(57)【要約】      （修正有）【課題】駆動電圧特性および電力効率特性が改善された有機発光素子を提供する。【解決手段】基板１と、基板上の第１電極５と、第２電極９と、第１電極と第２電極との間に配置される発光層を含む有機膜７と、を含み、第１電極は、第１元素およびＮｉを含むＡｌ系反射膜と、透明導電性膜と、を含み、第１元素は、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕからなる群より選択される少なくとも１種の元素であり、Ａｌ系反射膜および透明導電性膜は、基板から順次に積層されており、第１電極と発光層との間にシアノ基含有化合物を含む第１層６を具備する有機発光素子。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上の第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される発光層を含む有機膜と、を含み、
前記第１電極は、第１元素およびＮｉを含むＡｌ系反射膜と、透明導電性膜と、を含み、
前記第１元素は、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕからなる群より選択される少なくとも１種の元素であり、
前記Ａｌ系反射膜および前記透明導電性膜は、前記基板から順次に積層されており、
前記Ａｌ系反射膜の前記透明導電性膜側の面にニッケルリッチ酸化物層が存在し、
前記第１電極と前記発光層との間に下記化学式１〜２０で表される化合物からなる群より選択される少なくとも１種のシアノ基含有化合物を含む第１層を具備し、
前記Ａｌ系反射膜と前記基板との間に、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、およびＡｕからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む金属層を具備する有機発光素子：
【化１】
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【化２】
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【化３】
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【化４】
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【化５】
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【化６】
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【化７】
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前記化学式１〜２０中、
Ｘ１〜Ｘ４は、互いに独立して、下記化学式３０Ａ〜３０Ｄで表される基からなる群より選択される基であり、
【化８】
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Ｙ１〜Ｙ８は、互いに独立して、窒素原子または＝Ｃ（Ｒ１０３）−で表される基であり、
Ｚ１〜Ｚ４は、互いに独立して、炭素原子または窒素原子であり、
Ａ１およびＡ２は、互いに独立して、酸素原子、硫黄原子、−Ｎ（Ｒ１０４）−で表される基、または−Ｃ（Ｒ１０５）（Ｒ１０６）−で表される基であり、
Ｑ１０１およびＱ１０２は、互いに独立して、炭素数２〜１０のアルキレン基、炭素数２〜１０のアルケニレン基、またはハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、炭素数１〜１０のアルキル基、および炭素数１〜１０のアルコキシ基からなる群より選択される１つ以上の置換基で置換された炭素数２〜１０のアルキレン基もしくは炭素数２〜１０のアルケニレン基であり、
Ｔ１およびＴ２は互いに独立して、炭素数５〜３０の芳香族環システム、炭素数２〜３０のヘテロ芳香族環システム、またはハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、炭素数１〜１０のアルキル基および炭素数１〜１０のアルコキシ基からなる群より選択される１つ以上の置換基で置換された炭素数５〜３０の芳香族環システムもしくは炭素数２〜３０のヘテロ芳香族環システムであり、
ｐは、１〜１０の整数であり、
ｑは、０〜１０の整数であり、
Ｒ１０１〜Ｒ１０６は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、下記化学式１０１で表される基、下記化学式１０２で表される基、−Ｎ（Ｒ１０７）（Ｒ１０８）で表される基、またはハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、炭素数５〜１４のアリール基、炭素数２〜１４のヘテロアリール基からなる群より選択される１つ以上の置換基で置換された炭素数１〜１０のアルキル基もしくは炭素数１〜１０のアルコキシ基であり、
【化９】
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この際、前記Ｒ１０７およびＲ１０８は、互いに独立して、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、フェニル基、またはビフェニル基であり、
Ｌ１０１は、炭素数５〜１４のアリーレン基、炭素数５〜１４のヘテロアリーレン基、またはハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、炭素数１〜１０のアルキル基および炭素数１〜１０のアルコキシ基からなる群より選択された１つ以上の置換基で置換された炭素数５〜１４のアリーレン基もしくは炭素数５〜１４のヘテロアリーレン基である。
【請求項２】
前記第１電極が第２元素含有亜鉛酸化物膜をさらに含み、前記第２元素は、Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｇｄ、Ｚｒ、Ｍｏ、およびＮｉからなる群より選択される少なくとも１種の元素である、請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項３】
前記基板から、前記Ａｌ系反射膜、前記透明導電性膜、および前記第２元素含有亜鉛酸化物膜が順次に積層されている、請求項２に記載の有機発光素子。
【請求項４】
前記第２元素の含量は、前記第２元素含有亜鉛酸化物膜１００質量部当り０．５〜１０質量部である、請求項２または３に記載の有機発光素子。
【請求項５】
前記Ａｌ系反射膜が、Ｌａ、ＮｉおよびＡｌを含む、請求項２〜４のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項６】
前記Ｘ１〜Ｘ４が、互いに独立して、前記化学式３０Ａで表される基または前記化学式３０Ｄで表される基である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項７】
前記Ｒ１０３は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、−Ｎ（Ｒ１０７）（Ｒ１０８）で表される基、またはハロゲン原子、シアノ基、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピリジニル基、チオフェニル基、およびベンゾチオフェニル基からなる群より選択される１つ以上の置換基で置換された炭素数１〜１０のアルキル基もしくは炭素数１〜１０のアルコキシ基であり、この際、前記Ｒ１０７およびＲ１０８は、互いに独立して、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、フェニル基またはビフェニル基である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項８】
前記Ｒ１０１およびＲ１０２が、互いに独立して、シアノ基、下記化学式１０１で表される基、または下記化学式１０２で表される基である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【化１０】
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【請求項９】
前記Ａ１およびＡ２が、互いに独立して、硫黄原子である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項１０】
前記Ｑ１０１およびＱ１０２は、互いに独立して、エチレン基；プロピレン基；エテニレン基；プロペニレン基；およびハロゲン原子、シアノ基およびヒドロキシル基からなる群より選択される１つ以上の置換基で置換されたエチレン基、プロピレン基、エテニレン基またはプロペニレン基である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項１１】
前記Ｔ１およびＴ２は、互いに独立して、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、チオフェン環、チアジアゾール環、オキサジアゾール環、またはハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜１０のアルキル基および炭素数１〜１０のアルコキシ基からなる群より選択される１つ以上の置換基で置換されたベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、チオフェン環、チアジアゾール環、もしくはオキサジアゾール環である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項１２】
前記ｐは１である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項１３】
前記ｑは、０、１または２である、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項１４】
Ｌ１０１は、チオフェニレン基；ベンゾチオフェニレン基；およびハロゲン原子、シアノ基およびＣ１−Ｃ１０アルキル基からなる群から選択された１つ以上の置換基で置換されたチオフェニレン基およびベンゾチオフェニレン基；からなる群から選択されたことを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項１５】
前記シアノ基含有化合物が下記化学式１Ａ〜２０Ｂで表される化合物からなる群より選択される少なくとも１種の化合物である、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の有機発光素子：
【化１１】
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【化１２】
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【化１３】
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前記化学式１Ａ〜２０Ｂ中、
Ｒ１０３およびＲ１０９は、互いに独立して、水素原子、フッ素原子、シアノ基、メチル基、エチル基、プロピル基、エテニル基、メトキシ基、エトキシ基、またはプロポキシ基である。
【請求項１６】
前記第１層が正孔輸送性化合物をさらに含む、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項１７】
前記正孔輸送性化合物が、下記化学式４１で表される化合物または下記化学式４２で表される化合物である、請求項１６に記載の有機発光素子：
【化１４】
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【化１５】
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前記化学式４１および４２中、
Ｒ１０は−（Ａｒ１）ｎ−Ａｒ２で表される基であり、
Ｒ１６は−（Ａｒ１１）ｍ−Ａｒ１２で表される基であり、
Ａｒ１、Ａｒ１１、Ｌ１およびＬ１１は、互いに独立して、置換または非置換の炭素数１〜３０のアルキレン基、置換または非置換の炭素数２〜３０のアルケニレン基、置換または非置換の炭素数５〜３０のアリーレン基、置換または非置換の炭素数４〜３０のヘテロアリーレン基、または−Ｎ（Ｑ１）−で表される基であり、
ｎ、ｍ、ａおよびｂは、互いに独立して、０〜１０の整数であり、
前記Ｒ１〜Ｒ３、Ｒ１１〜Ｒ１５、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ２１〜Ｒ２９、Ａｒ２、Ａｒ１２およびＱ１は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、シアノ基、置換もしくは非置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２〜３０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２〜３０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換もしくは非置換の炭素数１〜３０のアルキルチオ基、置換もしくは非置換の炭素数５〜３０のアリール基、置換もしくは非置換の炭素数４〜３０のヘテロアリール基、または−Ｎ（Ｑ２）（Ｑ３）で表される基であり、
