(57)【要約】【課題】、柔軟かつ簡便にレシピ外操作を設定することが可能な基板処理装置を提供する。【解決手段】処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４に基板Ｗを搬送して互いに異なる処理を行う基板処理装置１において、制御部２は、搬送機構１２１、１３１は予め設定された搬送経路に従って複数の処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４に基板Ｗを順次搬送し、処理手順及び処理条件が設定された処理レシピ３５に基づいて、基板に対して処理を実行するように制御信号を出力し、設定部１５は、制御部２に対して、処理レシピの操作以外のレシピ外操作の内容とその実行タイミングとを処理モジュールごとに設定する。この実行タイミングは、基板Ｗの搬送容器Ｃが搬入ポート１１に搬入されてから、処理後の基板Ｗが搬送容器Ｃに受け渡されて搬入ポート１１より搬出されるまでの間から選択される。【選択図】図２
2014090013.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
搬入ポートに搬入された搬送容器から基板を取り出して処理モジュールに搬送し、当該基板に対して処理を行う基板処理装置において、
基板に対して処理を行う複数の処理モジュールと、
前記搬送容器から取り出された基板を搬送する搬送機構と、
基板を予め設定された搬送経路に従って前記搬送機構を介して前記複数の処理モジュールに順次搬送し、処理手順及び処理条件が設定された処理レシピに基づいて、基板に対して搬送先の処理モジュールにて処理を実行するように制御信号を出力する制御部と、
前記処理モジュールに対して行う操作であって、前記処理レシピに設定されている操作以外のレシピ外操作の内容と当該レシピ外操作を前記制御部の制御動作により実行する実行タイミングと、を前記処理モジュールごとに設定するための設定部と、を備え、
前記実行タイミングは、前記搬送容器が前記搬入ポートに搬入されてから、処理後の基板が搬送容器に受け渡されて当該搬送容器が搬入ポートより搬出されるまでの間から選択されるタイミングであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記複数の処理モジュールには、互いに異なる種類の処理を行う複数種の処理モジュールが含まれていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記搬入ポートと処理モジュールとの間の搬送経路上に、基板の搬送に係る搬送モジュールが設けられ、
前記設定部は、前記レシピ外操作の内容と前記実行タイミングとを処理モジュール及び搬送モジュールを含めたモジュール群の中からモジュールごとに設定できるように構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記レシピ外操作の内容は、当該操作の手順である動作ステップ及び、当該レシピ外操作の実行を開始するための条件を含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記レシピ外操作の実行を開始するための条件は、複数の条件の中から選択され、前記複数の条件の一つは、レシピ外操作を行う処理モジュールにて処理した基板の枚数の設定値であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記設定部は、レシピ外操作の内容と前記実行タイミングとの組み合わせを規定したテーブルであって、その組み合わせが互いに異なる複数のテーブルがモジュールごとに作成された記憶部と、各モジュールにおける一つのテーブルを前記記憶部内の複数のテーブルの中から選択する選択部と、を備え、
選択されたテーブルに定義された内容に基づいてレシピ外操作が実行されることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一つに記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記設定部は、前記テーブルを作成するための入力部を備えていることを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記複数の処理モジュールは、その内部に搬送機構が設けられた共通の搬送室に接続されていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一つに記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数種の処理モジュールを利用して基板に対する処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程においては、半導体ウエハ（以下、ウエハという）の表面で反応ガスを反応させて成膜を行う成膜モジュールや、プラズマを利用してウエハ表面に成膜された膜の表面処理などを行うプラズマ処理モジュールなど、異なる種類の処理モジュールを共通の基板搬送室に接続したマルチチャンバやクラスタツールなどと呼ばれる基板処理装置が利用されている。この基板処理装置においては、各処理モジュールに順次、ウエハを搬送することにより、異なる種類の処理が連続して行われる。
【０００３】
ウエハの処理を行っている処理モジュールは、処理手順や処理条件を設定した処理レシピなどと呼ばれるプログラムに基づいて処理モジュールにおける操作を実行する。また、これらの操作の他に、処理容器内に付着した不要な膜を除去するクリーニング操作や、処理容器内の真空状態を確認するリークチェック操作など、ウエハへの処理以外の操作（以下、コンディショニング操作という）が必要となることもある。
【０００４】
コンディショニング操作は、異なる処理モジュールでは、その内容や実行タイミング、操作の実施要否の判断基準が相違する。また、同じ処理モジュールであっても、ウエハに対して行われる処理に応じて、コンディショニング操作の設定条件などが変化することもある。このため、複数種の処理モジュールを備える基板処理装置にてコンディショニング操作の設定を自由に変更しようとすると、設定変更に必要な項目の組み合わせが膨大になってしまう。一方で、各処理モジュールの要請に応じて柔軟かつ簡便にコンディショニング操作の設定を行う手法は提案されていない。
【０００５】
ここで特許文献１には、予め設定したロット数を処理したことを条件として成膜処理を行う成膜室のガスクリーニングを実施する技術が記載されている。また、特許文献２には処理の種別に応じてクリーニング内容やその実行タイミングを変化させる基板処理装置のクリーニング方法が記載されている（但し、特許文献２に記載の「実行タイミング」とは、上述の「実施要否の判断基準」や特許文献１における「予め設定したロット数」に相当している）。しかしながらいずれの特許文献においても、複数の処理モジュールを備えた基板処理装置において、各処理モジュールに異なるコンディショニング操作を設定する具体的な手法は記載されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−１４９９９０号公報：請求項１、段落００１８
