(57)【要約】【課題】マスクのパターンを正確に基板上に転写する上で有利な露光装置を提供する。【解決手段】基板上における複数のショット領域の各々を露光する露光装置は、前記基板を保持して移動可能な基板ステージと、制御部と、を含み、前記複数のショット領域は、第１ショット領域と、当該第１ショット領域の次に露光が行われる第２ショット領域とを含み、前記制御部は、前記第１ショット領域の露光が終了してから前記第２ショット領域の露光が開始されるまでの期間において前記基板ステージの駆動情報に従って前記基板ステージを駆動し、前記期間に前記第２ショット領域の露光を行うための露光条件が整わなかった場合には、前記駆動情報に従って前記基板ステージを再駆動してから前記第２ショット領域の露光を行う。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上における複数のショット領域の各々を露光する露光装置であって、
前記基板を保持して移動可能な基板ステージと、
制御部と、
を含み、
前記複数のショット領域は、第１ショット領域と、当該第１ショット領域の次に露光が行われる第２ショット領域とを含み、
前記制御部は、前記第１ショット領域の露光が終了してから前記第２ショット領域の露光が開始されるまでの期間において前記基板ステージの駆動情報に従って前記基板ステージを駆動し、前記期間に前記第２ショット領域の露光を行うための露光条件が整わなかった場合には、前記駆動情報に従って前記基板ステージを再駆動してから前記第２ショット領域の露光を行う、ことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記駆動情報に従った前記基板ステージの再駆動を行う際における前記基板ステージの位置および速度が、前記第１ショット領域の露光が終了したときの前記基板ステージの位置および速度となるように前記基板ステージを駆動する、ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記駆動情報は、前記基板ステージの加速度と時刻との関係を示す情報を含む、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項４】
マスクに形成されたパターンを前記基板に投影する投影光学系を更に含み、
前記制御部は、前記投影光学系により投影された前記基板上のパターン像の状態を補正する補正値を、前記基板を露光する際における前記基板ステージの駆動情報に従って前記基板ステージを駆動しながら前記基板の露光の前に取得し、取得した前記補正値を用いて前記パターン像の状態を補正しながら前記複数のショット領域の各々における露光を行う、ことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記基板の高さ、前記マスクの高さ、および前記投影光学系の投影倍率のうち少なくとも１つを変更することにより前記パターン像の状態を補正する、ことを特徴とする請求項４に記載の露光装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記ショット領域を照射する光の整形が完了したことを前記露光条件とする、ことを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記露光装置は、スリット光を用いて、当該スリット光と前記基板とを相対的に走査させながら前記複数のショット領域の各々における露光を行う、ことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスなどの製造工程（リソグラフィ工程）で用いられる装置の１つとして、マスクのパターンを基板に転写する露光装置がある。このような露光装置では、マスクのパターンを正確に基板上に転写することが求められている。そのため、露光装置では、投影光学系の結像面（フォーカス面）と基板面とを一致させることが重要であり、基板面の高さを計測するフォーカス計測が行われている。
【０００３】
