(57)【要約】【課題】低圧での高速成膜を可能にした真空成膜装置を提供する。【解決手段】マルチカスプ磁界発生装置（６）が外周を囲む真空槽（２）であって、プラズマ発生装置（１１）によって発生したプラズマを、真空槽内部に閉じ込めて、基材表面に薄膜を形成する真空槽（２）と、第１治具テーブル（７）の回転に伴い公転かつ自転するように基材（１３）を載置する基材仕掛け（８）を有する第１治具テーブル（７）と、を具備する真空成膜装置において、槽内磁場発生装置（９）を真空槽内部に設けるとともに、槽内磁場発生装置（９）を構成する複数の磁石（９’）のそれぞれに、非磁性材カバー（１０）を一定の空間を離して設けて、磁石の異常放電を抑制したことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ発生装置（１１）と、
マルチカスプ磁界発生装置（６）が外周を囲む真空槽（２）であって、前記プラズマ発生装置（１１）によって発生したプラズマを、真空槽内部に閉じ込めて、基材表面に薄膜を形成する真空槽（２）と、
前記真空槽内部に設置された第１治具テーブル（７）であって、該第１治具テーブル（７）の回転に伴い、前記基材（１３）を載置する基材仕掛け（８）を、公転かつ自転するように構成して設置した第１治具テーブル（７）と、を具備する基材表面に薄膜を形成する真空成膜装置であって、
前記第１治具テーブル（７）には、槽内磁場発生装置（９）を、前記基材仕掛け（８）の公転軸（Ｏ１）に対して、前記基材仕掛け（８）の自転軸（Ｏ２）より内側に設けるとともに、
前記槽内磁場発生装置（９）を構成する複数の磁石（９’）のそれぞれに、非磁性材カバー（１０）を一定の空間を離して設けて、該磁石（９’）の異常放電を抑制した真空成膜装置。
【請求項２】
前記プラズマ発生装置は、前記基材にバイアス電源（１１）を直接印加してプラズマを発生させるか、若しくは、フィラメント電子源、マイクロ波源、又は、プラズマ銃によりプラズマを発生させたことを特徴とする請求項１に記載の真空成膜装置。
【請求項３】
前記プラズマ発生装置は、前記基材にバイアス電源を直接印加してプラズマを発生させるとともに、さらに、フィラメント電子源、マイクロ波源、又は、プラズマ銃によりプラズマを発生させたことを特徴とする請求項２に記載の真空成膜装置。
【請求項４】
前記第１治具テーブルに対して、前記槽内磁場発生装置を回転させたことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の真空成膜装置。
【請求項５】
前記真空槽内部において、前記真空槽の中心軸に対して、前記第１治具テーブル（７）を公転かつ自転するように、さらに第２治具テーブル（７’）上に、前記第１治具テーブル（７）を設置したことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の真空成膜装置。
【請求項６】
前記真空槽内部の圧力が、１０Ｐａ以下であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の真空成膜装置。
【請求項７】
前記真空槽内部に、密着力向上に有効な中間層を成膜するスパッタ源（１２）やアークイオンプレート源を有することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の真空成膜装置。
【請求項８】
成膜を実施する前に、前記真空槽内部を０．１Ｐａ以下までの真空排気を実施するとともに、ヒータによる予熱を実施したことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の真空成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材の表面に薄膜を形成する真空成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
