(57)【要約】【課題】表示品質を向上させることができる液晶装置の製造方法、液晶装置、及び電子機器を提供する。【解決手段】第１基材１０ａ上に、第１領域７１と、第１領域７１よりも表面粗さが粗い第２領域７２と、を含む下地膜４１（４１ａ，４１ｂ）を形成する工程と、下地膜４１（４１ａ，４１ｂ）上に無機材料からなる配向膜２８（２８ａ，２８ｂ）を形成する工程と、を有する。【選択図】図６
2014026140.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された一対の基板と、
前記一対の基板を貼り合わせるシール材と、
前記一対の基板に挟持された液晶層と、
前記一対の基板の一方の基板と前記液晶層との間に形成され、第１領域と、前記第１領域の外側に配置された第２領域と、を含む下地膜と、
前記下地膜と前記液晶との間に形成された無機材料からなる無機配向膜と、
を含む液晶装置の製造方法であって、
前記一方の基板上に、前記第１領域と、前記第１領域よりも表面粗さが粗い前記第２領域と、を含む前記下地膜を形成する下地膜形成工程と、
前記下地膜の前記第１領域上と前記第２領域上とに斜方蒸着法で無機材料からなる無機配向膜を形成する配向膜形成工程と、
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記下地膜形成工程は、表示領域の外縁と前記シール材の内縁との間に外縁が配置されるように前記第１領域を形成し、前記表示領域の外側と前記シール材の内側との間に前記第２領域を形成することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記第１領域は、前記表示領域の周囲に形成されたダミー画素領域を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項４】
請求項２に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記第２領域は、前記表示領域の角部の外側の領域を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記シール材の一部が離間した注入口から液晶を注入する液晶注入工程と、
前記注入口を封止部で埋める封止部形成工程と、を有し、
前記第２領域は、少なくとも前記離間部と表示領域との間の領域を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記一方の基板上に透明材料からなる第１画素電極を形成する第１画素電極形成工程を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記一方の基板上に反射性材料からなる第２画素電極を形成する第２画素電極形成工程を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項８】
対向配置された一対の基板と、
前記一対の基板を貼り合わせるシール材と、
前記一対の基板に挟持された液晶層と、
前記一対の基板の一方の基板と前記液晶層との間に形成され、第１領域と、前記第１領域の外側に配置された第２領域と、を含む下地膜と、
前記下地膜と前記液晶との間に形成された無機材料からなる無機配向膜と、
を備え、
前記第２領域にある前記下地膜の表面粗さは、前記第１領域にある前記下地膜の表面粗さと比較して粗いことを特徴とする液晶装置。
【請求項９】
請求項８に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置の製造方法、液晶装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記液晶装置は、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子としてトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。液晶装置は、例えば、直視型ディスプレイやライトバルブなどにおいて用いられている。
【０００３】
このような液晶装置の製造方法において、液晶注入時に混入したり、液晶層を取り囲んでいるシール材や封止材から溶出したりしたイオン性不純物が、液晶装置の駆動や熱拡散により、画素領域（表示領域）に拡散及び凝集することにより、液晶装置の表示特性が劣化する恐れがあることが知られている。
【０００４】
例えば、特許文献１に記載のように、無機材料からなる無機配向膜を用いた場合、不純物が界面に吸着されやすくなるため、不純物の一層の局在化をもたらし、シミやムラの原因になる場合がある。また、特許文献１には、表示領域の無機配向膜の膜密度が、非表示領域の無機配向膜の膜密度よりも小さくなるように形成し、液晶層の配向特性を変える技術が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−２０２５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１では、表示領域において非表示領域よりも無機配向膜の膜密度を低くしているので、表示領域の無機配向膜において不純物が吸着されてしまい、表示不良がおこる。また、膜密度を変えるために、マスクを用いて無機配向膜にイオンビームを照射している（図７（ｃ））。よって、マスクにもイオンビームが照射されるため、マスクにアライメントマークを設けることができず、マスクの外縁と基板の外縁で位置あわせを行う必要があり、その結果、膜密度が変わる境界の位置精度が低下するという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、対向配置された一対の基板と、前記一対の基板を貼り合わせるシール材と、前記一対の基板に挟持された液晶層と、前記一対の基板の一方の基板と前記液晶層との間に形成され、第１領域と、前記第１領域の外側に配置された第２領域と、を含む下地膜と、前記下地膜と前記液晶との間に形成された無機材料からなる無機配向膜と、を含む液晶装置の製造方法であって、前記一方の基板上に、前記第１領域と、前記第１領域よりも表面粗さが粗い前記第２領域と、を含む前記下地膜を形成する下地膜形成工程と、前記下地膜の前記第１領域上と前記第２領域上とに斜方蒸着法で無機材料からなる無機配向膜を形成する配向膜形成工程と、を有することを特徴とする。