【特許文献２】特開２００７−２５０７９１号公報：請求項１、４、９、段落００６３、００８７、００９１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、処理レシピに設定されている操作以外の操作を柔軟かつ簡便に設定することが可能な基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る基板処理装置は、搬入ポートに搬入された搬送容器から基板を取り出して処理モジュールに搬送し、当該基板に対して処理を行う基板処理装置において、
基板に対して処理を行う複数の処理モジュールと、
前記搬送容器から取り出された基板を搬送する搬送機構と、
基板を予め設定された搬送経路に従って前記搬送機構を介して前記複数の処理モジュールに順次搬送し、処理手順及び処理条件が設定された処理レシピに基づいて、基板に対して搬送先の処理モジュールにて処理を実行するように制御信号を出力する制御部と、
前記処理モジュールに対して行う操作であって、前記処理レシピに設定されている操作以外のレシピ外操作の内容と当該レシピ外操作を前記制御部の制御動作により実行する実行タイミングと、を前記処理モジュールごとに設定するための設定部と、を備え、
前記実行タイミングは、前記搬送容器が前記搬入ポートに搬入されてから、処理後の基板が搬送容器に受け渡されて当該搬送容器が搬入ポートより搬出されるまでの間から選択されるタイミングであることを特徴とする。
【０００９】
前記基板処理装置は以下の特徴を備えていてもよい。  
（ａ）前記複数の処理モジュールには、互いに異なる種類の処理を行う複数種の処理モジュールが含まれていること。
（ｂ）前記搬入ポートと処理モジュールとの間の搬送経路上に、基板の搬送に係る搬送モジュールが設けられ、前記設定部は、前記レシピ外操作の内容と前記実行タイミングとを処理モジュール及び搬送モジュールを含めたモジュール群の中からモジュールごとに設定できるように構成されていること。  
（ｃ）前記レシピ外操作の内容は、当該操作の手順である動作ステップ及び、当該レシピ外操作の実行を開始するための条件を含むこと。
（ｄ）前記レシピ外操作の実行を開始するための条件は、複数の条件の中から選択され、前記複数の条件の一つは、レシピ外操作を行う処理モジュールにて処理した基板の枚数の設定値であること。
（ｅ）前記設定部は、レシピ外操作の内容と前記実行タイミングとの組み合わせを規定したテーブルであって、その組み合わせが互いに異なる複数のテーブルがモジュールごとに作成された記憶部と、各モジュールにおける一つのテーブルを前記記憶部内の複数のテーブルの中から選択する選択部と、を備え、選択されたテーブルに定義された内容に基づいてレシピ外操作が実行されること。このとき、前記設定部は、前記テーブルを作成するための入力部を備えていること。
（ｆ）前記複数の処理モジュールは、その内部に搬送機構が設けられた共通の搬送室に接続されていること。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、各処理モジュールにて行われる操作を処理レシピに設定されている操作とそれ以外のレシピ外操作とに分け、このレシピ外操作についてその内容及び実行タイミングを処理モジュールごとに設定するので、多様な内容のレシピ外操作を柔軟かつ簡便に設定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施の形態に関わる基板処理装置の平面図である。
【図２】前記基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図３】前記基板処理装置を制御するシステムレシピの構成を示す説明図である。
【図４】前記システムレシピ内のコンディショニングレシピに設定されるメンテナンスマクロの一例を示す説明図である。
【図５】前記メンテナンスマクロの他の例を示す説明図である。
【図６】前記コンディショニングレシピの設定内容を示すコンディショニングテーブルである。
【図７】前記システムレシピの設定画面の説明図である。
【図８】前記コンディショニングテーブルの設定画面の第１の説明図である。
【図９】前記コンディショニングテーブル設定画面の第２の説明図である。
【図１０】前記コンディショニングテーブル設定画面の第３の説明図である。
【図１１】前記コンディショニングテーブル設定画面の第４の説明図である。
【図１２】前記コンディショニングテーブル設定画面の第５の説明図である。
【図１３】前記コンディショニングテーブル設定画面の第６の説明図である。
【図１４】前記コンディショニングテーブル設定画面の第７の説明図である。
【図１５】前記基板処理装置における処理の流れを示す第１の説明図である。
【図１６】前記基板処理装置における処理の流れを示す第２の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の実施の形態として、ウエハＷに対してＴｉ膜やＴｉＮ膜の成膜及びこれらの膜に対するプラズマ処理を実行する処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４を備えた基板処理装置１の例について説明する。図１に示すように、基板処理装置１は、処理対象のウエハＷを所定枚数収容したキャリアＣ（搬送容器）が載置されるキャリア載置台１１と、キャリアＣから取り出されたウエハＷを大気雰囲気下で搬送する大気搬送室１２と、内部の状態を大気雰囲気と予備真空雰囲気とに切り替えてウエハＷを待機させるためのロードロックモジュールＬＬＭ１、ＬＬＭ２と、真空雰囲気下でウエハＷを搬送する真空搬送室１３と、ウエハＷにプロセス処理を施すための処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４と、を備えている。これらの機器は、ウエハＷの搬入方向に対して、大気搬送室１２、ロードロックモジュールＬＬＭ１、ＬＬＭ２、真空搬送室１３、処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４の順で並んでおり、隣り合う機器同士はドアＧ１、ドアバルブＧ２やゲートバルブＧ３〜Ｇ４を介して気密に接続されている。載置台１１は、本例におけるキャリアＣの搬入ポートに相当している。
【００１３】
大気搬送室１２内にはキャリアＣからウエハＷを１枚ずつ取り出して、搬送するための、回転、伸縮、昇降及び左右への移動自在な搬送アーム１２１が設けられている。また大気搬送室１２の側面には、ウエハＷの位置合わせを行うためのオリエンタを内蔵したアライメント室１４が設けられている。
【００１４】
