１．０倍の範囲内で添加することが好ましく、特に好ましくは、０．３〜０．５倍の範囲内である。０．２〜１．０倍の範囲内とすることによって、イミドクロライド誘導体以外の副生成物の生成を抑制する効果が大きくなる。
【００３０】
＜クロル化剤＞
本発明で用いられるクロル化剤としては、例えば、塩化チオニル、オキシ塩化リン、三塩化リン、五塩化リン、オキサリルクロライド等が挙げられる。これらのうちで好ましいものは、オキシ塩化リンである。
【００３１】
＜製造方法＞
イミノクロライド誘導体は、一般式（１）で表される化合物と、クロル化剤と、溶媒とを投入し、還流を行うことによって製造することができる。
フェニルイミダゾール誘導体は、イミノクロライド誘導体を製造した後、一般式（３）で表される化合物と、反応させ、減圧濃縮した後、溶媒を投入し、還流を行うことによって製造することができる。
溶媒としては、例えば、塩化メチレン、クロロホルム、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン等が挙げられる。
【実施例】
【００３２】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
［実施例１］
＜イミノエーテル（１）の合成＞
一般式（１）で表される化合物として例示化合物１−３を１．０ｇ（０．００３５４ｍｏｌ)、トルエンを１０ｍｌ、クロル化剤としてオキシ塩化リンを０．６０ｇ（×１．１ｍｏｌ）投入し、４時間還流を行った後、反応液の一部をメタールに加え、不安定なイミノクロライド誘導体からイミノエーテル（１）を合成した。その後、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）でイミノエーテル（１）の反応率を測定した。測定結果を表１及び図１に示した。
なお、上記で記載した、かっこ内の（×１．１ｍｏｌ）とは、一般式（１）で表される化合物に対する添加比率を表す。以下に記載のものも同様である。
ＨＰＬＣの測定条件は、以下の通りである。
カラム：GL Sciences Inc.  Inertsil ODS-3  ５μｍ  φ４．６ｍｍ×２５０ｍｍ
展開溶媒：Ｈ２Ｏ/アセトニトリル  １０／９０  ｖｏｌ／ｖｏｌ、１％酢酸
オーブン温度：４０℃
検出波長：２５４ｎｍ
流速：１ｍｌ／ｍｉｎ
【００３３】
＜イミノエーテル（２）の合成＞
一般式（１）で表される化合物として例示化合物１−３を１．０ｇ（０．００３５４ｍｏｌ）、トルエンを１０ｍｌ、クロル化剤としてオキシ塩化リンを０．６０ｇ（×１．１ｍｏｌ）、含窒素反応補助剤としてＤＭＦを例示化合物１−３に対して、０．１倍のモル比となるように投入し、４時間還流を行った後、反応液の一部をメタールに加え、不安定なイミノクロライド誘導体（例示化合物２−３）からイミノエーテル（２）を合成した。その後、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）で上記と同様にしてイミノエーテル（２）の反応率を測定した。測定結果を表１及び図１に示した。
【００３４】
なお、例示化合物２−３のイミノクロライド誘導体は、以下のスキームによって合成される。
【化８】
2014091722.tif 000009
【００３５】
＜イミノエーテル（３）〜（５）の合成＞
イミノエーテル（２）の合成において、含窒素反応補助剤としてＤＭＦの添加量を表１に示すモル比に変更した以外は同様にしてイミノエーテル（３）〜（５）を合成した。その後、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）で上記と同様にしてイミノエーテル（３）〜（５）の反応率を測定した。測定結果を表１及び図１に示した。
【００３６】
【表１】
2014091722.tif 000010
【００３７】
表１及び図１の結果に示されるように、ＤＭＦを添加しないで合成したイミノエーテル（１）の場合、約６０％の副生物が生成するのに対して、ＤＭＦを０．２倍モル以上添加して合成したイミノエーテル（３）〜（５）の場合、副生成物が大幅に低減し、イミノエーテルの反応率が大きく向上することが認められる。
【００３８】
［実施例２］
＜例示化合物４−３の合成：比較例＞
