(57)【要約】【課題】保護用ダイオード素子及び調光回路を備えつつも、多層基板を用いた場合に生じる薄灯現象を抑制できるようにする。【解決手段】調光機能付き発光装置は、多層基板５０に実装されたＬＥＤ素子と調光回路と保護素子とを備える。調光回路は、ＬＥＤ素子のアノード側への通電オンオフのデューティ比を制御して輝度調整する。保護素子は、ＬＥＤ素子の両端に所定以上の逆電圧がかかることを抑制してＬＥＤ素子を保護するようＬＥＤ素子に並列接続されている。そして、多層基板５０が有する複数の導体層のうち所定の第２導体層５２、５３には、導体が除去された除去領域５２ａ、５３ａが設けられている。除去領域５２ａ、５３ａは、第１導体層５１のうちＬＥＤ素子のカソード側に接続された導通経路部分５１Ａ、５１Ｂに対応する領域に設定されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の導体層（５１、５２、５３、５４、６１、６２）と絶縁層（５５、６３）とが交互に積層された多層基板（５０、６０）と、
前記複数の導体層のうちの１つである第１導体層（５１、６１）に実装された複数の発光ダイオード素子（２１Ａ、２１Ｂ）と、
前記発光ダイオード素子のアノード側への通電オンオフのデューティ比を制御して、前記発光ダイオード素子の輝度を調整する調光回路（１１、１２）と、
前記発光ダイオード素子の両端に所定以上の逆電圧がかかることを抑制して前記発光ダイオード素子を保護するよう、前記発光ダイオード素子に並列接続された保護用ダイオード素子（２２Ａ、２２Ｂ）と、
を備え、
前記複数の導体層のうち前記第１導体層以外の導体層である所定の第２導体層（５２、５３、６２）には、導体が除去された除去領域（５２ａ、５３ａ、６２ａ）が設けられており、
前記除去領域は、前記第１導体層のうち前記発光ダイオード素子のカソード側に接続されたカソード側導通経路部（５１Ａ、５１Ｂ、６１Ａ、６１Ｂ）に対応する領域に設定されていることを特徴とする調光機能付き発光装置。
【請求項２】
前記第１導体層には、前記発光ダイオード素子のカソード側に接続されたスイッチ回路（３０Ａ、３０Ｂ）が実装されており、
前記カソード側導通経路部には、前記第１導体層のうち前記スイッチ回路よりも前記発光ダイオード素子の側の部分が含まれていることを特徴とする請求項１に記載の調光機能付き発光装置。
【請求項３】
前記カソード側導通経路部には、前記発光ダイオード素子のカソード端子（２３Ａ）に接続されるランド（Ｒ２）、及び前記ランドに接続される配線（５１ｃ）が含まれていることを特徴とする請求項２に記載の調光機能付き発光装置。
【請求項４】
前記第２導体層には、複数の前記導体層のうち前記第１導体層の隣に位置する導体層（５２）が含まれていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１つに記載の調光機能付き発光装置。
【請求項５】
前記保護用ダイオード素子がツェナーダイオードであることを特徴とする請求項１から４のいずれか１つに記載の調光機能付き発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオード素子の輝度を調整する機能を備えた、調光機能付き発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、警告表示等のインジケータの光源に発光ダイオード素子を用いた車両用メータが開示されている。また、発光ダイオード素子（以下、ＬＥＤ素子と呼ぶ）への通電オンオフのデューティ比を制御して、ＬＥＤ素子の輝度を調整する調光回路が従来より知られている。
