(57)【要約】【課題】描画の際のマスク基板の温度が均一となるように温調を行うことができるマスク基板の温調装置及び温調方法を提供すること。【解決手段】マスク基板の温調装置は、マスク基板を予め温調した後、マスク基板を荷電粒子ビームを照射して所望のパターンを描画するマスク描画装置で用いるマスク基板の温調装置であって、マスク基板の温調装置は、独立して温調可能な複数の領域に区分され、互いに対向して配置された第１，第２の温調プレートを有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスク基板を予め温調した後、前記マスク基板を荷電粒子ビームを照射して所望のパターンを描画するマスク描画装置で用いるマスク基板の温調装置であって、
前記マスク基板の温調装置は、
独立して温調可能な複数の領域に区分され、互いに対向して配置された第１，第２の温調プレートを有するマスク基板の温調装置。
【請求項２】
前記第１，第２の温調プレートは、
前記複数の領域のそれぞれに温度計を有する請求項１に記載のマスク基板の温調装置。
【請求項３】
前記マスク基板の温調装置は、
前記温度計で計測される温度に応じて、前記第１，第２の温調プレートの各領域を温調する請求項２に記載のマスク基板の温調装置。
【請求項４】
前記マスク基板の温調装置は、
前記マスク基板の温度が均一となる前記各領域の温度を予め記憶したメモリを備え、
前記メモリに記憶されている前記各領域の温度に基づいて、前記第１，第２の温調プレートの各領域を温調する請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のマスク基板の温調装置。
【請求項５】
マスク基板を予め温調した後、前記マスク基板を荷電粒子ビームを照射して所望のパターンを描画するマスク描画装置で用いるマスク基板の温調方法であって、
独立して温調可能な複数の領域に区分され、互いに対向して配置された第１，第２の温調プレート間に前記マスク基板を配置して温調するマスク基板の温調方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、予め温調したマスク基板に荷電粒子ビームを照射して所望のパターンを描画するマスク描画装置で用いるマスク基板の温調装置及び温調方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
マスク基板の温度が不均一であると熱膨張や熱収縮によりマスク基板に歪みが生じる。このため、マスク基板への描画精度が低下する。そこで、従来のマスク描画装置では、マスク基板に荷電粒子ビームを照射して所望のパターンを描画する前に、マスク基板を予め恒温化することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、特許文献１に提案されるマスク描画装置では、温度センサの検出出力に基づいて、マスク基板を温調する温調プレートをアクティブに温度制御することにより、温調プレートを一定に温度制御するよりも早く安定化させることが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４００５９３８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、マスク基板Ｗを支持する支持ピンやマスク基板Ｗの周辺部からは、より多くの熱が放熱される。また、荷電粒子ビームが照射されると、荷電粒子ビームのエネルギにより照射領域の温度が上昇する。従来の温調装置は、温調時にマスク基板Ｗの温度を均一となるように構成されている。このため、温調室内でマスク基板Ｗの温度が均一であっても、描画時のマスク基板Ｗの温度が均一となっていない虞がある。
【０００６】
