(57)【要約】【課題】同時に３点が押圧された場合に、実際には押圧されていない箇所が誤検出されるのを防止する。【解決手段】ＹセグメントＭｙｉがＸ方向に沿ってｍ個配列され、ＸセグメントＭｘｊがＹ方向に沿ってｎ個配列され、ｍ対の電極及びｎ対の電極への通電を制御する制御手段を有し、ｍ×ｎ個のセルが生成される、タッチパネル２５の制御手段に対し、一次領域検出手順及び二次領域検出手順と、導通検出手順と、位置検出手順と、導通検出手順によって検出された少なくとも１つの押圧セルそれぞれについて、順次、ＹセグメントとＸセグメントとの接触抵抗Ｒｔを検出する、接触抵抗検出手順と、接触抵抗Ｒｔが検出された各押圧セルのうち、対応する接触抵抗Ｒｔが所定のしきい値の範囲外である押圧セルを除外することにより、実際にＹセグメントとＸセグメントとの導通が生じている接触導通点を含む押圧セルを決定する導通決定手順と、を実行させる。【選択図】図１４
2014026582.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに直交するＸ方向及びＹ方向を備えた第１配列面を有し、前記Ｙ方向に伸びる第１導電膜領域が当該第１配列面において前記Ｘ方向に沿ってｍ個配列される第１基材と、各第１導電膜領域に対応して前記第１配列面にそれぞれ設けられ、当該第１導電膜領域に対し前記Ｙ方向に沿った電位勾配を形成可能なｍ対の第１電極の一方と、前記Ｘ方向及び前記Ｙ方向を備えるとともに前記第１配列面と対向する第２配列面を有し、前記Ｘ方向に伸びる第２導電膜領域が当該第２配列面において前記Ｙ方向に沿ってｎ個配列される、第２基材と、各第２導電膜領域に対応して前記第１配列面にそれぞれ設けられ、当該第２導電膜領域に対し前記Ｘ方向に沿った電位勾配を形成可能なｎ対の第２電極の一方と、前記ｍ対の前記第１電極の一方及び前記ｎ対の前記第２電極の一方への通電を制御する制御手段と、を有し、前記ｍ個の第１導電膜領域及び前記ｎ個の前記第２導電膜領域により平面視においてｍ×ｎ個の格子領域が生成される、タッチパネル装置の前記制御手段に対し、
前記ｎ個の前記第２導電膜領域それぞれに対応する前記ｎ対の第２電極の一方を接地側に接続するとともに、前記ｍ個の前記第１導電膜領域それぞれに対応する前記ｍ対の前記第１電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位に接続することにより、前記第２導電膜領域と導通された少なくとも１つの前記第１導電膜領域を検出する、一次領域検出手順と、
前記一次領域検出手順で導通が検出された前記少なくとも１つの前記第１導電膜領域それぞれに対応する各対の第１電極の一方を接地側に接続するとともに、前記ｎ個の前記第２導電膜領域それぞれに対応する前記ｎ対の前記第２電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位に接続することにより、前記第１導電膜領域と前記第２導電膜領域との導通が生じている少なくとも１つの格子領域を矩形状に包含する、略矩形領域を検出する二次領域検出手順と、
前記二次領域検出手順において検出された略矩形領域に含まれる複数の格子領域それぞれについて、順次、対応する一対の前記第２電極の一方を接地側に接続しかつ対応する一対の前記第１電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位を接続するか、若しくは、対応する一対の前記第１電極の一方を接地側に接続しかつ対応する一対の前記第２電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位を接続することにより、各格子領域ごとに、前記第１導電膜領域と前記第２導電膜領域との導通の有無を検出する導通検出手順と、
前記導通検出手順において導通があるとして検出された、少なくとも１つの導通格子領域それぞれについて、順次、前記第１導電膜領域と前記第２導電膜領域との接触抵抗値を検出する、接触抵抗検出手順と、
前記接触抵抗検出手順で接触抵抗が検出された各導通格子領域のうち、対応する前記接触抵抗値が所定のしきい値の範囲外の導通格子領域を除外することにより、実際に前記第１導電膜領域と前記第２導電膜領域との導通が生じている接触導通点を含む前記格子領域を決定する導通決定手順と、
を実行させるための、接触検出処理プログラム。
【請求項２】
請求項１記載の接触検出処理プログラムにおいて、
前記接触抵抗検出手順は、
検出対象となる各格子領域について、対応する一対の前記第１電極の一方に対し所定の電圧を印加するか、若しくは、対応する一対の前記第２電極の一方に対し所定の電圧を印加したときの、前記接触抵抗値を検出する
ことを特徴とする接触検出処理プログラム。
【請求項３】
請求項２記載の接触検出処理プログラムにおいて、
前記接触抵抗検出手順は、
検出対象となる各格子領域における、前記接触抵抗値を、
対応する一対の前記第１電極の一方に対し所定の電圧を印加したときの第１電極側電圧と第２電極側電圧との比と、前記接地側に接続された一対の前記第２電極の一方を含む前記第２導電膜領域全体の抵抗値と、当該第２導電膜領域における前記接触導通点による分圧比と、を用いて算出するか、
若しくは、
対応する一対の前記第２電極の一方に対し所定の電圧を印加したときの第２電極側電圧と第１電極側電圧との比と、前記接地側に接続された一対の前記第１電極の一方を含む前記第１導電膜領域全体の抵抗値と、当該第１導電膜領域における前記接触導通点による分圧比と、を用いて算出する、
ことを特徴とする接触検出処理プログラム。
【請求項４】
請求項２記載の接触検出処理プログラムにおいて、
前記接触抵抗検出手順は、
検出対象となる各格子領域における、前記接触抵抗値を、
対応する一対の前記第１電極の一方に対し所定の電圧を印加したときの第１電極側電圧と第２電極側電圧との比と、対応する導通格子領域より決定されるテーブル値を用いて算出する、
ことを特徴とする接触検出処理プログラム。
【請求項５】
互いに直交するＸ方向及びＹ方向を備えた第１配列面を有し、前記Ｙ方向に伸びる第１導電膜領域が当該第１配列面において前記Ｘ方向に沿ってｍ個配列される第１基材と、各第１導電膜領域に対応して前記第１配列面にそれぞれ設けられ、当該第１導電膜領域に対し前記Ｙ方向に沿った電位勾配を形成可能なｍ対の第１電極の一方と、前記Ｘ方向及び前記Ｙ方向を備えるとともに前記第１配列面と対向する第２配列面を有し、前記Ｘ方向に伸びる第２導電膜領域が当該第２配列面において前記Ｙ方向に沿ってｎ個配列される、第２基材と、各第２導電膜領域に対応して前記第１配列面にそれぞれ設けられ、当該第２導電膜領域に対し前記Ｘ方向に沿った電位勾配を形成可能なｎ対の第２電極の一方と、前記ｍ対の前記第１電極の一方及び前記ｎ対の前記第２電極の一方への通電を制御する制御手段と、を有し、前記ｍ個の第１導電膜領域及び前記ｎ個の前記第２導電膜領域により平面視においてｍ×ｎ個の格子領域が生成される、タッチパネル装置が実行する、接触検出処理方法であって、
前記ｎ個の前記第２導電膜領域それぞれに対応する前記ｎ対の第２電極の一方を接地側に接続するとともに、前記ｍ個の前記第１導電膜領域それぞれに対応する前記ｍ対の前記第１電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位に接続することにより、前記第２導電膜領域と導通された少なくとも１つの前記第１導電膜領域を検出する、一次領域検出手順と、
前記一次領域検出手順で導通が検出された前記少なくとも１つの前記第１導電膜領域それぞれに対応する各対の第１電極の一方を接地側に接続するとともに、前記ｎ個の前記第２導電膜領域それぞれに対応する前記ｎ対の前記第２電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位に接続することにより、前記第１導電膜領域と前記第２導電膜領域との導通が生じている少なくとも１つの格子領域を矩形状に包含する、略矩形領域を検出する二次領域検出手順と、
前記二次領域検出手順において検出された略矩形領域に含まれる複数の格子領域それぞれについて、順次、対応する一対の前記第２電極の一方を接地側に接続しかつ対応する一対の前記第１電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位を接続するか、若しくは、対応する一対の前記第１電極の一方を接地側に接続しかつ対応する一対の前記第２電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位を接続することにより、各格子領域ごとに、前記第１導電膜領域と前記第２導電膜領域との導通の有無を検出する導通検出手順と、
前記導通検出手順において導通があるとして検出された、少なくとも１つの導通格子領域それぞれについて、順次、前記第１導電膜領域と前記第２導電膜領域との接触抵抗値を検出する、接触抵抗検出手順と、
前記接触抵抗検出手順で接触抵抗が検出された各導通格子領域のうち、対応する前記接触抵抗値が所定のしきい値の範囲外の導通格子領域を除外することにより、実際に前記第１導電膜領域と前記第２導電膜領域との導通が生じている接触導通点を含む前記格子領域を決定する導通決定手順と、
を有することを特徴とする接触検出処理方法。
【請求項６】
互いに直交するＸ方向及びＹ方向を備えた第１配列面を有し、前記Ｙ方向に伸びる第１導電膜領域が当該第１配列面において前記Ｘ方向に沿ってｍ個配列される第１基材と、
各第１導電膜領域に対応して前記第１配列面にそれぞれ設けられ、当該第１導電膜領域に対し前記Ｙ方向に沿った電位勾配を形成可能なｍ対の第１電極の一方と、
前記Ｘ方向及び前記Ｙ方向を備えるとともに前記第１配列面と対向する第２配列面を有し、前記Ｘ方向に伸びる第２導電膜領域が当該第２配列面において前記Ｙ方向に沿ってｎ個配列される、第２基材と、
各第２導電膜領域に対応して前記第１配列面にそれぞれ設けられ、当該第２導電膜領域に対し前記Ｘ方向に沿った電位勾配を形成可能なｎ対の第２電極の一方と、
前記ｍ対の前記第１電極の一方及び前記ｎ対の前記第２電極の一方への通電を制御する制御手段と、
を有し、
前記ｍ個の第１導電膜領域及び前記ｎ個の前記第２導電膜領域により平面視においてｍ×ｎ個の格子領域が生成される、タッチパネル装置であって、
