(57)【要約】【課題】複数の荷電粒子光学系を用いて基板に重ね合わせ描画を行うのに有利な描画装置を提供する。【解決手段】荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、第１方向に配列された複数の荷電粒子線を個別にブランキングする機能をそれぞれが有し、且つ、互いに前記第１方向に間隔をもって配置された複数の荷電粒子光学系と、前記基板を保持して移動するステージと、前記ステージの移動と前記複数の荷電粒子光学系それぞれの前記ブランキング機能とによる前記描画の制御を行う制御部と、を有し、前記制御部は、前記複数の荷電粒子光学系のうち前記複数の荷電粒子線が前記基板上に形成された前記第１方向に隣接する第１領域及び第２領域の上に及ぶ第１荷電粒子光学系に関して、第２方向において前記ステージを移動させながら前記第１領域及び前記第２領域のうちの一方の領域だけに前記複数の荷電粒子線のうちの第１の一部の荷電粒子線で描画が行われるように、前記制御を行う、ことを特徴とする描画装置を提供する。【選択図】図４
2014216631.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
第１方向に配列された複数の荷電粒子線を個別にブランキングするブランキング機能をそれぞれが有し、且つ、互いに前記第１方向に間隔をもって配置された複数の荷電粒子光学系と、
前記基板を保持して移動するステージと、
前記ステージの移動と前記複数の荷電粒子光学系それぞれの前記ブランキング機能とによる前記描画の制御を行う制御部と、を有し、
前記制御部は、前記複数の荷電粒子光学系のうち前記複数の荷電粒子線が前記基板上に形成された前記第１方向に隣接する第１領域及び第２領域の上に及ぶ第１荷電粒子光学系に関して、第２方向において前記ステージを移動させながら前記第１領域及び前記第２領域のうちの一方の領域だけに前記複数の荷電粒子線のうちの第１の一部の荷電粒子線で描画が行われるように、前記制御を行う、ことを特徴とする描画装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記第１荷電粒子光学系に関して、前記一方の領域に描画が行われた後、前記第２方向とは反対の方向において前記ステージを移動させながら前記第１領域及び前記第２領域のうちの他方の領域だけに前記複数の荷電粒子線のうちの第２の一部の荷電粒子線で描画が行われるように、前記制御を行う、ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項３】
前記第１の一部の荷電粒子線は、前記複数の荷電粒子線のうち前記他方の領域の上のみに及ぶ荷電粒子線を除いた荷電粒子線であり、前記第２の一部の荷電粒子線は、前記複数の荷電粒子線のうち前記一方の領域の上のみに及ぶ荷電粒子線を除いた荷電粒子線である、ことを特徴とする請求項２に記載の描画装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記複数の荷電粒子光学系のうち前記複数の荷電粒子線が前記基板上に形成された複数の領域のうちの１つの領域だけの上に及ぶ第２荷電粒子光学系に関して、前記一方の領域に描画が行われている間、又は、前記他方の領域に描画が行われている間に、当該１つの領域に当該複数の荷電粒子線で描画が行われるように、前記制御を行う、ことを特徴とする請求項２に記載の描画装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記基板上に形成された複数の領域の配列及び前記ステージの位置に関する情報に基づいて、前記第１荷電粒子光学系を特定する、ことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項６】
前記複数の荷電粒子光学系のそれぞれは、前記基板に照射される前記複数の荷電粒子線を偏向する偏向器を含み、
