(57)【要約】【課題】本発明は、金属配線間の金属のイオンマイグレーションを抑制することを課題とする。【解決手段】メルカプト基を有する複素環化合物と、フェノール化合物と、絶縁樹脂とを含む樹脂層を含む配線基板を提供する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
メルカプト基を有する複素環化合物と、フェノール化合物と、粘着性絶縁樹脂とを含む粘着層を少なくとも有する粘着シート。
【請求項２】
前記メルカプト基を有する複素環化合物の銀イオンとの溶解度積（ｐＫｓｐ）が１０超である、請求項１に記載の粘着シート。
【請求項３】
前記フェノール化合物の酸化還元電位が０．１Ｖ〜１．０Ｖである、請求項１または２に記載の粘着シート。
【請求項４】
前記メルカプト基を有する複素環化合物が、式（１）〜式（５）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１つを含む、請求項１〜３のいずれかに記載の粘着シート。
【化１】
2014129441.tif 000020
（式（１）中、Ｒ1およびＲ2は、各々独立に、水素原子またはヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。なお、Ｒ1およびＲ2の各基の分子量の合計は、５０以上である。また、Ｒ1およびＲ2の少なくともいずれか一方は、前記炭化水素基を表す。
式（２）中、Ｒ3は、分子量５０以上のヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。
式（３）中、Ｒ4は、水素原子またはヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。ｎは１〜４の整数を表す。Ｒ4が複数ある場合は、それらは同一であっても異なっていてもよい。Ｑは、＞Ｎ−Ｒx基、硫黄原子、または酸素原子を表す。Ｒx基は、水素原子またはヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。なお、Ｒ4およびＲxの各基の分子量の合計は、５０以上である。
式（４）中、Ｒ5は、分子量５０以上のヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。
式（５）中、Ｒ6およびＲ7は、各々独立に、水素原子、メルカプト基、またはヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。Ｘは、窒素原子または式（６）で表される炭素原子基を表す。
【化２】
2014129441.tif 000021
式（６）中、Ｒ8は、水素原子またはヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。破線弧は、Ｘが含まれる式（５）の含窒素ヘテロ環を表す。
なお、Ｒ6〜Ｒ8の各基の分子量の合計は、５０以上である。）
【請求項５】
前記フェノール化合物が、式（７）〜式（９）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１つを含む、請求項１〜４のいずれかに記載の粘着シート。
【化３】
2014129441.tif 000022
（式（７）中、Ｒ11〜Ｒ15は、各々独立に、水素原子、水酸基、またはヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。なお、Ｒ11〜Ｒ15の各基の分子量の合計は２１以上である。また、Ｒ11〜Ｒ15は、各々互いに結合して環を形成してもよい。
式（８）中、Ｒ16〜Ｒ23は、各々独立に、水素原子、水酸基、またはヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。なお、Ｒ16〜Ｒ23の各基の分子量の合計は２４以上である。また、Ｒ16〜Ｒ23は、各々互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ24は、水素原子またはヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。
式（９）中、Ｒ25〜Ｒ28は、各々独立に、水素原子、水酸基、またはヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。なお、Ｒ25〜Ｒ28の各基の分子量の合計は４０以上である。また、Ｒ25〜Ｒ28は、各々互いに結合して環を形成してもよい。Ｌは、ヘテロ原子を有していてもよい２価若しくは３価の炭化水素基、−Ｓ−、または、これらを組み合わせた基を表す。ｍは、２または３の整数を表す。）
【請求項６】
式（７）中のＲ13、式（８）中のＲ18およびＲ21が、各々独立に、式（１０）で表される基である、請求項５に記載の粘着シート。
式（１０）    ＊−ＣＨ2−Ｒ34
（Ｒ34は、水素原子または炭素数１〜１９の炭化水素基を表す。＊は結合位置を表す。）
【請求項７】
前記メルカプト基を有する複素環化合物が式（２）で表される化合物を含み、前記フェノール化合物が式（８）で表される化合物を含む、請求項１〜６のいずれかに記載の粘着シート。
【化４】
2014129441.tif 000023
（式（２）中、Ｒ3は、分子量５０以上のヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。
式（８）中、Ｒ16〜Ｒ23は、各々独立に、水素原子、水酸基、またはヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。なお、Ｒ16〜Ｒ23の各基の分子量の合計は２４以上である。また、Ｒ16〜Ｒ23は、各々互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ24は、水素原子またはヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。）
【請求項８】
絶縁基板と、前記絶縁基板上に配置された銀を含む金属配線と、前記金属配線上に配置された樹脂層とを備える配線基板であって、
前記樹脂層が、メルカプト基を有する複素環化合物と、フェノール化合物と、絶縁樹脂とを含む、配線基板。
【請求項９】
前記メルカプト基を有する複素環化合物の銀イオンとの溶解度積（ｐＫｓｐ）が１０超である、請求項８に記載の配線基板。
【請求項１０】
前記フェノール化合物の酸化還元電位が０．１Ｖ〜１．０Ｖである、請求項８または９に記載の配線基板。
【請求項１１】
前記メルカプト基を有する複素環化合物が、式（１）〜式（５）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１つを含む、請求項８〜１０のいずれかに記載の配線基板。
【化５】
2014129441.tif 000024
（式（１）中、Ｒ1およびＲ2は、各々独立に、水素原子またはヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。なお、Ｒ1およびＲ2の各基の分子量の合計は、５０以上である。また、Ｒ1およびＲ2の少なくともいずれか一方は、前記炭化水素基を表す。
式（２）中、Ｒ3は、分子量５０以上のヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。
式（３）中、Ｒ4は、水素原子またはヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。ｎは１〜４の整数を表す。Ｒ4が複数ある場合は、それらは同一であっても異なっていてもよい。Ｑは、＞Ｎ−Ｒx基、硫黄原子、または酸素原子を表す。Ｒx基は、水素原子または分子量１５以上のヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。なお、Ｒ4およびＲxの各基の分子量の合計は、５０以上である。
式（４）中、Ｒ5は、分子量５０以上のヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。
式（５）中、Ｒ6およびＲ7は、各々独立に、水素原子、メルカプト基、またはヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。Ｘは、窒素原子または式（６）で表される炭素原子基を表す。
【化６】
2014129441.tif 000025
式（６）中、Ｒ8は、水素原子またはヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。破線弧は、Ｘが含まれる式（５）の含窒素ヘテロ環を表す。
なお、Ｒ6〜Ｒ8の各基の分子量の合計は、５０以上である。）
【請求項１２】
前記フェノール化合物が、式（７）〜式（９）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１つを含む、請求項８〜１１のいずれかに記載の配線基板。
【化７】
2014129441.tif 000026
（式（７）中、Ｒ11〜Ｒ15は、各々独立に、水素原子、水酸基、またはヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。なお、Ｒ11〜Ｒ15の各基の分子量の合計は２１以上である。また、Ｒ11〜Ｒ15は、各々互いに結合して環を形成してもよい。
式（８）中、Ｒ16〜Ｒ23は、各々独立に、水素原子、水酸基、またはヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。なお、Ｒ16〜Ｒ23の各基の分子量の合計は２４以上である。また、Ｒ16〜Ｒ23は、各々互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ24は水素原子またはヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。
式（９）中、Ｒ25〜Ｒ28は、各々独立に、水素原子、水酸基、またはヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。なお、Ｒ25〜Ｒ28の各基の分子量の合計は４０以上である。また、Ｒ25〜Ｒ28は、各々互いに結合して環を形成してもよい。Ｌは、ヘテロ原子を有していてもよい２価若しくは３価の炭化水素基、−Ｓ−、または、これらを組み合わせた基を表す。ｍは、２または３の整数を表す。）
【請求項１３】
式（７）中のＲ13、式（８）中のＲ18およびＲ21が、各々独立に、式（１０）で表される基である、請求項１２に記載の配線基板。
式（１０）    ＊−ＣＨ2−Ｒ34
（Ｒ34は、水素原子または炭素数１〜１９の炭化水素基を表す。＊は結合位置を表す。）
【請求項１４】
前記メルカプト基を有する複素環化合物が式（２）で表される化合物を含み、前記フェノール化合物が式（８）で表される化合物を含む、請求項８〜１３のいずれかに記載の配線基板。
【化８】
2014129441.tif 000027
（式（２）中、Ｒ3は、分子量５０以上のヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。
式（８）中、Ｒ16〜Ｒ23は、各々独立に、水素原子、水酸基、またはヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。なお、Ｒ16〜Ｒ23の各基の分子量の合計は２４以上である。また、Ｒ16〜Ｒ23は、各々互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ24は、水素原子またはヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。）
【請求項１５】