前記Ｑ２およびＱ３は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、シアノ基、置換もしくは非置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２〜３０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２〜３０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換もしくは非置換の炭素数１〜３０のアルキルチオ基、置換もしくは非置換の炭素数５〜３０のアリール基、または置換もしくは非置換の炭素数４〜３０のヘテロアリール基であり、
この際、前記−（Ａｒ１）ｎ−のうち、ｎ個のＡｒ１は互いに同じであるか異なり、前記−（Ａｒ１１）ｍ−のうち、ｍ個のＡｒ１１は互いに同じであるか異なり、前記−（Ｌ１）ａ−のうち、ａ個のＬ１は互いに同じであるか異なり、−（Ｌ１１）ｂ−のうち、ｂ個のＬ１１は互いに同じであるか異なる。
【請求項１８】
前記Ａｒ１およびＡｒ１１は、互いに独立して、炭素数１〜１０のアルキレン基、フェニレン基、ナフチレン基、アントリレン基、フルオレニレン基、カルバゾリレン基、ピラゾリレン基、ピリジニレン基、トリアジニレン基、−Ｎ（Ｑ１）−で表される基、またはハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、フェニル基、ナフチル基、およびアントリル基からなる群より選択される１つ以上の置換基で置換された炭素数１〜１０のアルキレン基、フェニレン基、ナフチレン基、アントリレン基、フルオレニレン基、カルバゾリレン基、ピラゾリレン基、ピリジニレン基、もしくはトリアジニレン基であり、
この際、前記Ｑ１は、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、カルバゾリル基、フルオレニル基、またはハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、フェニル基、ナフチル基、およびアントリル基からなる群より選択される１つ以上の置換基で置換された炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、フェニル基、ナフチル基、カルバゾリル基、もしくはフルオレニル基である、請求項１７に記載の有機発光素子。
【請求項１９】
前記Ａｒ２およびＡｒ１２は、互いに独立して、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、カルバゾリル基、フルオレニル基、ピレニル基、−Ｎ（Ｑ２）（Ｑ３）で表される基、またはハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、フェニル基、ナフチル基、およびアントリル基からなる群より選択される１つ以上の置換基で置換された炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、フェニル基、ナフチル基、カルバゾリル基、フルオレニル基もしくはピレニル基であり、
この際、前記Ｑ２およびＱ３は、互いに独立して、水素原子、メチル基、エチル基、フェニル基、メチルフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、またはメチルナフチル基である、請求項１６または１７に記載の有機発光素子。
【請求項２０】
前記ｎおよびｍが、互いに独立して、０、１、２、３、４、５または６である、請求項１７〜１９のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項２１】
前記第１層中のシアノ基含有化合物の含量が、前記第１層１００質量部当り０．１〜２０質量部である、請求項１５〜２０のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項２２】
前記第１層の厚さが１〜２１０ｎｍである、請求項１〜２１のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項２３】
前記第１層と前記発光層との距離は、５ｎｍ以上である、請求項１〜２２のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項２４】
前記第１層と前記発光層との間に正孔注入層および正孔輸送層からなる群より選択される１つ以上の層がさらに含まれる、請求項１〜２３のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項２５】
前記Ａｌ系反射膜がＡｌｘＮｉ相（ここで、ｘは２．５〜３．５である）を含む、請求項１〜２４のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項２６】
前記ＡｌｘＮｉ相（ここで、ｘは２．５〜３．５である）が、前記透明導電性膜と接触している、請求項１〜２５のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項２７】
前記ｘが３である、請求項２６に記載の有機発光素子。
【請求項２８】
前記Ａｌ系反射膜中のＮｉの含量が、前記Ａｌ系反射膜全体の質量を１００質量％として０．６〜５質量％である、請求項１〜２７のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項２９】
前記第１元素がＬａを含む、請求項１〜２８のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項３０】
前記Ａｌ系反射膜中の前記第１元素の含量が、前記Ａｌ系反射膜全体の質量を１００質量％として０．１〜３質量％である、請求項１〜２９のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項３１】
前記透明導電性膜がＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）または酸化錫（ＳｎＯ２）から形成される、請求項１〜３０のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｅｖｉｃｅ）は、自発光型素子であって、視野角が広く、コントラストに優れるだけでなく、応答時間が速く、輝度、駆動電圧および応答速度特性に優れて、多色化が可能であるという長所を有している。
【０００３】
一般的な有機発光素子は、基板上にアノードが形成されており、このアノード上に正孔輸送層、発光層、電子輸送層およびカソードが順次に形成されている構造を有することができる。ここで、正孔輸送層、発光層および電子輸送層は、有機化合物からなる有機薄膜である。
【０００４】
前述したような構造を有する有機発光素子の駆動原理は、次の通りである。
【０００５】
前記アノードとカソードとの間に電圧を印加すれば、アノードから注入された正孔は、正孔輸送層を経て発光層に移動し、カソードから注入された電子は、電子輸送層を経て発光層に移動する。前記正孔および電子などのキャリアは、発光層領域で再結合して励起子を生成する。この励起子が、励起状態から基底状態に変わりつつ、光が生成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】韓国特許公開第２００５−００９７６７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明が解決しようとする課題は、駆動電圧特性および電力効率特性が向上した有機発光素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するために、本発明は、基板と、前記基板上の第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される発光層を含む有機膜と、を含み、前記第１電極は、第１元素およびＮｉを含むＡｌ系反射膜と、透明導電性膜と、を含み、前記第１元素は、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、ガドリウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）からなる群より選択される少なくとも１種の元素であり、前記Ａｌ系反射膜および前記透明導電性膜は、前記基板から順次に積層されており、前記第１電極と前記発光層との間にシアノ基含有化合物を含む第１層を具備する有機発光素子を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、有機発光素子の駆動電圧特性および電力効率特性が改善される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態による有機発光素子の構造を示す断面概略図である。
【図２Ａ】本発明の一実施形態によるＡｌ系反射膜の断面を観察した写真である。
【図２Ｂ】図２ＡのＡｌ系反射膜のＨＡＡＤＦ−ＳＴＥＭ（Ｈｉｇｈ−Ａｎｇｌｅ−Ａｎｎｕｌａｒ−Ｄａｒｋ−Ｆｉｅｌｄ−Ｓｃａｎｎｉｎｇ−Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ−Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真である。
【図２Ｃ】図２Ａに示す断面における、異常成長結晶粒の成分分析の結果を示す図である。
【図３】本発明の他の実施形態による第１電極の断面を観察した写真である。
【図４】本発明の他の実施形態による有機発光素子の構造を示す断面概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付した図面に基づいて本発明を詳細に説明する。
【００１２】
図１は、本発明の一実施形態による有機発光素子１０の構造を示す断面概略図である。有機発光素子１０は、基板１、第１電極５、シアノ基含有化合物を含む第１層６、有機膜７、および第２電極９が順次に積層された構造を有する。前記第１電極５は、第１元素およびＮｉを含むＡｌ系反射膜５ａおよび透明導電性膜５ｂを含むが、前記Ａｌ系反射膜５ａと前記透明導電性膜５ｂとは、前記基板１から順次に積層されている。
【００１３】
前記基板１としては、通常の有機発光素子で使われる基板を使用できるが、機械的強度、熱安定性、透明性、表面平滑性、取扱容易性および防水性に優れたガラス基板または透明プラスチック基板が好ましい。
【００１４】
前記基板１上には、第１元素およびＮｉを含むＡｌ系反射膜５ａが形成されている。前記第１元素は、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕからなる群より選択される少なくとも１種の元素である。
【００１５】
前記Ａｌ系反射膜５ａは、反射率が高く、有機発光素子の光効率を改善しうる。また、前記Ａｌ系反射膜５ａは、Ａｌの特性上、熱安定性が高く、高温の製造工程に曝されても、耐久性に優れる。それだけでなく、前記Ａｌ系反射膜５ａは、これと隣接して形成される無機層または有機層との接着特性も優秀である。したがって、実質的にＡｌ系反射膜およびＩＴＯ透明導電性膜は互いに分離されない。
【００１６】
前記Ａｌ系反射膜５ａ上には、透明導電性膜５ｂがＡｌ系反射膜５ａと接触して形成されているが、前記Ａｌ系反射膜５ａと透明導電性膜５ｂとの間には、電位差によるガルバニック腐食現象が実質的に起こらない。
【００１７】
ガルバニック（Ｇａｌｖａｎｉｃ）腐食は、互いに異なる種類の二つの金属が近接している時、その二つの金属の電位差によって電圧が発生して電流が流れ、電気が発生する現象である。このように電気的に接触している互いに異なる金属は、界面での仕事関数の差により活性の大きい（低い電位の）金属が正極として作用し、相対的に活性の低い（高い電位の）金属が負極として作用する。この際、前記二つの金属が腐食性溶液に曝される時、金属間の電位差によって両金属で腐食が発生する現象をガルバニック腐食（Ｇａｌｖａｎｉｃ  Ｃｏｒｒｏｓｉｏｎ）といい、活性の大きな正極は、単独で存在する時よりも速い速度で腐食され、活性の低い負極は、遅い速度で腐食が進行する。このようなガルバニック腐食の現象が互いに異なる物質からなる２層の電極層間の界面に沿って広がれば、電極間のコンタクト抵抗が急激に上昇して、非常に不安定な抵抗分布を示しうる。これにより、２層の電極層を具備した有機発光素子の駆動時、画素間の色の具現が、一部は明るく、一部は暗く具現されるなどの輝度が不均一となる現象が発生して、具現される画面の品質が大きく低下するなど、ガルバニック腐食は、有機発光素子の品質低下の一要因になりうる。
【００１８】
しかし、前記Ａｌ系反射膜５ａは、後述するような第１元素を含むため、前述したようなガルバニック腐食は、前記Ａｌ系反射膜５ａと透明導電性膜５ｂとの間で実質的に発生しない。したがって、本発明の一実施形態に係る有機発光素子は、品質の向上が見られる。