ロードロックモジュールＬＬＭ１、ＬＬＭ２は、大気搬送室１２と真空搬送室１３との間を繋ぐように、キャリア載置台１１側から見て左右方向に２個並べて設けられている。各ロードロックモジュールＬＬＭ１、ＬＬＭ２には、搬入されたウエハＷを載置する載置台１６が設けられていると共に、各々のロードロックモジュールＬＬＭ１、ＬＬＭ２を大気雰囲気と真空雰囲気とに切り替えるための図示しない真空ポンプやリーク弁が接続されている。
【００１５】
真空搬送室１３は、例えばその平面形状が六角形状に形成され、その内部は真空雰囲気となっている。真空搬送室１３の手前側の２辺には既述のロードロックモジュールＬＬＭ１、ＬＬＭ２が接続される一方、残る４辺には処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４が接続されている。真空搬送室１３内には、ロードロックモジュールＬＬＭ１、ＬＬＭ２と各処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４との間でウエハＷを搬送するための、回転及び伸縮自在な搬送アーム１３１が設置され、また真空搬送室１３は、その内部を真空雰囲気に保つための図示しない真空ポンプと接続されている。
【００１６】
上述の各搬送アーム１２１、１３１は、本例の搬送機構に相当し、これら搬送アーム１２１、１３１と大気搬送室１２、真空搬送室１３とにより各々搬送モジュールが構成されている。また本例では、これら２つの搬送モジュールを繋ぐ各ロードロックモジュールＬＬＭ１、ＬＬＭ２についても搬送モジュールを構成している。
【００１７】
処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４は、ウエハＷに対して種類の異なる処理を実行する。本例において処理モジュールＰＭ１、ＰＭ２は、真空雰囲気の処理容器内に配置されたウエハＷの表面で反応ガスを反応させて薄膜を成膜する成膜モジュールとして構成されている。処理モジュールＰＭ１、ＰＭ２は、互いに異なる種類の薄膜を成膜することが可能であり、例えば処理モジュールＰＭ１はＴｉ膜の成膜を行い、処理モジュールＰＭ２はＴｉＮ膜の成膜を行う。
【００１８】
一方、処理モジュールＰＭ３、ＰＭ４は、処理容器の天井部に高周波アンテナが設けられており、真空雰囲気の処理容器内に供給された処理ガスをプラズマ化することによりウエハＷ表面の薄膜に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理モジュールである。  
なお、上述の処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４は、本発明の実施の形態を説明するうえでの仮想的な組み合わせを例示したものである。従って、本発明が適用される基板処理装置１おける処理モジュールの設置数やその種類、組み合わせは、これに限定されるものではない。例えば、上述の成膜モジュールやプラズマ処理モジュールの他、エッチングガスによりウエハＷ表面の薄膜のエッチング処理を行うエッチングモジュールや、エッチングの後、ウエハＷ表面のレジスト膜をプラズマで分解、除去するプラズマアッシングモジュールなどを設けてもよいことは勿論である。
【００１９】
さらに図１、図２に示すように、この基板処理装置１には、制御部２が設けられている。制御部２はＣＰＵ２１と記憶部２２とを備えたコンピュータからなり、この記憶部には上述したウエハＷの処理動作を実行させる制御信号を出力するためのステップ（命令）群が組まれたプログラムが記録されている。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリカードなどの記憶媒体に格納され、そこから記憶部にインストールされる。記憶部２２に格納されたプログラムや設定値は、大気搬送室１２の側壁面に設けられ、本例の設定部を成すタッチパネルディスプレイ１５を介して編集することができる。
【００２０】
以上に説明した基板処理装置１によるウエハＷの処理動作について簡単に説明しておく。キャリア載置台１１上のキャリアＣに収容されたウエハＷは、搬送アーム１２１によって取り出され大気搬送室１２内を搬送される途中でアライメント室１４にて位置決めをされた後、左右いずれかのロードロックモジュールＬＬＭ１、ＬＬＭ２に受け渡される。しかる後、ロードロックモジュールＬＬＭ１、ＬＬＭ２内が予備真空雰囲気となったら、ウエハＷは搬送アーム１３１によって取り出され、真空搬送室１３内を搬送される。その後、ウエハＷは、真空搬送室１３と処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４との間を搬送されながら、所定の処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４内で順次、処理を受ける。処理後のウエハＷは、搬入時とは反対の経路（アライメント室１４を除く）を通って搬出され再びキャリアＣに収容される。
【００２１】
ここで本実施の形態に関わる基板処理装置１は、背景技術にて説明したコンディショニング操作の設定を処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４ごとに受け付け、その設定に基づいてコンディショニング操作を実行する機能を備えている。以下、図２〜図１４を参照しながら当該機能の詳細について説明する。
【００２２】
図２に示すように、制御部２を構成する記憶部２２には、基板処理装置１全体の動作手順や動作条件を設定したプログラムであるシステムレシピ３１と、このシステムレシピ３１を構成するプログラムや設定値を含む処理レシピ３５やコンディショニングテーブル３２１、３２２、３４１、メンテナンスマクロ３３が格納されている。図２の記憶部２２内に示した矢印は、これらのプログラムや設定値の参照関係を示している。
【００２３】
図３に示すようにシステムレシピ３１は、ウエハＷの搬送経路を定めた「搬送経路３６」と、各処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４にてウエハＷに対して実施する処理に関する操作の内容を定めた「処理レシピ３５」と、各処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４のコンディショニング操作を定めた「ＰＭコンディショニングレシピ３２」と、ウエハＷの搬送系のコンディショニング操作を定めた「搬送系コンディショニングレシピ３４」と、によって構成されている。
【００２４】
搬送経路３６は、基板処理装置１内でウエハＷが搬送される経路を示す情報であり、搬送ステップと、各搬送ステップにおいてウエハＷが搬送される搬送先のモジュール（ロードロックモジュールＬＬＭ１、ＬＬＭ２、処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４）に関する情報が含まれる。図７は、タッチパネルディスプレイ１５に表示されるシステムレシピ３１の編集画面の一例を示している。システムレシピ編集領域４１中のステップ表示欄４１１には搬送ステップが表示され、モジュール表示欄４１２には搬送先のモジュールが表示されている。