鋼等の金属部材に耐摩耗性や耐焼付き性等の特性付与を目的として、ＴｉＮ（窒化チタン）、ＣｒＮ（窒化クロム）、ＴｉＣ（炭化チタン）、ＤＬＣ等の硬質膜を成膜する方法として、プラズマＣＶＤがある。プラズマＣＶＤは、一般に１００Ｐａ以上の圧力が必要とされている。これは低圧にするとプラズマ密度が低下し、それに伴って成膜速度が低下し、実用レベルに達しないためである。しかしながら、成膜時の圧力は膜の緻密さに影響し、低圧で成膜する程、緻密で高品位な膜の成膜が可能となる。そこで、マイクロ波やプラズマ銃を用いることで、イオン化率の向上を図り、１０Ｐａ以下の低圧下で実用レベルの成膜速度を得る方法が提案されている。この手法には成膜部位の指向性があるため、基材特に複雑形状基材周囲のプラズマ密度向上は困難であり、実用レベルの成膜速度を得ることは難しい。この方法では、例えプラズマ密度を向上できたとしても局所的であるため、多数個処理には適さない。
【０００３】
そこで、従来技術では比較的安価な永久磁石を真空槽外周に配置することで、マルチカスプ磁場を形成し、プラズマ密度を高めることで低圧での成膜を可能にしている。しかしながら、マルチカスプ磁界は、必ずしも一様に形成されるわけではないため、マルチカスプ磁界による閉込め空間においても、プラズマ密度のバラツキが生じる。そのため、基材の表面位置によって膜厚のバラツキが生じるおそれがある。また、複数の基材に対して成膜を行う場合には、基材間での膜厚のバラツキを招くおそれがある。
【０００４】
この問題を解決するために、特許文献１においては、マルチカスプ磁場を形成した成膜装置において、閉込め空間の中心近傍を中心軸として上記基材を回転させるようにしたものが開示されている。これにより、基材の表面を、マルチカスプ磁界の内側の閉込め空間において、種々の方向に向けながら成膜を行うことができ、閉込め空間にプラズマ密度のバラツキがあっても、膜厚のバラツキを抑制することができ、均一な成膜を行うことができるものである。しかしながら、生産性の向上の観点から、緻密かつ均一な膜を高い成膜速度にて形成する、更なる高速化が望まれてきている。また、より一層の多数個処理において高速成膜を実現することが求められている。
【０００５】
高速化を実現するには、マルチカスプ磁場を形成した上に、一層の基材周囲のプラズマ密度を向上することが、本願発明者らの内部研究によって一案として検討されてきた。しかしながら、基材周囲の磁束密度を向上させようとして、真空槽内側に磁場発生機構を導入すると、マルチカスプ磁場によって成膜装置内部には、高密度のプラズマが存在するため、磁場発生機構を構成する磁石が、直接プラズマにさらされ昇温するため、磁石が減磁（磁石としての機能を消失）してしまい、ダメージを受けて真空槽内側に磁場発生機構を導入することができなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−３０８７５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記問題に鑑み、基材周囲により高密度なプラズマを生成して、プラズマ密度を高めることで低圧での高速成膜を可能にした真空成膜装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、請求項１の発明は、プラズマ発生装置（１１）と、マルチカスプ磁界発生装置（６）が外周を囲む真空槽（２）であって、前記プラズマ発生装置（１１）によって発生したプラズマを、真空槽内部に閉じ込めて、基材表面に薄膜を形成する真空槽（２）と、前記真空槽内部に設置された第１治具テーブル（７）であって、該第１治具テーブル（７）の回転に伴い、前記基材（１３）を載置する基材仕掛け（８）を、公転かつ自転するように構成して設置した第１治具テーブル（７）と、を具備する基材表面に薄膜を形成する真空成膜装置であって、前記第１治具テーブル（７）には、槽内磁場発生装置（９）を、前記基材仕掛け（８）の公転軸（Ｏ１）に対して、前記基材仕掛け（８）の自転軸（Ｏ２）より内側に設けるとともに、前記槽内磁場発生装置（９）を構成する複数の磁石（９’）のそれぞれに、非磁性材カバー（１０）を一定の空間を離して設けて、該磁石（９’）の異常放電を抑制した真空成膜装置である。
【０００９】
なお、上記に付した符号は、後述する実施形態に記載の具体的実施態様との対応関係を示す一例である。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１実施形態の説明図である。