【００１９】
前記Ａｌ系反射膜５ａは、Ｎｉを含む。その結果、前記Ａｌ系反射膜５ａは、ＡｌｘＮｉ相（ｐｈａｓｅ）（ここで、ｘは２．５〜３．５である）を含みうる。ｘは、前記範囲内で多様に変化しうる。
【００２０】
図２Ａは、Ｔｉ層（Ｂ層）上に形成されており、２質量％のＮｉおよび０．３５質量％のＬａを含むＡｌ系反射膜（Ａ層）の断面を観察したＴＥＭ写真であり、図２Ｂは、図２Ａに示されたＡｌ系反射膜のＨＡＡＤＦ−ＳＴＥＭ（Ｈｉｇｈ−Ａｎｇｌｅ−Ａｎｎｕｌａｒ−Ｄａｒｋ−Ｆｉｅｌｄ−Ｓｃａｎｎｉｎｇ−Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ−Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ））写真であり、図２Ｃは、図２Ａのうち、灰色球状塊りとして観察される異常成長結晶粒（第１測定地点および第２測定地点）をＥＤＳ半定量法で分析した結果を示す図である。これにより、図２Ａの異常成長結晶粒には、ＡｌとＮｉとが、Ａｌ（Ｋ）：Ｎｉ（Ｋ）＝７３：２７（原子％基準）の割合で存在するところ、前記Ａｌ系反射膜は、ＡｌｘＮｉ（ここで、ｘは約３である）と推定される相を含むことを確認することができる。
【００２１】
前記ＡｌｘＮｉ相（ｐｈａｓｅ）（ここで、ｘは、２．５〜３．５）は、前記透明導電性膜５ｂと接触しうる。
【００２２】
一方、Ａｌ系反射膜５ａの透明導電性膜５ｂの側の面には、ニッケルリッチ酸化物層（Ｎｉ  ｒｉｃｈ  ｏｘｉｄｅ  ｌａｙｅｒ）が存在しうる。
【００２３】
図３は、通常のＴＦＴ基板上に２質量％のＮｉおよび０．３５質量％のＬａを含むＡｌ系反射膜（図３のＣの領域）を形成した後、前記Ａｌ系反射膜上にＩＴＯ透明導電性膜（図３のＤの領域）を形成し、基板、Ａｌ系反射膜およびＩＴＯ透明導電性膜からなる構造物の断面を観察したＴＥＭ写真である。図３のうち、斜めの線で表されているＡｌ系反射膜とＩＴＯ導電膜との間の白色のライン（図３のＥで表されているライン）の一部は、ニッケルリッチ酸化物層（Ｎｉ  ｒｉｃｈ  ｏｘｉｄｅ  ｌａｙｅｒ）であって、その厚さは、約７〜８ｎｍと観察されうる。
【００２４】
前述したようなＡｌｘＮｉ相（ｐｈａｓｅ）（ここで、ｘは２．５〜３．５）および／またはニッケルリッチ酸化物層（Ｎｉ  ｒｉｃｈ  ｏｘｉｄｅ  ｌａｙｅｒ）によって、Ａｌ系反射膜５ａと透明導電性膜５ｂとの間は、オーム接触（ｏｈｍｎ  Ｃｏｎｔａｃｔ）が可能である。
【００２５】
前記Ａｌ系反射膜５ａ中のＮｉの含量は、Ａｌ系反射膜全体の質量を１００質量％として、好ましくは０．６〜５質量％、より好ましくは１〜４質量％である。本発明による有機発光素子の一実施形態によれば、前記Ｎｉの含量は２質量％でありうる。前記Ａｌ系反射膜５ａのうち、Ｎｉの含量が０．６質量％以上である場合、Ａｌ系反射膜５ａと透明導電性膜５ｂとの間のコンタクト抵抗安定性が向上し、前記Ａｌ系反射膜５ａのうち、Ｎｉの含量が５質量％以下である場合、Ａｌ系反射膜５ａの反射率および耐化学性が実質的に低下しない。前記Ｎｉの含量範囲は、例示的な範囲であって、これに限定されるものではない。
【００２６】
前記Ａｌ系反射膜５ａは、前述したような役割を果たすＮｉ以外に、第１元素を含む。前記第１元素は、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む。
【００２７】
前記Ａｌ系反射膜５ａが前述したような第１元素を含むことによって、熱安定性が改善され、ガルバニック腐食が抑制されうる。例えば、前記第１元素は、Ｌａを含むことができるが、これに限定されるものではない。
【００２８】
前記Ａｌ系反射膜５ａ中の前記第１元素の含量は、Ａｌ系反射膜全体の質量を１００質量％として、好ましくは０．１〜３質量％、より好ましくは、０．１〜１質量％である。前記第１元素の含量が０．１質量％以上であれば、Ａｌ系反射膜５ａ中の、Ａｌの熱安定性が実質的に低下せず、前記第１元素の含量が３質量％以下である場合、反射率低下などの問題が実質的に防止されうる。前記第１元素の含量範囲は、例示的な範囲であって、これに限定されるものではない。さらに好ましくは、前記第１元素の含量は、０．３〜０．３５質量％であるが、これに限定されるものではない。
【００２９】
前記Ａｌ系反射膜５ａの厚さは、好ましくは５０ｎｍ以上、より好ましくは１００〜５００ｎｍである。前記Ａｌ系反射膜５ａの厚さが５０ｎｍ以上である場合、有機層で生成された光が、Ａｌ系反射膜５ａを通じて透過されて光効率が低下する問題が実質的に防止されうる。
【００３０】
前記透明導電性膜５ｂの材料の具体例としては、透明かつ導電性を有する金属酸化物が挙げられる。その例としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、または酸化錫（ＳｎＯ２）が挙げられるが、これらに限定されるものではない。例えば、透明導電性膜５ｂはＩＴＯから形成される。
【００３１】
前記透明導電性膜５ｂの厚さは、好ましくは５〜１００ｎｍ、より好ましくは７〜８０ｎｍである。前記透明導電性膜５ｂの厚さが前述したような範囲を満たす場合、Ａｌ系反射膜の反射率低下を最小化させつつも有機発光素子の効率が向上しうる。
【００３２】
前記透明導電性膜５ｂ上には、シアノ基含有化合物を含む第１層６が備わっている。前記第１層６に含まれるシアノ基含有化合物は、２つの１電子還元形態を有するので、安定したラジカルが生成可能な、拡張されたπ−電子系を有する（例えば、サイクリックボルタンメトリー（ｃｙｃｌｉｃ  ｖｏｌｔａｍｍｅｔｒｙ）で確認可能）。したがって、このような第１層６によって、前記第１電極５から前記有機膜７への正孔注入障壁が低くなり、前記第１電極５から前記有機膜７への正孔注入が容易になりうる。これにより、駆動電圧特性および電力効率特性が向上した有機発光素子を具現することができる。
【００３３】
前記第１層６に含まれるシアノ基含有化合物は、下記化学式１〜２０で表される化合物からなる群より選択される少なくとも１種の化合物であることが好ましい。
【００３４】
【化１】
2014239048.tif 000003
【００３５】
【化２】
2014239048.tif 000004
【００３６】
【化３】
2014239048.tif 000005
【００３７】
【化４】
2014239048.tif 000006
【００３８】
【化５】
2014239048.tif 000007
【００３９】
【化６】
2014239048.tif 000008
【００４０】
【化７】
2014239048.tif 000009
【００４１】
前記化学式１〜２０中、Ｘ１〜Ｘ４は、互いに独立して、下記化学式３０Ａ〜３０Ｄで表される基からなる群より選択される基であり、
【００４２】
【化８】
2014239048.tif 000010
【００４３】
Ｙ１〜Ｙ８は、互いに独立して、窒素原子または＝Ｃ（Ｒ１０３）−で表される基であり、
Ｚ１〜Ｚ４は、互いに独立して、炭素原子または窒素原子であり、
Ａ１およびＡ２は、互いに独立して、酸素原子、硫黄原子、−Ｎ（Ｒ１０４）−で表される基、または−Ｃ（Ｒ１０５）（Ｒ１０６）−で表される基であり、
Ｑ１０１およびＱ１０２は、互いに独立して、炭素数２〜１０のアルキレン基、炭素数２〜１０のアルケニレン基、またはハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、炭素数１〜１０のアルキル基および炭素数１〜１０のアルコキシ基からなる群より選択される１つ以上の置換基で置換された炭素数２〜１０のアルキレン基もしくは炭素数２〜１０のアルケニレン基であり、
Ｔ１およびＴ２は、互いに独立して、炭素数５〜３０の芳香族環システム、炭素数２〜３０のヘテロ芳香族環システム、またはハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、炭素数１〜１０のアルキル基および炭素数１〜１０のアルコキシ基からなる群より選択される１つ以上の置換基で置換された炭素数５〜３０の芳香族環システムもしくは炭素数２〜３０のヘテロ芳香族環システムであり、
ｐは１〜１０の整数であり、
ｑは０〜１０の整数であり、；
Ｒ１０１〜Ｒ１０６は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、下記化学式１０１で表される基、下記化学式１０２で表される基、−Ｎ（Ｒ１０７）（Ｒ１０８）で表される基、またはハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、炭素数５〜１４のアリール基、炭素数２〜１４のヘテロアリール基からなる群より選択される１つ以上の置換基で置換された炭素数１〜１０のアルキル基もしくは炭素数１〜１０のアルコキシ基であり、
【００４４】
【化９】
2014239048.tif 000011
【００４５】
この際、前記Ｒ１０７およびＲ１０８は、互いに独立して、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、フェニル基またはビフェニル基であり、
Ｌ１０１は、炭素数５〜１４のアリーレン基、炭素数５〜１４のヘテロアリーレン基、またはハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、炭素数１〜１０のアルキル基および炭素数１〜１０のアルコキシ基からなる群より選択される１つ以上の置換基で置換された炭素数１〜１０のアルケニレン基、炭素数５〜１４のアリーレン基、もしくは炭素数５〜１４のヘテロアリーレン基である。
【００４６】
例えば、前記化学式１〜２０中の、Ｘ１〜Ｘ４は、互いに独立して、前記化学式３０Ａで表される基または前記化学式３０Ｄで表される基であることが好ましい。
【００４７】
例えば、前記化学式１〜２０中の、Ｙ１〜Ｙ８で用いられうるＣ（Ｒ１０３）中のＲ１０３は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、−Ｎ（Ｒ１０７）（Ｒ１０８）で表される基、またはハロゲン原子、シアノ基、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピリジニル基、チオフェニル基、およびベンゾチオフェニル基からなる群より選択される１つ以上の置換基で置換された炭素数１〜１０のアルキル基もしくは炭素数１〜１０のアルコキシ基であり、この際、前記Ｒ１０７およびＲ１０８は、互いに独立して、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、フェニル基またはビフェニル基である。
【００４８】
具体的に、前記Ｒ１０３は、水素原子、フッ素原子、シアノ基、メチル基、エチル基、プロピル基、エテニル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、フェニル基で置換されたメチル基、フェニル基で置換されたプロピル基、または−Ｎ（ビフェニル基）（ビフェニル基）であることが好ましいが、これらに限定されるものではない。
【００４９】
前記化学式１および２中の、前記Ｒ１０１およびＲ１０２は、互いに独立して、シアノ基、下記化学式１０１で表される基、または下記化学式１０２で表される基であることが好ましいが、これらに限定されるものではない。
【００５０】
【化１０】
2014239048.tif 000012
【００５１】
前記化学式１〜２０中の、前記Ａ１およびＡ２は、互いに独立して、硫黄原子であることが好ましいが、これに限定されるものではない。
【００５２】
前記化学式２０中の、Ｑ１０１およびＱ１０２は、互いに独立して、エチレン基、プロピレン基、エテニレン基、プロペニレン基、またはハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基からなる群より選択される１つ以上の置換基で置換されたエチレン基、プロピレン基、エテニレン基もしくはプロペニレン基である。好ましくは、前記Ｑ１０１およびＱ１０２は、互いに独立して、エチレン基、エテニレン基、フッ素原子、およびシアノ基からなる群より選択される１つ以上の置換基で置換されたエチレン基またはエテニレン基であるが、これらに限定されるものではない。
【００５３】
前記化学式１〜２０中の、Ｔ１およびＴ２は、Ｚ１およびＺ２またはＺ３およびＺ４を構成元素として有する炭素数５〜３０の芳香族環システム、炭素数２〜３０のヘテロ芳香族環システム、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、炭素数１〜１０のアルキル基および炭素数１〜１０のアルコキシ基からなる群より選択される１つ以上の置換基で置換された炭素数５〜３０の芳香族環システム、またはハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、炭素数１〜１０のアルキル基および炭素数１〜１０のアルコキシ基からなる群から選択される１つ以上の置換基で置換された炭素数２〜３０のヘテロ芳香族環システムであって、上記化学式からわかるように、上記化学式の中心バックボーン（ｂａｃｋｂｏｎｅ）と一部以上の位置で縮合されている。
【００５４】
