(57)【要約】【課題】半導体チップをはんだ付けしたリードフレームを絶縁シート上に搭載してなる半導体装置において、リードフレーム端部における絶縁シートの盛り上がりを抑制する。【解決手段】金属製板状のリードフレーム１０と、リードフレーム１０の一面１１上にはんだ２０を介して接合された半導体チップ３０と、電気絶縁性の樹脂よりなる絶縁シート４０と、を備え、絶縁シート４０の一面４１上にリードフレーム１０が搭載されており、リードフレーム１０は、半導体チップ３０をはんだ付けしたときの半導体チップ３０とリードフレーム１０との熱膨張係数差に起因する応力によって一面１１側に凸となるとともに他面１２側に凹となるように反ったものであり、リードフレーム１０の他面１２と絶縁シート４０との接合界面において、絶縁シート４０は、リードフレーム１０の他面１２側の凹部を埋めるように盛り上がっている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面（１１）と他面（１２）とが表裏の板面の関係にある金属製板状のリードフレーム（１０）と、
前記リードフレームの一面上にはんだ（２０）を介して接合された半導体チップ（３０）と、
電気絶縁性の樹脂よりなる絶縁シート（４０）と、を備え、
前記絶縁シートの一面（４１）上に、前記リードフレームの他面を対向させた状態で前記リードフレームが搭載されており、
前記リードフレームは、前記半導体チップをはんだ付けしたときの前記半導体チップと前記リードフレームとの熱膨張係数差に起因する応力によって前記リードフレームの一面側に凸となるとともに他面側に凹となるように反ったものであり、
前記リードフレームの他面と前記絶縁シートとの接合界面において、前記絶縁シートは、前記リードフレームの他面側の凹部を埋めるように盛り上がっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記リードフレームの板厚は、０．５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記リードフレームにおいては、第１の方向（ｘ）に沿った反り度合の方が、前記第１の方向に直交する第２の方向（ｙ）に沿った反り度合よりも大きいことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記リードフレーム外郭に位置する側面（１３）では、前記リードフレームの他面側から前記リードフレームの板厚方向の途中まで、前記絶縁シートが盛り上がっていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記リードフレームは、ＣｕまたはＣｕ合金からなるものであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項６】
一面（１１）と他面（１２）とが表裏の板面の関係にある金属製板状のリードフレーム（１０）と、
前記リードフレームの一面上にはんだ（２０）を介して接合された半導体チップ（３０）と、
電気絶縁性の樹脂よりなる絶縁シート（４０）と、を備え、
前記絶縁シートの一面（４１）上に、前記リードフレームの他面を対向させた状態で前記リードフレームが搭載されている半導体装置の製造方法であって、
前記リードフレーム、前記はんだおよび前記半導体チップを用意する用意工程と、
前記リードフレームの一面上に、前記はんだを介して前記半導体チップを搭載するチップ搭載工程と、
前記はんだをリフローさせて、前記半導体チップを前記リードフレームにはんだ付けするとともに、当該はんだ付け時に前記半導体チップと前記リードフレームとの熱膨張係数差に起因する応力によって、前記リードフレームを、一面側に凸となるとともに他面側に凹となるように反らせるはんだ付け工程と、
しかる後、一面が半硬化状態とされた前記絶縁シートの当該一面に、前記リードフレームの他面側を押し付けることにより、前記リードフレームの他面と前記絶縁シートとの接合界面において、前記絶縁シートを、前記リードフレームの他面側の凹部を埋めるように盛り上がらせて、前記リードフレームを前記絶縁シートの一面上に搭載するリードフレーム搭載工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記用意工程では、前記リードフレームとして、板厚が０．５ｍｍ以下であるものを用意することを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップをはんだ付けしたリードフレームを、絶縁シート上に搭載してなる半導体装置、およびそのような半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、この種の半導体装置としては、たとえば特許文献１に記載のものが提案されている。この半導体装置においては、一面と他面とが表裏の板面の関係にあるＣｕ等の金属製板状のリードフレームを有し、このリードフレームの一面上にはんだを介して半導体チップが接合されている。
