(57)【要約】【課題】表示品位の低下を抑制することが可能な平面表示装置を提供する。【解決手段】樹脂基板と、前記樹脂基板上に位置し、屈折率の異なる複数の無機系材料の薄膜を積層することによって構成されたカラーフィルタ層と、前記カラーフィルタ層の上方に位置するスイッチング素子と、前記スイッチング素子と電気的に接続され、前記カラーフィルタ層の上方に位置する透明電極と、前記透明電極上に位置する発光層と、前記発光層上に位置する反射電極と、を備えたことを特徴とする平面表示装置。【選択図】      図１
2014026786.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂基板と、
前記樹脂基板上に位置し、屈折率の異なる複数の無機系材料の薄膜を積層することによって構成されたカラーフィルタ層と、
前記カラーフィルタ層の上方に位置するスイッチング素子と、
前記スイッチング素子と電気的に接続され、前記カラーフィルタ層の上方に位置する透明電極と、
前記透明電極上に位置する発光層と、
前記発光層上に位置する反射電極と、
を備えたことを特徴とする平面表示装置。
【請求項２】
前記カラーフィルタ層は、前記樹脂基板上に位置する第１半透過層、前記第１半透過層上に位置する透過層、及び、前記透過層上に位置する第２半透過層を備えたことを特徴とする請求項１に記載の平面表示装置。
【請求項３】
前記第１半透過層及び前記第２半透過層は、シリコン窒化物層及びシリコン酸化物層を積層した誘電体多層膜によって構成されたことを特徴とする請求項２に記載の平面表示装置。
【請求項４】
前記透過層は、シリコン窒化物層またはシリコン酸化物層によって構成されたことを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記スイッチング素子は、ポリシリコン半導体層を備えたトップゲート型の薄膜トランジスタであり、
前記ポリシリコン半導体層は、前記第２半透過層を構成するシリコン酸化物層上、または、前記第２半透過層と前記スイッチング素子との間に位置するシリコン酸化物層上に位置することを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の平面表示装置。
【請求項６】
さらに、前記スイッチング素子と前記透明電極との間に位置するとともに無機系材料によって形成された層間絶縁膜を備えたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の平面表示装置。
【請求項７】
さらに、前記透明電極のエッジをカバーするとともに無機系材料によって形成されたリブを備えたことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の平面表示装置。
【請求項８】
樹脂基板と、
前記樹脂基板上に位置し、無機系材料によって形成された第１半透過層と、
前記第１半透過層上に位置し、無機系材料によって島状に形成された第１透過層と、
前記第１透過層に積層され、前記第１半透過層上に延在し、無機系材料によって形成された第２透過層と、
前記第１透過層に積層された前記第２透過層上に位置し第１波長範囲に透過率ピークを有する第１カラーフィルタを構成するとともに、前記第１半透過層上に延在した前記第２透過層上に位置し第１波長範囲とは異なる第２波長範囲に透過率ピークを有する第２カラーフィルタを構成する無機系材料によって形成された第２透過層と、
前記第２半透過層の上方に位置する第１スイッチング素子及び第２スイッチング素子と、
前記第１スイッチング素子と電気的に接続され、前記第１カラーフィルタの上方に位置する第１透明電極と、
前記第２スイッチング素子と電気的に接続され、前記第２カラーフィルタの上方に位置する第２透明電極と、
前記第１透明電極のエッジ及び前記第２透明電極のエッジをそれぞれカバーし、無機系材料によって形成されたリブと、
前記第１透明電極及び前記第２透明電極上に位置するとともに、前記リブを覆う発光層と、
前記発光層上に位置する反射電極と、
を備えたことを特徴とする平面表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、平面表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、平面表示装置が盛んに開発されている。例えば、カラー表示機能を有する液晶表示装置において、カラーフィルタとして干渉フィルタを備えたカラーフィルタ・アレイを適用した構成が提案されている。カラーフィルタ・アレイは、例えば、透明ガラス基板上に配置された第１ミラー積層体、第１ミラー積層体の上に配置された同調スペーサ層、及び、同調スペーサ層の上に配置された第２ミラー積層体を備えている。
【０００３】