【０００９】
本適用例によれば、第１領域と、第１領域よりも表面粗さが粗い第２領域と、を含む下地膜を形成しておくので、下地膜上に無機配向膜を同一工程（同条件）で形成することにより、第１領域と比較して第２領域には、配向膜を構成する柱状構造物の間隔が広い無機配向膜を形成することができる。よって、第２領域の配向膜の柱状構造物間にイオン性不純物をトラップすることができる。また、下地膜における第１領域と第２領域との表面粗さを変えることにより、柱状構造物の間隔の異なる無機配向膜の領域を制御できるので、境界の位置精度を向上させることができる。加えて、柱状構造物の幅が異なる無機配向膜を一括で形成することができるので、表示特性が劣化することを抑えることができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記下地膜形成工程は、表示領域の外縁と前記シール材の内縁との間に外縁が配置されるように前記第１領域を形成し、前記表示領域の外側と前記シール材の内側との間に前記第２領域を形成することが好ましい。
【００１１】
本適用例によれば、表示領域を含む領域が第１領域であり、表示領域の外側が第２領域となるので、第２領域でイオン性不純物をトラップすることにより、シール材などから溶出されたイオン性不純物が表示領域側に拡散することを抑えることができる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記第１領域は、前記表示領域の周囲に形成されたダミー画素領域を含むことが好ましい。
【００１３】
本適用例によれば、第１領域がダミー画素領域を含み、その周囲に第２領域が設けられるので、第２領域でトラップしたイオン性不純物が表示領域に拡散して表示特性に悪影響（例えば、シミ）を与えることをより抑えることができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記第２領域は、前記表示領域の角部の外側の領域を含むことが好ましい。
【００１５】
本適用例によれば、少なくとも表示領域の角部の外側に第２領域があるので、比較的イオン性不純物が溜まりやすい表示領域の角部において、イオン性不純物をトラップすることが可能となり、いわゆる角シミが発生することを抑えることができる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記シール材の一部が離間した注入口から液晶を注入する液晶注入工程と、前記注入口を封止部で埋める封止部形成工程と、を有し、前記第２領域は、少なくとも前記離間部と表示領域との間の領域を含むことが好ましい。
【００１７】
本適用例によれば、少なくとも第２領域が注入口の領域を含むので、例えば、注入口からシール材で囲まれた中に液晶を注入する際、液晶に含まれたイオン性不純物を注入する段階でトラップすることができる。よって、効率よくイオン性不純物をトラップすることができる。
【００１８】
［適用例６］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記一方の基板上に透明材料からなる第１画素電極を形成する第１画素電極形成工程を有することが好ましい。
【００１９】
本適用例によれば、画素電極が透明材料（例えば、ＩＴＯ）からなるので、透過型の液晶装置（透過型のライトバルブ）に用いることができる。この場合、下地膜としてＩＴＯを用いることができ、材料の使用効率を向上させることができる。
【００２０】
［適用例７］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記一方の基板上に反射性材料からなる第２画素電極を形成する第２画素電極形成工程を有することが好ましい。
【００２１】
本適用例によれば、画素電極が反射性材料（例えば、アルミニウム）からなるので、反射型の液晶装置（反射型のライトバルブ）に用いることができる。
【００２２】
［適用例８］本適用例に係る液晶装置は、対向配置された一対の基板と、前記一対の基板を貼り合わせるシール材と、前記一対の基板に挟持された液晶層と、前記一対の基板の一方の基板と前記液晶層との間に形成され、第１領域と、前記第１領域の外側に配置された第２領域と、を含む下地膜と、前記下地膜と前記液晶との間に形成された無機材料からなる無機配向膜と、を備え、前記第２領域にある前記下地膜の表面粗さは、前記第１領域にある前記下地膜の表面粗さと比較して粗いことを特徴とする。
【００２３】
本適用例によれば、第１領域と、第１領域よりも表面粗さが粗い第２領域と、を含む下地膜を設けるので、例えば、下地膜上に無機配向膜を同一工程（同条件）で形成することで、第１領域と比較して第２領域には、配向膜を構成する柱状構造物の間隔が広い無機配向膜を形成することができる。よって、第２領域の配向膜の柱状構造物間にイオン性不純物をトラップすることができる。また、下地膜における第１領域と第２領域との表面粗さを変えることにより、柱状構造物の間隔の異なる無機配向膜の領域を制御できるので、境界の位置精度を向上させることができる。
【００２４】
［適用例９］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の液晶装置を備えることを特徴とする。
【００２５】
本適用例によれば、上記した液晶装置を備えているので、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】液晶装置の構成を示す模式平面図。
【図２】図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。