【０００３】
さらに、この従来の半導体装置においては、電気絶縁性の樹脂よりなる絶縁シートが備えられており、この絶縁シートの一面上に、リードフレームの他面を対向させた状態でリードフレームが搭載されている。
【０００４】
ここで、リードフレームは、たとえば半硬化状態の絶縁シートの一面に押し付られた後、絶縁シートの完全硬化を行うことにより、絶縁シートに接合されている。これにより、半導体チップは、絶縁シートと電気的に絶縁されつつ、半導体チップの熱が、リードフレームから絶縁シートを介して放熱されるようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第３７４０１１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ここで、上記従来構造を有する半導体装置においては、リードフレームの一面側に半導体チップをはんだ付けした後、当該リードフレームの他面側を絶縁シートの一面に押さえ付けることで、リードフレームと絶縁シートとが接合される。このとき、リードフレームの一面側を、ピンで押さえるようにすることで、当該接合がなされる。
【０００７】
しかし、従来では、このピンでリードフレームの一面側を押さえるときに、その押し付け力によってリードフレーム外郭の端部にて絶縁シートが盛り上がり、この盛り上がった絶縁シートが、リードフレームの一面側まで回り込んで、ピンに付着したり、リードフレームの一面に付着したりする恐れがある。
【０００８】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、一面上に半導体チップをはんだ付けしたリードフレームを、当該リードフレームの他面側を絶縁シートに押し付けることにより、リードフレームを絶縁シート上に搭載してなる半導体装置において、リードフレーム端部における絶縁シートの盛り上がりを抑制できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、一面（１１）と他面（１２）とが表裏の板面の関係にある金属製板状のリードフレーム（１０）と、リードフレームの一面上にはんだ（２０）を介して接合された半導体チップ（３０）と、電気絶縁性の樹脂よりなる絶縁シート（４０）と、を備え、絶縁シートの一面（４１）上に、リードフレームの他面を対向させた状態でリードフレームが搭載されており、
リードフレームは、半導体チップをはんだ付けしたときの半導体チップとリードフレームとの熱膨張係数差に起因する応力によってリードフレームの一面側に凸となるとともに他面側に凹となるように反ったものであり、リードフレームの他面と絶縁シートとの接合界面において、絶縁シートは、リードフレームの他面側の凹部を埋めるように盛り上がっていることを特徴とする半導体装置が提供される。
【００１０】
それによれば、このように反った形状のリードフレームを、絶縁シートの一面上に、押し付けて搭載するとき、当該押し付け力により、絶縁シートはリードフレームの他面側の凹部に盛り上がるため、その分、リードフレーム外郭の側面における絶縁シートの盛り上がりが抑制される。
【００１１】
よって、本発明によれば、半導体チップをはんだ付けしたリードフレームを、絶縁シート上に押し付けて搭載するにあたって、リードフレーム端部における絶縁シートの盛り上がりを抑制するのに適した構成を提供することができる。
【００１２】
ここで、本発明者の検討によれば、請求項２に記載の発明のように、リードフレームの板厚は、０．５ｍｍ以下であることが好ましい（後述の図３参照）。
【００１３】
また、請求項３に記載の発明では、請求項１または２に記載の半導体装置において、リードフレームにおいては、第１の方向（ｘ）に沿った反り度合の方が、前記第１の方向に直交する第２の方向（ｙ）に沿った反り度合よりも大きいことを特徴とする。
【００１４】
それによれば、リードフレームを絶縁シート上に搭載するときに、反り度合が小さい第２の方向において、リードフレームの他面と絶縁シートとの間に存在する空気を逃がしやすくなる。