前記ｎ個の前記第２導電膜領域それぞれに対応する前記ｎ対の第２電極の一方を接地側に接続するとともに、前記ｍ個の前記第１導電膜領域それぞれに対応する前記ｍ対の前記第１電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位に接続することにより、前記第２導電膜領域と導通された少なくとも１つの前記第１導電膜領域を検出する、一次領域検出手段と、
前記一次領域検出手段により導通が検出された前記少なくとも１つの前記第１導電膜領域それぞれに対応する各対の第１電極の一方を接地側に接続するとともに、前記ｎ個の前記第２導電膜領域それぞれに対応する前記ｎ対の前記第２電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位に接続することにより、前記第１導電膜領域と前記第２導電膜領域との導通が生じている少なくとも１つの格子領域を矩形状に包含する、略矩形領域を検出する二次領域検出手段と、
前記二次領域検出手段により検出された略矩形領域に含まれる複数の格子領域それぞれについて、順次、対応する一対の前記第２電極の一方を接地側に接続しかつ対応する一対の前記第１電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位を接続するか、若しくは、対応する一対の前記第１電極の一方を接地側に接続しかつ対応する一対の前記第２電極の一方に対し所定の電圧を印加することにより、各格子領域ごとに、前記第１導電膜領域と前記第２導電膜領域との導通の有無を検出する導通検出手段と、
前記導通検出手段により導通があるとして検出された、少なくとも１つの導通格子領域それぞれについて、順次、前記第１導電膜領域と前記第２導電膜領域との接触抵抗値を検出する、接触抵抗検出手段と、
前記接触抵抗検出手段により接触抵抗が検出された各導通格子領域のうち、対応する前記接触抵抗値が所定のしきい値の範囲外の導通格子領域を除外することにより、実際に前記第１導電膜領域と前記第２導電膜領域との導通が生じている接触導通点を含む前記格子領域を決定する導通決定手段と、
を有することを特徴とするタッチパネル装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アナログ抵抗膜式タッチパネルを用いて接触点の座標位置を検出する接触検出処理プログラム、接触検出処理方法、及びタッチパネル装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
接触点の座標位置を検出するタッチパネルの方式の１つとして、アナログ抵抗膜式が知られている。アナログ抵抗膜式のタッチパネルは、平面状の２つの部材を互いに近接対向させた配置でそれらの対向面に導電膜が設けられている。導電膜に電位勾配が形成され、接触押下による導通点で検出された電圧値に基づいて接触点の座標位置が特定される。近年では複数の接触点を個別に検出できるよう、各平面部材で互いに直交する方向で導電膜を複数分割して設ける構成が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この場合、対向する導電膜どうしで重複する領域が、接触点を検出する最小単位となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−９１４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら上記の構成では、同時に３点が押圧された場合に、実際には押圧されていない箇所を押圧箇所として誤検出（ゴースト検出）する可能性がある。例えば、長方形の４頂点のうち３頂点となるような各押圧点で同時に押圧が行われる場合である。
【０００５】
本発明の目的は、操作者によって同時に３点が押圧された場合に、実際には押圧されていない箇所が誤検出されるのを防止できる接触検出処理プログラム、接触検出処理方法、及びタッチパネル装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本願第１発明は、接触検出処理プログラムであって、互いに直交するＸ方向及びＹ方向を備えた第１配列面を有し、前記Ｙ方向に伸びる第１導電膜領域が当該第１配列面において前記Ｘ方向に沿ってｍ個配列される第１基材と、各第１導電膜領域に対応して前記第１配列面にそれぞれ設けられ、当該第１導電膜領域に対し前記Ｙ方向に沿った電位勾配を形成可能なｍ対の第１電極の一方と、前記Ｘ方向及び前記Ｙ方向を備えるとともに前記第１配列面と対向する第２配列面を有し、前記Ｘ方向に伸びる第２導電膜領域が当該第２配列面において前記Ｙ方向に沿ってｎ個配列される、第２基材と、各第２導電膜領域に対応して前記第１配列面にそれぞれ設けられ、当該第２導電膜領域に対し前記Ｘ方向に沿った電位勾配を形成可能なｎ対の第２電極の一方と、前記ｍ対の前記第１電極の一方及び前記ｎ対の前記第２電極の一方への通電を制御する制御手段と、を有し、前記ｍ個の第１導電膜領域及び前記ｎ個の前記第２導電膜領域により平面視においてｍ×ｎ個の格子領域が生成される、タッチパネル装置の前記制御手段に対し、前記ｎ個の前記第２導電膜領域それぞれに対応する前記ｎ対の第２電極の一方を接地側に接続するとともに、前記ｍ個の前記第１導電膜領域それぞれに対応する前記ｍ対の前記第１電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位に接続することにより、前記第２導電膜領域と導通された少なくとも１つの前記第１導電膜領域を検出する、一次領域検出手順と、前記一次領域検出手順で導通が検出された前記少なくとも１つの前記第１導電膜領域それぞれに対応する各対の第１電極の一方を接地側に接続するとともに、前記ｎ個の前記第２導電膜領域それぞれに対応する前記ｎ対の前記第２電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位に接続することにより、前記第１導電膜領域と前記第２導電膜領域との導通が生じている少なくとも１つの格子領域を矩形状に包含する、略矩形領域を検出する二次領域検出手順と、前記二次領域検出手順において検出された略矩形領域に含まれる複数の格子領域それぞれについて、順次、対応する一対の前記第２電極の一方を接地側に接続しかつ対応する一対の前記第１電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位を接続するか、若しくは、対応する一対の前記第１電極の一方を接地側に接続しかつ対応する一対の前記第２電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位を接続することにより、各格子領域ごとに、前記第１導電膜領域と前記第２導電膜領域との導通の有無を検出する導通検出手順と、前記導通検出手順において導通があるとして検出された、少なくとも１つの導通格子領域それぞれについて、順次、前記第１導電膜領域と前記第２導電膜領域との接触抵抗値を検出する、接触抵抗検出手順と、前記接触抵抗検出手順で接触抵抗が検出された各導通格子領域のうち、対応する前記接触抵抗値が所定のしきい値の範囲外の導通格子領域を除外することにより、実際に前記第１導電膜領域と前記第２導電膜領域との導通が生じている接触導通点を含む前記格子領域を決定する導通決定手順と、を実行させる。
【０００７】
本願発明の対象となるタッチパネル装置は、第１基材の第１配列面においてＹ方向（例えば縦方向）に伸びる第１導電膜領域がＸ方向（例えば横方向）に沿ってｍ個配列されるとともに、第２基材の第２配列面においてＸ方向に伸びる第１導電膜領域がＹ方向に沿ってｎ個配列される。これにより、平面視においてｍ×ｎ個の格子領域が生成される。また、第１配列面に設けられたｍ対の第１電極の一方によって第１導電膜領域に対しＹ方向に沿った電位勾配が形成可能であり、第２配列面に設けられたｎ対の第２電極の一方によって第２導電膜領域に対しＸ方向に沿った電位勾配が形成可能である。そして、例えば操作者が所望の操作部位を押圧してその押圧箇所において第１導電膜領域と第２導電膜領域とが導通すると、制御手段がその導通部位を検出することで、上記操作が検出される。
【０００８】
すなわち、本願発明の接触検出処理プログラムが制御手段で実行されると、まず一次領域検出手順で、ｎ個の第２導電膜領域すべてのｎ対の第２電極の一方が接地側に接続された状態で、ｍ個の第１導電膜領域の各対の第１電極の一方に所定電位が接続される。これにより、上記押圧箇所が含まれる第１導電膜領域では第１電極の一方→第１導電膜領域→押圧による導通部位→第２導電膜領域→第２電極の一方の経路で電流が流れる。したがって、制御手段は、この電流の導通を検知することで、押圧箇所が含まれる少なくとも１つの第１導電膜領域を検出し特定することができる。
【０００９】
このようにして押圧箇所が含まれる第１導電膜領域が特定されると、二次領域検出手順で、当該特定された少なくとも１つの第１導電膜領域すべての第１電極の一方が接地側に接続された状態で、ｎ個の第２導電膜領域の各対の第２電極の一方に所定電位が接続される。これにより、上記押圧箇所が含まれる第２導電膜領域では第２電極の一方→第２導電膜領域→押圧による導通部位→第１導電膜領域→第１電極の一方の経路で電流が流れる。制御手段は、この電流の導通を検知することで、押圧箇所が含まれる少なくとも１つの第２導電膜領域を検出し特定することができる。この結果、平面視において、前述のように一次領域検出手順で特定された上記少なくとも１つの第１導電膜領域と、この二次領域検出手順で特定された上記少なくとも１つの第２導電膜領域とに重複する、略矩形領域が特定される。
【００１０】
この略矩形領域は、前述の操作による押圧箇所（すなわち第１導電膜領域と第２導電膜領域との導通部位）に対応する少なくとも１つの格子領域を、矩形状に包含する領域となる。したがって、本願発明では、この略矩形領域に含まれる各格子領域を検出すべき押圧箇所の候補とし、これ以降、各格子領域ごとに実際に押圧箇所であったかどうかの判定処理が行われる。
【００１１】
