(57)【要約】【課題】半導体基板上に形成された半導体素子に封止シートを精度よく貼り付ける。【解決手段】半導体基板Ｗの形状以下に切断された封止シートＴを第１搬送機構２１に備わった吸着プレートで第１保持テーブル２３まで搬送し、当該第１保持テーブル２３上の半導体基板Ｗに封止シートＴを重ね合わせる。吸着プレートを構成する環状プレート２６ｂによって封止シートＴの外周領域を埋設されたヒータ２９ｂによって封止シートＴの封止層を所定の粘度の半硬化状態で半導体基板Ｗに仮圧着する。外周領域の仮圧着が完了すると、円形プレート２６ａによって封止シートＴの内側流域の封止層を加熱して半硬化状態で半導体基板Ｗに仮圧着する。【選択図】図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性の樹脂組成物からなる封止層の形成された封止シートを半導体基板に貼り付ける封止シート貼付け方法であって、
前記半導体基板の形状以下に切断された封止シートを搬送して半導体基板上に重ね合わせる搬送過程と、
前記封止シートの外周領域の封止層を加熱しながら貼り付ける第１貼付け過程と、
前記封止シートの外周領域より内側領域の封止層を加熱しながら貼り付ける第２貼付け過程と
を備えたことを特徴とする封止シート貼付け方法。
【請求項２】
請求項１に記載の封止シート貼付け方法において、
前記第１貼付け過程は、外周領域を被覆する加熱器の埋設されたプレートによって当該外周領域の封止層を加圧および加熱し、
前記第２貼付け過程は、内側領域を被覆する加熱器の埋設されたプレートによって当該内側領域の封止層を加圧および加熱する
ことを特徴とする封止シート貼付け方法。
【請求項３】
請求項１に記載の封止シート貼付け方法において、
前記第１貼付け過程は、加熱器の埋設されたローラを外周領域で転動させて封止層を加圧および加熱し、
前記第２貼付け過程は、内側領域を被覆する加熱器の埋設されたプレートによって当該内側領域の封止層を加圧および加熱する
ことを特徴とする封止シート貼付け方法。
【請求項４】
請求項１に記載の封止シート貼付け方法において、
前記第１貼付け過程は、透過性を有するプレートで外周領域を加圧した状態で赤外線を照射して封止層を加熱し、
前記第２貼付け過程は、内側領域を被覆する加熱器の埋設されたプレートによって当該内側領域の封止層を加熱する
ことを特徴とする封止シート貼付け方法。
【請求項５】
請求項１に記載の封止シート貼付け方法において、
前記各貼付け過程に封止シートを搬送する過程で、当該封止シートの封止層を未硬化状態に保った所定温度まで予備加熱する
ことを特徴とする封止シート貼付け方法。
【請求項６】
熱可塑性の樹脂組成物からなる封止層の形成された封止シートを半導体基板に貼り付ける封止シート貼付け装置であって、
前記半導体基板を保持する保持テーブルと、
前記半導体基板の形状以下に切断された封止シートを保持部材で保持して保持テーブル上の半導体基板に重ね合わせる搬送機構と、
前記半導体基板に重ね合わせた封止シートの外周領域を加熱して貼り付ける第１貼付け部材と、
前記封止シートの外周領域より内側領域を加熱して貼り付ける第２貼付け部材と
を備えたことを特徴とする封止シート貼付け装置。
【請求項７】
請求項６に記載の封止シート貼付け装置において、
前記第１貼付け部材は、封止シートの外周領域を被覆する加熱器の埋設されたプレートであり、
前記第２貼付け部材は、封止シートの内側領域を被覆する加熱器の埋設されたプレートである
ことを特徴とする封止シート貼付け装置。
【請求項８】
請求項７に記載の封止シート貼付け装置において、
前記第１貼付け部材を構成するプレートは、搬送機構に備わった半導体基板の外形より小さい保持部材の外周で昇降する加熱器の埋設された環状プレートで構成されており、
前記第２貼付け部材は、保持部材に加熱器を埋設して構成されている
ことを特徴とする封止シート貼付け装置。
【請求項９】
請求項６に記載の封止シート貼付け装置において、
前記第１貼付け部材は、外周領域を転動するローラに加熱器を埋設して構成されている
