(57)【要約】【課題】出射光の強度ばらつきが小さい発光装置、その製造方法、画像形成装置、及び輝度のばらつきが小さい画像表示装置を提供する。【解決手段】発光装置、画像表示装置、及び画像形成装置は、基板１０と、基板１０上に備えられた少なくとも１つの半導体発光素子２０と、基板１０上において、半導体発光素子２０から離れた位置で半導体発光素子２０の側面を囲うように形成された傾斜面４１からなる穴構造４２であって、基板１０側において小径であり開口４３側において大径であるように形成された穴構造４２を有し、半導体発光素子２０より厚く形成された側壁構造層４０と、傾斜面４１上に備えられ、半導体発光素子２０から放射された光を穴構造４２の外側に向けて出射させる光反射膜５０とを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に備えられた少なくとも１つの半導体発光素子と、
前記基板上において、前記半導体発光素子から離れた位置で前記半導体発光素子の側面を囲うように形成された傾斜面からなる穴構造であって、前記基板側において小径であり開口側において大径であるように形成された該穴構造を有し、前記半導体発光素子より厚く形成された側壁構造層と、
前記傾斜面上に備えられ、前記半導体発光素子から放射された光を前記穴構造の外側に向けて出射させる光反射膜と
を有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記穴構造は、前記基板に近いほど小径であり、前記開口に近いほど大径である円錐台状であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記穴構造の前記傾斜面は、前記基板に近いほど小径であり、前記開口に近いほど大径である凹面鏡状であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
前記側壁構造層は、前記基板上に形成された絶縁材料層であることを特徴とする請求項１から３までのいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記側壁構造層は、
前記基板上に形成され、前記穴構造よりも大径の第１の貫通穴を持つ第１の絶縁材料層と、
少なくとも前記第１の貫通穴の側壁面を覆うように、且つ、前記穴構造の前記傾斜面を形成するように塗布された塗布材料層と
を有することを特徴とする請求項１から３までのいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記側壁構造層は、
前記基板上に形成され、前記穴構造よりも大径の第１の貫通穴を持つ第１の絶縁材料層と、
第１の絶縁材料層上に形成され、前記穴構造より大径で且つ前記第１の貫通穴より大径の第２の貫通穴を持つ第２の絶縁材料層と、
少なくとも前記第１の貫通穴の側壁面及び前記第２の貫通穴の側壁面を覆うように、且つ、前記穴構造の前記傾斜面を形成するように塗布された塗布材料層と
を有することを特徴とする請求項１から３までのいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記穴構造の一方の側の前記傾斜面の傾斜角と、前記一方の側の反対の他方の側の前記傾斜面の傾斜角とが異なることを特徴とする請求項１から６までのいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記半導体発光素子は、前記基板とは異なる半導体発光素子形成用基板上で成長し、剥離され、前記基板上に接着された薄膜半導体素子であることを特徴とする請求項１から７までのいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項９】
前記半導体発光素子の膜厚は、５［μｍ］以下であることを特徴とする請求項１から８までのいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記側壁構造層の厚さは、１０［μｍ］以上であることを特徴とする請求項９に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記光反射膜は、メタル材料で形成されることを特徴とする請求項１から１０までのいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１２】
前記基板は、半導体集積回路基板と、層間絶縁膜と、共通配線層とを含み、
前記半導体発光素子は、前記共通配線層と電気的に接続されるように、前記共通配線層上に備えられる
ことを特徴とする請求項１から１１までのいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１３】
基板と、
前記基板上に規則的に配列された複数の半導体発光素子と、
前記基板上において、前記半導体発光素子から離れた位置で前記半導体発光素子の側面を囲うように形成された複数の傾斜面からなる複数の穴構造であって、前記基板側において小径であり開口側において大径であるように形成された該複数の穴構造を有し、前記半導体発光素子より厚く形成された側壁構造層と、
前記複数の傾斜面上に備えられ、前記半導体発光素子から放射された光を前記穴構造の外側に向けて出射させる複数の光反射膜と
を有することを特徴とする画像表示装置。
【請求項１４】
前記複数の半導体発光素子は、前記基板上に複数行複数列に配列されていることを特徴とする請求項１３に記載の画像表示装置。
【請求項１５】
前記基板の中心位置に近い側の前記穴構造の前記傾斜面の傾斜角を、前記基板の端辺に近い側の前記穴構造の前記傾斜面の傾斜角よりも、大きくすることを特徴とする請求項１４に記載の画像表示装置。
【請求項１６】
感光体を露光する露光装置を有する画像形成装置であって、
前記露光装置は、
基板と、
前記基板上に規則的に配列された複数の半導体発光素子と、
前記基板上において、前記半導体発光素子から離れた位置で前記半導体発光素子の側面を囲うように形成された複数の傾斜面からなる複数の穴構造であって、前記基板側において小径であり開口側において大径であるように形成された該複数の穴構造を有し、前記半導体発光素子より厚く形成された側壁構造層と、
前記複数の傾斜面上に備えられ、前記半導体発光素子から放射された光を前記穴構造の外側に向けて出射させる複数の光反射膜と
を有する
ことを特徴とする画像形成装置。
【請求項１７】
前記複数の半導体発光素子は、前記基板上にライン状に配列されていることを特徴とする請求項１６に記載の画像形成装置。
【請求項１８】
基板上に半導体発光素子を接着する工程と、
前記基板上に、前記半導体発光素子を覆うように、前記半導体発光素子より厚く側壁構造層を形成する工程と、
前記側壁構造層に、前記半導体発光素子から離れた位置で前記半導体発光素子の側面を囲うように形成された傾斜面からなる穴構造であって、前記基板側において小径であり開口側において大径であるように該穴構造を形成する工程と、
前記傾斜面上に、前記半導体発光素子から放射された光を前記穴構造の外側に向けて出射させる光反射膜を形成する工程と
を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項１９】
前記穴構造を形成する工程は、
前記側壁構造層を構成する感光性絶縁材料層を形成する工程と、
前記感光性絶縁材料層の所定領域に露光を施す露光工程と、
前記露光工程後に、前記感光性材料層を加熱して架橋させる加熱工程と、
前記加熱工程後に、前記感光性材料層を現像して前記穴構造を形成する工程と
を含むことを特徴とする請求項１８に記載の発光装置の製造方法。
【請求項２０】
前記露光工程は、前記感光性絶縁材料層からマスクまでの距離を変えて複数回行うことを特徴とする請求項１９に記載の発光装置の製造方法。
【請求項２１】
前記側壁構造層を形成する工程は、
前記基板上に、前記穴構造よりも大径の第１の貫通穴を持つ第１の絶縁材料層を形成する工程と、
少なくとも前記第１の貫通穴の側壁面を覆うように塗布材料層を塗布して、前記穴構造の前記傾斜面を形成する工程と
を含むことを特徴とする請求項１８に記載の発光装置の製造方法。
【請求項２２】
前記側壁構造層を形成する工程は、
前記基板上に、前記穴構造よりも大径の第１の貫通穴を持つ第１の絶縁材料層を形成する工程と、
第１の絶縁材料層上に、前記穴構造より大径で且つ前記第１の貫通穴より大径の第２の貫通穴を持つ第２の絶縁材料層を形成する工程と、
少なくとも前記第１の貫通穴の側壁面及び前記第２の貫通穴の側壁面を覆うように塗布材料層を塗布して、前記穴構造の前記傾斜面を形成する工程と
を含むことを特徴とする請求項１８に記載の発光装置の製造方法。
【請求項２３】
前記穴構造を形成する工程において、前記穴構造の一方の側の前記傾斜面の傾斜角と、前記一方の側の反対の他方の側の前記傾斜面の傾斜角とが異なるように前記穴構造を形成することを特徴とする請求項１８から２２までのいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項２４】
前記半導体発光素子は、前記基板とは異なる半導体発光素子形成用基板上で成長し、剥離され、前記基板上に接着された薄膜半導体素子であることを特徴とする請求項１８から２３までのいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に備えられた半導体発光素子を含む発光装置、発光装置の製造方法、並びに、基板上に備えられた複数の半導体発光素子を含む画像表示装置及び画像形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
