(57)【要約】【課題】ビルドアップ層にクラックが発生することを抑制する。【解決手段】受動素子１２３が搭載されるランド６１に隣接して剥離誘導ランド６４を配置し、剥離誘導ランド６４の少なくともモールド樹脂１５０と接触する部分をモールド樹脂１５０との密着力が弱い材質で構成する。これにより、熱応力などに起因して剥離誘導ランド６４とモールド樹脂１５０との接触部位を積極的に剥離させることが可能となる。このため、仮に、受動素子１２３とランド６１とを接続しているはんだ１３０からモールド樹脂１５０が剥離し、それが進展してビルドアップ層３０の表面側に達したとしても、その剥離部が既に発生している剥離誘導ランド６４側の剥離部と繋がるように誘導できる。したがって、ビルドアップ層３０のうちのランド６１の端部に位置する部分にクラックが発生することを抑制できる。【選択図】図２
2014216561.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面（２０ａ）を有するコア層（２０）と、
前記コア層の表面に形成された内層配線（５１）と、
前記コア層の表面に前記内層配線を覆う状態で配置されたビルドアップ層（３０）と、
前記ビルドアップ層のうち前記コア層と反対側の一面（３０ａ）に形成され、はんだ（１３０）を介して電子部品（１２１〜１２３）が搭載されるランド（６１）と、を備え、
前記電子部品および前記ランドがモールド樹脂（１５０）にて封止される電子装置の製造に適用される多層基板であって、
前記ランドから所定距離離間して配置され、前記電子部品から電気的に絶縁されたダミーランドにて構成されていると共に、表面と前記モールド樹脂との密着力が前記ランドと前記モールド樹脂との密着力よりも弱くされた剥離誘導ランド（６４）を備えていることを特徴とする多層基板。
【請求項２】
前記剥離誘導ランドの表面は、前記はんだでコーティングされていることを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
【請求項３】
前記剥離誘導ランドの表面は、フッ素系樹脂によってコーティングされていることを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
【請求項４】
前記ランドは四角形状とされており、
前記剥離誘導ランドは、四角形とされた前記ランドの少なくとも一辺に平行な線状もしくは破線状、前記ランドを全周囲む四角形のいずれかとされていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の多層基板。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１つに記載の多層基板と、
前記ランドの表面に配置された前記はんだと、
前記はんだを介して前記ランドに搭載された前記電子部品と、
前記電子部品と前記ランドおよび前記剥離誘導ランドを封止する前記モールド樹脂（１５０）と、を備える電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品がはんだを介して搭載されるランドを有する多層基板およびこれを用いた電子装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、この種の電子装置として、次のものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
具体的には、この電子装置は、樹脂等で構成されるコア層とビルドアップ層とが積層され、コア層とビルドアップ層との間に内層配線が形成されていると共にビルドアップ層のうちコア層と反対側の一面にランドが形成された多層基板を備えている。ランドは、板状とされた金属膜と、金属膜よりはんだ濡れ性が高く、金属膜のうちビルドアップ層と反対側の一面および側面の全面に形成された金属メッキとを有する構成とされている。このランド上に、はんだを介してパワー素子や制御素子等の電子部品が搭載されている。