すなわち、次の導通検出手順では、各格子領域について、対応する一対の第２電極の一方を接地側に接続しかつ対応する一対の第１の一方に対し所定の電圧を印加する（あるいは、対応する一対の第１電極の一方を接地側に接続しかつ対応する一対の第２電極の一方に対し所定の電圧を印加する）。これにより、上記押圧が行われている格子領域では、第１電極の一方→第１導電膜領域→押圧による導通部位→第２導電膜領域→第２電極の一方の経路で電流が流れることで、第１導電膜領域において電圧降下が生じる（あるいは第２電極の一方→第２導電膜領域→押圧による導通部位→第１導電膜領域→第１電極の一方の経路で電流が流れることで、第２導電膜領域において電圧降下が生じる）。したがって、制御手段は、この電圧降下を検知することで、上記押圧箇所の候補となった格子領域のうち、実際に操作者による押圧がなされた格子領域を特定することができる。
【００１２】
但し、上述の手法では、操作者によって同時に３点が押圧された場合、実際には押圧されていない箇所を押圧箇所として誤検出（ゴースト検出）する可能性がある。具体的には、例えば、上記ｍ×ｎ個の格子領域の配列において、長方形の４頂点のうち３頂点となるような各格子領域で同時に押圧が行われる場合である。この場合、４頂点それぞれを含む各格子領域（以下、「格子領域」を省略して単に「頂点」という）には、上記３頂点に含まれない点（実際には押圧されていない点）である第１頂点、この第１頂点に対し上記長方形の対角線上に対向する点である第２頂点、のこりの２つの頂点である第３頂点及び第４頂点が含まれる。
【００１３】
そして、上記導通検出手順で、例えば第１頂点と第２頂点とを含む第２導電膜領域の第２電極の一方が接地されるとともに第１頂点と第３頂点とを含む第１導電膜領域の第１電極の一方に所定の電圧が印加された場合を考える。この場合、上述のように第１頂点では押圧による導通が生じていないので、第１電極の一方→第１導電膜領域→第１頂点（非導通）→第２導電膜領域→第２電極の一方の経路では電流は流れない。しかしながら、その他の第２頂点、第３頂点、第４頂点が同時に押圧されていることから、第１電極の一方→第１導電膜領域→第１頂点（非導通）→第１導電膜領域→第４頂点（導通）→第２導電膜領域→第２頂点（導通）→第１導電膜領域→第３頂点（導通）→第２導電膜領域→第１頂点（非道通）→第２導電膜領域→第２電極の一方のような迂回経路（いわゆるまわりこみ電流）で電流が流れる。この結果、実際には第１頂点では第１導電膜領域と第２導電膜領域とは導通していないにもかかわらず、当該第１頂点において導通されている、との誤検出が生じうる。
【００１４】
そこで、本願発明では、上記導通検出手順で操作者による押圧がなされたとして特定された格子領域のそれぞれについて、さらに接触抵抗検出手順で、第１導電膜領域と第２導電膜領域との接触抵抗値が検出される。上述の第１頂点のように誤検出される部位では実際には第１導電膜領域と第２導電膜領域とは導通していない。したがって、当該誤検出部位での上記接触抵抗値は、実際の第１導電膜領域と第２導電膜領域との導通部位に比べて、上記接触抵抗値が著しく高い値となる。本願発明では、これを利用して、接触抵抗値に関する適宜のしきい値が設けられる。そして、導通決定手順では、上記導通検出手順において導通があるとして検出された各導通格子領域のうち、対応する前記接触抵抗値が所定のしきい値より大きい導通格子領域が除外される。これにより、実際に第１導電膜領域と第２導電膜領域との導通が生じている接触導通点を含む格子領域が正しく決定される。
【００１５】
以上のように、本願発明によれば、操作者によって同時に３点が押圧された場合に、実際には押圧されていない箇所が誤検出されるのを防止することができる。この結果、検出精度を向上することができる。
【００１６】
上記目的を達成するために、本願第５発明は、互いに直交するＸ方向及びＹ方向を備えた第１配列面を有し、前記Ｙ方向に伸びる第１導電膜領域が当該第１配列面において前記Ｘ方向に沿ってｍ個配列される第１基材と、各第１導電膜領域に対応して前記第１配列面にそれぞれ設けられ、当該第１導電膜領域に対し前記Ｙ方向に沿った電位勾配を形成可能なｍ対の第１電極の一方と、前記Ｘ方向及び前記Ｙ方向を備えるとともに前記第１配列面と対向する第２配列面を有し、前記Ｘ方向に伸びる第２導電膜領域が当該第２配列面において前記Ｙ方向に沿ってｎ個配列される、第２基材と、各第２導電膜領域に対応して前記第１配列面にそれぞれ設けられ、当該第２導電膜領域に対し前記Ｘ方向に沿った電位勾配を形成可能なｎ対の第２電極の一方と、前記ｍ対の前記第１電極の一方及び前記ｎ対の前記第２電極の一方への通電を制御する制御手段と、を有し、前記ｍ個の第１導電膜領域及び前記ｎ個の前記第２導電膜領域により平面視においてｍ×ｎ個の格子領域が生成される、タッチパネル装置が実行する、接触検出処理方法であって、前記ｎ個の前記第２導電膜領域それぞれに対応する前記ｎ対の第２電極の一方を接地側に接続するとともに、前記ｍ個の前記第１導電膜領域それぞれに対応する前記ｍ対の前記第１電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位に接続することにより、前記第２導電膜領域と導通された少なくとも１つの前記第１導電膜領域を検出する、一次領域検出手順と、前記一次領域検出手順で導通が検出された前記少なくとも１つの前記第１導電膜領域それぞれに対応する各対の第１電極の一方を接地側に接続するとともに、前記ｎ個の前記第２導電膜領域それぞれに対応する前記ｎ対の前記第２電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位に接続することにより、前記第１導電膜領域と前記第２導電膜領域との導通が生じている少なくとも１つの格子領域を矩形状に包含する、略矩形領域を検出する二次領域検出手順と、前記二次領域検出手順において検出された略矩形領域に含まれる複数の格子領域それぞれについて、順次、対応する一対の前記第２電極の一方を接地側に接続しかつ対応する一対の前記第１電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位を接続するか、若しくは、対応する一対の前記第１電極の一方を接地側に接続しかつ対応する一対の前記第２電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位を接続することにより、各格子領域ごとに、前記第１導電膜領域と前記第２導電膜領域との導通の有無を検出する導通検出手順と、前記導通検出手順において導通があるとして検出された、少なくとも１つの導通格子領域それぞれについて、順次、前記第１導電膜領域と前記第２導電膜領域との接触抵抗値を検出する、接触抵抗検出手順と、前記接触抵抗検出手順で接触抵抗が検出された各導通格子領域のうち、対応する前記接触抵抗値が所定のしきい値の範囲外の導通格子領域を除外することにより、実際に前記第１導電膜領域と前記第２導電膜領域との導通が生じている接触導通点を含む前記格子領域を決定する導通決定手順と、を有することを特徴とする。
【００１７】
上記目的を達成するために、本願第６発明は、互いに直交するＸ方向及びＹ方向を備えた第１配列面を有し、前記Ｙ方向に伸びる第１導電膜領域が当該第１配列面において前記Ｘ方向に沿ってｍ個配列される第１基材と、各第１導電膜領域に対応して前記第１配列面にそれぞれ設けられ、当該第１導電膜領域に対し前記Ｙ方向に沿った電位勾配を形成可能なｍ対の第１電極の一方と、前記Ｘ方向及び前記Ｙ方向を備えるとともに前記第１配列面と対向する第２配列面を有し、前記Ｘ方向に伸びる第２導電膜領域が当該第２配列面において前記Ｙ方向に沿ってｎ個配列される、第２基材と、各第２導電膜領域に対応して前記第１配列面にそれぞれ設けられ、当該第２導電膜領域に対し前記Ｘ方向に沿った電位勾配を形成可能なｎ対の第２電極の一方と、前記ｍ対の前記第１電極の一方及び前記ｎ対の前記第２電極の一方への通電を制御する制御手段と、を有し、前記ｍ個の第１導電膜領域及び前記ｎ個の前記第２導電膜領域により平面視においてｍ×ｎ個の格子領域が生成される、タッチパネル装置であって、前記ｎ個の前記第２導電膜領域それぞれに対応する前記ｎ対の第２電極の一方を接地側に接続するとともに、前記ｍ個の前記第１導電膜領域それぞれに対応する前記ｍ対の前記第１電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位に接続することにより、前記第２導電膜領域と導通された少なくとも１つの前記第１導電膜領域を検出する、一次領域検出手段と、前記一次領域検出手段により導通が検出された前記少なくとも１つの前記第１導電膜領域それぞれに対応する各対の第１電極の一方を接地側に接続するとともに、前記ｎ個の前記第２導電膜領域それぞれに対応する前記ｎ対の前記第２電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位に接続することにより、前記第１導電膜領域と前記第２導電膜領域との導通が生じている少なくとも１つの格子領域を矩形状に包含する、略矩形領域を検出する二次領域検出手段と、前記二次領域検出手段により検出された略矩形領域に含まれる複数の格子領域それぞれについて、順次、対応する一対の前記第２電極の一方を接地側に接続しかつ対応する一対の前記第１電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位を接続するか、若しくは、対応する一対の前記第１電極の一方を接地側に接続しかつ対応する一対の前記第２電極の一方に対し所定の電圧を印加することにより、各格子領域ごとに、前記第１導電膜領域と前記第２導電膜領域との導通の有無を検出する導通検出手段と、前記導通検出手段により導通があるとして検出された、少なくとも１つの導通格子領域それぞれについて、順次、前記第１導電膜領域と前記第２導電膜領域との接触抵抗値を検出する、接触抵抗検出手段と、前記接触抵抗検出手段により接触抵抗が検出された各導通格子領域のうち、対応する前記接触抵抗値が所定のしきい値の範囲外の導通格子領域を除外することにより、実際に前記第１導電膜領域と前記第２導電膜領域との導通が生じている接触導通点を含む前記格子領域を決定する導通決定手段と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、同時に５点が押圧された場合でも、接触点の位置を高精度に検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施形態のタッチパネル装置を備えた手書き入力システムの全体構成を表すシステム構成図である。