ことを特徴とする封止シート貼付け装置。
【請求項１０】
請求項６に記載の封止シート貼付け装置において、
前記第１貼付け部材は、外周領域を被覆する透過性を有するプレートと、
当該プレートを介して当該外周領域に赤外線を照射する投光器とから構成されている
ことを特徴とする封止シート貼付け装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板上に形成された複数個の半導体素子に樹脂組成物からなる封止層の形成された封止シートを貼り付けて封止する封止シート貼付け方法および封止シート貼付け装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
１個の半導体チップの周りを枠体で囲んだ後に、樹脂を含浸させたプリプレグから成る第１の封止用樹脂シートと第２の封止用樹脂シートによって当該半導体チップの両面のそれぞれを挟み込み、半導体チップを封止して半導体装置を製造している（特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平５−２９１３１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来方法では次のような問題が生じている。
【０００５】
すなわち、近年、アプリケーションの急速な進歩に伴う高密度実装の要求により、半導体装置が小型化される傾向にある。したがって、ダイシング処理によって半導体ウエハを半導体素子に分断した後に、半導体素子を個々に樹脂で封止しているので、スループットが低下し、ひいては生産効率を低下させるといった不都合が生じている。
【０００６】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、半導体基板に封止シートを精度よく貼り付けることが可能な封止シート貼付け方法および封止シート貼付け装置を提供することを主たる目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そこで、本発明者たちは、当該不都合を解決するために、実験やシミュレーションを繰り返して鋭意検討した結果、以下の知見を得た。
【０００８】
半導体基板の全面に樹脂組成物からなる封止層の形成された枚葉の封止シートを貼り付けて硬化させた後に、当該半導体装置に分断することを試みた。そこで、封止シートを貼り付けるときに、半導体素子への密着性を高めるために封止層を加熱して軟化させていた。
【０００９】
しかしながら、封止シートを加熱圧着する過程で、封止層を形成する樹脂組成物が、加熱によって軟化する。すなわち、粘度が低下している状態で封止シートを半導体基板に圧着しているので、樹脂組成物が半導体基板からはみ出し、保持テーブルなどを汚染するといった問題が生じた。
【００１０】
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
【００１１】
すなわち、熱可塑性の樹脂組成物からなる封止層の形成された封止シートを半導体基板に貼り付ける封止シート貼付け方法であって、
前記半導体基板の形状以下に切断された封止シートを搬送して半導体基板上に重ね合わせる搬送過程と、
前記封止シートの外周領域の封止層を加熱しながら貼り付ける第１貼付け過程と、
前記封止シートの外周領域より内側領域の封止層を加熱しながら貼り付ける第２貼付け過程と
を備えたことを特徴とする。
【００１２】
（作用・効果）  この方法によれば、半導体基板に貼り付けられた封止シートの外周領域の封止層が、その内側領域に先立って硬化反応が進んだ半硬化状態にされる。したがって、加熱によって軟化している内側領域の封止層を形成している樹脂組成物は、押圧されても外周領域で半硬化した樹脂組成物によって半導体基板の外側にはみ出るのを防止される。したがって、樹保持テーブルなどが、樹脂組成物によって汚染されるのを抑制することができる。ここで、封止層を形成する樹脂組成物の特性または加熱温度などの設定条件にもよるが、加熱状態の封止シートを半導体基板に当接させるだけで半導体基板に形成された半導体素子同士の間隙に侵入して封止する。または、封止シートを加圧および加熱しながら半導体基板に貼り付けることもできる。