【０００３】
これによれば、夜間の点灯時には昼間に比べて輝度を低下させることができ、インジケータの視認性を向上できる。また、ユーザがスイッチ等の外部入力装置を操作して上記デューティ比を調整可能に構成することにより、ユーザの好みに合わせた輝度に制御することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−３１７７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
さて、ＬＥＤ素子の両端に、サージ等のノイズに起因して逆電圧がかかる場合があり、この逆電圧が高いと、ＬＥＤ素子の損傷が懸念されるようになる。この懸念に対し、保護用ダイオード素子（以下、保護素子と呼ぶ）をＬＥＤ素子に並列接続し、かつ、保護素子の順方向をＬＥＤ素子の順方向とは逆向きに接続する構成が従来より知られている。この構成によれば、ＬＥＤ素子に逆電圧がかかると保護素子の順方向に電流が流れるので、ＬＥＤ素子の損傷を回避できる。
【０００６】
しかしながら、ＬＥＤ素子が多層基板に実装されている場合には、上述した調光回路及び保護素子を設けると、以下に説明する薄灯現象の問題が生じる、との知見を本発明者は得た。すなわち、複数のＬＥＤ素子のうちの１つのＬＥＤ素子（以下、点灯ＬＥＤ素子と呼ぶ）を輝度調整して点灯させると、消灯させたい他のＬＥＤ素子（以下、消灯ＬＥＤ素子と呼ぶ）についても低輝度で点灯してしまう薄灯現象が生じる。
【０００７】
薄灯現象のメカニズムについて以下に説明する。複数の導体層と絶縁層とが交互に積層された上記多層基板を用いると、点灯ＬＥＤ素子及び消灯ＬＥＤ素子が実装された導体層と、他の導体層との間で浮遊容量が発生する。そして、この種の浮遊容量が消灯ＬＥＤ素子のカソード側に発生すると、調光回路のデューティ制御により点灯ＬＥＤ素子への通電オンオフを交互に切り替えることに伴い、上記浮遊容量への充放電が繰り返されるようになる。詳細には、点灯ＬＥＤ素子への通電オン時には、消灯ＬＥＤ素子を通じて浮遊容量へ電流が流れ込んで充電される。一方、点灯ＬＥＤ素子への通電オフ時には、保護素子を通じて浮遊容量から電流が流れ出して放電される。
【０００８】
その結果、点灯ＬＥＤ素子２１Ｂの通電オン毎に、浮遊容量への充電に伴い消灯ＬＥＤ素子２１Ａへも電流が流れてしまい、消灯ＬＥＤ素子２１Ａが低輝度で点灯する薄灯現象が生じる。
【０００９】
なお、以上の説明では車両用メータに備えられた発光ダイオード素子の場合を例に挙げて、薄灯現象の課題を説明したが、この課題は車両用メータに限って生じるものではない。つまり、発光ダイオード素子が多層基板に実装されており、かつ、調光回路及び保護素子を設けた発光装置であれば、上記薄灯現象の課題はメータに限らず生じる。
【００１０】
本発明は、上記問題を鑑みてなされたもので、その目的は、保護用ダイオード素子及び調光回路を備えつつも、多層基板を用いた場合に生じる薄灯現象を抑制できるようにした、調光機能付き発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
開示されたひとつの発明は上記目的を達成するために以下の技術的手段を採用する。なお、特許請求の範囲に記載した括弧内の符号は、ひとつの態様として後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、開示された発明の技術的範囲を限定するものではない。
【００１２】
