(57)【要約】【課題】本開示は、組成物、前記組成物を含む膜、及び前記組成物を含む電子デバイスを提供する。【解決手段】本発明の組成物は、例１〜２５のいずれかの構造を有するテトラフェニレンエチレン、構造（Ｉ）のテトラフェニレンエチレン、構造（ＩＡ）のテトラフェニレンエチレン又はそれらの組合せを含む。    【化１７】2014129347.tif 000029  （式中、構造（Ｉ）及び（ＩＡ）のそれぞれについて、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、同一又は異なり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立して、水素、炭化水素、置換炭化水素及びそれらの組合せから成る群から選択される。）【選択図】図１
2014129347.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造（Ｉ）のテトラフェニレンエチレン、構造（ＩＡ）のテトラフェニレンエチレン又はそれらの組合せを含む組成物
【化１６】
2014129347.tif 000028
（式中、構造（Ｉ）及び（ＩＡ）のそれぞれについて、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は同一又は異なり、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のそれぞれは、独立して、水素、炭化水素、置換炭化水素及びそれらの組合せから成る群から選択される、又は、
Ｒ１及びＲ２のそれぞれは、独立して、水素、炭化水素、置換炭化水素及びそれらの組合せから成る群から選択され、Ｒ３及びＲ４は環構造を形成する、又は、
Ｒ３及びＲ４のそれぞれは、独立して、水素、炭化水素、置換炭化水素及びそれらの組合せから成る群から選択され、Ｒ１及びＲ２は環構造を形成する、又は、
Ｒ１及びＲ２は環構造を形成し、Ｒ３及びＲ４は環構造を形成する。）。
【請求項２】
Ｚ−異性体、Ｅ−異性体及びそれらの組合せから成る群から選択された構造（Ｉ）の異性体を含む、請求項１の組成物。
【請求項３】
Ｒ１〜Ｒ４のそれぞれが少なくとも一つのアリール基を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
Ｒ１〜Ｒ４のそれぞれがフェニル基である、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
構造（Ｉ）のテトラフェニレンエチレン、構造（ＩＡ）のテトラフェニレンエチレン又はそれらの組合せが、−４．３ｅＶ〜−４．６ｅＶの計算されたＨＯＭＯレベルを有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
構造（Ｉ）のテトラフェニレンエチレンが７００ｇ／モル〜１３００ｇ／モルの分子量を有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
芳香族溶媒を更に含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
前記芳香族溶媒が、キシレン、トルエン、ベンゼン、アニソール及びそれらの組合せから成る群から選択される、請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
少なくとも二つの層、層Ａ及び層Ｂを含む膜であって、層Ａが請求項１に記載の組成物から形成される、膜。
【請求項１０】
層Ａが正孔注入層である、請求項９に記載の膜。
【請求項１１】
前記組成物が−４．３ｅＶ〜−４．６ｅＶの計算されたＨＯＭＯレベルを有する、請求項１０に記載の膜。
【請求項１２】
層Ｂが正孔輸送層である、請求項９に記載の膜。
【請求項１３】
請求項１に記載の組成物から形成される少なくとも一つの構成要素を含む、電子デバイス。
【請求項１４】
第一の電極を更に含む、請求項１３に記載の電子デバイス。
【請求項１５】
前記第一の電極上に配置された第二の電極を更に含む、請求項１３〜１４の全てに記載の電子デバイス。
【請求項１６】
前記構成要素が有機層として前記組成物を含み、前記有機層が第一の電極及び第二の電極の間に配置される、請求項１３に記載の電子デバイス。
【請求項１７】
前記構成要素が前記組成物を含む正孔注入層である、請求項１３に記載の電子デバイス。
【請求項１８】
前記組成物が−４．３ｅＶ〜−４．６ｅＶの計算されたＨＯＭＯレベルを有する、請求項１７に記載の電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の参照
本開示は、２０１２年１２月３１日に出願されたＰＣＴ／ＣＮ２０１２／０８８０３４号の優先権を主張し、その内容全体は、参照により本明細書に組み込まれる。
【背景技術】
【０００２】
ＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）は、発光電界発光層が有機化合物の膜であり、電流に応じて発光する、発光ダイオード（ＬＥＤ）である。典型的なＯＬＥＤは、多層構造を有しており、典型的には、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）アノード及び金属カソードを含む。ＩＴＯアノード及び金属カソードの間に挟まれているのは、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光材料層（ＥＭＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、及び電子注入層（ＥＩＬ）などのいくつかの有機層である。正孔注入を促進し、平滑な表面を達成するために、ＩＴＯアノード及び正孔輸送層の間に位置する正孔注入層（ＨＩＬ）が、多くの場合所望される。最も一般的に使用されるＨＩＬ材料は、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）錯体（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）である。しかしながら、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳから製造されたＯＬＥＤは、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの高い酸性度によって誘発される腐食のために、短い寿命を示す。更に、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ溶液は、多くの場合、水性ベースである。それがＯＬＥＤにおいて使用される場合、膜中の微量水分残留物は、電気回路への腐食の原因となり、デバイスの崩壊につながり得る。したがって、ＯＬＥＤ用途のためのＨＩＬ材料、特に、非水性ＨＩＬ組成物についての連続的な必要性が継続して存在している。
