(57)【要約】【課題】スループットを低下させることなく基板に残留する処理液を除去することができるめっき装置を提供する。【解決手段】めっき装置は、処理槽１１０と、基板Ｗを保持する基板ホルダ８と、基板Ｗを保持した基板ホルダ８を処理槽内の処理液に浸漬させ、基板ホルダ８を処理槽から引き上げ、さらに基板ホルダ８を搬送するトランスポータ１００と、基板ホルダ８に保持された基板Ｗ上に残留する処理液を吸引する吸引機構１１２，１１６と、吸引機構１１２，１１６を基板ホルダ８に対して相対的に移動させる移動機構１２４とを備える。吸引機構は移動機構１２４に取り付けられ、移動機構１２４はトランスポータ１００に取り付けられている。トランスポータ１００は、基板ホルダ８を水平方向に搬送している間、吸引機構１１２，１１６および移動機構１２４を基板ホルダ８と一体に水平方向に移動させる。【選択図】図７
2014189806.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液を溜める処理槽と、
シール部材を基板に押し付けた状態で前記基板を保持する基板ホルダと、
前記基板を保持した前記基板ホルダを前記処理槽内の前記処理液に浸漬させ、前記基板ホルダを前記処理槽から引き上げ、さらに前記基板ホルダを搬送するトランスポータと、
前記基板ホルダに保持された前記基板上に残留する前記処理液を吸引する吸引機構と、
前記吸引機構を前記基板ホルダに対して相対的に移動させる移動機構とを備え、
前記吸引機構は前記移動機構に取り付けられ、前記移動機構は前記トランスポータに取り付けられており、
前記トランスポータは、前記基板ホルダを水平方向に搬送している間、前記吸引機構および前記移動機構を前記基板ホルダと一体に水平方向に移動させることを特徴とするめっき装置。
【請求項２】
前記移動機構は、前記吸引機構を前記基板ホルダに保持された前記基板に近接および離間する方向に移動させるＸ軸アクチュエータを備えることを特徴とする請求項１に記載のめっき装置。
【請求項３】
前記吸引機構は、
前記シール部材および前記基板上に残留する処理液を吸引する第１の吸引機構と、
前記基板の表面上に残留する処理液を吸引する第２の吸引機構から構成され、
前記Ｘ軸アクチュエータは、
前記第１の吸引機構を前記基板ホルダに保持された前記基板に近接および離間する方向に移動させる第１のＸ軸アクチュエータと、
前記第２の吸引機構を前記基板ホルダに保持された前記基板に近接および離間する方向に移動させる第２のＸ軸アクチュエータから構成されることを特徴とする請求項２に記載のめっき装置。
【請求項４】
前記移動機構は、
前記吸引機構を前記基板ホルダに保持された前記基板と平行に、かつ水平方向に移動させるＹ軸アクチュエータと、
前記吸引機構を鉛直方向に移動させるＺ軸アクチュエータとをさらに備えることを特徴とする請求項２または３に記載のめっき装置。
【請求項５】
前記Ｙ軸アクチュエータおよび前記Ｚ軸アクチュエータは、予め設定された経路に沿って前記第１の吸引機構を移動させることができる電動アクチュエータから構成されることを特徴とする請求項４に記載のめっき装置。
【請求項６】
前記第１の吸引機構は、単一の吸引ノズルを備えることを特徴とする請求項１に記載のめっき装置。
【請求項７】
前記第１の吸引機構は、前記シール部材の形状に沿って配列された複数の吸引ノズルを備えることを特徴とする請求項１に記載のめっき装置。
【請求項８】
前記第１の吸引機構は、前記シール部材の形状に沿ったスリットを有する吸引ノズルを備えることを特徴とする請求項１に記載のめっき装置。
【請求項９】
シール部材を基板に押し付けた状態で基板ホルダにより基板を保持し、
前記基板を保持した前記基板ホルダを処理槽内の処理液に浸漬させ、
前記基板ホルダを前記処理槽から引き上げ、
前記基板ホルダを前記基板とともに水平方向に搬送し、
前記基板ホルダを水平方向に搬送している間、前記基板上に残留する前記処理液を吸引機構により吸引することを特徴とするめっき方法。
【請求項１０】
前記基板ホルダを前記処理槽から引き上げている間、前記基板上に残留する前記処理液を前記吸引機構により吸引することを特徴とする請求項９に記載のめっき方法。
【請求項１１】
前記基板ホルダを水平方向に搬送している間、前記シール部材および前記基板上に残留する前記処理液を前記吸引機構により吸引することを特徴とする請求項９に記載のめっき方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハ等の基板の表面をめっきするめっき装置に関し、特にめっき処理に使用される処理液を吸引する吸引機構を備えためっき装置に関する。また、本発明は、めっき処理に使用される処理液を吸引することで基板から処理液を除去する工程を含むめっき方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＡＢ（Tape  Automated  Bonding）やフリップチップにおいては、配線が形成された半導体チップの表面の所定箇所（電極）に金、銅、はんだ、或いはニッケル、更にはこれらを多層に積層した突起状接続電極（バンプ）を形成し、このバンプを介して基板電極やＴＡＢ電極と電気的に接続することが広く行われている。このバンプの形成方法としては、電気めっき法、蒸着法、印刷法、ボールバンプ法といった種々の手法がある。最近では、半導体チップのＩ／Ｏ数の増加、細ピッチ化に伴い、微細化が可能で性能が比較的安定している電気めっき法が多く用いられるようになってきている。
【０００３】
電気めっき法は、基板の表面（被めっき面）を下向きにして水平に置き、めっき液を下から噴き上げてめっきを施す噴流式またはカップ式と、めっき槽の中に基板を垂直に立て、めっき液をめっき槽の下から注入しオーバフローさせつつ基板をめっき液中に浸漬させてめっきを施すディップ式に大別される。ディップ方式を採用した電気めっき法は、めっきの品質に悪影響を与える泡の抜けが良く、フットプリントが小さいばかりでなく、ウェーハサイズの変更に容易に対応できるといった利点を有している。このため、埋込み穴の寸法が比較的大きく、めっきにかなりの時間を要するバンプめっきに適していると考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２４７０９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ディップ方式のめっき装置は、通常、基板を鉛直に保持する基板ホルダを備えている。この基板ホルダは、基板の周縁部を囲む密閉空間を形成するためのシール部材を有しており、この密閉空間内に給電電極が配置される。基板は、その表面（被めっき面）が露出した状態で基板ホルダに保持され、基板を基板ホルダとともにめっき液中に浸漬させることで基板の表面がめっきされる。
【０００６】