しかしながら、露光装置では、基板ステージの加速や減速に伴う反力が発生するため、露光装置におけるフレーム構造が変形し、フォーカス計測の結果に誤差が生じてしまいうる。その結果、マスクのパターンを正確に基板に転写することが困難となってしまいうる。そこで、基板に投影された像のずれ量を基板ステージの加速度に応じて事前に測定し、基板を露光する際に、測定した像のずれ量を補正値としてフォーカス計測の結果に反映させる方法が提案されている（特許文献１参照）。また、基板ステージの加速中と等速移動中とにおけるフォーカス計測の結果の差を補正値として事前に取得し、基板ステージの加速中におけるフォーカス計測の結果を、その補正値により補正する方法が提案されている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−１９９３８６号公報
【特許文献２】特開２０１１−２３８７０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
露光装置では、一般に、基板ステージの加速度に応じて事前に取得された補正値によってフォーカス計測の結果を補正しながら、基板上における複数のショット領域の露光が行われる。しかしながら、複数のショット領域の中には、露光を開始するまでに露光条件が整わずに露光が行われなかったショット領域（未露光ショット領域）が生じうる。そして、収率の向上のためには、未露光ショット領域においても露光することが求められている。また、未露光ショット領域を露光する際には、事前に取得した補正値を適用することが望ましい。そのため、未露光ショット領域を露光する際には、複数のショット領域を順番に露光していた際と同じように基板ステージを駆動することが必要である。
【０００６】
そこで、本発明は、マスクのパターンを正確に基板上に転写する上で有利な露光装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、基板上における複数のショット領域の各々を露光する露光装置であって、前記基板を保持して移動可能な基板ステージと、制御部と、を含み、前記複数のショット領域は、第１ショット領域と、当該第１ショット領域の次に露光が行われる第２ショット領域とを含み、前記制御部は、前記第１ショット領域の露光が終了してから前記第２ショット領域の露光が開始されるまでの期間において前記基板ステージの駆動情報に従って前記基板ステージを駆動し、前記期間に前記第２ショット領域の露光を行うための露光条件が整わなかった場合には、前記駆動情報に従って前記基板ステージを再駆動してから前記第２ショット領域の露光を行う、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、例えば、マスクのパターンを正確に基板上に転写する上で有利な露光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態の露光装置を示す図である。
【図２】露光処理の際における基板ステージの駆動情報を示す図である。
【図３】露光処理の際における基板ステージの駆動について説明するための図である。
【図４】従来の露光装置における基板ステージの駆動情報を示す図である。
【図５】従来の露光装置における基板ステージの駆動について説明するための図である。
【図６】第１実施形態の露光装置における基板ステージの駆動情報を示す図である。
【図７】第１実施形態の露光装置における基板ステージの駆動について説明するための図である。
【図８】第２実施形態の露光装置における基板ステージの駆動について説明するための図である。
【図９】第２実施形態の露光装置における基板ステージの駆動情報を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１１】