【０００３】
従来の多層ＯＬＥＤデバイスは、熱蒸着の方法により製造される。熱蒸着は、しかしながら、欠点を有する。熱蒸着は、製造の複雑さを増加させ、高価なＯＬＥＤ材料の利用を大きく非効率的（典型的には２０％未満）にさせる、高真空下での熱蒸発を必要とする。更に、蒸着マスクを用いたピクセル化は、ＯＬＥＤデバイスの拡張性及び分解能を制限する。
【０００４】
インクジェット印刷及びノズル印刷などの溶液プロセスは、ＯＬＥＤデバイスのための、熱蒸着製造技術に対する実行可能な代替物になりつつある。残念ながら、Ｎ，Ｎ’−ジ−［（１−ナフタレニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル］−１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＮＰＢ）及び４，４’，４’−トリス［２−ナフチル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）などの従来のＯＬＥＤ材料は、スピンキャスト時の不十分な膜形態及び結晶化のために、溶液プロセスに適していない。
【０００５】
したがって、ＯＬＥＤデバイスの製造のための溶液プロセスにおいて使用することができるＯＬＥＤ材料についての必要性が存在する。ＯＬＥＤデバイスの製造のための、熱蒸着及び溶液プロセスの両方において使用することができるＯＬＥＤ材料についての必要性が、更に存在する。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】J. Phys. Chem. A, 2003, 107, 5241-5251頁
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示は、表２の例１〜２５のいずれかの構造を有するテトラフェニレンエチレン（ＴＰＥ）を含む組成物を提供する。
【０００８】
実施形態において、本開示は、以下に示すような、構造（Ｉ）のテトラフェニレンエチレン、構造（ＩＡ）のテトラフェニレンエチレン又はそれらの組合せを含む組成物を提供する。
【化１】
2014129347.tif 000003
【０００９】
構造（Ｉ）及び（ＩＡ）のそれぞれについて、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、同一又は異なる。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のそれぞれは、独立して、水素、炭化水素、置換炭化水素及びそれらの組合せから選択される、又は、
【００１０】
Ｒ１及びＲ２のそれぞれは、独立して、水素、炭化水素、置換炭化水素及びそれらの組合せから選択され、Ｒ３及びＲ４は環構造を形成する、又は、
【００１１】
Ｒ３及びＲ４のそれぞれは、独立して、水素、炭化水素、置換炭化水素及びそれらの組合せから選択され、Ｒ１及びＲ２は環構造を形成する、又は、
【００１２】
Ｒ１及びＲ２は環構造を形成し、Ｒ３及びＲ４は環構造を形成する。
【００１３】
本開示はまた、構造（Ｉ）のテトラフェニレンエチレン、構造（ＩＡ）のテトラフェニレンエチレン又はそれらの組合せを含む、本組成物から形成される膜を提供する。
【００１４】
本開示はまた、構造（Ｉ）のテトラフェニレンエチレン、構造（ＩＡ）のテトラフェニレンエチレン又はそれらの組合せを含む、本組成物から形成される少なくとも一つの構成要素を含む、電子デバイスを提供する。
【発明の効果】
【００１５】
本組成物の利点は、熱蒸発及び溶液プロセスの両方において使用することができることである。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本開示の実施形態によるＯＬＥＤデバイスについての電流−電圧曲線である。
【図２】図２は、本開示の実施形態によるＯＬＥＤデバイスの発光効率を示すグラフである。
【図３】図３は、本開示の実施形態によるＯＬＥＤデバイスについての経時的な輝度強度の減衰を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
１．組成物
本開示は、表２の例１〜２５のいずれかの構造を有するテトラフェニレンエチレン（ＴＰＥ）を含む組成物を提供する。
【００１８】
実施形態において、本開示は、以下を含む組成物を提供する：以下に示すような、構造（Ｉ）のテトラフェニレンエチレン、構造（ＩＡ）のテトラフェニレンエチレン又はそれらの組合せ。
【化２】
2014129347.tif 000004
【００１９】
構造（Ｉ）及び（ＩＡ）のそれぞれについて、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、同一又は異なる。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のそれぞれは、独立して、水素、炭化水素、置換炭化水素又はそれらの組合せから選択される、又は、
【００２０】
Ｒ１及びＲ２のそれぞれは、独立して、水素、炭化水素、置換炭化水素又はそれらの組合せから選択され、Ｒ３及びＲ４は、環構造を形成する、又は、
【００２１】
Ｒ３及びＲ４のそれぞれは、独立して、水素、炭化水素、置換炭化水素又はそれらの組合せから選択され、Ｒ１及びＲ２は、環構造を形成する、又は、
【００２２】
