(57)【要約】【課題】効率よく形成できる反射膜を備えることによって、優れた生産性が得られる有機ＥＬ素子およびその製造方法、表示装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】基体１上に、金属粒子を含有するペーストを固化してなる反射膜の表面が鏡面処理されてなる反射電極膜５を含む第１電極と、前記第１電極上に形成された有機エレクトロルミネッセンス積層膜６と、有機エレクトロルミネッセンス積層膜６上に形成された第２電極７とを備える有機エレクトロルミネッセンス素子６０とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に、金属粒子を含有するペーストを固化してなる反射膜の表面が鏡面処理されてなる反射電極膜を含む第１電極と、
前記第１電極上に形成された有機エレクトロルミネッセンス積層膜と、
前記有機エレクトロルミネッセンス積層膜上に形成された第２電極とを備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
前記反射電極膜の表面粗さＲａが１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える表示装置であって、
前記基体としての基板と、
前記基板の裏面上に形成された駆動回路と、
前記基板を貫通する貫通孔に形成され、前記駆動回路の配線と電気的に接続されたビアとが備えられ、
前記反射電極膜が、前記基板の表面上に形成されて前記ビアと電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える表示装置であって、
基板の一面上に形成された駆動回路と、
前記駆動回路上に形成された前記基体としての平坦化層と、
前記平坦化層を貫通する貫通孔に形成され、前記駆動回路の配線と電気的に接続されたビアとが備えられ、
前記反射電極膜が、前記平坦化層上に形成されて前記ビアと電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
前記反射電極膜の一部が前記貫通孔に埋め込まれることによって、前記ビアが形成されていることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
基体上に、金属粒子を含有するペーストからなるインクをスクリーン印刷して固化させて反射膜を形成する印刷工程と、
前記反射膜の表面を研磨する鏡面処理を行うことにより反射電極膜を形成し、前記反射電極膜を含む第１電極を形成する工程と、
前記第１電極上に有機エレクトロルミネッセンス積層膜を形成する工程と、
前記有機エレクトロルミネッセンス積層膜上に第２電極を形成する工程とを具備してなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項７】
前記鏡面処理が、前記反射膜の表面に砥粒を含むスラリーを供給して研磨する処理であることを特徴とする請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項８】
前記反射電極膜の表面粗さＲａが１０ｎｍ以下となるまで前記研磨処理を行うことを特徴とする請求項６または請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項９】
請求項６〜請求項８のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を用いる表示装置の製造方法であって、
前記印刷工程の前に、
前記基体としての基板を貫通する貫通孔を設ける工程と、
前記基板の裏面上に駆動回路を形成する回路形成工程であって、前記基板の裏面上に前記駆動回路の配線を形成するとともに、前記配線の一部が前記貫通孔内に形成されたビアを形成する工程を含む回路形成工程とを行い、
前記印刷工程において、前記基板の表面上に前記ビアと電気的に接続された反射膜を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項６〜請求項８のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を用いる表示装置の製造方法であって、
前記印刷工程の前に、
基板の一面上に駆動回路を形成する工程と、
前記駆動回路上に前記基体としての平坦化層を形成する工程と、
前記平坦化層を貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔に導電材料を充填することにより、前記駆動回路の配線と電気的に接続されたビアを形成する工程とを行い、
前記印刷工程において、前記平坦化層上に前記ビアと電気的に接続された反射膜を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記印刷工程において、前記インクの一部を前記貫通孔に埋め込むことを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、エレクトロルミネッセンス（電界発光）を「ＥＬ」と記す）、表示装置、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子を備える表示装置では、十分な輝度を確保しつつ、有機ＥＬ素子の発光寿命を延ばすことが要求されている。この要求に対応する方法の一つとして、有機ＥＬ素子の開口率を高くする方法が挙げられる。有機ＥＬ素子の開口率を高くすると輝度が向上するため、表示装置の輝度を低下させることなく、有機ＥＬ素子の発光強度を低下させることができる。その結果、有機ＥＬ材料に負荷される電流密度を小さくして、有機ＥＬ材料の劣化を抑制することができ、有機ＥＬ素子の発光寿命を延ばすことができる。
【０００３】
有機ＥＬ素子の開口率を高くできる表示装置として、トップエミッション方式の表示装置が知られている。トップエミッション方式の表示装置では、駆動回路を構成するトランジスタの形成されている層と、表示装置の光取り出し面との間に、有機ＥＬ素子が配置される。したがって、トップエミッション方式の表示装置では、有機ＥＬ素子が、トランジスタと平面視で重なり合う領域に形成されていても、有機ＥＬ素子の発光した光が、トランジスタに遮られることなく光取り出し面から出射される。このため、トップエミッション方式の表示装置では、有機ＥＬ素子の開口率を高くできる。
【０００４】
トップエミッション方式の表示装置として、例えば、特許文献１には、基板上に設けられた駆動回路と、当該駆動回路を覆う状態で前記基板上に設けられた層間絶縁膜と、当該層間絶縁膜上に配列形成された有機ＥＬ素子とを有し、当該有機ＥＬ素子における発光光を前記基板と反対側から取り出す構成の表示装置が提案されている。特許文献１に記載の表示装置では、有機ＥＬ素子として、層間絶縁膜に形成された接続孔を介して駆動回路に接続される下部電極と、当該下部電極上に順次積層された有機層および上部電極を備えるものが記載されている。また、特許文献１においては、下部電極に反射率の高い材料を用いている。
【０００５】
また、従来から有機ＥＬ素子を備える表示装置において、反射膜を有するものがある。このような表示装置では、有機ＥＬ素子の発光した光のうち、光取り出し面と反対側に向かう光を反射膜に反射させることで、光取り出し効率を向上させている。このような反射膜は、通常、スパッタリング法を用いて形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−５８８１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来の技術では、表示装置の生産性を向上させるために、表示装置に備えられる反射膜を効率よく形成できるようにすることが要求されている。