２次元的に配列された複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）チップを備えたＬＥＤ式表示装置の提案がある（例えば、特許文献１参照）。特許文献１は、シリコン基板の表面にエッチングを用いて複数の凹面反射鏡を形成し、複数の凹面反射鏡の底部に配線層を形成した後に、複数の配線層上に複数のＬＥＤチップを一括して実装（接着）する技術を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平７−２８７５３５号公報（段落０００８、図１及び図２）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記従来技術では、シリコン基板の表面に形成された複数の凹面反射鏡の底部に複数のＬＥＤチップを一括して実装するので、接着位置の精度を高くすることが困難であり、ＬＥＤチップの接着位置のずれによって凹面反射鏡とＬＥＤチップとの相対的位置関係がばらついた場合には、凹面反射境で反射して前方に向けて出射される光の強度にもばらつきが生じるという問題があった。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、出射光の強度のばらつきを小さくすることができる発光装置及びその製造方法、表示面内における輝度のばらつきが小さい画像表示装置、及び露光用光源の照射光の強度のばらつきが小さい画像形成装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係る発光装置は、基板と、前記基板上に備えられた少なくとも１つの半導体発光素子と、前記基板上において、前記半導体発光素子から離れた位置で前記半導体発光素子の側面を囲うように形成された傾斜面からなる穴構造であって、前記基板側において小径であり開口側において大径であるように形成された該穴構造を有し、前記半導体発光素子より厚く形成された側壁構造層と、前記傾斜面上に備えられ、前記半導体発光素子から放射された光を前記穴構造の外側に向けて出射させる光反射膜とを有することを特徴としている。
【０００７】
本発明の他の態様に係る画像表示装置は、基板と、前記基板上に規則的に配列された複数の半導体発光素子と、前記基板上において、前記半導体発光素子から離れた位置で前記半導体発光素子の側面を囲うように形成された複数の傾斜面からなる複数の穴構造であって、前記基板側において小径であり開口側において大径であるように形成された該複数の穴構造を有し、前記半導体発光素子より厚く形成された側壁構造層と、前記複数の傾斜面上に備えられ、前記半導体発光素子から放射された光を前記穴構造の外側に向けて出射させる複数の光反射膜とを有することを特徴としている。
【０００８】
本発明の他の態様に係る画像形成装置は、感光体を露光する露光装置を有する画像形成装置であって、前記露光装置は、基板と、前記基板上に規則的に配列された複数の半導体発光素子と、前記基板上において、前記半導体発光素子から離れた位置で前記半導体発光素子の側面を囲うように形成された複数の傾斜面からなる複数の穴構造であって、前記基板側において小径であり開口側において大径であるように形成された該複数の穴構造を有し、前記半導体発光素子より厚く形成された側壁構造層と、前記複数の傾斜面上に備えられ、前記半導体発光素子から放射された光を前記穴構造の外側に向けて出射させる複数の光反射膜とを有することを特徴としている。
【０００９】
本発明の他の態様に係る発光装置の製造方法は、基板上に半導体発光素子を接着する工程と、前記基板上に、前記半導体発光素子を覆うように、前記半導体発光素子より厚く側壁構造層を形成する工程と、前記側壁構造層に、前記半導体発光素子から離れた位置で前記半導体発光素子の側面を囲うように形成された傾斜面からなる穴構造であって、前記基板側において小径であり開口側において大径であるように該穴構造を形成する工程と、前記傾斜面上に、前記半導体発光素子から放射された光を前記穴構造の外側に向けて出射させる光反射膜を形成する工程とを有することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の一態様に係る発光装置によれば、出射光の強度のばらつきを小さくすることができるという効果がある。
【００１１】
また、本発明の他の態様に係る画像表示装置によれば、表示面内における輝度のバラツキを小さくすることができるという効果がある。
【００１２】
また、本発明の他の態様に係る画像形成装置によれば、露光用光源の照射光量のばらつきを小さくすることができるという効果がある。
【００１３】
また、本発明の他の態様に係る発光装置の製造方法によれば、発光装置の出射光の強度のばらつきを小さくすることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る発光装置の構造を概略的に示す縦断面図である。
【図２】図１の発光装置の構造を概略的に示す平面図である。
【図３】第１の実施形態に係る発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その１）である。
【図４】第１の実施形態に係る発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その２）である。
【図５】第１の実施形態に係る発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その３）である。
【図６】第１の実施形態に係る発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その４）である。
【図７】第１の実施形態に係る発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その５）である。
【図８】第１の実施形態に係る発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その６）である。
【図９】第１の実施形態に係る発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その７）である。
【図１０】第１の実施形態に係る発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その８）である。
【図１１】第１の実施形態の第１変形例に係る発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その１）である。
【図１２】第１の実施形態の第１変形例に係る発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その２）である。
【図１３】第１の実施形態の第１変形例に係る発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その３）である。
【図１４】第１の実施形態の第１変形例に係る発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その４）である。
【図１５】第１の実施形態の第１変形例に係る発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その５）である。
【図１６】第１の実施形態の第２変形例に係る発光装置の構造を概略的に示す縦断面図である。
【図１７】第１の実施形態の第２変形例に係る発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その１）である。
【図１８】第１の実施形態の第２変形例に係る発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その２）である。
【図１９】第１の実施形態の第２変形例に係る発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その３）である。
【図２０】第１の実施形態の第２変形例に係る発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その４）である。
【図２１】第１の実施形態の第２変形例に係る発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その５）である。
【図２２】第１の実施形態に係る発光装置が適用された画像表示装置の画像表示モジュールの構造を概略的に示す平面図である。
【図２３】第１の実施形態に係る発光装置が適用された画像形成装置の半導体発光素子アレイの構造を概略的に示す平面図である。
【図２４】本発明の第２の実施形態に係る発光装置の構造を概略的に示す縦断面図である。
【図２５】第２の実施形態に係る発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その１）である。
【図２６】第２の実施形態に係る発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その２）である。
【図２７】第２の実施形態に係る発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その３）である。
【図２８】第２の実施形態に係る発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その４）である。
【図２９】本発明の第３の実施形態に係る発光装置の構造を概略的に示す縦断面図である。