Ｒ１及びＲ２は、環構造を形成し、Ｒ３及びＲ４は、環構造を形成する。
【００２３】
１実施形態において、Ｒ１及びＲ２のそれぞれは、独立して、水素、炭化水素、置換炭化水素又はそれらの組合せから選択され、Ｒ３及びＲ４は環構造を形成する。
【００２４】
１実施形態において、Ｒ３及びＲ４のそれぞれは、独立して、水素、炭化水素、置換炭化水素又はそれらの組合せから選択され、Ｒ１及びＲ２は環構造を形成する。
【００２５】
１実施形態において、Ｒ１及びＲ２は環構造を形成し、Ｒ３及びＲ４は環構造を形成する。
【００２６】
構造（Ｉ）及び構造（ＩＡ）の特定されていない置換基は、水素、炭化水素、置換炭化水素、環構造（例えばフェニル、ナフチル、アントラセニル及びビフェニルなど）、又はそれらの組合せから選択されてよい。実施形態において、構造（Ｉ）及び構造（ＩＡ）の特定されていない置換基は、水素である。
【００２７】
本明細書で使用される「炭化水素」は、水素及び炭素のみを含有する化合物である。炭化水素は、１〜５０個の炭素原子を含有する。炭化水素は、（ｉ）分枝状又は非分枝状、（ｉｉ）飽和又は不飽和又は芳香族、（ｉｉｉ）環状又は非環状、及び（ｉｖ）（ｉ）〜（ｉｉｉ）の任意の組合せであり得る。用語「炭化水素」には、原子価（典型的には一価）を有する炭化水素置換基である、「ヒドロカルビル基」（すなわち「ヒドロカルボニル基」）が含まれる。実施形態において、炭化水素は、１〜３０個の炭素原子、又は１〜２４個の炭素原子、又は１〜２０個の炭素原子、又は１〜１２個の炭素原子、又は１〜６個の炭素原子を含有する。
【００２８】
本明細書で使用される「置換炭化水素」は、一つ又は複数のヘテロ原子を含む炭化水素である。「ヘテロ原子」は、炭素又は水素以外の原子を指す。ヘテロ原子の非限定的例としては、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｂ、Ｓ、Ｓｉ、Ｓｂ、Ａｌ、Ｓｎ、Ａｓ、Ｓｅ及びＧｅが挙げられる。
【００２９】
「非置換炭化水素」は、ヘテロ原子を含有しない炭化水素である。
【００３０】
本明細書で使用される「環構造」は、炭化水素又は置換炭化水素から構成される環であり、その環構造は飽和又は不飽和であり得、その環構造は一つ又は二つ又は二つを超える環を有し得る。
【００３１】
１実施形態において、組成物は、構造（Ｉ）のテトラフェニレンエチレン（ＴＰＥ）及びその異性体を含む。構造（Ｉ）を以下に提供する。
【化３】
2014129347.tif 000005
【００３２】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は同一又は異なる。Ｒ１〜Ｒ４のそれぞれは、独立して、水素、炭化水素、置換炭化水素及びそれらの組合せから選択される。
【００３３】
１実施形態において、Ｒ１〜Ｒ４のそれぞれは、独立して、水素、置換アルキル基又は非置換アルキル基、置換アリール基又は非置換アリール基及びそれらの組合せから選択される。
【００３４】
「アルキル基」は、直鎖、分枝状又は非分枝状、飽和炭化水素ラジカルである。適切なアルキルラジカルとしては、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｉ−ブチル（又は２−メチルプロピル）、ヘキシル、オクチルなどが挙げられる。１実施形態において、アルキル基は、１〜３０の間、又は１〜２４の間、又は１〜２０の間、又は１〜１２の間、又は１〜６個の間の炭素原子を有する。
【００３５】
本明細書で使用される用語「置換アルキル基」は、炭化水素ラジカルが一つ又は複数のヘテロ原子を含む、上記に説明したようなアルキル基を指す。
【００３６】
「アリール基」は、メチレン部分又はエチレン部分などの共通基と一緒に融合している、共有結合している又は結合している、単一の芳香環又は複数の芳香環であり得る、芳香族置換基である。この芳香環（単数又は複数）としては、とりわけ、フェニル、ナフチル、アントラセニル及びビフェニルを挙げることができる。特定の実施形態において、アリール基は、６〜５０個の間、又は６〜３０個の間、又は６〜２４個の間、又は６〜２０個の間、又は６〜１２個の間の炭素原子を有する。
【００３７】
本明細書で使用される用語「置換アリール基」は、芳香族置換基が一つ又は複数のヘテロ原子を含む、先に説明したようなアリール基を指す。
【００３８】
１実施形態において、本組成物は、構造（Ｉ）の異性体を含む。構造（Ｉ）のＴＰＥは、Ｚ−異性体、Ｅ−異性体及びそれらの組合せを含む。
【００３９】
Ｚ−異性体は、以下に示す構造（Ｉ）を有する。１実施形態において、組成物は構造（Ｉ）を含み、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は上記で定義された通りである。
【化４】
2014129347.tif 000006
【００４０】
Ｅ−異性体は、以下に示す構造（ＩＡ）を有する。実施形態において、組成物は、構造（ＩＡ）を含み、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、上記で定義された通りである。
【化５】
2014129347.tif 000007
【００４１】
本組成物は、０よりも多い又は１重量％〜９９重量％のＺ−異性体（構造Ｉ）及び、１００重量％未満又は９９重量％〜１重量％のＥ−異性体（構造（ＩＡ）を含み得る。
【００４２】
１実施形態において、組成物は、０よりも多い又は１重量％、又は１０重量％、又は２５重量％、又は５０重量％、又は７５重量％、又は９０重量％、又は９９重量％のＺ−異性体及び、１００重量％未満、又は９９重量％、又は９０重量％、又は７５重量％、又は５０重量％、又は２５重量％、又は１０重量％、又は１重量％のＥ−異性体を含む。重量パーセントは、組成物の総重量に基づく。
【００４３】
１実施形態において、Ｒ１〜Ｒ４の一つ、いくつか又は全ては、一つ又は複数のアリール基を含む。更なる実施形態において、Ｒ１〜Ｒ４のそれぞれは、少なくとも一つ又はそれを超えるアリール基を含む。
【００４４】
１実施形態において、Ｒ１及びＲ２は環構造を形成する。更なる実施形態において、Ｒ１及びＲ２のそれぞれはアリール基を含み、Ｒ１及びＲ２は環構造を形成する。