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、効率よく形成できる反射膜を備えることによって、優れた生産性が得られる有機ＥＬ素子およびその製造方法、表示装置およびその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、上記課題を解決し、表示装置に備えられる反射膜を効率よく形成できる方法として、スクリーン印刷法に着目し、以下に示すように、鋭意検討を重ねた。
まず、本発明者は、基板上に、反射膜となる金属粒子を含有するペーストからなるインクを用意し、これをスクリーン印刷して固化させることにより、ペーストが固化されてなる反射膜を形成した。その結果、スクリーン印刷法を用いることで、容易に反射膜を形成できることが分かった。
【０００９】
さらに、本発明者は、スクリーン印刷法を用いて形成された反射膜を、有機ＥＬ素子の陽極または陰極としても機能する反射電極膜として用いるために、反射膜上に発光層を有する有機ＥＬ積層膜と、第２電極とをこの順で形成して検討した。その結果、スクリーン印刷法を用いて形成した反射膜は、反射膜上に形成した有機ＥＬ素子の第２電極と短絡するため、反射電極膜として使用できないことが分かった。
そこで、本発明者は、反射電極膜を有機ＥＬ素子の陽極または陰極として用いる場合の有機ＥＬ素子の短絡の原因について検討した。すなわち、スクリーン印刷法を用いて形成された反射膜の表面粗さＲａは、１００〜１０００ｎｍと大きいものであった。有機ＥＬ素子の有機ＥＬ積層膜は、通常、厚みが５０〜２００ｎｍ程度と非常に薄いものである。このことから、反射膜上の凹凸が、有機ＥＬ積層膜を突き抜けてしまうことが、短絡を生じさせる原因であることを見出した。
【００１０】
そこで、本発明者は、スクリーン印刷法を用いて得られた反射膜に対して、表面を研磨する鏡面処理を行った。その結果、表面が鏡面処理された反射膜上に、有機ＥＬ積層膜と第２電極とを形成した場合には、反射膜と第２電極との短絡が十分に防止されることが分かった。さらに、反射膜の表面を鏡面処理することで、優れた光沢を有し、有機ＥＬ素子の発光層からの光を効率よく反射させることができる反射膜となることが分かった。
【００１１】
このようにして、本発明者は、基板上に、金属粒子を含有するペーストからなるインクをスクリーン印刷して固化させ、得られた反射膜の表面を鏡面処理することで、有機ＥＬ素子の陽極または陰極として機能する反射電極膜として使用することが可能であって、しかも発光層からの光を効率よく反射させることができる反射膜を、スパッタリング法を用いる場合と比較して容易に効率よく形成できることを見出し、本発明を想到した。
【００１２】
すなわち、本発明は、以下の発明に関わるものである。
（１）基体上に、金属粒子を含有するペーストを固化してなる反射膜の表面が鏡面処理されてなる反射電極膜を含む第１電極と、前記第１電極上に形成された有機エレクトロルミネッセンス積層膜と、前記有機エレクトロルミネッセンス積層膜上に形成された第２電極とを備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
（２）前記反射電極膜の表面粗さＲａが１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００１３】
（３）請求項１または請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える表示装置であって、
前記基体としての基板と、前記基板の裏面上に形成された駆動回路と、前記基板を貫通する貫通孔に形成され、前記駆動回路の配線と電気的に接続されたビアとが備えられ、前記反射電極膜が、前記基板の表面上に形成されて前記ビアと電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【００１４】
（４）請求項１または請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える表示装置であって、
基板の一面上に形成された駆動回路と、前記駆動回路上に形成された前記基体としての平坦化層と、前記平坦化層を貫通する貫通孔に形成され、前記駆動回路の配線と電気的に接続されたビアとが備えられ、前記反射電極膜が、前記平坦化層上に形成されて前記ビアと電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【００１５】
（５）前記反射電極膜の一部が前記貫通孔に埋め込まれることによって、前記ビアが形成されていることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の表示装置。
【００１６】
（６）基体上に、金属粒子を含有するペーストからなるインクをスクリーン印刷して固化させて反射膜を形成する印刷工程と、前記反射膜の表面を研磨する鏡面処理を行うことにより反射電極膜を形成し、前記反射電極膜を含む第１電極を形成する工程と、前記第１電極上に有機エレクトロルミネッセンス積層膜を形成する工程と、前記有機エレクトロルミネッセンス積層膜上に第２電極を形成する工程とを具備してなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
（７）前記鏡面処理が、前記反射膜の表面に砥粒を含むスラリーを供給して研磨する処理であることを特徴とする請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
（８）前記反射電極膜の表面粗さＲａが１０ｎｍ以下となるまで前記研磨処理を行うことを特徴とする請求項６または請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００１７】
（９）請求項６〜請求項８のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を用いる表示装置の製造方法であって、
前記印刷工程の前に、前記基体としての基板を貫通する貫通孔を設ける工程と、前記基板の裏面上に駆動回路を形成する回路形成工程であって、前記基板の裏面上に前記駆動回路の配線を形成するとともに、前記配線の一部が前記貫通孔内に形成されたビアを形成する工程を含む回路形成工程とを行い、前記印刷工程において、前記基板の表面上に前記ビアと電気的に接続された反射膜を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【００１８】
（１０）請求項６〜請求項８のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を用いる表示装置の製造方法であって、
前記印刷工程の前に、基板の一面上に駆動回路を形成する工程と、前記駆動回路上に前記基体としての平坦化層を形成する工程と、前記平坦化層を貫通する貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に導電材料を充填することにより、前記駆動回路の配線と電気的に接続されたビアを形成する工程とを行い、前記印刷工程において、前記平坦化層上に前記ビアと電気的に接続された反射膜を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【００１９】