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態の露光装置１００について、図１を参照しながら説明する。図１は、本発明の第１実施形態の露光装置１００を示す図である。第１実施形態の露光装置１００は、スリット光により基板を走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置である。そして、露光装置１００は、照明光学系１０と、マスクステージ１２と、投影光学系１３と、基板ステージ１５と、位置計測部１７と、フォーカス計測部２１と、制御部２２とを含む。制御部２２は、ＣＰＵやメモリを含み、露光装置１００の全体（露光装置１００の各部）を制御する。即ち、制御部２２は、マスク１１に形成されたパターンを基板１４に転写する処理（基板１４を走査露光する処理）を制御する。ここで、投影光学系１３は、構造体１６によって支持されている。そして、構造体１６は、露光装置１００が固定された場所（床）からの振動を抑制するため、床に固定された定盤２０によって、柱１９を介して支持されている。また、基板ステージ１５は、支持台１８を介して定盤に２０によって支持されており、支持台１８の上をＸＹ方向に移動可能に構成されている。
【００１２】
照明光学系１０は、それに含まれるマスクキングブレードなどの遮光部材により、光源（不図示）から射出された光を、例えばＸ方向に長い帯状または円弧状の形状を有するスリット光に整形し、そのスリット光でマスク１１の一部を照明する。マスク１１および基板１４は、マスクステージ１２および基板ステージ１５によってそれぞれ保持されており、投影光学系１３を介して光学的にほぼ共役な位置（投影光学系１３の物体面および像面）にそれぞれ配置される。投影光学系１３は、所定の投影倍率（例えば１／２倍や１／４倍）を有し、マスク１１に形成されたパターンをスリット光により基板上に投影する。マスク上のパターンが投影された基板上の領域（スリット光が照射する領域）を、以下では照射領域２５と称する。そして、マスクステージ１２および基板ステージ１５は、投影光学系１３の光軸方向（Ｚ方向）に直交する方向（第１実施形態ではＹ方向）に移動可能に構成されており、互いに同期しながら投影光学系１３の投影倍率に応じた速度比で相対的に走査される。これにより、照射領域２５を基板上でＹ方向に走査させて、マスク１１に形成されたパターンを基板上のショット領域に転写することができる。そして、このような走査露光を、基板ステージ１５を移動させながら、基板上における複数のショット領域の各々について順次繰り返すことにより、１枚の基板１４における露光処理を完了させることができる。
【００１３】
位置計測部１７は、例えばレーザ干渉計を含み、基板ステージ１５の位置を計測する。レーザ干渉計は、例えば、レーザ光を基板ステージ１５が備える反射板１５ａに向けて照射し、反射板１５ａで反射されたレーザ光によって基板ステージ１５における基準位置からの変位を検出する。これにより、位置計測部１７は、当該変位に基づいて基板ステージ１５の現在位置を取得することができる。ここで、第１実施形態の位置計測部１７は、レーザ光を用いたレーザ干渉計によって基板ステージ１５の位置を計測しているが、それに限られるものではなく、例えば、エンコーダによって基板ステージ１５の位置を計測してもよい。
【００１４】
フォーカス計測部２１は、投影光学系１３の結像面（フォーカス面）に基板面を一致させるため、基板ステージ１５が移動している状態で基板１４の高さを計測する。第１実施形態のフォーカス計測部２１は、基板１４に光を斜めから照射する斜入射型であり、光を基板１４に照射する照射部２１ａと基板１４で反射された光を受光する受光部２１ｂとを含む。照射部２１ａは、例えば、光源と投影マークと光学系とを含み、光源から射出された光を投影マークに照射し、光学系により基板上に投影マークを結像する。受光部２１ｂは、例えば、結像光学系とセンサとを含み、基板１４から反射された投影マークの像を、結像光学系によりセンサ上に結像する。そして、センサは、例えば、投影マークの像が結像するセンサ上の位置を示す情報を出力する。フォーカス計測部２１では、投影マークを斜めから基板１４に結像しているため、基板１４の高さの変化が、センサ上の結像位置の変化となる。したがって、センサからの出力（センサ上の結像位置を示す情報）に基づいて基板１４の高さを計測することができる。
【００１５】