めっき装置では、めっき処理以外にも、前処理、リンスなどの各種処理が行われる。これらの処理でも、基板は基板ホルダとともに各処理液に浸漬される。基板ホルダを処理槽から引き上げる時、基板および基板ホルダ上には処理液が残留する。処理液が残留したまま基板ホルダが搬送されると、搬送中に処理液が基板ホルダから落下し、汚染を引き起こすことがある。また、処理液を保持したまま基板ホルダが次の処理槽へ移動されると、基板ホルダに残留する処理液と次の処理槽内の処理液とが混ざり、基板処理に悪影響を与えることがある。
【０００７】
基板に残留した処理液を自然落下させるために、基板ホルダの引き上げ速度を遅くしたり、基板ホルダの引き上げ後、基板ホルダを処理槽の上方に待機させることが考えられる。しかしながら、このような動作は、タクトタイムを増加させ、スループットを低下させてしまう。
【０００８】
本発明は、上述した従来の問題点に鑑みてなされたもので、スループットを低下させることなく基板に残留する処理液を除去することができるめっき装置およびめっき方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した目的と達成するための本発明の一態様は、処理液を溜める処理槽と、シール部材を基板に押し付けた状態で前記基板を保持する基板ホルダと、前記基板を保持した前記基板ホルダを前記処理槽内の前記処理液に浸漬させ、前記基板ホルダを前記処理槽から引き上げ、さらに前記基板ホルダを搬送するトランスポータと、前記基板ホルダに保持された前記基板上に残留する前記処理液を吸引する吸引機構と、前記吸引機構を前記基板ホルダに対して相対的に移動させる移動機構とを備え、前記吸引機構は前記移動機構に取り付けられ、前記移動機構は前記トランスポータに取り付けられており、前記トランスポータは、前記基板ホルダを水平方向に搬送している間、前記吸引機構および前記移動機構を前記基板ホルダと一体に水平方向に移動させることを特徴とするめっき装置である。
【００１０】
本発明の好ましい態様は、前記移動機構は、前記吸引機構を前記基板ホルダに保持された前記基板に近接および離間する方向に移動させるＸ軸アクチュエータを備えることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記吸引機構は、前記シール部材および前記基板上に残留する処理液を吸引する第１の吸引機構と、前記基板の表面上に残留する処理液を吸引する第２の吸引機構から構成され、前記Ｘ軸アクチュエータは、前記第１の吸引機構を前記基板ホルダに保持された前記基板に近接および離間する方向に移動させる第１のＸ軸アクチュエータと、前記第２の吸引機構を前記基板ホルダに保持された前記基板に近接および離間する方向に移動させる第２のＸ軸アクチュエータから構成されることを特徴とする。
【００１１】
本発明の好ましい態様は、前記移動機構は、前記吸引機構を前記基板ホルダに保持された前記基板と平行に、かつ水平方向に移動させるＹ軸アクチュエータと、前記吸引機構を鉛直方向に移動させるＺ軸アクチュエータとをさらに備えることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記Ｙ軸アクチュエータおよび前記Ｚ軸アクチュエータは、予め設定された経路に沿って前記第１の吸引機構を移動させることができる電動アクチュエータから構成されることを特徴とする。
【００１２】
本発明の好ましい態様は、前記第１の吸引機構は、単一の吸引ノズルを備えることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記第１の吸引機構は、前記シール部材の形状に沿って配列された複数の吸引ノズルを備えることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記第１の吸引機構は、前記シール部材の形状に沿ったスリットを有する吸引ノズルを備えることを特徴とする。
【００１３】
本発明の他の態様は、シール部材を基板に押し付けた状態で基板ホルダにより基板を保持し、前記基板を保持した前記基板ホルダを処理槽内の処理液に浸漬させ、前記基板ホルダを前記処理槽から引き上げ、前記基板ホルダを前記基板とともに水平方向に搬送し、前記基板ホルダを水平方向に搬送している間、前記基板上に残留する前記処理液を吸引機構により吸引することを特徴とするめっき方法である。
【００１４】
本発明の好ましい態様は、前記基板ホルダを前記処理槽から引き上げている間、前記基板上に残留する前記処理液を前記吸引機構により吸引することを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記基板ホルダを水平方向に搬送している間、前記シール部材および前記基板上に残留する前記処理液を前記吸引機構により吸引することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、基板ホルダの水平方向への搬送中に吸引機構により基板上の処理液を吸引することができる。したがって、スループットを低下させることなく基板に残留する処理液を除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態に係るめっき装置を模式的に示す平面図である。
【図２】基板ホルダを示す斜視図である。
【図３】図２に示す基板ホルダの平面図である。
【図４】図２に示す基板ホルダの右側面図である。
【図５】図４に示す記号Ｖで囲まれた部分を示す拡大図である。
【図６】基板ホルダを保持した状態のトランスポータの正面図である。
【図７】図６に示すめっき装置の部分斜視図である。
【図８】第１の吸引機構、第２の吸引機構、および移動機構の一部を示す拡大図である。
【図９】図９（ａ）は図８に示す第１の吸引機構のＡ線矢視図であり、図９（ｂ）は図８に示す第２の吸引機構のＡ線矢視図である。
【図１０】図１０（ａ）は第１の吸引ノズルおよび第１の吸引管の上面図であり、図１０（ｂ）は第２の吸引ノズルおよび第２の吸引管の上面図である。
【図１１】図１１（ａ）は、第１の吸引ノズルおよび第２の吸引ノズルが退避位置にある状態を示す図であり、図１１（ｂ）は、第１の吸引ノズルが吸引位置にあり、第２の吸引ノズルが退避位置にある状態を示す図であり、図１１（ｃ）は、第１の吸引ノズルが退避位置にあり、第２の吸引ノズルが吸引位置にある状態を示す図である。
【図１２】図１２（ａ）は所定の退避位置にある第２の吸引ノズルを示す模式図であり、図１２（ｂ）は基板の表面上に残留した処理液を吸引する第２の吸引ノズルを示す模式図であり、図１２（ｃ）は処理液の吸引後、再び所定の退避位置に移動された第２の吸引ノズルを示す模式図である。
【図１３】第２の吸引ノズルが処理液を吸引する領域を示す図である。
【図１４】第１の吸引ノズルが処理液を吸引する領域を示す図である。
【図１５】基板ホルダと第１の吸引機構との位置関係を示す図である。
【図１６】第１の吸引ノズル、基板、および基板側シール部材を示す拡大断面図である。