（１１）前記印刷工程において、前記インクの一部を前記貫通孔に埋め込むことを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の有機ＥＬ素子は、金属粒子を含有するペーストを固化してなる反射膜の表面が鏡面処理されてなる反射電極膜を含む第１電極を備えたものであるので、基体上に、インクをスクリーン印刷して固化させ、得られた反射膜の表面を鏡面処理することで、スパッタリング法を用いる場合と比較して容易に効率よく反射電極膜を形成できる。したがって、本発明の有機ＥＬ素子および、これを備える表示装置は、優れた生産性を有するものとなる。
【００２１】
しかも、本発明の有機ＥＬ素子は、反射膜の表面が鏡面処理されてなるものであることによって優れた光沢を有し、有機ＥＬ素子の発光層からの光を効率よく光取り出し面側に反射させることができる反射電極膜を備えるものとなる。よって、本発明の有機ＥＬ素子および、これを備える表示装置は、良好な光取り出し効率を有するものとなる。
【００２２】
さらに、本発明の有機ＥＬ素子は、反射電極膜を含む第１電極を備えるものであるので、第１電極として、反射電極膜以外の電極膜を必ずしも備えている必要はない。第１電極が反射電極膜のみからなるものである場合、例えば反射膜と第１電極とを別個に形成する場合と比較して製造工程を簡略化することができ、更に有機ＥＬ素子および、これを備える表示装置の生産性を向上させることができる。また、第１電極が反射電極膜に加えて、反射電極膜の他の電極膜を含むものである場合、第１電極が反射電極膜のみからなるものである場合と比較して、第１電極の導電性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１は、本発明の有機ＥＬ素子を備えた本発明の表示装置の一例を説明するための概略断面図である。
【図２】図２は、図１に示す表示装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図３】図３は、図１に示す表示装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図４】図４は、図１に示す表示装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図５】図５は、図１に示す表示装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図６】図６は、本発明の有機ＥＬ素子を備えた本発明の表示装置の他の例を説明するための概略断面図である。
【図７】図７は、図６に示す表示装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図８】図８は、図６に示す表示装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図９】図９は、図６に示す表示装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図１０】図１０（ａ）は実施例１のテスト用素子の平面図であり、図１０（ｂ）は実施例１のテスト用素子の断面図である。
【図１１】図１１（ａ）は、貫通孔周辺の断面形状を示したグラフであり、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）に示す貫通孔の上部の断面を説明するための模式図である。
【図１２】図１２は、実施例１のテスト用素子４０における直流電圧（Ｖ）と輝度（ｃｄ／ｍ２）との関係を示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の有機ＥＬ素子、表示装置、有機ＥＬ素子の製造方法および表示装置の製造方法の一例について詳細に説明する。なお、本発明の技術範囲は、下記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
【００２５】
「第１実施形態」
図１は、本発明の有機ＥＬ素子を備えた本発明の表示装置の一例を説明するための概略断面図である。図１に示す表示装置１０は、図１において矢印で示されるように、有機ＥＬ素子６０の発光層６ｂからの光を上方に取り出すものである。図１に示す表示装置１０は、駆動回路８を構成するスイッチング用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）８ａおよび駆動用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）８ｂの形成されている層と、表示装置１０の光取り出し面との間に、有機ＥＬ素子６０が配置されているトップエミッション方式の表示装置である。
【００２６】
図１において、符号１は基板を示し、符号３はビアを示している。図１に示すように、基板１の裏面１ｂ上（図１における下面）には、駆動回路８が形成されている。駆動回路８の基板１と反対側の面（下面）は、駆動回路８を覆う絶縁膜１１によって平坦化されている。絶縁膜１１の下面は、封止層１２に覆われている。また、図１に示すように、基板１の表面１ａ上（図１における上面）には、反射電極膜５を含む有機ＥＬ素子６０が形成されている。有機ＥＬ素子６０上には、封止層９が形成されている。
【００２７】
基板１としては、特に限定されないが、例えば、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリアクリレートフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエーテルスルフォンフィルム、ポリイミドフィルムなどの樹脂フィルム基板からなるフレキシブル基板を用いることができる。
また、基板１に用いられる樹脂フィルム基板としては、駆動回路８の形成されている側の面に、必要に応じて、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、酸窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、それらと有機膜の複合積層膜などからなるバリア層（不図示）を有するものを用いてもよい。
【００２８】
ビア３は、基板１を貫通する貫通孔２に充填された導電材料からなるものである。図１に示すビア３は、基板１の裏面１ｂから貫通孔２内に埋め込まれた駆動回路８の接続配線４ａの一部と、基板１の表面１ａから貫通孔２内に埋め込まれた反射電極膜５の一部とが、貫通孔２内で接触されてなるものである。
したがって、図１に示すビア３は、駆動回路８の接続配線４ａと電気的に接続されているとともに、反射電極膜５と電気的に接続されている。
なお、ビア３を形成している駆動回路８の接続配線４ａの材料と反射電極膜５の材料とは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００２９】
駆動回路８は、図１に示すように、基板１の裏面１ｂ上に形成されている。本実施形態においては、駆動回路８として、アクティブマトリクス方式の駆動方式であるものが備えられている。駆動回路８では、画素スイッチング用の素子として、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が用いられている。
より詳細には、駆動回路８は、スイッチング用ＴＦＴ８ａと、駆動用ＴＦＴ８ｂと、配線４とを備えている。図１に示すスイッチング用ＴＦＴ８ａ、駆動用ＴＦＴ８ｂ、配線４は、マトリクス状に配置された各画素に対応して配置されている。
【００３０】
配線４は、ビア３に接続された接続配線４ａと、走査線と、信号線と、電源線とを含む多層配線構造を有するものである。本実施形態においては、配線４のうち、ビア３に接続された接続配線４ａが、反射電極膜５に駆動電流を供給する電源線の一部となっている。