本実施形態は、上記問題点を解消するためになされたものであり、描画の際のマスク基板の温度が均一となるように温調を行うことができるマスク基板の温調装置及び温調方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態に係るマスク基板の温調装置は、独立して温調可能な複数の領域に区分され、互いに対向して配置された第１，第２の温調プレートを有する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施形態に係るマスク描画装置の模式図である。
【図２】実施形態に係るソーキング室内の模式図である。
【図３】実施形態に係る温調プレートの模式図である。
【図４】実施形態の変形例に係る温調プレートの模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。
【００１０】
（実施形態）
図１は、実施形態に係るマスク描画装置１０の模式図である。図１（ａ）は、マスク描画装置１０の平面図である。図１（ｂ）は、マスク描画装置１０の断面図である。以下、図１を参照して、マスク描画装置１０の構成について説明する。なお、図１（ａ）では、荷電粒子ビーム鏡筒５００の図示を省略している。
【００１１】
図１に示すように、マスク描画装置１０は、インターフェース（Ｉ／Ｆ）１００と、搬入出（Ｉ／Ｏ）チャンバ２００と、ロボットチャンバ（Ｒチャンバ）３００と、ライティングチャンバ４００と、荷電粒子ビーム鏡筒５００と、制御装置６００と、熱交換器７００と、電源８００と、ゲートバルブＧ１〜Ｇ３とを備える。なお、ロボットチャンバ（Ｒチャンバ）３００は、搬送チャンバを構成する。
【００１２】
Ｉ／Ｆ１００は、ガラス基板上に遮光膜（例えば、クロム（Ｃｒ））とレジスト膜とが積層されたマスク基板Ｗが収容された容器Ｃ（例えば、ＳＭＩＦＰｏｄ）を載置する載置台１１０と、マスク基板Ｗを搬送する搬送ロボット１２０とを備える。
【００１３】
Ｉ／Ｏチャンバ２００は、Ｒチャンバ３００内を真空（低気圧）に保ったままマスク基板Ｗを搬入出するためのいわゆるロードロックチャンバである。Ｉ／Ｏチャンバ２００には、Ｉ／Ｆ１００との間にゲートバルブＧ１が設けられており、真空ポンプ２１０と、ガス供給系２２０とを備える。真空ポンプ２１０は、例えば、ドライポンプやターボ分子ポンプ等であり、Ｉ／Ｏチャンバ２００内を真空引きする。ガス供給系２２０は、Ｉ／Ｏチャンバ２００を大気圧とする際にＩ／Ｏチャンバ２００内へベント用ガス（例えば、窒素ガスやＣＤＡ）を供給する。
【００１４】
Ｉ／Ｏチャンバ２００内を真空引きする際は、Ｉ／Ｏチャンバ２００に接続された真空ポンプ２１０を用いて真空引きする。また、Ｉ／Ｏチャンバ２００内を大気圧に戻す際には、ガス供給系２２０からベント用ガスが供給され、Ｉ／Ｏチャンバ２００内が大気圧となる。なお、Ｉ／Ｏチャンバ２００内を真空引きする際及び大気圧とする際には、ゲートバルブＧ１，Ｇ２はＣｌｏｓｅ（閉）される。
【００１５】
Ｒチャンバ３００は、真空ポンプ３１０と、ソーキング室３２０と、アライメント室３３０と、搬送ロボット３４０とを備える。Ｒチャンバ３００は、ゲートバルブＧ２を介してＩ／Ｏチャンバ２００と接続されている。
【００１６】
真空ポンプ３１０は、例えば、Ｃｒｙｏポンプやターボ分子ポンプ等である。真空ポンプ３１０は、Ｒチャンバ３００に接続されており、Ｒチャンバ３００内を真空引きして高真空を保つ。
【００１７】
図２は、ソーキング室（温調室）３２０内の模式図である。ソーキング室３２０内には、互いに対向して配置された第１，第２の温調プレート３２１Ａ，３２１Ｂと、マスク基板Ｗを支持する支持部材３２２が設けられている。支持部材３２２には、ピン３２２ａが設けられており、このピン３２２ａ上にマスク基板Ｗが載置される。
【００１８】
第１，第２の温調プレート３２１Ａ，３２１Ｂは、マスク基板Ｗよりも大きく構成されている。また、第１，第２の温調プレート３２１Ａ，３２１Ｂは、熱交換器７００及び電源８００に接続されている。図２に示すように、マスク基板Ｗは、ソーキング室３２０内において、第１，第２の温調プレート３２１Ａ，３２１Ｂ間に配置され、所望の温度に温調される。