【図３０】第３の実施形態に係る発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その１）である。
【図３１】第３の実施形態に係る発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その２）である。
【図３２】第３の実施形態に係る発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その３）である。
【図３３】第３の実施形態に係る発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その４）である。
【図３４】本発明の第４の実施形態に係る画像表示装置に含まれる発光装置の構造を概略的に示す図である。
【図３５】図３４の画像表示装置の端部側の領域の発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その１）である。
【図３６】図３４の画像表示装置の端部側の領域の発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その２）である。
【図３７】図３４の画像表示装置の端部側の領域の発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その３）である。
【図３８】図３４の画像表示装置の中央部の領域の発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その１）である。
【図３９】図３４の画像表示装置の中央部の領域の発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その２）である。
【図４０】図３４の画像表示装置の中央部の領域の発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その３）である。
【図４１】本発明の第４の実施形態の変形例に係る画像表示装置に含まれる発光装置の構造を概略的に示す図である。
【図４２】図４１の画像表示装置の端部側の領域の発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その１）である。
【図４３】図４１の画像表示装置の端部側の領域の発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その２）である。
【図４４】図４１の画像表示装置の中央部の領域の発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その１）である。
【図４５】図４１の画像表示装置の中央部の領域の発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その２）である。
【図４６】第４の実施形態に係る光源装置を含む画像表示装置の構造を概略的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
《１》第１の実施形態
《１−１》第１の実施形態に係る発光装置
最初に、本発明の第１の実施形態に係る発光装置１の構造を説明する。図１は、第１の実施形態に係る発光装置１の構造を概略的に示す縦断面図であり、図２は、発光装置１の構造を概略的に示す平面図である。図１には、図２をＳ１−Ｓ１線で切る断面が示されている。図１及び図２に示される発光装置１は、第１の実施形態に係る画像表示装置（後述の図２２の符号３）の画素の構造の一例である。また、図１及び図２に示される発光装置１は、第１の実施形態に係る画像形成装置（後述の図２３の符号４）の露光用光源の構造の一例である。ただし、第１の実施形態に係る発光装置１の用途は、画像表示装置及び画像形成装置に限定されず、例えば、室内又は機器内に備えられた照明装置の光源などのような、各種の光源として利用可能である。
【００１６】
図１に示されるように、第１の実施形態に係る発光装置１は、基板１０と、基板１０上に備えられた少なくとも１つの半導体発光素子２０と、基板１０上に形成された側壁構造層４０と、側壁構造層４０の傾斜面４１上に備えられた光反射膜５０とを有する。図１には、基板１０上に半導体発光素子２０と光反射膜５０の組み合わせを１つ例示しているが、基板１０上に半導体発光素子２０と光反射膜５０の組み合わせを複数個備えてもよい。
【００１７】
図１に示されるように、基板１０は、例えば、集積回路が形成された集積回路基板としてのシリコン基板１１と、シリコン基板１１上に形成された層間絶縁膜（第１の層間絶縁膜）１２と、層間絶縁膜１２上に形成された共通配線層１３とを有する。基板１０の表面の半導体発光素子２０が接着される領域は、段差の無い平坦な領域であることが望ましい。なお、基板１０の構造は、図示の例に限定されず、表面に半導体発光素子２０を接着できる平坦な領域を有する他の構造であってもよい。また、基板１０は、例えば、他の層間絶縁膜及び他の配線層をさらに積層させた多層配線構造であってもよい。
【００１８】
図１に示されるように、半導体発光素子２０は、例えば、下側コンタクト層２１と、下側クラッド層２２と、活性層２３と、上側クラッド層２４と、上側コンタクト層２５とを積層させた薄膜状又はフィルム状の構造を持つ発光ダイオード（ＬＥＤ）である。半導体発光素子２０は、例えば、基板１０とは異なる半導体発光素子形成用基板（成長基板）６０（図３）上でエピタキシャル成長によって形成され、成長基板６０から剥離（分離）され、キャリア基板７０（図３）によって移動され、基板１０上に接着されたＬＥＤエピタキシャルフィルムである。図１の例では、半導体発光素子２０は、共通配線層１３と電気的に接続されるように配置される。また、半導体発光素子２０上には、半導体発光素子２０の上側コンタクト層２５を露出させるように層間絶縁膜（第２の層間絶縁膜）３１が形成されており、半導体発光素子２０の上側コンタクト層２５上から層間絶縁膜３１上までの領域に個別配線層３２が形成される。さらに、個別配線層３２上には、層間絶縁膜（第３の層間絶縁膜）３３が形成される。
【００１９】
側壁構造層４０は、例えば、絶縁材料から構成される。図１に示されるように、側壁構造層４０は、基板１０上において、半導体発光素子２０から離れた位置で半導体発光素子２０の側面を囲うように形成された傾斜面４１からなる穴構造４２を有する。穴構造４２の形状は、基板１０側において小径であり開口４３側において大径であるように（すなわち、基板１０上において逆向きの円錐台状になるように）形成されている。すなわち、穴構造４２を形成する傾斜面４１は、基板１０側において小径であり開口４３に近づくほど大径であるようにテーパー状に形成されている。また、側壁構造層４０の厚さＴ４０は、半導体発光素子２０の厚さＴ２０より厚く形成されることが望ましい。
【００２０】
図１に示されるように、光反射膜５０は、側壁構造層４０の傾斜面４１上に、傾斜面４１の全体を覆うように備えられた光反射部材であり、光反射膜５０を発光波長に対して反射率の高いメタル材料（例えば、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）又は銀（Ａｇ）を主とするメタル材料）で形成される。光反射膜５０は、例えば、リソグラフィ技術と、スパッタ法又は蒸着法とによって形成することができる。光反射膜５０は、傾斜面４１と同様の形状（すなわち、カップ状、又は、テーパー状の形状）を有する。
【００２１】
個別配線層３２と共通配線層１３との間に駆動電圧を印加することによって、下側クラッド層２２と上側クラッド層２４との間に挟まれた活性層２３から光が放射され、この光は直接又は光反射膜５０で反射して、穴構造４２の外側（図１における上側）に向けて出射させる。
【００２２】
《１−２》第１の実施形態に係る発光装置の製造方法
次に、第１の実施形態に係る発光装置の製造方法について説明する。図３から図１０は、第１の実施形態に係る発光装置１の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その１〜１０）である。
【００２３】
発光装置１の製造に際しては、先ず、基板１０を準備する。基板１０は、集積回路基板であるシリコン基板１１の表面上に層間絶縁膜１２を成膜し、この層間絶縁膜１２上に下側共通配線である共通配線層１３を成膜することによって形成する。層間絶縁膜１２は、例えば、プラズマＣＶＤ（化学気相成長）法、スパッタ法、又は熱酸化法により形成される。層間絶縁膜１２は、例えば、ＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３、又はＳｉＯ２などの絶縁材料から形成される。層間絶縁膜１２は、複数の絶縁膜を積層した構造であってもよい。共通配線層１３は、導電性材料で形成される。共通配線層１３としては、例えば、金（Ａｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）などのメタル材料を用いることができる。共通配線層１３は、例えば、リソグラフィ技術と、蒸着法又はスパッタ法とにより形成することができる。ただし、基板１０の構造及び形成方法は、この例に限定されない。
【００２４】