開示された発明のひとつは、複数の導体層（５１、５２、５３、５４、６１、６２）と絶縁層（５５、６３）とが交互に積層された多層基板（５０、６０）と、複数の導体層のうちの１つである第１導体層（５１、６１）に実装された複数の発光ダイオード素子（２１Ａ、２１Ｂ）と、発光ダイオード素子のアノード側への通電オンオフのデューティ比を制御して、発光ダイオード素子の輝度を調整する調光回路（１１、１２）と、発光ダイオード素子の両端に所定以上の逆電圧がかかることを抑制して発光ダイオード素子を保護するよう、発光ダイオード素子に並列接続された保護用ダイオード素子（２２Ａ、２２Ｂ）と、を備え、複数の導体層のうち第１導体層以外の導体層である所定の第２導体層（５２、５３、６２）には、導体が除去された除去領域（５２ａ、５３ａ、６２ａ）が設けられており、除去領域は、第１導体層のうち発光ダイオード素子のカソード側に接続されたカソード側導通経路部（５１Ａ、５１Ｂ、６１Ａ、６１Ｂ）に対応する領域に設定されていることを特徴とする。
【００１３】
この発明によれば、カソード側導通経路部との間で浮遊容量を形成するおそれのある第２導体層には、導体が除去された除去領域が設けられている。そして、この除去領域は、カソード側導通経路部に対応する領域に設定されている。そのため、第１導体層と第２導体層との間に発生する浮遊容量のうち、発光ダイオード素子のカソード側に発生する浮遊容量を低減できる。
【００１４】
よって、点灯させたい発光ダイオード素子（点灯ＬＥＤ素子）をデューティ制御することに伴い、消灯させたい発光ダイオード素子（消灯ＬＥＤ素子）のカソード側の浮遊容量に充放電が繰り返されたとしても、その浮遊容量は低減されている。そのため、その浮遊容量への充放電に伴い消灯ＬＥＤ素子に流れる電流は小さくなる。以上により、上記発明によれば、調光回路により調整された輝度で点灯ＬＥＤ素子を点灯させる時に、消灯ＬＥＤ素子が低輝度で点灯する薄灯現象を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる調光機能付き発光装置の回路図。
【図２】第１実施形態にかかる発光装置が備える、多層基板の断面図。
【図３】図２のＩＩＩ矢視図。
【図４】図１の回路において、点灯ＬＥＤ素子への通電オン時の電流経路を示す図。
【図５】図１の回路において、点灯ＬＥＤ素子への通電オフ時の電流経路を示す図。
【図６】本発明の第２実施形態にかかる調光機能付き発光装置が備える、多層基板の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の複数の実施形態を図面に基づいて説明する。尚、各実施形態において対応する構成要素には同一の符号を付すことにより、重複する説明を省略する場合がある。
【００１７】
（第１実施形態）
本実施形態にかかる調光機能付き発光装置は、車両用のメータ装置に搭載されたものである。このメータ装置は、車室内のインストルメントパネルに取り付けられ、車速等の車両情報や、燃料不足等の警告情報を表示する。警告情報は、インジケータを点灯させて報知される。このインジケータの点灯表示に、調光機能付き発光装置が用いられている。インジケータは複数備えられており、夜間には昼間に比べて全てのインジケータの点灯輝度を自動で低下させる。また、ユーザがスイッチ等の外部入力装置を操作して、ユーザの好みに合わせた輝度にインジケータの点灯輝度を調節することも可能である。このように、インジケータの点灯輝度を調整する調光機能を発光装置は備えている。
【００１８】