このように構成された露光装置１００では、マスク１１のパターンを正確に基板上に転写することが求められており、それには投影光学系１３の結像面（フォーカス面）と基板面とを一致させることが重要である。そのため、露光装置１００では、基板面の高さを計測するフォーカス計測がフォーカス計測部２１により行われている。しかしながら、露光装置１００には、基板ステージ１５の加速や減速に伴う反力が発生するため、フレーム構造（例えば構造体１６）が変形し、フォーカス計測の計測結果に誤差が生じてしまう。その結果、投影光学系１３により基板１４に投影されたパターン像の状態が変わってしまい、マスク１１のパターンを正確に基板上に転写することが困難となってしまいうる。そのため、露光装置１００では、フォーカス計測の結果、即ち、パターン像の状態を補正するための補正値（オフセット値）が、基板１４の露光処理の際における基板ステージ１５の駆動情報に従って基板ステージ１５を駆動しながら事前に取得される。そして、事前に取得された補正値を用いて、基板１４に投影されたパターン像の状態（フォーカス計測の結果）を補正しながら複数のショット領域１４ａの各々における露光が行われる。ここで、基板ステージ１５の駆動情報は、基板ステージ１５の加速度と時刻との関係を示す。また、基板１４に投影されたパターン像の状態の補正は、基板１４の高さ、マスク１１の高さ、および投影光学系１３の投影倍率のうち少なくとも１つを変更することにより行われる。
【００１６】
露光処理の際における基板ステージ１５の駆動情報について、図２および図３を参照しながら説明する。図２は、基板ステージ１５を駆動させた際における基板ステージ１５の駆動情報を示す図である。図３は、露光処理の際における基板ステージ１５の駆動について説明するための図であり、図３には、照射領域２５における中心の経路（矢印２６）が示されている。図２において、横軸は時刻を示し、縦軸は基板ステージ１５のＹ方向への加速度を示す。また、基板上には複数のショット領域１４ａが形成されている。そして、露光装置１００（制御部２２）は、各ショット領域１４ａを露光する際、即ち、照射領域２５が各ショット領域１４ａ上にある際には、基板ステージ１５が等速で移動するように基板ステージ１５の駆動を制御する。以下では、複数のショット領域１４ａのうち、ショット領域Ａ（第１ショット領域）と、その次に露光するショット領域Ｂ（第２ショット領域）との露光処理における基板ステージ１５のＹ方向への駆動について説明する。
【００１７】
制御部２２は、ショット領域Ａの露光を開始するまで、即ち、照射領域がショット領域Ａに差し掛かるまで（図３の矢印２６ａ）は、図２に示すように、基板ステージ１５に＋Ｙ方向の加速度１０１を与える。これにより、基板ステージ１５を＋Ｙ方向に加速させ、所定の速度にすることができる。基板ステージ１５が所定の速度になった後では、制御部２２は、照射領域２５がショット領域Ａを＋Ｙ方向に等速で走査するように基板ステージを等速で移動させる（図３の矢印２６ｂ）。そして、制御部２２は、照射領域２５がショット領域Ａに差し掛かったときにショット領域Ａの露光を開始し、照射領域２５がショット領域Ａを抜け出したときにショット領域Ａの露光を終了する。図２においては、時間１０２が、ショット領域Ａの露光が行われている時間である。照射領域２５がショット領域Ａを抜け出した後では、制御部２２は、図２に示すように、基板ステージ１５に−Ｙ方向の加速度１０３を与えることにより基板ステージ１５を減速させる（図３の矢印２６ｃ）。そして、制御部２２は、基板ステージ１５が停止した後も基板ステージ１５に−Ｙ方向の加速度１０４を引き続き与えることにより基板ステージ１５を−Ｙ方向に加速させる（図３の矢印２６ｄ）。これにより、基板ステージ１５を所定の速度にすることができる。基板ステージ１５が所定の速度になった後では、制御部２２は、照射領域２５がショット領域Ｂを−Ｙ方向に等速で走査するように基板ステージ１５を等速で移動させる（図３の矢印２６ｅ）。そして、制御部２２は、照射領域２５がショット領域Ｂに差し掛かったときにショット領域Ｂの露光を開始し、照射領域２５がショット領域Ｂを抜け出したときにショット領域Ｂの露光を終了する。図３においては、時間１０５が、ショット領域Ｂの露光が行われている時間である。
【００１８】
第１実施形態の露光装置１００は、基板１４に投影されたパターン像の状態を補正するための補正値を、図２に示すように構成された駆動情報に従って基板ステージ１５を駆動しながら事前に取得する。そして、露光装置１００は、その駆動情報に従って基板ステージ１５を駆動しながら、複数のショット領域１４ａの各々における露光を行う。この際、事前に取得された補正値を用いて、基板１４に投影されたパターン像の状態（フォーカス計測の結果）の補正が行われる。即ち、露光装置１００は、補正値を取得する際と、複数のショット領域１４ａの各々において露光を行う際とで、同一の駆動情報に従って基板ステージ１５を駆動している。