【００１３】
なお、第１貼付け過程における外周領域の封止層の加熱は、次のようにして実施することができる。
【００１４】
例えば、一実施形態として、外周領域を被覆する加熱器の埋設されたプレートによって当該外周領域の封止層を加圧および加熱する。他の実施形態として、加熱器の埋設されたローラを外周領域で転動させる。さらに、他の実施形態として、透過性を有するプレートにより外周領域に赤外線を照射して封止層を加熱する。なお、これら各実施形態においても、封止層を形成する樹脂組成物の特性または加熱温度の設定条件に応じて、封止シートを加熱のみ、或いは、加圧しながら加熱してもよい。
【００１５】
これら各実施形態において、第２貼付け過程は、例えば、内側領域を被覆する加熱器の埋設されたプレートによって当該内側領域の封止層を加熱する。この実施形態においても上記実施形態と同様に封止シートを加熱のみ、或いは、加圧しながら加熱してもよい。
【００１６】
これらいずれの実施形態であっても、上記方法を好適に実施することができる。
【００１７】
なお、上記方法において、各貼付け過程に封止シートを搬送する過程で、当該封止シートの封止層を未硬化状態に保った所定温度まで予備加熱することが好ましい。
【００１８】
この方法によれば、半導体基板に封止シートを貼り付けてから短時間で半硬化させることができる。
【００１９】
また、この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
【００２０】
すなわち、熱可塑性の樹脂組成物からなる封止層の形成された封止シートを半導体基板に貼り付ける封止シート貼付け装置であって、
前記半導体基板を保持する保持テーブルと、
前記半導体基板の形状以下に切断された封止シートを保持部材で保持して保持テーブル上の半導体基板に重ね合わせる搬送機構と、
前記半導体基板に重ね合わせた封止シートの外周領域を加熱して貼り付ける第１貼付け部材と、
前記封止シートの外周領域より内側領域を加熱して貼り付ける第２貼付け部材と
を備えたことを特徴とする。
【００２１】
この構成によれば、半導体基板上の封止シートの外周領域の封止層のみが、第１貼付け部材によって加熱されて硬化反応が進んだ半硬化状態にされる。封止シートの内側領域は、第２貼付け部材によって加熱された硬化される。したがって、上記方法を好適に実施することができる。
【００２２】
この構成において、第１貼付け部材は、封止シートの外周領域を被覆する加熱器の埋設されたプレートであり、
前記第２貼付け部材は、封止シートの内側領域を被覆する加熱器の埋設されたプレートで構成される。
【００２３】
さらに好ましくは、第１貼付け部材を構成するプレートは、搬送機構に備わった半導体基板の外形より小さい保持部材の外周で昇降する加熱器の埋設された環状プレートで構成されており、
第２貼り付け部材は、保持部材に加熱器を埋設して構成される。
【００２４】
この構成によれば、搬送機構によって封止シートを半導体基板に貼り付けることができるので、貼付け処理の専用装置を省くことができる。すなわち、装置を小型化することができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の封止シート貼付け方法および封止シート貼付け装置によれば、半導体基板に貼り付けた封止シートの外周領域の封止層を最初に硬化反応を進めて半硬化状態にさせるので、封止シートの内側領域で軟化された封止層を形成する樹脂組成物が押圧によって半導体基板からはみ出るのを抑制される。したがって、樹脂組成物によって保持テーブルなどが汚染されるのを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】封止シートの原反ロールを示す斜視図である。
【図２】封止シートの縦断面図である。
