(57)【要約】      （修正有）【課題】第１エピ層と、少なくとも一つの基板と、一つの第２エピ層と、を備える１チップ２光源の発光素子を提供する。【解決手段】第１エピ層１２はｎ型導電構造を有する第１ｎ型半導体層１２３と、複数の量子井戸構造を有する第１発光層１２２と、ｐ型導電構造を有する第１ｐ型半導体層１２１と、を含む。基板１１は第１エピ層の一側に設けられている。第２エピ層１５は第１エピ層の位置に対応して基板の他側に設けられ、ｎ型導電構造を有する第２ｎ型半導体層１５３と、複数の量子井戸構造を有する第２発光層１５２と、ｐ型導電構造を有する第２ｐ型半導体層１５１と、を含む。第１エピ層と、第２エピ層とを介して、それぞれ制御し単色または２色の光源を出射することができる。【選択図】図１Ａ
2014204118.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１チップ２光源の発光素子であって、
ｎ型導電構造を有する第１ｎ型半導体層と、複数の量子井戸構造を有する第１発光層と、ｐ型導電構造を有する第１ｐ型半導体層と、を含み、第１光源を出射する第１エピ層と、
前記第１エピ層の一側に取り付ける少なくとも一つの基板と、
前記第１エピ層に対応して、前記基板の他側に設けられ、ｎ型導電構造を有する第２ｎ型半導体層と、複数の量子井戸構造を有する第２発光層と、ｐ型導電構造を有する前記第２ｐ型半導体層と、を含み、第２光源を出射する第２エピ層と、を備えることを特徴とする、
１チップ２光源の発光素子。
【請求項２】
前記基板を離れていて、前記第１エピ層に備える前記第１ｎ型半導体層の一側に設ける第１電極と、前記第１エピ層に備える前記第１ｐ型半導体層の一側に設ける第１反射層と、第１反射層と前記基板との間に設ける第１接合層と、前記第１反射層の間に設ける第１絶縁部と、をさらに有することを特徴とする、請求項１記載の１チップ２光源の発光素子。
【請求項３】
前記基板を離れていて、前記第２エピ層に備える前記第２ｎ型半導体層の一側に設ける第２電極と、前記第２エピ層に備える前記第２ｐ型半導体層と前記基板との間に設ける第２絶縁部と、をさらに有することを特徴とする、請求項２記載の１チップ２光源の発光素子。
【請求項４】
前記第２エピ層に備える前記第２ｐ型半導体層の一側に設ける第２反射層と、前記基板と、前記第２反射層との間に設ける接着層と、前記第２エピ層に備える前記第２ｐ型半導体層と前記接着層との間及び前記第２反射層の一側に取り付ける複数の第２電極と、前記接着層に設けられ、前記第２電極に隣接していて、前記第２反射層の一側に備える前記第２電極を覆い被せる複数の絶縁部と、をさらに有することを特徴とする、請求項２記載の１チップ２光源の発光素子。
【請求項５】
前記第２エピ層に備える前記第２ｎ型半導体層の一側に設ける第２反射層と、前記基板と、前記第２反射層との間に設ける接着層と、前記第２エピ層に備える前記第２ｐ型半導体層の一側及び前記第２エピ層に備える前記第２ｎ型半導体層の一側に設ける複数の第２電極と、をさらに有することを特徴とする、請求項２記載の１チップ２光源の発光素子。
【請求項６】
前記基板を離れていて、前記第１エピ層に備える前記第１ｐ型半導体層の一側及び前記第１ｎ型半導体層の一側に設ける複数の第１電極と、前記第１エピ層一側に備える前記基板と前記第２エピ層に備える前記基板との間に設ける反射層と、をさらに有することを特徴とする、請求項１記載の１チップ２光源の発光素子。
【請求項７】
前記基板を離れていて、前記第２エピ層に備える前記第２ｐ型半導体層の一側及び前記第２ｎ型半導体層の一側に設ける複数の第２電極と、前記反射層と前記第２エピ層一側の前記基板との間に設ける接合層と、をさらに有することを特徴とする、請求項６記載の１チップ２光源の発光素子。
【請求項８】
前記反射層が前記第２エピ層近端の一側に取り付ける複数の第２電極と、前記反射層の一側に設けられ、前記反射層の一側に備える前記第２電極を覆い被せる複数の絶縁部と、をさらに有することを特徴とする請求項６記載の１チップ２光源の発光素子。
【請求項９】