そして、耐環境（耐腐食）性を向上させるためのモールド樹脂によって電子部品を含む多層基板の一面側が覆われることにより、電子装置が構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開昭６１−１３５１９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、図９に示すように、モールド樹脂Ｊ１によって電子部品Ｊ２が覆われる上記電子装置では、金属膜Ｊ３の一面Ｊ３ａおよび側面Ｊ３ｂに金属メッキＪ４が形成されており、ランドＪ５の側面まではんだＪ６が濡れ広がる。また、モールド樹脂Ｊ１とはんだＪ６との密着力は、通常モールド樹脂Ｊ１とランドＪ５（金属）との密着力より弱い。このため、上記電子装置では、モールド樹脂Ｊ１がはんだＪ６との界面から剥離し易く、モールド樹脂Ｊ１がはんだＪ６から剥離するとビルドアップ層Ｊ７にクラックＪ８が発生する。
【０００６】
すなわち、モールド樹脂Ｊ１がはんだＪ６から剥離することによって生じる応力がビルドアップ層Ｊ７に伝播してビルドアップ層Ｊ７にクラックＪ８が発生する。
【０００７】
また、モールド樹脂Ｊ１が剥離することにより、モールド樹脂Ｊ１にてランドＪ５の変位を抑制できなくなるため、使用環境に応じてランドＪ５の膨張および収縮が可能となる。そして、ランドＪ５とビルドアップ層Ｊ７とは熱膨張係数が異なるため、ビルドアップ層Ｊ７に応力が印加される。特に、低温使用環境では、ランドＪ５が収縮することにより、ビルドアップ層Ｊ７のうちランドＪ５との界面の端部に多大な引張応力が印加され、ビルドアップ層Ｊ７にクラックＪ８が発生する。
【０００８】
そして、ビルドアップ層Ｊ７に発生したクラックＪ８が内層配線に到達すると、当該クラックＪ８に水等の異物が浸入した場合、ランドＪ５と内層配線とがショートするという問題が発生する。
【０００９】
本発明は上記点に鑑みて、ビルドアップ層にクラックが発生することを抑制できる多層基板およびこれを用いた電子装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、請求項１ないし５に記載の発明では、電子部品（１２１〜１２３）およびランド（６１）がモールド樹脂（１５０）にて封止される電子装置の製造に適用される多層基板であって、ランドから所定距離離間して配置され、電子部品から電気的に絶縁されたダミーランドにて構成されていると共に、表面とモールド樹脂との密着力がランドとモールド樹脂との密着力よりも弱くされた剥離誘導ランド（６４）を備えていることを特徴としている。
【００１１】
このように、電子部品が搭載されるランドに隣接して剥離誘導ランドを配置し、剥離誘導ランドの少なくともモールド樹脂と接触する部分がモールド樹脂との密着力が弱い材質で構成されるようにしている。これにより、熱応力などに起因して剥離誘導ランドとモールド樹脂との接触部位を積極的に剥離させることが可能となる。このため、仮に、電子部品とランドとを接続しているはんだからモールド樹脂が剥離し、それが進展してビルドアップ層（３０）の表面側に達したとしても、その剥離部が既に発生している剥離誘導ランド側の剥離部と繋がるように誘導できる。したがって、モールド樹脂とはんだとの界面における剥離による応力がビルドアップ層に伝播されることを抑制でき、ビルドアップ層のうちのランドの端部に位置する部分にクラックが発生することを抑制できる。
【００１２】
例えば、請求項２に記載したように、剥離誘導ランドの表面をはんだでコーティングしたり、請求項３に記載したように、剥離誘導ランドの表面をフッ素系樹脂によってコーティングすることで、剥離誘導ランドの表面のモールド樹脂に対する密着力を低下させられる。
【００１３】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施形態における電子装置の断面図である。
【図２】図１中の領域Ａの拡大図である。
【図３】受動素子１２３が接続されるランド６１および剥離誘導ランド６４を基板表面に対する垂直方向から視たときのレイアウト図である。
【図４】図１に示す多層基板の製造工程を示す断面図である。
【図５】図４に続く多層基板の製造工程を示す断面図である。
【図６】図５に続く多層基板の製造工程を示す断面図である。
【図７】他の実施形態で説明する電子装置に備えられたランド６１および剥離誘導ランド６４を基板表面に対する垂直方向から視たときのレイアウト図である。
【図８】他の実施形態で説明する電子装置に備えられたランド６１および剥離誘導ランド６４を基板表面に対する垂直方向から視たときのレイアウト図である。