一般式（１）で表される化合物として例示化合物１−３を１０．０ｇ（０．０３５４ｍｏｌ）、トルエンを１００ｍｌ（×１０ｖｏｌ）、クロル化剤としてオキシ塩化リンを５．９７ｇ（×１．１ｍｏｌ）を投入し、４時間還流を行った。その後、減圧蒸留によりトルエンを５０ｍｌ除去し、アセトニトリル５０ｍｌを加え、水浴で冷却した。含窒素反応補助剤としてトリエチルアミンを１４．３ｇ（×４ｍｏｌ）、続いて一般式（３）で表される化合物として例示化合物３−２を１４．２ｇ（×３ｍｏｌ）を滴下し1時間撹拌した。攪拌後の反応液を減圧濃縮し、酢酸エチル１００ｍｌを加え水洗し、酢酸エチル層を減圧濃縮した。
次に、トルエン１００ｍｌ、リン酸９．０ｇを投入し、４時間還流を行った。その後、水浴で冷却し炭酸ナトリウム１６．９ｇ、水８０ｍｌの溶液を発泡に注意しながら滴下し、さらに1時間撹拌した。不溶分を除去後、トルエン層を水洗し、減圧濃縮した。その後、ヘプタンにより再結晶を行い、例示化合物４−３を得た。得られた例示化合物４−３の収量は２．６２ｇ、収率は２４．３％であった。
なお、上記で記載した、かっこ内の（×１０ｖｏｌ）とは、一般式（１）で表される化合物に対する容積比率を表す。以下に記載のものも同様である
【００３９】
＜例示化合物４−３の合成：本発明＞
一般式（１）で表される化合物として例示化合物１−３を１０．０ｇ（０．０３５４ｍｏｌ）、トルエンを１００ｍｌ（×１０ｖｏｌ）、クロル化剤としてオキシ塩化リンを５．９７ｇ（×１．１ｍｏｌ）、含窒素反応補助剤としてピリジンを０．８０ｇ（×０．３０ｍｏｌ）を投入し、４時間還流を行った。減圧蒸留によりトルエン５０ｍｌを除去し、アセトニトリル５０ｍｌを加え水浴で冷却した。トリエチルアミンを１４．３ｇ（×４ｍｏｌ）、続いて例示化合物３−２を１４．２ｇ（×３ｍｏｌ）を滴下し1時間撹拌した。攪拌後の反応液を減圧濃縮し、酢酸エチル１００ｍｌを加え水洗し、酢酸エチル層を減圧濃縮した。次に、トルエン１００ｍｌ、リン酸９．０ｇを投入し、４時間還流を行った。その後、水浴で冷却し炭酸ナトリウム１６．９ｇ、水８０ｍｌの溶液を発泡に注意しながら滴下し、さらに1時間撹拌した。不溶分を除去後、トルエン層を水洗し、減圧濃縮した。その後、ヘプタンにより再結晶を行い、例示化合物４−３を得た。得られた例示化合物４−３の収量は８．４９ｇ、収率は７８．６％であった。
また、得られた例示化合物の1H-NMRを測定した。ケミカルシフトは、
1H-NMR  (400MHz, CDCl3): δ=7.46 (t, 1H), 7.43-7.38 (m, 2H), 7.31 (d, 1H), 7.26 (s, 2H), 7.23-7.15 (m, 3H), 6.94 (d, 1H), 2.55-2.35 (m, 2H), 1.10 (d, 6H), 0.85 (d, 6H).
であり、例示化合物４−３が合成できていることを確認した。
【００４０】
なお、例示化合物４−３のフェニルイミダゾール誘導体は、以下のスキームによって合成される。
【化９】
2014091722.tif 000011
【００４１】
以上の結果に示されるように、含窒素反応補助剤であるピリジンを添加した場合は、ピリジンを添加しない場合に比べて、例示化合物４−３を高収率で合成できることが認められる。
【００４２】
［実施例３］
＜例示化合物４−４の合成：比較例＞
一般式（１）で表される化合物として例示化合物１−４を１２．８ｇ（０．０３５４ｍｏｌ）、トルエンを１００ｍｌ（×１０ｖｏｌ）、クロル化剤としてオキシ塩化リンを５．９７ｇ（×１．１ｍｏｌ）を投入し、４時間還を行った。減圧蒸留によりトルエン５０ｍｌを除去し、アセトニトリル５０ｍｌを加え水浴で冷却した。その後、トリエチルアミンを１４．３ｇ（×４ｍｏｌ）、続いて例示化合物３−２を１４．２ｇ（×３ｍｏｌ）を滴下し1時間撹拌した。攪拌後の反応液を減圧濃縮し、酢酸エチル１００ｍｌを加え水洗し、酢酸エチル層を減圧濃縮した。次に、トルエン１００ｍｌ、リン酸９．０ｇを投入し、４時間還流を行った。その後、水浴で冷却し、炭酸ナトリウム１６．９ｇ、水８０ｍｌの溶液を発泡に注意しながら滴下し、さらに、1時間撹拌した。不溶分を除去後、トルエン層を水洗し、減圧濃縮した。その後、ヘプタンにより再結晶を行い、例示化合物４−４を得た。得られた例示化合物４−４の収量は３．２６ｇ、収率は２４．０％であった。
【００４３】
＜例示化合物４−４の合成：本発明＞