【図３】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】液晶装置の構造を示す模式断面図。
【図５】液晶装置のうち主に配向膜の構成を示す模式平面図。
【図６】図５に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図。
【図７】液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。
【図８】液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式断面図。
【図９】液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式断面図。
【図１０】液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図。
【図１１】変形例の液晶装置の構造を示す模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２８】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００２９】
本実施形態では、液晶装置として、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００３０】
＜液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構成を、図１〜図３を参照しながら説明する。
【００３１】
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０および対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、および対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。
【００３２】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。その隙間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。シール材１４は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００３３】
シール材１４の内側には、複数の画素Ｐが配列した画素領域Ｅ（表示領域）が設けられている。画素領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。また、図１及び図２では図示を省略したが、画素領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光部（ブラックマトリックス；ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。
【００３４】
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材１４と該１辺部との間に、データ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と画素領域Ｅとの間に、検査回路２５が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４と画素領域Ｅとの間に走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。
【００３５】
対向基板２０側における額縁状に配置されたシール材１４の内側には、同じく額縁状に遮光部１８（見切り部）が設けられている。遮光部１８は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光部１８の内側が複数の画素Ｐを有する画素領域Ｅとなっている。なお、図１では図示を省略したが、画素領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光部が設けられている。
【００３６】
これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子６１に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。なお、検査回路２５の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路２２に沿ったシール材１４と画素領域Ｅとの間に設けてもよい。
【００３７】
図２に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極２７およびスイッチング素子である薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor、以降、「ＴＦＴ３０」と呼称する）と、信号配線と、これらを覆う配向膜２８とが形成されている。
【００３８】
また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも画素電極２７、ＴＦＴ３０、信号配線、配向膜２８を含むものである。
【００３９】
対向基板２０の液晶層１５側の表面には、遮光部１８と、これを覆うように成膜された平坦化層３３と、平坦化層３３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を覆う配向膜３２とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも遮光部１８、対向電極３１、配向膜３２を含むものである。
【００４０】