図１に示すように、本実施形態にかかる発光装置は、マイクロコンピュータ（以下、マイコン１０と呼ぶ）と、複数の発光ダイオード部品（以下、ＬＥＤ部品２０Ａ、２０Ｂと呼ぶ）と、調光回路１１、１２と、スイッチ回路３０Ａ、３０Ｂと、を備える。マイコン１０は、中央演算処理装置（ＣＰＵ）及びメモリを備えて構成され、ＬＥＤ部品２０Ａ、２０Ｂの作動を制御する。詳細には、マイコン１０は、以下に説明するデューティ信号Ｓを調光回路１１、１２へ出力する。
【００１９】
デューティ信号Ｓは、通電オンを指令するパルスと通電オフを指令するパルスとが交互に繰り返される信号である。デューティ信号Ｓのオンオフ周期に対するパルスオン時間の割合（オンデューティ比）は、所望の発光輝度に応じて設定される。例えば、夜間には、昼間に比べてオンデューティ比を低くして、発光輝度を低くするようにデューティ制御する。
【００２０】
調光回路１１、１２は、第１トランジスタ１１及び第２トランジスタ１２を備える。第１トランジスタ１１のベースには上記デューティ信号Ｓが入力される。第２トランジスタ１２のベースは、第１トランジスタ１１のコレクタに抵抗を介して接続される。第２トランジスタ１２のコレクタは、複数のＬＥＤ部品２０Ａ、２０Ｂに接続される。第２トランジスタ１２のエミッタは、車両に搭載されたバッテリの高電圧側に接続される。なお、第２トランジスタ１２のベース、エミッタ間には抵抗が接続されている。
【００２１】
したがって、デューティ信号Ｓが第１トランジスタ１１へ出力されると、デューティ信号Ｓのオン時には第２トランジスタ１２が通電状態となり、複数のＬＥＤ部品２０Ａ、２０Ｂのアノード側にバッテリ電圧が印加されることとなる。また、デューティ信号Ｓのオフ時には、ＬＥＤ部品２０Ａ、２０Ｂへの電圧印加が停止される。
【００２２】
ＬＥＤ部品２０Ａ、２０Ｂは、発光ダイオード素子（ＬＥＤ素子２１Ａ、２１Ｂ）及び保護用ダイオード素子（保護素子２２Ａ、２２Ｂ）を備える。つまり、ＬＥＤ素子２１Ａ、２１Ｂ及び保護素子２２Ａ、２２Ｂは、共通する樹脂でモールドされて一体化されている。
【００２３】
保護素子２２Ａ、２２Ｂは、ＬＥＤ素子２１Ａ、２１Ｂに並列接続されている。保護素子２２Ａ、２２Ｂはツェナーダイオードであり、保護素子２２Ａ、２２Ｂの順方向とＬＥＤ素子２１Ａ、２１Ｂの順方向とが逆向きになるように接続されている。詳細には、ＬＥＤ素子２１Ａ、２１Ｂのアノード側に保護素子２２Ａ、２２Ｂのカソード側が接続されており、ＬＥＤ素子２１Ａ、２１Ｂのアノード側にバッテリ電圧が印加される向きとなるよう、ＬＥＤ部品２０Ａ、２０Ｂは配置されている。
【００２４】
複数のＬＥＤ部品２０Ａ、２０Ｂの各々の低電位側（つまりＬＥＤ素子２１Ａ、２１Ｂのカソード側）には、スイッチ回路３０Ａ、３０Ｂが接続されている。図１に示す例では、スイッチ回路３０Ａ、３０Ｂにはトランジスタ（以下、第３トランジスタ３０Ａ、３０Ｂと呼ぶ）が用いられている。
【００２５】
第３トランジスタ３０Ａ、３０Ｂのベースには、マイコン１０から出力される点灯信号が抵抗３２Ａ、３２Ｂを介して入力される。第３トランジスタ３０Ａ、３０Ｂのコレクタは、抵抗３１Ａ、３１Ｂを介して、ＬＥＤ部品２０Ａ、２０Ｂの各々の低電位側に接続される。したがって、点灯信号が第３トランジスタ３０Ａ、３０Ｂへ出力されると、第３トランジスタ３０Ａ、３０Ｂが通電状態となり、ＬＥＤ部品２０Ａ、２０Ｂが点灯可能な状態になる。なお、第３トランジスタ３０Ａ、３０Ｂのベースは抵抗３３Ａ、３３Ｂを通じて接地され、第３トランジスタ３０Ａ、３０Ｂのエミッタは直接接地されている。
【００２６】
デューティ信号Ｓはマイコン１０から常時出力されている。これに対し、点灯信号は、複数のＬＥＤ部品２０Ａ、２０Ｂのうち点灯させたいＬＥＤ部品（以下、点灯ＬＥＤ部品２０Ｂと呼ぶ）に対応する第３トランジスタ３０Ｂにだけ出力される。消灯させたいＬＥＤ部品（以下、消灯ＬＥＤ部品２０Ａと呼ぶ）に対応する第３トランジスタ３０Ａは、点灯信号が入力されないので通電オフ状態となる。そのため、消灯ＬＥＤ部品２０Ａは、バッテリ電圧で点灯することはない。
