(57)【要約】【課題】短時間で数多くの被処理物に熱処理を施す。【解決手段】熱処理装置は、加熱部と搬送機構と昇降部とを備える。搬送機構は、第１〜３支持部と、加熱部の上面に沿う一方向に順に配され、加熱部の上方で第１、２被処理物を一方向に垂直な加熱部の上面に沿う他方向に搬送する第１〜３搬送部とを有する。第１搬送部は第１被処理物の一端部を支持し、第２搬送部は第１被処理物の他端部と第２被処理物の一端部を支持し、第３搬送部は第２被処理物の他端部を支持する。昇降部は、加熱部の上面よりも上方の位置と加熱部の上面よりも下方の位置との間で昇降する。各搬送部は、他方向に配列された一方向の軸を中心として回転する複数の回転体を含む。第２搬送部の各回転体は、径よりも幅が大きい。第１、３支持部は、第１、３搬送部の回転体を支持し、移動させる。第２支持部は、第２搬送部の各回転体を支持し、加熱部の上面と交わる軸を中心として回転させる。【選択図】図７
2014189875.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱部と、
該加熱部の上面に沿った第１方向に相互に離れて順に配されている第１搬送部、第２搬送部および第３搬送部を有し、前記加熱部の上方において前記第１方向に離れて並べられる第１被処理物および第２被処理物を、該第１被処理物の前記第１方向における第１端部を前記第１搬送部で支持し、前記第１被処理物の前記第１方向における前記第１端部とは逆の第２端部および前記第２被処理物の前記第１方向における第３端部を前記第２搬送部で支持し、前記第２被処理物の前記第１方向における前記第３端部とは逆の第４端部を前記第３搬送部で支持して、前記第１方向に垂直な前記加熱部の前記上面に沿った第２方向に搬送する搬送機構と、
前記加熱部の前記上面よりも上方の上昇位置と、前記加熱部の前記上面よりも下方の下降位置との間で昇降する昇降部とを備え、
前記第１搬送部、前記第２搬送部および前記第３搬送部は、それぞれ前記第２方向に沿って配列された、前記第１方向に沿った軸を中心として回転する複数の回転体を含み、
前記第２搬送部の各回転体は、径よりも大きな軸方向における幅を有し、
前記搬送機構は、前記第１搬送部の各前記回転体を支持し、該第１搬送部の各前記回転体を移動させる第１支持部と、前記第２搬送部の各前記回転体を支持し、該第２搬送部の各前記回転体を、前記加熱部の前記上面と交差する第３方向に沿った軸を中心として回転させる第２支持部と、前記第３搬送部の各前記回転体を支持し、該第３搬送部の各前記回転体を移動させる第３支持部とを有している熱処理装置。
【請求項２】
前記第１支持部は、前記第１搬送部の各前記回転体の軸方向における第５端部を、前記加熱部の上方において前記第１被処理物の前記第１端部を支持する第１支持位置と、前記加熱部の上方の領域から退避した第１退避位置との間で移動させ、
前記第２支持部は、前記第２搬送部の各前記回転体を前記第３方向に沿った軸を中心として回転させることで、前記第２搬送部の各前記回転体の軸方向における第６端部を、前記加熱部の上方において前記第１被処理物の前記第２端部を支持する第２支持位置と、前記加熱部の上方の領域から退避した第２退避位置との間で移動させるとともに、前記第２搬送部の各前記回転体の前記軸方向における前記第６端部とは逆の第７端部を、前記加熱部の上方において前記第２被処理物の前記第３端部を支持する第３支持位置と、前記加熱部の上方の領域から退避した第３退避位置との間で移動させ、
前記第３支持部は、前記第３搬送部の各前記回転体の軸方向における第８端部を、前記加熱部の上方において前記第２被処理物の前記第４端部を支持する第４支持位置と、前記加熱部の上方の領域から退避した第４退避位置との間で移動させる請求項１に記載の熱処理装置。
【請求項３】
前記第１支持部は、前記第１搬送部の各前記回転体を、前記加熱部の前記上面と交差する方向に沿った軸を中心として回転させることで、前記第５端部を、前記第１支持位置と前記第１退避位置との間で移動させ、
前記第３支持部は、前記第３搬送部の各前記回転体を、前記加熱部の前記上面と交差する方向に沿った軸を中心として回転させることで、前記第８端部を、前記第４支持位置と前記第４退避位置との間で移動させる請求項２に記載の熱処理装置。
【請求項４】
前記第２支持部は、前記第２搬送部の各前記回転体を前記第３方向に沿った軸を中心として回転させて、前記第６端部を前記第２支持位置に配置させ、前記第７端部を前記第３支持位置に配置させる請求項２または請求項３に記載の熱処理装置。
【請求項５】
前記搬送機構は、少なくとも前記第２搬送部の各前記回転体を、前記加熱部の上方において前記第１被処理物および前記第２被処理物を前記第２方向に搬送する搬送位置と、前記加熱部の前記上面よりも下方の非搬送位置との間で昇降させる昇降機構を有している請求項２から請求項４の何れか１つの請求項に記載の熱処理装置。
【請求項６】
(a)前記昇降部を前記上昇位置まで上昇させ、(b)前記第１支持部によって前記第１搬送部の各前記回転体の前記第５端部を前記第１支持位置から前記第１退避位置に移動させる第１動作と、前記第２支持部によって前記第２搬送部の各前記回転体を前記第３方向に沿った軸を中心として回転させることで、前記第６端部を前記第２支持位置から前記第２退避位置に移動させつつ前記第７端部を前記第３支持位置から前記第３退避位置に移動させる第２動作と、前記第３支持部によって前記第３搬送部の各前記回転体の前記第８端部を前記第３支持位置から前記第３退避位置に移動させる第３動作とを実行させ、(c)前記昇降部を前記下降位置まで下降させる第４動作と、前記昇降機構によって前記第２搬送部の各前記回転体を前記搬送位置から前記非搬送位置まで下降させる第５動作とを実行させる制御部を備える請求項５に記載の熱処理装置。
【請求項７】
前記搬送機構は、駆動源と、該駆動源で発せられた駆動力を、前記第１搬送部、前記第２搬送部および前記第３搬送部にそれぞれ含まれている、前記第１方向に沿って一列に並ぶ３つの前記回転体に対して伝達することで、該３つの回転体における前記第１方向に沿った軸を中心とした回転を同期させる伝動部とを有する請求項１から請求項６の何れか１つの請求項に記載の熱処理装置。
【請求項８】
前記加熱部は、前記第２搬送部が配されている前記第２方向に延在する間隙を挟んで前記第１方向に並べられている第１加熱部および第２加熱部を有している請求項１から請求項７の何れか１つの請求項に記載の熱処理装置。
【請求項９】
前記第１被処理物および前記第２被処理物が前記加熱部上に配された状態で、前記第１被処理物および前記第２被処理物の各上面に膜を形成する成膜部と、
前記第２搬送部の各前記回転体の少なくとも上部を覆う保護部とをさらに備えている請求項１から請求項８の何れか１つの請求項に記載の熱処理装置。
【請求項１０】
前記搬送機構は、前記第２支持部と、前記第２搬送部の各前記回転体から上方に離れた位置に配されている前記保護部とを連結する連結部を有している請求項９に記載の熱処理装置。
【請求項１１】
前記第１被処理物および前記第２被処理物が前記加熱部上に配されている状態において、平面視した場合に、前記加熱部は、前記第１被処理物および前記第２被処理物の前記第１方向の少なくとも１つの端縁部まで延在している幅広領域を含んでいる請求項１から請求項１０の何れか１つの請求項に記載の熱処理装置。
【請求項１２】
前記加熱部は、該加熱部の前記上面において、前記第１被処理物および前記第２被処理物の少なくとも一方が載置される領域を囲む凸部を有している請求項１１に記載の熱処理装置。
【請求項１３】
前記回転体は、該回転体の外周部において前記第１方向に沿った軸を中心とした環状の領域に沿って突起部および段差部の一方を有している請求項１から請求項１２の何れか１つの請求項に記載の熱処理装置。
【請求項１４】
各前記回転体の外周部を構成する素材は、前記加熱部の前記上面を構成する素材よりも、前記第１被処理物および前記第２被処理物の表面に対する摩擦係数が大きい請求項１から請求項１３の何れか１つの請求項に記載の熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
被処理物上に薄膜を形成する際に、例えば、物理蒸着（ＰＶＤ：Physical Vapor Deposition）装置および化学蒸着（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）装置等の表面処理装置が用いられる。
【０００３】
この表面処理装置には、例えば、直列に配列された複数のチャンバーを貫通する搬送機構によって、被処理物としての基板が搬送されるインライン式の装置がある（例えば、特許文献１等）。この装置では、基板がトレイに載置された状態で搬送されることで、トレイを介した加熱によって基板が略均一に加熱され得る。
【０００４】
しかしながら、トレイを用いる搬送方式では、基板よりも大きなトレイを搬送する機構、ならびに基板の搬送後にトレイを基板の搬送前の位置まで戻す機構が必要となり、表面処理装置の大型化を招く。また、トレイによる基板の搬送の繰り返しに応じて、トレイに付着した薄膜の除去が繰り返されることで、トレイの劣化および破損が生じる。
【０００５】
そこで、トレイが用いられることなく、チャンバーの側壁から突出するローラーによって、被処理物としての基板の左右の端部が支持されつつ、基板が搬送される技術が提案されている（例えば、特許文献２等）。この技術では、ホットプレートを貫通する十数本のピンの上昇によってローラー上から基板が持ち上げられて、チャンバーの側壁側にローラーが退避された後に、ピンの下降によって基板がホットプレート上に載置される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−１３５７０４号公報
【特許文献２】特表２０１０−５２０３６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上記特許文献２の技術では、チャンバーの側壁から突出するローラーによって、複数の基板が１枚ずつ順に搬送される。このため、短時間において数多くの基板の搬送および処理が行われない。そして、このような問題は、基板等の被処理物に対して熱処理を施す熱処理装置一般に共通する。
【０００８】
そこで、短時間において数多くの被処理物に熱処理を施すことが可能な熱処理装置が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、一態様に係る熱処理装置は、加熱部、搬送機構および昇降部を備えている。該熱処理装置では、前記搬送機構は、加熱部の上面に沿った第１方向に相互に離れて順に配されている第１搬送部、第２搬送部および第３搬送部を有し、前記加熱部の上方において前記第１方向に離れて並べられる第１被処理物および第２被処理物を、該第１被処理物の前記第１方向における第１端部を前記第１搬送部で支持し、前記第１被処理物の前記第１方向における前記第１端部とは逆の第２端部および前記第２被処理物の前記第１方向における第３端部を前記第２搬送部で支持し、前記第２被処理物の前記第１方向における前記第３端部とは逆の第４端部を前記第３搬送部で支持して、前記第１方向に垂直な前記加熱部の前記上面に沿った第２方向に搬送する。また、前記昇降部は、前記加熱部の前記上面よりも上方の上昇位置と、前記加熱部の前記上面よりも下方の下降位置との間で昇降する。前記第１搬送部、前記第２搬送部および前記第３搬送部は、それぞれ前記第２方向に沿って配列された、前記第１方向に沿った軸を中心として回転する複数の回転体を含む。前記第２搬送部の各回転体は、径よりも大きな軸方向における幅を有する。そして、前記搬送機構は、前記第１搬送部の各前記回転体を支持し、該第１搬送部の各前記回転体を移動させる第１支持部と、前記第２搬送部の各前記回転体を支持し、該第２搬送部の各前記回転体を、前記加熱部の前記上面と交差する第３方向に沿った軸を中心として回転させる第２支持部と、前記第３搬送部の各前記回転体を支持し、該第３搬送部の各前記回転体を移動させる第３支持部とを有している。