【図２】タッチパネルでの押圧検出の原理を説明するための模式図である。
【図３】電子筆記装置の電気的構成を表す機能ブロック図である。
【図４】タッチパネルにおける各セグメントと電極の配置及び接続構成を説明するための模式図である。
【図５】タッチパネルにおけるセルの配置及び接続構成を説明するための平面視による模式図である。
【図６】押圧セル特定処理で用いる回路構成を説明するための平面視による模式図である。
【図７】位置検出処理で用いる回路構成を説明するための平面視による模式図である。
【図８】タッチパネルにおける押圧点の配置の一例を示す図である。
【図９】一次領域検出処理での通電状態を示す図である。
【図１０】二次領域検出処理での通電状態を示す図である。
【図１１】導通検出処理での検出過程を示す図である。
【図１２】Ｘ方向座標を検出する位置検出処理での検出過程を示す図である。
【図１３】Ｙ方向座標を検出する位置検出処理での検出過程を示す図である。
【図１４】ゴースト押圧点の発生を説明する図である。
【図１５】接触抵抗検出処理で用いる回路構成を説明するための平面視及び側面視による模式図である。
【図１６】ゴースト検出における抵抗値と抵抗値テーブルを示す図である。
【図１７】導通決定処理での検出過程を示す図である。
【図１８】通常の場合の分圧電位の検出を説明する図である。
【図１９】分圧電位の誤差の発生を説明する図である。
【図２０】全通電Ｙ座標検出処理での通電状態を示す図である。
【図２１】ＣＰＵが実行する制御手順を表すフローチャートである。
【図２２】ゴースト検出の変形例を説明する図である。
【図２３】全通電Ｙ座標検出処理の変形例での通電状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の一実施形態を図面を参照しつつ説明する。
【００２１】
＜システム概略＞
図１に、本実施形態のタッチパネル装置を備えた手書き入力システム１を示す。なお、以下の説明では、図１の紙面の上側、下側、右側、左側、手前側、奥行き側を、それぞれ、電子筆記装置２の上側、下側、右側、左側、手前側、奥行き側と定義して説明する。
【００２２】
図１に示すように、手書き入力システム１は、例えば通常のボールペンやシャープペンシル等の汎用のペン３によって筆記される電子筆記装置２（タッチパネル装置に相当）と、ディスプレイ４と、を備えている。
【００２３】
＜電子筆記装置＞
電子筆記装置２は、平面視で上下方向に長い薄型の直方体状の形状を備えている。電子筆記装置２の下側に、電子筆記装置２の手前側の大部分を占めるように、凹部形状の載置部２４が設けられている。載置部２４には、例えば所定の用紙からなる紙媒体７０（被筆記媒体）が載置される。
【００２４】
＜タッチパネル＞
このとき、載置部２４とほぼ同一の範囲となるように、圧力検出手段としてのタッチパネル２５が設けられている。タッチパネル２５は、ペン３の位置を表す座標情報（例えば載置部２４の左上部を原点（０，０）とする。詳細は後述）を検出する。そして、載置部２４は、紙媒体７０を、この例では紙媒体７０の左上の隅部が上記原点に一致する姿勢で保持する。
【００２５】
なお、タッチパネル２５の構成は、例えば、ＩＴＯ（インジウム・チン・オキサイド）による導電膜を用いた感圧方式とすることができる。この感圧方式では、公知技術であるアナログ抵抗膜センサによる感圧式構造の原理を応用しており、ペン３で押した位置を電圧変化の測定によって検知する。その内部構造は、図２に示すように、それぞれ導電膜である例えばＩＴＯ導電層３０１を配置したガラス（フィルムでも良い）３０２及びフィルム３０３を、絶縁性の貼り合わせ材３０４を介して少しだけすき間を設けて貼り付けている。また、ガラス３０２又はフィルム３０３のいずれかの導電膜３０１の表面に絶縁性のドットスペーサ３０５が所定間隔ごとに配置されている。操作者が、通常の鉛筆やボールペンで文字を書く要領でペン３を用いて紙媒体７０に筆記を行うと、ペン３の先端による押圧が紙媒体７０を介してフィルム３０３に伝達され、当該フィルム３０３の押圧箇所において、フィルム３０３側とガラス３０２側の導電膜３０１同士が接触して通電する。このようにして、当該押圧箇所及びその押圧箇所における押圧力がタッチパネル２５によって検出される。
【００２６】
＜座標情報の検出＞
上記のようにしてタッチパネル２５において発生した導通信号は、タッチパネル２５から電極３０６を介してＣＰＵ２０１（後述の図３参照）へ導かれ、これに基づいてペン３の位置が離散的な座標情報としてＣＰＵ２０１によって検出される。すなわち、ＣＰＵ２０１は、操作者が上記筆記動作を行ったときのペン３の移動に対応する、複数の位置情報（すなわち、上記座標情報）を取得する。なお、図１において前述したように、本実施形態では、タッチパネル２５の左上部の座標（Ｘ，Ｙ）を原点（０，０）とし、右方向をＸ軸、下方向をＹ軸とする座標系を用いる。すなわち、Ｘ座標の値がタッチパネル２５（言い換えれば載置部２４）における左右方向の位置を表し、Ｙ座標の値が上下方向の位置を表す。そして、上記取得された複数の座標情報に基づき、上記ＣＰＵ２０１によって、上記紙媒体７０に筆記された軌跡を示すストロークデータが生成される。
【００２７】
なお、ディスプレイ４は電子筆記装置２に接続されており、操作者が電子筆記装置２の載置部２４に載置した紙媒体７０の外観に相当する画像データや、操作者による紙媒体７０への記載内容に相当する画像データ（ストロークデータの集合体）を表示することができる。
【００２８】
＜電子筆記装置の電気的構成＞
図３を参照して、電子筆記装置２の電気的構成について説明する。図３に示すように、電子筆記装置２は、電子筆記装置２全体の制御を行うＣＰＵ２０１と、ＲＯＭ２０２と、種々のデータが一時的に記憶されるＲＡＭ２０３と、フラッシュメモリ２０４と、駆動回路２０９，２１０と、を備えている。
【００２９】
ＲＯＭ２０２、ＲＡＭ２０３、フラッシュメモリ２０４、及び、駆動回路２０９，２１０は、ＣＰＵ２０１に電気的に接続されている。ＲＯＭ２０２は、プログラム記憶領域２０２１と、画像データ記憶領域２０２３とを備えている。プログラム記憶領域２０２１には、ＣＰＵ２０１が電子筆記装置２を制御するために実行する各種プログラムが記憶されている。画像データ記憶領域２０２３には、例えば紙媒体７０のフォーマット情報に対応した画像のデータが記憶されている。フラッシュメモリ２０４は、座標情報記憶領域２０４１を備えている。
【００３０】
駆動回路２０９は、タッチパネル２５を駆動するための電子回路である。駆動回路２１０は、ディスプレイ４に画像を表示させるための電子回路である。なお、この駆動回路２０９が、各請求項記載の制御手段に相当する。
【００３１】
＜タッチパネルの接続構成＞
図４を参照して、タッチパネル２５における導電膜の配置及びそれらの接続構成について説明する。図４に示すように、タッチパネル２５は、フィルム３０３の対向内側面（下面）においてＹ方向（上述した上下方向）に伸びるＹセグメントの導電膜がＸ方向（上述した左右方向）に沿ってｍ個配列されるとともに、ガラス３０２の対向内側面（上面）においてＸ方向（上述した左右方向）に伸びるＸセグメントの導電膜がＹ方向（上述した上下方向）に沿ってｎ個配列されている。なお、図中では図示の煩雑をさけるためにｍ＝ｎ＝３個の場合で略記している。
【００３２】
フィルム３０３の対向内面側に設けられたｍ対（図示する例では３対）のＹ電極によって、各Ｙセグメントの導電膜に対しＹ方向に沿った電位勾配が形成可能である。また、ガラス３０２の対向内面側に設けられたｎ対（図示する例では３対）のＸ電極によって、各Ｘセグメントの導電膜に対しＸ方向に沿った電位勾配が形成可能である。以下において、ｍ個のＹセグメントをＸ方向の原点側から順にＭｙ１、・・・、Ｍｙｍと表記し、各Ｙセグメントに設けたＹ方向原点側のＹ電極をＴｙ１−１、・・・、Ｔｙｍ−１、逆側のＹ電極をＴｙ１−２、・・・、Ｔｙｍ−２と表記する。同様にして、ｎ個のＸセグメントをＹ方向の原点側から順にＭｘ１、・・・、Ｍｘｍと表記し、各Ｘセグメントに設けたＸ方向原点側のＸ電極をＴｘ１−１、・・・、Ｔｘｍ−１、逆側のＸ電極をＴｘ１−２、・・・、Ｔｘｍ−２と表記する。
【００３３】
図示する例において、電極Ｔｙ１−１、・・・、Ｔｙｍ−１のそれぞれには、＋３Ｖ電源への直接接続（以下、Ｈｉｇｈ接続という）と、１０ｋΩ抵抗を介した＋３Ｖ電源への接続（以下、ＰｕｌｌＵｐ接続という）と、遮断とを切り替え可能なスイッチＳｙ１−１、・・・、Ｓｙｍ−１が接続されている。電極Ｔｙ１−２、・・・、Ｔｙｍ−２のそれぞれには、Ｈｉｇｈ接続と、ＧＮＤ（アース）への接続と、遮断とを切り替え可能なスイッチＳｙ１−２、・・・、Ｓｙｍ−２が接続されている。電極Ｔｘ１−１、・・・、Ｔｘｍ−１のそれぞれには、Ｈｉｇｈ接続と、ＧＮＤ接続と、遮断とを切り替え可能なスイッチＳｘ１−１、・・・、Ｓｘｎ−１が接続されている。電極Ｔｘ１−２、・・・、Ｔｘｍ−２のそれぞれには、Ｈｉｇｈ接続と、ＰｕｌｌＵｐ接続と、ＧＮＤ接続と、遮断とを切り替え可能なスイッチＳｘ１−２、・・・、Ｓｘｎ−２が接続されている（図中では図示の都合上、それぞれ上下２つに分割して記載）。以上の各スイッチの切り替えは、上記駆動回路２０９により制御される。
【００３４】
また、電極Ｔｙｎ−１、Ｔｘｍ−２はそれぞれ  上記駆動回路２０９内に設けられたＡ／Ｄコンバータ（特に図示せず）に接続されており、個別に電圧値（電位）を検出できる。
【００３５】
以上のように構成されたタッチパネル２５の導電膜だけを上側から平面視すると、図５のようになる。この図５に示す例では、Ｙセグメントが６つ（つまりｍ＝６）設けられ、Ｘセグメントが８つ（つまりｎ＝８）設けられている。実際のタッチパネル２５ではペン３の位置検出の精度を高めるためにより細いセグメントがより多く配置されるが、以下の説明においては理解を容易にするためにこの図５に示すセグメント配置を用いて簡略的に図示する。
【００３６】
