(57)【要約】【課題】コンデンサの電極間距離を変化させることでコンデンサの容量を変化させる帯域可変フィルタを提供する。【解決手段】高周波用帯域可変フィルタ１００において、コイル１０５の機能を持つ導体１２６と、対向したコンデンサ電極１０７及びグランド兼コンデンサ電極１０８の少なくとも一方が可動する構造であるコンデンサ１２５と、コンデンサ１２５のグランド兼コンデンサ電極１０８を動かすための可動機構としての圧電素子１１０、圧電素子上部電極１０９及び圧電素子下部電極１１１等を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コイルの機能を持つ導体と、
対向した電極の少なくとも一方が可動する構造であるコンデンサと、
前記コンデンサの電極を動かすための可動機構と、を有することを特徴とする帯域可変フィルタ。
【請求項２】
請求項１記載の帯域可変フィルタにおいて、
前記対向した電極のうち、少なくとも一方の電極の表面に絶縁体が形成されていることを特徴とする帯域可変フィルタ。
【請求項３】
請求項２記載の帯域可変フィルタにおいて、
前記電極の表面に形成されている前記絶縁体の表面に対して、もう一方の電極の表面が、前記可動機構で可動させる前の初期段階において接触していることを特徴とする帯域可変フィルタ。
【請求項４】
請求項３記載の帯域可変フィルタにおいて、
前記可動機構として、圧電素子を用いることを特徴とする帯域可変フィルタ。
【請求項５】
請求項４記載の帯域可変フィルタにおいて、
前記圧電素子の直下に空隙を有することを特徴とする帯域可変フィルタ。
【請求項６】
請求項５記載の帯域可変フィルタにおいて、
前記空隙を形成するために形成した穴が、無機材料または、３００℃以下で溶融する金属で封止されていることを特徴とする帯域可変フィルタ。
【請求項７】
請求項６記載の帯域可変フィルタにおいて、
前記空隙の部分が、大気圧以下の圧力であることを特徴とする帯域可変フィルタ。
【請求項８】
請求項１記載の帯域可変フィルタにおいて、
前記帯域可変フィルタは、前記導体及び前記コンデンサの可動しない電極を有する第１の構造体と、前記コンデンサの可動する電極及び前記可動機構を有する第２の構造体とを組み合わせて製造されていることを特徴とする帯域可変フィルタ。
【請求項９】
請求項８記載の帯域可変フィルタにおいて、
前記第１の構造体は、前記導体の部分が第１の導体部と第２の導体部とに分離され、前記第１の導体部と前記第２の導体部との間に第３の構造体を挟んで製造されていることを特徴とする帯域可変フィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、帯域可変フィルタに関し、特に、高周波用帯域可変フィルタに適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
本技術分野の背景技術として、例えば、特開２００２−２０８８０１号公報（特許文献１）や、特開２００２−２０８８０２号公報（特許文献２）がある。
【０００３】
特許文献１には、「伝送線路上に、誘電体共振器（ＤＲＯ）を含む側路を１以上設けてなるフィルタ回路であって、側路の少なくとも１つにおいてＤＲＯと並列に設けられ複数の容量値を取り得るキャパシタ手段を有し、前記容量を変更することによりフィルタの中心周波数を切り替えることを特徴とする帯域可変型フィルタ回路、及びこれを用いたフロントエンド。」と記載されている（要約参照）。
【０００４】
特許文献２には、「切り替え可能な複数の線路を伝送線路の一部として含む高周波用の帯域可変フィルタであって、（ａ）前記切り替え可能な複数の線路のいずれもがキャパシタ及び／または誘電体共振器（ＤＲＯ）を含む側路を有し、前記伝送線路の残りの部分がＤＲＯ及び／またはキャパシタを含む側路を有し、前記切り替え可能な複数の線路の１つを選択して伝送線路を構成することにより、伝送線路の側路におけるＤＲＯの特性値及び／またはこれと並列なキャパシタの容量を切り替え、フィルタ特性を変化させることを特徴とする帯域可変型フィルタ回路、及びこれを用いたフロントエンド。」と記載されている（要約参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−２０８８０１号公報
【特許文献２】特開２００２−２０８８０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前記特許文献１及び特許文献２には、コンデンサ（キャパシタ）の容量を切り替え、フィルタ特性を変化させることができる電子デバイスの構造体が記載されている。しかし、コンデンサの容量を変える手段として、所望の周波数の数に応じた数のコンデンサとスイッチが必要であり、回路が複雑になるという課題がある。
【０００７】
また、前記特許文献１及び特許文献２のような構造体では、例えば、携帯機器に搭載した場合に、装置の小形化を妨げる場合がある。
【０００８】
そこで、本発明は、上記のような課題に鑑みてなされたものであり、その代表的な目的は、コンデンサの電極間距離を変化させることでコンデンサの容量を変化させる帯域可変フィルタを提供することにある。
【０００９】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１１】
すなわち、代表的な帯域可変フィルタは、コイルの機能を持つ導体と、対向した電極の少なくとも一方が可動する構造であるコンデンサと、前記コンデンサの電極を動かすための可動機構と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１３】
すなわち、代表的な効果は、コンデンサの電極間距離を変化させることでコンデンサの容量を変化させることができ、この結果、送信周波数及び受信周波数を可変することが可能な帯域可変フィルタを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施の形態１の高周波用帯域可変フィルタの構造の一例を説明するための図である。
【図２】図１の高周波用帯域可変フィルタの等価回路の一例を説明するための図である。
【図３】図１の高周波用帯域可変フィルタを構成する構造体Ａの形成方法の工程の一例を説明するための図である。
【図４】図３に続く、構造体Ａの形成方法の工程の一例を説明するための図である。
【図５】図４に続く、構造体Ａの形成方法の工程の一例を説明するための図である。
【図６】図５に続く、構造体Ａの形成方法の工程の一例を説明するための図である。
【図７】図６に続く、構造体Ａの形成方法の工程の一例を説明するための図である。