【図２】本発明の第１実施形態の槽内磁場発生装置の説明図である。
【図３】本発明の第２実施形態の説明図である。
【図４】本発明の第２実施形態の磁場の説明図である。
【図５】本発明の評価に用いた基材１３の形状（６ｍｍ径で長さ５０ｍｍの丸棒）を示す図である。
【図６】本発明の効果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照して、本発明の一実施形態を説明する。各実施態様について、同一構成の部分には、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００１２】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態に係る真空成膜装置を、図１を参照して説明する。第１実施形態は、一例として、１０Ｐａ以下の圧力のプラズマＣＶＤ（plasma chemical vapor deposition）により、実用レベルの速度で、ＳＵＪ２（高炭素クロム軸受鋼鋼材）などの基材上にＤＬＣ（diamond-like carbon）を成膜する事例を挙げて説明するが、これに限定されるものではない。その他、鋼等の金属部材に、耐摩耗性や耐焼付き性等の特性付与を目的として、ＴｉＮ、ＣｒＮ、ＴｉＣ、ＤＬＣ等の硬質膜を成膜する場合などのプラズマＣＶＤに適用できるものであり、また、プラズマＣＶＤに限らず、プラズマを用いる真空成膜装置において適用可能である。
【００１３】
本実施形態の成膜装置１は、プラズマ発生装置１１と、マルチカスプ磁界発生装置６が外周を囲む真空槽２と、マルチカスプ磁界発生装置６と、基材１３を載置する基材仕掛け８（基材の載置部）を有する第１治具テーブル７とを有する。基材１３は、代表的には平板、丸棒、円筒形状であるが、形状はこれに限定されるものではなく、基材仕掛け８に載置して本実施形態が作動できれば任意形状でも構わない。基材仕掛け８に、基材１３を穴に挿入載置したり、把持部で把持して保持する。
【００１４】
マルチカスプ磁界発生装置６は、真空槽２の外周に、複数の永久磁石又は電磁石６Ｎ、６Ｓが交互に配置されている。磁石６Ｎからこれに隣接する磁石６Ｓへ向かう磁力線が形成され、マルチカスプ磁界が形成される。単に磁石という場合には、永久磁石又は電磁石を指すものとする。極性は交互に反転すると磁場の終端が、尖点（カスプ）になる。磁石が外周に多数あって、カスプが多数発生するので、マルチカスプ型という。なお、隣り合った磁石の極性は所々任意であってもよいが、極性は交互に反転するほうが望ましい。
【００１５】
プラズマ発生装置１１は、成膜対象となる基材１３を配置する真空槽２内にプラズマを発生する。本実施形態のプラズマ発生装置１１は、基材１３にプラズマを発生させるバイアス電源１１である。バイアス電源１１は、基材仕掛け８に直結する。バイアス電源１１は、安定したプラズマ発生が可能な、ＤＣパルス、バイポーラ、高周波等の任意の電源でも良い。本実施形態のプラズマ発生装置１１は、基材にバイアス電源１１を直接印加してプラズマを発生させる。基材１３にバイアス電圧を直接印加するのは、アースをとってある真空槽外壁と基材１３の間で電位差を作り、グロー放電を発生させるためである。その他、バイアス電源１１の代わりに、フィラメント電子源、マイクロ波源、又は、プラズマ銃によりプラズマを発生させてもよい。もちろん、これら例示のプラズマ発生装置をいくつか併用してもよい。プラズマ発生装置１１によって発生させたプラズマは、マルチカスプ磁界発生装置６と槽内磁場発生装置９（後述）により、周囲が磁束線で包囲されている空間、すなわち、真空槽内部のドーナツ状の閉込め空間に、閉じ込められる。
【００１６】