【発明の効果】
【００１０】
一態様に係る熱処理装置によれば、短時間において数多くの被処理物に熱処理が施され得る。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】一実施形態に係る熱処理装置の概略構成を例示する模式図である。
【図２】制御部における機能的な構成を示すブロック図である。
【図３】処理室における成膜機能に係る構成を例示する模式図である。
【図４】第２搬送機構および加熱部の一構成例を模式的に示す平面図である。
【図５】図４にて一点鎖線Ｖ−Ｖで示した位置に相当するＹＺ断面を示す図である。
【図６】リフトピンが上昇した状態を示す模式図である。
【図７】第２搬送機構および加熱部の一構成例を模式的に示す平面図である。
【図８】図７にて一点鎖線VIII−VIIIで示した位置に相当するＹＺ断面を示す図である。
【図９】ローラーのサイズを模式的に示す図である。
【図１０】ローラーを回転させる機構の一例を示す模式図である。
【図１１】図１０にて一点鎖線XI−XIで示した位置に相当するＸＹ断面を示す図である。
【図１２】図１０にて一点鎖線XII−XIIで示した位置に相当するＸＹ断面を示す図である。
【図１３】リフトピンの下降によって基板が加熱部上に載置された状態を示す模式図である。
【図１４】第１〜３搬送部が下降位置まで下降した状態を示す模式図である。
【図１５】保護部およびその周辺を模式的に示す上面図である。
【図１６】処理室における処理フローを例示する流れ図である。
【図１７】第１変形例に係る加熱部の一構成例を模式的に示す平面図である。
【図１８】第２変形例に係る加熱部の一構成例を模式的に示す平面図である。
【図１９】図１８にて一点鎖線XIX−XIXで示した位置に相当するＹＺ断面を示す図である。
【図２０】第３変形例に係るローラーの一構成例を模式的に示す図である。
【図２１】第３変形例に係るローラーの他の一構成例を模式的に示す図である。
【図２２】第４変形例に係る保護部を移動させる構成の一例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の一実施形態ならびに各種変形例を図面に基づいて説明する。図面においては同様な構成および機能を有する部分については同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。なお、図１、図３から図１５および図１７から図２２には、熱処理装置１において被処理物としての基板Ｓ１が搬送される方向（搬送方向とも言う）を＋Ｘ方向とし、且つ基板Ｓ１の盤面をＸＹ平面とする右手系のＸＹＺ座標系が付されている。但し、排気系２０、ガス供給系３０、給電系４０および制御部５０については、熱処理装置１の本体部１０に対する配置関係が描かれたものではない。また、図４、図７、図９および図１７では、図面の複雑化を避けるために、保護部Ｐｐ１〜Ｐｐ３の図示が省略されている。
【００１３】
＜(１)一実施形態＞
＜(１−１)熱処理装置の概略構成＞
一実施形態に係る熱処理装置１は、低圧の処理室内で基板Ｓ１に対して熱処理を伴う化学蒸着を施すことで、基板Ｓ１の一主面上に薄膜を形成するＬＰＣＶＤ（Low Pressure Chemical Vapor Deposition）装置である。本実施形態において、基板Ｓ１は、略矩形の盤面を有する板状の基体の一主面上に、金属層および光電変換層が形成されたものである。また、薄膜は、例えば、透明導電膜である。なお、板状の基体は、例えば、ガラス板等であれば良い。金属層は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）等の電気伝導性に優れた素材によって主に構成された層であれば良い。光電変換層は、例えば、一導電型を有する化合物半導体の層と一導電型とは逆の導電型を有するバッファ層とが積層された層であれば良い。また、透明導電膜は、例えば、ホウ素（Ｂ）を含有する酸化亜鉛（ＢＺＯ）等によって主に構成された薄膜であれば良い。
【００１４】
図１で示されるように、一実施形態に係る熱処理装置１は、本体部１０、排気系２０、ガス供給系３０、給電系４０および制御部５０を備えている。
【００１５】
本体部１０は、例えば、直列に順に配置されているゲートバルブＧ１、ロードロック室１１、ゲートバルブＧ２、処理室１２、ゲートバルブＧ３、アンロードロック室１３およびゲートバルブＧ４を備えている。また、本体部１０は、ロードロック室１１、処理室１２およびアンロードロック室１３を貫通する搬送機構１０ｃを備えている。つまり、熱処理装置１は、搬送機構１０ｃによって、ロードロック室１１から処理室１２を経てアンロードロック室１３まで基板Ｓ１が搬送されるインライン式の装置である。
【００１６】
排気系２０は、例えば、第１排気系２１、第２排気系２２、第３排気系２３および配管２１ｐ〜２３ｐを備えている。第１排気系２１は、配管２１ｐを介して、ロードロック室１１内の気体を排出する。第２排気系２２は、配管２２ｐを介して、処理室１２内の気体を排出する。第３排気系２３は、配管２３ｐを介して、アンロードロック室１３内の気体を排出する。なお、第１〜３排気系２３は、例えば、制御弁（ＣＶ）、自動圧力制御器（ＡＰＣ）、メカニカルブースターポンプ（ＭＢＰ）およびローターリーポンプ（ＲＰ）等を備えていれば良い。
【００１７】
ガス供給系３０は、例えば、第１ガス供給系３１、第２ガス供給系３２および配管３１ｐ，３２ｐを備えている。第１ガス供給系３１は、配管３１ｐを介して、処理室１２内に第１ガスＧａ１を供給する。第２ガス供給系３２は、配管３２ｐを介して、処理室１２内に第２ガスＧａ２を供給する。
【００１８】
給電系４０は、例えば、給電部４１および配線４０ｗを備えている。給電部４１は、配線４０ｗを介して、処理室１２の加熱部１２１等に電力を供給する。
【００１９】
制御部５０は、熱処理装置１の各部の動作を統括制御する部分である。制御部５０は、例えば、図２で示されるように、操作部５１、表示部５２、インターフェース（Ｉ／Ｆ）部５３、記憶部５４、入出力（Ｉ／Ｏ）部５５および処理部５６を備えている。操作部５１は、例えば、各種ボタン等を含む。表示部５２は、例えば、液晶ディスプレイ等を含む。Ｉ／Ｆ部５３は、例えば、通信回線を介して熱処理装置１の各部との間で信号の授受を行う。記憶部５４は、例えば、ハードディスク等を含み、プログラムＰｇ１等を格納する。Ｉ／Ｏ部５５は、例えば、ディスクドライブ等を備え、光ディスク等の記憶媒体Ｄｉ１を受け付けて該記憶媒体Ｄｉ１と処理部５６との間におけるデーターの授受を行う。処理部５６は、例えば、プロセッサーとして働くＣＰＵ５６ａおよび情報を一時的に記憶するメモリー５６ｂ等を含む。処理部５６は、記憶部５４に格納されているプログラムＰｇ１を読み込んで実行することで、熱処理装置１の動作を制御するための各種機能を実現する。
【００２０】
＜(１−２)本体部の主要な構成＞
搬送機構１０ｃは、複数の回転体としての複数のローラーによって基板Ｓ１の下面を支持している状態で、これら複数のローラーを回転させることによって、基板Ｓ１を＋Ｘ方向に搬送する。なお、搬送機構１０ｃは、例えば、ロードロック室１１における第１搬送機構１１ｃ、処理室１２における第２搬送機構１２ｃおよびアンロードロック室１３における第３搬送機構１３ｃを有している。
【００２１】
ロードロック室１１は、処理室１２を大気中に開放することなく、該処理室１２に基板Ｓ１を搬入するための真空予備室である。ここでは、ゲートバルブＧ１が開放され、且つゲートバルブＧ２が閉鎖された状態で、基板移載部Ｍ１によって、外部から搬送されてきた基板Ｓ１が、ロードロック室１１の搬送機構１１ｃ上に載置される。また、ゲートバルブＧ１，Ｇ２が閉鎖された状態で、第１排気系２１によって、ロードロック室１１内の空気が排出されることで、ロードロック室１１内が真空状態とされる。さらに、ゲートバルブＧ１が閉鎖され、且つゲートバルブＧ２が開放された状態で、搬送機構１１ｃによって、基板Ｓ１が処理室１２に搬出される。
【００２２】
処理室１２は、基板Ｓ１上に薄膜を形成するための成膜室である。ここでは、ゲートバルブＧ２が開放され、且つゲートバルブＧ３が閉鎖された状態で、基板Ｓ１が、第１搬送機構１１ｃ上から第２搬送機構１２ｃ上に移送されることで、処理室１２内に搬入される。また、ゲートバルブＧ２，Ｇ３が閉鎖された状態で、第２排気系２２によって、処理室１２内の空気が排出されることで、処理室１２内が真空状態とされる。さらに、処理室１２における基板Ｓ１上への薄膜の形成後に、ゲートバルブＧ２が閉鎖され、且つゲートバルブＧ３が開放された状態で、基板Ｓ１が、第２搬送機構１２ｃ上から第３搬送機構１３ｃ上に移送されることで、アンロードロック室１３に搬出される。
【００２３】
ここで、処理室１２は、図１および図３で示されるように、主に、筐体１２ｂ、第２搬送機構１２ｃ、昇降機構ＵＤ１、加熱部１２１および成膜部１２２を備えている。
【００２４】
筐体１２ｂは、外部と遮断して内部空間１２ｓを形成する箱状の部分である。
【００２５】
第２搬送機構１２ｃは、処理室１２内の下部に配されている。第２搬送機構１２ｃは、基板Ｓ１を＋Ｘ方向に搬送する。
【００２６】
昇降機構ＵＤ１は、処理室１２内の下部に配されている。昇降機構ＵＤ１は、基板Ｓ１を上下方向としての±Ｚ方向に昇降させる。ここでは、昇降機構ＵＤ１によって基板Ｓ１が第２搬送機構１２ｃ上から持ち上げられている状態で、第２搬送機構１２ｃの各ローラーが基板Ｓ１と加熱部１２１との間の領域から退避する。そして、昇降機構ＵＤ１による基板Ｓ１の下降によって、加熱部１２１上に基板Ｓ１が載置され得る。
【００２７】
加熱部１２１は、処理室１２内の下部に配されている。加熱部１２１は、第１加熱部１２１１および第２加熱部１２１２を備えている。加熱部１２１では、第１および第２加熱部１２１１，１２１２上にそれぞれ載置された基板Ｓ１が加熱される。なお、第１および第２加熱部１２１１，１２１２としては、例えば、上面が平坦なホットプレート等が採用される。ホットプレートにおける加熱方式としては、例えば、電流の付与に応じて加熱する抵抗加熱の方式等が採用される。また、以下では、第１加熱部１２１１上に載置される基板Ｓ１を第１被処理物としての第１基板Ｓ１１と称し、第２加熱部１２１２上に載置される基板Ｓ１を第２被処理物としての第２基板Ｓ１２と称する。
【００２８】
成膜部１２２は、処理室１２内の上部に配されている。成膜部１２２は、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が第１および第２加熱部１２１１，１２１２上にそれぞれ配されている状態で、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２の各上面としての＋Ｚ側の面に膜を形成する。成膜部１２２は、第１および第２ガス導入部Ｓｗ１，Ｓｗ２を備えている。
【００２９】
第１ガス導入部Ｓｗ１は、例えば、ＸＹ平面に沿って櫛歯状に並べられている複数の配管を備えている。この複数の配管の下部には、多数のガス導入孔が配されている。ここでは、第１ガス供給系３１から配管３１ｐを介して第１ガス導入部Ｓｗ１に供給される第１ガスＧａ１が、多数のガス導入孔から内部空間１２ｓに導入される。第２ガス導入部Ｓｗ２は、例えば、ＸＹ平面に沿って櫛歯状に並べられている複数の配管を備えている。この複数の配管の下部には、多数のガス導入孔が配されている。ここでは、第２ガス供給系３２から配管３２ｐを介して第２ガス導入部Ｓｗ２に供給される第２ガスＧａ２が、多数のガス導入孔から内部空間１２ｓに導入される。
【００３０】