【図８】図７に続く、構造体Ａの形成方法の工程の一例を説明するための図である。
【図９】図８に続く、構造体Ａの形成方法の工程の一例を説明するための図である。
【図１０】図９に続く、構造体Ａの形成方法の工程の一例を説明するための図である。
【図１１】図１０に続く、構造体Ａの形成方法の工程の一例を説明するための図である。
【図１２】図１１に続く、構造体Ａの形成方法の工程の一例を説明するための図である。
【図１３】図１２に続く、構造体Ａの形成方法の工程の一例を説明するための図である。
【図１４】図１の高周波用帯域可変フィルタを構成する構造体Ｂの形成方法の工程の一例を説明するための図である。
【図１５】図１４に続く、構造体Ｂの形成方法の工程の一例を説明するための図である。
【図１６】図１５に続く、構造体Ｂの形成方法の工程の一例を説明するための図である。
【図１７】図１６に続く、構造体Ｂの形成方法の工程の一例を説明するための図である。
【図１８】図１７に続く、構造体Ｂの形成方法の工程の一例を説明するための図である。
【図１９】図１８に続く、構造体Ｂの形成方法の工程の一例を説明するための図である。
【図２０】図１９に続く、構造体Ｂの形成方法の工程の一例を説明するための図である。
【図２１】図２０に続く、構造体Ｂの形成方法の工程の一例を説明するための図である。
【図２２】図２１に続く、構造体Ｂの形成方法の工程の一例を説明するための図である。
【図２３】図２２に続く、構造体Ｂの形成方法の工程の一例を説明するための図である。
【図２４】図２３に続く、構造体Ｂの形成方法の工程の一例を説明するための図である。
【図２５】図２４に続く、構造体Ｂの形成方法の工程の一例を説明するための図である。
【図２６】図２５に続く、構造体Ｂの形成方法の工程の一例を説明するための図である。
【図２７】図２６に続く、構造体Ｂの形成方法の工程の一例を説明するための図である。
【図２８】図２７に続く、構造体Ｂの形成方法の工程の一例を説明するための図である。
【図２９】図２８に続く、構造体Ｂの形成方法の工程の一例を説明するための図である。
【図３０】図２９に続く、構造体Ｂの形成方法の工程の一例を説明するための図である。
【図３１】図３０に続く、構造体Ｂの形成方法の工程の一例を説明するための図である。
【図３２】図３１に続く、構造体Ｂの形成方法の工程の一例を説明するための図である。
【図３３】図３２に続く、構造体Ｂの形成方法の工程の一例を説明するための図である。
【図３４】図３３の楕円で囲った部分を拡大して示す図である。
【図３５】図３３に続く、構造体Ｂの形成方法の工程の一例を説明するための図である。
【図３６】図３５の楕円で囲った部分を拡大して示す図である。
【図３７】図３５に続く、構造体Ｂの形成方法の工程の一例を説明するための図である。
【図３８】図３７に続く、構造体Ｂの形成方法の工程の一例を説明するための図である。
【図３９】図１の高周波用帯域可変フィルタの組み立て方法（構造体Ａと構造体Ｂとからの組み立て）の工程の一例を説明するための図である。
【図４０】図３９の段階を詳細に示す図である。
【図４１】図３９に続く、高周波用帯域可変フィルタの組み立て方法の工程の一例を説明するための図である。
【図４２】図４１の段階を詳細に示す図である。
【図４３】図４１とは別の工程として、高周波用帯域可変フィルタの組み立て方法の工程の一例を説明するための図である。
【図４４】図４３の段階を詳細に示す図である。
【図４５】図４１に続く、高周波用帯域可変フィルタの組み立て方法の工程の一例を説明するための図である。
【図４６】図４５に続く、高周波用帯域可変フィルタの組み立て方法の工程の一例を説明するための図である。
【図４７】図４６に続く、高周波用帯域可変フィルタの組み立て方法の工程の一例を説明するための図である。
【図４８】図４７に続く、高周波用帯域可変フィルタの組み立て方法の工程の一例を説明するための図である。
【図４９】図４８に続く、高周波用帯域可変フィルタの組み立て方法の工程の一例を説明するための図である。
【図５０】図４９に続く、高周波用帯域可変フィルタの組み立て方法の工程の一例を説明するための図である。
【図５１】図５０に続く、高周波用帯域可変フィルタの組み立て方法の工程の一例を説明するための図である。
【図５２】図５１に続く、高周波用帯域可変フィルタの組み立て方法の工程の一例を説明するための図である。
【図５３】図５２に続く、高周波用帯域可変フィルタの組み立て方法の工程の一例を説明するための図である。
【図５４】図５３に続く、高周波用帯域可変フィルタの組み立て方法の工程の一例を説明するための図である。
【図５５】本発明の実施の形態２の高周波用帯域可変フィルタの組み立て方法の工程の一例を説明するための図である。
【図５６】図５５に続く、高周波用帯域可変フィルタの組み立て方法の工程の一例を説明するための図である。
【図５７】図５６に続く、高周波用帯域可変フィルタの組み立て方法の工程の一例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下の実施の形態においては、便宜上その必要があるときは、複数の実施の形態またはセクションに分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらは互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合及び原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。
【００１６】
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合及び原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合及び原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値及び範囲についても同様である。
【００１７】
［実施の形態の概要］
本実施の形態の帯域可変フィルタは、以下の特徴を有している（一例として、（）内に対応する構成要素、符号などを付記）。代表的な帯域可変フィルタ（高周波用帯域可変フィルタ１００）は、コイル（コイル１０５）の機能を持つ導体（導体１２６）と、対向した電極（コンデンサ電極１０７、グランド兼コンデンサ電極１０８）の少なくとも一方が可動する構造であるコンデンサ（コンデンサ１２５）と、前記コンデンサの電極（グランド兼コンデンサ電極１０８）を動かすための可動機構（圧電素子１１０、圧電素子上部電極１０９、圧電素子下部電極１１１等）と、を有することを特徴とする。