【００１５】
請求項６に記載の発明は、一面（１１）と他面（１２）とが表裏の板面の関係にある金属製板状のリードフレーム（１０）と、リードフレームの一面上にはんだ（２０）を介して接合された半導体チップ（３０）と、電気絶縁性の樹脂よりなる絶縁シート（４０）と、を備え、絶縁シートの一面（４１）上に、リードフレームの他面を対向させた状態でリードフレームが搭載されている半導体装置の製造方法であって、さらに、以下の工程を有するものである。
【００１６】
すなわち、請求項６の製造方法においては、リードフレーム、はんだおよび半導体チップを用意する用意工程と、リードフレームの一面上に、はんだを介して半導体チップを搭載するチップ搭載工程と、はんだをリフローさせて、半導体チップをリードフレームにはんだ付けするとともに、当該はんだ付け時に半導体チップとリードフレームとの熱膨張係数差に起因する応力によって、リードフレームを、一面側に凸となるとともに他面側に凹となるように反らせるはんだ付け工程と、しかる後、一面が半硬化状態とされた絶縁シートの当該一面に、リードフレームの他面側を押し付けることにより、リードフレームの他面と絶縁シートとの接合界面において、絶縁シートを、リードフレームの他面側の凹部を埋めるように盛り上がらせて、リードフレームを絶縁シートの一面上にするリードフレーム搭載工程と、を備える。
【００１７】
本製造方法によれば、リードフレーム搭載工程にて、反った形状のリードフレームを、絶縁シートの一面上に、押し付けて搭載するとき、当該押し付け力により、絶縁シートはリードフレームの他面側の凹部に盛り上がるため、その分、リードフレーム外郭の側面における絶縁シートの盛り上がりが抑制される。そのため、リードフレーム端部における絶縁シートの盛り上がりを抑制することができる。
【００１８】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】（ａ）は、本発明の第1実施形態にかかる半導体装置の要部を示す概略断面図、（ｂ）は、（ａ）の上視概略平面図である。
【図２】図１に示される半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【図３】図１に示される半導体装置におけるリードフレームの板厚と反りとの関係を示すグラフである。
【図４】本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の要部を示す概略斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００２１】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態に係る半導体装置は、図１に示されるように、大きくは、一面１１と他面１２とが表裏の板面の関係にある金属製板状のリードフレーム１０と、リードフレーム１０の一面１１上にはんだ２０を介して接合された半導体チップ３０と、電気絶縁性の樹脂よりなる絶縁シート４０と、を備えて構成されている。
【００２２】
リードフレーム１０は、たとえばＣｕまたはＣｕ合金、その他、４２アロイ等の鉄系金属等、典型的なリードフレーム材料よりなる。また、リードフレーム１０には、リードフレーム１０の端部より突出する外部接続端子１０ａが一体に連結されている。この外部接続端子１０ａにおける図示しない突出先端側は、外部と電気的に接続されるようになっている。
【００２３】
半導体チップ３０は、シリコン半導体等の典型的な半導体材料よりなり、半導体プロセスにより形成されたものである。この半導体チップ３０としては、たとえば、ＤＭＯＳやＩＧＢＴ等の発熱の大きいパワー素子等が挙げられる。また、はんだ２０としては、Ｓｎ−Ａｇ等のＳｎを含む典型的なＰｂフリーはんだが挙げられる。
【００２４】
また、構成材料の相違から、半導体チップ３０の方が、リードフレーム１０よりも熱膨張係数が小さい。また、これら両部材１０、３０については、リードフレーム１０は半導体チップ３０よりも一回り大きい平面サイズを有する。たとえば、半導体チップ３０は５ｍｍ□の矩形板状をなし、リードフレーム１０は６ｍｍ□か、それ以上の矩形板状をなすものとされている。
【００２５】
絶縁シート４０は、一面４１と他面４２とが表裏の板面の関係にある板状をなすものであり、少なくとも一面４１側が電気絶縁性の樹脂よりなる樹脂層４０ａとして構成されたものである。この樹脂層４０ａは、たとえばエポキシ樹脂を主成分とする樹脂材料よりなる。
