(57)【要約】【課題】低コストで、かつ、簡易な、一次元アルミナナノ構造体の製造方法の提供。【解決手段】ＣＶＤ法により、基体上に一次元アルミナナノ構造体を形成する方法であって、前記基体が、酸化物基準の質量％表記で２〜４０％のナトリウムを含有するガラス基板であり、４５０℃以上８００℃以下の温度に保持した該ガラス基板上に、プロセスガスとして、塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ3）、および、炭素数４以下のアルコール類を、塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ3）に対するアルコール類の濃度比（アルコール類（ｍｏｌ％）／ＡｌＣｌ3（ｍｏｌ％））が１以上となる条件で供給することを特徴とする、一次元アルミナナノ構造体の形成方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＶＤ法により、基体上に一次元アルミナナノ構造体を形成する方法であって、前記基体が、酸化物基準の質量％表記で２〜４０％のナトリウムを含有するガラス基板であり、４５０℃以上８００℃以下の温度に保持した該ガラス基板上に、プロセスガスとして、塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ3）、および、炭素数４以下のアルコール類を、塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ3）に対するアルコール類の濃度比（アルコール類（ｍｏｌ％）／ＡｌＣｌ3（ｍｏｌ％））が１以上となる条件で供給することを特徴とする、一次元アルミナナノ構造体の形成方法。
【請求項２】
前記プロセスガス中の塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ3）濃度が０．０２〜４ｍｏｌ％である、請求項１に記載の一次元アルミナナノ構造体の形成方法。
【請求項３】
前記アルコール類が、メタノール、エタノール、および、イソプロパノールからなる群から選択される少なくとも１種である、請求項１または２に記載の一次元アルミナナノ構造体の形成方法。
【請求項４】
前記アルコール類が、エタノールである、請求項１または２に記載の一次元アルミナナノ構造体の形成方法。
【請求項５】
塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ3）に対するアルコール類の濃度比（アルコール類（ｍｏｌ％）／ＡｌＣｌ3（ｍｏｌ％））が１以上５０以下となる条件でプロセスガスを供給する、請求項１〜４のいずれかに記載の一次元アルミナナノ構造体の形成方法。
【請求項６】
プロセスガス中の水分量が２ｍｏｌ％以下である、請求項１〜５のいずれかに記載の一次元アルミナナノ構造体の形成方法。
【請求項７】
前記ＣＶＤ法が常圧ＣＶＤ法である、請求項１〜６のいずれかに記載の一次元アルミナナノ構造体の形成方法。
【請求項８】
前記ＣＶＤ法を１０００Ｐａ以下の圧力下で実施する、請求項１〜６のいずれかに記載の一次元アルミナナノ構造体の形成方法。
【請求項９】
前記ガラス基板がソーダライムガラス基板である、請求項１〜８のいずれかに記載の一次元アルミナナノ構造体の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一次元アルミナナノ構造体の形成方法に関する。具体的には、オンラインＣＶＤ法を用いて、ガラス基板上に、一次元アルミナナノ構造体を形成する方法に関する。
なお、本明細書における一次元アルミナナノ構造体とは、ガラス基板上に形成される、長さがμｍオーダーで、幅がｎｍオーダーの、外観形状が柱状またはチューブ状の、アルミナからなる構造体を指す。ここで、柱状とは、構造体が中実であることを指し、チューブ状とは、構造体が中空であることを指す。
【背景技術】
【０００２】
アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）は触媒活性を持つ化合物であり、多数の一次元アルミナナノ構造体をガラス基板等の基体上に形成した場合、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）が有する触媒活性と、多数の一次元アルミナナノ構造体による高い比表面積により、高い触媒活性を持つ物質として注目されている。
【０００３】
一次元アルミナナノ構造体を形成する方法として、ｖａｐｏｒ−ｌｉｑｕｉｄ−ｓｏｌｉｄ（ＶＬＳ）法による手法が非特許文献１に提案されている。この手法は、真空チャンバー内で鉄粉末とアルミ粉末の混合ペレットにアーク放電を照射して、アルミナナノロッドを作製している。しかし、本手法では真空プロセスを用いるため、工業的に用いるにはコスト面で課題がある。