【図１７】第１の吸引ノズルが図１４に示す領域の処理液を吸引する様子を示す図である。
【図１８】図１８（ａ）は第１の吸引ノズルの変形例を示す上面図であり、図１８（ｂ）は図１８（ａ）のＢ線矢視図である。
【図１９】図１９（ａ）は第１の吸引ノズルのさらに他の変形例を示す上面図であり、図１９（ｂ）は図１９（ａ）のＣ線矢視図である。
【図２０】図２０（ａ）は第２の吸引ノズルの他の変形例を示す斜視図であり、図２０（ｂ）は図２０（ａ）のＤ線矢視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るめっき装置を模式的に示す平面図である。図１に示すように、このめっき装置には、装置フレーム１と、ウェーハ等の基板を収納したカセットを搭載する２台のロードポート２と、めっき装置の動作を制御する制御部３が備えられている。さらに、めっき装置は、基板のオリエンテーションフラットまたはノッチの位置を所定の方向に合わせるアライナ４と、めっき処理後の基板を高速回転させて乾燥させるスピン・リンス・ドライヤ（ＳＲＤ）６と、基板ホルダ８（図２乃至図５参照）が水平に載置されるテーブル２０と、基板を搬送する基板搬送ロボット２２とを備えている。これらアライナ４、スピン・リンス・ドライヤ６、テーブル２０、および基板搬送ロボット２２は、装置フレーム１内に配置されている。
【００１８】
テーブル２０の上方に位置して、テーブル２０上に載置された基板ホルダ８を開閉して基板の該基板ホルダ８への着脱を行う基板ホルダ開閉機構２４が配置されている。更に、テーブル２０の側方には、基板ホルダ８を起倒させる基板ホルダ起倒機構２６が配置されている。
【００１９】
装置フレーム１の内部には、基板ホルダ８の保管および一時仮置きを行うストッカ３０、基板ホルダ８で保持した基板を純水等の前処理液で前洗浄（前処理）する前水洗槽３２、基板ホルダ８で保持した基板にめっきを行うめっき槽３４、めっき後の基板を基板ホルダ８と共にリンス液でリンスするリンス槽３６、およびリンス後の基板の水切りを行うブロー槽３８が配置されている。ストッカ３０、前水洗槽３２、めっき槽３４、リンス槽３６、およびブロー槽３８は、この順に直列に配列されている。
【００２０】
前水洗槽３２には、内部に純水等の前処理液を保持する１つの前水洗セル３２ａが備えられている。めっき槽３４には、内部にめっき液を保持する複数（この例では１０列）のめっきセル３４ａとオーバフロー槽３４ｂが備えられている。リンス槽３６には、内部にリンス液を保持する１つのリンスセル３６ａが備えられている。めっきセル３４ａは例えば電解めっきセルであり、内部にアノード電極を備える。基板ホルダ８は各めっきセル３４ａ内に設置され、この状態で電解めっきが行われる。あるいは、めっきセル３４ａは基板に無電解めっきを行う無電解めっきセルであってもよい。本実施形態では、めっき槽３４は１種類のめっき液を用いており、各めっきセル３４ａからオーバフローしためっき液は共通のオーバフロー槽３４ｂに流れ込むようになっている。ストッカ３０は、複数の基板ホルダ８を鉛直に並列に保持するように構成されている。ブロー槽３８は、エアの吹き付けによって、基板ホルダ８で保持した基板の表面に残留した液滴を除去し乾燥させるように構成されている。
【００２１】
めっき槽３４の一側方には、各めっきセル３４ａ内のめっき液を攪拌するパドル（図示せず）を駆動するパドルモータユニット４０が設けられている。めっき槽３４の他側方には、排気ダクト４２が設けられている。
【００２２】
基板ホルダ８は、図２乃至図５に示すように、矩形平板状の第１保持部材（固定保持部材）５４と、この第１保持部材５４にヒンジ５６を介して開閉自在に取付けられた第２保持部材（可動保持部材）５８とを有している。他の構成例として、第２保持部材５８を第１保持部材５４に対峙した位置に配置し、この第２保持部材５８を第１保持部材５４に向けて前進させ、また第１保持部材５４から離間させることによって第２保持部材５８を開閉するようにしてもよい。
【００２３】
第１保持部材５４は例えば塩化ビニル製である。第２保持部材５８は、基部６０と、リング状のシールホルダ６２とを有している。シールホルダ６２は例えば塩化ビニル製であり、下記の押えリング６４との滑りを良くしている。シールホルダ６２の上部には環状の基板側シール部材６６（図４および図５参照）が内方に突出して取付けられている。この基板側シール部材６６は、基板ホルダ８が基板Ｗを保持した時、基板Ｗの表面外周部に圧接して第２保持部材５８と基板Ｗとの隙間をシールするように構成されている。シールホルダ６２の第１保持部材５４と対向する面には、環状のホルダ側シール部材６８（図４および図５参照）が取付けられている。このホルダ側シール部材６８は、基板ホルダ８が基板Ｗを保持した時、第１保持部材５４に圧接して第１保持部材５４と第２保持部材５８との隙間をシールするように構成されている。ホルダ側シール部材６８は、基板側シール部材６６の外側に位置している。
【００２４】
図５に示すように、基板側シール部材６６は、シールホルダ６２と第１固定リング７０ａとの間に挟持されてシールホルダ６２に取付けられている。第１固定リング７０ａは、シールホルダ６２にボルト等の締結具６９ａを介して取付けられる。ホルダ側シール部材６８は、シールホルダ６２と第２固定リング７０ｂとの間に挟持されてシールホルダ６２に取付けられている。第２固定リング７０ｂは、シールホルダ６２にボルト等の締結具６９ｂを介して取付けられる。
【００２５】
シールホルダ６２の外周部には段部が設けられており、この段部には押えリング６４がスペーサ６５を介して回転自在に装着されている。押えリング６４は、第１固定リング７０ａの外周部によって脱出不能に装着されている。この押えリング６４は、酸やアルカリに対して耐食性に優れ、十分な剛性を有する材料から構成される。例えば、押えリング６４はチタンから構成される。スペーサ６５は、押えリング６４がスムーズに回転できるように、摩擦係数の低い材料、例えばＰＴＦＥで構成されている。
【００２６】
押えリング６４の外側には、複数のクランパ７４が押えリング６４の円周方向に沿って等間隔で配置されている。これらクランパ７４は第１保持部材５４に固定されている。各クランパ７４は、内方に突出する突出部を有する逆Ｌ字状の形状を有している。押えリング６４の外周面には、外方に突出する複数の突起部６４ｂが設けられている。これら突起部６４ｂは、クランパ７４の位置に対応する位置に配置されている。クランパ７４の内方突出部の下面および押えリング６４の突起部６４ｂの上面は、押えリング６４の回転方向に沿って互いに逆方向に傾斜するテーパ面となっている。押えリング６４の円周方向に沿った複数箇所（例えば３箇所）には、上方に突出する凸部６４ａが設けられている。これにより、回転ピン（図示せず）を回転させて凸部６４ａを横から押し回すことにより、押えリング６４を回転させることができる。
【００２７】