前記制御部は、前記一方の領域に描画が行われている間に、前記一方の領域に係る目標描画位置の情報に基づいて、前記偏向器によって前記第１の一部の荷電粒子線が偏向され、且つ、前記他方の領域に描画が行われている間に、前記他方の領域に係る目標描画位置の情報に基づいて、前記偏向器によって前記第２の一部の荷電粒子線が偏向されるように、前記制御を行う、ことを特徴とする請求項２に記載の描画装置。
【請求項７】
前記基板に形成されたマークを検出する検出部を有し、
前記制御部は、前記検出部の出力に基づいて、前記一方の領域及び前記他方の領域に係る目標描画位置の情報を得る、ことを特徴とする請求項６に記載の描画装置。
【請求項８】
前記第１方向と前記第２方向とは互いに直交している、ことを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項９】
前記第１領域及び前記第２領域のそれぞれは、ショット領域を含む、ことを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、描画装置、及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子線などの荷電粒子線を用いた描画装置においては、基板上の各ショット領域に形成されたパターン（以下、「ショットパターン」と称する）に対して新たなパターンを重ね合わせて描画する重ね合わせ描画が行われている（特許文献１参照）。
【０００３】
重ね合わせ描画では、まず、複数のショットパターンの設計上の配列座標値に基づいて基板を移動させて、複数のショットパターンのうち幾つかのショットパターンを基準位置に位置合わせしたときの各位置を実測（計測）する。次いで、ショットパターンの設計上の配列座標値と、位置合わせすべき実際の配列座標値とが所定の誤差を含んで一義的な関係にあると仮定して、複数の実測値と位置合わせすべき実際の配列座標値との平均的な偏差が最小になるように誤差パラメータを決定する。そして、誤差パラメータ及びショットパターンの設計上の配列座標値に基づいて、ショットパターンの実際の配列座標値を求め、かかる実際の配列座標値に応じて基板を位置決めしてパターンの描画を行う。
【０００４】
このような重ね合わせ描画においては、ショットパターンの実際の配列座標値とともに、ショットパターンの歪み（伸縮や回転など）も計測される。ショットパターンの歪みは、パターンを形成する際の描画装置などのリソグラフィ装置の要因で発生する場合や、パターンを形成する際の熱プロセスに起因する基板の変形で発生する場合がある。
【０００５】
図５（ａ）は、基板ＳＢに形成された５行×５列のショットパターンの配列を示す図である。ここでは、実際のショットパターンＳＰを実線で示し、設計上のショットパターンＳＰ’を破線で示している。このような基板ＳＢ（実際のショットパターンＳＰ）に対して、複数の荷電粒子光学系ＣＰ１、ＣＰ２及びＣＰ３を有する描画装置で重ね合わせ描画を行う様子を図５（ｂ）に示す。図５（ｂ）を参照するに、荷電粒子光学系ＣＰ１乃至ＣＰ３のそれぞれは、基板ＳＢに対して５行×５列の荷電粒子線を射出する。そして、荷電粒子光学系ＣＰ１、ＣＰ２及びＣＰ３に対して、基板ＳＢを保持したステージを上方向に移動させることで、荷電粒子光学系ＣＰ１、ＣＰ２及びＣＰ３のそれぞれがストライプ状の領域Ｓ１、Ｓ２及びＳ３を描画（ストライプ描画）する。このようなストライプ描画では、各荷電粒子光学系の基板の移動方向に配列された荷電粒子線は、基板の同一の位置を多重に照射し、その照射のオン／オフによって基板上の荷電粒子線の照射量が制御される。
【０００６】
荷電粒子光学系は、荷電粒子線を偏向する偏向器を有し、かかる偏向器は、基板上での複数の荷電粒子線（によって規定される描画領域）の位置を一括して調整する。ストライプ描画では、基板上のショットパターンの実際の位置に基づいて、各荷電粒子光学系の描画領域の位置を偏向器で調整しながら、ショットパターンに新たなパターンを重ね合わせて描画している。