【００２６】
ここでは、絶縁シート４０の他面４２は、Ｃｕ等よりなる金属板４０ｂよりなり、この金属板４０ｂと樹脂層４０ａとの積層構成により、絶縁シート４０が構成されている。限定するものではないが、絶縁シート４０のうち樹脂層４０ａの厚さは、たとえば２００μｍであり、金属板４０ｂの厚さはたとえば２００μｍ〜３００μｍ程度である。
【００２７】
半導体チップ３０と絶縁シート４０とは電気的に絶縁されているが、この絶縁シート４０は、一面４１側に位置する半導体チップ３０の熱を、他面４０ｂ側から外部に放熱するものである。絶縁シート４０は、この放熱と絶縁の機能を有するものであればよく、金属板４０ｂを有することで放熱性がより優れたものになるが、場合によっては、金属板は省略され、樹脂のみよりなるものであってもよい。
【００２８】
ここで、上述の通り、半導体チップ３０は、リードフレーム１０の外部部接続端子１０ａを介して外部と電気的に接続されるが、それ以外にも、たとえば、リードフレーム１０周りに図示しないリードや回路基板等が設けられ、これらリードや回路基板等と半導体チップ３０とがワイヤボンディングなどによって電気的に接続されている。
【００２９】
また、本半導体装置においては、典型的には、図示しないモールド樹脂による封止が行われる。たとえば、当該モールド樹脂は、外部接続および放熱のために、外部接続端子１０ａの突出先端側および絶縁シート４０の他面４２側を露出させつつ、リードフレーム１０、半導体チップ３０および絶縁シート４０を封止する。もちろん、このモールド樹脂による封止は必要に応じて行えばよく、省略された構成であってもよい。
【００３０】
ここで、図１に示されるように、絶縁シート４０の一面４１上に、リードフレーム１０の他面１２を対向させた状態でリードフレーム１０が搭載されている。この搭載は、リードフレーム１０を絶縁シート４０の一面４１すなわち樹脂層４０ａに押し付けることにより、行われる。
【００３１】
具体的には、たとえば樹脂層４０ａが半硬化状態とされた絶縁シート４０の一面４１に、リードフレーム１０を押し付けた後、樹脂層４０ａを完全に硬化させることにより、リードフレーム１０と絶縁シート４０とが接合される。
【００３２】
ここにおいて、本実施形態の半導体装置では、図１に示されるように、リードフレーム１０は、リードフレーム１０の一面１１側に凸となるとともに他面１２側に凹となるように反ったものとされている。
【００３３】
このリードフレーム１０の反りは、半導体チップ３０をリードフレーム１０の一面１１にはんだ付けしたときの半導体チップ３０とリードフレーム１０との熱膨張係数差に起因する応力によって発生するものである。
【００３４】
そして、図１（ａ）に示されるように、リードフレーム１０の他面１２と絶縁シート４０との接合界面において、絶縁シート４０は、リードフレーム１０の他面１２側の凹部を埋めるように盛り上がっている。つまり、絶縁シート４０の一面４１側を構成する樹脂層４０ａが、リードフレーム１０の他面１２側に盛り上がることで、当該他面１２側の凹部を隙間なく充填している。
【００３５】
次に、本半導体装置の製造方法について、図２を参照して述べる。まず、リードフレーム１０、はんだ２０および半導体チップ３０を用意する（用意工程）。そして、図２（ａ）に示されるように、リードフレーム１０の一面１１上に、印刷等によって、はんだ２０を配置する。
【００３６】
続いて、図２（ａ）、（ｂ）に示されるように、はんだ２０の上に半導体チップ３０を搭載する（チップ搭載工程）。なお、チップ搭載工程では、予めはチップ側にはんだ２０を設けておき、これを、はんだ２０を介してリードフレーム１０の一面１１上に搭載してもよい。
【００３７】
続いて、この状態で加熱を行うことにより、はんだ２０をリフローさせ、冷却して固化する。これにより、半導体チップ３０がリードフレーム１０の一面１１上にはんだ付けされる（はんだ付け工程）。
【００３８】
このはんだ付け工程おいては、半導体チップ３０の方がリードフレーム１０よりも熱膨張係数が小さいという熱膨張係数差に起因する応力によって、図２（ｂ）に示されるように、リードフレーム１０は、リードフレーム１０の一面１１側に凸となるとともに他面１２側に凹となるように反る。
【００３９】