【００１８】
以上説明した本実施の形態の概要に基づいた各実施の形態を、以下において図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、全図において、概略斜視図と概略断面図とに共通に、同一の部材には原則として同一のハッチングを付して各構成要素を区別する。
【００１９】
［実施の形態１］
本実施の形態１では、高周波用帯域可変フィルタの構造及びその製造方法を、図１〜図５４を用いて説明する。
【００２０】
＜高周波用帯域可変フィルタの構造及び等価回路＞
図１及び図２を用いて、本実施の形態の高周波用帯域可変フィルタの構造及び等価回路について説明する。図１は、この高周波用帯域可変フィルタの構造の一例を説明するための図である。この図１では、高周波用帯域可変フィルタの構造の主要構成要素を抜き出した概略斜視図を示す。図２は、この高周波用帯域可変フィルタの等価回路の一例を説明するための図である。
【００２１】
本実施の形態の高周波用帯域可変フィルタ１００は、図２の等価回路に示すとおり、コイル１０５とコンデンサ１２５から形成されている。この等価回路において、コイル１０５とコンデンサ１２５の少なくとも一方の値を変化させると、周波数を変えることができる。本実施の形態の高周波用帯域可変フィルタ１００では、周波数を変化させるために、コンデンサ１２５の値（容量）を変化させる。コンデンサ１２５は、誘電体によって分離された２枚の電極で構成され、その容量は、電極面積に比例し、誘電率に比例し、電極間の距離に反比例する。
【００２２】
本実施の形態の高周波用帯域可変フィルタ１００の構造では、コンデンサ１２５の電極間の距離を変えることで容量を変える。そして、コンデンサ１２５の電極間の距離を変える方法として、圧電素子を駆動力として用い、コンデンサ１２５の電極を動かすことで電極間の距離を変える。圧電素子は、圧電体に加えられた力を電圧に変換する、あるいは電圧を力に変換することができる。つまり、圧電素子に電圧を印加すると電圧を力に変換し、その力でコンデンサ１２５の電極間の距離を変える。
【００２３】
本実施の形態の高周波用帯域可変フィルタ１００は、図１に示すように、構造体Ａ１０１及び構造体Ｂ１０２から構成されている。構造体Ａ１０１及び構造体Ｂ１０２は、各々形成し、この形成した構造体Ａ１０１と構造体Ｂ１０２とを組み立てることで、高周波用帯域可変フィルタ１００として完成される。
【００２４】
構造体Ａ１０１は、高抵抗シリコンに空洞１０４を形成し、その空洞１０４の内壁に導体１２６を形成することでコイル１０５の機能を持たせる。コイル１０５の機能を持つ導体１２６の端子の一方は、コンデンサ電極１０７に接続されている。コンデンサ電極１０７の表面には、絶縁体（スパッタ）１１５が形成されている。
【００２５】
コイル１０５の機能を持つ導体１２６の端子のもう一方は上面導体１１８に接続され、導体が形成された貫通ビアホール１０６を経由し、構造体Ｂ１０２に形成されたグランド兼コンデンサ電極１０８に接続される。もちろん、貫通ビアホール１０６直下の絶縁体（スパッタ）１１５は導通を得ることができるように除去されている。
【００２６】
なお、本高周波用帯域可変フィルタ１００では、構造を簡略するため、グランド兼コンデンサ電極１０８としてグランドとコンデンサ電極を兼用としているが、これらを別個に形成することも可能である。
【００２７】
コンデンサ電極１０７とグランド兼コンデンサ電極１０８を持つコンデンサ１２５の電極間距離を変化させる圧電素子は、圧電素子１１０を圧電素子上部電極１０９と圧電素子下部電極１１１で挟む構造体とする。この圧電素子上部電極１０９と圧電素子下部電極１１１に電圧を印加することで、圧電素子１１０を駆動する。この圧電素子１１０と圧電素子上部電極１０９と圧電素子下部電極１１１などを含めて、グランド兼コンデンサ電極１０８を動かすための可動機構と呼ぶ。
【００２８】
圧電素子上部電極１０９の上には絶縁体（ＣＶＤ）１１６が形成され、その上に配線回路１０３とグランド兼コンデンサ電極１０８が形成されている。配線回路１０３とグランド兼コンデンサ電極１０８と圧電素子上部電極１０９と圧電素子下部電極１１１の各々の配線は、高周波入力配線１１２、高周波出力配線１１３、グランド兼コンデンサ配線１１４、圧電素子上部電極配線１２７、圧電素子下部電極配線１２８に接続されている。
【００２９】
特に、本実施の形態の高周波用帯域可変フィルタ１００の構造では、コイル１０５の機能を持つ導体１２６と、コンデンサ１２５と、圧電素子１１０等を含む可動機構とを有する構成において、コンデンサ１２５の対向したコンデンサ電極１０７とグランド兼コンデンサ電極１０８とのうち、少なくとも一方が可動する構造である。ここでは、グランド兼コンデンサ電極１０８を可動する例を説明する。
【００３０】
また、コンデンサ１２５の対向したコンデンサ電極１０７とグランド兼コンデンサ電極１０８とのうち、少なくとも一方の電極の表面に絶縁体が形成されている。ここでは、コンデンサ電極１０７の表面に絶縁体（スパッタ）１１５が形成されている例を説明する。そして、このコンデンサ電極１０７の表面に形成されている絶縁体（スパッタ）１１５の表面に対して、グランド兼コンデンサ電極１０８の表面が、圧電素子１１０等を含む可動機構でグランド兼コンデンサ電極１０８を可動させる前の初期段階において接触している。
【００３１】
さらに、圧電素子１１０等を含む可動機構でグランド兼コンデンサ電極１０８を動かすことで、コンデンサ電極１０７とグランド兼コンデンサ電極１０８との間の距離を変えることができる。これにより、コンデンサ１２５の容量が変わるので、高周波用帯域可変フィルタ１００として、周波数を変化させることが可能となる。
【００３２】
＜高周波用帯域可変フィルタの製造方法＞
以下、図３〜図５４を用いて、図１に示した高周波用帯域可変フィルタ１００の製造方法について説明する。図３〜図５４のうち、図３〜図１３は高周波用帯域可変フィルタ１００を構成する構造体Ａ１０１の形成方法、図１４〜図３８は高周波用帯域可変フィルタ１００を構成する構造体Ｂ１０２の形成方法、図３９〜図５４は高周波用帯域可変フィルタ１００の組み立て方法（構造体Ａ１０１と構造体Ｂ１０２とからの組み立て）をそれぞれ示す。これらの図３〜図５４では、高周波用帯域可変フィルタ１００の製造方法の各工程における構造体の概略断面図を示す。
【００３３】
本実施の形態の高周波用帯域可変フィルタ１００の製造方法において、構造体Ａ１０１の形成方法、構造体Ｂ１０２の形成方法、高周波用帯域可変フィルタ１００の組み立て方法（構造体Ａ１０１と構造体Ｂ１０２とからの組み立て）は、特に限定されるものではないが、例えば、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）プロセス技術を用いて実現することができる。