メルカプト基を有する複素環化合物と、フェノール化合物と、絶縁樹脂とを含む樹脂組成物。
【請求項１６】
前記メルカプト基を有する複素環化合物の銀イオンとの溶解度積（ｐＫｓｐ）が１０超である、請求項１５に記載の樹脂組成物。
【請求項１７】
前記フェノール化合物の酸化還元電位が０．１Ｖ〜１．０Ｖである、請求項１５または１６に記載の樹脂組成物。
【請求項１８】
前記メルカプト基を有する複素環化合物が、式（１）〜式（５）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１つを含む、請求項１５〜１７のいずれかに記載の樹脂組成物。
【化９】
2014129441.tif 000028
（式（１）中、Ｒ1およびＲ2は、各々独立に、水素原子またはヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。なお、Ｒ1およびＲ2の各基の分子量の合計は、５０以上である。また、Ｒ1およびＲ2の少なくともいずれか一方は、前記炭化水素基を表す。
式（２）中、Ｒ3は、分子量５０以上のヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。
式（３）中、Ｒ4は、水素原子またはヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。ｎは１〜４の整数を表す。Ｒ4が複数ある場合は、それらは同一であっても異なっていてもよい。Ｑは、＞Ｎ−Ｒx基、硫黄原子、または酸素原子を表す。Ｒx基は、水素原子またはヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。なお、Ｒ4およびＲxの各基の分子量の合計は、５０以上である。
式（４）中、Ｒ5は、分子量５０以上のヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。
式（５）中、Ｒ6およびＲ7は、各々独立に、水素原子、メルカプト基、またはヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。Ｘは、窒素原子または式（６）で表される炭素原子基を表す。
【化１０】
2014129441.tif 000029
式（６）中、Ｒ8は、水素原子またはヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。破線弧は、Ｘが含まれる式（５）の含窒素ヘテロ環を表す。
なお、Ｒ6〜Ｒ8の各基の分子量の合計は、５０以上である。）
【請求項１９】
前記フェノール化合物が、式（７）〜式（９）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１つを含む、請求項１５〜１８のいずれかに記載の樹脂組成物。
【化１１】
2014129441.tif 000030
（式（７）中、Ｒ11〜Ｒ15は、各々独立に、水素原子、水酸基、またはヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。なお、Ｒ11〜Ｒ15の各基の分子量の合計は２１以上である。また、Ｒ11〜Ｒ15は、各々互いに結合して環を形成してもよい。
式（８）中、Ｒ16〜Ｒ23は、各々独立に、水素原子、水酸基、またはヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。なお、Ｒ16〜Ｒ23の各基の分子量の合計は２４以上である。また、Ｒ16〜Ｒ23は、各々互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ24は、水素原子またはヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。
式（９）中、Ｒ25〜Ｒ28は、各々独立に、水素原子、水酸基、またはヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。なお、Ｒ25〜Ｒ28の各基の分子量の合計は４０以上である。また、Ｒ25〜Ｒ28は、各々互いに結合して環を形成してもよい。Ｌは、ヘテロ原子を有していてもよい２価若しくは３価の炭化水素基、−Ｓ−、または、これらを組み合わせた基を表す。ｍは、２または３の整数を表す。）
【請求項２０】
式（７）中のＲ13、式（８）中のＲ18およびＲ21が、各々独立に、式（１０）で表される基である、請求項１９に記載の樹脂組成物。
式（１０）    ＊−ＣＨ2−Ｒ34
（Ｒ34は、水素原子または炭素数１〜１９の炭化水素基を表す。＊は結合位置を表す。）
【請求項２１】
前記メルカプト基を有する複素環化合物が式（２）で表される化合物を含み、前記フェノール化合物が式（５）で表される化合物を含む、請求項１５〜２０のいずれかに記載の樹脂組成物。
【化１２】
2014129441.tif 000031
（式（２）中、Ｒ3は、分子量５０以上のヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。
式（８）中、Ｒ16〜Ｒ23は、各々独立に、水素原子、水酸基、またはヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。なお、Ｒ16〜Ｒ23の各基の分子量の合計は２４以上である。また、Ｒ16〜Ｒ23は、各々互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ24は、水素原子またはヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、粘着シート、配線基板、樹脂組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、絶縁基板表面上に金属配線が配置された配線基板が電子部材、半導体素子に広く用いられている。金属配線を構成する金属としては導電性が高い銀、銅がよく用いられるが、これら金属はイオンマイグレーションが発生しやすいという問題があり、とりわけ銀はこの問題が顕著に表れる。
【０００３】
このような金属のイオンマイグレーションを防止する方法として、金属配線間にポリマー層に含チオール化合物などの金属イオン吸着化合物を導入する方法が提案されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１９２８５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一方、近年、半導体集積回路やチップ部品等の小型化により、金属配線の微細化が進んでいる。そのため、配線基板中の金属配線の幅および間隔はより狭小化しており、イオンマイグレーションによる回路の隣接配線間の不適当な導通や断線がさらに生じやすくなっている。このような状況の下、配線基板中の銀を含む金属配線間の絶縁信頼性のより一層の向上が要求されている。
本発明者は、特許文献１で開示される含チオール化合物などの金属イオンと有機金属塩を形成する化合物が導入されたポリマー層を、銀含有金属配線上に設け、その絶縁信頼性について検討を行った。その結果、金属配線間においては配線間抵抗の顕著な低下が確認され、そのイオンマイグレーション抑制効果は昨今要求されるレベルを満たしておらず、さらなる改良が必要であった。
【０００６】
本発明は、上記実情に鑑みて、銀を含む金属配線間の銀のイオンマイグレーションが抑制され、金属配線間の絶縁信頼性を向上させることができる配線基板を提供することを目的とする。
また、本発明は、銀を含む金属配線上に貼り付けられ、金属配線間の銀のイオンマイグレーションを抑制することができる粘着シートを提供することも目的とする。
さらに、本発明は、銀を含む金属配線間の銀のイオンマイグレーションを抑制することができる樹脂層を形成することができる樹脂組成物を提供することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、従来技術の問題点について鋭意検討を行ったところ、マイグレーション抑制剤として、メルカプト基を有する複素環化合物とフェノール化合物とが同一層に用いられることにより、上記課題を解決できることを見出した。
つまり、本発明者らは、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。
【０００８】
（１）  メルカプト基を有する複素環化合物と、フェノール化合物と、粘着性絶縁樹脂とを含む粘着層を少なくとも有する粘着シート。
（２）  メルカプト基を有する複素環化合物の銀イオンとの溶解度積（ｐＫｓｐ）が１０超である、（１）に記載の粘着シート。
（３）  フェノール化合物の酸化還元電位が０．１Ｖ〜１．０Ｖである、（１）または（２）に記載の粘着シート。
（４）  メルカプト基を有する複素環化合物が、後述する式（１）〜式（５）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１つを含む、（１）〜（３）のいずれかに記載の粘着シート。
（５）  フェノール化合物が、後述する式（７）〜式（９）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１つを含む、（１）〜（４）のいずれかに記載の粘着シート。
（６）  後述する式（７）中のＲ13、後述する式（５）中のＲ18およびＲ21が、それぞれ独立に、後述する式（１０）で表される基である、（５）に記載の粘着シート。
（７）  メルカプト基を有する複素環化合物が後述する式（２）で表される化合物を含み、フェノール化合物が後述する式（８）で表される化合物を含む、（１）〜（６）のいずれかに記載の粘着シート。
【０００９】
（８）  絶縁基板と、絶縁基板上に配置された銀を含む金属配線と、金属配線上に配置された樹脂層とを備える配線基板であって、
樹脂層が、メルカプト基を有する複素環化合物と、フェノール化合物と、絶縁樹脂とを含む、配線基板。
（９）  メルカプト基を有する複素環化合物の銀イオンとの溶解度積（ｐＫｓｐ）が１０超である、（８）に記載の配線基板。
（１０）  フェノール化合物の酸化還元電位が０．１Ｖ〜１．０Ｖである、（８）または（９）に記載の配線基板。
（１１）  メルカプト基を有する複素環化合物が、後述する式（１）〜式（５）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１つを含む、（８）〜（１０）のいずれかに記載の配線基板。
（１２）  フェノール化合物が後述する式（７）〜式（９）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１つを含む、（８）〜（１１）のいずれかに記載の配線基板。
（１３）  後述する式（７）中のＲ13、後述する式（８）中のＲ18およびＲ21が、それぞれ独立に、後述する式（１０）で表される基である、（１２）に記載の配線基板。
（１４）  メルカプト基を有する複素環化合物が後述する式（２）で表される化合物を含み、フェノール化合物が後述する式（８）で表される化合物を含む、（８）〜（１３）のいずれかに記載の配線基板。
【００１０】
（１５）  メルカプト基を有する複素環化合物と、フェノール化合物と、絶縁樹脂とを含む樹脂組成物。
（１６）  メルカプト基を有する複素環化合物の銀イオンとの溶解度積（ｐＫｓｐ）が１０超である、（１５）に記載の樹脂組成物。
（１７）  フェノール化合物の酸化還元電位が０．１Ｖ〜１．０Ｖである、（１５）または（１６）に記載の樹脂組成物。
（１８）  メルカプト基を有する複素環化合物が、後述する式（１）〜式（５）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１つを含む、（１５）〜（１７）のいずれかに記載の樹脂組成物。