【図９】多層基板にクラックが発生した様子を示す電子装置の拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１６】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について説明する。なお、本実施形態の電子装置は、例えば、自動車等の車両に搭載され、車両用の各種電子装置を駆動するために適用されると好適である。
【００１７】
図１に示されるように、電子装置は、一面１０ａおよび他面１０ｂを有する多層基板１０と、多層基板１０の一面１０ａ上に搭載された電子部品１２１〜１２３と、を備えている。そして、多層基板１０の一面１０ａ側を電子部品１２１〜１２３と共にモールド樹脂１５０で封止することにより、電子装置が構成されている。
【００１８】
多層基板１０は、絶縁樹脂層としてのコア層２０と、コア層２０の表面２０ａに配置された表面２０ａ側のビルドアップ層３０と、コア層２０の裏面２０ｂ側に配置された裏面２０ｂ側のビルドアップ層４０と、内層配線５１、５２などを備える積層基板である。
【００１９】
なお、コア層２０およびビルドアップ層３０、４０は、ガラスクロスの両面を樹脂で封止してなるプリプレグ等で構成され、プリプレグの樹脂としては、エポキシ樹脂等が挙げられる。また、プレプレグの樹脂には、必要に応じて、アルミナやシリカ等の電気絶縁性かつ放熱性に優れたフィラーが含有されていてもよい。
【００２０】
そして、コア層２０とビルドアップ層３０との界面には、パターニングされた表面側内層配線５１（以下では、単に内層配線５１という）が形成されている。同様に、コア層２０とビルドアップ層４０との界面には、パターニングされた裏面側内層配線５２（以下では、単に内層配線５２という）が形成されている。
【００２１】
また、ビルドアップ層３０の表面３０ａには、パターニングされた表面側表層配線６１〜６４（以下では、単に表層配線６１〜６４という）が形成されている。本実施形態では、表層配線６１〜６４は、異なる役割を果たす複数種類のものとされている。具体的には、表層配線６１〜６４は、ランド６１、６２や表面パターン６３および剥離誘導ランド６４とされている。ランド６１は、電子部品１２１〜１２３が搭載される搭載用とされる。ランド６２は、電子部品１２１、１２２との電気的接続を図るためのボンディングワイヤ１４１、１４２を接続するためのボンディング用とされる。表面パターン６３は、外部回路との電気的接続用とされる。剥離誘導ランド６４は、少なくともモールド樹脂１５０と接触する部分がモールド樹脂１５０との密着力が弱い材質で構成され、積極的にモールド樹脂１５０との接触部位を剥離させるようにする剥離用とされる。この剥離誘導ランド６４は、ボンディングワイヤ１４１、１４２も接続されないし、内層配線５１を通じて外部に接続されたりもせず、電子部品１２１〜１２３も搭載されない。つまり、剥離誘導ランド６４は、電気的に電子部品１２１〜１２４や外部から絶縁されたダミーランドとされている。
【００２２】
同様に、ビルドアップ層４０の表面４０ａには、パターニングされた裏面側表層配線７１、７２（以下では、単に表層配線７１、７２という）が形成されている。本実施形態では、表層配線７１、７２は、後述するフィルドビアを介して内層配線５２と接続される裏面パターン７１、放熱用のヒートシンクが備えられるヒートシンク用パターン７２（以下では、単にＨＳ用パターン７２という）とされている。
【００２３】
なお、ビルドアップ層３０の表面３０ａとは、ビルドアップ層３０のうちコア層２０と反対側の一面のことであり、多層基板１０の一面１０ａとなる面のことである。また、ビルドアップ層４０の表面４０ａとは、ビルドアップ層４０のうちコア層２０と反対側の一面のことであり、多層基板１０の他面１０ｂとなる面のことである。そして、内層配線５１、５２、表層配線６１〜６４、表層配線７１、７２は、具体的には後述するが、銅等の金属箔や金属メッキが適宜積層されて構成されている。
【００２４】
内層配線５１と内層配線５２とは、コア層２０を貫通して設けられた貫通ビア８１を介して電気的および熱的に接続されている。具体的には、貫通ビア８１は、コア層２０を厚さ方向に貫通する貫通孔８１ａの壁面に銅等の貫通電極８１ｂが形成され、貫通孔８１ａの内部に充填材８１ｃが充填されて構成されている。