第２保持部材５８を開いた状態で、第１保持部材５４の中央部に基板Ｗを挿入し、ヒンジ５６を介して第２保持部材５８を閉じる。押えリング６４を時計回りに回転させて、押えリング６４の突起部６４ｂをクランパ７４の内方突出部の内部に滑り込ませることで、押えリング６４とクランパ７４にそれぞれ設けたテーパ面を介して、第１保持部材５４と第２保持部材５８とを互いに締付けて第２保持部材５８をロックする。また、押えリング６４を反時計回りに回転させて押えリング６４の突起部６４ｂをクランパ７４から外すことで、第２保持部材５８のロックを解くようになっている。
【００２８】
第２保持部材５８をロックした時、基板側シール部材６６の下方突出部は基板Ｗの表面外周部に圧接される。シール部材６６は均一に基板Ｗに押圧され、これによって基板Ｗの表面外周部と第２保持部材５８との隙間をシールする。同じように、第２保持部材５８をロックした時、ホルダ側シール部材６８の下方突出部は第１保持部材５４の表面に圧接される。シール部材６８は均一に第１保持部材５４に押圧され、これによって第１保持部材５４と第２保持部材５８との間の隙間をシールする。
【００２９】
第１保持部材５４の端部には、一対のホルダハンガ１０８が外方に突出して設けられている。このホルダハンガ１０８は、内側ハンガ部９０と外側ハンガ部９４から構成される。両側の内側ハンガ部９０の間にはハンドレバー９２が延びている。前水洗槽３２、めっき槽３４、リンス槽３６、およびブロー槽３８内では、基板ホルダ８は、ホルダハンガ１０８の内側ハンガ部９０または外側ハンガ部９４を介してそれらの周壁に吊下げられる。
【００３０】
第１保持部材５４の上面には、基板Ｗの大きさにほぼ等しいリング状の突条部８２が形成されている。この突条部８２は、基板Ｗの周縁部に当接して該基板Ｗを支持する環状の支持面８０を有している。この突条部８２の円周方向に沿った所定位置に凹部８４が設けられている。
【００３１】
図３に示すように、凹部８４内には複数（図示では１２個）の導電体（電気接点）８６がそれぞれ配置されている。これら導電体８６は、ホルダハンガ１０８の内側ハンガ部９０に設けられた接続端子９１から延びる複数の配線にそれぞれ接続されている。第１保持部材５４の支持面８０上に基板Ｗを載置した際、この導電体８６の端部が基板Ｗの側方で飛び出して、図５に示す電気接点８８の下部に弾性的に接触するようになっている。
【００３２】
導電体８６に電気的に接続される電気接点８８は、ボルト等の締結具８９を介して第２保持部材５８のシールホルダ６２に固着されている。この電気接点８８は、板ばね形状に形成されている。電気接点８８は、基板側シール部材６６の外方に位置した、内方に板ばね状に突出する接点部を有している。電気接点８８はこの接点部において、その弾性力によるばね性を有して容易に屈曲するようになっている。第１保持部材５４と第２保持部材５８で基板Ｗを保持した時に、電気接点８８の接点部が、第１保持部材５４の支持面８０上に支持された基板Ｗの外周面に弾性的に接触するように構成されている。
【００３３】
第２保持部材５８の開閉は、図示しないエアシリンダと第２保持部材５８の自重によって行われる。つまり、第１保持部材５４には通孔５４ａが設けられ、テーブル２０の上に基板ホルダ８を載置した時に通孔５４ａに対向する位置にエアシリンダ（図示せず）が設けられている。このエアシリンダのピストンロッドにより、通孔５４ａを通じて第２保持部材５８のシールホルダ６２を上方に押上げることで第２保持部材５８を開き、ピストンロッドを収縮させることで、第２保持部材５８をその自重で閉じるようになっている。
【００３４】
図１に戻って、ストッカ３０、前水洗槽３２、めっき槽３４、リンス槽３６、ブロー槽３８、および基板ホルダ起倒機構２６の間で基板ホルダ８を基板とともに搬送するトランスポータ１００が設けられている。このトランスポータ１００は、装置フレーム１に固定されて水平方向に延びる固定ベース１０２と、固定ベース１０２上を水平方向に移動可能に構成されたリフタ１０１と、リフタ１０１に連結されたアーム１０４とを備えている。アーム１０４は、基板ホルダ８を把持するグリッパ１０３を有している。アーム１０４とリフタ１０１は一体に水平方向に移動し、アーム１０４はリフタ１０１によって上昇および下降される。リフタ１０１およびアーム１０４を水平方向に移動させる駆動源としてはリニアモータまたはラックピニオンを採用することができる。
【００３５】
次に、上記のように構成されためっき装置による処理動作を説明する。まず、トランスポータ１００のアーム１０４により、ストッカ３０から鉛直姿勢の基板ホルダ８を取り出す。基板ホルダ８を把持したアーム１０４は、水平方向に移動して、基板ホルダ起倒機構２６に基板ホルダ８を渡す。基板ホルダ起倒機構２６は、基板ホルダ８を鉛直姿勢から水平姿勢に転換し、テーブル２０の上に載置する。そして、基板ホルダ開閉機構２４によりテーブル２０に載置された基板ホルダ８を開く。
【００３６】
基板搬送ロボット２２は、ロードポート２に搭載されたカセットから基板を１枚取出し、アライナ４に載せる。アライナ４はオリエンテーションフラットまたはノッチの位置を所定の方向に合わせる。基板搬送ロボット２２は、基板をアライナ４から取り出し、テーブル２０上に載置された基板ホルダ８に挿入する。この状態で、基板ホルダ開閉機構２４により基板ホルダ８を閉じ、基板ホルダ８をロックする。
【００３７】
次に、基板ホルダ起倒機構２６は、基板ホルダ８を水平姿勢から鉛直姿勢に転換する。アーム１０４のグリッパ１０３は、この起立した状態の基板ホルダ８を把持し、この状態でアーム１０４は前水洗槽３２の上方位置まで基板ホルダ８を水平方向に移動させる。さらに、トランスポータ１００のリフタ１０１は、基板ホルダ８とともにアーム１０４を下降させて、水洗槽３２内の所定の位置に基板ホルダ８をセットする。この状態で、基板の前水洗が行われる。基板の前水洗が終了した後、アーム１０４のグリッパ１０３は基板ホルダ８を把持し、リフタ１０１がアーム１０４を上昇させることで基板ホルダ８を水洗槽３２から引き上げる。
【００３８】
アーム１０４は、めっき槽３４の上方位置まで水平方向に基板ホルダ８を移動させる。さらに、トランスポータ１００のリフタ１０１は、基板ホルダ８とともにアーム１０４を下降させて、めっき槽３４のめっきセル３４ａ内の所定の位置に基板ホルダ８をセットする。この状態で、基板のめっきが行われる。めっきが終了した後、アーム１０４のグリッパ１０３は基板ホルダ８を把持し、リフタ１０１がアーム１０４を上昇させることで基板ホルダ８をめっき槽３４から引き上げる。
【００３９】
アーム１０４は、リンス槽３６の上方位置まで水平方向に基板ホルダ８を移動させる。さらに、トランスポータ１００のリフタ１０１は、基板ホルダ８とともにアーム１０４を下降させて、リンス槽３６内の所定の位置に基板ホルダ８をセットする。この状態で、基板のめっき後のリンスが行われる。リンスが終了した後、アーム１０４のグリッパ１０３は基板ホルダ８を把持し、リフタ１０１がアーム１０４を上昇させることで基板ホルダ８をリンス槽３６から引き上げる。