（１９）  フェノール化合物が、後述する式（７）〜式（９）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１つを含む、（１５）〜（１８）のいずれかに記載の樹脂組成物。
（２０）  後述する式（７）中のＲ13、後述する式（８）中のＲ18およびＲ21が、それぞれ独立に、後述する式（８）で表される基である、（１９）に記載の樹脂組成物。
（２１）  メルカプト基を有する複素環化合物が後述する式（２）で表される化合物を含み、フェノール化合物が後述する式（８）で表される化合物を含む、（１５）〜（２０）のいずれかに記載の樹脂組成物。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、銀を含む金属配線間の銀のイオンマイグレーションが抑制され、金属配線間の絶縁信頼性を向上させることができる配線基板を提供することができる。
また、本発明によれば、銀を含む金属配線上に貼り付けられ、金属配線間の銀のイオンマイグレーションを抑制することができる粘着シートを提供することができる。
さらに、本発明によれば、銀を含む金属配線間の銀のイオンマイグレーションを抑制することができる樹脂層を形成することができる樹脂組成物を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の配線基板の好適実施態様の模式的断面図である。
【図２】本発明の配線基板の他の好適実施態様の模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、本発明の粘着シート、配線基板および樹脂組成物の好適態様について説明する。
まず、本発明の従来技術と比較した特徴点について詳述する。
上述したように、本発明においては、マイグレーション抑制剤として、メルカプト基を有する複素環化合物とフェノール化合物とを併用することにより、所望の効果が得られることを見出している。発明の効果が得られる詳細なメカニズムは不明だが、以下のように推測される。メルカプト基を有する複素環化合物は主に、メルカプト基および複素環部のヘテロ原子により銀イオンと相互作用して、銀イオンを捕捉することにより、イオンマイグレーションを抑制する。一方、フェノール化合物は、銀イオンを金属銀に還元することにより、イオンマイグレーションを抑制する。この機能の異なるマイグレーション抑制剤を併用することにより、互いに補足しあい、単独の化合物では達成し得ない、相乗効果が得られている。
さらに、後述するように、上記複素環化合物が式（１）〜（５）で表される化合物のいずれかの場合、または、フェノール化合物が式（７）〜（９）で表される化合物のいずれかの場合、絶縁樹脂に対する相溶性がより向上し、絶縁樹脂中での化合物の分散性が向上する。結果として、絶縁樹脂の劣化などを引き起こすことなく、イオンマイグレーション抑制効果を向上させている。また、これら化合物が絶縁樹脂中で良好に分散しているため、還元銀が局在化しにくいため、結果として可視域に吸収を持ち難く、着色やヘイズの悪化も抑制することができる。
【００１４】
［樹脂組成物］
まず、本発明の樹脂組成物について詳述する。
樹脂組成物には、メルカプト基を有する複素環化合物（以後、単にＳＨ基含有化合物とも称する）と、フェノール化合物と、絶縁樹脂とが含まれる。この樹脂組成物には、マイグレーション抑制剤（マイグレーション防止剤）として複素環化合物およびフェノール化合物が含まれており、いわゆる銀イオン拡散防止層形成用組成物（マイグレーション抑制層形成用組成物）として好適に使用できる。
以下に、樹脂組成物に含まれる各成分について詳述する。
【００１５】
（メルカプト基を有する複素環化合物）
樹脂組成物には、メルカプト基（−ＳＨ）基を有する複素環化合物が含まれる。この化合物は、メルカプト基および複素環部に含まれるヘテロ原子によって銀イオンを捕獲して、イオンマイグレーションを抑制する。
ＳＨ基含有化合物は、ヘテロ原子を少なくとも一つ持つ環状化合物である。ヘテロ原子とは、炭素原子および水素原子以外の原子を意味する。ヘテロ原子は複素環の環系の構成部分を形成する原子のみを意味し、環系に対して外部に位置していたり、少なくとも一つの非共役単結合により環系から分離していたり、環系のさらなる置換基の一部分であるような原子は意味しない。ヘテロ原子の数の上限は特にないが、好ましくは１０個以下であり、さらに好ましくは６個以下、特に好ましくは４個以下である。
【００１６】
これらの要件を満たす、いかなる複素環化合物を用いてもよいが、ヘテロ原子として好ましくは、窒素原子、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、テルル原子、リン原子、ケイ素原子、またはホウ素原子であり、さらに好ましくは、窒素原子、硫黄原子、または酸素原子であり、特に好ましくは窒素原子、または硫黄原子である。
【００１７】
複素環の環員数は特に制限されないが、好ましくは４〜１０員環であり、より好ましくは５〜９員環であり、さらに好ましくは５〜６員環である。
複素環としては、芳香族および非芳香族のいずれでもよいが、好ましくは芳香族複素環である。
複素環の構成は単環および縮環のいずれでもよいが、好ましくは単環または２個の芳香環からなる複素環である。
【００１８】
これらの複素環として具体的には、ピロール環、チオフェン環、フラン環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、インドリジン環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、トリアザインデン環、テトラアザインデン環、ペンタアザインデン環、ヘキサアザインデン環、プリン環、テトラゾール環、ピラゾロトリアゾール環、ピロロトリアゾール環、および、これらにベンゾ縮環したインドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、イソベンゾフラン環、キノリジン環、キノリン環、フタラジン環、キノキサリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、フェナントリジン環、フェナントロリン環、アクリジン環、ベンゾトリアゾール環、および、これらが一部または全部飽和したピロリジン環、ピロリン環、イミダゾリン環などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００１９】
ＳＨ基含有化合物は、メルカプト基を有する。メルカプト基は銀と共有結合を生成する反応性に富む。このメルカプト基は、上記複素環部に結合する。
ＳＨ基含有化合物中におけるメルカプト基の量は特に制限されないが、ＳＨ基含有化合物の絶縁樹脂中での分散性がより良好である点より、化合物全分子量中に対してメルカプト基の原子量総量が占める割合が５０％以下であることが好ましく、特に４０％以下が好ましい。
なお、メルカプト基は、一つだけなく、複数含まれていてもよい。
【００２０】
ＳＨ基含有化合物は、メルカプト基以外の置換基を有していてもよく、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基、アルキルおよびアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基（−Ｂ(ＯＨ)2）、ホスファト基（−ＯＰＯ(ＯＨ)2）、スルファト基（−ＯＳＯ3Ｈ）などが挙げられる。
【００２１】
なかでも、絶縁樹脂との相溶性がより優れ、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、ＳＨ基含有化合物には、ヘテロ原子を有していてもよい炭化水素基が含まれていることが好ましい。
炭化水素基の分子量は５０以上が好ましく、６０以上がより好ましく、７０以上がさらに好ましい。また、上限は特に制限されないが、銀のイオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、６００以下が好ましく、４００以下がより好ましい。なお、炭化水素基の分子量とは、炭化水素基を構成する原子（例えば、水素原子、炭素原子、ヘテロ原子）の原子量の合計を意図する。
炭化水素基は、炭素原子と水素原子を含む基であり、より具体的には、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、またはこれらを組み合わせた基が挙げられる。
脂肪族炭化水素基としては、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよく、化合物の絶縁樹脂中における分散性がより優れる点で、直鎖状の脂肪族炭化水素部分の炭素原子数が１８以下、または、第３級または第４級の炭素原子を含む分岐鎖状であることが好ましい。
各炭化水素基中の炭素数は、銀のイオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、４以上が好ましく、５以上がより好ましく、７以上が特に好ましい。炭素数の上限は特に制限されないが、銀のイオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、６２以下が好ましく、３０以下がより好ましく、２４以下がさらに好ましい。
【００２２】
炭化水素基には、ヘテロ原子が含まれていてもよい。つまり、ヘテロ原子含有炭化水素基であってもよい。含有されるヘテロ原子の種類は特に制限されないが、ハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子などが挙げられる。なかでも、銀のイオンマイグレーション抑制能が優れる点で、−Ｙ1−、−Ｎ(Ｒa)−、−Ｃ(＝Ｙ2)−、−ＣＯＮ(Ｒb)−、−Ｃ(＝Ｙ3)Ｙ4−、−ＳＯt−、−ＳＯ2Ｎ(Ｒc)−、ハロゲン原子、またはこれらを組み合わせた基の態様で含まれることが好ましい。
Ｙ1〜Ｙ4は、各々独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、およびテルル原子からなる群から選択される。なかでも、取り扱いがより簡便である点から、酸素原子、硫黄原子が好ましい。
上記Ｒa、Ｒb、Ｒcは、各々独立に、水素原子または炭素数１〜２０の炭化水素基から選択される。
ｔは１〜３の整数を表す。
【００２３】
ヘテロ原子が炭化水素基中に含まれる場合、ヘテロ原子は炭化水素基の鎖中に存在するのでも、端部（末端部）に存在するものでもよい。なお、ヘテロ原子が炭化水素基中の端部に存在する場合、そのヘテロ原子を通じて上述した複素環部などに直接結合する形で、炭化水素基が複素環部に結合していてもよい。つまり、炭化水素基中において、ヘテロ原子が複素環部との結合位置に配置されていてもよい。
ヘテロ原子が炭化水素基の結合位置に存在する場合の炭化水素基の具体例としては、例えば、−Ｏ−Ｒp、−Ｓ−Ｒq、−ＳＯｔ−Ｒrなどが挙げられる。なかでも、銀のイオンマイグレーション抑制能がより安定的に優れる理由から、−Ｓ−Ｒqが好ましい。ｔは１〜３の整数を表す。
ここで、Ｒp、Ｒq、Ｒrは、各々独立に、−ＣＯＯ−または−ＣＯＮ＜を有していてもよい炭素数１〜３０の炭化水素基である。なかでも、−ＣＯＯ−または−ＣＯＮ＜を有していてもよい炭素数５〜２０の炭化水素基であることが好ましい。
なお、ヘテロ原子が炭化水素基中に含まれる場合、メルカプト基（−ＳＨ）の態様で含まれていてもよい。
【００２４】
炭化水素基の一つの好適態様としては、第３級炭素原子および／または第４級炭素原子を含む炭化水素基が挙げられる。
炭化水素基が第３級炭素原子および／または第４級炭素原子を含む場合、ＳＨ基含有化合物の絶縁樹脂中での分散性がより優れ、および／または、後述する溶媒（例えば、酢酸エチル、トルエン、メチルエチルケトンなど）への溶解性がより優れる。結果として、銀のイオンマイグレーション抑制能がより均質に発現され、また、銀のイオンマイグレーションを誘発する微結晶や微結晶由来の気泡がより生じにくくなる。