【００２５】
また、内層配線５１と表層配線６１〜６３、および内層配線５２と表層配線７１、７２とは、適宜各ビルドアップ層３０、４０を厚さ方向に貫通して設けられたフィルドビア９１、１０１を介して電気的および熱的に接続されている。具体的には、フィルドビア９１、１０１は、各ビルドアップ層３０、４０を厚さ方向に貫通する貫通孔９１ａ、１０１ａが銅等の貫通電極９１ｂ、１０１ｂにて充填された構成とされている。表層配線（剥離誘導ランド）６４については、フィルドビア９１を介して内層配線５２と接続されていても良いが、接続されていない構造とされていて構わない。
【００２６】
なお、充填材８１ｃは、樹脂、セラミック、金属等が用いられるが、本実施形態では、エポキシ樹脂とされている。また、貫通電極８１ｂ、９１ｂ、１０１ｂは、銅等の金属メッキにて構成されている。
【００２７】
そして、各ビルドアップ層３０、４０の表面３０ａ、４０ａには、表面パターン６３および裏面パターン７１を覆うソルダーレジスト１１０が形成されている。なお、表面パターン６３を覆うソルダーレジスト１１０には、図１とは別断面において、表面パターン６３のうち外部回路と接続される部分を露出させる開口部が形成されている。
【００２８】
電子部品１２１〜１２３は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）等の発熱が大きいパワー素子１２１、マイコン等の制御素子１２２、チップコンデンサや抵抗等の受動素子１２３である。そして、各電子部品１２１〜１２３は、はんだ１３０を介してランド６１上に搭載されてランド６１と電気的、機械的に接続されている。また、パワー素子１２１および制御素子１２２は、周囲に形成されているランド６２ともアルミニウムや金等のボンディングワイヤ１４１、１４２を介して電気的に接続されている。
【００２９】
なお、ここでは、電子部品１２１〜１２３としてパワー素子１２１、制御素子１２２、受動素子１２３を例に挙げて説明したが、電子部品１２１〜１２３はこれらに限定されるものではない。
【００３０】
モールド樹脂１５０は、ランド６１、６２および電子部品１２１〜１２３を封止するものであり、エポキシ樹脂等の一般的なモールド材料が金型を用いたトランスファーモールド法やコンプレッションモールド法等により形成されたものである。
【００３１】
なお、本実施形態では、モールド樹脂１５０は、多層基板１０の一面１０ａのみに形成されている。つまり、本実施形態の電子装置は、いわゆるハーフモールド構造とされている。また、多層基板１０の他面１０ｂ側には、特に図示していないが、ＨＳ用パターン７２に放熱グリス等を介してヒートシンクが備えられている。
【００３２】
以上が本実施形態における電子装置の基本的な構成である。次に、本実施形態の特徴点である受動素子１２３が搭載されるランド６１およびそれに隣接して配置される剥離誘導ランド６４の構造について説明する。
【００３３】
受動素子１２３が搭載されるランド６１は、図２に示されるように、はんだ１３０を介して受動素子１２３の電極１２３ａと電気的および物理的に接続される。本実施形態では、受動素子１２３として抵抗やコンデンサ等を想定しているため、受動素子１２３の両端に電極１２３ａが備えられ、受動素子１２３の両端において、各電極１２３ａと対応する位置に形成された各ランド６１と各電極１２３ａとが接続されている。
【００３４】
ランド６１は、ビルドアップ層３０側と反対側の一面６１ａ、ビルドアップ層３０側の他面６１ｂ、これら一面６１ａと他面６１ｂとを繋ぐ側面６１ｃを有する板状とされている。
【００３５】
具体的には、ランド６１は、例えばビルドアップ層３０の表面に形成した金属膜６５の表面を金属メッキ６６により覆った構成とされている。金属膜６５は、銅等で構成され、ビルドアップ層３０側と反対側の一面６５ａ、ビルドアップ層３０側の他面６５ｂ、これら一面６５ａと他面６５ｂとを繋ぐ側面６５ｃを有する板状とされている。金属メッキ６６は、金属膜６５よりはんだ濡れ性が高い金等で構成され、金属膜６５の一面６５ａや側面６５ｃに形成されている。
【００３６】