【００１９】
図３は、第１の温調プレート３２１Ａの模式図である。図３（ａ）は、第１の温調プレート３２１Ａの平面図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）の線分Ｘ−Ｘにおける断面図である。図３（ａ）、図３（ｂ）では、各領域Ａ〜Ｉを鎖線で示している。以下、図３を参照して、第１の温調プレート３２１Ａの構成を説明する。なお、第２の温調プレート３２１Ｂの構成は、第１の温調プレート３２１Ａの構成と同じであるため重複する説明を省略する。
【００２０】
第１の温調プレート３２１Ａは、それぞれ複数のエリア（領域）Ａ〜Ｉに区分されている。各エリアＡ〜Ｉには、各々温度計Ｔが設けられている。各温度計Ｔで検出された温度は、制御装置６００へ出力される。また、各エリアＡ〜Ｉは、各々熱交換器７００及び電源８００と接続されている。
【００２１】
各エリアＡ〜Ｉには、熱交換器７００からの冷却水を循環させるための配管Ｐと、電源８００から供給される電力により加熱されるヒータ（抵抗体）Ｒが設けられている。なお、第１，第２の温調プレート３２１Ａ，３２１Ｂは、熱伝導率の高い材料（例えば、金属材料）で構成することが好ましい。
【００２２】
温度計Ｔは、０．００１℃以下の温度測定分解能を有する白金抵抗体からなる温度計であることが好ましい。なお、第２の温調プレート３２１Ｂの構成は、第１の温調プレート３２１Ａの構成と同じであるため重複する説明を省略する。なお、図３（ｂ）では、各温度計Ｔを第１，第２の温調プレート３２１Ａ，３２１Ｂの表面に配置しているが、各温度計Ｔを第１，第２の温調プレート３２１Ａ，３２１Ｂに埋め込むようにしてもよい。
【００２３】
また、図３では、第１，第２の温調プレート３２１Ａ，３２１Ｂを９つの領域Ａ〜Ｉに区分しているが、区分する領域は９つに限られない。例えば、第１，第２の温調プレート３２１Ａ，３２１Ｂを２以上８以下、もしくは１０以上の領域に区分してもよい。
【００２４】
ここで、マスク基板Ｗを支持する支持ピンやマスク基板Ｗの周辺部からの放熱は、他の領域に比べて多い。また、ライティングチャンバ４００へ搬送した後は、Ｘ−Ｙステージ４２０からも放熱が発生する。このため、ソーキング室３２０内でマスク基板Ｗの温度を均一にしたとしても、マスク基板Ｗをライティングチャンバ４００へ搬送した際にマスク基板Ｗの温度が均一であるとは限らない。
【００２５】
そこで、このマスク描画装置１０では、第１，第２の温調プレート３２１Ａ，３２１Ｂを複数のエリアＡ〜Ｉに区分し、エリアＡ〜Ｉごとに独立して温度を制御することにより、描画時におけるマスク基板Ｗの温度が均一となるようにしている。つまり、ソーキング室３２０内での温調時に、マスク基板Ｗにあえて温度勾配を持たせることにより、ライティングチャンバ４００のＸ−Ｙステージ４２０へ搬送した際のマスク基板Ｗの温度が均一となるようにしている。
【００２６】
なお、描画時におけるマスク基板Ｗの温度が均一となるようにするため、この実施形態では、温度測定が可能な温度測定マスク（以下、温測マスクと記載する）を用いて、ライティングチャンバのＸ−Ｙステージ４２０へ搬送した際にマスク基板Ｗの温度が均一となる第１，第２の温調プレート３２１Ａ，３２１Ｂの各エリアＡ〜Ｉの温度を予め計測しておき後述する制御装置６００のメモリ６２０に記憶している。
【００２７】
そして、第１，第２の温調プレート３２１Ａ，３２１Ｂの各エリアＡ〜Ｉの温度を、制御装置６００のメモリ６２０に記憶した温度に制御することにより、マスク基板Ｗをライティングチャンバ４００のＸ−Ｙステージ４２０に搬送した際に、マスク基板Ｗの温度が均一となるようにしている。つまり、この実施形態では、温調時のマスク基板Ｗの温度にあえて温度勾配を持たせることにより、描画時にマスク基板Ｗの温度が均一となるようにしている。