【００２５】
図７によれば、「Ｄｅｐｏ−Ｐｌａｓｍａ」とういうレシピ名のシステムレシピ３１は、搬送ステップ１〜４の順に、ロードロックモジュールＬＬＭ１またはＬＬＭ２→処理モジュールＰＭ１→処理モジュールＰＭ３→ロードロックモジュールＬＬＭ１またはＬＬＭ２へとウエハＷを搬送する設定となっている。搬送経路３６は、予め別の搬送経路設定画面（不図示）を介して設定されている。また搬送経路３６は、モジュール表示欄４１２を各ステップに対応するボタンとし、当該ボタンを押すことによって各ステップの搬送先モジュールを選択するようにしても良い。  
また、図７中の終了ボタン４０１は、当該画面を利用した編集を終了するボタンであり、保存ボタン４０２はその編集結果を保存するボタンである。また、上下ボタン４０３はシステムレシピ編集領域４１等のスクロールに用いる。
【００２６】
次に処理レシピ３５には、図３に示すように、各処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４における処理容器内の圧力やプロセスガス（反応ガスや処理ガス）の流量、処理時間などの処理条件や処理手順が設定されている。各処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４は、ウエハＷの搬入後、処理レシピ３５の設定に基づいて操作を実行し、これによりウエハＷの処理が実施される。
【００２７】
各処理レシピ３５は、予め別の処理レシピ設定画面（不図示）を介して設定したり、外部のコンピュータなどで予め作成したりしたものを記憶部２２に保存することができる。また、本例の基板処理装置１は、処理を終えたウエハＷの搬出時に、大気雰囲気下のロードロックモジュールＬＬＭ１、ＬＬＭ２内にて、ウエハＷの温度が予め設定された温度以下になるまで冷却させる動作に係る条件や手順も処理レシピ３５に含んでいる。
【００２８】
図７に示した例では、システムレシピ編集領域４１の搬送ステップの番号と対応付けて配置されているカラムを処理レシピ表示欄４１３から選択すると、不図示の処理レシピ選択画面が表示され、この処理レシピ選択画面を介してウエハＷの搬送先のモジュール（処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４、ロードロックモジュールＬＬＭ１、ＬＬＭ２）の処理レシピ３５を選択することができる。この結果、システムレシピ編集領域４１の各カラムには、選択された処理レシピ３５のレシピ名がウエハＷの搬送ステップ順に表示される。
【００２９】
図７に示すシステムレシピ編集領域４１において、処理モジュールＰＭ１に対して選択されている「Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ０１」は、ウエハＷの表面にＴｉ膜を成膜するための処理レシピ３５であり、処理モジュールＰＭ３に対して選択されている「Ｐｌａｓｍａ０２」は、ウエハＷ表面の薄膜に対してプラズマ処理を行うための処理レシピ３５である。また、ロードロックモジュールＬＬＭ１、ＬＬＭ２に対して選択されている「Ｃｏｏｌｉｎｇ０１」は、処理後のウエハＷを所定温度まで冷却するための処理レシピ３５である。
【００３０】
従って、図７のシステムレシピ編集領域４１にて選択されている処理レシピ３５によれば、ウエハＷは、まず処理モジュールＰＭ１にてその表面にＴｉ膜が成膜され、次いで、処理モジュールＰＭ３にてこのＴｉ膜にプラズマ処理が行われた後、ロードロックモジュールＬＬＭ１、ＬＬＭ２にて冷却されてからキャリアＣへと搬送される。
【００３１】
本例の基板処理装置１においては、上述の処理レシピ３５に設定されている操作以外のコンディショニング操作（レシピ外操作）を、処理レシピ３５とは独立して設定することができる。図３に示すようにシステムレシピ３１中に含まれるＰＭコンディショニングレシピ３２には、処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４のコンディショニング操作を実行するための実行手順や操作の条件が設定されている。また、搬送系コンディショニングレシピ３４には、搬送アーム１２１、１３１やロードロックモジュールＬＬＭ１、ＬＬＭ２などのコンディショニング操作を実行するための実行手順や操作の条件が設定されている。
【００３２】
図３には、ＰＭコンディショニングレシピ３２に設定される実行手順や操作のより詳細な内容を併記してある。ＰＭコンディショニングレシピ３２は、コンディショニング操作が実行されるタイミングを定める「実行タイミング」と、そのタイミングで実行されるコンディショニング操作の内容を定める「実行内容」とにより構成されている。この実行内容には、コンディショニング操作を実行するか否かの判断基準（コンディショニング操作を開始するための条件）を定める「実行条件」と、当該判断を行う間隔を定める「実行単位」、及びコンディショニング操作で実行される操作の具体的な内容を定めた「メンテナンスマクロ」と、が含まれている。
【００３３】
本例の「実行タイミング」には、キャリアＣが載置台１１に搬入されてから、処理後のウエハＷがキャリアＣに受け渡されて当該キャリアＣが載置台１１より搬出されるまでの間から「プロローグ、搬入前、搬入後、搬出前、搬出後、エピローグ」の６つのタイミングを選択することが可能であり、こられのタイミングにおいてコンディショニング操作を実行することができる。  
「プロローグ」は、ロットの開始時に前記操作を実行する設定であり、「エピローグ」は、ロットの終了時に同操作を実行する設定である。
【００３４】
また「搬入前」は、処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４へウエハＷを搬入する前に操作を実行する設定であり、「搬入後」は同モジュールＰＭ１〜ＰＭ４からウエハＷを搬入した後に操作を実行する設定である。一方、「搬出前」はウエハＷの処理の完了後、処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４からウエハＷを搬出する前に操作を実行する設定であり、「搬出後」は同モジュールＰＭ１〜ＰＭ４からウエハＷを搬出した後に操作を実行する設定である。
【００３５】
次に、「実行内容」のうち「実行条件」は、処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４に対して実行されるコンディショニング操作の種類、及び当該操作を実行するか否かの判断基準を定める。  
例えばコンディショニング操作の１つとして、真空雰囲気下で成膜処理やプラズマ処理を行う成膜モジュール（処理モジュールＰＭ１、ＰＭ２）、プラズマ処理モジュール（処理モジュールＰＭ３、ＰＭ４）では、処理容器内を適切な真空雰囲気に維持できることを確かめるためのリーク測定が行われる。リーク測定は処理容器内を真空排気した後、排気を停止し、処理容器内の圧力の経時変化を測定することにより開閉弁のリーク等をチェックする。
【００３６】