前記基板を離れていて、前記第１エピ層に備える前記第１ｎ型半導体層の一側に設けられ、前記基板との間に第１絶縁部を用いて仕切られている複数の第１電極と、前記基板と前記第２エピ層に備える前記第２ｎ型半導体層との間に設ける複数の第２電極と、をさらに有することを特徴とする、請求項１記載の１チップ２光源の発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は発光素子に関し、特に１チップ構造を用いて２つの光源を同時に出射させ、かつ両側からの発光により、全角度発光を形成する１チップ２光源の発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ，ＬＥＤ）は半導体部材から仕上げられた発光素子であり、その発光原理は主にＬＥＤチップＰ−Ｎ接合面の一端にＰ型半導体を有し、主に正孔を提供する。他端はＮ型半導体を有し、主に電子を提供する。電流がＬＥＤチップに流れたとき、伝導帯の電子と価電子帯の正孔との結合によって、余分なエネルギーが光子の形態で放出される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
公知の発光ダイオードチップはその発光特性により、蛍光灯のように３６０度の全角度発光はできないため、応用設計に制限を受ける。一般的に、発光ダイオードは片面発光構造であり、発光の角度は１８０度を有し、発光面から外部に均一な光源を出射できる。
発光ダイオードに様々な角度の光源を出射させるため、各種のパッケージ手段が行われている。一例として、光学レンズを発光ダイオードチップの上方に取り付けるか、または発光ダイオードチップを多面構造の基板上に取り付けて、発光ダイオードに様々な角度の光源を出射させる。
【０００４】
パッケージ手段によって発光ダイオードの発光角度を向上できるが、光学の配光設計または最終工程のパッケージ加工には、工程の時間、人力と製造コストが高くなり兼ねない。よって、需要からみると、３６０度の光源を出射でき、しかも発光ダイオード全体の生産工程の時間とコストを節約することが、すでに市場での応用に一刻も猶予できない課題になっている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前述の公知技術の問題について、本発明の主な目的は１チップ構造によって２つの光源を出射でき、さらに両側の発光により３６０度の全角度発光を形成し、公知技術の解決を図る１チップ２光源発光素子を提供することである。
【０００６】
本発明の目的に基づき、第１エピ層と、少なくとも一つの基板と、一つの第２エピ層と、を備える１チップ２光源の発光素子を提供する。
第１エピ層はｎ型導電構造を有する第１ｎ型半導体層と、複数の量子井戸構造を有する第１発光層と、ｐ型導電構造を有する第１ｐ型半導体層と、を含み、第１光源を出射される。基板は第１エピ層の一側に設けられている。第２エピ層は、第１エピ層に対応して基板の他側に設けられ、ｎ型導電構造を有する第２ｎ型半導体層と、複数の量子井戸構造を有する第２発光層と、ｐ型導電構造を有する第２ｐ型半導体層と、を含み、第２光源を出射される。
そのうち、本発明の１チップ２光源発光素子は、基板を離れていて、第１エピ層に備える第１ｎ型半導体層の一側に設ける第１電極と、第１エピ層に備える第１ｐ型半導体層の一側に設ける第１反射層と、第１反射層と基板との間に設ける第１接合層と、第１反射層の間に挿設する第１絶縁部と、をさらに含む。
【０００７】
前述の内容に基づき、本発明の１チップ２光源発光素子は複数の実施態様を有する。第１実施例において、本発明の１チップ２光源発光素子は基板を離れていて、第２エピ層に備える第２ｎ型半導体層の一側に設ける第２電極と、第２エピ層に備える第２ｐ型半導体層と基板との間に設ける第２絶縁部と、をさらに有する。
【０００８】
第２実施例において、本発明の１チップ２光源発光素子は、第２エピ層に備える第２ｐ型半導体層の一側に設ける第２反射層と、基板と第２反射層との間に設ける接着層と、第２エピ層に備える第２ｐ型半導体層と接着層との間および第２反射層の一側に設ける複数の第２電極と、接着層の上方に設けられ、第２電極に隣接していて、かつ第２反射層一側の第２電極を覆い被せる複数の絶縁部と、をさらに有する。
【０００９】