【００２７】
図１に示す各種電子部品、すなわちマイコン１０、トランジスタ１１、１２、３０Ａ、３０Ｂ、ＬＥＤ部品２０Ａ、２０Ｂ等は、図２に示す多層基板５０に実装されている。多層基板５０は、複数の導体層５１、５２、５３、５４と絶縁層５５とを交互に積層して構成されている。上述した各種電子部品は、複数の導体層５１、５２、５３、５４のうちの最外層に位置する導体層５１に実装されている。
【００２８】
導体層５１、５２、５３、５４の相互間には浮遊容量が発生している。但し、複数の導体層５１、５２、５３、５４のうちの内層に位置する導体層５２、５３には、プリント配線やランド等の導体が除去された除去領域５２ａ、５３ａが設けられている。
【００２９】
本実施形態では、導体層５１、５２、５３、５４のうちＬＥＤ部品２０Ａ、２０Ｂ等が実装された導体層を第１導体層５１と呼ぶ。また、第１導体層５１以外の導体層であって除去領域５２ａ、５３ａが設けられた導体層を、第２導体層５２、５３と呼ぶ。第１導体層５１のうち、発光ダイオード素子２１Ａ、２１Ｂのカソード側に位置する導通経路部分をカソード側導通経路部５１Ａ、５１Ｂ（図２参照）と呼ぶ。そして、上記除去領域５２ａ、５３ａは、カソード側導通経路部５１Ａ、５１Ｂに対応する領域に設定されている。具体的には、除去領域５２ａ、５３ａは、カソード側導通経路部５１Ａ、５１Ｂの投影範囲を含むように設定されている。
【００３０】
この「投影範囲」とは、多層基板５０の板面に対して垂直な方向からカソード側導通経路部５１Ａ、５１Ｂを見た場合において、第２導体層５２、５３のうちカソード側導通経路部５１Ａ、５１Ｂに重なる部分の範囲のことである。
【００３１】
以下、図３を用いて、消灯ＬＥＤ部品２０Ａに対するカソード側導通経路部５１Ａの詳細を説明する。但し、他の点灯ＬＥＤ部品２０Ｂに対するカソード側導通経路部５１Ｂについても、図３に示す構造と同じである。なお、図３では絶縁層５５の図示を省略している。
【００３２】
図３に示す電源用配線５１ａ、接地用配線５１ｂ、その他の各種配線５１ｃ、５１ｄ、及び各種ランドＲ１〜Ｒ９は、導体層５１により形成されている。電源用配線５１ａに接続されたランドＲ１には、ＬＥＤ部品２０Ａのアノード端子２４Ａが接続されている。
【００３３】
そして、ＬＥＤ部品２０Ａのカソード端子２３Ａが接続されたランドＲ２（以下、カソード側ランドと呼ぶ）には、第１配線５１ｃの一端が接続されている。第１配線５１ｃの他端に接続されるランドＲ３には、抵抗３１Ａの一端が接続されている。抵抗３１Ａの他端に接続されるランドＲ４には、第２配線５１ｄの一端が接続されている。第２配線５１ｄの他端に接続されるランドＲ５（以下、コレクタ側ランドと呼ぶ）には、第３トランジスタ３０Ａのコレクタが接続されている。
【００３４】
なお、第３トランジスタ３０Ａのエミッタに接続されるランドＲ７には、接地用配線５１ｂが接続されている。第３トランジスタ３０Ａのベースに接続されるランドＲ６は、ランドＲ８、Ｒ９に実装された抵抗３３Ａを通じて接地用配線５１ｂに接続される。
【００３５】
以上に説明したカソード側ランドＲ２からコレクタ側ランドＲ５に至る導通経路の部分が、先述した「カソード側導通経路部５１Ａ」に相当する。つまり、カソード側ランドＲ２、第１配線５１ｃ、ランドＲ３、Ｒ４、第２配線５１ｄ及びコレクタ側ランドＲ５がカソード側導通経路部５１Ａに相当する。そして、図３中の一点鎖線に示す領域が、先述した「除去領域５２ａ、５３ａ」に相当する。