このコンディショニング操作を実行するための判断基準として、本例ではウエハＷの処理枚数（枚数）、各処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４のアイドル状態の継続時間、などを設定することができる。ここで成膜モジュール（処理モジュールＰＭ１、ＰＭ２）は、ウエハＷを加熱し、その表面で反応ガスを反応させる成膜法を採用しているとする。この場合、プラズマ処理モジュール（処理モジュールＰＭ３、ＰＭ４）とは、処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４の各機器が曝される苛酷度が大きく異なる。このため、同種のコンディショニング操作を実行する場合であっても、その実行要否の判断基準は処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４の処理の内容に応じて適切な基準が設定される。この結果、判断基準の設定値についても処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４ごとに異なり、例えば枚数を設定値としたとき成膜モジュールでは１００枚ごとにリークチェックを実行し、プラズマ処理モジュールでは２００枚ごとにリークチェックを実行するといった設定がなされる。
【００３７】
また、コンディショニング操作の種類も処理の内容に応じて異なる場合があり、成膜モジュール（処理モジュールＰＭ１、ＰＭ２）では、所定枚数ごとや、例えばウエハＷに成膜した膜厚の積算値が予め設定された値を超えるたびに、フッ素系のクリーニングガスを供給して機器の表面に堆積した膜を除去するクリーニング操作を行う。一方、プラズマ処理モジュール（処理モジュールＰＭ１、ＰＭ２）では、例えば起動時のアイドル時間の経過後、高周波アンテナへの電力を供給する給電部の通電チェックなどが行われる。
【００３８】
このほか、「実行条件」には積算の膜厚など、実行要否の判断基準を設けることは必須ではなく、実行内容の設定時に所定の種類のコンディショニング操作が選択されたことをもってその操作の実行開始の条件としてもよい。  本例では、成膜モジュール及びプラズマ処理モジュールの例を挙げて説明を行っているが、他の種類の処理モジュールが設けられている場合には、その処理内容に応じて適切なコンディショニング操作の種類やその実行要否の判断基準が定められる。
【００３９】
続いて、「実行内容」の「実行単位」は、コンディショニング操作の要否の判断を行う間隔がキャリア単位（図３、図１１中に「ＣＡ」と記してある）であるか、ウエハ単位（同図中に「ＷＳ」と記してある）であるかを定める。  
例えば、「プロローグ」の実行タイミングで「膜厚」をコンディショニング操作の実行の判断基準としたとき、「キャリア単位」が選択されていれば、キャリアＣから取り出されたウエハＷが、各処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４に最初に搬入される前に、膜厚の積算値が予め定めたしきい値を超えているか否かを判断する。一方、「ウエハ単位」が選択されている場合は、各ウエハＷが搬入される前にこの判断を行う。
【００４０】
表現を変えて説明すると、「キャリア単位」が選択されている場合には、あるキャリアＣ内に収容されているウエハＷを処理している期間中に、膜厚の積算値がしきい値を超えたとしても、当該キャリアＣ内のウエハＷを処理している期間中は、コンディショニング操作の実行要否の判断を行わず、次のキャリアＣの処理の開始時に当該判断が行われる。一方、「ウエハ単位」が選択されている場合には、各ウエハＷの処理時に当該判断が行われ、共通のキャリアＣ内のウエハＷを処理している途中であっても、膜厚の積算値がしきい値を超えた時点でコンディショニング操作が実行される。
【００４１】
また、「プロローグ、エピローグ」の実行タイミングでは、ロットごとにコンディショニング操作を実行する設定となっているが、本例の基板処理装置１では１つのキャリアＣに収容されたウエハＷに対して複数のロットを設定できる。例えば２５枚のウエハＷを収容したキャリアＣにて、最上段の１〜１０段目のスロットに保持されたウエハＷに対して、共通のシステムレシピを用いて処理を行う際、これら１０枚のウエハＷが１ロットとなる。そして、１１〜２０段目に第２のシステムレシピ、２１〜２５段目に第３のシステムレシピが設定されている場合、当該キャリアＣには３つのロットが含まれることになる。
【００４２】
このとき、「プロローグ」の実行タイミングで「キャリア単位」が選択されると、キャリアＣ内に複数のロットが含まれていたとしても、当該キャリアＣ内の１枚目のウエハＷの処理の開始時（例えば、キャリアＣから取り出されたウエハＷが各処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４に最初に搬入される前のタイミング。）についてのみコンディショニング操作の要否が判断される。一方、同じ実行タイミングで「ウエハ単位」が選択されている場合には、キャリアＣ内の各ロットの最初のウエハＷが各処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４に最初に搬入される前に当該判断が行われる。
【００４３】
最後に「実行内容」の「メンテナンスマクロ３３」は、「実行条件」にて選択されたコンディショニング操作の種類に応じて処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４に実行させる操作のコマンドや設定値、及び複数のコマンドの実行順を定めたプログラムである。
【００４４】
図４、図５は、Ｔｉ成膜を行う処理モジュールＰＭ１についてのメンテナンスマクロの構成例を示している。図４に示した「Ｃｏｎｄ／Ｌｅａｋ  Ｒａｔｅ」というマクロ名のメンテナンスマクロ３３は、「リークレート、ＣＭ０点調整、レシピ」という３つのコマンドがこの動作ステップ順に実行される。
【００４５】
「リークレート」コマンドは、既述のように処理容器内の圧力の経時変化を測定する操作を実行するコマンドであり、「ＣＭ０点調整」は圧力計の０点調整の操作を実行するコマンドである。これらのコマンドは、コンディショニング操作の種類に応じて予め用意されたコマンドリストの中から選択される。これらのコマンドには、ユーザーからコンディショニング操作に関する設定を受け付けることが可能になっているものがある。設定の内容としては、クリーニングガスの供給時間や処理容器の圧力などを例示することができる。図４に示したメンテナンスマクロ３３における「ＣＭ０点調整」の「選択あり」とは、複数の圧力計のうち０点調整を行う圧力計がユーザーによって選択されていることを示している
【００４６】