【０００７】
但し、ショットパターンの寸法によっては、図５（ｂ）に示す荷電粒子光学系ＣＰ３のように、荷電粒子光学系の描画領域が基板の移動方向に直交する方向に隣接するショットパターンを跨ぐ（即ち、隣接する２つのショットパターンの両方に位置する）場合がある。このような場合、以下のような問題を生じてしまう。基板上の各ショットパターンは、実際には、設計上の配列座標に沿って規則的に配列されているとは限らない（即ち、各ショットパターンで位置がずれている）ため、各ショットパターンに対して描画領域の位置を調整（補正）しながら描画を行う必要がある。但し、荷電粒子光学系の描画領域が基板の移動方向に直交する方向に隣接するショットパターンを跨ぐ場合には、一方のショットパターンに対してしか荷電粒子光学系の描画領域の位置を補正することができない。
【０００８】
そこで、このような問題を解決するために、複数の荷電粒子光学系のそれぞれの光軸間の距離を機械的に調整可能とする描画装置が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００４−１７２４２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、従来技術では、複数の荷電粒子光学系のそれぞれの光軸間の距離を機械的に調整する精度が十分ではなく、近年の重ね合わせ描画に要求されている重ね合わせ精度を満たすことができない。
【００１１】
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、複数の荷電粒子光学系を用いて基板に重ね合わせ描画を行うのに有利な描画装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての描画装置は、荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、第１方向に配列された複数の荷電粒子線を個別にブランキングする機能をそれぞれが有し、且つ、互いに前記第１方向に間隔をもって配置された複数の荷電粒子光学系と、前記基板を保持して移動するステージと、前記ステージの移動と前記複数の荷電粒子光学系それぞれの前記ブランキング機能とによる前記描画の制御を行う制御部と、を有し、前記制御部は、前記複数の荷電粒子光学系のうち前記複数の荷電粒子線が前記基板上に形成された前記第１方向に隣接する第１領域及び第２領域の上に及ぶ第１荷電粒子光学系に関して、第２方向において前記ステージを移動させながら前記第１領域及び前記第２領域のうちの一方の領域だけに前記複数の荷電粒子線のうちの第１の一部の荷電粒子線で描画が行われるように、前記制御を行う、ことを特徴とする。
【００１３】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、例えば、複数の荷電粒子光学系を用いて基板に重ね合わせ描画を行うのに有利な描画装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一側面としての描画装置の構成を示す概略図である。
【図２】図１に示す描画装置の荷電粒子光学系の構成を示す概略図である。
【図３】図１に示す描画装置における描画処理を説明するための図である。
【図４】図１に示す描画装置における描画処理を説明するための図である。
【図５】重ね合わせ描画におけるストライプ描画を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１７】
図１は、本発明の一側面としての描画装置１の構成を示す概略図である。描画装置１は、荷電粒子線で基板に描画を行うリソグラフィ装置であって、本実施形態では、複数の荷電粒子光学系のそれぞれから射出される複数の荷電粒子線を用いて基板にパターンを描画する。ここで、荷電粒子線は、電子線に限定されるものではなく、例えば、イオンビームなどであってもよい。
【００１８】