【００３６】
要するに、カソード側導通経路部５１Ａとは、第３トランジスタ３０ＡよりもＬＥＤ素子２１Ａ側の部分のことである。そして、除去領域５２ａには、カソード側導通経路部５１Ａの投影範囲の全てが含まれる。具体的には、コレクタ側ランドＲ５、第２配線５１ｄ、ランドＲ４、抵抗３１Ａ、ランドＲ３、第１配線５１ｃ、カソード側ランドＲ２の投影範囲の全てが含まれる。また、カソード側導通経路部５１Ａにはカソード側ランドＲ２及び第１配線５１ｃが含まれている。よって、カソード側ランドＲ２及び第１配線５１ｃの投影範囲の全てが除去領域５２ａには含まれている、とも言える。
【００３７】
次に、点灯ＬＥＤ素子２１Ｂを輝度調整して点灯させている時に、消灯ＬＥＤ素子２１Ａが点灯ＬＥＤ素子２１Ｂよりも低い輝度で点灯してしまう薄灯現象について、以下に説明する。
【００３８】
第１導体層５１と他の導体層５２、５３、５４との間では浮遊容量が発生する。そして、この種の浮遊容量のうち、ＬＥＤ素子２１Ａ、２１Ｂのカソード側に発生した浮遊容量を、図４及び図５中の符号４０Ａ、４０Ｂに示す。図示される例では、これらの浮遊容量４０Ａ、４０Ｂの一端は、ＬＥＤ素子２１Ａ、２１Ｂのカソード側、かつ抵抗３１Ａ、３１Ｂの高電位側に接続されている。また、浮遊容量４０Ａ、４０Ｂの他端は接地されている。
【００３９】
換言すれば、浮遊容量４０Ａ、４０Ｂを構成する一対の電極のうち、一方の電極は、カソード側導通経路部５１Ａ、５１Ｂのうちのカソード側ランドＲ２、第１配線５１ｃ及びランドＲ３の部分により形成される。また、他方の電極は、他の導体層５２、５３、５４のうち接地に接続された配線パターンの部分により形成される。
【００４０】
すると、調光回路１１、１２のデューティ制御により点灯ＬＥＤ素子２１Ｂへの通電オンオフを交互に切り替えることに伴い、消灯ＬＥＤ素子２１Ａのカソード側に発生している浮遊容量４０Ａへの充放電が繰り返されるようになる。
【００４１】
すなわち、点灯ＬＥＤ素子２１Ｂの通電オン時には、図４中の矢印Ｉ１に示すように点灯ＬＥＤ素子２１Ｂへ電流が流れる。この時、図４中の矢印Ｉ２に示すように、消灯ＬＥＤ素子２１Ａを通じて、消灯ＬＥＤ素子２１Ａのカソード側に発生している浮遊容量４０Ａが充電される。その後、図５中の矢印Ｉ３に示すように、点灯ＬＥＤ素子２１Ｂの通電オフ時には、保護素子２２Ａを通じて浮遊容量４０Ａから放電される。放電される電流は、電源用配線５１ａ、点灯ＬＥＤ素子２１Ｂ、抵抗３１Ｂ、及び第３トランジスタ３０Ｂを通じて、接地用配線５１ｂへ流れ込む。
【００４２】
そのため、次回の点灯ＬＥＤ素子２１Ｂの通電オン時にも、消灯ＬＥＤ素子２１Ａを通じて浮遊容量４０Ａが再び充電される（図４中の矢印Ｉ２参照）。そして、このように充放電が繰り返されることが原因で、点灯ＬＥＤ素子２１Ｂの通電オン毎に、消灯ＬＥＤ素子２１Ａへも電流が流れてしまい、消灯ＬＥＤ素子２１Ａが低輝度で点灯する薄灯現象が生じる。
【００４３】
ここで、ＬＥＤ素子２１Ａ、２１Ｂのカソード側に発生している浮遊容量４０Ａ、４０Ｂ（以下、カソード側浮遊容量と呼ぶ場合がある）を小さくすれば、消灯ＬＥＤ素子２１のカソード側浮遊容量４０Ａの充放電量を小さくでき、点灯ＬＥＤ素子２１Ｂの通電オン時にカソード側浮遊容量４０Ａへ流れ込む電流を小さくできる。よって、点灯ＬＥＤ素子２１Ｂの通電オン時に消灯ＬＥＤ素子２１Ａを流れる電流を小さくでき、薄灯現象による消灯ＬＥＤ素子２１Ａの点灯輝度を小さくできる。この点を鑑みた本実施形態では、先述した除去領域５２ａ、５３ａを設けることで、カソード側浮遊容量４０Ａ、４０Ｂを小さくすることを実現させている。