第３実施例において、本発明の１チップ２光源発光素子は、第２エピ層に備える第２ｎ型半導体層の一側に設ける第２反射層と、基板と第２反射層との間に設ける接着層と、第２エピ層に備える第２ｐ型半導体層の一側および第２エピ層に備える第２ｎ型半導体層の一側に設ける、複数の第２電極と、を含む。
【００１０】
本発明の目的に基づき、第１エピ層と、少なくとも一つの基板と、一つの第２エピ層と、を備える１チップ２光源の発光素子をさらに提供する。
第１エピ層はｎ型導電構造を有する第１ｎ型半導体層と、複数の量子井戸構造を有する第１発光層と、ｐ型導電構造を有する第１ｐ型半導体層と、を含める。基板は第１エピ層の一側に設けられている。第２エピ層は第１エピ層の位置に対応して基板の他側に設けられ、ｎ型導電構造を有する第２ｎ型半導体層と、複数の量子井戸構造を有する第２発光層と、ｐ型導電構造を有する第２ｐ型半導体層と、を含む。
そのうち、本発明の１チップ２光源発光素子はさらに、基板を離れていて、第１エピ層に備える第１ｐ型半導体層の一側及び第１ｎ型半導体層の一側に設ける複数の第１電極と、第１エピ層の一側に備える基板と、第２エピ層の一側に備える基板との間に設ける反射層と、をさらに含む。
【００１１】
前述の内容に基づき、本発明の１チップ２光源発光素子は複数の実施態様をさらに有する。第１実施例において、本発明の１チップ２光源発光素子は、基板を離れていて、第２エピ層に備える第２ｎ型半導体層の一側及び第２ｎ型半導体層の一側に設ける複数の第２電極と、反射層と第２エピ層の一側に備える基板との間に設ける接合層と、をさらに有する。
【００１２】
第２実施例において、本発明の１チップ２光源発光素子は、それぞれ反射層が第２エピ層に近接する一側に設ける複数の第２電極と、反射層の一側に設ける複数の絶縁部と、反射層を覆い被せる第２電極と、を備える。
【００１３】
本発明の目的に基づき、第１エピ層と、少なくとも一つの基板と、第２エピ層と、複数の第１電極と、複数の第２電極と、を備えたもう一つの１チップ２光源発光素子を提供する。
第１エピ層はｎ型導電構造を有する第１ｎ型半導体層と、複数の量子井戸構造を有する第１発光層と、ｐ型導電構造を有する第１ｐ型半導体層と、を含み、第１光源を出射される。基板は第１エピ層の一側に設けられている。第２エピ層は、第１エピ層に対応して基板の他側に設けられ、ｎ型導電構造を有する第２ｎ型半導体層と、複数の量子井戸構造を有する第２発光層と、ｐ型導電構造を有する第２ｐ型半導体層と、を含み、第２光源を出射される。
複数の第１電極は基板を離れていて、第１エピ層に備える第１ｎ型半導体層の一側に設けられ、基板との間に第１絶縁部を用いて仕切られている。複数の第２電極は、基板と第２エピ層に備える第２ｎ型半導体層との間に設ける。
【００１４】
本発明の前記の説明とその他の目的、特徴および長所をよりよく理解するため、以下にて好ましい実施例と、図面とを併せて詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１Ａ】本発明の１チップ２光源の発光素子の第１実施例の上視概略図である。
【図１Ｂ】本発明の１チップ２光源の発光素子の第１実施例の断面概略図である。
【図２Ａ】本発明の１チップ２光源の発光素子の第２実施例の上視概略図である。
【図２Ｂ】本発明の１チップ２光源の発光素子の第２実施例の断面概略図である。
【図３】本発明の１チップ２光源の発光素子の第３実施例の上視概略図である。
【図４】本発明の１チップ２光源の発光素子の第４実施例の上視概略図である。
【図５】本発明の１チップ２光源の発光素子の第５実施例の上視概略図である。
【図６】本発明の１チップ２光源の発光素子の第６実施例の上視概略図である。
【図７】本発明の１チップ２光源の発光素子の第７実施例の上視概略図である。
【図８】本発明の１チップ２光源の発光素子の第８実施例の上視概略図である。
【図９】本発明の１チップ２光源の発光素子の第９実施例の上視概略図である。
【図１０】本発明の１チップ２光源の発光素子の第１０実施例の断面概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
図面を参照しながら、本発明の１チップ２光源の発光素子の実施例を説明する。理解を図るため、以下の実施例において、同じ素子には同じ番号を割り付けていて、かつ図に示す１チップ２光源の発光素子構造の異なる構造にそれぞれ縞や模様を例示しているが、構造の実態様でないことをここで説明しておきたい。