前記炭素数５〜３０の芳香族環システムは、１つ以上の芳香族環を含む炭素原子数５〜３０個のカルボ環芳香族システムを示すものであって、ここで、前記“システム”という用語は、前記炭素数５〜３０の芳香族環システムが多環構造も含むことを表すために使用したものである。前記炭素数５〜３０の芳香族環システムが２以上の芳香族環を含む場合、前記２以上の芳香族環は、互いに縮合されうる。一方、前記炭素数２〜３０のヘテロ芳香族環システムは、窒素原子（Ｎ）、酸素原子（Ｏ）、リン原子（Ｐ）および硫黄原子（Ｓ）からなる群より選択される１個以上のヘテロ原子を含み、残りの環原子がＣである１つ以上のヘテロ芳香族環を含む炭素数２〜３０のカルボ環芳香族システムを示すものであって、前記炭素数２〜３０ヘテロ芳香族環システムがヘテロ芳香族環以外に、１つ以上の芳香族環および／またはヘテロ芳香族環をさらに含む場合、これらは互いに縮合されうる。
【００５５】
炭素数５〜３０の芳香環基の具体例としては、例えば、ベンゼン環、ペンタレン（ｐｅｎｔａｌｅｎｅ）環、インデン（ｉｎｄｅｎｅ）環、ナフタレン（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ）環、アズレン（ａｚｕｌｅｎｅ）環、ヘプタレン（ｈｅｐｔａｌｅｎｅ）環、インダセン（ｉｎｄａｃｅｎｅ）環、アセナフタレン（ａｃｅｎａｐｈｔｈｙｌｅｎｅ）環、フルオレン（ｆｌｕｏｒｅｎｅ）環、フェナレン（ｐｈｅｎａｌｅｎｅ）環、フェナントレン（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｅｎｅ）環、アントラセン（ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）環、フルオランテン（ｆｌｕｏｒａｎｔｈｅｎｅ）環、トリフェニレン（ｔｒｉｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）環、ピレン（ｐｙｒｅｎｅ）環、クリセン（ｃｈｒｙｓｅｎｅ）環、ナフタセン（ｎａｐｈｔｈａｃｅｎｅ）環、ピセン（ｐｉｃｅｎｅ）環、ペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）環、ペンタフェン（ｐｅｎｔａｐｈｅｎｅ）環、およびヘキサセン（ｈｅｘａｃｅｎｅ）などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００５６】
前記炭素数２〜３０のヘテロ芳香族環システムの具体例としては、ピロール（ｐｙｒｒｏｌｅ）環、ピラゾール（ｐｙｒａｚｏｌｅ）環、イミダゾール（ｉｍｉｄａｚｏｌｅ）環、イミダゾリン（ｉｍｉｄａｚｏｌｉｎｅ）環、ピリジン（ｐｙｒｉｄｉｎｅ）環、ピラジン（ｐｙｒａｚｉｎｅ）環、ピリミジン（ｐｙｒｉｍｉｄｉｎｅ）環、インドール（ｉｎｄｏｌｅ）環、プリン（ｐｕｒｉｎｅ）環、キノリン（ｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）環、フタラジン（ｐｈｔｈａｌａｚｉｎｅ）環、インドリジン（ｉｎｄｏｌｉｚｉｎｅ）環、ナフチリジン（ｎａｐｈｔｈｙｒｉｄｉｎｅ）環、キナゾリン（ｑｕｉｎａｚｏｌｉｎｅ）環、シノリン（ｃｉｎｎｏｌｉｎｅ）環、インダゾール（ｉｎｄａｚｏｌｅ）環、カルバゾール（ｃａｒｂａｚｏｌｅ）環、フェナジン（ｐｈｅｎａｚｉｎｅ）環、フェナントリジン（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｉｄｉｎｅ）環、ピラン（ｐｙｒａｎ）環、クロメン（ｃｈｒｏｍｅｎｅ）環、ベンゾフラン（ｂｅｎｚｏｆｕｒａｎ）環、チオフェン（ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）環、ベンゾチオフェン（ｂｅｎｚｏｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）環、イソチアゾール（ｉｓｏｔｈｉａｚｏｌｅ）環、イソキサゾール（ｉｓｏｘａｚｏｌｅ）環、チアジアゾール（ｔｈｉａｄｉａｚｏｌｅ）環、およびオキサジアゾール（ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ）環などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００５７】
好ましくは、前記化学式１〜２０中の、Ｔ１およびＴ２は、互いに独立して、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、チオフェン環、チアジアゾール環、オキサジアゾール環、またはハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜１０のアルキル基、および炭素数１〜１０のアルコキシ基からなる群より選択される１つ以上の置換基で置換されたベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、チオフェン環、チアジアゾール環、もしくはオキサジアゾール環であるが、これらに限定されるものではない。
【００５８】
前記化学式１〜２０中の、ｐは好ましくは１であるが、これに限定されるものではない。また、ｑは好ましくは０、１または２であるが、これらに限定されるものではない。より好ましくは、化学式３中の、ｑが０である場合、前記化学式３で表される化合物は、後述する化学式３Ａで表される化合物である。
【００５９】
前記化学式２中の、Ｌ１０１は、炭素数５〜１４のアリーレン基、炭素数５〜１４のヘテロアリーレン基、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、炭素数１〜１０のアルキル基および炭素数１〜１０のアルコキシ基からなる群より選択される１つ以上の置換基で置換された炭素数５〜１４のアリーレン基、またはハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、炭素数１〜１０のアルキル基および炭素数１〜１０のアルコキシ基からなる群より選択される１つ以上の置換基で置換された炭素数５〜１４のヘテロアリーレン基である。好ましくは、前記Ｌ１０１は、チオフェニレン基、ベンゾチオフェニレン基、またはハロゲン原子、シアノ基および炭素数１〜１０のアルキル基からなる群より選択される１つ以上の置換基で置換されたチオフェニレン基もしくはベンゾチオフェニレン基であるが、これらに限定されるものではない。
【００６０】
本発明の一実施形態に係る有機発光素子の第１層のうち、前記シアノ基含有化合物は、下記化学式１Ａ〜２０Ｂで表される化合物〜なる群より選択される少なくとも１種の化合物であることが好ましいが、これらに限定されるものではない。
【００６１】
【化１１】
2014239048.tif 000013
【００６２】
【化１２】
2014239048.tif 000014
【００６３】
【化１３】
2014239048.tif 000015
【００６４】
前記化学式１Ａ〜２０Ｂ中のＲ１０３およびＲ１０９は、互いに独立して、水素原子、フッ素原子、シアノ基、メチル基、エチル基、プロピル基、メトキシ基、エトキシ基、またはプロポキシ基である。
【００６５】
本発明の他の実施形態に係る有機発光素子のうち、第１層６に含まれるシアノ基含有化合物は、前記化学式２０Ａで表される化合物または前記化学式２０Ｂで表される化合物であることが好ましい。ここで、前記化学式２０Ａまたは前記化学式２０Ｂ中の、Ｒ１０３およびＲ１０９は、いずれもフッ素原子であることが好ましい。
【００６６】
前記第１層６は、前述したようなシアノ基含有化合物以外に、正孔輸送性化合物をさらに含みうる。前記シアノ基含有化合物は、前記正孔輸送層化合物と電荷移動錯体（ｃｈａｒｇｅ  ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｃｏｍｐｌｅｘ）を形成することによって、自由キャリア（ｆｒｅｅ  ｃａｒｒｉｅｒ）濃度が高まりうるので、第１電極５と有機膜７との界面抵抗低減に寄与しうる。
【００６７】
前記正孔輸送性化合物としては、公知の材料を使用しうる。
【００６８】
または、前記正孔輸送層化合物としては、下記化学式４１およびまたは下記化学式４２で表される化合物が好ましい。
【００６９】
【化１４】
2014239048.tif 000016
【００７０】
【化１５】
2014239048.tif 000017
【００７１】
前記化学式４１および４２中、
Ｒ１０は−（Ａｒ１）ｎ−Ａｒ２−で表される基であり、
Ｒ１６は−（Ａｒ１１）ｍ−Ａｒ１２で表される基であり、
Ａｒ１、Ａｒ１１、Ｌ１およびＬ１１は、互いに独立して、置換もしくは非置換の炭素数１〜３０のアルキレン基、置換もしくは非置換の炭素数２〜３０のアルケニレン基、置換もしくは非置換の炭素数５〜３０のアリーレン基、置換もしくは非置換の炭素数４〜３０のヘテロアリーレン基、または−Ｎ（Ｑ１）−で表される基であり、
ｎ、ｍ、ａおよびｂは、互いに独立して、０〜１０の整数であり、
前記Ｒ１〜Ｒ３、Ｒ１１〜Ｒ１５、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ２１〜Ｒ２９、Ａｒ２、Ａｒ１２およびＱ１は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、シアノ基、置換もしくは非置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２〜３０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２〜３０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換もしくは非置換の炭素数１〜３０のアルキルチオ基、置換もしくは非置換の炭素数５〜３０のアリール基、置換もしくは非置換の炭素数４〜３０のヘテロアリール基、または−Ｎ（Ｑ２）（Ｑ３）で表される基基であり、
前記Ｑ２およびＱ３は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、シアノ基、置換もしくは非置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２〜３０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２〜３０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換もしくは非置換の炭素数１〜３０のアルキルチオ基、置換もしくは非置換の炭素数５〜３０のアリール基、または置換もしくは非置換の炭素数４〜３０のヘテロアリール基であり、
前記−（Ａｒ１）ｎ−のうち、ｎ個のＡｒ１は、互いに同じであるか異なり、前記−（Ａｒ１１）ｍ−のうち、ｍ個のＡｒ１１は、互いに同じであるか異なり、前記−（Ｌ１）ａ−のうち、ａ個のＬ１は、互いに同じか異なり、−（Ｌ１１）ｂ−のうち、ｂ個のＬ１１は、互いに同じであるか異なる。
【００７２】
前記Ｒ１０で用いられる−（Ａｒ１）ｎ−Ａｒ２−およびＲ１６で用いられる−（Ａｒ１１）ｍ−Ａｒ１２−のうち、Ａｒ１およびＡｒ１１の具体例としては、置換または非置換の炭素数１〜１０のアルキレン基、置換または非置換の炭素数２〜１０のアルケニレン基、置換または非置換のフェニレン基、置換または非置換のペンタレニレン基（ｐｅｎｔａｌｅｎｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のインデニレン基（ｉｎｄｅｎｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のナフチレン基（ｎａｐｈｔｈｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のアズレニレン基（ａｚｕｌｅｎｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のヘプタレニレン基（ｈｅｐｔａｌｅｎｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のインダセニレン基（ｉｎｄａｃｅｎｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のアセナフタレン基（ａｃｅｎａｐｈｔｈｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のフルオレニレン基（ｆｌｕｏｒｅｎｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のフェナレニレン基（ｐｈｅｎａｌｅｎｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のフェナントレニレン基（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｅｎｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のアントラセニレン基（ａｎｔｈｒａｃｅｎｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のフルオランテニレン基（ｆｌｕｏｒａｎｔｈｅｎｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