いずれのセグメントも、その長手方向において電気的な抵抗密度が均等に分布しており、これにより各セグメントの両端の電極間で電圧をかけた場合には形成される電位勾配も長手方向に沿って均等となる。またこの平面視において、ｍ個のＹセグメントとｎ個のＸセグメントの組み合わせからｍ×ｎ個の矩形状の重複領域が配置されており、以下においてこれら重複領域をセルと呼称する。例えば、それぞれ原点Ｏに最も近いＹセグメントＭｙ１とＸセグメントＭｘ１の重複領域（図中の太線枠領域）を「セル（１、１）」と表記する。同様にそれぞれ原点Ｏからｉ番目のＹセグメントＭｙｉとｊ番目のＸセグメントＭｘｊの重複領域に対応するセルを「セル（ｉ、ｊ）」と表記する。各セルは、ペン３を用いた通常の筆記操作において２点以上の押圧を受けることのない程度に十分狭い面積に設定されており、各セグメントもまたそれを実現できる程度に狭い幅で形成され互いに近接して配置されている。
【００３７】
なお、フィルム３０３が各請求項記載の第１基材に相当し、ガラス３０２が各請求項記載の第２基材に相当し、Ｙセグメントが各請求項記載の第１導電膜領域に相当し、Ｘセグメントが各請求項記載の第２導電膜領域に相当し、一対のＹ電極Ｔｙｉ−１、Ｔｙｉ−２が各請求項記載の第１電極に相当し、一対のＸ電極Ｔｘｊ−１、Ｔｘｊ−２が各請求項記載の第１電極に相当し、セルが各請求項記載の格子領域に相当する。
【００３８】
＜タッチパネルにおける基本的な検出形態＞
上記のように構成された本実施形態のタッチパネル２５においては、基本的に２種類の検出形態がある。１つ目の検出形態は、各セルにおいて単純に接触導通があるか否か、すなわち所定のＸセグメントとＹセグメントの組み合わせにおける接触導通の有無のみを検出する形態である。
【００３９】
例えば、所定のセルにおいてＹセグメントに対するＸセグメントの接触導通の有無を検出する場合には、図６（ａ）に示す回路構成で検出が行われる。この図６（ａ）において、検出対象のセル（ｉ、ｊ）に対応するＹセグメントＭｙｉは、駆動回路２０９の切り替え制御によって上側（原点Ｏに近い側）の電極Ｔｙｉ−１がＰｕｌｌＵｐ接続されるとともに駆動回路２０９内の上記Ａ／Ｄコンバータに接続され、下側（原点Ｏから遠い側）の電極Ｔｙｉ−２が遮断されている。また、検出対象のセル（ｉ、ｊ）に対応するＸセグメントＭｘｊは、駆動回路２０９の切り替え制御により左側（原点Ｏに近い側）の電極Ｔｘｊ−１が遮断され、右側（原点Ｏから遠い側）の電極Ｔｘｊ−２がＧＮＤ接続されている。
【００４０】
このような回路構成によれば、セル（ｉ、ｊ）が押圧されてない場合、ＸセグメントＭｘｊとＹセグメントＭｙｉが離間したまま電気的導通がないため、電極Ｔｙｉ−１に接続するＡ／Ｄコンバータには低いレベル（Ｌレベル）の電位が検出される。また、セル（ｉ、ｊ）が押圧されている場合、ＸセグメントＭｘｊとＹセグメントＭｙｉが接触して電気的に導通するため、＋３Ｖ電源からＧＮＤへ向けて電流が流れ、電極Ｔｙｉ−１に接続するＡ／Ｄコンバータには高いレベル（Ｈレベル）の電位が検出される。ただし、１０ｋΩ抵抗を介しているため、短絡にはならない。このようにして、Ａ／ＤコンバータにはＨ／Ｌの２値の電位が入力され、その内容によってセル（ｉ、ｊ）における接触導通の有無を検出できる。
【００４１】
なお、上記回路構成の拡張型として、所定の１つのＹセグメントＭｙｉの電極Ｔｙｉ−１のみＰｕｌｌＵｐ接続し、全てのＸセグメントＭｘ１〜Ｍｘｎの電極Ｔｘ１−２〜Ｔｘｎ−２をＧＮＤ接続する構成もある（特に図示せず）。この場合には、当該１つのＹセグメントＭｙｉ上に配置する全てのセル（ｉ、１〜ｎ）のうちいずれか１つでも押圧導通があるか否かを検出できる。
【００４２】
また、所定のセルにおいてＸセグメントに対するＹセグメントの接触導通の有無を検出する場合には、図６（ｂ）に示す回路構成で検出が行われる。この図６（ｂ）において、検出対象のセル（ｉ、ｊ）に対応するＹセグメントＭｙｉは、駆動回路２０９の切り替え制御によって上側（原点Ｏに近い側）の電極Ｔｙｉ−１が遮断され、下側（原点Ｏから遠い側）の電極Ｔｙｉ−２がＧＮＤ接続されている。また、検出対象のセル（ｉ、ｊ）に対応するＸセグメントＭｘｊは、駆動回路２０９の切り替え制御により左側（原点Ｏに近い側）の電極Ｔｘｊ−１が遮断され、右側（原点Ｏから遠い側）の電極Ｔｘｊ−２がＰｕｌｌＵｐ接続されるとともに駆動回路２０９内の上記Ａ／Ｄコンバータに接続されている。
【００４３】
このような回路構成によれば、セル（ｉ、ｊ）が押圧されてない場合、ＸセグメントＭｘｊとＹセグメントＭｙｉが離間したまま電気的導通がないため、電極Ｔｘｊ−２に接続するＡ／ＤコンバータにはＬレベルの電位が検出される。また、セル（ｉ、ｊ）が押圧されている場合、ＸセグメントＭｘｊとＹセグメントＭｙｉが接触して電気的に導通するため、＋３Ｖ電源からＧＮＤへ向けて電流が流れ、電極Ｔｘｊ−２に接続するＡ／ＤコンバータにはＨレベルの電位が検出される。ただし、１０ｋΩ抵抗を介しているため、短絡にはならない。このようにして、Ａ／ＤコンバータにはＨ／Ｌの２値の電位が入力され、その内容によってセル（ｉ、ｊ）における接触導通の有無を検出できる。
【００４４】
なお、上記回路構成の拡張型として、所定の１つのＸセグメントＭｘｊの電極Ｔｘｊ−２のみＰｕｌｌＵｐ接続し、全てのＹセグメントＭｙ１〜Ｍｙｍの電極Ｔｙ１−２〜Ｔｙｍ−２をＧＮＤ接続する構成もある（特に図示せず）。この場合には、当該１つのＸセグメントＭｘｊ上に配置する全てのセル（１〜ｍ、ｊ）のうちいずれか１つでも押圧導通があるか否かを検出できる。
【００４５】
次に２つ目の検出形態は、各セルにおける接触導通点のＸ−Ｙ座標位置、すなわち所定のＸセグメントとＹセグメントの組み合わせにおける接触導通点での分圧電位を検出する形態である。
【００４６】
例えば、所定のセルにおいて接触導通点のＸ座標を検出する場合には、図７（ａ）に示す回路構成で検出が行われる。この図７（ａ）において、検出対象のセル（ｉ、ｊ）に対応するＹセグメントＭｙｉは、駆動回路２０９の切り替え制御によって上側（原点Ｏに近い側）の電極Ｔｙｉ−１が駆動回路２０９内の上記Ａ／Ｄコンバータだけに接続され、下側（原点Ｏから遠い側）の電極Ｔｙｉ−２が遮断されている。また、検出対象のセル（ｉ、ｊ）に対応するＸセグメントＭｘｊは、駆動回路２０９の切り替え制御により左側（原点Ｏに近い側）の電極Ｔｘｊ−１がＨｉｇｈ接続され、右側（原点Ｏから遠い側）の電極Ｔｘｊ−２がＧＮＤ接続されている。つまり、ＸセグメントＭｘｊの全体に３Ｖの電圧が付加され、電極Ｔｘｊ−１から次第に離間する変位位置で電位が一定の降下率で連続的に降下する電位勾配が形成される。
【００４７】
このような回路構成によれば、セル（ｉ、ｊ）の領域内に押圧による接触導通点が存在している場合、Ａ／ＤコンバータにはＸセグメントＭｘｊの全長に対する電極Ｔｘｊ−１から当該接触導通点までの距離の比に相当する分圧比での電位（０〜＋３ｖのアナログ電位）が入力される。この入力された分圧電位に基づいて当該接触導通点のＸ座標を検出できる。なお、全てのセルの大きさと当該セル（ｉ、ｊ）の位置が既知であるため、当該セル（ｉ、ｊ）内に設定した相対的なｘ−ｙ座標系における接触導通点のｘ座標も検出できる（このｘ−ｙ座標系については後述の図１２（ｂ）、図１３（ｂ）を参照）。ここで、上述したように各セルは複数点で押圧されることがない程度に狭い面積に設定されているため、複数点による分圧比の誤差は生じない。また、ＹセグメントＭｙｉにも抵抗成分が存在するが、Ａ／Ｄコンバータ自体の内部抵抗が十分高いためにＹセグメントＭｙｉに電流が流れることがなく、電位降下させずに当該セル（ｉ、ｊ）の接触導通点における分圧電位を検出できる。
【００４８】
また、所定のセルにおいて接触導通点のＹ座標を検出する場合には、図７（ｂ）に示す回路構成で検出が行われる。この図７（ｂ）において、検出対象のセル（ｉ、ｊ）に対応するＹセグメントＭｙｉは、駆動回路２０９の切り替え制御によって上側（原点Ｏに近い側）の電極Ｔｙｉ−１がＨｉｇｈ接続され、下側（原点Ｏから遠い側）の電極Ｔｙｉ−２がＧＮＤ接続されている。つまり、ＹセグメントＭｙｉの全体に３Ｖの電圧が付加され、電極Ｔｙｉ−１から次第に離間する変位位置で電位が一定の降下率で連続的に降下する電位勾配が形成される。また、検出対象のセル（ｉ、ｊ）に対応するＸセグメントＭｘｊは、駆動回路２０９の切り替え制御により左側（原点Ｏに近い側）の電極Ｔｘｊ−１が遮断され、右側（原点Ｏから遠い側）の電極Ｔｘｊ−２が駆動回路２０９内の上記Ａ／Ｄコンバータだけに接続されている。
【００４９】
このような回路構成によれば、セル（ｉ、ｊ）の領域内に押圧による接触導通点が存在している場合、Ａ／ＤコンバータにはＹセグメントＭｙｉの全長に対する電極Ｔｙｉ−１から当該接触導通点までの距離の比に相当する分圧比での電位（０〜＋３ｖのアナログ電位）が入力される。この入力された分圧電位に基づいて当該接触導通点のＹ座標を検出できる。なお、全てのセルの大きさと当該セル（ｉ、ｊ）の位置が既知であるため、当該セル（ｉ、ｊ）内に設定した相対的なｘ−ｙ座標系における接触導通点のｙ座標も検出できる（このｘ−ｙ座標系については後述の図１２（ｂ）、図１３（ｂ）を参照）。ここで、上述したように、複数点による分圧比の誤差は生じない。また、ＸセグメントＭｘｊにも抵抗成分が存在するが、Ａ／Ｄコンバータ自体の内部抵抗が十分高いためにＸセグメントＭｘｊに電流が流れることがなく、電位降下させずに当該セル（ｉ、ｊ）の接触導通点における分圧電位を検出できる。
【００５０】
＜タッチパネルにおけるペン位置の検出シーケンス＞
以下、本実施形態の電子筆記具によるタッチパネル２５でのペン位置の検出シーケンスについて説明する。この例では、図８（ａ）に示すように、右利きの操作者がペン３を持った右手をタッチパネル２５上に載置し、筆記する状態を想定する。この筆記状態で、上記図５で示したセル配置の例のタッチパネル２５に図８（ｂ）に示す位置のセルが押圧されたとする。具体的には、タッチパネル２５の左上部を原点Ｏ（０、０）として右方向に向けてＸ軸、下方向に向けてＹ軸をそれぞれ配置したＸ−Ｙ座標系を設定し、横に６つ、縦に８つの合計６×８＝４８個のセルが配置されている。そのうち、ペン先がセル（３、２）の１点を押圧し、右手の縁と指でセル（３、５）、セル（５、５）、セル（４、６）、セル（３、７）、及びセル（５、７）の５点を押圧している。
【００５１】