【００４４】
例えば、除去領域５２ａ、５３ａが設けられていなければ、カソード側導通経路部５１Ａ、５１Ｂと、その隣に位置する導体層５２との間で生じる浮遊容量が、カソード側浮遊容量４０Ａ、４０Ｂに対して支配的となる。これに対し、本実施形態によれば、第２導体層５２、５３のうちカソード側導通経路部５１Ａ、５１Ｂの投影範囲を全て含む部分に、除去領域５２ａ、５３ａを設ける。そのため、カソード側導通経路部５１Ａ、５１Ｂの投影範囲に位置する導体を有する導体層は、第１導体層５１から最も遠くに位置する導体層５４になる。つまり、この導体層５４のうちカソード側導通経路部５１Ａ、５１Ｂの投影範囲に位置する部分５４Ａ、５４Ｂ（図２参照）と、カソード側導通経路部５１Ａ、５１Ｂとの間で生じる浮遊容量が、カソード側浮遊容量４０Ａ、４０Ｂに対して支配的となる。
【００４５】
以上により、除去領域５２ａ、５３ａが設けられた場合のカソード側浮遊容量４０Ａ、４０Ｂの電極間距離ｄ２は、除去領域５２ａ、５３ａが設けていない場合の電極間距離ｄ１に比べて長くなると言える。よって、除去領域５２ａ、５３ａを設けることで、カソード側浮遊容量４０Ａ、４０Ｂを小さくできる。そのため、消灯ＬＥＤ素子２１Ａの薄灯現象に起因した点灯輝度を低くでき、人間には視認できない程度に、薄灯現象に起因した点灯輝度を低くすることも可能になる。
【００４６】
ここで、図示しないコンデンサ及び抵抗をＬＥＤ部品２０Ａ、２０Ｂに並列接続すれば、カソード側浮遊容量４０Ａ、４０Ｂへの充放電が回避でき、薄灯現象を解消できることについても本発明者は検討した。しかし、このように薄灯現象の解消を図ろうとすると、上記コンデンサ及び抵抗を要するため、部品点数の増大を招く。これに対し本実施形態では、除去領域５２ａ、５３ａを設けることで薄灯現象に起因した点灯輝度を低下させる。よって、部品点数の増大を招くことなく薄灯現象の対策を実現できる。
【００４７】
さらに、本実施形態では、除去領域５２ａ、５３ａが設けられる第２導体層には、第１導体層５１の隣に位置する導体層５２が含まれている。そのため、カソード側浮遊容量４０Ａ、４０Ｂの電極間距離ｄ２を十分に長くすることができ、カソード側浮遊容量４０Ａ、４０Ｂを小さくことを促進できる。
【００４８】
さらに、本実施形態では、保護素子２２Ａ、２２Ｂにツェナーダイオードを用いている。そのため、ＬＥＤ素子２１Ａ、２１Ｂの両端に所定以上の逆電圧が印加されることを防止できることに加え、ＬＥＤ素子２１Ａ、２１Ｂの順方向に過剰な電流が流れることを防止する効果も発揮されるようになる。すなわち、ＬＥＤ素子２１Ａ、２１Ｂの順方向に、ツェナー電圧以上の電圧が印加されると、保護素子２２Ａ、２２Ｂにブレークダウン現象が生じ、保護素子２２Ａ、２２Ｂの逆方向に電流が流れるようになる。これにより、ＬＥＤ素子２１Ａ、２１Ｂの順方向に過剰な電流が流れることを防止できる。
【００４９】
（第２実施形態）
上記第１実施形態では、ＬＥＤ部品２０Ａ、２０Ｂを実装する多層基板５０に、導体層５１、５２、５３、５４を４層備えた基板を用いている。これに対し本実施形態では、図６に示すように、ＬＥＤ部品２０Ａ、２０Ｂを実装する多層基板６０は、導体層６１、６２を２層備えた基板を用いている。つまり、図６に示す多層基板６０は、２つの導体層６１、６２と絶縁層６３とを交互に積層して構成されている。
【００５０】