のトリフェニレニレン基（ｔｒｉｐｈｅｎｙｌｅｎｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のピレニレン基（ｐｙｒｅｎｙｌｅｎｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のクリセニレン基（ｃｈｒｙｓｅｎｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のナフタセニレン基（ｎａｐｈｔｈａｃｅｎｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のピセニレン基（ｐｉｃｅｎｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のペリレニレン基（ｐｅｒｙｌｅｎｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のペンタフェニレン基（ｐｅｎｔａｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のヘキサセニレン基（ｈｅｘａｃｅｎｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のピロリレン基（ｐｙｒｒｏｌｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のピラゾリレン基（ｐｙｒａｚｏｌｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のイミダゾリレン基（ｉｍｉｄａｚｏｌｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のイミダゾリニレン基（ｉｍｉｄａｚｏｌｉｎｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のイミダゾピリジニレン基（ｉｍｉｄａｚｏｐｙｒｉｄｉｎｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のイミダゾピリミジニレン基（ｉｍｉｄａｚｏｐｙｒｉｍｉｄｉｎｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のピリジニレン基（ｐｙｒｉｄｉｎｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のピラジニレン基（ｐｙｒａｚｉｎｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のピリミジニレン基（ｐｙｒｉｍｉｄｉｎｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のインドリレン基（ｉｎｄｏｌｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のプリニレン基（ｐｕｒｉｎｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のキノリニレン基（ｑｕｉｎｏｌｉｎｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のフタラジニレン基（ｐｈｔｈａｌａｚｉｎｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のインドリジニレン基（ｉｎｄｏｌｉｚｉｎｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のナフチリジニレン基（ｎａｐｈｔｈｙｒｉｄｉｎｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のキナゾリニレン基（ｑｕｉｎａｚｏｌｉｎｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のシノリニレン基（ｃｉｎｎｏｌｉｎｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のインダゾリレン基（ｉｎｄａｚｏｌｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のカルバゾリレン基（ｃａｒｂａｚｏｌｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のフェナジニレン基（ｐｈｅｎａｚｉｎｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のフェナントリジニレン基（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｉｄｉｎｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のピラニレン基（ｐｙｒａｎｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のクロクロメニレン基（ｃｈｒｏｍｅｎｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のベンゾフラニレン基（ｂｅｎｚｏｆｕｒａｎｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のチオフェニレン基（ｔｈｉｏｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のベンゾチオフェニレン基（ｂｅｎｚｏｔｈｉｏｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のイソチアゾリレン基（ｉｓｏｔｈｉａｚｏｌｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のベンゾイミダゾリレン基（ｂｅｎｚｏｉｍｉｄａｚｏｌｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のイソキサゾリレン基（ｉｓｏｘａｚｏｌｙｌｅｎｅ）、置換または非置換のトリアジニレン基、−Ｎ（Ｑ１）−で表される基などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。ここで、前記Ｑ１は、好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、シアノ基、置換もしくは非置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２〜１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２〜１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１〜１０のアルコキシ基、置換もしくは非置換の炭素数１〜１０のアルキルチオ基、置換もしくは非置換の炭素数５〜１４のアリール基、置換もしくは非置換の炭素数４〜１４のヘテロアリール基または−Ｎ（Ｑ２）（Ｑ３）で表される基であるが、これらに限定されるものではない。
【００７３】
好ましくは、前記Ａｒ１およびＡｒ１１は、互いに独立して、炭素数１〜１０のアルキレン基、フェニレン基、ナフチレン基、アントリレン基、フルオレニレン基、カルバゾリレン基、ピラゾリレン基、ピリジニレン基、トリアジニレン基、−Ｎ（Ｑ１）−で表される基、またはハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、フェニル基、ナフチル基、およびアントリル基からなる群より選択された１つ以上の置換基で置換された炭素数１〜１０のアルキレン基、フェニレン基、ナフチレン基、アントリレン基、フルオレニレン基、カルバゾリレン基、ピラゾリレン基、ピリジニレン基、もしくはトリアジニレン基であるが、これらに限定されるものではない。ここで、前記Ｑ１は、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、フェニル基、ナフチル基、カルバゾリル基、フルオレニル基、ピレニル基、またはハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、フェニル基、ナフチル基、およびアントリル基からなる群より選択される１つ以上の置換基で置換された炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、フェニル基、ナフチル基、カルバゾリル基、もしくはフルオレニル基であるが、これらに限定されるものではない。
【００７４】
前記Ａｒ２およびＡｒ１２は、互いに独立して、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、カルバゾリル基、フルオレニル基、ピレニル基、−Ｎ（Ｑ２）（Ｑ３）で表される基、またはハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、フェニル基、ナフチル基、およびアントリル基からなる群より選択される１つ以上の置換基で置換された炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、フェニル基、ナフチル基、カルバゾリル基、フルオレニル基、もしくはピレニル基であり、この際、前記Ｑ２およびＱ３は、互いに独立して、水素原子、メチル基、エチル基、フェニル基、メチルフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、またはメチルナフチル基である。
【００７５】
前記−（Ａｒ１）ｎ−Ａｒ２−および−（Ａｒ１１）ｍ−Ａｒ１２−のうち、ｎおよびｍは、互いに独立して、０〜１０の整数である。前記ｎおよびｍは、好ましくは、互いに独立して、０、１、２、３、４、５、または６であるが、これらに限定されるものではない。
【００７６】
前記−（Ａｒ１）ｎ−Ａｒ２−の−（Ａｒ１）ｎ−のうち、ｎ個のＡｒ１は、互いに同じであるか異なる。例えば、ｎが２である場合、−（Ａｒ１）ｎ−のうち、２個のＡｒ１はいずれもフェニレン基であるか、または１つのＡｒ１は、−Ｎ（Ｑ１）−であり、残りの他のＡｒ１は、フェニレン基であり得るなど、多様な変形例が可能である。前記−（Ａｒ１１）ｍ−Ａｒ１２−も、これと同様である。
【００７７】
好ましくは、前記Ｒ１３は、フェニル基、ナフチル基、またはアントリル基であるが、これらに限定されるものではない。
【００７８】
好ましくは、前記Ｒ２８およびＲ２９は、互いに独立して、水素原子、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、フェニル基、ナフチル基、またはアントリル基であるが、これらに限定されるものではない。
【００７９】
前記化学式４１および４２中の、Ｌ１およびＬ１１についての詳細な説明は、前記Ａｒ１およびＡｒ１１についての詳細な説明と同様なので、これを参照する。
【００８０】
好ましくは、前記Ｌ１およびＬ１１は、互いに独立して、フェニレン基、アルキルフェニレン基（アルキル基の炭素数は１〜１０）、フルオロフェニレン基、カルバゾリレン基、トリアジニレン基、アルキルトリアジニレン基（アルキル基の炭素数は１〜１０）、フェニルトリアジニレン基、炭素数１〜１０のアルキレン基、またはフェニルカルバゾリレン基であるが、これらに限定されるものではない。
【００８１】
前記化学式４１および４２中の、ａおよびｂは、互いに独立して、０〜１０の整数でありうる。前記ａおよびｂは、好ましくは、互いに独立して、０、１、２または３であるが、これらに限定されるものではない。
【００８２】
前記化学式４２の一実施形態において、Ｒ１０で用いられる−（Ａｒ１）ｎ−Ａｒ２−中のＡｒ１、およびＲ１６で用いられる−（Ａｒ１１）ｍ−Ａｒ１２−中のＡｒ１１は、互いに独立して、フェニレン基、カルバゾリレン基、フルオレニレン基、メチルフルオレニレン基、ピラゾリレン基、フェニルピラゾリレン基、−Ｎ（Ｑ１）−で表される基（ここで、Ｑ１は、水素原子、フェニル基、フルオレニル基、ジメチルフルオレニル基、ジフェニルフルオレニル基、カルバゾリル基、またはフェニルカルバゾリル基である）、ジフェニルフルオレニレン基、トリアジニレン基、メチルトリアジニレン基、フェニルトリアジニレン基、テトラフルオロフェニレン基、エチレン基、およびメチルフェニレン基であり、
ｎおよびｍは、互いに独立して、０、１、２、３、４、５または６であり、
前記Ａｒ２およびＡｒ１２は、互いに独立して、水素原子、シアノ基、フルオロ基、フェニル基、シアノフェニル基、ナフチル基、アントリル基、メチル基、ピリジニル基、カルバゾリル基、フェニルカルバゾリル基、フルオレニル基、ジメチルフルオレニル基またはジフェニルフルオレニル基であり、
Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１７、Ｒ１８、およびＲ２１〜Ｒ２７は、互いに独立して、水素原子であり、
Ｒ１３は、フェニル基、ナフチル基またはアントリル基であり、
Ｒ２８およびＲ２９は、互いに独立して、水素原子、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、フェニル基、ナフチル基またはアントリル基であり、
Ｌ１１は、フェニレン基であり、