次に、一面４１を構成する樹脂が半硬化状態とされた絶縁シート４０を用意する。そして、図２（ｃ）に示されるように、半導体チップ３０がはんだ接合されたリードフレーム１０を、凹となった他面１２側を絶縁シート４０の一面４１に押し付けることにより、リードフレーム１０を絶縁シート４０の一面４１上に搭載する（リードフレーム搭載工程）。ここで、この押し付けは、リードフレーム１０の一面１１側を、ピンＫで押さえることで行う。
【００４０】
このリードフレーム搭載工程において、リードフレーム１０を、絶縁シート４０の一面４１上に、押し付けて搭載するとき、当該押し付け力により、絶縁シート４０の一面４１側はリードフレーム１０の他面１２側の凹部に盛り上がる。つまり、この凹部が絶縁シート４０の盛り上がりの逃げスペースとなるため、この凹部における盛り上がりの分、リードフレーム１０外郭の側面１３における絶縁シート４０の盛り上がりが抑制される。
【００４１】
つまり、本実施形態では、リードフレーム搭載工程において、ピンＫでリードフレーム１０の一面１１側を押さえるときに、その押し付け力によって盛り上がった絶縁シート４０が、リードフレーム１０の側面１３から一面１１側まで回り込むのを抑制できる。それゆえ、絶縁シート４０を構成する樹脂が、ピンＫに付着したり、リードフレーム１０の一面１１に付着して汚染したりすることを防止できる。
【００４２】
こうして、リードフレーム搭載工程を行う。その後は、リードフレーム１０に対し、必要に応じて、半導体チップ３０と図示しない周辺部材とのワイヤボンディング等を実施してもよい。また、リードフレーム１０と絶縁シート４０とを貼り付けた後で、熱を加えつつワイヤボンディングを行うことで、絶縁シート４０の硬化を兼ねても良い。
【００４３】
また、リードフレーム搭載工程後は、全体をモールド樹脂等で封止してもよい。この場合、絶縁シート４０は事前に完全硬化しておいてもよいし、モールド成型またはモールド樹脂硬化時に絶縁シート４０に加えられる熱履歴で絶縁シート４０を硬化させてもよい。以上の工程により、本実施形態の半導体装置ができあがる。
【００４４】
ところで、本実施形態によれば、上記の如く反った形状のリードフレーム１０を、絶縁シート４０の一面４１上に、押し付けて搭載するとき、当該押し付け力により、絶縁シート４０はリードフレーム１０の他面１２側の凹部に盛り上がるため、その分、リードフレーム１０外郭の側面１３における絶縁シート４０の盛り上がりが抑制される。
【００４５】
具体的には、本実施形態の半導体装置においては、図１（ａ）に示されるように、リードフレーム１０外郭に位置する側面１３では、リードフレーム１０の他面１２側からリードフレーム１０の板厚方向の途中まで、絶縁シート４０が盛り上がっているにすぎない。
【００４６】
このように、本実施形態では、リードフレーム１０外郭の側面１３における絶縁シート４０の盛り上がりが抑制されるため、当該盛り上がりはリードフレーム１０の板厚方向の途中までに留まる。なお、本実施形態における当該効果を考慮すれば、リードフレーム１０外郭の側面１３における絶縁シート４０の盛り上がりが、全く発生しない構成であってもよい。
【００４７】
このように、本実施形態によれば、半導体チップ３０をはんだ付けしたリードフレーム１０を、絶縁シート４０の一面４１上に押し付けて搭載するにあたって、リードフレーム１０端部における絶縁シート４０の盛り上がりを抑制するのに適した構成を提供することができる。
【００４８】
ここで、リードフレーム１０の板厚（両板面１１、１２間の距離）は、半導体チップ３０をはんだ付けしたときの半導体チップ３０とリードフレーム１０との熱膨張係数差に起因する応力によってリードフレーム１０の一面１１側に凸となるとともに他面１２側に凹となるように反る程度の薄い板厚とされる。
【００４９】
具体的には、リードフレーム１０の板厚は、０．５ｍｍ以下であることが望ましい。この板厚０．５ｍｍ以下としたのは、本発明者のシミュレーション等による検証結果に基づくものである。ここで、この検証結果の一例について、図３を参照して述べる。
【００５０】
この図３のグラフは、本発明者のシミュレーションにより算出して求めたものであるが、ここでは、算出条件は、半導体チップ３０がシリコン半導体であり、リードフレーム１０がＣｕよりなるものであり、はんだ２０がＳｎ−Ａｇ合金であり、はんだ２０の厚さが５０μｍであり、はんだ付けの加熱条件が２３０℃で６０秒加熱の場合とした。また、反り量は、リードフレーム１０が平坦板の場合を基準とし、そこから反ったときの板厚方向における最大距離（単位：ｍｍ）である。
【００５１】