遮光部１８は、図１に示すように画素領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている（図示簡略）。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Ｅに入射しないように遮蔽して、画素領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００４１】
平坦化層３３は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光部１８を覆うように設けられている。このような平坦化層３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００４２】
対向電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層３３を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００４３】
画素電極２７を覆う配向膜２８および対向電極３１を覆う配向膜３２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、正の誘電異方性を有する液晶分子に対して略水平配向処理が施された有機配向膜や、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。本実施形態では、配向膜２８，３２として上記無機配向膜が採用されている。
【００４４】
このような液晶装置１００は、例えば透過型であって、画素Ｐが非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードや、非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。本実施形態ではノーマリーブラックモードが採用されている。
【００４５】
図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも画素領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
【００４６】
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００４７】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域（ソース領域）に電気的に接続されている。画素電極２７は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域（ドレイン領域）に電気的に接続されている。
【００４８】
データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。
【００４９】
データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００５０】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された対向電極３１との間で一定期間保持される。
【００５１】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と対向電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。容量素子１６は、２つの容量電極の間に誘電体層を有するものである。
【００５２】
図４は、液晶装置の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図４を参照しながら説明する。なお、図４は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００５３】
図４に示すように、液晶装置１００は、一対の基板のうち一方の素子基板１０と、これに対向配置される他方の対向基板２０とを備えている。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、及び対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、上記したように、例えば、石英基板等によって構成されている。
【００５４】
第１基材１０ａ上には、チタン（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）等からなる下側遮光膜３ｃが形成されている。下側遮光膜３ｃは、平面的に格子状にパターニングされており、各画素の開口領域を規定している。なお、下側遮光膜３ｃは、走査線３ａの一部として機能するようにしてもよい。第１基材１０ａ及び下側遮光膜３ｃ上には、シリコン酸化膜等からなる下地絶縁層１１ａが形成されている。
【００５５】
下地絶縁層１１ａ上には、ＴＦＴ３０及び走査線３ａ等が形成されている。ＴＦＴ３０は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン等からなる半導体層３０ａと、半導体層３０ａ上に形成されたゲート絶縁膜１１ｇと、ゲート絶縁膜１１ｇ上に形成されたポリシリコン膜等からなるゲート電極３０ｇとを有する。上記したように、走査線３ａは、ゲート電極３０ｇとしても機能する。
【００５６】
半導体層３０ａは、例えば、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンが注入されることにより、Ｎ型のＴＦＴ３０として形成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チャネル領域３０ｃと、データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ１と、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ１と、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとを備えている。