【００４０】
アーム１０４は、ブロー槽３８の上方位置まで水平方向に基板ホルダ８を移動させる。さらに、トランスポータ１００のリフタ１０１は、基板ホルダ８とともにアーム１０４を下降させて、ブロー槽３８内の所定の位置に基板ホルダ８をセットする。ブロー槽３８は、エアの吹き付けによって、基板ホルダ８で保持した基板の表面に付着した水滴を除去し乾燥させる。ブロー処理が終了した後、アーム１０４のグリッパ１０３は基板ホルダ８を把持し、リフタ１０１がアーム１０４を上昇させることで基板ホルダ８をブロー槽３８から引き上げる。
【００４１】
アーム１０４は、水平方向に移動して、基板ホルダ８を基板ホルダ起倒機構２６に渡す。基板ホルダ起倒機構２６は、前述と同様にして、基板ホルダ８をテーブル２０の上に水平に載置し、基板ホルダ開閉機構２４により基板ホルダ８を開く。基板搬送ロボット２２は、基板ホルダ８から処理後の基板を取出し、この基板をスピン・リンス・ドライヤ６に搬送する。スピン・リンス・ドライヤ６は基板を高速で回転させることで基板を乾燥させる。基板搬送ロボット２２は、乾燥された基板をスピン・リンス・ドライヤ６から取り出し、ロードポート２のカセットに戻す。これによって、１枚の基板に対する処理が終了する。
【００４２】
図６は、めっき装置の一部を示す正面図である。図６に示すように、アーム１０４は、処理液を溜める処理槽（以下、前水洗槽３２、めっき槽３４、リンス槽３６を総称して処理槽１１０と呼ぶ）の上方に位置している。アーム１０４は、基板ホルダ８を把持するグリッパ１０３を備えている。このグリッパ１０３は、基板ホルダ８を下から支持するフック１０５と、ホルダハンガ１０８を下方に押圧する２つの押圧機構１０６を備えている。フック１０５は基板ホルダ８のハンドレバー９２を引っ掛ける形状を有している。
【００４３】
押圧機構１０６は、ホルダハンガ１０８の上面に接触する押圧部材１０７と、押圧部材１０７を下方に移動させるエアシリンダ１０９とを備えている。エアシリンダ１０９のピストンロッド１０９ａが下降すると、押圧部材１０７は下方に移動し、ホルダハンガ１０８を下方に押圧する。ハンドレバー９２がフック１０５に引っ掛けられた状態で、押圧部材１０７がホルダハンガ１０８を下方に押圧することで、基板ホルダ８はグリッパ１０３に把持される。グリッパ１０３に把持された基板ホルダ８は、揺れ動くことなくトランスポータ１００によって鉛直方向および水平方向に搬送される。
【００４４】
図６に示すように、めっき装置は、基板ホルダ８の基板側シール部材６６と基板Ｗとの接触部近傍に溜まっている処理液を吸引する第１の吸引機構１１２と、基板Ｗの表面上の広い領域に残留する処理液を吸引する第２の吸引機構１１６と、吸引された処理液を回収する処理液回収機構１２０と、第１の吸引機構１１２および第２の吸引機構１１６を基板ホルダ８に対して相対的に移動させる移動機構１２４とを備えている。
【００４５】
後述するように、基板Ｗを保持した基板ホルダ８を垂直姿勢で処理槽１１０から引き上げると、基板側シール部材６６が基板Ｗに接触している基板Ｗの外周最下部には、特に処理液が溜まりやすい。第１の吸引機構１１２は、この領域に溜まっている処理液を吸引する。
【００４６】
図７は、図６に示すトランスポータ１００、基板ホルダ８、第１の吸引機構１１２、第２の吸引機構１１６、および移動機構１２４の斜視図である。図７において、処理液回収機構１２０は省略されている。図７に示すように、第１の吸引機構１１２は１つの第１の吸引ノズル１３０と第１の吸引管１３１とを備えている。第２の吸引機構１１６は複数の第２の吸引ノズル１３６と第２の吸引管１３７とを備えている。第１の吸引ノズル１３０は、第１の吸引管１３１に接続され、第１の吸引管１３１から基板ホルダ８に保持された基板Ｗに向かって延びている。第２の吸引ノズル１３６は、第２の吸引管１３７に接続され、第２の吸引管１３７から基板ホルダ８に保持された基板Ｗに向かって延びている。第１の吸引ノズル１３０および第２の吸引ノズル１３６は、円筒状のノズルである。
【００４７】
図７に示すように、移動機構１２４は、第１の吸引ノズル１３０を基板Ｗの表面と垂直な方向、すなわち基板Ｗの表面に近接および離間する方向（以下、この方向をＸ軸方向と呼ぶ）に移動させる第１のＸ軸アクチュエータ１４０と、第２の吸引ノズル１３６をＸ軸方向に移動させる第２のＸ軸アクチュエータ１４２とを備えている。移動機構１２４は、さらに、第１のＸ軸アクチュエータ１４０、第１の吸引機構１１２、第２のＸ軸アクチュエータ１４２、および第２の吸引機構１１６を水平方向に、かつ基板Ｗの表面と平行（以下、この方向をＹ軸方向と呼ぶ）に移動させるＹ軸アクチュエータ１４４を有している。さらに、移動機構１２４は、第１のＸ軸アクチュエータ１４０、第２のＸ軸アクチュエータ１４２、Ｙ軸アクチュエータ１４４、第１の吸引機構１１２、および第２の吸引機構１１６を鉛直方向（以下、この方向をＺ軸方向と呼ぶ）に移動させるＺ軸アクチュエータ１４６を備えている。Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向は互いに直交する方向である。
【００４８】
リフタ１０１は、鉛直に延びるベース部１０１ａと、このベース部１０１ａに対して相対的に上下動する上下動部１０１ｂとを備えている。アーム１０２は上下動部１０１ｂに固定されている。第１の吸引機構１１２、第２の吸引機構１１６、および移動機構１２４はトランスポータ１００に取り付けられている。より具体的には、Ｚ軸アクチュエータ１４６はトランスポータ１００のリフタ１０１のベース部１０１ａに取り付けられており、Ｙ軸アクチュエータ１４４はＺ軸アクチュエータ１４６に取り付けられており、第１のＸ軸アクチュエータ１４０および第２のＸ軸アクチュエータ１４２はＹ軸アクチュエータ１４４に取り付けられている。移動機構１２４の動作は制御部３により制御される。
【００４９】
アクチュエータ１４４，１４６は、ボールねじ機構とサーボモータとの組み合わせからなる電動アクチュエータから構成されている。これにより、制御部３は、第１の吸引ノズル１３０および第２の吸引ノズル１３６の動きを高精度に制御することができる。より具体的には、第１の吸引ノズル１３０および第２の吸引ノズル１３６を、基板Ｗと平行な平面内で予め設定した経路に沿って移動させることができる。第１のＸ軸アクチュエータ１４０および第２のＸ軸アクチュエータ１４２は、エアシリンダで構成してもよいし、アクチュエータ１４４，１４６のように電動アクチュエータで構成してもよい。
【００５０】