【００４５】
１実施形態において、Ｒ３及びＲ４は環構造を形成する。更なる実施形態において、Ｒ３及びＲ４のそれぞれはアリール基を含み、Ｒ３及びＲ４は環構造を形成する。
【００４６】
１実施形態において、Ｒ１及びＲ２は環構造を形成し、Ｒ３及びＲ４は別の環構造を形成する。更なる実施形態において、Ｒ１及びＲ２のそれぞれはアリール基を含み、Ｒ１及びＲ２は環構造を形成し、Ｒ３及びＲ４のそれぞれはアリール基を含み、Ｒ３及びＲ４は環構造を形成する。
【００４７】
１実施形態において、ＴＰＥは、表２の構造１〜２５から選択された構造を有する。
【００４８】
１実施形態において、ＴＰＥは、表２の構造１〜５、構造７〜８、構造１０〜１１及び構造１３〜２５から選択された構造を有する。
【００４９】
１実施形態において、ＴＰＥは、表２の構造１、構造２及び構造３から選択された構造を有する。
【００５０】
１実施形態において、ＴＰＥは、表２の構造１〜３及び構造６〜２５から選択された構造を有する。
【００５１】
１実施形態において、ＴＰＥは、表２の構造１〜３、構造７〜８、構造１０〜１１及び構造１３〜２５から選択された構造を有する。
【００５２】
１実施形態において、Ｒ１〜Ｒ４のそれぞれは、フェニル基である。更なる実施形態において、ＴＰＥは以下の構造（ＩＩ）を有する。
【化６】
2014129347.tif 000008
【００５３】
１実施形態において、ＴＰＥのＲ１〜Ｒ４のそれぞれは、フェニル基である。更なる実施形態において、ＴＰＥは、以下に示すＺ−異性体（ＩＩ）及びＥ−異性体（ＩＩＡ）の混合物である。
【化７】
2014129347.tif 000009
【００５４】
１実施形態において、構造（Ｉ）、構造（ＩＡ）及びそれらの組合せのＴＰＥは、−４．３０電子ボルト（ｅＶ）〜−５．２０ｅＶ、又は−４．３ｅＶ〜−４．９ｅＶの計算された最高被占軌道（ＨＯＭＯ）レベルを有する。
【００５５】
１実施形態において、構造（Ｉ）、構造（ＩＡ）又はそれらの組合せのＴＰＥは、−４．３ｅＶ〜−４．６ｅＶの計算されたＨＯＭＯレベルを有する。
【００５６】
１実施形態において、構造（Ｉ）のＴＰＥは、７００〜１３００ｇ／モルの分子量（ＭＷ）を有する。更なる実施形態において、構造（Ｉ）のＴＰＥは、８００〜１２００ｇ／モルの分子量を有する。
【００５７】
１実施形態において、構造（Ｉ）、構造（ＩＡ）又はそれらの組合せを含有するＴＰＥは、５００〜１５００ｇ／モルの重量平均分子量（Ｍｗ）を有する。
【００５８】
１実施形態において、組成物は溶液である。溶液は、芳香族溶媒及び本発明のＴＰＥ組成物を含む。ＴＰＥは、構造（Ｉ）、構造（ＩＡ）又はそれらの組合せを有する。ＴＰＥは、溶媒中に溶解される。一実施形態において、芳香族溶媒は、キシレン、トルエン、ベンゼン、アニソール及びそれらの組合せから選択される。
【００５９】
本組成物は、本明細書中に開示された二つ以上の実施形態を含み得る。
【００６０】
２．膜
本開示は、以下を含む組成物から形成される膜を提供する：例１〜２５のいずれかの構造を有するＴＥＰ、構造（Ｉ）のＴＥＰ、構造（ＩＡ）のＴＥＰ、又はそれらの組合せ。構造（Ｉ）のＴＥＰ及び構造（ＩＡ）のＴＥＰは、上記のような任意のそれぞれのＴＥＰであり得る。
【００６１】
１実施形態において、膜は、以下の構造を有する、構造（Ｉ）のＴＥＰ、構造（ＩＡ）のＴＥＰ又はそれらの組合せを含む。
【化８】
2014129347.tif 000010
【００６２】
構造（Ｉ）及び構造（ＩＡ）のそれぞれについて、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は同一又は異なる。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のそれぞれは、独立して、水素、炭化水素、置換炭化水素及びそれらの組合せから選択される、又は、
【００６３】
Ｒ１及びＲ２のそれぞれは、独立して、水素、炭化水素、置換炭化水素及びそれらの組合せから選択され、Ｒ３及びＲ４は環構造を形成する、又は、
【００６４】
Ｒ３及びＲ４のそれぞれは、独立して、水素、炭化水素、置換炭化水素及びそれらの組合せから選択され、Ｒ１及びＲ２は環構造を形成する、又は、
【００６５】
Ｒ１及びＲ２は環構造を形成し、Ｒ３及びＲ４は環構造を形成する。
【００６６】
１実施形態において、Ｒ１及びＲ２のそれぞれは、独立して、水素、炭化水素、置換炭化水素及びそれらの組合せから選択され、Ｒ３及びＲ４は環構造を形成する。
【００６７】
１実施形態において、Ｒ３及びＲ４のそれぞれは、独立して、水素、炭化水素、置換炭化水素及びそれらの組合せから選択され、Ｒ１及びＲ２は環構造を形成する。
【００６８】
１実施形態において、Ｒ１及びＲ２は環構造を形成し、Ｒ３及びＲ４は環構造を形成する。
【００６９】
１実施形態において、膜は、少なくとも二つの層、層Ａ及び層Ｂを含む。層Ａは、本発明のＴＰＥ組成物を含むか、又はそれ以外には構造（Ｉ）のＴＰＥ、構造（ＩＡ）のＴＰＥ若しくはそれらの組合せを含む組成物から形成される。更なる実施形態において、Ｒ１〜Ｒ４のそれぞれは、独立して、水素、炭化水素、置換炭化水素及びそれらの組合せから選択される。
【００７０】
１実施形態において、層Ａは正孔注入層である。更なる実施形態において、層Ａは構造（Ｉ）のＴＥＰ、構造（ＩＡ）のＴＥＰ又はそれらの組合せを含む組成物から形成される正孔注入層であり、組成物は、−４．３ｅＶ〜−４．６ｅＶのＨＯＭＯレベルを有する。
【００７１】
１実施形態において、層Ｂは正孔輸送層である。
【００７２】
１実施形態において、層Ａの厚さは、５ｎｍ〜５００ｎｍ、又は５ｎｍ〜１００ｎｍ、又は５ｎｍ〜５０ｎｍであり、層Ｂの厚さは、５ｎｍ〜５００ｎｍ、又は５ｎｍ〜１００ｎｍ、又は５ｎｍ〜５０ｎｍである。
【００７３】
１実施形態において、層Ａは、更にｐ型ドーパントを含む。更なる実施形態において、ｐ型ドーパントは、有機金属化合物又は有機金属塩である。
【００７４】
１実施形態において、ｐ型ドーパントは、少なくとも一つのフェニル基を含む有機金属塩である。更なる実施形態において、塩のアニオン成分は、ホウ素原子を含む。別の更なる実施形態において、有機金属塩は、以下の一つから選択される構造又はそれらの組合せを有する：