炭化水素基が第３級炭素原子および／または第４級炭素原子を含む炭化水素基である場合、第３級炭素原子および／または第４級炭素原子が不斉炭素原子であり、ＳＨ基含有化合物がエナンチオマーの混合物であることが好ましい。
また、炭化水素基は第３級炭素原子および／または第４級炭素原子を複数含む炭化水素基であることが好ましい。炭化水素基が第３級炭素原子および／または第４級炭素原子を複数含む場合、ＳＨ基含有化合物の分散性がより優れる理由から、第３級炭素原子および／または第４級炭素原子が不斉炭素原子であり、ＳＨ基含有化合物がジアステレオマーの混合物であることが好ましい。
第３級炭素原子および／または第４級炭素原子を含む炭化水素基の炭素数は、５〜３０であることが好ましく、６〜２０であることがより好ましい。上記範囲であると、ＳＨ基含有化合物の分散性がより優れ、その結果、銀のイオンマイグレーション抑制能がより均質に発現される。また、上記範囲であると、ＳＨ基含有化合物中のメルカプト基の量の点から、銀のイオンマイグレーション抑制能がより優れる。
第３級炭素原子および／または第４級炭素原子を含む炭化水素基の具体例としては、例えば、第３級炭素原子および／または第４級炭素原子を含む、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基などが挙げられる。
炭化水素基の具体例としては、例えば、以下の基を含む態様が挙げられる。ここで黒い丸は結合位置を表す。
【００２５】
【化１】
2014129441.tif 000002
【００２６】
【化２】
2014129441.tif 000003
【００２７】
【化３】
2014129441.tif 000004
【００２８】
【化４】
2014129441.tif 000005
【００２９】
炭化水素基の別の好適態様としては、下記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−７）からなる群より選択される少なくとも１種の基を含む炭化水素基が挙げられる。
炭化水素基が下記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−７）からなる群より選択される少なくとも１種の基を含む場合、上述した第３級炭素原子および／または第４級炭素原子を含む場合と同様に、ＳＨ基含有化合物の絶縁樹脂中での分散性がより優れ、および／または、後述する溶媒（例えば、酢酸エチル、トルエン、メチルエチルケトンなど）への溶解性がより優れる。結果として、銀のイオンマイグレーション抑制能がより均質に発現され、また、銀のイオンマイグレーションを誘発する微結晶や微結晶由来の気泡がより生じにくくなる。炭化水素基が下記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−７）からなる群より選択される２種以上の基を含んでいてもよい。
【００３０】
【化５】
2014129441.tif 000006
【００３１】
上記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−７）中、Ｘaは酸素原子、硫黄原子、セレン原子およびテルル原子からなる群から選択される原子である。なかでも、取り扱いがより簡便である点から、酸素原子、硫黄原子が好ましい。複数あるＸaは同一であっても異なっていてもよい。Ｘbは酸素原子または硫黄原子である。複数あるＸbは同一であっても異なっていてもよい。＊は結合位置を表す。
＊に炭素数１〜３０の脂肪族炭化水素基または炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基が結合していてもよい。
上記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−７）からなる群より選択される少なくとも１種の基を含む炭化水素基は、上記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−７）中の複数の＊の１つが複素環部に直接結合する炭化水素基であってもよい。
【００３２】
炭化水素基が上記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−７）で表される基を含む態様の具体例としては、例えば、以下の基を含む態様が挙げられる。ここで黒い丸は結合位置を表す。
【００３３】
【化６】
2014129441.tif 000007
【００３４】
【化７】
2014129441.tif 000008
【００３５】
【化８】
2014129441.tif 000009
【００３６】
ＳＨ基含有化合物の分子量は特に制限さないが、絶縁樹脂との相溶性がより優れる点から、５０〜１０００が好ましく、１００〜６００がより好ましい。
【００３７】
（好適態様（その１））
ＳＨ基含有化合物は、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、銀イオンとの溶解度積（ｐＫｓｐ）が１０超であることが好ましく、１１以上であることがより好ましい。上限は特に制限されないが、通常５０以下の場合が多く、イオンマイグレーションが課題となる電気回路周辺材料としての電気信頼性がより優れる点で４０以下が好ましく、２０以下がより好ましい。
なお、Ｋｓｐの測定方法としては、例えば丸善（株）刊  新実験化学講座第１巻  ２３３〜２５０ページに記載の情報を参考に測定することができる。
例えば、銀とのＫｓｐが既知の化合物Ａ（ハロゲン化銀など）とＫｓｐが未知の化合物Ｂ、硝酸銀をそれぞれ０．５ｍＭ水溶液に加えて１０時間恒温経時させる。その後、その溶液をミクロフィルターでろ過した後、残存化合物Ａ、化合物ＢをＨＰＬＣを用いて定量することにより、式  ＫｓｐＡｇＢ／ＫｓｐＡｇＡ＝[Ｂ]／[Ａ]により、未知のＫｓｐを求める。
ＳＨ基含有化合物は、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、ｐＫａ（酸解離定数）が２超であることが好ましく、３以上であることがより好ましい。上限は特に制限されないが、通常、１６以下の場合が多く、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、１５以下が好ましい。
なお、ｐＫａの測定方法としては、丸善（株）刊  実験化学講座第２版の２１５ページ〜２１７ページに記載のアルカリ適定法を採用する。
ＳＨ基含有化合物は、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、ＬｏｇＰが２超であることが好ましく、３以上であることがより好ましい。上限は特に制限されないが、通常、１１以下の場合が多く、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、１０以下が好ましい。
ここで、ＬｏｇＰ値は、物質の疎水性の程度を表す指標であり、例えば、測定されるオクタノール／水分配係数で表される値である。ＬｏｇＰ値（ｌｏｇＰｏ／ｗ値）の算出法としては、「２５℃でｎ−オクタノール中での該有機化合物の溶解度」をＳｏとし、「２５℃で純水中での該有機化合物の溶解度」をＳｗとした場合、ｌｏｇＰ＝Ｓｏ／Ｓｗで表される。なお、これらは、この通りにｎ−オクタノールと水を用いて測定することもできるが、本発明においては、ｌｏｇＰ値推算プログラム（Ｄａｙｌｉｇｈｔ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍｓ社のＰＣ Ｍｏｄｅｌｓに組み込まれたＣＬＯＧＰプログラム）を使用して分配係数（ｌｏｇＰ値）を求めることができる。
【００３８】
（好適態様（その２））
ＳＨ基含有化合物の好適態様としては、以下の式（１）〜式（５）で表される化合物が挙げられる。該化合物であれば、イオンマイグレーション抑制能により優れる。特に、本発明の効果がより優れる点で、式（１）または式（２）で表される化合物が好ましい。
【００３９】
【化９】
2014129441.tif 000010
式（１）中、Ｒ1およびＲ2は、各々独立に、水素原子またはヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。なお、Ｒ1およびＲ2の各基の分子量の合計は、５０以上である。また、Ｒ1およびＲ2の少なくともいずれか一方は、炭化水素基を表す。
また、上記Ｒ1およびＲ2の各基の分子量の合計の上限は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、１０００以下が好ましく、５００以下がより好ましく、３００以下がさらに好ましい。
なお、Ｒ1およびＲ2の各基の分子量の合計の計算方法は、Ｒ1およびＲ2の各々の基の分子量を計算し、それらを合計して求める。例えば、Ｒ1が水素原子で、Ｒ2がＣ5Ｈ11（分子量７１）である場合、Ｒ1およびＲ2の各基の分子量の合計は７２と計算される。なお、後述する式（３）、式（５）、式（７）〜式（９）中に定義される各基の合計の計算方法も、上記と同様の方法で計算できる。
ヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基の定義は上述の通りであり、好適態様も上述の通りである。なお、後述する式（２）〜式（１０）に記載されるヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基の定義も、上述の通りである。
Ｒ1およびＲ2の好適態様としては、ＳＨ基含有化合物のイオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、アリール基、または、−Ｙ1−、−Ｎ(Ｒa)−、−Ｃ(＝Ｙ2)−、−ＣＯＮ(Ｒb)−、または−Ｃ(＝Ｙ3)Ｙ4−を含んでいてもよい炭化水素基が挙げられ、Ｒ1およびＲ2のうち少なくともどちらか一方が脂肪族炭化水素基であることがより好ましい。Ｙ1〜Ｙ4、Ｒa〜Ｒbの定義は上述の通りである。
【００４０】
式（２）中、Ｒ3は分子量５０以上のヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。なお、上記Ｒ3の分子量の上限は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、１０００以下が好ましく、５００以下がより好ましく、３００以下がさらに好ましい。
炭化水素基の好適態様としては、ＳＨ基含有化合物のイオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、−Ｙ1−、−Ｎ(Ｒa)−を有する炭化水素基（特に、脂肪族炭化水素基）が好ましい。さらに、イオンマイグレーション抑制能がより向上することから、該炭化水素基が−Ｙ1−Ｒqであることがより好ましく、−Ｓ−Ｒqであることがさらに好ましい。Ｙ1、Ｒqの定義は上述の通りである。
【００４１】
式（３）中、Ｒ4は、水素原子またはヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。ｎは１〜４の整数を表す。Ｒ4が複数ある場合は、それらは同一であっても異なっていてもよい。
炭化水素基の好適態様としては、ＳＨ基含有化合物のイオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、−Ｙ1−、−Ｎ(Ｒa)−、−Ｃ(＝Ｙ2)−、−ＣＯＮ(Ｒb)−、−Ｃ(＝Ｙ3)Ｙ4−、−ＳＯｔ−、−ＳＯ2Ｎ(Ｒc)−、またはハロゲン原子を含んでいてもよい炭化水素基（例えば、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、またはそれらの組み合わせ）が挙げられ、以下の式（Ｚ）で表される基がより好ましい。該基であれば、ＳＨ基含有化合物の絶縁樹脂中における分散性がより優れ、イオンマイグレーション抑制効果がより向上する。ｔは１〜３の整数を表す。