ｂは、０または１である。
【００８３】
例えば、前記化学式４２中、Ｒ１３は、下記化学式１０１Ａ〜１０１Ｄで表される基から選択されうる。
【００８４】
【化１６】
2014239048.tif 000018
【００８５】
例えば、前記化学式４２中、Ｌ１１はフェニレン基であり、ｂは１でありうる。
【００８６】
例えば、前記化学式４２中、Ｒ１０は下記化学式１０２Ａ〜１０２Ｇで表される基から選択されうる。
【００８７】
【化１７】
2014239048.tif 000019
【００８８】
例えば、前記化学式４２中、Ｒ２８およびＲ２９は、互いに独立して、メチル基またはフェニル基であり得る。
【００８９】
例えば、前記化学式４２中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１４〜Ｒ１８、およびＲ２１〜Ｒ２７は、水素原子でありうる。
【００９０】
例えば、前記化学式４１中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、互いに独立して、炭素数１〜１０のアルキル基；炭素数１〜１０のアルコキシ基；フェニル基；ナフチル基；カルバゾリル基；フルオレニル基；ピレニル基；アントリル基；ピラゾリル基；ピリジニル基；ハロゲン元素、シアノ基、ヒドロキシル基、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、フェニル基、シアノフェニル基、ジフェニルアミノ基、ナフチル基、カルバゾリル基、フルオレニル基、アルキルフルオレニル基（アルキル基の炭素数は１〜１０）、ジアルキルフルオレニル基（アルキル基の炭素数は１〜１０）、フェニルフルオレニル基、ジフェニルフルオレニル基、およびアントリル基からなる群より選択される少なくとも１種の置換基で置換された炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、フェニル基、ナフチル基、カルバゾリル基、フルオレニル基、ピレニル基、アントリル基、ピラゾリル基、もしくはピリジニル基;または−Ｎ（Ｑ２）（Ｑ３）で表される基である。ここで、前記Ｑ２およびＱ３は、互いに独立して、炭素数１〜１０のアルキル基；炭素数１〜１０のアルコキシ基；フェニル基；ナフチル基；カルバゾリル基；フルオレニル基；ピレニル基；アントリル基；ピラゾリル基；ピリジニル基；またはハロゲン元素、シアノ基、ヒドロキシル基、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、フェニル基、シアノフェニル基、ジフェニルアミノ基、ナフチル基、カルバゾリル基、フルオレニル基、アルキルフルオレニル基（アルキル基の炭素数は１〜１０）、ジアルキルフルオレニル基（アルキル基の炭素数は１〜１０）、フェニルフルオレニル基、ジフェニルフルオレニル基、およびアントリル基からなる群より選択される少なくとも１種の置換基で置換された炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、フェニル基、ナフチル基、カルバゾリル基、フルオレニル基、ピレニル基、アントリル基、ピラゾリル基、またはピリジニル基であり得る。
【００９１】
例えば、前記化学式４１中、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３は、互いに独立して、下記化学式２０１〜２２６で表される基のうち、１つでありうる。
【００９２】
【化１８】
2014239048.tif 000020
【００９３】
【化１９】
2014239048.tif 000021
【００９４】
本発明の他の実施形態によれば、前記正孔輸送性化合物は、下記化合物１Ｔ〜３８Ｔからなる群より選択される少なくとも１種の化合物が好ましい。しかし、これらに限定されるものではない。
【００９５】
【化２０】
2014239048.tif 000022
【００９６】
【化２１】
2014239048.tif 000023
【００９７】
【化２２】
2014239048.tif 000024
【００９８】
【化２３】
2014239048.tif 000025
【００９９】
【化２４】
2014239048.tif 000026
【０１００】
【化２５】
2014239048.tif 000027
【０１０１】
【化２６】
2014239048.tif 000028
【０１０２】
【化２７】
2014239048.tif 000029
【０１０３】
【化２８】
2014239048.tif 000030
【０１０４】
【化２９】
2014239048.tif 000031
【０１０５】
【化３０】
2014239048.tif 000032
【０１０６】
【化３１】
2014239048.tif 000033
【０１０７】
【化３２】
2014239048.tif 000034
【０１０８】
【化３３】
2014239048.tif 000035
【０１０９】
【化３４】
2014239048.tif 000036
【０１１０】
前記第１層６が、前記シアノ基含有化合物以外に前述したような正孔輸送性化合物をさらに含む場合、前記第１層６中の前記シアノ基含有化合物の含量は、好ましくは前記第１層の質量１００質量部当り０．１〜２０質量部、より好ましくは０．５〜１０質量部、さらに好ましくは０．５〜５質量部である。前記シアノ基含有化合物の範囲が前述したような範囲を満たす場合、十分な駆動電圧の低下および電力効率の向上効果が得られる。
【０１１１】
前記第１層６の厚さは、好ましくは１〜２１０ｎｍ（１０〜２１００Å）、より好ましくは１〜５０ｎｍ（１０〜５００Å）、さらに好ましくは２〜２０ｎｍ（２０〜２００Å）である。前記第１層６の厚さの範囲が、前述したような範囲を満たす場合、十分な駆動電圧および電力効率の特性向上の効果が得られる。
【０１１２】
前記第１層６の上部には有機膜７が備えられている。本明細書において、“有機膜”とは、第１電極５と第２電極９との間に配置されたあらゆる層を包括して示すものであって（ここで、前述したような第１層６は除く）、前記有機膜７は、金属錯体なども含むものであって、必ずしも有機物のみでなされた膜を意味するものではない。
【０１１３】
前記有機膜７は発光層を含む。
【０１１４】
前記第１層６と前記発光層との距離は、好ましくは５ｎｍ（５０Å）以上、より好ましくは１０ｎｍ（１００Å）以上、さらに好ましくは１０〜１４０ｎｍ（１００〜１４００Å）である。前記第１層６と前記発光層との距離が前述したような範囲を満たす場合、発光層で励起子が前記第１層６に含まれるシアノ基含有化合物によってクエンチングされる現象が実質的に防止されて、良質の有機発光素子を具現しうる。
【０１１５】
前記発光層以外にも、前記有機膜７は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子輸送層および電子注入層のうち、１つ以上の層をさらに含みうる。
【０１１６】
例えば、前記第１層６と前記発光層との間には、正孔注入層および正孔輸送層からなる群より選択される１つ以上の層がさらに配置されうる。具体的には、前記第１層６と前記発光層との間には、正孔輸送層がさらに含まれうるが、これに限定されるものではない。
【０１１７】
正孔注入層（ＨＩＬ）は、前記第１層６の上部に真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法のような多様な方法を利用して形成されうる。
【０１１８】
真空蒸着法によって正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は、正孔注入層の材料として使用する化合物、目的とする正孔注入層の構造および熱的特性によって異なるが、一般的に蒸着温度が１００〜５００℃、真空度が１．３３×１０−６〜１．３３×１０−１Ｐａ（１０−８〜１０−３ｔｏｒｒ）、蒸着速度が０．００１〜１０ｎｍ／ｓｅｃ（０．０１〜１００Å／ｓｅｃ）の範囲で適切に選択することが好ましい。
【０１１９】
スピンコーティング法によって正孔注入層を形成する場合、そのコーティング条件は、正孔注入層の材料として使用する化合物、目的とする正孔注入層の構造および熱的特性によって異なるが、２０００〜５０００ｒｐｍの回転数が好ましく、コーティング後の溶媒除去のための熱処理温度は、８０〜２００℃の温度範囲で適切に選択することが好ましい。
【０１２０】
正孔注入層物質としては、公知された正孔注入材料を使用できるが、例えば、銅フタロシアニンなどのフタロシアニン化合物、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（４，４’，４’’−ｔｒｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、ＮＰＢ（Ｎ，Ｎ’−ビス−（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン）、ＴＤＡＴＡ、２Ｔ−ＮＡＴＡ、Ｐａｎｉ／ＤＢＳＡ（Ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ／Ｄｏｄｅｃｙｌｂｅｎｚｅｎｅｓｕｌｆｏｎｉｃａｃｉｄ：ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（Ｐｏｌｙ（３，４−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）／Ｐｏｌｙ（４−ｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ）：ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホネート））、Ｐａｎｉ／ＣＳＡ（Ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ／Ｃａｍｐｈｏｒｓｕｌｆｏｎｉｃａｃｉｄ：ポリアニリン／カンファースルホン酸）またはＰＡＮＩ／ＰＳＳ（（Ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ）／Ｐｏｌｙ（４−ｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ））などを使用できるが、これらに限定されない。
【０１２１】
【化３５】
2014239048.tif 000037
【０１２２】
前記正孔注入層の厚さは、好ましくは５〜１０００ｎｍ（５０〜１００００Å）、より好ましくは１０〜２５０ｎｍ（１００〜２５００Å）である。前記正孔注入層の厚さが前述したような範囲を満たす場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに十分な正孔注入特性を得ることができる。
【０１２３】
次いで、前記正孔注入層または前記第１層６の上部に真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法などの多様な方法を利用して正孔輸送層（ＨＴＬ）を形成しうる。真空蒸着法およびスピンコーティング法によって正孔輸送層を形成する場合、その蒸着条件およびコーティング条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲で選択される。
【０１２４】
前記正孔輸送層材料としては、例えば、上記の化学式４１で表される化合物または化学式４２で表される化合物が使用されうる。
【０１２５】
前記正孔輸送層の厚さは、好ましくは５〜１０００ｎｍ（５０〜１００００Å）、より好ましくは１０〜２５０ｎｍ（１００〜２５００Å）である。前記正孔輸送層の厚さが前述したような範囲を満たす場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに十分な正孔輸送特性を得ることができる。
【０１２６】
前記正孔輸送層の上部に真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法のような方法を利用して発光層（ＥＭＬ）を形成しうる。真空蒸着法およびスピンコーティング法により発光層を形成する場合、その蒸着条件およびコーティング条件は使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲で選択される。
【０１２７】
前記発光層は、１つの化合物を含むか、ホストとドープ剤との組み合わせを含みうる。前記ホストの例としては、例えば、Ａｌｑ３、ＣＢＰ（４，４'−Ｎ，Ｎ'−ジカルバゾール−ビフェニル）、ＴＣＴＡ、ＴＰＢＩ（１，３，５−トリス（Ｎ−フェニルベンズイミダゾール−２−イル）ベンゼン（１，３，５−ｔｒｉｓ（Ｎ−ｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ−２−ｙｌ）ｂｅｎｚｅｎｅ））、Ｅ３、ＤＳＡ（ジスチリルアリーレン）、下記化学式５１で表される化合物、下記化学式５２で表される化合物、下記化学式５３で表される化合物、下記化学式５４で表される化合物などが使用されうるが、これらに限定されるものではない。
【０１２８】
【化３６】
2014239048.tif 000038
【０１２９】
【化３７】
2014239048.tif 000039
【０１３０】
【化３８】
2014239048.tif 000040