一方で、平面表示装置を構成する支持基板として、樹脂基板を適用する構成が提案されている。樹脂基板を適用した平面表示装置は、ガラス基板を適用した平面表示装置と比較して、薄型化及び軽量化が可能であるとともに、柔軟性が高く、形状の自由度が高いといった利点がある。しかしながら、樹脂基板は、ガラス基板よりも吸湿性が高いため、樹脂基板を介した平面表示装置の内部への水分の浸入及び拡散を抑制する必要がある。特に、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置においては、発光層が水分によって劣化しやすい。発光層の劣化は、ダークスポットの発生を招き、表示品位を低下させるおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表平８−５０８１１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本実施形態の目的は、表示品位の低下を抑制することが可能な平面表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本実施形態によれば、
樹脂基板と、前記樹脂基板上に位置し、屈折率の異なる複数の無機系材料の薄膜を積層することによって構成されたカラーフィルタ層と、前記カラーフィルタ層の上方に位置するスイッチング素子と、前記スイッチング素子と電気的に接続され、前記カラーフィルタ層の上方に位置する透明電極と、前記透明電極上に位置する発光層と、前記発光層上に位置する反射電極と、を備えたことを特徴とする平面表示装置が提供される。
【０００７】
本実施形態によれば、
樹脂基板と、前記樹脂基板上に位置し、無機系材料によって形成された第１半透過層と、前記第１半透過層上に位置し、無機系材料によって島状に形成された第１透過層と、前記第１透過層に積層され、前記第１半透過層上に延在し、無機系材料によって形成された第２透過層と、前記第１透過層に積層された前記第２透過層上に位置し第１波長範囲に透過率ピークを有する第１カラーフィルタを構成するとともに、前記第１半透過層上に延在した前記第２透過層上に位置し第１波長範囲とは異なる第２波長範囲に透過率ピークを有する第２カラーフィルタを構成する無機系材料によって形成された第２透過層と、前記第２半透過層の上方に位置する第１スイッチング素子及び第２スイッチング素子と、前記第１スイッチング素子と電気的に接続され、前記第１カラーフィルタの上方に位置する第１透明電極と、前記第２スイッチング素子と電気的に接続され、前記第２カラーフィルタの上方に位置する第２透明電極と、前記第１透明電極のエッジ及び前記第２透明電極のエッジをそれぞれカバーし、無機系材料によって形成されたリブと、前記第１透明電極及び前記第２透明電極上に位置するとともに、前記リブを覆う発光層と、前記発光層上に位置する反射電極と、を備えたことを特徴とする平面表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、本実施形態における平面表示装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図２】図２は、図１に示した第１乃至第３カラーフィルタの透過スペクトルの一例を示す図である。
【図３】図３は、本実施形態における平面表示装置のカラーフィルタ層の製造方法を説明するための図である。
【図４】図４は、図３に示した製造方法において樹脂基板に付着した異物を除去する工程を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１０】
図１は、本実施形態の平面表示装置の断面構造を概略的に示す図である。
【００１１】
図示した平面表示装置１は、アクティブマトリクス駆動方式を採用した有機ＥＬ表示装置である。すなわち、平面表示装置１は、樹脂基板１０と、この樹脂基板１０の上に位置するカラーフィルタ層３０と、カラーフィルタ層３０の上方に位置するスイッチング素子ＳＷ１乃至ＳＷ３と、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３と、を備えている。また、平面表示装置１は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３を区画するリブ４０と、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３を封止する封止層５０と、を備えている。
【００１２】
樹脂基板１０は、光透過性を有する絶縁基板である。
【００１３】
カラーフィルタ層３０は、第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、及び、第３カラーフィルタＣＦ３を含んでいる。これらの第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、及び、第３カラーフィルタＣＦ３は、樹脂基板１０の上に配置されている。