＊−Ｌ1−Ｒ40    式（Ｚ）
式（Ｚ）中、Ｌ1は、単結合、−Ｏ−、−ＮＲ41−、−ＣＯ−、−Ｃ(Ｒ42)(Ｒ43)−またはこれらを組み合わせた基を表す。Ｒ41〜Ｒ43は、各々独立に、水素原子または脂肪族炭化水素基を表す。Ｒ40は、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、またはこれらを組み合わせた基を表す。脂肪族炭化水素基および芳香族炭化水素基の好適態様は、上述の通りである。なお、式（Ｚ）中、＊は結合位置を表す。
Ｑは、＞Ｎ−Ｒx基、硫黄原子、または酸素原子を表す。該基であれば、ＳＨ基含有化合物のイオンマイグレーション抑制能がより優れる。ここでＲxは、水素原子または炭化水素基から選択される。
なお、Ｒ4およびＲxの各基の分子量の合計は、５０以上である。Ｒ4が複数ある場合は、複数のＲ4およびＲｘの各基の分子量の合計を意図する。また、上記Ｒ4およびＲxの各基の分子量の合計の上限は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、１０００以下が好ましく、５００以下がより好ましく、３００以下がさらに好ましい。
【００４２】
式（４）中、Ｒ5は、分子量５０以上のヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。なお、上記Ｒ5の分子量の上限は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、１０００以下が好ましく、５００以下がより好ましく、３００以下がさらに好ましい。
【００４３】
式（５）中、Ｒ6およびＲ7は、各々独立に、水素原子、メルカプト基またはヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。
式（５）中、Ｘは、窒素原子または式（６）で表される炭素原子基を表す。
【００４４】
【化１０】
2014129441.tif 000011
【００４５】
式（６）中、Ｒ8は、水素原子またはヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。破線弧は、Ｘが含まれる式（５）の含窒素ヘテロ環を表す。
なお、Ｒ6〜Ｒ8の各基の分子量の合計は、５０以上である。また、上記Ｒ6〜Ｒ8の各基の分子量の合計の上限は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、１０００以下が好ましく、５００以下がより好ましく、３００以下がさらに好ましい。
【００４６】
ＳＨ基含有化合物の製造方法は、特に限定はなく、種々の方法により製造することができる。
例えば、上記式（１）で表される化合物は、特公昭４６−１９０３９号、特開平９−３１９０２２号の明細書に記載の合成法を、式（２）で表される化合物は、米国特許第３２１２８９２号の明細書に記載の合成法を、式（３）で表される化合物は、欧州特許第７４２２１０号の明細書に記載の合成法を用いることができるが、これらに限定されるものではない。
また、ＳＨ基含有化合物としては、市販品を使用することもできる。
【００４７】
（フェノール化合物）
樹脂組成物には、フェノール化合物が含まれる。この化合物は、銀イオンを金属銀に還元することにより、イオンマイグレーションを抑制する。
フェノール化合物とは、フェノール基を分子中に含む化合物を意味する。
フェノール化合物の種類としては特に制限されないが、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、酸化還元電位が０．１〜１．０Ｖであることが好ましく、０．１〜０．９Ｖがより好ましく、０．１５〜０．７Ｖがさらに好ましい。
酸化還元電位の測定方法は次の通りである。
測定するフェノール化合物を１ｍＭのＤＭＦ溶液として調製し、支持電解質として過塩素酸テトラブチルアンモニウム０．１ＭのＤＭＦ溶液に５分間Ａｒバブリングを行った後、電気化学アナライザーとしてビー・エー・エス株式会社 ＡＬＳ−６０４Ａ、作用極Glassy Carbon、対極Ｐｔ、参照電極として銀電極という仕様にて、サイクリックボルタンメトリー測定を実施する。当該測定系では、可逆的酸化還元反応を行う代表的有機化合物として知られる（技報堂出版(株)刊  電気化学測定法（上））フェロセン/フェリシニウム酸化還元系では０．１３Ｖとして計測される。
フェノール化合物は、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、ＬｏｇＰが０超であることが好ましく、３以上がより好ましい。ＬｏｇＰの測定方法は、上述の通りである。
【００４８】
（好適態様）
フェノール化合物の好適態様としては、以下の式（７）〜式（９）で表される化合物が挙げられる。該化合物であれば、絶縁樹脂との相溶性により優れ、イオンマイグレーション抑制能により優れる。
【００４９】
【化１１】
2014129441.tif 000012
【００５０】
式（７）中、Ｒ11〜Ｒ15は、各々独立に、水素原子、水酸基、またはヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。
炭化水素基の好適例としては、例えば、−Ｏ−Ｒ31が挙げられる。Ｒ31は、ヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。−Ｏ−Ｒ31が複数ある場合は、それらは同一であっても異なっていてもよい。
炭化水素基の炭素数としては、絶縁樹脂との相溶性により優れる点で、１〜１２が好ましく、１〜１０がより好ましい。
炭化水素基としては、より具体的には、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、またはこれらを組み合わせた基が挙げられる。脂肪族炭化水素基としては、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。
また、Ｒ11〜Ｒ15の各基の分子量の合計は２１以上である。なかでも、３５以上が好ましい。なお、上限は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、１０００以下が好ましく、５００以下がより好ましく、３００以下がさらに好ましい。
また、Ｒ11〜Ｒ15は、任意の２つが互いに結合して環を形成してもよい。例えば、Ｒ11とＲ12、Ｒ12とＲ13、Ｒ13とＲ14、または、Ｒ14とＲ15などのように隣接する２つの基が、各々結合して環を形成してもよい。形成される環の種類は特に制限されないが、例えば、５〜６員環構造を挙げることができる。
【００５１】
式（８）中、Ｒ16〜Ｒ23は、各々独立に、水素原子、水酸基、またはヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。
Ｒ16〜Ｒ23で表される炭化水素基の好適範囲は、上述したＲ11〜Ｒ15で表される炭化水素基の好適範囲と同義である。
また、Ｒ16〜Ｒ23の各基の分子量の合計は２４以上である。なかでも、３５以上が好ましい。なお、上限は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、１０００以下が好ましく、５００以下がより好ましく、３００以下がさらに好ましい。また、Ｒ16〜Ｒ23は、任意の２つが互いに結合して環を形成してもよい。
Ｒ24は、水素原子またはヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。
【００５２】
式（９）中、Ｒ25〜Ｒ28は、各々独立に、水素原子、水酸基、またはヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。
Ｒ25〜Ｒ28で表される炭化水素基の好適範囲は、上述したＲ11〜Ｒ15で表される炭化水素基の好適範囲と同義である。
また、Ｒ25〜Ｒ28の各基の分子量の合計は４０以上である。なかでも、５０以上が好ましい。なお、上限は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、１０００以下が好ましく、５００以下がより好ましく、３００以下がさらに好ましい。
また、Ｒ25〜Ｒ28は、任意の２つが互いに結合して環を形成してもよい。
Ｌは、ヘテロ原子を有していてもよい２価若しくは３価の炭化水素基、−Ｓ−、または、これらを組み合わせた基を表す。２価の炭化水素基の炭素数は、絶縁樹脂との相溶性により優れる点で、１〜１２が好ましく、１〜１０がより好ましい。
ｍは、２または３の整数を表す。
【００５３】
式（７）中のＲ13、式（８）中のＲ18およびＲ21の好適態様として、式（１０）で表される基が挙げられる。
式（１０）    ＊−ＣＨ2−Ｒ34
Ｒ34は、水素原子または炭素数１〜１９の炭化水素基を表す。Ｒ34で表される炭化水素基の炭素数は、絶縁樹脂との相溶性により優れる点で、１〜１２が好ましく、１〜１０がより好ましい。＊は結合位置を表す。
【００５４】
フェノール化合物の好適態様として、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、式（１１）で表される化合物が挙げられる。
【００５５】
【化１２】
2014129441.tif 000013
【００５６】
式（１１）中、Ｒ50およびＲ51は、各々独立に、水素原子、水酸基、酸素原子を含んでもよい脂肪族炭化水素基、酸素原子を含んでもよい芳香族炭化水素基を表す。なかでも、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、少なくともＲ50およびＲ51のいずれか一方が３級あるいは４級炭素原子を含むアルキル基であることが好ましい。
脂肪族炭化水素基または芳香族炭化水素基に含まれる炭素原子の数は特に制限されないが、１〜２０がより好ましい。特に、Ｒ50が炭素原子数１〜５個のアルキル基で、Ｒ51が炭素原子数１０〜２０個のアルキル基であることが好ましい。
【００５７】
また、Ｒ50およびＲ51の各基中に含まれる炭化水素基の分子量の合計は３０以上が好ましく、５０以上がより好ましい。炭素原子の合計数が該範囲であれば、銀のイオンマイグレーション抑制能がより向上する。
【００５８】
フェノール化合物としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。
【００５９】
【化１３】
2014129441.tif 000014
【００６０】
【化１４】
2014129441.tif 000015
【００６１】
【化１５】
2014129441.tif 000016
【００６２】
【化１６】
2014129441.tif 000017
【００６３】
【化１７】
2014129441.tif 000018
【００６４】
（絶縁樹脂）
樹脂組成物には、絶縁樹脂が含有される。
使用される絶縁樹脂としては、公知の絶縁性の樹脂（熱可塑性樹脂、硬化性樹脂など）を使用することができ、層形成がより容易である点より、硬化性絶縁樹脂（例えば、熱硬化性絶縁樹脂および光硬化性絶縁樹脂）を使用することが好ましい。
【００６５】
熱硬化性絶縁樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、珪素樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、シアン酸エステル樹脂、イソシアネート樹脂、アルキドメラミン樹脂、キシレン樹脂、またこれらの変性樹脂などが挙げられる。