【００５７】
チャネル領域３０ｃには、ボロン（Ｂ）イオン等のＰ型の不純物イオンがドープされている。その他の領域（３０ｓ１，３０ｓ，３０ｄ１，３０ｄ）には、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンがドープされている。このように、ＴＦＴ３０は、Ｎ型のＴＦＴとして形成されている。
【００５８】
ゲート電極３０ｇ、下地絶縁層１１ａ、及び走査線３ａ上には、シリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁層１１ｂが形成されている。第１層間絶縁層１１ｂ上には、容量素子１６が設けられている。具体的には、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及び画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極としての第１容量電極１６ａと、固定電位側容量電極としての容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）の一部とが、誘電体膜１６ｃを介して対向配置されることにより、容量素子１６が形成されている。
【００５９】
容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、Ａｌ（アルミニウム）膜から形成することも可能である。
【００６０】
第１容量電極１６ａは、例えば、導電性のポリシリコン膜からなり容量素子１６の画素電位側容量電極として機能する。ただし、第１容量電極１６ａは、容量線３ｂと同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。第１容量電極１６ａは、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホールＣＮＴ５２、中継層５５、コンタクトホールＣＮＴ５３、ＣＮＴ５１を介して、画素電極２７とＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）とを中継接続する機能を有する。
【００６１】
容量素子１６上には、第２層間絶縁層１１ｃを介してデータ線６ａが形成されている。データ線６ａは、第１層間絶縁層１１ｂ及び第２層間絶縁層１１ｃに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ５４を介して、半導体層３０ａのデータ線側ソースドレイン領域３０ｓ（ソース領域）に電気的に接続されている。
【００６２】
データ線６ａ上には、第３層間絶縁層１１ｄを介して画素電極２７が形成されている。画素電極２７は、第２層間絶縁層１１ｃ及び第３層間絶縁層１１ｄに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ５２、ＣＮＴ５３、中継層５５を介して第１容量電極１６ａに接続されることにより、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）に電気的に接続されている。なお、画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透明導電性膜から形成されている。
【００６３】
画素電極２７及び第３層間絶縁層１１ｄ上には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した配向膜２８が設けられている。なお、配向膜２８を形成するために、画素領域Ｅの周囲における配向膜２８の下層には、ＩＴＯなどからなる下地膜４１が設けられている。下地膜４１の詳細については後述する。配向膜２８上には、シール材１４（図１及び図２参照）により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層１５が設けられている。
【００６４】
一方、第２基材２０ａ上には、その全面に渡って対向電極３１が設けられている。対向電極３１上（図４では下側）には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した配向膜３２が設けられている。対向電極３１は、上述の画素電極２７と同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。
【００６５】
液晶層１５は、画素電極２７からの電界が印加されていない状態で配向膜２８，３２によって所定の配向状態をとる。シール材１４は、素子基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサーが混入されている。
【００６６】
＜配向膜の構成＞
図５は、液晶装置のうち主に配向膜の構成を示す模式平面図である。図６は、図５に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。以下、配向膜の構成について、図５及び図６を参照しながら説明する。
【００６７】
図５及び図６に示すように、液晶装置１００を構成する素子基板１０に配向膜２８が設けられており、対向基板２０に配向膜３２が設けられている。具体的には、素子基板１０において画素電極２７の上に、例えば、下地膜４１が設けられている。配向膜２８は、この下地膜４１上に設けられている。
【００６８】
下地膜４１は、画素領域Ｅ（表示領域）を含む領域に設けられた第１下地膜４１ａと、画素領域Ｅの周囲（非表示領域）に設けられた第２下地膜４１ｂと、を有する。なお、第１下地膜４１ａが設けられた領域を第１領域７１、第２下地膜４１ｂが設けられた領域を第２領域７２と称する。
【００６９】
また、図５に示すように、第１領域７１が画素領域Ｅより一回り外側まで設けられているのは、イオン性不純物４２が画素領域Ｅ側にはみ出さないようにするためである。なお、第１領域７１が画素領域Ｅと同じ領域になるように設定してもよい。しかし、画素領域Ｅ（表示領域）にシミなどの影響をより与えないために、ダミー画素が設けられたダミー画素領域までを第１領域７１とすることが好ましい。