配線４は、銀、アルミニウム、銅、およびそれらの合金などの導電材料からなるものであり、全て同一の材料からなるものであってもよいし、多層配線構造の各層毎や、配線の機能（走査線、信号線、電源線）毎に異なる材料からなるものであってもよい。
【００３１】
図１に示す駆動回路８では、走査線を介して走査信号が、スイッチング用ＴＦＴ８ａのゲート電極に供給されるようになっている。また、スイッチング用ＴＦＴ８ａを介して信号線から供給される信号は、保持容量（不図示）に保持され、駆動用ＴＦＴ８ｂのゲート電極に供給されるようになっている。また、電源線から反射電極膜５への駆動電流は、駆動用ＴＦＴ８ｂとビア３とを介して供給されるようになっている。
【００３２】
そして、図１に示す駆動回路８では、走査線が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ８ａがオンになると、そのときの信号線の電位が保持容量に保持され、保持容量の状態に応じて駆動用ＴＦＴ８ｂのオン・オフ状態が決定される。そして、駆動用ＴＦＴ８ｂを介して電源線から反射電極膜５に電流が流れると、有機ＥＬ素子６０が発光するようになっている。
【００３３】
図１に示すように、駆動回路８の下面は、駆動回路８を覆う絶縁膜１１によって平坦化され、絶縁膜１１の下面は、封止層１２に覆われている。
絶縁層１１の材料としては、公知の材料を用いることができ、具体的には、例えば、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などの有機系材料や、シリコン窒化物（ＳｉＮ）などの各種無機系材料などが挙げられる。
【００３４】
封止層１２は、表示装置１０の耐久性を向上させるために、絶縁層１１側から順に接着性樹脂層と、バリア層と、封止フィルム層とが積層されたものであることが好ましい。
接着性樹脂層としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン、フェノール樹脂などの熱硬化型接着性樹脂や、光硬化型接着性樹脂、熱可塑型接着性樹脂などを用いることができる。
バリア層としては、例えば、アルミニウム、ニッケル、銅などの金属からなる金属箔や、これらの合金からなる金属箔や、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、酸窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、それらと有機膜との複合積層膜などを用いることができる。
封止フィルム層としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレート、ポリカーボネートなどからなるプラスチックフィルムを用いることができる。
【００３５】
有機ＥＬ素子６０は、図１に示すように、反射電極膜５を含む陽極（第１電極）と、陰極７（第２電極）と、反射電極膜５と陰極７との間に配置された有機ＥＬ積層膜６とを備えている。
陽極は、反射電極膜５を含むものであり、図１に示すように、反射電極膜５のみからなるものであってもよいし、反射電極膜５に加え、必要に応じて反射電極膜５の他の１層または複数層の電極膜を含むものであってもよい。陽極が、反射電極膜５に加えて、反射電極膜５の他の電極膜を含む場合としては、例えば、反射電極膜５の有機ＥＬ積層膜６側に、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電膜を形成したものが挙げられる。
【００３６】
図１に示す反射電極膜５は、上述したように、ビア３と電気的に接続されており、ビア３を介して駆動回路８の接続配線４ａと電気的に接続されている。また、図１に示す有機ＥＬ素子６０では、反射電極膜５上に有機ＥＬ積層膜６と陰極７とがこの順で形成されており、反射電極膜５が有機ＥＬ素子６０の陽極（第１電極）として機能するものとされている。
【００３７】
反射電極膜５は、金属粒子を含有するペーストが固化されてなる反射膜の表面が鏡面処理されてなるものである。図１に示す反射電極膜５では、固化前の金属粒子を含有するペーストとして、金属粒子とバインダと溶媒とを含むものが用いられている。このため、図１に示す反射電極膜５は、バインダに金属粒子が分散された状態で固化されたものとなっている。
【００３８】
反射電極膜５に含まれる金属粒子としては、例えば、銀、銅、金、アルミからなるものなどが挙げられ、導電性や反射率の高さから、銀粒子を用いることが好ましい。また、反射電極膜５に含まれるバインダとしては、スクリーン印刷のインクに使用される公知のバインダを用いることができ、例えば、エポキシ樹脂やポリエステル樹脂などが挙げられ、耐薬品性の高さから、エポキシ樹脂を用いることが好ましい。
【００３９】
反射電極膜５の表面粗さＲａは、１０ｎｍ以下であることが好ましく、５ｎｍ以下であることがより好ましい。反射電極膜５の表面粗さＲａは、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いることにより測定できる。
【００４０】
反射電極膜５の表面粗さＲａが１０ｎｍ以下である場合、有機ＥＬ素子６０における反射電極膜５と陰極７との短絡をより確実に防止できる。さらに、反射電極膜５の表面粗さＲａが１０ｎｍ以下である場合、反射電極膜５の光沢がより一層優れたものとなり、有機ＥＬ素子６０の発光層６ｂからの光をより効率よく反射でき、有機ＥＬ素子６０および表示装置１０の輝度をより一層向上させることができる。
また、反射電極膜５の表面粗さＲａは、１ｎｍ以上であることが好ましく、３ｎｍ以上であることがより好ましい。反射電極膜５の表面粗さＲａが３ｎｍ以上である場合、後述する反射膜の鏡面処理を短時間で容易に効率よく行うことができ、好ましい。
【００４１】
反射電極膜５の厚みは、特に限定されるものではないが、０．２〜１０μｍであることが好ましく、０．５〜３μｍであることがより好ましい。反射電極膜５の厚みを０．２μｍ以上とすることで、容易に反射電極膜５としての良好な導電性と光沢が得られる。また、反射電極膜５の厚みが３μｍ以下である場合、反射電極膜５の反射膜および導電膜としての機能を低下させることなく、反射電極膜５となる材料の使用量を抑制できる。
【００４２】
また、図１に示す表示装置１０では、反射電極膜５の形成される被形成面（図１においては基板１の表面１ａ）に、貫通孔２の形成に伴う凹凸や、ビア３を形成するために基板１の裏面１ｂから貫通孔２内に接続配線４ａを埋め込むことによって形成された凹凸が存在している。
【００４３】
図１に示す表示装置１０では、反射電極膜５が、反射膜の表面が鏡面処理されてなるものであるので、反射電極膜５の被形成面に形成されている上記の凹凸の深さの寸法よりも、反射電極膜５の厚みの寸法が小さくても、反射電極膜５の表面は平坦なものとなる。すなわち、反射電極膜５の被形成面上に反射膜を形成した時点で、反射膜上に上記の凹凸に起因する凹凸が残留していても、反射膜の表面を鏡面処理することにより簡便かつ十分に平坦化される。よって、本実施形態の表示装置１０では、反射電極膜５の被形成面に形成されている上記の凹凸が、有機ＥＬ素子６０に悪影響を来すことを効果的に防止できる。
【００４４】
なお、本実施形態においては、反射電極膜５の被形成面に形成されている上記の凹凸による有機ＥＬ素子６０への悪影響を回避するために、例えば、以下に示す構造を形成してから、反射電極膜５を形成してもよい。
すなわち、図１に示す基板１の表面１ａ上に、ビア３に接続する配線と、その配線の上に形成された絶縁膜からなる平坦化層とを形成する。そして、平坦化層に、平坦化層を貫通し、底面にビア３に接続する配線を露出させる貫通孔を設け、平坦化層上を、反射電極膜５の被形成面とする。