【００３４】
＜＜構造体Ａの形成方法＞＞
まず、図３〜図１３を用いて、図１に示した高周波用帯域可変フィルタ１００を構成する構造体Ａ１０１の形成方法について説明する。図３〜図１３は、この構造体Ａ１０１の形成方法の工程の一例を説明するための図である。以下において、この構造体Ａ１０１の形成方法の各工程（工程５０１〜工程５１１）を順に説明する。
【００３５】
（工程５０１）図３に示すように、構造体Ａ１０１を形成するための基板として、高抵抗シリコン２０１を用いる。
【００３６】
（工程５０２）図４に示すように、高抵抗シリコン２０１の表面上に、レジスト２０４を塗布し、このレジスト２０４をパターニングした後、空洞１０４及び貫通ビアホール１０６を高抵抗シリコン２０１に形成する。ここでは、例えば、ドライエッチングを用いることができる。深さは、コイル１０５のインダクタンス（図１参照）として適当な値となる深さに加工精度を加味した値とする。その後、高抵抗シリコン２０１の表面上のレジスト２０４を剥離する。
【００３７】
（工程５０３）図５に示すように、導体を電気めっきで形成するための給電膜２１２を形成した後、電気銅めっき２０２を行う。この給電膜２１２の材料は、例えば、チタン／銅、クロム／銅の積層膜、銅の単膜が適当であるが、これ以外の材料でも問題ない。また、給電膜２１２の膜厚は、電気めっきを行った際に膜厚分布が高周波用帯域可変フィルタ１００の特性に影響を及ぼさない範囲である最低限以上の膜厚とする。ここでは、例えば、スパッタを用いることができる。
【００３８】
この電気銅めっき２０２を行った後に、高抵抗シリコン２０１の裏面を基準面として電気銅めっき２０２の表面をＣＭＰ法（Chemical Mechanical Polishing：化学機械研磨）を用いて研磨し、高抵抗シリコン２０１の裏面と電気銅めっき２０２の表面を平行にしておくことが望ましい。ここでは、上面導体１１８（図１参照）を形成するため、後の工程（図５３〜図５４）でエッチングを行うことを想定しているが、レジストで反転パターンを形成し、パターンめっきの手法を採ることもできる。
【００３９】
（工程５０４）図６に示すように、高抵抗シリコン２０１の裏面のバックグラインドを行う。削り量は、コイル１０５（図１参照）のインダクタンスとして適当な値となるまでとする。
【００４０】
（工程５０５）以下の配線形成方法は、ダマシン法（（１）絶縁体形成、（２）絶縁体に配線パターンとなる溝を形成、（３）導体を埋め込む、（４）余分な導体を研磨で除去）で記載しているが、セミアディティブ法（（１）配線を形成、（２）絶縁体を形成、（３）研磨で平坦化）を用いることもできる。
【００４１】
まず、図７に示すように、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長、化学気相蒸着または化学蒸着）を用いて、高抵抗シリコン２０１の裏面に絶縁体（ＣＶＤ）１１６を形成する。
【００４２】
（工程５０６）図８に示すように、絶縁体（ＣＶＤ）１１６の表面上に、レジスト２０４を塗布し、このレジスト２０４をパターニングした後、コンデンサ電極１０７及び貫通ビアホール１０６と構造体Ｂ１０２を接続する端子１１９、封止部１２０を絶縁体（ＣＶＤ）１１６に形成する。ここでは、例えば、ドライエッチングを用いることができる。このエッチングの深さは、コンデンサ電極１０７の機能として適当な値となる深さに加工精度を加味した値とする。その後、絶縁体（ＣＶＤ）１１６の表面上のレジスト２０４を剥離する。
【００４３】
（工程５０７）図９に示すように、導体を電気めっきで形成するための給電膜２１２を形成した後、電気銅めっき２０２を行う。この給電膜２１２の材料は、例えば、チタン／銅、クロム／銅の積層膜、銅の単膜が適当であるが、これ以外の材料でも問題ない。また、給電膜２１２の膜厚は、電気めっきを行った際に膜厚分布が高周波用帯域可変フィルタ１００の特性に影響を及ぼさない範囲である最低限以上の膜厚とする。ここでは、例えば、スパッタを用いることができる。また、電気銅めっき２０２の膜厚は、絶縁体（ＣＶＤ）１１６以上の値に加工精度を加味した値とする。
【００４４】
（工程５０８）図１０に示すように、コンデンサ電極１０７及び貫通ビアホール１０６と構造体Ｂ１０２を接続する端子１１９、封止部１２０のパターンを分離する。ここでは、例えば、ＣＭＰ法を用いて電気銅めっき２０２の表面を研磨することができる。
【００４５】
（工程５０９）図１１に示すように、パターン分離の後、裏面に絶縁体（スパッタ）１１５を形成する。絶縁体の形成は、ＣＶＤを用いてパターンを形成することも可能であるが、この絶縁体の厚さはコンデンサ１２５の電極間距離に相当する（図１参照）。そのため、コンデンサ１２５に大きい容量が必要な場合は電極間距離を短くする必要があり、ｎｍオーダーの薄い膜が必要なこともある。そのため、ここでは、ＣＶＤより厚さ精度が良いスパッタを用いた。もちろん、精度の課題が解決されれば、ＣＶＤを用いることもできる。
【００４６】
（工程５１０）図１２に示すように、絶縁体（スパッタ）１１５の表面上に、レジスト２０４を塗布し、このレジスト２０４をパターニングした後、貫通ビアホール１０６と構造体Ｂ１０２を接続する端子１１９、封止部１２０を形成する。貫通ビアホール１０６の直下に配線回路１０３が来ないようにレイアウトすることが望ましい（図１参照）が、それが避けられない場合は配線回路１０３部分の絶縁体（スパッタ）１１５は除去しない。ここでは、例えば、ドライエッチングを用いることができる。
【００４７】
（工程５１１）図１３に示すように、絶縁体（スパッタ）１１５の表面上のレジスト２０４を剥離する。
【００４８】
以上のように、図３〜図１３の各工程（工程５０１〜工程５１１）を経て、構造体Ａ１０１を形成することができる。
【００４９】
＜＜構造体Ｂの形成方法＞＞
続いて、図１４〜図３８を用いて、図１に示した高周波用帯域可変フィルタ１００を構成する構造体Ｂ１０２の形成方法について説明する。図１４〜図３８は、この構造体Ｂ１０２の形成方法の工程の一例を説明するための図である。以下において、この構造体Ｂ１０２の形成方法の各工程（工程６０１〜工程６２８）を順に説明する。
【００５０】
（工程６０１）図１４に示すように、構造体Ｂ１０２を形成するための基板として、高抵抗シリコン２０１を用いる。
【００５１】
（工程６０２）図１５に示すように、高抵抗シリコン２０１の表面上に、絶縁体（ＣＶＤ）１１６を形成する。