また、ゾルゲル法などのウェットプロセスによる手法で一次元アルミナナノ構造体を作製できることが、非特許文献２で報告されている。しかし、本手法ではゲルの作製に１５０℃、７２時間、乾燥および焼成にそれぞれ２１時間および４時間という長時間の反応を要することから、工業的に用いるにはコスト面で課題がある。
また、ナノロッドを一定方向（一次元方向）に選択的に成長させることができれば、触媒用途として選択的な触媒性能の付与や、電気デバイス用途への展開など、様々な用途展開が可能となるが、上記方法ではナノロッドを一定方向に成長させることは難しい。
【０００４】
一方、アルミナナノロッドを一定方向に成長させた例として、テンプレート上にＡＬＤ法（原子層堆積法）を用いてアルミナを形成したことが、非特許文献３、４に報告されている。非特許文献３ではテンプレートとしてシリコン基板上に形成したカーボンナノチューブを、非特許文献４ではポリカーボネートメンブレンをテンプレートとして用いている。しかし、これらの方法は作製プロセスが数ステップにわたる複雑なものであり、またＡＬＤ法は、高真空中でアルミニウム原料であるトリメチルアルミニウムと水蒸気を交互に吹き付け、１ステップで原子層を１層ずつ成長させる方法であるため成膜レートが遅く、さらに高真空プロセスも必要であるため、工業的にはコスト面で課題がある。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】W. F. Li, X. L. Ma1, W. S. Zhang, W. Zhang, Y. Li, and Z. D. Zhang, phys. stat. sol. (a) 203, No. 2, 294-299 (2006)
【非特許文献２】Hyun Chul Lee, Hae Jin Kim, Soo Hyun Chung, Kyung Hee Lee, Hee Cheon Leeand  Jae Sung Lee, J. AM. CHEM. SOC. 2003, 125, 2882-2883
【非特許文献３】J.S. Leea, B. Mina, K. Choa, S. Kima, J. Parkb, Y.T. Leeb, N.S. Kimb, M.S. Leec,S.O. Parkc, J.T. Moonc, Journal of Crystal Growth 254 (2003) 443-448
【非特許文献４】Jules J. VanDersarl, Alexander M. Xu, and Nicholas A. Melosh, Nano Lett., 2012, 12 (8), pp 3881-3886
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上述した従来技術における問題点を解決するため、低コストで、かつ、簡易な、一次元アルミナナノ構造体の製造方法の提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記問題を解決するため、本願発明者らは鋭意検討した結果、ＣＶＤ法により、塩化アルミニウムと、所定の低級アルコール類と、を含有するプロセスガスを、ナトリウムを含有するガラス基板に吹き付けることで、低コストかつ簡易な方法で一次元アルミナナノ構造体を形成できることを見いだした。
【０００８】
本発明は、上記した知見に基づいてなされたものであり、ＣＶＤ法により、基体上に一次元アルミナナノ構造体を形成する方法であって、前記基体が、酸化物基準の質量％表記で２〜４０％のナトリウムを含有するガラス基板であり、４５０℃以上８００℃以下の温度に保持した該ガラス基板上に、プロセスガスとして、塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ3）、および、炭素数４以下のアルコール類を、塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ3）に対するアルコール類の濃度比（アルコール類（ｍｏｌ％）／ＡｌＣｌ3（ｍｏｌ％））が１以上となる条件で供給することを特徴とする、一次元アルミナナノ構造体の形成方法を提供する。
【０００９】
本発明の一次元アルミナナノ構造体の形成方法において、前記プロセスガス中の塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ3）濃度が０．０２〜４ｍｏｌ％であることが好ましい。
【００１０】
本発明の一次元アルミナナノ構造体の形成方法において、前記アルコール類が、メタノール、エタノール、および、イソプロパノールからなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましい。
本発明の一次元アルミナナノ構造体の形成方法において、前記アルコール類が、エタノールであることがより好ましい。