ペン位置の検出シーケンスとしては、概略的に３つのシーケンス処理を実行する。まず最初に、その時点で押圧されているセルを特定する押圧セル特定処理を実行する。そして特定された複数の押圧セルのうち、配置の分布やバラツキなどに基づいて特にペン先によって押圧されていると推定されるペン位置セルを特定するペン位置セル特定処理を実行する。なお、このペン位置セル特定処理は公知のパターン認識技術や推定技術等に基づいて行えばよく、ここでは詳細な説明を省略する。その後に、特定されたペン位置セルにおける押圧点（接触導通点；導通点に相当）のＸ−Ｙ座標位置を検出する位置検出処理を実行する。以下においては、押圧セル特定処理及び位置検出処理についてのみ説明する。なお、押圧セルが、各請求項記載の導通格子領域に相当する。
【００５２】
＜検出シーケンス１：押圧セル特定処理について＞
この押圧セル特定処理においても、詳細には一次領域検出処理、二次領域検出処理、及び導通検出処理の３つの処理を順に実行する。上記の一次領域検出処理、及び二次領域検出処理は、処理の迅速化の観点からタッチパネル２５全体のうちで押圧点が存在する領域をセル単位の略矩形領域（後述）で検出するための処理である。
【００５３】
まず、一次領域検出処理として、上記図６（ａ）で説明した回路構成の拡張型により、所定のＹセグメントにおける各Ｘセグメントとの接触導通の有無を検出する。具体的には、図９に示すように、全てのＸセグメントＭｘ１〜Ｍｘｎの右側の電極Ｔｘ１−２〜Ｔｘｎ−２をＧＮＤ接続する。この状態で、ＹセグメントＭｙ１〜Ｍｙｍのうち１つのＹセグメントＭｙｉの電極Ｔｙｉ−１のみをＰｕｌｌＵｐ接続し、かつＡ／Ｄコンバータへ導通状態の検出信号を入力する。なお、これ以外に図示せず、説明しない電極については全て遮断状態とする（以下、同様）。この検出をタッチパネル２５の左右方向全体でｉ方向（Ｘ方向）に順次切り替えてトレースする。このようにして行う一次領域検出処理により、押圧点が少なくとも１つ含まれるＹセグメント（図示する例のＭｙ３〜Ｍｙ５；濃い目の網掛け部分）を検出し特定できる。
【００５４】
次に、二次領域検出処理として、上記図６（ｂ）で説明した回路構成の拡張型により、上記一次領域検出処理で特定されたＹセグメントに対する所定のＸセグメントの接触導通の有無を検出する。具体的には、図１０に示すように、上記一次領域検出処理で検出したＹセグメントの下側の電極（図示する例ではＴｙ３−２〜Ｔｙ５−２）をＧＮＤ接続する。この状態で、ＸセグメントＭｘ１〜Ｍｘｎのうち１つのＸセグメントＭｘｊの電極Ｔｘｊ−２のみをＰｕｌｌＵｐ接続し、かつＡ／Ｄコンバータへ導通状態の検出信号を入力する。この検出をタッチパネル２５の上下方向全体でｊ方向（Ｙ方向）に順次切り替えてトレースする。このようにして行う二次領域検出処理により、押圧点が少なくとも１つ含まれるＸセグメント（図示する例のＭｘ２、Ｍｘ５〜Ｍｘ７）を検出し特定できる。
【００５５】
この結果、タッチパネル２５の平面視において、前述のように一次領域検出処理で特定されたＹセグメント（Ｍｙ３〜Ｍｙ５）と、この二次領域検出処理で特定されたＸセグメント（Ｍｘ２、Ｍｘ５〜Ｍｘ７）とに重複する、略矩形領域（図中の濃い目の網掛け部分）が特定される。この略矩形領域は、押圧点（ＹセグメントとＸセグメントとの接触導通点）に対応する少なくとも１つのセルを、矩形状に包含する領域となる。したがって、次に導通検出処理で、この略矩形領域に含まれる全てのセルのうち実際に押圧されているセルを検出し特定する。
【００５６】
この導通検出処理では、上記図６（ａ）、図６（ｂ）のいずれの回路構成を用いてもよく、図１１に示すように上記略矩形領域に含まれる全てのセルに対し順次トレースして実際に接触導通しているセルを検出し特定する。この導通検出処理により、タッチパネル２５の全てのセルのうち実際に押圧されている押圧セルを特定できる。
【００５７】
ここで、初めから全てのセルに対して上記導通検出処理を実行して実際の押圧セルを特定することも可能ではある。しかしながら、実際のタッチパネル２５ではＸセグメント、Ｙセグメントの本数が多く、そのためにセルの設置数が膨大となっている（図示省略）。そのうち実際にペン３を用いた描画操作により押圧されるセルの数とその存在領域はタッチパネル２５全体で見て一部であり、それら少ない押圧セルを特定するためにタッチパネル２５の全てのセルに対して導通検出処理のトレースを行うことは処理時間の大幅な遅延を招く。これに対し、本実施形態では、上記一次領域検出処理及び上記二次領域検出処理によって高速に上記略矩形領域を特定し、この比較的狭い略矩形領域内だけに限定して導通検出処理のトレースを実行している。このため、タッチパネル２５全体で押圧セルの特定を行う押圧セル特定処理の全体の処理を迅速化できる。
【００５８】
そして、上述したように、上記押圧セル特定処理によって特定された複数の押圧セルのうちから、公知のパターン認識技術や推定技術等に基づくペン位置セル特定処理によって、ペン先により押圧されていると推定されるペン位置セル（図示する例ではセル（３、２））が特定される（詳細な説明は省略）。
【００５９】
＜検出シーケンス２：位置検出処理について＞
位置検出処理は、上記特定されたペン位置セル内に存在する押圧点のＸ−Ｙ座標位置を検出する。この位置検出処理は、Ｘ方向とＹ方向とでそれぞれ個別に座標位置を検出する。
【００６０】
まず、Ｘ方向の位置検出を行う際には、上記図７（ａ）で説明した回路構成により、上記ペン位置セル（ｉ、ｊ）内の押圧点によるＸセグメントＭｘｊの分圧電位を検出する。具体的には図１２（ａ）に示すように、ペン位置セル（３、２）に対応するＸセグメントＭｘ２の左側の電極Ｔｘ２−１がＨｉｇｈ接続されるとともに、右側の電極Ｔｘ２−２がＧＮＤ接続される。これにより、ＸセグメントＭｘ２の全体に渡ってＸ方向に均等に順降下する電位勾配が形成される。そして当該ペン位置セル（３、２）に対応するＹセグメントＭｙ３の上側の電極Ｔｙ３−１が、Ａ／Ｄコンバータへ分圧電位を入力する。この分圧電位は、ペン位置セル（３、２）の拡大図である図１２（ｂ）に示すように、当該ペン位置セル（３、２）の内部領域において高い精度で押圧点のＸ方向位置に対応して検出されるアナログ電位である。Ｘ方向の位置検出では、この分圧電位に基づいてペン位置セル（３、２）内に存在する押圧点の正確なＸ座標を検出できる。なお、検出するＸ座標は、タッチパネル２５全体に設定したＸ−Ｙ座標系でのＰＸで検出してもよいし、当該ペン位置セル（３、２）内に設定した相対的なｘ−ｙ座標系でのＰｘで検出してもよい。
【００６１】
同様にしてＹ方向の位置検出を行う際には、上記図７（ｂ）で説明した回路構成により、上記ペン位置セル（ｉ、ｊ）内の押圧点によるＹセグメントＭｙｉの分圧電位を検出する。具体的には図１３（ａ）に示すように、ペン位置セル（３、２）に対応するＹセグメントＭｙ３の上側の電極Ｔｙ３−１がＨｉｇｈ接続されるとともに、下側の電極Ｔｙ３−２がＧＮＤ接続される。これにより、ＹセグメントＭｙ３の全体に渡ってＹ方向に均等に順降下する電位勾配が形成される。そして当該ペン位置セル（３、２）に対応するＸセグメントＭｘ２の右側の電極Ｔｘ２−２が、Ａ／Ｄコンバータへ分圧電位を入力する。この分圧電位は、ペン位置セル（３、２）の拡大図である図１３（ｂ）に示すように、当該ペン位置セル（３、２）の内部領域において高い精度で押圧点のＹ方向位置に対応して検出されるアナログ電位である。Ｙ方向の位置検出では、この分圧電位に基づいてペン位置セル（３、２）内に存在する押圧点の正確なＹ座標を検出できる。なお、検出するＹ座標は、タッチパネル２５全体に設定したＸ−Ｙ座標系でのＰＹで検出してもよいし、当該ペン位置セル（３、２）内に設定した相対的なｘ−ｙ座標系でのＰｙで検出してもよい。
【００６２】
以上の押圧セル特定処理、ペン位置セル特定処理、及び位置検出処理を実行するシーケンスにより、その時点におけるタッチパネル２５上でのペン先による押圧点のＸ−Ｙ座標位置が高い精度で検出される。
【００６３】
＜ペン位置検出における誤検出とその対策＞
本実施形態の手書き入力システムは、基本的に上述したペン位置検出シーケンスによりペン位置のＸ−Ｙ座標位置を検出する。しかし、タッチパネル２５の構成に起因して、複数の押圧点がある特定の配置条件を満たした場合にペン位置を誤検出してしまう可能性がある。本願発明者は、その誤検出の原因として、押圧点の３点直交配置によるゴースト押圧点の発生と、押圧点の井桁状配置による分圧電位の誤差の発生の２点があることを知見した。以下、それぞれの原因と対策について詳細に説明する。
【００６４】
＜３点直交配置によるゴースト押圧点とその対策＞
上記の押圧設特定処理において、操作者により同時に３点が押圧された場合、実際には押圧されていない箇所を押圧箇所として誤検出（ゴースト検出）する可能性がある。具体的には、例えば図１４に示すように、長方形の４頂点のうち３頂点となるような各セル（３、２）、（３、５）、（５、５）で同時に押圧が行われる場合である。この場合、４頂点それぞれを含む各セル（以下、「セル」を省略して単に「頂点」という）には、上記３頂点に含まれない点（実際には押圧されていない点）である第１頂点（５、２）、この第１頂点（５、２）に対しＸ方向で対向する点である第２頂点（３、２）、第１頂点（５、２）に対しＹ方向で対向する点である第３頂点（５、５）、及び上記長方形の対角線上に対向する点である第４頂点（３、４）が含まれる。以下、これら３つの第２〜４頂点の配置関係を３点直交配置とする。
【００６５】
そして、上記導通検出処理で、例えば第１頂点（５、２）と第２頂点（３、２）とを含むＸセグメントＭｘ２の左側の電極Ｔｘ２−１がＧＮＤ接続されるとともに第１頂点（５、２）と第３頂点（５、５）とを含むＹセグメントＭｙ５の下側の電極Ｔｙ５−２がＰｕｌｌＵｐ接続されるとともにＡ／Ｄコンバータへ入力する場合を考える。この場合、上述のように第１頂点（５、２）では押圧による接触導通が生じていないので、下側の電極Ｔｙ５−２→ＹセグメントＭｙ５→第１頂点（５、２）（非導通）→ＸセグメントＭｘ２→左側の電極Ｔｘ２−１の経路では電流は流れない。しかしながら、その他の第２頂点（３、２）、第３頂点（５、５）、第４頂点（３、５）が同時に押圧されていることから、下側の電極Ｔｙ５−２→ＹセグメントＭｙ５→第３頂点（５、５）（導通）→ＸセグメントＭｘ５→第４頂点（３、５）（導通）→ＹセグメントＭｙ３→第２頂点（３、２）（導通）→ＸセグメントＭｘ２→左側の電極Ｔｘ２−１のような迂回経路（いわゆるまわりこみ電流）で電流が流れる。この結果、実際には第１頂点（５、２）ではＹセグメントＭｙ５とＸセグメントＭｘ２とは導通していないにもかかわらず、当該第１頂点（５、２）において接触導通されている、との誤検出が生じうる。以下、このようにして接触導通しているものと誤検出された点をゴースト押圧点とする。