また、発光装置１の製造に際しては、成長基板６０上に剥離層６１を介在させて半導体発光素子２０を予め形成する。半導体発光素子２０の膜厚は、例えば、１［μｍ］以上５［μｍ］以下の薄膜形状であることが望ましい。半導体発光素子２０は、下側コンタクト層２１、下側クラッド層２２、活性層２３、上側クラッド層２４、及び上側コンタクト層２５を順に積層させて形成した構造を持つ。半導体発光素子２０を構成する各々の半導体層は、例えば、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法及び分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法によって成長させることができる。半導体発光素子２０は、例えば、窒化物系材料又はガリウム・ヒ素（ＧａＡｓ）系材料により構成されたエピタキシャルフィルム型の半導体である。成長基板６０としては、例えば、サファイア基板、ＳｉＣ基板、又はＧａＮ基板等を用いることができる。
【００２５】
半導体発光素子２０を窒化物系材料で形成する場合には、例えば、上側コンタクト層２５をｐ−ＧａＮで形成し、上側クラッド層２４をｐ−ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）で形成し、活性層２３を、井戸層としてのＩｎｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ≦１）層と障壁層としてのＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０≦ｚ＜１）層とから成る量子井戸が複数層積層される多重量子井戸（ＭＱＷ）構造で形成し、下側クラッド層２２をｎ−Ａｌｘ１Ｇａ１−ｘ１Ｎ（０≦ｘ１≦１）で形成し、下側コンタクト層２１をｎ−ＧａＮで形成することができる。この場合には、半導体発光素子２０の成長基板６０であるサファイア基板を裏面から研磨することにより半導体発光素子２０を薄膜形状のまま分離することができる。また、レーザーリフトオフ法により半導体発光素子２０を成長基板６０であるサファイア基板から剥離してもよい。
【００２６】
半導体発光素子２０をＧａＡｓ系材料で形成する場合には、例えば、上側コンタクト層２５をｐ−ＧａＰで形成し、上側クラッド層２４をｐ−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０≦ｘ＜１）で形成し、活性層２３を、井戸層としての（ＡｌｙＧａ１−ｙ）ｙ１Ｉｎ１−ｙ１Ｐ（０＜ｙ，  ｙ１≦１，  ｙ＋ｙ１＝１）と障壁層としての（ＡｌｚＧａ１−ｚ）ｚ１Ｉｎ１−ｚ１Ｐ（０＜ｚ，  ｚ１≦１，  ｚ十ｚ１＝１）とから成る量子井戸が複数層積層されるＭＱＷ構造で形成し、下側クラッド層２２をｎ−ＡｌｗＧａ１−ＷＡｓ（０＜ｗ＜１）で形成し、下側コンタクト層２１をｎ−ＧａＡｓで形成することができる。この場合には、成長基板６０の剥離層６１として、選択的にエッチング可能な層、例えば、ＡｌＡｓ層を挿入し、ＡｌＡｓ層のみを選択的にエッチングすることにより、半導体発光素子２０を成長基板６０から剥離することができる。
【００２７】
次に、図３に示されるように、成長基板６０上で形成された半導体発光素子２０を、成長基板６０から剥離（分離）して、移動可能な保持部材としてのキャリア基板７０によって基板１０の共通配線層１３上の所定位置に接着（ボンディング）する。図４に示されるように、半導体発光素子２０は、共通配線層１３の平坦な表面と、例えば、分子間力によって直接接着される。ただし、半導体発光素子２０と共通配線層１３の表面との間に導電性ペーストなどを介在させることによって、これらを接着させてもよい。半導体発光素子２０の下側コンタクト層２１は、共通配線層１３に電気的に接続される。また、基板１０上に配置される半導体発光素子２０の個数は、１個に限らず、１次元状（ライン状）又は２次元状（マトリクス状）に複数個配列してもよい。
【００２８】
次に、図５に示されるように、半導体発光素子２０の側壁であるメサ端面を覆うように、例えば、ＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２からなる層間絶縁膜（第２の層間絶縁膜）３１をプラズマＣＶＤ法又はスパッタ法により成膜する。そして、層間絶縁膜３１における上側コンタクト層２５上の部分をウエットエッチング又はドライエッチングにより開口させて、上側コンタクト層２５の上面を露出させる。
【００２９】
次に、上側コンタクト層２５上及び層間絶縁膜３１上に、例えば、Ａｕ又はＡｌを主な材料としてメタル材料からなる個別配線層３２を形成する。個別配線層３２は、半導体発光素子２０を被覆する層間絶縁膜３１上に沿って延伸して形成される。このようにして、基板１０上に個別配線層３２及び共通配線層１３に電気的に結線された半導体発光素子２０を、１次元状に規則的に配列することによって画像形成装置（図２３）の露光用光源を形成することができ、又は、２次元状に規則的に配列することによって画像表示装置（図２２）の画像表示パネルを形成することができる。
【００３０】
次に、個別配線層３２上及び層間絶縁膜３１上に、層間絶縁膜（第３の層間絶縁膜）３３を形成する。層間絶縁膜３３は、例えば、プラズマＣＶＤ法又はスパッタ法により成膜されるＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２からなる絶縁膜である。層間絶縁膜３３によって、光反射膜５０と上側コンタクト層２５とが電気的に分離され、光反射膜５０と個別配線層３２とが電気的に分離される。
【００３１】
次に、図６に示されるように、半導体発光素子２０を覆うように、半導体発光素子２０の表面に成膜された層間絶縁膜３３上に、感光性有機絶縁膜などの感光性材料層４０ａを形成する。図６の例では、感光性材料層４０ａは、ネガ型であり、且つ、化学増幅により架橋が促進される材料から成る。感光性材料層４０ａの成膜は、例えば、感光性樹脂であるドライフィルムを層間絶縁膜３３上にラミネートする手法、又は、塗布可能な感光性樹脂をスピンコーティング又はスリットコーティングにより成膜する手法がある。そして、感光性材料層４０ａの膜厚（すなわち、側壁構造層４０の膜厚）としては、半導体発光素子２０から横方向へ放射される光を効率的に反射させることができるようにするため、１０［μｍ］以上の高さであることが望ましい。
【００３２】
次に、図７に示されるように、露光用のフォトマスク８０を用いて基板１０表面に露光フォーカス（焦点）を合わせて、感光性材料層４０ａに露光用の光９０を照射する。露光用のフォトマスク８０の露光領域の設計では、光反射膜５０によって形成されるカップ状の光反射膜（「反射カップ」ともいう。）の底面となる領域を遮光するように設計する。この露光によって、図７の感光性材料層４０ａの両端の網掛け領域（図において、灰色の領域）である露光領域４０ａ１と、露光領域４０ａ１以外の非露光領域（非感光領域）４０ａ２とが形成される。この露光による露光量は、焦点位置（すなわち、基板１０表面（上面）位置）に近いほど大きく、焦点位置から遠い位置（すなわち、感光性材料層４０ａの表面(上面)位置）に近づくほど小さくなる。図７の感光性材料層４０ａの露光領域４０ａ１において、露光量が大きい領域を「濃い灰色の領域」で示し、露光量が小さい領域を「淡い灰色の領域」で示している。
【００３３】
次に、図８に示されるように、加熱処理を行うことにより、露光領域４０ａ１の架橋を促進させて、架橋領域を形成する。この加熱処理による露光領域の架橋は、焦点位置（すなわち、基板１０表面位置）に近いほど大きく、焦点位置から遠い位置（すなわち、感光性材料層４０ａの表面位置）に近づくほど小さくなる。図７においては、感光性材料層４０ａの露光領域４０ａ１において、露光量が大きい領域を「濃い灰色の領域」で示し、露光量が小さい領域を「淡い灰色の領域」で示している。領域露光条件（フォトマスクの形状、フォトマスクと露光対象物との距離、露光用の光の光量など）又は架橋条件（加熱温度、加熱時間、など）を調整することにより、図９に示される所望のテーパー状の傾斜面４１及び穴構造４２を形成可能とする露光領域４０ａ１を形成することができる。
【００３４】
次に、図９に示されるように、現像処理を行うことによって、非露光領域４０ａ２を現像除去して、感光性材料層４０ａから側壁構造層４０を形成する。このとき、架橋の弱い表層近傍（すなわち、感光性材料層４０の表面近傍）で現像レートが速く、架橋の強い基板１０上面近傍（すなわち、感光性材料層４０の下面近傍）で現像レートが遅いので、基板１０上面に近いほど小径であり、開口４３に近づくほど大径になるテーパー構造の穴構造４２が形成される。
【００３５】
次に、図１０に示されるように、傾斜面４１を覆うように、光反射膜５０を発光波長に対して反射率の高いメタル材料、例えば、Ａｌ、Ａｕ又はＡｇを主とするメタル材料によって形成する。光反射膜５０は、例えば、リソグラフィ技術と、スパッタ法又は蒸着法とによって形成することができる。
【００３６】
《１−３》第１の実施形態の第１変形例に係る発光装置の製造方法
次に、第１の実施形態の第１変形例に係る発光装置の製造方法について説明する。図１１から図１５は、第１の実施形態の第１変形例に係る発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その１〜５）である。図１１から図１５に示される第１の実施形態の第１変形例に係る発光装置の製造方法は、感光性材料層１４０ａとして、例えば、ポジ型の感光性有機絶縁膜を用いている点のみが、ネガ型の感光性有機絶縁膜を用いている図３から図１０に示される第１の実施形態に係る発光装置の製造方法と相違する。図１１から図１５において、図３から図１０に示される構成要素と同一又は対応する構成要素には、同じ符号を付す。以下に、図１１から図１５に示される第１の実施形態の第１変形例に係る発光装置の製造方法を、図３から図１０の例との相違点を中心に説明する。
【００３７】
先ず、基板１０上に半導体発光素子２０を接着し、層間絶縁膜３１、個別配線層３２、及び層間絶縁膜３３を形成する。これらの工程は、図３から図５に示される工程と同じである。