【００１４】
詳細については後述するが、第１カラーフィルタＣＦ１は、主に第１波長範囲（例えば、５００ｎｍ〜５８０ｎｍの波長範囲）の光を透過し、この第１波長範囲に透過率ピークを有するものである。第２カラーフィルタＣＦ２は、主に、第１波長範囲とは異なる第２波長範囲（例えば、４００ｎｍ〜５００ｎｍの波長範囲）の光を透過し、この第２波長範囲に透過率ピークを有するものである。第３カラーフィルタＣＦ３は、主に、第１波長範囲及び第２波長範囲とは異なる第３波長範囲（例えば、５８０ｎｍ〜７００ｎｍの波長範囲）の光を透過し、この第３波長範囲に透過率ピークを有するものである。
【００１５】
これらの第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、及び、第３カラーフィルタＣＦ３は、透過させる波長範囲以外の波長は主に反射する。第１カラーフィルタＣＦ１は、第２波長範囲及び第３波長範囲での反射率が第１波長範囲での反射率よりも高い。第２カラーフィルタＣＦ２は、第１波長範囲及び第３波長範囲での反射率が第２波長範囲での反射率よりも高い。第３カラーフィルタＣＦ１は、第１波長範囲及び第２波長範囲での反射率が第３波長範囲での反射率よりも高い。
【００１６】
本実施形態では、カラーフィルタ層３０は、光干渉の原理を利用したファブリ・ペロー型フィルタを採用しており、屈折率の異なる複数の無機系材料の薄膜を積層することによって構成されている。すなわち、カラーフィルタ層３０は、樹脂基板１０の上に位置する第１半透過層３１、第１半透過層３１の上に位置する透過層（あるいはスペーサ層）３３、及び、透過層３３の上に位置する第２半透過層３２を備えている。
【００１７】
第１半透過層３１及び第２半透過層３２は、それぞれ第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、及び、第３カラーフィルタＣＦ３に共通に設けられている。また、第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、及び、第３カラーフィルタＣＦ３において、第１半透過層３１の膜厚は略一定であり、また、第２半透過層３２の膜厚についても略一定である。
【００１８】
このような第１半透過層３１及び第２半透過層３２は、屈折率の異なる複数の誘電体膜を積層した構成である。一例として、第１半透過層３１及び第２半透過層３２は、それぞれシリコン窒化物（ＳｉＮ）層と、シリコン酸化物（ＳｉＯ）層とを交互に積層した誘電体多層膜によって構成されている。このような誘電体多層膜の積層数は、２層以上であるが、層数が増えるほど、製造工程が増加し製造コストの増加を招くため、例えば、４層以下程度とすることが望ましい。
【００１９】
透過層３３は、第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、及び、第３カラーフィルタＣＦ３に共通に設けられている。但し、第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、及び、第３カラーフィルタＣＦ３において、透過層３３の膜厚はそれぞれ異なる。図示した例では、第２カラーフィルタＣＦ２における透過層３３の膜厚は第１カラーフィルタＣＦ１における透過層３３の膜厚よりも薄く、また、第３カラーフィルタＣＦ３における透過層３３の膜厚は第２カラーフィルタＣＦ２における透過層３３の膜厚よりも薄い。このような透過層３３は、例えば、シリコン窒化物層またはシリコン酸化物層によって構成されている。
【００２０】
以下に、カラーフィルタ層３０のより具体的な構成例について説明する。図示した例では、カラーフィルタ層３０は、第１半透過層３１及び第２半透過層３２のそれぞれが４層の薄膜を積層した構成である。なお、このようなカラーフィルタ層３０を構成する薄膜の積層数については図示した例に限らない。
【００２１】
第１半透過層３１は、樹脂基板１０の内面１０Ａに配置された第１シリコン窒化物層３１１と、第１シリコン窒化物層３１１上に積層された第１シリコン酸化物層３１２と、第１シリコン酸化物層３１２上に積層された第２シリコン窒化物層３１３と、第２シリコン窒化物層３１３上に積層された第２シリコン酸化物層３１４と、によって構成されている。これらの第１シリコン窒化物層３１１、第１シリコン酸化物層３１２、第２シリコン窒化物層３１３、及び、第２シリコン酸化物層３１４はいずれも、第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、及び、第３カラーフィルタＣＦ３に亘って途切れることなく連続的に形成されている。