【実施例１】
【００１７】
図１Ａと図１Ｂの、本発明の１チップ２光源の発光素子の第１実施例の上視概略図と、断面概略図とを参照する。図に示すように、本発明の１チップ２光源の発光素子１は第１エピ層１２と、第１反射層１３と、第１接合層１４と、基板１１と、第２エピ層１５と、第１電極１６と、第２電極１７と、を備える。
【００１８】
第１エピ層１２は基板１１から外部に延在して、ｎ型導電構造を有する第１ｎ型半導体層１２１と、複数の量子井戸構造を有する第１発光層１２２と、ｐ型導電構造を有する第１ｐ型半導体層１２３とを形成して、第１光源を出射する。
【００１９】
第１反射層１３は第１エピ層１２に備える第１ｐ型半導体層１２１の一側に設ける。第１接合層１４は第１接合層１４の一側に連設され、基板１１は第１反射層１３を離れていて、第１接合層１４の他側に設けられている。そのうち、基板１１は例えば、高伝熱、非導電性部材または金属基板を使用できる。
【００２０】
第２エピ層１５は第１エピ層１２の位置に対応して、基板１１の他側に設けられ、基板１１から外部に向かって、それぞれｐ型半導体構造を有する第２ｐ型半導体層１５１と、複数の量子井戸構造を有する第２発光層１５２と、ｎ型導電構造を有する第２ｎ型半導体構造を備える第２ｎ型半導体層１５３と、を形成して、第２光源を出射する。
第１電極は基板１６を離れていて、第１エピ層１２に備える第１ｎ型半導体層１２３の一側に設ける。第２電極は基板１７を離れていて、第２エピ層１５に備える第２ｎ型半導体層１５３の一側に設ける。
【実施例２】
【００２１】
本実施例においては、直列方式により両側の光源の連携制御によって、第１光源と第２光源とを出射しているが、両側をそれぞれ発光させるように制御することもできる。
図２Ａと、図２Ｂに示す実施例２を合わせて参照する。図２Ａと図２Ｂの、本発明の１チップ２光源の発光素子の第２実施例の上視概略図と、断面概略図とを参照する。図に示すように、本実施例において、１チップ２光源の発光素子２が第１実施例と異なる点は、本実施例は第２絶縁部１９を有しており、第２絶縁部１９を第２エピ層１５に備える第２ｐ型半導体層１５１と基板１１との間に設けられている点である。
そのため、本実施例において、本発明の１チップ２光源の発光素子２は両側をそれぞれ制御することによって、第１光源と第２光源とを出射させる。
【実施例３】
【００２２】
引き続き図３の、本発明の１チップ２光源の発光素子の第３実施例の上視概略図を参照する。図に示すように、本実施例による１チップ２光源の発光素子３と第１実施例とはほぼ同じく、第１エピ層１２と、第１反射層１３と、第１接合層１４と、基板１１と、第１電極１６と、第２エピ層１５と、を設けられているが、ここで説明を省略する。
【００２３】
本実施例が第１実施例と異なる点は、本実施例において、基板１１の他側と第２エピ層１５との間に接着層２０を設けていて、かつ接着層２０に基板１１を設けていない一側は、第２電極１７と、第２絶縁部１９と、第２反射層２１とを交差して設けられている点である。
【００２４】
そのうち、第２反射層２１は第２エピ層１５に備える第２ｐ型半導体層１５１の一側に設けられている。第２電極１７は２つを有し、第２エピ層１５に備える第２ｐ型半導体層１５１と接着層２０との間及び前記第２反射層２１の一側に取り付けることができる。第２絶縁部１９をそれぞれ接着層２０に設けられ、第２電極１７に隣接していて、第２反射層２１の一側に備える第２電極１７を覆う。
【００２５】
本実施例において、直列方式により両側の光源を制御することによって、第１光源と第２光源とを出射させているが、両側をそれぞれに発光させる制御もできる。引き続き図１７と、図４に示す実施例４を合わせて参照する。
【実施例４】
【００２６】
図４の、本発明の１チップ２光源の発光素子の第４実施例の上視概略図を参照する。図に示すように、実施例３と異なる点は、本実施例において、接着層２０の一側に取り付ける第２反射層２１は切り離し構造であり、第２反射層２１左右の両側は周りの第２電極１７に連結していない。さらに、接着層２０は基板１１遠端の一側に薄い層の第１絶縁部１９を設けられている。
【００２７】