この図３に示されるように、リードフレーム１０の板厚が０．５ｍｍを超える場合には、リードフレーム１０は、半導体チップ３０をはんだ付けしたときに殆ど反ることはないが、０．５ｍｍ以下の場合には反りが発生することが確認された。また、リードフレーム１０の板厚が０．２５ｍｍ以下の場合には、この反りがより顕著となることがわかる。
【００５２】
このように、図３のグラフから、リードフレーム１０の板厚としては、０．５ｍｍ以下が好ましく、より好ましくは０．２５ｍｍ以下が望ましい。なお、リードフレーム１０の板厚の下限は、リードフレーム１０の製造限界やパッケージの電力量（設計値）等により適宜決められる。
【００５３】
なお、上記算出条件以外にも、半導体チップ３０、リードフレーム１０、はんだ２０として、この種の典型的な材料を用いた場合には、図３と同様の結果が得られている。つまり、半導体チップ３０のはんだ付け時における上記熱膨張係数差に起因する応力によるリードフレーム１０の反りを発生させるために、リードフレーム１０の板厚を０．５ｍｍ以下とすることは、普遍的な条件である。
【００５４】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態に係る半導体装置の要部について、図４を参照して述べる。なお、図４では、リードフレーム１０を絶縁シート４０の一面１１に押し付ける前の状態を示してあり、絶縁シート４０は、リードフレーム１０の他面１２側に盛り上がっていない状態とされている。
【００５５】
上記第１実施形態では、リードフレーム１０は、リードフレーム１０の一面１１側に凸となるとともに他面１２側に凹となるように反るものであり、当該反りの方向による反り度合の相違については特に限定していない。
【００５６】
それに対して、本第２実施形態では、リードフレーム１０の板面１１、１２に平行な２つの方向にて反り度合に差を発生させたものである。すなわち、本半導体装置においては、図４に示されるように、リードフレーム１０においては、第１の方向ｘに沿った反り度合の方が、第１の方向ｘに直交する第２の方向ｙに沿った反り度合よりも大きいものとされている。
【００５７】
それによれば、リードフレーム搭載工程において、反り度合が大きい第１の方向ｘにおけるリードフレーム１０の両端部が、絶縁シート４０の一面１１に接触したとき、反り度合が小さい第２の方向ｙにおけるリードフレーム１０の両端部は、絶縁シート４０の一面１１から離れている。
【００５８】
そのため、リードフレーム１０の他面１２と絶縁シート４０との間に存在する空気は、第２の方向ｙにおけるリードフレーム１０の両端部側から逃がされる。その結果、リードフレーム１０と絶縁シート４０との間にボイドが発生するのを防止でき、絶縁シート４０を介した放熱性を確保するのに適した構成が実現できる。
【００５９】
具体的に、本実施形態のようなリードフレーム１０の反り構成を実現するには、たとえば、半導体チップ３０を、第１の方向ｘの長さの方が第２の方向ｙの長さよりも長い形状とすればよい。より具体的には、第１の方向ｘを長手方向とする長方形板状のリードフレーム１０の場合には、半導体チップ３０も第１の方向ｘを長手方向とする長方形板状とすればよい。
【００６０】
（他の実施形態）
なお、上記各実施形態では、凹形状とされたリードフレーム１０の他面１２側が押し付けられる絶縁シート４０の一面４１側は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂とされたが、熱可塑性樹脂であってもよい。つまり、絶縁シート４０の一面４１側は、リードフレーム搭載工程において、リードフレーム１０が押し付けられるときに、盛り上がるような硬さを有するものであればよい。
【００６１】
また、上記した各実施形態同士の組み合わせ以外にも、上記各実施形態は、可能な範囲で適宜組み合わせてもよく、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。
【符号の説明】
【００６２】
１０  リードフレーム
１１  リードフレームの一面
１２  リードフレームの他面
２０  はんだ
３０  半導体チップ
４０  絶縁シート
４１  絶縁シートの一面
【図１】
2014090104.tif 000003
【図２】
2014090104.tif 000004
【図３】
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【図４】
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