【００５２】
（工程６０３）図１６に示すように、絶縁体（ＣＶＤ）１１６の表面上に、レジスト２０４を塗布し、このレジスト２０４をパターニングした後、空隙１２１（図４９〜図５０）を形成する際のバリア膜を形成するための溝１３０を形成する。ここでは、断面図を示しているのでパターンは２個形成されているように見えるが、図５０のドライエッチング工程で空隙１２１を形成する際のバリア膜となるようにエッチングする。すなわち、圧電素子下部電極１１１の周辺部に沿った形でパターンが形成される（図１参照）。その後、絶縁体（ＣＶＤ）１１６の表面上のレジスト２０４を剥離する。
【００５３】
（工程６０４）図１７に示すように、熱ＣＶＤを用いて、絶縁体（ＣＶＤ）１１６の表面上にバリア膜（熱ＣＶＤ）１１７を形成する。バリア膜の形成には、ＣＶＤを用いることも可能であるが、ここでは、より緻密な膜を形成できる熱ＣＶＤを用いる。
【００５４】
（工程６０５）図１８に示すように、バリア膜（熱ＣＶＤ）１１７の表面上に、レジスト２０４を塗布し、このレジスト２０４をパターニングした後、まず、貫通ビアホール１０６を形成するため、バリア膜（熱ＣＶＤ）１１７にパターンを形成し、さらに、絶縁体（ＣＶＤ）１１６、高抵抗シリコン２０１にパターンを形成する。ここでは、バリア膜（熱ＣＶＤ）１１７にパターンを形成する場合、絶縁体（ＣＶＤ）１１６、高抵抗シリコン２０１にパターンを形成する場合のいずれも、例えば、ドライエッチングを用いることができる。その後、バリア膜（熱ＣＶＤ）１１７の表面上のレジスト２０４を剥離する。
【００５５】
（工程６０６）図１９に示すように、導体を電気めっきで形成するための給電膜２１２を形成した後、電気銅めっき２０２を行い、貫通ビアホール１０６に導体を充填する。この給電膜２１２の材料は、例えば、チタン／銅、クロム／銅の積層膜、銅の単膜が適当であるが、これ以外の材料でも問題ない。また、給電膜２１２の膜厚は、電気めっきで貫通ビアホール１０６に導体を充填できる最低限以上の膜厚とする。
【００５６】
（工程６０７）図２０に示すように、ＣＭＰ法（Chemical Mechanical Polishing ：化学機械研磨）を用いて、貫通ビアホール１０６のパターンを分離する。（工程６０６）で形成した給電膜２１２は、ＣＭＰ法で削ることで除去しても、エッチングを別途行い除去することもできる。ここでは、例えば、ウェットエッチングを用いることができる。
【００５７】
（工程６０８）図２１に示すように、貫通ビアホール１０６の表面上に、圧電素子下部電極１１１を形成する。この圧電素子下部電極１１１の材質は、圧電素子の性能を最大限引き出すためにチタン／白金が適当であるが、これ以外の材料でも圧電素子の性能が引き出せれば用いることは可能である。
【００５８】
（工程６０９）図２２に示すように、圧電素子下部電極１１１の表面上に、レジスト２０４を塗布し、このレジスト２０４をパターニングした後、圧電素子下部電極１１１を形成する。ここでは、例えば、ドライエッチングを用いることができる。
【００５９】
（工程６１０）図２３に示すように、圧電素子下部電極１１１の表面上のレジスト２０４を剥離する。
【００６０】
続いて、（工程６０８〜工程６１０）の圧電素子下部電極１１１を形成する場合と同様にして、図２４に示すように、圧電素子１１０を形成し、次に、圧電素子上部電極１０９を形成する。
【００６１】
まず、圧電素子１１０を形成する場合は、圧電素子下部電極１１１の表面上に、圧電素子１１０を形成する（工程６１１）。この圧電素子１１０の材質は、例えば、ＰＺＴ（Lead Zirconia Titanate ：チタン酸ジルコン酸鉛）を用いているが、特性を満たすことができれば、ＢｉＺｎＴｉ系材料や（Ｋ，Ｎａ）ＮｂＯ３系材料などの圧電素子１１０を用いることができる。
【００６２】
さらに、圧電素子１１０の表面上に、レジスト２０４を塗布し、このレジスト２０４をパターニングした後、圧電素子１１０を形成する（工程６１２）。ここでは、例えば、ドライエッチングを用いることができる。その後、圧電素子１１０の表面上のレジスト２０４を剥離する（工程６１３）。
【００６３】
次に、圧電素子上部電極１０９を形成する場合は、圧電素子１１０の表面上に、圧電素子上部電極１０９を形成する（工程６１４）。この圧電素子上部電極１０９の材質は、例えば、圧電素子１１０の性能を最大限引き出すためにチタン／白金が適当であるが、これ以外の材料でも圧電素子１１０の性能が引き出せれば用いることは可能である。圧電素子上部電極１０９をグランドに接続すれば、配線回路１０３（図１参照）から見るとマイクロストリップ線路のグランドと見ることもできる。このため、厚い膜が適当であり、ここでは、アルミニウムを用いた。
【００６４】
さらに、圧電素子上部電極１０９の表面上に、レジスト２０４を塗布し、このレジスト２０４をパターニングした後、圧電素子上部電極１０９を形成する（工程６１５）。ここでは、例えば、ドライエッチングを用いることができる。その後、圧電素子上部電極１０９の表面上のレジスト２０４を剥離する（工程６１６）。この段階では、図２４に示すような断面構造となる。
【００６５】
（工程６１７）図２５に示すように、圧電素子上部電極１０９の表面上に、絶縁体（ＣＶＤ）１１６を形成する。
【００６６】
（工程６１８）図２６に示すように、高抵抗シリコン２０１の裏面を基準面として絶縁体（ＣＶＤ）１１６の表面を研磨し、絶縁体（ＣＶＤ）１１６の表面を平坦にするとともに、高抵抗シリコン２０１の裏面と絶縁体（ＣＶＤ）１１６の表面を平行にする。ここでは、例えば、ＣＭＰ法を用いることができる。
【００６７】
（工程６１９）図２７に示すように、絶縁体（ＣＶＤ）１１６の表面上に、レジスト２０４を塗布し、このレジスト２０４をパターニングした後、グランド兼コンデンサ電極１０８及び配線回路１０３を形成する。ここでは、例えば、ドライエッチングを用いることができる。このエッチングの深さは、コンデンサ電極の機能として適当な値となる深さに加工精度を加味した値とする。その後、絶縁体（ＣＶＤ）１１６の表面上のレジスト２０４を剥離する。
【００６８】
（工程６２０）図２８に示すように、グランド兼コンデンサ電極１０８及び配線回路１０３の表面上に、レジスト２０４を塗布し、このレジスト２０４をパターニングした後、絶縁体（ＣＶＤ）１１６にビアホール１３１を形成する。ここでは、例えば、ドライエッチングを用いることができる。その後、グランド兼コンデンサ電極１０８及び配線回路１０３の表面上のレジスト２０４を剥離する。
【００６９】