光硬化性絶縁樹脂としては、例えば、不飽和ポリエステル樹脂、ポリエステルアクリレート樹脂、ウレタンアクリレート樹脂、シリコーンアクリレート樹脂、エポキシアクリレート樹脂、またはこれらの変性樹脂などが挙げられる。
その他の絶縁樹脂としては、例えば、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、エチレン−アクリル酸エチル共重合体（ＥＥＡ）、ポリ乳酸、フッ素含有樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂などの熱可塑性樹脂も挙げられる。
なかでも、上述した化合物との相溶性がより優れる点で、エポキシ樹脂、アクリル樹脂が好ましい。
【００６６】
また、必要に応じて、絶縁樹脂をガラス織布、ガラス不織布、アラミド不織布などの心材に含浸させて使用してもよい。具体的には、ガラス布エポキシ樹脂、ガラス布ビスマレイミドトリアジン樹脂、ガラス布ポリフェニレンエーテル樹脂、アラミド不織布−エポキシ樹脂、アラミド不織布−ポリイミド樹脂などを使用してもよい。
なお、樹脂組成物を粘着層形成用組成物として使用する場合、絶縁樹脂として後述する粘着性絶縁樹脂（粘着剤）を使用することもできる。
【００６７】
（任意成分）
樹脂組成物には、必要に応じて、溶媒が含有される。樹脂組成物中に溶媒が含まれることによって、樹脂組成物の取扱い性が向上し、所望の膜厚の樹脂層を形成しやすくなる。
使用される溶媒の種類は特に制限されず、水または有機溶媒が挙げられる。
なお、使用される有機溶媒としては、例えば、アルコール系溶媒（例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、sec-ブタノール、カルビトール、ジエチレングリコールモノエチルエーテル）、ケトン系溶媒（例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン）、芳香族炭化水素溶媒（例えば、トルエン、キシレン）、アミド系溶媒（例えば、ホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルプロピレンウレア）、ニトリル系溶媒（例えば、アセトニトリル、プロピオニトリル）、エステル系溶媒（例えば、酢酸メチル、酢酸エチル）、カーボネート系溶媒（例えば、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート）、エーテル系溶媒、ハロゲン系溶媒などが挙げられる。これらの溶媒を、２種以上混合して使用してもよい。
【００６８】
（樹脂組成物中の各成分比）
樹脂組成物には、上述したＳＨ基含有化合物、フェノール化合物、および、絶縁樹脂が含まれる。
樹脂組成物中における、ＳＨ基含有化合物の質量（Ａ）とフェノール化合物の質量（Ｂ）との質量比（Ａ／Ｂ）は特に制限されないが、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、０．１〜１０．０が好ましく、０．１５〜６．０がより好ましい。
【００６９】
樹脂組成物中における、ＳＨ基含有化合物の質量（Ａ）と絶縁樹脂の質量（Ｃ）との質量比（Ａ／Ｃ）は特に制限されないが、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、０．０００５〜０．１が好ましく、０．００１〜０．０５がより好ましい。
なお、フェノール化合物の質量（Ｂ）と絶縁樹脂の質量（Ｃ）との質量比（Ｂ／Ｃ）の好適範囲も、上記質量比（Ａ／Ｃ）と同義である。
樹脂組成物中に溶媒が含まれる場合、その含有量は特に制限されないが、樹脂組成物全量に対して、２０〜８０質量％が好ましく、２５〜７５質量％がより好ましい。
【００７０】
樹脂組成物の用途は特に制限されず、種々の用途に使用できる。例えば、マイグレーション防止層形成用や、はんだ保護層、耐傷性保護層、耐折クッション層、積層調整用柱材等に使用できる。
また、後述するように絶縁樹脂として粘着樹脂を用いる場合、粘着シートの形成用にも使用できる。
【００７１】
ＳＨ基含有化合物およびフェノール化合物の好適な組み合わせとしては、ＳＨ基含有化合物が式（１）〜式（５）で表される化合物であり、フェノール化合物が式（７）〜（９）で表される化合物である組み合わせが挙げられる。なかでも、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、式（２）で表される化合物と式（８）で表される化合物とを使用する組み合わせ、式（４）で表される化合物と式（８）で表される化合物とを使用する組み合わせ、または、式（５）で表される化合物と式（８）で表される化合物とを使用する組み合わせが挙げられる。
【００７２】
［粘着シート］
次に、本発明の粘着シートについて詳述する。
なお、粘着シートは、粘着層のみからなり基材を有しないタイプ（基材レス粘着シート）であっても、基材の少なくとも一方の主面に粘着層が配置された基材を有するタイプ（基材付き粘着シート。例えば、基材の両面に粘着層を有する基材付き両面粘着シート、基材の片面にのみ粘着層を有する基材付き片面粘着シート）であってもよい。なかでも、粘着シートを用いた製品の薄膜化の観点からは、基材レス両面粘着シートが好ましい。
【００７３】
粘着シートの粘着層には、上述したＳＨ基含有化合物と、上述したフェノール化合物と、粘着性絶縁樹脂が含まれる。ＳＨ基含有化合物およびフェノール化合物の態様は、上述の通りである。
なお、透明粘着シートが基材付き粘着シートの場合、ＳＨ基含有化合物およびフェノール化合物は粘着層だけでなく、基材と粘着層の両方に含まれていてもよい。
【００７４】
粘着シートが基材付き粘着シートである場合、粘着層は基材の片面または両面に設けられる。使用される基材の種類は特に制限されないが、透明基材を使用することが好ましい。透明基材としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、セロファン、ジアセチルセルロースフィルム、トリアセチルセルロースフィルム、アセチルセルロースブチレートフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、エチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリスルホンフィルム、ポリエーテルエーテルケトンフィルム、ポリエーテルスルホンフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリイミドフィルム、フッ素樹脂フィルム、ナイロンフィルム、アクリル樹脂フィルムなどを挙げることができる。
【００７５】
粘着性絶縁樹脂としては特に限定されず、粘着性を示す絶縁樹脂であれば公知の材料を使用することができる。例えば、ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、ウレタン変性アクリル樹脂、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤などの各種の粘着剤を使用できるが、透明性がより優れると共に上記ＳＨ基含有化合物およびフェノール化合物との相溶性がより優れる点で、アクリル系粘着剤あるいはウレタン変性アクリル樹脂が好ましい。
【００７６】
アクリル系粘着剤は、アルキル（メタ）アクリレートのモノマーユニットを主骨格とするアクリル系ポリマーをベースポリマーとする。なお、（メタ）アクリレートはアクリレートおよび／またはメタクリレートをいう。アクリル系ポリマーの主骨格を構成する、アルキル（メタ）アクリレートのアルキル基の平均炭素数は１〜１２程度が好ましく、アルキル（メタ）アクリレートの具体例としては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート等を例示できる。
ウレタン変性アクリル樹脂とは、上記アクリル系粘着剤を多価イソシアネートにより変性硬化させたポリマーである。
【００７７】
粘着シート中の粘着層の厚みは特に制限されず、タッチパネルへの応用の点から、５〜１５０μｍが好ましく、２０〜１００μｍがより好ましい。
粘着層の厚みを２０μｍ以上とすることで貼り付ける基板の段差や凹凸をカバーできるという効果が得られ、１００μｍ以下とすることで粘着シートの透過率を充分に確保できるという効果が得られる。
また、粘着シートは、光学的に透明であることが好ましい。いわゆる、透明粘着シートであることが好ましい。
具体的には、５０℃、５気圧条件に３０分さらした後に、２５℃、５０％条件に２４時間静置直後の全光線透過率が８０％以上（より好ましくは８５％以上、さらに好ましくは９０％以上）、ヘイズが１．０％以下（より好ましくは０．７％以下）であることが好ましい。
【００７８】
粘着層中における上記ＳＨ基含有化合物の質量（Ａ）と上記フェノール化合物の質量（Ｂ）との質量比（Ａ／Ｂ）は、上述した樹脂組成物中における質量比（Ａ／Ｂ）と同義であり、好適範囲も同じである。
なお、粘着層中における上記ＳＨ基含有化合物の質量（Ａ）と粘着性絶縁樹脂の質量（Ｃ）との質量比（Ａ／Ｃ）は、上述した樹脂組成物中におけるＳＨ基含有化合物の質量（Ａ）と絶縁樹脂の質量（Ｃ）との質量比（Ａ／Ｃ）と同義であり、好適範囲も同じである。
また、粘着層中における上記フェノール化合物の質量（Ｂ）と粘着性絶縁樹脂の質量（Ｃ）との質量比（Ｂ／Ｃ）は、上述した樹脂組成物中におけるフェノール化合物の質量（Ｂ）と絶縁樹脂の質量（Ｃ）との質量比（Ｂ／Ｃ）と同義であり、好適範囲も同じである。
【００７９】
上記粘着シートは、公知の方法によって製造することができる。例えば、基材レス透明両面粘着シートの場合には、セパレータ（剥離ライナー）上にＳＨ基含有化合物、フェノール化合物および粘着性絶縁樹脂を含む粘着剤組成物を、乾燥後の厚さが所定の厚さとなるように塗布して粘着剤組成物の塗布層を設けた後、該塗布層を乾燥、必要に応じて硬化して、粘着層を形成することにより、透明両面粘着シートを作製しうる。
また、基材付き透明両面粘着シートの場合には、ＳＨ基含有化合物、フェノール化合物および粘着性絶縁樹脂を含む粘着剤組成物を、基材表面に直接塗布、乾燥することにより粘着層を設けてもよいし（直写法）、上記と同様にセパレータ上にＳＨ基含有化合物、フェノール化合物および粘着性絶縁樹脂を含む粘着層を形成した後、基材と転写する（貼り合わせる）ことにより基材上に粘着層を設けてもよい（転写法）。
【００８０】
［配線基板］
次に、本発明の配線基板の好適態様について、図面を参照して詳述する。
図１は、配線基板の一実施態様の模式的断面図を示し、配線基板１０は、絶縁基板１２と、絶縁基板１２上に配置された金属配線１４と、金属配線１４を覆う樹脂層１８とを備える。なお、絶縁基板１２と金属配線１４とは、金属配線付き絶縁基板１６を構成する。
以下に、各部材（絶縁基板１２、金属配線１４、樹脂層１８）について詳述する。
【００８１】
（絶縁基板）
絶縁基板は絶縁性であり、金属配線を支持できるものであれば、その種類は特に制限されない。例えば、有機基板、セラミック基板、ガラス基板などを使用することができる。
また、絶縁基板は、有機基板、セラミック基板、およびガラス基板からなる群から選ばれる少なくとも２つの基板が積層した構造であってもよい。
【００８２】
有機基板の材料としては樹脂が挙げられ、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、またはそれらを混合した樹脂を使用することが好ましい。熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、アクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フラン樹脂、ケトン樹脂、キシレン樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、アラミド樹脂、液晶ポリマーなどが挙げられる。