一方、「レシピ」コマンドは、ユーザーが作成するコマンドであり、制御部２から制御信号を出力可能な処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４の動作の中から、ユーザー自身がコマンドの内容を設定できる。例えば、図４に示した「レシピ」は、ウエハＷが載置される載置台の温度調節を行う操作のコマンドであり、設定値１の欄には実行されるレシピの名称が表示されている。例えばレシピ名「Ｔｅｍｐ  Ｓｔａｂ」には、コンディショニング操作時の載置台の昇温操作に関するプログラムが設定されている。
【００４７】
レシピは、予めメンテナンスマクロのレシピ設定画面（不図示）を介して設定したり外部のコンピュータなどで予め作成したりしたものを記憶部２２に保存しておき、これを読み出して利用することができる。例えば、図５の「Ｃｏｎｄ／Ｂｅｆｏｒｅ」というマクロ名のメンテナンスマクロ３３においては、ユーザーが作成した「Ｔｅｍｐ  Ｓｔａｂ」と「Ｐｒｅｃｏａｔ」の２つのレシピがこの動作ステップ順に実行される。例えばレシピ名「Ｐｒｅｃａｔｏ」は、クリーニングの実施後に処理容器内の機器の表面に、保護用のＴｉ膜を堆積させる操作である。
【００４８】
以上に説明した「実行タイミング、実行内容（実行条件、実行単位、メンテナンスマクロ）」は、ＰＭコンディショニングテーブル３２１、３２２単位で管理される。図６に示すようにＰＭコンディショニングテーブル３２１、３２２は、実行タイミングに対応付けて実行内容をまとめたテーブルである。コンディショニング操作は、このＰＭコンディショニングテーブル３２１、３２２に設定されている実行タイミングの順（プロローグ→搬入前コンディショニング→…→エピローグ）に、実行内容として設定された操作が実行される。また、各実行タイミングにおいては、複数の実行内容を設定することが可能であり、これらの実行内容は、予め設定された実行順（図６中に「Ｎｏ．１〜Ｎｏ．１０」と表示してある）に実行される。図２に示すようにＰＭコンディショニングテーブル３２１、３２２は、処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４ごとに複数、作成することが可能であり、これらから選択されたＰＭコンディショニングテーブル３２１、３２２を参照してシステムレシピ３１中のＰＭコンディショニングレシピが設定される。
【００４９】
次に、図８〜図１３を参照し、タッチパネルディスプレイ１５を介してコンディショニングテーブル３２１、３２２を編集する手法について説明する。図８はＴｉ成膜を行う処理モジュールＰＭ１のコンディショニングテーブル編集画面の一例を示しており、同画面中には、実行タイミング選択ボタン４２１とコンディショニングテーブル編集領域４２とが表示されている。  
実行タイミング選択ボタン４２１は、実行タイミングに対応する６個のボタンが表示されており、各ボタンを選択するとコンディショニングテーブル編集領域４２の表示が切り替わり、その実行タイミングにて実行されるコンディショニング操作の実行内容の設定を受け付ける。
【００５０】
コンディショニングテーブル編集領域４２中の実行順表示欄４２２には各実行内容の実行順が表示されており、当該順番で実行される実行内容（実行条件、実行単位、メンテナンスマクロ）が各々実行条件表示欄４２３、実行単位表示欄４２４、メンテナンスマクロ名表示欄４２５に表示される。
【００５１】
例えば「プロローグ」の実行タイミング選択ボタン４２１を選択した状態で、実行条件表示欄４２３のカラムを選択すると、図９に示すように実行条件選択ウインドウ４２６が開く。実行条件選択ウインドウ４２６には、実行条件選択ボタン４２７が表示されており、これらのボタン４２７の中から実行条件を選択する。これにより、Ｔｉ成膜の処理モジュールＰＭ１にてプロローグ時に実行可能なコンディショニング操作の種類及びその実行要否の判断基準を選択することができる（図９）。なお、図中のハッチを付した強調表示は、当該ボタン４２１、４２７やカラムが選択されていることを示している。
【００５２】
図１０に示すように、実行条件選択ウインドウ４２６に表示される実行条件選択ボタン４２７の内容は、選択された実行タイミング選択ボタン４２１に応じて変化する。これにより、各実行タイミングで実行可能なコンディショニング操作の種類や実行要否の判断基準を間違えて選択しないようになっている。
【００５３】
次に、実行単位表示欄４２４のカラムを選択して実行単位選択ウインドウ（不図示）を介して「キャリア単位、ウエハ単位」の実行単位を選択し、またメンテナンスマクロ名表示欄４２５のカラムを選択してメンテナンスマクロ選択ウインドウ（不図示）を介してメンテナンスマクロ３３を選択する。このとき、メンテナンスマクロ選択ウインドウには、実行条件表示欄４２３にて選択された実行条件に対応して選択可能なメンテナンスマクロ３３のみを表示するとよい。また、例えばユーザーが作成したレシピを含むメンテナンスマクロ３３を用いる場合には、メンテナンスマクロ３３と合わせて実行条件選択ボタン４２７の生成コマンドの設定を行い、そのメンテナンスマクロ３３の実行に適した実行条件を実行条件選択ウインドウ４２６に表示できるようにしてもよい。
【００５４】
ここで図８〜図１４に示すコンディショニングテーブル編集画面においては、上下ボタン４０３は、コンディショニングテーブル編集領域４２に表示されている実行内容の実行順を並べ替える役割を果たす。例えば図８において、実行順１の「毎回」を選択した後、上下ボタン４０３の下矢印を押すと、当該実行内容が行ごと（実行条件、実行単位、メンテナンスマクロがセットで）下方側へ移動する。この結果、実行順１「アイドル時間経過後」、実行順２「毎回」と、実行内容を並べ変えることができる。
【００５５】
以上の選択操作により、必要な実行タイミングごとにコンディショニング操作の実行内容やその実行順の設定が行われる。コンディショニングテーブルの編集画面は、処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４ごとに設けられている。例えば図１１〜図１３は、プラズマ処理モジュール（処理モジュールＰＭ３）のコンディショニングテーブルの編集画面を示しており、図８〜図１０の編集画面と共通構成要素は、これらの図に示したものと同様の符号を付してある。  
図１２、図１３に示すように、プラズマ処理を行う処理モジュールＰＭ３の実行条件選択ウインドウ４２６には、Ｔｉ成膜の処理モジュールＰＭ１とは異なる実行条件が表示される。この結果、各処理モジュールＰＭ１、ＰＭ４で実行される処理に応じた種類のコンディショニング操作が設定される。
ここで、タッチパネルディスプレイ１５に表示されるＰＭコンディショニングテーブル３２１、３２２の編集画面は、本実施の形態の入力部に相当している。
【００５６】
各編集画面でコンディショニングテーブルの編集が完了したら、保存ボタン４０２を押し、コンディショニングテーブル保存ウインドウ（不図示）を介してテーブル番号やテーブル名称を設定すると、当該名称のＰＭコンディショニングテーブル３２１、３２２が記憶部２２に保存される（図２）。しかる後、終了ボタン４０１を選択してＰＭコンディショニングテーブル３２１、３２２の編集を終える。
【００５７】