【００２２】
透過層３３は、第３シリコン窒化物層３３１、第４シリコン窒化物層３３２、及び、第５シリコン窒化物層３３３を有している。第３シリコン窒化物層３３１は、第１カラーフィルタＣＦ１に対応して島状に形成され、第２シリコン酸化物層３１４上に積層されている。第４シリコン窒化物層３３２は、第１カラーフィルタＣＦ１及び第２カラーフィルタＣＦ２に対応して島状に形成されている。つまり、第４シリコン窒化物層３３２は、第１カラーフィルタＣＦ１に対応して第３シリコン窒化物層３３１を覆うとともに、第２カラーフィルタＣＦ２に対応して第２シリコン酸化物層３１４上に積層されている。
【００２３】
第５シリコン窒化物層３３３は、第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、及び、第３カラーフィルタＣＦ３に亘って途切れることなく連続的に形成されている。つまり、第５シリコン窒化物層３３３は、第１カラーフィルタＣＦ１及び第２カラーフィルタＣＦ２に対応して第４シリコン窒化物層３３２を覆うとともに、第３カラーフィルタＣＦ３に対応して第２シリコン酸化物層３１４上に積層されている。
【００２４】
第２半透過層３２は、第５シリコン窒化物層３３３の上に積層された第３シリコン酸化物層３２１と、第３シリコン酸化物層３２１上に積層された第６シリコン窒化物層３２２と、第６シリコン窒化物層３２２上に積層された第４シリコン酸化物層３２３と、第４シリコン酸化物層３２３上に積層された第７シリコン窒化物層３２４と、によって構成されている。これらの第３シリコン酸化物層３２１、第６シリコン窒化物層３２２、第４シリコン酸化物層３２３、及び、第７シリコン窒化物層３２４はいずれも、第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、及び、第３カラーフィルタＣＦ３に亘って途切れることなく連続的に形成されている。
【００２５】
第１シリコン窒化物層３１１、第２シリコン窒化物層３１３、第３シリコン窒化物層３３１、第４シリコン窒化物層３３２、第５シリコン窒化物層３３３、第６シリコン窒化物層３２２、及び、第７シリコン窒化物層３２４は、高屈折率層（可視光波長範囲における屈折率は２．０から２．７程度である）として機能する。第１シリコン酸化物層３１２、第２シリコン酸化物層３１４、第３シリコン酸化物層３２１、及び、第４シリコン酸化物層３２３は、上記の高屈折率層よりも低屈折率である低屈折率層（可視光波長範囲における屈折率は約１．５である）として機能する。
【００２６】
第１シリコン窒化物層３１１、第２シリコン窒化物層３１３、第６シリコン窒化物層３２２、及び、第７シリコン窒化物層３２４は、第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、及び、第３カラーフィルタＣＦ３の各々において同一膜厚であり、例えば５８ｎｍの膜厚を有している。第１シリコン酸化物層３１２、第２シリコン酸化物層３１４、第３シリコン酸化物層３２１、及び、第４シリコン酸化物層３２３は、第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、及び、第３カラーフィルタＣＦ３の各々において同一膜厚であり、例えば９２ｎｍの膜厚を有している。つまり、第１半透過層３１及び第２半透過層３２を構成する低屈折率層は高屈折率層よりも厚い。
【００２７】
第３シリコン窒化物層３３１は、例えば３７ｎｍの膜厚を有している。第４シリコン窒化物層３３２は、例えば４８ｎｍの膜厚を有している。第５シリコン窒化物層３３３は、例えば３０ｎｍの膜厚を有している。つまり、第１カラーフィルタＣＦ１において、第３シリコン窒化物層３３１、第４シリコン窒化物層３３２、及び、第５シリコン窒化物層３３３の積層体によって構成された透過層３３は、１１５ｎｍの膜厚を有している。また、第２カラーフィルタＣＦ２において、第４シリコン窒化物層３３２及び第５シリコン窒化物層３３３の積層体によって構成された透過層３３は、第１カラーフィルタＣＦ１よりも薄く、７８ｎｍの膜厚を有している。また、第３カラーフィルタＣＦ３において、第５シリコン窒化物層３３３によって構成された透過層３３は、第２カラーフィルタＣＦ２よりも薄く、３０ｎｍの膜厚を有している。
【００２８】
このような構成のカラーフィルタ層３０は、第１絶縁膜１１によって覆われている。つまり、第１絶縁膜１１は、第７シリコン窒化物層３２４の上に配置されている。このような第１絶縁膜１１は、シリコン酸化物（ＳｉＯ）層である。
【００２９】