【００１９】
また、露光装置１００では、ショット領域Ａ（第１ショット領域）の露光が終了してから、ショット領域Ｂ（第２ショット領域）の露光が開始されるまでの期間に、ショット領域Ｂの露光を行うための露光条件を整えている。即ち、図３における期間１２１において、ショット領域Ｂの露光を行うための露光条件を整えている。露光条件としては、例えば、照明光学系１０に含まれるマスキングブレードなどの遮光部材の駆動が完了しているか、光源における光の射出準備が完了しているかなど、ショット領域を照射するスリット光の整形が完了しているか否かが挙げられる。一般に、このような露光条件が整う時間は複数のショット領域１４ａにおいてそれぞれ異なるため、例えば、期間１２１において、ショット領域Ｂの露光を行うための露光条件が整わない場合がある。この場合、露光装置１００は、ショット領域Ｂの露光を行わない。しかしながら、露光装置１００には、収率を向上させるため、ショット領域Ｂの露光条件が期間１２１に整わずに露光が行われなかったショット領域Ｂにおいても露光を行うことが求められている。そのため、露光装置１００は、ショット領域Ｂの露光条件が期間１２１に整わなかった場合、ショット領域Ｂの露光を行うための基板ステージ１５の駆動を中断させる。そして、露光装置１００は、基板ステージ１５を駆動して、露光が行われなかったショット領域Ｂの露光を行う。ここで、露光が行われなかったショット領域Ｂの露光を行う際における基板ステージ１５の駆動について、従来の露光装置と第１実施形態の露光装置１００とを比較しながら説明する。
【００２０】
まず、従来の露光装置において、露光が行われなかったショット領域Ｂの露光を行う際における基板ステージ１５の駆動について、図４を参照しながら説明する。図４は、従来の露光装置における基板ステージ１５の駆動情報を示す図である。図４において、横軸は時刻を示し、縦軸は基板ステージ１５のＹ方向への加速度を示す。また、従来の露光装置において、露光処理の際における基板ステージ１５の駆動については図３を参照して説明する。制御部２２は、ショット領域Ａの露光を開始するまで、即ち、照射領域２５がショット領域Ａに差し掛かるまでは、基板ステージ１５に＋Ｙ方向の加速度４０１を与える（図３の矢印２６ａ）。これにより、基板ステージ１５を＋Ｙ方向に加速させ、所定の速度にすることができる。基板ステージ１５が所定の速度になった後では、制御部２２は、照射領域２５がショット領域Ａを＋Ｙ方向に等速で走査するように基板ステージ１５を等速で移動させる（図３の矢印２６ｂ）。そして、制御部２２は、照射領域２５がショット領域Ａに差し掛かったときにショット領域Ａの露光を開始し、照射領域２５がショット領域Ａを抜け出したときにショット領域Ａの露光を終了する。図４においては、時間４０２が、ショット領域Ａの露光が行われている時間である。照射領域２５がショット領域Ａを抜け出した後では、制御部２２は、基板ステージ１５に−Ｙ方向の加速度４０３を与えることにより基板ステージ１５を減速させる（図３の矢印２６ｃ）。そして、制御部２２は、基板ステージ１５が停止した後も基板ステージ１５に−Ｙ方向の加速度４０４を引き続き与えることにより基板ステージ１５を−Ｙ方向に加速させる（図３の矢印２６ｄ）。これにより、基板ステージ１５を所定の速度にすることができる（図３の矢印２６ｅ）。しかしながら、図４に示す例では、ショット領域Ａの露光が終了してから、ショット領域Ｂの露光が開始されるまでの期間４２１に、ショット領域Ｂの露光を行うための露光条件が整っていない。即ち、ショット領域Ｂの露光条件が整うまでに掛かる時間４２０が期間４２１より長くなってしまい、露光装置は時間４０５ではショット領域Ｂの露光を行うことができない。そのため、露光装置は、露光が行われなかったショット領域Ｂの露光を行う必要がある。そこで、従来の露光装置は、図５に示すように、照射領域２５を位置２７に配置し、照射領域２５を位置２７から−Ｙ方向に走査してショット領域Ｂの露光を行う。
【００２１】