【００３８】
次に、図１１に示されるように、ポジ型の感光性材料層１４０ａを形成する。感光性材料層１４０ａの成膜方法及び厚さは、図６で説明した感光性材料層４０ａの成膜方法と同じである。
【００３９】
次に、図１２に示されるように、露光用のフォトマスク１８０を用いて感光性材料層１４０ａ表面に露光フォーカスを合わせて、感光性材料層１４０ａに露光用の光１９０を照射する。露光用のフォトマスク１８０の露光領域の設計としては、光反射膜５０が形成される反射カップの上面の領域以外を遮光するように、又は、反射カップの上面よりも少し大きな領域以外を遮光するように設計する。この露光によって、図１２の感光性材料層１４０ａの両端の領域のように露光量が所定の基準量以下の非露光領域１４０ａ２と、非露光領域１４０ａ２以外の露光領域（感光領域）１４０ａ１が形成される。このとき、露光用の光１９０は、感光性材料層１４０ａの深部（図１２において、下側）に進むほど、徐々に吸収されて深部に到達できなくなり、その結果、テーパー状の露光領域１４０ａ１が形成される。
【００４０】
次に、図１３に示されるように、露光条件（フォトマスクの形状、フォトマスクと露光対象物との距離、露光用の光の光量など）を調整することにより、所望のテーパー状の傾斜角４１及び穴構造４２を形成可能とする露光領域１４０ａ１を形成することができる。
【００４１】
次に、図１４に示されるように、現像処理を行うことによって、露光領域１４０ａ１を現像除去して、感光性材料層１４０ａから側壁構造層４０を形成する。このとき、基板１０側で小径であり、開口４３に近づくほど大径になるテーパー構造の穴構造４２が形成される。
【００４２】
次に、図１５に示されるように、傾斜面４１を覆うように、光反射膜５０を発光波長に対して反射率の高いメタル材料、例えば、Ａｌ、Ａｕ又はＡｇを主とするメタル材料によって形成する。光反射膜５０は、例えば、リソグラフィ技術と、スパッタ法又は蒸着法とによって形成することができる。
【００４３】
《１−４》第１の実施形態の第２変形例に係る発光装置及びその製造方法
次に、本発明の第１の実施形態の第２変形例に係る発光装置及びその製造方法を説明する。図１６は、第１の実施形態の第２変形例に係る発光装置２の構造を概略的に示す縦断面図である。図１６において、図１に示される構成要素と同一又は対応する構成要素には、同じ符号を付す。図１６に示される発光装置２は、光反射膜２５０が凹面鏡状である点が、図１に示される光反射膜５０と相違する。側壁構造層２４０、傾斜面２４１、穴構造２４２、開口２４３、及び光反射膜２５０以外の点については、発光装置２は発光装置１と同じである。また、図１６に示される発光装置２は、画像表示装置、画像形成装置、その他の光源として利用可能である点においても、発光装置１と同じである。
【００４４】
次に、第１の実施形態の第２変形例に係る発光装置２の製造方法について説明する。図１７から図２１は、第１の実施形態の第２変形例に係る発光装置２の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その１〜５）である。図１７から図２１に示される第１の実施形態の第２変形例に係る発光装置２の製造方法は、凹面状（縦断面形状は曲線状）の傾斜面２４１を持つ側壁構造層２４０と凹面鏡状の光反射膜２５０とが、図１に示される発光装置１の製造方法と相違するが、他の点においては、図１に示される発光装置１の製造方法と同じである。したがって、図１７から図２１において、図３から図１０に示される構成要素と同一又は対応する構成要素には、同じ符号を付す。
【００４５】
発光装置２の製造に際しては、先ず、基板１０上に半導体発光素子２０を接着し、層間絶縁膜３１、個別配線層３２、及び層間絶縁膜３３を形成する。これらの工程は、図３から図５に示される工程と同じである。
【００４６】
次に、層間絶縁膜３３上にネガ型の感光性材料層２４０ａを成膜する。感光性材料層２４０ａの成膜方法及び厚さは、図６で説明した感光性材料層４０ａの成膜方法と同じである。
【００４７】
次に、図１７に示されるように、露光用のフォトマスク８０を用いて基板１０の表面に露光フォーカス（焦点）を合わせて、感光性材料層２４０ａに露光用の光９０を照射する。露光用のフォトマスク８０の露光領域の設計としては、光反射膜２５０が形成される反射カップの底面の領域を遮光するように、又は、反射カップの底面よりも少し大きな領域を遮光するように設計する。この露光によって、図１７の感光性材料層２４０ａの両端の網掛け領域（図において、灰色の領域）である露光領域４０ａ１と、露光領域２４０ａ１以外の非露光領域（非感光領域）２４０ａ２とが形成される。この露光による露光量は、焦点位置（すなわち、基板１０表面位置）に近いほど大きく、焦点位置から遠い位置（すなわち、感光性材料層２４０ａの表面位置）に近づくほど小さくなる。図１７の感光性材料層２４０ａの露光領域２４０ａ１において、露光量が大きい領域を「濃い灰色の領域」で示し、露光量が小さい領域を「淡い灰色の領域」で示している。
【００４８】
次に、図１８に示されるように、露光用のフォトマスク８１を用いて基板１０表面に露光フォーカス（焦点）を合わせて、感光性材料層２４０ａに露光用の光９１を照射する。露光用のフォトマスク８１の露光領域の設計では、光反射膜５０によって形成されるカップ状の光反射膜（「反射カップ」ともいう。）の底面となる領域を遮光するように設計する。この露光によって、図１８の感光性材料層２４０ａの両端の網掛け領域（図において、灰色の領域）である露光領域２４０ａ１ａが形成される。この露光による露光量は、焦点位置（すなわち、基板１０表面位置）に近いほど大きく、焦点位置から遠い位置（すなわち、感光性材料層２４０ａの表面位置）に近づくほど小さくなる。図１８の感光性材料層２４０ａの露光領域２４０ａ１ａにおいて、露光量が大きい領域を「濃い灰色の領域」で示し、露光量が小さい領域を「淡い灰色の領域」で示している。図１７及び図１８の露光処理を露光条件を変えながら、２回以上行う。このような露光条件を変えて行う露光処理の回数を増やすことによって、側壁構造層２４０の傾斜面２４１の形状を滑らかな凹面状（縦断面においては曲線状）にすることができる。
【００４９】
次に、図１９に示されるように、加熱処理を行うことにより、露光領域２４０ａ１，２４０ａ１ａの架橋を促進させて、架橋領域を形成する。この加熱処理による露光領域の架橋は、焦点位置（すなわち、基板１０表面位置）に近いほど大きく、焦点位置から遠い位置（すなわち、感光性材料層４０ａの表面位置）に近づくほど小さくなる。図１９においては、感光性材料層２４０ａの露光領域２４０ａ１において、露光量が大きい領域を「濃い灰色の領域」で示し、露光量が小さい領域を「淡い灰色の領域」で示している。露光条件（フォトマスクの形状、フォトマスクと露光対象物との距離、露光用の光の光量など）又は架橋条件（加熱温度、加熱時間、など）を調整することにより、所望の傾斜角２４１及び穴構造２４２を形成可能である。
【００５０】
次に、図２０に示されるように、現像処理を行うことによって、非露光領域２４０ａ２を現像除去して、感光性材料層２４０ａから側壁構造層２４０を形成する。このとき、基板１０側で小径であり、開口４３に近づくほど大径になる凹面鏡状（曲面状）の構造の穴構造２４２が形成される。
【００５１】
次に、図２１に示されるように、傾斜面２４１を覆うように、光反射膜２５０を発光波長に対して反射率の高いメタル材料、例えば、Ａｌ、Ａｕ又はＡｇを主とするメタル材料によって形成する。光反射膜２５０は、例えば、リソグラフィ技術と、スパッタ法又は蒸着法とによって形成することができる。
【００５２】
《１−５》第１の実施形態に係る画像表示装置
図２２は、本出願で説明される発光装置１，２，５，６のいずれかが適用された画像表示装置３の構造を概略的に示す平面図である。図２２に示されるように、画像表示装置３は、複数の発光装置が規則的に配列された画像表示モジュール（画像表示パネル）５０１と、その駆動回路５０２とを有する。このような画像表示装置は、ＬＥＤを画素としているので、十分に高い輝度が得られ、屋外でも視認性の高い表示装置として用いることができる。また、画像表示装置３は、プロジェクタ又はヘッドアップディスプレイなどに装備される投影型ディスプレイとしても用いることができる。なお、図２２に示される複数の発光装置は、例示であり、発光装置の行数及び列数、並びに、配列方式は、図示の例に限定されない。
【００５３】
画像表示モジュール５０１としては、各半導体発光素子２０に電気的に結線されている個別配線層３２及び共通配線層１３からモジュール外周近傍まで延伸形成する個別配線層接続パッド５０３又は共通配線接続パッド５０４に、外部駆動回路を接続する。そして、ぞれぞれのパッドに対して電流を注入する又は電流を掃引するなどの選択を行うことにより、任意の発光ドットを発光させることができる。
【００５４】
《１−６》第１の実施形態に係る画像形成装置
図２３は、第１の実施形態に係る発光装置１，２，５，６のいずれかが適用された画像形成装置４の構造及び露光部６０３の半導体発光素子アレイの構造を概略的に示す図である。図２３に示されるように、画像形成装置４は、電子写真方式を採用したＬＥＤプリンタ、複写機、ファクシミリ、又は複合機である。一般的には、画像形成装置４は、感光体６０１と、感光体６０１の表面を一様に帯電させる帯電器２と、一様に帯電した感光体６０１の表面を印刷画像データに基づいて露光して静電潜像を形成する露光部６０３と、静電潜像を現像剤によって現像する現像部６０４と、感光体６０１上の現像剤像を用紙６０６に転写させる転写部６０５とを有する。露光部６０３には、複数の発光装置１，２，５，６がライン状に配列されている。なお、図２３に示される複数の発光装置は、例示であり、発光装置の個数及びライン数は、図示の例に限定されない。