【００２８】
なお、マスク基板Ｗに荷電粒子ビームが照射されると、照射領域の温度が上昇する。このため、マスク基板Ｗへの描画パターンに応じて、マスク基板Ｗに温度勾配が発生することが考えられる。
【００２９】
このような荷電粒子ビームの照射により、マスク基板Ｗに温度勾配が発生することを抑制するために、例えば、第１，第２の温調プレート３２１Ａ，３２１Ｂの各領域Ａ〜Ｉに対応するマスク基板Ｗのバターン密度や荷電粒子ビームの照射量に応じて、第１，第２の温調プレート３２１Ａ，３２１Ｂの各領域Ａ〜Ｉの温度を制御するようにしてもよい。
【００３０】
マスク基板Ｗへの描画パターン密度や荷電粒子ビームの照射量に応じて各領域Ａ〜Ｉの温度を制御する場合、描画パターン密度や荷電粒子ビームの照射量の違いによるマスク基板Ｗの温度分布データを予め取得しておき、この温度分布データに基づいて各領域Ａ〜Ｉの温調の温度を変化させればよい。具体的には、パターン密度が高い領域や荷電粒子ビームの照射量が多い領域については温度を下げて温調し、パターン密度が低い領域や荷電粒子ビームの照射量が少ない領域については温度を上げて温調することで、荷電粒子ビームの照射による影響を抑制することができる。
【００３１】
アライメント室３３０は、マスク基板Ｗを位置決め（アライメント）するためのチャンバである。また、アライメント室３３０は、アース体Ｈが収容されている。アース体Ｈは、例えば、複数（例えば、３本）のアースピンＨａと、額縁形状の枠体Ｈｂとを備える。
【００３２】
アース体Ｈは、マスク基板Ｗ上に載置された状態で、マスク基板Ｗ上に荷電粒子ビームによる描画が行われる。この際、アース体Ｈは、図示しないアースと接続されている。つまり、アース体Ｈは、荷電粒子ビームの照射によるマスク基板Ｗへの電荷の蓄積（チャージ）を防止する。搬送ロボット３４０は、Ｉ／Ｏチャンバ２００、ソーキング室３２０、アライメント室３３０及びライティングチャンバ４００間で、マスク基板Ｗを搬送する。
【００３３】
ライティングチャンバ４００は、真空ポンプ４１０と、Ｘ−Ｙステージ４２０と、駆動機構４３０Ａ，４３０Ｂとを備え、ゲートバルブＧ３を介してＲチャンバ３００と接続されている。
【００３４】
真空ポンプ４１０は、例えば、Ｃｒｙｏポンプやターボ分子ポンプ等である。真空ポンプ４１０は、ライティングチャンバ４００に接続されており、ライティングチャンバ４００内を真空引きして高真空を保つ。Ｘ−Ｙステージ４２０は、マスク基板Ｗを載置するための台である。駆動機構４３０Ａは、Ｘ−Ｙステージ４２０をＸ方向に駆動する。駆動機構４３０Ｂは、Ｘ−Ｙステージ４２０をＹ方向に駆動する。
【００３５】
荷電粒子ビーム鏡筒５００は、電子銃５１０、アパーチャ５２０、偏向器５３０、レンズ５４０（照明レンズ（ＣＬ）、投影レンズ（ＰＬ）、対物レンズ（ＯＬ））等から構成される荷電粒子ビーム照射手段を備え、Ｘ−Ｙステージ４２０上に載置されたマスク基板Ｗに荷電粒子ビームを照射する。
【００３６】
制御装置６００は、例えば、コンピュータ等であり、ＣＰＵ６１０とメモリ６２０を備える。制御装置６００は、マスク描画装置１０を制御する。制御装置６００は、例えば、第１，第２の温調プレート３２１Ａ，３２１Ｂの温度計Ｔから出力される温度に応じて、熱交換器７００及び電源８００を制御する。
【００３７】
具体的には、第１，第２の温調プレート３２１Ａ，３２１Ｂの各エリアＡ〜Ｉの温度が、メモリ６２０に予め設定（記憶）されている温度となるように、熱交換器７００からソーキング室３２０へ供給する冷却水の温度及び電源８００からヒータＲへ供給する電力を制御する。
【００３８】
メモリ６２０には、既に述べたように、温測マスクを用いて、ライティングチャンバのＸ−Ｙステージ４２０へ搬送した際にマスク基板Ｗの温度が均一となる第１，第２の温調プレート３２１Ａ，３２１Ｂの各エリアＡ〜Ｉの温度が記憶されている。
【００３９】