スイッチング素子ＳＷ１乃至ＳＷ３は、第１絶縁膜１１の上に形成されている。図示した例では、スイッチング素子ＳＷ１は第１カラーフィルタＣＦ１の上方に位置し、スイッチング素子ＳＷ２は第２カラーフィルタＣＦ２の上方に位置し、スイッチング素子ＳＷ３は第３カラーフィルタＣＦ３の上方に位置している。これらのスイッチング素子ＳＷ１乃至ＳＷ３は、それぞれポリシリコン半導体層を備えたトップゲート型の薄膜トランジスタであり、いずれも同一構造であるが、ここでは、スイッチング素子ＳＷ１に着目してその構造をより具体的に説明する。
【００３０】
スイッチング素子ＳＷ１は、第１絶縁膜１１の上に位置するポリシリコン半導体層ＳＣを備えている。このポリシリコン半導体層ＳＣは、第２絶縁膜１２によって覆われている。この第２絶縁膜１２は、第１絶縁膜１１の上にも配置されている。第２絶縁膜１２の上には、スイッチング素子ＳＷ１のゲート電極ＷＧが配置されている。ゲート電極ＷＧは、第３絶縁膜１３によって覆われている。この第３絶縁膜１３は、第２絶縁膜１２の上にも配置されている。これらの第２絶縁膜１２及び第３絶縁膜１３は、シリコン酸化物（ＳｉＯ）やシリコン窒化物（ＳｉＮ）などの無機系材料によって形成されている。
【００３１】
第３絶縁膜１３の上には、スイッチング素子ＳＷ１のソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤが配置されている。ソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、それぞれポリシリコン半導体層ＳＣにコンタクトしている。これらのソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、第４絶縁膜１４によって覆われている。また、この第４絶縁膜１４は、第３絶縁膜１３の上にも配置されている。この第４絶縁膜１４は、シリコン酸化物（ＳｉＯ）やシリコン窒化物（ＳｉＮ）などの無機系材料によって形成されていることが望ましいが、樹脂材料によって形成しても良い。
【００３２】
このようなスイッチング素子ＳＷ１において、ポリシリコン半導体層ＳＣは、不純物の注入を抑制するために、シリコン酸化物層上に位置していることが望ましい。上記の例では、カラーフィルタ層３０の最上層に位置する薄膜は、第１半透過層３２の第７シリコン窒化物層３２４であるため、この第７シリコン窒化物層３２４を覆う第１絶縁膜１１をシリコン酸化物によって形成し、ポリシリコン半導体層ＳＣはこの第１絶縁膜１１の上に形成している。なお、カラーフィルタ層３０の最上層に位置する薄膜がシリコン酸化物層である場合には、第１絶縁膜を省略し、ポリシリコン半導体層ＳＣは、第２半透過層３２を構成するシリコン酸化物層上に形成しても良い。
【００３３】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、第４絶縁膜１４の上に形成されている。図示した例では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は、第１カラーフィルタＣＦ１の上方に位置し、スイッチング素子ＳＷ１と電気的に接続されている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２は、第２カラーフィルタＣＦ２の上方に位置し、スイッチング素子ＳＷ２と電気的に接続されている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３は、第３カラーフィルタＣＦ３の上方に位置し、スイッチング素子ＳＷ３と電気的に接続されている。
【００３４】
これらの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３の発光色はいずれも白色である。また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、いずれも樹脂基板１０の側に向かって発光するボトムエミッションタイプとして構成されている。このような有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、いずれも同一構造である。
【００３５】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は、スイッチング素子ＳＷ１と電気的に接続された透明電極ＰＥ１を備えている。この透明電極ＰＥ１は、第１カラーフィルタＣＦ１の上方に位置している。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２は、スイッチング素子ＳＷ２と電気的に接続された透明電極ＰＥ２を備えている。この透明電極ＰＥ２は、第２カラーフィルタＣＦ２の上方に位置している。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３は、スイッチング素子ＳＷ３と電気的に接続された透明電極ＰＥ３を備えている。この透明電極ＰＥ３は、第３カラーフィルタＣＦ３の上方に位置している。