また、はんだ１３０はランド６１のうち表面が金属メッキ６６となっている面、つまり金属メッキ６６が形成されている一面６１ａおよび側面６１ｃ上に形成されている。そして、はんだ１３０の表面がモールド樹脂１５０と密着している。ただし、はんだ１３０とモールド樹脂１５０との密着力は例えば金属膜６５にモールド樹脂１５０を密着させた場合の密着力よりも大きくなく、比較的剥離し易くなっている。
【００３７】
一方、剥離誘導ランド６４も、ランド６１と同様の構造とされている。すなわち、剥離誘導ランド６４も、金属膜６５の表面を金属メッキ６６によって覆った構成とされ、ビルドアップ層３０と反対側の一面６４ａ、ビルドアップ層３０側の他面６４ｂ、これら一面６４ａと他面６４ｂとを繋ぐ側面６４ｃとを有する構造とされている。また、金属膜６５も同様、一面６５ａ、他面６５ｂおよび側面６５ｃを備えた構成とされている。金属膜６５や金属メッキ６６の材質などは、ランド６１と同様である。そして、この剥離誘導ランド６４の表面もはんだ１３０で覆われており、はんだ１３０の表面がモールド樹脂１５０と密着している。この剥離誘導ランド６４におけるはんだ１３０とモールド樹脂１５０と間も密着力はあまり大きくなく、比較的剥離し易くなっている。
【００３８】
剥離誘導ランド６４は、図３に示すように、電子装置を基板表面に対する垂直方向から視て、受動素子１２３の電極１２３ａの配列方向においてランド６１よりも外側に配置されている。剥離誘導ランド６４はランド６１から所定距離離間させられることでランド６１に対して隣接させられており、本実施形態では、受動素子１２３の一辺と平行な線状に延設されている。ここでは両電極１２３ａの配列方向に対して垂直な方向に剥離誘導ランド６４を延設している。
【００３９】
以上が本実施形態における電子装置の構成である。次に、上記電子装置の製造方法について図４〜図６を参照しつつ説明する。なお、図４〜図６は、多層基板１０のうちパワー素子１２１が搭載される部分近傍の断面図である。
【００４０】
まず、図４（ａ）に示されるように、コア層２０の表面２０ａおよび裏面２０ｂに銅箔等の金属箔１６１、１６２が配置されたものを用意する。そして、図４（ｂ）に示されるように、ドリル等によって金属箔１６１、コア層２０、金属箔１６２を貫通する貫通孔８１ａを形成する。
【００４１】
その後、図４（ｃ）に示されるように、無電解メッキや電気メッキを行い、貫通孔８１ａの壁面および金属箔１６１、１６２上に銅等の金属メッキ１６３を形成する。これにより、貫通孔８１ａの壁面に、金属メッキ１６３にて構成される貫通電極８１ｂが形成される。なお、無電解メッキおよび電気メッキを行う場合には、パラジウム等の触媒を用いて行うことが好ましい。
【００４２】
続いて、図４（ｄ）に示されるように、金属メッキ１６３で囲まれる空間に充填材８１ｃを配置する。これにより、貫通孔８１ａ、貫通電極８１ｂ、充填材８１ｃを有する上記貫通ビア８１が形成される。
【００４３】
その後、図５（ａ）に示されるように、無電解メッキおよび電気メッキ等でいわゆる蓋メッキを行い、金属メッキ１６３および充填材８１ｃ上に銅等の金属メッキ１６４、１６５を形成する。
【００４４】
次に、図５（ｂ）に示されるように、金属メッキ１６４、１６５上に図示しないレジストを配置する。そして、当該レジストをマスクとしてウェットエッチング等を行い、金属メッキ１６４、金属メッキ１６３、金属箔１６１を適宜パターニングして内層配線５１を形成すると共に、金属メッキ１６５、金属メッキ１６３、金属箔１６２を適宜パターニングして内層配線５２を形成する。つまり、本実施形態では、内層配線５１は、金属箔１６１、金属メッキ１６３、金属メッキ１６４が積層されて構成され、内層配線５２は、金属箔１６２、金属メッキ１６３、金属メッキ１６５が積層されて構成されている。
【００４５】
なお、次の図５（ｃ）以降では、金属箔１６１、金属メッキ１６３、金属メッキ１６４、および金属箔１６２、金属メッキ１６３、金属メッキ１６５をまとめて１層として示してある。
【００４６】
その後、図５（ｃ）に示されるように、コア層２０における表面２０ａ側において、内層配線５１上にビルドアップ層３０および銅等の金属板１６６を積層する。また、コア層２０における裏面２０ｂ側において、内層配線５２上にビルドアップ層４０および銅等の金属板１６７を積層する。このようにして、上から順に、金属板１６６、ビルドアップ層３０、内層配線５１、コア層２０、内層配線５２、ビルドアップ層３０および金属板１６７が順に積層された積層体１６８を構成する。なお、ビルドアップ層３０、４０は、この状態では、仮硬化されたもので流動性を有している。