【００１１】
本発明の一次元アルミナナノ構造体の形成方法において、塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ3）に対するアルコール類の濃度比（アルコール類（ｍｏｌ％）／ＡｌＣｌ3（ｍｏｌ％））が１以上５０以下となる条件でプロセスガスを供給することが好ましい。
【００１２】
本発明の一次元アルミナナノ構造体の形成方法において、プロセスガス中の水分量が２ｍｏｌ％以下であることが好ましい。
【００１３】
本発明の一次元アルミナナノ構造体の形成方法において、前記ＣＶＤ法が常圧ＣＶＤ法であることが好ましい。
【００１４】
本発明の一次元アルミナナノ構造体の形成方法において、前記ＣＶＤ法を１０００Ｐａ以下の圧力下で実施してもよい。
【００１５】
本発明の一次元アルミナナノ構造体の形成方法において、前記ガラス基板がソーダライムガラス基板であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、低コストかつ簡易な方法で、ガラス基板上に一次元アルミナナノ構造体を形成できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１（ａ）〜（ｆ）は、本発明の一次元アルミナナノ構造体の形成方法を説明するための概念図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｃ）は、例１〜３におけるＣＶＤ法実施後の基板表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【図３】図３（ａ）〜（ｃ）は、例４〜６におけるＣＶＤ法実施後の基板表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【図４】図４（ａ）〜（ｂ）は、例７〜８におけるＣＶＤ法実施後の基板表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の一次元アルミナナノ構造体の形成方法について説明する。
本発明の一次元アルミナナノ構造体の形成方法は、ＣＶＤ法により、基体上に一次元アルミナナノ構造体を形成する方法であって、基体が、酸化物基準の質量％表記で２〜４０％のナトリウム（Ｎａ）を含有するガラス基板であり、４５０℃以上８００℃以下の温度に保持した該ガラス基板上に、プロセスガスとして、塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ3）、および、炭素数４以下のアルコール類を、塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ3）に対するアルコール類の濃度比（アルコール類（ｍｏｌ％）／ＡｌＣｌ3（ｍｏｌ％））が１以上となる条件で供給することを特徴とする。
【００１９】
本発明の方法において、基体上に一次元アルミナナノ構造体が形成される原理を、図面を参照して説明する。
図１（ａ）〜（ｆ）は、本発明の一次元アルミナナノ構造体の形成方法を説明するための概念図である。
図１（ａ）は、常温での基体１０を示した概念図である。図１（ａ）に示す基体１０は、ナトリウム（Ｎａ）２０を含有するガラス基板である。
ＣＶＤ法を実施するため、該基体１０を所定の温度（４５０〜８００℃）まで加熱する過程で、該基体１０の温度４５０℃以上になると、基体１０中のＮａの一部が、Ｎａイオン（Ｎａ+）として該基体１０の表面に析出する（図１（ｂ）参照）。
【００２０】
この状態で、プロセスガスとして、塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ3）、および、炭素数４以下のアルコール類（図では、エタノール（Ｃ2Ｈ5ＯＨ、ＥｔＯＨ））を、基体１０上に供給すると、下記式で示す反応によって生じたＨＣｌからのＣｌイオン（Ｃｌ-）３０と、基体表面に析出したＮａイオン（Ｎａ+）２０からＮａＣｌ４０が生じ（図１（ｃ）参照）、該ＮａＣｌ４０が基体１０上に析出する（図１（ｄ）参照）。
ＡｌＣｌ3  ＋  ＥｔＯＨ  →  Ａｌ(ＯＥｔ)3  ＋  ３ＨＣｌ
【００２１】
次に、図１（ｅ）に示すように、基体１０上のＮａＣｌ４０と、プロセスガス中のＡｌＣｌ3と、が、ＮａＣｌ−ＡｌＣｌ3混合溶融塩５０を形成する。
この混合溶融塩５０上にプロセスガス中のＡｌＣｌ3が堆積し、溶融する。溶融したＡｌＣｌ3と、気相反応で生じたＡｌ（ＯＥｔ）3が下記式にしたがって反応してアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）６０が生じる。
ＡｌＣｌ3  ＋  Ａｌ（ＯＥｔ）3  →  Ａｌ2Ｏ3  ＋  ３ＥｔＣｌ
このアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）６０は、混合溶融塩５０を起点としているため、基体１０表面から鉛直方向に成長して、外観形状が柱状またはチューブ状をした一次元アルミナナノ構造体を形成する（図１（ｆ）参照）。
【００２２】
上述したように、本発明の方法において、一次元アルミナナノ構造体を形成する基体は、ナトリウム（Ｎａ）を含有するガラス基板である。より具体的には、酸化物基準の質量％表記で２〜４０％のＮａを含有するガラス基板である。
ガラス基板のＮａ含有量が２％よりも低いと、加熱時にガラス基板の表面に析出するＮａイオンが少なくなり、ガラス基板上に一次元アルミナナノ構造体を形成することができなくなる。
一方、ガラス基板のＮａ含有量が４０％よりも高いと、生成するＮａＣｌの密度が高くなり過ぎるため、溶融塩が連続的に基板上に生成してしまい、アルミナは膜状に形成され、一次元状に成長できない問題がある。
ガラス基板のＮａ含有量は、２〜２０％であることがより好ましく、１０〜１５％であることがさらに好ましい。
Ｎａを含有するガラス基板としては、ソーダライムシリケートガラス基板、アルカリホウ酸塩ガラス、アルカリリン酸塩ガラスなどを用いることができる。
【００２３】
本発明では、ＣＶＤ法実施時、ガラス基板を４５０℃以上８００℃以下の温度に保持する。ガラス基板の保持温度が４５０℃より低いと、一次元アルミナナノ構造体を形成することができない。一方、ガラス基板の保持温度を８００℃以下とするのは、ガラス基板の軟化点を超えない温度域で、常圧ＣＶＤ法を実施するためである。
ガラス基板の保持温度は、４５０℃以上６５０℃以下であることがより好ましく、５００℃以上６００℃以下であることがさらに好ましい。
【００２４】
本発明において、炭素数４以下のアルコール類を使用するのは、ガラス基板上に、プロセスガスとして、アルコール類を供給するためである。炭素数４以下のアルコール類としては、メタノール、エタノール、および、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ブタノール類を単体または混合物として用いるのができる。このうちエタノールは、アルミナ微粉の発生が特に少なく、生態への危険性も少なく、かつ、安価であることから特に好ましい。
【００２５】
ＣＶＤ法の実施時において、炭素数が４以下のアルコール類は、塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ3）に対する濃度比（アルコール類（ｍｏｌ％）／ＡｌＣｌ3（ｍｏｌ％））が１以上となる条件で供給する。
塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ3）に対する濃度比（アルコール類（ｍｏｌ％）／ＡｌＣｌ3（ｍｏｌ％））が１よりも小さくなる条件でアルコール類を供給した場合、一次元アルミナナノ構造体の形成速度が極端に遅くなるため、実用的ではない。
一方、塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ3）に対する濃度比（アルコール類（ｍｏｌ％）／ＡｌＣｌ3（ｍｏｌ％））が５０よりも大きくなる条件でアルコール類を供給しても、一次元アルミナナノ構造体の形成にはもはや寄与せず、不要なアルコール類の供給によるコスト増が問題となる。また、常圧ＣＶＤ法を実施する雰囲気中に存在するアルコール類の増加により、形成される一次元アルミナナノ構造体にカーボンなどの不純物が多くなることから好ましくない。
炭素数が４以下のアルコール類は、塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ3）に対する濃度比（アルコール類（ｍｏｌ％）／ＡｌＣｌ3（ｍｏｌ％））が、４〜５０となる条件で供給することがより好ましく、８〜３０となる条件で供給することがさらに好ましい。
【００２６】
ＣＶＤ法の実施時において、プロセスガス中の塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ3）濃度が０．０２〜４ｍｏｌ％であることが好ましい。
プロセスガス中の塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ3）濃度が０．０２ｍｏｌ％より低いと一次元アルミナナノ構造体の形成速度が低下する。
一方、プロセスガス中の塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ3）濃度が４ｍｏｌ％より高いと、気相中でアルミナ微粉が発生して、一次元アルミナナノ構造体にアルミナ微粉が混入する等の問題がある。
プロセスガス中の塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ3）濃度は、０．０５〜３ｍｏｌ％であることがより好ましく、０．１〜２ｍｏｌ％であることがさらに好ましい。