【００５５】
《１−７》第１の実施形態の効果
第１の実施形態に係る光源装置によれば、半導体発光素子２０から放射される光を広い放射角を持つが、半導体発光素子２０の外周を囲うように形成された側壁構造層４０，１４０，２４０の傾斜面４１，１４１，２４１上の光反射膜５０，１５０，２５０により、効率的に所望の方向を中心とする所望の配光角内の光線に変更して出射することができる。
【００５６】
また、第１の実施形態に係る光源装置によれば、個別配線層３２又は共通配線層１３とは、光反射膜５０，１５０，２５０とを電気的に分離できるので、光反射膜に材料を、反射効率を考慮した材料から自由に選択することができる。
【００５７】
また、第１の実施形態に係る光源装置によれば、従来技術とは異なり、集積回路基板であるシリコン基板１１を含む基板１０の平坦な面上に半導体発光素子２０を接着した後に、反射カップとしての光反射膜５０，１５０，２５０を形成することができるので、従来技術で発生していた位置ずれが生じることはなく、リソグラフィの精度によって半導体発光素子２０に対して反射カップを形成することができる。これにより、設計通りの配光制御が容易に実現できる。
【００５８】
また、第１の実施形態に係る光源装置の製造方法によれば、側壁構造層４０，１４０，２４０の傾斜面４１，１４１，２４１のスロープ形状を、露光条件及び架橋条件によりコントロールすることができるため、スロープ形状を放物曲面に近い形状に形成することができ、軸上輝度を効果的に増加させることができる。
【００５９】
また、第１の実施形態に係る画像表示装置３によれば、半導体発光素子２０に対して位置精度が飛躍的に向上した反射カップを形成することができ、より効率的で、均一な発光輝度を実現できる。
【００６０】
また、本発明の他の態様に係る画像形成装置によれば、半導体発光素子２０に対して位置精度が飛躍的に向上した反射カップを形成することができ、より効率的で、均一な照射光量を実現できる。
【００６１】
《２》第２の実施形態
《２−１》第２の実施形態に係る発光装置
以下に、本発明の第２の実施形態に係る発光装置５を説明する。図２４は、第２の実施形態に係る発光装置５の構造を概略的に示す縦断面図である。図２４において、図１６（第１の実施形態の第２変形例）に示される構成要素と同一又は対応する構成要素には、同じ符号を付す。図２４に示される発光装置５は、側壁構造層３４０の構造の点において、図１６（第１の実施形態の第２変形例）に示される側壁構造層２４０と相違する。側壁構造層３４０以外の点について、図２４に示される発光装置５は、図１６（第１の実施形態の第２変形例）に示される発光装置２と同じである。また、図２４に示される発光装置５は、画像表示装置、画像形成装置、その他の光源として利用可能である点においても、図１６（第１の実施形態の第２変形例）に示される発光装置２と同じである。
【００６２】
第２の実施形態に係る発光装置５の側壁構造層３４０は、基板１０上に形成され、穴構造３４２よりも大径の第１の貫通穴３４０１ａを持つ第１の絶縁材料層３４０１と、少なくとも第１の貫通穴３４０１ａの側壁面を覆うように、且つ、穴構造３４２の傾斜面３４１を形成するように塗布された塗布材料層（永久塗布膜）３４０２とを有する。第１の絶縁材料層３４０１の第１の貫通穴３４０１ａに面する側壁面は、基板１０の表面に略垂直な面であり、第１の貫通穴３４０１ａはフォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。塗布材料層３４０２は、第１の絶縁材料層３４０１の側壁面を覆うように形成され、図１６（第１の実施形態の第２変形例）の場合と同様に、凹面状の傾斜面３４１を形成する絶縁材料層である。光反射膜２５０は、塗布材料層３４０２の側面である傾斜面３４１を覆うように形成された、例えば、メタル材料膜である。
【００６３】
《２−２》第２の実施形態に係る発光装置の製造方法
図２５から図２８は、第２の実施形態に係る発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その１〜４）である。第２の実施形態に係る発光装置の製造方法は、凹面状（縦断面形状は曲線状）の傾斜面３４１を持つ側壁構造層３４０を形成する点が、図１６（第１の実施形態の第２変形例）に示される発光装置２の製造方法と相違する。他の点について、図２５から図２８に示される発光装置５の製造方法は、図１７から図２１（第１の実施形態の第２変形例）に示される発光装置２の製造方法と同じである。したがって、図２５から図２８において、図１７から図２１（第１の実施形態の第２変形例）に示される構成要素と同一又は対応する構成要素には、同じ符号を付す。
【００６４】
第２の実施形態に係る発光装置５の製造に際しては、先ず、基板１０上の所定位置に半導体発光素子２０を接着し、層間絶縁膜３１、個別配線層３２、及び層間絶縁膜３３を順に形成する。これらの工程は、図３から図５（第１の実施形態）に示される工程と同じである。
【００６５】
次に、層間絶縁膜３３上に、図２５に示されるように、側壁面（端面）形状が基板１０の表面に対し略垂直なポジ型又はネガ型の感光性の有機絶縁膜からなる第１の絶縁材料層３４０１を形成する。次に、図２６に示されるように、この第１の絶縁材料層３４０１の側壁面３４０１ａを覆うように、塗布材料層３４０２を塗布し、塗布材料層３４０２をスピンコーティング又はスリットコーティングにより成膜して、第１の絶縁材料層３４０１の側壁面上及び層間絶縁膜３３上に凹面状の滑らかな構造の傾斜面３４１を形成する。
【００６６】
塗布材料層３４０２に感光性材料を用いた場合には、選択的に露光処理を行うことによってパターニングを行い、塗布材料層３４０２の少なくとも半導体発光素子２０の直上の部分を除去する。また、塗布材料層３４０２に非感光性材料を用いた場合には、ドライエッチング処理によって、塗布材料層３４０２の少なくとも半導体発光素子２０の直上の部分を塗布材料層を除去する。以上のプロセスによって、図２７に示されるような構造が得られる。次に、光反射膜２５０を、塗布材料層３４０２の凹面状の傾斜面３４１上に形成する。
【００６７】
《２−３》第２の実施形態の効果
第２の実施形態に係る光源装置５及びその製造方法によれば、半導体発光素子２０に対する反射カップの形成位置精度が飛躍的に向上するので、より効率的で、均一な発光輝度有する画像表示装置又は画像形成装置を実現可能になる。
【００６８】
また、塗布材料層３４０２の傾斜面３４１の形状（側壁スロープ形状）を塗布材料の粘度によって調整することが可能であり、従来技術に比べて、より精度の高い配光設計が可能になる。
【００６９】
《３》第３の実施形態
《３−１》第３の実施形態に係る発光装置
以下に、本発明の第３の実施形態に係る発光装置６を説明する。図２９は、第３の実施形態に係る発光装置６の構造を概略的に示す縦断面図である。図２９において、図２４（第２の実施形態）に示される構成要素と同一又は対応する構成要素には、同じ符号を付す。図２９に示される発光装置６は、側壁構造層４４０の構造の点において、図２４（第２の実施形態）に示される側壁構造層３４０と相違する。側壁構造層４４０以外の点については、図２９に示される発光装置６は、図２４（第２の実施形態）に示される発光装置５と同じである。また、図２９に示される発光装置６は、画像表示装置、画像形成装置、その他の光源として利用可能である点においても、図２４（第２の実施形態）に示される発光装置５と同じである。
【００７０】
第３の実施形態に係る発光装置６の側壁構造層４４０は、基板１０上に形成され、第１の貫通穴４４０１ａを持つ第１の絶縁材料層４４０１と、第１の絶縁材料層４４０１上に形成され、穴構造４４２より大径で且つ第１の貫通穴４４０１ａより大径の第２の貫通穴４４０２ａを持つ第２の絶縁材料層４４０２と、少なくとも第１の貫通穴４４０１ａの側壁面及び第２の貫通穴４４０２ａの側壁面を覆うように、且つ、穴構造４４２の傾斜面４４１を形成するように塗布された塗布材料層４４０３とを有する。第１の絶縁材料層４４０１の第１の貫通穴４４０１ａに面する側壁面は、基板１０の表面に略垂直な面であり、第１の貫通穴４４０１ａはフォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。第２の絶縁材料層４４０２の第２の貫通穴４４０２ａに面する側壁面は、基板１０の表面に略垂直な面であり、第２の貫通穴４４０２ａはフォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。塗布材料層４４０３は、第１の絶縁材料層４４０１の側壁面及び第２の絶縁材料層４４０２の側壁面を覆うように形成され、図２４（第２の実施形態）の場合と同様に、凹面状の傾斜面４４１を形成された絶縁材料層である。光反射膜２５０は、傾斜面４４１を覆うように形成された、例えば、メタル材料膜である。
【００７１】
《３−２》第３の実施形態に係る発光装置の製造方法
図３０から図３３は、第３の実施形態に係る発光装置の製造方法の工程を概略的に示す縦断面図（その１〜４）である。第３の実施形態に係る発光装置６の製造方法は、凹面状（縦断面形状は曲線状）の傾斜面４４１を持つ側壁構造層４４０の製造工程が、図２５から図２８（第２の実施形態）に示される発光装置５の製造方法と相違する。他の点においては、第３の実施形態に係る発光装置６の製造方法は、図２５から図２８（第２の実施形態）に示される発光装置５の製造方法と同じである。したがって、図３０から図３３において、図１から図２１（第１の実施形態）及び図２５から図２８（第２の実施形態）に示される構成要素と同一又は対応する構成要素には、同じ符号を付す。