【００４７】
続いて、図５（ｄ）に示されるように、積層体１６８の積層方向から加圧しつつ加熱することにより積層体１６８を一体化する。具体的には、積層体１６８を加圧することにより、ビルドアップ層３０を構成する樹脂を流動させて内層配線５１の間を埋め込むと共に、ビルドアップ層４０を構成する樹脂を流動させて内層配線５２の間を埋め込む。そして、積層体１６８を加熱することにより、ビルドアップ層３０、４０を硬化して積層体１６８を一体化する。
【００４８】
次に、図６（ａ）に示されるように、レーザ等により、金属板１６６、ビルドアップ層３０を貫通して内層配線５１に達する貫通孔９１ａを形成する。同様に、図６（ａ）とは別断面において、金属板１６７、ビルドアップ層４０を貫通して内層配線５２に達する貫通孔１０１ａを形成する。
【００４９】
そして、図６（ｂ）に示されるように、無電解メッキや電気メッキ等でいわゆるフィルドメッキを行い、貫通孔９１ａ、１０１ａを金属メッキ１６９で埋め込む。これにより、ビルドアップ層３０、４０に形成された貫通孔９１ａ、１０１ａに埋め込まれた金属メッキ１６９にて貫通電極９１ｂおよび図１に示した貫通電極１０１ｂが構成される。また、貫通孔９１ａ、１０１ａに貫通電極９１ｂ、１０１ｂが埋め込まれたフィルドビア９１、１０１が形成される。なお、次の図６（ｃ）以降では、金属板１６６および金属メッキ１６９をまとめて１層として示してある。
【００５０】
続いて、図６（ｃ）に示されるように、金属板１６６、１６７上に図示しないレジストを配置する。そして、レジストをマスクとしてウェットエッチング等を行って金属板１６６、１６７をパターニングすると共に、無電解メッキや電気メッキによって金属メッキ１７０を形成する。これにより、表層配線６１〜６３と同時に表層配線（剥離誘導ランド）６４を形成すると共に表層配線７１、７２を形成する。つまり、本実施形態では、表層配線６１〜６４は、金属板１６６および金属メッキ１６９、１７０を有する構成とされ、表層配線７１、７２は、金属板１６７および金属メッキ１６９を有する構成とされている。そして、表層配線６１〜６４における金属膜６５は金属板１６６によって構成され、金属メッキ６６は金属メッキ１６９、１７０によって構成される。
【００５１】
次に、図６（ｄ）に示されるように、ビルドアップ層３０、４０の表面３０ａ、４０ａにそれぞれソルダーレジスト１１０を配置して適宜パターニングすることにより、上記多層基板１０が製造される。なお、図６（ｄ）に示される範囲内において、表面３０ａ上のソルダーレジスト１１０がすべて除去されているが、図１に示すように他の領域においてソルダーレジスト１１０が残された状態になっている。
【００５２】
その後は、特に図示しないが、はんだ１３０を介して電子部品１２１〜１２３をランド６１に搭載する。このとき、基本的には電子部品１２１〜１２３が搭載されるランド６１に対してはんだ１３０を供給することになるが、受動素子１２３が搭載されるランド６１に供給する際にこのランド６１に隣接して設けられた剥離誘導ランド６４に対しても供給される。そして、電子部品１２１〜１２３をランド６１に搭載して実装する際のリフローにより、剥離誘導ランド６４の表面もはんだ１３０が濡れ広がるようにできる。
【００５３】
そして、パワー素子１２１および制御素子１２２とランド６２との間でワイヤボンディングを行い、パワー素子１２１および制御素子１２２とランド６２とを電気的に接続する。続いて、ランド６１、６２および電子部品１２１〜１２３が封止されるように、金型を用いたトランスファーモールド法やコンプレッションモールド法等によってモールド樹脂１５０を形成する。これにより、モールド樹脂１５０がランド６１の側面６１ｃに密着した上記電子装置が製造される。
【００５４】
以上説明したように、本実施形態では、受動素子１２３が搭載されるランド６１に隣接して剥離誘導ランド６４を配置し、剥離誘導ランド６４の少なくともモールド樹脂１５０と接触する部分がモールド樹脂１５０との密着力が弱い材質で構成されるようにしている。これにより、熱応力などに起因して剥離誘導ランド６４とモールド樹脂１５０との接触部位を積極的に剥離させることが可能となる。このため、仮に、受動素子１２３とランド６１とを接続しているはんだ１３０からモールド樹脂１５０が剥離し、それが進展してビルドアップ層３０の表面側に達したとしても、その剥離部が既に発生している剥離誘導ランド６４側の剥離部と繋がるように誘導できる。したがって、モールド樹脂１５０とはんだ１３０との界面における剥離による応力がビルドアップ層３０に伝播されることを抑制でき、ビルドアップ層３０のうちのランド６１の端部に位置する部分にクラックが発生することを抑制できる。
