(57)【要約】      （修正有）【課題】新規なヘテロアレーン誘導体、及び該ヘテロアレーン誘導体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料の提供。【解決手段】例えば、2-ブロモ-5-クロロピリジンから３工程で調整できる下式の化合物（１−ｃ）と9-フェニル-3-(カルバゾール-3-イル)-カルバゾールとをトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスホニウムテトラフェニルボラート、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシドの存在下、カップリングさせて得られる窒素−ホウ素配位結合を有するヘテロアレーン誘導体。2014129257.tif 000035【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表される窒素−ホウ素配位結合を有するヘテロアレーン誘導体。
【化２１】
2014129257.tif 000028
［式（１）中、Ｚ１は、下記式（２）で表される基であり、
Ｚ２は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基であり、
Ｌは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン、−Ｏ−、−Ｓ−、−（ＣＲ２Ｒ３）ｎ−（ｎは１〜８の整数であり、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立して、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基である）、又は単結合である。
【化２２】
2014129257.tif 000029
（式（２）中、Ｘ１〜Ｘ８は、それぞれ独立して、Ｎ（窒素原子）又はＣＲ１（Ｃは炭素原子）であり、Ｒ１は、単結合、水素原子、又は置換基であり、Ｒ１が複数ある場合、複数のＲ１は互いに同一でも異なっていてもよく、
Ｘ１〜Ｘ８の１つは、Ｒ１が単結合であるＣＲ１であり、Ｒ１はＬと結合し、但し、Ｌが単結合の場合直接Ｚ２と結合し、それ以外のＸ１〜Ｘ８は、それぞれ独立に、ＣＲ１である場合、該Ｒ１は−Ｌ−Ｚ２と同一ではなく、
Ａ１及びＡ２は、それぞれ独立して、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールアミノ基、又はハロゲン原子であり、
ＢとＮの間の破線は配位結合を示す。）］
【請求項２】
Ｚ２が、カルバゾリル、ジベンゾフラニル、ジベンゾチオフェニル、フルオレニル、ジベンゾシロリル、トリフェニレニル、ベンゾイミダゾリル、インドリル、ベンゾフラニル、ベンゾチオフェニル、ベンゾシロリル、ピリミジニル、トリアジニル、キノリニル、キナゾリニル、フェナントロリニル、ナフチル、アントラセニル、フェナントリル、クリセニル、ピレニル、フルオランテニル、フェノキサジニル、フェノチアジニル、フェノキサチイニル、下記式（３）で表される基の一価の基（Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立して、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基であり、あるいはＲ４、Ｒ５及びＲ６のうち一つはＬと結合する単結合である）、下記式（４）で表される基の一価の基、又はこれらの基の環形成炭素原子の１つもしくは複数を窒素原子で置換したヘテロアリール基（但し、環連結部位の炭素原子は窒素原子で置換されない）である請求項１記載のヘテロアレーン誘導体。
【化２３】
2014129257.tif 000030
【化２４】
2014129257.tif 000031
【請求項３】
Ｚ２が、下記式（５）で表される基である請求項１又は２に記載のヘテロアレーン誘導体。
【化２５】
2014129257.tif 000032
（式（５）中、Ｘ９〜Ｘ１６は、それぞれ独立して、Ｎ（窒素原子）又はＣＲ７（Ｃは炭素原子）であり、Ｒ７は、単結合、水素原子、又は置換基であり、Ｒ７が複数ある場合、複数のＲ７は互いに同一でも異なっていてもよく、
Ａ３は、単結合又は置換基であり、
Ｒ７の１つ又はＡ３は、Ｌと結合する単結合であり、但し、Ｌが単結合の場合、直接Ｚ１と結合する。）
【請求項４】
Ｚ２が、下記式（６）又は（７）で表される基である請求項１記載のヘテロアレーン誘導体。
【化２６】
2014129257.tif 000033
（式（６）中、Ｘ１７〜Ｘ３２は、それぞれ独立して、Ｎ（窒素原子）又はＣＲ８（Ｃは炭素原子）であり、Ｒ８は、単結合、水素原子又は置換基であり、Ｒ８が複数ある場合、複数のＲ８は互いに同一でも異なっていてもよく、
Ｙ１及びＹ２は、それぞれ独立して、ＮＲ９、Ｏ、Ｓ、ＣＲ１０Ｒ１１、又はＳｉＲ１２Ｒ１３であり、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ１３は、単結合、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基であり、互いに同一でも異なっていてもよく、
Ｒ８〜Ｒ１３の１つは単結合であり、Ｌと結合し、但し、Ｌが単結合の場合直接Ｚ１と結合する。）
【化２７】
2014129257.tif 000034
（式（７）中、Ｘ３３〜Ｘ４４は、それぞれ独立して、Ｎ（窒素原子）又はＣＲ１４（Ｃは炭素原子）であり、Ｒ１４は、単結合、水素原子又は置換基であり、Ｒ１４が複数ある場合、複数のＲ１４は互いに同一でも異なっていてもよく、
Ｙ３及びＹ４は、それぞれ独立して、ＮＲ１５、Ｏ、Ｓ、ＣＲ１６Ｒ１７、又はＳｉＲ１８Ｒ１９であり、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８及びＲ１９は、単結合、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基であり、互いに同一でも異なっていてもよく、