【図３】封止シート貼付け装置の全体構成を示す正面図である。
【図４】封止シート貼付け装置の全体構成を示す平面図である。
【図５】吸着プレートの要部構成を示す平面図である。
【図６】吸着プレートの要部構成を示す縦断面図である。
【図７】ライナ剥離機構の概略構成を示す正面図である。
【図８】貼付け機構を構成する減圧室の部分断面図である。
【図９】半導体基板に封止シートを仮圧着する動作を示す図である。
【図１０】半導体基板に封止シートを仮圧着する動作を示す図である。
【図１１】半導体基板に封止シートを仮圧着する動作を示す図である。
【図１２】半導体基板に封止シートを本圧着する動作を示す図である。
【図１３】半導体基板に封止シートを本圧着する動作を示す図である。
【図１４】変形例の吸着プレートの要部構成を示す平面図である。
【図１５】変形例の吸着プレートの要部構成を示す正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。表面に複数個の半導体素子が形成された半導体基板に、樹脂組成物からなる封止層の形成された封止シートを貼り付ける場合を例に取って説明する。
【００２８】
＜封止シート＞
封止シートＴは、例えば、図１および図２に示すように、長尺の封止シートＴを巻き回した原反ロールまたは当該原反ロールから所定形状の枚様体に切断して供給される。また、当該封止シートＴは、封止層Ｍの両面に保護用の第１剥離ライナＳ１および第２剥離ライナＳ２が添設されている。
【００２９】
封止層Ｍは、封止材料からシート形状に形成されている。封止材料としては、例えば、熱硬化性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、熱硬化性ウレタン樹脂、などの熱硬化性樹脂が挙げられる。また、封止材料として、上記した熱硬化性樹脂と、添加剤を適宜の割合で含有する熱硬化性樹脂組成物を挙げることもできる。
【００３０】
添加剤としては、例えば、充填剤、蛍光体などが挙げられる。充填剤としては、例えば、シリカ、チタニア、タルク、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素などの無機微粒子、例えば、シリコーン粒子、などの有機微粒子などが挙げられる。蛍光体は、波長変換機能を有しており、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体、青色光を赤色光に変化することのできる赤色蛍光体などを挙げることができる。黄色蛍光体としては、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）などのガーネット型蛍光体が挙げられる。赤色蛍光体としては、例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ２：Ｅｕなどの窒化物蛍光体などが挙げられる。
【００３１】
封止層Ｍは、半導体素子を封止する前において、半固形状に調整されており、具体的には、封止材料が熱硬化性樹脂を含有する場合には、例えば、完全硬化（Ｃステージ化）する前、つまり、半硬化（Ｂステージ）状態で調整されている。
【００３２】
封止層Ｍの寸法は、半導体素子および基板の寸法に応じて適宜に設定されている。具体的には、封止シートが長尺のシートとして用意される場合における封止層の左右方向における長さ、つまり、幅は、例えば、１００ｍｍ以上、好ましくは、２００ｍｍ以上であり、例えば、１５００ｍｍ以下、好ましくは、７００ｍｍ以下である。また、封止層の厚みは、半導体素子に寸法に対応して適宜に設定され、例えば、３０μｍ以上、好ましくは、１００μｍ以上であり、また、例えば、３０００μｍ以下、好ましくは、１０００μｍ以下である。
【００３３】