【００５５】
（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
【００５６】
例えば、上記第１実施形態では、図３に示したように、剥離誘導ランド６４を受動素子１２３の電極１２３ａの配列方向においてランド６１よりも外側に配置しつつ、当該配列方向に対して垂直な方向に延設しているが、他のレイアウトとしても良い。
【００５７】
例えば、図７（ａ）に示すように電極１２３ａの配列方向に対する垂直方向においてランド６１よりも外側に配置しつつ、当該配列方向に対して平行な方向に延設するように剥離誘導ランド６４を設けても良い。また、図７（ｂ）に示すようにランド６１を全周囲む四角枠形状で剥離誘導ランド６４を形成しても良い。さらに、剥離誘導ランド６４を線状にせずに図７（ｃ）や図７（ｄ）に示すように、複数の四角形もしくは円形のものを破線状に点在させた構成としても良い。
【００５８】
特に、クラックが発生したときに下方に位置する内層配線５１にクラックが繋がってしまうことが問題となる。このため、剥離誘導ランド６４を受動素子１２３の端部の一部のみと対向するように配置する場合には、下方に内層配線５１が配置されている方向に剥離誘導ランド６４を配置するのが好ましい。
【００５９】
また、上記実施形態では、電子部品として受動素子１２３が搭載されるランド６１について剥離誘導ランド６５を備える場合を説明したが、他の電子部品１２１、１２２が搭載されるランド６１についても剥離誘導ランド６５を備えることができる。なお、上記各実施形態で説明した受動素子１２３については、ランド６１と電気的に接続される電極１２３ａが受動素子１２３の両端に備えられることから、ランド６１も受動素子１２３の各電極と対応する位置に備えてある。しかしながら、パワー素子１２１や制御素子１２２の場合、電子部品１２１、１２２の裏面の全面がランド６１に接合されることになり、ランド６１の内側に電子部品１２１、１２２が配置されることになる。この場合においても、この場合においても、例えば図８（ａ）に示すように、電子部品１２１、１２２が配置されるランド６１の端部よりも外側に剥離誘導ランド６５を設けることで、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。また、図８（ｂ）に示すように、ランド６１の周囲を囲むように剥離誘導ランド６５を設けても良い。また、図８（ｃ）、（ｄ）に示すように、ランド６１の端部よりも外側において、剥離誘導ランド６５を破線状に点在させても良い。
【００６０】
さらに、上記実施形態では、剥離誘導ランド６４とモールド樹脂１５０との密着力を低下させるために、剥離誘導ランド６４の表面がはんだ１３０でコーティングされるようにしているが、他にも密着力低下させる部材でコーティングしても良い。例えば、テフロン（登録商標）などのフッ素系樹脂などによって剥離誘導ランド６４の表面を覆うようにしても良い。このような構成は、金属膜６５の表面に金属メッキ６６を形成してから剥離誘導ランド６４以外の領域をマスクで覆い、フッ素系樹脂を塗布することで実現可能である。
【符号の説明】
【００６１】
１０            多層基板
２０            コア層
３０            ビルドアップ層
６１            ランド
６１ａ          一面
６１ｃ          側面
６４            剥離誘導ランド
６４ａ          一面
６４ｃ          側面
１２１〜１２３  電子部品
１３０          はんだ
１５０          モールド樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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