Ｃ１は炭素原子であり、
但し、Ｘ３７〜Ｘ４０のうち隣接する少なくとも２つは共に炭素原子であり、当該２つの炭素原子の一方がＹ４と結合し、他方がＣ１と結合し、
Ｒ１４〜Ｒ１９の１つは単結合であり、Ｌと結合し、但し、Ｌが単結合の場合直接Ｚ１と結合する。）
【請求項５】
Ａ１及びＡ２が、それぞれ独立して、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールアミノ基である請求項１〜４のいずれかに記載のヘテロアレーン誘導体。
【請求項６】
Ａ１が、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールアミノ基、ハロゲン原子である請求項１〜５のいずれかに記載のヘテロアレーン誘導体。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載のヘテロアレーン誘導体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【請求項８】
陰極と陽極との間に発光層を含む１以上の有機薄膜層を有し、前記有機薄膜層の少なくとも１層が、請求項７記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項９】
前記発光層が、前記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する請求項８記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒素−ホウ素配位結合を有するヘテロアレーン誘導体、及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子用材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機エレクトロルミネッセンス素子を高性能化するための有機エレクトロルミネッセンス素子用材料が求められている。例えば、電子注入・輸送性基として、ピリジン、ピリミジン、トリアジンのような電子欠乏性のヘテロアリール基等が知られている。
【０００３】
特許文献１には、機能性電子素子素材として、例えば、ヘテロアリール基にホウ素原子が配位した基を二つのカルバゾリル基で挟んだ以下に示す構造の化合物等が開示され、発光量子収率が測定されている。
【化１】
2014129257.tif 000002
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１１／０９９３３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、新規なヘテロアレーン誘導体、及び該ヘテロアレーン誘導体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、以下の窒素−ホウ素配位結合を有するヘテロアレーン誘導体等が提供される。
１．下記式（１）で表される窒素−ホウ素配位結合を有するヘテロアレーン誘導体。
【化２】
2014129257.tif 000003
［式（１）中、Ｚ１は、下記式（２）で表される基であり、
Ｚ２は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基であり、
Ｌは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン、−Ｏ−、−Ｓ−、−（ＣＲ２Ｒ３）ｎ−（ｎは１〜８の整数であり、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立して、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基である）、又は単結合である。
【化３】
2014129257.tif 000004
（式（２）中、Ｘ１〜Ｘ８は、それぞれ独立して、Ｎ（窒素原子）又はＣＲ１（Ｃは炭素原子）であり、Ｒ１は、単結合、水素原子、又は置換基であり、Ｒ１が複数ある場合、複数のＲ１は互いに同一でも異なっていてもよく、
Ｘ１〜Ｘ８の１つは、Ｒ１が単結合であるＣＲ１であり、Ｒ１はＬと結合し、但し、Ｌが単結合の場合直接Ｚ２と結合し、それ以外のＸ１〜Ｘ８は、それぞれ独立に、ＣＲ１である場合、該Ｒ１は−Ｌ−Ｚ２と同一ではなく、
Ａ１及びＡ２は、それぞれ独立して、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールアミノ基、又はハロゲン原子であり、
ＢとＮの間の破線は配位結合を示す。）］
２．Ｚ２が、カルバゾリル、ジベンゾフラニル、ジベンゾチオフェニル、フルオレニル、ジベンゾシロリル、トリフェニレニル、ベンゾイミダゾリル、インドリル、ベンゾフラニル、ベンゾチオフェニル、ベンゾシロリル、ピリミジニル、トリアジニル、キノリニル、キナゾリニル、フェナントロリニル、ナフチル、アントラセニル、フェナントリル、クリセニル、ピレニル、フルオランテニル、フェノキサジニル、フェノチアジニル、フェノキサチイニル、下記式（３）で表される基の一価の基（Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立して、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基であり、あるいはＲ４、Ｒ５及びＲ６のうち一つはＬと結合する単結合である）、下記式（４）で表される基の一価の基、又はこれらの基の環形成炭素原子の１つもしくは複数を窒素原子で置換したヘテロアリール基（但し、環連結部位の炭素原子は窒素原子で置換されない）である１記載のヘテロアレーン誘導体。
【化４】
2014129257.tif 000005
【化５】
2014129257.tif 000006