【００３６】
これらの透明電極ＰＥ１乃至ＰＥ３は、第４絶縁膜１４の上に形成され、陽極として機能し、対応するスイッチング素子のドレイン電極ＷＤにコンタクトしている。また、これらの透明電極ＰＥ１乃至ＰＥ３は、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成されている。
【００３７】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、さらに、発光層ＯＲＧ及び反射電極ＣＥを備えている。発光層ＯＲＧは、透明電極ＰＥ１乃至ＰＥ３の上に位置している。また、発光層ＯＲＧは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３に亘って途切れることなく連続的に形成されている。このような発光層ＯＲＧは、有機系材料によって形成されている。反射電極ＣＥは、例えば、陰極として機能し、発光層ＯＲＧの上に位置している。また、反射電極ＣＥは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３に亘って途切れることなく連続的に形成されている。このような反射電極ＣＥは、例えば、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、あるいはこれらの合金などの光反射性を有する材料によって形成されている。
【００３８】
なお、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３において、透明電極ＰＥ１乃至ＰＥ３の各々と発光層ＯＲＧとの間には、さらに、ホール注入層やホール輸送層が介在していても良いし、また、発光層ＯＲＧと反射電極ＣＥとの間には、さらに、電子注入層や電子輸送層が介在していても良い。
【００３９】
リブ４０は、第４絶縁膜１４の上に形成され、透明電極ＰＥ１乃至ＰＥ３のそれぞれのエッジをカバーしている。なお、このリブ４０については、図示していないが、例えば、第４絶縁膜１４の上において格子状に形成されている。このようなリブ４０は、例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮ）などの無機系材料によって形成されている。また、リブ４０は、発光層ＯＲＧによって覆われている。つまり、発光層ＯＲＧは、透明電極ＰＥ１乃至ＰＥ３の上のみならず、リブ４０の上にも延在している。
【００４０】
封止層５０は、反射電極ＣＥの上に形成されている。
【００４１】
図２は、図１に示した第１乃至第３カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３の透過スペクトルの一例を示す図である。この図２では、横軸は波長（ｎｍ）であり、縦軸は第１乃至第３カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３の透過率である。これらの反射率は、それぞれの最大値を１としたときの相対値である。なお、ここに示した透過スペクトルは、透過層３３の屈折率を２．３として計算したものである。
【００４２】
第１カラーフィルタＣＦ１は、５４０ｎｍ付近に透過率ピークを有している。また、この第１カラーフィルタＣＦ１は、図示しないが５４０ｎｍ付近に反射率ボトムを有する一方で、同波長以外の波長範囲で高反射率となる。第２カラーフィルタＣＦ２は、４７０ｎｍ付近に透過率ピークを有している。また、この第２カラーフィルタＣＦ２は、図示しないが４７０ｎｍ付近に反射率ボトムを有する一方で、同波長以外の波長範囲で高反射率となる。第３カラーフィルタＣＦ３は、６１０ｎｍ付近に透過率ピークを有している。また、この第３カラーフィルタＣＦ３は、図示しないが６１０ｎｍ付近に反射率ボトムを有する一方で、同波長以外の波長範囲で高反射率となる。
【００４３】
誘電体多層膜を構成する薄膜の積層数が多いほど、透過率ピーク付近の波長範囲が狭くなる傾向がある。本実施形態では、図１に示した例のように、第１半透過層３１及び第２半透過層３２は、それぞれ４層の誘電体多層膜によって構成されており、比較的薄膜の積層数が多い。このため、第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、及び、第３カラーフィルタＣＦ３のそれぞれについて、高い色純度を得ることが可能となる。
【００４４】