なお、有機基板の材料としては、ガラス織布、ガラス不織布、アラミド織布、アラミド不織布、芳香族ポリアミド織布や、これらに上記樹脂を含浸させた材料なども使用できる。
【００８３】
（金属配線）
金属配線は、主に銀を含む。銀は銀合金の形態で含まれていてもよく、金属配線が銀合金を含む場合、銀以外の含有される金属としては、例えば、錫、パラジウム、金、ニッケル、クロムなどが挙げられる。なお、金属配線中に、本発明の効果を損なわない範囲で、バインダーなどの樹脂成分や感光性化合物などが含まれていてもよく、さらに必要に応じてその他の成分が含まれていてもよい。
また、金属配線は、銀または銀合金からなる金属ナノワイヤを含有することが好ましい。なお、金属ナノワイヤについては、後段で詳述する。
【００８４】
金属配線の単位面積当たりに含まれる銀量は、５０μｇ／ｍｍ2以下であることが好ましい。銀量を上記範囲にすることにより、金属配線の膜厚および幅を小さくすることが可能となり、高密度集積化の要望に対応することができる。銀量が多すぎると、金属配線間で短絡が生じやすくなる。なかでも、銀量は３０μｇ／ｍｍ2以下であることが好ましく、１５μｇ／ｍｍ2以下であることがより好ましい。下限に関しては特に制限されないが、金属配線の導電特性がより優れる点で、０．００１μｇ／ｍｍ2以上が好ましく、０．００５μｇ／ｍｍ2以上がより好ましい。
なお、金属配線中に含まれる銀量が少ない場合にイオンマイグレーションが起こると、金属配線を形成している銀が溶出して、金属配線の断線が生じやすくなる。しかし、本発明においては、所定の化合物を含む樹脂層で金属配線を覆うことにより、銀のイオンマイグレーションを抑制し、金属配線の断線を抑制することができる。
【００８５】
銀量の測定方法は特に制限されず、公知の方法を採用できる。例えば、金属配線の断面ＳＥＭ写真を観察して元素分析することにより銀量を測定することができる。また、金属配線を硝酸などの強酸と接触させて、金属配線中の銀を溶解させ、溶解した量から銀量を測定することもできる。また、銀ナノワイヤや銀ナノ粒子を含む分散液を使用して金属配線を作製する場合は、金属配線を作製する際に使用した分散液の量から、金属配線中における銀量を計算により求めることもできる。
また、金属配線の単位面積当たりとは、金属配線の絶縁基板との接触部分の単位面積当たりを意味する。つまり、金属配線と絶縁基板との接触部分の面積のみを基準に銀量の計算を行う。言い換えると、金属配線と接触していない絶縁基板表面（例えば、金属配線間に位置する、金属配線と接触していない絶縁基板表面）の面積は、上記金属配線の単位面積当たりの計算には考慮にいれない。従って、金属配線の単位面積当たりに含まれる銀量とは、金属配線と絶縁基板との接触部分における単位面積あたり（ｍｍ2）に含まれる銀量を意味する。
【００８６】
金属配線の幅は特に制限されないが、配線基板の高集積化部および引き出し配線部（リード配線部）における電気信頼性を確保する点から、０．１〜１００００μｍが好ましく、０．１〜３００μｍがより好ましく、０．１〜１００μｍがさらに好ましく、０．２〜５０μｍが特に好ましい。
金属配線間の間隔は特に制限されないが、配線基板の高集積化の点から、０．１〜１０００μｍが好ましく、０．１〜３００μｍがより好ましく、０．１〜１００μｍがさらに好ましく、０．２〜５０μｍが特に好ましい。
また、金属配線の形状は特に制限されず、任意の形状であってもよい。例えば、直線状、曲線状、矩形状、円状などが挙げられる。また、金属配線の配置（パターン）は特に制限あれず、例えば、ストライプ状が挙げられる。
さらに、図１において金属配線１４は２つ設けられているが、その数は特に制限されない。通常、金属配線は複数設けられる。
【００８７】
金属配線の厚みは特に制限されないが、配線基板の高集積化の点から、０．００１〜１００μｍが好ましく、０．０１〜３０μｍがより好ましく、０．０１〜２０μｍがさらに好ましい。
【００８８】
金属配線の形成方法は特に制限されず、蒸着法、スパッタリング法などの物理的成膜法、またはＣＶＤ法などの化学的気相法、銀ナノ粒子や銀ナノワイヤを含有した銀ペーストを塗布して形成する方法、特開２００９−１８８３６０号に開示される銀塩を利用した方法などが挙げられる。
【００８９】
図１においては、金属配線１４は、絶縁基板１２の片面だけに設けられているが、両面に設けられていてもよい。つまり、金属配線付き絶縁基板１６は、片面基板であっても、両面基板であってもよい。金属配線１４が絶縁基板１２の両面にある場合、樹脂層１８も両面に設けてもよい。
また、図１では、金属配線１４が一層の配線構造を例にあげたが、もちろんこれに限定されない。例えば、図２に示すように、複数の金属配線１４ａ、１４ｂと絶縁基板１２ａ、１２ｂとを交互に積層した金属配線付き絶縁基板１６ａ（多層配線基板）を使用することにより、多層配線構造の配線基板１００としてもよい。
【００９０】
また、絶縁基板中にスルーホールが形成されていてもよい。絶縁基板の両面に金属配線が設けられる場合は、該スルーホール内に金属（例えば、銀または銀合金）が充填されることにより、両面の金属配線が導通されていてもよい。
【００９１】
（金属ナノワイヤ）
金属ナノワイヤは、銀または銀合金から構成される。銀合金の種類は、上述の通りである。金属ナノワイヤとは、導電性を有し、且つ長軸方向長さが直径（短軸方向長さ）に比べて十分に長い形状を持つものをいう。中実繊維であっても、中空繊維であってもよい。
【００９２】
金属ナノワイヤの材料は、導電性に優れる点で、銀、または、銀と他の金属との合金が特に好ましい。銀との合金で使用する他の金属としては、白金、オスミウム、パラジウム、イリジウム、錫、ビスマス、ニッケルなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００９３】
金属ナノワイヤの平均短軸長さ（「平均短軸径」と称することがある）としては、５〜５０ｎｍであり、５〜２５ｎｍがより好ましく、さらに５〜２０ｎｍが特に好ましい。
平均短軸径が５ｎｍ以上とすることで、耐酸化性を向上させられるため好ましく、平均短軸径を５０ｎｍ以下とすることで、金属ナノワイヤの散乱を低減できるため好ましい。特に、平均短軸長さを２５ｎｍ以下にすることより、金属ナノワイヤの散乱は大きく低減でき、より好ましい。
【００９４】
金属ナノワイヤの平均長軸長さ（「平均長軸径」と称することがある）としては、５μｍ以上であることが好ましく、５μｍ〜４０μｍがより好ましく、５μｍ〜３０μｍがさらに好ましい。
平均長軸径を５μｍ以上とすることで金属ナノワイヤ同士が接触して導電性ネットワーク形成しやすくなるため好ましく、４０μｍ以下とすることで金属ナノワイヤ同士が製造時に絡まる可能性が低くなるため好ましい。
金属ナノワイヤの平均長軸長さは、例えば、透過型電子顕微鏡（日本電子株式会社製、ＪＥＭ−２０００ＦＸ）を用い、３００個の金属ナノワイヤを観察し、その平均値から金属ナノワイヤの平均長軸長さを求める。なお、金属ナノワイヤが曲がっている場合、それを弧とする円を考慮し、その半径、および、曲率から算出される値を長軸長さとする。
【００９５】
金属ナノワイヤの製造方法は特に制限はなく、いかなる方法で作製してもよいが、ハロゲン化合物と分散剤を溶解した溶媒中で金属イオンを還元することによって製造することが好ましい。また、金属ナノワイヤを形成した後は、常法により脱塩処理を行うことが、分散性、導電膜の経時安定性の観点から好ましい。
また、金属ナノワイヤの製造方法としては、特開２００９−２１５５９４号公報、特開２００９−２４２８８０号公報、特開２００９−２９９１６２号公報、特開２０１０−８４１７３号公報、特開２０１０−８６７１４号公報、特表２００９−５０５３５８号公報などに記載の方法を用いることができる。
【００９６】
金属ナノワイヤのアスペクト比としては目的に応じて適宜選択することができるが、１０以上であれば特に制限なく、５０以上がより好ましく、１００以上がさらに好ましく、５０００以上がさらに好ましく、１０，０００から１００，０００が特に好ましい。アスペクト比とは、一般的には繊維状の物質の長辺と短辺との比（平均長軸長さ／平均短軸長さの比）を意味する。
アスペクト比の測定方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、電子顕微鏡等により測定する方法などが挙げられる。
金属ナノワイヤのアスペクト比を電子顕微鏡で測定する場合、電子顕微鏡の１視野で確認できればよい。また、金属ナノワイヤの平均長軸長さと平均短軸長さとを各々別に測定することによって、金属ナノワイヤ全体のアスペクト比を見積もることができる。
なお、金属ナノワイヤがチューブ状の場合には、アスペクト比を算出するための直径としては、該チューブの外径を用いる。
【００９７】
（樹脂層）
樹脂層は、金属配線付き絶縁基板の金属配線側の表面に配置され、金属配線表面を覆い、金属配線間の銀のイオンマイグレーションを抑制するための層である。言い換えれば、樹脂層は銀イオン拡散抑制層に該当する。
なお、樹脂層中には、銀イオンまたは金属銀が実質的に含まれていないことが好ましい。樹脂層に過剰の銀イオンまたは金属銀が含まれていると、イオンマイグレーション抑制効果が低下する場合がある。
なお、銀イオンまたは金属銀が実質的に含まれないとは、樹脂層中における銀イオンまたは金属銀の含有量が、１μｍｏｌ／ｌ以下であることを指し、０．１μｍｏｌ／ｌ以下であることがより好ましく、最も好ましくは０ｍｏｌ／ｌである。
【００９８】
樹脂層の厚みは特に制限されないが、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、５〜１０００μｍが好ましく、１０〜５００μｍがより好ましい。
【００９９】
樹脂層には、上述したＳＨ基含有化合物、フェノール化合物、および絶縁樹脂が含有される。それぞれの成分の定義は、上述の通りである。
なお、絶縁樹脂として上述した粘着性絶縁樹脂を使用した場合、この樹脂層は粘着層として機能する。
【０１００】
樹脂層中における上記ＳＨ基含有化合物の質量（Ａ）と上記フェノール化合物の質量（Ｂ）との質量比（Ａ／Ｂ）は、上述した樹脂組成物中における質量比（Ａ／Ｂ）と同義であり、好適範囲も同じである。
なお、樹脂層中における上記ＳＨ基含有化合物の質量（Ａ）と絶縁樹脂の質量（Ｃ）との質量比（Ａ／Ｃ）は、上述した樹脂組成物中におけるＳＨ基含有化合物の質量（Ａ）と絶縁樹脂の質量（Ｃ）との質量比（Ａ／Ｃ）と同義であり、好適範囲も同じである。
また、樹脂層中における上記フェノール化合物の質量（Ｂ）と絶縁樹脂の質量（Ｃ）との質量比（Ｂ／Ｃ）は、上述した樹脂組成物中におけるフェノール化合物の質量（Ｂ）と絶縁樹脂の質量（Ｃ）との質量比（Ｂ／Ｃ）と同義であり、好適範囲も同じである。
【０１０１】
樹脂層は、光学的に透明であることが好ましい。具体的には、６０℃、９０％ＲＨ条件下に１００時間静置直後の全光線透過率が８０％以上（より好ましくは８５％以上、さらに好ましくは９０％以上）、ヘイズが１．０％以下（より好ましくは０．７％以下）であることが好ましい。
【０１０２】
樹脂層の製造方法は特に制限されず、例えば、ＳＨ基含有化合物、フェノール化合物、および絶縁樹脂を含む樹脂組成物を金属配線付き絶縁基板上に塗布して、必要に応じて溶媒を除去して、樹脂層を形成する方法がある。また、ＳＨ基含有化合物、フェノール化合物、および絶縁樹脂を含む樹脂シート（例えば、粘着性絶縁樹脂を使用した場合）を直接金属配線付き絶縁基板上に積層（貼り付け）する方法も挙げられる。
【０１０３】
（絶縁層）