【化９】
2014129347.tif 000011
【００７５】
１実施形態において、有機金属塩は以下の構造を有する：
【化１０】
2014129347.tif 000012
【００７６】
１実施形態において、層Ａ中のドーパントの量は、組成物の重量に基づいて、１重量パーセント（重量％）〜９９重量％、又は１重量％〜５０重量％、又は１重量％〜３０重量％である。
【００７７】
本発明の膜は、本明細書中に開示された二つ以上の実施形態の組合せを含み得る。
【００７８】
３．電子デバイス
本開示は、例１〜２５のいずれかの構造を有するテトラフェニレンエチレン、構造（Ｉ）のテトラフェニレンエチレン、構造（ＩＡ）のテトラフェニレンエチレン又はそれらの組合せを含む組成物から形成される、少なくとも一つの構成要素を含む、電子デバイスを提供する。構造（Ｉ）のＴＥＰ及び構造（ＩＡ）のＴＥＰは、上記のような任意のそれぞれのＴＥＰであり得る。
【００７９】
１実施形態において、電子デバイスは、以下の構造を有する、構造（Ｉ）のＴＥＰ、構造（ＩＡ）のＴＥＰ又はそれらの組合せを含む。
【化１１】
2014129347.tif 000013
【００８０】
構造（Ｉ）及び構造（ＩＡ）のそれぞれについて、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、同一又は異なる。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のそれぞれは、独立して、水素、炭化水素、置換炭化水素及びそれらの組合せから選択される、又は、
【００８１】
Ｒ１及びＲ２のそれぞれは、独立して、水素、炭化水素、置換炭化水素及びそれらの組合せから選択され、Ｒ３及びＲ４は、環構造を形成する、又は、
【００８２】
Ｒ３及びＲ４のそれぞれは、独立して、水素、炭化水素、置換炭化水素及びそれらの組合せから選択され、Ｒ１及びＲ２は環構造を形成する、又は、
【００８３】
Ｒ１及びＲ２は環構造を形成し、Ｒ３及びＲ４は環構造を形成する。
【００８４】
１実施形態において、Ｒ１及びＲ２のそれぞれは、独立して、水素、炭化水素、置換炭化水素及びそれらの組合せから選択され、Ｒ３及びＲ４は環構造を形成する。
【００８５】
１実施形態において、Ｒ３及びＲ４のそれぞれは、独立して、水素、炭化水素、置換炭化水素及びそれらの組合せから選択され、Ｒ１及びＲ２は環構造を形成する。
【００８６】
１実施形態において、Ｒ１及びＲ２は環構造を形成し、Ｒ３及びＲ４は環構造を形成する。
【００８７】
１実施形態において、電子デバイスは、構造（Ｉ）のＴＰＥ、構造（ＩＡ）のＴＰＥ又はそれらの組合せを有する本組成物を含有する少なくとも一つの層を含む。
【００８８】
１実施形態において、電子デバイスは第一の電極を含む。
【００８９】
１実施形態において、電子デバイスは、第一の電極上に配置された第二の電極を含む。
【００９０】
１実施形態において、電子デバイスは、第一の電極及び第二の電極の間に配置された有機層を含む。有機層は、構造（Ｉ）のＴＰＥ、構造（ＩＡ）のＴＰＥ又はそれらの組合せを含む本組成物を含む。
【００９１】
１実施形態において、有機層は層Ａであり、層Ａは正孔注入層である。
【００９２】
１実施形態において、電子デバイスは、第二の層Ｂを含む。
【００９３】
１実施形態において、層Ｂは正孔輸送層である。
【００９４】
１実施形態において、層Ａは層Ｂと接触している。
【００９５】
１実施形態において、電子デバイスは発光層を含む。
【００９６】
１実施形態において、層Ａの厚さは、１ｎｍ〜１０００ｎｍ、又は２ｎｍ〜５００ｎｍ、又は５ｎｍ〜２００ｎｍである。層Ｂの厚さは、１ｎｍ〜１０００ｎｍ、又は２ｎｍ〜５００ｎｍ、又は５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００９７】
１実施形態において、電子デバイスは、ＯＬＥＤ（有機発光素子）である。
【００９８】
１実施形態において、電子デバイスは、ＩＴＯ層である第一の電極を含む。電子デバイスはまた、ＨＩＬ層、層Ａを含み、これらの層は構造（Ｉ）のＴＰＥ、構造（ＩＩ）のＴＰＥ又はそれらの組合せを有する本発明のＴＰＥ組成物を含有する。電子デバイスはまた、ＨＴＬ層、層Ｂを含む。層ＡのＴＰＥ組成物は、ＩＴＯ層についてのＨＯＭＯレベルからＨＴＬ材料のＨＯＭＯレベルの間にあるＨＯＭＯレベルを有する。１実施形態において、層ＡのＴＰＥ組成物は、−４．３ｅＶ〜−４．６ｅＶの計算されたＨＯＭＯ値を有する。
【００９９】
本発明の電子デバイスは、本明細書に開示された二つ以上の実施形態の組合せを含み得る。
【０１００】
定義
反対の記載がない限り、文脈から暗黙的である又は当該技術分野で慣用されるように、全ての部及びパーセントは重量基準である。米国特許実務の目的のために、特に、合成技術、定義（具体的には、本開示において提供されるいかなる定義とも矛盾しない程度まで）及び当分野における一般知識の開示について、任意の参照された特許、特許出願又は刊行物の内容は、参照によりその全体が組み込まれる（又は、それに等価な米国版がそのように参照により組み込まれる）。
【０１０１】
用語「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」「有する（ｈａｖｉｎｇ）」及びそれらの派生形は、それらが具体的に開示されているか否かにかかわらず、いかなる追加の成分、ステップ又は手順の存在を除外するようには意図されない。いかなる疑義も避けるために、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」という用語の使用によって請求される全ての組成物は、反対の記載がない限り、ポリマーであるか又はそうでないかにかかわらず、任意の追加の添加剤、補助剤又は化合物を含み得る。対照的に、用語「本質的に〜から成る」は、操作性に必須でないものを除いて、任意の後続の記載の範囲から、任意の他の成分、ステップ又は手順を除外する。用語「〜から成る」は、特に叙述も列挙もされていない、任意の成分、ステップ又は手順を除外する。
【０１０２】