【０１３１】
前記化学式５１〜５４中の、Ａｒ５１、Ａ５２、Ａｒ５３およびＡｒ５４の各々についての詳細な説明は、前述したＡｒ１についての説明と同一なので、本明細書において、Ａｒ１についての説明を参照する。
【０１３２】
前記化学式５１〜５４で表される化合物の具体例によれば、前記Ａｒ５１、Ａｒ５２、Ａｒ５３およびＡｒ５４は、互いに独立して、フェニレン基、ナフチレン基、アントリレン基、およびフェニル基で置換されたアントリレン基からなる群より選択される基であるが、これらに限定されるものではない。
【０１３３】
前記化学式５１〜５４中の、Ｒ２０１〜Ｒ２０９およびＲ５１〜Ｒ５６の各々についての詳細な説明は、前述したＡｒ２についての説明と同一なので、本明細書において、Ａｒ２についての説明を参照する。例えば、Ｒ２０１〜Ｒ２０９は水素でありうる。
【０１３４】
前記化学式５１〜５４中の、ｄ、ｅ、ｆおよびｇは、互いに独立して０〜１０の整数である。好ましくは、前記ｄｅおよびｆは、互いに独立して、０、１または２であるが、これらに限定されるものではない。
【０１３５】
前記化学式５１〜５４で表される化合物の具体例によれば、前記Ｒ５１〜Ｒ５６は、互いに独立して、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基、カルバゾリル基、または−Ｎ（Ｑ２）（Ｑ３）で表される基であり、この際、前記Ｑ２およびＱ３は、互いに独立して、メチル基、フェニル基、ナフチル基またはアントリル基である。
【０１３６】
本発明のさらに他の実施形態によれば、前記有機膜７において、発光層は、下記化合物５１〜５８からなる群より選択されるの少なくとも１種の化合物をホストとして含むことが好ましいが、これらに限定されるものではない。
【０１３７】
【化３９】
2014239048.tif 000041
【０１３８】
一方、赤色ドープ剤としては、ＰｔＯＥＰ、Ｉｒ（ｐｉｑ）３、Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）などを利用しうるが、これらに限定されるものではない（下記化学式参照）。
【０１３９】
【化４０】
2014239048.tif 000042
【０１４０】
また、緑色ドープ剤としては、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（ｐｐｙ＝フェニルピリジン）、Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ｍｐｙｐ）３、前記化合物５１〜５４からなる群より選択される少なくとも１種の化合物、下記化学式１１１で表される化合物、下記化学式１１２で表される化合物などが使用されうるが、これらに限定されるものではない。
【０１４１】
【化４１】
2014239048.tif 000043
【０１４２】
【化４２】
2014239048.tif 000044
【０１４３】
前記化学式１１１および１１２中の、Ａｒ７１およびＡｒ７２の各々についての詳細な説明は、前述したＡｒ１についての説明と同一なので、本明細書において、Ａｒ１についての説明を参照する。
【０１４４】
前記化学式１１１および１１２の具体例によれば、前記Ａｒ７１およびＡｒ７２は、互いに独立して、エテニレン基、フェニレン基、ナフチレン基、アントリレン基、またはフェニル基であるが、これらに限定されるものではない。
【０１４５】
前記化学式１１１および１１２中の、Ｒ２１１〜Ｒ２１６およびＲ７１〜Ｒ７６の各々についての詳細な説明は、前述したＡｒ２についての説明と同一なので、本明細書において、Ａｒ２についての説明を参照する。例えば、前記Ｒ２１１〜Ｒ２１６は水素原子でありうる。
【０１４６】
前記化学式１１１および１１２において、ｈおよびｉは、互いに独立して、０〜１０の整数である。好ましくは、前記ｈおよびｉは、互いに独立して、０、１または２であるが、これらに限定されるものではない。
【０１４７】
前記化学式１１１および１１２の具体例によれば、前記Ｒ７１〜Ｒ７６は、互いに独立して、メチル基、エチル基、エテニル基、フェニル基、メチルフェニル基、ナフチル基、メチルナフチル基、アントリル基、メチルアントリル基、ピレニル基、または−Ｎ（Ｑ２）（Ｑ３）で表される基であり、この際、前記Ｑ２およびＱ３は、互いに独立して、メチル基、フェニル基、ナフチル基またはアントリル基である。
【０１４８】
本発明のさらに他の一実施形態によれば、前記発光層のうち、緑色ドープ剤として前記化合物５１〜５８、および下記化合物７１〜７６のうち、少なくとも１種の化合物を使用できるが、これらに限定されるものではない。
【０１４９】
【化４３】
2014239048.tif 000045
【０１５０】
一方、青色ドープ剤としては、Ｆ２Ｉｒｐｉｃ、（Ｆ２ｐｐｙ）２Ｉｒ（ｔｍｄ）、Ｉｒ（ｄｆｐｐｚ）３、ｔｅｒ−フルオレン（ｆｌｕｏｒｅｎｅ）、４，４’−ビス（４−ジフェニルアミノスチリル）ビフェニル（ＤＰＡＢｉ）、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（ＴＢＰｅ）、前記化学式５１で表される化合物、前記化学式５４で表される化合物、下記化学式８１で表される化合物、下記化学式８２で表される化合物などを使用できるが、これらに限定されるものではない。
【０１５１】
【化４４】
2014239048.tif 000046
【０１５２】
【化４５】
2014239048.tif 000047
【０１５３】
前記化学式８１中、
Ｌ２１は、置換もしくは非置換の炭素数１〜３０のアルキレン基、置換もしくは非置換の炭素数２〜３０のアルケニレン基、置換または非置換の炭素数５〜３０のアリーレン基、または置換もしくは非置換の炭素数４〜３０のヘテロアリーレン基であり、
ｃは１〜２０の整数であり、−（Ｌ２１）ｃ−のうち、ｃ個のＬ２１は、互いに同一であるか異なり、
Ｒ３１〜Ｒ３４は、互いに独立して、置換もしくは非置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２〜３０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２〜３０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換もしくは非置換の炭素数５〜３０のアリール基、または置換もしくは非置換の炭素数４〜３０のヘテロアリール基である。
【０１５４】
前記化学式８１において、Ｌ２１についての詳細な説明は、前記Ａｒ１についての詳細な説明（但し、−Ｎ（Ｑ１）−についての説明は除く）を参照し、前記Ｒ３１〜Ｒ３４についての詳細な説明は、前記Ｑ１についての詳細な説明（但し、−Ｎ（Ｑ２）（Ｑ３）についての説明は除く）を参照する。
【０１５５】
前記化学式８１で表される化合物の一具体例において、前記Ｌ２１は、エテニレン基、プロペニレン基、またはフェニレン基であり得る。
【０１５６】
前記化学式８１で表される化合物の他の具体例において、前記ｃは、１、２、３、４、５、または６でありうる。
【０１５７】
前記化学式８１で表される化合物のさらに他の具体例において、前記Ｒ３１〜Ｒ３４は、互いに独立して、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、フェニル基、ナフチル基、またはアントリル基である。
【０１５８】
前記化学式８１中の−（Ｌ２１）ｃ−のうち、ｃ個のＬ２１は、互いに同じか異なるが、例えば、ｃが２である場合、２個のＬ２１はいずれもフェニレン基であるか、または２個のＬ２１のうち、１つはフェニレン基であり、残りの１つはエテニレン基であり得るなど多様な変形例が可能である。
【０１５９】
前記化学式８２において、Ａｒ８１〜Ａｒ８４の各々についての詳細な説明は、前述したＡｒ１についての説明と同一なので、本明細書において、Ａｒ１についての説明を参照する。
【０１６０】
前記化学式８２の具体例によれば、前記Ａｒ３１、Ａ３２、Ａｒ３３およびＡｒ３４は、互いに独立して、フェニレン基、ナフチレン基、アントリレン基、またはフェニル基で置換されたアントリレン基であるが、これらに限定されるものではない。
【０１６１】
前記化学式８２において、Ｒ２２１〜Ｒ２２８およびＲ８１〜Ｒ８５の各々についての詳細な説明は、前述したＡｒ２についての説明と同一なので、本明細書においてＡｒ２についての説明を参照する。例えば、前記Ｒ２２１〜Ｒ２２８は水素原子でありうる。
【０１６２】
前記化学式８２において、j、ｋ、ｌおよびｍは、互いに独立して０〜１０の整数である。好ましくは、前記化学式８２において、j、ｋ、ｌおよびｍは、互いに独立して、０、１または２であるが、これらに限定されるものではない。
【０１６３】
前記化学式８２の具体例によれば、前記Ｒ８１〜Ｒ８５は、互いに独立して、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基、カルバゾリル基、または−Ｎ（Ｑ２）（Ｑ３）で表される基であり、前記Ｑ２およびＱ３は、互いに独立して、メチル基、フェニル基、ナフチル基またはアントリル基である。
【０１６４】
前記化学式８１で表される化合物は、下記化合物４０Ｔであることが好ましいが、これに限定されるものではない。
【０１６５】
【化４６】
2014239048.tif 000048
【０１６６】
前記化学式８２で表される化合物は、下記化合物４１Ｔまたは化合物４２Ｔであることが好ましいが、これらに限定されるものではない。
【０１６７】
【化４７】
2014239048.tif 000049
【０１６８】
本発明の一実施形態によれば、発光層の青色ドープ剤として前記化合物４０〜４２、５１〜５５、５７および５８のうち、少なくとも１種の化合物を使用することができるが、これらに限定されるものではない。
【０１６９】
前記発光層の形成材料としてドープ剤とホストとを共に使用する場合、ドープ剤のドーピング濃度は、特に制限されないが、通常ホスト１００質量部を基準として前記ドープ剤の含量は好ましくは０．０１〜１５質量部である。
【０１７０】
前記発光層の厚さは、好ましくは１０〜１００ｎｍ（１００〜１０００Å）、より好ましくは２０〜６０ｎｍ（２００〜６００Å）である。前記発光層の厚さが前述したような範囲を満たす場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに優れた発光特性を表すことができる。
【０１７１】
発光層にさらに燐光ドープ剤を使用する場合には、三重項励起子または正孔が電子輸送層に拡散される現象を防止するために、前記正孔輸送層と発光層との間に真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法などの方法を利用して、正孔阻止層（ＨＢＬ）を形成することができる。真空蒸着法およびスピンコーティング法によって正孔阻止層を形成する場合、その条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲で選択される。公知の正孔阻止材料も使用できるが、その例としては、例えば、オキサジアゾール誘導体やトリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体などが挙げられる。
【０１７２】
前記正孔阻止層の厚さは、好ましくは５〜１００ｎｍ（５０〜１０００Å）、より好ましくは１０〜４０ｎｍ（１００〜４００Å）である。前記正孔阻止層の厚さが前述したような範囲を満たす場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに優秀な正孔阻止特性を得ることができる。
【０１７３】
次いで、電子輸送層（ＥＴＬ）を真空蒸着法、またはスピンコーティング法、キャスト法などの多様な方法を利用して形成する。真空蒸着法およびスピンコーティング法により電子輸送層を形成する場合、その条件は使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲で選択される。前記電子輸送層の形成材料としては、電子注入電極（カソード）から注入された電子を安定して輸送する機能を果たすものとして公知の電子輸送物質を使用ルうことができる。その例としては、トリス（８−キノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ３）、ＴＡＺ、Ｂａｌｑ（下記化学式参照）などの公知の材料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１７４】
【化４８】
2014239048.tif 000050
【０１７５】
前記電子輸送層の厚さは、好ましくは１０〜１００ｎｍ（１００〜１０００Å）、より好ましくは１５〜５０ｎｍ（１５０〜５００Å）である。前記電子輸送層の厚さが前述したような範囲を満たす場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに十分な電子輸送特性を得ることができる。
【０１７６】
また、電子輸送層の上部には、負極から電子の注入を容易にする機能を有する物質の電子注入層（ＥＩＬ）を積層することができ、これは特に材料を制限しない。
【０１７７】