第１剥離ライナＳ１および第２剥離ライナＳ２は、例えば、ポリエチレンシート、ポリエステルシート（ＰＥＴなど）、ポリスチレンシート、ポリカーボネートシート、ポリイミドシートなどのポリマーシート、例えば、セラミックシート、例えば、金属箔などが挙げられる。剥離ライナにおいて、封止層と接触する接触面には、フッ素処理などの離型処理を施すこともできる。第１剥離ライナおよび第２剥離ライナの寸法は、剥離条件に応じて適宜に設定され、厚みが、例えば、１５μｍ以上、好ましくは、２５μｍ以上であり、また、例えば、１２５μｍ以下、好ましくは、７５μｍ以下である。
【００３４】
＜封止シート貼付け装置＞
【００３５】
図３は封止シート貼付け装置の正面図、図４は、封止シート貼付け装置の平面図である。
【００３６】
封止シート貼付け装置は、シート供給部１、第１搬送機構２１、ライナ剥離機構２２、第１保持テーブル２３、第２搬送機構２４および貼付け機構２５などから構成されている。
【００３７】
シート供給部１は、載置台２を有する。載置台２に収納容器３が載置される。当該収納容器３は、例えば、半導体基板Ｗの形状に切断された枚葉の封止シートＴを積層収納している。
【００３８】
第１搬送機構２１は、前後左右に水平移動および昇降可能な吸着ユニットの下端に吸着プレート２６を備えている。すなわち、装置本体の横方向に伸びるフレーム２７に沿ったガイドレールＲ１上を移動する第１可動台２８を備える。装置本体の前後に向けて水平保持されたガイドレールＲ２が第１可動台２８の下部に装着されている。ガイドレールＲ２に沿って前後に移動可能な第２可動台３０に懸垂支持された縦フレームに沿って昇降可能な吸着プレート２６を備えている。
【００３９】
吸着プレート２６は、図５および図６に示すように、円形プレート２６ａと環状プレート２６ｂとから構成されている。
【００４０】
円形プレート２６ａは、半導体基板Ｗの外形よりも小形である。また、当該円形プレート２６ａは、内部にヒータ２９ａが埋設されている。
【００４１】
環状プレート２６ｂは、半導体基板Ｗの外形よりも大形であり、円形プレート２６ａの外側で当該円形プレート２６ａに対して相対的に昇降するように構成されている。例えば、ベアリング６５を介して第１搬送機構２１の支軸周りに昇降および回転するボス部６６を備えるとともに、当該ボス部６６に、中心に径方向に延伸する３本の支持アーム６７を備える。各支持アーム６７の下端に環状プレート２６ｂが装着されている
【００４２】
したがって、吸着プレート２６は、搬送過程で環状プレート２６ｂによって封止シートＴの外周領域ＡＲ１を吸着保持し、円形プレート２６ａによって封止シートＴの内側領域ＡＲ２を吸着保持する。このとき、両プレート２６ａ、２６ｂによって封止シートＴは平坦な状態で保持されている。
【００４３】
ヒータ２６ａおよびヒータ２６ｂは、制御部１００によって個々に温度調整が可能に構成されている。
【００４４】
円形プレート２６ａおよび環状プレート２６ｂは、金属製のプレートに吸引孔を形成した構成であってもよいし、多孔質で構成してもよい。
【００４５】
なお、第１搬送機構２１は本発明の搬送機構に、吸着プレート２６は保持部材に、円形プレート２６ａは第１貼付け部材に、環状プレート２６ｂは第２貼付け部材にそれぞれ相当する。
【００４６】
ライナ剥離機構２２は、図７に示すように、剥離テープ供給部３１、剥離ユニット３２、テープ回収部３３およびカメラ３４から構成される。
【００４７】
剥離テープ供給部３１は、封止シートＴよりも幅の狭い長尺の剥離テープＴＳを剥離ユニット３２に向けて供給する。
【００４８】
剥離ユニット３２は、剥離テープＴＳを巻き回される剥離ローラ３５を備えている。当該剥離ローラ３５は、昇降可能であり、収納容器３よりも高い位置まで上昇する。すなわち、封止シートＴが第１搬送機構２１によって吸着保持されて搬送される過程で、剥離ローラ３５は、封止シートＴの裏面の剥離ライナＳ２に剥離テープＴＳを押圧して貼り付ける。
【００４９】
テープ回収部３３は、剥離ローラ３５によって封止シートＴの裏面側の剥離ライナＳ２に貼り付けられた状態で剥離テープＴＳを巻き取ることにより、封止シートＴから剥離された剥離ライナＳ２とともに回収ボビン１９に剥離テープＴＳを巻き取り回収する。
【００５０】