【００７２】
第３の実施形態に係る発光装置６の製造に際しては、先ず、基板１０上の所定位置に半導体発光素子２０を接着し、層間絶縁膜３１、個別配線層３２、及び層間絶縁膜３３を順に形成する。これらの工程は、図３から図５（第１の実施形態）に示される工程と同じである。
【００７３】
次に、層間絶縁膜３３上に、図３０に示されるように、側壁面（端面）形状が基板１０の表面に対し略垂直なポジ型又はネガ型の感光性の有機絶縁膜からなる第１の絶縁材料層４４０１を形成する。次に、第１の絶縁材料層４４０１上に、図３０に示されるように、側壁面（端面）形状が基板１０の表面に対し略垂直なポジ型又はネガ型の感光性の有機絶縁膜からなる第２の絶縁材料層４４０２を形成する。
【００７４】
次に、図３１に示されるように、第１の絶縁材料層４４０１の側壁面４４０１ａ及び２の絶縁材料層４４０２の側壁面４４０２ａを覆うように、塗布材料層４４０３を塗布し、塗布材料層４４０２をスピンコーティング又はスリットコーティングにより成膜して、側壁構造層４４０ａの側壁面上及び基板１０上に凹面状の滑らかな構造の傾斜面４４１を形成する。
【００７５】
塗布材料層４４０３に感光性材料を用いた場合には、選択的に露光処理を行いパターニングを行い、塗布材料層４４０３の少なくとも半導体発光素子２０の直上の部分を除去する。また、塗布材料層４４０３に非感光性材料を用いた場合には、ドライエッチング処理によって、塗布材料層４４０３の少なくとも半導体発光素子２０の直上の部分を除去する。以上のプロセスによって、図３２に示されるような構造が得られる。次に、光反射膜２５０を、塗布材料層４４０３の凹面状の傾斜面４４１上に形成する。
【００７６】
《３−２》第３の実施形態の効果
第３の実施形態に係る光源装置６及びその製造方法によれば、絶縁材料層が１層である第２の実施形態の場合に比べ、凹面状の傾斜面４４１の形状を、所望の形状に自由に設定することができる。これにより、より精度の高い配光制御を行うことができ、その結果としてより輝度が高い画像表示装置又は画像形成装置を実現することができる。
【００７７】
また、第３の実施形態に係る光源装置６及びその製造方法によれば、半導体発光素子２０に対する反射カップの形成位置精度が飛躍的に向上するので、より効率的で、均一な発光輝度有する画像表示装置又は画像形成装置を実現することができる。
【００７８】
また、第３の実施形態に係る光源装置６及びその製造方法によれば、塗布材料層４４０３の傾斜面４４１の形状（側壁スロープ形状）を塗布材料の粘度によって調整することが可能であり、従来技術と比べて、より精密な配光設計が可能となる。
【００７９】
《４》第４の実施形態
《４−１》第４の実施形態に係る画像表示装置
図３４は、本発明の第４の実施形態に係る画像表示装置の画像表示モジュール５０２に含まれる発光装置７ａ，７ｂ，７ｃの構造を概略的に示す図である。図３４に示される発光装置７ａ，７ｂ，７ｃにおいて、図１（第１の実施形態）に示される発光装置１の構成要素と同一又は対応する構成要素には同じ符号を付す。
【００８０】
第４の実施形態に係る画像表示装置の画像表示モジュール５０２は、画像表示モジュール５０２上の位置に応じて、発光装置７ａ，７ｂ，７ｃの傾斜面５４１ａ，５４１ｂ，５４１ｃ，５４１ｄ，５４１ｅ，５４１ｆの形状が異なる点が、図２２（第１の実施形態）に示される画像表示装置４の画像表示モジュール５０１と異なる。すなわち、図２２（第１の実施形態）においては、画像表示モジュール５０１の各画素を構成する発光装置１（又は２又は５又は６）の構造は、１つの画像表示モジュール５０１内で同じ構造であるが、図３４に示される画像表示モジュール５０２は、画像表示モジュール５０２上の位置（領域）に応じて、発光装置７ａ，７ｂ，７ｃの傾斜面５４１ａ，５４１ｂ，５４１ｃ，５４１ｄ，５４１ｅ，５４１ｆの形状が異なる。
【００８１】
図３４に示されるように、画像表示モジュール５０２の発光装置７ａ，７ｂ，７ｃは、３種類のタイプに分類できる。発光装置７ｂは、画像表示モジュール５０２の中央付近の領域の発光装置であり、発光装置７ｂの中心軸を中心にして略対象な傾斜面５４１ｃ，５４１ｄを有している。発光装置７ａは、画像表示モジュール５０２の端辺付近の領域の発光装置であり、発光装置７ａの中心軸よりも端辺側の傾斜面５４１ａを緩やか傾斜面とし、反対側の傾斜面５４１ｂを傾斜面５４１ａよりも急な傾斜面になるようにしている。発光装置７ｃは、画像表示モジュール５０２の端辺付近の領域の発光装置であり、発光装置７ｃの中心軸よりも端辺側の傾斜面５４１ｅを緩やかな傾斜面とし、反対側の傾斜面５４１ｆが傾斜面５４１ｅよりも急な傾斜面になるようにしている。このような構成とすることによって、画像表示モジュール５０２の発光装置７ａ，７ｂ，７ｃから放射される光を、光束径が光の進行にともなって拡大する光にすることができる。
【００８２】
なお、１つの画像表示モジュール５０２に形成される発光装置の種類は３種類に限定されず、４種類以上であってもよい。また、画像表示モジュール５０２の中心位置からの距離に応じて、傾斜面５４１ａ，５４１ｆの傾斜角を徐々に緩やかにし、傾斜面５４１ｂ，５４１ｅの傾斜角を徐々に急にしてもよい。
【００８３】
《４−２》第４の実施形態に係る画像表示装置の発光装置の製造方法
画像表示モジュール５０２の画像を構成する発光装置７ａ，７ｂ，７ｃは共通の製造プロセスによって同時に形成できる。発光装置７ａ，７ｂ，７ｃの製造において共通のフォトマスク８０及び８１を使用できる。１回目の露光工程において使用されるフォトマスク８０の内、発光装置７ａが形成される領域のマスク部分と、発光装置７ｂが形成される領域のマスク部分と、発光装置７ｃが形成される領域のマスク部分とは同じ形状を有している。２回目の露光工程において使用されるフォトマスク８１の内、発光装置７ａが形成される領域のマスク部分（図３６）と、発光装置７ｂが形成される領域のマスク部分（図３９）と、発光装置７ｃが形成される領域のマスク部分とが異なる形状を有している。
【００８４】
図３５から図３７は、図３４の発光装置７ａの製造方法の工程を概略的に示す縦断面図である。図３８から図４０は、図３４の発光装置７ｂの製造方法の工程を概略的に示す縦断面図である。また、発光装置７ｃの製造プロセスは、発光装置７ａの製造プロセスと実質的に同じである。
【００８５】
発光装置７ａ，７ｂ，７ｃの製造に際しては、先ず、基板１０上に半導体発光素子２０を接着し、層間絶縁膜３１、個別配線層３２、及び層間絶縁膜３３を形成する。これらの工程は、図３から図５（第１の実施形態）に示される工程と同じである。次に、層間絶縁膜３３上にネガ型の感光性材料層５４０ａを成膜する。感光性材料層５４０ａの成膜方法及び厚さは、図６（第１の実施形態）で説明した感光性材料層４０ａの成膜方法と同じである。
【００８６】
次に、図３５及び図３８に示されるように、露光用のフォトマスク８０を用いて基板１０の表面に露光フォーカス（焦点）を合わせて、感光性材料層５４０ａに露光用の光９０を照射する。露光用のフォトマスク８０の露光領域の設計としては、光反射膜２５０が形成される反射カップの底面の領域を遮光するように、又は、反射カップの底面よりも少し大きな領域を遮光するように設計する。この露光によって、図３５の感光性材料層５４０ａの両端の網掛け領域（図において、灰色の領域）である露光領域５４０ａ１と、露光領域５４０ａ１以外の非露光領域（非感光領域）５４０ａ２とが形成される。この露光による露光量は、焦点位置（すなわち、基板１０表面位置）に近いほど大きく、焦点位置から遠い位置（すなわち、感光性材料層５４０ａの表面位置）に近づくほど小さくなる。図３５の感光性材料層５４０ａの露光領域５４０ａ１において、露光量が大きい領域を「濃い灰色の領域」で示し、露光量が小さい領域を「淡い灰色の領域」で示している。
【００８７】
次に、図３６及び図３９に示されるように、露光用のフォトマスク８１を用いて基板１０表面に露光フォーカス（焦点）を合わせて、感光性材料層５４０ａに露光用の光９１を照射する。露光用のフォトマスク８１の露光領域の設計では、光反射膜５０によって形成されるカップ状の傾斜面（図３７の５４１ｂ）となる領域以外の領域を遮光するように設計する。この露光によって、図３６の感光性材料層５４０ａの右側の網掛け領域（図において、灰色の領域）である露光領域５４０ａ１ａが形成される。この露光による露光量は、焦点位置（すなわち、基板１０表面位置）に近いほど大きく、焦点位置から遠い位置（すなわち、感光性材料層５４０ａの表面位置）に近づくほど小さくなる。図３６の感光性材料層５４０ａの露光領域５４０ａ１ａにおいて、露光量が大きい領域を「濃い灰色の領域」で示し、露光量が小さい領域を「淡い灰色の領域」で示している。フォトマスク８１は、発光装置７ａが形成される領域のマスク部分（図３６）と、発光装置７ｂが形成される領域のマスク部分（図３９）と、発光装置７ｃが形成される領域のマスク部分とが異なる形状を有している。
【００８８】
この露光によって、図３６の感光性材料層５４０ａには露光量が所定の基準量以下の非露光領域５４０ａ２と、非露光領域５４０ａ２以外の露光領域（感光領域）５４０ａ１及び５４０ａ１ａ（図３６において、両端側の網掛け領域と、濃いハッチング領域）が形成される。また、図３９の感光性材料層５４０ａには露光量が所定の基準量以下の非露光領域５４０ａ２と、非露光領域５４０ａ２以外の露光領域（感光領域）５４０ａ１及び５４０ａ１ａ（図３６において、両端側の網掛け領域と、濃いハッチング領域）が形成される。