前記電子注入層の形成材料としては、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯなどの電子注入層の形成材料として公知の任意の物質を利用しうる。前記電子注入層の形成条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲で選択される。
【０１７８】
前記電子注入層の厚さは、好ましくは０．１〜１０ｎｍ（１〜１００Å）、より好ましくは０．５〜９ｎｍ（５〜９０Å）である。前記電子注入層の厚さが前述したような範囲を満たす場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに十分な電子注入特性を得ることができる。
【０１７９】
このような有機層７の上部には、第２電極９が備わっている。前記第２電極９は、電子注入電極であるカソードであるが、この際、第２電極形成用の金属としては、低い仕事関数を有する金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物が使用されうる。具体例としては、例えば、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−リチウム（Ａｌ−Ｌｉ）合金、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム−インジウム（Ｍｇ−Ｉｎ）合金、マグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）合金などが挙げられ、これらの材料を用いて薄膜で形成して透過型電極を得ることができる。一方、前面発光素子を得るためにＩＴＯやＩＺＯを利用した透過型電極を形成できるなど、多様な変形が可能である。
【０１８０】
例えば、前記有機発光素子は、Ａｌ、ＮｉおよびＬａからなるＡｌ系反射膜；ＩＴＯからなる透明導電性膜；前記化学式１Ａ〜２０Ｂで表される化合物のうち少なくとも１つのシアノ基含有化合物を含む第１層（ここで、前記第１層には選択的に、前記化学式４２で表される正孔輸送性化合物がさらに含まれる）；前記化学式４２で表される化合物を含む正孔輸送層；ホスト（前記化合物５１〜５４のうち、少なくとも１つの化合物）およびドープ剤（前記化合物５１〜５４、７１および７２のうち、少なくとも１つの化合物）を含む発光層；電子輸送層；電子注入層および第２電極が順次に積層された構造を有し、優秀な緑色光を放出しうる。前記緑色光は、蛍光発光メカニズムによって放出されうる。前記緑色光の最大発光ピークは、好ましくは４９０ｎｍ〜５６０ｎｍの範囲である。
【０１８１】
または、例えば、前記有機発光素子は、Ａｌ、ＮｉおよびＬａからなるＡｌ系反射膜；ＩＴＯからなる透明導電性膜；前記化学式２０Ａおよび２０Ｂのうち、１つの化学式で表示されるシアノ基含有化合物を含む第１層（ここで、前記第１層には選択的に、前記化合物１Ｔ〜３８Ｔのうちの、少なくとも１種の正孔輸送性化合物がさらに含まれる）；前記化合物１Ｔ〜３８Ｔのうち、少なくとも１つを含む正孔輸送層；ホスト（前記化合物５１〜５８のうちの少なくとも１種の化合物）およびドープ剤（前記化合物４０Ｔ〜４２Ｔおよび５１〜５８のうちの少なくとも１種の化合物）を含む発光層；電子輸送層；電子注入層および第２電極が順次に積層された構造を有し、優秀な緑色光を放出しうる。
【０１８２】
図４は、本発明の他の実施形態に係る有機発光素子３０を概略的に示す断面概略図である。有機発光素子３０は、基板２１、第１電極２５、シアノ基含有化合物を含む第１層２６、有機膜２７および第２電極２９を含むが、前記第１電極２５は、基板２１から順次にＮｉおよび第１元素を含むＡｌ系反射膜２５ａ、透明導電性膜２５ｂおよび第２元素含有亜鉛酸化物膜２５ｃを含む。ここで、基板２１、シアノ基含有化合物を含む第１層２６、有機膜２７、第２電極２９、Ｎｉおよび第１元素を含むＡｌ系反射膜２５ａおよび透明導電性膜２５ｂについての詳細な説明は、前記図１についての説明を参照する。
【０１８３】
図４によれば、本発明による有機発光素子の他の実施形態の第１電極２５は、第２元素含有亜鉛酸化物膜２５ｃをさらに含む。前記第２元素含有亜鉛酸化物膜２５ｃは、第１電極２５の仕事関数をさらに高めて、正孔注入障壁を低下させるため、正孔が第１電極２５から有機層２７に容易に注入されるようにする。
【０１８４】
ここで、シアノ基含有化合物を含む第１層２６のうち、シアノ基含有化合物は、前記第２元素含有亜鉛酸化物膜２５ｃの正孔注入特性をさらに向上させる役割を果たす。したがって、駆動電圧が低減され、電力効率特性が向上した有機発光素子を具現しうる。
【０１８５】
前記第２元素含有亜鉛酸化物膜２５ｃのうち、第２元素はＡｌ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｇｄ、Ｚｒ、Ｍｏ、およびＮｉからなる群より選択される少なくとも１種の元素であることが好ましい。より好ましくは、前記第２元素は、Ａｌを含む。具体的には、前記第２元素はＡｌであるが、これに限定されるものではない。
【０１８６】
前記第２元素の含量は、前記第２元素含有亜鉛酸化物膜２５ｃ  １００質量部当り０．５〜１０質量部であることが好ましい。より好ましくは、前記第２元素の含量は、前記第２元素含有亜鉛酸化物膜２５ｃ  １００質量部当り０．５〜５質量部であるが、これに限定されるものではない。前記第２元素含有亜鉛酸化物膜２５ｃ中の、前記第２元素の含量が前述したような範囲を満たす場合、亜鉛酸化物の正孔輸送能が向上し、電気抵抗の増加および可視光線領域での光透過度低下が実質的に発生しない。
【０１８７】
前記第２元素含有亜鉛酸化物膜２５ｃの厚さは、好ましくは０．１〜８０ｎｍ（１〜８００Å）、より好ましくは、１〜５０ｎｍ（１０〜５００Å）である。前記第２元素含有亜鉛酸化物膜２５ｃの厚さが前述したような範囲を満たす場合、駆動電圧の上昇することがほとんどなしに優れた効率特性を得ることができる。
【０１８８】
例えば、前記有機発光素子は、Ａｌ、ＮｉおよびＬａからなるＡｌ系反射膜；ＩＴＯからなる透明導電性膜；Ａｌ含有亜鉛酸化物膜；前記化学式１Ａ〜２０Ｂで表される化合物のうち少なくとも１つのシアノ基含有化合物を含む第１層（ここで、前記第１層には選択的に、前記化学式４２で表される正孔輸送性化合物がさらに含まれる）；前記化学式４２で表される化合物を含む正孔輸送層；ホスト（前記化合物５１〜５４のうちの少なくとも１種の化合物）およびドープ剤（前記化合物５１〜５４および７２のうちの少なくとも１種の化合物）を含む発光層；電子輸送層；電子注入層および第２電極が順次に積層された構造を有し、優秀な緑色光を放出しうる。前記緑色光は、蛍光発光メカニズムによって放出されうる。前記緑色光の最大発光ピークは、４９０ｎｍ〜５６０ｎｍの範囲であることが好ましい。
【０１８９】
または、例えば、前記有機発光素子は、Ａｌ、ＮｉおよびＬａからなるＡｌ系反射膜；ＩＴＯからなる透明導電性膜；Ａｌ含有亜鉛酸化物膜；前記化学式２０Ａおよび２０Ｂの少なくとも一方のシアノ基含有化合物を含む第１層（ここで、前記第１層には選択的に、前記化合物１Ｔ〜３８Ｔのうち、少なくとも１種の正孔輸送性化合物がさらに含まれる）；前記化合物１Ｔ〜３８Ｔのうちの少なくとも１種の化合物を含む正孔輸送層；ホスト（前記化合物５１〜５８のうちの少なくとも１種の化合物）およびドープ剤（前記化合物４０Ｔ〜４２Ｔおよび５１〜５８のうちの少なくとも１種の化合物）を含む発光層；電子輸送層；電子注入層および第２電極が順次に積層された構造を有し、優秀な緑色光を放出しうる。
【０１９０】
以上、本発明の有機発光素子を図１および図４を参照して説明したが、前記有機発光素子はこれらに限定されるものではない。
【０１９１】
例えば、前述したような有機発光素子は、前記Ａｌ系反射膜と基板との間に金属層をさらに具備しうる。前記金属層は、前記Ａｌ系反射膜のうち、Ａｌ成分の基板への拡散に対するバリア層としての役割を果たすことができる。前記金属層は、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｐｄ、ＰｔおよびＡｕからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含むことができるが、これらに限定されるものではない。例えば、前記金属層は、Ｔｉ層でありうる。前記金属層の厚さは、好ましくは２０〜２００ｎｍ、より好ましくは５０〜１００ｎｍである。前記金属層の厚さが前述したような範囲を満たす場合、Ａｌ成分の拡散が十分に防止される。
【０１９２】
また、前述したような有機発光素子は、前記第１電極と前記第１層との間に、前述したような正孔注入層および正孔輸送層からなる群より選択される１つ以上の層をさらに含みうる。すなわち、例えば、前記有機発光素子は、基板、第１電極（Ａｌ系反射膜、透明導電性膜および／または第２元素含有亜鉛酸化物膜）、第１正孔輸送層、第１層、第２正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層および第２電極が順次に積層された構造を有するなど、多様な変形例が可能である。
【実施例】
【０１９３】
（比較例）
基板およびアノードとして、コーニング社（Ｃｏｒｎｉｎｇ）の１５Ω／ｃｍ２（厚さ１２０ｎｍ（１２００Å））のＩＴＯガラス基板を５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．７ｍｍの大きさに切ってイソプロピルアルコールと純水で各々５分間超音波洗浄した後、３０分間ＵＶオゾン洗浄して使用した。基板上に、ｍ−ＭＴＤＡＴＡを真空蒸着して７５ｎｍ（７５０Å）の厚さの正孔注入層を形成した後、前記正孔注入層の上部に上記化合物５Ｔを真空蒸着して、７５ｎｍ（７５０Å）の厚さの正孔輸送層を形成した。前記正孔輸送層上にホストとして上記化合物５６を９７質量％、ドープ剤として上記化合物５８を３質量％使用して、２０ｎｍ（２００Å）の厚さの発光層を形成した。前記発光層上にＡｌｑ３を真空蒸着して、３０ｎｍ（３００Å）の厚さの電子輸送層を形成した。前記電子輸送層上にＬｉｑを真空蒸着して、０．５ｎｍ（５Å）の厚さの電子注入層を形成した後、Ｍｇ−Ａｇ合金を真空蒸着して、１６ｎｍ（１６０Å）の厚さのカソードを形成した。その後、保護膜としてＡｌｑ３を６０ｎｍ（６００Å）の厚さに蒸着することで有機発光素子を完成した。
【０１９４】
（実施例１）
基板およびアノードとしてＩＴＯガラス基板の代わりに、５００ｎｍ（５０００Å）の厚さのＡｌＮｉＬａ膜（前記ＡｌＮｉＬａ膜中の、Ｎｉの含量は２質量％であり、Ｌａの含量は０．３質量％である）、透明導電性膜として７ｎｍ（７０Å）の厚さのＩＴＯ膜、４０ｎｍ（４００Å）の厚さのＡｌ含有亜鉛酸化物膜（Ａｌのドーピング濃度は、前記Ａｌ含有亜鉛酸化物膜１００質量部当り２質量部である）が順次に形成されたガラス基板を使用した。そして、前記Ａｌ含有亜鉛酸化物膜の上部に、前記正孔注入層の代わりに、上記化学式２０Ａで表される化合物（ここで、Ｒ１０９はフッ素原子である）および前記化合物１４を含む第１層（前記化学式２０Ａで表される化合物の含量は、前記第１層１００質量部当り１質量部である）を形成した後、正孔輸送層を形成したということを除いては、前記比較例と同様の方法で有機発光素子を作製した。
【０１９５】
（実施例２）
上記化学式２０Ａで表される化合物の含量を、前記第１層１００質量部当り３質量部に変更したということを除いては、実施例１と同様の方法で有機発光素子を作製した。
【０１９６】
（評価例）
比較例、実施例１および２の有機発光素子に対する駆動電圧は、２３８ＨＩＧＨ  ＣＵＲＲＥＮＴ  ＳＯＵＲＣＥ（ＫＥＩＴＨＬＥＹ）を利用して測定し、電力効率は、ＰＲ６５０  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃａｎ  Ｓｏｕｒｃｅ  Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ  Ｕｎｉｔ．（Ｐｈｏｔｏ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ）を利用して評価して下記表１に表した。
【０１９７】
【表１】
2014239048.tif 000051
【０１９８】
上記表１から明らかなように、実施例１および２の有機発光素子は、比較例の有機発光素子に比べて電力効率が高く、駆動電圧が低いということがわかる。
【０１９９】
本明細書では、本発明を、限定された実施例を中心に説明したが、本発明の範囲内で多様な実施例が可能である。また、説明されていないが、均等な手段も、本発明にそのまま結合されるものといえる。よって、本発明の真の保護範囲は、特許請求の範囲によってのみ決まるべきである。
【符号の説明】
【０２００】
１、２１    基板、
５、２５    第１電極、
６、２６    第１層、
７、２７    有機膜、
９、２９    第２電極、
５ａ、２５ａ    Ａｌ系反射膜、
５ｂ、２５ｂ    透明導電性膜、
１０、３０    有機発光素子、
２５ｃ    第２元素含有亜鉛酸化物膜。
【図１】
2014239048.tif 000067
【図２Ａ】
2014239048.tif 000068
【図２Ｂ】
2014239048.tif 000069
【図２Ｃ】
2014239048.tif 000070
【図３】
2014239048.tif 000071
【図４】
2014239048.tif 000072