カメラ３４は、裏面から第２剥離ライナＳ２の剥離された封止シートＴを撮像し、当該画像データを制御部１００に送信する。
【００５１】
図３および図４に示すように、第１保持テーブル２３は、半導体基板Ｗよりも大形のチャックテーブルで構成されている。また、第１保持テーブル２３は、縦軸周りに回転し、半導体基板Ｗのアライメントを行うよう構成されている。さらに、第１保持テーブル２３は、ガイドレール３８に沿って半導体基板Ｗの載置位置と装置奥側のアライメント位置とにわたって往復移動するように構成されている。
【００５２】
アライメント位置の上方には、２台のカメラ３９が配備されており、半導体基板Ｗを撮像し、両画像データを制御部１００に送信する。
【００５３】
第２搬送機構２４は、装置本体の横方向に伸びるフレーム４１に沿って貼付け機構２５側まで達するガイドレールＲ３上を装置移動する可動台４２を備える。当該可動台４２に懸垂支持された縦フレームに沿って昇降可能な吸着ユニットの下端に吸着プレート４４を備えている。吸着プレート４４は、半導体基板Ｗの形状以上の大きさを有する。すなわち、基板搬送機構２４は、第１保持テーブル２３から後述する第２保持テーブル４５までを往復移動するよう構成されている。
【００５４】
貼付け機構２５は、第２保持テーブル４５および減圧室４６などから構成されている。
【００５５】
第２保持テーブル４５は、図８に示すように、減圧室４６を構成する上下一対の上ハウジング４６Ａと下ハウジング４６Ｂのうち、下ハウジング４６Ｂに収納されている。
【００５６】
また、下ハウジング４６Ｂは、ガイドレール４８に沿って、装置本体の前側の半導体基板Ｗの受け取り位置と上ハウジング４６Ａの下方の間を往復移動するよう構成されている。
【００５７】
減圧室４６を構成する上ハウジング４６Ａには、昇降駆動機構５０に備えてられている。この昇降駆動機構５０は、縦壁５１の背部に縦向きに配置されたレール５２に沿って昇降可能な可動台５３、この可動台５３に高さ調節可能に支持された可動枠５４、この可動枠５４から前方に向けて延出されたアーム５５を備えている。このアーム５５の先端部から下方に延出する支軸５６に上ハウジング４６Ａが装着されている。
【００５８】
可動台５３は、ネジ軸５７をモータ５８によって正逆転することでねじ送り昇降されるようになっている。また、上ハウジング４６Ａの内部には、昇降可能な押圧プレート５９が内装されている。当該押圧プレート５９には、ヒータ６０が埋設されている。
【００５９】
＜封止シート貼付け処理＞
次に、上記封止シート貼付け装置によって半導体基板に封止シートを貼り付ける一連の動作について詳述する。
【００６０】
封止シートＴの収納された収納容器３が、載置台２に載置される。第１搬送機構２１の吸着プレート２６が、封止シートＴを吸着して平坦な状態で収納容器３から搬出する。第１搬送機構２１は、封止シートＴをライナ剥離機構２２へと搬送する。
【００６１】
この搬送過程で、封止シートＴは、先ずカメラ３４の上方に搬送される。このとき、図７に示すように、水平搬送される過程で収納容器３から外れた搬送方向の前方の位置に剥離ローラ３５が上昇してくる。当該剥離ローラ３５に巻き回された剥離テープＴＳが、鎖線で示すように、封止シートＴの裏面側の第２剥離ライナＳ２に押圧される。その後、第１搬送機構２１の搬送速度と同調した速度で剥離テープＴＳを巻き取りながら、第２剥離ライナＳ２を封止シートＴから剥離する。剥離された第２剥離ライナＳ２は、剥離テープＴＳごと回収ボビン１９に巻き取り回収される。
【００６２】
カメラ３４の上方に封止シートＴが達すると、封止シートＴが撮像される。取得された画像データは、制御部１００に送信される。撮像処理が完了すると、第１搬送機構２１は、封止シートＴを吸着保持したまま、第１保持テーブル２３上へと移動する。
【００６３】
封止シートＴが、収納容器３から搬出される略同時に、第１保持テーブル２３に半導体基板Ｗが載置される。半導体基板Ｗを吸着保持した第１保持テーブル２３は、アライメント位置に移動し、カメラ３９によって表面が撮像される。撮像された画像データは、制御部１００へと送信される。