３．Ｚ２が、下記式（５）で表される基である１又は２に記載のヘテロアレーン誘導体。
【化６】
2014129257.tif 000007
（式（５）中、Ｘ９〜Ｘ１６は、それぞれ独立して、Ｎ（窒素原子）又はＣＲ７（Ｃは炭素原子）であり、Ｒ７は、単結合、水素原子、又は置換基であり、Ｒ７が複数ある場合、複数のＲ７は互いに同一でも異なっていてもよく、
Ａ３は、単結合又は置換基であり、
Ｒ７の１つ又はＡ３は、Ｌと結合する単結合であり、但し、Ｌが単結合の場合、直接Ｚ１と結合する。）
４．Ｚ２が、下記式（６）又は（７）で表される基である１記載のヘテロアレーン誘導体。
【化７】
2014129257.tif 000008
（式（６）中、Ｘ１７〜Ｘ３２は、それぞれ独立して、Ｎ（窒素原子）又はＣＲ８（Ｃは炭素原子）であり、Ｒ８は、単結合、水素原子又は置換基であり、Ｒ８が複数ある場合、複数のＲ８は互いに同一でも異なっていてもよく、
Ｙ１及びＹ２は、それぞれ独立して、ＮＲ９、Ｏ、Ｓ、ＣＲ１０Ｒ１１、又はＳｉＲ１２Ｒ１３であり、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ１３は、単結合、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基であり、互いに同一でも異なっていてもよく、
Ｒ８〜Ｒ１３の１つは単結合であり、Ｌと結合し、但し、Ｌが単結合の場合直接Ｚ１と結合する。）
【化８】
2014129257.tif 000009
（式（７）中、Ｘ３３〜Ｘ４４は、それぞれ独立して、Ｎ（窒素原子）又はＣＲ１４（Ｃは炭素原子）であり、Ｒ１４は、単結合、水素原子又は置換基であり、Ｒ１４が複数ある場合、複数のＲ１４は互いに同一でも異なっていてもよく、
Ｙ３及びＹ４は、それぞれ独立して、ＮＲ１５、Ｏ、Ｓ、ＣＲ１６Ｒ１７、又はＳｉＲ１８Ｒ１９であり、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８及びＲ１９は、単結合、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基であり、互いに同一でも異なっていてもよく、
Ｃ１は炭素原子であり、
但し、Ｘ３７〜Ｘ４０のうち隣接する少なくとも２つは共に炭素原子であり、当該２つの炭素原子の一方がＹ４と結合し、他方がＣ１と結合し、
Ｒ１４〜Ｒ１９の１つは単結合であり、Ｌと結合し、但し、Ｌが単結合の場合直接Ｚ１と結合する。）
５．Ａ１及びＡ２が、それぞれ独立して、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールアミノ基である１〜４のいずれかに記載のヘテロアレーン誘導体。
６．Ａ１が、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールアミノ基、ハロゲン原子である１〜５のいずれかに記載のヘテロアレーン誘導体。
７．１〜６のいずれかに記載のヘテロアレーン誘導体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
８．陰極と陽極との間に発光層を含む１以上の有機薄膜層を有し、前記有機薄膜層の少なくとも１層が、７記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
９．前記発光層が、前記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する８記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、新規なヘテロアレーン誘導体、及び該ヘテロアレーン誘導体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を提供できる。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明の窒素−ホウ素配位結合を有するヘテロアレーン誘導体は、下記式（１）で表されるものである。
【化９】
2014129257.tif 000010
【０００９】
式（１）中、Ｚ１は、下記式（２）で表される基であり、
Ｚ２は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基であり、
Ｌは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン、−Ｏ−、−Ｓ−、−（ＣＲ２Ｒ３）ｎ−（ｎは１〜８の整数であり、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立して、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基である）、又は単結合である。
【００１０】
【化１０】
2014129257.tif 000011
式（２）中、Ｘ１〜Ｘ８は、それぞれ独立して、Ｎ（窒素原子）又はＣＲ１（Ｃは炭素原子）であり、Ｒ１は、単結合、水素原子、又は置換基であり、Ｒ１が複数ある場合、複数のＲ１は互いに同一でも異なっていてもよく、
Ｘ１〜Ｘ８の１つは、Ｒ１が単結合であるＣＲ１であり、Ｒ１はＬと結合し、但し、Ｌが単結合の場合直接Ｚ２と結合し、それ以外のＸ１〜Ｘ８は、それぞれ独立に、ＣＲ１である場合、該Ｒ１は−Ｌ−Ｚ２と同一ではなく、
Ａ１及びＡ２は、それぞれ独立して、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールアミノ基、又はハロゲン原子であり、
ＢとＮの間の破線は配位結合を示す。
【００１１】
従来、電子注入・輸送性基として、ピリジン、ピリミジン、トリアジンのような電子欠乏性のヘテロアリール基が知られているところ、ピリジン、ピリミジン、トリアジン等をさらに電子欠乏とすれば、さらに電子注入・輸送性が優れた骨格となることが期待される。通常、電子欠乏とするには電子吸引性基による共鳴効果あるいは誘起効果を利用することが考えられる。