【００７０】
第２下地膜４１ｂの表面の表面粗さは、第１下地膜４１ａの表面の表面粗さと比較して粗くなっている。これにより、第１下地膜４１ａ上に形成された第１配向膜２８ａの柱状構造物２８ａ１の間隔より、第２下地膜４１ｂ上に形成された第２配向膜２８ｂの柱状構造物２８ｂ１の間隔が広くなる。これにより、イオン性不純物４２を第２領域７２（つまり、非表示領域）において柱状構造物２８ｂ１の間に収集（トラップ）することができる。
【００７１】
対向基板２０の第２基材２０ａ上には、例えば、第１配向膜２８ａの柱状構造物２８ａ１の間隔と同様の構造を有する、第２配向膜３２が設けられている。
【００７２】
＜液晶装置の製造方法＞
図７は、液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図８及び図９は、液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式断面図である。以下、液晶装置の製造方法を、図７〜図９を参照しながら説明する。
【００７３】
最初に、素子基板１０側の製造方法を説明する。ステップＳ１１（第１画素電極形成工程）では、ガラス基板などからなる第１基材１０ａ上にＴＦＴ３０や画素電極２７等を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第１基材１０ａ上にＴＦＴ３０や画素電極２７などを形成する。
【００７４】
ステップＳ１２（下地膜形成工程）では、第１基材１０ａ上に下地膜４１を形成する。具体的には、図８を参照しながら説明する。なお、第１基材１０ａから画素電極までを、第１基材１０ａと称して説明する。
【００７５】
図８（ａ）に示す工程では、画素電極２７などを含む第１基材１０ａ上に、公知の成膜方法を用いて透明材料（例えば、ＩＴＯ）からなる下地膜４１を成膜する。なお、必要に応じて下地膜４１をパターニングする。
【００７６】
図８（ｂ）に示す工程では、下地膜４１を有する第１基材１０ａ上の第１領域７１にレジストパターン４５を形成する。具体的には、まず、下地膜４１上に、スピンコート法を用いてレジスト材料を塗布する。次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第１基材１０ａのアライメントマークとマスクのアライメントマークを用いて位置あわせを行い、レジスト材料をパターニングする。これにより、下地膜４１上における第１領域７１にレジストパターン４５が形成される。
【００７７】
図８（ｃ）に示す工程では、第２領域７２の下地膜４１（４１ｂ）の表面粗さを、第１領域７１の下地膜４１（４１ａ）の表面粗さと比較して粗くする。具体的には、レジストパターン４５をマスクとして、第２領域７２の下地膜４１に、例えば、ウェットブラスト処理（物理的な研磨処理）を施して、第２領域７２の下地膜４１の表面に微細な凹凸を形成する。ウェットブラスト法とは、研磨材、溶媒、圧縮気体をブラストガンから混合して噴出させ、研磨処理する方法である。
【００７８】
図８（ｄ）に示す工程では、下地膜４１上に形成されたレジストパターン４５を除去する。具体的には、例えば、レジストパターン４５にアッシング処理を施すことにより、レジストパターン４５を剥離する。このように、ウェットブラスト処理を施すことにより、第２領域７２の下地膜４１の表面粗さを、例えば、Ｒａ：４ｎｍより大きくすることができる。つまり、第１領域７１（画素領域Ｅを含む領域）の下地膜４１（４１ａ）の表面粗さと比較して、第２領域７２（非表示領域）の４１（４１ｂ）の表面粗さを粗くすることができる。
【００７９】
なお、下地膜４１を別途形成しなくても、画素領域Ｅの画素電極２７の表面の粗さより、非表示領域のダミー画素の粗さを粗くする構造としても良い。また、画素領域Ｅの画素極２７から露出した第３層間絶縁層１１ｄの表面粗さより、非表示領域のダミー画素から露出した第３層間絶縁層１１ｄの表面粗さを粗くする構造としても良い。
【００８０】
ステップＳ１３（配向膜形成工程）では、下地膜４１上に配向膜２８を形成する。具体的には、図９を参照しながら説明する。図９に示す工程では、下地膜４１上に、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着法を用いて形成する。
【００８１】
これにより、第１下地膜４１ａの上に第１配向膜２８ａが形成される。また、第２下地膜４１ｂ上には、第１配向膜２８ａの柱状構造物２８ａ１の間隔と比較して、第２下地膜４１ｂの表面粗さが反映された柱状構造物２８ａ１の間隔が広い第２配向膜２８ｂが形成される。このように柱状構造物２８ｂ１の間隔が広い第２配向膜２８ｂを形成することにより、第２配向膜２８ｂでイオン性不純物４２を収集することが可能となり、画素領域Ｅを含む第１配向膜２８ａ側にイオン性不純物４２が拡散することを抑えることができる。以上により、素子基板１０側が完成する。
【００８２】
次に、対向基板２０側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ２１では、ガラス基板等の透光性材料からなる第２基材２０ａ上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、対向電極３１（共通電極）を形成する。
【００８３】
ステップＳ２２では、対向電極３１上に配向膜３２を形成する。配向膜３２の製造方法は、例えば、斜方蒸着法を用いて形成する。以上により、対向基板２０側が完成する。次に、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる方法を説明する。
【００８４】
ステップＳ３１では、素子基板１０上にシール材１４を塗布する。具体的には、例えば、素子基板１０とディスペンサー（吐出装置でも可能）との相対的な位置関係を変化させて、素子基板１０における画素領域Ｅの周縁部に（画素領域Ｅを囲むように）シール材１４を塗布する。