【００６６】
そこで、本実施形態では、上記導通検出処理で操作者による押圧がなされたとして特定された押圧セルのそれぞれについて、さらに接触抵抗検出処理を実行してＹセグメントＭｙｉとＸセグメントＭｘｊとの間の接触抵抗値を検出する。つまり、上記押圧セル特定処理内に接触抵抗検出処理を追加して実行する。もし、第１頂点（５、２）の１点だけで接触導通していれば、ＹセグメントＭｙ５とＸセグメントＭｘ２との間の接触抵抗は押圧点１点分の接触抵抗を超えることはない。さらに、当該第１頂点（５、２）に対する上記３点直交配置の３点でも押圧されて上記迂回経路が構成されている場合でも、この迂回経路は第１頂点に対して並列に接続する関係にあるためＹセグメントＭｙ５とＸセグメントＭｘ２との間のトータルの接触抵抗はさらに低くなる。
【００６７】
しかし、第１頂点（５、２）で接触導通されておらず、上記３点直交配置の３点だけ押圧されて上記迂回経路のみで導通している場合には、ＹセグメントＭｙ５とＸセグメントＭｘ２との間のトータルの接触抵抗が押圧されている３点分の積算値となる。したがって、ＹセグメントＭｙ５とＸセグメントＭｘ２との間のトータルの接触抵抗が押圧点１点分に相当する閾値を超えていれば、第１頂点（５、２）がゴースト押圧点であると判定できる。これにより、実際にＹセグメントＭｙｉとＸセグメントＭｘｊとの接触導通が生じている押圧点を含む押圧セル（ｉ、ｊ）を正しく特定できる。
【００６８】
この接触抵抗検出処理を実行する際には、図１５（ａ）に示す回路構成を用いる。図１５（ａ）は上記図６、図７に対応する図であり、検出対象のセル（ｉ、ｊ）に対応するＹセグメントＭｙｉは、駆動回路２０９の切り替え制御によって上側（原点Ｏに近い側）の電極Ｔｙｉ−１が駆動回路２０９内の上記Ａ／Ｄコンバータに接続されて電圧Ｚ１（ＧＮＤとの間の電位差に相当）を入力し、下側（原点Ｏから遠い側）の電極Ｔｙｉ−２がＨｉｇｈ接続されている。また、検出対象のセル（ｉ、ｊ）に対応するＸセグメントＭｘｊは、駆動回路２０９の切り替え制御により左側（原点Ｏに近い側）の電極Ｔｘｊ−１がＧＮＤ接続され、右側（原点Ｏから遠い側）の電極Ｔｘｊ−２が駆動回路２０９内の上記Ａ／Ｄコンバータに接続されて電圧Ｚ２（ＧＮＤとの間の電位差に相当）を入力する。
【００６９】
上記図１５（ａ）の回路構成を側面から見ると、図１５（ｂ）の等価回路で示すことができる。この図１５（ｂ）において、主に電流が通過する経路は、電極Ｔｙｉ−２→ＹセグメントＭｙｉ→押圧セル（ｉ、ｊ）での接触抵抗Ｒｔ→ＸセグメントＭｘｊ→電極Ｔｘｊ−１である（図中の破線枠参照）。そして、上記電圧Ｚ１は電流通過方向における接触抵抗Ｒｔの上流側直前点での電位に相当し、上記電圧Ｚ２は電流通過方向における接触抵抗Ｒｔの下流側直後点での電位に相当する。なお、上述したように電位入力されるＡ／Ｄコンバータの内部抵抗が十分高いために、上記電流通過経路以外でのＹセグメントＭｙｉ及びＸセグメントＭｘｊの抵抗成分は無視できる。ここで、押圧点から電極Ｔｘｊ−１までの区間分のＸセグメントＭｘｊの抵抗値Ｒｘが分かれば接触抵抗Ｒｔを以下の式により導ける。
Ｒｔ＝Ｒｘ×（Ｚ１／Ｚ２−１）  ・・・（式１）
【００７０】
また、接触抵抗Ｒｔが上記図１２（ｂ）中のＰｘ区間分の抵抗値と等価とすると、抵抗値Ｒｘは例えば図１６（ａ）に示すように検出対象のセルの位置（図示する例ではセル（４、６））によって必然的に求めることができる。本実施形態では、処理の迅速化の観点から、例えば図１６（ｂ）に示すように予め各セルの位置に対応して抵抗値Ｒｘが記録されているテーブルを用いて、対象の抵抗値Ｒｘを求める。図示するテーブルの例に示しているように、抵抗値Ｒｘは、導電膜３０１の製造のばらつきによってセグメント毎に増減変動している。
【００７１】
したがって、当該接触抵抗検出処理では、上記図１５の回路構成によって検出した電圧Ｚ１、Ｚ２と、上記図１６（ｂ）のテーブルから求めた抵抗値Ｒｘとを上記（１式）に代入することで、検出対象のセルにおける接触抵抗Ｒｔを求めることができる。そして次に、求めた接触抵抗Ｒｔが押圧点１点分に相当する閾値を超えている場合に、検出対象のセルがゴースト押圧点であると判定して除外する導通決定処理を実行する。
【００７２】
具体例として、上記図１６（ａ）に示すセル（４、６）を検出対象とした場合を説明する。この場合、ｉ＝４、ｊ＝６であり、上記図１６（ｂ）のテーブルから抵抗値Ｒｘ＝２０００Ωが求められる。そして、電圧Ｚ１＝１．８Ｖ、電圧Ｚ２＝１．２Ｖが検出された場合、上記（１式）から接触抵抗Ｒｔ＝１０００が算出される。接触判定閾値が１００以上、５００以下とすると、Ｒｔ＞５００であるため検出対象のセルはゴースト押圧点であると判定して除外できる。
【００７３】
押圧セル特定処理では、上述した一次領域検出処理、二次領域検出処理、及び導通検出処理を経て特定した複数の押圧セルの候補に対し、順次、上記の接触抵抗検出処理及び導通決定処理を実行してゴースト押圧点の判定とその除外を行うことで、実際に押圧を受けている押圧セルだけを特定できる（図１７参照）。
【００７４】
＜井桁状配置による分圧電位の誤差とその対策＞
上記の位置検出処理において、操作者により同時に５点が押圧された場合に、上記Ｙセグメント（又はＸセグメント）に生じる電位勾配が、実際のセグメントにおける押圧点の位置を正確に反映せず検出精度が低下する可能性がある。
【００７５】
ここで比較例として、上記図８（ｂ）に示した６点の押圧セルのうちセル（５、７）が押圧されていない図１８の押圧セルの配置で、上記位置検出処理により押圧セル（３、２）内における押圧点（ペン先での押圧点；以下、対象押圧点という）のＹ座標位置を検出する場合を考える。この場合、押圧セル（３、２）に対応するＹセグメントＭｙ３全体だけに電流が流れる。このため、上の電極Ｔｙ３−１から対象押圧点までの距離に応じた抵抗値Ｒａと、対象押圧点から下の電極Ｔｙ３−２までの距離に応じた抵抗値Ｒｂとの比に基づき、当該ＹセグメントＭｙ３全体の電位勾配が分圧される。したがって、ＸセグメントＭｘ２を介して検出される電位は、押圧セル（３、２）内の押圧点のＹ座標に正確に対応した値で検出される。
【００７６】
しかし、上記図８（ｂ）と同じ押圧セル配置の図１９に示すように、長方形の４頂点と当該長方形のいずれかの１辺の延長線上に位置する別の１点で同時に押圧が行われる場合には、検出精度が低下する可能性がある。この場合、上記５点には、上記長方形を構成する４頂点に含まれない点である第１点（３、２）と、この第１点（３、２）を延長線上に含む長方形の一辺上で上記第１点（３、２）に近い側及び遠い側にそれぞれ位置する第２点（３、５）及び第３点（３、７）と、上記長方形において第２点（３、５）及び第３点（３、７）にそれぞれ対角線上沿いに対向する第４点（５、７）及び第５点（５、５）とが、含まれる。
【００７７】
この押圧セルの配置で、上記位置検出処理により押圧セル（３、２）内における押圧点（ペン先での押圧点）のＹ座標位置を検出する場合を考える。この場合、上記第２点（３、５）及び第３点（３、７）が上記第１点（３、２）とＹ方向に沿って同一直線上にあったとすると、上記第１点（３、２）を含むＹセグメントＭｙ３に、上記第２点（３、５）及び第３点（３、７）も含まれることとなる。このとき、第１点（３、２）、第２点（３、５）、第３点（３、７）それぞれにおいて押圧によるＹセグメントＭｙ３とＸセグメントＭｘ２、Ｍｘ５、Ｍｘ７との導通が生じる。これにより、ＹセグメントＭｙ３全体に流れる電流に加えて、上側の電極Ｔｙ３−１→ＹセグメントＭｙ３→第２点（３、５）（導通）→ＸセグメントＭｘ５→第５点（５、５）（導通）→ＹセグメントＭｙ５→第４点（５、７）（導通）→ＸセグメントＭｘ７→第３点（３、７）（導通）→ＹセグメントＭｙ３→下側の電極Ｔｙ３−２のような迂回経路で流れる電流が新たに生じる。
【００７８】
このため、第２点（３、５）と第３点（３、７）との間には、第２点（３、５）→ＹセグメントＭｙ３→第３点（３、７）の経路と、上記第２点（３、５）→ＸセグメントＭｘ５→第５点（５、５）→ＹセグメントＭｙ５→第４点（５、７）→Ｘセグメントｍｘ７→第３点（３、７）の経路（以下、迂回経路という）との、２つが並列接続することとなり、対象押圧点から下の電極Ｔｙ３−２までの合成抵抗値Ｒｂが見かけ上小さくなる。
【００７９】
この結果、前述した、上記ＹセグメントＭｙ３での電位勾配に基づき生じる分圧が、上記迂回経路の影響で第２点（３、５）と第３点（３、７）との距離に正確に対応した値とならない可能性がある。この場合、上記第１点（３、２）、第２点（３、５）、第３点（３、７）すべてにおける押圧点のＹ座標検出の精度が低下する。なお、上記は共通のＹセグメントＭｙｉに３点が存在するとともに、そのうち２点が１辺上に含まれる長方形の他の２頂点に残りの２点が存在した場合を例にとって説明したが、共通のＸセグメントＭｘｊに３点が存在しそのうち２点が含まれる長方形の他の２頂点に残りの２点が存在する場合も同様である。
【００８０】
そこで、本実施形態では、上記位置検出処理において、最初に各押圧セルごとに、当該押圧セルが含まれるＹセグメントＭｙｉに他の押圧セルが含まれるかどうかを判定する判定処理を実行する。図示する例の第１点（３、２）、第２点（３、５）、第３点（３、７）のような配置関係の場合にはこの判定が満たされる。このように判定処理の判定が満たされた場合、図２０に示すように全てのＹセグメントＭｙ１〜６の一対の電極Ｔｙ１〜６−１、Ｔｙ１〜６−２に対しＨｉｇｈ接続（ＧＮＤ接続）して電圧を印加する全通電Ｙ座標検出処理を実行する。このような態様で電圧印加を行うことで、全てのＹセグメントＭｙ１〜６に、Ｙ方向に沿って同等の電位勾配が生じる。
【００８１】