描画装置１は、複数の荷電粒子光学系（本実施形態では、３つの荷電粒子光学系、即ち、第１荷電粒子光学系１００Ａ、第２荷電粒子光学系１００Ｂ及び第３荷電粒子光学系１００Ｃ）と、基板ステージ１１と、位置検出系１２とを有する。また、描画装置１は、ブランキング制御部１３と、処理部１４と、偏向器制御部１５と、位置検出処理部１６と、ステージ制御部１７と、第１記憶部１８と、データ変換部１９と、第２記憶部２０と、主制御部２１とを有する。
【００１９】
第１荷電粒子光学系１００Ａ、第２荷電粒子光学系１００Ｂ及び第３荷電粒子光学系１００Ｃのそれぞれは、複数の荷電粒子線を射出する。また、第１荷電粒子光学系１００Ａ、第２荷電粒子光学系１００Ｂ及び第３荷電粒子光学系１００Ｃのそれぞれは、複数の荷電粒子線を個別にブランキングするブランキング機能を有する。
【００２０】
図２は、第１荷電粒子光学系１００Ａ、第２荷電粒子光学系１００Ｂ及び第３荷電粒子光学系１００Ｃとして適用可能な荷電粒子光学系１００の構成を示す概略図である。荷電粒子光学系１００は、荷電粒子源１０１と、コリメータレンズ１０２と、ブランキングアパーチャアレイ１０３と、静電型レンズ１０４と、磁界型レンズ１０５と、対物レンズ１０６と、偏向器１０７とを含む。
【００２１】
荷電粒子源１０１は、例えば、ＬａＢ６やＢａＯ／Ｗ（ディスペンサカソード）などを荷電粒子線放出材として含む熱電子型の荷電粒子源である。コリメータレンズ１０２は、電界によって荷電粒子線を収束させる静電型レンズである。荷電粒子源１０１から放射された荷電粒子線は、コリメータレンズ１０２を介して、略平行な荷電粒子線となる。
【００２２】
ブランキングアパーチャアレイ１０３は、コリメータレンズ１０２からの略平行な荷電粒子線を、２次元に配列された開孔（不図示）で複数の荷電粒子線に分割する。また、ブランキングアパーチャアレイ１０３は、複数の荷電粒子線のそれぞれを個別に駆動可能な静電型のブランキング偏向器（不図示）を含み、複数の荷電粒子線のそれぞれの基板への照射と非照射とを切り替える。なお、荷電粒子線のブランキング（非照射）は、上述したように偏向器を含む構成によって行いうるが、それ以外の公知の構成によって行ってもよい。
【００２３】
静電型レンズ１０４及び磁界型レンズ１０５は、協同して、ブランキングアパーチャアレイ１０３の複数の開孔の中間像を形成する。対物レンズ１０６は、磁界型レンズであって、複数の開孔の中間像を基板に投影する。偏向器１０７は、ブランキングアパーチャアレイ１０３からの複数の荷電粒子線を一括して所定の方向に偏向して、複数の荷電粒子線によって規定される描画領域ＥＡの位置を変更する。
【００２４】
図１に戻って、基板ステージ１１は、基板１０を保持して移動する。基板ステージ１１は、例えば、荷電粒子光学系１００の光軸と直交するＸ−Ｙ平面（水平面）内で移動可能なＸ−Ｙステージと、基板１０を保持する（引き付ける）ための静電チャックとを含む。また、基板ステージ１１には、荷電粒子線が入射する開口パターンを含み、荷電粒子線の位置を検出する検出器が配置されている。
【００２５】
位置検出系（検出部）１２は、基板１０の上に形成されたマーク（例えば、アライメントマーク）にレジスト（感光剤）が感光しない波長の光を照射する照射系と、マークで正反射された光の像を撮像する撮像素子とを含み、マークの位置を検出する。
【００２６】
ブランキング制御部１３は、第１荷電粒子光学系１００Ａ、第２荷電粒子光学系１００Ｂ及び第３荷電粒子光学系１００Ｃのそれぞれのブランキングアパーチャアレイ１０３を個別に制御する。処理部１４は、バッファメモリやデータ処理回路を含み、第１荷電粒子光学系１００Ａ、第２荷電粒子光学系１００Ｂ及び第３荷電粒子光学系１００Ｃのそれぞれの制御データを生成する。
【００２７】