【００１２】
これに対して、本発明は、ピリジン、ピリミジン、トリアジン等の窒素原子にホウ素原子を配位させることにより、誘導体を電子欠乏とするものである。窒素原子の孤立電子対からホウ素原子の空軌道への電子の流れ込みを利用することで、電子がさらに欠乏したヘテロアリール基とすることができる。具体的には、ヘテロアリール基にホウ素原子が配位結合した基Ｚ１を電子注入・輸送性基として含むヘテロアレーン誘導体を提供する。
【００１３】
以下、式（１）における各基について詳細に説明する。
前記Ｚ２、Ｌ、Ａ１及びＡ２における環形成炭素数６〜３０（好ましくは環形成炭素数６〜１４）のアリール基としては、非縮合アリール基及び縮合アリール基が挙げられ、より具体的には、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ピレニル基、クリセニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、クォーターフェニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、フルオレニル基、スピロフルオレニル基、９，９−ジフェニルフルオレニル基、９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−２−イル基（スピロビフルオレニル基）、９，９−ジメチルフルオレニル基、ベンゾ［ｃ］フェナントレニル基、ベンゾ［ａ］トリフェニレニル基、ナフト［１，２−ｃ］フェナントレニル基、ナフト［１，２−ａ］トリフェニレニル基、ジベンゾ［ａ，ｃ］トリフェニレニル基、ベンゾ［ｂ］フルオランテニル基等が挙げられ、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基が好ましい。
【００１４】
前記Ｚ２、Ｌ、Ａ１及びＡ２における環形成原子数５〜３０（好ましくは環形成原子数５〜１４）のヘテロアリール基としては、非縮合ヘテロアリール基及び縮合ヘテロアリール基が挙げられ、より具体的には、ピロール環、イソインドール環、ベンゾフラン環、イソベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、ベンゾシロール環、ジベンゾシロール環、イソキノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、フェナントロリン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、フェノキサチイン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、インドール環、キノリン環、アクリジン環、ピロリジン環、ジオキサン環、ピペリジン環、モルフォリン環、ピペラジン環、フラン環、チオフェン環、キナゾリン環、カルバゾール環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、ベンゾオキサゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環、ベンゾチアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピラン環、ジベンゾフラン環、ベンゾ［ｃ］ジベンゾフラン環及びこれらの誘導体から形成される基等が挙げられ、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環及びこれらの誘導体から形成される基が好ましい。
【００１５】
前記Ａ１及びＡ２における炭素数１〜３０（好ましくは炭素数１〜６）のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ネオペンチル基、１−メチルペンチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、アダマンチル基等が挙げられ、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が好ましい。
【００１６】
前記Ａ１及びＡ２における炭素数１〜３０（好ましくは炭素数１〜６）のアルコキシ基としては、上記の炭素数１〜３０のアルキル基の１つの水素原子が−Ｏ−基で置換されたものが挙げられる。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
【００１７】
前記Ａ１及びＡ２における環形成炭素数６〜３０（好ましくは環形成炭素数６〜１４）のアリールオキシ基としては、上記の炭素数６〜３０のアリール基の１つの水素原子が−Ｏ−基で置換されたものが挙げられる。
【００１８】
前記Ａ１及びＡ２における炭素数１〜３０（好ましくは炭素数１〜６）のアルキルアミノ基としては、上記の炭素数１〜３０のアルキル基がアミノ基に結合したものが挙げられる。
【００１９】
前記Ａ１及びＡ２における環形成炭素数６〜３０（好ましくは環形成炭素数６〜１４）のアリールアミノ基としては、上記の炭素数６〜３０のアリール基がアミノ基に結合したものが挙げられる。
【００２０】
前記Ａ１及びＡ２におけるハロゲン原子としては、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられ、フッ素が好ましい。
【００２１】