ここで、成膜部１２２によって形成される膜がＢＺＯを主に含む薄膜である場合、第１ガスＧａ１は、例えば、Ａｒ等の不活性ガスをキャリアガスとして、第１原料としてのジエチル亜鉛（ＤＥＺ）のガスを含有する第１混合ガスであれば良い。また、第２ガスＧａ２は、例えば、Ａｒ等の不活性ガスをキャリアガスとして、第２原料としての水蒸気を含有する第２混合ガスであれば良い。第１混合ガスは、例えば、ＤＥＺの液体をＡｒガスのバブリングによって気化させることで生成され得る。また、第２混合ガスは、例えば、水をＡｒガスのバブリングによって気化させることで生成され得る。さらに、例えば、第１ガスＧａ１および第２ガスＧａ２の少なくとも一方に、ドーパントとしてのボロンがジボラン等の形態で含有されていれば良い。これにより、第１ガスＧａ１に含有されているＤＥＺと、第２ガスＧａ２に含有されている水とが反応して、酸化亜鉛が形成されるとともに、ボロンがドープされることで、ＢＺＯの薄膜が形成され得る。このとき、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）およびエタン（Ｃ２Ｈ６）が形成されて処理室１２外に排出される。
【００３１】
アンロードロック室１３は、処理室１２を大気中に開放することなく、該処理室１２から基板Ｓ１を搬出するための真空予備室である。ここでは、ゲートバルブＧ３，Ｇ４が閉鎖された状態で、第３排気系２３によって、アンロードロック室１３内の空気が排出されることで、アンロードロック室１３内が真空状態とされる。また、ゲートバルブＧ３が開放され、且つゲートバルブＧ４が閉鎖された状態で、基板Ｓ１が、第２搬送機構１２ｃ上から第３搬送機構１３ｃ上に移送されることで、アンロードロック室１３に搬入される。さらに、ゲートバルブＧ３が閉鎖され、且つゲートバルブＧ４が開放された状態で、基板Ｓ１が、基板搬出部Ｍ２によって、アンロードロック室１３の第３搬送機構１３ｃ上から外部に搬出される。
【００３２】
＜(１−３)第２搬送機構および加熱部の概略構成＞
図４および図５で示されるように、第２搬送機構１２ｃは、第１搬送部１２ｃ１、第２搬送部１２ｃ２および第３搬送部１２ｃ３を備えている。
【００３３】
第１搬送部１２ｃ１、第２搬送部１２ｃ２および第３搬送部１２ｃ３は、第１方向としての＋Ｙ方向に相互に離れて順に配されている。そして、−Ｚ方向に平面視した場合、第１搬送部１２ｃ１と第２搬送部１２ｃ２との間に、第１加熱部１２１１が配され、第２搬送部１２ｃ２と第３搬送部１２ｃ３との間に、第２加熱部１２１２が配されている。別の観点から言えば、第１および第２加熱部１２１１，１２１２は、第２搬送部１２ｃ２が配されている第２方向としての＋Ｘ方向に延在する間隙１２ｇを挟んで＋Ｙ方向に並べられている。なお、第１加熱部１２１１の＋Ｚ側の上面および第２加熱部１２１２の＋Ｚ側の上面は、例えば、ＸＹ平面に沿った略同一平面上に配されていれば良い。また、第１および第２加熱部１２１１，１２１２には、＋Ｚ方向に貫通する複数の貫通孔Ｐｈ１が設けられている。なお、ここでは、第１および第２加熱部１２１１，１２１２に、それぞれ８つの貫通孔Ｐｈ１が設けられている例を挙げて説明するが、第１および第２加熱部１２１１，１２１２には、それぞれ少なくとも３つの貫通孔Ｐｈ１が設けられていれば良い。
【００３４】
第１搬送部１２ｃ１は、第２方向としての＋Ｘ方向に沿って配列されている複数の回転体としての複数のローラーＲ１１〜Ｒ１４を含んでいる。第２搬送部１２ｃ２は、＋Ｘ方向に沿って配列されている複数の回転体としての複数のローラーＲ２１〜Ｒ２４を含んでいる。第３搬送部１２ｃ３は、＋Ｘ方向に沿って配列されている複数の回転体としての複数のローラーＲ３１〜Ｒ３４を含んでいる。ここでは、３つのローラーＲ１１，Ｒ２１，Ｒ３１が、＋Ｙ方向に沿った一直線上に配列されており、＋Ｙ方向に沿った回転軸Ａｘ１を中心として回転する。また、３つのローラーＲ１２，Ｒ２２，Ｒ３２が、＋Ｙ方向に沿った一直線上に配列されており、＋Ｙ方向に沿った回転軸Ａｘ２を中心として回転する。また、３つのローラーＲ１３，Ｒ２３，Ｒ３３が、＋Ｙ方向に沿った一直線上に配列されており、＋Ｙ方向に沿った回転軸Ａｘ３を中心として回転する。さらに、３つのローラーＲ１４，Ｒ２４，Ｒ３４は、＋Ｙ方向に沿った一直線上に配列されており、＋Ｙ方向に沿った回転軸Ａｘ４を中心として回転する。なお、本実施形態において、回転軸Ａｘ１〜Ａｘ４とは、各ローラーの回転方向を規定するための仮想の軸である。
【００３５】
図４には、第２搬送機構１２ｃ上に配されている第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２の外縁が二点鎖線で示されている。図４および図５で示されるように、第１搬送部１２ｃ１は、第１基板Ｓ１１の＋Ｙ方向における−Ｙ側の端部（第１端部とも言う）Ｅ１を下方から支持する。ここでは、第１基板Ｓ１１の第１端部Ｅ１が、ローラーＲ１１〜Ｒ１４によって支持される。また、第２搬送部１２ｃ２は、第１基板Ｓ１１の＋Ｙ方向における第１端部Ｅ１とは逆の＋Ｙ側の端部（第２端部とも言う）Ｅ２を下方から支持するとともに、第２基板Ｓ１２の＋Ｙ方向における−Ｙ側の端部（第３端部とも言う）Ｅ３を下方から支持する。ここでは、第１基板Ｓ１１の第２端部Ｅ２および第２基板Ｓ１２の第３端部Ｅ３が、ローラーＲ２１〜Ｒ２４によって支持される。換言すれば、第２搬送部１２ｃ２のローラーＲ２１〜Ｒ２４は、第１基板Ｓ１１を支持する機能と第２基板Ｓ１２を支持する機能とを兼備する。これにより、熱処理装置１のサイズおよび部品点数の増大が低減され、省資源化ならびに熱処理装置１の製造コストの低減が図られ得る。また、第３搬送部１２ｃ３は、第２基板Ｓ１２の＋Ｙ方向における第３端部Ｅ３とは逆の＋Ｙ側の端部（第４端部とも言う）Ｅ４を下方から支持する。ここでは、第２基板Ｓ１２の第４端部Ｅ４が、ローラーＲ３１〜Ｒ３４によって支持される。なお、第１〜４端部Ｅ１〜Ｅ４の＋Ｙ方向における幅は、例えば、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２の＋Ｙ方向における幅の０．５％以上で且つ２％以下程度であれば良い。
【００３６】
ここで、第２搬送機構１２ｃによって第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が支持されている状態では、第１基板Ｓ１１は、第１加熱部１２１１の上方としての＋Ｚ方向において該第１加熱部１２１１の上面としての＋Ｚ側の面に沿って配される。また、この状態では、第２基板Ｓ１２は、第２加熱部１２１２の上方としての＋Ｚ方向において該第２加熱部１２１２の上面としての＋Ｚ側の面に沿って配される。さらに、第１基板Ｓ１１および第２基板Ｓ１２は、＋Ｙ方向に相互に離れて並べられる。そして、第２搬送機構１２ｃによって、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が、＋Ｙ方向に略垂直な第１および第２加熱部１２１１，１２１２の上面に沿った＋Ｘ方向に搬送される。これにより、短時間において数多くの基板Ｓ１が搬送および処理され得る。すなわち、熱処理等の処理が効率的に行われ得る。
【００３７】
＜(１−４)基板を昇降させる昇降機構＞
昇降機構ＵＤ１は、第１ベースプレートＢｐ１、複数のリフトピンＬｐ１および第１昇降機１ｓｈを備えている。
【００３８】
第１ベースプレートＢｐ１は、例えば、ＸＹ平面に略平行な盤面を有する板状の部材であれば良い。なお、第１ベースプレートＢｐ１には、例えば、昇降機構１２ｃＭに含まれている支持部Ｃ２１〜Ｃ２４が±Ｚ方向に貫通および通過する貫通孔Ｐｈ２が設けられている。
【００３９】
複数のリフトピンＬｐ１は、第１ベースプレートＢｐ１の＋Ｚ方向の主面（上面とも言う）上に設けられている。各リフトピンＬｐ１は、＋Ｚ方向に長手方向を有する棒状の部材である。各リフトピンＬｐ１の昇降部としての＋Ｚ方向の先端部（上端部とも言う）Ｕｐ１には、例えば、球面加工が施されていれば良い。これにより、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が破損し難い。ここで、各リフトピンＬｐ１および第１ベースプレートＢｐ１は、例えば、高い剛性を有する金属あるいはセラミックス等で構成されていれば良い。
【００４０】
複数の第１昇降機１ｓｈは、±Ｚ方向に第１ベースプレートＢｐ１を昇降自在に支持している。複数の第１昇降機１ｓｈとしては、例えば、エアシリンダー等が採用される。各第１昇降機１ｓｈは、例えば、筐体１２ｂに固定されているチューブ部１ｒｆと、該チューブ部１ｒｆによって±Ｚ方向に摺動自在に支持されるピストンロッド１ａｘとを有していれば良い。
【００４１】
ここでは、図５および図６で示されるように、第１昇降機１ｓｈによって第１ベースプレートＢｐ１が±Ｚ方向に上昇および下降されることで、複数のリフトピンＬｐ１が各上端部Ｕｐ１とともに±Ｚ方向に昇降する。これにより、複数のリフトピンＬｐ１が各上端部Ｕｐ１とともに同期して±Ｚ方向に昇降する。このとき、複数のリフトピンＬｐ１は、第１および第２加熱部１２１１，１２１２の複数の貫通孔Ｐｈ１を介して昇降する。
【００４２】
具体的には、図５で示されるように、複数のリフトピンＬｐ１の各上端部Ｕｐ１は、第１および第２加熱部１２１１，１２１２の上面よりも下方の位置（下降位置とも言う）Ｐｄ１まで下降する。また、図６で示されるように、複数のリフトピンＬｐ１の各上端部Ｕｐ１は、第１および第２加熱部１２１１，１２１２の上面および第１〜３搬送部１２ｃ１〜１２ｃ３よりも上方の位置（上昇位置とも言う）Ｐｕ１まで上昇する。このとき、各リフトピンＬｐ１の上端部Ｕｐ１が、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２を下方から支持している状態で、各リフトピンＬｐ１が上昇する。これにより、複数のリフトピンＬｐ１によって、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が第１〜３搬送部１２ｃ１〜１２ｃ３上から持ち上げられる。つまり、リフトピンＬｐ１の上端部Ｕｐ１は、第１および第２加熱部１２１１，１２１２の上方で第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２を搬送機構１２ｃの上方に持ち上げる上昇位置Ｐｕ１と、下降位置Ｐｄ１との間で昇降する。
【００４３】
なお、ここでは、８つのリフトピンＬｐ１が、第１加熱部１２１１の８つの貫通孔Ｐｈ１をそれぞれ介して昇降し、８つのリフトピンＬｐ１が、第２加熱部１２１２の８つの貫通孔Ｐｈ１をそれぞれ介して昇降する例を挙げて説明している。しかしながら、これに限られない。例えば、３以上のリフトピンＬｐ１が、第１加熱部１２１１の３以上の貫通孔Ｐｈ１をそれぞれ介して昇降し、３以上のリフトピンＬｐ１が、第２加熱部１２１２の３以上の貫通孔Ｐｈ１をそれぞれ介して昇降すれば良い。３以上のリフトピンＬｐ１については、全てのリフトピンＬｐ１が一直線上に配されていなければ良い。
【００４４】
＜(１−５)ローラーを回転させる構成＞
第２搬送機構１２ｃは、支持部Ｃ１１〜Ｃ１４，Ｃ２１〜Ｃ２４，Ｃ３１〜Ｃ３４および第２ベースプレートＢｐ２を有している。
【００４５】
図４および図６から図８で示されるように、第１支持部としての支持部Ｃ１１〜Ｃ１４は、第１搬送部１２ｃ１のローラーＲ１１〜Ｒ１４をそれぞれ回転自在に支持している。第２支持部としての支持部Ｃ２１〜Ｃ２４は、第２搬送部１２ｃ２のローラーＲ２１〜Ｒ２４をそれぞれ回転自在に支持している。例えば、ローラーＲ２１〜Ｒ２４の軸方向の略中央部が支持部Ｃ２１〜Ｃ２４によって支持されている。第３支持部としての支持部Ｃ３１〜Ｃ３４は、第３搬送部１２ｃ３のローラーＲ３１〜Ｒ３４をそれぞれ回転自在に支持している。各支持部Ｃ１１〜Ｃ１４，Ｃ２１〜Ｃ２４，Ｃ３１〜Ｃ３４は、例えば、＋Ｚ方向が長手方向である部材であれば良い。本実施形態では、各支持部Ｃ１１〜Ｃ１４，Ｃ２１〜Ｃ２４，Ｃ３１〜Ｃ３４は、＋Ｚ方向が長手方向である略円筒状の部材である。
【００４６】