導体層６１は、ＬＥＤ部品２０Ａ、２０Ｂが実装される第１導体層に相当する。導体層６２は、除去領域６２ａが設けられる第２導体層に相当する。そして、除去領域６２ａは、第２導体層６２のうちカソード側導通経路部６１Ａ、６１Ｂの投影範囲の全てを含むように設定されている。なお、４層の多層基板５０を２層の多層基板６０に変更した点以外は、本実施形態にかかる発光装置は上記第１実施形態と同一の構造である。
【００５１】
本実施形態によれば、除去領域６２ａが設けられた場合のカソード側浮遊容量の電極間距離ｄ４は、除去領域６２ａが設けていない場合の電極間距離ｄ３に比べて長くなる。よって、除去領域６２ａを設けることで、カソード側浮遊容量４０Ａ、４０Ｂを小さくできる。そのため、消灯ＬＥＤ素子２１Ａの薄灯現象に起因した点灯輝度を低くでき、人間には視認できない程度に、薄灯現象に起因した点灯輝度を低くすることも可能になる。
【００５２】
（他の実施形態）
本発明は上記実施形態の記載内容に限定されず、以下のように変更して実施してもよい。また、各実施形態の特徴的構成をそれぞれ任意に組み合わせるようにしてもよい。
【００５３】
・上記第１実施形態では、除去領域５２ａ、５３ａは、第２導体層５２、５３のうちカソード側導通経路部５１Ａ、５１Ｂの投影範囲の全てを含むように設定されている。これに替えて、除去領域５２ａ、５３ａは、カソード側導通経路部５１Ａ、５１Ｂの一部を含むように設定されていても良い。
【００５４】
例えば、抵抗３１ＡよりもＬＥＤ素子２１Ａの側の部分の投影範囲、つまりカソード側ランドＲ２、第１配線５１ｃ及びランドＲ３の投影範囲が除去領域５２ａ、５３ａに含まれていれば、他の部分の投影範囲は除去領域５２ａ、５３ａに含まれていなくても良い。或いは、カソード側ランドＲ２、第１配線５１ｃ及びランドＲ３の少なくとも１つの投影範囲が除去領域５２ａ、５３ａに含まれていれば、他の部分の投影範囲は除去領域５２ａ、５３ａに含まれていなくても良い。
【００５５】
・上記第１実施形態では、カソード側導通経路部５１Ａ、５１Ｂを、第３トランジスタ３０ＡよりもＬＥＤ素子２１Ａ側の部分に設定している。本発明はこのような設定に限定されるものではなく、例えば、第３トランジスタ３０Ａも含む部分をカソード側導通経路部として設定してもよい。
【００５６】
・上記第１実施形態では、ＬＥＤ素子２１Ａ、２１Ｂの両端に所定以上の逆電圧がかかることを抑制してＬＥＤ素子２１Ａ、２１Ｂを保護する保護素子２２Ａ、２２Ｂにツェナーダイオードを用いている。ツェナーダイオードは、ツェナー電圧以上の逆方向電圧により自身の逆方向へ電流を流すことが可能な半導体である。これに対し、自身の逆方向へは電流を流すことが不能なダイオードを保護素子２２Ａ、２２Ｂとして用いるようにしてもよい。
【００５７】
・上記第１実施形態では、複数の導体層５１、５２、５３、５４のうち、内層に位置する導体層５２、５３に除去領域５２ａ、５３ａを設け、最外層に位置する導体層５４については除去領域５２ａ、５３ａを設けていない。これに対し、最外層５４についても除去領域を設けるようにしてもよい。また、第１導体層５１以外の導体層の少なくとも１つに除去領域が設けてあればよい。
【符号の説明】
【００５８】
１１…第１トランジスタ（調光回路）、１２…第２トランジスタ（調光回路）、２１Ａ、２１Ｂ…発光ダイオード素子、２２Ａ、２２Ｂ…保護素子（保護用ダイオード素子）、５０、６０…多層基板、５１、６１…第１導体層、５１Ａ、５１Ｂ、６１Ａ、６１Ｂ…カソード側導通経路部、５２、５３、５４、６２…第２導体層、５２ａ、５３ａ、６２ａ…除去領域、５５、６３…絶縁層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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