実施例３と実施例４において、第２エピ層１５はフリップチップ（Ｆｌｉｐ  ｃｈｉｐ）構造を形成しているため、光出力効率を向上でき、光がボンディングパッド（ｂｏｎｄｉｎｇ  ｐａｄ）と、ボンディングワイヤーの妨げによる発光輝度の低下を防ぐと共に、熱エネルギーをすばやく基板１１より放出することができる。
【実施例５】
【００２８】
引き続き図５の、本発明の１チップ２光源の発光素子の第５実施例の上視概略図を参照する。図に示すように、本実施例において、１チップ２光源の発光素子５は第３実施例とほぼ同じく、第１エピ層１２と、第１反射層１３と、第１接合層１４と、第１電極１６と、第２エピ層１５が設けられている。ここでは説明を省略する。
【００２９】
本実施例が第３実施例と異なる点は、本実施例において、第１基板２２と第２基板２３とを有しており、第２反射層２１と第２基板２３を接着層２０と第２エピ層１５に備える第２ｎ型半導体層１５３の間に設けていて、かつ複数の第２電極１７を第２エピ層１５に備える第２ｐ型半導体層１５１の一側及び第２エピ層１５に備える第２ｎ型半導体層１５３の一側に設けられている点である。
第２絶縁部１９は２つを有し、それぞれ第２反射層２１と、第２エピ層１５の両端部に設けられ、そのうち一つの第２絶縁部１９の外面には第２電極１７を覆い被せられている。
【００３０】
本実施例では直列方式により両側の光源を制御することによって、第１光源と第２光源とを出射させているが、しかし、両側をそれぞれに発光させる制御もできる。引き続き図６と、図５に示す実施例６を合わせ参照する。
【実施例６】
【００３１】
図６の、本発明の１チップ２光源の発光素子の第６実施例の上視概略図を参照する。図に示すように、第５実施例と異なる点は、本実施例において、複数の絶縁層を設けていないほか、複数の第２電極１７はそれぞれ第２エピ層１５に備える第２ｐ型半導体層１５１の一側及び第２エピ層１５に備える第２ｎ型半導体層１５３の一側に設けられている点である。
そのうち、第２エピ層１５に備える第２ｎ型半導体層１５３は、第２エピ層１５に備える第２ｐ型半導体層１５１と第２発光層１５２より幅広く設けられ、突き出された部分を第２電極１７の設置に用いられる。
【実施例７】
【００３２】
図７の、本発明の１チップ２光源発光素子の第７実施例の上視概略図を参照する。図に示すように、本発明の１チップ２光源発光素子７は第１エピ層１２と、第１基板２２と、複数の第１電極１６と、複数の反射層２４と、一つの接合層２５と、第２基板２３と、第２エピ層１５と、複数の第２電極１７と、を備える。
そのうち、第１エピ層１２はｐ型導電構造を有する第１ｐ型半導体層１２１と、複数の量子井戸構造を有する第１発光層１２２と、ｎ型導電構造を有する第１ｎ型半導体層１２３と、を形成して、第１光源を出射される。第１基板２２は第１エピ層１２の一側に設けられている。
複数の第１電極１６は第１基板２２を離れていて、第１エピ層１２に備える第１ｐ型半導体層１２１の一側及び第１ｎ型半導体層１２３の一側に設ける。これらの反射層２４はそれぞれ第１基板２２と接合層２５、および第２基板２３と接合層２５との間に設けられている。接合層２５は反射層と前記第２エピ層一側の第２基板との間に設けられている。
第２エピ層１５は第１エピ層１２に対応して、第２基板２３の他側に設けられ、ｎ型導電構造を有する第２ｎ型半導体層１５３と、複数の量子井戸構造を有する第２発光層１５２と、ｐ型導電構造を有する第２ｐ型半導体層１５１と、を含み、第２光源を出射される。複数の第２電極１７は第２基板２３を離れていて、第２エピ層１５に備える第２ｐ型半導体層１５１の一側及び第２ｎ型半導体層１５３の一側に設ける。
【実施例８】
【００３３】
引き続き図８の、本発明の１チップ２光源の発光素子の第８実施例の上視概略図を参照する。図に示すように、本実施例の１チップ２光源の発光素子８は第７実施例とほぼ同じく、第１エピ層１２と、第１基板２２と、第１基板１６と、反射層２４と、を設けられている。ここでは説明を省略する。
本実施例が第７実施例と異なる点は、本実施例には接合層２５と、第２基板２３とを設けていないほか、反射層２４は第１基板２２を設けていない他側にて第２電極１７と、絶縁部２６と、第２反射層２１とを交差して設けられている。
【００３４】