図６に示すように、処理液回収機構１２０は、第１の吸引管１３１および第２の吸引管１３７に接続される真空ライン１５０と、真空ライン１５０に取り付けられる吸引切替バルブ１５２Ａ，１５２Ｂと、吸引された処理液を回収する回収タンク１５４と、回収タンク１５４に接続される真空装置ＶＰとを備えている。真空ライン１５０は、第１の吸引管１３１に接続される第１の真空ライン１５０ａと、第２の吸引管１３７に接続される第２の真空ライン１５０ｂとから構成されている。第１の真空ライン１５０ａには吸引切替バルブ１５２Ａが設けられており、第２の真空ライン１５０ｂには吸引切替バルブ１５２Ｂが設けられている。吸引切替バルブ１５２Ａおよび吸引切替バルブ１５２Ｂは同一の構成を有している。吸引切替バルブ１５２Ａおよび吸引切替バルブ１５２Ｂの開閉動作は制御部３により制御される。真空ライン１５０は回収タンク１５４に接続されている。真空装置ＶＰを駆動することで、基板ホルダ８の基板側シール部材６６上および基板Ｗの表面上に残留した処理液が第１の吸引機構１１２および第２の吸引機構１１６を通じて吸引される。
【００５１】
本実施形態では、真空装置ＶＰは回収タンク１５４の下流側に配置されているが、真空装置ＶＰを回収タンク１５４の上流側に配置することも可能である。この場合、液体がその内部を通過することができる真空装置を採用する必要がある。一例として、バイモルフ素子を使用したバイモルフポンプが好適に使用される。
【００５２】
第１の吸引ノズル１３０を用いて処理液を吸引するときは、吸引切替バルブ１５２Ｂが閉じられ、吸引切替バルブ１５２Ａが開かれる。真空装置ＶＰの駆動により、回収タンク１５４、第１の真空ライン１５０ａ、第１の吸引管１３１、および第１の吸引ノズル１３０内に真空が形成され、これにより第１の吸引ノズル１３０は基板Ｗおよび基板側シール部材６６上に残留した処理液を吸引する。処理液は、第１の吸引ノズル１３０、第１の吸引管１３１、第１の真空ライン１５０ａをこの順に通って回収タンク１５４内に移送される。
【００５３】
第２の吸引ノズル１３６を用いて処理液を吸引するときは、吸引切替バルブ１５２Ａが閉じられ、吸引切替バルブ１５２Ｂが開かれる。真空装置ＶＰの駆動により、回収タンク１５４、第２の真空ライン１５０ｂ、第２の吸引管１３７、および第２の吸引ノズル１３６内に真空が形成され、これにより第２の吸引ノズル１３６は基板Ｗの表面上に残留した処理液を吸引する。処理液は、第２の吸引ノズル１３６、第２の吸引管１３７、第２の真空ライン１５０ｂをこの順に通って回収タンク１５４内に移送される。
【００５４】
回収タンク１５４には、排液管１６０および処理液回収管１６１が接続されている。回収タンク１５４に溜まった処理液は、排液管１６０または処理液回収管１６１を通って回収タンク１５４から排出される。例えば、回収された処理液がめっき液である場合、めっき液は処理液回収管１６１を通ってめっき槽３４に戻され、基板のめっきに再利用される。処理液が純水（例えば、リンス液および前処理液）である場合は、排液管１６０を通って外部に移送され、廃棄される。排液管１６０および処理液回収管１６１には開閉バルブ１６２，１６２が取り付けられている。
【００５５】
図８は、第１の吸引機構１１２、第２の吸引機構１１６、および移動機構１２４の一部を示す拡大図である。図９（ａ）は図８に示す第１の吸引機構１１２のＡ線矢視図であり、図９（ｂ）は図８に示す第２の吸引機構１１６のＡ線矢視図である。本実施形態において、第１のＸ軸アクチュエータ１４０および第２のＸ軸アクチュエータ１４２は、エアシリンダである。図８、図９（ａ）、および図９（ｂ）に示すように、第１の吸引ノズル１３０は第１の吸引管１３１に取り付けられており、第２の吸引ノズル１３６は第２の吸引管１３７に取り付けられている。
【００５６】
図９（ａ）に示すように、第１のＸ軸アクチュエータ１４０はＹ軸アクチュエータ１４４に固定されている。第１のＸ軸アクチュエータ１４０のピストンロッド１４０ａは、連結部材１４１を介して第１の吸引管１３１に連結されている。このような構成により、ピストンロッド１４０ａが伸縮すると、第１の吸引ノズル１３０および第１の吸引管１３１は図９（ａ）に示す矢印方向（Ｘ軸方向）に移動する。
【００５７】
図９（ｂ）に示すように、第２のＸ軸アクチュエータ１４２はＹ軸アクチュエータ１４４に固定されている。第２のＸ軸アクチュエータ１４２のピストンロッド１４２ａは、連結部材１４３を介して第２の吸引管１３７に連結されている。このような構成により、ピストンロッド１４２ａが伸縮すると、第２の吸引ノズル１３６および第２の吸引管１３７は図９（ｂ）に示す矢印方向（Ｘ軸方向）に移動する。
【００５８】
第１の吸引ノズル１３０および第２の吸引ノズル１３６は、処理槽１１０から引き上げられた基板Ｗの表面に対向して配置される。第２の吸引ノズル１３６および第２の吸引管１３７に接触しないように、第１の吸引ノズル１３０および第１の吸引管１３１は、これら第２の吸引ノズル１３６および第２の吸引管１３７の上方に配置されている。
【００５９】
図１０（ａ）は第１の吸引ノズル１３０および第１の吸引管１３１の上面図であり、図１０（ｂ）は第２の吸引ノズル１３６および第２の吸引管１３７の上面図である。本実施形態において第１の吸引ノズル１３０の本数は１本であり、第２の吸引ノズル１３６の本数は７本である。第２の吸引ノズル１３６は水平方向に沿って等間隔に並んでいる。ただし、第１の吸引ノズル１３０の本数および第２の吸引ノズル１３６の本数は本実施形態に限定されない。図８に示す第１のＸ軸アクチュエータ１４０および第２のＸ軸アクチュエータ１４２は、第１の吸引機構１１２および第２の吸引機構１１６をそれぞれ独立にＸ軸方向に移動させることができる。
【００６０】
移動機構１２４はリフタ１０１のベース部（静止部分）１０１ａに固定されており、第１の吸引機構１１２および第２の吸引機構１１６は移動機構１２４に連結されている。第１の吸引機構１１２、第２の吸引機構１１６、および移動機構１２４は、アーム１０４に把持された基板ホルダ８とともには上下動しないが、アーム１０４に把持された基板ホルダ８と一体に水平方向に移動する。したがって、基板ホルダ８が１つの処理槽から他の処理槽にトランスポータ１００によって搬送されるときに、第１の吸引機構１１２、第２の吸引機構１１６、および移動機構１２４は基板ホルダ８と一体に水平方向に移動する。
【００６１】
アーム１０４に把持された基板ホルダ８上の基板Ｗと第１の吸引ノズル１３０との距離は、第１のＸ軸アクチュエータ１４０によって変更される。アーム１０４に把持された基板ホルダ８上の基板Ｗと第２の吸引ノズル１３６との距離は、第２のＸ軸アクチュエータ１４２によって変更される。第１のＸ軸アクチュエータ１４０および第２のＸ軸アクチュエータ１４２は、独立に動作することが可能となっている。したがって、第１の吸引ノズル１３０および第２の吸引ノズル１３６は、それぞれ独立に基板Ｗに近接し、および基板Ｗから離間することができる。
【００６２】