なお、第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、及び、第３カラーフィルタＣＦ３のそれぞれの反射スペクトルでの反射率ボトムの位置、あるいは、透過スペクトルでの透過率ピークの位置は、それぞれの透過層３３の膜厚を変えることによって調整可能である。要するに、第１半透過層３１及び第２半透過層３２を構成する薄膜の積層数及び透過層３３の膜厚は、第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、及び、第３カラーフィルタＣＦ３のそれぞれに要求される性能などを考慮しながら決定することができる。
【００４５】
上記の構成の平面表示装置１によれば、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３のそれぞれが白色に発光した際、それぞれの放射光は、カラーフィルタ層３０を介して樹脂基板１０から出射される。このとき、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１からの放射光のうち、緑色波長の光が第１カラーフィルタＣＦ１を透過する。また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２からの放射光のうち、青色波長の光が第２カラーフィルタＣＦ２を透過する。また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３からの放射光のうち、赤色波長の光が第３カラーフィルタＣＦ３を透過する。
【００４６】
次に、本実施形態における平面表示装置１のカラーフィルタ層３０の製造方法について図３を参照しながら説明する。
【００４７】
まず、ＣＶＤ法により、樹脂基板１０の上に、シリコン窒化物（ＳｉＮ）及びシリコン酸化物（ＳｉＯ）を交互に積層し、第１半透過層３１を構成する第１シリコン窒化物層３１１、第１シリコン酸化物層３１２、第２シリコン窒化物層３１３、第２シリコン酸化物層３１４を順次形成し、さらに、透過層３３の一部である第３シリコン窒化物層３３１を形成する。
【００４８】
続いて、フォトエッチングプロセス（ＰＥＰ１）を経て第３シリコン窒化物層３３１の上にパターン化したレジスト膜を形成し、このレジスト膜をマスクとして第３シリコン窒化物層３３１のエッチング処理（ＥＴＧ１）を行う。これにより、第３シリコン窒化物層３３１が島状にパターン化される。その後、第２シリコン酸化物層３１４及び第３シリコン窒化物層３３１の表面のブラシ洗浄（ブラシ洗浄１）を行う。
【００４９】
続いて、ＣＶＤ法により、シリコン窒化物（ＳｉＮ）を積層し、透過層３３の一部である第４シリコン窒化物層３３２を形成する。そして、フォトエッチングプロセス（ＰＥＰ２）を経て第４シリコン窒化物層３３２の上にパターン化したレジスト膜を形成し、このレジスト膜をマスクとして第４シリコン窒化物層３３２のエッチング処理（ＥＴＧ２）を行う。これにより、第４シリコン窒化物層３３２が島状にパターン化される。その後、第２シリコン酸化物層３１４及び第４シリコン窒化物層３３２の表面のブラシ洗浄（ブラシ洗浄２）を行う。
【００５０】
続いて、ＣＶＤ法により、シリコン窒化物（ＳｉＮ）を積層し、透過層３３の一部である第５シリコン窒化物層３３３を形成する。さらに続けて、ＣＶＤ法により、シリコン酸化物（ＳｉＯ）及びシリコン窒化物（ＳｉＮ）を交互に積層し、第２半透過層３２を構成する第３シリコン酸化物層３２１、第６シリコン窒化物層３２２、第４シリコン酸化物層３２３、第７シリコン窒化物層３２４を順次形成する。
【００５１】
その後、さらに、ＣＶＤ法により、シリコン酸化物（ＳｉＯ）を積層して第１絶縁膜１１を形成する。さらに続けて、ＣＶＤ法により、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を形成した後、このアモルファスシリコンを多結晶化してポリシリコンを形成し、スイッチング素子の各々に対応した半導体層としてパターン化する。その後、スイッチング素子や有機ＥＬ素子、リブ、封止層などを形成し、平面表示装置が製造される。
【００５２】
次に、上記のカラーフィルタ層３０の製造方法において、樹脂基板１０の内面１０Ａに異物が付着していた状態での態様について図４を参照しながら説明する。
【００５３】
図４の（ａ）は、内面１０Ａに異物が付着した状態で、第１半透過層３１及び第３シリコン窒化物層３３１を連続的に形成した後の断面形状を模式的に示している。異物が付着した位置では、内面１０Ａは、第１半透過層３１及び第３シリコン窒化物層３３１のいずれの層にもカバーされず、剥き出しとなっている。
【００５４】
図４の（ｂ）は、第３シリコン窒化物層３３１のエッチング処理（ＥＴＧ１）を行った後の断面形状を模式的に示している。図示したように、依然として、内面１０Ａには異物が付着している。
【００５５】
図４の（ｃ）は、エッチング処理（ＥＴＧ１）に続いてブラシ洗浄（ブラシ洗浄１）を行った後の断面形状を模式的に示している。図示したように、第２シリコン酸化物層３１４及び第３シリコン窒化物層３３１の表面をブラシ洗浄することにより、異物が除去される。このため、異物が付着していた位置は、内面１０Ａが露出している。