【００４５】
この場合、反射電極膜５を形成する際に、平坦化層に設けられている貫通孔に反射電極膜５の材料であるインクが供給されて、反射電極膜５と、貫通孔の底面に露出されたビア３に接続する配線とが電気的に接続される。したがって、反射電極膜５は、ビア３と電気的に接続されており、ビア３を介して駆動回路８の接続配線４ａと電気的に接続されているものとなる。この場合、上記の凹凸にかかわらず、反射電極膜５の厚みを決定できる。
【００４６】
有機ＥＬ積層膜６は、図１に示すように、正孔注入・輸送層６ａと、発光層６ｂとを有している。なお、有機ＥＬ積層膜６の積層構造は、図１に示す例に限定されるものではなく、従来公知の構造を適用できる。例えば、有機ＥＬ積層膜６の積層構造は、発光層６ｂの陰極７側に、ホールブロック層や、バリウムなどからなる電子注入・輸送層が積層されているものでもよいし、正孔注入・輸送層６ａ、発光層６ｂが、それぞれ一層からなるものであってもよいし、複数層からなるものであってもよいし、正孔注入・輸送層６ａが設けられていないものであってもよい。
【００４７】
正孔注入・輸送層６ａは、その内部において正孔を輸送する機能を有するとともに、正孔を発光層６ｂ側に注入・輸送する機能を有している。正孔注入・輸送層６ａの材料としては、例えば３，４−ポリエチレンジオシチオフェン−ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）の分散液などを用いることができる。具体的には、分散液としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液を好適に用いることができる。また、上記の材料以外にも従来公知の正孔注入・輸送層の材料を用いることができる。
【００４８】
発光層６ｂとしては、例えば、発光色素の単独膜や、ホスト材料と発光色素との混合膜などからなるものが挙げられる。発光層６ｂは、正孔輸送材料や電子輸送材料などの電荷輸送材料を含むものであってもよい。
発光層６ｂのホスト材料としては、例えば、ＣＢＰ（４，４’−ｂｉｓ(９−ｄｉｃａｒｂａｚｏｌｙｌ)−２，２’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ）を用いることができる。また、これ以外にも、ＢＡｌｑ(Ｂｉｓ−(２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｅ)−４−(ｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｏｌａｔｅ)ａｌｕｍｉｎｉｕｍ)、ｍＣＰ（Ｎ，Ｎ−ｄｉｃａｒｂａｚｏｌｙｌ−３，５−ｂｅｎｚｅｎｅ：ＣＢＰ誘導体）、ＣＤＢＰ（４，４'−ｂｉｓ(９−ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ) −２，２'−ｄｉｍｅｔｈｙｌ−ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、ＤＣＢ（Ｎ，Ｎ’−Ｄｉｃａｒｂａｚｏｌｙｌ−１，４−ｄｉｍｅｔｈｅｎｅ−ｂｅｎｚｅｎｅ）、Ｐ０６（２，７−ｂｉｓ(ｄｉｐｈｅｎｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ ｏｘｉｄｅ)−９，９−ｄｉｍｅｔｈｙｌｆｌｕｏｒｅｎｅ）、ＳｉｍＣＰ（３，５−ｂｉｓ(９−ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ)ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌｓｉｌａｎｅ）、ＵＧＨ３（Ｗ−ｂｉｓ(ｔｒｉｐｈｅｎｙｌｓｉｌｙｌ)ｂｅｎｚｅｎｅ）などを用いることができる。また、ポリマー材料からなるホスト材料として、ポリビニルカルバソール（ＰＶＫ）誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン誘導体などを用いることが出来る。
【００４９】
発光層６ｂの発光色素としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。具体的には、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）などの蛍光性色素、また、イリジウム錯体や、白金錯体などの燐光性色素なども用いることが出来る。
【００５０】
また、発光層６ｂの発光色素の単独膜としては、ポリマー発光材料からなるものなどを用いることが出来る。ポリマー発光材料としては、例えば、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリチオフェン誘導体、などの高分子材料が挙げられる。さらには上記の発光色素を、上記の高分子材料にドープしたものを用いてもよい。
【００５１】
有機ＥＬ積層膜６上には、図１に示すように、陰極７が形成されている。陰極７としては、Ａｇや、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電膜からなるものが挙げられる。
また、図１に示すように、有機ＥＬ素子６０上には、表示装置１０の耐久性を向上させるために、封止層９が形成されている。封止層９としては、上述した封止層１２と同様のものを用いることができる。
【００５２】
「製造方法」
次に、本発明の有機ＥＬ素子および表示装置の製造方法として、図１に示す表示装置の製造方法の一例を説明する。図２〜図５は、図１に示す表示装置の製造方法を説明するための工程図である。
図１に示す表示装置１０を製造するには、まず、図２に示すように、基板１を用意し、基板１を貫通する貫通孔２を設ける。貫通孔２の形成方法は、特に限定されるものではなく、例えば、打ち抜き加工、切削加工、レーザ加工などの方法を用いることができる。基板１として樹脂フィルム基板を用いる場合には、レーザ加工法を用いて貫通孔２を形成することが好ましい。レーザ加工法を用いることで、樹脂フィルム基板に簡便に貫通孔２を形成できる。
【００５３】
次いで、図３に示すように、貫通孔２の設けられた基板１において、表示装置１０としたときに、裏面１ｂとなる面を上に向けて設置する（図１参照）。そして、基板１の裏面１ｂ上に駆動回路８を形成する（回路形成工程）。
回路形成工程においては、まず、基板１の裏面１ｂ上に接して駆動回路８の配線４の一部である接続配線４ａを形成するとともに、接続配線４ａの一部が貫通孔２内に形成されたビア３を形成する。
【００５４】
駆動回路８の接続配線４ａを形成する場合、以下に示す方法を用いることが好ましい。まず、金属粒子を含有するペーストからなるインクを、スクリーン印刷により基板１の裏面１ｂ上の接続配線４ａとなる所定の領域に選択的に塗布するとともに、インクの一部を貫通孔２に埋め込む。次いで、加熱してインクに含まれる溶媒を除去して、金属粒子を含有するペーストを固化させる。このような方法を用いて接続配線４ａ形成することで、接続配線４ａを効率よく簡便に所定の形状に形成できるとともに、接続配線４となるインクを貫通孔２内に容易に充填でき、効率よく簡便にビア３を形成できる。
【００５５】
なお、駆動回路８の接続配線４ａをスクリーン印刷法により基板１の裏面１ｂ上に接して形成する場合、インクとしては、例えば、金属粒子とバインダと溶媒とを含むものが用いられる。インクに含まれる金属粒子としては、例えば、銀、銅、金、アルミからなるものなどが挙げられ、導電性の高さから、銀粒子を用いることが好ましい。また、バインダとしては、例えば、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂などが挙げられ、耐溶剤性の高さから、エポキシ樹脂を用いることが好ましい。