第２ベースプレートＢｐ２は、例えば、板状の部材であれば良い。なお、第２ベースプレートＢｐ２には、例えば、昇降機構ＵＤ１に含まれている各第１昇降機１ｓｈのピストンロッド１ａｘが±Ｚ方向に貫通および通過する貫通孔Ｐｈ３が設けられている。また、第２ベースプレートＢｐ２は、支持部Ｃ１１〜Ｃ１４，Ｃ２１〜Ｃ２４，Ｃ３１〜Ｃ３４を回転自在に支持している。このため、支持部Ｃ１１〜Ｃ１４，Ｃ２１〜Ｃ２４，Ｃ３１〜Ｃ３４は、第１および第２加熱部１２１１，１２１２の上面と交差する第３方向としての＋Ｚ方向に沿った回転軸Ａ１１〜Ａ１４，Ａ２１〜Ａ２４，Ａ３１〜Ａ３４を中心として回転する。なお、本実施形態において、回転軸Ａ１１〜Ａ１４，Ａ２１〜Ａ２４，Ａ３１〜Ａ３４とは、各支持部の回転方向を規定するための仮想の軸である。
【００４７】
具体的には、支持部Ｃ１１が、回転軸Ａ１１を中心として回転し、支持部Ｃ１２が、回転軸Ａ１２を中心として回転し、支持部Ｃ１３が、回転軸Ａ１３を中心として回転し、支持部Ｃ１４が、回転軸Ａ１４を中心として回転する。支持部Ｃ２１が、回転軸Ａ２１を中心として回転し、支持部Ｃ２２が、回転軸Ａ２２を中心として回転し、支持部Ｃ２３が、回転軸Ａ２３を中心として回転し、支持部Ｃ２４が、回転軸Ａ２４を中心として回転する。支持部Ｃ３１が、回転軸Ａ３１を中心として回転し、支持部Ｃ３２が、回転軸Ａ３２を中心として回転し、支持部Ｃ３３が、回転軸Ａ３３を中心として回転し、支持部Ｃ３４が、回転軸Ａ３４を中心として回転する。これにより、図４および図６から図８で示されるように、各支持部の回転に伴って、各支持部に支持されている各ローラーが＋Ｚ方向に沿った回転軸を中心として回転する。これにより、各ローラーＲ１１〜１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ３１〜Ｒ３４の向きが変更される。
【００４８】
各支持部の回転による各ローラーの回転は、昇降機構ＵＤ１のリフトピンＬｐ１によって基板Ｓ１が第２搬送機構１２ｃ上から持ち上げられている状態で行われる。これにより、各ローラーが、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２の真下の領域から退避される。
【００４９】
例えば、支持部Ｃ１３の回転軸Ａ１３を中心とした回転によって、ローラーＲ１３が回転軸Ａ１３を中心として回転される。これにより、ローラーＲ１３の第５端部Ｅ５が、第１基板Ｓ１１の真下の領域と、この領域から退避した領域との間で移動される。ここで、第５端部Ｅ５は、ローラーＲ１３の軸方向における一端部である。本実施形態では、支持部Ｃ１３の回転軸Ａ１３を中心とした回転によって、ローラーＲ１３が回転軸Ａ１３を中心として回転されることで、第５端部Ｅ５が、第１支持位置Ｓｕ１と、第１退避位置Ｅｘ１との間で移動される。ここで、第１支持位置Ｓｕ１は、第１加熱部１２１１の上方において第１基板Ｓ１１の第１端部Ｅ１を支持する位置であり、第１退避位置Ｅｘ１は、第１加熱部１２１１の上方の領域から退避した位置である。ここでは、第１退避位置Ｅｘ１は、第１加熱部１２１１の−Ｙ方向の領域の上方に配されている。なお、支持部Ｃ１１とローラーＲ１１との組、支持部Ｃ１２とローラーＲ１２との組および支持部Ｃ１４とローラーＲ１４との組では、それぞれ支持部Ｃ１３とローラーＲ１３との組と同様な動作が行われる。
【００５０】
また、例えば、支持部Ｃ２３の回転軸Ａ２３を中心とした回転によって、ローラーＲ２３が回転軸Ａ２３を中心として回転される。ここでは、図９で示されるように、ローラーＲ２３の軸方向における幅（ローラー幅とも言う）Ｌｗ１は、ローラーＲ２３の径（ローラー径とも言う）Ｄｍ１よりも大きい。また、第２搬送部１２ｃ２によって第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が搬送される際における、第１基板Ｓ１１と第２基板Ｓ１２との＋Ｙ方向における間隔（基板間隔とも言う）Ｄｓ１は、Ｄｍ１＜Ｄｓ１＜Ｌｗ１の関係を満たせば良い。そして、支持部Ｃ２３は、第１加熱部１２１１と第２加熱部１２１２との間における間隙１２ｇに配されている。
【００５１】
このため、支持部Ｃ２３の回転軸Ａ２３を中心とした回転によって、ローラーＲ２３の第６端部Ｅ６が、第１基板Ｓ１１の真下の領域と、この領域から退避した領域との間で移動される。また、支持部Ｃ２３の回転軸Ａ２３を中心とした回転によって、ローラーＲ２３の第７端部Ｅ７が、第２基板Ｓ１２の真下の領域と、この領域から退避した領域との間で移動される。ここで、第６端部Ｅ６は、ローラーＲ２３の軸方向における一端部であり、第７端部Ｅ７は、ローラーＲ２３の軸方向における第６端部Ｅ６とは逆の一端部である。
【００５２】
ここでは、ローラーＲ２３の軸方向が＋Ｙ方向に略平行な状態（搬送可能状態とも言う）を基準として、ローラーＲ２３が回転軸Ａ２３を中心として回転する角度（回転角度とも言う）が、約９０度である例を挙げて説明するが、これに限られない。ローラーＲ２３の回転角度は、例えば、搬送可能状態が基準とされて、ローラーＲ２３が回転軸Ａ２３を中心として回転した後に、ローラーＲ２３の＋Ｙ方向における長さが、基板間隔Ｄｓ１よりも小さくなる条件を満たす角度であれば良い。なお、ローラー幅Ｌｗ１が基板間隔Ｄｓ１よりも大きければ大きいほど、ローラーＲ２３によって第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が安定して支持され得る。このため、実際には、ローラーＲ２３の回転角度は、例えば、４５度以上で且つ１３５度以下程度の範囲に設定され得る。また、ローラーＲ２３の回転角度が、６０度以上で且つ１２０度以下程度の範囲に設定されれば、ローラー幅Ｌｗ１を基板間隔Ｄｓ１よりもある程度長く設定することが出来る。これにより、ローラーＲ２３によって第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２がより安定して支持され得る。さらに、ローラーＲ２３の回転角度が９０度に近づけば近づくほど、基板間隔Ｄｓ１を短くすることが可能であるため、熱処理装置１の小型化に資する。
【００５３】
また、本実施形態では、第１加熱部１２１１と第２加熱部１２１２との＋Ｙ方向における間隔（間隙長さとも言う）Ｄｓ２は、ローラーＲ２３の軸方向におけるローラー幅Ｌｗ１よりも小さく、ローラーＲ２３のローラー径Ｄｍ１よりも大きい。ここで、間隙長さＤｓ２は、加熱部１２１の間隙１２ｇの＋Ｙ方向における長さに相当する。
【００５４】
この場合、支持部Ｃ２３およびローラーＲ２３の回転軸Ａ２３を中心とした回転によって、第６端部Ｅ６が、第２支持位置Ｓｕ２と第２退避位置Ｅｘ２との間で移動され、第７端部Ｅ７が、第３支持位置Ｓｕ３と第３退避位置Ｅｘ３との間で移動される。ここで、第２支持位置Ｓｕ２は、第１加熱部１２１１の上方において第１基板Ｓ１１の第２端部Ｅ２を支持する位置であり、第２退避位置Ｅｘ２は、第１加熱部１２１１の上方の領域から退避した位置である。また、第３支持位置Ｓｕ３は、第２加熱部１２１２の上方において第２基板Ｓ１２の第３端部Ｅ３を支持する位置であり、第３退避位置Ｅｘ３は、第２加熱部１２１２の上方の領域から退避した位置である。なお、ここでは、第２および第３退避位置Ｅｘ２，Ｅｘ３は、間隙１２ｇの上方に配されている。そして、支持部Ｃ２３によって＋Ｚ方向に沿った回転軸Ａ２３を中心としてローラーＲ２３が回転され、ローラーＲ２３の軸方向と＋Ｙ方向とが一致すると、第６端部Ｅ６が、第２支持位置Ｓｕ２に配置され、第７端部Ｅ７が、第３支持位置Ｓｕ３に配置される。
【００５５】
また、この場合、ローラーＲ２３の回転角度は、例えば、搬送可能状態が基準とされて、ローラーＲ２３が回転軸Ａ２３を中心として回転した後に、ローラーＲ２３の＋Ｙ方向における長さが、間隙長さＤｓ２よりも小さくなる条件を満たす角度であれば良い。但し、ローラーＲ２３の回転角度が９０度に近づけば近づくほど、間隔長さＤｓ２を短くすることが可能であるため、熱処理装置１の小型化に資する。
【００５６】
なお、支持部Ｃ２１とローラーＲ２１との組、支持部Ｃ２２とローラーＲ２２との組および支持部Ｃ２４とローラーＲ２４との組では、それぞれ支持部Ｃ２３とローラーＲ２３との組と同様な動作が行われる。また、各ローラーＲ２１，Ｒ２２，Ｒ２４におけるローラー幅Ｌｗ１、ローラー径Ｄｍ１、基板間隔Ｄｓ１および間隙長さＤｓ２の関係は、ローラーＲ２３と同様なものであれば良い。
【００５７】
また、例えば、支持部Ｃ３３の回転軸Ａ３３を中心とした回転によって、ローラーＲ３３が回転軸Ａ３３を中心として回転される。これにより、ローラーＲ３３の第８端部Ｅ８が、第２基板Ｓ１２の真下の領域と、この領域から退避した領域との間で移動される。ここで、第８端部Ｅ８は、ローラーＲ３３の軸方向における一端部である。本実施形態では、支持部Ｃ３３の回転軸Ａ３３を中心とした回転によって、ローラーＲ３３が回転軸Ａ３３を中心として回転されることで、第８端部Ｅ８が、第４支持位置Ｓｕ４と、第４退避位置Ｅｘ１との間で移動される。ここで、第４支持位置Ｓｕ４は、第２加熱部１２１２の上方において第２基板Ｓ１２の第４端部Ｅ４を支持する位置であり、第４退避位置Ｅｘ４は、第２加熱部１２１２の上方の領域から退避した位置である。ここでは、第４退避位置Ｅｘ４は、第２加熱部１２１２の＋Ｙ方向の領域の上方に配されている。なお、支持部Ｃ３１とローラーＲ３１との組、支持部Ｃ３２とローラーＲ３２との組および支持部Ｃ３４とローラーＲ３４との組では、それぞれ支持部Ｃ３３とローラーＲ３３との組と同様な動作が行われる。
【００５８】
また、図５、図６および図８で示されるように、第２搬送機構１２ｃは、第１駆動機構１Ｍおよび第２駆動機構２Ｍを有している。
【００５９】
第１駆動機構１Ｍは、ローラーＲ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ３１〜Ｒ３４を＋Ｙ方向に沿った回転軸を中心として回転させる。例えば、第１駆動機構１Ｍは、＋Ｙ方向に一直線上に配列されている、ローラーＲ１１，Ｒ２１，Ｒ３１の組、ローラーＲ１２，Ｒ２２，Ｒ３２の組、ローラーＲ１３，Ｒ２３，Ｒ３３の組およびローラーＲ１４，Ｒ２４，Ｒ３４の組に対してそれぞれ設けられている。ここでは、ローラーＲ１３，Ｒ２３，Ｒ３３の組に対して設けられている第１駆動機構１Ｍの構成を一例として説明する。
【００６０】
第１駆動機構１Ｍは、例えば、駆動源としてのモーター部１Ｍｐ、ならびに伝動部としての回転棒１Ｍａおよび歯付ベルト１Ｂｔを備えている。モーター部１Ｍｐは、回転棒１Ｍａを回転させる駆動力を生じる。回転棒１Ｍａは、＋Ｚ方向に沿った仮想の軸を中心として回転し、歯車等を介して歯付ベルト１Ｂｔに駆動力を伝達する。これにより、歯付ベルト１Ｂｔが回転する。また、歯付ベルト１Ｂｔは、回転棒１Ｍａの外周部から支持部Ｃ１３，Ｃ２３を経て支持部Ｃ３３に至る領域に配されている。そして、歯付ベルト１Ｂｔによって、支持部Ｃ１３，Ｃ２３，Ｃ３３内の歯車Ｇｒ１が設けられた回転棒３Ｍｓを介して、各ローラーＲ１３，Ｒ２３，Ｒ３３に駆動力が伝達される。つまり、モーター部１Ｍｐで発せられた駆動力が、回転棒１Ｍａおよび歯付ベルト１Ｂｔによって、＋Ｙ方向に沿って一列に並ぶ３つのローラーＲ１３，Ｒ２３，Ｒ３３に対して伝達される。これにより、ローラーＲ１３，Ｒ２３，Ｒ３３が同期して回転軸Ａｘ３を中心として回転する。
【００６１】
第２駆動機構２Ｍは、支持部Ｃ１１〜Ｃ１４，Ｃ２１〜Ｃ２４，Ｃ３１〜Ｃ３４およびローラーＲ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ３１〜Ｒ３４を＋Ｚ方向に沿った回転軸を中心として回転させる。例えば、第２駆動機構２Ｍは、＋Ｙ方向に一直線上に配列されている、支持部Ｃ１１，Ｃ２１，Ｃ３１の組、支持部Ｃ１２，Ｃ２２，Ｃ３２の組、支持部Ｃ１３，Ｃ２３，Ｃ３３の組および支持部Ｃ１４，Ｃ２４，Ｃ３４の組に対してそれぞれ設けられている。ここでは、ローラーＲ１３，Ｒ２３，Ｒ３３の組に対して設けられている駆動機構１２Ｍの構成を一例として説明する。
【００６２】