熱交換器７００は、制御装置６００からの制御に基づいて、第１，第２の温調プレート３２１Ａ，３２１Ｂの各エリアＡ〜Ｉへ供給する冷却水の温度を独立して変化させる。
【００４０】
電源８００は、制御装置６００からの制御に基づいて、第１，第２の温調プレート３２１Ａ，３２１Ｂの各エリアＡ〜Ｉへ供給する電力を独立して変化させる。
【００４１】
（マスク描画装置１０の動作）
次に、マスク描画装置１０の動作について説明する。なお、以下に説明するマスク描画装置１０の動作は、制御装置６００により制御される。
【００４２】
初めに、マスク基板Ｗを収容した容器Ｃを載置台１１０に載置する。搬送ロボット１２０は、マスク基板Ｗを容器Ｃから取り出す。次に、Ｉ／Ｏチャンバ２００が大気圧とされ、ゲートバルブＧ１がＯｐｅｎ（開）する。
【００４３】
搬送ロボット１２０は、マスク基板ＷをＩ／Ｏチャンバ２００内に載置した後、Ｉ／Ｏチャンバ２００内から退避する。次に、ゲートバルブＧ１がＣｌｏｓｅする。Ｉ／Ｏチャンバ２００内が所定の圧力まで真空引きされた後、ゲートバルブＧ２がＯｐｅｎする。
【００４４】
次に、搬送ロボット３４０は、マスク基板ＷをＩ／Ｏチャンバ２００内から取り出す。その後、ゲートバルブＧ２がＣｌｏｓｅする。次に、搬送ロボット３４０は、マスク基板Ｗをソーキング室３２０へ搬送し、第１，第２の温調プレート３２１Ａ，３２１Ｂの間に設けられた支持部材３２２上へ載置する。
【００４５】
制御装置６００は、第１，第２の温調プレート３２１Ａ，３２１Ｂの各領域Ａ〜Ｉに設けられている温度計Ｔで検出される温度が、メモリ６２０に予め設定（記憶）されている温度となるように熱交換器７００からソーキング室３２０へ供給する冷却水の温度及び電源８００からヒータＲへ供給する電力を制御する。
【００４６】
熱交換器７００は、制御装置６００からの制御に基づいて、第１，第２の温調プレート３２１Ａ，３２１Ｂの各エリアＡ〜Ｉへ供給する冷却水の温度を独立して変化させる。また、電源８００は、制御装置６００からの制御に基づいて、第１，第２の温調プレート３２１Ａ，３２１Ｂの各エリアＡ〜Ｉへ供給する電力を独立して変化させる。
【００４７】
第１，第２の温調プレート３２１Ａ，３２１Ｂの各エリアＡ〜Ｉの温度が予め設定（記憶）されている温度になると、搬送ロボット３４０は、マスク基板Ｗをアライメント室３３０へ搬送する。
【００４８】
アライメント室３３０では、マスク基板Ｗの位置決め（アライメント）が行われた後、搬送ロボット３４０は、アライメント室３３０に収容されたアース体Ｈを、マスク基板Ｗ上に載置する。次に、ゲートバルブＧ３がＯｐｅｎする。搬送ロボット３４０は、マスク基板ＷをＲチャンバ４００内のＸ−Ｙステージ４２０上に載置する。搬送ロボット３４０はＲチャンバ４００内から退避した後、ゲートバルブＧ３がＣｌｏｓｅする。
【００４９】
駆動機構４３０Ａ，４３０Ｂは、Ｘ−Ｙステージ４２０を所定の位置に移動させる。次に、荷電粒子ビーム鏡筒５００から荷電粒子ビームがマスク基板Ｗ上へ照射され、所望のパターンが描画される。
【００５０】
マスク基板Ｗへの描画が終了すると、駆動機構４３０Ａ，４３０Ｂは、Ｘ−Ｙステージ４２０を所定の位置に移動させる。次に、ゲートバルブＧ３がＯｐｅｎする。搬送ロボット３４０は、マスク基板ＷをＲチャンバ４００から取り出す。次に、ゲートバルブＧ３がＣｌｏｓｅする。搬送ロボット３４０は、マスク基板Ｗをアライメント室３３０内へ搬送し、マスク基板Ｗ上にアース体Ｈを載置した時とは逆の手順で、アース体Ｈをアライメント室３３０内へ収容する。
【００５１】
次に、ゲートバルブＧ２がＯｐｅｎし、搬送ロボット３４０は、マスク基板ＷをＩ／Ｏチャンバ２００内へ載置した後、Ｉ／Ｏチャンバ２００内から退避する。次に、ゲートバルブＧ２がＣｌｏｓｅする。ガス供給系２２０からベント用ガスが供給されＩ／Ｏチャンバ２００内が大気圧まで昇圧された後、ゲートバルブＧ１がＯｐｅｎする。
【００５２】