【００５６】
また、基板１の裏面１ｂ上に接して駆動回路８の接続配線４ａを形成する方法としては、上述したスクリーン印刷法を用いることが好ましいが、例えば、インクジェット法により配線４の形成材料を所定の形状に塗布する方法や、ディスペンス法、スピンコート法を用いて接続配線４ａの形成材料を基板１の裏面１ｂ上全面に塗布した後、フォトリソグラフィ方式を用いて所定の形状にパターニングする方法などを用いてもよい。
【００５７】
なお、本実施形態においては、基板１の裏面１ｂ上に接して接続配線４ａを形成する際に、接続配線４ａと同時に、接続配線４ａの他の配線４の一部を形成することが好ましい。
その後、駆動回路８の接続配線４ａ（および接続配線４ａと同時に形成した配線４の一部）の形成された基板１の裏面１ｂ上に、駆動回路８の配線４を構成する接続配線４ａ（および接続配線４ａと同時に形成した配線４の一部）以外の配線と、スイッチング用ＴＦＴ８ａと、駆動用ＴＦＴ８ｂとを従来公知の方法により形成する。このことにより、図３に示す駆動回路８が形成される。
次いで、駆動回路８上に、従来公知の方法により駆動回路８を覆う絶縁膜１１を形成し、駆動回路８上を平坦化する。
【００５８】
その後、図４に示すように、表示装置１０としたときに、表面１ａとなる面を上に向けて設置する（図１参照）。そして、基板１の表面１ａ上に接して、反射電極膜５を形成する。本実施形態においては、反射電極膜５を形成すると同時に、貫通孔２内に反射電極膜５の一部が形成されてビア３が形成される。
【００５９】
反射電極膜５を形成するには、まず、金属粒子を含有するペーストからなるインクを、スクリーン印刷により基板１の表面１ａ上（基体上）の反射電極膜５となる所定の領域に選択的に塗布するとともに、インクの一部を貫通孔２に埋め込む。次いで、例えば、加熱してインクに含まれる溶媒を除去し、金属粒子を含有するペーストを固化させる。このことにより、ビア３に一部が埋め込まれた反射膜と、ビア３と電気的に接続された反射膜とが形成される（印刷工程）。このような方法を用いることにより、反射電極膜５となるインクを貫通孔２内に容易に充填でき、効率よく簡便にビア３を形成できる。
【００６０】
また、本実施形態においては、反射膜の厚みを０．５μｍ以上とすることが好ましく、１μｍ以上とすることがより好ましい。反射膜の厚みを２μｍ以上とした場合、反射膜を形成する際に、基板１の表面１ａから反射電極膜５の形成に用いるインクが十分に貫通孔２に供給されることになり、反射電極膜５におけるビア３を介しての駆動回路８の接続配線４ａとの接続の信頼性をより一層向上できる。
本実施形態においては、反射電極膜５を形成するためのインクとして、駆動回路８の接続配線４ａをスクリーン印刷法により形成する場合に使用されるものと同様のものを用いることができる。
【００６１】
次いで、反射膜の表面を研磨する鏡面処理を行うことにより、反射電極膜５を形成する。鏡面処理は、鏡面処理の途中で適宜反射電極膜５の表面粗さＲａを測定する方法などを用いて、反射電極膜５の表面粗さＲａが１０ｎｍ以下となるまで行うことが好ましく、５ｎｍ以下となるまで行うことがより好ましい。
鏡面処理は、反射膜の表面に砥粒を含むスラリーを供給して研磨する処理であることが好ましい。砥粒としては、例えば、ダイヤモンド、酸化セリウム、アルミナなどを用いることができる。
反射膜の表面に砥粒を含むスラリーを供給して研磨することにより、例えば、砥粒を含む樹脂フィルムを用いて研磨する場合などと比較して、効率よく簡便に反射電極膜５の表面粗さＲａを１０ｎｍ以下とすることができる。
【００６２】
次いで、必要に応じて反射電極膜５上に従来公知の方法によりＩＴＯなどからなる透明導電膜を形成することにより、反射電極膜５を含む陽極が形成される。
その後、図５に示すように、陽極上に、従来公知の方法により正孔注入・輸送層６ａと発光層６ｂとを順に形成することにより、有機ＥＬ積層膜６を形成する。
次いで、有機ＥＬ積層膜６上に、従来公知の方法により、ＡｇやＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電膜からなる陰極７を形成する。
このことにより、図５に示すように、有機ＥＬ素子６０が形成される。
【００６３】
次いで、有機ＥＬ素子６０上に、従来公知の方法により、例えば、有機ＥＬ素子６０側から順に接着性樹脂層と、バリア層と、封止フィルム層とを積層してなる封止層９を形成する。
その後、表示装置１０としたときに、基板１の裏面１ｂとなる面を上に向けて設置し、絶縁層１１側から順に接着性樹脂層と、バリア層と、封止フィルム層とが積層された封止層１２を形成する。
以上の工程により、図１に示す表示装置１０が形成される。
【００６４】
本実施形態の有機ＥＬ素子６０は、金属粒子を含有するペーストを固化してなる反射膜の表面が鏡面処理されてなる反射電極膜５を含む陽極を備えたものであるので、基板１上に、インクをスクリーン印刷して固化させ、得られた反射膜の表面を鏡面処理することで、スパッタリング法を用いる場合と比較して容易に効率よく反射電極膜５を形成できる。したがって、本実施形態の有機ＥＬ素子６０および、これを備える表示装置１０は、優れた生産性を有するものとなる。
【００６５】
しかも、本実施形態の有機ＥＬ素子６０は、反射膜の表面が鏡面処理されてなるものであることによって優れた光沢を有し、有機ＥＬ素子６０の発光層６ｂからの光を効率よく光取り出し面側（図１における上側）に反射させることができる反射電極膜５を備えるものとなる。よって、本実施形態の有機ＥＬ素子６０および、これを備える表示装置１０は、良好な光取り出し効率を有するものとなる。
【００６６】
また、本実施形態の表示装置１０の製造方法では、基板１上にインクをスクリーン印刷して反射電極膜５となる反射膜を形成するので、例えば、スパッタリング法を用いて反射膜を形成する場合と比較して、容易に十分な厚みの反射膜を容易に形成でき、得られた反射膜の表面を研磨して反射導電膜５を形成することにより、有機ＥＬ積層膜６の形成される面を簡便かつ十分に平坦化できる。また、本実施形態の表示装置１０の製造方法によれば、容易に反射電極膜５の一部を貫通孔２に埋め込むことができ、反射電極膜５とビア３とを同時に効率よく形成できるとともに、反射電極膜５とビア３とを良好に電気的に接続できる。
【００６７】
また、本実施形態の表示装置１０の製造方法では、基板１上に金属粒子を含有するペーストからなるインクをスクリーン印刷して固化させ反射膜を形成した後、反射膜の表面を研磨することにより反射電極膜５を形成している。例えば、スパッタリング法を用いて反射導電膜を形成する場合、スパッタに使用されるプラズマによって、電子やラジカルイオン性分子（活性種）が発生する。このような活性種は、反射導電膜の形成される面や、反射導電膜を形成する前に既に形成されていた部材を、変質させてしまう可能性がある。本実施形態の製造方法により反射電極膜５を形成する場合、上記のような活性種が発生することは無いため、反射電極膜５の形成に伴う駆動回路８のスイッチング用ＴＦＴ８ａおよび駆動用ＴＦＴ８ｂへの負荷を小さくできる。よって、本実施形態の製造方法によれば、駆動回路８を形成した後の製造工程に起因する駆動回路８の性能低下が抑制され、駆動回路８の信頼性に優れた表示装置１０が得られる。
【００６８】
また、本実施形態の表示装置１０の製造方法では、駆動回路８を形成した後に駆動回路８の性能低下を抑制しつつ、反射電極膜５を含む陽極と有機ＥＬ積層膜６と陰極７とを順次形成することにより有機ＥＬ素子６０を形成できる。したがって、本実施形態の製造方法は、トランジスタの形成されている層と有機ＥＬ素子６０との間に反射電極膜５が配置されるトップエミッション方式の表示装置を製造する際に好適に使用できる。すなわち、本実施形態の製造方法を用いることで、有機ＥＬ素子６０の開口率の高い表示装置を容易に実現できる。