第２駆動機構２Ｍは、例えば、駆動源としてのモーター部２Ｍｐ、ならびに伝動部としての回転棒２Ｍａおよび歯付ベルト２Ｂｔを備えている。モーター部２Ｍｐは、回転棒２Ｍａを回転させる駆動力を生じる。回転棒２Ｍａは、＋Ｚ方向に沿った仮想の軸を中心として回転し、歯車等を介して歯付ベルト２Ｂｔに駆動力を伝達する。これにより、歯付ベルト２Ｂｔが回転する。また、歯付ベルト２Ｂｔは、回転棒２Ｍａの外周部から支持部Ｃ３３，Ｃ２３を経て支持部Ｃ１３に至る領域に配されている。そして、歯付ベルト２Ｂｔによって、歯車Ｇｒ２，Ｇｒ３等を介して、支持部Ｃ１３，Ｃ２３，Ｃ３３に駆動力が伝達される。つまり、モーター部２Ｍｐで発せられた駆動力が、回転棒２Ｍａおよび歯付ベルト２Ｂｔによって、＋Ｙ方向に沿って一列に並ぶ３つの支持部Ｃ１３，Ｃ２３，Ｃ３３に対して伝達される。これにより、支持部Ｃ１３，Ｃ２３，Ｃ３３が同期して回転軸Ａ１３，Ａ２３，Ａ３３を中心として回転する。すなわち、ローラーＲ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ３１〜Ｒ３４が同期して回転軸Ａ１３，Ａ２３，Ａ３３を中心として回転する。
【００６３】
ここで、歯付ベルト１ＢｔからローラーＲ２３に駆動力を伝達する構成ならびに歯付ベルト２Ｂｔから支持部Ｃ２３に駆動力を伝達する構成を一例として説明する。
【００６４】
図１０および図１１で示されるように、歯付ベルト１Ｂｔは、支持部Ｃ２３の＋Ｘ側に設けられているに開口Ｏｐ１を介して、支持部Ｃ２３を貫通するように配されている。支持部Ｃ２３内には、＋Ｚ方向に沿った仮想の軸１Ａｘを中心として回転する回転棒３Ｍｓが配されている。回転棒３Ｍｓは、ベアリングＢｒ１を介して第２ベースプレート２Ｂｐに回転自在に取り付けられている。回転棒３Ｍｓには、歯付ベルト１Ｂｔの歯部と噛み合う歯車Ｇｒ１が設けられている。これにより、歯付ベルト１Ｂｔの回転に応じて回転棒３Ｍｓが回転する。また、回転棒３Ｍｓの＋Ｚ方向の先端に設けられている歯車Ｔｔ１とローラーＲ２３の外周部Ｏｃ１に設けられている歯車Ｔｔ２とが、ゼロールかさ歯車の形態で噛み合っている。ローラーＲ２３は、支持部Ｃ２３に設けられている開口Ｏ２１，Ｏ２２を介して、支持部Ｃ２３を貫通するように配されている。そして、ローラーＲ２３は、ベアリングＢｒ２を介して支持部Ｃ２３に回転自在に取り付けられている。このため、回転棒３Ｍｓの回転に応じてローラーＲ２３が回転する。
【００６５】
なお、ローラーＲ１１，Ｒ２１，Ｒ３１の組、ローラーＲ１２，Ｒ２２，Ｒ３２の組およびローラーＲ１４，Ｒ２４，Ｒ３４の組についても、ローラーＲ１３，Ｒ２３，Ｒ３３の組と同様な機構によって、３つのローラーが同期して回転する。そして、各ローラーＲ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ３１〜Ｒ３４が、同期して同一方向に略同一速度で回転することで、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が＋Ｘ方向に安定して搬送され得る。さらに、ここでは、各ローラーＲ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ３１〜Ｒ３４の外周部Ｏｃ１の素材は、第１および第２加熱部１２１１，１２１２の上面を構成する素材よりも、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２の表面に対する摩擦係数が大きい。これにより、ローラーによって、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が＋Ｘ方向に安定して搬送され得る。なお、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２の表面に対する摩擦係数が大きな外周部Ｏｃ１の素材としては、例えば、表面が粗い樹脂およびセラミックス等の素材が採用される。
【００６６】
また、図１０および図１２で示されるように、回転棒４Ｍｓが、ベアリングＢｒ３を介して第２ベースプレートＢｐ２に回転自在に取り付けられている。回転棒４Ｍｓには、歯付ベルト２Ｂｔの歯部と噛み合う歯車Ｇｒ２が設けられている。これにより、歯付ベルト２Ｂｔの回転に応じて回転棒４Ｍｓおよび歯車Ｇｒ２が＋Ｚ方向に沿った仮想の軸２Ａｘを中心として回転する。支持部Ｃ２３には、歯車Ｇｒ２の歯部と噛み合う歯車Ｇｒ３が設けられている。また、支持部Ｃ２３が、ベアリングＢｒ４を介して第２ベースプレートＢｐ２に回転自在に取り付けられている。これにより、歯車Ｇｒ３の回転に応じて回転軸Ａ２３を中心として支持部Ｃ２３が回転する。その結果、支持部Ｃ２３に取り付けられているローラーＲ２３が、回転軸Ａ２３を中心として回転する。支持部Ｃ２３が回転する際には、例えば、図１１の白抜きの矢印で示されるように、歯付ベルトＢｔ１が、ニ点鎖線の直線に沿った領域まで＋Ｘ方向に退避される。これにより、歯付ベルトＢｔ１が、支持部Ｃ２３の回転を阻害しない。
【００６７】
なお、支持部Ｃ１１，Ｃ２１，Ｃ３１の組、支持部Ｃ１２，Ｃ２２，Ｃ３２の組および支持部Ｃ１４，Ｃ２４，Ｃ３４の組についても、支持部Ｃ１３，Ｃ２３，Ｃ３３の組と同様な機構によって、３つの支持部が同期して回転する。このため、＋Ｙ方向に沿って一直線上に並ぶ３つのローラーが＋Ｚ方向に沿った回転軸を中心として同期して回転する。
【００６８】
＜(１−６)加熱部の構成＞
図８および図１３で示されるように、昇降機構ＵＤ１のリフトピンＬｐ１の各上端部Ｕｐ１が、上昇位置Ｐｕ１から下降位置Ｐｄ１まで下降することで、第１および第２加熱部１２１１，１２１２上に第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が載置され得る。そして、図７で示されるように、第１基板Ｓ１１が第１加熱部１２１１上に配されている状態で、−Ｚ方向に平面視した場合、第１加熱部１２１１は、第１基板Ｓ１１の第１および第２端部Ｅ１，Ｅ２まで延在している領域（幅広領域とも言う）Ｗ１１を含んでいる。これにより、第１加熱部１２１１によって、第１基板Ｓ１１は、第１端部Ｅ１から第２端部Ｅ２にかけて、より均一に加熱され得る。また、第２基板Ｓ１２が第２加熱部１２１２上に配された状態で、−Ｚ方向に平面視した場合、第２加熱部１２１２は、第２基板Ｓ１２の第３および第４端部Ｅ３，Ｅ４まで延在している領域（幅広領域とも言う）Ｗ１２を含んでいる。これにより、第２加熱部１２１２によって、第２基板Ｓ１２は、第３端部Ｅ３から第４端部Ｅ４にかけて、より均一に加熱され得る。
【００６９】
また、本実施形態では、加熱部１２１が、第２搬送部１２ｃ２が配されている＋Ｘ方向に延在する間隙１２ｇを挟んで＋Ｙ方向に並べられている第１および第２加熱部１２１１，１２１２に分割されている形態を有している。これにより、成膜部１２２によって加熱部１２１の上面において膜が形成される領域が低減され得る。このため、加熱部１２１の上面に形成された膜を除去する際に生じる粉塵による汚染が生じ難い。また、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２のうち、近接して配置される第２端部Ｅ２および第３端部Ｅ３において、他の端部における放熱の態様と類似した放熱の態様が生じ易い。その結果、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２の広い領域が均一に加熱され得る。
【００７０】
＜(１−７)搬送機構を昇降させる構成＞
第２搬送機構１２ｃは、昇降機構１２ｃＭを備えている。昇降機構１２ｃＭは、図１３および図１４で示されるように、第１〜３搬送部１２ｃ１〜１２ｃ３を、±Ｚ方向に昇降させる。これにより、第１〜３搬送部１２ｃ１〜１２ｃ３の各ローラーが、搬送位置Ｐｏ１と非搬送位置Ｐｏ２との間でそれぞれ下降および上昇する。搬送位置Ｐｏ１は、第１および第２加熱部１２１１，１２１２の上方において第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２を＋Ｘ方向に搬送する位置である。非搬送位置Ｐｏ２は、第１および第２加熱部１２１１，１２１２の上面よりも下方の位置である。本実施形態では、成膜部１２２によって第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２上に薄膜が形成される際には、第１〜３搬送部１２ｃ１〜１２ｃ３の各ローラーが非搬送位置Ｐｏ２に配される。
【００７１】
昇降機構１２ｃＭは、例えば、第２昇降機２ｓｈを備えている。なお、ここでは、昇降機構１２ｃＭに、複数の第２昇降機２ｓｈが配されている例を挙げて説明するが、昇降機構１２ｃＭには、少なくとも１つの第２昇降機２ｓｈが配されていれば良い。複数の第２昇降機２ｓｈは、±Ｚ方向に第２ベースプレート２Ｂｐを昇降自在に支持している。複数の第２昇降機２ｓｈとしては、例えば、エアシリンダー等が採用される。各第２昇降機２ｓｈは、例えば、筐体１２ｂに固定されているチューブ部２ｒｆと、該チューブ部２ｒｆによって±Ｚ方向に摺動自在に支持されるピストンロッド２ａｘとを有していれば良い。
【００７２】
ここでは、第２昇降機２ｓｈによって第２ベースプレート２Ｂｐが±Ｚ方向に上昇および下降されることで、支持部Ｃ１１〜Ｃ１４，Ｃ２１〜Ｃ２４，Ｃ３１〜Ｃ３４が±Ｚ方向に昇降する。これにより、ローラーＲ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ３１〜Ｒ３４が同期して±Ｚ方向に昇降する。すなわち、第１〜３搬送部１２ｃ１〜１２ｃ３が同期して±Ｚ方向に昇降する。
【００７３】
＜(１−８)保護部の構成＞
第２搬送機構１２ｃは、保護部Ｐｐ１〜Ｐｐ３および連結部Ｃｎ１〜Ｃｎ３を備えている。
【００７４】
保護部Ｐｐ１は、第１搬送部１２ｃ１の各ローラーＲ１１〜Ｒ１４の少なくとも上部を覆う部材である。本実施形態では、ローラーＲ１１〜Ｒ１４毎に保護部Ｐｐ１が設けられている。そして、各ローラーＲ１１〜Ｒ１４の上方に離れた位置に保護部Ｐｐ１が設けられている。保護部Ｐｐ２は、第２搬送部１２ｃ２の各ローラーＲ２１〜Ｒ２４の少なくとも上部を覆う部材である。本実施形態では、ローラーＲ２１〜Ｒ２４毎に保護部Ｐｐ２が設けられている。そして、各ローラーＲ２１〜Ｒ２４の上方に離れた位置に保護部Ｐｐ２が設けられている。保護部Ｐｐ３は、第３搬送部１２ｃ３の各ローラーＲ３１〜Ｒ３４の少なくとも上部を覆う部材である。本実施形態では、ローラーＲ３１〜Ｒ３４毎に保護部Ｐｐ３が設けられている。そして、各ローラーＲ３１〜Ｒ３４の上方に離れた位置に保護部Ｐｐ３が設けられている。ここで、保護部Ｐｐ１〜Ｐｐ３は、例えば、板状の部材であれば良い。
【００７５】
連結部Ｃｎ１は、支持部Ｃ１１〜Ｃ１４と保護部Ｐｐ１とを連結する部材である。本実施形態では、連結部Ｃｎ１は、支持部Ｃ１１〜Ｃ１４毎に設けられている。連結部Ｃｎ１は、例えば、＋Ｚ方向に長手方向を有する棒状の部材であれば良い。ここでは、連結部Ｃｎ１は、各支持部Ｃ１１〜Ｃ１４の上部に固定されている。そして、連結部Ｃｎ１は、各ローラーＲ１１〜Ｒ１４の上方に離れた位置に配されている保護部Ｐｐ１と、支持部Ｃ１１〜Ｃ１４とをそれぞれ連結している。また、連結部Ｃｎ２は、支持部Ｃ２１〜Ｃ２４と保護部Ｐｐ２とを連結する部材である。本実施形態では、連結部Ｃｎ２は、支持部Ｃ２１〜Ｃ２４毎に設けられている。連結部Ｃｎ２は、例えば、＋Ｚ方向に長手方向を有する棒状の部材であれば良い。ここでは、連結部Ｃｎ２は、各支持部Ｃ２１〜Ｃ２４の上部に固定されている。そして、連結部Ｃｎ２は、各ローラーＲ２１〜Ｒ２４の上方に離れた位置に配されている保護部Ｐｐ２と、支持部Ｃ２１〜Ｃ２４とをそれぞれ連結している。また、連結部Ｃｎ３は、支持部Ｃ３１〜Ｃ３４と保護部Ｐｐ３とを連結する部材である。本実施形態では、連結部Ｃｎ３は、支持部Ｃ３１〜Ｃ３４毎に設けられている。連結部Ｃｎ３は、例えば、＋Ｚ方向に長手方向を有する棒状の部材であれば良い。ここでは、連結部Ｃｎ３は、各支持部Ｃ３１〜Ｃ３４の上部に固定されている。そして、連結部Ｃｎ３は、各ローラーＲ３１〜Ｒ３４の上方に離れた位置に配されている保護部Ｐｐ３と、支持部Ｃ３１〜Ｃ３４とをそれぞれ連結している。