「ドーパント」及び同様の用語は、添加剤として有機層へ加えられる場合、有機電子デバイスの有機層の導電率を増加させる電子受容体又は供与体を指す。有機半導体も同様に、ドーピングによるそれらの電気伝導性に関して、同様に影響を受け得る。そのような有機半導体マトリックス材料は、電子供与性を有する化合物又は電子受容性を有する化合物のいずれかから作られ得る。
【０１０３】
「発光層」及び同様の用語は、ホスト及びドーパントから成る層を意味する。ホスト材料は、双極性又は単極性であり得、単独で又は二つ以上のホスト材料の組合せにより使用することができる。ホスト材料の光−電気的特性は、使用されるドーパントの種類（燐光又は蛍光）に応じて異なり得る。蛍光ドーパントについて、ドーパントへの良好なフォエスター（Ｆｏｅｓｔｅｒ）移動を誘導するために、補助ホスト材料は、ドーパントの吸収とホストの発光との間で良好なスペクトルの重複を有する必要がある。燐光ドーパントについて、補助ホスト材料は、ドーパントの三重項を閉じ込めるために、高い三重項エネルギーを有する必要がある。
【０１０４】
「正孔輸送層（ＨＴＬ）」及び同様の用語は、正孔を輸送する材料から作られる層を指す。高い正孔移動度は、ＯＬＥＤデバイスに推奨されている。ＨＴＬは、発光層により輸送された電子の通過をブロックすることを助けるために使用される。小さな電子親和力は、典型的には、電子をブロックするために必要とされる。ＨＴＬは、望ましくは、隣接するＥＭＬ層からの励起子の移行をブロックするために大きな三重項を有する。ＨＴＬ化合物の例としては、ジ（ｐ−トリル）アミノフェニル］シクロヘキサン（ＴＰＡＣ）、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−Ｎ，Ｎ−ビス（３−メチルフェニル）−１，１−ビフェニル−４，４−ジアミン（ＴＰＤ）及びＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＮＰＢ）が挙げられるがそれらに限定されない。
【０１０５】
本開示のいくつかの実施形態は、以下の実施例において詳細に説明する。
【実施例】
【０１０６】
１．材料
以下の実施例において使用される材料を、表１に示す。
【表１】
2014129347.tif 000014
【０１０７】
２．特徴付け
核磁気共鳴（１Ｈ及び１３ＣＮＭＲ）：試料を、１０ｍｇ／ｍＬの濃度の適切な重水素化溶媒に溶解した。ＮＭＲスペクトルは、Ｖａｒｉａｎ  Ｍｅｒｃｕｒｙ  Ｐｌｕｓ４００ＭＨｚ分光計に記録した。化学シフトをテトラメチルシランに対して報告する。
【０１０８】
液体クロマトグラフィー／質量分析（ＬＣ／ＭＳ）：試料を、約１ｍｇ／ｍＬでＴＨＦに溶解した。１μＬの溶液を、ＬＣ／ＭＳ分析のために注入した。
測定器：Ａｇｉｌｅｎｔ１２２０ＨＰＬＣ／Ｇ６２２４Ａ  ＴＯＦ質量分析計
カラム：Ａｇｉｌｅｎｔ  ｅｃｌｉｐｓｅ−Ｃ１８  ４．６×５０ｍｍ、１．７μｍ
カラムオーブン温度：３０℃
溶媒：Ａ：ＴＨＦ、Ｂ：水／ＴＨＦ  ９５／５中、０．１％ＦＡ
勾配：０〜６分  ４０〜８０％Ａ、９分間保持
流速：０．３ｍＬ／分
ＵＶ検出器：ダイオードアレイ２５４ｎｍ
ＭＳ条件：
キャピラリー電圧：３９００ｋＶ（Ｎｅｇ）、３５００ｋＶ（Ｐｏｓ）
モード：陰性及び陽性
スキャン：１００〜２０００ａｍｕ
速度：１秒／スキャン
脱溶媒温度：３００℃
【０１０９】
高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）：約５０ｍｇの試料を秤量し、次に、１０ｇのテトラヒドロフランで希釈する。試料溶液を、０．４５μｍのシリンジフィルターで濾過し、５μＬの濾液を、ＨＰＬＣシステムへ注入する。
パラメータ  パラメータ値
注入量  ５μＬ
測定器  Ａｇｉｌｅｎｔ１２００ＨＰＬＣ
カラム  Ａｇｉｌｅｎｔ  Ｚｏｒｂａｘ  Ｃ８  ４．６×２５０ｍｍ、５μｍ
温度  ４０℃
検出器  ＤＡＤ＝３３０ｎｍ、ｒｅｆ＝４７０ｎｍ
移動相  溶離液Ａ：水（０．１％ＦＡ）；溶離液Ｂ：ＴＨＦ
時間  Ａ％      Ｂ％      流速（ｍＬ／分）
０．０        ４２      ５８      １
４０          ３５      ６５      １
４７          ３４      ６６      １
４８          １０      ９０      １
【０１１０】
サイクリックボルタンメトリー（ＣＶ）：支持電解質として、０．１Ｍテトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスフェートを用いて、１０ｍＶ／秒のスキャン速度で、Ｐｔカウンター電極、Ｈｇ／Ｈｇ２Ｃｌ２参照電極、及びプラチナプレート電極を含む三電極セル中で、化合物についてのＣＶを、ＣＨＩボルタンメトリー分析器で行った。フェロセンを内部標準として加えた。電位値は、正孔注入材料の酸化ピークとフェロセン標準とのピーク差に従って計算した。
【０１１１】
原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）：表面形態を視覚化し、スピンコーティングされたＨＩＬ膜の表面粗度及び膜厚を決定するために、ＡＦＭを用いた。ＡＦＭ測定は、Ｖｅｅｃｏによって製造された、Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ  Ｖ機器でタッピングモードにより行った。
【０１１２】
高低偏差の振幅（Ａ）を、表面粗度を計算するために使用した。振幅パラメータＲａ及びＲｑを、表面粗度を説明するために使用した。Ｒａは、絶対振幅値の算術平均であり、Ｒｑは、振幅値の二乗平均であり、以下の通り記載される：
【化１２】
2014129347.tif 000015
式中、Ａｉは、ＡＦＭ画像中のピクセルｉ（表面上の点を意味する）の振幅（高さ又は深さ）であり、ｎは画像内のピクセルの総数である。
【０１１３】
スピンコーティングされた膜の厚さを決定するために、膜の一部を鋭利な刃物によってＩＴＯ基板から取り除き、カンチレバーによりスキャンした。膜の厚さは、二つの区分の間のギャップにより明らかにされた。
【０１１４】
３．テトラフェニレンエチレン系材料の合成