第１実施形態の場合には、基材１３を載置する基材仕掛け８を有する第１治具テーブル７は、真空槽２のほぼ中心にある中心軸Ｏ（本実施形態では公転軸Ｏ１に一致）に対して、第１治具テーブル７は回転し、基材仕掛け８は、周知の遊星歯車機構によって公転かつ自転する。したがって、基材仕掛け８に取り付けられた基材１３は、第１治具テーブル７の回転に伴い公転かつ自転する。この動きは、図１の矢印で示されている。これにより、真空槽１１内において、基材５は、自転する（矢印Ｊ）と共に公転する（矢印Ｋ）。第１実施形態においては、基材１３は、図１の平面視に示すごとく、略円柱形状を有しており、その側面に被成膜面を有する。成膜速度と自転および公転速度とは関連がある。自転公転速度が極端に遅い場合、基材１３に成膜される膜厚に分布が発生することがあるので、一定速度以上の回転速度にすれば膜厚分布のムラを解消することができる。後述する第２実施形態の場合（図３参照）には、真空槽内部において、真空槽の中心軸Ｏに対して、第１治具テーブル７を公転かつ自転するように、さらに第２治具テーブル７’上に第１治具テーブル７を設置している。
【００１７】
第１治具テーブル７には、槽内磁場発生装置９が、基材仕掛け８の公転軸Ｏ１に対して、基材仕掛け８の自転軸Ｏ２より内側に設けられている。以下、槽内磁場発生装置９について説明する。本実施形態は、もともと真空槽外壁の磁石により真空槽内部を高プラズマ密度としたものを、槽内磁場発生装置９により更に高密度化させたものである。
【００１８】
高速化を実現するには、マルチカスプ磁界が形成された上に、基材周囲のプラズマ密度をさらに向上することが必要である。そのためには、基材周囲の磁束密度を向上させるために、真空槽２の内部に槽内磁場発生装置９を設置している。槽内磁場発生装置９は、真空槽内側の第１治具テーブル７上に固定されて設置されている。しかし、真空槽２の内側に槽内磁場発生装置９を導入する場合、槽内磁場発生装置９のプラズマからのダメージを避けなければならない。これは、高密度のプラズマが存在すると、磁場発生装置を構成する磁石が、直接プラズマにさらされ昇温するため、磁石が減磁して磁石としての機能を消失してしまうためである。そればかりでなく、局所的に高磁束密度となる槽内磁場発生装置近傍の異常放電を抑制せねばならない。そこで、本実施形態では槽内磁場発生装置９の周囲に一定の空間を離してカバー１０を設けることで、上記問題を解決し、真空槽外壁および真空槽内側の槽内磁場発生装置９によって、１０Ｐａ以下の低圧下であっても多数個処理と高速成膜を実現している。
【００１９】
図２は、槽内磁場発生装置９の詳細説明図である。槽内磁場発生装置９は、複数の磁石９’から構成されている。磁石９’としては、様々な態様を含むものである。ここでは、磁石９’として、オーステナイト系ステンレスの磁石封入器２１に、円形ペレット状の永久磁石２４（サマリウムコバルト磁石など）を埋め込んだ態様を例示するが、これに限定されるものではない。図２の上側図には、下側のＡ−Ａ’線に対する断面が表示されている。磁石封入器２１に、図２の下側図において上下方向に複数の円形の各永久磁石２４を挿入したあと、蓋２２を両側面から被せて封入し、１つの磁石９’を構成する。磁石９’は、カバー１０で密閉されている。カバー１０の材質は、ＳＵＳ３０３、３０４、３０５などの非磁性のオーステナイト系ステンレス鋼を使用する。カバー１０の材質は、非磁性材（すなわち磁束線が透過する材料）で、４００℃程度の温度に耐えられる材質であれば何でもかまわない。
【００２０】
カバー１０は、局所的に高磁束密度となる槽内磁場発生装置近傍の異常放電を抑制する。プラズマＣＶＤでは、グロー放電によるプラズマを使用する。グロー放電は、プラズマ密度が高まりすぎるとアーク放電に移行する。アーク放電は落雷のような放電であり、局所的に大電流が流れる放電現象である。アーク放電では成膜はされず、基材にダメージ（溶融）を与えてしまう。磁石近傍は極端に高プラズマ密度になる領域が発生するため、グロー放電がアーク放電に移行しやすくなる。そこで、カバー１０で磁石９’近傍を覆い隠すことにより極端なプラズマ密度の高まりを抑制し、グローからアーク放電への移行を抑制する。バイアス電源１１は、基材仕掛け８に直結するとともに、基材にバイアス電源１１を直接印加してプラズマを発生させる。
【００２１】
カバー１０は異常放電を抑制するばかりでなく、プラズマから磁石９’への直接の熱伝導をも遮断して熱影響を抑制することができる。これにより、磁石の昇温を抑制し、減磁を回避する。磁石９’とカバー１０の距離は、直接の熱伝導を遮断できればよいため、一例として１ｍｍ以上あれば良い。カバーの板厚は、剛性が保たれればよいので一例として０．５ｍｍ以上あれば良い。
【００２２】