【００６９】
「第２実施形態」
図６は、本発明の有機ＥＬ素子を備えた本発明の表示装置の他の例を説明するための概略断面図である。図６に示す表示装置２０は、図１に示す表示装置１０と同様に、有機ＥＬ素子６０の発光層６ｂからの光を上方に取り出すものである。図６に示す表示装置２０は、図１に示す表示装置１０と同様に、駆動回路８を構成するスイッチング用ＴＦＴ８ａおよび駆動用ＴＦＴ８ｂの形成されている層と、表示装置１０の光取り出し面との間に、有機ＥＬ素子６０が配置されているトップエミッション方式の表示装置である。
【００７０】
図６示すように、表示装置２０には、図１に示す表示装置１０と同じ有機ＥＬ素子６０が備えられている。以下の説明においては、図６に示す表示装置２０において、図１に示す表示装置１０と同じ構成については同じ符号を付し、説明を省略し、異なる点のみ説明する。
【００７１】
図６において、符号２２は基板を示し、符号２１は平坦下層を示し、符号２３は貫通孔を示し、符号３１はビアを示している。図６に示す表示装置２０では、図１に示す表示装置１０と同様の駆動回路８が備えられている。しかし、図６に示す表示装置２０では、図１に示す表示装置１０と異なり、基板２２の有機ＥＬ素子６０側である表面２２ａ上（一面上）に、駆動回路８が形成されている。そして、駆動回路８の有機ＥＬ素子６０側の面（上面）が、駆動回路８を覆う絶縁膜からなる平坦下層２１によって平坦化されている。
【００７２】
平坦下層２１の材料としては、樹脂などの公知の材料を用いることができる。平坦化層２１の厚さは、十分に平坦な表面２１ａが得られ、かつ、貫通孔２３およびビア３１を容易に形成できるように、２〜３μｍであることが好ましい。
図６に示す表示装置２０では、図１に示す表示装置１０と異なり、平坦下層２１の表面２１ａが、反射電極膜５の形成される被形成面（基体の表面）とされている。平坦下層２１には、平坦化層２１を貫通する貫通孔２３と、貫通孔２３に形成され、駆動回路８の接続配線４ａと電気的に接続されたビア３１とが備えられている。
また、基板２２の裏面２２ｂ（図６においては下面）は、封止層１２に覆われている。
【００７３】
図６に示す表示装置２０の基板２２には、図１に示す表示装置１０の基板１と異なり、ビアを形成するための貫通孔が設けられていない。このため、基板２２の材料は、貫通孔を設ける際の加工性を考慮することなく、選択できる。具体的には、例えば、基板２２として、図１に示す表示装置１０の基板１に使用される材料と同様のものを用いることができる。さらに、基板２２として、樹脂フィルム基板と比較して加工性の劣る材料であるが、耐熱性に優れる材料であるガラス基板などを用いてもよい。
【００７４】
また、図６に示す表示装置２０では、図１に示す表示装置１０と異なり、ビア３１は、平坦下層２１の表面２１ａから貫通孔２３内に埋め込まれた反射電極膜５の一部と、平坦下層２１の下層に形成されている駆動回路８の接続配線４ａの一部とが接触されているものである。したがって、図６に示すビア３１は、駆動回路８の接続配線４ａと電気的に接続されているとともに、平坦下層２１上に形成された反射電極膜５と電気的に接続されている。
【００７５】
「製造方法」
次に、図６に示す表示装置２０の製造方法の一例を説明する。図７〜図９は、図６に示す表示装置の製造方法を説明するための工程図である。
図６に示す表示装置２０を製造するには、まず、図７に示すように、基板２２を用意し、基板２２の表面２２ａ上（一面上）に、図１に示す表示装置１０と同様の駆動回路８を形成する（回路形成工程）。
【００７６】
図６に示す表示装置２０では、従来公知の方法により、基板２２の表面２２ａ上に、反射電極膜５に駆動電流を供給する電源線の一部であってビア３１に接続される接続配線４ａと接続配線４ａ以外の電源線と走査線と信号線とを含む多層配線構造を有する配線４と、スイッチング用ＴＦＴ８ａと、駆動用ＴＦＴ８ｂとを含む図７に示す駆動回路８を形成する。
【００７７】
なお、図６に示す表示装置２０では、図１に示す表示装置１０のように接続配線４ａの一部を貫通孔２内に埋め込む必要はないため、この点を考慮することなく、接続配線４ａの形成方法を選択できる。したがって、駆動回路８の接続配線４ａを形成する方法として、図１に示す表示装置１０の接続配線４ａを形成する場合と同様に、スクリーン印刷法を用いてもよいし、インクジェット法により配線４の形成材料を所定の形状に塗布する方法や、ディスペンス法、スピンコート法、スパッタリング法などを用いて接続配線４ａの形成材料を基板２２の表面２２ａ上全面に形成した後、フォトリソグラフィ方式を用いて所定の形状にパターニングする方法などを用いてもよい。
【００７８】
次いで、図７に示すように、駆動回路８上に、従来公知の方法により駆動回路８を覆う絶縁膜を形成することにより、駆動回路８上を平坦化する平坦下層２１を形成する。次いで、酸素プラズマ法などを用いて、平坦化層２１を貫通する貫通孔２３を形成し、貫通孔２３の底面にビア３１に接続される接続配線４ａを露出させる。
【００７９】
次に、本実施形態においては、平坦下層２１の表面１ａ上に、図１に示す表示装置１０の反射電極膜５を形成する場合と同様にして、反射電極膜５を形成する。本実施形態においては、図８に示すように、反射電極膜５を形成すると同時に、反射電極膜５の一部が貫通孔２３内に形成されて、貫通孔２３に導電材料が充填されたビア３１が形成される。このことにより、駆動回路８の接続配線４ａと電気的に接続されたビア３１が形成されるとともに、ビア３１を介して駆動回路８の接続配線４ａと電気的に接続された反射電極膜５が得られる。
【００８０】
次に、必要に応じて反射電極膜５上に従来公知の方法によりＩＴＯなどからなる透明導電膜を形成することにより、反射電極膜５を含む陽極を形成する。
その後、陽極上に、図１に示す表示装置１０と同様にして、有機ＥＬ積層膜６と陰極７とを順に形成する。このことにより、図９に示すように、有機ＥＬ素子６０が形成される。
【００８１】
次いで、有機ＥＬ素子６０上に、図１に示す表示装置１０と同様にして、封止層９を形成する。
その後、表示装置２０としたときに、基板２２の裏面２２ｂとなる面を上に向けて設置し、基板２２側から順に接着性樹脂層と、バリア層と、封止フィルム層とが積層された封止層１２を形成する。
以上の工程により、図６に示す表示装置２０が形成される。
【００８２】
図６示す表示装置２０においても、図１に示す表示装置１０と同じ有機ＥＬ素子６０が備えられている。したがって、図１に示す表示装置１０と同様の効果が得られる。
また、図６に示す表示装置２０の製造方法では、平坦下層２１上にインクをスクリーン印刷して固化し、得られた反射膜の表面を研磨することにより反射電極膜５を形成するので、容易に反射電極膜５の一部を貫通孔２３に埋め込むことができ、反射電極膜５とビア３１とを良好に電気的に接続できる。
【００８３】
これに対し、反射電極膜５を形成する他の方法としては、例えば、以下に示す方法が考えられる。すなわち、平坦下層２１上の全面に、スパッタリング法などを用いて導電材料膜を形成し、貫通孔２３内に導電材料を充填する。その後、ＣＭＰ（化学的機械研磨）法を用いて、貫通孔２３内以外の平坦下層２１上の導電材料を除去し、平坦化する。その後、平坦下層２１上の所定の領域に反射電極膜５を形成する。
本実施形態の表示装置２０の製造方法は、このような方法を用いる場合と比較して、少ない工程数で、簡便に反射電極膜５を形成できる。
【００８４】