Ａ．１，２−ビス（４−ブロモフェニル）−１，２−ジフェニルエテン（１）の合成
【化１３】
2014129347.tif 000016
【０１１５】
４−ブロモベンゾフェノン（５ｇ、１９．２ｍｍｏｌ）及び亜鉛末（２．５ｇ、３８．２ｍｍｏｌ）を、還流冷却器を備えた２５０ｍＬの二口丸底フラスコ中へ入れた。真空下での排気及び乾燥窒素を用いた三回のフラッシング後、１００ｍＬのＴＨＦを加えた。混合物を氷水浴中で０〜５℃まで冷却し、２．１ｍＬ（１９．２ｍｍｏｌ）のＴｉＣｌ４を、シリンジを用いてゆっくりと加えた。混合物を室温までゆっくりと温め、０．５時間攪拌した後、１２時間還流した。室温まで冷却した後、反応混合物を氷水中へ注ぎ、ジクロロメタンを用いて三回抽出した。溶媒を、真空下で蒸発させ、残留物を、エタノールを用いて洗浄し、白色粉末を得た（収率７０％）。
1H-NMR(CDCl3, 400 MHz): 7.19-7.25 (m, 3H), 7.06-7.13(m, 7H), 6.96-7.03(m, 5H), 6.85-6.90(m, 3H)
【０１１６】
Ｂ．１，２−ビス［４−（Ｎ−フェニル）アミノフェニル］−１，２−ジフェニルエテン（２）の合成
【化１４】
2014129347.tif 000017
【０１１７】
窒素雰囲気下で、２５０ｍＬの三口丸底フラスコに、（１）（４．９０ｇ、１０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３（０．５４９ｇ、０．６ｍｍｏｌ）、ｔ−ＢｕＯＫ（４．４９ｇ、４０ｍｍｏｌ）及びＢＩＮＡＰ（０．７４７ｇ、１．２ｍｍｏｌ）を充填した。真空下での排気及び乾燥窒素を用いた三回のフラッシング後、アニリン（２．３２ｇ、２５ｍｍｏｌ）及び６０ｍＬの無水トルエンを、シリンジを用いて連続的に加えた。混合物を一晩かけて８０℃まで加熱し、室温まで冷却した。混合物を遠心分離し、上澄液を濃縮し、溶離液として石油エーテル及び酢酸エチル（１０：１）の混合物を用いて、シリカゲルカラムにより精製した。生成物（２）は、淡黄色粉末であった（収率４０％）。
1H-NMR(d6-DMSO, 400 MHz), δ(TMS, ppm): 8.10-8.18 (d, 2H), 7.15-7.23 (m, 6 H), 7.05-7.15(m, 4H)， 6.95-7.07(m, 6H), 6.75-6.88 (m, 10 H)
【０１１８】
Ｃ．１，２−ビス（４−｛Ｎ，Ｎ−［４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル｝アミノ）−１，２−ジフェニルエテン（３）の合成
【化１５】
2014129347.tif 000018
窒素雰囲気下で、２５０ｍＬの三口丸底フラスコに、（２）（１．５４ｇ、３ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３（０．１３７ｇ、０．１５ｍｍｏｌ）及びｔ−ＢｕＯＫ（１．３５ｇ、１２ｍｍｏｌ）を充填した。真空下での脱気及び乾燥窒素を用いた三回のフラッシング後、トルエン（１００ｍｇ／ｍＬ）中のＰ（ｔ−Ｂｕ）３溶液（０．９ｍＬ、０．４５ｍｍｌ）及び、２０ｍＬの無水トルエンを、シリンジを用いて連続的に加えた。混合物を一晩かけて８０℃まで加熱し、室温まで冷却した。混合物を遠心分離し、上澄液を濃縮し、溶離液として石油エーテル及びジクロロメタン（２：１）の混合物を用いて、シリカゲルカラムにより精製した。生成物（３）は、鮮やかな黄色粉末であった（６０％）。黄色粉末を純粋な生成物を得るために、３６０℃での昇華により精製し、これは、９９．４％のＨＰＬＣ純度を有する（Ｚ異性体：５５．７％、Ｅ異性体：４６．７％）。
1H-NMR(CD2Cl2, 400 MHz), δ(TMS, ppm): 6.5-7.5 (m)
13C-NMR(CD2Cl2, 100 MHz), δ(ppm): 122.27, 122.41, 123.78, 123.95, 125.34, 125.46, 126.34, 127.62, 129.20, 131.46, 132.21
HRMS(ESI, m/z):1001.45(M+H+)
【０１１９】
構造（Ｉ）、構造（ＩＡ）を有する本ＴＰＥの非限定的な例を、以下の表２に示す。
【表２−１】
2014129347.tif 000019
【表２−２】
2014129347.tif 000020
【表２−３】
2014129347.tif 000021
【表２−４】
2014129347.tif 000022
【表２−５】
2014129347.tif 000023
【０１２０】
４．ＨＯＭＯレベル
ＨＯＭＯの計算
密度汎関数計算を、Ｇａｕｓｓｉａｎ０９のプログラムセットを用いて行った。各分子の基底状態の幾何形状を、６〜３１ｇ（ｄ）基底関数を備えるハイブリッドＢ３ＬＹＰ汎関数を用いて、最適化し、これから電子ボルト（ｅＶ）でのＨＯＭＯ分子軌道値を抽出した。
【０１２１】
ニュートラル及び三重項状態での各分子の幾何形状を、基底状態の計算の場合に設定されたのと同じ方法及び同じ基底関数を用いて最適化し、これ及び基底状態の計算から、三重項エネルギーを、ニュートラル三重項及び基底状態のエネルギーの間のエネルギー差から計算した。
【０１２２】
文献（J. Phys. Chem. A, 2003, 107, 5241-5251頁）中に記載された手順を、電子及び正孔移動度の指標である、各分子の再配置エネルギーを計算するために適用した。
【０１２３】
以下の表３は、他のテトラフェニレンエチレン化合物（Ｉｎｖ−本発明の及びＣｏｍｐ＝比較）についてのＨＯＭＯレベルに対する、例１（表２から）についてのＨＯＭＯレベルを比較する。
【表３−１】
2014129347.tif 000024
【表３−２】
2014129347.tif 000025
【０１２４】
５．膜