各磁石９’の極性は、第１実施形態では、公転軸Ｏ１と真空槽２の中心軸Ｏが概ね一致しているので、真空槽２の中心軸Ｏに関して、Ｎ極又はＳ極が交互に半径方向外側に向くように、第１治具テーブル７上に固定されている。各磁石９’は少なくとも４個以上設置されることが望ましい。
【００２３】
ここでは、各磁石９’は、第１治具テーブル７上に全体的に円筒状に固定されて、第１治具テーブル７の回転とともに回転する。遊星歯車機構が複雑化するが、各磁石９’を円筒状に一体固定した補助テーブルを、第１治具テーブル７とは別体にして、この補助テーブルを、真空槽２の中心軸Ｏ周りに、第１治具テーブル７とは独立に回転させることも可能である。この場合には、より緻密で高品位な膜の成膜が可能となる。
【００２４】
本実施形態では、マルチカスプ磁界発生装置６によるマルチカスプ磁界によって、真空槽内部にプラズマを閉じ込め、さらに、槽内磁場発生装置９が真空槽内部中央域に設置されて、基材１３の存在する円環状の高密度なプラズマ閉じ込め空間を形成する。これにより、真空槽２内の圧力を高くする必要がなく、低圧化での成膜が可能となり、膜の緻密化を図ることが可能となる。このように、本実施形態によれば、基材周囲により高密度なプラズマを生成し、１０Ｐａ以下の低圧下でも実用レベルの高速な成膜速度を得ることができる。第１治具テーブル７上の基材１３は、真空槽２の中心軸Ｏ周りに回転しているので、プラズマ閉込め空間におけるプラズマ密度にバラツキが生じることなく、均一な成膜を行うことができる。
【００２５】
本実施形態において、図１に示すごとく、真空成膜装置１には、真空槽２内を昇温するためのヒータ３と、真空槽１１内にガスを導入する複数のガス導入管５が設けられている。真空槽２内には、フィラメント電子源４及びスパッタ源１２を設けてある。なお、フィラメント電子源４の代わりにプラズマ銃を設置してもよい。
【００２６】
以下に、本実施形態の真空成膜装置１を用いた成膜方法の一例につき、ＳＵＪ２（高炭素クロム軸受鋼鋼材）からなる基材１３の被成膜面に、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）からなる皮膜を成形する例を説明する。まず、第１治具テーブル７における基材仕掛け８に基材１３を固定する。即ち、円柱形状の基材１３の一方の端部を基材仕掛け８に固定し、基材仕掛け８の自転軸Ｏ２が基材１３の中心軸に一致するようにする。
【００２７】
そして、第１治具テーブル７及び基材仕掛け８を回転させ、基材１３を自転公転させながら以下の工程を行う。まず、基材１３をセットした後、真空槽２内の清浄度を上げるため、０．１Ｐａ以下、好ましくは０．０１Ｐａ以下まで真空排気する。更に真空槽２内の清浄度を上げると共に、基材１３の被成膜面を活性化するため、ヒータ３による予熱を実施する。予熱温度および予熱時間は、基材１３の被成膜面が一例として１００℃以上になるように調整する。真空槽２内部には空気中の水分や油分が吸着しているため、ヒータ３による予熱により真空槽２を昇温させると、吸着している水分、油分を脱離でき、清浄度が向上する。
【００２８】
次いで、ガス導入管５から真空槽２内にＡｒガスを導入し、フィラメント電子源１２にてイオン化する。さらに基材１３に、バイアス電源１１を用いてバイアス電圧をかけることにより、Ａｒイオンを基材１３に衝突させ基材１３の被成膜面を活性化する。なおイオン種はＨ、Ｎｅ等でもよく、イオン化する手法としては、プラズマ銃等を用いても良い。
【００２９】
基材１３に対するＤＬＣの密着力を向上するため、基材１３の被成膜面に、スパッタ源１２を用いＣｒからなる中間層を成膜する。本実施形態のＤＬＣは鉄基材上に成膜することが前提であるが、ＤＬＣは鉄との親和性が低いため、鉄上に直接成膜すると密着力が得られず剥離することがある。そこで、鉄と親和性の高いＣｒを成膜し、そのＣｒ層の上にＣｒにＣを徐々に混ぜ込んだＣｒＣ層を成膜することでＤＬＣとＣｒＣ層の親和性を確保する。中間層に用いる元素としては、Ｃｒ以外にも、Ｆｅ基材上にＤＬＣを成膜する際に一般に使用される、ＷＣ、Ｔｉ、Ｓｉ等を用いれば良く、これらの単相でも混相でも良い。また中間層の成膜法として、アークイオンプレーティング法を用いても良い。
【００３０】