この他、予め設定されているＰＭコンディショニングテーブル３２１、３２２を選択することができるようにしてもよい。選択したＰＭコンディショニングテーブル３２１、３２２の設定内容は、コンディショニングテーブル編集領域４２に表示されて編集可能となる。編集されたコンディショニングテーブルは、例えばテーブル番号の記載部分をテーブル番号ボタンとし、このボタンを介して新たなテーブル番号を付すことにより、新たなＰＭコンディショニングテーブル３２１、３２２として保存することができる。また、テーブル番号を変更せずに既存のＰＭコンディショニングテーブル３２１、３２２に上書きしてもよい。
【００５８】
図７に示すシステムレシピ３１の編集画面では、コンディショニングテーブル表示欄４１４のカラムを選択すると、予め作成しておいたＰＭコンディショニングテーブル３２１、３２２の選択ウインドウ（不図示）が表示される。各カラムでは、モジュール表示欄４１２に表示された処理モジュールＰＭ１、ＰＭ３に対応するコンディショニングレシピを選択することが可能である。ＰＭコンディショニングレシピは、ここで選択されたＰＭコンディショニングテーブル３２１、３２２に基づいて生成される。この観点において、タッチパネルディスプレイ１５に表示されるシステムレシピ３１の編集画面は、本実施の形態の選択部に相当する。
【００５９】
図３に示したシステムレシピ３１の説明に戻ると、処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４のＰＭコンディショニングテーブル３２１、３２２に加え、搬送アーム１２１、１３１やロードロックモジュールＬＬＭ１、ＬＬＭ２など、搬送系のコンディショニングレシピの設定も行うことができる。搬送系コンディショニングレシピは、実行タイミング及び実行内容を含み、実行内容には実行条件と、実行単位と、メンテナンスマクロとを含む点は、ＰＭコンディショニングレシピの場合と同様である。但し、搬送系コンディショニングレシピの実行タイミングは、「プロローグ、エピローグ」の２つのタイミングである点がＰＭコンディショニングレシピと異なる。
【００６０】
そしてこの搬送系コンディショニングレシピを生成するための搬送系コンディショニングテーブル３４１についてもコンディショニングテーブル編集画面（図１４）を用い、実行タイミングごとにコンディショニングテーブル３４１の設定が行われる点や、記憶部２２に保存された搬送系コンディショニングテーブル３４１（図２）をシステムレシピ３１の編集画面のコンディショニングテーブル表示欄４１４から選択する点についてもＰＭコンディショニングレシピの場合と同様である。搬送系コンディショニングテーブル３４１の編集画面も本実施の形態の入力部に相当する。  
搬送系のコンディショニング操作の例としては、ロードロックモジュールＬＬＭ１、ＬＬＭ２のリークチェック操作や、搬送アーム１２１、１３１の表面に反応ガスに起因する反応生成物が堆積するのを防止するために、処理開始前にウエハＷを保持しない状態で搬送アーム１２１、１３１を動作させて表面温度を上昇させる暖機操作などがある。
【００６１】
こうして、編集画面を介したシステムレシピ３１の編集が完了したら、保存ボタン４０２にてシステムレシピ３１を保存し、終了ボタン４０１にて当該編集画面を閉じる。そして、システムレシピ３１の選択ウインドウ（不図示）を介して、キャリアＣ内のウエハＷに対して実行されるシステムレシピ３１をロットごとに選択し、ウエハＷの処理及びコンディショニング操作を実行する。
【００６２】
以下、図１５、図１６のシーケンス図を参照しながら基板処理装置１のシステム全体、及び処理モジュールＰＭ１、ＰＭ３にて実行される処理について説明する。  
初めに、ロット処理が開始されると（図１５のＰ１０１）、搬送系（搬送アーム１２１、１３１、ロードロックモジュールＬＬＭ１、ＬＬＭ２）及び処理モジュールＰＭ１、ＰＭ３についてプロローグのタイミングでのコンディショニング操作を実行する必要があるか否かを確認する。そして実行する必要がある場合には、コンディショニングレシピの設定に基づいてコンディショニング操作を実行する（Ｐ１０２、Ｐ２０１、Ｐ３０１）。
【００６３】
次いで、先にウエハＷが搬送される処理モジュールＰＭ１では、搬入前の実行タイミングにおいてコンディショニング操作が必要か否かを確認し、必要な場合にはコンディショニング操作を実行する（Ｐ２０２）。システム側は、搬送先の処理モジュールＰＭ１にて搬入前のコンディショニング操作が必要か否かを確認し、必要な場合には当該操作が完了していることを確認してから処理モジュールＰＭ１にウエハＷを搬入する（Ｐ１０３、１０４）。
【００６４】
ウエハＷが搬入されると、当該処理モジュールＰＭ１では、搬入後の実行タイミングにおいてコンディショニング操作が必要か否かを確認し、必要な場合にはコンディショニング操作を実行する（Ｐ２０３）。次いで、処理レシピ３５の設定に基づいてウエハＷへのＴｉ膜の成膜処理を実行（Ｐ２０４）する。この処理を終えたら搬出前の実行タイミングにてコンディショニング操作の必要か否かを確認し、必要な場合にはコンディショニング操作を実行する（Ｐ２０５）。
【００６５】
システム側は、処理が完了した処理モジュールＰＭ１にて搬出前にコンディショニング操作が必要か否かを確認し、必要な場合には当該操作が完了していることを確認してから処理モジュールＰＭ１よりウエハＷを搬出する（Ｐ１０５、１０６）。一方、処理モジュールＰＭ１は、搬出後の実行タイミングにてコンディショニング操作の実行が必要か否かを確認し、必要な場合にはコンディショニング操作を実行する（Ｐ２０６）。  
システム側及び処理モジュールＰＭ１は、後段の処理モジュールＰＭ３との間のウエハＷの搬入、搬出のタイミングを計りながらＰ１０３〜１０６、Ｐ２０２〜２０６に記載の処理を繰り返す。
【００６６】
一方、プラズマ処理を行う処理モジュールＰＭ３においては、搬入前の実行タイミングにてコンディショニング操作が必要か否かを確認し、必要な場合にはこれを実行する（図１６のＰ３０２）。システム側は、搬送先の処理モジュールＰＭ３にて搬入前にコンディショニング操作が必要か否かを確認し、必要な場合には当該操作が完了していることを確認してから処理モジュールＰＭ１で処理されたウエハＷを処理モジュールＰＭ３に搬入する（Ｐ１０７、１０８）。
【００６７】
ウエハＷが搬入されると、当該処理モジュールＰＭ３は、搬入後の実行タイミングにてコンディショニング操作が必要か否かを確認し、必要な場合にはコンディショニング操作を実行する（Ｐ３０３）。次いで、処理レシピ３５の設定に基づいてＴｉ膜へのプラズマ処理を実行する（Ｐ３０４）。この処理を終えたら搬出前の実行タイミングにてコンディショニング操作が必要か否かを確認し、必要な場合にはコンディショニング操作を実行する（Ｐ３０５）。
【００６８】
システム側は、処理が完了した処理モジュールＰＭ３にて搬出前にコンディショニング操作が必要か否かを確認し、必要な場合には当該操作が完了してから処理モジュールＰＭ３よりウエハＷを搬出し、キャリアＣへの搬送を行う（Ｐ１０９、１１０）。一方、処理モジュールＰＭ３は、搬出後の実行タイミングにおいてコンディショニング操作が必要か否かを確認し、必要な場合にはこれを実行する（Ｐ３０６）。