一般式（１）で表される化合物として例示化合物１−４を１２．８ｇ（０．０３５４ｍｏｌ）、トルエンを１００ｍｌ（×１０ｖｏｌ）、クロル化剤としてオキシ塩化リンを５．９７ｇ（×１．１ｍｏｌ）、含窒素反応補助剤としてトリエチルアミンを１．０７ｇ （×０．３０ｍｏｌ）を投入し、４時間還流を行った。減圧蒸留によりトルエン５０ｍｌを除去し、アセトニトリル５０ｍｌを加え水浴で冷却した。その後、トリエチルアミン１４．３ｇ（×４ｍｏｌ）、続いて例示化合物３−２を１４．２ｇ（×３ｍｏｌ）を滴下し１時間撹拌した。攪拌後の反応液を減圧濃縮し、酢酸エチル１００ｍｌを加え水洗し、酢酸エチル層を減圧濃縮した。次に、トルエン１００ｍｌ、リン酸９．０ｇを投入し、４時間還流を行った。その後、水浴で冷却し、炭酸ナトリウム１６．９ｇ、水８０ｍｌの溶液を発泡に注意しながら滴下し、さらに、１時間撹拌した。不溶分を除去後、トルエン層を水洗し、減圧濃縮した。その後、ヘプタンにより再結晶を行い、例示化合物４−４を得た。得られた例示化合物４−４の収量は９．７２ｇ、収率は７１．６％であった。
また、得られた例示化合物の1H-NMRを測定した。ケミカルシフトは、
1H-NMR  (400MHz, CDCl3): δ=7.41-7.37 (m, 2H), 7.35 (s, 2H), 7.30 (d, 1H), 7.24-7.20 (m, 3H), 6.94 (d, 1H), 2.50-2.37 (m, 2H), 1.10 (d, 6H), 0.86 (d, 6H).
であり、例示化合物４−４が合成できていることを確認した。
【００４４】
なお、例示化合物４−４のフェニルイミダゾール誘導体は、以下のスキームによって合成される。
【化１０】
2014091722.tif 000012
【００４５】
以上の結果に示されるように、含窒素反応補助剤であるトリエチルアミンを添加した場合は、トリエチルアミンを添加しない場合に比べて、例示化合物４−４を高収率で合成できることが認められる。
【００４６】
［実施例４］
＜例示化合物４−５の合成：比較例＞
一般式（１）で表される化合物として例示化合物１−５を１２．７ｇ（０．０３５４ｍｏｌ）、トルエンを１００ｍｌ（×１０ｖｏｌ）、クロル化剤としてオキシ塩化リンを５．９７ｇ（×１．１ｍｏｌ）を投入し、４時間還流を行った。減圧蒸留によりトルエン５０ｍｌを除去し、アセトニトリル５０ｍｌを加え水浴で冷却した。その後、トリエチルアミン１４．３ｇ（×４ｍｏｌ）、続いて例示化合物３−１を１１．２ｇ（×３ｍｏｌ）を滴下し1時間撹拌した。攪拌後の反応液を減圧濃縮し、酢酸エチル１００ｍｌを加え水洗し、酢酸エチル層を減圧濃縮した。次に、トルエン１００ｍｌ、リン酸９．０ｇを投入し、４時間還流を行った。その後、水浴で冷却し、炭酸ナトリウム１６．９ｇ、水８０ｍｌの溶液を発泡に注意しながら滴下し、さらに、１時間撹拌した。不溶分を除去後、トルエン層を水洗し、減圧濃縮した。その後、ヘプタンにより再結晶を行い、例示化合物４−５を得た。得られた例示化合物４−５の収量は３．５４ｇ、収率は２６．３％であった。
【００４７】
＜例示化合物４−５の合成：本発明＞
一般式（１）で表される化合物として例示化合物１−５を１２．７ｇ（０．０３５４ｍｏｌ）、トルエンを１００ｍｌ（×１０ｖｏｌ）、クロル化剤としてオキシ塩化リンを５．９７ｇ（×１．１ｍｏｌ）、含窒素反応補助剤としてＤＭＦを０．７８ｇ（×０．３０ｍｏｌ）を投入し、４時間還流を行った。減圧蒸留によりトルエン５０ｍｌを除去しアセトニトリル50mlを加え水浴で冷却した。その後、トリエチルアミン１４．３ｇ（×４ｍｏｌ）、続いて例示化合物３−１を１１．２ｇ（×３ｍｏｌ）を滴下し1時間撹拌した。攪拌後の反応液を減圧濃縮し、酢酸エチル１００ｍｌを加え水洗し、酢酸エチル層を減圧濃縮した。次に、トルエン１００ｍｌ、リン酸９．０ｇを投入し、４時間還流を行った。その後、水浴で冷却し、炭酸ナトリウム１６．９ｇ、水８０ｍｌの溶液を発泡に注意しながら滴下し、さらに、１時間撹拌した。不溶分を除去後、トルエン層を水洗し、減圧濃縮した。その後、ヘプタンにより再結晶を行い、例示化合物４−５を得た。得られた例示化合物４−５の収量は９．８２ｇ、収率は７３．０％であった。
また、得られた例示化合物の1H-NMRを測定した。ケミカルシフトは、
1H-NMR  (400MHz, CDCl3): δ=7.66 (dd, 2H), 7.53-7.46 (m, 4H), 7.46 (s, 2H), 7.41 (t, 1H), 7.34 (d, 1H), 7.23-7.18 (m, 3H), 6.96 (d, 1H), 2.60-2.48 (m, 2H), 1.17 (d, 6H), 0.93 (d, 6H).  