【００７６】
ここでは、図１３および図１４で示されるように、各連結部Ｃｎ１〜Ｃｎ３の存在により、第２昇降機２ｓｈによって各支持部Ｃ１１〜Ｃ１４，Ｃ２１〜Ｃ２４，Ｃ３１〜Ｃ３４が±Ｚ方向に昇降されることで、各保護部Ｐｐ１〜Ｐｐ３が±Ｚ方向に昇降する。ここで、第２昇降機２ｓｈによって第１〜３搬送部１２ｃ１〜１２ｃ３の各ローラーが非搬送位置Ｐｏ２に下降されると、保護部Ｐｐ１が−Ｚ方向に下降し、保護部Ｐｐ１が第１加熱部１２１１の−Ｙ方向の端部に近接する。このとき、保護部Ｐｐ２が第１加熱部１２１１の＋Ｙ方向の端部および第２加熱部１２１２の−Ｙ方向の端部に近接し、図１５で示されるように、保護部Ｐｐ２が第１および第２加熱部１２１１，１２１２の間隙１２ｇの一部を塞ぐ。また、このとき、保護部Ｐｐ３が第２加熱部１２１２の＋Ｙ方向の端部に近接する。
【００７７】
これにより、成膜部１２２から各ローラーＲ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ３１〜Ｒ３４および支持部Ｃ１１〜Ｃ１４，Ｃ２１〜Ｃ２４，Ｃ３１〜Ｃ３４に至る経路が遮蔽される。このため、成膜部１２２によって第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２上に薄膜が形成される際には、保護部Ｐｐ１〜Ｐｐ３によって、各ローラーＲ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ３１〜Ｒ３４の上部が覆われる。その結果、各ローラーおよび各支持部上に薄膜が形成され難い。したがって、各ローラーおよび各支持部上に形成された薄膜を除去することで、各ローラーおよび各支持部が劣化する不具合が生じ難い。すなわち、本実施形態では、ローラーおよび支持部が消耗し難く、省資源化ならびにコストの低減が図られ得る。
【００７８】
＜(１−９)熱処理装置の動作＞
図１６は、処理室１２における処理フローを例示する流れ図である。本処理フローは、制御部５０の制御によって実現される。
【００７９】
ステップＳｐ１では、ゲートバルブＧ１，Ｇ３が閉鎖され、且つゲートバルブＧ２が開放された状態で、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が、第１搬送機構１１ｃ上から第２搬送機構１２ｃ上に搬送される。これにより、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が、処理室１２内に搬入される。このとき、例えば、第２搬送機構１２ｃによって、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が予め設定された所定位置まで搬送されて、ゲートバルブＧ２が閉鎖されれば良い。ここで、所定位置は、第１および第２加熱部１２１１，１２１２の真上の位置であれば良い。なお、ステップＳｐ１の処理が行われる際には、第１〜３搬送部１２ｃ１〜１２ｃ３の各ローラーが搬送位置Ｐｏ１に配されており、複数のリフトピンＬｐ１の各上端部Ｕｐ１が下降位置Ｐｄ１に配されている。
【００８０】
ステップＳｐ２では、第２排気系２２による排気によって、処理室１２内が真空状態とされる。
【００８１】
ステップＳｐ３では、第１昇降機１ｓｈによって、複数のリフトピンＬｐ１の各上端部Ｕｐ１を上昇位置Ｐｕ１まで上昇させる。このとき、複数のリフトピンＬｐ１によって、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が、第１〜３搬送部１２ｃ１〜１２ｃ３上から持ち上げられる。
【００８２】
ステップＳｐ４では、第２駆動機構２Ｍによって、各ローラーＲ１１〜１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ３１〜Ｒ３４が、＋Ｚ方向に沿った回転軸Ａ１１〜Ａ１４，Ａ２１〜Ａ２４，Ａ３１〜Ａ３４を中心として回転される。このとき、各ローラーＲ１１〜１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ３１〜Ｒ３４の向きが変更される。具体的には、支持部Ｃ１１〜Ｃ１４によって、各ローラーＲ１１〜Ｒ１４の第５端部Ｅ５を、第１支持位置Ｓｕ１から第１退避位置Ｅｘ１に移動させる動作（第１動作とも言う）が実行される。支持部Ｃ２１〜Ｃ２４によって、各ローラーＲ２１〜Ｒ２４の第６端部Ｅ６を、第２支持位置Ｓｕ２から第２退避位置Ｅｘ２に移動させ、各ローラーＲ２１〜Ｒ２４の第７端部Ｅ７を、第３支持位置Ｓｕ３から第３退避位置Ｅｘ３に移動させる動作（第２動作とも言う）が実行される。支持部Ｃ３１〜Ｃ３４によって、各ローラーＲ３１〜Ｒ３４の第８端部Ｅ８を、第４支持位置Ｓｕ４から第４退避位置Ｅｘ４に移動させる動作（第３動作とも言う）が実行される。
【００８３】
ステップＳｐ５では、第１昇降機１ｓｈによって、複数のリフトピンＬｐ１の各上端部Ｕｐ１を下降位置Ｐｄ１まで下降させる動作（第４動作とも言う）が実行される。これにより、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が、第１および第２加熱部１２１１，１２１２上に載置される。
【００８４】
ステップＳｐ６では、昇降機構１２ｃＭによって、第１〜３搬送部１２ｃ１〜１２ｃ３の各ローラーＲ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ３１〜Ｒ３４を搬送位置Ｐｏ１から非搬送位置Ｐｏ２まで下降させる動作（第５動作とも言う）が実行される。このとき、保護部Ｐｐ１〜Ｐｐ３によって、成膜部１２２からローラーＲ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ３１〜Ｒ３４および支持部Ｃ１１〜Ｃ１４，Ｃ２１〜Ｃ２４，Ｃ３１〜Ｃ３４に至る経路が遮蔽される。
【００８５】
なお、ステップＳｐ５の少なくとも一部の処理とステップＳｐ６の少なくとも一部の処理とが、同時期に行われても良い。これにより、処理室１２における第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２に対する処理に要する時間が短縮される。また、ステップＳｐ６の処理が行われた後に、ステップＳｐ５の処理が行われても良い。
【００８６】
ステップＳｐ７では、第１および第２加熱部１２１１，１２１２による第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２の加熱が開始される。なお、第１および第２加熱部１２１１，１２１２における発熱が開始された後に、複数のリフトピンＬｐ１の下降によって、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が第１および第２加熱部１２１１，１２１２上に載置される態様が採用されても良い。この場合、少なくともステップＳｐ５の処理とステップＳｐ７の処理とが並行して行われる。
【００８７】
ステップＳｐ８では、成膜部１２２から処理室１２内に第１および第２ガスＧａ１，Ｇａ２が導入されることで、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２上にＢＺＯを主に含む透明導電膜が形成される。そして、所望の厚みの透明導電膜が形成された後、処理室１２内への第１および第２ガスＧａ１，Ｇａ２の導入が終了される。
【００８８】
ステップＳｐ９では、第１および第２加熱部１２１１，１２１２による第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２の加熱が終了される。
【００８９】
ステップＳｐ１０では、昇降機構１２ｃＭによって、第１〜３搬送部１２ｃ１〜１２ｃ３の各ローラーが非搬送位置Ｐｏ２から搬送位置Ｐｏ１まで上昇される。このとき、保護部Ｐｐ１〜Ｐｐ３による、成膜部１２２からローラーＲ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ３１〜Ｒ３４および支持部Ｃ１１〜Ｃ１４，Ｃ２１〜Ｃ２４，Ｃ３１〜Ｃ３４に至る経路の遮蔽が解除される。
【００９０】
ステップＳｐ１１では、第１昇降機１ｓｈによって、複数のリフトピンＬｐ１の各上端部Ｕｐ１が上昇位置Ｐｕ１まで上昇される。これにより、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が、複数のリフトピンＬｐ１によって第１および第２加熱部１２１１，１２１２上から持ち上げられる。
【００９１】
なお、ステップＳｐ１０の少なくとも一部の処理とステップＳｐ１１の少なくとも一部の処理とが、同時期に行われても良い。これにより、処理室１２における第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２に対する処理に要する時間が短縮される。また、ステップＳｐ１１の処理が行われた後に、ステップＳｐ１０の処理が行われても良い。また、第１および第２加熱部１２１１，１２１２における発熱が終了される前に、複数のリフトピンＬｐ１の上昇によって、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が第１および第２加熱部１２１１，１２１２上から持ち上げられる態様が採用されても良い。この場合、少なくともステップＳｐ９の処理とステップＳｐ１１の処理とが並行して行われる。
【００９２】
ステップＳｐ１２では、第２駆動機構２Ｍによって、各ローラーＲ１１〜１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ３１〜Ｒ３４が、＋Ｚ方向に沿った回転軸Ａ１１〜Ａ１４，Ａ２１〜Ａ２４，Ａ３１〜Ａ３４を中心として回転される。このとき、各ローラーＲ１１〜１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ３１〜Ｒ３４の向きが変更される。具体的には、支持部Ｃ１１〜Ｃ１４によって、各ローラーＲ１１〜Ｒ１４の第５端部Ｅ５を、第１退避位置Ｅｘ１から第１支持位置Ｓｕ１に移動させる第６動作が行われる。支持部Ｃ２１〜Ｃ２４によって、各ローラーＲ２１〜Ｒ２４の第６端部Ｅ６を、第２退避位置Ｅｘ２から第２支持位置Ｓｕ２に移動させ、各ローラーＲ２１〜Ｒ２４の第７端部Ｅ７を、第３退避位置Ｅｘ３から第３支持位置Ｓｕ３に移動させる第７動作が行われる。支持部Ｃ３１〜Ｃ３４によって、各ローラーＲ３１〜Ｒ３４の第８端部Ｅ８を、第４退避位置Ｅｘ４から第４支持位置Ｓｕ４に移動させる第８動作が行われる。
【００９３】
ステップＳｐ１３では、第１昇降機１ｓｈによって、複数のリフトピンＬｐ１の各上端部Ｕｐ１を下降位置Ｐｄ１まで下降させる。このとき、複数のリフトピンＬｐ１によって、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が、第１〜３搬送部１２ｃ１〜１２ｃ３上に載置される。
【００９４】
ステップＳｐ１４では、ゲートバルブＧ２，Ｇ４が閉鎖され、且つゲートバルブＧ３が開放された状態で、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が、第２搬送機構１２ｃ上から第３搬送機構１３ｃ上に搬送される。これにより、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が、処理室１２内から搬出される。
【００９５】
＜(１−１０)一実施形態のまとめ＞
以上のように、一実施形態に係る熱処理装置１では、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が、搬送方向に対して略垂直な方向に相互に離れて並べられた状態で、第１〜３搬送部１２ｃ１〜１２ｃ３によって搬送される。これにより、短時間において数多くの基板Ｓ１が搬送および処理され得る。すなわち、短時間において数多くの基板Ｓ１に熱処理が施され得る。また、ここでは、第２搬送部１２ｃ２のローラーＲ２１〜Ｒ２４が、第１基板Ｓ１１を支持および搬送する機能と、第２基板Ｓ１２を支持および搬送する機能とを兼備する。このため、熱処理装置１のサイズおよび部品点数の増大が低減され得る。これにより、省資源化ならびに熱処理装置１の製造コストの低減が図られ得る。