制御部２２は、ショット領域Ｂの露光を行わずに照射領域２５がショット領域Ｂを抜け出した後、基板ステージ１５に＋Ｙ方向の加速度４０６を与えることにより基板ステージ１５を減速させて停止させる（図３の矢印２６ｆ）。そして、制御部２２は、基板ステージ１５に＋Ｙ方向の加速度４０７を与えることで基板ステージ１５を＋Ｙ方向に加速させ、基板ステージ１５に−Ｙ方向の加速度４０９を与えることで基板ステージ１５を減速させて停止させる。これにより、照射領域２５を位置２７に配置することができる。その後、制御部２２は、基板ステージ１５に−Ｙ方向の加速度４１０を与えることで基板ステージ１５を加速させ（図５の矢印２８ａ）、基板ステージ１５を所定の速度にしてショット領域Ｂの露光を行う（図５の矢印２８ｂ）。図４では、時間４１１が、ショット領域Ｂの露光が行われている時間である。このように、従来の露光装置では、照射領域２５を位置２７に配置してから、ショット領域Ｂの露光が行われていた。
【００２２】
しかしながら、従来の露光装置のように、照射領域２５を位置２７に配置してショット領域Ｂの露光を行う場合では、期間４２１における基板ステージ１５の駆動情報と、期間４２２における基板ステージ１５の駆動情報とが異なってしまう。即ち、ショット領域Ｂの露光を開始するまでにおける基板ステージ１５の駆動情報が異なってしまい、基板ステージ１５の駆動に伴う装置の変形が期間４２１と期間４２２とで異なってしまう。そのため、ショット領域Ｂの露光を行うべき時間４０５におけるパターン像の状態と、実際にショット領域Ｂの露光が行われた時間４１１におけるパターン像の状態とが異なってしまう。したがって、時間４１１においてショット領域Ｂの露光を行う際に、事前に取得された補正値を用いてパターン像の状態を補正したとしても当該補正が不十分になってしまい、マスク１１のパターンを正確に基板上に転写することが困難となってしまいうる。
【００２３】
次に、第１実施形態の露光装置１００において、露光が行われなかったショット領域Ｂの露光を行う際における基板ステージ１５の駆動について、図６を参照しながら説明する。図６は、第１実施形態の露光装置における基板ステージ１５の駆動情報を示す図である。第１実施形態の露光装置１００では、露光が行われなかったショット領域Ｂの露光を行う際には、図７に示すように、照射領域２５が位置２９に配置される。そして、制御部２２は、ショット領域Ａを露光した時間４０２と、ショット領域Ａの露光終了からショット領域Ｂの露光開始までの期間４２１とにおける基板ステージ１５の駆動情報に従って基板ステージ１５を再駆動してからショット領域Ｂの露光を行う。したがって、制御部２２は、ショット領域Ｂの露光が行われるべき時間４０５の後、基板ステージ１５に＋Ｙ方向の加速度２０６を与えることにより基板ステージ１５を減速させるとともに、基板ステージ１５を−Ｘ方向に移動させる。これにより、照射領域２５は、時刻２２１において位置２９に配置される。
【００２４】
照射領域２５が位置２９に配置された後、制御部２２は、基板ステージに＋Ｙ方向の加速度２０７を与えることで基板ステージ１５を加速させる（図７の矢印３０ａ）。そして、制御部２２は、基板ステージ１５を所定の速度に保ちながら照射領域２５にショット領域Ａを通過させる（図７の矢印３０ｂ）。図６では、時間２０８が、照射領域２５がショット領域Ａを通過している時間である。ここで、ショット領域Ａの露光は時間４０２において行われているため、制御部２２は、時間２０８においてはショット領域Ａの露光を行わない。
【００２５】
照射領域２５がショット領域Ａを抜け出した後では、制御部２２は、図６に示すように基板ステージ１５に−Ｙ方向の加速度２０９を与えることにより基板ステージを減速させる（図７の矢印３０ｃ）。制御部２２は、基板ステージ１５が停止した後も基板ステージ１５に−Ｙ方向の加速度２１０を引き続き与えることにより基板ステージ１５を−Ｙ方向に加速させる（図７の矢印３０ｄ）。そして、制御部２２は、基板ステージ１５を所定の速度にしてショット領域Ｂの露光を行う（図７の矢印３０ｅ）。図６では、時間２１１が、ショット領域Ｂの露光が行われている時間である。