なお、上述した実施形態においては、駆動回路８が、アクティブマトリクス方式の駆動方式である場合を例に挙げて説明したが、本発明の表示装置において、駆動回路８の駆動方式は特に限定されるものではなく、例えば、パッシブ方式であってもよい。
駆動回路が、パッシブ方式の駆動方式である場合、例えば、複数の信号配線と複数の共通配線とを交差して配置させ、信号配線と共通配線との交差部に発生される電界により有機ＥＬ素子６０を駆動させる駆動方式とすることができる。
【００８５】
また、本発明の表示装置は、図１に示す表示装置１０および図６に示す表示装置２０に限定されるものではない。例えば、基板上に駆動回路を形成し、他の基板上に本発明の有機ＥＬ素子を形成し、駆動回路の形成された基板と有機ＥＬ素子の形成された基板とをラミネートする方法などにより貼り付けてなる表示装置であってもよい。この場合、例えば、駆動回路の形成された基板と、本発明の有機ＥＬ素子の形成された基板のそれぞれから良品を選別して表示装置の部材として用いることにより、表示装置の歩留まりを向上させることができる。
【００８６】
以下、本発明の実施例について説明する。なお、本発明の有機ＥＬ素子およびその製造方法は以下に示す実施例に限定されない。
「実施例１」
以下に示す方法により図１０に示すテスト用素子を形成し、発光性能を評価した。
図１０（ａ）は実施例１のテスト用素子の平面図であり、図１０（ｂ）は実施例１のテスト用素子の断面図である。
【００８７】
まず、厚み１２５μｍのＰＥＮフィルムからなる基板４１を用意し、レーザ加工法を用いて基板４１の一方の面側（図１０（ｂ）における下側）から直径５０μｍの貫通孔４６を形成した。貫通孔４６は、２行５列のマトリクス状に配置し、行方向の間隔を３．５ｍｍピッチとし、列方向の間隔を３．０ｍｍとした。
【００８８】
次に、基板４１の一方の面の貫通孔４６の形成されている領域上に、行方向（図１０（ａ）における横方向）に平行に延在する幅３．０ｍｍ、厚み３μｍの２本の配線４２を形成した。配線４２を形成する際には、まず、インクをスクリーン印刷することにより、所定の領域にインクを選択的に塗布するとともに、インクの一部を貫通孔４２内に埋め込んだ。次いで、インクを乾燥させてインクに含まれる溶媒を除去し、インクを固化させた。
【００８９】
配線４２を形成するためのスクリーン印刷では、インクとして銀粒子を含有するペーストであるＴＲ６５９０２（商品名：太陽インキ製造株式会社製）を用い、製版としてＨＳ−Ｄ５００／１９−Ｂ２０（商品名：アサダメッシュ株式会社製）を用い、スキージとしてミノプレンである９ＭＭＹＮｏ．２  １５ＣＭ（商品名：株式会社ミノグループ製）を用いた。
【００９０】
配線４２を形成した後、基板４１の一方の面を下に向けて、レーザ顕微鏡を用いて貫通孔４６の上部の断面を観察した。その結果を図１１（ａ）に示す。図１１（ａ）は、貫通孔周辺の断面形状を示したグラフである。図１１（ａ）に示すグラフの横軸は、基板の他方の面上における貫通孔近傍の任意の位置（基準点）からの距離であり、縦軸は基板の他方の面上を０とした時の厚みである。また、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）に示す貫通孔４６の上部の断面形状を説明するための模式図である。
【００９１】
図１１（ａ）および図１１（ｂ）に示すように、貫通孔４６の壁面に沿ってインクが侵入したことにより、貫通孔４６の壁面に沿って、基板４１の一方の面側から他方の面４１ｂに達して配線４２の一部が形成されていた。また、貫通孔４６の中央部には、基板４１の他方の面４１側に開口する窪み４２ａが形成されていた。また、貫通孔４６の壁面上部と貫通孔４６内の配線４２との間には、隙間４２ｂが形成されていた。この隙間４２ｂと窪み４２ａとの間には、配線４２からなり、基板４１の他方の面４１ｂの表面高さから頂部が突出されている突起４２ｃが、平面視環状に形成されていた。突起４２ｃが、他方の面４１ｂの表面高さから突出している寸法は、数μｍ程度であった。
【００９２】
次に、基板４１の他方の面４１ｂの貫通孔４６の形成されている領域上に、配線４２と同様にしてスクリーン印刷法を用いて、列方向（図１０（ａ）における縦方向）に平行に延在する幅３．０ｍｍ、厚み３μｍの５本の陽極４３の一部となる反射膜を形成するとともに、貫通孔４６内に反射膜の一部を埋め込んだ（印刷工程）。
その後、反射膜の表面を研磨する鏡面処理を行って反射電極膜とした。鏡面処理としては、反射膜の表面にアルミナ砥粒を含むスラリー（日本磨料工業株式会社製）を供給して研磨する方法を用いた。鏡面処理後に得られた反射電極膜の表面粗さＲａは８．０ｎｍであり、反射電極膜の厚みは１．５μｍであった。
【００９３】
次に、反射電極膜上に、スパッタリング法を用いて、ＩＴＯからなる厚み１００ｎｍの透明導電膜を形成することにより、反射電極膜を含む陽極４３を形成した。
その後、陽極４３上に、膜厚３０〜１００ｎｍのＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ層と、膜厚６０ｎｍのα−ＮＰＤ（N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine）とからなる正孔注入・輸送層、膜厚５０ｎｍのＡｌｑ３からなる発光層、膜厚２．５ｎｍのバリウムからなる電子注入・輸送層とを順に形成することにより、有機ＥＬ積層膜４４を形成した。
なお、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ層は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの溶解された水溶液からなる塗布液を塗布して乾燥させることにより形成した。また、有機ＥＬ積層膜４４を構成するＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ層以外の各層は、抵抗加熱の真空蒸着により形成した。
次いで、有機ＥＬ積層膜４４上に、真空蒸着により、膜厚１０ｎｍのＡｇからなる透明な陰極７を形成した。以上の工程により、複数の３ｍｍ角の発光領域を有する図１０に示すテスト用素子４０を得た。
【００９４】
このようにして得られたテスト用素子４０に直流電圧を印可したところ、３ｍｍ角の発光領域において均一な発光が得られた。
また、実施例１のテスト用素子４０における直流電圧（Ｖ）と輝度（ｃｄ／ｍ２）との関係を調べた。その結果を、図１２に示す。
図１２に示すように、実施例１のテスト用素子４０では十分な発光性能が得られることを確認できた。
【００９５】
「比較例１」
反射膜の表面を研磨する鏡面処理を行わなかったこと以外は、実施例１のテスト用素子４０と同様にして、比較例１のテスト用素子を得た。
なお、反射膜の表面粗さＲａは１１８．０ｎｍであった。
比較例１のテスト用素子に直流電圧を印可したところ、発光せず、輝度は検出できなかった。この原因は、比較例１のテスト用素子では、反射膜の表面粗さＲａが大きいため、陽極と陰極とが短絡したためと推定される。
【符号の説明】
【００９６】
１：基板（基体）、２、２３：貫通孔、３、３１：ビア、４：配線、４ａ：接続配線、５：反射電極膜、６：有機ＥＬ積層膜（有機エレクトロルミネッセンス積層膜）、６ａ：正孔注入・輸送層、６ｂ：発光層、７：陰極（第２電極）、８：駆動回路、８ａ：スイッチング用ＴＦＴ、８ｂ：駆動用ＴＦＴ、９：封止層、１０、２０：表示装置、１１：絶縁膜、１２：封止層、２１：平坦下層（基体）、２２：基板、６０：有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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