そのうち、第２反射層２１は第２エピ層１５に備える第２ｐ型半導体層１５１の一側に設けられている。第２電極１７は２つを有し、第２エピ層１５に備える第２ｐ型半導体層１５１と接着層２０との間及び前記第２反射層２１の一側に取り付けすることができる。絶縁部２６は２つを有し、それぞれ接着層２０に設けられ、第２電極１７に隣接していて、第２反射層２１の一側に備える第２電極１７を覆い被せる。
【００３５】
さらに、第２エピ層１５は基板２４から外部に延在し、ｐ型導電構造を有する第２ｐ型半導体層１５１と、複数の量子井戸構造を有する第２発光層１５２と、ｎ型導電構造を有する第２ｎ型半導体層１５３と、を形成する。
【００３６】
さらに、本実施例において、第２エピ層１５はフリップチップ（Ｆｌｉｐ  ｃｈｉｐ）構造を形成しているため、光出力効率を向上でき、光がボンディングパッド（ｂｏｎｄｉｎｇ  ｐａｄ）と、ボンディングワイヤーの妨げによる発光輝度の低下を防げると共に、熱エネルギーをすばやく基板１１より放出することができ、光出射の効果を向上できる。
そのうち、基板１１は高伝熱、非導電性基材、金属基板１１またはサファイア基板１１（ｓａｐｐｈｉｒｅ）からなる。もし、基板１１がサファイア基板の場合は、サファイア基板は透明部材のため、ｐ形電極の上方に高反射率の反射層２４を形成することによって、従来の素子上方から出射される光線を他の発光角度より引き出して、サファイア基板の縁部より光線を取り出す。このやり方は電極側の光損失を軽減し、従来のパッケージ方法に比べて約２倍の光出射量が得られる。
【実施例９】
【００３７】
引き続き図９の、本発明の１チップ２光源の発光素子の第９実施例の上視概略図を参照する。本実施例において、本発明の１チップ２光源の発光素子９はフリップチップ構造より組み合わせられている。
図に示すように、本発明の１チップ２光源の発光素子９は基板１１と、第１フリップチップ構造１０１と、第２フリップチップ構造１０２と、を含める。そのうち、基板１１は高伝熱、非導電性基材、金属基板１１またはサファイア基板１１（ｓａｐｐｈｉｒｅ）からなる。
【００３８】
第１フリップチップ構造１０１は基板１１の一側に設けられ、第２フリップチップ構造１０２は基板１１の他側に設けられている。そのうち、第１フリップチップ構造１０１は、第１エピ層１２と、第１電極１６と、第１絶縁部１８と、第１反射層１３と、を含み、第２フリップチップ構造１０２は第２エピ層１５と、第２電極１７と、第２絶縁部１９と、第２反射層２１と、を含める。
【００３９】
第１エピ層１２は基板１１から外部に、ｎ型導電構造を有する第１ｎ型半導体層１２１と、複数の量子井戸構造を有する第１発光層１２３と、ｐ型導電構造を有する第１ｐ型半導体層１２１と、を形成して、第１光源を出射する。第２エピ層１５は基板１１から外部に、ｎ型導電構造を有する第２ｎ型半導体層１５３と、複数の量子井戸構造を有する第２発光層１５２と、ｐ型導電構造を有する第２ｐ型半導体層１５１と、を形成して、第２光源を出射する。
そのうち、第１エピ層１２の第１ｐ形半導体層１２１は第１エピ層１２に備える第１ｎ形半導体層１２３と、第１発光層１２２より幅広く設けられ、突き出した部分は第１電極１６の取り付けに用いる。第２エピ層１５に備える第２ｐ形半導体層１５１は第２エピ層１５の第２ｎ形半導体層１５３と第２発光層１５２より幅広く設けられ、突き出した部分は第２電極１７の取付けに用いる。
【００４０】
第１フリップチップ構造１０１では、基板１１の一側が間隔置きに第１反射層１３と第１絶縁部１８とを交差して設けられ、複数の第１電極１６を第１反射層１３と、第１絶縁部１８の他側に設けられている。第２フリップチップ構造１０２では、基板１１の他側にも第２反射層２１と第２絶縁部１９とを交差して設けられ、複数の第２電極１７を第２反射層２１と、第２絶縁部１９の他側に設けられている。
【実施例１０】
【００４１】
引き続き図１０の、本発明の１チップ２光源の発光素子の第１０実施例の断面概略図を参照する。図に示すように、本発明の１チップ２光源発光素子１０は、基板１１と、第１エピ層１２と、第２エピ層１５と、を含む。