搬送ロボット１２０は、Ｉ／Ｏチャンバ２００内からマスク基板Ｗを取り出して、Ｉ／Ｏチャンバ２００内から退避する。次に、ゲートバルブＧ１がＣｌｏｓｅする。次に、搬送ロボット１２０は、マスク基板Ｗを容器Ｃ内へ収容する。
【００５３】
以上のように、この実施形態に係るマスク描画装置１０は、独立して温調可能な複数の領域に区分され、互いに対向して配置された第１，第２の温調プレート３２１Ａ，３２１Ｂを有している。このため、マスク基板Ｗを支持する支持ピンやマスク基板Ｗの周辺部からの放熱やＸ−Ｙステージ４２０からの放熱を考慮してマスク基板Ｗを温調することができる。
【００５４】
この結果、ソーキング室３２０での温調時に、マスク基板Ｗにあえて温度勾配を持たせ、ライティングチャンバ４００のＸ−Ｙステージ４２０へ搬送した際のマスク基板Ｗの温度が均一となるように温調することができる。
【００５５】
また、第１，第２の温調プレート３２１Ａ，３２１Ｂの各領域Ａ〜Ｉに対応するマスク基板Ｗのバターン密度や荷電粒子ビームの照射量に応じて、第１，第２の温調プレート３２１Ａ，３２１Ｂの各領域Ａ〜Ｉに温度勾配を持たせるようにしている。このため、荷電粒子ビームの照射により、描画中のマスク基板Ｗに温度勾配が発生することを抑制することができる。
【００５６】
（実施形態の変形例）
図４は、実施形態の変形例に係る第１の温調プレート３２１Ａの模式図である。図４（ａ）は、第１の温調プレート３２１Ａの平面図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）の線分Ｘ−Ｘにおける断面図である。第２の温調プレート３２１Ｂの構成は、第１の温調プレート３２１Ａの構成と同じであるため重複する説明を省略する。
【００５７】
図３を参照して説明した実施形態に係る第１の温調プレート３２１Ａでは、各領域Ａ〜Ｉは、物理的に区切られていない。しかし、図４に示すように、第１の温調プレート３２１Ａの各領域Ａ〜Ｉを熱伝導性の低い材料Ｌ（例えば、セラミックス）で区切るように構成してもよい。各領域Ａ〜Ｉを熱伝導性の低い材料で区切ることで、各領域Ａ〜Ｉに温度勾配を持たせやすくできる。
【００５８】
また、図１を参照して説明したマスク描画装置１０では、アライメント室３３０内にアース体Ｈを収容しているが、アース体Ｈを収容するチャンバを、アライメント室と分けて設けるようにしてもよい。さらに、電源８００を備えずに、制御装置６００から直接電力を供給するようにしてもよい。
【００５９】
（その他の実施形態）
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、上記実施形態は、例示であり、本発明を上記実施形態に限定することを意図するものではない。上記実施形態は、その他の様々な形態で実施することが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。
【符号の説明】
【００６０】
１０…マスク描画装置、１１０…載置台、１２０…搬送ロボット、２００…搬入出（Ｉ／Ｏ）チャンバ、２１０…真空ポンプ、２２０…ガス供給系、３００…ロボットチャンバ（Ｒチャンバ）、３１０…真空ポンプ、３２０…ソーキング室、３２１Ａ，３２１Ｂ…温調プレート、３２２…支持部材、３２２ａ…ピン、３３０…アライメント室、３４０…搬送ロボット、４００…ライティングチャンバ、４１０…真空ポンプ、４２０…Ｘ−Ｙステージ、４３０Ａ，４３０Ｂ…駆動機構、５００…荷電粒子ビーム鏡筒、５１０…電子銃、５２０…アパーチャ、５３０…偏向器、５４０…レンズ、６００…制御装置、７００…熱交換器、Ａ-Ｉ…領域、Ｃ…容器、Ｇ１-Ｇ３…ゲートバルブ、Ｈ…アース体、Ｈａ…アースピン、Ｈｂ…枠体、Ｐ…配管、Ｒ…ヒータ、Ｔ…温度計、Ｗ…マスク基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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