前記「置換基」、及び前記「置換もしくは無置換」という場合の任意の置換基としては、ハロゲン原子（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、シアノ基、炭素数１〜２０（好ましくは１〜６）のアルキル基、炭素数３〜２０（好ましくは５〜１２）のシクロアルキル基、炭素数１〜２０（好ましくは１〜５）のアルコキシ基、炭素数１〜２０（好ましくは１〜５）のハロアルキル基、炭素数１〜２０（好ましくは１〜５）のハロアルコキシ基、炭素数１〜１０（好ましくは１〜５）のアルキルシリル基、環形成炭素数６〜３０（好ましくは６〜１８）のアリール基（芳香族炭化水素基）、環形成炭素数６〜３０（好ましくは６〜１８）のアリールオキシ基、炭素数６〜３０（好ましくは６〜１８）のアリールシリル基、炭素数７〜３０（好ましくは７〜２０）のアラルキル基、及び環形成原子数５〜３０の（好ましくは５〜１８）ヘテロアリール基（複素環基）、炭素数１〜３０（好ましくは炭素数１〜６）のアルキルアミノ基は、環形成炭素数６〜３０（好ましくは環形成炭素数６〜１４）のアリールアミノ基が挙げられる。これらの置換基は、さらに上述の任意の置換基により置換されていてもよい。
【００２２】
上記任意の置換基の例としてのアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキルアミノ基及びアリールアミノ基としては、上述したものが挙げられる。
シクロアルキル基としては、炭素数３以上の前記アルキル基の例が脂肪族環構造となったものが挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
ハロアルキル基としては、前記アルキル基において１以上の水素原子がハロゲン原子で置換されたものが挙げられる。ハロゲン原子としてはフッ素が好ましい。トリフルオロメチル基、２，２−トリフルオロエチル基等が挙げられる。
【００２３】
ハロアルコキシ基としては、前記アルコキシ基において１以上の水素原子がハロゲン原子で置換されたものが挙げられる。ハロゲン原子としてはフッ素が好ましい。
アラルキル基としては、非縮合アリール基及び縮合アリール基の１つの水素原子がアルキル基で置換されたものが挙げられる。
【００２４】
アルキルシリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリブチルシリル基、ジメチルエチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、ジメチルイソプロピルシリル基、ジメチルプロピルシリル基、ジメチルブチルシリル基、ジメチルターシャリーブチルシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基、フェニルジメチルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ジフェニルターシャリーブチルシリル基、トリフェニルシリル基等が挙げられる。
アリールシリル基としては、上記アルキルシリル基のアルキル部分が上記アリール基に置換されたものが挙げられる。
【００２５】
式（１）中のＺ２がカルバゾリル基であり、式（２）で表されるＺ１のＸ１〜Ｘ８がＣＲ１の場合、置換基であるＲ１は、カルバゾリル基でないことが好ましい。これにより、電子注入・輸送性基（ヘテロアリール基にホウ素原子が配位した基Ｚ１）と正孔注入・輸送性基（カルバゾリル基）の間の節を一カ所とすることで、電子注入・輸送性基が正孔注入・輸送に及ぼす影響、及び、正孔注入・輸送性基が電子注入・輸送に及ぼす影響を抑制することができ、特にホスト等に用いる場合に、電荷の注入・輸送にすぐれる材料とすることができる。
【００２６】
また、式（２）で表されるＺ１のＸ１〜Ｘ８がＣＲ１であり、Ｒ１が水素原子でない場合、置換基であるＲ１は、シアノ基、フッ素原子等の電子吸引性基、アリール基、ヘテロアリール基が好ましい。Ｒ１が電子吸引性基であると、Ｚ１を電子欠乏にし、電子注入・輸送性のよりすぐれた誘導体とすることができる。また、Ｒ１がアリール基、ヘテロアリール基であると、耐熱性にすぐれた誘導体とすることができる。
【００２７】
尚、本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数ａ〜ｂのＸＸ基」という表現における「炭素数ａ〜ｂ」は、ＸＸ基が無置換である場合の炭素数を表すものであり、ＸＸ基が置換されている場合の置換基の炭素数は含めない。また、本発明の有機ＥＬ素子用材料において、水素原子とは、中性子数が異なる同位体、即ち、軽水素（ｐｒｏｔｉｕｍ）、重水素（ｄｅｕｔｅｒｉｕｍ）、三重水素（ｔｒｉｔｉｕｍ）を包含する。
【００２８】
本発明の一態様として、式（１）において、Ｚ２が、カルバゾリル、ジベンゾフラニル、ジベンゾチオフェニル、フルオレニル、ジベンゾシロリル、トリフェニレニル、ベンゾイミダゾリル、インドリル、ベンゾフラニル、ベンゾチオフェニル、ベンゾシロリル、ピリミジニル、トリアジニル、キノリニル、キナゾリニル、フェナントロリニル、ナフチル、アントラセニル、フェナントリル、クリセニル、ピレニル、フルオランテニル、フェノキサジニル、フェノチアジニル、フェノキサチイニル、下記式（３）で表される基の一価の基（Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立して、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基であり、あるいはＲ４、Ｒ５及びＲ６のうち一つはＬと結合する単結合である）、下記式（４）で表される基の一価の基、又はこれらの基の環形成炭素原子の１つもしくは複数を窒素原子で置換したヘテロアリール基（但し、環連結部位の炭素原子は窒素原子で置換されない）であることが好ましい。
【００２９】
前記の環形成炭素原子の１つもしくは複数を窒素原子で置換したヘテロアリール基（但し、環連結部位の炭素原子は窒素原子で置換されない）としては、例えば、アザカルバゾリル、アザジベンゾフラニル、アザジベンゾチオフェニル、アザフルオレニル、ジアザカルバゾリル、ジアザジベンゾフラニル、ジアザジベンゾチオフェニル、ジアザフルオレニル等が挙げられる。
【化１１】
2014129257.tif 000012
【化１２】
2014129257.tif 000013
【００３０】