【００９６】
また、ここでは、昇降機構ＵＤ１によって基板Ｓ１が第２搬送機構１２ｃ上から持ち上げられ、第２搬送部１２ｃ２のローラーＲ２１〜Ｒ２４を支持する支持部Ｃ２１〜Ｃ２４が、それぞれ＋Ｚ軸に沿った回転軸Ａ２１〜Ａ２４を中心として回転する。これにより、各ローラーＲ２１〜Ｒ２４の第６端部Ｅ６が、第２支持位置Ｓｕ２から第２退避位置Ｅｘ２に移動され、各ローラーＲ２１〜Ｒ２４の第７端部Ｅ７が、第３支持位置Ｓｕ３から第３退避位置Ｅｘ３に移動される。
【００９７】
このため、第１基板Ｓ１１と第２基板Ｓ１２との＋Ｙ方向における基板間隔Ｄｓ１を狭くした状態で、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が搬送され得る。したがって、熱処理装置１のサイズの増大が低減され、省資源化ならびに熱処理装置１の製造コストの低減が図られ得る。さらに、加熱部１２１に、凹部および貫通孔等の第２搬送部１２ｃ２を退避させるための隙間が設けられなくても良い。これにより、第１および第２加熱部１２１１，１２１２上において第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２がより均一に加熱され得る。そして、本実施形態のように、例えば、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２に対して、加熱とともに薄膜の形成が行われる場合には、薄膜がより均一に形成され得る。
【００９８】
＜(２)変形例＞
なお、本発明は上述の一実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
【００９９】
＜(２−１)第１変形例＞
上記一実施形態では、加熱部１２１が、第２搬送部１２ｃ２が配されている＋Ｘ方向に延在する間隙１２ｇを挟んで＋Ｙ方向に並べられている第１および第２加熱部１２１１，１２１２に分割されている形態を有していたが、これに限られない。例えば、加熱部１２１が、複数の領域に分割されていない１つの加熱部１２１Ａに置換されても良い。この場合、例えば、図１７で示されるように、昇降機構１２ｃＭによって第２搬送部１２ｃ２が下降される際にローラーＲ２１〜Ｒ２４が通過および配置される領域に沿って、凹部Ｄ２１，Ｄ２４および貫通孔Ｔ２２，Ｔ２３が配されていれば良い。
【０１００】
ここでは、第２搬送部１２ｃ２が下降される際にローラーＲ２１が通過および配置される領域に沿って、＋Ｘ方向に凹んでいる凹部Ｄ２１が配されている。第２搬送部１２ｃ２が下降される際にローラーＲ２２が通過および配置される領域に沿って、＋Ｚ方向に貫通する貫通孔Ｔ２２が配されている。第２搬送部１２ｃ２が下降される際にローラーＲ２３が通過および配置される領域に沿って、＋Ｚ方向に貫通する貫通孔Ｔ２３が配され、第２搬送部１２ｃ２が下降される際にローラーＲ２４が通過および配置される領域に沿って、−Ｘ方向に凹んでいる凹部Ｄ２４が配されている。この場合、凹部Ｄ２１，Ｄ２４および貫通孔Ｔ２２，Ｔ２３の＋Ｙ方向における長さが、間隙長さＤｓ２に相当する。このように、例えば、加熱部１２１Ａの形態によって、第２搬送部１２ｃ２が下降される際にローラーＲ２１〜Ｒ２４が通過および配置される領域に合わせて、種々の形態の凹部および貫通孔の一方が設けられれば良い。
【０１０１】
また、加熱部１２１Ａでは、加熱部１２１において＋Ｙ方向に沿って一直線上に配列される幅広領域Ｗ１１と幅広領域Ｗ１２とが＋Ｙ方向に連結されて、幅広領域Ｗ１Ａとされている。そして、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が加熱部１２１Ａ上に配されている状態において、−Ｚ方向に平面視した場合、幅広領域Ｗ１Ａは、第１基板Ｓ１１の第１端部Ｅ１から第２基板Ｓ１２の第４端部Ｅ４に至るまで延在している。これにより、加熱部１２１Ａによって、第１基板Ｓ１１が、第１端部Ｅ１から第２端部Ｅ２にかけて、より均一に加熱され、第２基板Ｓ１２が、第３端部Ｅ３から第４端部Ｅ４にかけて、より均一に加熱され得る。
【０１０２】
なお、−Ｚ方向に平面視した場合、加熱部１２１Ａのうち、ローラーＲ２１〜Ｒ２４の隣り合うローラーの間の部分に、スリットおよび貫通孔の少なくとも一方が設けられれば、成膜部１２２によって加熱部１２１Ａの上面に膜が形成される領域が低減され得る。これにより、加熱部１２１Ａの上面に形成された膜を除去する際に生じる粉塵による汚染が生じ難い。
【０１０３】
＜(２−２)第２変形例＞
第１および第２加熱部１２１１，１２１２は、上面において、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２の少なくとも一方が載置される領域を囲む凸部を有していても良い。このような凸部の存在により、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２の＋Ｘ方向の両端部および＋Ｙ方向の両端部における放熱がそれぞれ低減され得る。その結果、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２のより広い領域が均一に加熱され得る。具体的には、例えば、図１８および図１９で示されるように、第１加熱部１２１１が、第１加熱部１２１１の上面Ｕｓ１に凸部Ｐｒ１が配されている第１加熱部１２１１Ｂに置換された形態が考えられる。具体的には、凸部Ｐｒ１が、第１加熱部１２１１の上面Ｕｓ１の外縁部に沿って環状に延在している。
【０１０４】
＜(２−３)第３変形例＞
各ローラーＲ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ３１〜Ｒ３４は、外周部Ｏｃ１において回転軸Ａｘ１〜Ａｘ４を中心とした環状の領域（環状領域とも言う）Ｃａ１に沿って突起部Ｐｔ１および段差部Ｓｔ１の一方を有していても良い。この場合、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が第１〜３搬送部１２ｃ１〜１２ｃ３によって＋Ｘ方向に搬送される際に、突起部Ｐｔ１または段差部Ｓｔ１によって、＋Ｙ方向における第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２のずれ（横ずれとも言う）が生じ難い。
【０１０５】
図２０には、本変形例の一構成として、ローラーＲ２３の外周部Ｏｃ１において回転軸Ａｘ１を中心とした第１および第２環状領域Ｃａ１１，Ｃａ１２に沿って第１および第２突起部Ｐｔ１１，Ｐｔ１２が設けられたローラーＲ２３Ｃが例示されている。ここで、第１環状領域Ｃａ１１は、支持部Ｃ２３よりも−Ｙ方向に位置している。そして、第１突起部Ｐｔ１１は、第１環状領域Ｃａ１１に沿って延在しているとともに、ローラーＲ２３Ｃの径方向に突起している。また、第２環状領域Ｃａ１２は、支持部Ｃ２３よりも＋Ｙ方向に位置している。そして、第２突起部Ｐｔ１２は、第２環状領域Ｃａ１２に沿って延在しているとともに、ローラーＲ２３Ｃの径方向に突起している。なお、第１および第２突起部Ｐｔ１１，Ｐｔ１２は、第１および第２環状領域Ｃａ１１，Ｃａ１２に沿ってそれぞれ連続的あるいは断続的に設けられていれば良い。
【０１０６】
図２１には、本変形例の他の一構成として、第１および第２環状領域Ｃａ１１，Ｃａ１２に沿って第１および第２段差部Ｓｔ１１，Ｓｔ１２が設けられたローラーＲ２３Ｄが例示されている。ここで、第１段差部Ｓｔ１１は、第１環状領域Ｃａ１１に沿って延在している。第２段差部Ｓｔ１２は、第２環状領域Ｃａ１２に沿って延在している。また、第１段差部Ｓｔ１１は、支持部Ｃ２３から−Ｙ方向に進んだ場合に、ローラーＲ２３Ｄの径が小さくなっている部分である。このため、ローラーＲ２３Ｄの径は、第１段差部Ｓｔ１１の＋Ｙ側よりも−Ｙ側において小さい。また、第２段差部Ｓｔ１２は、支持部Ｃ２３から＋Ｙ方向に進んだ場合に、ローラーＲ２３Ｄの径が小さくなっている部分である。このため、ローラーＲ２３Ｄの径は、第２段差部Ｓｔ１２の−Ｙ側よりも＋Ｙ側において小さい。なお、第１および第２段差部Ｓｔ１１，Ｓｔ１２では、ローラーＲ２３Ｄの径が、連続的あるいは段階的に変化していれば良い。ローラーＲ２３Ｄの径の段階的な変化は、１段階以上の変化であれば良い。
【０１０７】
＜(２−４)第４変形例＞
上記一実施形態では、連結部Ｃｎ１〜Ｃｎ３によって支持部Ｃ１１〜Ｃ１４，Ｃ２１〜Ｃ２４，Ｃ３１〜Ｃ３４に対して保護部Ｐｐ１〜Ｐｐ３が連結されていたが、これに限られない。例えば、保護部Ｐｐ１〜Ｐｐ３が、支持部Ｃ１１〜Ｃ１４，Ｃ２１〜Ｃ２４，Ｃ３１〜Ｃ３４に連結されていなくても良い。この場合、例えば、第１〜３搬送部１２ｃ１〜１２ｃ３の各ローラーが非搬送位置Ｐｏ２まで下降した後、保護部Ｐｐ１〜Ｐｐ３が、各ローラーの上方まで移動する態様が考えられる。ここで、ローラーＲ２３の上部を覆う保護部Ｐｐ２を例にとって、保護部Ｐｐ２の移動機構の一例について説明する。図２２で示されるように、例えば、保護部Ｐｐ２の−Ｘ方向の一端部が搬送レールＲＬ１によって±Ｙ方向に摺動自在に保持されるとともに、保護部Ｐｐ２の＋Ｘ方向の他端部が搬送レールＲＬ２によって±Ｙ方向に摺動自在に保持される。搬送レールＲＬ１，ＲＬ２は、例えば、加熱部１２１に対して連結されていれば良い。そして、図示を省略する駆動部によって、保護部Ｐｐ２が、搬送レールＲＬ１，ＲＬ２に対して±Ｙ方向に摺動することで、ローラーＲ２３の上部を覆う位置と、ローラーＲ２３の上方から退避した位置との間で移動し得る。
【０１０８】
このような構成では、例えば、保護部Ｐｐ１〜Ｐｐ３は、各ローラーＲ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ３１〜Ｒ３４の外周部Ｏｃ１を囲む筒状の部材等であっても良い。この場合、成膜部１２２によって第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２上に薄膜が形成される際に、各ローラーＲ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ３１〜Ｒ３４上に薄膜がさらに形成され難い。なお、この場合、例えば、第１〜３搬送部１２ｃ１〜１２ｃ３が非搬送位置Ｐｏ２まで下降された状態で、保護部Ｐｐ１〜Ｐｐ３が、＋Ｙ方向または−Ｙ方向から各ローラーＲ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ３１〜Ｒ３４の周囲を覆う位置まで移動されれば良い。
【０１０９】
＜(２−５)その他の変形例＞
例えば、上記一実施形態および上記各変形例では、昇降機構１２ｃＭによって第１〜３搬送部１２ｃ１〜１２ｃ３の各ローラーが昇降したが、これに限られない。例えば、第１〜３搬送部１２ｃ１〜１２ｃ３は昇降しなくても良い。但し、成膜部１２２によって第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２上に薄膜が形成される際に、第１〜３搬送部１２ｃ１〜１２ｃ３の各ローラーが非搬送位置Ｐｏ２に配されれば、成膜部１２２から各ローラーおよび支持部に至る経路がより遮蔽される。
【０１１０】