【００２７】
ＣＶＤ法の実施時において、プロセスガス中の水分量が高くなると、気相中でアルミナ微粉が発生して、一次元アルミナナノ構造体にアルミナ微粉が混入する、また一次元アルミナ構造体の形成速度が遅くなる等の問題がある。
このため、プロセスガス中の水分量は、２ｍｏｌ％以下であることが好ましく、１ｍｏｌ％以下であることがより好ましく、実質的にゼロであることが最も好ましい。
【００２８】
なお、プロセスガスとしての、塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ3）、および、炭素数４以下のアルコール類は、気化器またはバブリングなどの気化手法により気化できる。塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ3）については、加熱した金属アルミニウムに、塩素または塩化水素ガスを吹き付けることにより直接形成することも可能である。気化したガスは、窒素などの希ガスで希釈して供給される。
プロセスガスとしての、塩化アルミニウム、および、炭素数４以下のアルコール類は、プレミックス方式の原料ガス供給手段を使用して、予め混合した状態でガラス基板上に供給してもよいし、両者を別々の配管で移送し、ポストミックス方式の原料ガス供給手段を使用して、ガラス基板上で混合させてもよい。
【００２９】
本発明において、ＣＶＤ法実施時の雰囲気圧力は特に限定されない。したがって、常圧雰囲気下でＣＶＤ法を実施してもよいし、圧力１０００Ｐａ以下の減圧雰囲気下でＣＶＤ法を実施してもよい。減圧雰囲気下でＣＶＤ法を実施した場合、気相中でのアルミナ微粉の発生が防止されるという利点がある。但し、常圧雰囲気下でＣＶＤ法を実施すること、すなわち、常圧ＣＶＤ法であること、がコスト面から好ましい。
【００３０】
本発明により形成される一次元アルミナナノ構造体は、外観形状が柱状またはチューブ状であり、長さがμｍオーダーで、幅がｎｍオーダーである。柱状またはチューブ状をなす外観は、その平面形状が円形や楕円形状のように角を持たないものであってもよく、三角形、四角形、および、その他の多角形のように角を有するものであってもよい。
一次元アルミナナノ構造体の幅は５０〜３００ｎｍであることが好ましい。幅が５０ｎｍより小さいと、一次元アルミナナノ構造体が安定に成長できないためであり、３００ｎｍを超えると一次元アルミナナノ構造体の特徴である比表面積を増やす効果が十分でないためである。幅については１００ｎｍ程度であることが特に好ましい。一次元アルミナナノ構造体の長さは１μｍ以上であることが好ましい。
一次元アルミナナノ構造体の幅や長さは、ＣＶＤ法の実施条件、具体的には、ＣＶＤ法の実施時間、プロセスガス中の塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ3）濃度、基板温度等により調節することができる。たとえば、ＣＶＤ法の実施時間を長くする、プロセスガス中の塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ3）濃度を高くする、基板温度を高くする等の条件の調節により、一次元アルミナナノ構造体の長さが増加する。
【００３１】
本発明により形成される一次元アルミナナノ構造体は、図１（ｆ）に示したように、基体１０であるガラス基板の表面に対し鉛直方向に成長するため、表面積が大きくなり、触媒用途などには特に好ましい。
また、本発明により形成された一次元アルミナナノ構造体は、へらなどで剥離することにより、基体１０であるガラス基板から分離して使用することも可能である。
【実施例】
【００３２】
以下に、実施例を用いて本発明を詳細に説明する。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。ここで例１、２、４〜８が実施例であり、例３は比較例である。
【００３３】
（例１）
搬送型常圧ＣＶＤ装置を用いて、ソーダライムガラス基板上に一次元アルミナナノ構造体を形成した。使用したソーダライムガラス基板のＮａ含有量は、酸化物基準の質量％表記で１３％である。
塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ3）を入れたステンレス容器を１５０℃に加熱し、昇華によって気化した塩化アルミニウムガスを乾燥窒素ガスで希釈して搬送した。同様に、炭素数４以下のアルコール類として、エタノールを入れたステンレス容器を２５℃で窒素によりバブリングすることによりエタノールガスを搬送した。搬送した塩化アルミニウム、エタノールは、プロセスガスとして、搬送型常圧ＣＶＤ装置内に設置された原料ガス供給手段により、基板温度を６００℃に保持したガラス基板上に供給して、一次元アルミナナノ構造体を形成した。プロセスガス中のＡｌＣｌ3濃度、アルコール類濃度、および、ＡｌＣｌ3に対するアルコール類の濃度比（アルコール類／ＡｌＣｌ3）は下記表に示した通り。