偏向器制御部１５は、第１荷電粒子光学系１００Ａ、第２荷電粒子光学系１００Ｂ及び第３荷電粒子光学系１００Ｃのそれぞれの偏向器１０７を個別に制御する。位置検出処理部１６は、位置検出系１２からの出力（検出結果）に基づいて、ショットパターンの実際の座標値（位置）及びショットパターンの歪みを特定（算出）する。ステージ制御部１７は、基板ステージ１１の位置を計測するレーザ干渉計（不図示）と協同して、基板ステージ１１の位置決めを制御する。
【００２８】
第１記憶部１８は、基板１０に描画すべきパターンに対応する設計図形データを記憶するメモリである。データ変換部１９は、第１記憶部１８に記憶された設計図形データを、描画装置１で設定されている幅のストライプ単位に分割して、描画処理を容易に行えるようにするための中間図形データに変換する。第２記憶部２０は、中間図形データを記憶するメモリである。
【００２９】
主制御部２１は、ＣＰＵやメモリなどを含み、描画装置１の全体（各部）を制御する。主制御部２１は、基板１０に描画すべきパターンに応じて、中間図形データを処理部１４（のバッファメモリ）に転送し、上述した描画装置１の各部を介して、描画装置１を統括的に制御する。また、本実施形態では、ブランキング制御部１３、処理部１４、偏向器制御部１５、位置検出処理部１６、ステージ制御部１７、第１記憶部１８、データ変換部１９及び第２記憶部２０が個別に構成されているが、これらの機能を主制御部２１が有してもよい。
【００３０】
図３（ａ）乃至図３（ｃ）は、描画装置１における描画処理を説明するための図である。図３（ａ）は、荷電粒子光学系１００から射出され、基板上の描画領域ＥＡを規定する複数の荷電粒子線の配列の一例を示す図である。本実施形態では、複数の荷電粒子線は、５行×２０列の荷電粒子線で構成され、列ピッチに対して行ピッチが２倍になっている。換言すれば、荷電粒子光学系１００は、第１方向（行方向）及び第１方向に直交する方向（列方向）に配列された複数の荷電粒子線を射出する。基板ステージ１１の移動方向は、図３（ａ）で矢印に示すように、紙面の上から下に向かう方向（第１方向に交わる第２方向、具体的には、第１方向に直交する方向）とする。
【００３１】
ここで、主制御部２１は、基板ステージ１１を連続的に移動させながら、基板上の同一の位置に対して、列方向に配列された複数の荷電粒子線のそれぞれを照射するか否かを制御することで描画を行う。換言すれば、主制御部２１は、基板ステージ１１の移動と荷電粒子光学系１００のブランキング機能とによる描画の制御を行う。図３（ａ）に示す対象荷電粒子線列で、基板上の位置（Ｐｏｓｉｔｉｏｎ）Ｐ１乃至Ｐ６と、基板上の位置Ｐ１乃至Ｐ６のそれぞれにおける荷電粒子線の照射量（露光量（Ｄｏｓｅ））との関係が図３（ｂ）に示す関係となるように、基板に描画を行う場合を考える。全ての荷電粒子線は同一のクロックで基板に照射され、対象荷電粒子線列の各行をｊ、ｋ、ｌ、ｍ、ｎとし、基板ステージ１１は単位クロック当たりに行ピッチ分移動する速度で列方向に連続的に移動させるものとする。
【００３２】
この場合、対象荷電粒子線列の各行（ｊ乃至ｎ）の荷電粒子線の単位クロック当たりのオン／オフ（即ち、基板に荷電粒子線を照射するか否か）を、図３（ｃ）に示すように設定（制御）すると、図３（ｂ）に示すような関係が得られる。図３（ｃ）において、点線は、基板上の各位置（Ｐ１乃至Ｐ６）に照射される各行（ｊ乃至ｎ）の荷電粒子線のオン（四角）／オフ（無印）を表す信号に相当する。これは、基板ステージ１１が、単位クロックの２個分で、対象荷電粒子線列の各行（ｊ乃至ｎ）のピッチ分移動するからである。図３（ｂ）に示す関係は、単位クロック２個分ずらしたｊ、ｋ、ｌ、ｍ、ｎの荷電粒子線の照射量を加算したものであり、列方向に配列された荷電粒子線が照射量の階調を制御するため、列方向に配列された全ての荷電粒子線が描画を終了しないと得られない。
【００３３】