第１エピ層１２は基板１１の一側に設けられ、ｎ型導電構造を有する第１ｎ形半導体層１２３と、複数の量子井戸構造を含める第１発光層１２２と、ｐ型導電構造を有する第１ｐ型半導体層１２１と、を含み、第２エピ層１５は基板１１の他側に設けられ、第１エピ層１２に対応して基板１１の他側に設けられ、ｎ型導電構造を有する第２ｎ型半導体層１５３と、複数の量子井戸構造を有する第２発光層１５２と、ｐ型導電構造を有する第２ｐ型半導体層１５１とを形成して、第２光源を出射する。そのうち、第１光源と第２光源は、それぞれ同じまたは異なる波長であっても良い。
【００４２】
特に注意すべきことは、本発明の１チップ２光源発光素子１０はさらに蛍光体層２７を第１エピ層１２と、第２エピ層１５の外側に塗布またはスプレーするなど、第１光源と、第２光源を出射により蛍光体層２７を励起させ、新たな波長の光源を出射させる点である。
一例として、第１光源が赤色光のとき、第２光源は青色光を出射し、蛍光体層２７がＹＡＧ  蛍光体（Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ；イットリウムアルミニウムガーネット）のとき、第１エピ層１２と、第２エピ層１５はそれぞれ第１光源（赤色光）と、第２光源（青色光）とをそれぞれ出射し、蛍光体層２７を励起し混光により、高輝度の白色光を出射する白色光発光ダイオードを形成される。
【符号の説明】
【００４３】
１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０  １チップ２光源の発光素子
１０１                                    第１フリップチップ構造
１０２                                    第２フリップチップ構造
１１                                      基板
１２                                      第１エピ層
１２１                                    第１ｐ型半導体層
１２２                                    第１発光層
１２３                                    第１ｎ型半導体層
１３                                      第１反射層
１４                                      第１接合層
１５                                      第２エピ層
１５１                                    第２ｐ型半導体層
１５２                                    第２発光層
１５３                                    第２ｎ型半導体層
１６                                      第１電極
１７                                      第２電極
１８                                      第１絶縁部
１９                                      第２絶縁部
２０                                      接着層
２１                                      第２反射層
２２                                      第１基板
２３                                      第２基板
２４                                      反射層
２５                                      接合層
２６                                      絶縁部
２７                                      蛍光体層
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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