（工程６２１）図２９に示すように、導体を電気めっきで形成するための給電膜２１２を形成した後、電気銅めっき２０２を行う。この給電膜２１２の材料は、例えば、チタン／銅、クロム／銅の積層膜、銅の単膜が適当であるが、これ以外の材料でも問題ない。また、給電膜２１２の膜厚は、電気めっきを行った際に膜厚分布が高周波用帯域可変フィルタ１００の特性に影響を及ぼさない範囲である最低限以上の膜厚とする。ここでは、例えば、スパッタを用いることができる。また、この電気銅めっき２０２の膜厚は、絶縁体（ＣＶＤ）１１６以上の値に加工精度を加味した値とする。
【００７０】
（工程６２２）図３０に示すように、グランド兼コンデンサ電極１０８及び配線回路１０３のパターンを分離する。ここでは、例えば、ＣＭＰ法を用いることができる。
【００７１】
（工程６２３）図３１に示すように、グランド兼コンデンサ電極１０８及び配線回路１０３の表面上に、レジスト２０４を塗布し、このレジスト２０４を、封止部１２０及び、貫通ビアホール１０６と構造体Ｂ１０２を接続する端子１１９より一回り大きなパターンで開口した後、封止部１２０と、貫通ビアホール１０６と構造体Ｂ１０２を接続する端子１１９の周辺部に凹み１３２をつける。この一回り大きなパターンで開口する詳細な理由については、図３４を用いて説明する。ここでは、凹み１３２をつける場合は、例えば、ドライエッチングを用いることができる。この工程の詳細については、図３４を用いて説明する。
【００７２】
（工程６２４）図３２に示すように、封止部１２０と、貫通ビアホール１０６と構造体Ｂ１０２を接続する端子１１９の表面を数ミクロン、エッチングする。ここでは、例えば、ウェットエッチングを用いることができる。
【００７３】
（工程６２５）図３３に示すように、グランド兼コンデンサ電極１０８及び配線回路１０３の表面上のレジスト２０４を剥離する。
【００７４】
図３４は、図３３の楕円で囲った部分の拡大図を示す。（工程６２３）〜（工程６２５）の工程を経ることで、貫通ビアホール１０６と構造体Ｂ１０２を接続する端子１１９及び絶縁体（ＣＶＤ）１１６の形状は、図３４のようになる。つまり、封止部１２０と、貫通ビアホール１０６と構造体Ｂ１０２を接続する端子１１９の周辺部の絶縁体（ＣＶＤ）１１６は、凹み１３２ができ、また、封止部１２０と、貫通ビアホール１０６と構造体Ｂ１０２を接続する端子１１９の表面位置は絶縁体（ＣＶＤ）１１６より凹んだ部分に位置する。この機能については、図３９〜図４４を用いて説明する。
【００７５】
（工程６２６）図３５に示すように、封止部１２０及び、貫通ビアホール１０６と構造体Ｂ１０２を接続する端子１１９を、低融点金属２１３（図３７）で形成するための給電膜２１２を形成する。この給電膜２１２の材料は、例えば、チタン／銅、クロム／銅の積層膜、銅の単膜が適当であるが、これ以外の材料でも問題ない。また、給電膜２１２の膜厚は、低融点金属２１３が後の接続工程に影響を及ぼさない範囲である最低限以上の膜厚とする。ここでは、例えば、スパッタを用いることができる。
【００７６】
図３６は、図３５の楕円で囲った部分の拡大図を示す（さらに、図３６の楕円で囲った部分の拡大図も上方に併記している）。給電膜２１２の最大膜厚は、封止部１２０及び、貫通ビアホール１０６と構造体Ｂ１０２を接続する端子１１９の上に形成された給電膜２１２の最表面の位置が絶縁体（ＣＶＤ）１１６の表面部より下の位置にあることが必要である（矢印部分）。
【００７７】
（工程６２７）図３７に示すように、給電膜２１２の表面上に、レジスト２０４を塗布し、このレジスト２０４をパターニングした後、構造体Ａ１０１及び構造体Ｂ１０２を電気的に接続し、かつ封止部を形成するための低融点金属２１３を電気めっきで形成する。この電気めっきの材質は、例えば、電気錫めっきを用いて形成したが、第三成分を添加した電気錫めっきを用いることができる。一例として、銀を添加した電気錫めっきを用いることもできる。また、場合によっては、鉛を用いることも可能である。その後、給電膜２１２の表面上のレジスト２０４を剥離する。
【００７８】
（工程６２８）図３８に示すように、給電膜２１２を除去する。ここでは、例えば、ウェットエッチングを用いることができる。
【００７９】
以上のように、図１４〜図３８の各工程（工程６０１〜工程６２８）を経て、構造体Ｂ１０２を形成することができる。
【００８０】
＜＜高周波用帯域可変フィルタの組み立て方法＞＞
続いて、図３９〜図５４を用いて、図３〜図１３に示した形成方法の各工程を経て形成した構造体Ａ１０１と、図１４〜図３８に示した形成方法の各工程を経て形成した構造体Ｂ１０２とから高周波用帯域可変フィルタ１００を組み立てる組み立て方法について説明する。図３９〜図５４は、この高周波用帯域可変フィルタ１００の組み立て方法（構造体Ａ１０１と構造体Ｂ１０２とからの組み立て）の工程の一例を説明するための図である。以下において、この高周波用帯域可変フィルタ１００の組み立て方法の各工程（工程７０１〜工程７１２）を順に説明する。
【００８１】
（工程７０１）図３９に示すように、図３〜図１３の各工程を経て形成した構造体Ａ１０１と、図１４〜図３８の各工程を経て形成した構造体Ｂ１０２とを接続するために位置合わせを行う。この位置合わせは、構造体Ａ１０１に形成された、貫通ビアホール１０６と構造体Ｂ１０２を接続する端子１１９、封止部１２０の位置と、構造体Ｂ１０２に形成された低融点金属２１３の位置とが合うようにする。そして、低融点金属２１３の融点以上まで加熱する。
【００８２】
図４０は、図３９において、構造体Ａ１０１と構造体Ｂ１０２とを位置合わせし、接続するために加熱を開始した段階の詳細図を示す。この段階では、低融点金属２１３が熱によって軟化している状態にある。
【００８３】
（工程７０２）図４１に示すように、低融点金属２１３の融点以上まで加熱して接続する。図４１では、構造体Ａ１０１と構造体Ｂ１０２の境界を明確にするため、隙間を空けているが、実際には、構造体Ａ１０１と構造体Ｂ１０２は、接触するまで隙間を詰めることが望ましい。
【００８４】
図４２は、図４１において、構造体Ａ１０１と構造体Ｂ１０２とを位置合わせし、接続するために加熱し、低融点金属２１３が溶融した段階の詳細図を示す。溶融した低融点金属２１３において、接続に用いられる以上の過剰な低融点金属２１３が、図３４に示した、封止部１２０と、貫通ビアホール１０６と構造体Ｂ１０２を接続する端子１１９の周辺部の絶縁体（ＣＶＤ）１１６の凹み１３２に流れ込み排除される。
【００８５】
なお、図４３は、図４１とは別の工程として、図３２に示すエッチングを行わずに接続した場合の接続部の形状を示す。構造体Ａ１０１と構造体Ｂ１０２とを位置合わせし、接続するために加熱を開始した段階の詳細図を示す。この段階では、低融点金属２１３が熱によって軟化している状態にある。