前記Ｒ４、Ｒ５及びＲ６における炭素数１〜３０（好ましくは炭素数１〜６）のアルキル基の例は、前記Ａ１及びＡ２について挙げたものと同じである。
前記Ｒ４、Ｒ５及びＲ６における環形成炭素数６〜３０（好ましくは環形成炭素数６〜１４）のアリール基の例は、前記Ｚ２、Ｌ、Ａ１及びＡ２について挙げたものと同じである。
前記Ｒ４、Ｒ５及びＲ６における環形成原子数５〜３０（好ましくは環形成原子数５〜１４）のヘテロアリール基の例は、前記Ｚ２、Ｌ、Ａ１及びＡ２について挙げたものと同じである。
【００３１】
また、本発明の一態様として、式（１）において、Ｚ２が、下記式（５）で表される基であることが好ましい。
【化１３】
2014129257.tif 000014
式（５）中、Ｘ９〜Ｘ１６は、それぞれ独立して、Ｎ（窒素原子）又はＣＲ７（Ｃは炭素原子）であり、Ｒ７は、単結合、水素原子、又は置換基であり、Ｒ７が複数ある場合、複数のＲ７は互いに同一でも異なっていてもよく、
Ａ３は、単結合又は置換基であり、
Ｒ７の１つ又はＡ３は、Ｌと結合する単結合であり、但し、Ｌが単結合の場合直接Ｚ１と結合する。
【００３２】
さらに、このとき、Ａ３及びＬが単結合であり、式（５）で表される基が直接Ｚ１と結合することがより好ましい。
【００３３】
また、さらに、このとき、Ｚ２が、３−フェニルカルバゾリル、又は３，６−ジフェニルカルバゾリルであることがより好ましい。これにより、電荷に対してより安定な誘導体とすることができる。
【００３４】
また、本発明の一態様として、式（１）において、Ｚ２が、下記式（６）又は（７）で表される基であることが好ましい。
【化１４】
2014129257.tif 000015
式（６）中、Ｘ１７〜Ｘ３２は、それぞれ独立して、Ｎ（窒素原子）又はＣＲ８（Ｃは炭素原子）であり、Ｒ８は、単結合、水素原子又は置換基であり、Ｒ８が複数ある場合、複数のＲ８は互いに同一でも異なっていてもよく、
Ｙ１及びＹ２は、それぞれ独立して、ＮＲ９、Ｏ、Ｓ、ＣＲ１０Ｒ１１、又はＳｉＲ１２Ｒ１３であり、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ１３は、単結合、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基であり、互いに同一でも異なっていてもよく、
Ｒ８〜Ｒ１３の１つは単結合であり、Ｌと結合し、但し、Ｌが単結合の場合直接Ｚ１と結合する。）
【００３５】
【化１５】
2014129257.tif 000016
式（７）中、Ｘ３３〜Ｘ４４は、それぞれ独立して、Ｎ（窒素原子）又はＣＲ１４（Ｃは炭素原子）であり、Ｒ１４は、単結合、水素原子又は置換基であり、Ｒ１４が複数ある場合、複数のＲ１４は互いに同一でも異なっていてもよく、
Ｙ３及びＹ４は、それぞれ独立して、ＮＲ１５、Ｏ、Ｓ、ＣＲ１６Ｒ１７、又はＳｉＲ１８Ｒ１９であり、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８及びＲ１９は、単結合、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基であり、互いに同一でも異なっていてもよく、
Ｃ１は炭素原子であり、
但し、Ｘ３７〜Ｘ４０のうち隣接する少なくとも２つは共に炭素原子であり、当該２つの炭素原子の一方がＹ４と結合し、他方がＣ１と結合し、
Ｒ１４〜Ｒ１９の１つは単結合であり、Ｌと結合し、但し、Ｌが単結合の場合直接Ｚ１と結合する。
【００３６】
さらに、このとき、Ｚ２が、ビスカルバゾリル（式（６）において、Ｙ１及びＹ２がＮＲ９であり、Ｘ１７〜Ｘ３２がＣＲ８である場合）、又はインドロカルバゾリル（式（７）において、Ｙ３及びＹ４がＮＲ１５であり、Ｘ３３〜Ｘ４４がＣＲ１４である場合）であることがより好ましい。これにより、正孔注入・輸送性にすぐれた誘導体とすることができる。
【００３７】
また、さらに、このとき、Ｚ２が式（７）で表される基であり、Ｙ３及びＹ４の一方がＣＲ１６Ｒ１７であり、他方がＮＲ１５であることがより好ましい。これにより、正孔注入・輸送性にすぐれた誘導体とすることができる。
【００３８】
前記Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８及びＲ１９における炭素数１〜３０（好ましくは炭素数１〜６）のアルキル基の例は、前記Ａ１及びＡ２について挙げたものと同じである。
前記Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８及びＲ１９における環形成炭素数６〜３０（好ましくは環形成炭素数６〜１４）のアリール基の例は、前記Ｚ２、Ｌ、Ａ１及びＡ２について挙げたものと同じである。
前記Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８及びＲ１９における環形成原子数５〜３０（好ましくは環形成原子数５〜１４）のヘテロアリール基の例は、前記Ｚ２、Ｌ、Ａ１及びＡ２について挙げたものと同じである。
【００３９】
また、本発明の一態様として、式（２）のＡ１及びＡ２は、それぞれ独立して、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールアミノ基であることが好ましい。
【００４０】
Ａ１及びＡ２は、それぞれ独立して、メシチル基、Ｂ（ホウ素原子）と結合する原子と隣接する原子の一つ又は二つに置換基を有するアリール基、又はＢ（ホウ素原子）と結合する原子と隣接する原子の一つ又は二つに置換基を有するヘテロアリール基であることがより好ましい。これらの基を含有することにより、耐熱性にすぐれた誘導体とすることができる。
【００４１】
また、本発明の一態様として、式（２）のＡ１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールアミノ基、ハロゲン原子であることが好ましい。
【００４２】