次いで、ガス導入管５から、ＡｒおよびＣ2Ｈ2を真空槽２内に導入し、第１治具テーブル７に直結したプラズマ発生装置２としてのバイアス電源１１（ＤＣパルス電源）を用いて、−２００Ｖ以下のバイアス電圧を印加することによりプラズマを発生させ、ＤＬＣ層を成膜する。この際、ＡｒおよびＣ2Ｈ2の流量は、Ａｒ＝１に対しＣ2Ｈ2＝０．１〜１０の範囲に調整するとともに、真空槽１１内の圧力を好ましくは０．０１〜１Ｐａに調整する。
【００３１】
ＤＬＣの成膜に用いるガスは、ＣＨ4、Ｃ2Ｈ6、Ｃ3Ｈ8、Ｃ4Ｈ10、ＴＭＳ等の、Ｃ−Ｈ基を持つＣ2Ｈ2以外のガスでも良い。また、プラズマ発生装置２はバイポーラ、高周波等の電源でも良い。以上の要領で、図５の基材１３を成膜した結果、図６に示すように、磁場を用いない場合に比べ約７．８倍、従来技術の真空槽外周にのみ磁場を形成する場合に比べ約１．５倍の速度で基材１３にＤＬＣが成膜された。
【００３２】
（第２実施形態）
第２実施形態では、図３に示すように、治具テーブルを２段にして、第１治具テーブル７を、公転かつ自転するように、さらに第２治具テーブル７’上に、第１治具テーブル７を設置した実施形態である。基材１３は基材仕掛け８に載置固定されて、図３のＪ方向に回転しながら、第１治具テーブル７は、Ｋ方向に回転する。第１治具テーブル７は、真空槽２の中心軸Ｏの周りに公転しつつ自転する。複数の第１治具テーブル７は、第２治具テーブル７’の上に設置されており、遊星歯車機構によって第２治具テーブル７’の回転に伴い、公転かつ自転する。これらの運動は、遊星歯車機構（太陽ギア、遊星歯車、遊星キャリア、外側の内歯歯車）を２段階に使用すれば実現できるものである。この運動を実現するには、一例として、第２治具テーブル７’を１段目の遊星歯車機構で回転させ、それの遊星キャリアにさらに２段目の遊星歯車機構を複数設置して、それぞれ第１治具テーブル７を回転させればよい。その他の構成は、第１実施形態と同じである。
【００３３】
第１治具テーブル７の中心軸周りに、中央に複数の磁石９’から構成された槽内磁場発生装置９が固定され、その周りを囲むように、基材１３を取り付ける基材仕掛け８が設置されている。第２治具テーブル７’が、真空槽２の中心軸Ｏの周りに回転すると、この第１治具テーブル７は、公転かつ自転する。
【００３４】
この時の磁力線の方向は、図４の太い矢印で表現されている。真空槽２の外周に設置されたマルチカスプ磁界発生装置６は、真空槽内部にマルチカスプ磁界を発生させ、真空槽２の内部で公転する槽内磁場発生装置９の公転軌跡と真空槽２内壁との間に、第１実施形態と類似の円環状の高密度なプラズマ閉じ込め空間を形成する。基材１３は公転かつ自転しながら、周期的にこのプラズマ閉じ込め空間に入り、成膜が形成される。第２実施形態においても、真空槽２内の圧力を高くする必要がなく、低圧化での成膜が可能となり、膜の緻密化を図ることが可能となる。第２実施形態によれば、基材１３を取り付ける基材仕掛け８の数が格段アップし、高能率に成膜処理することができる。
【００３５】
第１、２実施形態の場合、基材仕掛け８の数が少なすぎて中央部のスペースが狭くならないようにしなければならない。中央部に設置できる磁石の数が必然的に少なくなると、治具テーブル７上に設置する磁石の効果が低くなる。基材仕掛け８はできれば７個以上設置することが好ましい。また、第２実施形態の場合、基材１３は基材仕掛け８に設置しているだけでは回転しない。遊星歯車機構を複雑に利用するので、始動が困難になることがある。第１治具テーブル７上に設置したキッカーに接触させることで回転させる。キッカーとしては、第１治具テーブル７の凹凸部や歯車などを爪で押したり引っ掛けたりするような機構を用いれば良い。
【符号の説明】
【００３６】
２    真空槽
６    マルチカスプ磁界発生装置
７    第１治具テーブル
７’    第２治具テーブル
８    基材仕掛け
９    槽内磁場発生装置
１１    プラズマ発生装置、バイアス電源
１３    基材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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