【００８５】
ステップＳ３２では、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。具体的には、素子基板１０に塗布されたシール材１４を介して素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。より具体的には、互いの基板１０，２０の平面的な縦方向や横方向の位置精度を確保しながら行う。
【００８６】
ステップＳ３３では、液晶注入口（符号省略）から構造体の内部に液晶を注入し、その後、液晶注入口を封止材で封止する。以上により、液晶装置１００が完成する。
【００８７】
＜電子機器の構成＞
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図１０を参照して説明する。図１０は、上記した液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図である。
【００８８】
図１０に示すように、本実施形態の投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００８９】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００９０】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【００９１】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【００９２】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。
【００９３】
このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００９４】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【００９５】
このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、焼き付き等が抑えられた液晶装置１００を用いているので、高い表示品質を実現することができる。
【００９６】
なお、液晶装置１００が搭載される電子機器としては、投射型表示装置１０００の他、ヘッドアップディスプレイ、スマートフォン、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。
【００９７】
以上詳述したように、本実施形態の液晶装置１００の製造方法、液晶装置１００、及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。
【００９８】
（１）本実施形態の液晶装置１００の製造方法によれば、第１領域７１と、第１領域７１よりも表面粗さが粗い第２領域７２と、を含む下地膜４１（４１ａ，４１ｂ）を予め形成しておくので、下地膜４１上に斜方蒸着法を用いて配向膜２８を形成することにより、第１領域の第１配向膜２８ａと比較して第２領域には、配向膜を構成する柱状構造物２８ｂ１の間隔が広い第２配向膜２８ｂを形成することができる。よって、第２領域７２の第２配向膜２８ｂの柱状構造物２８ｂ１間にイオン性不純物４２をトラップすることができる。また、下地膜４１における第１領域７１と第２領域７２との表面粗さを変えることにより、柱状構造物２８ａ１，２８ｂ１の間隔の異なる配向膜２８の領域を制御できるので、境界の位置精度を向上させることができる。加えて、柱状構造物２８ａ１，２８ｂ１の幅が異なる配向膜２８（２８ａ，２８ｂ）を一括で形成することができるので、表示特性が劣化することを抑えることができる。
【００９９】
（２）本実施形態の液晶装置１００の製造方法によれば、ダミー画素が設けられた領域までを第１領域７１として、その周囲を第２領域７２とすることにより、シール材１４などから溶出されたイオン性不純物４２が画素領域Ｅ（表示領域）側に拡散することを抑えることができる。よって、画素領域Ｅに悪影響（例えば、シミ）を与えることをより抑えることができる。
【０１００】
（３）本実施形態の液晶装置１００によれば、第１領域７１と、第１領域７１よりも表面粗さが粗い第２領域７２と、を含む下地膜４１（４１ａ，４１ｂ）が設けられているので、例えば、下地膜４１上に斜方蒸着法を用いて配向膜２８を形成することにより、第１領域の第１配向膜２８ａと比較して第２領域には、配向膜を構成する柱状構造物２８ｂ１の間隔が広い第２配向膜２８ｂを形成することができる。よって、第２領域７２の第２配向膜２８ｂの柱状構造物２８ｂ１間にイオン性不純物４２をトラップすることができる。また、下地膜４１における第１領域７１と第２領域７２との表面粗さを変えることにより、柱状構造物２８ａ１，２８ｂ１の間隔の異なる配向膜２８の領域を制御できるので、境界の位置精度を向上させることができる。
【０１０１】
（４）本実施形態の電子機器によれば、上記に記載の液晶装置１００を備えるので、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。
【０１０２】
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
【０１０３】
（変形例１）
上記したように、第１下地膜４１ａの表面粗さと比較して第２下地膜４１ｂの表面粗さを粗くする方法として、ウェットブラスト法を用いることに限定されず、第２下地膜４１ｂの表面の表面粗さが第１下地膜４１ａの表面の表面粗さより粗い状態であればよく、例えば、以下のような方法を用いるようにしてもよい。
【０１０４】