図４（ａ）乃至図４（ｃ）を参照して、描画装置１において、第１荷電粒子光学系１００Ａ、第２荷電粒子光学系１００Ｂ及び第３荷電粒子光学系１００Ｃによって、基板上の複数のショット領域ＳＨに描画を行う場合について説明する。第１荷電粒子光学系１００Ａ、第２荷電粒子光学系１００Ｂ及び第３荷電粒子光学系１００Ｃは、第１方向（行方向）及び第１方向に直交する方向（列方向）に配列された複数の荷電粒子線をそれぞれ射出し、互いに第１方向に間隔をもって配置されている。また、複数のショット領域ＳＨは、第１方向に沿って多段に配置されている。基板ステージ１１は、図４（ａ）に示すように、紙面下方向、即ち、第１方向に直交する方向に連続的に移動させるものとする。
【００３４】
図４（ａ）において、ＥＡ１は、第１荷電粒子光学系１００Ａから射出される荷電粒子線によって規定される描画領域を示し、ＥＡ２は、第２荷電粒子光学系１００Ｂから射出される荷電粒子線によって規定される描画領域を示している。同様に、ＥＡ３は、第３荷電粒子光学系１００Ｃから射出される荷電粒子線によって規定される描画領域を示している。基板１０を保持する基板ステージ１１が移動することで、第１荷電粒子光学系１００Ａ、第２荷電粒子光学系１００Ｂ及び第３荷電粒子光学系１００Ｃのそれぞれは、対応する描画領域ＥＡ１、ＥＡ２及びＥＡ３のそれぞれによってストライプ状の領域を描画する。
【００３５】
図４（ａ）では、描画領域ＥＡ１、ＥＡ２及びＥＡ３のそれぞれが基板ステージ１１の移動方向に直交する方向に隣接する２つのショット領域を跨いでいない。従って、描画領域ＥＡ１、ＥＡ２及びＥＡ３のそれぞれの全域でショット領域ＳＨ（に形成されたショットパターン）に重ね合わせ描画を行う。換言すれば、複数の荷電粒子線が１つのショット領域の上のみに及ぶ荷電粒子光学系については、１つのショット領域に複数の荷電粒子線を照射して１つのショット領域に描画を行う。また、描画領域ＥＡ１、ＥＡ２及びＥＡ３のそれぞれは、基板ステージ１１の移動方向に沿ったショット領域の境界では、ショット領域（ショットパターン）の実際の位置に基づいて、偏向器１０７によって荷電粒子線を第１方向に偏向することで位置決めされる。なお、各ショット領域の実際の位置（各ショット領域に係る目標描画位置の情報）は、各ショット領域に形成されたアライメントマークを位置検出系１２で検出した結果（出力）に基づいて特定することができる。描画領域ＥＡ１、ＥＡ２及びＥＡ３のそれぞれによってストライプ状の領域を描画したら、図４（ｂ）に示すように、基板ステージ１１を第１方向にステップ移動させて次の描画を行う。
【００３６】
図４（ｂ）では、描画領域ＥＡ１及びＥＡ２のそれぞれは、基板ステージ１１の移動方向に直交する方向に隣接する２つのショット領域を跨いでいない。従って、上述したように、第１荷電粒子光学系１００Ａ及び第２荷電粒子光学系１００Ｂについては、描画領域ＥＡ１及びＥＡ２のそれぞれの全域でショット領域ＳＨに重ね合わせ描画を行うことができる。一方、描画領域ＥＡ３は、基板ステージ１１の移動方向（第２方向）に直交する方向に隣接する２つのショット領域、即ち、第１ショット領域ＳＨ１及び第２ショット領域ＳＨ２を跨いでいる。このような場合には、描画領域ＥＡ３の全域ではなく、描画領域ＥＡ３の一部、例えば、第１描画領域ＥＡ３ａで第１ショット領域ＳＨ１に重ね合わせ描画を行い、第２描画領域ＥＡ３ｂでは描画を行わない（即ち、第２描画領域ＥＡ３ｂでの描画を禁止する）。換言すれば、複数の荷電粒子線が第１ショット領域ＳＨ１及び第２ショット領域ＳＨ２の上に及ぶ荷電粒子光学系については、第１ショット領域ＳＨ１及び第２ショット領域ＳＨ２のうちの一方の領域だけに描画を行う。具体的には、基板ステージ１１を第２方向に移動させながら、複数の荷電粒子線のうちの一部の荷電粒子線、即ち、基板ステージ１１を第２方向へ移動させることで第１ショット領域ＳＨ１に照射される荷電粒子線の照射を制御する。この際、第１ショット領域（ショットパターン）ＳＨ１の実際の位置（目標描画位置の情報）に基づいて、偏向器１０７によって荷電粒子線を第１方向に偏向してもよい。なお、第１ショット領域ＳＨ１の実際の位置は、上述したように、第１ショット領域ＳＨ１に形成されたアライメントマークを位置検出系１２で検出した結果（出力）に基づいて特定することができる。描画領域ＥＡ１、描画領域ＥＡ２及び第１描画領域ＥＡ３ａのそれぞれによってストライプ状の領域を描画したら、図４（ｃ）に示すように、基板ステージ１１を第１方向にステップ移動させることなく、次の描画を行う。