【００８６】
図４４は、図４３において、構造体Ａ１０１と構造体Ｂ１０２とを位置合わせし、接続するために加熱し、低融点金属２１３が溶融した段階の詳細図を示す。溶融した低融点金属２１３において、接続に用いられる以上の過剰な低融点金属２１３が図３４に示した、封止部１２０と、貫通ビアホール１０６と構造体Ｂ１０２を接続する端子１１９の周辺部の絶縁体（ＣＶＤ）１１６の凹み１３２に流れ込み排除される。しかし、図４１と異なり、低融点金属２１３を形成するために成膜した給電膜２１２より、絶縁体（スパッタ）１１５が薄い場合、給電膜２１２が構造体Ａ１０１に接触しても隙間１２３が生ずる。
【００８７】
（工程７０３）図４５に示すように、構造体Ｂ１０２の裏面に端子がでるまで研磨する。ここでは、例えば、ＣＭＰ法を用いることができる。
【００８８】
（工程７０４）図４６に示すように、構造体Ｂ１０２の裏面に、導体を電気めっきで形成するための給電膜２１２を形成する。ここで形成する給電膜２１２は、空隙１２１を形成するためのマスクとしても用いる（図４９〜図５１）。この給電膜２１２の材料は、例えば、チタン／銅、クロム／銅の積層膜、銅の単膜が適当であるが、これ以外の材料でも問題ない。また、給電膜２１２の膜厚は、電気めっきを行った際に膜厚分布が高周波用帯域可変フィルタ１００の特性に影響を及ぼさない範囲である最低限以上の膜厚とする。ここでは、例えば、スパッタを用いることができる。
【００８９】
（工程７０５）図４７に示すように、給電膜２１２の表面上に、レジスト２０４を塗布し、このレジスト２０４をパターニングした後、空隙１２１を形成（図４９〜図５１）するためのパターンを形成する。その後、給電膜２１２の表面上のレジスト２０４を剥離する。
【００９０】
（工程７０６）図４８に示すように、給電膜２１２の表面上に、レジスト２０４を塗布し、外部取り出し電極２０９を形成するためのパターンを形成した後、外部取り出し電極２０９を形成する。この外部取り出し電極２０９の材質は、例えば、はんだバリア性が高い電気ニッケルめっきを用いることができる。その後、給電膜２１２の表面上のレジスト２０４を剥離する。
【００９１】
（工程７０７）図４９に示すように、空隙１２１を形成するため、高抵抗シリコン２０１をエッチングする。このエッチングによる穴の大きさは、空隙１２１を形成できる最小限の直径であることが望ましい。ここでは、例えば、ドライエッチングを用いることができる。
【００９２】
（工程７０８）図５０に示すように、空隙１２１を形成する。ここでは、例えば、ドライエッチングを用いることができる。
【００９３】
（工程７０９）図５１に示すように、空隙１２１を形成するために形成した穴を、穴埋め用材料２１４を用いて埋める。その穴埋め用材料２１４の材質は、無機材料または、３００℃以下で溶融する金属が適当であり、さらに空隙１２１の部分は大気圧以下の圧力が適当である。例えば、真空中で、低融点ガラスまたは、低融点金属を用いることができる。また、穴の直径を小さくすることができれば、ＣＶＤを用いて埋めることも可能である。空隙１２１を設けることで、この空隙１２１をグランド兼コンデンサ電極１０８が動く空間とし、このグランド兼コンデンサ電極１０８の動きを容易にする。
【００９４】
このように、特に、本実施の形態の高周波用帯域可変フィルタ１００の組み立て方法によれば、圧電素子１１０の直下に空隙１２１を有し、この空隙１２１を形成するために形成した穴が穴埋め用材料２１４で封止されている。この封止された空隙１２１は、グランド兼コンデンサ電極１０８の動きが容易となるように大気圧以下の圧力となっている。
【００９５】
（工程７１０）図５２に示すように、給電膜２１２を除去する。ここでは、例えば、ウェットエッチングを用いることができる。
【００９６】
（工程７１１）図５３に示すように、構造体Ａ１０１の表面上に、レジスト２０４を塗布し、このレジスト２０４をパターニングした後、構造体Ａ１０１の表面上に、上面導体１１８を形成する。ここでは、レジスト２０４を塗布する場合に、空洞１０４にレジストが入らないように、フィルム状のレジストを用いることが望ましい。
【００９７】
（工程７１２）図５４に示すように、構造体Ａ１０１の表面上のレジスト２０４を剥離する。
【００９８】
以上のように、図３９〜図５４の各工程（工程７０１〜工程７１２）を経て、構造体Ａ１０１と構造体Ｂ１０２とから高周波用帯域可変フィルタ１００を組み立てることができる。
【００９９】
＜実施の形態１の効果＞
以上説明した本実施の形態の高周波用帯域可変フィルタ１００の構造及びその製造方法によれば、以下のような効果を得ることができる。
【０１００】
（１）コイル１０５の機能を持つ導体１２６と、対向したコンデンサ電極１０７及びグランド兼コンデンサ電極１０８の少なくとも一方が可動する構造であるコンデンサ１２５と、コンデンサ１２５のグランド兼コンデンサ電極１０８を動かすための可動機構としての圧電素子１１０、圧電素子上部電極１０９及び圧電素子下部電極１１１等を有することで、コンデンサ１２５の電極間距離を変化させることでコンデンサ１２５の容量を変化させることができる。これにより、単純な構造で微小な制御を行い、フィルタ特性を変化させることができる。この結果、送信周波数及び受信周波数を可変することが可能な高周波用帯域可変フィルタ１００を提供することができる。さらに詳細には、以下のような効果を得ることができる。
【０１０１】
（２）コンデンサ電極１０７の表面に絶縁体（スパッタ）１１５が形成されていることで、対向するコンデンサ電極１０７とグランド兼コンデンサ電極１０８との間を絶縁することができる。
【０１０２】
（３）圧電素子１１０等を有する可動機構で可動させる前の初期段階において、コンデンサ電極１０７の表面に形成されている絶縁体（スパッタ）１１５の表面に対して、グランド兼コンデンサ電極１０８の表面を接触させることができる。これは、製造が容易にできることに繋がる。
【０１０３】
（４）グランド兼コンデンサ電極１０８を動かすための可動機構として、圧電素子１１０を用いることで、この圧電素子１１０に電圧を印加することで電圧を力に変換し、その力でコンデンサ１２５の電極間の距離を変えることができる。
【０１０４】
（５）圧電素子１１０の直下に空隙１２１を有することで、この空隙１２１をグランド兼コンデンサ電極１０８が可動する空間とすることができる。
【０１０５】
（６）空隙１２１を形成するために形成した穴は、無機材料または、３００℃以下で溶融する金属の穴埋め用材料２１４で容易に封止することができる。
【０１０６】