まず、第１基材１０ａ上における画素電極２７の形成方法として、第２領域７２に、周知のフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて選択的に下地膜の一部となるＩＴＯ膜を成膜する。成膜方法としては、蒸着法を用いる。なお、蒸着法を用いて成膜したＩＴＯ膜の表面粗さは、例えば、Ｒａ：４ｎｍより大きくなる。次に、スパッタ法を用いて第１基材１０ａ上の全体にＩＴＯ膜を成膜する。具体的には、周知のフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて選択的にＩＴＯ膜を形成する。その後、必要に応じてＩＴＯ膜をパターニングする。
【０１０５】
つまり、第１領域７１の下地膜４１（４１ａ）は、スパッタ法により成膜されたＩＴＯ膜である。第２領域７２の下地膜４１（４１ｂ）は、蒸着法とスパッタ法により成膜された２層のＩＴＯ膜となる。これによれば、第２領域７２のスパッタ法により成膜されたＩＴＯ膜の表面は、その下層の蒸着法により成膜されたＩＴＯ膜の表面粗さが反映された表面粗さとなる。
【０１０６】
つまり、Ｒａ：４ｎｍより大きい表面粗さとすることができる。第１領域７１のＩＴＯ膜の表面は、Ｒａ：４ｎｍより小さい表面粗さである。この方法によれば、上記実施形態と同様に、第１下地膜４１ａの表面粗さと比較して第２下地膜４１ｂの表面粗さを粗くすることができる。
【０１０７】
（変形例２）
上記したように、素子基板１０側に第１配向膜２８ａ及び第２配向膜２８ｂを形成することに限定されず、例えば、対向基板２０側に第１配向膜及び第２配向膜を形成するようにしてもよい。少なくともどちらか一方の基板（素子基板１０、対向基板２０）に形成するようにすることが望ましい。対向基板２０に形成する場合、対向電極３１における画素領域Ｅに第１配向膜３２（２８ａに相当）を形成する。また、画素領域Ｅの周囲に第２配向膜３２（２８ｂに相当）を形成する。
【０１０８】
（変形例３）
上記したように、液晶注入方式の液晶装置１００に適用することに限定されず、液晶滴下方式（ＯＤＦ）の液晶装置に適用するようにしてもよい。なお、上記液晶注入方式の液晶装置１００の場合、液晶にイオン性不純物４２が含まれている場合には、液晶注入口（離間部）と表示領域の間に第２領域７２（第２配向膜２８ｂ）を形成し、液晶の注入時に第２配向膜２８ｂによってイオン性不純物をトラップするようにしてもよい。また、液晶注入口（離間部）に第２領域７２（第２配向膜２８ｂ）を形成し、液晶注入時に第２配向膜２８ｂによってイオン性不純物をトラップし、その後、封止材で埋め込んでも良い。
【０１０９】
（変形例４）
上記したように、イオン性不純物４２によるシミなどの表示不良が画素領域Ｅ（表示領域）の角部に発生しやすいことから、第２配向膜２８ｂを画素領域Ｅの角部とシール材との間のみに設けるようにしてもよい。これによれば、表示領域の角部の外側において、イオン性不純物４２をトラップすることが可能となり、いわゆる角シミが発生することを抑えることができる。具体的には、第２配向膜２８ｂは、少なくとも画素領域Ｅの四隅のうち、角シミが生じやすい２つの角部（配向方向）の外側に設けることが望ましい。
【０１１０】
（変形例５）
上記したように、透過型の液晶装置１００に適用することに限定されず、例えば、図１１に示すように、反射型の液晶装置に本発明を適用するようにしてもよい。図１１は、変形例の液晶装置１００の構造を示す模式断面図である。変形例の液晶装置１００は、画素領域Ｅに、アルミニウムなどの反射性材料を用いて画素電極２７（第２画素電極）が形成されている。画素電極２７上には、誘電体層８１が形成されている。反射型の液晶装置１００の場合、この誘電体層８１が下地層となる。つまり、第１領域７１（画素領域Ｅ）の誘電体層８１の表面粗さと比較して、第２領域７２の誘電体層８１の表面粗さが粗くなっている。このように形成してから配向膜２８を形成することにより、第１領域の第１配向膜２８ａの柱状構造物２８ａ１と比較して、第２領域の第２配向膜２８ｂの柱状構造物２８ｂ１の間隔を広くすることができる。
【０１１１】
（変形例６）
第２領域７２にイオントラップ電極を配置するようにしてもよい。これによれば、イオントラップ電極によってイオン性不純物を掃き寄せて、第２配向膜２８ｂによってイオン性不純物をトラップすることができる。
【符号の説明】
【０１１２】
３ａ…走査線、３ｂ…容量線、３ｃ…下側遮光膜、６ａ…データ線、１０…素子基板、１０ａ…第１基材、１１ａ…下地絶縁層、１１ｂ…第１層間絶縁層、１１ｃ…第２層間絶縁層、１１ｄ…第３層間絶縁層、１１ｅ…第４層間絶縁層、１１ｇ…ゲート絶縁膜、１４…シール材、１５…液晶層、１６…容量素子、１６ａ…第１容量電極、１６ｂ…第２容量電極、１６ｃ…誘電体膜、１８…遮光部、２０…対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、２８，３２…配向膜、２８ａ…第１配向膜、２８ｂ…第２配向膜、２９…配線、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…画素電極側ソースドレイン領域、３０ｄ１…画素電極側ＬＤＤ領域、３０ｇ…ゲート電極、３０ｓ…データ線側ソースドレイン領域、３０ｓ１…データ線側ＬＤＤ領域、３１…対向電極、３３…平坦化層、４１…下地膜、４１ａ…第１下地膜、４１ｂ…第２下地膜、４２…イオン性不純物、４５…レジストパターン、ＣＮＴ５１，５２，５３，５４…コンタクトホール、５５…中継層、６１…外部接続用端子、７１…第１領域、７２…第２領域、８１…パッシベーション層、１００…液晶装置、１０００…投射型表示装置、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプ、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投射レンズ、１２１０，１２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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