図１１（ａ）は、第１の吸引ノズル１３０および第２の吸引ノズル１３６が基板Ｗから離間した所定の退避位置にある状態を示す図であり、図１１（ｂ）は、第１の吸引ノズル１３０が基板Ｗに近接した所定の吸引位置にあり、第２の吸引ノズル１３６が退避位置にある状態を示す図であり、図１１（ｃ）は、第１の吸引ノズル１３０が退避位置にあり、第２の吸引ノズル１３６が吸引位置にある状態を示す図である。このように、第１の吸引ノズル１３０および第２の吸引ノズル１３６は、交互に基板Ｗに近づいて処理液を吸引する。
【００６３】
Ｘ軸アクチュエータ１４０，１４２は、吸引ノズル１３０，１３６が基板ホルダ８に保持された基板Ｗの表面に接触しない範囲内でこれら吸引ノズル１３０，１３６を基板Ｗに向かって移動させる。第１の吸引機構１１２および第２の吸引機構１１６は、基板ホルダ８が移動している最中に、基板Ｗ上の処理液を吸引することができる。より具体的には、第２の吸引機構１１６は、基板ホルダ８が処理槽１１０からトランスポータ１００によって引き上げられているときに基板Ｗ上の処理液を吸引し、第１の吸引機構１１２は、基板ホルダ８がトランスポータ１００によって水平に移動（搬送）されているときに基板Ｗ上の処理液を吸引するようになっている。
【００６４】
第２の吸引ノズル１３６の動作について図１２（ａ）乃至図１２（ｃ）を参照しつつ説明する。第１の吸引ノズル１３０の動作については後述する。図１２（ａ）は基板Ｗの表面から離れた退避位置にある第２の吸引ノズル１３６を示す模式図であり、図１２（ｂ）は基板Ｗに向かって移動し、基板Ｗの表面上の処理液を吸引する第２の吸引ノズル１３６を示す模式図であり、図１２（ｃ）は処理液の吸引後、再び退避位置に移動された第２の吸引ノズル１３６を示す模式図である。第２の吸引ノズル１３６は、図１２（ａ）乃至図１２（ｃ）に示すように、第２のＸ軸アクチュエータ１４２によって基板Ｗの表面に近接および離間する方向に移動される。
【００６５】
基板Ｗおよび基板ホルダ８が処理槽１１０内に浸漬され、基板Ｗが処理されると、リフタ１０１によりアーム１０４を上昇させ、基板Ｗおよび基板ホルダ８を処理槽１１０から引き上げる。上昇する基板ホルダ８の第２保持部材５８が第２の吸引ノズル１３６にぶつからないように、図１２（ａ）に示すように、第２の吸引ノズル１３６（および第１の吸引ノズル１３０）は退避位置に配置される。第２保持部材５８が第２の吸引ノズル１３６を通過すると、図１２（ｂ）に示すように、第２のＸ軸アクチュエータ１４２は第２の吸引ノズル１３６を基板Ｗに向かって移動させ、第２の吸引ノズル１３６の先端を基板Ｗの表面上に残留した処理液に接触させる。この吸引位置にある第２の吸引ノズル１３６と基板Ｗの表面との距離はおよそ０．５ｍｍである。なお、この距離は一例であり、第２の吸引ノズル１３６と基板Ｗの表面との距離はこの例に限定されない。また、吸引能力の高い真空装置ＶＰを用いれば、必ずしも第２の吸引ノズル１３６を処理液に接触させる必要はない。
【００６６】
第２の吸引ノズル１３６が図１２（ｂ）に示す吸引位置に移動するとき、吸引切替バルブ１５２Ｂが開かれる。このとき、吸引切替バルブ１５２Ａは閉じられたままである。真空装置ＶＰの駆動により、第２の吸引ノズル１３６内が減圧され、これにより処理液は第２の吸引ノズル１３６内に吸引される。処理液の吸引中、基板Ｗは上昇するが、第２の吸引ノズル１３６の位置は固定されている。また、別の実施形態として、Ｙ軸アクチュエータ１４４およびＺ軸アクチュエータ１４６により第２の吸引ノズル１３６を基板Ｗの上昇とは独立して基板Ｗに平行な面内で移動させてもよい。例えば、基板Ｗを保持した基板ホルダ８をトランスポータ１００が水平に移動させている間、第２の吸引ノズル１３６が基板Ｗ上の処理液を吸引することもできる。
【００６７】
第２の吸引ノズル１３６の吸引動作は、第２の吸引ノズル１３６の移動と同時、または第２の吸引ノズル１３６の移動前に開始してもよい。基板Ｗおよび基板ホルダ８が上昇しながら、第２の吸引ノズル１３６は基板Ｗの表面上の処理液を広範囲に亘って吸引する。具体的に第２の吸引ノズル１３６は、図１３の網線で示す矩形状の領域内の処理液を吸引する。基板Ｗがさらに上昇して第２保持部材５８が第２の吸引ノズル１３６に近づいたときに、図１２（ｃ）に示すように、第２の吸引ノズル１３６は基板Ｗから離れ、退避位置に移動される。
【００６８】
このように、第２の吸引ノズル１３６は、基板ホルダ８の引き上げ動作中に基板Ｗの広い領域上の処理液を吸引することができるので、基板ホルダ８の引き上げ速度を速くしても、基板Ｗに付着する処理液を少なくすることができる。さらに、基板Ｗに付着した処理液を液切りするための時間がかからないので、タクトタイムを短くすることができ、結果として、スループットが向上する。
【００６９】
基板Ｗの周縁部および基板側シール部材６６の表面に残留する処理液は、重力の作用により流下し、基板側シール部材６６の下部の上に溜まる。しかしながら、第２の吸引ノズル１３６は、図１３に示す基板表面の中心側矩形領域上の処理液を吸引することはできるが、基板表面の下部領域および基板側シール部材６６の下部に残留する処理液を吸引することはできない。より具体的には、第２の吸引機構１１６は図１４の網線で示す三日月状の領域に残留する処理液を吸引することはできない。そこで、第１の吸引ノズル１３０により基板表面の下部領域および基板側シール部材６６上に溜った処理液を吸引する。
【００７０】
図１５は基板ホルダ８と第１の吸引ノズル１３０との位置関係を示す図であり、図１６は第１の吸引ノズル１３０、基板Ｗ、および基板側シール部材６６を示す拡大断面図である。図１６において、基板側シール部材６６は基板Ｗの周縁部に接触している。上述したように、基板側シール部材６６が接触している基板Ｗの外周部に残留する処理液は、基板側シール部材６６の縁に沿って回り込むように重力により流下し、基板側シール部材６６と基板Ｗとが接触している外周最下部に集中的に溜まる。
【００７１】
第１の吸引機構１１２は、基板側シール部材６６の下部に溜まった処理液を吸引する。具体的には、第２の吸引ノズル１３６による上述した処理液の吸引が終了した後、すなわち、基板ホルダ８の上昇動作が終了した後、第１の吸引ノズル１３０は、第１のＸ軸アクチュエータ１４０により基板Ｗに近接し、処理液に接触する。このとき、吸引切替バルブ１５２Ａが開かれる。吸引切替バルブ１５２Ｂは第２の吸引ノズル１３６による上述した処理液の吸引が終了したときに閉じられる。そして、真空装置ＶＰの駆動により、第１の吸引ノズル１３０内が減圧され、これにより処理液は第１の吸引ノズル１３０内に吸引される。第１の吸引ノズル１３０の吸引動作は、第１の吸引ノズル１３０の移動と同時、または第１の吸引ノズル１３０の移動前に開始してもよい。
【００７２】
図１７に示すように、第１の吸引ノズル１３０は、Ｙ軸方向およびＺ軸方向に移動しながら、網線で示す三日月状の領域上の処理液を吸引する。この第１の吸引ノズル１３０のＹ軸方向およびＺ軸方向の移動は、予めプログラム化される。特に、Ｙ軸アクチュエータ１４４およびＺ軸アクチュエータ１４６を同時に駆動することで、第１の吸引ノズル１３０を基板側シール部材６６に沿って移動させることができる。したがって、第１の吸引ノズル１３０は基板側シール部材６６の下部に溜まった処理液を吸引することができる。処理液の吸引中は、第１のＸ軸アクチュエータ１４０は動作せず、第１の吸引ノズル１３０と基板Ｗとの距離は、例えば、０．５ｍｍに維持される。