また、上記一実施形態および上記各変形例では、第１〜３搬送部１２ｃ１〜１２ｃ３の各ローラーが＋Ｚ方向に沿った回転軸を中心として回転したが、これに限られない。例えば、第１および第３搬送部１２ｃ１，１２ｃ３の各ローラーが、平行移動等によって基板Ｓ１の下方から退避されても良い。具体的には、例えば、支持部Ｃ１１〜Ｃ１４が、±Ｙ方向に移動することで、第１搬送部１２ｃ１の各ローラーの第５端部Ｅ５を、第１支持位置Ｓｕ１と、第１加熱部１２１１の上方の領域から退避した第１退避位置Ｅｘ１との間で移動させても良い。また、例えば、支持部Ｃ３１〜Ｃ３４が、±Ｙ方向に移動することで、第３搬送部１２ｃ３の各ローラーの第８端部Ｅ８を、第４支持位置Ｓｕ４と、第２加熱部１２１２の上方の領域から退避した第４退避位置Ｅｘ４との間で移動させても良い。この場合、例えば、複数のローラーＲ１１〜Ｒ１４，Ｒ３１〜Ｒ３４によって、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が別部材を介して間接的に支持されても良い。ここで、別部材としては、例えば、ローラーＲ１１〜Ｒ１４の周囲に配される第１ベルト、およびローラーＲ３１〜Ｒ３４の周囲に配される第２ベルト等が採用され得る。この場合、第１および第２ベルトによって、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が支持される。また、この場合、複数のローラーＲ１１〜Ｒ１４，Ｒ３１〜Ｒ３４は、例えば、滑車等の第１〜３ベルトを回転させるローラー以外の各種の形態を有する回転体であっても良い。
【０１１１】
但し、上記一実施形態のように、第１搬送部１２ｃ１の各ローラーが＋Ｚ方向に沿った回転軸を中心として回転することで、第５端部Ｅ５を、第１支持位置Ｓｕ１と第１退避位置Ｅｘ１との間で移動させる構成であれば、熱処理装置１のサイズが低減され得る。また、第３搬送部１２ｃ３の各ローラーが＋Ｚ方向に沿った回転軸を中心として回転することで、第８端部Ｅ８を、第４支持位置Ｓｕ４と第４退避位置Ｅｘ４との間で移動させる構成であれば、熱処理装置１のサイズが低減され得る。これにより、省資源化ならびに熱処理装置１の製造コストの低減が図られ得る。
【０１１２】
また、上記一実施形態および上記各変形例では、第１基板Ｓ１１が第１加熱部１２１１上に配されている状態で、−Ｚ方向に平面視した場合、第１加熱部１２１１が、第１基板Ｓ１１の第１端部Ｅ１および第２端部Ｅ２まで延在している幅広領域Ｗ１１を含んでいた。しかしながら、これに限られない。例えば、第１基板Ｓ１１が第１加熱部１２１１上に配されている状態において、−Ｚ方向に平面視した場合、第１加熱部１２１１が、第１基板Ｓ１１の＋Ｙ方向の少なくとも１つの端縁部まで延在している幅広領域を含んでいる態様が考えられる。例えば、第１基板Ｓ１１が第１加熱部１２１１上に配されている状態で、−Ｚ方向に平面視した場合、第１加熱部１２１１が、第１基板Ｓ１１の第１端部Ｅ１まで延在していれば、第１加熱部１２１１によって、第１基板Ｓ１１が比較的均一に加熱され得る。また、例えば、第１基板Ｓ１１が第１加熱部１２１１上に配されている状態で、−Ｚ方向に平面視した場合、第１加熱部１２１１が、第１基板Ｓ１１の第２端部Ｅ２まで延在していれば、第１加熱部１２１１によって、第１基板Ｓ１１が比較的均一に加熱され得る。但し、上記一実施形態のように、第１加熱部１２１１が幅広領域Ｗ１１を含んでいる方が、第１加熱部１２１１によって、第１基板Ｓ１１がより均一に加熱され得る。
【０１１３】
また、上記一実施形態および上記各変形例では、第２基板Ｓ１２が第２加熱部１２１２上に配されている状態で、−Ｚ方向に平面視した場合、第２加熱部１２１２が、第２基板Ｓ１２の第３端部Ｅ３および第４端部Ｅ４まで延在している幅広領域Ｗ１２を含んでいた。しかしながら、これに限られない。例えば、第２基板Ｓ１２が第２加熱部１２１２上に配されている状態において、−Ｚ方向に平面視した場合、第２加熱部１２１２が、第２基板Ｓ１２の＋Ｙ方向の少なくとも１つの端縁部まで延在している幅広領域を含んでいる態様が考えられる。例えば、第２基板Ｓ１２が第２加熱部１２１２上に配されている状態で、−Ｚ方向に平面視した場合、第２加熱部１２１２が、第２基板Ｓ１２の第３端部Ｅ３まで延在していれば、第２加熱部１２１２によって、第２基板Ｓ１２が比較的均一に加熱され得る。また、例えば、第２基板Ｓ１２が第２加熱部１２１２上に配されている状態で、−Ｚ方向に平面視した場合、第２加熱部１２１２が、第２基板Ｓ１２の第４端部Ｅ４まで延在していれば、第２加熱部１２１２によって、第２基板Ｓ１２が比較的均一に加熱され得る。但し、上記一実施形態のように、第２加熱部１２１２が幅広領域Ｗ１２を含んでいる方が、第２加熱部１２１２によって、第２基板Ｓ１２がより均一に加熱され得る。
【０１１４】
また、上記一実施形態および上記各変形例では、リフトピンＬｐ１の昇降部としての上端部Ｕｐ１が、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２を下方から支持したが、これに限られない。例えば、各リフトピンＬｐ１が、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２の±Ｘ方向および±Ｙ方向の端部を下方から支持し、更に、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２の±Ｘ方向および±Ｙ方向の周囲の領域に延出し且つ＋Ｚ方向に突起する突起部を有していても良い。この場合、突起部の先端部および上端部は第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２を下方から支持しない。しかしながら、各リフトピンＬｐ１は、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２を下方から支持する昇降部としての基板支持部を有している。つまり、各リフトピンＬｐ１の少なくとも一部が、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２を下方から支持する昇降部であれば良い。
【０１１５】
また、上記一実施形態および上記各変形例では、第１〜３搬送部１２ｃ１〜１２ｃ３によって、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が＋Ｙ方向に並べられた状態で搬送されたが、これに限られない。例えば、ｎ＋１個（ｎは２以上の整数）の搬送部によって、ｎ個の被処理物が＋Ｙ方向に並べられた状態で搬送されても良い。この場合、ｎ＋１個の搬送部の＋Ｙ方向の両端に位置する２つの搬送部は、それぞれ１つの被処理物としての基板の一端部を支持し、残余の搬送部は、隣り合う２つの被処理物の対向する２つの端部を支持すれば良い。
【０１１６】
また、上記一実施形態および上記各変形例では、ロードロック室１１とアンロードロック室１３との間に１つの処理室１２が配されていたが、これに限られない。例えば、ロードロック室１１とアンロードロック室１３との間に、２以上の処理室が直列に配列されていても良い。この場合、隣り合う処理室の間が、例えば、ゲートバルブ等によって遮断可能であれば良い。
【０１１７】
また、上記一実施形態および上記各変形例では、熱処理装置１がＬＰＣＶＤ装置であったが、これに限られない。例えば、熱処理装置１は、被処理物に対して熱処理あるいは熱処理を伴う処理を施す装置であれば良い。
【０１１８】
また、上記一実施形態および上記各変形例では、加熱部１２１に、ホットプレートが適用されたが、これに限られない。例えば、加熱部１２１に、ホットプレート以外のその他の形態の加熱部が適用されても良い。例えば、加熱部１２１は、＋Ｚ方向に貫通する空間を環状に囲むフレーム部と、該フレーム部の下方に配置された光源とを備えるものであっても良い。この場合、フレーム部上には、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が載置されれば良い。また、光源は、例えば、フレーム部を＋Ｚ方向に貫通する空間に向けて赤外線等を照射するものであれば良い。これにより、フレーム部上に載置された第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が加熱され得る。
【０１１９】
また、上記一実施形態および上記各変形例では、第１および第２加熱部１２１１，１２１２の＋Ｙ方向の幅が、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２の＋Ｙ方向の幅よりも大きかったが、これに限られない。例えば、第１および第２加熱部１２１１，１２１２の＋Ｙ方向の幅が、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２の＋Ｙ方向の幅よりも小さくても良い。但し、上記一実施形態および上記各変形例のように、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２よりも第１および第２加熱部１２１１，１２１２の方が＋Ｙ方向の幅が大きければ、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２の広い領域が均一に加熱され得る。
【０１２０】
また、上記一実施形態および上記各変形例では、＋Ｙ方向に沿って一直線上に並ぶ３つのローラーが＋Ｚ方向に沿った回転軸を中心として同期して回転したが、これに限られない。例えば、＋Ｘ方向に沿って一直線上に並ぶ４つのローラーが＋Ｚ方向に沿った回転軸を中心として同期して回転しても良い。この場合、例えば、第２駆動機構が、＋Ｘ方向に一直線上に配列されている、支持部Ｃ１１〜Ｃ１４の組、支持部Ｃ２１〜Ｃ２４の組および支持部Ｃ３１〜Ｃ３４の組に対してそれぞれ設けられれば良い。
【０１２１】
また、上記一実施形態および上記各変形例では、回転軸Ａ１１〜Ａ１４，Ａ２１〜Ａ２４，Ａ３１〜Ａ３４が、＋Ｚ方向に沿った回転軸であったが、これに限られない。例えば、回転軸Ａ１１〜Ａ１４，Ａ２１〜Ａ２４，Ａ３１〜Ａ３４は、第１および第２加熱部１２１１，１２１２の上面と交差する方向であれば良い。また、例えば、回転軸Ａ１１〜Ａ１４の方向、回転軸Ａ２１〜Ａ２４の方向および回転軸Ａ３１〜Ａ３４の方向が、相互に異なっていても良い。
【０１２２】
また、上記一実施形態および上記各変形例では、被処理物として基板Ｓ１が用いられたが、これに限られない。例えば、基板Ｓ１以外のその他の物体であっても良い。
【０１２３】
なお、上記一実施形態および各種変形例をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。
【符号の説明】
【０１２４】
１  熱処理装置
１２  処理室
１２ｃ  搬送機構
１２ｃ１〜１２ｃ３  第１〜３搬送部
１２ｃＭ  昇降機構
５０  制御部
１２１，１２１Ａ  加熱部
１２１１，１２１１Ｂ  第１加熱部
１２１２  第２加熱部
１２２  成膜部
Ａ１１〜Ａ１４，Ａ２１〜Ａ２４，Ａ３１〜Ａ３４，Ａｘ１〜Ａｘ４  回転軸
Ｃ１１〜Ｃ１４，Ｃ２１〜Ｃ２４，Ｃ３１〜Ｃ３４  支持部
Ｃａ１  環状領域
Ｃｎ１〜Ｃｎ３  連結部
Ｄｍ１  ローラー径
Ｄｓ１  基板間隔
Ｄｓ２  間隙長さ
Ｅ１〜Ｅ８  第１〜８端部
Ｅｘ１〜Ｅｘ４  第１〜４退避位置
Ｌｐ１  リフトピン
Ｌｗ１  ローラー幅
Ｏｃ１  外周部
Ｐｄ１  下降位置
Ｐｏ１  搬送位置
Ｐｏ２  非搬送位置
Ｐｐ１〜Ｐｐ３  保護部
Ｐｒ１  凸部
Ｐｔ１  突起部
Ｐｕ１  上昇位置
Ｒ１１〜Ｒ１３，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ２３Ｃ，Ｒ２３Ｄ，Ｒ３１〜Ｒ３４  ローラー
Ｓ１  基板
Ｓ１１  第１基板
Ｓ１２  第２基板
Ｓｔ１  段差部
Ｓｕ１〜Ｓｕ４  第１〜４支持位置
ＵＤ１  昇降機構
Ｕｐ１  上端部
Ｕｓ１  上面
Ｗ１Ａ，Ｗ１１，Ｗ１２  幅広領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2014189875.tif 000018
【図１７】
2014189875.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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