システム側及び処理モジュールＰＭ３は、前段の処理モジュールＰＭ１との間の搬入、搬出のタイミングを計りながらＰ１０７〜１１０、Ｐ３０２〜３０６に記載の処理を繰り返す。
【００６９】
こうして共通のロット内のウエハＷに対する処理が終了したら（Ｐ１１１）、搬送系、処理モジュールＰＭ１、ＰＭ３についてエピローグのタイミングでのコンディショニング操作の必要があるか否かを確認する。そして必要がある場合には、各コンディショニングレシピの設定に基づいてコンディショニング操作を実行する（Ｐ１１２、Ｐ２０７、Ｐ３０７）。
【００７０】
本実施の形態に関わる基板処理装置１によれば以下の効果がある。各処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４にて行われる操作を処理レシピに設定されている操作とそれ以外のコンディショニング操作（レシピ外操作）とに分け、このコンディショニング操作についてその実行内容及び実行タイミングを処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４ごとに設定する。この結果、多様な内容のコンディショニング操作を柔軟かつ簡便に設定することができる。
【００７１】
また、搬送系に対してもコンディショニング操作の設定を行うことができるようにすることにより、さらに多様なコンディショニング操作の設定が可能となる。  
特に、コンディショニング操作に関する設定事項をコンディショニングテーブル３２１、３２２、３４１に予め設定しておき、処理レシピ３５と組み合わせてシステムレシピ３１を構成することにより、システムレシピ３１の作成作業が簡素化され、またシステムレシピ３１に設定されている操作内容が把握し易くなる。
【００７２】
ここで、コンディショニング操作を実行するタイミングは、処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４にて設定される既述の６つのタイミング、搬送系にて設定される既述の２つのタイミングに限定されるものではない。「プロローグ、搬入前、搬入後、搬出前、搬出後、エピローグ」の６種類の実行タイミングを必要に応じて増減してもよいし、この他の実行タイミング（例えばアライメント室１４内におけるウエハＷの位置合わせ時など）を設定してもよい。さらに、基板処理装置１に設けられる処理モジュールＰＭやロードロックモジュールＬＬＭの数についても図１に示した例に限定されるものではなく、単位時間当たりのウエハＷの処理枚数などに応じてこれらモジュールＰＭ、ＬＬＭの数を適宜増減してもよい。
【００７３】
また、本発明が適用される基板処理装置１の搬送機構と処理モジュールＰＭ１との構成は、図１に示すように搬送アーム１３１が設けられた共通の真空搬送室１３に、複数の処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４を接続する場合に限定されるものではない。例えば搬送アームが配置された真空搬送室の前後に処理モジュールを配置し、処理モジュール→真空搬送室→処理モジュール→真空搬送室→…の順にウエハＷが搬送されるように、処理モジュールと真空搬送室とを交互に直列に配置してもよい。
【００７４】
この他、本発明が適用される処理モジュールとして基板処理装置に設けられる成膜モジュールは、Ｔｉ膜やＴｉＮ膜の成膜を行う例に限られるものではない。例えばＲｕ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｏ、Ｈｆ、Ｗ等の金属膜やその窒化膜、酸化膜などの金属化合物膜の成膜を行う成膜モジュールであってもよい。  
また基板処理装置は、図１に示した例のように、成膜モジュール（処理モジュールＰＭ１、ＰＭ２）、プラズマ処理モジュール（処理モジュールＰＭ３、ＰＭ４）といった異なる種類の処理を行う複数種の処理モジュールが設けられる場合に限定されない。例えば、複数の成膜モジュールを備える基板処理装置において、各成膜モジュールで成膜される膜種に応じて異なる内容や実行タイミングでコンディショニング操作を行ってもよい。
【００７５】
さらに、処理モジュールの種類は、真空雰囲気で処理を行うものに限定されない。例えば大気雰囲気下でウエハＷを加熱する加熱モジュールや、ウエハＷの表面にレジスト液や現像液を塗布する塗布モジュールや現像モジュール、ウエハＷの表面や裏面に洗浄液を供給して洗浄処理を行う洗浄モジュールなどにも適用できる。これらの場合には、ウエハＷの搬送機構は真空搬送室に設けられていなくてもよい。
さらに、本発が適用される基板処理装置にて処理される基板の種類は、ウエハＷの場合に限定されるものではなく、例えばフラットパネルの製造に用いられる角型基板の処理を行う基板処理装置にも適用することができる。
【符号の説明】
【００７６】
ＬＬＭ１、ＬＬＭ２
ロードロックモジュール
Ｗ          ウエハ
１          ウエハ処理装置
１１        キャリア載置台
１２        大気搬送室
１２１      搬送アーム
１３        真空搬送室
１３１      搬送アーム
１５        タッチパネルディスプレイ
２          制御部
２１        ＣＰＵ
２２        記憶部
３１        システムレシピ
３２        ＰＭコンディショニングレシピ
３２１、３２２
ＰＭコンディショニングテーブル
３３        メンテナンスマクロ
３４        搬送系コンディショニングレシピ
３４１      搬送系コンディショニングテーブル
３５        処理レシピ
４１        システムレシピ編集領域
４２        コンディショニングテーブル編集領域
４２１      実行タイミング選択ボタン
４２６      実行条件選択ウインドウ
４２７      実行条件選択ボタン
【図１】
2014090013.tif 000003
【図２】
2014090013.tif 000004
【図３】
2014090013.tif 000005
【図４】
2014090013.tif 000006
【図５】
2014090013.tif 000007
【図６】
2014090013.tif 000008
【図７】
2014090013.tif 000009
【図８】
2014090013.tif 000010
【図９】
2014090013.tif 000011
【図１０】
2014090013.tif 000012
【図１１】
2014090013.tif 000013
【図１２】
2014090013.tif 000014
【図１３】
2014090013.tif 000015
【図１４】
2014090013.tif 000016
【図１５】
2014090013.tif 000017
【図１６】
2014090013.tif 000018