【００３７】
図４（ｃ）では、描画領域ＥＡ１及びＥＡ２のそれぞれによる描画は終了している（図４（ｂ））ため、描画領域ＥＡ１及びＥＡ２のそれぞれでは描画を行わない（即ち、描画領域ＥＡ１及びＥＡ２のそれぞれでの描画を禁止する）。一方、描画領域ＥＡ３については、描画領域ＥＡ３の一部、即ち、第２描画領域ＥＡ３ｂで第２ショット領域ＳＨ２に重ね合わせ描画を行い、第１描画領域ＥＡ３ａでは描画を行わない（即ち、第１描画領域ＥＡ３ａでの描画を禁止する）。換言すれば、第１ショット領域ＳＨ１及び第２ショット領域ＳＨ２のうちの他方の領域だけに描画を行う。具体的には、基板ステージ１１を第２方向とは反対の第３方向に移動させながら、上述した一部の荷電粒子線を除く荷電粒子線、即ち、基板ステージ１１を第３方向へ移動させることで第２ショット領域ＳＨ２に照射される荷電粒子線の照射を制御する。この際、第２ショット領域（ショットパターン）ＳＨ２の実際の位置（目標描画位置の情報）に基づいて、偏向器１０７によって荷電粒子線を第１方向に偏向してもよい。なお、第２ショット領域ＳＨ２の実際の位置は、上述したように、第２ショット領域ＳＨ２に形成されたアライメントマークを位置検出系１２で検出した結果（出力）に基づいて特定することができる。
【００３８】
このように、描画装置１では、基板上に規定される描画領域が基板ステージの移動方向に直交する方向に隣接する２つのショット領域を跨いでいる場合であっても、高い重ね合わせ精度で各ショット領域に描画を行うことができる。これは、描画装置１では、荷電粒子光学系の光軸間を機械的に調整することなく、隣接する２つのショット領域を個別に描画することで、各ショット領域と荷電粒子線との相対的な位置合わせ精度を高い精度で維持することができるからである。なお、基板上に規定される描画領域が基板ステージの移動方向に直交する方向に隣接する２つのショット領域を跨ぐ荷電粒子光学系は、基板上に形成されたショット領域の配列及び基板ステージの位置に関する情報に基づいて特定することができる。
【００３９】
また、本実施形態では、複数の荷電粒子線が１つのショット領域の上のみに及ぶ第１荷電粒子光学系１００Ａ及び第２荷電粒子光学系１００Ｂについては、第１ショット領域ＳＨ１に描画を行っている間に、かかる１つのショット領域に描画を行っている。但し、これに限定されるものではなく、第１荷電粒子光学系１００Ａ及び第２荷電粒子光学系１００Ｂについては、第２ショット領域ＳＨ２に描画を行っている間に、かかる１つのショット領域に描画を行ってもよい。
【００４０】
また、本実施形態では、基板上の１つのショット領域の描画を単位として説明したが、描画装置１における描画の単位はショット領域に限定されるものではない。例えば、基板上のチップ領域を描画の単位としてもよい。
【００４１】
描画装置１は、複数の荷電粒子光学系を用いて基板に重ね合わせ描画を行うのに有利であるため、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に描画装置１を用いて潜像パターンを形成する工程（基板に描画を行う工程）と、かかる工程で潜像パターンを形成された基板を現像する工程（描画を行われた基板を現像する工程）とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００４２】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【図１】
2014216631.tif 000003
【図２】
2014216631.tif 000004
【図３】
2014216631.tif 000005
【図４】
2014216631.tif 000006
【図５】
2014216631.tif 000007