【００５６】
図４の（ｄ）は、第４シリコン窒化物層３３２、第５シリコン窒化物層３３３、及び、第２半透過層３２を形成した後の断面形状を模式的に示している。異物が付着していた位置の内面１０Ａは、第４シリコン窒化物層３３２によってカバーされている。また、第５シリコン窒化物層３３３及び第２半透過層３２についても、異物が付着していた位置に積層されている。
【００５７】
なお、（ｃ）で示したブラシ洗浄で例え異物が除去できなかったとしても、第４シリコン窒化物層３３２を形成する過程で、エッチング処理（ＥＴＧ２）に続いてブラシ洗浄（ブラシ洗浄２）を行うため、異物を除去できる確率が高まる。
【００５８】
本実施形態によれば、平面表示装置１は、樹脂基板１０を適用した構成であるため、ガラス基板を適用した平面表示装置と比較して、薄型化及び軽量化が可能であるとともに、柔軟性が高く、形状の自由度が高い。また、樹脂基板１０は、ガラス基板よりも吸湿性が高い特性を有しているが、本実施形態では、樹脂基板１０の内面１０Ａは、複数の無機系材料の薄膜を積層することによって構成されたカラーフィルタ層３０によって覆われている。つまり、カラーフィルタ層３０は、樹脂基板１０に対する水分透過防止層として機能する。このようなカラーフィルタ層３０は、複数の無機系材料の薄膜を積層した構成であるため、たとえ製造過程で異物が付着したとしても、異物に起因した欠陥の形成を抑制することができ、欠陥からの水分の浸入を抑制することが可能となる。したがって、十分な水分阻止能力を得ることが可能となる。
【００５９】
また、カラーフィルタ層３０は、シリコン窒化物層及びシリコン酸化物層を交互に積層した積層体である。このため、シリコン窒化物層／シリコン酸化物層の界面に存在するダングリングボンドが水分とラップとして作用するため、より高い水分阻止能力を得ることが可能となる。
【００６０】
また、カラーフィルタ層３０を形成する過程では、適時ブラシ洗浄を行う。このため、カラーフィルタ層３０を形成する際に異物が付着していたとしても、ブラシ洗浄を行うことで異物を除去することが可能となる。また、異物が除去された後の空洞は、その後に形成される薄膜によって覆われるため、水分浸入のパスとなる欠陥の形成を抑制することが可能となる。
【００６１】
また、カラーフィルタ層３０と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３との間に介在する第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、及び、第４絶縁膜１４がいずれも無機系材料によって形成された構成においては、例えカラーフィルタ層３０を介して水分が浸入したとしても、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３への水分の到達を抑制することが可能となる。さらに、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３を区画するリブ４０が無機系材料によって形成された構成においては、水分の面内での拡散を抑制することが可能となり、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３の水分による劣化を抑制することが可能となる。つまり、発光層の水分による劣化を抑制することができ、ダークスポットの発生による表示品位の低下を抑制することが可能となる。
【００６２】
以上説明したように、本実施形態によれば、表示品位の低下を抑制することが可能な平面表示装置を提供することができる。
【００６３】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【００６４】
上記の本実施形態では、平面表示装置として、有機ＥＬ表示装置を例に説明したが、この例に限らず、樹脂基板を用いて構成した液晶表示装置などであっても良い。
【符号の説明】
【００６５】
１…平面表示装置
ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３…有機ＥＬ素子
ＳＷ１乃至ＳＷ３…スイッチング素子  ＳＣ…ポリシリコン半導体層
ＰＥ１乃至ＰＥ３…透明電極
ＯＲＧ…発光層
ＣＥ…反射電極
３０…カラーフィルタ層
３１…半透過層  ３２…半透過層  ３３…透過層
４０…リブ  ５０…封止層
【図１】
2014026786.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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