このように、第１実施形態の露光装置１００は、露光条件が整わずに露光が行われなかったショット領域Ｂの露光を行う前に、期間４２１における基板ステージ１５の駆動情報に従って基板ステージ１５を再駆動する。これにより、基板ステージ１５の駆動に伴う装置の変形を期間４２１と期間２２２とで近づけることができる。そのため、ショット領域Ｂの露光を行うべき時間４０５におけるパターン像の状態と、実際にショット領域Ｂの露光が行われた時間２１１におけるパターン像の状態とを近づけることができる。即ち、時間２１１においてショット領域Ｂの露光を行う際に、事前に取得された補正値を用いてパターン像の状態を補正することによって、マスク１１のパターンをショット領域Ｂに正確に転写することが可能となる。
【００２６】
上述したように、第１実施形態の露光装置１００では、ショット領域Ａの露光が終了してからショット領域Ｂの露光が開始されるまでの期間に露光条件が整わずにショット領域Ｂの露光が行われない場合がある。この場合、第１実施形態の露光装置１００は、当該期間における基板ステージ１５の駆動情報に従って基板ステージを再駆動してからショット領域Ｂの露光を行う。これにより、ショット領域Ｂの露光を行うべき時間におけるパターン像の状態と、実際にショット領域Ｂの露光が行われた時間におけるパターン像の状態とを近づけることができる。そのため、露光が行われなかったショット領域Ｂの露光を行う際に、事前に取得された補正値を用いてパターン像の状態を補正することができ、マスクのパターンをショット領域Ｂに正確に転写することが可能となる。
【００２７】
ここで、第１実施形態の露光装置１００では、図６および図７で説明したように、時間４０２と期間４２１とにおける基板ステージ１５の駆動情報に従って基板ステージ１５を再駆動してからショット領域Ｂの露光を行っているが、それに限られるものではない。ショット領域Ｂの露光を行う前に、ショット領域Ａの露光終了からショット領域Ｂの露光開始までの期間４２１における基板ステージ１５の駆動情報に少なくとも従って基板ステージを再駆動させればよい。また、第１実施形態の露光装置１００では、ショット領域Ｂにおける照射領域２５の走査が終了した直後に、照射領域２５が位置２９に配置されるように基板ステージ１５を駆動しているが、それに限られるものではない。例えば、照射領域２５が基板上における全てのショット領域上を走査した後で、照射領域２５が位置２９に配置されるように基板ステージ１５を駆動してもよい。さらに、第１実施形態では、基板ステージ１５の駆動情報に従って基板ステージ１５を再駆動している際に、マスクステージ１２についても、時間４０２と期間４２１とにおけるマスクステージ１２の駆動情報に従って再駆動するとよい。
【００２８】
＜第２実施形態＞
第２実施形態では、ステップ・アンド・リピート方式の露光装置において、露光条件が整わずに露光が行われなかったショット領域を露光する方法について説明する。ステップ・アンド・リピート方式の露光装置では、ショット領域１４ａを露光する際に基板ステージ１５を駆動せず、基板ステージ１５が停止した状態でショット領域１４ａの露光が行われる。即ち、第２実施形態の露光装置では、光が照射される基板上の照射領域２５がショット領域１４ａと同じ大きさとなる。ここで、第２実施形態の露光装置は、第１実施形態の露光装置１００と装置構成が同様であるため、装置構成についての説明はここでは省略する。
【００２９】
第２実施形態の露光装置において、露光処理の際における基板ステージ１５の駆動情報について、図８および図９を参照しながら説明する。図８は、基板ステージ１５を駆動させた際における基板ステージ１５の駆動情報を示す図である。図９は、露光処理の際における基板ステージ１５の駆動について説明するための図であり、図９には、照射領域２５における中心の経路が示されている。ここで、第２実施形態の露光装置では、基板１４に投影されたパターン像の状態を補正する補正値は、基板ステージ１５を停止させてから所定の時間６００が経過した後において取得される。
【００３０】