（７）空隙１２１の部分が大気圧以下の圧力であることで、グランド兼コンデンサ電極１０８の可動を容易にすることができる。
【０１０７】
（８）高周波用帯域可変フィルタ１００は、導体１２６及びコンデンサ１２５のコンデンサ電極１０７等を有する構造体Ａ１０１と、コンデンサ１２５のグランド兼コンデンサ電極１０８及び圧電素子１１０等を含む可動機構等を有する構造体Ｂ１０２とを組み合わせて製造することができる。
【０１０８】
［実施の形態２］
本実施の形態２では、高周波用帯域可変フィルタの構造及びその製造方法を、図５５〜図５７を用いて説明する。本実施の形態２においては、前記実施の形態１と異なる点を主に説明する。
【０１０９】
本実施の形態のような高周波用帯域可変フィルタにおいては、構造体Ａ１０１に形成されたコイルのインダクタンスに大きな値が必要な場合、構造体Ａ１０１に厚さが必要である。しかし、空洞１０４を形成するためにドライエッチングで深い穴を開けることは、技術的にも難しくかつ、形成に時間がかかるため、コスト上昇の原因になる（図１参照）。
【０１１０】
そこで、本実施の形態においては、空洞１０４を形成するためにドライエッチングで深い穴を開けることなく、構造体Ａ１０１に形成されたコイルのインダクタンスを大きな値に設定することができる高周波用帯域可変フィルタを実現するものである。
【０１１１】
＜高周波用帯域可変フィルタの製造方法＞
以下、図５５〜図５７を用いて、本実施の形態の高周波用帯域可変フィルタの製造方法、特に、高周波用帯域可変フィルタの組み立て方法について説明する。図５５〜図５７は、この高周波用帯域可変フィルタの組み立て方法の工程の一例を説明するための図である。以下において、この高周波用帯域可変フィルタの組み立て方法の各工程（工程８０１〜工程８０３）を順に説明する。
【０１１２】
（工程８０１）本実施の形態の高周波用帯域可変フィルタの組み立て方法においては、前記実施の形態１の構造体Ａ１０１及び構造体Ｂ１０２に相当する構造体Ａ’１０１１及び構造体Ｂ１０２を、前記実施の形態１の形成方法と同様の工程を経て形成する。
【０１１３】
ただし、構造体Ａ’１０１１は、構造体Ａ１０１の最表面に形成していた上面導体１１８は形成しない。この上面導体１１８を高抵抗シリコンの表面上に形成した構造体Ａ”１０１２を、構造体Ａ１０１と同様の工程を経て新たに形成する。さらに、高抵抗シリコン以外の絶縁材２１０を用いて貫通ビアが形成された構造体Ｃ１２４を新たに形成する。
【０１１４】
図５５に示すように、構造体Ｂ１０２が接続されている構造体Ａ’１０１１と構造体Ａ”１０１２との間に、構造体Ｃ１２４を挟む。なお、構造体Ａ’１０１１では最表面に上面導体１１８は形成されておらず、構造体Ａ”１０１２の表面に上面導体１１８が形成されている。  
【０１１５】
（工程８０２）図５６に示すように、構造体Ａ’１０１１（構造体Ｂ１０２が接続されている）と構造体Ｃ１２４との間、構造体Ａ”１０１２と構造体Ｃ１２４との間は、低融点金属２１３を用いて接続する。
【０１１６】
（工程８０３）図５７は、構造体Ａ’１０１１（構造体Ｂ１０２が接続されている）と構造体Ｃ１２４と構造体Ａ”１０１２とを接続した状態を示す。高周波用帯域可変フィルタは、上段から下段へ、構造体Ａ”１０１２、構造体Ｃ１２４、構造体Ａ’１０１１、構造体Ｂ１０２が順に接続された構造となる。
【０１１７】
以上のようにして、構造体Ａ”１０１２と構造体Ｃ１２４と構造体Ａ’１０１１と構造体Ｂ１０２とから高周波用帯域可変フィルタを組み立てることができる。
【０１１８】
この高周波用帯域可変フィルタの構造体Ｃ１２４において、高抵抗シリコン以外の絶縁材２１０として、有機物系、例えばエポキシ系材料を用いた場合、両面に電極が形成されたプリント基板と同じ構造であり、プリント基板にチップ部品を両面実装することと同じ技術を用いることができる。そのため、この工程に関しては、構造体Ａ’１０１１と構造体Ｂ１０２、及び構造体Ａ”１０１２は、チップサイズに切り出しての組み立ても可能である。
【０１１９】
＜実施の形態２の効果＞
以上説明した本実施の形態の高周波用帯域可変フィルタの構造及びその製造方法によれば、前記実施の形態１と異なる効果として、コイルの導体の部分が、構造体Ａ”１０１２と構造体Ａ’１０１１とに分離され、構造体Ａ”１０１２と構造体Ａ’１０１１との間に構造体Ｃ１２４を挟んで、高周波用帯域可変フィルタを製造することができる。これにより、コイルの導体を厚くして、このコイルのインダクタンスを大きな値に設定することができる。
【０１２０】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、上記した実施の形態は、本発明を分かり易く説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施の形態の構成の一部を他の実施の形態の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施の形態の構成に他の実施の形態の構成を加えることも可能である。また、各実施の形態の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。
【符号の説明】
【０１２１】
１００  高周波用帯域可変フィルタ
１０１  構造体Ａ
１０１１  構造体Ａ’
１０１２  構造体Ａ”
１０２  構造体Ｂ
１０３  配線回路
１０４  空洞
１０５  コイル
１０６  貫通ビアホール
１０７  コンデンサ電極
１０８  グランド兼コンデンサ電極
１０９  圧電素子上部電極
１１０  圧電素子
１１１  圧電素子下部電極
１１２  高周波入力配線
１１３  高周波出力配線
１１４  グランド兼コンデンサ配線
１１５  絶縁体（スパッタ）
１１６  絶縁体（ＣＶＤ）
１１７  バリア膜（熱ＣＶＤ）
１１８  上面導体
１１９  端子（貫通ビアホールと構造体Ｂを接続する端子）
１２０  封止部
１２１  空隙
１２３  隙間
１２４  構造体Ｃ
１２５  コンデンサ
１２６  導体
１２７  圧電素子上部電極配線
１２８  圧電素子下部電極配線
１３０  溝
１３１  ビアホール
１３２  凹み
２０１  高抵抗シリコン
２０２  電気銅めっき
２０４  レジスト
２０９  外部取り出し電極
２１０  絶縁材（高抵抗シリコン以外の絶縁材）
２１２  給電膜
２１３  低融点金属
２１４  穴埋め用材料
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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