必要に応じて、上記で得られた配線基板の樹脂層の表面にさらに絶縁層を設けてもよい。樹脂層上にさらに絶縁層を設けることにより、該絶縁層上に金属配線を設けて多層配線基板とすることができる。
以下では、使用される材料（絶縁層）について説明し、その後製造方法の手順について説明する。
【０１０４】
絶縁層の材料としては、公知の絶縁性の材料を使用することができる。例えば、エポキシ樹脂、アラミド樹脂、結晶性ポリオレフィン樹脂、非晶性ポリオレフィン樹脂、フッ素含有樹脂（ポリテトラフルオロエチレン、全フッ素化ポリイミド、全フッ素化アモルファス樹脂など）、ポリイミド樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、アクリレート樹脂など挙げられる。
また、絶縁層として、いわゆる光学用透明粘着シート（ＯＣＡ）を使用してもよい。ＯＣＡは市販品を用いてもよく、例えば、３Ｍ（株）製８１７１ＣＬシリーズ、８１４６シリーズなどが挙げられる。
また、絶縁層として、いわゆるソルダーレジスト層を使用してもよい。ソルダーレジストは市販品を用いてもよく、例えば、太陽インキ製造（株）製ＰＦＲ８００、ＰＳＲ４０００（商品名）、日立化成工業（株）製 ＳＲ７２００Ｇなどが挙げられる。
【０１０５】
なかでも、絶縁層は、エポキシ基または（メタ）アクリレート基を有する樹脂を含むことが好ましい。該樹脂は上述した銀イオン拡散抑制層と結合しやすく、結果として絶縁層の密着性が向上し、結果として銀のイグレーション抑制効果がより向上する。
該樹脂は絶縁層の主成分であることが好ましい。主成分とは、該樹脂の合計が絶縁層全量に対して、５０質量％以上であることを意図し、６０質量％以上であることが好ましい。なお、上限としては、１００質量％である。
【０１０６】
エポキシ基を有する樹脂としては、公知のエポキシ樹脂を使用することができる。例えば、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂等を用いることができる。
（メタ）アクリレート基を有する樹脂としては、公知の樹脂を使用することができる。例えば、アクリレート樹脂、メタクリレート樹脂等を用いることができる。
【０１０７】
配線基板上への絶縁層の形成方法は特に制限されず、公知の方法を採用することができる。例えば、絶縁層のフィルムを直接配線基板上にラミネートする方法や、絶縁層を構成する成分を含む絶縁層形成用組成物を配線基板上に塗布する方法や、配線基板を該絶縁層形成用組成物に浸漬する方法などが挙げられる。
なお、上記絶縁層形成用組成物には、必要に応じて溶媒が含まれていてもよい。溶媒を含む絶縁層形成用組成物を使用する場合は、該組成物を配線基板上に配置した後、必要に応じて溶媒を除去するために加熱処理を施してもよい。
また、絶縁層を配線基板上に設けた後、必要に応じて、絶縁層に対してエネルギー付与（例えば、露光または加熱処理）を施してもよい。
【０１０８】
形成される絶縁層の層厚は特に制限されず、金属配線間の絶縁信頼性の観点からは、５〜５０μｍが好ましく、１０〜４０μｍがより好ましい。
【０１０９】
また、得られた絶縁層付き配線基板中の絶縁層をドリル加工やレーザー加工により一部除去して、半導体チップを実装して、回路板として使用してもよい。
例えば、絶縁層としてソルダーレジストを使用する場合は、所定のパターン状のマスクを絶縁層上に配置し、エネルギーを付与して硬化させ、エネルギー未付与領域の絶縁層を除去して金属配線を露出させる。次に、露出した金属配線の表面を公知の方法で洗浄（例えば、硫酸、ソフトエッチング剤、アルカリ、界面活性剤を使用して洗浄）した後、半導体チップを金属配線表面上に実装する。
【０１１０】
また、得られた絶縁層上にさらに金属配線を設けてもよい。金属配線を形成する方法は特に制限されず、公知の方法（めっき処理、スパッタリング処理など）を使用することができる。
本発明においては、得られた絶縁層付き配線基板中の最外層に配置される絶縁層上にさらに金属配線を設けた基板を新たな金属配線付き絶縁基板（内層基板）として使用し、新たに絶縁層および金属配線を幾層にも積層することができる。
【０１１１】
配線基板は、金属配線間のイオンマイグレーションをより抑制できる点から、例えば、タッチパネル、ディスプレイ用電極、電磁波シールド、有機または無機ＥＬディスプレイ用電極、電子ペーパー、フレキシブルディスプレイ用電極、集積型太陽電池、表示素子、その他の各種デバイスなどに幅広く適用される。これらの中でも、タッチパネルが特に好ましい。以下に、タッチパネルの態様について詳述する。
【０１１２】
上述した配線基板をタッチパネルに使用した場合、金属配線間でのイオンマイグレーションがより抑制されることから過酷な環境下に長期間に渡って放置された後であってもその性能が維持される。
近年、タッチパネルの小型の情報端末機器への適用が進み、広い入力エリアを確保するため、額縁部分の幅を狭くすること（狭額縁化）が求められている。通常、タッチパネルの額縁部分にはリード配線（周辺配線）が配置されており、挟額縁化を達成するためには、リード配線の幅およびリード配線間の距離をより狭小化する必要がある。一方、このような狭小化を実施するとリード配線の断線や、リード配線間の短絡が進行しやすくなる。
それに対して、上記配線基板をリード配線部に適用した場合（つまり、配線基板の金属配線をリード配線として適用した場合）、ＳＨ基含有化合物およびフェノール化合物を含む樹脂層の機能によって、リード配線（金属配線）の断線や、リード配線間の短絡がより抑制される。
【実施例】
【０１１３】
以下、実施例により、本発明についてさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１１４】
（合成例１：透明両面粘着シートの製造）
攪拌機、還流冷却器、温度計、滴下漏斗および窒素ガス導入口を備えた反応容器に、ｎ−ブチルアクリレート７０質量部、メチルアクリレート２５質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート５質量部、酢酸エチル１００質量部を加えて、窒素置換後に内温７０℃までに加温した。
この反応液に２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）０．１質量部と酢酸エチル１０質量部とを予め溶解させた溶液をゆっくり滴下しながら、３時間攪拌した。その後さらに内温８０℃に加温して、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）０．１質量部と酢酸エチル１０質量部とを予め溶解させた溶液をゆっくり滴下しながら、３時間攪拌して質量平均分子量６５万のアクリル共重合体（Ｐ−１）を得た。
次に、上記アクリル共重合体（Ｐ−１）（１００質量部）と、ＳＨ基含有化合物として２−（１−ペンチル）チオ−５−メルカプト−１，３，４−チアジアゾール（０．５質量部）、および、フェノール化合物としてα−トコフェロール（和光純薬工業株式会社製、０．５質量部）とを酢酸エチルで希釈し、樹脂固形分３５％の粘着剤組成物を得た。
【０１１５】
上記粘着剤組成物１００重量部に日本ポリウレタン社製コロネートＬ−４５を０．２重量部添加し３０分攪拌後、厚さ５０μｍの剥離ＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さが２５μｍになるように塗工して、１００℃で３分間乾燥した。得られた粘着シートと、厚さ３８μｍの剥離ＰＥＴフィルムを貼り合わせた。その後、得られたフィルムを２３℃で７日間静置して、透明両面粘着シートＳ−１を得た。以下の方法で測定した粘着シートの全光線透過率は９２．８％、ヘイズは０．６％であった。
【０１１６】
（透明両面粘着シートの全光線透過率およびヘイズ測定）
得られた透明両面粘着シートＳ−１の一方の片面上の剥離ＰＥＴフィルムを剥がして、粘着性を示す一方の表面を光学ＰＥＴフィルム（東レ製コスモシャイン）に張り合わせ、他方の剥離ＰＥＴフィルムを剥がしてガラス（ダウコーニング製  ＥＡＧＬＥ  ＸＧ）に貼り合わせ、５０℃、５気圧条件に３０分さらした後に、２５℃、５０％条件に２４時間静置してから、東京電色社製ヘイズメーターＭＯＤＥＬ ＴＣ−Ｈ３を用いて、調製サンプルの全光線透過率およびヘイズ（％）を測定した。
【０１１７】
＜実施例１＞
スクリーン印刷装置を用いて、ハードコート層付きＰＥＴフィルム（キモト製  ＣＨＢＢ）上に導電性銀ペースト（アサヒ化研製ＬＳ-４５０）をパターン塗布した。その後、１３０℃で３０分加熱を行い、Ｌ／Ｓ＝１００μｍ／５０μｍの櫛型銀配線を備える金属配線付き絶縁基板を製造した。
【０１１８】
（配線基板の製造）
得られた金属配線付き絶縁基板上に、透明両面粘着シートＳ−１の一方の片面上の剥離ＰＥＴフィルムを剥がして、粘着性を示す一方の表面を該金属配線と積層する様にして貼り合せて、さらに透明両面粘着シートＳ−１の他方の片面上の剥離ＰＥＴフィルムを剥がして、粘着性を示す他方の表面上に光学ＰＥＴフィルム（東レ製コスモシャイン）を貼り合せて配線基板を得た。その後、得られた配線基板を５０℃、０．５ＭＰａの条件下で３０分オートクレーブ処理を行った。これにより配線基板Ｔ−１を得た。
【０１１９】
（比較配線基板の製造）
上記合成例１において上記ＳＨ基含有化合物およびフェノール化合物を使用せずに上記合成例１記載の手順に従って、透明両面粘着シートＳ−０を製造した。
透明両面粘着シートＳ−１の代わりに透明両面粘着シートＳ−０を用いて上記配線基板の製造の手順に従って、比較配線基板Ｔ−０を得た。
得られた配線基板Ｔ−１および比較配線基板Ｔ−０を用いて以下の寿命測定を行った。
【０１２０】
（評価方法（寿命延長効果測定））
比較配線基板Ｔ−０を湿度８５％、温度８５度、圧力１．０ａｔｍの条件下に静置し、櫛型配線の電極間に電圧１５Ｖを印加して電極間の抵抗値の経時変化を測定（使用装置：ＪＲＡＳ社製ＥＣＭ‐１００）した。
上記条件で比較配線基板Ｔ−０の銀配線間の抵抗値が１×１０5Ωを下回るまでの時間Ｘを測定した。
次に、実施例１で得られた配線基板Ｔ−１を用いて上記条件で電極間の抵抗値の経時変化を測定し、銀配線間の抵抗値が１×１０5Ωを下回るまでの時間Ｙを測定した。
得られた時間Ｘおよび時間Ｙを用いて寿命の改善効果（Ｙ／Ｘ）を計算した。
実施例１で得られた配線基板の結果を、表１に示す。
【０１２１】
＜実施例２〜９、および、比較例１〜８＞
合成例１で使用したＳＨ基含有化合物およびフェノール化合物を、表１に示す化合物に変更して透明両面粘着シートを製造し、その透明粘着シートを使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って、配線基板を製造し、寿命延長効果測定を実施した。結果を、表１にまとめて示す。
【０１２２】
【表１】
2014129441.tif 000019
【０１２３】
表１に示すように、ＳＨ基含有化合物およびフェノール化合物を使用した実施例１〜９においては、ＳＨ基含有化合物およびフェノール化合物を使用しなかった比較例１、および、ＳＨ基含有化合物またはフェノール化合物の一方のみを使用した比較例２〜８と比較して、寿命改善効果が大きかった。
特に、実施例２（式（２）で表される化合物および式（８）で表される化合物を使用した態様）、実施例５（式（５）で表される化合物および式（５）で表される化合物を使用した態様）、および、実施例８（式（４）で表される化合物および式（５）で表される化合物を使用した態様）において、より優れた効果が得られた。
【符号の説明】
【０１２４】
１０，１００  配線基板
１２，１２ａ，１２ｂ  絶縁基板
１４，１４ａ，１４ｂ  金属配線
１６，１６ｂ  金属配線付き絶縁基板
１８  樹脂層
【図１】
2014129441.tif 000032
【図２】
2014129441.tif 000033