【００６４】
撮像処理が完了すると、第１保持ステージ２３は、載置位置に戻る。ここで、制御部１００の画像解析処理により求めた封止シートＴの輪郭と半導体基板Ｗの輪郭とが合致するように、半導体基板Ｗのアライメントを行う。第１保持テーブル２３を縦軸周りに回転させてアライメントを行う。
【００６５】
半導体基板Ｗのアライメントが完了すると、第１搬送機構２１によって搬送されてきた封止シートＴが、図９に示すように、半導体基板Ｗに対向配置される。その後、円形プレート２６ａおよび環状プレート２６ｂが、封止シートＴを平坦に保持したまま所定高さまで下降する。このとき、封止シートＴの底面が、半導体素子の表面に接触する高さまで下降する。
【００６６】
次に、ヒータ２６ｂを作動させるとともに、図１０に示すように、環状プレート２６ｂを僅かに下降させる。すなわち、環状プレート２６ｂによって、所定の荷重を封止シートＴの外周領域にかけながら所定時間をかけて封止層Ｍを加熱する。なお、荷重、加熱温度および加熱時間などの条件は、封止層Ｍを形成する熱可塑性の樹脂組成物の特性に応じて異なるが、樹脂組成物が、次のような状態になる条件に設定する。加熱によって軟化する内側領域ＡＲ２の樹脂組成物が半導体基板Ｗの外側からはみ出るのを防止するとともに、未硬化状態で接着性を維持し続ける程度まで外周領域ＡＲ１の樹脂組成物を半硬化させる。
【００６７】
環状プレート２６ａによって封止層Ｍを形成する樹脂組成物が軟化して外周領域の半導体素子間のエアーを排除しながら侵入し、半導体素子を封止する。所定時間が経過すると、樹脂組成物は、半硬化して半導体基板Ｗに仮圧着される。
【００６８】
図１１に示すように、円形プレート２６ａを僅かに下降させて封止層Ｍの内側領域ＡＲ２を加熱して樹脂組成物を軟化させ、半導体素子間に侵入させてゆく。ことのき、封止シートＴの表面は、環状プレート２６ｂおよび円形プレート２６ａによって平坦に矯正されている。所定時間経過して樹脂組成物が半硬化されると、環状プレート２６ｂおよび円形プレート２６ａを上昇させて加圧および加熱を解除する。
【００６９】
なお、この時点で、封止層Ｍは、完全に硬化していない仮圧着された状態にある。封止シートＴの仮圧着が完了すると、第１搬送機構２１は、載置台２側の待機位置に戻る。
【００７０】
封止シートＴが仮圧着された半導体基板Ｗは、第２搬送機構２４によって吸着保持され、第２保持テーブル４５に搬送される。
【００７１】
半導体基板Ｗが第２保持テーブル４５に載置されると、第２搬送機構２４は上昇して第１保持テーブル２３側に戻る。第２保持テーブル４５は、半導体基板Ｗを吸着保持したまま、上ハウジング４６Ａの下方まで移動する。
【００７２】
図１２に示すように、上ハウジング４６Ａの下端が下ハウジング４６Ｂに当接する位置まで下降する。つまり、減圧室４６を形成する。その後、減圧室４６内を減圧する。さらに、図１３に示すように、押圧プレート５９を下降させて封止シートＴを押圧および加熱して半導体基板Ｗに本圧着する。この時点で、封止層Ｍは、未だに完全に硬化していない状態である。
【００７３】
本圧着が完了すると、減圧室４６内を大気圧まで戻して上ハウジング４６Ａを開放する。下ハウジング４６Ｂは、第２保持テーブル４５ごと基板の受け渡し位置まで戻る。封止シートＴの本圧着された半導体基板Ｗは、第１剥離ライナＳ１が剥離される。以上で半導体基板Ｗに封止シートＴを貼り付ける一連の動作が完了する。
【００７４】
上記実施例装置によれば、半導体基板Ｗに封止シートＴの外周領域ＡＲ１の封止層Ｍのみを先だって半硬化させるので、その後に内側領域ＡＲ２の封止層Ｍを加熱して軟化させて押圧しても封止層Ｍを形成する樹脂組成物が半導体基板Ｗからはみ出ることがない、したがって、半導体基板Ｗを保持している第１保持テーブル２３などの汚染が抑制される。
【００７５】
なお、本発明は以下のような形態で実施することもできる。
【００７６】