本発明の窒素−ホウ素配位結合を有するヘテロアレーン誘導体は、組み合わせる基を適宜選択することにより、有機ＥＬ素子の様々な層用材料として好適なものとすることができる。
具体的には、例えば、本発明の窒素−ホウ素配位結合を有するヘテロアレーン誘導体を、カルバゾール等の正孔注入・輸送性基と組み合わせた構造とすれば、電荷のバランスを調節することができ、ホスト材料や発光層の隣接層用材料として好適なものとすることができる。
【００４３】
また、例えば、本発明の窒素−ホウ素配位結合を有するヘテロアレーン誘導体を、ベンズイミダゾールやジベンゾフラン等の電子注入・輸送性基と組み合わせた構造とすれば、電子輸送性のホスト材料や陰極側の層用材料として好適なものとすることができる。
また、例えば、本発明の窒素−ホウ素配位結合を有するヘテロアレーン誘導体を、トリフェニレン等の縮合環と組み合わせた構造とすれば、材料の耐熱性を向上できる。また、細かな電荷のバランスの調節が可能である。
【００４４】
本発明の窒素−ホウ素配位結合を有するヘテロアレーン誘導体は、以下の合成例に記載した手法に準じて製造することができるが、製造方法は特に限定されず、公知の方法で製造すればよく、例えば、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ、２０１０年、第７５巻、８７０９−８７１２頁及びＡｎｇｅｗａｂｄｔｅ  Ｃｈｅｍｉｅ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｅｄｉｔｉｏｎ、２０１１年、第５０巻、１１７２４−１１７２８頁に記載の手法により製造することができる。
【００４５】
以下に、本発明の窒素−ホウ素配位結合を有するヘテロアレーン誘導体の具体例を記載するが、下記に限定されない。
【化１６】
2014129257.tif 000017
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【００４６】
本発明の有機ＥＬ素子用材料は、本発明の窒素−ホウ素配位結合を有するヘテロアレーン誘導体を含むものである。本発明の有機ＥＬ素子用材料は、当技術分野において既知のその他の材料を含んでいてもよい。
【００４７】
本発明の有機ＥＬ素子は、陰極と陽極との間に発光層を含む１以上の有機薄膜層を有し、この有機薄膜層の少なくとも１層が前述した本発明の有機ＥＬ素子用材料を含むものである。
【００４８】
本発明の有機ＥＬ素子の一実施形態について説明する。
本実施形態の有機ＥＬ素子は、基板上に、陽極、正孔輸送帯域、発光層、電子輸送帯域及び陰極を、この順で積層した構成を有する。正孔輸送帯域は、正孔輸送層及び／又は正孔注入層等を意味する。同様に、電子輸送帯域は、電子輸送層及び／又は電子注入層等を意味する。これらの層は形成しなくともよいが、好ましくは１層以上形成する。この実施形態の素子において、有機薄膜層は、正孔輸送帯域に設けられる各有機層、発光層及び電子輸送帯域に設けられる各有機層である。これら有機薄膜層のうち、少なくとも１層が本発明の有機ＥＬ素子用材料を含有する。
尚、本発明の有機ＥＬ素子用材料を含有する有機薄膜層に対するこの材料の含有量は、好ましくは１〜１００質量％である。
【００４９】
本発明の有機ＥＬ素子用材料が含まれる有機薄膜層の例としては、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層、スペース層、及び障壁層等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。本発明の有機ＥＬ素子用材料は、発光層に含まれることが好ましく、特に、発光層のホスト材料として用いられることが好ましい。また、発光層は蛍光発光材料や燐光発光材料を含有することが好ましく、特に燐光発光材料を含有することが好ましい。
【００５０】
上述した実施形態の他に、本発明の有機ＥＬ素子は、公知の様々な構成を採用できる。
本発明の有機ＥＬ素子では、上述した本発明の有機ＥＬ素子用材料を使用した層以外の構成については、特に限定されず、公知の材料等を使用できる。
【実施例】
【００５１】
次に、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
合成例１（化合物（１）の合成）
（１）化合物（１−ａ）の合成
【化１７】
2014129257.tif 000023
【００５２】
三口フラスコに２−ブロモ−５−クロロピリジン９．６２ｇ（５０．０ｍｍｏｌ）、２−ブロモフェニルボロン酸１２．０ｇ（６０．０ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）１．４４ｇ（１．２５ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン７０ｍＬ、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液７０ｍＬを入れ、窒素雰囲気下、７５℃にて１２時間撹拌した。
【００５３】
反応終了後、試料溶液に水５０ｍｌを加えて、これを分液ロートに移し、酢酸エチルにて数回抽出した。これを無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：ジクロロメタン＝１：１）で精製し、化合物（１−ａ）を白色の固体として得た。
収量は９．００ｇ、収率は６７％であった。
【００５４】
（２）化合物（１−ｂ）の合成
【化１８】
2014129257.tif 000024
三口フラスコに化合物（１−ａ）７．７３ｇ（２８．８ｍｍｏｌ）を入れ、窒素雰囲気下、テトラヒドロフラン４０ｍＬを加え、−７８℃に冷却した。ｎ−ブチルリチウム１８．３ｍＬ（ヘキサン中１．５７Ｍ、２８．８ｍｍｏｌ）を滴下した。−７８℃で２０分撹拌した後、三臭化ホウ素２８．８ｍＬ（ジクロロメタン中１．００Ｍ、２８．８ｍｍｏｌ）を加え、その後室温で１４時間撹拌した。
【００５５】