【００８９】
次に、加熱処理を行うことにより、露光領域５４０ａ１ａ及び５４０ａ１の架橋を促進させる。露光条件（フォトマスクの形状、フォトマスクと露光対象物との距離、露光用の光の光量など）又は架橋条件（加熱温度、加熱時間、など）を調整することにより、所望の傾斜角５４１ａ，５４１ｂ及び穴構造５４２を形成することができる。
【００９０】
次に、図３７及び図４０に示されるように、現像処理を行うことによって、非露光領域５４０ａ２を除去して、感光性材料層５４０ａから側壁構造層５４０を形成する。このとき、基板１０側で小径であり、開口５４３に近づくほど大径になる凹面鏡状（曲面状）の構造の穴構造５４２が形成される。
【００９１】
次に、傾斜面５４１ａ，５４１ｂ，５４１ｃ，５４１ｄ，５４１ｅ，５４１ｆを覆うように、光反射膜２５０を発光波長に対して反射率の高いメタル材料、例えば、Ａｌ、Ａｕ又はＡｇを主とするメタル材料によって形成する。光反射膜２５０は、例えば、リソグラフィ技術と、スパッタ法又は蒸着法とによって形成することができる。
【００９２】
《４−３》第４の実施形態の変形例に係る画像表示装置
図４１は、本発明の第４の実施形態の変形例に係る画像表示装置の画像表示モジュール５０３に含まれる発光装置８ａ，８ｂ，８ｃの構造を概略的に示す図である。図４１に示される発光装置８ａ，８ｂ，８ｃにおいて、図１（第１の実施形態）に示される発光装置１の構成要素と同一又は対応する構成要素には同じ符号を付す。
【００９３】
第４の実施形態の変形例に係る画像表示装置の画像表示モジュール５０３は、画像表示モジュール５０３上の位置に応じて、発光装置８ａ，８ｂ，８ｃの傾斜面６４１ａ，６４１ｂ，６４１ｃ，６４１ｄ，６４１ｅ，６４１ｆの形状が異なる点が、図２２（第１の実施形態）に示される画像表示装置４の画像表示モジュール５０１と異なる。すなわち、図２２（第１の実施形態）においては、画像表示モジュール５０１の各画素を構成する発光装置１（又は２又は５又は６）の構造は同じ構造であるが、図４１に示される画像表示モジュール５０３は、画像表示モジュール５０３上の位置（領域）に応じて、発光装置８ａ，８ｂ，８ｃの傾斜面６４１ａ，６４１ｂ，６４１ｃ，６４１ｄ，６４１ｅ，６４１ｆの形状が異なる。
【００９４】
図４１に示されるように、画像表示モジュール５０３の発光装置８ａ，８ｂ，８ｃは、３種類のタイプに分類できる。発光装置８ｂは、画像表示モジュール５０３の中央付近の領域の発光装置であり、発光装置８ｂの中心軸を中心にして略対象な曲面状の傾斜面６４１ｃ，６４１ｄを有している。発光装置８ａは、画像表示モジュール５０３の端辺付近の領域の発光装置であり、発光装置８ａの中心軸よりも端辺側の曲面状の傾斜面６４１ａを急な傾斜面とし、反対側の曲面状の傾斜面６４１ｂが緩やかな傾斜面になるようにしている。発光装置８ｃは、画像表示モジュール５０３の端辺付近の領域の発光装置であり、発光装置８ｃの中心軸よりも端辺側の傾斜面６４１ｅを緩やかな曲面状の傾斜面とし、反対側の傾斜面５４１ｆが急な曲面状の傾斜面になるようにしている。このような構成とすることによって、画像表示モジュール５０３の発光装置８ａ，８ｂ，８ｃから放射される光を集光することができる。
【００９５】
なお、１つの画像表示モジュール５０３に形成される発光装置の種類は３種類に限定されず、４種類以上であってもよい。また、画像表示モジュール５０３の中心位置からの距離に応じて、傾斜面６４１ａ，６４１ｆの傾斜角を徐々に緩やかにし、傾斜面６４１ｂ，６４１ｅの傾斜角を徐々に急にしてもよい。
【００９６】
《４−４》第４の実施形態の変形例に係る画像表示装置の発光装置の製造方法
画像表示モジュール５０３の画像を構成する発光装置８ａ，８ｂ，８ｃは共通の製造プロセスによって同時に形成できる。図４２及び４３は、図４１の発光装置８ａの製造方法の工程を概略的に示す縦断面図である。図４４及び図４５は、図４１の発光装置８ｂの製造方法の工程を概略的に示す縦断面図である。また、発光装置８ｃの製造プロセスは、発光装置８ａの製造プロセスと実質的に同じである。
【００９７】
発光装置８ａ，８ｂ，８ｃの製造に際しては、先ず、基板１０上に半導体発光素子２０を接着し、層間絶縁膜３１、個別配線層３２、及び層間絶縁膜３３を形成する。これらの工程は、図３から図５（第１の実施形態）に示される工程と同じである。
【００９８】
次に、層間絶縁膜３３上に、図４２及び図４４に示されるように、側壁面（端面）形状が基板１０の表面に対し略垂直なポジ型又はネガ型の感光性の有機絶縁膜からなる第１の絶縁材料層６４０１を形成する。次に、第１の絶縁材料層６４０１上に、図４２及び図４４に示されるように、側壁面（端面）形状が基板１０の表面に対し略垂直なポジ型又はネガ型の感光性の有機絶縁膜からなる第２の絶縁材料層６４０２を形成する。
【００９９】
次に、第１の絶縁材料層６４０１の側壁面６４０１ａ及び２の絶縁材料層６４０２の側壁面６４０２ａを覆うように、塗布材料層６４０３を塗布し、塗布材料層６４０３をスピンコーティング又はスリットコーティングにより成膜して、側壁構造層６４０の側壁面上及び基板１０上に凹面状の滑らかな構造の傾斜面６４１ａ，６４１ｂ，６４１ｃ，６４１ｄ，６４１ｅ，６４１ｆを形成する。
【０１００】
塗布材料層６４０３に感光性材料を用いた場合には、選択的に露光処理を行いパターニングを行い、塗布材料層６４０３の少なくとも半導体発光素子２０の直上の部分を除去する。また、塗布材料層６４０３に非感光性材料を用いた場合には、ドライエッチング処理によって、塗布材料層６４０３の少なくとも半導体発光素子２０の直上の部分を除去する。以上のプロセスによって、図４３及び図４５に示されるような滑らかな凹面状の傾斜面６４１ａ，６４１ｂ，６４１ｃ，６４１ｄ，６４１ｅ，６４１ｆを形成することができる。次に、光反射膜２５０を、塗布材料層６４０３の凹面状の傾斜面６４１ａ，６４１ｂ，６４１ｃ，６４１ｄ，６４１ｅ，６４１ｆ上に形成する。
【０１０１】
《４−５》第４の実施形態の変形例に係る画像表示装置
図４６は、図３４又は図４１の画像表示モジュール５０２又は５０３に、第４の実施形態に係る光源装置を適用した画像表示装置の構造を概略的に示す図である。図４６に示される画像表示装置は、画像表示モジュール５０２又は５０３と、凹面反射鏡（拡大鏡）９５とを有する。画像表示モジュール５０２又は５０３においては、画像表示部左領域では、傾斜面５４１ａ（又は６４１ａ）が左側に大きく開いた状態に形成され、画像表示部中央領域では、左右の傾斜面５４１ｃ，５４１ｄ（又は６４１ｃ，６４１ｄ）が左右同じに形成され、画像表示部右領域では、傾斜面５４１ｆ（又は６４１ｆ）が右側に大きく開いた状態に形成されている。したがって、画像表示部中央領域では、鉛直上に配光角の中心があるのに対し、画像表示部左領域では、配光角の中心が鉛直方法に対して左側に傾いたところにあり、画像表示部右領域では、配光角の中心が鉛直方向に対して右側に傾いたところにある。このように配光角を制御することにより、図４６に示されるような凹面反射鏡９５を用いて、画像表示モジュール５０２又は５０３の表示像を拡大する際、表示面内においてばらつきの少ない画像表示が可能となる。これは、凹面反射鏡９５を用いて画像表示モジュール５０２又は５０３の表示像を投影する際、表示領域外側の光線は、凹面反射鏡９５の外側に効率的に反射される必要があり、表示領域面内において凹面反射鏡９５に対して理想的な配光角の制御が可能となるためである。
【０１０２】
《４−６》第４の実施形態の効果
第４の実施形態に係る発光装置及びその製造方法によれば、半導体発光素子２０に対して形成位置精度が飛躍的に向上した反射カップを形成することができ、より効率的で、均一な発光輝度有する画像表示装置又は画像形成装置を実現することができる。
【０１０３】
また、第４の実施形態に係る発光装置及びその製造方法によれば、傾斜面の形状を、容易に調整することが可能であり、従来技術にくらべて、より詳細な配光設計が可能となる。そして、表示面内においても領域別に配光角を制御することができ、最も利用効率の高い角度に配光角の中心を制御することが可能となる。
【符号の説明】
【０１０４】
１，１ａ，２，５，６，７ａ，７ｂ，７ｃ，８ａ，８ｂ，８ｃ  発光装置、  ３  画像表示装置、  ４  画像形成装置、  ９  画像表示装置、  １０  基板、  １１  シリコン基板、  １２  層間絶縁膜（第１の層間絶縁膜）、  １３  共通配線層、  ２０  半導体発光素子（ＬＥＤ）、  ２１  下側コンタクト層、  ２２  下側クラッド層、  ２３  活性層、  ２４  上側クラッド層、  ２５  上側コンタクト層、  ３１  層間絶縁膜（第２の層間絶縁膜）、  ３２  個別配線層、  ３３  層間絶縁膜（第３の層間絶縁膜）、  ４０，１４０，２４０，３４０，４４０，５４０，６４０  側壁構造層、  ４１，１４１，２４１，２４１，４４１，５４１，５４１ａ，５４１ｂ，５４１ｃ，５４１ｄ，５４１ｅ，５４１ｆ，６４１ａ，６４１ｂ，６４１ｃ，６４１ｄ，６４１ｅ，６４１ｆ  傾斜面、  ４２，１４２，２４２，３４２，４４２，５４２  穴構造、  ４３，２４３，５４３，６４３  開口、  ５０，１５０，２５０  光反射膜、  ６０  半導体発光素子形成用基板（成長基板）、  ６１  剥離層、  ７０  キャリア基板、  ９５  凹面反射境（拡大鏡）、  ５０１，５０２，５０３  画像表示モジュール。
【図１】
2014216588.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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