（１）上記実施例において、第１搬送機構２１に備わった環状プレート２６ｂに代えて、封止シートＴの外周領域ＡＲ１に沿ってヒータ内蔵のローラを転動させてもよい。
【００７７】
例えば、図１４および図１５に示すように、ベアリング６５を介して第１搬送機構２１の支軸周りに昇降および回転するボス部６６を備えるとともに、当該ボス部５５に、中心に径方向に延伸する３本の支持アーム６７を備える。各支持アーム６７の下端には、ローラ６８が揺動アーム６９を介して上下移動可能に装着されている。なお、ローラ６８は、下向きにバネ付勢されている。
【００７８】
この構成は、半導体基板Ｗに重ね合わせた封止シートＴの外周領域ＡＲ１上で加熱されたローラ６８を転動させて樹脂組成物を加圧および加熱して半硬化させた後に、円形プレート２６ａによって内側領域ＡＲ２の樹脂組成物を加圧および加熱して半硬化させることになる。
【００７９】
（２）上記各実施例装置において、透過性を有する部材および当該部材に拡散シートを貼り付けて環状プレート２６ｂを構成するとともに、その内部に赤外線ＬＥＤを備えた構成であってもよい。
【００８０】
すなわち、環状プレート２６ｂによって封止シートＴを押圧しつつ、内部の赤外線ＬＥＤによって赤外線を封止層Ｍに照射して加熱する。
【００８１】
（３）上記各実施例装置において、半導体基板Ｗの形状は、円形に限定されない。したがって、半導体基板Ｗは、正方形または長方形などの四角形であってもよい。
【００８２】
半導体基板Ｗが四角形の場合、上記各実施例と同様に、四角形状の環状プレートとその内側に四角形のプレートによって外周領域と内側領域のそれぞれを加圧および加熱すればよい。
【００８３】
また、ヒータ内蔵のプレートで四角形の側縁を順番に被覆して加圧および加熱するよう構成してもよい。
【００８４】
（４）上記各実施例装置において、封止シートＴを加熱して軟化させるだけで半導体基板Ｗに貼り付けるようにしてもよい。すなわち、封止層Ｍを構成する樹脂組成物の特性または加熱温度などの設定条件によっては、封止シートを加圧せずに、加熱のみで封止層Ｍを軟化させて半導体素子Ｃ同士の間に樹脂組成物を侵入させて貼り付けることもできする。
【００８５】
（５）上記各実施例装置において、封止シートＴは、収納容器３からライナ剥離機構２２を経由して第１保持テーブル２３に搬送させるまでに、円形プレート２６ａおよび環状プレート２６ｂのそれぞれに埋設されたヒータ２９ａ、２９ｂを作動させて所定温度まで予備加熱してもよい。
【００８６】
この場合、各プレート２６ａ、２６ｂが、設定温度に到達して安定するまでの待ち時間を短縮することができる。換言すれば、第１保持ステージ２３上でヒータの加熱温度が安定するまでの待ち時間を省くことができる。
【００８７】
（６）上記各実施例において、封止シートＴの外周領域ＡＲ１と内側領域ＡＲ２の加圧および加熱を第１搬送機構で行っていたが当該構成に限定されない。したがって、第１搬送機構２１によって第１保持テーブル２３上の半導体基板Ｗに封止シートＴを重ね合わせた後に当該第１搬送機構２１を退避させ、円形プレート２６ａのみを備えた装置と環状プレート２６ｂのみを備えた装置によって封止シートＴの外周領域ＡＲ１と内側領域ＡＲ２の順番にその封止層Ｍを形成する樹脂組成物を半硬化させてもよい。
【符号の説明】
【００８８】
１  …  シート供給部
３  …  収納容器
２１  …  第１搬送機構
２２  …  剥離機構
２３  …  第１保持テーブル
２４  …  第２搬送機構
２６  …  吸着プレート
２６ａ…  円形プレート
２６ｂ…  環状プレート
２５  …  貼付け機構
２９ａ…  ヒータ
２９ｂ…  ヒータ
１００  …  制御部
Ｔ  …  封止シート
Ｃ  …  半導体素子
Ｍ  …  封止層
Ｓ１、Ｓ２…第１および第２剥離ライナ
Ｗ  …  半導体基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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