制御部２２は、基板ステージ１５に＋Ｙ方向の加速度６０１を与えて基板ステージ１５を加速させた（図９の矢印３０ａ）後、基板ステージ１５に−Ｙ方向の加速度６０２を与えて基板ステージ１５を減速させて（図９の矢印３０ｂ）停止させる。それにより、照射領域２５がショット領域Ａに配置される。そして、制御部２２は、ショット領域Ａの露光条件が整った後で、かつ基板ステージ１５が停止してから所定の時間６００（整定時間６２１）が経過した後に、ショット領域Ａの露光を行う。図８において、時間６１１は、ショット領域Ａの露光条件を整えている時間であり、時間６１２は、ショット領域Ａの露光が行われている時間である。ショット領域Ａの露光が終了した後、制御部２２は、基板ステージ１５に＋Ｙ方向の加速度６０３を与えて基板ステージ１５を加速させる（図９の矢印３０ｃ）。そして、制御部２２は、基板ステージ１５に−Ｙ方向の加速度６０４を与えて基板ステージ１５を減速させて（図９の矢印３０ｄ）停止させる。これにより、照射領域２５がショット領域Ｂに配置される。制御部２２は、ショット領域Ｂの露光条件が整った後で、かつ基板ステージ１５が停止してから所定の時間６００が経過した後に、ショット領域Ｂの露光を行う。図８において、時間６１３は、ショット領域Ｂの露光条件を整えている時間であり、時間６１４は、ショット領域Ｂの露光を行うべき時間である。
【００３１】
しかしながら、図８に示すように、ショット領域Ｂの露光条件を整えている時間６１３が終了する時刻は、所定の時間６００が終了する時刻よりも遅くなっている。即ち、ショット領域Ｂを露光する前における基板ステージ１５の整定時間６２２は、所定の時間６００より長くなってしまう。このような整定時間６２２をもってショット領域Ｂを時間６１４において露光してしまうと、補正値を取得した際におけるパターン像の状態と、時間６１４におけるパターン像の状態とが異なってしまう。そのため、制御部２２は、時間６１４におけるショット領域Ｂの露光を止め、基板ステージ１５に−Ｙ方向の加速度６０５を与えた後、基板ステージに＋Ｙ方向の加速度６０６を与えることで、時刻６２４において照射領域２５をショット領域Ａに配置する。その後、制御部２２は、照射領域２５がショット領域Ｂに配置されるように、基板ステージに＋Ｙ方向の加速度６０７を与えることで基板ステージ１５を＋Ｙ方向に加速する（図９の矢印３０ｃ）。そして、制御部２２は、基板ステージ１５に−Ｙ方向の加速度６０８を与えることで基板ステージ１５を−Ｙ方向に減速させて（図９の矢印３０ｄ）停止させる。基板ステージ１５が停止してから所定の時間６００（整定時間６２３）が経過した後に、制御部２２はショット領域Ａの露光を行う。これにより、ショット領域Ｂの露光を行っている時間６１５におけるパターン像の状態を、補正値を取得した際におけるパターン像の状態に近づけることができる。したがって、時間６１５においてショット領域Ｂの露光を行う際に、事前に取得された補正値を用いてパターン像の状態を補正することによって、マスクのパターンをショット領域Ｂに正確に転写することが可能となる。
【００３２】
上述したように、第２実施形態の露光装置では、ショット領域Ａの露光が終了してからショット領域Ｂの露光が開始されるまでの期間にショット領域Ｂの露光条件が整わない場合がある。この場合、第２実施形態の露光装置は、当該期間における基板ステージ１５の駆動情報に従って基板ステージ１５を再駆動してからショット領域Ｂの露光を行う。これにより、ショット領域Ｂを露光する前における整定時間を所定の時間６００にすることができるため、ショット領域Ｂの露光を行う際に、事前に取得された補正値を用いてパターン像の状態を補正することができる。したがって、マスクのパターンをショット領域に正確に転写することが可能となる。
【００３３】
＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態にかける物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の走査露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板を露光する工程）と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００３４】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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