この結果、共通のＸセグメントＭｘ５に含まれる第２点（３、５）及び第５点（５、５）が上記電圧印加時に互いに略同等の電位となるので、上記第２点（３、５）→ＸセグメントＭｘ５→第５点（５、５）の経路で電流が流れることがなくなる。同様に、共通のＸセグメントＭｘ７に含まれる第３点（３、７）及び第４点（５、７）が互いに略同等の電位となるので、上記第４点（５、７）→ＸセグメントＭｘ７→第３点（３、７）の経路で電流が流れることがなくなる。以上により、前述したような、第２点（３、５）→ＸセグメントＭｘ５→第５点（５、５）→ＹセグメントＭｙ５→第４点（５、７）→ＸセグメントＭｘ７→第３点（３、７）という迂回経路による抵抗値Ｒｂの変動が生じない。この結果、前述の電位勾配に基づく分圧への影響を防止し、Ｙ座標検出の精度低下を防止することができる。そしてこの状態で、Ｙ方向の位置検出を行えばよい。
【００８２】
また、上記判定処理の判定が満たされなかった場合には、対象の押圧セルに対応するＹセグメントＭｙｉのみに電圧を印可する部分通電Ｙ座標検出処理を実行した状態で、Ｙ方向の位置検出を行えばよい（つまり、上記図７（ｂ）に示した、通常のＹ方向位置検出）なお、Ｘ方向の位置検出においても、同様の処理を行うことでＸ座標検出の精度低下を防止することができる。
【００８３】
＜制御フロー＞
上記の手法を実現するために、電子筆記装置２のＣＰＵ２０１が実行する概略的な制御手順を、図２１により説明する。図２１において、このフローは、例えば、電子筆記装置２の電源がオンされることを契機に開始される。
【００８４】
まず、ステップＳ５において、ＣＰＵ２０１は、上記図６（ａ）で説明した回路構成の拡張型により、所定のＹセグメントにおける各Ｘセグメントとの接触導通の有無を検出する一次領域検出処理を実行する。
【００８５】
その後、ステップＳ１０に移り、ＣＰＵ２０１は、上記図６（ｂ）で説明した回路構成の拡張型により、上記一次領域検出処理で特定されたＹセグメントに対する所定のＸセグメントの接触導通の有無を検出する二次領域検出処理を実行する。
【００８６】
その後、ステップＳ１５に移り、略矩形領域を検出したか否かを判定する。略矩形領域が検出されなかった場合、判定は満たされず、ステップＳ５に戻り同様の手順を繰り返す。
【００８７】
一方、略矩形領域が検出された場合、判定が満たされ、ステップＳ２０に移る。
【００８８】
ステップＳ２０では、ＣＰＵ２０１は、上記図６（ａ）、図６（ｂ）のいずれの回路構成を用いて、図１１に示すように上記略矩形領域に含まれる全てのセルに対し順次トレースして実際に接触導通しているセルを検出し特定する導通検出処理を実行する。
【００８９】
その後、ステップＳ２５に移り、ＣＰＵ２０１は、図１５（ａ）に示す回路構成を用いて、検出対象の各セル（ｉ、ｊ）それぞれにおけるＹセグメントＭｙｉとＸセグメントＭｘｊとの間の接触抵抗Ｒｔを検出する接触抵抗検出処理を実行する。
【００９０】
その後、ステップＳ３０に移り、ＣＰＵ２０１は、上記ステップＳ２５で求めた接触抵抗Ｒｔに基づいてゴースト押圧点を除外する導通決定処理を実行する。これにより、押圧セルが確実に特定される。
【００９１】
その後、ステップＳ３５に移り、ＣＰＵ２０１は、特定された複数の押圧セルのうち、配置の分布やバラツキなどに基づいて特にペン先によって押圧されていると推定されるペン位置セルを特定するペン位置セル特定処理を実行する。
【００９２】
その後、ステップＳ４０に移り、ＣＰＵ２０１は、各押圧セルごとに、当該押圧セルが含まれるＹセグメントＭｙｉ及びＸセグメントＭｘｊに他の押圧セルが含まれるかどうかの配置条件を満たすか否かを判定する判定処理を実行する。
【００９３】
その後、ステップＳ４５に移り、ＣＰＵ２０１は、上記判定処理において、押圧セルの配置条件を満たしたか否かを判定する。押圧セルの配置条件を満たした場合、判定が満たされ、ステップＳ５０へ移る。
【００９４】
ステップＳ５０では、ＣＰＵ２０１は、配置条件を満たした方向に応じて全通電Ｙ座標検出処理または全通電Ｘ座標検出処理を実行する。
【００９５】
その後、ステップＳ５５に移り、ＣＰＵ２０１は、Ｘ方向とＹ方向とでそれぞれ個別に、上記特定されたペン位置セル内に存在する押圧点のＸ−Ｙ座標位置を検出する位置検出処理を実行する。そして上記ステップＳ５へ戻り、同様の手順を繰り返す。
【００９６】
また一方、上記ステップＳ４５の判定において、押圧セルの配置条件を満たさなかった場合、判定は満たされず、ステップＳ６０へ移る。
【００９７】
ステップＳ６０では、ＣＰＵ２０１は、検出方向に応じて部分通電Ｙ座標検出処理または部分通電Ｘ座標検出処理を実行する。そして、ステップＳ５５へ移る。
【００９８】
以上のフローにおいて、ステップＳ５〜ステップＳ３０の手順が、その時点で押圧されているセルを特定する押圧セル特定処理に相当する。また、ステップＳ４０〜ステップＳ６０の手順が、特定されたペン位置セルにおける押圧点（接触導通点）のＸ−Ｙ座標位置を検出するための広義の位置検出処理に相当する。
【００９９】
以上において、一次領域検出処理が各請求項記載の一次領域検出手順に相当し、二次領域検出処理が各請求項記載の二次領域検出手順に相当し、導通検出処理が各請求項記載の導通検出手順に相当し、接触抵抗検出処理が各請求項記載の接触抵抗検出手順に相当し、導通決定処理が各請求項記載の導通決定手順に相当する。また、特に押圧点のＸ方向の座標検出を行う位置検出処理が、各請求項記載のＸ座標検出手順に相当する。
【０１００】
以上説明したように、本実施形態の電子筆記装置２においては、ゴースト押圧点での接触抵抗Ｒｔは、実際のＹセグメントとＸセグメントとの押圧点に比べて、接触抵抗Ｒｔが著しく高い値となる。本願発明では、これを利用して、接触抵抗Ｒｔに関する適宜のしきい値が設けられる。そして、導通決定処理では、導通検出処理において導通があるとして検出された各押圧セルのうち、対応する接触抵抗Ｒｔが所定のしきい値より大きい押圧セルが除外される。これにより、実際にＹセグメントとＸセグメントとの導通が生じている接触導通点を含むセルが正しく決定される。
【０１０１】
以上のように、本実施形態によれば、操作者によって同時に３点が押圧された場合に、実際には押圧されていない箇所が誤検出されるのを防止することができる。この結果、検出精度を向上することができる。
【０１０２】
また特に、本実施形態においては、接触抵抗検出手順は、検出対象となる各セルについて、対応する一対の上下側の電極の一方に対しＨｉｇｈ接続して＋３Ｖの電圧を印加するか、若しくは、対応する一対の左右側の電極の一方に対しＨｉｇｈ接続して＋３Ｖの電圧を印加したときの、接触抵抗Ｒｔを検出する。
【０１０３】
これにより、各セルに関し、上下側の電極の一方及び左右側の電極の一方に＋３Ｖ電圧を印加して検出された接触抵抗Ｒｔを用いることで、実際には押圧されていない箇所が誤検出されるのを確実に防止することができる。
【０１０４】
なお、上記実施形態においては、対象の押圧セルに対応するＸセグメントでのＧＮＤ接続側の電極から押圧点までの抵抗値Ｒｘから接触抵抗Ｒｔを求めたが、本発明はこれに限られない。他にも、対象の押圧セルに対応するＸセグメント全体の抵抗値ＲＸと、押圧点での分圧比Ｃｘ（つまり、押圧点のＸ座標に対するＸセグメントの全長の比）が既知であるとき、Ｒｘ＝ＲＸ×Ｃｘであるから、
Ｒｔ＝ＲＸ×Ｃｘ×（Ｚ１／Ｚ２−１）  ・・・（式２）
によっても接触抵抗Ｒｔを求めることができる。この場合、ゴースト押圧点も含めて位置検出処理を行い、正確に検出したＸ座標に対応する分圧比Ｃｘ（図２２参照）を用いて上記（式２）から接触抵抗Ｒｔを求める。これを利用して最後にゴースト押圧点を除去してもよい。この場合、接触抵抗Ｒｔを精度よく算出できるため、実際には押圧されていない箇所が誤検出されるのを精度よく確実に防止することができる。なお、これに対して上記実施形態の場合は、テーブル値から求めた抵抗値Ｒｘを用いて接触抵抗Ｒｔを算出するため、上記分圧比Ｃｘを算出する必要がなく、高速に接触抵抗Ｒｔを算出できる点で有利である。
【０１０５】
また、上記実施形態においては、全通電Ｙ座標検出処理で全てのＹセグメントＭｙ１〜Ｍｙｍに電圧を印可して通電させており、これによって簡易な制御で確実かつ高精度にＹ方向の位置検出を行うことができた。しかし、本発明はこれに限られず、他にも図２３に示すように、略矩形領域に対応するＹセグメント（図示する例ではＭｙ３〜Ｍｙ５の３つ）だけに電圧を印可して通電させてもよい。これにより、消費電力を抑えつつ高精度にＹ方向の位置検出を行うことができる。
【０１０６】
なお、上記実施形態では操作者から見た左右方向をＸ方向、上下方向をＹ方向としたが、これに限らずに逆の関係でもよい。
【０１０７】
なお、以上において、図３、図６、図７、図９、図１０、図１２〜図１６、図１８〜図２０、図２２、図２３等の各図中に示す矢印は信号の流れの一例を示すものであり、信号の流れ方向を限定するものではない。
【０１０８】
また、図２１等に示すフローチャートは本発明を上記フローに示す手順に限定するものではなく、発明の趣旨及び技術的思想を逸脱しない範囲内で手順の追加・削除又は順番の変更等をしてもよい。
【０１０９】
また、以上既に述べた以外にも、上記実施形態や各変形例による手法を適宜組み合わせて利用しても良い。
【０１１０】
その他、一々例示はしないが、本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲内において、種々の変更が加えられて実施されるものである。
【符号の説明】
【０１１１】
２                電子筆記装置（タッチパネル装置）
３                ペン
２４              載置部
２５              タッチパネル
７０              紙媒体
２０１            ＣＰＵ
２０９            駆動回路（制御手段）
Ｍｙｉ            Ｙセグメント（第１導電膜領域）
Ｍｘｊ            Ｘセグメント（第２導電膜領域）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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