【００７３】
第１の吸引機構１１２の吸引動作は、基板ホルダ８の処理槽１１０からの引き上げ作業が完了した後であれば、基板ホルダ８および基板Ｗの搬送中も可能である。基板ホルダ８および基板Ｗを処理槽１１０から引き上げた後、基板ホルダ８はトランスポータ１００により基板Ｗとともに次の処理槽に水平方向に搬送される。この搬送の間、第１の吸引機構１１２は、基板Ｗおよび基板側シール部材６６上に残留した処理液を吸引することができる。したがって、基板ホルダ８を処理槽１１０の上方で待機させる必要がなくなり、タクトタイムをより短くすることができる。結果として、スループットが向上する。
【００７４】
上述したように、ブロー槽３８において、ブローノズル（図示しない）によりエアを基板Ｗに吹き付けることで、基板Ｗの表面に残留した液滴が除去され、乾燥される。上述した実施形態によれば、第１の吸引ノズル１３０および第２の吸引ノズル１３６は基板Ｗのほぼ全面から処理液を吸引することができる。したがって、ブロー槽３８での処理液の飛散を極力抑えることができ、基板Ｗの汚染を防ぐことができる。
【００７５】
図１８（ａ）は第１の吸引ノズル１３０の変形例を示す上面図であり、図１８（ｂ）は図１８（ａ）のＢ線矢視図である。図１８（ａ）および図１８（ｂ）に示すように、第１のノズル１３０の本数を３本にしてもよい。この場合、それぞれの第１のノズル１３０は、基板側シール部材６６の周方向に沿って配列される。このような配置により、第１の吸引ノズル１３０はより多くの処理液を吸引することができる。
【００７６】
図１９（ａ）は第１の吸引ノズル１３０のさらに他の変形例を示す上面図であり、図１９（ｂ）は図１９（ａ）のＣ線矢視図である。図１９（ａ）および図１９（ｂ）に示すように、第１の吸引ノズル１３０は、スリット１３０ａが先端に形成されたスリットノズルから構成されている。このスリット１３０ａは、基板側シール部材６６の周方向に沿って湾曲した円弧形状を有しており、基板側シール部材６６上の処理液はスリット１３０ａから吸い込まれる。このようなスリット１３０ａを有する第１の吸引ノズル１３０を基板Ｗに近接させるだけで、第１の吸引ノズル１３０は基板側シール部材６６上に残留した処理液を吸引することができる。すなわち、第１の吸引ノズル１３０が所定の吸引位置に配置された後は、Ｙ軸アクチュエータ１４４およびＺ軸アクチュエータ１４６を駆動する必要がない。
【００７７】
図２０（ａ）は第２の吸引ノズル１３６の他の変形例を示す斜視図であり、図２０（ｂ）は図２０（ａ）のＤ線矢視図である。図２０（ａ）および図２０（ｂ）に示すように、第２の吸引ノズル１３６は、スリット１３６ａが先端に形成されたスリットノズルから構成されている。このスリット１３６ａは、基板ホルダ８に保持された基板Ｗの表面と平行に、かつ水平に延びている。このようなスリット１３６ａを有する第２の吸引ノズル１３６は、基板Ｗの表面上に残留した処理液をより確実に吸引することができる。
【００７８】
上述した種々のノズルを組み合わせることにより、本発明の目的をより効果的に達成することができる。例えば、第１の吸引ノズル１３０および第２の吸引ノズル１３６の両方を上述したスリットノズルから構成することにより、基板Ｗに残留する処理液をより効率よく吸引することができる。
【００７９】
図１５に示すように、第１の吸引ノズル１３０が基板Ｗおよび基板側シール部材６６の下部の対向する位置にある間に、第２の吸引ノズル１３６を基板ホルダ８の下端部に対向する位置（図６参照）に移動させてもよい。そして、第１の吸引ノズル１３０による吸引と第２の吸引ノズル１３６による吸引とを交互に、または同時に行って、基板ホルダ８の下端部およびその周辺に集まった処理液を除去するようにしてもよい。
【００８０】
上記の例では、基板Ｗの表面および基板側シール部材６６の接触部に付着した処理液を吸引する例を示したが、同様の構成により、基板ホルダ８の表面に付着した処理液を吸引するようにしてもよい。これにより、基板ホルダ８の表面に付着した処理液を減少させ、次の工程で処理液による汚染を減少させることができる。本実施形態の構成によれば、基板ホルダ８を水平方向に搬送する間にも処理液の吸引除去を行うことができるので、液切りするための待機は必要なく、スループットを向上することができる。
【００８１】
なお、本発明は、処理槽１１０での基板ホルダ８の上昇下降動作を、トランスポータ１００とは別に設けられた昇降機構により行うめっき装置にも適用することができる。このタイプのめっき装置でも、処理槽１１０から上昇する基板ホルダ８に対向する位置に吸引ノズルを配置し、この吸引ノズルが基板ホルダ８とともに水平移動しながら処理液を吸引することができる。
【００８２】
これまで本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術思想の範囲内において、種々の異なる形態で実施されてよいことは勿論である。
【符号の説明】
【００８３】
１      装置フレーム
３      制御部
４      アライナ
６      スピン・リンス・ドライヤ（ＳＲＤ）
８      基板ホルダ
２０    テーブル
２４    基板ホルダ開閉機構
２６    基板ホルダ起倒機構
３０    ストッカ
３２    前水洗槽
３４    めっき槽
３６    リンス槽
３８    ブロー槽
５４    第１保持部材
５６    ヒンジ
５８    第２保持部材
６２    シールホルダ
６４    押えリング
６６    基板側シール部材
６８    ホルダ側シール部材
９２    ハンドレバー
１００  トランスポータ
１０１  リフタ
１０２  固定ベース
１０３  グリッパ
１０４  アーム
１０５  フック
１０６  押圧機構
１０７  押圧部材
１０９  エアシリンダ
１０９ａ  ピストンロッド
１１０  処理槽
１１２  第１の吸引機構
１１６  第２の吸引機構
１２０  処理液回収機構
１２４  移動機構
１３０  第１の吸引ノズル
１３１  第１の吸引管
１３６  第２の吸引ノズル
１３７  第２の吸引管
１４０  第１のＸ軸アクチュエータ
１４１  連結部材
１４２  第２のＸ軸アクチュエータ
１４３  連結部材
１４４  Ｙ軸アクチュエータ
１４６  Ｚ軸アクチュエータ
１５０  真空ライン
１５４  回収タンク
１６０  排液管
１６１  処理液回収管
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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