反応終了後、氷浴下、炭酸カリウム水溶液を加え、これを分液ロートに移し、ジクロロメタンにて数回抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをヘキサンにて懸濁洗浄することにより精製し、化合物（１−ｂ）を白色の固体として得た。
収量は７．０６ｇ、収率は６８％であった。
【００５６】
（３）化合物（１−ｃ）の合成
【化１９】
2014129257.tif 000025
三口フラスコに化合物（１−ｂ）７．１０ｇ（１９．７ｍｍｏｌ）、トルエン１９０ｍＬを入れ、窒素雰囲気下、ジメチル亜鉛の２Ｍトルエン溶液１０．８ｍＬ（２１．７ｍｍｏｌ）を加え、７０℃にて１０時間撹拌した。
反応終了後、氷浴下、水を加え、これを分液ロートに移し、酢酸エチルにて数回抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：ジクロロメタン＝２：１）で精製し、化合物（１−ｃ）を白色の固体として得た。
収量は３．８８ｇ、収率は９５％であった。
【００５７】
（４）化合物（１）の合成
【化２０】
2014129257.tif 000026
【００５８】
三口フラスコに化合物（１−ｃ）２．２６ｇ（９．８０ｍｍｏｌ）、化合物（１−ｄ）２．８６ｇ（７．００ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）０．１２８ｇ（０．１４０ｍｍｏｌ）、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスホニウムテトラフェニルボラート０．１６３ｇ（０．５６０ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド１．３５ｇ（１４．０ｍｍｏｌ）、キシレン３５ｍＬを入れ、窒素雰囲気下、１６時間加熱還流した。
【００５９】
反応終了後、析出した固体をろ取し、これをシリカゲルクロマトグラフィー（トルエン）で精製し、化合物（１）を淡黄色の固体として得た。
収量は２．４０ｇ、収率は５７％であった。
尚、化合物（１−ｄ）は国際公開第２０１２／１２１５６１号公報に記載の方法等で合成できる。
【００６０】
化合物（１）の１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ）のピークは以下の通りであった。１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ０．１６（Ｓ，６Ｈ），７．３２−７．５３（ｍ，１１Ｈ），７．６１−７．６４（ｍ，４Ｈ），７．７０（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，１Ｈ），７．７６（ｄｄ，Ｊ＝８．６，１．６Ｈｚ，１Ｈ），７．８５（ｄｄ，Ｊ＝８．６，１．６Ｈｚ，１Ｈ），７．９３（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），８．１８（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），８．２４−８．２８（ｍ，３Ｈ），８．４７（ｄｄ，Ｊ＝４．６，１．６Ｈｚ，２Ｈ），８．７９（ｄ，Ｊ＝１．６Ｈｚ，１Ｈ）．
【００６１】
上記合成例で合成した化合物（１）の三重項エネルギーを表１に示す。三重項エネルギーは、Ｆ−４５００（日立社製）を用いて測定した。三重項エネルギーの換算式は以下の通りである。
換算式：三重項エネルギー（ｅＶ）＝１２３９．８５／λｐｈ
式中、「λｐｈ：単位ｎｍ」とは、縦軸に燐光強度、横軸に波長をとって、燐光スペクトルを表したときに、燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸の交点の波長値を意味する。
【００６２】
化合物（１）を溶媒に溶解（試料１０（μｍｏｌ／リットル）、ＥＰＡ（ジエチルエーテル：イソペンタン：エタノール＝５：５：２（容積比）、各溶媒は分光用グレード）し、燐光測定用試料とした。石英セルへ入れたリン光測定用試料を７７（Ｋ）に冷却し、励起光を燐光測定用試料に照射し、波長を変えながらリン光強度を測定した。燐光スペクトルは、縦軸をリン光強度、横軸を波長とした。
この燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λｐｈ（ｎｍ）を求めた。
【００６３】
燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線は以下のように引いた。燐光スペクトルの短波長側から、スペクトルの極大値のうち、最も短波長側の極大値までスペクトル曲線上を移動する際に、長波長側に向けて曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち上がるにつれ（つまり縦軸が増加するにつれ）、傾きが増加する。この傾きの値が極大値をとる点において引いた接線を、当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とした。
【００６４】
尚、スペクトルの最大ピーク強度の１０％以下のピーク強度をもつ極大点は、上述の最も短波長側の極大値には含めず、最も短波長側の極大値に最も近い、傾きの値が極大値をとる点において引いた接線を当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とした。
【００６５】
【表１】
2014129257.tif 000027
表１に示すように、本発明のヘテロアレーン誘導体である化合物（１）は、有機ＥＬ素子用材料として適用可能な三重項エネルギーを有する。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明の窒素−ホウ素配位結合を有するヘテロアレーン誘導体は、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料として好適に用いることができる。