ＩＴＯガラス（ソーダライムガラス：２ｃｍ×２ｃｍ）を、石鹸水、アセトン、エタノール及びイソプロパノール中で順番に超音波処理し、空気中で十分に乾燥させることにより前処理した。組成物（３）を、合成例（上記）において調製し、５ｍｇ／ｍＬの濃度でアニソールに溶解した。次に、溶液をきれいなＩＴＯ上でスピンコーティングした。ＩＴＯ上の化合物３のスピンコーティングされた膜の表面粗度は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により特徴付けた（表４中に示す）。５．３ｎｍの表面粗度を有する元のＩＴＯと比較して、その上に化合物３をスピンコーティングした後の表面粗度（Ｒｑ）は、ＩＴＯ上に化合物３をスピンコーティングした後、０．５ｎｍまで減少した。
【表４】
2014129347.tif 000026
【０１２５】
６．デバイス例
Ａ．デバイス例１
全ての有機材料を、蒸着前に昇華により精製した。ＯＬＥＤを、アノードとして役立ち、アルミニウムカソードを載せた、ＩＴＯコーティングしたガラス基板上に作製した。全ての有機層を、１×１０−７Ｔｏｒｒ未満のベース圧力を有する真空チャンバ内で、化学蒸着により熱的に蒸着した。有機層の蒸着速度は、０．１〜０．０５ｎｍ／秒で維持した。アルミニウムカソードを、０．５ｎｍ／秒で蒸着した。ＯＬＥＤデバイスの活性領域は、カソード蒸着用シャドーマスクにより画定されるように、「３ｍｍ×３ｍｍ」であった。ガラス基板（２０ｍｍ×２０ｍｍ）は、１５００ÅのＩＴＯ層厚さでＳａｍｓｕｎｇ  Ｃｏｒｎｉｎｇから入手可能であった。
【０１２６】
ＩＴＯガラス（２ｃｍ×２ｃｍ）を、上記の膜の例において記載されたようにクリーニングし、酸素プラズマを用いて処理した。化合物３を、合成例（上記）を用いて調製し、約２０ｍｇ／ｍＬの濃度でアニソールに溶解した。化合物３の溶液を、グローブボックス中でＨＩＬとして、ＩＴＯガラス基板上にスピンコーティングした。膜を、８０℃で２０分間アニーリングした。次に、膜基板を、約１×１０−７Ｔｏｒｒの真空下で熱蒸発器中へ移した。次の層：ＨＴＬ１、ＨＴＬ２、Ｆｌ  Ｂｌｕｅ  ＥＭＬ、アルミニウム８−ヒドロキシキノリネート（Ａｌｑ３）及びリチウムキノレート（Ｌｉｑ）を、それぞれ、５ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、３０ｎｍ及び２ｎｍの厚さで、順番に蒸着した。有機層の蒸着速度を、０．１〜０．０５ｎｍ／秒で維持した。有機層の蒸着速度を、０．１〜０．０５ｎｍ／秒で維持した。アルミニウムカソードを、０．５ｎｍ／秒で蒸着した。ＯＬＥＤの活性領域は、カソード蒸着用シャドーマスクにより画定されるように、「３ｍｍ×３ｍｍ」であった。
【０１２７】
最終的に、デバイスを試験の前に、エポキシを用いて密封した。デバイス構造は以下の通りである：
化合物３（４０ｎｍ）／ＨＴＬ１（５ｎｍ）／ＨＴＬ２（２５ｎｍ）／Ｆｌ  Ｂｌｕｅ  ＭＬ（２０ｎｍ）／Ａｌｑ３（３０ｎｍ）／Ｌｉｑ（２ｎｍ）
【０１２８】
Ｂ.デバイス例２
手順は、組成物（３）を、スピンコーティングの代わりに、ＩＴＯ上へ真空蒸着することを除き、デバイス例１において記載したのと同じである。デバイス構造は、以下の通りである：
化合物３（４０ｎｍ）／ＨＴＬ１（５ｎｍ）／ＨＴＬ２（２５ｎｍ）／Ｆｌ  Ｂｌｕｅ  ＭＬ（２０ｎｍ）／Ａｌｑ３（３０ｎｍ）／Ｌｉｑ（２ｎｍ）
【０１２９】
Ｃ．比較試料３−デバイス
手順は、２−ＴＮＡＴＡを、化合物３の代わりに、ＨＩＬとして真空蒸着することを除き、デバイス例１において記載したのと同じである。
【０１３０】
Ｄ．比較試料４−デバイス
手順は、ポリチオフェン（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ  Ｃｏ．）を、化合物３の代わりにＨＩＬとしてスピンコーティングすることを除き、デバイス例１において記載したのと同じである。
【０１３１】
Ｅ．試験
ＯＬＥＤについての電流−電圧−明るさ（Ｊ−Ｖ−Ｌ）特徴付けを、ソース測定ユニット（ＫＥＩＴＨＬＹ  ２３８）発光メーター（ＭＩＮＯＬＴＡ  ＣＳ−１００Ａ）を用いて実施した。ＯＬＥＤデバイスのＥＬスペクトルを、較正ＣＣＤ分光器によって収集した。
【０１３２】
本発明のデバイス例１及び２並びに比較試料３及び４の電流−電圧曲線、発光効率曲線及び発光減衰曲線を、それぞれ、図１、図２及び図３に示す。これらのデバイスのための、駆動電圧（１０００Ｃｄ／ｍ２で）、電流効率（１０００Ｃｄ／ｍ２で）及び寿命（４０００Ｃｄ／ｍ２、６００分後）のデータを、表５にまとめる。
【表５】
2014129347.tif 000027
【０１３３】
図１〜３及び表５は、ＨＩＬとして本発明の組成物（３）を（熱蒸発又は溶液プロセスにより蒸着したもののいずれか）使用する本発明のデバイス１及び２が、比較例３及び４と同程度の駆動電圧及び効率を示すことを示している。しかしながら、デバイス例１及び２は、比較例と比較して、より良い寿命を示す。４０００Ｃｄ／ｍ２の開始輝度で６００分後、デバイスの輝度は、蒸発プロセスにより適用した化合物３を含むデバイス（デバイス例１）についての初期と同一（１００％）のままであり、それは、溶液プロセスにより適用した化合物３を含むデバイス（デバイス例２）についての初期よりもわずかに高くなる（１０２．３％）。しかしながら、ＨＩＬとしてポリチオフェンを含むデバイス（比較例３）及び２−ＴＮＡＴＡを含むデバイス（比較例４）について、同じ期間の後、９１．３％及び９７．３％まで減少した。
【０１３４】
本開示において、出願人は、構造（Ｉ）のＴＰＥ、構造（ＩＡ）のＴＰＥ又はそれらの組合せを含む組成物から形成される正孔注入材料を開発した。本ＴＰＥ組成物は、熱蒸発及び溶液プロセスの両方に適している。ＨＩＬとして材料を含むデバイスは、ＨＩＬとしてポリチオフェン及び２−ＴＮＡＴＡを用いたものと同程度の駆動電圧及び効率を示すが、ＨＩＬとしてポリチオフェン及び２−ＴＮＡＴＡを用いたものよりも長い寿命を示す。
【０１３５】
本開示は、本明細書に記載されている実施形態及び例示に限定されるものではないが、以下の特許請求の範囲内に入る実施形態の一部及び異なる実施形態の要素の組合せを含むそれらの実施形態の変更された形態を含むことを特に意図している。
【図１】
2014129347.tif 000030
【図２】
2014129347.tif 000031
【図３】
2014129347.tif 000032
【外国語明細書】
2014129347000001.pdf