であり、例示化合物４−４が合成できていることを確認した。
【００４８】
なお、例示化合物４−５のフェニルイミダゾール誘導体は、以下のスキームによって合成される。
【化１１】
2014091722.tif 000013
【００４９】
以上の結果に示されるように、含窒素反応補助剤であるＤＭＦを添加した場合は、ＤＭＦを添加しない場合に比べて、例示化合物４−５を高収率で合成できることが認められる。
【００５０】
［実施例５］
＜例示化合物４−１２の合成：比較例＞
一般式（１）で表される化合物として例示化合物１−１２を１２．１ｇ（０．０３５４ｍｏｌ）、トルエンを１００ｍｌ（×１０ｖｏｌ）、クロル化剤としてオキシ塩化リンを５．９７ｇ（×１．１ｍｏｌ）を投入し、４時間還流を行った。減圧蒸留によりトルエン５０ｍｌを除去しアセトニトリル50mlを加え水浴で冷却した。その後、トリエチルアミン１４．３ｇ（×４ｍｏｌ）、続いて例示化合物３−２を１４．２ｇ（×３ｍｏｌ）を滴下し1時間撹拌した。攪拌後の反応液を減圧濃縮し、酢酸エチル１００ｍｌを加え水洗し、酢酸エチル層を減圧濃縮した。次に、トルエン１００ｍｌ、リン酸９．０ｇを投入し、４時間還流を行った。その後、水浴で冷却し、炭酸ナトリウム１６．９ｇ、水８０ｍｌの溶液を発泡に注意しながら滴下し、さらに、１時間撹拌した。不溶分を除去後、トルエン層を水洗し、減圧濃縮した。その後、ヘプタンにより再結晶を行い、例示化合物４−１２を得た。得られた例示化合物４−１２の収量は２．６９ｇ、収率は２１．０％であった。
【００５１】
＜例示化合物４−１２の合成：本発明＞
一般式（１）で表される化合物として例示化合物１−１２を１２．１ｇ（０．０３５４ｍｏｌ）、トルエンを１００ｍｌ（×１０ｖｏｌ）、クロル化剤としてオキシ塩化リンを５．９７ｇ（×１．１ｍｏｌ）、含窒素反応補助剤としてo-ピコリンを１．６５ｇ（×０．５０ｍｏｌ）を投入し、４時間還流を行った。減圧蒸留によりトルエン５０ｍｌを除去しアセトニトリル50mlを加え水浴で冷却した。その後、トリエチルアミン１４．３ｇ（×４ｍｏｌ）、続いて例示化合物３−２を１４．２ｇ（×３ｍｏｌ）を滴下し1時間撹拌した。攪拌後の反応液を減圧濃縮し、酢酸エチル１００ｍｌを加え水洗し、酢酸エチル層を減圧濃縮した。次に、トルエン１００ｍｌ、リン酸９．０ｇを投入し、４時間還流を行った。その後、水浴で冷却し、炭酸ナトリウム１６．９ｇ、井水８０ｍｌの溶液を発泡に注意しながら滴下し、さらに、１時間撹拌した。不溶分を除去後、トルエン層を水洗し、減圧濃縮した。その後、ヘプタンにより再結晶を行い、例示化合物４−１２を得た。得られた例示化合物４−１２の収量は９．７０ｇ、収率は７５．６％であった。
また、得られた例示化合物の1H-NMRを測定し、1H-NMRにより例示化合物４−１２が合成できていることを確認した。
【００５２】
なお、例示化合物４−１２のフェニルイミダゾール誘導体は、以下のスキームによって合成される。
【化１２】
2014091722.tif 000014
【００５３】
以上の結果に示されるように、含窒素反応補助剤であるo-ピコリンを添加した場合は、o-ピコリンを添加しない場合に比べて、例示化合物４−１２を高収率で合成できることが認められる。
【００５４】
また、その他の例示化合物も、上記の方法に準じて合成することができ、本発明のように含窒素反応補助剤の存在下で反応させることによって、一般式（４）で表されるフェニルイミダゾール誘導体を高収率で生成でき、また、副生成物の生成も抑制できることが認められる。
【図１】
2014091722.tif 000018