このとき、ガラス基板は０．５ｍ／ｍｉｎの速度で搬送することにより、ガラス面内に均一に一次元アルミナナノ構造体を形成した。なお、プロセスガス中の水分量は実質的にゼロであった。
ＣＶＤ法実施後のガラス基板表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した。図２（ａ）は基板表面のＳＥＭ写真であり、基板表面に一次元ナノ構造体を形成されていることが示されている。また、ＳＥＭに付属するエネルギー分散型Ｘ線分析装置（ＥＤＸ）により組成分析を行いナノ構造体の組成がアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）であることを確認した。
【００３４】
（例２，３）
プロセスガス中のＡｌＣｌ3濃度、アルコール類濃度、ＡｌＣｌ3に対するアルコール類の濃度比（アルコール類／ＡｌＣｌ3）、および、基板温度を下記表に示した条件として、一次元アルミナナノ構造体の形成を試みた。なお、例２では、炭素数４以下のアルコール類として、エタノールの代わりに、ＩＰＡをそれぞれ使用した。また、例３では、炭素数４以下のアルコール類の代わりに水蒸気（Ｈ2Ｏ）を供給した。例３については、下記表中のアルコール濃度、アルコール／ＡｌＣｌ3の欄の記載は、水蒸気（Ｈ2Ｏ）濃度、および、ＡｌＣｌ3に対する水蒸気（Ｈ2Ｏ）の濃度比である。例２，３において、プロセスガス中の水分量は実質的にゼロであった。
【表１】
2014088601.tif 000002
図２（ｂ），（ｃ）は、例２，３の基板表面のＳＥＭ写真である。図２（ｂ）では、基板表面に一次元アルミナナノ構造体を形成されていることが示されている。一方、炭素数４以下のアルコール類の代わりに水蒸気（Ｈ2Ｏ）を供給した例３では、図２（ｃ）に示すように、一次元アルミナナノ構造体を形成できなかった。なお、図２（ｃ）に示されている塊状の物質は、プロセスガス中の塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ3）が、気相中で水蒸気（Ｈ2Ｏ）と反応（下記式）することで生じたＨＣｌからのＣｌイオン（Ｃｌ-）と、ガラス基板表面に析出したＮａイオン（Ｎａ+）と、から生じたＮａＣｌである。
ＡｌＣｌ3  ＋  １．５Ｈ2Ｏ  →  ０．５Ａｌ2Ｏ3  ＋  ３ＨＣｌ
なお、上記の反応は気相中で起こるため、アルミナ微粉の発生となり、一次元アルミナナノ構造体を形成できない。
【００３５】
（例４〜６）
例４〜６では、炭素数４以下のアルコール類としてＩＰＡを使用し、基板温度を変えて、一次元アルミナナノ構造体を形成した。プロセスガス中のＡｌＣｌ3濃度、アルコール類濃度、ＡｌＣｌ3に対するアルコール類の濃度比（アルコール類／ＡｌＣｌ3）、および、基板温度は下記表に示した条件とした。例４〜６において、プロセスガス中の水分量は実質的にゼロであった。
【表２】
2014088601.tif 000003
図３（ａ）〜（ｃ）は、例４〜６の基板表面のＳＥＭ写真である。図３（ａ）〜（ｃ）では、基板表面に一次元アルミナナノ構造体を形成されており、基板温度が高いほどナノ構造体の成長が促進されている。
【００３６】
（例７，８）
例７，８では、炭素数４以下のアルコール類としてエタノールを使用し、プロセスガスへの水分（Ｈ2Ｏ）の添加による、一次元アルミナナノ構造体の形成への影響を評価した。例７はプロセスガスにＨ2Ｏを添加しなかった例であり、例８はプロセスガスにＨ2Ｏを添加した例である。プロセスガス中のＡｌＣｌ3濃度、アルコール類濃度、ＡｌＣｌ3に対するアルコール類の濃度比（アルコール類／ＡｌＣｌ3）、プロセスガス中の水分量、および、基板温度は下記表に示した条件とした。
【表３】
2014088601.tif 000004
図４（ａ），（ｂ）は、例７，８の基板表面のＳＥＭ写真である。図４（ａ），（ｂ）では、基板表面に一次元アルミナナノ構造体を形成されており、プロセスガスへの水分（Ｈ2Ｏ）の添加により、ナノ構造体の密度を上げることが可能であり、より表面積を増やす用途においては微量の水分添加を行うことが有効であることが示されている。
【符号の説明】
【００３７】
１０：ガラス基板
２０：Ｎａ
３０：Ｃｌ
４０：ＮａＣｌ
５０：混合溶融塩（ＮａＣｌ＋ＡｌＣｌ3）
６０：アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）
【図１】
2014088601.tif 000005
【図２】
2014088601.tif 000006
【図３】
2014088601.tif 000007
【図４】
2014088601.tif 000008